(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンタクト領域と、前記複数のコンタクト領域に接続された少なくとも１つのチャネル領域とを含むナノワイヤを有する電界効果トランジスタであって、
前記チャネル領域は第１半導体材料から形成されており、かつ前記チャネル領域の表面は、絶縁層によって被覆されており、
前記複数のコンタクト領域は前記絶縁層によって被覆されておらず、
前記複数のコンタクト領域の各々は前記チャネル領域の前記第１半導体材料とは異なる第２半導体材料から形成され、前記第１半導体材料はＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ≦１）であり、前記第２半導体材料はＳｉyＧｅ1-y（０≦ｙ＜１、ｘ＞ｙ）であり、
前記少なくとも１つのチャネル領域と前記複数のコンタクト領域が長軸上に隣接しており、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料は、互いに、エッチング特性の異なる材料であり、前記第２の半導体材料は、前記第１の半導体材料に比べ、エッチングレートが高く設定され、
前記コンタクト領域の少なくとも表面は導電部分を有しているナノワイヤを有する電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記チャネル領域の長軸方向長さは、１０００ｎｍ以下である、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記コンタクト領域の導電部分は、不純物がドープされ、前記チャネル領域よりも高い導電率を示す第２半導体材料から形成されている請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記コンタクト領域の導電部分は、前記第２半導体材料を構成する元素と金属元素とが結合した合金から形成されている、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記コンタクト領域は、前記導電部分に含まれる金属と結合している元素から構成された半導体材料からなるコア部分を有している、請求項４に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記合金は、シリコンの金属化合物またはゲルマニウムの金属化合物である請求項５に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
第１半導体材料から形成された部分と前記第１半導体材料とは異なる第２半導体材料から形成された部分とを含むナノワイヤ素材であって、前記第１半導体材料はＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ≦１）であり、前記第２半導体材料はＳｉyＧｅ1-y（０≦ｙ＜１、ｘ＞ｙ）であり、前記少なくとも１つのチャネル領域と前記複数のコンタクト領域が長軸上に隣接するようなナノワイヤ素材、を用意する工程（Ａ）と、
前記ナノワイヤ素材のうち、前記第１半導体材料から形成された部分の表面のみに絶縁層を形成し、前記第２半導体材料から形成された部分の少なくとも表面は導電部として機能させる工程（Ｂ）と、
を含み、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料は、互いに、エッチング特性の異なる材料であり、前記第２の半導体材料は、前記第１の半導体材料に比べ、エッチングレートが高く設定された、ナノワイヤを有するトランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記ナノワイヤ素材における前記第２半導体材料から形成された部分の表面を金属元素との反応によって合金化する工程（Ｃ）を含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記工程（Ａ）は、
第１の結晶成長条件で前記第１半導体材料を成長させる工程（ａ１）と、
前記第１の結晶成長条件とは異なる第２の結晶成長条件で前記第２半導体材料を成長させる工程（ａ２）と、
を含む請求項７に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記チャネル領域から絶縁され、前記チャネル領域に電界を及ぼすゲート電極を更に備える、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１０に記載された複数の電界効果トランジスタと、
前記電極を接続する配線と、
前記複数の電子素子および配線を支持する基板と、
を備える電子機器。
【請求項１２】
前記複数の電界効果トランジスタの各々に含まれる前記ナノワイヤは、前記基板上において、一定の方向に配向している、請求項１１に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ナノワイヤに関し、特に低抵抗コンタクト実現に適した新規な構造を有する半導体ナノワイヤと、この半導体ナノワイヤを備えた半導体装置に関している。
【背景技術】
【０００２】
ナノテクノロジーの分野では、ナノメートルオーダーの直径を有するワイヤ（ナノワイヤ）やチューブ（ナノチューブ）の研究が活発に進められている。なかでも、自己組織化によって形成された半導体ナノワイヤをチャネル領域に用いるトランジスタが注目されている。半導体ナノワイヤは、結晶成長の触媒として機能する金属微粒子を基板上に形成した後、例えばＶＬＳ機構によって基板上に成長させられる（特許文献１など）。このため、実用的なトランジスタ回路を基板上に集積するには、目的とする位置に半導体ナノワイヤを成長させることが必要になる。
【０００３】
一方、別の基板上に成長させたＳｉナノワイヤを溶媒中に分散し、その溶媒をプラスチック基板上に塗布することにより、Ｓｉナノワイヤの薄膜トランジスタをプラスチック基板上に形成する技術が報告されている（非特許文献１）。
【特許文献１】特表２００４−５０７１０４号公報
【非特許文献１】“High-performance thin-film transistors using semiconductor nanowires and nanoribbons”, Nature, vol.425, 18 September 2003, pp. 274-278.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている技術では、ＶＬＳ機構による結晶成長に必要な温度（８２０〜１１５０℃程度）に耐える成長基板を回路基板として用いる必要がある。このため、プラスチック基板を成長基板として用いることはできず、半導体ナノワイヤを用いた薄膜トランジスタをプラスチック基板上に形成することは困難である。
【０００５】
一方、非特許文献１に開示されている技術では、ナノワイヤの成長基板と塗布基板とを異なる材料から形成することができるため、プラスチック基板上にもナノワイヤを用いた薄膜トランジスタを形成することが可能になる。また非特許文献１には、ナノワイヤの全周囲に熱酸化膜（シリコン酸化膜）を形成した構造が開示されている。ナノワイヤの全周囲をシリコン酸化膜で覆っておく理由は、ナノワイヤとシリコン酸化膜との界面を清浄に維持し、シリコン酸化膜をゲート絶縁膜の一部として用いる場合に、良好な界面特性を得るためである。
【０００６】
しかし、このような全周囲にシリコン酸化膜が形成されたナノワイヤを用いた場合、塗布基板上でソース・ドレイン電極と電気的コンタクトをとることが難しい。塗布基板上にナノワイヤを配置した後、フォトリソグラフィおよびエッチング技術により、ナノワイヤのコンタクト領域からシリコン酸化膜を除去することが必要になるからである。
【０００７】
更に、ナノワイヤとソース・ドレイン電極との接触面積は小さく、また、プラスチック基板はコンタクト抵抗低減に必要な熱処理にも耐えられないという問題もある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、コンタクト抵抗低減に適した新規な構造を有するナノワイヤを提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、アライメントの容易なナノワイヤを提供することにある。
【００１０】
本発明の更に他の目的は、上記ナノワイヤを備える半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のナノワイヤは、複数のコンタクト領域と、前記複数のコンタクト領域に接続された少なくとも１つのチャネル領域とを含むナノワイヤであって、前記チャネル領域は第１半導体材料から形成されており、かつ前記チャネル領域の表面は、前記チャネル領域上に選択的に形成された絶縁層によって被覆されており、前記複数のコンタクト領域の各々は前記チャネル領域の前記第１半導体材料とは異なる第２半導体材料から形成され、前記コンタクト領域の少なくとも表面は導電部分を有している。
【００１２】
好ましい実施形態において、前記第１半導体材料はＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ≦１）であり、前記第２半導体材料はＳｉyＧｅ1-y（０≦ｙ＜１、ｘ≠ｙ）である。
【００１３】
好ましい実施形態において、前記絶縁層は、前記半導体材料の酸化物から形成されている。
【００１４】
好ましい実施形態において、前記絶縁層は、前記チャネル領域の表面の熱酸化によって形成されている。
【００１５】
好ましい実施形態において、前記絶縁層は、前記チャネル領域の表面を覆っているが、前記コンタクト領域の表面は覆っていない。
【００１６】
好ましい実施形態において、前記チャネル領域の長軸方向長さは、１０００ｎｍ以下である。
【００１７】
好ましい実施形態において、前記コンタクト領域の導電部分は、不純物がドープされ、前記チャネル領域よりも高い導電率を示す第２半導体材料から形成されている。
【００１８】
好ましい実施形態において、前記コンタクト領域の導電部分は、前記第２半導体材料を構成する元素と金属元素とが結合した合金から形成されている。
【００１９】
好ましい実施形態において、前記コンタクト領域は、前記導電部分に含まれる金属と結合している元素から構成された半導体材料からなるコア部分を有している。
【００２０】
好ましい実施形態において、前記合金は、シリコンの金属化合物またはゲルマニウムの金属化合物である。
【００２１】
好ましい実施形態において、前記コンタクト領域の個数は、Ｎ個（Ｎは３以上の整数）であり、前記チャネル領域の個数は、Ｍ個（ＭはＮ−１）である。
【００２２】
好ましい実施形態において、前記コンタクト領域および前記チャネル領域は、長軸方向に沿って所定のピッチで交互に配列されている。
【００２３】
好ましい実施形態において、前記ナノワイヤは一対の電極間に配置され、前記一対の電極の各々の電極と前記ナノワイヤの前記コンタクト領域の少なくとも一部とは電気的に接合されており、前記各チャネル領域の長さをＬch、前記一対の電極間隔をＬSD、コンタクト領域の長さをＬcont、前記一対の電極の一方のチャネル長方向の長さをＬS、他方の電極のチャネル長方向の長さをＬDとするとき、（式１）〜（式３）の関係を満足する。
【００２４】
ＬS＞Ｌch                                  （式１）
ＬD＞Ｌch                                  （式２）
ＬSD＞ＬCONT                               （式３）
【００２５】
本発明によるナノワイヤの製造方法は、第１半導体材料から形成された部分と前記第１半導体材料とは異なる第２半導体材料から形成された部分とを含むナノワイヤ素材を用意する工程（Ａ）と、前記ナノワイヤ素材のうち、前記第１半導体材料から形成された部分の表面に選択的に絶縁層を形成し、前記第２半導体材料から形成された部分の少なくとも表面は導電部として機能させる工程（Ｂ）とを含む。
【００２６】
好ましい実施形態において、前記ナノワイヤ素材における前記第２半導体材料から形成された部分の表面を金属元素との反応によって合金化する工程（Ｃ）を含む。
【００２７】
好ましい実施形態において、前記工程（Ａ）は、第１の結晶成長条件で前記第１半導体材料を成長させる工程（ａ１）と、前記第１の結晶成長条件とは異なる第２の結晶成長条件で前記第２半導体材料を成長させる工程（ａ２）とを含む。
【００２８】
好ましい実施形態において、前記工程（Ｂ）は、前記ナノワイヤ素材における前記第１および第２半導体材料の表面を酸化することによって前記表面上に酸化膜を形成する工程（ｂ１）と、前記酸化膜のうち前記第２半導体材料の表面に形成された部分を選択的に除去することにより、前記第１半導体材料の表面に前記酸化膜の一部を残存させる工程（ｂ２）とを含む。
【００２９】
好ましい実施形態において、前記工程（Ｃ）は、前記ナノワイヤ素材における前記第１および第２半導体材料の表面を覆う金属層を形成する工程（ｃ１）と、前記金属層と前記第２半導体材料の表面とが接触する部分で合金化を行なう工程（ｃ２）と、前記金属層のうち合金化しなかった部分を選択的に除去する工程（ｃ３）とを含む。
【００３０】
本発明の電子素子は、少なくとも１本のナノワイヤと、前記ナノワイヤと電気的に接続された複数の電極とを備えた電子素子であって、各ナノワイヤは、前記複数の電極のいずれかに接触する２つのコンタクト領域を含む複数のコンタクト領域と、前記複数のコンタクト領域に接続された少なくとも１つのチャネル領域とを含み、前記チャネル領域は、第１半導体材料から形成されており、前記チャネル領域上に選択的に形成された絶縁層によって被覆されており、前記複数のコンタクト領域の各々は、前記第１半導体材料とは異なる第２半導体材料から形成され、導電部分を少なくとも表面に有している。
【００３１】
好ましい実施形態において、前記電子素子は、前記チャネル領域から絶縁され、前記チャネル領域に電界を及ぼすゲート電極を更に備える。
【００３２】
好ましい実施形態において、前記チャネル領域の長軸方向長さは、１０００ｎｍ以下である。
【００３３】
本発明の電子機器は、上記の複数の電子素子と、前記電極を接続する配線と、前記複数の電子素子および配線を支持する基板とを備える。
【００３４】
好ましい実施形態において、前記複数の電子素子の各々に含まれる前記ナノワイヤは、前記基板上において、一定の方向に配向している。
【００３５】
本発明による電子機器の製造方法は、上記の複数のナノワイヤが分散された溶媒を用意する工程と、前記溶媒を基板上に塗布する工程と、前記溶媒に含まれていた前記複数のナノワイヤの少なくとも１つにおける前記コンタクト領域を電極に接触させる工程とを含む。
【００３６】
好ましい実施形態において、前記溶媒を基板上に塗布する工程は、前記溶媒に分散されていた複数のナノワイヤを一定の方向に配向させる工程を含む。
【発明の効果】
【００３７】
本発明のナノワイヤは、チャネル領域の表面が絶縁層によって選択的に覆われているため、表面の全体が絶縁層で被覆されている従来のナノワイヤに比べて、以下の効果を得ることができる。
【００３８】
１．  ナノワイヤを基板上に配置した後、フォトリソグラフィおよびエッチング技術によってコンタクト領域から絶縁皮膜を除去する工程（コンタクトエッチング工程）が不要になる。このため、製造工程が簡略化されるとともに、マスクアライメントのずれに起因する製造歩留まり低下を抑制することができる。更に、絶縁層をゲート絶縁膜としてそのまま利用する場合、チャネル領域の端部と絶縁層との端部が整合することにより、トランジスタ特性を高めることが可能になる。
【００３９】
２．  フォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いてチャネル領域のみを絶縁層で被覆しようとする場合、チャネル領域の長軸方向長さはフォトリソグラフィの解像限界よりも短くすることはできないが、本発明では、チャネル領域の長軸方向長さをフォトリソグラフィの解像限界よりも短くすることができる。
【００４０】
３．  本発明のナノワイヤでは、各コンタクト領域がナノワイヤを基板上に配置する前から導電部分を有しているため、電界効果トランジスタなどの電極との間で低いコンタクト抵抗を実現することが容易になる。特に、ナノワイヤ自体が既にシリサイドなどから形成された導電部分を有していると、本発明のナノワイヤを成長基板とは異なる素子基板上に配置し、トランジスタなどの電子素子を作製するとき、素子基板に低コンタクト抵抗化のための高温プロセス（たとえばシリサイド化工程）を施す必要がなくなる。このため、融点や軟化点が相対的に低い基板（例えばプラスティック基板）上に優れた特性を有するナノワイヤ素子を作製することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明では、コンタクト領域に特徴を有するナノワイヤを用いて電界効果トランジスタなどの電子素子を形成する。
【００４２】
（実施形態１）
以下、図１および図２を参照しながら、本発明によるナノワイヤの第１の実施形態を説明する。図１は、本実施形態におけるナノワイヤ１００の斜視図である。図２（ａ）は、ナノワイヤ１００の長軸方向に沿った断面図であり、図２（ｂ）は、ナノワイヤ１００を備えた電界効果トランジスタの断面図である。
【００４３】
図１および図２に示されているナノワイヤ１００は、一対のコンタクト領域１０ａ、１０ｂと、これらのコンタクト領域１０ａ、１０ｂに接続されたチャネル領域１２とを有している。本実施形態では、チャネル領域１２がシリコン（Ｓｉ）から形成されているのに対して、コンタクト領域１０ａ、１０ｂは、Ｓｉとは異なる材料から形成された導電部分を少なくとも表面に有している。より具体的に説明すると、コンタクト領域１０ａ、１０ｂは、ｐ型不純物が高濃度にドープされたＧｅからなるコア部分と、そのコア部分の外周部を被覆する合金部分とから構成されている（ここではｐ型半導体のチャネル領域について述べたが、ｎ型についも同様に適用できる）。このコンタクト領域１０ａ、１０ｂの表面に設けられた合金部分は、ＮｉをＧｅ表面と反応させることによって形成した金属化合物である。また、チャネル領域１２の表面は酸化膜１４によって被覆されている。
【００４４】
なお、図示されている例では、コンタクト領域１０ａ、１０ｂの導電部分がシリサイドから形成されているが、この導電部分はチャネル領域よりも電気抵抗（比抵抗）が充分に低減されていれば良く、シリサイド化されている必要は無い。Ｇｅからなるコンタクト領域１０ａ、１０ｂの少なくとも表面に不純物が高濃度にドープされていれば、電気抵抗が充分に低減されるため、コンタクト領域１０ａ、１０ｂの表面は「導電領域」として機能する。
【００４５】
このように、本実施形態のナノワイヤ１００は、その両端部分に導電性に優れるコンタクト領域１０ａ、１０ｂを有しているため、ナノワイヤ１００と電極との間の電気的コンタクト抵抗を従来よりも低下させることができる。
【００４６】
本実施形態のナノワイヤ１００では、コンタクト領域１０ａ、１０ｂが、トランジスタのソース・ドレイン領域として機能することになり、チャネル領域１２の長軸方向長さがトランジスタのチャネル長を規定することになる。
【００４７】
図２（ｂ）に示される電界効果トランジスタは、上述のナノワイヤ１００と、このナノワイヤ１００のコンタクト領域１０ａ、１０ｂにそれぞれ接触するソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂと、これらを支持する素子基板２０とを備えている。この素子基板２０の上面にはゲート絶縁膜１８が形成されており、素子基板２０は、ナノワイヤ１００のチャネル領域１２の導電性を制御するためのゲート電極として機能する。図示されている例では、ナノワイヤ１００を支持する素子基板２０が導電性を有し、ゲート電極として機能しているが、ゲート電極の形態は、このような場合に限定されない。すなわち、公知のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のように、ガラスやプラスチックなどの材料からなる絶縁基板上に、導電膜パターンを形成し、この導電膜パターンによってゲート電極を構成してもよい。
【００４８】
以下、図３および図４を参照しながら、本実施形態におけるナノワイヤの製造方法を説明する。
【００４９】
まず、図３（ａ）に示すように、成長用基板として機能する支持体１０１上に触媒微粒子１３０を形成する。触媒微粒子１３０は、単結晶半導体を成長（エピタキシャル成長）させる際、原料ガスを分解する触媒として機能する。支持体１０１は、以下の製造工程において用いる熱処理温度で変形しない限り、種々の材料によって構成することができる。具体的には、ガラス基板、Ｓｉ基板、シリコン酸化膜が形成された基板などを用いることができる。支持体１０１の表面は結晶性を有している必要はない。また、支持体１０１の表面には、支持体１０１の本体を構成している材料とは異なる材料から形成された膜が形成されていても良い。
【００５０】
本発明のナノワイヤとして成長させる単結晶半導体は、本実施形態で用いるＳｉやＧｅに限定されず、化合物半導体であってもよい。具体的には、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＡｓＰなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、またはＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の単結晶を成長させてもよい。
【００５１】
触媒金属元素には、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄなどを用いることができる。これらの金属は、原料ガスの分解促進に優れ、半導体を構成する元素と共晶状態を形成し、半導体の成長を促す機能を発揮する。触媒微粒子１３０の大きさは、成長させる半導体の直径とほぼ等しくなる。このため、所望の直径の半導体が得られるよう、触媒微粒子１３０の直径を選択することができる。しかし、触媒微粒子１３０の直径が大きくなりすぎると単結晶半導体を成長させることが困難となる。好ましくは、触媒微粒子１３０の直径は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好ましくは、５ｎｍから５０ｎｍの範囲内である。
【００５２】
触媒微粒子１３０の形成には、微粒子を形成する公知の方法を用いることができる。たとえば、図３（ｂ）に示すように、支持体１０１の表面に触媒金属の薄膜１３０をスパッタ法や蒸着法などによる公知の薄膜形成装置を用いて形成する。その後、薄膜１３０'を熱処理すると、薄膜１３０'が自己凝集し、図３（ｃ）に示すように粒子状の複数の触媒微粒子１３０が支持体１０１上に形成される。触媒微粒子１３０の直径ｄ１および隣接する触媒微粒子１３０間の距離Ｌ１は、薄膜１３０'の厚さおよび熱処理条件に依存し、これらを調整することによりｄ１およびＬ１を変化させることができる。上述したように好ましくは、触媒微粒子１３０の直径ｄ１は１００ｎｍ以下である。
【００５３】
触媒微粒子１３０は、このほか、触媒金属を含む溶液を支持体１０１の表面に塗布あるいは噴霧することによっても形成することができる。また、必要に応じて、薄膜１０３'を形成後、パターニングを行い、支持体１０１上の所定の領域にのみ触媒微粒子１３０を形成することも可能である。
【００５４】
次に、触媒微粒子１３０が形成された支持体１０１をＣＶＤ装置などのチャンバ内に導入する。そして、図４（ａ）に示すように、半導体を構成する元素を含む原料ガス１０８をチャンバに導入し、所定の圧力に保つ。これにより、支持体１０１の触媒微粒子１３０が形成された表面は所定の圧力の原料ガス雰囲気と接する。支持体１０１は原料ガス１０８が分解する温度よりも低い温度で加熱される。
【００５５】
原料ガス１０８としては、半導体を構成する元素の水素化物を好適に用いることができる。例えば、ＳｉまたはＧｅを含有するＩＶ族半導体を成長させるには、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4などを用いることができる。
【００５６】
本実施形態では、後に詳しく説明するように、原料ガス１０８を結晶成長の途中でＧｅＨ4からＳｉＨ4に切り替え、また、その後にＳｉＨ4からＧｅＨ4に切り替える。更には、原料ガス中に適宜ドーパント用ガスが添加される。なお、化合物半導体を成長させる場合には、原料ガスとして有機金属化合物を好適に用いることができる。
【００５７】
図４（ｂ）に示すように、導入された原料ガス１０８は、触媒微粒子１３０の近傍においてのみ選択的に分解する。分解により半導体を構成する元素が析出し、析出した元素が凝集し単結晶半導体が成長する。これにより単結晶半導体からなる微小構造体１１１が形成されてゆく。単結晶半導体の成長メカニズムは、まだ完全には解明されていないが、析出した元素はまず、触媒微粒子１３０と合金を構成すると考えられる。この合金は多くの場合、液体になっている。元素の析出にともない、合金中の半導体を構成する元素濃度が上昇し、飽和状態に達した後、半導体を構成する元素が凝集し単結晶半導体を形成してゆくと考えられる。
【００５８】
このため、結晶の成長は、触媒微粒子１３０と成長した単結晶半導体からなる微小構造体１１１との境界で起こると考えられる。単結晶半導体の成長にともなって、触媒微粒子１３０は支持体１０１から離間する。微小構造体１１１の支持体１０１と接していない端部に触媒微粒子１３０は保持される。これにより、図４（ｃ）に示すように単結晶半導体が成長し、微小構造体１１１が形成される。
【００５９】
このようにして成長された単結晶半導体からなる微小構造体１１１は、好ましくは、成長方向に垂直な断面の最大長が１ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好ましくは、５〜５０ｎｍである。微小構造体１１１は、支持体１０１に支持されており、その先端には、触媒微粒子１３０が接している。上述したように、半導体成長中に触媒微粒子１３０は溶融し、球状となるため、成長する微小構造体１１１は円柱形状を備える。しかし、微小構造体１１１の断面は円以外の形状を備えていてもよい。
【００６０】
なお、微小構造体１１１の結晶成長方向の長さは、結晶を成長させる時間によって調節可能である。十分長い時間結晶成長を行えば、長さが数μｍの微小構造体１１１を形成することも可能である。微小構造体１１１の直径が１００ｎｍ以下であり、結晶成長方向が長手方向と一致している場合には、微小構造体１１１は「ナノワイヤ」と一般的に呼ばれる外形形状を備える。
【００６１】
また、微小構造体１１１は支持体１０１から上方へおおよそ垂直に成長しているが、単結晶半導体の成長方向は支持体１０１の表面に対して、横（水平）あるいは斜めであってもよい。ある方向への成長が優先的に生じるように、単結晶半導体の成長条件を最適化してもよいし、ランダムな方向へ単結晶半導体を成長させてもよい。
【００６２】
次に、図５を参照しながら、本実施形態のナノワイヤを製造する方法を、より詳細に説明する。
【００６３】
まず、図５（ａ）に示すように基板上に触媒金属粒子１３０を形成した後、図５（ｂ）に示すようにＧｅを成長させる。このとき、ドーパントガスとしてＢ2Ｈ6（ｐ型）またはＰＨ3（ｎ型）を添加したＧｅＨ4を原料ガスとして用い、基板温度を３００〜４００℃程度に保持することにより、ナノワイヤのＧｅ部分１００ａを成長させる。このＧｅ部分１００ａの長さは、例えば、１００〜１０００ｎｍの範囲に設定される。Ｇｅ部分１００ａは、最終的には、ナノワイヤのコンタクト領域１０ａとして機能することになる。
【００６４】
次に、原料ガスをＳｉＨ4に切り替えることにより、図５（ｃ）に示すように、Ｓｉ部分１００ｂをＧｅ部分１００ａの上に成長させる。このＳｉ部分１００ｂはチャネル領域１２として機能する部分であり、ドーパントガスは原料ガスに添加する必要はない。ただし、ナノワイヤをｐチャネル型トランジスタに用いる場合は、Ｓｉ部分にｎ型不純物を低濃度にドープすることが好ましい。一方、ナノワイヤをｎチャネル型トランジスタに用いる場合は、Ｓｉ部分１００ｂにｐ型不純物を低濃度にドープすることが好ましい。このようなチャネルドープも、ＳｉＨ4にドーパント用ガスを微量に添加することによって実行できる。
【００６５】
ナノワイヤにおけるＳｉ部分１００ｂの長さは、チャネル長を規定する。形成すべきトランジスタの設計に応じて、Ｓｉ部分１００ｂの成長レートおよび成長時間を調節し、所望の長さのＳｉ部分１００ｂを形成することができる。本実施形態では、Ｓｉ部分１００ｂの長さを例えば１００〜５０００ｎｍの範囲に設定することができる。
【００６６】
Ｓｉ部分１００ｂの成長の後、再び、ドーパントガスとしてＢ2Ｈ6（ｐ型）または  ＰＨ3（ｎ型）を添加したＧｅＨ4を原料ガスに切り替える。こうして、図５（ｄ）に示すように、ナノワイヤのＧｅ部分１００ｃをＳｉ部分１００ｂ上に成長させる。Ｇｅ部分１００ｃの長さは、例えば、１００〜１０００ｎｍの範囲に設定される。
【００６７】
次に、図５（ｅ）に示すように、ナノワイヤの表面を熱酸化することにより、ナノワイヤの表面に絶縁層１４０ａ〜１４０ｃを形成する。酸化は、例えば、Ｎ2Ｏガスを用い、酸化温度を７５０〜９００℃、酸化時間を３０分〜２時間程度に設定して行うことができる。絶縁層１４０ａ〜１４０ｃの厚さは、２〜５０ｎｍの範囲で任意に設定される。ナノワイヤのうちＧｅ部分１００ａ、１００ｂの表面にはＧｅ酸化膜１４０ａ、１４０ｂが形成され、Ｓｉ部分１００ｂの表面にはＳｉ酸化膜１４０ｂが形成される。
【００６８】
次に、Ｓｉ酸化膜１４０ｂよりも優先的にＧｅ酸化膜１４０ａ、１４０ｃをエッチングする条件で酸化膜エッチングを行なう。具体的には、塩酸（ＨＣｌ）などのエッチング液（温度２５℃程度）に表面が熱酸化されたナノワイヤを１〜１０分程度浸すことにより、上記の選択的エッチングを行うことができる。これにより、図５（ｆ）に示すように、Ｇｅ部分１００ａ、１００ｃの表面が露出し、Ｓｉ部分１００ｂの表面（外周面）が絶縁膜（Ｓｉ酸化膜１４０ｂ）で被覆された構造が得られる。
【００６９】
この後、不図示の金属をナノワイヤの表面に堆積する。このとき、ＣＶＤ法によれば、ナノワイヤの表面全体を被覆するように金属層を形成することが容易である。一方、スパッタ法による場合は、ナノワイヤの表面のうち、金属ターゲットに面する側に部分的な金属層が形成されやすい。このため、スパッタ法によって堆積した金属膜でナノワイヤの外周面を被覆するには、成長基板を回転させることが好ましい。
【００７０】
ナノワイヤの外周面を被覆する金属層の一部は、Ｇｅ部分１００ａ、１００ｂと直接に接触しているが、他の部分は、Ｓｉ部分１００ｂの外周面に形成されたＳｉ酸化膜１４０ｂと接触している。このＳｉ酸化膜１４０ｂの介在により、金属膜はＳｉ部分１００ｂとは直接に接触していない。
【００７１】
次に、金属膜を構成する金属元素がＧｅと反応して、金属とＧｅとの化合物（合金）を形成するように熱処理（合金化処理）を行なう。この熱処理により、Ｇｅ部分１００ａ、１００ｂの表面は合金化されるが、Ｓｉ酸化膜によって被覆されたＳｉ部分の表面は合金化されない。この合金化によって、合金層１５０ａ、１５０ｂがナノワイヤの両端部分に形成される。
【００７２】
その後、ナノワイヤの表面に堆積した金属膜のうちの未反応部分（Ｓｉ酸化膜１４０ｂを覆う部分）を選択的にエッチングすることにより、図５（ｇ）に示す構成のナノワイヤが得られる。このナノワイヤは、両端部のコンタクト領域に合金層１５０ａ、１５０ｂを有している点に大きな特徴を有している。チャネル領域の外周面は絶縁膜（Ｓｉ酸化膜１４０ｂ）によって被覆されている。
【００７３】
なお、前述したように、合金層１５０ａ、１５０ｂをナノワイヤの両端部分に形成することは本発明にとって不可欠ではない。Ｇｅ部分１００ａ、１００ｂの表面における不純物濃度（ドーピングレベル）が充分に高ければ、良好なコンタクトを実現できるため、合金層１５０ａ、１５０ｂは設けなくてもよい。
【００７４】
次に、このようにして作製された多数のナノワイヤをエタノールなどの溶液に分散させ、この溶液を素子基板の表面に塗布する。本実施形態で用いる素子基板の表面には、あらかじめ、ゲート配線と、ゲート配線を被覆するゲート絶縁膜とが形成されている。上記の溶液を素子基板の表面に塗布するとき、素子基板上で溶液の流れを形成することにより、溶液中に分散していた個々のナノワイヤを流速方向に配向させることができる。このような溶液の流れを利用した配向を行うことにより、多数のナノワイヤが所定方向に向いて配列した構造が素子基板上に形成することができる。この方法の詳細は、例えば非特許文献１に開示されている。
【００７５】
このようなナノワイヤの配列構造は、例えば５００〜１０００ｎｍ程度の平均間隔で素子基板上に分散した多数のナノワイヤから構成されている。素子基板上におけるナノワイヤの平均間隔は、溶液中に含まれていたナノワイヤの密度を調節することによって制御することができる。溶液中に含まれていたナノワイヤの密度を低くすると、素子基板上のナノワイヤは疎らに存在することになるが、逆に、溶液中に含まれていたナノワイヤの密度を高くすると、素子基板上のナノワイヤの平均間隔を縮小させ、隣接するナノワイヤが相互に接触するように稠密に配置を実現することもできる。
【００７６】
このような方法によれば、素子基板上における個々のナノワイヤの位置を正確に制御することはできないが、多数のナノワイヤを略一方向に配向させ、かつ、略均一な密度で素子基板上に配列させることができる。
【００７７】
次に、多数のナノワイヤを上記方法で表面に配した素子基板を用い、その上にソース・ドレイン電極を形成する工程を実施する。電極形成のためのプロセスとしては、半導体集積回路の製造に用いられている公知のプロセスを採用することができる。
【００７８】
以上の工程を経て、図６に示すトランジスタ素子を形成することができる。図６では、素子基板２０上に形成したソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂとの間に１本のナノワイヤ１００が存在している例が示されているが、図７に示すように、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂとの間には複数のナノワイヤが存在していてもよい。図７に示す例では、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂの両方に電気的に接続された２本のナノワイヤＡ以外に、一方の電極１６ａまたは１６ｂのみに接続されたナノワイヤＢや、いずれの電極１６ａ、１６ｂにも接続されていないナノワイヤＣが図示されている。これらのナノワイヤＡ〜Ｃのうち、トランジスタのチャネルとして動作し得るものは、ナノワイヤＡのみである。
【００７９】
前述のように、素子基板２０上には多数のナノワイヤが略一方向に沿って配列されている。そのような表面状態の素子基板２０に対して、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂを形成するとき、導電膜の堆積工程、リソグラフィ工程、エッチング工程を順次実行することになる。ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂのサイズおよび間隔を適切な範囲に設定することにより、少なくとも１本のナノワイヤがソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂを確実に接続するように構成することが可能である。図８は、図７に示す例よりも高密度でナノワイヤが配置された素子基板の表面を示している。ナノワイヤの密度を更に高めてゆくと、ナノワイヤからなる膜を形成することも可能である。このような膜は、ナノワイヤの配向方向に異方的な導電性を有する半導体特性を有している。
【００８０】
１つのトランジスタのチャネル領域として機能するナノワイヤの本数は、素子基板の表面に存在するナノワイヤの個数密度に依存する。この個数密度を高くすると、一対のソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂの間に位置するナノワイヤの個数が増加し、また個数ばらつきが小さくなる傾向がある。密集したナノワイヤは、異方性を有する一種の半導体膜として機能しうる。ソース・ドレイン電極を形成した後、不要なナノワイヤをエッチングすることによって素子基板上から除去することが好ましい。
【００８１】
本実施形態では、低コンタクト抵抗を実験するため、各ナノワイヤのコンタクト領域１０ａ、１０ｂの表面を合金化しているが、合金化のための工程は省略してもよい。合金化工程を省略する場合、ナノワイヤのコンタクト領域１０ａ、１０ｂの表面は、図５（ｆ）に示される状態にあり、ｐ型またはｎ型不純物が高濃度にドープされたＧｅが露出している。このようなナノワイヤを用いても、コンタクト領域１０ａ、１０ｂが金属的な高い導電性を示すため、ソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂとの間でオーミックコンタクトを実現することができる。
【００８２】
また、本実施形態では、チャネル領域をナノワイヤのＳｉ部分によって構成し、コンタクト領域をＧｅ部分によって構成しているが、本発明はこのような場合に限定されない。チャネル領域をＧｅなどのＳｉ以外の半導体から形成し、コンタクト領域をＳｉから形成してもよい。その場合、コンタクト領域の表面は金属層と反応してシリサイド化されることになる。シリサイド化に好適に用いられる金属は、例えば、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉなどである。
【００８３】
チャネル領域を選択的に被覆する絶縁膜を形成するためには、本実施形態のように、相互にエッチング特性の異なる熱酸化膜を形成する材料からチャネル領域とコンタクト領域とを構成することが好ましい。しかし、そのために必要な半導体材料の組み合わせは、ＳｉとＧｅに限定されない。例えば、ＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）からチャネル領域を形成し、ＳｉyＧｅ1-y（０＜ｙ＜１、ｘ≠ｙ）からコンタクト領域を形成しても、組成比率（ｘ、ｙ）の違いによって形成される熱酸化膜のエッチング特性に差異を設けることが可能な場合がある。チャネル領域がＳｉから形成され、コンタクト領域がＧｅから形成される場合を含むように記載すると、好ましい実施形態において、チャネル領域（第１半導体材料）はＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ≦１）であり、コンタクト領域（第２半導体材料）はＳｉyＧｅ1-y（０≦ｙ＜１、ｘ≠ｙ）である。
【００８４】
なお、チャネル領域およびコンタクト領域の両方を同一組成の半導体材料から形成してもよい。コンタクト領域における不純物濃度をチャネル領域における不純物濃度よりも高く設定することにより、ナノワイヤの表面に形成される熱酸化膜のエッチング特性に差異を与えることが可能になる場合もある。コンタクト領域の表面に形成される熱酸化膜を選択的にエッチングすることができれば、リソグラフィ工程を行うことなく、コンタクト領域の表面のみを露出させることが可能になる。
【００８５】
このように本実施形態では、ナノワイヤの表面に形成する熱酸化膜のうちコンタクト領域の表面を覆う部分のエッチングレートをチャネル領域の表面を覆う部分のエッチングレートを高めることにより、コンタクト領域の表面を自己整合的に露出させることを可能にしている。しかし、このような自己整合的な方法を用いる代わりに、リソグラフィおよびエッチング工程を付加的に行なうことにより、チャネル領域のみを被覆する絶縁膜を形成してもよい。ただし、基板上に成長した個々のナノワイヤに対し、リソグラフィ技術を用いてチャネル領域のみを被覆するレジストマスクを形成することは困難である。このため、本実施形態のように、ナノワイヤのコンタクト領域とチャネル領域とを異なる半導体材料から形成することが好ましい。
【００８６】
ナノワイヤのコンタクト領域とチャネル領域とを異なる材料から形成するとき、コンタクト領域の表面にのみ選択的に金属層を成長させて導電部分を形成し、その後に、チャネル領域の表面を絶縁化する処理を行なうようにしてもよい。
【００８７】
（実施形態２）
次に、図９（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明の第２の実施形態を説明する。
【００８８】
図９（ａ）は、本実施形態におけるナノワイヤを示す図であり図９（ｂ）は、このようなナノワイヤを用いて作製した電界効果トランジスタの平面図である。
【００８９】
本実施形態の特徴的な点は、図９（ａ）に示すように、１本のナノワイヤが３個以上のコンタクト領域１０1〜１０N（Ｎは３以上の整数）と、２個以上のチャネル領域１２1〜１２M（Ｍは２以上の整数）とを備えていることにある。
【００９０】
このようなナノワイヤは、図５（ｂ）〜（ｄ）を参照して説明した結晶成長プロセスを繰り返して実行し、例えばＧｅ部分とＳｉ部分と交互に成長させることによって作製され得る。この場合、Ｓｉ部分のみを絶縁膜で被覆し、Ｇｅ部分の表面を選択的に合金化する点は、前述の実施形態と同様である。
【００９１】
図９（ｂ）からわかるように、ソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂに接続された各ナノワイヤにおける「チャネル長」は、ソース電極１６ａに接触しているコンタクト領域と、ドレイン電極１６ｂに接触しているコンタクト領域との間に存在するチャネル領域の個数（Ｐ）に比例する。すなわち、チャネル長＝１つのチャネル領域の長さ×Ｐである。チャネル幅に相当する大きさは、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂとを接続するナノワイヤの本数に比例する。
【００９２】
次に、図１０を参照しながら、ソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂの位置がナノワイヤの長軸方向にずれた場合を考える。ここで、各チャネル領域の長さをＬch、ソース・ドレイン電極間隔をＬSD、コンタクト領域の長さをＬcont、ソース電極１６ａのチャネル長方向の長さをＬS、ドレイン電極１６ｂのチャネル長方向の長さをＬDとする。
【００９３】
ソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂの位置がナノワイヤの長軸方向に沿って大きくシフトした場合でも、常に適切なコンタクトを実現できれば、アライメントフリーで電界効果トランジスタを歩留まり良く作製することが可能になる。
【００９４】
このようなアライメントフリーを実現するためには、以下の点に留意する必要がある。
【００９５】
まず、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂが、それぞれ、異なるコンタクト領域と常に接触する必要がある。このためには、以下の式を満足することが不可欠である。
【００９６】
ＬS＞Ｌch                                  （式１）
ＬD＞Ｌch                                  （式２）
ＬSD＞ＬCONT                                （式３）
【００９７】
式１を満足すると、ソース電極１６ａが横方向にずれても常にコンタクト領域の一部がソース電極１６ａに接触することが可能になる。同様に式２を満足すると、ドレイン電極１６ｂが横方向にずれても常にコンタクト領域の一部がソース電極１６ｂに接触し得る。なお、コンタクト抵抗を低減するには、上記の接触面積を拡大することが好ましいが、この接触面積を拡大するには、ＬSおよびＬDを大きな値（例えばＬch＋ＬCONTを超える値）に設定すれば良い。
【００９８】
式３を満足すると、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂの両方が同一のコンタクト領域に接触して短絡してしまう事態を避けることができる。なお、ＬSDは、ナノワイヤの全長よりも小さいことが必要である。
【００９９】
以上の説明から明らかなように、素子基板上に形成されるソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂのサイズおよび間隔に比べ、ＬchおよびＬCONTを充分に小さい値に設定し、かつ、ナノワイヤの長さを充分に長く形成すれば、長軸方向のアライメントフリーを実現できる。
【０１００】
チャネル長方向に垂直な方向の位置合わせについてアライメントフリーを達成するには、素子基板上に配置されたナノワイヤの個数密度を高め、ソース・ドレイン電極１６ａ、１６ｂが多数（例えば５０本以上）のナノワイヤを横切るように設計することが好ましい。
【０１０１】
本実施形態のナノワイヤにおいて、コンタクト領域およびチャネル領域は、長軸方向に沿って所定のピッチで交互に配列されていることが好ましく、そのピッチ（Ｌch＋ＬCONT）は、例えば、３００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の範囲に設定される。また、各チャネル領域の長軸方向の長さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下に設定される。
【０１０２】
（実施形態３）
次に、図１１を参照しながら、本発明の第３の実施形態を説明する。
【０１０３】
図１１は、本実施形態におけるナノワイヤ２００を用いて作製した電界効果トランジスタの平面図である。図６に示す電界効果トランジスタとの相違点は、ナノワイヤ２００のチャネル領域の長さがソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂとの間隔よりも短い点にある。
【０１０４】
本実施形態では、リソグラフィ技術の限界を超えてチャネル長を短縮している。前述のように、チャネル長はナノワイヤのチャネル領域の長さに規定され、この長さは、ナノワイヤの成長プロセスで制御できる。このため、リソグラフィ技術の限界によらず、チャネル領域の長さは極めて短い値（例えば５０〜１０００ｎｍの範囲、好ましくは５００ｎｍ以下）に設定することが可能である。
【０１０５】
（実施形態４）
以下、図１２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、本発明の第４の実施形態を説明する。
【０１０６】
本実施形態では、まず、図１２（ａ）に示すように、Ｔｉ膜２２０が表面に形成された成長基板を用意し、この基板のＴｉ膜２２０上にＴｉ微粒子２３０を形成する。
【０１０７】
次に、前述した方法と同様の方法により、ナノワイヤを構成するシリコン部分２４０
を成長させ、図１２（ｂ）に示す構造を得る。
【０１０８】
その後、熱処理（例えば６００〜８００℃）を実行することにより、Ｔｉとシリコン部分２４０とが接触している領域においてシリサイド化を行い、図１２（ｃ）に示すように、シリサイド部分２５０を形成する。
【０１０９】
本実施形態の方法によれば、ナノワイヤの表面にシリサイド化に必要な金属の膜を別途堆積する必要が無くなる。
【０１１０】
なお、本発明のナノワイヤを用いて作製され得る電子素子は、図１（ｂ）に示すような構成を有するトランジスタに限定されない。図１３（ａ）、（ｂ）は、本発明による電子装置の他の構成例を示している。図１３（ａ）、（ｂ）に示す例では、ナノワイヤのチャネル領域に形成された酸化膜１４をゲート絶縁膜として用い、ゲート電極３０はナノワイヤ１００を上方から横切るように形成されている（トップゲート型トランジスタ）。この例では、ゲート電極３０を形成した後、ナノワイヤ１００に対してイオン注入を行うことにより、ソート・ドレイン領域を形成している。
【０１１１】
図６、図１１などでは、ナノワイヤ１００よりも素子基板２０に近い側にソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂが配置されているように記載されているが、現実には、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂと素子基板２０との間にナノワイヤ１００が配置されていても良い。低いコンタクト抵抗を実現するという観点からは、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂがナノワイヤ１００のコンタクト領域１０ａとの間の接触面積を大きくする配置が好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明のナノワイヤは、高温プロセスに耐えられないプラスチックのような材料からなる基板上に電界効果トランジスタを形成し、しかも、ソース・ドレイン電極とナノワイヤとの間で低抵抗コンタクトを実現することが可能になる。このような電界効果トランジスタは、薄型のフラットパネルディスプレイにおけるスイッチング素子や駆動回路に特に適している。
【０１１３】
また、本発明のナノワイヤは、従来のリソグラフィでは実現困難な微細な短チャネルトランジスタの製造に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施形態１におけるナノワイヤ１００の斜視図である。
【図２】（ａ）は、ナノワイヤ１００の長軸方向に沿った断面図であり、（ｂ）は、ナノワイヤ１００を備えた電界効果トランジスタの断面図である。
【図３】（ａ）は実施形態１におけるナノワイヤの製造方法における途中の工程を示す斜視図であって、触媒微粒子１３０が形成された支持体１０１を示している。（ｂ）および（ｃ）は、触媒微粒子１３０を形成するための製造工程図である。
【図４】（ａ）から（ｃ）は、実施形態１におけるナノワイヤの製造方法を示す工程断面図である。
【図５】（ａ）から（ｇ）は、実施形態１におけるナノワイヤの製造方法をより詳細に示す工程断面図である。
【図６】実施形態１における電界効果型トランジスタの一例を示す平面図である。
【図７】実施形態１における電界効果型トランジスタの他の例を示す平面図である。
【図８】実施形態１で使用する素子基板の他の例を示す平面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施形態２におけるナノワイヤを示す図であり、（ｂ）は、実施形態２における電界効果型トランジスタを示す平面図である。
【図１０】実施形態２の電界効果型トランジスタにおける各要素の寸法を説明するための平面レイアウト図である。
【図１１】本発明の実施形態３における電界効果型トランジスタを示す平面図である。
【図１２】（ａ）から（ｃ）は、本発明の実施形態４におけるナノワイヤの製造方法を示す断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子装置の他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０ａ    コンタクト領域
１０ｂ    コンタクト領域
１２      チャネル領域
１４      酸化膜
１６ａ    ソース電極
１６ｂ    ドレイン電極
２０      素子基板
３０      ゲート電極
１００      ナノワイヤ
１００ａ    Ｇｅ部分
１００ｂ    Ｓｉ部分
１００ｃ    Ｇｅ部分
【図１】
0005132934.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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