(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板に対面している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている液晶層とを備えており、前記第１基板と前記第２基板とが対面する面に設けられている画素領域にて、第１方向と前記第１方向に直交する第２方向のそれぞれに複数の画素が配置されている液晶パネル
を有し、
前記第１基板は、
前記画素のそれぞれに対応して複数が設けられている画素電極と、
前記第２基板の側から前記第１基板の側へ前記液晶層を介在して入射する入射光を受光面で受光することによって受光データを生成するフォトセンサ素子と
を含み、当該画素電極と当該フォトセンサ素子とが前記画素領域にて前記第２基板に対面する面に設けられており、
前記画素電極は、
前記画素領域にて前記第１の方向および前記第２の方向に対して傾斜する方向に延在している傾斜部
を含み、
前記フォトセンサ素子は、前記画素電極が延在する方向に沿った形状にて、前記受光面が形成されている
液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、
前記第１の方向に延在する基幹部
を有し、
前記画素電極の傾斜部が、前記第１の方向にて間隔を隔てて複数設けられており、当該複数の傾斜部が前記基幹部に接続されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、
前記画素領域に形成されている共通電極
を有し、
前記画素電極と前記共通電極とが、前記液晶層に横電界を印加するように構成されている、
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶パネルは、
前記画素領域にて前記第１方向に並ぶ複数の画素を区画するように複数が第１方向に間隔を隔てて設けられている第１配線と、
前記画素領域にて前記第２方向に並ぶ複数の画素を区画するように複数が第２方向に間隔を隔てて設けられている第２配線と
を有し、
前記第１配線は、
前記画素領域にて前記第１の方向および前記第２の方向と異なる方向であり、前記第２方向に対して傾斜する方向に延在している配線傾斜部
を含み、
前記画素電極の傾斜部は、前記第１配線の配線傾斜部が延在する方向に沿って形成されている、
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶パネルは、
前記フォトセンサ素子３２に接続されているセンサ駆動配線
を有し、
前記センサ駆動配線は、
前記画素領域にて前記第１の方向および前記第２の方向と異なる方向であり、前記第２方向に対して傾斜する方向に延在しているセンサ駆動配線傾斜部
を含み、
前記画素電極の傾斜部は、前記センサ駆動配線傾斜部が延在する方向に沿って形成されている、
請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶パネルにて前記第２基板側の面に移動された被検知体の位置を検出する位置検出部
を含み、
前記フォトセンサ素子は、前記画素領域において複数が配置されており、
前記位置検出部は、前記複数のフォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて、前記被検知体の位置を検出する、
請求項１から５のいずれか記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶パネルにおいて前記第１基板側の面に照明光を出射する照明部
を含み、
前記液晶パネルは、前記照明部によって出射された照明光が、前記第１基板側の面から前記第２基板側の面へ透過し、当該透過した光によって、前記画素領域にて画像を表示するように構成されており、
前記フォトセンサ素子は、前記照明部によって出射され、前記液晶パネルを透過した照明光が、前記被検知体によって反射された反射光を、前記受光面にて受光する、
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されている、
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記照明部は、前記不可視光線として赤外光線を出射する、
請求項８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。特に、液晶層を介在して入射する入射光を受光面で受光することによって受光データを生成するフォトセンサ素子が、液晶パネルに形成されている液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを、表示パネルとして有している。液晶パネルは、たとえば、透過型であり、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの照明装置により出射された照明光を変調して透過させる。そして、その変調した照明光によって、画像の表示が、液晶パネルの正面において実施される。
【０００３】
この液晶パネルは、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、画素スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が、画素領域に形成されているＴＦＴアレイ基板を有する。ここでは、たとえば、多結晶シリコン薄膜を用いて、薄膜トランジスタが形成されている。そして、そのＴＦＴアレイ基板に対面するように対向するように対向基板が配置され、そのＴＦＴアレイ基板および対向基板の間に液晶層が設けられている。
【０００４】
このアクティブマトリクス方式の液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子が画素電極に電位を入力することによって、画素電極と共通電極との間にて生ずる電界を液晶層に印加し、液晶層の液晶分子の配向を変化させる。そして、これにより、その画素を透過する光の透過率を制御し、その透過する光を変調させ、画像の表示を実施する。
【０００５】
この液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子として機能するＴＦＴなどの半導体素子の他に、光を受光して受光データを得るフォトセンサ素子が、画素領域に内蔵されたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。たとえば、ＰＩＮ型のフォトダイオードが、フォトセンサ素子として集積化されている。ここでは、画素スイッチング素子と同様に、たとえば、多結晶シリコン膜を用いて、フォトセンサ素子が形成されている。
【０００６】
上記の液晶パネルでは、その内蔵するフォトセンサ素子を位置センサ素子として利用することで、ユーザーインターフェイスとしての機能が実現できる。このタイプの液晶パネルにおいては、液晶パネルの前面に、別途、抵抗膜方式や静電容量方式の外付けのタッチパネルを設置する必要がなくなる。したがって、装置の低コスト化が可能になると共に、小型化および薄型化を、容易に実現できる。
【０００７】
また、さらに、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置した場合には、そのタッチパネルによって画素領域において透過する光が減少する場合や、その光が干渉される場合があるため、表示画像の品質が低下する場合がある。しかし、上記のように位置センサ素子として液晶パネルにフォトセンサ素子を内蔵することによって、この不具合の発生を防止できる。
【０００８】
このタイプの液晶パネルにおいては、たとえば、バックライトから出射された照明光が液晶パネルを透過し、その液晶パネルの正面に触れられたユーザーの指やスタイラスペンなどの被検知体において反射された可視光線を、その内蔵されたフォトセンサ素子が受光する。その後、そのフォトセンサ素子によって得られた受光データに基づいて、液晶パネルの正面において被検知体が接触した座標位置を特定し、その特定された位置に対応する操作が、液晶表示装置自身や、その液晶表示装置を含む電子機器において実施される。
【０００９】
上記のように、液晶パネルに内蔵されたフォトセンサ素子を用いて、被検知体の座標位置を検出する場合には、そのフォトセンサ素子によって得られる受光データは、外光に含まれる可視光線の影響によって、多くのノイズを含む場合がある。また、黒表示などのように、暗い画像を表示する場合には、被検知体によって反射された可視光線がフォトセンサ素子の受光面に到達しにくいため、可視光線を受光することが困難である。このため、正確に、被検知体の位置について検出をすることが困難な場合がある。
【００１０】
このような不具合を改善するために、赤外線など、可視光線以外の不可視光線を用いる技術が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【００１１】
ここでは、被検知体から出射される赤外線などの不可視光線をフォトセンサ素子が受光することによって、受光データを取得し、その取得したデータに基づいて、被検知体の位置を特定している。特に、人間の指は、赤外光波長での表面反射率が高いため、赤外光を用いることが好適である。
【００１２】
このような液晶パネルにおいては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード，ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード，垂直配向モードなどの液晶表示モードが知られている。また、この他に、横電界を液晶層に印加する液晶表示モードとして、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が知られている（たとえば、特許文献１，２参照）。
【００１３】
この各液晶表示モードにおいては、視野角特性を改善するために様々な方策が提案されている。
【００１４】
たとえば、横電界モードにおいては、複数の画素がマトリクス状に配置されているｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在した部分を含むように、画素電極が形成されている。具体的には、画素電極の形状を「く」の字形とし、デュアルドメイン化をすることが提案されている（たとえば、特許文献３、４参照）。このようにすることで、液晶分子の誘電異方性によって生ずる視野角特性の非対称性や、階調反転を補償し、視野角特性を改善している。
【００１５】
【特許文献１】特開２００６−３８５７号公報
【特許文献２】特開２００５−２７５６４４号公報
【特許文献３】特開２００７−２６４２３１号公報
【特許文献４】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記のように画素電極を形成した場合には、位置センサ素子として液晶パネルに内蔵されたフォトセンサ素子においては、受光面の面積が十分に取れずに、高感度に受光データを生成することが困難な場合がある。
【００１７】
特に、画素スイッチング素子と同様に、たとえば、多結晶シリコン膜を用いてフォトセンサ素子を形成する場合には、その多結晶シリコン薄膜が赤外線を吸収する吸収率が可視光線の吸収率と比較して低いために、上記の不具合の発生が顕在化する場合がある。
【００１８】
したがって、本発明は、フォトセンサ素子の感度を向上可能な液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対面している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている液晶層とを備えており、前記第１基板と前記第２基板とが対面する面に設けられている画素領域にて、第１方向と前記第１方向に直交する第２方向のそれぞれに複数の画素が配置されている液晶パネルを有し、前記第１基板は、前記画素のそれぞれに対応して複数が設けられている画素電極と、前記第２基板の側から前記第１基板の側へ前記液晶層を介在して入射する入射光を受光面で受光することによって受光データを生成するフォトセンサ素子とを含み、当該画素電極と当該フォトセンサ素子とが前記画素領域にて前記第２基板に対面する面に設けられており、前記画素電極は、前記画素領域にて前記第１の方向および前記第２の方向に対して傾斜する方向に延在している傾斜部を含み、前記フォトセンサ素子は、前記画素電極が延在する方向に沿った形状にて、前記受光面が形成されている。
【００２０】
好適には、前記画素電極は、前記第１の方向に延在する基幹部を有し、前記画素電極の傾斜部が、前記第１の方向にて間隔を隔てて複数設けられており、当該複数の傾斜部が前記基幹部に接続されている。
【００２１】
好適には、前記第１基板は、前記画素領域に形成されている共通電極を有し、前記画素電極と前記共通電極とが、前記液晶層に横電界を印加するように構成されている。
【００２２】
好適には、前記液晶パネルは、前記画素領域にて前記第１方向に並ぶ複数の画素を区画するように複数が第１方向に間隔を隔てて設けられている第１配線と、前記画素領域にて前記第２方向に並ぶ複数の画素を区画するように複数が第２方向に間隔を隔てて設けられている第２配線とを有し、前記第１配線は、前記画素領域にて前記第１の方向および前記第２の方向と異なる方向であり、前記第２方向に対して傾斜する方向に延在している配線傾斜部を含み、前記画素電極の傾斜部は、前記第１配線の配線傾斜部が延在する方向に沿って形成されている。
【００２３】
好適には、前記画素電極の傾斜部は、前記第１方向を軸に対称な形状になるように形成されている。
【００２４】
好適には、前記液晶パネルにて前記第２基板側の面に移動された被検知体の位置を検出する位置検出部を含み、前記フォトセンサ素子は、前記画素領域において複数が配置されており、前記位置検出部は、前記複数のフォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて、前記被検知体の位置を検出する。
【００２５】
好適には、前記液晶パネルにおいて前記第１基板側の面に照明光を出射する照明部を含み、前記液晶パネルは、前記照明部によって出射された照明光が、前記第１基板側の面から前記第２基板側の面へ透過し、当該透過した光によって、前記画素領域にて画像を表示するように構成されており、前記フォトセンサ素子は、前記照明部によって出射され、前記液晶パネルを透過した照明光が、前記被検知体によって反射された反射光を、前記受光面にて受光する。
【００２６】
好適には、前記照明部は、可視光線と赤外光線とを前記照明光として出射するように構成されている。
【００２７】
本発明においては、画素領域にて第１の方向および第２の方向に対して傾斜する方向に延在している傾斜部を含むように、画素電極を形成する。そして、この画素電極の傾斜部が延在する方向に沿った形状にて、フォトセンサ素子の受光面を形成する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、フォトセンサ素子の感度を向上可能な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
【００３０】
＜実施形態１＞
（液晶表示装置の構成）
図１は、本発明にかかる実施形態１において、液晶表示装置１００の構成を示す断面図である。
【００３１】
本実施形態の液晶表示装置１００は、図１に示すように、液晶パネル２００と、バックライト３００と、データ処理部４００とを有する。各部について順次説明する。
【００３２】
液晶パネル２００は、アクティブマトリクス方式であり、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２と液晶層２０３とを有する。
【００３３】
この液晶パネル２００においては、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが、互いに間隔を隔てるよう対面している。そして、そのＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間に挟まれるように、液晶層２０３が設けられている。
【００３４】
そして、液晶パネル２００は、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１の側に位置するようにバックライト３００が配置されている。そして、液晶パネル２００においては、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面している面とは反対側の面に、バックライト３００から出射された照明光が照射される。
【００３５】
また、液晶パネル２００は、複数の画素（図示無し）が配置され、画像を表示する画素領域ＰＡを含む。この画素領域ＰＡにおいては、液晶パネル２００の背面側に設置されたバックライト３００が出射した照明光Ｒを、第１の偏光板２０６を介して背面から受け、その背面から受けた照明光Ｒを変調する。具体的には、複数の画素に対応するように画像表示素子（図示無し）がＴＦＴアレイ基板２０１に設けられており、その画像表示素子を構成する画素スイッチング素子（図示無し）が画素をスイッチング制御することによって、背面から受けた照明光を変調する。そして、その変調された照明光Ｒが、第２の偏光板２０７を介して、正面側に出射し、画素領域ＰＡにおいて画像が表示される。つまり、本実施形態の液晶パネル２００は、透過型であって、たとえば、液晶パネル２００の正面の側においてカラー画像を表示する。
【００３６】
本実施形態においては、液晶表示装置１００は、ノーマリ・ブラック方式として形成されている。すなわち、液晶パネル２００においては、液晶層２０３に電圧を加えない時に、画素領域ＰＡにおいて、光透過率が低下し、黒表示が実施されるように、各部が構成されている。そして、液晶層２０３に電圧を加えた時に、画素領域ＰＡにおいて、光透過率が上がり、白表示が実施されるように、各部が構成されている。
【００３７】
また、詳細については後述するが、本実施形態においては、この液晶パネル２００は、受光データを生成するフォトセンサ素子（図示無し）が形成されている。フォトセンサ素子は、液晶パネル２００においてバックライト３００が設置された背面に対して反対側となる正面に、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体Ｆが接触または近接した際に、その被検知体Ｆによって反射される反射光Ｈを受光し、受光データを生成する。
【００３８】
たとえば、このフォトセンサ素子は、フォトダイオード（図示無し）を含むように形成されている。そして、液晶パネル２００の正面側において、指などの被検知体Ｆが反射する反射光Ｈを、そのフォトダイオードが受光面で受光する。すなわち、対向基板２０２の側からＴＦＴアレイ基板２０１の側へ向かう反射光Ｈを受光する。そして、フォトダイオードが光電変換することによって、受光データを生成する。
【００３９】
バックライト３００は、図１に示すように、液晶パネル２００の背面に対面しており、その液晶パネル２００の画素領域ＰＡに照明光Ｒを出射する。
【００４０】
ここでは、バックライト３００は、液晶パネル２００を構成するＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とにおいて、ＴＦＴアレイ基板２０１の側に位置するように配置されている。そして、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面している面に対して反対側の面に、照明光Ｒを照射する。つまり、バックライト３００は、ＴＦＴアレイ基板２０１の側から対向基板２０２の側へ向かうように照明光Ｒを照明する。
【００４１】
データ処理部４００は、図１に示すように、制御部４０１と、位置検出部４０２とを有する。データ処理部４００は、コンピュータを含み、プログラムによってコンピュータが各部として動作するように構成されている。
【００４２】
データ処理部４００の制御部４０１は、液晶パネル２００とバックライト３００との動作を制御するように構成されている。制御部４０１は、液晶パネル２００に制御信号を供給することによって、液晶パネル２００に複数設けられた画素スイッチング素子（図示無し）の動作を制御する。たとえば、線順次駆動を実行させる。また、制御部４０１は、外部から供給される駆動信号に基づいて、バックライト３００に制御信号を供給することによって、バックライト３００の動作を制御し、バックライト３００から照明光Ｒを照射する。このように、制御部４０１は、液晶パネル２００とバックライト３００との動作を制御することによって、液晶パネル２００の画素領域ＰＡに画像を表示する。
【００４３】
このほかに、制御部４０１は、液晶パネル２００に制御信号を供給することによって、液晶パネル２００に位置センサ素子として複数設けられたフォトセンサ素子（図示無し）の動作を制御し、そのフォトセンサ素子から受光データを収集する。たとえば、線順次駆動を実行させて、受光データを収集する。
【００４４】
データ処理部４００の位置検出部４０２は、液晶パネル２００の正面側において、画素領域ＰＡにユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。
【００４５】
ここでは、位置検出部４０２は、液晶パネル２００に複数設けられたフォトセンサ素子（図示無し）から収集した受光データに基づいて、その位置を検出する。たとえば、受光データの信号強度が基準値よりも大きい座標位置を、被検知体Ｆが画素領域ＰＡにおいて接触した座標位置として検出する。
【００４６】
（液晶パネルの構成）
液晶パネル２００の全体構成について説明する。
【００４７】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネル２００を示す平面図である。
【００４８】
液晶パネル２００は、図２に示すように、画素領域ＰＡと、周辺領域ＣＡとを有する。
【００４９】
液晶パネル２００において画素領域ＰＡには、図２に示すように、複数の画素Ｐが面に沿って配置されている。具体的には、画素領域ＰＡにおいては、複数の画素Ｐが、ｘ方向と、ｘ方向に垂直なｙ方向とのそれぞれに、マトリクス状に並ぶように配置されており、画像が表示される。この画素Ｐにおいては、上記した画素スイッチング素子と、フォトセンサ素子とが設けられている。
【００５０】
液晶パネル２００において周辺領域ＣＡは、図２に示すように、画素領域ＰＡの周辺を囲うように位置している。この周辺領域ＣＡにおいては、図２に示すように、表示用垂直駆動回路１１と、表示用水平駆動回路１２と、センサ用垂直駆動回路１３と、センサ用水平駆動回路１４とが形成されている。たとえば、上記の画素スイッチング素子およびフォトセンサ素子と同様にして形成された半導体素子によって、この各回路が構成されている。
【００５１】
そして、画素領域ＰＡにおいて画素Ｐに対応するように設けられた画素スイッチング素子を、表示用垂直駆動回路１１および表示用水平駆動回路１２が駆動し、画像表示を実行する。そして、これと共に、画素領域ＰＡにおいて画素Ｐに対応するように設けられたフォトセンサ素子を、センサ用垂直駆動回路１３とセンサ用水平駆動回路１４とが駆動し、受光データを収集する。
【００５２】
（液晶パネルの画素領域の構成）
図３は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネル２００における画素領域ＰＡに設けられた画素Ｐの要部を模式的に示す断面図である。
【００５３】
図３に示すように、液晶パネル２００は、ＴＦＴアレイ基板２０１と、対向基板２０２と、液晶層２０３とを有する。本実施形態においては、この液晶パネル２００は、ＦＦＳ方式の表示モードに対応するように構成されており、液晶層２０３に横電界を印加することによって、画像を表示する。また、この液晶パネル２００は、デュアルドメインになるように、構成されている。
【００５４】
この液晶パネル２００は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが対面する面において、画素Ｐが有効表示領域ＴＡとセンサ領域ＲＡとに区画されている。
【００５５】
この有効表示領域ＴＡにおいては、図３に示すように、バックライト３００から出射された照明光Ｒが、ＴＦＴアレイ基板２０１の側から対向基板２０２の側へ透過し、画像表示が行われる。
【００５６】
一方で、センサ領域ＲＡにおいては、図３に示すように、液晶パネル２００の正面側において、被検知体Ｆによって反射された反射光Ｈを、フォトセンサ素子３２が受光し、受光データを生成する。
【００５７】
この液晶パネル２００において、ＴＦＴアレイ基板２０１は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板２０１においては、対向基板２０２に対面する側の面には、図３に示すように、フォトセンサ素子３２と、画素電極６２ａと、共通電極６２ｂと、データ線Ｓ１と、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２とが形成されている。
【００５８】
また、液晶パネル２００において、対向基板２０２は、ＴＦＴアレイ基板２０１と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。そして、対向基板２０２は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１に対して間隔を隔てるよう対面している。たとえば、対向基板２０２は、ＴＦＴアレイ基板２０１との間にスペーサ（図示無し）を介在させて間隔を設けて対面しており、シール材(図示無し）を用いて貼り合わされている。そして、対向基板２０２において、ＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面には、図３に示すように、カラーフィルタ層２１が形成されている。ここでは、カラーフィルタ層２１は、赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとを含み、赤と緑と青との３原色を１組として構成されている。
【００５９】
そして、液晶パネル２００において、液晶層２０３は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間にて挟持されている。
【００６０】
上記の液晶パネル２００を構成するＴＦＴアレイ基板２０１の詳細について説明する。
【００６１】
図４は、本発明にかかる実施形態１において、画素領域ＰＡに設けられた画素ＰにおけるＴＦＴアレイ基板２０１の要部を模式的に示す平面図である。
【００６２】
図４においては、凡例に示すように、各部材を構成する材料に応じて異なったハッチングを付している。なお、図４においては、図３に示した画素Ｐにおいて赤フィルタ層２１Ｒに対応するサブ画素について示しているが、その他の緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとに対応するサブ画素のそれぞれにおいても、この赤フィルタ層２１Ｒに対応するサブ画素の場合と同様に各部材が形成されている。
【００６３】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１においては、図３に示した各部材の他に、画素スイッチング素子３１と、ゲート線Ｇ１とが形成されている。この画素スイッチング素子３１と、ゲート線Ｇ１とのそれぞれは、ＴＦＴアレイ基板２０１において、対向基板２０２に対面する側の面に形成されている。
【００６４】
ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた各部について順次説明する。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、画素スイッチング素子３１は、図４に示すように、液晶パネル２００の有効表示領域ＴＡに形成されている。画素スイッチング素子３１は、図３においては示していないが、図３において示しているフォトセンサ素子３２と同様に、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する側の面に形成されている。
【００６６】
ここでは、画素スイッチング素子３１は、図３に示すように、画素Ｐにおいてカラーフィルタ層２１を構成する、赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれに対応するように、設けられている。
【００６７】
図５は、本発明にかかる実施形態１において、画素スイッチング素子３１を示す断面図である。
【００６８】
図５に示すように、画素スイッチング素子３１は、ゲート電極４５と、ゲート絶縁膜４６ｇと、半導体層４８とを含み、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造のボトムゲート型ＴＦＴとして形成されている。たとえば、Ｎチャネル型のＴＦＴとして形成されている。
【００６９】
具体的には、画素スイッチング素子３１において、ゲート電極４５は、モリブデン（Ｍｏ）などの金属材料を用いて、層厚が６０〜９０ｎｍになるように形成されている。ここでは、図５に示すように、ゲート電極４５は、ＴＦＴアレイ基板２０１の面において、ゲート絶縁膜４６ｇを介して、半導体層４８のチャネル領域４８Ｃに対面するように設けられている。
【００７０】
また、画素スイッチング素子３１において、ゲート絶縁膜４６ｇは、図５に示すように、たとえば、シリコン窒化膜４６ｇａとシリコン酸化膜４６ｇｂとを積層して、ゲート電極４５を被覆するように形成されている。ここでは、たとえば、シリコン窒化膜４６ｇａを４０ｎｍ厚、シリコン酸化膜４６ｇｂを５０ｎｍ厚になるように形成する。
【００７１】
また、画素スイッチング素子３１において、半導体層４８は、たとえば、ポリシリコンで形成されている。たとえば、２０〜１６０ｎｍ厚のポリシリコン薄膜を、半導体層４８として形成する。この半導体層４８は、図５に示すように、ゲート電極４５に対応するようにチャネル領域４８Ｃが形成されている。そして、これと共に、そのチャネル領域４８Ｃを挟むように一対のソース・ドレイン領域４８Ａ，４８Ｂが形成されている。この一対のソース・ドレイン領域４８Ａ，４８Ｂは、チャネル領域４８Ｃを挟むように一対の低濃度不純物領域４８ＡＬ，４８ＢＬが形成されている。そして、さらに、その低濃度不純物領域４８ＡＬ，４８ＢＬよりも不純物の濃度が高い一対の高濃度不純物領域４８ＡＨ，４８ＢＨが、その一対の低濃度不純物領域４８ＡＬ，４８ＢＬを挟むように形成されている。
【００７２】
そして、画素スイッチング素子３１において、ソース電極５３とドレイン電極５４とのそれぞれは、アルミニウムなどの導電材料を用いて形成されている。ここでは、図５に示すように、ソース電極５３とドレイン電極５４とのそれぞれは、層間絶縁膜４９を貫通するようにコンタクトホールが形成された後に、そのコンタクトホールに導電材料を埋め込み、パターン加工されることによって形成される。具体的には、ソース電極５３は、一方のソース・ドレイン領域４８Ａに電気的に接続するように設けられており、ドレイン電極５４は、他方のソース・ドレイン領域４８Ａに電気的に接続するように設けられている。
【００７３】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、フォトセンサ素子３２は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する側の面に形成されている。
【００７４】
ここでは、フォトセンサ素子３２は、図３に示すように、センサ領域ＲＡに設けられており、そのセンサ領域ＲＡにおいて対向基板２０２の側からＴＦＴアレイ基板２０１の側へ向う光を、液晶層２０３を介して受光する。そして、フォトセンサ素子３２は、その入射光を受光し光電変換することによって、受光データを生成し、その生成した受光データが読み出される。
【００７５】
本実施形態においては、フォトセンサ素子３２は、図３に示したように、バックライト３００が出射する照明光Ｒが被検知体Ｆによって液晶パネル２００の正面の側から背面の側へ反射された反射光Ｈを、受光することによって、受光データを生成する。たとえば、フォトセンサ素子３２は、液晶層２０３を介在して入射する反射光Ｈを、受光面ＪＳａで受光し、受光データを生成する。
【００７６】
図６は、本発明にかかる実施形態１において、フォトセンサ素子３２を示す断面図である。
【００７７】
図６に示すように、フォトセンサ素子３２は、ＰＩＮ構造のフォトダイオードであり、遮光膜４３と、その遮光膜４３上に設けられた絶縁膜４６ｓと、その絶縁膜４６ｓを介して遮光膜４３に対面する半導体層４７とを含む。
【００７８】
このフォトセンサ素子３２において、遮光膜４３は、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されており、光を遮光する。ここでは、図６に示すように、遮光膜４３は、ＴＦＴアレイ基板２０１の面において、絶縁膜４６ｓを介して、半導体層４７のｉ層４７ｉに対面するように設けられている。
【００７９】
また、フォトセンサ素子３２において、絶縁膜４６ｓは、図６に示すように、シリコン窒化膜４６ｓａとシリコン酸化膜４６ｓｂを積層して、遮光膜４３を被覆するように形成されている。ここでは、たとえば、シリコン窒化膜４６ｓａを４０ｎｍ厚、シリコン酸化膜４６ｓｂを５０ｎｍ厚になるように形成する。
【００８０】
また、フォトセンサ素子３２において、半導体層４７は、たとえば、ポリシリコンで形成されている。たとえば、２０〜１６０ｎｍ厚のポリシリコン薄膜を、半導体層４７として形成する。この半導体層４７は、図６に示すように、ｐ層４７ｐとｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとを含む。ここでは、半導体層４７は、ｐ層４７ｐとｎ層４７ｎの間に、高抵抗のｉ層４７ｉが介在するように設けられている。ｐ層４７ｐは、たとえば、ホウ素などのｐ型不純物がドープされている。また、ｉ層４７ｉは、光電変換層であって、受光面ＪＳａを有し、その受光面ＪＳａにおいて光を受光し、光電変換が実施される。また、ｎ層４７ｎは、リンなどのｎ型不純物がドープされている。ここでは、ｎ層４７ｎは、リーク電流の低減化のために、ｎ型不純物が高濃度にドープされた高濃度領域４７ｎｈと、高濃度領域４７ｎｈよりも低濃度にｎ型不純物がドープされた低濃度領域４７ｎｌとを有する。そして、この低濃度領域４７ｎｌが、高濃度領域４７ｎｈとｉ層４７ｉとの間に介在するように形成されている。
【００８１】
本実施形態においては、図４に示すように、半導体層４７は、図４に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、平面形状が、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。半導体層４７を構成するｐ層４７ｐとｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとのそれぞれについても、平面形状が、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように設けられている。ここでは、半導体層４７は、データ線Ｓ１およびセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２が延在する方向に沿うように形成されている。
【００８２】
具体的には、半導体層４７は、図４に示すように、第１の半導体傾斜部４７ａと、第２の半導体傾斜部４７ｂとを有している。
【００８３】
第１の半導体傾斜部４７ａは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間であって、下方のゲート線Ｇ１の側から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ所定の角度で傾斜して、上方へ延在している。たとえば、第１の半導体傾斜部４７ａは、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【００８４】
そして、第２の半導体傾斜部４７ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間にて、上方のゲート線Ｇ１の側から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ、上記と同じ角度で傾斜して、下方へ延在している。たとえば、第２の半導体傾斜部４７ｂは、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【００８５】
そして、フォトセンサ素子３２において、アノード電極５１とカソード電極５２とのそれぞれは、たとえば、アルミニウムを用いて形成されている。ここでは、図６に示すように、層間絶縁膜４９が半導体層４７を被覆するように設けられており、アノード電極５１は、その層間絶縁膜４９を貫通するコンタクトホールに導電材料が埋め込まれ、パターン加工されることで、ｐ層４７ｐに電気的に接続するように設けられている。そして、同様に、カソード電極５２は、層間絶縁膜４９を貫通するコンタクトホールに導電材料が埋め込まれ、パターン加工されることで、ｎ層４７ｎに電気的に接続するように設けられている。
【００８６】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、画素電極６２ａは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。
【００８７】
ここでは、画素電極６２ａは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において共通電極６２ｂを被覆するように絶縁材料で形成された絶縁膜６０ｃの上に設けられている。たとえば、シリコン窒化膜として形成された絶縁膜６０ｃ上に設けられている。そして、この画素電極６２ａは、カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれに対応するように設けられている。画素電極６２ａは、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されており、画素スイッチング素子３１のドレイン電極５４に電気的に接続されている。そして、画素電極６２ａは、画素スイッチング素子３１からデータ信号の供給によって印加される電位により、共通電極６２ｂとの間において、横電界を生じさせ、液晶層２０３に電圧を印加する。
【００８８】
本実施形態においては、液晶パネル２００がＦＦＳ方式であるので、画素電極６２ａは、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面するｘｙ面の方向において、櫛歯形状になるように形成されている。
【００８９】
具体的には、図４に示すように、画素電極６２ａは、基幹部６２ａｋと、枝部６２ａｅとを有する。
【００９０】
画素電極６２ａの基幹部６２ａｋは、図４に示すように、ｘ方向に延在している。ここでは、図４に示すように、ｘ方向に延在するゲート線Ｇ１が、ｙ方向において間隔を隔てて並ぶ複数設けられており、そのｙ方向に並ぶ複数のゲート線Ｇ１の間において、２本の基幹部６２ａｋが設けられている。そして、この２つの基幹部６２ａｋの間には、枝部６２ａｅが設けられている。
【００９１】
画素電極６２ａにおいて、枝部６２ａｅは、図４に示すように、基幹部６２ａｋに接続されており、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。この枝部６２ａｅは、図４に示すように、ｘ方向において、複数が間隔を隔てて並ぶように配置されており、その複数のそれぞれは、ｙ方向における両端部が、基幹部６２ａｋに接続されている。
【００９２】
本実施形態においては、枝部６２ａｅは、図４に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、枝部６２ａｅは、データ線Ｓ１が延在する方向に沿って形成されている。
【００９３】
具体的には、枝部６２ａｅは、図４に示すように、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１と、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２とを有している。
【００９４】
第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間であって、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ所定の角度で傾斜するように、上方へ延在している。たとえば、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１は、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【００９５】
そして、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ、上記と同じ角度で傾斜するように、下方へ延在している。たとえば、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【００９６】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、共通電極６２ｂは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。ここでは、共通電極６２ｂは、各配線を被覆するように、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された平坦化膜６０ｂの上に設けられている。たとえば、アクリル樹脂などの有機化合物によって形成された平坦化膜６０ｂ上に設けられている。共通電極６２ｂは、いわゆる透明電極であって、たとえば、ＩＴＯを用いて形成されている。そして、共通電極６２ｂは、複数の画素Ｐに対応するように複数設けられた画素電極６２ａのそれぞれに、絶縁膜６０ｃを介して対面している。
【００９７】
本実施形態においては、共通電極６２ｂは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面するｘｙ面の方向において、有効表示領域ＴＡの全面を被覆するように、ベタ状に形成されている。
【００９８】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、データ線Ｓ１は、図３に示すように、有効表示領域ＴＡであって、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。ここでは、データ線Ｓ１は、フォトセンサ素子３２などの半導体素子を被覆するように、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された絶縁膜６０ａの上に設けられている。データ線Ｓ１は、図３に示すように、カラーフィルタ層２１を構成する赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれに対応するように設けられており、ｘ方向において、複数が間隔を隔てて並ぶように配置されている。つまり、データ線Ｓ１は、ｘ方向に並ぶ複数のサブ画素を区画するように複数がｘ方向に間隔を隔てて設けられている。
【００９９】
このデータ線Ｓ１は、表示用水平駆動回路１２に電気的に接続されており、表示用水平駆動回路１２からデータ信号が供給される。また、データ線Ｓ１は、画素スイッチング素子３１であるＴＦＴのソース電極に電気的に接続されており、画素スイッチング素子３１を介して、データ信号を画素電極６２ａへ供給する。
【０１００】
本実施形態においては、データ線Ｓ１は、図４に示すように、データ線Ｓ１は、たとえば、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されており、画素スイッチング素子３１のソース電極に電気的に接続されている。そして、データ線Ｓ１は、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。
【０１０１】
また、データ線Ｓ１は、図４に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、データ線Ｓ１は、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０１０２】
具体的には、データ線Ｓ１は、図４に示すように、第１のデータ線傾斜部ＳＫ１と、第２のデータ線傾斜部ＳＫ２とを有している。
【０１０３】
第１のデータ線傾斜部ＳＫ１は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間にて、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ所定の角度で傾斜するように、上方へ延在している。たとえば、第１のデータ線傾斜部ＳＫ１は、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０１０４】
そして、第２のデータ線傾斜部ＳＫ２は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間にて、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ、上記と同じ角度で傾斜するように、下方へ延在している。たとえば、第２のデータ線傾斜部ＳＫ２は、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０１０５】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図３に示すように、データ線Ｓ１と同様に、ＴＦＴアレイ基板２０１において対向基板２０２に対面する面の側に形成されている。このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、センサ領域ＲＡに設けられている。ここでは、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、フォトセンサ素子３２などの半導体素子を被覆するように、ＴＦＴアレイ基板２０１に形成された絶縁膜６０ａの上に設けられている。
【０１０６】
そして、図４に示すように、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、たとえば、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。ここでは、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図４に示すように、フォトセンサ素子３２に電気的に接続されている。一方のセンサ駆動配線Ｈ１は、フォトセンサ素子３２のアノード電極（図示なし）に電気的に接続されている。そして、他方のセンサ駆動配線Ｈ２は、フォトセンサ素子３２のカソード電極（図示なし）に電気的に接続されている。
【０１０７】
また、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、データ線Ｓ１と同様に、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。ここでは、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図４に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０１０８】
具体的には、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図４に示すように、第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂと、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂとを有している。
【０１０９】
第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間であって、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ所定の角度で傾斜するように上方へ延在している。たとえば、第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂは、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０１１０】
そして、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ、上記と同じ角度で傾斜するように下方へ延在している。たとえば、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂは、ｙ方向を軸にして、１０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０１１１】
ＴＦＴアレイ基板２０１において、ゲート線Ｇ１は、図４に示すように、ｘ方向に延在しており、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。このゲート線Ｇ１は、画素領域ＰＡにてｙ方向に並ぶ複数の画素Ｐを区画するように複数がｙ方向に間隔を隔てて設けられている。ここでは、ゲート線Ｇ１は、図５において示した画素スイッチング素子３１のゲート電極４５に電気的に接続されており、本実施形態では、このゲート電極４５と一体として形成されている。また、ゲート線Ｇ１は、表示用垂直駆動回路１１に電気的に接続されており、表示用垂直駆動回路１１から供給された走査信号を、ゲート電極４５へ伝送する。
【０１１２】
上記の液晶パネル２００を構成する対向基板２０２に設けられた各部について、説明する。
【０１１３】
対向基板２０２において、カラーフィルタ層２１は、図３に示すように、有効表示領域ＴＡにおいて、対向基板２０２にてＴＦＴアレイ基板２０１に対面する側の面に形成されている。カラーフィルタ層２１は、赤と緑と青との３原色を１組として構成されており、赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとを含む。たとえば、各フィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、その色に対応した着色顔料とフォトレジスト材料とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工し形成される。ここでは、たとえば、ポリイミド系樹脂をフォトレジスト材料として用いる。赤フィルタ層２１Ｒと緑フィルタ層２１Ｇと青フィルタ層２１Ｂとのそれぞれは、バックライト３００から出射された照明光Ｒが着色されて、ＴＦＴアレイ基板２０１の側から対向基板２０２の側へ透過するように構成されている。具体的には、赤フィルタ層２１Ｒは、白色の照明光Ｒを赤色に着色し、緑フィルタ層２１Ｇは、照明光Ｒを緑色に着色し、青フィルタ層２１Ｂは、照明光Ｒを青色に着色して透過するように構成されている。
【０１１４】
そして、図示を省略しているが、各フィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、平面形状が、画素電極６２ａの外形に対応するように形成されている。本実施形態においては、各フィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、画素電極６２ａと同様に、平面形状が、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。
【０１１５】
上記の液晶パネル２００を構成する液晶層２０３について説明する。
【０１１６】
液晶パネル２００において、液晶層２０３は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間にて挟持されている。そして、液晶層２０３は、ＴＦＴアレイ基板２０１および対向基板２０２において、互いに対面する面のそれぞれに形成された液晶配向膜（図示なし）によって、配向されている。
【０１１７】
本実施形態においては、液晶層２０３は、液晶分子が水平配向されている。ここでは、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが対面するｘｙ面において、ｙ方向に液晶分子の長手方向が沿うように、配向処理されている。
【０１１８】
（バックライトの構成）
図７は、本発明にかかる実施形態１において、バックライト３００を模式的に示す断面図である。図８は、本発明にかかる実施形態１において、バックライト３００の要部を模式的に示す斜視図である。
【０１１９】
図７に示すように、バックライト３００は、光源３０１と、導光板３０２とを有しており、液晶パネル２００の画素領域ＰＡの全面を照明するように、照明光Ｒを出射する。
【０１２０】
光源３０１は、図７に示すように、光を照射する照射面ＥＳを含み、この照射面ＥＳが、導光板３０２において光が入射される入射面ＩＳに対面するように配置されている。ここでは、導光板３０２の側面に設けられている入射面ＩＳに、光源３０１の照射面ＥＳが対面している。そして、光源３０１は、制御信号が制御部４０１から供給され、その制御信号に基づいて、発光動作を実施するように構成されている。
【０１２１】
本実施形態においては、光源３０１は、図８に示すように、可視光源３０１ａと、赤外光源３０１ｂとを有する。
【０１２２】
可視光源３０１ａは、たとえば、白色ＬＥＤであり、白色の可視光線を照射するように構成されている。この可視光源３０１ａは、図８に示すように、導光板３０２の入射面ＩＳに照射面ＥＳが対面するように配置されており、その導光板３０２の入射面ＩＳに照射面ＥＳから可視光線を照射する。ここでは、可視光源３０１ａは、複数であり、その複数が、導光板３０２の入射面ＩＳに沿うように並べられて配置されている。
【０１２３】
赤外光源３０１ｂは、たとえば、赤外線ＬＥＤであり、赤外光線を照射するように構成されている。この赤外光源３０１ｂは、図８に示すように、導光板３０２の入射面ＩＳに照射面ＥＳが対面するように配置されており、その導光板３０２の入射面ＩＳに照射面ＥＳから赤外光線を照射する。たとえば、中心波長が８５０ｎｍである赤外光線を照射する。ここでは、可視光源３０１ａは、たとえば、単数であり、可視光源３０１ａが設けられた導光板３０２の入射面ＩＳにおいて、その可視光源３０１ａと並ぶように配置されている。本実施形態においては、図８に示すように、赤外光源３０１ｂは、可視光源３０１ａが設けられた導光板３０２の入射面ＩＳにおいて、略中央部分になるように配置されている。
【０１２４】
導光板３０２は、図７に示すように、入射面ＩＳに光源３０１の照射面ＥＳが対面するように設けられており、その照射面ＥＳから照射された光が入射される。そして、導光板３０２は、その入射面ＩＳに入射された光を導光する。そして、その導光した光を、入射面ＩＳに対して直交するように設けられた出射面ＰＳ１から照明光Ｒとして出射する。導光板３０２は、液晶パネル２００の背面に対面するように配置され、その液晶パネル２００の背面に向かって、出射面ＰＳ１から照明光Ｒを出射する。この導光板３０２は、たとえば、アクリル樹脂など、光透過性が高い透明な材料を用いて、射出成型により形成される。
【０１２５】
本実施形態においては、導光板３０２は、可視光源３０１ａから出射された可視光線と、赤外光源３０１ｂから出射された赤外光線との両者が、入射面ＩＳに入射され、その入射面ＩＳから入射された可視光線と赤外光線とを導光する。そして、その導光した可視光線と赤外光線とが、出射面ＰＳ１から照明光Ｒとして出射される。そして、上記のように、透過型の液晶パネル２００の画素領域ＰＡにおいて画像が表示される。
【０１２６】
導光板３０２は、図７に示すように、光学フィルム３０３と反射フィルム３０４とが設けられている。
【０１２７】
光学フィルム３０３は、図７に示すように、導光板３０２において出射面ＰＳ１に対面するように設けられている。光学フィルム３０３は、導光板３０２の出射面ＰＳ１から出射される照明光Ｒを受け、その光学特性を変調するように構成されている。
【０１２８】
本実施形態においては、光学フィルム３０３は、拡散シート３０３ａとプリズムシート３０３ｂとを有しており、拡散シート３０３ａとプリズムシート３０３ｂとが導光板３０２の側から順次配置されている。そして、拡散シート３０３ａは、導光板３０２の出射面ＰＳから出射される光を拡散し、プリズムシート３０３ｂは、その拡散された光を導光板３０２の出射面ＰＳの法線方向ｚに沿うように集光する。このようにすることで、光学フィルム３０３は、導光板３０２から出射された光を、平面光の照明光Ｒとして液晶パネル２００の裏面へ出射する。
【０１２９】
反射フィルム３０４は、図７に示すように、導光板３０２において出射面ＰＳに対して反対側に位置する面に対面するように設けられている。反射フィルム３０４は、導光板３０２において出射面ＰＳ１に対して反対側に位置する面ＰＳ２から出射される光を受けて、導光板３０２の出射面ＰＳ１の側へ、その光を反射する。
【０１３０】
（動作）
上記の液晶表示装置１００において、被検知体Ｆとして人体の指が液晶パネル２００の画素領域ＰＡに接触もしくは移動された際に、その被検知体Ｆから得られる受光データに基づいて、被検知体Ｆの位置を検出するときの動作について説明する。
【０１３１】
図９と図１０は、本発明に係る実施形態１において、被検知体Ｆとして人体の指が液晶パネル２００の画素領域ＰＡに接触もしくは移動された際に、その被検知体Ｆから得られる受光データに基づいて、被検知体Ｆの位置を検出する際の様子を模式的に示す図である。ここで、図９は、液晶層２０３への電圧の印加がオフ状態である場合を示しており、一方で、図１０は、液晶層２０３への電圧の印加がオン状態である場合を示している。図９と図１０においては、要部を記載し、その他の部分については、記載を省略している。
【０１３２】
液晶層２０３への電圧の印加がオフ状態である場合について説明する。
【０１３３】
この場合には、図９に示すように、液晶パネル２００の有効表示領域ＴＡにおいては、液晶層２０３は、水平配向された液晶分子の長尺方向が、たとえば、ｙ方向に沿っている。本実施形態においては、表示方式がノーマリ・ブラック方式になるように、各部が構成されている。このため、液晶パネル２００の有効表示領域ＴＡにおいては、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、可視光線ＶＲは、第２の偏光板２０７を透過しないで吸収され、黒表示が実施される。
【０１３４】
一方で、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、赤外光線ＩＲは、第２の偏光板２０７を透過する。
【０１３５】
これに対して、液晶パネル２００のセンサ領域ＲＡにおいては、図９に示すように、液晶層２０３は、有効表示領域ＴＡの場合と同様に、水平配向された液晶分子の長尺方向が、たとえば、ｙ方向に沿っている。このため、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいても、可視光線ＶＲは、液晶パネル２００を透過しない。
【０１３６】
一方で、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、赤外光線ＩＲは、センサ領域ＲＡにて第２の偏光板２０７を透過する。このため、人体の指などの被検知体Ｆが画素領域ＰＡに接触もしくは移動された場合には、図９に示すように、その透過した赤外光線ＩＲが、被検知体Ｆによって反射される。照明光Ｒの光路にある絶縁膜６０ａなどの各部材は、赤外光線ＩＲに対する吸収係数が小さく、ほぼゼロであるので、反射光Ｈは、赤外光線ＩＲを多く含んでいる。このため、その赤外光線ＩＲを多く含む反射光Ｈを、液晶パネル２００に設けられたフォトセンサ素子３２が受光する。
【０１３７】
ここでは、受光面ＪＳａへ向かう反射光Ｈをフォトセンサ素子３２が受光面ＪＳａで受光し、光電変換する。そして、その光電変換によって生じた電荷による受光データが、周辺回路によって読み出される。
【０１３８】
そして、上述したように、その読み出した受光データを用いて、位置検出部４０２が、液晶パネル２００の正面側において画素領域ＰＡに位置する被検知体Ｆの像をイメージングし、そのイメージングした画像から、被検知体Ｆの位置を検出する。
【０１３９】
液晶層２０３への電圧の印加がオン状態である場合について説明する。
【０１４０】
この場合には、図１０に示すように、液晶パネル２００の有効表示領域ＴＡにおいては、液晶層２０３は、水平配向された液晶分子の長尺方向が、ｙ方向とは異なる方向に傾く。このため、液晶パネル２００の有効表示領域ＴＡにおいては、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、可視光線ＶＲは、第２の偏光板２０７を透過し、白表示が実施される。また、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、赤外光線ＩＲについても、第２の偏光板２０７を透過する。
【０１４１】
これに対して、液晶パネル２００のセンサ領域ＲＡにおいては、画素電極６２ａおよび共通電極６２ｂが形成されておらず、液晶層２０３に電圧が印加されないため、液晶層２０３への電圧の印加がオフ状態である場合と同様に、液晶層２０３は、水平配向された液晶分子の長尺方向が、たとえば、ｙ方向に沿っている。このため、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、可視光線ＶＲは、液晶パネル２００を透過しない。
【０１４２】
一方で、バックライト３００から照明された照明光Ｒにおいて、赤外光線ＩＲは、上記と同様に、図１０に示すように、センサ領域ＲＡにて第２の偏光板２０７を透過する。このため、人体の指などの被検知体Ｆが画素領域ＰＡに接触もしくは移動された場合には、図１０に示すように、その透過した赤外光線ＩＲが、被検知体Ｆによって反射され、その反射光Ｈを、液晶パネル２００に設けられたフォトセンサ素子３２が受光する。そして、受光面ＪＳａへ向かう反射光Ｈをフォトセンサ素子３２が受光面ＪＳａで受光し、光電変換することによって生ずる受光データが、周辺回路によって読み出される。
【０１４３】
そして、上述したように、そのフォトセンサ素子３２から読み出した受光データを用いて、位置検出部４０２が、液晶パネル２００の正面側において画素領域ＰＡに位置する被検知体Ｆの像をイメージングし、そのイメージングした画像から、被検知体Ｆの位置を検出する。
【０１４４】
以上のように、本実施形態では、画素電極６２ａの枝部６２ａｅは、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１および第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２を有し、これらが、画素領域ＰＡにて複数の画素Ｐが並ぶｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。そして、フォトセンサ素子３２において半導体層４７は、第１の半導体傾斜部４７ａおよび第２の半導体傾斜部４７ｂを有しており、枝部６２ａｅと同様に、画素領域ＰＡにて複数の画素Ｐが並ぶｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。つまり、フォトセンサ素子３２は、この画素電極６２ａの第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１および第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２が延在する方向に沿った形状にて、受光面ＪＳａが形成されている。このように、本実施形態は、画素電極６２ａの外形において複数の画素Ｐが並ぶｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する辺に沿うように、フォトセンサ素子３２の受光面ＪＳａが形成されているので、受光面ＪＳａの面積を大きくすることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子３２の受光感度を向上することができる。したがって、本実施形態においては、広視野角での画像表示と、フォトセンサ素子の高感度化との両者を実現することができる。
【０１４５】
また、本実施形態においては、バックライト３００が可視光線ＶＲの他に、赤外光線ＩＲを含むように、照明光Ｒを出射する。このため、暗い環境下、または、輝度の低い画像を表示する時においても、その赤外光線ＩＲを、指などの被検知体Ｆにて反射させた反射光Ｈを検知することにより、その位置情報を、高いＳ／Ｎ比で検出できる。よって、夜景のような輝度が低い画面がバックグラウンドであっても誤検知の確率が低く、グラフィカルユーザーインターフェースのデザイン自由度が増すとともに、信頼性が高いタッチパネル内蔵型表示装置を実現することが可能である。
【０１４６】
＜実施形態２＞
以下より、本発明にかかる実施形態２について説明する。
【０１４７】
図１１は、本発明にかかる実施形態２において、画素領域ＰＡに設けられた画素ＰにおけるＴＦＴアレイ基板２０１の要部を模式的に示す平面図である。図１１においては、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、一つについて示しているが、他のサブ画素についても、同様に各部材が形成されている。
【０１４８】
本実施形態は、図１１に示すように、画素Ｐを構成する各部の形状が、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。たとえば、図１１においては、画素スイッチング素子の表示を省略している。
【０１４９】
本実施形態の各部について、順次、説明する。
【０１５０】
フォトセンサ素子３２は、図１１に示すように、センサ領域ＲＡに設けられている。
【０１５１】
このフォトセンサ素子３２において、半導体層４７は、図１１に示すように、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、平面形状が、ｙ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。半導体層４７を構成するｐ層４７ｐとｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとのそれぞれについても、平面形状が、ｙ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように設けられている。ここでは、半導体層４７は、ゲート線Ｇ１およびセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２が延在する方向に沿うように形成されている。
【０１５２】
具体的には、半導体層４７は、図１１に示すように、実施形態１と同様に、第１の半導体傾斜部４７ａと、第２の半導体傾斜部４７ｂとを有している。
【０１５３】
第１の半導体傾斜部４７ａは、実施形態１と異なり、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、左側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜するように、右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１５４】
そして、第２の半導体傾斜部４７ｂは、実施形態１と異なり、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、右側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜し、左側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１５５】
画素電極６２ａは、図１１に示すように、実施形態１と同様に、基幹部６２ａｋと、枝部６２ａｅとを有する。
【０１５６】
画素電極６２ａの基幹部６２ａｋは、図１１に示すように、実施形態１と異なり、ｘ方向に延在している。ここでは、図１１に示すように、ｙ方向に延在するデータ線Ｓ１が、ｘ方向において間隔を隔てて並ぶ複数設けられており、そのｘ方向に並ぶ複数のデータ線Ｓ１の間において、２本の基幹部６２ａｋが設けられている。そして、この２つの基幹部６２ａｋの間には、枝部６２ａｅが設けられている。
【０１５７】
画素電極６２ａにおいて、枝部６２ａｅは、図１１に示すように、基幹部６２ａｋに接続されており、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。この枝部６２ａｅは、図１１に示すように、ｙ方向において、複数が間隔を隔てて並ぶように配置されており、その複数のそれぞれは、ｘ方向における両端部が、基幹部６２ａｋに接続されている。
【０１５８】
本実施形態においては、枝部６２ａｅは、図１１に示すように、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、ｙ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、枝部６２ａｅは、データ線Ｓ１が延在する方向に沿って形成されている。
【０１５９】
具体的には、枝部６２ａｅは、図１１に示すように、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１と、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２とを有している。
【０１６０】
第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１は、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、左側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜するように、右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１６１】
そして、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、右側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜し、左側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１６２】
そして、図示を省略しているが、画素電極６２ａにおいては、実施形態１の場合と同様に、共通電極（図示なし）が絶縁膜（図示なし）を介して対面するように設けられている。
【０１６３】
データ線Ｓ１は、実施形態１と異なり、図１１に示すように、ｙ方向に沿う方向に直線状に延在している。そして、図示を省略しているが、このデータ線Ｓ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のソース電極（図示なし）に電気的に接続されており、データ信号を供給する。
【０１６４】
センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１１に示すように、センサ領域ＲＡに設けられている。センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、金属材料を用いて形成されており、フォトセンサ素子３２に電気的に接続されている。一方のセンサ駆動配線Ｈ１は、フォトセンサ素子３２のアノード電極（図示なし）に電気的に接続されている。そして、他方のセンサ駆動配線Ｈ２は、フォトセンサ素子３２のカソード電極（図示なし）に電気的に接続されている。
【０１６５】
また、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１１に示すように、画素電極６２ａの枝部６２ａｅと同様に、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。ここでは、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、ｙ方向を軸に、対称な「く」の字形状になるように形成されている。このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０１６６】
具体的には、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１１に示すように、第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂと、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂとを有している。
【０１６７】
第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂは、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、左側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜するように、右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１６８】
そして、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂは、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、右側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜し、左側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１６９】
ゲート線Ｇ１は、図１１に示すように、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、ｙ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、ゲート線Ｇ１は、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０１７０】
具体的には、ゲート線Ｇ１は、図１１に示すように、第１のゲート線傾斜部ＧＫ１と、第２のゲート線傾斜部ＧＫ２とを有している。
【０１７１】
第１のゲート線傾斜部ＧＫ１は、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、左側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜するように、右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１７２】
そして、第２のゲート線傾斜部ＧＫ２は、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間であって、右側のデータ線Ｓ１から、この両者の間の中央部分までの間において、所定の角度で上方へ傾斜し、左側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１０°の角度で上方へ傾斜するように形成されている。
【０１７３】
また、図示を省略しているが、このゲート線Ｇ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のゲート電極（図示なし）に電気的に接続されており、走査信号を供給する。
【０１７４】
液晶層２０３は、実施形態１と同様に、液晶分子が水平配向されている。しかし、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが対面するｘｙ面において、ｘ方向に液晶分子の長手方向が沿うように、液晶層２０３が配向処理されている。
【０１７５】
以上のように、本実施形態では、画素電極６２ａの枝部６２ａｅを構成する第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１および第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２が、画素領域ＰＡにて複数の画素Ｐが並ぶｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。そして、フォトセンサ素子３２において半導体層４７を構成する第１の半導体傾斜部４７ａおよび第２の半導体傾斜部４７ｂが、この枝部６２ａｅと同様に、画素領域ＰＡにて複数の画素Ｐが並ぶｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。つまり、フォトセンサ素子３２は、この画素電極６２ａの第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１および第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２が延在する方向に沿った形状にて、受光面ＪＳａが形成されている。このように、本実施形態は、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１および第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２が延在する方向に沿った形状にて、フォトセンサ素子３２の受光面ＪＳａが形成されているので、実施形態１と同様に、受光面ＪＳａの面積を大きくすることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子３２の受光感度を向上することができる。したがって、本実施形態においては、広視野角での画像表示と、フォトセンサ素子の高感度化との両者を実現することができる。
【０１７６】
＜実施形態３＞
以下より、本発明にかかる実施形態３について説明する。
【０１７７】
図１２は、本発明にかかる実施形態３において、画素領域ＰＡに設けられた画素ＰにおけるＴＦＴアレイ基板２０１の要部を模式的に示す平面図である。図１２においては、ｙ方向に並ぶ複数の２つの画素Ｐを示しており、ここでは、その画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、一つを代表して示しているが、他のサブ画素についても、同様に各部材が形成されている。
【０１７８】
本実施形態は、図１２に示すように、画素Ｐを構成する各部の形状が、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。たとえば、図１２においては、画素スイッチング素子の表示を省略している。
【０１７９】
本実施形態の各部について、順次、説明する。
【０１８０】
フォトセンサ素子３２において、半導体層４７は、図１２に示すように、平面形状が、ｘ方向を軸に対称なテーパー形状になるように形成されている。ここでは、半導体層４７は、画素電極６２ａの枝部６２ａｅおよびセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２が延在する方向に沿うように形成されている。
【０１８１】
具体的には、半導体層４７は、図１２に示すように、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間において、ｘ方向において左側のデータ線Ｓ１から右側のデータ線Ｓ１へ向かう方向へ、幅が広くなるように延在して形成されている。
【０１８２】
すなわち、半導体層４７においては、上側の辺が、左側のデータ線Ｓ１から右側のデータ線Ｓ１へ向かうに伴って、所定の角度で上方へ傾斜するように、右側へ延在している。そして、半導体層４７においては、下側の辺が、左側のデータ線Ｓ１から右側のデータ線Ｓ１へ向かうに伴って、所定の角度で下方へ傾斜するように、右側へ延在している。たとえば、半導体層４７は、ｘ方向を軸にして、１５°の角度で上方および下方へ傾斜した辺で区画されるように形成されている。
【０１８３】
画素電極６２ａは、図１２に示すように、第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２との２種類が設けられている。第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２とのそれぞれは、フォトセンサ素子３２を介在して、ｙ方向において並んで配置されており、ｘ方向を軸にして、対称になるように形成されている。
【０１８４】
この第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２とのそれぞれは、図１２に示すように、基幹部６２ａｋと、枝部６２ａｅとを有する。
【０１８５】
基幹部６２ａｋは、図１２に示すように、実施形態１と異なり、ｙ方向に延在している。ここでは、図１２に示すように、ｙ方向に延在するデータ線Ｓ１が、ｘ方向において間隔を隔てて複数設けられており、そのｘ方向に並ぶ複数のデータ線Ｓ１の間において、２本の基幹部６２ａｋが設けられている。そして、この２つの基幹部６２ａｋの間には、枝部６２ａｅが設けられている。
【０１８６】
枝部６２ａｅは、図１２に示すように、基幹部６２ａｋに接続されており、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。この枝部６２ａｅは、図１２に示すように、ｙ方向において、複数が間隔を隔てて並ぶように配置されており、その複数のそれぞれは、ｘ方向における両端部が、基幹部６２ａｋに接続されている。
【０１８７】
この枝部６２ａｅは、第１画素電極６２ａ１においては、図１２に示すように、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間にて左側から右側へ向かう方向において、所定の角度で下方へ傾斜して右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１５°の角度で下方へ傾斜して延在するように形成されている。
【０１８８】
一方、第２画素電極６２ａ２においては、枝部６２ａｅは、図１２に示すように、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間にて左側から右側へ向かう方向において、所定の角度で上方へ傾斜して右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１５°の角度で上方へ傾斜して延在するように形成されている。
【０１８９】
そして、図示を省略しているが、画素電極６２ａにおいては、実施形態１の場合と同様に、共通電極（図示なし）が絶縁膜（図示なし）を介して対面するように設けられている。また、この画素電極６２ａは、ｘ方向においては、データ線Ｓ１を軸にして対称になるように形成されている。
【０１９０】
データ線Ｓ１は、実施形態１と異なり、図１２に示すように、ｙ方向に沿う方向に直線状に延在している。そして、図示を省略しているが、このデータ線Ｓ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のソース電極（図示なし）に電気的に接続されており、データ信号を供給する。
【０１９１】
センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、実施形態１と同様に、フォトセンサ素子３２に電気的に接続されている。一方のセンサ駆動配線Ｈ１は、フォトセンサ素子３２のアノード電極（図示なし）に電気的に接続されている。そして、他方のセンサ駆動配線Ｈ２は、フォトセンサ素子３２のカソード電極（図示なし）に電気的に接続されている。
【０１９２】
このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１２に示すように、画素電極６２ａの枝部６２ａｅと同様に、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。
【０１９３】
具体的には、一方のセンサ駆動配線Ｈ１は、図１２に示すように、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間にて左側から右側へ向かう方向において、所定の角度で下方へ傾斜して右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１５°の角度で下方へ傾斜して延在するように形成されている。
【０１９４】
そして、他方のセンサ駆動配線Ｈ２は、図１２に示すように、ｘ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのデータ線Ｓ１の間にて左側から右側へ向かう方向において、所定の角度で上方へ傾斜して右側へ延在している。たとえば、ｘ方向を軸にして、１５°の角度で上方へ傾斜して延在するように形成されている。
【０１９５】
ゲート線Ｇ１は、図１２に示すように、実施形態１と同様に、ｘ方向に延在して形成されている。そして、図示を省略しているが、このゲート線Ｇ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のゲート電極（図示なし）に電気的に接続されており、走査信号を供給する。
【０１９６】
液晶層２０３は、実施形態１と同様に、液晶分子が水平配向されている。しかし、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが対面するｘｙ面において、ｘ方向に液晶分子の長手方向が沿うように、液晶層２０３が配向処理されている。
【０１９７】
以上のように、本実施形態では、フォトセンサ素子３２は、第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２とのそれぞれの枝部６２ａｅが延在する方向に沿った形状にて、受光面ＪＳａが形成されている。このため、受光面ＪＳａの面積を大きくすることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子３２の受光感度を向上することができる。したがって、本実施形態においては、広視野角での画像表示と、フォトセンサ素子の高感度化との両者を実現することができる。
【０１９８】
＜実施形態４＞
以下より、本発明にかかる実施形態４について説明する。
【０１９９】
図１３は、本発明にかかる実施形態４において、画素領域ＰＡに設けられた画素ＰにおけるＴＦＴアレイ基板２０１の要部を模式的に示す平面図である。図１３においては、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、２つを代表して示している。
【０２００】
本実施形態は、図１３に示すように、画素Ｐを構成する各部の形状が、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。たとえば、図１２においては、画素スイッチング素子の表示を省略している。
【０２０１】
本実施形態の各部について、順次、説明する。
【０２０２】
フォトセンサ素子３２において、半導体層４７は、図１３に示すように、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、平面形状が、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。半導体層４７を構成するｐ層４７ｐとｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとのそれぞれについても、平面形状が、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように設けられている。
【０２０３】
具体的には、半導体層４７は、図１３に示すように、実施形態１と同様に、第１の半導体傾斜部４７ａと、第２の半導体傾斜部４７ｂとを有している。
【０２０４】
第１の半導体傾斜部４７ａは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ傾斜して、上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２０５】
そして、第２の半導体傾斜部４７ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ傾斜して、下方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２０６】
画素電極６２ａは、図１３に示すように、ハニカム構造になるように複数が配置されている。
【０２０７】
ここでは、画素電極６２ａは、図１３に示すように、第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２との２種類が設けられている。第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２とのそれぞれは、フォトセンサ素子３２を介在して並んで配置されている。
【０２０８】
第１画素電極６２ａ１は、図１３に示すように、外形が正六角形になるように形成されている。この第１画素電極６２ａ１は、たとえば、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、２つに対応するように設けられている。
【０２０９】
そして、第２画素電極６２ａ２は、図１３に示すように、第１画素電極６２ａ１の左側に対応する部分に、フォトセンサ素子３２の半導体層４７が設けられており、第１画素電極６２ａ１から、この部分を除いた六角形状になるように形成されている。この第２画素電極６２ａ２は、たとえば、画素Ｐを構成する３つのサブ画素のうち、１つに対応するように設けられている。
【０２１０】
そして、この画素電極６２ａのそれぞれは、その六角形の外形の各辺が、６つの隣接する他の画素電極６２ａにおける六角形の外形の辺に対して、平行になるように配置されている。
【０２１１】
この画素電極６２ａを構成する第１画素電極６２ａ１と第２画素電極６２ａ２とのそれぞれは、図１３に示すように、基幹部６２ａｋと、枝部６２ａｅとを有する。
【０２１２】
基幹部６２ａｋは、図１３に示すように、ｘ方向に延在している。ここでは、図１３に示すように、上端部と下端部とのそれぞれに、基幹部６２ａｋが設けられている。そして、この２つの基幹部６２ａｋの間には、枝部６２ａｅが設けられている。また、この２つの基幹部６２ａｋの間の中心部分においては、ｘ方向に延在する第１延在部６２ａｘと、ｙ方向に延在する第２延在部６２ａｙとが形成されている。そして、この第１延在部６２ａｘと第２延在部６２ａｙとが、基幹部６２ａｋの間の中心部分において交差している。
【０２１３】
枝部６２ａｅは、図１３に示すように、基幹部６２ａｋに接続されており、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。この枝部６２ａｅは、図１３に示すように、ｙ方向において、複数が間隔を隔てて並ぶように配置されており、その複数のそれぞれは、ｙ方向における両端部が、基幹部６２ａｋに接続されている。
【０２１４】
本実施形態においては、枝部６２ａｅは、図１３に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、枝部６２ａｅは、データ線Ｓ１が延在する方向に沿って形成されている。さらに、この枝部６２ａｅは、第１画素電極６２ａ１においては、ｙ方向を軸にして対称になるように形成されている。
【０２１５】
具体的には、枝部６２ａｅは、図１３に示すように、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１と、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２と、第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３と、第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４とを有している。
【０２１６】
第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、下側のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ傾斜して上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２１７】
この第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１は、第１画素電極６２ａ１においては、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。一方で、第２画素電極６２ａ２においては、図１３に示すように、３本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。
【０２１８】
そして、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して左側へ傾斜して下方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２１９】
この第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、第１画素電極６２ａ１においては、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。一方で、第２画素電極６２ａ２においては、図１３に示すように、３本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。このように、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２は、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１との間において、ｘ方向を軸にして対称になるように形成されている。
【０２２０】
また、第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、ｙ方向に対して右側へ傾斜して上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２２１】
この第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３は、第１画素電極６２ａ１においては、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。すなわち、第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３は、第１画素電極６２ａ１においては、第１の画素電極傾斜部６２ａｅ１との間において、ｙ方向を軸にして対称になるように形成されている。そして、第２画素電極６２ａ２においても同様に、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。
【０２２２】
そして、第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間にて、ｙ方向に対して右側へ傾斜して下方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２２３】
この第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４は、第１画素電極６２ａ１においては、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。すなわち、第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４は、第１画素電極６２ａ１においては、第２の画素電極傾斜部６２ａｅ２との間において、ｙ方向を軸にして対称になるように形成されている。また、第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４は、第１画素電極６２ａ１においては、第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３との間において、ｘ方向を軸にして対称になるように形成されている。そして、第２画素電極６２ａ２においても同様に、図１３に示すように、５本がｘ方向にて間隔を隔てて並ぶように形成されている。すなわち、第４の画素電極傾斜部６２ａｅ４は、第２画素電極６２ａ２においては、第３の画素電極傾斜部６２ａｅ３との間において、ｘ方向を軸にして対称になるように形成されている。
【０２２４】
そして、図示を省略しているが、この画素電極６２ａにおいては、実施形態１の場合と同様に、共通電極（図示なし）が絶縁膜（図示なし）を介して対面するように設けられている。
【０２２５】
データ線Ｓ１は、図１３に示すように、複数のゲート線Ｇ１がｙ方向に並んで配置されている間において、ｘ方向を軸に対称な「く」の字形状になるように形成されている。ここでは、データ線Ｓ１は、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０２２６】
具体的には、データ線Ｓ１は、図１３に示すように、第１のデータ線傾斜部ＳＫ１と、第２のデータ線傾斜部ＳＫ２とを有している。
【０２２７】
第１のデータ線傾斜部ＳＫ１は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、下側のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、左側へ傾斜するように、上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２２８】
そして、第２のデータ線傾斜部ＳＫ２は、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、上側のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、左側へ傾斜して、下方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２２９】
また、図示を省略しているが、このゲート線Ｇ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のゲート電極（図示なし）に電気的に接続されており、走査信号を供給する。
【０２３０】
センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、フォトセンサ素子３２に電気的に接続されている。一方のセンサ駆動配線Ｈ１は、フォトセンサ素子３２のアノード電極（図示なし）に電気的に接続されている。そして、他方のセンサ駆動配線Ｈ２は、フォトセンサ素子３２のカソード電極（図示なし）に電気的に接続されている。
【０２３１】
このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１３に示すように、画素電極６２ａの枝部６２ａｅと同様に、ｘ方向およびｙ方向と異なる方向であって、ｘ方向およびｙ方向に対して傾斜する方向に延在している。ここでは、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、複数のデータ線Ｓ１がｘ方向に並んで配置されている間において、ｙ方向を軸に、対称な「く」の字形状になるように形成されている。このセンサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿って形成されている。
【０２３２】
具体的には、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、図１３に示すように、第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂと、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂとを有している。
【０２３３】
第１のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ１ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、下方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、左側へ傾斜して、上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２３４】
そして、第２のセンサ駆動配線傾斜部ＨＫ２ａ，ＨＫ２ｂは、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ２つのゲート線Ｇ１にてｘ方向に延在する部分の間であって、上方のゲート線Ｇ１から、この両者の間の中央部分までの間において、左側へ傾斜して、下方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２３５】
ゲート線Ｇ１は、図１３に示すように、画素電極６２ａの外形の辺に沿うように形成されている。
【０２３６】
具体的には、ゲート線Ｇ１は、図１３に示すように、第１の水平延在部ＧＳ１と、第２の水平延在部ＧＳ２と、第１のゲート線傾斜部ＧＫ１と、第２のゲート線傾斜部ＧＫ２とを有している。
【０２３７】
第１の水平延在部ＧＳ１は、図１３に示すように、外形が六角形である画素電極６２ａの下部にてｘ方向に延在する辺に沿うように、直線状に延在している。ここでは、第１の水平延在部ＧＳ１は、第１画素電極６２ａ１の下辺に沿うように形成されている。
【０２３８】
第２の水平延在部ＧＳ２は、図１３に示すように、外形が六角形である画素電極６２ａの上部にてｘ方向に延在する辺に沿うように、直線状に延在している。ここでは、第２の水平延在部ＧＳ２は、第２画素電極６２ａ２の上辺に沿うように形成されている。第２の水平延在部ＧＳ２は、ｙ方向にて第１の水平延在部ＧＳ１から間隔を隔てて並ぶように設けられている。
【０２３９】
第１のゲート線傾斜部ＧＫ１は、図１３に示すように、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ第１の水平延在部ＧＳ１と、第２の水平延在部ＧＳ２との間に設けられている。第１のゲート線傾斜部ＧＫ１は、ｘ方向における第１の水平延在部ＧＳ１の一端部と、ｘ方向における第２の水平延在部ＧＳ２の他端部とを連結するように、直線状に延在している。ここでは、第１の水平延在部ＧＳ１の一端部から、第２の水平延在部ＧＳ２の他端部へ、ｙ方向を基準に左側へ傾斜して、上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２４０】
第２のゲート線傾斜部ＧＫ２は、図１３に示すように、ｙ方向にて間隔を隔てて並ぶ第１の水平延在部ＧＳ１と、第２の水平延在部ＧＳ２との間に設けられている。第２のゲート線傾斜部ＧＫ２は、ｘ方向における第１の水平延在部ＧＳ１の他端部と、ｘ方向における第２の水平延在部ＧＳ２の一端部とを連結するように、直線状に延在している。ここでは、第１の水平延在部ＧＳ１の他端部から、第２の水平延在部ＧＳ２の一端部へ、ｙ方向を基準に右側へ傾斜して、上方へ延在している。たとえば、ｙ方向を軸にして、３０°の角度で傾斜するように形成されている。
【０２４１】
そして、図示を省略しているが、このゲート線Ｇ１は、実施形態１と同様に、画素スイッチング素子のゲート電極（図示なし）に電気的に接続されており、走査信号を供給する。
【０２４２】
液晶層２０３は、実施形態１と同様に、液晶分子が水平配向されている。つまり、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とが対面するｘｙ面において、ｙ方向に液晶分子の長手方向が沿うように、液晶層２０３が配向処理されている。
【０２４３】
以上のように、本実施形態では、フォトセンサ素子３２は、画素電極６２ａの枝部６２ａｅが延在する方向に沿った形状にて、受光面ＪＳａが形成されている。このため、受光面ＪＳａの面積を大きくすることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子３２の受光感度を向上することができる。したがって、本実施形態においては、広視野角での画像表示と、フォトセンサ素子の高感度化との両者を実現することができる。
【０２４４】
本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【０２４５】
また、たとえば、本実施形態においては、画素スイッチング素子３１を、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとして構成する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、トップゲート型のＴＦＴを、画素スイッチング素子３１として形成してもよい。また、この他に、デュアルゲート構造になるように、この画素スイッチング素子３１を形成してもよい。
【０２４６】
また、本実施形態においては、複数の画素Ｐに対応するように複数のフォトセンサ素子３２を設ける場合について示したが、これに限定されない。たとえば、複数の画素Ｐに対して１つのフォトセンサ素子３２を設けてもよく、逆に、１つの画素Ｐに対して複数のフォトセンサ素子３２を設けてもよい。
【０２４７】
また、上述した表示モードの他に、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式など、さまざまな方式の液晶パネルに適用可能である。
【０２４８】
また、本実施形態においては、フォトセンサ素子３２について、ＰＩＮ型のフォトダイオードを設けた場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、ｉ層に不純物がドーピングされたフォトダイオードを、フォトセンサ素子３２として形成しても同様な効果を奏することができる。
【０２４９】
また、本実施形態においては、不可視光線として赤外光線を含むように照明光を照射する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、不可視光線として紫外光線を含むように照明光を照射してもよい。
【０２５０】
また、本実施形態の液晶表示装置１００は、さまざまな電子機器の部品として適用することができる。
【０２５１】
図１４から図１８は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置１００を適用した電子機器を示す図である。
【０２５２】
図１４に示すように、テレビジョン放送を受信し表示するテレビにおいて、その受信した画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。
【０２５３】
また、図１５に示すように、デジタルスチルカメラにおいて、その撮像画像などの画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。
【０２５４】
また、図１６に示すように、ノート型パーソナルコンピュータにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。
【０２５５】
また、図１７に示すように、携帯電話端末において、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。
【０２５６】
また、図１８に示すように、ビデオカメラにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置１００を適用することができる。
【０２５７】
なお、上記の実施形態において、フォトセンサ素子３２は、本発明のフォトセンサ素子に相当する。また、上記の実施形態において、画素電極６２ａは、本発明の画素電極に相当する。また、上記の実施形態において、枝部６２ａｅは、本発明の画素電極の傾斜部に相当する。また、上記の実施形態において、基幹部６２ａｋは、本発明の基幹部に相当する。また、上記の実施形態において、共通電極６２ｂは、本発明の共通電極に相当する。また、上記の実施形態において、液晶表示装置１００は、本発明の液晶表示装置に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル２００は、本発明の液晶パネルに相当する。また、上記の実施形態において、ＴＦＴアレイ基板２０１は、本発明の第１基板に相当する。また、上記の実施形態において、対向基板２０２は、本発明の第２基板に相当する。また、上記の実施形態において、液晶層２０３は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、バックライト３００は、本発明の照明部に相当する。また、上記の実施形態において、位置検出部４０２は、本発明の位置検出部に相当する。また、上記の実施形態において、ゲート線Ｇ１は、本発明の第１配線，第２配線に相当する。また、上記の実施形態において、ゲート線傾斜部ＧＫ１，ＧＫ２は、本発明の配線傾斜部に相当する。また、上記の実施形態において、センサ駆動配線Ｈ１，Ｈ２は、本発明のセンサ駆動配線に相当する。また、上記の実施形態において、センサ駆動配線傾斜部ＨＫ１ａ，ＨＫ２ａは、本発明のセンサ駆動配線傾斜部に相当する。また、上記の実施形態において、受光面ＪＳａは、本発明の受光面に相当する。また、上記の実施形態において、画素Ｐは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、画素領域ＰＡは、本発明の画素領域に相当する。また、上記の実施形態において、データ線Ｓ１は、本発明の第１配線，第２配線に相当する。また、上記の実施形態において、第１のデータ線傾斜部ＳＫ１，ＳＫ２は、本発明の配線傾斜部に相当する。
【図面の簡単な説明】
【０２５８】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネルを示す平面図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネルにおける画素領域に設けられた画素Ｐの要部を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、画素領域に設けられた画素におけるＴＦＴアレイ基板の要部を模式的に示す平面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、画素スイッチング素子を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態１において、フォトセンサ素子を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態１において、バックライトを模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態１において、バックライトの要部を模式的に示す斜視図である。
【図９】図９は、本発明に係る実施形態１において、被検知体として人体の指が液晶パネルの画素領域に接触もしくは移動された際に、その被検知体について得られる受光データに基づいて、被検知体の位置を検出する際の様子を模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、本発明に係る実施形態１において、被検知体として人体の指が液晶パネルの画素領域に接触もしくは移動された際に、その被検知体について得られる受光データに基づいて、被検知体の位置を検出する際の様子を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態２において、画素領域に設けられた画素におけるＴＦＴアレイ基板の要部を模式的に示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態３において、画素領域に設けられた画素におけるＴＦＴアレイ基板の要部を模式的に示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明にかかる実施形態４において、画素領域に設けられた画素におけるＴＦＴアレイ基板の要部を模式的に示す平面図である。
【図１４】図１４は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を適用した電子機器を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を適用した電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を適用した電子機器を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を適用した電子機器を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を適用した電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【０２５９】
１１：表示用垂直駆動回路、１２：表示用水平駆動回路、１３：センサ用垂直駆動回路、１４：センサ用水平駆動回路、２１：カラーフィルタ層、２１Ｂ：青フィルタ層、２１Ｇ：緑フィルタ層、２１Ｒ：赤フィルタ層、３１：画素スイッチング素子、３２：フォトセンサ素子（フォトセンサ素子）、４３：遮光膜、４５：ゲート電極、４６ｇ：ゲート絶縁膜、４６ｇａ：シリコン窒化膜、４６ｇｂ：シリコン酸化膜、４６ｓ：絶縁膜、
４６ｓａ：シリコン窒化膜、４６ｓｂ：シリコン酸化膜、４７：半導体層、４７ａ：第１の半導体傾斜部、４７ｂ：第２の半導体傾斜部、４７ｉ：ｉ層、４７ｎ：ｎ層、４７ｎｈ：高濃度領域、４７ｎｌ：低濃度領域、４７ｐ：ｐ層、４８：半導体層、４８Ａ：ソース・ドレイン領域、４８ＡＨ：高濃度不純物領域、４８ＡＬ：低濃度不純物領域、４８Ｃ：チャネル領域、４９：層間絶縁膜、５１：アノード電極、５２：カソード電極、５３：ソース電極、５４：ドレイン電極、６０ａ：絶縁膜、６０ｂ：平坦化膜、６０ｃ：絶縁膜、６２ａ：画素電極（画素電極）、６２ａｅ：枝部（画素電極の傾斜部）、６２ａｋ：基幹部（基幹部）、６２ａｘ：第１延在部、６２ａｙ：第２延在部、６２ｂ：共通電極（共通電極）、６２ａ１：第１画素電極、６２ａ２：第２画素電極、６２ａｅ１：第１の画素電極傾斜部、６２ａｅ２：第２の画素電極傾斜部、６２ａｅ３：第３の画素電極傾斜部、６２ａｅ４：第４の画素電極傾斜部、１００：液晶表示装置（液晶表示装置）、２００：液晶パネル、２０１：ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０２：対向基板（第２基板）、２０３：液晶層（液晶層）、２０６：第１の偏光板、２０７：第２の偏光板、３００：バックライト（照明部）、３０１：光源、３０１ａ：可視光源、３０１ｂ：赤外光源、３０２：導光板、３０３：光学フィルム、３０３ａ：拡散シート、３０３ｂ：プリズムシート、３０４：反射フィルム、４００：データ処理部、４０１：制御部、４０２：位置検出部（位置検出部）、ＣＡ：周辺領域、ＥＳ：照射面、Ｆ：被検知体、Ｇ１：ゲート線（第１配線，第２配線）、ＧＫ１：第１のゲート線傾斜部（配線傾斜部）、ＧＫ２：第２のゲート線傾斜部（配線傾斜部）、ＧＳ１：第１の水平延在部、ＧＳ２：第２の水平延在部、Ｈ１：センサ駆動配線（センサ駆動配線）、Ｈ２：センサ駆動配線（センサ駆動配線）、ＨＫ１ａ：第１のセンサ駆動配線傾斜部（センサ駆動配線傾斜部）、ＨＫ２ａ：第２のセンサ駆動配線傾斜部（センサ駆動配線傾斜部）、Ｈ：反射光、ＩＳ：入射面、ＪＳａ：受光面（受光面）、Ｐ：画素、ＰＡ：画素領域（画素領域）、ＰＳ：出射面、ＰＳ１：出射面、Ｒ：照明光、ＲＡ：センサ領域、Ｓ１：データ線（第１配線，第２配線）、ＳＫ１：第１のデータ線傾斜部（配線傾斜部）、ＳＫ２：第２のデータ線傾斜部（配線傾斜部）、ＴＡ：有効表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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