(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に枠状に並べて設けられたボールパッドと、この枠状に並んだボールパッドの内側に設けられた半導体素子が収容されるキャビティ部と、前記絶縁基板上に形成されたソルダーレジストとを有する半導体パッケージ基板であって、
前記枠状に並んだボールパッドの内側で、かつ前記絶縁基板上のキャビティ部側の端部から端部近傍に、前記キャビティ部の全周に亘って、前記ボールパッドと略同一高さの枠状導体パターンが設けられ、
前記ソルダーレジストが、前記枠状導体パターン上からボールパッド上にかけて連続して一体的に設けられ、
この連続して一体的に設けられた前記ボールパッドから前記枠状導体パターンまでの絶縁基板上の前記枠状導体パターンよりも幅が広いソルダーレジストの、上面の少なくとも一部が、平坦でかつ前記半導体パッケージ基板の最上面を構成し、
前記ボールパッド上のソルダーレジストの少なくとも一部に開口が設けられ、
このソルダーレジスト開口よりも内側の領域のソルダーレジストの最上面が、前記ソルダーレジスト開口よりも外側の領域のソルダーレジストと同等以上の高さに形成され、
前記内側の領域のソルダーレジストが、キャビティ部を囲む枠状の平坦な領域を有し、
前記内側の領域に形成されたソルダーレジストが、外側の領域に形成されたソルダーレジストと同等の高さに形成される半導体パッケージ基板。
【請求項２】
請求項１において、ボールパッド端とキャビティ部端の距離における枠状導体パターンの導体幅が、絶縁基板の幅よりも狭い半導体パッケージ基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、成形用の金型との密着領域が、ボールパッド上に設けられたソルダーレジスト開口よりも内側の領域から外側の領域までかかかる大きさである半導体パッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ基板とその製造方法及び半導体パッケージに関し、特には、キャビティ部に搭載された半導体を封止する際に、封止樹脂がボールパッドまで流出することがなく、ボールパッドの接続信頼性を確保可能なパッケージオンパッケージ（以下、ＰｏＰという。）用の半導体パッケージ基板とその製造方法及び半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を収容する半導体パッケージ基板として、絶縁基板上にボールパッドを枠状に並べて設け、この枠状に並んだボールパッドの内側に半導体素子が収容されるキャビティ部を設けたものが知られている。
【０００３】
このような半導体パッケージ基板では、キャビティ部に搭載した半導体素子を封止するために、封止樹脂がポッティングされ、この際に、封止樹脂がボールパッド上に広がるのを防止するためのダム枠が形成されるのが一般的である。
【０００４】
このダム枠を形成するものとして、絶縁基板上にソルダーレジストなどをダム枠とするものが知られている（特許文献１、２）。
【特許文献１】特公平７−１１２０２８号公報
【特許文献２】特許第３５７０９８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術においては、ダム枠としてのソルダーレジストを、キャビティ部を有する絶縁基板上に形成しようとすると、図５の従来例１に示すように、ボールパッド４から絶縁基板８のキャビティ部３側端部にかけて、ソルダーレジスト１３の厚みが薄くなる。これは、ソルダーレジスト１３がドライフィルムで形成される場合、絶縁基板８のキャビティ部３側端部にラミネート時の圧力が集中するため、この部分のソルダーレジスト１３厚が薄くなるためである。また、ソルダーレジスト１３が液状レジストで形成される場合は、絶縁基板８のキャビティ部３側端部にスキージの圧力が集中することにより、やはり、この部分のソルダーレジスト１３厚が薄くなるためである。
【０００６】
このため、金型２を用いて封止樹脂６を成形して封止するタイプの半導体パッケージの場合、図５の従来例１に示すように、金型２の下面は平坦であるため、ソルダーレジスト１３の厚みが薄くなった部分（ボールパッド４から絶縁基板８のキャビティ部３側端部にかけて）では、ソルダーレジスト１３と金型２との間に隙間５が生じる。この状態で、金型２を用いてキャビティ部３内に封止樹脂６を押し出して充填するので、この隙間５を通して封止樹脂６がボールパッド４上に流出する問題がある。
【０００７】
また、絶縁基板８のキャビティ部３側端部のソルダーレジスト１３厚の薄くなる部分の上にダムを設けると、封止樹脂６の流出を防止することはできるが、図６の従来例２に示すように、封止樹脂６の流出を防止するためのダムが半導体パッケージ基板９の表面から出っ張るため、ＰｏＰ（パッケージオンパッケージ）の下側となるボトムパッケージ２３として使用する場合、その分、上側のトップパッケージとの接続距離が遠くなり、接続のためのはんだボール２４径とボール径を大きくせざるを得ないため、高密度化の障害となる問題がある。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するものであり、ＰｏＰ用のボトム基板として使用する場合でも、ダム枠として形成したソルダーレジストが基板表面から突出せず平坦であるため、トップ基板との接続のためのボールパッド径を小さくできるので、高密度化が実現可能であり、しかも金型を用いて封止樹脂を成形しても、封止樹脂がダム枠の外側に流出するのを抑制し、ボールパッドの接続性を確保することが可能な半導体パッケージ基板とその製造方法及び半導体パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、次のものに関する。
（１）  絶縁基板と、この絶縁基板上に枠状に並べて設けられたボールパッドと、この枠状に並んだボールパッドの内側に設けられた半導体素子が収容されるキャビティ部と、前記絶縁基板上に形成されたソルダーレジストとを有する半導体パッケージ基板であって、前記枠状に並んだボールパッドの内側で、かつ前記絶縁基板上のキャビティ部側の端部から端部近傍に、前記キャビティ部の全周に亘って、前記ボールパッドと略同一高さの枠状導体パターンが設けられ、前記ソルダーレジストが、前記枠状導体パターン上からボールパッド上にかけて連続して一体的に設けられ、この連続して一体的に設けられた前記ボールパッドから前記枠状導体パターンまでの絶縁基板上の前記枠状導体パターンよりも幅が広いソルダーレジストの、上面の少なくとも一部が、平坦でかつ前記半導体パッケージ基板の最上面を構成し、前記ボールパッド上のソルダーレジストの少なくとも一部に開口が設けられ、このソルダーレジスト開口よりも内側の領域のソルダーレジストの最上面が、前記ソルダーレジスト開口よりも外側の領域のソルダーレジストと同等以上の高さに形成され、前記内側の領域のソルダーレジストが、キャビティ部を囲む枠状の平坦な領域を有し、前記内側の領域に形成されたソルダーレジストが、外側の領域に形成されたソルダーレジストと同等の高さに形成される半導体パッケージ基板。
（２）  （１）において、ボールパッド端とキャビティ部端の距離における枠状導体パターンの導体幅が、絶縁基板の幅よりも狭い半導体パッケージ基板。
（３）  （１）又は（２）において、トランスファーモールディング用の金型との密着領域が、ボールパッド上に設けられたソルダーレジスト開口よりも内側の領域から外側の領域までかかかる大きさである半導体パッケージ基板。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＰｏＰ用のボトム基板として使用する場合でも、ダム枠として形成したソルダーレジストが基板表面から突出せず平坦であるため、トップ基板との接続のためのボールパッド径を小さくできるので、高密度化が実現可能であり、しかも金型を用いて封止樹脂を成形しても、封止樹脂がダム枠の外側に流出するのを抑制し、ボールパッドの接続性を確保することが可能な半導体パッケージ基板とその製造方法及び半導体パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に、本発明の半導体パッケージ基板９の一例の断面図を示す。本発明の半導体パッケージ基板９として、絶縁基板８と、この絶縁基板８上に枠状に並べて設けられたボールパッド４と、この枠状に並んだボールパッド４の内側に設けられた半導体素子１１が収容されるキャビティ部３と、前記絶縁基板８上に形成されたソルダーレジスト１３とを有する半導体パッケージ基板９であって、前記枠状に並んだボールパッド４の内側で、かつ前記絶縁基板８上のキャビティ部３側の端部近傍に、前記キャビティ部３の全周に亘って、前記ボールパッド４と略同一高さの枠状導体パターン１４が設けられ、前記ソルダーレジスト１３が、前記枠状導体パターン１４上からボールパッド４上にかけて連続して一体的に設けられ、この連続して一体的に設けられたソルダーレジスト１３の上面の少なくとも一部が、平坦でかつ前記半導体パッケージ基板９の最上面を構成するものが挙げられる。
【００１２】
絶縁基板８は、キャビティ部３を有する電気的に絶縁性の基板であり、例えば、キャビティ基板１５とベース基板１６とを、熱硬化型接着シート１７で積層して構成される。キャビティ基板１５は、半導体素子１１を配置するためのキャビティ部３が形成された基板をいい、ベース基板１６は、半導体素子１１とキャビティ基板１５を支持する基板をいう。本発明において、絶縁基板８上とは、キャビティ部３を除いた領域の絶縁基板８の上面、つまり、キャビティ基板１５の上面をいう。
【００１３】
絶縁基板８に用いる材料は、半導体パッケージ基板で一般に用いられるものを用いることができ、例えばプリプレグやフィルム材を、加熱・加圧して硬化させた基材等を用いることができる。
【００１４】
絶縁基板８に使用されるプリプレグは、絶縁組成物を基材に含浸又は塗工してなるものであり、基材としては各種の電気絶縁材料用積層板に用いられる周知のものが使用できる。樹脂組成物は、半導体パッケージ基板の絶縁材料として用いられる公知慣用の樹脂組成物を用いることが出来る。通常、耐熱性、耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂がベースとして用いられ、熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニール樹脂などが例示されるが、これらに限定されない。
【００１５】
絶縁基板８に使用されるフィルム材としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン等のポリマーをフィルム状に形成したもの、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンとテトラフルオロエチレンとのコポリマー、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンのコポリマー、パーフルオロアルコキシエチレンとテトラフルオロエチレンのコポリマー等のコポリマー、液晶ポリマーなどが挙げられる。より具体的には、例えば、宇部興産株式会社製のユーピレックス２５ＳＧＡ、２５ＳＰＡ等（ユーピレックスは登録商標）が挙げられる。
【００１６】
熱硬化型接着シート１７は、半導体パッケージ基板の製造において一般に用いられるものを使用することができ、例えば高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート等を使用することができる。このような接着シート２としては、ＡＳ−３０００、ＡＳ−２６００Ｗ（日立化成工業株式会社製  商品名）等が例示できる。
【００１７】
図２に示すように、この絶縁基板８上には、別の半導体パッケージ基板（図示しない。）とはんだボール２４接続するための枠状に並べられたボールパット４が配置される。
【００１８】
この絶縁基板８上に枠上に並べられたボールパット４の内側には、半導体素子１１を収容するためのキャビティ部３が設けられている。また、キャビティ部３内の半導体素子１１が実装されるベース基板１６の上面には、半導体素子１１とワイヤーボンディング接続またはフリップチップ接続するための配線パターン１９が形成されている。また、配線パターン１９は、半導体素子１１との接続端子部以外の部分は、ソルダーレジスト等の絶縁皮膜２５で覆われている。キャビティ基板１５の厚さやキャビティ部３のサイズは収容する半導体素子１１の大きさと実装方法を考慮して設計される。
【００１９】
キャビティ部３を除いた領域の絶縁基板８上には、ソルダーレジスト１３、２０が形成されている。ボールパット４上のソルダーレジスト１３、２０は、少なくとも一部に開口１０が設けられ、この開口部分ではボールパッド４が露出している。ソルダーレジスト１３、２０は、一般に熱硬化タイプと感光性現像タイプのものがあるが、開口位置合わせ精度および小径開口形成に優れる感光性現像タイプのものが好ましい。また、感光性現像タイプのソルダーレジスト１３、２０は、ドライフィルムと液状の何れも使用できるが、ソルダーレジスト表面の平坦性に優れる点で、ドライフィルムが望ましい。ドライフィルムの場合はラミネートによって、液状の場合は印刷等によって、絶縁基板８上に塗布することができる。
【００２０】
本発明の半導体パッケージ基板９は、通常の半導体パッケージ基板として使用できるばかりでなく、半導体パッケージ基板９を積層して実装面積を少なくできる、いわゆるＰｏＰ（パッケージオンパッケージ）用のボトム基板９として使用するのが望ましい。ＰｏＰ用のボトム基板９では、金型２を用いて封止樹脂６を成形して封止するが、本発明の半導体パッケージ基板９を用いれば、このような場合でも、封止樹脂６がボールパッド４上に流出するのを防止することが可能となる。絶縁基板８の上面（トップ面）と底面（ボトム面）には、はんだボール２４による外部接続のためのボールパッド４が形成される。また、図３、図４に示すように、キャビティ部３内に充填された封止樹脂６は、絶縁基板８の上に実装する別の半導体パッケージ基板に干渉しないよう、金型２による封止樹脂６の成形を行う。
【００２１】
枠状に並んだボールパッド４の内側で、かつ絶縁基板８上のキャビティ部３側の端部近傍には、キャビティ部３の全周に亘って、ボールパッド４と略同一高さの枠状導体パターン１４が設けられる。この枠状導体パターン１４は、ソルダーレジスト１３が、ラミネートや印刷等で塗布される際に、この枠状導体パターン１４がダムの作用を奏し、絶縁基板８のキャビティ部３側端部にラミネートロールやスキージの圧力が集中しても、枠状導体パターン１４上からボールパッド４上にかけて連続して一体的に塗布されたソルダーレジスト１３が、ボールパッド４と枠状導体パターン１４との間に溜められた状態で堰き止められ、キャビティ部３側に流動するのが抑制される。また、キャビティ部３と反対側についても、ボールパッド４が枠状に並んでいるため、極端な流動は抑制される。これにより、絶縁基板８のキャビティ部３側端部の近傍のみで若干ソルダーレジスト１３の厚みが薄くなることはあっても、その影響はボールパッド４までは及ばない。このため、ボールパッド４から、絶縁基板８のキャビティ部３側端部に設けられた枠状導体パターン１４までのほぼ全体に亘って、ソルダーレジスト１３の厚さが薄くなることはなく、他の領域のソルダーレジスト（例えば外側の領域のソルダーレジスト２０）と同等の厚さとなる部分が確保される。つまり、ボールパッド４から絶縁基板８のキャビティ部３側端部までの間において、ソルダーレジスト１３が平坦になる領域が生じることになる。そして、枠状導体パターン１４は、キャビティ部３の全周に亘って形成されるため、金型２を用いて封止樹脂６を成形して封止する場合でも、金型２とソルダーレジスト１３上面との密着領域が枠状に確保されるので、封止樹脂６がキャビティ部３からボールパッド４上にまで流出するのを防止することが可能となる。また、枠状導体パターン１４は、ボールパット４の導体厚と同等以上且つ均一な厚みで形成されているので、ソルダーレジスト１３が、ラミネートや印刷等で塗布される際に、ラミネートロールやスキージが、ボールパッド４から枠状導体パターン１４にかけて、略同一高さに保持されるので、このボールパッド４から枠状導体パターン１４にかけての領域のソルダーレジスト１３の上面は平坦に形成される。さらに、枠状に並んだボールパッド４は、繋がってはおらず間隙を有するので、この間隙を通して、ラミネートロールやスキージによって、ボールパッド４の内側と外側のソルダーレジスト１３、２０が流動するため、ボールパッド４の内側と外側のソルダーレジスト１３、２０が平坦に形成される。なお、ここで、ソルダーレジスト１３の上面が平坦とは、封止樹脂６の成形に使用する金型２のソルダーレジスト１３との密着面は、通常は平坦に形成されているため、この平坦な金型２の密着面と密着を確保して、封止樹脂６が流出しないできる表面形状をいう。
【００２２】
ソルダーレジスト１３は、枠状導体パターン１４上からボールパッド４上にかけて連続して一体的に設けられる。つまり、従来技術のように、絶縁基板８上に独立した枠状のダムを形成したものとは異なり、ソルダーレジスト１３は、枠状導体パターン１４及びボールパッド４との間にクリアランスを有しておらず、枠状導体パターン１４上からボールパッド４上まで、途切れることなく充填された状態で形成される。また、従来技術のように、ソルダーレジスト１３の上にダムを重ねて形成するものとは異なり、ソルダーレジスト１３は、厚み方向についても一体的に設けられており、ソルダーレジスト１３上に段差を有していない。これにより、枠状導体パターン１４上からボールパッド４上にかけて形成されるソルダーレジスト１３の幅をできるだけ大きくすることができ、ソルダーレジスト１３の上面が平坦な領域を大きくすることができる。このため、封止樹脂６を成型する金型２の大きさが、ダム枠７の大きさと同等に設定される場合でも、金型２の位置が、若干ずれたとしても、金型２とソルダーレジスト１３上面との密着領域を確保することが可能となる。この結果、金型２の位置合わせに余裕があり、位置変動が生じても、封止樹脂６がキャビティ部３からボールパッド４上にまで流出するのを防止することが可能となる。
【００２３】
ソルダーレジスト１３の上面の少なくとも一部が、平坦でかつ半導体パッケージ基板９の最上面を構成する。つまり、ボールパッド４から絶縁基板８上のキャビティ部３側端部にかけて形成されるソルダーレジスト１３の上面の少なくとも一部は平坦であり、この平坦な部分が、封止樹脂６を設ける前の半導体パッケージ基板９においては、最も高い位置となる。上述したように、ソルダーレジスト１３の上面の少なくとも一部が、平坦であることにより、この平坦な部分が封止樹脂６成型用の金型２と密着領域が確保される。また、ソルダーレジスト１３の上面の平坦部分が、半導体パッケージ基板９の最上面を構成するので、金型２との密着する部分は、必ずソルダーレジスト１３の平坦部分となる。このため、金型２で押さえられても封止樹脂６がボールパッド４上にまで流出するのを防止することが可能となる。
【００２４】
以上の構成により、図３、図４に示すように、ＰｏＰ用のボトム基板９として使用する場合でも、ダム枠７として形成したソルダーレジスト１３がボトム基板９表面から突出せず平坦であるため、トップ基板との接続のためのボールパッド４径を小さくできるので、高密度化が実現可能であり、しかも金型２を用いて封止樹脂６を成形しても、封止樹脂６がダム枠７の外側に流出するのを抑制し、ボールパッド４の接続性を確保することが可能な半導体パッケージ基板９とその製造方法を提供することができる。
【００２５】
ボールパッド４上のソルダーレジスト１３の少なくとも一部に開口１０が設けられ、このソルダーレジスト開口１０よりも内側の領域のソルダーレジスト１３が、ソルダーレジスト開口１０よりも外側の領域のソルダーレジスト２０と同等以上の高さに形成されるのが望ましい。これにより、金型２がソルダーレジスト開口１０よりも外側の領域までかかる大きさであっても、内側の領域のソルダーレジスト１３が、半導体パッケージ基板９の最上面となるので、必ず金型２との密着部分が生じることになる。このため、金型２で押さえられても封止樹脂６がボールパッド４上にまで流出するのを防止することが可能となる。
【００２６】
内部の領域のソルダーレジスト１３が、キャビティ部３を囲む枠状の平坦な領域を有する。これにより、平坦領域で連続的に繋がった領域で安定的に封止樹脂６の流れ出しを防ぐ事が可能である。
【００２７】
内側の領域のソルダーレジスト１３が、ソルダーレジスト開口１０から枠状導体パターン１４に亘って平坦であるのが望ましい。これにより、金型２とソルダーレジスト１３の上面との接触面積が大きくなり、封止樹脂６のボールパッド４上への流れ出しを防ぐ効果がより安定的となる。また、金型２と絶縁基板８の位置あわせ時に生じる位置ずれの許容値も、平坦領域内であればボールパット４上への樹脂流れ出しを防げるので、従来技術のダム枠形成法を用いるよりも、ずれ許容値を大きく取ることができる。
【００２８】
内側の領域に形成されたソルダーレジスト１３が、外側の領域に形成されたソルダーレジスト２０と同等の高さに形成されるのが望ましい。これにより、金型２からの圧力をソルダーレジスト１３、２０の全面に分散することが可能である。金型２から圧力を受ける面積が小さい場合、金型２と接触しているソルダーレジスト１３部分に、金型２からの圧力が集中し、ソルダーレジスト１３にクラックが生じる原因となる。
【００２９】
半導体素子１１は、キャビティ部３内のベース基板１６上に搭載される。半導体素子１１の搭載は、例えば半導体素子１１をダイボンドフィルムでベース基板１６上に接着し、ワイヤー１８によってワイヤーボンド用の配線パターン１９と電気的に接続する。この半導体素子１１のベース基板１６への搭載は、フリップチップ接続や導電性接着剤による接続を用いることもできる。
【００３０】
半導体素子１１は、湿気等の環境から保護するために、封止樹脂６により封止される。このような封止樹脂６として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ウレタンフェノーツ系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂他熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【００３１】
封止樹脂６は、金型２を用い、トランスファーモールドにより、キャビティ部３内に充填され、成形される。このとき、図４に示すように、ソルダーレジスト１３、２０の上面と封止樹脂６の上面とが、略平坦に構成されるのが望ましい。なお、このソルダーレジスト１３、２０の上面と封止樹脂６の上面が略平坦とは、ソルダーレジスト１３、１２の上面に対して、封止樹脂６の上面が、０．１ｍｍ以下の出っ張りまたは凹みであることをいう。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
以下、図１、図２、図３に基づいて、本発明のキャビティ構造を有する半導体パッケージ基板９及び半導体パッケージ２３の実施例１を説明する。
【００３４】
（ベース基板１６の製造）
両面に厚み１８μｍの銅箔を有する、公称厚み０．４ｍｍ、サイズ４１０×５１０ｍｍの銅張積層板２ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備する。
【００３５】
一方の面には外部接続用のボールパッド４を、他方の面には半導体素子１１とワイヤーボンド接続端子を有する配線パターン１９をエッチングで形成する。
【００３６】
次に、一方の面のボールパッド４上に開口を有するようにソルダーレジストを形成する。他方の面については、配線パターン１９のワイヤーボンド接続端子以外は、絶縁皮膜２５であるソルダーレジストで覆う。
【００３７】
（キャビティ基板１５の製造）
両面に厚み１８μｍの銅箔を有する、公称厚み０．４ｍｍ、サイズ４１０×５１０ｍｍの銅張積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備し、ＮＣ穴明けで貫通孔を、スリットルーターでキャビティ部３を形成する。
【００３８】
次に、一方の面には外部接続用のボールパッド４と枠状導体パターン１４をエッチングにより形成する。ボールパッド４は枠状に並べて設けられ、この枠状に並んだボールパッド４の内側で、かつキャビティ部３側の端部近傍に、キャビティ部３の全周に亘って、ボールパッド４と略同一高さの枠状導体パターン１４が設けられる。本半導体パッケージ基板９の場合、導体厚が２４μｍ、ボールパット４端とキャビティ部３端の距離が３００μｍであるので、導体幅を１００μｍで形成する。また、他方の面は、全面エッチングにより銅箔を除去する。
【００３９】
次に、外部接続用のボールパッド４と枠状導体パターン１４を形成した面に、ソルダーレジスト１３を形成する。ソルダーレジスト１３は、感光性現像タイプでドライフィルムタイプのもの（（日立化成工業株式会社製、商品名：ＳＲ−２３００Ｇ−５０、厚さ５０μｍ）を準備し、ボールパッド４と枠状導体パターン１４を形成した面に真空ラミネータ（日立エーアイシー株式会社社製  商品名：ＨＬＭ−Ｖ５７０）を用いてラミネートし、露光、現像、後硬化を行って形成した。このとき、ソルダーレジスト１３は、枠状導体パターン１４上からボールパッド４上にかけて連続して一体的に設けられ、ソルダーレジスト１３の上面の少なくとも一部が、平坦でかつ半導体パッケージ基板９の最上面を構成する。
【００４０】
（半導体パッケージ基板の製造）
絶縁基板８は、上記のように作製したキャビティ基板１５とベース基板１６とを、熱硬化型接着シート１７で積層して構成される。熱硬化型接着シート１７は、ＡＳ−３０００（日立化成工業株式会社製  商品名）を使用した。
【００４１】
（半導体パッケージの製造）
半導体素子１１をダイボンドフィルムでキャビティ部３内のベース基板１６上に接着し、ワイヤー１８によってワイヤーボンド用の配線パターン１９と電気的に接続した。次に、封止樹脂６としてエポキシ樹脂を用い、金型２を用いたトランスファーモールドにより、キャビティ部３内に封止樹脂６を充填・成形し、半導体パッケージ２３を作製した。金型２のキャビティ部３の中央部は、端部よりも約０．２ｍｍ凹んでおり、封止樹脂６がこの部分で若干上方に出っ張るように成形される。このとき、枠状に並んだボールパッド４の内側で、かつ絶縁基板８上のキャビティ部３側の端部近傍には、キャビティ部３の全周に亘って、ボールパッド４と略同一高さの枠状導体パターン１４が設けられ、図１に示すように、封止樹脂６が、ボールパッド４上まで流出することはなかった。
【００４２】
次に、図３のように、ＰｏＰ用のボトム基板として使用し、はんだボール２４を用いてトップパッケージ２２と接合したが、ボールパッド４上には封止樹脂６の流出がないため、はんだボール２４によるトップパッケージ２２との接合性を確保できた。また、ダム枠７として形成したソルダーレジスト１３がボトム基板９表面から突出せず平坦であるため、封止樹脂６の出っ張り（ソルダーレジスト１３の上面から約０．２ｍｍ）だけを考慮すればよいので、トップパッケージ２２との接合のためのはんだボール２４径はφ０．５ｍｍ、ボールパッド４径はφ０．４ｍｍ、ボールパッド４のピッチは０．６ｍｍとすることができた。
【００４３】
（実施例２）
実施例１と同様にして、ベース基板１６、キャビティ基板１５、半導体パッケージ基板９、及び半導体パッケージ２３を作製した。但し、封止樹脂６を成形するための金型２として、金型２のキャビティ部３の中央部が、端部よりも約０．１ｍｍ凹んでいるものを使用した。
【００４４】
次に、図４のように、ＰｏＰ用のボトム基板として使用し、はんだボール２４を用いてトップパッケージ２２と接合したが、ボールパッド４上には封止樹脂６の流出がないため、はんだボール２４によるトップパッケージ２２との接合性を確保できた。また、ダム枠７として形成したソルダーレジスト１３がボトム基板９表面から突出せず平坦であるため、封止樹脂６の出っ張り（ソルダーレジスト１３の上面から約０．１ｍｍ）だけを考慮すればよいので、トップパッケージ２２との接合のためのはんだボール２４径はφ０．３ｍｍ、ボールパッド４径はφ０．２５ｍｍ、ボールパッド４のピッチは０．４ｍｍとすることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の半導体パッケージ基板の断面図を示す。
【図２】本発明の半導体パッケージ基板の平面図を示す。
【図３】本発明の実施例１の半導体パッケージ基板及び半導体パッケージの断面図を示す。
【図４】本発明の実施例２の半導体パッケージ基板及び半導体パッケージの断面図を示す。
【図５】従来例１の半導体パッケージ基板の断面図を示す。
【図６】従来例２の半導体パッケージ基板及び半導体パッケージの断面図を示す。
【符号の説明】
【００４６】
２  （封止樹脂形成用）金型、３  キャビティ部、４  ボールパッド、５  隙間、６  封止樹脂、７  ダム枠、８  絶縁基板、９  半導体パッケージ基板（又はボトム基板）、１０  （ソルダーレジストの）開口、１１  半導体素子、１３  （内側の領域の）ソルダーレジスト、１４  枠状導体パターン、１５  キャビティ基板、１６  ベース基板、１７  熱硬化型接着シート、１８  ワイヤー、１９  配線パターン、２０  （外側の領域の）ソルダーレジスト、２１  （内側及び外側の領域以外の領域の）ソルダーレジスト、２２  半導体パッケージ（又はトップパッケージ）、２３  半導体パッケージ（又はボトムパッケージ）、２４  はんだボール、２５  絶縁皮膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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