(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された薄膜トランジスタおよびキャパシタと、
前記キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、前記表面側の電極のコーナー部を囲む位置に設けられ、前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に前記裏面側の電極を保護する保護膜と
を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記保護膜は、レーザ光を吸収可能な層を含む２層以上の積層構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極の上方に半導体層およびエッチストッパ層を有するエッチストッパ型薄膜トランジスタであり、
前記保護膜は、前記半導体層と同一材料よりなると共にレーザ光を吸収可能な第１層と、前記エッチストッパ層と同一材料よりなる第２層との積層構造を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記保護膜は、前記表面側の電極および前記裏面側の電極の間の絶縁膜の上に設けられると共に、前記表面側の電極で覆われている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
基板に薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えた薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法であって、
前記キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、前記表面側の電極のコーナー部を囲む位置に、前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に前記裏面側の電極を保護する保護膜を設けておき、
前記裏面側の電極に至る経路に生じたオープン欠陥を修復する工程は、
前記保護膜が存在する箇所において前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断することにより、前記コーナー部を分離する工程と、
前記コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法。
【請求項６】
前記配線を、前記オープン欠陥により分断された前記裏面側の電極の一部につながる前記薄膜トランジスタのソース電極を他端として形成する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法。
【請求項７】
前記オープン欠陥は、前記裏面側の電極に生じたオープン欠陥、および前記薄膜トランジスタのソース電極と前記裏面側の電極とのコンタクト部に生じたオープン欠陥のうち少なくとも一方である
ことを特徴とする請求項５または６記載の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法。
【請求項８】
基板に薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えた薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法であって、
前記キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、前記表面側の電極のコーナー部を囲む位置に、前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に前記裏面側の電極を保護する保護膜を設けておき、
前記薄膜トランジスタのソース電極と前記表面側の電極との間に生じた同層ショート欠陥を修復する工程は、
前記同層ショート欠陥をレーザ光の照射により切断する工程と、
前記保護膜が存在する箇所において前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断することにより、前記コーナー部を分離する工程と、
前記コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法。
【請求項９】
前記配線を、前記同層ショート欠陥を切断する際に生じたオープン回路により分断された前記裏面側の電極の一部につながる前記薄膜トランジスタのソース電極を他端として形成する
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法。
【請求項１０】
薄膜トランジスタ基板に表示素子を備えた表示装置であって、
前記薄膜トランジスタ基板は、
基板と、
前記基板に形成された薄膜トランジスタおよびキャパシタと、
前記キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、前記表面側の電極のコーナー部を囲む位置に設けられ、前記表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に前記裏面側の電極を保護する保護膜と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）およびキャパシタを形成した薄膜トランジスタ基板およびその欠陥修復方法、並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、表示装置の主流になってきたフラットパネル型表示装置には、液晶表示装置，プラズマ表示装置および有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置などがある。これらには、基板にＴＦＴを含む駆動回路を形成した薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基板」ともいう。）を用いたものがある。ＴＦＴ基板は、主にガラス板よりなる基板に、スパッタまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）により配線層や半導体層を成膜し、これをフォトリソグラフィによりパターニングしてＴＦＴ回路および配線のパターンを形成したものである。
【０００３】
ＴＦＴ基板の製造工程では、ダストと呼ばれる異物に起因して、パターンの欠落または余分な残留が生じることがある。このようなパターンの欠落（オープン欠陥）または余分な残留（ショート欠陥）は、総じて欠陥と呼ばれ、回路の断線や短絡の原因となってしまう。その結果として、画素滅点（非発光点欠陥）、画素輝点（常時発光または周辺よりも著しく明るく発光する点欠陥）、滅線（非発光線欠陥）、輝線（常時発光または周辺よりも著しく明るく発光する線欠陥）、または全面表示異常などの各種表示異常が起こる。限られた数の画素滅点を除けば、このような表示異常が存在する表示装置は不良品とみなされ、製品として出荷することができない。
【０００４】
そのため、ＴＦＴ基板の量産プロセスにおいては、光学式検査装置または電気的検査装置などを用いてパターン欠陥を検出し、その結果に基づいて欠陥修復（リペア）を行い、ＴＦＴ回路動作を正常化し、または、画素輝点あるいは輝線を滅点化するなどの異常軽減措置を行っている。
【０００５】
リペア方法の一つとして、断線した箇所を架橋し導通させる方法（結線型リペア）がある。結線型リペアの架橋方法としては、レーザ光を使用した化学的蒸気薄膜形成（レーザＣＶＤ）方式、レーザ光を使用した導電性薄膜の転写（レーザ転写）方式、および導電性マイクロペーストを用いた方式が開発され、実用化されている。
【０００６】
オープン欠陥を結線型リペアにより修復する場合は、オープン欠陥の両端にあるパターン同士を直接結線してもよいし、あるいは、両端のパターンに接続されているパターンを介して結線してもよい。いずれにしても、結線対象のパターンが、直接表面に露出しているか、あるいは、絶縁層の下において他のパターンに覆われることなく露出している必要がある。
【特許文献１】特許第３４６２７９２号明細書
【特許文献２】特許第２９６２９３２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＴＦＴ回路は複数のパターンが絶縁層を間にして積層されており、下層のパターンにオープン欠陥が生じても、上層のパターンに覆われているために結線できない場合があった。そのような下層のパターンの代表として、画素内のキャパシタの一対の電極のうち表面に現れていない裏面側の電極が挙げられる。また、重なり合う配線間のコンタクト部においても同様の問題が生じる場合があった。
【０００８】
ちなみに、従来では、キャパシタ電極の形状を工夫してＴＦＴ基板のリペアを容易にする方法がいくつか提案されている。例えば、特許文献１では、補助容量を得るためのドレイン電極にくびれ部を形成し、くびれ部の上方に位置する画素電極に開口部を設けて、裏面からのレーザ照射でくびれ部を切断するようにしている。この方法では、複数のくびれ部と開口部を設けることでさまざまな欠陥に対応しているが、キャパシタ電極のオープン欠陥についての考慮はなされていなかった。
【０００９】
なお、キャパシタ電極のオープン欠陥を考慮したＴＦＴ基板の欠陥修復方法としては、補助容量ラインまたは補助容量ラインと同層の独立配線を複数の上層配線と重ね合わせる構造にし、重なり部分にレーザ光を照射し溶融接合することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。ただし、この方法では、修復後に二個の欠陥画素が生じてしまうので、高い表示品質を求められる昨今の表示装置に適したものとはいえなかった。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、キャパシタの裏面側の電極に対して結線型リペアを実施することができる薄膜トランジスタ基板およびその欠陥修復方法、並びに表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）基板
（Ｂ）基板に形成された薄膜トランジスタおよびキャパシタ
（Ｃ）キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、表面側の電極のコーナー部を囲む位置に設けられ、表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極を保護する保護膜
【００１２】
本発明による第１の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法は、基板に薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えた薄膜トランジスタ基板の欠陥を修復するものであって、キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、表面側の電極のコーナー部を囲む位置に、表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極を保護する保護膜を設けておき、裏面側の電極に至る経路に生じたオープン欠陥を修復する工程は、以下の（Ａ），（Ｂ）の工程を含むようにしたものである。
（Ａ）保護膜が存在する箇所において表面側の電極をレーザ光の照射により切断することにより、コーナー部を分離する工程
（Ｂ）コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成する工程
【００１３】
本発明による第２の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法は、基板に薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えた薄膜トランジスタ基板の欠陥を修復するものであって、キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、表面側の電極のコーナー部を囲む位置に、表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極を保護する保護膜を設けておき、薄膜トランジスタのソース電極と表面側の電極との間に生じた同層ショート欠陥を修復する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むようにしたものである。
（Ａ）同層ショート欠陥をレーザ光の照射により切断する工程
（Ｂ）保護膜が存在する箇所において表面側の電極をレーザ光の照射により切断することにより、コーナー部を分離する工程
（Ｃ）コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成する工程
【００１４】
本発明による表示装置は、薄膜トランジスタ基板に表示素子を備えたものであって、薄膜トランジスタ基板が、上記本発明の薄膜トランジスタ基板により構成されたものである。
【００１５】
本発明の薄膜トランジスタ基板では、キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、表面側の電極のコーナー部を囲む位置に保護膜が設けられており、この保護膜により、表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極が保護される。よって、キャパシタの裏面側の電極にオープン欠陥またはオープン回路が生じた場合に、保護膜が存在する箇所において表面側の電極を切断して、表面側の電極のコーナー部を分離したのち、コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成することが可能となる。
【００１６】
本発明の表示装置では、本発明の薄膜トランジスタ基板を備えているので、従来は結線型リペアを適用できなかったキャパシタの裏面側の電極のオープン欠陥またはオープン回路が確実に修復されている。よって、高い表示品質が実現される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の薄膜トランジスタ基板、または本発明の薄膜トランジスタ基板の欠陥修復方法によれば、キャパシタの表面側の電極および裏面側の電極の間に、表面側の電極のコーナー部を囲む位置に保護膜を設け、この保護膜により、表面側の電極をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極を保護するようにしたので、キャパシタの裏面側の電極にオープン欠陥またはオープン回路が生じた場合に、保護膜が存在する箇所において表面側の電極を切断することにより、表面側の電極のコーナー部を分離したのち、コーナー部の下に存在する裏面側の電極を一端として結線型リペアにより配線を形成することができる。よって、従来では完全な修復が難しかったキャパシタの裏面側の電極のオープン欠陥またはオープン回路に対しても結線型リペアを実施することができ、リペア実施率を向上させることができる。特に画素滅点、画素輝点などを引き起こす画素内回路の欠陥修復に極めて好適である。更に、リペア実施率向上の結果として薄膜トランジスタ基板の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
本発明の表示装置によれば、本発明の薄膜トランジスタ基板を備えるようにしたので、従来は結線型リペアを適用できなかったキャパシタの裏面側の電極のオープン欠陥またはオープン回路が確実に修復されており、高い表示品質を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ＴＦＴ基板１に、表示素子として例えば後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００２１】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極７１の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）のＴＦＴにより構成されている。
【００２２】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２３】
図３は、ＴＦＴ基板１の画素駆動回路１４０の一部（図２の書き込みトランジスタＴｒ２およびキャパシタＣｓに相当する部分）の平面構成を表したものであり、図４および図５は、図３のＩＶ−ＩＶ線およびＶ−Ｖ線における断面構造をそれぞれ表したものである。ＴＦＴ基板１は、母材であるガラス基板１０上に、第１の配線層２０および第２の配線層３０を形成したものである。第１の配線層２０と第２の配線層３０の間には、第１の絶縁膜１１が形成されている。第２の配線層３０の上には、第２の絶縁膜１２が形成されている。
【００２４】
第１の配線層２０は、信号線１２０Ａと、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極２１と、キャパシタＣｓの表面に現れていない裏面側の電極２２とを有している。第１の配線層２０は、例えば、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）からなる高融点金属の群のうちの少なくとも１種を含む金属または合金により構成されている。
【００２５】
第２の配線層３０は、走査線１３０Ａと、書き込みトランジスタＴｒ２のドレイン電極３１Ｄおよびソース電極３１Ｓと、キャパシタＣｓの表面側の電極３２とを有している。第２の配線層３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層との積層構造を有している。
【００２６】
ゲート電極２１の上方の第１の絶縁膜１１の上には、書き込みトランジスタＴｒ２の活性層となるアモルファスシリコン膜４１と、エッチストッパ層４２とが形成されている。アモルファスシリコン膜４１と、ドレイン電極３１Ｄおよびソース電極３１Ｓとの間には、オーミックコンタクトを成すためのｎ＋アモルファスシリコン膜４３が形成されている。アモルファスシリコン膜４１は、例えば、厚みが１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射するアニール工程により結晶化させ、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）または微結晶シリコンとしたものでもよい。エッチストッパ層４２は、例えば、厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、具体的には２００ｎｍ程度であり、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＯＮにより構成されている。ｎ＋アモルファスシリコン膜４３は、例えば、厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍ、具体的には１００ｎｍ程度である。
【００２７】
第１の絶縁膜１１は、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜およびキャパシタＣｓの絶縁膜としての機能も有するものであり、例えば、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＯＮにより構成されている。第１の絶縁膜１１の厚みはリーク電流、容量のバランスを考慮して、例えば５０ｎｍ〜７００ｎｍ、具体的には３００ｎｍ程度であることが望ましい。第１の絶縁膜１１には、コンタクト部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃとなる開口部が設けられている。コンタクト部１１Ａは、ゲート電極２１と走査線１３０Ａとの電気的接続をとるためのものである。コンタクト部１１Ｂは、信号線１２０Ａとドレイン電極３１Ｄとの電気的接続をとるためのものである。コンタクト部１１Ｃは、ソース電極３１ＳとキャパシタＣｓの裏面側の電極２２との電気的接続をとるためのものである。
【００２８】
第２の絶縁膜１２は、例えば厚みが３００ｎｍ程度であり、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＯＮにより構成されている。第２の絶縁膜１２には、コンタクト部１２Ａとなる開口部が設けられている。このコンタクト部１２Ａは、キャパシタＣｓの表面側の電極３２と、第２の絶縁膜１２上に形成された配線層（図示せず）との電気的接続をとるためのものである。
【００２９】
以上をまとめると、書き込みトランジスタＴｒ２は、ゲート電極２１，ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜１１，アモルファスシリコン膜４１，エッチストッパ層４２，ｎ＋アモルファスシリコン膜４３，ドレイン電極３１Ｄおよびソース電極３１Ｓにより構成されたエッチストッパ型薄膜トランジスタである。
【００３０】
キャパシタＣｓは、裏面側の電極２２，第１の絶縁膜１１および表面側の電極３２により構成されている。なお、実際のＴＦＴ基板１では、キャパシタ容量を極大化する目的で表面側の電極３２と裏面側の電極２２とは同一サイズとなるように設計されているが、図３および図５では理解のために表面側の電極３２を裏面側の電極２２より小さく図示している。
【００３１】
図６は、図３に示したキャパシタＣｓの裏面側の電極２２の平面構造を表し、図７は、そのコーナー部を拡大したものである。また、図８は、図３に示したキャパシタＣｓのコーナー部を含む断面構造を表したものである。キャパシタＣｓは、表面側の電極３２および裏面側の電極２２との間に、保護膜５０を有している。保護膜５０は、表面側の電極３２をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極２２を保護するためのものであり、表面側の電極３２のコーナー部ＣＮを囲む位置にＬ字型に設けられている。これにより、このＴＦＴ基板１および表示装置では、キャパシタＣｓの裏面側の電極２２に対して結線型リペアを実施することができるようになっている。
【００３２】
保護膜５０は、例えば、表面側の電極３２と裏面側の電極２２との間の第１絶縁膜１１の上に設けられると共に、表面側の電極３２で覆われている。また、この保護膜５０は、レーザ光を吸収可能な層を含む２層以上の積層構造を有することが好ましい。表面側の電極３２を切断する際に、余剰なレーザ光のエネルギーを吸収させることができ、加工安定性を高めることができるからである。
【００３３】
具体的には、保護膜５０は、書き込みトランジスタＴｒ２のアモルファスシリコン膜４１と同一材料よりなると共にレーザ光を吸収可能な第１層５１と、書き込みトランジスタＴｒ２のエッチストッパ層４２と同一材料よりなる第２層５２との積層構造を有することが好ましい。第１層５１により加工安定性を高めることができると共に、第２層５２には、切断箇所においてキャパシタＣｓの表面側の電極３２とシリコンよりなる第１層５１とが溶融合金化しないように、空間的障壁としての機能を持たせることができるからである。また、書き込みトランジスタＴｒ２のアモルファスシリコン膜４１およびエッチストッパ層４２と同一製造工程により保護膜５０を形成することができるからである。なお、実際には、第１層５１と第２層５２とは同一サイズとなるように設計されているが、図７および図８では理解のために第２層５２を第１層５１より小さく図示している。
【００３４】
次に、この保護膜５０を用いたＴＦＴ基板１の欠陥修復方法について説明する。
【００３５】
（第１の例：キャパシタＣｓの裏面側の電極２２に生じたオープン欠陥）
図９は、キャパシタＣｓの裏面側の電極２２にオープン欠陥６１が生じた状態を表したものである。まず、図１０に示したように、保護膜５０が存在する箇所においてキャパシタＣｓの表面側の電極３２を切断し、切断部６１Ａにより表面側の電極３２のコーナー部ＣＮを分離する。切断は、レーザ光を照射することによりパターンやショート欠陥を切断する切断型リペアにより行う。このとき、表面側の電極３２と裏面側の電極２２との間には保護膜５０が配置されているので、切断部６１Ａでは表面側の電極３２のみが切断され、裏面側の電極２２が損傷を受けるおそれは極めて小さくなる。
【００３６】
次いで、図１１および図１２に示したように、分離されたコーナー部ＣＮの下に存在する裏面側の電極２２を一端とし、オープン欠陥６１により分断された裏面側の電極２２の一部につながっているソース電極３１Ｓを他端として、結線型リペアにより配線６１Ｂを形成する。これにより、オープン欠陥６１による不具合は完全に修復され、画素欠陥は残らない。また、上述した特許文献２に記載された従来の欠陥修復方法のように、修復後に二個の欠陥画素が生じてしまうおそれもない。
【００３７】
なお、配線６１Ｂと裏面側の電極２２とは、第１の絶縁膜１１および第２の絶縁膜１２にコンタクトホール６１Ｃを形成しておくことにより接続することができる。また、ソース電極３１Ｓと配線６１Ｂとは、第２の絶縁膜１２にコンタクトホール６１Ｄを形成しておくことにより接続することができる。
【００３８】
これらコンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄの形成には、切断型リペアで用いられるレーザ照射が流用されることが多い。その場合のレーザ照射の光出力については、コンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄを開け、かつコンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄの直下にあるパターンに損傷を与えないように事前に条件設定を行う。条件設定された光出力を用いることにより、コンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄ直下のパターンに深刻なダメージを与えることなく、コンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄを設けることが可能となる。このことは、コンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄを、第２の絶縁膜１２のみに設ける場合も、第１の絶縁膜１１および第２の絶縁膜１２の両方に設ける場合も同様である。
【００３９】
この第１の例では、特に、切断型リペアの加工安定性が重要になる。その理由は以下の通りである。まず、切断型リペアによる切断部６１Ａが表面側の電極３２を完全に切断しきれないと、結線型リペアによる配線６１Ｂにより表面側の電極３２と裏面側の電極２２とのショートという新たな不具合が発生してしまう。また、切断部６１Ａが裏面側の電極２２に到達して裏面側の電極２２を完全に切断分離してしまうと、配線６１Ｂが裏面側の電極２２に接続されないことになり、オープン欠陥６１は修復されない。
【００４０】
加工安定性は、保護膜５０の第１層５１の存在によって実現される。第１層５１はシリコンにより構成されており、切断型リペアで用いられる波長３００ｎｍ〜１１００ｎｍのレーザ光を吸収する。そのため、キャパシタＣｓの表面側の電極３２を通過した余剰レーザ光は、シリコンよりなる第１層５１により吸収される。吸収されたエネルギーにより、第１層５１はアブレート（溶融溶発）する。アブレートにより第１層５１を消失せしめるエネルギー分が加工マージンとなり、加工安定性を高めることができる。なお、エッチストッパ層４２と同一材料よりなる第２層５２および第１の絶縁膜１１は、ＳｉＯまたはＳｉＮにより構成されているので、切断型リペアで用いられる上記波長のレーザ光を吸収せず、加工マージンを生み出さない。
【００４１】
表面側の電極３２を通過した余剰レーザ光のエネルギーが小さい場合には、第１層５１は消失には至らず、切断部６１Ａに残ることになる。しかし、第１層５１が、不純物のドープがなされていないａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉであれば、第１層５１と表面側の電極３２とはオーミックコンタクトしないので、切断部６１Ａで分離されたコーナー部ＣＮと表面側の電極３２とがショートすることはない。
【００４２】
また、保護膜５０の第２層５２は、切断部６１ＡにおいてキャパシタＣｓの表面側の電極３２と第１層５１とが溶融合金化しないように、空間的障壁となることができる。
【００４３】
（従来との対比）
これに対して、従来では、図１３に示したように、保護膜５０を設けていなかったので、キャパシタＣｓの裏面側の電極２２にオープン欠陥６１が生じた場合には結線型リペアを実施することはできなかった。
【００４４】
すなわち、結線型リペアを裏面側の電極２２に対して実施するためには、第１の絶縁膜１１にレーザ加工によるコンタクトホールを設ける必要がある。ところで、一般に、接続対象である下層の配線パターンの上方に、接続対象外である上層の配線パターンが存在する場合には、新たなショート故障の発生を防ぐために、上層の配線パターンから数μｍ以上離した場所にコンタクトホール加工を行う必要がある。また、結線型リペアの信頼性確保のためには、コンタクトホールおよび接続対象である下層の配線パターンの平面寸法を数μｍ以上とする必要がある。その結果、結線型リペアを行おうとする下層の配線パターンには、上層の配線パターンに覆われていない十分に大きな接続箇所が必要である。
【００４５】
しかしながら、図１３に示した従来構造では、オープン欠陥６１により分断された裏面側の電極２２のうち表面側の電極３２で覆われた部分には、結線型リペアのためのコンタクトホール加工が可能な十分に大きな接続箇所が存在しないので、結線型リペアを行うことはできなかった。そのため、リペアの実施率が低下し、ＴＦＴ基板１の製造歩留まり向上の阻害要因となってしまっていた。
【００４６】
（第１の例の変形例）
なお、上記の第１の例では、キャパシタＣｓの裏面側の電極２２のパターン自体にオープン欠陥６１が生じた場合について説明したが、この第１の例は、裏面側の電極２２に至る経路に生じたオープン欠陥６１であれば適用可能である。具体的には、例えばソース電極３１ＳとキャパシタＣｓの裏面側の電極２２とのコンタクト部１１Ｃでオープン欠陥が生じた場合が挙げられる。
【００４７】
コンタクト部１１Ｃでオープン欠陥が発生した場合には、図１３に示したようなオープン欠陥６１によるものと同じ画素表示不良が発生する。ところで、異なる層の配線パターンを接続する方法としては、二つのパターンが平面レイアウト的に重なり合った箇所で、パターンの重なり部分にレーザを照射し溶融接合する方法がある。よって、コンタクト部１１Ｃのオープン欠陥についても、コンタクト部１１Ｃ付近のパターン重なり部分をレーザ溶融接合することにより修復することができるはずである。
【００４８】
しかし、実際には、コンタクト部１１Ｃにオープン欠陥が発生している場合は、コンタクト部１１Ｃおよびその周辺において正常な層構造を成していない可能性が一般的に高い。レーザ溶融接合を行うためのレーザ照射条件は、正常な層構造において定められたものであるので、コンタクト部１１Ｃのオープン欠陥が発生している場合にはレーザ溶融接合の成功率は通常より低くなることが予想される。
【００４９】
また、レーザ溶融接合の成功率を上げるためには絶縁膜の厚みを薄くする必要があるが、絶縁膜の厚みはＴＦＴ基板の電気的仕様などによって定まるものである。よって、厚い絶縁膜を用いたＴＦＴ基板ではレーザ溶融接合を行うことができない可能性もある。
【００５０】
これに対して、上述した第１の例は、コンタクト部１１Ｃから離れた場所で溶融接合を用いない結線型リペアを行うものなので、コンタクト部１１Ｃの層状態や絶縁膜の厚みの影響を受けにくく、従来のようにコンタクト部１１Ｃで溶融接合を行う方法に比べてリペア成功率を著しく高めることができる。
【００５１】
（第２の例：ソース電極３１ＳとキャパシタＣｓの表面側の電極３２との間に生じた同層ショート欠陥）
図１４は、ソース電極３１ＳとキャパシタＣｓの表面側の電極３２との間に同層ショート欠陥６２が生じた状態を表したものである。まず、図１５に示したように、切断型リペアによる切断部６２Ａにより、同層ショート欠陥６２を切断し、ソース電極３１ＳとキャパシタＣｓの表面側の電極３２とのショートを解消する。
【００５２】
このとき、切断部６２Ａは、ガラス基板１０まで到達して第１配線層２０の裏面側の電極２２を切断し、オープン回路６３を発生させている可能性が高い。なぜなら、同層ショート欠陥６２自体を切断する場合には、同層ショート欠陥６２の材質や厚みが不明であることから、切断成功の確率を高めるために通常のパターン切断の場合に比べて高い光出力にて照射を行うことが多いからである。そのような切断型リペアでは、同層ショート欠陥６２のみならず、その下に存在する正常なパターン（ここでは、裏面側の電極２２）まで切断してしまうことが起こりうる。
【００５３】
そこで、このような同層ショート欠陥６２を修復する過程でキャパシタＣｓの裏面側の電極２２に生じたオープン回路６３を修復する必要がある。このオープン回路６３の修復は、上述した第１の例と同様にして行うことができる。すなわち、まず、図１６に示したように、保護膜５０が存在する箇所においてキャパシタＣｓの表面側の電極３２を切断型リペアで切断し、切断部６２Ａにより表面側の電極３２のコーナー部ＣＮを分離する。このとき、第１の例と同様に、表面側の電極３２と裏面側の電極２２との間には保護膜５０が配置されているので、切断部６３Ａでは表面側の電極３２のみが切断され、裏面側の電極２２が損傷を受けるおそれは極めて小さくなる。
【００５４】
次いで、同じく図１６に示したように、分離されたコーナー部ＣＮの下に存在する裏面側の電極２２を一端とし、オープン回路６３により分離された裏面側の電極２２の一部につながっているソース電極３１Ｓを他端として、結線型リペアにより配線６３Ｂを形成し、この配線６３Ｂによりオープン回路６３を電気的に接続する。これにより、同層ショート欠陥６２およびオープン回路６３による不具合はいずれも完全に修復され、画素欠陥は残らない。また、上述した特許文献２に記載された従来の欠陥修復方法のように、修復後に二個の欠陥画素が生じてしまうおそれもない。
【００５５】
（従来との対比）
これに対して、従来では、図１７に示したように、保護膜５０を設けていなかったので、同層ショート欠陥６２を修復する過程でキャパシタＣｓの裏面側の電極２２にオープン回路６３が生じてしまった場合、第１の例で説明したのと同様に、オープン回路６３により分断された裏面側の電極２２のうち表面側の電極３２で覆われた部分に、結線型リペアのためのコンタクトホール加工が可能な十分に大きな接続箇所が存在しないので、結線型リペアを行うことはできなかった。
【００５６】
（補足：層間ショート欠陥の修復方法）
なお、図１８および図１９は、特に保護膜５０を必要とするものではないが、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとを第１の絶縁膜１１を貫通してショートさせている層間ショート欠陥６５の修復方法を表したものである。まず、信号線１２０Ａの両側に切断型リペアによる切断部６５Ａを形成して層間ショート欠陥６５を切断し、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとのショートを解消する。
【００５７】
次いで、結線型リペアにより配線６５Ｂを形成し、この配線６５Ｂにより走査線１３０Ａの分断された左右のパターンを電気的に接続する。これにより、層間ショート欠陥６５による不具合は完全に修復される。
【００５８】
なお、配線６５Ｂと走査線１３０Ａとは、第２の絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール６５Ｃで接続することができる。このコンタクトホール６５Ｃを形成するためのレーザ照射の光出力については、第１の例のコンタクトホール６１Ｃ，６１Ｄと同様である。
【００５９】
（保護膜５０によるキャパシタＣｓの静電容量への影響について）
本実施の形態では、保護膜５０が存在する部分ではキャパシタＣｓの電極間距離が増大することにより静電容量が低下するという影響が考えられる。以下、このことについて説明する。
【００６０】
本実施の形態におけるＴＦＴ基板１の仕様を以下のように仮定する。
画面サイズ：３２インチワイド
画素数：１９２０×１０８０（フルハイビジョン仕様）
画素内キャパシタの面積：４３９２μｍ2 ・・・（１）（画素面積の１０分の１（１／１０）とする。）
第１の絶縁膜１１の厚み：３００μｍ・・・（２）
保護膜５０の第１層５１（アモルファスシリコン層４１）の厚み：１０ｎｍ
保護膜５０の第２層５２（エッチストッパ層４２）の厚み：３００ｎｍ・・・（３）
第２層５２のテーパー角度：３０°・・・（４）
【００６１】
本実施の形態にて実施するリペアの仕様を以下のように仮定する。
切断型リペアの幅：５μｍ・・・（５）
切断型リペアの仕上がり精度：１μｍ・・・（６）
切断型リペアで形成するコンタクトホールのサイズ：５μｍ・・・（７）
切断型リペアで形成するコンタクトホールの仕上がり精度：１μｍ・・・（８）
切断型リペアの加工位置決め精度：１μｍ・・・（９）
（結線型リペアの線幅、仕上がり精度、加工位置決め精度は、静電容量に影響しない。）
【００６２】
第１層５１の厚みは、第１の絶縁膜１１の厚みに比べて十分に薄く、静電容量低下への寄与は小さいので、第１層５１の存在をここでは無視する。裏面側の電極２２に対するコンタクトホールの加工のために必要な最小エリアは、（７）＋（８）＋（９）より７μｍ×７μｍとなる。第２層５２のテーパー部を除いた最小幅寸法は、（５）＋（６）＋（９）より７μｍとなる。第２層５２のテーパー部の幅寸法は、（３）×ｔａｎ（９０−３０）より５２０ｎｍ≒０．５μｍとなる。
【００６３】
図２０は、以上の寸法により定まる保護膜５０の形状および寸法を表したものである。第２層５２のテーパー部５２Ａを除いた部分５２Ｂが存在する箇所では、（２），（３）よりキャパシタＣｓの電極間距離が倍になるので、第２層５２が存在しない箇所に比べて面積あたりの静電容量は２分の１（１／２）となる。また、第２層５２のテーパー部５２Ａが存在する箇所では、第２層５２が存在しない箇所に比べて面積あたりの静電容量は平均で１．５分の１（１／１．５）となる。これらの効果をすべて見込むと、第２層５２が存在する場合の静電容量低下は１．９２％となる。ＴＦＴ基板１の設計時において、この静電容量低下分だけキャパシタ電極面積を大きくする必要があるが、一般的に、キャパシタ電極間の絶縁膜厚のばらつきに起因する静電容量のばらつきを見込んで１０％程度キャパシタ電極面積を大きくしていることに比べると、１．９２％の静電容量低下が設計に及ぼす影響は大きなものではない。
【００６４】
また、上述した静電容量低下を補うための電極面積増加処置が、同層ショート欠陥の発生確率を上昇させることが考えられる。このことの影響について以下に説明する。
【００６５】
１．９２％の静電容量低下を補うために必要なキャパシタ電極面積増加分は８４．３μｍ2 である。キャパシタ電極形状が正方形であると仮定すると、増加面積分は、キャパシタ電極の周囲長さを２６５．０９μｍから２．５４μｍ長くすることになる。一般に、周囲のパターン条件が同一であれば、同層ショート欠陥の発生確率はパターンの周囲長さに比例する。本実施の形態では、２．５４μｍのキャパシタ電極の周囲長さの増加により、同層ショート欠陥の発生確率が０．９６％上昇する。ただし、周囲パターンとの同層ショート欠陥はリペア可能な欠陥であるので、本実施の形態によりリペア不能な欠陥が救済されるという利点と照らし合わせると、上述した程度の同層ショート欠陥の発生確率上昇は、本実施の形態の効果を否定する要因となるものではない。
【００６６】
図２１は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００６７】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、ＴＦＴ基板１上に、陽極としての第１電極７１、電極間絶縁膜７２、後述する発光層を含む有機層７３、および陰極としての第２電極７４がこの順に積層された構成を有している。
【００６８】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜７５により被覆され、更にこの保護膜６５上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層８０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板８１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板８１には、必要に応じてカラーフィルタ８２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００６９】
第１電極７１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極７１は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極７１は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。
【００７０】
電極間絶縁膜７２は、第１電極７１と第２電極７４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機絶縁材料により構成されている。電極間絶縁膜７２は、第１電極７１の発光領域に対応して開口部を有している。なお、有機層７３および第２電極７４は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜７２の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜７２の開口部だけである。
【００７１】
有機層７３は、例えば、第１電極７１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層７３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、有機層７３の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。
【００７２】
第２電極７４は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極７４は、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。
【００７３】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００７４】
（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
まず、ガラス基板１０上に、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる金属層を成膜し、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形することにより、第１の配線層２０を形成する。
【００７５】
次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）により、上述した厚みおよび材料よりなる第１の絶縁膜１１を形成する。
【００７６】
続いて、例えばプラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜４１および保護膜５０の第１層５１を同一材料により同一工程で形成し、例えば固体レーザを用いてアモルファスシリコン膜４１にレーザ光ＬＢを照射し（アニール）、結晶化させる。
【００７７】
そののち、エッチストッパ層４２および保護膜５０の第２層５２を同一材料により同一工程で形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。
【００７８】
エッチストッパ層４２を形成したのち、例えばＣＶＤ法により、上述した厚みのｎ＋アモルファスシリコン膜４３を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。
【００７９】
ｎ＋アモルファスシリコン膜４３を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる金属層を成膜し、例えばエッチングにより所定の形状に成形することにより、第２の配線層３０を形成する。更に全体に第２の絶縁膜１２を形成する。以上により、図１ないし図８に示した画素駆動回路１４０を有するＴＦＴ基板１が形成される。
【００８０】
このＴＦＴ基板１に対して、上述した欠陥修復方法により、オープン欠陥６１等の修復を行う。
【００８１】
（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
ＴＦＴ基板１を形成したのち、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなる第１電極７１を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。続いて、例えばＣＶＤ法により上述した厚みおよび材料よりなる電極間絶縁膜７２を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて開口部を形成する。そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層７３および第２電極７４を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜７５で覆う。
【００８２】
そののち、保護膜７５の上に、接着層８０を形成する。そののち、カラーフィルタ８２が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板８１を用意し、ＴＦＴ基板１と封止用基板８１とを接着層８０を間にして貼り合わせる。以上により、図２１に示した表示装置が完成する。
【００８３】
この表示装置では、第１電極７１と第２電極７４との間に所定の電圧が印加されると、有機層７３の発光層に電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより発光が起こる。この光は、第２電極７４，保護膜７５および封止用基板８１を透過して取り出される。ここでは、本実施の形態のＴＦＴ基板１を備えているので、従来は結線型リペアを適用できなかったキャパシタＣｓの裏面側の電極２２のオープン欠陥６１またはオープン回路６３が確実に修復されている。よって、高い表示品質が実現される。
【００８４】
このように本実施の形態では、キャパシタＣｓの表面側の電極３２と裏面側の電極２２との間に、表面側の電極３２のコーナー部ＣＮを囲む位置に保護膜５０を設け、この保護膜５０により、表面側の電極３２をレーザ光の照射により切断する際に裏面側の電極２２を保護するようにしたので、キャパシタＣｓの裏面側の電極２２にオープン欠陥６１またはオープン回路６３が生じた場合に、保護膜５０が存在する箇所において表面側の電極３２を切断することにより、表面側の電極３２のコーナー部ＣＮを分離したのち、コーナー部ＣＮの下に存在する裏面側の電極２２を一端として結線型リペアにより配線６１Ｂ，６３Ｂを形成することができる。よって、従来では完全な修復が難しかったキャパシタＣｓの裏面側の電極２２のオープン欠陥６１またはオープン回路６３に対しても結線型リペアを実施することができ、リペア実施率を向上させることができる。特に画素滅点、画素輝点などを引き起こす画素駆動回路１４０の欠陥修復に極めて好適であり、このＴＦＴ基板１を用いて表示装置を構成すれば、高い表示品質を実現することができる。更に、リペア実施率向上の結果としてＴＦＴ基板１の製造歩留まりを向上させることができる。
【００８５】
（第２の実施の形態）
図２２は、本発明を液晶表示装置に適用した場合の断面構成の一例を表したものである。本実施の形態は、表示素子を液晶表示素子により構成したことを除いては、上記第１の実施の形態と全く同一であり、その作用および効果も同一である。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００８６】
液晶表示素子の構成は特に限定されないが、例えば、ＴＦＴ基板１上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide；インジウムスズ酸化物）よりなる画素電極９１が形成されている。画素電極９１には、ガラス等よりなる対向基板９２上に形成されたＩＴＯよりなる共通電極９３が対向配置され、その間に液晶層９４が設けられている。ＴＦＴ基板１および対向基板９２の各々には、偏光板９５が、それらの光学軸（図示せず）を直交させるように設けられている。
【００８７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図２３に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８９】
（適用例１）
図２４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９０】
（適用例２）
図２５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９１】
（適用例３）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９２】
（適用例４）
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９３】
（適用例５）
図２８は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、キャパシタＣｓの表面側の電極３２および裏面側の電極２２を矩形とし、その一角に保護膜５０をＬ字形に形成すると共に、コーナー部ＣＮを矩形（例えば、正方形）とした場合について説明したが、保護膜５０は他の形状でもよく、特に限定されるものではない。例えば図２９に示したように、保護膜５０を直線状に形成すると共に、コーナー部ＣＮを三角形としてもよい。保護膜５０をＬ字形とすれば、保護膜５０によるキャパシタＣｓの静電容量の影響を小さくすることができる。また、保護膜５０を直線状とすれば、表面側の電極３２を切断する際に（第１の例、図１０参照。）Ｌ字形では２回となる切断型リペアの加工工程数を１回とすることができる。
【００９５】
また、例えば図３０に示したように、コーナー部ＣＮをキャパシタＣｓの表面側の電極３２および裏面側の電極２２から突出した部分とし、コーナー部ＣＮの付け根の位置に保護膜５０を直線状に形成するようにしてもよい。このようにすれば、表面側電極３２および裏面側の電極２２の容量当たりの周囲長さが長くなり同層ショートの発生確率が上昇するおそれがあるものの、その一方の利点として、保護膜５０によるキャパシタＣｓの静電容量の影響を小さくし、かつ、切断型リペアの加工回数を１回とすることができる。これらの様々な形態は、他回路要素のパターン形状または配置などに鑑みて、ＴＦＴ基板の性能向上または生産性向上に利するものを選択することが可能である。
【００９６】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９７】
加えて、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００９８】
更にまた、本発明は、有機発光素子および液晶表示素子のほか、無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一部の構成を表す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】図３に示したキャパシタの表面側の電極の構成を表す平面図である。
【図７】図６のコーナー部を拡大した平面図である。
【図８】図３に示したキャパシタのコーナー部を含む断面図である。
【図９】本発明の欠陥修復方法の第１の例としてオープン欠陥を説明するための平面図である。
【図１０】第１の例を工程順に表す平面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図１３】従来の欠陥修復方法を説明するための平面図である。
【図１４】第２の例として同層ショート欠陥を説明するための平面図である。
【図１５】第２の例を工程順に表す平面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す平面図である。
【図１７】従来の欠陥修復方法を説明するための平面図である。
【図１８】補足として層間ショート欠陥の修復方法を説明するための平面図である。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。
【図２０】保護膜によるキャパシタの静電容量に対する影響を説明するための平面図である。
【図２１】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２３】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２４】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２５】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２８】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図２９】図６に示した保護膜の変形例を表す平面図である。
【図３０】図６に示した保護膜の他の変形例を表す平面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０…ガラス基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…第１の絶縁膜、１２…第２の絶縁膜、２０…第１の配線層、２１…ゲート電極、２２…裏面側の電極、３０…第２の配線層、３１Ｓ…ソース電極、３１Ｄ…ドレイン電極、３１Ｓ…ソース電極、３２…表面側の電極、４１…アモルファスシリコン膜、４２…エッチストッパ層、４３…ｎ＋アモルファスシリコン層、５０…保護膜、５１…第１層、５２…第２層、６１…オープン欠陥、６２…同層ショート欠陥、６３…オープン回路、７１…第１電極、７２…電極間絶縁膜、７３…有機層、７４…第２電極、７５…保護膜、８０…接着層、８１…封止用基板、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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