(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面側に光電変換部及びスイッチング素子部を有する画素が多数形成されたセンサアレイ領域を形成し、前記基板の他方の裏面側に第１のシールド用導電体層を形成し、該第１のシールド用導電体層の前記基板側とは反対側の表面には第１の保護膜、第２のシールド用導電体層、第２の保護膜がその順で積層して形成され、前記第１のシールド用導電体層が前記スイッチング素子部に流れる信号線電位の中間電位に固定され、前記第２のシールド用導電体層が接地電位に固定されている電気光学装置。
【請求項２】
前記光電変換部は、ＰＩＮダイオードで構成されている請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１のシールド用導電体層及び第２のシールド用導電体層は金属膜で構成されている請求項１記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面上に光電変換部及びスイッチング素子部を有する画素が多数形成されたセンサアレイ領域が形成された電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板のような絶縁基板を有する電気光学装置では、静電気等による帯電の問題が顕著になり易い。特に、光電変換素子とこの光電変換素子の駆動回路としての薄膜トランジスタよりなる完全密着型イメージセンサでは、その上部側に１０２乃至１０６Ωｃｍの低抵抗性を示す導電性接着剤層を介して薄膜ガラス層を設けることにより、原稿紙が通過することにより生じる摩擦帯電を防止して、画像信号にノイズが重畳し、画像歪みが発生することを防止するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、基体表面上に設けられた複数の光電変換要素と、これら複数の光電変換要素上に設けられた透光性且つ絶縁性の保護膜と、この基体の裏面側からの照明光を透過させるための窓とを具備する画像読取装置でも、光電変換要素上に設けられた保護膜を平坦な外表面を有する第１の層と、この第１の層と光学変換要素との間に介在した第２の層とで構成し、第１の層と第２の層との間に、所定の電位に保持される静電気対策層を設けることにより、光センサ部と共に光電変換要素を構成する電荷蓄積部に対して静電気遮蔽して、蓄積電荷のレベルシフトを防止するようにした画像読取装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
これに対して、診断用Ｘ線を検出する放射線検出装置では、ガラス基板上に検知素子と薄膜電界効果型トランジスタとを形成し、これら検知素子及び薄膜電界効果型トランジスタの上面側に電子を可視光に変換するための発光層を形成し、この発光層の上面側にメガボルトビームに対する光電変換層が設けられた構成を有するが、静電気対策は行なわれていないのが実情である（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特許第２８１４４５３号公報
【特許文献２】特許第２７０２１３１号公報
【特許文献３】特許第３０５０４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１及び２に記載された従来例にあっては、光電変換素子又は光電変換要素の上面側に導電体層を設けるようにしているので、原稿紙の通過による摩擦帯電の影響を除去するようにしているので、光電変換素子又は光電変換要素の表面側からの静電気遮蔽を行なうことはできるが、光電変換素子又は光電変換要素の下面側からの静電気に対する静電気対策にはならないという未解決の課題がある。すなわち、静電気等による影響は光電変換素子又は光電変換要素の表面側のみからではなく、裏面側からも生じ、基板裏面の電位が変化すると光電変換素子又は光電変換要素の電位が変化し、読取りに支障をきたす。この裏面側からの静電気の影響は裏面に何も接触しない用途であれば小さいが、間接的にでもあれ裏面に物体が接触される用途であれば影響が大きくなる。例えば放射線を検出する可搬型のフラットパネルディテクタや手で操作するような密着型イメージセンサなどでは裏面に物体が接触することが多く裏面側からの静電気の影響が大きい。
【０００６】
これに対して、特許文献３に記載された従来例の放射線検出装置では、静電気対策は全く行なわれていないという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、基板の表面上に光電変換部及びスイッチング素子部を有する画素が多数形成されたセンサアレイ領域を形成した電気光学装置で、基板の裏面側からの静電気の影響を確実に防止することができる電気光学装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方の面側に光電変換部及びスイッチング素子部を有する画素が多数形成されたセンサアレイ領域を形成し、前記基板の他方の裏面側に第１のシールド用導電体層を形成し、該第１のシールド用導電体層の前記基板側とは反対側の表面には第１の保護膜、第２のシールド用導電体層、第２の保護膜がその順で積層して形成され、前記第１のシールド用導電体層が前記スイッチング素子部に流れる信号線電位の中間電位に固定され、前記第２のシールド用導電体層が接地電位に固定されている。
【００１０】
この電気光学装置では、第１のシールド用導電体層及び第２のシールド用導電体層の２つの導電体層が第１の保護膜を挟んで形成されているので、例えば基板に近い第１の導電体層をスイッチング素子に流れる信号線電位の中間電位に固定し、基板から離れた第２の導電体層を接地電位に固定することにより、強い外部電場により、第２のシールド用導電体層の電位が変化しても、第１のシールド用導電体層の電位が信号線電位の中間電位に固定されているので、スイッチング素子に流れる信号に対する外部ノイズの影響を確実に防止することができる。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置は、前記光電変換部がＰＩＮダイオードで構成されている。
この電気光学装置では、光電変換部がＰＩＮダイオードで構成されているので、表面側に照射される可視光を確実に電気信号に変換することができる。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置は、前記第１のシールド用導電体層及び第２のシールド用導電体層が金属膜で構成されている。
この電気光学装置では、第１及び第２のシールド用導電体層がそれぞれ金属膜で構成されているので、第１及び第２のシールド用導電体層を低抵抗化することができ、大きなシールド効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明を可搬型放射線撮像装置に適用した場合の第１の実施形態を示す正面図、図２は放射線撮像部を示す側面図、図３は電気光学装置の画素を示す断面図、図４は画素の等価回路図、図５は放射線撮像部の回路構成図である。
図中、１は可搬型放射線撮像装置であって、図１に示すように、把手２を上面に有するケース体３を有し、このケース体３の正面に放射線撮像部４が形成されている。
【００１５】
この放射線撮像部４の概略構成は、図２に示すように、放射線（Ｘ線）を可視光に変換して出力するシンチレータ５と、このシンチレータ５の出力側に配置された可視光を電気信号に変換する電気光学装置６、さらにそれをカバーするカバープレート（図示せず）で構成されている。カバープレートは例えばカーボンープレートが使用される。
電気光学装置６は、図５に示すように、ガラス基板１１の一方の面となる上面１１ａ側に、幅方向の中央部に多数の画素をマトリックス状に整列させたセンサアレイ領域１２が形成され、このセンサアレイ領域１２の左右両側に走査部１３及び１４が配設され、センサアレイ領域の手前側にセンシング制御部１５が配設されている。
【００１６】
また、ガラス基板１１の他方の面となる下面１１ｂ側にはガラス基板１１の表面を全て覆うようにシールド用導電体層１６が形成されている。シールド用導電体層１６は、金属膜、カーボンペースト、有機導電体膜、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明電極等を用いることができる。ここで、シールド用導電体層１６として、金属膜を適用した場合には、シールド用導電体層１６を低抵抗化することができ、大きなシールド効果を発揮することができる。
【００１７】
センサアレイ領域１２には例えば４０００個の画素２０がマトリックス状に配列された構成を有する。これら各画素２０は、図３に示すように、ガラス基板１１の表面側に形成されたスイッチング素子部としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）部２１と、このＴＦＴ部２１の右側に形成された光電変換部２２と、この光電変換部２２の右側に形成された電荷蓄積容量部２３とで構成されている。
【００１８】
ＴＦＴ部２１は、ガラス基板１１の上面に形成されたゲート電極３１と、このゲート電極３１を覆うゲート絶縁膜３２と、このゲート絶縁膜３２の上面に形成されたシリコン層３３と、このシリコン層３３の左右両端に個別に接続されて形成されたソース電極３４及びドレイン電極３５と、これらソース電極３４及びドレイン電極３５に連結されて形成されたソース線３６及びドレイン線３７と、これらソース線３６及びドレイン線３７を覆う保護膜３８とで構成されている。
【００１９】
ここで、ゲート電極３１はＡｌ及びＭｏが積層されて形成され、Ａｌの厚みが約２０００Å、Ｍｏの厚みが約５００Åに設定されている。また、ゲート絶縁膜３２は窒化シリコンＳｉＮXで形成され、その厚みが約４０００Åに設定されている。シリコン層３３の厚みがソース電極３４及びドレイン電極３５の下側で約１２００Åに設定され、これら間の中央部で約９００Åに設定されている。さらに、ソース電極３４及びドレイン電極３５の厚みは約５００Åに設定されている。さらにまた、ソース線３６及びドレイン線３７はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏで３層構造とされ、下段Ｍｏの厚みが約５００Å、Ａｌの厚みが約２５００Å、上段Ｍｏの厚みが約５００Åに設定されている。
【００２０】
そして、ドレイン線３７に保護膜３８に形成したスルーホール３８ａを介して光電変換部２２の光電変換下部電極４１が接続されている。
光電変換部２２は、ガラス基板１１の上面上にＴＦＴ部２１のゲート絶縁膜３２及び保護膜３８を介して前述したＴＦＴ部２１のドレイン線３７に接続された光電変換下部電極４１が形成され、この光電変換下部電極４１上にＰＩＮダイオード（p-intrinsic-n Diode）４２が形成され、このＰＩＮダイオード４２上に光電変換上部電極４３及び光電変換配線４４が形成され、光電変換配線４４が保護膜４５によって覆われた構成を有する。
【００２１】
ここで、ＰＩＮダイオード４２は、保護膜４５の下面側の保護膜４６で覆われており、光電変換下部電極４１上にｎ+層４２ａ、Ｉ層４２ｂ及びｐ+層４２ｃが順に積層されて構成されている。ｐ+層４２ｃの上面に光電変換上部電極４３が形成され、この光電変換上部電極４３が保護膜４６に形成したスルーホール４６ａを介して光電変換配線４４に接続されている。
【００２２】
また、光電変換下部電極４１は例えばＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層構造とされ、下段Ｍｏの厚みが約５００Å、Ａｌの厚みが約２０００Å、上段Ｍｏの厚みが約５００Åに設定されている。さらに、ｎ+層４２ａ、Ｉ層４２ｂ及びｐ+層４２ｃは、例えばアモルファスシリコンを主材料として形成され、ｎ+層４２ａ及びｐ+層４２ｃの厚みが約５００Å、Ｉ層４２ｂの厚みが約５０００Åに設定されている。さらにまた、保護膜４５及び４６は例えば窒化シリコン（ＳｉＮX）で形成され、それぞれの厚みが約４０００Åに設定されている。さらに、光電変換上部電極４３は透明なＩＴＯで形成され、その厚みは約９００Åに設定されている。なおさらに、光電変換配線４４はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの三層構造とされ、下段Ｍｏの厚みが約５００Å、Ａｌの厚みが約２０００Å、上段Ｍｏの厚みが約５００Åに設定されている。
【００２３】
なお、上記説明ではＰＩＮダイオード４２を下層側からｎ+層４２ａ、Ｉ層４２ｂ及びＰ+層４２ｃの順に積層した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、下層側からＰ+層４２ｃ、Ｉ層４２ｂ及びｎ+層４２ａの順に積層するようにしてもよい。また、光電変換部としてはＰＩＮダイオードに限定されるものではなく、ＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor)フォトダイオードを適用するようにしてもよい。
【００２４】
また、電荷蓄積容量部２３は、ガラス基板１１の表面に形成されゲート絶縁膜３２で覆われた第１の蓄積容量線５１と、ゲート絶縁膜３２の上面に形成され保護膜３８で覆われた第２の蓄積容量線５２とで構成されている。ここで、第１の蓄積容量線５１はゲート電極３１と同時に形成され、第２の蓄積容量線５２はソース線３６及びドレイン線３７と同時に形成される。この電荷蓄積容量部２３では、第１の蓄積容量線５１及び第２の蓄積容量線５２とこれら間に介在するゲート絶縁膜３２とで蓄積容量Ｃｓを蓄積する。この電荷蓄積容量部２３は、第１及び第２の蓄積容量線５１及び５２でゲート絶縁膜３２を挟んで構成する場合に限らず、第１及び第２の蓄積容量線５１及び５２を、保護膜３８を挟んで配置するようにしてもよい。また、図３では第２蓄積容量線５２とドレイン線３７は分離しているが、１画素の平面図において両者は接続されている。
【００２５】
ここで、上記ＴＦＴ部２１、光電変換部２２及び電荷蓄積容量部２３を形成するには、先ず、ガラス基板１１上にスパッタリングによってゲート電極３１及び蓄積容量線５１を形成し、次いでＣＶＤ法によってゲート絶縁膜３２をゲート電極３１及び蓄積容量線５１を覆うように形成する。
【００２６】
次いで、ゲート絶縁膜３２上にシリコン層３３をＣＶＤ法によって形成し、シリコン層３３の上部にソース電極３４及びドレイン電極３５をスパッタリングで形成してから同様にスパッタリングによってソース線３６及びドレイン線３７と蓄積容量線５２とを形成する。
【００２７】
次いで、ＴＦＴ部２１及び電荷蓄積容量部２３を覆うように保護膜３８をＣＶＤ法で形成し、この保護膜３８上に光電変換部２２の光電変換下部電極４１をスパッタリングで形成し、この光電変換下部電極４１上に、ＣＶＤ法によって順次ｎ+層４２ａ、Ｉ層４２ｂ及びｐ+層４２ｃを形成し、ｐ+層４２ｃの上面にスパッタリング、真空蒸着等によってＩＴＯでなる光電変換上部電極４３を形成し、次いで、ＴＦＴ部２１、光電変換部２２及び電荷蓄積容量部２３を覆うように保護膜４６をＣＶＤ法によって形成し、次いで、保護膜４６の光電変換部２２の光電変換上部電極４３に対向する位置にスルーホール４６ａを形成してから光電変換配線４４をスパッタリングによって形成し、最後に全体を覆うようにＣＶＤ法によって保護膜４５を形成する。
【００２８】
上記の構成を有する画素２０を等価回路で表すと、図４に示すように、ゲート電極線５０にＴＦＴ部２１のゲート電極３１が接続され、このＴＦＴ部２１のソース電極３４がソース線３６に接続され、ドレイン電極３５が光電変換部２２の光電変換下部電極４１及びＰＩＮダイオード４２を介してソース線３６と所定間隔を保って平行な光電変換配線４４に接続されると共に、電荷蓄積容量部２３を介して接地された第１の蓄積容量線５１に接続されている。
【００２９】
そして、各画素２０のゲート電極３１は、図５に示すように、センサアレイ領域１２の左右両側に配設された走査部１３及び１４に接続され、これら走査部１３及び１４によって、各画素２０のＴＦＴ部２１が所定の順序でオン・オフ制御されて、各画素２０の蓄積電荷Ｃｃがセンサアレイ領域１２の手前側に配設されたセンシング制御部１５に読出され、このセンシング制御部１５で読み出した各画素２０の出力信号を放射線画像信号として外部に出力する。
【００３０】
次に、上記第１の実施形態の動作を説明する。
先ず、可搬型放射線撮像装置１を、把手２を把持して所望の放射線被撮像部と放射線撮像部４が対向するように配置し、放射線被撮像部の放射線撮像装置１とは反対側に放射線源（図示せず）を配置する。ここで、放射線被撮像部としては、可搬型放射線撮像装置１を診療用に使用する場合には、人体又は動物の所望の撮像個所に放射線撮像部４を配置すればよく、空港等の手荷物検査に使用する場合には、手荷物の搬送経路に沿って可搬型放射線撮像装置１を配置し、搬送経路の反対側に放射線源を配置する。さらには工業用に使用する場合には、外観検査のできない加工品の内部状況を検査する場合には検査対象の加工品を可搬型放射線撮像装置１と放射線源との間に配置する。なお、診断用以外の場合には、放射線撮像装置１を可搬型とする必要はなく、検査対象の移動経路に固定配置するようにすればよい。
【００３１】
このようにして、放射線源と可搬型放射線撮像装置１との間に検査対象となる放射線被撮像部を配置した状態で、放射線源から放射線を放射線被撮像部に放射することにより、放射線被撮像部を透過した放射線が可搬型放射線撮像装置１の放射線撮像部４に到達する。
放射線撮像部４では、入射される放射線をシンチレータ５で可視光に変換し、変換された可視光がセンサアレイ領域１２に照射される。このため、センサアレイ領域１２の各画素２０では、ＰＩＮダイオード４２が光電変換配線４４から供給される電源によって逆バイアス状態とされ、入射光量によってＰＩＮダイオード４２で誘起される電力が変化し、これに応じて電荷蓄積容量部２３の蓄積電荷Ｃｃが変化される。この蓄積電荷Ｃｃの変化が図５に示すように、ＴＦＴ部２１のソース線３６を介してセンサアレイ領域１２の外側に配設されたセンシング制御部１５で検出される。
【００３２】
このとき、蓄積電荷ＣｃのＰＩＮダイオード４２の電力による変化分ΔＣｐはソース線３６の電荷Ｃｓに対して非常に小さく、センシング制御部１５で検出される電圧としてはて数ｍＶ以下であり、ノイズの影響を極めて受け易い。また、各画素２０のゲート電極３１は、図５に示すように、センサアレイ領域１２の左右両側に形成された走査部１３及び１４に接続され、これら走査部１３及び１４によって順次ＴＦＴ部２１がオン・オフ制御されて画素２０の蓄積電荷容量Ｃｃがセンシング制御部１５で読み出され、このセンシング制御部１５で読み出した画素信号が放射線撮像信号として外部に出力される。
【００３３】
ところで、ガラス基板１１の表面側にはシンチレータ５が接着等によって固定配置されるので、このシンチレータ５によってノイズの影響を抑制することができるが、ソース線３６を介してセンシング制御部１５で検出する電圧が数ｍＶ以下であるので、ソース線３６に対するノイズの影響が極めて大きい。このため、本来、静電気や外部電場の影響を受けるガラス基板１１の一方の面側即ち上面側とは異なる他方の面側即ち下面側からの静電気や外部電場の影響を無視することはできない。
【００３４】
しかしながら、上記第１の実施形態では、ガラス基板１１の他方の面即ち下面側にシールド用導電体層１６が形成されているので、このシールド用導電体層１６によって静電気や外部電場を遮断して、ソース線３６に対するノイズの影響を確実に阻止することができる。この結果、センシング制御部１５で各画素の出力信号をノイズの影響を受けることなく正確に検出することができる。
【００３５】
また、上記第１の実施形態のようにシールド用導電体層１６を金属膜で形成することにより、シールド用導電体層１６を低抵抗化することができ、大きなシールド効果を発揮することができる。
さらに、光電変換部２２をＰＩＮダイオード４２で構成することにより、シンチレータ５から入射される可視光を効率よく光電変換することができ、正確な放射線画像信号を得ることができる。
【００３６】
なお、上記第１の実施形態においては、ガラス基板１１の下面１１ｂ側の全てを覆うようにシールド用導電体層１６を形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図６に示すように、センサアレイ領域１２に０対向する領域にのみシールド用導電体層１６を形成するようにしてもよい。
また、上記第１の実施形態においては、ガラス基板１１の下面１１ｂ側に配設されたシールド用導電体層１６が外部にそのまま露出している場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、シールド用導電体層１６のガラス基板１１とは反対側の面にシールド用導電体層１６の下面及び側面の全てを覆うように例えば窒化シリコン等で構成される保護膜７１を配設することにより、シールド用導電体層１６の破損を防止することが好ましい。
【００３７】
次に、本発明の第２の実施形態を図８（ａ）及び（ｂ）について説明する。
この第２の実施形態においては、前述した第１の実施形態におけるシールド用導電体層１６を複数層形成するようにしたものである。
すなわち、第２の実施形態においては、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガラス基板１１のセンサアレイ領域１２等を形成した一方の面とは反対側の他方の面即ち下面１１ｂ側にその外周縁部を枠状に残すように覆う第１のシールド用導電体層７０を形成し、この第１のシールド用導電体層７０の下面側にその全面を覆うように第１の保護膜７１を配設し、この第１の保護膜７１の下面側にその全面を覆う用に第２のシールド用導電体層７２を配設し、この第２のシールド用導電体層７２の下面側に第２のシールド用導電体７２の下面及び側面、第１の保護膜７１の側面及び第１のシールド用導電体７０の側面を全て覆うように第２の保護膜７３を配設するようにしたものである。そして、第１のシールド用導電体層１６を前述したソース線の３６の信号電位の約半分程度の中間電位に保持し、第２のシールド用導電体層７２を接地電位に保持するようにしている。
【００３８】
この第２の実施形態によると、第２の保護膜７２側の外部から静電気又は外部電場が第２のシールド用導電体層７２に到達することにより、この第２のシールド用導電体層７２の電位が変化することになるが、この第２のシールド用導電体層７２の電位変化がソース線３６の信号電位の中間電位に保持された第１のシールド用導電体層７０に与える影響は少なくなり、この第１のシールド用導電体層１６の電位変動が小さくなるため、この第１のシールド用導電体層１６の電位変動がソース線３６に与える影響は極めて小さいものとなり、ソース線３６へのノイズの影響を確実に防止することができる。
【００３９】
なお、この第２の実施形態においても、第１及び第２のシールド用導電体層７０及び７２と第１及び第２の保護膜７１及び７３はガラス基板１１の下面１１ｂの全面を覆うように形成する必要はなく、ガラス基板１１の下面側のセンサアレイ領域１２に対向する領域のみに形成するようにしてもよく、第１のシールド用導電体層７０及び第１の保護膜７１をガラス基板１１の下面１１ｂの全面を覆うように形成し、第２のシールド用導電体層７２及び第２の保護膜７３をセンサアレイ領域１２に対向する領域のみに形成し、第２の保護膜７３で第２のシールド用導電体層７２の下面及び側面を覆うようにしてもよい。
【００４０】
また、上記第１及び第２の実施形態においては、シールド用導電体層１６、７０及び７２をガラス基板１１の他方の面となる下面１１ｂの略全面を覆うように形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図９に示すように、電気光学装置６の各画素２０の配列ピッチに対応させて一方の方向及びこれに交差（直交）した方向（縦横方向）にそれぞれ１つ置きにシールド用導電体層の非形成部分（透孔８０）を形成するようにしてもよく、図１０に示すように、画素２０の縦方向の配列ピッチに対応させて縦方向に１つ置きに長孔８１を形成するようにしてもよく、この場合も長孔８１をセンサアレイ領域１２に対向する領域のみに設けるようにしてもよい。
【００４１】
また、上記第１及び第２の実施形態においては、本発明の電気光学装置６を可搬型放射線撮像装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、固定型の放射線撮像装置に適用することもできる。さらにはＸ線以外の光を光電変換装置が検知できる光に変換するシンチレータを用いることにより、放射線撮像装置以外のイメージセンサなどの任意の光電変換装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明を可搬型放射線撮像装置に適用した場合の第１実施形態を示す正面図である。
【図２】図１に適用し得る放射線撮像部の一例を示す側面図である。
【図３】放射線撮像部に適用し得る電気光学装置の画素の一例を示す断面図である。
【図４】画素の等価回路図である。
【図５】放射線撮像部の回路構成図である。
【図６】第１の実施形態の電気光学装置の他の例を示す側面図である。
【図７】第１の実施形態の電気光学装置のさらに他の例を示す側面図及び底面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態を示す電気光学装置の側面図及び底面図である。
【図９】本発明に適用し得るシールド用導電体層の他の例を示す底面図である。
【図１０】本発明に適用し得るシールド用導電体層のさらに他の例を示す底面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…可搬型放射線撮像装置、２…把手、３…ケース体、４…放射線撮像部、５…シンチレータ、６…電気光学装置、１１…ガラス基板、１１ａ…表面、１１ｂ…裏面、１２…センサアレイ領域、１３，１４…走査部、１５…センシング制御部、１６…シールド用導電体層、２０…画素、２１…ＴＦＴ部、２２…光電変換部、２３…電荷蓄積容量部、３１…ゲート電極、３２…ゲート絶縁膜、３３…シリコン層、３４…ソース電極、３５…ドレイン電極、３６…ソース線、３７…ドレイン線、３８…保護膜、４１…光電変換下部電極、４２…ＰＩＮダイオード、４３…光電変換上部電極、４４…光電変換配線、４５，４６…保護膜、５１，５２…電荷蓄積容量線、７０…第１のシールド用導電体層、７１…保護膜、７２…第２のシールド用導電体層、７３…第２の保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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