(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
積み重ねられた前記バイアホールのうち、一番下のバイアホールは、他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールは、互いにその中心がほぼ重なるように積み重ねられているか、又は、
一番下を含む二段のバイアホールは、その中心がほぼ重なるように積み重ねられており、残りのバイアホールも、その中心がほぼ重なるように積み重ねられており、前記一番下を含む二段のバイアホールと前記残りのバイアホールとは、その中心をずらして積み重ねられており、
最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されており、前記最上段以外のバイアホールは、前記層間樹脂絶縁層の表面上に形成されている無電解めっき膜と、当該無電解めっき膜上に形成されて前記層間樹脂絶縁層の開口部を充填する電解めっき膜とからなることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記凹部の深さは、５〜２５μｍである請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下である請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、粒子およびゴム成分が配合されている請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記粒子は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項４に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、および、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体のうちの少なくとも１種を含む樹脂組成物により形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
セミアディティブ法により製造された多層ビルドアップ配線基板である請求項１〜６のいずれかに記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
即ち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
また、近年、ＩＣチップの高周波数化に伴い、多層プリント配線板の高速化、高密度化が要求されており、これに対応した多層プリント配線板として、スタックビア構造（バイアホールの直上にバイアホールが形成された構造）のバイアホールを有する多層プリント配線板が提案されている。
このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、信号伝送時間が短縮されるため、多層プリント配線板の高速化に対応し易く、また、導体回路の設計の自由度が向上するため、多層プリント配線板の高密度化に対応し易い。
【０００６】
しかしながら、このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、バイアホールの近傍の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあった。特に、３層以上のバイアホールを重ねたスタックビア構造を形成した際には、最外層の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することが多く、さらには、このクラックに起因して、最外層の層間樹脂絶縁層周辺の導体回路に剥離や断線が発生することがあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、スタックビア構造のバイアホールを形成した場合に、該バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層（特に、最外層の層間樹脂絶縁層）でクラックが発生する原因について検討した。
その結果、スタックビア構造のバイアホールでは、通常、それぞれのバイアホールの形状を、その直上にバイアホールを形成するのに適したフィールドビア形状としており、また、バイアホール同士が直線状に配設された構造を有しているため、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの線膨張係数の差に起因して応力が発生した際に、該応力が緩和されにくく、特に、最上段のバイアホールでは、通常、その上部に半田バンプ等の外部接続端子が形成されていることも伴って、より応力が緩和されにくく、また、この部分に応力が集中しやすいことを見出し、これが、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層（特に、最外層の層間樹脂絶縁層）でクラックが発生し易い原因であると考えた。
【０００８】
さらに、本発明者等は、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられた多層プリント配線板において、最上段のバイアホールの上面に凹部を形成することにより上記した問題を解消することができることを見出し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に到達した。
【０００９】
即ち、本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
上記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の多層プリント配線板において、上記積み重ねられたバイアホールは、それぞれのバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられていることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記積み重ねられたバイアホールのうちの少なくとも１つのバイアホールが、他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールが、他のバイアホールにその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることも望ましい。
【００１１】
上記多層プリント配線板において、上記凹部の深さは、５〜２５μｍであることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。
【００１２】
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層には、粒子およびゴム成分が配合されていることが望ましく、上記粒子は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００１３】
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、および、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体のうちの少なくとも１種を含む樹脂組成物により形成されていることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
上記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられ、この積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているため、上面が平坦で内部が完全に充填されたフィールドビア形状のバイアホールに比べて変形しやすく、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を緩和しやすい。従って、本発明の多層プリント配線板は、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがなく、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくいため、信頼性に優れる。
また、階層の異なるバイアホール同士を積み重ねることにより配線距離が短くなるため、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上し、高密度配線に対応しやすい。
【００１６】
以下、本発明の多層プリント配線板について図面を参照しながら説明する。
図１および図2は、それぞれ、本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
【００１７】
図１に示すように、多層プリント配線板１００では、基板１０１上に導体回路１０５と層間樹脂絶縁層１０２とが順次積層されており、層間樹脂絶縁層１０２を介した導体回路１０５間は、それぞれ、バイアホールを介して接続されている。また、最外層には、半田バンプ１１７を有するソルダーレジスト層１１４が形成されている。
【００１８】
また、多層プリント配線板１００においては、積み重ねられたバイアホール１０７ａ〜１０７ｄのうち、最上段のバイアホール（４段目のバイアホール）１０７ｄは、その上面に凹部が形成されている。
このように凹部が形成された最上段のバイアホールは、応力を緩和しやすく、そのため、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがない。従って、上述した応力の集中により発生する不都合、即ち、最上段のバイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生したり、このクラックに起因して層間樹脂絶縁層周辺の導体回路に剥離や断線が発生したりする不都合が発生しにくい。
【００１９】
また、上記最上段のバイアホールの上面に形成された凹部の深さは特に限定されないが、５〜２５μｍであることが望ましい。
上記の凹部の深さが５μｍ未満では、応力を緩和する効果を充分に得ることができないことがあり、一方、２５μｍを超えると、バイアホール内に断線が発生したり、バイアホールと層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生したりし、信頼性の低下につながることがあるからである。
【００２０】
また、多層プリント配線板１００では、バイアホール１０７ａ〜１０７ｄは、それぞれのバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられている。
本発明の多層プリント配線板においては、このように、各階層のバイアホールがその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることが望ましく、この場合、配線距離がより短くなるため、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応しやすくなる。
【００２１】
また、図２に示すように、本発明の多層プリント配線板２００は、積み重ねられたバイアホール２０７a〜２０７ｄのバイアホールのうち、最上段のバイアホール２０７ｄが下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられていてもよい。
本発明の多層プリント配線板においては、このように、積み重ねられたバイアホールのうち、少なくとも１つのバイアホールが他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールが他のバイアホールにその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることも望ましい。
【００２２】
このように、少なくとも１つのバイアホールが、その中心をずらして積み重ねられている場合には、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を分散させることができ、積み重ねられたバイアホールの一部に大きな応力が集中することがないため、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくい。
【００２３】
また、少なくとも１つのバイアホールを他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねる場合、積み重ねられたバイアホールの形状は、多層プリント配線板２００のように、最上段のバイアホールのみが下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられ、他のバイアホール同士は、それぞれ中心がほぼ重なるように積み重ねられた形状に限定されず、バイアホールが４段に積み重ねられている場合には、例えば、最上段のバイアホールと３段目のバイアホールとがその中心がほぼ重なるように積み重ねられるとともに、その下段のバイアホール（２段目のバイアホール）にその中心をずらして積み重ねられ、さらに、１段目および２段目のバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられていてもよい。また、２〜４段目のバイアホールは中心がほぼ重なるように積み重ねられ、これが１段目のバイアホールに中心をずらして積み重ねられていてもよいし、２〜４段目のバイアホールのそれぞれが下段のバイアホールと中心をずらして積み重ねられていてもよい。
また、積み重ねるバイアホールの段数も特に限定されず、２段や３段であってもよいし、５段以上であってもよい。
なお、本明細書において、バイアホールの中心とは、バイアホールを平面視した際の、バイアホールの非ランド部分の中心のことをいう。
また、本明細書において、バイアホール同士が積み重ねられているとは、積み重ねられた上下段のバイアホールにおいて、下段のバイアホールの上面（ランド部分、非ランド部分問わず）と上段のバイアホールの底面とが電気的に接続されている状態をいう。
【００２４】
また、本明細書において、中心がほぼ重なるように積み重ねられているとは、上下段のバイアホールの中心が丁度重なるように積み重ねられている場合は勿論、上下段のバイアホールの中心同士の水平距離が５μｍ以下になるように積み重ねられている場合も含むものとする。
従って、本明細書において、中心をずらして積み重ねられているとは、積み重ねられたバイアホールの中心同士の水平距離が５μｍを超える場合をいう。
【００２５】
また、本発明の多層プリント配線板において、その中心をずらして積み重ねられているバイアホール同士は、下段バイアホールの非ランド部分の外縁部（図２中、Ａと示す）と、上段のバイアホールの底面（図２中、Ｂと示す）とが重ならないように積み重ねられていることが望ましい。
下段バイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面とが重なるように積み重ねられている場合は、それぞれのバイアホールで発生した応力が、積み重ねられたバイアホールの一部（例えば、上段のバイアホール）に集中するおそれがあるのに対し、下段バイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面とが重ならないように積み重ねられている場合は、それぞれのバイアホールに応力が分散され、積み重ねられたバイアホールの一部に応力が集中しにくく、応力の集中に起因した不都合がより発生しにくい。
【００２６】
また、下段のバイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面の外縁部との距離（図２中、Ｌと示す）は、具体的には、例えば、バイアホールの非ランド部分の直径が４０〜２００μｍ程度の場合は、５〜７０μｍであることが望ましい。
この範囲であれば、上述したように積み重ねられたバイアホールの一部に応力が集中しにくいとともに、設計の自由度を確保することができるからである。
【００２７】
次に、本発明の多層プリント配線板を構成する構成部材について説明する。
本発明の多層プリント配線板では、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成されている。
【００２８】
上記基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン基板、フッ素樹脂基板等の絶縁性基板が挙げられる。
また、上記導体回路は、その材質が、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、これらの合金等であり、めっき処理等により形成されている。なお、具体的な導体回路の形成方法については、後に詳述する。
【００２９】
上記基板には、その両面に形成された導体回路同士を接続するスルーホールが形成されていてもよく、この場合、スルーホール内には、樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記スルーホールの直上にバイアホールが形成されていてもよく、この場合には、スルーホール内に樹脂充填材層が形成され、該スルーホール上に蓋めっき層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層を形成することにより、バイアホールとスルーホールとの接続信頼性がより優れたものとなるからである。
【００３０】
さらに、本発明の多層プリント配線板では、上記基板と層間樹脂絶縁層とを貫通するスルーホールが形成されていてもよい。このようなスルーホールを形成することにより、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続することができる。
【００３１】
上記層間樹脂絶縁層は、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体等を含む樹脂組成物により形成されている。
【００３２】
上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００３３】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００３４】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【００３５】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記した熱硬化性樹脂に感光性を付与したものも感光性樹脂として用いることができる。具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等挙げられる。
【００３６】
上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。なかでも、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂および／またはポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）を含むものが望ましい。
また、上記感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体としては、例えば、上記した感光性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。
【００３７】
また、上記樹脂組成物の一例としては、粗化面形成用樹脂組成物も挙げられる。上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３８】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。バイアホール用開口を形成する際に、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【００３９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００４０】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４１】
上記可溶性の物質としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４２】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００４３】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【００４４】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４５】
また、このような樹脂組成物として、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いる場合には、ガラス転移温度が１８０℃以下のものを用いることが望ましい。
ガラス転移温度が１８０℃を超える樹脂組成物では、加熱硬化時の温度が２００℃を超えるため、加熱時に基板の反りや溶解時の不都合が発生することがあるからである。
【００４６】
また、上記多層プリント配線板において、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下であることが望ましく、全ての層間樹脂絶縁層の線膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下であることがより望ましい。
このように層間樹脂絶縁層の線膨張係数が小さい場合、層間樹脂絶縁層とバイアホールや基板、導体回路との間で、線膨張係数の違いに起因した応力が発生しにくく、そのため、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離や、層間樹脂絶縁層でのクラックが発生しにくい。従って、上記範囲の線膨張係数を有する層間樹脂絶縁層が形成された多層プリント配線板は、より信頼性に優れることとなる。
【００４７】
また、上記層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、３０〜９０ｐｐｍ／℃であることがより望ましい。線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃未満では、剛性が高く、例えば、その表面に粗化面を形成した場合に、粗化面の凹凸を保持することができないことがあるのに対し、上記範囲であれば、耐クラック性により優れるとともに、粗化面の形状保持性にも優れるからである。
【００４８】
また、上記層間樹脂絶縁層には、粒子およびゴム成分が配合されていることが望ましい。
粒子を配合されている場合、層間樹脂絶縁層の形状保持性がより向上することとなり、ゴム成分が配合されている場合、該ゴム成分の有する柔軟性および反発弾性により、層間樹脂絶縁層に応力が作用した際に、該応力を吸収したり緩和したりすることができる。
【００４９】
上記粒子としては、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種が望ましい。
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５０】
上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５１】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５２】
また、上記ゴム成分としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
また、ポリブタジエンゴム；エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。
【００５３】
上記粒子およびゴム成分の配合量は特に限定されないが、層間樹脂絶縁層形成後の配合量で、粒子は１〜２５重量％、ゴム成分は５〜２０重量％が望ましい。この範囲であれば、基板やソルダーレジスト層との間で熱膨張係数を整合させたり、層間樹脂絶縁層を形成する際の硬化収縮による応力を緩和したりするのに適しているからである。より望ましい配合量は、粒子は３〜１８重量％、ゴム成分は７〜１８重量％である。
【００５４】
また、上記バイアホールは、上記導体回路同様、その材質が、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、これらの合金等であり、めっき処理等により形成されている。
また、上記多層プリント配線板において、積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているが、その他のバイアホールの形状は特に限定されず、その上面に凹部が形成された形状であってもよいし、フィールドビア形状であってもよい。
ここで、最上段以外のバイアホールの形状が、フィールドビア形状である場合には、その上面が平坦であるため、バイアホールを積み重ねるのに適している。
なお、本発明の多層プリント配線板においては、全ての階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられているわけではなく、他のバイアホールが積み重ねられることのないバイアホールが存在してもよい。
なお、上面に凹部が形成されたバイアホールおよびフィールドビア形状のバイアホール、それぞれの形成方法については、後に詳述する。
【００５５】
上記積み重ねられたバイアホールにおいて、このうちの少なくとも１つのバイアホールは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることが望ましい。積み重ねられたバイアホールがこのような構成を有する場合、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材の役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックがより発生しにくくなるからである。
【００５６】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成されている。
【００５７】
上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
また、ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を用いることもできる。
【００５８】
次に、本発明の多層プリント配線板を製造する方法について工程順に説明する。
（１）まず、上記した樹脂基板や、その両面に銅箔を張り付けた銅張積層板等を出発材料とし、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施すことによりベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、その後、エッチングを行うことにより形成すればよい。
また、銅張積層板をベタの導体層が形成された基板として用いてもよい。
【００５９】
また、基板の両面に形成された導体回路間を接続するスルーホールを形成する場合には、予め、基板に貫通孔を形成しておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する。
【００６０】
また、スルーホールを形成した後には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。このとき、導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填することが望ましい。
上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられる。
また、スルーホール内や、導体回路非形成部に樹脂充填材を充填する場合には、予め、スルーホールの壁面や導体回路の側面に粗化処理を施しておいてもよい。
樹脂充填材とスルーホール等との密着性が向上するからである。
なお、粗化処理方法としては、後述する（２）の工程で用いる方法と同様の方法を用いることができる。
【００６１】
また、上記スルーホール上に蓋めっき層を形成する場合、該蓋めっき層は、例えば、下記（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより形成することができる。
即ち、（ａ）上記した工程を経て、その内部に樹脂充填材層を有するスルーホールを形成した後、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に、無電解めっき処理やスパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電解めっき処理を用いる場合には、被めっき表面に予め触媒を付与しておく。
【００６２】
（ｂ）次に、スルーホール（樹脂充填材層を含む）上以外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。
（ｃ）ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行う。
このような（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより薄膜導体層と電解めっき層との２層からなる蓋めっき層を形成することができる。
なお、触媒の付与から薄膜導体層の除去に至る、この（ａ）〜（ｃ）の工程は、後述する（６）〜（８）の工程で用いる方法と同様の方法等を用いて行うことができる。
【００６３】
また、１層からなる蓋めっき層を形成する場合には、例えば、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に触媒を付与した後、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成し、その後、無電解めっき処理と、めっきレジストの除去とを行えばよい。
【００６４】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いることができる。この工程で行う粗化処理は、後工程を経て形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために行うものであり、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性が高い場合には、この工程は行わなくてもよい。
【００６５】
（３）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や感光性樹脂、樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【００６６】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含む樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂や、感光性樹脂を含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層を形成する場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【００６７】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【００６８】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【００６９】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【００７０】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【００７１】
また、上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、５〜５０μｍが望ましい。また、バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。
【００７２】
また、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する場合には、この工程で、層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔を形成しておく。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等を用いて形成することができる。
【００７３】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。また、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通孔を形成した場合には、その壁面に粗化面を形成してもよい。
【００７４】
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程で、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【００７５】
（６）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ましい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【００７６】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングにより形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【００７７】
また、上記（４）の工程で、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通孔を形成した場合には、該貫通孔にも薄膜導体層を形成し、スルーホールとする。なお、この場合には、スルーホール内に樹脂充填材層を形成することが望ましく、その後、スルーホール上に蓋めっき層を形成してもよい。特に、ここで形成したスルーホール上に、後工程でバイアホールを形成する場合には、蓋めっき層を形成しておくことが望ましい。
【００７８】
なお、このようにして形成するスルーホールは、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するのは勿論のこと、この２層の導体回路と基板の両面に形成された２層の導体回路との計４層の導体回路間を接続するものであってもよい。
【００７９】
（７）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルム等を用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
ここでは、所望のランド径を有するバイアホールを形成することができるようにめっきレジストを形成する。即ち、この階層において、ランド径の大きなバイアホールを形成するのであれば、めっきレジスト非形成部の幅を大きくしておけばよい。
【００８０】
また、この工程では、電気めっき液の組成を適宜選択することにより、その上面に凹部を有する電解めっき層や、その上面が平坦な電解めっき層を形成することができる。例えば、電解銅めっき液を用いて電解銅めっき層を形成する場合には、硫酸、硫酸銅、および、添加剤を含む電解銅めっき液を用いることができる。
【００８１】
また、ここで、上記電解銅めっき液のうち、特定のレベリング剤と光沢剤とからなる添加剤を含む電解銅めっき液を用いた場合には、上面が平坦な電解銅めっき層を形成することができる。
即ち、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する電解銅めっき液を用いることにより、上面が平坦な電解銅めっき層を形成することができる。
【００８２】
このような組成の電解銅めっき液では、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、層間樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、バイアホール用開口を完全に充填することができる。
加えて、上記電解銅めっき液は、銅イオンを高濃度で含有しているため、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化につながる。
【００８３】
また、上記電解銅めっき液は、１００〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する組成であることが望ましい。
【００８４】
また、上記電解銅めっき液において、上記添加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
ここで、上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、ゼラチン、これらの誘導体等が挙げられる。
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄やその関連化合物、硫化水素やその関連化合物、その他の硫黄化合物等が挙げられる。
【００８５】
また、上記レベリング剤の配合量は、１〜１０００ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率は、２：１〜１０：１が望ましい。
また、このような電解銅めっき液を用いて、その上面が平坦な電気めっき層を形成した場合には、後工程を経て形成されるバイアホールの形状がフィールドビア形状となる。
【００８６】
なお、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成する場合には、例えば、従来公知の電解銅めっき液、即ち、１２０〜２５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜１００ｇ／ｌの硫酸銅および各種添加剤を含む電解銅めっき液等を用いることができる。
【００８７】
また、この工程では、一旦、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した後、この凹部に導電性ペーストを充填してその上面が平坦な電解銅めっき層を形成してもよいし、一旦、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した後、その凹部に樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成してその上面が平坦な電解銅めっき層を形成してもよい。
【００８８】
（８）次に、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路（バイアホールを含む）とする。エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【００８９】
また、上記（７）および（８）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路（バイアホールを含む）を形成してもよい。
【００９０】
（９）この後、上記（３）〜（８）の工程を１回または２回以上繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路（バイアホールを含む）とを形成する。なお、上記（３）〜（８）の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。
【００９１】
また、ここでは、下段のバイアホール上にバイアホールを積み重ねるように上記（３）〜（８）の工程を繰り返す。具体的には、上記（４）の工程において、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、バイアホールの形成位置を調整することができる。
また、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、上段のバイアホールを下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように積み重ねたり、上段のバイアホールを下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねたりすることができる。
【００９２】
また、上記（３）〜（８）の工程を繰り返す際の最後の繰り返し工程、即ち、最外層の層間樹脂絶縁層と、最上段のバイアホールとを形成する工程では、上記（７）の工程で電解めっき層を形成する際に、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成する。このような電解めっき層を形成することにより、その上面に凹部が形成されたバイアホールを形成することができる。
【００９３】
また、上記（７）および（８）の工程において、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通孔するスルーホールを形成した場合には、このスルーホールの直上にバイアホールを形成してもよい。
【００９４】
（１０）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【００９５】
また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
【００９６】
次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【００９７】
（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半田ペーストを充填した後、導電性ピンを取り付け、さらにリフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
【００９８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００９９】
（実施例１）
Ａ．感光性樹脂組成物Ａの調製
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１００】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１０１】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物Ａを得た。
【０１０２】
Ｂ．感光性樹脂組成物Ｂの調製
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１０３】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１０４】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物Ｂを得た。
【０１０５】
Ｃ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２５±１℃で３０〜８０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１０６】
Ｄ．多層プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図３（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９とを形成した（図３（ｂ）参照）。
【０１０７】
（２）スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１０８】
（３）次に、上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の導体回路非形成部と下層導体回路４の外縁部とに樹脂充填材の層１０′を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の層１０′形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図３（ｃ）参照）。
【０１０９】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材層１０を形成した。
【０１１０】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材層１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材層１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図３（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填材層１０の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。
【０１１１】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１１２】
（６）次に、基板の両面に、上記Ｂで調製した感光性樹脂組成物Ｂ（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行った。次いで、上記Ａで調製した感光性樹脂組成物Ａ（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行い、２層からなる半硬化状態の樹脂層２ａ、２ｂを形成した（図３（ｅ）参照）。
【０１１３】
（７）次に、半硬化状態の樹脂層２ａ、２ｂを形成した基板の両面に、直径８０μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８０μｍのバイアホール用開口６を有し、２層からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図４（ａ）参照）。
【０１１４】
（８）さらに、バイアホール用開口６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面（図示せず）とした。
【０１１５】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１１６】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層１２を形成した（図４（ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４                 ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル             ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１１７】
（１１）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた（図４（ｃ）参照）。
【０１１８】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図４（ｄ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ              ２１０ｇ／ｌ
硫酸                            １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ−                          ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール        ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド              １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                      １．０Ａ／ｄｍ２
時間                          ６０  分
温度                          ２５  ℃
【０１１９】
（１３）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路５とフィールドビア形状のバイアホール７とを形成した（図５（ａ）参照）。
【０１２０】
（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と独立した導体回路５とフィルードビア形状のバイアホール７とを形成した（図５（ｂ）〜図６（ａ）参照）。
なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、１段目のバイアホールとその中心がほぼ重なるように、２段目のバイアホールを形成した。
【０１２１】
（１５）さらに、上記（５）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と薄膜導体層１２とを形成し、その後、薄膜導体層１２上にめっきレジスト３を設けた（図６（ｂ）参照）。
【０１２２】
（１６）次に、めっきレジスト３の形成された基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図６（ｃ）参照）。なお、バイアホール用開口内には、上面に凹部を有する電解めっき層１３ａを形成した。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸              ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅            ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤            １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １．０  Ａ／ｄｍ２
時間                          ６５  分
温度                      ２２±２  ℃
【０１２３】
（１７）次に、上記（１３）の工程と同様にして、めっきレジスト３の剥離除去、および、薄膜導体層１２のエッチングを行い、独立した導体回路とその上面に凹部を有するバイアホール７ａとを形成した（図７（ａ）参照）。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、２段目のバイアホールとその中心がほぼ重なるように最上段のバイアホールを形成した。
【０１２４】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１２５】
（１９）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。
【０１２６】
（２０）次に、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液中にソルダーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面（図示せず）を形成した。
さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（.１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。
【０１２７】
（２１）この後、ソルダーレジスト層１４上に、マスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷した。その後、半田ペーストを２５０℃でリフローし、さらに、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図７（ｂ）参照）。
なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、７０ｐｐｍ／℃である。
【０１２８】
（実施例２）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１２重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ４重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０１２９】
Ｂ．樹脂充填材の調製
実施例１と同様にして樹脂充填材の調製を行った。
Ｃ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路２４を形成した（図８（ｂ）参照）。
【０１３０】
（２）下層導体回路２４を形成した基板２１を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１３１】
（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付け、層間樹脂絶縁層２２を形成した（図８（ｃ）参照）。さらに、層間樹脂絶縁層２２を形成した基板２１に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔３９を形成した。
【０１３２】
（４）次に、層間樹脂絶縁層２２に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図８（ｄ）参照）。
【０１３３】
（５）次に、バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、貫通孔３９の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１３４】
（６）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔３９の壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１３５】
（７）次に、３４℃の無電解銅めっき水溶液中に基板を４０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔３９の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層３２を形成した（図８（ｅ）参照）。なお、無電解銅めっき水溶液としては、実施例１の（１０）の工程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用いた。
【０１３６】
（８）次に、薄膜導体層３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト２３を設けた（図９（ａ）参照）。
【０１３７】
（９）次いで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１２）の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図９（ｂ）参照）。
【０１３８】
（１０）さらに、めっきレジスト２３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素とを含むエッチング液を用いてエッチングし、スルーホール２９、および、導体回路２５（バイアホール２７を含む）とした。
【０１３９】
（１１）次に、スルーホール２９等を形成した基板３０をエッチング液に浸漬し、スルーホール２９、および、導体回路２５（バイアホール２７を含む）の表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【０１４０】
（１２）次に、上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例１の（３）の工程と同様の方法を用いて、調製後２４時間以内に、スルーホール２９内、および、層間樹脂絶縁層２２上の導体回路非形成部と導体回路２５の外縁部とに樹脂充填材の層を形成した。
【０１４１】
続いて、実施例１の（４）の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および導体回路２５の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が導体回路２５の表面と同一平面をなす樹脂充填材層３０を形成した（図９（ｃ）参照）。
【０１４２】
（１３）次に、層間樹脂絶縁層２２の表面、および、樹脂充填材層３０の露出面に、上記（６）と同様の処理を行いてパラジウム触媒（図示せず）を付与した。次に、上記（７）と同様の条件で無電解めっき処理を施し、樹脂充填材層３０の露出面および導体回路２５の上面に薄膜導体層３２を形成した。
【０１４３】
（１４）次に、上記（８）と同様の方法を用いて、薄膜導体層３２上に、めっきレジスト２３を設けた（図９（ｄ）参照）。
続いて、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図１０（ａ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸          ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅        ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤        １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度            １  Ａ／ｄｍ２
時間                ６５  分
温度                ２２＋２  ℃
【０１４４】
（１５）次に、めっきレジスト３３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、蓋めっき層３１とした（図１０（ｂ）参照）。
（１６）次に、蓋めっき層３１の表面にエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を用いて粗化面（図示せず）を形成した。
【０１４５】
（１７）次に、上記（３）〜（１１）の工程を２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２２、導体回路２５およびフィールドビア形状のバイアホール２７を形成した（図１０（ｃ）〜図１３（ａ）参照）。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整し、１回目の繰り返し工程では、蓋めっき層３１の直上にバイアホールを形成し、２回目の繰り返し工程では、下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように２段目のバイアホールを形成した。また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【０１４６】
（１８）さらに、上記（３）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２２と薄膜導体層３２とを形成し、その後、薄膜導体層３２上にめっきレジスト２３を形成した（図１３（ｂ）参照）。
【０１４７】
（１９）次に、めっきレジスト２３の形成された基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１６）の工程と同様の条件で、電解めっきを施し、電解銅めっき層を形成した。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解銅めっき層を形成した。
【０１４８】
（２０）次に、上記（１０）の工程と同様にして、めっきレジスト２３の剥離除去、および、薄膜導体層３２のエッチングを行い、独立した導体回路２５とその上面に凹部を有するバイアホール２７ａとを形成した（図１４（ａ）参照）。さらに、上記（１１）の工程と同様にして、導体回路２５およびバイアホール２７ａの表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１４９】
（２１）次に、実施例１の（１８）〜（２１）の工程と同様にして、半田バンプ３７を備えた多層プリント配線板を得た（図１４（ｂ）参照）。
なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、６０ｐｐｍ／℃である。
【０１５０】
（実施例３）
Ａ．感光性樹脂組成物Ａ、Ｂの調製
実施例１と同様にして感光性樹脂組成物ＡおよびＢを調製した。
【０１５１】
Ｂ．樹脂充填材の調製
実施例１と同様にして樹脂充填材を調製した。
【０１５２】
Ｃ．多層プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板４１の両面に１８μｍの銅箔４８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板４１の両面に下層導体回路４４とスルーホール４９とを形成した（図１５（ｂ）参照）。
【０１５３】
（２）スルーホール４９および下層導体回路４４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール４９を含む下層導体回路４４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１５４】
（３）次に、上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例１の（３）の工程と同様の方法を用いて、調整後２４時間以内に、スルーホール４９内、および、基板４１の導体回路非形成部と下層導体回路４４の外縁部とに樹脂充填材の層５０′を形成した（図１５（ｃ）参照）。
【０１５５】
（４）続いて、実施例１の（４）の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および下層導体回路４４の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が下層導体回路４４の表面と同一平面をなす樹脂充填材層５０を形成した（図１５（ｄ）参照）。
【０１５６】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４４の表面とスルーホール４９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【０１５７】
（６）次に、基板の両面に、上記Ａで調製した感光性樹脂組成物Ｂ（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行った。次いで、上記Ａで調製した感光性樹脂組成物Ａ（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行い、２層からなる半硬化状態の樹脂層４２ａ、４２ｂを形成した（図１５（ｅ）参照）。
【０１５８】
（７）次に、半硬化状態の樹脂層４２ａ、４２ｂを形成した基板の両面に、直径８０μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８０μｍのバイアホール用開口４６を有し、２層からなる層間樹脂絶縁層４２を形成した（図１６（ａ）参照）。
【０１５９】
（８）さらに、バイアホール用開口４６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４６の内壁を含む層間樹脂絶縁層４２の表面を粗面（図示せず）とした。
【０１６０】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４２の表面およびバイアホール用開口４６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１６１】
（１０）次に、実施例１の（１０）の工程と同様の条件で無電解めっき処理を施し、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層５２を形成した（図１６（ｂ）参照）。
【０１６２】
（１１）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層５２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト４３を設けた（図１６（ｃ）参照）。
【０１６３】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１２）の工程と同様の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層５３を形成した（図１６（ｄ）参照）。
【０１６４】
（１３）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト４３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路４５とフィールドビア形状のバイアホール４７とを形成した（図１７（ａ）参照）。
【０１６５】
（１４）次に、上記（５）〜（１３）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層４２、および、独立した導体回路４５とフィールドビア形状のバイアホール４７とを形成した（図１７（ｂ）〜図１８（ａ）参照）。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように２段目のバイアホールを形成した。
【０１６６】
（１５）さらに、上記（５）〜（１３）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層４２、および、独立した導体回路４５とフィールドビア形状のバイアホール４７とを形成した（図１８（ｂ）参照）。
なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、２段目のバイアホールの中心からずらして３段目バイアホールを積み重ねた。また、この工程で形成したバイアホール（３段目のバイアホール）の底面の外縁部と、その下段のバイアホール（２段目のバイアホール）の非ランド部分の外縁部との距離は、５μｍである。
【０１６７】
（１６）さらに、上記（５）〜（１１）の工程を再度繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層４２と薄膜導体層５２とを形成し、その後、薄膜導体層５２上にめっきレジスト４３を形成した。
【０１６８】
（１７）次に、めっきレジスト４３の形成された基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１６）の工程で用いた条件と同様の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層５３を形成した（図１８（ｃ）参照）。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解めっき層５３ａを形成した。
その後、上記（１３）の工程と同様にしてめっきレジスト４３の剥離除去、および、薄膜導体層のエッチングを行い、独立した導体回路とその上面に凹部を有するバイアホール４７ａとを形成した（図１９（ａ）参照）。なお、ここでは、下段のバイアホール（３段目のバイアホール）とその中心がほぼ重なるように、最上段のバイアホールを形成した。
【０１６９】
（１８）次に、実施例１の（１８）〜（２１）の工程と同様にして半田バンプ５７を備えた多層プリント配線板を得た（図１９（ｂ）参照）。なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、７０ｐｐｍ／℃である。
【０１７０】
（実施例４）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
実施例２と同様にして層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０１７１】
Ｂ．樹脂充填材の調製
実施例１と同様にして樹脂充填材の調製を行った。
Ｃ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ樹脂からなる絶縁性基板６１の両面に１８μｍの銅箔６８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図２０（ａ）参照）。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路６４を形成した（図２０（ｂ）参照）。
【０１７２】
（２）下層導体回路６４を形成した基板６１を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路６４の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１７３】
（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付け、層間樹脂絶縁層６２を形成した（図２０（ｃ）参照）。
さらに、層間樹脂絶縁層６２を形成した基板６１に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔７９を形成した。
【０１７４】
（４）次に、層間樹脂絶縁層６２に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層６２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６６を形成した（図２０（ｄ）参照）。
【０１７５】
（５）次に、バイアホール用開口６６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、貫通孔７９の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層６２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１７６】
（６）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層６２の表面（バイアホール用開口６６の内壁面を含む）、および、貫通孔７９の壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１７７】
（７）次に、３４℃の無電解銅めっき水溶液中に基板を４０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層６２の表面（バイアホール用開口６６の内壁面を含む）、および、貫通孔７９の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層７２を形成した（図２０（ｅ）参照）。なお、無電解銅めっき水溶液としては、実施例１の（１０）の工程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用いた。
【０１７８】
（８）次に、薄膜導体層７２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト６３を設けた（図２１（ａ）参照）。
【０１７９】
（９）次いで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１２）の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト６３非形成部に、電解銅めっき膜７３を形成した（図２１（ｂ）参照）。
【０１８０】
（１０）さらに、めっきレジスト６３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト６３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素とを含むエッチング液を用いてエッチングし、スルーホール６９、および、導体回路６５（バイアホール６７を含む）とした。
【０１８１】
（１１）次に、スルーホール６９等を形成した基板をエッチング液に浸漬し、スルーホール６９、および、導体回路６５（バイアホール６７を含む）の表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【０１８２】
（１２）次に、上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例１の（３）の工程と同様の方法を用いて、調製後２４時間以内に、スルーホール６９内、および、層間樹脂絶縁層６２上の導体回路非形成部と導体回路６５の外縁部とに樹脂充填材の層を形成した。
【０１８３】
続いて、実施例１の（４）の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および導体回路６５の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が導体回路６５の表面と同一平面をなす樹脂充填材層７０を形成した（図２１（ｃ）参照）。
【０１８４】
（１３）次に、層間樹脂絶縁層６２の表面、および、樹脂充填材層７０の露出面に、上記（６）と同様の処理を行いてパラジウム触媒（図示せず）を付与した。次に、上記（７）と同様の条件で無電解めっき処理を施し、樹脂充填材層７０の露出面および導体回路６５の上面に薄膜導体層７２を形成した。
【０１８５】
（１４）次に、上記（８）と同様の方法を用いて、薄膜導体層６２上に、めっきレジスト６３を設けた（図２１（ｄ）参照）。
続いて、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例２の（１４）の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト６３非形成部に、電解銅めっき膜７３を形成した（図２２（ａ）参照）。
【０１８６】
（１５）次に、めっきレジスト７３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト７３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、蓋めっき層７１とした（図２２（ｂ）参照）。
（１６）次に、蓋めっき層７１の表面にエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を用いて粗化面（図示せず）を形成した。
【０１８７】
（１７）次に、上記（３）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６２、導体回路６５およびフィールドビア形状のバイアホール６７を形成した（図２２（ｃ）〜図２３（ｃ）参照）。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより蓋めっき層７１の直上にバイアホールを形成した。また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【０１８８】
（１８）次に、上記（３）〜（１１）の工程を２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６２、導体回路６５およびフィールドビア形状のバイアホール６７を形成した（図２４（ａ）〜図２５（ａ）参照）。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールの中心とその中心がほぼ重なるようにバイアホールを積み重ねた。
また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【０１８９】
（１９）さらに、再度、上記（３）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６２と薄膜導体層７２とを形成し、その後、薄膜導体層７２上にめっきレジスト６３を形成した（図２５（ｂ）参照）。
【０１９０】
（２０）次に、めっきレジスト６３の形成された基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに、硫酸で洗浄してから実施例１の（１６）の工程と同様の条件で電解めっきを施し、電解めっき層を形成した。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した。
【０１９１】
（２１）その後、上記（１０）の工程と同様にして、めっきレジスト６３の剥離除去、および、薄膜導体層７２のエッチングを行い、独立した導体回路６５と、その上面に凹部を有するバイアホール６７ａ（図２６（ａ）参照）とを形成した。さらに、上記（１１）の工程と同様にして導体回路６５およびバイアホール６７ａの表面に粗化面を形成した。
なお、この（１９）〜（２１）の一連の工程では、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールの中心からずらしてバイアホールを積み重ねた。なお、この工程で形成した最上段のバイアホール（４段目のバイアホール）の底面の外縁部と、その下段のバイアホール（３段目のバイアホール）の非ランド部分の外縁部との距離は、８μｍである。
【０１９２】
（２２）次に、実施例１の（１８）〜（２１）の工程と同様にして、半田バンプ７７を備えた多層プリント配線板を得た（図２６（ｂ）参照）。
なお、本実施例で作製した多層プリント配線板における層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、６０ｐｐｍ／℃である。
【０１９３】
（実施例５）
実施例３の（１５）の工程において、３段目のバイアホールの底面の外縁部と、その下段のバイアホール（２段目のバイアホール）の非ランド部分の外縁部との距離が２０μｍとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例３と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９４】
（実施例６）
実施例４の（２１）の工程において、最上段のバイアホール（４段目のバイアホール）の底面の外縁部と、その下段のバイアホール（３段目のバイアホール）の非ランド部分の外縁部との距離が４０μｍとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９５】
（実施例７）
実施例３の（１５）の工程において、３段目のバイアホールの底面の外縁部と、その下段のバイアホール（２段目のバイアホール）の非ランド部分の外縁部との距離が７０μｍとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例３と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９６】
（実施例８）
実施例３の（１５）の工程において、３段目のバイアホールの中心と、その下段のバイアホール（２段目のバイアホール）の中心との水平方向の距離が７０μｍとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例３と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９７】
（実施例９）
実施例４の（２１）の工程において、最上段のバイアホール（４段目のバイアホール）の中心と、その下段のバイアホール（３段目のバイアホール）の中心との水平方向の距離が７０μｍとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９８】
実施例１〜９で製造した多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験を行い、その前後における層間樹脂絶縁層およびバイアホールの形状観察、ならびに、導通試験を行った。
【０１９９】
評価方法
（１）ヒートサイクル試験
−６５℃で３分間および１３０℃で３分間放置するサイクルを１０００サイクル繰り返した。
【０２００】
（２）形状観察
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後に、その上面に凹部を有するバイアホールを通るように多層プリント配線板を切断し、その断面を倍率１００〜４００倍の光学顕微鏡を用いて観察した。
【０２０１】
（３）導通試験
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後にチェッカを用いて導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
【０２０２】
その結果、実施例１〜９の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験前後の断面の形状観察において最上段のバイアホールの周辺の層間樹脂絶縁層を含む全ての層間樹脂絶縁層で、クラックの発生や、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離の発生は観察されなかった。また、ヒートサイクル試験前後で、短絡や断線は発生しておらず、導通状態は良好であった。
【０２０３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層プリント配線板は、本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられ、この積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているため、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を緩和することができ、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがなく、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくく、信頼性に優れる。
また、本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士を積み重ねられているため、配線距離が短く、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上し、高密度配線に対応しやすい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層プリント配線板の一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
【図２】本発明の多層プリント配線板の別の一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２０】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１、２１、４１、６１  基板
２、２２、４２、６２  層間樹脂絶縁層
３、２３、４３、６３  めっきレジスト
４、２４、４４、６４  下層導体回路
５、２５、４５、６５  導体回路
６、２６、４６、６６  バイアホール用開口
７、２７、４７、６７  バイアホール
８、２８、４８、６８  銅箔
９、２９、４９、６９  スルーホール
１０、３０、５０、７０  樹脂充填材層
１２、３２、５２、７２  薄膜導体層
１３、３３、５３、７３  電解めっき膜
１４、３４、５４、７４  ソルダーレジスト層
１７、３７、５７、７７  半田バンプ
３１、７１  蓋めっき層
【図１】
0005191074.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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