(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド表面を濃度２０〜１００％の酸素及び１０−５００，０００ｐｐｍのオゾン雰囲気環境下で、波長１７２ｎｍもしくは１８４．９ｎｍ、および２５３．７ｎｍを含むＵＶ光を１０〜５，０００Ｊ／ｃｍ２の積算照射量で表面処理し、ダイヤモンド表面に酸素を吸着させた後、ダイヤモンド表面とショットキー接合する金属膜を形成することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
ＵＶ処理に先立って、ダイヤモンドを熱混酸により処理することを特徴とする請求項１に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
ダイヤモンドが、結晶構造（００１）、（１１１）、（１１０）およびそれぞれと等価な面から選ばれる結晶構造であることを特徴とする請求項１に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
ダイヤモンド表面が、ｐ型もしくはｎ型を形成することができる不純物を添加したダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項１に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
ｎ型を形成することができる不純物がリンであることを特徴とする請求項４に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
ｐ型を形成することができる不純物がホウ素であることを特徴とする請求項４に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
マイクロ波ＣＶＤ法により、エピタキシャルの前記ダイヤモンド薄膜を作成するに際して、ｎ型若しくはｐ型を形成することができる不純物を添加することを特徴とする請求項４に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
半導体ダイヤモンド層を挟んでショットキー電極が上面に、オーミック電極が下面にあり縦型構造を有するダイヤモンドショットキーバリアダイオードであって、表面酸素被覆率が５０％を超えるダイヤモンド半導体層であり、ショットキー障壁高さが２ｅＶ以上であることを特徴とするダイヤモンドショットキーバリアダイオード。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載したダイヤモンド半導体デバイスの製造方法により製造された、表面酸素被覆率が５０％を超えるダイヤモンド半導体層を備えることを特徴とするダイヤモンドショットキーバリアダイオード。
【請求項１０】
ショットキー電極として、Ｒｕ、Ｍｏ若しくはＰｔを用いることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載したダイヤモンドショットキーバリアダイオード。
【請求項１１】
請求項８ないし請求項１０に記載したダイヤモンドショットキーバリアダイオードを用いる定常状態のリーク電流が小さいことを特徴とするセンサー機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明のダイヤモンド表面処理方法及びそのダイヤモンド薄膜を用いたダイヤモンド半導体デバイスは、電子線照射、イオン注入、レーザ、X線、その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野のパワー半導体デバイスとして用いることが出来る。
本発明によるダイヤモンドパワー半導体デバイスは、高電圧を扱う機器の小型化および低消費電力化が実現でき、既存のシリコンやSiC、GaN系などのパワーデバイスに置き換わるばかりでなく、新たな高電圧を用いる産業分野への展開が期待される。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体素子では、SiCやGaNなど新たなワイドバンドギャップ材料を用いることによって、各種ダイオードやトランジスタの開発がおこなわれ、電子線照射、イオン注入、レーザ、X線その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野への応用が研究されている。ワイドバンドギャップの特徴を生かした、従来のシリコンパワー半導体デバイスでは実現が困難なデバイスとそれを用いた電力機器の実現が期待されている。このような応用の実現には、高電圧において大きな耐圧が得られることが必要不可欠である。そのために、材料的観点と構造的観点から研究・開発が進められている。
材料的観点からは、絶縁破壊電圧の高い材料が有望であり、4HSiC、6HSiCなどの炭化珪素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）やアルミニウム窒化ガリウム（AlGaN）などの窒化物及びそれらを組み合わせた材料系、ダイヤモンドやナノ結晶ダイヤモンド、カーボンナノチューブ（CNT）などの炭素系材料の探索や開発がおこなわれている。この中で、ダイヤモンドは、バンドギャップが5.5eVと広く、熱伝導性、絶縁破壊耐圧、耐熱性などに極めて優れた特性を有し、炭化珪素や窒化ガリウムに比べてさらに優れた材料であると示唆されており（非特許文献１参照）、材料特性を考慮してパワー半導体としての性能指数を比較した数値では、3倍以上の数値を示されている。【０００３】
ダイヤモンドのパワー半導体応用としては、デバイスの基本ともいうべきショットキーバリアダイオードの研究がなされているので、ここで例にとって述べる。
ダイヤモンドを高パワーにて極限環境下で長期動作させるためには、ダイオード逆方向電圧印加時のリーク電流の低減が必要である。実際のパワー半導体デバイス分野にて、高耐圧高電流素子を実現する場合には、電流を上下に流すことができるように、上部にショットキー電極を、下部にオーミック電極を設置した縦型構造が採用されることが多い。ダイヤモンドを用いたこの縦型デバイスについての開発もなされているが、まだ十分な特性は得られておらず、パワーデバイスとして重要な逆方向リーク電流は1×105A/cm2と大きい。また特にその原因や改善策については未だ検討されていない（非特許文献２）。
ダイオードの逆方向電流特性は一般に熱電界放出、電界誘起障壁低下による熱電界放出、熱励起電界放出、電界放出による（非特許文献3）が、ダイオード整流性（逆方向リークを低減する）を高めるための手法としては、1)金属接触層に高絶縁ダイヤモンドを利用する（特許文献１、特許文献２、特許文献３）、2)欠陥領域回避（特許文献４）、などの手法があった。
これらの手法では、酸素・フッ素プラズマによる曝露（特許文献5、特許文献6）や酸による表面酸化（特許文献7）により、主に酸素終端表面でショットキー接触を得ていたが、ショットキー障壁高さの制御は難しく、また2eV以上の高い障壁を再現性良く得ることも難しかった（非特許文献４−２８）。
【非特許文献１】IEEE ElectronDevice Letters, 25,298 (2004)
【非特許文献２】W.Huang et al,17th Int`l Symp.Power Semicond.Devices and IC`s, Proc.p319 (2005)
【非特許文献３】S.M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices” Wiley-Interscience, 1981.
【非特許文献４】Mead et al., Phys. Rev.134 (1964) A713.
【非特許文献５】Glover et al.,Solid State Electron. 16 (1973) 973.
【非特許文献６】Mead et al., Phys. Lett. 58A (1976) 249.
【非特許文献７】Himpsel et al., Solid State Commun. 36 (1980) 631.
【非特許文献８】Himpsel et al., J. Vac. Sci. Tech. 17 (1980) 1085.
【非特許文献９】Geis et al., IEEE EDL, 8 (1987) 341.
【非特許文献１０】Hicks et al., J. Appl. Phys. 65 (1989) 2139.
【非特許文献１１】Shiomi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 758.
【非特許文献１２】Hicks et al., J. Appl. Phys. 65 (1989) 2139.
【非特許文献１３】Grot et al., J. Mater. Res. 5 (1990) 2497.
【非特許文献１４】Weide et al., J. Vac. Sci. Tech.B 10 (1992) 1940.
【非特許文献１５】Tachibana et al., Phys. Rev. B 45 (1992) 11975.
【非特許文献１６】Ebert et al., IEEE EDL, 15 (1994) 289.
【非特許文献１７】Kiyota et al. Appl.Phys. Lett. 67 (1995) 3596.
【非特許文献１８】Vescanet al., Diam. Relat. Mater. 4 (1995) 661.
【非特許文献１９】Ebertet al., Diam. Relat. Mater. 6(1997) 329.
【非特許文献２０】Vescan et al., Diam. Relat. Mater. 7 (1998) 581.
【非特許文献２１】Yamanaka et al., J. Appl. Phys. 84 (1998) 6095.
【非特許文献２２】Yamanaka et al., Diam. Relat. Mater. 9 (2000) 956.
【非特許文献２３】Chen et al., Appl. Phys. Lett. 16 (2003) 4367.
【非特許文献２４】Chen et al., Diam. Relat. Mater. 12 (2003) 1340.
【非特許文献２５】Aleksov et al., Semicond. Sci. Tech. 18 (2003) S59.
【非特許文献２６】Butler et al., Semicond. Sci. Tech. 18 (2003) S67.
【非特許文献２７】積算照射量Craciun et al., Diam. Relat. Mater. 13 (2004) 292.
【非特許文献２８】Chen et al., J. Vac. Sci. Tech.B 22 (2004) 2084.
【特許文献１】特開平03-120865
【特許文献２】特開平03-278474
【特許文献３】特開平04-302172
【特許文献４】特開平04-188766
【特許文献５】特開平4-26161
【特許文献６】特開平5-24990
【特許文献７】特開平5-24990
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ダイヤモンドをパワー半導体デバイスに応用することは、理論特性からは期待されているものの、実際には耐圧が低く、逆方向リーク電流も大きいことがわかっているが、これを改善するための方策はまだわかっていない。SiCなど従来検討されているワイドバンドギャップ材料で可能な特性には遠く至っておらず、また作製した素子の特性均一性、特にショットキー障壁高さが表面酸化処理時間や処理温度などに依存して不安定であったという課題があった。
本発明者は、これまでの知見とは異なる立場で、ダイヤモンドの表面処理手法と金属−ダイヤモンド界面で形成されるショットキー障壁高さを検討した結果、
その改善のための特性を有するダイヤモンドの構造を得る方法及びそのダイヤモンド薄膜を用いたデバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らはこれらの課題に対して鋭意検討を行い、酸素雰囲気において室温、もしくは基板加熱状態でUV照射を行うことや、オゾン雰囲気に基板を曝すことによりショットキー障壁高さが2eV以上で安定することを突き止め、逆方向リーク電流を極力小さくすることの可能な構造のダイヤモンドを用いたダイヤモンドパワー半導体デバイスを発明するに至った。
すなわち、本発明は、
ダイヤモンド表面を濃度20〜100%の酸素もしくは10-500,000ppmのオゾン雰囲気環境下で、波長172nmもしくは184.9nm、および253.7nmを含むUV光を10〜5,000J/cm2の積算照射量で表面処理し、ダイヤモンド表面に酸素を吸着させること特徴とするダイヤモンド表面処理方法である。
また、本発明においては、上記UV処理に先立って、ダイヤモンドを熱混酸により処理することができる。
さらに、本発明においては、ダイヤモンドを、結晶構造（００１）、（１１１）、（１１０）面およびこれらと等価な面から選ばれる結晶構造のダイヤモンドとすることができる。
また、本発明においては、半導体ダイヤモンドを、ｐ型もしくはn型を形成することができる不純物を添加したダイヤモンド薄膜とすることができる。
さらに、本発明においては、n型を形成することができる不純物をリンとすることができる。
また、本発明においては、ｐ型を形成することができる不純物をホウ素とすることができる。
また、さらに、本発明においては、マイクロ波CVD法により、エピタキシャルダイヤモンド薄膜を作成するに際して、n型若しくはｐ型を形成することができる不純物を添加するすることができる。【０００６】
さらにまた、本発明は、半導体ダイヤモンド層を挟んでショットキー電極が上面に、オーミック電極が下面にあり縦型構造を有することを特徴とするダイヤモンドショットーバリアダイオードにおいて、ダイヤモンド半導体層が上記のいずれかひとつに記載したダイヤモンド表面処理方法により得たダイヤモンド半導体層であるダイヤモンドショットーバリアダイオードである。
また、本発明は、基板、半導体、ｐ型用電極、ｎ型用電極を有するパワー半導体デバイスの中で、ｐ及びｎ電極が上面および下面に分かれて配置されている縦型構造を有するダイヤモンドｐiｎダイオードにおいて、ダイヤモンド半導体層が上記のいずれかひとつに記載したダイヤモンド表面処理方法により得たダイヤモンド半導体層であるｐiｎダイオードである。
さらにまた、本発明は、基板、ｐ半導体、ｎ半導体、ゲート電極、ゲート絶縁膜からなり、ｐ型もしくはn型の半導体をドリフト層として利用する縦型構造を有するMOSトランジスタにおいて、ｐ半導体、ｎ半導体が上記のいずれかひとつに記載したダイヤモンド表面処理方法により得たダイヤモンド半導体層であるMOSトランジスタである。
さらに、本発明は、パワー半導体デバイスの中で、ｐ型とn型の半導体を４層に積層した縦型構造を有するダイヤモンドサイリスタとすることができる。
なお、本発明は、一般にパワーデバイスで用いられる縦型構造以外に、上記各種デバイスの横型構造デバイスへの適応も可能である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のダイヤモンドパワー半導体素子では、各種ダイオードやトランジスタ、サイリスタなどデバイスの逆方向リーク電流を低く抑制し、さらに不揃いであったダイオード特性（特にオン電圧）を安定化することが可能であり、各種パワー半導体回路に用いることで高い逆方向電圧に耐えることが可能である。より具体的用途としては、電子線照射、イオン注入、レーザ、X線その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野への利用が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１ａ】酸化処理の差（熱混酸処理およびUV照射オゾン処理）によるダイオード特性の変化
【図１ｂ】酸化処理の差（熱混酸処理およびUV照射オゾン処理）によるダイオード特性の変化（対数表示）
【図２】酸化処理の差によるショットキー障壁の差
【図３】ショットキーバリアダイオードの障壁高さのばらつき（含む非特許論文例）
【図４】処理方法とXPS酸素ピーク強度
【図５】UVオゾン処理およびUVオゾン処理後に熱混酸洗浄を行った素子の特性
【図６ａ】UVオゾン処理およびオゾン処理によるMoショットキー特性（低電圧特性）
【図６ｂ】UVオゾン処理およびオゾン処理によるMoショットキー特性（逆方向電界特性）
【図７ａ】UVオゾン処理後のRuショットキー特性（低電圧特性）
【図７ｂ】UVオゾン処理後のRuショットキー特性（逆方向電界特性）
【図８】UVオゾン処理後のAl、Ti、Mo、Ptショットキー素子の逆方向電界特性
【図９】ショットキー障壁高さと使用（限界）電圧（1μA/cm2を閾値とする）
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明における酸素もしくはオゾン雰囲気環境下とは、濃度20〜100%の酸素もしくは10-500,000ppmのオゾン雰囲気環境であり、本発明におけるUV処理とは、172nmもしくは184.9nm、および253.7nmを含むUV光線でダイヤモンド表面を照射するすることを言う。照射時間は、波長及び強度により、異なるが通常３〜１８時間であり、積算照射量は通常10〜5,000J/cm2である。
本発明において、ダイヤモンド表面に酸素を吸着させとは、化学的ないし物理的にダイヤモンド表面に残存する酸素をいう。
本発明で用いる波長紫外線（UV）は、172nmもしくは184.9nm、および253.7nmを含むものを用いる。波長172nmもしくは184.9nmのUVは、オゾンを作り出し、波長253.7nmのUVは、オゾンを破壊する作用を有する。
また、本発明で云う熱混酸とは、温度５０℃以上の混酸をいい、混酸とは、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸を混合したものをいい、硝酸と塩酸の混合物が好適に用いられる。
本発明で用いるダイヤモンド、とくにダイヤモンド薄膜としては、結晶構造（００１）、（１１１）、（１１０）およびそれぞれと等価な面から選ばれるものを用いることが出来る。
本発明のダイヤモンドショットーバリアダイオードの基本構造は、ｐ型およびp+型半導体層、n型およびn+型半導体層、オーミック電極、ショットキー電極、保護膜からなるものを云う。
また、本発明のｐiｎダイオードの基本構造は、低不純物濃度ダイヤモンド層、ｐ型およびp+型半導体層、n型およびn+型半導体層、オーミック電極、保護膜からなるものを云う。
また、本発明のMOSトランジスタの基本構造は、ｐ型およびp+型半導体層、n型およびn+型半導体層、オーミック電極、ゲート金属、ゲート絶縁膜、保護膜とからなるものを云う。
本発明のダイヤモンドパワー半導体デバイスを実現するための製造方法は、ショットキー電極形成前に、ダイヤモンド表面に本処理を行うことにある。本発明のパワー半導体デバイスの種類としては、ショットキー電極が上面、オーミック電極が下面にあり縦型構造を有するダイヤモンドショットーバリアダイオードが例として挙げられる。またダイオードとして、ｐ及びｎ電極が上面および下面に分かれて配置されている縦型構造を有するｐiｎダイオードが挙げられる。さらには、縦型構造を有するｐ型もしくはn型のMOSトランジスタ、ｐ型とn型の半導体を４層に積層したサイリスタなどが挙げられる。
【実施例１】
【００１０】
（ショットキーバリアダイオードの製造）
試料としては、高濃度ホウ素添加ダイヤモンド単結晶の上に、マイクロ波CVD法反応槽内の炭素に対するホウ素の濃度が100-10ppmおよび1ppm以下で1μm形成した低濃度ホウ素添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜を用いた。アクセプタ濃度は1.5×1015〜9×1016/cm3であった。硝酸と塩酸との熱混酸による基板洗浄後に基板裏面の高濃度ホウ素添加ダイヤモンド側にTi/Pt/Auオーミック電極形成し、合金化アニールを実施した。次に酸素５０％窒素５０％の酸素雰囲気環境下で波長172nmもしくは184.9nm、および253.7nmを含むUVを照射し、UVにより形成される500〜1000ppmオゾンによりUVオゾン同時処理を3.7mW/cm2の紫外線強度にて18時間（積算照射量240J/cm2）程度行った。続いて基板上面の低濃度ホウ素添加ダイヤモンド薄膜側に、30-200μmのショットキー電極をPｔで形成した。このデバイスを測定したところ、順方向立ち上がり電圧は2.3V、逆方向電流は1×10-8A/cm2以下であり、極めて少ないリーク電流であった（図１b参照）。また、複数の基板上に同様のデバイス試作を行いその特性のばらつきを評価したが、障壁高さは逆方向飽和電流から求められるショットキー障壁高さはすべての基板で2.45±0.15eVとなった。【００１１】
（比較例1）
比較検討のため、実施例と同様に、ショットキーバリアダイオードを例に取り上げた。試料としては、高濃度ホウ素添加ダイヤモンド単結晶の上に、マイクロ波CVD法反応槽内の炭素に対するホウ素の濃度が100-10ppmおよび1ppm以下で1μm形成した低濃度ホウ素添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜を用いた。アクセプタ濃度は1.5×1015〜9×1016/cm3であった。熱混酸等による基板洗浄後に基板裏面の高濃度ホウ素添加ダイヤモンド側にTi/Pt/Auオーミック電極形成し、合金化アニールを実施した。続いて基板上面の低濃度ホウ素添加ダイヤモンド薄膜側に、30-200μmのショットキー電極をPｔで形成した。このデバイスを測定したところ、基板により順方向立ち上がり電圧（およびショットキー障壁高さ）は0.7-2.2Vのばらつきを見せた（図1a、図2参照）。この障壁高さは従来技術で報告されている非特許文献4-28などに記載のものと同程度（0.2-2.5）の大きなばらつきとなっている（図３参照）。
【実施例２】
【００１２】
（１）表面酸素量の定量化
UV オゾン処理を行った基板にXPS 測定を行って表面に吸着する酸素原子量を評価した。測定では炭素、酸素、珪素によるピークが見られた。それぞれのピークの面積比および測定感度係数、およびC1s 光電子の平均自由行程から被服率の評価を行った。図４ が各種処理によるO1s ピーク面積のC1s ピーク面積に対する比である。なお、本装置ではO1s/C1s 比で0.2 程度が基板表面へ酸素吸着量50%程度に該当。この結果から、熱混酸処理による酸化処理ではO1s/C1s 比が0.1-0.2 程度のところにあるが、UV オゾン処理時間の増加に伴い表面吸着酸素濃度が増加しており、表面被服率50%を超える酸素被服が可能であることがわかった。この基板を（イ）純水煮沸処理、（ロ）H2SO4+HNO3（熱混酸）処理、（ハ）フッ硝酸処理、を行ったところ（イ）純水煮沸処理では酸素ピーク強度の大きな変化は見られなかった。これに対して、（ロ）、（ハ）の酸処理では酸素ピークが大きく減少し、通常の表面酸化処理として実施される熱混酸処理と同じレベルとなった。また、オゾンジェネレータを用いたオゾン処理（チャンバ内オゾン濃度2g/m3）だけを行った場合にも熱混酸処理のみと比較して高い酸素被服率が得られているが、UV オゾン処理と比べると酸素被服率は10〜20%程度少ない。
UV オゾン処理後に酸洗浄を行い、酸素被服率を低下させた基板のSBD特性を図４に示す。UV オゾン処理後に熱混酸処理を行わなければ、Pt に対して2.2eV のSBH があったが、熱混酸処理を行った場合、1.57eV へと減少し通常の酸素終端ダイヤモンドSBD と同等となっている。
【実施例３】
【００１３】
（Mo における例）
Mo をショットキー電極に用いた素子のUV オゾン処理とオゾン処理が、それぞれ電気特性に与える比較を図６a に示す。オゾン処理時間の増加に伴いショットキー障壁高さ(SBH)が増加しており、Mo における非オゾン処理のSBH が1〜1.2eV 程度であるのに対して、3 時間、6時間のオゾン処理でそれぞれ1.2、1.4eV であった。これに対して、UV オゾン処理ではさらに高いSBH を示しており、2.5eV となっている。
図６b はオゾン処理3、6 時間およびUV オゾン処理を行った素子の逆方向特性を示している。高いSBH が得られる素子では高い電圧でもリーク電流が減少する効果が得られているため、オゾン処理と比較して、UV オゾン処理を行った素子では低いリーク電流に抑えられている。
【実施例４】
【００１４】
（Ru における例）
Ru をショットキー電極に用いた素子のUV オゾン処理後の電気特性を図７a および図７b に示す。a は順方向特性であり、b は逆方向リーク特性である。UV オゾン処理により、2MV/cmの電界においてもリーク電流は見られていない。
比較のために、ショットキー金属による差を図８に示す。
図８ は12 時間のUV オゾン処理を行った基板でのAl、Ti、Mo、Pt を用いたSBD の逆方向電界に対するリーク電流特性である。Pt では1.8MV/cm までリーク電流は観測されなかったが、Mo、Ti、Al では逆方向リーク電流の立ち上がりが見られた。
1μA/cm2 を閾値として使用(限界)電圧とした場合に、使用電圧とSBH との関係を示したものが図９ である。
図９ に見られるようにSBH が高い場合には使用電圧が高くなる。高い電圧でも低リークが得られるSBH > 2eV を安定して得られるショットキー電極材料はMo、Ru およびPt であり、これらのショットキー金属では逆方向リーク電流を低く抑えられる。
【産業上の利用可能性】
【００１５】
本発明のダイヤモンドパワー半導体素子では、各種ダイオードやトランジスタ、サイリスタなどデバイスの逆方向リーク電流を低く抑制することが可能であり、各種パワー半導体回路に用いることで高い逆方向電圧に耐えることが可能である。より具体的用途としては、電子線照射、イオン注入、レーザ、X線その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野への利用が実現できる。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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