(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金が、表層の加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下となされ（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきが施され、前記めっき表面に発生した突起状の異常析出箇所の単位面積あたりの個数が５個／ｍｍ２以下であることを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料。
【請求項２】
Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金が、非酸化性雰囲気中または還元性雰囲気中における温度５６５〜６００℃の熱処理により表層の加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下となされ（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきが施され、前記めっき表面に発生した突起状の異常析出箇所の単位面積あたりの個数が５個／ｍｍ２以下であることを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子機器用析出型銅合金材料を用いたことを特徴とする電子機器用部材。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の電子機器用析出型銅合金材料を用いたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金を、加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下になるように（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、表層の加工変質層を非酸化性雰囲気中または還元性雰囲気中で５６５〜６００℃の温度で熱処理して前記表層の結晶性を回復させ、その後前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきを施すことを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっきの施された析出型銅合金材料及びその製造方法に関し、特に半導体リードフレーム、端子、コネクタ等の電子機器用部材に適した電子機器用析出型銅合金材料及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に使用される銅合金は機能性を付与するために各種のめっきが施されており、例えばリードフレーム用に用いられる場合にはワイヤボンディングのための銀めっきやその下地となる銅めっき、基板実装のための半田めっきなどが施される。
また、近年ではエッチングやプレスによりリード加工した後にあらかじめリードフレーム全面にめっきを施すめっきリードフレームも使用されており、この場合にはパラジウムめっきやその下地となるニッケルめっきが施される。
【０００３】
近年、電子機器に用いられる電子部品のさらなる高集積化や小型化・薄型化が要求されており、これに対応してリードフレーム、端子、コネクタにおいては多ピン化や狭ピッチ化が進んでいる。また、環境問題の観点から基板実装の際に使用する半田の鉛フリー化が要求されているが、多くの鉛フリー半田の場合には基板実装時の半田付け温度が上昇している。
【０００４】
狭ピッチ化に伴い、リードフレームの製造工程において、銀めっきを施すとめっきの異常析出が起こり突起状に成長してワイヤボンディングの接合強度の低下や、隣接するリード間でのショートが発生するという問題を生じることがある。
【０００５】
また、銀めっきを施さない部分では下地の銅めっきが露出し、パッケージング工程で加熱されてリードフレーム表面に酸化膜が形成される。ここでも、銅めっきの異常、例えばポーラス状の析出が起こるとリードフレーム表面に密着性の劣る酸化膜が形成され、モールド樹脂とリードフレームの密着性が低下して、基板へのはんだ付けを行うとき、リフロー炉内でパッケージクラックが発生するという問題点がある。
【０００６】
これらの問題点に対して、めっきの異常析出の起点となる銅合金中の析出物の数を一定値以下に制限する方法（特許文献１）や添加元素または不純物元素の含有量を一定値以下に制限する方法（特許文献２、３）などが提案されている。しかしながら、これらの方法は特定の合金組成の銅合金には効果的であるもののその他の銅合金へは適用できず、銅合金全般に適用できる方法は見出されていなかった。
【０００７】
本発明者等がめっき時またはめっき後に発生する前記問題点について鋭意検討した結果、鋳造、熱間圧延、冷間圧延、バフ研磨処理、焼鈍などの工程を適宜組み合わせる一般的な工程で製造された電子機器用析出型銅合金の表層には非晶質組織のベイルビー層（上層）と、極微細な結晶集合組織の微細結晶層（下層）からなる加工変質層が存在しており、この加工変質層の上にめっきが施された場合に前記問題点の原因となるめっきの異常析出が起こることを知見し、さらに検討を進めて本発明を完成させるに至った。
【０００８】
なお、これまでに金属材料表面に存在する加工変質層の影響を改善する方法（特許文献４、５、６）が提案されているものの、これらはめっき層の密着性やはんだ濡れ性についての改善を対象としており、めっきの異常析出（例えば突起状析出、ポーラス状析出）と加工変質層の厚みとの関連を見い出したことに基づく本発明とは本質的に異なるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−４９３６９号公報
【特許文献２】特開平１０−１０２１６６号公報
【特許文献３】特開平８−３１９５２８号公報
【特許文献４】特開平２−１００３５５号公報
【特許文献５】特開平１０−２６５９７３号公報
【特許文献６】特開平１１−２９８９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、めっきの異常析出や酸化膜密着性の低下を生じない、電子機器用析出型銅合金材料の提供を目的とする。また、本発明は、このような銅合金材料の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
銅合金は一般的に鋳造、熱間圧延、冷間圧延、バフ研磨処理、焼鈍などの工程を適宜組み合わせて製造されており、その過程において様々な塑性加工を受ける。前記塑性加工の結果、銅合金材の表層には銅合金内部よりも微細な結晶組織を呈する加工変質層と塑性変形層とが形成される。
本明細書及び請求の範囲において、「加工変質層」とは、前記様々な塑性加工の結果、銅合金の表層に生じる、ベイルビー層（上層）と微細結晶層（下層）とからなる不均一で微細な結晶組織（例えば、非晶質〜結晶粒径０．２μｍ未満）をいう。前記ベイルビー層は非晶質組織からなり、前記微細結晶層は極微細な結晶集合組織からなる。前記塑性変形層は結晶粒が微細結晶層より粗大であり（例えば、結晶粒径０．２〜３．０μｍ程度）、下部にいくに従い次第に銅合金内部の結晶粒の大きさ（例えば、結晶粒径３．０μｍ〜１０．０μｍ程度）に近づいていく結晶集合組織からなる。
【００１２】
銅合金の表層に前記加工変質層のように不均一で微細な結晶組織がある場合には、めっき初期段階において生成した核の中から優先的に核成長が進み突起状となることや、表層での均一な核生成が起こりにくいためにめっき皮膜がポーラス状となることなどの異常析出が起こりやすいことを見出した。本発明はこれら知見に基づきなされるに至ったものである。
【００１３】
すなわち、本発明は、
（１）Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金が、表層の加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下となされ（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきが施され、前記めっき表面に発生した突起状の異常析出箇所の単位面積あたりの個数が５個／ｍｍ２以下であることを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料、
（２）Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金が、非酸化性雰囲気中または還元性雰囲気中における温度５６５〜６００℃の熱処理により表層の加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下となされ（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきが施され、前記めっき表面に発生した突起状の異常析出箇所の単位面積あたりの個数が５個／ｍｍ２以下であることを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料、
（３）（１）または（２）に記載の電子機器用析出型銅合金材料を用いたことを特徴とする電子機器用部材、
（４）（１）または（２）に記載の電子機器用析出型銅合金材料を用いたことを特徴とするリードフレーム、及び
（５）Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する、上記組成の銅合金を、加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下になるように（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、表層の加工変質層を非酸化性雰囲気中または還元性雰囲気中で５６５〜６００℃の温度で熱処理して前記表層の結晶性を回復させ、その後前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきを施すことを特徴とする電子機器用析出型銅合金材料の製造方法
を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子機器用析出型銅合金材料は、銅合金の表層に存在する不均一で微細な加工変質層を除去してその厚さを０．２μｍ以下に抑え、その上にめっきを施すことにより異常析出が防止され、銀めっきや酸化膜密着性に影響を及ぼす銅めっきが良好に施されている。
【００１５】
本発明は銅合金の表層に存在する加工変質層を０．２μｍ以下にすることによりめっき性を良好にしたものであり、合金組成や質別の異なる様々な種類の銅合金に対してその効果が発現される。また、銀めっきや銅めっき以外にも、半田めっきやニッケルめっきなどについても同様にめっきの異常析出を防止して優れためっき性を得ることができる。
【００１６】
本発明の電子機器用析出型銅合金材料を用いたリードフレーム、端子、コネクタは、その製造工程においてめっき性に起因する不具合が発生せぬため歩留まりがよく、またパッケージング工程や基板実装工程、さらにはそれ以降の使用段階において高い信頼性をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、ＳＩＭ観察による銅合金の断面図写真である。
【図２】図２は、加工変質層１及び塑性変形層２からなる銅合金の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の析出型銅合金材料において、めっき異常析出を防止して優れためっき性を得るためにはめっき析出の際の結晶性に影響を及ぼさない程度に加工変質層の厚さを薄くしておくことが必要であり、その厚さを０．２μｍ以下とすることが好ましい。特に高信頼性が要求される用途においては、加工変質層の厚さを０．０５μｍ以下とすることがより好ましい。
【００１９】
本発明の析出型銅合金材料における銀めっき、銅めっきに代えて半田めっきないしはスズめっき、ニッケルめっきなどを適用することができるが、特にリードフレーム、端子、コネクタ等用銅合金に施される銀めっき又は銅めっきの適用が好ましい。
【００２０】
前記銅合金としてはＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｃｒ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系などの析出型銅合金を用いうるが、特にリード間隔が狭小な多ピン用リードフレームに用いられるＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を用いるのが好適である。
【００２１】
前記Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系銅合金は、リードフレームとして良好な強度及び導電性を得るために化学成分組成が下記範囲であることが好ましい。Ｃｒは銅中で析出を起こして銅合金の強度を高める添加元素である。０．０５質量％より小さいとその効果が少なく、０．５質量％より大きいとその効果が飽和してしまうため、０．０５〜０．５質量％の範囲が好ましい。０．１〜０．４５質量％がより好ましく、０．２〜０．４質量％がさらに好ましい。
スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）は銅中に固溶する添加元素であり、固溶強化及びその後の冷間加工において強度を著しく高める効果がある。０．０５質量％より少ないとその効果が少なく、添加量が多いと導電性を損なう。電子機器に好ましい導電性を確保するために、Ｓｎ量は、０．０５〜２．０質量％とするのが好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましく、０．２〜０．４質量％がさらに好ましい。また、同様な観点から、Ｚｎ量は、０．０５〜１．０質量％が好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましく、０．１５〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
【００２２】
さらに強度向上のためケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）を一方又は両方を添加してもよい。ＳｉはＣｒとＣｒ−Ｓｉ析出物を形成し、クロム（Ｃｒ）とＣｒ−Ｓｉの複合析出により銅合金の強度を高める添加元素である。０．０１質量％以下ではその効果が少なく、０．５質量％以上では導電性を損なうため、０．０１〜０．５質量％とするのが好ましい。０．０５〜０．４質量％がより好ましく、０．１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
Ｚｒは銅中で析出を起こして銅合金の強度を高める添加元素である。０．０１質量％以下ではその効果が少なく、０．５質量％以上ではその効果が飽和してしまうため、０．０１〜０．５質量％とすることが好ましい。０．０５〜０．４質量％がより好ましく、０．１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
【００２３】
前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金は、リードフレームとして良好な強度及び導電性を得るために化学成分組成が下記範囲であることが望ましい。ＮｉとＳｉは添加比を制御することによりＮｉ−Ｓｉ析出物を形成させて析出強化を行い、銅合金の強度を高める添加元素である。Ｎｉ量が１．０質量％以下では十分な析出強化が得られず、５．０質量％以上では導電性を損なう。好ましくは２．０〜４．５質量％、より好ましくは２．０〜４．０質量％、さらに好ましくは２．５〜４．０質量％である。Ｓｉ量はＮｉ添加量の約１／５の時に最も強化量が大きくなることから、０．２５〜１．０質量％が好ましく、２．０〜４．５質量％がより好ましく、０．４〜０．９質量％がさらに好ましく、０．４〜０．８質量％がさらに好ましく、０．５〜０．８質量％とするのが最も好ましい。
【００２４】
さらに特性向上のためＭｇ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｚｎを添加してもよい。
マグネシウム（Ｍｇ）は銅中に固溶または析出を起こして銅合金の強度を高める添加元素である。０．０５質量％ではその効果が少なく、０．３質量％以上では鋳塊の熱間加工性を低下させる。好ましくは０．１〜０．２質量％、より好ましくは０．１３〜０．１７質量％が最適である。
銀（Ａｇ）は銅中に固溶し銅合金の強度を高める添加元素である。０．００５質量％以下ではその効果が少なく、０．２質量％以上ではその効果が飽和してコスト高になってしまう。好ましくは０．０１〜０．１質量％、より好ましくは０．０２〜０．０５質量％とする。
マンガン（Ｍｎ）は鋳塊の熱間加工性を良好にする添加元素である。０．００５質量％以下ではその効果が少なく、０．２質量％以上では導電性を損なう。好ましくは０．０１〜０．１５質量％、より好ましくは０．０７〜０．１２質量％とする。
Ｓｎ、Ｚｎは銅中に固溶する元素であり、固溶強化及びその後の冷間加工において強度を著しく高める効果がある。０．０１質量％以下ではその効果が少なく、添加量が多いと銅合金の導電性を損なう。電子機器に望ましい導電性を確保するために、Ｓｎ量は、０．０５〜２．０質量％が好ましく、０．０５〜１．０質量％がより好ましく、０．１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。また、同様な観点から、Ｚｎ量は、０．０５〜１．０質量％が好ましく、０．１〜０．７質量％がより好ましい。
【００２５】
本発明において、前記銅合金の加工変質層を厚さ０．２μｍ以下にする方法としては、非酸化性雰囲気で５００〜６００℃の熱処理を施して非晶質や微細な結晶組織の結晶性を回復させて塑性変形層または銅合金内部の結晶組織と同様の組織とする方法も同様に適用することができる。
【００２６】
前記熱処理としては、還元性雰囲気または不活性雰囲気の加熱炉中における温度５００〜６００℃の加熱処理を用いる。また、加熱温度と加熱時間を適宜組み合わせることにより焼鈍炉でのバッチ式加熱や走間焼鈍炉での走間加熱などを適用できる。加工変質層の除去処理中における表層の酸化を防止するには水素などの還元性雰囲気中での加熱が望ましく、熱処理中の酸素濃度の安定性面からはベル型炉などでのバッチ式加熱が好適である。
【００２７】
本発明において、前記銅合金の加工変質層の観察は板厚方向の断面において銅合金の表層部を拡大観察することにより行う。組織観察は、組織を明確に識別するために、電子顕微鏡を用いて１００００倍程度に拡大して行うことが望ましく、ＳＩＭやＦＥ−ＳＥＭなどの観察装置を用いることが特に好適である。また、断面加工においては加工変質層を形成しない方法が望ましく、ＦＩＢなどの装置を用いることが特に好適である。
【００２８】
図１及び２を用いて銅合金の断面構造について説明する。
図１は、ＳＩＭ観察による銅合金の断面図写真である。
図２は、加工変質層１及び塑性変形層２からなる銅合金の断面図である。
図２から明らかなように、前記加工変質層１はベイルビー層３（上層）と微細結晶層４（下層）とからなり、前記ベイルビー層３は非晶質組織からなり、前記微細結晶層４は極微細な結晶集合組織からなる。加工変質層１の更に下部に存在する塑性変形層２は結晶粒が微細結晶層より粗大であり、図１に示すように加工変質層１（破線で囲まれる部分）は塑性変形層２と結晶組織が明瞭に異なるため、両者は容易に識別することができる。
【００２９】
加工変質層は加工の程度により形成量が変化するため、顕微鏡観察による拡大観察を行った視野内あるいは複数の観察箇所の比較においてその厚さが変化する場合がある。そこで、拡大観察の視野内において加工変質層が最も厚い位置の厚さを計測し、５ヶ所の観察箇所における計測値の平均を加工変質層の厚さと定義した。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明を実施例に基づき、参考例、比較例を示してより詳細に説明する。
【００３１】
（実施例１）
表１に示す化学成分組成の銅合金を鋳造、圧延、バフ研磨処理、焼鈍を行い厚さ０．１５ｍｍの銅合金板を作製した。これらの銅合金板に脱脂処理および酸洗処理を施した後に、化学溶解により加工変質層の除去処理を施した材料に対して銀めっきを行い、銀めっき性を評価した。
【００３２】
【表１】
0005170895.tif 000002
【００３３】
前記脱脂処理は、クリーナー１６０Ｓ（メルテックス社製）を６０ｇ／ｌ含む脱脂液中において、液温６０℃で電流密度２．５Ａ／ｄｍ２の条件で３０秒間カソード電解して行った。また、前記酸洗処理は、硫酸を１００ｇ／ｌ含む酸洗液中に室温で３０秒間浸漬して行った。
【００３４】
前記加工変質層の除去処理は、硫酸を１００ｇ／ｌ、過酸化水素を１５ｇ／ｌ含む水溶液中に室温で浸漬して行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、本発明例においては０．０２、０．０５、０．１、０．２μｍの５通りとし、比較例としては０．３μｍとした。
【００３５】
前記銀めっきは、シアン化銀カリウムを５５ｇ／ｌ、シアン化カリウムを７５ｇ／ｌ、水酸化カリウムを１０ｇ／ｌ、炭酸カリウムを２５ｇ／ｌ含む銀めっき液中において、室温で電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件でめっき厚が３μｍとなるように行った。
【００３６】
前記銀めっき性は、銀めっき表面をマイクロスコープ（キーエンス社製）を用いて４５０倍に拡大観察して銀めっき表面に発生した突起状の異常析出箇所の個数をカウントし、単位面積あたりの個数が５個／ｍｍ２以下の場合を◎、５個／ｍｍ２を超え１０個／ｍｍ２以下の場合を○、１０個／ｍｍ２より多い場合を×として評価した。
参考例１の評価結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
0005170895.tif 000003
【００３８】
（実施例２）
加工変質層の除去方法に熱処理を用いた他は、実施例１と同じ方法により銀めっきを行い、銀めっき性の評価を行った。
【００３９】
前記加工変質層の除去処理は、水素還元雰囲気の加熱炉において２時間の熱処理により行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、０、０．０２、０．０５、０．１、０．２μｍの５通りとし、比較例としては０．３μｍとした。
なお、加工変質層の厚さが０．４μｍの元材に対して、加工変質層の厚さを０、０．０２、０．０５、０．１、０．２、０．３μｍとするための熱処理温度を、それぞれ６００、５８５、５６５、５４０、５００、４５０℃とした。
実施例２の評価結果を表３に示す。
【００４０】
【表３】
0005170895.tif 000004
【００４１】
表２、表３から明らかなように、本発明例においては、いずれも銀めっきで発生する突起状の異常析出の個数が少なく、加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下と薄いものでは異常析出の発生数が非常に少なく銀めっき性が特に優れた。
これに対して、比較例では銅合金表層の不均一で微細な加工変質層が０．２μｍ以下に薄くできずに残っていたため、前記加工変質層に起因した異常析出は起こり銀めっき性が低下した。
【００４２】
（実施例３）
加工変質層の除去方法に熱処理を用いた他は、実施例１と同じ方法により銅めっきを行い、銅めっき性の評価を行った。
【００４３】
前記加工変質層の除去処理は、水素還元雰囲気の加熱炉中において２時間の熱処理により行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、０、０．０２、０．０５、０．１、０．２μｍの５通りとし、比較例としては０．３μｍとした。
なお、加工変質層の厚さが０．４μｍの元材に対して、加工変質層の厚さを０、０．０２、０．０５、０．１、０．２、０．３μｍとするための熱処理温度を、それぞれ６００、５８５、５６５、５４０、５００、４５０℃とした。
実施例３の評価結果を表４に示す。
【００４４】
【表４】
0005170895.tif 000005
【００４５】
表３、表４から明らかなように、本発明例においては、いずれも銅めっき後での酸化膜剥離面積が少なく、加工変質層の厚さが０．０５μｍ以下と薄いものでは酸化膜剥離面積が非常に少なく銅めっき性が特に優れた。
これに対して、比較例では銅合金表層の不均一で微細な加工変質層が０．２μｍ以下に薄くできずに残っていたため、前記加工変質層に起因した異常析出が起こり、銅めっき性が低下した。
【符号の説明】
【００４６】
１  加工変質層
２  塑性変形層
【図２】
0005170895.tif 000006
【図１】
0005170895.tif 000007