(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収容してプラズマ処理を行う処理室を形成するプラズマ処理容器であって、
複数の容器構成部材を接合してなる容器本体と、
前記容器構成部材間の接合部分に配備された第１のシール部材及び第２のシール部材と、
前記容器本体の内面に装着されて前記容器本体を保護する保護部材と、
を備え、
前記容器構成部材間の接合部分に、前記処理室内部から、前記第１のシール部材に達する位置まで前記保護部材を挿入することにより前記第１のシール部材と前記保護部材とを当接させた第１のシール部を有しており、
前記第１のシール部材を囲むようにその外側に、前記容器構成部材間に直接前記第２のシール部材を介在させた第２のシール部を有することを特徴とするプラズマ処理容器。
【請求項２】
前記第１のシール部によって、プラズマおよび／または腐食性ガスを遮断し、前記第２のシール部によって、前記容器本体の気密性を維持することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理容器。
【請求項３】
前記第１のシール部材と前記第２のシール部材の材質が異なり、前記第１のシール部材は、プラズマおよび／または腐食性ガスに対して耐性を有する材質で構成されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理容器。
【請求項４】
前記保護部材は、接合される二つの部材のいずれか片方の部材に形成された凹部に嵌め込まれて、前記部材間の接合面と前記保護部材の表面とが面一に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理容器。
【請求項５】
前記保護部材の表面が、アルマイト処理による酸化被膜、またはプラズマエロージョン耐性を有するセラミックス溶射膜により被覆されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理容器。
【請求項６】
前記保護部材が、板状に形成され、前記容器本体に着脱可能に装着されている請求項５に記載のプラズマ処理容器。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理容器を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板などの被処理体に対してプラズマ処理を行う際に被処理体を収容するプラズマ処理容器および該プラズマ処理容器を備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤの製造過程においては、真空下でガラス基板等の被処理体に、エッチング、成膜等の各種処理が施される。プラズマを利用して前記処理を行うために、真空引き可能なプラズマ処理容器を備えたプラズマ処理装置が使用される。
【０００３】
プラズマ処理装置では、プラズマや腐食性ガスの作用によって金属製のプラズマ処理容器の内面が損傷を受ける可能性がある。このため、例えばアルミニウム製のプラズマ処理容器の本体に陽極酸化処理（アルマイト処理）を施して耐食性を向上させている。アルマイト処理は、通常、処理を受けるプラズマ処理容器またはその構成部材を、硫酸や蓚酸を含む電解液に浸漬することによって行われる。
【０００４】
また、プラズマ処理容器の損傷を防ぐために、プラズマ処理容器の内壁面に保護部材（ライナー）を配備することも行われている。例えば特許文献１では、プラズマ処理容器に形成された搬送口の内壁面に沿って着脱可能なライナーを配備することが提案されている。ライナーの表面には、アルマイト処理による酸化皮膜や耐プラズマエロージョン性を有する溶射膜を形成してプラズマや腐食性ガスに対する耐久性を向上させている。しかし、プラズマや腐食性ガスは、プラズマ処理容器の内面に装着されたライナーの端部からその裏側（プラズマ処理容器との隙間）に回りこむ可能性があるため、ライナーを配備した場合でも、プラズマ処理容器について、アルマイト処理を省くことは出来なかった。
【０００５】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００２／２９８７７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ＦＰＤ用の基板に対する大型化の要求が強まっており、それに対応してプラズマ処理容器も大型化する傾向にある。現在では一辺が２ｍを超える巨大な基板を処理対象とするプラズマ処理容器も製造されており、このような大型のプラズマ処理容器にアルマイト処理を行うことは困難になりつつある。また、大型のプラズマ処理容器にアルマイト処理を施すための作業時間とコストは、大きな負担になっていた。
【０００７】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理容器のアルマイト処理に要する作業時間とコストを極力軽減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るプラズマ処理容器は、被処理体を収容してプラズマ処理を行う処理室を形成するプラズマ処理容器であって、
複数の容器構成部材を接合してなる容器本体と、
前記容器構成部材間の接合部分に配備された第１のシール部材と、
前記容器本体の内面に装着されて前記容器本体を保護する保護部材と、
を備え、
前記容器構成部材間の接合部分に、前記処理室内部から、前記第１のシール部材に達する位置まで前記保護部材を挿入することにより前記第１のシール部材と前記保護部材とを当接させた第１のシール部を有することを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係るプラズマ処理容器は、前記第１のシール部材を囲むようにその外側に、前記容器構成部材間に直接前記第２のシール部材を介在させた第２のシール部を有することが好ましい。この場合、前記第１のシール部によって、プラズマおよび／または腐食性ガスを遮断し、前記第２のシール部によって、前記容器本体の気密性を維持することが好ましい。さらに、前記第１のシール部材と前記第２のシール部材の材質が異なり、前記第１のシール部材は、プラズマおよび／または腐食性ガスに対して耐性を有する材質で構成されていることが好ましい。
【００１０】
また、本発明に係るプラズマ処理容器において、前記保護部材は、接合される二つの部材のいずれか片方の部材に形成された凹部に嵌め込まれて、前記部材間の接合面と前記保護部材の表面とが面一に形成されていることが好ましい。
【００１１】
また、本発明に係るプラズマ処理容器において、前記保護部材の表面が、アルマイト処理による酸化被膜、またはプラズマエロージョン耐性を有するセラミックス溶射膜により被覆されていることが好ましい。
【００１２】
本発明に係るプラズマ処理装置は、上記プラズマ処理容器を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプラズマ処理容器によれば、二つの容器構成部材間の接合部分において、第１のシール部材を配備し、この第１のシール部材に達する位置まで保護部材を挿入して第１のシール部材を保護部材に当接させた第１のシール部を有する構成とした。かかるシール構造によれば、プラズマや腐食性ガスは第１のシール部で遮断される。したがって、プラズマや腐食性ガスは、二つの容器構成部材が直接当接する接合面まで到達することがない。このため、接合される容器構成部材のうち、少なくとも一方については、アルマイト処理が不要になり、アルマイト処理に要する時間とコストを抑制できる。従って、従来大きな負担になっていた、プラズマ処理容器のアルマイト処理に要する作業時間とコストを低減できる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１および図２を参照しながら、本実施の形態に係るプラズマ処理容器、およびこのプラズマ処理容器を備えたプラズマエッチング装置１００について説明を行う。図１は、プラズマエッチング装置１００の概略構成を示す断面図である。プラズマエッチング装置１００は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｓに対してプラズマエッチング処理を行なうための装置として構成されている。なお、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００１５】
図１に示したように、プラズマエッチング装置１００は、矩形をした基板Ｓに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。このプラズマエッチング装置１００は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形された処理容器（容器本体）１を有している。真空容器である処理容器１は、容器構成部材として、底壁１ａおよび４方の側壁１ｂを有する下部容器２と、天板１ｃとにより構成されている。底壁１ａと側壁１ｂとを有する下部容器２は、例えば切削加工などによって箱型に一体成型され、表面にアルマイト処理（陽極酸化処理）が施されている。側壁１ｂの内面には、側壁１ｂをプラズマや腐食性ガスから保護するために、板状をした保護部材としてのライナー１０１が配設されている。
【００１６】
天板１ｃは、図示しない開閉機構により下部容器２に対して開閉可能に構成されている。天板１ｃの内面（下面）には、天板１ｃをプラズマや腐食性ガスから保護するために、板状をした保護部材としてのライナー１０２が配設されている。天板１ｃを閉じた状態で天板１ｃと側壁１ｂとの接合部分には、処理容器１の内部に近い位置に、第１のシール部材としての内側Ｏリング１１１が配備され、この内側Ｏリング１１１を囲むように、第２のシール部材としての外側Ｏリング１１２が配備されている。つまり、内側Ｏリング１１１と外側Ｏリング１１２が２重に配備されることによって天板１ｃと側壁１ｂとの接合部分のシール構造が形成されている。この部分のシール構造については後述する。なお、本実施の形態において、下部容器２（底壁１ａと側壁１ｂ）は一体に形成されているため、天板１ｃと側壁１ｂとの接合部分を封止する内側Ｏリング１１１および外側Ｏリング１１２により、天板１ｃを閉じた状態で真空容器としての処理容器１の気密性が保たれている。
【００１７】
処理容器１内の底部には、枠形状の絶縁部材３が配置されている。絶縁部材３の上には、基板Ｓを載置可能な載置台であるサセプタ５が設けられている。
【００１８】
下部電極でもあるサセプタ５は、基材７を備えている。基材７は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成されている。基材７は、絶縁部材３の上に配置され、両部材の接合部分にはＯリングなどのシール部材１３が配備されて気密性が維持されている。絶縁部材３と処理容器１の底壁１ａとの間も、シール部材１４により気密性が維持されている。基材７の側部外周は、絶縁部材１７により囲まれている。これによって、サセプタ５の側面の絶縁性が確保され、プラズマ処理の際の異常放電が防止されている。
【００１９】
サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に、かつ対向して上部電極として機能するシャワーヘッド３１が設けられている。シャワーヘッド３１は処理容器１の上部の天板１ｃに支持されている。シャワーヘッド３１は中空状をなし、その内部には、ガス拡散空間３３が設けられている。また、シャワーヘッド３１の下面（サセプタ５との対向面）には、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔３５が形成されている。このシャワーヘッド３１は接地されており、サセプタ５とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２０】
シャワーヘッド３１の上部中央付近には、ガス導入口３７が設けられている。このガス導入口３７には、処理ガス供給管３９が接続されている。この処理ガス供給管３９には、２つのバルブ４１，４１およびマスフローコントローラ４３を介して、エッチングのための処理ガスを供給するガス供給源４５が接続されている。処理ガスとしては、例えばハロゲン系ガスやＯ２ガスのほか、Ａｒガス等の希ガスなどを用いることができる。
【００２１】
前記処理容器１の底部の４隅には、排気口５１が４箇所に形成されている。排気口５１には排気管５３が接続されており、この排気管５３は排気装置５５に接続されている。排気装置５５は、例えばターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理容器１内を所定の減圧雰囲気まで真空引きすることが可能に構成されている。
【００２２】
また、処理容器１の一方の側壁１ｂには、該側壁１ｂに貫通形成された開口部としての基板搬送用開口６１が設けられている。この基板搬送用開口６１は、ゲートバルブ（図示省略）によって開閉される。そして、このゲートバルブを開にした状態で基板搬送用開口６１を介して基板Ｓが搬入出されるようになっている。また、処理容器１の他の側壁１ｂには、側壁１ｂを貫通形成された開口部としての窓用開口６３が設けられている。各窓用開口６３には、透明な石英板６５が装着されている。
【００２３】
サセプタ５の基材７には、給電線７１が接続されている。この給電線７１にはマッチングボックス（Ｍ．Ｂ．）７３を介して高周波電源７５が接続されている。これにより、高周波電源７５から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、下部電極としてのサセプタ５に供給される。なお、給電線７１は、底壁１ａに形成された開口７７を介して処理容器内に導入されている。
【００２４】
また、サセプタ５の側方には、処理容器１内のガス流れをコントロールする整流板としてのバッフル板８１が設けられている。バッフル板８１は、平面四角形のサセプタ５の４辺に対応して４枚設けられている。各バッフル板８１は、処理容器１の底壁１ａから立設された絶縁壁８３および絶縁壁８５によって略水平に支持されている。シャワーヘッド３１のガス吐出孔３５からサセプタ５上の基板Ｓへ向けて供給された処理ガスは、基板Ｓの表面で四方に拡散し、バッフル板８１の整流作用により、処理容器１の底部４箇所に設けられた排気口５１へ向けてガス流を形成しつつ排気される構成となっている。
【００２５】
次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置１００における処理動作について説明する。まず、図示しないゲートバルブが開放された状態で、被処理体である基板Ｓが、図示しない搬送装置によって基板搬送用開口６１を介して処理容器１内へと搬入され、サセプタ５へ受渡される。その後、ゲートバルブが閉じられ、排気装置５５によって、処理容器１内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００２６】
次に、バルブ４１を開放して、処理ガスをガス供給源４５から処理ガス供給管３９、ガス導入口３７を介してシャワーヘッド３１のガス拡散空間３３へ導入する。この際、マスフローコントローラ４３によって処理ガスの流量制御が行われる。ガス拡散空間３３に導入された処理ガスは、さらに複数の吐出孔３５を介してサセプタ５上に載置された基板Ｓに対して均一に吐出され、処理容器１内の圧力が所定の値に維持される。
【００２７】
この状態で高周波電源７５から高周波電力がマッチングボックス７３を介してサセプタ５に印加される。これにより、下部電極としてのサセプタ５と上部電極としてのシャワーヘッド３１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。このプラズマにより、基板Ｓにエッチング処理が施される。
【００２８】
エッチング処理を施した後、高周波電源７５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、処理容器１内を所定の圧力まで減圧する。次に、ゲートバルブを開放し、サセプタ５から図示しない搬送装置に基板Ｓが受け渡され、処理容器１の基板搬送用開口６１から搬出される。以上の操作により、基板Ｓに対するエッチング処理が終了する。
【００２９】
図２は、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分である図１のＡ部を拡大して示した断面図である。前記のとおり、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分は、内側Ｏリング１１１および外側Ｏリング１１２により２重にシールされている。ゴムやフッ素樹脂などの弾性材料からなる内側Ｏリング１１１および外側Ｏリング１１２は、それぞれ、側壁１ｂの上端に形成されたＯリング配設用溝１１３に嵌め込まれた状態で装着されている。
【００３０】
側壁１ｂの内面を保護するライナー１０１は、側壁１ｂに着脱可能に装着されている。天板１ｃの内面を保護するライナー１０２は、天板１ｃに着脱可能に装着されている。ライナー１０２は、天板１ｃの下面に段差をもって形成された凹部１１４に嵌め込まれており、ライナー１０２の表面と、天板１ｃの下面とは面一になっている。ライナー１０１，１０２を側壁１ｂや天板１ｃに装着する方法は特に限定されるものではなく、例えば螺子等の固定手段で装着することができる。
【００３１】
天板１ｃに装着されたライナー１０２は、側壁１ｂに装着されたライナー１０１の上端に当接しており、ライナー１０１とライナー１０２とは断面視Ｔ字型をなして配置されている。ライナー１０１およびライナー１０２としては、アルミニウム基材の表面にアルマイト処理（陽極酸化処理）を施したものを用いることができる。また、ライナー１０１およびライナー１０２として、アルミニウムなどの基材表面に、プラズマエロージョン耐性を有するセラミックス溶射膜を形成したものを使用することも好ましい。プラズマエロージョン耐性を有するセラミックス溶射膜としては、例えばＹ２Ｏ３溶射膜、ＹＦ３溶射膜、Ａｌ２Ｏ３溶射膜、Ｂ４Ｃ溶射膜等を用いることができる。これらの中でも、優れたプラズマエロージョン耐性を持つＹ２Ｏ３溶射膜またはＹＦ３溶射膜がより好ましい。
【００３２】
側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分において、ライナー１０２は、処理容器１の内側から、側壁１ｂと天板１ｃとの間に挿入されており、その先端は、内側Ｏリング１１１に達している。つまり、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分で、内側Ｏリング１１１は、天板１ｃに当接するのではなく、ライナー１０２に当接して第１のシール部を形成している。この第１のシール部により、この部位でプラズマや腐食性ガスを遮断している。このように、内側Ｏリング１１１は、主として側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分の隙間にプラズマや腐食性ガスが侵入していくことを防止する役割、つまり、プラズマや腐食性ガスを遮断する機能を有している。一方、外側Ｏリング１１２は、側壁１ｂと天板１ｃとの間に直接介在し、両部材の接合部分のシール性を確保し、主として真空チャンバとしての処理容器１の気密性を保つ真空保持機能を有している。
【００３３】
内側Ｏリング１１１と外側Ｏリング１１２は、同じ材質にすることもできる。しかし、プラズマやガスの遮断機能を主目的とする内側Ｏリング１１１の材質としては、プラズマや腐食性ガスに対して優れた耐性を持つ材質例えば、シリコーンゴム、パーフロロエラストマーを選択することが好ましい。一方、真空保持機能を主目的とする外側Ｏリング１１２の材質としては、ガス透過率が低く、安価であることから、例えば、フッ素ゴムを選択することが好ましい。このように、２重に配備された内側Ｏリング１１１と外側Ｏリング１１２の機能の違いに応じて、最適な材質を選択することにより、内側Ｏリング１１１と外側Ｏリング１１２の作用を最大限に発揮できるとともに、劣化しやすいＯリングの使用期間を長期化できる。
【００３４】
図１および図２に示した接合構造では、プラズマや腐食性ガスは内側Ｏリング１１１の位置で遮断される。したがって、プラズマや腐食性ガスは、側壁１ｂと天板１ｃとが直接当接する接合境界面、例えば真空保持用の外側Ｏリング１１２の配設位置まで到達することがない。このため、天板１ｃは、プラズマや腐食性ガスに曝されることが無く、アルマイト処理が一切不要になる。従って、本実施の形態のプラズマエッチング装置１００では、天板１ｃのアルマイト処理に要する時間とコストを抑制できる。
【００３５】
［第２の実施の形態］
次に、図３を参照しながら本発明の第２の実施の形態について説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態にかかるプラズマエッチング装置２００の概略構成を示す断面図である。第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置１００では、底壁１ａと側壁１ｂとが一体成型されて表面にアルマイト処理を施した下部容器２を使用したが、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置２００では、板状部材により底壁１ａを、角筒状部材により側壁１ｂを、それぞれ別々に構成した。以下では、第１の実施の形態（図１）との相違点を中心に説明し、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。なお、図３では、バッフル板８１、絶縁壁８３および絶縁壁８５は図示を省略した。
【００３６】
本実施の形態では、図３に示したように、底壁１ａに凹部１２１を形成し、そこにライナー１２２を嵌め込むようにして配設した。底壁１ａと側壁１ｂとの接合部分には、第１のシール部材としての内側Ｏリング１３１が配備され、さらに内側Ｏリング１３１を囲むように、第２のシール部材としての外側Ｏリング１３２が配備されている。つまり、内側Ｏリング１３１と外側Ｏリング１３２が２重に配備されることによって底壁１ａと側壁１ｂとの接合部分のシール構造を形成している。
【００３７】
ライナー１２２は、処理容器１の内側から、底壁１ａと側壁１ｂとの接合部位に挿入されており、その先端は、内側Ｏリング１３１に達している。つまり、底壁１ａと側壁１ｂとの接合部分では、ライナー１２２が内側Ｏリング１３１と直接当接して第１のシール部を形成し、この部位でプラズマや腐食性ガスを遮断している。このように、内側Ｏリング１３１は、主として底壁１ａと側壁１ｂとの接合部分の隙間にプラズマや腐食性ガスが侵入することを防止する役割、つまり、プラズマや腐食性ガスを遮断する機能を有している。一方、外側Ｏリング１３２は、底壁１ａと側壁１ｂとの間に直接介在して第２のシール部を形成し、両部材の接合部分のシール性を確保し、主として真空チャンバとしての処理容器１の内部空間を気密に保つ真空保持機能を有している。
【００３８】
本実施の形態における側壁１ｂと天板１ｃとの接合構造は、第１の実施の形態と同様である。
【００３９】
図３に示した底壁１ａと側壁１ｂとの接合構造では、プラズマや腐食性ガスは内側Ｏリング１３１の位置で遮断される。したがって、プラズマや腐食性ガスは、底壁１ａと側壁１ｂとが直接当接する接合境界面、例えば真空保持用の外側Ｏリング１３２の配設位置まで到達することがない。このため、底壁１ａについてのアルマイト処理が一切不要になり、底壁１ａのアルマイト処理に要する時間とコストを抑制できる。また、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、天板１ｃのアルマイト処理も不要である。さらに、本実施の形態では、側壁１ｂを角筒状部材によって形成したので、側壁１ｂの内面にも容易にアルマイト処理を行うことが可能になる、という副次的な効果も得られる。
【００４０】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
［第３の実施の形態］
次に、図４を参照しながら本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上記第１および第２の実施の形態の変形例であり、第２のシール部材の配設位置を変えた以外は、そのまま第１および第２の実施の形態のプラズマエッチング装置１００，２００に適用可能である。以下では、第１および第２の実施の形態（図１および図２）との相違点を中心に説明し、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
図４は、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分を拡大して示した断面図である。天板１ｃの内面（下面）には、板状をした保護部材としてのライナー１０２が配設されている。側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分において、ライナー１０２は、処理容器１の内側から、側壁１ｂと天板１ｃとの間に挿入されている。天板１ｃを閉じた状態で天板１ｃと側壁１ｂとの接合部分には、側壁１ｂ側の処理容器１の内部に近い位置に、第１のシール部材としてのＯリング１４１が配設されている。Ｏリング１４１は、ライナー１０２の下面に当接して配備されている。Ｏリング１４１は、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部分の隙間にプラズマや腐食性ガスが侵入していくことを防止する役割（プラズマや腐食性ガスを遮断する機能）を有しているとともに、ライナー１０２と側壁１ｂとの間でシール性を確保し、真空チャンバとしての処理容器１の気密性を保つ真空保持機能を有している。
【００４３】
また、ライナー１０２と天板１ｃとの間には、Ｏリング１４２が配設されている。Ｏリング１４２は、ライナー１０２の上面に当接して配備されている。Ｏリング１４２は、ライナー１０２の裏面側（つまり、ライナー１０２と天板１ｃとの間）のシール性を確保し、真空チャンバとしての処理容器１の気密性を保つ真空保持機能を有している。
【００４４】
図４に示した側壁１ｂと天板１ｃとの接合構造では、プラズマや腐食性ガスはＯリング１４１の位置で遮断される。したがって、プラズマや腐食性ガスは、側壁１ｂと天板１ｃとが直接当接する接合境界面まで到達することがない。このため、天板１ｃについてのアルマイト処理が一切不要になり、天板１ｃのアルマイト処理に要する時間とコストを抑制できる。
【００４５】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。また、図４に示した側壁１ｂと天板１ｃとの接合構造は、第２の実施の形態のプラズマエッチング装置２００における底壁１ａと角筒状の側壁１ｂとの接合構造にも適用可能である。
【００４６】
以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、下部電極（基材７）に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、上部電極に高周波電力を供給するタイプであってもよいし、容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。
【００４７】
また、本発明のプラズマ処理容器は、ＦＰＤ用基板を処理対象とするプラズマエッチング装置に限らず、例えば半導体ウエハを対象とするものであってもよいし、プラズマエッチング装置に限らず、例えばプラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部を拡大して示す要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の要部断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…処理容器、１ａ…底壁、１ｂ…側壁、１ｃ…天板、２…下部容器、３…絶縁部材、５…サセプタ、７…基材、５１…排気口、６１…基板搬送用開口、１００…プラズマエッチング装置、１０１…ライナー、１０２…ライナー、１１１…内側Ｏリング、１１２…外側Ｏリング、１１３…Ｏリング配設用溝、１１４…凹部
【図１】
0005271586.tif 000002
【図２】
0005271586.tif 000003
【図３】
0005271586.tif 000004
【図４】
0005271586.tif 000005