(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、インクを転写して形成されるパターンを形成するための高解像度部と低解像度部からなる凹部領域を有する除去版において、
該除去版の凹部領域の低解像度部に、高さ方向の距離が該凹部領域の深さ方向の距離以下である複数の凸部が形成されていることを特徴とする除去版。
【請求項２】
前記凸部の高さ方向の距離が前記凹部領域の深さ方向の距離に等しく、前記凹部領域の面積をＳ１、前記凸部の版面をなす面の面積の総和をＳ２とした時に、０．０１≦（Ｓ２÷Ｓ１）≦０．２を満たすことを特徴とする請求項１に記載の除去版。
【請求項３】
前記凸部の版面における形状が円であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の除去版。
【請求項４】
前記凸部の形状が互いに同一であり、前記凸部が前記凹部に規則的に配置していることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の除去版。
【請求項５】
反転オフセット印刷法による転写物の製造方法であって、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の除去版を用いてブランケット上のインクをパターニングし、該パターニングされたインクを基板上に転写してインクパターンを形成することを特徴とする転写物の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の転写物の製造方法であって、
前記基板上に形成されたインクパターンは、前記複数の凸部形状に対応したパターン抜けを有するように形成されることを特徴とする請求項４に記載の転写物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反転オフセット印刷による導電パターンの形成に用いられる除去版および反転オフセット印刷による導電パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の低コスト化および微細化に対応するため、導電性パターンを印刷法により形成することが試みられている。
【０００３】
微細なパターンが形成可能な印刷法として、反転オフセット印刷法が提案されている。（特許文献１参照）
【０００４】
また、反転オフセット印刷法により導電性パターンを形成して電磁波シールドを作製することが提案されている。（特許文献２参照）
【０００５】
反転オフセット印刷法について図２を用いて説明する。
【０００６】
まず、剥離性表面を有するブランケット１１ａに、転写物を含むインク１２を塗布乾燥してブランケット１１ａ表面に転写物１３ａを形成する。（図２（ｂ））
【０００７】
次に、転写物１３ａを除去版１４に密着させ離すことで、ブランケット１１ａに転写物１３ｃを形成する。（図２（ｆ））
【０００８】
次に、転写物１３ｃを被転写物１５に密着させ離すことで、被転写物１５にパターンを形成する（図２（ｉ））印刷方法である。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２８９３２０号公報
【特許文献２】特開２００５−１７５０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、反転オフセット印刷法は、低解像度部と高解像度部が混在した導電性パターンを形成することは困難である。
【００１１】
図３、図４を用いて説明する。
【００１２】
図３は、凹部および凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版２４と、ブランケット２１ｂが接触している状態を説明するための断面図である。
【００１３】
ブランケット２１ｂは除去版２４との接触時の圧力により変形する。
低解像度部２８の凹部の開口巾に対して凹部の版深が小さい場合は、低解像度部２８においては、その凹版領域の大部分にブランケット２１ｂが接触してしまう。
これにより、ブランケット２１ｂの除去版２４凹部に接触した部分の転写物がブランケット２１ｂから除去されてしまい、パターン内部の大部分が抜けてしまう。
【００１４】
低解像度部２８の凹版領域とブランケット２１ｂの接触を避けるために除去版２４の版深を深くすると、高解像度部２９の凸部のアスペクト比（版深÷開口巾）が大きくなり、凸部の強度が低下するという問題が生じてしまう。
【００１５】
図４は、除去版の形成方法の一例を説明するための断面図である。
【００１６】
除去版となる基板３６上にレジスト３７が形成されており、ウェットエッチングすることにより除去版を形成する。
ウェットエッチングは等方的であり版深と同程度にサイドエッチングが生じる。
低解像度部２８の版深を深くすると、高解像度部２９の解像度が損なわれるという問題が生じてしまう。
【００１７】
本発明の課題は、低解像度部と高解像度部が混在した導電パターンを形成することが可能な除去版、およびそれを用いた導電パターンの形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１に記載の発明は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、インクを転写して形成されるパターンを形成するための高解像度部と低解像度部からなる凹部領域を有する除去版において、該除去版の凹部領域の低解像度部に、高さ方向の距離が該凹部領域の深さ方向の距離以下である複数の凸部が形成されていることを特徴とする除去版である。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、前記凸部の高さ方向の距離が前記凹部領域の深さ方向の距離に等しく、前記凹部領域の面積をＳ１、前記凸部の版面をなす面の面積の総和をＳ２とした時に、０．０１≦（Ｓ２÷Ｓ１）≦０．２を満たすことを特徴とする請求項１に記載の除去版である。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、前記凸部の版面における形状が円であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の除去版である。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記凸部の形状が互いに同一であり、前記凸部が前記凹部に規則的に配置していることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の除去版である。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、反転オフセット印刷法による転写物の製造方法であって、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の除去版を用いてブランケット上のインクをパターニングし、該パターニングされたインクを基板上に転写してインクパターンを形成することを特徴とする転写物の製造方法である。
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の転写物の製造方法であって、
前記基板上に形成されたインクパターンは、前記複数の凸部形状に対応したパターン抜けを有するように形成されることを特徴とする請求項４に記載の転写物の製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の請求項１の発明は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、該除去版の凹部領域に、高さ方向の距離が該凹部領域の深さ方向の距離以下である複数の凸部が形成することにより、ブランケットと除去版を接触することを防げ、低解像度部と高解像度部が混在した導電パターンを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
まず、本発明の除去版を、図１を用いて説明する。
【００２５】
凹部領域４４ａに、凹部領域４４ａの深さ方向の距離に等しい高さ方向の距離を持つ複数の凸部４４ｂが形成されている。
【００２６】
凸部４４ｂを設けることで、反転オフセット印刷に際して、ブランケットが除去版の低解像度部に接触するのを防ぐことができる。
凸部４４ｂはブランケットに接触するため、この部分は所望パターンから抜けてしまうが、所望パターンが導電パターンである場合は、凸部の凹部に対する面積率を小さくすればさほど問題にならない。
【００２７】
凸部４４ｂの凹部４４ａに対する面積率は、該凹部領域の面積をＳ１、該凸部の版面をなす面の面積の総和をＳ２とした時に、０．０１≦（Ｓ２÷Ｓ１）≦０．２の関係を満たしている。
（Ｓ２÷Ｓ１）がこの範囲より小さい場合、凸部の形状や配置を最適化しても、凹部の大部分においてブランケットが接触することを避けるのは困難となる。
また、（Ｓ２÷Ｓ１）がこの範囲より大きい場合、凸部のブランケットへの接触によるパターン抜けが大きくなり、問題となる。
【００２８】
凸部の形状は、異方性をできるだけ小さくするため、本例のように互いに同一、かつ、円形であることが好ましく、また、凸部は規則的に配置していることが好ましい。
規則的な配置としては、２次元格子の格子点に配置させる方法があるが、この中でも対称要素が多い六方格子が好ましい。
【００２９】
凸部の大きさと数密度は、前記０．０１≦（Ｓ２÷Ｓ１）≦０．２の関係を満たす範囲において、凹部の深さと開口の大きさにより適宜最適化される。
【００３０】
除去版４４は、材料としてガラス、ステンレス等の金属、各種レジスト材料などが用いられ、サンドブラスト、フォトリソエッチング、ＦＩＢ（収束イオンビーム）などの方法で加工される。
【００３１】
次に、本発明の導電パターンの形成方法を、図２を基に説明する。
【００３２】
まず、剥離性表面を有するブランケット１１ａに、インク１２を塗布乾燥してブランケット１１ａ表面に転写物１３ａを形成する。（図２（ｂ））
【００３３】
ブランケット１１ａの材料としては、転写物１３ａの形成が可能で、除去版１４による転写物１３ｂの除去および被印刷物１５への転写物１３ｃの転写が可能なものが用いられる。
また、変形の少ない硬い材料が好ましいが、ある程度の柔軟性が必要である。
このような材料として、シリコーン系エラストマー、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。
また、ブランケット１１ａ表面の濡れ性を調整するため、ブランケット１１ａ表面に、フッ素樹脂およびシリコーンの塗工、プラズマ処理、ＵＶオゾン洗浄処理などの表面処理を施してもよい。
【００３４】
インク１２の材料としては、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウムなどの金属微粒子分散液に、必要に応じ各種添加物を加えたものを用いることができる。
分散媒としては、ブランケットを膨潤変形させない水またはアルコール系が好ましい。
【００３５】
導電性インク組成物のブランケット１１ａへの塗布法としては、バーコート、ダイコート、スピンコート法を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３６】
転写物１３ａの厚さは、パターン解像度にもよるが、通常１０μｍ以下にする。
膜厚が１０μｍより大きいと、転写物１３ｂ除去工程や転写物１３ｃの転写工程において、転写物の凝集破壊が生じ易くなり好ましくない。
【００３７】
次に、転写物１３ａを除去版１４に密着させ離すことで、ブランケット１１ａに転写物１３ｃを形成する。（図２（ｆ））
【００３８】
転写物１３ａを除去版１４に密着させ離す方法としては、ブランケットロールに巻き付けたブランケット１１ａが除去版１４に接触する状態を保ちながらブランケットロールに巻き付けたブランケット１１ａを除去版１４上で転がす方法を用いることができる。
【００３９】
最後に、転写物１３ｃを被転写物１５に密着させ離して、被転写物１５にパターンを形成する。（図２（ｉ））
【００４０】
転写物１３ｃを被転写物１５に密着させ離す方法としては、ブランケットロールに巻き付けブランケット１１ｃを被転写物１５に接触する状態でブランケットロールに巻き付けブランケット１１ｃを被転写物１５上で転がす方法を用いることができる。
【００４１】
被転写物１５の材料としては、転写物１３ｃが転写可能で、熱処理に耐えられる物であれば良く、ソーダライムガラス、石英、シリコンウエハーや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート、ポリアリルレートなどを用いることができる。
【実施例】
【００４２】
まず、基材として厚さ０．７ｍｍのガラス板を用い、周知のウェットエッチング法で除去版を形成した。
除去版は１００ｍｍ×１００ｍｍの版の中央付近に図１に示すパターンを１００個×１００個で配列させたものである。
図１に示すパターンの各部寸法は、領域が２５０μｍ×２５０μｍに高解像度部ライン／スペース幅が５μｍ／５μｍ、低解像度部矩形が１４０μｍ×２１０μｍ、版深が２μｍであった。
また、凸部は、版面での形状が円（半径３μｍ）であり、六方格子状に配列し、（Ｓ２÷Ｓ１）＝０．０８であった。
【００４３】
次に、銀粒子水分散液（平均粒径２０ｎｍ、住友電工製）にポリエチレンオキサイド（平均分子量１０，０００、アルドリッチ製）を、（ポリエチレンオキサイド／銀粒子／水）＝（１／８／３１）の重量比となるように溶解させインクを調製した。
【００４４】
次に、東芝ＧＥ社製の２液型シリコーンゴムを、厚さ２ｍｍ、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍに成形してブランケットを作製した。
【００４５】
次に、ブランケットロールに巻き付けたブランケットにインクをバーコータ（＃６）で塗布した後、室温で３分間乾燥させ、ブランケット上に転写物を形成した。
【００４６】
次に、ブランケット上の転写物を除去版に密着させたのち剥離し、転写物のうち除去版に接触した部分をブランケットから除去し、パターン形成されたブランケットを得た。
【００４７】
次に、ブランケット上の導電パターンを、厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基板上に密着させたのち剥離して、転写した。
【００４８】
次に、これを２００℃で３０分間熱処理して導電パターンを形成した。
【００４９】
得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部におけるパターン抜けは除去版の凸部に対応した部分のみであり、全体的なパターン抜けは生じなかった。
【００５０】
＜比較例＞
実施例において除去版凹部に凸部を形成しないこと以外は、実施例１と同様の除去版を用いた。
また、実施例の除去版を用いないこと以外は、実施例と同様の方法で導電パターンを形成した。
【００５１】
得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部におけるパターン抜けはパターン全域に及んでおり、導電パターンとして機能するものではなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた導電パターンの形成方法は、低解像度部と高解像度部が広く混在した導電パターンを形成することが可能となるので、配線基板、薄膜トランジスタ等の電子デバイスに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の除去版を説明するための図である。
【図２】反転オフセット印刷の工程を説明するための断面図である。
【図３】除去版とブランケットが接触している状態を説明するための断面図である。
【図４】ウェットエッチングによる除去版の作製方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１ａ・・・ブランケット
１１ｂ・・・転写物１３ａが形成された印刷用ブランケット
１１ｃ・・・転写物１３ｃが形成された印刷用ブランケット
１２・・・・（導電）インク
１３ａ・・・（ブランケットの全面に形成された）転写物
１３ｂ・・・（除去版によりパターン除去された）転写物
１３ｃ・・・（ブランケットにパターン形成された）転写物
１４・・・・除去版
１５・・・・被転写物
２１ｂ・・・転写物が全面に形成されたブランケット
２４・・・・凹部／凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版
２８・・・・除去版２４の低解像度部
２９・・・・除去版２４の高解像度部
３６・・・・除去版となる基板
３７・・・・レジスト
４４・・・・本発明の除去版
４４ａ・・・凹部領域
４４ｂ・・・凹部領域に形成された凸部
【図３】
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【図４】
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【図１】
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【図２】
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