(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域から非表示領域へ引出されて絶縁層で覆われた複数本の引出し配線及びこれらの引出し配線が外部制御回路へ接続される端子領域を有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配設される透明基板からなる第２の基板とを有し、これらの第１、第２の基板のいずれか一方の基板に前記非表示領域に対応する箇所にシール材を塗布して貼り合せた液晶パネルにおいて、
前記第１の基板は、前記シール材が設けられた部分を除いた前記第２の基板を切除する切断線に対応する箇所の前記絶縁層の上に保護部材が配設され、
前記保護部材は、前記シール材近傍又は前記切断線から前記端子領域へ延設され、前記表示領域の画素電極の下層に設けられる層間膜と同一工程及び同一材料で形成され、
前記層間膜は、前記シール材よりも内側に配置される
液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルに係り、詳しくは表示領域から引出されて周辺の非表示領域に配
設される引出し配線の断線予防をするとともに、シール材と絶縁層との密着不良をなくし
た液晶パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、画素電極などを設けた第１の基板と、この基板に対向配設される第２の
基板とを有し、これらの第１、第２の基板のいずれか一方の基板にシール材を液晶注入口
を設ける箇所を除く基板周囲に塗布して、これらの第１、第２の基板間に所定の空間が形
成されるようにして貼り合わせて、液晶注入口から空間内に液晶を注入した後に、この注
入口を封止材で封止するなどの工程を経て製造されている。
【０００３】
この液晶パネルは、１枚ずつ作製すると生産性を向上させることができないので、通常
は大判の２枚のガラス基板、いわゆるマザー基板を用いて、これらを貼り合せた後に分割
することによって複数個同時に製造されている。個々の液晶パネルは、さらにこの工程中
に一方の基板を切断して他方の基板表面に外部制御回路が接続される端子領域を露出させ
る工程を経て作製されている。
【０００４】
ところが、露出された端子領域は、通常、その表面が平坦ではなく高低差を有する凸凹
面となっている。このため、基板の切断時などで発生したガラス粉やカレット（破片）な
どの異物がこの凸凹面に当たると、端子領域に配設された配線を覆う絶縁膜が破れるなど
して配線を損傷し断線させてしまうことがある。
【０００５】
そこで、このような損傷及び断線を防止するために、最上層に樹脂膜を設けて配線を保
護するようにした液晶表示装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００６】
図５Ａは下記特許文献１に開示された液晶表示装置に設けられた液晶表示パネルの平面
図、図５Ｂは図５ＡのＶＢ−ＶＢ線の断面図、図５Ｃは図５ＢのＶＣ部分の拡大断面図で
ある。以下、図５Ａ〜図５Ｃを参照して、下記特許文献１に開示された液晶表示装置を説
明する。
【０００７】
この液晶表示装置２０は、シール材２４で貼り合わされた第１、第２透明基板２２、２
３を有する液晶パネル２１を備えている。第１透明基板２２は、第２透明基板２３と対向
する面に、シール材２４で囲まれた表示領域２５及び配線２６が形成された端子領域２７
を有している。この端子領域２７には、外部接続される部分以外の最上層に表面が平坦な
樹脂膜３０が設けられている。これらの第１、第２透明基板２２、２３は、一方の基板に
シール材２４が塗布されて貼り合わされた後に、第２透明基板２３の表面に設けたスクラ
イブ線２３ａに沿って切断して、第１透明基板２２の端子領域２７が露出するようにして
作製されている。第２透明基板２３が切断される箇所におけるシール材２４と樹脂膜３０
とは、通常、図５Ｃに示すように、第１透明基板２２上に配設された配線２６と樹脂膜３
０との間に絶縁層、例えばゲート絶縁膜２８及び保護絶縁膜２９などからなる絶縁層が介
在されている。
【０００８】
したがって、液晶パネル２１は、切断される箇所及びこの箇所に近接したシール材２４
が塗布された付近において、第１透明基板２２上の配線２６は、例えばゲート絶縁膜２８
及び保護絶縁膜２９などからなる絶縁層の上に樹脂膜３０が積層されて、この積層体の上
にシール材２４を間に挟んで第２透明基板２３と貼り合わされた後に第２透明基板２３の
一部が切断されている。この構成によると、切断時には、樹脂膜３０によって基板上に配
設された配線が保護されるので、ガラス粉やカレットなどの異物による配線の断線等が抑
制される。
【特許文献１】特開２００７−７８９３１号公報（段落〔００２９〕、〔００３０〕、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１の液晶表示装置２０は、基板上に配設された配線２６は樹脂膜３０で覆
われることで保護されているので、切断時に、ガラス粉やカレットなどの異物による配線
２６の損傷或いは断線を防止することができる。
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１に開示された液晶表示装置２０の構造は、配線２６を覆
う樹脂膜３０の上にシール材２４が配設されているが、従来から樹脂膜３０とシール材２
４との間に密着性の課題があり密着不良を起こすことがある。例えば、液晶注入時やその
他の成膜時に真空引きをするときなどにおいて、この部分でシール材２４と樹脂膜３０が
剥がれてしまい、密着不良の原因となることがある。また、この部分から表示領域２５内
へ水が浸入する恐れもある。すなわち、樹脂膜３０は、通常、アクリル樹脂で形成され、
一方シール材２４は、架橋度の高いエポキシ樹脂或いはフェノール樹脂が使用されるが、
これらの材料間では密着性を良好に維持することが難しい。また、樹脂膜３０は水分が浸
入し易いため、完成された液晶パネルの使用中或いはその製造工程で行う試験、例えば高
温高湿試験において、パネルを高温高湿の環境下に数十時間置くと、水分が樹脂膜の表面
或いは樹脂材料を通して表示領域内に侵入することがある。表示領域内へ水分が侵入する
と、液晶の抵抗値が低下して表示品質の低下、例えば表示ムラなどが発生する。
【００１１】
また、上記特許文献１に開示された液晶表示装置のような、樹脂膜を絶縁層の上に設け
た構造にすると、樹脂膜の膜厚分だけ塗布されるシール材は背低になってしまう。そのた
め、パネル製造時の両基板の貼り合せ工程において、一方の基板に所定量のシール材を塗
布した後、他方の基板でこのシール材を押圧し、所定の形状、すなわち、背低にするため
には、両基板に掛ける圧力を高くしなければならない。このため、貼り合せ終了後に、こ
の圧力が除かれると掛かった圧力に比例してシール材を構成する樹脂材からの強い反発力
が両基板に作用することになる。このため、両基板間の間隔の調節、すなわちシール材は
両基板間のギャップを均一に保持する機能も担っているので、このギャップの間隔の調節
が困難になる。しかも、貼り合せに掛かる時間も長くなり生産性向上の障害ともなる。
【００１２】
そこで、本発明はこのような従来技術が抱える課題を解決するためになされたものであ
って、本発明の目的は、表示領域から非表示領域へ引出した引出し配線の断線を予防する
とともに、シール材と絶縁層間の密着性の低下を防止して信頼性の向上を図った液晶パネ
ルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一側面によれば、表示領域から非表示領域へ引出されて絶縁層で覆われた複数本の引出し配線及びこれらの引出し配線が外部制御回路へ接続される端子領域を有する第１の基板と、第１の基板に対向配設される透明基板からなる第２の基板とを有し、これらの第１、第２の基板のいずれか一方の基板に非表示領域に対応する箇所にシール材を塗布して貼り合せた液晶パネルが提供される。第１の基板は、シール材が設けられた部分を除いた第２の基板を切除する切断線に対応する箇所の絶縁層の上に保護部材が配設され、保護部材は、シール材近傍又は切断線から端子領域へ延設され、表示領域の画素電極の下層に設けられる層間膜と同一工程及び同一材料で形成され、層間膜は、シール材よりも内側に配置される。
【００１４】
上記液晶パネルによれば、シール材は、引出し配線を覆う絶縁層を構成するＳｉＮｘなどからなる絶縁材料と接合され、従来技術のように樹脂膜に接合されるものと比べて密着性を良好に維持することができる。その結果、従来技術のような樹脂膜と異なり、ＳｉＮｘなどからなる絶縁材料は水分が浸入し難いために、外部から表示領域内へ水分が浸入することがなくなり、水分浸入に起因する表示品質の低下が防止されて信頼性の向上を図ることができる。また、引出し配線上は、絶縁層の上にさらに保護部材が積層されて層厚となっているので、パネル製造工程において第２の基板を切断した際に発生するガラス粉やカレットなどの異物によっても、この引出し配線が損傷及び断線するのが抑制される。さらに、この保護部材は、切断線の真下付近に存在するだけでシール材が塗布された箇所には存在しないので、シール材を第１、第２の基板の間にあって、貼り合せ時に高い圧力を掛けることなく形成できる。また、層間膜は水分が浸入しやすいので、シール材より内側に配置することにより、高湿度槽の中で長時間の耐久試験を受けた液晶パネルでも、水分が浸入し難くなり、内部の液晶と水分が混ざることが抑制されるので、表示品質の低下を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶パネルを例示するものであって、本発明を
この液晶パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその
他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【００２２】
図１は本発明の一実施形態に係る液晶パネルであって積層されたカラーフィルタ基板か
らＴＦＴアレイ基板の配線が透視して見えるように図示した平面図である。図２は図１の
ＩＩ−ＩＩ線の断面図である。図３は図１の液晶パネルの表示領域内の１画素を拡大した
平面図である。図４は図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【００２３】
この液晶パネル１は、図１及び図２に示すように、互いに対向配置される略矩形状の透
明材料の基板、例えばガラス基板からなる一対のＴＦＴアレイ基板（以下、単に「アレイ
基板」という）２及びカラーフィルタ基板（以下、単に「ＣＦ基板」という）１２を有し
ている。これらのアレイ基板２及びＣＦ基板１２は、それぞれ第１、第２の基板を構成し
、いずれか一方の基板の外周囲（非表示領域）にシール材９を塗布して、内部に所定大き
さの空間が形成されるように互いに対向させて貼り合せ、この空間内に液晶ＬＣを封入し
た構成となっている。これらのアレイ基板２及びＣＦ基板１２は、貼り合わせた後に、Ｃ
Ｆ基板１２に設けたスクライブ線（切断線）Ｓに沿って切断してアレイ基板２上に端子領
域Ｔを露出させて、この端子領域Ｔに液晶ＬＣを駆動する液晶駆動用ドライバＤｒが設け
られる。また、アレイ基板２及びＣＦ基板１２は、それぞれの外表面に偏光板１８ａ、１
８ｂが設けられている。アレイ基板２及びＣＦ基板１２は、それぞれの対向する面に、各
種の電極及び配線並びにカラーフィルタなどが設けられている
【００２４】
アレイ基板２は、その表面に複数本のゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎ（ｎ＝２、３…）（以
下、これらを総称したものを「ゲート配線ＧＷ」ともいう）と、複数本のソース配線ＳＷ
１〜ＳＷｎ（ｎ＝２、３…）（以下、これらを総称したものを「ソース配線ＳＷ」ともい
う）とは表示領域ＤＡ内において間に絶縁膜を介してマトリクス状に配設されている。こ
の表示領域ＤＡの周囲は、非表示領域ＮＤＡとなっており、この非表示領域ＮＤＡには複
数本の引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎ及びＳＬ１〜ＳＬｎが配設されている。これらの引回し
配線ＧＬ１〜ＧＬｎ及びＳＬ１〜ＳＬｎは、一端が表示領域ＤＡ内の各ゲート配線ＧＷ１
〜ＧＷｎ及びソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎに接続されている。すなわち、これらの引回し配
線ＧＬ１〜ＧＬｎ及びＳＬ１〜ＳＬｎは、表示領域ＤＡ内の各ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎ
及びソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎから非表示領域ＮＤＡへ引出した配線、いわゆる引出し配
線となっている。また、これらの引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎ及びＳＬ１〜ＳＬｎのそれぞ
れの他端は、端子領域Ｔのドライバ実装領域Ｔ１まで延設されて、この領域に実装された
液晶駆動用ドライバＤｒに接続されている。
【００２５】
このアレイ基板２は、ＣＦ基板１２と貼り合わされるが、このアレイ基板２には、所定
箇所に所定の幅長及び膜厚を有する保護部材１１が形成されている。なお、保護部材１１
については後述する。
【００２６】
次に、図１〜図４を参照して、この液晶パネルの製造プロセスを説明する。
液晶パネル１は、大判のアレイ用及びＣＦ用のマザーガラス基板（以下、単に「マザー
基板」という）から作製される。すなわち、大判のアレイ用及びＣＦ用マザー基板を用い
て、それぞれのマザー基板に所定の電極及び配線並びにカラーフィルタなどを形成する工
程、セル領域にシール材を塗布して、個々のセル毎に内部に所定大きさの空間が形成され
るようにして両基板を貼り合わせる工程、この貼り合わせた基板を個々のセルに分割する
工程、個々のセルの空間に液晶を注入する工程、液晶を注入した後に液晶注入口を封止材
で封止する工程などの工程を経て製作される。個々の液晶パネルは、また、これらの工程
中においてＣＦ基板１２に設けたスクライブ線Ｓに沿って切断して、アレイ基板２上に端
子領域Ｔを露出させて作製される。
【００２７】
液晶パネル１は、このように大判のアレイ用及びＣＦ用マザー基板を用いて上記製造プ
ロセスを経て製作されるが、以下、説明の便宜上、１個の液晶パネルについてその製造プ
ロセスを詳述する。
【００２８】
アレイ基板２は、図１及び図４に示すように、ガラス基板２ａの液晶ＬＣと接触する側
の面に、互いに所定間隔をあけて行方向（図１における横方向）に延在した複数本のゲー
ト配線ＧＷ１〜ＧＷｎと、この複数本のゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎ同士の間に平行に延在
した複数本の補助容量電極Ｃと、ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎの端部に接続されたゲート配
線用の引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎとが所定位置に配設される。これらのゲート配線ＧＷ１
〜ＧＷｎ及び補助容量電極Ｃは、その表面がＳｉＯ２あるいはＳｉＮＸ等の無機透明絶縁
材料からなるゲート絶縁膜４で覆われる。
【００２９】
次いで、このゲート絶縁膜４の表面に、上記ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎと直交するよう
にマトリクス状に複数本のソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎを配設するとともにソース配線ＳＷ
１〜ＳＷｎの端部に接続されたソース配線用のソース引回し配線ＳＬ１〜ＳＬｎを配設し
、これらのゲート配線ＧＷとソース配線ＧＷとが交差する箇所に薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設ける。
【００３０】
このＴＦＴは、複数本のゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎから延在したゲート電極Ｇ上にアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層６を形成し、この半導体層６に一部が
重畳するようにソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎから延在したソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと
を形成することで設けられる。また、このＴＦＴを覆うようにＳｉＯ２あるいはＳｉＮＸ
等の無機透明絶縁材料からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜ともいう）５が形成され
ている。
【００３１】
ＴＦＴのドレイン電極Ｄは、補助容量電極Ｃにゲート絶縁膜４を介して重なっており、
また、保護絶縁膜５に形成されたコンタクトホールＣＨを介して画素電極７に接続されて
いる。ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎとソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎとで囲まれるそれぞれの領
域は、それぞれ１画素（サブ画素）を構成し、これらの画素が形成されたエリアが表示領
域ＤＡとなっている。さらに、表示領域ＤＡ内の所定位置、例えばＴＦＴの上には、柱状
スペーサ１０が形成されている。そして、この柱状スペーサ１０を含めた表示領域ＤＡ内
が配向膜８により覆われている（図４参照）。この配向膜８はラビングローラ等を用いて
ラビング処理される。
【００３２】
表示領域ＤＡの周囲は、非表示領域ＮＤＡとなっている。この非表示領域ＮＤＡは、図
１に示すように、表示領域ＤＡの両側部の領域ＷＡ１、ＷＡ２及びスクライブ線Ｓ以下の
端子領域Ｔを含む額縁状部分で形成される（図１参照）。この非表示領域ＮＤＡには、表
示領域ＤＡ内に配設されたゲート配線ＧＷ及びソース配線ＳＷに接続された引回し配線が
配設されている。
【００３３】
次に、非表示領域ＮＤＡに配設される引回し配線（引出し配線）の配線構造を説明する
。
表示領域ＤＡ内の各ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎ及び各ソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎは、こ
の表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡへ引出されてそれぞれの引回し配線に接続される。
すなわち、各ゲート配線ＧＷ１〜ＧＷｎ及び各ソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎのうち、各ゲー
ト配線ＧＷ１〜ＧＷｎは、アレイ基板２の表示領域ＤＡの外、すなわち表示領域ＤＡの両
側周辺の領域ＷＡ１、ＷＡ２へ引出されて、列方向（縦方向）に設けたゲート配線用の各
引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎ（ｎ＝２、３…）に接続される。このとき、奇数行のゲート配
線、例えばＧＷ１、ＧＷ３、ＧＷ５…は、図１の左側の領域ＷＡ１に引出されて、それぞ
れの引回し配線ＧＬ１、ＧＬ３、ＧＬ５…ＧＬｎ−１に接続される。
【００３４】
一方、偶数行のゲート配線、例えばＧＷ２、ＧＷ４、ＧＷ６…は、図１の右側の領域Ｗ
Ａ２に引出されてそれぞれ引回し配線ＧＬ２、ＧＬ４、ＧＬ６…ＧＬｎに接続される。こ
の配線の振分け、すなわち奇数行のゲート配線を一方の領域ＷＡ１に及び偶数行のゲート
配線を他方の領域ＷＡ２に振分けて配線することにより、基板上にバランスよく配設する
ことが可能になる。
【００３５】
また、各ソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎは、アレイ基板２の表示領域ＤＡの外、すなわち表
示領域ＤＡの下方の端子領域Ｔ方向へ引出されて、ソース配線用の各引回し配線ＳＬ１〜
ＳＬｎ（ｎ＝２、３…）に接続されている。
【００３６】
このように各種配線等が形成されたアレイ基板２はＣＦ基板１２と貼り合わされるが、
このアレイ基板２には、ＣＦ基板１２を切断するスクライブ線Ｓの真下付近の所定区画に
、所定の幅長及び膜厚を有する保護部材１１が、引回し配線ＳＬ上に積層された最上層、
すなわちゲート絶縁膜４を覆う保護絶縁膜５の上に形成されている。この保護部材１１は
、シール材９が設けられた部分を除いたＣＦ基板１２を切除する切断線Ｓに対応する箇所
に配設されている。この保護部材１１は、シール材９の真下部分には形成されていない。
【００３７】
この保護部材１１は、端子領域Ｔの凸凹面を覆って平坦にする樹脂膜で形成されている
。なお、保護部材１１は、表示領域ＤＡ内の画素電極７の下層に設ける層間膜３と同一工
程かつ同一材料で形成するのが好ましい。また、スペーサと同一工程且つ同一材料で形成
してもよい。
【００３８】
また、この端子領域Ｔは、図２に示すように、引回し配線ＳＬが表示領域ＤＡから端子
領域Ｔへ延設されて、この延設された配線ＳＬ'の端部に端子ｔが接続されている。この
端子ｔは、保護絶縁膜５に形成されたコンタクトホールを介して引回し配線ＳＬに接続さ
れている。
【００３９】
なお、それぞれの引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎ、ＳＬ１〜ＳＬｎ及びこれらの引回し配線
を覆う絶縁膜などは、表示領域ＤＡ内に設ける配線及び絶縁膜、例えばゲート配線ＧＷ１
〜ＧＷｎ、ソース配線ＳＷ１〜ＳＷｎ、ゲート絶縁膜４、保護絶縁膜５及び層間膜３など
を形成する材料を使用して同一工程で形成する。これにより、これらの引回し配線ＧＬ１
〜ＧＬｎ、ＳＬ１〜ＳＬｎを形成するために特別な製造工程を増やすことなく配線できて
引回し配線ＧＬ１〜ＧＬｎ、ＳＬ１〜ＳＬｎの配線が簡単になる。
【００４０】
一方、ＣＦ基板１２は、図４に示すように、初めに、ガラス基板１２ａ上にアレイ基板
２の画素領域に合わせてマトリクス状にブラックマトリクス１３を設ける。次いで、この
ブラックマトリクス１３で囲まれた領域に複数色、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
のカラーフィルタ１４を設けて、これらを平坦化膜１５で覆う。次いで、この平坦化膜１
５の上に共通電極１６を設けた後、配向膜１７で覆う。この配向膜１７には所定の方向に
ラビング処理が施される。
【００４１】
アレイ基板２及びＣＦ基板１２は、上記のプロセスで作成された後に、両基板２、１２
を貼り合せる。この貼り合せは、アレイ基板２の表示領域ＤＡの外周囲にシール材９を塗
布し、ＣＦ基板１２を互いに対向させた状態で貼り合せて両基板２、１２の間に所定大き
さの空間を形成する。この貼り合せにより、柱状スペーサ１０は、その頂部がＣＦ基板１
２の表面に接触した状態になる。次いで、貼り合わされた両基板２、１２間に、予め形成
した液晶注入口９ａから液晶ＬＣが封入される。
【００４２】
また、貼り合わされた両基板２、１２のうち、ＣＦ基板１２はスクライブ線Ｓから切断
される。この切除は、例えばスクライブ・ブレーク法で行う。すなわち、まずＣＦ基板１
２の切断面１２ｂとなる部分の外面に例えば小さな溝で形成されたスクライブ線Ｓを入れ
る。その後、切断面１２ｂに対向するアレイ基板２の外面を叩いて端材１２ｃをブレーク
させる。
【００４３】
従来技術においては、この端材１２ｃの除去時に切断面１２ｂの角が保護絶縁膜５等か
らなる積層体２'（図２参照）に当たると、その衝撃でこの積層体２'が剥がれて引回し配
線ＳＬが露出あるいは断線する恐れがあり、また、切断面１２ｂの一部が欠けてカレット
としてこの積層体２'上に残ると、後の工程でカレットが挟まり引回し配線ＳＬが断線す
る恐れがあった。しかしながら、本発明においては引回し配線ＳＬの表面側は、保護絶縁
膜５に加えて突起状の保護部材１１で覆われているので、液晶パネル１の製造工程でＣＦ
基板１２を切断した際に発生するガラス粉やカレットなどの異物によっても、この引回し
配線ＳＬの損傷及び断線が抑制される（図２参照）。
【００４４】
アレイ基板２とＣＦ基板１２とが貼り合わされた後に、ＣＦ基板１２の端材１２ｃが切
除されると、端子領域Ｔが露出される。この端子領域Ｔは、図２に示すように、引回し配
線ＳＬが表示領域ＤＡから端子領域Ｔへ延設されて、この延設された引回し配線ＳＬの端
部に端子ｔが接続されている。この端子ｔは、液晶駆動ドライバＤｒの端子に接続される
。なお、ここでは引回し配線ＳＬの端部に端子ｔが接続されていると説明しているが、端
子ｔは引回し配線ＧＬの端部にも接続されている。
【００４５】
この実施形態に係る液晶パネル１では、シール材９は、ＳｉＮｘ等からなる保護絶縁膜
５との密着性が良く、接触して接合されるので密着性の低下を招くことはなくなる。また
、保護部材１１は、所定の区画に存在するだけでシール材９の真下にないので、シール材
９をアレイ基板２とＣＦ基板１２との間にあって、貼り合せる時に高い圧力を掛けること
なく背高に形成できる。その結果、引回し配線ＧＬ、ＳＬの断線を予防するとともにシー
ル材９の密着性の低下を防止した、信頼性の高い液晶パネル１を提供することができる。
また、密着性を良好にして密着度を上げることにより、液晶注入時や各種の成膜時にチャ
ンバー内を真空状態にする際に、シール材が絶縁膜から剥がれ難くなり、プロセスの途中
で不良を発生させることがなくなり、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００４６】
また、層間膜３は水分が浸入しやすいので、シール材９より内側に配置することにより
、高湿度槽の中で長時間の耐久試験を受けた液晶パネルでも、水分が浸入し難くなり、内
部の液晶と水分が混ざることが抑制されるので、表示品質の低下を防ぐことができる。
【００４７】
また、保護部材１１を柱状スペーサ１０と同一工程且つ同一材料で形成すると、表示領
域ＤＡ内に配設する柱状スペーサ１０と協働してセルギャップを均一に保持することがで
きる。すなわち、シール材９の内側と外側とでは、アレイ基板２とＣＦ基板１２との間の
ギャップ差が生じることなくシール材９の内側すなわち表示領域ＤＡにおける基板面から
スペーサのトップまでの高さに相当するギャップを外側の非表示領域ＮＤＡにも形成する
ことが可能になる。
【００４８】
なお、本発明にかかる液晶パネルは、アクティブマトリクス方式を採用したタイプの液
晶パネルで説明したが、このタイプの液晶パネルに限定されず他のタイプのものへも適用
できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１に係る液晶パネルであって積層されたカラーフィルタ基板からＴＦＴアレイ基板の配線が透視して見えるように図示した平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】図１の表示領域内に１画素を拡大した平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【図５】従来技術の液晶表示装置を示し、図５Ａは液晶表示パネルの平面図、図５Ｂは図５ＡのＶＢ−ＶＢ線の断面図、図５Ｃは図５ＢのＶＣ部分の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１：液晶パネル  ２：ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）  ２ａ：ガラス基板  ３：層間膜
４：ゲート絶縁膜  ５：保護絶縁膜  ６：半導体層  ７：画素電極  ８：配向膜  ９：
シール材  １０：柱状スペーサ，１１：保護部材、１２：カラーフィルタ基板（第２の基
板）、１２ａ：ガラス基板  １２ｂ：切断面  １２ｃ：端材  １３：ブラックマトリクス
１４：カラーフィルタ  １５：平坦化膜  １６：共通電極  １７：配向膜  １８ａ、１
８ｂ：偏光板  Ｃ：補助容量電極  Ｄ：ドレイン電極  Ｇ：ゲート電極  ＧＷ１〜ＧＷｎ
：ゲート配線  ＧＬ１〜ＧＬｎ：引回し配線（引出し配線）  ＳＷ１〜ＳＷｎ：ソース配
線  ＳＬ１〜ＳＬｎ：引回し配線（引出し配線）  Ｓ：スクライブ線（切断線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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