(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数種類の処理を行う基板処理装置において、
基板に行う処理の種類ごとに設けられる複数の種類別処理部と、各種類別処理部に所定の順番で基板を搬送する主搬送機構と、を有して構成される処理部と、
前記主搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の種類別処理部はそれぞれ、当該種類別処理部に対応する単一の種類の処理を行う任意の数の処理ユニットを有し、
前記制御部は、各種類別処理部の全ての処理ユニットに搬送可能な通常状態では、所定の搬送サイクル時間間隔で、搬送する順番が１番目の第１種類別処理部に基板を搬送させ、かつ、順番が相前後する各種類別処理部間で基板を１枚ずつ搬送させ、
少なくともいずれかの種類別処理部の一の処理ユニットが搬送不能である異常状態では、この異常状態における処理部の処理能力が通常状態に比べて低下した分だけ、通常状態よりも前記第１種類別処理部への基板の搬送の回数を間引くとともに、前記搬送サイクル時間ごとに、順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板のみを搬送させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に複数種類の処理を行う基板処理装置において、
基板に行う処理の種類ごとに設けられる複数の種類別処理部と、各種類別処理部に所定の順番で基板を搬送する主搬送機構と、を有して構成される処理部と、
前記主搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の種類別処理部はそれぞれ、当該種類別処理部に対応する単一の種類の処理を行う任意の数の処理ユニットを有し、
前記制御部は、各種類別処理部の全ての処理ユニットに搬送可能な通常状態では、所定の搬送サイクル時間間隔で、搬送する順番が1番目の第１種類別処理部に基板を搬送させ、かつ、順番が相前後する各種類別処理部間で基板を１枚ずつ搬送させ、
少なくともいずれかの種類別処理部の一の処理ユニットが搬送不能である異常状態では、搬送サイクル時間ごとの複数のタイミング中、通常状態における処理部の処理能力に対する異常状態における処理部の処理能力の割合に応じた頻度で、前記第１種類別処理部への基板の搬送動作を行わせるとともに、前記搬送サイクル時間ごとに順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板のみを搬送させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
各種類別処理部の処理ユニットの数をそれぞれユニット数とし、
各種類別処理部の処理ユニットが基板１枚の処理に要する時間をそれぞれユニット処理時間とし、
各種類別処理部のユニット処理時間を当該種類別処理部のユニット数で割った値を、その種類別処理部の種類別処理時間として、
前記搬送サイクル時間は、各種類別処理部の種類別処理時間のうち最長の時間であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記通常状態の処理部の処理能力は、前記搬送サイクル時間で単位時間を割った値であり、
各ユニット処理時間を前記搬送サイクル時間で割った値を整数に切り上げて、切り上げた値に前記搬送サイクル時間をかけた値をそれぞれ実質ユニット処理時間とし、
各種類別処理部の実質ユニット処理時間を当該種類別処理部の搬送可能なユニット数で割った値を、その種類別処理部の実質種類別処理時間とし、
前記異常状態の処理部の処理能力は、各種類別処理部の実質種類別処理時間のうち最長の時間で、単位時間を割った値であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記搬送サイクル時間ごとの各タイミングにおいて、順番が相前後する種類別処理部間の全てにおいて搬送可能な基板がなく、かつ、前記第１種類別処理部へ基板を搬送するタイミングではないときは、そのタイミングにおける前記主搬送機構の動作を中止することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構との間で基板を受け渡すことで前記処理部に対して基板を搬送するインデクサ部を備え、
前記制御部は、前記インデクサ部を制御して、前記インデクサ部から前記処理部への基板の搬送を、前記第１種類別処理部への基板の搬送のペースに対応させて行わせることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部を上下方向に複数備え、
前記制御部は各処理部について前記通常状態または前記異常状態に応じた制御をそれぞれ行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部は、
基板に熱処理を行う熱処理部と、
基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜材料塗布処理部と、
を前記種類別処理部として備え、基板にレジスト膜を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部は、
基板に熱処理を行う熱処理部と、
基板に現像液を供給する現像処理部と、
を前記種類別処理部として備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布処理ブロックや基板を現像するための現像処理ブロックなどが並べられて構成されている。各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。塗布処理ブロックの処理ユニットとしては、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットや、基板に熱処理を行う熱処理ユニットなどを備えている。現像処理ブロックの処理ユニットとしては、基板に現像液を供給する現像処理ユニットや熱処理ユニットなどを備えている。そして、各ブロックの主搬送機構はそのブロックに設けられる各種の処理ユニットに基板を順次搬送して一連の処理を行い、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構に基板を受け渡す（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、一の処理ユニットが故障した場合であっても、同種の処理ユニットが正常であれば、その処理ブロックにおいて基板に一連の処理を行うことができる。すなわち、通常ならば故障した処理ユニットで処理を行う基板を、正常な他の処理ユニットに搬送するように変更する。しかしながら、この場合、通常時と同じペースで基板を処理ブロックに搬入するため、正常な他の処理ユニットの処理能力を超過するペースで基板が搬送されれば、基板を待たせる時間が発生し、基板に一連の処理を行う期間が長くなるという不都合がある。この結果、基板に対する処理品質が低下するという不都合がある。
【０００４】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理ユニットが搬送不能な異常状態においても、通常状態の場合と同様に基板に一連の処理を好適に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板に複数種類の処理を行う基板処理装置において、基板に行う処理の種類ごとに設けられる複数の種類別処理部と、各種類別処理部に所定の順番で基板を搬送する主搬送機構と、を有して構成される処理部と、前記主搬送機構を制御する制御部と、を備え、前記複数の種類別処理部はそれぞれ、当該種類別処理部に対応する単一の種類の処理を行う任意の数の処理ユニットを有し、前記制御部は、各種類別処理部の全ての処理ユニットに搬送可能な通常状態では、所定の搬送サイクル時間間隔で、搬送する順番が１番目の第１種類別処理部に基板を搬送させ、かつ、順番が相前後する各種類別処理部間で基板を１枚ずつ搬送させ、少なくともいずれかの種類別処理部の一の処理ユニットが搬送不能である異常状態では、この異常状態における処理部の処理能力が通常状態に比べて低下した分だけ、通常状態よりも前記第１種類別処理部への基板の搬送の回数を間引くとともに、前記搬送サイクル時間ごとに、順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板のみを搬送させることを特徴とするものである。
【０００６】
［作用・効果］本発明によれば、異常状態の場合には、制御部が、処理部の処理能力が通常状態に比べて低下した分だけ、通常状態よりも前記第１種類別処理部への基板の搬送の回数を間引くことにより、異常状態における処理部の処理能力に見合ったペースで処理部における一連の処理を開始させる。これにより、異常状態においても、各基板に一連の処理を行う期間を通常状態と同じとすることができる。よって、異常状態における基板の処理品質を通常状態と同様に保つことができる。
【０００７】
また、本発明は、基板に行う処理の種類ごとに設けられる複数の種類別処理部と、各種類別処理部に所定の順番で基板を搬送する主搬送機構と、を有して構成される処理部と、前記主搬送機構を制御する制御部と、を備え、前記複数の種類別処理部はそれぞれ、当該種類別処理部に対応する単一の種類の処理を行う任意の数の処理ユニットを有し、前記制御部は、各種類別処理部の全ての処理ユニットに搬送可能な通常状態では、所定の搬送サイクル時間間隔で、搬送する順番が1番目の第１種類別処理部に基板を搬送させ、かつ、順番が相前後する各種類別処理部間で基板を１枚ずつ搬送させ、少なくともいずれかの種類別処理部の一の処理ユニットが搬送不能である異常状態では、搬送サイクル時間ごとの複数のタイミング中、通常状態における処理部の処理能力に対する異常状態における処理部の処理能力の割合に応じた頻度で、前記第１種類別処理部への基板の搬送動作を行わせるとともに、前記搬送サイクル時間ごとに順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板のみを搬送させることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］本発明によれば、異常状態の場合には、制御部が、搬送サイクル時間ごとの複数のタイミング中、通常状態における処理部の処理能力に対する異常状態における処理部の処理能力の割合に応じた頻度で、前記第１種類別処理部への基板の搬送動作を行わせることで、異常状態における処理部の処理能力に見合ったペースで処理部における一連の処理を開始させることができる。これにより、異常状態においても、各基板に一連の処理を行う期間を通常状態と同じとすることができる。よって、異常状態における基板の処理品質を通常状態と同様に保つことができる。
【０００９】
本発明において、各種類別処理部の処理ユニットの数をそれぞれユニット数とし、各種類別処理部の処理ユニットが基板１枚の処理に要する時間をそれぞれユニット処理時間とし、各種類別処理部のユニット処理時間を当該種類別処理部のユニット数で割った値を、その種類別処理部の種類別処理時間として、前記搬送サイクル時間は、各種類別処理部の種類別処理時間のうち最長の時間であることが好ましい。このような搬送サイクル時間間隔で基板を搬送すれば、処理部全体の処理能力に見合ったペースで基板を処理させることができる。
【００１０】
ここで、「各種類別処理部の処理ユニットが基板１枚の処理に要する時間」、すなわち、「ユニット処理時間」は、各処理ユニットにおけるプロセス処理の時間に、プロセス処理の前後に発生する準備時間、待ち時間、主搬送機構が各処理ユニットにおいて基板を取り置きする時間などを実用に即して適宜に加えた時間である。
【００１１】
本発明において、前記通常状態の処理部の処理能力は、前記搬送サイクル時間で単位時間を割った値であり、各ユニット処理時間を前記搬送サイクル時間で割った値を整数に切り上げて、切り上げた値に前記搬送サイクル時間をかけた値をそれぞれ実質ユニット処理時間とし、各種類別処理部の実質ユニット処理時間を当該種類別処理部の搬送可能なユニット数で割った値を、その種類別処理部の実質種類別処理時間とし、前記異常状態の処理部の処理能力は、各種類別処理部の実質種類別処理時間のうち最長の時間で、単位時間を割った値であることが好ましい。ユニット数が減少する異常状態において、搬送サイクル時間との関係で種類別処理部の種類別処理時間で実質上動作していない場合がある。このような場合であっても、搬送可能なユニット数から得られる実質種類別処理時間を用いることで、異常状態の処理部の処理能力を的確に求めることができる。よって、異常状態においても、好適なペースで基板を処理させることができる。
【００１２】
本発明において、前記制御部は、前記搬送サイクル時間ごとの各タイミングにおいて、順番が相前後する種類別処理部間の全てにおいて搬送可能な基板がなく、かつ、前記第１種類別処理部へ基板を搬送するタイミングではないときは、そのタイミングにおける前記主搬送機構の動作を中止することが好ましい。主搬送機構の不要な動作を省略することができる。
【００１３】
本発明において、前記主搬送機構との間で基板を受け渡すことで前記処理部に対して基板を搬送するインデクサ部を備え、前記制御部は、前記インデクサ部を制御して、前記インデクサ部から前記処理部への基板の搬送を、前記第１種類別処理部への基板の搬送のペースに対応させて行わせることが好ましい。処理部の処理能力に応じたペースで、インデクサ部から主搬送機構に基板を受け渡すことで、インデクサ部と処理部との間で基板がたまることを防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記処理部を上下方向に複数備え、前記制御部は各処理部について前記通常状態または前記異常状態に応じた制御をそれぞれ行うことが好ましい。各処理部がそれぞれ通常状態であっても異常状態であっても、基板に一連の処理を行う期間は同じである。よって、各処理部で並行して基板に処理を行っても、処理を開始した順番と同じ順番で処理が終了した基板を払い出すことができる。
【００１５】
本発明において、前記処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部と、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜材料塗布処理部と、を前記種類別処理部として備え、基板にレジスト膜を形成することが好ましい。一連の処理において、基板にレジスト膜を形成することができる。
【００１６】
本発明において、前記処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部と、基板に現像液を供給する現像処理部と、を前記種類別処理部として備えていることが好ましい。一連の処理において、基板を現像することができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明に係る基板処理装置によれば、制御手段が、通常状態であれば異常処理ユニットを経由せずに搬送される予定の基板の搬送のみを予定通り行わせることで、異常状態において処理する基板を全て、通常状態と同様に搬送することができる。これにより、異常状態においても、各基板に一連の処理を行う期間を通常状態と同じとすることができる。よって、異常状態における基板の処理品質を通常状態と同様に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４ないし図７は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【００２３】
実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置１０である。以下では、基板処理装置１０を装置１０と適宜に略記する。本装置１０は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と２つの処理ブロックＢａ、Ｂｂと、インターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備える。ＩＤ部１、処理ブロックＢａ、処理ブロックＢｂおよびＩＦ部５はこの順番に隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置１０とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。
【００２４】
ＩＤ部１は基板Ｗを処理ブロックＢａへ搬送する。処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数（２つ）の階層Ｋに分けられている。処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１には主搬送機構Ｔ１が設けられ、下側の階層Ｋ３には主搬送機構Ｔ３が設けられている。同様に、処理ブロックＢｂの上側の階層Ｋ２には主搬送機構Ｔ２が設けられており、下側の階層Ｋ４には主搬送機構Ｔ４が設けられている。そして、処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３では、基板Ｗにレジスト膜などを形成する処理を行う。処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４では、基板Ｗを現像する処理を行う。また、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋ１−Ｋ２、Ｋ３−Ｋ４同士はそれぞれ基板Ｗの受け渡しが可能に構成されている。ＩＦ部５は、本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。
【００２５】
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
【００２６】
［処理ブロックＢａ］
ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ１には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ３には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ３との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との間を移動することができる。
【００２７】
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間にも、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が設けられている。載置部ＰＡＳＳ２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４は載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗを受け渡す。
【００２８】
各載置部ＰＡＳＳ１は複数（２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ１Ａには、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗが載置され、他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂには主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ渡す基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４および後述する載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６も複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。また、載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ１Ｂには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤおよび主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ６にも付設されている。
【００２９】
階層Ｋ１について説明する。主搬送機構Ｔ１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ１を移動可能に設けられている。階層Ｋ１には、基板Ｗに行う処理の種類ごとに設けられる複数の種類別処理部３１、４５、４６、４７が設けられている。具体的には、それぞれ基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する塗布処理部３１と、基板Ｗに加熱処理を行う加熱処理部４５、基板Ｗに冷却処理を行う冷却処理部４６、４７である。そして、主搬送機構Ｔ１は、加熱処理部４５、冷却処理部４６、塗布処理部３１、冷却処理部４７の順番で各基板Ｗを順次搬送する。このように、冷却処理部４６、４７はともに冷却処理を行うが基板Ｗが搬送される順番が異なるため、本明細書では特に区別して記載する。塗布処理部３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には加熱処理部４５、冷却処理部４６、４７が配置されている。階層Ｋ１は、この発明における処理部に相当する。塗布処理部３１、加熱処理部４５、冷却処理部４６、４７は、それぞれこの発明における種類別処理部に相当する。特に、塗布処理部３１は、この発明におけるレジスト膜材料塗布処理部に相当し、加熱処理部４５、冷却処理部４６、４７は、それぞれこの発明における熱処理部に相当する。
【００３０】
塗布処理部３１は、複数（たとえば３個）のレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを有する。各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、それぞれ搬送スペースＡ１に面して縦横に複数個並べて設けられている。
【００３１】
図８を参照する。図８（ａ）はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの平面図であり、（ｂ）はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの断面図である。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。
【００３２】
供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
【００３３】
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
【００３４】
加熱処理部４５、冷却処理部４６、４７もそれぞれ任意の処理ユニットを有しており、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では、加熱処理部４５は基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰを４台有し、冷却処理部４６は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰａを２台有し、冷却処理部４７は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰｂを２台有している。各加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰａ、ＣＰｂは、それぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。
【００３５】
主搬送機構Ｔ１を具体的に説明する。図９を参照する。図９は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理部３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱ユニットＨＰ及び冷却ユニットＣＰａ、ＣＰｂの各位置にベース部５３を移動させる。
【００３６】
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰａ、ＣＰｂ及び載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら処理ユニット等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
【００３７】
階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３および各種類別処理部（処理ユニット）の平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ３から見た階層Ｋ３の処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ１から見た階層Ｋ１の処理ユニットの配置と略同じである。階層Ｋ３もこの発明における処理部に相当する。
【００３８】
以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等の処理ユニットを区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
【００３９】
処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。
【００４０】
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
【００４１】
階層Ｋ１、Ｋ３の各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴには、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
【００４２】
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理部３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
【００４３】
また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えることで、本装置１０を簡易に製造することができる。
【００４４】
［処理ブロックＢｂ］
階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
【００４５】
階層Ｋ２には、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う各種の熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷが設けられている。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理部３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。なお、本明細書では、現像処理ユニットＤＥＶで行われる処理を適宜に現像処理と記載し、エッジ露光ユニットＥＥＷで行われる処理を適宜にエッジ露光と記載する。
【００４６】
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。
【００４７】
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱処理する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却処理する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。
【００４８】
加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に配置される加熱冷却ユニットＰＨＰでは露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。したがって、階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。同様に階層Ｋ４に加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。
【００４９】
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
【００５０】
さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ５が積層されている。主搬送機構Ｔ２と後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、載置部ＰＡＳＳ５を介して基板Ｗを受け渡す。
【００５１】
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
【００５２】
階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
【００５３】
以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。
【００５４】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。第１搬送機構ＴＩＦＡは、各階層Ｋ２、Ｋ４に対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例では第１搬送機構ＴＩＦＡは、階層Ｋ３、Ｋ４の載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と、各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
【００５５】
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、処理ブロックＢａ、処理ブロックＢｂの搬送方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは階層Ｋ２、Ｋ４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファ部ＢＦが設けられている。バッファＢＦは複数枚の基板Ｗを載置または収容可能である。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
【００５６】
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【００５７】
次に本装置１０の制御系について説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置１０の制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。
【００５８】
メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１とと加熱ユニットＨＰ１と冷却ユニットＣＰａ１と冷却ユニットＣＰｂ１とにおける基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１搬送機構ＴＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、第２搬送機構ＴＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。
【００５９】
メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）や、各処理ブロックＢａ、Ｂｂに設けられている各種処理ユニットの処理時間（ユニット処理時間）、台数（ユニット数）これらに応じた各基板Ｗの搬送工程などの情報など各種情報を記憶されている。
【００６０】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。まず、図１１、図１２を参照して、本装置１０の基本的な動作を説明し、その後で、通常状態および異常状態における基板Ｗの具体的な制御例を含む動作例を説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。
【００６１】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図１２におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２０）。なお、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２０を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２０）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【００６２】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。
【００６３】
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ１９）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
【００６４】
主搬送機構Ｔ１は加熱ユニットＨＰ１にアクセスする。加熱ユニットＨＰ１には既に加熱処理が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを加熱ユニットＨＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は加熱処理された基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰａ１に移動する。加熱ユニットＨＰ１は搬入された基板Ｗに対して加熱処理を開始する（ステップＳ２ａ）。この加熱処理は、当該加熱ユニットＨＰ１に主搬送機構Ｔ１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の処理ユニットにおいても、主搬送機構Ｔ１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。
【００６５】
冷却ユニットＣＰａ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰａ１から冷却処理された基板Ｗを搬出するとともに、加熱処理後の基板Ｗを冷却ユニットＣＰａ１に搬入する。その後、主搬送機構Ｔ１は冷却処理された基板Ｗを保持してレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。冷却ユニットＣＰａ１は基板Ｗに対して冷却処理を開始する（ステップＳ３ａ）。
【００６６】
主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動して、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ４ａ）。
【００６７】
主搬送機構Ｔ１はさらに冷却ユニットＣＰｂ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを冷却ユニットＣＰｂ１に搬入し、冷却ユニットＣＰｂ１で処理が済んだ基板Ｗを受け取る。冷却ユニットＣＰｂ１は、未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ５ａ）。
【００６８】
主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置し（ステップＳ６ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ１８ａ）。
【００６９】
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗは全て、階層Ｋ１において各種処理ユニット間を上述した搬送経路で搬送され、搬送された各処理ユニットで所定の処理が順次行われる。
【００７０】
また、主搬送機構Ｔ１は、載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では加熱ユニットＨＰ１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを次の処理ユニット（本実施例で冷却ユニットＣＰａ１）に搬送するとともに、この処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ２に載置して、階層Ｋ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。
【００７１】
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置するとともに（ステップＳ１８ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ６ａ）。
【００７２】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ７ａ）。
【００７３】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ８ａ）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１３ａ）。
【００７４】
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１４ａ）。
【００７５】
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１５ａ）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
【００７６】
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ２において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１６ａ、ステップＳ１７ａ）。
【００７７】
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂに払い出される。
【００７８】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ８ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ９）。
【００７９】
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１１）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１３）。
【００８０】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１３）。続いて、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ８ｂ、９）。次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する。
【００８１】
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。
【００８２】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢ］
ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する（ステップＳ９、１０）。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する（ステップＳ１０、１１）。
【００８３】
その後、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【００８４】
次に、階層Ｋ１、Ｋ３において、基板Ｗに複数種類の処理を行う制御例および動作例を通常状態と異常状態とに分けて説明する。
【００８５】
（通常状態）
本明細書では、各種類別処理部の全ての処理ユニットに基板Ｗを搬送できる状態を通常状態とする。階層Ｋ１、Ｋ３では、上述したように加熱処理部４５、冷却処理部４６、塗布処理部３１、冷却処理部４７の順番で各基板Ｗを順次搬送して、基板Ｗに一連の処理を行う。この場合、加熱処理部４５は、この発明における「搬送する順番が1番目の第１種類別処理部」に対応する。
【００８６】
ここで、加熱処理部４５が有する加熱ユニットＨＰの数をユニット数ｎ４５とし、各加熱ユニットＨＰが基板Ｗ１枚の処理に要する時間をユニット処理時間ｔＨＰする。同様に、冷却処理部４６、塗布処理部３１、冷却処理部４７がそれぞれ有する処理ユニットの数を、ユニット数ｎ４６、ｎ３１、ｎ４７とする。また、冷却ユニットＣＰａ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、冷却ユニットＣＰｂがそれぞれ基板Ｗ１枚の処理に要する時間をユニット処理時間ｔＣＰａ、ｔＲＥＳＩＳＴ、ｔＣＰｂとする。各ユニット処理時間ｔＨＰ、ｔＣＰａ、ｔＲＥＳＩＳＴ、ｔＣＰｂはそれぞれ、各処理ユニットＨＰ、ＣＰａ、ＲＥＳＩＳＴ、ＣＰｂにおけるプロセス処理の時間のほかに、プロセス処理の前後に発生する準備時間、待ち時間、主搬送機構Ｔが各処理ユニットに対して基板Ｗを取り置きする時間など種々の時間を適宜に含んだ実用的な時間である。これら各種類別処理部のユニット数とユニット処理時間は既知であり、制御部９０に予め設定されている。
【００８７】
ここで、各種類別処理部のユニット処理時間を、当該処理部のユニット数で割った値を、各種類別処理部の種類別処理時間ｔ４５、ｔ３１、ｔ４６、ｔ４７とする。各種類別処理部の種類別処理時間を式（１）−（４）に示す。
ｔ４５  ＝  ｔＨＰ  ／  ｎ４５                 ……  （１）
ｔ３１  ＝  ｔＣＰａ  ／  ｎ４６               ……  （２）
ｔ４６  ＝  ｔＲＥＳＩＳＴ  ／ｎ３１           ……  （３）
ｔ４７  ＝  ｔＣＰｂ  ／  ｎ４７               ……  （４）
【００８８】
得られた各種類別処理部の種類別処理時間ｔ４５、ｔ３１、ｔ４６、ｔ４７のうち、最長の時間を搬送サイクル時間ｔｃとする。
【００８９】
本実施例では、各種類別処理部の全ての処理ユニットが搬送可能な通常状態においては、この搬送サイクル時間ｔｃ間隔で順番が相前後する各種類別処理部間で基板Ｗを１枚ずつ搬送する。なお、この動作は制御部９０の制御に基づく。以下、具体的に説明する。
【００９０】
図１３を参照する。図１３は階層Ｋ１における処理の工程の例示する図である。図１３では、各種類別処理部のユニット処理時間とユニット数がそれぞれ以下の場合を例示している。
ｔＨＰ             ＝  ６０（ｓ）
ｔＣＰａ    ＝  ３０（ｓ）
ｔＲＥＳＩＳＴ     ＝  ６０（ｓ）
ｔＣＰｂ    ＝  ３０（ｓ）
ｎ４５  ＝  ３
ｎ４６  ＝  ２
ｎ３１  ＝  ３
ｎ４７  ＝  ２
【００９１】
この場合、各種類別処理部の種類別処理時間と搬送サイクル時間ｔｃは以下の各値をとる。
ｔ４５      ＝  ２０（ｓ）
ｔ４６      ＝  １５（ｓ）
ｔ３１      ＝  ２０（ｓ）
ｔ４７      ＝  １５（ｓ）
ｔｃ ＝  ２０（ｓ）
【００９２】
図１３に示すように、搬送タイミングｕ１、ｕ２、ｕ３、……は、搬送サイクル時間ｔｃ（２０秒）間隔である。各搬送タイミングｕにおいて、主搬送機構Ｔ１により基板Ｗの搬送動作を行わせる。基板Ｗ１に着目すると、搬送タイミングｕ１において、順番が１番目の加熱処理部４５に搬送する。具体的には、３台ある加熱ユニットＨＰのいずれかに基板Ｗ１を搬入する。加熱ユニットＨＰでは基板Ｗ１を６０秒間、加熱処理する。
【００９３】
続いて、搬送タイミングｕ４において、加熱処理部４５から冷却処理部４６（冷却ユニットＣＰａ）へ基板Ｗ１を搬送する。冷却ユニットＣＰａでは３０秒間、基板Ｗ１を冷却処理する。冷却処理の終了後から搬送タイミングｕ６までの１０秒間は、基板Ｗ１は冷却ユニットＣＰａ内にある。
【００９４】
搬送タイミングｕ６において、冷却処理部４６から塗布処理部３１（レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ）へ基板Ｗ１を搬送する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴでは６０秒間、基板Ｗ１にレジスト膜材料を塗布する。
【００９５】
続いて、搬送タイミングｕ９において、塗布処理部３１から冷却処理部（冷却ユニットＣＰｂ）４７へ基板Ｗ１を搬送する。冷却ユニットＣＰｂでは３０秒間、基板Ｗ１を冷却処理する。冷却処理の終了後から搬送タイミングｕ１１までの１０秒間は、基板Ｗ１は冷却ユニットＣＰｂ内にある。
【００９６】
搬送タイミングｕ１１において、冷却処理部４７から基板Ｗ１を搬出し、処理ブロックＢｂへ基板Ｗ１を払い出す。したがって、基板Ｗ１に一連の処理を行うのに要する期間、具体的には、順番が１番目の種類別処理部に基板Ｗが搬送される搬送タイミングｕから、順番が最後の種類別処理部から当該基板Ｗが搬出される搬送タイミングｕまでの期間（以下、適宜に「全工程期間」と記載する）は２００（ｓ）である。なお、他の基板Ｗ２、Ｗ３、……も、同じ順番で各種類別処理部に搬送されるとともに、全工程期間が２００（ｓ）で一連の処理が行われる。
【００９７】
次に、図１３における搬送タイミングｕ１０に着目して、主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの搬送を説明する。図１４を参照する。図１４は、図１３における搬送タイミングｕ１０において主搬送機構Ｔ１が搬送する基板Ｗの経路を示す模式図である。図示するように、載置部ＰＡＳＳ１Ａから加熱処理部４５に基板Ｗ１１を搬送する。この際、まず、加熱処理が終了した基板Ｗ８を加熱ユニットＨＰから取り出してから、当該加熱ユニットＨＰに基板Ｗ１１を搬入する。続いて、取り出した基板Ｗ８を、冷却処理部４６に搬送する。この際も、冷却処理が終了した基板Ｗ６を冷却ユニットＣＰａから取り出してから、この冷却ユニットＣＰａに基板Ｗ８を搬入する。続いて、取り出した基板Ｗ６は塗布処理部３１へ搬送し、既に塗布処理が終了した基板Ｗ３と入れ替えるようにレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬入する。続いて、取り出された基板Ｗ３を冷却処理部４７へ搬送し、既に冷却処理が終了した基板Ｗ１と入れ替えるように冷却ユニットＣＰｂに搬入する。取り出した基板Ｗ１は載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置する。
【００９８】
その後、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取り、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに搬送する。他の搬送タイミングｕについても同様であり、主搬送機構Ｔ１は順番が相前後する各種類別処理部間で基板Ｗを１枚ずつ搬送する。なお、図１４に示す動作は、図１２、図１３を参照して説明した、本装置１０の基本的な動作どおりである。
【００９９】
このように、通常状態においては、制御部９０は、搬送サイクル時間ｔｃ間隔で順番が相前後する各種類別処理部間で基板Ｗを１枚ずつ搬送させる。さらに、制御部９０は、搬送サイクル時間ｔｃに１枚のペースで階層Ｋ１に基板Ｗを搬送させるようにＩＤ部１を制御する。
【０１００】
また、階層Ｋ２についても同様である。すなわち、階層Ｋ２が通常状態であれば、制御部９０は、搬送サイクル時間ｔｃ間隔で順番が相前後する各種類別処理部間で基板Ｗを１枚ずつ搬送させる。ただ、階層Ｋ２の搬送タイミングと階層Ｋ１の搬送タイミングは互いに関係がなく、それぞれＩＤ部１から載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ３Ａに基板Ｗが載置されるタイミングに依存する。
【０１０１】
図１５を参照する。図１５は、ＩＤ部１から各階層Ｋ１、Ｋ３へ各基板Ｗを搬送するタイミングと、各階層Ｋ１、Ｋ３から基板Ｗを払い出すタイミングを例示する図である。図示するように、図１５では、ＩＤ部１は基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、…を、それぞれ時刻０秒、２０秒、４０秒、…の時点で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する。これにより、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、…を階層Ｋ１へ搬送する。同様に、ＩＤ部１は基板Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、…を、それぞれ時刻１０秒、３０秒、５０秒、…の時点で載置部ＰＡＳＳ３Ａに載置する。これにより、各基板Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、…を階層Ｋ３へ搬送する。このように、ＩＤ部１は、各階層Ｋ１、Ｋ３へ基板Ｗを１枚ずつ交互に搬送する。また、各階層Ｋ１、Ｋ３に基板Ｗを搬送するペースは、搬送サイクル時間ｔｃごとに１枚である。
【０１０２】
階層Ｋ１へ搬送された基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、…は、それぞれ搬送された時点から全工程期間（図１５では２００秒）が経過したときに、載置部ＰＡＳＳ２Ａに払い出される。同様に、階層Ｋ３へ搬送された基板Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、…は、それぞれ搬送された時点から全工程期間が経過したときに、載置部ＰＡＳＳ４Ａに払い出される。
【０１０３】
よって、階層Ｋ１、Ｋ３からそれぞれ基板Ｗが払い出されるペースは、それぞれ搬送サイクル時間ｔｃごとに１枚である。したがって、階層Ｋ１、Ｋ３の処理能力Ｎは、搬送サイクル時間ｔｃで単位時間を割った値に相当する。たとえば、単位時間を１時間とすると、搬送サイクルｔｃが２０秒のときの処理能力Ｎは、１８０枚／時間となる。
【０１０４】
また、各階層Ｋ１、Ｋ３から払い出される基板Ｗの先後は、ＩＤ部１から各階層Ｋ１、Ｋ３に搬送された各基板Ｗの順番どおりである。このように、ＩＤ部１から複数の階層Ｋ１、Ｋ３に基板Ｗが分配されても、各基板Ｗに行われる処理の工程や各基板Ｗが階層Ｋ１、Ｋ３から払い出されるタイミングの先後は、ＩＤ部１から搬送された順番と変わることがない。
【０１０５】
（異常状態）
次に、異常状態における基板Ｗに複数種類の処理を行う制御例および動作例を説明する。異常状態とは、基板Ｗを搬送できない処理ユニットが発生している状態である。少なくともいずれかの種類別処理部の一の処理ユニットが搬送不能である場合は、異常状態である。以下では、搬送不能になった処理ユニットを「異常処理ユニット」と呼ぶこととする。
【０１０６】
図１６を参照する。図１６は階層Ｋ１が異常状態である場合の制御および階層Ｋ１の処理の工程を説明するための図である。図１６（ａ）は、通常状態であれば、異常処理ユニットを経由して搬送される基板の一連の搬送工程を明示する図であり、図１６（ｂ）は、異常状態における基板の搬送工程を例示する図である。なお、図１６では、図１３に例示する工程を通常状態としている。図示するように、塗布処理部３１の１台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが搬送不能になった場合を示している。
【０１０７】
図１６（ａ）に図示するように、通常状態であれば異常処理ユニットであるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを経由して搬送される予定の基板Ｗは、基板Ｗ３、Ｗ６、Ｗ９、Ｗ１２である。また、たとえば基板Ｗ３に注目すると、基板Ｗ３の一連の搬送工程は、加熱処理部４５への搬送が搬送タイミングｕ３であり、冷却処理部４６への搬送が搬送タイミングｕ６であり、異常処理ユニットであるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴへの搬送が搬送タイミングｕ８であり、冷却処理部４７への搬送が搬送タイミングｕ１１である。図１６では、基板Ｗ３、Ｗ６、Ｗ９、Ｗ１２の各一連の搬送工程をハッチングで明示する。
【０１０８】
制御部９０は、このような異常処理ユニットに関連した各基板Ｗの一連の搬送工程を、既知の各種類別処理部のユニット数とユニット処理時間に、異常処理ユニットを特定する情報を与えることで取得する。
【０１０９】
その上で、制御部９０は、通常状態であれば異常処理ユニットを経由して搬送される予定の各基板Ｗの一連の搬送を中止し、通常状態であれば異常処理ユニットを経由せずに搬送される予定の基板Ｗの搬送を予定通り行わせる。その場合、順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板が１枚もない搬送タイミングｕが発生した場合は、その搬送タイミングｕにおける主搬送機構Ｔ１の動作を中止することが好ましい。
【０１１０】
図１６（ｂ）は、その動作例を示している。図示するように、基板Ｗ３については、搬送タイミングｕ３における基板Ｗ３の搬送を中止して、搬送タイミングｕ４に繰り下げて搬送する。これにより、基板Ｗ４は、搬送タイミングｕ４から搬送タイミングｕ５に繰り下げて搬送させる。同様に基板Ｗ５以降の基板Ｗも、順次搬送タイミングを繰り下げる。
【０１１１】
このような制御によれば、各基板Ｗに一連の処理を行う期間は、通常状態の場合と変わることがない。具体的には、図１６（ｂ）から明らかなように、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、…の全工程期間は２００（秒）であり、この値は通常状態における全工程期間と等しい。
【０１１２】
このような異常状態の制御例、動作例において、各搬送タイミングにおける主搬送機構Ｔ１の動作を説明する。図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１６（ｂ）における搬送タイミングｕ１０、ｕ１１、ｕ１２における基板Ｗの搬送経路を示す模式図である。図示するように、異常状態においては、各搬送タイミングにおいて、順番が相前後する種類別処理部間の全てに搬送可能な基板Ｗはない。このため、主搬送機構Ｔ１は、順番が相前後する種類別処理部間で搬送可能な基板Ｗのみを搬送する。
【０１１３】
さらに、制御部９０は、このような異常状態における制御、動作を実現するために、ＩＤ部１を制御して、搬送タイミングｕ１、ｕ２、ｕ４、ｕ５、ｕ６、……の各時点において、ＩＤ部１から階層Ｋ１に基板Ｗを搬送させる。
【０１１４】
図１８を参照する。図１８は、異常状態における各階層Ｋ１、Ｋ３への基板Ｗの搬送と、各階層Ｋ１、Ｋ３からの基板Ｗを払い出しのタイミングを例示する図である。なお、図１８では階層Ｋ３が通常状態である場合を示している。図示するように、ＩＤ部１は基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、…を、それぞれ時刻０秒、２０秒、６０秒、…の時点で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する。よって、ＩＤ部１は、階層Ｋ３に基板Ｗを３枚搬送する間に、階層Ｋ１に基板Ｗの２枚搬送するように基板Ｗを分配する。
【０１１５】
ただし、階層Ｋ１、Ｋ３における基板Ｗの全工程期間（２００秒）は同じであるので、図１８に示すように、各階層Ｋ１、Ｋ３から払い出される基板Ｗの先後は、ＩＤ部１から各階層Ｋ１、Ｋ３に搬送された各基板Ｗの順番どおりである。
【０１１６】
なお、このような異常時における制御は次に説明するように、階層Ｋにおける処理を開始するタイミング（具体的には、加熱処理部４５に基板Ｗを搬入するタイミング）で規定することもできる。
【０１１７】
異常状態における加熱処理部４５、冷却処理部４６、塗布処理部３１および冷却処理部４７の搬送可能なユニット数をそれぞれ、ｎ４５´、ｎ４６´、ｎ３１´、ｎ４７´とする。また、各処理ユニットのユニット処理時間ｔＨＰ、ｔＣＰａ、ｔＲＥＳＩＳＴ、ｔＣＰｂは、搬送サイクル時間ｔｃとの関係で実質上、次の式（５）から（８）で与えられる実質ユニット処理時間ｔＨＰ´、ｔＣＰａ´、ｔＲＥＳＩＳＴ´、ｔＣＰｂ´となる。なお、式（５）から式（８）において、ｒｕ（ｘ）は、数値ｘを整数桁に切り上げる記号として用いる。
【０１１８】
ｔＨＰ´    ＝  ｒｕ（ｔＨＰ／ｔｃ）＊ｔｃ                   ……  （５）
ｔＣＰａ´  ＝  ｒｕ（ｔＣＰａ／ｔｃ）＊ｔｃ          ……  （６）
ｔＲＥＳＩＳＴ´   ＝  ｒｕ（ｔＲＥＳＩＳＴ／ｔｃ）＊ｔｃ           ……  （７）
ｔＣＰｂ´  ＝  ｒｕ（ｔＣＰｂ／ｔｃ）＊ｔｃ          ……  （８）
【０１１９】
各種類別処理部の実質ユニット処理時間を、当該種類別処理部の搬送可能なユニット数で割った値を、各種類別処理部の実質種類別処理時間ｔ４５´、ｔ３１´、ｔ４６´、ｔ４７´とする。各種類別処理部の実質種類別処理時間を式（９）から式（１２）に示す。
ｔ４５´  ＝  ｔＨＰ´  ／  ｎ４５´                  ……  （９）
ｔ４６´  ＝  ｔＣＰａ´  ／  ｎ４６´                ……  （１０）
ｔ３１´  ＝  ｔＲＥＳＩＳＴ´  ／ｎ３１´                   ……  （１１）
ｔ４７´  ＝  ｔＣＰｂ´  ／  ｎ４７´                ……  （１２）
【０１２０】
ここで、各種類別処理部の実質種類別処理時間ｔ４５´、ｔ３１´、ｔ４６´、ｔ４７´のうち、最長の時間で、単位時間を割った値が異常状態における階層Ｋ１の処理能力Ｎ´となる。よって、通常状態における階層Ｋ１の処理能力Ｎに対する異常状態における階層Ｋ１の処理能力の割合ｒは、Ｎ´／Ｎで与えられる。
【０１２１】
ここで、制御部９０は、搬送サイクル時間ｔｃごとに基板Ｗを１枚ずつ加熱処理部４５に搬送している通常状態に対して、異常状態では通常状態に比べて割合ｒに応じた頻度に落として加熱処理部４５に搬送させるように制御する。以下、具体的な数字を示して説明する。
【０１２２】
図１６〜図１８に例示した、塗布処理部３１の１台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが搬送不能になった場合で考える。
ｎ４５´    ＝  ３
ｎ４６´    ＝  ２
ｎ３１´    ＝  ２
ｎ４７´    ＝  ２  
【０１２３】
各種類別処理部の実質ユニット処理時間は、式（５）−（８）から、以下の値をとる。
ｔＨＰ´    ＝  ６０（ｓ）  
ｔＣＰａ´  ＝  ４０（ｓ）
ｔＲＥＳＩＳＴ´   ＝  ６０（ｓ）
ｔＣＰｂ    ＝  ４０（ｓ）
【０１２４】
この場合、各種類別処理部の実質種類別処理時間は、式（９）−（１２）から、以下の各値をとり、これらのうち、最長の時間ｔ´ｍａｘは３０（ｓ）となる。
ｔ４５´    ＝  ２０（ｓ）
ｔ４６´    ＝  ２０（ｓ）
ｔ３１´    ＝  ３０（ｓ）
ｔ４７´    ＝  ２０（ｓ）
【０１２５】
処理能力Ｎ、Ｎ´は、１時間当たりで計算すると、以下のようになる。
Ｎ   ＝     ３６００／ｔｃ              ＝  １８０（枚／時間）
Ｎ´ ＝  ３６００／ｔ´ｍａｘ    ＝  １２０（枚／時間）
【０１２６】
よって、処理能力Ｎに対する処理能力Ｎ´の割合ｒは、３分の２となる。この割合ｒに基づいて、制御部９０は、通常状態において加熱処理部４５へ基板Ｗを３枚分搬送する間に、２枚の基板Ｗを搬送する頻度（ペース）で、基板Ｗを加熱処理部４５へ搬送するように制御する。あるいは、通常状態に対する異常状態の処理能力の低下は３分の１である。この低下した分に基づいて、制御部９０は、通常状態において加熱処理部４５へ基板Ｗを搬送するペースから、３回に１回の割合で基板Ｗの搬送を間引くように制御する。ただし、異常状態であっても、原則として搬送サイクル時間ｔｃ間隔ごとに主搬送機構Ｔ１を動作させて基板Ｗの搬送を行わせる。したがって、搬送タイミングｕ１、ｕ２においては基板Ｗを加熱処理部４５に搬送させ、搬送タイミングｕ３においては基板Ｗを加熱処理部４５に搬送させない（間引く）ように制御部９０は制御する。
【０１２７】
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、異常状態の場合には、制御部９０は、通常状態であれば異常処理ユニットを経由せずに搬送される予定の基板Ｗの搬送のみを予定通り行わせる。これにより、異常状態において処理する基板Ｗを全て、通常状態と同様に搬送することができる。これにより、異常状態においても、各基板Ｗに一連の処理を行う期間（全工程期間）を通常状態と同じとすることができる。よって、異常状態においても、基板Ｗの処理品質を通常状態と同様に保つことができる。
【０１２８】
また、異常状態の場合には、階層Ｋ１（Ｋ３）の処理能力が通常状態に比べて低下した分だけ、通常状態よりも階層Ｋ１（Ｋ３）への基板Ｗの搬送の回数を間引くように制御してもよい。
【０１２９】
あるいは、異常状態の場合には、搬送サイクル時間ｔｃごとの複数のタイミング中、通常状態における階層Ｋ１（Ｋ３）の処理能力に対する異常状態における階層Ｋ１（Ｋ３）の処理能力の割合に応じた頻度で、階層Ｋ１（Ｋ３）への基板Ｗの搬送動作を行わせるように制御してもよい。
【０１３０】
また、制御部９０は、階層Ｋ１（Ｋ３）の処理能力に応じたペースで、ＩＤ部１から主搬送機構Ｔ１（Ｔ３）に基板Ｗを受け渡すことで、ＩＤ部１と階層Ｋ１（Ｋ３）との間で基板Ｗがたまることを防止することができる。
【０１３１】
また、各階層Ｋ１、Ｋ３がそれぞれ通常状態であっても異常状態であっても、基板Ｗに一連の処理を行う期間（全工程期間）は変わらない。よって、異なる階層Ｋ１、Ｋ２を搬送させても、基板Ｗの順番が入れ替わったり、追い越されたりすることがない。
【０１３２】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１３３】
（１）上述した実施例では、階層Ｋ１、Ｋ３における種類別処理部を塗布処理部３１、加熱処理部４５、冷却処理部４６、４７と説明したが、これらに限られることなく、種々の処理を行う種類別処理部を備えるように構成してもよい。たとえば、反射防止膜用材料を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットを有する塗布処理部を種類別処理部として備えるように変更してもよい。
【０１３４】
（２）上述した実施例では、加熱処理部４５、冷却処理部４６、塗布処理部３１、冷却処理部４７の順番で各基板Ｗを順次搬送すると説明したが、これに限られることなく、適宜に変更してもよい。
【０１３５】
（３）上述した実施例では、各種類別処理部のユニット数、および、当該ユニットのユニット処理時間を例示したが、これに限られるものではない。
【０１３６】
（４）上述した実施例では、通常状態および異常状態の各場合における基板Ｗの搬送制御を、階層Ｋ１、Ｋ３を例にとって説明したが、これに限られない。たとえば、階層Ｋ２、Ｋ４においても適宜に同様の制御を行ってもよい。また、階層Ｋ１のみなど単一の階層において制御を行うように変更してもよい。
【０１３７】
（５）上述した実施例では、処理ブロックＢａ、Ｂｂはそれぞれ２つの階層Ｋを有していたが、これに限られない。たとえば、３以上の階層を有するように変更してもよいし、単一の階層のみであってもよい。
【０１３８】
（６）上述した実施例では、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理や、露光後加熱（ＰＥＢ）処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。たとえば、洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行う装置に変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図３】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図４】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図５】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図６】図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。
【図７】図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【図８】（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。
【図９】主搬送機構の斜視図である。
【図１０】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１１】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１２】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１３】通常状態の階層における処理の工程の例示する図である。
【図１４】各搬送タイミングにおいて主搬送機構が搬送する基板Ｗの経路を示す模式図である。
【図１５】ＩＤ部から各階層へ各基板を搬送するタイミングと、各階層から基板を払い出すタイミングを例示する図である。
【図１６】階層が異常状態である場合の制御およびその階層における処理の工程を例示する図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、各搬送タイミングにおいて主搬送機構が搬送する基板の経路を示す模式図である。
【図１８】ＩＤ部から各階層へ各基板を搬送するタイミングと、各階層から基板を払い出すタイミングを例示する図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１  …インデクサ部（ＩＤ部）
５  …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１  …塗布処理部（種類別処理ユニット）
４２  …熱処理ユニット
４５  …加熱処理部
４６、４７  …冷却処理部
６１  …第１吹出ユニット
６１ａ  …第１吹出口
６２  …排出ユニット
６２ａ  …排出口
６５  …第２気体供給管
６６  …第２気体排出管
９０  …制御部
９１  …メインコントローラ
９３〜９９  …第１ないし第７コントローラ
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４  …階層
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ  …処理ブロック
ＲＥＳＩＳＴ  …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＨＰ  …加熱ユニット
ＣＰ、ＣＰａ、ＣＰｂ  …冷却ユニット
ＤＥＶ  …現像処理ユニット
ＥＥＷ  …エッジ露光ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４  …主搬送機構
ＴＩＦ  …ＩＦ用搬送機構
ＴＩＦＡ  …第１搬送機構
ＴＩＦＢ  …第２搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ  …載置部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  …搬送スペース
ＥＸＰ  …露光機
Ｃ  …カセット
Ｗ  …基板
ｎ４５、ｎ４６、ｎ３１、ｎ４７  …ユニット数
ｔＨＰ、ｔＣＰａ、ｔＲＥＳＩＳＴ、ｔＣＰｂ  …ユニット処理時間
ｔ４５、ｔ３１、ｔ４６、ｔ４７  …種類別処理時間
ｕ  …搬送タイミング
ｔｃ  …搬送サイクル時間
ｔＨＰ´、ｔＣＰａ´、ｔＲＥＳＩＳＴ´、ｔＣＰｂ´  …実質ユニット処理時間
ｔ４５´、ｔ３１´、ｔ４６´、ｔ４７´  …実質種類別処理時間
Ｎ、Ｎ´  …処理能力
ｒ  …通常状態における処理能力に対する異常状態における階層Ｋ１の処理能力の割合
【図１】
0005344734.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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