(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（４）で表されることを特徴とする、トリフェニレン系化合物。
【化４】
0005353069.tif 000023
（式（４）中、Ｒ０〜Ｒ４は、各々独立に、置換基を表す。
ａ〜ｅは、各々独立に、０以上の整数を表す。
ａ〜ｅの何れかが２以上である場合、一分子中に含まれる複数のＲ０〜Ｒ４は、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
【請求項２】
請求項１記載のトリフェニレン系化合物からなることを特徴とする、電荷輸送材料。
【請求項３】
請求項１記載のトリフェニレン系化合物からなることを特徴とする、発光材料。
【請求項４】
請求項１記載のトリフェニレン系化合物及び溶剤を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
請求項４に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法にて形成された有機層を有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が請求項１記載のトリフェニレン系化合物を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を用いることを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子等に有用なトリフェニレン系化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した材料が開発されつつある。さらに、該有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。
【０００３】
しかしながら、中でも青色発光素子は、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものではなく、フルカラーディスプレイ用途への適用は限定的であるという課題があった。 
また、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法がある。真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
上記の湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有することが望まれていた。しかし、従来開発されている蒸着成膜法に使用されてきた材料は、湿式成膜法には適さないものが多かった。
例えば、特許文献１では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【０００５】
【化１】
0005353069.tif 000002
【０００６】
また、特許文献２には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【０００７】
【化２】
0005353069.tif 000003
【０００８】
しかしながら、これらの材料は、溶剤に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない。また、有機電界発光素子に用いても駆動電圧が高かったり、十分な寿命が得られなかったりするなどの問題があった。
【特許文献１】国際公開２００６／０７０７１２号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−２２４７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、有機電界発光素子に適した純青に近い発光波長を有する化合物を提供することを課題とする。また、湿式成膜法で形成された有機層を有する有機電界発光素子において、駆動電圧が低く、十分な寿命を提供すること、及び該素子を提供するための有機電界発光素子用材料を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らが鋭意検討した結果、下記式（１）で表されるトリフェニレン系化合物を用いることにより、上記課題を解決しうることを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記式（１）で表されるトリフェニレン系化合物、該化合物及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物、該化合物を含有する有機層を有する有機電界発光素子及び有機ＥＬディスプレイに存する。
【００１１】
【化３】
0005353069.tif 000004
【００１２】
（式（１）中、Ｔは置換基を有していてもよいトリフェニレン環由来のｎ価の基を表す。Ｘは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ｍは１以上の整数を表し、ｎは２以上の整数を表す。Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
【００１３】
ｍ又はｎが２以上である場合、一分子中に含まれる複数のＡｒ１、Ａｒ２、及びＸは、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
【発明の効果】
【００１４】
本発明の化合物は、有機電界発光素子に適した純青に近い発光波長を有する。
また、本発明の化合物を用いて有機電界発光素子を作製すると、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
本発明は、下記式（１）で表されることを特徴とするトリフェニレン系化合物に存する。
【００１６】
【化４】
0005353069.tif 000005
【００１７】
（式（１）中、Ｔは置換基を有していてもよいトリフェニレン環由来のｎ価の基を表す。Ｘは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ｍは１以上の整数を表し、ｎは２以上の整数を表す。Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
【００１８】
ｍ又はｎが２以上である場合、一分子中に含まれる複数のＡｒ１、Ａｒ２、及びＸは、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
＜式（１）＞
（Ｔについて）
Ｔは、置換基を有していてもよいトリフェニレン環由来のｎ価の基を表す。
【００１９】
Ｔが有しうる置換基としては、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、（ヘテロ）アリールオキシ基、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルリールアミノ基、ジアリールアミノ基などの有機基が挙げられる。該アルキル基及び該芳香族炭化水素基が化合物の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。尚、上記（ヘテロ）アリールとは、アリール及びヘテロアリールの両方を示す。
【００２０】
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。メチル基、エチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどから好ましく、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は非極性溶剤に高い溶解性を持つために好ましい。
【００２１】
芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５が好ましく、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。 例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０が好ましく、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が由来の基が挙げられる。
【００２２】
アルコキシ基としては、炭素数１〜２０が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
（ヘテロ）アリールオキシ基としては、炭素数３〜２０が好ましく、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。
【００２３】
アルキルチオ基としては、炭素数１〜２０が好ましく、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
（ヘテロ）アリールチオ基としては、炭素数３〜２０が好ましく、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。
ジアルキルアミノ基としては、炭素数２〜２９が好ましく、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、メチルエチルアミノ基等が挙げられる。
アルキルアリールアミノ基としては、炭素数７〜３０が好ましく、メチルフェニルアミノ基等が、挙げられる。
【００２４】
ジアリールアミノ基としては、炭素数１２〜３０が好ましく、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等が挙げられる。
また、これらの置換基は更に置換基を有していてもよく、例えば上記のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジアリールアミノ基などが挙げられる。
（Ｘについて）
Ｘは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
【００２５】
芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５が好ましく、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。 例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０が好ましく、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が由来の基が挙げられる。
【００２６】
該芳香族炭化水素基及び該芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、上記Ｔのトリフェニレン環が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられ、また好ましいものも同様である。
（ｍについて）
ｍは１以上の整数を表す。好ましくは４以下、さらに好ましくは２以下である。特に１であることが好ましい。
【００２７】
（Ａｒ１及びＡｒ２について）
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５が好ましく、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。 例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、
クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
【００２８】
芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０が好ましく、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が由来の基が挙げられる。
【００２９】
該芳香族炭化水素基及び該芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、上記Ｔのトリフェニレン環が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられ、また好ましいものも同様である。
該置換基同士が結合して環を形成し、Ａｒ１又はＡｒ２と共に縮合環を形成してもよい。置換基同士が結合して形成する環としては、シクロヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキセン、シクロペンテン、などが挙げられる。
【００３０】
（ｎについて）
ｎは２以上の整数を表す。通常６以下、好ましくは３以下である。特に２であることが好ましい。
前記式（１）で表される化合物の一分子中に、複数の下記式（１−Ｉ）で表される部分構造が存在する場合は、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
【００３１】
【化５】
0005353069.tif 000006
【００３２】
（式（１−Ｉ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びｍは、前記式（１）におけると同義である。）
＜式（２）＞
前記式（１）で表される化合物の中でも、純青に近い発光波長を有するため、下記式（２）で表される化合物が好ましい。
【００３３】
【化６】
0005353069.tif 000007
【００３４】
（式（２）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ｒ及びｐは、それぞれ独立
に１以上の整数を表す。Ａｒ３〜Ａｒ６は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ０は置換基を表す。ｅは０以上の整数を表す。ｅ、ｒ又はｐが２以上である場合、一分子中に含まれる複数のＲ０、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
（Ｘ１，Ｘ２について）
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、前記式（１）におけるＸと同義である。
【００３５】
ｒ又はｐが２以上の場合、複数のＸ１及びＸ２は、各々独立に同一であっても異なっていてもよい。
（ｒ，ｐについて）
ｒ及びｐは、それぞれ独立に、前記式（１）におけるｍと同義である。
（Ａｒ３〜Ａｒ６について）
Ａｒ３〜Ａｒ６は、それぞれ独立に、前記式（１）におけるＡｒ１及びＡｒ２と同義である。
【００３６】
ｅが２以上の場合、複数のＡｒ３〜Ａｒ６は、各々独立に同一であっても異なっていてもよい。
（Ｒ０について）
Ｒ０は置換基を表す。該置換基としては、前記式（１）におけるトリフェニレン環が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられる。ｅが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ０は同一であっても異なっていてもよい。
【００３７】
（ｅについて）
ｅは、０以上の整数を表す。通常２以下、好ましくは１以下である。
＜式（３）＞
前記式（２）で表される化合物の中でも、発光波長及び骨格の堅牢性の点で、下記式（３）で表される化合物であることが好ましい。
【００３８】
【化７】
0005353069.tif 000008
【００３９】
（式（３）中、Ａｒ３〜Ａｒ６、Ｒ０及びｅは前記式（２）におけると同義である。）
＜式（４）＞
前記式（３）で表される化合物の中でも、製造が容易である点で、下記式（４）で表される化合物であることが好ましい。
【００４０】
【化８】
0005353069.tif 000009
【００４１】
（式（４）中、Ｒ０〜Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を表す。ａ〜ｅは、それぞれ独立に０以上の整数を表す。）
（Ｒ０〜Ｒ４について）
Ｒ０〜Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を表す。該置換基としては、前記式（１）におけるトリフェニレン環が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられ、また好ましいものについても同様である。
【００４２】
（ａ〜ｅについて）
ａ〜ｅは、上記式（２）におけるｅと同義である。
ａ〜ｅの何れかが２以上である場合、一分子中に含まれる複数のＲ０〜Ｒ４は、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
＜トリフェニレン系化合物の物性値＞
（分子量）
本発明のトリフェニレン系化合物の分子量は、通常７００以上、２０００以下、好ましくは１５００以下である。
【００４３】
（結晶化温度） 
本発明のトリフェニレン系化合物の結晶化温度は、２００℃以上が好ましく、２５０℃以上が更に好ましく、観測されないことが特に好ましい。 
本発明のトリフェニレン系化合物は、湿式成膜の際、あるいはその後の加熱処理の際に、結晶化を起こさないことが特に好ましいためである。 
【００４４】
（気化温度） 
本発明のトリフェニレン系化合物の気化温度は、０．００１Ｐａ条件下において、５００℃以下が好ましく、４５０℃以下が更に好ましい。
高真空下における昇華精製が可能であると、化合物の高純度化を促進することができるためである。
【００４５】
（ガラス転移点） 
本発明のトリフェニレン系化合物のガラス転移点は、通常１２０℃以上、好ましくは１２５℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上、また、通常３５０℃以下、好ましくは３００℃以下、さらに好ましくは２５０℃以下である。ガラス転移点がこの範囲を下回ると、本発明の電荷輸送材料を用いて作製した薄膜が、加熱処理あるいは通電などによって、結晶化を起こす可能性がある。また、ガラス転移点がこの範囲を上回ると、溶剤に対する溶解性が低下する傾向がある。 
【００４６】
ガラス転移点の測定は、示差走査熱量分析法により測定できる。 
測定装置としては、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＤＳＣ６２２０を用いる。サンプル量２〜６ｍｇをアルミ製液体用試料容器に入れ、窒素フロー（５０ｍＬ／分）雰囲気下、室温〜４００℃の間を昇温速度１０℃／分で融点以上まで昇温する。なお、
融点が検出されない場合には、３００℃まで昇温する。 
【００４７】
次に、一度昇温したサンプルを、−１００℃／分以上の速度で室温以下に急冷してから、再び、昇温速度１０℃／分で昇温した際に検出されたガラス転移点を、本発明のガラス転移点と定義する。
（溶剤への溶解度） 
本発明のトリフェニレン系化合物をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、特に好ましくは１．０重量％以上、さらに好ましくは２．０重量％以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶剤の選定が制限される可能性がある。
【００４８】
溶解度の測定は、内容量２ｍＬ以上１０ｍＬ以下のガラス製サンプル瓶に、溶質Ｘｇ（通常３ｍｇ以上１０ｍｇ以下の範囲）、溶剤（例えばトルエン）Ｙｇを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。
その後、室温（通常、１０℃以上３０℃以下）下、１０時間以上静置したとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％未満であると判定する。
【００４９】
＜トリフェニレン系化合物の用途＞
本発明のトリフェニレン系化合物は、発光材料、電荷輸送材料（電荷輸送性化合物）として用いられることが好ましく、また有機電界発素子における発光層の発光材料、電荷輸送材料として用いることが好ましく、特に発光材料として用いられることが好ましい。
また、製造方法を簡便にできることから、本発明のトリフェニレン系化合物は、湿式成膜法で形成される有機層に用いることが好ましい。
【００５０】
本発明のトリフェニレン系化合物が、特に発光材料として有用である理由は以下の通りと推測される。
発光材料は、溶液状態と固体状態での発光波長が同じであることが好ましい。
これは、溶液状態と固体状態で蛍光波長が異なる場合、溶液状態では純青に近い波長を示すが、工業的に利用される形態の薄膜状態では純青に近い波長を示さない恐れからである。
【００５１】
この溶液状態と固体状態で波長が異なる原因は、固体状態では、分子同士の相互作用が強くなり凝集状態が起こるためと推測される。
一方、本発明のトリフェニレン系化合物は、分子同士の相互作用が強くなりがちな固体状態においても、立体障害が大きいことから凝集状態が緩和され、溶液状態と同様に純青に近い発光波長を有するのである。
【００５２】
これより、本発明のトリフェニレン系化合物は、特に発光材料として有用である。
また、有機電界発光素子だけでなく、太陽電池用素子、有機トランジスタなどの用途にも使用することができる。
＜トリフェニレン系化合物の好ましい例＞
以下、本発明のトリフェニレン系化合物の好ましい例について例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
【化９】
0005353069.tif 000010
【００５４】
【化１０】
0005353069.tif 000011
【００５５】
【化１１】
0005353069.tif 000012
【００５６】
＜トリフェニレン系化合物の合成方法＞
本発明のトリフェニレン系化合物は、公知の合成方法を任意に組み合わせることにより製造することができる。以下、その一例を説明するが、本発明のトリフェニレン系化合物の製造方法は、以下の例に限定されない。
本発明のトリフェニレン系化合物は実施例に後述するように、下記のような合成方法で合成することが好ましい。
【００５７】
【化１２】
0005353069.tif 000013
【００５８】
（上記合成方法中、Ｒ０〜Ｒ４、ａ〜ｅは、前記式（４）におけるＲ０〜Ｒ４、ａ〜ｅと同義である  ）
＜トリフェニレン系化合物の精製方法＞ 
合成して得られたトリフェニレン系化合物の精製方法としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、公知の何れかの方法を用いることが出来る。
【００５９】
具体例としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分及び難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイピーシー発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法等が挙げられる。
さらに具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶剤からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。 
【００６０】
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ、ＧＣ／ＭＳ、ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（1
Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ、ＧＦ−ＡＡＳ、ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。
【００６１】
＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、少なくとも上記トリフェニレン系化合物及び溶剤を含有する。
該有機電界発光素子用組成物におけるトリフェニレン系化合物の含有量は、通常０．５重量部以上、好ましくは１重量部以上、通常５０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。この範囲とすることにより、発光効率の向上及び素子の低電圧化の効果が得られる。尚、前記トリフェニレン系化合物は組成物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わせて含まれていてもよい。
【００６２】
組成物に含有される溶剤は、湿式成膜によりトリフェニレン系化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００６３】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００６４】
溶剤の使用量は、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
【００６５】
本発明の有機電界発光素子用組成物には、本発明のトリフェニレン系化合物や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、発光層を形成する場合には、本発明のトリフェニレン系化合物をホスト材料とし、他の電荷輸送性化合物をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明のトリフェニレン系化合物をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明のトリフェニレン系化合物であってもよい。
【００６６】
他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセン、ピレン、トリフェニレン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等があげられる。 
【００６７】
他の電荷輸送性化合物は、該組成物を１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【００６８】
また、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
＜有機電界発光素子＞
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が本発明のトリフェニレン系化合物を含有することを特徴とする。中でも、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で形成された有機層を含むことが好ましい。
【００６９】
該有機層は、１層からなるものであっても、２層以上からなるものであってもよく、いずれかの層に本発明のトリフェニレン系化合物が含まれていればよい。また、陽極と陰極の間には、有機層の他、無機化合物からなる層を有していてもよい。
以下図１の素子構成に従い説明するが、本発明の有機電界発光素子の構造は、これらに限定されるものではない。
【００７０】
（基板）
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００７１】
（陽極）
基板上には陽極が設けられる。陽極は発光層側の層（正孔注入層など）への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
【００７２】
陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Appl．Phys．Lett．，60巻，2711頁，1992年）。
【００７３】
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極の厚みは任意であり、基板と同一でもよい。また、さらには上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００７４】
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
（正孔注入層）
本発明に係る正孔注入層の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層を湿式成膜により形成することが好ましい。また湿式成膜法は、従来の真空蒸着法と比較して均質で欠陥がない薄膜が得られる点、形成のための時間が短く、工業的にも優れている。 
【００７５】
ここで本発明における湿式成膜（法）とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷等の溶剤を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、又はフレキソ印刷法が好ましい。
【００７６】
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層の材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を用意し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
（正孔輸送性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の材料として少なくとも正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、正孔輸送性化合物として、本発明のトリフェニレン系化合物を用いて、湿式成膜法により正孔注入層を形成してもよい。
【００７７】
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン化合物、フタロシアニン誘導体などが挙げられる。
【００７８】
中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合体）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい 例と
して、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。  
【００７９】
【化１３】
0005353069.tif 000014
【００８０】
（式（Ｉ）中、Ａｒ７及びＡｒ８はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ９〜Ａｒ１１は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ７〜Ａｒ１１のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成していてもよい。） 
【００８１】
【化１４】
0005353069.tif 000015
【００８２】
（上記各式中、Ａｒ１２〜Ａｒ２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の１価又は２価の基を表す。Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。） 
Ａｒ７〜Ａｒ２２としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環由来の、１価又は２価の基が適用可能である。これらはそれぞれ同一であっても、互いに異なっていてもよい。Ａｒ７〜Ａｒ２２の芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。Ａｒ７、Ａｒ８としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の１価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。また、Ａｒ９〜Ａｒ１１としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、トリフェニレン環、フェナントレン環由来の２価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 
【００８３】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、例えば国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
【００８４】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。これらの電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。電子受容性化合物の正孔輸送材料に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【００８５】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる溶剤のうち少なくとも１種は、正孔注入層の材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。有機溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、有機溶剤の沸点が高すぎると高い乾燥工程の温度を高くする必要がある。そのため、他の層やガラス基板に悪影響を与える可能性がある。溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。具体的に、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【００８６】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。 
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【００８７】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。 
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。 
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。 
【００８８】
上述した溶剤の中でも、正孔注入層の材料を溶解する能力（溶解能）、若しくは材料との親和性が高い溶剤の方が好ましい。正孔注入層形成用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。
（濃度）
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された有機層に欠陥が生じる可能性がある。
【００８９】
（その他含まれてもよいもの）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤など
が挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００９０】
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
成膜後、通常加熱等により乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
【００９１】
尚、真空蒸着による層形成の場合には、材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。
【００９２】
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
（正孔輸送層）
本発明の有機電界発光素子は正孔輸送層を有することが好ましい。
本発明に係る正孔輸送層の形成方法は特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜により形成することが好ましい。
【００９３】
正孔輸送層は、正孔注入層が有る場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成することができる。 
正孔輸送層に利用できる材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。 また、多くの場合発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。 
【００９４】
このような正孔輸送層の材料としては、従来正孔輸送層の材料として用いられている材料であればよい。例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニルで代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−
トリス（ １−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を
有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。
【００９５】
湿式成膜で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、成膜、加熱乾燥させる。正孔輸送層形成用組成物には、正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層形成時と同様である。
尚、真空蒸着により正孔輸送層を形成する場合もまた、成膜条件等は上記正孔注入層の形成と同様である。
【００９６】
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層は架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、後述する架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。架橋性化合物は、低分子化合物であってもよく、また高分子化合物であってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
【００９７】
また、架橋性基とは近傍に位置するほかの分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。例えば、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により、近傍に位置する他の分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基が挙げられる。
架橋性基の例を挙げると、オキセタン基、エポキシ基などの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタン基などが挙げられる。
【００９８】
架橋性基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーが有する架橋性基の数に特に制限はないが、電荷輸送ユニットあたり通常２．０未満、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．５以下となる数が好ましい。電荷輸送膜形成材料の比誘電率を好適な範囲に納めるためである。また、架橋性基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。ここで、電荷輸送ユニットとは、網目状高分子化合物を形成する材料が低分子化合物の場合、低分子化合物そのものであり、架橋性基をのぞいた骨格（主骨格）のことを示す。他種類の低分子化合物を混合する場合においても、それぞれの低分子化合物の主骨格のことを示す。網目状高分子化合物を形成する材料が高分子化合物の場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の場合は、その繰り返しの構造を電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造は低分子化合物の構造を示す。例えば、ナフタレン、トリフェニレン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレンなどの多環系芳香族、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、１，４−ビス（ジアリールアミノ）ベンゼンなどが挙げられる。
【００９９】
さらに、架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。架橋性化合物の分子量は、通常５０００以下、好ましくは２５００以下であり、また好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。
【０１００】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した塗布液（正孔輸送層形成用組成物）を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
塗布液には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の架橋開始剤及び架橋促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物：バインダー樹脂、などを含有していてもよい。
【０１０１】
塗布液に用いられる溶剤は、前記正孔注入層を形成するための溶剤として例示したものと同様である。塗布液は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
塗布液を下層上に成膜後、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化する。成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下に成膜された層を加熱する。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１０２】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１０３】
加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
加熱及び光を含む電磁エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分及び／又は表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも有機発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
【０１０４】
正孔輸送層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
（発光層）
本発明の有機電界発光素子における発光層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。
【０１０５】
成膜時の成膜温度は限定されないが、組成物中に結晶や凝集が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、１３℃以上がより好ましく、１６℃以上がさらに
好ましく、また、５０℃以下が好ましく、４０℃以下がさらに好ましい。
成膜時の相対湿度は限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、好ましくは０．０５ｐｐｍ以上、より好ましくは０．１ｐｐｍ以上、通常８０％以下、好ましくは６０％以下、より好ましくは１５％以下、更に好ましくは１％以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。相対湿度が小さすぎると、成膜条件の制御が困難となり、安定した環境を維持できない。また、大きすぎると有機層への水分吸着が大きくなり、有機電界発光素子を形成した場合には駆動電圧や寿命に悪影響を与える恐れがある。
【０１０６】
成膜後、通常は加熱乾燥させる。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
加熱工程における加熱方向は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱方向の例を挙げると、例えば、ホットプレート上に基材を搭載しそのホットプレートを介して塗布膜を加熱することで、塗布膜を基板の下面（有機層が塗布されていない面）から加熱していく方法、クリーンオーブン内に基板を投入することで、前後左右すべての方向から塗布膜を加熱する方法等が挙げられる。
【０１０７】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はないが、通常、９０℃以上、好ましくは１００℃以上、また、通常２００℃以下、好ましくは１４０℃以下で加熱することが好ましい。温度が高すぎると他の層に本発明の有機電界発光素子用組成物の成分が拡散する可能性があり、また、低すぎると十分に微量の残存溶剤を取り除けない可能性がある。また、上記で示した溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤を加熱する場合、少なくとも１種類の溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。
【０１０８】
加熱工程における加熱時間は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１５分以上、より好ましくは３０分以上、さらに好ましくは１時間以上、また、好ましくは６時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは２時間以下である。これにより、塗布膜を十分に不溶化させることが可能となる。加熱時間が長すぎると発光層に他の層の成分が拡散する傾向があり、また、短すぎると発光層の膜における十分な均質性が得られない。
【０１０９】
発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると発光層に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成しない場合、すなわち、本発明の有機電界発光素子用組成物を他の層に用いる場合、発光層としては従来有機電界発光素子の発光層として使用されている材料や方法により形成することができる。
【０１１０】
［６］正孔阻止層
発光層上に正孔阻止層を設けてもよい。この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。なお、正孔阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。好ましくは真空蒸着法である。
【０１１１】
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
［７］電子輸送層
例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０１１２】
電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１１３】
電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。好ましくは真空蒸着法である。
電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。 
【０１１４】
［８］電子注入層
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率良く発光層へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。 
【０１１５】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ3）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。 
【０１１６】
この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。 
なお、電子注入層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
電子注入層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。  
【０１１７】
［９］陰極
陰極は、発光層側の層に電子を注入する役割を果たすものである。 
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１１８】
陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。 
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１１９】
［１０］その他の層
本発明の製造方法により得られる有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。 
【０１２０】
［１１］電子阻止層
電子阻止層は、発光層から移動してくる電子が正孔輸送層、正孔注入層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔輸送層、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。 
【０１２１】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号公報記載）等が挙げられる。なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１２２】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。  
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板上に他の構成要素を陰極から順に設けることになる。 
【０１２３】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、有機電界発光素子を構成することも可能である。 
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 
【０１２４】
更には、本発明の製造方法により得られる有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。 
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１２５】
＜有機ＥＬディスプレイ＞
本発明の製造方法により得られる有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイに使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイを形成することができる。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
（合成例１）
【０１２７】
【化１５】
0005353069.tif 000016
【０１２８】
１，２−ジブロモベンゼン（２１．０ｇ、８９ｍｍｏｌ）、３−メトキシフェニルボロン酸（２９．８ｇ、１９６ｍｍｏｌ）に、トルエン（１４７ｍｌ）、エタノール（１４７ｍｌ）を加え、系内を脱気処理した。さらにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６．１７ｇ、５．３ｍｍｏｌ）を加え、あらかじめ脱気処理した２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（３５７ｇ、５８７ｍｍｏｌ）を添加し、６時間加熱環流をおこなった。原料が無くなったことを確認した後、反応液に水を加え、トルエンで抽出して分液した。得ら
れた有機層を水洗し、活性白土により処理し、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）により精製し、目的物１（２０．４４ｇ、収率７９％）を得た。
（合成例２）
【０１２９】
【化１６】
0005353069.tif 000017
【０１３０】
合成例１で得られた目的物１（１５．５ｇ、５３ｍｍｏｌ）に塩化メチレン（７０ｍｌ）を加え、濃硫酸（１．４ｇ）を加えた。反応液を氷冷し、無水塩化鉄（１７．３２ｇ、１０７ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。３．５時間攪拌後、さらに無水塩化鉄（４．３３ｇ、２６ｍｍｏｌ）と塩化メチレン（２０ｍｌ）を加え、ゆっくりと室温へ戻し、３時間攪拌した。反応液を冷却したメタノール（３００ｍｌ）に注ぎ、得られた結晶を濾取した。得られた結晶を塩化メチレン（２５０ｍｌ）に溶解し、１Ｎ塩酸水で洗浄し、有機層をセライト濾過し、濃縮した。析出した結晶をメタノールで洗浄することにより、目的物２（７．４１ｇ、収率４８％）を得た。
（合成例３）
【０１３１】
【化１７】
0005353069.tif 000018
【０１３２】
合成例２で得られた目的物２（７．４１ｇ、２６ｍｍｏｌ）に塩化メチレン（１１０ｍｌ）を加え、氷冷下に１Ｍ三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液（６５ｍｌ、６５ｍｍｏｌ）を滴下し、４時間攪拌した。原料の消失が確認できたので、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を濃縮した。析出した結晶を、塩化メチレン／エタノール（５／１）溶液で洗浄し、乾燥することにより、目的物３（６．５８ｇ、収率９８％）を得た。
（合成例４）
【０１３３】
【化１８】
0005353069.tif 000019
【０１３４】
合成例３で得られた目的物３（７．２７ｇ、２７．９ｍｍｏｌ）に塩化メチレン（１４５ｍｌ）を加えて、トリフルオロメチルスルホン酸無水物（１６．５５ｇ、５８．７ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液にピリジン（４．６４ｇ、５８．７ｍｍｏｌ）を滴下した。原料が完全消失しきらなかったので、４時間後にトリフルオロメチルスルホン酸無水物（４．６５ｇ）、ピリジン（１．３５ｇ）、塩化メチレン（１５０ｍｌ）を追添加した。さらに６時間攪拌した。反応液を水洗し、濃縮して析出した結晶をメタノールで懸洗を行い、
目的物４（１３．６ｇ、収率９３％）を得た。
（合成例５）
【０１３５】
【化１９】
0005353069.tif 000020
【０１３６】
合成例４で得られた目的物４（１００ｍｇ、０．１９１ｍｍｏｌ）、４−（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸（１２１ｍｇ、０．４２０ｍｍｏｌ)に、トルエン（２ｍｌ）
、エタノール（１ｍｌ）を加え、系内を脱気処理した。さらにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１１ｍｇ、０．００９６ｍｍｏｌ）を加え、あらかじめ脱気処理した２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（０．６ｇ、０．９５９ｍｍｏｌ）を添加し、６時間加熱環流をおこなった。原料が無くなったことを確認した後、反応液に水を加え、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出して分液した。得られた有機層を水洗後、活性白土により処理して、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン）により精製して、目的物５（４８．９ｇ）を得た（収率：３５．６％）。
【０１３７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、２７０ＭＨｚ）：σ７．０３−７．０９（ｍ，４Ｈ），７．１９−７．３３（ｍ，  Ｈ），７．６６−７．７２（ｍ，６Ｈ），７．８９（ｄｄ，２Ｈ），８．７０（ｄ，２Ｈ），８．７５（ｑ，２Ｈ），８．８３（ｄ，２Ｈ）
（実施例１）
合成例５で合成した目的物５（０．２ｍｇ）を塩化メチレン（２５ｍｌ）に溶解して、Ｆ４５００形分光蛍光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて、塩化メチレン溶液の蛍光を測定した。また、粉末をスライドグラスに挟み、同様に個体状態での発光を測定した。
【０１３８】
固体状態及び溶液状態の蛍光スペクトルの測定結果を図２に、またそれぞれの極大発光波長を表１に示す。
表１に示すが如く、固体状態でも、溶液状態と同様の蛍光を発していることが分かる。
（比較例１）
実施例に１における目的物５を、下記式で表される化合物１を用いた以外は、同様にして蛍光を測定した。
【０１３９】
固体状態及び溶液状態の蛍光スペクトルの測定結果を図３に、またそれぞれの極大発光波長を表１に示す。
【０１４０】
【化２０】
0005353069.tif 000021
【０１４１】
【表１】
0005353069.tif 000022
【０１４２】
以上のように、本発明のトリフェニレン系化合物は、分子間相互作用が強くなりがちな固体状態においても溶液状態と同様な発光波長で蛍光を発する為、有機電界発光素子などの薄膜状態で分子発光を利用する有機デバイスにおいても好適に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明のトリフェニレン系化合物は、分子間の相互作用が強くなりがちな固体状態においても、溶液状態と同様な発光波長で蛍光を発する。その為、湿式プロセス適性に優れた湿式成膜用電荷輸送材料に好適に用いることができる。
また、本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】合成例５で得られた目的物５の蛍光スペクトル図である。縦軸は規格化吸光度、縦軸は吸光度（ｎｍ）、を表す。
【図３】化合物１の蛍光スペクトル図である。縦軸は規格化吸光度、縦軸は吸光度（ｎｍ）、を表す。
【符号の説明】
【０１４５】
１  基板 
２  陽極 
３  正孔注入層 
４  正孔輸送層 
５  発光層 
６  正孔阻止層 
７  電子輸送層 
８  電子注入層 
９  陰極 
【図１】
0005353069.tif 000024
【図２】
0005353069.tif 000025
【図３】
0005353069.tif 000026