(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚のウエハが貼り合わされてなり、各ウエハにおける別のウエハとの貼り合わせ面には電気信号接続部が設けられ、前記電気信号接続部と、対向する別のウエハに設けられた前記電気信号接続部とが電気的に接続されることにより所望の半導体回路が形成されている半導体装置において、
対向する電気信号接続部同士のうちの少なくとも一方が、前記貼り合わせ面から突出して形成された凸状接続部であり、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部が形成され、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上において、前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、平面視枠状の絶縁膜からなる貫通分離部に取り囲まれており、
前記補強凸部のうちの少なくとも一部が、前記貫通分離部と同じ材料からなるものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記補強凸部が、１つの前記凸状接続部を取り囲むように複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の前記凸状接続部が隣接して配置された凸状接続部群が形成され、
前記補強凸部が、前記凸状接続部群を取り囲むように複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の前記凸状接続部が隣接して配置された凸状接続部群が２個以上形成されることにより、隣接する２個以上の前記凸状接続部群からなる凸状接続部集団が形成され、
前記補強凸部が、前記凸状接続部集団を取り囲むように複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記補強凸部のうちの少なくとも一部が、前記凸状接続部と同じ形状で同じ材料からなるものであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、前記ウエハの一方の面と他方の面とを導通させる貫通配線部の端部であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、バンプであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数枚のウエハのうちの少なくとも１つのウエハの貼り合わせ面に、前記貼り合わせ面から突出する凸状接続部を形成する工程と、
前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部を形成する工程と、
前記複数枚のウエハを貼り合わせ、各ウエハの電気信号接続部同士を互いに電気的に接続することにより所望の半導体回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記凸状接続部を形成する工程と、前記補強凸部を形成する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記凸状接続部を形成する工程および前記補強凸部を形成する工程が、
前記ウエハの一方の面に溝を形成し、前記溝に導体膜を埋め込むことにより、前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部を形成する工程と、
前記一方の面に、前記補強凸部となる導電部を絶縁するための絶縁層を形成するとともに、前記凸状接続部となる導電部と電気的に接続される配線を形成する工程と、
前記ウエハの他方の面から前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部の一部を露出させることにより、貼り合わせ面から突出する前記凸状接続部および前記補強凸部を形成する工程とを有していることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記凸状接続部を形成する工程および前記補強凸部を形成する工程が、
前記貼り合わせ面に露出する配線上に、前記凸状接続部であるバンプを形成するとともに、
前記貼り合わせ面上における前記配線の配置されていない領域に、前記補強凸部であるダミーバンプを形成する工程とを有していることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、複数枚のウエハが貼り合わされてなる半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、２枚以上のウエハを積層し、その間を埋込配線で電気的に接続した構成の３次元半導体集積回路装置が知られている。例えば特許文献１には、以下に示す製造方法によって得られる半導体装置が開示されている。
まず、積層する一方のウエハにトレンチ（深溝）を形成し、トレンチ内部を熱酸化した後、そのトレンチ内に導体としてポリシリコンを埋め込んで埋込配線を形成する。その後、埋込配線が露出するまでウエハを薄型化し、ウエハの裏面の埋込配線の位置に裏面バンプを形成する。その後、このウエハの裏面バンプと、積層するためのもう一方のウエハの表面に形成された表面バンプとを積層し、積層された２枚のウエハ間に絶縁性接着剤を注入することにより３次元半導体集積回路装置を製造する。
【０００３】
また、複数枚の基板を貼り合わせて、各々の基板に形成された半導体回路部を互いに電気的に接続することで所望の半導体回路を構成する半導体装置としては、例えば特許文献２に記載のものがある。特許文献２に記載の半導体装置では、上側の基板の半導体回路部と下側の基板の半導体回路部とは、上側の基板の裏面から露出する貫通配線部と下側の基板の主面のバンプとを接触した状態で接合することで互いに電気的に接続されている。
【特許文献１】特開平１１−２６１０００号公報
【特許文献２】特開２００７−５９７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の複数枚のウエハが貼り合わされてなる半導体装置では、貼り合わせ面から突出する貫通配線部やバンプなどの電気信号接続部を介して複数枚のウエハが電気的に接続されている。
例えば、上記特許文献１に開示された技術では、上側に配置されたウエハと下側に配置されたウエハとの電気的な接続は、ウエハ表面から突出して形成されたバンプを介してなされている。また、例えば、上記特許文献２に開示された技術では、上側の基板と下側の基板とは、上側の基板の裏面から突出する貫通配線部と下側の基板の主面から突出するバンプとを介して電気的に接続されている。
【０００５】
このように貼り合わせ面から突出する電気信号接続部を介して複数枚のウエハを電気的に接続する場合、ウエハを貼り合わせる際に電気信号接続部が破損する場合があった。電気信号接続部が破損すると、電気信号接続部における電気的な安定性や信頼性が不十分となったり、半導体装置の力学特性が不安定となったりするので、性能の安定した半導体装置が得られない場合があり、問題となっていた。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、複数枚のウエハを貼り合わせる際に、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部に発生する損傷を効果的に防止することができ、信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置を提供することを課題としている。
また、本発明は、複数枚のウエハを貼り合わせる際に、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部に発生する損傷を効果的に防止することができ、信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置の製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の目的を達成するために、以下に示すように鋭意研究を重ね、本発明を見出した。
本発明者は、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部（以下「凸状接続部」と呼ぶことがある。）の破損の原因について検討し、凸状接続部の破損が、複数枚のウエハを貼り合わせる際に負荷される荷重のばらつきにより、一部の凸状接続部に過剰な荷重が負荷されることによって発生することを見出した。そして、本発明者は、凸状接続部に負荷される荷重のばらつきを軽減することができ、凸状接続部を効果的に補強できる本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を想到した。
【０００８】
本発明の半導体装置は、複数枚のウエハ（例えば、実施形態における基板１ＳＡ，１ＳＢ）が貼り合わされてなり、各ウエハにおける別のウエハとの貼り合わせ面（例えば、実施形態における貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ）には電気信号接続部（例えば、実施形態における貫通配線部９、バンプ２６）が設けられ、前記電気信号接続部と、対向する別のウエハに設けられた前記電気信号接続部とが電気的に接続されることにより所望の半導体回路（例えば、実施形態におけるＭＯＳ・ＦＥＴ６）が形成されている半導体装置において、
対向する電気信号接続部同士のうちの少なくとも一方が、前記貼り合わせ面から突出して形成された凸状接続部（例えば、実施形態における貫通配線部９、バンプ２６）であり、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部（例えば、実施形態におけるダミー貫通配線部９ｂ、ダミーバンプ２６ｂ、ダミー貫通分離部５ｂ）が形成され、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上において、前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、平面視枠状の絶縁膜からなる貫通分離部に取り囲まれており、前記補強凸部のうちの少なくとも一部が、前記貫通分離部と同じ材料からなるものであることを特徴とする。
【０００９】
さらに、本発明者は、貼り合わせ面における凸状接続部の配置と凸状接続部の損傷との関係に着目して鋭意研究を重ね、特に損傷の生じやすい凸状接続部の配置がどのようなものであるかを検討した。その結果、以下の（１）〜（３）に示す凸状接続部の配置において、特に損傷が生じやすいことを見出した。図１（ａ）〜図１（ｄ）は、貼り合わせ面における凸状接続部の配置の例を示した平面図であって、特に損傷が生じやすい凸状接続部の配置を説明するための図である。
【００１０】
（１）図１（ａ）に示すように、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ａを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ａが配置されていない孤立した１つの凸状接続部５１ａ。
（２）図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、複数の凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが形成されている場合であって、凸状接続部群５１ｄの周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂが配置されていない場合に、凸状接続部群５１ｄの最外周部に配置された凸状接続部、特に図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように凸状接続部群５１ｄが矩形である場合には凸状接続部群５１ｄの角部に配置された４つの凸状接続部５１ｃ。
（３）図１（ｄ）に示すように、複数の凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが２個以上形成されることにより、隣接する２個以上（図１（ｄ）に示す例では２個）の凸状接続部群５１ｄからなる凸状接続部集団５１ｆが形成されている場合であって、凸状接続部集団５１ｆの周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂが配置されていない場合に、凸状接続部集団５１ｆの最外周部に配置された凸状接続部、特に凸状接続部集団５１ｆの外形が矩形である場合には凸状接続部集団５１ｆの角部に配置された４つの凸状接続部５１ｇ。なお、凸状接続部集団５１ｆにおいて、凸状接続部群５１ｄの角部に配置された凸状接続部のうち、隣接する他の凸状接続部群５１ｄ側に配置された凸状接続部５１ｅは、近傍に他の凸状接続部が配置されていることになるので、損傷が生じにくい。
【００１１】
そして、本発明者は、以下の（ア）〜（ウ）に示す補強凸部の配置とすることで、特に損傷の生じやすい上記（１）〜（３）に示す配置の凸状接続部を効果的に補強できる半導体装置を想到した。図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本発明の半導体装置の一部を拡大して補強凸部と凸状接続部のみを示した概略平面図であり、貼り合わせ面における補強凸部と凸状接続部の配置の例を示した平面図である。なお、図２（ａ）〜図２（ｄ）に示す凸状接続部の配置は、図１（ａ）〜図１（ｄ）に示す凸状接続部の配置と同じとされている。
【００１２】
上記の本発明の半導体装置においては、（ア）図２（ａ）に示すように、前記補強凸部５２が、前記１つの凸状接続部５１ａを取り囲むように複数配置されているものとすることが好ましい。
また、上記の本発明の半導体装置においては、（イ）図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、複数の前記凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが形成され、前記補強凸部５２が、前記凸状接続部群５１ｄを取り囲むように複数配置されているものとすることができる。
また、上記の本発明の半導体装置においては、（ウ）図２（ｄ）に示すように、複数の前記凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが２個以上形成されることにより、隣接する２個以上の前記凸状接続部群５１ｄからなる凸状接続部集団５１ｆが形成され、前記補強凸部５２が、前記凸状接続部集団５１ｆを取り囲むように複数配置されているものとすることができる。
【００１３】
上記の半導体装置は、前記補強凸部のうちの少なくとも一部が、前記凸状接続部と同じ形状で同じ材料からなるものとすることができる。
【００１４】
また、上記の半導体装置は、前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、前記ウエハの一方の面と他方の面とを導通させる貫通配線部の端部であることを特徴とするものとすることができる。
また、上記の半導体装置は、前記凸状接続部のうちの少なくとも一部が、バンプであるものとすることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数枚のウエハのうちの少なくとも１つのウエハの貼り合わせ面に、前記貼り合わせ面から突出する凸状接続部を形成する工程と、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部を形成する工程と、前記複数枚のウエハを貼り合わせ、各ウエハの電気信号接続部同士を互いに電気的に接続することにより所望の半導体回路を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
上記の半導体装置の製造方法は、前記凸状接続部を形成する工程と、前記補強凸部を形成する工程とを同時に行う方法とすることができる。
【００１７】
上記の半導体装置の製造方法は、前記凸状接続部を形成する工程および前記補強凸部を形成する工程が、前記ウエハの一方の面に溝を形成し、前記溝に導体膜を埋め込むことにより、前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部を形成する工程と、前記一方の面に、前記補強凸部となる導電部を絶縁するための絶縁層を形成するとともに、前記凸状接続部となる導電部と電気的に接続される配線を形成する工程と、前記ウエハの他方の面から前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部の一部を露出させることにより、貼り合わせ面から突出する前記凸状接続部および前記補強凸部を形成する工程とを有している方法とすることができる。
また、上記の半導体装置の製造方法では、前記凸状接続部を形成する工程および前記補強凸部を形成する工程が、前記ウエハの一方の面に溝を形成し、前記溝に絶縁膜を埋め込むことにより、前記凸状接続部を平面視で間隔を空けて取り囲む枠状の貫通分離部を形成すると同時に、前記補強凸部を平面視で間隔を空けて取り囲む枠状のダミー貫通分離部を形成する工程と、前記ウエハの一方の面に溝を形成し、前記溝に導体膜を埋め込むことにより、前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部を形成する工程と、前記一方の面に、前記補強凸部となる導電部を絶縁するための絶縁層を形成するとともに、前記凸状接続部となる導電部と電気的に接続される配線を形成する工程と、前記ウエハの他方の面から前記凸状接続部および前記補強凸部となる導電部の一部を露出させるとともに、前記貫通分離部および前記ダミー貫通分離部の一部を露出させることにより、前記凸状接続部と前記補強凸部と前記貫通分離部と前記補強凸部として機能する前記ダミー貫通分離部とを形成する工程とを有している方法としてもよい。
さらにまた、上記の半導体装置の製造方法では、前記補強凸部を形成する工程が、前記ウエハの一方の面に溝を形成し、前記溝に絶縁膜を埋め込むことにより、前記凸状接続部を平面視で間隔を空けて取り囲む枠状の貫通分離部を形成すると同時に、枠状のダミー貫通分離部を形成する工程と、前記ウエハの他方の面から前記貫通分離部および前記ダミー貫通分離部の一部を露出させることにより、貼り合わせ面から突出する前記貫通分離部および前記補強凸部として機能する前記ダミー貫通分離部を形成する工程とを有している方法としてもよい。
【００１８】
また、上記の半導体装置の製造方法は、前記凸状接続部を形成する工程および前記補強凸部を形成する工程が、前記貼り合わせ面に露出する配線上に、前記凸状接続部であるバンプを形成するとともに、前記貼り合わせ面上における前記配線の配置されていない領域に、前記補強凸部であるダミーバンプを形成する工程とを有している方法とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置は、対向する電気信号接続部同士のうちの少なくとも一方が、前記貼り合わせ面から突出して形成された凸状接続部であり、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部が形成されているものであるので、複数枚のウエハを貼り合わせる際に凸状接続部に負荷される荷重が補強凸部にも負荷されるものとなり、凸状接続部に負荷される荷重のばらつきが緩和され、複数枚のウエハを貼り合わせる際における凸状接続部の損傷が効果的に防止されたものとなる。したがって、本発明の半導体装置は、信頼性に優れ、安定した性能の得られるものとなる。しかも、補強凸部は、前記半導体回路と絶縁されたものであるので、補強凸部が半導体装置を構成する半導体回路に支障を来たすことはない。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数枚のウエハのうちの少なくとも１つのウエハの貼り合わせ面に、貼り合わせ面から突出する凸状接続部を形成する工程と、前記凸状接続部の形成されている前記貼り合わせ面上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面から突出する補強凸部を形成する工程と、前記複数枚のウエハを貼り合わせ、各ウエハの電気信号接続部同士を互いに電気的に接続することにより所望の半導体回路を形成する工程とを有する方法であるので、複数枚のウエハを貼り合わせる際に凸状接続部に荷重が負荷されても、凸状接続部に負荷される荷重が補強凸部にも負荷されることになるため、凸状接続部に負荷される荷重のばらつきが緩和される。このため、本発明の半導体装置の製造方法によれば、複数枚のウエハを貼り合わせる際に発生する凸状接続部の損傷を効果的に防止でき、信頼性に優れ、安定した性能を有する半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図３〜図２０は、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を説明するための図である。図１９は、本発明の半導体装置の一例を示した要部断面図であり、図３〜図１８は、図１９に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、図２０は、図１９に示す半導体装置の製造工程を説明するためのフロー図である。
【００２２】
図１９に示す本実施形態の半導体装置は、上側のウエハ１ＷＡと下側のウエハ１ＷＢとが貼り合わされてなるものである。上側のウエハ１ＷＡにおける下側のウエハ１ＷＢと対向する貼り合わせ面３０ａには、貫通配線部９からなる電気信号接続部が設けられている。貫通配線部９は、上側のウエハ１ＷＡを構成する基板１ＳＡを貫通して形成され、上側のウエハ１ＷＡの主面（一方の面）と裏面（他方の面）とを導通させるためのものである。また、下側のウエハ１ＷＢにおける上側のウエハ１ＷＡと対向する貼り合わせ面３０ｂには、バンプ２６からなる電気信号接続部が設けられている。そして、図１９に示す半導体装置では、対向して配置された上側のウエハ１ＷＡの貫通配線部９の端部９ｃと下側のウエハ１ＷＢのバンプ２６とが電気的に接続されることにより、各ウエハ１ＷＡ、１ＷＢを構成する基板１ＳＡ、１ＳＢに設けられたＭＯＳ・ＦＥＴ６を備えた所望の半導体回路が形成されている。
【００２３】
また、図１９に示すように、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ間の隙間には、絶縁性の接着剤３０が注入されている。この接着剤３０により、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢ間の機械的強度が確保されている。なお、本実施形態においては、接着剤３０が貫通分離部５の枠内にまで入り込んでいる場合を例示しているが、接着剤として絶縁性の接着剤３０を用いているので、半導体回路の特性には何ら支障をきたさない。
【００２４】
また、図１９に示す半導体装置において、電気信号接続部である上側のウエハ１ＷＡの貫通配線部９は、貼り合わせ面３０ａから突出して形成された端部９ｃを有する凸状接続部である。また、電気信号接続部である下側のウエハ１ＷＢのバンプ２６も、貼り合わせ面３０ｂから突出して形成された凸状接続部である。
上側のウエハ１ＷＡの貫通配線部９の形成されている貼り合わせ面３０ａ上における貫通配線部９の配置されていない領域には、半導体回路と絶縁され、貫通配線部９の端部９ｃと同じ高さで貼り合わせ面３０ａから突出する補強凸部であるダミー貫通配線部９ｂが形成されている。図１９に示す半導体装置では、ダミー貫通配線部９ｂと凸状接続部である貫通配線部９とは同じ形状で同じ材料からなるものとされており、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂは、タングステンなどからなる主導体膜と、主導体膜の厚さよりも薄くて主導体膜の側面および底面を覆うように形成された窒化チタンなどからなるバリア導体膜とから形成されている。また、図１９に示すように、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂは、基板１ＳＡを貫通して形成されている。貫通配線部９は、図１９に示すように、配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃを介してボンディングパッドＢＰと電気的に接続されている。また、貫通配線部９は、貫通分離部５と接着剤３０とによって、基板１ＳＡと電気的に絶縁されている。また、ダミー貫通配線部９ｂは、層間絶縁膜８ｂ、８ｃ、８ｄ（絶縁層）、貫通分離部５、接着剤３０などによって絶縁され、半導体回路を構成する配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、ＭＯＳ・ＦＥＴ６、貫通配線部９、バンプ２６と電気的に接続されないようにされている。
【００２５】
また、図１９に示す半導体装置では、下側のウエハ１ＷＢのバンプ２６の形成されている貼り合わせ面３０ｂ上におけるバンプ２６の配置されていない領域には、バンプ２６と同じ高さで貼り合わせ面３０ｂから突出する補強凸部であるダミーバンプ２６ｂが形成されている。図１９に示す半導体装置では、ダミーバンプ２６ｂは、凸状接続部であるバンプ２６と同じ形状で同じ材料からなるものとされている。バンプ２６およびダミーバンプ２６ｂは、銅などの導電材料からなる。バンプ２６は、図１９に示すように、下側のウエハ１ＷＢの最上の配線層１５ｃと電気的に接続されている。また、ダミーバンプ２６ｂは、図１９に示すように、層間絶縁膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ（絶縁層）、貫通分離部５、接着剤３０などによって絶縁され、半導体回路を構成する配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、ＭＯＳ・ＦＥＴ６、貫通配線部９、バンプ２６と電気的に接続されないようにされている。
【００２６】
本実施形態において、補強凸部であるダミー貫通配線部９ｂおよびダミーバンプ２６ｂと、凸状接続部である貫通配線部９およびバンプ２６との平面配置は、特に限定されないが、貫通配線部９およびバンプ２６の損傷を効果的に防止するために、例えば、上述した図２（ａ）〜図２（ｄ）に示す補強凸部５２および凸状接続部５１ａと同様の配置とすることが好ましい。
例えば、図２（ａ）に示すように、凸状接続部５１ａが、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ａを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ａが配置されていない孤立した１つの凸状接続部５１ａである場合には、補強凸部５２を、１つの凸状接続部５１ａを取り囲むように複数配置することが好ましい。
【００２７】
また、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、複数の前記凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが形成されている場合であって、凸状接続部群５１ｄの周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂが配置されていない場合には、補強凸部５２を、凸状接続部群５１ｄを取り囲むように複数配置することが好ましい。
また、図２（ｄ）に示すように、複数の前記凸状接続部５１ｂが隣接して配置された凸状接続部群５１ｄが２個以上形成されることにより、隣接する２個以上の凸状接続部群５１ｄからなる凸状接続部集団５１ｆが形成されている場合であって、凸状接続部集団５１ｆの周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂを配置できるスペースがあるのに、周囲や近傍に他の凸状接続部５１ｂが配置されていない場合には、補強凸部５２を、凸状接続部集団５１ｆを取り囲むように複数配置することが好ましい。
【００２８】
なお、図２に示す補強凸部５２は、凸状接続部５１ａまたは凸状接続部群５１ｄ、凸状接続部集団５１ｆのいずれかを取り囲むように、２重、３重に配置されていてもよいし、図２（ｃ）および図２（ｄ）に示すように、一重であってもよいし、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、一部のみが２重・３重に配置されていてもよく、凸状接続部の配置や、補強凸部５２を配置可能なスペースの広さなどに応じて決定できる。また、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、補強凸部５２を一部のみ２重・３重に配置にする場合、凸状接続部に負荷される荷重のばらつきを効果的に軽減するために、最外周部に配置された補強凸部５２の配置が正方形に近い形状となるように配置することが好ましい。
【００２９】
また、図１９に示す半導体装置において、上側のウエハ１ＷＡは、例えば平面略円形状の薄板からなる。上側のウエハ１ＷＡを構成する基板１ＳＡは、例えばｎ型またはｐ型のシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、厚さ方向に互いに反対側となる主面および裏面を有している。基板１ＳＡの主面（すなわち、ウエハ１ＷＡの主面）には、素子分離用の溝型の分離部２が形成されている。この溝型の分離部２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）のような絶縁膜２ｂを埋め込むことで形成されている。この分離部２によって基板１ＳＡの主面の活性領域が規定されている。
【００３０】
また、図１９に示す半導体装置において符号５は、基板１ＳＡを貫通する絶縁膜からなる貫通分離部である。図９に示すように、貫通分離部５は、平面視で枠状に形成されており、貼り合わせ面３０ａ上において、各貫通配線部９を個別に取り囲む形状とされている。図１９に示すように、貼り合わせ面３０ａから突出する貫通分離部５の高さは、貼り合わされたウエハ１ＷＡ、１ＷＢ間の間隔（ギャップ）の寸法と同じ高さとされている。
また、図１９に示す半導体装置において符号５ｂは、貫通分離部５と同じ材料である絶縁膜からなることにより半導体回路と絶縁され、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂよりも高い高さで貼り合わせ面３０ａから突出する補強凸部として機能するダミー貫通分離部５ｂである。ダミー貫通分離部５ｂは、貼り合わせ面３０ａ上における貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの配置されていない領域に形成されており、図１９に示すように、貫通分離部５と同じ断面形状を有している。また、ダミー貫通分離部５ｂは、図９に示すように、平面視で枠状であり、各ダミー貫通配線部９ｂを個別に取り囲む形状とされている。なお、図１９に示すように、貼り合わせ面３０ａから突出するダミー貫通分離部５ｂの高さは、貫通分離部５と同様に、貼り合わされたウエハ１ＷＡ、１ＷＢ間の間隔（ギャップ）の寸法と同じ高さとされている。
【００３１】
また、溝型の分離部２で囲まれた活性領域内には、例えばＭＯＳ・ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）６のような半導体回路を構成する素子が形成されている。ＭＯＳ・ＦＥＴ６は、ソースおよびドレイン用の半導体領域６ａと、ゲート絶縁膜６ｂと、ゲート電極６ｃとを有している。ソースおよびドレイン用の半導体領域６ａは、基板１ＳＡに所望の不純物（ｎチャネル型のＭＯＳ・ＦＥＴ６であれば、例えばリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）、ｐチャネル型のＭＯＳ・ＦＥＴ６であればホウ素（Ｂ））が添加されることで形成されている。ゲート絶縁膜６ｂは、例えば酸化シリコンからなり、基板１ＳＡの主面上に形成されている。ゲート電極６ｃは、例えば低抵抗なポリシリコンからなり、ゲート絶縁膜６ｂ上に形成されている。なお、基板１ＳＡの活性領域の主面上の絶縁膜７は、例えば酸化シリコンのような絶縁膜からなる。
【００３２】
なお、図１９に示すＭＯＳ・ＦＥＴ６に代えて、例えばバイポーラトランジスタやダイオード等のような他の能動素子が形成されていても良い。また、ＭＯＳ・ＦＥＴ６に代えて、抵抗（拡散抵抗やポリシリコン抵抗）、キャパシタおよびインダクタ等のような受動素子を形成しても良い。
【００３３】
また、図１９において、符号８ａ、８ｂ，８ｃ，８ｄは層間絶縁膜、符号１０は表面保護膜、符号１５ａ，１５ｂ，１５ｃは配線、符号１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄはプラグをそれぞれ示している。層間絶縁膜８ａ、８ｂ，８ｃ，８ｄは、例えば酸化シリコンからなる。配線１５ａ〜１５ｃおよびプラグ１６ａ〜１６ｄは、例えばタングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等のような金属からなる。第１層目の配線１５ａは、プラグ１６ａを通じてＭＯＳ・ＦＥＴ６のソースおよびドレイン用の半導体領域６ａやゲート電極６ｃと電気的に接続されている他、プラグ１６ｂを通じて貫通配線部９と電気的に接続されている。表面保護膜１０は、例えば酸化シリコン膜の単体膜または酸化シリコンとその上に堆積された窒化シリコン膜との積層膜で形成されている。この表面保護膜１０の一部には、第３層目の配線１５ｃの一部が露出する開口部１７が形成されている。そして、平面視したときに開口部１７から露出された配線１５ｃ部分が、ボンディングパッド（以下、パッドという）ＢＰとされている。なお、図１９には示していないが、ウエハ１ＷＡの主面上のパッドＢＰに接続されるようにバンプが形成されていても良い。
【００３４】
また、図１９に示す半導体装置において、下側のウエハ１ＷＢの構成は、上側のウエハ１ＷＡとほぼ同じであるが、下側のウエハ１ＷＢには、貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂが形成されていない。また、上側のウエハ１ＷＡと異なり、下側のウエハ１ＷＢの主面上に形成された開口部１７上には、開口部１７を通じてパッドＢＰに電気的に接続されたバンプ下地導体パターン２５が形成されている。また、バンプ下地導体パターン２５上には、バンプ２６が突出された状態で形成されている。また、上側のウエハ１ＷＡと異なり、下側のウエハ１ＷＢの主面（貼り合わせ面３０ｂ）上におけるバンプ２６の配置されていない領域には、ダミーバンプ２６ｂが形成されている。
【００３５】
次に、図２０を用いて、図１９に示す半導体装置の製造工程を説明する。
最初に上側のウエハの製造工程（図２０における１層目の上側ウエハの製造工程）を説明する。まず、上側のウエハ１ＷＡを用意する（図２０の工程１００Ａ）。続いて、図３に示すように、基板１ＳＡの主面（すなわち、ウエハ１ＷＡの主面）に、素子分離用の溝型の分離部２を形成する（図２０の工程１０１Ａ）。分離部２は、基板１ＳＡの主面に分離溝２ａを形成した後、分離溝２ａ内に、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）のような絶縁膜２ｂを埋め込むことにより形成する。また、基板１ＳＡの活性領域の主面上に、例えば熱酸化法等により酸化シリコン等からなる絶縁膜３を形成する。
【００３６】
次に、基板１ＳＡに貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを同時に形成する。まず、基板１ＳＡの主面上に、レジスト膜を回転塗布法等により塗布した後、露光および現像を施す（このようなレジスト塗布、露光および現像等のような一連の処理をリソグラフィ処理という）ことにより、図３に示すように、基板１ＳＡの主面上にレジストパターンＲＡを形成する。
続いて、レジストパターンＲＡをエッチングマスクとして、そこから露出する絶縁膜３および基板１ＳＡをエッチングすることにより、図４に示すように、基板１ＳＡに深い分離溝５ａを形成する。深い分離溝５ａは、図４に示すように、基板１ＳＡの主面から、その主面に対して交差（垂直に交差）する方向（すなわち、基板１ＳＡの厚さ方向）に沿って延びており、上記素子分離用の分離溝２ａよりも深い位置で終端している。
【００３７】
続いて、レジストパターンＲＡを除去し、基板１ＳＡに対して熱酸化処理を施すことにより、深い分離溝５ａの内側面および底面に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜を形成する。その後、さらに基板１ＳＡの主面上に、例えば酸化シリコンまたはＬｏｗ−ｋ（低誘電率）材料からなる絶縁膜をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等により堆積し、深い分離溝５ａ内に埋め込む。その後、深い分離溝５ａの外部の余分な絶縁膜を異方性のドライエッチングを用いたエッチバック法または化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法等により除去する。これにより、図５および図６に示すように、深い分離溝５ａ内に絶縁膜が埋め込まれてなる貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂが形成される（図２０の工程１０２Ａ）。
【００３８】
図６は図５のＡ−Ａ線の断面図を示している。なお、図５は平面図であるが図面を見易くするために貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂにハッチングを付した。貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂは、図５に示すように、例えば平面視で矩形枠状に形成されている。貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さ（すなわち、深い分離溝５ａの深さ）は、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの深さより深い場合（図１０参照）もあれば同等の場合もあるし、浅い場合もある。例えば、図１９に示す半導体装置のように、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さによって、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ間の間隔である上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの間隔（ギャップ）の寸法を制御する場合は、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さを貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂよりも深くする。また、ギャップの寸法を貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの深さで制御する場合は、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さを貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの深さよりも浅くしても良い。また、ギャップの寸法を貫通分離部５と貫通配線部９との両方で制御する場合は、ダミー貫通分離部５ｂおよびダミー貫通配線部９ｂのうちの少なくとも一方を、貫通分離部５および貫通配線部９と同じ深さにしても構わない。また、ギャップの寸法を他の材料で制御する場合は、バンプ２６と貫通配線部９とが接続されるように各深さを設定すればよい。
なお、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さを貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂよりも深くする場合や、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂと貫通配線部９とダミー貫通配線部９ｂとを同じ深さにする場合には、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際に貫通配線部９に負荷される荷重のばらつきをより一層緩和することができ、好ましい。
【００３９】
次に、絶縁膜３を除去し、基板１ＳＡの上記溝型の分離部２で囲まれた活性領域内に、例えばソースおよびドレイン用の半導体領域６ａと、ゲート絶縁膜６ｂと、ゲート電極６ｃとを有する図７に示すＭＯＳ・ＦＥＴ６のような素子を形成する（図２０の工程１０３Ａ）。次に、基板１ＳＡの活性領域の主面上に、例えば酸化シリコンのような絶縁膜からなる絶縁膜７を形成する。
【００４０】
ここで、例えば、ＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成した後に貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを形成すると、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを構成する絶縁膜を形成するための熱酸化処理時に、基板１ＳＡ（ソースおよびドレイン用の半導体領域６ａやゲート電極６ｃ下のチャネル形成領域）中の不純物が再度拡散してしまう恐れがある。その結果、ＭＯＳ・ＦＥＴ６のしきい値電圧等のような電気的特性が変動してしまう場合がある。これに対して、本実施形態では、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを形成した後に、ＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成するので、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの形成時の高い処理温度に起因するＭＯＳ・ＦＥＴ６の電気的特性の変動を防止できる。したがって、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
次に、貫通配線部９とダミー貫通配線部９ｂとを同時に形成する。まず、基板１ＳＡの主面上に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜をＣＶＤ法等によって堆積し、その絶縁膜の上面を平坦化することにより図７に示す層間絶縁膜８ａを形成する。続いて、層間絶縁膜８ａ上にリソグラフィ処理によりレジストパターンＲＢを形成する。レジストパターンＲＢは、図７に示すように、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの形成領域が露出され、それ以外の領域が覆われるように形成される。その後、このレジストパターンＲＢをエッチングマスクとして、そこから露出する層間絶縁膜８ａ、絶縁膜７および基板１ＳＡをエッチングすることにより、図８に示すように、基板１ＳＡに貫通配線部９とダミー貫通配線部９ｂとなる深い導通溝９ａを形成する。この深い導通溝９ａは、層間絶縁膜８ａの上面から、その上面に対して交差（垂直に交差）する方向（すなわち、基板１ＳＡの厚さ方向）に沿って基板１ＳＡに延び、上記素子分離用の分離溝２ａよりも深い位置（第２位置）で終端している。この深い導通溝９ａの深さは、上記貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの深さで説明したとおりである。ここでは、図８に示すように、深い導通溝９ａの深さが、上記深い分離溝５ａの深さよりも浅い場合が例示されている。
【００４２】
続いて、レジストパターンＲＢを除去し、基板１ＳＡの主面上に、バリア導体膜をスパッタリング法等によって堆積し、深い導通溝９ａの内面（内側面および底面）を覆うように形成する。次いで、主導体膜をＣＶＤ法等によって堆積することにより深い導通溝９ａ内に埋め込む。なお、主導体膜の厚さは、バリア導体膜の厚さよりも厚く形成される。続いて、深い導通溝９ａの外部に形成された余分な主導体膜およびバリア導体膜を、ＣＭＰ法等により研磨して除去し、深い導通溝９ａ内のみに主導体膜およびバリア導体膜が残されるようにすることで、図９および図１０に示すように、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂとなる導電部が形成される（図２０の工程１０４Ａ）。
【００４３】
図１０は図９のＡ−Ａ線の断面図を示している。なお、図９は平面図であるが図面を見易くするために貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂにハッチングを付した。図９に示すように、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂは、例えば平面視で細長い長方形状に形成されている。貫通配線部９は、貫通分離部５と所定の間隔を空けて分離された状態で貫通分離部５の枠内に配置されている。すなわち、貫通配線部９は、それぞれ周囲に所定の寸法を隔てて配置された貫通分離部５に取り囲まれた状態とされている。また、ダミー貫通配線部９ｂは、ダミー貫通分離部５ｂと所定の間隔を空けて分離された状態でダミー貫通分離部５ｂの枠内に配置されている。すなわち、ダミー貫通配線部９ｂは、それぞれ周囲に所定の寸法を隔てて配置されたダミー貫通分離部５ｂに取り囲まれた状態とされている。
【００４４】
なお、本実施形態の半導体装置では、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂと貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂとは別々に形成されているが、一体化されていてもよい。しかし、貫通分離部５と貫通配線部９とが一体化されている場合や、ダミー貫通分離部５ｂとダミー貫通配線部９ｂとが一体化されている場合、それらを同一工程で形成しなければならない。このため、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを構成する絶縁膜を形成するための熱酸化処理による素子特性の変動を回避するために貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂを素子形成の前に形成する場合には、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂも素子形成前に形成しなければならない。しかし、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂを素子形成前に形成すると、素子特性の劣化や金属汚染を引き起こす可能性が高いという問題が生じる。
【００４５】
これに対して本実施形態では、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂと貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂと別々に形成でき、ＭＯＳ・ＦＥＴ６および層間絶縁膜８ａを形成した後に貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂを形成することができるので、素子特性の劣化や金属汚染を引き起こす可能性をより低減することができる。したがって、素子の電気的特性を向上させることができる。また、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂと貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂとが別々に形成され、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂが、それぞれ周囲に所定の寸法を隔てて配置された貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂに取り囲まれた状態とされているので、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂによって貫通配線部９が効果的に補強されるものとなる。したがって、本実施形態によれば、貫通分離部５と貫通配線部９とが一体化されている場合や、ダミー貫通分離部５ｂとダミー貫通配線部９ｂとが一体化されている場合と比較して、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際における貫通配線部９の損傷がより効果的に防止されるものとなる。
【００４６】
また、貫通分離部５内の貫通配線部９の数や、ダミー貫通分離部５ｂ内のダミー貫通配線部９ｂの数は、１つに限定されるものではなく、例えば１つの貫通分離部５の枠内に複数の貫通配線部９を並べて配置しても良いし、１つのダミー貫通分離部５ｂの枠内に複数のダミー貫通配線部９ｂを並べて配置しても良い。また、貫通分離部５およびダミー貫通分離部５ｂの平面形状は、図９に示す例に限定されるものではなく、例えば正方形状等のように他の形状でも良い。
【００４７】
次に、図１１に示すように、基板１ＳＡの主面上に半導体装置の通常の配線形成方法により、層間絶縁膜８ｂ，８ｃ，８ｄ、表面保護膜１０、配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、プラグ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ、開口部１７、ボンディングパッドＢＰを形成し、多層配線層を形成する（図２０の工程１０５Ａ）。
【００４８】
その後、図１２に示すように、ウエハ１ＷＡの主面上に接着用シート２０を介してガラス支持基板２１を貼り付ける。このようにウエハ１ＷＡの主面にガラス支持基板２１を貼り付けることにより、ウエハ１ＷＡのハンドリングを安定化させることができるとともに、後の薄型化工程後の薄いウエハ１ＷＡの機械的強度を確保することができる。次に、ウエハ１ＷＡに対して薄型化処理を施す（図２０の工程１０７）。本実施形態のウエハ１ＷＡの薄型化処理は、下記のような第１薄型化処理、第２薄型化処理および第３薄型化処理を有している。
【００４９】
第１薄型化処理では、図１３に示すように、ウエハ１ＷＡの主面にガラス支持基板２１を固着した状態で、ウエハ１ＷＡの裏面（すなわち、基板１ＳＡの裏面）を所望の厚さになるまで研削する。第１薄型化処理は研削で例示されるように機械的な要素による薄型化処理である。その後、第２薄型化処理として、ウエハ１ＷＡの裏面に対して研磨処理を施す。第２薄型化処理は研磨で例示されるようにＣＭＰのような機械的な要素と化学的な要素とを併せ持つ薄型化処理である。図１３は、第２薄型化処理工程後の上側のウエハ１ＷＡの要部断面図である。図１３に示す破線は、第１薄型化工程の前の基板１ＳＡを示している。図１３に示すように、第１及び第２薄型化処理は、貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂに達しない状態（すなわち、貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂがウエハ１ＷＡの裏面から露出されない状態）で処理を終了する。
【００５０】
第１及び第２薄型化処理を行うことにより、ウエハ薄型化処理の時間の短縮できる。また、第２薄型化処理を行うことにより、第１薄型化処理での研削によってウエハ１ＷＡの裏面に生じたダメージ層を除去しつつ、ウエハ１ＷＡの裏面を滑らかにすることができ、ウエハ１ＷＡの裏面内の化学的な安定性を均一にできる。よって、後のウエハ１ＷＡの裏面部分のエッチング処理（第３薄型化処理）に際して、ウエハ１ＷＡの裏面全面内におけるウエハ１ＷＡの厚さ方向のエッチング除去量を均一にすることができる。
【００５１】
第３薄型化処理では、図１４に示すように、ウエハ１ＷＡの主面にガラス支持基板２１を固着した状態で、ウエハ１ＷＡの裏面を薬液に浸してエッチング（ウエットエッチング）することにより、ウエハ１ＷＡの裏面から貫通分離部５の端部、ダミー貫通分離部５ｂの端部、貫通配線部９の端部９ｃ、ダミー貫通配線部９ｂの端部を露出させる。図１４は、第３薄型化処理後の上側のウエハ１ＷＡの要部断面図である。図１４に示す破線は第３薄型化処理工程前の基板１ＳＡを示している。図１４に示すように、第３薄型化処理後の上側のウエハ１ＷＡでは、貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂの下部の一部が、貼り合わせ面３０ａである第３薄型化処理後のウエハ１ＷＡの裏面から所望の長さだけ露出して突出している。ウエハ１ＷＡの裏面から突出する貫通分離部５の端部、ダミー貫通分離部５ｂの端部、貫通配線部９の端部９ｃ、ダミー貫通配線部９ｂの端部の突出長さは、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ間の間隔などを考慮して不都合の無いように決める。
【００５２】
第３薄型化処理により、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂは、その側面方向では貫通分離部５またはダミー貫通分離部５ｂにより基板１ＳＡとの分離が行われ、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂの下部では貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂが露出されることにより基板１ＳＡとの分離が行われ、完全に基板１ＳＡから電気的に分離される。また、この段階で深い分離溝５ａ、深い導通溝９ａは、基板１ＳＡの主裏面間を貫通する孔になる。
【００５３】
なお、上記の例では、ウエハ１ＷＡの薄型化処理において、第１薄型化処理（研削）、第２薄型化処理（研磨）、第３薄型化処理（エッチング）を順に行う場合について説明したが、例えば第１薄型化処理（研削）または第２薄型化処理（研磨）を行わなくても良い。
このようにして上側のウエハ１ＷＡの製造工程を終了する。
【００５４】
次に、下側のウエハの製造工程を説明する。ここでは、下側のウエハとして、例えば裏面に他のウエハが貼り合わされることがない最下層のウエハの製造工程（図２０における２層目以降の下側ウエハ製造工程）を説明する。最下層のウエハである下側のウエハの製造工程は、上側のウエハ１ＷＡの製造工程（図２０の工程１００Ａ〜１０７Ａ）とほぼ同じである。ここで上側のウエハ１ＷＡの製造工程と異なるのは、最下層のウエハの製造工程においては、図２０に示す多層配線層の形成工程（工程１０５Ｂ）後にバンプ形成工程（工程１０６Ｂ）を行うこと、ウエハ薄型化工程（工程１０７Ａ）、貫通分離部の形成工程（工程１０２Ｂ）、貫通配線部（およびダミー貫通配線部９ｂ）の形成工程（工程１０４Ｂ）を行わないことである。
【００５５】
図１５は図２０の工程１００Ｂから工程１０５Ｂを経てバンプ形成工程１０６Ｂの段階（図２０の工程１０２Ｂ、工程１０４Ｂを行わない）の下側のウエハ（最下層のウエハ）１ＷＢの要部断面図を示している。多層配線層の形成工程１０５Ｂの後、ウエハ１ＷＢの主面上に導体膜をスパッタリング法等により堆積し、これをリソグラフィ処理およびエッチング処理を用いてパターニングすることにより、バンプ下地導体パターン２５を形成する。
【００５６】
続いて、図１６に示すように、貼り合わせ面３０ｂである下側のウエハ１ＷＢの主面上に露出するバンプ下地導体パターン２５上に、例えばリフトオフ法、電解メッキ法、印刷法またはボール振り込み法等によりバンプ２６を形成すると同時に、複数のダミーバンプ２６ｂを形成する。バンプ２６およびダミーバンプ２６ｂは、貼り合わせ面３０ｂから突出された状態で形成される。ダミーバンプ２６ｂは、貼り合わせ面３０ｂ上におけるバンプ２６の配置されていない領域であって、貼り合わせ面３０ｂと上側のウエハ１ＷＡの貼り合わせ面３０ａとを対向させたときにダミー貫通配線部９ｂと対向する位置に、バンプ２６と同じ形状、同じ材料で形成される。
このようにして下側のウエハ１ＷＢの製造工程を終了する。
【００５７】
次に、上記のようにして製造された上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる（図２０における１層目、２層目の上下ウエハ貼り合わせ工程）。まず、図１７に示すように、図１６に示す下側のウエハ１ＷＢを固定した後、下側のウエハ１ＷＢの主面（貼り合わせ面３０ｂ）上方に、図１４に示す上側のウエハ１ＷＡをその裏面（貼り合わせ面３０ａ）が下側のウエハ１ＷＢの主面に対向した状態となるように配置する。
【００５８】
続いて、下側のウエハ１ＷＢと上側のウエハ１ＷＡとの相対的な位置を合わせる。具体的には、下側のウエハ１ＷＢの主面上のバンプ２６と、それに対応する上側のウエハ１ＷＡの裏面の貫通配線部９との位置を合わせるとともに、ダミーバンプ２６と、それに対応するダミー貫通配線部９ｂとの位置を合わせる（図２０の工程２０１）。その後、図１８に示すように、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの対向面（貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ）を近づけて下側のウエハ１ＷＢと上側のウエハ１ＷＡとを積み重ね、下側のウエハ１ＷＢの主面上のバンプ２６と、上側のウエハ１ＷＡの裏面の貫通配線部９とを接触させて電気的に接続するとともに、ダミーバンプ２６ｂと、それに対応するダミー貫通配線部９ｂとを接触させる。これにより、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの半導体回路部同士を電気的に接続し、所望の半導体回路を形成する。（図２０の工程２０２）。
【００５９】
ここで、下側のウエハ１ＷＢの主面上の各バンプ２６およびダミーバンプ２６ｂは、そのバンプ２６またはダミーバンプ２６ｂが接続される上側のウエハ１ＷＡの裏面の貫通配線部９またはダミー貫通配線部９ｂの周囲を取り囲む貫通分離部５またはダミー貫通分離部５ｂの枠内に収まっている。
なお、バンプ２６が貫通配線部９に接続されており、貫通配線部９が貫通分離部５の枠内に収まっていない場合もある。この場合には、貼り合わせ面３０ａと貼り合わせ面３０ｂとの間隔をバンプ２６の高さに対して十分に広く設定し、ウエハ１ＷＡとバンプ２６とが接触しないようにし、接着剤３０によってウエハ１ＷＡとバンプ２６とが絶縁されるようにすればよい。
その後、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの対向する貼り合わせ面３０ａ、３０ｂの隙間に絶縁性の接着剤３０を注入する（図２０の工程２０３）。その後、上側のウエハ１ＷＡの主面からガラス支持基板２１を剥離し、図１９に示す半導体装置とする。
【００６０】
以上のような工程の後、図１９に示す半導体装置をチップ単位に切断することによりチップを切り出す。このようにして得られたチップは、複数枚のウエハを積み重ねた３次元構成を有している。すなわち、このチップでは、それを構成する各ウエハに形成された半導体回路同士が貫通配線部９およびバンプ２６を通じて電気的に接続されることで、全体として１つの所望の半導体集積回路が形成されている。
【００６１】
本実施形態の半導体装置は、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢが貼り合わされてなり、上側のウエハ１ＷＡにおける下側のウエハ１ＷＢと対向する貼り合わせ面３０ａには、貫通配線部９の端部９ｃからなる電気信号接続部が設けられ、下側のウエハ１ＷＢにおける上側のウエハ１ＷＡと対向する貼り合わせ面３０ｂには、バンプ２６からなる電気信号接続部が設けられ、上側のウエハ１ＷＡの貫通配線部９の端部９ｃと、下側のウエハ１ＷＢのバンプ２６とが電気的に接続されることにより所望の半導体回路が形成されている半導体装置である。そして、本実施形態の半導体装置においては、上側のウエハ１ＷＡの貫通配線部９の端部９ｃおよび下側のウエハ１ＷＢのバンプ２６が、それぞれ貼り合わせ面３０ａ、３０ｂから突出して形成された凸状接続部であり、貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）上における貫通配線部９（バンプ２６）の配置されていない領域に、半導体回路と絶縁され、貫通配線部９（バンプ２６）と同じ高さで貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）から突出するダミー貫通配線部９ｂ（ダミーバンプ２６ｂ）が形成されているとともに、貫通配線部９よりも高い高さで貼り合わせ面３０ａから突出するダミー貫通分離部５ｂが形成されているので、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際に貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重がダミー貫通配線部９ｂ、ダミー貫通分離部５ｂおよびダミーバンプ２６ｂにも負荷されるものとなり、貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重のばらつきが緩和され、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際における貫通配線部９およびバンプ２６の損傷が効果的に防止されたものとなる。
なお、本実施形態の半導体装置では、上側のウエハ１ＷＡに補強凸部としてダミー貫通分離部５ｂおよびダミー貫通配線部９ｂが形成されているが、ダミー貫通分離部５ｂとダミー貫通配線部９ｂのうちのいずれか一方のみが形成されていてもよい。なお、ダミー貫通分離部５ｂとダミー貫通配線部９ｂのうちのいずれか一方のみを形成する場合、貫通分離部５よりも貫通配線部９の深さがより深いときには、ダミー貫通配線部９ｂのみを形成し、貫通配線部９よりも貫通分離部５の深さがより深いときには、ダミー貫通分離部５ｂのみを形成することが好ましい。また、補強凸部としてダミー貫通分離部５ｂとダミー貫通配線部９ｂの両方が形成されている場合、製造上のばらつきがあったとしても凸状接続部を効果的に補強できるため好ましい。
【００６２】
また、本実施形態の半導体装置は、ダミー貫通配線部９ｂが、貫通配線部９と同じ形状で同じ材料からなるものであるので、ダミー貫通配線部９ｂを貫通配線部９と同時に形成することができ、容易に製造できるものとなる。
また、本実施形態の半導体装置は、ダミーバンプ２６ｂが、バンプ２６と同じ形状で同じ材料からなるものであるので、ダミーバンプ２６ｂをバンプ２６と同時に形成することができ、容易に製造できるものとなる。
また、本実施形態の半導体装置は、貫通配線部９が、貼り合わせ面３０ａ上において平面視枠状の絶縁膜からなる貫通分離部５に取り囲まれており、補強凸部として機能するダミー貫通分離部５ｂが、貫通分離部５と同じ材料からなるものであるので、貫通分離部５とダミー貫通分離部５ｂとを同時に形成することができ、ダミー貫通分離部５ｂを形成しない場合と比較して製造工程を増やすことなく、容易に効率よく補強凸部であるダミー貫通分離部５ｂを形成できるものとなる。
【００６３】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、ウエハ１ＷＡ（１ＷＢ）の貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）に、貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）から突出する貫通配線部９（バンプ２６）を形成する工程と、貫通配線部９（バンプ２６）の形成されている貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）上における貫通配線部９（バンプ２６）の配置されていない領域に、半導体回路と絶縁され、貫通配線部９（バンプ２６）と同じ高さで貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）から突出するダミー貫通配線部９ｂ（ダミーバンプ２６ｂ）（貫通配線部９よりも高い高さで貼り合わせ面３０ａから突出するダミー貫通分離部５ｂ）を形成する工程と、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせ、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢの貫通配線部９とバンプ２６とを互いに電気的に接続することにより所望の半導体回路を形成する工程とを有するので、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際に貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重がダミー貫通配線部９ｂ（ダミーバンプ２６ｂ）（ダミー貫通分離部５ｂ）にも負荷されることになり、貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重のばらつきが緩和される。このため、本実施形態によれば、上下のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせる際に発生する貫通配線部９およびバンプ２６の損傷を効果的に防止でき、信頼性に優れ、安定した性能を有する半導体装置が実現できる。
【００６４】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、貫通配線部９を形成する工程と、ダミー貫通配線部９ｂを形成する工程とを同時に行うので、貫通配線部９とダミー貫通配線部９ｂとを別々に形成する場合と比較して効率よく製造できる。
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、バンプ２６を形成する工程と、ダミーバンプ２６ｂを形成する工程とを同時に行うので、バンプ２６とダミーバンプ２６ｂとを別々に形成する場合と比較して効率よく製造できる。
【００６５】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、貫通配線部９を形成する工程およびダミー貫通配線部９ｂを形成する工程が、上側のウエハ１ＷＡの貼り合わせ面３０ａになる面と反対側の面に深い導通溝９ａを形成し、深い導通溝９ａに主導体膜およびバリア導体膜からなる導体膜を埋め込むことにより、貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂとなる導電部を形成する工程と、貼り合わせ面３０ａになる面と反対側の面に、ダミー貫通配線部９ｂとなる導電部を絶縁するための層間絶縁膜８ｂを形成するとともに、貫通配線部９となる導電部と電気的に接続される配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃおよびボンディングパッドＢＰを形成する工程と、上側のウエハ１ＷＡの貼り合わせ面３０ａになる面から貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂとなる導電部の一部を露出させることにより、貼り合わせ面３０ａから突出する貫通配線部９およびダミー貫通配線部９ｂを形成する工程とを有しているので、ダミー貫通配線部９ｂを形成しない場合と比較して、工程を増やすことなく、ダミー貫通配線部９ｂを形成することができ、効率よく製造できる。
【００６６】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、バンプ２６を形成する工程およびダミーバンプ２６ｂを形成する工程が、下側のウエハ１ＷＢの貼り合わせ面３０ｂに露出するバンプ下地導体パターン２５上にバンプ２６を形成するとともに、貼り合わせ面３０ｂ上におけるバンプ下地導体パターン２５の配置されていない領域あるいは、電気的に他の回路に影響しない領域に、ダミーバンプ２６ｂを形成する工程とを有しているので、ダミーバンプ２６ｂを形成しない場合と比較して、工程を増やすことなく、ダミーバンプ２６ｂを形成することができ、効率よく製造できる。
【００６７】
なお、本発明は、上述した例にのみ限定されるものではない。例えば、図１９に示す例では、２枚のウエハ１ＷＡ，１ＷＢを貼り合わせた半導体装置を例に挙げて説明したが、貼り合わされるウエハの数は複数枚であればよく、３以上であってもよい。図２１は、本発明の半導体装置の他の例を示した要部断面図である。図２１に示す半導体装置は、３層の基板１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣが積層された多層積み重ね構成の３次元半導体装置である。なお、図２１に示す半導体装置において、図１９と同じ部材については、同じ符号を付し、説明を省略する。
【００６８】
次に、図２０を用いて、図２１に示す半導体装置の製造工程の一例を説明する。まず、図３〜図１４で説明したようにして最上層のウエハ１ＷＡを用意する。また、図１５および図１６で説明したようにして最下層のウエハ１ＷＢを用意する。
さらに、図２０の工程１００Ｂ〜１０６Ｂを経て中間層のウエハ１ＷＣを用意する。この中間層のウエハ１ＷＣには、最上層のウエハ１ＷＡと同様に、貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂが形成されている。中間層のウエハ１ＷＣが最上層のウエハ１ＷＡと異なるのは、中間層のウエハ１ＷＣの主面上にバンプ下地導体パターン２５とバンプ２６とダミーバンプ２６ｂとが形成されていることである。なお、この段階での中間層のウエハ１ＷＣは、上記の第１〜第３薄型化処理が施されておらず厚いままとされている。
【００６９】
続いて、図１７および図１８で説明したのと同様にして２枚のウエハ１ＷＡ，１ＷＣを貼り合わせる（図２０における３層目以降の上下ウエハ貼り合わせ工程）。この際、中間層のウエハ１ＷＣは厚いままなので、ウエハ１ＷＣのハンドリングを安定かつ容易に行うことができる。
その後、上側の最上層のウエハ１ＷＡの主面にガラス支持基板２１を貼り合わせたままの状態で、下側の中間層のウエハ１ＷＣを裏面側から図１３および図１４で説明したのと同様の薄型化処理により薄型化する（図２０の中央の工程１０７Ａ）。これにより、下側の中間層のウエハ１ＷＣの裏面（貼り合わせ面３０ａ）から貫通分離部５、ダミー貫通分離部５ｂ、貫通配線部９、ダミー貫通配線部９ｂを露出（突出）させる。中間層のウエハ１ＷＣの薄型化は、２枚のウエハ１ＷＡ，１ＷＣを貼り合わせたままの状態で行うので、薄型化処理時におけるウエハ１ＷＣの機械的強度を確保でき、ウエハ１ＷＣのハンドリングの安定性を向上させることができる。
【００７０】
その後、上側の最上層のウエハ１ＷＡの主面にガラス支持基板２１を貼り合わせたままの状態で、上記図１７および図１８で説明したのと同様にして、中間層のウエハ１ＷＣと最下層のウエハ１ＷＢとを重ね合わせ、ウエハ１ＷＣ，１ＷＢ間に接着剤３０を注入して貼り合わせる（図２０の中央下段の工程２０１〜２０３）。これ以降は、上記と同じなので説明を省略する。４層以上のウエハを貼り合わせる場合は、中間層のウエハ１ＷＣで行った工程とウエハの貼り合わせ工程とを繰り返せば良い。
【００７１】
図２１に示す半導体装置においては、貫通配線部９の端部９ｃと、貫通配線部９の端部９ｃに対向するバンプ２６とが、それぞれ貼り合わせ面３０ａ、３０ｂから突出して形成された凸状接続部であり、貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）上における貫通配線部９（バンプ２６）の配置されていない領域に、半導体回路と絶縁され、貫通配線部９（バンプ２６）と同じ高さで貼り合わせ面３０ａ（３０ｂ）から突出するダミー貫通配線部９ｂ（ダミーバンプ２６ｂ）形成されているとともに、貫通配線部９よりも高い高さで貼り合わせ面３０ａから突出するダミー貫通分離部５ｂが形成されているので、ウエハ１ＷＡ，１ＷＣ，１ＷＢを貼り合わせる際に貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重がダミー貫通配線部９ｂ、ダミー貫通分離部５ｂおよびダミーバンプ２６ｂにも負荷されるものとなり、貫通配線部９およびバンプ２６に負荷される荷重のばらつきが緩和され、ウエハ１ＷＡ，１ＷＣ，１ＷＢを貼り合わせる際における貫通配線部９およびバンプ２６の損傷が効果的に防止されたものとなる。したがって、信頼性に優れ、安定した性能を有する半導体装置が実現できる。
【００７２】
なお、図１９に示す半導体装置や図２１に示す半導体装置では、ダミー貫通配線部９ｂと対向するすべての位置にダミーバンプ２６ｂを形成したが、ダミーバンプ２６ｂを形成しなくてもよいし、ダミー貫通配線部９ｂと対向する位置の一部にのみダミーバンプ２６ｂを形成してもよく、貫通配線部９や貫通分離部５の配置、貼り合わせ時の過重などの条件、全体の製造工程への影響などを考慮して、適宜決定できる。
【００７３】
図２２は、本発明の半導体装置の他の例を示した要部断面図である。図２３は、図２２に示す半導体装置の製造工程を説明するための図である。
図２２に示す半導体装置は、第１層のウエハ（最下層のウエハ）１０１と、第２層のウエハ（中間層のウエハ）１１１と、第３層のウエハ（最上層のウエハ）１２１とが貼り合わされてなるものである。
第３層のウエハ１２１における第２層のウエハ１１１と対向する貼り合わせ面１２０ａと、第２層のウエハ１１１における第１層のウエハ１０１と対向する貼り合わせ面１２０ａとには、貫通配線部１１７の端面に形成されたバンプ１１９からなる電気信号接続部が設けられている。また、第２層のウエハ１１１における第３層のウエハ１２１と対向する貼り合わせ面１２０ｂと、第１層のウエハ１０１における第２層のウエハ１１１と対向する貼り合わせ面１２０ｂとには、コンタクトプラグ１０４ａ、１１４ａの端面からなる電気信号接続部が設けられている。
【００７４】
第２層のウエハ１１１に形成された貫通配線部１１７は、第２層のウエハ１１１を構成する基板１１２を貫通して形成され、第２層のウエハ１１１の主面と裏面とを導通させるものである。また、第３層のウエハ１２１に形成された貫通配線部１１７は、第３層のウエハ１２１を構成する基板１２２を貫通して形成され、第３層のウエハ１２１の主面と裏面とを導通させるものである。
そして、図２２に示す半導体装置では、対向して配置された第２層のウエハ１１１の貫通配線部１１７の端面に形成されたバンプ１１９と第１層のウエハ１０１のコンタクトプラグ１０４ａとが電気的に接続されるとともに、対向して配置された第３層のウエハ１２１の貫通配線部１１７の端面に形成されたバンプ１１９と第２層のウエハ１１１のコンタクトプラグ１１４ａとが電気的に接続されることにより、各ウエハ１０１、１１１、１２１を構成する基板１０２，１１２，１２２に設けられたＭＯＳ・ＦＥＴ１０３，１１３，１２３を備えた所望の半導体回路が形成されている。
【００７５】
また、図２２に示すように、対向する上下のウエハの貼り合わせ面１２０ａ、１２０ｂ間の隙間には、絶縁性の接着剤１２０が注入されている。この接着剤１２０により、上下のウエハ間の機械的強度が確保されている。
【００７６】
また、図２２に示す半導体装置において、電気信号接続部であるバンプ１１９は、第２層のウエハ１１１および第３層のウエハ１２１の下向きの貼り合わせ面１２０ａから突出して形成された凸状接続部である。図２２に示すように、バンプ１１９は、貫通配線部１１７を介して半導体回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ１０３，１１３，１２３と電気的に接続されている。
また、第２層のウエハ１１１および第３層のウエハ１２１のバンプ１１９の形成されている貼り合わせ面１２０ａ上におけるバンプ１１９の配置されていない領域には、バンプ１１９と同じ高さで貼り合わせ面１２０ａから突出する補強凸部であるダミーバンプ１９ｂが形成されている。図２２に示す半導体装置では、ダミーバンプ１９ｂは、凸状接続部であるバンプ１１９と同じ高さで同じ材料からなるものとされている。また、ダミーバンプ１９ｂは、図２２に示すように、絶縁膜１２８によって半導体回路と絶縁され、貫通配線部１１７と電気的に接続されないようにされているとともに、貼り合わされたウエハの半導体回路と電気的に接続されないように、貼り合わされたウエハの絶縁膜１２５、１２６と対向して配置されている。
【００７７】
本実施形態において、補強凸部であるダミーバンプ１９ｂと、凸状接続部であるバンプ１１９との平面配置は、特に限定されないが、例えば、上述した実施形態と同様に、図２（ａ）〜図２（ｄ）に示す補強凸部５２および凸状接続部５１ａと同様の配置とすることが好ましい。
【００７８】
各ウエハ１０１，１１１，１２１は、基板１０２，１１２，１２２に、半導体回路を構成する素子であるＭＯＳ・ＦＥＴ１０３，１１３，１２３、酸化シリコン等からなるフィールド酸化膜１１６、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等のような金属からなる配線１１４、１０４やコンタクトプラグ１０４ａ、１１４ａや貫通配線部１１７、酸化シリコンなどからなる絶縁膜１２５，１２６、１２８などが形成されてなるものである。
【００７９】
次に、図２３を用いて、図２２に示す半導体装置の製造工程を説明する。
まず、半導体装置の通常の形成方法により、基板１０２，１１２，１２２に、ＭＯＳ・ＦＥＴ１０３，１１３，１２３、フィールド酸化膜１１６、配線１１４、１０４、貫通配線部１１７、絶縁膜１２８などを形成し、ウエハ１０１，１１１，１２１を形成する。なお、第１層のウエハ１０１においては、コンタクトプラグ１０４ａと絶縁膜１２８も形成する。
【００８０】
次に、図２３（ａ）に示す第２層のウエハ１１１の主面（図２３においては上面）に、接着用シート１２７を介してガラス支持基板１１８を貼り付ける。次に、図２３（ｂ）に示すように、第２層のウエハ１１１の裏面（図２３においては下面）に対して、例えば、機械的な要素による薄型化処理（研削）と、ＣＭＰのような機械的な要素と化学的な要素とを併せ持つ薄型化処理（研磨）とを順に施す。
【００８１】
その後、図２３（ｃ）に示すように、第２層のウエハ１１１の貼り合わせ面１２０ａに露出する貫通配線部１１７の端面上に、例えばリフトオフ法、電解メッキ法、印刷法またはボール振り込み法等によりバンプ１１９を形成すると同時に、貼り合わせ面１２０ａ上における貫通配線部１１７の配置されていない領域にダミーバンプ１９ｂを形成する。このことにより、バンプ１１９およびダミーバンプ１９ｂが、第２層のウエハ１１１の下向きの貼り合わせ面１２０ａから突出された状態で形成される。
【００８２】
次に、図２３（ｄ）に示すように、第１層のウエハ１０１の貼り合わせ面１２０ｂの上方に、第２層のウエハ１１１の貼り合わせ面１２０ａが、第１層のウエハ１０１の貼り合わせ面１２０ｂに対向した状態となるように配置する。続いて、第１層のウエハ１０１と第２層のウエハ１１１との相対的な位置を合わせる。具体的には、第１層のウエハ１０１のコンタクトプラグ１０４ａと、それに対応する第２層のウエハ１１１のバンプ１１９との位置を合わせる。
【００８３】
その後、第１層のウエハ１０１のコンタクトプラグ１０４ａと、第２層のウエハ１１１のバンプ１１９とを接触させて電気的に接続する。これにより、第１層のウエハ１０１と第２層のウエハ１１１の半導体回路部同士を電気的に接続する。
その後、第１層のウエハ１０１と第２層のウエハ１１１の対向する貼り合わせ面１２０ａ、１２０ｂの隙間に絶縁性の接着剤１２０を注入する。
【００８４】
次いで、図２３（ｅ）に示すように、第２層のウエハ１１１からガラス支持基板１１８を剥離し、第２層のウエハ１１１の主面に層間絶縁膜１２６を形成し、層間絶縁膜１２６を貫通するコンタクトプラグ１１４ａを形成する。
【００８５】
その後、第１層のウエハ１０１と第２層のウエハ１１１との貼り合わせと同様にして、第２層のウエハ１１１上に、第３層のウエハ１２１を配置し、第２層のウエハ１１１のコンタクトプラグ１１４ａと、第３層のウエハ１２１のバンプ１１９とを接触させて電気的に接続し、貼り合わせ面１２０ａ、１２０ｂ間の隙間に絶縁性の接着剤１２０を注入し、図２２に示す半導体装置とする。
【００８６】
図２２に示す半導体装置は、ウエハ１０１，１１１，１２１が貼り合わされてなり、上側のウエハ１１１，１２１における下側のウエハ１０１，１１１と対向する貼り合わせ面１２０ａには、バンプ１１９からなる電気信号接続部が設けられ、下側のウエハ１０１，１１１における上側のウエハ１１１，１２１と対向する貼り合わせ面１２０ｂには、コンタクトプラグ１０４ａ，１１４ａからなる電気信号接続部が設けられ、上側のウエハのバンプ１１９と、下側のウエハのコンタクトプラグ１０４ａ，１１４ａとが電気的に接続されることにより所望の半導体回路が形成されている半導体装置である。そして、図２２に示す半導体装置では、上側のウエハ１１１，１２１のバンプ１１９が、貼り合わせ面１２０ａから突出して形成された凸状接続部であり、貼り合わせ面１２０ａ上におけるバンプ１１９の配置されていない領域に、半導体回路と絶縁され、バンプ１１９と同じ高さで貼り合わせ面１２０ａから突出するダミーバンプ１９ｂが形成されているので、ウエハ１０１，１１１，１２１を貼り合わせる際にバンプ１１９に負荷される荷重がダミーバンプ１９ｂにも負荷されるものとなり、バンプ１１９に負荷される荷重のばらつきが緩和され、ウエハ１０１，１１１，１２１を貼り合わせる際におけるバンプ１１９の損傷が効果的に防止されたものとなる。したがって、信頼性に優れ、安定した性能を有する半導体装置が実現できる。
【００８７】
また、図２２に示す半導体装置は、ダミーバンプ１９ｂが、バンプ１１９と同じ高さで同じ材料からなるものであるので、ダミーバンプ１９ｂをバンプ１１９と同時に形成することができ、容易に製造できるものとなる。
【００８８】
また、図２２に示す半導体装置の製造方法は、上側のウエハ１１１，１２１の貼り合わせ面１２０ａに、貼り合わせ面１２０ａから突出するバンプ１１９を形成する工程と、バンプ１１９の形成されている貼り合わせ面１２０ａ上におけるバンプ１１９の配置されていない領域に、半導体回路と絶縁され、バンプ１１９と同じ高さで貼り合わせ面１２０ａから突出するダミーバンプ１９ｂを形成する工程と、ウエハ１０１，１１１，１２１を貼り合わせ、電気信号接続部であるコンタクトプラグ１０４ａ，１１４ａとバンプ１１９とを互いに電気的に接続することにより所望の半導体回路を形成する工程とを有するので、ウエハ１０１，１１１，１２１を貼り合わせる際にバンプ１１９に負荷される荷重がダミーバンプ１９ｂにも負荷されることになり、バンプ１１９に負荷される荷重のばらつきが緩和される。
【００８９】
また、図２２に示す半導体装置の製造方法は、バンプ１１９を形成する工程と、ダミーバンプ１９ｂを形成する工程とを同時に行うので、バンプ１１９とダミーバンプ１９ｂとを別々に形成する場合と比較して効率よく製造できる。
【００９０】
また、図２２に示す半導体装置の製造方法は、バンプ１１９を形成する工程およびダミーバンプ１９ｂを形成する工程が、上側のウエハ１１１，１２１の貼り合わせ面１２０ａに露出する貫通配線部１１７の端面上にバンプ１１９を形成するとともに、貼り合わせ面１２０ｂ上における貫通配線部１１７の配置されていない領域にダミーバンプ１９ｂを形成する工程を有しているので、ダミーバンプ１９ｂを形成しない場合と比較して、工程を増やすことなく、ダミーバンプ１９ｂを形成することができ、効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｄ）は、貼り合わせ面における凸状接続部の配置の例を示した平面図であって、特に損傷が生じやすい凸状接続部の配置を説明するための図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本発明の半導体装置の一部を拡大して補強凸部と凸状接続部のみを示した概略平面図であり、貼り合わせ面における補強凸部と凸状接続部の配置の例を示した平面図である。
【図３】上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図４】図３に続く上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図５】図４に続く上側のウエハの製造工程中の要部平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線の断面図である。
【図７】図５および図６に続く上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図９】図８に続く上側のウエハの製造工程中の要部平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１１】図９および図１０に続く上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図１２】図１１に続く上側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図１３】図１２に続く第１薄型化工程後の上側のウエハの要部断面図である。
【図１４】図１３に続く第２薄型化工程後の上側のウエハの要部断面図である。
【図１５】バンプ形成工程の段階の下側のウエハの要部断面図である。
【図１６】図１５に続く下側のウエハの製造工程中の要部断面図である。
【図１７】上下ウエハの貼り合わせ工程中の要部断面図である。
【図１８】図１７に続く上下ウエハの貼り合わせ工程中の要部断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の半導体装置の一例を示した要部断面図である。
【図２０】図２０は、図１９に示す半導体装置の製造工程を説明するためのフロー図である。
【図２１】図２１は、本発明の半導体装置の他の例を示した要部断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の半導体装置の他の例を示した要部断面図である。
【図２３】図２３は、図２２に示す半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００９２】
１ＷＡ，１ＷＢ、１ＷＣ、１０１、１１１、１２１…ウエハ、１ＳＡ，１ＳＢ，１ＳＣ、１１２、１２２…基板、２…分離部、２ａ…分離溝、２ｂ、３、７、１２５、１２６、１２８…絶縁膜、５…貫通分離部、５ａ…深い分離溝、５ｂ…ダミー貫通分離部（補強凸部）、６、１０３，１１３，１２３…ＭＯＳ・ＦＥＴ、８ａ、８ｂ，８ｃ，８ｄ…層間絶縁膜、９、１１７…貫通配線部（電気信号接続部、凸状接続部）、９ａ…深い導通溝、９ｂ…ダミー貫通配線部（補強凸部）、９ｃ…端部、１０…表面保護膜、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、１１４、１０４…配線、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ…プラグ、１７…開口部、２０、１２７…接着用シート、２１、１８０…ガラス支持基板、２５…バンプ下地導体パターン、２６、１１９…バンプ（電気信号接続部、凸状接続部）、２６ｂ、１９ｂ…ダミーバンプ（補強凸部）、３０、１２０…接着剤、ＲＡ，ＲＢ…レジストパターン、５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇ…凸状接続部、５１ｄ…凸状接続部群、５１ｆ…凸状接続部集団、３０ａ、３０ｂ、１２０ａ、１２０ｂ…貼り合わせ面、５２…補強凸部、１０４ａ、１１４ａ…コンタクトプラグ（電気信号接続部）。
【図１】
0005271562.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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