(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する光ファイバ増幅器又は半導体光増幅器であり、光源そのものとして用いる第１光信号発生手段と、
少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツを含む広帯域で前記光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力する光電変換手段と、
を有することを特徴とする高周波数帯雑音発生装置。
【請求項２】
前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号から、所望の周波数帯域幅の光信号を通過させる光通過手段を更に有し、
前記光電変換手段は、当該光通過手段を通過した当該光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力することを特徴とする請求項１に記載の高周波数帯雑音発生装置。
【請求項３】
前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号を、少なくとも２つの光信号に分配する光分配手段と、
分配された一の前記光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる第１光通過手段と、
分配された他の前記光信号から、前記第１光通過手段を通過する光信号の周波数帯域幅とは異なる周波数帯域幅であって、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる第２光通過手段と、
前記第１光通過手段を通過した前記光信号と、前記第２光通過手段を通過した前記光信号とを合波する光合波手段と、を更に有し、
前記光電変換手段は、合波された各光信号を当該光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力することを特徴とする請求項１に記載の高周波数帯雑音発生装置。
【請求項４】
前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる光通過手段と、
単一周波数の光信号を発生する第２光信号発生手段と、
前記光通過手段を通過した前記光信号と、前記第２光信号発生手段で発生した前記光信号とを合波する光合波手段と、を更に有し、
前記光電変換手段は、合波された各光信号を当該光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力することを特徴とする請求項１又は３に記載の高周波数帯雑音発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去のみではなく、現在の自然界には様々な雑音が存在している。このような雑音は、数学的にランダムなプロセスで発生するため、統計的分布で扱うことが可能である。一般的には、ある対象物に対して線形に作用し、広い帯域にわたり平均エネルギーが一定であって、振幅の分布がガウス的である加算性ホワイトガウス雑音（ＡＷＧＮ：Additive White Gaussian Noise）で定義することができる。例えば、熱雑音、ショットノイズ、黒体輻射等がその好適な一例である。そして、そのような雑音が、電気・電子機器で構成される電子装置等を備えたシステム全般に与える影響を評価するため、上述したＡＷＧＮを発生する雑音発生装置やその方法が注目されている。
【０００３】
従来の雑音発生装置が雑音の源として用いる雑音源は、通常、マイクロ波及びミリ波を扱うことが可能なデバイス等で構成され、雑音指数，ダイナミックレンジ，感度等を調節することで、発生する雑音を調整することができるようになっている。具体的には、雑音管、半導体ダイオード、黒体輻射等が用いられている（非特許文献１，２参照）。雑音管については、非常に高い電圧が印加されたガス入り管が使用され、雑音管内での放電により雑音が生成される。また、雑音管に代えて、雑音チューブを用いる場合には、約１００ＧＨｚまでの周波数の雑音を発生するものの、非常に高い電圧を必要とする。半導体ダイオードを用いる場合には、内部電界による電子の放電と、それに基づくキャリアの増幅を利用した絶縁破壊の技術を利用して雑音を生成している。即ち、絶縁破壊で発生するキャリア自体がランダムな振る舞いをするので、低いバイアス電圧でランダム雑音を得ることができる。このような雑音源を用いた雑音発生装置は、材料，生命科学の研究分野で材料の分光特性を測定するのに用いられている。
【０００４】
そして、現在では、大容量データ通信システムや、電波天文学分野での応用という観点から、約１０ＧＨｚから１ＴＨｚまでの高周波数帯域で雑音を発生する雑音発生装置が注目されている。
【非特許文献１】F.B.Llewellyn、「A Study of Noise in Vacuum Tubes and Attached Circuits」、Proceedings of the Institute of Radio Engineers、Volume 18、Number 2、1930年2月、p.243-265
【非特許文献２】N.J.Keen、「Avalanche Diode Noise Sources at Short Centimeter and Millimeter Wavelengths」、Microwave Theory and Techniques、IEEE Transactions、Volume 24、Number 3、1976年3月、p.153-155
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば、前述の半導体ダイオード等を用いて発生した雑音の周波数は、最大でも約１５０ＧＨｚを上回ることはない。また、１０Ｋを超える質量を持つ全ての物質から黒体輻射の一部として数テラヘルツまでの放射があるが、この熱輻射は非常に弱く、デバイスや部品の評価に用いることは非常に困難である。従い、約１０ＧＨｚから１ＴＨｚまでの高周波数帯域を扱う装置等を評価できないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記を鑑みてなされたものであり、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供すること課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の本発明は、ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する光ファイバ増幅器又は半導体光増幅器であり、光源そのものとして用いる第１光信号発生手段と、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツを含む広帯域で前記光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力する光電変換手段と、を有することを要旨とする。
【０００８】
本発明にあっては、ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する光ファイバ増幅器又は半導体光増幅器であり、光源そのものとして用いる第１光信号発生手段と、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツを含む広帯域で発生した光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力する光電変換手段と、を有するため、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することができる。
【０００９】
請求項２に記載の本発明は、前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号から、所望の周波数帯域幅の光信号を通過させる光通過手段を更に有し、前記光電変換手段は、当該光通過手段を通過した当該光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力することを要旨とする。
【００１０】
請求項３に記載の本発明は、前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号を、少なくとも２つの光信号に分配する光分配手段と、分配された一の前記光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる第１光通過手段と、分配された他の前記光信号から、前記第１光通過手段を通過する光信号の周波数帯域幅とは異なる周波数帯域幅であって、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる第２光通過手段と、前記第１光通過手段を通過した前記光信号と、前記第２光通過手段を通過した前記光信号とを合波する光合波手段と、を更に有し、前記光電変換手段は、合波された各光信号を当該光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力することを要旨とする。
【００１１】
請求項４に記載の本発明は、前記第１光信号発生手段で発生した前記光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる光通過手段と、単一周波数の光信号を発生する第２光信号発生手段と、前記光通過手段を通過した前記光信号と、前記第２光信号発生手段で発生した前記光信号とを合波する光合波手段と、を更に有し、前記光電変換手段は、合波された各光信号を当該光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力することを要旨とする。
請求項５に記載の本発明は、前記第１光信号発生手段が、光ファイバ増幅器又は半導体光増幅器であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１４】
〔第１の実施の形態〕
図１は、第１の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。この高周波数帯雑音発生装置は、雑音の源となる光信号を発生する雑音光源１００と、所定の光信号のみを通過させる光フィルタ１０４と、光信号を増幅する光増幅器１０７と、光信号を電気信号に変換する光電変換器１０９とを備えている。
【００１５】
図２は、第１の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の処理を説明する説明図である。なお、同図には、光フィルタ１０４及び光増幅器１０７についての記載は省略している。以下、図１及び図２を用いて、この高周波数帯雑音発生装置の処理について説明する。
【００１６】
最初に、雑音光源１００は、ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する。例えば図２に示すように、雑音光源１００は、１９０ＴＨｚ〜１９４ＴＨｚであって中心周波数を１９２ＴＨｚとする４ＴＨｚの帯域幅を有する光信号を発生する。なお、このような雑音光源１００としては、光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）や半導体光増幅器（ＳＯＡ）などの光増幅器を利用することが可能である。
【００１７】
次に、光フィルタ１０４は、雑音光源１００で発生した光信号から所望の周波数帯域幅の光信号を通過させる。例えば、３ＴＨｚの帯域幅を有する光信号を通過させるようにしてもよい。また、雑音光源１００で発生した周波数帯域幅と同じ４ＴＨｚの帯域幅を有する光信号を通過させるように予め設定した広帯域用の光フィルタ１０４を用いてもよい。なお、この光フィルタ１０４とは、ユーザがある特定の周波数帯域の雑音を高周波数帯雑音発生装置から出力させたい場合に用いられるため、そのような特定の周波数帯域を特定しない場合には、必ずしも光信号を光フィルタ１０４に通過させる必要はなく、光フィルタ１０４を用いる場合よりも広帯域の雑音信号を後述する光電変換手段から出力することが可能となる。
【００１８】
そして、光増幅器１０７は、光フィルタ１０４を通過した光信号を所望の大きさに増幅する。光増幅器１０７を用いることにより、高周波数帯雑音発生装置から出力する雑音信号の大きさを制御することが可能となる。
【００１９】
最後に、光電変換器１０９は、光増幅器１０７で増幅された光信号を入力し、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツを含む広帯域で電気信号に変換して、雑音信号として出力する。具体的には、図２に示すように、０（ＤＣ（直成分））〜数テラヘルツまでの広帯域の雑音信号が出力されることになる。なお、このような光電変換器１０９としては、二乗検波器，光検出器，光伝導体，光ミキサ，単一走行キャリア・フォトダイオード（ＵＴＣ−ＰＤ）などを利用することができる。
【００２０】
従って、本実施の形態によれば、ある周波数帯域幅の光信号を発生する雑音光源１００と、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツを含む広帯域で発生した光信号を電気信号に変換し、雑音信号として出力する光電変換器１０９とを有するので、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することができる。
【００２１】
〔第２の実施の形態〕
図３は、第２の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。この高周波数帯雑音発生装置は、雑音の源となる光信号を発生する雑音光源１００と、発生した光信号を複数に分配する光カプラ１０３と、所定の光信号のみを通過させる光フィルタ１０４ａ，１０４ｂと、複数の光信号を合波する光カプラ１０６と、光信号を増幅する光増幅器１０７と、光信号を減衰する光減衰器１０８と、光信号を電気信号に変換する光電変換器１０９とを備えている。
【００２２】
図４は、第２の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の処理を説明する説明図である。なお、同図には、光カプラ１０３と光フィルタ１０４ａ，１０４ｂとの機能を備えた光導波路（ＡＷＧ）２０１を記載し、光増幅器１０７及び光減衰器についての記載は省略している。以下、図３及び図４を用いて、この高周波数帯雑音発生装置の処理について説明する。
【００２３】
最初に、雑音光源１００は、ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する。例えば図４に示すように、雑音光源１００は、１９０ＴＨｚ〜１９４ＴＨｚであって中心周波数を１９２ＴＨｚとする４ＴＨｚの帯域幅を有する光信号を発生する。なお、このような雑音光源１００としては、光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）や半導体光増幅器（ＳＯＡ）などの光増幅器を利用することが可能である。
【００２４】
そして、光カプラ１０３は、雑音光源１００で発生した光信号を２つの光信号に分配する。
【００２５】
次に、光フィルタ１０４ａは、光カプラ１０３で分配された一方の光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅の光信号を通過させ、光フィルタ１０４ｂは、光カプラ１０３で分配された他方の光信号から、光フィルタ１０４ａを通過する光信号の周波数帯域幅とは異なる周波数帯域幅であって、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅の光信号を通過させる。例えば図４に示すように、光導波路２０１は、強度ピークを１９２．０１ＴＨｚに有する光信号と、強度ピークを１９２．０２ＴＨｚに有する光信号とを切り出して出力する。なお、この強度ピークに代えて中心周波数などを用いることも無論可能である。
【００２６】
続いて、光カプラ１０６は、光フィルタ１０４ａを通過した光信号と、光フィルタ１０４ｂを通過した光信号とを合波する。
【００２７】
そして、光増幅器１０７は、光カプラ１０６で合波された各光信号を所望の大きさに増幅する。光増幅器１０７を用いることにより、高周波数帯雑音発生装置から出力する雑音信号の大きさを制御することが可能となる。
【００２８】
その後、光減衰器１０８は、光増幅器１０７で増幅した各光信号の大きさを減衰する。光減衰器１０８を用いて光信号の減衰量を調整することにより、高周波数帯雑音発生装置から出力する雑音信号の大きさを制御することが可能となる。
【００２９】
最後に、光電変換器１０９は、光カプラ１０６で合波され、光増幅器１０７で増幅され、光減衰器１０８で減衰された各光信号を、これら光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力する。即ち、光電変換器１０９は、式（１）に基づいて２つの光信号を変換し、図４に示すように、式（１）の「１」に相当する直流成分（ＤＣ成分）の雑音信号と、「−Δω」と「＋Δω」との差で求まる「２Δω」に相当する周波数差の雑音信号とを出力する。なお、この直流成分は、周波数を０（零）付近とするため、約１０ＧＨｚから１ＴＨｚまでの高周波数帯域を扱う装置等の評価に用いられることはない。
【００３０】
［数１］
〔｛Ｓｉｎ（ω−Δω）ｔ｝＋｛Ｓｉｎ（ω＋Δω）ｔ｝〕２＝１＋Ｃｏｓ２Δωｔ    ・・・式（１）
本式では、光電変換器１０９で応答しないω，２ω等の成分は無視している。また、上記の具体例で言えば、強度ピークを１０ＧＨｚ（＝１９２．０２ＴＨｚ−１９２．０１ＴＨｚ）に有する雑音が光電変換器１０９から出力されることになる。
【００３１】
従って、マイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツの高周波数帯域で雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することができる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態では、第２の実施の形態で説明した場合よりも広帯域の雑音を出力可能とするが、高い周波数帯域における雑音の効率やパワースペクトルは非常に小さい。そこで、本実施の形態で説明したように、光フィルタを用いて雑音信号として出力させたい周波数帯を狭めることにより、ユーザが所望するパワースペクトルを有する雑音信号を出力することができる。
【００３３】
また、本実施の形態で説明した光フィルタの一例として、動作する周波数帯域幅と通過させる帯域幅とをプロファイルで設定可能であって、中心波長を可変可能な波長可変光フィルタを用いてもよい。
【００３４】
〔第３の実施の形態〕
図５は、第３の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。この高周波数帯雑音発生装置は、雑音の源であって所定の周波数帯域幅の光信号を発生する雑音光源１００と、単一周波数の光信号を発生するレーザ光源１０２と、所定の光信号のみを通過させる光フィルタ１０４と、複数の光信号を合波する光カプラ１０６と、光信号を増幅する光増幅器１０７と、光信号を減衰する光減衰器１０８と、光信号を電気信号に変換する光電変換器１０９とを備えている。
【００３５】
続いて、本実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の処理について説明する。最初に、雑音光源１００は、ある周波数帯域幅の光を雑音の源となる光信号として発生する。例えば、この雑音光源１００は、１９０ＴＨｚ〜１９４ＴＨｚであって中心周波数を１９２ＴＨｚとする４ＴＨｚの帯域幅を有する光信号を発生する。なお、このような雑音光源１００としては、光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）や半導体光増幅器（ＳＯＡ）などの光増幅器を利用することが可能である。
【００３６】
一方、レーザ光源１０２は、単一周波数の光を雑音の源となる光信号として発生する。例えば、このレーザ光源１０２は、１９２．０２ＴＨｚの周波数を有する光信号を発生する。
【００３７】
次に、光フィルタ１０４は、雑音光源１００で発生した光信号から、少なくともマイクロ波，ミリ波，サブテラヘルツに含まれる周波数帯域幅を有する光信号を通過させる。例えば、この光フィルタ１０４は、強度ピークを１９２．０１ＴＨｚに有する光信号を通過させる。なお、この強度ピークに代えて中心周波数などを用いることも無論可能である。
【００３８】
続いて、光カプラ１０６は、光フィルタ１０４を通過した光信号と、レーザ光源１０２で発生した光信号とを合波する。
【００３９】
そして、光増幅器１０７は、光カプラ１０６で合波された各光信号を所望の大きさに増幅する。光増幅器１０７を用いることにより、高周波数帯雑音発生装置から出力する雑音信号の大きさを制御することが可能となる。
【００４０】
その後、光減衰器１０８は、光増幅器１０７で増幅した各光信号の大きさを減衰する。減衰量を調整することにより、高周波数帯雑音発生装置から出力するマイクロ波帯，ミリ波帯，サブテラヘルツ帯の雑音の大きさを制御することが可能となる。
【００４１】
最後に、光電変換器１０９は、光カプラ１０６で合波され、光増幅器１０７で増幅され、光減衰器１０８で減衰された各光信号を、これら光信号の周波数差の電気信号に変換し、雑音信号として出力する。即ち、光電変換器１０９は、第２の実施の形態で説明した式（１）に基づいて２つの光信号を変換し、この式（１）の「１」に相当する直流成分（ＤＣ成分）の雑音信号と、「−Δω」と「＋Δω」との差で求まる「２Δω」に相当する周波数差の雑音信号とを出力する。なお、この直流成分は、周波数を０（零）付近とするため、約１０ＧＨｚから１ＴＨｚまでの高周波数帯域を扱う装置等の評価に用いられることはない。また、上記の具体例で言えば、強度ピークを１０ＧＨｚ（＝１９２．０２ＴＨｚ−１９２．０１ＴＨｚ）に有する雑音が光電変換器１０９から出力されることになる。
【００４２】
従って、マイクロ波帯，ミリ波帯，サブテラヘルツ帯の雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することが可能となる。
【００４３】
なお、第１の実施の形態では、第２の実施の形態で説明した場合よりも広帯域の雑音を出力可能とするが、高い周波数帯域における雑音の効率やパワースペクトルは非常に小さい。そこで、本実施の形態で説明したように、光フィルタやレーザ光源を用いて雑音信号として出力させたい周波数帯を狭めることにより、ユーザが所望するパワースペクトルを有する雑音信号を出力することができる。
【００４４】
また、本実施の形態で説明した光フィルタの一例として、動作する周波数帯域幅と通過させる帯域幅とをプロファイルで設定可能であって、中心波長を可変可能な波長可変光フィルタを用いてもよい。
【００４５】
〔第４の実施の形態〕
図６は、第４の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。この高周波数帯雑音発生装置は、第２の実施の形態で説明した高周波帯雑音発生装置と、第３の実施の形態で説明した高周波帯雑音発生装置とを組み合わせて、光カプラ１０６において２つ以上の光信号を合波可能とするものである。なお、この高周波数帯雑音発生装置を構成する各ブロックは、第２，３の実施の形態で説明した機能と同じ機能を有するため重複した説明は省略し、光カプラ１０６及び光電変換器１０９の機能について説明する。
【００４６】
光カプラ１０６は、光フィルタ１０４ａ〜１０４ｃを夫々通過した光信号と、レーザ光源１０２で発生した光信号とを合波する。即ち、例えば、光フィルタ１０４ａを通過した１９２．０１ＴＨｚ（Ａ）に強度ピークを有する光信号と、光フィルタ１０４ｂを通過した１９２．０２ＴＨｚ（Ｂ）に強度ピークを有する光信号と、光フィルタ１０４ｃを通過した１９２．３１ＴＨｚ（Ｃ）に強度ピークを有する光信号と、レーザ光源１０２で発生した１９２．４１ＴＨｚ（Ｄ）の周波数を有する光信号とが合波されることになる。
【００４７】
光電変換器１０９は、光カプラ１０６で合波され、光増幅器１０７で増幅され、光減衰器１０８で減衰された各光信号の周波数の差分を周波数とする光信号を電気信号に変換し、電気の雑音信号として出力する。即ち、１０ＧＨｚ（＝Ｂ−Ａ），３００ＧＨｚ（＝Ｃ−Ａ），４００ＧＨｚ（＝Ｄ−Ａ），２９０ＧＨｚ（＝Ｃ−Ｂ），３９０ＧＨｚ（＝Ｄ−Ｂ），１００ＧＨｚ（＝Ｄ−Ｃ）に強度ピークを有する雑音が光電変換器１０９から出力されることになる。
【００４８】
第２，３の実施の形態で説明したように、上記強度ピークに代えて中心周波数などを用いることも無論可能である。
【００４９】
従って、マイクロ波帯，ミリ波帯，サブテラヘルツ帯の雑音を発生する高周波数帯雑音発生装置を提供することが可能となる。なお、３つ以上の光雑音源や、４つ以上の光フィルタや、２つ以上のレーザ光源を用いた場合であっても、同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００５０】
〔実施例〕
図７は、第２の実施の形態で説明した高周波数帯雑音発生装置に基づく実用的な実装例を示すブロック図である。雑音光源１００及び光増幅器１０７として光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）２００を用い、光カプラ１０３と光フィルタ１０４ａ，１０４ｂとして光導波路（ＡＷＧ）２０１を用い、光電変換器１０９として単一走行キャリア・フォトダイオード（ＵＴＣ−ＰＤ）２０４を用いた場合を記載している。光導波路２０１で選択するチャネルの中心波長差を変えることにより、出力されるマイクロ波帯，ミリ波帯，サブテラヘルツ帯の雑音の占有帯域を制御することが可能となる。
【００５１】
図８は、図７において、光導波路２０１で選択するチャネルの中心波長を変更させた場合に、高周波数帯発生装置から出力される雑音のスペクトル強度を測定した測定結果を示すグラフである。図８によれば、３５０ＧＨｚにおいて約−１３０ｄＢｍ／Ｈｚの雑音スペクトル強度を有する雑音信号が得られていることが分かる。この雑音スペクトル強度は、熱雑音の雑音スペクトル強度（約−１７４ｄＢｍ／Ｈｚ）に比べて４４ｄＢ大きい値であり、様々な測定用の雑音信号の強度として十分大きな値である。従って、各実施の形態で説明した高周波数帯雑音発生装置は、雑音を用いた種々の測定における雑音源に十分適用可能であると言える。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の処理を説明する説明図である。
【図３】第２の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。
【図４】第２の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の処理を説明する説明図である。
【図５】第３の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。
【図６】第４の実施の形態に係る高周波数帯雑音発生装置の機能ブロック構成を示すブロック図である。
【図７】第２の実施の形態で説明した高周波数帯雑音発生装置に基づく実用的な実装例を示すブロック図である。
【図８】図７において、光導波路２０１で選択するチャネルの中心波長を変更させた場合に、高周波数帯発生装置から出力される雑音のスペクトル強度を測定した測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５３】
１００，１００ａ，１００ｂ…雑音光源
１０２…レーザ光源
１０３…光カプラ
１０４，１０４ａ〜１０４ｃ…光フィルタ
１０６…光カプラ
１０７…光増幅器
１０８…光減衰器
１０９…光電変換器
２００，２０３…光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）
２０１…光導波路（ＡＷＧ）
２０４…単一走行キャリア・フォトダイオード（ＵＴＣ−ＰＤ）
【図１】
0005271580.tif 000002
【図２】
0005271580.tif 000003
【図３】
0005271580.tif 000004
【図４】
0005271580.tif 000005
【図５】
0005271580.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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