(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の試料を内部に収納可能で大気圧と真空圧との間で内部の圧力を調節可能なロック室と、このロック室に連結されて前記真空圧にされた内部を前記試料が搬送される真空搬送室と、この真空搬送室に連結されその搬送された前記試料が処理される真空処理容室と、前記真空搬送室と前記ロック室との間の側面に配置されたゲートバルブとを有し、
前記ロック室と接続ポートを介して連通されて当該ロック室内部にガスを導入するガスディフューザーが内部の収納空間内に周囲と隙間をあけて配置され、前記ロック室外側壁面に着脱可能に装着されたディフューザーチャンバーを備え、
前記ガスディフューザーが複数のガス導入口を表面に備えた円柱状の形状を有しており、かつ、搬送される前記試料の表面から見て横向きで前記ロック室の外側壁の側面に沿って配置され、
前記接続ポートは、前記ロック室内部と前記ディフューザーチャンバー内部との間に配置され、前記ロック室とディフューザーチャンバーとを連通した開口であってその上下方向の高さまたは前記外側壁面に沿った方向の幅が前記ロック室内部の寸法より小さい横長の形状を有した前記開口を備えた真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、前記ロック室の上面は開閉可能である真空処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の真空処理装置であって、
前記ロック室の側面に設けられた接続ポートを有し、
該接続ポートの幅をＷA、該接続ポートの高さをＨB、前記ガスディフューザーの長さをＬa、前記ガスディフューザーの直径をＤbとしたとき、次式（１）、（２）の関係を満たすように構成されている真空処理装置。
ＷA＞０.５×Ｌa                      （１）
ＨB＞０.５×Ｄb                      （２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に係り、特に、半導体製造装置におけるガスディフューザーの設置構造及び設置方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
DRAMやマイクロプロセッサ等の半導体装置の製造工程において、プラズマエッチングやプラズマCVDが広く用いられている。半導体装置の製造工程における課題の１つに被処理体に付着する異物粒子数を低減することが挙げられる。例えばエッチング処理を行う半導体製造装置において、エッチング処理前に被処理体の微細パターン上に異物粒子が落下すると、その部位は局所的にエッチングが阻害される。その結果、断線などの不良が生じ歩留まり低下を引き起こす。そのため、半導体製造装置や製造工程の途中で被処理体を検査する半導体検査装置においては、被処理体に異物粒子が付着しないようにするための方法が多数考案されている。例えば引用文献１にあるように、真空と大気とを切り替えるロック室おけるベント時（ここで、ベントとは窒素ガス等をパージすることにより真空から大気へ戻すことを言う）における異物舞上げ防止のため、ガスディフューザーを設置する方法がある。ここでガスディフューザーとは特定方向の急激なガスの流れが生じないようにするためのものであり、例えば引用文献１に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−６４５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ガスディフューザーをロック室に設置する際には当然、被処理体の搬送中に搬送アームや被処理体が、ガスディフューザーに接触しないように設置しなければならない。しかし、ベント時間や真空引き時間の短縮等のため、ロック室の容積を極力小さくする傾向があり、ロック室内にガスディフューザーを設置するためのスペースが十分確保できない問題がある。また、わずかなスペースを確保して設置しても、ガスディフューザーと壁面との距離が近すぎると、ベントガスを供給したとき、ガスディフューザー近傍の壁面に付着している異物粒子が、ガスの流れによって剥離してロック室内を飛散し、被処理体に異物粒子が付着するリスクが高くなる。
【０００５】
また、ガスディフューザーを設置した付近の領域は定期的なWet洗浄（スワップパーツの分解洗浄）時に取り外して徹底的に洗浄することが望ましい。しかし、一般にロック室本体はWet洗浄時に取り外して洗浄するような設計にはなっていない場合がほとんどであるため、ガスディフューザーを直接ロック室内に設置した場合、ロック室内でのガスディフューザー設置付近を定期的なWet洗浄時に例えば超音波純水洗浄などによってクリーンにするのは容易ではない。
【０００６】
また、ガスディフューザーは処理室内のベント時に異物粒子の舞上げを防止する観点で処理室内にも設置することがある。しかし、処理室内ではイオンや、堆積性のラジカル、または腐蝕性のラジカルが存在するため、処理室内にむき出しの状態でガスディフューザーを設置すると、これらによってガスディフューザーが汚損することがある。
【０００７】
引用文献１に開示されたガスディフューザーは、その全体がガス導入管を介してロック室内に直接設置されるものであり、上記各課題を解消するものではない。
【０００８】
本発明の目的は、真空処理装置のガスディフューザー取り付け部のメンテナンス性向上させることによって、異物粒子の発生量を低減することのできる真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。即ち、本発明は、処理対象の試料を内部に収納可能で大気圧と真空圧との間で内部の圧力を調節可能なロック室と、このロック室に連結されて前記真空圧にされた内部を前記試料が搬送される真空搬送室と、この真空搬送室に連結されその搬送された前記試料が処理される真空処理容室と、前記真空搬送室と前記ロック室との間の側面に配置されたゲートバルブとを有し、前記ロック室と接続ポートを介して連通されて当該ロック室内部にガスを導入するガスディフューザーが内部の収納空間内に周囲と隙間をあけて配置され、前記ロック室外側壁面に着脱可能に装着されたディフューザーチャンバーを備え、前記ガスディフューザーが複数のガス口を表面に備えた円柱状の形状を有しており、かつ、搬送される前記試料の表面から見て横向きで前記ロック室の外側壁の側面に沿って配置され、前記接続ポートは、前記ロック室内部と前記ディフューザーチャンバー内部との間に配置され、前記ロック室とディフューザーチャンバーとを連通した開口であってその上下方向の高さまたは前記外側壁面に沿った方向の幅が前記ロック室内部の寸法より小さい横長の形状を有した前記開口を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ガスディフューザー設置部分のメンテナンスを容易にし、異物粒子の発生量を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の代表的な実施例によれば、処理室と、真空搬送室と、ロック室と、大気搬送室とを備えた半導体製造装置において、前記ロック室にディフューザー設置用のガスディフューザーチャンバーを接続した。さらに、他の実施例によれば、前記処理室と前記搬送室とを接続する接続ポートにゲートバルブを２つ設置し、２つのゲートバルブで囲まれた領域にガスディフューザーチャンバーを設置した。以下、本発明の実施例についてプラズマ処理装置を例に図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
本発明の第一の実施例について、図１〜図８を参照して説明する。  
図１は、プラズマ処理装置の全体を上方からみた概要を示している。本プラズマ処理装置では、真空搬送室６１に４つのプラズマ処理室６０（６０−１〜６０−４）が接続されている。真空搬送室と大気搬送室６３は、大気と真空を切替え可能な２つのロック室６５（６５−１，６５−２）を介して接続されている。例えばロック室６５−１はロードロック室であり、ロック室６５−２はアンロードロック室として使用される。ここでロードロック室とは被処理体を排気搬送室から真空搬送室へ搬入し、対して、アンロードロック室とは真空搬送室から大気搬送室へ被処理体を搬出する際に用いられるものである。もちろん各ロック室がロードロックとアンロードロックを兼用してもよい。大気側搬送室６３には被処理体２の中心やノッチ位置を検出するためのウエハアライナー６６が設置されている。また、ウエハを収納するためのフープ６８を設置するためのウエハステーション６７が大気側搬送室に接続されている。また本プラズマ処理装置の全体を制御するためのコンピューター３９が設置されている。また、ロック室６５−１及び６５−２にはガスディフューザーを設置するためのガスディフューザーチャンバー８５（８５−１と８５−２）がそれぞれ接続されている。さらに、処理室６０（６０−１〜６０−４）と真空搬送室６１の接続口付近にもガスディフューザー設置するためのガスディフューザーチャンバー８５(８５−３〜８５−６)が設置されている。さらに、真空搬送室６１の上方にも、ガスディフューザーを設置するためのガスディフューザーチャンバー８５−７が設置されている。
【００１３】
次に、ロック室の排気系とベントガス供給系の構成について、図２を用いて説明する。図２はロック室６５−１を横からみた概要を示している。ロック室６５−１と大気側搬送室６３及び真空搬送室６１とを接続する接続ポート部分には、ゲートバルブ７０−１と７０−２が設置されている。ロック室６５−１の室の外面にガスディフューザー８４を設置するガスディフューザーチャンバーは、ゲートバルブ７０−１と７０−２のある側面と直交する側の壁面に取り外し可能に固定されており、図示を省略した。ロック室６５−１には、ロック室内を減圧するための真空排気系４５とベントする際にベント用のガスを供給するためのベントガス供給系４６が設置されている。ここで、ベントとは窒素等のガスを供給することによって真空から大気へ戻すことを言う。また、ベントのときに供給するガスをベントガスという。真空排気系はスローOPENバルブ５２−１とドライポンプ４２からなる。スローOPENバルブとはバルブ内の弁体のOPEN速度が調整可能なバルブであり、真空引き開始時にゆっくりとバルブをOPENすることにより、ロック室内の急減圧を緩和する効果がある。ベントガス供給系は、例えば窒素ガスなどのベント用のガスの供給元(図示せず)から供給されたガスを減圧するためのレギュレーター５３とバルブ５２−２とガスディフューザー８４からなる。また、ロック室には圧力を測定するための圧力計５４が設置されている。真空排気系４５やベントガス供給系４６はコンピューター３９により制御される。
【００１４】
次に、ガスディフューザーを設置するための専用チャンバーであるガスディフューザーチャンバー８５について、図３〜図６で説明する。ここではロック室６５−１に接続されたガスディフューザーチャンバー８５−１を例に説明する。図３は、ロック室に接続されたガスディフューザーチャンバーの概要を立体的に示したものである。図４は、ガスディフューザーチャンバーを上方から見た概略を示している。図５は、ガスディフューザーをガスディフューザーチャンバーから取り外し、且つガスディフューザーチャンバーをロック室から取り外したときの概要を示している。また、図６はガスディフューザーをガスディフューザーチャンバーから取り外したときのガスディフューザーとフランジの構成を示している。
【００１５】
図３に示したように、ロック室６５−１の室の外側面にガスディフューザーチャンバー８５−１が固定され、その内部に、ロック室６５−１の室の外側面に沿って細長い円柱状のガスディフューザー８４が設置されている。ガスディフューザーチャンバー８５−１内の空間は、ロック室６５−１に設けられた接続ポート４７−１を介してロック室６５−１内の空間と接続されている。ガスディフューザーチャンバー８５−１の高さ及び幅は、ロック室６５−１の高さ及び幅よりも小さい。なお、ロック室６５−１の上面は、メンテナンスのために開閉可能な構造になっている。また、ロック室６５−１の上面にはその内部のウエハの状況等を観察するための透明な窓が設けられている（詳細構造は図示せず）。
【００１６】
図４，図５において、ガスディフューザーチャンバー８５−１は、ゲートバルブ７０−１、７０−２を含む被処理体例えばウエハ２の搬送経路に対してほぼ同じ高さでかつその外側に設けられている。ガスディフューザーチャンバー８５−１は、O−リング９１−１を間に挟んでネジ９６−１によりロック室に固定されている。即ち、ネジ９６−１を外すことによって、ガスディフューザーチャンバーをロック室から取り外すことができる。また、ネジ９６−２を外すことによってガスディフューザーチャンバーからガスディフューザーを取り外すことができる。
【００１７】
図６に示したように、ガスディフューザー８４はフランジ８６を貫通したＳＵＳ配管８７と接続されている。SUS配管８７を貫通させたフランジのガスディフューザー設置方向とは逆の側は、例えばＶＣＲ接続等のガス配管接続部９４によりベントガス供給系の配管５９と接続可能になっている。フランジ８６はガスディフューザーチャンバー８５−１にネジ止めするようになっており、これによってガスディフューザー８４がガスディフューザーチャンバー内に設置される。フランジ８６側にはＯ−リング溝があり、そこにO−リング９１−２が設置されている。なお、図６において、ガスディフューザー８４のうち８４Xで示された部分の表面が多孔質体となっている。この多孔質体８４Xを介してガスがしみ出すように供給されるため、特定方向に急激なガスの流れができないようにすることができる。
【００１８】
次に、ガスディフューザー８４を設置するためのガスディフューザーチャンバー８５をロック室に接続し、さらに、このガスディフューザーチャンバーとガスディフューザーを取り外し可能とした構成のメリットについて、図７を用いて述べる。図７は、図４のロック室６５−１及びガスディフューザーチャンバー８５の部分を簡単に示したものである。ロック室内やガスディフューザーチャンバー８５の表面に完全に異物粒子が付いていない状態にするのは、既存の洗浄技術ではほとんど不可能である。また、実際の量産現場では被処理体２がロック室６５−１内に搬入された際に、被処理体がロック室内に異物粒子を持ち込むことがある。そのため、通常は運用に伴って次第にロック室内に異物粒子が溜まり、汚染レベルが悪化していく場合が多い。図７は、運用等によってこのような若干の異物粒子が内壁に付着して汚れている状態を示している。また、実線の矢印はガスディフューザーから供給されたベントガスの噴出方向を示している。この場合、例えばロック室内の図中右側（Ｒ−Bの範囲）に付着している異物粒子については、ガスディフューザー８４からの距離が遠いため、ベント中に異物粒子が内壁から剥離して舞い上がるリスクは小さい。一方で、ガスディフューザーチャンバー内壁の例えば図中左側（Ｒ−Aの範囲）の領域に付着している異物粒子は、ガスディフューザー８４の近くに位置するため、ガスディフューザーから供給されたベントガスが直接当たる。もちろんガスディフューザーはガスの急激な流れを緩和するものであるが、ガスディフューザーから至近距離の壁に付着している異物粒子については、ベントガスの流れによって剥離し、舞い上がるリスクがある。そのため、例えば、図７に点線の矢印で示したように、ガスディフューザー設置付近の内壁に付着している異物粒子が剥離し、ウエハ２上に付着することがある。そのため、ガスディフューザーを設置した付近の内壁は定期的に洗浄することが望ましい。もし、ロック室内に直接ガスディフューザーを設置すると、ロック室本体を洗浄する必要が生じるが、一般にロック室本体は定期メンテナンス時に容易に取り外して洗浄する構造とはなっていないため、ガスディフューザー近傍の内壁をきれいにすることが難しい。
【００１９】
一方で、本発明のように、ガスディフューザーチャンバー８５をロック室に設置して、これをロック室本体から容易に取り外し可能にしておけば、該ガスディフューザーチャンバーを定期的に超音波純水洗浄などによりクリーニングできるようになるメリットがある。ガスディフューザー８４のクリーニングも容易にできる。
【００２０】
また、図８に、本発明のようにガスディフューザーチャンバー８５を用いてロック室６５にガスディフューザー８４を設置した場合（図８Ａ）と、特許文献１等の従来例のようにロック室６５内に直接ガスディフューザー８４を設置した場合（図８Ｂ）との比較を示した。なお、簡単に説明するため、図８Ａではガスディフューザーチャンバーをロック室の上方に設置した場合を例とした。図８の例から分かるように、例えば被処理体の上方にガスディフューザーを設置する場合、図８Ｂのようにロック室の高さを高くしなければならない。この場合、ロック室の容積Ｖｂは図８Ａのロック室の容積Ｖａに比べて図８Ｂの方が大きくなるため、ベントや真空引きにかかる時間が長くなり、ロック室のスループットが低下する問題が生じる。このように、ガスディフューザーチャンバー８５を用いれば、ロック室の真空引きやベントにかかる時間の増加を極力小さく抑えることができるメリットがある。本発明によれば、一例として、１２インチのウエハを処理する装置において、ロック室６５の内面の幅が約３５０ｍｍであるのに対し、ロック室の内面の高さを３０ｍｍとごく低く抑え、ロック室の容積を低減してロック室の真空引きやベントにかかる時間を小さくできる。
【００２１】
次に、ガスディフューザーチャンバー８５とロック室６５を接続する接続口４７−１の大きさについて、図４を参照に説明する。先に述べたように、ガスディフューザーチャンバー内の空間は接続ポート４７−１を介してロック室６５−１内の空間と接続されている。接続ポートの大きさはできるだけ大きい方が望ましい。これは、接続ポート付近のベントガスの流速を遅くするためである。接続ポートの大きさを数値で示すと概ね次の式１、２のようになる。ここで、接続ポートの幅をＷA（図３中のＷＡ）、接続ポートの高さをＨB（図３中のＨＢ）、ガスディフューザーの長さをＬa（図４中のＬａ）、ガスディフューザーの直径をＤb（図４中のＤｂ）とした。
ＷA＞０.５×Ｌa                      （１）
ＨB＞０.５×Ｄb                      （２）
なお、図４中のＬＣはガスディフューザーとガスディフューザーを設置した付近の壁面との距離の例を示している。ＬＣが小さすぎると、ガスディフューザーから吹き出るガスの勢いによって、ガスディフューザー近傍の壁に付着している異物粒子が剥離して飛散する。そのため、一般にはＬＣは５mmよりも大きい方が望ましい。ここでＬＣが５mm以上とは、ガスディフューザーの直径Ｄbが１０〜２０mm程度、長さＬaが１００〜３００mm程度で、ガスの供給量が４０Ｌ／ｍｉｎ〜２００Ｌ／ｍｉｎの場合を想定している。例えば、ガスディフューザーのガス噴出面の面積がこれより小さい場合や、ガスの供給量がもっと多い場合はＬＣの値は５mm以上ではなく、例えば１０mm以上などと大きくしなければならない。
【００２２】
また、図１〜図４の実施例ではガスディフューザーはウエハ面に対して平行、即ち、ウエハ面から見て横向きに設置されており、且つガスディフューザーチャンバーとロック室の接続ポートは横長となっている。このようにしたのは、ガスディフューザーチャンバーからロック室へ流れるガスの流速が、できるだけゆっくりとしたものになるようにするためである。
【００２３】
また、ロック室の側面にガスディフューザーを設置するための専用チャンバーを接続したことにより、ロック室の上面は開閉可能に構成できる。これにより、専用チャンバーがロック室上面の開閉の障害にならないので、ロック室自体のメンテナンスも容易となる利点がある。
【００２４】
以上述べたように、本実施例によれば、ガスディフューザーを設置するための専用チャンバーを簡単に取り外して洗浄可能であり、ガスディフューザー取り付け部付近のメンテナンス性が向上するため、異物粒子低減のための清掃・洗浄が容易になる。
【実施例２】
【００２５】
本発明の第二の実施例について、図９（図９Ａ，図９Ｂ）を参照して説明する。図９Ａは縦断面図、図９Ｂは平面図である。第一の実施例のように、接続ポート４７−１として大きなサイズを確保できない場合は、図９のようにすることも可能である。すなわち、ロック室６５の底面でかつウエハ２の外周縁の外側に相当する隅部分に、ガスディフューザーチャンバー８５を接続するための接続ポート４７−１を開口させる。
【００２６】
本実施例でも、ガスディフューザーを設置するための専用チャンバーを簡単に取り外して洗浄可となり、ガスディフューザー取り付け部付近のメンテナンス性が向上するため、異物粒子低減のための清掃・洗浄が容易になる。ただし、本実施例の場合、接続ポート４７−１の大きさを図４に比べて小さくせざるを得ない。そのため、接続ポートにおけるベントガスの流速は速くなり、異物舞い上がりのリスクは大きくなるデメリットはある。
【実施例３】
【００２７】
次に、本発明の第三の実施例について、図１０、図１１を参照して説明する。この実施例では、ガスディフューザー８４をロック室６５の上方に設置する場合について述べる。図１０の例では、ロック室６５の上方には、内側に接続ポート４７が設けられた透明な窓７４が設置されており、該窓にガスディフューザーチャンバー８５が設置されている。窓７４を通してロック室６５内の状況を確認できる。ガスディフューザー８４やガスディフューザーチャンバー８５の具体的な構成は、基本的には本発明の第一の実施例で説明したものと同じで良い。
【００２８】
本実施例によれば、ガスディフューザー取り付け部付近のメンテナンス性が向上するため、異物粒子低減のための清掃・洗浄が容易になる。
【００２９】
なお、この場合も、異物舞上げ防止効果は図４と同様であるが、窓としての有効面積が小さくなるデメリットがある。また、該窓７４は、図１１に示すようにメンテナンス時等に開けられるようにしておくことが望ましい。なお図１１の例では、ガスディフューザー等は図示を省略した。また、透明な窓７４が無い場合でも、ロック室の上面は開けられるようにしておくことが望ましい。そのため、上面の蓋や、上面の窓にガスディフューザーチャンバーを設置した場合、窓や上面の蓋を開ける毎に、ガスディフューザーにベントガスを供給するガスライン５９を外す必要が生じる可能性がある。
【実施例４】
【００３０】
次に、本発明の第四の実施例について、図１２、１３を参照して説明する。上面の窓にガスディフューザーを取り付ける際は、ガスが出る面が平面である平型ガスディフューザーを用いることも可能である。この例を図１２と図１３に示した。図１２は図１３を立体的に簡単に示したものである。ロック室６５の上部には、枠７５を介して窓７４がロック室６５の上部に固定されている。そして、該窓の略中央部には接続ポートとしての直径Ｄjの穴が開いている。該窓の上部には平型（皿型）のガスディフューザー８４がネジ９６−４を用いて窓７４に固定されている。なお、図１３の８４Xは多孔質体を示しており、Ｄｋは多孔質体の露出部の直径を示している。また、矢印はベントガスの流れを示している。当然、
Ｄｊ≧Ｄk                        （３）
であることが望ましい。
【００３１】
本実施例によれば、ガスディフューザー取り付け部付近のメンテナンス性が向上するため、異物粒子低減のための清掃・洗浄が容易になる。ただし、この場合も、窓にガスディフューザーを設置しているため、窓としての有効面積が小さくなること、及び、窓を開ける際にはベントガスのライン５９をガスディフューザーから取り外す必要が生じる可能性があることがデメリットである。
【実施例５】
【００３２】
次に、本発明の第五の実施例として、プラズマ処理室６０側でのガスディフューザーの設置方法について述べる。処理室内ではプラズマが生成されるため、処理室内にガスディフューザーがダイレクトに露出する形式で設置するのは望ましくない。これは、プラズマ中のイオンの照射や、堆積性、あるいは腐食性のラジカルの照射により、ガスディフューザーが汚損する恐れがあるためである。
【００３３】
そのため、プラズマ処理室内をWet洗浄（スワップパーツの分解洗浄）等のためにベントする場合以外は、プラズマの照射をさけるため、処理室内の空間とは別の閉じられた空間にガスディフューザーが設置されている方が望ましい。そこで本発明では、真空処理室と真空搬送室との間の接続ポート部分にゲートバルブを２つ設置し、その２つのゲートバルブで囲まれた空間内にガスディフューザーチャンバーを接続した。これを図１４と図１５に示す。
【００３４】
図１４は、処理室６０−１と真空搬送室６１の接続ポート部分に設置されたゲートバルブ付近の構成について上方から見た概略、図１５は、側面から見た概略（図１４のＡ−Ａ断面相当図）を示している。
【００３５】
この真空処理装置は、真空処理室６０−１と真空搬送室６１を接続する接続ポート（接続スペース）４７−３の部分には、ゲートバルブ７０−３と７０−４の２つが設置されている。すなわち、真空処理室６０−１の側壁の一部を構成する第一のゲートバルブ７０−４と、真空搬送室６１の側壁の一部を構成する第二のゲートバルブ７０−３と、円柱状の真空処理室のベント用ガスディフューザー８４を備えており、２つのゲートバルブに挟まれた接続スペース（接続ポート）に、ガスディフューザー８４が設置されている。なお、被処理体２を載置する戴置電極４は上下駆動機構７３によりに上下に可動するようになっている。アンテナ３の下部にはガス分散板を介してシャワープレート５が設置されており、処理ガスはシャワープレート５に設けられたガス孔（図示せず）を介して処理室内に供給される。４１はターボ分子ポンプ、４３はバタフライバルブユニット、８３はインナーケースである。ガスディフューザー８４を設置する接続ポート４７−３は、戴置電極４とほぼ同じ高さの位置にあり、被処理体２の搬送面の若干上側にガスディフューザー８４が位置するように構成されている。ガスディフューザー８４は、被処理体２の搬送方向に直交する方向に設置されている。
【００３６】
真空搬送室側のゲートバルブ７０−３は処理室と真空搬送室を圧力的に遮断するためのバルブであり、例えば処理室を大気開放しても、真空搬送室は真空に保つような機能を有している。対してゲートバルブ７０−４は別名でプロセスバルブと呼ばれている。これはプラズマ生成のための高周波電力から見て、処理室内が軸対称に見えるようにするためのものであり、ゲートバルブの弁体は上方から見ると円弧状となっている。これにより、インナーケース８３の内側の面とプロセスバルブ７０−４の処理室側の面が１つの円周上にあるような構造となっている。
【００３７】
本プロセスバルブの機能はその他に、真空搬送室と処理室を接続するポート付近の堆積性や腐食性のラジカルによる汚染等を防止する効果があり、プロセスバルブを閉めることによって、接続ポート４７−３の空間は堆積性や腐食性のラジカルによる汚染から保護される。従って、ガスディフューザーもこの領域に設置するのが望ましい。即ち、処理室をベントする際は、プロセスバルブ７０−４を開け、ゲートバルブ７０−３は閉めた状態でガスディフューザーからベントガスを供給することによって処理室を大気に戻す。
【００３８】
本実施例によれば、メンテナンスの回数を減らした真空処理装置を提供することができる。
【００３９】
ただし、接続ポート４７−３の断面が小さい、換言すると高さが低く、ガスディフューザーが設置できない場合は、図１６に示したように、接続ポート４７−３（被処理体２の搬送経路）の上側に接続ポートと連通するガスディフューザーチャンバー８５−３を設置し、ガスディフューザー８４を設置するスペースを確保すればよい。
【００４０】
なお、図１に示したプラズマ処理装置のガスディフューザーチャンバー８５(８５−１〜８５−７)及びそれらに組み込まれるガスディフューザー８４は、全てが同じ構造である必要はなく、上記各実施例のものを適宜選択することができることはいうまでもない。
【００４１】
本発明は、上記各実施例で述べたエッチング処理装置の他に、ベントガスを供給しながら被処理体の搬送を行なう真空処理装置の全般、例えばプラズマCVD装置や、CD−SEM（critical dimension scanning electron microscope）などを用いた半導体の検査装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例になるプラズマ処理装置の全体を上方からみた概要を示す平面図である。
【図２】図１のロック室を横からみた概要を示す縦断面図である。
【図３】図１においてロック室に接続されたガスディフューザーチャンバーの概要を立体的に示した図である。
【図４】本実施例のガスディフューザーチャンバーを上方から見た概略を示す断面図である。
【図５】本実施例のガスディフューザーをガスディフューザーチャンバーから取り外し、且つガスディフューザーチャンバーをロック室から取り外したときの概要を示す断面図である。
【図６】本実施例のガスディフューザーをガスディフューザーチャンバーから取り外したときのガスディフューザーとフランジの構成を示す斜視図である。
【図７】図４のロック室及びガスディフューザーチャンバーの部分を簡単に示した、動作説明図である。
【図８Ａ】ガスディフューザーチャンバーを用いてロック室にガスディフューザーを設置した場合を示す図である。
【図８Ｂ】ロック室内に直接ガスディフューザーを設置した場合を示す図である。
【図９Ａ】本発明の第二の実施例になるロック室を横からみた概要を示す縦断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第二の実施例になるロック室の平面図である。
【図１０】本発明の第三の実施例になるロック室の斜視図である。
【図１１】本発明の第三の実施例の動作を説明する斜視図である。
【図１２】本発明の第四の実施例になるロック室の斜視図である。
【図１３】本発明の第四の実施例になるロック室の縦断面を示す図である。
【図１４】本発明の第五の実施例になる、処理室と真空搬送室の接続ポート部分に設置されたゲートバルブ付近の構成について上方から見た概略図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ断面相当図である。
【図１６】本発明の第五の実施例の変形例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４３】
１：処理室、２：被処理体、３９：制御コンピューター、４２：ドライポンプ、４５：真空排気系、４６：ベントガス供給系、４７：接続ポート、５２：バルブ、５３：レギュレーター、５４：真空計、５９：ガスライン 
６０：プラズマ処理ユニット、６１：真空搬送室、６２：真空搬送ロボット、６３：大気搬送室、６４：大気搬送ロボット、６５：ロック室、６６：ウエハアライナー、６７：ウエハステーション、６８：フープ、６９：ウエハエッジクリーナー 、７０：ゲートバルブ、７４：窓、７５、枠、８０：異物粒子、８４：ガスディフューザー、８５：ディフューザーチャンバー、８６：フランジ、９１：O−リング、９４：ガス配管接続部、９６：ネジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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