(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないようにして積層された複数の樹脂層からなる基材フィルムと、
前記基材フィルム上に設けられた第１の粘着剤層と
を有することを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記基材フィルムは、互いの製膜方向（ＭＤ）が略９０°を成すようにして積層された２層の樹脂層であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記２層の樹脂層の厚さは、それぞれ５０〜２００μｍであることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
前記２層の樹脂層のうち、前記第１の粘着剤層と接触する上層は、ＪＩＳ  Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
前記２層の樹脂層間に、さらに粘着剤層を有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項６】
前記２層の樹脂層間に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項７】
前記第１の粘着剤層の上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項８】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項７に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項９】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項７に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項１０】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｂ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項７に記載のウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターンが形成された半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位に分断する工程、ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、分断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたダイシングテープの他、ダイシングテープ上に接着剤層が形成されたダイシング・ダイボンディングテープが提案され、既に実用化されている。
【０００４】
一般に、ダイシング・ダイボンディングテープを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位にダイシングする。その後、テープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。ピックアップ工程では、チップは接着剤層とともに粘着剤層から剥離して、ピックアップされる。このように、ダイシング・ダイボンディングテープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
【０００５】
しかしながら、上記ダイシング工程では、上述のようにダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングすると、ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。接着剤層の切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下する。
【０００６】
上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをブレードでダイシングし、エキスパンド工程において、ダイシング・ダイボンディングテープをエキスパンドすることにより、接着剤層を個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の段落番号「００５５」〜「００５６」）。このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすことがない。
【０００７】
また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断可能な、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。
【０００８】
例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
【０００９】
また、レーザー加工装置を用いた半導体ウエハの切断方法の別法として、例えば、特許文献３には、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着フィルム（接着剤層）を装着する工程と、裏面に該接着フィルムが装着された半導体ウエハの接着フィルム側に伸長可能な保護粘着テープを貼着する工程と、保護粘着テープを貼着した半導体ウエハの表面からストリートに沿ってレーザー光線を照射して個々の半導体チップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張（エキスパンド）して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを半導体チップ毎に破断する工程と、破断された接着フィルムが貼着されている半導体チップを保護粘着テープから離脱する工程、とを含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。
【００１０】
これら特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射及びテープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハを切断するので、半導体ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。また、エキスパンドによって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
【特許文献１】特開２００７−５５３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【特許文献３】特開２００４−２７３８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特許文献１〜３に記載にされたようなエキスパンドによって接着剤層を分断する場合、使用されるウエハ加工用テープには、半導体チップに沿って接着剤層を確実に分断するために、基材フィルムの均一且つ等方的な拡張性が要求される。基材フィルムに局所的に拡張が不十分な箇所が生じた場合には、その箇所では接着剤層に十分な引張力が伝搬されず、接着剤層が分断できなくなってしまうからである。
【００１２】
ところが、一般に、押出成形法などによって成形された基材フィルムは、製膜方向（Ｍａｃｈｉｎｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ：ＭＤ）に応力が加えられ、これと直交する方向（Ｔｒａｖｅｒｓｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ：ＴＤ）の応力が抑制されるため、成形されたフィルムの拡張性に異方性が生じ、その結果、基材フィルムのＭＤとＴＤとで接着剤層の分断性が異なり、接着剤層を１００％分断できないという問題がある。
【００１３】
そこで、本発明は、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な、拡張性の異方性の小さいウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないようにして積層された複数の樹脂層からなる基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた第１の粘着剤層とを有することを特徴とするウエハ加工用テープである。
【００１５】
本発明の第２の態様は、前記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記基材フィルムは、互いの製膜方向（ＭＤ）が略９０°を成すようにして積層された２層の樹脂層であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第３の態様は、前記第２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記２層の樹脂層の厚さは、それぞれ５０〜２００μｍであることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第４の態様は、前記第２又は第３の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記２層の樹脂層のうち、前記第１の粘着剤層と接触する上層は、ＪＩＳ  Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第５の態様は、前記第２から第４のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記２層の樹脂層間に、さらに粘着剤層を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第６の態様は、前記第２から第４のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記２層の樹脂層間に、さらに接着剤層を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第７の態様は、前記第１から第６のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記第１の粘着剤層の上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第８の態様は、前記第７の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
【００２２】
本発明の第９の態様は、前記第７の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第１０の態様は、前記第７の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｂ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のウエハ加工用テープでは、互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないようにして積層された複数の樹脂層で基材フィルムを構成する。これにより、基材フィルム全体での拡張性の異方性を緩和することができるので、等方的な優れた拡張性を得ることが可能となる。したがって、エキスパンド時に大きなエキスパンド速度及び引張力が要求される、接着剤層分断用のエキスパンド工程においても、好適に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１及び図２に、本発明のウエハ加工用テープの２つの例を示す。図１は、基材フィルム１１上に、粘着剤層１２及び接着剤層１３が積層されたダイシング・ダイボンディングテープ１０を示す断面図であり、図２は、基材フィルム１１上に粘着剤層１２のみが形成されたダイシングテープ２０を示す断面図である。図１及び図２においては、ウエハ加工用テープに半導体ウエハＷが貼り合わされた様子が示されている。
【００２６】
それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。
以下に、各層について詳細に説明する。
【００２７】
＜基材フィルム＞
基材フィルム１１は、図３に示すように、互いの製膜方向（ＭＤ）が略９０°を成すようにして積層された２層の樹脂層１１ａ，１１ｂを有する。従来の基材フィルムは、押出成形される際に、製膜方向（ＭＤ）に応力が加えられ、これと直交する方向（ＴＤ）の応力が抑制されるため、成形されたフィルムの拡張性に異方性が生じるのに対し、本発明の基材フィルム１１は、上層１１ａと下層１１ｂとが、互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないように、略９０°を成すようにして積層されてなるので、基材フィルム全体での拡張性の異方性を小さくすることができる。したがって、エキスパンド時に、基材フィルムのＭＤとＴＤにおける接着剤層の分断性を向上させることができる。
【００２８】
上層１１ａ及び下層１１ｂの厚さは、特に限定されず、エキスパンド性、ピックアップ応答性、強度などを考慮して設定すればよいが、それぞれ５０〜２００μｍの範囲で設定することが好ましい。また、上層１１ａ及び下層１１ｂの厚さ押出成形時に異方的に生じたひずみ応力の影響を小さくする観点からは、上層１１ａを下層１１ｂよりも小さく設定することが好ましい。
【００２９】
（基材フィルムの上層）
基材フィルム１１の上層１１ａとしては、特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。接着剤層１３にウエハＷの裏面を貼合する際には、接着剤を加熱軟化させて接着性を高めるために、７０〜８０℃程度の加熱貼合が行われる場合があるので、５０℃以上８０℃未満のビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いることで、加熱貼合の際に上層１１ａを軟化させ、フィルムの成形時に異方的に生じたひずみ応力を緩和することができる。これにより、拡張性の異方性をより小さくすることが可能となる。なお、ビカット軟化点が低すぎると、上記加熱貼合の際に、樹脂が過剰に軟化し、流動化してしまうので好ましくない。したがって、ビカット軟化点の下限は５０℃程度が適当である。
【００３０】
上記熱可塑性樹脂としては、従来公知の各種プラスチック、ゴムなどを使用できる。市販されている樹脂としては、例えば、ＥＭＡＡ（三井デュポン社製  ニュクレルＮ１５６０（エチレン−メタクリル酸共重合体））、アイオノマー（三井デュポン社製  ハイミラン１７０５（亜鉛イオン架橋エチレン−アクリル酸共重合体））、ＥＶＡ（日本ポリケム社製  ＦＷ３Ｅ（エチレン−酢酸ビニル共重合体））、ＵＬＤＰＥ（日本ポリケム社製  カーネルＫＦ３０６Ｔ（超低密度ポリエチレン））などを使用することができる。
後述する粘着剤層１２として、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、基材フィルムの上層１１ａは、放射線透過性であることが好ましい。
【００３１】
（基材フィルムの下層）
基材フィルム１１の下層１１ｂとしては、上層１１ａと同じ熱可塑性樹脂を用いることができるが、これに限定されず、公知のプラスチック、ゴムなどを用いてもよい。後述する粘着剤層１２として、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、基材フィルムの上層１１ａは、放射線透過性であることが好ましい。このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。
【００３２】
＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００３３】
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。
【００３４】
粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３５】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３６】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００３７】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００３８】
単量体（（1）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３９】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００４０】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４１】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
【００４２】
化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４３】
次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００４４】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。
【００４５】
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４６】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．４〜３重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００４７】
また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００４８】
さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００４９】
粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００５０】
＜接着剤層＞
接着剤層１３は、ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００５１】
本発明のウエハ加工用テープ１０において、接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンド用粘接着テープのカバーフィルムとして使用し、ウエハを貼合する際に剥離してもよい。
【００５２】
接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。
【００５３】
＜製造方法＞
本実施形態の２層の樹脂層からなる基材フィルムの製造方法としては、従来公知の押出成形法などによって２層の樹脂膜をそれぞれ成形し、成形された２層の樹脂膜を粘着剤又は接着剤を介して積層するドライラミネート法を採用することができる。このような製造方法により製造された基材フィルム１１は、基材フィルムの２層の樹脂層間、すなわち上層１１ａと下層１１ｂとの間には、さらに粘着剤層又は接着剤層が介在することになる。粘着剤としては、上述の粘着剤層１２の構成材料と同様のものを使用することができ、接着剤としては、上述の接着剤層１３の構成材料と同様のものを使用することができる。
【００５４】
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープの使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層を分断する工程を含む半導体製造装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体製造装置の製造方法（Ａ）〜（Ｃ）において好適に使用できる。
【００５５】
半導体製造装置の製造方法（Ａ）：
（ａ）ウエハＷの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｂ）ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
（ｃ）ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすることにより、ウエハＷと接着剤層１３とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【００５６】
半導体装置の製造方法（Ｂ）：
（ａ）ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３を貼合する工程と、
（ｂ）ウエハＷの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすることにより、接着剤層１３を半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【００５７】
半導体製造装置の製造方法（Ｃ）：
（ａ）ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３を貼合する工程と、
（ｂ）ダイシングブレードを用いてウエハＷを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｃ）ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすることにより、接着剤層１３を半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【００５８】
＜使用方法＞
本発明のダイシング・ダイボンディングテープ１０を上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。
まず、図４に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。
【００５９】
次に、図５（ａ）に示すように、ウエハＷの裏面にダイシング・ダイボンディングテープ１０の接着剤層１３を貼り合わせるとともに、粘着剤層１２の外周部にリングフレーム４０を貼り合わせ、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ４１上に載置する。図中、符号４２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
なお、半導体ウエハＷにレーザー光を照射する工程に先立って、ウエハＷとの貼合工程を実施してもよい。
【００６０】
次に、図５（ｂ）に示すように、リングフレーム４０を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材４２を上昇させ、ダイシング・ダイボンディングテープ１０をエキスパンドする。エキスパンド条件としては、エキスパンド速度が、例えば１０〜２００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜３０ｍｍである。このようにダイシング・ダイボンディングテープ１０が周方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハＷが、改質領域を起点としてチップ単位で分断される。このとき、接着剤層１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制され、破断は起こらないが、一方、チップ間の位置では、テープのエキスパンドによる張力が集中して破断する。したがって、ウエハＷとともに接着剤層１３も分断されることになる。
【００６１】
その後、粘着剤層１２に放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、ダイシング・ダイボンディングテープ１０の下面側から、チップＣをピンによって突き上げるとともに、テープ１０の上面側から吸着冶具でチップＣを吸着しピックアップする。これにより、接着剤付き半導体チップＣを得ることができる。
【００６２】
なお、本発明においては、ピックアップ応答性を向上させる観点、及び、ピックアップ時の基材同士の剥離を防止する観点から、ピックアップ工程に先立って、基材フィルム１１の下層１１ｂを剥離する工程を実施してもよい。例えば、上層１１ａと下層１１ｂとを粘着剤層を介して積層した場合には、粘着剤層１２の放射線硬化処理又は熱硬化処理と同時に、層間の粘着剤層も硬化するので、ピックアップ工程の前に、下層１１ｂの剥離を実施することができる。また、上層１１ａと下層１１ｂとを接着剤層を介して積層した場合には、例えば、接着剤として接着力の比較的弱いものを用いることで、下層１１ｂを引き剥がすことができるので、ピックアップ工程の前に、下層１１ｂの剥離を実施することができる。
【００６３】
上記のような半導体装置の製造方法において、互いの製膜方向（ＭＤ）が略９０°を成すようにして積層された２層の樹脂層を有する基材フィルム１１を使用することで、基材フィルム１１全体での拡張性の異方性を小さくすることができるので、等方的な優れた拡張性を得ることが可能となり、エキスパンド時に、基材フィルムのＭＤとＴＤにおける接着剤層の分断性を均一にすることができる。
【００６４】
なお、上記の実施形態においては、２層の樹脂層を互いの製膜方向（ＭＤ）が略９０°を成すようにして積層された構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の樹脂層を互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないようにして積層された構成であればよく、例えば、３層の樹脂層を互いの製膜方向（ＭＤ）が６０°を成すようにして積層された構成を採用することができる。このような構成においても、互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないので、基材フィルム全体での拡張性の異方性を小さくすることができ、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハが貼合された状態を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハが貼合された状態を示す断面図である。
【図３】本発明の基材フィルムの構成を示す分解斜視図である。
【図４】レーザー加工により半導体ウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。
【図５】（ａ）は、ウエハ加工用テープが、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図である。  （ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ及び半導体ウエハを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０：ダイシング・ダイボンディングテープ
１１：基材フィルム
１１ａ：上層
１１ｂ：下層
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
２０：ダイシングテープ
４０：リングフレーム
４１：ステージ
４２：突き上げ部材
【図１】
0005170880.tif 000002
【図２】
0005170880.tif 000003
【図３】
0005170880.tif 000004
【図４】
0005170880.tif 000005
【図５】
0005170880.tif 000006