(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層に、その表面から掘り下がった形状の第１溝を形成する工程と、
前記第１溝の内面に、ＣｕおよびＭｎを含む合金材料からなる第１合金膜を被着させる工程と、
前記第１合金膜上に、Ｃｕを主成分とする金属材料を堆積させて、前記第１溝に埋設される第１配線を形成する工程と、
前記第１絶縁層および前記第１配線上に、ＳｉおよびＯを含む材料からなる第２絶縁層を積層する工程と、
前記第２絶縁層に、その表面から掘り下がった形状の第２溝およびこの第２溝と前記第１配線との間を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記第２溝および前記ビアホールの内面に、ＣｕおよびＭｎを含む合金材料からなる第２合金膜を被着させる工程と、
前記第２合金膜上に、Ｃｕを主成分とする金属材料を堆積させて、前記第２溝に埋設される第２配線および前記ビアホールに埋設されるビアを形成する工程と、
熱処理を行うことにより、前記第１配線と前記第１絶縁層との間、ならびに前記第１配線、前記第２配線および前記ビアと前記第２絶縁層との間にバリア膜を形成する工程と、を含み、
前記第２絶縁層を積層する工程は、前記第１絶縁層の直上に、Ｏ２ガスを用いないＣＶＤ法によって、ＳｉＯ２からなる層間膜を形成する層間膜形成工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ＣＶＤ法は、ＳｉＨ４およびＮ２Ｏを原料ガスとして用いたＣＶＤ法であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化に伴い、配線のさらなる微細化が要求されてきている。配線の微細化による配線抵抗の増大を抑えるため、配線材料として、従来から用いられてきたＡｌ（アルミニウム）に代えて、より導電性の高いＣｕ（銅）を適用することが検討されている。
Ｃｕ配線は、Ｃｕがドライエッチングなどによる微細なパターニングが困難であることから、いわゆるダマシン法によって形成される。このダマシン法では、まず、ＳｉＯ2（酸化シリコン）からなる絶縁膜に、所定の配線パターンに対応した微細な配線溝が形成される。次に、絶縁膜上に、めっき法により、Ｃｕを堆積させることによりＣｕ膜が形成される。Ｃｕ膜は、配線溝を埋め尽くし、絶縁膜の表面全域を覆うような厚さに形成される。その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的物理的研磨）法により、Ｃｕ膜が研磨される。このＣｕ膜の研磨は、Ｃｕ膜の配線溝外の部分がすべて除去され、配線溝外の絶縁膜の表面が露出するまで続けられる。これにより、配線溝内にのみＣｕ膜が残存し、配線溝内に埋設されたＣｕ配線が得られる。
【０００３】
Ｃｕは、Ａｌに比べて、ＳｉＯ2（酸化シリコン）への拡散性が高い。このため、ＳｉＯ2からなる絶縁膜上に直にＣｕ配線（Ｃｕ膜）が形成されると、絶縁膜中にＣｕが拡散し、配線間の短絡などを生じるおそれがある。
そのため、絶縁膜とＣｕ配線との間には、Ｃｕの絶縁膜への拡散を防止するためのバリア膜が必要となる。このバリア膜を形成する手法として、たとえば、Ｃｕ膜の形成に先立ち、配線溝が形成された絶縁膜上にＣｕとＭｎ（マンガン）との合金からなる合金膜を形成し、Ｃｕ膜の形成後に熱処理を行うことにより、合金膜中のＭｎを絶縁膜との界面に拡散させて、その界面にＭｎxＳｉyＯz（ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数。以下、単に「ＭｎＳｉＯ」と記載する。）からなるバリア膜を形成する手法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
図３は、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜を採用した多層配線構造の模式的な断面図である。
Ｃｕ配線材料を用いた多層配線構造５１では、Ｓｉ（シリコン）からなる半導体基板（図示せず）上に、第１絶縁層５２が積層されている。第１絶縁層５２は、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜５４と、ＳｉＣ（炭化シリコン）からなるエッチストップ膜５５と、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜５６とを、半導体基板側からこの順に積層して形成されている。第１絶縁層５２の表層部には、所定の配線パターンに対応した微細な第１溝５７が形成されている。第１溝５７には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜６７を介して、Ｃｕからなる第１配線６４が埋設されている。
【０００５】
第１絶縁層５２および第１配線６４の上には、第２絶縁層５３が積層されている。第２絶縁層５３は、ＳｉＣＮ（炭窒化シリコン）またはＳｉＮ（窒化シリコン）からなる拡散防止膜５８と、ＳｉＣからなるエッチストップ膜５９と、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜６０と、ＳｉＣからなるエッチストップ膜６１と、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜６２とを、第１絶縁層５２側からこの順に積層して形成されている。第２絶縁層５３の表層部には、所定の配線パターンに対応した微細な第２溝６３が形成されている。さらに、第２絶縁層５３には、第２溝６３と第１配線６４とが対向する部分において、ビアホール６９が貫通形成されている。第２溝６３およびビアホール６９の内面には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜６８が被着されている。そして、ビアホール６９には、Ｃｕからなるビア６５が埋設され、第２溝６３には、Ｃｕからなる第２配線６６が埋設されている。
【特許文献１】特開２００５−２７７３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭｎＳｉＯからなるバリア膜６７，６８は、前記の提案に係る手法により形成される。具体的には、バリア膜６７は、第１絶縁層５２に形成された第１溝５７の内面にＣｕＭｎ合金膜が形成され、このＣｕＭｎ合金膜上に第１配線６４の材料であるＣｕが堆積された後、熱処理が行われることによって形成される。熱処理が行われると、合金膜中のＭｎが第１絶縁層５２に含まれるＳｉおよびＯ（酸素）と結合し、ＭｎＳｉＯが生成される。また同様に、バリア膜６８は、第２絶縁層に形成された第２溝６３およびビアホール６９の内面にＣｕＭｎ合金膜が形成され、このＣｕＭｎ合金膜上に第２配線６６の材料であるＣｕが堆積された後、熱処理が行われることによって形成される。
【０００７】
ところが、第２絶縁層５３の最下層に形成されている拡散防止膜５８は、ＳｉＣＮまたはＳｉＮからなり、この拡散防止膜５８には、Ｏが含まれていない。そのため、拡散防止膜５８と第１配線６４およびビア６５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成されない。したがって、バリア膜６７とバリア膜６８とは、ビアの下端部および第１配線６４の上面と拡散防止膜５８との間において不連続となっている。そのため、半導体装置に外力が加わったときに、バリア膜により被覆されていないビア６９の下端部（破線Ａで囲まれる部分）に応力が集中し、いわゆるストレスマイグレーションを生じるおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、配線信頼性の向上を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層に、その表面から掘り下がった形状の第１溝を形成する工程と、前記第１溝の内面に、ＣｕおよびＭｎを含む合金材料からなる第１合金膜を被着させる工程と、前記第１合金膜上に、Ｃｕを主成分とする金属材料を堆積させて、前記第１溝に埋設される第１配線を形成する工程と、前記第１絶縁層および前記第１配線上に、ＳｉおよびＯを含む材料からなる第２絶縁層を積層する工程と、前記第２絶縁層に、その表面から掘り下がった形状の第２溝およびこの第２溝と前記第１配線との間を貫通するビアホールを形成する工程と、前記第２溝および前記ビアホールの内面に、ＣｕおよびＭｎを含む合金材料からなる第２合金膜を被着させる工程と、前記第２合金膜上に、Ｃｕを主成分とする金属材料を堆積させて、前記第２溝に埋設される第２配線および前記ビアホールに埋設されるビアを形成する工程と、熱処理を行うことにより、前記第１配線と前記第１絶縁層との間、ならびに前記第１配線、前記第２配線および前記ビアと前記第２絶縁層との間にバリア膜を形成する工程と、を含み、前記第２絶縁層を積層する工程は、前記第１絶縁層の直上に、Ｏ２ガスを用いないＣＶＤ法によって、ＳｉＯ２からなる層間膜を形成する層間膜形成工程を含む、半導体装置の製造方法である。
これにより、ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層を掘り下げた形状の第１溝と、前記第１溝に埋設され、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第１配線と、前記第１絶縁層および前記第１配線上に積層された、ＳｉおよびＯを含む材料からなる第２絶縁層と、前記第２絶縁層を掘り下げた形状の第２溝と、前記第２溝に埋設され、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とが互いに対向する部分において、前記第２絶縁層を貫通して設けられ、Ｃｕを主成分とする金属材料からなり、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続するビアと、前記第１配線と前記第１絶縁層との間、ならびに前記第１配線、前記第２配線および前記ビアと前記第２絶縁層との間に連続して形成され、ＭｎｘＳｉｙＯｚ（ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜とを含み、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層に隣接する最下層に、ＳｉＯ２からなる層間膜を有する、半導体装置を製造できる。
【００１０】
この構成によれば、第１絶縁層に第１溝が形成され、この第１溝には、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第１配線が埋設されている。また、第１絶縁層上には、第２絶縁層が積層され、この第２絶縁層に形成された第２溝には、Ｃｕを主成分とする第２配線が埋設されている。第１配線と第２配線とは、それらが対向する部分において第２絶縁層を貫通して設けられたビアにより、電気的に接続されている。そして、第１配線と第１絶縁層との間、ならびに第１配線、第２配線およびビアと第２絶縁層との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が連続して形成されている。これにより、第１配線、第２配線およびビアに含まれるＣｕが第１絶縁層および第２絶縁層中に拡散することを防止することができる。よって、Ｃｕの拡散による配線間リークの発生を防止することができる。また、ビアの底部（下端部）もバリア膜に覆われて保護されるので、半導体装置に外力が加わったときに、その部分でのストレスマイグレーションの発生を防止することができる。その結果、配線信頼性の向上を図ることができる。
【００１１】
なお、ＳｉＯ２は、ＭｎＳｉＯの生成に用いられるＯを多く含むので、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層に隣接する最下層に、ＳｉＯ２からなる層間膜を有している。これにより、ビアの底部および第１配線と第２絶縁層との間にＭｎＳｉＯからなるバリア膜を良好に形成することができる。
【００１４】
Ｏ２ガスを用いるＣＶＤ法によってＳｉＯ２からなる層間膜を形成すると、第１配線に含まれるＣｕが酸化し、第１配線の表面にＣｕＯ（酸化銅）膜が形成されてしまう。第１配線の表面にＣｕＯ膜が形成されると、第１配線とビアとの接触抵抗が増大する。
これに対し、Ｏ２ガスを用いないＣＶＤ法、具体的には、請求項２に記載のように、ＳｉＨ４（シラン）およびＮ２Ｏ（亜酸化窒素）を原料ガスとして用いたＣＶＤ法では、第１配線の表面にＣｕＯ膜を生じさせることなく、ＳｉＯ２からなる層間膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す断面図である。
半導体装置１は、半導体基板（図示せず）上に、Ｃｕ配線材料を用いた多層配線構造を有している。
半導体基板は、たとえば、Ｓｉ（シリコン）基板からなる。半導体基板の表層部には、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などの機能素子が作り込まれている。
【００１６】
半導体基板上には、第１絶縁層２が積層されている。第１絶縁層２は、層間絶縁膜４、エッチストップ膜５および層間絶縁膜６を、半導体基板側からこの順に積層して形成されている。層間絶縁膜４，６の材料としては、たとえば、ＳｉＯ2（酸化シリコン）が用いられる。また、エッチストップ膜５の材料としては、たとえば、ＳｉＣ（炭化シリコン）が用いられる。第１絶縁層２の表層部には、所定の配線パターンに対応した第１溝７が形成されている。第１溝７には、Ｃｕ（銅）からなる第１配線１４が埋設されている。
【００１７】
第１絶縁層２および第１配線１４の上には、第２絶縁層３が積層されている。第２絶縁層３は、層間膜８、エッチストップ膜９、層間絶縁膜１０、エッチストップ膜１１および層間絶縁膜１２を、第１絶縁層２側からこの順に積層して形成されている。
層間膜８の材料としては、たとえば、ＳｉＯ2が用いられる。エッチストップ膜９，１１の材料としては、エッチストップ膜５と同じ材料を用いることができる。また、層間絶縁膜１０，１２の材料としては、層間絶縁膜４，６と同じ材料を用いることができる。
【００１８】
第２絶縁層３の表層部には、所定の配線パターンに対応した第２溝１３が形成されている。さらに、第２絶縁層３には、第２溝１３と第１配線１４とが対向する部分において、ビアホール２２が貫通形成されている。ビアホール２２には、Ｃｕからなるビア１５が埋設され、第２溝１３には、Ｃｕからなる第２配線１６が埋設されている。また、第１絶縁層２と第１配線１４との間、ならびに、第２絶縁層３と第１配線１４、ビア１５および第２配線１６との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜１７が形成されている。
【００１９】
図２Ａ〜２Ｌは、半導体装置１の製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
まず、最表面に第１絶縁層２を有する半導体基板が用意される。そして、図２Ａに示すように、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、第１絶縁層２の表層部に、第１溝７が形成される。
次に、図２Ｂに示すように、スパッタ法により、第１溝７の内面を含む第１絶縁層２の表面全域に、ＣｕとＭｎとの合金からなる合金膜１８が被着される。
【００２０】
つづいて、図２Ｃに示すように、めっき法により、合金膜１８上に、Ｃｕを主成分とする金属材料層１９が形成される。この金属材料層１９は、第１溝７を埋め尽くす厚さに形成される。
その後、熱処理が行われることによって、図２Ｄに示すように、合金膜１８中のＭｎ（マンガン）が、第１絶縁層２に含まれるＳｉおよびＯ（酸素）と結合し、ＭｎＳｉＯ膜２０が形成される。また、このとき、合金膜１８中のＭｎの一部は、金属材料層１９中を移動し、金属材料層１９の表面に析出する。なお、ＭｎＳｉＯ膜２０の形成に伴って、合金膜１８は、金属材料層１９と実質的に一体となる。
【００２１】
次いで、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法により、金属材料層１９およびＭｎＳｉＯ膜２０が研磨される。この研磨処理は、図２Ｅに示すように、金属材料層１９およびＭｎＳｉＯ膜２０の第１溝７外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第１溝７外の第１絶縁層２の表面が露出し、その第１絶縁層２の表面と第１溝７内の金属材料層１９の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、第１溝７内に埋設された第１配線１４が得られる。
【００２２】
次に、図２Ｆに示すように、第１絶縁層２および第１配線１４の上に、ＣＶＤ法により、層間膜８、エッチストップ膜９、層間絶縁膜１０、エッチストップ膜１１および層間絶縁膜１２がこの順に積層される。これにより、第１絶縁層２および第１配線１４の上に、第２絶縁層３が形成される。
ここで、ＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜の形成には、ＴＥＯＳ−Ｏ2ガスが原料として一般的に用いられるが、ＴＥＯＳ−Ｏ2ガスを用いたＣＶＤ法では、第１配線１４の表面にＣｕＯ（酸化銅）膜を生じる。第１配線１４の表面に酸化膜が存在すると、第１配線１４とビア１５との接触抵抗が大きくなってしまう。そのため、層間膜８は、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏを原料ガスとして用いたＣＶＤ法により形成される。これにより、第１配線１４の表面を酸化させることなく、第１絶縁層２および第１配線１４上に、ＳｉＯ2からなる層間膜８が形成される。
【００２３】
その後、第２絶縁層３上に、ビアホール２２を形成すべき部分のみを露出させる開口を有するレジストパターン（図示せず）が形成される。このレジストパターンをマスクとして、層間絶縁膜１２、エッチストップ膜１１および層間絶縁膜１０がドライエッチングされることにより、図２Ｇに示すように、ビアホール２２が形成される。このとき、層間絶縁膜１２、エッチストップ膜１１および層間絶縁膜１０は、適当なタイミングで反応ガス（エッチャント）を切り換えることによって連続的にエッチングされる。層間絶縁膜１０のエッチングは、エッチストップ膜９が露出した時点で停止する。
【００２４】
ビアホール２２は、図２Ｈに示すように、半導体装置１表面の凹凸を少なくするために埋め込み材２３によって埋め尽くされる。これは、半導体装置１表面の凹凸が多ければ、次に述べるレジストパターン２４を形成するためのフォトリソグラフィ工程における焦点深さが定まらず、高解像度の露光が出来ないためである。
そして、図２Ｉに示すように、第２溝を形成すべき部分のみを露出させる開口を有するレジストパターン２４が形成され、そのレジストパターン２０をマスクとして、エッチストップ膜１１が露出するまで第２絶縁層がエッチングされることにより、第２溝１３が形成される。第２溝１３の形成後、埋め込み材２３およびレジストパターン２４は除去される。
【００２５】
次いで、図２Ｊに示すように、層間膜８およびエッチストップ膜９におけるビアホール２２に対向する部分がエッチングされることにより、第１配線１４と第２溝１３とがビアホール２２を介して連通する。
そして、図２Ｋに示すように、第２溝１３の内面およびビアホールの２２内面を含む第２絶縁層３の表面全域、および第１配線１４におけるビアホール２２に臨む部分に、ＣｕとＭｎとの合金からなる合金膜２５が被着される。つづいて、めっき法により、合金膜２５上に、Ｃｕを主成分とする金属材料層２６が形成される。この金属材料層２６は、第２溝１３を埋め尽くす厚さに形成される。その後、熱処理が行われることによって、図２Ｌに示すように、合金膜２５中のＭｎが、第２絶縁層３に含まれるＳｉおよびＯと結合し、ＭｎＳｉＯ膜２７を生成する。また、第１配線１４中に残留していたＭｎが、層間膜８に含まれるＳｉおよびＯと結合し、ＭｎＳｉＯ膜２８を形成する。これにより、第１絶縁層２と第１配線１４との間、ならびに、第２絶縁層３と第１配線１４、ビア１５および第２配線１６との間に、ＭｎＳｉＯ膜２０，２７，２８からなるバリア膜１７が形成される。なお、バリア膜１７の形成に伴って、合金膜２５は、金属材料層２６と実質的に一体となる。
【００２６】
次いで、ＣＭＰ法により、金属材料層２６およびバリア膜１７が研磨される。この研磨処理は、金属材料層２６およびバリア膜１７の第２溝１３外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第２溝１３外の第２絶縁層３の表面が露出し、その第２絶縁層３の表面と第２溝１３内の金属材料層２６の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、第２溝に埋設された第２配線１６およびビアホール２２に埋設されたビア１５が形成され、図１に示す半導体装置１が得られる。
【００２７】
この構成によれば、第１絶縁層２に第１溝７が形成され、この第１溝７には、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第１配線１４が埋設されている。また、第１絶縁層２上には、第２絶縁層３が積層され、この第２絶縁層３に形成された第２溝１３には、Ｃｕを主成分とする第２配線１６が埋設されている。第１配線１４と第２配線１６とは、それらが対向する部分において第２絶縁層３を貫通して設けられたビア１５により、電気的に接続されている。そして、第１配線１４と第１絶縁層２との間、ならびに第１配線１４、第２配線１６およびビア１５と第２絶縁層３との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜１７が連続して形成されている。これにより、第１配線１４、第２配線１６およびビア１５に含まれるＣｕが第１絶縁層２および第２絶縁層３中に拡散することを防止することができる。よって、Ｃｕの拡散による配線間リークの発生を防止することができる。また、ビア１５の底部（下端部）もバリア膜１７に覆われて保護されるので、半導体装置１に外力が加わったときに、その部分でのストレスマイグレーションの発生を防止することができる。その結果、配線信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、上記の実施形態では、第１絶縁層２と第１配線１４との間にＭｎＳｉＯ膜２０を形成する熱処理と、第２絶縁層３と第１配線１４、ビア１５および第２配線１６との間にＭｎＳｉＯ膜２７，２８を形成する熱処理とを２回の工程に分けて行っているが、それらのＭｎＳｉＯ膜２０，２７，２８は、１回の熱処理工程によって形成されてもよい。
【００２９】
すなわち、金属材料層１９を堆積させた後、熱処理を行わずに第２絶縁層を積層し、その後、工程を進めて、金属材料層２６を堆積させた後に熱処理を行うことにより、第１絶縁層２と第１配線１４との間、ならびに、第２絶縁層３と第１配線１４、ビア１５および第２配線１６との間にＭｎＳｉＯからなるバリア膜１７（ＭｎＳｉＯ膜２０，２７，２８）が形成されてもよい。
【００３０】
また、上記の実施形態では、層間膜８の材料としてＳｉＯ2を例示したが、層間膜８の材料としては、ＳｉおよびＯを含む絶縁材料であればよく、たとえば、ＳｉＯＣ（炭素を添加した酸化シリコン）が用いられてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】半導体装置の製造工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｈの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｉの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｋ】図２Ｊの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｌ】図２Ｋの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図３】従来の半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
２      第１絶縁層
３      第２絶縁層
７      第１溝
８      層間膜
１３    第２溝
１４    第１配線
１５    ビア
１６    第２配線
１７    バリア膜
２２    ビアホール
【図１】
0005288734.tif 000002
【図２Ａ】
0005288734.tif 000003
【図２Ｂ】
0005288734.tif 000004
【図２Ｃ】
0005288734.tif 000005
【図２Ｄ】
0005288734.tif 000006
【図２Ｅ】
0005288734.tif 000007
【図２Ｆ】
0005288734.tif 000008
【図２Ｇ】
0005288734.tif 000009
【図２Ｈ】
0005288734.tif 000010
【図２Ｉ】
0005288734.tif 000011
【図２Ｊ】
0005288734.tif 000012
【図２Ｋ】
0005288734.tif 000013
【図２Ｌ】
0005288734.tif 000014
【図３】
0005288734.tif 000015