(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を吐出する複数の吐出口およびその複数の吐出口に処理液を導く処理液流路を有する処理液吐出ノズルと、
前記処理液吐出ノズルの前記処理液流路に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液吐出ノズルの前記処理液流路内の処理液を吸引する吸引手段とを備え、
前記処理液流路は、
第１の高さに位置する上流端および前記第１の高さよりも高い第２の高さに位置する下流端を有し、前記第１の高さから前記第２の高さまで斜めに上昇するように延びる共通の液貯留空間と、
前記液貯留空間の前記下流端から前記複数の吐出口まで下降するようにそれぞれ延びる複数の吐出流路とを含み、
前記処理液供給手段は、前記液貯留空間の上流端から下流端に向かって処理液を供給し、
前記吸引手段は、前記液貯留空間から処理液を吸引することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記吸引手段は、前記液貯留空間に接続される吸引路を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液吐出ノズルは、処理液として現像液を吐出し、
前記処理液吐出ノズルと一体的に設けられ、リンス液を吐出するリンス液吐出ノズルをさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板に現像処理を行う現像装置は、例えば基板を水平に保持して鉛直軸の周りで回転させるスピンチャックと、基板に現像液を供給するノズルとを備える。現像処理時には、スピンチャックにより基板が回転する状態で、ノズルが現像液を吐出しつつ基板の外側から基板の中心部上方に移動する（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
この場合、基板上の全体に現像液が供給され、基板上のレジスト膜を覆うように現像液の液層が形成される。その状態で、基板上のレジスト膜の溶解反応が進行する。その後、基板上の現像液および溶解したレジストが除去され、現像処理が終了する。
【特許文献１】特開２００５−２１００５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現像液の吐出後には、ノズル内に現像液の一部が残留する。その現像液が、ノズルの移動時等に、現像処理前または現像処理後の基板に落下することがある。その場合、現像液が落下した部分においてレジスト膜の反応が余分に進行し、現像欠陥が発生する。
【０００６】
本発明の目的は、ノズルからの処理液の落下による基板の欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る基板処理装置は、処理液を吐出する複数の吐出口およびその複数の吐出口に処理液を導く処理液流路を有する処理液吐出ノズルと、処理液吐出ノズルの処理液流路に処理液を供給する処理液供給手段と、処理液吐出ノズルの処理液流路内の処理液を吸引する吸引手段とを備え、処理液流路は、第１の高さに位置する上流端および第１の高さよりも高い第２の高さに位置する下流端を有し、第１の高さから第２の高さまで斜めに上昇するように延びる共通の液貯留空間と、液貯留空間の下流端から複数の吐出口まで下降するようにそれぞれ延びる複数の吐出流路とを含み、処理液供給手段は、液貯留空間の上流端から下流端に向かって処理液を供給し、吸引手段は、液貯留空間から処理液を吸引するものである。
【０００８】
この基板処理装置においては、処理液供給手段により処理液吐出ノズルの液貯留空間の上流端から下流端に向かって処理液が供給される。その処理液は、液貯留空間の下流端から吐出流路を通して吐出口に導かれ、吐出口から基板に向けて吐出される。処理液が吐出された後、処理液吐出ノズルの吐出流路内に残留する処理液が吸引手段により吸引される。
【０００９】
これにより、吐出流路内に残留する処理液が、自重によって吐出口から流出することが防止される。一方、液貯留空間は、第１の高さにある上流端から第２の高さにある下流端まで上昇するように延びている。そのため、液貯留空間内の処理液には、下流端から上流端に向かう方向に重力が働く。したがって、液貯留空間内に処理液が残留していても、その処理液が自重によって吐出口から流出することはない。
【００１０】
このようにして、処理液吐出ノズルから処理液が流出することが防止される。それにより、不測のタイミングで基板に処理液が落下することが防止され、基板に欠陥が発生することが防止される。
また、処理液が複数の吐出口から吐出されるので、基板の処理効率が向上する。また、複数の吐出流路が液貯留空間の下流端からそれぞれ延びるように設けられるので、液貯留空間から処理液を吸引することにより、複数の吐出流路内の処理液をそれぞれ吸引することができる。それにより、簡単な構成で処理液吐出ノズルからの処理液の流出を防止することができる。
【００１１】
（２）吸引手段は、液貯留空間に接続される吸引路を有してもよい。この場合、吸引路を通して液貯留空間内に残留する処理液とともに吐出流路内に残留する処理液を確実に吸引することができる。これにより、処理液吐出ノズル内に残留する処理液が不測のタイミングで吐出口から流出することをより確実に防止することができる。
【００１２】
処理液供給手段は、液貯留空間の上流端に接続される供給路を有し、吸引手段は、供給路に接続される第２の吸引路を有してもよい。
【００１３】
この場合、第２の吸引路を通して処理液吐出ノズルの液貯留空間および吐出流路内に残留する処理液をより確実に吸引することができる。これにより、処理液吐出ノズル内に残留する処理液が不測のタイミングで吐出口から流出することをより確実に防止することができる。
【００１６】
（３）処理液吐出ノズルは、処理液として現像液を吐出し、基板処理装置は、処理液吐出ノズルと一体的に設けられ、リンス液を吐出するリンス液吐出ノズルをさらに備えてもよい。
【００１７】
この場合、処理液吐出ノズルから基板に現像液が吐出されることにより、基板の現像処理が行われる。また、現像処理後にリンス液吐出ノズルから基板にリンス液が吐出されることにより、基板のリンス処理が行われる。
【００１８】
これらの処理液吐出ノズルとリンス液吐出ノズルとが一体的に設けられることにより、基板処理装置の動作制御が簡略化されるとともに、基板処理装置の小型化または省スペース化が実現される。
【００１９】
また、現像液の吐出後に不測のタイミングで処理液吐出ノズルから現像液が流出することが防止される。そのため、リンス処理時等に、処理液吐出ノズルとリンス液吐出ノズルとが一体的に基板の上方に移動しても、基板に現像液が落下することが防止される。それにより、現像欠陥等の発生が防止される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、処理液吐出ノズルの吐出流路内に残留する処理液が吸引手段により吸引される。それにより、処理液吐出ノズルから処理液が流出することが防止される。その結果、不測のタイミングで基板に処理液が落下することが防止され、基板に欠陥が発生することが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板処理装置の一例として現像装置について説明する。
【００２２】
（１）現像装置の構成
図１は、現像装置の構成を示す平面図であり、図２は図１の現像装置のＱ−Ｑ線断面図である。
【００２３】
図１および図２に示すように、現像装置１００は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持するスピンチャック１０を備える。スピンチャック１０は、モータ１１（図２）の回転軸１２の先端部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成されている。スピンチャック１０の周囲には、基板Ｗを取り囲むように円形の内側カップ１３が上下動自在に設けられている。また、内側カップ１３の周囲には、正方形の外側カップ１４が設けられている。
【００２４】
図１に示すように、外側カップ１４の側方には、待機ポッド１５が設けられている。また、外側カップ１４および待機ポッド１５に並行して延びるようにガイドレール１６が設けられている。ガイドレール１６に沿って移動可能にアーム駆動部１７が設けられている。アーム駆動部１７には、水平面内でガイドレール１６に垂直な方向に延びるノズルアーム１８が取り付けられている。ノズルアーム１８はアーム駆動部１７により駆動され、ガイドレール１６に沿った方向に移動するとともに、上下方向に昇降する。
【００２５】
スピンチャック１０に関してガイドレール１６と反対側の領域には、洗浄用リンス液として純水を吐出するリンス液吐出ノズル１９が矢印Ｒ１の方向に回動可能に設けられている。
【００２６】
図２に示すように、ノズルアーム１８の先端部には、複数（本例では５つ）の現像液吐出口２２を有する現像液ノズル２１が取り付けられている。基板Ｗの現像処理時には、ノズルアーム１８が駆動されることにより現像液ノズル２１が待機ポッド１５から基板Ｗの上方に移動する。
【００２７】
ノズルアーム１８は、供給管３１を介して現像液供給源Ｇ１に接続されている。供給管３１には、バルブＶ１が介挿されている。バルブＶ１を開くことにより、現像液供給源Ｇ１からノズルアーム１８を通して現像液ノズル２１に現像液が供給される。
【００２８】
リンス液吐出ノズル１９は、供給管３５を介してリンス液供給源Ｇ２に接続されている。供給管３５には、バルブＶ２が介挿されている。バルブＶ２を開くことにより、リンス液供給源Ｇ２からリンス液吐出ノズル１９にリンス液が供給される。
【００２９】
次に、現像液ノズル２１の詳細について説明する。図３は現像液ノズル２１の概略斜視図である。また、図４（ａ）は現像液ノズル２１の縦断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＲ−Ｒ線断面図である。
【００３０】
図３に示すように、現像液ノズル２１には、鉛直下方に向けられた５つの現像液吐出口２２が幅方向（図１のガイドレール１６に平行な方向）に沿って等間隔で設けられている。各現像液吐出口２２は、現像液ノズル２１の移動に伴いスピンチャック１０に保持された基板Ｗの中心部の上方を通過するように配置されている。
【００３１】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、現像液ノズル２１の内部には、現像液流路２１ａ、液貯留空間２１ｂ、および複数の現像液流路２１ｃが形成されている。現像液流路２１ａは、現像液ノズル２１の上部に形成された現像液供給口２３から下方に延びるように形成されている。
【００３２】
液貯留空間２１ｂは、現像液流路２１ａの一端部から斜め上方に延びるように形成されている。また、図４（ｂ）に示すように、液貯留空間２１ｂは、斜め上方に向かって幅方向に漸次拡大するように形成されている。その液貯留空間２１ｂの上端部から各現像液吐出口２２に向かって下方に延びるように、５つの現像液流路２１ｃが形成されている。
【００３３】
なお、液貯留空間２１ｂの下端部の高さが請求項における上流端の高さ、すなわち第１の高さに相当し、液貯留空間２１ｂの上端部の高さが請求項における下流端の高さ、すなわち第２の高さに相当する。
【００３４】
液貯留空間２１ｂから上方に延びるように液吸引路２４が形成されている。液吸引路２４には、吸引管２５を介して吸引装置ＳＤ（例えばアスピレータ）が接続されている。吸引管２５にはバルブＶ３が介挿されている。バルブＶ３を開くことにより、吸引装置ＳＤによって液貯留空間２１ｂ内の現像液が吸引される。
【００３５】
ノズルアーム１８の内部には、現像液供給路１８ａが形成されている。現像液供給路１８ａは現像液供給源Ｇ１に接続されている。現像液供給源Ｇ１から現像液供給路１８ａに供給される現像液は、現像液供給口２３から現像液ノズル２１内に流入し、現像液流路２１ａ、液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃを通して各現像液吐出口２２に導かれ、吐出される。
【００３６】
ところで、現像液の吐出後には、現像液ノズル２１の内部（現像液流路２１ａ、液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃ）に現像液が残留した状態になる。特に、現像液流路２１ｃに残留する現像液は、ほぼ表面張力のみによって現像液ノズル２１内に保持された状態であるので、不安定である。そのため、現像液流路２１ｃに残留する現像液は、現像液ノズル２１の移動時等に、自重によって現像液吐出口２２から流出することがある。
【００３７】
現像液吐出口２２から流出した現像液が、例えば現像処理前の基板Ｗ上に落下すると、その現像液が落下したレジスト膜の部分において他の部分より余分に反応が進行する。また、現像液が洗い流された後の基板Ｗに現像液が落下すると、基板Ｗは現像液が付着した状態で現像装置１００から搬出される。これらにより、基板Ｗに欠陥が発生することがある。
【００３８】
そこで、本実施の形態では、現像液の吐出後に吸引装置ＳＤにより液貯留空間２１ｂ内の現像液を吸引する。この場合、液貯留空間２１ｂが負圧になるので、現像液流路２１ｃ内の現像液が液貯留空間２１ｂに逆流し、液貯留空間２１ｂ内の現像液とともに吸引される。
【００３９】
ここで、現像液流路２１ａおよび液貯留空間２１ｂの一部には、吸引装置ＳＤによる吸引後においても現像液が残留する。しかしながら、液貯留空間２１ｂが現像液流路２１ｃの上端部から下方に傾斜するように形成されているので、液貯留空間２１ｂ内の現像液には、上流側に向かう方向（現像液流路２１ｃに向かう方向と反対の方向）に重力が働く。また、液貯留空間２１ｂ内に一定量の現像液が貯留されるので、現像液流路２１ａ内の現像液の重みで現像液が現像液流路２１ｃまで押し出されることはない。
【００４０】
これにより、現像液流路２１ａおよび液貯留空間２１ｂ内の現像液が現像液吐出口２２から流出することはない。したがって、不測のタイミングで現像液ノズル２１から基板Ｗ上に現像液が落下することが防止される。
【００４１】
（２）現像装置の動作
図５は、現像装置１００の制御系を示すブロック図である。図５に示すように、現像装置１００は制御部５０を備える。スピンチャック１０、モータ１１、アーム駆動部１７、リンス液吐出ノズル１９、吸引装置ＳＤおよびバルブＶ１〜Ｖ３の動作は、制御部５０により制御される。
【００４２】
図６は、基板Ｗの現像処理時における基板Ｗの回転速度、現像液の流量およびリンス液の流量の変化を示すタイミング図である。本実施の形態では、現像処理の工程が、液層形成工程、現像工程および洗浄工程に分けられる。なお、以下に説明する現像処理は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜に露光処理が施された後に行われる。
【００４３】
図６に示すように、液層形成工程の時点ｔ１で、スピンチャック１０により基板Ｗの回転が開始される。続く時点ｔ２で、現像液ノズル２１からの現像液の吐出が開始される。時点ｔ１〜ｔ３の期間において、基板Ｗの回転速度が例えば１０００ｒｐｍに維持される。
【００４４】
時点ｔ３で基板Ｗの回転速度が例えば２００ｒｐｍに下降し、時点ｔ４で基板Ｗの回転速度が例えば５０ｒｐｍに下降する。そして、時点ｔ５で、基板Ｗの回転が停止される。また、時点ｔ６で、現像液ノズル２１からの現像液の吐出が停止される。なお、時点ｔ２〜ｔ６の期間において、現像液ノズル２１は、現像液を吐出しながら基板Ｗの中心部の上方と周縁部の上方との間を移動する。現像液の吐出流量は、例えば４００ｍｌ／ｍｉｎで維持される。
【００４５】
時点ｔ６で現像液の吐出が停止された後、図４の吸引装置ＳＤにより現像液ノズル２１の液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃ内に残留する現像液が吸引される。これにより、現像液ノズル２１から現像液が流出することが防止される。
【００４６】
この液層形成工程においては、基板Ｗ上のレジスト膜を覆うように現像液の液層が形成される。液層形成工程の詳細については後述する。
【００４７】
現像工程の時点ｔ６〜ｔ７の期間には、現像液の吐出および基板Ｗの回転が停止した状態で維持される。この期間に、基板Ｗ上に保持された現像液によりレジスト膜のパターン部を除く部分の溶解反応が進行する。
【００４８】
洗浄工程の時点ｔ７〜ｔ８の期間に、スピンチャック１０により基板Ｗが例えば７００ｒｐｍで回転するとともに、リンス液吐出ノズル１９から基板Ｗにリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗ上の現像液および溶解したレジストが洗い流される。続いて、時点ｔ８〜ｔ９の期間に、基板Ｗが高速の例えば２０００ｒｐｍで回転する。その回転に伴う遠心力により、基板Ｗに付着するリンス液が振り切られ、基板Ｗが乾燥される。これにより、基板Ｗの現像処理が終了する。
【００４９】
（３）液層形成工程
次に、図６および図７を参照しながら液層形成工程における現像装置１００の動作の詳細について説明する。図７は、液層形成工程における現像装置１００の動作について説明するための模式的平面図および側面図である。
【００５０】
図６の時点ｔ２において、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、現像液ノズル２１が基板Ｗの中心部の上方に位置する状態で現像液の吐出を開始する。そして、図６の時点ｔ２〜ｔ３の期間に、図７（ｃ）および図７（ｄ）に示すように、現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの中心部の上方から周縁部の上方まで移動する。
【００５１】
これにより、基板Ｗ上の全体に現像液が供給され、基板Ｗの表面が十分に現像液で湿潤した状態になる。そのため、基板Ｗの表面の撥水性が高い場合でも、基板Ｗの表面で現像液が弾かれにくくなる。
【００５２】
図６の時点ｔ３〜ｔ４の期間には、基板Ｗの回転速度が下降するとともに、図７（ｅ）および図７（ｆ）に示すように、現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの周縁部の上方から中心部の上方まで移動する。この場合、基板Ｗの外方に振り切られる現像液の量が減少し、供給された現像液が基板Ｗ上で保持される。それにより、基板Ｗ上に現像液の液層が形成される。
【００５３】
ここで、時点ｔ２〜ｔ４の期間において、現像液ノズル２１は、現像液吐出口２２が基板Ｗの上方の領域から外側にはみ出ないように移動する。この場合、基板Ｗの外周端部を横切るように現像液が供給されることがない。それにより、現像液の飛散を抑制することができる。したがって、現像装置１００内の各部に現像液が付着することを防止することができる。
【００５４】
なお、現像液ノズル２１は、例えば基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、基板Ｗの中心部の上方から周縁部の上方までを例えば１〜３秒で移動し、基板Ｗの周縁部の上方から中心部の上方までを例えば１〜５秒で移動する。
【００５５】
現像液ノズル２１の移動速度は、一定であってもよく、移動方向または位置に応じて変化してもよい。例えば、基板Ｗの周縁部の上方付近における現像液ノズル２１の移動速度が、基板Ｗの中心部の上方付近における現像液ノズル２１の移動速度よりも低くてもよい。この場合、面積が大きい基板Ｗの周縁部の領域にも十分に現像液を供給することができる。
【００５６】
図８は、現像液の液層の形成過程を示す斜視図および側面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、基板Ｗが回転する状態で現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの周縁部の上方から基板Ｗの中心部の上方に向かって移動することにより、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって渦巻き状に現像液が供給される。それにより、基板Ｗの周縁部から中心部に向けて現像液の液層が形成されていく。
【００５７】
（４）本実施の形態の効果
本実施の形態では、現像液ノズル２１からの現像液の吐出が停止された後に、現像液ノズル２１の液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃ内に残留する現像液が吸引装置ＳＤによって吸引される。それにより、現像液を吐出すべきでない期間に、不測のタイミングで現像液ノズル２１から現像液が流出することが防止される。それにより、現像処理前または洗浄処理後の基板Ｗ上に現像液が落下することが防止され、基板Ｗに欠陥が発生することが防止される。
【００５８】
（５）他の動作例
上記の例では、液層形成工程において現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの中心部の上方と周縁部の上方との間を移動するが、これに限らず、現像液ノズル２１が基板Ｗの中心部の上方で継続的に現像液を吐出してもよい。
【００５９】
また、上記の例では、現像処理工程において基板Ｗの回転を停止しているが、これに限らず、現像処理工程において基板の回転を維持してもよい。その場合、基板Ｗの回転速度が例えば１０ｒｐｍ以上２００ｒｐｍ以下に調整される。また、その場合、回転する基板Ｗに継続的に現像液を供給してもよい。
【００６０】
また、基板Ｗの回転速度および現像液の流量は、上記の例に限定されず、基板Ｗの大きさまたは撥水性等の種々の条件に応じて適宜変更してもよい。
【００６１】
（６）吸引装置ＳＤの他の接続例
上記実施の形態では、現像液ノズル２１の液貯留空間２１ｂに吸引装置ＳＤが接続されるが、参考例として、他の部分に吸引装置ＳＤが接続されてもよい。図９は、吸引装置ＳＤの他の接続例を示す図である。
【００６２】
図９の例では、ノズルアーム１８の現像液供給路１８ａに連通するように液吸引路１８ｂが形成され、その液吸引路１８ｂに吸引管２５を介して吸引装置ＳＤが接続されている。この場合、吸引装置ＳＤによってノズルアーム１８の現像液供給路１８ａ内に残留する現像液の一部が吸引されるとともに、現像液ノズル２１の現像液流路２１ａ、液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃ内に残留する現像液が吸引される。それにより、現像液ノズル２１から基板Ｗ上に現像液が落下することが防止される。
【００６３】
（７）リンス液吐出ノズルの他の例
上記実施の形態では、リンス液吐出ノズル１９がスピンチャック１０の外方に独立して設けられるが、リンス液吐出ノズル１９が現像液ノズル２１と一体的に設けられてもよい。図１０は、リンス液吐出ノズルの他の例を示す外観斜視図である。
【００６４】
図１０の例では、リンス液吐出口３２を有するリンス液ノズル１９ａが、現像液ノズル２１とともにノズルアーム１８に取り付けられている。このように、現像液ノズル２１とリンス液ノズル１９ａとを一体的に設けることにより、動作制御を簡略化することが可能になるとともに、現像装置１００の小型化および省スペース化が可能になる。
【００６５】
なお、このようにリンス液ノズル１９ａと現像液ノズル２１とを一体的に設ける場合には、図６の洗浄工程において、リンス液ノズル１９ａとともに現像液ノズル２１が基板Ｗの上方に移動する。そのとき、現像液ノズル２１の現像液流路２１ｃ内に現像液が残留していると、洗浄後の基板Ｗ上に現像液が落下する可能性がある。しかしながら、本実施の形態では、現像液流路２１ｃ内の現像液を吸引して取り除くので、そのような問題が生じない。
【００６６】
（８）他の実施の形態
上記実施の形態では、基板Ｗに現像処理を行う現像装置に本発明が適用された例が示されるが、これに限らず、基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置または基板Ｗに洗浄処理を行う洗浄装置等の他の装置に本発明が適用されてもよい。その場合、成膜処理のための塗布液または洗浄処理のための洗浄液を吐出するノズルに、現像液ノズル２１と同様の構成が用いられる。
【００６７】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００６８】
上記実施の形態では、現像液ノズル２１が処理液吐出ノズルの例であり、現像液吐出口２２が吐出口の例であり、現像液流路２１ａ、液貯留空間２１ｂおよび現像液流路２１ｃが処理液流路の例であり、現像液供給源Ｇ１および供給管３１が処理液供給手段の例であり、吸引装置ＳＤおよび吸引管２５が吸引手段の例である。
【００６９】
また、液貯留空間２１ｂが液貯留空間の例であり、現像液流路２１ｃが吐出流路の例であり、液吸引路２４が吸引路の例であり、現像液供給路１８ａが供給路の例であり、液吸引路１８ｂが第２の吸引路の例であり、リンス液ノズル１９ａがリンス液吐出ノズルの例である。
【００７０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、種々の基板の処理時に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】現像装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１の現像装置のＱ−Ｑ線断面図である。
【図３】現像液ノズルの概略斜視図である。
【図４】現像液ノズルの断面図である。
【図５】現像装置の制御系を示すブロック図である。
【図６】基板の現像処理時における基板の回転速度、現像液の流量およびリンス液の流量の変化を示すタイミング図である。
【図７】液層形成工程における現像装置の動作について説明するための模式的平面図および側面図である。
【図８】現像液の液層の形成過程を示す斜視図および側面図である。
【図９】吸引装置の他の接続例を示す図である。
【図１０】リンス液吐出ノズルの他の例を示す外観斜視図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０  スピンチャック
１１  モータ
１６  ガイドレール
１７  アーム駆動部
１８  ノズルアーム
１８ｂ，２４  液吸引路
１９  リンス液吐出ノズル
２１  現像液ノズル
２１ａ  現像液流路
２１ｂ  液貯留空間
２１ｃ  現像液流路
２２  現像液吐出口
１００  現像装置
ＳＤ  吸引装置
Ｗ  基板
【図１】
0005317505.tif 000002
【図２】
0005317505.tif 000003
【図３】
0005317505.tif 000004
【図４】
0005317505.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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