(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース材と、
前記ケース材に組み込まれると共に、重畳して配置された第１回路基板および第２回路基板と、
前記第１回路基板の主面に固着された第１回路素子と、
前記第２回路基板の主面に固着された第２回路素子と、
前記ケース材、前記第１回路基板および前記第２回路基板により囲まれる内部空間と外部とを連通させる複数の開口部と、
前記第１回路基板の前記主面および前記第１回路素子を被覆する封止樹脂と、
前記開口部を経由して外部と連通し、前記ケース材の前記内部空間にて前記封止樹脂が充填されない中空部と、を具備し、
前記開口部が設けられた箇所の前記ケース材の内壁は傾斜面であり、
前記封止樹脂は前記傾斜面に至るまで前記ケース材の内部に充填されることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記ケース材の上面であって、一方の端部と他方の端部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記第２回路基板と前記ケース材との間隙から成ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置に関し、特に、回路基板の上面に形成された混成集積回路がケース材により封止される回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８を参照して、ケース材１１１が採用された構成集積回路装置１５０の構成を説明する。混成集積回路装置１５０は、アルミニウム等の金属から成る基板１０１と、基板１０１の上面を被覆するように形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された導電パターン１０３と、導電パターン１０３に電気的に接続されたトランジスタ等の回路素子１１０を備えている。そして、ケース材１１１および封止樹脂１０８により、回路素子１１０が封止された構成となっている。
【０００３】
具体的には、ケース材１１１は、略額縁形状を有して基板１０１の側面に当接している。更に、基板１０１の上面に封止するための空間を確保するために、ケース材１１１の上端部は、基板１０１の上面よりも上方に位置している。そして、基板１０１の上方にてケース材１１１により囲まれる空間には封止樹脂１０８が充填され、この封止樹脂１０８により半導体素子等の回路素子１１０が被覆されている。この構成により、基板１０１が比較的大きいものであっても、ケース材１１１等により囲まれる空間に封止樹脂１０８を充填させることで、基板１０１の上面を組み込まれた回路素子を樹脂封止することができる。
【特許文献１】特開２００７−０３６０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した混成集積回路装置１５０では、基板１０１の上面にはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワートランジスタや、このパワートランジスタを駆動させるドライバＩＣが実装されていた。そして、このドライバＩＣを制御するマイコン等の制御素子は、混成集積回路装置１５０が実装される実装基板側に実装されていた。従って、実装基板側に於いて、モーター等の負荷の駆動を制御する回路の実装に必要とされる面積が大きい問題があった。
【０００５】
混成集積回路装置１５０の実装密度を向上させる構成として、ケース材１１１の内部に複数の基板１０１を重畳して設け、各々の基板１０１に回路素子を組み込む構成が考えられる。しかしながら、この様に複数の基板１０１をケース材１１１に組み込むと、上記した制御素子やパワートランジスタが１つの回路装置に集積されるので、内蔵された回路素子から発生する熱を外部に放出させることが困難になる問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、積層して配置された複数の回路基板に実装された回路素子の過熱を抑制する回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路装置は、ケース材と、前記ケース材に組み込まれると共に、重畳して配置された第１回路基板および第２回路基板と、前記第１回路基板の主面に固着された第１回路素子と、前記第２回路基板の主面に固着された第２回路素子と、前記ケース材、前記第１回路基板および前記第２回路基板により囲まれる内部空間と外部とを連通させる複数の開口部と、前記第１回路基板の前記主面および前記第１回路素子を被覆する封止樹脂と、前記開口部を経由して外部と連通し、前記ケース材の前記内部空間にて前記封止樹脂が充填されない中空部と、を具備し、前記開口部が設けられた箇所の前記ケース材の内壁は傾斜面であり、前記封止樹脂は前記傾斜面に至るまで前記ケース材の内部に充填されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ケース材の内部空間と外部とを連通させる開口部を設け、この開口部が設けられる箇所のケース材の内壁を傾斜面としている。この様に、ケース材の内壁を傾斜面とすることにより、ケース材の内部に於いて空気が流通し易くなり、回路装置に内蔵された回路素子の過熱が抑制される。更に、ケース材の内部空間の空気の流通が良好とされるので、装置に内蔵された回路素子同士の熱干渉が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００１０】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０には、ケース材１２に第１回路基板１８および第２回路基板２０が重畳して組み込まれている。そして、第１回路基板１８の上面には第１回路素子２２（例えばパワートランジスタ）が配置され、第２回路基板２０の上面には第２回路素子（例えばマイコン）が配置されている。更に、ケース材１２の内部に於いて第１回路素子２２および第１回路基板１８の上面が被覆されるように第１封止樹脂１４が形成されている。また、第２回路基板２０の上面および第２回路素子２４が被覆されるように第２封止樹脂１６が形成されている。更に、本形態の混成集積回路装置１０では、ケース材１２の内部に設けた中空部２６と外部とを連通させる開口部１５を設け、この開口部１５が設けられた箇所のケース材１２の内壁を傾斜面１７としている。
【００１１】
ケース材１２は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）等の熱可塑性樹脂を射出成形することにより形成されており、概略的に額縁状の形状を呈している。図１（Ｂ）を参照すると、ケース材１２の上面および下面は開口部と成っており、上面の開口部は第２回路基板２０により塞がれ、下面の開口部は第１回路基板１８により塞がれている。また、ケース材１２の左右端部には、ビス止めのための孔部が設けられている。更に、図１（Ａ）を参照して、ケース材１２は、紙面上にて左右に対向する第１側壁部１２Ａおよび第２側壁部１２Ｂと、紙面上にて上下方向に対向する第３側壁部１２Ｃおよび第４側壁部１２Ｄから主に構成されている。
【００１２】
また、ケース材１２の角部には、ケース材１２の中空部２６と外部とを連通させるための開口部１５が４つ設けられている。これらの開口部１５を経由してケース材１２の中空部２６の空気が換気されることにより、混成集積回路装置１０に内蔵された回路素子から発生した熱が外部に良好に放出される。従って、これらの回路素子の過熱が抑制される。また、開口部１５は、第１封止樹脂１４を形成する工程に於いて、ケース材１２の内部空間に第１封止樹脂１４を注入するための経路として機能している。
【００１３】
第１回路基板１８は、ケース材１２の下部の開口部に組み込まれており、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）あるいはこれらの金属を主材料とする合金から構成されている。ここでは、アルミニウムから成る２枚の金属基板が第１回路基板１８として採用されているが、１枚の金属基板から第１回路基板１８が構成されても良い。第１回路基板１８の詳細は、図２（Ｂ）を参照して説明する。
【００１４】
第２回路基板２０は、ケース材１２の上部の開口部に組み込まれており、プリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）が採用される。具体的には、紙フェノール基板、ガラスエポキシ基板等が、第２回路基板２０として採用される。また、第２回路基板２０として、セラミックから成る基板が採用されても良い。更に、第２回路基板２０には、上面のみに導電パターン２１が形成されても良いし、両面に導電パターン２１が設けられても良い。更には、３層以上に積層された導電パターン２１が第２回路基板２０に構成されても良い。
【００１５】
第１回路素子２２は、第１回路基板１８の上面に形成された導電パターン３８に電気的に接続される素子である。第１回路素子２２としては、例えば１アンペア以上の電流のスイッチングを行うパワートランジスタが採用される。ここで、パワートランジスタとしては、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）または絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  ｇａｔｅ  ｂｉｐｏｌａｒ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＩＧＢＴ）が採用される。更に、第１回路素子２２としては、トランジスタ以外の素子も全般的に採用可能であり、例えばＬＳＩやダイオード等の能動素子や、チップコンデンサやチップ抵抗等の受動素子が採用される。
【００１６】
また、第１回路素子２２がパワートランジスタ等の半導体素子である場合は、その裏面が半田等の導電性接着材を介して固着される。更には、第１回路素子２２と導電パターン３８との間に、銅などの金属から成るヒートシンクが設けられても良い。そして、第１回路素子２２の上面に形成された電極は、金属細線４２を経由して導電パターン３８に接続される。
【００１７】
更に、第１回路素子２２としては、整流回路を構成するダイオード、平滑回路を構成するコイルやコンデンサ、上記したパワートランジスタの制御電極に制御信号を印加するドライバＩＣ、サーミスタ等が採用される。
【００１８】
第２回路素子２４は第２回路基板２０の表面に形成された導電パターン２１に電気的に接続される素子であり、一般的には上記した第１回路素子２２よりも動作温度が低い回路素子が採用される。具体例としては、例えば、マイクロコンピュータ（マイコン）やアルミ電解コンデンサ等が、第２回路素子２４として第２回路基板２０に実装される。更に、第２回路素子２４としては、第１回路素子２２と同様に、能動素子および受動素子が全般的に採用される。また、第２回路素子２４としては、水晶発振器や半導体メモリが採用されても良い。
【００１９】
また、図１（Ｂ）を参照すると、マイコンであるＬＳＩは樹脂封止されたパッケージの状態で第２回路基板２０の上面に実装されている。しかしながら、マイコンは、ベアチップの状態で第２回路基板２０の表面に形成された導電パターン２１に固着されても良い。
【００２０】
図１（Ｂ）を参照して、第１封止樹脂１４は、第１回路素子２２および第１回路基板１８の上面全域が覆われるように形成されている。第１封止樹脂１４は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーが混入されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る。この様に、第１回路素子２２が第１封止樹脂１４により封止されることで、第１回路素子２２の耐湿性が向上される。更には、第１回路素子２２と第１導電パターン３８との接続箇所（半田等の接合材から成る）が、第１封止樹脂１４により被覆されるので、この接続箇所の耐振動性が向上される。更に、フィラーが混入された樹脂から成る第１封止樹脂１４は、光を透過させない遮光性の性質を有する。従って、遮光性の第１封止樹脂１４により第１回路基板１８の上面に形成された第１導電パターン３８および第１回路素子２２を被覆することで、第１導電パターン３８の形状および第１回路素子２２の位置を隠蔽することもできる。
【００２１】
更に、第１封止樹脂１４は、ケース材１２の側壁の内部、第１回路基板１８および第２回路基板２０に囲まれる空間に形成されるが、この空間に完全に充填される程度には形成されていない。従って、ケース材１２の内部空間には、第１封止樹脂１４が充填されていない中空部２６が設けられている。更に、この中空部２６は、ケース材１２、第１回路基板１８および第２回路基板２０により囲まれているが、開口部１５を経由して外部と連通しており、密閉されてはいない。
【００２２】
第２封止樹脂１６は、第２回路素子２４および第２回路基板２０の上面全域が被覆されるように形成され、第１封止樹脂１４と同様にフィラーが混入された樹脂材料またはウレタン樹脂から成る。第２回路素子２４および第２回路基板２０を第２封止樹脂１６により被覆することにより、第２回路素子２４の耐湿性および耐振動性が向上されると共に、第２回路基板２０の上面に設けた第２導電パターン２１の形状および第２回路素子２４の配置が隠蔽される。
【００２３】
ここで、上記した第１封止樹脂１４および第２封止樹脂１６は、必ずしも必要とされず、これらの樹脂を省いて混成集積回路装置１０が構成されても良い。
【００２４】
図１（Ｂ）を参照して、本形態の混成集積回路装置１０では、混成集積回路装置１０の内部に設けた内部空間である中空部２６と外部とを連通させる開口部１５を設け、この開口部１５に面するケース材１２の内壁を傾斜面１７としている。この様にすることにより、混成集積回路装置１０の中空部２６に位置する空気を良好に換気して、内蔵される回路素子の過熱が抑制される。
【００２５】
具体的には、図１（Ｂ）を参照して、紙面上にて左側の第２側壁部１２Ｂの内壁は傾斜面１７と成っている。更に、紙面上にて右側の第１側壁部１２Ａの内壁も傾斜面１７と成っている。また、傾斜面１７の形状はここでは直線的な形状であるが、曲面でも良い。
【００２６】
開口部１５を経由して、混成集積回路装置１０の中空部２６を空気が移動する事項を説明する。この図では、空気の移動を矢印にて示している。第２側壁部１２Ｂ側の開口部１５から中空部２６に進入した空気は、第２側壁部１２Ｂの傾斜面１７にて当接した後にスムーズに中空部２６に移動する。そして、進入した空気は、中空部２６を紙面上にて左側から右側に移動して、第１側壁部１２Ａの傾斜面１７に当接した後に、開口部１５から外部に放出される。
【００２７】
以上のような経路にて、中空部２６の空気が良好に外部に放出されるので、第１回路素子２２および第２回路素子２４から放出された熱を含む中空部２６の空気は、開口部１５を経由して良好に外部に放出される。更に、放出された空気の量に対応した新たな空気が、開口部１５を経由して中空部２６に取り入れられる。
【００２８】
また、第１回路基板１８および第２回路基板２０が、重力が作用する方向に対して平行と成るように立てて配置すると、上記した換気の効果を更に大きくすることができる。具体的には、発熱した第１回路素子２２および第２回路素子２４により過熱された中空部２６の内部の空気が、上方に位置する開口部１５から自然に外部に放出され、放出された空気に対応する量の新たな空気が、下方の開口部１５から中空部２６に取り入れられる。
【００２９】
更にまた、中空部２６の内部に位置する空気が盛んに換気されるので、第１回路素子２２から発生した熱は、中空部２６の空気と共に外部に放出される。このことから、第１回路素子２２から発生した熱により第２回路素子２４（例えばマイコン）が加熱されることが抑制される。即ち、第１回路素子２２と第２回路素子２４との間で熱干渉が発生しない。結果的に、マイコンである第２回路素子２４の動作が安定化される。
【００３０】
図２を参照して、上述した混成集積回路装置１０の構成を更に説明する。図２（Ａ）はリードの構成を示す混成集積回路装置１０の断面図であり、図２（Ｂ）は第１回路基板１８の構成を説明するための断面図である。
【００３１】
図２（Ａ）を参照して、混成集積回路装置１０には、第１リード２８と第２リード３０が設けられている。
【００３２】
第１リード２８は、第１回路基板１８の上面に形成された導電パターン３８から成るパッドに下端が固着されている。パッド状の導電パターン３８と第１リード２８の下端とは、半田等の導電性接着材を介して接着される。そして、第１リード２８は、封止樹脂および第２回路基板２０を貫通して、上端が外部に導出されている。ここで、第１リード２８は、第１リード２８が第２回路基板２０を貫通する箇所に於いて、第２回路基板２０の上面に固着された第２回路素子に接続される場合と、接続されない場合とがある。第１リード２８が第２回路素子２４に接続される場合としては、第１リード２８を経由して、第２回路基板２０に実装された第２回路素子２４と、第１回路基板１８に実装された第１回路素子２２とを電気的に接続する場合がある。また、第１リード２８と第２回路素子２４とが接続されない場合としては、例えば、外部から供給される電源電流が第１リード２８を通過する場合または、第１回路基板１８に設けられたインバーター回路により変換された電流が第１リード２８を通過して外部に供給される場合が考えられる。
【００３３】
第２リード３０は、第２回路基板２０の上面に設けられた導電パターン２１に下端が接続され、上端が第２封止樹脂１６を貫通して上方に突出している。第２リード３０の下端付近は、第２回路基板２０を貫通して設けた孔部に挿入されて固定されており、第２回路基板２０に実装された第２回路素子２４に入出力される電気信号を通過させる働きを有する。ここで、第２回路基板２０の上面に形成された導電パターン２１と第２リード３０とは、半田等の導電性接着材を介して接続される。
【００３４】
図２（Ｂ）を参照して、本形態では、実装基板３２と絶縁基板３４とを積層させて、第１回路基板１８が構成されている。
【００３５】
実装基板３２は、厚みが１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）を主材料とする金属製の基板であり、上面及び下面は陽極酸化膜（Ａｌ２０３から成る膜）により被覆されている。実装基板３２の上面は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る絶縁層３６により被覆されている。絶縁層３６の厚みは例えば５０μｍ程度である。更に、絶縁層３６の上面には厚みが５０μｍ程度の銅から成る導電パターン３８が形成され、この導電パターン３８に第１回路素子２２が実装される。
【００３６】
また、上記した絶縁層３６を部分的に除去して露出部１３が設けられており、この露出部１３から露出する実装基板３２と導電パターン３８とが、金属細線４２を経由して接続されている。この様に、露出部１３を介して実装基板３２と導電パターン３８とを接続することにより、実装基板３２の電位を固定電位（接地電位や電源電位）にすることが可能となり、実装基板３２により外部からのノイズが遮蔽されるシールド効果をより大きくすることができる。更には、導電パターン３８の一部と実装基板３２との電位が同一に成るので、両者の間に発生する寄生容量を低減させることも可能となる。
【００３７】
上記構成の実装基板３２の裏面は、シリコン樹脂から成る接着剤を介して、絶縁基板３４の上面に貼着される。
【００３８】
絶縁基板３４は、実装基板３２と同様にアルミニウム等の金属から成り、平面的な大きさが実装基板３２よりも大きく形成されている。従って、絶縁基板３４の端部と、実装基板３２の端部とは離間して配置されている。また、ポリイミド樹脂等の樹脂材料から成る絶縁層４０により、絶縁基板の上面は被覆されている。更に、絶縁基板３４の下面は、ケース材１２の側壁の下端と同一平面上に位置している。
【００３９】
以上のように、実装基板３２と絶縁基板３４とを積層させて第１回路基板１８を構成することで、第１回路基板１８の放熱性と耐圧性とを高いレベルで両立させることができる。具体的には、上述したように、実装基板３２は導電パターン３８と接続されて例えば接地電位に接続されているので、実装基板３２の裏面を外部に露出させるとショートを引き起こす恐れがある。このショートを防止するために絶縁基板３４が設けられている。絶縁基板３４の上面と実装基板３２の下面とは、絶縁基板３４の上面に設けた絶縁層４０により絶縁されている。更に、実装基板３２の側面および絶縁基板３４の側面は、各々の基板を構成するアルミニウム等の金属材料が露出する面であるが、絶縁基板３４の端部（側面）と実装基板３２の端部（側面）とを離間させることで、お互いの基板の側面がショートすることが防止されている。
【００４０】
更に、実装基板３２および絶縁基板３４の両方が放熱性に優れるアルミニウム等の金属から成るので、第１回路素子２２から発生した熱は、実装基板３２および絶縁基板３４を経由して良好に外部に放出される。
【００４１】
図３を参照して、次に、上記した混成集積回路装置１０に構築される回路の一例を説明する。ここでは、複数のパワートランジスタから成るスイッチング回路４５を含むインバーター回路が第１回路基板１８に形成され、このインバーター回路を制御する制御回路が構成された第２回路素子２４（マイコン）が第２回路基板２０に実装されている。より具体的には、第１回路基板１８には、整流回路４１、平滑回路４３、スイッチング回路４５およびドライバＩＣ４４が組み込まれている。
【００４２】
混成集積回路装置１０に組み込まれた各回路の動作は次の通りである。先ず、第２回路基板２０に実装された第２回路素子２４（マイコン）には、回転速度に応じた周波数の基準信号が入力され、それぞれ１２０度の位相差を有する３つのパルス幅変調された正弦波の制御信号が生成される。第２回路素子２４にて生成された制御信号は、第１リード２８（図２（Ａ）参照）を経由して、第１回路基板１８のドライバＩＣ４４に入力される。
【００４３】
第１回路基板１８に入力された制御信号は、ドライバＩＣ４４にて所定の電圧に昇圧された後に、スイッチング回路４５を構成しているパワートランジスタ（例えばＩＧＢＴ）の制御電極に印加される。
【００４４】
一方、外部から入力された交流電力は、整流回路４１により直流電力に変換された後に、平滑回路４３により電圧を一定にされ、スイッチング回路４５に入力される。
【００４５】
そして、スイッチング回路４５からは、それぞれ１２０度の位相差を有する３相のパルス幅変調された正弦波電圧（Ｕ、Ｖ、Ｗ）が生成されてモーター４６に供給される。結果的に、モーター４６には、正弦波に近似した負荷電流が流れ、所定の回転数にてモーター４６が回転する。
【００４６】
次に、図４を参照して、上記した構成の混成集積回路装置１０が組み込まれた空調機（エア・コンディショナー）の室外機４８の構成を説明する。
【００４７】
室外機４８は、筐体５０の内部に、凝縮機５４と、ファン５６と、圧縮機５２と、混成集積回路装置１０が主に内蔵されて構成されている。
【００４８】
圧縮機５２は、モーターの駆動力を用いて、アンモニア等の冷媒を圧縮させる機能を有する。そして、圧縮機５２により圧縮された冷媒は凝縮機５４に送られ、ファン５６が風を凝縮機５４に吹き付けることにより、凝縮機５４内部の冷媒に含まれる熱が外部に放出される。更に、この冷媒は膨張された後に、室内にある蒸発器に送られて、室内の空気を冷却させる。
【００４９】
本形態の混成集積回路装置１０は、圧縮機５２またはファン５６を駆動させるモーターの回転を制御する働きを有し、室外機４８の内部に設けられた実装基板６０に固着されている。
【００５０】
図４（Ｂ）に混成集積回路装置１０が取り付けられる構造を示す。ここでは、第１リード２８および第２リード３０が、実装基板６０に差込実装されている。そして、パワートランジスタが実装される第１回路基板１８の裏面は、ヒートシンク５８の平滑面に当接している。混成集積回路装置１０のヒートシンク５８への取り付けは、混成集積回路装置１０のケース材１２をヒートシンク５８にビス止めすることにより行うことができる。ここで、ヒートシンク５８は、銅やアルミニウム等の金属を一体的に成型したものであり、混成集積回路装置１０と当接する面は平滑面と成っており、その反対面は凹凸面と成っている。係る構成により、パワートランジスタである第１回路素子２２から発生した熱は、第１回路基板１８およびヒートシンク５８を経由して室外機４８の内部空間に伝導され、最終的にはファンの５６の送風作用により室外機４８の外部に放出される。
【００５１】
更に、本実施の形態の混成集積回路装置１０では、開口部１５に面するケース材１２の内壁を傾斜面１７としている。従って、混成集積回路装置１０に内蔵された回路素子が発熱することにより中空部２６の空気が過熱されると、過熱された空気はケース材１２の上部に設けられた開口部１５を経由して外部に放出される。そして、ケース材１２の下部に位置する開口部１５からは新たな空気が中空部２６に取り入れられる。ケース材１２の内壁を傾斜面１７とすることにより、中空部２６の内部に位置する空気の流通が特に良好となり、混成集積回路装置１０に内蔵された回路装置の加熱が抑制される。
【００５２】
次に、図５から図７を参照して、図１に構成を示した混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。
【００５３】
図５（Ａ）を参照して、先ず、上面に所定の混成集積回路が組み込まれた第１回路基板１８を、ケース材１２に組み込む。
【００５４】
第１回路基板１８の上面には、予め所定の形状の導電パターン３８が組み込まれており、導電パターン３８の所定の箇所には、パワートランジスタ等の第１回路素子２２が実装されて電気的に接続されている。更に、パッド状の導電パターン３８には、半田等の導電性接着材を介して、第１リード２８が固着されている。ここで、第１リード２８は、複数の第１リード２８が連結されているリードフレームの状態で、導電パターン３８に固着されても良い。また、ケース材１２には、上述した構成の開口部１５が設けられている。
【００５５】
この様な構成の第１回路基板１８は、ケース材１２の下部の開口部に組み込まれる。第１回路基板１８の詳細は上述したとおりであり、図２（Ｂ）に示すように２枚の金属から成る基板を組みあわせて構成されている。しかしながら、１枚の金属基板から第１回路基板１８が形成されても良い。
【００５６】
次に、図５（Ｂ）を参照して、所定の位置に第２回路素子２４が組み込まれた第２回路基板２０をケース材１２に組み込む。第２回路基板２０の上面には所定形状の導電パターン２１が形成され、この導電パターン２１には、例えばマイコンである第２回路素子２４が固着されている。また、第２回路素子２４と接続された第２リード３０が第２回路基板２０の上面に固着されている。
【００５７】
更に、第２回路基板２０の第１リード２８に対応する箇所には、ドリル加工やレーザー照射加工により第２回路基板２０を開口して貫通孔が設けられており、この貫通孔を第１リード２８が貫通している。なお、第２回路基板２０に設けた貫通孔と第１リード２８との間隙は、半田等の接合材により埋め込まれる。
【００５８】
図６に、本工程が終了した後のケース材１２の斜視図を示す。この図を参照して、ケース材１２は、第１側壁部１２Ａ、第２側壁部１２Ｂ、第３側壁部１２Ｃおよび第４側壁部１２Ｄから構成されている。そして、第１側壁部１２Ａおよび第２側壁部１２Ｂを部分的に側方（外側）に膨らませることにより、開口部１５が形成されている。この開口部１５により、ケース材１２の内部空間と外部とが連通され、後の工程にて封止樹脂が開口部１５を経由して内部空間に供給される。
【００５９】
この様にケース材１２の側壁部を外側に膨らませて開口部１５を設けることにより、第２回路基板２０を変形させて開口部を設ける必要がない。従って、第２回路基板２０を四角形形状のまま面積を狭めずに使用することができるので、第２回路基板２０の実装密度が向上される。
【００６０】
更にここでは、第１側壁部１２Ａに２つの開口部１５を設け、第１側壁部１２Ａに対向する第２側壁部１２Ｂにも２つの開口部１５を設け、合計で４つの開口部１５を設けている。しかしながら、ケース材１２に形成される開口部１５の数は４つ以外でも良く、１つでも良いし、５個以上でも良い。
【００６１】
図７を参照して次に、第１回路基板１８の上面および第２回路基板２０の上面が被覆されるように第１封止樹脂１４および第２封止樹脂１６を形成する。
【００６２】
図７（Ａ）を参照して、本工程ではケース材１２に設けた開口部１５からケース材１２の内部空間に第１封止樹脂１４を注入する。本工程にて使用される第１封止樹脂１４は、粒状のアルミナ等のフィラーが充填された熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂である。そして、ノズル６２から供給される第１封止樹脂１４は、液状または半固形状の状態であり、充填された後に加熱硬化される。
【００６３】
ここでは、紙面上にて左側の第２側壁部１２Ｂに設けた開口部１５を経由して、ケース材１２の内部空間に、ノズル６２から第１封止樹脂１４が供給されている。また、紙面上にて右側に位置する第１側壁部１２Ａにも開口部１５が設けられており、ノズル６２から供給された第１封止樹脂１４に応じた量の内部空間の空気が、第１側壁部１２Ａに設けた開口部１５を経由して外部に放出される。ノズル６２による第１封止樹脂１４の供給を続けると、第１回路基板１８の上面および第１回路素子２２が第１封止樹脂１４により封止される。
【００６４】
更に、本工程に於いては、図７（Ａ）を参照して、ノズル６２から供給された液状の第１封止樹脂１４は、先ず、第２側壁部１２Ｂの内壁に設けられた傾斜面１７に接触する。そして、流動性に優れた第１封止樹脂１４は、傾斜面１７に沿ってケース材１２の内部空間に進入する。
【００６５】
図７（Ｂ）を参照して、次に、第２回路基板２０の上面および第２回路素子２４が被覆されるように、第２封止樹脂１６を形成する。第２回路基板２０の周辺部は、ケース材１２の一部分により枠状に囲まれており、ノズル６２から供給された第２封止樹脂１６により第２回路基板２０の上面および第２回路素子２４は封止される。
【００６６】
上記の工程により、図１に構造を示した混成集積回路装置１０が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置に組み込まれる回路を示すブロック図である。
【図４】（Ａ）は本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置が組み込まれた室外機を示す図であり、（Ｂ）は混成集積回路装置が取り付けられる箇所の断面図である。
【図５】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す斜視図である。
【図７】本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】背景技術の混成集積回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０        混成集積回路装置
１２        ケース材
１２Ａ      第１側壁部
１２Ｂ      第２側壁部
１２Ｃ      第３側壁部
１２Ｄ      第４側壁部
１３        露出部
１４        第１封止樹脂
１５        開口部
１６        第２封止樹脂
１７        傾斜面
１８        第１回路基板
２０        第２回路基板
２１        導電パターン
２２        第１回路素子
２４        第２回路素子
２６        中空部
２８        第１リード
３０        第２リード
３２        実装基板
３４        絶縁基板
３６        絶縁層
３８        導電パターン
４０        絶縁層
４１        整流回路
４２        金属細線
４３        平滑回路
４４        ドライバＩＣ
４５        スイッチング回路
４６        モーター
４８        室外機
５０        筐体
５２        圧縮機
５４        凝縮機
５６        ファン
５８        ヒートシンク
６０        実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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