(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
信号線と、
画素電極と陰極との間に設けられた発光層を有する発光素子と、
前記画素電極と電気的に接続された電源線と、
前記電源線に接続された複数の第１の外部接続端子と、を有し、
前記複数の第１の外部接続端子は、前記発光素子を備えた実表示領域の外側に設けられており、
前記電源線および前記複数の第１の外部接続端子の各々の幅は、前記信号線の幅よりも大きく、
前記複数の第１の外部接続端子の各々の幅は、前記電源線の幅よりも小さく、
前記複数の第１の外部接続端子の各々は、前記電源線の幅内に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記信号線と交差するように設けられた走査線と、
前記走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路に走査線駆動回路用制御信号を供給する走査線駆動回路用制御信号配線と、
前記走査線駆動回路用制御信号配線に電気的に接続される第２の外部接続端子と、を有し、
前記走査線駆動回路用制御信号配線の幅と、前記第２の外部接続端子の幅とは、同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記信号線の幅は、前記走査線駆動回路用制御信号配線および前記第２の外部接続端子の幅よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記信号線は、第３の外部接続端子に電気的に接続されており、
前記信号線の幅と、前記第３の外部接続端子の幅とは、同じであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を備えた電気光学装置及び当該電気光学装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持された構造のカラー電気光学装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。以下、従来の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）について簡単に説明する。
【０００３】
図１１は、従来の電気光学装置の配線構造を示す図である。図１１に示すように、従来の電気光学装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並行して延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されている。
【０００４】
また、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続されたときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
上記の発光層９１０には、赤色に発光する発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
以上の構成において、走査線９０１に走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給されている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から得られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図１１に示した電気光学装置は、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、発光用電源配線９０３（９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂ）、走査側駆動回路９０５、及び画素領域Ａがガラス等の透明基板（表示基板）上に形成され、陰極用電源回路９３１、発光用電源回路９３２、及びデータ側駆動回路９０４等の回路が可撓性のあるフレキシブル基板（中継基板）上に配置された構成とされることがある。
【０００８】
かかる構成の場合には、基板に対してフレキシブル基板を固着させ、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、及び発光用電源配線９０３とフレキシブル基板上に形成された回路とを電気的に導通させる必要がある。基板とフレキシブル基板との固着及び電気的な接続は、基板とフレキシブル基板との間に導電粒子を含む異方性導電膜を配置し、フレキシブル基板を基板に対して圧着させることにより行われる。
【０００９】
上述した電気光学装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。特に、図１１に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であり、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を防止するためには、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線抵抗等による電圧降下を極力抑える必要がある。このため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３は、走査線９０１及び信号線９０２よりも幅広に形成されている。
【００１０】
基板とフレキシブル基板と固着させる際には、主として圧着部において生ずる電気的抵抗の均一化を図るために、固着部の全面に亘って圧着条件を同一にしたいという要求がある。この要求を満たすためには、固着部に設けられ、上述した種々の配線が接続される端子の形状を同一にする必要がある。
【００１１】
しかしながら、上述したように、図１１に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であるため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線幅を狭くすることは配線抵抗等による電圧降下を考慮すると困難である。また、走査線９０１及び信号線９０２は数が多く、これら全てを配置するためには細線化及び狭ピッチ化する必要があるため、走査線９０１及び信号線９０２の線幅を陰極９１２及び発光用電源配線９０３の線幅と同程度にすることも困難である。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板上に、信号線と、画素電極と陰極との間に設けられた発光層を有する発光素子と、前記画素電極と電気的に接続された電源線と、前記電源線に接続された複数の第１の外部接続端子と、を有し、前記複数の第１の外部接続端子は、前記発光素子を備えた実表示領域の外側に設けられており、前記電源線および前記複数の第１の外部接続端子の各々の幅は、前記信号線の幅よりも大きく、前記複数の第１の外部接続端子の各々の幅は、前記電源線の幅よりも小さく、前記複数の第１の外部接続端子の各々は、前記電源線の幅内に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記信号線と交差するように設けられた走査線と、前記走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路に走査線駆動回路用制御信号を供給する走査線駆動回路用制御信号配線と、前記走査線駆動回路用制御信号配線に電気的に接続される第２の外部接続端子と、を有し、前記走査線駆動回路用制御信号配線の幅と、前記第２の外部接続端子の幅とは、同じであることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記信号線の幅は、前記走査線駆動回路用制御信号配線および前記第２の外部接続端子の幅よりも小さいことを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記信号線は、前記第３の外部接続端子に電気的に接続されており、前記信号線の幅と、前記第３の外部接続端子の幅とは、同じであることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素領域が設けられた実表示領域と、複数の信号線と、前記複数の信号線との交点に応じて前記複数の画素領域が設けられるように形成された複数の走査線と、前記画素領域に駆動電流を供給する、前記複数の信号線の各々の幅よりも広い電源線と、前記複数の走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路に走査線駆動回路用制御信号を供給する走査線駆動回路用制御信号配線と、前記実表示領域の外側に配置され、前記走査線駆動回路用制御信号配線に接続される第１外部接続端子と、を有し、前記第１外部接続端子の幅は、前記走査線駆動回路用制御信号配線の幅と同じであることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記実表示領域の外側に配置され、前記電源線に接続される複数の第２外部接続端子を備え、前記複数の第２外部接続端子の各々の幅は、前記電源線の幅よりも狭いことを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記実表示領域の外側に配置され、前記複数の信号線の各々に接続される複数の第３外部接続端子を備え、前記複数の第３外部接続端子の各々の幅は、前記複数の信号線の各々の幅と同じであることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１外部接続端子、前記第２外部接続端子、及び前記第３外部接続端子には、それぞれ凸部が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１外部接続端子、前記第２外部接続端子、及び前記第３外部接続端子の表面には、それぞれ複数の凹部が形成されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の電気光学装置を備えることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点による電気光学装置は、第１外部接続端子に接続してなる第１配線と、当該第１配線の幅より広い第２配線とが少なくとも形成された電気光学装置において、前記第２配線に対して複数の第２外部接続端子が設けられていることを特徴としている。
この発明によれば、第１配線よりも幅広の第２配線に対しては、外部接続端子が複数設けられているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件を固着部全体に亘って均一化することができる。このため、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができ、その結果として、固着部における電気的抵抗の不均一性に起因する表示ムラ及びコントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない。
また、本発明の第１の観点による電気光学装置は、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子には、凸部が形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、第１配線及び第２配線に対して設けられる第１外部接続端子及び第２外部接続端子の何れにも凸部が形成されており、例えば異方性導電膜で配線が施された基板を表示基板に固着させるときには、異方性導電膜に含まれる導電粒子が、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の両端からはみ出す割合が少なくなり、逆に外部接続端子上に留まる割合が上昇するため、固着部における電気的抵抗を低減する上で極めて好適であ
る。
また、本発明の第１の観点による電気光学装置は、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子の表面には複数の凹部が形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の表面に形成された複数の凹部により、第１外部接続端子及び第２外部接続端子がいわば複数の電極として分割した構成となっているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件をより均一化することができる。
また、本発明の第１の観点による電気光学装置は、前記第２外部接続端子の幅がほぼ等しいことを特徴としている。
この発明によれば、第２外部接続端子の幅がほぼ等しく設定されているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件をより好ましい状態に設定することができる。
また、本発明の第１の観点による電気光学装置は、前記第１配線と同程度の幅を有する第１中継配線と、前記第２配線と同程度の幅を有する第２中継配線とが形成され、前記第１外部接続端子を介して前記第１配線と前記第１中継配線とが電気的に接続され、前記第２外部接続端子を介して前記第２配線と前記第２中継配線とが電気的に接続された中継基板を有することを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点による電気光学装置は、複数の発光素子と、信号線を介して供給される信号に応じて電源線を介して供給される電流を各前記発光素子に供給するスイッチング素子とが形成された電気光学装置において、前記電源線の幅は前記信号線の幅より広く形成されており、前記電源線に対して複数の第１外部接続端子が設けられていることを特徴としている。
この発明によれば、発光素子からの発光を得るため大電流を供給する必要から幅広に形成された電源線と、数多くの信号を供給するために細線化及び狭ピッチかされた信号線とが混在する場合においても、幅広に形成された電源線に対しては外部接続端子が複数設けられているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件を固着部全体に亘って均一化することができる。このため、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができ、その結果として、固着部における電気的抵抗の不均一性に起因する表示ムラ及びコントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない。
また、本発明の第２の観点による電気光学装置は、前記第１外部接続端子及び前記信号線に対して設けられる第２外部接続端子には、凸部が形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、電源線及び信号線に対して設けられる第１外部接続端子及び第２外部接続端子の何れにも凸部が形成されており、例えば異方性導電膜で配線が施された基板を表示基板に固着させるときには、異方性導電膜に含まれる導電粒子が、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の両端からはみ出す割合が少なくなり、逆に外部接続端子上に留まる割合が上昇するため、固着部における電気的抵抗を低減する上で極めて好適である。
また、本発明の第２の観点による電気光学装置は、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子の表面には複数の凹部が形成されていることを特徴とする請求項６又は請求項７記載の電気光学装置。
この発明によれば、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の表面に形成された複数の凹部により、外部接続端子がいわば複数の電極として分割した構成となっているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件をより均一化することができる。
また、本発明の第２の観点による電気光学装置は、前記第２外部接続端子の幅がほぼ等しいことを特徴としている。
また、本発明の第２の観点による電気光学装置は、前記信号線と同程度の幅を有する第１中継配線と、前記電源線と同程度の幅を有する第２中継配線とが形成され、前記第１外部接続端子を介して前記信号線と前記第１中継配線とが電気的に接続され、前記第２外部接続端子を介して前記電源線と前記第２中継配線とが電気的に接続された中継基板を有することを特徴としている。
また、本発明の第２の観点による電気光学装置は、前記第１外部接続端子及び前記第１中継配線、並びに、前記第２外部接続端子及び前記第２中継配線が異方性導電膜により固着されていることが好ましい。
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の電気光学装置を備えることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態による電気光学装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図２】異方性導電膜４０により中継基板３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図４】本実施形態の電気光学装置の平面模式図である。
【図５】図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【図６】図４に示した固着部６５付近の上面図である。
【図７】図６中のＢ−Ｂ'線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図である。
【図８】図７中の外部接続端子７０の拡大図である。
【図９】本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１０】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【図１１】従来の電気光学装置の配線構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態による電気光学装置を模式的に示す分解斜視図である。図１に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、大別すると表示基板２０と、表示基板２０に接続される中継基板３０とから構成される。表示基板２０は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。
【００１７】
この表示基板２０には、複数の走査線２１が形成されており、この走査線２１に交差する方向に延びる複数の信号線２２が形成されている。また、表示基板２０には、発光素子が複数形成された表示素子２０ａが設けられている。更に、図１においては図示を省略しているが、表示基板２０には電源線及び陰極が形成されている。また、表示基板２０の一端には、走査線２１、信号線２２、並びに不図示の電源線及び陰極各々に対する外部接続端子２７が形成されている。
【００１８】
尚、図１に示した電気光学装置１０は、あくまでも主要な構成を模式的に示したものであり、実際の走査線２１、信号線２２、及び外部接続端子２７は、極めて狭い間隔をもって多数が表示基板２０上にそれぞれ形成されている点に注意されたい。また、外部接続端子２７と走査線２１との接続状態との接続状態も図１においては図示を省略している。
【００１９】
中継基板３０は、可撓性を有するベース基板３１上に複数の配線３２が形成されており、更に中継基板３０の所定位置に半導体チップ３３を搭載した構成である。配線３２の一端には、表示基板２０に形成された走査線２１及び信号線２２等の配線と電気的に接続するための外部接続端子３４が形成されている。尚、図１では、中継基板３０上に半導体チップ３３のみが実装された構成であるが、半導体チップ３３が実装される部位以外の部位の所定位置に抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品を実装しても良い。また、中継基板３０に形成される配線３２及び外部接続端子３４も、その構造の理解を容易にするために、間隔を拡大して模式的に示すとともに、構造を簡略化して図示してある。
【００２０】
図１に示すように、中継基板３０は、異方性導電膜４０を介して表示基板２０に固着される。このとき、中継基板３０の外部接続端子３４は異方性導電膜４０を介して表示基板２０の外部接続端子２７と電気的に接続される。この異方性導電膜４０は、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば、図２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂４１ａの中に多数の導電粒子４１ｂを分散させることによって形成される。
【００２１】
図２は、異方性導電膜４０により中継基板３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図である。図２に示すように、表示基板２０に形成された外部接続端子２７と中継基板３０に形成された外部接続端子３４との間に導電粒子４１ｂが挟持されるため、外部接続端子２７と中継配線である外部接続端子３４との間が電気的に接続されることになる。一方、外部接続端子２７及び外部接続端子３４が形成されている部位以外の部位においては、導電粒子４１ｂが挟持されていても、接続端子が存在しないため、導通は取れていない。このようにして、外部接続端子２７及び外部接続端子３４との間のみで導通をとることができる。
【００２２】
異方性導電膜４０を用いて表示基板２０と中継基板３０とを固着させるには、表示基板２０を表面が粗面とされた案内板を有する載置台（何れも図示省略）上に配置し、表示基板２０を真空吸着する。このとき、少なくとも表示基板２０に対して中継基板３０が固着される部位が案内板の上方に位置するように表示基板２０を載置台上に載置する。ここで、表面が粗面とされた案内板を用いるのは、案内板と表示基板２０の接触面積を低減して案内板からの熱放散を抑えることで、表示基板２０に加える温度を低下させるためである。
【００２３】
表示基板２０の載置台上への載置が完了すると、中継基板３０が固着される表示基板２０の部位に異方性導電膜４０を貼付し、更に、半導体チップ３３が搭載された面を下側にして、外部接続端子３４が異方性導電膜４０の上方に位置するように中継基板３０の位置合わせを行う。以上の工程が終了すると、図示しない加熱加圧ヘッドを用いて外部接続端子３４が形成されている面の裏面を加熱・加圧して、外部接続端子３４と表示基板２０に形成されている外部接続端子２７との導通をとるとともに、中継基板３０を表示基板２０に固着させる。このとき、加熱加圧ヘッドから中継基板３０及び表示基板２０に加える温度は百数十〜数百℃程度であり、加える圧力は数メガパスカルである。以上の工程を経ることにより、中継基板３０を表示基板２０に固着させることができる。
【００２４】
次に、本実施形態の電気光学装置１０の配線構造の詳細について説明する。図３は、本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。図３に示したように電気光学装置１０は、複数の走査線２１と、走査線２１に対して交差する方向に延びる複数の信号線２２と、信号線２２に並行して延びる複数の発光用電源配線２３とがそれぞれ配線されており、走査線２１及び信号線２２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２５】
各信号線２２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３３ａが接続されている。また、各信号線２２には、薄膜トランジスタを備える検査回路２５が接続されている。更に、各走査線２１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２４が接続されている。
【００２６】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ５２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ５３、画素電極５１、発光層５０、及び陰極２６が設けられる。スイッチング薄膜トランジスタ５２は、そのゲート電極に走査線２１が接続されており、走査線２１から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、スイッチング薄膜トランジスタ５２を介して信号線２２から供給される画像信号を保持する。
【００２７】
カレント薄膜トランジスタ５３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ５２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電極５１は、カレント薄膜トランジスタ５３に接続されており、カレント薄膜トランジスタ５３を介して発光用電源配線２３に電気的に接続したときに発光用電源配線２３から駆動電流が流れ込む。発光層５０は画素電極５１と陰極２６との間に挟み込まれている。
【００２８】
上記、発光層５０には、赤色に発光する発光層５０Ｒ、緑色に発光する発光層５０Ｇ、及び青色に発光する発光層５０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ５３を介して各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに接続される発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路３３ｃに接続されている。各色毎に発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが配線されているのは、発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００２９】
また、本実施形態の電気光学装置においては、陰極２６と発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂとの間に静電容量Ｃ1が形成されている。電気光学装置１０が駆動するとこの静電容量Ｃ1に電荷が蓄積される。電気光学装置１０の駆動中に各発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線２３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置１０の画像表示を正常に保つことができる。
【００３０】
尚、この電気光学装置１０においては、走査線２１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ５２がオン状態になると、そのときの信号線２２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ５３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ５３のチャネルを介して、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂから画素電極５１に駆動電流が流れ、更に発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを介して陰極２６に電流が流れる。このとき、発光層５０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層５０から得られる。
【００３１】
次に、本実施形態の電気光学装置１０の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図であり、図５は、図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。図４に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、基板６０、不図示の画素電極群領域、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）、及び表示画素部６１（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。
【００３２】
基板６０は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図３に示したカレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極（図示省略）を基板６０上にマトリックス状に配置した領域である。発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）は、図４に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続されている。表示画素部６１は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状である。この表示画素部６１は、中央部分の実表示領域（又は、有効表示領域ともいう）６２（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域６２の外側に配置されたダミー領域６３（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３３】
また、実表示領域６２の図中両側には、走査線駆動回路２４が配置されている。この走査線駆動回路２４はダミー領域６３の下層側（基板６０側）に位置して設けられている。更に、ダミー領域６３の下層側には、走査線駆動回路２４に接続される走査線駆動回路用制御信号配線２４ａと走査線駆動回路用電源配線２４ｂとが設けられている。また更に、実表示領域６２の図中上側には、前述の検査回路２５が配置されている。この検査回路２５はダミー領域６３の下層側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路２５により、製造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３４】
図４に示すように、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、ダミー領域６３の周囲に配設されている。各発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、基板６０の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線２４ａに沿って図４中上方に延在し、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが途切れた位置から折曲してダミー領域６３の外側に沿って延在し、実表示領域６２内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板６０には、陰極２６に接続される陰極用配線２６ａが形成されている。この陰極用配線２６ａは、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００３５】
次に、図５に示すように、基板６０上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部６１が形成されている。また、基板６０には、表示画素部６１を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に表示画素部６１上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板６０に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、表示画素部６１と封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３６】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ５３と、カレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極５１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ５３は、基板６０上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、画素電極５１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。カレント薄膜トランジスタ５３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ５２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省略している。更に、図５においては、信号線２２の図示を省略している。
【００３７】
次に、図５において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路２４が設けられている。図４に示した走査線駆動回路２４には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ２４ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ２４ｃは、画素電極５１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。尚、図５においては、検査回路２５の図示を省略しているが、この検査回路２５にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。検査回路２５に備えられている薄膜トランジスタは、後述するダミー画素電極５１'に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。
【００３８】
図５に示すように、走査線駆動回路２４の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが形成されている。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線駆動回路用電源配線２４ｂが形成されている。また、走査線駆動回路用電源配線２４ｂの外側には、発光用電源配線２３が形成されている。この発光用電源配線２３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用しており、前述したように表示画素部６１の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
【００３９】
例えば、図５中左側にある赤色用の発光用電源配線２３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線２３Ｒ1上に形成された第２配線２３Ｒ2とから構成されている。第１配線２３Ｒ1及び第２配線２３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｒ3により接続されている。このように、第１配線２３Ｒ1は、陰極用配線２６ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線２３Ｒ1と陰極用配線２６ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。また、図５に示す通り、陰極用配線２６ａはコンタクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線２６ｂと電気的に接続されおり、いわば陰極用配線２６ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線２３Ｒ2は、陰極用配線２６ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線２３Ｒ2と陰極用配線２６ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をとることで、第１配線２３Ｒ1と陰極用配線２６ａとの間、及び、第２配線２３Ｒ2と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４０】
同様に、図５の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線２３Ｇ，２３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｇ1，２３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２３Ｇ2，２３Ｂ2とから構成され、第１配線２３Ｇ1，２３Ｂ1及び第２配線２３Ｇ2，２３Ｂ2は、図４に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｇ3，２３Ｂ3により接続されている。そして、青色の第１配線２３Ｂ1と陰極用配線２６ａの間、及び、青色の第２配線２３Ｂ2と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４１】
第１配線２３Ｒ1と第２配線２３Ｒ2との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線２２及び走査線２１のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例えば、実表示領域６２内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極５１に書き込む事ができないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線２３Ｒ1及び第２配線２３Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板６０が割れる恐れが生じる。
【００４２】
また、各発光用電源配線２３Ｒの上側には、表示画素部６１から延出した陰極２６が形成されている。これにより、各発光用電源配線２３Ｒの第２配線２３Ｒ2が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極２６と対向配置され、これにより第２配線２３Ｒ2と陰極２６との間に前述の第１の静電容量Ｃ1が形成される。ここで、第２配線２３Ｒ2と陰極２６との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線２３Ｒ2と陰極２６に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板６０が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むと膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００４３】
このように、表示基板２０には、発光用電源配線２３と陰極２６との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線２３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線２３と陰極２６とが表示画素部６１の外側で対向しているので、発光用電源配線２３と陰極２６との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源配線２３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷も発光用電源配線２３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００４４】
次に、表示画素部６１の実画素領域６２には、発光層５０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されている。発光層５０は図５に示すように、画素電極５１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極５１及び各発光層５０の間に備えられており、各発光層５０を区画している。バンク部１２２は、基板６０側に位置する無機物バンク層１２２ａと基板６０から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００４５】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極５１の周縁部上に乗上げるまで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂよりも画素電極５１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００４６】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極２６のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極２６と画素電極５１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。このようにして、発光層５０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００４７】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極５１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００４８】
発光層５０は、画素電極５１上に積層された図示せぬ正孔注入／輸送層上に積層されている。尚、本明細書では、発光層５０及び正孔注入／輸送層を含む構成を機能層といい、画素電極５１、機能層、及び陰極２６含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層は、正孔を発光層５０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層を画素電極５１と発光層５０の間に設けることにより、発光層５０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層５０では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極２６からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層５０は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図３及び図４に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００４９】
次に、図５に示したように、表示画素部６１のダミー領域６３には、ダミー発光層２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板６０側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板６０から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極５１'の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極５１の間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極５１'上に形成されている。
【００５０】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層及び発光層５０と同様である。従って、上記の発光層５０と同様に、ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００５１】
ダミー領域６３を実表示領域６２の周囲に配置することにより、実表示領域６２の発光層５０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域６３を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物インクの乾燥条件を実表示領域６２内で一定にすることができ、実表示領域６２の周縁部で発光層５０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００５２】
次に、陰極２６は、実表示領域６２とダミー領域６３の全面に形成されるとともにダミー領域６３の外側にある基板６０上まで延出され、ダミー領域６３の外側、即ち表示画素部６１の外側で発光用電源配線２３と対向配置されている。また陰極２６の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線２６ａに接続されている。陰極２６は、画素電極５１の対向電極として発光層５０に電流を流す役割を果たす。この陰極２６は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層２６ｂと反射層２６ｃとが積層されて構成されている。陰極２６のうち、反射層２６ｃのみが表示画素部６１の外側まで延出されている。反射層２６ｃは、発光層５０から発した光を基板６０側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層２６ｃ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００５３】
また、図４に示すように、基板６０の一端には前述した異方性導電膜４０を用いて中継基板３０が固着されている。尚、中継基板３０上に搭載された半導体チップ３３には、図３に示したデータ側駆動回路３３ａ、陰極用電源回路３３ｂ、及び発光用電源回路３３ｃが内蔵されている。図４中の破線で囲った部分は、表示基板２０と中継基板３０との固着部を示している。図６は、図４に示した固着部６５付近の上面図である。尚、図６においては、異方性導電膜４０及び中継基板３０の図示を省略している。
【００５４】
図６に示したように、固着部６５においては、線幅の細い配線各々に対して配線の幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子が設けられ、幅広の配線に対しては線幅よりも幅の狭い複数の第２外部接続端子が設けられる。例えば、線幅の細い走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの各々に対しては、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの線幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子６７，６８，６９が設けられる。一方、幅が広い発光用電源配線２３Ｒに対しては、発光用電源配線２３Ｒの線幅よりも幅の狭い第２外部接続端子６６ａ，６６ｂ，６６ｃが設けられる。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａよりも幅が狭い信号線２２に対しては、信号線２２と同程度の線幅を有する第２外部接続端子７０がそれぞれ設けられる。尚、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数は、基板６０に形成される配線の線幅に応じて適宜設定される。
【００５５】
このように、基板６０に形成された配線の線幅に応じて第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数を変えるのは、固着部６５の全面に亘って圧着条件を極力同一にするためである。つまり、図１及び図２を用いて説明したように、表示基板１０と中継基板２０とは異方性導電膜４０により固着されるが、固着条件（例えば、端子の幅、接着面積、圧力の掛かり具合等）が異なると固着部６５内部における電気的抵抗がその位置に応じて異なる。固着部６５における電気的抵抗が位置に応じて異なると、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を生ずる。このために、固着部６５において、基板６０に形成された配線の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより圧着条件を極力同一にしている。更に、複数の外部接続端子を設けることにより、接着面積を増大させることができる。即ち、複数の外部接続端子ｎ間に異方性導電膜を配置することができるので、強固な接着が可能となる。
【００５６】
次に、固着部６５に形成される外部接続端子の構造について詳細に説明する。図７は、図６中のＢ−Ｂ'線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図であり、図８は、図７中の外部接続端子７０の拡大図である。図７及び図８に示すように、基板６０上には下地保護層２８１が形成されており、この下地保護層２８１上にＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層７１が形成されている。このゲート絶縁層７１は、図示しない薄膜トランジスタのチャネル領域とゲート電極とを電気的に絶縁するために形成されるものである。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとする。
【００５７】
ゲート絶縁層７１上には信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒが形成されており、更に信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒ上に第２層間絶縁層２８３が形成されている。また、発光用電源配線２３、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａは、図３に記載の走査線２１と同時に形成される。
【００５８】
上記第２層間絶縁層２８３には、信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒの上部位置にコンタクトホールＨが複数形成されている。また、発光用電源配線２３Ｒの上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７３が形成され、信号線２２の上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７４，７５が形成されている。
【００５９】
これらの電極７３，７４，７５は、コンタクトホールＨを形成した後でスパッタリング法等により形成されるため、コンタクトホールＨの上部にはコンタクトホールＨ内に堆積した金属材料の分だけ表面に凹部Ｂが形成される。このようにして、コンタクトホールＨを介して、第２層間絶縁層２８３に覆われた発光用電源配線２３Ｒと第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４との導通、及び、第２層間絶縁層２８３に覆われた信号線２２と第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４，７５の導通がとられる。
【００６０】
また、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７３，７４，７５の端部、側部、及びこれらの電極７３，７４，７５間には、電気的な絶縁を目的としたＳｉＮ等の無機材料からなる第１層間絶縁層２８４が形成されている。電極７３，７４，７５の上部、側部、及び周辺部には、ＩＴＯ等からなる透明電極７７が形成され、更に電極７３，７４，７５の周辺部に形成された透明電極７７及び第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０間にはＳｉＯ2からなる保護層７８が形成されている。尚、電極７３，７４，７５は、図３に記載されているゲート線と同時に形成され、又、透明電極７７は、ＩＴＯにより形成され、画素電極（陽極）と同時に形成される。
【００６１】
図７及び図８に示すように、本実施形態の電気光学装置に設けられる第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面には複数の凹部Ｂが形成されされており、この凹部Ｂにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０をいわば複数の電極として分割した構成となっている。図６に示したように、発光用電源配線２３Ｒ及び信号線２２の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより、固着部６５における固着条件の均一化を図っているが、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面に複数の凹部Ｂが形成されているため、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０は更に複数の電極に分割されたものとなり、固着条件の均一化を図る上で極めて好適である。
【００６２】
また、電極７３，７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４を形成することにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の端部に凸部７９が形成される。この凸部７９は、異方性導電膜４０を用いて表示基板１０と中継基板２０とを固着する際に、異方性導電膜４０に含まれる導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の側部にはみ出るのを防止するように作用する。その結果、より多くの導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０上に配置されることになるため、固着部６５における電気的抵抗を低減する極めて優れた構造である。
【００６３】
以上説明した本実施形態の表示基板２０は、固着部６５において圧着条件を均一化するための構成が設けられているため、固着部６５に固着される中継基板３０に形成される外部接続端子３４は、図６に示す発光用電源配線２３Ｒ及び走査線駆動回路用制御信号配線２４ａ等と同様の線幅で形成されていても良い。しかしながら、より均一な圧着条件下で中継基板３０と表示基板２０とを固着するには、固着部６５に形成された第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０等と同様のパターンであることが好適である。
【００６４】
以上、本発明の一実施形態による電気光学装置について説明したが、以上説明した電気光学装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図９に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図９は、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図９において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボードである。図１０は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１０に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【００６５】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００６６】
以上説明したように、本発明によれば、第１配線よりも幅広の第２配線に対しては、第２外部接続端子が複数設けられているため、配線が施された基板を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力の掛かり具合等の圧着条件を固着部全体に亘って均一化することができるという効果がある。このため、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができ、その結果として、固着部における電気的抵抗の不均一性に起因する表示ムラ及びコントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがないという効果がある。
【符号の説明】
【００６７】
１０…電気光学装置、２０…表示基板、２２…信号線（第１配線）、２３，２３Ｒ…発光用電源配線（第２配線、電源線）、２４ａ…走査線駆動回路用制御信号配線（第１配線）、３０…中継基板、４０…異方性導電膜、５０…発光素子、５３…スイッチング素子、６６ａ，６６ｂ，６６ｃ…第２外部接続端子、６７，６８，６９，７０…第１外部接続端子、７９…凸部、Ｂ…凹部。
【図１】
0005353969.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005353969.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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