(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の電気素子と、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜と、を備える電気素子デバイスにおいて、
前記電気素子に重なる領域を覆うように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜を露出させるように、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜が設けられ、
前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極が形成されていることを特徴とする電気素子デバイス。
【請求項２】
前記第２の保護絶縁膜は透明であることを特徴とする請求項１に記載の電気素子デバイス。
【請求項３】
前記電気素子は受光素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気素子デバイス。
【請求項４】
基板に複数の電気素子を形成し、
前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜を成膜し、
前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜を貼着し、
前記電気素子に重なる領域の前記第２の保護絶縁膜が残存するように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜が露出するように、前記第２の保護絶縁膜をパターニングし、
前記パターニングした第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極を形成することを特徴とする電気素子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気素子デバイス及び電気素子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置として、複数のフォトセンサを基板上にマトリクス状に配置した固体撮像デバイスが知られている。固体撮像デバイスはそれぞれのフォトセンサで光の強度を検知することによって被写体の像を取得するようになっている。
【０００３】
フォトセンサとしては、例えばダブルゲートトランジスタ等が用いられる。ダブルゲートトランジスタは半導体層に入射した光の強度を検知するため、半導体層に対向したトップゲート電極が透明な金属酸化物であるＩＴＯで形成されており、窒化シリコン等の透明な保護絶縁膜により被覆されている。
【０００４】
一般的に、固体撮像デバイスは、被写体から離れて、レンズを介して被写体の反射光を入射することによって被写体の像を取得するために用いられているが、近年では、例えば指紋認証のように、保護絶縁膜に被写体が接触した状態で被写体の像を取得する用途にも固体撮像デバイスが用いられている。
【０００５】
このように固体撮像デバイスで指紋を読み取る場合、被写体である指先が固体撮像デバイスに接触するため、指先の汗が保護絶縁膜に付着する。保護絶縁膜に欠陥がない場合には、特に問題ないが、保護絶縁膜に微小なパーティクルによるピンホール等の欠陥が存在する場合には、汗が欠陥を通じてフォトセンサに浸透して、フォトセンサ特にトップゲート電極が汗の成分であるナトリウムイオン等によって腐食するおそれがある。また、汗に限らず、酸素、水分、その他の悪影響物質が保護絶縁膜の欠陥を通じて電気素子に浸透するおそれもある。
【０００６】
保護絶縁膜に欠陥のある固体撮像デバイスは、製品として不良品であるため、製造工程において保護絶縁膜に欠陥がある固体撮像デバイスを選別し除去することが行われる。例えば、図４に示すように、ダブルゲートトランジスタ１０３をフォトセンサとして用いる固体撮像デバイス１１０の製造工程は以下の通りとなる。
【０００７】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１０２上にボトムゲート電極、ボトムゲート絶縁膜、半導体膜、チャネル保護膜、不純物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極、層間絶縁膜、トップゲート電極からなるダブルゲートトランジスタ１０３及び保護絶縁膜１０４を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０２の端部において保護絶縁膜１０４を除去し、ダブルゲートトランジスタ１０３のトップゲート電極１３０と電気的に接続されるトップゲートライン１４４を露出させ、スクリーニング装置（図５参照）を用いてスクリーニングを行う。その後、端子部１６０の保護絶縁膜１０４への穴あけ（図４（ｃ））、ダブルゲートトランジスタ１０３の上部を覆う静電保護電極１０６及び端子部１６０を覆う電極１６１の形成（図４（ｄ））を行い、次工程に送るという製造プロセスをとっている。
【０００８】
スクリーニングには、図５に示すスクリーニング装置１００を用いることができる。図５に示すように、基板１０２の端部においてトップゲートライン１４４が露出した固体撮像デバイス１１０を直流電源１０１の負極に接続された陰極クリップ１１５により挟持し、白金等の陽極棒１１１を直流電源１０１の正極に接続された陽極クリップ１１４により挟持し、電解槽１１３内の電解液１１２中に固体撮像デバイス１１０及び陽極棒１１１を入れ、電流を流す方法がある（特許文献１参照）。保護絶縁膜１０４に欠陥がある場合には、欠陥から電解液１１２が浸透し、トップゲート電極１３０に腐食が生じ、光の透過率や電気抵抗率が変化する。保護絶縁膜１０４に存するピンホールのような欠陥は視認できる程大きくないため、トップゲート電極１３０に腐食を生じさせることにより欠陥を検出し、不良品を除去することができる。
【特許文献１】特開２００４−１８４２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、スクリーニングでは不良品を除去することができるものの、歩留まりを向上させることはできなかった。
本発明の課題は、保護絶縁膜の欠陥による不良品を減らし、歩留まりを向上させることができる撮像装置及び撮像装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、基板に形成された複数の電気素子と、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜と、を備える電気素子デバイスにおいて、前記電気素子に重なる領域を覆うように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜を露出させるように、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜が設けられ、前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極が形成されていることを特徴とする。 
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電気素子デバイスにおいて、前記第２の保護絶縁膜は透明であることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の電気素子デバイスにおいて、前記電気素子は受光素子であることを特徴とする。 
【００１４】
請求項４に記載の発明は、電気素子デバイスの製造方法であって、基板に複数の電気素子を形成し、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜を成膜し、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜を貼着し、前記電気素子に重なる領域の前記第２の保護絶縁膜が残存するように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜が露出するように、前記第２の保護絶縁膜をパターニングし、前記パターニングした第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極を形成することを特徴とする。 
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、第１の保護絶縁膜の欠陥による不良品を減らし、歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明に係る固体撮像デバイス１０全体を示した平面図であり、図２は本発明に係る固体撮像デバイス１０の一構成例を示す要部断面図である。図２に示すように、本構成例における固体撮像デバイス１０は、大別して、ダブルゲートトランジスタ３をマトリクス状に配列して構成されるアレイ領域と、アレイ領域の周辺部に配置され、ドライバ等の周辺回路との電気的な接続が行われる端子部領域とを有している。固体撮像デバイス１０のアレイ領域は、基板２と、複数のダブルゲートトランジスタ３，３，・・・（受光素子）と、ボトムゲート絶縁膜２２と、層間絶縁膜２９と、第１の保護絶縁膜４と、第２の保護絶縁膜５と、静電保護電極６と、等を備える。
【００２３】
基板２は略平板状であり、絶縁性を有し、石英ガラス等といったガラス基板又はポリカーボネート等といったプラスチック基板である。
【００２４】
ダブルゲートトランジスタ３は、基板２の一方の面上にｎ行ｍ列のマトリクス状に配列され、画素となる電気素子である。ここで、ｎ、ｍは整数であり、図１ではｎ＝ｍ＝８である。それぞれのダブルゲートトランジスタ３は基板２、ボトムゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２９、第１の保護絶縁膜４の間に形成され、ボトムゲート電極２１と、半導体膜２３と、チャネル保護膜２４と、不純物半導体膜２５，２６と、ドレイン電極２７と、ソース電極２８と、トップゲート電極３０と、を具備する。
【００２５】
基板２上には、ボトムゲート電極２１がダブルゲートトランジスタ３ごとにマトリクス状となって形成されている。また、基板２上には横方向に延在するｎ本のボトムゲートライン４１，４１，・・・が形成されており、横方向に配列された同一行の各ダブルゲートトランジスタ３のボトムゲート電極２１は共通のボトムゲートライン４１と一体となって形成されている。ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００２６】
ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１上には、全てのダブルゲートトランジスタ３，３，・・・に共通したボトムゲート絶縁膜２２が形成されている。ボトムゲート絶縁膜２２は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２７】
ボトムゲート絶縁膜２２上には、半導体膜２３がボトムゲート電極２１と対向してダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングされて形成されている。半導体膜２３は、平面視して略矩形状を呈しており、アモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜２３の中央部上には、チャネル保護膜２４が形成されている。チャネル保護膜２４は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜２３の表面を保護する機能を有し、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。半導体膜２３に光が入射すると、光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜２４と半導体膜２３との界面付近を中心に発生するようになっている。
【００２８】
半導体膜２３の一端部上には、不純物半導体膜２５が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されており、半導体膜２３の他端部上には、不純物半導体膜２６が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜２５，２６は半導体膜２３の両端部上に互いに離間して形成される。不純物半導体膜２５，２６は、ｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン（ｎ+シリコン）からなる。
【００２９】
不純物半導体膜２５上には、ダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングされたドレイン電極２７が形成されている。不純物半導体膜２６上には、ダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングされたソース電極２８が形成されている。また、縦方向に延在するｍ本のドレインライン４２，４２，・・・及びソースライン４３，４３，・・・がボトムゲート絶縁膜２２上に形成されており、縦方向に配列された同一列の各ダブルゲートトランジスタ３のドレイン電極２７は共通のドレインライン４２と一体に形成されており、縦方向に配列された同一列の各ダブルゲートトランジスタ３のソース電極２８は共通のソースライン４３と一体に形成されている。ドレイン電極２７、ソース電極２８、ドレインライン４２及びソースライン４３は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００３０】
全てのダブルゲートトランジスタ３，３，・・・のチャネル保護膜２４、ドレイン電極２７及びソース電極２８並びにドレインライン４２，４２，・・・及びソースライン４３，４３，・・・上には、全てのダブルゲートトランジスタ３，３，・・・に共通した層間絶縁膜２９が形成されている。層間絶縁膜２９は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００３１】
層間絶縁膜２９上には、ダブルゲートトランジスタ３ごとにトップゲート電極３０が半導体膜２３に対向するようにパターニングされて形成されている。また、層間絶縁膜２９上には横方向に延在するｎ本のトップゲートライン４４が形成されており、横方向に配列された同一行の各ダブルゲートトランジスタ３のトップゲート電極３０は共通のトップゲートライン４４と一体に形成されている。
【００３２】
トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４は、透光性を有した金属酸化物等といった透明導電体であり、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。
【００３３】
全てのダブルゲートトランジスタ３，３，・・・のトップゲート電極３０及びトップゲートライン４４上には、共通の第１の保護絶縁膜４が形成されている。第１の保護絶縁膜４は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
以上のように構成されたダブルゲートトランジスタ３は、半導体膜２３を受光部とした光電変換素子である。
【００３４】
本発明においては、第１の保護絶縁膜４上にダブルゲートトランジスタ３ごとにトップゲート電極３０を覆うように、第２の保護絶縁膜５が形成されている。
第２の保護絶縁膜５は、透光性を有した透明絶縁体であり、例えば透明な感光性樹脂フィルムをパターニングすることにより形成することができる。透明な感光性樹脂フィルムの例としては、アクリルフィルム等が挙げられる。アクリルフィルムをフィルムラミネートし、露光、現像、焼成することで第２の保護絶縁膜５が形成される。
【００３５】
第１の保護絶縁膜４に微小なパーティクルによるピンホール等の欠陥が存在する場合であっても、第１の保護絶縁膜４上に第２の保護絶縁膜５を設けることで欠陥を塞ぐことができる。これによりトップゲート電極３０の腐食を防止することができる。
なお、第１の保護絶縁膜４の欠陥を確実に塞ぐために、第２の保護絶縁膜５の厚さは４μｍ以上であることが好ましい。一方、第２の保護絶縁膜５が厚すぎると画像がぼけ、撮像性能が低下するため、１０μｍ以下であることが好ましい。
【００３６】
静電保護電極６は、第２の保護絶縁膜５を覆うように形成されており、ダブルゲートトランジスタ３を静電気から保護する。静電保護電極６は、透光性を有した金属酸化物等といった透明導電体であり、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。
【００３７】
また、端子部領域にはボトムゲート電極から延在するボトムゲートラインの端部に形成されたボトムゲート端子部Ｐｂと、ドレイン電極から延在するドレインラインの端部に形成されたドレイン端子部Ｐｄと、ソース電極から延在するソースラインの端部に形成されたソース端子部（図示せず）と、トップゲート電極から延在するトップゲートラインの端部に形成されたトップゲート端子部Ｐｔと、が各々所定のピッチで配列されている。
【００３８】
平面視して、ボトムゲートライン４１，４１，・・・は、ダブルゲートトランジスタ３，３，・・・がマトリクス状に配列されている画像入力領域の外部まで延在している。ボトムゲートライン４１の端部に重なった場所のボトムゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２９及び第１の保護絶縁膜４にはコンタクトホール５１が形成されている。図２に示すように、コンタクトホール５１のうち、ボトムゲート絶縁膜２２の部分には導電性の第一中間層４６が埋設され、層間絶縁膜２９の部分には第二中間層４７が埋設され、第１の保護絶縁膜４の部分には電極６１が埋設されている。
【００３９】
平面視して、ドレインライン４２，４２，・・・は、ダブルゲートトランジスタ３，３，・・・がマトリクス状に配列されている画像入力領域の外部まで延在している。ドレインライン４２，４２，・・・の端部に重なった場所の層間絶縁膜２９及び第１の保護絶縁膜４にはコンタクトホール５２が形成されている。コンタクトホール５２のうち、層間絶縁膜２９の部分には第二中間層４７が埋設され、第１の保護絶縁膜４の部分には電極６２が埋設されている。
【００４０】
平面視して、ソースライン４３，４３，・・・は、ダブルゲートトランジスタ３，３，・・・がマトリクス状に配列されている画像入力領域から電極６３に重なる箇所まで延在している。図示しないが、ソースライン４３，４３，・・・の端部に重なった場所の層間絶縁膜２９及び第１の保護絶縁膜４にはコンタクトホール５３が形成されている。コンタクトホール５３のうち、層間絶縁膜２９の部分には第二中間層４７が埋設され、第１の保護絶縁膜４の部分は電極６３により埋設されている。
【００４１】
平面視して、トップゲートライン４４，４４，・・・は、ダブルゲートトランジスタ３，３，・・・がマトリクス状に配列されている画像入力領域の外部まで延在している。トップゲートライン４４，４４，・・・の端部に重なった場所の第１の保護絶縁膜４にはコンタクトホール５４が形成されている。コンタクトホール５４には電極６４が埋設されている。
【００４２】
第一中間層４６はドレイン電極２７、ソース電極２８、ドレインライン４２及びソースライン４３と同じ材料からなり、ドレイン電極２７、ソース電極２８、ドレインライン４２及びソースライン４３と同時に形成される。第二中間層４７はトップゲート電極３０及びトップゲートライン４４と同じ材料からなり、トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４と同時に形成される。電極６１，６２，６３，６４は静電保護電極６と同じ材料からなり、静電保護電極６と同時に形成される。
【００４３】
次に、図２及び図３を用いて固体撮像デバイス１０の製造方法について説明する。
まず、スパッタ、蒸着といったＰＶＤ法又はＣＶＤ法により導電体層を透明基板２上に成膜する成膜工程の後、フォトリソグラフィー法といったマスク工程を行い、エッチング法等により導電体層を形状加工する形状加工工程を行うことによって、それぞれのダブルゲートトランジスタ３のボトムゲート電極２１並びにボトムゲートライン４１，４１，・・・をパターニングする。
【００４４】
次いで、透明基板２のほぼ全面にわたって窒化シリコン又は酸化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜２２を成膜し、更にボトムゲート絶縁膜２２上の全面にわたって半導体層を成膜し、半導体層上の全面にわたって絶縁層を成膜する。次いで、絶縁層にマスクをし、絶縁層を形状加工することによって、ダブルゲートトランジスタ３ごとにチャネル保護膜２４をパターニングし、その後にｎ型不純物を含有したアモルファスシリコン層を堆積する。そして、アモルファスシリコン層にマスクをし、アモルファスシリコン層を形状加工することによって、不純物半導体膜２５，２６をダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングするとともにその下方の半導体膜２３をダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングする。
【００４５】
次に、平面視してボトムゲートライン４１，４１，・・・の先端と重なった部分においてボトムゲート絶縁膜２２にコンタクトホール５１，５１，・・・を形成する。次に、導電体層をボトムゲート絶縁膜２２上の全面に成膜し、導電体層にマスクをして、導電体層を形状加工することによって、ドレイン電極２７及びソース電極２８をダブルゲートトランジスタ３ごとにパターニングするとともにドレインライン４２，４２，・・・及びソースライン４３，４３，・・・をパターニングし、更に各コンタクトホール５１内に第一中間層４６をパターニングする。各コンタクトホール５１内において第一中間層４６はボトムゲートライン４１に接している。
【００４６】
次いで、ドレイン電極２７及びソース電極２８等が形成されたボトムゲート絶縁膜２２の全面に層間絶縁膜２９を成膜する。次いで、各第一中間層４６に重なった箇所においてコンタクトホール５１を層間絶縁膜２９に形成するとともに、各ドレインライン４２の先端に重なった箇所においてコンタクトホール５２を層間絶縁膜２９に形成し、更には、各ソースライン４３の先端に重なった箇所においてコンタクトホール５３を層間絶縁膜２９に形成する。
【００４７】
次いで、層間絶縁膜２９の全面にＩＴＯといった透明な導電体層を成膜する。次いで、透明な導電体層にマスクをし、透明な導電体層をパターニングすることによって、ダブルゲートトランジスタ３ごとにトップゲート電極３０を形成するとともにトップゲートライン４４，４４，・・・をトップゲート電極３０と一体形成し、並びに第二中間層４７をコンタクトホール５１，５２，５３内に形成する。
【００４８】
次いで、トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４等が形成された層間絶縁膜２９の全面に第１の保護絶縁膜４を成膜する（図３（ａ））。
次いで、第１の保護絶縁膜４の全面に感光性樹脂からなるフィルムを貼りつけ、パターニングすることにより、ダブルゲートトランジスタ３のセンサエリアＡを覆う位置に透明な第２の保護絶縁膜５を形成する（図３（ｂ））。尚、第２の保護絶縁膜５は端子部領域には設けられない。
次いで、各第二中間層４７に重なった箇所においてコンタクトホール５１，５２，５３を層間絶縁膜２９に形成するとともに、各トップゲートライン４４の先端に重なった箇所においてコンタクトホール５４を第１の保護絶縁膜４に形成する（図３（ｃ））。
【００４９】
次いで、第１の保護絶縁膜４の全面にＩＴＯといった透明な導電体層を成膜する。次いで、透明な導電体層にマスクをし、透明な導電体層をパターニングすることによって、ダブルゲートトランジスタ３のセンサエリアＡを覆う第２の保護絶縁膜５を更に覆う静電保護電極６を形成するとともに、コンタクトホール５１，５２，５３，５４内に電極６１，６２，６３，６４を形成する（図２）。以上により、固体撮像デバイス１０が完成する。
【００５０】
＜スクリーニング不良率＞
第２の保護絶縁膜５の厚さとスクリーニング不良率との関係を調べるために、第２の保護絶縁膜５の厚さを変えて、図５に示すスクリーニング装置１００を用いてスクリーニングを行った。
第２の保護絶縁膜５の厚さを２μｍ、４μｍ、６μｍ、１０μｍとしてダブルゲートトランジスタ３ごとに第２の保護絶縁膜５を形成した段階（（図３（ｂ））で、基板の端部において第１の保護絶縁膜を除去し、トップゲート電極３０と電気的に接続されるトップゲートライン４４を露出させた。次に、図５のスクリーニング装置１００を用いてスクリーニングを行った。電解液１１２としては、ホウ酸アンモニウム液を用いた。印加電圧は２０Ｖ、処理時間は６時間とし、トップゲート電極に腐食を生じさせ欠陥が視認できたものを不良フォトセンサとした。
【００５１】
第２の保護絶縁膜５の厚さを２μｍとしたもののスクリーニング不良率（＝不良フォトセンサ数／１基板の全フォトセンサ数）は１９．７％であった。一方、第２の保護絶縁膜５の厚さを４μｍ、６μｍ、１０μｍとしたもののスクリーニング不良率はいずれも０％であった。第２の保護絶縁膜５の厚さを４μｍ以上とすることで、スクリーニング不良率が著しく低下することがわかる。
【００５２】
このように、本発明によれば、ダブルゲートトランジスタ３ごとに第２の保護絶縁膜５を設けることでトップゲート電極３０の腐食を防止し、第１の保護絶縁膜４の欠陥による不良品を減らすため、歩留まりを向上させることができる。また、スクリーニング工程を削減することができる。
【００５３】
なお、以上の説明では固体撮像デバイス１０を検査する方法に本発明を適用したが、他のデバイスを検査する場合にも本発明を適用しても良い。
例えば、検査対象のデバイスとしては、液晶表示パネル、有機ＥＬ表示パネル、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等が挙げられる。
【００５４】
液晶表示パネルの場合、電気素子としては、液晶層と、該液晶層を挟持した一対の対向電極（少なくとも一方が金属酸化物からなる透明電極である。）とを備える液晶素子が挙げられ、その他に、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極（少なくとも何れか一つの電極が金属酸化物からなる透明電極である。）を備えたＭＯＳ型トランジスタであっても良い。
【００５５】
有機ＥＬ表示パネルの場合、電気素子としては、一対の対向電極（少なくとも一方が金属酸化物からなる透明電極である。）と、これら対向電極の間に挟持されるとともにこれら対向電極間に印加された電圧で発光する有機化合物層と、を備えたＥＬ素子が挙げられ、その他にＭＯＳ型トランジスタが挙げられる。
【００５６】
固体撮像デバイスであるＣＣＤイメージセンサ及びＣＭＯＳイメージセンサの場合には、電気素子として、受光部であるＰＮ接合構造といった半導体と、その半導体を挟持した一対の電極（少なくとも一方が金属酸化物からなる透明電極である。）とを有するとともに、画素ごとに設けられたフォトダイオードが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る固体撮像デバイス１０全体を示した平面図である。
【図２】本発明に係る固体撮像デバイス１０における一構成例を示す要部断面図である。
【図３】（ａ）は第１の保護絶縁膜４が成膜された固体撮像デバイス１０を示す断面図であり、（ｂ）は第２の保護絶縁膜５が形成された固体撮像デバイス１０を示す断面図であり、（ｃ）はコンタクトホール５１が形成された固体撮像デバイス１０を示す断面図である。
【図４】従来の固体撮像デバイスの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は第１の保護絶縁膜まで形成した状態を示す断面図であり、（ｂ）は基板の端部において第１の保護絶縁膜を除去し、トップゲート電極と電気的に接続されるトップゲートラインを露出させた状態を示す断面図、（ｃ）は端子部の穴あけをした状態を示す断面図、（ｄ）は静電保護電極を形成した状態を示す断面図である。
【図５】固体撮像デバイスのスクリーニング装置１００を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５８】
３，１０３  ダブルゲートトランジスタ
４  第１の保護絶縁膜
１０４  保護絶縁膜
５  第２の保護絶縁膜
１０，１１０  固体撮像デバイス
６，１０６  静電保護電極
【図１】
0005262069.tif 000002
【図２】
0005262069.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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