(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の成膜用基板と、第１の電極を有する素子基板とを用意し、
前記第１の成膜用基板は、透光性を有し、かつ、一方の面に、開口部を有する反射層と、光吸収層と、前記反射層と前記光吸収層との間に設けられた第１の断熱層と、前記光吸収層上に湿式法を用いて形成した材料層と、前記光吸収層と前記材料層との間に設けられた第２の断熱層と、を有し、
前記第１の断熱層は、前記反射層と重なる領域を有し、
前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層と重なる領域を有し、
前記素子基板の前記第１の電極が形成された面と、前記第１の成膜用基板の前記材料層が形成された面とを対向して配置し、
前記第１の成膜用基板の前記材料層が形成されていない側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、前記光吸収層に接している前記材料層を加熱し、前記材料層の少なくとも一部を前記素子基板の前記第１の電極上に成膜する工程を有し、
前記第１の成膜用基板を、他の材料層が形成された第２の成膜用基板と交換し、前記工程を繰り返すことで、少なくとも前記第１の電極上に、複数の層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の断熱層の前記レーザ光に対する透過率は６０％以上であり、かつ前記第１の断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層および前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素のいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光吸収層は、金属窒化物、金属、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
透光性を有する基板上に、第１の開口部を有する反射層を有し、
前記反射層上に、第２の開口部を有する第１の断熱層を有し、
前記基板上及び前記第１の断熱層上に、光吸収層を有し、
前記光吸収層上に、第３の開口部を有する第２の断熱層を有し、
前記光吸収層上及び前記第２の断熱層上に、材料層を有し、
前記第１の開口部と、前記第２の開口部と、前記第３の開口部と、が重なる領域を有することを特徴とする成膜用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
【０００５】
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法やスピンコート法などを用いて成膜されることが多い。
【０００６】
蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板ホルダに基板を設置し、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有している。そして、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、被成膜基板を回転させ、さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさの基板でも、基板とルツボとの間の距離は１ｍ程度離す必要がある。よって、処理する基板が大型化した場合には、蒸着装置もそれ以上に大型化する必要があるため、蒸着法を用いて成膜できる基板の大きさには、現実的には限界があると考えられる。
【０００７】
また、蒸着法で、赤、緑、青の発光素子を用いてフルカラーの表示装置を作製することを考えた場合、基板と蒸発源との間に、基板と接してシャドーマスクが設置され、このマスクを介して塗り分けが実現される。
【０００８】
しかしながら、フルカラーの表示装置を作製するために用いるシャドーマスクは、開口部を精密に作製する必要があるため、非常に薄くなっている。よって、基板の大型化に従い、シャドーマスクを大型化すると、シャドーマスクがたわみ、開口部の大きさが変化するなどの問題が生じていた。また、シャドーマスクの画素部に対応する領域にシャドーマスクの強度を補強する手段を導入することは難しいため、大面積の表示領域を作製する場合には、補強手段の適用も困難となる。
【０００９】
また、表示装置の高精細化（画素数の増大）に伴う各表示画素ピッチの微細化への要望はより高まっており、さらにシャドーマスクが薄くなる傾向にある。
【００１０】
一方、被成膜基板に直接ＥＬ層をインクジェット法やスピンコート法などの湿式法より成膜する方法は、基板が大型化した場合にも対応が可能であるが、均一な膜を形成することが困難である。また、湿式法を用いる場合には、ＥＬ材料を含む組成物または溶液を塗布した後、焼成し溶媒を除去する必要がある。よって、ＥＬ材料を含む層を積層する場合には、塗布する工程と焼成する工程を繰り返す必要があり、非常に時間を要する。また、インクジェット法などの湿式法を用いて積層する場合、既に形成されている層が溶解しない溶媒を用いて成膜しなければならず、用いる材料の選択肢や積層構造の選択肢が限られてしまう。用いる材料の選択肢や積層構造の選択肢が限られてしまうと、発光素子の性能（発光効率や寿命など）が大きく制限されてしまう。よって、優れた構成の発光素子であっても発光装置に応用できないなど、発光装置の性能の向上にとって大きな障害となってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
よって、本発明は、発光装置の作製において、製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、透光性支持基板の一方の面に、光吸収層と光吸収層上に湿式法を用いて形成した第１の材料層とを有する第１の成膜用基板と、第１の電極を有する素子基板とを用い、素子基板の第１の電極が形成された面と、第１の成膜用基板の第１の材料層が形成された面とを対向して配置し、第１の成膜用基板の透光性支持基板側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層に接している材料層を加熱し、材料層の少なくとも一部を第２の基板の第１の電極上に成膜する工程を有し、第１の成膜用基板を他の材料層が形成された第２の成膜用基板と交換し、工程を繰り返すことで、少なくとも第１の電極上に、複数の層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００１３】
上記構成において、工程のうち少なくとも一は、透光性支持基板と光吸収層との間に、開口部を有する反射層が形成されている成膜用基板を用いることを特徴とする。反射層を設けることにより、所望のパターンの膜を成膜することができる。
【００１４】
また、上記構成において、成膜用基板は、反射層と光吸収層との間に、断熱層を有していてもよい。断熱層を設けることにより、成膜パターンのボケを抑制することができる。断熱層のレーザ光に対する透過率は６０％以上であり、かつ断熱層に用いる材料の熱伝導率は、反射層および光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。また、断熱層を構成する材料としては、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素などが挙げられる。また、断熱層の膜厚は、１０ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、上記構成において、反射層は、レーザ光に対する反射率が８５％以上であることが好ましい。反射層を構成する材料としては、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズなどが挙げられる。
【００１６】
また、上記構成において、光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることが好ましい。また、光吸収層の膜厚は、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが好ましい。光吸収層を構成する材料としては、金属窒化物、金属、カーボンなどが挙げられる。
【００１７】
また、上記構成において、材料層は有機化合物からなる層であることが好ましい。
【００１８】
また、上記構成において、レーザ光は線状に成形されていることが好ましい。
【００１９】
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明を適用することにより、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図２】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図３】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図７】本発明の一態様に係る成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図８】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図９】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１０】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１１】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１２】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１３】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１４】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１５】本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明する図。
【図１６】成膜装置について説明する図。
【図１７】発光素子について説明する図。
【図１８】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１９】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図２０】アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図２１】電子機器を示す図。
【図２２】電子機器を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について説明する。本実施の形態で示す発光装置の作製方法は、成膜用基板を用いる。なお、本明細書では、成膜したい材料が設けられており、かつ、被成膜基板に成膜を行うために用いる基板を、成膜用基板と記す。
【００２４】
図１（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。図１（Ａ）に示す成膜用基板に、支持基板である第１の基板１０１上に光吸収層１０４が形成されている。そして、光吸収層１０４上には、被成膜基板上に成膜する材料を含んでいる材料層１０５が形成されている。図１（Ａ）においては、材料層１０５は、第１の基板１０１の全面に形成されている。なお、光吸収層１０４は、被成膜基板上に成膜したい領域に対応するようにパターン形成されていてもよい。
【００２５】
本発明において、材料層１０５の材料を成膜する際、第１の基板１０１に照射された光が第１の基板１０１を透過する必要があることから、第１の基板１０１は、光の透過率が高い基板であることが好ましい。つまり、照射する光としてレーザ光を用いた場合、第１の基板１０１には、レーザ光を透過させる基板を用いることが好ましい。また、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができるためである。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板などを用いることができる。ガラス基板や石英基板などは、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、成膜する際に不純物の混入を防ぐことができる。
【００２６】
光吸収層１０４は、成膜の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００２７】
光吸収層１０４には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収層１０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。
【００２８】
なお、光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。
【００２９】
また、光吸収層１０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚とすることで、照射した光を無駄にすることなく熱に変換することができる。よって、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。また、光吸収層の膜厚が薄い方がより小さいエネルギーの光で光吸収層全体を加熱することができる。よって、光吸収層１０４の膜厚は、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であることがより好ましい。例えば、波長５３２ｎｍの光を照射した場合、光吸収層１０４の膜厚を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚とすることにより、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。
【００３０】
なお、光吸収層１０４は、材料層１０５に含まれる材料の成膜可能温度（材料層に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板へ成膜される温度）まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０５に含まれる材料として、照射する光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００３１】
材料層１０５は、被成膜基板上に成膜する材料を含む層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、材料層１０５に含まれる材料が加熱され、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板上に成膜される。材料層１０５が加熱されると、材料層に含まれる材料の少なくとも一部が気化して被成膜基板上に付着する、もしくは、材料層の少なくとも一部に熱変形が生じその結果応力が変化するために膜が剥がれ、被成膜基板上に成膜される。
【００３２】
材料層１０５は、湿式法を用いて形成する。例えば、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。湿式法を用いることにより、大型の成膜用基板を容易に形成することができる。また、湿式法においても成膜方法を選ぶことにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００３３】
湿式法を用いて材料層１０５を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００３４】
なお、材料層１０５によって被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性を制御する場合には、材料層１０５の膜厚および均一性は制御される必要がある。しかし、被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性に影響しないのであれば、材料層１０５は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
【００３５】
材料層１０５に含まれる材料としては、成膜することが可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いる。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、本明細書では、ＥＬ層とは、発光素子において、一対の電極間に設けられた層をいう。
【００３６】
また、材料層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。従って、異なる材料を含む層を積層することにより、共蒸着することも可能である。なお、材料層１０５が積層構造を有する場合には、第１の基板側に成膜可能な温度の低い材料を含むように積層することが好ましい。このような構成とすることにより、積層構造を有する材料層１０５による蒸着を効率良く行うことができる。
【００３７】
次に、図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の一方の面であって、光吸収層１０４および材料層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。なお、ここでは、成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板１０７上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極１０８、および絶縁物１０９が形成されている。そして、第１の基板１０１と第２の基板１０７とを至近距離、具体的には第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。
【００３８】
なお、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７表面との距離で定義する。従って、第２の基板１０７上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７上に形成された層の最表面との距離で定義する。ただし、第１の基板１０１上の材料層１０５の表面や、第２の基板１０７上に形成された層の最表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。
【００３９】
次に、図１（Ｃ）に示すように第１の基板１０１の裏面（光吸収層１０４および材料層１０５が形成されていない面）側から光１１０を照射する。第１の基板１０１上に形成された光吸収層は、照射された光を吸収し、熱に変換する。そして、その熱を光吸収層に接して設けられた材料層１０５に与えることより、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を第２の基板１０７上に形成された第１の電極１０８上に成膜する。これにより、第２の基板１０７上に発光素子のＥＬ層１１１を形成することができる。
【００４０】
照射する光としては、周波数１０ＭＨｚ以上、かつ、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いる。このように周波数が非常に大きく、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層１０４における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく加熱することができる。
【００４１】
また、レーザ光の波長は特に限定されず、様々な波長のレーザ光を用いることができる。例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。
【００４２】
また、レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００４３】
また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。
【００４４】
また、本発明では、照射された光源からの光による輻射熱を利用するのではなく、光源からの光を吸収した光吸収層１０４が材料層１０５に熱を与えることが特徴である。よって、被成膜基板の温度が上昇することがないため、被成膜基板として、耐熱性の低い基板を用いることができる。
【００４５】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａの雰囲気とすることが好ましい。
【００４６】
本発明で用いる周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、高出力が可能であるため、大面積を一度に処理することができ、成膜に要する時間を短縮することができる。よって、生産性を向上させることができる。
【００４７】
また、図２（Ａ）には、第１の基板１０１と第２の基板１０７との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板１０１上に形成された材料層１０５と、第２の基板１０７上に形成された層のうちの最表層である絶縁物１０９とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、図２（Ｂ）に示すように光を照射した際に、第２の基板１０７上に成膜される膜の形状の精度を向上させることができる。なお、本実施の形態に示すように、第２の基板全面に成膜する場合には、距離ｄは大きくてもよい。ただし、材料利用効率および膜厚制御の点から、２ｍｍ以下であることが好ましい。また、第２の基板１０７の表面に凹凸がない場合には、材料層１０５の熱が被成膜面に伝わらないようにするため、第１の基板１０１上の材料層１０５と第２の基板１０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００４８】
図１では、全ての画素に共通な層を形成する場合について説明した。図１に示す方法を用いて、全ての発光素子が同一の構成、つまり、単色の発光装置を作製することができる。例えば、ＥＬ層１１１が発光層である場合、図１に示す方法により、一対の電極間に発光層のみを有する単色の発光装置を作製することができる。また、図１に示す方法を繰り返して複数の層を積層することにより、単色の発光装置で、かつ、一対の電極間に複数の層を有する構成の発光装置を作製することができる。例えば、第１の成膜用基板を用い、図１に示す方法により、被成膜基板である第２の基板１０７上にＥＬ層の一部（正孔注入層、正孔輸送層など）を形成する。その後、予め用意しておいた第２の成膜用基板を用い、図２に示すように、ＥＬ層の一部（正孔注入層、正孔輸送層など）が形成された第２の基板上に、発光層を成膜してもよい。
【００４９】
なお、被成膜基板上に、すでに有機化合物などの熱安定性が低い材料が成膜されている場合には、すでに成膜されている膜に熱が伝わらないように、第１の基板１０１上の材料層１０５と第２の基板１０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００５０】
また、本実施の形態では、第２の基板１０７が、第１の基板１０１の上方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。なお、第１の基板１０１を湿式法により形成する場合には、第１の基板１０１を湿式法で形成した後に反転させる必要がなくなるため、第１の基板１０１の上方に第２の基板１０７を配置することが好ましい。
【００５１】
本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。
【００５２】
また、本実施の形態に示す成膜用基板をあらかじめ用意しておき、成膜用基板を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。
【００５３】
また、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新しい材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製におけるコストを削減することができる。本発明に係る成膜用基板は、支持基板として、ガラス基板や石英基板を用いている。これらの基板は、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、本発明に係る成膜用基板は再利用に好適である。
【００５４】
また、本実施の形態に示す成膜方法は、湿式法を用いて直接被成膜基板上にＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。
【００５５】
また、湿式法を用いて直接被成膜基板上に成膜して発光装置を作製した場合、溶媒や不純物等の影響により、乾式法を用いて発光装置を作製した場合に比べて、発光効率や寿命などの性能が劣る場合が多い。しかしながら、本実施の形態に示す成膜方法は、成膜したい材料を加熱して成膜するため、溶媒の影響を低減することができる。
【００５６】
また、本実施の形態に示す成膜方法は、成膜用基板と被成膜基板との距離が小さい状態で成膜する。よって、成膜用基板上に設けられた材料層の多くが被成膜基板上に成膜されるため、材料の利用効率が高い。よって、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜用基板と被成膜基板との距離が小さい状態で成膜するため、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【００５７】
また、本発明では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００５８】
また、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、第１の基板上に形成された材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板である第２の基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、第１の基板上に形成された材料層に含まれる材料を全て成膜することにより第２の基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め材料層の膜厚が制御されているため、第２の基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【００５９】
また、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、第１の基板上に形成された材料層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層１０５が複数の材料を含む場合でも、材料層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【００６０】
（実施の形態２）
実施の形態１では、全ての画素に共通な層を形成する場合について説明したが、フルカラーの発光装置を作製する場合には、少なくとも発光層を塗り分ける必要がある。よって、本実施の形態では、各発光素子に異なる層を形成する方法について説明する。
【００６１】
図３（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。図３（Ａ）に示す成膜用基板において、支持基板である第１の基板１０１上に反射層１０２が形成されている。反射層１０２は開口部１０６を有している。開口部１０６は、被成膜基板上に成膜したい領域に対応するようにパターン形成されている。また、反射層１０２上には、光吸収層１０４が形成されている。そして、光吸収層１０４上には、被成膜基板上に成膜する材料を含んでいる材料層１０５が形成されている。図３（Ａ）においては、光吸収層１０４および材料層１０５は、第１の基板１０１の全面に形成されている。
【００６２】
図３（Ａ）において、第１の基板１０１、光吸収層１０４、材料層１０５は、実施の形態１に示す構成を適用することができる。
【００６３】
反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。反射率が８５％以上、好ましくは９０％以上であることにより、照射される光を反射層が吸収し、熱に変換することを抑制できる。
【００６４】
また、反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズなどを用いることができる。
【００６５】
なお、照射される光の波長により、反射層１０２に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。
【００６６】
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００６７】
また、反射層１０２に開口部１０６を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部１０６の側壁が鋭くなり、微細なパターンを形成することができる。
【００６８】
なお、反射層１０２と光吸収層１０４の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
【００６９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の一方の面であって、反射層１０２、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。第２の基板１０７上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極１０８、および絶縁物１０９が形成されている。そして、第１の基板１０１と第２の基板１０７とを至近距離、具体的には第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。特に、０μｍ以上３μｍ以下となるようにすることがさらに望ましい。
【００７０】
次に、図３（Ｃ）に示すように第１の基板１０１の裏面（反射層１０２、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光１１０を照射する。このとき、第１の基板１０１上に形成された反射層１０２に照射された光は反射されるが、反射層１０２の開口部１０６に照射された光は、光吸収層１０４に吸収される。そして、光吸収層１０４は、吸収した光から得た熱を材料層１０５に含まれる材料に与えることにより、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に形成された第１の電極１０８上に材料を成膜する。これにより、第２の基板１０７上に発光素子のＥＬ層１１１が形成される。
【００７１】
照射する光としては、実施の形態１と同様に、周波数１０ＭＨｚ以上、かつ、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いる。このように周波数が非常に大きく、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層１０４における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく加熱することができる。
【００７２】
また、光が照射された部分の光吸収層１０４から光が照射されていない部分の光吸収層１０４へ、面方向に熱が伝わることにより、加熱される材料層１０５の範囲が広がることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。
【００７３】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａの雰囲気とすることが好ましい。
【００７４】
本発明で用いる周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、短時間のレーザ光の照射が可能であるため、熱の拡散を抑制することができ、微細なパターンの成膜が可能となる。また、周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、高出力が可能であるため、大面積を一度に処理することができ、成膜に要する時間を短縮することができる。よって、生産性を向上させることができる。
【００７５】
また、反射層１０２の開口部を透過した光がまわりこむ可能性がある場合には、照射する光がまわりこむことを考慮して、反射層１０２の開口部を小さくした構造が有効である。この場合、反射層１０２の開口部１０６を透過した光は、光吸収層１０４に照射されるまでに広がるため、反射層１０２の開口部１０６に対応する領域よりも広範囲の材料層１０５が加熱され、第２の基板１０７上に蒸着される。
【００７６】
また、図３（Ａ）では、光吸収層１０４の全面に材料層１０５を成膜しているが、図３（Ｄ）に示すように、開口部１０６に対応する部分にのみ材料層１０５を形成してもよい。インクジェット法などを用いることにより、開口部１０６に対応する部分にのみ材料層１０５を形成することができる。このように、成膜する領域に対応するように、材料層１０５を部分的に形成することにより、材料利用効率をさらに向上させることができる。
【００７７】
また、図４（Ａ）には、第１の基板１０１と第２の基板１０７との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板１０１上に形成された材料層１０５と、第２の基板１０７上に形成された層のうちの最表層である絶縁物１０９とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、図４（Ｂ）に示すように光を照射した際に、第２の基板１０７上に成膜される膜の形状の精度を向上させることができる。ただし、第２の基板１０７の表面に凹凸がない場合には、材料層１０５の熱が被成膜面に伝わらないようにするため、第１の基板１０１上の材料層１０５と第２の基板１０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００７８】
また、成膜用基板において、断熱層を設けても良い。図５（Ａ）に断熱層を設けた成膜用基板の一例を示す。図５（Ａ）に示す成膜用基板において、支持基板である第１の基板１０１上に反射層１０２が形成されている。反射層１０２は開口部１０６を有している。開口部１０６は、被成膜基板上に成膜したい領域に対応するようにパターン形成されている。また、反射層１０２上には、断熱層１０３が形成されている。なお、図５（Ａ）において、断熱層１０３の一部は、反射層１０２の開口部１０６を埋めるように形成されている。また、断熱層１０３上には、光吸収層１０４が形成されている。そして、光吸収層１０４上には、被成膜基板上に成膜する材料を含んでいる材料層１０５が形成されている。図５（Ａ）においては、断熱層１０３、光吸収層１０４および材料層１０５は、第１の基板１０１の全面に形成されている。
【００７９】
図５（Ａ）において、第１の基板１０１、光吸収層１０４、材料層１０５は、実施の形態１に示す構成を適用することができる。また、反射層１０２は、上述した構成を適用することができる。
【００８０】
断熱層１０３は、成膜の際に照射された光のうち、反射層１０２によって反射された光の一部が熱となって反射層に残った場合に、その熱が光吸収層１０４および材料層１０５に伝わるのを防ぐための層である。従って、断熱層１０３は、熱伝導率が反射層１０２および光吸収層１０４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、図５に示すように、反射層１０２の開口部１０６を透過した光を、断熱層１０３を透過させて光吸収層に照射する構成の場合には、断熱層１０３は透光性を有する必要がある。この場合、断熱層１０３は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層１０３には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。
【００８１】
断熱層１０３に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素などを挙げることができる。
【００８２】
なお、断熱層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層１０３の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０２の開口部１０６を透過して照射される光を透過させつつ、反射層１０２に存在する熱が光吸収層１０４や材料層１０５に伝わるのを遮断する効果を有する。
【００８３】
図５（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の一方の面であって、反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。第２の基板１０７上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極１０８、および絶縁物１０９が形成されている。そして、第１の基板１０１と第２の基板１０７とを至近距離、具体的には第１の基板１０１上の材料層１０５の表面と、第２の基板１０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。特に、０μｍ以上３μｍ以下となるようにすることがさらに望ましい。
【００８４】
次に、図５（Ｃ）に示すように、第１の基板１０１の裏面（反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光１１０を照射する。このとき、第１の基板１０１上に形成された反射層１０２に照射された光は反射されるが、反射層１０２の開口部１０６に照射された光は、断熱層１０３を透過し、光吸収層１０４に吸収される。そして、光吸収層１０４は、吸収した光から得た熱を材料層１０５に含まれる材料に与えることにより、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に形成された第１の電極１０８上に材料を成膜する。これにより、第２の基板１０７上に発光素子のＥＬ層１１１が形成される。
【００８５】
また、図５（Ａ）では、光吸収層１０４の全面に材料層１０５を成膜しているが、図５（Ｄ）に示すように、開口部１０６に対応する部分にのみ材料層１０５を形成してもよい。インクジェット法などを用いることにより、開口部１０６に対応する部分にのみ材料層１０５を形成することができる。このように、成膜する領域に対応するように、材料層１０５を部分的に形成することにより、材料利用効率をさらに向上させることができる。
【００８６】
照射する光としては、実施の形態１と同様に、周波数１０ＭＨｚ以上、かつ、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いる。このように周波数が非常に大きく、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層１０４における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく加熱することができる。
【００８７】
また、光が照射された部分の光吸収層１０４から光が照射されていない部分の光吸収層１０４へ、面方向に熱が伝わることにより、加熱される材料層１０５の範囲が広がることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。
【００８８】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａの雰囲気とすることが好ましい。
【００８９】
本発明で用いる周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、短時間のレーザ光の照射が可能であるため、熱の拡散を抑制することができ、微細なパターンの成膜が可能となる。また、周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、高出力が可能であるため、大面積を一度に処理することができ、成膜に要する時間を短縮することができる。よって、生産性を向上させることができる。
【００９０】
断熱層１０３を設けることにより、成膜の際に照射された光のうち、反射層１０２によって反射された光の一部が熱となって反射層に残った場合に、その熱が光吸収層１０４および材料層１０５に伝わるのを防ぐことができる。よって、より精度高く、所望の領域のみに成膜することが可能となる。また、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９１】
また、図６（Ａ）には、第１の基板１０１と第２の基板１０７との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板１０１上に形成された材料層１０５と、第２の基板１０７上に形成された層のうちの最表層である絶縁物１０９とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、図６（Ｂ）に示すように光を照射した際に、第２の基板１０７上に成膜される膜の形状の精度を向上させることができる。ただし、第２の基板１０７の表面に凹凸がない場合には、材料層１０５の熱が被成膜面に伝わらないようにするため、第１の基板１０１上の材料層１０５と第２の基板１０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００９２】
また、成膜用基板の構造は、図３（Ａ）や図５（Ａ）に示す構造に限定されない。例えば、図７に示す構造としても良い。
【００９３】
図７（Ａ）に示す構造は、第１の基板１０１上に、開口部１０６を有する反射層１０２が形成され、反射層１０２上に断熱層１０３が全面に形成されている。そして、開口部１０６に対応する領域に光吸収層１０４がパターン形成されており、その上に、材料層１０５が全面に形成されている。このような構造とすることにより、光吸収層の面方向への熱の拡散が抑えられ、成膜パターンのボケを抑制することができる。また、光吸収層１０４が成膜したい領域のみに形成されているため、成膜用基板と被成膜用基板とが接するようにして（距離ｄ＝０として）成膜した場合でも、被成膜用基板に熱が伝わりにくい。よって、距離ｄを小さくすることにより、より精度良く成膜することができる。そのため、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９４】
図７（Ｂ）に示す構造は、第１の基板１０１上に、開口部１０６を有する反射層１０２が形成され、反射層１０２上に断熱層１０３が全面に形成されている。断熱層１０３上の反射層１０２と対応する領域に第２の断熱層１１２が形成され、開口部１０６に対応する領域に光吸収層１０４がパターン形成されている。その上に、材料層１０５が全面に形成されている。このような構造とすることにより、光吸収層の面方向への熱の拡散が抑えられ、成膜パターンのボケを抑制することができる。また、光吸収層１０４が成膜したい領域のみに形成されているため、成膜用基板と被成膜用基板とが接するようにして（距離ｄ＝０として）成膜した場合でも、被成膜用基板に熱が伝わりにくい。よって、距離ｄを小さくすることにより、より精度良く成膜することができる。そのため、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９５】
図７（Ｃ）に示す構造は、第１の基板１０１上に、開口部１０６を有する反射層１０２が形成され、反射層１０２上に断熱層１０３が形成されている。断熱層１０３は、反射層１０２が形成されている領域に対応して形成されている。その上に、光吸収層１０４および材料層１０５が全面に形成されている。このような構造とすることにより、反射された光の一部が熱となって反射層に残った場合に、その熱が光吸収層１０４および材料層１０５に伝わるのを防ぐことができる。よって、より精度高く、所望の領域のみに成膜することが可能となる。また、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９６】
図７（Ｄ）に示す構造は、図７（Ｃ）に示す構造において、断熱層１０３を厚膜化（好ましくは、１μｍ〜１０μｍ）した構造である。断熱層１０３を厚膜化することにより、光吸収層１０４を不連続な構成とすることができる。つまり、開口部１０６に形成されている光吸収層と、断熱層１０３上に形成されている光吸収層とが接続されていない構造とすることができる。そのため、開口部１０６において光を吸収した光吸収層からの熱が断熱層１０３上に形成されている光吸収層に伝わらず、光吸収層の面方向への熱の拡散が抑えられている。よって、成膜パターンのボケを抑制することができる。また、成膜用基板と被成膜用基板とが接するようにして（距離ｄ＝０として）成膜した場合でも、被成膜用基板に熱が伝わりにくい構造となっている。よって、距離ｄを小さくすることにより、より精度良く成膜することができる。そのため、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９７】
図７（Ｅ）に示す構造は、図７（Ｃ）に示す構造において、光吸収層１０４と材料層１０５の間に、第２の断熱層１１２を設けた構造である。つまり、第１の基板１０１上に、開口部１０６を有する反射層１０２が形成され、反射層１０２上に断熱層１０３が形成されている。断熱層１０３は、反射層１０２が形成されている領域に対応して形成されている。その上に、光吸収層１０４が全面に形成され、第２の断熱層１１２が、反射層１０２および断熱層１０３と対応する領域に形成されている。その上に、材料層１０５が全面に形成されている。このような構成とすることにより、光吸収層１０４の面方向に熱が拡散した場合でも、所望の領域以外の材料層に伝わらないため、成膜パターンのボケを抑制することができる。また、成膜用基板と被成膜用基板とが接するようにして（距離ｄ＝０として）成膜した場合でも、被成膜用基板に熱が伝わりにくい構造となっている。よって、距離ｄを小さくすることにより、より精度良く成膜することができる。そのため、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９８】
図７（Ｆ）に示す構造は、図７（Ｅ）に示す構造において、第２の断熱層１１２を厚膜化した構造である。第２の断熱層１１２を厚膜化することにより、材料層１０５を不連続な構成とすることができる。つまり、開口部１０６に形成されている材料層と、第２の断熱層１１２上に形成されている材料層とが接続されていない構造とすることができる。そのため、光吸収層１０４の面方向に熱が拡散した場合でも、所望の領域以外の材料層に伝わらないため、成膜パターンのボケを抑制することができる。また、成膜用基板と被成膜用基板とが接するようにして（距離ｄ＝０として）成膜した場合でも、被成膜用基板に熱が伝わりにくい構造となっている。よって、距離ｄを小さくすることにより、より精度良く成膜することができる。そのため、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９９】
図７（Ｇ）に示す構造は、図７（Ｅ）に示す構造において、断熱層１０３を全面に形成している構成である。図７（Ｇ）に示す構造においても図７（Ｅ）に示す構造と同様に、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【０１００】
図７（Ｈ）に示す構造は、図７（Ｆ）に示す構造において、断熱層１０３を全面に形成している構成である。図７（Ｈ）に示す構造においても図７（Ｆ）に示す構造と同様に、より微細なパターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【０１０１】
なお、本実施の形態では、第２の基板１０７が、第１の基板１０１の上方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。なお、第１の基板１０１を湿式法により形成する場合には、第１の基板１０１を湿式法で形成した後に反転させる必要がなくなるため、第１の基板１０１の上方に第２の基板１０７を配置することが好ましい。
【０１０２】
本実施の形態で示す成膜方法を用いることにより、所望の領域のみに成膜することが可能である。よって、本実施の形態で示す成膜方法を用いることにより、画素毎に膜を作り分けることができる。本実施の形態で示す成膜方法を用いて、発光層を発光素子毎に作り分けることにより、フルカラーの発光装置を作製することができる。例えば、また、発光層以外のＥＬ層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層など）を形成する場合に、本実施の形態で示した成膜方法を用いることにより、各発光素子に最適な構造を作り分けることができる。例えば、発光波長に応じてＥＬ層の膜厚を変化させるなど光学設計を行うことや、各発光素子において用いる材料を異なるようにすることも容易となる。
【０１０３】
以下に、本実施の形態で示した成膜用基板を用いて、３種類の異なるＥＬ層を形成する場合について説明する。
【０１０４】
まず、例えば、図５（Ａ）に示した成膜用基板を３枚用意する。それぞれの成膜用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するための材料層が形成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するための材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の成膜用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｇ））を形成するための材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の成膜用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するための材料を含む材料層（Ｂ）を有する第３の成膜用基板とを用意する。
【０１０５】
また、本実施の形態において図５（Ｂ）に示した複数の第１の電極を有する被成膜基板を１枚用意する。なお、被成膜基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁物で覆われているため、発光領域は、第１の電極の一部であって、絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。
【０１０６】
まず、１回目の成膜工程として、図５（Ｂ）と同様に被成膜基板と第１の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。なお、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第１の成膜用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第１の成膜用基板には、光吸収層が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層は予め除去しておくことが好ましい。また、第１の成膜用基板には、材料層（Ｒ）が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の材料層（Ｒ）も予め除去しておくことが好ましい。
【０１０７】
そして、第１の成膜用基板の裏面（図５に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｒ）に熱を与えることで、材料層（Ｒ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部の第１の電極上にＥＬ層（Ｒ）が形成する。そして、１回目の成膜を終えたら、第１の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【０１０８】
次いで、２回目の成膜工程として、被成膜基板と第２の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは１画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。
【０１０９】
そして、第２の成膜用基板の裏面（図５に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部であって、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）が形成する。そして、２回目の成膜を終えたら、第２の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【０１１０】
次いで、３回目の成膜工程として、被成膜基板と第３の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは２画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。
【０１１１】
そして、第３の成膜用基板の裏面（図５に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様子が図１４（Ａ）の上面図に相当する。図１４（Ａ）において、反射層４０１は開口部４０２を有している。従って、第３の成膜用基板の反射層４０１の開口部４０２を透過した光は、断熱層を透過して、光吸収層に吸収される。また、被成膜基板の第３の成膜用基板の開口部４０２と重なる領域には、第１の電極が形成されている。なお、図４（Ａ）中に点線で示した領域の下方には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）４１１と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）４１２が位置している。
【０１１２】
そして、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）４１２が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。３回目の成膜を終えたら、第３の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【０１１３】
こうしてＥＬ層（Ｒ）４１１、ＥＬ層（Ｇ）４１２、ＥＬ層（Ｂ）４１３を一定の間隔をあけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの膜上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。
【０１１４】
以上の工程で、同一基板上に異なる発光を示す発光素子が形成されることにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。
【０１１５】
図１４では、成膜用基板に形成された反射層の開口部４０２の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、ストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物４１４の上に形成されるため、絶縁物４１４と重なる部分は発光領域とはならない。
【０１１６】
また、画素の配列も特に限定されず、図１５（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）５１１、ＥＬ層（Ｇ）５１２、ＥＬ層（Ｂ）５１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図１５（Ａ）に示す多角形の画素を形成するために、図１５（Ｂ）に示す多角形の開口部５０２を有する反射層５０１を有する成膜用基板を用いて成膜すればよい。
【０１１７】
本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、所望の領域のみに成膜することが可能であるため、微細パターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【０１１８】
また、本実施の形態に示す成膜用基板をあらかじめ用意しておき、成膜用基板を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。
【０１１９】
また、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新しい材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製におけるコストを削減することができる。本発明に係る成膜用基板は、支持基板として、ガラス基板や石英基板を用いている。これらの基板は、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、本発明に係る成膜用基板は再利用に好適である。
【０１２０】
また、本実施の形態に示す成膜方法は、湿式法を用いて直接被成膜基板上にＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。
【０１２１】
また、湿式法を用いて直接被成膜基板上に成膜して発光装置を作製した場合、溶媒や不純物等の影響により、乾式法を用いて発光装置を作製した場合に比べて、発光効率や寿命などの性能が劣る場合が多い。しかしながら、本実施の形態に示す成膜方法は、成膜したい材料を加熱して成膜するため、溶媒の影響を低減することができる。
【０１２２】
また、本実施の形態に示す成膜方法は、成膜用基板と被成膜基板との距離が小さい状態で成膜する。よって、成膜用基板上に設けられた材料層の多くが被成膜基板上に成膜されるため、材料の利用効率が高い。よって、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜用基板と被成膜基板との距離が小さい状態で成膜するため、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【０１２３】
また、本発明では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【０１２４】
また、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、第１の基板上に形成された材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板である第２の基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、第１の基板上に形成された材料層に含まれる材料を全て成膜することにより第２の基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め材料層の膜厚が制御されているため、第２の基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【０１２５】
また、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、第１の基板上に形成された材料層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層１０５が複数の材料を含む場合でも、材料層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態に示す成膜方法を用いることにより、は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した成膜方法と実施の形態２で示した成膜方法を組み合わせて発光装置を作製する方法について説明する。
【０１２８】
本実施の形態では、一例として、ＥＬ層のうち、発光層を作り分けて、発光層以外を共通の層で形成したフルカラーの発光装置を作製する方法について説明する。
【０１２９】
まず、実施の形態１に示す成膜方法により、被成膜基板である第２の基板１０７上に形成されている第１の電極１０８上に、正孔注入層２１１を形成する。実施の形態１に示す成膜方法により、正孔注入層２１１を画素部の全面に形成し、各発光素子において共通な層とすることができる。
【０１３０】
次に、図８に示すように、正孔注入層２１１上に正孔輸送層２１２を形成する。実施の形態１に示す成膜方法により、正孔輸送層２１２を画素部の全面に形成し、各発光素子において共通な層とすることができる。
【０１３１】
次に、図９に示すように、発光層２１３Ａを形成する。本実施の形態の発光装置はフルカラー表示が可能であるため、発光層２１３Ａは例えば赤色画素に対応する領域のみに成膜する。実施の形態２に示す成膜方法を用いることにより、赤色画素に対応する領域のみに発光層２１３Ａを成膜することができる。
【０１３２】
次に、図１０に示すように、発光層２１３Ｂを形成する。本実施の形態の発光装置はフルカラー表示が可能であるため、発光層２１３Ｂは例えば緑色画素に対応する領域のみに成膜する。実施の形態２に示す成膜方法を用いることにより、緑色画素に対応する領域のみに発光層２１３Ｂを成膜することができる。
【０１３３】
次に、図１１に示すように、発光層２１３Ｃを形成する。本実施の形態の発光装置はフルカラー表示が可能であるため、発光層２１３Ｃは例えば青色画素に対応する領域のみに成膜する。実施の形態２に示す成膜方法を用いることにより、青色画素に対応する領域のみに発光層２１３Ｃを成膜することができる。
【０１３４】
次に、図１２に示すように、発光層２１３Ａ〜２１３Ｃ上に、電子輸送層２１４を形成する。実施の形態１に示す成膜方法により、電子輸送層２１４を画素部の全面に形成し、各発光素子において共通な層とすることができる。
【０１３５】
次に、図１３に示すように、電子輸送層２１４上に、電子注入層２１５を形成する。実施の形態１に示す成膜方法により、電子注入層２１５を画素部の全面に形成し、各発光素子において共通な層とすることができる。
【０１３６】
その後、電子注入層２１５上に第２の電極を形成し、発光素子を作製することができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態では、各発光素子が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する構成について説明したが、発光層以外の層は適宜設ければよい。また、発光素子毎に異なる構成にしてもよい。実施の形態２に示す成膜方法を用いることにより、発光素子毎に層を作り分けることが容易にできる。
【０１３８】
また、本実施の形態では、赤色画素の発光層、緑色画素の発光層、青色画素の発光層を順に形成していく方法について説明したが、形成していく順序はこれに限定されない。また、３色の画素に限られず、他に白色画素などを設けてもよい。この場合も実施の形態１や実施の形態２で示した成膜方法を用いることができる。
【０１３９】
また、本実施の形態では、赤色画素の発光層、緑色画素の発光層、青色画素の発光層を全て作り分ける方法について説明したが、青色発光層を全面に形成することで、青色画素では青色発光層として機能し、他の画素では正孔輸送層として機能する構成とすることもできる。
【０１４０】
また、本実施の形態で示す発光装置の作製方法は、成膜用基板をあらかじめ用意しておき、成膜用基板を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。
【０１４１】
また、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新しい材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製におけるコストを削減することができる。
【０１４２】
また、本実施の形態で示す発光装置の作製方法は、湿式法を用いて直接被成膜基板上にＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、本実施の形態で示す発光装置の作製方法を用いることにより、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。
【０１４３】
また、湿式法を用いて直接被成膜基板上に成膜して発光装置を作製した場合、溶媒や不純物等の影響により、乾式法を用いて発光装置を作製した場合に比べて、発光効率や寿命などの性能が劣る場合が多い。しかしながら、本実施の形態で示す発光装置の作製方法は、成膜したい材料を加熱して成膜するため、溶媒の影響を低減することができる。
【０１４４】
また、本発明では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【０１４５】
また、本実施の形態で示す発光装置の作製方法を用いることにより、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【０１４６】
また、本実施の形態で示す発光装置の作製方法を用いることにより、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。
【０１４８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、成膜用基板にレーザを照射させることにより成膜を行う成膜装置の例およびレーザを照射する方法について説明する。
【０１４９】
図１６はレーザを用いた成膜装置の一例を示す斜視図である。射出されるレーザ光はレーザ発振装置８０３（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系８０４と、整形するための第２の光学系８０５と、平行光線にするための第３の光学系８０６とを通過し、反射ミラー８０７で光路が成膜用基板である第１の基板８０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、成膜用基板にレーザビームを照射する。
【０１５０】
本実施の形態に示す成膜用基板の構成は、実施の形態１および実施の形態２で説明したものと同様であることとする。すなわち、第１の基板８０１上にすくなくとも光吸収層および材料層８１５などが形成された構成を有する。図１６では、一例として、反射層を有する成膜用基板を示す。反射層には、開口部８１４が形成されている。なお、図１６では、開口部８１４がストライプ状の場合を示したが、これに限定されず、開口部は所望の形状に形成することができる。例えば、ドット状であってもよいし、第１の基板に設けられた第１の電極の形状と同じ形状としてもよい。
【０１５１】
次に、第１の基板８０１の材料層８１５が設けられた面を上となるようにし、第２の基板８００の被成膜面と対向させる。位置合わせ手段により第２の基板８００と第１の基板８０１は位置合わせ（アライメント）が行われ、一定の間隔ｄ、少なくとも５ｍｍ以下をあけて保持する。
【０１５２】
また、第２の基板８００には予め複数の第１の電極が設けられているが、さらに第１の電極間を電気的に絶縁するための隔壁となる絶縁物が設けられている場合には、絶縁物と材料層８１５を接触させて配置してもよい。
【０１５３】
また、一定の間隔ｄに保持したまま、一対の基板を移動させてレーザ光を走査する。ここでは、基板移動手段により、長方形の窓８２０の長辺方向または短辺方向に一対の基板を移動させる。ここでは基板を移動してレーザ光を走査する例を示すが、特に限定されず、基板を固定し、レーザ光を移動させて走査を行ってもよい。
【０１５４】
また、第１の基板８０１には、光吸収層と同じ材料で位置マーカ８１２が設けられており、位置マーカ８１２を認識するための撮像素子８０８によって走査の基準位置を認識させる。ＣＣＤなどの撮像素子８０８の視野を遮らないような装置構成とすることが好ましい。なお、第１の基板８０１の下方からの認識となるため、補助するための照明光を第１の基板８０１に照射してもよい。撮像素子８０８は、窓８２０を介して位置マーカ８１２を認識している例を示したが特に限定されず、別途窓を設けてもよいし、チャンバー内部に撮像素子を設ける構成としてもよい。
【０１５５】
射出されるレーザ光はレーザ発振装置８０３から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系８０４と、整形するための第２の光学系８０５と、平行光線にするための第３の光学系８０６とを通過し、反射ミラー８０７で光路が第１の基板８０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、光透過する窓１２０及び第１の基板８０１にレーザビームを通過させて、レーザビームを光吸収層に照射する。窓８２０をレーザビーム幅と同じまたはそれより小さいサイズとしてスリットとして機能させることもできる。
【０１５６】
光源となるレーザ光としては、周波数１０ＭＨｚ以上、かつ、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いる。このように周波数が非常に大きく、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層における熱変換が効率よく行われる。そのため、材料層８１５に含まれる材料を効率よく加熱することができる。
【０１５７】
また、レーザ光の波長は特に限定されず、様々な波長のレーザ光を用いることができる。例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。
【０１５８】
また、レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波を用いることもできる。
【０１５９】
また、成膜用基板である第１の基板８０１に照射されるレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、例えば、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図１６に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザビームをそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。
【０１６０】
また、制御装置８１６は、一対の基板を移動させる基板移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、レーザ発振装置８０３も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、位置マーカ８１２を認識するための撮像素子８０８を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。
【０１６１】
レーザ光の走査が終わると、第１の基板８０１においては、光吸収層と重なる材料層８１５が消失し、対向して配置されていた第２の基板８００に選択的に成膜が行われる。なお、第１の基板８０１において、光吸収層と重ならない材料層８１５は残存したままである。レーザ光の走査を終えた第１の基板８０１は回収し、残存した材料層を除去すれば、再度使用することができる。
【０１６２】
なお、図１６は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置８０３を成膜用基板である第１の基板８０１の下方に配置し、レーザ発振装置８０３から射出するレーザ光が第１の基板８０１の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラーを用いずともよい。また、各光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系としてスリットを組み合わせてもよい。
【０１６３】
被照射面上でレーザビームの照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザビームの照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、基板を保持している基板ステージ８０９をＸＹ方向に移動させる移動手段（図示しない）で走査を行う。
【０１６４】
図１６に示す成膜装置を用いて成膜を行う場合には、少なくとも成膜用基板である第１の基板８０１と被成膜基板である第２の基板８００を真空チャンバー内に配置する。また、図１６に示す構成を全て真空チャンバー内に設置してもよい。
【０１６５】
また、図１６に示す成膜装置は、被成膜基板である第２の基板８００の成膜面が下を向いた、所謂フェイスダウン方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスアップ方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、被成膜基板の主平面を水平面に対して垂直に立てる、所謂縦置き方式の装置とすることもできる。
【０１６６】
また、本実施の形態に示した製造装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した製造装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。
【０１６７】
このような成膜装置を用い、発光装置を作製することが可能である。本発明において、湿式法を用いた場合、成膜用基板上の材料層を容易に準備できる。また、成膜用基板上の材料層をそのまま成膜すればよいため、膜厚モニターが不要となる。よって、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【０１６８】
また、本実施の形態で説明した成膜装置を用いて発光装置を作製する場合において、本発明を適用することでレーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができる。そのため、材料の利用効率を高めることができ、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、微細なパターン形成も可能となる。従って、本発明を適用することにより、発光装置の製造コストを低減させることができると共に優れた特性の発光装置を得ることができる。
【０１６９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１７０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明を適用して作製することができる発光素子および発光装置について説明する。
【０１７１】
本発明を適用して、例えば、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図１７（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。
【０１７２】
また、図１７（Ｂ）に示す発光素子は、図１７（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図１７（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。
【０１７３】
図１７に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【０１７４】
また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１７５】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【０１７６】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１７７】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【０１７８】
なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【０１７９】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１〜実施の形態２で示した成膜方法を適用して形成することができる。
【０１８０】
例えば、図１７（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１〜実施の形態２で示した成膜用基板の材料層を、発光層９１３を構成する材料で形成し、この成膜用基板を用いて基板９０１上の第１の電極９０２上に発光層９１３を形成する。そして、発光層９１３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１７（Ａ）に示す発光素子を得ることができる。
【０１８１】
実施の形態１で示したように、成膜用基板上に材料層を形成する場合には、湿式法を用いる。湿式法を用いて材料層１０５を形成するには、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【０１８２】
例えば、９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）を用いる場合、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）及び２ＰＣＡＰＡをトルエンに溶解して作製した組成物を用いて、材料層を形成することができる。
【０１８３】
また、例えば、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））を発光材料として用いる場合、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）を２−メトキシエタノールに溶解して作製した組成物を用いて、材料層を形成することができる。
【０１８４】
発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１８５】
発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、���リス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１８６】
発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１８７】
また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１８８】
発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１８９】
発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１９０】
また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。
【０１９１】
発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。
【０１９２】
また、図１７（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１〜実施の形態２で示した成膜用基板を各層毎に用意する。そして、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１〜実施の形態２で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１７（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。
【０１９３】
例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１９４】
また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
【０１９５】
正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることにより形成することができる。
【０１９６】
正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１９７】
正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１９８】
例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１９９】
正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０２００】
また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０２０１】
また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０２０２】
なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０２０３】
これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることで、正孔注入層９１１を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、成膜用基板上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも蒸着可能温度が高い場合が多いためである。このような構成の成膜用基板とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く成膜することができる。また、成膜した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、本発明の成膜方法を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。
【０２０４】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。
【０２０５】
また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２０６】
電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２０７】
また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０２０８】
なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。
【０２０９】
ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。
【０２１０】
なお、図１７では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。
【０２１１】
また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１〜実施の形態２で示した成膜方法を用いればよい。実施の形態１〜実施の形態２で示した成膜方法は、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、生産性向上や製造コストの低減を図ることができる。
【０２１２】
また、本発明の発光装置の作製方法は、湿式法を用いて直接被成膜基板上にＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、本発明の発光装置の作製方法を用いることにより、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。
【０２１３】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２１４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態５で説明した発光素子を用いて形成される発光装置について説明する。
【０２１５】
まず、パッシブマトリクス型の発光装置について、図１８、図１９を用いて説明することとする。
【０２１６】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０２１７】
図１８（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１８（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１８（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１８（Ｃ）である。
【０２１８】
基板１００１上には、下地絶縁層として絶縁層１００４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１００４上には、ストライプ状に複数の第１の電極１０１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１０１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１０１４が設けられ、開口部を有する隔壁１０１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１０２１となる。
【０２１９】
開口部を有する隔壁１０１４上に、第１の電極１０１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１０２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１０２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０２２０】
開口部を有する隔壁１０１４及び逆テーパ状の隔壁１０２２を合わせた高さは、ＥＬ層及び第２の電極１０１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、青色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）と、第２の電極１０１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０２２１】
第２の電極１０１６は、第１の電極１０１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１０２２上にもＥＬ層及び第２の電極１０１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）、及び第２の電極１０１６とは分断されている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。
【０２２２】
ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）は、それぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１および実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。
【０２２３】
また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０２２４】
ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。
【０２２５】
次に、図１８に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図１９に示す。
【０２２６】
図１９において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０２２７】
ここで、図１８における第１の電極１０１３が、図１９の走査線１１０３に相当し、図１８における第２の電極１０１６が、図１９のデータ線１１０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１０２２が隔壁１１０４に相当する。データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０２２８】
なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。
【０２２９】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０２３０】
なお、図１９では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本発明は特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０２３１】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０２３２】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図２０を用いて説明する。なお、図２０（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１２１０上に設けられた画素部１２０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１２０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１２０３と、を有する。画素部１２０２、駆動回路部１２０１、及び駆動回路部１２０３は、シール材１２０５によって、素子基板１２１０と封止基板１２０４との間に封止されている。
【０２３３】
また、素子基板１２１０上には、駆動回路部１２０１、及び駆動回路部１２０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１２０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１２０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０２３４】
次に、断面構造について図２０（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１２１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１２０１と、画素部１２０２が示されている。
【０２３５】
駆動回路部１２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０２３６】
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、電流制御用ＴＦＴ１２１２と電流制御用ＴＦＴ１２１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１２１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１２１３の端部を覆って絶縁物１２１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０２３７】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１２１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１２１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１２１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０２３８】
第１の電極１２１３上には、ＥＬ層１２００及び第２の電極１２１６が積層形成されている。なお、第１の電極１２１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１２１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１２１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１２１６は外部入力端子であるＦＰＣ１２０９に電気的に接続されている。
【０２３９】
ＥＬ層１２００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１２１３、ＥＬ層１２００及び第２の電極１２１６との積層構造で、発光素子１２１５が形成されている。
【０２４０】
また、図２０（Ｂ）に示す断面図では発光素子１２１５を１つのみ図示しているが、画素部１２０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１２０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０２４１】
さらにシール材１２０５で封止基板１２０４を素子基板１２１０と貼り合わせることにより、素子基板１２１０、封止基板１２０４、およびシール材１２０５で囲まれた空間１２０７に発光素子１２１５が備えられた構造になっている。なお、空間１２０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１２０５で充填される構成も含むものとする。
【０２４２】
なお、シール材１２０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１２０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２４３】
以上のようにして、本発明を適用して発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、本発明を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に低減させることが可能である。よって、製造コストの低減を図ることができる。
【０２４４】
また、本発明を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。また、平坦でムラのない膜の成膜や微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。
【０２４５】
また、本発明の発光装置の作製方法は、湿式法を用いて直接被成膜基板上にＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、本発明の発光装置の作製方法を用いることにより、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。
【０２４６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２４７】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明を適用して作製した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図２１を用いて説明する。
【０２４８】
本発明に係る発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図２１に示す。
【０２４９】
図２１（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。本発明を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。
【０２５０】
図２１（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、ポインティングデバイス８１０６等を含む。なお、コンピュータは、本発明を用いて形成される発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、コンピュータの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。
【０２５１】
図２１（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。なお、ビデオカメラは、本発明を用いて形成される発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。
【０２５２】
図２１（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源８３０６を含む。なお、卓上照明器具は、本発明を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。
【０２５３】
ここで、図２１（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。なお、携帯電話は、本発明を用いて形成される発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。
【０２５４】
また、図２２（Ａ）も携帯電話であり、図２２（Ａ）が正面図、図２２（Ｂ）が背面図、図２２（Ｃ）が展開図である。本体１４０１は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。
【０２５５】
本体１４０１は、筐体１４０２及び筐体１４０３の二つの筐体で構成されている。筐体１４０２には、表示部１４０４、スピーカー１４０５、マイクロフォン１４０６、操作キー１４０７、ポインティングデバイス１４０８、カメラ用レンズ１４０９、外部接続端子１４１０、イヤホン端子１４１１等を備え、筐体１４０３には、キーボード１４１２、外部メモリスロット１４１３、カメラ用レンズ１４１４、ライト１４１５等を備えている。また、アンテナは筐体１４０２内部に内蔵されている。
【０２５６】
また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。
【０２５７】
表示部１４０４には、上記実施例に示される表示装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部１４０４と同一面上にカメラ用レンズ１４０９を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部１４０４をファインダーとし、カメラ用レンズ１４１４及びライト１４１５で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー１４０５、及びマイクロフォン１４０６は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。
【０２５８】
操作キー１４０７では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体１４０２と筐体１４０３（図２２（Ａ））は、スライドし、図２２（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード１４１２、ポインティングデバイス１４０８を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子１４１０はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１４１３に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０２５９】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。
【０２６０】
なお、上述した携帯電話は、本発明を用いて形成される発光装置をその表示部１４０４に用いることにより作製される。本発明を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。
【０２６１】
以上のようにして、本発明に係る発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。本発明に係る発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２６２】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０２６３】
１０１    第１の基板
１０２    反射層
１０３    断熱層
１０４    光吸収層
１０５    材料層
１０６    開口部
１０７    第２の基板
１０８    第１の電極
１０９    絶縁物
１１０    光
１１１    ＥＬ層
１１２    第２の断熱層
２１１    正孔注入層
２１２    正孔輸送層
２１３Ａ    発光層
２１３Ｂ    発光層
２１３Ｃ    発光層
２１４    電子輸送層
２１５    電子注入層
４０１    反射層
４０２    開口部
４１１    ＥＬ層（Ｒ）
４１２    ＥＬ層（Ｇ）
４１３    ＥＬ層（Ｂ）
４１４    絶縁物
５０１    反射層
５０２    開口部
５１１    ＥＬ層（Ｒ）
５１２    ＥＬ層（Ｇ）
５１３    ＥＬ層（Ｂ）
８００    第２の基板
８０１    第１の基板
８０３    レーザ発振装置
８０４    第１の光学系
８０５    第２の光学系
８０６    第３の光学系
８０７    反射ミラー
８０８    撮像素子
８０９    基板ステージ
８１４    開口部
８１５    材料層
８１６    制御装置
９０１    基板
９０２    第１の電極
９０３    ＥＬ層
９０４    第２の電極
９１１    正孔注入層
９１２    正孔輸送層
９１３    発光層
９１４    電子輸送層
９１５    電子注入層
１００１    基板
１００４    絶縁層
１０１３    第１の電極
１０１４    隔壁
１０１５    ＥＬ層
１０１６    第２の電極
１０２１    発光領域
１０２２    隔壁
１１０２    データ線
１１０３    走査線
１１０４    隔壁
１１０５    領域
１１０６    入力端子
１１０７    入力端子
１１０８    接続配線
１２００    ＥＬ層
１２０１    駆動回路部（ソース側駆動回路）
１２０２    画素部
１２０３    駆動回路部（ゲート側駆動回路）
１２０４    封止基板
１２０５    シール材
１２０７    空間
１２０８    配線
１２０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１２１０    素子基板
１２１１    スイッチング用ＴＦＴ
１２１２    電流制御用ＴＦＴ
１２１３    第１の電極
１２１４    絶縁物
１２１５    発光素子
１２１６    第２の電極
１２２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
１２２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
１４０１    本体
１４０２    筐体
１４０３    筐体
１４０４    表示部
１４０５    スピーカー
１４０６    マイクロフォン
１４０７    操作キー
１４０８    ポインティングデバイス
１４０９    カメラ用レンズ
１４１０    外部接続端子
１４１１    イヤホン端子
１４１２    キーボード
１４１３    外部メモリスロット
１４１４    カメラ用レンズ
１４１５    ライト
１５０１    基板
１５０２    反射層
１５０３    断熱層
１５０４    光吸収層
１５０５    材料層
１５０６    開口部
１５１１    基板
１５１２    反射層
１５１４    光吸収層
１５１５    材料層
１５１６    開口部
２１０１    ガラス基板
２１０２    反射層
２１０３    断熱層
２１０４    光吸収層
２１０５    材料層
２１０６    開口部
２１１２    第２の断熱層
２１１４    下地膜
３１０１    ガラス基板
３１０２    反射層
３１０３    断熱層
３１０４    光吸収層
３１０５    材料層
３１０６    開口部
３１１４    下地膜
４１０１    ガラス基板
４１０２    反射層
４１０４    光吸収層
８００１    筐体
８００２    支持台
８００３    表示部
８００４    スピーカー部
８００５    ビデオ入力端子
８１０１    本体
８１０２    筐体
８１０３    表示部
８１０４    キーボード
８１０５    外部接続ポート
８１０６    ポインティングデバイス
８２０１    本体
８２０２    表示部
８２０３    筐体
８２０４    外部接続ポート
８２０５    リモコン受信部
８２０６    受像部
８２０７    バッテリー
８２０８    音声入力部
８２０９    操作キー
８２１０    接眼部
８３０１    照明部
８３０２    傘
８３０３    可変アーム
８３０４    支柱
８３０５    台
８３０６    電源
８４０１    本体
８４０２    筐体
８４０３    表示部
８４０４    音声入力部
８４０５    音声出力部
８４０６    操作キー
８４０７    外部接続ポート
８４０８    アンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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