(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第1方向に夫々延び且つ該第1方向に交差する第２方向に配列されており、走査信号を順次供給するための複数の走査線と、
前記第２方向に夫々延び且つ前記第1方向に配列されており、画像信号を供給するための複数のデータ線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられており、各々がＲ（赤色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）に対応する複数のサブ画素部と、
前記複数のデータ線のうちＲ、Ｇ及びＢの各々に対応する３本の相隣接するデータ線に対して前記画像信号を供給すると共に前記第２方向に一列に配列された三つのサンプリング回路が、前記第1方向に複数配列されてなるサンプリング手段と
を備え、
前記三つのサンプリング回路は夫々、薄膜トランジスタから構成されると共に、前記第２方向に延びるゲート電極を有し、
前記三つのサンプリング回路の各々において、前記薄膜トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された画像信号線は、前記基板上で平面的に見て前記ゲート電極に重なり且つ前記第２方向に延びる重畳部分を含む
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のデータ線に夫々、電気的に接続された付加容量を更に備え、
前記３本の相隣接するデータ線の相互間における、各々に電気的に接続された前記画像信号線による寄与分も含めての寄生容量の差を低減するように、前記付加容量の値が前記相互間で異なる値とされている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記付加容量は、前記基板と一対をなす対向基板上に設けられた対向電極に電気的に接続された一の容量電極と、前記複数のデータ線の先端に設けられた他の容量電極とが、相対向することで構築されており、
前記一及び他の容量電極の平面サイズを前記相互間で異ならせることで、前記差が低減されている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数のサブ画素部は、前記第２方向に一列に配列されたＲに対応する列、前記第２方向に一列に配列されたＧに対応する列、及び前記第２方向に一列に配列されたＢに対応する列が、順に前記第1方向に配列されてなり、
前記３本のデータ線のうち、前記Ｒに対応する一本のデータ線が、前記Ｒに対応する列に電気的に接続されており、前記Ｇに対応する一本のデータ線が、前記Ｇに対応する列に電気的に接続されており、前記Ｂの画像信号を供給するための一本のデータ線が、前記Ｂに対応する列に電気的に接続されており、
前記複数のサブ画素部のうち前記３本のデータ線に電気的に接続されると共に前記第1方向に相隣接する三つのサブ画素部から、一つの画素部が構成される
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記三つのサンプリング回路のうち一のサンプリング回路に係る前記画像信号線は、前記基板上で平面的に見て、前記三つのサンプリング回路のうち他のサンプリング回路を構成する前記薄膜トランジスタの脇を前記第２方向に通過する部分を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記サンプリング手段及び前記画像信号線は、前記通過する部分が、前記脇として前記三つのサンプリング回路について同一側にある脇を通過するように、配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタは、前記基板上で、チャネル領域、前記ソース及び前記ドレインを含む半導体層、ゲート絶縁膜、並びに前記ゲート電極が、この順に積層されてなり、
前記ゲート電極の上には、一の層間絶縁膜、及び前記画像信号線を構成する一の導電膜が、この順に積層されている
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記一の導電膜及び前記ゲート電極間に前記一の層間絶縁膜及び他の層間絶縁膜を介して挟持されていると共に他の導電膜から構成されており、前記画像信号線を中継接続する中継配線を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば短板式にてカラー表示可能である、液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、一つの画素部を構成するＲＧＢ（即ち、赤色、緑色、青色）別の三つのサブ画素部は、典型的には、一つの画素内にて横方向或いはＸ方向に並べられる。ＲＧＢ別の画像信号は、相隣接する３本のデータ線を介して、これら三つサブ画素部に同時に供給される。更に、駆動周波数を高める等の目的から、シリアル−パラレル変換若しくは展開（即ち、相展開）が利用される場合には、ＲＧＢ別の画像信号は、横方向に並ぶ複数の画素部に対して、同時に供給される。特に、このように画像信号を供給する場合に発生し易いとされる、ＲＧＢの系列内における縦スジを低減するために、データ線或いはソース線に付加容量を付ける技術も提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５６９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置では、高精細化という一般的要請下で画素ピッチを小さくすると、ＲＧＢ別に設けられるサンプリング回路を、同じピッチで横方向に並べたまま基板上に作り込むことが著しく困難になる。これに対して先ず、本願発明者の研究によれば、ＲＧＢ別の三つのサンプリング回路を、縦方向に並べる、即ち縦方向に三段にして作り込むことが考えられる。
【０００５】
しかしながら、背景技術等にある電気光学装置において、三段のサンプリング回路を作り込むと、三段のサンプリング回路の相互間で、データ線に至るまでの配線長、配線経路、寄生容量等に無視し得ない差が生じる。よって、ＲＧＢの系列内のみのらず系列間におけるスジムラ、言い換えれば縦スジが大なり小なり発生してしまう。特に、典型的にはそうであるように、サンプリング回路を薄膜トランジスタで構成すると、ＲＧＢの系列間でソースのプッシュダウン量に無視し得ない差が生じる。このため、例えば液晶に対する局所的な直流成分の印加によって或いは対向電極の電位設定に狂いが生じることで、焼き付きも発生し易くなってしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、短板式で高品位のカラー表示を行うことが可能であり、しかも高精細化に適している電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第1電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、第1方向に夫々延び且つ該第1方向に交差する第２方向に配列されており、走査信号を順次供給するための複数の走査線と、前記第２方向に夫々延び且つ前記第1方向に配列されており、画像信号を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられており、各々がＲ（赤色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）に対応する複数のサブ画素部と、前記複数のデータ線のうちＲ、Ｇ及びＢの各々に対応する３本の相隣接するデータ線に対して前記画像信号を供給すると共に前記第２方向に一列に配列された三つのサンプリング回路が、前記第1方向に複数配列されてなるサンプリング手段とを備え、前記三つのサンプリング回路は夫々、薄膜トランジスタから構成されると共に、前記第２方向に延びるゲート電極を有し、前記三つのサンプリング回路の各々において、前記薄膜トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された画像信号線は、前記基板上で平面的に見て前記ゲート電極に重なり且つ前記第２方向に延びる重畳部分を含む。
【０００８】
本発明の第１電気光学装置によれば、その動作時には、例えば電源信号、データ信号、制御信号等の各種信号が入出力されると、例えば基板上に作り込まれた内蔵駆動回路又は外付けされた駆動回路によって、走査信号が走査線に対して順次供給される。これと並行して画像信号がデータ線に対して、例えば相隣接する３本のデータ線毎に同時に、或いは更にシリアル−パラレル変換若しくは展開により、３×ｎ（但し、ｎは２以上の自然数）本のデータ線毎に同時に供給される。具体的には、第２方向（即ち典型的には縦方向又はＹ方向）に一列に配列された三つのサンプリング回路から、Ｒ、Ｇ及びＢに対応する３本の相隣接するデータ線に対して、ＲＧＢ別の画像信号が同時に又は逐次に供給される。このような各種信号の入出力によって、第１電気光学装置において、例えば液晶表示、ＥＬ（ElectroLuminescence）表示、プラズマ表示等の電気光学動作がアクティブマトリクス方式で行われる。本発明では特に、画素領域に、典型的にはＲＧＢ（赤緑青）別のカラーフィルタが画素毎に設けられており、各画素では、ＲＧＢ別の三つのサブ画素部から構成される画素部によって、画素単位でＲＧＢの合成によるカラー表示が可能となり、画素領域全体としては短板式でカラー表示或いはフルカラー表示が行われる。
【０００９】
尚、本願において「画素領域」とは個々の画素が占める領域を意味するのではなく、縦横に配列された多数の画素から構成される領域の全体を意味し、典型的には「画像表示領域」を意味する。
【００１０】
ここで本発明では特に、三つのサンプリング回路は夫々、画素スイッチング用の素子である薄膜トランジスタと同じ又は異なる積層構造を有する薄膜トランジスタから構成されており、第２方向に延びるゲート電極を共用で有する。しかも、薄膜トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された画像信号線は、サンプリング前又は後における画像信号を供給するべく、ゲート電極に重なり且つ第２方向に延びる重畳部分を含む。従って、画像信号線の幅方向について言えば、重畳部分を含むが故に、重畳部分がなく薄膜トランジスタの脇を画像信号線が全て通過する場合と比較して、格段に幅狭で済むことになる。よって、画素ピッチ或いはデータ線の配線ピッチの微細化に対応して、サンプリング手段における幅を狭めることが容易となるので、高精細化に極めて適したサンプリング手段が実現されることになる。
【００１１】
尚、３本の相隣接するデータ線の相互間における、画像信号線による寄与分も含めての寄生容量の差は、重畳部分の存在により大きくなりかねない。しかしながら、例えば、重畳部分及びゲート電極間の層間距離を（例えば、両者間に介在する層間絶縁膜の膜厚を）大きくとることで若しくは両者間に電磁シールド層を設けることで、又は、後述する態様の如く付加容量をデータ線毎に設けると共にその容量値を該寄生容量の差が小さくなるように調整することで、該寄生容量の差を小さくできる。即ち、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを未然防止する又は低減することは、比較的容易にして可能である。
【００１２】
このように本発明によれば、高精細化を容易にして図りつつ、短板式で高品位のカラー表示を行うことが可能となる。
【００１３】
本発明の第１電気光学装置の一態様では、前記複数のデータ線に夫々、電気的に接続された付加容量を更に備え、前記３本の相隣接するデータ線の相互間における、各々に電気的に接続された前記画像信号線による寄与分も含めての寄生容量の差を低減するように、前記付加容量の値が前記相互間で異なる値とされている。
【００１４】
この態様によれば、３本の相隣接するデータ線の相互間における寄生容量の差が、仮に重畳部分の存在により大きくなったとしても、データ線毎に設けられた付加容量の容量値を該寄生容量の差が小さくなるように調整することで、該寄生容量の差を小さくできる。即ち、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを未然防止又は低減できる。付加容量は、好ましくは、データ線の先端や根元など、画素領域における表示動作などの電気光学動作の邪魔とならない領域に作り込まれるとよい。
【００１５】
この態様では、前記付加容量は、前記基板と一対をなす対向基板上に設けられた対向電極に電気的に接続された一の容量電極と、前記複数のデータ線の先端に設けられた他の容量電極とが、相対向することで構築されており、前記一及び他の容量電極の平面サイズが前記相互間で異ならしめられることで、前記差が低減されているように構成してもよい。
【００１６】
このように構成すれば、典型的にはＬＣＣＯＭ等と称される固定電位又は一定周期で矩形波的に反転される所定電位である対向電極電位に落とされる対向電極に電気的に接続された一の容量電極を利用して、付加容量を実現できる。この際、容量電極の平面サイズを変更するだけで、前述の寄生容量の差を低減できるので、実施が極めて容易である。
【００１７】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記複数のサブ画素部は、前記第２方向に一列に配列されたＲに対応する列、前記第２方向に一列に配列されたＧに対応する列、及び前記第２方向に一列に配列されたＢに対応する列が、順に前記第1方向に配列されてなり、
前記３本のデータ線のうち、前記Ｒに対応する一本のデータ線が、前記Ｒに対応する列に電気的に接続されており、前記Ｇに対応する一本のデータ線が、前記Ｇに対応する列に電気的に接続されており、前記Ｂの画像信号を供給するための一本のデータ線が、前記Ｂに対応する列に電気的に接続されており、前記複数のサブ画素部のうち前記３本のデータ線に電気的に接続されると共に前記第1方向に相隣接する三つのサブ画素部から、一つの画素部が構成される。
【００１８】
この態様によれば、第２方向に沿って、即ち典型的には縦ストライプ状の、所謂“ストライプ配列”のカラーフィルタを採用しつつ、ＲＧＢ別の三つのサブ画素部から夫々構成される画素部を画素として、カラー表示が可能となる。この際、縦スジや焼き付きが低減されているので、高品位のカラー表示が可能となり、高精細度することも容易である。
【００１９】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記三つのサンプリング回路のうち一のサンプリング回路に係る前記画像信号線は、前記基板上で平面的に見て、前記三つのサンプリング回路のうち他のサンプリング回路を構成する前記薄膜トランジスタの脇を前記第２方向に通過する部分を有する。
【００２０】
この態様によれば、基板上で平面的に見て、Ｒ、Ｇ及びＢに対応する３本の相隣接するデータ線に接続されている各サンプリング回路が形成されている周辺領域部分について、一方の片側にサンプリング回路が寄せられると共に他方の片側に通過する部分が寄せられる。よって、この周辺領域部分については、サンプリング回路及び画像信号線のレイアウト効率が極めて高いこととなる。
【００２１】
この態様では、前記サンプリング手段及び前記画像信号線は、前記通過する部分が、前記脇として前記三つのサンプリング回路について同一側にある脇を通過するように、配置されているように構成してもよい。
【００２２】
このように構成すれば、基板上で平面的に見て、Ｒ、Ｇ及びＢに対応する３本の相隣接するデータ線に接続されている三つのサンプリング回路が形成されている周辺領域部分について、一方の片側にサンプリング回路が寄せられると共に他方の片側に通過する部分が寄せられる。よって、この周辺領域部分については、サンプリング回路及び画像信号線のレイアウト効率が極めて高いこととなる。更に、この周辺領域部分が第1方向に複数配列されているので、周辺領域の全域としても、サンプリング回路及び画像信号線のレイアウト効率が極めて高いこととなる。
【００２３】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタは、前記基板上で、チャネル領域、前記ソース及び前記ドレインを含む半導体層、ゲート絶縁膜、並びに前記ゲート電極が、この順に積層されてなり、前記ゲート電極の上には、一の層間絶縁膜、及び前記画像信号線を構成する一の導電膜が、この順に積層されている。
【００２４】
この態様によれば、基板上には、薄膜トランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、一の層間絶縁膜、及び画像信号線を構成する一の導電膜が、この順に積層されており、基板上における積層構造及び製造工程を簡略化でき、実践上極めて有利となる。
【００２５】
この態様では、前記一の導電膜及び前記ゲート電極間に前記一の層間絶縁膜及び他の層間絶縁膜を介して挟持されていると共に他の導電膜から構成されており、前記画像信号線を中継接続する中継配線を更に備えてもよい。
【００２６】
このように構成すれば、中継配線を利用して、相異なる画像信号線が交差する箇所についても問題なく、電気的に接続された状態を構築できるので、実践上極めて有利である。尚、このような中継配線は、導電性金属膜から構成されてもよいし、導電性ポリシリコン等の非金属性の導電性材料から構成されてもよい。
【００２７】
本件の参考発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域に第1方向に夫々延び且つ該第1方向に交差する第２方向に配列されており、走査信号を順次供給するための複数の走査線と、前記画素領域に前記第２方向に夫々延び且つ前記第1方向に配列されており、ＲＧＢ別の画像信号を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交点に対応してサブ画素毎に設けられており、各々がＲ、Ｇ又はＢに対応する複数のサブ画素部と、前記複数のデータ線のうちＲ、Ｇ及びＢに対応する３本の相隣接するデータ線に対して前記画像信号を供給すると共に前記第２方向に一列に配列された三つのサンプリング回路が、前記第1方向に複数配列されてなるサンプリング手段と、前記複数のデータ線に夫々電気的に接続された付加容量とを備え、前記３本の相隣接するデータ線の相互間における、各々に電気的に接続された前記画像信号線による寄与分も含めての寄生容量の差を低減するように、前記付加容量の値が前記相互間で異なる値とされている。
【００２８】
本件の参考発明に係る電気光学装置によれば、その動作時には、上述した本発明にかかる第1電気光学装置の場合と同様に、例えば液晶表示、ＥＬ（ElectroLuminescence）表示、プラズマ表示等の電気光学動作がアクティブマトリクス方式で行われる。
【００２９】
ここで本発明では特に、付加容量が、複数のデータ線に夫々電気的に接続されており、しかも、３本の相隣接するデータ線の相互間における、画像信号線による寄与分も含めての寄生容量の差を低減するように、付加容量の値が相互間で異なる値とされている。従って、３本の相隣接するデータ線の相互間における寄生容量の差が、仮に無視し得ない程度に大きかったとしても、データ線毎に設けられた付加容量の容量値を該寄生容量の差が小さくなるように調整することで、該寄生容量の差を小さくできる。即ち、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを未然防止又は低減できる。付加容量は、好ましくは、データ線の先端や根元など、画素領域における表示動作などの電気光学動作の邪魔とならない領域に作り込まれるとよい。
【００３０】
このように本発明によれば、高精細化を容易にして図りつつ、短板式で高品位のカラー表示を行うことが可能となる。
【００３１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００３２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３５】
＜１：電気光学装置＞
本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置１００を例にとって説明する。
【００３６】
先ず、本実施形態に係る液晶装置１００の具体的な構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、液晶装置１００の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３７】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００４０】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。
【００４３】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路７１が形成されている。その他、このＴＦＴアレイ基板１０上には、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４４】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、カラーフィルタ２６が各画素電極９に対向するように所定の厚みで形成されている。本実施形態では、１つの単位画素は、３つのサブ画素から構成されており、該サブ画素毎に上述した画素電極９、画素スイッチング用のＴＦＴ、カラーフィルタ２６等が設けられている。単位画素を構成する３つのサブ画素には、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ及び青色（Ｂ）のカラーフィルタがそれぞれ設けられている。赤色のカラーフィルタは、赤色の光（即ち、例えば６２５〜７４０ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタであり、緑色のカラーフィルタは、緑色の光（即ち、例えば５００〜５６５ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタであり、青色のカラーフィルタは、青色の光（即ち、例えば４５０〜４８５ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタである。尚、カラーフィルタ２６は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられてもよい。
【００４５】
対向基板２０には遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、格子状等にパターニングされている。そして、カラーフィルタ２６及び遮光膜２３上に形成された保護膜（図示省略）上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成された複数の画素電極９と対向して、ベタ状に形成されている。
【００４６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００４７】
図３に示すように、液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０は、画像表示領域１０ａにおいて、縦横に配線されたデータ線６（即ち、データ線６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂ）及び走査線１１を備えており、それらの交点に対応してサブ画素７０が形成されている。各サブ画素７０は、液晶素子１１８の画素電極９、及び画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０、並びに蓄積容量１１９を備えている。尚、本実施形態では、走査線１１の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線６の総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００４８】
本実施形態では、単位画素８０は、走査線１１が延びる方向（即ち、Ｘ方向）に互いに隣り合う３つのサブ画素７０（即ち、サブ画素７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂ）により構成されている。対向基板２０側に、サブ画素７０Ｒの画素電極９に対向するように赤色のカラーフィルタ２６が設けられ、サブ画素７０Ｇの画素電極９に対向するように緑色のカラーフィルタ２６が設けられ、サブ画素７０Ｂの画素電極９に対向するように青色のカラーフィルタ２６が設けられている。これにより単位画素８０毎のカラー表示が可能となっている。
【００４９】
赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ２６は、データ線６が延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿うストライプ状に設けられている。一のデータ線６には、赤色、緑色及び青色のいずれかの色のサブ画素７０が電気的に接続されている。即ち、データ線６Ｒには、赤色のサブ画素７０Ｒが電気的に接続され、データ線６Ｇには、緑色のサブ画素７０Ｇが電気的に接続され、データ線６Ｂには、青色のサブ画素７０Ｂが電気的に接続されている。
【００５０】
図３に示すように、液晶装置１００は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７１及び画像信号線５００を備えている。
【００５１】
走査線駆動回路１０４には、外部回路から外部回路接続端子１０２（図１参照）を介してＹクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００５２】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２（図１参照）を介してＸクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００５３】
サンプリング回路７１は、データ線６毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ７１（以下、サンプリングトランジスタという）を備えている。より詳細には、サンプリング回路７１は、赤色のサブ画素７０Ｒに電気的に接続されたデータ線６Ｒ毎に設けられた複数のサンプリングトランジスタ７１Ｒと、緑色のサブ画素７０Ｇに電気的に接続されたデータ線６Ｇ毎に設けられた複数のサンプリングトランジスタ７１Ｇと、青色のサブ画素７０Ｂに電気的に接続されたデータ線６Ｂ毎に設けられた複数のサンプリングトランジスタ７１Ｂとを備えている。尚、サンプリングトランジスタ７１Ｒ、７１Ｇ及び７１ＢのＴＦＴアレイ基板１０上におけるレイアウトについては、後に詳細に説明する。
【００５４】
画像信号線５００は、本実施形態では１２本設けられている。１系統の画像信号が外部の画像処理回路によって１２相にシリアル−パラレル展開（或いは相展開）された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が、１２本の画像信号線５００を介して電気光学装置１００に供給される。そして、ｎ本のデータ線６は、以下に説明するように、画像信号線５００の本数に対応する１２本のデータ線６を１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。
【００５５】
データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングトランジスタ７１毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングトランジスタ７１はオン状態（即ち、導通状態）及びオフ状態（即ち、非導通状態）が切り換えられる。１２本の画像信号線５００から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が、オン状態となったサンプリングトランジスタ７１を介して、データ線群に属するデータ線６に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。これにより、一のデータ線群に属するデータ線６は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、１２本のデータ線６をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えることができる。
【００５６】
図３中、一つのサブ画素７０の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、１２）が供給されるデータ線６が電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９が電気的に接続されている。ここで、各サブ画素７０において、液晶素子１１８は、画素電極９と対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。
【００５７】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量１１９が、液晶素子１１８と並列に付加されている。蓄積容量１１９によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５８】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍによって、各走査線１１は線順次に選択される。選択された走査線１１に対応するサブ画素７０において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、当該サブ画素７０は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９には、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。
【００５９】
また、相隣接するデータ線６の相互間における寄生容量の差を、各データ線６について同等にするために、付加容量１２０がデータ線６毎に付加されている。これにより、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを防止することができる。尚、付加容量１２０は、画像表示領域１０ａにおける画素の配置の妨げとならないように、画像表示領域１０ａの周辺領域に配置されている。
【００６０】
次に、本実施形態に係る液晶装置のサンプリングトランジスタのレイアウトについて、説明する。ここに図４は、本実施形態に係る液晶装置１００のサンプリングトランジスタのレイアウトを概略的に示す平面図である。図５は、本実施形態に係る液晶装置のサンプリングトランジスタの配線レイアウトを具体的に示した平面図である。
【００６１】
図４に示すように、複数のサンプリングトランジスタ７１（即ち、サンプリングトランジスタ７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂ）は、単位画素８０がマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、対応するサブ画素７０の色別に、Ｘ方向に配列されると共にＹ方向に互いにずれて配置されている。即ち、緑色に対応する複数のサンプリングトランジスタ７１ＧがＸ方向に配列され、該配列よりも画像表示領域１０ａからＹ方向に沿って遠い側に、赤色に対応する複数のサンプリングトランジスタ７１ＲがＸ方向に沿って配列され、該配列よりも画像表示領域１０ａからＹ方向に沿って遠い側に、青色に対応する複数のサンプリングトランジスタ７１ＢがＸ方向に沿って配列されている。同一の単位画素８０を構成するサブ画素７０Ｇ、７０Ｒ及び７０Ｂに対応するサンプリングトランジスタ７１Ｇ、７１Ｒ及び７１Ｂは、Ｙ方向に沿って配列されている。
【００６２】
即ち、本実施形態では、複数のサンプリングトランジスタ７１は、Ｘ方向に沿って１列として配列されるのではなく、対応するサブ画素７０の色別にＸ方向に沿った３列として配列されている。このため、サブ画素７０の配列ピッチが小さい場合でも、サンプリングトランジスタ７１のサイズを十分に確保しつつ複数のサンプリングトランジスタ７１を周辺領域に容易に配置することができる。
【００６３】
図４におけるサンプリングトランジスタ７１Ｇ、７１Ｒ及び７１Ｂは、図５に示すように、半導体層７５Ｒ、７５Ｇ及び７５Ｂと、Ｙ方向に延びる共用のゲート電極７２とから形成されている。ゲート電極７２には、データ線駆動回路１０１から所定のタイミングでサンプリング信号Ｓｉが供給され、サンプリングトランジスタ７１Ｇ、７１Ｒ及び７１Ｂは、同時にオン状態及びオフ状態が切り換えられる。
【００６４】
サンプリングトランジスタ７１Ｇのソース配線７１Ｇｓは、サンプリングトランジスタ７１Ｇを構成する半導体７５Ｇのソース領域に、コンタクトホール１８２ｇを介して電気的に接続されている。ソース配線７１Ｇｓは、半導体７５Ｒ上に位置するゲート電極７２との重畳部分を経て、サンプリングトランジスタ７１Ｂを構成する半導体７５Ｂのドレイン領域の脇をＹ方向に通過するように形成されている。尚、ソース配線７１Ｇｓは、半導体７５Ｇに接続される側と反対の他端側において、対応する画像信号線５００と例えばコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されている（図３参照）。サンプリングトランジスタ７１Ｇのドレイン配線７１Ｇｄは、サンプリングトランジスタ７１Ｇを構成する半導体７５Ｇにおけるドレイン領域にコンタクトホール１８３ｇを介して電気的に接続されている。ドレイン配線７１ｄは、そのサンプリングトランジスタ７１Ｇに接続される側と反対の他端側において、対応するデータ線６Ｇとコンタクトホール１８１ｇを介して互いに電気的に接続されている。
【００６５】
サンプリングトランジスタ７１Ｒのソース配線７１Ｒｓは、サンプリングトランジスタ７１Ｒを構成する半導体７５Ｒにおけるソース領域にコンタクトホール１８２ｒを介して電気的に接続されている。ソース配線７１Ｒｓは、半導体７５Ｂ上に位置するゲート電極７２との重畳部分を経て、サンプリングトランジスタ７１Ｒに接続される側と反対の他端側において、対応する画像信号線５００と例えばコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されている（図３参照）。サンプリングトランジスタ７１Ｒのドレイン配線７１Ｒｄは、サンプリングトランジスタ７１Ｒを構成する半導体７５Ｒにおけるドレイン領域にコンタクトホール１８３ｒを介して電気的に接続されている。ドレイン配線７１ｒは、サンプリングトランジスタ７１Ｇを構成する半導体７５Ｇのドレイン領域の脇をＹ方向に通過するように形成されている。そして、半導体７５Ｒに接続される側と反対の他端側において、対応するデータ線６Ｒとコンタクトホール１８１ｒを介して互いに電気的に接続されている。
【００６６】
サンプリングトランジスタ７１Ｂのソース配線７１Ｂｓは、サンプリングトランジスタ７１Ｂを構成する半導体７５Ｂにおけるソース領域に、コンタクトホール１８２ｂを介して電気的に接続されている。ソース配線７１Ｂｓは、半導体７５Ｂに接続される側と反対の他端側において、対応する画像信号線５００と例えばコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されている（図３参照）。サンプリングトランジスタ７１Ｂのドレイン配線７１Ｂｄは、サンプリングトランジスタ７１Ｂを構成する半導体７５Ｂにおけるドレイン領域にコンタクトホール１８３ｂを介して電気的に接続されている。ドレイン配線７１ｂは、サンプリングトランジスタ７１Ｒを構成する半導体７５Ｒのドレイン領域の脇をＹ方向に通過し、半導体７５Ｂ上に位置するゲート電極７２と重畳部分を有するように形成されている。半導体７５Ｂに接続される側と反対の他端側において、対応するデータ線６Ｂとコンタクトホール１８１ｂを介して互いに電気的に接続されている。
【００６７】
本実施形態では特に、中継配線７３を用いることによって、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、サンプリングトランジスタ７１が共用するゲート電極７２の占める領域に、ソース又はドレインに電気的に接続された画像信号線（サンプリングトランジスタ７１Ｇとサンプリングトランジスタ７１Ｒのソース配線、サンプリングトランジスタ７１Ｂのドレイン配線）を重畳的に配置している。即ち、中継配線７３によって、トランジスタ７１周りの電気的配線を立体的に配置することで、画像信号線が局所的に相互に交差する、図５に図示したトランジスタ７１のレイアウトパターンを実現している。これにより、トランジスタ７１周りの配線をサンプリングトランジスタの脇を引き回す必要がなくなり、該レイアウトパターンにおけるＸ方向の幅を狭めることができる。その結果、サンプリング回路７１を省スペース化することが可能となり、画素ピッチ或いはデータ線の配線ピッチの微細化に対応した高品質な電気光学装置を実現することができる。
【００６８】
次に、図６及び図７を参照して、図５に示したレイアウトパターンの積層構造について、詳細に説明する。図６は、図５のＶ１−Ｖ１´間断面図である。図７は、図５のＶ２−Ｖ２´間断面図である。
【００６９】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層された下地絶縁膜４１の上に、半導体７３が配置されている。半導体７３は、ゲート絶縁膜として機能する酸化膜４２で覆われており、ゲート電極７２と電気的に絶縁されている。尚、半導体７３には、ＬＤＤ層７４を設けてもよい。ソース配線７１Ｒｓ及びドレイン配線７１Ｒｄは、コンタクトホール１８２ｒ及び１８３ｒを介して、半導体７３と電気的に夫々接続されている。
【００７０】
サンプリングトランジスタ７１Ｂのドレイン配線７１Ｂｄ、サンプリングトランジスタ７１Ｒのドレイン配線７１Ｒｄ、サンプリングトランジスタ７１Ｇのソース配線７１Ｇｓは、ゲート電極７２を覆うように積層された層間絶縁膜４３、４４の上に、夫々、アルミニウムで同一層に形成されている。ゲート電極７２と、ゲート電極７２と重畳して形成されているサンプリングトランジスタ７１Ｇのソース配線７１Ｇｓとの距離は、層間絶縁膜４３及び４４によって、大きく確保されている。該距離は、本実施形態において、例えば８００ｎｍである。このように、サンプリングトランジスタ７１Ｇのソース配線７１Ｇｓと、ゲート電極７２との距離を十分にとることで、３本の相隣接するデータ線６の相互間における寄生容量を小さくすることができる。その結果、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを未然防止する又は低減することが可能となる。
【００７１】
図７において、サンプリングトランジスタ７１Ｂのドレイン配線７１Ｂｄ、サンプリングトランジスタ７１Ｒのドレイン配線７１Ｒｄ、及びサンプリングトランジスタ７１Ｇのソース配線７１Ｇｓが、アルミニウムで同一層に夫々形成されている。図７に示す２つのドレイン配線７１Ｂｄは、コンタクトホール７４によって中継配線７３に接続されることにより、互いに電気的に接続されている。
【００７２】
次に、周辺領域に形成された付加容量１２０（図３参照）の機能及び具体的構成について、図８〜図１０を参照して説明する。
【００７３】
図８は、画像表示領域の周辺領域における、サンプリングトランジスタ７１と付加容量１２０との等価回路である。尚、図８では、説明の便宜上、画像表示領域における画素構造などの詳細な等価回路は省略し、データ線６のみを表示している。
【００７４】
寄生容量１４０は夫々、データ線相互間における寄生容量である。付加容量１２０は、サンプリング回路７１が形成されているのと反対側における画像表示領域の周辺領域に、データ線６毎に存在している。これにより、各データ線６における寄生容量１４０の差が同等になるように調整されている。尚、付加容量１２０は、画像表示領域１０ａにおける画素の配置の妨げとならないように、画像表示領域１０ａの周辺領域に配置されている。
【００７５】
本実施形態では、図５に示すように、サンプリングトランジスタ７１Ｂのドレイン配線７１Ｂｄは、ゲート電極７２と重畳部分を有するが、サンプリングトランジスタ７１Ｒ及び７１Ｇのドレイン配線７１Ｒｄ及び７１Ｇｄは、ゲート電極７２との重畳部分を有さない。一方、サンプリング他トランジスタ７１Ｂのソース配線７１Ｂsは、ゲート電極７２との重畳部分を有さないが、サンプリングトランジスタ７１Ｒ及び７１Ｇのソース配線７１Ｒｓ及び７１Ｇｓは、ゲート電極７２と重畳部分を有する。このように、データ線６毎に具体的な配線の引き回し方が異なるために、各データ線は相異なる容量値を持つ寄生容量１４０Ｒ，１４０Ｇ及び１４０Ｂを有する。
【００７６】
また、本発明者の研究によれば、ソース配線がゲート電極７２と重畳部分を有する場合には、寄生容量１４０はゲートとソースとの間に配置され、ドレイン配線がゲート電極７２と重畳部分を有する場合には、寄生容量１４０はゲートとドレインとの間に配置されることが分かっている。そのため、図８では、寄生容量１４０Ｒと１４０Ｇとは、ゲートとソースとの間に配置されているが、寄生容量１４０Ｂのみが、ゲートとドレインとの間に配置されている。
【００７７】
このように、サンプリングトランジスタ７１周りの回路の引き回し方によって、各データ線６に生ずる寄生容量値が相異なるため、容量値の相異なる付加容量１２０を設けることによって、各データ線６間における寄生容量値の差を小さくしている。
【００７８】
次に図９を参照して、付加容量１２０の具体的構造を説明する。
【００７９】
図９において、付加容量１２０は、容量電極７６と容量電極７７との間に誘電体膜４６を挟持することにより構成されている。付加容量１２０は、サンプリング回路７１が形成されているのと反対側における画像表示領域１０ａの周辺領域に、データ線６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）毎に存在している（図３参照）。データ線６は、コンタクトホール７５を介して、容量電極７６と電気的に接続されている。容量電極７６は、図７における中継配線７３と同一層に形成されており、且つ、同じ材料、例えばアルミニウムで形成されている。容量電極７７は、ゲート電極７２と同一層に形成されており、且つ、同じ材料、例えば導電性ポリシリコンで形成されている。このように、同一層に形成した導電膜を加工することにより、汎用のパターニング手法等を用いて容量電極７６を容易に形成できる。
【００８０】
付加容量１２０は、容量電極７６又は容量電極７７のどちらか一方の面積を変更することによって、容易に容量値を変えることができる。例えば、図１０に示すように、図９の場合に比べて、サンプリングトランジスタ７１Ｂに対応する容量電極７７のみの面積を小さくすることで、付加容量１２０の容量値を小さくすることができる。
【００８１】
以上の結果、サンプリング回路を実現しているトランジスタ回路のレイアウトを、重畳部分を含ように構成することによって、画素ピッチ或いはデータ線６の配線ピッチの微細化に対応し、高精細化を図れる。また、データ線６の相互間における寄生容量の差が小さくなるように、データ線毎に設けられた付加容量１２０の値を調整することにより、該寄生容量の差に起因する縦スジ若しくは焼き付きを未然防止する又は低減することが可能となる。このように本実施形態によれば、高精細化を容易にして図りつつ、短板式で高品位のカラー表示を行うことが可能となる。
＜２：電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８２】
先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図１１を参照して説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００８３】
図１１に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された３枚のミラー１１０６によって液晶パネル１１１０に入射される。
【００８４】
液晶パネル１１１０の構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲＧＢの画像信号で駆動されるものである。そして、この液晶パネル１１１０によって光が変調されることにより表示されるカラー画像が、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等に投写されることとなる。
【００８５】
次に、上述した液晶装置を、携帯電話に適用した例について、図１２を参照して説明する。ここに図１２は、携帯電話の構成を示す斜視図である。
【００８６】
図１２において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、上述した液晶装置を適用した表示部１００５を備えるものである。
【００８７】
尚、図１１及び図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８８】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００８９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置のサンプリングトランジスタのレイアウトを概略的に示す平面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置のサンプリングトランジスタの配線のレイアウトを示す平面図である。
【図６】図５のＶ１−Ｖ１´断面図である。
【図７】図５のＶ２−Ｖ２´断面図である。
【図８】本実施形態の画像表示領域の周辺領域における、サンプリングトランジスタ７１と付加容量１２０の等価回路である。
【図９】本実施形態の画像表示領域の周辺領域における、付加容量の断面図である。
【図１０】本実施形態の画像表示領域の周辺領域において、付加容量の電極面積の変形例を示す断面図である。
【図１１】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１２】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９１】
６ａ  データ線、  １１  走査線、  ９  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  ２０  対向基板、  ２３  遮光膜、  ２６  カラーフィルタ、  ３０  ＴＦＴ、  ５０  液晶層、  ７０  サブ画素、  ７１  サンプリング回路、  ７２  ゲート電極、  １００  電気光学装置
【図１】
0005239512.tif 000002
【図２】
0005239512.tif 000003
【図３】
0005239512.tif 000004
【図４】
0005239512.tif 000005
【図５】
0005239512.tif 000006
【図６】
0005239512.tif 000007
【図７】
0005239512.tif 000008
【図８】
0005239512.tif 000009
【図９】
0005239512.tif 000010
【図１０】
0005239512.tif 000011
【図１１】
0005239512.tif 000012
【図１２】
0005239512.tif 000013