(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷却器とからなる半導体冷却構造であって、
上記冷却器は、上記半導体モジュールの主面との間に、複数の突起部を有する金属板からなる突起形成板を挟むように、該突起形成板に接触配置されており、
該突起形成板は、上記突起部を、上記半導体モジュールの主面に当接させており、
上記突起形成板における上記突起部は、上記半導体モジュールと上記冷却器とからの加圧力によって変形するよう構成されており、
上記突起形成板は、上記半導体モジュール及び上記冷却器との積層方向に付勢されたバネ構造を有し、
上記半導体モジュールの主面及び上記冷却器の表面の少なくとも一方と、上記突起形成板との間には、グリスが介在しており、
上記半導体モジュールは、両面冷却構造を有し、上記突起形成板及び上記冷却器は、上記半導体モジュールの両主面に積層配置されており、
上記突起形成板は、上記半導体モジュールの主面と上記冷却器の表面との間において積層方向に加圧された状態で配置されており、
上記突起形成板は、複数の上記突起部を形成して上記半導体モジュールの主面に当接する突起形成部と、積層方向に直交する方向において上記突起形成部の両側に形成されて上記冷却器の表面に当接する一対のバネ構造部とを備え、
上記一対のバネ構造部の積層方向についてのバネ定数の合計は、上記突起形成部の積層方向についてのバネ定数よりも大きいことを特徴とする半導体冷却構造。
【請求項２】
請求項１において、上記突起形成板は、上記冷却器の表面に接合されており、上記突起部は、上記半導体モジュールの主面に当接していることを特徴とする半導体冷却構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷却器とからなる半導体冷却構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図１８に示すごとく、半導体素子９２１を内蔵した半導体モジュール９２に冷却器９４を加圧密着させて、半導体モジュール９２を冷却する半導体冷却構造９がある（特許文献１参照）。この場合、半導体モジュール９の主面９２５に露出した放熱板９２３と冷却器９４との間に、セラミック等からなる絶縁材９３を配置して、両者の間の電気絶縁性を確保している。
【０００３】
そして、半導体モジュール９の放熱板９２３と絶縁材９３との間、及び絶縁材９３と冷却器９４との間には、それぞれグリス９５を介在させている。このグリス９５を介在させることにより、放熱板９２３と絶縁材９３との間や、絶縁材９３と冷却器９４との間の隙間をなくして、互いの伝熱効率を向上させることができる。
【０００４】
このように、グリス９５を介在させることは、放熱板９２３と絶縁材９３との間や絶縁材９３と冷却器９４との間の隙間をなくすことができるという点では伝熱効率を向上させる効果を期待できるが、より理想的には、グリス９５を介在させることなく、半導体モジュール９と絶縁板９３、更には絶縁板９３と冷却器９４とを直接接触させ、直接的な熱伝達を行わせることが好ましい。
特に、半導体モジュールの主面や冷却器の表面等に絶縁処理を施したうえで、半導体モジュールと冷却器とを直接的に接触させることにより、両者の間の伝熱効率を充分に大きくして、半導体モジュールの冷却効率を高めることが望まれる。
【０００５】
しかしながら、半導体モジュールの主面と冷却器の表面との平面度や表面平滑度を上げて、両者の接触面積を稼ごうとしても、どうしても両者の間には微小な隙間ができてしまう。すなわち、両者の表面の平面度や表面平滑度を上げようとしても限界があり、ミクロで見ると、両者を接触させたときに実際に接触している面積である真実接触面積がどうしても小さくなる。その結果、半導体モジュールと冷却器との間の伝熱効率を向上させることが困難となる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１６５６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体モジュールの冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷却器とからなる半導体冷却構造であって、
上記冷却器は、上記半導体モジュールの主面との間に、複数の突起部を有する金属板からなる突起形成板を挟むように、該突起形成板に接触配置されており、
該突起形成板は、上記突起部を、上記半導体モジュールの主面に当接させており、
上記突起形成板における上記突起部は、上記半導体モジュールと上記冷却器とからの加圧力によって変形するよう構成されており、
上記突起形成板は、上記半導体モジュール及び上記冷却器との積層方向に付勢されたバネ構造を有し、
上記半導体モジュールの主面及び上記冷却器の表面の少なくとも一方と、上記突起形成板との間には、グリスが介在しており、
上記半導体モジュールは、両面冷却構造を有し、上記突起形成板及び上記冷却器は、上記半導体モジュールの両主面に積層配置されており、
上記突起形成板は、上記半導体モジュールの主面と上記冷却器の表面との間において積層方向に加圧された状態で配置されており、
上記突起形成板は、複数の上記突起部を形成して上記半導体モジュールの主面に当接する突起形成部と、積層方向に直交する方向において上記突起形成部の両側に形成されて上記冷却器の表面に当接する一対のバネ構造部とを備え、
上記一対のバネ構造部の積層方向についてのバネ定数の合計は、上記突起形成部の積層方向についてのバネ定数よりも大きいことを特徴とする半導体冷却構造にある（請求項１）。
【０００９】
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記半導体冷却構造においては、上記冷却器は、上記半導体モジュールの主面との間に上記突起形成板を挟むように、該突起形成板に接触配置されている。そして、該突起形成板は、上記突起部を、上記半導体モジュールの主面及び上記冷却器の表面の少なくとも一方に当接させている。これにより、上記突起形成板は、複数の突起部において、部分的に半導体モジュールの主面及び冷却器の表面の少なくとも一方と接触することとなる。
【００１０】
そのため、突起部以外の部分においては、突起形成板が半導体モジュールの主面又は冷却器の表面に接触することはないが、突起部においては確実にこれらに接触することができる。それ故、たとえば、半導体モジュールの主面や冷却器の表面の平面度が多少小さかったり、表面粗度が多少大きくても、突起形成板と半導体モジュールの主面及び冷却器の表面の少なくとも一方との真実接触面積を充分に確保することができる。
その結果、半導体モジュールと冷却器との間の熱伝達率を向上させることができ、半導体モジュールの冷却効率を向上させることができる。
【００１１】
また、上記突起部において部分的に、突起形成板と半導体モジュール及び冷却器の少なくとも一方とを接触させることができるため、突起形成板全体への加圧力を比較的小さくしても各突起部における圧力を大きくして、真実接触面積を充分に確保することができる。そのため、半導体モジュールの冷却効率を低下させることなく、半導体モジュールと冷却器との積層方向の加圧力を小さくすることが可能となり、生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
以上のごとく、本発明によれば、半導体モジュールの冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明（請求項１）において、上記半導体冷却構造は、例えば車両用のインバータ等の電力変換装置の一部を構成するものとすることができる。
また、上記突起形成板における上記突起部は、上記半導体モジュールと上記冷却器とからの加圧力によって変形するよう構成されている。
これにより、複数の上記突起部が、上記半導体モジュールの主面や上記冷却器の表面に追従して、確実にこれらに接触することができる。すなわち、たとえば半導体モジュールの主面や冷却器の表面あるいは突起形成板に、充分な平面度が出ていない場合にも、複数の突起部を半導体モジュールの主面や冷却器の表面に確実に接触させやすくなる。
【００１４】
また、上記突起形成板は、上記半導体モジュール及び上記冷却器との積層方向に付勢されたバネ構造を有する。
これにより、上記突起形成板と上記半導体モジュールとの間、及び上記突起形成板と上記冷却器との間の加圧力を、上記突起形成板のバネ構造によって得ることができる。これにより、上記加圧力を付与するためのバネ部材を別個に配設する必要がなくなるため、部品点数を削減することができる。
【００１５】
また、上記半導体モジュールの主面及び上記冷却器の表面の少なくとも一方と、上記突起形成板との間には、グリスが介在している。
これにより、半導体モジュールと冷却器との間の熱伝達率を一層向上させることができる。すなわち、上記のごとく、上記突起形成板の突起部によって、真実接触面積を増加させて熱伝達率を向上させると共に、突起部以外の部分においてもグリスを配置することにより熱伝達率を向上させることができる。
【００１６】
また、上記突起形成板は、上記冷却器の表面に接合されており、上記突起部は、上記半導体モジュールの主面に当接していることが好ましい（請求項２）。
この場合には、半導体冷却構造の組立てを容易に行うことができ、生産性の向上を図ることができる。上記突起形成板は、上記冷却器の表面に、たとえばろう付け等によって接合することができる。
【００１８】
また、上記半導体モジュールは、両面冷却構造を有し、上記突起形成板及び上記冷却器は、上記半導体モジュールの両主面に積層配置されている。
これにより、上記半導体モジュールを両面から冷却することができるため、半導体モジュールの冷却効率に一層優れた半導体冷却構造を得ることができる。
【実施例】
【００１９】
（参考例１）
本発明の実施例にかかる半導体冷却構造につき、図１〜図６を用いて説明する。
本例の半導体冷却構造１は、図１に示すごとく、半導体素子２１を内蔵した半導体モジュール２と、該半導体モジュール２を冷却するための冷却器４とからなる。
冷却器４は、半導体モジュール２の主面２５との間に、複数の突起部３１を有する金属板からなる突起形成板３を挟むように、該突起形成板３に接触配置されている。
突起形成板３は、突起部３１を、半導体モジュール２の主面２５に当接させている。
【００２０】
具体的には、突起形成板３は、冷却器４の表面４５に接合されており、突起部３１は、半導体モジュール２の主面２５に当接している。すなわち、突起形成板３は、図３、図４に示すごとく、平板状の基板部３０から多数の突起部３１を一方の面に隆起させてなる。そして、突起形成板３の基板部３０を、ろう付けによって冷却器４の表面４５に接合している。
【００２１】
また、半導体モジュール２の主面２５には、放熱板２３の表面を被覆するように形成された絶縁膜２６が配されている。そして、突起形成板３の複数の突起部３１が、半導体モジュール２の主面２５を構成する絶縁膜２６に当接している。
絶縁膜２６は、たとえばＳｉＣＮからなる厚さ１０μｍ程度の膜（シリコン炭窒化膜）である。また、突出形成板３及び冷却器４は、たとえばアルミニウムからなる。
【００２２】
突起形成板３における突起部３１は、半導体モジュール２と冷却器４とからの加圧力によって変形するよう構成されている。
本例の半導体冷却構造１における突起部３１は、図４に示すごとく、基板部３０に切り込みを入れて一方の面側へ隆起させるように斜めに屈曲させた斜面部３１１と、該斜面部３１１の先端部から基板部３０側へ屈曲して基板部３０に平行に形成された当接面部３１２とからなる。突起形成板３には、これと同形状の突起部３１が多数形成されている。
そして、図２に示すごとく、突起部３１の当接面部３１２が半導体モジュール２の主面２５に当接し、基板部３０が冷却器４の表面４５に接合された状態で、突起形成板３が半導体モジュール２と冷却器４とから加圧されたとき、突起部３１が基板部３０へ近付く方向に変形する。
【００２３】
また、図１に示すごとく、半導体モジュール２は、両面冷却構造を有し、突起形成板３及び冷却器４は、半導体モジュール２の両主面２５に積層配置されている。すなわち、半導体モジュール２は、両主面２５に、絶縁膜２６によって被覆された放熱板２３を配置しており、それぞれの主面２５に、冷却器４に接合された突起形成板３が接触配置されている。
【００２４】
更に、上記のように配置された冷却器４の反対側にも同様の構成で、突起形成板３及び半導体モジュール２が積層されている。そして、全体としては、図５に示すごとく、冷却器４と半導体モジュール２とが突起形成板３を介して交互に積層配置されている。なお、一対の冷却器４の間には、２個の半導体モジュール２が左右に並列配置された状態で挟持されている。
【００２５】
図１に示すごとく、半導体モジュール２は、ＩＧＢＴ等の半導体素子２１を内蔵したモジュール本体部２０と、該モジュール本体部２０から突出させた外部接続端子２２とを有する。外部接続端子２２には、主電極端子２２１と、該主電極端子２２１の突出方向と略１８０度異なる方向へ突出させた信号端子２２２とがある。モジュール本体部２０は、半導体素子２１とその両面に配された放熱板２３とを樹脂部２４によって封止してなる。そして、半導体モジュール２の一対の主面２５は、放熱板２３の表面を絶縁膜２６によって被覆してなる。
【００２６】
図１に示すごとく、冷却器４は、その内部に冷媒流路４１を有しており、これに冷却媒体を流通可能に構成してある。また、図５に示すごとく、複数の冷却器４の両端をそれぞれ連結するように蛇腹パイプ４０１を配置してある。また、積層方向の一端における冷却器４の両端には、冷媒導入口４０３と冷媒排出口４０４とがそれぞれ接続されている。このようにして、複数の冷却器４を並列配置してなる冷却器ユニット４０が構成されている。
そして、隣り合う冷却器４の間に上述のごとく半導体モジュール２を挟持させ、冷却器４内に冷却媒体を流通させることにより、モジュール本体部２０を両面から冷却することができる。
【００２７】
なお、上記冷却媒体としては、たとえば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３４ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。また、空気などの気体系の冷却媒体を用いることもできる。
【００２８】
また、図５に示す積層配置された複数の半導体モジュール２及び複数の冷却器４とによって構成される半導体冷却構造１は、例えば、インバータ等の電力変換装置の一部を構成する。
半導体モジュール２と冷却器４とを積層配置するに当っては、図６に示すごとく、予め所定の間隔をもって冷却器４を配置しておく。これらの冷却器４は、その積層方向の表面４５に突起形成板３が接合されている。そして、隣合う冷却器４における互いに対向する表面４５に接合された突起形成板３の突起部３１同士の間の間隔は、半導体モジュール２の厚みよりも小さめに形成されている。
【００２９】
この状態の一対の冷却器４の間に、半導体モジュール２を挿入する。これにより、突起部３１が基板部３０側へ変形しながら、半導体モジュール２の一対の主面２５に当接した状態となる。このような挿入作業を、全ての半導体モジュール２について同様に行うことにより、半導体冷却構造１が形成される。
【００３０】
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記半導体冷却構造１においては、冷却器４は、半導体モジュール２の主面２５との間に突起形成板３を挟むように、突起形成板３に接触配置されている。そして、突起形成板３は、突起部３１を、半導体モジュール２の主面２５に当接させている。これにより、突起形成板３は、複数の突起部３１において、部分的に半導体モジュール２の主面２５と接触することとなる。
【００３１】
そのため、突起部３１以外の部分においては、突起形成板３が半導体モジュール２の主面２５に接触することはないが、突起部３１においては確実に半導体モジュール２の主面２５に接触することができる。それ故、たとえば、半導体モジュール２の主面２５や冷却器４の表面４５の平面度が多少小さかったり、表面粗度が多少大きくても、突起形成板３と半導体モジュール２の主面２５との真実接触面積を充分に確保することができる。
その結果、半導体モジュール２と冷却器４との間の熱伝達率を向上させることができ、半導体モジュール２の冷却効率を向上させることができる。
【００３２】
また、上記突起部５において部分的に、突起形成板３と半導体モジュール２とを接触させることができるため、突起形成板３全体への加圧力を比較的小さくしても各突起部３１における圧力を大きくして、真実接触面積を充分に確保することができる。そのため、半導体モジュール２の冷却効率を低下させることなく、半導体モジュール２と冷却器４との積層方向の加圧力を小さくすることが可能となり、生産性の向上を図ることができる。
【００３３】
また、突起形成板３における突起部３１は、半導体モジュール２と冷却器３とからの加圧力によって変形するよう構成されている。これにより、複数の突起部３１が、半導体モジュール２の主面２５や冷却器４の表面４５に追従して、確実にこれらに接触することができる。すなわち、たとえば半導体モジュール２の主面２５や冷却器４の表面４５あるいは突起形成板３に、充分な平面度が出ていない場合にも、複数の突起部３１を半導体モジュール２の主面２５や冷却器４の表面４５に確実に接触させやすくなる。
【００３４】
また、突起形成板３は冷却器４の表面４５に接合されており、突起部３１は半導体モジュール２の主面２５に当接している。これにより、半導体冷却構造１の組立てを容易に行うことができ、生産性の向上を図ることができる。
また、半導体モジュール２は両面冷却構造を有し、突起形成板３及び冷却器４は半導体モジュール２の両主面に積層配置されている。これにより、半導体モジュール２を両面から冷却することができるため、半導体モジュール２の冷却効率に一層優れた半導体冷却構造１を得ることができる。
【００３５】
以上のごとく、本例によれば、半導体モジュールの冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供することができる。
【００３６】
（参考例２）
本例は、図７〜図９に示すごとく、突起形成板３の突起部３１の形状を種々変更した例である。
図７に示す突起部３１は、断面略Ｍ字形状に構成されている。
図８に示す突起部３１は、円錐形状に構成されている。
図９に示す突起部３１は、円錐形状の頂部を基板部３０に平行な平面で切断した平坦頂面３１３を有する。
その他は、参考例１と同様である。本例の場合にも、参考例１と同様の作用効果を奏する。なお、本例に示した以外にも、突起部３１の形状は、種々の形状とすることができる。
【００３７】
（参考例３）
本例は、図１０〜図１２に示すごとく、複数の突起部３１を表裏両面に設けてなる突起形成板３を用いた半導体冷却構造１の例である。
図１１、図１２に示すごとく、突起形成板３は、一方の面と他方の面のそれぞれに、円錐形状の突起部３１を多数突出形成してなる。
そして、図１０に示すごとく、突起形成板３は、一方の面に設けた複数の突起部３１を半導体モジュール２の主面２５に当接させ、他方の面に設けた複数の突起部３１を冷却器４の表面４５に当接させている。
【００３８】
本例の突起形成板３は、冷却器４にも半導体モジュール２にも接合することなく、これらと別体の部品として用意され、半導体モジュール２と冷却器４とを積層配置して半導体冷却構造１が組み立てる際に、これらと共に積層される。
その他は、参考例１と同様である。
【００３９】
本例の場合には、突起形成板３を、半導体モジュール２と冷却器４のいずれにも接合することなく、半導体モジュール２の主面２５及び冷却器４の表面４５との間の真実接触面積を充分に確保することができる。
その他、参考例１と同様の作用効果を有する。
【００４０】
（参考例４）
本例は、図１３に示すごとく、突起形成板３を略波形状に形成した例である。
すなわち、本例の突起形成板３は、両面側にそれぞれ突き出した直線状の頂辺３１４を有する突起部３１を多数設けてなる。
したがって、突起形成板３と半導体モジュール２の主面２５及び冷却器４の表面４５との接触は、線接触に近い状態となる。
その他は、参考例３と同様である。
【００４１】
本例の場合には、半導体モジュール２と冷却器４とから加圧されたとき、突起形成板３における各突起部３１が高さ方向に若干押し潰され、その頂辺３１４及び積層方向に直交する方向（図１３のＸ方向）に伸びる。これにより、突起形成板３が突起部３１において半導体モジュール２の主面２５及び冷却器４の表面４５に追従するように充分に接触する。
その他、参考例１と同様の作用効果を有する。
【００４２】
（参考例５）
本例は、図１４、図１５に示すごとく、半導体モジュール２と冷却器４との間に、突起形成板３を複数に分割して配置した半導体冷却構造１の例である。
すなわち、上記参考例４に示した突起形成板を略三分割した突起形成板３を半導体モジュール２の主面２５と冷却器４の表面４５との間に、互いに間隔を空けながら３枚並列配置している。
その他は、参考例４と同様である。
【００４３】
本例の場合には、図１５の矢印Ｆに示すごとく、半導体モジュール２と冷却器４とから加圧されて、突起形成板３の突起部３１が高さ方向に若干押し潰されたとき、各突起形成板３はそれぞれ、頂辺３１４及び積層方向に直交する方向（図１５のＸ方向）に伸びる。このとき、各突起形成板３のＸ方向長さが短いため、突起形成板３が充分に伸びやすい。さらに、突起形成板３同士の間に適度な間隔が形成されているため、突起形成板３が伸びたときに、隣合う突起形成板３が干渉することもない。
【００４４】
これにより、加圧時に、突起形成板３が半導体モジュール２の主面２５と冷却器４の表面４５とに充分に追従して、より確実に接触することができる。そのため、半導体モジュール２の主面２５や冷却器４の表面４５の平面度が多少小さくても、突起形成板３と半導体モジュール２の主面２５及び冷却器４の表面４５との間の真実接触面積を充分に確保しやすくなる。
その他、参考例４と同様の作用効果を有する。
【００４５】
（実施例１）
本例は、図１６に示すごとく、半導体モジュール２及び冷却器４との積層方向に付勢されたバネ構造を有する突起形成板３を用いた半導体冷却構造１の例である。
上記突起形成板３は、両端部において冷却器４に接合される一対の脚部３３と、該一対の脚部３３から斜めに立上がるように形成された一対のバネ構造部３２と、該一対のバネ構造部３２の間に形成されて半導体モジュール２の主面２５に当接する突起形成部３１０とからなる。この突起形成部３１０は、参考例４に示す突起形成板と同様の波形状に形成されており、多数の突起部３１が形成されている。
【００４６】
かかる形状の突起形成板３が、半導体モジュール２の主面２５と冷却器４の表面４５との間において積層方向に加圧された状態で配置している。これにより、突起形成板３は、バネ構造部３２において弾性変形して、積層方向の加圧力に対抗する方向に付勢された状態となっている。
この付勢力を生じるのは、上記２箇所のバネ構造部３２であり、積層方向についてのこれらのバネ定数の合計ｋ１は、突起形成部３１０におけるバネ定数ｋ２よりも大きく設定してある。
その他は、参考例１と同様である。
【００４７】
本例の場合には、突起形成板３と半導体モジュール２との間、及び突起形成板３と冷却器４との間の加圧力を、突起形成板３のバネ構造によって得ることができる。これにより、加圧力を付与するためのバネ部材を別個に配設する必要がなくなるため、部品点数を削減することができる。
また、２個のバネ構造部３２のバネ定数の合計ｋ１が、突起形成部３１０におけるバネ定数ｋ２よりも大きく設定してあるため、突起形成板３によって、積層方向の加圧力を充分に確保しつつ、突起形成部３１０を半導体モジュール２の主面２５へ充分に追従させて接触させることができる。
その他、参考例１と同様の作用効果を有する。
【００４８】
（参考例６）
本例は、図１７に示すごとく、半導体モジュール２の主面２５と突起形成板３との間に、グリス５を介在させた半導体冷却構造１の例である。
すなわち、半導体モジュール２の主面２５に突起形成板３の突起部３１を当接させつつ、突起部３１が形成されていない部分と半導体モジュール２の主面２５との間に形成される隙間にグリス５を介在させている。グリス５としては、たとえば、シリコンオイルからなるものを用いることができる。
その他は、参考例１と同様である。
【００４９】
本例の場合には、半導体モジュール２と冷却器４との間の熱伝達率を一層向上させることができる。すなわち、参考例１と同様に突起形成板３の突起部３１によって真実接触面積を増加させて熱伝達率を向上させると共に、突起部３１以外の部分においてもグリス５を配置することにより熱伝達率を向上させることができる。
その他、参考例１と同様の作用効果を有する。
【００５０】
なお、上記実施例においては、上記冷却器として、内部に液体や気体の冷却媒体を流通させる冷媒流路を設けたものを紹介したが、本発明の半導体冷却構造における冷却器としては、必ずしも冷媒流路を設けたものに限られず、冷媒流路のない冷却器を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】参考例１における、半導体冷却構造の断面説明図。
【図２】参考例１における、半導体冷却構造の一部拡大断面説明図。
【図３】参考例１における、突起形成板の斜視図。
【図４】参考例１における、突起部の斜視図。
【図５】参考例１における、積層された半導体冷却構造の一部展開斜視図。
【図６】参考例１における、半導体冷却構造の組立て方法の説明図。
【図７】参考例２における、断面略Ｍ字形状の突起部の斜視図。
【図８】参考例２における、円錐形状の突起部の斜視図。
【図９】参考例２における、平坦頂面を有する突起部の斜視図。
【図１０】参考例３における、半導体冷却構造の一部拡大断面説明図。
【図１１】参考例３における、突起形成板の一部の斜視図。
【図１２】図１１のＡ−Ａ線矢視断面図。
【図１３】参考例４における、突起形成板の斜視図。
【図１４】参考例５における、半導体冷却構造の断面説明図。
【図１５】参考例５における、半導体冷却構造の一部拡大断面説明図。
【図１６】実施例１における、半導体冷却構造の断面説明図。
【図１７】参考例６における、半導体冷却構造の一部拡大断面説明図。
【図１８】従来例における、半導体冷却構造の断面説明図。
【符号の説明】
【００５２】
１  半導体冷却構造
２  半導体モジュール
２１  半導体素子
２５  主面
３  突起形成板
３１  突起部
４  冷却器
４５  表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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