(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板の上面に第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、
前記第１フォトレジスト層の上方に配置した第１マスクパターンを介して露光することにより前記第１フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第１フォトレジスト層露光工程と、
真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させ、前記第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程と、
前記中間導電膜の上面にパターニング用レジストを形成するパターニング用レジスト形成工程と、
前記パターニング用レジストを介して前記中間導電膜をパターニングするパターニング工程と、
前記パターニング工程で残存した前記パターニング用レジストを除去するパターニング用レジスト除去工程と、
前記パターニング工程で露出した前記第１フォトレジスト層の上面及び前記パターニング用レジスト除去工程で露出した前記中間導電膜の上面に、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、
前記第２フォトレジスト層の上方に配置した第２マスクパターンを介して露光することにより前記第２フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第２フォトレジスト層露光工程と、
前記第１フォトレジスト層及び前記２フォトレジスト層を現像して、該第１、第２フォトレジスト層のそれぞれの可溶部を除去する可溶部除去工程と、を有し、
前記中間導電膜形成工程において、加熱手段として電気的抵抗加熱法を用い、前記導電性材料は、前記第１フォトレジスト層の上面全体に加熱蒸着されることを特徴とする電鋳型の製造方法。
【請求項２】
前記中間導電膜形成工程において、
前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光が、０．４μｍ〜３０μｍの波長の光であることを特徴とする請求項１に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項３】
前記中間導電膜形成工程において、
前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する前記導電性材料の加熱温度範囲が、１７０℃〜２０００℃であることを特徴とする請求項１に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項４】
前記導電性基板は、基板の上面に底部導電膜が形成された構成であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項５】
前記第１フォトレジスト層と前記第２フォトレジスト層は、それぞれネガ型のフォトレジストからなっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング用レジスト形成工程において、
前記第１マスクパターンを介した露光により区分けされた前記第１フォトレジスト層の不溶部のみの上方を覆うように前記パターニング用レジストを形成することを特徴とする請求項５に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項７】
前記パターニング用レジスト形成工程において、
前記第１フォトレジスト層の不溶部と可溶部の境界から不溶部に向かって１μｍ以上５００μｍ以下後退して配置されるパターニング用レジストを形成することを特徴とする請求項６に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項８】
前記第２フォトレジスト層露光工程において、
前記第２フォトレジスト層のうち前記中間導電膜に接する面の上部の一部を露光することを特徴とする請求項６に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項９】
前記パターニングレジスト形成工程において、
前記パターニング用レジストとして、ドライフィルムレジストを用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項１０】
前記パターニング工程において、
前記中間導電膜を、前記第１マスクパターンを介した露光により区分けされた前記第１フォトレジスト層の不溶部の一部にのみ残存させ、かつ、
前記第２フォトレジスト層露光工程において、
前記第２フォトレジスト層の上方に前記第２マスクパターンを前記中間導電膜よりも外方へはみ出させて配置したことを特徴する請求項５記載の電鋳型の製造方法。 
【請求項１１】
前記導電性基板の厚さが１００μｍ以上、１０ｍｍ以下であり、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の厚さが１μｍ以上、５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の厚さが１００μｍ以上１０ｍｍ以下であり、前記底部導電膜の厚さが５ｎｍ以上１０μｍ以下であり、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の厚さが１μｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項１３】
前記可溶部除去工程の前に、
前記中間導電膜形成工程、前記パターニング用レジスト形成工程、前記パターニング工程、前記パターニング除去工程、第２フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層露光工程からなる一連の工程を、さらに１回以上行うことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項１４】
導電性基板と、
前記導電性基板の上面に形成され、厚み方向に第１の貫通孔を有する第１フォトレジスト層と、
前記第１フォトレジスト層の上面の一部に配置されかつ導電膜をエッチングされることにより形成された中間導電膜と、
前記中間導電膜の上面の一部に形成され、前記第１フォトレジスト層の上面のうち前記第１の貫通孔の開口面を含む面の上方に第２の貫通孔を有する第２フォトレジスト層とを備えることを特徴とする電鋳型。
【請求項１５】
導電性基板と、
前記導電性基板の上面に形成され、厚み方向に第１の貫通孔を有する第１フォトレジスト層と、
前記第１フォトレジスト層の上面の一部に形成され、前記第１フォトレジスト層の上面のうち前記第１の貫通孔の開口面を含む面の上方に第２の貫通孔を有する第２フォトレジスト層と、
前記第２貫通孔内で前記第１フォトレジスト層の上面に配置されかつ導電膜をエッチングされることにより形成された中間導電膜とを備えることを特徴とする電鋳型。
【請求項１６】
前記第２フォトレジスト層の前記第２の貫通孔を形成する側面とこの側面と対向する前記中間導電膜の外縁との離間距離をＷ６とするとき、前記離間距離Ｗ６が１μｍ〜２５μｍに設定されていることを特徴する請求項１５に記載の電鋳型。
【請求項１７】
前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が２を越える値に設定されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の電鋳型。
【請求項１８】
前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が５を越える値に設定されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の電鋳型。
【請求項１９】
前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が１０を越える値に設定されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の電鋳型。
【請求項２０】
前記中間導電膜の内縁が、前記第１フォトレジスト層の前記第１の貫通孔の開口端から後退して形成され、かつ、
前記第１のフォトレジスト層の前記第１の貫通孔の開口端に指向する前記中間導電膜の内縁と前記第２フォトレジスト層の前記第２の貫通孔を形成する側面と対向する前記中間導電膜の外縁との間の前記中間導電膜の幅寸法をＷ７とし、前記第２のフォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、前記離間距離Ｗ６，前記幅寸法Ｗ７及び前記厚みＴ６が、以下の式を満足する関係であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の電鋳型。
Ｗ７−Ｗ６＞Ｔ６
【請求項２１】
請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の電鋳型を電鋳液に浸す工程と、
前記導電性基板に電圧を印加する工程と、
前記導電性基板の露出した面上に金属を析出させる工程、
析出した前記金属の一部を前記中間導電膜に接触させ、前記中間導電膜に電圧を印加する工程と、とを備えていることを特徴とする電鋳部品の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細部品の型の製造方法、特に多段構造を有する電鋳型の製造方法、電鋳型、及び電鋳型を用いた電鋳部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電鋳法は、大量生産に適しており、様々な部品製造に用いられている。たとえば、原型の形状を転写された樹脂表面に導電性膜を堆積し、時計用の針を製造している（例えば、特許文献１参照。）。
また、原型の樹脂への転写方法としては、加熱プレス成型法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。加熱プレス成型法は、樹脂をガラス転位点以上の温度に加熱して軟化させておき、原型を押しつけることによって、樹脂に原型の形状を転写する方法である。加熱プレス成型法では、原型の形状を樹脂にナノメートルオーダーの寸法精度で転写することができる。  また、近年、微小な形状を有する部品や金型を製造するための型としてシリコンプロセスを用いた型が利用されている。シリコンプロセスを用いた電鋳法の型の製造方法として、ＬＩＧＡ法（Lithographie Galvanoformung Abformung）がよく知られている。ＬＩＧＡ法は、電極の上にレジスト材であるＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）を塗布し、レジスト材に所望の形状の範囲にシンクロトロン放射光を照射して感光させ、これを現像した後、電鋳を行うことによって所望の微細な形状の微細構造物を製造する方法である（例えば、非特許文献１参照。）。ＬＩＧＡ法を複数回繰り返して実施することによって、変速ギヤのような多段構造体を形成する例が知られている（例えば、特許文献２参照。）。また、ＬＩＧＡ法で用いられる高価なシンクロトロン放射光の代わりに、一般的な半導体露光装置で用いられている紫外光でレジストパターンを形成するＵＶ−ＬＩＧＡ法も用いられている。ＬＩＧＡ法やＵＶ−ＬＩＧＡ法で製造される電鋳法の型は、型の側壁に電極が無く、型の底面から電鋳物が析出するため、高アスペクト比の構造を電鋳法で製造しても、電鋳物の内部に気泡や欠陥がない良好な部品を形成することができる。また、特許文献２に記載された技術と同様に、ＵＶ−ＬＩＧＡ法を複数回繰り返し実施することで、多段形状を製造することができる。【０００３】
特許文献３に記載された技術では、レジストコートと露光工程を複数回繰り返し実施した後、現像工程を行うことで、多段構造を有するレジスト型を形成し、多段部分を、電鋳物の厚さの異なるモニター用パターンとして用いている。
【特許文献１】特開昭52-60241号公報
【特許文献２】特開平11-15126号公報
【特許文献３】特開平10−245692号公報
【非特許文献１】W.Ehrfeld,:IEEE,Micro Electro Mechanical System Proceedings PP86,1994
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、形状が転写された樹脂（以下、転写樹脂型）の電鋳を行う面（以下、電鋳面）のすべてに電極を形成して電鋳型を製造している。したがって、電鋳を行うと電鋳型の電極が形成されている全面に電鋳物が析出するため、時計用の針を取り出すには、不要な部分を取り除く必要があった。また、アスペクト比の高い電鋳部品を製造する際に、型側面および型底面から同時に電鋳が行われると、型側面のうち、型底面と逆側、すなわち型の上面部分に電界が集中しやすく、型側面のうち型上面側の電鋳速度が大きくなる。したがって、型上面部分では型側面から析出した電鋳物がつながってしまい、電鋳物の内部に隙間ができてしまう。したがって、電鋳部品の強度や型転写性が低下する問題があった。【０００５】
特許文献２、および、非特許文献１に記載された技術では、電鋳型の底面にだけ電極を形成できるため、電鋳物の内部に隙間の無い電鋳部品を製造することができる。しかし非特許文献１に記載された技術では、１段構造しか製造することができない。また、特許文献２に記載された技術では、多段構造を製造しているが、１段目の型形成および電鋳後にレジストを剥離し、再度レジストを塗布して、２段目の型構造を形成している。しかしながら、１段目の電鋳の厚さ制御は、電界集中などの要因によって非常に困難である。また、同様に電界集中に起因して１段目の電鋳物の表面あらさを制御することは非常に難しい。また、特許文献２に記載された技術では、２段目のレジスト塗布において、段差の大きな電鋳物が存在しているウエハに対してレジストを塗布するため、２段目のレジスト塗布厚さの制御が難しい問題があった。また、特許文献２に記載された技術では、１段目の電鋳物よりも２段目の電鋳物の幅が小さい構造を製造しているが、１段目の電鋳物の幅よりも２段目の電鋳物の幅が大きな構造物を製造する場合、２段目の電鋳が図２８で説明する理由によって困難である。【０００６】
図２８は、電極２０２上に多段構造のレジスト型２０４を形成し、このレジスト型２０４を用いて電鋳を行う状態を説明する図である。電極２０２上の１段目のレジスト型２０４ａの厚さまで電鋳を行った後、さらに電鋳を行うと、１段目のレジスト型２０４ａの上面Ｃに電極が無いため、矢印Ｂで示す方向、すなわち電極表面と平行な方向には、電鋳物２１００が成長しにくい。したがって、２段目のレジスト型２０４ｂの高さまで電鋳物２１００を成長させても、レジスト型のキャビティー２１０３の内部を電鋳物２１００で埋めることができない。キャビティー２１０３を電鋳物２１００で完全に埋めるためには、電鋳物２１００の厚さを厚くする必要があった。したがって、電鋳時間が長くなるとともに、電鋳物２１００を所望の厚さにするための研磨時間が長くなるといった問題があった。この問題を解決するためには、金属を多段構造のレジスト型２０４上に堆積し、パターニングする方法が考えられるが、工程が増えるとともに、樹脂の高さの違いによって、パターン精度がばらつき、所望の電極パターンを得るのが難しいという問題があった。
また、特許文献３に記載された技術では、レジストコートと露光工程を複数回繰り返し実施した後、現像工程を行うことで、多段構造を有するレジスト型を形成しているが、各レイヤー上に電極がないため、図２８で説明した理由と同じ理由によって、多段構造を有する電鋳部品を製造することが困難である問題があった。
本発明は、このような従来の電鋳型の製造方法が有していた問題を解決しようとするものであり、高さ制御が容易な多段構造の電鋳型の製造方法、電鋳型及び電鋳部品の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電鋳型の製造方法は、導電性基板の上面に第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、前記第１フォトレジスト層の上方に配置した第１マスクパターンを介して露光することにより前記第１フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第１フォトレジスト層露光工程と、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させ、前記第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程と、前記中間導電膜の上面にパターニング用レジストを形成するパターニング用レジスト形成工程と、前記パターニング用レジストを介して前記中間導電膜をパターニングするパターニング工程と、  前記パターニング工程で残存した前記パターニング用レジストを除去するパターニング用レジスト除去工程と、前記パターニング工程で露出した前記第１フォトレジスト層の上面及び前記パターニング用レジスト除去工程で露出した前記中間導電膜の上面に、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、前記第２フォトレジスト層の上方に配置した第２マスクパターンを介して露光することにより前記第２フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第２フォトレジスト層露光工程と、前記第１フォトレジスト層及び前記２フォトレジスト層を現像して、該第１、第２フォトレジスト層のそれぞれの可溶部を除去する可溶部除去工程と、を有し、前記中間導電膜形成工程において、加熱手段として電気的抵抗加熱法を用い、前記導電性材料は、前記第１フォトレジスト層の上面全体に加熱蒸着されることを特徴とする。
本発明の電鋳型の製造方法によれば、導電性基板に第１フォトレジスト層を形成し、第１フォトレジスト層上に該第１フォトレジスト層を感光させることなく中間導電膜を形成し、中間導電膜をパターニングした後、それら中間導電膜及び第１フォトレジスト層の上面に、第２フォトレジスト層を形成し、その後、第１フォトレジスト層及び前記２フォトレジスト層を現像して、該第１、第２フォトレジスト層のそれぞれの可溶部を除去することから、底部の他、段差部の底部にも中間導電膜（電極）を有する多段構造の電鋳型を製造することができる。
また、中間導電膜を形成するのに、パターニングによるエッチング法を用いており、例えば、リフトオフ法を用いて中間導電膜を形成する場合に比べて、簡単な工程でかつ端部にバリを生じさせることなく中間導電膜を形成することができる。
また、前記中間導電膜形成工程において、加熱手段として電気的抵抗加熱法を用いており、信頼性が高くかつ容易に実施可能となる。
【０００９】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記中間導電膜形成工程において、前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光が、０．４μｍ〜３０μｍの波長の光であるのが好ましい。
第１フォトレジスト層が、紫外光あるいはそれよりも短い波長の光によってのみ感光するレジスト材により形成されるのが一般的であり、このようなレジスト材は、０．４μｍ〜３０μｍの波長の光によっては感光されない。つまり、既に可溶部と不溶部とに区分けした第１フォトレジスト層が、その後、行われる中間導電膜を形成する工程でその影響を受けないからである。【００１０】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記中間導電膜形成工程において、前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する前記導電性材料の加熱温度範囲が、１７０℃〜２０００℃であることが好ましい。
導電性材料の加熱温度範囲を２０００℃以下としたから、中間導電膜を形成する場合に使用する一般的な導電性材料を用いた場合であっても、それを蒸発させる際に、紫外光は発生しないからである。また、蒸着時のるつぼとして比較的低温で蒸発するモリブデンを用いた場合であっても、このモリブデン製のるつぼが蒸発することがないからである。また、導電性材料の加熱温度範囲を１７０℃以上としたから、前記導電性材料として亜鉛を用いる場合でも、蒸発させることができるからである。【００１１】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記導電性基板が、基板の上面に底部導電膜が形成された構成であることが好ましい。【００１２】
導電性基板を、基板と底部導電膜とから形成するので、一般的に使用されている非導電性の基板、例えばエポキシ系の基板を利用することができるからである。【００１３】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記第１フォトレジスト層と前記第２フォトレジスト層が、それぞれネガ型のフォトレジストからなっていることが好ましい。
多段の電鋳型を製造する工程が簡素化できるからである。【００１４】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記パターニング用レジスト形成工程において、前記第１マスクパターンを介した露光により区分けされた前記第１フォトレジスト層の不溶部のみの上方を覆うように前記パターニング用レジストを形成することが好ましい。
第１フォトレジスト層の不溶部のみの上方を覆うようにパターニング用レジストを形成すれば、結果的に、第１フォトレジスト層の不溶部上の中間導電膜が配置されることとなるからである。言い換えれば、第１フォトレジスト層の可溶部上にパターニング用レジストを配置して、その上に中間導電膜を形成したところで、この中間導電膜は、後工程の第１フォトレジスト層の可溶部を現像して除去する場合に、該可溶部とともに除去されることとなり、意味をなさなくなるからである。【００１５】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記パターニング用レジスト形成工程において、前記第１フォトレジスト層の不溶部と可溶部の境界から不溶部に向かって１μｍ以上５００μｍ以下後退して配置されるパターニング用レジストを形成することが好ましい。
中間導電膜により形成される電極は、第１フォトレジスト層の段差部の縁部（エッジ部）から１μｍ以上５００μｍ以下後退して形成されることとなり、電鋳の際に、電極の先端に肉厚部分が生じるのを未然に回避できるからである。ちなみに、電鋳時において、エッジ部に電極があれば、そこに電界が集中し易く、電極の先端付近が他の部分よりも肉厚となってしまう不具合が生じ易い。【００１６】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記第２フォトレジスト層露光工程において、前記第２フォトレジスト層のうち前記中間導電膜に接する面の上部の一部を露光することが好ましい。
中間の段差部に中間導電膜（電極）を有する多段構造の電鋳型を確実に得ることができるからである。【００１７】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記パターニングレジスト形成工程において、前記パターニング用レジストとして、ドライフィルムレジストを用いることが好ましい。
ドライフィルムレジストは有機溶剤を含まないため、液状フォトレジストを用いる場合に比べ、第１フォトレジスト層の不溶部及び可溶部を溶かすおそれが少ない。したがって、精度を低下させることなく、電鋳型を形成することができるからである。【００１８】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記パターニング工程において、前記中間導電膜を、前記第１マスクパターンを介した露光により区分けされた前記第１フォトレジスト層の不溶部の一部にのみ残存させ、かつ、前記第２フォトレジスト層露光工程において、前記第２フォトレジスト層の上方に前記第２マスクパターンを前記中間導電膜よりも外方へはみ出させて配置するのが好ましい。
中間導電膜を第１フォトレジスト層の不溶部の一部にのみ残存させることにより、第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜を介することなく直接第２フォトレジスト層を形成することができる。つまり、親和性が高くかつ密着度が高い、フォトレジスト層同士を接続するため、強度の高い電鋳型を得ることができる。また、第２マスクパターンを前記中間導電膜よりも外方へはみ出させて配置しているので、結果的に、第２フォトレジスト層露光工程における露光の回折現象に伴い、電鋳型の内側面に凸部が形成されるのを未然に回避できるからである。【００２０】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記導電性基板の厚さが１００μｍ以上、１０ｍｍ以下であり、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の厚さが１μｍ以上、５ｍｍ以下とすることが好ましい。
本発明の電鋳型の製造方法は、前記基板の厚さが１００μｍ以上１０ｍｍ以下であり、前記底部導電膜の厚さが５nm以上１０μｍ以下であり、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の厚さが１μｍ以上５ｍｍ以下とすることが好ましい。【００２１】
本発明の電鋳型の製造方法は、前記可溶部除去工程の前に、前記中間導電膜形成工程、前記パターニング用レジスト形成工程、前記パターニング工程、前記パターニング除去工程、第２フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層露光工程からなる一連の工程を、さらに１回以上行ってもよい。
なお、ここでいう第２フォトレジスト層は、第１フォトレジスト層の直ぐ上側にあるフォトレジスト層のみを意味するのに止まらず、さらにその上側にあるフォトレジスト層をも含むものとする。つまり、第１フォトレジスト層の上側にあるものは、一層、多層にかかわらず、すべて第２フォトレジスト層と呼ぶものとする。
これにより、底部の他、段差部の底部にも導電膜（電極）を有する３段以上の多段構造の電鋳型を確実に製造することができる。【００２２】
本発明の電鋳型は、導電性基板と、前記導電性基板の上面に形成され、厚み方向に第１の貫通孔を有する第１フォトレジスト層と、前記第１フォトレジスト層の上面の一部に配置されかつ導電膜をエッチングされることにより形成された中間導電膜と、前記中間導電膜の上面の一部に形成され、前記第１フォトレジスト層の上面のうち前記第１の貫通孔の開口面を含む面の上方に第２の貫通孔を有する第２フォトレジスト層とを備えることを特徴とする。
本発明の電鋳型によれば、第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜が形成されているので、この中間導電膜を電鋳の途中で電極として利用することができ、多段構造の電鋳部品を速やかに製造することができる。また、中間導電膜がエッチングにより形成されているので、中間導電膜の端部にバリが生じにくく、この点で、高精度の電鋳部品を製造することができる。【００２３】
本発明の電鋳型は、導電性基板と、前記導電性基板の上面に形成され、厚み方向に第１の貫通孔を有する第１フォトレジスト層と、前記第１フォトレジスト層の上面の一部に形成され、前記第１フォトレジスト層の上面のうち前記第１の貫通孔の開口面を含む面の上方に第２の貫通孔を有する第２フォトレジスト層と、前記第２貫通孔内で前記第１フォトレジスト層の上面に配置されかつ導電膜をエッチングされることにより形成された中間導電膜とを備えることを特徴とする。
本発明の電鋳型によれば、前述の電鋳型が奏する作用効果の他、第１フォトレジスト層の上面に直接第２フォトレジスト層を形成しているので、それらフォトレジスト層同士を親和性が高くかつ密着度が高い状態で接合させることができ、強度の高い電鋳型を得ることができる。【００２４】
本発明の電鋳型は、前記第２フォトレジスト層の前記第２の貫通孔を形成する側面とこの側面と対向する前記中間導電膜の外縁との離間距離をＷ６とするとき、前記離間距離Ｗ６が１μｍ〜２５μｍに設定されているのが好ましい。
離間距離Ｗ６を１μｍよりも小さな値に設定するのは高精度が要求されることとなり、製造上面倒になる。また、離間距離Ｗ６を２５μｍを越える値に設定すると、この電鋳型によって電鋳部品を製造するときに、中間導電膜近傍の析出金属と前記第２フォトレジスト層との間の空間のアスペクト比が高くなってこの部分の電鋳液の循環が悪くなり、電鋳部品に「す」ができたり、その部分の析出金属の組織が変化したりするおそれがでてくるからである。【００２５】
本発明の電鋳型は、前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が２を越える値に設定されているのが好ましい。
電鋳部品の厚さのばらつきを小さくできるからである。【００２６】
本発明の電鋳型は、前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が５を越える値に設定されているのが好ましい。
電鋳部品の厚さのばらつきをより小さくでき、追加工の研削量や研磨量を少なくできるからである。【００２７】
本発明の電鋳型は、前記第２フォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、この厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が１０を越える値に設定されていることが好ましい。
電鋳部品の厚さのばらつきほとんどなくすことができ、追加工の研削や研磨を省略できるからである。【００２８】
本発明の電鋳型は、前記中間導電膜の内縁が、前記第１フォトレジスト層の前記第１の貫通孔の開口端から後退して形成され、かつ、前記第１のフォトレジスト層の前記第１の貫通孔の開口端に指向する前記中間導電膜の内縁と前記第２フォトレジスト層の前記第２の貫通孔を形成する側面と対向する前記中間導電膜の外縁との間の前記中間導電膜の幅寸法をＷ７とし、前記第２のフォトレジスト層の厚みをＴ６とするとき、前記離間距離Ｗ６，前記幅寸法Ｗ７及び前記厚みＴ６が、
Ｗ７−Ｗ６＞Ｔ６
の式を満足する関係であることが好ましい。【００２９】
前記の条件下においては、この電鋳型で電鋳部品を製造する際に、中間導電膜の内縁の内縁が、第１フォトレジスト層の第１の貫通孔の開口端から後退して形成されることにより生じる段部と、第２フォトレジスト層の第２の貫通孔を形成する側面と中間導電膜の外縁とが離間されていることにより生じる段部とがつながることがなく、この点で、電鋳部品の品質が低下するのを防止できるからである。
ちなみに、上記両段部がつながると、高低差のある大きな段部が形成されることとなり、この段部近傍の電鋳液の循環が悪くなって、電鋳部品に「す」ができたり、析出金属の組織が変化したりする不具合が生じる。【００３０】
本発明の電鋳部品の製造方法は、請求項１５〜２０のいずれか１項に記載の電鋳型を電鋳液に浸す工程と、前記導電性基板に電圧を印加する工程と、前記導電性基板の露出した面上に金属を析出させる工程、析出した前記金属の一部を前記中間導電膜に接触させ、前記中間導電膜に電圧を印加する工程と、とを備えていることを特徴とする。
本発明の電鋳部品の製造方法によれば、第１フォトレジスト層の上面に形成された中間導電膜を電鋳の途中で電極として利用することができ、多段構造の電鋳部品を速やかに製造することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、多段の電鋳部品を製造する際に一層形成する毎に電鋳型の側壁を形成するレジストを除去することで形成した部品の層の上に次の層を形成するための型を形成するのではなく、フォトレジスト層を形成して露光を行い、各段のフォトレジスト層を間に中間導電膜を介装させつつ多層に重ねてから現像を行うことで、各段差部の底部に中間導電膜を有する多段の電鋳型を製造することができる。そして、この電鋳型により製造される電鋳部品によれば、各段を形成する毎に電鋳を行う必要がなくなり、一度の電鋳工程で所望の部品を製造することができる。【００３２】
また、真空蒸着法によって第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜を形成する際に、第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で、導電性材料を加熱蒸着させるため、中間導電膜を形成する際の光によって、第１フォトレジスト層が感光することはない。このため、中間導電膜を形成する前に、第１マスクパターンを用いた露光によって、第１フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けした工程が無駄になることがなく、下段が所望形状となる電鋳型を製造することができる。
また、形成過程の部品の層の上に次の層のためのレジストを形成することなく型を製造するため、高さ制御が可能な型を製造することができると共に、当該電鋳型によって製造される電鋳部品の層と層の界面が不均一になることや高さが不均一になることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態における電鋳型の製造方法を示す図であって、（ａ）は第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図、（ｂ）は中間導電膜形成工程を示す断面図、（ｃ）はパターニング用レジスト形成工程を示す断面図、（ｄ）はパターニング工程を示す断面図、（ｅ）はパターニング用レジスト除去工程を示す断面図、（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図、（ｇ）は可溶部除去工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ第１の実施形態の比較を示す図であって、リフトオフ法により電極を形成する断面図である。
【図３】第１の実施形態における電鋳方法を示す図である。
【図４】第１の実施形態における電鋳部品を製造する工程を示す図であって、（ａ）は初期工程を示す断面図、（ｂ）は途中工程を示す断面図、（ｃ）は後期工程を示す断面図、（ｄ）は製造された電鋳部品の断面図である。
【図５】図１（ｇ）のＡで示す部分の拡大図である。
【図６】第２の実施形態における電鋳型の製造方法を示す図であって、（ａ）は第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図、（ｂ）は中間導電膜形成工程を示す断面図、（ｃ）はパターニング用レジスト形成工程を示す断面図、（ｄ）はパターニング工程を示す断面図、（ｅ）はパターニング用レジスト除去工程を示す断面図、（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図、（ｇ）は可溶部除去工程を示す断面図である。
【図７】第３の実施形態における電鋳型の製造方法を示す図であって、（ａ）は第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図、（ｂ）は中間導電膜形成工程を示す断面図、（ｃ）はパターニング用レジスト形成工程を示す断面図、（ｄ）はパターニング工程を示す断面図、（ｅ）はパターニング用レジスト除去工程を示す断面図、（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図、（ｇ）は可溶部除去工程を示す断面図である。
【図８】図７（ｇ）のＢで示す部分の拡大図である。
【図９】図７に示す電鋳型により製造された歯車（電鋳部品）を示す図である。
【図１０】図９に示す断面矢視Ｃ−Ｃ図である。
【図１１】図９に示す歯車の歯部を拡大した斜視図である。
【図１２】図９のＤで示す部分の拡大図である。
【図１３】図９のＤで示す部分に相当する電鋳型の上面図である。
【図１４】図１３に示す断面矢視Ｅ−Ｅ図である。
【図１５】電極がフォトレジストに接している電鋳型を用いて、歯車を製造する際の一工程図である。
【図１６】電極がフォトレジストに対して離間した、図１４に示す電鋳型を用いて、歯車を製造する際の一工程図である。
【図１７】電鋳型内の金属の析出状況を表す断面図である。
【図１８】電鋳型内の金属の析出状況を表す断面図である。
【図１９】電鋳型内の金属の析出状況を表す断面図である。
【図２０】電鋳型内の金属の析出状況を表す断面図である。
【図２１】電鋳型内の金属の析出状況を表す他の例を示す断面図である。
【図２２】第４の実施形態における電鋳部品を製造する工程を示す図であって、（ａ）は電鋳型を複数並べて設けた状態を示す断面図、（ｂ）は初期工程を示す断面図、（ｃ）は後期工程を示す断面図、（ｄ）は製造された電鋳部品の断面図である。
【図２３】第４の実施形態における比較例を示す図であって、（ａ）は電鋳型を複数並べて設けた状態を示す断面図、（ｂ）は初期工程を示す断面図、（ｃ）は後期工程を示す断面図である。
【図２４】第４の実施形態における変形例を示す図であって、（ａ）は電鋳型を複数並べて設けた状態を示す断面図、（ｂ）は初期工程を示す断面図、（ｃ）は後期工程を示す断面図である。
【図２５】第５の実施形態における電鋳部品を製造する工程を示す図であって、（ａ）は第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図、（ｂ）は第１フォトレジスト層露光工程が完了した状態を示す断面図、（ｃ）は中間導電膜形成工程を示す断面図、（ｄ）はパターニング用レジスト形成工程を示す断面図、（ｅ）はパターニング工程及びパターニング用レジスト除去工程を示す断面図、（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図、（ｇ）は第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図、（ｈ）は可溶部除去工程を示す断面図である。
【図２６】本発明の変形例を示す図であって、レジスト層が３段重なった電鋳型を示す断面図である。
【図２７】本発明のさらに他の変形例を示す図であって、レジスト層が４段重なった電鋳型を示す断面図である。
【図２８】従来技術の問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  基板  
２  底部導電膜
３  第１フォトレジスト層
３ａ  不溶部
３ｂ  可溶部
４ａ  第１マスクパターン
４ｃ  第２マスクパターン
５  中間導電膜
５ａ、５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄ  電極
６  第２フォトレジスト層
６ａ  不溶部
６ｂ  可溶部
７ａ  不溶部、貫通パターン
２１  電鋳漕
２２  電鋳液
２３  電極
２４  第１の貫通孔
２５  第２の貫通孔
１００  電鋳部品
１００ａ、１００ｂ  電鋳物
１０１、１０２、１０３、１００１、１００２、１００３、１００４  電鋳型
１２０、１２１  電鋳部品
１２０ａ、１２１ａ  電鋳物
１３０  歯車
１４０  第１マスクパターン
１５０  第２マスクパターン
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
〔第１の実施形態〕
図１は本発明の第１の実施形態に係る電鋳型の製造方法を工程順に説明する図であり、図１（ａ）は、基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。
図１（ａ）において、基板１の上面に底部導電膜２を形成し、次に底部導電膜２の上面に第１フォトレジスト層３を形成した後、後述する可溶部３ｂとなる未露光域を形成する部分の上方に、第１マスクパターン４ａを位置あわせし、紫外光２０ａを照射して露光を行い、露光域である不溶部３ａと未露光域である可溶部３ｂを区分けして形成する。【００３６】
基板１の厚さは、１００μｍから１０ｍｍ程度であり、後述する電鋳工程や研磨工程などにおいて電鋳型１０１の強度が保てる厚さであれば良い。底部導電膜２の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍ程度であり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであれば良い。第１フォトレジスト層３の厚さは、１μｍ〜５ｍｍであり、作製する電鋳物の１段目の厚さとほぼ同じである。基板１の材料は、ガラスやシリコンなどのシリコンプロセスで一般的に用いられる材料や、ステンレススチールやアルミなどの金属材料を用いる。また、底部導電膜２の材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などであり、底部導電膜２と基板１の間に底部導電膜２の密着力を強くするためのアンカーメタル（図示しない）としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などを形成しても良い。なお、基板１の材料が金属の場合、底部導電膜２は、必ずしも必要ではない。第１フォトレジスト層３には、例えば、ネガ型のフォトレジストを用いる。【００３７】
また、第１フォトレジスト層３は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。特に、高アスペクト比の構造を作製する場合には、第１フォトレジスト層３は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。また、第１フォトレジスト層３は、後述するパターニング用レジスト１０の現像工程および除去工程における現像液および剥離液に不溶のものを用い、かつ、中間導電膜５のパターニングに用いるエッチャントに不溶のものを用いる。
底部導電膜２の形成方法は、スパッタ法や真空蒸着法などである。第１フォトレジスト層３の形成方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを基板１に貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第１フォトレジスト層３としても良い。不溶部３ａと可溶部３ｂとを区分けして形成するために、紫外光を第１マスクパターン４ａを通して露光する。また、第１フォトレジスト層３が化学増幅型の場合、露光した後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行う。【００３８】
図１（ｂ）は第１フォトレジスト層３の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程を示す断面図である。前記第１フォトレジスト層露光工程の後、現像を行わずに、真空蒸着法により、前記第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させて、前記１フォトレジスト層の上面に、中間導電膜５を形成する。
導電性材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。これら導電性材料のうち、クロムやチタンは、上述したその他の導電性材料のアンカーメタルとして用いても良い。この場合、クロムやチタンの上にはその他の導電性材料を成膜する。【００３９】
ここで、第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光とは、第１フォトレジスト層３として、通常、紫外線により反応するフォトレジスト材料を用いるため、紫外線よりも波長が長い光、例えば、０．４μｍ以上３０μｍ以下の波長の光をいう。０．４μｍ以上としたのは、紫外線の波長は０．４μｍ以下であるからである。また、３０μｍ以下としたのは、導電性材料を加熱蒸着して中間導電膜５を形成する関係上、黒体放射の分光分布から、導電性材料を加熱溶融させて３０μｍを超える波長の光を発することは極めてまれだからである。
中間導電膜５の厚さは、数ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであればよい。【００４０】
前記第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光を発する導電性材料の加熱温度範囲の設定としては、次の３段階の考え方が可能である。第１は、中間導電膜５用の導電性材料の真空中での蒸発温度を考慮しての設定。第２は、アンカーメタル用の導電性材料の真空中での蒸発温度を考慮しての設定。第３は、さらに加工性や入手のし易さを考慮しての設定である。
まず、加熱温度範囲の第１の設定は、１７０℃〜２０００℃である。このように上限を２０００℃としたのは、第１フォトレジスト層３の感光波長である０．４μｍにおいて、中間導電膜５として使用可能な前記導電性材料（前記アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の材料）の真空中での蒸発時の温度の最大値から、黒体放射の理論式を基に強度分布を求め、実験確認したためである。実験では、るつぼの材質としてタングステンを用い、るつぼの温度をパイロメータ（高温計）で測定しながら２０００℃まで加熱した場合でも、第１フォトレジスト層３が露光されることはなく、以後のプロセス流動が可能であったことが確認された。
但し、るつぼの材質としてタングステンよりも低温で蒸着可能なモリブデンを用いる場合には、モリブデンが１８００℃で蒸発されてしまうため、それ以下の温度、例えば１７００℃を上限にする必要がある。
下限を１７０℃としたのは、中間導電膜５として使用可能な前記導電性材料のうち最も温度が低い条件で蒸発可能な亜鉛（Ｚｎ）を蒸着させる場合を想定したためである。【００４１】
また、前記温度範囲の第２の設定は、６００℃〜１５００℃である。上限を１５００℃としたのは、アンカーメタルの材料としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）が挙げられ、また、その上に成膜する可能性が高い材料として銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）の材料が挙げられる。これら使用される可能性が高い材料の真空蒸着時の温度の上限を参考にしたためである。また、下限を６００℃としたのは、中間導電膜５として使用可能な前記導電性材料のうち亜鉛（Ｚｎ）の下限値が飛びぬけて低いことから、亜鉛を除いた材料を用いることを想定し、それら材料の真空蒸着時の温度を参考にしたためである。【００４２】
さらに、前記温度範囲の第３の設定は、８００℃〜１２００℃である。このように温度範囲を設定したのは、加工性が良いことまた入手が容易であること等の理由から、アンカーメタルとしてクロム（Ｃｒ）を用い、その上に成膜する材料として銅（Ｃｕ）あるいは金（Ａｕ）を用いることを想定し、それら材料の真空蒸着時の温度を参考にしたためである。【００４３】
図１（ｃ）は中間導電膜の上面にパターニング用レジスト１０を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。この図に示すように、中間導電膜５の上面にパターニング用レジスト１０を所定形状となるように形成する。
このとき、パターニング用レジスト１０を、第１フォトレジスト層３のうち、不溶部３ａのみの上方を覆うように位置決めして形成する。より具体的には、パターニング用レジスト１０を、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａのうち、不溶部３ａと可溶部３ｂの境界から不溶部３ａに向かって１μｍ以上５００μｍ以下後退した領域を覆うように、位置決めして形成する。【００４４】
パターニング用レジスト１０の形成方法としては、例えば、フォトレジスト層の形成、露光、現像の各工程を経て形成するものがある。フォトレジスト層はネガ型、ポジ型いずれを用いても良い。フォトレジスト層の形成方法は、スピンコートやディップコートなどの方法を用いてもよい。また、フィルム上のフォトレジストであるドライフィルムレジストをラミネートしても良い。ドライフィルムレジストのラミネート時の温度は、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａおよび可溶部３ｂのガラス転移点のいずれか低い方よりも低い温度でラミネートすることが望ましい。【００４５】
ドライフィルムレジストは、有機溶剤を含まないため、液状フォトレジストを用いる場合に比べ、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａおよび可溶部３ｂを溶かすおそれが少ない。したがって、安定して電鋳型を形成できる。
ここで、ドライフィルムレジストは、加熱及び加圧しながらラミネートを行う。第１フォトレジスト層３の不溶部３ａおよび可溶部３ｂのガラス転移点のいずれか低い方よりも低い温度でラミネートすることによって、不溶部３ａ、可溶部３ｂおよび中間電極膜５を変形させることなく、当該ドライフィルムレジストを塗布することができ、もって、不溶部３ａ、可溶部３ｂおよび中間電極膜５の平坦度を維持することができる。このように不溶部３ａ、可溶部３ｂおよび中間電極膜５の平坦度を維持することで、ドライフィルムレジストを高精度でパターニングすることができる。また、不溶部３ａ、可溶部３ｂおよび中間電極膜５の上面に後述する第２フォトレジスト６を形成する際に、不溶部３ａ等の上面に凹凸が極めて少ないため、第２フォトレジスト６の膜厚制御性が良好となる。また、最終的に形成する電鋳部品の不溶部３ａおよび電極５ａと接する部分の表面粗さを小さくすることができ、電鋳部品の美観が向上する利点も得られる。【００４６】
第１図（ｄ）は前記パターニング用レジスト１０を介して前記中間導電膜５をパターニングするパターニング工程を示す断面図である。この図に示すように、パターニング用レジスト１０の形成後、これをエッチングマスクとして、中間導電膜５をパターニングして電極５ａを得る。中間導電膜５のパターニングにおいては、中間導電膜５の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。【００４７】
図１（ｅ）は前記パターニング工程で残存した前記パターニング用レジスト１０を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。この図に示すように、電極５ａ（中間導電膜５）上のパターニング用レジスト１０を除去する。パターニング用レジスト１０の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３ｂを溶かしてしまうため用いない方が良い。【００４８】
図１（ｆ）はパターニング工程で露出した第１フォトレジスト層の上面及びパターニング用レジスト除去工程で露出した電極５ａ（中間導電膜５）の上面に、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程、及び前記第２フォトレジスト層の上方に配置した第２マスクパターン４ｃを介して露光することにより第２フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、電極５ａの上面及びパターニング用レジスト除去工程で露出した可溶部３ｂの上面と不溶部３ａの上面に第２フォトレジスト層６を形成する。次に、第２マスクパターン４ｃを可溶部３ｂの上方を覆い、かつ、不溶部３ａにもかかるように位置あわせする。つまり、第２フォトレジスト層６のうち、電極５ａに接する面の上部の一部を露光するように第２マスクパターン４ｃを配置する。より具体的には、電極５ａのエッチング開口よりも大きい第２マスクパターン４ｃを、第１フォトレジスト層３の未露光領域に接する面と反対の面の上方に位置するように配置する。
そして、第２マスクパターン４ｃを配置した後、紫外光２０ａを照射して露光を行い不溶部６ａと可溶部６ｂとを形成する。【００４９】
なお、第２フォトレジスト層６の厚さは、１μｍ〜５ｍｍ程度であり、作製する電鋳物の２段目の厚さとほぼ同じである。第２フォトレジスト層６は、ネガ型のフォトレジストを用いる。また、第２フォトレジスト層６は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。高アスペクト比の構造を製造する場合、第２フォトレジスト層６は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。なお、第２フォトレジスト層６の材料は、後述する現像工程で同一の現像液で現像できるため、第１フォトレジスト層３と同じである方が望ましいが、第１フォトレジスト層３と別の材料であっても良い。第２フォトレジスト層６の形成方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを電極５ａの上に貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第２フォトレジスト層６としても良い。また、第２フォトレジスト層６が化学増幅型の場合、露光した後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行う。【００５０】
図１（ｇ）は前記第１フォトレジスト層３及び前記２フォトレジスト層６を現像して、それら第１、第２フォトレジスト層のそれぞれの可溶部を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３及び前記２フォトレジスト層６に対して現像を行い可溶部３ｂおよび６ｂを除去する。現像は、第１フォトレジスト層３および第２フォトレジスト層６を有する基板１を現像液中に漬けて行う。【００５１】
以上の工程によって、基板１上に形成された第１の底部導電膜２と、第１の底部導電膜２の基板１に接する面の反対の面（上面）に形成され、厚み方向に第１の貫通孔２４を有する第１フォトレジスト層３と、第１フォトレジスト層３の第１の底部導電膜２に接する面の反対の面（上面）の一部に形成された電極５ａ（中間導電膜５）と、電極５ａの第１フォトレジスト層３と接する面の反対の面（上面）の一部に形成され、第１フォトレジスト層３の上面のうち第１の貫通孔２４の開口面を含む面の上方に第２の貫通孔２５を有する第２フォトレジスト層６と、を有する電鋳型１０１が得られる。
ここで、前記電極５ａは、中間導電膜５をエッチングされることにより形成される。したがって、電極５ａの端部にはバリが生じにくい。
ちなみに、電極をエッチングに代わり、リフトオフ法により形成する場合には、図２に示すように、下地とともに不要な中間導電膜５を第１フォトレジスト層３から引き剥がすので、残存する電極５ａの端部にバリ３００が生じ易くなる。なお、図２（ａ）〜（ｃ）はリフトオフ法によって中間導電膜５を形成する場合の状況を示す断面図である。この場合、電鋳時に、バリ３００に電界が集中して、バリ周囲の電鋳部分が肉厚に形成されることとなり、製造する電鋳部品の精度が低下する不具合が出てくる。【００５２】
また、第２の貫通孔２５は、第１フォトレジスト層３の上面のうち、第１の貫通孔２４の開口面の端部を含む面の上方に形成されている。つまり、第２の貫通孔２５を上方から見たときに、該第２の貫通孔２５内に第１の貫通孔２４が位置するような位置関係になっている。また、パターニング用レジスト１０を配置する際に、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａのうち、不溶部３ａと可溶部３ｂの境界から不溶部３ａに向かって１μｍ以上５００μｍ以下後退した領域を覆うように配置したので、電極５ａ（中間導電膜５）が第１の貫通孔２４を形成する面と離間して形成された端部を有するように形成される。つまり、図５（図１（ｇ）で示すＡ部分の拡大図）に示すように、不溶部３ａ上の電極５ａは、不溶部３ａの端面よりも後退した形状となる。なお、電極５ａの後退部の幅Ｗ５は、１μｍ以上である。【００５３】
感光性材料の組み合わせとしては、上述したように第１フォトレジスト層３及び第２フォトレジスト層６がネガ型のフォトレジスト材料によって作られるのが好ましい。なぜならば、図１（ｆ）の第２フォトレジスト層６の露光においてもやはり可溶部３ｂの部分は露光されない。従って、露光がなされたフォトレジストが、後の露光工程の影響を受けることがないからである。なお、パターニング用レジスト１０は、原則としてポジ型であってもネガ型であってもかまわないが、第１フォトレジスト層３としてネガ型のフォトレジスト材料が採用された場合には、パターニング用レジスト１０もネガ型であるのが好ましい。中間導電膜５の厚さが、光をある程度と浮かさせる程度薄い場合には、パターニング用レジストを露光する場合に、第１フォトレジスト層３としてポジ型のフォトレジスト材料を採用すると、第１フォトレジスト層３にも影響を及ぼしてしまうからである。【００５４】
上述した感光性材料の組み合わせ以外に、第１フォトレジスト層３及び第２フォトレジスト層６をネガ型のフォトレジストからポジ型のフォトレジストに代えても実施可能である。【００５５】
また、この実施形態では、第１フォトレジスト層３の上に、中間導電膜５および該中間導電膜５の上に第２フォトレジスト層６をそれぞれ１段づつ配置しているが、これに限られることなく、中間導電膜５およびその上側の第２フォトレジスト層６を２段以上重ねる構造にしてもよい。こうすることによって、３段以上の電鋳型を得ることができる。【００５６】
図４は、上記製造方法により製造された電鋳型１０１を用いて電鋳部品１００を製造する際の電鋳方法を説明する断面図である。
電鋳漕２１に電鋳液２２が満たされており、電鋳液２２に、電鋳型１０１と電極２３が浸されている。電鋳液２２は、析出させる金属によって異なるが、たとえば、ニッケルを析出させる場合、スルファミン酸ニッケル水和塩を含む水溶液を使用する。また、電極２３の材料は、析出させたい金属とほぼ同一の材料であり、ニッケルを析出させる場合は、ニッケルとし、ニッケル板や、チタンバスケットにニッケルボールを入れたものを電極２３として用いる。【００５７】
なお、本発明の製造方法で析出する材料は、ニッケルに限定されるわけではない。銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）等、電鋳可能な材料すべてに適用可能である。電鋳型１０１の底部導電膜２は、電源Ｖに接続されている。電源Ｖの電圧によって、底部導電膜２を通して電子が供給されることによって、底部導電膜２から徐々に金属が析出する。析出した金属は、基板１の厚さ方向に成長する。【００５８】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る電鋳型１０１を用いて電鋳部品１００を製造する工程を説明する図であって、図４（ａ）は底部導電膜２の上面から電鋳物（金属）１００ａを析出させる初期工程を示す断面図、図４（ｂ）は底部導電膜２の上面から電鋳物（金属）１００ａを析出させて電極５ａにまで届いた状態を示す断面図、図４（ｃ）は底部導電膜２の上面から電鋳物（金属）１００ａを析出させて第２フォトレジスト層６の上面にまで達した状態を示す断面図、図４（ｄ）は電鋳型１０１から取り出した電鋳部品１００の断面図である。【００５９】
まず、図３（ａ）に示すように、図２を用いて説明した電鋳方法によって露出した底部導電膜２の上面から電鋳物（金属）１００ａを析出させる。このとき、電極５ａには電流が流れないため、電極５ａ上には電鋳物１００ａは、析出しない。【００６０】
次に、図４（ｂ）に示すように、不溶部３ａの厚さだけ電鋳物１００ａを成長させ、更に電極５ａに触れるまで電鋳物１００ａを成長させる。この際、不溶部３ａの厚さに電鋳物１００ａが成長するまでは、電極５ａに電流が流れないため、電極５ａ上には、電鋳物１００ａは析出しない。しかしながら、電極５ａと電鋳物１００ａとが、図４（ｂ）に示すように接触すると、電極５ａにも電流が流れ始めるため、電極５ａ上にも電鋳物１００ａが析出し始める。ここで、電極５ａに電鋳物１００ａが接触した瞬間に、電流密度が一定となるように電源の電圧や電流を変化させても良い。【００６１】
次に、図４（ｃ）に示すように、所望の厚さまで電鋳物１００ａを析出させる。所望の厚さまで電鋳物１００ａを析出させた後、研磨工程によって電鋳物１００ａの厚さを揃える。
なお、電鋳工程において、電鋳物１００ａの厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。【００６２】
次に、図４（ｄ）に示すように、電鋳型１０１から電鋳物１００aを取り出して、電鋳部品１００を得る。電鋳物１００ａの取り出しは、不溶部３ａおよび不溶部６ａを有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１００ａに基板１から分離するような力を加えて物理的に引きはがしてもよい。また、型を再利用しない場合は型を破壊して電鋳物１００ａを取り出しても良い。
底部導電膜２および電極５ａが電鋳物１００ａに付着している場合、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、底部導電膜２や電極５ａがついていても問題がない場合、底部導電膜２や電極５ａは、除去しなくても良い。また、底部導電膜２や電極５ａが部品の機能上必要である場合、底部導電膜２や電極５ａは除去しない。【００６３】
〔第２の実施形態〕
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電鋳型１０２の製造方法を説明する図である。なお、この第２の実施形態においては、第１の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。【００６４】
図６（ａ）は第２の実施形態における、基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、基板１の上面に底部導電膜２を形成し、次に底部導電膜２の上面に第１フォトレジスト層３を形成した後、可溶部３ｂを形成する部分の上方に第１マスクパターン４ａを位置あわせし、紫外光２０ａを照射して露光を行い、不溶部３ａと可溶部３ｂとを区分けして形成する。ここで第１フォトレジスト層３はネガ型のフォトレジストを用いている。【００６５】
図６（ｂ）は第２の実施形態における中間導電膜形成工程を示す断面図である。図６（ａ）で説明した工程の後、図６（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させて、前記１フォトレジスト層３の上面に、中間導電膜５を形成する。【００６６】
図６（ｃ）は第２の実施形態におけるパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。この図に示すように、中間導電膜５の上面にパターニング用レジスト１０を所定形状となるように形成する。【００６７】
図６（ｄ）は第２の実施形態におけるパターニング工程を示す断面図である。この図に示すように、パターニング用レジスト１０の形成後、これをエッチングマスクとして、中間導電膜５をパターニングして電極５ａを得る。中間導電膜５のパターニングにおいては、中間導電膜５の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。
図６（ｅ）は第２の実施形態におけるパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。この図に示すように、電極５ａ（中間導電膜５）上のパターニング用レジスト１０を除去する。パターニング用レジスト１０の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３ｂを溶かしてしまうため用いない方が良い。【００６８】
図６（ｆ）は第２の実施形態における第２フォトレジスト層形成工程及び第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、電極５ａの上面及び図６（ｅ）の工程で露出した可溶部３ｂの上面と不溶部３ａの上面の一部に第２フォトレジスト層６を形成する。本実施形態においては、第２フォトレジスト層６はネガ型のフォトレジストを用いている。次に、この第２フォトレジスト層６の可溶部を形成する部分の上方に第２マスクパターン４ｃを位置あわせし、露光を行い不溶部６ａと可溶部６ｂ、第２フォトレジスト層６と可溶部３ｂを貫いて形成される不溶部７ａを形成する。
図６（ｇ）は第２の実施形態における可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、２回目の露光工程で貫通パターンの不溶部７ａを形成することで、一層目と２層目における位置ずれのない貫通パターン７ａを形成できる。【００６９】
以上の工程によって、第１の実施形態にて得られる電鋳型１０１と同様かつ、貫通孔２４、２５に貫通パターン７ａが形成された電鋳型１０２が得られ、この電鋳型１０２を用いて電鋳部品を形成した場合、中央に各段に同軸の空洞部が形成される。【００７０】
〔第３の実施形態〕
図７は、本発明の第３の実施形態に係る電鋳型１０３の製造方法を説明する図である。なお、この第３の実施形態においては、第１の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。【００７１】
図７（ａ）は第３の実施形態における、基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、基板１の上面に底部導電膜２を形成し、次に底部導電膜２の上面に第１フォトレジスト層３を形成した後、可溶部３ｂとなる未露光域を形成する部分の上方に第１マスクパターン４ａを位置あわせし、紫外光２０ａを照射して露光を行い、露光域である不溶部３ａと未露光域である可溶部３ｂとを区分けして形成する。本実施形態においては、第１フォトレジスト層３はネガ型のフォトレジストを用いている。【００７２】
図７（ｂ）は第３の実施形態における中間導電膜形成工程を示す断面図である。図７（ａ）で説明した工程の後、図７（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させて、前記１フォトレジスト層３の上面に、中間導電膜５を形成する。【００７３】
図７（ｃ）は第３の実施形態におけるパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。この図に示すように、中間導電膜５の上面にパターニング用レジスト１０ａ、１０ｂを所定形状となるように形成する。
このとき、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂを、第１フォトレジスト層３のうち、不溶部３ａのみの上方を覆うように位置決めして形成する。より具体的には、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂで、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａのうち、不溶部３ａと可溶部３ｂの境界から不溶部３ａに向かって所定距離後退した領域を覆い、かつ、後述する第２フォトレジスト層の不溶部６ａと重ならないように、位置決めして形成する。【００７４】
図７（ｄ）は第３の実施形態におけるパターニング工程を示す断面図である。この図に示すように、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂの形成後、これをエッチングマスクとして、中間導電膜５をパターニングして電極５ａを得る。
図７（ｅ）は第３の実施形態におけるパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。この図に示すように、中間導電膜５上のパターニング用レジスト１０を除去する。パターニング用レジスト１０の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３ｂを溶かしてしまうため用いない方が良い。【００７５】
図７（ｆ）は第３の実施形態における第２フォトレジスト層形成工程及び第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、電極５ａの上面及び図７（ｅ）の工程で露出した第１フォトレジスト層３の上面に第２フォトレジスト層６を形成する。そして、可溶部３ｂ及び電極５ａを覆い、電極５ａの形成されていない不溶部３ａの領域までかかるように、つまり電極５ａよりも外方へはみ出すように第２マスクパターン４ｃを配置する。なお、第２マスクパターン４ｃは上記のように配置するのが好ましいが、必ずしもその必要はなく、電極５ａの可溶部３ｂ側の端部を覆うように配置すれば足り、電極５ａの不溶部３ａ側の端部までの領域を覆うように配置しても良いし、電極５ａの領域を完全に覆わずに配置してもよい。本実施形態においては、第２フォトレジスト層６はネガ型のフォトレジストを用いている。【００７６】
そして、第２マスクパターン４ｃの上方より紫外光２０ａを照射し、この第２マスクパターン４ｃを介して、第２フォトレジスト層６に紫外光２０ａを照射して露光域である不溶部６ａと未露光域である可溶部６ｂとを区分けして形成する。【００７７】
図７（ｇ）は第３の実施形態における可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、現像を行い可溶部３ｂおよび６ｂを除去する。現像は、第１フォトレジスト層３および第２フォトレジスト層６を有する図７（ｆ）の基板を現像液中に漬けて実施する。【００７８】
以上の工程によって、基板１と、基板１の上面に形成された第１の底部導電膜２と、第１の底部導電膜２の上面に形成され、厚み方向に貫通孔２４を有する第１フォトレジスト層３と、第１フォトレジスト層３の上面の一部に形成され、第１の貫通孔２４の上方に厚み方向に貫通した第２の貫通孔２５を有する第２フォトレジスト層６と、第２の貫通孔２５内かつ前記第１フォトレジスト層３の上面に形成された電極５ａ（中間導電膜５）とを有し、電極５ａ（中間導電膜５）が第２フォトレジスト層６に対して所定距離Ｗ６だけ離間して形成された電鋳型１０３を得る。また、前記電極５ａは、リフトオフ法ではなく、中間導電膜をエッチングされることにより形成されている。【００７９】
ここで図８は、図７（ｇ）で示されるＢ部分の拡大図である。第３の実施形態では図７（ｆ）の工程において、第２マスクパターン４ｃが可溶部３ｂ及び電極５ａを覆い、しかも電極５ａの形成されていない不溶部３ａの領域までかかるように配置されたため、電極５ａは図８で示すように不溶部６ａから所定距離Ｗ６だけ離間して配置される。つまり、第２フォトレジスト層５の第２の貫通孔２４を形成する側面とこの側面と対向する電極５ａの外縁５ａｂとが、所定距離Ｗ６だけ離間して設けられている。【００８０】
このように、不溶部６ａと接しないよう、不溶部６ａから離間して電極５ａを不溶部３ａの上面に形成した場合には、不溶部３ａと不溶部６ａとが直接的に接することになる。
不溶部３ａと不溶部６ａとは、ともにフォトレジスト材料であるため親和性が高く、密着度が高くなる。したがって、不溶部３ａと不溶部６ａとを強固に接続することが可能になり、強度の高い電鋳型１０３を得ることができる。【００８１】
また、第３の実施形態では図７（ｂ）の工程において、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂで、第１フォトレジスト層３の不溶部３ａのうち、不溶部３ａと可溶部３ｂの境界から不溶部３ａに向かって所定距離後退した領域を覆うように、該パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂを配置したため、電極５ａは、その内縁５ａａが図８で示すように不溶部３ａの端面（即ち、第１の貫通孔２４の開口端）からＷ５だけ後退（所定距離Ｗ５だけ離間した状態）して配置される。  
電極５ａの端部が不溶部３ａの端面と同一平面上にあった場合には、電極５ａの上面の端部に電界が集中して、その部分の電鋳物が肉厚に形成されてしまう恐れがあるが、不溶部３ａの端面よりもＷ５だけ後退して配置することによって、電解の集中を防ぐことができ、均一な厚さで成長させることができる。また、電極５ａの端部が不溶部３ａの端面よりも突出している場合には、電極５ａが応力によって湾曲したり、電鋳時に突出した電極５ａの下部に「す」ができてしまう恐れがあるが、不溶部３ａの端面よりもＷ５だけ後退して配置しているため、「す」の形成を防止することができる。【００８２】
しかし、電極５ａは不溶部３ａ上に形成され、かつ露出した面を有していればよく、形成される位置は限定されない。従って電極５ａの一端が不溶部３ａの端面と同一平面にあっても、不溶部３ａの端面から突出していても構わない。また、もう一端が不溶部６ａと接していても構わない。【００８３】
ここで、本実施形態の電鋳型１０３を、より具体的に説明する。例えば、図９〜図１２に示す歯車１３０を鋳造部品として製造する場合の電鋳型として説明を行う。
図９は歯車の正面図、図１０は図９のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図１１は歯車要部の拡大斜視図、図１２は歯の拡大正面図である。
即ち、この場合の電鋳型１０３は、歯車１３０の周囲を囲むように外形が円状になるように形成されており、第２フォトレジスト層６に形成された第２の貫通孔２５が、上面視したときに歯車１３０の外形形状になっている。また、第１フォトレジスト層３に形成された第１の貫通孔２４は、複数の歯部１３１の先端側に段差１３１ａをつけることができるような形状とされている。
こうすることで、図１１及び図１２に示すように、各歯部１３１の先端が２段形状となって軽量化された歯車１３０を電鋳により製造することができ、歯車１３０を回転させたときに回転時の慣性モーメントを極力低減することができる。【００８４】
このような歯車１３０を製造する場合の電鋳型１０３を図１３、図１４に示す。図１３は電鋳型の正面図、図１４は、図１３のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。図１２に示す各歯部１３１を効率良く電鋳するために、これら図１３及び図１４に示すように、各歯部１３１の段差を造りだすための第１フォトレジスト層３上のそれぞれに、導電膜５を分割してパターニングされた電極５ａが形成されている。この際、電極５ａは、第２フォトレジスト層６から所定距離Ｗ６（例えば、１μｍ〜２５μｍ）だけ離間して形成され、第２フォトレジスト層６に対して非接触状態となるように形成されている。また、この電極５ａは、第１の貫通孔２４の開口端２４ａからも、所定距離Ｗ５だけ離間するように形成されている。【００８５】
つまり、電鋳型１０３を上面視したときに、図１３に示すように、露出している第１フォトレジスト層３のパターンよりも、平面的に一回り小さくなるように電極５ａがパターニングされた状態となっている。こうすることで、歯車１３０を電鋳により製造する際に、歯車１３０の外表面にライン状の「すじ」がついてしまうことを防止することができる。この点について、以下に詳細に説明する。【００８６】
まず、図７（ｅ）及び図７（ｆ）に示されるように、本発明に係る製造方法としては、第１フォトレジスト層３上に電極５ａをパターニングした後、該第１フォトレジスト層３及び電極５ａ上に第２フォトレジスト層６をさらに形成して、該第２フォトレジスト層６を第２マスクパターン４ｃを利用して露光するという工程順番を採用している。
図１５、図１６はそれぞれ電鋳型の製造方法の一工程を示す断面図である。仮に、図１５に示すように、第１フォトレジスト層３上にパターニングされた電極５ａが、第２フォトレジスト層６に接するように形成されている（図１５では、第２フォトレジスト層６の下面側に潜り込むように形成されている場合を示しているが、単に接している場合でも同様である）場合では、第２マスクパターン４ｃを利用して第２フォトレジスト層６を露光する際に、紫外光２０ａが電極５ａで反射する現象が生じてしまっていた。【００８７】
つまり、照射された紫外光２０ａは、第２マスクパターン４ｃによって隠されていない第２フォトレジスト層６の領域のみを露光して、不溶部６ａを形成させるだけでなく、第２フォトレジスト層６を透過した紫外光２０ａの一部が電極５ａで反射してしまい、第２マスクパターン４ｃによって隠されている領域（可溶部６ｂとなるべき領域）の一部まで露光させてしまう問題が生じていた。特に、第２マスクパターン４ｃの端部近傍を通過する紫外光２０ａは、端部によって回折してしまい入射角度が変化するので、電極５ａで反射した後、第２マスクパターン４ｃによって隠されている領域を露光し易かった。【００８８】
これにより、第２マスクパターン４ｃによって、第２フォトレジスト層６に紫外光２０ａが照射される領域と照射されない領域とを明確に区分けして、所望する位置に確実に不溶部６ａと可溶部６ｂとを区分けして形成するはずが、意図しない領域まで不溶部６ａを形成してしまっていた。
その結果、第２フォトレジスト層６を現像して可溶部６ｂを除去したときに、不溶部６ａの端面に、例えば、ライン状の凸部が余計に形成されてしまっていた。
そのため、電鋳により金属を析出させたときに凸部に接する部分が凹んでしまい、上述したように、外表面にライン状の「すじ」がついた歯車（電鋳部品）１３０が製造されてしまっていた。【００８９】
これに対して、図１６に示すように、電極５ａが第２フォトレジスト層６から所定距離Ｗ６だけ離間して、該第２フォトレジスト層６に対して非接触状態で形成されている場合には、第２フォトレジスト層６を露光する際に、第２マスクパターン４ｃの端部で回折した紫外光２０ａが、電極５ａと第２フォトレジスト層６との間の隙間を通過するので、電極５ａで反射する恐れがない。つまり、電極５ａによる反射光の発生を抑えることができる。よって、第２マスクパターン４ｃによって区分けした領域どおりに、第２フォトレジスト層６に可溶部６ｂと不溶部６ａとを形成することができ、ライン状の凸部のような余分な不溶部６ａが発生してしまうことをなくすことができる。【００９０】
その結果、「すじ」等がない平滑化された外表面を有する歯車１３０を、電鋳により確実に製造することができる。特に、歯車１３０は、歯部１３１を介して他の歯車と噛合を繰り返す毎に外周面が擦れる状態になるが、「すじ」がない平滑化された外表面を形成できるので、摺動抵抗を極力低減することができる。従って、歯車１３０をより滑らかに回転させることができると共に、耐久性を向上させることができる。【００９１】
また、電極５ａを第１の貫通孔２４の開口端２４ａから一定距離Ｗ５だけ離間するように形成しているので、開口端２４ａ付近まで金属を析出した際に、該金属が電極５ａに直ちに接しないので、電界の集中を防ぐことができ、変形した形で金属を析出してしまうことを防止することができる。これにより、均一な厚さで金属を確実に析出させ易くなり、電鋳型１０３の通りに電鋳を行うことができる。【００９２】
次に、図１４に示す電鋳型を用いて電鋳部品を製造する際の金属の析出挙動について調べてみる。なお、第２フォトレジスト層６の厚みをＴ６とし、第１のフォトレジスト層３の第１の貫通孔２５の開口端に指向する電極５ａの内縁５ａａと前記第２フォトレジスト層６の第２の貫通孔２５を形成する側面と対向する電極５ａの外縁５ａｂとの間の、電極５ａの幅寸法をＷ７とする。【００９３】
図１７〜図２０は、電鋳型内の金属の析出状況を時間を追って表した図である。底部導電膜２の上面から電鋳物（金属）１００ａが厚さ方向（上方）へ向けて析出する。そして、図１７に示すように、この電鋳物１００ａが第１フォトレジスト層３を越える厚さまで析出すると、電鋳物は厚さ方向にとどまらず横方向にも成長する。その厚さ方向の成長速度は横方向の成長速度と略同じである。したがって、電鋳物１００ａが電極の内縁５ａａに到達したときは、電鋳物１００ａは第１フォトレジスト層３よりも段差Ｔ７だけ上昇する。この上昇した段差Ｔ７は、不溶部３ａの端面からの電極５ａの後退距離Ｗ５とほぼ同じである。したがって、電鋳物１００ａの上端外周にはアール形状の段部Ｒ１が形成される。【００９４】
この後は、電極５ａにも電流が流れ始めるため、電極５ａ上にも直に電鋳物１００ａが析出する。そして、図１８に示すように、電鋳物１００ａが、第２フォトレジスト層の不溶部６ａの側面に到達するとき、電極５ａ上には電鋳物１００ａが段差Ｔ８だけ析出する。この段差Ｔ８は、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６と略同じ値である。また、このとき、前記アール部Ｒ１は横方向へも成長するため、外方へ離間距離Ｗ６と同じ値だけずれる。【００９５】
その後、電鋳物１００ａは厚さ方向へ順次析出する。このとき、図１９に示すように、電鋳物１００ａの析出に伴い、前記段部Ｒ１は外方へずれる。一方、第２フォトレジスト層の不溶部６ａの側面近傍に形成されるアール形状の段部Ｒ２は、周辺の電鋳液の循環が均一でないため、横方向への成長が制限されることとなり、単に厚さ方向へ移動するだけである。【００９６】
そして、図２０に示すように、所定厚さまで電鋳物１００ａが析出すると、電圧の印加を停止し、電鋳を終了する。このとき、双方の段部Ｒ１、Ｒ２はつながっておらず、それら段部Ｒ１、Ｒ２が存することに伴い、電鋳物には段差Ｔ９（Ｔ７＋Ｔ８）が残ることとなる。必要に応じて、前記段差Ｔ９をなくすよう研磨あるいは研削を施し、電鋳物１００ａの厚さを揃える。【００９７】
図２１は、離間距離Ｗ６が極端に大きいときの金属の析出挙動を示す図であり、電鋳物が第２フォトレジスト層に接触する前の状態を表したものである。第２フォトレジスト層の不溶部６ａの側面近傍に形成されるアール形状の段部Ｒ２の大きさは、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６に依存する。この離間距離Ｗ６が長すぎると、段部Ｒ２の半径が所定値を超える状況となり、この場合、不溶部６ａの側面とＲ２外面で区画される空間Ｓの下部のアスペクト比が高くなる。このため、空間Ｓの下部における電鋳液の循環が悪くなり、これに伴い、金属イオン濃度が低下し、横方向へ成長しにくくなる。また、気泡が溜まり易くなって、電鋳物１００ａに「す」が生じたり、析出する金属組織に変化が出る等の不具合が生じる。このような不具合の発生を抑えるには、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６を２５μｍ以下に設定するのが好ましい。【００９８】
一方、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６を小さな値に設定しようとすると、それを実現するために、電極５ａを形成する際のパターニング用レジスト１０の位置合わせに高精度が要求されることとなり、コストアップが避けられない。このため、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６は１μｍ以上に設定するのが好ましい。【００９９】
つまり、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６は１μｍ〜２５μｍの範囲に設定するのが好ましい。なお、より好ましい範囲は、２μｍ〜１５μｍである。こうすることにより、電鋳物１００ａに「す」が生じたり、析出する金属組織に変化が出てくる等の不具合が生じるのをより抑えることができ、かつ、コストアップの上昇を抑えることができる。【０１００】
また、前述したように、電鋳物１００ａの析出が完了したとき、電鋳物の上部には、段差Ｔ７と段差Ｔ８とを足した段差Ｔ９が残る。
但し、段差Ｔ７は不溶部３ａの端面からの電極５ａの後退距離Ｗ５に略等しく、段差Ｔ８は、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６に略等しい。つまり、完了した時点の電鋳物の段差Ｔ９は、ほぼ後退距離Ｗ５＋離間距離Ｗ６の値になる。【０１０１】
ここで、不溶部３ａの端面からの電極５ａの後退距離Ｗ５は、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂの製作精度に依存するが、パターニング用レジスト１０ａ、１０ｂは中間導電層５の上側に直接形成するので、高精度で製作できる。このため、後退距離Ｗ５はほぼ意図する形状に近い形で製作でき、それほど問題にならない。一方、電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６は、第２マスクパターン４ｃの位置精度に依存する。第２マスクパターンは、第２フォトレジスト６の上方に離間して配置されており、加えて、第２マスクパターン４ｃと電極５ａとの間には第２フォトレジスト６が介在される。この意味で、電極５ａに対する第２マスクパターンの位置精度は低くならざるを得ない。【０１０２】
このため、問題になる電極５ａの不溶部６ａからの離間距離Ｗ６について第２フォトレジスト層６の厚みＴ６に対する比を変えて調べたところ、第２フォトレジスト層の厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が２〜５の範囲に設定すると、電鋳物１００ａの厚さのばらつきは、離間距離Ｗ６の２倍程度になることがわかった。
また、第２フォトレジスト層の厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が５〜１０の範囲に設定すると、電鋳物１００ａの厚さのばらつきは前述よりも少なくなり、追加工の研磨・研削量を減らせることがわかった。
さらに、第２フォトレジスト層の厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比が１０以上に設定すると、電鋳物１００ａの厚さのばらつきは前述よりもさらに少なくなって、同電鋳物１００ａの表面を略平坦にすることができ、追加工の研磨・研削を省略できることがわかった。
この理由は、第２フォトレジスト層の厚みＴ６を固定して考えると、第２フォトレジスト層の厚みＴ６と前記離間距離Ｗ６との比を大きくすることは、離間距離Ｗ６を小さくすることを意味し、結果的に、完了した時点の電鋳物の段差Ｔ９である、後退距離Ｗ５＋離間距離Ｗ６の値であるＴ９を小さくできるからである。【０１０３】
また、前記図１８に示すように、電鋳物１００ａが不溶部６ａの側面に到達したとき、段部Ｒ１の外方先端と電極５ａの外縁５ａｂとの差はＷ７−Ｗ６で表される。その後、電鋳型内に全て金属を析出させるには、残り第２フォトレジスト層の厚みＴ６だけ電鋳物１００ａを成長させる必要がある。このとき、段部Ｒ１は、外方へＴ６分だけずれることとなる。
したがって、電鋳物の成長途中で段部Ｒ１、Ｒ２同士がつながらせないためには、
Ｗ７−Ｗ６＞Ｔ６
の条件を満たす必要がある。
つまり、前記の式で表される条件を満たす限り、電鋳物１００ａの成長途中で段部Ｒ１、Ｒ２同士がつながることがなく、その結果、品質の低下を防ぎつつ、電鋳物を製造することができる。【０１０４】
ちなみに、電鋳物の成長途中で段部Ｒ１、Ｒ２同士がつながると、その部分と不溶部の側面との間の空間のアスペクト比が高くなり、このため、前述したように、電鋳液の循環が悪くなって、気泡が溜まり易くなるのに伴い、電鋳物１００ａに「す」が生じたり、析出する金属組織に変化が出てくる等の不具合が生じるおそれが出てくる。【０１０５】
なお、第２フォトレジスト層６の厚みに基づいて、電極５ａと第２フォトレジスト層６との間の所定距離Ｗ６を設定すると良い。例えば、第２フォトレジスト層６の厚みが増した場合には、第２マスクパターン４ｃで回析した紫外光２０ａが第２フォトレジスト層６を透過するまでに、より可溶部６ｂ側に向かって入射してくるので、所定距離Ｗ６をより大きくして電極５ａと第２フォトレジスト層６との間隔を広くすることが好ましい。こうすることで、電極５ａで反射する反射光の発生を確実に防止することができる。【０１０６】
〔第４の実施形態〕
図２２は、本発明の第４の実施形態に係る電鋳型１００２及びそれを用いた電鋳部品１２０及び１２１の製造方法を説明する図である。なお、この第４の実施形態においては、第１の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。【０１０７】
図２２（ａ）に示す電鋳型１００２は、本発明に係る電鋳型を複数並べて設けた例を示す断面図である。この図に示すように、基板１上に複数の凹部を有するように型を形成してある。また、電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄは、各凹部にまたがっておらず、おのおの独立して形成されている。【０１０８】
図２２（ｂ）は複数並べて設けた電鋳型により電鋳物を析出するときの初期の工程を示す断面図、図２２（ｃ）は同電鋳型により電鋳物を析出するときの後期の工程を示す断面図である。図２２（ｂ）に示すように、露出した底部導電膜２の上面から電鋳方法によって電鋳物（析出された金属）１２０ａ及び１２１ａを析出させる。この電鋳方法によって析出する電鋳物１２０ａ、１２１ａは、各凹部における析出の速度が必ずしも均一ではない。そのため、図２２（ｂ）で示すように電鋳物１２０ａと電鋳物１２１ａとを比較したときに、電鋳物１２０ａの析出する速度が電鋳物１２１ａの析出する速度に対して速い場合がある。このとき、電極５ａａと５ａｂには電鋳物１２０ａが接しているため、電極５ａａと５ａｂとの間に電流が流れている。よって、電極５ａａと５ａｂとから電鋳物１２０ａが析出をしている。その一方で、電極５ａｃと５ａｄには電鋳物１２１ａが接していないため、電極５ａｃと５ａｄとの間には電流が流れない。よって電極５ａｃと５ａｄ上には電鋳物１２１ａは、析出しない。【０１０９】
図２２（ｃ）において、電鋳が進み、電極５ａｃ及び５ａｄに電鋳物１２１ａが接すると、電極５ａｃと５ａｄとの間に電流が流れる。これにより、電極５ａｃと５ａｄとから電鋳物１２１ａが析出し始める。【０１１０】
このように電極５ａｂと５ａｃとが分断されていることによって、各電極はそれぞれの凹部から析出した電鋳物１２０ａ、１２１ａに対してのみ働く。よって、各凹部における電鋳物１２０ａ、１２１ａの析出速度が均一ではない場合であっても、それぞれの電鋳物１２０ａ、１２１ａが独立して析出し、隣接する型に析出した電鋳物１２０ａ、１２１ａの影響を受けずにすむ。
図２３（ｄ）は上述の電鋳型からの析出によって得られた電鋳部品の断面図である。この図に示すように、電鋳型１００２から電鋳物１２０ａ、１２１ａを取り出して、電鋳部品１２０、１２１を得る。【０１１１】
なお、電鋳物１２０ａと電鋳物１２１ａとを所望の同じ厚さにしたい場合は、例えば研磨工程によって電鋳物１２０ａ、１２１ａの厚さを揃える。なお、電鋳工程において、電鋳物１２０ａ、１２１ａの厚さ制御が可能である場合には、研磨工程を行わなくても良い。【０１１２】
ここで、図２２で示す電鋳型１００２との比較をするため、図２３を用いて電極５ａｂと５ａｃとを分断せずに、隣接する型の電極をつなげている場合の電鋳物１２０ａ、１２１ａの析出について説明する。
図２３（ａ）は複数並べて設けた電鋳型により電鋳物を析出するときの状態を示す断面図、図２３（ｂ）は同電鋳型により電鋳物を析出するときの初期の工程を示す断面図、図２３（ｃ）は同電鋳型により電鋳物を析出するときの後期の工程を示す断面図である。
初期の工程を示す断面図、図２２（ｃ）は同電鋳型により電鋳物を析出する後期の工程を示す断面図である。
即ち、ここで示す電鋳型１００１は、図２３（ａ）に示すように、右側の型の電極と左側の型の電極とが、電極５ａｅとして一体になっている。【０１１３】
まず、図２３（ｂ）に示すように、露出した底部導電膜２の上面から電鋳方法によって電鋳物１２０ａ及び１２１ａを析出させる。析出する電鋳物１２０ａ、１２１ａの析出速度が均一でなく、電鋳物１２０ａの析出速度が電鋳物１２１ａの析出速度に対して速い場合には、電極５ａａと５ａｅとには電鋳物１２０ａが接しているため、電極５ａａと５ａｅとの間に電流が流れる。よって、電極５ａｅからは右端からだけでなく、左端からも電鋳物が析出する。その一方で、電極５ａｄには電鋳物１２１ａがまだ接していないため、５ａｄには電流が流れない。従って、左の型からは底部導電膜２及び電極５ａｅのそれぞれから電鋳物１２１ａが析出してしまい、析出が不均一になってしまう。【０１１４】
更に、図２３（ｃ）に示すように、底部導電膜２及び電極５ａｅのそれぞれから析出した電鋳物１２１ａがさらに成長して途中で接してしまった場合には、電鋳物１２１ａに「す」１１０ができてしまうことがある。【０１１５】
よって、複数の電鋳型を同一基板上に設ける構成にした場合には、第４の実施形態で示した電鋳型１００２のように、隣接する電鋳型の電極が分断されていると、均一に析出した電鋳部品１２０、１２１を得ることができる。【０１１６】
図２４（ａ）に示す電鋳型１００３は、本発明に係る電鋳型を複数並べて設けた、図２２で示す電鋳型及びそれを用いた電鋳部品の製造方法の変形例を示す断面図であり、不溶部３ａ上に形成された各電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄが不溶部６ａと離間して設けられている。図２４（ｂ）は複数並べて設けた電鋳型により電鋳物を析出するときの初期の工程を示す断面図、図２４（ｃ）は同電鋳型により電鋳物を析出するときの後期の工程を示す断面図である。【０１１７】
この電鋳型１００３によれば、図２４（ｂ）に示すように、電鋳物１２０ａと電鋳物１２１ａとを比較したときに、電鋳物１２０ａの析出量が電鋳物１２１ａの析出量に対して速い場合であっても、図２４（ｃ）に示すように、隣接する型がそれぞれ独立して電鋳物１２０ａ、１２１ａを析出させることができるため、電鋳型１００２を利用した場合と同様に、均一に析出した電鋳部品１２０、１２１を得ることができる。
よって、各電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄが不溶部６ａと離間して設けられている場合でも、図２２で説明した実施形態と同様の効果を得ることができる。【０１１８】
〔第５の実施形態〕
次に、本発明に係る電鋳型の製造方法の第５の実施形態を説明する。なお、この第５の実施形態においては、第４の実施形態で用いる電鋳型を製造する場合を例にして説明する。
なお、この第５の実施形態においては、第１の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。【０１１９】
図２５（ａ）は第５の実施形態における、基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図、図２５（ｂ）第１フォトレジスト層露光工程が完了した状態を示す断面図である。図２５（ａ）に示すように、まず、基板１の上面に底部導電膜２及び第１フォトレジスト層３を順に形成すると共に、第１フォトレジスト層３上に、３つのマスクパターン要素１４１，１４２，１４１からなる第１マスクパターン１４０を配置する。この際、２つのマスクパターン要素１４１が後に形成される第１の貫通孔２４の上方に位置するように、また、この２つのマスクパターン要素１４１の間に挟まれるようにマスクパターン要素１４２をそれぞれ配置する。
そして、第１マスクパターン１４０を配置した後、図２５（ａ）に示すように、該第１マスクパターン１４０を通して上方から紫外光２０ｂを照射する。これにより、第１フォトレジスト層３は、第１マスクパターン１４０で隠れていない領域が紫外光２０ｂによって露光された状態となる。その結果、第１フォトレジスト層３は、露光された領域が不溶部３ａとなり、第１マスクパターン１４０によって露光されなかった領域が可溶部３ｂとなる。【０１２０】
図２５（ｃ）は第５の実施形態における中間導電膜形成工程を示す断面図である。図２５（ｂ）で説明した工程の後、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させて、前記１フォトレジスト層３の上面に、中間導電膜５を形成する。【０１２１】
図２５（ｄ）は第５の実施形態におけるパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。この図に示すように、パターニング用レジスト１０を形成する。【０１２２】
図２５（ｅ）は第５の実施形態におけるパターニング工程を示す断面図及びパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。この図に示すように、パターニング用レジスト１０をエッチングマスクとして、中間導電膜５をパターニングして電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄ５ａを得る。また、フォトレジスト３のうち、可溶部３ｂの上面が露出した状態となる。その後、電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄ５ａ（中間導電膜５）上のパターニング用レジスト１０を除去する。パターニング用レジスト１０の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３ｂを溶かしてしまうため用いない方が良い。【０１２３】
図２５（ｆ）は第５の実施形態における第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図である。この図に示すように、電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄの上面及び露出した可溶部３ｂの上面に、第２フォトレジスト層６を形成する。
図２５（ｇ）は第５の実施形態における第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、第２フォトレジスト層６の上方に第２マスクパターン１５０を配置すると共に、該第２マスクパターン１５０を通して上方から第２フォトレジスト層６に向けて紫外光２０ｂを照射する。この際、第２マスクパターンを構成する２つのマスクパターン要素は、上記２つのマスクパターン要素１４１によって隠されていた２つの可溶部３ｂを完全に隠すと共に、不溶部３ａの一部分を隠すように配置される。
なお、上記マスクパターン要素１４１によって隠されていた可溶部３ｂは、この２回目の露光時には隠されていない状態となっている。【０１２４】
この紫外光２０ｂの照射によって、第２フォトレジスト層６は、２つのマスクパターン要素で隠れていない領域が露光された状態となる。なお、第２フォトレジスト層６は、ネガ型のフォトレジストであるので、露光された領域が不溶部６ａとなり、第２マスクパターン１５０によって露光されなかった領域が可溶部６ｂとなる。
特に、最初の露光時に可溶部３ｂとなっていた部分が、この２回目の紫外光２０ｂの照射によって露光された状態になるので、可溶部３ｂから不溶部３ａに変化する。【０１２５】
最後に、第１、第２フォトレジスト層３、６に対して現像を行って、両フォトレジスト層３、６の可溶部３ｂ、６ｂを共に除去する。その結果、図２５（ｈ）に示すように、第１の貫通孔２４及び第２の貫通孔２５が隣接した状態で基板１上に形成された電鋳型（実施形態４で示される電鋳型）１００２を製造することができる。なお、図２５は製造された電鋳型の断面図である。【０１２６】
上述したように本実施形態の電鋳型の製造方法によれば、最初の紫外光２０ｂの照射によって第１フォトレジスト層３を露光するので、複雑な形状の電鋳型であっても、容易に製造することができると共に、各電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄや第１の貫通孔２４を狙った位置に高精度に製造することができる。【０１２７】
なお、本実施形態において、中間導電膜５の厚さを極力薄くすることが好ましい。こうすることで、上記第５の実施形態で説明した、電極５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ａｄにおける反射光の強度を低下させることができる。その結果、本実施形態の電鋳型１００２を用いて電鋳部品を製造したときに、外表面に「すじ」が発生してしまうことを極力抑えることができる。【０１２８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前記第１の実施形態では、第１フォトレジスト層形成工程、第１フォトレジスト層露光工程、中間導電膜形成工程と、パターニング用レジスト形成工程、パターニング工程、パターニング用レジスト除去工程、第２フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層露光工程を行い、その後、可溶部除去工程を行うことで、図１（ｇ）に示すような、第１フォトレジスト層３の上に第２フォトレジスト層６を有する２段の電鋳型１０１を製造したが、これに限られることなく、前記可溶部除去工程の前に、前記中間導電膜形成工程、前記パターニング用レジスト形成工程、前記パターニング工程、前記パターニング除去工程、第２フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層露光工程からなる一連の工程を、さらに１回行い、その後、可要部除去工程を行うことで、図２６に示すような、間に電極５ａａを有する２連の第２フォトレジスト層６を有する合計３段の電鋳型２０１を得ることができる。また、上述した一連の工程を２回行う場合には、図２７に示すような、それぞれ間に電極５ａａ、５ａａを有する３連の第２フォトレジスト層６を有する合計４段の電鋳型２０１を得ることができる。なお、図２６は、レジスト層が３段重なった電鋳型を示す断面図、図２７は、レジスト層が４段重なった電鋳型を示す断面図である。
勿論、上述した一連の工程は、２回に限られることなく、３以上の複数回行っても良い。【０１２９】
また、これまで述べてきたすべての実施形態において、第１フォトレジスト層３をネガ型のフォトレジストからポジ型のレジストに変えることも可能である。その場合、第２フォトレジスト層６はネガ型のフォトレジストとポジ型のレジストどちらも選択可能である。【０１３０】
ポジ型の第１フォトレジスト層３を露光するときは、不溶部３ａを形成する領域の上方に第１マスクパターン４ａを配置して、可溶部３ｂを形成する領域に光が照射されるようにする。第２フォトレジスト層６の露光においては、ネガ型のフォトレジストを選択する場合は、可溶部６ｂを形成する領域の上方に第２マスクパターン４ｃを配置して、不溶部６ａを形成する領域に光が照射されるようにし、ポジ型のフォトレジストを選択する場合は、不溶部６ａを形成する領域の上方に第２マスクパターン４ｃを配置して、可溶部６ｂを形成する領域に光が照射されるようにする。
また、前記した実施形態では、真空蒸着法により導電性材料を加熱蒸着させて中間導電膜５を形成するに際し、加熱手段として電気的抵抗加熱法を用いているが、これに限られることなく、例えば、ヤグや二酸化炭素等の赤外レーザ光源から発せられるような、波長４００ｎｍ以上のレーザ光を用いたレーザアブレーションによる加熱法を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明は、導電性基板の上面に第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、前記第１フォトレジスト層の上方に配置した第１マスクパターンを介して露光することにより前記第１フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第１フォトレジスト層露光工程と、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で導電性材料を加熱蒸着させ、前記第１フォトレジスト層の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程と、前記中間導電膜の上面にパターニング用レジストを形成するパターニング用レジスト形成工程と、前記パターニング用レジストを介して前記中間導電膜をパターニングするパターニング工程と、前記パターニング工程で残存した前記パターニング用レジストを除去するパターニング用レジスト除去工程と、前記パターニング工程で露出した前記第１フォトレジスト層の上面及び前記パターニング用レジスト除去工程で露出した前記中間導電膜の上面に、第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、前記第２フォトレジスト層の上方に配置した第２マスクパターンを介して露光することにより前記第２フォトレジスト層を可溶部と不溶部とに区分けする第２フォトレジスト層露光工程と、前記第１フォトレジスト層及び前記２フォトレジスト層を現像して、該第１、第２フォトレジスト層のそれぞれの可溶部を除去する可溶部除去工程と、を有する電鋳型の製造方法に関する。
本発明によれば、多段の電鋳部品を製造する際に一層形成する毎に電鋳型の側壁を形成するレジストを除去することで形成した部品の層の上に次の層を形成するための型を形成するのではなく、フォトレジスト層を形成して露光を行い、各段のフォトレジスト層を間に中間導電膜を介装させつつ多層に重ねてから現像を行うことで、各段差部の底部に中間導電膜を有する多段の電鋳型を製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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