(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に信号線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に搭載され、導電材から梁状に構成され、電界の作用により前記信号線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、
前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成され、前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に設けられ、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する方向への変形を規制し、前記マイクロマシンが前記信号線へ近接する方向よりも、前記信号線から離れる方向に変形しにくくする変形規制部と、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。
【請求項２】
主面上に信号線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に搭載され、導電材から梁状に構成され、電界の作用により前記信号線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、
前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成され、前記マイクロマシンの前記信号線と反対側のみに設けられ、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する方向への変形を規制する変形規制部と、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。
【請求項３】
前記変形規制部は、マイクロマシン上に形成される合成樹脂材からなる粘性部を有することを特徴とする請求項１または２記載のマイクロマシン装置。
【請求項４】
前記変形規制部は、前記粘性部の外面を覆う金属製の被覆部を備えることを特徴とする請求項３記載のマイクロマシン装置。
【請求項５】
前記マイクロマシンは前記基板上に支持されて、前記信号線を跨ぐ両持ち梁状を成し、
前記変形規制部は、前記マイクロマシンのうち前記信号線を跨ぐ方向において、前記信号線に対向する部位を避けた両側にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載のマイクロマシン装置。
【請求項６】
前記マイクロマシンは、互いに分離する複数の部材を備えて構成され、
前記複数の部材は、前記信号線と反対側において、接続継手を介して互いに接続されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載のマイクロマシン装置。
【請求項７】
信号線が設けられた基板の主面上に、導電材から梁形状に形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、
前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に、前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成されるとともに、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する変形を規制し、前記マイクロマシンが前記信号線へ近接する方向よりも、前記信号線から離れる方向に変形しにくくする変形規制部を配する工程と、
前記マイクロマシン及び変形規制部上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項８】
信号線が設けられた基板の主面上に、導電材から梁形状に形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、
前記マイクロマシンの前記信号線と反対側のみに、前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成されるとともに、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する変形を規制する変形規制部を配する工程と、
前記マイクロマシン及び変形規制部上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項９】
前記変形規制部は、マイクロマシン上に形成される合成樹脂材からなる粘性部を有することを特徴とする請求項７または８記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項１０】
前記変形規制部は、前記粘性部の外面を覆う金属製の被覆部を備えることを特徴とする請求項９記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項１１】
前記マイクロマシンは前記基板上に支持されて、前記信号線を跨ぐ両持ち梁状を成し、
前記変形規制部は、前記マイクロマシンのうち前記信号線を跨ぐ方向において、前記信号線に対向する部位を避けた両側にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項１２】
前記マイクロマシンは、互いに分離する複数の部材を備えて構成され、
前記複数の部材は、前記信号線と反対側において、接続継手を介して互いに接続されることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等のマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン装置の一例として、図１９〜図２１に示されるように、基板１０２上に動作を伴うマイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子１０４が搭載され、中空に封止された、微小電気機械部品（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）１０１が知られている（例えば、特許文献１または２参照）。
【０００３】
微小電気機械部品１０１は、基板１０２、絶縁層１０３、ＭＥＭＳ素子１０４、信号用配線１０５、駆動電極１０６、下部電極１０７、第１封止体１０８および第２封止体１０９で構成され、内部に中空部１１０を構成する。ＭＥＭＳ素子１０４は両持ちまたは片持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線１０５と数μｍ程度のギャップを持って成形されている。ＭＥＭＳ素子１０４の直下の絶縁層１０３には、信号用配線１０５がＡｕなどで形成されている。ＭＥＭＳ素子１０４は、ばね特性の高いＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）もしくはＡｌ（アルミニウム）などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線１０５の方へ近接する。
【０００４】
また、この駆動力を除荷すると、ＭＥＭＳ素子１０４は自身のばね特性により、再び信号用配線１０５とギャップを持った位置に戻る。このようにＭＥＭＳ素子１０４と信号用配線１０５との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【０００５】
この種の微小電気機械部品１０１において、ＭＥＭＳ素子１０４の動作と保護のため、第１および第２封止体１０８，１０９でＭＥＭＳ素子１０４を中空に封止している。中空部１１０は減圧された雰囲気となっている。
【特許文献１】特開２００５−２０７９５９号公報
【特許文献２】米国特許第７００８８１２Ｂ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、梁状のマイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子は、そのばね特性により、静電力を除荷したときの振動が静定しにくいため、出力信号にノイズを含む原因となる。特に、中空部内の減圧された雰囲気では流体抵抗が小さいため、マイクロマシンの振動を静定することが困難である。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置は、主面上に信号線が設けられた基板と、前記基板の前記主面上に搭載され、導電材から梁状に構成され、電界の作用により前記信号線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成され、前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に設けられ、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する方向への変形を規制し、前記マイクロマシンが前記信号線へ近接する方向よりも、前記信号線から離れる方向に変形しにくくする変形規制部と、前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造方法は、信号線が設けられた基板の主面上に、導電材から梁形状に形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に、前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成されるとともに、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する変形を規制し、前記マイクロマシンが前記信号線へ近接する方向よりも、前記信号線から離れる方向に変形しにくくする変形規制部を配する工程と、前記マイクロマシン及び変形規制部上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、出力信号のノイズが低減されたマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法の提供を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置１について、図１乃至図３を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する三方向を示している。
【００１２】
マイクロマシン装置１は例えば微小電気機械部品（ＭＥＭＳ）であり、基板を構成するベース基板１１及び絶縁層１２と、信号用配線１５（信号線）と、ＭＥＭＳ素子１６（マイクロマシン）と、変形規制部１８等を備えるとともに、封止体２０が基板と結合して、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部１７を形成した状態で、気密に封止されている。封止体２０は、中空部１７を規定する第１封止体２１と第２封止体２２とが順次積層されて構成されている。
【００１３】
ベース基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。  
絶縁層１２は、ベース基板１１上に形成され、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる。これらベース基板１１及び絶縁層１２により基板が構成される。
【００１４】
絶縁層１２の上面には、下部電極１３、駆動電極１４、信号用配線１５及びＭＥＭＳ素子１６が形成されている。信号用配線１５はＡｕなどで形成され、図２中Ｙ方向に延びて形成されている。駆動電極１４は、絶縁層１２上であって、信号用配線１５を挟んで両側に設けられている。
【００１５】
絶縁層１２の上面には、ＭＥＭＳ素子１６が形成されている。ＭＥＭＳ素子１６は封止体２０の外部に通じる下部電極１３に接続されている。ＭＥＭＳ素子１６の直下の絶縁層１２の表面には、信号用配線１５がＡｕ（金）などで形成されている。
【００１６】
ＭＥＭＳ素子１６はマイクロマシンの可動機構部であり、両持ち梁状を成し、その両端部分は下部電極１３に接続され、梁状の中央部分は、信号用配線１５と数μｍ程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μｍ程度の厚さをもつ犠牲層２３ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。
【００１７】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えばＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌ等の導電材で構成された矩形の板状部材が、ＳｉＯ２等の絶縁材料から矩形の板状に構成された接続継手１９を介して接続されている。ここでは、信号用配線１５直上の板状の部材と、信号用配線１５を跨ぐ方向における両側の片持ち梁状の部材とが、その上面側に配置された接続継手１９を介して接続され、両持ち梁状に構成されている。このように分離した複数の部材をその上面側において接続継手１９を介して接続する構成により、プルインの際の下方への変形をしやすく、かつ、プルアウト時に上方への変形を規制することができる。
【００１８】
この梁状のＭＥＭＳ素子１６は、ばね特性を有し、図４または図５に示すように、その中央部分が上下方向（図２中Ｚ方向）に変位するように厚み方向に弾性的に曲げ変形可能であり、弾性復元力を有する。
【００１９】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えば、電界の作用として駆動電極１４から静電力等の駆動力が与えられると、図４に示すように、弾性変形して中央部分が信号用配線１５の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、図５に示すように、再び元の位置に戻る。
【００２０】
すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、ＭＥＭＳ素子１６が駆動力に応じて信号用配線１５との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置１の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【００２１】
図２及び図６に示すように、変形規制部１８は、ＭＥＭＳ素子１６上において信号用配線１５の直上を避けた両側において、ＭＥＭＳ素子１６の上面に形成された粘性部１８ａと、この粘性部１８ａを外側から覆う被覆部１８ｂとを有して構成される。
【００２２】
粘性部１８ａは、ポリイミド（ＰＩ）等の粘性係数の高い合成樹脂から矩形状に形成されてなる。
【００２３】
被覆部１８ｂは、金属等で構成され、粘性部１８ａが露出しないように外面を覆う。
【００２４】
被覆部１８ｂは、粘性部１８ａの上面及び側周を覆い、その下面周縁がＭＥＭＳ素子１６の上面周縁に結合される。この被覆部１８ｂとＭＥＭＳ素子１６により、粘性部１８ａの劣化が防止されるとともに、後述する犠牲層除去の際に粘性部１８ａが除去されるのが防止される。
【００２５】
上記のような構成により、ＭＥＭＳ素子１６自体を薄くしつつプルアウト時の変形を抑えることができるため、プルイン時の変形しやすさを確保できる。
【００２６】
図２に示される第１封止体２１は、その辺縁部分がＭＥＭＳ素子１６と離間した位置で周囲の絶縁層１２の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を上方から覆う。すなわち、第１封止体２１はＭＥＭＳ素子１６から離間している。
【００２７】
第１封止体２１は、ＳｉＯ２等からなる厚さ１〜２μｍ程度の膜状であり、ＭＥＭＳ素子１６と数〜数十μｍ程度距離を保って設置される。例えば、後述するように、数十μｍ程度の厚さをもつ犠牲層を形成した後に第１封止体２１を形成し、犠牲層２３を除去することにより、中空部１７の形成が可能となる。
【００２８】
第１封止体２１は、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス（Ｏ２プラズマガス等）の導入のために設けられた開口であった開口形状部２１ａが複数設けられている。開口形状部２１ａは、ＭＥＭＳ素子１６の直上を避けて、ＭＥＭＳ素子１６の周囲において、例えば５０μｍの間隔で並列されて形成されている。
【００２９】
この開口形状部２１ａを含む第１封止体２１の外側は、第２封止体２２に覆われている。第２封止体２２は、１〜２μｍ程度の厚みを有し、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）等の材料から構成され、第２封止体２２の外側を覆い、中空部１７が密封されるように成膜される。この第２封止体２２により、開口形状部２１ａが気密に閉塞されている。
【００３０】
このような構成のマイクロマシン装置１において、駆動電流が印加されたプルイン時には、図４に示すように、ＭＥＭＳ素子１６の中央部分の板状部材の下面が信号用配線１５に接触するとともに、中央部分の左右近傍の下面が駆動電極１４にそれぞれ接触する。
【００３１】
駆動電流を除荷したプルアウトの際には、図５に示すように、弾性復元力が生じ、これにより中央部分の板状部材が信号用配線１５及び駆動電極１４から離れる方向に変形する。この際、上方に配置された変形規制部１８の高い粘性により振動がすぐに静定される。したがって、電力除荷後の減衰時間を短縮することができる。
【００３２】
次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置１の製造方法について図７乃至図１８を参照して説明する。  
まず、図７に示すように、ベース基板１１上に絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に信号用配線１５を形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１６として、例えば、Ａｕを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。
【００３３】
このとき、図７乃至図９に示すように、まず信号用配線１５とＭＥＭＳ素子１６との間にギャップを持たせるために、信号用配線１５上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層２３ａを形成して段差を形成してから、この犠牲層２３ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成する。以上により、ＭＥＭＳ素子１６が、段差を有し、信号用配線１５から離間する梁部分を有する所定の両持ち梁形状に形成される。
【００３４】
ついで、図１０及び図１１に示すように、ＭＥＭＳ素子１６上にスピンコートやスプレーコートにより、ＰＩ等の粘性樹脂からなる粘性部１８ａを形成する。
【００３５】
ついで、図１２及び図１３に示すように、エッチング等により粘性部１８ａを所定の矩形状に形成する。以上により、信号用配線１５の直上を避けた左右両側にそれぞれ矩形状の粘性部１８ａが形成される。
【００３６】
ついで、図１４および図１５に示されるように、粘性部１８ａの上からスピンコート法により金属の被覆部１８ｂを厚さ１μｍ程度に成膜する。以上により、被覆部１８ｂにより粘性部１８ａの上面及び周側面が覆われる。
【００３７】
さらに、図１６に示すように、ＭＥＭＳ素子１６及び変形規制部１８が形成された状態の上に、ＭＥＭＳ素子１６を覆うように犠牲層２３ｂを形成する。
【００３８】
犠牲層２３ａ、２３ｂは、例えば、スピンコート法によりＰＩ膜が成膜され、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。
【００３９】
図１７に示すように、犠牲層２３ａ，２３ｂの形成後、第１封止体２１として、プラズマＣＶＤ装置により、ＳｉＯ２膜を、所定厚さで形成する。
【００４０】
さらに、フォトリソグラフィ処理等により、図１８に示すように、第１封止体２１に、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１６の周囲の犠牲層２３ａ，２３ｂを除去する際に除去材を導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される開口形状部２１ａを複数形成する。
【００４１】
ついで、犠牲層除去用のエッチング材を開口形状部２１ａより導入し、図１８に示すように、全ての犠牲層２３ａ，２３ｂ，２３ｃを完全に除去する。例えば、多結晶シリコンを選択的に除去するＸｅＦ２ガスを、開口形状部２１ａから導入することにより、全ての犠牲層が除去される。この結果、第１封止体２１及び第２封止体２２で覆われる内部に中空部１７が形成される。
【００４２】
ついで、図２に示すように、第１封止体２１上に、ついで、例えば、プラズマＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置により、第１封止体２１を覆うように、低透湿のＳｉＮを、たとえば数μｍ以上の厚さで成膜し、第２封止体２２を形成する。この第２封止体２２が薄膜プロセスによって形成されることで、第１封止体２１の開口形状部２１ａが密封されることにより、中空部１７の気密性が保たれ、内気の漏れが防止される。
【００４３】
第１及び第２封止体２１，２２は、ＳｉＯまたはＳｉＮのような絶縁性を有する無機材であり、導電性をもつＭＥＭＳ素子１６との間に電気容量を形成しない。このため、可変電気容量を用途とした電気機械部品においては、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
【００４４】
以上により、図１及び図２に示すマイクロマシン装置１が完成する。このようにして構成されたマイクロマシン装置１としてのパッケージは、例えばドライバＩＣチップ等に用いることができる。
【００４５】
本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６上方に変形規制部１８を設けたことにより、駆動電力を除荷した場合にＭＥＭＳ素子１６の弾性復元力により生じる振動を抑制することができる。なお、変形規制部１８は上方にのみ設けられているため、下方に変形して信号用配線１５に接するプルインの際の特性に対する影響は少ない。
【００４６】
例えば、図２で示す梁状部分の中央における振動は、変形規制部１８が無い場合の中空封止構造と比べ、その減衰率を３倍以上とすることが可能である。したがって、出力信号のノイズを抑え、部品としての精度を向上することができる。
【００４７】
さらに、封止体２０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつＭＥＭＳ素子１６との間に電気容量を形成しない。したがって、ＭＥＭＳ素子１６と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。例えば上記実施形態ではＭＥＭＳ素子１６は複数の部材が接続継手１９を介して接続されている場合について説明したが、１つの梁状の部材によって形成されているものも適用可能である。
【００４９】
また、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層２３ａ，２３ｂは同一材料でなくても良い。また、基板として、ベース基板１１上に絶縁層１２を備えた構造について説明したが絶縁層１２を省略してベース基板１１のみで基板を構成し、このベース基板１１上にＭＥＭＳ素子１６、信号用配線１５を形成してもよい。
【００５０】
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
（１）
主面上に信号線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に搭載され、導電材から梁状に構成され、電界の作用により前記信号線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、
前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成され、前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に設けられ、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する方向への変形を規制する変形規制部と、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。
（２）
前記変形規制部は、マイクロマシン上に形成される合成樹脂材からなる粘性部を有することを特徴とする（１）記載のマイクロマシン装置。
（３）
前記マイクロマシンは前記基板上に支持されて、前記信号線を跨ぐ両持ち梁状を成し、
前記変形規制部は、前記マイクロマシンのうち前記信号線を跨ぐ方向において、前記信号線に対向する部位を避けた両側にそれぞれ配置されたことを特徴とする（１）又は（２）記載のマイクロマシン装置。
（４）
信号線が設けられた基板の主面上に、導電材から梁形状に形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、
前記マイクロマシンの前記信号線と反対側に、前記導電材よりも粘性係数が高い材料で構成されるとともに、前記マイクロマシンの前記信号線から離間する変形を規制する変形規制部を配する工程と、
前記マイクロマシン及び変形規制部上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の１実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。
【図２】同マイクロマシン装置の断面図。
【図３】同マイクロマシン装置の要部を拡大して示す平面図。
【図４】同マイクロマシン装置のプルイン時の動作を示す断面図。
【図５】同マイクロマシン装置のプルアウト時の動作を示す断面図。
【図６】同マイクロマシン装置の要部を図２におけるＡＡ線で切欠して示す斜視図。
【図７】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図８】同マイクロマシン装置の製造工程を示す平面図。
【図９】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１０】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１１】同マイクロマシン装置の製造工程を示す平面図。
【図１２】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１３】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１４】同マイクロマシン装置の製造工程を示す平面図。
【図１５】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１６】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１７】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１８】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１９】マイクロマシン装置の一例の断面図。
【図２０】マイクロマシン装置の一例の斜視図。
【図２１】マイクロマシン装置の一例の平面図。
【符号の説明】
【００５２】
１…マイクロマシン装置、１１…ベース基板、１２…絶縁層、
１３…下部電極、１４…駆動電極、１５…信号用配線（信号線）、１６…ＭＥＭＳ素子、１６ｂ…開口、１７…中空部、１８…変形規制部、１８ａ…粘性部、１８ｂ…被覆部、２０…封止体、２１…第１封止体、２１ａ…開口形状部、２２…第２封止体、２３ａ．２３ｂ…犠牲層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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