(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたデータ線と、
前記基板上に形成されて１つの画素領域に配置され、当該１つの画素領域に配置される第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、を備え、
データ線が延びる方向に相互に隣接する前記第１副画素電極のエッジ部及び第２副画素電極のエッジ部は、折曲した形状を有し、
同一のゲート線に接続され互いに異なる大きさの電圧が印加される前記第１及び第２副画素電極は、それぞれ前記データ線が延びる方向に平行な縦辺及び当該縦辺と隣接する斜辺を有する平行四辺形の電極片を少なくとも２つ含み、
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれにおいて、前記少なくとも２つ電極片の縦辺は互いに接することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれにおいて、前記少なくとも２つ電極片の斜辺が直角をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な縦辺の長さと前記第２副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な縦辺の長さとが互いに異なることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とが前記データ線が延びる方向に隣接することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な中心線と前記第２副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な中心線とは整列されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極と対向する共通電極と、
前記共通電極に形成される第１傾斜方向決定部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１傾斜方向決定部材は、前記電極片の斜辺と実質的に平行な斜線部を有する複数の第１切開部を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれに形成される第２傾斜方向決定部材をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２傾斜方向決定部材は、前記電極片の斜辺と実質的に平行な斜線部を有する複数の第２切開部を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積よりも小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧よりも高いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、一つの画像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極を横切る第４信号線をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、前記第４信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とが容量性結合することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれは、相互に対向する２つの折曲辺と当該２つ折曲辺にそれぞれ隣接する２つの縦辺により画定される形状を有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１副画素電極の折曲辺は、隣接する第２副画素電極の折曲辺と入れ子になっていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極及び共通電極などの電場生成電極が形成されている２枚の表示板と、その間に挟持された液晶層とを備える。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００３】
また、液晶表示装置は、各画素電極に接続されるスイッチング素子と、スイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線及びデータ線などの複数の信号線とを備える。
【０００４】
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広いことから脚光を浴びている。ここで基準視野角とは、コントラスト比が１：１０である視野角、または階調間輝度反転限界角度を意味する。
【０００５】
垂直配向方式の液晶表示装置において、広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極の上または下に突起を形成する方法などがある。切開部及び突起は、液晶分子の傾斜方向（ｔｉｌｔ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決定するため、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向を複数方向に分散させることによって基準視野角を広くすることができる。
【０００６】
側面視認性を改善するために、１つの画素を２つの副画素に分割し、その２つの副画素を容量性結合させた後、一方の副画素には直接電圧を印加し、他方の副画素には容量性結合による電圧下降を生じさせ、２つの副画素の電圧を相違させて透過率を異なるようにする方法が提案されている。ところが、突起や切開部のある部分は光が透過しにくいため、それらが多いほど開口率が低下する。開口率を高くするために画素電極を広くした超高開口率構造が提示されている。しかしながらこの場合、画素電極間の距離が近く、画素電極とデータ線との間の距離も近いため、画素電極の周縁近傍に強い横方向電場（ｌａｔｅｒａｌ  ｆｉｅｌｄ）が形成される。このような横方向電場によって液晶分子の配向が乱れてテキスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）や光漏れが生じ、応答時間が長くなる。
【０００７】
また、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が劣る。例えば、切開部を設けたＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合、側面に向かうほど画像が明るくなり、酷い場合は、高い階調間の輝度差がなくなって画像がぼやけてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明が目的とする技術的課題は側面視認性を向上させることである。また、本発明の他の技術的課題はより簡単な構造に画素を形成することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に配置されたデータ線と、前記基板上に形成されて１つの画素領域に配置され、当該１つの画素領域に配置される第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、を備え、データ線が延びる方向に相互に隣接する前記第１副画素電極のエッジ部及び第２副画素電極のエッジ部は、折曲した形状を有し、同一のゲート線に接続され互いに異なる大きさの電圧が印加される前記第１及び第２副画素電極は、それぞれ前記データ線が延びる方向に平行な縦辺及び当該縦辺と隣接する斜辺を有する平行四辺形の電極片を少なくとも２つ含み、前記第１及び第２副画素電極のそれぞれにおいて、前記少なくとも２つ電極片の縦辺は互いに接することを特徴とする。
【００１１】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれにおいて、前記少なくとも２つ電極片の斜辺が直角をなすことができる。
【００１２】
前記第１副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な縦辺の長さと前記第２副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な縦辺の長さとが互いに異なってもよい。
【００１３】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は前記データ線が延びる方向に隣接することができる。
【００１４】
前記第１副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な中心線と前記第２副画素電極の前記データ線が延びる方向に平行な中心線とは整列されることができる。
【００１５】
前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極に形成される第１傾斜方向決定部材とをさらに含むことができる。
【００１６】
前記第１傾斜方向決定部材は、前記電極片の斜辺と実質的に平行な斜線部を有する複数の第１切開部を含むことができる。
【００１７】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれ形成される第２傾斜方向決定部材をさらに含むことができる。
【００１８】
前記第２傾斜方向決定部材は、前記電極片の斜辺と実質的に平行な斜線部を有する複数の第２切開部を含むことができる。
【００２０】
前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積よりも小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧よりも高くてもよい。
【００２１】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、一つの画像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることができる。
【００２５】
前記画素電極を横切る第４信号線をさらに含むことができる。
【００２６】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、前記第４信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極をそれぞれ含むことができる。
【００２７】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とが容量性結合することができる。
【００３０】
前記第１及び第２副画素電極のそれぞれは、相互に対向する２つの折曲辺と当該２つ折曲辺にそれぞれ隣接する２つの縦辺により画定される形状を有することができる。
【００３１】
前記第１副画素電極の折曲辺は、隣接する第２副画素電極の折曲辺と入れ子になっていることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、より簡単な画素構造で液晶表示装置の側面視認性を向上させることができ、画素領域をさらに容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
次に、本発明に係る表示装置を実施するための最良の形態を、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００３６】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００３７】
まず、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００３８】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。
【００３９】
図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３００、これと接続されたゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を備える。
【００４０】
液晶表示板組立体３００は、等価回路的には、複数の信号線（Ｇ１ａ−Ｇｎｂ，Ｄ１−Ｄｍ）（第１乃至第３信号線）と、これに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素（ＰＸ）を含む。反面、図２に示すように、構造的に液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００，２００と、それらの間に挟持された液晶層３とを含む。
【００４１】
信号線（Ｇ１ａ−Ｇｎｂ，Ｄ１−Ｄｍ）は、ゲート信号（走査信号とも言う）を伝達する複数のゲート線（Ｇ１ａ−Ｇｎｂ）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）を含む。ゲート線（Ｇ１ａ−Ｇｎｂ）はほぼ行方向に延びて互いにほぼ平行であり、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）はほぼ列方向に延びて互いにほぼ平行である。
【００４２】
各画素（ＰＸ）は一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）を含む。２つの副画素のうちの少なくとも一つは、ゲート線、データ線、及び液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）と接続されたスイッチング素子（図示せず）（第１及び第２薄膜トランジスタ）を含む。
【００４３】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）は、下部表示板１００の副画素電極（ＰＥａ，ＰＥｂ）と、上部表示板２００の共通電極（ＣＥ）を２つの端子とし、副画素電極（ＰＥａ，ＰＥｂ）と共通電極（ＣＥ）間の液晶層３は誘電体として機能する。１対の副画素電極（ＰＥａ，ＰＥｂ）は互いに分離されて１つの画素電極（ＰＥ）を構成する。共通電極（ＣＥ）は、上部表示板２００の全面に形成されて共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されることができる。
【００４４】
一方、色表示を実現するために、各画素（ＰＸ）が基本色のうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素（ＰＸ）が時間によって交互に基本色を表示したりする（時間分割）ことによって、これらの基本色の空間的、時間的作用で所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は空間分割の一例として、各画素（ＰＸ）に対応する上部表示板２００の領域に基本色のうちの一つを示すカラーフィルタ（ＣＦ）が形成されている。図２とは異なり、カラーフィルタ（ＣＦ）は、下部表示板１００の副画素電極（ＰＥａ，ＰＥｂ）の上または下に形成してもよい。
【００４５】
表示板１００，２００の外側の面には偏光子（図示せず）が設けられているが、２つの偏光子の偏光軸は直交することができる。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子１２，２２のうちの一つは省略してもよい。直交偏光子である場合には、電場のない液晶層３に入る入射光を遮断する。
【００４６】
さらに図１に示すように、階調電圧生成部８００は、画素（ＰＸ）の透過率に関連する複数の階調電圧（または基準階調電圧）を生成する。
【００４７】
ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線と接続されてゲートオン電圧（Ｖｏｎ）とゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）との組み合わせからなるゲート信号（Ｖｇ）をゲート線に印加する。
【００４８】
データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線に接続されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択して、それをデータ信号としてデータ線に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全階調に対する電圧を全て提供するのでなく、決められた数の基準階調電圧のみを提供する場合は、データ駆動部５００は、基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧を生成して、その中からデータ信号を選択する。
【００４９】
信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。
【００５０】
このような駆動装置（ゲート駆動部４００、データ駆動部５００、信号制御部６００、階調電圧生成部８００）のそれぞれは、少なくとも一つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されるか、フレキシブル印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態に液晶表示板組立体３００に付着されるか、別途の印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着されることもできる。これとは異なり、これらの駆動装置が液晶表示板組立体３００に集積されることも可能である。また、駆動装置は単一チップに集積でき、この場合、これらの少なくとも一つ、またはこれらをなす少なくとも一つの回路素子が単一チップの外側に位置し得る。
【００５１】
次に、このような液晶表示板組立体の構造について図３乃至図７を参照して詳細に説明する。
【００５２】
図３は、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。
【００５３】
図３に示すように本実施形態による液晶表示板組立体は、複数対のゲート線（ＧＬａ，ＧＬｂ）、複数のデータ線（ＤＬ）、及び複数の維持電極線（ＳＬ）（第４信号線）を含む信号線と、これに接続された複数の画素（ＰＸ）とを含む。各画素（ＰＸ）は一対の副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）を含み、各副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）は、ゲート線（ＧＬａ，ＧＬｂ）及びデータ線（ＤＬ）に接続されるスイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）と、これに接続された液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）と、スイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）及び維持電極線（ＳＬ）に接続されるストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）とを含む。
【００５４】
各スイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）は、下部表示板１００に設けられる薄膜トランジスタなどの３端子素子であって、その制御端子はゲート線（ＧＬａ，ＧＬｂ）に接続されており、入力端子はデータ線（ＤＬ）に接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）に接続されている。
【００５５】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）の補助的な役割を果たすストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）は、下部表示板１００に設けられた維持電極線（ＳＬ）と、画素電極（ＰＥ）が絶縁体を介在して重畳することで形成され、維持電極線（ＳＬ）には共通電圧（Ｖｃｏｍ）などの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）は、副画素電極（ＰＥａ，ＰＥｂ）が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳することで形成されることもできる。
【００５６】
副画素電極１９１ａ，１９１ｂのそれぞれは、少なくとも図４Ａに示される平行四辺形の電極片１９６一つと、図４Ｂに示される平行四辺形の電極片１９７一つを含む。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、電極片１９６，１９７のそれぞれは、一対の斜辺（ｏｂｌｉｑｕｅ  ｅｄｇｅ）１９６ｏ，１９７ｏ及び一対の縦辺（ｌｅｎｇｔｈｗｉｓｅ  ｅｄｇｅ）１９６ｔ，１９７ｔを有し、ほぼ平行四辺形である。各斜辺１９６ｏ，１９７ｏは縦辺１９６ｔ，１９７ｔに対して斜角（ｏｂｌｉｑｕｅ  ａｎｇｌｅ）をなし、斜角の大きさはほぼ４５度〜１３５度であることが好ましい。以下、便宜上、縦辺１９６ｔ，１９７ｔを中心として垂直な状態で傾いた方向（傾斜方向）によって区分し、図４Ａのように、右側に傾いたものを右傾斜とし、図４Ｂのように、左に傾いたものを左傾斜とする。
【００５８】
電極片１９６，１９７において、縦辺１９６ｔ，１９７ｔ間の長さ、つまり、斜辺１９６ｏ，１９７ｏ間の距離、つまり、高さは表示板組立体３００の大きさに応じて自由に決定することができる。また、各電極片１９６，１９７において、縦辺１９６ｔ，１９７ｔは他の部分との関係を考慮して、折曲したり突出したりする等、変更することができ、以下、このような変形も含めて平行四辺形と言う。
【００５９】
第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂのそれぞれは、互いに異なる傾斜を有する平行四辺形の電極片１９６，１９７が行方向に連結された形態となっている。各平行四辺形の電極片１９６，１９７それぞれの一縦辺１９６ｔ，１９７ｔは互いに接している。各平行四辺形の電極片１９６，１９７それぞれの一斜辺１９６ｏ，１９７ｏは互いに斜角をなし、斜角はほぼ９０度であることが好ましい。
【００６０】
このような第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂは、列方向に互いに隣接する。本実施形態では、第１副画素電極１９１ａの縦中心線と第２副画素電極１９１ｂの縦中心線とが整列されている。第２副画素電極１９１ｂの高さ（すなわち、第２副画素電極１９１ｂの縦辺の長さ）は、第１副画素電極１９１ａの高さ（すなわち、第２副画素電極１９１ａの縦辺の長さ）よりも長く、ほぼ１．１倍〜２倍程度である。第２副画素電極１９１ｂの幅は、第１副画素電極１９１ａの幅より多少長い。よって、第２副画素電極１９１ｂの広さは、第１副画素電極１９１ａの広さより大きく、ほぼ１．５倍〜２倍程度である。しかし、本発明はこのような大きさに限定されるものではなく、第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂの高さ及び幅を調節して、所望の面積比を得ることができる。好ましくは、ほぼ１：１．１〜１：３程度の面積比を有する。
【００６１】
このように第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂは、横方向に一度折曲する形態となっている。これによって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の三原色のうちの一つを示すカラーフィルタ（ＣＦ）に対応する３つの画素電極１９１の領域形成をさらに容易にすることができる。また、データ線１７１ａ，１７１ｂとの重畳面積の調節も容易である。
【００６２】
このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置において、信号制御部６００が一つの画素（ＰＸ）に対する入力画像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を受信し、２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）に対する出力画像信号（ＤＡＴ）に変換してデータ駆動部５００に伝送することができる。これとは異なり、階調電圧生成部８００において２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）に対する階調電圧集合を別々に形成し、これを交互にデータ駆動部５００に提供するか、あるいはデータ駆動部５００でこれを交互に選択することによって、２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）に互いに異なる電圧を印加することができる。但し、この時、２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）の合成ガンマ曲線が正面基準ガンマ曲線に近づくように画像信号を補正するか、あるいは階調電圧集合を形成することが好ましい。例えば、正面からの合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適合するように定められた正面基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面からの合成ガンマ曲線は、正面基準ガンマ曲線に最も近づくようにする。
【００６３】
次に、図３に示す液晶表示装置の一例について図５乃至図７を参照して詳細に説明する。
【００６４】
図５は本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図６及び図７は各々図５に示す液晶表示装置のＶI−ＶI及びＶII−ＶII線に沿った断面図である。
【００６５】
図５乃至図７に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００と、これら２つの表示板１００，２００の間に挟持された液晶層３とを備える。
【００６６】
まず、下部表示板１００について説明する。
【００６７】
透明なガラスまたはプラスチックなどから形成された絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ，１２１ｂと、複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【００６８】
第１及び第２ゲート線１２１ａ，１２１ｂはゲート信号を伝達し主に横方向に延びており、それぞれ下側及び上側に位置している。
【００６９】
第１ゲート線１２１ａは、上方に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９を含む。第２ゲート線１２１ｂは、下方に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ，１２１ｂが延びてそれと直接接続される。
【００７０】
維持電極線１３１は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）などの所定の電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１は、第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂとの間に位置する。各維持電極線１３１は、下上に延びて再び拡張された維持電極１３７ａ，１３７ｂを含む。しかし、維持電極１３７ａ，１３７ｂを始めとする維持電極線１３１の形状及び配置は、様々に変更することができる。
【００７１】
第１及び第２ゲート線１２１ａ，１２１ｂと維持電極線１３１とを含むゲート導電体は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などから形成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などから形成される。これとは異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどから形成される。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜などの２重膜がある。しかし、ゲート導電体は、その他にも様々な金属または導電体から形成することができる。
【００７２】
ゲート導電体の側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であることが好ましい。
【００７３】
ゲート導電体上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などから形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００７４】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどから形成される複数の第１及び第２島状半導体１５４ａ，１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ，１５４ｂはそれぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ａ，１２４ｂ上に位置する。
【００７５】
それぞれの第１半導体１５４ａ上には、一対の島状オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）（図示せず）が形成されており、それぞれの第２半導体１５４ｂ上にも一対の島状オーミック接触部材１６３ｂ，１６５ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ｂ，１６５ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質から形成されるか、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）から形成される。
【００７６】
半導体１５４ａ，１５４ｂとオーミック接触部材１６３ｂ，１６５ｂの側面も、基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。
【００７７】
オーミック接触部材１６３ｂ，１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。
【００７８】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１ａ，１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ，１２４ｂに向かってそれぞれ延びた複数対の第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が広い端部１７９とを含む。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてそれと直接接続される。
【００７９】
第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１とも分離されている。第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂは、第１及び第２ゲート電極１２４ａ，１２４ｂを中心として第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂと対向しており、広い一端部１７７ａ，１７７ｂと棒形の他側端部を含む。第１ドレイン電極１７５ａの広い端部１７７ａが第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部１７７ｂよりも面積が小さい。広い端部１７７ａ，１７７ｂは、維持電極１３７ａ，１３７ｂとそれぞれ重畳しており、棒形端部は折曲した第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂで一部囲まれている。
【００８０】
第１及び第２ゲート電極１２４ａ，１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂ、並びに第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂは、第１及び第２半導体１５４ａ，１５４ｂと共に第１及び第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（Ｑａ，Ｑｂ）を構成し、第１及び第２薄膜トランジスタ（Ｑａ，Ｑｂ）のチャネルは、第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂとの間の第１及び第２半導体１５４ａ，１５４ｂに形成される。第１及び第２薄膜トランジスタ（Ｑａ，Ｑｂ）は全てデータ線１７１の左側に位置する。
【００８１】
データ導電体は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金から形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の２重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の３重膜がある。しかし、データ導電体はその他にも様々な金属または導電体から形成されることができる。
【００８２】
また、データ導電体もその側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の角度で傾斜していることが好ましい。
【００８３】
オーミック接触部材１６３ｂ，１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ，１５４ｂとその上のデータ導電体１７１，１７５ａ，１７５ｂとの間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ，１５４ｂにはソース電極１７３ａ，１７３ｂとドレイン電極１７５ａ，１７５ｂとの間を始めとしてデータ導電体１７１，１７５ａ，１７５ｂで覆われず露出した部分がある。
【００８４】
データ導電体及び露出した半導体１５４ａ，１５４ｂ部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などから形成され表面が平坦化し得る。有機絶縁物は４．０以下の誘電定数を有することが好ましく、感光性を有しても良い。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ、露出した半導体１５４ａ，１５４ｂ部分に害を及ぼさないように下部無機膜と上部有機膜の２重膜構造を有することができる。
【００８５】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂの広い端部１７７ａ，１７７ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２，１８５ａ，１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ，１２１ｂの端部１２９ａ，１２９ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８１ａ，１８１ｂが形成されている。
【００８６】
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１，８２が形成されている。これらはＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、及びその合金などの反射性金属から形成されることができる。
【００８７】
画素電極１９１は、下部表示板１００に形成されており、基本色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の三原色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦとそれぞれ対向する。各画素電極１９１は互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂを含む。第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂは列方向に隣接し、第１副画素電極１９１ａは切開部（第１傾斜方向決定部材）９３を有し、第２副画素電極１９１ｂは切開部９１，９２を有する。また、画素電極１９１と対向する共通電極２７０は、複数の切開部（第２傾斜方向決定部材）７１，７２，７３，７４，７５を有する。本実施の形態において、切開部７１〜７５，９１〜９３は、副画素電極１９１ａ，９１９ｂの電極片の斜辺に対して実質的に平行である。
【００８８】
第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂのそれぞれは、少なくとも図４Ａに示す平行四辺形の電極片１９６一つと、図４Ｂに示す平行四辺形の電極片１９７一つを含む。図４Ａ及び図４Ｂに示す電極片１９６，１９７を左右に連結すると基本電極になるが、各副画素電極１９１ａ，１９１ｂはこのような基本電極を根幹とする構造を有する。これは上述したとおりであり、説明を省略する。
【００８９】
第１副画素電極１９１ａはコンタクトホール１８５ａを介してそれぞれの第１ドレイン電極１７５ａと接続されており、第２副画素電極１９１ｂはコンタクトホール１８５ｂを介してそれぞれの第２ドレイン電極１７５ｂと接続されている。
【００９０】
第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂと上部表示板２００の共通電極２７０は、それらの間の液晶層３部分と共にそれぞれ第１及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）を構成し、薄膜トランジスタ（Ｑａ，Ｑｂ）が非導通になってからも印加された電圧を維持する。
【００９１】
第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂ、並びにこれと接続された第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂは、ゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７と重畳してそれぞれ第１及び第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）を構成し、第１及び第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）は、第１及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）の電圧維持能力を強化する。
【００９２】
接触補助部材８１，８２は、それぞれコンタクトホール１８１，１８２を介してゲート線１２１ａ，１２１ｂの端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１，８２は、ゲート線１２１ａ，１２１ｂの端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完しこれらを保護する。
【００９３】
次に、上部表示板２００について説明する。
【００９４】
透明なガラスまたはプラスチックなどから形成される絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１の折曲辺に対応する折曲部（図示せず）と、薄膜トランジスタに対応する四角形部分（図示せず）を含むことができ、画素電極１９１間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を画定する。
【００９５】
また、基板２１０及び遮光部材２２０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０に囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１列に沿って長くのびることができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
【００９６】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は有機絶縁物から形成されることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略しても良い。
【００９７】
オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明な導電体などから形成され、複数の切開部７１〜７５を有する。
【００９８】
切開部７１〜７５の数は設計要素によって変わり、遮光部材２２０が切開部７１〜７５と重畳して切開部７１〜７５近傍の光漏れを遮断することができる。
【００９９】
表示板１００，２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）１１，２１が形成され、これらは垂直配向膜であることができる。
【０１００】
表示板１００，２００の外側側面には偏光子１２，２２が設けられているが、２つの偏光子の偏光軸は直交し、副画素電極１９１ａ，１９１ｂの斜辺とほぼ４５゜の角度をなすことが好ましい。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子のうちの一つは省略してもよい。
【０１０１】
液晶表示装置は、偏光子１２，２２、位相遅延膜、表示板１００，２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
【０１０２】
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。
【０１０３】
切開部７１〜７５は、突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物から形成され、電場生成電極１９１，２７０の上または下に配置することができる。
【０１０４】
次に、図１乃至図７に示す液晶表示装置の動作について詳細に説明する。
【０１０５】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力画像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力画像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、各画素（ＰＸ）の輝度（ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）情報を含んでおり、輝度は決められた数、例えば、１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などがある。
【０１０６】
信号制御部６００は、入力画像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と入力制御信号に基づいて入力画像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）及びデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）などを生成した後、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）をゲート駆動部４００に送信し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した画像信号（ＤＡＴ）をデータ駆動部５００に出力する。出力画像信号（ＤＡＴ）はデジタル信号として決められた数の値（または階調）を有する。
【０１０７】
ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）は、走査開始を指示する走査開始信号（ＳＴＶ）とゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号を含む。また、ゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）は、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）をさらに含むことができる。
【０１０８】
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、一束の画素（ＰＸ）に対する画像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）と、液晶表示板組立体３００にデータ信号（Ｖｄ）の印加を指示するロード信号（ＬＯＡＤ）及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）を含む。データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に対するデータ信号（Ｖｄ）の電圧極性（以下、共通電圧に対するデータ信号を略して電圧極性をデータ信号の極性と言う）を反転させる反転信号（ＲＶＳ）をさらに含むことができる。
【０１０９】
信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）に従って、データ駆動部５００は一束の画素に対するデジタル画像信号（ＤＡＴ）を受信し、各デジタル画像信号（ＤＡＴ）に対応する階調電圧を選択することによって、デジタル画像信号（ＤＡＴ）をアナログデータ信号（Ｖｄ）に変換した後、それをデータ線１７１に印加する。
【０１１０】
ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号（ＣＯＮＴ１）に従ってゲートオン電圧（Ｖｏｎ）をゲート線１２１ａ，１２１ｂに印加して、このゲート線１２１ａ，１２１ｂに接続されたスイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）を導通させる。するとデータ線１７１に印加されたデータ信号（Ｖｄ）が導通したスイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）を介して当該副画素（ＰＸ１，ＰＸ２）に印加される。
【０１１１】
このように第１または第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）の両端に電位差が生じると、表示板１００，２００の表面に対してほとんど垂直な主電場（電界）（ｐｒｉｍａｒｙ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１及び共通電極２７０を電場生成電極という）。これにより、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に対して垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度に応じて液晶層３に入射光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は、偏光子によって透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置が画像を表示する。
【０１１２】
液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、２つの液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）の電圧が互いに異なるので液晶分子の傾く角度が異なり、そのため２つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）の電圧と第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の電圧を適切に合せると、側面から見る画像が正面から見る画像に最大限に近づくことができ、つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限に近づけることができて、側面視認性を向上させることができる。
【０１１３】
また、高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ａの面積を第２副画素電極１９１ｂの面積より小さくすることで、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により近づいて側面視認性がさらに良くなる。特に本発明では、一つの画素電極集合内において副画素電極１９１ａ，１９１ｂの幅と高さの調節が自由であるので、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂの面積比の調節も自由である。
【０１１４】
液晶分子が傾く方向は、一次的に電場生成電極１９１，２７０の切開部７１〜７５，９１〜９３と、副画素電極１９１ａ，１９１ｂの辺が主電場を歪曲して形成する水平成分によって決定される。このような主電場の水平成分は、切開部７１〜７５，９１〜９３の辺と、副画素電極１９１ａ，１９１ｂの辺に対してほぼ垂直である。
【０１１５】
副画素電極１９１ａ，１９１ｂは、切開部７１〜７５，９１〜９３によって複数の副領域（ｓｕｂ−ａｒｅａ）に区分され、各副領域は切開部７１〜７５，９１〜９３の折曲部及び副画素電極１９１ａ，１９１ｂの折曲辺によって画定される２つの主辺（ｍａｊｏｒ  ｅｄｇｅ）を有する。各副領域上の液晶分子はほぼ主辺に対して垂直方向に傾き、その傾く方向はほぼ４つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を複数方向にすることで、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０１１６】
一方、副画素電極１９１ａ，１９１ｂ間の電圧差によって副次的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の方向は副領域の主辺と垂直である。従って、副電場の方向と主電場の水平成分の方向とが一致する。その結果、副画素電極１９１ａ，１９１ｂの間の副電場は、液晶分子の傾斜方向の決定を強化する方向に作用する。
【０１１７】
１水平周期（１Ｈともいい、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同じである）を単位としてこのような過程を繰り返すことによって、全画素（ＰＸ）にデータ信号を印加して１フレームの画像を表示する。
【０１１８】
１フレームが終了すれば次のフレームが開始され、各画素（ＰＸ）に印加されるデータ信号の極性が直前フレームでの極性と逆になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号（ＲＶＳ）の状態が制御される（フレーム反転）。この時、１フレーム内でも反転信号（ＲＶＳ）の特性によって一つのデータ線を介して流れるデータ信号の極性が変わったり（例：行反転、ドット反転）、一束の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なったりすることができる（例：列反転、ドット反転）。
【０１１９】
次に、図８及び図９を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１２０】
図８は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【０１２１】
図８に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線（ＧＬ）、複数対のデータ線（ＤＬａ，ＤＬｂ）、及び複数の維持電極線（ＳＬ）を含む信号線と、これに接続された複数の画素（ＰＸ）とを含む。
【０１２２】
各画素（ＰＸ）は、一対の副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）を含み、各副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）は、それぞれゲート線（ＧＬ）及びデータ線（ＤＬａ，ＤＬｂ）に接続されるスイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）と、これに接続された液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）と、スイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）及び維持電極線（ＳＬ）に接続されるストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）とを含む。
【０１２３】
また、各スイッチング素子（Ｑａ，Ｑｂ）も下部表示板１００に設けられる薄膜トランジスタなどの３端子素子であって、その制御端子はゲート線（ＧＬ）と接続されており、入力端子はデータ線（ＤＬａ，ＤＬｂ）と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）と接続されている。
【０１２４】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｌｃｂ）とストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ，Ｃｓｔｂ）及びこのような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などは、上述したとおりであり説明は省略する。但し、図３乃至図７に示す液晶表示装置では、１つの画素（ＰＸ）を構成する２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸａ）が時差をおいてデータ電圧の印加を受けるのに対し、本実施形態では、２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）が同一時間にデータ電圧の印加を受ける。
【０１２５】
次に、図８に示す液晶表示板組立体の一例について図９を参照して詳細に説明する。
【０１２６】
図９は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【０１２７】
図９に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００と、これら２つの表示板の間に挟持された液晶層３と、表示板１００，２００の外側の面に付着される一対の偏光子（図示せず）とを備える。
【０１２８】
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、図５乃至図７に示される液晶表示板組立体の層状構造とほぼ同様である。
【０１２９】
下部表示板については、絶縁基板（図示せず）上に複数のゲート線１２１と複数対の第１及び第２維持電極線１３１ａ，１３１ｂとを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は、複数対の第１及び第２ゲート電極１２４ａ，１２４ｂと端部１２９を含む。維持電極線１３１ａ，１３１ｂは複数の維持電極１３７ａ，１３７ｂを含む。ゲート導電体上には、ゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には、複数の島状半導体１５４ａ，１５４ｂが形成されており、その上にはオーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材上には、複数対の第１及び第２データ線１７１ａ，１７１ｂと複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。第１及び第２データ線１７１ａ，１７１ｂは、それぞれ複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ，１７３ｂと端部１７９ａ，１７９ｂを含み、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ，１７５ｂは拡張部１７７ａ，１７７ｂを含む。データ導電体及び露出された半導体１５４ａ，１５４ｂ部分上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数のコンタクトホール１８１，１８２ａ，１８２ｂ，１８５ａ，１８５ｂが形成されている。保護膜上には第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂを含む複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１，８２ａ，８２ｂが形成されている。第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂは図５に示した液晶表示板のように、図４Ａ及び図４Ｂを基本とする。第１副画素電極１９１ａには切開部９３が形成されており、第２副画素電極１９１ｂには切開部９１，９２が形成されている。画素電極１９１、接触補助部材８１，８２ａ，８２ｂ、及び保護膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【０１３０】
上部表示板２００については、絶縁基板上に遮光部材、複数のカラーフィルタ、オーバーコート膜、切開部７１，７２，７３，７４，７５を有する共通電極、並びに配向膜が形成されている。
【０１３１】
しかし、本実施形態による液晶表示板組立体において、図５乃至図７に示される液晶表示板組立体と比べる時、ゲート線１２１の数は半分で、その代わりにデータ線１７１ａ，１７１ｂの数は２倍である。そして、一つの画素電極１９１を構成する第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂに接続された第１及び第２薄膜トランジスタ（Ｑａ，Ｑｂ）が同一であるゲート線１２１、互いに異なるデータ線１７１ａ，１７１ｂに接続されている。
【０１３２】
第１及び第２薄膜トランジスタ（Ｑａ，Ｑｂ）は、それぞれ第１及び第２データ線１７１ａ，１７１ｂの左側または右側に位置する。
【０１３３】
図５乃至図７に示す液晶表示板組立体の多くの特徴は、図８及び図９に示される液晶表示板組立体にも適用できる。
【０１３４】
次に、図１０及び図１１を参照して本発明のさらに他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１３５】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。本実施の形態では、第１副画素電極と第２副画素電極とが容量性結合されている。
【０１３６】
図１０に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線（ＧＬ）と複数のデータ線（ＤＬ）を含む信号線と、これに接続される複数の画素（ＰＸ）とを含む。
【０１３７】
各画素（ＰＸ）は、一対の第１及び第２副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）と、２つの副画素（ＰＸａ，ＰＸｂ）の間に接続されている結合キャパシタ（Ｃｃｐ）とを含む。
【０１３８】
第１副画素（ＰＸａ）は、ゲート線（ＧＬ）及びデータ線（ＤＬ）に接続されているスイッチング素子（Ｑ）と、これに接続された第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）とを含み、第２副画素（ＰＸｂ）は、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）に接続される第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）を含む。
【０１３９】
また、スイッチング素子（Ｑ）も下部表示板１００に設けられる薄膜トランジスタなどの３端子素子であって、その制御端子はゲート線（ＧＬ）と接続されており、入力端子はデータ線（ＤＬ）と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）及び結合キャパシタ（Ｃｃｐ）と接続されている。
【０１４０】
スイッチング素子（Ｑ）は、ゲート線（ＧＬ）からのゲート信号に従ってデータ線（ＤＬ）からのデータ電圧を第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）及び結合キャパシタ（Ｃｃｐ）に印加し、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は、この電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）に伝達する。
【０１４１】
ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、キャパシタ（Ｃｌｃａ，Ｃｓｔａ，Ｃｌｃｂ，Ｃｃｐ）とその静電容量を同一の図面符号で示す場合、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）に充電された電圧（Ｖａ）と、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）に充電された電圧（Ｖｂ）とが次のような関係を有する。
【０１４２】
Ｖｂ＝Ｖａ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）］
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）の値が１より小さいので第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）に充電された電圧（Ｖｂ）は、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）に充電された電圧（Ｖａ）に比べて常に小さい。このような関係は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）に印加された電圧が共通電圧（Ｖｃｏｍ）でない場合にも同様に成立する。
【０１４３】
第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）の電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の電圧（Ｖｂ）との適正な比率は、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）の静電容量を調節することによって得ることができる。
【０１４４】
次に、このような液晶表示板組立体の一例について図１１を参照して詳細に説明する。
【０１４５】
図１１は本発明のさらに他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【０１４６】
図１１に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体も互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００と、これら２つの表示板の間に挟持された液晶層３と、表示板１００，２００の外側の面に付着されている１対の偏光子（図示せず）とを含む。
【０１４７】
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、図５乃至図７に示される液晶表示板組立体の層状構造とほぼ同様である。
【０１４８】
下部表示板１００については、絶縁基板（図示せず）上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は、複数のゲート電極１２４と端部１２９を含む。その上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には、複数の島状半導体１５４が形成されており、その上には複数の島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材及びゲート絶縁膜上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。各データ線１７１は、複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む。データ導電体及び露出された半導体１５４部分上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数のコンタクトホール１８１，１８２，１８５が形成されている。保護膜上には第１及び第２副画素電極１９１ａ，１９１ｂを含む複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１，８２が形成されている。第１副画素電極１９１ａには切開部９３が形成されており、第２副画素電極１９１ｂには切開部９１，９２が形成されている。画素電極１９１、接触補助部材８１，８２、及び保護膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【０１４９】
上部表示板２００については、絶縁基板上に遮光部材、複数のカラーフィルタ、オーバーコート膜、切開部７１，７２，７３，７４，７５を有する共通電極、並びに配向膜が順次に形成されている。
【０１５０】
ところが、本実施形態による液晶表示板組立体では、図５乃至図７に示す液晶表示板組立体と比較する時、ゲート線１２１の数が半分であり、一つの画素電極１９１あたり一つの薄膜トランジスタ（Ｑ）のみ存在する。
【０１５１】
薄膜トランジスタ（Ｑ）を構成するドレイン電極１７５は、棒形端部と２つの第１及び第２拡張部１７６，１７７、並びに２つの拡張部１７６，１７７を接続する接続部を含む。第２拡張部１７７は、以下結合電極という。第１副画素電極１９１ａは、ドレイン電極１７５の第１拡張部１７６を露出させるコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と接続されている。結合電極１７７は、第２副画素電極１９１ｂと重畳して結合キャパシタ（Ｃｃｐ）を構成する。
【０１５２】
図５乃至図７に示す液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１０及び図１１に示す液晶表示板組立体にも適用できる。
【０１５３】
次に、図１２及び図１３を参照して、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１５４】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【０１５５】
図１２に示すように本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部及び上部表示板１００，２００と、それらの間に挟持された液晶層３と、表示板１００，２００の外側の面に付着される１対の偏光子（図示せず）と、を備える。
【０１５６】
下部表示板１００には複数のゲート線（ＧＬ）、複数のデータ線（ＤＬ）、及び複数の維持電極線（ＳＬ）を含む信号線が設けられており、各画素は、スイッチング素子（Ｑ）と、これに接続された液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）と、スイッチング素子（Ｑ）及び維持電極線（ＳＬ）に接続されるストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）とを含む。
【０１５７】
また、スイッチング素子（Ｑ）も下部表示板１００に設けられる薄膜トランジスタなどの３端子素子であって、その制御端子はゲート線（ＧＬ）と接続されており、入力端子はデータ線（ＤＬ）と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）と接続されている。
【０１５８】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）は、下部表示板１００の画素電極（ＰＥ）と上部表示板２００の共通電極（ＣＥ）を２つの端子とし、画素電極（ＰＥ）と共通電極（ＣＥ）の間の液晶層３は誘電体として機能する。共通電極（ＣＥ）は、上部表示板２００の全面に形成されて共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されることができる。
【０１５９】
ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）及びこのような液晶表示板組立体を備える液晶表示装置の動作は上述したとおりであり、説明を省略する。但し、図１２に示す液晶表示装置において、一つの画素（ＰＸ）は分離されずに互いに連結されている。
【０１６０】
次に、図１２に示す液晶表示板組立体の一例について図１３を参照して詳細に説明する。
【０１６１】
図２０は、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。図２０に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体も互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００及びと、これら２つの表示板の間に挟持された液晶層３とを備える。
【０１６２】
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、図５乃至図７に示す液晶表示板組立体の層状構造とほぼ同様である。
【０１６３】
下部表示板１００については、絶縁基板（図示せず）上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１はゲート電極１２４と端部１２９を含み、各維持電極線１３１は維持電極１３７を含む。ゲート導電体上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には複数の半導体１５４が形成されており、その上には複数のオーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材及びゲート絶縁膜上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５とを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数のソース電極１７３と端部１７９を含み、ドレイン電極１７５は広い端部１７７を含む。データ導電体及び露出された半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜及びゲート絶縁膜には複数のコンタクトホール１８１，１８２，１８５が形成されている。保護膜上には互いに接続される複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１，８２が形成されている。画素電極１９１には切開部９１，９２，９３，９４が形成されている。画素電極１９１、接触補助部材８１，８２、及び保護膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【０１６４】
上部表示板２００については、絶縁基板上に遮光部材、複数のカラーフィルタ、オーバーコート膜、切開部７１，７２，７３，７４，７５を有する共通電極、並びに配向膜が形成されている。
【０１６５】
しかし、本実施形態による液晶表示板組立体において、図５乃至図７に示す液晶表示板組立体と比較する場合、維持電極１３７が維持電極線１３１で下上に拡張されゲート線１２１と平行に長い形態となっており、隣接する画素電極１９１でも同じ模様となっている。
【０１６６】
また、画素電極１９１は２つに分かれておらず一つの電極からなる。これによって、画素電極１９１は全体に亘って均等な電圧の印加を受ける。
【０１６７】
図１０及び図１１に示す液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１２及び図１３に示す液晶表示板組立体にも適用できる。
【０１６８】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【図４Ａ】図１に示す液晶表示装置の画素電極を説明する図面である。
【図４Ｂ】図１に示す液晶表示装置の画素電極を説明する図面である。
【図５】図３に示す液晶表示装置の配置図である。
【図６】図５に示す液晶表示装置のＶI−ＶIに沿った断面図である。
【図７】図５に示す液晶表示装置のＶII−ＶIIに沿った断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図９】図８に示す液晶表示装置の配置図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の一つの画素による等価回路図である。
【図１１】図１０に示す液晶表示装置の配置図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の一つの画素による等価回路図である。
【図１３】図１２に示す液晶表示装置の配置図である。
【符号の説明】
【０１７０】
７１，７２，７３，７４，７５    共通電極切開部、
８１，８２    接触補助部材、
９１，９２，９３，９４    画素電極切開部、
１００，２００    表示板、
１１０，２１０    基板、
１２１    ゲート線、
１２４ａ，１２４ｂ    ゲート電極、
１３１    維持電極線、
１３４ａ，１３４ｂ    維持電極、
１４０    ゲート絶縁膜、
１５４ａ，１５４ｂ    半導体、
１６３ａ，１６３ｂ，１６５ａ，１６５ｂ    オーミック接触部材、
１７１    データ線、
１７３ａ，１７３ｂ    ソース電極、
１７５ａ，１７５ｂ    ドレイン電極、
１８０    保護膜、
１８５ａ，１８５ｂ    コンタクトホール、
１９１ａ，１９１ｂ    画素電極、
２２０    遮光部材、
２３０    カラーフィルタ、
２７０    共通電極、
３００    液晶表示板組立体、
４００    ゲート駆動部、
５００    データ駆動部、
６００    信号制御部、
８００    階調電圧生成部。
【図１】
0005371022.tif 000002
【図２】
0005371022.tif 000003
【図３】
0005371022.tif 000004
【図４Ａ】
0005371022.tif 000005
【図４Ｂ】
0005371022.tif 000006
【図５】
0005371022.tif 000007
【図６】
0005371022.tif 000008
【図７】
0005371022.tif 000009
【図８】
0005371022.tif 000010
【図９】
0005371022.tif 000011
【図１０】
0005371022.tif 000012
【図１１】
0005371022.tif 000013
【図１２】
0005371022.tif 000014
【図１３】
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