(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面に銀微粒子を配置する工程と、
前記銀微粒子を２価の錫イオンを含む溶液に接触させる工程と、
前記銀微粒子上に無電解めっき処理によって金属を積層する工程とを有し、
前記銀微粒子を２価の錫イオンを含む溶液に接触させる工程は、
前記銀微粒子に通電しながら２価の錫イオンを含む溶液に接触させることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の導電性材料の製造方法において、
前記銀微粒子がバインダ中に分散された状態で基体の表面に配置されることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の導電性材料の製造方法において、
前記溶液中の２価の錫イオンの含有量が０．００１〜７モル／リットルであることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性材料の製造方法において、
前記銀微粒子が任意の形状にパターニングされて基体の表面に配置されることを特徴とする、導電性材料の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性材料の製造方法において、
前記銀微粒子を配置する工程は、
前記基体上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フィルムを形成する工程と、
前記基体上の前記感光フイルムを露光、現像して、金属銀部を形成する工程とを有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性材料の製造方法において、
前記銀微粒子を配置する工程は、
前記基体上に前記銀微粒子を含むペースト又はインクを印刷する工程を含むことを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性材料の製造方法において、
前記銀微粒子を配置する工程は、
前記基体上に前記銀微粒子を含む感光性樹脂層を形成する工程と、
フォトマスクを介して前記感光性樹脂層に光を照射、現像する工程とを有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料の製造方法に関し、例えばＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶ディスプレイ等の各種表示装置からの漏洩電磁波を遮蔽するための電磁波シールド材、タッチパネル等各種電子機器の透明電極、電子機器のプリント配線、非接触ＩＣのアンテナ回路等、各種導電性材料に用いて好適な導電性材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰ用の電磁波遮蔽膜等、導電性及び光透過性を共に要求される光透過性導電性材料として、金属等の導電層の細線を透明基板上にメッシュパターン状に形成したものが知られており、以下のような製造方法が知られている。
【０００３】
（１）透明基材上に貼合あるいは無電解めっき等によって銅薄膜層を形成した後、フォトリソグラフィ法によって銅薄膜層をエッチングしてパターン化する方法（特許文献１及び特許文献２等参照）。
【０００４】
（２）パラジウム等の無電解めっき触媒粒子を含むインクを印刷によって透明基材上にパターン状に配置し、この上に無電解めっきを行い導電層を形成する方法（特許文献３及び特許文献４等参照）。
【０００５】
（３）透明基材表面に設けたハロゲン化銀感光層をパターン状に露光してパターン状に現像銀を形成し、これにめっきを施しパターン状の導電層を形成する方法（特許文献５及び特許文献６等参照）。
【０００６】
（１）の銅薄膜層をフォトリソグラフィ法によってエッチングしてパターニングする方法は、基材への銅薄膜層の形成、銅薄膜層上への感光性樹脂層の形成、露光、樹脂層の除去、エッチングによる銅薄膜層の除去等、製造工程が複雑であり、また、形成した銅薄膜層の大部分を除去するために廃液処理に費用がかかるという欠点を有している。
【０００７】
（２）のめっき触媒を印刷によってパターニングし、めっきする方法においては、印刷線幅を細くすることが困難で導電性層の線幅が太くなりやすく、ディスプレイ用途での透過率の低下やモアレの発生等の画質低下を引き起こし易いという問題を抱えている。また、無電解めっき触媒としては、高価なパラジウムを用いるか、もしくはパラジウムに比べめっき活性の劣る銅や銀等の他の金属微粒子触媒を用いる必要があり、コストあるいは生産性が悪いという欠点を有している。
【０００８】
（３）のハロゲン化銀を用いる方法は、フォトリソグラフィ法に比べて工程がシンプルであり、また、印刷法に比べて細線の形成も容易であり、さらに導電層を継ぎ目無く連続して形成するのに適している等の長所があるものの、現像銀のめっき活性が低く、電気めっき、無電解めっきいずれのめっき方法においても、めっきに時間がかかり生産性が低いという問題を抱えていた。
【０００９】
現像銀の無電解めっき活性を高める技術として、上述の特許文献６、あるいは特許文献７にはパラジウムを含有する溶液で現像銀を処理することにより無電解めっき速度を速められることが述べられているが、高価なパラジウム触媒を用いる必要があり、また、パラジウムによる着色により、特に、高温高湿度下の経時後に、非導電層形成部に黄色ステインを生じ易いという問題があった。特許文献８には、定着液中のチオ硫酸塩濃度を制限することにより無電解めっき後の表面抵抗が下がり、めっき工程時間を短縮できることが述べられているが、触媒として塩化パラジウムを使用しており、また、めっき速度も不十分であった。特許文献９には、水素化ホウ素ナトリウムや硝酸銀等の活性化液への浸漬によって、パラジウム触媒を用いることなく現像銀の無電解めっき活性が改善することが述べられているが、これら活性化液の安定性やコストが問題であり実用に耐えるものではなかった。
【００１０】
一方、現像銀に限らず、無電解めっき速度を高める技術として、被めっき物を陰極として無電解めっき液中で電流を流す、あるいは負電位を与える技術が開示されている（特許文献１０、特許文献１１、特許文献１２等）。しかしながらこれらの方法は、無電解めっき液中に設置する対極である陽極上にもめっき金属の析出が生じてしまうという問題を有している。無電解めっき層からの出し入れや電流印加タイミングの制御によっては陽極上へのめっき進行を回避することも可能だが、操作が煩雑となり、導電性膜を連続して大量生産する場合には不向きな方法といえる。さらに、この方法は、被めっき物上の被めっき領域が不連続で複数存在する場合には、各々の領域に電流あるいは負電位を与える必要があるため、実用上適用可能な被めっき領域の形状パターンが制限されるという欠点を有する。
【００１１】
一方、無電解めっきを用いず、現像銀に電気めっきを施そうとする試みも行われているが、たとえば特許文献１３に記載のごとく、現像銀の導電率が低いためにめっきが電極近傍や導電性の低い部分に集中してしまうなどの不均一を生じ易く、また、ジュール熱による断線を避ける必要性から印加電圧もしくは電流が限られるために析出金属量が制限され、めっき量を増やしたい場合には電気めっきを限定された電流量で低速で行うか該特許記載のごとく多段で行う必要があり、実用に耐えるものではなかった。この問題は、現像銀に限らず、上述のごとく金属微粒子等を印刷法等でパターニングした場合でも同様である。すなわち、金属等の銀微粒子の分散物で描かれた細線上に電気めっきを施したい場合、銀微粒子間の接触抵抗や細線であることによる導電性の不十分さから、電気めっきを施す際の電流量が限られ、めっき量を増やしたい場合には低速もしくは多段の電気めっきを行う必要が生じる。導電率を上げるために銀微粒子の密度や付着量を高めようとすると、線幅の増加や、導電層と基体との密着性の悪化の問題を生じるために限界がある。また、焼結等によって導電性微粒間の電気抵抗を事前に低減することも考えられるが、工程が複雑になりまた加熱による基材等の変質のおそれが生じる。さらに、この方法は、被めっき物上の被めっき領域が電気的に接続していない場合には適用不可能という本質的な問題を有している。すなわち、被めっき物上の被めっき領域が不連続で複数存在する場合には各々の領域に電流を与える必要があるため、実用上適用可能な被めっき領域の形状パターンが連続したものに限られるという欠点を有する。
【００１２】
一方、絶縁性の基体等に無電解めっき活性を付与するための活性化液として、銀化合物あるいは銀及び錫を含む溶液を用いる方法は知られている（特許文献１４等参照）。しかしながら、これらの方法では、基板全面がめっき処理されるため、導電性部のパターニングが困難である。また、従来より銀は表面が酸化や硫化等で被毒され易いため、無電解めっき活性が低いという問題が知られているが、これら活性化液に銀（イオンもしくはコロイド銀）を用いる方法は、このような銀の被毒を極力回避することによって活性を維持した銀触媒を得る方法を開示するものであり、基板上に予め配置され、表面の酸化や硫化等による変質で無電解めっき活性の低下した銀に対してめっき活性を回復させる方法については何ら開示されていない。特に、現像銀や銀インク等、バインダ等の有機物に覆われることによって著しく低下した銀の無電解めっき活性を回復させることについては何も述べられておらず示唆もされていなかった。
【００１３】
従って、細線の形成が容易であり、且つ、生産性が高く、被めっき物が不連続で複数存在するような場合を含め、任意の被めっき形状への適用が可能な導電性金属層の製造方法の開発が望まれていた。
【００１４】
【特許文献１】特開平５−１６２８１号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３６７３号公報
【特許文献３】特開平１１-１７０４２０号公報
【特許文献４】特開２００３−３１８５９３号公報
【特許文献５】国際公開第０１／５１２７６号パンフレット
【特許文献６】特開２００４−２２１５６４号公報
【特許文献７】特開２００６−２２８４７８号公報
【特許文献８】特開２００７−１２３１４号公報
【特許文献９】特開２００６−２２８８３６号公報
【特許文献１０】特開昭６１−３４１８０号公報
【特許文献１１】特開平２−１７５８９５号公報
【特許文献１２】特開２００４−１８９７５号公報
【特許文献１３】特開２００７−９３２６号公報
【特許文献１４】特開２００４−１９００４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、かかる事情に鑑みなされたものである。すなわち、本発明の目的は、不連続パターンを含め、任意の形状にパターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な製造方法を提供することである。さらに詳しくは、現像銀あるいは印刷等で任意の形状にパターニングして配置された銀微粒子上にめっきによって金属層を積層することにより導電性材料を製造する際のめっき速度を高めることにより、任意の形状にパターニングされた導電性金属層を有する導電性材料を高効率で製造可能な製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記本発明の課題は以下によって達成された。
［１］  本発明に係る導電性材料の製造方法は、基体の表面に銀微粒子を配置する工程と、前記銀微粒子を２価の錫イオンを含む溶液と接触させる工程と、前記銀微粒子上に無電解めっき処理によって金属を積層する工程とを有し、前記銀微粒子を２価の錫イオンを含む溶液に接触させる工程は、前記銀微粒子に通電しながら２価の錫イオンを含む溶液に接触させることを特徴とする。
【００１７】
［２］  ［１］において、前記銀微粒子がさらにバインダ中に分散されて基体表面に配置されることを特徴とする。
【００１８】
［３］  ［１］又は［２］において、前記２価の錫イオンを含む溶液中の前記２価の錫イオンの含有量が０．００１〜７モル／リットルであることを特徴とする。
【００１９】
［４］  ［１］〜［３］のいずれかにおいて、前記銀微粒子が任意の形状にパターニングされて基体の表面に配置されることを特徴とする。
【００２０】
［５］  ［１］〜［４］のいずれかにおいて、前記銀微粒子を配置する工程は、前記基体上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フィルムを形成する工程と、前記基体上の前記感光フイルムを露光、現像して、金属銀部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
［６］  ［１］〜［４］のいずれかにおいて、前記銀微粒子を配置する工程は、前記基体上に前記銀微粒子を含むペースト又はインクを印刷する工程を含むことを特徴とする。
【００２２】
［７］  ［１］〜［４］のいずれかにおいて、前記銀微粒子を配置する工程は、前記基体上に前記銀微粒子を含む感光性樹脂層を形成する工程と、フォトマスクを介して前記感光性樹脂層に光を照射、現像する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明に係る導電性材料の製造方法によれば、現像銀あるいは印刷等で任意の形状にパターニングして配置された銀微粒子を錫イオンにより活性化させることで導電性材料を製造する際に、無電解めっきのめっき速度を高めることが可能となる。これにより、電磁波遮蔽膜や透明電極、電子機器のプリント配線、非接触ＩＣのアンテナ回路等に好適に用いることが可能な、任意の形状にパターニングされた導電性金属層を基体上に有する導電性材料を高効率で生産することが可能となる。
【００２５】
また、本発明では、銀微粒子がメッシュパターンを形成している場合には、そのメッシュパターンに破断部があっても錫による活性化には何ら影響を与えず、また、後段の無電解めっきも通電を行わないため、均一なめっき処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明の導電性材料の製造方法及び導電性材料の製造装置について詳細に説明する。
【００２７】
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味である。
【００２８】
本発明の導電性材料の製造方法は、下記工程を順次含むことを特徴とする。
【００２９】
（１）基体の表面に銀微粒子を配置する工程。
【００３０】
（２）上記銀微粒子を、２価の錫イオンを含む溶液と接触させる工程。
【００３１】
（３）上記銀微粒子上に無電解めっき処理によって金属を積層する工程。
【００３２】
＜基体表面に銀微粒子を配置する工程＞
本発明において、「銀微粒子」という語は、主として銀からなる微粒子を表し、銀以外の成分、例えば酸化銀、硫化銀、ハロゲン化銀を部分的に有したり、有機物の吸着により表面に銀以外の成分を含む場合も本発明の銀微粒子に含まれる。本発明において基体表面に銀微粒子を配置する方法は特に限定されるものではない。銀微粒子は基体表面にパターニングして配置されることが好ましく、たとえば下記のような方法が好ましく使用できる。
【００３３】
［１］ハロゲン化銀感光材料を用いる方法
基体表面にハロゲン化銀感光層を形成し、これを露光、現像することによって現像銀からなる銀微粒子を基体表面に配置する方法である。
【００３４】
［２］印刷による方法
銀微粒子を含むペーストないしインクを、基体上に印刷する方法である。
【００３５】
［３］フォトレジスト法
銀微粒子を含む感光性樹脂層を基体上に設けた後、フォトレジスト法によって不要部分をエッチング除去する方法。
【００３６】
＜ハロゲン化銀感光材料を用いる方法＞
以下に、基体表面に銀微粒子を配置する方法としてハロゲン化銀感光材料を用いる場合の製造方法（以下、適宜、「本発明の製造方法」と称する）を詳述する。
【００３７】
本発明に好適に用いることのできるハロゲン化銀感光材料は、前記感光材料と現像処理の形態によって主に次の２通りの方法が含まれる。
【００３８】
（１）物理現像核を含まないハロゲン化銀感光材料を化学現像して金属銀部を該感光材料上に形成させる方法。
【００３９】
特開２００４−２２１５６４号公報、特開２００６−２２８４６９号公報、特開２００６−３３２４５９号公報、特開２００７−１２９２０５号公報、特開２００７−０９５３３１号公報等に記載の方法である。
【００４０】
非導電層部の着色をもたらす物理現像核を含まないために光透過率が高い導電性材料の形成が可能であり、感光材料および現像処理の構成が単純で生産性が高く、また、現像銀の形成に拡散転写を用いないために導電性層の微細化に有利な方式といえる。一方で現像銀の密度が感光材料のバインダで制限されるために高密度にし難く、拡散転写法に比べて現像銀層の導電率を上げにくい特徴がある。
【００４１】
これを改良するために感光材料の銀／バインダ比や膨潤率の規定、圧密処理やバインダの溶出処理等の提案もなされている。
【００４２】
（２）物理現像核含むハロゲン化銀感光材料を溶解物理現像し、物理現像核上に拡散転写方式によって現像銀を形成させる方法。
【００４３】
特公昭４２−２３７４５号公報、国際公開第０１／５１２７６号パンフレット、国際公開第２００４／７８１０号パンフレット等に記載の方法である。溶解物理現像により溶解した銀イオンを物理現像核上に沈積することにより銀密度を高めることが可能であり、導電率を上げ易い反面、銀イオンの拡散によって線巾が広がり易く、また、導電層形成部以外の物理現像核による透過率の低下や、感光材料や現像処理工程が複雑になる等の問題がある。
【００４４】
ここでいう化学現像、熱現像、溶解物理現像、及び拡散転写現像は、当業界で通常用いられている用語どおりの意味であり、写真化学の一般教科書、例えば菊地真一著「写真化学」（共立出版社、１９５５刊行）、Ｃ．Ｅ．Ｋ．Ｍｅｅｓ編「Ｔｈｅ Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ， ４ｔｈ ｅｄ．」（Ｍｃｍｉｌｌａｎ社、１９７７刊行）に解説されている。本件は液処理であるが、その他の出願については現像方式として、熱現像方式も適用される。例えば、特開２００４−１８４６９３号公報、同２００４−３３４０７７号公報、同２００５−０１０７５２号公報、特願２００４−２４４０８０号公報、同２００４−０８５６５５公報記載の内容が適用できる。
【００４５】
本発明に好適に用いることのできるハロゲン化銀感光材料の構成要素、露光方法並びに現像処理方法に関しては、上述の特許公報記載のものの他、公知のいずれの要素も好適に適用できる。本発明に特に好適なこれら要素については下記特許公報記載のものが特に好ましい。
【００４６】
（ａ）ハロゲン化銀感光材料
特開２００６−２２８４６９号公報、同２００６−３３２４５９号公報、同２００６−３５２０７３号公報、特願２００６−２４７２３号明細書
（ｂ）露光方法
特開２００６−２６１３１５号公報、同２００７−７２１７１号公報
（ｃ）現像方法
特開２００６−２２８４７３号公報、同２００６−２６９７９５号公報、同２００６−２６７６３５号公報、同２００６−２６７６２７号公報、同２００６−３２４２０３号公報
【００４７】
また、現像後の感光材料に対して、特願２００５−３７９１９９号明細書に記載のような硬膜処理、特開２００７−１２９２０５号に記載のような平滑化処理、特願２００６−３３６０９０号明細書に記載のような電解質水溶液処理、特願２００７−９３０２１号明細書に記載のような温水もしくは水蒸気処理等も好ましく行うことができる。
【００４８】
ここで、ハロゲン化銀感光材料を用いる方法にて銀微粒子を基体の表面に配置する１つの例を図１Ａ〜図１Ｄを参照しながら説明する。
【００４９】
先ず、図１Ａに示すように、ハロゲン化銀１０（例えば臭化銀粒子、塩臭化銀粒子や沃臭化銀粒子）をゼラチン１２に混ぜてなる銀塩感光層１４を基体としての例えば透明支持体１６上に塗布する。なお、図１Ａ〜図１Ｃでは、ハロゲン化銀１０を「粒々」として表記してあるが、あくまでも本発明の理解を助けるために誇張して示したものであって、大きさや濃度等を示したものではない。
【００５０】
その後、図１Ｂに示すように、銀塩感光層１４に対して例えばメッシュパターンの形成に必要な露光を行う。ハロゲン化銀１０は、光エネルギを受けると感光して「潜像」と称される肉眼では観察できない微小な銀核を生成する。
【００５１】
その後、潜像を肉眼で観察できる可視化された画像に増幅するために、図１Ｃに示すように、現像処理を行う。具体的には、潜像が形成された銀塩感光層１４を現像液（アルカリ性溶液と酸性溶液のどちらもあるが通常はアルカリ性溶液が多い）にて現像処理する。この現像処理とは、ハロゲン化銀ないし現像液から供給された銀イオンが現像液中の現像主薬と呼ばれる還元剤により潜像銀核を触媒核として金属銀に還元されて、その結果として潜像銀核が増幅されて可視化された銀画像（現像銀１８）を形成する。
【００５２】
現像処理を終えたあとに銀塩感光層１４中には光に感光できるハロゲン化銀１０が残存するのでこれを除去するために図１Ｄに示すように定着処理液（酸性溶液とアルカリ性溶液のどちらもあるが通常は酸性溶液が多い）により定着を行う。
【００５３】
この定着処理を行うことによって、露光された部位には金属微粒子部（金属銀部２０）が形成され、露光されていない部位にはゼラチン１２のみが残存し、光透過性部２２となる。すなわち、透明支持体１６上に金属銀部２０と光透過性部２２との組み合わせが形成されることになる。この段階で、金属銀部２０（銀微粒子）を有する被めっき材料２４が完成する。
【００５４】
ハロゲン化銀１０として臭化銀を用い、チオ硫酸塩で定着処理した場合の定着処理の反応式は以下のようである。
ＡｇＢｒ（固体）＋２個のＳ2Ｏ3イオン  →  Ａｇ（Ｓ2Ｏ3）2
（易水溶性錯体）
【００５５】
すなわち、２個のチオ硫酸イオンＳ2Ｏ3とゼラチン１２中の銀イオン（ＡｇＢｒからの銀イオン）が、チオ硫酸銀錯体を生成する。チオ硫酸銀錯体は水溶性が高いのでゼラチン１２中から溶出されることになる。その結果、現像銀１８が金属銀部２０として定着されて残ることになる。
【００５６】
従って、現像工程は、潜像に対し還元剤を反応させて現像銀１８を析出させる工程であり、定着工程は、現像銀１８にならなかったハロゲン化銀１０を水に溶出させる工程である。詳細は、Ｔ．Ｈ．Ｊａｍｅｓ，  Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ，  ４ｔｈ  ｅｄ．，  Ｍａｃｍｉｌｌｉａｎ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，Ｉｎｃ，  ＮＹ，Ｃｈａｐｔｅｒ１５，  ｐｐ．４３８−４４２．  １９７７を参照されたい。
【００５７】
なお、現像処理は多くの場合アルカリ性溶液で行われることから、現像処理工程から定着処理工程に入る際に、現像処理にて付着したアルカリ溶液が定着処理溶液（多くの場合は酸性溶液である）に持ち込まれるため、定着処理液の活性が変わるといった問題がある。また、現像処理槽を出た後、膜に残留した現像液により意図しない現像反応がさらに進行する懸念もある。そこで、現像処理後で、定着処理工程に入る前に、酢酸（酢）溶液等の停止液で銀塩感光層１４を中和もしくは酸性化することが好ましい。
【００５８】
ここで、上述したハロゲン化銀塩乳剤層１４を用いた方法（銀塩写真技術）と、フォトレジストを用いた方法（レジスト技術）との違いを説明する。
【００５９】
レジスト技術では、露光処理により光重合開始剤が光を吸収して反応が始まりフォトレジスト膜（樹脂）自体が重合反応して現像液に対する溶解性の増大又は減少させ、現像処理により露光部分又は未露光部分の樹脂を除去する。なおレジスト技術で現像液とよばれる液は還元剤を含まず、未反応の樹脂成分を溶解する例えばアルカリ性溶液である。一方、本発明の銀塩写真技術の露光処理では上記に記載したように、光を受けた部位のハロゲン化銀１０内において発生した光電子と銀イオンからいわゆる「潜像」と呼ばれる微小な銀核が形成され、その潜像銀核が現像処理（この場合の現像液は必ず現像主薬と呼ばれる還元剤を含む）により増幅されて可視化された銀画像になる。このように、レジスト技術と銀塩写真技術とでは、露光処理から現像処理での反応が全く異なる。
【００６０】
レジスト技術の現像処理では露光部分又は未露光部分の重合反応しなかった樹脂部分が除去される。一方、銀塩写真技術の現像処理では、潜像を触媒核にして現像液に含まれる現像主薬と呼ばれる還元剤により還元反応がおこり、目に見える大きさまで現像銀１８が成長するものであって、未露光部分のゼラチン１２の除去は行われない。このように、レジスト技術と銀塩写真技術とでは、現像処理での反応も全く異なる。
【００６１】
なお、未露光部分のゼラチン１２に含まれるハロゲン化銀１０は、その後の定着処理によって溶出されるものであって、ゼラチン１２自体の除去は行われない（図１Ｄ参照）。
【００６２】
このように、銀塩写真技術では反応（感光）主体がハロゲン化銀１０であるのに対し、レジスト技術では光重合開始剤である。また、現像処理では、銀塩写真技術ではバインダ（ゼラチン１２）は残存するが（図１Ｄ参照）、レジスト技術ではバインダがなくなる。このような点で、銀塩写真技術とフォトレジスト技術は大きく相違する。
【００６３】
＜印刷による方法＞
次に、基体表面に銀微粒子を配置する方法として、銀微粒子を含むペーストないしインクを印刷によって基体表面に配置する場合の製造方法（以下、適宜、「本発明の製造方法」と称する）を詳述する。
【００６４】
印刷による方法にて銀微粒子を基体の表面に配置する１つの例としては、図２に示すように、透明支持体１６の表面に銀微粒子を含むペースト２６を例えばスクリーン印刷する等がある。
【００６５】
印刷方法としては、公知の印刷法、例えばグラビア印刷、オフセット印刷、活版印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷等を使用することが可能である。例えば、特開平１１−１７０４２０号公報、同２００３−１０９４３５号公報に記載のようにスクリーン印刷による方法、特開２００−１９６２８５号公報、同２００１−３５８４９６号公報記載のようにオフセット印刷による方法、特開２００３−３１８５９３号公報記載のようにインクジェットによる方法、特開２００４−４００３３号公報に記載のフレキソ印刷による方法等が好適に用いられる。
【００６６】
また、基体上に表面処理を施したり、アンカーコート層を設けてもよい。表面処理の方法としては、プライマの塗布による処理、プラズマ処理、コロナ放電処理等が有効である。これらの処理により処理後の基体の臨界表面張力が３．５×１０-4Ｎ／ｃｍ以上になることが好ましく、４．０×１０-4Ｎ／ｃｍ以上がさらに好ましい。
【００６７】
印刷に用いるペーストないしインクは、印刷することによって導電性パターンを得るための銀微粒子を含有するほか、これらを分散させる溶剤、バインダー、分散剤等を含有することが好ましい。
【００６８】
本発明における銀微粒子は、酸化銀、硫化銀、ハロゲン化銀等を含んでも良い。また、銀以外の金属を含んでもよい。但し、銀以外の金属としてパラジウムを含む場合は、元々の無電解めっき活性が高いために本発明の効果が得られ難く、従って、銀微粒子はパラジウムを含まないことが好ましい。また、これら微粒子の粒子サイズは特に制限は無いが、大きすぎると導電層の線幅太りや輪郭の乱れを生じるため、微粒子のサイズは、同体積の球直径換算で０．０１μｍ〜２μｍであることが好ましい。また、微粒子の形状は特に制限は無いが、平板状あるいは針状等の異方性を有する形状の場合、少ない使用量で高い導電性を得ることが可能である点で好ましい。
【００６９】
本発明のインクもしくはペーストに使用可能なバインダとしては、ゼラチン及びその誘導体、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリサッカライド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸等の親水性バインダが好ましい。バインダが親水性であることにより、本発明の銀微粒子を錫イオン含有溶液に接触させる工程において錫イオンのバインダ中への拡散が可能となり、バインダ中に埋もれた銀微粒子に対しても錫イオンの接触が容易となる。このような観点から、本発明のバインダが親水性ではない場合においてもバインダはある程度の膨潤性あるいは水分透過性を有することが望ましい。これら親水性のバインダは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００７０】
また、本発明において使用可能なその他のバインダとしては、次のような樹脂、例えばポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチルセルロース樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル−メラミン樹脂、メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂等のいずれも使用できる。これらの樹脂は必要に応じて、２種以上共重合してもよいし、２種類以上をブレンドして使用することも可能である。
【００７１】
これらのバインダは無色であっても着色してもよく、着色することによってディスプレイ材料に用いた場合、反射光の抑制による視認性の向上等が期待できる。また、これらのバインダは一般的には使用されるが、バインダを用いずとも銀微粒子の分散性及び印刷後の基体との密着性が保てる場合には、バインダの使用は必須ではない。
【００７２】
本発明のインクもしくはペーストに使用可能な溶剤としては、水、アルコール類、グリコール類、ケトン類、エステル等を好適に使用できる。具体的には、水の他、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、テルピネオール等のアルコール；エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のアルキルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸メチル、酢酸エチルが挙げられ、印刷適性や作業性等を考慮して適宜選択すればよい。
【００７３】
溶剤として高級アルコールを使用する場合はインキの乾燥性や流動性が低下するおそれがあるため、これらよりも乾燥性が良好なブチルカルビトール、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート等を併用すればよい。溶剤の使用量は、インク又はペーストの粘度によって決定されるが、上記金属粉末の添加量との兼ね合いから、通常、バインダ１００質量部に対して１００〜５００質量部、好ましくは１００〜３００質量部であるのがよい。
【００７４】
本発明のインク、ペーストの粘度としては、使用する印刷方式や溶媒に応じて適宜設定可能であるが、５ｍＰａ・ｓ以上２００００ｍＰａ・ｓ以下が好ましい。
【００７５】
本発明のインクもしくはペーストには上記の銀微粒子、バインダ、溶剤に加えさらに界面活性剤、分散剤、増粘剤、レベリング剤、架橋剤等を好適に含有させることができる。
【００７６】
＜フォトレジスト法＞
基体表面に銀微粒子を配置する方法として、銀微粒子を含む感光性樹脂層を基体上に設けた後、フォトレジスト法によって不要部分をエッチング除去する方法によって基体表面に配置する場合の製造方法は、例えば特開２００４−１７２５５４号公報記載のような方法を用いることができる。
【００７７】
すなわち、先ず、図３Ａに示すように、透明支持体１６上に、銀微粒子を含む感光性樹脂層２８を塗布等により形成する。その後、図３Ｂに示すように、感光性樹脂層２８上に、任意のマスクパターンを有するフォトマスク３０を配置し、この上から光（例えば紫外線）を照射する。
【００７８】
次いで、図３Ｃに示すように、現像処理して、感光性樹脂層２８のうち、光が照射されていない非露光部分を除去することにより、透明支持体１６上にマスクパターンに対応したパターン形状を有する導電層３２が形成される。
【００７９】
次に、これらの方法で用いる基体について説明する。本発明に好適な基体としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、及びガラス板等の支持体を用いることができる。
【００８０】
上記プラスチックフィルムおよびプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂；その他、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等を用いることができる。
【００８１】
本発明においては、透明性、耐熱性、取り扱い易さ及び価格の点から、上記プラスチックフィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることが好ましい。
【００８２】
ディスプレイ用の電磁波シールド材では透明性が要求されるため、支持体の透明性は高いことが望ましい。この場合におけるプラスチックフィルム又はプラスチック板の全可視光透過率は７０〜１００％が好ましく、さらに好ましくは８５〜１００％であり、特に好ましくは９０〜１００％である。また、本発明では、前記プラスチックフィルム及びプラスチック板として本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
【００８３】
本発明におけるプラスチックフィルム及びプラスチック板は、単層で用いることもできるが、２層以上を組み合わせた多層フィルムとして用いることも可能である。
【００８４】
本発明における支持体としてガラス板を用いる場合、その種類は特に限定されないが、ディスプレイ用電磁波シールド膜の用途として用いる場合、表面に強化層を設けた強化ガラスを用いることが好ましい。強化ガラスは、強化処理していないガラスに比べて破損を防止できる可能性が高い。さらに、風冷法により得られる強化ガラスは、万一破損してもその破砕破片が小さく、かつ端面も鋭利になることはないため、安全上好ましい。
【００８５】
透明支持体は、可撓性を有する材料からなることが好ましい。また、透明支持体は、幅が２ｃｍ以上、且つ、長さが３ｍ以上及び厚さが２００μｍ以下であるフィルムであることが好ましく、幅が２０ｃｍ以上、且つ、長さが３０ｍ以上及び厚さが１５０μｍ以下であるフィルムであることがより好ましい。
【００８６】
本発明の基体としては、上記のプラスチックフィルム支持体が特に好ましく、また、これら支持体は、コロナ放電、グロー放電、ＵＶ（紫外線）露光、火炎処理、鹸化処理等によって表面処理されたものがより好ましい。また、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、ブタジエン系、塩化ビニリデン系等のポリマーを含有する接着促進性プライマー層を、支持体表面に形成したものであることがより好ましい。
【００８７】
＜銀微粒子を、錫イオンを含む溶液と接触させる工程＞
本発明の導電性材材料の製造方法は、上述の基体表面に銀微粒子を配置する工程を経た後に、該銀微粒子を錫イオンを含む溶液と接触させる工程を含むことを特徴とする（以下、適宣的に、この溶液を錫イオン含有液と称する）。
【００８８】
この工程は、後に続く銀微粒子上へ無電解めっきを行う際の、無電解めっき活性を高める事を目的として行われる。例えばハロゲン化銀感光材料を用いて得られた現像銀は無電解めっき活性が不十分であり、これを改良する試みがなされているものの未だ満足できるものではないことは上述の通りである。また、印刷法等で配置された銀微粒子は、分散バインダが表面を被覆していることによって無電解めっき活性が抑制されている上に、パラジウム微粒子等の特別な場合を除いて無電解めっき活性を持たないのが通常である。本発明者らは、これら銀微粒子を錫イオン含有液と接触させることにより、無電解めっきに対する活性を大幅に改善できることを見出し、本発明をなすにいたった。
【００８９】
［２価の錫イオン含有液との接触方法］
基体上に配置した銀微粒子と２価の錫イオン含有液とを接触させる方法は、本発明において特に制限は無い。銀微粒子を配置した基体を錫イオン含有液を満たした浴槽内を通過させる方法、錫イオン含有液の流速あるいはシャワー状もしくはスプレー状の錫イオン含有液を銀微粒上に注ぐ方法等が好ましく利用できる。銀微粒子と錫イオン含有液の接触時間に特に制限はないが、生産性の観点から０．１秒〜３０分の範囲で行うことが望ましい。
【００９０】
［金属析出］
〔錫イオン含有液の組成〕
以下に本発明の錫イオン含有液の組成について説明する。錫イオン含有液中の錫イオンの供給源としては特に制限はないが、錫イオンとしては２価の錫イオンであることが必要である。２価の錫イオンの供給可能な化合物としては、公知のいずれの化合物も使用可能である。具体的には、塩化第一すず及びその水和物、硫酸第一錫、メタンスルホン酸錫、ホウフッ化錫等を好ましく利用できる。
【００９１】
錫イオン含有液における金属イオン以外の組成としては、錯化剤、酸やアルカリ等のｐＨ調節剤、ｐＨ緩衝材、界面活性剤、ハイドロキノン、タイロン、アスコルビン酸等の酸化防止剤、アルカリ金属塩、４級アルキルアンモニウム塩、過塩素酸塩、ホウ酸塩、チオシアン酸塩等の塩類を好ましく使用できる。特に、２価の錫イオンを安定化するために、前記酸化防止剤類を使用することが好ましく、また、金属錫や４価の錫イオンを含有することも好ましい。グリシン等のアミノ酸類、ポリエチレングリコール、２−２’ビピリジルやフェナントロリン等の窒素含有添加剤、チオ尿素類、チアゾール類、メルカプト類、ジスルフィド類化合物等の硫黄含有添加剤を含有してもよい。
【００９２】
錫イオン含有液における錫イオンの好ましい含有量は、銀微粒子の導電率にもよるが、少なすぎると無電解めっき活性を付与できなくなるので好ましくない。錫イオンの含有量は１リットルあたり、０．００１モル〜７モルの範囲である。
【００９３】
＜銀微粒子上に無電解めっきによって金属を積層する工程＞
（無電解めっき工程）
本発明における無電解めっき工程は、公知の無電解めっき技術によって可能である。無電解めっきとして用いることができる金属としては、銅、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、金、白金、銀が挙げられ、導電性、めっき安定性の観点から銅であることが好ましい。
【００９４】
無電解めっき時間は、１５秒〜３０分が好ましく、３０秒〜１５分がより好ましく、１〜１０分がさらに好ましい。３０分より長いと、高アルカリ浴に長時間浸漬されることによるゼラチン膜の変質が原因と思われる光透過性部の透明性の著しい劣化が見られる。また、３０秒より短いと激しい厚みむらが生じてしまう。
【００９５】
めっき温度は、１０〜８０℃が好ましく、１５〜７０℃がより好ましく、１８〜６５℃がさらに好ましい。
【００９６】
無電解めっきが銅めっきである場合には、連続でも断続でもよいがエアレーションをすることが好ましく、エアレーションによって溶存酸素量を２〜４ｐｐｍに維持することが好ましい。また濾過を行い不純物や析出物を除去することが好ましい。
【００９７】
以下に、無電解銅めっき液について説明する。
【００９８】
−無電解銅めっき液−
本発明における無電解めっき液は、公知のいかなる技術も適用可能であり、銅イオン、還元剤、錯化剤、安定剤、ｐＨ調整剤等からなる。
【００９９】
銅イオンを供給する金属塩としては、硫酸銅及びその水和物、塩化銅、酸化銅を好ましく使用でき、硫酸銅五水和物がコスト的に好ましい。還元剤としてホルムアルデヒド、グリオキシル酸、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ホスフィン酸塩、テトラヒドロホウ酸塩等が好ましく、ホルムアルデヒドが特に好ましい。錯化剤としてＥＤＴＡ，ＴＩＰＡやトリエタノールアミン、酒石酸塩等が好ましく、ＥＤＴＡ及びトリエタノールアミンが特に好ましい。安定剤としては、黄血塩、２−２’ビピリジル、チオ尿素、シアン化物、ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が好ましい。その他浴の安定化やめっき皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、チオ尿素系化合物、グリシン、アデニン等のアミノ酸類などを好ましく使用可能である。また、液組成を一定に保つ観点で、銅イオン供給源の対塩化合物（硫酸銅を用いる場合には硫酸ナトリウム等）や、還元剤の酸化物（ホルムアルデヒドを用いる場合にはギ酸ナトリウム等）を予め含有させることも好ましい。
【０１００】
浴の安定化剤の添加量は、１×１０-9〜１×１０-4ｍｏｌ／Ｌが好ましく、１×１０-8〜１×１０-6ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。銅イオンの濃度は、０．００１〜０．３ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌがさらに好ましい。錯化剤の濃度は、銅イオン濃度に対して０．５〜１０倍ｍｏｌが好ましく、０．８〜４倍ｍｏｌがさらに好ましい。還元剤濃度は、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．１〜０．７ｍｏｌ／Ｌが液の安定性とめっき速度との両立という点でさらに好ましい。また、液のｐＨは、用いる還元剤によって異なるが、還元剤としてホルムアルデヒドを用いる場合にはｐＨは１０〜１３．５の範囲が好ましく、１１〜１２．８の範囲がより好ましい。また、還元剤としてホスフィン酸を用いる場合にはｐＨは８〜１３の範囲が好ましい。
【０１０１】
＜導電性材料の製造装置＞
図１Ｄに示す長尺の被めっき材料２４に対して上述した錫イオン処理及び無電解めっき処理を容易に実現することができる製造装置の一例について図４Ａ〜図７を参照しながら説明する。もちろん、銀微粒子を印刷によって形成した被めっき材料やフォトレジスト法によって銀微粒子を形成した被めっき材料にも適用させることができる。
【０１０２】
この製造装置は、図４Ａに示すように、錫イオンを含む溶液と被めっき材料２４を接触させ、その後、図４Ｂに示すように、被めっき材料２４に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部２０のみにめっき層３４を担持させる。
【０１０３】
つまり、図５に示すように、本実施の形態に係る製造装置１００は、錫イオン処理及び無電解めっき処理の順に被めっき材料２４の表面を処理することができるように、被めっき材料２４の搬送方向に沿って、錫イオン処理装置１０６、無電解めっき処理装置１０８の順に配置されている態様が挙げられる。
【０１０４】
以下に、錫イオン処理装置１０６及び無電解めっき処理装置１０８について詳述する。
【０１０５】
〔錫イオン処理装置１０６〕
本実施の形態に係る錫イオン処理装置１０６は、露光・現像を施され、細線状の金属銀部２０が形成された被めっき材料２４に対し、錫イオン含有液を接触させることにより、金属銀部２０を活性化するものである。
【０１０６】
錫イオン処理装置１０６は、錫イオンを含む溶液（錫イオン含有液１２８）で満たされた錫イオン処理槽１３０を備えている。
【０１０７】
錫イオン処理装置１０６では、ローラ１０２に接触させた被めっき材料２４の金属銀部２０を錫イオン処理槽１３０の錫イオン含有液１２８中で液中ローラ１３２により搬送する。これによって、被めっき材料２４の金属銀部２０と錫イオン含有液が接触し、金属銀部２０に対する活性化が行われる。ここで、ローラ１０２として給電ローラを用い、銀微粒子に通電しながら２価の錫イオンを含む溶液に接触させるようにしてもよい。
【０１０８】
さらに、錫イオン処理装置１０６は、被めっき材料２４に付着した処理後の錫イオン含有液１２８等を洗浄するため、洗浄装置を有していてもよい。
【０１０９】
〔無電解めっき処理装置１０８〕
無電解めっき処理装置１０８は、細線状の金属銀部２０が形成された被めっき材料２４に対し、無電解めっき処理を施し、金属銀部２０に金属を担持させてめっき層３４（図４Ｂ参照）を形成する装置である。
【０１１０】
具体的に、無電解めっき処理装置１０８は、図６に示すように、めっき液１３６が満たされためっき浴槽１３８と、このめっき浴槽１３８内に配置された複数（本実施の形態では２本）の支持ローラ１４０とを備え、めっき浴槽１３８内に被めっき材料２４を水平搬送する方式の装置である。また、無電解めっき処理装置１０８には、めっき浴槽１３８への入液前及び入液後の被めっき材料２４を支持・搬送する複数の搬送支持ローラ１４２、１４４が配設されている。
【０１１１】
ここで、無電解めっき処理として、公知の無電解めっき技術を適用することができ、例えばプリント配線板等で用いられている無電解めっき技術を適用することができる。無電解めっき処理は無電解銅めっき処理であることが好ましい。具体的には、めっき液１３６としては、無電解銅めっき液を適用することが好ましい。無電解銅めっき液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡ、ＴＩＰＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やめっき皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン、チオ尿素系化合物等が挙げられる。また、めっき液１３６には、めっき液１３６の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡ等の配位子等、種々の添加剤を用いることもできる。
【０１１２】
めっき浴槽１３８内の支持ローラ１４０、１４０の間で水平搬送される被めっき材料２４の下部には、被めっき材料２４の搬送路に沿って、被めっき材料２４に微細気泡気液混合流体を噴出させる複数の噴出部材１４６が設けられている。この微細気泡気液混合流体（微細気泡含有のめっき液）はめっき液１３６と空気との混合流体であり、この微細気泡気液混合流体を噴出部材１４６へ供給するための気液混合供給装置１４８が配設されている。
【０１１３】
気液混合供給装置１４８は、めっき浴槽１３８と仕切板１５０で仕切られた供給部１５２の底部と複数の噴出部材１４６とを連結するパイプ１５４を備えており、パイプ１５４に循環ポンプ１５６、フィルタ１５８が配設されている。また、気液混合供給装置１４８は、めっき浴槽１３８の上部に気泡分離槽１６０を備えており、めっき浴槽１３８の底部を気泡分離槽１６０を介して供給部１５２と連結するパイプ１６２、１６４を備えている。パイプ１６２には循環ポンプ１６６、気液混合器１６８が配設されている。
【０１１４】
そして、気液混合器１６８を通過した微細気泡気液混合流体がパイプ１６２を通って気泡分離槽１６０に供給される。パイプ１６２は気泡分離槽１６０の底部に連結されており、気泡分離槽１６０内には液面から出ない位置に堰板１７０が配設されている。堰板１７０を挟んで気泡分離槽１６０の底部に連結されたパイプ１６４が、上方から供給部１５２内に挿入されている。微細気泡気液混合流体がパイプ１６２を通って気泡分離槽１６０に底部から供給されることで、微細気泡気液混合流体に含まれる気泡が液面に浮き上がる。これによって、微細気泡気液混合流体から気泡が分離され、気泡が分離された微細気泡気液混合流体が堰板１７０を越えて気泡分離槽１６０の底部に連結されたパイプ１６４を通って供給部１５２に供給される。
【０１１５】
供給部１５２に供給された微細気泡気液混合流体は、供給部１５２の底部に連結されたパイプ１５４を通ってフィルタ１５８を通過し、複数の噴出部材１４６に供給される。そして、複数の噴出部材１４６から被めっき材料２４に微細気泡気液混合流体が噴出される。被めっき材料２４がめっき浴槽１３８のめっき液１３６中を搬送される際に被めっき材料２４の金属銀部２０に無電解めっき処理が施される。また、微細気泡混合液体を噴出することで、めっき浴槽１３８内のめっき液１３６が攪拌混合され、液の均一化が図れる。
【実施例１】
【０１１６】
以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１１７】
（導電性基体Ａの作成）
下記手順によって基体を作成し、該基体上に塗設したハロゲン化銀感光材料をメッシュパターン状に露光した後現像することにより、基体上に現像銀からなる銀微粒子を配置した。銀微粒子は、帯状の基体の長手方向に対して４５°及び１３５°の角度をなして等間隔に配置されたメッシュパターンを形成しており、ライン／スペース幅は各々１２μｍ／２８８μｍであった。このようにして得られた導電性基体を導電性基体Ａとした。導電性基体Ａの表面抵抗は２００オーム／ｓｑ、Ｄ６５光源に対する透過率は８５％であった。ここで表面抵抗の測定は、三菱化学（株）製ロレスタＧＰ（４探針法）によって行った。
【０１１８】
＜基体の作製＞
二軸延伸したポリエチレンテレフタレート基体（厚み１００μｍ）の乳剤面側およびバック面側に、基体に近い側から下記組成の下塗層第１層及び第２層を塗布した。塗布はバーコート法で行い、各層の塗布前の基体にはコロナ放電処理を施した。
【０１１９】
［乳剤面側］
（下塗層１層）
スチレン−ブタジエン共重合ラテックス                    １５ｇ
２，４−ジクロル−６−ヒドロキシ−ｓ−トリアジン    ０．２５ｇ
ポリスチレン微粒子（平均粒径３μ）                  ０．０５ｇ
化合物（Ｃｐｄ−２０）                              ０．２０ｇ
コロイダルシリカ                                    ０．１２ｇ
（スノーテックスＺＬ：粒径７０〜 １００μｍ日産化学（株）製）
水を加えて                                            １００ｇ
さらに、１０重量％のＫＯＨを加え、ｐＨ＝６に調整した塗布液を乾燥温度１８０℃２分間で、乾燥膜厚が０．９μｍになるように塗布した。
【０１２０】
（下塗層第２層）
ゼラチン                                  １ｇ
メチルセルロース                    ０．０５ｇ
化合物（Ｃｐｄ−２１）              ０．０２ｇ
Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ    ０．０３ｇ
プロキセル                    ３．５×１０-3ｇ
酢酸                                  ０．２ｇ
水を加えて                            １００ｇ
この塗布液を乾燥温度１７０℃２分間で、乾燥膜厚が０．１μｍになる様に塗布した。
【０１２１】
［バック面側］
（下塗層第１層）
アクリル系ラテックス                                  １ｇ
アニオン系界面活性剤                            ０．０６ｇ
ノニオン系界面活性剤                            ０．０６ｇ
ＳｂドープＳｎＯ２微粒子                          ０．３ｇ
球状シリカ微粒子（平均粒子径０．３μ）          ０．０５ｇ
カルボジイミド架橋剤                            ０．０５ｇ
水を加えて                                        １００ｇ
上記塗布液を乾燥温度１８０℃２分間で、乾燥膜厚が０．９μｍになる様に塗布した。
【０１２２】
（下塗層第２層）
アクリル系ラテックス                                １ｇ
アニオン系界面活性剤                          ０．０６ｇ
カルナバワックス分散物                        ０．０５ｇ
エポキシ架橋剤                                ０．０５ｇ
水を加えて                                      １００ｇ
この塗布液を乾燥温度１７０℃２分間で、乾燥膜厚が０．１μｍになる様に塗布した。
【０１２３】
＜ハロゲン化銀乳剤Ａの調製＞
ゼラチン水溶液中で硝酸銀及び塩化ナトリウム及び臭化カリウムを含むハロゲン化アルカリ水溶液を攪拌しながらコントロールドダブルジェット法によって添加した後、更にヨウ化カリウム溶液を添加した。ここでハロゲン化アルカリ中にヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム及びヘキサクロロロジウム酸アンモニウムを添加することにより、粒子にＲｈイオンとＩｒイオンを各々銀１モルあたり１０−７モルドープした。
【０１２４】
フロキュレーション法によって水洗・脱塩を行い、ゼラチンを加え、ｐＨ５．６、ｐＡｇ７．５に調整し、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム、１，３，３ａ，７−テトラアザインデンをそれぞれ銀１モルあたり１０−４モル加えた後、チオ硫酸ナトリウムと塩化金酸を加え５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。
【０１２５】
このようにして、塩化銀を７０モル％、臭化銀を２９．２モル％、沃化銀を０．０８モル％含む平均粒子径０．１８μｍ、変動係数７％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤Ａを得た。
【０１２６】
＜ハロゲン化銀感光材料Ａの作製＞
下記によって調製したＵＬ層及び乳剤層を基体に近い側から順に同時塗布することにより、ハロゲン化銀感光材料Ａを得た。以下に各層の調製方法、塗布量及び塗布方法を示す。
【０１２７】
（乳剤層）
乳剤Ａに増感色素（ＳＤ−２）５．７×１０-4モル／モルＡｇを加えて分光増感を施した後、さらにＫＢｒ３．４×１０-4モル／モルＡｇ、化合物（Ｃｐｄ−３）８．０×１０-4モル／モルＡｇを加え、次いで１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１．２×１０-4モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０-2モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０-4モル／モルＡｇ、界面活性剤（Ｓａ−１）、（Ｓａ−２）、（Ｓａ−３）を各々塗布量６０ｍｇ／ｍ2、４０ｍｇ／ｍ2、２ｍｇ／ｍ2になる量添加し、得られた乳剤層塗布液を下記支持体上にＡｇ２．０ｇ／ｍ2、ゼラチン０．３ｇ／ｍ2になるように塗布した。
【０１２８】
（ＵＬ層）
ゼラチン                          １．０ｇ／ｍ2
化合物（Ｃｐｄ−７）              ４０ｍｇ／ｍ2
化合物（Ｃｐｄ−ＹＦ）            ５０ｍｇ／ｍ2
防腐剤（プロキセル）            １．５ｍｇ／ｍ2
【０１２９】
【化１】
0005367969.tif 000002
【０１３０】
【化２】
0005367969.tif 000003
【０１３１】
得られたハロゲン化銀感光材料Ａは、塗布銀量が２．０ｇ／ｍ2、乳剤層のＡｇ／ゼラチン重量比が６．７、膨潤率が１．９である乳剤層を、最上層に有する感光材料であった。ここで乳剤層の膨潤率は以下のように求めた。すなわち、乾燥時の試料の切片を走査型電子顕微鏡で観察することにより乾燥時の乳剤層の膜厚（ａ）を求め、２５℃の蒸留水に１分間浸漬した後液体窒素により凍結乾燥した試料の切片を走査型電子顕微鏡で観察することにより膨潤時の乳剤層の膜厚（ｂ）を求め、膨潤率を次式で算出した。
膨潤率（％）＝１００×（（ｂ）−（ａ））／（ａ）
【０１３２】
ここで、塗布は、幅３０ｃｍのＰＥＴ支持体に２８ｃｍの幅で１００ｍ分行ない、塗布の中央部２７ｃｍを残すように両端を１．５ｃｍずつ切り落としてロール状のハロゲン化銀感光材料を得た。
【０１３３】
＜露光＞
ハロゲン化銀感光材料Ａに対して、下記露光を行った。すなわち、特開２００４−１２４４号公報の発明の実施の形態記載のＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）を用いた露光ヘッドを５５ｃｍ幅になるように並べ、感光材料の感光層上にレーザ光が結像するように露光ヘッド及び露光ステージを湾曲させて配置し、感材送り出し機構及び巻取り機構を取り付けた上、露光面のテンション制御及び巻取り、送り出し機構の速度変動が露光部分の速度に影響しないようにバッファ作用を有する撓みを設けた連続露光装置にて露光した。露光の波長は４０５ｎｍで、ビーム形は１２μｍの略正方形、及びレーザ光源の出力は１００μＪであった。
【０１３４】
露光のパターンは１２μｍ画素がロールの長手方向に対して４５度の格子状にピッチが３００μｍ間隔で幅２７ｃｍ、長さ７５ｃｍの領域に行なった。
【０１３５】
＜現像＞
上記露光済みの感光材料を、下記組成からなる現像液及び定着液を用いて、富士フイルム社製自動現像機  ＦＧ−７１０ＰＴＳを用いて現像処理を行った。ここで処理条件は、現像３５℃３０秒、定着３４℃２３秒、水洗  流水（５Ｌ／ｍｉｎ）の２０秒処理で行った。このようにして、基体上に現像銀からなる銀微粒子を配置した導電性基体Ａを得た。
【０１３６】
（現像液組成）
ハイドロキノン                                      ２０ｇ
亜硫酸ナトリウム                                    ５０ｇ
炭酸カリウム                                        ４０ｇ
エチレンジアミン・四酢酸                              ２ｇ
臭化カリウム                                          ３ｇ
ポリエチレングリコール２０００                        １ｇ
水酸化カリウム                                        ４ｇ
水道水を加えて                                １０００ｍｌ
ｐＨ                                        １０．３に調整
【０１３７】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム液（７５％）                ３００ｍｌ
亜硫酸アンモニウム・１水塩                          ２５ｇ
１，３−ジアミノプロパン・四酢酸                      ８ｇ
酢酸                                                  ５ｇ
アンモニア水（２７％）                                １ｇ
水道水を加えて                                １０００ｍｌ
ｐＨ                                          ６．２に調整
【０１３８】
＜錫イオン処理＞
上記によって得た導電性基体Ａに対して、下記組成からなる錫イオン含有液（活性化液１−１）に浸漬することにより活性化処理１-１を行った。ここで液温は２５℃、浸漬時間は３０秒間であった。
【０１３９】
（活性化液１−１の調製）
塩化第一すずを０．２モル／Ｌ、塩酸を０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−１とした。
【０１４０】
＜無電解めっき処理＞
上記錫イオン処理１−１を施した導電性基体Ａに対して、２５℃の水道水で１分間水洗を行った後、下記組成からなる無電解めっき処理を施し、さらに水洗及び乾燥することにより、本発明の試料１−１を得た。
【０１４１】
（無電解めっき処理組成及び条件）
無電解めっき液として、硫酸銅０．０６モル／Ｌ，ホルマリン０．２モル／Ｌ，ＥＤＴＡ０．２４モル／Ｌ，ポリエチレングリコール１００ｐｐｍ、黄血塩１０ｐｐｍ、２，２’−ビピリジル１０ｐｐｍを含有するｐＨ＝１２．５の無電解Ｃｕめっき液を用い、５５℃にて１０分間無電解銅めっき処理を行った。
【０１４２】
（試料１−２〜１−１３の作成）
上記の試料１−１の作成方法に対して、活性化液組成及び浸漬条件を表１に示すように変更したことのみ異なる方法によって試料を作成し、試料１−２〜１〜１１とした。また、試料１−３の作成方法に対し、錫イオン処理後の水洗を行わなかった事のみ異なる方法によって試料を作成し、試料１−１２とした。また、上記試料１−１〜試料１−１１の作成方法に対して、活性化液への浸漬およびその後の水洗処理を行わなかったことのみ異なる方法により試料を作成し、試料１−１３を得た。ここで表記載の活性化液は下記組成のものを用いた。
【０１４３】
（活性化液１−２）
塩化第一すずを０．０１モル／Ｌ、塩酸を０．０１モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−２とした。
【０１４４】
（活性化液１−３）
塩化第一すずを０．００１モル／Ｌ、塩酸を０．００１モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−３とした。
【０１４５】
（活性化液１−４）
硫酸第一すずを０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−４とした。
【０１４６】
（活性化液１−５）
ホウフッ化錫すずを０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−５とした。
【０１４７】
（活性化液１−６）
メタンスルホン酸錫を０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−６とした。
【０１４８】
（活性化液１−７）
塩酸を０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−７とした。
【０１４９】
（活性化液１−８）
塩酸を６ｍｌ／Ｌ、塩化パラジウムを０．１ｇ／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−８とした。なお、活性化液１−８は、参考例であり、特開２００６−２２８４７８号公報の実施例１水準（４）に記載の活性化液と同じ組成である。
【０１５０】
（活性化液１−９）
塩化第二すずを０．２モル／Ｌ含む水溶液を調製し、活性化液１−９とした。
【０１５１】
［評価］
各試料に対して下記の評価を行った。
【０１５２】
（表面抵抗）
前述の測定器を用いて各試料の中央部の表面抵抗を測定し、下記ランク付けを行った。表面抵抗値が低いほど好ましい結果である。
５：表面抵抗  ３オーム／ｓｑ以下
４：表面抵抗  ３オーム／ｓｑ〜５オーム／ｓｑ
３：表面抵抗  ５オーム／ｓｑ〜１０オーム／ｓｑ
２：表面抵抗  １０オーム／ｓｑ〜１００オーム／ｓｑ
１：表面抵抗  １００オーム／ｓｑ以上
【０１５３】
［結果］
表１に各試料の作成条件および評価結果を示す。
【０１５４】
【表１】
0005367969.tif 000004
【０１５５】
表１から本発明の優れた効果が伺える。すなわち、２価の錫イオンを含む活性化処理を行わなかった試料１−７、１−９、１−１３は、無電解めっき工程後に銅の積層及び表面抵抗値の低下が全く見られなかったのに対して、２価の錫イオンを含む溶液に浸漬した本発明の試料は、驚くべくことに、高価なパラジウムを用いた場合と同様に、無電解銅めっき後にメッシュ状の銅からなる金属層の形成及び表面抵抗値の低下が認められ、導電性金属層を含む導電性材料が有効に作製されていた。
【０１５６】
また、２価の錫金属イオン濃度が低下した場合には表面抵抗値の上昇がみられ、無電解めっき活性の付与が不十分となる場合があるが、この場合でも無電解めっき前の水洗工程を省略することによって無電解めっき活性が回復できることがあわせて表１から読み取れる。
【０１５７】
また、別途試料１−１〜１−６の作成方法に対して、錫イオン処理後に無電解めっき処理を行わなかったことのみ異なる試料を作成し、表面抵抗値を測定したところ、いずれの試料においても処理前の導電性基体Ａの表面抵抗値に近い２００オーム／ｓｑの前後の表面抵抗値を示した。このことは、本発明の錫イオン処理では導電性金属層が殆ど形成されていないことを示している。
【実施例２】
【０１５８】
実施例１の試料１−１の作成方法に対して、導電性基体Ａに代えて、銀微粒子銀を印刷によって基板上に配置した導電性基板Ｂを用いた場合においても、導電性材料の形成が可能であった。ここで、印刷による導電性微粒子の配置は、特開２００７−１１６１３７号公報の実施例２に記載の方法を用いた。以下に詳細を記す。
【０１５９】
透明プラスチック基材として、ゼラチン下塗り層を設けた、厚さ１００μｍの透明ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用い、その上に、スクリーン印刷法にて、下記の銀ペーストを印刷した。
【０１６０】
次いで、１５０℃で６０分加熱処理した。得られたメッシュパターンは、ライン幅２０μｍ、ピッチ３００μｍの銀の格子状メッシュであった。
【０１６１】
（銀ペーストの作成）
Ｃａｒｅｙ−Ｌｅａの銀ゾル調製法（Ｍ．Ｃａｒｅｙ  Ｌｅａ，Ｂｒｉｔ．Ｊ．Ｐｈｏｔｏｇ．，２４巻２９７頁（１８７７）および２７巻２７９頁（１８８０）参照）に準拠して、硝酸銀溶液を還元し、銀を主成分とする銀金微粒子を調製し、限外ろ過を行って、副生成する塩を除いた。得られた微粒子の粒子サイズは、電子顕微鏡観察の結果、ほぼ１０ｎｍであった。
【０１６２】
この粒子を、イソプロピルアルコールを含有する溶剤とバインダと混合し、ペーストを作成した。
【０１６３】
この印刷パターンを構成する金属に対する銀の質量％は９６％であった。
【実施例３】
【０１６４】
実施例１の試料１−１の作成方法に対して、露光パターンを下記の不連続なパターンに変更した場合においても、本発明により無電解めっきによる導電性金属層が形成可能なことを確認した。ここで露光は、高圧水銀灯を光源とする密着プリンタを用いてライン２０μｍスペース４０μｍの格子状のフォトマスクを介して行うことにより、辺長４０μｍの正方形が２０μｍ間隔で周期的に配列したパターンとした。
【実施例４】
【０１６５】
実施例１の試料１−１の作成方法と同様の方法によってウェッブ状の導電性試料４−１Ａを得た。すなわち、ウェブ状の基板Ａを搬送しながら錫イオン含有液を含む浴槽及び無電解めっき液を含む浴槽を通過させることにより錫イオン処理及び無電解めっきを行うことにより、ウェッブ状の導電性材料を得た。ここで、搬送は３ｍ／分の速度で１分間行い、無電解めっき工程の処理時間は、実施例１の条件にあわせた。このようにして、長さ３ｍ、幅２７ｃｍのウェッブ状の導電性材料を得た。また、試料４−１Ａの作成方法に対して活性化液を実施例１−８のパラジウム含有液に変更したことのみ異なる方法によって、ウェッブ状の試料４−２Ａを得た。得られた試料４−１Ａ及び試料４−２Ａは、ほぼ全面に一様に無電解銅めっき層が形成されており、表面抵抗値はウェッブの先端および後端を除くと、一様に０．５オーム／ｓｑ前後の値を示した。
【０１６６】
上記の試料４−１Ａ及び４−２Ａに対して、さらに下記に示す電気銅めっき処理、黒化処理及び防錆処理を行うことにより、試料４−１Ｂ及び試料４−２Ｂを得た。また、得られた試料４−１Ｂ及び試料４−２Ｂに対して、高温高湿保存後の着色変化を評価した。保存条件は、８０℃９０％ＲＨ７日とした。
【０１６７】
以下に、めっき槽の処理時間、及び印加電圧を示す。ここで銅めっき液、水洗水及び防錆液の温度は２５〜３０℃、黒化液の温度は４５℃、乾燥温度は５０℃〜７０℃で処理を行った。また、めっき装置の構成は、特開２００７−１９７８０９公報の実施例１と同様のものを用いた。すなわち、特開２００７−１９７８０９公報の図１に示す電解めっき槽１０と実質的に同じ機能槽構成の槽とを後述する工程になるように連続構成とし、後述の処理の実施が可能となるようにめっき槽を接続した電解めっき装置を用い、めっき処理を行った。但し、給電ローラは入り口側のみを使用した。また、給電ローラは鏡面仕上げしたステンレス製ローラ（１０ｃｍφ、長さ７０ｃｍ）を使用し、給電ローラとフィルムのメッシュ面とが接している面の最下部とめっき液面との距離を９ｃｍとした。また、ライン搬送速度を３ｍ／分とした。
【０１６８】
（銅めっき液の組成（補充液も同組成））
硫酸銅５水塩                                ２００ｇ
硫酸（４７％）                              ２００ｍＬ
塩酸（２Ｎ）                                ０．５ｍＬ
純水を加えて                                １Ｌ
ｐＨ−０．１
【０１６９】
（黒化液（補充液も同組成））
硫酸ニッケル６水塩                          １００ｇ
チオシアン酸アンモニウム                      １５ｇ
硫酸亜鉛７水塩                                ２０ｇ
サッカリンナトリウム２水和物                    １ｇ
純水を加えて                                    １Ｌ
ｐＨ５．０（硫酸と水酸化ナトリウムでｐＨ調整）
【０１７０】
（防錆液）
上村工業（株）製のスルカップＡＴ−２１          １００ｍｌ
純水を加えて                                    １Ｌ
めっき１          ３０秒        電圧  ２．５Ｖ
水洗              ３０秒
乾燥              ３０秒
めっき２          ３０秒        電圧  １．５Ｖ
水洗              ３０秒
水洗              ３０秒
乾燥              ３０秒
黒化処理          ３０秒        電圧  ５Ｖ
水洗              ３０秒
乾燥              ３０秒
黒化処理          ３０秒        電圧  ５Ｖ
水洗              ３０秒
水洗              ３０秒
防錆              ３０秒
水洗              ３０秒
【０１７１】
得られた本発明の試料４−１Ｂは、透明基体上に黒色の導電性金属メッシュ層が形成され、全光透過率８１％、ヘイズ値が３．６、表面抵抗値が０．１オーム／ｓｑの導電層を有する導電性材料であり、外観はプラズマディスプレイ材料等の電磁波遮蔽膜に好適に使用できるものであった。
【０１７２】
一方、比較例である試料４−２Ｂは、試料４−１Ｂとほぼ同等の外観、光学特性および表面抵抗値を示したが、試料４−１Ａに比べ高温高湿保存後の色味変化（黄色着色）が大きい結果であった。
【０１７３】
本実施例から、本発明の導電性材料の作製方法にさらに電気めっき工程、黒化処理工程等を好適に組み合わせられること、本発明によって形成した導電性材料はディスプレイ等に好適に使用可能な透明性を有し、電磁波遮蔽に必要な十分な導電性の付与が可能であること、さらにパラジウムを活性化に使用する場合に比較して高温高湿環境下で保存された場合の色味変化が改良できることが示された。
【０１７４】
なお、本発明に係る導電性材料の製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】ハロゲン化銀感光材料を用いる方法によって基体上に銀微粒子を配置する過程を示す工程図である。
【図２】印刷による方法によって基体上に銀微粒子を配置する過程を示す工程図である。
【図３】フォトレジスト法によって基体上に銀微粒子を配置する過程を示す工程図である。
【図４】図４Ａは錫イオン処理を示す工程図であり、図４Ｂは無電解めっき処理を示す工程図である。
【図５】本実施の形態に係る導電性材料の製造装置を模式的に示す説明図である。
【図６】本実施の形態に係る導電性材料の製造装置に好適に用いられる無電解めっき処理装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１０…ハロゲン化銀                        １２…ゼラチン
１４…銀塩感光層                          １６…基体
２０…金属銀部                            ２４…被めっき材料
２６…ペースト                            ２８…感光性樹脂層
３０…フォトマスク                        ３２…導電層
３４…めっき層                            １００…製造装置
１０６…錫イオン処理装置                  １０８…無電解めっき処理装置
【図１】
0005367969.tif 000005
【図２】
0005367969.tif 000006
【図３】
0005367969.tif 000007
【図４】
0005367969.tif 000008
【図５】
0005367969.tif 000009
【図６】
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