(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ソース電極とドレイン電極と半導体層とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半導体層とを被覆するゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層上に、前記ドレイン電極にオーバーラップする光吸収材料層を形成する工程と、
前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とにレーザ光を照射し、前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通するビアホールを形成する工程と、及び、
前記層間絶縁層上に、前記ビアホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する工程と、
を含み、
前記レーザ光は赤外光又は可視光の波長を有し、前記光吸収材料層は、染料又は顔料を材料とすることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に、ソース電極とドレイン電極と半導体層とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半導体層とを被覆するゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層上に、前記ドレイン電極にオーバーラップする光吸収材料層を形成する工程と、
前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とにレーザ光を照射し、前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通するビアホールを形成する工程と、及び、
前記層間絶縁層上に、前記ビアホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する工程と、
を含み、
前記レーザ光は紫外光の波長を有し、前記光吸収材料層は、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、チオキサントン、カンファーキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ケタール類、ジベンゾイル類、オニウム塩、及びこれらの核置換体を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記光吸収材料層は液滴吐出法により形成されることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記光吸収材料層は印刷法により形成されることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記光吸収材料層はディスペンサ法により形成されることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載された電気光学装置用基板の製造方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス素子として有機半導体を用いる電気光学装置において、インク
ジェット法によりパターニングを行う場合、アクティブマトリックス素子のサイズを微細
化することが困難であるため、画素電極の面積が小さくなり開口率が低下する。
【０００３】
高解像度で高開口率の電気光学装置を実現する方法として、アクティブマトリックス素
子に接続する画素電極（ドレイン電極と一体）とは別に、絶縁層を挟んで上層にアクティ
ブマトリックス素子を被覆する画素電極を設け、２つの画素電極で１つの画素を構成する
ことにより画素電極全体の面積を大きくする方法が提案されている（例えば、特許文献１
参照）。
【０００４】
また、高開口率の電気光学装置を実現する別の方法として、アクティブマトリックス素
子の上層の画素電極を、下層のアクティブマトリックス素子との間の絶縁層に設けたビア
ホールを介して、アクティブマトリックス素子のドレイン電極に電気的に接続する方法が
提案されている。この方法では、エッチング、レーザ光照射等の方法により絶縁層を加工
し、ビアホールを形成している（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２０２１９４号公報
【特許文献２】特開２００４−４７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レーザ光照射による加工で絶縁層にビアホールを形成する場合、絶縁層
を貫通すると下層のドレイン電極が露出し、ドレイン電極の表面も加工されてしまう。ド
レイン電極の層厚は薄いため、ドレイン電極の表面が加工されるとドレイン電極が損傷を
受けてしまうことが多い。ドレイン電極に損傷を与えることなく絶縁層のみを加工するた
めには、加工深さのバラツキを抑えることが要求される。そのため、レーザ光のパワー、
照射時間等の加工条件を厳密に管理する、あるいは、絶縁層を貫通する直前でレーザ光の
パワーを絞る等の微細な制御を行う必要がある。また、絶縁層の加工に時間がかかると、
発熱等によりドレイン電極が損傷を受けるリスクが高くなる。したがって、加工時間の短
縮は、生産性向上の観点から必要なだけでなく、品質向上の観点からも必要である。電気
光学装置が高解像度化し画素数が増加すると、画素数に対応してビアホールの数も増加す
るため、ビアホールを形成する際のドレイン電極の損傷を防止することによって歩留まり
を向上するとともに、絶縁層の加工を短時間で行うことがより強く求められる。
【０００７】
本発明の目的は、レーザ光照射によるドレイン電極の損傷を防止することにより歩留ま
りを向上し、絶縁層の加工を短時間で行うことができる電気光学装置用基板の製造方法及
び電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に、ソース電極とドレイ
ン電極と半導体層とを形成する工程と、前記ドレイン電極上に、前記ドレイン電極と電気
的に接続する導電材料層を形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半
導体層と前記導電材料層とを被覆するゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層
上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間
絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層との前記導電材料層にオー
バーラップする領域と、前記導電材料層とにレーザ光を照射し、前記層間絶縁層と前記ゲ
ート絶縁層とは貫通するが、前記導電材料層は貫通しないビアホールを形成する工程と、
及び、前記層間絶縁層上に、前記ビアホールを介して前記導電材料層と電気的に接続する
画素電極を形成する工程と、を含む。本発明によれば、ドレイン電極上に導電材料層を形
成するので、レーザ光照射によりビアホールを形成する工程において、層間絶縁層とゲー
ト絶縁層とを貫通すると、ドレイン電極上の導電材料層が露出するが、ドレイン電極は露
出しない。これにより、ビアホールを形成する工程において、ドレイン電極は導電材料層
に保護されてレーザ光の照射を受けないため、ドレイン電極が加工され損傷を受けること
を防止することができる。また、導電材料層は加工されても貫通しなければドレイン電極
を保護できるので、加工深さのバラツキは導電材料層の厚みの範囲内であれば許容される
。これにより、加工条件の厳密な管理、あるいは、微細な制御を行うことが不要となり、
層間絶縁層とゲート絶縁層とをより短時間で加工することができる。したがって、レーザ
光照射によるドレイン電極の損傷を防止することにより歩留まりを向上し、絶縁層（層間
絶縁層とゲート絶縁層）の加工を短時間で行うことができる。
【０００９】
（２）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記導電材料層は薄膜形成法によ
り形成されていてもよい。
【００１０】
（３）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記導電材料層はメッキ法により
形成されていてもよい。
【００１１】
（４）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記導電材料層は液滴吐出法によ
り形成されていてもよい。
【００１２】
（５）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記導電材料層は印刷法により形
成されていてもよい。
【００１３】
（６）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記導電材料層はディスペンサ法
により形成されていてもよい。
【００１４】
（７）本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に、ソース電極とドレイ
ン電極と半導体層とを形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半導体
層とを被覆するゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成
する工程と、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間絶縁層を形成する工程
と、前記層間絶縁層上に、前記ドレイン電極にオーバーラップする光吸収材料層を形成す
る工程と、前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とにレーザ光を照射し
、前記光吸収材料層と前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通するビアホールを形成
する工程と、及び、前記層間絶縁層上に、前記ビアホールを介して前記ドレイン電極と電
気的に接続する画素電極を形成する工程と、を含む。本発明によれば、層間絶縁層上に光
吸収材料層を形成するので、レーザ光照射によりビアホールを形成する工程において、光
吸収材料層がレーザ光を吸収し発熱することにより層間絶縁層とゲート絶縁層との加工を
促進し、ドレイン電極の損傷を防止するため、絶縁層（層間絶縁層とゲート絶縁層）の加
工を短時間で行うことができる。
【００１５】
（８）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記光吸収材料層は液滴吐出法に
より形成されていてもよい。
【００１６】
（９）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記光吸収材料層は印刷法により
形成されていてもよい。
【００１７】
（１０）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記光吸収材料層はディスペン
サ法により形成されていてもよい。
【００１８】
（１１）本発明に係る電気光学装置の製造方法は、上記電気光学装置用基板の製造方法
を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について説明す
る。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である
。図２は、図１のII−II線における断面を示す図である。
【００２１】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板１０は、図１及び図２に示すように、基板１２
（図２参照）と、ソース電極１４と、ドレイン電極１６と、半導体層としての有機半導体
層１８と、導電材料層２０と、ゲート絶縁層２２（図２参照）と、ゲート電極２４と、層
間絶縁層２６と、ビアホール２８と、画素電極３０と、を含んでいる。まず、本実施の形
態に係る電気光学装置用基板１０の各構成要素について説明する。
【００２２】
基板１２の材料は、例えば、ガラス又はプラスチックである。
【００２３】
ソース電極１４とドレイン電極１６とは、図２に示すように、基板１２上に、所定間隔
離間して形成されている。ソース電極１４とドレイン電極１６との材料は、例えば、Ａｕ
である。
【００２４】
有機半導体層１８は、ソース電極１４の上面の一部と、ソース電極１４とドレイン電極
１６との間の基板１２の上面と、ドレイン電極１６の上面の一部とに渡って形成されてい
る。有機半導体層１８の材料は、低分子系有機半導体材料、及び、ポリマー有機半導体材
料のいずれも選択することができる。有機半導体層１８の材料は、例えば、Ｆ８Ｔ２（フ
ルオレン−ビチオフェン共重合体）である。
【００２５】
導電材料層２０は、ドレイン電極１６上に形成され、ドレイン電極１６に電気的に接続
されている。導電材料層２０は、ドレイン電極１６の反対側の面が凹状にくぼんでいる。
導電材料層２０の厚みは、ゲート絶縁層２２の厚み以上であってもよい。導電材料層２０
の材料は、例えば、ニッケル等の金属である。導電材料層２０の材料は、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の金属酸化物であってもよい。導電材料層２０の材料は、金属、金属酸化
物の微粒子、あるいは、導電性粒子を含むペースト状の部材であってもよい。また、導電
材料層２０の材料は、レーザ光の吸収率の低い材料を選択してもよい。導電材料層２０の
材料として、レーザ光の吸収率の低い材料は、例えば、ニッケル等の金属、及びＩＴＯ等
の金属酸化物である。
【００２６】
ゲート絶縁層２２は、基板１２とソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１
８と導電材料層２０とを被覆するように形成されている。ゲート絶縁層２２の材料は、公
知の絶縁体材料であれば種類は特に限定されない。ゲート絶縁層２２の材料は、レーザ光
の吸収率の高い材料を選択してもよい。ゲート絶縁層２２の材料として、レーザ光の吸収
率の高い材料は、例えば、高分子系樹脂である。
【００２７】
ゲート電極２４は、ゲート絶縁層２２上に、有機半導体層１８にオーバーラップするよ
うに形成されている。ゲート電極２４の材料は、例えば、Ａｇである。
【００２８】
層間絶縁層２６は、ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆するように形成されて
いる。層間絶縁層２６の材料は、公知の絶縁体材料であれば種類は特に限定されない。層
間絶縁層２６の材料は、前述したゲート絶縁層２２と同様に、レーザ光の吸収率の高い材
料を選択してもよい。
【００２９】
ビアホール２８は、導電材料層２０の領域内に、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２と
を貫通し、導電材料層２０の一部が露出するように形成されている。
【００３０】
画素電極３０は、層間絶縁層２６上のソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体
層１８とゲート電極２４とにオーバーラップする領域に、ビアホール２８を介して導電材
料層２０と電気的に接続するように形成されている。画素電極３０は、例えば、ビアホー
ル２８を充填するように形成されている。画素電極３０の材料は、例えば、Ａｇである。
【００３１】
ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１８とゲート絶縁層２２（図２参照
）とゲート電極２４とは、有機トランジスタ４０を構成している。有機トランジスタ４０
は、基板１２上に、例えば、マトリックス上に配列されている（図１参照）。有機トラン
ジスタ４０は、画素電極３０を制御するスイッチング素子としての機能を有している。
【００３２】
なお、図２において、導電材料層２０の厚みがゲート絶縁層２２の厚み以上であっても
よい。
【００３３】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図面を参照して説
明する。図３及び図４は、第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明
する図である。
【００３４】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板１０の製造方法は、まず、図３（Ａ）に示すよ
うに、基板１２を用意し、基板１２上にソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体
層１８とを形成する。先に、基板１２上にソース電極１４とドレイン電極１６とを形成す
る。ソース電極１４とドレイン電極１６とを形成する方法は、公知の電極形成方法を適用
する。次に、基板１２とソース電極１４とドレイン電極１６との上面に有機半導体層１８
を形成する。有機半導体層１８を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用する。
【００３５】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ドレイン電極１６上に、ドレイン電極１６と電気的に
接続する導電材料層２０を形成する。導電材料層２０を形成する方法は、導電材料層２０
の材料に金属又は金属酸化物を使用する場合は、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成法を
適用してもよい。また、メッキ法を適用してもよい。導電材料層２０を形成する方法は、
導電材料層２０の材料に金属、金属酸化物の微粒子、又は、導電性粒子を含むペースト状
の部材を使用する場合は、液滴吐出法を適用してもよい。また、印刷法を適用してもよい
。さらに、ディスペンサ法を適用してもよい。
【００３６】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１
８と導電材料層２０とを被覆するゲート絶縁層２２を形成する。ゲート絶縁層２２を形成
する方法は、例えば、スピンコート法を適用する。
【００３７】
次に、図３（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層２２上にゲート電極２４を形成する。ゲ
ート電極２４を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用する。
【００３８】
次に、図４（Ａ）に示すように、ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間
絶縁層２６を形成する。層間絶縁層２６を形成する方法は、例えば、蒸着法を適用する。
次に、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との導電材料層２０にオーバーラップする領域
と、導電材料層２０とにレーザ光４２を照射し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とは
貫通するが、導電材料層２０は貫通しないビアホール２８を形成する。
【００３９】
レーザ光４２の照射により層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とを加工する工程におい
て、ドレイン電極１６上に導電材料層２０を形成してあるので、ビアホール２８が層間絶
縁層２６とゲート絶縁層２２とを貫通するとき、ドレイン電極１６上の導電材料層２０が
露出するがドレイン電極１６は露出しない。これにより、ビアホール２８を形成する工程
において、ドレイン電極１６は導電材料層２０に保護されてレーザ光４２の照射を受けな
いため、ドレイン電極１６が加工され損傷を受けることを防止することができる。また、
導電材料層２０は加工され厚みが減少しても（図４（Ｂ）参照）貫通しなければドレイン
電極１６を保護することができるので、加工深さのバラツキは導電材料層２０の厚みの範
囲内であれば許容される。これにより、加工条件の厳密な管理、あるいは、微細な制御を
行うことが不要となり、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とをより短時間で加工するこ
とができる。したがって、レーザ光４２の照射によるドレイン電極１６の損傷を防止する
ことにより歩留まりを向上し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との加工を短時間で行
うことができる。
【００４０】
また、導電材料層２０の材料としてレーザ光の吸収率の低い材料を選択し、層間絶縁層
２６とゲート絶縁層２２との材料としてレーザ光の吸収率の高い材料を組み合わせて選択
してもよい。これにより、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とはレーザ光４２を吸収し
、導電材料層２０はレーザ光４２をあまり吸収しない。層間絶縁層２６とゲート絶縁層２
２とは、レーザ光４２の照射によるアブレーションのみでも加工されるが、レーザ光４２
を吸収して発熱し溶解することにより、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との加工が促
進される。一方、導電材料層２０はレーザ光４２をあまり吸収しないため、導電材料層２
０はほとんど発熱しない。したがって、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との加工をよ
り短時間で行うことができ、ビアホール２８が層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とを貫
通した時点で加工を停止させることが容易となる。
【００４１】
上記の加工の結果、図４（Ｂ）に示すように、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とを
貫通するビアホール２８が形成される。
【００４２】
次に、図２に示すように、層間絶縁層２６上に、ビアホール２８を介して導電材料層２
０と電気的に接続する画素電極３０を形成する。例えば、ビアホール２８を充填するよう
に画素電極３０を形成する。画素電極３０を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用
する。以上により、電気光学装置用基板１０を製造することができる。なお、以上の各工
程で説明されていない加工方法は、公知の方法を適用すればよい。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について説明す
る。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する事項についてはその説
明を省略する。
【００４３】
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である
。図６は、図５のVI- VI線における断面を示す図である。
【００４４】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板５０は、図５及び図６に示すように、基板１２
（図６参照）と、ソース電極１４と、ドレイン電極１６と、半導体層としての有機半導体
層１８と、ゲート絶縁層２２（図６参照）と、ゲート電極２４と、層間絶縁層２６と、ビ
アホール５２と、画素電極５４と、を含んでいる。まず、本実施の形態に係る電気光学装
置用基板５０の各構成要素について説明する。
【００４５】
ゲート絶縁層２２は、基板１２とソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１
８とを被覆するように形成されている。
【００４６】
ビアホール５２は、ドレイン電極１６の領域内に、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２
とを貫通し形成されている。
【００４７】
画素電極５４は、層間絶縁層２６上のソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体
層１８とゲート電極２４とにオーバーラップする領域に、ビアホール５２の内面を充填し
、ビアホール５２を介してドレイン電極１６に電気的に接続するように形成されている。
【００４８】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図面を参照して説
明する。図７及び図８は、第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明
する図である。
【００４９】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板５０の製造方法は、まず、図３（Ａ）に示すよ
うに、基板１２を用意し、基板１２上にソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体
層１８とを形成する。
【００５０】
次に、図７（Ａ）に示すように、基板１２上に形成されたソース電極１４とドレイン電
極１６と有機半導体層１８とを被覆するゲート絶縁層２２を形成する。
【００５１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁層２２上にゲート電極２４を形成する。
【００５２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間
絶縁層２６を形成する。
【００５３】
次に、図８（Ａ）に示すように、層間絶縁層２６上に、ドレイン電極１６にオーバーラ
ップする光吸収材料層５６を形成する。光吸収材料層５６の材料は、赤外光又は可視光の
波長を有するレーザ光を加工に使用する場合は、例えば、顔料である。顔料としては、例
えば、フタロシアニングリーン、フタロシアニンブルー等のフタロシアニン系顔料、ファ
ストイエロー、ジスアゾイエロー、縮合アゾイエロー、ペンゾイミダゾロンイエロー、ジ
ニトロアニリンオレンジ、ペンズイミダゾロンオレンジ、トルイジンレッド、パーマネン
トカーミン、パーマネントレッド、ナフトールレッド、縮合アゾレッド、ベンズイミダゾ
ロンカーミン、ベンズイミダゾロンブラウン等のアゾ系顔料、アントラピリミジンイエロ
ー、アントラキノニルレッド等のアントラキノン系顔料、銅アゾメチンイエロー等のアゾ
メチン系顔料、キノフタロンイエロー等のキノフタロン系顔料、イソインドリンイエロー
等のイソインドリン系顔料、ニッケルジオキシムイエロー等のニトロソ系顔料、ペリノン
オレンジ等のペリノン系顔料、キナクリドンマゼンタ、キナクリドンマルーン、キナクリ
ドンスカーレット、キナクリドンレッド等のキナクリドン系顔料、ペリレンレッド、ペリ
レンマルーン等のペリレン系顔料、ジケトピロロピロールレッド等のピロロピロール系顔
料、ジオキサジンバイオレット等のジオキサジン系顔料のような有機顔料、カーボンブラ
ック、ランプブラック、ファーネスブラック、アイボリーブラック、黒鉛、フラーレン等
の炭素系顔料、黄鉛、モリブデートオレンジ等クロム酸塩系顔料、カドミウムイエロー、
カドミウムリトポンイエロー、カドミウムオレンジ、カドミウムリトポンオレンジ、銀朱
、カドミウムレッド、カドミウムリトポンレッド、硫化等の硫化物系顔料、オーカー、チ
タンイエロー、チタンバリウムニッケルイエロー、べんがら、鉛丹、アンバー、褐色酸化
鉄、亜鉛鉄クロムブラウン、酸化クロム、コバルトグリーン、コバルトクロムグリーン、
チタンコバルトグリーン、コバルトブルー、セルリアンブルー、コバルトアルミニウムク
ロムブルー、鉄黒、マンガンフェライトブラック、コバルトフェライトブラック、銅クロ
ムブラック、銅クロムマンガンブラック等の酸化物系顔料、ビリジアン等の水酸化物系顔
料、紺青等のフェロシアン化物系顔料、群青等のケイ酸塩系顔料、コバルトバイオレット
、ミネラルバイオレット等のリン酸塩系顔料、その他（例えば硫化カドミウム、セレン化
カドミウム等）のような無機顔料等があげられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み
合わせて用いる。
【００５４】
光吸収材料層５６の材料は、赤外光又は可視光の波長を有するレーザ光を加工に使用す
る場合は、染料であってもよい。染料としては、例えば、RuL2(SCN)2、RuL2Cl2、RuL2(CN
)2、Rutenium535-bisTBA、[RuL2(NCS)2]2H2Oのような金属錯体色素、シアン系色素、キサ
ンテン系色素、アゾ系色素、ハイビスカス色素、ブラックベリー色素、ラズベリー色素、
ザクロ果汁色素、クロロフィル色素等があげられ、これらのうちの１種または２種以上を
組み合わせて用いてもよい。なお、前述の組成式中のＬは、2,2'-bipyridine、または、
その誘導体を示す。
【００５５】
また、光吸収材料層５６の材料は、紫外光の波長を有するレーザ光を加工に使用する場
合は、例えば、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、チオキサントン
、カンファーキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイ
ド、ケタール類、ジベンゾイル類、オニウム塩、及びこれらの核置換体等があげられる。
【００５６】
光吸収材料層５６を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用する。光吸収材料層５
６を形成する方法は、印刷法を適用してもよい。また、光吸収材料層５６を形成する方法
は、ディスペンサ法を適用してもよい。次に、光吸収材料層５６と層間絶縁層２６とゲー
ト絶縁層２２とにレーザ光４２を照射し、光吸収材料層５６と層間絶縁層２６とゲート絶
縁層２２とを貫通するビアホール５２を形成する。光吸収材料層５６は、レーザ光４２の
照射を受けるとレーザ光４２を吸収して発熱する。光吸収材料層５６が発熱することによ
り、光吸収材料層５６自らが溶解するとともに、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とを
溶解させる。層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とは、レーザ光４２の照射によるアブレ
ーションのみでも加工されるが、光吸収材料層５６の発熱で溶解することにより、層間絶
縁層２６とゲート絶縁層２２との加工が促進される。これにより、ドレイン電極１６の損
傷を防止し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との加工を短時間で行うことができる。
光吸収材料層５６は、発熱して溶解した後、ビアホール５２が貫通した層間絶縁層２６と
ゲート絶縁層２２との断面に残留してもよい。
【００５７】
上記の加工の結果、図８（Ｂ）に示すように、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とを
貫通するビアホール５２が形成される。
【００５８】
次に、図６に示すように、層間絶縁層２６上に、ビアホール５２を介してドレイン電極
１６と電気的に接続する画素電極５４を形成する。
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の製造方法について図面を参照して説明
する。ここでは、電気光学装置の製造方法としての電気泳動表示装置の製造方法について
説明する。
【００５９】
図９は、本発明の実施の形態に係る電気泳動表示装置を示す概略断面図である。
【００６０】
本実施の形態に係る電気泳動表示装置１００は、図９に示すように、電気光学装置用基
板１０と、電気泳動層６０と、対向基板７０と、を含んでいる。
【００６１】
電気泳動層６０は、電気光学装置用基板１０と対向基板７０との間に挟持されている。
電気泳動層６０は、マイクロカプセル６２と、バインダ材６４と、を含んでいる。マイク
ロカプセル６２の内部には、電荷及び色の異なる２種類の電気泳動粒子６６と電気泳動粒
子６７とを含む電気泳動分散液６８が封入されている。マイクロカプセル６２は、バイン
ダ材６４により固定されている。
【００６２】
対向基板７０は、電気泳動層６０を挟んで電気光学装置用基板１０に対向する側に配置
されている。対向基板７０は、基板７２と、共通電極７４と、を含んでいる。基板７２は
、透明な基板である。基板７２の材料は、例えば、ガラス又はプラスチックである。共通
電極７４は、基板７２の電気光学装置用基板１０に対向する面上に形成されている。
【００６３】
次に、本実施の形態に係る電気泳動表示装置の製造方法の一例について、図９を参照し
て説明する。
【００６４】
本実施の形態に係る電気泳動表示装置１００の製造方法は、まず電気光学装置用基板１
０を形成する。
【００６５】
次に、電気光学装置用基板１０上に、マイクロカプセル６２とバインダ材６４との混合
物からなる層を形成した後、バインダ材６４を硬化させる。これにより、電気光学装置用
基板１０上に、マイクロカプセル６２とバインダ材６４とを含む電気泳動層６０が形成さ
れる。
【００６６】
次に、電気光学装置用基板１０とは別工程で形成した対向基板７０を用意する。
【００６７】
次に、対向基板７０を、電気泳動層６０の上に共通電極７４が電気光学装置用基板１０
の側に対向するように設置し、接着剤等により接合する。以上により、電気泳動表示装置
１００を製造することができる。なお、以上の各工程で説明されていない加工方法は、公
知の方法を適用すればよい。
【００６８】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方
法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は
、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成する
ことができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加
した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図５】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である。
【図６】図５のVI- VI線における断面を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図８】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図９】実施の形態に係る電気泳動表示装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０…電気光学装置用基板  １２…基板  １４…ソース電極  １６…ドレイン電極  １
８…半導体層  ２０…導電材料層  ２２…ゲート絶縁層  ２４…ゲート電極  ２６…層間
絶縁層  ２８…ビアホール  ３０…画素電極  ４０…有機トランジスタ  ４２…レーザ光
５０…電気光学装置用基板  ５２…ビアホール  ５４…画素電極  ５６…光吸収材料層
６０…電気泳動層  ６２…マイクロカプセル  ６４…バインダ材  ６６…電気泳動粒子
６７…電気泳動粒子  ６８…電気泳動分散液  ７０…対向基板  ７２…基板  ７４…共
通電極  １００…電気泳動表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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