(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞を有するセルと、
前記セルの前記空洞に内包され、直線偏光光であるプローブ光が伝播する媒体を構成する原子群であって、前記プローブ光が前記媒体を第１、第２の測定位置の順に通過し、前記媒体が前記第１及び第２の測定位置において、磁場強度に応じて前記プローブ光の偏光回転角を変化させる原子群と、
前記プローブ光を前記セルに照射するためのプローブ光用光源と、
前記原子群を構成する複数の原子のスピンの向きを揃える円偏光光をポンプ光として、前記第１及び第２の測定位置で前記プローブ光の照射方向と交差するように前記セルに照射するためのポンプ光用光源と、
前記プローブ光の偏光回転角を検出するための検出器と、を含み、
前記第１の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角と、前記第２の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角との光学的差演算を行うように構成されていることを特徴とする原子磁気センサ。
【請求項２】
前記第１及び第２の測定位置は、それぞれ第１及び第２のセル内に設けられており、且つ前記第１のセルと前記第２のセルとの間には、前記プローブ光が通過するように構成されている半波長板が設けられている、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項３】
前記第１及び第２の測定位置は、同一の前記セル内またはそれぞれ第１及び第２のセル内に設けられており、且つ前記第１の測定位置を通過した前記プローブ光の進行方向を逆にして前記第２の測定位置を通過させるための光路変換手段が設けられている、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項４】
前記第１及び第２の測定位置は、同一の前記セル内またはそれぞれ第１及び第２のセル内に設けられており、且つ前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は、ともに右円偏光光あるいは左円偏光光のいずれかであり、前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は光路が互いに逆向きである、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項５】
前記第１及び第２の測定位置は、同一の前記セル内またはそれぞれ第１及び第２のセル内に設けられており、且つ前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は、互いに逆回りの円偏光光であり、前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は光路がともに同じ向きである、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項６】
同一セル内またはそれぞれ第１及び第２のセル内の前記第１及び第２の測定位置に加えて、該第１及び第２の測定位置とは異なる測定位置を有するように構成されている、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項７】
前記ポンプ光用光源からのレーザ光を右円偏光光と左円偏光光との光強度を等しくするための偏光素子を有する部材が設けられ、前記ポンプ光用光源からのレーザ光を前記部材を透過させた後、前記セルに円偏光光が照射されるように構成されている、請求項１に記載の原子磁気センサ。
【請求項８】
セルが有する空洞に内包され、直線偏光光であるプローブ光が伝播する媒体を構成する原子群に対して、ポンプ光を照射することによって該原子群を構成する原子のスピンの向きを揃え、原子のスピンの向きが揃えられた前記原子群に前記プローブ光を照射して、磁場強度に応じて前記プローブ光の偏光回転角を変化させ、該プローブ光の偏光回転角を測定する磁気センシング方法であって、
前記セル内の原子群に対するポンプ光となる円偏光光を、該円偏光光の照射方向が前記プローブ光の照射方向と前記媒体の第１の測定位置で交差すると共に、前記プローブ光が前記第１の測定位置を通過した前記媒体の第２の測定位置で交差するように照射することと、
前記第１の測定位置での磁場強度によりその偏光面が回転された前記プローブ光を、前記プローブ光の偏光回転角の光学的差演算を行うように前記第２の測定位置に導き、該第２の測定位置を通過した前記プローブ光の偏光回転角を測定することによって、互いに異なる２つの位置における磁場強度の差を取得することを特徴とする磁気センシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁場強度を計測する磁気センサに関する。特に、本発明は、アルカリ金属ガスまたは希ガスを利用した原子磁気センサ及び磁気センシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アルカリ金属ガスや希ガスのスピンを利用した高感度の原子磁気センサが提案されている。特許文献１には、アルカリ金属蒸気が存在するセルに対して、ポンプ光用の円偏光光源から円偏光を、プローブ光用の直線偏光光源から直線偏光光を照射することを特徴とする原子磁気センサが提案されている。そして、プローブ光の偏光回転角を測定するために、フォトダイオードアレイを光検出器として用いている。
【特許文献１】米国特許第７０３８４５０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、測定位置の違いによる磁場強度に関する情報を、磁場勾配情報として計測することがある。斯かる場合は、それぞれの測定位置に対応した光検出器で検出して得られる電気的な信号の差分情報を使って、磁場強度の差分情報（磁場勾配情報）を取得することになる。
【０００４】
しかしながら、実際には、個々の光検出器自体の増幅率やノイズに関する条件は必ずしも厳密に揃っていないと考えられる。つまり、光検出器から取得された電気信号を用いて磁場勾配情報を取得しようとすると、当該情報には個々の光検出器の特性差異に基づくノイズが混入してしまっているという懸念点がある。
【０００５】
そこで、本発明者らは上記懸念点を踏まえ、鋭意検討したところ、測定位置の違いに基づく微小な磁場強度の差を、直線偏光プローブ用レーザ光の偏光回転角の差に置き換えて測定することにより、高感度な磁場勾配の計測が可能になるという考えに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る磁気センシング方法は、
セルが有する空洞に内包され、直線偏光光であるプローブ光が伝播する媒体を構成する原子群に対して、ポンプ光を照射することによって該原子群を構成する原子のスピンの向きを揃え、原子のスピンの向きが揃えられた前記原子群に前記プローブ光を照射して、磁場強度に応じて前記プローブ光の偏光回転角を変化させ、該プローブ光の偏光回転角を測定する磁気センシング方法であって、
前記セル内の原子群に対するポンプ光となる円偏光光を、該円偏光光の照射方向が前記プローブ光の照射方向と前記媒体の第１の測定位置で交差すると共に、前記プローブ光が前記第１の測定位置を通過した前記媒体の第２の測定位置で交差するように照射することと、
前記第１の測定位置での磁場強度によりその偏光面が回転された前記プローブ光を、前記プローブ光の偏光回転角の光学的差演算を行うように前記第２の測定位置に導き、該第２の測定位置を通過した前記プローブ光の偏光回転角を測定することによって、互いに異なる２つの位置における磁場強度の差を取得することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る原子磁気センサは、
空洞を有するセルと、
前記セルの前記空洞に内包され、直線偏光光であるプローブ光が伝播する媒体を構成する原子群であって、前記プローブ光が前記媒体を第１、第２の測定位置の順に通過し、前記媒体が前記第１及び第２の測定位置において、磁場強度に応じて前記プローブ光の偏光回転角を変化させる原子群と、
前記プローブ光を前記セルに照射するためのプローブ光用光源と、
前記原子群を構成する複数の原子のスピンの向きを揃える円偏光光をポンプ光として、前記第１及び第２の測定位置で前記プローブ光の照射方向と交差するように前記セルに照射するためのポンプ光用光源と、
前記プローブ光の偏光回転角を検出するための検出器と、を含み、
前記第１の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角と、前記第２の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角との光学的差演算を行うように構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
このように本発明は、互いに異なる２つの測定位置における磁場強度の差を、プローブ光の偏光回転角の差として直接測定することにより、高感度センサを提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態：磁気センシング方法）
本実施形態に係る磁気センシング方法に関する発明について、図１を用いて説明する。
ここでいう磁気センシング方法とは、以下の特徴を有する。
【００１１】
すなわち、セルが有する空洞に内包されている原子群に対して、ポンプ光を照射することによって該原子群を構成する原子のスピンの向きを揃える。そして、原子のスピンの向きが揃えられた前記原子群にプローブ光としての直線偏光光を照射して、該プローブ光の偏光面の回転角を測定することにより測定磁場強度に関する情報を取得しようとする方法である。
【００１２】
本実施形態に係る発明においては、図１に記載されているように、まず、第１の測定位置での磁場強度によりプローブ光の偏光方向を回転させる（Ｓ１）。そして、当該第１の測定位置での磁場強度によりその偏光方向が回転された前記プローブ光を、前記プローブ光の偏光回転角の光学的差演算となるように第２の測定位置に導く（Ｓ２）。次に、該第２の測定位置を通過した前記プローブ光の偏光面の回転角を測定する（Ｓ３）。こうすることによって、互いに異なる２つの位置における磁場強度の差に関する情報を取得することが可能となる。
【００１３】
ここで、原子磁気センサを用いたセンシング方法における特徴的な要素について詳述する。
【００１４】
Ａ：セル
セルはガラスやプラスチックなどプローブ光やポンプ光を透過し得る材料から構成される。当該セル内には、原子群あるいは原子集団として、アルカリ金属（ＫやＲｂなど）がガス状態で包含される。勿論、センシングの際にガス状態（蒸気）となるのであれば、センシングを行っていない時には、必ずしもガス状態となっている必要はない。例えば、ガラスセルにカリウム金属を入れておき、１８０℃程度に加熱することで、同ガラスセル内に、カリウム金属の蒸気を充満させることができる。
【００１５】
また、セル内に包含される原子群としては、アルカリ金属原子に限らず、上記したセンシング方法を行うことができれば特に材料も限定されない。更に、セル内には、前記原子群の他にバッファーとなるガスを封入しておくこともできる。また、原子群として、Ｋ、Ｒｂのほか、Ｘｅなども混入させることができる。
【００１６】
Ｂ：ポンプ光
ポンプ光は、円偏光光自体、即ち実質的に円偏光光だけからなることが望ましいが、本実施形態に係る発明においては、当該円偏光成分を有していれば他の偏光成分を含有していることを除外するものではない。
【００１７】
このポンプ光は、原子群を構成する各原子の電子スピンの向きを揃えるために用いられる。具体的には、円偏光ポンピングと呼ばれる現象を用いて、原子のスピンの向きを揃えることができ、右円偏光のポンプ光を用いると、それぞれランダムな向きを持った原子のスピンの向きをポンプ光の進行方向に揃えることができる。なお、左円偏光のポンプ光では、ポンプ光の逆方向に原子のスピンの向きを揃えることができる。なお、原子のスピンの向きを揃えるとは、厳密には、セルに内包される物質がアルカリ金属の場合には電子スピンの向きを揃えることを意味し、希ガスの場合には、原子核のスピン（核スピン）の向きを揃えることを意味する。
【００１８】
このようにスピンの向きを揃えることができるのは、円偏光の光は角運動量を持つため、角運動量保存により、光を吸収しないスピンの向きが存在するからである。一旦励起された原子は、自然放出によりランダムな偏光状態の光を放出し、互いに異なる基底状態を取り得るが、このポンピングを繰り返すことにより、最終的には原子群を構成するそれぞれの原子のスピンの向きを揃えることが可能となる。
【００１９】
Ｃ：プローブ光
プローブ光は、不必要なポンピングを避けるため、また、吸収を避けるために、原子の共鳴周波数からある程度離調してあることが望ましい。また、プローブ光は、直線偏光だけからなることが望ましいが、本実施形態に係る発明においては、当該直線偏光成分を有していれば他の偏光成分を含有していることを除外するものではない。
【００２０】
そして、このプローブ光と前記ポンプ光とのセル内の原子群への照射方向が、それぞれの測定位置で交差するように、装置は構成される。前記プローブ光と前記ポンプ光との照射方向は交差すれば特に制限されるものではないが、一般的には、両方の照射方向が直交するように構成される。
【００２１】
偏極している原子群に、直線偏光の光をｘ方向に入射させると、非線形ファラデー効果やコットン-ムートン効果等を含む広義のファラデー回転とも呼べる磁気光学効果により、偏光面が回転することが知られている。具体的には、入射方向に沿って進行しているプローブ光の偏光角は、プローブ光に平行または直交する測定磁場によってｙｚ面内で回転する。そして、この回転角が磁場の大きさに対応して変化することを利用した磁気センサが知られている。
【００２２】
本実施形態に係る発明においても、前述のポンプ光によって、偏極原子群を形成し、前記セル内の当該原子群に直線偏光のプローブ光を入射させ、セルを通過する前後で、前記プローブ光の偏光回転角に関する情報を取得する。
【００２３】
光源に関しては、ポンプ光とプローブ光でそれぞれ個別の光源を用いてもよいし、光源は共通として、偏光板等を利用することで、円偏光のポンプ光と直線偏光のプローブ光とを作り出すこともできる。なお、ポンプ光とプローブ光を出力するための光源としては、レーザ光源を用いることができる。例えば、セル内の原子群あるいは原子集団としてカリウムを使用する場合には、０．０２ｎｍから１ｎｍの範囲で互いに離調された波長が約７７０ｎｍのレーザ光源を利用できる。
【００２４】
Ｄ：プローブ光の偏光面の回転角に関する情報の取得
偏光面（あるいは偏光方向）の回転角に関する情報は、例えば、前記セルを通過したプローブ光を偏光板を介してフォトダイオード列で検出することで取得することができる。勿論、偏光面の回転角に関する情報を取得することができるであれば、前記フォトダイオード列による検出手段以外の方法も適宜採用することができる。
【００２５】
具体的には、クロスニコル型ポラリメータ、または、バランス型ポラリメータによりプローブ光の偏光回転角は検出される。詳細には、後述の実施例においてその例を示している。
【００２６】
Ｅ：光学的差演算（光演算）を行うための手法
互いに異なる２つの測定位置（当該位置が、同一セル内である場合は勿論、それぞれ、別のセル内にある場合も含む。）における磁場強度の差分情報を原子磁気センサを用いた磁気センシング方法により行う場合、夫々の位置における以下の要素を適宜組み合わせることにより可能となる。
【００２７】
（１）ポンプ光としての円偏光光の測定位置への入射方向
（２）ポンプ光としての円偏光光の回転方向（右円偏光光か左円偏光光）
（３）プローブ光の測定位置への入射方向
（４）プローブ光の偏光回転角に関する操作の有無
（第２の実施形態：原子磁気センサ）
本実施形態に係る原子磁気センサは、以下の特徴を有する。具体的には、空洞を有するセルと、前記セルの前記空洞に内包されている原子群と、前記原子群を構成する複数の原子のスピンの向きを揃えるためのポンプ光用光源とを有する。さらに、プローブ光としての直線偏光光を前記セルに照射するためのプローブ光用光源と、前記直線偏光光の偏光面の回転角に関する情報を検出するための検出器とを含み構成される。
【００２８】
ここで、セル内の原子群に対する、ポンプ光となる円偏光光の照射方向と、前記プローブ光の照射方向とが、第１の測定位置で交差するように構成される。
【００２９】
そして、ポンプ光となる円偏光光と、前記第１の測定位置を通過した前記プローブ光との前記原子群に対する照射方向とが、前記第１の位置とは異なる第２の測定位置で交差するように構成される。また、前記第１の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角と、前記第２の測定位置での磁場強度による前記プローブ光の偏光回転角との光学的差演算を行うように構成される。
【００３０】
具体的に、光学的差演算を行うための構成としては、以下の（１）から（４）の構成が挙げられるが、本発明は以下に示す構成に限定されるものではない。
（１）前記第１及び第２の測定位置は、それぞれ第１の及び第２のセル内に設けられており、且つ前記第１のセルと前記第２のセルとの間には、前記プローブ光が通過するように構成されている半波長板が設けられる（図２）。
（２）前記第１及び第２の測定位置は、同一セル内に設けられており、且つ前記第１の測定位置を通過した前記プローブ光の進行方向を逆にして前記第２の測定位置を通過させるための光路変換手段が設けられる（図３，４）。
（３）前記第１及び第２の測定位置は、同一セル内に設けられている。そして、前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は、ともに右円偏光光あるいは左円偏光光のいずれかであり、前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は互いに逆向きである（図５）。
（４）前記第１及び第２の測定位置は、同一セル内に設けられており、且つ前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光は、互いに逆回りの円偏光光であり、前記第１及び第２の測定位置に照射される前記円偏光光はともに同じ向きである（図６）。
【００３１】
なお、本実施形態に係る原子磁気センサにおいては、同一セル内に前記第１及び第２の測定位置に加えて、該第１及び第２の測定位置とは異なる測定位置を有するように構成することもできる（図７、８、１０）。
【００３２】
また、前記ポンプ光用光源からのレーザ光を右円偏光光と左円偏光光との光強度を等しくするための偏光素子を有する部材を透過させた後、前記セルに円偏光光が照射されるように構成することもできる（図９、１０）。
【００３３】
更にまた、本実施形態に係る発明においては、原子群が内包されているセルとしては、それぞれの測定位置に応じて別個のセルを用いることもできる。また、同一セル内に互いに異なる複数の測定位置を設けることもできる。但し、別個のセルを用いる場合には、それぞれのセルに内包される原子群の種類や量を厳密に揃えておくことが好ましい。
【００３４】
（第３の実施形態：磁気センサ）
上記第１及び第２の実施形態においては、ポンプ光として円偏光光を使用する場合を前提として説明したが、以下に示すように、必ずしも当該ポンプ光は必須ではない。
【００３５】
具体的には、プローブ光用光源と、プローブ光が伝播する媒体とを備えた磁気センサである。
【００３６】
ここで、前記媒体は、第１及び第２の測定位置を有すると共に、プローブ光が伝播する際の該第１及び第２の位置における磁場強度に応じて偏光回転角が変化する物質であり、具体的には、カリウム、セシウムなどのアルカリ金属蒸気である。また、ヘリウム、キセノンなどの希ガスも利用することができる。更にまた、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｙ3Ｆｅ12、ＭｎＳｂ、ＭｎＢｉ、ＹＦｅＯ3、ＮｄＦｅ3、ＣｒＢｒ3、ＥｕＯ、ＣｄＣｒ2Ｓ4などの磁性体やガラス等の物質の適用も可能である。そして、前記プローブ光の伝播経路に沿って、前記媒体内の前記第１及び第２の測定位置における磁場強度の差を偏光回転角の差として直接測定することによっても磁場勾配計を実現できる。
【００３７】
具体的には、実施例８及び９において詳述している。
【００３８】
以下に、より詳細な実施例を用いて、本発明を説明する。
【実施例】
【００３９】
（実施例１）
図２は、本発明の実施例１の特徴を示す図である。
【００４０】
同図において、１ａ、１ｂは円偏光ポンピング用レーザー光、２は直線偏光プローブ用レーザー光、３はアルカリ金属蒸気または希ガスをスピンの歳差運動として模式的に示したものである。
【００４１】
４ａ、４ｂは該アルカリ金属蒸気または希ガスを封入したセルであり、６ａと６ｂはｚ軸方向の静磁場キャンセル用またはバイアス磁場印加用のヘルムホルツコイルを模式的に示したものである。なお、ｙ軸、ｘ軸方向にもヘルムホルツコイルを準備し、３軸ヘルムホルツコイル（不図示）とすることもできる。
【００４２】
また、１１は第一の測定位置、１２は第二の測定位置、１３と１４は偏光軸が互いに直交する位置にある偏光板、すなわち互いにクロスニコルの位置にある偏光板である。１５はプローブ光に微小な偏光角の振動を与えるためのファラデーモジュレータである。１６は光検出器であり、例えばフォトダイオード等により構成されている。
【００４３】
９はアルカリ金属セル４ａ、４ｂの温度を一定に保持する恒温槽であり、２３は半波長板である。第一の測定位置１１を透過することによってプローブ光（直線偏光）の偏光面の回転角が２３の結晶軸に対して＋φであるとすると、前記半波長板を透過させることにより、２３の結晶軸に対して符号が反転し‐φとなる。
【００４４】
また、第一の測定位置１１におけるｙ方向の磁場（磁束密度）をＢy1とし、第二の測定位置１２におけるｙ方向の磁場をＢy2とする。
【００４５】
本実施例は、プローブ光と、該プローブ光が伝播するとき磁場強度に応じて偏光回転角が変化する媒体と、前記媒体の第一及び第二の測定位置を有する磁気センサである。そして、前記プローブ光の伝播経路に沿って、第一及び第二の測定位置における磁場強度の差を偏光回転角の差として直接測定することを特徴とする。
【００４６】
また、本実施例では、プローブ光を備えたアルカリ金属ガスまたは希ガスを用いた原子磁気センサにおいて、アルカリ金属蒸気または希ガスを封入したセル４ａ、４ｂとプローブ光２と第一及び第二の測定位置１１、１２を有する構成である。そして、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を、偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定することにより、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度センサを提供するものである。
【００４７】
本実施例１は、特に、半波長板２３を有し、前記プローブ光を前記第一のセル４ａ通過後、前記半波長板２３により偏光回転方向を反転させ、前記第二のセル４ｂを通過させる。これによって、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を、偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度磁気センサを提供する。
【００４８】
ここで、アルカリ金属蒸気等が封入されているセルに、円偏光レーザ光（ポンプ光）とプローブ光を入射することにより磁場計測を行う原子磁気センサとは、以下の原理に基づくものである。すなわち、円偏光レーザ光（ポンプ光）によって励起された電子スピンが示すマクロな磁化の測定磁場による回転を、プローブ光として入射された直線偏光の偏光方向の回転として測定するものであり、静磁場や振動磁場を高感度に測定できる磁気センサである。
【００４９】
図２に示したｘｙｚ座標系において、円偏光レーザ光１ａ、１ｂをｚ軸方向に照射し、プローブ光（直線偏光光）をｘ軸方向に照射し、ｙ軸方向に測定対象となる磁場Ｂyがある系をまず考える。このとき、電子スピンが示すマクロな磁化ベクトルm＝（ｍx，ｍy，ｍz）は、以下の光ブロッホ方程式によって記述される。
【００５０】
【数１】
0005178187.tif 000002
【００５１】
ここで、既述のようにm＝（ｍx，ｍy，ｍz）は励起された電子スピンが示すマクロな磁化であり、Ω＝（0，Ωeff，0） は磁場に関するパラメータである。P＝(0，0，Ｐ)はポンプ光に関するパラメータ、γeffは緩和に関するパラメータである。ただし、Ωeff=γeＢy／Ｑ, γeff＝（ＲSD+ＲP）／Ｑ、Ｐ＝Ｒp/Ｑ、γe＝ｇμB／ｈである。なお、Ｑはスローフダウンファクター、ｈはプランク定数、ｇ（＝２．００２３）はｇ因子、Ｒpは光ポンピングレート、ＲSDはスピン緩和レート、μBはボーア磁子である。
【００５２】
Ｂyが静磁場の場合、（１）式の定常解はdm/dt=0より、
（ｍx，ｍy，ｍz）＝（ＰΩeff／（Ωeff2＋γeff2），0，−Ｐγeff ／（Ωeff2＋γeff2））・・・・・・（２）
となる。
【００５３】
このとき、ｘ軸方向に伝搬する直線偏光光であるプローブ光に関して、その偏光方向の磁場による偏光回転角φは、ｘ軸方向に対して右ネジの回転方向を正として、
φ （＝πＬ（ n+−n-）／λ）＝２πＬｍx（ｎ0−１）／λ・・・・・・（３）
となる。ここで、Ｌは伝搬距離、λは波長、n+、n-はそれぞれ、右回り円偏光に対する屈折率と左回り円偏光に対する屈折率である。n0はスピン分極がない場合の媒体の屈折率である。
【００５４】
よって、（２）（３）式より、静磁場による偏光回転角は、磁場Byが弱く、Ωeff<<γeffと近似できるとき、
φ＝αAＢy・・・・・・（４）
αA ＝２πＬ（n0−１）Ｐγe／（λＱγeff2）・・・・・・（５）
となる。それゆえ、偏光回転角φの回転方向はｍx（＝ＰΩ／γeff2）の符号に依存し、最終的には、ＰＢyの符号に依存することがわかる。ここで、Ｐ=Ｒp／Ｑの符号は、ｚ軸方向の右回り円偏光では正、ｚ軸方向の左回り円偏光では負となり、−ｚ軸方向の右回り円偏光では負、−ｚ軸方向の左回り円偏光では正となる。
【００５５】
また、実施例１は、互いに偏光透過軸方向が直交する偏光板１３、１４の間でファラデーモジュレータ１５により、微小な振動角φF（＝ΔφF0exp［−ｉωFｔ］）を与える。そして、暗状態となる振動角φFから偏光板間でのアルカリ金属蒸気セルによる偏光回転角を測定する。ただし、ωFはファラデーモジュレータの角振動数である。いま、プローブ光２を偏光板１３により直線偏光とした後の初期偏光回転角が、半波長板２３の結晶軸に対してφ0（＝０）とすると、セル４ａでφ1（＝αAＢy1）回転する。そのために、セル４ａ通過後の偏光回転角は、φF+φ0+φ1となる。
【００５６】
そして、半波長板２３は位相をπ（ｒａｄ）シフトさせるため、半波長板２３通過後は半波長板２３の結晶軸に対して、偏光回転角の符号が逆転し、その結果、−（φF+φ0+φ1）なる偏光回転角となる。さらに、セル４ｂでφ2（＝αAＢy2）回転するため、セル４ｂ通過後の偏光回転角は、−（φF+φ0+φ1−φ2）となる。それゆえ、暗状態となる振動角φFから偏光板間でのアルカリ金属蒸気セルによる偏光回転角（−φ0−φ1＋φ2）を測定するものである。ここで、φ0＝０であれば、偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定できる。また、φ0＝０ではないときでもφ0＝一定なので、偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定できる。
【００５７】
ここで、φ1とφ2の値を別々に偏光回転計（ポラリメータ）で測定して、勾配計を構成する従来型原子磁気センサについて考える。
【００５８】
いま、ポラリメータとして、実施例１と同様な、一対の偏光板とファラデーモジュレータとフォトセンサからなるクロスニコル型ポラリメータを考えると、従来型原子磁気センサ勾配計では、２つのポラリメータが必要となる。
【００５９】
ポラリメータは、一般に偏光回転角φに対して信号Ｖ（＝βφ）を与える装置であり、この信号Ｖに対して測定磁場ＢyがＢy＝ｑＶ（＝ｑβφ）として求まる。ただし、ｑ、βは比例定数である。
【００６０】
特に、βはポラリメータやポラリメータを構成するフォトセンサの特性に依存する比例定数である。ここで、２つのポラリメータの比例定数をβ1、β2、信号をＶ1、Ｖ2とし、フォトセンサなどに由来する信号ノイズをδＶ1、δＶ2（〜δＶ1 〜δＶ）とすると、Ｖ1＝β1φ1＋δＶ1、Ｖ2＝β2φ2＋δＶ2となる。なお、「〜δＶ1 〜δＶ」とは、δＶ1やδＶ2とオーダーが同じという意味である。それゆえ、第一及び第二の測定位置における磁場強度の差ΔＢy21（＝Ｂy2−Ｂy1）は、
ΔＢy21＝（ｑβ2φ2−ｑβ1φ1）＋ｑ（δＶ2−δＶ1）・・・・・・・・（６）
となる。ここで、（６）式第２項はδＶ2とδＶ1で位相が異なるため、ｑ（δＶ2−δＶ1）〜ｑδＶとなる。
【００６１】
また、（６）式第１項より、φ1とφ2の差が極めて近い場合には、β1、β2が理想的に等しくならない限り、第一及び第二の測定位置における磁場強度の差ΔＢy21（＝Ｂy2−Ｂy1）は厳密に正確な測定はできないことがわかる。
【００６２】
一方、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定する本発明では、ポラリメータを一つだけ用いるため、
ΔＢy21＝ｑβ（φ2−φ1）＋ｑδＶ・・・（７）
から、（φ2−φ1）の差が小さい場合にも、磁場強度差を精度よく測定できることがわかる。
【００６３】
また、実施例１では、クロスニコル型ポラリメータを用いた例を示したが、バランス型ポラリメータを用いることもできる。
【００６４】
ここで、本発明によれば、クロスニコル型ポラリメータの場合は、フォトセンサの数を２個から１個に減らすことができ、バランス型ポラリメータの場合には、４個から２個へ減らすことができる。また、本実施例１では、アルカリ金属として、カリウムを用いたが、ルビジウム、セシウムなども同様に用いることができる。また、本発明は、アルカリ金属ガスまたは希ガスを用いた一般の原子磁気センサにも適用できる。
【００６５】
また、上では磁場が弱い場合について述べたが、磁場が強い場合にも同様に適用できることがわかる。
【００６６】
さらに、以上では、静磁場測定または、静磁場と見なせる程周波数が低い場合について述べたが、振動磁場測定に対しても本発明は同様な効果がある。
【００６７】
以下に、振動磁場測定について説明する。Ｂyが角周波数ωの振動磁場の場合、Ｂy＝Ｂy0ｅ-iωtとして、（１）式に対する強制振動解を求め、ｚ方向に印加する共鳴用バイアス磁場Ｂz0による角周波数をω0とし、ｍxの実部をＳと定義すると、
Ｓ =γeff ｍzγeＢy0 cos（ωｔ）／（Ｑ（（ω−ω0）2＋γeff2 ））））・・（８）
となる。
【００６８】
このとき、ｘ方向に伝搬する直線偏光であるプローブ光の偏光方向の磁場による偏光回転角φはｘ方向に対して右ネジの方向を正として、
φ＝０．５ＬｒeｃｆD1ｎＳ［−DD1（ν）＋DD2（ν）］・・・・（９）
と表わせる。ここで、νはプローブ光の振動数、ｎは原子数密度、ｃは光の速度、ｒe（＝2.82×10-15ｍ）は古典電子半径である。
【００６９】
また、ここでは、アルカリ金属蒸気としてＫ原子を用い、ｆD1＝１／３、［−DD1（ω）＋DD2（ω）］項はカリウムのＤ１、Ｄ２線に対する波長分散を考慮した分散関係を示す。よって、（８）（９）式より、振動磁場に対する偏光回転角は
φ  =αB By0・・・・（１０）
αB=０．５ＬｒeｃｆD1ｎ［−DD1（ω）＋DD2（ω）］γeff ｍzγeＢy0 cos（ωｔ）／（Ｑ（（ω−ω0）2＋γeff2））・・・・（１１）
となる。
【００７０】
それゆえ、φの回転方向はｍzＢy0cos（ωｔ）の符号に依存することがわかる。ここで、ｍzの符号はｚ方向の右回り円偏光では正、ｚ方向の左回り円偏光では負、−ｚ方向の右回り円偏光では負、−ｚ方向の左回り円偏光では正となる。また、周期Ｔ＝２π/ωに比べて、光が光速ｃでセル４ａ、４ｂを通過する時間は無視できるため、cos（ωｔ）はセル４ａ、４ｂ通過時に同じ値と考えられる。
【００７１】
よって、セル４ａ，４ｂと半波長板２３通過後の偏光角は
Δφ＝φ2−φ1＝αB（Ｂy02−Ｂy01）・・・・（１２）
となる。ただし、Ｂy1＝Ｂy01e-iωtとして、Ｂy2=Ｂy02e-iωtとした。
【００７２】
よって、振動磁場測定の場合にも、磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定することにより、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な原子磁気センサを提供できることがわかる。
【００７３】
（実施例２）
図３は、本発明の実施例２の特徴を示す図である。
【００７４】
同図において、１は円偏光レーザー光、２はプローブ用レーザー光、３はアルカリ金属蒸気または希ガスをスピンの歳差運動として模式的に示したものであり、４は該アルカリ金属蒸気または希ガスを封入したセルである。
【００７５】
６ａ、６ｂは静磁場キャンセル用またはバイアス磁場印加用の３軸順ヘルムホルツコイルを模式的に示したものである。また、１１は第一の測定位置、１２は第二の測定位置、１３と１４は互いにクロスニコルの位置にある偏光板である。１５はファラデーモジュレータ、１６は光検出器、９はアルカリ金属セル４の温度を一定に保持する恒温槽である。また、２０は偏光保持光路折り返し手段であるところの偏光保持ファイバーである。
【００７６】
実施例２では、特に、円偏光レーザ光１とプローブ光２を備えたアルカリ金属蒸気を用いた原子磁気センサにおいて、以下の特徴を有する場合について説明する。
【００７７】
すなわち、アルカリ金属蒸気を封入したセル４と、当該アルカリ金属蒸気を励起する円偏光レーザ光１と、該円偏光光に対して垂直に照射されるプローブ光２と偏光保持光路折り返し手段２０を有する。そして、前記プローブ光を前記セル内の第一の測定位置１１を通過後、光路折り返し手段２０を用いて前記プローブ光の光路を折り返させて前記セル内の第二の測定位置１２を通過させる。これによって、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定する。こうすることにより、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な原子磁気センサを提供するものである。
【００７８】
実施例１では半波長板を用いて、φ1の符号の反転操作を行ったが、実施例２では偏光保持光路折り返し手段２０を使って, φ1の符号の反転操作を行うことにより、偏光回転角の差の演算処理を行うものである。
【００７９】
いま、プローブ光２を偏光板１３により直線偏光とした後の初期偏光回転角をｘ軸に対する右ネジの方向を正としてφ0（＝０）とする。セル４内の第一の測定位置１１を通過することによりφ1（＝αAＢy1）回転するため、偏光回転角はφF＋φ0＋φ1となる。ここで、φFは実施例１においても説明したように、偏光板１３、１４の間でファラデーモジュレータ１５により与えられる、微小な振動角φF（＝ΔφF0exp［−ｉωFｔ］）のことである。
【００８０】
セル４を通過したプローブ光は、その後、偏光保持光路折り返し手段２０を使って、−ｘ方向に折り返すと、ｙ軸に対して対称な偏光方向となるため、偏光回転角の符号が逆転し、−（φF＋φ0＋φ1）なる偏光回転角となる。
【００８１】
更に、折り返すプローブ光については、プローブ光の進行方向（−ｘ）方向に対して、ポンプ光がｚ軸方向へ照射されるため、偏光回転角の回転方向が進行方向（−ｘ）に対しては逆転する。しかし、ｘ軸方向に対してはやはり右ネジの方向に回転するため、第２の測定位置１２を通過することにより、+φ2（＝αAＢy2）回転する。
【００８２】
従って、第２の測定位置１２通過後には、−（φF+φ0+φ1−φ2）なる偏光回転角となる。つまり、実施例１と同様に、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な磁気センサを提供できる。
【００８３】
また、図３では、偏光保持光路折り返し手段２０として、偏光保持ファイバーを用いたが、図４に示すように、２つのミラー１７，１８と位相調整板１９とにより構成した偏光保持光路折り返し手段２０ｂを用いることもできる。
【００８４】
ここで、１９は主にミラー１７、１８の誘電損に由来する反射による楕円偏光を直線偏光に修正するためのものであるが、１７、１８のミラーが偏光反射特性に関して良好とみなせる場合には、位相調整板１９は省略することもできる。また、ミラーの反射特性によって一定値と見なせる微小な偏光回転角φMが付加されることもあるが、一定値であるため特に問題とはならない。また、ミラー１７、１８として特に多層膜反射ミラーを用いれば、楕円偏光が抑制され偏光方向が前述した偏光保持ファイバーと同様に折り返しによって反転するように設計することができる。
【００８５】
（実施例３）
図５は、本発明の実施例３を説明する図である。
【００８６】
実施例３では、ポンプ光とプローブ光を備えたアルカリ金属蒸気を用いた原子磁気センサにおいて、以下の構成を有することが特徴である。
【００８７】
アルカリ金属蒸気３と該アルカリ金属蒸気３を封入したセル４と、前記アルカリ原子蒸気３の電子スピンを、異なる位置で偏極するための第一及び第二のポンプ光１ａ、１ｃと、該第一及び第二ポンプ光１ａ、１ｃに対して垂直に照射されるプローブ光２を有する。該第一及び第二ポンプ光１ａ、１ｃを互いに逆向きに照射し、該プローブ光２を第一ポンプ光１ａによる第一の測定位置１１を通過後、第二ポンプ光１ｃによる第二の測定位置１２を通過させる。これによって、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な磁気センサを提供する。
【００８８】
より具体的には、図４に示したように、第一の測定位置１１については右円偏光の第一のポンプ光をｚ方向に入射し、第二の測定位置１２については右円偏光の第二のポンプ光を−ｚ向に入射させ、直線偏光させたプローブ光をｘ軸方向に照射させる。
【００８９】
ここで、実施例１で説明したように、円偏光ポンプ光の照射方向を逆にすると、磁場に対する偏光回角の回転方向が反転する。そこで、逆向きのポンプ光によって励起された測定位置１１、１２にプローブ光２を通過させることにより、偏光回転角の差演算を行うことができる。
【００９０】
いま、プローブ光２を偏光板１３により直線偏光とした後の初期偏光回転角をｘ軸に対する右ネジの方向を正としてφ0とすると、セル４内の第一の測定位置１１の通過によりφ1（＝αAＢy1）回転するため、偏光回転角はφF+φ0+φ1となる。
【００９１】
また、ポンプ光方向が異なるセル４内の第二の測定位置１２を通過することにより、−φ2（＝−αAＢy2）回転する。それゆえ、第２の測定位置１２を通過後には、偏光回転角は、（φF＋φ0＋φ1−φ2）となる。実施例１と同様に、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な磁気センサを提供できる効果がある。
【００９２】
また、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは、バイアス磁化を印加して、振動磁場の共鳴測定を行うための順方向ヘルムホルツコイルであり、差演算を行う共鳴測定を可能とするものである。なお、図５において付されている番号の内、図１から３と同一の番号は、同様の機能を有するものである。
【００９３】
（実施例４）
図６は、本発明の実施例４を説明する図である。
【００９４】
実施例４は、特に、ポンプ光とプローブ光を備えたアルカリ金属蒸気を用いた原子磁気センサにおいて、アルカリ金属蒸気３とアルカリ金属蒸気３を封入したセル４と、前記アルカリ金属蒸気３を異なる位置で偏極する第一及び第二のポンプ光１ａ、１ｄを有する。更に、該第一及び第二ポンプ光１ａ、１ｄに対して垂直に照射されるプローブ光２を有する。該第一及び第二ポンプ光の持つ円偏光の回転方向を互い逆向きにし、該プローブ光２を第一ポンプ光１ａによる第一の測定位置１１の通過後に、第二ポンプ光１ｂによる第二の測定位置１２を通過させる。これによって、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度磁気センサを提供する。
【００９５】
より具体的には、図６に示したように、第一の測定位置１１については右円偏光の第一のポンプ光をｚ方向に入射し、第二の測定１２については左円偏光の第二のポンプ光をｚ方向に入射させ、直線偏光させたプローブ光をｘ軸方向に照射する。ここで、実施例１で説明したように、円偏光ポンプ光の円偏光の回転方向を逆にすると、磁場に対する偏光回転角の回転方向が反転する。そこで、逆向きの円偏光回転方向のポンプ光によって励起された測定位置１１、１２にプローブ光２を通過させることにより、偏光回転角の差演算を行うことができる。
【００９６】
いま、プローブ光２を偏光板１３により直線偏光とした後の初期偏光回転角をｘ軸に対する右ネジの方向を正としてφ0とすると、セル４内の第一の測定位置１１通過によりφ1（＝αAＢy1）回転するため、偏光回転角はφF＋φ0＋φ1となる。
【００９７】
また、ポンプ光の円偏光回転方向が異なるセル４内の第二の測定位置１２を通過することにより、−φ2（＝−αAＢy2）回転する。
【００９８】
それゆえ、第２の測定位置１２を通過後の偏光回転角は、（φF＋φ0＋φ1−φ2）となる。実施例１、実施例３と同様に、第一及び第二の測定位置１１、１２における磁場強度の差（Ｂy2−Ｂy1）を偏光回転角の差（φ2−φ1）として直接測定し、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度な磁気センサを提供できる。
【００９９】
また、図６ではヘルムホルツコイルを２組用いたが、図７に示すように１組のヘルムホルツコイル６ａ、６ｂで代用してもよい。なお、図６や７において付されている番号の内、図２から４と同一の番号は、同様の機能を有するものである。
（実施例５）
図８は、本発明の実施例５を説明する図である。
【０１００】
実施例５は、特に、プローブ光を備えたアルカリ金属ガスまたは希ガスを用いた原子磁気センサにおいて、アルカリ金属蒸気または希ガスを封入したセルと複数の測定位置７６ａ〜７６ｄと、該複数の測定位置７６ａ〜７６ｄを通過するプローブ光２を有する。そして、複数の測定位置７６ａ〜７６ｄにおける磁場強度の高次勾配量を、前記プローブ光の偏光回転角の光演算量として直接測定することにより、フォトセンサ間の差異によるノイズ混入を抑制した高感度なセンサを提供する。
【０１０１】
具体的には、図８に示すように、測定位置７６ａ、７６ｄに対しては、右円偏光のポンプ光をｚ方向に照射し、測定位置７６ｂ、７６ｃについては左円偏光のポンプ光をｚ方向に入射させる。そして、７６ａ〜７６ｄを通過する直線偏光させたプローブ光をｘ軸方向に照射する。
【０１０２】
ここで、実施例１で説明したように、円偏光ポンプ光の円偏光の回転方向を逆にすると、磁場に対する偏光回転角の回転方向が反転する。そこで、順次、右円偏向・左円偏向・左円偏向・右円偏向のポンプ光によって励起された測定位置７６ａ〜７６ｄにプローブ光２を通過させる。これによって、偏光回転角の光演算量（φ4−φ3−φ2＋φ1）として複数の測定位置における磁場強度の高次勾配量（Ｂy4−Ｂy3−Ｂy2＋By1）／（ｄｘ）2を直接測定できる。
【０１０３】
ただし、φ4、φ3、φ2、φ1はＢy4、Ｂy3、Ｂy2、Ｂy1の磁場に対応したプローブ光の偏向回転角であり、ｄｘは測定位置間の距離を示す。ここで、（Ｂy4−Ｂy3−Ｂy2＋Ｂy1）／（ｄｘ）2＝（（Ｂy4−Ｂy3）／ｄｘ−（Ｂy2−Ｂy1）／ｄｘ））／ｄｘであり、測定位置での２次勾配量である。
【０１０４】
このようなｎ次勾配計を形成すると、（ｎ−１）次のノイズ勾配を除去でき、生体情報等の測定に好ましいセンサを少ない光検出装置で構成できる。
【０１０５】
（実施例６）
図９は、本発明の実施例６を説明する図である。
【０１０６】
実施例６は、３個の測定位置８６ａ、８６ｂ、８６ｃで２次勾配計を構成することを除いて、実施例５と同様である。
【０１０７】
より具体的には、実施例６では、図９に示したように、測定位置８６ａ、８６ｃについては、右円偏光のポンプ光をｚ方向に幅ｗ（＜２ｄｘ）照射し、測定位置８６ｂについては左円偏光のポンプ光をｚ方向に幅２ｗ（＜２ｄｘ）で入射する。そして、８６ａから８６ｃを通過する直線偏光させたプローブ光をｘ軸方向に照射させる。
【０１０８】
ここで、実施例１で説明したように、円偏光ポンプ光の円偏光の回転方向を逆にすると、磁場に対する偏光回転角の回転方向が反転する。そこで、順次、右円偏向・左円偏向・右円偏向のポンプ光によって励起された測定位置８６ａから８６ｃにプローブ光２を通過させる。これによって、偏光回転角の光演算量（φ3−２φ2＋φ1）として複数の測定位置における磁場強度の高次勾配量（Ｂy3−２Ｂy2＋Ｂy1）／（ｄｘ）2を直接測定できる。ただし、φ3、φ2、φ1はＢy3、Ｂy2、Ｂy1の磁場に対応したプローブ光の偏向回転角であり、ｄｘは測定位置間の距離を示す。ここで、（Ｂy3−２Ｂy2＋Ｂy1）／（ｄｘ）2＝（（Ｂy3−Ｂy2）／ｄｘ−（Ｂy2−Ｂy1）／ｄｘ））／ｄｘであり、測定位置での２次勾配量である。
【０１０９】
（実施例７）
図１０は、本発明の実施例７を説明する図である。
【０１１０】
実施例７は、特に、互いに９０度異なる偏光角を有する偏光素子９３ａ、９３ｂを基板上にアレイ状に複数配置した素子９９を用いて、微細な右円偏光、左円偏光アレイを形成し光演算させることにより光勾配計を形成するものである。本構成により、独立した偏光素子を偏光板ホルダーに保持し独立に配置する場合に比べて、装置を簡略化しコンパクト化できる。また、MEMS（微小電気機械システム）技術等を用いて、微細化するに適する。
【０１１１】
ここで、素子９９は、具体的には、フィルム状の偏光調整用の偏光素子９２と、互いに９０度異なる偏向角を有するフィルム状の偏光素子９３ａ、９３ｂと、フィルム状の１／４波長板９４を一対のガラス基板９１、９５に挟持した素子である。斯かる構成により、微細な右円偏光、左円偏光アレイを形成できる。より具体的には、偏光素子９２の偏向方向はｙ軸方向であり、９３ａの偏光方向はｙ軸よりｚ軸方向に向かって右ねじの方向を正として＋４５度、９３ｂの偏光方向は−４５度とした。ここで、偏光素子９２はポンプ光レーザー光９７の偏光状態によらず、偏光素子９３ａ、９３ｂと１／４波長板９４の通過によって形成される右円偏光と左円偏光の光強度を等しくする機能を有し、装置のコンパクト化に有効である。
【０１１２】
また、９６は円光向の幅や大きさを決定する微細なアパーチャであり、光演算の重みづけに重要な機能を果たす効果がある。また、ポンプ光、プローブ光の波長はロックされている。また、図１１は、特に、互いに９０度異なる偏光角を有する偏光素子９３ａから９３ｃを基板上にアレイ状に複数配置して高次勾配計を構成したものである。斯かる構成によって、近接した位置に回転方向の異なる複数の円偏光を配置することができ、接近した位置での勾配情報を検出できる効果がある。  (実施例８)
図１２は、実施例８を説明する図である。
【０１１３】
実施例１では、プローブ光とポンプ光を用いた原子磁気センサ（特に、SERF型）の場合について説明したが、実施例８はプローブ光だけを用いた原子磁気センサの場合を示す。
【０１１４】
すなわち、実施例８は、原子磁気センサがプローブ光だけで動作すること、およびプローブ光と測定磁場の方向が平行であることを除いて実施例１と同様であり、半波長板２３の働きにより、２つの測定位置における磁場の差を偏光回転角の差として検知できる。ただし、検知する磁場の差はｘ方向の磁場の差（Bx2−Bx1）である。また、プローブ光と磁場方向が平行であり、ポンプ光が不要な原子磁気センサは、例えば、Phys. Rev. A 47, 1220 - 1226 (1993)等で詳しく説明されている。
【０１１５】
すなわち、本発明は、プローブ光とポンプ光を有する原子磁気センサに限定されないことがわかる。また、Phys.Rev.A 73,053404(2006)等に記載されている、FM−NMOR型の原子磁気センサ等にも適用できる。
【０１１６】
(実施例９)
図１３は実施例９の特徴を示す図である。
【０１１７】
実施例９は、偏光回転角φ1、φ2を与える媒質がアルカリ金属蒸気や希ガスではなく、例えば、ガラスなどの、狭義の線形ファラデー効果を引き起こす媒質であることを除いて、実施例１、実施例８と同様である。実施例９では、半波長板２３の働きにより、２つの測定位置における磁場の差を偏光回転角の差として検知できる。
【０１１８】
すなわち、本発明は原子磁気センサに限定されるものではなく、磁場強度をプローブ光の偏光回転角の大きさとして測定する任意の磁気センサに用いることができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
以上説明した本発明は、脳磁場などの微小な磁場情報の測定や、ＭＲＩ装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明に係る磁気センシング方法を説明するための工程図である。
【図２】実施例１の説明図である。
【図３】実施例２の説明図である。
【図４】実施例２の補足説明図である。
【図５】実施例３の説明図である。
【図６】実施例４の説明図である。
【図７】実施例４の追加説明図である。
【図８】実施例５の説明図である。
【図９】実施例６の説明図である。
【図１０】実施例７の説明図である。
【図１１】実施例７の追加説明図である。
【図１２】実施例８の説明図である。
【図１３】実施例９の説明図である。
【符号の説明】
【０１２１】
1,1a,1b,1c,1d  円偏光励起光
2  プローブ光
3  アルカリ金属原子の電子スピンまたはアルカリ金属蒸気
4  ガラスセル
6a,6b,6c,6d  ヘルムホルツコイル
9  恒温槽
11,12  第一及び第二の測定位置
13,14  偏光板
15  ファラデーモジュレータ
16  フォトセンサ
17,18  ミラー
19  位相調整板
20,20a  偏光保持光路反転手段
23  半波長板
【図１】
0005178187.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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