(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第１の方向と直交する第２の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドにおいて、
前記第１及び第２の方向に沿って切断された矩形状の切断部と、
前記切断部に嵌め込まれた微小グリッドとを有し、
前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に隙間が生じており、該隙間に放射線吸収材が充填されていることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。
【請求項２】
前記放射線吸収材は、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｎ−Ｂｉ−Ｃｄのうちのいずれか１つの低融点金属、またはＡｇペーストであることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影用グリッド。
【請求項３】
前記放射線吸収材は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちのいずれか１つまたは複数のＸ線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影用グリッド。
【請求項４】
前記放射線吸収部及び放射線透過部と前記微小グリッドとを支持する支持基板を備えることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の放射線画像撮影用グリッド。
【請求項５】
第１の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第１の方向と直交する第２の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドから欠陥部を検出する第１工程と、
前記欠陥部を内包するように前記第１及び第２の方向に沿った矩形状の切断領域を設定する第２工程と、
前記切断領域を切断して切断部を形成する第３工程と、
前記切断部より小さい微小グリッドを用意し、該微小グリッドを切断部の隣接する２辺に当接させて位置決めを行なう第４工程と、
前記微小グリッドを固定する第５工程と、
を有することを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
【請求項６】
前記第５工程は、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に生じた隙間に、放射線吸収材を充填することによりなされることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
【請求項７】
前記放射線吸収材は、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｎ−Ｂｉ−Ｃｄのうちのいずれか１つの低融点金属、またはＡｇペーストであることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
【請求項８】
前記放射線吸収材は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちのいずれか１つまたは複数のＸ線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
【請求項９】
放射線源から放射された放射線を通過させて第１の周期パターン像を生成する第１のグリッドと、前記第１の周期パターン像を部分的に遮蔽して第２の周期パターン像を生成する第２のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、
前記第１及び第２のグリッドの少なくとも一方に、請求項１から４いずれか１項に記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする放射線画像撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線を用いた放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに、放射線画像撮影システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線、例えばＸ線は、物体に入射したとき、相互作用により強度及び位相が変化する。物体でのＸ線の位相変化（角度変化）は、強度変化よりも大きいことが知られている。このＸ線の性質を利用し、被検体によるＸ線の位相変化に基づいて、Ｘ線吸収能が低い被検体から高コントラストの画像（以下、位相コントラスト画像と称する）を得るＸ線位相イメージングの研究が盛んに行われている。
【０００３】
Ｘ線位相イメージングの一種として、透過型の回折格子（グリッド）によるタルボ干渉効果を用いたＸ線画像撮影システムが知られている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。このＸ線画像撮影システムは、Ｘ線源から見て、被検体の背後に第１のグリッドを配置し、第１のグリッドからタルボ距離だけ下流に第２のグリッドを配置する。第２のグリッドの背後には、Ｘ線を検出して画像を生成するＸ線画像検出器が配置されている。第１及び第２のグリッドは、一方向に延伸されたＸ線吸収部及びＸ線透過部を、該延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配列したものである。タルボ距離とは、第１のグリッドを通過したＸ線が、タルボ干渉効果によって第１のグリッドの自己像を形成する距離である。タルボ干渉効果によって形成された自己像は、被検体とＸ線との相互作用により変調を受ける。
【０００４】
上記Ｘ線画像撮影システムでは、第１のグリッドの自己像と第２のグリッドとの重ね合わせ（強度変調）により生じる縞画像を、縞走査法により複数枚検出し、被検体による縞画像の変化から被検体によるＸ線の位相変化を検出する。この縞走査法では、第１のグリッドに対して第２のグリッドを、格子方向にほぼ垂直な方向に所定ピッチずつ並進移動させ、並進移動を行なうたびにＸ線画像検出器で撮影を行う。並進移動に対する各画素値の強度変化から、被検体で屈折したＸ線の角度分布が取得され、この角度分布に基づいて被検体の位相コントラスト画像が得られる。この縞走査法は、レーザ光を用いた撮影装置にも適用されている（例えば、非特許文献２参照）。
【０００５】
第１及び第２のグリッドは、Ｘ線吸収部及びＸ線透過部の配列ピッチが数μｍと微細であるため、微小な製造ムラやゴミの付着等により、局所変化（格子欠陥）が生じ易いといった問題がある（例えば、特許文献２参照）。ただし、特許文献２には、格子欠陥が生じた場合に、この欠陥部を修復することについては記載されていない。
【０００６】
一方、放射線画像撮影用グリッドではないが、ホログラムカラーフィルター等のホログラムにおいて、欠陥部が生じた場合に、欠陥部に回折格子を貼り付けることにより欠陥部の修復を行なうことが知られている（特許文献３参照）。特許文献３に記載された欠陥修復方法は、グリッドが予め複数の小単位に区分されていることを前提とし、欠陥部が生じた小単位に、該小単位と同一の大きさを有する回折格子を貼りつけて欠陥修復を行なうものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４４４５３９７号公報
【特許文献２】特開２００９−１５０８７５号公報
【特許文献３】特開平９−２８１４４２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】C. David, et al., Applied Physics Letters, Vol.81, No.17, 2002年10月，3287頁
【非特許文献２】Hector Canabal, et al., Applied Optics, Vol.37, No.26, 1998年9月，6227頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
放射線画像撮影用グリッドに欠陥部が生じた場合に、これを破棄することは、生産性を低下させ、高コスト化の原因となるため、可能な限り欠陥部を修復して使用することが望まれている。しかしながら、特許文献３に記載された欠陥修復方法は、グリッドが予め複数の小単位に区分されていることを前提としており、この小単位毎に欠陥修復を行なうものであるため、この欠陥修復方法を放射線画像撮影用グリッドの欠陥修復に適用したとしても、欠陥部の形状、大きさや位置に適切に対応した欠陥修復を行なうことができないといった問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、欠陥部を効率よく修復することを可能とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法、及び放射線画像撮影用グリッド、並びに、放射線画像撮影システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の放射線画像撮影用グリッドは、第１の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第１の方向と直交する第２の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドにおいて、前記第１及び第２の方向に沿って切断された矩形状の切断部と、前記切断部に嵌め込まれた微小グリッドとを有し、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に隙間が生じており、該隙間に放射線吸収材が充填されていることを特徴とする。
【００１２】
なお、前記放射線吸収材は、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｎ−Ｂｉ−Ｃｄのうちのいずれか１つの低融点金属、またはＡｇペーストであることが好ましい。また、前記放射線吸収材は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちのいずれか１つまたは複数のＸ線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であってもよい。
【００１３】
また、前記放射線吸収部及び放射線透過部と前記微小グリッドとを支持する支持基板を備えることが好ましい。
【００１４】
本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法は、第１の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第１の方向と直交する第２の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドから欠陥部を検出する第１工程と、前記欠陥部を内包するように前記第１及び第２の方向に沿った矩形状の切断領域を設定する第２工程と、前記切断領域を切断して切断部を形成する第３工程と、前記切断部より小さい微小グリッドを用意し、該微小グリッドを切断部の隣接する２辺に当接させて位置決めを行なう第４工程と、前記微小グリッドを固定する第５工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
前記第５工程は、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に生じた隙間に、放射線吸収材を充填することによりなされることが好ましい。前記放射線吸収材は、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｎ−Ｂｉ−Ｃｄのうちのいずれか１つの低融点金属、またはＡｇペーストであることが好ましい。また、前記放射線吸収材は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちのいずれか１つまたは複数のＸ線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であってもよい。
【００１６】
本発明の放射線画像撮影システムは、放射線源から放射された放射線を通過させて第１の周期パターン像を生成する第１のグリッドと、前記第１の周期パターン像を部分的に遮蔽して第２の周期パターン像を生成する第２のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、前記第１及び第２のグリッドの少なくとも一方に、上記いずれかの放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、欠陥部を内包するように矩形状の切断領域を設定し、切断領域を切断して切断部を形成し、切断部より小さい微小グリッドを用意し、微小グリッドを切断部の隣接する２辺に当接させて位置決めを行なって微小グリッドを固定するので、欠陥部を効率よく修復することができる。また、放射線画像撮影用グリッドを位置決めする際に、微小グリッドを位置決め用のマーカとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態のＸ線画像撮影システムの構成を示す模式図である。
【図２】第２のグリッドの構成を示す平面図である。
【図３】第２のグリッドの構成を示す断面図である。
【図４】第２のグリッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】欠陥部の修復方法を示す平面図である。
【図６】欠陥部の修復方法を示す平面図である。
【図７】位置合わせに用いられるルーラを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１において、Ｘ線画像撮影システム１０は、Ｘ線源１１、第１のグリッド１３、第２のグリッド１４、及びＸ線画像検出器１５を備えている。Ｘ線源１１は、例えば、回転陽極型のＸ線管と、Ｘ線の照射野を制限するコリメータとを有し、被検体Ｈに向けてＸ線を放射する。第１のグリッド１３及び第２のグリッド１４は、Ｘ線を吸収する吸収型グリッドであり、Ｘ線照射方向であるｚ方向においてＸ線源１１に対向配置されている。Ｘ線源１１と第１のグリッド１３との間には、被検体Ｈが配置可能な間隔が設けられている。Ｘ線画像検出器１５は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）であり、第２のグリッド１４の背後に配置されている。
【００２０】
第１のグリッド１３は、ｚ方向に直交する面内の一方向であるｙ方向に延伸された複数のＸ線吸収部１３ａ及びＸ線透過部１３ｂを備えている。Ｘ線吸収部１３ａ及びＸ線透過部１３ｂは、ｚ方向及びｙ方向に直交するｘ方向に沿って交互に配列されている。第２のグリッド１４は、第１のグリッド１３と同様にｙ方向に延伸され、かつｘ方向に沿って交互に配列された複数のＸ線吸収部１４ａ及びＸ線透過部１４ｂを備えている。
【００２１】
以下、第２のグリッド１４を例にして、グリッドの構成を説明する。なお、第１のグリッド１３は、Ｘ線吸収部１３ａのｘ方向の幅及びピッチと、ｚ方向の厚さ等が異なる以外は第２のグリッド１４とほぼ同様の構成である。そのため、第１のグリッド１３についての詳しい説明は省略する。
【００２２】
図２は、第２のグリッド１４をＸ線源１１の側から見た平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を表している。第２のグリッド１４は、Ｘ線吸収部１４ａ及びＸ線透過部１４ｂにより構成されたグリッド層２０と、グリッド層２０を支持する支持基板２１とを備える。Ｘ線吸収部１４ａは、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のＸ線吸収性を有する金属により形成されている。Ｘ線透過部１４ｂは、Ｘ線透過性を有するシリコンや樹脂材等により形成されている。
【００２３】
第２のグリッド１４には、グリッド層２０がｘ方向及びｙ方向に沿って切断されてなる矩形状の切断部３０が形成されている。この切断部３０は、グリッド層２０に生じた欠陥部を除去するために形成されたものである。切断部３０のｙ方向に沿った２辺は、Ｘ線透過部１４ｂに位置している。切断部３０には、切断部３０よりやや小さい面積を有する矩形状の微小グリッド３１が嵌め込まれている。
【００２４】
微小グリッド３１は、切断部３０の隣接する２辺に当接されており、非当接側の隙間には、Ｘ線吸収材３２が充填されている。Ｘ線吸収材３２は、Ｓｎ−Ｐｂ等のＸ線吸収性を有する低融点金属である。Ｘ線吸収材３２は、微小グリッド３１をグリッド層２０に接着する機能も有している。切断部３０の周囲と微小グリッド３１との間に隙間が生じたままでは、該隙間でＸ線が散乱し、画像を劣化させてしまう恐れがある。Ｘ線吸収材３２は、該隙間での散乱Ｘ線の発生を防止する役目を果たしている。
【００２５】
微小グリッド３１は、グリッド層２０と同様に、一方向に延伸するとともに、該一方向と直交する方向に交互に配置されたＸ線吸収部３１ａ及びＸ線透過部３１ｂにより構成されている。Ｘ線吸収部３１ａは、金や白金等のＸ線吸収性を有する金属により形成されている。Ｘ線透過部３１ｂは、Ｘ線透過性を有するシリコンや樹脂材等により形成されている。Ｘ線吸収部３１ａ及びＸ線透過部３１ｂは、微小グリッド３１が切断部３０に嵌め込まれた状態において、ｘ方向に関する幅及び位置がグリッド層２０のＸ線吸収部１４ａ及びＸ線透過部１４ｂとそれぞれ一致するように形成されている。
【００２６】
Ｘ線吸収部１４ａのｘ方向への幅Ｗ２及び配列ピッチＰ２は、Ｘ線源１１と第１のグリッド１３との間の距離、第１のグリッド１３と第２のグリッド１４との間の距離、及び第１のグリッド１３のＸ線吸収部１３ａのピッチ等に応じて決定される。例えば、幅Ｗ２は、およそ２〜２０μｍであり、ピッチＰ２はその倍の４〜４０μｍ程度である。Ｘ線吸収部１４ａのｚ方向の厚みＴ２は、Ｘ線源１１から放射されるコーンビーム状のＸ線のケラレを考慮して、例えば１００μｍ程度とされている。本実施形態では、例えば、幅Ｗ２が２．５μｍ、ピッチＰ２が５μｍ、厚みＴ２が１００μｍとされている。
【００２７】
次に、Ｘ線画像撮影システム１０の作用について説明する。Ｘ線源１１から放射されたＸ線は、被検体Ｈを通過することにより位相が変化する。このＸ線が第１のグリッド１３を通過することにより、被検体Ｈの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Ｈの透過位相情報を反映した第１の周期パターン像が形成される。
【００２８】
第１の周期パターン像は、第２のグリッド１４により部分的に遮蔽されることにより強度変調され、第２の周期パターン像となる。本実施形態では縞走査法に従い、第１のグリッド１３に対し第２のグリッド１４を、Ｘ線焦点を中心としてグリッド面に沿ったｘ方向にグリッドピッチを等分割（例えば、５分割）した走査ピッチで並進移動させながら、並進移動を行なうたびにＸ線源１１から被検体ＨにＸ線を照射してＸ線画像検出器１５により第２の周期パターン像を撮影する。そして、Ｘ線画像検出器１５の各画素の強度変調信号（並進移動に対する画素値の強度変化を表す波形信号）の位相ズレ量を算出することにより位相微分像を取得する。位相微分像は、被検体で屈折したＸ線の角度分布に対応する。この位相微分像を上記の縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Ｈの位相コントラスト画像が得られる。
【００２９】
次に、図４〜図６を参照しながら、第２のグリッド１４の製造方法について説明する。なお、第１のグリッド１３は、第２のグリッド１４と同様に製造されるので、第１のグリッド１３の製造方法に関する説明は省略する。
【００３０】
図４（Ａ）において、支持基板２１の上にシリコン基板４０が接合される。支持基板２１は、アルミニウムやクロム等の導電性材料により形成されている。支持基板２１は、シリコン基板４０との熱膨張係数差が小さいものが好ましく、コバール、インバー等により形成されたものでもよい。支持基板２１とシリコン基板４０との接合には、熱と圧力をかけながら行う拡散接合や、高真空中で表面を活性化させて接合する常温接合等が用いられる。
【００３１】
図４（Ｂ）において、シリコン基板４０の上面に、レジスト層４１が形成される。レジスト層４１は、例えば、液状レジストをスピンコート等の塗布方法によってシリコン基板４０に塗布する工程と、塗布された液状レジストから有機溶剤を蒸発させるプリベーク等の工程とにより形成される。
【００３２】
図４（Ｃ）において、ピッチＰ２を有する縞模様の露光マスク４２を介して、紫外線等の光がレジスト層４１に照射される。そして、図４（Ｄ）において、現像処理によってレジスト層４１の露光部分が除去される。これにより、シリコン基板４０には、ｙ方向に延伸されかつｘ方向に沿って配列された複数のラインパターンを有する縞模様のエッチングマスク４３が形成される。なお、本実施形態では、レジスト層４１は、ポジ型レジストであるが、ネガ型レジストを用いてもよい。
【００３３】
図４（Ｅ）において、エッチングマスク４３を介したドライエッチングにより、シリコン基板４０に、ｙ方向に延伸されかつｘ方向に配列された複数の溝４４が形成される。このドライエッチングには、アスペクト比の高い溝４４の形成が可能な深堀用ドライエッチングとして、ボッシュプロセスと呼ばれる方法が用いられる。なお、ボッシュプロセス以外に、クライオプロセスによるドライエッチングを用いてもよい。
【００３４】
図４（Ｆ）において、支持基板２１をシーズ層として電解メッキを行なうことにより、溝４４内に金（Ａｕ）等のＸ線吸収材４５が埋め込まれる。この電解メッキでは、支持基板２１とシリコン基板４０とによる構成された接合基板が、メッキ液中に浸漬され、この接合基板と対向させた位置にもう一方の電極（陽極）が配置される。そして、支持基板２１と他方の電極との間に電流が流されることにより、メッキ溶液中の金属イオンがパターン加工した基板に析出され、溝４４内にＸ線吸収材４５が埋め込まれる。
【００３５】
図４（Ｇ）において、アッシング等により、シリコン基板４０上からエッチングマスク４３が除去される。Ｘ線吸収材４５がＸ線吸収部１４ａを構成し、シリコン基板４０がＸ線透過部１４ｂを構成する。以上の工程により、第２のグリッド１４が完成するが、エッチングや電界メッキ時の不良やゴミの付着等により、第２のグリッド１４に格子欠陥が発生する恐れがある。
【００３６】
次に、第２のグリッド１４に生じた欠陥部の修復方法について説明する。まず、上記製造工程の後、概観検査装置（図示せず）により第２のグリッド１４が撮影され、撮影で得られた画像が画像処理されることにより、図５（Ａ）に示すような欠陥部５０が特定される。欠陥部５０は、例えば、シリコン基板４０のエッチング不良により生じた空洞に、電界メッキ時にＸ線吸収材４５が充填されることにより生じたＸ線吸収性の欠陥である。
【００３７】
図５（Ｂ）において、欠陥部５０を内包するように、ｘ方向及びｙ方向に沿った辺からなる矩形状の切断領域５１が設定される。この切断領域５１のｙ方向に沿う２辺は、Ｘ線透過部１４ｂ上に設定されている。なお、複数の欠陥部５０が存在する場合には、各欠陥部５０について切断領域５１が設定される。そして、図５（Ｃ）に示すように、切断領域５１の外形に沿って、レーザ等でグリッド層２０が切断され、前述の切断部３０が形成される。
【００３８】
図６（Ａ）において、前述の微小グリッド３１が用意され、微小グリッド３１の隣接する２辺が、切断部３０の２辺に当接するように位置決めが行なわれる。このとき、切断部３０の周囲と微小グリッド３１との間には、隙間５２が生じる。この隙間５２に、Ｓｎ−Ｐｂ等のＸ線吸収材３２が溶融状態とされて充填される。Ｘ線吸収材３２が凝固することにより、微小グリッド３１がグリッド層２０に接着される。以上の工程により、欠陥部５０が修復された第２のグリッド１４が完成する。
【００３９】
切断領域５１は、単一の形状及び大きさであってもよいが、欠陥部５０の形状及び大きさに応じて設定されるものであってもよい。ただし、切断領域５１の形状及び大きさが自由に可変であると、第２のグリッド１４に形成された切断領域５１の形状及び大きさに応じて、微小グリッド３１をその都度作成しなければならないため、手間が掛かる。このため、切断領域５１の形状及び大きさを複数種に限定することが好ましい。この場合、複数種の切断領域５１の各形状及び大きさに合わせて、微小グリッド３１を予め複数種用意しておき、第２のグリッド１４に切断領域５１が設定された際に、それに対応する形状及び大きさの微小グリッド３１を選択すればよい。
【００４０】
なお、欠陥修復方法として、欠陥部５０をその個々の形状に沿って切断するとともに、その形状に応じて小グリッドを作成し、形成した小グリッドを欠陥部５０の切断領域に接合することにより欠陥修復を行う方法を用いると、切断領域及び小グリッドの作成に手間が掛かり過ぎるため非効率である。これに対して、本実施形態では、欠陥部５０を含むように矩形状の切断領域５１を設定して切断部３０を形成し、この切断部３０に応じた微小グリッド３１を選択して欠陥部５０を修復しているので、効率良く迅速に修復を行うことができる。
【００４１】
第２のグリッド１４の微小グリッド３１は、Ｘ線画像撮影システム１０を構成する際に、第２のグリッド１４を位置合わせするためのマーカとして用いることができる。具体的には、第２のグリッド１４中の微小グリッド３１の位置を予め記憶しておき、第２のグリッド１４の位置合わせ時に、図７に示すように、第２のグリッド１４の外側に配置したルーラ６０を用いて微小グリッド３１の位置を計測することにより、第２のグリッド１４の位置ズレ量を検出する。微小グリッド３１の位置計測は、例えば、可視光カメラで第２のグリッド１４及びルーラ６０を撮影し、ルーラ６０に対するＸ線吸収材３２の位置を検出することにより微小グリッド３１の位置を特定する。第１のグリッド１３についても同様であるため説明は省略する。
【００４２】
なお、上記実施形態では、切断領域５１のｙ方向に沿う２辺をＸ線透過部１４ｂ上に設定しているが、Ｘ線透過部１４ｂ上に限られず、Ｘ線吸収部１４ａ上に設定してもよい。さらに、該２辺のうち一方をＸ線透過部１４ｂ上に設定し、他方をＸ線吸収部１４ａ上に設定してもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、Ｘ線吸収材３２として、Ｓｎ−Ｐｂを例示しているが、これに代えて、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｎ−Ｂｉ−Ｃｄなどの低融点金属や、Ａｇペーストなどを用いてもよい。また、Ｘ線吸収材３２として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうちのいずれか１つまたは複数のＸ線吸収性のナノ粒子を分散させたインクや接着剤などを用いることも可能である。
【００４４】
また、上記各実施形態では、第１及び第２のグリッド１３，１４を例に本発明を説明したが、本発明は、国際公開ＷＯ２００６／１３１２３５号公報等に記されているように、Ｘ線源１１の射出側に線源グリッド（マルチスリット）を設けた場合において、その線源グリッドに適用することも可能である。
【００４５】
また、上記各実施形態は、第１及び第２のグリッド１３，１４を、そのＸ線透過部を通過したＸ線を幾何光学的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、Ｘ線透過部でＸ線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる構成（特許第４４４５３９７号公報等に記載の構成）としてもよい。ただし、この場合には、第１及び第２のグリッド１３，１４の間の距離をタルボ距離に設定する必要がある。また、この場合には、第１のグリッド１３は、吸収型グリッドに代えて位相型グリッドとすることが可能である。第１のグリッド１３は、タルボ干渉効果により生じる自己像を、第２のグリッド１４の位置に形成する。
【００４６】
また、上記各実施形態では、第１及び第２のグリッド１３，１４の相対位置を変化させて複数回の撮影を行うことにより位相コントラスト画像を生成する例を示しているが、第１及び第２のグリッド１３，１４を固定したまま１回の撮影のみで位相コントラスト画像を生成することも可能である。例えば、国際公開ＷＯ２０１０／０５０４８３号公報に記載のＸ線画像撮影システムでは、第１及び第２のグリッドにより生成されたモアレ縞をＸ線画像検出器により検出し、この検出されたモアレ縞の強度分布をフーリエ変換することによって空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより微分位相像を得ている。このようなＸ線画像撮影システムにも、本発明のグリッドは好適である。
【００４７】
さらに、上記各実施形態では、被検体ＨをＸ線源と第１のグリッド１３との間に配置しているが、被検体Ｈを第１のグリッド１３と第２のグリッド１４との間に配置してもよい。この場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。
【００４８】
以上説明した実施形態は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、本発明は、Ｘ線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。さらに、本発明は、放射線として、Ｘ線以外にガンマ線等を用いることも可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  Ｘ線画像撮影システム
１３  第１のグリッド
１３ａ  Ｘ線吸収部
１３ｂ  Ｘ線透過部
１４  第２のグリッド
１４ａ  Ｘ線吸収部
１４ｂ  Ｘ線透過部
２１  支持基板
３０  切断部
３１  微小グリッド
３１ａ  Ｘ線吸収部
３１ｂ  Ｘ線透過部
３２  Ｘ線吸収材
５０  欠陥部
５１  切断領域
５２  隙間
【図１】
0005204880.tif 000002
【図２】
0005204880.tif 000003
【図３】
0005204880.tif 000004
【図４】
0005204880.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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