(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に第１電極と第２電極を対向して配設し，前記第２電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより，前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記第１電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置を設け，
前記第１電極は，前記第２電極に対向し，前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と，前記電極板を支持する支持体と，前記支持体において前記電極板との間に形成され，前記処理ガスが導入される中空部と，前記中空部を中央部室と周辺部室に区画するためのループ状の区画壁とを備え，
前記処理ガス供給装置は，処理ガス供給手段と，この処理ガス供給手段に設けられ処理ガスの流量設定を制御により可変可能な流量制御器と，前記流量制御器により流量が調整された処理ガスを２分岐する各分岐配管と，前記各分岐配管に設けられた開閉弁と開度を固定して前記各分岐配管のコンダクタンス比を調整する固定絞り弁と，前記各分岐配管からの処理ガスを前記中央部室と前記周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備え，
前記中央部室に接続される分岐配管には前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列してバイパス配管を設けるとともに，前記バイパス配管には前記開閉弁と異なる前記バイパス配管用の開閉弁を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記周辺部室に接続される分岐配管の前記開閉弁と前記固定絞り弁との間に不活性ガス供給配管を接続し，この不活性ガス供給配管には前記開閉弁と異なる前記不活性ガス供給配管用の開閉弁を設けたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列して複数のバイパス配管を設けるとともに，前記各バイパス配管にそれぞれ開閉弁と固定絞り弁を設け，前記固定絞り弁はそれぞれ，異なるコンダクタンス比になる開度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記各分岐配管から前記中央部室と前記周辺部室に導入するガス導入孔の前記中空部に開口する吐出口には，前記中空部に吐出されるガスの流れを水平方向に変える整流部材を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記固定絞り弁は，ニードルバルブであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理室内に第１電極と第２電極を対向して配設し，前記第２電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより，前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，前記第１電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置であって，
前記第１電極は，前記第２電極に対向し，前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と，前記電極板を支持する支持体と，前記支持体において前記電極板との間に形成され，前記処理ガスが導入される中空部と，前記中空部を中央部室と周辺部室に区画するためのループ状の区画壁とを備え，
処理ガス供給手段と，この処理ガス供給手段に設けられ処理ガスの流量設定を制御により可変可能な流量制御器と，前記流量制御器により流量が調整された処理ガスを２分岐する各分岐配管と，前記各分岐配管に設けられた開閉弁と開度を固定して前記各分岐配管のコンダクタンス比を調整する固定絞り弁と，前記各分岐配管からの処理ガスを前記中央部室と前記周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備え，
前記中央部室に接続される分岐配管には前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列してバイパス配管を設けるとともに，前記バイパス配管には前記開閉弁と異なる前記バイパス配管用の開閉弁を設けたことを特徴とする処理ガス供給装置。
【請求項７】
前記各分岐配管から前記中央部室と前記周辺部室に導入するガス導入孔の前記中空部に開口する吐出口には，前記中空部に吐出されるガスの流れを水平方向に変える整流部材を設けたことを特徴とする請求項６に記載の処理ガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やエレクトロルミネセンスディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などのフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板に対して，所定の処理を施すプラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラットパネルディスプレイ用基板（以下，ＦＰＤ用基板」とも称する）の表面にパターンを形成するプロセスにおいては，エッチングやスパッタリング，ＣＶＤ（化学気相成長）等のプラズマ処理が施される。このようなプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置としては例えば平行平板プラズマ処理装置が挙げられる。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置は，処理室内に下部電極を有する載置台と，処理ガス導入部を兼ねる上部電極とを平行に配置し，上部電極を介して処理ガスを処理室内に導入するとともに，電極の少なくとも一方に高周波を印加して電極間に高周波電界を形成し，この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成してＦＰＤ用基板に対してプラズマ処理を施すようになっている。
【０００４】
ところで，ＦＰＤ用基板は半導体ウエハと異なり処理面積が大きいので，上部電極から処理ガスをＦＰＤ用基板の全面に均一に分散させて供給するために，種々の提案がなされている。例えば特許文献１に示すように，上部電極の中空部内を基板の中央部領域に処理ガスを噴出させる中央部室とその周辺部領域に処理ガスを噴出させる周辺部室に区画する区画壁を設け，例えばガス供給源を備えたガスボックスなどで構成される処理ガス供給手段からの処理ガスを分岐させて中央部室と周辺部室にそれぞれ供給する分岐配管を接続し，各分岐配管を流れる処理ガスの流量を調整するためにマスフローコントローラなどの流量調整手段を設けたものが記載されている。これによれば，各分岐配管の流量調整手段を調整することにより基板の中央部領域と周辺部領域に供給される処理ガスが均一になるようにすることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３２４３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで，ＦＰＤ用基板にプラズマ処理を行うための上部電極は大型のため，通常は中央部室に接続される分岐配管の長さは，周辺部室に接続される分岐配管よりも短くなる。従って，中央部室に接続される分岐配管は周辺部室に接続される分岐配管よりもコンダクタンス（流れ易さ）が大きくなり，各分岐配管の管内圧力が均一にならないという問題がある。このため，流量調整手段を調整して，中央部室に接続される分岐配管のコンダクタンスを周辺部室に接続される分岐配管のコンダクタンスよりも小さくして各分岐配管の管内圧力が均一になるようにする必要がある。この点，上述した各分岐配管の流量調整手段をマスフローコントローラで構成して，分岐配管に流れる処理ガスの流量を調整すればよいとも考えられる。
【０００７】
しかしながら，上述した各分岐配管の流量調整手段をマスフローコントローラで構成すると，一般には処理ガス供給手段を構成するガスボックスにもマスフローコントローラが設けられているので，ガスボックスの下流側（マスフローコントローラよりも下流側）は大気圧を超えてしまう。このため，もしガスボックスの下流側の配管が損傷するとその配管内から大気中にガスが漏れる虞があるので，これを防ぐため例えば各配管を二重構造にするなど配管構造を工夫しなければならなくなる。
【０００８】
この点，各分岐配管の流量調整手段を例えばニードルバルブなどの固定絞り弁で構成することで，ガスボックスの下流側の配管は大気圧以下にすることができるので，配管が損傷してもガスが大気中に漏れないようにすることができる。
【０００９】
ところが，各分岐配管の流量調整手段を固定絞り弁で構成した場合，上述したように中央部室に接続される分岐配管のコンダクタンスを周辺部室に接続される分岐配管のコンダクタンスよりも小さくするには，中央部室に接続される分岐配管の固定絞り弁の開度を絞って固定しなければならない。これでは，例えば上部電極の中央領域のみから大流量の処理ガスを供給してＦＰＤ基板の処理を行いたい場合に十分なコンダクタンスを確保できなくなるなど，ＦＰＤ基板の処理に応じて最適な処理ガスの供給を行うことができなくなるという問題がある。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，例えばガスボックスなどの処理ガス供給手段から処理ガスを分岐させてＦＰＤ基板の中央部領域と周辺部領域へ独立して供給する際に，処理ガス供給手段の下流側の配管内を大気圧以下に保持しつつ，ＦＰＤ基板の処理に応じて最適な処理ガスの供給を行うことができるプラズマ処理装置等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，処理室内に第１電極と第２電極を対向して配設し，前記第２電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより，前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，前記第１電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置を設け，前記第１電極は，前記第２電極に対向し，前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と，前記電極板を支持する支持体と，前記支持体において前記電極板との間に形成され，前記処理ガスが導入される中空部と，前記中空部を中央部室と周辺部室に区画するためのループ状の区画壁とを備え，前記処理ガス供給装置は，処理ガス供給手段と，この処理ガス供給手段からの処理ガスを２分岐する各分岐配管と，これら各分岐配管を通る流量を調整する流量調整手段と，前記各分岐配管からの処理ガスを前記中央部室と前記周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備え，前記各流量調整手段は，前記各分岐配管に設けた開閉弁と固定絞り弁（例えばニードルバルブ）を備え，前記中央部室に接続される分岐配管の流量調整手段は，前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列してバイパス配管をさらに設けるとともに，前記バイパス配管には開閉弁を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に第１電極と第２電極を対向して配設し，前記第２電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより，前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，前記第１電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置であって，前記第１電極は，前記第２電極に対向し，前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と，前記電極板を支持する支持体と，前記支持体において前記電極板との間に形成され，前記処理ガスが導入される中空部と，前記中空部を中央部室と周辺部室に区画するためのループ状の区画壁とを備え，処理ガス供給手段と，この処理ガス供給手段からの処理ガスを２分岐する各分岐配管と，これら各分岐配管を通る流量を調整する流量調整手段と，前記各分岐配管からの処理ガスを前記中央部室と前記周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備え，前記各流量調整手段は，前記各分岐配管に設けた開閉弁と固定絞り弁（例えばニードルバルブ）を備え，前記中央部室に接続される分岐配管の流量調整手段は，前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列してバイパス配管をさらに設けるとともに，前記バイパス配管には開閉弁を設けたことを特徴とする処理ガス供給装置が提供される。
【００１３】
このような本発明によれば，処理ガス供給手段から分岐した各分岐配管に設けられる流量調整手段として，固定絞り弁を用いるので，たとえ処理ガス供給手段にマスフローコントローラを用いていても，処理ガス供給手段の下流側の配管は大気圧以下に保持することができる。これにより，処理ガス供給手段の下流側の配管が損傷してもその配管からガスが大気中に漏れることを防止できる。
【００１４】
さらに，各分岐配管の流量調整手段は，開閉弁と固定絞り弁を備えるので，各分岐配管の長さに応じて固定絞り弁の開度を調整することによりコンダクタンスを調整することができる。これにより，例えば第１電極の周辺部室に接続される分岐配管よりも配管長さが短い，中央部室に接続される分岐配管の固定絞り弁の開度を絞ることで，各分岐配管の管内圧力を均一にすることができるので，第１電極の中央部室及び周辺部室から均一に処理ガスを供給させることができる。
【００１５】
しかも，第１電極の中央部室に接続される分岐配管の流量調整手段は，バイパス配管を備えるので，開閉弁を制御して固定絞り弁を通らずにバイパス配管を通って中央部室に供給されるように分岐配管の処理ガスの流れを切り換えることができる。これにより，例えば中央部室のみから処理ガスを供給する際にも，十分なコンダクタンスを確保することができる。このように本発明によれば，処理ガス供給手段の下流側の配管は大気圧以下に保持しつつ，ＦＰＤ用基板の処理に応じて最適な処理ガスを供給することができる。
【００１６】
また，この場合，上記周辺部室に接続される分岐配管の流量調整手段には，前記開閉弁と前記固定絞り弁との間に不活性ガス供給配管を接続し，この不活性ガス供給配管には開閉弁を設けるようにしてもよい。これによれば，第１電極の中央部室からは処理ガスのみを供給し，周辺部室からは不活性ガスのみを供給することができるので，ＦＰＤ用基板の処理の均一性をより向上させることができる。
【００１７】
また，上記各流量調整手段はそれぞれ，前記開閉弁と前記固定絞り弁に並列して複数のバイパス配管を設けるとともに，前記各バイパス配管にそれぞれ開閉弁と固定絞り弁を設け，前記各流量調整手段の固定絞り弁はそれぞれ，異なるコンダクタンス比になるように開度を調整するようにしてもよい。これによれば，各流量調整手段の開閉弁を制御することにより，所望の配管に処理ガスを通すことにより処理ガスが通る配管の組合せで，各分岐配管から第１電極の中央部室，周辺部室に所望の流量の処理ガスを供給できる。これによっても，処理ガス供給手段の下流側の配管は大気圧以下に保持しつつ，ＦＰＤ用基板の処理に応じてＦＰＤ用基板の中央部領域と周辺部領域に供給される処理ガス流量の均一性をコントロールできる。
【００１８】
また，上記各分岐配管から前記中央部室と前記周辺部室に導入するガス導入孔の前記中空部に開口する吐出口には，前記中空部に吐出されるガスの流れを水平方向に変える整流部材を設けるようにしてもよい。これによれば，中空部内をより広範囲に均一に拡散させることができる。これにより，各ガス噴出孔からより均一に処理ガスを噴出させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば，処理ガス供給手段の下流側の配管内を大気圧以下に保持しつつ，ＦＰＤ基板の処理に応じて最適な処理ガスの供給を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２１】
（プラズマ処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は，マルチチャンバータイプのプラズマ処理装置の外観斜視図である。同図に示すプラズマ処理装置１００は，フラットパネルディスプレイ用基板（ＦＰＤ用基板）Ｓに対してプラズマ処理を施すための複数（例えば３つ）の処理室２００を備える。
【００２２】
処理室２００内には，例えばＦＰＤ用基板Ｓを載置する載置台が設けられており，この載置台の上方に処理ガス（例えばプロセスガス）を導入するためのシャワーヘッドを兼ねる上部電極が設けられている。各処理室２００では同一の処理（例えばエッチング処理等）を行っても良いし，互いに異なった処理（例えばエッチング処理とアッシング処理等）を行うようにしても良い。なお，処理室２００内の具体的構成例については後述する。
【００２３】
各処理室２００はそれぞれ，断面多角形状（例えば断面矩形状）の搬送室１１０の側面にゲートバルブ１０２を介して連結されている。搬送室１１０にはさらに，ロードロック室１２０がゲートバルブ１０４を介して連結されている。ロードロック室１２０には，基板搬出入機構１３０がゲートバルブ１０６を介して隣設されている。
【００２４】
基板搬出入機構１３０にそれぞれ２つのインデクサ１４０が隣設されている。インデクサ１４０には，ＦＰＤ用基板Ｓを収納するカセット１４２が載置される。カセット１４２は複数枚（例えば２５枚）のＦＰＤ用基板Ｓが収納可能に構成されている。
【００２５】
このようなプラズマ処理装置によってＦＰＤ用基板Ｓに対してプラズマ処理を行う際には，先ず基板搬出入機構１３０によりカセット１４２内のＦＰＤ用基板Ｓをロードロック室１２０内へ搬入する。このとき，ロードロック室１２０内に処理済みのＦＰＤ用基板Ｓがあれば，その処理済みのＦＰＤ用基板Ｓをロードロック室１２０内から搬出し，未処理のＦＰＤ用基板Ｓと置換える。ロードロック室１２０内へＦＰＤ用基板Ｓが搬入されると，ゲートバルブ１０６を閉じる。
【００２６】
次いで，ロードロック室１２０内を所定の真空度まで減圧した後，搬送室１１０とロードロック室１２０間のゲートバルブ１０４を開く。そして，ロードロック室１２０内のＦＰＤ用基板Ｓを搬送室１１０内の搬送機構（図示せず）により搬送室１１０内へ搬入した後，ゲートバルブ１０４を閉じる。
【００２７】
搬送室１１０内ではさらに減圧してロードロック室１２０内よりも高い真空度まで減圧した後，ゲートバルブ１０２を開く。そして，処理室２００内の載置台を兼ねる下部電極に未処理のＦＰＤ用基板Ｓを搬入する。このとき，処理済みのＦＰＤ用基板Ｓがあれば，その処理済みのＦＰＤ用基板Ｓを搬出し，未処理のＦＰＤ用基板Ｓと置換える。
【００２８】
処理室２００内では，下部電極と上部電極間にプラズマを発生させ，処理ガスを上部電極を介して処理室内に導入することによって，ＦＰＤ用基板Ｓに対して所定のプラズマ処理を行う。
【００２９】
（処理室の構成例）
次に，処理室２００の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，本発明のプラズマ処理装置を，ＦＰＤ用基板として例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板（以下，単に「基板」とも称する）をエッチングする装置に適用した場合の処理室の構成例について説明する。図２は，処理室２００の概略構成を示す断面図である。
【００３０】
図２に示す処理室２００は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる略角筒形状の処理容器２０２を備える。処理容器２０２は上端近傍で上下に二分割されて処理容器２０２の上部が開閉可能になっており，内部のメンテナンスを行い易いようにしてある。なお，処理容器２０２は接地されている。
【００３１】
処理容器２０２内にはその底部に，第２電極の１例としての下部電極２１２を有する載置台２１０が配設されている。この載置台２１０の上方には隙間を介してガス導入部を兼ねる第１電極の１例としての上部電極３００が対向配置されている。上部電極３００は整合器２０６を介して高周波電源２０８に接続されている。この高周波電源２０８から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が上部電極３００に印加される。
【００３２】
処理容器２０２の外側には，基板Ｓに対して成膜やエッチングなどの所定の処理を施すための処理ガスを供給する処理ガス供給装置４００が配設されている。この処理ガス供給装置４００は処理ガス供給手段を構成するガスボックス４１０からの処理ガスを処理室２００内に供給する。ガスボックス４１０は処理ガス供給源を備え，処理ガス供給源の配管には開閉弁，マスフローコントローラが設けられている。処理ガス供給源からの処理ガスがマスフローコントローラにより流量が調整され，ガスボックス４１０から供給される。なお，ガスボックス４１０は複数の処理ガス供給源を備えるようにしてもよい。この場合には各処理ガス供給源の配管にそれぞれ開閉弁，マスフローコントローラを設け，これらの配管の下流側を合流させて混合した処理ガスをガスボックス４１０から供給するようにしてもよい。なお，ガスボックス４１０の具体的構成例は後述する。
【００３３】
処理容器２０２の側壁には，排気路２４０が接続され，この排気路２４０には真空排気手段２４２が接続されている。また，処理容器２０２の側壁には，上記搬送室１１０との間で基板Ｓの搬出入を行うための搬出入口２５０が設けられており，この搬出入口２５０は上記ゲートバルブ１０２により開閉されるようになっている。
【００３４】
このような処理室２００では，処理ガス供給装置４００から処理室２００内へ処理ガスを供給するとともに，上部電極３００に高周波電力を印加することにより，下部電極２１２と上部電極３００間で処理ガスのプラズマを発生させ，載置台２１０上に載置された基板Ｓに対してエッチング，アッシング，成膜等のプラズマ処理を行うことができる。
【００３５】
上記下部電極２１２は，絶縁材２１４を介して支持部２１６に支持されている。支持部２１６の下面中央部には，処理容器２０２の底壁に形成された開口部２０４を貫通して下方に延出する保護管２１８が設けられている。
【００３６】
保護管２１８の下面は，この保護管２１８よりも大径の導電性の支持板２２０により支持されている。支持板２２０は保護管２１８の管内を塞ぐように保護管２１８に取付けられている。支持板２２０の周辺には導電性のベローズ体２２２の下端が固定されている。ベローズ体２２２の上端は処理容器２０２の開口部２０４の開口縁に固定されている。
【００３７】
ベローズ体２２２は保護管２１８が配置されている内部空間と大気側空間とを気密に区画する。また，支持板２２０には図示しない昇降機構が設けられている。この昇降機構により支持板２２０を昇降させることによって，載置台２１０を昇降させることができる。下部電極２１２は導電路２１３を介して支持板２２０に接続されている。これにより，下部電極２１２は導電路２１３，支持板２２０，ベローズ体２２２を介して処理容器２０２に電気的に接続され，接地される。
【００３８】
なお，載置台２１０の下部電極２１２と処理容器２０２とをインピーダンス調整部を介して電気的に接続するようにしてもよい。具体的には例えばインピーダンス調整部を下部電極２１２と支持板２２０との間に導線で接続する。これにより，インピーダンス調整部の一端は下部電極に接続されるとともに，他端は支持板２２０及びベローズ体２２２を介して処理容器２０２の底部に電気的に接続されることになる。このインピーダンス調整部によりインピーダンス値を調整することによって，高周波電源が接続される上部電極３００と処理容器２０２の側壁との間でプラズマが発生することを抑えることができる。
【００３９】
一方，上部電極３００は，処理容器２０２の上部内側面に絶縁性部材からなる枠体３０２を介して装着されるとともに，処理容器２０２の上壁に例えば複数のボルト２３０を介して吊持されている。具体的には，処理容器２０２の上壁に形成した孔に絶縁体２３２を取り付け，その絶縁体２３２内にボルト２３０を挿入して上部電極３００を固定する。また，表面が絶縁加工されたボルトを使用してもよい。
【００４０】
また，上部電極３００は，載置台２１０に載置されたＦＰＤ用基板Ｓの表面上に向けて所定のガスを噴出するガス導入部としての機能も兼ね備え，いわゆるシャワーヘッドを構成する。上部電極３００には，図２に示すように矩形の中空部からなるガス拡散用のバッファ室３３０が形成される。上部電極３００の下面（下部電極と対向する面）全面には多数のガス噴出孔３１２が均等に分散配置され，このガス噴出孔３１２から処理室２００内全体へ処理ガスを下降流で供給する。
【００４１】
具体的には上部電極３００は，上記ガス噴出孔３１２が形成される矩形状の電極板３１０と，この電極板３１０とほぼ同じ形状に形成され，電極板３１０の上面側を着脱自在に支持する電極支持体３２０とを備える。電極板３１０と電極支持体３２０は例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成される。なお，ガス噴出孔３１２の数や配置は図２に示すものに限られるものではない。
【００４２】
電極支持体３２０には上記バッファ室３３０を構成する矩形の空間部が形成されている。この空間部は電極支持体３２０の縁部（底面）に開口するように形成されており，電極支持体３２０の底面に電極板３１０を取り付けることにより，上記空間部が閉塞されるようになっている。
【００４３】
また，電極支持体３２０のバッファ室３３０が形成される空間内では，その空間を形成する電極支持体３２０の上壁内面に複数の吊持部材３６０を介して吊持されている。吊持部材３６０は例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム又ＳＵＳ（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｕｓｅｄ  Ｓｔｅｅｌ）で構成する。吊持部材３６０は，電極支持体３２０の上壁にボルトなどの締結部材３６４で固定する。
【００４４】
また，上記締結部材３６４で吊持部材３６０を電極板３１０に固定するようにしてもよく，吊持部材３６０にフランジ部を設け，そのフランジ部と電極板とを締結部材３６４よりも小さいボルトなどの締結部材で別途固定するようにしてもよい。
【００４５】
このように，電極板３１０を電極支持体３２０の縁部（底面）に取り付けるのみならず，電極支持体３２０のバッファ室３３０内においても吊持部材３６０によって吊持することによって，大型の電極板３１０でも，自重による撓みや変形が生じないように電極支持体３２０に取り付けることができる。
【００４６】
電極支持体３２０のバッファ室３３０は，ループ状（枠状）の区画壁３５０によって複数の室（例えば中央部の第１室３３２とその周辺部の第２室３３４）に区画されている。また，電極支持体３２０の上壁には複数のガス導入孔３２６が設けられている。これらガス導入孔３２６にはそれぞれ処理ガス供給装置４００の分岐配管が接続しており，処理ガス供給装置４００からの処理ガスが各室３３２，３３４ごとに流量制御されて導入されるようになっている。
【００４７】
例えば図２に示すようにガスボックス４１０からの処理ガスは，ガスボックス４１０から２つに分岐した一方の分岐配管４０４を通って流量調整手段４２０を介して第１室３３２へ導入される。他方の分岐配管４０６を通る処理ガスは，流量調整手段４３０を介して第２室３３４へ導入される。各室３３２，３３４に供給される処理ガスはそれぞれ，流量調整手段４２０，４３０によって流量制御される。
【００４８】
このように，各室３３２，３３４から基板Ｓに向けて導入される処理ガスの流量を個別に制御することにより，基板Ｓが大面積化しても基板Ｓ全領域でのガス流量を均等化することができ，ひいてはプラズマ処理を均一化することができる。
【００４９】
（処理ガス供給装置の配管構成例）
ここで，このような処理ガス供給装置４００の配管構成例を図面を参照しながら説明する。図３は，電極板３１０を外した際の電極支持体３２０を下から見た図である。図４は，処理ガス供給装置４００の外観を示す概略図である。図５は，処理ガス供給装置４００の配管構成をブロック図で示したものである。なお，図３，図５では，処理ガス供給装置４００の配管構成を観念的に線図で表している。
【００５０】
ここでは，電極支持体３２０に５つのガス導入孔３２６を形成した場合について説明する。具体的には電極支持体３２０の中央に１つのガス導入孔３２６が，四つ角寄りにそれぞれ１つずつガス導入孔３２６が配置されている。これら５つのガス導入孔３２６はそれぞれ縦方向，横方向に対称に配置されている。
【００５１】
図３に示す区画壁３５０は，バッファ室３３０と相似形の枠状に形成した場合の具体例である。この区画壁３５０の上面及び下面には，区画壁３５０の枠部に沿って例えば図示しないＯリングなどのシール部材が設けられている。このような区画壁３５０によれば，バッファ室３３０は中央部の第１室３３２と第１室３３２の外側を囲む周辺部の第２室３３４とに区画される。
【００５２】
このような区画壁３５０は，電極支持体３２０の上壁内面と電極板３１０との間に挟み込んで保持されるので，電極支持体３２０から電極板３１０を取り外せば容易に異なるループ形状の区画壁３５０と交換できる。図３に示す区画壁３５０は，第１室３３２の面積がバッファ室３３０全体の面積の略２５％になるようなループ形状に形成したものである。このような区画壁３５０によって区画される場合には，第１室３３２は中央のガス導入孔３２６から処理ガスが導入され，第２室３３４は四つ角寄りの４つのガス導入孔３２６からそれぞれ処理ガスが導入される。
【００５３】
このように配置されるガス導入孔３２６へ処理ガスを導入する場合，処理ガス供給装置４００は図３，図４に示すように構成される。すなわち，図３に示す処理ガス供給配管４０２は第１室３３２のガス導入孔３２６へ処理ガスを導入する分岐配管４０４と，第２室３３４のガス導入孔３２６へ処理ガスを導入する分岐配管４０６の２つに分岐される。各分岐配管４０４，４０６には流量調整手段４２０，４３０が設けられる。
【００５４】
上記分岐配管４０４は流量調整手段４２０を介して中央のガス導入孔３２６に接続する。また，上記分岐配管４０６は流量調整手段４３０の下流側で４つに分岐し，これら各分岐配管４０６ａ〜４０６ｄがそれぞれ四つ角寄りの４つガス導入孔３２６に接続する。具体的には図４に示すように，分岐配管４０６は開閉弁４３２，流量調整器４３４の下流側でさらに２つに分岐し，一方の配管を分岐配管４０６ａ，４０６ｂに分岐し，他方の配管を分岐配管４０６ｃ，４０６ｄに分岐している。このような配管構成に限定されるものではなく，分岐配管４０６は開閉弁４３２，流量調整器４３４の下流側で放射状に４つに分岐するようにしてもよい。
【００５５】
上記流量調整手段４２０，４３０はそれぞれ，例えば上流側に設けられる開閉弁４２２，４３２と下流側に設けられる流量調整器４２４，４３４により構成される。これらの流量調整手段４２０，４３０により，第１室３３２，第２室３３４から処理室２００内へ導入される処理ガスの流量を別個に制御することができる。
【００５６】
ガスボックス４１０は，例えば図５に示すように構成される。ここでは，４種のガス（第１ガス，第２ガス，第３ガス，不活性ガス）をガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｄを介して供給可能に構成した場合を例に挙げている。これらのガスのうち，第１ガス，第２ガス，第３ガスは，例えばエッチングガスとしてのフロロカーボン系のフッ素化合物，ＣＦ４，Ｃ４Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８などのＣＸＦＹガスである。また，これらのガスに例えばＣＦ系の反応生成物のデポをコントロールするガスとしての例えばＯ２ガスを含めてもよい。さらに，不活性ガスは，例えばキャリアガスとしての希ガス（例えばＡｒガス）であってもよく，例えばパージガスとしても用いられるＮ２ガスなどであってもよい。なお，ガス供給源の数は，図５に示す例に限られるものではなく，例えば１つでも，２つでもよく，また４つ以上設けてもよい。
【００５７】
このようにエッチングガスとして使用される第１ガス，第２ガス，第３ガスのガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃについては，同様に構成される。すなわち，各ガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃはそれぞれ第１ガス，第２ガス，第３ガスについてのガス供給源５２０Ａ〜５２０Ｃを備え，各ガス供給源５２０Ａ〜５２０Ｃはそれぞれガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃを介して処理ガス供給配管４０２に合流するように接続している。
【００５８】
各ガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃのガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃにはガス供給源５２０Ａ〜５２０Ｃからのガスの流量を調整するための流量制御器例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃが設けられている。ここでのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃはそれぞれ容量が異なるものを使用してもよい。
【００５９】
各マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃの上流側及び下流側にはそれぞれ第１遮断弁（上流側遮断弁）５３０Ａ〜５３０Ｃ，第２遮断弁（下流側側遮断弁）５５０Ａ〜５５０Ｃが設けられている。第１遮断弁５３０Ａ〜５３０Ｃ，第２遮断弁５５０Ａ〜５５０Ｃの双方を閉じることで，各マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃにおけるガスの流れを遮断することができる。これにより，例えば各マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃを実際に通るガスの流量を０に調整することができる。
【００６０】
なお，図５に示すようにガス供給源５２０Ａ〜５２０Ｃと第１遮断弁（上流側遮断弁）５３０Ａ〜５３０Ｃとの間には，ハンドバルブ５２２Ａ〜５２２Ｃを設けている。なお，ハンドバルブ５２２Ａ〜５２２Ｃと第１遮断弁（上流側遮断弁）５３０Ａ〜５３０Ｃとの間には，図示はしないが，さらに減圧弁（レギュレータ），圧力計（ＰＴ）を設けるようにしてもよい。
【００６１】
一方，不活性ガス（例えばＮ２ガス）のガス供給配管５１０Ｄは，不活性ガスのガス供給源５２０Ｄを備え，このガス供給源５２０Ｄからの不活性ガスを他の各ガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃ，第２遮断弁５５０Ａ〜５５０Ｃを介して処理室２００内に供給できるようになっている。これにより，Ｎ２ガスについてはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃを利用できるため，個別にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を設ける必要がなくなる。さらに，これらの各ガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃを介さずに処理ガス供給配管４０２を介して処理室２００に供給することもできるようになっている。
【００６２】
具体的には，不活性ガスのガス供給源５２０Ｄは，ガス供給配管５１０Ｄにより第２遮断弁５５０Ｄを介して処理ガス供給配管４０２に接続しているとともに，遮断弁５６０Ａ〜５６０Ｃをそれぞれ介して各ガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃの第１遮断弁５３０Ａ〜５３０Ｃとマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃとの間に接続している。
【００６３】
また，ガス供給配管５１０Ｄには，他のガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｃと同様に，ハンドバルブ５２２Ｄ，第１遮断弁（上流側遮断弁）５３０Ｄが接続している。なお，不活性ガスの流量をマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５４０Ａ〜５４０Ｃで制御する場合には，上記遮断弁５６０Ａ〜５６０Ｃをマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の上流側に設けられる第１遮断弁（上流側遮断弁）として制御するようにしてもよい。
【００６４】
このような構成の処理ガス供給装置４００では，ガスボックス４１０内の各弁及びＭＦＣなどを制御することにより，所定のガス流量で混合された処理ガスが処理ガス供給配管４０２を介して処理室２００に供給される。このとき，流量調整手段４２０，４３０によって，第１室３３２，第２室３３４から処理室２００内へ導入される処理ガスの流量を別個に制御することができる。
【００６５】
例えば上部電極３００からＦＰＤ基板Ｓに向けて均一にガスを供給するには，中央のガス導入孔３２６に接続する分岐配管４０４と，四つ角寄りの４つガス導入孔３２６に接続する分岐配管４０６との管内圧力を均一にする必要がある。ところが，ＦＰＤ用基板Ｓにプラズマ処理を行うための上部電極３００は大型のため，中央部の第１室３３２に接続される分岐配管４０４の長さは，周辺部の第２室３３４に接続される分岐配管４０６よりも短くなるのでコンダクタンス（流れ易さ）も大きくなる。このため，流量調整器４２４，４３４を調整して，分岐配管４０４に流れる処理ガスの流量を分岐配管４０６に流れる処理ガスの流量よりも少なくして各分岐配管４０４，４０６の管内圧力が均一になるようにしなければならない。
【００６６】
なお，上部電極３００の区画壁３５０については，図３に示すものに限られるものではない。例えば図６に示すような区画壁３５０を設けた上部電極３００に処理ガス供給装置４００を適用してもよい。図６に示す区画壁３５０は，図３に示す区画壁３５０よりも第１室３３２の面積が広くなるようなループ形状にしたものである。図６に示す区画壁３５０によれば，第１室３３２の面積がバッファ室３３０全体の面積の略５０％になる。
【００６７】
また，図６に示す区画壁３５０のように，区画される各室３３２，３３４の領域内に含まれるガス導入孔３２６の数が図３に示す場合と同じになるようなループ形状にすることにより，処理ガス供給装置４００の配管構成を変えることなく，バッファ室３３０の区画面積だけを変えることができる。
【００６８】
ところで，上述した流量調整器４２４，４３４は，例えばマスフローコントローラで構成することも可能である。ところが，流量調整器４２４，４３４をマスフローコントローラで構成すると，ガスボックス４１０内にもマスフローコントローラ５４０Ａ〜５４０Ｃが設けられているので，ガスボックス４１０の下流側（マスフローコントローラ５４０Ａ〜５４０Ｃよりも下流側）は大気圧を超えてしまう。このため，もしガスボックス４１０の下流側の配管が損傷するとその配管内から大気中にガスが漏れる虞があるので，これを防ぐため例えば各配管を二重構造にするなど配管構造を工夫しなければならなくなる。
【００６９】
そこで，本実施形態では，流量調整器４２４，４３４として例えばニードルバルブなどの固定絞り弁で構成することで，ガスボックス４１０の下流側は大気圧以下になるようにし，配管が損傷してもガスが大気中に漏れないようにしている。そして，流量調整器４２４，４３４を固定絞り弁で構成する際に，上記のように分岐配管４０４に流れる処理ガスの流量を分岐配管４０６に流れる処理ガスの流量よりも少なくなるように固定絞り弁の開度を絞った状態で固定する。例えば固定絞り弁の開度が閉塞のときを０とするとともに，全開のときを１０とすると，分岐配管４０４と分岐配管４０６とのコンダクタンス比が３：１０になるように各流量調整器４２４，４３４を構成する固定絞り弁の開度を調整する。
【００７０】
ところが，このように分岐配管４０４の流量調整器４２４を構成する固定絞り弁の開度を絞って固定すると，例えば上部電極３００の中央領域のみから大流量の処理ガスを供給してＦＰＤ基板Ｓの処理を行いたい場合に，十分なコンダクタンスを確保できなくなるなど，ＦＰＤ基板Ｓの処理に応じて最適な処理ガスの供給を行うことができなくなるという問題がある。このため，例えば流量調整器４２４を通らないバイパス配管を流量調整器４２４に並列し設け，処理ガスの流れをバイパス配管に切換可能とすることにより，バイパス配管を介して大流量の処理ガスを供給できるようにすることが好ましい。
【００７１】
このような配管構成の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図７は，バイパス配管を備えた配管構成の具体例を示す図である。ここでは，バイパス配管４０４Ａを分岐配管４０４の流量調整器４２４に並列して設けた場合である。バイパス配管４０４Ａには，開閉弁４２２Ａが設けられ，分岐配管４０４を通る処理ガスを流量調整器４２４を介して流す場合とバイパス配管４０４Ａを介して流す場合に切換えることができるようになっている。
【００７２】
この場合，例えば固定絞り弁の開度が閉塞のときを０とするとともに，全開のときを１０とすると，分岐配管４０４と分岐配管４０６とのコンダクタンス比が３：１０になるように各流量調整器４２４，４３４を構成する固定絞り弁の開度を調整して固定しておく。なお，固定絞り弁の開度は上記の場合に限られるものではない。予め分岐配管４０４と分岐配管４０６の長さ等に応じて分岐配管４０４と分岐配管４０６の管内圧力が均一になるようなコンダクタンス比を求め，そのコンダクタンス比になるように固定絞り弁の開度を調整することが好ましい。
【００７３】
このような配管構成を有する処理ガス供給装置４００によれば，例えば上部電極３００の中央領域とその周辺領域から均一に処理ガスを供給したい場合には，開閉弁４３２を開くとともに開閉弁４２２を開いて開閉弁４２２Ａを閉じることにより，流量調整器４３４を介して分岐配管４０６に処理ガスが流れるとともに，流量調整器４２４を介して分岐配管４０４に処理ガスが流れるようにすればよい。
【００７４】
これに対して，上部電極３００の中央領域のみから大流量の処理ガスを供給したい場合は，開閉弁４３２を閉じるとともに開閉弁４２２を閉じて開閉弁４２２Ａを開くことにより，分岐配管４０６には処理ガスを流さずに，バイパス配管４０４Ａを介して分岐配管４０４から処理ガスが流れるようにすればよい。
【００７５】
これによれば，分岐配管４０４の流量調整器４２４を構成する固定絞り弁の開度を絞って固定した場合でも，バイパス配管４０４Ａを介して上部電極３００の中央領域のみから大流量の処理ガスを供給できるようにすることができる。
【００７６】
なお，図７に示す配管構成における分岐配管４０６において，例えば図８に示すように開閉弁４３２と流量調整器４３４との間に不活性ガス（例えばＡｒガス，Ｈｅガスなど）を供給する不活性ガス供給配管４０８をさらに接続してもよい。この場合，不活性ガス供給配管４０８には，開閉弁４０９を設け，上部電極３００の周辺領域から不活性ガスのみが供給されるように切換えられるようにする。
【００７７】
すなわち，開閉弁４３２を閉じるとともに開閉弁４０９を開くことにより，上部電極３００の周辺領域から不活性ガスのみを供給することができる。これにより，上部電極３００の中央領域から処理ガスが供給され，周辺領域から不活性ガスが供給されることにより，ＦＰＤ基板の処理の均一性を向上させることができる。
【００７８】
このような不活性ガスは，例えば図５に示すガスボックス４１０内の不活性ガスのガス供給配管５１０Ｄから図７に示す不活性ガス供給配管４０８に直接供給されるように構成してもよく，また図５に示すガス供給配管５１０Ａ〜５１０Ｄとは別系統でガス供給流路を設け，直接不活性ガス供給配管４０８に供給されるようにしてもよい。
【００７９】
また，図７，図８では，分岐配管４０４のみにバイパス配管４０４Ａを設けた場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，分岐配管４０４のみならず，分岐配管４０６にもバイパス配管を設けるようにしてもよい。
【００８０】
この場合，例えば図９に示すように，分岐配管４０４には，複数（例えば２つ）のバイパス配管４０４Ａ，４０４Ｂをそれぞれ流量調整器４２４に並列して設け，これらバイパス配管４０４Ａ，４０４Ｂにそれぞれ開閉弁４２２Ａ，４２２Ｂ，流量調整器４２４Ａ，４２４Ｂを設けるようにしてもよい。また，分岐配管４０６には，複数（例えば２つ）のバイパス配管４０６Ａ，４０６Ｂをそれぞれ流量調整器４３４に並列して設け，これらバイパス配管４０６Ａ，４０６Ｂにそれぞれ開閉弁４３２Ａ，４３２Ｂ，流量調整器４３４Ａ，４３４Ｂを設けるようにしてもよい。
【００８１】
そして，流量調整器４２４，４２４Ａ，４２４Ｂの固定絞り弁の開度をそれぞれ異なる開度に固定してコンダクタンス比を調整することによって，各開閉弁４２２，４２２Ａ，４２２Ｂを制御して流れる配管の組合せで複数種類の流量を分岐配管４０４に流すことができる。
【００８２】
これと同様に，流量調整器４３４，４３４Ａ，４３４Ｂの固定絞り弁の開度についても，それぞれ異なる開度に固定してコンダクタンス比を調整することによって，各開閉弁４３２，４３２Ａ，４３２Ｂを制御して流れる配管の組合せで複数種類の流量を分岐配管４０６に流すことができる。
【００８３】
具体的には固定絞り弁の開度が閉塞のときを０とするとともに，全開のときを１０とすると，流量調整器４２４，４２４Ａ，４２４Ｂの固定絞り弁の開度を例えば１０：５：２．５にする。また，流量調整器４３４，４３４Ａ，４３４Ｂの固定絞り弁の開度も例えば１０：５：２．５にする。これにより，分岐配管４０４と分岐配管４０６を流れる処理ガスのコンダクタンス比の組合せをより多くすることができる。
【００８４】
例えば分岐配管４０４において処理ガスが流量調整器４２４Ａのみを通るように開閉弁４２２，４２２Ｂを閉じて開閉弁４２２Ａを開くように制御するとともに，分岐配管４０６において処理ガスが流量調整器４３４のみを通るように開閉弁４３２Ａ，４３２Ｂを閉じて開閉弁４３２を開くように制御すれば，分岐配管４０４と分岐配管４０６のコンダクタンス比を５：１０にすることができる。この場合，分岐配管４０４において処理ガスが流量調整器４２４Ａ，４２４Ｂのみを通るように開閉弁４２２を閉じて開閉弁４２２Ａ，４２２Ｂを開くように制御することで，分岐配管４０４と分岐配管４０６のコンダクタンス比を７．５：１０にすることもできる。
【００８５】
このように，各開閉弁を制御して所望の配管に処理ガスを通すことにより処理ガスが通る配管の組合せで，各分岐配管から中央部の第１室３３２，周辺部の第２室３３４に所望の流量の処理ガスを供給できる。これによって，基板Ｓの処理に応じて基板Ｓの中央部領域と周辺部領域に供給される処理ガス流量の均一性をコントロールできる。
【００８６】
また，上部電極３００の各ガス導入孔３２６には，バッファ室３３０に開口する吐出口３２７に，吐出されるガスの流れを水平方向に変える整流部材を設けるようにしてもよい。例えば図１０Ａ，図１０Ｂに示すように円板状の整流部材３２８を，吐出口３２７の周囲から複数（例えば４つ）の吊持部材３２９で吊持する。また，図１１Ａ，図１１Ｂに示すように中央から水平方向に延びる複数の孔が形成された円板状の整流部材３２８を各ガス導入孔３２６の吐出口３２７に取り付けるようにしてもよい。なお，図１０Ａ，図１１Ａに示す電極板３１０ではガス噴出孔３１２を省略している。
【００８７】
こうすることによって，各ガス導入孔３２６から導入される処理ガスは，整流部材３２８の作用によって水平方向に向けて供給されるので，バッファ室３３０内をより広範囲に均一に拡散させることができる。これにより，電極板３１０のガス噴出孔３１２からより均一に処理ガスを噴出させることができる。
【００８８】
特に，本実施形態の整流部材３２８は，各ガス導入孔３２６の吐出口３２７ごとに設けることができるほどコンパクトな構成なので，バッファ室３３０内を区画壁３５０で複数の室３３２，３３４に区画する場合でも邪魔になることなく設けることができる。このため，区画壁３５０の形状（例えば図３，図６など）にかかわらず，各ガス導入孔３２６の吐出口３２７に整流部材３２８を設けることができる。しかも，本実施形態のように区画壁３５０で区画されたバッファ室３３０の各室３３２，３３４内のそれぞれにおいて，各ガス導入孔３２６から導入される処理ガスをより広範囲に拡散させることができる。このような整流部材３２８の形状や大きさは，上述したものに限られるものではない。例えば整流部材３２８の形状や大きさは，各ガス導入孔３２６の配置やガス噴出孔３１２の配置，区画壁３５０の形状などに応じて決定するようにしてもよい。
【００８９】
なお，本実施形態における区画壁３５０は，容易に交換可能に設けた場合について説明したが，これに限られるものではなく，区画壁３５０は電極支持体３２０の上壁に複数のボルトやねじで固定されていてもよい。
【００９０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９１】
例えば本実施形態では，本発明を下部電極を接地し，上部電極のみに高周波電力を印加するタイプのプラズマ処理装置に適用した場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではない。例えば上部電極と下部電極の両方に高周波電力を印加するタイプのプラズマ処理装置に適用してもよく，また下部電極のみに例えば高周波の異なる２種類の高周波電力を印加するタイプのプラズマ処理装置に適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は，ＦＰＤ用基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の外観斜視図である。
【図２】同実施形態における処理室の断面図である。
【図３】処理ガス供給装置の配管構成例を説明するための図である。
【図４】図３に示す処理ガス供給装置の外観の概略を示す斜視図である。
【図５】図３に示す配管構成を示すブロック図である。
【図６】他の区画壁を備える上部電極に適用した場合の処理ガス供給装置の配管構成例を説明するための図である。
【図７】同実施形態においてバイパス配管を設けた流量調整手段の具体例を示すブロック図である。
【図８】同実施形態においてバイパス配管を設けた流量調整手段の他の具体例を示すブロック図である。
【図９】同実施形態においてバイパス配管を設けた流量調整手段のさらに他の具体例を示すブロック図である。
【図１０Ａ】上部電極の各ガス導入孔に取付けられる整流部材の具体例を示す縦断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示すＡ−Ａ断面図である。
【図１１Ａ】上部電極の各ガス導入孔に取付けられる整流部材の他の具体例を示す縦断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示すＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１００      プラズマ処理装置
１０２      ゲートバルブ
１０４      ゲートバルブ
１０６      ゲートバルブ
１１０      搬送室
１２０      ロードロック室
１３０      基板搬出入機構
１４０      インデクサ
１４２      カセット
２００      処理室
２０２      処理容器
２０４      開口部
２０６      整合器
２０８      高周波電源
２１０      載置台
２１２      下部電極
２１３      導電路
２１４      絶縁材
２１６      支持部
２１８      保護管
２２０      支持板
２２２      ベローズ体
２３０      ボルト
２３２      絶縁体
２４０      排気路
２４２      真空排気手段
２５０      搬出入口
３００      上部電極
３０２      枠体
３１０      電極板
３１２      ガス噴出孔
３２０      電極支持体
３２６      ガス導入孔
３２７      吐出口
３２８      整流部材
３２９      吊持部材
３３０      バッファ室
３３２      第１室（中央部室）
３３４      第２室（周辺部室）
３５０      区画壁
３６０      吊持部材
３６４      締結部材
４００      処理ガス供給装置
４０２      処理ガス供給配管
４０４，４０６      分岐配管
４０４Ａ，４０４Ｂ      バイパス配管
４０６ａ〜４０６ｄ      分岐配管
４０６Ａ，４０６Ｂ      バイパス配管
４０８      不活性ガス供給配管
４０９      開閉弁
４１０      ガスボックス
４２０，４３０      流量調整手段
４２２，４２２Ａ，４２２Ｂ      開閉弁
４２４，４２４Ａ，４２４Ｂ      流量調整器（固定絞り弁）
４３０      流量調整手段
４３２，４３２Ａ，４３２Ｂ      開閉弁
４３４，４３４Ａ，４３４Ｂ      流量調整器（固定絞り弁）
５１０Ａ〜５１０Ｄ      ガス供給配管
５２０Ａ〜５２０Ｄ      ガス供給源
５２２Ａ〜５２２Ｄ      ハンドバルブ
５３０Ａ〜５３０Ｄ      第１遮断弁
５４０Ａ〜５４０Ｃ      マスフローコントローラ
５５０Ａ〜５５０Ｄ      第２遮断弁
５６０Ａ〜５６０Ｃ      遮断弁
Ｓ        基板（ＦＰＤ用基板）
【図１】
0005378706.tif 000002
【図２】
0005378706.tif 000003
【図３】
0005378706.tif 000004
【図４】
0005378706.tif 000005
【図５】
0005378706.tif 000006
【図６】
0005378706.tif 000007
【図７】
0005378706.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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