(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、アンテナ容器と、アンテナとを有し、
前記アンテナ容器は、容器本体の開口の縁部分にフランジ部が設けられ、
前記アンテナ容器は、前記フランジ部が前記真空槽の外側に位置し、前記容器本体が前記真空槽の貫通孔内に位置するように配置され、
前記容器本体の側面の少なくとも前記貫通孔内に位置する部分には導電性シールド膜が配置され、
前記アンテナは、前記容器本体内に配置され、前記アンテナに高周波電圧を印加すると、前記アンテナから前記真空槽の内部空間に向けてマイクロ波が放出される真空処理装置であって、
前記フランジ部は、前記真空槽に向けられた表面に前記導電性シールド膜と電気的に接続された接地電極膜を有し、
前記接地電極膜と、前記真空槽との間には、少なくとも表面に導電性物質が露出する導電性弾性部材が配置され、
前記導電性弾性部材によって、前記接地電極膜と、前記真空槽とが電気的に接続された真空処理装置。
【請求項２】
前記導電性弾性部材は、前記貫通孔を取り囲むリング状にされた請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記フランジ部と前記真空槽との間には、弾性材料がリング状に成形されたオーリングが、前記貫通孔を取り囲むように配置され、
前記導電性弾性部材は、前記オーリングのリング内側に位置する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空槽内にラジカルを発生させる真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドライエッチングや成膜には、真空槽内部でガスをプラズマ化させる真空処理装置が用いられている。
【０００３】
図７は従来の真空処理装置１００を示す断面図であり、真空槽１１２の天井には貫通孔１０９が形成され、各貫通孔１０９にはアンテナ容器１２５が挿通されている。各アンテナ容器１２５は石英等の電波を通す誘電体材料で構成され、その内部にはアンテナ１２２が配置されている。
【０００４】
真空排気系１１９により、真空槽１１２内部に真空雰囲気を形成し、ガス供給系１１８から処理ガスを真空槽１１２内部に導入しながら、電源１３９からアンテナ１２２に高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、マイクロ波はアンテナ容器１２５を通過して真空槽１１２内部に放出され、処理ガスがラジカル化し、ラジカル化したガスで基板１０７が表面処理される。
【０００５】
マイクロ波の漏出を防止するために、アンテナ容器１２５の貫通孔１０９内に挿通された部分の周囲は筒状の導電性シールド１３３で囲まれている。
導電性シールド１３３が浮遊状態であったり、真空槽１１２との間の電気抵抗が高いと、マイクロ波が貫通孔１０９内壁面に到達し、貫通孔１０９の内壁面と導電性シールド１３３との間の隙間でプラズマが発生する。そのため、導電性シールド１３３を確実に接地電位に接続する必要がある。
【０００６】
従来では、導電性シールド１３３の真空槽１１２外側開口縁部分がリング状に膨出した導電性フランジ部１３４を設け、導電性フランジ部１３４を、Ｏリング１５０を挟んで、アンテナ容器１２５のフランジ部１３０で真空槽１１２に押し付けていた。
【０００７】
Ｏリング１５０は弾性変形するから、導電性フランジ部１３４と真空槽１１２の距離が短くなって接触し、導電性フランジ部１３４が真空槽１１２に電気的に接続される。Ｏリング１５０は、復元力により導電性フランジ部１３４と真空槽１１２に気密に密着するから、Ｏリング１５０で貫通孔１０９周囲を取り囲めば、真空槽１１２の内部空間を外部から遮断することができる。
【０００８】
しかし、アンテナ容器１２５とそのフランジ部１３０は石英等の誘電体材料で構成されるため、導電性フランジ部１３４が真空槽１１２と密着するよう強く押圧すると破損する恐れがある。
【０００９】
破損を防ぐために押圧する力を弱くすると、導電性フランジ部１３４が真空槽１１２から離間して浮遊状態となるか、接地電位に接続されたとしても真空槽１１２との間の電気抵抗が高くなって、プラズマが発生し、Ｏリング１５０がプラズマで燃えてしまう。
【特許文献１】特開２０００−３１１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためのものであり、その目的は、異常放電を防止し、寿命の長い真空処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、アンテナ容器と、アンテナとを有し、前記アンテナ容器は、容器本体の開口の縁部分にフランジ部が設けられ、前記アンテナ容器は、前記フランジ部が前記真空槽の外側に位置し、前記容器本体が前記真空槽の貫通孔内に位置するように配置され、前記容器本体の側面の少なくとも前記貫通孔内に位置する部分には導電性シールド膜が配置され、前記アンテナは、前記容器本体内に配置され、前記アンテナに高周波電圧を印加すると、前記アンテナから前記真空槽の内部空間に向けてマイクロ波が放出される真空処理装置であって、前記フランジ部は、前記真空槽に向けられた表面に前記導電性シールド膜と電気的に接続された接地電極膜を有し、前記接地電極膜と、前記真空槽との間には、少なくとも表面に導電性物質が露出する導電性弾性部材が配置され、前記導電性弾性部材によって、前記接地電極膜と、前記真空槽とが電気的に接続された真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記導電性弾性部材は、前記貫通孔を取り囲むリング状にされた真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記フランジ部と前記真空槽との間には、弾性材料がリング状に成形されたオーリングが、前記貫通孔を取り囲むように配置され、前記導電性弾性部材は、前記オーリングのリング内側に位置する真空処理装置である。
【発明の効果】
【００１２】
接地電極膜は導電性弾性部材を介して真空槽に電気的に接続されるから、接地電極膜を強く真空槽に押し付けなくても、導電性シールドを接地電位に接続することが可能である。接地電極膜を真空槽に強く押し付ける必要が無いからフランジ部が破損しない。導電性弾性部材の外側にはオーリングが配置され、オーリングが真空槽とフランジ部に密着するから、真空槽の内部が気密に保たれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１の符号１は本発明の真空処理装置の一例を示している。
真空処理装置１は、真空槽１２と、真空槽１２に取り付けられたラジカル発生装置２０とを有している。
ラジカル発生装置２０は一又は複数のアンテナ容器２５と、各アンテナ容器２５内部に配置されたアンテナ２２とを有している。各アンテナ容器２５は同じ構造を有しており、同じ部材には同じ符号を付して説明する。
【００１４】
図２を参照し、アンテナ容器２５は、アンテナ２２を覆う容器本体２４を有している。容器本体２４は有底であればその形状は特に限定されないが、ここでは容器本体２４の底面部分は、外側に半球状に膨出されたドーム状である。
【００１５】
容器本体２４の開口縁部分は、容器本体２４の側面から外周方向に膨出している。図２の符号３１は、その膨出部分であるベース部３１を示しており、ベース部３１は容器本体２４と同じ材料で構成され、容器本体２４の開口を取り囲むリング状になっている。
【００１６】
容器本体２４の開口側根元部分の外側側面と、ベース部３１の容器本体２４底面側の表面には、スパッタ法や蒸着法等により金属膜（例えば銀膜）等の導電膜が密着形成されている。
【００１７】
図２の符号３３は導電膜の容器本体２４根元部分の外側側面に形成された部分である導電性シールドを示し、同図の符号３４は導電膜のベース部３１表面上に形成された部分である接地電極膜を示しており、ベース部３１と接地電極膜３４とでフランジ部３０が構成される。
【００１８】
フランジ部３０の平面形状はベース部３１の平面形状と略等しいから、フランジ部３０は、容器本体２４の開口縁部分が、容器本体２４の側面から外周方向に膨出したリング状になっている。
また、導電膜は容器本体２４の根元部分を取り囲むように形成されているから、導電性シールド３３は筒状になっている。
【００１９】
図２の符号４０はＡｌ等の金属製の筒（スリーブ）であり、スリーブ４０を筒の中心軸線と垂直な方向に切断した切断面の内周は、導電性シールド３３を筒の中心軸線と垂直な方向に切断した切断面の外周と同じか、それよりもやや大きくなっている。
【００２０】
スリーブ４０の一端開口は外側に全周が膨出してリング状のスリーブフランジ部４２が形成されており、アンテナ容器２５は底面をスリーブ４０内に向けて、スリーブフランジ部４２が形成された側の開口から、スリーブ４０の内部に挿通されている。
【００２１】
フランジ部３０のリング外周は、スリーブ４０の上記切断面内周よりも大きく、フランジ部３０はスリーブ４０内に挿通されずに、スリーブフランジ部４２に接触する。
真空槽１２の一壁面（ここでは天井）には貫通孔９が形成されており、貫通孔９の外周は、スリーブ４０の上記切断面の外周と同じか、やや大きくなっている。
【００２２】
アンテナ容器２５はスリーブ４０に挿通され、内部にアンテナ２２が配置された状態で、容器本体２４の底面を真空槽１２内部に向け、真空槽１２の外側から貫通孔９に押し込まれ、導電性シールド３３と、容器本体２４は、スリーブ４０と一緒に貫通孔９内に挿通される。このとき、導電性シールド３３はスリーブ４０に覆われているから、導電性シールド３３が貫通孔９内壁面で擦れず、破損しない。
【００２３】
スリーブフランジ部４２のリング外周は貫通孔９の外周よりも大きくされており、スリーブフランジ部４２とフランジ部３０は貫通孔９に挿通されず、真空槽１２外に留まる。
真空槽１２の外側壁面の貫通孔９周囲には第一の溝５１が貫通孔９を取り囲むリング状に形成され、真空槽１２の外側壁面の第一の溝５１の周囲には第二の溝５２が第一の溝５１を取り囲むリング状に形成されている。
【００２４】
第一、第二の溝５１、５２内には、ゴムのように変形可能なリング状の第一、第二の弾性部材５５、５８が予め嵌め込まれ、第一、第二の弾性部材５５、５８の平面形状が第一、第二の溝５１、５２と略等しいリング状になっている。
押圧力を加えない状態では、第一、第二の弾性部材５５、５８のリング厚みは第一、第二の溝５１、５２の深さよりも厚く、第一、第二の弾性部材５５、５８の一部が第一、第二の溝５１、５２からそれぞれ上方に突き出ている。
【００２５】
フランジ部３０のリング外周は、スリーブフランジ部４２のリング外周よりも大きく、全周がスリーブフランジ部４２のリング外周から外側にはみ出している。
ここでは、フランジ部３０のリング外周は第二の溝５２のリング外周よりも大きく、スリーブフランジ部４２のリング外周は第二の溝５２のリング内周より小さく、かつ、第一の溝５１のリング外周よりは大きくされている。
【００２６】
従って、フランジ部３０が第二の弾性部材５８と、スリーブフランジ部４２が第一の弾性部材５５とそれぞれ対面し、アンテナ容器２５を真空槽１２内に更に押し込むと、フランジ部３０が第二の弾性部材５８に、スリーブフランジ部４２が第一の弾性部材５５にそれぞれ押し当てられる。
【００２７】
アンテナ容器２５は、第一、第二の弾性部材５５、５８が押圧されて変形するまで、真空槽１２内に押し込まれた状態で、不図示の固定部材で真空槽１２に取り付けられており、復元力により、第一の弾性部材５５は真空槽１２（第一の溝５１底面）とスリーブフランジ部４２にそれぞれ密着し、第二の弾性部材５８は真空槽１２（第二の溝５２底面）とフランジ部３０にそれぞれ密着する。
【００２８】
ここでは、ベース部３１の真空槽１２側表面全部に接地電極膜３４が形成され、第二の弾性部材５８は接地電極膜３４表面に密着するが、図３に示したように、ベース部３１の外周部分に接地電極膜３４を形成せず、第二の弾性部材５８をベース部３１表面に密着させてもよい。
【００２９】
第一、第二の弾性部材５５、５８のうち、少なくとも第一の弾性部材５５は表面に導電材料が露出する導電性弾性部材で構成されている。例えば、第一の弾性部材５５は、ゴム等の弾性材料からなるリング状の芯体５６と、芯体５６の表面に形成された導電層５７（例えばＡｌ層）で構成されており、真空槽１２とスリーブフランジ部４２は導電層５７に密着し、電気的に接続される。
【００３０】
上述したようにスリーブ４０は金属製であって、スリーブフランジ部４２も金属のような導電性材料で構成されている。フランジ部３０の真空槽１２側の面には接地電極膜３４が露出しており、アンテナ容器２５が真空槽１２に押し込まれる時には、接地電極膜３４がスリーブフランジ部４２に押し付けられ、密着する。
【００３１】
従って、接地電極膜３４はスリーブフランジ部４２に電気的に接続され、スリーブフランジ部４２と、第一の弾性部材５５を介して真空槽１２に電気的に接続され、真空槽１２と同じ接地電位に置かれる。
【００３２】
尚、図４に示すように、スリーブフランジ部４２のリング外周を第一の溝５１のリング内周よりも小さくし、第一の弾性部材５５を接地電極膜３４表面に直接密着させてもよい。
【００３３】
第一の弾性部材５５は弾性変形して真空槽１２とスリーブフランジ部４２（又は接地電極膜３４）に密着するから、弾性変形しない場合に比べて接触面積が大きく、接地電極膜３４と真空槽１２の間の電気抵抗が小さい。
【００３４】
ここでは、導電性シールド３３は接地電極膜３４と同じ導電膜で一体成形されている。接地電極膜３４と導電性シールド３３は密着し、互いに電気的に接続されているから、導電性シールド３３は、接地電極膜３４と、第一の弾性部材５５とを介して真空槽１２に電気的に接続される。
【００３５】
アンテナ２２は棒状であって、取付板２９の表面に立設されている。取付板２９はアンテナ２２が立設された面を容器本体２４の内部空間に向けた状態で、ベース部３１に取り付けられ、アンテナ２２は先端を容器本体２４底面に向けて容器本体２４内に配置されている。
【００３６】
容器本体２４とベース部３１は石英等の誘電体を主成分とする。アンテナ２２は容器本体２４の内部に位置するから、導電性シールド３３や接地電極膜３４に接触せず、真空槽１２から電気的に絶縁されている。従って、真空槽１２を接地電位に置いたまま、アンテナ２２に高周波電圧を印加することができる。
【００３７】
上述したように貫通孔９は第一の弾性部材５５のリング内側にあり、第一の弾性部材５５と真空槽１２は気密に密着し、第一の弾性部材５５とスリーブフランジ部４２は気密に密着するから、貫通孔９には外部から大気が進入し難い。
【００３８】
しかも、第一の弾性部材５５は第二の弾性部材５８で取り囲まれている。第二の弾性部材５８はゴム等の弾性材料がリング状に成形されたオーリングであり、第二の弾性部材５８はフランジ部３０と真空槽１２に気密に密着するから、フランジ部３０とスリーブフランジ部４２の間に例え隙間があったとしても、貫通孔９に外部から大気が進入しない。
【００３９】
接地電極膜３４はスパッタ法や蒸着法等によりベース部３１表面に密着形成され、接地電極膜３４とベース部３１との間に隙間が無いから、接地電極膜３４とベース部３１の間から大気が進入しない。
【００４０】
尚、接地電極膜３４と導電性シールド３３をベース部３１と容器本体２４に密着形成せずに、容器本体２４に金属製のスリーブ４０を挿通し、スリーブ４０を導電性シールドとし、スリーブフランジ部４２を接地電極膜としてもよい。この場合スリーブフランジ部４２とベース部３１の間が気密にならない虞があるから、図３に示したように、第二の弾性部材５８をベース部３１に密着させるとよい。
【００４１】
このように、アンテナ容器２５を真空槽１２に取り付けた状態では、導電性シールド３３が真空槽１２と同じ接地電位に置かれ、かつ、貫通孔９に大気が進入せず、真空槽１２の内部空間が外部空間から遮断される。
【００４２】
真空槽１２の内部圧力を外部雰囲気と略等しくしてから、固定部材を取り外せば、アンテナ容器２５を真空槽１２から取り外し、清掃や部品交換等のメンテナンスを行うことができる。
アンテナ容器２５を溶接等で真空槽１２に取り付ける場合と異なり、本発明の真空処理装置１はラジカル発生装置２０を真空槽１２から繰り返し着脱することができる。
【００４３】
図２、図３に示すように、スリーブフランジ部４２を第一の弾性部材５５に、フランジ部３０を第二の弾性部材５８にそれぞれ密着させ、スリーブフランジ部４２とフランジ部３０が直接真空槽１２と接触しないようにすれば、繰り返し着脱しても、フランジ部３０やスリーブフランジ部４２が破損し難い。
【００４４】
次に、本発明の真空処理装置１で基板を処理する工程について説明する。
真空槽１２にはガス供給系１８と、真空排気系１９とが接続され、真空槽１２内部の底面側には基板電極１７が配置されている。
真空排気系１９により、真空槽１２内部を真空排気して真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気を維持したまま、基板７を真空槽１２内部に搬入し、基板電極１７上に載置する。
【００４５】
真空槽１２の内部圧力が所定圧力まで低下後、真空排気を続けながら、ガス供給系１８から処理ガスを導入し、真空槽１２の内部に所定圧力の処理雰囲気を形成する。
容器本体２４の底面から開口までの長さは、貫通孔９の一端から他端までの長さよりも長く、底面部分が真空槽１２の内部に突き出されている。
【００４６】
上述したように導電性シールド３３とスリーブ４０は筒状であり、筒の一端から他端までの長さは、容器本体２４の長さよりもそれぞれ短く、容器本体２４の底面部分は導電性シールド３３やスリーブ４０に覆われずに、真空槽１２内の処理雰囲気に露出している。
【００４７】
容器本体２４は石英等電波が透過する誘電体で構成されており、高周波電源１４からアンテナ２２に２．４５ＧＨｚ程度の高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、マイクロ波は容器本体２４の底面部分を通過して真空槽１２内部に放出され、マイクロ波によって処理ガスがラジカル化し、基板７表面がラジカル化した処理ガスにより処理される。
例えば、基板７表面にシリコン層が露出し、処理ガスが酸素ガスの場合は、シリコン層が酸素ガスのラジカルによって酸化され、酸化シリコン層が形成される。
【００４８】
導電性シールド３３の長さは貫通孔９と同じか、それよりもやや長く、容器本体２４の貫通孔９内に位置する部分は、導電性シールド３３で覆われ、アンテナ２２から貫通孔９内壁面に向かうマイクロ波は、導電性シールド３３に反射又は吸収される。
【００４９】
ここでは、導電性シールド３３の長さは貫通孔９よりも長く、導電性シールド３３の一部が真空槽１２の内部に突き出され、アンテナ２２の真空槽１２内に突き出された部分から貫通孔９内壁面に斜めに向かうマイクロ波も遮断される。
【００５０】
導電性シールド３３が真空槽１２に電気的に接続されていないか（例えば浮遊状態）、接続されていたとしても真空槽１２との間の電気抵抗が大きい場合、マイクロ波は貫通孔９内壁面に到達し、スリーブ４０と貫通孔９内壁面の間に隙間があると、その隙間でプラズマが発生し、第一、第二の弾性部材５５、５８がプラズマで焼失する恐れがある。
【００５１】
本発明では、第二の弾性部材５８が弾性変形し、真空槽１２と接地電極膜３４との接触面積が大きくなっているから、導電性シールド３３と真空槽１２との間の電気抵抗が小さくなっており、スリーブ４０と貫通孔９内壁面の間に隙間があってもプラズマが発生せず、第一、第二の弾性部材５５、５８が焼失しない。
【００５２】
また、スリーブ４０の上記切断面内周を、導電性シールド３３の上記切断面外周と略等しくし、スリーブ４０を導電性シールド３３に密着させて一つのシールドとすれば、シールドの厚みが大きくなる分、導電性シールド３３と真空槽１２との間の電気抵抗をより小さくすることができる。
基板７の表面処理が終了後、真空槽１２内部へのガス導入とマイクロ波の放出を停止し、基板７を真空槽１２の外部に搬出する。
【００５３】
上述したように、マイクロ波は貫通孔９の内壁面に到達せず、異常放電が起こらないから基板７はダメージを受けず、真空処理装置１の寿命も長い。
尚、処理ガスをラジカル化する際、電源８から基板電極１７に高周波電圧を印加すれば、基板７表面に入射するラジカル等の入射エネルギーを制御できる。例えば、これにより入射エネルギーを小さくしてダメージを低減させたり、逆に入射エネルギーを大きくして処理速度を大きくすることができる。
【００５４】
以上は、アンテナ容器２５をスリーブ４０に挿通した状態で真空槽１２に取り付ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、図５に示すように、アンテナ容器２５をスリーブ４０に挿通させずに、貫通孔９に挿通して、真空槽１２に取り付けても良い。この場合、第二の弾性部材５８はベース部３１と接地電極膜３４のいずれに密着させてもよいが、第一の弾性部材５５は接地電極膜３４に密着させる。
【００５５】
更に、上記図２〜５のラジカル発生装置２０では、第一の弾性部材５５はリング状に限定されない。第一の弾性部材５５がリング状でない場合は、１又は複数の第一の弾性部材５５を、真空槽１２の外壁面の貫通孔９の周囲に並べて配置し、真空槽１２と接地電極膜３４（又はスリーブフランジ部４２）に密着させる。
第一の弾性部材５５がリング状でなくても、貫通孔９は第二の弾性部材５８で取り囲まれるから、真空槽１２内部が気密に維持される。
【００５６】
また、第一の弾性部材５５がリング状である場合は、図６に示すように、第二の弾性部材５８を配置しなくてもよい。この場合、真空槽１２の内部空間を外部空間からより確実に遮断するために、第一の弾性部材５５をフランジ部３０（接地電極膜３４又はベース部３１）に直接密着させることが望ましい。
【００５７】
フランジ部３０の構造は特に限定されない。例えば、容器本体２４の開口周囲にベース部３１を設けず、容器本体２４の開口周囲にリング状の金属板を、容器本体２４の外周方向に突き出るように配置し、フランジ部３０を該金属板（接地電極膜）で構成してもよい。
【００５８】
スリーブ４０は導電性であれば材質は特に限定されないが、銀等の柔らかい金属を用いると、貫通孔９内壁面と擦れて損傷するから、Ａｌ等の硬い金属を主成分とするものを用い、その厚み（筒の外周と内周の差）も、導電性シールド３３の膜厚よりも厚くする方が望ましい（例えば１ｍｍ）。
【００５９】
第一の弾性部材５５の導電層５７は全体の弾性変形を妨げない程度に膜厚を薄くすることが望ましい。導電層５７と芯体５６は特に限定されないが、一例を述べると、導電層５７はＡｌ等の金属を主成分とし、芯体５６はバイトン（登録商標）のようなフッ素ゴムを主成分とする。
【００６０】
第一の弾性部材５５（導電性弾性部材）の構造も限定されず、例えば、カーボンブラック等の導電材料がゴムに添加された導電性ゴムで第一の弾性部材５５を構成してもよい。
第一の弾性部材５５として、銅等の金属製ガスケットも用いることができるが、アンテナ容器２５を繰り返し着脱する場合には用いることができない。
【００６１】
第二の弾性部材５８も特に限定されないが、バイトン（登録商標）よりも誘電正接（ｔａｎδ）が小さい樹脂が好ましく、そのような樹脂としてはパーフロ（登録商標）のようなパーフルオロ樹脂がある。
【００６２】
アンテナ２２は特に限定されないが、アンテナ２２としてマグネトロンを用いると、アンテナ２２から強力なマイクロ波が放出されるから、処理ガスが高効率にラジカル化される。
【００６３】
処理ガスは酸素ガスに限定されず、ラジカル化して処理対象物の真空処理を行なえるガスであればよく、窒素ガスを用いて処理対象物の窒化処理を行なってもよいし、また酸化性ガス、還元性ガスを用いて処理対象物の表面処理を行なってもよい。また、フッ化ガスのようなエッチングガスを用いてエッチング処理を行ってもよい。更に、処理ガスに加えて原料ガス導入系から薄膜の原料ガスを導入し、真空槽１２内で発生させた処理ガスのラジカルと、真空槽１２内に導入された原料ガスとを反応させ、得られた反応生成物を処理対象物の表面に堆積させ、薄膜を成長させることができる。
【００６４】
要するに、本発明は成膜装置やエッチング装置や表面改質装置等の真空処理を行なう真空処理装置を広く含む。
貫通孔９の数は一つでもよいが、貫通孔９を複数設け、複数のアンテナ２２を分散配置させれば、大面積の基板７表面に処理ガスのラジカルを均一に到達させて、大面積基板でも均一な真空処理が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の真空処理装置の第一例を説明するための断面図
【図２】アンテナ容器の取り付け部分の拡大断面図
【図３】第二例の真空処理装置を説明する拡大断面図
【図４】第三例の真空処理装置を説明する拡大断面図
【図５】第四例の真空処理装置を説明する拡大断面図
【図６】第五例の真空処理装置を説明する拡大断面図
【図７】従来技術の真空処理装置を説明するための断面図
【符号の説明】
【００６６】
１……真空処理装置    ７……基板    ９……貫通孔    １２……真空槽    ２２……アンテナ    ２４……容器本体    ２５……アンテナ容器    ３０……フランジ部    ３３……導電性シールド    ３４……接地電極膜    ５５……導電性弾性部材（第一の弾性部材）    ５８……オーリング（第二の弾性部材）
【図１】
0005121476.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005121476.tif 000008