(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
標準比重が２．１８０〜２．２２５である溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が２．１８０〜２．２２５である溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであって、下記条件で作製したサンプルフィルムを用いて、下記方法で測定した１２ＧＨｚにおけるｔａｎδが２．０×１０-4以下である、溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダー。
（サンプルフィルムの作製条件）
前記溶融加工できないフッ素化ポリテトラフルオロエチレンファインパウダーを円柱状に圧縮成形する。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、５〜５０℃／秒で常温にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。
（ｔａｎδ測定方法）
ネットワークアナライザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。
ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐｃ／ωＷ1）
【数１】
0005135658.tif 000006
ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数（Ｈｚ）
Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数（Ｈｚ）
ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ）
εr：サンプルの比誘電率
μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ）
Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗（Ω）
Ｊ0：−０．４０２７５９
Ｊ1：３．８３１７１
【請求項２】
前記ｔａｎδが１．８×１０-4以下である請求項１記載の溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダー。
【請求項３】
平均粒径が２００〜８００μｍである請求項１または２記載の溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダー。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーからなるポリテトラフルオロエチレン成形体。
【請求項５】
請求項４記載のポリテトラフルオロエチレン成形体で被覆された高周波通信用同軸ケーブル。
【請求項６】
請求項４記載のポリテトラフルオロエチレン成形体で被覆された高周波通信用ＬＡＮケーブル。
【請求項７】
請求項４記載のポリテトラフルオロエチレン成形体からなる絶縁体を有するプリント配線基板。
【請求項８】
標準比重が２．１８０〜２．２２５である分子末端に不安定基を有する溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させる溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３〜３０ＧＨｚという高周波領域における各種電気特性および機械的特性に優れたポリテトラフルオロエチレン成形体、特に高周波絶縁用のＰＴＦＥ成形体、該成形体を与え得る押出成形性に優れたＰＴＦＥファインパウダーおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電波を使用した通信手段の発展は目覚しいものがある。使用電波も送信する情報量の増加に伴って、ますます高周波数領域が使用される傾向にある。たとえば無線ＬＡＮや携帯電話には周波数３００ＭＨｚまでのＵＨＦが使用されているが、これから開発の中心となる高周波無線ＬＡＮや衛星通信、携帯電話基地局などには３〜３０ＧＨｚのマイクロ波が使用される。
【０００３】
こうした高周波を使用する場合、コネクタなどの電気部品やケーシング、同軸ケーブルなどの通信機器に使用する資材の材料には、安定して低い誘電率（εｒ）や、低い誘電正接（ｔａｎ  δ）といった電気的特性と、成形加工が容易なこと、さらにはメッキやハンダ付けに耐えられる耐熱性などが要求される。そこで、従来、電気的特性に優れたフッ素系の樹脂が使用されている。
【０００４】
通信機器に使用されているフッ素系樹脂には、溶融加工できないポリテトラフルオロエチレン（テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥと略す）の単独重合体）やＴＦＥと微量のフッ素系モノマーを共重合して得られた共重合体（いわゆる変性ＰＴＦＥ。以下、併せて「ＰＴＦＥ」という））のほか、溶融加工可能なテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）−ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰと略す）共重合体（ＦＥＰ、ＨＦＰ含量６．９モル％以上）およびＴＦＥ−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（以下、ＰＡＶＥと略す）共重合体（ＰＦＡ、ＰＡＶＥ含量１．５モル％以上）などがある。
【０００５】
これらのフッ素系樹脂は開始剤の種類にもよるが、その末端に−ＣＦ2Ｈ、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ3、−ＣＯＦ、−ＣＯＯＨなどの基が生じている。これらの末端基が熱的に不安定であり、また撥水性を損なうことがある。そこで、これらの末端不安定基を安定化するためにフッ素化することはすでに知られている（特公昭４６−２３２４５号公報、特開平１０−１４７６１７号公報、特許第２９２１０２６号公報など）。
【０００６】
しかしながら、不安定末端基のフッ素化により、高周波特性などの電気特性が向上することは知られていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記課題を解決するものであり、末端不安定基が電気的特性、特に高周波領域におけるｔａｎδなどの高周波特性に影響を与えることを発見し、検討を重ねた結果、フッ素系樹脂のうち、ある標準比重をもつ溶融加工できないＰＴＦＥのファインパウダーの末端不安定基をフッ素化すると、熱安定性だけでなく、加工特性、ｔａｎδなどの高周波特性も改善されることを見出した。さらに得られる成形体も高周波特性および機械的特性が改善されていることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、標準比重が２．１８０〜２．２２５である溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が２．１８０〜２．２２５である溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであって、下記条件で作製したサンプルフィルムを用いて、下記方法で測定した１２ＧＨｚにおけるｔａｎδが２．０×１０-4以下である、溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーに関する。
【０００９】
（サンプルフィルムの作製条件）
前記フッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形する。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、５〜５０℃／秒で常温にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。
【００１０】
（ｔａｎδ測定方法）
ネットワークアナライザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。
ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐｃ／ωＷ1）
【００１１】
【数２】
0005135658.tif 000002
【００１２】
ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数（Ｈｚ）
Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数（Ｈｚ）
ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ）
εr：サンプルの比誘電率
μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ）
Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗（Ω）
Ｊ0：−０．４０２７５９
Ｊ1：３．８３１７１
に関する。
【００１３】
前記ｔａｎδが１．８×１０-4以下であることが好ましい。
【００１４】
前記ポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの平均粒径が２００〜８００μｍであることが好ましい。
【００１５】
また、前記ポリテトラフルオロエチレンファインパウダーからなるポリテトラフルオロエチレン成形体に関する。
【００１６】
また、前記ポリテトラフルオロエチレン成形体で被覆された高周波通信用同軸ケーブルに関する。
【００１７】
また、前記ポリテトラフルオロエチレン成形体で被覆された高周波通信用ＬＡＮケーブルに関する。
【００１８】
また、前記ポリテトラフルオロエチレン成形体からなる絶縁体を有するプリント配線基板に関する。
【００１９】
また、標準比重が２．１８０〜２．２２５である分子末端に不安定基を有する溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させる溶融加工できないポリテトラフルオロエチレンファインパウダーの製造方法に関する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明において使用する原料ＰＴＦＥとしては、前記のＴＦＥの単独重合体でもよいし、ＴＦＥ９９．９〜９９．９９９９モル％と、式（Ｉ）：
ＣＸ2＝ＣＹ（ＣＦ2）nＺ          （Ｉ）
（式中、Ｘ、ＹおよびＺは同じかまたは異なり、いずれも水素原子またはフッ素原子、ｎは１〜５の整数）で示されるフルオロオレフィン、および式（II）：
ＣＦ2＝ＣＦ−ＯＲf          （II）
（式中、Ｒfは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基）で示されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（以下、ＰＡＶＥと略す）よりなる群から選ばれた少なくとも１種のモノマー０．０００１〜０．１モル％との共重合体（変性ＰＴＦＥ）があげられる。なお、前記のとおり、本明細書では特に断らない限り単独重合体と変性ＰＴＦＥを併せてＰＴＦＥと表記する。また、区分けする必要がある場合はフッ素化前のＰＴＦＥは原料ＰＴＦＥと、フッ素化されたＰＴＦＥはフッ素化ＰＴＦＥと称する。
【００２１】
前記式（Ｉ）で示されるフルオロオレフィンとしては、たとえばヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰと略す）などのパーフルオロオレフィン；パーフルオロブチルエチレンなどのフルオロオレフィンなどがあげられる。これらのうちでは電気特性に優れる点から、ＨＦＰが好ましい。
【００２２】
また、前記式（II）で示されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）としては、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）（以下、ＰＭＶＥと略す）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（以下、ＰＥＶＥと略す）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）（以下、ＰＰＶＥと略す）があげられる。これらのうちでは電気特性に優れる点から、ＰＭＶＥが好ましい。
【００２３】
本発明で使用する原料ＰＴＦＥファインパウダーは乳化剤、特に含フッ素系の乳化剤の存在下に重合開始剤を用いて乳化分散重合することにより得られる。得られる重合体の分子量を低分子量化するには、重合開始剤の量を増やす、連鎖移動剤を添加する、変性モノマーの添加などの方法が採用される。重合開始剤としては、たとえば過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、ジコハク酸パーオキサイド（ＤＳＰ）などが、連鎖移動剤としてはたとえば水素、メタン、エタン、プロパンなどの炭化水素、メタノール、エタノールなどの水溶性化合物などがあげられる。
【００２４】
さらに乳化重合法で得られるコロイド一次粒子を芯−殻構造とすることにより、成形性、とりわけペースト押出成形性を向上させることもできる。芯−殻構造としては、たとえば芯をＴＦＥの単独重合体で構成し、殻を変性ＰＴＦＥで構成したものが、ペースト押出成形性が良好な点から好ましい。
【００２５】
本発明で使用される原料ＰＴＦＥの標準比重は、２．１８０〜２．２２５である。好ましくは、下限が２．１９０であり、上限が２．２２０である。原料ＰＴＦＥの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素ラジカル源と接触させてフッ素化したときの末端基安定化の効果が小さく、電気特性の向上も小さい。原料ＰＴＦＥの標準比重が２．２２５をこえると、強度が減少し成形性が低下し、クラックの発生も多くなる。
【００２６】
本発明では前記標準比重を有する原料ＰＴＦＥファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させることによりフッ素化処理して、末端不安定基を安定化する。
【００２７】
フッ素化処理の反応温度は、１００〜２５０℃であることが好ましい。より好ましくは、１１０〜２００℃である。反応温度が１００℃より低いと、反応速度が遅くなる傾向にある。反応温度が２５０℃をこえると、原料ＰＴＦＥファインパウダー同士が融着したり分解揮散する傾向にある。
【００２８】
フッ素ラジカル源としては、フッ素ガスのほか、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＩＦ3などのハロゲン化フッ化物；ＸｅＦ2、ＸｅＦ4、ＫｒＦ2などの希ガスのフッ化物；ＮＦ3、ＮＦ2などの含窒素フッ素化合物など前記反応温度でガス状の化合物があげられる。なかでも、取扱い性、価格の点からフッ素ガスが最も好ましい。フッ素ガスを用いてフッ素化処理をする場合、原料ＰＴＦＥファインパウダーを１１０〜２５０℃にて、フッ素ガスと１〜１０時間接触させる。好ましくは、反応温度１８０〜２３０℃である。また反応時間は、２〜５時間であることが好ましい。反応圧力は０．１〜１ＭＰａ程度でよく、好ましくは大気圧である。フッ素ガスは純粋なフッ素ガスでもよく、また窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスで５〜２５容量％、好ましくは７〜２０容量％に希釈して使用してもよい。
【００２９】
フッ素ラジカル源の添加量は、反応温度や反応時間、フッ素ラジカル源の種類などによって異なるが、フッ素原子に換算して、原料ＰＴＦＥファインパウダー１００重量部（以下、「部」という）に対し、０．０１〜１部が好ましい。より好ましくは０．１〜０．５部である。フッ素ラジカル源の添加量が０．０１部より少ないと、原料ＰＴＦＥのフッ素化が不充分となる傾向にある。またフッ素ラジカル源の添加量が１部をこえても、フッ素化の効果は向上せず、不経済となる傾向にある。
【００３０】
フッ素化処理に使用する反応装置としては、固―気接触を充分に行なうことができる装置であれば問題なく使用できる。具体的には流動床型、棚段型の固―気接触反応装置があげられる。
【００３１】
かくして得られるフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーは、−ＣＯＯＨ末端基がフッ素化されて−ＣＦ3または−ＣＯＦ基に置き換わる。さらにフッ素化処理を１８０℃以上の反応温度で行うと、前記−ＣＯＦ基も−ＣＦ3に置き換わる。
【００３２】
前記フッ素化ＰＴＦＥの標準比重は、２．１８０〜２．２２５である。好ましくは、下限が２．１９０であり、上限が２．２２０である。フッ素化ＰＴＦＥの標準比重が２．１８０より小さいと、フッ素化した末端基安定化の効果が小さく、電気特性の向上も小さい。フッ素化ＰＴＦＥの標準比重が２．２２５をこえると、強度が減少し成形性が低下し、クラックの発生も多くなる。なお、フッ素化前後でのＰＴＦＥ標準比重の変化は誤差範囲内である。
【００３３】
前記フッ素化ＰＴＦＥファインパウダーは、平均粒径が２００〜８００μｍであることが好ましい。より好ましくは、２５０〜６００μｍである。平均粒径が２００μｍより小さいと、微粉が多くなり、押出成形時の押出圧力が高くなるため不安定となる傾向にある。平均粒径が８００μｍをこえると、押出助剤が浸透しにくくなるためムラが多く、押出圧力が不安定となる傾向にある。
【００３４】
本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーは、以下の条件でフィルムを作製し、以下の方法でｔａｎδ値を測定すると、１２ＧＨｚでの誘電正接（ｔａｎδ）が２．０×１０-4以下を示す。１．８×１０-4以であることが好ましく、１．４×１０-4以上であることがより好ましい。ｔａｎδが２．０×１０-4をこえると、同軸ケーブルにしたときの誘電損失が大きくなる。ただし、原料ＰＴＦＥの同条件でのｔａｎδは通常２．０×１０-4を超えている。
【００３５】
（サンプルフィルムの作製条件）
前記フッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを円柱状に圧縮成形する。この円柱から切出した厚さ０．５ｍｍのフィルムを熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成する。ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、常温にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。このとき、放冷速度が重要である。特にＰＴＦＥの結晶化の下限温度である２９０℃付近までの冷却速度は、電気的特性に影響を与えるファクターとなる。すなわち、５〜５０℃／秒の速度で放冷する。放冷速度は、１８〜３０℃／秒であることが好ましい。この自然放冷によりＰＴＦＥの結晶化下限温度（約２９０℃）までに冷却される所要時間は、約２〜１５秒間である（冷却速度約５〜５０℃／秒）。この点、従来のｔａｎδの測定では徐冷（６０℃／時間）していたのであるから、本発明の測定方法は急冷条件といえる。前記急冷条件で得られたサンプルのｔａｎδの値は高くなる。したがって、前記徐冷条件で得られたサンプルのｔａｎδの値が低くても、急冷条件で測定した場合、本発明における２．０×１０-4を超えるものになる。
【００３６】
（ｔａｎδ測定方法）
ネットワークアナライザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。次式は、埼玉大学工学部の小林禧夫氏および佐藤純也氏が開発された計算式（小林禧夫、佐藤純也「誘電体平板材料のマイクロ波複素誘電率測定」信学技報、ＭＷ８７−７、１９８７年５月号）にしたがっている。
ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐｃ／ωＷ1）
【００３７】
【数３】
0005135658.tif 000003
【００３８】
ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数（Ｈｚ）
Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数（Ｈｚ）
ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ）
εr：サンプルの比誘電率
μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ）
Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗（Ω）
Ｊ0：−０．４０２７５９
Ｊ1：３．８３１７１
【００３９】
このフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーは、高周波特性に特に優れており、高周波絶縁成形体を製造する材料として好適である。またこの成形体は、標準比重が２．２２５より大きいＰＴＦＥファインパウダーをフッ素化したものを、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーと混合して、成形されてもよい。
【００４０】
本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーは溶融加工できないため、ペースト押出成形法、ラム押出成形法、圧縮成形法などの成形法によって成形加工する。成形に供するフッ素化ＰＴＦＥの形状はファインパウダーのままでも、さらに加工してペレット状やフレーク状にしてもよい。また、チューブ状の成形体または電線やケーブルの被覆層などとする場合はペースト押出成形法が好ましく、フィルム状またはシート状、板状などの成形体とする場合は圧縮成形法、ペースト押出成形法、含浸法などが好ましく採用される。
【００４１】
得られた成形体は、通常、続いて焼成される。焼成温度は３６０〜４００℃が適当である。また、本発明においては焼成後の冷却が空気中での放冷（急冷）であってもｔａｎδの値は小さくなるので、厳しい温度管理は特に要求されないが、比重の観点からは、少なくとも２５０℃までは２０℃／分以下の冷却速度で徐冷することにより、標準比重が２．１８以上、特に２．１８０〜２．２２５にまで高比重化した成形体が得られるため好ましい。
【００４２】
かくして得られる本発明の成形体は、ＡＳＴＭ  Ｄ４８９５に準じて測定した引張強度およびＪＩＳ  Ｋ７１３７−２に準じて測定した引張り伸びがそれぞれ２５〜６０ＭＰａ、好ましくは３０〜４０ＭＰａおよび４００〜９００％、好ましくは５００〜７００％と機械的特性に優れたものとなる。
【００４３】
本発明の成形体はマイクロ波領域（３〜３０ＧＨｚ）における電気特性に優れている。またｔａｎδ（１２ＧＨｚ）は２．０×１０-4以下と低く、高周波特性にも優れている。
【００４４】
本発明の成形体はマイクロ波領域だけではなく３０ＧＨｚを超えるミリ波領域でも使用でき、もちろん３ＧＨｚより低いＵＨＦ（極超短波）領域でも使用できる。
【００４５】
成形体の形態としては、とくに限定されないが、誘電損失が最も問題となり、優れたペースト押出成形性が要求される同軸ケーブルやＬＡＮケーブル、高周波通信用電線の絶縁被覆や絶縁チューブとしてとくに有用である。そのほか、ハンダ付けが必要となるコネクタ、プリント配線基板としても好適である。本発明の成形体は優れた耐熱性を有しているので、ハンダ付け時の耐熱性に問題はない。
【００４６】
【実施例】
つぎに、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されない。
【００４７】
なお、本発明の実施例で測定した各物性値はつぎの方法で測定したものである。
【００４８】
（コロイド粒子の数平均一次粒径）
ＰＴＦＥ粒子のラテックスを固形分０．１５重量％まで水で希釈し、希釈したラテックスの単位長さに対する５５０ｎｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真により定方向径を測定して決定した数基準長さ平均粒子径とを測定して作成した検量線を用い、各試料について測定した上記透過率から決定する。
【００４９】
（標準比重）
ＡＳＴＭ  Ｄ４８９５−８９にしたがって作製されたサンプルを用い、水置換法によって測定する。
【００５０】
（誘電正接（ｔａｎδ））
ネットワークアナライザーとしてヒューレットパッカード社製のＨＰ８５１０Ｃを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周波数およびＱ値の変化を測定し、１２ＧＨｚにおけるｔａｎδを次式にしたがって算出する。
ｔａｎδ＝（１／Ｑｕ）×｛１＋（Ｗ2／Ｗ1）｝−（Ｐｃ／ωＷ1）
【００５１】
【数４】
0005135658.tif 000004
【００５２】
ただし、式中の記号はつぎのものである。
Ｄ：空洞共振器直径（ｍｍ）
Ｍ：空洞共振器片側長さ（ｍｍ）
Ｌ：サンプル長さ（ｍｍ）
ｃ：光速（ｍ／ｓ）
Ｉｄ：減衰量（ｄＢ）
Ｆ0：共振周波数（Ｈｚ）
Ｆ1：共振点からの減衰量が３ｄＢである上側周波数（Ｈｚ）
Ｆ2：共振点からの減衰量が３ｄＢである下側周波数（Ｈｚ）
ε0：真空の誘電率（Ｈ／ｍ）
εr：サンプルの比誘電率
μ0：真空の透磁率（Ｈ／ｍ）
Ｒｓ：導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗（Ω）
Ｊ0：−０．４０２７５９
Ｊ1：３．８３１７１
【００５３】
実施例１
標準比重が２．２２４の芯−殻構造のＰＴＦＥファインパウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あわせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００ｇを、ＴＦＥ−パーフルオロ（メチルビニルエーテル）共重合体シートを敷いたトレーに約２０ｍｍの高さに充填したのち、電気炉内に入れ、１２０℃にてフッ素ガス／窒素ガス（２０／８０容量比）の混合ガスを１リットル／分の流量で５時間通し、フッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。
【００５４】
得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを圧縮成型機により円柱状に圧縮成形した。この円柱から厚さ０．５ｍｍのフィルムを切出し、熱風循環式電気炉で３８０℃にて５分間加熱焼成した。ついで直ちに常温（２５℃）の大気中に取り出し、放冷速度３０℃／秒にて常温にまで放冷してフィルム成形体を作製した。前記測定法にしたがってｔａｎδを測定した。結果を表１に示す。
【００５５】
比較例１
実施例１で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファインパウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの測定を行なった。結果を表１に示す。
【００５６】
実施例２
標準比重が２．１９９の芯−殻構造のＰＴＦＥファインパウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：イソブタン）、芯部および殻部あわせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化処理を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーについて実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔａｎδの測定を行った。結果を表１に示す。
【００５７】
比較例２
実施例２で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファインパウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの測定を行なった。結果を表１に示す。
【００５８】
実施例３
標準比重が２．１９４の芯−殻構造のＰＴＦＥファインパウダー（芯部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ、殻部：ＨＦＰ変性ＰＴＦＥ（連鎖移動剤：エタン）、芯部および殻部あわせた全体のＨＦＰ変性量０．００１３モル％）２００ｇを使用したほかは実施例１と同様にしてフッ素化処理を行ない、本発明のフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーを得た。前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。得られたフッ素化ＰＴＦＥファインパウダーについて実施例１と同様にフィルム成形体を作製し、ｔａｎδの測定を行った。結果を表１に示す。
【００５９】
比較例３
実施例３で使用したフッ素化前の原料ＰＴＦＥファインパウダーについて、前記測定法にしたがって数平均一次粒径を測定した。また実施例１と同様にしてｔａｎδの測定を行なった。結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
0005135658.tif 000005
【００６１】
【発明の効果】
本発明のフッ素化されたＰＴＦＥファインパウダーは、３〜３０ＧＨｚというマイクロ波領域でも電気特性、特に低いｔａｎδを有し、かつ押出成形性に優れた成形体を与えることができる。したがって、特に衛星通信機器、携帯電話基地局などのマイクロ波を使用する機器に使用する資材、たとえば同軸ケーブル、ＬＡＮケーブル、高周波通信用電線などの被覆材料、さらにはプリント配線基板などとして有用である。