(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層（２）と少なくとも１つの第２の層（４）とを有する多層構造体（１）を温度処理するための装置であって、
当該温度処理は、エネルギー量の第１の部分量を第１の層（２）により吸収し、エネルギー量の第２の部分量を第２の層（４）より吸収することにより、多層構造体（１）によってエネルギー量を吸収することで行われ、
第１のエネルギー源（７）と第２のエネルギー源（１１）とが設けられており、
前記第１のエネルギー源（７）は、照射野（８）を有する所定の電磁ビーム（９）を放射し、
前記第２のエネルギー源（１１）は、照射野（１５）を有する所定の電磁ビーム（１３）を放射し、
前記第２の層（４）は前記電磁ビーム（９）及び（１３）に対して所定の吸収度を有しており、
前記第１の層（２）は前記第１のエネルギー源（７）と前記第２の層（４）との間で、前記第２の層（４）は前記第２のエネルギー源（１１）と前記第１の層（２）との間で、それぞれのエネルギー源（７，１１）の照射野（８，１５）に配置され、
前記照射野（８）では、前記第１のエネルギー源（７）と、前記第１の層（２）との間に透明体（５）が配置され、
前記照射野（１５）では、前記第２のエネルギー源（１１）と、前記第２の層（４）との間に透明体（１２）が配置されており、
各透明体（５，１２）は、ガラスセラミック材料を含み、電磁ビームに対して所定の透過率と所定の吸収度とを有し、一つの前記透明体（１２）は、前記温度処理中に前記多層構造体（１）を収容する容器（１７）のカバー（１８）に設けられ、別の前記透明体（５）は前記容器（１７）の底部（１９）に設けられ、該底部（１９）の前記透明体（５）の上に前記多層構造体（１）が直接載置されるように配置されており、
前記透明体の透過率は、所定の波長において０．１から０．９の間であって、
前記底部の透明体（５）は第１のエネルギー源（７）の電磁ビーム（９）の一部を吸収し、吸収したエネルギー量を熱伝導によって第１の層（２）に伝達し、第１の層（２）は先ず第１に熱伝導によって温度処理され、
前記カバーの透明体（１２）は、第２のエネルギー源（１１）の電磁ビーム（１３）の一部を吸収し、吸収されたエネルギー量の一部は、熱放射の形態で第２の層（４）に出力され、当該第２の層（４）は、先ず第１に前記熱放射により温度処理され、
さらに、少なくとも１つのエネルギー変換器（２６）がエネルギー量を多層構造体（１）に伝達するために設けられていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記容器（１７）の底部（１９）に設けられた透明体（５）は均等に配置された多数の間隔ホルダ（６）を有し、
該間隔ホルダには、前記多層構造体（１）が横方向に均一にエネルギー量を吸収するために載置される、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記間隔ホルダ（６）は、ガラスセラミックを含んでなる物質を有している、
請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記容器は少なくとも１つのガス開口部（３１，３２）を、容器を排気し、および／または容器にプロセスガスを充填するために有する、
請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記容器（１７）のガス開口部（３１，３２）は結合ユニット（４２）を有し、該結合ユニット（４２）は、容器（１７）を排気し、および／または容器にプロセスガスを充填するために、プロセスゾーン（３３，３４）に設けられた別の結合ユニット（４１）へ結合する、
請求項４項記載の装置。
【請求項６】
前記装置はプロセス室（３０，３０１，３０２，３０３，３０４）に配置されており、
該プロセス室は、真空室、雰囲気室および／または高圧室の群から選択されている、
請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記エネルギー変換器（２６）は前記透明体（５，１２）および／または前記容器（１７）に載置されており、
前記透明体（５，１２）、前記エネルギー変換器（２６）、前記容器（１７）および前記プロセス室のうちの少なくともいずれか一つは、プロセスガス（１６）に対して不活性である物質を有する、
請求項６項記載の装置。
【請求項８】
温度処理に依存する、装置又は多層構造体の少なくとも１つの物理的パラメータの大きさ（２１）を検出し、エネルギー量の第１の部分量と第２の部分量とを制御するための装置（２７）が設けられている、
請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記パラメータは、前記多層構造体の変形を表す、
請求項８記載の装置。
【請求項１０】
第１の層（２）と少なくとも１つの第２の層（４）とを有する前記多層構造体（１）を温度処理するための方法であって、
エネルギー量の第１の部分量を第１の層により吸収し、エネルギー量の第２の部分量を第２の層により吸収することによって前記多層構造体（１）によりエネルギー量を吸収し、
第１のエネルギー源（７）と第２のエネルギー源（１１）とがエネルギー量を多層構造体（１）に供給するために使用され、
請求項１から９までのいずれか１項記載の装置により使用される方法において、
ａ）前記多層構造体（１）を、前記第１のエネルギー源（７）と前記第２のエネルギー源（１１）との間に配置し、
これにより前記第１の層（２）が前記第１のエネルギー源（７）と前記第２の層（４）との間に、前記第２の層（４）が前記第２のエネルギー源（１１）と前記第１の層（２）との間にそれぞれ配置されるようにし、
前記第１のエネルギー源（７）は、所定の電磁ビーム（９） を放射し、照射野（８）を有し、
前記第２のエネルギー源（１１）は、所定の電磁ビーム（１３） を放射し、照射野（１５）を有し、
前記第１の層（２）及び前記第２の層（４）が前記エネルギー源の前記照射野に配置され、
ガラスセラミック材料を含む透明体を、前記エネルギー源の照射野において、当該エネルギー源と前記層との間に配置し、かつ、一つの前記透明体（１２）は、前記温度処理中に前記多層構造体（１）を収容する容器（１７）のカバー（１８）に配置され、別の前記透明体（５）は、前記容器（１７）の底部（１９）に設けられ、該底部（１９）の前記透明体（５）の上に前記多層構造体が直接載置されるように配置され、
ｂ）前記底部の透明体（５）が第１のエネルギー源（７）の電磁ビーム（９）の一部を吸収し、吸収したエネルギー量を熱伝導により前記第１の層（２）に伝達し、前記第1の層（２）を先ず第１に熱伝導によって温度処理し、
前記カバーの透明体（１２）は、第２のエネルギー源（１１）の電磁ビーム（１３）の一部を吸収し、吸収されたエネルギー量の一部は、熱放射の形態で第２の層（４）に出力され、先ず第１に前記熱放射により当該第２の層（４）を温度処理することにより多層構造体を温度処理することを特徴とする
方法。
【請求項１１】
前記多層構造体の少なくとも１つの層の物質は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、プラスチックおよび金属の群から選択される、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記温度処理の間、エネルギー量の吸収を制御するため、
前記装置の物理的パラメータの量を検出する、
請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の層（２）と少なくとも１つの第２の層（４）のいずれかはプロセスガス（１６）と接触される、
請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
当該方法を方法ステップ（３３，３４）として、インライン方式および／または少なくとも２つの方法ステップを有する擬似インライン方式で実行する、
請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
銅、インジウム、ガリウム、硫黄およびセレンの群から選択される少なくとも１つの物質からなる第２の層と、ガラス製の第１の層とにより多層構造体を作製し、
ここで多層構造体の直径を０．３ｍから５ｍの領域から選択する、
請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】  本発明は、第１の層と少なくとも１つの第２の層とを有する多層構造体を温度処理するための装置であって、エネルギー量の第１の部分量を第１の層により吸収し、エネルギー量の第２の部分量を第２の層により吸収することにより、多層構造体によってエネルギー量を吸収し、エネルギー量の少なくとも１つのエネルギー源を有する装置に関する。
【０００２】  この種の装置は例えばＥＰ０６６２２４７Ｂ１から公知である。この装置の他に、多層構造体を温度処理するための方法およびこの種の多層構造体も提案する。
【０００３】  多層構造体は例えば、支持層（基板）に機能層を被着することにより作製される。機能層および／または支持層が所望の物理的（電気的、機械的等）および／または化学的特性を有するようにするため、場合によっては多層構造体ないしは層および／または支持層を処理しなければならない。処理は例えば多層構造体をガス（処理ガス）中で温度処理することも含む。
【０００４】  多層構造体は例えば扁平な薄膜太陽電池であり、電極層はモリブデンおよび機能的銅・インジウム・ダイセレニド（ＣＩＳ）からなり、半導体層はガラスの支持層に被着されている。この薄膜太陽電池はＥＰ−６６２２４７Ｂ１によれば２ステップ処理で製作される。第１のステップで、一列に並んだ素子が層形状で、ガラス製の支持層に被着される。モリブデン、銅、インジウムおよびセレンである。このようにして得られた多層構造体は第２のステップで温度処理される。ここでは銅・インジウム・ダイセレニド（半導体層）が形成される。
【０００５】  温度処理のために多層構造体は、グラファイトからなる密閉容器に配置される。温度処理の間、容器内部でガス状セレンの所定の部分圧が形成される。ここではガラスに被着された層はガス状セレンと接触する。
【０００６】  温度処理の際に多層構造体はエネルギー量を吸収する。ここで各層にはエネルギー量の部分量が供給される。温度処理は例えば１０℃／ｓの加熱速度で行われる。エネルギー量のエネルギー源としてハロゲンランプが使用される。ハロゲンランプにより、グラファイト製の容器が照射され、これにより容器は加熱される。この種の過程はとりわけ効率的である。なぜなら、グラファイトは擬似的「完全放射体」として、電磁ビームに対して高い吸収能力を有するからであり、とりわけハロゲンランプのスペクトル領域のビームに対して高い吸収能力を有する。グラファイトにより吸収されたエネルギー量は熱放射および／または熱伝導によって多層構造体に供給される。従って容器は二次エネルギー源ないしはエネルギートランスミッタとして機能する。
【０００７】  グラファイトは高い放射能力と高い伝熱性を有する。多層構造体を容器の底部に載せる場合、エネルギー量の供給は多層構造体の下側で実質的に熱伝導によって行われる。多層構造体の上側からはエネルギー量が熱放射によって供給される。
【０００８】  多層構造体の層構造が非対称であるため、および／または多層構造体の上側と下側でのエネルギー供給が異なるため、加熱速度が高い場合には多相構造体の層が不均一に温度処理されてしまう。このため多相構造体の厚さ方向に温度不均等が発生し、このことにより層材料の温度膨張係数がゼロと異なる場合には、層および／または多相構造体内に機械的負荷が発生することがある。この機械的負荷は層および／または多層構造体のひびまたは割れを引き起こすことがある。機械的負荷はまた多層構造体の変形（反り）を引き起こす。この変形は支持体層がガラス製の場合は一般的に一過性のものである。すなわち温度処理後に変形は元に戻る。しかし変形が恒久的であることもある。この場合、変形は元に戻らない。これは、支持体層（例えばガラス製）の軟化点を温度処理の際に上回った場合であり、このときは（内部）機械的負荷および／または外力が作用する。
【０００９】  多層構造体の面積が大きければ大きいほど、また温度変化速度（加熱速度、冷却速度）が高ければ高いほど、多層構造体の温度処理中に温度均一性を多層構造体内で所期のように調整することは困難となり、不所望の機械的負荷の発生する確率が高くなる。
【００１０】  本発明の課題は、大面積の多層構造体を高い温度変化速度により温度処理する間、どのようにして温度均一ないしは温度均等を所期のように調整できるかを提示することである。
【００１１】
この課題を解決するために、冒頭に述べたような、第１の層と少なくとも第２の層とを有する多層構造体を温度処理するための装置であって、エネルギー量の第１の部分量を第１の層により吸収し、エネルギー量の第２の部分量を第２の層により吸収することにより多層構造体によってエネルギー量を吸収し、エネルギー量の少なくとも１つのエネルギー源を有する装置において、第１のエネルギー源と少なくとも１つの第２のエネルギー源とが設けられており、少なくとも１つのエネルギー源は、照射野を有する所定の電磁ビームを放射し、少なくとも１つの層は前記電磁ビームに対して所定の吸収度を有しており、第１の層は第２のエネルギー源と第２の層との間で、第２の層は第２のエネルギー源と第１の層との間で、当該層が電磁ビームを吸収するように照射野に配置され、照射野では、照射野を有するエネルギー源と、該電磁ビームを吸収する層との間に少なくとも１つの透明体が配置されており、該透明体は電磁ビームに対して所定の透過率と所定の吸収度を有すしまた透明体は、ガラスおよび／またはガラスセラミックの群から選択された物質を有していることを特徴とする。
【００１２】  本発明の技術思想は、多層構造体の層を個別に加熱する、すなわち１つの層が吸収するエネルギー量の部分量を所期のように制御、調整および／または予調整するということである。例えばエネルギー量は制御回路によって温度処理中に定められる（下記参照）。エネルギー源（例えばエネルギー密度、エネルギーの種類等）の予調整だけで付加的制御回路なしでも十分であることも考えられる。本発明により多層構造体層の個別の加熱が、１℃／ｓから例えば５０℃／ｓおよびそれ以上の非常に高い加熱速度であっても可能である。個別の加熱によって、温度処理中に機械的負荷、およびこれにより場合により発生する多層構造体の変形が可能な限り小さく維持される。
【００１３】
このための基礎は、光学的に部分透過性（半透明）の透明体である。例えば所定の波長において０．１から０．９の間の透過率によって、上記の電磁ビームは透明体を通って層に達する。この層は、エネルギー源から放射された相応のエネルギー量ないしはエネルギー量の部分量を吸収することができる。
【００１４】  しかし透明体は電磁ビームに対して所定の吸収も有する。これにより吸収されたエネルギーは熱放射および／または熱伝導の形で環境に放出することができる。特別の構成では、多層構造体を温度処理するための装置は透明体を有し、この透明体は電磁ビームの吸収によって多層構造体の方向へ熱放射および／または熱伝導を行う。これにより層を熱放射および／または熱伝導によって温度処理することができる。
【００１５】  多層構造体の第１の層が熱放射に対しては透過であり、実質的に熱伝導によってのみ温度処理され、また同じ多層構造体の第２の層が同じ透明体の熱放射によって実質的に温度処理されることも考えられる。相応の透過率を有する第１の層は例えばガラス層である。エネルギー源および／または透明体の電磁ビームがガラス対に到達すると、ビーム成分の僅か（４％）が反射される。大部分（＞９０％）は妨げられずにガラスを通過して多層構造体の第２の層に到達する。そこでこのビームは吸収され、エネルギー量がこの第２の層によって吸収される。ガラス層はビームないし熱放射によって、加熱速度が高い場合でも十分に高速には温度処理できない。これに対して、透明体がエネルギー量の部分量を吸収し、ガラス層に伝達できる場合には比較的高速の温度処理が熱伝導により可能である。
【００１６】  透明体自体が多層構造体の層であることも考えられる。透明体は、電磁ビームの一部を吸収することによってエネルギー量の部分量を吸収することができ、透過によってエネルギー量の別の部分量を、別の層による吸収のために通過させる。
【００１７】  特別な構成では本発明の方法において、１つの層が少なくとも１つの別の層に対する支持体層として機能する多層構造体が使用される。この多層構造体はとりわけ非対称の層シーケンスを有する。例えば多層構造体は、片側が被覆された支持体層を有する。多層構造体の個々の層は順次配置することもできる。
【００１８】有利な構成では、多層構造体の１つの層が、ガラス群、すなわちガラスセラミック、セラミック、金属および／またはプラスチックから選択される材料を有する。プラスチックとしてとりわけ温度耐性のある材料、例えばテフロンが使用できる。１つの層は例えば金属シートである。金属シートは支持体層としても機能する。
【００１９】  １つの層により吸収されるエネルギー量の部分量は例えばこの層の吸収特性、放射特性および／または反射特性に依存する。しかしこれはまたエネルギー源の形式、すなわちエネルギー量がどのようにして多層構造体ないしは多層構造体の層に伝達されるかにも依存する。
【００２０】  多層構造体ないしは層の温度処理は、熱エネルギーに対するエネルギー源によって行われる。ここではこの層に熱エネルギーを直接供給することも考えられる。ここでは熱放射、熱伝導および／または対流が考えられる。熱放射の場合、エネルギー源自体が熱放射に対するソースであっても良い。熱放射は例えば０．７から４．５μｍの間の波長（赤外線）の電磁ビームにより行う。相応の層がエネルギー源のビーム野に配置される。この層にはエネルギー源の電磁ビームが衝突し、少なくとも電磁ビームの一部が吸収される。
【００２１】  しかし１つの層に、この層において熱エネルギーに変換されるににのエネルギーを供給することもできる。例えば層に高エネルギーのＵＶ光を照射すれば、このＵＶ光は層により吸収される。高エネルギー光子が吸収されることによって、層の分子または層全体が電子励起状態となる。ここで吸収されたエネルギーは熱エネルギーに変換することができる。
【００２２】  熱照射および熱伝導の他に、１つの層ないしは構造体全体を対流によって温度処理することができる。ここでは所定のエネルギーを有するガスが層に導かれ、ガスがエネルギーを層に出力する。通過するガスは同時にプロセスガスとしても機能する。
【００２３】  熱伝導および／または対流によって通常、層は冷却もされる。ここでは層に負の熱エネルギーが供給される。このようにして、エネルギー量ないしはエネルギー量の部分量を制御し、例えば機械的負荷を多層構造体で付加的に調整することができる。
【００２４】  特に有利な構成では、エネルギー量を多層構造体に伝達するためのエネルギー変換器が儲けられている。エネルギー変換器は二次エネルギー源として機能する。エネルギー変換器は、例えばハロゲンランプである比較的にエネルギー領域の大きな一次エネルギー源の電磁ビームを吸収し、この電磁ビームを層により吸収される熱放射に変換する。
【００２５】  エネルギー変換器として、多層構造体の間接的および／または直接的周囲が温度処理中に機能する。エネルギー変換器を多層構造体と共に温度処理のため容器の内室に配置することも考えられる。エネルギー変換器はまた容器の外部に、例えば容器の壁または容器に対して間隔をおいて配置することもできる。エネルギー変換器が容器の被覆部であることも考えられる。エネルギー変換器は例えばグラファイトシートである。容器自体がエネルギー変換器の機能を引き継ぐこともできる。この種の機能は、例えば容器がグラファイト製であれば得られる。最後に透明体はまさにエネルギー変換器である。同様にガスもエネルギー伝達の際に対流によりエネルギー変換器として機能する。
【００２６】  多層構造体が吸収するエネルギー量は、層ごとに異なるだけではなく、１つの層内でも異なることがある。例えば温度処理中に周辺効果が多層構造体ないしは多層構造体の１つの層に発生する。層の周辺領域は層の内部領域とは異なる温度を有する。温度処理の間は、ラテラル温度勾配が調整される。このことは、エネルギー源のビーム野が不均一である場合に行われる。この場合、ビームにより照射される面のビーム野のエネルギー密度はすべてで同じではない、しかしラテラル温度不均一性は、層の周辺において単位容積当たりの吸収性面積が比較的大きいため、単位面積当たりで比較的大きなエネルギー量が吸収される場合にも生じる。温度勾配を調整するために、例えば多数のサブユニットからなるエネルギー源を使用することもできる。各サブユニットは別個に制御することができ、従って各サブユニットにより層へ供給されるエネルギー量が別個に調整される。この種のエネルギー源は例えば個々の加熱素子からなるアレイまたはマトリクスである。加熱素子は例えばハロゲンランプである。アレイまたはマトリクスは、層内のラテラル温度勾配を調整するために使用できる。このことによって例えば層構造体の恒久的または一時的変形を所期のように形成することができる。層が並置された多層構造体の温度処理のために、アレイまたはマトリクスは非常に有利である。
【００２７】  エネルギー源については、エネルギー源が連続モードで動作すると有利である。しかしエネルギー源が周期的におよび／またはパルスモードでエネルギー量ないしはエネルギー量の部分量を層に供給することも考えられる。この種のエネルギー源は例えばパルス化電磁ビームによるエネルギー源である。このようにして層に同時にまたは時間的シーケンスで（例えば交互に）エネルギー量を供給することができる。
【００２８】  電磁ビームに対するエネルギー源の以下の特性は特に有利である：
・エネルギー源が均質なビーム野を有する。
【００２９】・エネルギー源のスペクトル強度分布が、透明体および場合により既存の容器の層吸収スペクトルと部分的に重なっている（下記参照）。
【００３０】・プロセスガス中では、エネルギー源は耐腐食性であり、および／または腐食保護されている。
【００３１】・エネルギー源は、多層構造体（および場合により容器の質量）の質量を１℃／ｓ以上の加熱速度で加熱することができるのに十分なエネルギー密度を有する。
【００３２】  有利な構成では、装置の透明体が少なくとも１つの間隔ホルダを有し、この間隔ホルダに多層構造体を、ラテラル均一エネルギー量を吸収するために当接することができる。多層構造体が透明体ないしは間隔ホルダに接する際に介在する層がまず第１に均一な熱放射によって温度処理される。この形式では間隔ホルダは電磁ビームに対して吸収の少ない材料を有する。間隔ホルダは例えば透明体の表面から、数μｍから数ｍｍ突出している。
【００３３】  間隔ホルダ上に載置された層はまず第１に熱伝導によって熱処理される。このために間隔ホルダは例えば相応の温度処理速度に対して必要な伝熱性を有する。間隔ホルダが、熱伝導によるエネルギー伝達のためにエネルギー源の電磁ビームに対して高い吸収性を有することも考えられる。この場合、電磁ビームは効率的に熱エネルギーに変換される。
【００３４】  とりわけ透明体は多数のこの種の間隔ホルダを有する。多層構造体の層と透明体との間に接触して均等に配置された間隔ホルダが多数ある場合、付加的にラテラル温度分布の均一化を達成することができる。
【００３５】  有利な構成では、透明体および／または間隔ホルダは、ガラス群および／またはガラスセラミック群から選択された材料を有する。ガラスセラミックは種々の利点を有する。
【００３６】・例えば０℃から７００℃の広い温度領域での温度処理に使用することができ、ガラスセラミックは例えば上記温度領域のよりも高い軟化点を有する。
【００３７】・熱膨張係数が非常に小さい。温度破損耐性が高く、温度処理の上記温度領域では反りが生じない。
【００３８】・多数の化学物質に対して化学的に不活性であり、これらの化学物質をほとんど透過しない。この種の化学物質は例えばプロセスガスであり、このプロセスガスに層および／または多層構造体全体が温度処理中に曝される。
【００３９】・電磁ビームに対する多数のエネルギー源のスペクトル領域において光学的に部分透過性であり、とりわけエネルギー源のビーム密度が高い波長領域で部分透過性である。この種のビーム源は例えば０．１から４．５μｍの間の高いビーム密度を有するハロゲンランプである。
【００４０】  ガラス、とりわけ水晶ガラスが透明体に対する材料としても考えられる。これの利点は１２００℃までの高い使用温度である。この材料は、ハロゲンランプの形態のエネルギー源のスペクトル領域において高い透過性を示し、吸収が少ない。光は実質的に妨げられずにこの透明体を通過し、電磁ビームに対して相応の吸収を有する層に達する。そこでこの層はエネルギー量を吸収し、加熱される。透明体はビームによってはほとんど加熱されない。
【００４１】  プロセス適用では、加熱される層の材料が蒸発し、透明体の比較的冷たい表面に析出することもあり得る。このことを阻止するために、透明体を温度処理中に所要の温度まで加熱することができる。このことは、エネルギー量を透明体に熱伝導および／または対流によって伝達することにより行われる。透明体に吸収されるような電磁ビームも考えられる。透明体が、電磁ビームの所定部分を吸収するような層を有することも考えられる。このようにして吸収されたエネルギーは、ガラスまたは水晶ガラス製の透明体にさらに伝導される。このような実施例では透明体は、光学的に部分透明性の層を有するガラス体からなり、熱放射による多層構造体へのエネルギー伝達のためにも、熱伝導による多層構造体へのエネルギー伝達のためにも使用できる。
【００４２】  本発明の特に有利な構成では、少なくとも１つの層がプロセスガスに曝される。多層構造体全体をプロセスガスに曝すことも考えられる。プロセスガスは温度処理中に層ないしは個々の層または多層構造体全体に作用し、多層構造体の物理的および化学的特性の変化に関与する。プロセスガスとして例えば不活性ガス（窒素分子または希ガス）が使用される。プロセスガスは層の材料とは反応しない。しかし層の材料と反応するようなプロセスガスも考えられる。プロセスガスの作用下で、機能層が形成される。例えばプロセスガスは層の材料に対して酸化または還元に作用する。そのための可能なプロセスガスは酸素、塩素、水素、セレン元素、硫黄、または水素化合物である。エッチングプロセスガス、例えばＨＣＬ等も可能である。プロセスガスに対するさらなる例はＨ２ＳおよびＨ２Ｓｅであり、これらは薄膜太陽電池の製造時に使用される（下記参照）。最後に相応にして層の材料と反応するすべてのガスまたはガス混合気が考えられる。
【００４３】  層が所定のプロセスガス雰囲気に曝されると有利である。この所定プロセスガス雰囲気はプロセスガスの部分圧を温度処理中に含む。例えば層または多層構造体が温度処理のために真空と接することも考えられる。
【００４４】  所定のプロセスガス雰囲気は例えば次のようにして達成される。すなわち、プロセスガスが所定の速度で層を通過するのである。このときプロセスガスは種々異なる部分圧により温度処理の経過中に、層に作用する。順次異なるプロセスガスが層構造体の層と接触することも考えられる。
【００４５】  有利には、プロセスガスと接触する少なくとも１つの層は取り囲まれている。このことは例えばその層の包囲部により達成される。ここで包囲部は支持体層に固定することができる。包囲部には温度処理前または温度処理中にプロセスガスが充填される。ここでプロセスガスは層の表面に凝縮し、層の特性がプロセスガスによって調整される。このようにして、包囲部をプロセスガスにより汚染されるのを阻止することができる。このことはとりわけ腐食性および／または有毒性のプロセスガスの場合に重要である。さらに層を変換するために必要な、プロセスガスでの確率量論的量によって処理することができる。これによりプロセスガスが不必要に消費されることがない。
【００４６】  本発明の有利な実施形態では、多層構造体を温度処理中に保持するための容器が設けられている。ここではとりわけ透明体はこの容器の壁である。容器は、これが自動的に層の包囲部ないしは多層構造体全体となるので有利である。包囲部は多層構造体に固定する必要はない。容器が閉鎖可能であれば、プロセスガス雰囲気を所期のように容易に調整することができる。とりわけ容器はこのために、容器を排気し、および／またはプロセスガスにより充填するための少なくとも１つのガス開口部を有する。有利な実施例では、ガス開口部は自動調整可能な弁によって実現される。プロセスガス雰囲気はアクティブに調整することができる。ガス開口部は容器に任意のガス、例えば洗浄ガスを充填するためにも使用することができる。プロセスガス雰囲気は温度処理中に調整することもまたは追従して調整することもできる。
【００４７】  プロセスガス雰囲気を所期のように調整するために、容器は十分に大きな容積を温度処理中に必要なプロセスガスに対して有することができる。温度処理がプロセスガスの均一で再現可能な分布を層上で必要とする場合には、容器からのガス流出を所期のように調整することができる。このことは例えば、非常に高い加熱速度によって温度処理される場合に必要である。この場合、プロセスガスは膨張する。容器がここで発生するガス圧に耐えられなければ、容器の変形、またはそれどころか容器の破壊が生じる。しかし変形は、多層構造体が容器の底部に載置されている場合に阻止すべきである。容器の変形は上に述べたように、多層構造体でのラテラル温度不均一性につながる。
【００４８】  容器はとりわけ温度処理時に多層構造体の搬送手段でもあり得る。この容器は、温度処理中に例えばガラス製の層（支持体層ないしは基板）の破壊が排除されないという利点を有する。このような基板の破壊時には破壊された材料が容易を多層構造体の温度処理のための装置から除去することができる。このことは温度処理のための装置のプロセス安定性に寄与する。
【００４９】  特に有利な構成では、透明体を有する容器の壁は容器のカバーおよび／または底部である。例えば層を有する多層構造体は底部の透明体に直接載置される。透明体は上記のように、間隔ホルダを有することができる。カバーは同様に透明体を有し、この透明体は例えば多層構造体ないしは多層構造体の層と接触しない。このようにして多層構造体の、底部に載置された層が熱伝導によって加熱され、カバーに向いた側の層が熱放射により加熱される。カバーに向いた側の層は容易にプロセスガスに曝すことができる。
【００５０】  しかし容器のカバーは、エネルギー源から送出された電磁ビームの高吸収性を特徴とすることもできる。
【００５１】  さらなる構成では、容器の底部および／またはカバーはそれぞれ少なくとも１つの多層構造体により形成される。ここではプロセスガスと接する多層構造体の層は容器の内室の方向を向いている。この解決手段は、多層構造体ないしは多層構造体の層が低い温度膨張係数を有する場合、および／または温度処理速度が低い場合に可能である。温度処理速度が高い場合には、多層構造体が、熱伝導率の高い支持体層を有すると有利である。支持体層は外に向かって配向されている。例えばここでは支持体層は上記のような透明体である。
【００５２】  容器により装置はとりわけ温度処理を、種々異なる方法ステップ（種々異なるプロセスゾーンで実行される）を有するインライン方式で実行するのに適する。
【００５３】  容器の搬送は、インライン方式では連続的にまたは非連続的に行うことができる。連続的なインライン方式では、処理材料または処理容器はインライン処理実行中全体にわたって処理装置により移動される。非連続的またはインライン方式のいわゆる「インデクスモード」では、処理ボックスまたは処理材料が搬送の間だけ、１つのプロセスゾーンから別のプロセスゾーンへ移動され、そして部分プロセスが終了するまでその方法ステップに留まる。ここでは、搬送時間を滞留時間に対してできるだけ短くするのが有利である。引き続き、次のプロセスゾーンへのさらなる搬送が行われ、再びそこに滞在する。インデクスモードに対して設計されたインライン装置に対しては、各プロセスゾーンが少なくとも１つの処理容器の大きさを有すると有利である。これによりプロセスゾーンの均質性（例えば温度）を処理材料に伝達することができる。別の構成では、インデクスモードで材料が搬送されるプロセスゾーンすべてが搬送方向で同じ寸法を有する。従って最も簡単な搬送機構は搬送チェーン、搬送ベルト、またはプッシャトランスポートであり、１つのプロセスゾーンだけではなく、インデクスモードで隣接するすべてのプロセスゾーンに同時に積載および取り出しすることができる。
【００５４】  多層構造体は例えば容器に収容される。この容器と共に多層構造体は方法ステップごとにないしはプロセスゾーンごとに搬送される。各方法ステップ、すなわち容器の加熱、冷却、排気または充填は適切なプロセスゾーンで実行することができる。第１の方法ステップで容器には例えばプロセスガスが充填される。このとき容器はこのために設けられた適切な室に収容され、そこで排気され、相応のプロセスガスが充填され、閉鎖される。ここでは、容器をプロセスガスにより洗浄または充填するための入口と出口（ガス開口部）を別個にすることも考えられる。このがス開口部は、ガス充填または処理ボックスの排気のための結合ユニットおよび位置決めユニットと接続することができる。結合ユニットは例えば、容器をインライン方式でのインデクスモードで方法ステップを実行するため、相応のユニット（例えば真空ポンプ、ガスボトル）と結合し、容器に相応のガスを充填し、または空にすることができる。
【００５５】  特に有利な構成では、容器をプロセスゾーンに配列するための結合ユニットを有する。結合ユニットにより容器をプロセスゾーンに保持ないしは位置決めすることができる。このためにプロセスゾーンは同様に結合ユニットを有する。結合ユニットは、容器をインライン方式で方法ステップを所定の個所（プロセスゾーン）で実行するために保持し、相応のユニット（例えば真空ポンプ、ガスボトル）と相応に接続されており、容器に相応のガスを充填し、これをまた空にすることができる。容器の結合ユニットおよびプロセスゾーンの結合ユニットは、例えば鍵穴原理に従って機能する。プロセスゾーンごとの容器の搬送を結合ユニットにより行うことも考えられる。
【００５６】  次のような方法ステップも考えられる：第１の方法ステップで、容器に例えばプロセスガスを充填する。ここでは容器をそのために設けられた適切な室に収容し、そこを排気し、相応のプロセスガスを充填し、閉鎖する。このとき容器に別個の入口と出口（ガス開口部）を、容器をプロセスガスにより洗浄または充填するために設けることも考えられる。とりわけ容器のガス開口部は、容器をプロセスゾーンの結合ユニットに結合するための結合ユニットを有する。
【００５７】  このガス開口部は結合ユニットおよび／または位置決めユニットとして用いられる。第２の方法ステップでは温度処理が行われる。このために容器は室から加熱ゾーンに搬送される。温度処理の終了後、多層構造体は加熱ゾーンから冷却ゾーンヘさらなる方法ステップの実行のために搬送される。
【００５８】  いわゆるインライン方式での搬送は例えば、多層構造体を有する多数の容器を連結した形態でインライン装置によって案内する。容器は同時に移動される。この形式の搬送はプッシャモードと称される。ここで有利には、搬送はインデクスモードで行われる。
【００５９】  有利な構成では、装置がプロセス室に配置される。このプロセス室は、真空室、雰囲気室および／または高圧室の群から選択される。プロセス室内にはインライン装置全体を組み込むことができる。例えば加熱ゾーンまたは冷却ゾーンを、多層構造体を備える容器に対するエアロックを通してアクセスしたり、プロセス室内の別のプロセスゾーンに対して分離することができる。例えば一枚壁のプロセス室を有する加熱ゾーン、水冷される２枚壁の冷却ゾーンなど複数のプロセス室を設けることも考えられる。容器によって搬送はプロセス室ごとに行われる。
【００６０】  有利な構成では、透明体および／またはエネルギー変換器および／または容器および／またはプロセス室はプロセスガスに対して不活性である物質を有する。さらに有利には温度処理のプロセス環境全体が使用されるプロセスガスに対して不活性である。プロセス環境には例えばエネルギー源（一次エネルギー源）が含まれる。
【００６１】  この物質はプロセスガスに依存して選択される。例えばガラス、ガラスセラミックおよびセラミックが考えられる。ファイバ強化材料、例えば炭素ファイバ強化グラファイトも同様に使用することができる。ＳｉＣのように高い熱伝導係数を有する物質も考えられる。容器および／またはプロセス室は全体または部分的に金属または合金からなることもできる。同様に所定の温度まで耐えられるプラスチックも可能である。
【００６２】  プロセスガスに対して化学的に不活性であることの他に、以下の特性が容器の材料に対して有利である。
【００６３】・容器の材料は温度処理の条件下で、反りがない。さらに温度ショック耐性がある。このことはとりわけ、小さな温度膨張係数を有する場合である。
【００６４】・容器材料の熱軟化点は温度処理の最大温度よりも上にある。
【００６５】・容器はプロセスガスに対して僅かな、ないしは所定の透過性を示す。
【００６６】  有利な構成では、温度処理に依存する少なくとも１つの物理的パラメータの大きさを検出するための装置は、エネルギー量の第１および第２の部分量を制御するための装置を備えている。
【００６７】  考えられるパラメータは、層の吸収特性、透過特性および／または反射特性である。パラメータの大きさはパラメータの値である。例えば最大吸収の波長は温度に依存する。パラメータの大きさはこの場合、相応の波長である。
【００６８】  とりわけパラメータは多層構造体の温度である。ここで大きさは温度の値である。多層構造体の層、透明体および／または容器ないしは容器の壁の温度を件注することも考えられる。温度処理の間、常時多層構造体および／または層の少なくとも１つのパラメータを検出することができる。例として検出された層の温度に基づいて、層により吸収されるエネルギー量の部分量が増大または減少される。このことにより温度不均一性ないしは温度勾配が多層構造体の厚さ方向で回避される。しかしこの温度不均一性は、これが必要な場合には高めることもできる。
【００６９】  例えば温度を検出するための装置は、層上に配列された高温計とすることができる。高温計は例えば層から送出された熱放射を検知する。熱放射に基づいて、層の温度が推定できる。層と接合され、熱伝導によって温度変化する温度検知器も考えられる。
【００７０】  層または多層構造体の温度を直接測定するのではなく、間接的に測定することも考えられる。例えば高温計を、多層構造体が温度処理される容器に配列することもできる。容器の温度は多層構造体の温度によって影響を受けるからである。容器の温度に基づき、多層構造体の層の温度が推定される。エネルギー量ないしはエネルギー量の部分量が、容器の測定された温度に基づいて制御される。このために例えば温度処理の前に「較正測定」が実行され、容器の測定される温度と層ないし層構造体の実際の温度との関係が明りょうにされる。「較正測定」は温度の目標値を指示し、実際値が検出される。目標値と実際値との比較により、エネルギー量を制御するための制御量が得られる。
【００７１】  検出（およびエネルギー量の部分量の制御）はとりわけ多層構造体の厚さ方向での位置分解と、温度処理の時間枠内での時間分解によって行われる。例えば多層構造体は２５℃／ｓの温度速度で加熱される。次に検出もエネルギー量の部分量の制御も迅速に行われ、多層構造体の層間の温度差が温度処理中に例えば所定の最大値以下に留まるように制御される。
【００７２】  厚さ方向での温度不均一性は多層構造体の一時的変形と共に、多層構造体内でのラテラル温度不均等を引き起こすことがある。ここでラテラルとは多層構造体の層内において厚さ方向に対して垂直を意味する。冒頭に述べたように、多層構造体は温度処理中にグラファイト製の底部に載置される。エネルギー量の供給ないしは吸収は、底部に載置された多層構造体の層によって、熱伝導により行われる。厚さ方向での温度不均等によって、多層構造体の一時的変形が多層構造体の撓みの形で発生することがある。このとき、熱伝導に対して必要な多層構造体と容器の底部との接触が部分的に解除されてしまう。その結果、載置された層ないしは多層構造体のラテラル温度不均等が生じる。従って、パラメータ（およびエネルギーの制御）のために、厚さ方向だけではなくラテラル方向でも位置分解を行うのが有利である。
【００７３】  特に有利な構成では、パラメータは多層構造体の変形である。発生した温度不均等に基づいて、変形の生じることがある。例えば多層構造体が凹型に湾曲する。多層構造体は例えば容器の底部に載置される。凹型の変形によって、多少構造体の縁部領域に載置面と多層構造体との間に間隔が生じる。この種の変形の大きさは例えばレーザー干渉計またはレーザー光反射装置により検出することができる。この大きさに基づいてエネルギー量の制御が行われる。大きさが変形の初期段階で識別され、これに対して迅速に応答できると有利である。
【００７４】  大きさを検出するための装置に対しては、温度に依存するパラメータを光学的装置（例えばレーザー）により検出すると有利である。
【００７５】  探査すべき層が光学的装置の光に対して接近可能であり、検出信号が一義的に検出すべきパラメータに配属されていると有利である。レーザーの波長は多層構造体の熱放射から十分に異なっていなければならない。装置に容器が装備されていれば、透明他はレーザーの光に対して十分に透明であると有利であろう。
【００７６】  本発明の装置によって、多層構造体の所望の変形を得ることができる。このためには、変形が温度処理の間に上述のように生じると有利である。例えば湾曲した薄膜太陽電池を作製することができる。所定の変形を達成するために、多層構造体は相応する型ないしはマスクの上に載置される。型ないしマスクは直接、エネルギー源とすることもできる。多層構造体は支持体層の軟化点以上に加熱される。その結果、多層構造体はマスクないしは型に相応する形状を取る。マスクは例えば容器の底部に組み込まれている。このマスクは透明体であっても良い。
【００７７】  本発明の第２の側面によれば、多層構造体を温度処理するための方法が得られる。この多層構造体は第１と少なくとも第２の層を有し、エネルギー量の第１の部分量を第１の層により吸収し、エネルギー量の第２の部分量を第２の層により吸収することによって、多層構造体はエネルギー量を吸収する。ここでは少なくとも１つのエネルギー源がエネルギー量を多層構造体に供給するために使用される。ここではとりわけ前記の装置が使用される。方法ステップは、多層構造体を第１のエネルギー源と少なくとも１つの第２のエネルギー源との間に配置し、これにより第１の層を第１のエネルギー源と第２の層との間に、第２の層を第２のエネルギー源と第１の層との間に配置し、このときエネルギー源として少なくとも１つのエネルギー源を照射野を有する所定の電磁ビームのために使用し、少なくとも１つの層は電磁ビームを吸収し、エネルギー源の照射野に配置され、透明体をエネルギー源の照射野においてエネルギー源と層との間に配置し、この層はエネルギー源の照射野にあり、所定の電磁ビームを吸収し、多層光構造体を温度処理するのである。
【００７８】  別の有利な構成では、透明体が所定のエネルギー量を吸収し、このエネルギー量を層に供給する。このことはとりわけ、透明体から層への熱伝導および／または熱放射によって行われる。
【００７９】  特に有利な構成では、少なくとも１つの層がプロセスガスと接触する。このことは、温度処理中および／または温度処理後に行われる。このとき１つの層だけではなく、多層構造体全体をプロセスガスと接触させることもできる。
【００８０】  別の構成では、温度処理に依存する、多層構造体の物理的パラメータの大きさが、エネルギー量の吸収を制御するために、温度処理中、およびエネルギー量の第１の部分量と第２の部分量の制御中に検出される。特に有利には、透明体に、層はエネルギー量を熱伝導および／または熱放射によって供給する。
【００８１】  有利な構成では、方法ステップとしてインライン方式および／または少なくとも２つの方法ステップを有する擬似インライン方式が実行される。各方法ステップは、別個の個所（プロセスゾーン）で実行される。ここでは上述の容器を有する装置が使用され、多層構造体がプロセスごとに搬送される。この方法ステップは例えば加熱ゾーンまたは冷却ゾーンとすることができ、これらには結合ユニットを容器のガス充填または排気のために装備することができる。この方法ステップは周囲のプロセス室によって相互に結合することができる。周囲の包囲体は例えば真空室、雰囲気室、または高圧室とすることができる。さらにこの方法ステップは入口と出口において反応物質のために真空エアロックまたは高圧エアロックを設けることができる。
【００８２】  本発明の別の側面では次のような多層構造体が得られる。この多層構造体は、銅、インジウム、ガリウム、硫黄、および／またはセレンの群から選択された少なくとも１つの物質からなる第１の層と、ガラス製の第２の層を有する。ここで多層構造体のラテラル直径は０．３ｍから５ｍの領域から選択される。有利には直径は１．０ｍから５ｍである。
【００８３】  有利な構成では、多層構造体が上記の方法によって製造される。ここで多層構造体の第１の層の少なくとも１つの材料は、銅、インジウム。ガリウム、硫黄、およびセレンの群から選択され、第２の層はガラス製である。多層構造体のラテラル直径（寸法）は０．３ｍから５ｍの領域から選択される。層は例えば銅・インジウム・セレン化物・半導体層である。
【００８４】  上記の多層構造体は例えば薄膜太陽電池ないしは薄膜太陽電池モジュールであり、直列に接続された多数の個々の薄膜太陽セルからなる。ガラスは有利にはソーダ石灰ガラスである。相応の層は支持体層として機能する。支持体層の上にはモリブデン層が電極として被着され、モリブデン層の上には機能層、すなわち銅・インジウム・ガリウム・スルホ・セレン化物（ＣＩＧＳＳｅ）半導体層が被着される。ガラス体および半導体層からなる層構造体の厚さは典型的には２から４ｍｍであり、モリブデン層は約０．５μｍ、半導体層は約３μｍである。多層構造体の厚さに対する上記の領域はそれに限定されるものではない。制限的要因は、できるだけ平坦で大きなサブストレートを作製する能力であり、ひいては前記装置ないしは方法によって多層構造体を処理することのできる能力である。
【００８５】  まとめると本発明により以下の利点が得られる。
【００８６】・非対称な層構造（例えばただ１つの層を支持体層上に有する多層構造体）を有する大面積の多層構造体を１℃／ｓ以上の温度変化速度で処理することができる。
【００８７】・多層構造体の層は、熱伝導係数が大きく異なっていても良い。
【００８８】・温度処理に依存するパラメータの大きさを、時間的および位置的に分解して検出および制御することにより、温度処理が特に確実になる。
【００８９】・支持体層の軟化点付近までの温度処理が可能である。
【００９０】・支持体層の軟化点以上での温度処理の際に、多層構造体を恒久的に変形させることができる。
【００９１】・容器を使用することにより、所定の温度処理環境を所定のプロセスガス雰囲気によって達成することができる。とりわけ有毒および／または腐食性のプロセスガスを使用することができる。
【００９２】・本発明の方法はインライン装置で高いスループットを以て実行することができる。
【００９３】  実施例および所属の図面に基づいて、多層構造体を温度処理するための装置、およびそのための相応の方法を説明する。図面は概略的なものであり、縮尺通りではない。
【００９４】図１は、多層構造体を温度処理するための装置の側断面図である。
【００９５】図２は、多層構造体の配置された容器を有する、温度処理のための装置の断面図である。
【００９６】図３は、多層構造体とエネルギー変換器が配置された容器を有する、温度処理のための装置の断面図である。
【００９７】図４は、透明体の一部を示す。
【００９８】図５ａと図５ｂは、多層構造体の変形の大きさを検出するための装置を示す。
【００９９】図６は、多層構造体を温度処理するための方法のフローチャートである。
【０１００】図７は、プロセス室に配置された多層構造体を温度処理するための装置を示す。
【０１０１】図８ａと図８ｂは、それぞれインライン方式を示す。
【０１０２】図９ａと図９ｂは、プロセスモードおよび搬送モードでの、結合ユニットを有する容器を示す。
【０１０３】  実施例では薄膜太陽電池モジュール１が作製される。薄膜太陽電池モジュールは８５０×６００ｍｍ２の基本面積を有する。太陽電池モジュールの厚さは３ｍｍであり、ソーダ石灰ガラス２からなる支持体層には厚さ０．５μｍのモリブデン層３が、そして厚さ０．５μｍの銅・インジウム・ガリウム・スルホ・セレン化合物（ＣＩＧＳＳｅ）半導体層４が作製される。
【０１０４】  温度処理の前に多層構造体１は対の層構造を有する：ソーダ石灰ガラス／モリブデン／銅（ガリウム）／インジウム／セレン。ソーダ石灰ガラスは、モリブデン層３および多層構造体４の支持体層として機能する。銅層にはガリウムが堆積されている。プロセスガス１６として硫黄水蒸気、ヘリウム、水素の混合気が使用される。ガス状のセレンないしはセレン水素が温度処理経過中に生成される。
【０１０５】  第１の実施例によれば、多層構造体がガラスセラミック製の透明体５に載置される（図１）。透明体は、これと同じ物質からなる多数の間隔ホルダ６を有している（図４）。透明体５は、薄膜太陽電池モジュールないしその所期形状１の支持体層２とエネルギー源７との間に配置されている。エネルギー源７は、マトリクスに相互に並置された複数のハロゲンランプのアレイからなる。マトリクスは均一な照射野８を送出する。透明体５はエネルギー源７の照射野８に配置されている。透明体はエネルギー源の電磁ビーム９の一部を吸収し、吸収したエネルギー量を熱伝導１０によって支持体層３に伝達する。ガラス層２はまず第１に熱伝導１９によって温度処理される。
【０１０６】  第２のエネルギー源１１とセレン層（層４の最外側被覆）との間には、ガラスセラミック製の第２の透明体１２が配置されている。第２のエネルギー源１１は第１のエネルギー源１と同じようにマトリクスに構成されている。第２の透明体１２は、第２のエネルギー源１１の電磁ビーム１３の一部を吸収する。ここで吸収されたエネルギー量の一部は、熱放射１４の形態で多層体４に出力される。透明体１２はまた電磁ビーム１３に対しては透過性を示す。これによりこのビームは多層体４に到達する。多層体４はエネルギー源１３の照射野１５に配置されている。多層体４はまず第１に熱放射１４により温度処理される。
【０１０７】  多層構造体１は容器１７に上述のように配置されている（図２）。カバー１８と底部１９は透明体５と１２によって形成される。容器１７の側方壁２０は炭素ファイバ強化炭素（ＣＦＣ）からなる。
【０１０８】  多層構造体を底部板に載せた後、容器にはプロセスガスが充填され、閉鎖される。その後、温度処理が５℃／ｓの温度変化速度で行われる。このときエネルギー源７と１１は別個に制御される。
【０１０９】  別の実施例は、エネルギー変換器２６がボックスに組み込まれていることを特徴とする（図３）。
【０１１０】  エネルギー源７に対しては次の制御回路が使用される：透明体５のラテラル実際温度プロフィールが、適切な波長の赤外線センサの形態の高温計により測定される。多層構造体を載置することにより、透明体の温度プロフィールからの較正によって支持体層２の温度プロフィールを検出できる。透明体の温度の実際値と目標値を介した制御アルゴリズムによって制御信号が検出され、この制御信号によりエネルギー源７の照射出力が制御される。
【０１１１】  エネルギー源１１を制御するための制御回路に対する制御量は、支持体層２の一時的撓み２１である。撓み２１はレーザー干渉計によって基板側２２または層側２３で測定される。測定点は基板中央２４と多層構造体の角２５である。レーザー干渉計の場合、撓みにより惹起された間隔変化が測定され、ここから所属のエネルギー源に対する制御信号を求められる。
【０１１２】  別の実施形態では、エネルギー源１１に対する制御量は透明体１２の温度である。
【０１１３】  別の実施例が図７に示されている。容器１７はガス入口３１とガス出口３２の形態でガス開口部を有する。この開口部は例えば閉鎖可能な弁を有し、弁はガス交換の終了後に閉鎖される。容器を多層構造体１と共に次のプロセスゾーンへ搬送する間、弁は閉鎖されている。プロセスゾーンの１つは加熱ゾーンである。加熱ゾーンは、ハロゲンランプからなる２つのアレイを有する。容器（透明体と共に）を加熱ゾーンで２つのアレイの間に搬送することにより温度処理のための措置が形成される。
【０１１４】  別の実施例も同様に図７に示されている。ここでは装置全体がプロセス室３０に配置されており、プロセス室は排気され、所定のガスを充填することができる。
【０１１５】  図８ａと図８ｂには、インライン設備によるインライン方式の基本が示されている。第１の実施形態で、インライン設備全体はプロセス室３０に配置される（図８ａ）。容器１７内の多層構造体１の搬送３６はプロセスゾーン３３からプロセスゾーン３４へと行われる。各プロセスゾーンにおいて、種々異なる方法ステップが実行される。プロセスゾーン３３では容器１７にプロセスガスが充填され、加熱される。プロセスゾーン３４では容器１７が排気され、冷却される。これとは択一的にプロセスゾーン３３、３４の各々が固有の別個のプロセス室３０１から３０４に配置されてもより（図８ｂ）。インライン設備は複数のプロセス室に分けられている。プロセス室にはエアロックが設けられており、これを通って容器はプロセス室に到達する。
【０１１６】  図９ａと図９ｂには、どのような構成で温度処理ないしプロセス処理が結合ユニットも含めて実行されるかが示されている。図９ａは、プロセスモードでの容器の断面を示す。容器１７は、透明体１２の形態のカバー１８を有する。底部１９は高吸収性の物質からなる。この物質は実施形態ではグラファイトである。容器１７の側方壁２０はＣＦＣからなる容器１７のフレームである。容器の側方壁にはガス入口３１とガス出口３２が組み込まれている。同様に側方壁２０には自動的に閉鎖する弁４０が組み込まれている。この弁によってガス開口部３１と３２は、容器を排気し、容器にガスを充填するために開閉することができる。
【０１１７】  同様に側方壁には、プロセスゾーン３３に対する容器の結合ユニット４２が組み込まれている。結合ユニット４２は例えば凹形状の開口部として構成することができる。この開口部を以て、容器１７はこの開口部に対して反対に成型されたプロセスゾーンの結合ユニット４１へ差し込まれる。結合ユニット４１と４２はガス管路４３に組み込まれている。容器がこのようにして例えばプロセスゾーン３３と共に配置されていれば、この方法ステップの間に任意のプロセスガスを供給および排出することができ、またプロセス容器を排気し、不活性ガスにより洗浄することができる。図示の形態で容器１７とプロセスゾーン３３の結合ユニット４２はプロセスガス雰囲気を生成するために用いられる。
【０１１８】  プロセス処理ないし温度処理の終了後、結合ユニットは引き離され、弁４０は自動的に閉鎖する。続いて搬送モードで容器は次のプロセスゾーン３４へ搬送される。ゾーン３４には例えば別の結合ユニットが設けられており、この結合ユニットは例えば消費されたプロセスガスを後充填したり、または新たなプロセスガスを供給するのに用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、多層構造体を温度処理するための装置の側断面図である。
【図２】  図２は、多層構造体の配置された容器を有する、温度処理のための装置の断面図である。
【図３】  図３は、多層構造体とエネルギー変換器が配置された容器を有する、温度処理のための装置の断面図である。
【図４】  図４は、透明体の一部を示す。
【図５】  図５は、多層構造体の変形の大きさを検出するための装置を示す。
【図６】  図６は、多層構造体を温度処理するための方法のフローチャートである。
【図７】  図７は、プロセス室に配置された多層構造体を温度処理するための装置を示す。
【図８】  図８は、それぞれインライン方式を示す。
【図９】  図９ａと図９ｂは、プロセスモードおよび搬送モードでの、結合ユニットを有する容器を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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