(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、
電子的コンポーネントのための平坦化層であって、前記平坦化層は前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられ、前記電子コンポーネントが前記平坦化層上に設けられた、平坦化層と、
を有し、
前記平坦化層が、少なくとも前記バールの前記終端面及び少なくとも前記バールの側面の一部分は覆わないように配置されている、
基板ホルダ。
【請求項２】
前記平坦化層が、複数の別個に形成された副層から形成される請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記平坦化層は、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを有し、前記第２の層は前記第１の層よりも薄い、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記平坦化層が、前記バールの前記側面のすべてを覆わない請求項１から３のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
前記平坦化層が、シリコンベースの材料から形成される請求項１から４のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記平坦化層が、有機前駆物質から形成される請求項５に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
前記平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される請求項５または６に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
前記平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルから成る群から選択された官能基を含む請求項５から７のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項９】
前記平坦化層が、炭素ベースの材料から形成される請求項１から４のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記本体が、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理をした炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、およびＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される請求項１から９のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、
前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、
前記基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、
前記基板ホルダが、
表面を有する本体と、
前記表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバールと、
電子的コンポーネントのための平坦化層であって、前記平坦化層は前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられ、前記電子コンポーネントが前記平坦化層上に設けられた、平坦化層と、
前記平坦化層が、少なくとも前記バールの前記終端面及び少なくとも前記バールの側面の一部分は覆わないように配置されている、
リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記平坦化層がシリコンベースの材料から形成される請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
パターニング手段によってパターニングされたビームを基板ホルダに保持された基板の上に投影する工程を含み、
前記基板ホルダが、表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、電子的コンポーネントのための平坦化層であって、前記平坦化層は前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられ、前記電子コンポーネントが前記平坦化層上に設けられた、平坦化層とを有し、前記平坦化層が、少なくとも前記バールの前記終端面及び少なくとも前記バールの側面の一部分は覆わないように配置されている、
デバイス製造方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置で使用する基板ホルダを製造する方法であって、
表面および前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、
前記本体表面の少なくとも一部分上に電子的コンポーネントのための平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層上に前記電子的コンポーネントとを形成する工程と
を有し、
前記平坦化層を形成する工程において、少なくとも前記バールの前記終端面及び少なくとも前記バールの側面の一部分は覆わないように前記平坦化層を形成する、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および基板ホルダを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行なわれる。一般に、単一の基板は、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになり、これらのターゲット部分が次々とパターニングされる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、一方、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は、蒸留水であるが他の液体を使用することも可能である。本発明の一実施形態について、液体を参照して説明する。しかしながら、他の流体も適切とすることができ、とりわけ湿潤流体、非圧縮性流体および／または屈折率が空気より大きい流体、望ましくは屈折率が水より大きい流体も適切となり得る。ガスを排除する流体はとりわけ望ましい。これの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（NA）を大きくすることであり、また、同じく焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子サスペンション（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。適切となり得る他の液体には、芳香族系などの炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液が含まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  従来型のリソグラフィ装置では、露光される基板は基板ホルダによって支持することができ、基板ホルダは基板テーブルによって支持される。基板ホルダは、（別のサイズまたは形状を有してもよいが）基板に対応するサイズおよび形状の平坦な剛体のディスクであることが多い。基板ホルダは、少なくとも１つの面から突出するバールまたはピンプルと称される突起の配列を有する。一実施形態では、基板ホルダは、両面上に突起の配列を有する。この場合、基板ホルダが基板テーブルに設置されるとき、基板ホルダの本体が基板テーブル上に小さな距離で保持され、一方、基板ホルダの１つの面のバールの終端が基板テーブルの表面上にある。同様に、基板が基板ホルダの反対側の面上のバールの頂部に静止するとき、基板は基板ホルダの本体から離隔される。この目的は、基板テーブルまたは基板ホルダのいずれかの上に存在する可能性がある粒子（すなわち、ちり粒子などの汚染粒子）が、基板ホルダまたは基板を歪めるのを防止する助けとすることである。バールの表面積の全体が、基板または基板ホルダの面積全体のごく一部分だけであるので、粒子はバール間に存在し、その存在が影響しないことになる可能性が高い。基板ホルダおよび基板は、基板の上部表面が基板テーブルの上部表面と実質的に同一平面になるように、基板テーブルの窪み内に収容されることが多い。
【０００５】
[0005]  高スループットリソグラフィ装置の使用時に基板にかかる高い加速度により、単に基板ホルダのバールに基板を載せることを可能にするのでは十分でない。基板は、所定の位置にクランプされる。所定の位置に基板をクランプする既知の方法に、真空クランプと静電クランプの２つがある。真空クランプでは、基板ホルダと基板の間の空間、および任意選択で基板ホルダと基板テーブルの間の空間が部分的に真空にされ、その結果、基板がその上のガスまたは液体のより高い圧力によって所定の位置に保持される。しかし、ビーム経路および／または基板もしくは基板ホルダの近くの環境が、例えば極端紫外線（EUV）放射リソグラフィ用に低圧力または極低圧力に維持されるところでは、真空クランプを用いることができない。この場合、基板をクランプするために基板（または基板ホルダ）全体にわたって十分に大きな圧力差を生じさせるのは不可能なことがある。したがって、静電クランプが用いられ得る。静電クランプでは、基板または基板の下面に貼った電極と基板テーブルおよび／または基板ホルダ上に設けられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は、大きなコンデンサとして動き、適切な電位差でかなりのクランプ力を生成することができる。静電機構は１対の電極とすることができ、一方が基板テーブル上、他方が基板上にあり、基板テーブル、基板ホルダおよび基板のまとまったスタックを一緒にクランプする。ある機構では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板が基板ホルダに離れてクランプされるように、基板ホルダ上に１つまたは複数の電極が設けられてもよい。
【０００６】
[0006]  基板ホルダ上に１つまたは複数の電子的コンポーネントを設けるのが望ましい。例えば、基板および基板ホルダの温度の局所的制御を可能にするために、基板ホルダ上に１つまたは複数のヒータを設けるのが望ましい。例えば基板ホルダおよび／または基板の局所的温度を測定する温度センサである１つまたは複数のセンサを設けるのが望ましい。基板ホルダ上に静電クランプ用の電極を設けるのが望ましい。このようなコンポーネントは、基板ホルダの表面上でバール間に収容され得る。しかし、基板ホルダの表面が、その上に１つまたは複数の電子的コンポーネントの高信頼の形成を可能にするには粗すぎる可能性がある。基板ホルダの表面の粗さは、バールを形成する材料を除去するためのエッチング、レーザアブレーションおよび電子ビーム加工などのプロセスを用いることによるものである。
【０００７】
[0007]  １つまたは複数の薄膜コンポーネントなどの１つまたは複数の電子的コンポーネントを確実に形成することができる基板ホルダを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、表面を有する本体と、この表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダであって、表面を有する本体、この表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバール、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層を備える基板ホルダとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、基板を基板ホルダ上に保持する工程であって、基板ホルダが、表面を有する本体、この表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバール、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層を備える工程と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを、基板ホルダによって保持されている基板上に投影する工程とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法が提供され、この方法は、表面およびこの表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、本体表面の少なくとも一部分上に平坦化層を形成する工程とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0012]  次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。
【００１３】
【図１】[0013]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0014]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図４】[0015]リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムを示す図である。
【図５】[0016]本発明の一実施形態で液浸液供給システムとして使用することができる障壁部材を示す断面図である。
【図６】[0017]本発明の一実施形態による基板テーブルおよび基板ホルダを示す断面図である。
【図７】[0018]図６の基板ホルダの一部分の拡大図である。
【図８】[0019]図６および図７の基板ホルダの一部分のさらなる拡大図である。
【図９】[0020]本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１１】[0021]本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１２】本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１３】本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態による基板ホルダの製造方法の一工程を示す図である。
【図１５】[0022]本発明の一実施形態のいくつかの実例の表面粗さを示すグラフである。
【図１６】[0023]本発明の実施形態による平坦化層の形成における化学反応を示す図である。−Ｓｉ−Ｎ−バックボーンを持つポリシラザンのＳｉ−Ｏ−バックボーンへの変換が完成しない、すなわち１００％に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の−Ｓｉ−Ｎ−鎖から成り得る。
【図１７】本発明の実施形態による平坦化層の形成における化学反応を示す図である。−Ｓｉ−Ｎ−バックボーンを持つポリシラザンのＳｉ−Ｏ−バックボーンへの変換が完成しない、すなわち１００％に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の−Ｓｉ−Ｎ−鎖から成り得る。
【図１８】本発明の実施形態による平坦化層の形成における化学反応を示す図である。−Ｓｉ−Ｎ−バックボーンを持つポリシラザンのＳｉ−Ｏ−バックボーンへの変換が完成しない、すなわち１００％に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の−Ｓｉ−Ｎ−鎖から成り得る。
【図１９】本発明の実施形態による平坦化層の形成における化学反応を示す図である。−Ｓｉ−Ｎ−バックボーンを持つポリシラザンのＳｉ−Ｏ−バックボーンへの変換が完成しない、すなわち１００％に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の−Ｓｉ−Ｎ−鎖から成り得る。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0024]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
【００１５】
[0025]  −  放射ビームＢ（例えばUV放射、DUV放射またはEUV放射）を調節するように構成された照明システム（照明器）ＩＬと、
【００１６】
[0026]  −  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスをあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
【００１７】
[0027]  −  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
【００１８】
[0028]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。
【００１９】
[0029]  この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学コンポーネントなど様々なタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含むことができる。
【００２０】
[0030]  サポート構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルとすることができ、必要に応じて固定式または可動式とすることができる。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を用いることがあれば、それは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0031]  本明細書に用いられる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意されたい。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。
【００２２】
[0032]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００２３】
[0033]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用する露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてもよい。
【００２４】
[0034]  本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過型マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射型（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射型マスクを使用するタイプ）とすることができる。
【００２５】
[0035]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用するか、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することができる。
【００２６】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別体とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＭを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常、σ-outer、σ-innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および強度分布を有するように調節するのに使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部分を形成するものと、見なされても見なさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部品とすることも、リソグラフィ装置から別個の構成要素とすることもできる。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータＩＬは取り外し可能であって、（例えばリソグラフィ装置製造業者または別の製造業者によって）別個に設けることができる。
【００２８】
[0038]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後に、またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示された基板アライメントマークは、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分間のスペースに配置されてもよい（これらはスクライブラインアライメントマークとして既知である）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。
【００２９】
[0039]  図示される装置は、以下のモードの少なくとも１つにおいて使用することが可能である。
【００３０】
[0040]  １．ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像を形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３１】
[0041]  ２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによって、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さが決定される。
【００３２】
[0042]  ３．別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。
【００３３】
[0043]  前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてもよい。
【００３４】
[0044]  多くのリソグラフィ装置では、より小さなフィーチャの結像を可能にし、かつ／または装置の有効ＮＡを増加するために、流体、具体的には例えば液浸リソグラフィ装置用の液体が、液体供給システムＩＨを使用して投影システムの最終要素間に供給される。本発明の一実施形態が、このような液浸装置を参照しながら以下でさらに説明されるが、非液浸装置でも同様に実施され得る。投影システムの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための機構は、少なくとも２つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは槽タイプの機構およびいわゆる局所的液浸システムである。槽タイプの機構では、基板の実質的に全体および任意選択により基板テーブルの一部分が、液体の槽内に沈んでいる。いわゆる局所的液浸システムは、液体が基板の局所的領域へのみ供給される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体で満たされた空間が、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板が移動している間中、投影システムに対して実質的に静止したままである。本発明の一実施形態が対象とする別の機構に、液体が閉じ込められないオールウェットの解決策がある。この機構では、基板上面の実質的な全体および基板テーブルの全体または一部分が液浸液で覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜とすることができる。
【００３５】
[0045]  図２〜図５に、４つの別々のタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図５の給液デバイスのうちの任意のものが、閉じ込められないシステムで使用され得るが、しかし、シーリング機構が存在しないもの、作動しないもの、液体を局所的領域だけに封止するのに通常ほど効率的でないもの、またはその他、液体を局所領域だけに封止するのに効果がないものである。
【００３６】
[0046]  局所的液浸システム向けに提案されている機構の１つに、液体閉じ込めシステムを使用して、液体を、基板の局所領域だけに供給し、かつ投影システムの最終エレメントと基板との間に供給するための液体供給システムに関するものがある（一般に、基板は投影システムの最終エレメントより大きな表面積を有する）。ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に、このために構造に対して提案されている方法の１つが開示されている。図２および図３に示されるように、液体は、少なくとも１つの入口により、基板に対して、望ましくは基板の最終エレメントに対する移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通った後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板がエレメントの下を−Ｘ方向にスキャンされるとき、液体はエレメントの＋Ｘ側に供給されて−Ｘ側に吸収される。
【００３７】
[0047]  図２は、液体が、入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によってエレメントのもう一方の側に吸収される機構を概略的に示す。基板Ｗの上の矢印は液体の流れる方向を示し、基板Ｗの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図２の説明では、液体は最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもこの通りでなくてもよい。様々な、方向ならびに最終エレメントのまわりに配置される入口および出口の数が可能であり、図３に示された一例では、入口の両側に出口がある組の４つが最終エレメントのまわりに規則的パターンで設けられている。液体の供給および回収のデバイスにおける矢印は、液体の流れる方向を示している。
【００３８】
[0048]  図４は、局所液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外向きに配置された複数の個別の出口によって除去される。入口および出口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレート内に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給されて、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口と出口の他の組合せは使用されない）。図４の断面図において、矢印は、入口に入って出口から出る液体の流れる方向を示している。
【００３９】
[0049]  提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って広がる液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。そのような機構が図５に示されている。液体閉じ込め部材は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部材と基板の面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４０】
[0050]  図５は、流体ハンドリング構造体１２を備えた局所液体供給システムを概略的に示したものである。流体ハンドリング構造体は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下のテキストにおける基板Ｗの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。）流体ハンドリング構造体１２は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。一実施形態では、障壁部材と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよい。
【００４１】
[0051]  液体ハンドリング構造体１２の少なくとも一部は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に液体を封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるよう、投影システムのイメージフィールドのまわりに基板Ｗに対する非接触シール１６を形成することができる。この空間は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終エレメント下方に、投影システムＰＳの最終エレメントを取り囲んで配置された流体ハンドリング構造体１２によって形成されている。液体は、液体入口１３によって投影システムの下の流体ハンドリング構造体１２内の空間に導かれる。この液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造体１２は、投影システムの最終エレメントの少し上に広がってもよい。液体のレベルが最終エレメントの上まで上昇しており、その結果、液体のバッファが設けられる。一実施形態では、流体ハンドリング構造体１２は内周部を有し、その頂部端は、投影システムまたはその最終エレメントの形状にごく一致して例えば円形とすることができる。底部では、内周部がイメージフィールドの形状とごく一致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。
【００４２】
[0052]  一実施形態では、液体は、使用中、流体ハンドリング構造体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。このガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではＮ２または他の不活性ガスである。ガスシール内の気体は、圧力をかけられ、入口１５を通って流体ハンドリング構造体１２と基板Ｗとの間の間隙へ供給される。このガスは、出口１４を介して引き抜かれる。ガス入口１５部分の超過圧力、出口１４部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流１６が存在するようになされている。流体ハンドリング構造体１２と基板Ｗとの間の液体に対する気体の力が、液体を空間１１内に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ１６は、液体を空間１１内に封じ込めるのに有効である。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。
【００４３】
[0053]  図５の実例は、いつでも基板Ｗの頂面の局所領域にのみ液体が供給される、いわゆる局所領域の機構である。例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されているものなど単相抽出器または２相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含めて他の機構が可能である。
【００４４】
[0054]  可能な別の機構に、気体抵抗の原理に基づいて作用するものがある。いわゆる気体抵抗の原理（gas drag principle）は、例えば米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号、および２００８年５月８日出願の米国特許出願第６１／０７１，６２１号に説明されている。そのシステムでは、抽出穴は、望ましくは隅部を有する形状に構成される。隅部は、ステップまたはスキャンの方向に整列されてもよい。これによって、２つの出口がスキャン方向に対して垂直に整列している場合と比較して、ステップまたはスキャンの方向における所与の速度で流体を渡す構造体の面の２つの開口間のメニスカスに対する力が低減する。
【００４５】
[0055]  また、主液体回収フィーチャの外部で半径方向に配置されたガスナイフが、米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号に開示されている。ガスナイフは、主液体抽出フィーチャを通過するあらゆる液体を捕える。このようなガスナイフは、（米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号に開示されている）いわゆる気体抵抗の原理の機構、（米国特許出願公開第２００９−０２６２３１８号に開示されているものなど）単相または２相の抽出器機構、または他の機構に存在し得る。
【００４６】
[0056]  多くの他のタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムにも液浸リソグラフィにも限定されない。本発明は、いかなるリソグラフィにも同様に適用され得る。ＥＵＶリソグラフィ装置では、ビーム経路は実質的に真空であり、前述の液浸機構は使用されない。
【００４７】
[0057]  コントロールシステム５００は、リソグラフィ装置の全体的動作を制御し、具体的には以下でさらに説明される最適化プロセスを遂行する。コントロールシステム５００は、中央処理装置、揮発性記憶手段および不揮発性記憶手段、キーボードおよびスクリーンなどの１つまたは複数の入出力デバイス、１つまたは複数のネットワーク接続、およびリソグラフィ装置の様々な部分に対する１つまたは複数のインターフェースを備える、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。コントロールコンピュータとリソグラフィ装置との１対１の関係が必要とはされないことが理解されよう。本発明の一実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明の一実施形態では、ネットワーク接続された複数のコンピュータが、１つのリソグラフィ装置を制御するのに使用され得る。コントロールシステム５００は、リソグラフィ装置が一部分を形成するリソセルもしくはクラスタの１つまたは複数の関連するプロセスデバイスおよび基板ハンドリングデバイスを制御するようにも構成され得る。コントロールシステム５００は、リソセルもしくはクラスタの監視用コントロールシステムおよび／または製造工場の全体的コントロールシステムに従属するようにも構成することができる。
【００４８】
[0058]  図６は、本発明の一実施形態による基板ホルダ１００を示す。基板ホルダ１００は、基板テーブルＷＴの窪み内に保持され、基板Ｗを支持する。基板ホルダの本体１００Ａは、実質的に基板Ｗに対応する形状およびサイズの平坦なディスクの形態を有する。一実施形態では両面になっているが、基板ホルダは、両側の少なくとも頂面において、一般にバールと称される突起１０６を有する。一実施形態では、基板ホルダは、基板テーブルと一体になった部分であり、下面にはバールがない。図６で、バールは、原寸に比例して示されているわけではない。実際的な実施形態では、例えば直径３００ｍｍの基板ホルダの端から端まで分配された何百ものバールが存在し得る。バールの頂点は、例えば１ｍｍ２未満の小さな面積を有し、その結果、基板ホルダ１００の１つの面のすべてのバールの総計面積は、基板ホルダの表面積全体の約１％未満である。このようにして、基板、基板ホルダまたは基板テーブルの表面上に存在し得るいかなる粒子もバール間に降り、したがって基板または基板ホルダの変形をもたらさなくなる確率が非常に高い。バールの配置は、規則的なものにするか、または基板および基板テーブル上の力の適切な分布をもたらすために必要に応じて変化させることができる。バールは、平面図のいかなる形状も有することができるが、平面図では一般に円形である。バールは、それらの高さの全体にわたって同一の形状および寸法を有することができるが、一般に先細りになっている。バールが、基板ホルダの本体表面１００Ａの残りから突出することができる距離は、約１μｍから約５ｍｍまで、望ましくは約１０μｍから約１μｍまでである。基板ホルダ１００の本体１００Ａの厚さは、約２０ｍｍから約５０ｍｍまでの範囲内であり得る。
【００４９】
[0059]  本発明の一実施形態では、基板ホルダ１００は非導電の剛体材料で構成される。適切な材料には、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理をした炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、および／またはＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックなどの様々な他のセラミックおよびガラスセラミックが含まれる。基板ホルダ１００は、関連する材料のソリッドディスクから、突出するバールを残すように選択的に材料を除去することにより、製造することができる。材料を除去するための適切な技法には、放電加工（EDM）、エッチング、および／またはレーザアブレーションが含まれる。これらの技法は、例えば数マイクロメートル程度の粗さ値Ｒａを有する粗い表面を残す。これらの除去技法で達成可能な最小限の粗さは、材料の特性から導出され得る。例えば、ＳｉＳｉＣなどの２相材料の場合には、達成可能な最小限の粗さは、２相材料の粒子サイズによって決定される。このような残留粗さは、基板の表面上に１つまたは複数の薄膜コンポーネントなどの１つまたは複数の電気的コンポーネントを形成する際の困難さ、およびこのようなコンポーネントの不信頼性をもたらす。この粗さが、電子的コンポーネントを形成するように基板ホルダ上に成長するかまたはコーティングされた薄い層に、間隙および亀裂をもたらすので、これらの問題が生じる可能性がある。薄膜コンポーネントは、約２ｎｍから約５０μｍまでの範囲の層厚さを有してもよく、化学的気相成長法、物理的気相成長法（例えばスパッタリング）、浸漬コーティング、スピンコーティングおよび／またはスプレイコーティングを含むプロセスによって形成され得る。
【００５０】
[0060]  基板テーブル上に形成される電子的コンポーネントは、例えば電極、抵抗加熱器および／または、歪みセンサ、磁気センサ、圧力センサまたは温度センサなどのセンサを含むことができる。基板ホルダおよび／または基板の温度を局所的に監視し、かつ／または制御するために、基板ホルダまたは基板の温度変化および応力の、好ましくないものまたは所望の誘起されたものを低減するように、加熱器およびセンサを使用することができる。基板の局所的膨張または収縮によるオーバーレイエラーなどの結像誤差を低減するかまたは除去するために、基板の温度および／または応力を制御するのが望ましい。例えば、液浸リソグラフィ装置では、基板上の残留液浸液（例えば水）の蒸発により、基板が局所的に冷却されて収縮する可能性がある。反対に、投影ビームによる露光中に基板に加えられるエネルギーにより、基板がかなり加熱されて膨張する可能性がある。
【００５１】
[0061]  一実施形態では、形成されるコンポーネントは、静電クランプのための電極である。静電クランプでは、基板または基板の下面に貼った電極と基板テーブルおよび／または基板ホルダ上に設けられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は、大きなコンデンサとして動き、適切な電位差でかなりのクランプ力を生成することができる。静電機構は１対の電極とすることができ、一方が基板テーブル上、他方が基板上にあり、基板テーブル、基板ホルダおよび基板のまとまったスタックを一緒にクランプする。ある機構では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、それとは別に基板が基板ホルダにクランプされるように、基板ホルダ上に１つまたは複数の電極が設けられてもよい。
【００５２】
[0062]  一実施形態では、基板Ｗの温度を制御するために、基板ホルダ１００および基板Ｗに所望の熱量を供給するように、１つまたは複数の局所的加熱器１０１がコントローラ１０３によって制御される。基板ホルダ１００および／または基板Ｗの温度を監視するコントローラ１０４に、１つまたは複数の温度センサ１０２が接続される。電圧源１０５が、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間に例えば１０〜１００ボルト程度の電位差を生成し、その結果、静電力が基板Ｗ、基板ホルダ１００および基板テーブルＷＴを一緒にクランプする。一実施形態では、基板Ｗの下面の電極と基板テーブルＷＴの窪みの底部の電極との間に電位差が与えられる。基板の温度を局所的に制御するために１つまたは複数の加熱器および温度センサを使用する機構が、２０１０年９月２０日に出願された同時係属の米国特許出願第６１／３８４，６６６号に説明されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。同文献に説明されている機構は、本明細書に説明されている抵抗加熱器および温度センサを利用するように変更することができる。
【００５３】
[0063]  図７は、図６の基板ホルダ１００の一部分を拡大して上部表面１０７およびいくつかのバール１０６を示す断面図である。一実施形態では、上部表面１０７上でバール１０６の間の少なくともいくらかの領域に、本発明の平坦化層１０８が設けられる。一実施形態では、電子的コンポーネントが形成されることになっているところのみ、または実質的に基板ホルダ１００の上部表面の全体にわたって、平坦化層を設けることができる。図８は、平坦化層１０８をさらに拡大して示す。わかるように、平坦化層は、上部表面１０７の粗さを埋め、表面１０７より実質的に滑らかな上部表面１０８ａをもたらす。本発明の一実施形態では、表面１０８ａの粗さＲａは、約１．５μｍ未満、望ましくは約１μｍ未満、または望ましくは約０．５μｍ未満である。
【００５４】
[0064]  一実施形態では、平坦化層１０８は、複数、例えば２つのコーティング材料または前駆物質材料の層を加えることにより形成される。一実施形態では、平坦化層１０８は、コーティング材料または前駆物質材料の単一層を加えることにより形成される。平坦化層の材料次第で、形成されたコーティングの検査から、複数の副層を形成することにより平坦化層が与えられていると判断することが可能になり得る。一実施形態では、平坦化層１０８の複数の副層は、同一の材料から形成される。一実施形態では、平坦化層１０８の複数の副層は別々の材料から形成される。
【００５５】
[0065]  一実施形態では、平坦化層１０８は、酸化珪素または各Ｓｉ原子に付加された官能基を有する窒化珪素ベースの混合物から形成される。これらの官能基は、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択することができる。このような材料は、米国特許第７，５２４，７３５号に開示されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。誘電材料の前駆物質は、トリエトキシシラン（TES）、テトラエチルオルトシラン（TEOS）、テトラメトキシシラン（TMOS）、メチルトリエトキシシラン（MTEOS）、メチルトリメトキシシラン（MTMOS）、ジメチルジメトキシシラン（DMDMOS）、トリメチルメトキシシラン（TMMOS）、ジメチルジエトキシシラン（DMDEOS）、ビストリエトキシシリルエタン（BTEOSE）またはビス−トリエトキシシリルメタン（BTEOSM）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（TMCTS）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（OMCTS）およびテトタビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン（TVTMCTS）といった混合物のうちの１つまたは複数を含むことができる。特定の実施形態では、誘電体前駆物質は、キャリア溶剤、例えばアルコールに混合される。一実施形態では、平坦化層１０８は、有機前駆物質から形成され得るＳｉ（ＣＨ３）２Ｏｘから形成される。一実施形態では、平坦化層は、ＳｉＯｘ、例えばＳｉＯ２から形成される。一実施形態では、平坦化層は、ベンゾシクロブテン（BCB）などの有機モノマー（すなわち炭素ベースの材料）から形成される。他の適切な材料には、酸化アルミニウムおよび酸化チタンなどの他の酸化物が含まれる。このような酸化物は、望ましくは非導電性である。このような酸化物層は、有機前駆物質から形成され得る。このような材料を加える方法は、米国特許第７，５２４，７３５号に説明されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。一実施形態では、平坦化層は、Ｓｉ（ＣＨ３）２ＮおよびＳｉ（ＣＨ３）２Ｏのバックボーンから成るポリマー鎖から形成される。平坦化層を加える方法は、空気などの気体の環境または真空におけるディープコーティング（deep-coating）、スピンコーティングおよびスプレイコーティングおよび堆積技法などのコーティング技法を例えば含んでいる。
【００５６】
[0066]  平坦化層は、約０．２μｍから約２００μｍまで、望ましくは約２μｍから約２０μｍまでの範囲の厚さを有してもよい。一実施形態では、平坦化層は約１０μｍである。平坦化層の厚さは、シリコン（例えばリソグラフィ装置に使用されるシリコンウェーハ）の基板に加えられたコーティングと同一の体積によって決定されるようなコーティングの厚さである。平坦化層は、望ましくは基板ホルダの表面の粗さのほとんどまたはすべてを埋めるように十分に厚い。平坦化層が厚すぎると、硬化中に割れる可能性がより高くなる。以下で説明されるように、複数の別々のコートで平坦化層を加えると、このような亀裂の可能性を低減し、かつ最終層の表面粗さを低減することができる。
【００５７】
[0067]  一実施形態では、平坦化層は、基板ホルダ１００をポリシラザン溶液でコーティングし、次いで、これを硬化させてシリコンベースの平坦化層を形成することにより加えられる。含まれる反応が、図１６に示されている。一実施形態では、ポリシラザン溶液はスプレイ技法によって加えられる。それに加えて、またはその代わりに、スピンコーティングなどの他の技法を使用することができる。図１７〜図１９は、本発明の実施形態の平坦化層を形成するのに使用することができる他の反応を示す。図１７は、水性の媒体だけで進む反応を示す。図１８は、熱の存在下において水性の媒体で進む反応を示す。図１９は、熱の存在下において水性の媒体で進む別の反応を示す。図１７〜図１９のそれぞれにおいて、Ｒは、水素、メチル、フルオロから成る群から選択された官能基を示す。図１６〜図１９の化学反応において、−Ｓｉ−Ｎ−バックボーン鎖を持つポリシラザンのＳｉ−Ｏ−バックボーンへの変換が完成しない、すなわち１００％に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の−Ｓｉ−Ｎ−鎖から成り得る。
【００５８】
[0068]  平坦化層は、薄膜コンポーネントを形成する１つまたは複数の金属層または他の層を確実に形成するための十分に滑らかな表面をもたらす。特に、基板ホルダを形成するのに使用されるいくつかの材料で必要とされ得るガラス接合工程が不要なことがある。
【００５９】
[0069]  図９および図１０は、平坦化層１０８を加える方法の一実施形態の工程を示す。図９に示されるように、基板ホルダ１００の上部表面１０７にわたってポリシラザン溶液がスプレイされ、かつ硬化されて、連続した層１０８を形成する。この層は、最初にバール１０６ならびにそれらの間の空間を覆う。第２の工程で、バール１０６の頂部から平坦化層１０８が除去され、その結果が図１０に示されている。この除去工程は、機械加工（ラップ仕上または研磨）、レーザを用いる化学過程（エッチングなど）および／または化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などの既知の技法を用いて遂行することができる。この方法には、迅速で、工程を２つしか含まないという利点がある。
【００６０】
[0070]  図１１〜図１４は、平坦化層１０８を加える方法のさらなる実施形態の工程を示す。この方法では、基板ホルダ１００の上部表面１０７の全体にフォトレジスト１１０が加えられる。次いで、フォトレジストが選択的に露光され、フォトレジストがポジティブかネガティブかということ次第で、露光されたフォトレジストまたは露光されないフォトレジストが除去され、その結果、フォトレジスト１１０は、図１２に示されるようにバール１０６だけを覆って残る。一実施形態では、フォトレジストは、バール１０６間の表面上に平坦化を導くために耐湿潤機能を有する。次いで、図１３に示されるように、平坦化材料１０８が加えられる。最後に、残りのフォトレジストが除去され、平坦化材料１０８は、バール１０６間の空間にのみ残る。
【００６１】
[0071]  上記の方法のどちらでも、表面粗さを低減するために、複数のコーティング工程で平坦化層１０８を加えることができる。図１５は、本発明の一実施形態による基板ホルダの１から４まで番号が付いた平坦化層の４つの試料に関して、粗さ値Ｒａをμｍの単位で示すグラフである。基板ホルダは、ＳｉＳｉＣ材料のものであり、図５のＡとして示されるように、あらゆるコーティングまたは他の処理に先立って、２．４５μｍの表面粗さＲａを有していた。次いで、試料は、ポリシラザン溶液（Ｃｌａｒｉａｎｔ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＧｍｂＨから入手したＣＡＧ  ３７）でスプレイコーティングされ、乾燥に任された。試料１および３の場合には、２．４μｍの厚さの層を実現するのに十分な量の溶液が与えられた。試料２および４の場合には、４μｍの厚さの層を実現するものより大量の溶液が加えられた。硬化後に、図１５のＢで示されるように、試料１および３の表面粗さＲａは１．０４μｍと測定され、試料２および４の表面粗さＲａは１．０５μｍと測定された。
【００６２】
[0072]  第１の層は、第２の層が加えられる前に空気プラズマに約１分間暴露することにより、親水化された。単一層しか加えられない場合、または与えられる材料が疎水性ではない場合には、この工程は省略することができる。第２の層を形成するために与えられる材料の量は変化された。試料１および２は、２．４μｍのコーティングを形成するための溶液の量を与えられ、一方、試料３および４は、厚さ４μｍのコーティングを形成するための溶液の量を与えられた。第２のコーティングの硬化の後に、図１５のＣで示されるように、試料１〜４の粗さＲａの値は、それぞれ０．３７μｍ、０．４６μｍ、０．６３μｍおよび０．４４μｍと測定された。これらの結果から、２工程のコーティング技法によって表面粗さの改善を達成することができ、また、第２のコーティング層が、第１の与えられたコーティング層より厚くないのが望ましいことであり得る。
【００６３】
[0073]  次の表に、層の厚さおよび測定された粗さが示されている。
【表１】
0005378495.tif 000002
【００６４】
[0074]  上記で示された粗さ値は、半径２μｍのダイヤモンドチップを有するＴａｙｌｏｒ  Ｈｏｂｓｏｎのスタイラスプロファイラを用いて層の上をスキャンして層のプロファイルを測定し、等高線図からＲａを推定したものである。代わりに、他の同等な測定器および方法を用いることができる。
【００６５】
[0075]  理解されるように、上記で説明された機構のあらゆるものが、任意の他の機構とともに使用することができ、それは本出願でカバーされる明確に説明された組合せのみではない。
【００６６】
[0076]  本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャさらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造における他の応用分野があり得ることを理解されたい。それらのような代替の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語は、いずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてもよいことが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理済の層を含む基板も意味してもよい。
【００６７】
[0077]  本明細書で用いられる用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの、またはおよそその波長を有するもの）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００６８】
[0078]  用語「レンズ」は、文脈により可能な場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００６９】
[0079]  上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラム内で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。
【００７０】
[0080]  前述の諸コントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有することができる。例えば、コントローラの各々は、前述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアも含むことができる。
【００７１】
[0081]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局所表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および／または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび／または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。
【００７２】
[0082]  本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができ、この空間に液体を供給する。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択で、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。
【００７３】
[0083]  （特徴１）リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える基板ホルダ。
【００７４】
[0084]  （特徴２）平坦化層が、約１．５μｍ未満、約１．０μｍ未満、または約０．５μｍ未満の表面粗さＲａを有する特徴１に記載の基板ホルダ。
【００７５】
[0085]  （特徴３）平坦化層が、シリコンベースの材料、例えば有機前駆物質から形成される特徴１または２に記載の基板ホルダ。
【００７６】
[0086]  （特徴４）平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴３に記載の基板ホルダ。
【００７７】
[0087]  （特徴５）平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴３または特徴４に記載の基板ホルダ。
【００７８】
[0088]  （特徴６）平坦化層が、ベンゾシクロブテンなど炭素ベースの材料から形成される特徴１または特徴２に記載の基板ホルダ。
【００７９】
[0089]  （特徴７）本体が、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理をした炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、およびＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴１から６のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００８０】
[0090]  （特徴８）平坦化層が、複数の別個に形成された副層から形成される特徴１から７のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００８１】
[0091]  （特徴９）平坦化層が、約０．２μｍから約２００μｍまでの範囲の厚さを有する特徴１から８のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００８２】
[0092]  （特徴１０）平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴１から９のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００８３】
[0093]  （特徴１１）バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴１０に記載の基板ホルダ。
【００８４】
[0094]  （特徴１２）平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに備える特徴１から１１のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００８５】
[0095]  （特徴１３）電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴１２に記載の基板ホルダ。
【００８６】
[0096]  （特徴１４）電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴１２または特徴１３に記載の基板ホルダ。
【００８７】
[0097]  （特徴１５）電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴１４に記載の基板ホルダ。
【００８８】
[0098]  （特徴１６）パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバールと、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、リソグラフィ装置。
【００８９】
[0099]  （特徴１７）平坦化層が、約１．５μｍ未満、約１．０μｍ未満、または約０．５μｍ未満の表面粗さＲａを有する特徴１６に記載のリソグラフィ装置。
【００９０】
[00100]  （特徴１８）平坦化層がシリコンベースの材料から形成される特徴１６または１７に記載のリソグラフィ装置。
【００９１】
[00101]  （特徴１９）平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴１８に記載のリソグラフィ装置。
【００９２】
[00102]  （特徴２０）平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴１８または特徴１９に記載のリソグラフィ装置。
【００９３】
[00103]  （特徴２１）平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される特徴１６または１７に記載のリソグラフィ装置。
【００９４】
[00104]  （特徴２２）本体が、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理をした炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、およびＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴１６から２１のいずれか１つに記載のリソグラフィ装置。
【００９５】
[00105]  （特徴２３）平坦化層が、１つまたは複数の別個に形成された副層から形成される特徴１６から２２のいずれか１つに記載のリソグラフィ装置。
【００９６】
[00106]  （特徴２４）平坦化層が、約０．２μｍから約２００μｍまでの範囲の厚さを有する特徴１６から２３のいずれか１つに記載の基板ホルダ。
【００９７】
[00107]  （特徴２５）平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴１６から２４のいずれか１つに記載のリソグラフィ装置。
【００９８】
[00108]  （特徴２６）バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴２５に記載のリソグラフィ装置。
【００９９】
[00109]  （特徴２７）平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに備える特徴１６から２６のいずれか１つに記載のリソグラフィ装置。
【０１００】
[00110]  （特徴２８）電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴２７に記載のリソグラフィ装置。
【０１０１】
[00111]  （特徴２９）電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴２７または特徴２８に記載のリソグラフィ装置。
【０１０２】
[00112]  （特徴３０）電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴２９に記載のリソグラフィ装置。
【０１０３】
[00113]  （特徴３１）基板テーブルをさらに備え、基板ホルダが、基板テーブルに組み込まれる特徴１６から３０のいずれか１つに記載のリソグラフィ装置。
【０１０４】
[00114]  （特徴３２）リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、パターニング手段によってパターニングされたビームを基板ホルダに保持された基板の上に投影する工程を含み、基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、デバイス製造方法。
【０１０５】
[00115]  （特徴３３）リソグラフィ装置で使用する基板ホルダを製造する方法であって、表面および表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、本体表面の少なくとも一部分上に平坦化層を形成する工程とを含む方法。
【０１０６】
[00116]  （特徴３４）平坦化層が、約１．５μｍ未満、約１．０μｍ未満、または約０．５μｍ未満の表面粗さＲａを有するように形成される特徴３３に記載の方法。
【０１０７】
[00117]  （特徴３５）平坦化層がシリコンベースの材料から形成される特徴３３または特徴３４に記載の方法。
【０１０８】
[00118]  （特徴３６）平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴３５に記載の方法。
【０１０９】
[00119]  （特徴３７）平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴３５または特徴３６に記載の方法。
【０１１０】
[00120]  （特徴３８）平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される特徴３３または特徴３４に記載の方法。
【０１１１】
[00121]  （特徴３９）本体が、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理をした炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、およびＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴３３から３８のいずれか１つに記載の方法。
【０１１２】
[00122]  （特徴４０）平坦化層が、１つまたは複数の別個に形成された副層から形成される特徴３３から３９のいずれか１つに記載の方法。
【０１１３】
[00123]  （特徴４１）平坦化層が、約０．２μｍから約２００μｍまでの範囲の厚さを有する特徴３３から４０のいずれか１つに記載の方法。
【０１１４】
[00124]  （特徴４２）平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴３３から４１のいずれか１つに記載の方法。
【０１１５】
[00125]  （特徴４３）バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴４２に記載の方法。
【０１１６】
[00126]  （特徴４４）平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに含む特徴３３から４３のいずれか１つに記載の方法。
【０１１７】
[00127]  （特徴４５）電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴４４に記載の方法。
【０１１８】
[00128]  （特徴４６）電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴４４または特徴４５に記載の方法。
【０１１９】
[00129]  （特徴４７）電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴４６に記載の方法。
【０１２０】
[00130]  （特徴４８）複数のバールを有する本体を設ける工程が、空所を設ける工程と、突出するバールを残すように空所から材料を除去する工程とを含む特徴３３から４７のいずれか１つに記載の方法。
【０１２１】
[00131]  （特徴４９）材料を除去する工程が、放電加工、レーザアブレーション、およびエッチングから成る群から選択された方法によって遂行される特徴４８に記載の方法。
【０１２２】
[00132]  （特徴５０）平坦化層を形成する工程が、本体にポリシラザンの溶液を加える工程と、同溶液を硬化させて平坦化層を形成する工程とを含む特徴３３から４９のいずれか１つに記載の方法。
【０１２３】
[00133]  上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものである。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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