(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光対象である液晶表示基板のカラーフィルタ基板に対する、該カラーフィルタ基板の露光対象領域の全面を露光するための一次露光用の露光パターンと、該カラーフィルタ基板のピクセル部を露光するための二次露光用の露光パターンと、を有するフォトマスクと、
該フォトマスクを前記カラーフィルタ基板に対向して近接させて保持するマスクホルダーと、
該マスクホルダーの位置及び姿勢を調整するホルダー駆動手段と、
前記被露光基板を載置して、前記マスクステージに対して移動させる基板搬送手段と、
前記一次露光用の露光パターンに前記一次露光用の光を照射するための第一の光源と、前記二次露光用の露光パターンに前記二次露光用の光を照射するための前記二次露光用の第二の光源と、を有する露光光源ユニットであって、
前記一次露光のための光量と、前記ピクセル部の露光に必要な光量との差分に相当する光量の光を、二次露光パターンを通して、照射することができる露光光源ユニットと、
前記第一の光源から放射される光と前記第二の光源から放射される光の夫々を平行な光にして、前記フォトマスクに対して照射する露光光学系と、
を具備することを特徴とする近接露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光すべきパターンを有するフォトマスクを、被露光基板に近接して露光させる近接露光装置に関するものであり、詳しくは、露光光の回折による露光面の凹凸の発生を、低減するようにした近接露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示基板のカラーフィルタ基板等の製造は、紫外硬化性のカラーレジストの塗布されたガラス基板に、露光パターンを有するフォトマスクを１００〜３００μｍのギャップで近接して、平行な紫外光をフォトマスクに照射して、その露光パターンを前記カラーレジスト上に転写露光する方式が用いられている。
前記方式では、露光パターンが微細なため、パターンのエッジ部での回折によって露光された被露光基板の表面に凹凸が生じやすいため、フォトマスクと被露光対象であるカラーフィルタ基板等とのギャップをより小さくする方法や、露光光の光量を調整する方法（特許文献１）によって、このパターンのエッジ部で回折の影響を少なくする方法が考えられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１９９９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、フォトマスクと被露光対象であるカラーフィルタ基板等とのギャップを少なくすると、フォトマスクと被露光対象であるカラーフィルタ基板等が接触する危険性が高くなるという問題があり、露光光の光量を調整する方法では、カラーフィルタ基板等のレジストによっては対応ができない場合がるなどの問題がある。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、露光パターンにおける回折の影響を、容易に少なくできる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために、以下の点を特徴としている。
被露光対象である液晶表示基板のカラーフィルタ基板に対する、該カラーフィルタ基板の露光対象領域の全面を露光するための一次露光用の露光パターンと、該カラーフィルタ基板のピクセル部を露光するための二次露光用の露光パターンと、を有するフォトマスクと、該フォトマスクを前記カラーフィルタ基板に対向して近接させて保持するマスクホルダーと、該マスクホルダーの位置及び姿勢を調整するホルダー駆動手段と、前記被露光基板を載置して、前記マスクステージに対して移動させる基板搬送手段と、前記一次露光用の露光パターンに前記一次露光用の光を照射するための第一の光源と、前記二次露光用の露光パターンに前記二次露光用の光を照射するための前記二次露光用の第二の光源と、を有する露光光源ユニットであって、前記一次露光のための光量と、前記ピクセル部の露光に必要な光量との差分に相当する光量の光を、二次露光パターンを通して、照射することができる露光光源ユニットと、前記第一の光源から放射される光と前記第二の光源から放射される光の夫々を平行な光にして、前記フォトマスクに対して照射する露光光学系と、を具備すること。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、二次露光用露光パターン（以下、「二次露光パターン」という。）より大きな露光面積を有する一次露光用露光パターン（以下、「一次露光パターン」という。）によって、広く浅く予備露光した領域に、一次露光時の露光量と、被露光基板を本露光するに必要な光量の差分に相当する露光量の二次露光用の光を、二次露光パターンを通して、照射することができる。
【０００７】
その結果、被露光基板には、浅く予備露光された一次露光部分と、この一次露光部分に重複して、深く本露光された二次露光部分と、二次露光時の回折光によって浅く露光された部分が形成され、露光後の現像工程において、浅く予備露光された一次露光部分と、この一次露光部分に重複して、二次露光の回折光によって露光された部分とが、除去されて、前記深く二次露光された部分のみが被露光基板上に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る近接露光装置１示す概念図である。
近接露光装置１は、露光用光源ユニット２と、マスクユニット３と、露光対象基板を搬送するワーク搬送ユニット４と、撮像手段５と、照明用光源６と、これらを制御する制御装置（図示せず）と、を備えている。
なお、本実施の形態の説明では、前記露光対象基板が、カラーフィルタ基板（以下、「ワーク」という。）Wの露光の場合について説明するが、ここで使用するワークＷは、図１２のように、透明なガラス基板の一面にＣｒ等からなる不透明膜が形成され、その不透明膜上の露光領域内に複数のピクセルＷＰがマトリクス状に形成された面に紫外線硬化性のカラーレジスト（赤、青、緑）が塗布されているものである。
そして、非露光領域には、不透明膜が形成されていない基板側覗き窓Ｗ１と、基板側覗き窓Ｗ１内に白色光及び紫外光を共に遮断する材質によって描かれた、基板側アライメントマークＷ２と、が設けられており、基板側アライメントマークＷ２のＹ軸に平行なエッジＳ５Ａは、所定のピクセルＷＰＫ２のエッジＳ４に一致するような位置に設けられている。
【００１０】
露光用光源ユニット２は、図１のように、一次露光用の紫外光（以下、「一次露光光」という。）を放射する第一の光源（以下、「第一光源」という。）２ａ（例えば超高圧水銀ランプ、キセノンランプ）と二次露光用の紫外光（以下、「二次露光光」という。）を放射する第二の光源（以下、「第二光源」という。）２ｂ（紫外線発光レーザ、例えばＹＡＧレーザ）と、第一光源２ａ、第二光源２ｂから放射される、一次露光光及び二次露光光を所定の平行光の束にするための光学系２ｃと、を備えており、マスクユニット３の上方に配設され、光学系２ｃが後述のフォトマスク３１に対向している。そして、光源２ａ、２ｂは、図示しない光源コントローラを経て前記制御装置に接続している。
【００１１】
第一光源２ａは、一次露光光を連続的に放射するようになっている。
第二光源２ｂは、二次露光光を間欠的に放射するようになっており、後述のようにワークWがフォトマスク３１の下側を通過する際に、ピクセルＷＰのＸ軸方向の１ピッチ（図３（ａ）のＰｘ）ごとに発光されるようになっている。
また、第一光源２ａから、光学系２ｃと、後述の一次露光パターン３１ｂとを経てワークＷを浅く露光するために照射される一次露光光の光量αと、第二光源２ｂから、光学系２ｃと、二次露光パターン３１ｃと、を経てワークＷを深く露光するために間欠的に照射される二次露光光の光量βは、夫々の光量の和（α＋β）がワークＷのレジストの露光厚さを得るに必要な光量になるような光量になるようになっている。
【００１２】
なお、第一光源２ａから連続放射される一次露光光の光量は、ワークＷの搬送速度、前記カラーレジストの露光特性によって異なり、第二光源２ｂから間欠放射される二次露光光の一回の放射あたりの光量は、ワークＷの搬送速度Ｗｖ、前記カラーレジストの露光特性の他、後述のようにフォトマスク３１上にマトリックス上に配列された二次露光パターン３１ｆのＸ軸方向の並び数によって設定されるものである。
また、前記光量α、βの光量比は、ワークＷの搬送速度Ｗｖ及び前記カラーレジストの露光特性によって設定されるものである。
【００１３】
マスクユニット３は、図２のように、マスクホルダー３０と、マスクホルダー３０に搭載される少なくとも１枚以上のフォトマスク３１と、前記制御装置に接続されて、マスクホルダー３０を、Ｙ軸及びＺ軸の位置、θ軸及びα軸の角度（姿勢）の制御を行うマスクホルダー駆動手段３３とを有している。
そして、マスクホルダー３０は、フォトマスク３１を、所定のギャップ（例えば100〜300μm）を隔てて、ワークＷに近接対向させた状態で、保持するものである。
【００１４】
フォトマスク３１は、ワークWを所定方向（矢印Ａ）に所定の速度Ｗｖで移動させながら露光を可能とするもので、図３（ａ）のように紫外光及び可視光を高効率で透過する透明基材３１ａ（例えば石英ガラス）と、透明基材３１ａに塗布されて露光光を遮光する遮光膜（例えばクロミウム（Ｃｒ）の薄膜）３１ｂと、遮光膜３１ｂに形成された、マスク側覗き窓３１ｃと、マスク側覗き窓３１ｃ内に設けられたマスク側アライメントマーク３１ｄと、一次露光パターン３１ｅと、一次露光パターン３１ｅより小さな複数の二次露光パターン３１ｆ（マトリックス状に複数形成配列されている）と、を有している。
【００１５】
マスク側覗き窓３１ｃの表面には、白色光を通過させ、紫外光を遮断する波長選択性の膜（図示せず）が塗布されている。
これによって、フォトマスク３１に照射された一次及び二次露光光は、遮光膜３１ｂで反射されて、一次および二次露光パターン３１ｅ、３１ｆ以外の面を通ってワークＷを照射することがないようになっている。
そして、マスク側覗き窓３１ｃの中に白色光及び紫外光を共に遮断する材質によって、マスク側アライメントマーク３１ｄが設けられており、図３（ａ）のようにマスク側アライメントマーク３１ｄのＹ軸方向のエッジＳ１と、予め基準位置として設定された、例えば、後述のように、中央部に位置する二次露光パターン３１ｆのＹ軸方向のエッジＳ２とが一致するようになっている。
【００１６】
なお、フォトマスク３１上の、マスク側覗き窓３１ｃ、一次露光用パターン３１ｅ、二次露光用パターン３１ｆの並び順は、マスク側覗き窓３１ｃ、一次露光用パターン３１ｅ、二次露光用パターン３１ｆの順にＸ軸方向に一列に配置されており、フォトマスク３１はマスク側覗き窓３１ｃがワークＷの搬送方向（矢印Ａ）上流側になるようにマスクホルダー３０にセットされる。
【００１７】
一次露光パターン３１ｅは、遮光膜３１ｂ上に設けられた、Ｙ軸方向に長い、矩形の光透過部であって、Ｙ軸方向の幅Ｍｗ１は、二次露光パターン３１ｆの前記マトリックスの「列」（Ｙ軸方向の並び）の長さＭｗ２より長くなっている。
図３の二次露光パターン３１ｆの個々の形状は、ワークＷのピクセルＷＰの形状と略同一（ピクセルＷＰと同一形状も含む）である。
【００１８】
そして、本実施の形態では、複数の二次露光パターン３１ｆが、「行」方向（図３のＸ方向に平行な並び）及び「列」方向（図３のＹ方向の平行な並び）に、１５行６列のマトリックス状に配列されているが、このマトリックスの行数は、フォトマスク３１の大きさ、ワークＷのレジストの露光特性、第二光源２ｂの一回の発光あたりの光量によって、最適数が異なる。
また、二次露光パターン３１ｆは、被露光体の搬送方向に直角な方向（Ｙ軸方向）には、ピクセルＷＰの３ピッチ間隔で配列されており、ワークＷの搬送方向Ａに平行な方向（Ｘ軸方向）には、ピクセルＷＰと同じピッチ間隔で配列されている。
そして、図３のように、例えば中央部に位置する二次露光パターン３１ｆのＹ軸方向のエッジＳ２（図３ｂ）が基準位置として予め設定されている。
【００１９】
マスク駆動手段３２は前記制御装置に接続されており、マスクホルダー３０のＸ、Ｙ、Ｚ（図１の紙面に垂直な方向）の各軸の位置およびθ軸（Ｚ軸を中心にした回転）、α軸（Ｙ軸を中心にした回転）の角度（姿勢）を制御できるようになっている。
【００２０】
搬送ユニット４は、マスクホルダー３０の下方に配置されて、ステージ４０と搬送手段４１とから構成されている。
ステージ４０には、上面に気体を噴出する多数の噴出孔（図示せず）と気体を吸引する多数の吸引口（図示せず）を有し、図示しない圧縮気体供給装置及び気体吸引装置に接続されて、気体の噴出、吸引のバランスによりワークWをステージ４０の上に浮上させるようになっている。
そして、ステージ４０のマスクホルダー３０に対向する部分は、開口しており、この開口部分４０ａには、フォトマスク３１による露光位置のワークＷの搬送方向（矢印Ａ）手前側の位置（図４のＬｘ１）で、且つ、フォトマスク３１のマスク側覗き窓３１ｃの直下に、ワークWを下側から撮像するための撮像手段５が、ワークWに向かって設けられている。
【００２１】
搬送手段４１は、前記制御装置に接続されており、ワークWの一部（矢印Ａに平行な縁の一方）を図示しない把持手段で把持した状態で、ワークWを矢印Ａの方向にステージ４０上を搬送することができるようになっており、更に、ワークWの矢印Ａの方向におけるＸ軸上の位置を検出するワーク位置センサ（図示せず）を備えている。
【００２２】
また、撮像手段５は、図５のように、矢印Ａ（Ｘ軸方向）の方向に直角な方向(Ｙ軸方向)に一列に配列した複数の撮像素子５０ａからなるラインセンサ５０と、図６のようにラインセンサ５０とワークＷの間に設けられた、焦点深度を有するレンズ系５１と、レンズ系５１と前記撮像素子５０ａとの間に配設され、矢印Ａの方向と直角な方向に進退する光路長補正手段５２とを有している。
【００２３】
光路長補正手段５２は、段階的に厚みの異なる光学部材５２ａ（図８）と、光学部材５２ａをＸ軸方向に平行に矢印Ｂ方向（図７）に前進後退させる光学部材駆動装置５２ｂ（図９）を有している。
そして、光学部材駆動装置５２ｂは、光学部材５２ａを保持するホルダー５２ｂ１と、ホルダー５２ｂ１の対向する２辺を支持し前記矢印Ｂの方向に移動可能にする一対のガイド５２ｂ２、５２ｂ２と、前記一方のガイド５２ｂ２に沿って設けられたボールスクリュー図示せず）と、このボールスクリューに勘合し、ホルダー５２ｂ１に取り付けられたボールナット（図示せず）と、前記ボールスクリューの一端に取り付けられて、このボールスクリューを回転させる駆動用モータ５２ｂ３と、駆動用モータ５２ｂ３に取り付けられたロータリーエンコーダ（図示せず）を有している。
【００２４】
そして、駆動用モータ５２ｂ３は、図示しないモータコントローラを経て前記制御装置に接続されており、前記ロータリーエンコーダは、前記制御装置に接続されている。
そして、ラインセンサ５０は、ラインセンサ５０を構成する一列の受光素子５０ａ群のうちの所定の受光素子５０ａが、フォトマスク３１のマスク側アライメントマーク３１ｄのエッジＳ２に対応するように、配置されている。
【００２５】
光学部材５２ａは、複数の均質な透明素材で構成されており、基準面５２ａ１と、これに平行な複数の階段状の平面を有している。
そして、前記複数の階段状の平面（以下、単に「階段部」という）（５２ａ２〜５２ａ７）の基準面５２ａ１からの厚みは夫々ｔ１〜ｔ６になっている。
【００２６】
そして、この厚みｔ１〜ｔ６は、レンズ系５１の倍率、焦点深度、必要とする光路長差、光学部材５２ａの材質によって異なるが、例えば、レンズ系５１の倍率が５倍、光学部材５２ａの材質の屈折率が１．５１６８、焦点深度が±２０μｍであって、必要とする光路長差が１５０μｍ〜３５０μｍの範囲で、この光路長差の補正を１μｍ単位で設定する場合、ｔ１からｔ６は、夫々７．３ｍｍ、９．４ｍｍ、１１．６ｍｍ、１３．７ｍｍ、１５．８ｍｍ、１８ｍｍになる。
なお、上記光路長差は以下の式によって求められるものである。
光路長差＝Ｔ×（Ｎ−１）／（Ｎ×Ｍ２）
但し、Ｔ：光学部材の厚さ、Ｎ：光学部材の屈折率、Ｍ：レンズ系倍率
【００２７】
即ち、前記レンズ系の焦点深度が±２０μｍである場合、一つの平面部で±２０μｍの光路長差までは撮像可能であるが、それ以上の光路長差の場合は次の厚みの階段部を撮像素子５０ａの光軸上に移動させて、その光路長の補正をするものである。
したがって、前記レンズ系の焦点位置を各光学部材の平面部の表面に一致させた状態にすると、各光学部材の平面部（前記ｔ１からｔ６）の光路長調整可能範囲は、夫々１１７〜１５７μｍ、１５７〜１９７μｍ、１９７〜２３７μｍ、２３７〜２７７μｍ、２７７〜３１７μｍ、３１７〜３５７μｍとなる。
【００２８】
そして撮像手段５は、上記の構成によって、後述のワークＷに形成された基板側アライメントマークＷ２とフォトマスク３１に形成されたマスク側アライメントマーク３１ｄとを、それぞれ同一視野内に捕えて撮像できるものである。
即ち、図６のように、撮像手段５によりワークＷの基板側アライメントマークＷ２を撮像している状態（集光点Ｆ２がラインセンサ５０上に一致している状態）においては、撮像手段５のレンズ系５１からの光学的距離がワークＷの基板側アライメントマークＷＢよりも遠いフォトマスク３１のマスク側アライメントマーク３１ｄから発した光イは、そのままでは、撮像素子５０ａの手前側に結像してしまうが、光路長補正手段５２の光学部材５２ａを通過することにより、光路長が長くなり、光イをラインセンサ５０上に集光させることができる。これにより、マスク側アライメントマーク３１ｄと基板側アライメントマークＷＢを同時にラインセンサ５０上に結像させることができる。
【００２９】
照明用光源６は、白色光を放射するもので、フォトマスク３１のマスク側覗き窓３１ｃの上方に、撮像手段５に対向して配設されており、前記白色光をフォトマスク３１のマスク側覗き窓３１ｃに照射すると共に、マスク側覗き窓３１ｃを通して、ワークＷに白色光を照射するためのものである。
そして、マスク側覗き窓３１ｃ及びワークＷに照射された白色光の透過光を、撮像手段５で撮像することによって、マスク側アライメントマーク３１ｄ、基板側アライメントマークＷ２、ピクセルＷＰ、各エッジＳ１、Ｓ４、Ｓ５Ａ、Ｓ５Ｂ、Ｓ７が撮像されるようになっている。
【００３０】
次に、上記のように構成された近接露光装置１の露光動作について、添付図面を用いて説明する。
まず、初期準備として、照明用光源６が点灯されてから、ワークＷのピクセルＷＰの像が撮像手段５に結像されるように、撮像手段５のレンズ系５１がセットされる。この場合、レンズ系５１の焦点深度の略中央位置で、ワークＷのピクセルＷＰの像がラインセンサ５０に結像される状態が好ましい。
次に、ワークＷとフォトマスク３１の夫々の撮像手段５からの光学的距離（Ｌ１、Ｌ２）の差を算出して、光学的距離の差を補正するに見合った、光学部材５２ａの厚み部（例えば、５２ａ３）を、光学部材駆動装５２ｂの駆動用モータ５２ｂ３を作動させることによって、ラインセンサ５０のマスク側アライメントマーク３１ｄの撮像を分担する部分の光軸上に位置させる。
これによって、ワークＷの基板側アライメントマークＷ２と、フォトマスク３１のマスク側アライメントマーク３１ｄとが、同時にラインセンサ５０に結像できる状態になる。
【００３１】
次に、ワーク搬送手段４１によって、ワークＷが、ワーク側覗き窓Ｗ１を先にして矢印Ａの方向に連続的に搬送される。そして、ワークＷが撮像手段５の上方を通過する際に、撮像手段５によって、ワークＷの基板側アライメントマークＷ２及びマスク側アライメントマーク３１ｄが撮像手段５によって同時に撮像される。
【００３２】
その後、前記同時に撮像されワークＷの基板側アライメントマークＷ２及びマスク側アライメントマーク３１ｄの画像が図示しない画像処理部で同時に処理される。
このとき、ワークＷの基板側アライメントマークＷ２のＸ軸方向に平行なエッジＳ５ＡとＹ軸方向に平行なエッジ５Ｂを検出し、エッジＳ５Ａを検出したラインセンサ５０の受光素子５０ａのセル番号と、フォトマスク３１のマスク側アライメントマーク３１ｄのエッジＳ１を検出したラインセンサ５０の受光素子５０ａのセル番号とが読み取られ、その距離Ｌｙ（図１０）が演算される。そして、予め設定して記憶された所定の距離Ｌ０と比較される。
【００３３】
そして、フォトマスク３１に対してワークＷがＹ軸方向にずれている場合には、前記マスクホルダー駆動手段３２によって、距離ＬｙがＬ０又はＬ０±α（αは許容値）となるようにフォトマスク３１がＹ軸方向に移動される。これにより、フォトマスク３１のマスク側アライメントマーク３１ｄとワークＷの基板側アライメントマークＷ２と、の距離Ｌｙが所定の許容範囲内で合致することとなる。
そして、前記距離Ｌｙが前記所定の許容範囲内である場合には、アライメントが確実に行なわれたと判断し、距離Ｌｙが所定の許容範囲内で不一致の場合には、例えばワークＷが別種類のもの、又は前記ワークＷの不透明膜の形成不良品と判断し、この場合には露光作業が停止されて警報が出される。
【００３４】
一方、前記距離Ｌｙが所定の許容範囲内である場合には、ワークＷの露光作業は継続される。
そして、まず、第一光源２ａが点灯され、ワークＷが搬送手段４１によって、フォトマスク３１の一次露光パターン３１ｅの下方に向かって、搬送速度Ｗｖで、前記矢印Ａの方向に連続的に搬送され、前記ワークＷのレジストには、一次露光パターン３１ｅが幅Ｍｗ１で、一次露光光が連続的に照射される。
【００３５】
次に、前述のように、基板側アライメントマークＷ２のエッジＳ５Ｂを検出した時点からラインセンサ５０と一次露光パターン３１ｅとのＸ軸方向間隔Ｌｘ１に、基板側アライメントマークＷＢのエッジＳ５ＢとピクセルＷＰのエッジＳ７とのＸ軸方向の間隔Ｌｘ２（図１１）を加えた長さを、ワークＷの搬送速度Ｗｖで除して得られる時間（Ｔ１）に達した時点から第二光源２ｂの点滅が開始され、ピクセルＷＰのピッチＰｘ間隔（ピッチＰｘをワークＷの搬送速度Ｗｖで除して得られる時間（Ｔ２）間隔）で点滅が継続される。
これによって、二次露光パターン３１ｆの直下にピクセルＷＰが位置したときに、第二光源２ｂから所定の光量の第二露光光が、光学系２ｄを経て、各二次露光パターン３１ｆに照射され、各ピクセルＷＰが複数回（フォトマスク３１の露光パターン３１ｅのＸ軸方向の個数分）露光される。本実施例では一つのピクセルＷＰは第二露光光で５回露光される。
【００３６】
なお、ワークＷの連続搬送に伴って、図１１のように、予め設定されている基準ピクセルＷＰＫ１のエッジＳ３を検出したラインセンサ５０の撮像素子５０ａＸのセル番号と、この基準ピクセルＷＰＫのＸ軸方向に連続的に並ぶ各ピクセルＷＰの前記エッジＳ３に相当するエッジを連続的に撮像するラインセンサ５０の撮像素子５０ａのセル番号が、異なってくる場合は、夫々の撮像素子５０ａのセル番号から、前記制御装置において、ワークＷのＹ軸方向の距離（ズレ量）が算出される。
【００３７】
そして、上記ズレ量に基づいて、前記制御装置からのマスクホルダー駆動手段３２に信号が送られて、マスクホルダー３０が、Ｙ軸方向に移動されて、各ピクセルＷＰの前記エッジＳ３に相当するエッジとフォトマスク３１のエッジＳ３が常に一致された状態で、第一及び第二露光光がフォトマスク３１に照射される。
これにより、ワークＷが矢印Ａで示す搬送方向と直交する方向に振れながら搬送されてもフォトマスク３１はそれに追従して動かされて、目標とする位置にフォトマスク３１のマスクパターン３１ｆの像が精度よくピクセルＷＰに転写されることになる。
【００３８】
なお、以上の実施の形態においては、ワークＷに基板側アライメントマークＷ２を形成した場合について説明したが、これに限られず、上記基板側アライメントマークＷ２はなくてもよい。この場合、前記Ｌの検出には、基板側アライメントマークＷ２の代わりに、基準ピクセルＷＰＫ１のエッジＳ３を撮像手段５で検出した結果を使用してもよい。
また、ワークＷが露光動作中に所定方向（矢印Ａ）に連続的に搬送される場合について述べたが、これに限られず、搬送手段４をステップ送りにして、ワークＷに所定の露光パターン３１ｃをステップ露光するものであってもよい。
さらに、ワークＷがカラーフィルタ基板である場合について述べたが、これに限られず、所定の露光パターンを形成するものであれば半導体基板等如何なるものであってもよい。
さらに、また第一露光光は連続的に照射されるものに限らず、第二露光光と同じサイクルで間欠的に照射するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による近接露光装置の第１の実施形態の概略構成を示す概念図である。
【図２】上記露光装置において使用されるマスクホルダーの一構成例を示す概略斜視図である。
【図３】上記露光装置において使用されるフォトマスクを説明するための概略図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
【図４】上記露光装置における撮像手段とフォトマスクの第二露光パターンの位置関係を説明するための説明図である。
【図５】上記露光装置において使用される光学距離補正の原理を示す説明図である。
【図６】上記露光装置において使用される撮像手段を説明するための概念図である。
【図７】上記露光装置において使用される光学部材の動きを説明するための説明図である。
【図８】上記露光装置において使用される光学距離補正手段の光学部材を説明する説明図である。
【図９】上記露光装置において使用される光学距離補正手段の概念図である。
【図１０】ワークとフォトマスクの各マークの位置関係を説明するための説明図である。
【図１１】ワークと撮像手段のＹ軸方向の関係を説明するための説明図である。
【図１２】上記露光装置において供給されるワークを説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
１：第１の実施形態の近接露光装置
２：露光用光源ユニット
２ａ：一次露光用光源
２ｂ：二次露光用光源
２ｃ：光学系
３：マスクユニット
４：ワーク搬送装置
５：撮像手段
６：照明用光源
７：偏向ミラー
３０：マスクホルダー
３１：フォトマスク
３１ｃ：マスク側覗き窓
３１ｄ：マスク側アライメントマーク
３１ｅ：一次露光パターン
３１ｆ：二次露光パターン
４０：ステージ
５０：ラインセンサ
５０ａ：受光素子
５１：レンズ系
５２：光路長補正手段
５２ａ：光学部材
Ｗ：ワーク
Ｗ１：基板側覗き窓
Ｗ２：基板側アライメントマーク
ＷＰ：ピクセル
【図１】
0005256434.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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