(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
を備え、
前記第１基板は、
互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応するように設けられた複数の画素電極と、
画像信号が供給される複数の画像信号線と、
サンプリング信号に応じて、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして、前記複数のデータ線に供給するサンプリング回路と、
前記サンプリング回路に前記サンプリング信号を供給する複数のサンプリング信号線と、
前記複数の画像信号線と、前記複数のサンプリング信号線との間の層に配置されたシールド層と、
前記サンプリング信号線と前記シールド層との層間に配置された第１層間絶縁層と、
前記画像信号線と前記シールド層との層間に配置された第２層間絶縁層と、
を備え、  
前記第２基板は、
前記複数の画素電極と対向するように配置され、共通電位が印加される対向電極を備え、
前記画像信号は、前記共通電位に対して極性反転し、
前記シールド層には、前記共通電位が供給されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のデータ線に対応して設けられ、前記複数のサンプリング信号線と前記サンプリング回路とを電気的に接続し、前記複数の画像信号線の前記シールド層と反対側の層に配置された複数の中継配線を備え、
前記複数の中継配線は、前記複数の画像信号線と交差するように延設され、
前記サンプリング信号線は、前記複数の画像信号線と交差するように延設され、
前記シールド層は、前記複数の画像信号線を覆い、前記複数の中継配線及び前記複数のサンプリング信号線と交差するように延設されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板は、
前記対向電極と電気的に接続された対向電極電位線を備え、
前記シールド層は、前記対向電極電位線から分岐した配線層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、例えば画像信号に対するノイズを抑制して、表示画像の品質を高めることが図られる。例えば、特許文献１には、複数の信号線の上層部を第１のシールド部で覆うと共に、信号線間の要所に第２シールド部を介在させることによって、画像信号に対するノイズの影響を抑制する技術が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４１２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の背景技術によれば、例えば信号線が交差する場所のノイズの影響の抑制が十分ではないという技術的問題点がある。また、電気光学装置の小型化の要求に伴い、配線間隔が狭くなると、例えば信号線間の要所に第２シールド部を介在させることが困難になる等、配置が困難になる可能性があるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、ノイズの影響を抑制して高品質な画像を表示でき、且つ小型化に適する電気光学装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、備え、前記第１基板は、互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応するように設けられた複数の画素電極と、画像信号が供給される複数の画像信号線と、サンプリング信号に応じて、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして、前記複数のデータ線に供給するサンプリング回路と、前記サンプリング回路に前記サンプリング信号を供給する複数のサンプリング信号線と、前記複数の画像信号線と、前記複数のサンプリング信号線との間の層に配置されたシールド層と、前記サンプリング信号線と前記シールド層との層間に配置された第１層間絶縁層と、前記画像信号線と前記シールド層との層間に配置された第２層間絶縁層と、を備え、前記第２基板は、記複数の画素電極と対向するように配置され、共通電位が印加される対向電極を備え、前記画像信号は、前記共通電位に対して極性反転し、前記シールド層には、前記共通電位が供給される。
また、前記複数のデータ線に対応して設けられ、前記複数のサンプリング信号線と前記サンプリング回路とを電気的に接続し、前記複数の画像信号線の前記シールド層と反対側の層に配置された複数の中継配線を備え、前記複数の中継配線は、前記複数の画像信号線と交差するように延設され、前記サンプリング信号線は、前記複数の画像信号線と交差するように延設され、前記シールド層は、前記複数の画像信号線を覆い、前記複数の中継配線及び前記複数のサンプリング信号線と交差するように延設されている。
また、前記第１基板は、前記対向電極と電気的に接続された対向電極電位線を備え、前記シールド層は、前記対向電極電位線から分岐した配線層である。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、例えば石英基板等の基板上の画素領域において、複数の走査線及び複数のデータ線が互いに交差しており、該交差の夫々に対応して複数の画素電極が設けられている。ここに「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素が平面配列された領域全体を意味し、典型的には、「画像表示領域」或いは「表示領域」に相当する。画素領域には、例えば複数の画素電極がマトリックス状に配置されて構成されている。
【０００８】
サンプリング回路は、複数のサンプリング信号線を介して供給されるサンプリング信号に応じて、画像信号線を介して供給される画像信号をサンプリングして、複数のデータ線に供給する。具体的には例えば、サンプリング回路は、画像信号線に電気的に接続されたソース電極、データ線に電気的に接続されたドレイン電極、及びサンプリング信号線に電気的に接続されたゲート電極を有する、片チャネル又は両チャネルの薄膜トランジスタからなるサンプリングスイッチを、データ線毎に含む。そして、供給されるサンプリング信号がハイレベルである場合に、データ線に対し、画像信号が出力されることとなる。サンプリング信号は、典型的には、データ線駆動回路から、シフトレジスタ出力に基づいて順次出力される信号であり、複数のサンプリング信号線に順番に供給される。この際、シリアル−パラレル変換或いは相展開された画像信号が用いられる場合には、同一のサンプリング信号が複数のデータ線毎に、同時に供給される。
【０００９】
シールド配線は、一又は複数の画像信号線が設けられた第１層、及びサンプリング信号線が設けられた第２層間に配置されている。
【００１０】
本願発明者の研究によれば、一般に、画像信号等の高周波信号はノイズの影響を受け易く、仮に個々の層において高周波信号用配線の相互の間隔を広げて配置したとしても、他の層に配置された配線との交差部分でノイズの影響を受けてしまう。他方、電気光学装置の小型化の要求に伴い配線間隔が狭くなったり、表示画像の高精細化の要求に伴い配線数が増加したりすることにより、例えば配線間にシールド部等を設けることが困難であることが判明している。
【００１１】
しかるに本発明では、基板上に構築される積層構造において、複数の画像信号線が設けられた第１層、及び複数のサンプリング信号線が設けられた第２層の層間に、シールド配線が配置されている。これにより、画像信号線に対するノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を実現することができる。特に、画像信号線と複数のサンプリング信号線との交差部分におけるノイズの影響を防止することができる。第１層の上層又は下層に、他の導電層或いは信号配線を介さずに、即ち層間絶縁膜のみを介してシールド配線を配置すれば、確実にノイズの影響を防止することができる。加えて、シールド配線を、例えばグランド電位等とすれば、シールド配線の電磁シールド膜としての機能を高めることができる。
【００１２】
しかも、シールド配線は、配線であるので、シールドとして機能させるのに好適な電位に落とせると共に、シールド以外の機能を有する電源配線や信号配線としても利用できる。
【００１３】
尚、シールド配線に代えて、シールド電極や、シールド専用のシールド層を設けてもよい。シールド電極やシールド層の大きさによっては、浮遊電位であってもよい。また、この際、シールド配線又はシールド電極若しくはシールド層は、所定電位に落とされてもよい。
【００１４】
また、画像信号線間等の配線間にシールド部を設ける必要がないので、配線間隔を狭くしたり、配線数を増加したりすることができ、当該電気光学装置の小型化や表示画像の高精細化を実現することができる。
【００１５】
尚、画像信号がシリアル−パラレル変換（即ち、相展開）され、画像信号線が増加する場合、例えば画像信号線を複数の層に形成し、該画像信号線が形成された複数の層各々の間にも、シールド配線を設けてもよい。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板上で平面的に見て、前記シールド配線が形成された領域内に、前記画像信号線及び前記複数のサンプリング信号線が少なくとも部分的に配置されている。
【００１７】
この態様によれば、より高レベルでノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を実現することができる。特に、シールド配線を、データ線の配列方向（例えばＸ方向或いは横方向）に延びるように延設すれば、画像信号線のうちこの配列方向に延びる部分と、サンプリング信号線のうち、データ線に沿った方向（即ち、例えばＹ方向或いは縦方向）に延びる部分との主要部を、このようにシールド配線が形成された領域内に配置できる。これらにより、シールド配線によるシールド効果が十二分に発揮される。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド配線は、所定電位とされる。
【００１９】
この態様によれば、シールド配線には所定電位が供給されるので、シールド配線の電位変動が、シールド配線の近くにある画像信号線上の画像信号や、サンプリング信号線上のサンプリング信号に対して、電磁ノイズとして悪影響を及ぼすことを回避できる。更に、例えば画像信号線、サンプリング信号線等からの電磁的な干渉によってシールド配線の電位が変動してしまうことを防止できる。よって、シールド配線の電磁シールド膜としての機能を高めることができる。即ち、シールド配線の電位が変動してしまうことで、例えば、相隣接する二つの画像信号線間の電磁的な干渉がシールド配線を介して発生してしまうことを抑制することができる。
【００２０】
ここに、本発明に係る「所定電位」とは、画像信号の内容によらずに少なくとも所定期間ずつ固定された電位を意味する。例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定された固定電位であってもよい。或いは、共通電位或いは対向電極電位の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第１の固定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第２の固定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された固定電位であってもよい。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記第1層及び前記シールド配線の層間に配置された一の層間絶縁膜と、前記シールド配線及び前記第２層の層間に配置された他の層間絶縁膜とを更に備える
この態様によれば、第１層及びシールド配線間の層間絶縁を保ちつつ、シールドに好適な層間距離をとることが可能となると共に、シールド配線及び第２層間の層間絶縁を保ちつつ、シールドに好適な層間距離をとることが可能となる。従って、より高レベルでノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示を実現することができる。また、シールド配線を設けることによる当該電気光学装置の高さの増加を抑制することができる。
【００２６】
このシリアル−パラレル変換に係る態様では、前記基板上に、前記他の導電層、前記第1層、前記シールド配線及び前記第２層がこの順に、層間絶縁膜を夫々介して積層されており、前記中継配線及び前記パラレル信号線は、前記他の導電層及び前記第1層の層間を結ぶコンタクトホールにより電気的に接続されていてもよい。
【００２７】
このように構成すれば、中継配線を、画像信号線よりも、サンプリング信号線からの層間距離を大きくとることができ、中継配線上における画像信号及びサンプリング信号間における相互の電磁ノイズを確実に抑制できる。
【００２８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像を表示可能であり、且つ小型化に適した、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００３０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下図１乃至図７を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３２】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３３】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３７】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３９】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４０】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４１】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４２】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図であり、図４は、図３に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。
【００４４】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａが互いに交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部９がマトリックス状に設けられている。画素部９は、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各々に電気的に接続されている。画素部９は、基本的に、データ線６ａにより供給される画像信号を選択的に印加するための画素スイッチッグ用のＴＦＴと、入力された画像信号を液晶層５０（図２参照）に印加し保持するための、即ち対向電極２１（図２参照）と共に液晶保持容量をなす画素電極９ａ（図２参照）とを含んで構成されている。尚、画素部９には、液晶保持容量に保持された画像信号がリークするのを防ぐために、該液晶保持容量と並列に付加された蓄積容量を設けてもよい。
【００４５】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４が設けられている。
【００４６】
走査線駆動回路１０４には、図示しない、例えば外部回路より外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ（及びその反転信号である反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ）、ＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで走査信号を順次生成して走査線１１ａに出力する。
【００４７】
データ線駆動回路１０１には、外部回路より外部回路接続端子１０２を介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号である反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ）、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成してサンプリング信号線１１４に出力する。
【００４８】
サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号が供給されるデータ線６ａを選択するためにデータ線６ａ毎に設けられたスイッチング素子（即ち、サンプリングスイッチ）からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路１０１からのサンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎによってタイミング制御されるように構成されている。
【００４９】
サンプリング回路７には、外部回路により６相にシリアル−パラレル変換、即ち相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、６本の画像信号線６を介して供給される。６本の画像信号線６は夫々、外部回路接続端子１０２から、データ線駆動回路１０１の周囲を迂回して引き回され、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線されている。
【００５０】
尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば９相、１２相、２４相、４８相、９６相…等とすることができる。
【００５１】
図４に示すように、サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的にはサンプリング用ＴＦＴ７１として構成されている。尚、図４では、説明の便宜上、サンプリング回路７に含まれる複数のサンプリング用ＴＦＴ７１のうち、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１についてのみ代表的に表している。以下では、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１について説明するが、他のデータ線群に関しても同様に構成されている。
【００５２】
尚、図４では便宜上、片チャネル型のＴＦＴとして、サンプリング回路７の各スイッチング素子を示したが、サンプリング用ＴＦＴ７１は、両チャネル型のＴＦＴであってもよい。
【００５３】
各サンプリング用ＴＦＴ７１（即ち、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａに対応する６つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々）のソース配線７１Ｓは、６本の画像信号線のうち対応する一本に電気的に接続されている。
【００５４】
各サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄは、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａのうち対応する一本に電気的に接続されている。
【００５５】
各サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート電極を含むゲート配線７１Ｇは、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１（図３参照）から出力された第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉが供給される。ここに、本実施形態に係る「ゲート配線７１Ｇ」は、本発明に係る「中継配線」の一例である。
【００５６】
このように構成されているので、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、サンプリング信号Ｓｉに応じて、６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群（或いはブロック）毎に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。従って、複数のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００５７】
尚、クロック信号ＣＬＸやＣＬＹ等の各種タイミング信号は、例えば図示しない外部回路に形成されたタイミングジェネレータにて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に外部回路接続端子１０２を介して供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源等もまた例えば外部回路から供給される。
【００５８】
再び図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、例えば外部回路から本発明に係る「共通電位」の一例としての対向電極電位ＬＣＣを供給する対向電極電位線６０５が、外部回路接続端子１０２から上下導通端子１０６まで配線されている。対向電極電位線６０５には、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線された、本発明に係る「シールド配線」の一例としての対向電極電位分岐配線６０６が電気的に接続されている。
【００５９】
これにより、対向電極電位ＬＣＣは、上下導通端子１０６及び上下導通材１０７（図１参照）を介して対向電極２１に供給される。対向電極電位ＬＣＣは、画素電極９ａとの電位差を適正に保持して液晶保持容量を形成するための対向電極２１の基準電位となる。本実施形態では、１Ｈ反転駆動方式が採用されており、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、所定周期で電位が対向電極電位ＬＣＣに対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。より具体的には、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、一のフレームに対応する表示を行う間、奇数行に配列された画素部９には対向電極電位ＬＣＣに対して正極性の電位で供給されると共に偶数行に配列された画素部９には対向電極電位ＬＣＣに対して負極性の電位で供給されるように、且つ、これに続く次のフレームに対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素部９には正極性の電位で供給されると共に奇数行に配列された画素部９には負極性の電位で供給されるように、電位が極性反転される。即ち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、同一行の画素部９には同一極性の電位で供給されると共に相隣接する行の画素部９には異なる極性の電位で供給されるように、且つ係る電位極性を行毎にフレーム周期で反転するように、電位が極性反転される。
【００６０】
次に、画像信号線６、サンプリング信号線１１４及び対向電極電位分岐線６０６各々の位置関係について、図５及び図６を参照して具体的に説明する。図５は、画像信号線、サンプリング信号線及び対向電極電位分岐線を対向基板の側から見た平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図６では、後述する層間絶縁膜４３より上層側の構成要素、及びゲート配線７１Ｇが設けられている層より下層側の構成要素については図示を省略している。
【００６１】
図５に示すように、平面的に見て、対向電極電位分岐配線６０６は、複数の画像信号線６及び複数のサンプリング信号線１１４を覆うように配置されている。言い換えれば、対向電極電位分岐配線６０６内に、複数の画像信号線６及び複数のサンプリング信号線１１４が配置されている。
【００６２】
図６に示すように、画像信号線６が設けられた層と、サンプリング信号線１１４が設けられた層との間に、対向電極電位分岐配線６０６が設けられた層が配置されている。ここで、画像信号線６は、例えば下層から順にアルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有している。サンプリング信号線１１４は、例えば下層にアルミニウムを含んでなる層、上層に窒化チタンを含んでなる層の二層構造を有している。対向電極電位分岐配線６０６は、例えばアルミニウムを含んで構成されている。
【００６３】
尚、本実施形態に係る「画像信号線６が設けられた層」及び「サンプリング信号線１１４が設けられた層」は、夫々、本発明に係る「第１層」及び「第２層」の一例である。
【００６４】
画像信号線６が設けられている層及び対向電極電位分岐配線６０６が設けられている層間には層間絶縁膜４２が、対向電極電位分岐配線６０６が設けられている層及びサンプリング信号線１１４が設けられている層間には層間絶縁膜４３が、サンプリング信号線１１４が設けられている層の上には層間絶縁膜４４が、夫々設けられており、各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜４２、４３及び４４には、各層に含まれる配線等を相互に電気的に接続するためのコンタクトホール等が形成されている。
【００６５】
画像信号線６が設けられている層の下層には、画像信号線６とサンプリング回路７のサンプリング用ＴＦＴ７１とを電気的に中継接続するゲート配線７１Ｇが配置されている。画像信号線６が設けられている層及びゲート配線７１Ｇが設けられている層間には、コンタクトホール７１１及び７１２等が形成された層間絶縁膜４１が設けられている。画像信号線６及びゲート配線７１Ｇは、コンタクトホール７１１を介して電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ７１及びゲート配線７１Ｇは、コンタクトホール７１２を介して電気的に接続されている。
【００６６】
これにより、画像信号線６及びサンプリング信号線１１４間における容量結合を防止することができる。加えて、相隣接する画像信号線６間、及び相隣接するサンプリング信号線１１４間における容量結合を抑制することができる。更に、対向電極電位分岐配線６０６の電位が対向電極電位ＬＣＣとなっていることにより、高いシールド効果を実現することができる。従って、ノイズの影響を抑制することができ、高品位の画像表示が可能である。
【００６７】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００６８】
図７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００６９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７１】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７２】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７３】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７４】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】図３に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態に係る液晶装置における画像信号線、サンプリング信号線及び対向電極電位分岐線を対向基板の側から見た平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７６】
６…画像信号線、６ａ…走査線、７…サンプリング回路、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…データ線、２０…対向基板、１００…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１１４…サンプリング信号線、６０６…対向電極電位分岐配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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