(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上含有し、化合物（Ｄ）の含有量が全樹脂組成物に対して０．０１〜０．５重量％であり、アミン系シランカップリング剤（Ｅ）が下記一般式（III）で表されるアミン系シランカップリング剤である
ことを特徴とする厚み１ｍｍ以下のパッケージ用半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
。
【化１】
0005364963.tif 000016
上記式（１）において、６つのＲのうち２つ、もしくは、３つは水酸基であり、残りのＲは水素原子である。
【化２】
0005364963.tif 000017
【化３】
0005364963.tif 000018
（ただし、Ｒ１は水素、メチル基、エチル基、フェニル基、またはβ−アミノエチル基を示し、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ２は炭素数１〜４のアルコキシ基を示し、同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２】
鉛フリー半田対応半導体装置用であることを特徴とする請求項１に記載の厚み１ｍｍ以下のパッケージ用半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の厚み１ｍｍ以下のパッケージ用半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されてなることを特徴とする厚み１ｍｍ以下のパッケージを備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は連続成形性が良好で生産時に金型汚れやゲート詰まり等の不良によるクリーニング頻度が少なく、かつ半田リフロー時の金属に対する密着性が高く、さらにパッケージ膨れが小さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体装置などの電子回路部品の封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッチックシールと共にフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成型法などにより封止する方法が一般的に行われている。【０００３】  最近はプリント基板への半導体装置パッケージの実装において高密度化、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのため湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、耐リフロー信頼性、高温信頼性、耐湿信頼性などの信頼性が今後ますます重要となっている。特に最近ではＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等厚さ１ｍｍ以下のパッケージにおける耐リフロー信頼性の向上が求められている。【０００４】  表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置パッケージを載せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさらされるため、封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半導体チップの間、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こる。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿してリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームとの界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題になっている。更に、近年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることになりこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められている。【０００５】  一般的に耐リフロー信頼性を向上させるには封止樹脂組成物中の充填材の割合を上げることが有効であることが知られているが、封止樹脂組成物中の樹脂成分を減らすことにより吸湿性が低下するからである。しかしながら、単純に封止樹脂組成物中の充填材の割合を大きくするだけだと流動性が悪化し、パッケージ未充填やステージシフトなどの問題が起こる。【０００６】  そのため、耐リフロー信頼性を向上するため、エポキシ樹脂としてテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノール��ラルキル樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物が提案されている（特開平８−１３４１８３号公報）が、効果はそれなりに奏するものの未だ十分ではない。さらに、さらなる耐リフロー信頼性、特に２ｍｍ以下の厚みのパッケージにおいてさらに膨れ特性の優れる樹脂組成物が求められている。【０００７】  一方、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、硬化性の悪さから連続成形時に金型汚れやゲート詰まり等の不良を生じやすく、金型クリーニングを頻繁に行う必要があり、生産性の面からこの点についても改良を要求されようになってきている。
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は連続成形性が良好で、生産時に金型汚れやゲート詰まり等の不良によるクリーニング頻度が少なく、かつ半田リフロー時の金属に対する密着性が高く、パッケージ膨れが小さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封止してなる半導体装置の提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【００１０】
【化４】
0005364963.tif 000002
【００１１】
【化５】
0005364963.tif 000003
」である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】  以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】  本発明のエポキシ樹脂組成物は必須成分として、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有する。
【００１４】
【化６】
0005364963.tif 000004
まず、エポキシ樹脂（Ａ）について説明する。本発明においては、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を必須成分として含有することを特徴とする。
【００１５】
【化７】
0005364963.tif 000005
エポキシ樹脂（Ａ）に一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有させることによりリフロー時のパッケージ膨れ特性が向上する。さらには、組成物の粘度を下げ成形性を向上する効果も得られる。
【００１６】  用途によっては一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマー全般である。例えばアルキル置換基を持たないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、  ４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。その他のエポキシ樹脂として２種以上用いても良い。
【００１７】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常２〜２５重量％、特に２〜１０重量％が好ましい。さらに、２種以上のエポキシ樹脂を併用する場合、パッケージ膨れ特性改良の観点から一般式（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の含有量はエポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上が好ましい。
【００１８】  本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物とした場合に吸水率が低い化合物としてフェノール性水酸基を有する硬化剤が好ましく用いられる。フェノール性水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，２−トリス（ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、などが挙げられ、これらを単独で用いても、２種類以上併用して用いてもかまわない。なかでもフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂が好ましく用いられる。
【００１９】  本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常２〜２２重量％であり、好ましくは２〜１０重量％である。さらに、硬化剤（Ｂ）の全体量のうち、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂のいずれかを５０重量％以上配合することが、連続成形性ばかりでなく、密着性、耐半田リフロー性が優れる点からより好ましい。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から（Ａ）に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２、特に０．７〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【００２０】  本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤としてはエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との反応を促進するものであれば公知のものを任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルアミンなどの３級アミン化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−５などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−アルキルフェニル）ホスフィン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれらの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は２種以上を併用しても良く、さらには予め使用する硬化剤（Ｂ）またはエポキシ樹脂（Ａ）と溶融混合させた後添加しても良い。
【００２１】  硬化促進剤の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．０２〜１．０重量％、特に０．０５〜０．５重量％が好ましい。
【００２２】  本発明における充填材（Ｃ）としては無機充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、酸化マグネシウムアルミニウム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、マイカ、珪酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙げられる。形状も球状、破砕状、繊維状など任意のものが使用でき、なかでも球状の無機充填材を配合することが好ましい。特に好ましいものとして球状のシリカが挙げられる。
【００２３】  充填材（Ｃ）の粒径としては、流動性の点から平均粒径５〜３０μｍ（メジアン径）が好ましい。
【００２４】  充填材（Ｃ）の配合量としては、成形性、耐半田リフロー性の点から、エポキシ樹脂組成物全体に対して８０〜９５重量％が特に好ましい。
【００２５】  本発明においては、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）を含有する。
【化８】
0005364963.tif 000006
【００２６】  式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の具体例としては、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾイックアシッドなどの水酸基を３つ持つ化合物、１，２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド、３，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、１，２−ジヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルフォニックアシッド、２，３−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、２，４−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、２，５−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、２，６−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，４−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，５−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、１，２−ジヒドロキシ−４−ニトロベンゼン、２，５−ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、３，４−ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、２，６−ジヒドロキシトルエン、３，５−ジヒドロキシトルエン、２，３−ジヒドロキシトルエン、３，４−ジヒドロキシトルエンなどの水酸基を２つ持つ化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なかでも１，２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾイックアシッド、１，２，４−トリヒドロキシベンゼンが好ましく用いられる。なお、これらを単独で用いても、２種類以上併用してもかまわない。また、あらかじめ、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）等の樹脂中に溶融混合させて用いてもかまわない。
【００２７】  式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量としては、好ましくはエポキシ樹脂組成物に対して０．０１〜０．５０重量％であり、より好ましくは０．０３〜０．３０重量％である。
【００２８】  このように、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）を少量、添加剤として用いることで、流動性と硬化性が向上し連続成形性に優れ、かつ、半導体部材に対して密着性が高く、鉛フリー半田を用いた耐半田リフロー性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量を０．０１重量％以上とすることにより流動性と硬化性が向上し、連続成形時に不良が起こりにくくなる。また０．５０重量％以下とすることで半田耐熱性が低下することもない。
【００２９】  本発明では、アミン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有する。好ましいアミン系シランカップリング剤としては、下記一般式（III）で表されるアミン系シランカップリング剤を挙げることが出来る。
具体例としては、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロピル）メチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３０】  アミン系シランカップリング剤（Ｅ）の配合割合としてはエポキシ樹脂組成物に対して０．１〜３重量％であり、より好ましくは０．２〜２．０重量％である。
【００３１】
【化９】
0005364963.tif 000007
（ただし、Ｒ1は水素、または有機機を示し、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基、またはアルコキシ基を示し、同一であっても異なっていてもよい。）
【００３２】  本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成分ではないが難燃性をさらに向上させる目的でブロム化合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に限定されない。ブロム化合物の好ましい具体例としては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。
【００３３】  同様に、本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられる。
【００３４】  本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラストマー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなどの各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。
【００３５】  本発明のエポキシ樹脂組成物は上記各成分を溶融混線によって製造することが好ましい。たとえば各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用される。
【００３６】  本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内で冷却固化したタブレットの形状、加熱混線で溶融し押し出ししてさらに切断したぺレットの形状などの状態で使用できる。
【００３７】  そしてこれらの形状から半導体素子の封止に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うことができる。
【実施例】
【００３８】  以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はここに掲げた実施例によって限定されるものではない。【００３９】
[実施例１〜１１、１３〜１４、１６、参考例１２、１５、比較例１〜４]
表１に示した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサーによりドライブレンドした後、ロール表面温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４０】
【表１】
0005364963.tif 000008
【００４１】
【化１０】
0005364963.tif 000009
【００４２】
【化１１】
0005364963.tif 000010
【００４３】
【化１２】
0005364963.tif 000011
【００４４】
【化１３】
0005364963.tif 000012
【００４５】
【化１４】
0005364963.tif 000013
＜膨れ特性評価＞
得られた樹脂組成物について１４４ｐｉｎＴＱＦＰ（外形：２０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍのものを用いた。【００４６】  上記成形により得られた１４４ｐｉｎＴＱＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポストキュアーした後、マイクロメーターにてパッケージ中央部の厚みＩ（μm）を計測した。これを８５℃／６０％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理した。なお、リフロー炉の温度プロファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１００秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度を１．５〜２．５℃／秒とした。【００４７】  パッケージがリフロー炉を出た５秒後、再びマイクロメーターにてパッケージの中央部の厚みII（μm）を計測した。さらに１０個それぞれのパッケージについて（厚みII−厚みＩ）を算出し、この１０個の平均値を「膨れ」（μm）とした。なお、膨れは小さい方が好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい。【００４８】＜半田耐熱性の評価＞
得られた樹脂組成物について、２０８ピンＬＱＦＰ（外形：２８×２８×１．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金型（ポット径：φ１８ｍｍ）を用いて、低圧トランスファー成形機で、金型温度１７５℃、成形時間９０秒の条件でパッケージを成形した。成形により得られた２０８ピンＬＱＦＰのパッケージ１０個を１７５℃で６時間硬化させ、８５℃、６０％ＲＨ、１６８時間の条件で加湿処理後、ＩＲリフロー炉を用いて２６０℃で１０秒間加熱処理した。その後のパッケージを、超音波探傷機を使用してダイパッド裏面を観察し、ダイパッド裏面の全面積に対し剥離が生じている面積から剥離率（％）を求めた。【００４９】＜連続成形性評価＞
上記と同様の方法で２０８ｐＬＱＦＰパッケージを成形して連続成形性の評価を行った。ただし、キュアータイムは４０秒とした。金型クリーニングのためメラミン樹脂で１ショット成形を行い、続いて金型と樹脂の離型性を回復するため東レ製離型回復材“ＴＲ−４”で２ショット成形をおこなった。その後続いて上述の樹脂組成物で連続成形を行い、金型汚れやゲート詰まり等の不良が発生するまでの成形ショット数で連続成形性の評価をおこなった。なお、ショット数は多い方が当然好ましいが、ここでは最大１００ショットまで行い成形不良を評価して不良が発生しなければ合格とし、表中には不良が発生するまでのショット数を記載した。【００５０】
【表２】
0005364963.tif 000014
【００５１】
【表３】
0005364963.tif 000015
【００５２】  表２〜３に評価結果を示す。表２〜３に見られるようにテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有し、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量が０．０１〜０．５０重量％の範囲で、かつ、アミン系シランカップリング剤を用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物はリフロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離性、さらには連続成形性のいずれも優れている。
【発明の効果】
【００５３】  以上説明したように、本発明によればリフロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離性、さらには連続成形性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物によって封止してなる半導体装置を得ることができる。