(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物：
【化１】
0005178793.tif 000007
（式中、Ｃｕ＋は銅イオンであり、ＰＲ１Ｒ２Ｒ３およびＰＲ４Ｒ５Ｒ６はＣｕ＋に配位するホスフィン化合物である。Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ’１〜Ｒ’４は、それぞれ同じまたは異なってよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、または直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。ｎは、１または２の整数である。Ｘ−は対イオンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ４、ＰＦ６、ＣＨ３ＣＯ２、ＣＦ３ＣＯ２、ＣＦ３ＳＯ３またはＣｌＯ４である。）。
【請求項２】
互いに離間して配置された陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置され、ホスト材料および発光ドーパントを含む発光層と
を具備する有機電界発光素子であって、
前記発光ドーパントとして、請求項１に記載の化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項３】
前記ホスト材料は、低分子または高分子であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
請求項２に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代ディスプレイや照明のための発光技術として有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも称する）が注目されている。有機ＥＬ素子の研究初期は、有機層の発光機構として主に蛍光が用いられてきた。しかし、近年では、より内部量子収率の高いリン光を用いた有機ＥＬ素子に注目が集まっている。
【０００３】
近年におけるリン光を用いた有機ＥＬ素子の発光層の主流は、有機材料からなるホスト材料中に、イリジウムや白金などを中心金属とする発光性金属錯体をドープしたものである。しかしながら、イリジウム錯体や白金錯体は希少金属で高価であるため、それらを用いた有機ＥＬ素子はコストが高くなるという問題がある。一方、銅錯体も同じようにリン光発光を示し、安価であるため、発光材料として使用すればコストを抑えることが期待できる。
【０００４】
これまでに、発光材料として銅錯体を使用した有機ＥＬ素子が開示されているが、使用する銅錯体の合成方法が複雑であるという問題を有する。また、発光材料のＰＬ量子収率は有機ＥＬ素子の発光効率に大きな影響を与えるため、ＰＬ量子収率の優れた発光材料が求められている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，４５，１４７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、安価であり、合成が容易であり、且つ高いＰＬ量子収率を示す銅錯体、ならびにこれを発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を達成するために、実施形態によれば、下記一般式（１）で表される化合物が提供される：
【化１】
0005178793.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｃｕ＋は銅イオンであり、ＰＲ１Ｒ２Ｒ３およびＰＲ４Ｒ５Ｒ６はＣｕ＋に配位するホスフィン化合物である。Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ’１〜Ｒ’４は、それぞれ同じまたは異なってよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、または直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。ｎは、１または２の整数である。Ｘ−は対イオンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ４、ＰＦ６、ＣＨ３ＣＯ２、ＣＦ３ＣＯ２、ＣＦ３ＳＯ３またはＣｌＯ４である。）。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係る有機電界発光素子を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る表示装置を示す回路図である。
【図３】図３は、実施形態に係る照明装置を示す断面図である。
【図４】図４は、[Ｃｕ(ｐｙＣ２ＰＰｈ２)（ＰＰｈ３）２]ＢＦ４の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図５】図５は、[Ｃｕ(ｐｙＣ２ＰＰｈ２)（ＰＰｈ３）２]ＢＦ４のＰＬスペクトルを示す図である。
【図６】図６は、実施例に係る有機電界発光素子のＥＬスペクトルを示す図である。
【図７】図７は、実施例に係る有機電界発光素子の発光特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は、実施形態に係る有機電界発光素子を示す断面図である。  
有機電界発光素子１０は、基板１１上に、陽極１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６および陰極１７を順次形成した構造を有する。正孔輸送層１３、電子輸送層１５および電子注入層１６は、必要に応じて形成される。
【００１２】
以下、実施形態に係る有機電界発光素子の各部材について詳細に説明する。
【００１３】
発光層１４は、陽極側から正孔を、陰極側から電子をそれぞれ受け取り、正孔と電子との再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。この結合によるエネルギーで、発光層中のホスト材料が励起される。励起状態のホスト材料から発光ドーパントへエネルギーが移動することにより、発光ドーパントが励起状態となり、発光ドーパントが再び基底状態に戻る際に発光する。
【００１４】
発光層１４は、有機材料からなるホスト材料中に、発光性金属錯体（以下、発光ドーパントと称する）をドープした構成をとる。本実施形態においては、発光ドーパントとして、以下の一般式（１）で表される銅錯体を使用する。
【化２】
0005178793.tif 000003
【００１５】
式中、Ｃｕ＋は銅イオンであり、ＰＲ１Ｒ２Ｒ３およびＰＲ４Ｒ５Ｒ６はＣｕ＋に配位するホスフィン化合物である。Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記芳香環基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェノキシ基等が挙げられ、これらは、アルキル基、ハロゲン原子、カルボキシ基等の置換基で置換されてもよい。Ｒ’１〜Ｒ’４は、それぞれ同じまたは異なってよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、または直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。Ｒ’１〜Ｒ’４がアルキル基である場合、その炭素数は１〜１０であることが好ましく、例えば、メチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。ｎは、１または２の整数である。Ｘ−は対イオンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ４、ＰＦ６、ＣＨ３ＣＯ２、ＣＦ３ＣＯ２、ＣＦ３ＳＯ３またはＣｌＯ４である。
【００１６】
発光ドーパントとして銅錯体を使用することにより、イリジウム錯体や白金錯体を使用した場合よりコストを抑えて有機ＥＬ素子を作製することができる。また、上記一般式（１）で示した銅錯体は、発光ドーパントとしての用途が既知である他の銅錯体に比べて、容易に合成することができる。
【００１７】
さらに、上記一般式（１）で表される銅錯体は、発光ドーパントとしての用途が既知である他の銅錯体に比べて、ＰＬ量子収率が高い。従って、上記一般式（１）の銅錯体を発光ドーパントとして使用すると、他の銅錯体を使用した場合と比較して、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００１８】
一般的に、銅錯体のＰＬ量子収率が低い原因の１つは、基底状態と励起状態との間で構造変化が起こり易いことにある。Ｃｕ（I）の配位構造は、４配位の擬似的なテトラヘドラル構造であるが、励起状態では平面４配位に近い構造に変化する。そのため、構造変化を抑制するような配位構造を持つ銅錯体は、発光に関与しないエネルギー失活が生じにくいため、高いＰＬ量子収率が得られると考えられる。
【００１９】
また、銅イオンに配位する元素の組み合わせもＰＬ量子収率に影響を与える。窒素原子１つとリン原子３つを銅イオンに配位させた場合にＰＬ量子収率が高くなる傾向にあるという報告が、これまでになされている。
【００２０】
以下に、上記一般式（１）で表される銅錯体の合成スキームを示す。反応式中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ’１〜Ｒ’４およびＸは、上記で定義した通りである。
【化３】
0005178793.tif 000004
【００２１】
上記一般式（１）で表される銅錯体の具体例としては、ピリジン（ｐｙ）とジフェニルホスフィン（ＰＰｈ２）をエチレン鎖で結合した配位子（ＰｙＣ２ＰＰｈ２）と、トリフェニルホスフィン配位子（ＰＰｈ３）がＣｕ＋に配位し、対イオンがＢＦ４−である銅錯体([Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４)が挙げられる。[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４の構造を以下に示す。
【化４】
0005178793.tif 000005
【００２２】
ホスト材料としては、発光ドーパントへのエネルギー移動効率の高い材料を使用することが好ましい。発光ドーパントとしてリン光発光ドーパントを用いる場合に使用されるホスト材料は、低分子系と高分子系とに大別される。低分子系ホスト材料を含む発光層は、主に低分子系ホスト材料および発光ドーパントを真空共蒸着することによって成膜される。高分子系ホスト材料を含む発光層は、主に高分子系ホスト材料および発光ドーパントを混合した溶液を塗布することによって成膜される。低分子系ホスト材料の代表例は、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）等である。高分子系ホスト材料の代表例は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）等である。本実施形態では、ホスト材料として、他に、４,４’−ビス（９−ジカルバゾリル）−２，２’−ビフェニル（ＣＢＰ）
、ｐ−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン（ＵＧＨ２）等を使用することができる。
【００２３】
正孔輸送性の強いホスト材料を使用する場合、発光層内の正孔と電子とのキャリアバランスがとれず、発光効率が低下するという問題が生じ得る。そこで、発光層中にさらに電子注入・輸送材料を含有させてもよい。逆に、電子輸送性の強いホスト材料を使用する場合には、発光層中にさらに正孔注入・輸送材料を含有させてもよい。このような構成とすることで、発光層内の正孔と電子とのキャリアバランスがとれ、発光効率が向上する。
【００２４】
発光層１４の成膜方法は、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、例えばスピンコート法を使用することが可能である。発光ドーパントおよびホスト材料を含む溶液を所望の膜厚に塗布した後、ホットプレート等で加熱乾燥する。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用してもよい。
【００２５】
発光層１４の厚さは、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。発光層１４におけるホスト材料と発光ドーパントの割合は、本発明の効果を損なわない限り任意である。
【００２６】
基板１１は、他の部材を支持するためのものである。この基板１１は、熱や有機溶剤によって変質しないものが好ましい。基板１１の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等のプラスチック、高分子フィルム、およびステンレス鋼（ＳＵＳ）、シリコン等の金属基板が挙げられる。発光を取り出すため、ガラス、合成樹脂等からなる透明な基板を用いることが好ましい。基板１１の形状、構造、大きさ等について特に制限はなく、用途、目的等に応じて適宜選択することができる。基板１１の厚さは、その他の部材を支持するために十分な強度があれば、特に限定されない。
【００２７】
陽極１２は、基板１１の上に積層される。陽極１２は、正孔輸送層１３または発光層１４に正孔を注入する。陽極１２の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。通常は、透明または半透明の導電性を有する材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等を陽極１２として使用することができる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられる。特に、ＩＴＯからなる透明電極であることが好ましい。また、電極材料として、有機系の導電性ポリマーであるポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等を用いてもよい。陽極１２の膜厚は、ＩＴＯの場合、３０〜３００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍより薄くすると、導電性が低下して抵抗が高くなり、発光効率低下の原因となる。３００ｎｍよりも厚くすると、ＩＴＯに可撓性がなくなり、応力が作用するとひび割れが生じる。陽極１２は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料からなる層を積層したものであってもよい。
【００２８】
正孔輸送層１３は、陽極１２と発光層１４との間に任意に配置される。正孔輸送層１３は、陽極１２から正孔を受け取り、発光層側へ輸送する機能を有する層である。正孔輸送層１３の材料としては、例えば、導電性インクであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレン・スルホン酸）［以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと記す］のようなポリチオフェン系ポリマーを使用することができるが、これに限定されない。正孔輸送層１３の成膜方法は、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、例えばスピンコート法を使用することが可能である。正孔輸送層１３の溶液を所望の膜厚に塗布した後、ホットプレート等で加熱乾燥する。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用してもよい。
【００２９】
電子輸送層１５は、任意に、発光層１４の上に積層される。電子輸送層１３は、電子注入層１６から電子を受け取り、発光層１４へ輸送する機能を有する層である。電子輸送層１５の材料としては、例えば、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン［以下、３ＴＰＹＭＢと記す］、トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）等を使用することができるが、これらに限定されない。電子輸送層１５は、真空蒸着法、塗布法等で成膜する。
【００３０】
電子注入層１６は、任意に、電子輸送層１５の上に積層される。電子注入層１６は、陰極１７から電子を受け取り、電子輸送層１５または発光層１４へ注入する機能を有する層である。電子注入層１６の材料としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ等を使用することができるが、これらに限定されない。電子注入層１６は、真空蒸着法、塗布法等で成膜する。
【００３１】
陰極１７は、発光層１４（または電子輸送層１５もしくは電子注入層１６）の上に積層される。陰極１７は、発光層１４（または電子輸送層１５もしくは電子注入層１６）に電子を注入する。通常、透明または半透明の導電性を有する材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、金属薄膜等が挙げられる。陽極１２を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合、陰極１７には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。仕事関数の低い材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。具体的には、Ｌｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｙｂ、Ｃｓ等を挙げることができる。
【００３２】
陰極１７は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。また、２種以上の金属の合金を使用してもよい。合金の例としては、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【００３３】
陰極１７の膜厚は、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄い場合は、抵抗が大きくなりすぎる。膜厚が厚い場合には、陰極１７の成膜に長時間を要し、隣接する層にダメージを与えて性能が劣化する。
【００３４】
以上、基板の上に陽極を積層し、基板と反対側に陰極を配置した構成の有機電界発光素子について説明したが、陰極側に基板を配置してもよい。
【００３５】
図２は、本発明の実施態様に係る表示装置を示す回路図である。  
図２に示す表示装置２０は、横方向の制御線（ＣＬ）と縦方向の信号線（ＤＬ）がマトリックス状に配置された回路の中に、それぞれ画素２１を配置した構成をとる。画素２１には、発光素子２５および発光素子２５に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２６が含まれる。ＴＦＴ２６の一方の端子は制御線に接続され、他方の端子は信号線に接続される。信号線は、信号線駆動回路２２に接続されている。また、制御線は、制御線駆動回路２３に接続されている。信号線駆動回路２２および制御線駆動回路２３は、コントローラ２４により制御される。
【００３６】
図３は、本発明の実施態様に係る照明装置を示す断面図である。  
照明装置１００は、ガラス基板１０１上に、陽極１０７、有機ＥＬ層１０６、および陰極１０５を順次積層した構成をとる。封止ガラス１０２は、陰極１０５を覆うように配置され、ＵＶ接着剤１０４を用いて固定される。封止ガラス１０２の陰極１０５側の面には、乾燥剤１０３が設置される。
【実施例】
【００３７】
＜[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４の合成＞
１００ｍＬ茄子フラスコに、テトラキスアセトニトリル銅（I）テトラフルオロボレイト（１６．７ｍｇ, ０．０５３ｍｍｏｌ）と２−(２−(ジフェニルホスフィノ)エチル)ピリジン（ＰｙＣ２ＰＰｈ２）（１５．５ｍｇ, ０．０５３ｍｍｏｌ）を入れ、真空乾燥を行った。茄子フラスコ内を窒素で置換し、窒素置換したシリンジを用いて、窒素バブリングしたクロロホルムを２０ｍＬ加えた。室温下で６時間撹拌後、真空乾燥したトリフェニルホスフィン（２４．６ｍｇ, ０．１１ｍｍｏｌ）を加えた。室温下においてさらに６時間撹拌した後、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。ろ液の溶媒を留去した後、真空乾燥を行うと固体が析出した。得られた固体をクロロホルム（富溶媒）に溶かし、ジエチルエーテル（貧溶媒）を拡散させてゆっくり加えると、白色固体が析出した。ろ過して析出物を単離し、目的物質である[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４を得た（収率９０％）。
【００３８】
上記合成反応の反応スキームを以下に示す。
【化５】
0005178793.tif 000006
【００３９】
上記方法で合成した[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３，２７０ＭＨｚ）を図４に示す。
【００４０】
＜ＰＬスペクトルの測定＞
上記の合成法によって得られた[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４について、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定した。測定は、室温、固体状態において、浜松フォトニクス製マルチチャンネル検出器ＰＭＡ−１１を用いて行った。その結果を図５に示す。励起波長３６５ｎｍの紫外光で励起させたところ、５１０ｎｍに発光ピークを有するＰＬスペクトルが得られた。
【００４１】
＜ＰＬ量子収率の測定＞
上記の合成法によって得られた[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４について、ＰＬ量子収率を測定した。測定は、[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４をＰＭＭＡ（ポリ(メチルメタクリレート)）にドープしたもの（以下、フィルム状態と称する）を作製して行った。
【００４２】
フィルム状態は、以下のように作製した。まず、ＰＭＭＡに対して１０ｗｔ％になるように[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４を秤量した。その後、クロロホルムを加えて５ｗｔ％に調整したものをサンプル溶液とした。石英基板上にサンプル溶液をスピンコート法で塗布した後、ホットプレート上において、８０℃で３０分間ベークしてフィルム状態とした。
【００４３】
上記のように作製したフィルム状態を用いて、[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４のＰＬ量子収率を測定した。測定は、室温において、浜松フォトニクス製絶対ＰＬ量子収率測定装置Ｃ９９２０−０２を用いて行った。その結果、[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４のＰＬ量子収率は、２５．２％であった。この値は、先行技術文献とした挙げたＩｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，４５，１４７（非特許文献１）に記載されている[Ｃｕ(ｐｂｂ)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４のＰＬ量子収率の値１３％と比較して、１．９倍高い値であった。
【００４４】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
合成した[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４を発光ドーパントとして使用して有機ＥＬ素子を作製した。この素子の層構成は、以下の通りである。
【００４５】
ＩＴＯ  １００ｎｍ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ  ５５ｎｍ／ＰＶＫ：ＯＸＤ−７：[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４  ６５ｎｍ／３ＴＰＹＭＢ  １０ｎｍ／ＣｓＦ  １ｎｍ／Ａｌ  １５０ｎｍ。
【００４６】
陰極は、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ(インジウムスズ酸化物)からなる透明電極である。
【００４７】
正孔輸送層の材料には、導電性インクであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレン・スルホン酸）[ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ]の水溶液を用いた。ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳの水溶液をスピンコートによって塗布し、加熱して乾燥させることにより正孔輸送層を５５ｎｍの厚さに形成した。
【００４８】
発光層の材料には、ホスト材料としてポリビニルカルバゾール[ＰＶＫ]、電子輸送材料として１，３−ビス(２−(４−ターシャリーブチルフェニル)−１，３，４−オキシジアゾル−５−イル)ベンゼン[ＯＸＤ−７]、発光ドーパントとして[Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４を用いた。ＰＶＫは正孔輸送性ホスト材料であり、ＯＸＤ−７は電子輸送性材料である。従って、これらを混合したものをホスト材料として用いることにより、電圧印加時に電子と正孔を効率良く発光層に注入することが出来る。重量比でＰＶＫ:ＯＸＤ−７: [Ｃｕ(ＰｙＣ２ＰＰｈ２)(ＰＰｈ３)２]ＢＦ４＝６０:３０:１０となるよう秤量し、これらをクロロベンゼンに溶解した溶液をスピンコートによって塗布し、加熱して乾燥させることにより発光層を６５ｎｍの厚さに形成した。
【００４９】
電子輸送層は、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン[３ＴＰＹＭＢ]を真空蒸着することにより１０ｎｍの厚さに形成した。電子注入層は厚さ１ｎｍのＣｓＦで形成し、陰極は厚さ１５０ｎｍのＡｌで形成した。
【００５０】
＜ＥＬスペクトルの測定＞
上記のように作製した有機ＥＬ素子について、電圧印加時のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを測定した。測定は浜松フォトニクス製外部量子収率測定装置Ｃ９９２０−１２を用いて行った。その結果を図６に示す。５２１ｎｍに発光ピークをもつＥＬスペクトルが得られた。
【００５１】
＜有機ＥＬ素子の発光特性＞
上記のように作製した有機ＥＬ素子について、発光特性を調べた。図７（ａ）は、素子の電圧と電流密度との関係を示す図である。図７（ｂ）は、素子の電圧と輝度との関係を示す図である。輝度は、浜松フォトニクス社製視感度フィルタ付きＳｉフォトダイオードＳ７６１０を用いて測定した。また、電流および電圧の測定は、ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製半導体パラメータアナライザ４１５６ｂを用いて行った。
【００５２】
電圧の印加と共に電流密度は上昇し、６．５Ｖで発光が開始された。輝度は、８Ｖで５．３ｃｄ／ｃｍ２であった。
【００５３】
上記実施形態または実施例によれば、安価であり、合成が容易であり、且つ高いＰＬ量子収率を示す銅錯体、ならびにこれを発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供することができる。
【００５４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
１０…有機電界発光素子、１１…基板、１２…陽極、１３…正孔輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電子注入層、１７…陰極、２０…表示装置、２１…画素、２２…信号線駆動回路、２３…制御線駆動回路、２４…コントローラ、２５…発光素子、２６…ＴＦＴ、１００…照明装置、１０１…ガラス基板、１０２…封止ガラス、１０３…乾燥剤、１０４…ＵＶ接着剤、１０５…陰極、１０６…有機ＥＬ層、１０７…陽極。
【図１】
0005178793.tif 000008
【図２】
0005178793.tif 000009
【図３】
0005178793.tif 000010
【図４】
0005178793.tif 000011
【図５】
0005178793.tif 000012
【図６】
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【図７】
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