(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出ヘッド及び乾燥手段を描画対象の基板に対して相対的に移動させながら、前記液体吐出ヘッドの複数のノズルから液滴を吐出し、ドット群による描画後に前記乾燥手段によって乾燥させる描画方法において、
前記乾燥手段は、前記液体吐出ヘッドと前記基板との相対的な移動における下流側に配置され、前記基板に着弾する前記ドット群の移動方向と直交する方向に対応した位置に配列された複数のスリットを有し、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分における吸引流速が、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の端部における吸引流速より速くなるように前記複数のスリットそれぞれから気流を吸引することにより前記ドット群の乾燥が行なわれ、
前記基板に着弾する前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分の着弾位置が、前記移動方向と直交する方向に変化した時、
前記着弾位置が変化したドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分における吸引流速が、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の端部における吸引流速より速くなるように、前記変化した着弾位置における前記吸引流速を変化させることを有することを特徴とする描画方法。
【請求項２】
前記変化した着弾位置における前記吸引流速の変化は、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向に前記乾燥手段を前記液体吐出ヘッドに対して相対的に移動させることにより行なうことを特徴とする請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記変化した着弾位置における前記吸引流速の変化は、前記スリットからの吸引流速を変化させることにより行なうことを特徴とする請求項１記載の描画方法。
【請求項４】
液体吐出ヘッド及び乾燥手段を描画対象の基板に対して相対的に移動させながら、前記液体吐出ヘッドの複数のノズルから液滴を吐出し、ドット群による描画後に前記乾燥手段によって乾燥させる描画装置において、
前記乾燥手段は、前記液体吐出ヘッドと前記基板との相対的な移動における下流側に配置され、前記ドット群の移動方向と直交する方向に配列された複数のスリットと、前記各スリットから気流を吸引する手段と、を有し、
前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の着弾位置に応じて、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分における吸引流速を前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の端部における吸引流速より速くなるように、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向に前記乾燥手段を前記液体吐出ヘッドに対して相対的に移動させる手段を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項５】
前記吸引する手段は、前記基板に着弾する前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の着弾位置に応じて、前記スリットからの吸引流速を変化させることを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出方式によって各種パターニングを行う描画方法及び描画装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット等の液体吐出方式による様々なパターンの形成は、省材料、省工程、オンデマンド少量多品種生産などの観点で注目されている。このような工業用途への展開を意図した場合、素早く、基板面内に均一なドットを形成することが求められる。
【０００３】
インクジェットにより基板上に高密度なドットパターン、またはドットをつなげた膜の形成を行う場合、着弾したドットから蒸発したインク溶媒によりドット周囲の溶媒雰囲気濃度が高まり、隣接ドットにおける溶媒の蒸発に影響を与える。ドット密度の高い個所、多くは基板中央部の乾燥速度が、ドット密度の低い個所、多くは基板端部に比べて遅くなり、それによって乾燥後のドット形状または膜厚が大きく異なる。
【０００４】
このようなドット間の相互作用に対し、基板面内の乾燥の遅い部分（中央部分）をより早く乾燥させ、乾燥の遅い部分（端部）との乾燥速度差を小さくするために、基板上に配置されたドット群を覆うように乾燥手段を設ける方法が提案されている。例えば特許文献１では、基板中央部と基板端部とで乾燥手段と基板との距離に差をつけるという方法が提案されている。この方法によれば、乾燥の遅い場所は乾燥手段との距離を短くし、乾燥の速い場所は乾燥手段との距離を長くすることで基板面内のドット乾燥速度差を解消し、ドット形状の均一化を実現できる。
【０００５】
この他、乾燥の制御をドットの描画動作と同時に行うものも提案されている。例えば特許文献２では、着弾した液滴周囲の雰囲気を吸引することにより減圧環境に調整し、乾燥を促進させる方法が提案されている。この方法は、図７に示すように、基板に対してインクジェットヘッド１０１を相対的に走査することにより描画を行い、そのまま走査を続けることにより乾燥手段１０２が着弾したドット群の上方に移動するようになっている。この方法によれば、ドットＤから蒸発する溶媒成分を、吸引によって取り去るため、基板面内でのドット間相互作用の乾燥への影響を排除することができ、ドット形状の均一性が高まる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２７５２７５号公報
【特許文献２】特開２００６−４３６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のように、基板全体を覆う乾燥手段と基板との距離を、基板面内の乾燥速度分布に応じて相対的に変化させるという方法は、インクジェットによる描画が全て完了してからの一括乾燥である。このような方法を用いた場合には、描画動作中における個々の液滴乾燥を制御できない。さらに、基板に着弾後、数秒程度で乾燥してしまうインクを用いた場合には、この方法による乾燥制御は実質的に不可能である。
【０００８】
また、特許文献２に開示されている技術は、描画動作と同時に乾燥制御を行うものであるが、この方法においては、吸引によって生じる気流の分布について考慮されていない。すなわち、インクジェットヘッドにおけるノズル列方向のドット密度及び着弾したドット群の乾燥手段に対する相対位置が考慮されていない。
【０００９】
例えば、実際にインクジェットヘッドを用いて基板上にドットをパターニングする場合、多数存在するノズルのうち、製造精度やインク固化によるノズル詰まりなどの原因から、パターニングに適したノズル群はヘッドごと、あるいは時間の経過とともに変化する。
【００１０】
上述のような理由により、図７及び図８に示すように、その時々において異なるノズル群を用いて描画を行う場合、使用するノズル群の位置により着弾するドット群の密度の中心位置Ｄ０が変化する。その結果、ドット群の中心付近の最も乾燥の遅い個所と、乾燥手段１０２の中心位置Ｏに近くその出力が最も強い個所とが一致せずに、走査方向であるＸ方向と直交するＹ方向にずれΔｙを生じる。このために、乾燥速度分布のバランスが崩れてしまう。
【００１１】
本発明は、パターンを描画するノズル群の位置に関わらず、描画動作と同時に、着弾・乾燥後のドット形状を均一に制御することのできる描画方法及び描画装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の描画方法は、液体吐出ヘッド及び乾燥手段を描画対象の基板に対して相対的に移動させながら、前記液体吐出ヘッドの複数のノズルから液滴を吐出し、ドット群による描画後に前記乾燥手段によって乾燥させる描画方法において、前記乾燥手段は、前記液体吐出ヘッドと前記基板との相対的な移動における下流側に配置され、前記基板に着弾する前記ドット群の前記移動方向と直交する方向に対応した位置に配列された複数のスリットを有し、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分における吸引流速が、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の端部における吸引流速より速くなるように前記複数のスリットそれぞれから気流を吸引することにより前記ドット群の乾燥が行なわれ、前記基板に着弾する前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分の着弾位置が、前記移動方向と直交する方向に変化した時、前記着弾位置が変化したドット群の前記移動方向と直交する方向の中央部分における吸引流速が、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向の端部における吸引流速より速くなるように、前記変化した着弾位置における前記吸引流速を変化させることを有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記変化した着弾位置における前記吸引流速の変化は、前記ドット群の前記移動方向と直交する方向に前記乾燥手段を前記液体吐出ヘッドに対して相対的に移動させることにより行なうことを特徴とする描画方法でもよい。
【発明の効果】
【００１４】
ドット群の着弾位置に応じて乾燥条件を変化させることで、着弾ドット群のうち乾燥が遅い部分の乾燥速度を、乾燥が速い部分に対して相対的に速めることができる。これにより、乾燥後のドット形状のばらつきを抑えて、ドット群によるパターンを利用した電子部品の部品性能の向上に貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、一実施形態による描画装置であるインクジェット描画装置を示す。このインクジェット描画装置は、インクジェットヘッド（液体吐出ヘッド）１及び乾燥手段２を搭載し、インクジェットヘッド１及び乾燥手段２に対して相対的に移動する描画対象である基板３に対して液滴を付与することで描画する。液滴の吐出に用いるノズルは、複数のノズルの中から任意に選択可能であり、使用するノズルと吐出の周波数によって様々なパターンを基板上に作製することができる。基板３はステージ１０上に載置され、インクジェットヘッド１の吐出を制御するヘッドコントローラ１１及び乾燥手段２は制御用ＰＣ１２に接続される。
【００１７】
このインクジェット描画装置は、インクジェットヘッド１によって吐出された液滴が着弾した描画後に走査方向（Ｘ方向）下流側で乾燥できるように、インクジェットヘッド１の走査方向にインクジェットヘッド１を挟んで一対の乾燥手段２を備えている。インクジェットヘッド１及び乾燥手段２は、基板３との間にそれぞれ５０μｍ〜１０ｍｍ程度のギャップＧ１、Ｇ２を有しており、自由に基板上を相対移動できるようになっている。
【００１８】
各乾燥手段２は、図２に示すように、描画されるドットＤのすべてを覆うように配置され、乾燥速度を、液滴Ｅの着弾によるドットＤの着弾位置に応じて変化させることができるようになっている。
【００１９】
図３に示すように、乾燥手段２は、ドット群の幅方向に配列されたスリット２ａ〜２ｆによって矢印方向に発生する気流によって吸引乾燥を行い、各スリットの吸引流速を個別に制御する手段を有する。例えば、図３（ａ）に示すようにドット群の着弾位置が乾燥手段２の中央にあれば、中央のスリット２ｄの吸引速度を、端部に位置するスリット２ａ、２ｇより大きくする。図３（ｂ）に示すように、ドット群の乾燥手段２に対する相対位置が変化した場合は、乾燥手段２内における吸引速度の分布を変化させる。すなわち、スリット２ｅによるドット群の中央部分の吸引速度が、ドット群の端部に位置するスリット２ｃ、２ｇによる吸引速度より大きくなるように制御する。
【００２０】
ドット群の着弾位置は、ヘッドコントローラ１１より出力されるトリガ信号から、制御用ＰＣ１２において、ヘッドのどのノズルを駆動したかを判断し、ステージスキャン速度と吐出周波数から特定するようになっている。
【００２１】
あるいは、図４に示すように、上記の方法により特定されたドット群の着弾位置に応じて、インクジェットヘッド１に対して乾燥手段２を相対的に移動させる構成でもよい。例えば吐出ノズルの変更によりドット群の着弾位置がＤ１からＤ２へ変化した場合に、着弾ドット位置Ｄ１、Ｄ２に応じて乾燥手段２の位置をＰ１からＰ２へ移動させる。このようにして吐出ノズルの位置にあわせて、走査方向に直交するドット群の幅方向（Ｙ方向）の乾燥速度分布を制御する。
【００２２】
乾燥手段２は、着弾ドット群において乾燥が遅い中央部分の乾燥速度を、乾燥の速い端部に対し相対的に速めることができる構成であればよい。図３に示すように、流量の制御が比較的簡単な複数のノズルの気流によるものが望ましいが、図５（ａ）に示すように、単一のスリット２２ａを中央に設けた乾燥手段２２でもよい。また、図５（ｂ）に示すように、ヒータ３２ａを用いた温度分布制御による乾燥手段３２、もしくは（ｃ）に示すような両端に加湿装置４２ａを設けた雰囲気の湿度分布制御による乾燥手段４２でもよい。
【実施例１】
【００２３】
図１〜３に示す描画装置を用いて、ガラス基板である基板３にドットパターンを形成（描画）した。
【００２４】
圧電式のインクジェットヘッド１を用い、有機パラジウム含有溶液（奥野製薬（株）製、ＣＣＰ−４２３０）を基板３上に描画した。ドット径６０μｍ、図６に示すように、走査方向のドット間ピッチｔａが２００μｍ、走査方向と直交するドット群の幅方向のドット間ピッチｔｂが３００μｍとなるように、走査方向に２００ドット、走査方向と直交する方向に３０ドットの描画を行った。
【００２５】
本実施例における乾燥手段２は、図３に示す気流による吸引装置を用いた。乾燥手段２の走査方向に直交する方向に、走査方向に延在する複数のスリット２ａ〜２ｇを配列し、各スリットの吸引流速をそれぞれ制御して吸引を行った。基板３と吸引装置とのギャップは、約１ｍｍとなるように調整した。
【００２６】
図３（ａ）では、着弾したドット群の幅方向の中心位置に付与する流速が最も大きくなるように、スリット２ｄからの吸引流速Ｆ１を１ｍ／ｓｅｃとした。また、着弾したドット群における幅方向の端部に付与する流速が最も小さくなるように、スリット２ｂ、２ｆからの吸引流速Ｆ２を０．３ｍ／ｓｅｃとした。スリット２ｃ、２ｅからの吸引速度は、流速Ｆ１と流速Ｆ２との間の値となるように調整した。
【００２７】
これに対し、使用するノズル位置を変化させることにより、図３（ｃ）に示すように最大の吸引流速Ｆ１が付与されるスリット２ｄが、ドット群の幅方向の中心位置からずれた場合には、ドット群に対する走査方向と直交する方向の流速分布の対称性が失われる。
【００２８】
そこで、描画に際し、着弾ドット群の幅方向における中心位置に付与する吸引流速が最大となるように、着弾ドット群の位置に応じてスリット間の吸引速度分布を変化させた。すなわち、図３（ｂ）に示すように、着弾ドット群の幅方向における中心位置に付与する流速が最大となるように、スリット２ｅに付与する吸引流速Ｆ３を１ｍ／ｓｅｃとし、スリット２ｃ、２ｇの流速流速Ｆ４を０．３ｍ／ｓｅｃとした。
【００２９】
スリット間の吸引速度分布を変化させることの効果を確認するために、
（１）乾燥手段を用いず、描画後のドットを自然乾燥させた場合と、
（２）ドット群の幅方向における中心位置に付与する吸引流速を最大とし、ドット群の幅方向における端部に付与する吸引流速を最小として乾燥させた場合（図３（ａ）、（ｂ）参照）と、
（３）各吸引スリットに付与する流速分布を変化させず、ドット群の着弾位置のみを変化させた場合（図３（ｃ）参照）と、のそれぞれの場合について走査方向に直交する方向のドット形状を評価した。
【００３０】
乾燥後のドット形状は、表面の凹凸状態によって評価した。具体的には、ドット中心部の反射光強度をドット端部の反射光強度で除した値を凹凸率と定義しその数値を比較した。
【００３１】
その結果は次表に示す通りであった。
【００３２】
【表１】
0005349836.tif 000002
【００３３】
この表から明らかなように、吸引乾燥をしない場合には凹凸率幅（＝凹凸率最大値ー凹凸率最小値）が大きい。これに対しドット群の幅方向における中心位置に付与する吸引流速を最大とし、ドット群の幅方向における端部に付与する吸引流速を最小として乾燥させた場合には、凹凸率のばらつき幅が吸引乾燥しない場合に比して６０％程度低減される。各吸引スリットに付与する吸引流速を変化させず、ドットの着弾位置のみを変化させた場合には、凹凸率のばらつき幅が改善されることはなく、走査方向と直交する方向のドット乾燥速度を均一にする効果は得られなかった。
【００３４】
本実施例においては、基板温度、雰囲気の温湿度を変化させて数パターンの同様の検討を行った。その結果、いずれの場合にもドット群の幅方向における中心位置に付与する吸引流速を最大とし、ドット群の幅方向における端部に付与する吸引流速を最小として乾燥させた場合に最も凹凸率のばらつきが小さくなった。
【００３５】
以上の内容より、インクジェットによるドット描画において描画ドットの走査方向と直交する方向のドット形状均一性を高める方法として、本実施例の有効性が確認された。
【実施例２】
【００３６】
図５（ａ）に示す乾燥手段２２を有する描画装置を用い、ガラス基板である基板３上にドットパターンを形成した。
【００３７】
圧電式インクジェットヘッドを用い、有機パラジウム含有溶液（奥野製薬（株）製、ＣＣＰ−４２３０）を基板３上に描画した。ドット径が６０μｍ、走査方向のドット間ピッチｔａが２００μｍ、走査方向と直交する方向のドット間ピッチｔｂが３００μｍとなるように走査方向に２００ドット、走査方向と直交する方向に３０ドットの描画を行った（図６参照）。
【００３８】
本実施例における乾燥手段２２は、吸引装置の走査方向に直交する方向の中心位置に、走査方向に伸びるスリット２２ａを設け、そこから一様な流速で吸引を行った。基板３と吸引装置とのギャップは、最も狭い場所で約１ｍｍとなるように調整した。このときの流速は、スリット開口の真下Ｒ１における吸引流速は１ｍ／ｓｅｃ、吸引装置の範囲内で最もスリット開口から遠い地点Ｒ２における吸引流速は０．３ｍ／ｓｅｃであった。
【００３９】
本実施例においては、実施例１のようにインクジェットヘッドに対する相対位置を固定してドット群の着弾位置に応じて乾燥手段の吸引流速分布を変化させる代わりに、乾燥手段２２のインクジェットヘッドに対する相対位置をドット群の幅方向に変化させる。
【００４０】
本実施例では、使用するノズル位置の中心位置が、乾燥手段２２の走査方向と直交する方向の中心と一致していないとき、描画に使用するノズル群の中心位置と、乾燥手段２２の中心位置との間にずれが生じる。このため、ドット群に対する走査方向と直交する方向の乾燥速度分布の対称性が失われる。そこで、描画されるドット群の中心位置と乾燥手段２２の中心位置とのずれをなくすようにリアルタイムに乾燥手段２２の位置をインクジェットヘッドに対して相対的に移動させる制御を行う。
【００４１】
その効果を確認するために、
（１）乾燥手段を用いず、描画後のドットを自然乾燥させた場合と、
（２）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における中心位置に一致させて乾燥させた場合と、
（３）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における端部に一致させて乾燥させた場合と、について走査方向に直交する方向のドット形状を評価した。
実施例３においても同様の評価基準を用いる。
【００４２】
乾燥後のドット形状は、表面の凹凸状態によって評価した。具体的には、ドット中心部の反射光強度をドット端部の反射光強度で除した値を凹凸率と定義しその数値を比較した。
【００４３】
その結果は次表に示す通りであった。
【００４４】
【表２】
0005349836.tif 000003
【００４５】
この表から明らかなように、吸引乾燥をしない場合には凹凸率幅（＝凹凸率最大値ー凹凸率最小値）が大きく、乾燥手段をドット群の中心位置に合わせて吸引乾燥を行った場合には、凹凸率のばらつき幅が吸引乾燥しない場合に比して７５％程度低減される。乾燥手段をドット群の端部に合わせて吸引乾燥を行った場合には、凹凸率のばらつき幅が改善されることはなく、走査方向と直交する方向のドット乾燥速度を均一にする効果は得られなかった。
【００４６】
本実施例においては、基板温度、雰囲気の温湿度を変化させて数パターンの同様の検討を行ったが、いずれの場合にもドット群の中心位置と乾燥手段の中心位置を一致させて吸引乾燥を行う場合に最も凹凸率のばらつきが小さくなった。
【００４７】
以上の内容より、インクジェットによるドット描画において描画ドットの走査方向と直交する方向のドット形状均一性を高める方法として、本実施例の有効性が確認された。
【実施例３】
【００４８】
図５（ｂ）に示す加熱によって乾燥速度分布を制御する乾燥手段３２を有する描画装置を用いて、ガラス基板上にドットパターンを形成した。本実施例においては、乾燥手段のインクジェットヘッドに対する相対位置を変化させる点では実施例２と同様であるが、乾燥手段として吸引手段ではなくヒーターを用いた点において異なる。
【００４９】
圧電式のインクジェットヘッドを用い、有機パラジウム含有溶液（奥野製薬（株）製、ＣＣＰ−４２３０）を基板３上に描画した。ドット径が６０μｍ、走査方向のドット間ピッチｔａが２００μｍ、走査方向と直交する方向のドット間ピッチｔｂが３００μｍとなるように走査方向に２００ドット、走査方向と直交する方向に３０ドットの描画を行った（図６参照）。
【００５０】
本実施例における乾燥手段３２は、走査方向に直交する方向の中心位置に、長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ４ｍｍのテープヒータであるヒータ３２ａを走査方向と平行に配置し、通電することにより温度を上昇させた。基板３とヒータ３２ａとのギャップは約１０ｍｍとなるように調整した。
【００５１】
このときの温度は、ヒータ３２ａの真下Ｒ１における温度は３５℃、乾燥手段３２の範囲内で最もヒータ３２ａから遠い地点Ｒ２における温度は２５℃であった。
【００５２】
本実施例では、使用するノズル位置の中心位置が、乾燥手段３２の走査方向と直交する方向の中心と一致していないとき、描画されるドット群の中心位置と、乾燥手段３２の中心位置との間にずれが生じる。このため、ヒータ３２ａにより制御されている、ドット群に対する走査方向と直交する方向の乾燥速度分布の対称性が失われる。そこで、描画ドット群の中心位置と乾燥手段３２の中心位置とを一致させるようにリアルタイムに乾燥手段３２の位置をインクジェットヘッドに対して相対的に移動させる制御を行う。
【００５３】
その効果を確認するために、
（１）乾燥手段を用いず、描画後のドットを自然乾燥させた場合と、
（２）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における中心位置に一致させて乾燥させた場合と、
（３）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における端部に一致させて乾燥させた場合と、について走査方向に直交する方向のドット形状を評価した。
【００５４】
乾燥後のドット形状は、表面の凹凸状態によって評価した。具体的には、ドット中心部の反射光強度をドット端部の反射光強度で除した値を凹凸率と定義しその数値を比較した。
【００５５】
その結果は次表に示す通りであった。
【００５６】
【表３】
0005349836.tif 000004
【００５７】
この表から明らかなように、加熱乾燥をしない場合には凹凸率幅（＝凹凸率最大値ー凹凸率最小値）が大きく、乾燥手段をドット群の中心位置に合わせて加熱乾燥を行った場合には、凹凸率のばらつき幅が加熱乾燥しない場合に比して４０％程度低減される。乾燥手段をドット群の端部に合わせて加熱乾燥を行った場合には、凹凸率のばらつき幅が改善されることはなく、走査方向と直交する方向のドット乾燥速度を均一にする効果は得られなかった。
【００５８】
本実施例においては、基板温度、雰囲気の温度を変化させて数パターンの同様の検討を行ったが、いずれの場合にも、ドット群の中心位置と乾燥手段の中心位置を一致させて加熱乾燥を行う場合に最も凹凸率のばらつきが小さくなった。
【００５９】
以上の内容より、インクジェットによるドット描画において描画ドットの走査方向と直交する方向のドット形状均一性を高める方法として、本実施例の有効性が確認された。
【実施例４】
【００６０】
図５（ｃ）に示す加湿によって乾燥速度を制御する乾燥手段４２を有する描画装置を用い、ガラス基板上にドットパターンを形成した。本実施例においては、乾燥手段のインクジェットヘッドに対する相対位置を変化させる点では実施例２及び実施例３と同様であるが、乾燥手段ではなく加湿手段として液体を含ませたスポンジを用いた点において異なる。
【００６１】
圧電式インクジェットヘッドを用い、有機パラジウム含有溶液（奥野製薬（株）製、ＣＣＰ−４２３０）を基板３上に描画した。ドット径が６０μｍ、走査方向のドット間ピッチｔａが２００μｍ、走査方向と直交する方向のドット間ピッチｔｂが３００μｍとなるように走査方向に２００ドット、走査方向と直交する方向に３０ドットの描画を行った（図６参照）。
【００６２】
乾燥手段４２は、乾燥速度分布を制御するため、走査方向に直交する方向の端部に、長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ５ｍｍのスポンジである加湿装置４２ａを走査方向と平行に配置し、水を含有させることによりスポンジ周囲の湿度を上昇させた。基板３とスポンジとのギャップは約５ｍｍとなるように調整した。
【００６３】
このときの湿度は、スポンジの真下Ｒ１における湿度は６５％ＲＨ、乾燥手段４２の範囲内で最もスポンジから遠い地点Ｒ２における湿度は５０％ＲＨであった。
【００６４】
このスポンジには水を供給できるように水供給チューブが接続されており、チューブの先に接続されたシリンジによってスポンジに対し水を供給することができるようになっている。
【００６５】
本実施例では、使用するノズル位置の中心位置が、乾燥手段４２の走査方向と直交する方向の中心と一致していないとき、描画に使用するノズル群の中心位置と、乾燥手段４２の中心位置との間にずれが生じる。このため、加湿装置４２ａにより制御されている、ドット群に対する走査方向と直交する方向の乾燥速度分布の対称性が失われる。そこで、描画ドット群の中心位置と乾燥手段４２の中心位置とを一致させるようにリアルタイムに乾燥手段４２の位置をインクジェットヘッドに対して相対的に移動させる制御を行う。
【００６６】
その効果を確認するために、
（１）乾燥手段を用いず、描画後のドットを自然乾燥させた場合と、
（２）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における中心位置に一致させて乾燥させた場合と、
（３）乾燥手段の走査方向と直交する方向の中心位置を、描画ドット群の幅における端部に一致させて乾燥させた場合と、について走査方向に直交する方向のドット形状を評価した。
【００６７】
乾燥後のドット形状は、表面の凹凸状態によって評価した。具体的には、ドット中心部の反射光強度をドット端部の反射光強度で除した値を凹凸率と定義しその数値を比較した。
【００６８】
その結果は次表に示す通りであった。
【００６９】
【表４】
0005349836.tif 000005
【００７０】
この表から明らかなように、加湿による乾燥制御をしない場合には凹凸率値のばらつきが大きく、乾燥手段をドット群の中心位置に合わせて乾燥制御を行った場合には、凹凸率のばらつき幅が乾燥制御を行わない場合に比して４５％程度低減される。乾燥手段をドット群の端部に合わせて乾燥制御を行った場合にも、凹凸率のばらつき幅が約４０％改善された。
【００７１】
本実施例においては、基板温度、雰囲気の温湿度を変化させて数パターンの同様の検討を行ったが、いずれの場合にも、ドット群の中心位置と乾燥手段の中心位置を一致させて乾燥制御を行う場合に最も凹凸率のばらつきが小さくなった。
【００７２】
以上の内容より、インクジェットによるドット描画において描画ドットの走査方向と直交する方向のドット形状均一性を高める方法として、本実施例の有効性が確認された。
【００７３】
上記のように乾燥状態を制御することで、ドット群による描画を利用した電子部品や機能部品などの品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】一実施形態による描画装置の構成を示す模式図である。
【図２】実施例１の主要部を説明する斜視図である。
【図３】図２の装置の動作を説明する図である。
【図４】実施例２の主要部を説明する図である。
【図５】実施例２〜４の描画装置に用いる乾燥手段を説明する図である。
【図６】実施例１〜４によって描画するドットパターンを示す模式図である。
【図７】一従来例を説明する図である。
【図８】図７の従来例によるドットパターンを示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１    インクジェットヘッド
２、２２、３２、４２    乾燥手段
２ａ〜２ｇ、２２ａ    スリット
３    基板
１０    ステージ
１１    ヘッドコントローラ
１２    制御用ＰＣ
３２ａ    ヒータ
４２ａ    加湿装置
【図１】
0005349836.tif 000006
【図２】
0005349836.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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