(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される信号ラインと、
前記信号ラインと電気絶縁状態で交差して前記基板上に形成されるリペアラインと、
前記信号ラインと前記リペアラインとが交差する前記基板の第１領域と絶縁されるように重なる第１リダンダンシ導電パターンと、
一側部と前記信号ラインとが前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域で絶縁されるように重なり、他側部と前記リペアラインとが前記基板の前記第１領域とは異なる第３領域で絶縁されるように重なる第２リダンダンシ導電パターンと、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１リダンダンシ導電パターンが電気的にフローティングしていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置における信号ラインのリペア方法であって、
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインが前記第１領域で前記第１リダンダンシ導電パターンに電気的に接続されることを特徴とする信号ラインのリペア方法。
【請求項４】
前記第２リダンダンシ導電パターンが前記第１リダンダンシ導電パターンと離間、または一体化することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインとが前記第１領域で第１リダンダンシ導電パターンと共に電気的に接続され、前記信号ラインと前記第２リダンダンシパターンとが前記第２領域で電気的に接続され、前記リペアラインと前記第２リダンダンシパターンとが第３領域で電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の信号ラインのリペア方法。
【請求項６】
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインがコンタクトホールを介して前記第２リダンダンシ導電パターンに電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の信号ラインのリペア方法。
【請求項７】
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインとが前記第１領域で第１リダンダンシ導電パターンと電気的に接続され、前記信号ラインと前記第２リダンダンシ導電パターンとの電気的接続は前記第２領域において行われることを特徴とする請求項６に記載の信号ラインのリペア方法。
【請求項８】
前記信号ラインのリペアによって、前記リペアラインがコンタクトホールを介して前記第２リダンダンシ導電パターンと電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の信号ラインのリペア方法。
【請求項９】
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインが前記第１領域で前記第１リダンダンシ導電パターンと電気的に接続され、前記リペアラインと前記第２リダンダンシ導電パターンとの電気的接続は前記第３領域において行われることを特徴とする請求項８に記載の信号ラインのリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に信号ラインのリペアが可能な表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、電界を利用して誘電異方性を有する液晶の光透過率を調節することによって画像を表示する。液晶表示装置は、主にカラーフィルタアレイが形成されたカラーフィルタ基板と、薄膜トランジスタアレイが形成された薄膜トランジスタ基板とを、その間に液晶を介在させて貼り合わせることによって形成される。カラーフィルタ基板には共通電圧が供給される共通電極が全面的に形成され、薄膜トランジスタ基板にはデータ信号が個別に供給される複数の画素電極がマトリクス状に形成される。また、薄膜トランジスタ基板には、複数の画素電極を個別に駆動するための薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを制御するゲートラインと、薄膜トランジスタにデータ信号を供給するデータラインとが形成される。
【０００３】
また、薄膜トランジスタ基板は、信号ラインのオープン不良をリペアするためのリペアラインをさらに含む。例えば、薄膜トランジスタ基板は、データラインのオープン不良をリペアするために、複数のデータラインと、絶縁膜を介して交差する複数のリペアラインとをさらに含む。検査工程において、データラインのオープン不良が検出されると、データラインとリペアラインとの交差部でレーザ溶接により、データラインとリペアラインとを電気的に接続することによってデータラインのオープン不良をリペアする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、データラインとリペアラインに使用される金属の種類により、データラインとリペアラインとのリペア成功率が低下するという問題がある。また、データラインとリペアラインとの交差部がレーザ溶接によりコンタクトされてリペアが成功した場合も、時間経過に伴うリペア部分に印加される電流量増加によって進行性オープン不良が発生するという問題がある。
【０００５】
このような問題は、液晶表示装置だけでなく、基板上に信号ラインを形成して信号を印加する他の表示装置、例えば有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）などの表示装置においても同様に起こり得る。
従って、本発明は従来の問題を解決するためのものであり、信号ラインのリペア成功率を向上させる液晶表示装置及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このために、本発明は、基板上に形成される信号ラインと、前記信号ラインと電気絶縁状態で交差して前記基板上に形成されるリペアラインと、前記信号ラインと前記リペアラインとが交差する前記基板の第１領域と電気絶縁状態で重なる第１リダンダンシ導電パターンと、一側部と前記信号ラインとが前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域で絶縁されるように重なり、他側部と前記リペアラインとが前記基板の前記第１領域とは異なる第３領域で絶縁されるように重なる第２リダンダンシ導電パターンと、
を含む表示装置及びその信号ラインのリペア方法を開示する。
前記第１リダンダンシ導電パターンは電気的にフローティング構造を有する。
【０００７】
また、前記第２リダンダンシ導電パターンは前記第１リダンダンシ導電パターンと離間、または一体化する。
上記表示装置における信号ラインのリペア方法であって、前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインが前記第１領域で前記第１リダンダンシ導電パターンに電気的に接続されることを特徴とする。
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインとが前記第１領域で第１リダンダンシ導電パターンと共に電気的に接続され、前記信号ラインと前記第２リダンダンシパターンとが前記第２領域で電気的に接続され、前記リペアラインと前記第２リダンダンシパターンとが第３領域で電気的に接続されている。
【０００８】
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインがコンタクトホールを介して前記第２リダンダンシ導電パターンに電気的に接続される。
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインとが前記第１領域で第１リダンダンシ導電パターンと電気的に接続され、前記信号ラインが前記第２領域で前記第２リダンダンシ導電パターンと電気的に接続される。
【０００９】
前記信号ラインのリペアによって、前記リペアラインがコンタクトホールを介して前記第２リダンダンシ導電パターンと電気的に接続される。
前記信号ラインのリペアによって、前記信号ラインと前記リペアラインが前記第１領域で前記第１リダンダンシ導電パターンと電気的に接続され、前記リペアラインと前記第２リダンダンシ導電パターンとの電気的接続は前記第３領域において行われる。
【００１０】
前記リペアラインは第１導電層で形成され、前記信号ラインは第２導電層で形成され、前記第１リダンダンシ導電パターン及び前記第２リダンダンシ導電パターンは第３導電層で形成され、前記第１〜第３導電層のそれぞれには絶縁膜が形成される。前記信号ラインは表示装置のゲートライン、データライン、ストレージラインの少なくとも１つのラインである。前記第１領域に形成される半導体パターンをさらに含む。前記リペアラインは前記信号ラインの上部及び下部のそれぞれで交差する構造に形成される。前記リペアライン及び前記信号ラインはモリブデンを含む金属層で形成される。または、前記リペアラインはアルミニウム／モリブデンが積層された二重金属層で形成され、前記データラインはモリブデン／アルミニウム／モリブデンが積層された三重金属層で形成され、前記第１リダンダンシパターン及び前記第２リダンダンシパターンは透明導電層と金属層の少なくとも一方で形成される。
【発明の効果】
【００１１】
前述したように、本発明による表示装置及びその製造方法は、リダンダンシ導電パターンを利用してデータラインとリペアラインとの溶接部を補強し、リペア成功率を向上させる。また、場合に応じて溶接部の進行性オープン不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付した図１〜図１６を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。図面に基づいて液晶表示装置に限定して以下に説明するが、本発明の好ましい実施形態はこれに限定されるものではない。
図１は本発明の実施形態による液晶表示装置のデータラインのリペア構造を示す平面図である。
【００１３】
図１に示す液晶表示装置の画像表示部１０には、複数のゲートライン１２と複数のデータライン１４とが交差した構造で形成され、このような交差構造により定義された各領域には、薄膜トランジスタにより個別駆動されるサブピクセルが形成される。サブピクセルは、薄膜トランジスタを介して画素電極に供給されたデータ信号とカラーフィルタ基板の共通電極に供給された共通電圧との差電圧を充電し、充電電圧によって液晶分子を駆動して光透過率を制御することにより、データ信号による階調を実現する。
【００１４】
複数のゲートライン１２と複数のデータライン１４は、第１絶縁膜を介して交差する。データライン１４のオープン不良をリペアするための複数のリペアライン１６は、画像表示部１０の周囲を囲むリング（Ring）構造に形成されて第１絶縁膜を介して複数のデータライン１４と交差する。つまり、リペアライン１６はゲートライン１２と共に第１導電層で形成され、データライン１４は第１導電層と第１絶縁膜を介してゲートライン１２及びリペアライン１６と交差する第２導電層で形成される。
【００１５】
検査工程においてデータライン１４のオープン不良を検出した場合、オープンになっているデータライン１４とリペアライン１６との交差部１８にレーザを照射して、データライン１４とリペアライン１６とを溶接（Welding）して導通することにより、オープンとなったデータライン１４をリペアする。リペアライン１６は、オープンされたデータライン１４との上下部の交差部のそれぞれで溶接される。従って、画像表示部１０内で分離された下部データライン１４は、データ駆動部からのデータ信号を上部データライン１４とリペアライン１６を介して供給される。
【００１６】
ここで、データライン１４とリペアライン１６との溶接成功率を向上させて溶接部の進行性オープン不良を防止するために、本発明はリダンダンシ導電パターンを利用してデータライン１４とリペアライン１６との溶接部を補強し、データライン１４とリペアライン１６との溶接ポイント、すなわち電気的接続ポイントを増加することにより電流を分散させる構造の少なくとも１つを適用する。以下、図２〜図１６を参照して、データライン１４とリペアライン１６との交差部構造に関する本発明の多様な実施形態を具体的に説明する。
【００１７】
図２は本発明の第１実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図３Ａ及び図３Ｂは図２のリペア部分のIII-III’線断面図である。また、図３Ｃは図３Ａのレーザ溶接部の拡大断面図である。
図２〜図３Ｂに示すように、データライン１４はリペアライン１６と第１絶縁膜３２を介して交差し、この交差部には第２絶縁膜３４を介してリダンダンシ導電パターン２０がさらに形成される。
【００１８】
リペアライン１６は、絶縁基板３０上に第１導電層であるゲート金属層がパターニングされることにより、画像表示部のゲートラインと共に形成される。特に、リペアライン１６は、データライン１４との重なりによる寄生容量を減少させるために、データライン１４と交差する部分では線幅が狭くなった構造を有する。ゲート金属層としては、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）などや、これらの合金が単一層または複数層構造に積層されたゲート金属層を利用することができる。このようなゲート金属層の例とし、例えばアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）が積層された二重構造を利用することができる。リペアライン１６が形成された絶縁基板３０上には、第１絶縁膜であるゲート絶縁膜３２が形成される。ゲート絶縁膜３２としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を利用することができる。
【００１９】
データライン１４は、ゲート絶縁膜３２上に第２導電層であるソース／ドレイン金属層がパターニングされてリペアライン１６と交差するように形成される。ソース／ドレイン金属層としては、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）などや、これらの合金が単一層または複数層構造に積層されたゲート金属層を利用することができ、例えばモリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）が積層された三重構造を利用することができる。前述したデータライン１４が形成される前に、リペアライン１６とデータライン１４との交差部には、データライン１４とリペアライン１６との間隔を大きくして寄生容量を減少することのできる半導体パターン２４をさらに形成するが、図３Ｂのように半導体パターン２４を省略することｋもできる。半導体パターン２４は、画像表示部に位置する薄膜トランジスタのチャネルを形成する半導体パターンと共に、アモルファスシリコン層をパターニングして形成する。データライン１４が形成されたゲート絶縁膜３２上には、第２絶縁膜である保護膜３４を形成する。保護膜３４としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質や、有機絶縁物質を利用することができる。
【００２０】
また、保護膜３４上には、リペアライン１６とデータライン１４との交差部と重なるリダンダンシ導電パターン２０が形成される。リダンダンシ導電パターン２０は、第３導電層、例えば透明導電層がパターニングされて画像表示部の画素電極と共に形成され、リペアライン１６とデータライン１４との交差部に位置して形成される。透明導電層としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＴＯ（Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＺＯなどが利用される。これとは異なり、画像表示部が各サブピクセルの一部に反射電極が形成された半透過型である場合、リダンダンシ導電パターン２０は反射金属層をパターニングして反射電極と共に形成することもできる。一方、リダンダンシ導電パターン２０は、透明導電層と反射金属層が積層された二重構造で形成することもできる。前述したリダンダンシ導電パターン２０は、フローティング構造で形成されるので、リダンダンシ導電パターン２０による寄生容量の増加を防止する。
【００２１】
データライン１４のリペア時に、リダンダンシ導電パターン２０を、レーザ２６によりリペアライン１６及びデータライン１４と共に溶融（Melting）することによって、図３Ｃに示すように、データライン１４及びリペアライン１６と電気的に接続することができる。このことによりリダンダンシ導電パターン２０は、リペアライン１６とデータライン１４との溶接ポイント２２、すなわちコンタクト部を補強する役割を果たす。図３Ｃに示すように、絶縁基板３０の背面側から照射されたレーザにより溶融したデータライン１４とリダンダンシ導電パターン２０が、レーザにより貫通したリペアライン１６と電気的に接続されるので、データライン１４及びリペアライン１６は二重に電気的に接続された構造を有する。
【００２２】
これにより、リダンダンシ導電パターン２０によりリペアライン１６とデータライン１４との溶接成功率、すなわちオープンされたデータライン１４のリペア成功率が向上し、場合に応じて進行性オープン不良が防止される。
図４は本発明の第２実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図５は図４のリペア部分のV-V’線断面図である。
【００２３】
図４及び図５に示すように、リダンダンシ導電パターン４０がデータライン１４とリペアライン１６との交差部と離間し、すなわち交差部を迂回し、一側部はデータライン１４と重なり、他側部はリペアライン１６と重なるように形成される。リダンダンシ導電パターン４０は、データライン１４とは保護膜３４を介して重なり、リペアライン１６とは保護膜３４及びゲート絶縁膜３２を介して重なる。前述したリダンダンシ導電パターン４０は、保護膜３４上に透明導電層または反射金属層の少なくとも一方を利用してフローティングされた構造に形成されるので、リダンダンシ導電パターン４０による寄生容量の増加を防止する。
【００２４】
データライン１４のリペア時に、データライン１４とリペアライン１６との交差部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント２２により、データライン１４とリペアライン１６とが電気的に接続される。また、データライン１４とリダンダンシ導電パターン４０とが重なっている部分に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４２と、リペアライン１６とリダンダンシ導電パターン４０とが重なった部分に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４４とにより、データライン１４とリペアライン１６とがリダンダンシ導電パターン４０を介して電気的に接続される。
【００２５】
これにより、データライン１４とリペアライン１６とは、複数の溶接ポイント２２、４２、４４とリダンダンシ導電パターン４０を介して多重構造で並列であって電気的に接続されることにより、データライン１４のリペア成功率が向上する。また、複数の溶接ポイント２２、４２、４４とリダンダンシ導電パターン４０を介した多重の電気的接続構造により、データライン１４からリペアライン１６に供給される電流パスが分散されるので、各溶接ポイント２２、４２、４４における電流量が減少して溶接ポイント２２、４２、４４の進行性オープン不良が防止できる。
【００２６】
図６は本発明の第３実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図７は図６のリペア部分のVII-VII’線断面図である。
図６及び図７に示すように、第１リダンダンシ導電パターン２０は、データライン１４とリペアライン１６との交差部と重なり、第２リダンダンシ導電パターン４０はこの交差部、すなわち第１リダンダンシ導電パターン２０と離間して一側部はデータライン１４と重なり、他側部はリペアライン１６と重なるように形成される。第１リダンダンシ導電パターン２０及び第２リダンダンシ導電パターン４０は、保護膜３４上に透明導電層または反射金属層の少なくとも一方を利用してフローティング構造で形成されるので、第１リダンダンシ導電パターン２０及び第２リダンダンシ導電パターン４０による寄生容量の増加を防止する。第１リダンダンシ導電パターン２０は保護膜３４を介してデータライン１４とリペアライン１６との交差部と重なり、第２リダンダンシ導電パターン４０の一側部は保護膜３４を介してデータライン１４と重なり、他側部は保護膜３４及びゲート絶縁膜３２を介してリペアライン１６と重なる。
【００２７】
データライン１４のリペア時に、データライン１４とリペアライン１６との交差部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント２２により、データライン１４及びリペアライン１６と第１リダンダンシ導電パターン２０とが電気的に接続される。また、データライン１４と第２リダンダンシ導電パターン４０との重なり部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４２と、リペアライン１６と第２リダンダンシ導電パターン４０との重なり部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４４とにより、データライン１４とリペアライン１６とが第２リダンダンシ導電パターン４０を介して電気的に接続される。
【００２８】
これにより、データライン１４とリペアライン１６とが、複数の溶接ポイント２２、４２、４４とリダンダンシ導電パターン２０、４０を介して多重構造で並列に電気的に接続されることにより、データライン１４のリペア成功率が向上し、電流パスの分散による各溶接ポイント２２、４２、４４における電流量減少により、溶接ポイント２２、４２、４４の進行性オープン不良を防止できる。
【００２９】
図８は本発明の第４実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図９は図８のリペア部分のIX-IX’線断面図である。図１０は本発明の第５実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図１１は図１０のリペア部分のXI-XI’線断面図である。
図８〜図１１に示すように、リダンダンシ導電パターン４０がデータライン１４とリペアライン１６との交差部を迂回し、一側部はデータライン１４またはリペアライン１６のいずれか一方と絶縁されるように重なり、他側部はデータライン１４又はリペアライン１６のいずれか一方と電気的に接続される構造に形成される。例えば、リダンダンシパターン４０の一側部は、図８及び図９のように保護膜３４及びゲート絶縁膜３２を介してリペアライン１６と重なり、他側部は保護膜３４を貫通するコンタクトホール４６を介してデータライン１４と電気的に接続される。これとは異なり、リダンダンシ導電パターン４０の一側部は、図１０及び図１１のように保護膜３４を介してデータライン１４と重なり、他側部は保護膜３４及びゲート絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール４８を介してリペアライン１６と電気的に接続される。前述したリダンダンシ導電パターン４０の一側部はフローティング構造であるため、リダンダンシ導電パターン４０による寄生容量の増加を防止できる。リダンダンシ導電パターン４０は、保護膜３４上に透明導電層または反射金属層の少なくとも一方を利用して形成される。
【００３０】
データライン１４のリペア時に、データライン１４とリペアライン１６との交差部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント２２により、データライン１４とリペアライン１６とが電気的に接続される。また、図８及び図９のようにリペアライン１６とリダンダンシ導電パターン４０とが重なった部分に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４４、または図１０及び図１１のようにデータライン１４とリダンダンシ導電パターン４０との重なった部分に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４２により、データライン１４とリペアライン１６とがリダンダンシ導電パターン４０を介して電気的に接続される。また、データライン１４とリペアライン１６との交差部には、図６及び図７のようにリダンダンシ導電パターン２０をさらに形成することもできる。
【００３１】
これにより、データライン１４とリペアライン１６とは、複数の溶接ポイント（２２、４２、または４４）及びコンタクトホール（４６または４８）、並びにリダンダンシ導電パターン４０を介して多重構造で並列に電気的に接続することにより、データライン１４のリペア成功率が向上し、場合に応じて電流パスの分散による各溶接ポイント２２、４２、４４における電流量減少により、溶接ポイント２２、４２、４４の進行性オープン不良を防止できる。また、コンタクトホール４６、４８によりレーザ溶接回数が減少するので、レーザ溶接工程がより容易になる。
【００３２】
図１２Ａ及び図１２Ｂは本発明の第６実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図１３は図１２Ａ及び図１２Ｂのリペア部分のXIII-XIII’線断面図である。
図１２Ａ〜図１３に示すように、リダンダンシ導電パターン５０は、データライン１４とリペアライン１６との交差部と重なり、データライン１４と重なるようにデータライン１４の方向に延長され、リペアライン１６と重なるようにリペアライン１６の方向に延長される。つまり、リダンダンシ導電パターン５０は、保護膜３４を介してデータライン１４とリペアライン１６との交差部と重なり、一側部がデータライン１４の方向に延長されて保護膜３４を介してデータライン１４と重なり、他側部がリペアライン１６の方向に延長されて保護膜３４及びゲート絶縁膜３２を介してリペアライン１６と重なる。ここで、リダンダンシ導電パターン５０は、図１２Ａのように四角形状に広く形成することも可能であり、図１２Ｂのように不要部分を除去したＬ字形状に形成することも可能である。ここで、図１２Ａに示すリダンダンシ導電パターン５０は、図６及び図７に示す第１リダンダンシパターン２０及び第２リダンダンシパターン４０が一体化した構造と同一である。前述したリダンダンシ導電パターン５０は、保護膜３４上に透明導電層または反射金属層の少なくとも一方を利用してフローティング構造で形成されるので、リダンダンシ導電パターン５０による寄生容量の増加を防止できる。
【００３３】
データライン１４のリペア時に、データライン１４とリペアライン１６との交差部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント２２により、データライン１４及びリペアライン１６とリダンダンシ導電パターン５０とが電気的に接続される。また、データライン１４とリダンダンシ導電パターン５０との重なり部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４２と、リペアライン１６とリダンダンシ導電パターン５０との重なり部に照射されたレーザ２６による溶接ポイント４４とにより、データライン１４とリペアライン１６とがリダンダンシ導電パターン５０を介して電気的に接続される。
【００３４】
これにより、データライン１４とリペアライン１６とは複数の溶接ポイント２２、４２、４４とリダンダンシ導電パターン５０を介して多重構造で並列に電気的に接続されており、このことからデータライン１４のリペア成功率が向上し、場合に応じて電流パスの分散による各溶接ポイント２２、４２、４４における電流量減少により、溶接ポイント２２、４２、４４の進行性オープン不良を防止することができる。
【００３５】
図１４Ａ及び図１４Ｂは本発明の第７実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図であり、図１５は図１４Ａ及び図１４Ｂのリペア部分のXV-XV’線断面図である。
図１４Ａ〜図１５に示すデータラインのリペア部分は、図１２Ａ〜図１３に示すリペア部分と比較して、リペアライン１６と第１リダンダンシ導電パターン５０との間に第２リダンダンシ導電パターン５２がさらに形成されることを除いては同一である。第２リダンダンシ導電パターン５２は、データライン１４と同じ第２導電層、すなわちソース／ドレイン金属層としてゲート絶縁膜３２上に形成される。第２リダンダンシ導電パターン５２は、レーザ２６による溶接ポイント４４によって第１リダンダンシ導電パターン５０と共にリペアライン１６と電気的に接続されることにより、第１リダンダンシ導電パターン５０とリペアライン１６との溶接ポイント４４を補強する。これにより、第２リダンダンシ導電パターン５２は、リペアライン１６と第１リダンダンシ導電パターン５０との重なった部分に少なくとも２つの絶縁膜３２、３４が存在するので、すなわちリペアライン１６と第１リダンダンシ導電パターン５０との間隔が相対的に大きくなるので、レーザ溶接成功率が減少することを防止する。また、第２リダンダンシ導電パターン５２は、図４〜図９に示すリペア部分にも同様に適用することができる。
【００３６】
図１６は本発明の第８実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
図１６に示すように、データライン１４とリペアライン５６との交差部に複数の溶接ポイント６２が位置するように、リペアライン５６とデータライン１４との重なり面積を大きくする。例えば、リペアライン５６の線幅がデータライン１４との交差部で少なくとも４つの溶接ポイント６２を形成できるように、交差部でのみ大きくするか、全体的に大きくしてリペアライン５６とデータライン１４との重なり面積を大きくする。これにより、データライン１４のリペア時に、データライン１４とリペアライン５６との交差部に約６つの、すなわち少なくとも４つの溶接ポイント６２により、データライン１４とリペアライン５６とは多重構造で並列に電気的に接続されるので、データライン１４のリペア成功率が向上し、電流パスの分散による各溶接ポイント６２における電流量減少により、溶接ポイント６２の進行性オープン不良を防止できる。これとは異なり、リペアライン５６の代わりに交差部でデータライン１４の線幅が増加するように形成することにより、リペアライン５６とデータライン１４との重なり面積を少なくとも４つの溶接ポイント６２が形成されるように大きくしてもよい。また、図１６に示すデータライン１４のリペア部分には、図２〜図１５で前述したリペア部分をさらに適用することができる。
【００３７】
このように本発明の詳細な説明では液晶表示装置のデータラインのリペア構造のみを例に説明したが、データラインに限定されるものではなく、ゲートラインまたはストレージラインのリペア構造にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による表示装置のデータラインリペアの概念図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図３Ａ】図２のリペア部分のIII-III’線断面図である。
【図３Ｂ】図２のリペア部分のIII-III’線断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａのレーザ溶接部の拡大断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図５】図４のリペア部分のV-V’線断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図７】図６のリペア部分のVII-VII’線断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図９】図８のリペア部分のIX-IX’線断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図１１】図１０のリペア部分のXI-XI’線断面図である。
【図１２Ａ】本発明の第６実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第６実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図１３】図１２Ａ及び図１２Ｂのリペア部分のXIII-XIII’線断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第７実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第７実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【図１５】図１４Ａ及び図１４Ｂのリペア部分のXV-XV’線断面図である。
【図１６】本発明の第８実施形態によるデータラインのリペア部分を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０：画像表示部
１２：ゲートライン
１４：データライン
１６，５６：リペアライン
１８：交差部
２０，４０，５０，５２：リダンダンシ導電パターン
２２，４２，４４，６２：レーザ溶接ポイント
２４：半導体パターン
２６：レーザ光
３０：絶縁基板
３２：ゲート絶縁膜
３４：保護膜
４６，４８：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
0005367951.tif 000003
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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