(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１層上にリソグラフィにより凸状のフィン又は突起を単位面積あたり第１特徴個数でプリントすることにより第１犠牲特徴アレイを形成するステップ（ａ）、
次に、前記単位面積あたり第１特徴個数で第１アパーチャアレイを画定する第１マスクを形成するために、前記第１犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、前記第１アパーチャアレイが前記第１犠牲特徴アレイと交互配置される、該コーティングを設けるステップ（ｂ）、
次に、前記コーティングを異方性エッチングにより、前記第１アパーチャアレイの各アパーチャの下部において前記第１層を露出させ、前記第１犠牲特徴アレイの上部を露出させることで、エッチングされた前記コーティングを、前記第１犠牲特徴アレイと同一の厚さにするステップ（ｃ）、
次に、前記単位面積あたり第１特徴個数の２倍の単位面積あたり第２特徴個数で第２アパーチャアレイを前記第１アパーチャアレイを用いて画定する、前記第１マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、前記第１犠牲特徴アレイを除去するステップ（ｄ）、
次に、第２犠牲特徴アレイを形成するために、前記第２アパーチャアレイに第２犠牲材料を充填するステップ（ｅ）、
次に、前記コーティングの残っているものを全て除去し、第２犠牲特徴アレイを形成するステップ（ｆ）、
次に、前記単位面積あたり第２特徴個数で第２アパーチャアレイを画定する第２マスクを形成するために、前記第２犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、前記第３アパーチャアレイが前記第２犠牲特徴アレイと交互配置される、該コーティングを設けるステップ（ｇ）、
次に、前記ステップ（ｇ）で設けられたコーティングを異方性エッチングにより、前記第３アパーチャアレイの各アパーチャの下部において前記第１層を露出させ、前記第２犠牲特徴アレイの上部を露出させることで、エッチングされた前記コーティングを、前記第２犠牲特徴アレイと同一の厚さにするステップ（ｈ）、
次に、前記単位面積あたり第２特徴個数の２倍の単位面積あたり第３特徴個数で第４アパーチャアレイを前記第３アパーチャアレイを用いて画定する、前記第２マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、前記第２犠牲特徴アレイを除去するステップ（ｉ）、
を実施することを含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｅ）から前記ステップ（ｉ）までのステップが複数回繰り返される、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
デバイス製造方法を実行するためにリソグラフィ装置を含むリソグラフィクラスタを制御するプログラムコードを含むコンピュータプログラムであって、
基板の第１層上にリソグラフィにより凸状のフィン又は突起を単位面積あたり第１特徴個数でプリントすることにより第１犠牲特徴アレイを形成するステップ（ａ）、
次に、前記単位面積あたり第１特徴個数で第１アパーチャアレイを画定する第１マスクを形成するために、前記第１犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、前記第１アパーチャアレイが前記第１犠牲特徴アレイと交互配置される、該コーティングを設けるステップ（ｂ）、
次に、前記コーティングを異方性エッチングにより、前記第１アパーチャアレイの各アパーチャの下部において前記第１層を露出させ、前記第１犠牲特徴アレイの上部を露出させることで、エッチングされた前記コーティングを、前記第１犠牲特徴アレイと同一の厚さにするステップ（ｃ）、
次に、前記単位面積あたり第１特徴個数の２倍の単位面積あたり第２特徴個数で第２アパーチャアレイを前記第１アパーチャアレイを用いて画定する、前記第１マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、前記第１犠牲特徴アレイを除去するステップ（ｄ）、
次に、第２犠牲特徴アレイを形成するために、前記第２アパーチャアレイに第２犠牲材料を充填するステップ（ｅ）、
次に、前記コーティングの残っているものを全て除去し、第２犠牲特徴アレイを形成するステップ（ｆ）、
次に、前記単位面積あたり第２特徴個数で第２アパーチャアレイを画定する第２マスクを形成するために、前記第２犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、前記第３アパーチャアレイが前記第２犠牲特徴アレイと交互配置される、該コーティングを設けるステップ（ｇ）、
次に、前記ステップ（ｇ）で設けられたコーティングを異方性エッチングにより、前記第３アパーチャアレイの各アパーチャの下部において前記第１層を露出させ、前記第２犠牲特徴アレイの上部を露出させることで、エッチングされた前記コーティングを、前記第２犠牲特徴アレイと同一の厚さにするステップ（ｈ）、
次に、前記単位面積あたり第２特徴個数の２倍の単位面積あたり第３特徴個数で第４アパーチャアレイを前記第３アパーチャアレイを用いて画定する、前記第２マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、前記第２犠牲特徴アレイを除去するステップ（ｉ）、
を含むステップを、実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項４】
前記ステップ（ｅ）から前記ステップ（ｉ）までのステップが複数回繰り返される、請求項３に記載のコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  関連出願
本願は、２００６年２月１３日に出願した同時係属の米国特許出願第１１／３５２４００号の一部継続出願であり、米国特許出願第１１／３５２４００号の内容全体が、参照によって本明細書に組み込まれている。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法およびコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その事例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、または複数のダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられる放射感応性材料（レジスト）の層への結像を介する。一般に、単一の基板には、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークが含まれる。既知のリソグラフィ装置には、各ターゲット部分が一時にそのターゲット部分にパターン全体を露光することによって照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）の放射ビームを介してパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または非平行に基板を同期してスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  集積回路上のデバイスの密度を高めるために、ラインおよび他の特徴のピッチが、通常は減らされる。しかし、多くのリソグラフィ装置は、その分解能限度でまたは分解能限度付近で動作する。さまざまなプロセス技法が、リソグラフィ装置によって結像可能な最小サイズより小さい特徴を作成できるようにするために開発されてきた。たとえば、米国特許出願公報第２００３／０２０３３２０号に、リソグラフィパターン内のギャップを縮小するためのコンフォーマル有機高分子薄膜(conformal organic polymeric film)の使用が開示されている。
【０００５】
[0005]  もう１つの例として、レジスト内のラインの幅より狭いラインをエッチングするために、露光されるレジストを電子ビームによって処理し、残っているレジストを液化させるか可塑化させ流れさせて、露光されるラインを部分的に閉じることができる。次に、レジストにプリントされたラインより狭いラインを、下にある基板にエッチングすることができる。リソグラフィ装置によって結像可能な最小ピッチより狭いピッチでラインを露光するために、二重露光技法を使用することができ、この場合に、ラインの第１組が、所望のピッチの２倍で結像され、次に、第１組に対して相補的な第２組が、やはり所望のピッチの２倍であるが、所望のピッチと等しい位置オフセットを伴って結像される。米国特許第６５８９７１３号に、縮小された幅およびピッチの特徴をプリントするのにこれらの技法の両方を使用する方法が開示されている。
【０００６】
[0006]  スペーサゲート構造を高密度でプリントするのに電子ビームを使用しない技法が、J.P.Long他のEdge Defined Lithography for Nano-scale III-N Field Effect Transistors”(http://www.gaasmantech.org/Digests/2005/index.htm, no 14.22で入手できるThe International Conference  on Compound Semiconductor Manufacturing Technology 2005 On-line Digestで公表）で開示されている。この技法では、犠牲ポリシリコン層(sacrificial polysilicon layer)が従来のフォトリソグラフィ技法を使用してパターニングされて、メサが形成され、次いで、Ｓｉ３Ｎ４の薄い層がウェーハ全体にコンフォーマルに堆積される。次に、このＳｉ３Ｎ４層が、非常に異方性の反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching : RIE）プロセスを使用してエッチングされて、ポリシリコンメサの両側に薄いＳｉ３Ｎ４壁が残される。そして、メサが湿式ＫＯＨエッチングを使用して除去されて、Ｓｉ３Ｎ４壁だけが残され、このＳｉ３Ｎ４壁は、犠牲ポリシリコン層の下のＳｉＯ２層およびポリシリコン層の後続エッチング中にマスクとして働く。最終結果は、犠牲ポリシリコン層内に形成されたメサの２倍の密度の薄いポリシリコンフィンである。
【０００７】
[0007]  FinFETSのシリコンフィンを作るための、類似する技法が、Yang-Kyu Choi他の“A Spacer Patterning  Technology for Nanoscale CMOS”（IEEE Transactions on Electron Devices, Vol 49，No 3，2002年3月で公表）で開示されている。
【０００８】
[0008]  しかし、開示された技法は限られた応用分野を有し、時々ラインの端を不正確に結像する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
[0009]  したがって、より高い密度でデバイス特徴を製造する改善された技法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[0010]  本発明の１態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
基板の第１層上に犠牲特徴アレイをプリントすることであって、犠牲特徴アレイが単位面積あたり第１特徴個数を有する、該プリントすること、
第１穴アレイを画定する第１マスクを形成するために、犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、第１穴アレイが犠牲特徴アレイと交互配置され且つ単位面積あたり第１特徴個数を有する、該設けること、
単位面積あたり第１特徴個数の２倍の単位面積あたり第２特徴個数を有する第２穴アレイを第１穴アレイを用いて画定する、第１マスク内のさらなる穴を形成するために、犠牲特徴を除去すること、
第２穴アレイの選択された部分をカバーする第２マスクを設けること、および
第１層のうちで第１および第２マスクによってカバーされない部分を処理すること、
を含む方法が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の１態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
第１密度で第１突出特徴アレイを形成するために、リソグラフィ装置を使用して基板の第１犠牲ハードマスクをパターニングすること、
第１密度で凹み特徴アレイが形成されるように、第１アレイ上に第２犠牲ハードマスクを実質的にコンフォーマルに堆積することであって、凹み特徴が突出特徴間に散在する、該堆積すること、
突出特徴の末端面を露呈させるため、および凹み特徴が第２犠牲ハードマスクを介するアパーチャになるように、第２犠牲ハードマスクを方向性エッチングすること、
第２犠牲ハードマスク内にアパーチャを残すために、突出特徴を選択エッチングによって除去すること、および
第２犠牲ハードマスク内のアパーチャを介して基板の第１ハードマスクをエッチングすること、
を含む方法が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の１態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
第１ピッチで突出ラインアレイを形成するために、リソグラフィ装置を使用して基板の第１犠牲ハードマスクをパターニングすること、
突出ラインを埋め、埋められた突出ラインと交互配置される第２凹みラインアレイを形成するために、第２犠牲ハードマスクを実質的にコンフォーマルに堆積することと、
埋められた突出ラインの末端面を露呈させるため、および凹みラインが第２犠牲ハードマスクを通るアパーチャになるように、第２犠牲ハードマスクを方向性エッチングすること、
第２犠牲ハードマスク内にアパーチャを残すために埋められた突出ラインを選択エッチングによって除去すること、
少なくとも第２犠牲マスク内の１つまたは複数のアパーチャの端をマスクすること、および
第２犠牲ハードマスク内のアパーチャを介して基板をエッチングすること、
を含む方法が提供される。
【００１３】
[0013]  本発明の１態様によれば、
基板の第１層上に、単位面積あたり第１特徴個数で第１犠牲特徴アレイをプリントすること、
単位面積あたり第１特徴個数で第１アパーチャアレイを画定する第１マスクを形成するために、第１犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、第１アパーチャアレイが犠牲特徴アレイと交互配置される、該設けること、
単位面積あたり第１特徴個数の２倍の単位面積あたり第２特徴個数で第２アパーチャアレイを第１アパーチャアレイを用いて画定する、第１マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、第１犠牲特徴アレイを除去すること、
第２犠牲特徴アレイを形成するために、第２アパーチャアレイを充てんすること、
単位面積あたり第２特徴個数で第３アパーチャアレイを画定する第２マスクを形成するために、第２犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、第３アパーチャアレイが第２犠牲特徴アレイと交互配置される、該設けること、および
単位面積あたり第２特徴個数の２倍の単位面積あたり第３特徴個数で第４アパーチャアレイを第３アパーチャアレイを用いて画定する、第２マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、第２犠牲特徴アレイを除去すること、
を含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１４】
[0014]  本発明の１態様によれば、
デバイス製造方法を実行するためにリソグラフィ装置を含むリソグラフィクラスタを制御するプログラムコードを含むコンピュータプログラムであって、
基板の第１層上に第１密度で犠牲特徴アレイをプリントすること、
第１密度で第１アパーチャアレイを画定する第１マスクを形成するために、犠牲特徴アレイに実質的にコンフォーマルなコーティングを設けることであって、第１アパーチャアレイが犠牲特徴アレイと交互配置される、該設けること、
第１密度の２倍の第２密度で第２アパーチャアレイを第１アパーチャアレイを用いて画定する、第１マスク内のさらなるアパーチャを形成するために、犠牲特徴を除去すること、および
第１層のうちで第１マスクによってカバーされない部分を処理すること、
を含むコンピュータプログラムが提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の実施形態を、添付概略図を参照して、例としてのみ説明する。添付概略図では対応する符号が対応する部品を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[0020]  図１に、本発明の１つの実施形態で使用できるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置には、
放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、
パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構築され、ある種のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された、支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ、
基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ、および
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに分け与えられるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（たとえば投影レンズシステム）ＰＳ、
が含まれる。
【００１７】
[0021]  照明システムには、放射を誘導、成形、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、もしくは他のタイプの光学コンポーネント、またはこれらの任意の組合せなど、さまざまなタイプの光学コンポーネントを含めることができる。
【００１８】
[0022]  支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境内に置かれるか否かなどの他の条件に依存する形でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定式または可動式とすることができるフレームまたはテーブルとすることができる。支持構造は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに関して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での用語「レチクル」または「マスク」のすべての使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と考えることができる。
【００１９】
[0023]  本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなど、放射ビームの横断面内にパターンを付与するのに使用できるすべてのデバイスを指すものとして広義に解釈されなければならない。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合に、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確には対応しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路など、ターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００２０】
[0024]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフト、および減衰型位相シフトなどのマスクタイプならびにさまざまなハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小さいミラーのマトリックス配置を使用し、これらのミラーのそれぞれは、入ってくる放射ビームを異なる方向に反射するために個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。
【００２１】
[0025]  本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射に関してまたは液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に関して適当な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型の光学システムまたはこれらの組合せを含む任意のタイプの投影システムを含むものとして広義に解釈されなければならない。本明細書での用語「投影レンズ」のすべての使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。
【００２２】
[0026]  本明細書で示されるように、この装置は、透過型である（たとえば、透過型マスクを使用する）。代替案では、この装置を、反射型（たとえば、上で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、反射型マスクを使用する）とすることができる。
【００２３】
[0027]  このリソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）または３つ以上の基板テーブル（および／または複数の支持構造）を有するタイプとすることができる。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルが露光に使用されている間に、１つまたは複数のテーブルで準備ステップを実行することができる。
【００２４】
[0028]  このリソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充てんするために、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体によってカバーすることができるタイプとすることもできる。液浸液は、たとえばマスクと投影システムとの間など、このリソグラフィ装置の他の空間に与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増やすために、当技術分野で周知である。本明細書で使用される用語「液浸」は、基板などの構造を液体に浸さなければならないことを意味するのではなく、液体が露光中に投影システムと基板との間に置かれることを意味するのみである。
【００２５】
[0029]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。この源およびリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザーである場合に、別々の実体とすることができる。その場合に、この放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含む、ビームデリバリシステムＢＤの助けを得て、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、たとえばこの放射源が水銀ランプであるときに、この源をリソグラフィ装置の一体の部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬを、必要な場合にビームデリバリシステムＢＤと一緒に、放射システムと呼ぶことができる。
【００２６】
[0030]  イルミネータＩＬに、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含めることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にσ-outerおよびσ-innerと称する）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬに、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、さまざまな他の構成要素を含めることができる。イルミネータは、放射ビームの断面内で所望の均一性および強度分布を有するために放射ビームを条件付けるのに使用することができる。
【００２７】
[0031]  放射ビームＢは、支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡに入射し、このパターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはこのビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けを得て、基板テーブルＷＴを、たとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明示的には図示せず）を使用して、たとえばマスクライブラリからの機械的取出の後またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に関してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けによって実現することができ、このロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールは、第１ポジショナＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナではなく）の場合に、支持構造ＭＴを、ショートストロークアクチュエータだけに接続することができ、あるいは固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマーカーＭ１およびＭ２と基板アラインメントマーカーＰ１およびＰ２を使用して位置合せすることができる。図示の基板アラインメントマーカーは、専用のターゲット部分を占めるが、これらを、ターゲット部分の間の空間に置くことができる（これらは、けがき線(scribe-lane)アラインメントマーカーとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に供給される情況では、パターニングデバイスアラインメントマーカーを、ダイの間に置くことができる。
【００２８】
[0032]  図示された装置は、次のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、本質的に静止して保たれ、放射ビームに付与されるパターン全体が、一時にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴが、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようになる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、同期してスキャンされると同時に、放射ビームに付与されるパターンが、ターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一の動的露光でのターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン移動の長さが、ターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を制限する。
３．もう１つのモードでは、支持構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止して保たれ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される間に移動されまたはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用させることができる。
【００２９】
[0033]  上で説明した使用モードの組合せおよび／または変形、あるいは完全に異なる使用モードを採用することもできる。
【００３０】
[0034]  このリソグラフィ装置は、エッチング、堆積(deposition)、イオンインプランテーションなどのステップを実行する処理装置を含むリソクラスタ(lithocluster)に、または、そのような装置と装置間で基板を自動的に搬送するシステムとを含む製造プラントまたはファブに含めることができる。このクラスタまたはファブは、コンピュータ制御の下に置くことができる。
【００３１】
[0035]  本発明の実施形態による第１の方法が、図２から図８に示されており、これらの図は、この方法がさまざまなステージにて実行される基板を示す。この方法は、アレイ内の特徴を、使用されるリソグラフィ装置を用いて通常可能であるはずの密度より高い密度でプリントすることを目指す。要約すると、この方法には、最終的に望まれる密度の半分の密度で犠牲特徴(sacrificial feature)の第１組をプリントすることと、その後、コンフォーマルコーティングを用いて特徴の第１組をカバーして、特徴の第１組および第２組の密度の２倍の密度を有する特徴の組み合わされた組を形成するために、特徴の第１組と交互配置した凹みによって特徴の第２組が画定されるようにすることと、を含む。犠牲特徴の第１組の最上部を露呈させるためおよび特徴の第２組を下にある層まで深くするためのコンフォーマルコーティングの方向性エッチングと、それに続く犠牲特徴の第１組の選択エッチングとが、所望の密度のアパーチャアレイをもたらす。この方法を、一例として以下により詳細に説明する。
【００３２】
[0036]  本発明のこの実施形態の方法は、たとえばコンタクトホールとして、基板１０の最上層である誘電層１１内の穴のアレイを画定することを目指す。誘電層１１は、既知の方法を使用して前に形成された他のデバイス層の上に置くことができる。図２に示されるように、第１ハードマスク層１２が、誘電層１１の上に置かれる。これは、たとえば、炭化珪素（ＳｉＣ）、特に非晶質炭化珪素、ポリシリコン、ＳｉＯＮ、またはダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）とすることができ、ブランクとするか、穴のアレイが設けられなければならない領域の端の周りにパターニングすることができる。一般に、用語「ハードマスク」は、本明細書では、気相エッチング（プラズマエッチングとも称することができる）などのエッチングプロセスに耐えるすべての層を指す。第１ハードマスク層１２の上に、スタッドまたは突出特徴１３のアレイが形成され、これらのスタッド１３は、既知のハードマスク材料から、しかしある実施形態では選択エッチングを可能にするために第１ハードマスク層１２とは異なる材料から、形成できる犠牲特徴である。図２におけるスタッド１３および後続の図における他の特徴は正方形に図示されているが、これらは実際にはプロセスステップでのリソグラフィ結像の空間フィルタリング効果および化学的効果に起因して丸くプリントされるか丸められることに留意されたい。
【００３３】
[0037]  スタッド１３は、最終的に望まれるアレイの間隔の２倍の間隔で並べられ、最終的に望まれるアレイのセルの半分を占めている。これは、最終的に望まれるアレイをチェス盤と考えることによって容易に理解することができ、スタッドは、すべての黒マスの中央に位置される。また、当然のことながら、アレイが正方形である必要はない、すなわち２つの直交する方向でのスタッド間隔が同一である必要はない。最大限の密度でアレイを形成するために、スタッド間距離Ｐは、スタッド形成でのパターニングプロセスに使用されるリソグラフィ装置を用いてパターニングできる範囲でできる限り小さくされ、したがって、Ｐは、その装置の公称最小ピッチと実質的に等しい。あるスタッドから次の隣接するスタッド（すなわち、図２に示すように対角線方向ではなく水平方向または垂直方向のスタッド）までの距離は、√２Ｐである。スタッドアレイのパターニングは、最終的に作られるアレイの最大密度を決定する。
【００３４】
[0038]  次に、図３に示されるように、等角フォーマルコーティング１４が、たとえばプラズマ化学気相堆積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD)、原子層堆積(Atomic Layer Deposition : ALD)、または他の既知の技法によって、スタッド１３の上に置かれる。コンフォーマルコーティング１４は、第２犠牲ハードマスクを形成し、上述した既知の材料から作ることができる。この場合もやはり、ある実施形態では、コンフォーマルコーティングは、選択エッチングを助けるために、スタッドおよび／または第１ハードマスク層１２とは異なる材料からなる。実質的に均一な成長を確保するための堆積プロセスの制御によって、コンフォーマルコーティング１４は、穴または凹み１５が４つの隣接するスタッド１３の各グループ間の中央に形成される点に達するまで、スタッド１３の上および周囲に蓄積される。これらの凹み１５は、チェス盤の類推を想起すると、白マスの中央を占める負の特徴と見なすことができる。これらの特徴はスタッド１３に自己整列され、よってオーバーレイエラーはない。凹みは、下にある層を露呈するようにするために完全にコンフォーマルコーティングを通って拡がっていても、あるいは、単にコンフォーマルコーティング内に部分的に拡がっていてもよい。
【００３５】
[0039]  コンフォーマルコーティング１４の堆積の後に、制御された方向性エッチングを実行して、図４に示されたステージに達する。この方向性エッチングは、たとえばイオン援助エッチング(ion-assisted etch)とすることができ、これにおいて、基板のイオン衝撃が、コンフォーマルコーティングを気体エッチャントと反応させる活性化エネルギを供給する。したがって、エッチングは、イオン源から離れて均一に進行する。方向性エッチングは、スタッド１３の上面または末端面が露呈され、凹み１５がエッチングされたコンフォーマルコーティング１４’内のスルーホールになるまで、実行される。このエッチングが第１ハードマスク層１２をエッチングすることを、その持続時間の制御によって、またはエッチャントを第１ハードマスク層１２に反するコンフォーマルコーティングについての選択性とすることによって、防ぐことができる。
【００３６】
[0040]  次に、エッチングされたコンフォーマルコーティング１４’に反するスタッド１３の選択エッチングを実行して、図５に示された結果に達する。このエッチングされたコンフォーマルコーティング１４’は、アパーチャ１６のアレイを最初のスタッド１３の２倍の密度で持ち、実質的にはチェス盤の黒マスと白マスの両方を占めることになる。最後に、第１ハードマスク層１２は、エッチングされたコンフォーマルコーティング１４’を介してエッチングされ、その結果、エッチングされた第１ハードマスク層１２’は、図６に示されるように、アパーチャ１７のアレイを所望の密度で有するようになる。アパーチャ間の間隔が（１／√２）Ｐであることに留意されたい。次に、誘電層１１を、たとえばエッチングまたはイオンインプランテーションまたは他の既知のプロセスによって、エッチングされた第１ハードマスク層１２’を介して、選択的に処理することができる。本発明のいくつかの方法では、第１ハードマスク層１２を省略することができ、図５に示されたステージで装置を処理することによって、パターンを基板に直接に転写することができる。
【００３７】
[0041]  特定のグリッド位置に構造を設けることだけを望む場合には、マスク１８を、第１ハードマスク層１２のエッチング中に設けることができる。図７に示されるように、マスク１８は、エッチングされたコンフォーマルコーティング１４’の上に設けられ、構造が望まれるエッチングされたコンフォーマルコーティング１４’内のアパーチャ１６を露呈させる位置にてアパーチャ１９を有する。マスク１８内のアパーチャ１９は、エッチングされる第１ハードマスク層１２の正確な領域を画定せず、コンフォーマルコーティング１４’内のどのアパーチャを介してエッチングが発生するかを定義するだけなので、アパーチャ１６より大きくすることができる。したがって、マスク１８は、スタッド１３の最初の画定よりはるかにゆるやかなオーバーレイ要件および結像要件を有するリソグラフィステップでパターニングすることができる。マスク１８は、単純なパターニングが施され現像されたレジスト層とすることができる。第１ハードマスク層１２およびそれを介する誘電層１１のマスク１８を用いるエッチングと、第１ハードマスク層１２の除去との後に、図８に示されたような基板を作成することができる。これは、アパーチャ１６によって画定されたグリッドの選択された位置のみにて、エッチングされた穴１１ａを有するが、これらの穴は、従来のリソグラフィ技法によって達成できるものよりも、互いにより近い。
【００３８】
[0042]  本発明の実施形態による第２の方法が、図９から図１４に示されており、これらの図は、この方法のさまざまなステージでの基板２０を示す。この方法によれば、従来のリソグラフィ技法を用いて達成可能なピッチの半分のピッチで、一連のラインを製造することができると同時に、ライン端を正確に形成することを確実ならしめることができる。一連の特定のラインを、隣接する残りのラインに影響を与えることなく、省略することもできる。さらに、１ブロック内の最も外側のラインを、均一にすることができる。これらの利点は、パターニングデバイス空間を高価で且つリードタイムを増加させ得る光近接効果補正特徴に充てる必要なく、達成することができる。第１実施形態と同一であるおよび／または当業者に周知であるプロセス詳細および材料は、以下、説明を簡潔にするために省略する。
【００３９】
[0043]  第１ステップとして、一連のフィンまたは突出ライン２２が、基板の最上層２１上に製造され、この最上層２１は、本発明の方法がデバイス製造プロセス内のどのステージで採用されるかに応じて、ベア基板(bare substrate)または最後に堆積された層とすることができ、また、最上層２１は、本方法のベース層を形成する。第１実施形態と同様に、フィン２２は、犠牲ハードマスク材料から形成され、リソグラフィステップによって画定される。フィンのピッチＰ１は、限界では使用されるリソグラフィ装置の能力によって決まるが、最終的に作られるラインのピッチを決める。フィン２２は製造されることが最終的に望まれるラインの長さより長い長さＬ１をもって形成されることに、留意されたい。
【００４０】
[0044]  次に、第２犠牲ハードマスクを形成するコンフォーマルコーティング２３が、フィン２２の上に堆積される。図１０に示されように、これは、フィン２２をカバーするがその間の小路２５を残すメサ２４を形成し、小路２５は、負のラインまたは凹みラインと見なすことができる。コンフォーマルコーティング２３の堆積は、小路２５が所望の幅、一実施形態ではフィン２２の幅に似た幅であることを確保するように制御される。
【００４１】
[0045]  図１１に、次のステップの結果、すなわち、フィン２２の上部を露呈させ、ベース層２１の上部まで小路２５を深くする第２犠牲ハードマスク２３のエッチングの結果を示す。そして、第２犠牲ハードマスク２３に反するフィン２２の選択エッチングが図１２に示されたステージに達して、フィン２２が除去され、小路２５の間に追加の小路２６が形成されている。
【００４２】
[0046]  その後、図１３に示されるように、マスク２６を設ける。マスク２６は、ラインが望まれる領域を露呈させるウィンドウ２７を有し、言い換えると、ラインが設けられない領域をマスクする。マスク２６は、ライン端もマスクし、最終的なラインの長さを制御する。必要な寸法および精度のウィンドウを画定することは特に難しくはないので、マスク２６は、フィン２２をパターニングするのに使用される分解能より低い分解能で実行されるリソグラフィステップでパターニングすることができる。このステージにて、ラインパターンが、たとえばエッチングにより、ベース層２１に転写される。マスク２６および残っている第２犠牲ハードマスク２３を除去することによって、図１４に示された完成層が得られる。パターン転写ステップによってベース層２１内に形成されたライン２９の両端は、マスク２６によって画定されたので、普通発生するはずのライン端歪みは、少なくなり得るかあるいは存在しなくなり得る。
【００４３】
[0047]  本発明の実施形態による第３の方法を、図１５から図２６を参照して説明する。この第３の方法では、ハードマスク層３３によってカバーされた第１酸化物層３２と、第２酸化物層とを有する基板３１が設けられる。ステップ１は、ピッチＰおよび直径Ｐ／２のレジスト柱の正方形アレイまたは直交アレイを画定するリソグラフィステップである。そして第２酸化物層を、このレジスト柱をマスクとして使用してエッチングし、酸化物柱３４を形成する。次に、ステップ２では、これらの酸化物柱３４を、等方性エッチングプロセスを使用してＰ／４の直径まで細くし、図１５および１６に示したところに達する。ピッチＰで直径Ｐ／４のこの柱アレイは、ポジレジスト内のラインの二重直交露光(double orthogonal exposure)によって、または二重層レジストスタックのプラズマラインスリミング(plasma line slimming)によって、作ることもできる。図１５は平面図であり、図１６は図１５の線Ａ−Ａに沿った断面である。これらからわかるように、基板は、ハードマスク層３３上に、直径Ｐ／４を持つ酸化物柱３４の、ピッチＰの正方形アレイを有する。
【００４４】
[0048]  次のステップであるステップ３は、たとえば化学気相堆積によって、酸化物柱を、ポリシリコンなどの材料または上述した他のコーティング材料でコンフォーマルにコーティングすることである。コーティング材料３５は、約０．５８Ｐの深さまで堆積され、したがって、酸化物柱３４の周囲に直径（Ｐ／４＋２×０．５８Ｐ）の島が形成され、アレイ内の隙間位置に未充てんの空洞３６が残される。隙間空洞３６は、約Ｐ／４の直径を有し、４つの部分的にオーバーラップする円の間に残される形状どおりになるのではなく、丸められる傾向がある。これが、図１７および１８に示されており、図１７は平面図であり、図１８は線Ｂ−Ｂに沿った断面である。
【００４５】
[0049]  次に、ステップ４で、ＲＩＥなどの異方性エッチングを実行して、酸化物柱３４の上および隙間空洞３６の最下部のコーティング材料３５を除去し、図１９および２０に示されたところに達する。図１９は平面図であり、図２０は線Ｂ−Ｂに沿った断面である。このステージでは、エッチングされたコーティング材料３５’は、酸化物柱３４と実質的に同一の厚さを有し、隙間空洞３６はハードマスク層３３まで延びる。
【００４６】
[0050]  次に、酸化物柱３４をエッチングによって除去することができ、これがステップ５であり、ハードマスク３３は、酸化物柱３４および隙間空洞３６のエッチング止めとして働く。このエッチングによって、図２１および２２に示されたところに達する。図２１は平面図であり、図２２は線Ｂ−Ｂに沿った断面である。ハードマスク３３の上には、単一の層すなわちエッチングされたコーティング材料３５’の残りがあり、エッチングされたコーティング材料３５’は、ピッチＰ／√２の千鳥アレイ上のアパーチャを有する。次に、この層は、ステップ６でエッチングまたは他のプロセスのマスクとして使用することができ、その結果、千鳥アレイパターンがハードマスク３３または基板の他の層に転写されるようになる。
【００４７】
[0051]  代替案では、この方法を繰り返して、ピッチＰ／２の正方形アレイを作成することができる。これを行うためには、図２１および図２２に示された千鳥アレイパターンをハードマスクに転写するのではなく、酸化物コーティングを堆積させて、エッチングされたコーティング材料３５’内の空洞のすべてを充てんする。次に、これを平坦化させ、エッチングバックさせて、酸化物が図２３および２４に示されるように空洞だけを充てんするようにする。図２３は平面図であり、図２４は線Ｂ−Ｂに沿った断面である。コーティング３５’の残りを除去することによって、ピッチＰ／√２を有する酸化物柱３７の千鳥アレイがもたらされる。ステップ３および４を、約．２５Ｐの深さを有する第２コンフォーマル層３８を用いて繰り返すことによって、図２５および２６に示すように、直径Ｐ／４の第２の隙間空洞３９の組が、ピッチＰ／√２のアレイ内で作成される。酸化物柱３７をエッチングによって除去する、すなわちステップ５を繰り返すことによって、ピッチＰ／２の穴の正方形アレイを有する１つの層すなわち第２コンフォーマル層３８の残りが作成される。次に、これを、望み通りにハードマスクまたは下の他の層に転写することができる。ステップ３、４、および５をさらに繰り返して、ピッチＰ／（２√２）、Ｐ／４などのアレイを作ることも可能である。
【００４８】
[0052]  本発明の方法は、コンタクトホールおよびビア、ならびにＤＲＡＭ、フラッシュＲＡＭ、組込みメモリ、および規則的に繰り返されるアレイ内のたとえばコンタクトホールなどの構造を必要とする他のタイプのメモリといった他のデバイス、の形成に特に有用である。画定するリソグラフィステップは、最終的に得られるピッチまたは特徴密度の約半分以下で実行されるので、ＯＰＣ特徴なしで達成でき、それでもより良くより一貫した結果を達成することができる。具体的には、特徴アレイを、所望の領域より大きい領域にわたって広げることができ、このアレイが、その後、後続の厳しくないマスキングステップでカットバックされるので、端の特徴と中央の特徴との間の差などのエッジ効果を避けることができる。
【００４９】
[0053]  ここでは、リソグラフィ装置を使用するＩＣの製造での本方法の使用に対して具体的に言及する場合があるが、当然のことながら、本明細書で説明される方法は、集積光学システム、磁気ドメインメモリの案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用例を有し得る。当業者は、そのような代替応用例の文脈で、本明細書での用語「ウェーハ」または「ダイ」のすべての使用を、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義と考えることができることを認識できるであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前または後に、たとえばトラック（通常はレジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適用可能な場合に、本明細書の開示を、上記のおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板を、たとえば複数層ＩＣを作成するために、複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板をも指す場合がある。
【００５０】
[0054]  上で、光リソグラフィの文脈での本発明の実施形態の使用に具体的に言及した場合があるが、当然のことながら、本発明はたとえばインプリントリソグラフィなどの他の応用例で使用することができ、文脈が許す場合には本発明は光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジストの層にプレス加工することができ、その後、このレジストは、電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストから離れて移動され、レジストが硬化された後に、パターンがレジスト内に残される。
【００５１】
[0055]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍあるいはその付近の波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、すべてのタイプの電磁放射を含む。
【００５２】
[0056]  用語「レンズ」は、文脈が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型の光学コンポーネントを含むさまざまなタイプの光学コンポーネントのうちのいずれか１つまたはその組合せを指すことができる。
【００５３】
[0057]  本発明の特定の実施形態を上で説明したが、当然のことながら、本発明は説明した以外にも実践できる。たとえば、本発明は、上述の方法を記述した機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）の形をとることができる。
【００５４】
[0058]  上の説明は、限定的ではなく例示的であることを意図している。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱せずに、説明した発明に対して変更を行えることは、当業者に明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】[0016]本発明の１つまたは複数の実施形態で使用可能なリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図３】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図４】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図５】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図６】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図７】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図８】[0017]本発明の一実施形態による第１の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図９】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１０】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１１】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１２】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１３】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１４】[0018]本発明の一実施形態による第２の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。
【図１５】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図１６】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図１７】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図１８】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図１９】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２０】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２１】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２２】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２３】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２４】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２５】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図２６】[0019]本発明の一実施形態による第３の方法の実行におけるさまざまなステージでの基板を示す。奇数番号の図面は平面図であり、偶数番号の図面は断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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