(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に導電性基体を設置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によって分解し、前記導電性基体の上に珪素を母体とするアモルファス材料で構成された膜からなる複数の層を形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記複数の層のうち前記導電性基体と接する層を形成する工程が、前記反応容器内に供給する原料ガスの種類および供給比率が一定であり、前記反応容器内の内圧が異なる、内圧前期工程、内圧変化工程、および、内圧後期工程からなり、
前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧が、前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧よりも高いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記導電性基体と接する層の膜厚のうち前記内圧前期工程において形成される膜厚が、０．１０μｍ以上３．００μｍ以下である請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧と前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧との差が、１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）以上６６．５Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ）以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記内圧変化工程が、排気量制御によって前記反応容器内の内圧を連続的または段階的に変化させる工程である請求項１〜３の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記内圧変化工程における内圧変化時間が、６０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下である請求項１〜４の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に電子写真感光体に用いられる堆積膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体、半導体デバイス、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイスを形成するための真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法が知られている。そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
高周波電力の印加により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、珪素を母体とするアモルファス材料で構成された薄膜の形成が可能であることが知られており、その製造装置も各種提案されている。
【０００４】
プラズマＣＶＤ装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のためにプラズマＣＶＤ法を用いた成膜方法に関する改良が進められている。
【０００５】
特許文献１には、シリコン原子を母体とする光導電層を形成する堆積膜の形成中に堆積空間の圧力を連続的に変化させる電子写真用光受容部材の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、電荷注入阻止層と光導電層を有する電子写真感光体の製造方法において、光導電層作成時にガス流量、放電電力及び反応容器内の圧力を所定の範囲内で変化させる光受容部材の製造方法が開示されている。
【０００７】
更に、特許文献３には、原料ガスを減圧下でプラズマ分解し、フッ素添加絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法で、供給原料ガスの流量を変え、堆積中の圧力を変化させ、堆積膜中のフッ素含有量を変える技術が、開示されている。
【０００８】
更に、反応容器のダストが基板に付着することを防止するために、反応容器のクリーニングと成膜とを交互に行う枚葉プロセスでのクリーニングに用いるフッ素系のガスの残留による影響を避ける技術が特許文献４に開示されている。特許文献４には、反応容器のクリーニング後に、成膜ガスを、その圧力が所定の圧力差の範囲で異なる複数段階に分けて導入し、プラズマ放電により反応室内を絶縁膜又は半導体膜でコーティングする方法が開示されている。
【特許文献１】特開平０８−１７９５３５号公報
【特許文献２】特開平０８−１７９５３６号公報
【特許文献３】特開平１０−３３５３２２号公報
【特許文献４】特開２００４−１１１９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
プラズマＣＶＤ装置を用い、特許文献１あるいは２に開示された方法を用いることで良好な堆積膜形成を行うことができる。
【００１０】
近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画のコピーも頻繁に行われる。そのため、画像上に白点或いは黒点の画像不良を引き起こす堆積膜の異常成長についても、従来以上の低減が求められている。
【００１１】
プラズマＣＶＤ法によるこのような堆積膜の異常成長には、堆積膜形成前の基体上に付着したダストや異物を起源としたものがある。更に、放電開始時に異常放電の影響により反応容器内の部材が溶融し基体上に付着した溶融物を起源として堆積膜が異常成長したものがある。
【００１２】
堆積膜形成前の基体上に付着するダストや異物に関しては、成膜開始前の基体を厳密に洗浄し、クリーンルームの如きダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。
【００１３】
しかし、放電開始時に異常放電の影響により反応容器内の部材が溶融し基体上に付着した溶融物を起源として堆積膜が異常成長する画像不良に関しては、まだ抑制できていないのが現状である。
【００１４】
従って、本発明は、放電開始時の異常放電を抑制することで、画像不良を低減し、製品品質および良品率の向上を達成する事を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、減圧可能な反応容器内に導電性基体を設置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によって分解し、前記導電性基体の上に珪素を母体とするアモルファス材料で構成された膜からなる複数の層を形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記複数の層のうち前記導電性基体と接する層を形成する工程が、前記反応容器内に供給する原料ガスの種類および供給比率が一定であり、前記反応容器内の内圧が異なる、内圧前期工程、内圧変化工程、および、内圧後期工程からなり、
前記内圧前期工程における前記反応容器内の内圧が、前記内圧後期工程における前記反応容器内の内圧よりも高いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、画像不良の改善を図り、製品品質および良品率の向上を達成することのできる、電子写真感光体の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明者らは堆積膜形成時のプラズマＣＶＤ装置の反応容器内の内部圧力（以下、内圧と称す）と異常放電の関係について鋭意検討を行った。その結果、堆積膜形成時に反応容器内の内圧を低圧にするに従いプラズマが局在化し異常放電の発生が顕著である事が判明した。
【００１８】
逆に堆積膜形成時に反応容器内の内圧を高くするに従いプラズマの均一性が得られ、異常放電の発生が抑制される事が分かった。
【００１９】
また、放電開始時の異常放電は、高周波電力が１〜２０ＭＨｚのＲＦ帯（代表的には１３．５６ＭＨｚ）のプラズマを用いた場合、特に顕著に見られる。
【００２０】
その詳細な理由は不明であるが、ＲＦ帯のプラズマは、プラズマ放電が安定する内圧が数十Ｐａ〜数百Ｐａであり、この内圧が放電開始時の異常放電発生のし易さと関係していると推測される。
【００２１】
反応容器内でプラズマに曝され、且つ、堆積膜が形成されていない領域の異常放電が、堆積膜が形成された領域よりも多く発生する。反応容器内でプラズマに曝され、且つ、堆積膜が形成されていない領域に堆積膜が形成されることで放電開始時に発生した異常放電が収束する事が判明した。
【００２２】
またプラズマに曝される領域を導電性材料で構成した場合に異常放電の発生が顕著である事も判明した。
【００２３】
以上の結果から、放電初期に発生する異常放電を抑制するためにはプラズマに曝される反応容器内部に所定量の堆積膜やポリシランからなる副生成物が堆積するまでの間、反応容器の内圧を高い圧力に設定することでプラズマを安定させればよいことがわかった。
【００２４】
しかし、内圧が高い状態で堆積膜を形成すると堆積膜の電気特性が低減する傾向であるため、堆積膜の良好な電気特性を維持したまま放電初期の異常放電の発生を抑制することを目的とし、そのための条件を更に検討した。
【００２５】
その結果、反応容器内に堆積膜やポリシランが無い領域を有する状態で、導電性基体の上に堆積膜を形成する工程、即ち、導電性基体が露出した表面に接する層を形成する際に、反応容器内の内圧を変えることで上記の目的を達成できることを知見した。即ち、導電性基体の表面が露出する状態では、異常放電が発生しない様に、最適な電気特性が得られる内圧よりも内圧を高く設定し、基体の表面に膜を形成する内圧前期工程を設ける。その後、最適な電気特性が得られる内圧になるまで圧力を下げる内圧変化工程を経て、その後、所望の膜厚になるまで成膜を行う内圧後期工程を設けることで上記の目的が達成されることを知見した。
【００２６】
内圧前期工程、内圧変化工程、および、内圧後期工程では、原料ガスの種類及び原料ガスの供給比率と供給量とが一定状態であることが好ましい。内圧変化工程で、内圧を変える場合、原料ガスの種類及び原料ガスの供給比率と供給量とを一定状態のまま排気量制御によって内圧を変化させることができる。内圧の変化は、連続的または段階的に変化させることができる。
【００２７】
内圧前期工程では堆積する膜の厚さを０．１μｍ以上、３．００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２８】
内圧前期工程で堆積する膜の厚さが０．１０μｍを下回ると異常放電の抑制効果が十分に得られない場合があり、膜の厚さが３．００μｍを超えると堆積膜の電気特性が低減する場合がある。
【００２９】
また内圧前期工程と内圧後期工程の内圧差は１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）以上６６．５Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ）以下の範囲が好ましい。内圧差が１３．３Ｐａを下回ると異常放電の抑制効果が十分に得られない場合があり、６６．５Ｐａを越えると堆積膜の電気特性が低減する場合がある。
【００３０】
更に、内圧前期工程と内圧後期工程で内圧差を設ける事により堆積膜の応力が緩和され、導電性基体との密着性が向上することも判明した。
【００３１】
また、内圧変化工程の内圧変化時間は６０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下が好ましく、６０ｓｅｃを下回る内圧変化時間では堆積膜の急激な応力変化による膜剥がれが発生する場合がある。また、内圧変化時間が１８０ｓｅｃを越えると堆積膜の電気特性が低下する場合があることが判明した。
【００３２】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００３３】
図１は、導電性基体と接する層を形成する際の内圧変化の様子と、原料ガスの総ガス流量の関係を示す模式図である。横軸は各工程の領域を示し縦軸は内圧及び原料ガスの総ガス流量を示し、原料ガスの総ガス流量を変化させずに内圧のみを変化させることを示している。
【００３４】
図１に示すように、導電性基体に膜を形成する側から、内圧前期工程、内圧変化工程および内圧後期工程の順に内圧が変化している。内圧前記工程および内圧後期工程で内圧は、一定値を保持し、内圧の高い内圧前期工程から内圧変化工程を経て内圧の低い内圧後期工程へ移行する。
【００３５】
図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は内圧変化工程における内圧の変化パターンを示す模式図である。図２（ａ）は、直線的に内圧が減少する変化パターン、図２（ｂ）は段階的に内圧が減少する変化パターンを示し、更に図２（ｃ）（ｄ）は曲線的に内圧が減少する変化パターンを示す模式図である。
【００３６】
図３は、アモルファスシリコン電子写真感光体製造装置の一例を示した概略図である。
【００３７】
この装置は大別すると、堆積装置３１００、原料ガスの供給装置３２００、減圧可能な反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアースに接続された導電性基体３１１２、導電性基体の加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
【００３８】
原料ガス供給装置３２００には、バルブ３２３１〜３２３６を設けたＳｉＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、ＮＯ、Ｂ2Ｈ6、ＣＦ4の原料ガスボンベ３２２１〜３２２６が設置されている。
【００３９】
各原料ガスボンベは、圧力調整器３２６１〜３２６６と流入バルブ３２４１〜３２４６、流出バルブ３２５１〜３２５６及びマスフローコントローラー３２１１〜３２１６、更に補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。
【００４０】
導電性基体３１１２は導電性受け台３１２３の上に設置されることによってアースに接続される。
【００４１】
図４は、本発明により作成される複数の層からなるアモルファスシリコン電子写真感光体の層構成を説明するための模式的構成図である。
【００４２】
図４（ａ）は、導電性基体４０１の上に電荷注入阻止層４０４、光導電層４０２、表面層４０３がこの順に積層されたアモルファスシリコン電子写真感光体であり、導電性基体４０１表面に接する層が電荷注入阻止層４０４である事を示している。また、電荷注入阻止層４０４、または光導電層４０２は少なくとも水素を含み、珪素を母体とするアモルファス材料で構成された膜からなり、表面層４０３は電子写真装置における顕像保持能力を有する。
【００４３】
図４（ｂ）は、機能分離型の電子写真感光体を説明する模式図であり導電性基体４０１の上に光導電層４０２、表面層４０３がこの順に積層されたアモルファスシリコン電子写真感光体である。光導電層４０２は水素を含み、珪素を母体とするアモルファス材料で構成された膜からなり、電荷輸送層４０５及び電荷発生層４０６に機能分離されている。ここで電荷輸送層４０５と電荷発生層４０６の位置関係は如何なる物であってもよく機能分離を組成変化により行う場合には、その組成変化が連続的であっても良い。
【００４４】
図４（ｂ）では導電性基体４０１の表面と接する層を電荷輸送層４０５とした場合の電子写真感光体を示す。
【００４５】
次に図３の装置を用いて、図４（ａ）に示した層構成の電子写真感光体を作成する場合の概略を以下に説明する。
【００４６】
減圧可能な反応容器３１１０内に導電性基体３１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１０内を排気する。続いて導電性基体の加熱用ヒーター３１１３により導電性基体３１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。
【００４７】
次に、原料ガスを反応容器３１１０内に流入させるには各原料ガスボンベのバルブ３２３１〜３２３６、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられている事を確認する。また、流入バルブ３２４１〜３２４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６０が開かれている事を確認し、メインバルブ３１１８を開いて反応容器３１１０及びガス供給配管３１１６を排気する。
【００４８】
その後、真空計３１１９の読みが０．７Ｐａになった時点で補助バルブ３２６０、流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後原料ガスボンベ３２２１〜３２２６より各原料ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を所定の圧力に調整する。次に流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。
【００４９】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、導電性基体３１１２の上に、導電性基体３１１２と接する層である電荷注入阻止層の形成を行う。
【００５０】
即ち、導電性基体３１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なものと補助バルブ３２６０とを徐々に開く。そして各原料ガスボンベ３２２１〜３２２６から所望の原料ガスを、原料ガス導入管３１１４を介して反応容器３１１０内に導入する。
【００５１】
次に、各マスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる様に調整する。その際、反応容器３１１０内の圧力が図１に示す初期内圧になる様に、真空計３１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源３１２０を所望の電力に設定して例えば、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、高周波マッチングボックス３１１５を通じてカソード電極３１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器３１１０内に導入させた各原料ガスが分解され、導電性基体３１１２上に所望の珪素原子を主成分とする電荷注入阻止層が堆積される。
【００５２】
この電荷注入阻止層の堆積は、原料ガスの総ガス流量は一定のままでメインバルブ３１１８の開度を調整し図１に示した内圧変化を実行して、所望の膜厚まで行えばよい。
【００５３】
上記内圧の変化方法としては、真空計３１１９をメインバルブ３１１８と連動させて連続的又は段階的にメインバルブ３１１８の開度を調整する方法がある。更に、別の内圧変化方法としてはメインバルブ３１１８の開度を固定し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）の排気能力を調整する方法がある。
【００５４】
また内圧の変化パターンとしては、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示した変化パターンが好ましい。
【００５５】
なお、真空計３１１９を設置する部分の圧力と反応容器３１１０内部の圧力が異なる場合は、予め内圧差を測定し、校正した値に基づき反応容器３１１０内部の圧力を制御すればよい。
【００５６】
この様にして電荷注入阻止層を形成した後、光導電層の形成に必要な原料ガスに切り換へ、光導電層を形成する。光導電層が所望の膜厚に達したところで、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反応容器３１１０への各原料ガスの流入を止め、光導電層の形成を終える。但し、電荷注入阻止層を設けず、導電性基体と接する層が光導電層である場合も同様に図１に示した内圧変化を実行すればよい。
【００５７】
光導電層上に表面層を形成する場合も基本的には上記の操作を繰り返せばよく反応容器３１１０内の原料ガスを排気した後、表面層に必要な原料ガスに切り換へ反応容器３１１０内に流す。所定の内圧に調整した後に前層と同様の操作により所望の膜厚の表面層を形成すればよい。
【００５８】
（実施例）
（実施例１）
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード電極３１１１に供給し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件で図４（ａ）の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００５９】
【表１】
0005178321.tif 000002
【００６０】
本実施例では、内圧前期工程の内圧を８０Ｐａ、内圧後期工程の内圧を４０Ｐａに設定し、内圧変化工程は、９０ｓｅｃで図２（ａ）に示したパターンで変化させ、導電性基体と接する電荷注入阻止層を形成した。更に内圧前期工程で堆積する電荷注入阻止層の膜厚を０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．８０μｍ、１．５０μｍ、３．００μｍ、および、３．２０μｍの６条件で６本のアモルファスシリコン電子写真感光体を作成した。
【００６１】
（比較例１）
図３に示す構成の装置を用い、表１に示す条件で実施例１と同様に、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、電子写真感光体を作製した。
【００６２】
本比較例では、電荷注入阻止層を形成する際に内圧前期工程及び内圧変化工程を設けずに実施例１の内圧後期工程の内圧を用い４０Ｐａ一定で維持した。
【００６３】
作成した電子写真感光体に対し残電、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【００６４】
実施例１で作製した６本の電子写真感光体、および、比較例１で作成した電子写真装置（主帯電電流及び各光学系の光量が調整可能に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットし、下記に示す方法を用いて残留電位、画像の評価及び総合評価を行った。
【００６５】
結果を共に表２に示す。
【００６６】
（残留電位評価）
残留電位（残電）の測定は、電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での電子写真感光体の表面電位を測定する。次に電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整する。その後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を１．２μＪ／ｃｍ2の光量で照射した時の電子写真感光体の表面電位を残電とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向の中心から、奥側１３０ｍｍ、奥側９０ｍｍ、中心、手前側９０ｍｍ、手前側１３０ｍｍの５箇所で測定した残電の平均値を求め、電子写真感光体の残電とした。
【００６７】
残電の評価は、比較例１の残電を１．０とした相対比較である。従って、数値が小さいほど残電が良好である事を示す。
【００６８】
（画像評価）
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定する。次に電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した後、Ａ３サイズに全面ベタ黒の画像を出力する。
【００６９】
次にＡ３サイズの全面ベタ黒画像の電子写真感光体一周分に相当する画像領域内に発生しているφ０．３ｍｍ以上の白点の数をカウントした。
【００７０】
実施例１及び比較例１の評価結果を表２に示す。画像評価は、比較例１の白点の数の数を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど白点の数が少なく、良好である事を示す。
【００７１】
（総合評価）
総合評価は以下に示す残留電位評価の得点と画像評価の得点の合計点で評価した。
Ａ：６点（特に効果が認められるレベル）
Ｂ：５点、４点（効果が認められるレベル）
Ｃ：３点、２点（効果が無く従来と同等のレベル）。
【００７２】
（残留電位評価）
残留電位の相対評価で得られた値を以下の得点とした。
２．５以下・・・３点
２．６以上、５．０以下・・・２点
５．１以上・・・１点。
【００７３】
（画像評価）
画像の相対評価で得られた値を以下の得点とした。
５０以下・・・３点
５１以上８０以下・・・２点
８１以上１００未満・・・１点
１００以上・・・０点。
【００７４】
【表２】
0005178321.tif 000003
【００７５】
以上の結果から、内圧前期工程で堆積する電荷注入阻止層の膜厚は０．１０μｍ以上３．００μｍ以下の範囲が特に効果的であり電子写真感光体の特性を維持したまま白点の数の少ないアモルファスシリコン電子写真感光体が得られることが判明した。
【００７６】
（実施例２）
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード電極３１１１に供給し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件で図４（ａ）の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００７７】
本実施例では、内圧前期工程で堆積する電荷注入阻止層の膜厚を１．００μｍ、内圧後期工程の内圧を４０Ｐａに設定し、内圧変化は９０ｓｅｃで図２（ａ）に示したパターンで変化させた。更に、内圧前期工程と内圧後期工程との内圧差が１２．０Ｐａ、１３．３Ｐａ、２６．６Ｐａ、３９．９Ｐａ、５３．２Ｐａ、６６．５Ｐａ、および、７３．２Ｐａとなるよう内圧前期工程の内圧を設定した、７条件で７本のアモルファスシリコン電子写真感光体を作成した。
【００７８】
作成した７本の電子写真感光体に対し残留電位、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【００７９】
実施例２の評価結果を表３に示す。
【００８０】
【表３】
0005178321.tif 000004
【００８１】
以上の結果から、内圧前期工程と内圧後期工程の内圧差が、１３．３Ｐａ以上、６６．５Ｐａ以下の範囲が特に効果的であり電子写真感光体の特性を維持したまま白点の数が少ないアモルファスシリコン電子写真感光体が得られることが判明した。
【００８２】
（実施例３）
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード電極３１１１に供給し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件で図４（ａ）の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００８３】
本実施例では、内圧前期工程の内圧を１０６．５Ｐａ、内圧後期工程の内圧を４０Ｐａ（内圧後期工程との圧力差６６．５Ｐａ）、内圧前期工程で堆積する電荷注入阻止層の膜厚を１．００μｍに設定した。更に内圧変化は９０ｓｅｃで図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および、（ｄ）の４  パターンで変化させ、４本の電子写真感光体を作成した。
【００８４】
作成した４本の電子写真感光体に対し残留電位、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【００８５】
実施例３の評価結果を表４に示す。
【００８６】
【表４】
0005178321.tif 000005
【００８７】
以上の結果から、内圧前期工程の内圧から内圧後期工程の内圧を連続的又は段階的に変化させる事により電子写真感光体の特性を維持したまま白点の数の少ないアモルファスシリコン電子写真感光体が得られることが判明した。
【００８８】
（実施例４）
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード電極３１１１に供給し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件で図４（ａ）の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００８９】
本実施例では、内圧前期工程の内圧を１０６．５Ｐａ、内圧後期工程の内圧を４０Ｐａ（内圧後期工程との内圧差６６．５Ｐａ）とし、内圧前期工程で堆積する電荷注入阻止層の膜厚を１．００μｍに設定した。更に内圧変化工程は図２（ａ）に示したパターンで内圧変化時間を５０ｓｅｃ、６０ｓｅｃ、１２０ｓｅｃ、１８０ｓｅｃ、および、１９０ｓｅｃの５つの条件で変化させ、５本のアモルファスシリコン電子写真感光体を作成した。
【００９０】
作成した５本の電子写真感光体に対し残留電位、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【００９１】
実施例４の評価結果を表５に示す。
【００９２】
【表５】
0005178321.tif 000006
【００９３】
以上の結果から、内圧前期工程の内圧から内圧後期工程の内圧に変化させる時間は６０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下の範囲が特に効果的であり電子写真感光体の特性を維持したまま白点の数の少ないアモルファスシリコン電子写真感光体が得られることが判明した。
【００９４】
（実施例５）
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード電極３１１１に供給し、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表６に示す条件で図４（ｂ）の構造のアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００９５】
図４（ｂ）の構造の電子写真感光体は、導電性基体上に、光導電層と表面層とが形成され、光導電層が、導電性基体と接する電荷輸送層と、電荷輸送層上に更に電荷発生層が形成された、積層構造となっている。
【００９６】
本実施例では、導電性基体と接する電荷輸送層を形成する際に、内圧前期工程の内圧を１００Ｐａ、内圧後期工程の内圧を４５Ｐａ（内圧前期工程と内圧後期工程との内圧差５５Ｐａ）とし、内圧前期工程で堆積する電荷輸送層の膜厚を１．００μｍに設定した。更に内圧変化工程は図２に示した（ａ）のパターンで内圧変化時間を９０ｓｅｃで変化させ、内圧後期工程により電荷輸送層の膜厚を２０μｍとした。その後電荷発生層、表面層を堆積してアモルファスシリコン電子写真感光体を作成した。
【００９７】
作成した電子写真感光体に対し残留電位、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【００９８】
実施例５の評価結果を表７に示す。
【００９９】
【表６】
0005178321.tif 000007
【０１００】
（比較例２）
図３に示す構成の装置を用い、表６に示す条件で実施例５と同様に、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、電子写真感光体を作製した。
【０１０１】
本比較例では、電荷輸送層を形成する際に内圧前期工程及び内圧変化工程を設けずに実施例５の内圧後期工程の内圧を用い４５Ｐａ一定で維持した。
【０１０２】
作成した電子写真感光体に対し残電、画像を実施例１と同様の方法で評価した。
【０１０３】
評価結果を表７に示す。
【０１０４】
【表７】
0005178321.tif 000008
【０１０５】
以上の結果から、導電性基体と接する層が光導電層であっても放電初期の内圧前期工程から内圧後期工程に内圧変化させる事により電子写真感光体の特性を維持したまま白点の数の少ないアモルファスシリコン電子写真感光体が得られることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の堆積膜の形成方法における内圧変化工程での内圧、堆積膜形成原料ガスの総ガス流量変化のパターンを示す模式図である。
【図２】内圧変化工程における内圧の変化パターンを示す模式図である。
【図３】本発明係わるＰＣＶＤ法を適用可能な電子写真感光体製造装置の概略断面図。
【図４】本発明に係わる電子写真感光体の一例を示す層構成の概略断面図。
【符号の説明】
【０１０７】
３１００  堆積装置
３１１０  反応容器
３１１１  カソード電極
３１１２  円筒状基体
３１１３  基体加熱用ヒーター
３１１４  ガス導入管
３１１５  高周波マッチングボックス
３１１６  ガス配管
３１１７  リークバルブ
３１１８  メインバルブ
３１１９  真空計
３１２０  高周波電源
３１２１  絶縁材料
３１２２  排気管
３１２３  受け台
３２００  原料ガス供給装置
３２１１〜３２１６  マスフローコントローラー
３２２１〜３２２６  ボンベ
３２３１〜３２３６  バルブ
３２４１〜３２４６  流入バルブ
３２５１〜３２５６  流出バルブ
３２６０  補助バルブ
３２６１〜３２６６  圧力調整器
４０１  導電性基体
４０２  光導電層
４０３  表面層
４０４  電荷注入阻止層
４０５  電荷輸送層
４０６  電荷発生層
【図１】
0005178321.tif 000009
【図２】
0005178321.tif 000010
【図３】
0005178321.tif 000011
【図４】
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