(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、
前記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、
残存する金属箔の防錆物質を除去するために、前記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、
前記粗さが形成されたプライマー樹脂層にメッキを施すステップと、
を含むメッキ層の形成方法。
【請求項２】
前記還元処理するステップは、
還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載のメッキ層の形成方法。
【請求項３】
前記プライマー樹脂層の転写ステップは、
前記プライマー樹脂層が前記絶縁層に接着されるように、前記金属箔を前記絶縁層に積層するステップと、
エッチングにより前記金属箔を除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ層の形成方法。
【請求項４】
前記プライマー樹脂層をメッキするステップは、
前記プライマー樹脂層にパラジウム（Ｐｄ）を吸着させるステップと、
前記プライマー樹脂層に無電解メッキを施すステップと、を含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のメッキ層の形成方法。
【請求項５】
粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、
前記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、
残存する金属箔の防錆物質を除去するために、前記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、
前記粗さが形成されたプライマー樹脂層に回路パターンを形成するステップと、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記還元処理するステップは、
プライマー樹脂層を、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記プライマー樹脂層の転写ステップは、
前記プライマー樹脂層が前記絶縁層に接着されるように、前記金属箔を前記絶縁層に積層するステップと、
エッチングにより前記金属箔を除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記回路パターンを形成するステップは、
前記プライマー樹脂層にシード層を形成するステップと、
前記シード層を電極として電解メッキにより前記回路パターンを形成するステップと、を含む請求項５から請求項７の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記シード層を形成するステップは、
前記プライマー樹脂層にパラジウム（Ｐｄ）を吸着させるステップと、
前記無電解メッキにより前記シード層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、微細回路を備えた回路基板を製作する方法としては、セミアディティブ法（Semi Additive Process、ＳＡＰ）が注目されている。
【０００３】
通常、セミアディティブ法には無電解メッキにより形成されたメッキ層が用いられており、メッキ層の接着のためにプライマー（primer）樹脂が使用される。
【０００４】
ところが、製造過程でプライマー樹脂には、銅箔の腐食を防止するための防錆物質が残っている場合があり、メッキ層が適切に形成されない虞がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、均一なメッキ層を形成できるメッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層のコーティングされた金属箔を提供するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、上記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層をメッキするステップと、を含むメッキ層の形成方法が提供される。
【０００７】
上記還元処理するステップは、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬（dipping）処理するステップを含むことができる。
【０００８】
上記プライマー樹脂層の転写ステップは、上記プライマー樹脂層が上記絶縁層に接着されるように、上記金属箔を上記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより上記金属箔を除去するステップとを含むことができる。
【０００９】
上記プライマー樹脂層をメッキするステップは、上記プライマー樹脂層にパラジウム（Ｐｄ）を吸着させるステップと、上記プライマー樹脂層に上記無電解メッキを施すステップとを含むことができる。
【００１０】
また、本発明の他の実施形態によれば、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、上記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層に回路パターンを形成するステップと、を含む回路基板の製造方法が提供される。
【００１１】
上記還元処理するステップは、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことができる。
【００１２】
上記プライマー樹脂層の転写ステップは、上記プライマー樹脂層が上記絶縁層に接着されるように、上記金属箔を上記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより上記金属箔を除去するステップとを含むことができる。
【００１３】
上記回路パターンを形成するステップは、上記プライマー樹脂層にシード層を形成するステップと、上記シード層を電極として電解メッキにより上記回路パターンを形成するステップとを含むことができる。
【００１４】
上記シード層を形成するステップは、上記プライマー樹脂層にパラジウム（Ｐｄ）を吸着させるステップと、上記無電解メッキにより上記シード層を形成するステップとを含むことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、プライマー樹脂に残存する防錆物質を除去することにより、未メッキ現象の発生を防止し、均一なメッキ層を形成することができる。
【００１６】
また、プライマー樹脂に形成された粗さが、防錆物質の除去過程で損傷されることなく、メッキ層とプライマー樹脂との接着力を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示す順序図である。
【図２】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示す順序図であり、図２ないし図１１は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【００１９】
本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法は、金属箔を提供するステップ（Ｓ１１０）、プライマー樹脂層の転写ステップ（Ｓ１２０）、還元処理するステップ（Ｓ１３０）及び回路パターンを形成するステップ（Ｓ１４０）を含む。
【００２０】
ステップＳ１１０での金属箔を提供するステップは、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔１０を提供する。すなわち、金属箔１０の粗さを用いてプライマー樹脂層２０に粗さを形成する。このとき、プライマー樹脂は密着力の高い物質であって、回路パターン４５と絶縁層３０との結合力を高めることができる。
【００２１】
図２に示すように、本実施例では、粗さが形成された金属箔１０の一面にプライマー樹脂を噴射するか、またはフィルム形態で積層して、粗さが形成されたプライマー樹脂層２０を形成する。
【００２２】
ステップＳ１２０でのプライマー樹脂層の転写ステップでは、粗さが形成されたプライマー樹脂層２０を絶縁層３０に転写する。すなわち、本実施例では、絶縁層３０の密着力を高めるための接着層として、粗さが形成されたプライマー樹脂層２０を用いる。
【００２３】
図３及び図４に示すように、本実施例では、ステップＳ１１２で、プライマー樹脂層２０がコーティングされた金属箔１０を絶縁層３０に積層して、プライマー樹脂層２０を絶縁層３０に接着させる。そして、ステップＳ１１４で、エッチングにより金属箔１０を除去し、絶縁層３０に粗さが形成されたプライマー樹脂層２０を形成する。
【００２４】
一方、金属箔１０を除去する方法は、本実施例に限定されず、剥離のような公知の様々な方法を用いて金属箔１０を除去することができる。
【００２５】
ステップＳ１３０での還元処理するステップは、プライマー樹脂層２０に残存する金属箔１０の防錆物質１２が除去されるように、プライマー樹脂層２０を還元処理する。
【００２６】
通常、金属箔１０は、酸化防止の目的でケイ素（Ｓｉ）やクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などからなる防錆物質１２により防錆処理されている。このため、図４に示すように、金属箔１０から分離されたプライマー樹脂層２０に防錆物質１２が残存する場合がある。防錆物質１２が残存する部分には、メッキが形成されにくくなり、防錆物質１２は、回路パターン４５の形成に必要なメッキ層の形成を妨害することになる。
【００２７】
したがって、本実施例では、図９等に示すような回路パターン４５を形成する前に、プライマー樹脂層２０に残存する防錆物質１２を除去する還元処理を行う。すなわち、防錆物質１２を還元処理してイオン化させることにより、プライマー樹脂層２０から防錆物質１２を容易に除去することができる。例えば、防錆物質１２としての酸化クロミウムをクロムイオンに還元させた後に、除去することができる。
【００２８】
特に、本実施例では、プライマー樹脂層２０に形成された粗さが還元処理過程で損傷されないように、ステップＳ１３２で、プライマー樹脂層２０を、還元性物質を含む還元性溶液６に浸漬処理する。
【００２９】
図５に示すように、本実施例では、還元性溶液６が入っている水槽５に、プライマー樹脂層２０が形成された基板を縦に浸漬して還元処理を行う。還元性溶液６で防錆物質１２がイオン化され、還元性溶液６中に溶け出ることになる。
【００３０】
これにより、図６に示すように、プライマー樹脂層２０の粗さを損傷せず、防錆物質１２を除去することができる。
【００３１】
一方、還元処理方法は、本実施例に限定されず、還元性溶液６を噴射するなど様々な方法を用いることができる。
【００３２】
ステップＳ１４０の回路パターンを形成するステップでは、粗さが形成されたプライマー樹脂層２０に回路パターン４５を形成する。
【００３３】
特に、本実施例では、防錆物質１２が除去されたプライマー樹脂層２０に、メッキにより均一なメッキ層を形成し、該メッキ層を回路パターン４５の形成に必要なシード層４０として用いることができる。そして、シード層４０を電極として電解メッキにより回路パターン４５を形成することができる。
【００３４】
図７に示すように、本実施例では、還元処理されたプライマー樹脂層２０に、メッキによりシード層４０を形成する。
【００３５】
具体的に、プライマー樹脂層２０にパラジウムを吸着させた後に、無電解メッキによりシード層４０を形成することができる。このとき、プライマー樹脂層２０における防錆物質１２は除去されたので、プライマー樹脂層２０にパラジウムが均一に吸着され、均一なシード層４０を形成することができる。
【００３６】
その後、図８ないし図１１に示すように、セミアディティブ法を用いて微細な回路パターン４５を形成する。上述したように、粗さの形成されたプライマー樹脂層２０が接着されている絶縁層３０は、密着力が向上されて、微細な回路パターン４５が形成されても回路パターン４５の剥離現象を防止することができる。
【００３７】
具体的に、シード層４０にメッキレジスト５０を選択的に積層した後に、メッキレジスト５０が積層されていない部分に電解メッキにより回路パターン４５を形成する。その後、メッキレジスト５０を除去し、その後、シード層４０をフラッシュエッチングにより除去して、各回路パターン４５を分離する。
【００３８】
以上では、本発明の実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。
【００３９】
上述した実施例の以外でも、多数の実施例が本発明の特許請求範囲内に存在する。
【符号の説明】
【００４０】
５    水槽
６    還元性溶液
１０  金属箔
１２  防錆物質
２０  プライマー樹脂層
３０  絶縁層
４０  シード層
４５  回路パターン
５０  メッキレジスト
【図１】
0005121987.tif 000002
【図２】
0005121987.tif 000003
【図３】
0005121987.tif 000004
【図４】
0005121987.tif 000005
【図５】
0005121987.tif 000006
【図６】
0005121987.tif 000007
【図７】
0005121987.tif 000008
【図８】
0005121987.tif 000009
【図９】
0005121987.tif 000010
【図１０】
0005121987.tif 000011
【図１１】
0005121987.tif 000012