(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、
未処理の基板を外部から受け入れるとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサブロックと、
表面に所定の塗布膜が形成された基板を前記露光装置に搬出するとともに、露光後の基板を前記露光装置から受け入れるインターフェースブロックと、
前記インデクサブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置され、基板に対して所定の処理を行う処理部および当該処理部に基板を搬送する搬送手段を備える複数の処理ブロックと、
を備え、
前記複数の処理ブロックのうちの１つである第１処理ブロックが、
基板に対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、
基板に対して密着強化剤を供給して密着強化処理を行う密着強化処理部と、
前記現像処理部に対する基板の搬出入を行うとともに、前記密着強化処理部に対する基板の搬出入を行う第１搬送手段と、
を備え、
前記第１処理ブロックとは別の第２処理ブロックが、
基板に対して反射防止膜の塗布液を塗布する反射防止膜用塗布処理部と、
前記反射防止膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う反射防止膜用熱処理部と、
基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入するとともに前記反射防止膜用塗布処理部から前記反射防止膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記反射防止膜用熱処理部に搬入する第２搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理ブロックが、前記インデクサブロックに隣接する位置に配置され、
前記第１搬送手段が、前記インデクサブロックから受け取った未処理の基板を前記密着強化処理部に搬入するとともに前記密着強化処理部から密着強化処理後の基板を搬出して前記第１処理ブロックに隣接して配置されている処理ブロックに渡し、前記第１処理ブロックに隣接して配置されている処理ブロックを介して受け取った露光後の基板を前記現像処理部に搬入するとともに前記現像処理部から現像処理後の基板を搬出して前記インデクサブロックに渡すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第２処理ブロックが、前記第１処理ブロックに隣接して配置され、
前記第２搬送手段が、前記第１処理ブロックから受け取った基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第１処理ブロックとは別の処理ブロックが、
露光処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う露光後ベーク用熱処理部、
を備え、
前記露光後ベーク用熱処理部を備える処理ブロックが、前記インターフェースブロックに隣接して配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第２処理ブロックに隣接して配置された第３処理ブロックが、
基板に対してレジスト膜の塗布液を塗布するレジスト膜用塗布処理部と、
前記レジスト膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジスト膜用熱処理部と、
前記第２処理ブロックから受け取った基板を前記レジスト膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジスト膜用塗布処理部から前記レジスト膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジスト膜用熱処理部に搬入する第３搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第３処理ブロックに隣接して配置された第４処理ブロックが、
基板に対してレジストカバー膜の塗布液を塗布するレジストカバー膜用塗布処理部と、
前記レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジストカバー膜用熱処理部と、
前記第３処理ブロックから受け取った基板を前記レジストカバー膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジストカバー膜用塗布処理部から前記レジストカバー膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジストカバー膜用熱処理部に搬入する第４搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
互いに隣接する処理ブロックの間で基板の受け渡しを行うための基板受渡部、
を備え、
前記基板受渡部が、
受け渡される基板を載置するプレートと、
前記プレートを温調する温度調整手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
これらの諸処理を行う基板処理装置の一例として、例えば特許文献１には、一台の搬送ロボットとその搬送対象となる複数の処理ユニットとをもって１つのセル（処理ブロック）を構成し、複数のセルを並設するとともに、セル間に基板受渡部を設けて隣接するセルの搬送ロボット間の基板の受け渡しを基板受渡部を介して実行するコータ＆デベロッパが開示されている。
【０００４】
ところで、従来より、基板表面に形成された塗布膜が基板表面から剥離することを防止すべく、基板表面に形成される塗布膜と基板との密着性を高めるための処理（密着強化処理）が行われることがある。例えば特許文献１に記載された基板処理装置においては、基板表面に形成されるレジスト膜と基板との密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板を熱処理する密着強化処理部が複数個備えられる。特許文献１に記載された基板処理装置においては、この密着強化処理部は、レジスト膜の下地に反射防止膜（露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるため形成される膜）を塗布形成する処理ブロックに設けられている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−９３６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板処理装置においては、限られたフットプリントの中でなるべく多くの処理ユニットを設けることが望まれる。処理ユニットの個数が増加すれば、その分単位時間内に処理できる基板の数が増加し、スループットが向上するからである。特に、スループットを効果的に向上させるには、時間のかかる処理を行う処理ユニットを数多く設けることが有効である。
【０００７】
例えば、反射防止膜を塗布形成した後の熱処理は、基板を相当の高温（例えば２００度以上）まで昇温させ、さらに冷却しなければならないので、他の処理に比べて処理に要する時間が長い。したがって、スループットを向上させるためには、この熱処理を行う処理ユニット（反射防止膜用熱処理ユニット）をなるべく数多く設けることが望ましい。
【０００８】
ところが、従来の基板処理装置においては、反射防止膜用熱処理ユニットと、上述した密着強化処理を行う密着強化処理ユニットとが同一の処理ブロックに搭載されることが多く、密着強化処理ユニットが搭載されたスペース分だけ反射防止膜用熱処理ユニットに割けるスペースが減ってしまっていた。そして、反射防止膜用熱処理ユニットの搭載個数が制限されることによって、スループットの向上が妨げられてしまっていた。
【０００９】
また例えば、現像処理も、他の処理に比べて処理に要する時間が長い。したがって、スループットを向上させるためには、現像処理を行う処理ユニット（現像処理ユニット）をなるべく数多く設けることが望ましい。
【００１０】
ところが、従来の基板処理装置においては、現像処理ユニットは、露光装置に隣接する位置に配置される処理ブロックに搭載されることが多かった。この位置の処理ブロックには、露光後の基板に対する熱処理を行う処理ユニット（露光後ベーク用熱処理ユニット）を搭載する必要があるため、この露光後ベーク熱処理ユニットが搭載されたスペース分だけ現像処理ユニットに割けるスペースが減ってしまっていた。そして、現像処理ユニットの搭載個数が制限されることによって、スループットの向上が妨げられてしまっていた。
【００１１】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フットプリントを増加させることなくスループットを向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、未処理の基板を外部から受け入れるとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサブロックと、表面に所定の塗布膜が形成された基板を前記露光装置に搬出するとともに、露光後の基板を前記露光装置から受け入れるインターフェースブロックと、前記インデクサブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置され、基板に対して所定の処理を行う処理部および当該処理部に基板を搬送する搬送手段を備える複数の処理ブロックと、を備え、前記複数の処理ブロックのうちの１つである第１処理ブロックが、基板に対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、基板に対して密着強化剤を供給して密着強化処理を行う密着強化処理部と、前記現像処理部に対する基板の搬出入を行うとともに、前記密着強化処理部に対する基板の搬出入を行う第１搬送手段と、を備え、前記第１処理ブロックとは別の第２処理ブロックが、基板に対して反射防止膜の塗布液を塗布する反射防止膜用塗布処理部と、前記反射防止膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う反射防止膜用熱処理部と、基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入するとともに前記反射防止膜用塗布処理部から前記反射防止膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記反射防止膜用熱処理部に搬入する第２搬送手段と、を備える。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１処理ブロックが、前記インデクサブロックに隣接する位置に配置され、前記第１搬送手段が、前記インデクサブロックから受け取った未処理の基板を前記密着強化処理部に搬入するとともに前記密着強化処理部から密着強化処理後の基板を搬出して前記第１処理ブロックに隣接して配置されている処理ブロックに渡し、前記第１処理ブロックに隣接して配置されている処理ブロックを介して受け取った露光後の基板を前記現像処理部に搬入するとともに前記現像処理部から現像処理後の基板を搬出して前記インデクサブロックに渡す。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記第２処理ブロックが、前記第１処理ブロックに隣接して配置され、前記第２搬送手段が、前記第１処理ブロックから受け取った基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入する。
請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ブロックのうち、前記第１処理ブロックとは別の処理ブロックが、露光処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う露光後ベーク用熱処理部、を備え、前記露光後ベーク用熱処理部を備える処理ブロックが、前記インターフェースブロックに隣接して配置されている。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ブロックのうち、前記第２処理ブロックに隣接して配置された第３処理ブロックが、基板に対してレジスト膜の塗布液を塗布するレジスト膜用塗布処理部と、前記レジスト膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジスト膜用熱処理部と、前記第２処理ブロックから受け取った基板を前記レジスト膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジスト膜用塗布処理部から前記レジスト膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジスト膜用熱処理部に搬入する第３搬送手段と、を備える。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ブロックのうち、前記第３処理ブロックに隣接して配置された第４処理ブロックが、基板に対してレジストカバー膜の塗布液を塗布するレジストカバー膜用塗布処理部と、前記レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジストカバー膜用熱処理部と、前記第３処理ブロックから受け取った基板を前記レジストカバー膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジストカバー膜用塗布処理部から前記レジストカバー膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジストカバー膜用熱処理部に搬入する第４搬送手段と、を備える。
【００２３】
請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、互いに隣接する処理ブロックの間で基板の受け渡しを行うための基板受渡部、を備え、前記基板受渡部が、受け渡される基板を載置するプレートと、前記プレートを温調する温度調整手段と、を備える。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１〜７に記載の発明によると、インデクサブロックとインターフェースブロックとの間に配置された複数の処理ブロックのうちの１つである第１処理ブロックが現像処理部と密着強化処理部とを備える。したがって、他の処理ブロックに密着強化処理部を設ける必要がなくなり、他の処理ブロックに設ける処理ユニットの個数をその分だけ増加させることができる。これによって、フットプリントを増加させることなく、スループットを効果的に向上させることができる。
【００２５】
特に、請求項４に記載の発明によると、露光後ベーク用熱処理部と現像処理部とを別の処理ブロックに配置するので、現像処理を行う処理ユニットの個数を増加させることができる。これによって、フットプリントを増加させることなく、スループットを効果的に向上させることができる。
【００２６】
特に、請求項７に記載の発明によると、基板の受け渡しを行うための基板受渡部において基板に対する熱処理を行うことができるので、スペース効率と搬送効率をともに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、この発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。
【００２８】
〈１．基板処理装置の全体構成〉
基板処理装置の全体構成について図１〜図４を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１の全体構成を示す平面図である。図２は、基板処理装置１を＋Ｘ側から見た側面図である。図３は、基板処理装置１を−Ｙ側から見た側面図である。図４は、基板処理装置１の基板載置部の周辺構成を示す図である。
【００２９】
図１を参照する。この基板処理装置１は、液浸露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１は、主として、インデクサブロック１０、現像処理ブロック２０、反射防止膜用処理ブロック３０、レジスト膜用処理ブロック４０、レジストカバー膜用処理ブロック５０、およびインターフェースブロック６０をこの順に並設した構成となっている。
【００３０】
インターフェースブロック６０の＋Ｘ側には、この基板処理装置１とは別体の露光装置７０が接続される。露光装置７０は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。
【００３１】
基板処理装置１は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）１００を備えている。制御部１００は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて露光装置７０とも接続されている。
【００３２】
インデクサブロック１０には、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置するキャリア載置台１１と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。
【００３３】
現像処理ブロック２０には、密着強化処理部２１（図３参照）と、現像処理部２２ａ，２２ｂと、第１のセンターロボット（センターロボットＣＲ２）とが設けられている。現像処理部２２ａ，２２ｂは、センターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。また、後述するように、現像処理部２２ａと密着強化処理部２１とは上下に積層配置されている（図３参照）。センターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ２１，ＣＲＨ２２を上下に有している。
【００３４】
インデクサブロック１０と現像処理ブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁８１が設けられている。隔壁８１の一部分には、図４に示すように、インデクサブロック１０と現像処理ブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部が上下に近接して設けられている。上から４段の基板載置部（冷却機能付基板載置部）ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４は、基板Ｗをインデクサブロック１０から現像処理ブロック２０へ搬送する際に使用され、最下段の基板載置部ＰＡＳＳ１５は、基板Ｗを現像処理ブロック２０からインデクサブロック１０へ搬送する際に使用される。
【００３５】
冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４のそれぞれは、基板Ｗを受け渡しする機能部としてだけでなく、基板Ｗを冷却する冷却ユニットとしても機能する。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１は、平板のプレート１０１を備える。プレート１０１には、プレート表面に出没する複数本（この実施の形態においては、３本）の支持ピン１０２が設けられている。基板Ｗの受け渡しが行われる際は、支持ピン１０２がプレート１０１上に突出して基板Ｗの裏面を支持する。一方、基板Ｗの冷却処理が行われる際は、支持ピン１０２がプレート１０１内に埋没して基板Ｗをプレート１０１上に載置する。また、プレート１０１の下面には温度調整装置（例えば、吸熱および放熱を行う複数のペルチェ素子）が取り付けられている。プレート１０１は、この温度調整装置によって所定の設定温度に温調される。これによって、プレート１０１上に載置された基板Ｗは、所定の温度にまで降温され、当該所定の温度に維持される。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１２〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４も冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１と同様の構成を備えている。
【００３６】
反射防止膜用処理ブロック３０には、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂと、反射防止膜用塗布処理部３２と、第２のセンターロボット（センターロボットＣＲ３）とが設けられている。反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂと反射防止膜用塗布処理部３２とは、センターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。センターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３１，ＣＲＨ３２を上下に有している。
【００３７】
現像処理ブロック２０と反射防止膜用処理ブロック３０との間には、雰囲気遮断用の隔壁８２が設けられている。隔壁８２の一部分には、図４に示すように、現像処理ブロック２０と反射防止膜用処理ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部が上下に近接して設けられている。上から４段の基板載置部（冷却機能付基板載置部）ＰＡＳＳ−ＣＰ２１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ２４は、基板Ｗを現像処理ブロック２０から反射防止膜用処理ブロック３０へ搬送する際に使用され、最下段の基板載置部ＰＡＳＳ２５は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック３０から現像処理ブロック２０へ搬送する際に使用される。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ２１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ２４のそれぞれは、上述した冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１と同様の構成を備えており、基板Ｗを受け渡しする機能部としてだけでなく、基板Ｗを冷却する冷却ユニットとしても機能する。
【００３８】
レジスト膜用処理ブロック４０には、レジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂと、レジスト膜用塗布処理部４２と、第３のセンターロボット（センターロボットＣＲ４）とが設けられている。レジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂとレジスト膜用塗布処理部４２とは、センターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。センターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ４１，ＣＲＨ４２を上下に有している。
【００３９】
反射防止膜用処理ブロック３０とレジスト膜用処理ブロック４０との間には、雰囲気遮断用の隔壁８３が設けられている。隔壁８３の一部分には、図４に示すように、反射防止膜用処理ブロック３０とレジスト膜用処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部が上下に近接して設けられている。上から４段の基板載置部（冷却機能付基板載置部）ＰＡＳＳ−ＣＰ３１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ３４は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック３０からレジスト膜用処理ブロック４０へ搬送する際に使用され、最下段の基板載置部ＰＡＳＳ３５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック４０から反射防止膜用処理ブロック３０へ搬送する際に使用される。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ３１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ３４のそれぞれは、上述した冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１と同様の構成を備えており、基板Ｗを受け渡しする機能部としてだけでなく、基板Ｗを冷却する冷却ユニットとしても機能する。
【００４０】
レジストカバー膜用処理ブロック５０には、レジストカバー膜用熱処理部５１と、レジストカバー膜用塗布処理部５２と、露光後ベーク用熱処理部５３と、第４のセンターロボット（センターロボットＣＲ５）とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部５１および露光後ベーク用熱処理部５３とレジストカバー膜用塗布処理部５２とは、センターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。センターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５１，ＣＲＨ５２を上下に有している。
【００４１】
レジスト膜用処理ブロック４０とレジストカバー膜用処理ブロック５０との間には、雰囲気遮断用の隔壁８４が設けられている。隔壁８４の一部分には、図４に示すように、レジスト膜用処理ブロック４０とレジストカバー膜用処理ブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部が上下に近接して設けられている。上から４段の基板載置部（冷却機能付基板載置部）ＰＡＳＳ−ＣＰ４１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ４４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック４０からレジストカバー膜用処理ブロック５０へ搬送する際に使用され、最下段の基板載置部ＰＡＳＳ４５は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック５０からレジスト膜用処理ブロック４０へ搬送する際に使用される。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ４１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ４４のそれぞれは、上述した冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１と同様の構成を備えており、基板Ｗを受け渡しする機能部としてだけでなく、基板Ｗを冷却する冷却ユニットとしても機能する。
【００４２】
インターフェースブロック６０には、第５のセンターロボット（センターロボットＣＲ６）と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ６１，ＰＡＳＳ６２および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。センターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ６１，ＣＲＨ６２を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。
【００４３】
図２を参照する。現像処理ブロック２０の現像処理部２２ｂには、所定数個（この実施の形態においては５個）の現像処理ユニットＳＤが積層配置されている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２２１と、スピンチャック２２１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル２２２とを備える。
【００４４】
反射防止膜用処理ブロック３０の反射防止膜用塗布処理部３２には、所定数個（この実施の形態においては４個）の塗布ユニットＢＡＲＣが積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２１と、スピンチャック３２１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（いわゆるＥＢＲ（Edge Bead Remover）ノズル）（図示省略）とを備える。
【００４５】
レジスト膜用処理ブロック４０のレジスト膜用塗布処理部４２には、所定数個（この実施の形態においては４個）の塗布ユニットＲＥＳが積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４２１と、スピンチャック４２１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック５０のレジストカバー膜用塗布処理部５２には、所定数個（この実施の形態においては４個）の塗布ユニットＣＯＶが積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５２１と、スピンチャック５２１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル５２２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４７】
インターフェースブロック６０には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ６１，ＰＡＳＳ６２と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、センターロボットＣＲ６（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１１と、スピンチャック６１１上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器６１２とを備える。
【００４８】
図３を参照する。現像処理ブロック２０には、現像処理部２２ａと密着強化処理部２１とが上下に積層配置されている。現像処理部２２ａには、所定数個（この実施の形態においては３個）の現像処理ユニットＳＤが積層配置されている。密着強化処理部２１には、所定数個（この実施の形態においては４個）の密着強化処理ユニットＡＨＬが配置されている。各密着強化処理ユニットＡＨＬは、レジストカバー膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する。
【００４９】
反射防止膜用処理ブロック３０の備える反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂのそれぞれには、所定数個（この実施の形態においては３個）のホットプレートＨＰと、所定数個（この実施の形態においては３個）の加熱ユニットＰＨＰと、所定数個（この実施の形態においては２個）のコールドプレートＣＰとが積層配置されている。ホットプレートＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理を行う。加熱ユニットＰＨＰは、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する。コールドプレートＣＰは、基板Ｗを載置して冷却処理を行う。
【００５０】
ここで加熱ユニットＰＨＰについてより具体的に説明する。加熱ユニットＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構ＬＲ（図１参照）とを備えた処理ユニットである。ローカル搬送機構ＬＲは、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。
【００５１】
ローカル搬送機構ＬＲは、ホットプレートおよび基板仮置部を挟んでセンターロボットＣＲ３とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部はセンターロボットＣＲ３側およびローカル搬送機構ＬＲ側の双方に対して開口している。一方、ホットプレートはローカル搬送機構ＬＲ側にのみ開口し、センターロボットＣＲ３側には閉塞している。したがって、基板仮置部に対してはセンターロボットＣＲ３およびローカル搬送機構ＬＲの双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構ＬＲのみがアクセス可能である。
【００５２】
このような構成を備える各加熱ユニットＰＨＰに基板Ｗを搬入するときには、まずセンターロボットＣＲ３が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構ＬＲが基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構ＬＲによって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構ＬＲが備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板ＷがセンターロボットＣＲ３によって取り出される。
【００５３】
このように、加熱ユニットＰＨＰにおいては、センターロボットＣＲ３が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、センターロボットＣＲ３の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構ＬＲ側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によってセンターロボットＣＲ３や反射防止膜用塗布処理部３２が悪影響を受けることが防止される。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック４０の備えるレジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂのそれぞれには、所定数個（この実施の形態においては２個）の加熱ユニットＰＨＰと所定数個（この実施の形態においては２個）のコールドプレートＣＰとが積層配置されている。
【００５５】
レジストカバー膜用処理ブロック５０の備えるレジストカバー膜用熱処理部５１には、所定数個（この実施の形態においては４個）の加熱ユニットＰＨＰと所定数個（この実施の形態においては２個）コールドプレートＣＰとが積層配置されている。
【００５６】
レジストカバー膜用処理ブロック５０の備える露光後ベーク用熱処理部５３は、インターフェースブロック６０に隣接する位置に配置され、ここには、所定数個（この実施の形態においては６個）の加熱ユニットＰＨＰと所定数個（この実施の形態においては１個）コールドプレートＣＰとが積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部５３の最上段には、レジストカバー膜用処理ブロック５０とインターフェースブロック６０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５１，ＰＡＳＳ５２が上下近接して組み込まれている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５１は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック５０からインターフェースブロック６０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ５２は、基板Ｗをインターフェースブロック６０からレジストカバー膜用処理ブロック５０へ搬送する際に使用される。なお、基板載置部ＰＡＳＳ５１，ＰＡＳＳ５２は、レジストカバー膜用処理ブロック５０のセンターロボットＣＲ５およびインターフェースブロック６０のセンターロボットＣＲ６の両側に対して開口している。
【００５７】
なお、現像処理ユニットＳＤ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、密着強化処理ユニットＡＨＬ、加熱ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびコールドプレートＣＰの各個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。
【００５８】
〈２．基板処理装置の全体動作〉
続いて、基板処理装置１の全体的な動作の概略について、図５を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置１の動作の流れを示す図である。
【００５９】
図示しない外部搬送装置によって、インデクサブロック１０のキャリア載置台１１上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたキャリアＣが搬入され、キャリア載置台１１上にキャリアＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す（ステップＳ１）。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｙ軸方向に移動しつつθ方向に回転し、未処理の基板Ｗを冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４のいずれかに載置する。なお、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４で、基板Ｗに対する冷却処理が行われてもよい。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１等において冷却処理を行う場合の態様については後に説明する。
【００６０】
現像処理ブロック２０のセンターロボットＣＲ２は、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４のいずれかに載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを密着強化処理部２１の密着強化処理ユニットＡＨＬへ搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬでは、基板Ｗに対する密着強化処理が行われる（ステップＳ２）。より具体的には、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する。これによって、基板表面とそこに形成される塗布膜（例えばレジスト膜、レジストカバー膜等）との密着性が高められる。
【００６１】
センターロボットＣＲ２は、密着強化処理部２１から密着強化処理された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ２１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ２４のいずれかに載置する。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ２１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ２４では、基板Ｗに対する冷却処理が行われる（ステップＳ３）。例えば、基板Ｗが、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ２１のプレート１０１が備える支持ピン１０２に支持されると、支持ピン１０２がプレート１０１の上側に突出した位置から、プレート１０１内に埋没した位置まで下降する。すると、基板Ｗは温度調整装置によって所定温度に温調されたプレート１０１上に載置されることになり、これによって基板Ｗが所定の温度まで冷却される。所定時間が経過すると支持ピン１０２がプレート１０１の上側に突出した位置まで上昇し、基板Ｗは再び支持ピン１０２に支持される。反射防止膜の塗布処理を行う前に基板Ｗを所定の温度まで冷却しておくことによって、反射防止膜の塗布処理における処理の均一性を高めることができる。
【００６２】
反射防止膜用処理ブロック３０のセンターロボットＣＲ３は、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ２１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ２４のいずれかに載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３２の塗布ユニットＢＡＲＣへ搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ４）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６３】
センターロボットＣＲ３は、反射防止膜用塗布処理部３２から反射防止膜が塗布された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに搬入する。反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂでは、基板Ｗに対して所定の熱処理が行われる（ステップＳ５）。より具体的には、センターロボットＣＲ３は、まず基板ＷをホットプレートＨＰ上に載置する。基板Ｗは、ホットプレートＨＰにおいて比較的低温で加熱される。続いて、センターロボットＣＲ３は当該ホットプレートＨＰ上の基板Ｗを取り出して加熱ユニットＰＨＰに搬入する。基板Ｗは、加熱ユニットＰＨＰにおいて上記ホットプレートＨＰよりも高温の所定の温度まで昇温され、熱処理される。
【００６４】
反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂにおける熱処理が終了すると、センターロボットＣＲ３は、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ３１からＰＡＳＳ−ＣＰ３４のいずれかに載置する。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ３１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ３４で、基板Ｗに対する冷却処理が行われてもよい。レジスト膜の塗布処理を行う前に基板Ｗを所定の温度まで冷却しておくことによって、レジスト膜の塗布処理における処理の均一性を高めることができる。
【００６５】
レジスト膜用処理ブロック４０のセンターロボットＣＲ４は、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ３１からＰＡＳＳ−ＣＰ３４のいずれかに載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４２の塗布ユニットＲＥＳへ搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部にレジスト膜が塗布形成される（ステップＳ６）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６６】
センターロボットＣＲ４は、レジスト膜用塗布処理部４２からレジスト膜が塗布された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂに搬入する。レジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂでは、基板Ｗに対して所定の熱処理が行われる（ステップＳ７）。
【００６７】
レジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂにおける熱処理が終了すると、センターロボットＣＲ４は、レジスト膜用熱処理部４１ａ，４１ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ４１からＰＡＳＳ−ＣＰ４４のいずれかに載置する。冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ４１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ４４で、基板Ｗに対する冷却処理が行われてもよい。レジストカバー膜の塗布処理を行う前に基板Ｗを所定の温度まで冷却しておくことによって、レジストカバー膜の塗布処理における処理の均一性を高めることができる。
【００６８】
レジストカバー膜用処理ブロック５０のセンターロボットＣＲ５は、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ４２からＰＡＳＳ−ＣＰ４４のいずれかに載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部５２の塗布ユニットＣＯＶへ搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面のレジスト膜の上部にレジストカバー膜が塗布形成される（ステップＳ８）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６９】
センターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部５２からレジストカバー膜が塗布された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部５１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部５１では、基板Ｗに対して所定の熱処理が行われる（ステップＳ９）。レジストカバー膜用熱処理部５１における熱処理が終了すると、センターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５１に載置する。
【００７０】
インターフェースブロック６０のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ５１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ６１に載置する。なお、インターフェースブロック６０において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【００７１】
インターフェースブロック６０のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ６１に載置された基板Ｗを露光装置７０の基板搬入部（図示省略）に搬入する（ステップＳ１０）。なお、露光装置７０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置７０では、基板Ｗに対して液浸露光処理が行われ、基板Ｗの上面に所定の電子パターンが露光される。
【００７２】
インターフェースブロック６０のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置７０の基板搬出部（図示省略）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６２に載置する（ステップＳ１１）。
【００７３】
インターフェースブロック６０のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ６２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック５０の露光後ベーク用熱処理部５３へ搬送する。露光後ベーク用熱処理部５３では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理が行われる（ステップＳ１２）。
【００７４】
インターフェースブロック６０のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部５３から露光後ベーク処理された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５２に載置する。
【００７５】
レジストカバー膜用処理ブロック５０のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ５２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４５に載置する。
【００７６】
レジスト膜用処理ブロック４０のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ４５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３５に載置する。
【００７７】
反射防止膜用処理ブロック３０のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２５に載置する。
【００７８】
現像処理ブロック２０のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ２５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを現像処理部２２ａ，２２ｂの現像処理ユニットＳＤへ搬入する。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（ステップＳ１３）。基板Ｗの上面に現像液が液盛りされてから所定時間が経過して現像反応が進行すると、続いて、スピンチャック２２１を回転させることによって基板Ｗ表面の現像液を振り切って乾燥する処理が実行される。振り切り乾燥を行う前に、基板Ｗ表面に付着する現像液を純水によって洗い流す処理（リンス処理）を行ってもよい。
【００７９】
センターロボットＣＲ２は、現像処理部２２ａ，２２ｂから現像処理された基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
【００８０】
インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをキャリア載置台１１上のキャリアＣに収納する（ステップＳ１４）。その後、キャリア載置台１１上からキャリアＣが搬出され、基板処理装置１における一連の基板処理が終了する。
【００８１】
〈３．効果〉
従来の基板処理装置においては、反射防止膜を形成する処理ブロック（反射防止膜用処理ブロック３０に相当する処理ブロック）が、外部に対する基板Ｗの搬出入を行う処理ブロック（インデクサブロック１０に相当する処理ブロック）に隣接する位置に配置され、ここに密着強化処理を行う処理部（密着強化処理部２１に相当する処理部）が配置されることが多かった。すなわち、反射防止膜の塗布後の熱処理を行う処理部（反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに相当する処理部）と密着強化処理を行う処理部とが同一の処理ブロックに配置されることが多かった。この構成によると、反射防止膜の塗布後の熱処理を行う処理部に割り当てることのできるスペースが、密着強化処理を行う処理部に割かれるスペース分だけ減ってしまう。
【００８２】
これに対して、上記の実施の形態によると、インデクサブロック１０に隣接する位置には現像処理ブロック２０が配置され、この現像処理ブロック２０に密着強化処理部２１が配置される。すなわち、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂと密着強化処理部２１とが異なる処理ブロックに配置される。この構成によると、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに割り当てられるべきスペースが密着強化処理部２１に侵食されることがないので、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに搭載する熱処理ユニットの個数を多くすることができる。一般に、反射防止膜を塗布形成した後の熱処理は、他の処理に比べて処理に要する時間が長い。つまり、上記の実施の形態によると、反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに搭載する熱処理ユニットの個数を多くすることによって、スループットを効果的に向上させることができる。
【００８３】
また、露光終了からその後の熱処理まではなるべく短時間で行う必要があるため、露光に引き続いて行われる熱処理を行う処理部（露光後ベーク用熱処理部５３に相当する処理部）は、露光装置に最も近い処理ブロック（すなわち、露光装置に隣接する処理ブロック）に搭載しなければならない。従来の基板処理装置においては、この位置に現像処理を行う処理ブロック（現像処理ブロック２０に相当する処理ブロック）が配置されることが多かった。この構成によると、現像処理を行う処理ブロックに、露光に引き続いて行われる熱処理を行う処理部と現像処理を行う処理部との両方を搭載しなければならない。したがって、現像処理を行う処理部に割り当てることのできるスペースが、露光に引き続いて行われる熱処理を行う処理部に割かれるスペース分だけ減ってしまう。
【００８４】
これに対して、上記の実施の形態によると、現像処理ブロック２０は、露光装置７０に隣接する位置ではなく、インデクサブロック１０に隣接する位置に配置される。この構成によると、露光に引き続いて行われる熱処理を行う処理部を現像処理ブロック２０に搭載する必要がなくなるので、現像処理部２２ａ，２２ｂに搭載する現像処理ユニットＳＤの個数を多くすることができる。一般に、現像処理は、他の処理に比べて処理に要する時間が長い。つまり、上記の実施の形態によると、現像処理部２２ａ，２２ｂに搭載する現像処理ユニットＳＤの個数を多くすることによって、スループットを効果的に向上させることができる。
【００８５】
また、上記の実施の形態によると、処理ブロック間での基板の受け渡しを行うための基板載置部において、基板に対する冷却処理を行うことができる（例えば、冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１〜ＰＡＳＳ−ＣＰ１４等）。基板載置部を、基板の受け渡しを行う機能部として機能させるとともに基板の熱処理を行う機能部としても機能させることによって、スペース効率を向上させることができる。また、基板載置部を基板の受け渡しを行う機能部としてのみ機能させる場合であれば、基板載置部と冷却プレートとの２カ所を経由する搬送動作となるところを、上記の実施の形態においては冷却機能付基板載置部の１カ所を経由する搬送動作とすることが可能となるので、搬送効率が向上する。また、搬送効率が向上することによって、搬送に要する時間が短くなり、スループットを向上させることができる。
【００８６】
〈４．変形例〉
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記の実施の形態においては、現像処理ブロック２０に所定数個の密着強化処理ユニットＡＨＬを備える密着強化処理部２１を設ける構成としたが、これに加えて、もしくはこれに変えて、現像処理後の熱処理を行う処理ユニット（例えば、ホットプレートＨＰ、コールドプレートＣＰ等）を設ける構成としてもよい。例えば、上記の実施の形態においては４個設けていた密着強化処理ユニットＡＨＬを２個とし、空いたスペースに例えば３個のホットプレートＨＰもしくは３個のコールドプレートＣＰを設ける構成としてもよい。
【００８７】
また、上記の実施の形態においては、インデクサブロック１０とインターフェースブロック６０との間に配置される複数の処理ブロック（現像処理ブロック２０、反射防止膜用処理ブロック３０、レジスト膜用処理ブロック４０、レジストカバー膜用処理ブロック５０）が水平方向に並置される構成としたが、これら各処理ブロックを垂直方向に積層配置する構成としてもよい。
【００８８】
図６には、この変形例に係る基板処理装置の構成が例示されている。ただし、図６（ａ）はこの変形例に係る基板処理装置１ｃの側断面図であり、図６（ｂ）は、基板処理装置１ｃの備える現像処理ブロック２０ｂｃの平面図である。
【００８９】
図６（ａ）に示すように、基板処理装置１ｃは、上述したインデクサブロック１０、インターフェースブロック６０にそれぞれ相当する処理ブロック１０ｃ，６０ｃの間に、上述した各処理ブロック２０，３０，４０，５０のそれぞれに相当する処理ブロック２０ｃ，３０ｃ，４０ｃ，５０ｃを積層して配置する構成とされる。この場合も、各処理ブロック２０ｃ，３０ｃ，４０ｃ，５０ｃには、各種の処理ユニットと各処理ユニットに対する基板の搬出入を行う搬送装置（センターロボットＣＲ２ｃ、ＣＲ３ｃ等）が設けられる。例えば、図６（ｂ）に示すように、現像処理ブロック２０ｃには、複数の現像処理ユニットＳＤを備える現像処理部２２ｃと、複数の密着強化処理ユニットＡＨＬを備える密着強化処理部２１ｃと、各処理部に対して基板を搬出入するセンターロボットＣＲ２ｃが配置される。
【００９０】
このように、現像処理ブロック２０ｃに密着強化処理部２１ｃを設ける構成とすることによって、反射防止膜用処理ブロック３０ｃに搭載する熱処理ユニットの個数を多くすることができ、スループットを効果的に向上させることができる。
【００９１】
この場合、各処理ブロック間での基板の受け渡しは、例えば、インデクサブロック１０と各処理ブロック２０ｃ，３０ｃ，４０ｃ，５０ｃとの間およびインターフェースブロック６０と各処理ブロック２０ｃ，３０ｃ，４０ｃ，５０ｃとの間にそれぞれ設けられた基板載置部ＰＡＳＳを介して行えばよい。例えば、現像処理ブロック２０ｃから反射防止膜用処理ブロック３０ｃに基板を渡す場合、所定の搬送装置（例えば、インデクサブロック１０ｃに設けられたインデクサロボットＩＲｃ、インターフェースブロック６０ｃに設けられたインターフェース用搬送機構ＩＦＲ、図示省略のエレベータ等）が現像処理ブロック２０ｃと隣接して設けられた基板載置部ＰＡＳＳに載置された基板を受け取って、反射防止膜用処理ブロック３０ｃと隣接して設けられた基板載置部ＰＡＳＳに載置する。反射防止膜用処理ブロック３０ｃに設けられたセンターロボットＣＲ３ｃは、当該載置された基板を受け取って、反射防止膜用塗布処理部（図示省略）に搬入することになる。なお、この基板載置部ＰＡＳＳに、上記に説明した通り、載置された基板を冷却する機能をもたせてもよい。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳを、基板の受け渡しを行う機能部として機能させるとともに基板の熱処理を行う機能部としても機能させてもよい。
【００９２】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１が６個の処理ブロックを備える構成としたが、処理ブロックの個数はこれに限られない。例えば、レジストカバー膜用処理ブロック５０を設けない構成としてもよい。また例えば、洗浄処理を行う処理ブロック等をさらに追加して設ける構成としてもよい。
【００９３】
また、上記の実施の形態においては、隣接する２つの処理ブロックの間に５個の基板載置部を積層配置する構成としているが、基板載置部の個数はこれに限らない。また、冷却機能付基板載置部の配置位置および個数も上記のものに限らない。例えば、インデクサブロック１０と現像処理ブロック２０との間の隔壁８１に、冷却機能をもたない２個の基板載置部を積層配置して、上側の基板載置部をインデクサブロック１０から現像処理ブロック２０に搬送される基板Ｗを載置するために用い、下側の基板載置部を現像処理ブロック２０からインデクサブロック１０に搬送される基板Ｗを載置するために用いる構成としてもよい。
【００９４】
また、上記の実施の形態においては、基板載置部を、基板の受け渡しを行う機能部として機能させるとともに基板の熱処理を行う機能部としても機能させていた（冷却機能付基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ１１等）が、一部の基板載置部（より具体的には、インデクサブロック１０と現像処理ブロック２０との間の隔壁８１に設けられる基板載置部、もしくは現像処理ブロック２０と反射防止膜用処理ブロック３０との間の隔壁８２に設けられる基板載置部）を、基板の受け渡しを行う機能部として機能するとともに、基板の密着強化処理を行う機能部としても機能する密着強化処理機能付基板載置部として構成としてもよい。
【００９５】
例えば、インデクサブロック１０と現像処理ブロック２０との間の隔壁８１に、所定数個（例えば３個）の密着強化処理機能付基板載置部と、所定数個（例えば３個）の冷却機能付基板載置部と、所定数個（例えば１個）の通常の基板載置部と、を積層配置する構成としてもよい。この場合、インデクサロボットＩＲは、キャリアＣから取り出した未処理基板Ｗを被搬送基板を密着強化処理機能付基板載置部に載置する。そして、ここで基板に対する密着強化処理が行われることになる。そして、現像処理ブロック２０のセンターロボットＣＲ２は、密着強化処理機能付基板載置部にて密着強化処理された基板を取り出して、反射防止膜用処理ブロック３０に渡す。
【００９６】
このように、現像処理ブロック２０の備えるセンターロボットＣＲ２がアクセス可能な各種の位置に密着強化処理ユニットを設ける構成とすることができる。これによって、他の処理ブロック（すなわち、他の処理ブロックの備えるセンターロボットがアクセス可能な位置）に密着強化処理ユニットを設けなくともよくなるので、他の処理ブロックに搭載する処理ユニット（例えば、反射防止膜用処理ブロック３０の反射防止膜用熱処理部３１ａ，３１ｂに搭載する熱処理ユニット）の個数を多くすることが可能となり、スループットを効果的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】基板処理装置の平面図である。
【図２】基板処理装置を＋Ｘ側から見た側面図である。
【図３】基板処理装置を−Ｘ側から見た側面図である。
【図４】基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。
【図５】基板処理装置の全体的な動作の流れを示すフローチャートである。
【図６】変形例に係る基板処理装置の側断面図および現像処理ブロックの平面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１  基板処理装置
１０  インデクサブロック
２０  現像処理ブロック
２１  密着強化処理部
２２ａ，２２ｂ  現像処理部
３０  反射防止膜用処理ブロック
３１ａ，３１ｂ  反射防止膜用熱処理部
３２  反射防止膜用塗布処理部
４０  レジスト膜用処理ブロック
５０  レジストカバー膜用処理ブロック
６０  インターフェースブロック
１００  制御部
ＳＤ  現像処理ユニット
ＡＨＬ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ  基板載置部
ＰＡＳＳ−ＣＰ  冷却機能付基板載置部
ＰＨＰ  加熱ユニット
ＨＰ  ホットプレート
ＣＰ  コールドプレート
Ｗ  基板
【図１】
0005378686.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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