(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フランジ部と、前記フランジ部に一体にフランジ部から起立して形成されたキャップ部とからなるステム本体と、
前記ステム本体に取り付けられたリードとを備え、
前記フランジ部とキャップ部とは、金属板をプレス加工して一体に形成され、
前記キャップ部は、背面を構成する素子搭載壁部と、側壁と、光半導体素子からの放射光を通過させる貫通孔が形成された天板部とから、前面が開放された形態に構成され、
前記リードは、前記素子搭載壁部の内面に一端側が接合され、他端が前記キャップ部の開口する底部から延出して取り付けられていることを特徴とする光半導体素子用パッケージ。
【請求項２】
前記フランジ部は、円形フランジの一部を切除した形態に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子用パッケージ。
【請求項３】
前記フランジ部は、円形フランジを２本の平行な直線によって切除し、両短辺が前記円形フランジの外形線上に位置する、平面形状が長方形状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の光半導体素子用パッケージ。
【請求項４】
前記フランジ部は、前記キャップ部の前面側が切除して形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項５】
前記フランジ部の短辺上に、位置決めピンが係合して前記フランジ部を位置決めする切欠が設けられていることを特徴とする請求項３記載の光半導体素子用パッケージ。
【請求項６】
前記キャップ部は、平面形状が長方形に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の光半導体素子用パッケージ。
【請求項７】
前記キャップ部は、平面形状が長方形状に形成された前記フランジ部の長手方向を長手とする、平面形状が長方形に形成されていることを特徴とする請求項３記載の光半導体素子用パッケージ。
【請求項８】
フランジ部と、前記フランジ部に一体にフランジ部から起立して形成されたキャップ部とからなるステム本体と、
前記ステム本体に取り付けられたリードとを備え、
前記フランジ部とキャップ部とは、金属板をプレス加工して一体に形成され、
前記キャップ部は、背面を構成する素子搭載壁部と、側壁と、光半導体素子からの放射光を通過させる貫通孔が形成された天板部とから、前面が開放された形態に構成され、
前記リードは、樹脂成形部と前記リードとが一体に樹脂成形された樹脂成形リードとして形成され、
前記樹脂成形リードの上半部には、前記キャップ部の底部に開口する開口部から前記キャップ部に嵌入される嵌入部と、前記嵌入部を前記キャップ部に嵌入し、前記フランジ部との連結部分である前記キャップの底部の開口部の内縁に係止した状態で、前記樹脂成形リードを抜け止めする係止突部が設けられ、
前記樹脂成形リードの下半部には、前記フランジ部から下方に延出する接続部が設けられ、
前記嵌入部および前記接続部のそれぞれでは、前記リードの一端および他端が前記樹脂成形部から露出し、
前記嵌入部には光半導体素子を前記素子搭載壁部に接合するための開口が設けられ、
前記嵌入部を前記キャップ部に嵌入して前記樹脂成形リードが前記ステム本体に取り付けられていることを特徴とする光半導体素子用パッケージ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項記載の光半導体素子用パッケージに光半導体素子が搭載された光半導体装置であって、
前記光半導体素子は、前記キャップ部の前記素子搭載壁部に接合して取り付けられ、
前記光半導体素子と前記リードとがワイヤボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子等の光半導体素子を搭載する光半導体素子用パッケージおよびこの光半導体素子用パッケージを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置あるいは光通信装置においては、レーザ光源として、信号用のリードピンと接地用のリードピンが取り付けられたステムに半導体レーザ素子を搭載し、光透過窓を備えたキャップをステムに封着して形成した光半導体装置が使用されてきた。ステムにキャップを封着しているのは、半導体レーザ素子を保護して安定した発光ができるようにしたものである。
しかしながら、近年は、外的な環境によって大きく影響されることなく安定して発光する半導体レーザ素子が提供されるようになってきたことから、安定発光が可能な半導体レーザ素子を搭載する光半導体装置においては、キャップ封止を省略して、ステムに半導体レーザ素子を搭載した状態で製品として提供されるようになってきている。
【特許文献１】特開２００７−１０９７１５号公報
【特許文献２】特開２００７−２２０８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ステムに半導体レーザ素子を搭載し、キャップ封止を省略した形態の光半導体装置は、部品点数を少なくすることができ、製品がコンパクトに形成され、製造コストを低減できるという利点を有している。
ところで、光半導体装置に従来使用されているステムは、半導体レーザ素子からの放熱を考慮して、銅等の金属材をプレス加工して半導体レーザ素子を搭載する部位をブロック状の放熱部に形成し、あるいは比較的肉厚の金属材を使用してステムの放熱性を向上させるようにしている。
しかしながら、金属材をプレス加工して放熱用のブロック部を形成したり、肉厚の金属材を使用してステムを形成したりすることは、プレス加工性が悪いという問題と、コスト的に不利であるという問題があった。
【０００４】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、光半導体素子を搭載するステムを容易に加工することができ、量産性に優れ、製造コストをさらに低減することができる光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る一光半導体素子用パッケージは、フランジ部と、前記フランジ部に一体にフランジ部から起立して形成されたキャップ部とからなるステム本体と、前記ステム本体に取り付けられたリードとを備え、前記フランジ部とキャップ部とは、金属板をプレス加工して一体に形成され、前記キャップ部は、背面を構成する素子搭載壁部と、側壁と、光半導体素子からの放射光を通過させる貫通孔が形成された天板部とから、前面が開放された形態に構成され、前記リードは、前記素子搭載壁部の内面に一端側が接合され、他端が前記キャップ部の開口する底部から延出して取り付けられていることを特徴とする。リードはステム本体とは別体に形成されてステム本体に取り付けられる。
【０００６】
また、前記フランジ部は、円形フランジの一部を切除した形態に形成されていること、また、前記フランジ部は、円形フランジを２本の平行な直線によって切除し、両短辺が前記円形フランジの外形線上に位置する、平面形状が長方形状に形成されていることにより、小型化が可能となり、円形フランジを備えた従来の光半導体素子用パッケージと同様の方法によって電子機器に装着することができる。
また、前記フランジ部は、前記キャップ部の前面側が切除して形成されていることにより、素子搭載壁部にリードを取り付ける操作および光半導体素子とリードとをワイヤボンディングによって接続する操作を簡単に行うことができる。
また、前記フランジ部の短辺上に、位置決めピンが係合してフランジ部を位置決めする切欠が設けられていることにより、電子機器に光半導体装置を搭載する際に、容易に位置決めして搭載することができる。
【０００７】
また、前記キャップ部が、平面形状が長方形に形成されていること、前記キャップ部が、平面形状が長方形状に形成されたフランジ部の長手方向を長手とする、平面形状が長方形に形成されていることによって、光半導体素子用パッケージの小型化を図ることができる。
【０００８】
前記リードは、前記素子搭載壁部の内面に一端側が接合され、他端が前記キャップ部の開口する底部から延出して取り付けられた構成とすることによって、光半導体素子用パッケージの組み立てを容易にすることができる。
また、本発明に係る他の光半導体素子用パッケージは、フランジ部と、前記フランジ部に一体にフランジ部から起立して形成されたキャップ部とからなるステム本体と、前記ステム本体に取り付けられたリードとを備え、前記フランジ部とキャップ部とは、金属板をプレス加工して一体に形成され、前記キャップ部は、背面を構成する素子搭載壁部と、側壁と、光半導体素子からの放射光を通過させる貫通孔が形成された天板部とから、前面が開放された形態に構成され、前記リードは、樹脂成形部と前記リードとが一体に樹脂成形された樹脂成形リードとして形成され、前記樹脂成形リードの上半部には、前記キャップ部の底部に開口する開口部から前記キャップ部に嵌入される嵌入部と、前記嵌入部を前記キャップ部に嵌入し、前記フランジ部との連結部分である前記キャップの底部の開口部の内縁に係止した状態で、前記樹脂成形リードを抜け止めする係止突部が設けられ、前記樹脂成形リードの下半部には、前記フランジ部から下方に延出する接続部が設けられ、前記嵌入部および前記接続部のそれぞれでは、前記リードの一端および他端が前記樹脂成形部から露出し、前記嵌入部には光半導体素子を前記素子搭載壁部に接合するための開口が設けられ、前記嵌入部を前記キャップ部に嵌入して前記樹脂成形リードが前記ステム本体に取り付けられていることを特徴とする。これによって、光半導体素子用パッケージの組み立てが容易で、かつリードの取り付け位置を精度よく設定することができる。
【０００９】
また、前記光半導体素子用パッケージの素子搭載壁部に光半導体素子を接合して取り付け、該光半導体素子と前記リードとをワイヤボンディングによって電気的に接続することにより、容易に光半導体装置として提供することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置によれば、フランジ部とキャップ部とを金属板をプレス加工して一体形成することによって、ステム本体を容易に製造することができ、光半導体素子用パッケージの製造コストを低減させることができる。また、キャップ部の前面を開放し、キャップ部の裏面に素子搭載壁部を形成したことによって、半導体レーザ素子等の光半導体素子の搭載を容易にし、またリードを素子搭載壁部に接合する等の組み立てを容易にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明に係る光半導体素子用パッケージの第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。
この光半導体素子用パッケージ１０は、光半導体装置を電子機器等に取り付ける際に用いられるフランジ部１２と、フランジ部１２から起立して設けられたキャップ部１４とからなるステム本体と、キャップ部１４の素子搭載壁部１４ａの内面に取り付けられた３本のリード１５、１６、１７とからなる。
【００１２】
図２に、光半導体素子用パッケージ１０の平面図と断面図（Ａ−Ａ線断面図）を示す。なお、図２では、リード１５、１６、１７を省略したステム本体の構成を示す。
フランジ部１２は、平面形状が全体として長方形状に形成され、フランジ部１２の短辺１２ａの外側面は、従来の円形のフランジ部を備えるステムにおけるフランジ部の外径と同一径の円弧面に形成される。すなわち、フランジ部１２の外形は、従来の円形フランジを備えたステムの円形フランジを２本の平行な直線によって切除した形態に形成され、短辺１２ａは円形フランジの外形線上に位置している。
短辺１２ａの中途位置には、光半導体装置を取り付ける際に光半導体装置を位置決めするための切欠１２ｂが設けられている。
【００１３】
光半導体装置を取り付ける電子機器側には、従来構造のステムにおいても、ステムのフランジ部を取り付ける位置があらかじめ設定され、フランジ部に設けられた切欠に係合して位置決めする位置決めピンが設けられている。本実施形態においても、フランジ部１２に形成された切欠１２ｂに位置決めピンが係合することにより、フランジ部１２の取り付け位置が規定され、光半導体装置が周方向（回転方向）に位置決めされる。
光半導体素子用パッケージ１０において、フランジ部１２の短辺１２ａの外側面（外形形状）を、従来のステムのフランジ部の外形形状と一致させるようにしているのは、従来の円形のフランジ部を備えるステムを取り付ける方法を変えることなく、いいかえれば機器側の設定を変えることなく、光半導体装置を取り付けられるようにするためである。
【００１４】
図１に示すように、キャップ部１４は、背面を構成する素子搭載壁部１４ａと、側壁１４ｂ、１４ｂと、天板部１４ｃとから構成され、キャップ部１４の前面は全面が開放されている。天板部１４ｃにはレーザ光を通過させる貫通孔１４ｄが設けられる。
キャップ部１４は、フランジ部１２の長辺と長手方向が平行となる平面形状が長方形状に形成される。貫通孔１４ｄは、天板部１４ｃと長手方向が平行となる長方形に開口する。
【００１５】
光半導体素子用パッケージ１０は、半導体レーザ素子をキャップ部１４の素子搭載壁部１４ａに搭載した状態で、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光が、光半導体素子用パッケージ１０の中心位置から放射されるように設定される。
図２は、キャップ部１４の素子搭載壁部１４ａの内面位置が、光半導体素子用パッケージ１０の中心（切欠１２ｂ、１２ｂを結ぶ線と径線とが交差する位置が光半導体素子用パッケージ１０の中心）から距離Ｄ偏位して配置され、素子搭載壁部１４ａに半導体レーザ素子を搭載した際に、光半導体素子用パッケージ１０の中心からレーザ光が放射されるように構成されていることを示す。
本実施形態では、素子搭載壁部１４ａが光半導体素子用パッケージ１０の中心から０．３ｍｍ偏位するように設定している。
【００１６】
図１に示すように、キャップ部１４とフランジ部１２との連結部分であるキャップ部１４の底部はキャップ部１４の平面形状と同形の矩形状に開口する開口部１２ｃとなる。キャップ部１４は、開口部１２ｃの縁部から素子搭載壁部１４ａおよび側壁１４ｂが、フランジ部１２と一体に起立した形態に形成される。
【００１７】
リード１５、１６、１７は、素子搭載壁部１４ａの内面に接合して取り付けられている。リード１５、１６は信号用のリードであり、リード１７は接地用のリードである。リード１５、１６、１７は電気的絶縁性を有する接着フィルム１８を介して素子搭載壁部１４ａに接合される。接着フィルム１８はリード１５、１６、１７を素子搭載壁部１４ａに電気的に絶縁して接合するために用いている。接着フィルム１８のかわりに、電気的絶縁性を有する樹脂接着剤等を用いてリード１５、１６、１７を接合することもできる。
【００１８】
リード１５、１６、１７は、上端（一端）が素子搭載壁部１４ａの高さ方向の中途位置に位置し、下端（他端）がフランジ部１２から延出するように素子搭載壁部１４ａに接合して取り付ける。
本実施形態においては、リード１５、１６、１７を素子搭載壁部１４ａの内面に接着して取り付けから、従来のリードをステムの貫通孔に挿通してガラス封止する方法と比較して、はるかに容易にリードを取り付けることができる。
【００１９】
本実施形態の光半導体素子用パッケージ１０は、金属の薄板をプレス加工して形成される。すなわち、金属の薄板をしぼり加工することによって、金属の薄板から立ち上げるようにしてキャップ部１４を形成する。金属の平板からキャップ部１４を立ち上げて形成する方法は、従来の光半導体装置に用いられているキャップを加工する方法と基本的に変わらない。薄い金属板をプレス加工することにより、加工が容易で量産性に優れ、材料コストを抑えることが可能となる。とくに、フランジ部１２を長方形状としたことで、円形フランジとした場合と比較して材料を節約することが可能となる。
【００２０】
光半導体素子用パッケージ１０を形成する金属板としては、鉄−ニッケル合金、鉄、鉄−コバルト合金、銅等の適宜金属材を使用することができる。鉄−ニッケル合金は加工性の点、比較的硬度が高く、所要の成形精度が得られるという利点がある。
本実施形態では、キャップ部１４を素子搭載壁部１４ａと側壁１４ｂと天板部１４ｃの三方から囲む形態としたことによって、キャップ部１４の保形性を確保することができ、キャップ部１４の成形精度を向上させることが可能となっている。
【００２１】
また、本実施形態の光半導体素子用パッケージ１０はフランジ部１２が平面形状で長方形に形成され、キャップ部１４も平面形状で長方形に形成されていることで、光半導体素子用パッケージ１０の小型化を効果的に図ることが可能となる。
また、キャップ部１４の前面は開放されているが、素子搭載壁部１４ａの内面に光半導体素子を搭載することにより、天板部１４ｃ、側壁１４ｂ、素子搭載壁部１４ａによって光半導体素子が包囲されることによって光半導体素子が保護される。
【００２２】
図３は、上述した光半導体素子用パッケージ１０に光半導体素子として半導体レーザ素子２０を搭載して形成した光半導体装置２２の構成を示す斜視図である。
半導体レーザ素子２０は、非導電性あるいは導電性接着剤を用いて素子搭載壁部１４ａの内面に接合して取り付ける。
半導体レーザ素子２０を素子搭載壁部１４ａに接合した後、半導体レーザ素子２０と信号用のリード１５、１６とをワイヤボンディングし、素子搭載壁部１４ａと接地用のリード１７とをワイヤボンディングすることによって光半導体装置２２が形成される。光半導体素子用パッケージ１０は、キャップ部１４の前面が大きく開放しているから、半導体レーザ素子２０とリード１５、１６とをワイヤボンディングし、素子搭載壁部１４ａとリード１７とをワイヤボンディングする操作が妨げられることはない。
【００２３】
この光半導体装置２２では、信号用のリード１５、１６を介して半導体レーザ素子２０が駆動され、レーザ光がキャップ部１４の貫通孔１４ｄから放射される。前述したように、素子搭載壁部１４ａおよび貫通孔１４ｄは、半導体レーザ素子２０から放射されるレーザ光が天板部１４ｃによって遮られないように位置設定されており、光半導体素子用パッケージ１０の中心位置からレーザ光が放射される。
また、光半導体装置２２における半導体レーザ素子２０の放熱性については、素子搭載壁部１４ａが比較的広い面積に形成されていることによって一定程度確保することができる。
光半導体装置２２を電子機器に装着する際は、フランジ部１２に設けられた切欠１２ｂに位置決めピンを係合させることによって光半導体装置２２を位置決めして取り付けることができる。
【００２４】
なお、光半導体装置を構成する場合、レーザ素子とリード１５、１６、１７とはワイヤボンディングによって接続するから、リード１５、１６、１７のボンディング部には金めっき等の保護めっきを施す必要がある。また、製品によってはステム本体にワイヤボンディングすることがあり、この場合はステム本体のワイヤボンディング部にも金めっき等の保護めっきを施す必要があり、このような場合に従来はリードを含めてステム本体の全体に金めっき等の保護めっきを施していた。
【００２５】
本実施形態のように、リード１５、１６、１７をステム本体とは別体とした場合は、ステム本体にワイヤボンディングする必要がない場合には、リード１５、１６、１７のみに金めっき等の保護めっきを施せばよい。リード１５、１６、１７はリードフレームの製造工程を利用して簡単に製造することができ、その際にリードに金めっき等の保護めっきを施せばよいから、本発明方法の構成は製造コスト上からも有利である。
また、光半導体装置は素子搭載壁部１４ａに半導体レーザ素子２０を接合し、リード１５、１６、１７をキャップ部１４の所定位置に電気的に絶縁して接着して取り付ければよいから光半導体装置２２を組み立てる作業も容易である。
【００２６】
（第２の実施の形態）
図４は、光半導体素子用パッケージの第２の実施の形態の構成と、この光半導体素子用パッケージに半導体レーザ素子２０を搭載した光半導体装置２４の斜視図を示す。
本実施形態の光半導体装置２４において特徴的な構成は、光半導体素子用パッケージのステム本体を構成するフランジ部１２とキャップ１４との構成において、フランジ部１２から起立させて形成したキャップ部１４の前面側に位置するフランジ部分を削除した形態としたことにある。すなわち、キャップ部１４の前面側に位置するフランジ部１２を除去することにより、フランジ部１２を含めてキャップ部１４の前面を完全に開放した形態としたものである。
【００２７】
実施形態の光半導体装置２４では、キャップ部１４の側壁１４ｂ前縁間を結ぶ直線位置に合わせて、フランジ部１２のキャップ部１４の前部を除去した形態としている。
フランジ部１２の短辺１２ａを円形フランジの外形線と同一線上（同一曲率）に位置させた形態とすること、短辺１２ａ上に切欠１２ｂを設ける構成は第１の実施の形態の光半導体装置２２と同様である。
なお、キャップ部１４の前面側のフランジ部１２を部分的に除去する場合に、キャップ部１４の前縁位置に合わせてフランジ部１２を直線的に切除した形態としなければならないものではなく、キャップ部１４の前面を開放する形態であればフランジ部１２を除去する形態としては種々の方法をとり得る。
【００２８】
本実施形態のように、キャップ部１４の前面側のフランジ部を除去することによって、光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置をさらに小型化（前後方向が幅狭となる）することができる。
また、キャップ部１４の前面がフランジ部１２を含めて開放されることにより、素子搭載壁部１４ａのリード１５、１６、１７を接合する操作が容易になり、半導体レーザ素子２０とリード１５、１６とをワイヤボンディングし、素子搭載壁部１４ａとリード１７とをワイヤボンディングする操作が、さらに容易になるという利点がある。
【００２９】
（第３の実施の形態）
図５は、光半導体素子用パッケージの第３の実施の形態の構成を示す斜視図である。本実施形態の光半導体素子用パッケージ１１のフランジ部１２とキャップ部１４とからなるステム本体の構成は、図１に示すステム本体と同一である。図１に示した光半導体素子用パッケージ１０と相違する構成は、ステム本体にリード１５、１６、１７を取り付ける構造である。
すなわち、本実施形態においては、樹脂基体部２６と一体にリード１５、１６、１７を樹脂成形して形成した樹脂成形リード３０をキャップ部１４に嵌入するようにして取り付けることにより光半導体素子用パッケージ１１を構成する。
【００３０】
図６（ａ）に光半導体素子用パッケージ１１の正面図、図６（ｂ）に図６（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
樹脂成形リード３０の上半部には、キャップ部１４の底部に開口する開口部１２ｃからキャップ部１４に嵌入される嵌入部２６ａと、嵌入部２６ａをキャップ部１４に嵌入した状態で樹脂成形リード３０を抜け止めする係止突部２６ｂが設けられ、下半部には、フランジ１２の長手方向と面方向を平行とした配置に、フランジ部１２から下方に延出する接続部２６ｃが設けられている。
【００３１】
嵌入部２６ａの中央部には光半導体素子を素子搭載壁部１４ａに接合するための開口２６ｄが設けられる。嵌入部２６ａのキャップ部１４の前面側の表面には、開口２６ｄを左右方向に挟む配置にリード１５、１７が配され、リード１５、１７に挟まれた中央位置で、開口２６ｄの下方にリード１６が配される。リード１５、１６、１７は、いずれも表面を樹脂基体部２６の表面から露出させるようにして樹脂成形されている。
樹脂成形リード３０をステム本体から抜け止めさせるための係止突部２６ｂは、図６（ｂ）に示すように、前面部が、上方が幅狭となるテーパ面に形成され、ステム本体に嵌入させた状態で係止突部２６ｂの下端縁が開口孔１２ｃの内縁に係止して抜け止めされる。
【００３２】
接続部２６ｃは、リード１５、１６、１７の端部が露出するように、下端部で薄厚に樹脂成形されている。この接続部２６ｃは電子機器のコンタクト端子に接触し、光半導体装置と電子機器とが電気的に接続される。
本実施形態の光半導体素子用パッケージ１１では、ステム本体に樹脂成形リード３０を装着した後、キャップ部１４の素子搭載壁部１４ａにレーザ素子（光半導体素子）を搭載し、レーザ素子とリード１５、１６、１７とをワイヤボンディングすることによって光半導体装置として提供される。
【００３３】
本実施形態の光半導体素子用パッケージは、ステム本体に樹脂成形リード３０を嵌入させるようにして組み立てるから、作業性を向上させることができるとともに、樹脂成形リード３０を嵌入した位置でリード１５、１６、１７の配置位置が位置決めされるからステム本体にリードを位置合わせして取り付ける操作が簡単に行える。
また、樹脂成形リード３０はステム本体とは別に用意するから、リード１５、１６、１７のワイヤボンディング部や外部に露出するコンタクト部に金めっき等の所要の保護めっきを施すことが容易に可能になる。ワイヤボンディング部や外部に露出する部分のみに金めっき等の保護めっきを施すから、ステム本体の全体にめっきを施すといった無駄を省くことができるという利点もある。
【００３４】
なお、上記各実施形態の光半導体素子用パッケージは、円形フランジを平行な直線によって切除した形態の平面形状が長方形状のフランジ部１２を備えるが、フランジ部１２の形態は必ずしも長方形状でなければならないものではなく、円形フランジの一部分を直線的あるいは曲線的に切除した形態のフランジ部とすることも可能である。フランジ部の円弧状部分をある程度広くとった場合には、光半導体装置を機器に安定させて装着することが可能となる。
【００３５】
また、上記実施形態では、キャップ部１４の平面形状を長方形として、光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置の小型化を図っているが、キャップ部１４の平面形状は長方形状に限定されるものではない。たとえば、キャップ部１４の平面形状を、長六角形状等の多角形状とすることもでき、素子搭載部を平坦面として側壁１４ｂあるいは素子搭載壁部１４ａを曲面状とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】光半導体素子用パッケージの第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図２】光半導体素子用パッケージの第１の実施の形態の構成を示す平面図（ａ）、正面図（ｂ）である。
【図３】第１の実施の形態の光半導体素子用パッケージに半導体レーザ素子を搭載した光半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図４】光半導体素子用パッケージの第２の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図５】光半導体素子用パッケージの第３の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図６】光半導体素子用パッケージの第３の実施の形態の構成を示す正面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【符号の説明】
【００３７】
１０、１１  光半導体素子用パッケージ
１２  フランジ部
１２ａ  短辺
１２ｂ  切欠
１２ｃ  開口部
１４  キャップ部
１４ａ  素子搭載壁部
１４ｂ  側壁
１４ｃ  天板部
１４ｄ  貫通孔
１５、１６、１７  リード
１８  接着フィルム
２０  半導体レーザ素子
２２、２４  光半導体装置
２６  樹脂基体部
２６ａ  嵌入部
２６ｂ  係止突部
２６ｃ  接続部
２６ｄ  開口
３０  樹脂成形リード
【図１】
0005121421.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0005121421.tif 000005
【図５】
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【図６】
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