(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、
前記上部基板及び前記下部基板の間に形成された液晶層と、
前記下部基板上の画素領域に互いに平行に形成された共通電極及び画素電極と、
前記上部基板及び前記下部基板の間に位置するポリマー壁を含み、前記液晶層の初期配向と液晶ディレクタが前記ポリマー壁によって配向膜なしで制御され、
前記下部基板上に交差配置されて前記画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、
前記ゲートライン及び前記データラインの交差部位に形成された薄膜トランジスタと、をさらに含み、
前記ポリマー壁は前記ゲートラインについて形成されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層の誘電異方性は正の値を持つことを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶層を成す液晶分子の長軸方向は前記上部基板及び前記下部基板の面に水平に配向されることを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
隣接する二つのポリマー壁の間の距離は、２５０μｍ以上３５０μｍ以下の請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通電極及び前記画素電極は、少なくとも一度折られて形成された請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、
前記上部基板及び前記下部基板の間に形成された液晶層と、
前記下部基板上に交差配置されて画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部位に形成された薄膜トランジスタと前記画素領域上に互いに平行に形成された共通電極及び画素電極と、
前記上部基板及び前記下部基板の間に位置して、前記ゲートラインに付いて形成された第１ポリマー壁と、
前記上部基板及び前記下部基板の間に位置して、前記画素領域上に前記ゲートラインと平行になるように形成された第２ポリマー壁と、
を含み、前記液晶層の初期配向と液晶ディレクタが前記第１及び第２ポリマー壁によって配向膜なしで制御される、液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層の誘電異方性は正の値を持つことを特徴とする、請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１ポリマー壁の誘電率と前記第２ポリマー壁の誘電率は互いに異なる値であって、
前記液晶層の長軸方向誘電率は前記第１ポリマー壁の誘電率と前記第２ポリマー壁の誘電率の間の値を持つことを特徴とする、請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記共通電極及び前記画素電極は、少なくとも一度折られて形成された請求項６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置に関し、さらに詳くは液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は透明絶縁基板の上、下部基板の間に異方性誘電率を持つ液晶層を形成した後、液晶層に形成される電界の強さを調整して液晶物質の分子配列を変更させて、これを通じて表示面である上部基板に透過される光の量を調節することで所望の画像を表現する表示装置である。液晶表示装置では薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）をスイッチング素子で利用する薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）が主に使われている。
【０００３】
このような液晶表示装置は液晶の電気光学的特性を利用することで、電気光学的特性は液晶自体の異方性と液晶の分子配列状態によって決まる。したがって、液晶の分子配列を制御して上部基板及び下部基板上に配向膜を形成して液晶物質をより効果的に配向させる工程は画質と係わって非常に重要な要素になる。
【０００４】
液晶を配向する方法ではラビング（Ｒｕｂｂｉｎｇ）法が主に使われている。
【０００５】
従来のラビング配向は基板上にポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）係物質からなる配向膜を形成して、ラビングロールを利用して配向膜に直接圧力をかける方法である。 
【０００６】
最近には、液晶表示装置が大型化、フレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）化されることでラビング法の限界、すなわち、ラビング時多くの工程変数の微細調節が難しく、精電気が発生するなどの問題点が提示されている。
【０００７】
また、ラビング法の代案で物理的な接触がない光配向やイオンビーム（Ｉｏｎ ｂｅａｍ）配向などが研究されている。
【０００８】
しかし、光配向やイオンビーム配向などの非接触式配向方法は製造工程が難しいことから生産性が低下し、完全な配向材が開発されないこともあり、より効率的な配向工程のための装置と最適化された配向材の開発が要求されている。
【０００９】
上述した方法以外に、配向膜がない状態で剪断力（Ｓｈｅａｒ Ｆｏｒｃｅ）を利用する配向法、磁場、電場を利用する配向法などが知られている。
【００１０】
このような配向法は外力や外部の電場、磁場によって液晶が相互作用しながら１次的に初期配向を形成する。この時、配向膜が使われないので、液晶が基板の界面に直接接触して、配向規制力（Ａｎｃｈｏｒｉｎｇ Ｆｏｒｃｅ）がないので非常に弱く作用する。
【００１１】
このような場合、初期配向が優秀でも、液晶がスイチングされた以後、初期配向に復帰させる配向規制力が作用することがないので、配向回復性が悪くなるようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、配向膜形成工程を略して台当り生産時間（Ｔａｃｔ Ｔｉｍｅ）を減らし、ポリマー壁を利用して液晶層の安定的な配向を誘導することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置はお互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板、前記上部基板及び前記下部基板の間に形成された液晶層、前記下部基板上の画素領域にお互いに平行に形成された共通電極及び画素電極、前記上部基板及び前記下部基板の間に位置するポリマー壁（ｐｏｌｙｍｅｒ ｗａｌｌｓ）を含む。
【００１４】
本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置はお互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、前記上部基板及び前記下部基板の間に形成された液晶層と、前記下部基板上に交差配置されて画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部位に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域上にお互いに平行に形成された共通電極及び画素電極と、前記上部基板及び前記下部基板の間に位置して、前記ゲートラインに付いて形成された第１ポリマー壁と、前記上部基板及び前記下部基板の間に位置して、前記画素領域上に前記ゲートラインと平行になるように形成された第２ポリマー壁を含む。
【００１５】
本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は上部基板及び下部基板を提供する段階と、前記下部基板上にお互いに交差配置されて画素領域を定義するゲートライン及びデータライン、交差部位の薄膜トランジスタ、前記画素領域上にお互いに平行に配置される共通電極及び画素電極を形成する段階と、前記上部基板及び前記下部基板を合着して、前記上部基板及び前記下部基板の間に液晶層を形成する段階と、前記上部基板及び前記下部基板の間に位置するポリマー壁（ｐｏｌｙｍｅｒ ｗａｌｌｓ）を形成する段階を含む。
【００１６】
本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は上部基板及び下部基板を提供する段階と、前記下部基板上にお互いに交差配置されて画素領域を定義するゲートライン及びデータライン、交差部位の薄膜トランジスタ、前記画素領域上にお互いに平行に配置される共通電極及び画素電極を形成する段階と、前記上部基板及び前記下部基板を合着して、前記上部基板及び前記下部基板の間に液晶層を形成する段階と、前記上部基板及び前記下部基板の間に前記ゲートラインに付いて配置される第１ポリマー壁（ｐｏｌｙｍｅｒ ｗａｌｌｓ）、前記画素領域上に前記ゲートラインと平行になるように配置される第２ポリマー壁を形成する段階を含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は液晶層の安定的な配向を実現して、配向膜形成による消耗費用及び生産時間の増加、収率低下などの問題点を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態に係る液晶表示装置及びその製造方法に対して添付された図面を参照して詳しく説明する。
【００１９】
図１Ａ乃至図１Ｃは本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置を説明するための図である。
【００２０】
本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置はASM（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードであり得る。
【００２１】
このようなモードの液晶表示装置はお互いに対向する上部基板２００と下部基板１００、液晶３０１が分布される液晶層３００を持つ。液晶層３００はポリマー壁（ｐｏｌｙｍｅｒ ｗａｌｌｓ）３０３によって複数の液晶領域に分割される。
【００２２】
上部基板２００上には透明な共通電極２０１が形成されて、下部基板１００上には透明な画素電極１０３が形成される。
【００２３】
各液晶領域内の液晶３０１は上部基板２００及び下部基板１００の面に対して垂直である軸を中心に対称配向される。そうするので、何れの方向から観察してもコントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）の変化が少なく、視野角特性が良くなる。
【００２４】
このような液晶表示装置はラビングなど液晶の配向のための配向工程が必要ではなくて、液晶３０１とモノマー（ｍｏｎｏｍｅｒ）３０２を混合して満たした後（図１Ａ）、フォトマスク（Ｍａｓｋ）を利用してマトリックス形態のパターンで紫外線を照射すれば（図１Ｂ）、液晶３０１とポリマーが相分離（ｐｈａｓｅ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）になりながらポリマー壁３０３を形成するようになる(図１Ｃ)。
【００２５】
液晶３０１は長軸方向が基板面に水平に配向されるホモジーニアス（Ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）配列を持つ。また、ｄ／ｐ（ｄ：セルの厚さ、ｐ：セル内に注入された液晶のピッチ）の割合が約１／４になるように液晶分子たちが混合していて、液晶５０が一方向に横になった状態で３６０゜縒れた配列を成すようになる。
【００２６】
図２は図１Ｃのポリマー壁と液晶の配向形態を例示した図である。
【００２７】
液晶３０１はポリマー壁３０３の誘電率（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ）によってポリマー壁３０３に付いて配向される。ポリマー壁３０３はマトリックスパターンを成すように形成されるので、液晶３０１はポリマー壁３０３の輪郭に付いてベンド（Ｂｅｎｄ）型に配列される。すなわち、電圧を印加しなかった時には、液晶３０１がポリマー壁３０３に付いて配向される。
【００２８】
液晶表示装置は液晶の性質と電極パターンの構造によって多様なモードを持つ。したがって、図１Ａ乃至図１Ｃの液晶表示装置のように配向膜が不必要な構造を適切に変形して他のモードで確張することで、配向膜形成によるさまざまな問題点を解決することを期待することができる。
【００２９】
また、図２のような現象を参照すれば、一定なパターンに形成されたポリマー壁３０３は液晶３０１の配向を誘導することができる。
【００３０】
図３は本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の平面図であり、図４は図３のＩ−Ｉ'、II−II'ラインを示す断面図である。
【００３１】
図３及び図４を参照すれば、本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置はお互いに対向するように合着された上部基板２００及び下部基板１００、その間に形成された液晶層３００を含む。
【００３２】
上部基板２００と下部基板１００は透明絶縁基板で構成される。
【００３３】
下部基板１００上にはお互いに交差するように形成されて画素領域を定義するゲートライン１１０及びデータライン１２０、ゲートライン１１０とデータライン１２０の交差部位に位置する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素領域上にお互いに平行に配置される共通電極１３１及び画素電極１４１などが形成される。
【００３４】
より具体的に言えば、下部基板１００上から水平方向でゲートライン１１０と共通ライン１３０がお互いに平行を成して、垂直方向にデータライン１２０が交差されるように形成されて共通ライン１３０から分岐された共通電極１３１と平行を成す。
【００３５】
画素電極１４１はインジウム−ティン−オキサイド（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）のように光の透過率が比較的すぐれた透明導電性金属を材料で成して共通電極１３１とお互いに行き違うように配置される。そして、コンタクトホール１２４を通じて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレーン電極１２２に電気的に接触される。複数の共通電極１３１は共通ライン１３０を通じてお互いに繋がれて、複数の画素電極１４１は引き出しライン１４０を通じてお互いに繋がれる。
【００３６】
ここで、共通電極１３１と画素電極１４１が一回以上折られた構造に形成されて液晶分子が２方向に配向されれば視野角がさらに広くなる。
【００３７】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はゲートライン１１０で延長されたゲート電極１１１、ドーピングされない非晶質シリコーン物質からなるゲート電極１１１上部の半導体層１２３、半導体層１２３の両側にお互いに対向するように形成されたソース電極１２１とドレイン電極１２２を持つ。
【００３８】
図示しなかったが、ソース電極１２１及びドレイン電極１２２と半導体層１２３の間の界面にはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンの物質からなるオーミックコンタクト層（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）が形成される。
【００３９】
ソース電極１２１はデータライン１２０からゲート電極１１１の上部に延長されるように構成して、ドレイン電極１２２はソース電極１２１と一定な間隔を置いて位置してコンタクトホール１２４を通じて画素電極１４１と接触されるように構成する。
【００４０】
また、下部基板１００上にはゲートライン１１０及びゲート電極１１１を覆うゲート絶縁膜１０１と、その上部の保護膜１０２などが形成される。
【００４１】
上部基板２００には一定なパターンに形成されて光漏れを遮断するブラックマトリックス２１０、ブラックマトリックス２１０とオーバーラップされる赤色、緑色、青色のカラーフィルタ２２０などが形成される。
【００４２】
上部基板２００と下部基板１００の間には液晶層３００とゲートライン１１０に付いて配置されるポリマー壁３１０が形成される。
【００４３】
液晶層３００の誘電異方性（Δε）は正（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）の値を持って、このような液晶層３００は液晶分子の長軸方向が上部基板２００及び下部基板１００の基板面に水平に配向されるホモジーニアス配列を成す。
【００４４】
液晶分子が共通電極１３１及び画素電極１４１の間に形成される水平電界に平行な方向に配列されれば、視野角特性が向上することができる。
【００４５】
ここで、ゲートライン１１０に付いて形成されるポリマー壁３１０は液晶層３００のバルク層（Ｂｕｌｋ Ｌａｙｅｒ）を強い配向規制力で引いて液晶層３００の配向を誘導する。したがって、ポリマー壁３１０によって、配向膜なしで液晶ディレクタ（Ｄｉｒｅｃｔｏｒ）と初期配向を制御することができる。
【００４６】
このように、本発明の一つの実施形態によれば、液晶の配向のための配向膜が除去されて、ポリマー壁３１０によって配向を制御する液晶表示装置が提供される。
【００４７】
隣接するポリマー壁３１０間の距離が２５０μｍ以上３５０μｍ以下の小さな範囲に設計されれば、配向がさらに安定化されて配向規制力が確保される。
【００４８】
また、ゲートライン１１０は画素領域ではなく開口率に影響を及ぼさない非画素領域に形成されるので、ポリマー壁３１０がゲートライン１１０に付いて形成されれば表示特性の低下が最小化されることができる。
【００４９】
ポリマー壁３１０は液晶層３００の配向を誘導して配向規制力を向上させて、ポストスペ−サ（Ｐｏｓｔ Ｓｐａｃｅｒ）で使われて上部基板２００と下部基板１００の間のセルギャップ（Ｃｅｌｌ ｇａｐ）を維持する。
【００５０】
ここで、一定な幅と距離を持つポリマー壁３１０を形成した後、ポリマー壁３１０の間の距離や幅を変数にして液晶層３００を成す液晶分子の電気光学的特性の変化を観察することで、長軸の配向方向や液晶ディレクタ（Ｄｉｒｅｃｔｏｒ）の実質的な制御を実現することができる。
【００５１】
さらに具体的に注意深く見れば次のようである。
【００５２】
ポリマー壁３１０の間の薄い液晶層３００では、電圧を印加しなかった時に液晶分子がポリマー壁３１０に付いて配向する傾向がある。したがって、一定パターンのポリマー壁３１０が形成されて、ホモジーニアス配列を持つ液晶物質が使われれば、液晶分子の長軸方向がポリマー壁３１０に付いて多くの方向に配置されながら視野角特性が改善する。
【００５３】
したがって、ホモジーニアス配列を持つ液晶物質はヘテロジーニアス（ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ）配列を持つ液晶物質に比べて向上した電気光学的性質を持つことができる。
【００５４】
液晶の配向は適切なモノマー（ｍｏｎｏｍｅｒ）物質や基本液晶に混合した反応性液晶モノマーを使って制御することができる。
【００５５】
共通電極１３１及び画素電極１４１が下部基板１００上に形成されるＩＰＳ（Ｉｎｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置の場合、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードや液晶の初期配向を垂直方向にするＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどと異なり、傾斜角度（ｔｉｌｔ ａｎｇｌｅ）を制御する必要なく、方位角配向（ａｚｉｍｕｔｈａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）のみを制御すれば良い。
【００５６】
したがって、ホモジーニアス配列を持つ液晶の使用時、ポリマー壁３１０の間の距離を適切に調節する過程を通じて、より効果的な電気光学的特性が具現される。
【００５７】
図５Ａ乃至図５Ｄは本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図面として、図３及び図４の液晶表示装置の製造方法を示している。
【００５８】
先ず、図５Ａに示したように、上部基板２００と下部基板１００が用意される。上部基板２００上にはブラックマトリックス２１０や赤色、緑色、青色のカラーフィルタ２２０などが形成されている。
【００５９】
次に、図５Ｂに示したように、下部基板１００上にゲートライン１１０とデータライン１２０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、共通電極１３１及び画素電極１４１などが形成される。
【００６０】
この時、図３及び図４に示したように、ゲートライン１１０とデータライン１２０がお互いに交差配置されながら画素領域を定義するように構成する。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はゲートライン１１０とデータライン１２０が交差される部分に形成されて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極１１１がゲートライン１１０に、ソース電極１２１がデータライン１２０に、ドレイン電極１２２が画素電極１４１にそれぞれ接触される。共通電極１３１及び画素電極１４１は画素領域上にお互いに行き違うように配置される。
【００６１】
次に、図５Ｃに示したように、上部基板２００と下部基板１００が合着されて、上部基板２００及び下部基板１００の間には液晶層３００が形成される。
【００６２】
次に、図５Ｄに示したように、上部基板２００と下部基板１００の間にポリマー壁３１０を形成する。
【００６３】
図５Ｃ及び図５Ｄの段階では、液晶とモノマーが混合した液晶層３００が形成される。以後、紫外線が照射されてポリマー壁３１０が形成される。すなわち、モノマーが添加された液晶が上部基板２００及び下部基板１００の間の液晶層３００に注入された後、照射された紫外線によって重合反応が起きる。重合反応は液晶とポリマーの相分離を誘発して液晶層３００内のポリマー壁３１０を形成する。
【００６４】
液晶とポリマーの相分離のために、フォトマスクを使って紫外線に規則的な強弱を付けてセルの中のモノマーを重合させる方式が適用されることができる。結果的には、光が照射された所にポリマー壁３１０が形成されて、光が照射されない所に液晶領域が形成される。
【００６５】
この時、液晶層３００を成す液晶物質の誘電異方性（Δε）が正の値を持って、ポリマー壁３１０の間の距離が２５０μｍ以上３５０μｍ以下になれば、配向安定力を最大化することができる。
【００６６】
図６は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の平面図でり、図７は図６のIII−III'ラインを示す断面図である。
【００６７】
図６及び図７を参照すれば、ゲートライン１１０に付いて形成された第１ポリマー壁３１１、画素領域上にゲートライン１１０と平行になるように形成された第２ポリマー壁３１２が形成される。
【００６８】
ここで、第１ポリマー壁３１１の誘電率（ε１）と第２ポリマー壁３１２の誘電率（ε２）はお互いに異なる値であって、液晶層３００の長軸方向誘電率（ε）が第１ポリマー壁３１１の誘電率（ε１）と第２ポリマー壁３１２の誘電率（ε２）の間の値を持つようにする。
【００６９】
すなわち、第１ポリマー壁３１１と第２ポリマー壁３１２が液晶層３００と異なる誘電率を持つお互いに異なる誘電体に形成される。
【００７０】
例えば、誘電率の大きさがε１＜ε＜ε２になるように設計されれば、液晶に加えられる誘電異方性が大きくなる。このような誘電率差は電場や磁場下と類似の効果を誘導するので、初期配向が安定化されることができる。
【００７１】
誘電異方性は液晶分子の長軸方向誘電率と長軸に垂直である短軸方向誘電率が異なる性質を有する。これにより液晶層３００に加えられる電圧の強さによって液晶の反応が変わるようになって、方向によって光学的異方性が生じながら透過される光の量が調節される。
【００７２】
このように、液晶の誘電異方性を利用して、第１ポリマー壁３１１の誘電率（ε１）と第２ポリマー壁３１２の誘電率（ε２）を異ならせることで配向規制力が大きくなることができる。
【００７３】
図６及び図７の他の構成要素は図３及び図４に示された構成要素と同一で、これに対する詳細な説明は略する。
【００７４】
図８Ａ乃至図８Ｄは本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図面として、図６及び図７の液晶表示装置の製造方法を示している。
【００７５】
先ず、図８Ａに示したように、上部基板２００と下部基板１００が用意される。上部基板２００上にはブラックマトリックス２１０や赤色、緑色、青色のカラーフィルター２２０などが形成されている。
【００７６】
次に、図８Ｂに示したように、下部基板１００上にゲートライン１１０とデータライン１２０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、共通電極１３１及び画素電極１４１などが形成される。
【００７７】
この時、図６及び図７に示したように、ゲートライン１１０とデータライン１２０がお互いに交差配置されながら画素領域を定義する。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はゲートライン１１０とデータライン１２０が交差される部分に形成される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極１１１はゲートライン１１０に、ソース電極１２１がデータライン１２０に、ドレイン電極１２２が画素電極１４１にそれぞれ接触される。共通電極１３１及び画素電極１４１は画素領域上にお互いに行き違うように配置される。
【００７８】
次に、図８Cに示したように、上部基板２００と下部基板１００が合着されて、上部基板２００及び下部基板１００の間に液晶層３００が形成される。
【００７９】
次に、図８Ｄに示されたのように、上部基板２００と下部基板１００の間に第１、第２ポリマー壁（３１１、３１２）が形成される。
【００８０】
図８Ｃ及び図８Ｄの段階では、液晶とモノマーが混合している液晶層３００が形成された後、紫外線が照射されて第１、第２ポリマー壁（３１１、３１２）が形成される。すなわち、モノマーが添加された液晶物質を利用して液晶層３００が形成された後、液晶層３００で紫外線を照射する過程を通じて重合反応が起きる。重合反応は液晶とポリマーの相分離を誘発して、液晶層３００上に第１、第２ポリマー壁（３１１、３１２）を形成する。
【００８１】
液晶とポリマーの相分離のために、フォトマスクを使って紫外線に規則的な強弱を付けてセルの中のモノマーを重合させる方式が適用されることができる。結果的には、光が照射された所に第１、第２ポリマー壁（３１１、３１２）が形成されて、光が照射されない所に液晶領域が形成される。
【００８２】
第１ポリマー壁３１１と第２ポリマー壁３１２の誘電率（ε１、ε２）はお互いに異なる値を持つ。液晶層３００の長軸方向誘電率（ε）が第１ポリマー壁（３１１）の誘電率（ε１）と第２ポリマー壁３１２の誘電率（ε２）の間の値を持って、第１ポリマー壁３１１の間の距離は２５０μｍ以上３５０μｍ以下になれば、配向安定力が最大化することができる。
【００８３】
以上添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者は本発明がその技術的思想や必須な特徴を変更しなくても他の具体的な形態で実施されることができるということを理解することができる。したがって、以上で記述した実施形態は本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されることなので、すべての面で例示的なことで限定的ではないことで理解し、本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１Ａ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置を説明するための図。
【図１Ｂ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置を説明するための図。
【図１Ｃ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置を説明するための図。
【図２】図１Ｃのポリマー壁と液晶の配向形態を例示した図。
【図３】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の平面図。
【図４】図３のＩ−Ｉ'、II−II'ラインを示す断面図。
【図５Ａ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図５Ｂ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図５Ｃ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図５Ｄ】本発明の一つの実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図６】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の平面図。
【図７】図６のIII−III'ラインを示す断面図。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図８Ｃ】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図８Ｄ】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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