(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に配置された液晶と、前記第１の基板の前記液晶側に形成され該液晶に電界を付与するための第１の電極及び第２の電極と、を具備し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電界を形成して前記液晶の配向方向を制御する複数の画素またはサブ画素からなる表示領域を有する液晶装置において、
前記画素または前記サブ画素は、前記第１の基板の外側から前記第２の基板に向けて入射する第１の光を透過する透明電極部によって前記第１の電極が構成される光透過領域と、前記第２の基板の外側から前記第１の基板に向けて入射する第２の光を反射する反射電極部によって前記第１の電極が構成される光反射領域と、によって画素領域が二分割されており、
前記第２の基板の前記表示領域に透光性を有する導電体によって形成され、少なくとも一部の前記画素または前記サブ画素に対応する領域に、前記導電体が形成されない開口部を設けた導電体層、を有し、
前記開口部は、前記画素または前記サブ画素の前記光透過領域の全体に形成され、前記光反射領域には形成されない、
液晶装置。
【請求項２】
前記導電体層は、前記第２の基板の前記液晶とは反対側の面上に配置されている、請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記画素または前記サブ画素ごとに設けられている、請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記開口部は、二以上の前記画素または前記サブ画素に亘って一体に設けられている、請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置と、該液晶装置の制御手段とを搭載する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置及び電子機器に係り、特に、液晶に電界を付与するための第１の電極と第２の電極が液晶の一側に共に配置されてなる液晶装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は、ガラス等よりなる透明な基板間に液晶を配置し、一対の電極によ
り液晶に所定の電界を印加することで光の透過率を制御するように構成された画素若しく
はサブ画素を備えている。この画素若しくはサブ画素は、画像を表示する液晶表示体を構
成する場合、画像の構成単位、或いは、当該構成単位内の複数の制御単位となる。
【０００３】
上記の液晶装置としては、液晶を挟持する一対の基板のうち、一方の基板の内面上に第
１の電極と第２の電極を共に設け、第１の電極と第２の電極の間に横方向若しくは斜め方
向の電界を形成して液晶の配向方向を制御するように構成された横方向電界制御型とでも
言うべき液晶装置、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）型、或いは、ＦＦＳ（Fringe
Field Switching）型の液晶装置が知られている。
【０００４】
このような横方向電界制御型の液晶装置では、広い視野角を有するという利点を備える
反面、他方の基板の内面上には電極が形成されないので静電気を帯びやすくなり、他方の
基板が帯電すると液晶の配向状態が影響を受け、高画質の表示を実現することができなく
なるという欠点を有する。また、他方の基板に電極が形成されないことで、一度帯電して
しまうと静電気を容易に除去することができなくなる。そこで、他方の基板の帯電を防止
するために、他方の基板の外面上に遮光層を兼ねた金属製の導電体層、ＩＴＯ（インジウ
ムスズ酸化物）等の透明導電膜よりなる導電体層、或いは、導電性粒子を混入させた偏光
板を兼ねた導電体層等を形成している（例えば、以下の特許文献１参照）。これらの導電
体層は所定の定電位、或いは、フローティング電位とされる。
【０００５】
一方、液晶装置としては、バックライト等の照明ユニットを併設して当該照明ユニット
からの照明光により表示を可能とする透過型液晶表示体と、外光を利用した反射光により
表示を可能とする反射型液晶表示体とがあるが、両者の利点を兼ねた構成とするために画
素若しくはサブ画素内に光透過領域と光反射領域とを設けた半透過型の液晶表示体が知ら
れている。このような半透過型の表示構造は上述の横方向電界制御型の液晶装置にも利用
される（例えば、以下の特許文献２、３参照）。
【特許文献１】特開２００１−５１２６３号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４８３７号公報
【特許文献３】特開２００６−２７６１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の特許文献１に記載された導電体層のうち遮光層を利用したもので
は導電体層の形成範囲を遮光範囲と一致させる必要があるために制約が多く、また、偏光
板を利用したものでは導電性粒子の混入量が少ないと効果が薄く混入量を増やすと光学機
能に影響を与えるとともに製造コストが増大するなど、設計上、機能上或いはコスト上の
障害が多く、実際の利用には適しないという問題点がある。
【０００７】
これに対してＩＴＯ等の透明導電体を用いた導電体層を他方の基板上に形成する方法に
は上記のような問題点がないために採用しやすい。たとえば、図１０に示すように、ガラ
ス等よりなる第１の基板１と第２の基板２の間に液晶３を配し、第１の基板１の内面上に
共通電極４と画素電極５を設け、各基板１，２の外面上に偏光板６、７を配置した液晶装
置において、第２の基板２の外面上にＩＴＯ等の透明導電体よりなる導電体層８を全面的
に形成する。ここで、共通電極４は、サブ画素Ｇ内の光透過領域ＧｔにおいてＩＴＯ等の
透明導電体で構成される透過電極部１４ｔとされ、光反射領域Ｇｒにおいてアルミニウム
等の金属で構成される反射電極部１４ｒとされることで、半透過型の液晶表示体が構成さ
れる。
【０００８】
ところが、上記のような構成では、透明導電体よりなる導電体層８は、屈折率がガラス
等よりなる基板２よりも大きいため、照明ユニットから照射された照明光Ｌｓがサブ画素
Ｇの光透過領域Ｇｔを通過したとき、当該照明光Ｌｓが第２の基板２と導電体層８の界面
で反射され、光反射領域Ｇｒの反射層を構成する共通電極４にて再反射して光反射領域Ｇ
ｒから出射することで迷光Ｌｓ′が生ずる。したがって、当該サブ画素Ｇが黒表示状態（
遮光状態）にある場合に迷光Ｌｓ′が入り込んでコントラストを大幅に低下させるという
問題が生ずる。これは、特に反射表示において大きく表示品位を損なう原因となる。また
、上記の透明導電体よりなる導電体層８が存在すると、外光Ｌｏが導電体層８の表面で反
射して表面反射光Ｌｏ′が生じることによって表示コントラストが低下するという問題も
ある。これらの問題は、特に反射表示が本来的に低コントラストであること、並びに、黒
表示では僅かな光漏れでも視認性を大幅に悪化させる原因になることを考慮すると、表示
品位に大きく影響を与える重大な問題点であると言える。
【０００９】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、第１の電極及び第２
の電極を液晶の第１の基板側に有する横方向電界制御型の液晶装置において、液晶の第２
の基板側に透明導電体よりなる導電体層を設けた場合の表示品位の悪化を抑制することの
できる構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
斯かる実情に鑑み、本発明の液晶装置は、第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間に配置された液晶と、第１の基板の液晶側に形成され液晶に電界を付与するための第１の電極及び第２の電極と、を具備し、第１の電極と第２の電極との間に電界を形成して液晶の配向方向を制御する複数の画素またはサブ画素からなる表示領域を有する液晶装置において、画素またはサブ画素は、第１の基板の外側から第２の基板に向けて入射する第１の光を透過する透明電極部によって第１の電極が構成される光透過領域と、第２の基板の外側から第１の基板に向けて入射する第２の光を反射する反射電極部によって第１の電極が構成される光反射領域と、によって画素領域が二分割されており、第２の基板の表示領域に透光性を有する導電体によって形成され、少なくとも一部の画素またはサブ画素に対応する領域に、導電体が形成されない開口部を設けた導電体層、を有し、開口部は、画素またはサブ画素の光透過領域の全体に形成され、光反射領域には形成されない。
【００１１】
この発明によれば、導電体層の開口部が光透過領域に設けられることで、開口部には導電体層が存在しない個所がある。これにより、光透過領域内を進行する透過光の導電体層と第２の基板との界面における反射に起因する迷光が削減されることから、反射表示への影響を低減することができる。これにより、迷光等に起因するコントラストの低下を抑制でき、表示品位を高めることができる。また、導電体層の開口部が光透過領域の全体に形成されることで表示品位をさらに高め、導電体層の開口部が光反射領域に形成されないことで導電体層の導電性を高めて静電気による影響をさらに低減する。
【００１２】
本発明の一の態様においては、導電体層は第２の基板の液晶とは反対側の面上に配置されている。これによれば、導電体層が第２の基板の液晶とは反対側の面（すなわち外面）上に配置されることで透光性を有する導電体層の内面反射光や外面反射光が強くなるため、本発明の上記構成が特に有効なものとなる。
【００１５】
本発明のさらに別の態様においては、開口部は、画素またはサブ画素ごとに設けられている。これによれば、画素若しくはサブ画素ごとに導電体層に開口部が設けられることで、画素若しくはサブ画素間に導電体層が存在することとなるから、表示領域内における導電体層の形成面積を高めることができ、導電体層の導電性を高めて静電気による影響をさらに効果的に防止できる。
【００１６】
本発明の異なる態様においては、開口部は、二以上の画素またはサブ画素に亘って一体に設けられる。これによれば、開口部が二以上の画素若しくはサブ画素に亘って一体に設けられることで、画素若しくはサブ画素ごとに設ける場合にくらべて開口範囲が大きく構成されるため、開口部と画素若しくはサブ画素との間の平面的な位置ずれによる影響を低減でき、本発明の上記効果をより確実に得ることができる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の液晶装置と、該液晶装置の制御手
段とを搭載することを特徴とする。電子機器は特に限定されないが、表示品位を高めるこ
とができる点で表示装置であることが好ましく、半透過型の液晶装置に適用することが好
ましい点で携帯電話、電子時計、携帯型情報端末等の携帯型電子機器であることが好まし
い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本発明に
係る液晶装置の実施形態のサブ画素Ｇの内部構造を示す拡大断面図、図２は同サブ画素Ｇ
の内部構造のうち第１の基板上の一部構造を示す拡大平面図である。
【００２４】
本実施形態の液晶装置はガラス、プラスチック等よりなる透明な第１の基板１１と第２
の基板２１とを図示しないシール材等により貼り合わせ、その間に液晶３０を配置してな
る。第２の基板１１上にはアルミニウム等の金属よりなる走査線３１、容量線３２が形成
され、酸化シリコン等よりなる絶縁膜１２を介して多結晶シリコン等よりなる半導体層３
３、上記と同様の金属よりなる容量電極３４、信号線３６が形成される。さらに層間絶縁
膜１３を介して共通電極１４が形成される。共通電極１４はＩＴＯ等の透明導電体よりな
る透過電極部１４ｔと、アルミニウム、銀等よりなる反射電極部１４ｒとを有し、これら
が一体に構成される。なお、図示例では共通電極１４は複数のサブ画素Ｇ間に跨って一体
に構成されたものとして示されるが、サブ画素Ｇごとに島状に独立して形成され、図示し
ない共通線に導電接続されるように構成してもよい。
【００２５】
なお、上記構造において、走査線３１、半導体層３３、信号線３６、容量電極３４の間
には、半導体層３３と平面的に重なる走査線３１の部分をゲート電極、走査線３１と半導
体層３３との間の絶縁膜１２の一部をゲート絶縁膜とするトランジスタ（図示例では薄膜
トランジスタ）が構成され、サブ画素Ｇごとに設けられる能動素子（後述する画素電極１
６への給電を行うスイッチング素子）として機能する。また、容量線３２と容量電極３４
とは絶縁膜１２を介して対向して蓄積容量を構成する。
【００２６】
上記構造上には層間絶縁膜１５が形成され、その上にアルミニウム等の金属よりなる画
素電極１６が形成される。画素電極１６は光透過領域Ｇｔ及び光反射領域Ｇｒ中を延在す
る複数の延長電極部１６ａで構成され、これらの複数の延長電極部１６ａは相互に間隔を
有して平行に配置される。図示例の場合、画素電極１６の各延長電極部１６ａはそれぞれ
図示上下方向（以下、単にＹ方向という。）に伸び、これらの延長電極部１６ａは相互に
図示左右方向（以下、単にＸ方向という。）に配列される。これらの延長電極部１６ａは
一体に接続されてコンタクトホール３５を通して上記容量電極３４に導電接続される。な
お、共通電極１４にはコンタクトホール３５の形成領域を回避する開口部が形成され、こ
れによって画素電極１６と共通電極１４が短絡しないように構成される。なお、柱状スペ
ーサ３７は第１の基板１１と第２の基板２１の間隔を保持するための内部スペーサである
。
【００２７】
光反射領域Ｇｒにおいて、上記画素電極１６上には誘電体層１７が形成され、この誘電
体層１７によって光反射領域Ｇｒにおける液晶３０への印加電圧を低減し、光透過領域Ｇ
ｔと光反射領域Ｇｒの表示態様の差異を低減している。また、最上層にはポリイミド樹脂
等よりなる配向膜１８が形成され、この配向膜１８によって第１の基板１１の表面と平行
な面内において所定の方位角に液晶３０を配向させている。さらに、第１の基板１１の外
面上には偏光板２８が配置される。
【００２８】
一方、第２の基板２１の内面上には、サブ画素Ｇごとに対応する色度を有する色フィル
タ層が配列されてなるカラーフィルタ２２が形成され、その上に透明保護膜２３が形成さ
れる。また、その上には光反射領域Ｇｒにおいて内部位相差板２４が形成される。この内
部位相差板２４は、光透過領域Ｇｔにおいて液晶３０が透過光Ｌｔ（バックライトの照明
光）に与えるリタデーションと、光反射領域Ｇｒにおいて液晶３０が往復光Ｌｒ（視認側
より入射した外光）に与えるリタデーションとの関係を調整する。また、その上には上記
と同様の配向膜２５が形成される。さらに、第２の基板２１の外面上にはＩＴＯ等の透明
導電体よりなる導電体層２６が形成され、さらにその上に偏光板２９が配置される。なお
、導電体層２６を第２の基板２１の液晶側に設けてもよい。このようにすると、当該基板
の作製工程で導電体層を形成できるため、製造工程の簡略化が可能になる。
【００２９】
本実施形態では、図２に示すように、偏光板２８、２９が相互に直交する偏光透過軸２
８ａと２９ａをそれぞれ有し、これらの偏光透過軸２８ａ，２９ａのうちの一方に対して
略平行となるように液晶３０の分子の初期配向方向（電圧無印加時の配向方向、図２の実
線）が設定される。このとき、透過光Ｌｔや往復光Ｌｒに対しては液晶３０によるリタデ
ーションは生じないので、偏光板２８、２９により遮光され、黒表示（遮光状態）となる
。これに対して、共通電極１４と画素電極１６の間に所定の電位差が与えられ、横電界（
正確には斜め電界）が発生すると、図２に点線で示すように液晶３０の分子軸はＸ方向に
向き、これによって図１に示す透過光Ｌｔ及び往復光Ｌｒにリタデーションが生ずるので
、偏光板２８、２９によって光透過状態である白表示となる。
【００３０】
なお、本実施形態の場合、共通電極１４と画素電極１６とが一部平面的に重なるＦＦＳ
型の画素構造を有するが、上記の原理に関しては共通電極と画素電極が並行して設置され
るＩＰＳ型の画素構造と同様であり、本実施形態の代わりにＩＰＳ型の画素構造を有する
液晶装置を構成することもできる。
【００３１】
図３（ａ）は本実施形態のサブ画素Ｇが配列された表示領域内の一部を示す部分平面図
、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す表示領域内の一部に対応する導電体層２６の一部を示す
平面図である。本実施形態では、表示領域内には複数の上記サブ画素Ｇが縦横にマトリク
ス状に配列される。そして、Ｘ方向にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色フィルタ層（図
示せず）を含むサブ画素Ｇ（Ｒ）、Ｇ（Ｇ）、Ｇ（Ｂ）が順次に配列され、Ｙ方向に同色
の色フィルタ層（図示せず）を含むサブ画素Ｇが配列される。すなわち、図示例ではスト
ライプ型のカラーフィルタパターンとなっている。ただし、カラーフィルタパターンとし
ては、上記ストライプ型に限らず、斜めモザイクパターンやデルタパターンなどの任意の
構成とすることができる。図示例の場合、Ｘ方向に隣接するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青
）の色フィルタ層（図示せず）を含む三つのサブ画素Ｇ（Ｒ）、Ｇ（Ｇ）、Ｇ（Ｂ）が一
つの画素（ピクセル）Ｐを構成し、当該画素Ｐが表示領域内に形成される画像の基本単位
となる所定の色相及び明度を有する表示単位領域を構成する。
【００３２】
本実施形態において、導電体層２６は、図３（ｂ）に示すように上記画素Ｐごとに開口部２６ａを有する。この開口部２６ａは光透過領域Ｇｔに存在するが、光反射領域Ｇｒには形成されない。すなわち、導電体層２６は光反射領域Ｇｒのほぼ全体に亘り形成され、光透過領域Ｇｔのいずれにも形成されていない。なお、この開口部２６ａは上記のように画素Ｐごとに形成されているので、三つのサブ画素Ｇに亘り一体に形成されていることになる。なお、導電体層２６は図示しない導電経路を設けて所定の電位（例えば、接地電位や定電位、特にパネルに供給される電位であることが好ましい。）に導電接続することが好ましいが、フローティング電位とすることでも十分な効果が得られる。
【００３３】
本実施形態では、導電体層２６に開口部２６ａを設け、この開口部２６ａを光透過領域
Ｇｔに配置しているので、図１０に示す迷光Ｌｓ′が発生しなくなるため、表示コントラ
ストの低下を抑制することができる。すなわち、ＩＴＯ等の透明導電体で構成される導電
体層２６はガラス等よりなる第２の基板２１よりも屈折率が高いため、第２の基板２１と
導電体層２６の界面で光が液晶３０側に反射しやすくなるために従来構造では迷光Ｌｓ′
が生じ、特に反射表示では表示の輝度そのものが本来的に小さく、しかも、黒表示では僅
かな迷光でもコントラストに大きく影響するので、迷光Ｌｓ′が生ずるとコントラストの
低下が著しくなる。しかし、本実施形態では開口部２６ａを設けることで迷光Ｌｓ′自体
が生じ無くなるので、上記の理由による表示コントラストの低下を防止できる。特に、反
射表示を利用する際の効果はきわめて大きい。
【００３４】
また、本実施形態では、光反射領域Ｇｒには開口部２６ａが設けられていないため、導
電体層２６の開口面積を抑制して導電体層２６の形成範囲を広くすることができるため、
表示領域内の導電体層２６の導電性を高めることができる。ＩＴＯや酸化スズなどの透明
導電体は一定の導電性を有するもののアルミニウム等の金属に比べると高抵抗となるので
、或る程度の厚み（通常は１００〜２００Å程度）が必要とされるだけでなく、なるべく
広範囲に形成する必要がある。本実施形態では導電体層２６に開口部２６ａを設ける必要
があるので、第２の基板２１の帯電を防止する上で必要な導電体層２６の導電性を確保す
る上では本来的に不利であるが、上記のように開口部２６ａの形成範囲が限定されること
で、必要な導電性を確保することが容易になる。
【００３５】
本実施形態では複数のサブ画素Ｇで構成される画素Ｐごとに開口部２６ａを形成してい
るため、開口部２６ａのアライメント精度を画素Ｐの寸法に応じて確保すればよい。ただ
し、当該アライメント精度に支障がなければ、図３（ｂ）に点線で示すように各サブ画素
Ｇごとにそれぞれ開口部２６ａを形成しても構わない。
【００３６】
なお、上記実施形態とは異なり、開口部２６ａを光透過領域Ｇｔの一部にのみ形成した
り、或いは、開口部２６ａを光反射領域Ｇｒの一部にのみ形成しないようにした場合でも
、それぞれ程度の差はあるおのの上記の効果が得られる。また、一つの開口部を複数の画
素（或いはサブ画素）に亘るように設けてもよく、或いは、開口部を設ける画素（或いは
サブ画素）と設けない画素（或いはサブ画素）とを形成してもよく、さらには、表示領域
内で開口部の密度を変えるようにしても構わない。この点は以下の各例でも同様である。
【００３７】
図４は上記とは異なる導電体層２６′を有する変形例の拡大平面図である。なお、他の
構成は上記実施形態と同様である。図４（ｂ）に示すように、導電体層２６′は上記実施
形態と同様に開口部２６ａ′を画素Ｐごとに有するが、当該開口部２６ａ′は光反射領域
Ｇｒのほぼ全体に亘り設けられ、光透過領域Ｇｔには設けられていない。この場合には、
光反射領域Ｇｒに開口部２６ａ′が設けられることで、図８に示す表面反射光Ｌｏ′によ
る表示の視認性の悪化を防止できる。
【００３８】
なお、この例においても、図４（ｂ）に点線で示すようにサブ画素Ｇごとに開口部２６
ａ′を設けることも可能である。また、開口部２６ａ′を光反射領域Ｇｒの一部にのみ形
成したり、或いは、開口部２６ａ′を光透過領域Ｇｔの一部にのみ設けないようにした場
合でも、それぞれ程度の差はあるものの上記の効果が得られる。
【００３９】
図５はさらに異なる導電体層２６″を有する変形例の拡大平面図である。なお、他の構
成は上記実施形態と同様である。図５（ｂ）に示すように、導電体層２６″は上記実施形
態と同様に開口部２６ａ″を画素Ｐごとに有するが、当該開口部２６ａ″は光透過領域Ｇ
ｔと光反射領域Ｇｒのほぼ全体に設けられる。この場合には、迷光Ｌｓ′及び表面反射光
Ｌｏ′を共に防止し、高い表示品位を得ることができるが、その一方で、表示領域内の導
電体層２６″の導電性が或る程度低下する。
【００４０】
なお、本例においても、図５（ｂ）に点線で示すようにサブ画素Ｇごとに開口部２６ａ
′を設けることも可能である。また、開口部２６ａ″を光透過領域Ｇｔ及び光反射領域Ｇ
ｒのそれぞれ一部にのみ形成するように構成してもよい。この場合でも、程度の差はある
ものの表示品位の向上効果は得られ、しかも、表示領域内の導電体層２６″の導電性の低
下を或る程度抑制できる。
【００４１】
図６は、さらに別の変形例を示す概略平面図である。この例においては、導電体層２７
、２７′を第２の基板２１の外面上に形成するが、この導電体層２７、２７′には、画素
Ｐが配列されてなる表示領域Ｄ内において、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の
画素Ｐの配列方向（図示左右方向）に延長され、一体に形成された開口部２７ａ、２７ａ
′が設けられている。このようにすると、開口部２７ａ、２７ａ′の個々の開口面積が大
きくなるので、サブ画素Ｇや画素Ｐに対する位置ずれによる影響がほとんどなくなり、サ
ブ画素Ｇや画素Ｐに対する導電体層２７、２７′の開口範囲を安定的に最大限確保するこ
とができる。
【００４２】
ここで、図６（ａ）に示す例では、導電体層２７の開口部２７ａを表示領域Ｄの所定の
配列方向に並ぶ全ての画素Ｐに亘り一体に設けている。一方、図６（ｂ）に示す例では、
導電体層２７′の開口部２７ａ′を表示領域Ｄの所定の配列方向に並ぶ複数の画素Ｐに亘
って一体に設けられているが、駆動領域Ｄ内において当該配列方向に複数の開口部２７ａ
′が形成されている。どちらの例でも、程度の差はあるものの、上述の効果を得ることが
できる。
【００４３】
次に、図７を参照して本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態について説明する。
図７（ａ）及び（ｂ）は当該実施形態の導電体層２６の形成方法を示す工程断面図である
。
【００４４】
最初に、図７（ａ）に示すように、第２の基板２１の外面上に蒸着法、スパッタリング
法等によりＩＴＯよりなる導電体層２６を少なくとも表示領域Ｄ内において全面的に形成
する。次に、当該導電体層２６上に、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸
水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）、シュウ酸水溶液等を含むエッチングペースト４１を
印刷等によって開口予定部に選択的に塗布する。塗布方法はスクリーン印刷等の印刷法で
あることが好ましい。そして、当該エッチングペースト４１による導電体層２６のエッチ
ングが完了するまで放置するか、若しくは加熱処理を施し、その後、純水等で洗浄するこ
とで、図７（ｂ）に示すように開口部２６ａが形成される。
【００４５】
図７（ｃ）及び（ｄ）は他の方法を示す工程断面図である。この方法では、まず、図７
（ｃ）に示すように、上記の導電体層２６を形成した後に、導電体層２６上にフォトレジ
ストを塗布し、開口予定部に対応する露光マスクを用いて露光した後、現像することでエ
ッチングマスク４２を形成する。エッチングマスク４２には開口予定部に露出部４２ａが
形成されるので、このエッチングマスク４２を介して導電体層２６を塩化第二鉄／塩酸水
溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）、シュウ酸水溶液等を
用いてエッチングすることで、図７（ｄ）に示すように開口部２６ａを形成することがで
きる。その後、剥離液を用いてエッチングマスク４２を剥離、除去することで、図７（ｂ
）に示す状態とすることができる。
【００４６】
図７（ｅ）はさらに別の方法を示す工程断面図である。この方法では、第２の基板２１
上に導電体層２６を形成した後に、インクジェットヘッド４３から液滴４４を吐出させ、
この液滴４４が第２の基板２１上で固化することで、図７（ａ）と同様のエッチングペー
スト４５を開口予定部に塗布するか、或いは、図７（ｃ）と同様に開口予定部に対応する
露出部４５ａを有するエッチングマスク４５を形成する。これらの各場合のその後の処理
はそれぞれ上記と同様である。
【００４７】
上記の導電体層２６の形成工程及び開口部２６ａの形成工程は、第２の基板２１を第１
の基板１１と貼り合わせる前に行ってもよく、或いは、第２の基板２１を第１の基板１１
に貼り合わせた後、すなわち、上記サブ画素Ｇや画素Ｐを構成するための各基板の内面構
造が形成された後に行ってもよい。
【００４８】
前者の場合、両工程、特に開口部２６ａの形成工程で、図６に示す第２の基板２１に設
けられたアライメントマーク２１ｘ、２１ｙ、或いは、第１の基板１１に設けられたアラ
イメントマーク１１ｘ、１１ｙを基準として位置合わせを行い、上記の処理を行う。ここ
で、アライメントマーク２１ｘ、２１ｙ、或いは、アライメントマーク１１ｘ、１１ｙは
、それぞれサブ画素Ｇ若しくは画素Ｐを構成する第１の基板１１若しくは第２の基板２１
の内面上の構造を形成する場合に用いるアライメントマークである。例えば、上記共通電
極１４、画素電極１６、走査線３１、容量線３２、カラーフィルタ２２、或いは説明を省
略した遮光層などのうち、少なくとも一つを形成する際に用いるアライメントマークが挙
げられる。
【００４９】
後者の場合、両工程、特に開口部２６ａの形成工程は、上記アライメントマークを用い
て行ってもよいが、この外に、既に形成されたサブ画素Ｇ若しくは画素Ｐの構造の一部を
位置基準として実施しても構わない。例えば、上記共通電極１４、画素電極１６、走査線
３１、容量線３２、カラーフィルタ２２、或いは説明を省略した遮光層などのうち、少な
くとも一つの所定部位そのものをアライメントマークとして用いる。
【００５０】
［電子機器］
最後に、上記実施形態の液晶装置１００を搭載した電子機器について説明する。図８は
、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電
話機２００は、複数の操作ボタン、送話口などを備えた操作部２０１と、受話口などを備
えた表示部２０２とを有し、表示部２０２の内部に上記実施形態に示した液晶装置１００
が組み込まれてなる。そして表示部２０２の表面（内面）上において液晶装置１００の表
示領域Ｄを視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機２００の内部
には、上記液晶装置１００を制御する後述する表示制御回路が設けられる。この表示制御
回路は公知のドライバ回路１２０に対して所定の制御信号を送り、液晶装置１００の表示
態様を決定する。
【００５１】
図９は電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示
す概略構成図である。ここに示す電子機器（上記携帯電話機２００）は、表示情報出力源
２９１と、表示情報処理回路２９２と、電源回路２９３と、タイミングジェネレータ２９
４と、照明ユニット１３０への電力供給を行う光源制御回路２９５とを含む表示制御回路
２９０を有する。また、液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶表示体である液晶
パネル１１０と、この液晶パネル１１０を駆動するドライバ回路１２０と、液晶パネル１
１０を照明する照明ユニット１３０とが設けられている。
【００５２】
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memo
ry）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニ
ットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２
９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等
の形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
【００５３】
表示情報処理回路２９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテー
ション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情
報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共にドライバ回路１２０へ供
給する。ドライバ回路１２０は走査線駆動回路及び信号線駆動回路を含む。また、電源回
路２９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００５４】
光源制御回路２９５は、電源回路２９３から供給される電圧に基づいて照明ユニット１
３０の光源に電力を供給し、所定の制御信号に基づいて光源の点灯の有無及びその輝度等
を制御するようになっている。
【００５５】
また、本発明に係る電子機器としては、図８に示す携帯電話機の他に、液晶テレビ、カ
ーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末
機などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る液晶装
置を用いることができる。ただし、本発明は半透過型の液晶装置１００の表示品位を高め
ることができるという特徴を有するため、特に、携帯電話、携帯型情報端末などといった
携帯型表示装置、カーナビゲーションや車載モニタ等の車載用表示装置に用いる場合に有
効である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施形態のサブ画素の構造を示す拡大断面図。
【図２】実施形態のサブ画素の構造を示す拡大平面図。
【図３】実施形態の画素構造（ａ）及び導電体層（ｂ）の平面構成を示す概略平面図。
【図４】別の変形例の画素構造（ａ）及び導電体層（ｂ）の平面構成を示す概略平面図。
【図５】さらに別の変形例の画素構造（ａ）及び導電体層（ｂ）の平面構成を示す概略平面図。
【図６】異なる変形例の導電体層の平面パターンを示す概略平面図（ａ）及び（ｂ）。
【図７】製造方法を示す工程断面図（ａ）乃至（ｅ）。
【図８】電子機器の概略斜視図。
【図９】電子機器の表示制御系の概略構成図。
【図１０】透明導電体よりなる導電体層による光学的影響を示す説明図。
【符号の説明】
【００５７】
１１、２１…基板、１４…共通電極、１４ｔ…透過電極部、１４ｒ…反射電極部、１６…
画素電極、２２…カラーフィルタ、２６…導電体層、２６ａ…開口部、３１…走査線、３
２…容量線、３５…半導体層、３６…信号線、Ｄ…表示領域、Ｇ…サブ画素、Ｇｔ…光透
過領域、Ｇｒ…光反射領域、Ｐ…画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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