(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に配置される複数の画素を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第１電極と、
少なくとも前記第１電極上で平坦に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される第２電極と、を有し、
前記画素が有する前記絶縁膜は、
前記第１方向に隣接する少なくとも２つの画素に跨って形成され、かつ、
前記第２方向に隣接する前記画素が有する前記絶縁膜と分離されており、
前記第２電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されないことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に配置され、第１発光色を発する複数の第１画素と、前記第１発光色の中心波長よりも短い中心波長の第２発光色を発する複数の第２画素と、前記第２発光色の中心波長よりも短い中心波長の第３発光色を発する複数の第３画素と、を備え、
前記第１乃至第３画素のそれぞれは、
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第１電極と、
少なくとも前記第１電極上で平坦に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される第２電極と、を有し、
前記第１画素の発光層は、前記第１および第２電極間に、
前記第1発光色を発する能力を持った第１発光層と、
前記第１発光層上に形成され、前記第２発光色を発する能力を持った第２発光層と、
前記第２発光層上に形成され、前記第３発光色を発する能力を持った第３発光層と、を有し、
前記第２画素の発光層は、前記第１および第２電極間に、
前記第１画素から延在し、発光能力を失った前記第１発光層と、
前記第１画素から延在し、前記発光能力を失った前記第１発光層上に形成される前記第２発光層と、
前記第１画素から延在し、前記第２発光層上に形成される前記第３発光層と、を有し、  前記第３画素の発光層は、前記第１および第２電極間に、
前記第２画素から延在し、発光能力を失った前記第１発光層と、
前記第２画素から延在し、前記発光能力を失った前記第１発光層上に形成される、発光能力を失った前記第２発光層と、
前記第２画素から延在し、前記発光能力を失った前記第２発光層上に形成される前記第３発光層と、を有し、
前記複数の第１乃至第３画素のうち前記第１方向に隣接する少なくとも２つの画素が有する前記絶縁膜は、
当該少なくとも２つの画素に跨って形成され、かつ、
前記第２方向に隣接する前記第１、第２または第３画素が有する前記絶縁膜と分離されており、
前記第２電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されないことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記発光層の一部は、前記絶縁膜に接していることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な有機ＥＬ装置では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子およびその配線上に、樹脂平坦層を全面に形成し、その上に陽極、有機物層および陰極を有する有機ＥＬ素子を形成する。また、有機ＥＬ素子間には、樹脂を材料とする格子状のリブが形成され、有機ＥＬ素子同士を分離している。
【０００３】
有機物層または陰極の形成工程でゴミ等の異物や汚れが発生すると、ピンホールが形成され、水分が浸入してダークスポット不良を引き起こしてしまう。特に、樹脂中では、水分の拡散速度は有機ＥＬ素子中の拡散速度より１０倍程度大きいため、リブから水分が浸入すると、格子状のリブおよび樹脂平坦層を水分が拡散して、ピンホールが発生した領域のみならず、周囲の領域にまでダークスポット不良が拡散してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／２４９９７２号
【特許文献２】米国特許第６８５３１３３号
【特許文献３】国際公開第９７／４３８７４号
【特許文献４】米国特許第６４５９１９９号
【特許文献５】米国特許出願公開第２００５／２８０００８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
不良を抑制可能な有機ＥＬ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態によれば、有機ＥＬ装置は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に配置される複数の画素を備える。前記複数の画素のそれぞれは、絶縁膜と、前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第１電極と、少なくとも前記第１電極上で平坦に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第２電極と、を有する。前記画素が有する前記絶縁膜は、前記第１方向に隣接する少なくとも２つの画素に跨って形成されており、かつ、前記第２方向に隣接する前記画素が有する前記絶縁膜と分離されている。そして、前記第２電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る有機ＥＬ装置ＯＤを含む有機ＥＬ表示システムの概略構成図。
【図２】有機ＥＬ装置ＯＤの一例である有機ＥＬ装置ＯＤ１の平面図。
【図３】図２の第１方向のＡＡ’断面図。
【図４】図２の第２方向のＢＢ’断面図。
【図５】有機物層ＯＲＧｒ，ＯＲＧｇ，ＯＲＧｂの断面図。
【図６】有機ＥＬ装置ＯＤ１の製造工程図。
【図７】有機ＥＬ装置ＯＤの別の一例である有機ＥＬ装置ＯＤ２の平面図。
【図８】図７の第１方向のＣＣ’断面図。
【図９】ダークスポット不良の発生数と経過時間との関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、有機ＥＬ装置の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【０００９】
図１は、一実施形態に係る有機ＥＬ装置ＯＤを含む有機ＥＬ表示システムの概略構成図である。図１の表示システムは、有機ＥＬ装置ＯＤと、走査信号線ドライバＹＤＲと、映像信号線ドライバＸＤＲと、を備えている。これらは第１基板ＳＵＢ上に形成される。また、有機ＥＬ装置ＯＤは、走査線ＳＬ１，ＳＬ２と、映像信号線ＤＬと、画素ＰＸとを備えている。
【００１０】
走査線ＳＬ１，ＳＬ２は第１方向（例えば水平方向）に形成される。走査線信号ドライバＹＤＲは走査線ＳＬ１のうちの１つおよび走査線ＳＬ２のうちの１つを順繰りに選択する。映像信号線ＤＬは、走査線ＳＬ１，ＳＬ２と交差するように、第２方向（例えば垂直方向）に形成される。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号を映像信号線ＤＬに供給する。画素ＰＸは走査線ＳＬ１，ＳＬ２と映像信号線ＤＬとの交点に形成される。走査線信号ドライバＹＤＲにより選択された走査線ＳＬ１，ＳＬ２に接続された画素ＰＸには、映像信号線ドライバＸＤＲからの映像信号が供給される。
【００１１】
画素ＰＸは、１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、ＴＦＴ素子ＳＷａ〜ＳＷｃ，ＤＲと、画素容量Ｃと、を有する。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）または青（Ｂ）に発光し、画素ＰＸはそのいずれかの色に発光する。なお、本明細書では、赤、緑および青に発光する３つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含むものを「画素」と呼ぶわけではなく、そのいずれか１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含むものを「画素」と呼ぶ。
【００１２】
ＴＦＴ素子ＤＲ，ＳＷａおよび有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、正電源端子ＮＤ１と負電源端子ＮＤ２との間に縦続接続される。ＴＦＴ素子ＳＷａのゲートには走査線ＳＬ１が接続される。画素容量Ｃ、ＴＦＴ素子ＳＷｃ，ＳＷｂは、電源端子ＮＤ１’と映像信号線ＤＬとの間に縦続接続される。画素容量ＣとＴＦＴ素子ＳＷｃとの接続ノードは、ＴＦＴ素子ＤＲのゲートに接続される。ＴＦＴ素子ＳＷｃ，ＳＷｂの接続ノードは、ＴＦＴ素子ＤＲ，ＳＷａの接続ノードに接続される。ＴＦＴ素子ＳＷｂ，ＳＷｃのゲートには、走査線ＳＬ２が接続される。
【００１３】
走査線ＳＬ２が選択されてロウに設定されるとＴＦＴ素子ＳＷｂ，ＳＷｃがオンし、映像信号線ＤＬに供給される、映像信号に対応する電荷が画素容量Ｃに蓄積される。また、走査線ＳＬ１が選択されてロウに設定されるとＴＦＴ素子ＳＷａがオンし、ＴＦＴ素子ＤＲは画素容量Ｃに蓄積された電荷に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは駆動電流の大きさに応じた輝度で発光する。
【００１４】
図２は、有機ＥＬ装置ＯＤの一例である有機ＥＬ装置ＯＤ１の平面図である。同図では、赤、緑および青にそれぞれ発光する画素ＰＸを３つずつ描いている。
【００１５】
画素ＰＸ内の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１方向配線ＸＷおよび第２方向配線ＹＷ上に形成される樹脂平坦層（絶縁膜）ＦＬと、反射層（不図示）と、陽極ＡＮＤと、有機物層（不図示）と、陰極ＣＴＤとを有する。
【００１６】
樹脂平坦層ＦＬは、全面に形成されるわけではなく、第１方向にストライプ状に形成される。すなわち、樹脂平坦層ＦＬは第１方向に並ぶ複数の画素ＰＸに跨って共通に形成され、かつ、第２方向に隣接する２つの画素ＰＸ間には樹脂平坦層ＦＬが形成されないギャップＧＰが設けられ、第２方向に分離されている。
【００１７】
陽極ＡＮＤは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極である。陽極ＡＮＤは、コンタクトホールＣＨを介して、第２方向配線ＹＷと接続される。なお、同図の第１方向配線ＸＷおよび第２方向配線ＹＷはそれぞれ、図１のＴＦＴ素子ＳＷａのゲートおよびドレインに対応する。簡略化のために、図１の他の配線やＴＦＴ素子ＳＷａ〜ＳＷｃ，ＤＲは、図２では省略している。
【００１８】
陰極ＣＴＤは、例えばマグネシウムおよび銀の合金等、半透明な電極である。陰極ＣＴＤは、樹脂平坦層ＦＬと同様に、第１方向にストライプ状に形成される。なお、図示していないが、例えば最右端の画素ＰＸの外側で、ストライプ状の各陰極ＣＴＤを接続する配線が第２方向に形成される。
【００１９】
また、陰極ＣＴＤは、樹脂平坦層ＦＬの上方で、その第２方向にはみ出ないように形成される。言い換えると、ギャップＧＰの上方には陰極ＣＴＤは形成されず、第２方向配線ＹＷと陰極ＣＴＤとの間には必ず樹脂平坦層ＦＬが形成される。そのため、仮に有機物層ＯＲＧに欠陥が生じたとしても、第２方向配線ＹＷと陰極ＣＴＤとが短絡することはない。
【００２０】
なお、樹脂平坦層ＦＬは、必ずしも、第１方向に並ぶ全ての画素ＰＸに跨って共通して形成されなくてもよく、少なくとも２つの画素ＰＸに跨って形成されればよい。例えば、赤、緑および青にそれぞれ発光する３つの画素ＰＸに跨って樹脂平坦層ＦＬを形成してもよい。さらに、第２方向に隣接する２列以上の画素ＰＸに跨って形成されるストライプ状であってもよい。すなわち、樹脂平坦層ＦＬは、全面に形成されるのではなく、少なくとも１つの画素ＰＸと、第２方向に隣接する画素ＰＸとの間にギャップＧＰが設けられ、分離されていればよい。
【００２１】
図３は、図２の第１方向のＡＡ’断面図である。第１方向配線ＸＷ上に絶縁層ＩＬが形成され、その上に第２方向配線ＹＷが形成される。第２方向配線ＹＷが形成されていない絶縁層ＩＬ上および第２方向配線ＹＷ上に樹脂平坦層ＦＬが形成される。樹脂平坦層ＦＬ上の一部に反射層ＲＬが形成される。反射層ＲＬは有機物層ＯＲＧ中の発光層（不図示）が下方向に発した光を上方向に反射させて、発光効率を向上させるために設けられる。すなわち、図２および図３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、光が上面から取り出される上面発光型である。
【００２２】
樹脂平坦層ＦＬにはコンタクトホールＣＨが形成される。陽極ＡＮＤは、樹脂平坦層ＦＬ上の反射層ＲＬ上に平坦に形成される第１領域ＡＮＤ１と、コンタクトホールＣＨの側壁および底部を埋めるように形成される第２領域ＡＮＤ２とを有し、第２方向配線ＹＷと電気的に接続される。
【００２３】
さらに、陽極ＡＮＤを覆うように、有機物層ＯＲＧが形成される。有機物層ＯＲＧの一部はコンタクトホールＣＨ中にも形成される。図３の構造では、画素ＰＸ間を分離するためのリブを設けないため、少なくとも陽極ＡＮＤの第１領域ＡＮＤ１上では有機物層ＯＲＧの上面は平坦に形成される。また、有機物層ＯＲＧは、反射層ＲＬおよび陽極ＡＮＤが形成されない部分では、樹脂平坦層ＦＬと接する。樹脂を材料とするリブを設けないため、水分が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上面から侵入するのを抑制できる。
【００２４】
有機物層ＯＲＧは、図示していないが、例えば正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬを有する。陽極ＡＮＤから正孔輸送層ＨＴＬを介して発光層ＥＭＬに注入される正孔と、陰極ＣＴＤから電子輸送層ＥＴＬを介して発光層ＥＭＬに注入される電子とが再結合して、発光層ＥＭＬに含まれる不純物に応じた色で発光する。本明細書では、赤、緑および青に発光する有機物層をそれぞれ有機物層ＯＲＧｒ，ＯＲＧｇ，ＯＲＧｂと表記し、これらのうちの任意の１つを有機物層ＯＲＧと表記している。
【００２５】
図４は、図２の第２方向のＢＢ’断面図である。第２方向配線ＹＷ上に形成される樹脂平坦層ＦＬには、コンタクトホールＣＨの他に、第２方向に隣接する２つの画素ＰＸ間にギャップＧＰが設けられる。ギャップＧＰには有機物層ＯＲＧが埋め込まれる。有機物層ＯＲＧ内での水分の拡散速度は、樹脂平坦層ＦＬ中の拡散速度の１／１０程度である。そのため、ギャップＧＰを設け、有機物層ＯＲＧを埋め込むことにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの表面から侵入した水分が第２方向に拡散するのを抑制できる。結果として、水分が浸入したとしても、ダークスポット不良が第１方向に拡散するのを抑制できる。
【００２６】
図５は、有機物層ＯＲＧｒ，ＯＲＧｇ，ＯＲＧｂの断面図である。本実施形態ではリブを設けない。
【００２７】
同図（ａ）に示すように、有機物層ＯＲＧｒは、正孔輸送層ＨＴＬと、赤色発光層ＥＭＬｒと、緑色発光層ＥＭＬｇと、青色発光層ＥＭＬｂと、電子輸送層ＥＴＬとを有する。同図の構造では、緑色発光層ＥＭＬｇおよび青色発光層ＥＭＬｂは発光せず、赤色発光層ＥＭＬｒが発光することにより、有機物層ＯＲＧｒを有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは赤色に発光する。
【００２８】
同図（ｂ）に示すように、有機物層ＯＲＧｒは、正孔輸送層ＨＴＬと、変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’と、緑色発光層ＥＭＬｇと、青色発光層ＥＭＬｂと、電子輸送層ＥＴＬとを有する。変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’は赤色発光層ＥＭＬｒに紫外線を照射することにより形成される。同図の構造では、変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’および青色発光層ＥＭＬｂは発光せず、緑色発光層ＥＭＬｇが発光することにより、有機物層ＯＲＧｇを有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは緑色に発光する。
【００２９】
同図（ｃ）に示すように、有機物層ＯＲＧｂは、正孔輸送層ＨＴＬと、変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’と、変質した緑色発光層ＥＭＬｇ’と、青色発光層ＥＭＬｂと、電子輸送層ＥＴＬとを有する。変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’および緑色発光層ＥＭＬｇ’は、赤色発光層ＥＭＬｒおよび緑色発光層ＥＭＬｇにそれぞれ紫外線を照射することにより形成される。同図の構造では、変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’および緑色発光層ＥＭＬｇ’は発光せず、青色発光層ＥＭＬｂが発光することにより、有機物層ＯＲＧｂを有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは青色に発光する。
【００３０】
以上、有機ＥＬ装置ＯＤ１の構造について説明した。次に、有機ＥＬ装置ＯＤ１の製造工程について説明する。
【００３１】
図６は、有機ＥＬ装置ＯＤ１の製造工程図である。まず、ガラス等の第１基板ＳＵＢにＴＦＴ素子ＳＷａ〜ＳＷｃ，ＤＲおよび配線を形成する（ステップＳ１）。各ＴＦＴ素子は、例えば低温ポリシリコン技術により形成される。ここで、配線とは、走査線ＳＬ１，ＳＬ２および映像信号線ＤＬの他、画素ＰＸ内でＴＦＴ素子同士やＴＦＴ素子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを接続する第１方向配線ＸＷや第２方向配線ＹＷ等を含む。また、第１方向配線ＸＷと第２方向配線ＹＷとの間には絶縁層ＩＬを形成する。
【００３２】
次に、最上層に形成される配線（本実施形態では第２方向配線ＹＷ）上および、第２方向配線ＹＷ上が形成されていない絶縁層ＩＬ上に樹脂平坦層ＦＬを形成し、その上の一部に反射層ＲＬを形成する（ステップＳ２）。上述のように、樹脂平坦層ＦＬは第１方向にストライプ状に形成される。続いて、反射層ＲＬおよび樹脂平坦層ＦＬを貫通して第２方向配線ＹＷに達するコンタクトホールＣＨを形成する（ステップＳ３）。さらに、反射層ＲＬ上およびコンタクトホールＣＨの側壁および底部を埋めるように、陽極ＡＮＤ（ステップＳ４）を形成する。
【００３３】
続いて、リブを形成することなく、以下のステップＳ５〜Ｓ１１により、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層および電子輸送層ＥＴＬからなる有機物層ＯＲＧを形成する。
【００３４】
まず、抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置を用いて、全面に、正孔輸送層ＨＴＬ（ステップＳ５）および赤色発光層ＥＭＬｒ（ステップＳ６）を順次形成し、第１基板ＳＵＢを有機ＥＬ成膜装置から取り出す。次に、有機物層ＯＲＧｒが形成される領域上にフォトマスクを配置し、有機物層ＯＲＧｇ，ＯＲＧｂが形成される領域の赤色発光層ＥＭＬｒに、主波長が３６５ｎｍの紫外線を照射する（ステップＳ７）。紫外線が照射されると、赤色発光層ＥＭＬｒは変質した赤色発光層ＥＭＬｒ’になり、赤色に発光しなくなる。
【００３５】
続いて、再び有機ＥＬ成膜装置を用いて、全面に、緑色発光層ＥＭＬｇを形成し（ステップＳ８）、第１基板ＳＵＢを有機ＥＬ成膜装置から取り出す。次に、有機物層ＯＲＧｒ，ＯＲＧｇが形成される領域上にフォトマスクを配置し、有機物層ＯＲＧｂが形成される領域の緑色発光層ＥＭＬｇに、主波長が３６５ｎｍの紫外線を照射する（ステップＳ９）。紫外線が照射されると、緑色発光層ＥＭＬｇは変質した緑色発光層ＥＭＬｇ’になり、緑色に発光しなくなる。
【００３６】
さらに、有機ＥＬ成膜装置を用いて、全面に、青色発光層ＥＭＬｂ（ステップＳ１０）および電子輸送層ＥＴＬ（ステップＳ１１）を順次形成する。
【００３７】
以上のようにして、有機物層ＯＲＧが形成される。このように、メタルマスクを用いて各色の発光層ＥＭＬｒ，ＥＭＬｇ，ＥＭＬｂを塗り分けるのではなく、フォトマスクを用いて発光層ＥＭＬｒ，ＥＭＬｇに紫外線を照射してこれらを変質させて有機物層ＯＲＧの発光色を制御する。そのため、リブを設けなくても、隣接する画素ＰＸに発光層が混入することなく高精度に有機物層ＯＲＧを形成できる。
【００３８】
なお、本実施形態では、赤色発光層ＥＭＬｒおよび緑色発光層ＥＭＬｇをそれぞれ変質させる例を示したが、必ずしも変質させなくてもよく、これらが発光する能力を失うようにすればよい。
【００３９】
その後、陰極ＣＴＤを蒸着により形成する（ステップＳ１２）。より具体的には、まず、第１方向にストライプ状の陰極ＣＴＤを形成する。このとき、上述のように、樹脂平坦層ＦＬの上方の一部に陰極ＣＴＤが形成され、樹脂平坦層ＦＬのギャップＧＰ上には陰極ＣＴＤが形成されないよう、位置を調整する。さらに、画素ＰＸの外側に、ストライプ状の各陰極ＣＴＤを接続するよう、第２方向の配線を形成する。
【００４０】
その後、有機ＥＬ装置ＯＤ１が形成された第１基板ＳＵＢと、乾燥剤が貼り付けられた第２基板（不図示）とを接着する（ステップＳ１３）。より具体的には、第１および第２基板の間に紫外線硬化型の接着剤を配置し、加圧しながら接着剤に紫外線を照射することにより、両基板を接着する。乾燥剤は、水分により有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化するのを抑制するために設けられる。なお、紫外線硬化型の接着剤に代えて、熱硬化型の接着剤を用いてもよい。
【００４１】
さらに、有機ＥＬ装置ＯＤ１毎に第１基板および第２基板を割断して、有機ＥＬ装置ＯＤ１が得られる。
【００４２】
次に、図２〜図４の変形例を説明する。
【００４３】
図７は、有機ＥＬ装置ＯＤの別の一例である有機ＥＬ装置ＯＤ２の平面図である。図７では、図２と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
【００４４】
図７の有機ＥＬ装置ＯＤ２は、樹脂平坦層ＦＬの形状が図２の有機ＥＬ装置ＯＤ１と異なり、島状に形成されて画素ＰＸ毎に分離されている。すなわち、第２方向に隣接する２つの画素ＰＸの間にギャップＧＰが設けられ、第１方向に隣接する２つの画素ＰＸの間にギャップＧＰ２が設けられ、第２方向および第１方向の両方向に分離される。
【００４５】
また、第２方向配線ＹＷは、樹脂平坦層ＦＬの下方で、その第１方向にはみ出ないように形成される。言い換えると、ギャップＧＰ２の下方には第２方向配線ＹＷは形成されず、第２方向配線ＹＷと陰極ＣＴＤとの間には必ず樹脂平坦層ＦＬまたは陽極ＡＮＤ２が介在する。そのため、仮に有機物層ＯＲＧに欠陥が生じたとしても、第２方向配線ＹＷと陰極ＣＴＤとが短絡することはない。
【００４６】
図８は、図７の第１方向のＣＣ’断面図である。樹脂平坦層ＦＬには、第１方向に隣接する２つの画素ＰＸ間にギャップＧＰ２が設けられる。ギャップＧＰ２には有機物層ＯＲＧが埋め込まれる。これにより、有機ＥＬ装置ＯＤ２の表面から侵入した水分が第２方向および第１方向に拡散するのを抑制できる。結果として、水分が浸入したとしても、ダークスポット不良が第２方向および第１方向に拡散するのを抑制できる。但し、ギャップＧＰ２を設ける分、図２〜図４の有機ＥＬ装置ＯＤ１に比べて開口面積が小さくなり、発光輝度が低下する。
【００４７】
なお、図７の第２方向の断面図は図４と同様であるため、説明を省略する。
【００４８】
本発明者は、従来の有機ＥＬ装置、図２の有機ＥＬ装置ＯＤ１および図７の有機ＥＬ装置ＯＤ２について、ダークスポット不良の発生数を比較する実験を行った。図９は、ダークスポット不良の発生数と経過時間との関係を示すグラフである。従来の有機ＥＬ装置とは、有機ＥＬ素子間を分離するためのリブを設け、さらに、樹脂平坦層を全面に形成した構成である。これら３つの有機ＥＬ装置を２４台ずつ製造し、高温高湿層（温度８５℃、湿度８５％）中に放置し、所定時間経過後に表示確認を行って、ダークスポット不良数を目視にて確認した。なお、本実施形態の効果を確認するため、第２基板ＳＵＢ２には乾燥剤を設けていない。
【００４９】
図９に示すように、従来の有機ＥＬ装置では２０時間経過後にダークスポット不良が発生し始め、３０時間後に全ての有機ＥＬ装置にダークスポット不良が発生している。
【００５０】
これに対し、有機ＥＬ装置ＯＤ１では、３０時間後にダークスポット不良が発生し始め、５０時間後に全ての有機ＥＬ装置ＯＤ１にダークスポット不良が発生している。有機ＥＬ装置ＯＤ１では、樹脂製のリブが形成されないため、従来の有機ＥＬ装置に比べて水分が侵入しにくい構造である。加えて、樹脂平坦層ＦＬがストライプ状に形成されているため、水分の拡散が抑制される。そのため、従来の有機ＥＬ装置に比べてダークスポット不良が発生しにくい。
【００５１】
また、有機ＥＬ装置ＯＤ２では、４０時間後にダークスポット不良が発生し始め、５０時間後でも７つの有機ＥＬ装置ＯＤ２にダークスポット不良が発生しているのみである。有機ＥＬ装置ＯＤ２では、樹脂平坦層ＦＬが縞状に形成されているため、有機ＥＬ装置ＯＤ１よりもさらに水分の拡散が抑制され、ダークスポット不良の発生を抑制できる。
【００５２】
このように、一実施形態では、画素ＰＸ間を分離するためのリブを設けないため、水分が有機ＥＬ装置ＯＤに浸入しにくくなる。また、樹脂平坦層をストライプ状または島状に形成するため、仮に水分が有機ＥＬ装置に浸入しても水分の拡散を抑制でき、ダークスポット不良が広がるのを抑制できる。また、メタルマスクを用いて発光層を塗り分けるのではなく、フォトマスクを用いて発光層を変質させて発光色を制御する。そのため、リブを設けなくても、高精度に有機物層ＯＲＧを形成できる。さらに、樹脂平坦層ＦＬの上方の一部に陰極を形成するため、樹脂平坦層ＦＬを全面に形成しなくても、陰極と第２方向配線ＹＷが短絡するのを防止できる。
【００５３】
なお、上述した実施形態では、有機ＥＬ装置ＯＤを表示装置に用いる例を示したが、光源装置等他の用途に用いてもよい。
【００５４】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、実施形態の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、実施形態の態様は、上述した個々の実施形態には限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される実施形態の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
ＰＸ  画素
ＦＬ  樹脂平坦層
ＡＮＤ  陽極
ＥＭＬｒ，ＥＭＬｇ，ＥＭＬｂ  発光層
ＣＴＤ  陰極
ＯＤ，ＯＤ１，ＯＤ２  有機ＥＬ装置
【図１】
0005242647.tif 000002
【図２】
0005242647.tif 000003
【図３】
0005242647.tif 000004
【図４】
0005242647.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005242647.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
0005242647.tif 000010