(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽内に入れられたケイ素溶湯を大気に対して負圧の雰囲気中に保持し、この状態でケイ素溶湯を攪拌しつつ、ケイ素溶湯中に水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスを吹込み、ケイ素溶湯中のホウ素、炭素、酸素および非金属介在物を除去することを特徴とするケイ素の精製方法。
【請求項２】
ローレンツ力によりケイ素溶湯を攪拌しつつ、処理ガス吹き込み管を用いてケイ素溶湯中に水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスを吹込む請求項１に記載のケイ素の精製方法。
【請求項３】
処理槽内に邪魔板を配置しておく請求項２記載のケイ素の精製方法。
【請求項４】
処理ガスが、さらに水素ガスを含有している請求項１〜３の何れか１項に記載のケイ素の精製方法。
【請求項５】
処理槽内に入れられたケイ素溶湯を大気に対して負圧の雰囲気中に保持し、この状態でケイ素溶湯を攪拌しつつ、ケイ素溶湯中に水蒸気を含有する水素ガスを使用した処理ガスを吹込み、ケイ素溶湯中のホウ素および炭素を除去することを特徴とするケイ素の精製方法。
【請求項６】
ローレンツ力によりケイ素溶湯を攪拌しつつ、処理ガス吹き込み管を用いてケイ素溶湯中に水蒸気を含有する水素ガスを使用した処理ガスを吹込む請求項５に記載のケイ素の精製方法。
【請求項７】
処理槽内に邪魔板を配置しておく請求項６記載のケイ素の精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、たとえば太陽電池材料用の高純度ケイ素を製造するのに用いられるケイ素の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
将来予想されているエネルギ危機に対して、太陽エネルギを最大限に活用できる太陽電池の普及が期待されている。そのため、太陽電池材料用の高純度ケイ素を安価にかつ大量に供給することができる技術の開発が必須となっている。
【０００３】
ところで、半導体には１１−ｎｉｎｅといわれる超高純度ケイ素が用いられているが、このような超高純度ケイ素は、従来、いわゆるSiemens 法で生産されている。この方法は高エネルギ使用と低収率のため、生産された超高純度ケイ素は極めて高価になる。
【０００４】
これに対し、太陽電池材料用のケイ素に要求される純度は６−ｎｉｎｅ程度であり、このような太陽電池級の純度のケイ素を製造するための技術について、既に研究開発が開始されている。その中で帯域溶融法に代表される冶金学的手法によりケイ素中のほとんどの不純物元素を偏析凝固の原理を利用して除去することができるため、太陽電池材料用ケイ素を製造するための技術には、一方向凝固を組み込むのが一般的となっている（非特許文献１参照）。
【０００５】
ところが、ケイ素中に含まれるホウ素は、その平衡偏析係数が０．８と１に近いために偏析凝固の原理を利用しての除去は困難であり、化学的方法により除去する技術がいくつか提案されている。この中でＴｈｅｕｒｅｒは、非特許文献２において、ホウ素除去の工業技術の可能性を示唆している。上記非特許文献２において、ケイ素溶湯中に水蒸気を含有した水素ガスをバブリングする脱ホウ素方法について述べられている。すなわち、Ｔｈｅｕｒｅｒは、水蒸気を含有する水素ガス雰囲気中でケイ素を帯域溶融することによりケイ素中のホウ素濃度が低下することを見出だしている。そして、ホウ素除去のメカニズムについては、帯域溶融部を囲む石英管の内面に凝縮した物質の化学分析によりホウ素の酸化が確認されたことから、溶融ケイ素の表面でのケイ素、ホウ素の酸化と酸化生成物の蒸発によりホウ素除去が行われると考えられている。また、Ｔｈｅｕｒｅｒは、この結果を基にして、るつぼ内に保持された溶湯表面に水蒸気を含有する水素ガスを吹付けたり、溶湯内にこのようなガスを吹込んでバブリング処理を行うことによりホウ素を除去することが可能であると述べている。さらに、水蒸気を含有するヘリウムのような不活性ガスを使っての実験を行った結果、水蒸気を含有する水素ガスの方が効果的であると述べている。
【０００６】
また、ケイ素溶湯中に水蒸気のような酸化性ガスを吹込むと溶湯中の炭素の酸化除去に有効で、アルゴンのような不活性ガスを吹込むと溶湯中の溶存酸素の除去に有効であることも判明している。
【０００７】
そこで、本発明者等は、この方法の効果を調べるために、種々の組成の水蒸気含有水素ガスを、耐火材製チューブを用いてケイ素溶湯中に吹込んでみた。その結果、ホウ素濃度の低下は確認されたが、ホウ素濃度の低下速度は小さく、工業的には有効な方法ではないことが判明した。
【非特許文献１】日本金属学会誌、第６１巻、第１０号（１９９７）、１０９４〜１１００
【非特許文献２】Ｔｈｅｕｒｅｒ、「水素水蒸気処理によるケイ素からの脱ホウ素法」の報告、Journal of metals、October 1956、pp.1316〜1319
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明の目的は、上記実情に鑑みてなされたものであって、太陽電池級の高純度ケイ素を効率良く得ることができ、その結果太陽電池材料用のケイ素を安価に製造することのできるケイ素の精製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために以下の態様からなる。
【００１０】
1)処理槽内に入れられたケイ素溶湯を大気に対して負圧の雰囲気中に保持し、この状態でケイ素溶湯を攪拌しつつ、ケイ素溶湯中に水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスを吹込み、ケイ素溶湯中のホウ素、炭素、酸素および非金属介在物を除去することを特徴とするケイ素の精製方法。
【００１１】
上記1)のケイ素の精製方法において、不活性ガスとしては、アルゴン、ヘリウム等の周期表の不活性ガスの他に窒素ガスのようなケイ素に対して比較的不活性なガスが、単独であるいは２種以上混合して用いられる。
【００１２】
上記1)のケイ素の精製方法において、水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスにおける水蒸気の含有量は、０．１〜５．０vol ％であることが好ましい。その理由は、下限値未満であると反応速度が遅すぎるため、工業化に適さず、上限値を越えると脱炭素、脱ホウ素の効率が劣るからである。上限値を越えると脱炭素、脱ホウ素の効率が劣る理由は、ＳｉＯ２  からなる酸化皮膜が生成して脱炭素および脱ホウ素の反応が阻害されるからであると考えられる。
【００１３】
2)ローレンツ力によりケイ素溶湯を攪拌しつつ、処理ガス吹き込み管を用いてケイ素溶湯中に水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスを吹込む上記1)記載のケイ素の精製方法。
【００１４】
上記2)のケイ素の精製方法において、処理ガス吹込み管としては、たとえば石英製のものが用いられる。
【００１５】
3)処理槽内に邪魔板を配置しておく上記2)記載のケイ素の精製方法。
【００１６】
4)処理ガスが、さらに水素ガスを含有している上記1)〜3)の何れか１項に記載のケイ素の精製方法。
【００１７】
上記4)のケイ素の精製方法において、水素ガスの含有量は、２vol ％以上であることが好ましい。その理由は、水素ガス量が多い程、処理ガス中の水蒸気含有量を増大させることができ、その結果水蒸気による脱ホウ素効果が向上するからである。すなわち、この場合の処理ガスは、水蒸気０．１〜５．０vol ％、および水素ガス２vol ％以上を含み、残部不活性ガスからなるものである。なお、水素ガス含有量の上限は、実験等により適宜選択される。
【００１８】
5)処理槽内に入れられたケイ素溶湯を大気に対して負圧の雰囲気中に保持し、この状態でケイ素溶湯を攪拌しつつ、ケイ素溶湯中に水蒸気を含有する水素ガスを使用した処理ガスを吹込み、ケイ素溶湯中のホウ素および炭素を除去することを特徴とするケイ素の精製方法。
【００１９】
上記5)のケイ素の精製方法において、水蒸気を含有する水素ガスを使用した処理ガスにおける水蒸気の含有量は、０．１〜５．０vol ％であることが好ましい。その理由は、下限値未満であると反応速度が遅すぎるため、工業化に適さず、上限値を越えると脱炭素、脱ホウ素の効率が劣るからである。上限値を越えると脱炭素、脱ホウ素の効率が劣る理由は、ＳｉＯ２  からなる酸化皮膜が生成して脱炭素および脱ホウ素の反応が阻害されるからであると考えられる。また、水蒸気をケイ素溶湯中に吹込むことにより酸素濃度が増大するが、この酸素は、たとえば次工程において不活性ガスをケイ素溶湯中に吹込むことにより除去される。
【００２０】
6)ローレンツ力によりケイ素溶湯を攪拌しつつ、処理ガス吹き込み管を用いてケイ素溶湯中に水蒸気を含有する水素ガスを使用した処理ガスを吹込む上記5)記載のケイ素の精製方法。
【００２１】
上記6)のケイ素の精製方法において、処理ガス吹込み管としては、たとえば石英製のものが用いられる。
【００２２】
7)処理槽内に邪魔板を配置しておく上記6)記載のケイ素の精製方法。
【発明の効果】
【００２３】
上記1)のケイ素の精製方法によれば、ケイ素溶湯を攪拌することにより、ケイ素溶湯中に吹込んだ処理ガスの気泡がケイ素溶湯全体に分散させられるので、ケイ素溶湯を攪拌しない場合に比べて、ケイ素溶湯中に含まれる不純物の除去を短時間で行うことができる。したがって、太陽電池級の高純度ケイ素を効率良く得ることができ、その結果太陽電池材料用のケイ素を安価に製造することができる。
【００２４】
上記1)のケイ素の精製方法によれば、次の効果を奏する。すなわち、水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスをケイ素溶湯中に吹込むと、ホウ素の酸化生成物が処理槽が配置されている溶解炉の頂壁内面等に凝縮して溶湯内に落下し、ホウ素がケイ素溶湯中に再混入することがある。ところが、この溶解炉からガスを吸引することにより、ケイ素溶湯を、大気に対して負圧の雰囲気中に保持しておくと、ホウ素の酸化生成物の溶解炉の頂壁内面等への凝縮が防止され、その結果ホウ素のケイ素溶湯中への再混入が防止される。
【００２５】
また、上記1)のケイ素の精製方法のように、水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスをケイ素溶湯中に吹込むと、ケイ素溶湯中の溶存酸素が不活性ガス気泡中へ拡散蒸発するので、酸素を除去することが可能になる。また、ケイ素溶湯中に分散している炭化ケイ素粒子等の非金属介在物は、不活性ガスの気泡に伴って浮上するので、これを除去することができる。
【００２６】
さらに、上記1)のケイ素の精製方法のように、水蒸気を含有する不活性ガスを使用した処理ガスをケイ素溶湯中に吹込むと、ホウ素および炭素が酸化除去される。水蒸気を吹込むと、ケイ素溶湯中の酸素濃度が増大するが、酸素は不活性ガス気泡へ拡散蒸発中するので、酸素濃度の増大を防止することが可能になる。
【００２７】
上記2)のケイ素の精製方法によるケイ素溶湯中の不純物の除去効率は、工業化には問題はない。
【００２８】
上記3)のケイ素の精製方法によれば、処理槽内のケイ素溶湯の攪拌が促進され、ケイ素溶湯中の不純物の除去効率が一層向上する。
【００２９】
上記4)のケイ素の精製方法によれば、処理ガス中の水蒸気量を増大することができ、その結果脱ホウ素の反応を促進するという効果がある。
【００３０】
上記5)のケイ素の精製方法のように、処理ガスとして、水蒸気を含有する水素ガスを使用した場合は、水蒸気を含有する不活性ガスを使用した場合に比べて、水蒸気の含有量を増大させることができ、その結果ホウ素および炭素の除去効率が向上する。
【００３１】
上記6)のケイ素の精製方法によるケイ素溶湯中の不純物の除去効率は、工業化には問題はない。
【００３２】
上記7)のケイ素の精製方法によれば、処理槽内のケイ素溶湯の攪拌が促進され、ケイ素溶湯中の不純物の除去効率が一層向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、全図面を通じて同一物および同一部分には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００３４】
図１および図２はこの発明の方法を実施するのに用いられる装置の第１の具体例を示す。
【００３５】
図１および図２において、ケイ素の精製装置は、密閉状溶解炉(1)と、溶解炉(1)内に配置されかつケイ素溶湯(S)を保持する処理槽(2)と、溶解炉(1)の頂壁(1a)を貫通して配置されかつ下端が処理槽(2)内の底部に位置する垂直回転軸(4)および回転軸(4)の下端に固定された円板状回転体(5)よりなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)とを備えている。
【００３６】
溶解炉(1)は耐火物により形成されており、その内部における処理槽(2)の周囲の部分にヒータ(6)が配置されている。溶解炉(1)の頂壁(1a)の中央部に貫通穴(7)が形成され、この貫通穴(7)に回転軸(4)が通されている。図示は省略したが、貫通穴(7)の内周面と回転軸(4)の外周面との間は、適当なシール手段により密封されている。また、溶解炉(1)の頂壁(1a)には溶解炉(1)内の気体を吸引する排気管(8)が貫通状に固定されており、この排気管(8)は図示しないガス吸引装置に接続されている。
【００３７】
処理槽(2)としては、全体が黒鉛で形成されたものや、全体が窒化ケイ素または炭化ケイ素で形成されたものや、黒鉛で形成されかつその内面が窒化ケイ素または炭化ケイ素からなる被覆層により被覆されたものが用いられる。
【００３８】
溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)の回転軸(4)の内部にはその軸方向に伸びる処理ガス通路(9)が貫通状に形成されている。処理ガス通路(9)の上端は、図示しないロータリジョイントを介して処理ガス供給装置に接続されている。回転軸(4)としては、全体が黒鉛で形成されたものや、全体が窒化ケイ素または炭化ケイ素で形成されたものや、黒鉛で形成されかつその内外両周面が窒化ケイ素または炭化ケイ素からなる被覆層により被覆されたものが用いられる。なお、回転軸(4)は、図示しない回転駆動装置によって回転させられるようになっている。
【００３９】
溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)の回転体(5)の周面には周方向に所定間隔をおいて複数の溶湯攪拌用突起(10)が形成されている。回転体(5)の頂面は中央部から周縁部に向かって徐々に下方に傾斜したテーパ状となされ、その底面は中央部から周縁部に向かって徐々に上方に傾斜したテーパ状となされている。回転体(5)の頂面の水平面に対する傾斜角度と、底面の水平面に対する傾斜角度とはほぼ等しくなっていることが好ましい。回転体(5)の頂面の中央部に凹所(11)が形成されている。凹所(11)の内周面における上部にはめねじ部(12)が形成されており、このめねじ部(12)に回転軸(4)下端のおねじ部(13)をねじ嵌めることによって回転体(5)が回転軸(4)に固定されている。回転体(5)には、一端が凹所(11)における回転軸(4)よりも下方の部分の内周面に開口し、他端が各溶湯攪拌用突起(10)の先端面に開口した複数の貫通穴(14)が放射状に形成されており、各貫通穴(14)の突起(10)先端面側の開口が処理ガス吹出口(15)となされている。回転体(5)の底面の中央部に溶湯導入用凹所(16)が形成されている。また、回転体(5)の底面には、溶湯導入用凹所(16)から底面周縁に至り、端部が周面における溶湯攪拌用突起(10)の先端面に開口した複数の溝(17)が放射状に形成されている。各溝(17)の突起(10)先端面への開口は処理ガス吹出口(15)の真下の位置にある。回転体(5)としては、全体が黒鉛で形成されたものや、全体が窒化ケイ素または炭化ケイ素で形成されたものや、黒鉛で形成されかつその表面が窒化ケイ素または炭化ケイ素からなる被覆層により被覆されたものが用いられる。
【００４０】
このような装置を使用し、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により高速回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に処理ガスを供給する。処理ガスとしては、不活性ガス、水蒸気を含有する不活性ガス、水蒸気および水素ガスを含有する不活性ガス、あるいは水蒸気を含有する水素ガスが用いられる。処理ガスが水蒸気を含有する場合、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧としておく。このようにしておくと、水蒸気を含有した処理ガスをケイ素溶湯(S)中に吹込むことにより生成するホウ素の酸化生成物が、溶解炉(1)の頂壁(1a)内面に凝縮してケイ素溶湯(S)内に落下し、ホウ素がケイ素溶湯(S)中に再混入することを防止することができる。
【００４１】
処理ガスは、処理ガス通路(9)を通り、回転体(5)の凹所(11)および貫通穴(14)を経て処理ガス吹出口(15)からケイ素溶湯(S)中に吹出される。吹出された処理ガスは、吹出口(15)の開口縁に当たって微細な気泡状となる。一方、回転体(5)よりも上方のケイ素溶湯(S)は、矢印Ａで示すように回転体(5)のテーパ状頂面に沿って流れる。回転体(5)よりも下方のケイ素溶湯(S)は、溶湯導入用凹所(16)内から各溝(17)を通り、矢印Ｂで示すように流れて溝(17)の突起(10)先端面への開口から放出される。そして、矢印Ａ、Ｂで示す２つの流れは、回転体(5)の周縁から所定距離離れた位置で合流し、さらに遠心方向に進む。処理ガス吹出口(15)から吹出された微細な処理ガス気泡は、ケイ素溶湯(S)の矢印Ａ、Ｂで示す２つの流れに乗って遠心方向に進み、ケイ素溶湯(S)全体に分散させられる。また、攪拌用突起(10)の攪拌効果によっても、ケイ素溶湯(S)は回転体(5)の回転方向と同方向に回転しつつ遠心方向に流れるので、処理ガス気泡はこの流れによってもケイ素溶湯(S)全体に分散させれる。そして、処理ガス気泡により、ケイ素溶湯(S)中の溶存酸素および非金属介在物や、ホウ素や炭素が除去される。
【００４２】
図３はこの発明の方法の実施に用いられる装置の第２の具体例を示す。
【００４３】
この具体例の場合、処理槽(2)の内周面に、周方向に間隔をおいて上下方向に伸びる複数の邪魔板(20)が固定状に設けられている。邪魔板(20)としては、全体が黒鉛で形成されたものや、全体が窒化ケイ素または炭化ケイ素で形成されたものや、黒鉛で形成されかつその表面が窒化ケイ素または炭化ケイ素からなる被覆層により被覆されたものが用いられる。その他の構成は、第１の具体例の装置と同じである。
【００４４】
第２の具体例の装置を用いてのケイ素の精製は、第１の具体例の場合と同様にして行われるが、邪魔板(20)の働きにより処理槽(2)内のケイ素溶湯(S)の攪拌が促進され、ケイ素溶湯(S)中の溶存酸素および非金属介在物や、ホウ素や炭素の除去効率が一層向上する。
【００４５】
図４および図５はこの発明の方法の実施に用いられる装置の第３の具体例を示す。
【００４６】
この具体例の場合、溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えておらず、溶解炉(1)内におけるヒータ(6)の周囲にヒータ(6)を囲むように回転磁界発生用コイル(21)が配置され、溶解炉(1)の頂壁(1a)に複数の石英製処理ガス吹込み管(22)が貫通状に固定されている。
【００４７】
回転磁界発生用コイル(21)は回転磁界発生用３相交流変圧器(23)に接続されている。処理ガス吹込み管(22)の下端は処理槽(2)内の底部に位置している。
【００４８】
このような装置を使用し、変圧器(23)から回転磁界発生用コイル(21)に３相交流電流を供給すると、ケイ素溶湯(S)に渦電流が発生してローレンツ力が作用する。その結果、ケイ素溶湯(S)が流動し、全体的に攪拌される。これと同時に処理ガス吹込み管(22)を通して、不活性ガス、水蒸気を含有する不活性ガス、水蒸気および水素ガスを含有する不活性ガス、あるいは水蒸気を含有する水素ガスからなる処理ガスをケイ素溶湯(S)中に吹込む。処理ガスが水蒸気を含有する場合、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧としておく。このようにしておくと、水蒸気を含有した処理ガスをケイ素溶湯(S)中に吹込むことにより生成するホウ素の酸化生成物が、溶解炉(1)の頂壁(1a)内面に凝縮してケイ素溶湯(S)内に落下し、ホウ素がケイ素溶湯(S)中に再混入することを防止することができる。
【００４９】
吹込まれた処理ガスは、気泡状態で処理ガス吹込み管(22)の下端開口からケイ素溶湯(S)中に放出される。ケイ素溶湯(S)中に放出された処理ガス気泡は、ケイ素溶湯(S)がローレンツ力によって全体的に攪拌されていることにより、ケイ素溶湯(S)全体に分散させれる。そして、処理ガス気泡により、ケイ素溶湯(S)中の溶存酸素および非金属介在物や、ホウ素や炭素が除去される。
【００５０】
図６はこの発明の方法の実施に用いられる装置の第４の具体例を示す。
【００５１】
この具体例の場合、処理槽(2)の内周面に、周方向に間隔をおいて上下方向に伸びる複数の邪魔板(20)が固定状に設けられている。その他の構成は、第３の具体例の装置と同じである。
【００５２】
第４の具体例の装置を用いてのケイ素の精製は、第３の具体例の場合と同様にして行われるが、邪魔板(20)の働きにより処理槽(2)内のケイ素溶湯(S)の攪拌が促進され、ケイ素溶湯(S)中の溶存酸素および非金属介在物や、ホウ素や炭素の除去効率が一層向上する。
【００５３】
以下、この発明の方法の具体的実施例を比較例とともに説明する。なお、以下の説明において、「ppm 」は重量基準とする。
【００５４】
実施例１
この実施例は、全体を黒鉛で形成した垂直回転軸(4)および全体を黒鉛で形成した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えた第１の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００５５】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、５ppm であった。
【００５６】
実施例２
この実施例は、黒鉛で形成しその全表面を炭化ケイ素で被覆した垂直回転軸(4)および黒鉛で形成しその全表面を炭化ケイ素で被覆した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えた第１の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００５７】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、４ppm であった。
【００５８】
実施例３
この実施例は、全体を窒化ケイ素で形成した垂直回転軸(4)および全体を窒化ケイ素で形成した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えた第１の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００５９】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、４ppm であった。
【００６０】
実施例４
この実施例は、全体を窒化ケイ素で形成した垂直回転軸(4)および全体を窒化ケイ素で形成した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)、ならびに全体を窒化ケイ素で形成した邪魔板(20)を備えた第２の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００６１】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、３ppm であった。
【００６２】
実施例５
この実施例は、全体を窒化ケイ素で形成した垂直回転軸(4)および全体を窒化ケイ素で形成した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えた第１の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００６３】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、水蒸気２vol ％を含み、残部水素ガスからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、２ppm であった。
【００６４】
実施例６
この実施例は、全体を窒化ケイ素で形成した垂直回転軸(4)および全体を窒化ケイ素で形成した回転体(5)からなる溶湯攪拌兼気泡放出装置(3)を備えた第１の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００６５】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、垂直回転軸(4)を回転駆動装置により４００ｒｐｍで回転させるとともに処理ガス供給装置から処理ガス通路(9)に、水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分供給した。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、５ppm であった。
【００６６】
実施例７
この実施例は、第３の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００６７】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、変圧器(23)からコイル(21)に３相交流電流を供給して４０００ヘルステッドの大きさの回転磁界を発生させつつ、処理ガス吹込み管(22)からケイ素溶湯(S)中に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分吹込んだ。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、５ppm であった。
【００６８】
実施例８
この実施例は全体を黒鉛で形成した邪魔板(20)を備えた第４の具体例の装置を使用して行ったものである。
【００６９】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、ガス吸引装置により排気管(8)を通して溶解炉(1)内からガスを吸引し、これにより溶解炉(1)内を大気に対して負圧とした状態で、変圧器(23)からコイル(21)に３相交流電流を供給して４０００ヘルステッドの大きさの回転磁界を発生させつつ、処理ガス吹込み管(22)からケイ素溶湯(S)中に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分吹込んだ。このような処理を４０分間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、４ppm であった。
【００７０】
比較例
この比較例は、ガス吸引装置、コイル(21)および変圧器(23)を備えていない他は第３の具体例の装置と同様な装置を用いて行ったものである。
【００７１】
ホウ素７ppm を含む２ｋｇのケイ素溶湯(S)を処理槽(2)内に入れ、ヒータ(6)により１４５０℃に加熱保持しておいた。そして、処理ガス吹込み管(22)からケイ素溶湯(S)中に、Ｈ２  ３vol ％および水蒸気２vol ％を含み、残部Ａｒからなる処理ガスを１リットル／分吹込んだ。このような処理を２時間続けた後のケイ素溶湯(S)中のホウ素濃度を測定したところ、５ppm であった。
【００７２】
実施例１〜８および比較例の結果を表１にまとめて示す。
【表１】
0005222713.tif 000002
【００７３】
上記実施例１〜８および比較例の結果から明らかなように、この発明の方法によれば、比較例の方法に比べて極めて短時間でケイ素溶湯中のホウ素を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】この発明の方法の実施に用いる装置の第１の具体例を示す垂直断面図である。
【図２】図１の一部を拡大して示す垂直断面図である。
【図３】この発明の方法の実施に用いる装置の第２の具体例を示す垂直断面図である。
【図４】この発明の方法の実施に用いる装置の第３の具体例を示す垂直断面図である。
【図５】図４の装置における回転磁界発生用コイル(21)の配置を示す平面図である。
【図６】この発明の方法の実施に用いる装置の第４の具体例を示す垂直断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
(2)：処理槽
(3)：溶湯攪拌兼気泡放出装置
(4)：垂直回転軸
(5)：回転体
(9)：処理ガス通路
(10)：溶湯攪拌用突起
(15)：処理ガス吹出口
(20)：邪魔板
(S)：ケイ素溶湯                                                       
【図１】
0005222713.tif 000003
【図２】
0005222713.tif 000004
【図３】
0005222713.tif 000005
【図４】
0005222713.tif 000006
【図５】
0005222713.tif 000007
【図６】
0005222713.tif 000008