(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、
少なくとも前記第２のｎ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層および前記発光層のそれぞれの一部を除去することにより露出した前記第２のｎ型窒化物半導体層の断面、前記ｐ型窒化物半導体層の断面、前記発光層の断面および前記発光層の表面を絶縁膜で覆うことにより形成された電流阻止領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第２のｎ型窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、
少なくとも前記第２のｎ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層および前記第１のｎ型窒化物半導体層のそれぞれの一部を除去することにより露出した前記第２のｎ型窒化物半導体層の断面、前記ｐ型窒化物半導体層の断面、前記発光層の断面、前記第１のｎ型窒化物半導体層の断面および前記第１のｎ型窒化物半導体層の表面を絶縁膜で覆うことにより形成された電流阻止領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第２のｎ型窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２のｎ型窒化物半導体層は、前記電流阻止領域とするべき領域の外周を囲むように除去されることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２のｎ型窒化物半導体層が主たる光取り出し面となり、前記電流阻止領域の上方にパッド電極が形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記パッド電極と前記第２のｎ型窒化物半導体層に接するように透明導電膜が形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２のｎ型窒化物半導体層の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項４または５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１のｎ型窒化物半導体層が主たる光取り出し面となり、パッド電極が前記第１のｎ型窒化物半導体層上に形成されており、前記パッド電極は、前記電流阻止領域の上方にに形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２のｎ型窒化物半導体層と基板との間に高反射電極が位置していることを特徴とする、請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１のｎ型窒化物半導体層の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項７または８に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、前記窒化物半導体発光素子の製造工程においてドライエッチング用のマスクとして利用されたものであることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を製造するための方法であって、
基板上に、前記第１のｎ型窒化物半導体層、前記発光層、前記ｐ型窒化物半導体層および前記第２のｎ型窒化物半導体層を含むウエハを形成する工程と、
少なくとも前記第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって前記電流阻止領域を形成する工程と、
前記電流阻止領域の上方に前記パッド電極を形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２のｎ型窒化物半導体層はドライエッチングにより除去されることを特徴とする、請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも前記第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって前記電流阻止領域を形成すると同時に前記第１のｎ型窒化物半導体層の表面の一部を露出させることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ウエハを分割して前記窒化物半導体素子を取り出すための分割溝を前記ウエハに設ける工程を含み、少なくとも前記第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって前記電流阻止領域を形成すると同時に前記分割溝が形成されることを特徴とする、請求項１１から１３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、特に、発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）およびそれらの少なくとも２種の混晶等からなる窒化物半導体を用いた窒化物半導体発光ダイオード素子や窒化物半導体レーザ素子等の窒化物半導体発光素子は、主に青色または青緑色等の短波長の光を発光する発光素子として利用されている。
【０００３】
一般に、窒化物半導体発光ダイオード素子は、サファイア等の基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層がこの順序に積層されており、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層のそれぞれの露出表面上にワイヤボンディング用のパッド電極が形成された構成となっている。
【０００４】
しかしながら、窒化物半導体発光ダイオード素子においては、一般に、ｐ型ＧａＮまたはｐ型ＡｌＧａＮ等からなるｐ型窒化物半導体層は電気抵抗が高くなり、パッド電極から注入された電流がｐ型窒化物半導体層中で十分に広がらず、発光層中への広い領域に電流が注入されないために光取り出し効率が低くなるという問題があった。
【０００５】
そこで、たとえば特許文献１〜４においては、ｐ型窒化物半導体層の表面上にｎ型窒化物半導体層を形成し、そのｎ型窒化物半導体層の露出表面上にワイヤボンディング用のパッド電極を形成した窒化物半導体発光素子が開示されている。
【０００６】
特許文献１〜４に開示された窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体層はｐ型窒化物半導体層と比べて電気抵抗が低いために、ｐ型窒化物半導体層上のｎ型窒化物半導体層でパッド電極から注入された電流をｎ型窒化物半導体層中で広げることができるため、発光層の広い領域に電流が注入されることになる。
【特許文献１】特開２００２−３１９７０３号公報
【特許文献２】特開２００５−２２９０８５号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８６００号公報
【特許文献４】特開２００６−１３５３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の特許文献１〜４に開示されている窒化物半導体発光素子のｐ型窒化物半導体層上のｎ型窒化物半導体層の露出表面上に、発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極が用いられた場合には、パッド電極の下方に位置する発光層部分から発せられる光はパッド電極で吸収されてしまい、窒化物半導体発光素子の光取り出し効率（電流の注入量に対して素子外部に取り出すことができる光子の割合）が低くなるという問題があった。
【０００８】
したがって、不透明なパッド電極を用いた構成の窒化物半導体発光素子においては、光取り出し効率を向上することが求められていた。
【０００９】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および発光層のそれぞれの一部を除去することにより露出した第２のｎ型窒化物半導体層の断面、ｐ型窒化物半導体層の断面、発光層の断面および発光層の表面を絶縁膜で覆うことにより形成された電流阻止領域を有し、絶縁膜は、第２のｎ型窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を覆っている窒化物半導体発光素子である。
【００１３】
また、本発明は、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、発光層および第１のｎ型窒化物半導体層のそれぞれの一部を除去することにより露出した第２のｎ型窒化物半導体層の断面、ｐ型窒化物半導体層の断面、発光層の断面、第１のｎ型窒化物半導体層の断面および第１のｎ型窒化物半導体層の表面を絶縁膜で覆うことにより形成された電流阻止領域を有し、絶縁膜は、第２のｎ型窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を覆っていてもよい。
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第２のｎ型窒化物半導体層は、電流阻止領域とするべき領域の外周を囲むように除去されていてもよい。
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第２のｎ型窒化物半導体層が主たる光取り出し面となり、電流阻止領域の上方にパッド電極が形成されていてもよい。
【００１７】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、パッド電極と第２のｎ型窒化物半導体層に接するように透明導電膜が形成されていてもよい。
【００１８】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２のｎ型窒化物半導体層の表面に凹凸が形成されていてもよい。
【００１９】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第１のｎ型窒化物半導体層が主たる光取り出し面となり、パッド電極が第１のｎ型窒化物半導体層上に形成されており、パッド電極は、電流阻止領域の上方に形成されていてもよい。
【００２０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２のｎ型窒化物半導体層と基板との間に高反射電極が位置していてもよい。
【００２１】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第１のｎ型窒化物半導体層の表面に凹凸が形成されていてもよい。
【００２２】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、絶縁膜は、窒化物半導体発光素子の製造工程においてドライエッチング用のマスクとして利用されたものであってもよい。
【００２３】
さらに、本発明は、上記の窒化物半導体発光素子を製造するための方法であって、基板上に、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層を含むウエハを形成する工程と、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって電流阻止領域を形成する工程と、電流阻止領域の上方にパッド電極を形成する工程とを含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【００２４】
ここで、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、第２のｎ型窒化物半導体層はドライエッチングにより除去されてもよい。
【００２５】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって電流阻止領域を形成すると同時に第１のｎ型窒化物半導体層の表面の一部を露出させてもよい。
【００２６】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、ウエハを分割して窒化物半導体素子を取り出すための分割溝をウエハに設ける工程を含み、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することによって電流阻止領域を形成すると同時に分割溝を形成してもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２９】
（実施の形態１）
図１に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、サファイア基板１０１上に、たとえば厚さ５０ｎｍのＡｌrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなるバッファ層１１４、たとえば厚さ５μｍの第１のｎ型ＧａＮ層１０２、たとえば厚さ３０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮ層１０３、ＧａＮからなるバリア層とＩｎqＧａ1-qＮ（０＜ｑ＜１）からなるウエル層を含むたとえば厚さ１００ｎｍの発光層１０４、たとえば厚さ３０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、たとえば厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０６、たとえば厚さ１０ｎｍのＩｎＧａＮコンタクト層１１５およびたとえば厚さ５００ｎｍの第２のｎ型ＧａＮ層１０７が順次積層された構成を有している。
【００３０】
そして、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面および第２のｎ型ＧａＮ層１０７から露出しているｐ型ＧａＮ層１０６の表面に接するようにしてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜１０８が形成されており、透明導電膜１０８の表面上に透明導電膜１０８側からＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層が順次積層されたｐ側パッド電極１０９が形成されている。また、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面上には、第１のｎ型ＧａＮ層１０２側からＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層が順次積層されたｎ側パッド電極１１０が形成されている。
【００３１】
なお、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７によってトンネルダイオードが構成されており、ｐ型ＧａＮ層１０６のキャリア濃度はたとえば１×１０19／ｃｍ3程度とすることができ、第２のｎ型ＧａＮ層１０７のキャリア濃度はたとえば２×１０18／ｃｍ3程度とすることができる。
【００３２】
以上のような構成の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、透明導電膜１０８とｐ型ＧａＮ層１０６とのコンタクト抵抗は、透明導電膜１０８と第２のｎ型ＧａＮ層１０７とのコンタクト抵抗よりも高くなるため、ｐ側パッド電極１０９から注入された電流は透明導電膜１０８を通ってｐ型ＧａＮ層１０６には流れず、第２のｎ型ＧａＮ層１０７に流れることになる。したがって、透明導電膜１０８とｐ型ＧａＮ層１０６との界面が電流阻止領域１００となる。電流阻止領域１００が形成されることにより、電流阻止領域１００の下方への電流の注入が抑止されることになる。
【００３３】
以下に、図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を図面を参照して説明する。
【００３４】
まず、図２の模式的断面図に示すように、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法等によって、サファイア基板１０１上に、バッファ層１１４、第１のｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３、発光層１０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７を順次成長させてウエハ１２０を形成する。
【００３５】
次に、ウエハ１２０の表面（第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面）上にレジストマスク（図示せず）を形成し、図３の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の第２のｎ型ＧａＮ層１０７およびＩｎＧａＮコンタクト層１１５を除去することによって、ｐ型ＧａＮ層１０６の表面を露出させる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００３６】
ここで、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去は、たとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができるが、なかでもドライエッチングにより除去することが好ましい。ドライエッチングにより第２のｎ型ＧａＮ層１０７等を除去した場合には、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去により露出したｐ型ＧａＮ層１０６の表面がドライエッチングガスに曝されることにより欠陥が多数発生して、図１に示す透明導電膜１０８とｐ型ＧａＮ層１０６とのコンタクト抵抗をさらに高くすることができるため、電流阻止領域１００による電流の抑止効果がさらに増大する傾向にある。なお、ドライエッチングに用いられるドライエッチングガスとしては、たとえば、塩素やアルゴン等を含むガスを用いることができる。
【００３７】
また、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去は、上記のようにｐ型ＧａＮ層１０６の表面が丁度露出する程度まで行なってもよく、ｐ型ＧａＮ層１０６の一部が除去されるまで行なってｐ型ＧａＮ層１０６の表面を露出させてもよい。また、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去は、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の表面が丁度露出する程度まで行なってもよく、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の一部が除去されるまで行なってｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の表面を露出させてもよい。
【００３８】
続いて、ｎ側パッド電極１１０を形成する第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させるために、ウエハ１２０の表面上にレジストマスク（図示せず）を形成し、図４の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を除去することによって、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００３９】
次に、第２のｎ型ＧａＮ層１０７およびｐ型ＧａＮ層１０６の露出表面上にＩＴＯからなる透明導電膜１０８をたとえば厚さ２００ｎｍで形成した後に、透明導電膜１０８の表面上に透明導電膜１０８を残す位置にレジストマスクが形成されるようにレジストマスクをパターンニングし、レジストマスクが形成されていない箇所の透明導電膜１０８を除去することによって、図５の模式的断面図に示すように、透明導電膜１０８をパターンニングする。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００４０】
次に、ｐ側パッド電極１０９およびｎ側パッド電極１１０を形成するために、ウエハ１２０の表面上にレジストマスクを形成した後に、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層をこの順序で蒸着等することによって積層する。その後、リフトオフによりＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層の積層体の一部を除去することによって、ｐ側パッド電極１０９およびｎ側パッド電極１１０を形成する。
【００４１】
ここで、ｐ側パッド電極１０９は、透明導電膜１０８との接触面が電流阻止領域１００の上方に対応する領域内に含まれるような大きさに形成されることが好ましい。この場合には、フォトリソグラフィ工程においてアライメントずれが生じた場合でもｐ側パッド電極１０９が発光層１０４の発光領域の上方の領域に重ならないようにすることができるため、安定して高い光取り出し効率を得ることができる傾向にある。
【００４２】
その後、ウエハ１２０を分割することによって、図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子が得られる。図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、発光層１０４から発せられた光は主に第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面から外部に取り出されるため、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面が主たる光取り出し面となる。
【００４３】
以上のようにして得られた図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、上述したように、透明導電膜１０８とｐ型ＧａＮ層１０６との界面が電流阻止領域１００となっており、電流阻止領域１００の下方への電流の注入が抑止されることになる。
【００４４】
したがって、図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、発光層１０４からの光に対して不透明なｐ側パッド電極１０９が電流阻止領域１００の上方に形成された場合でも、電流阻止領域１００の下方の発光層１０４の部分では電流が注入されず発光しないため、従来と比べてｐ側パッド電極１０９の下方で発光した光がｐ側パッド電極１０９に吸収される量を低減することができる。
【００４５】
それゆえ、図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、電流の注入量に対して外部に取り出すことができる光子の割合が向上するため、従来と比べて光取り出し効率を向上させることができる。
【００４６】
図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、ｐ側パッド電極１０９の下方に電流阻止領域１００を設けていない従来の窒化物半導体発光ダイオード素子と比べて、光取り出し効率を約２０％向上させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態において、上記のｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層等の厚さおよび材質は上記のものに限定されないことは言うまでもない。
【００４８】
（実施の形態２）
図６に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、サファイア基板１０１上に、たとえば厚さ５０ｎｍのＡｌrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなるバッファ層１１４、たとえば厚さ５μｍの第１のｎ型ＧａＮ層１０２、たとえば厚さ３０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮ層１０３、ＧａＮからなるバリア層とＩｎqＧａ1-qＮ（０＜ｑ＜１）からなるウエル層とを含むたとえば厚さ１００ｎｍの発光層１０４、たとえば厚さ３０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、たとえば厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０６、たとえば厚さ１０ｎｍのＩｎＧａＮコンタクト層１１５およびたとえば厚さ５００ｎｍの第２のｎ型ＧａＮ層１０７が順次積層された構成を有している。
【００４９】
そして、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の上方および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面上にはそれぞれＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層がこの順序で積層されることによってｐ側パッド電極１０９およびｎ側パッド電極１１０がそれぞれ形成されている。
【００５０】
また、ｐ側パッド電極１０９の下方においては、第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を切り欠いて形成された溝部１１６が形成されており、その溝部１１６がＳｉＯ2からなる絶縁膜１１１によって埋められている。
【００５１】
ここで、絶縁膜１１１は、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面から断面、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５の断面、ｐ型ＧａＮ層１０６の断面、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の断面、発光層１０４の断面、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３の断面および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の断面から表面を覆うようにして溝部１１６を埋めている。ここで、断面とは、溝部１１６の側面を構成する表面のことを意味しており、溝部１１６の底面は第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面により構成されている。
【００５２】
また、絶縁膜１１１を覆うようにしてＩＴＯからなる透明導電膜１０８が形成されており、透明導電膜１０８の表面上にｐ側パッド電極１０９が形成されている。
【００５３】
なお、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７によってトンネルダイオードが構成されており、ｐ型ＧａＮ層１０６のキャリア濃度はたとえば１×１０19／ｃｍ3程度とすることができ、第２のｎ型ＧａＮ層１０７のキャリア濃度はたとえば２×１０18／ｃｍ3程度とすることができる。
【００５４】
以上のような構成の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、溝部１１６を埋めるＳｉＯ2からなる絶縁膜１１１は、第２のｎ型ＧａＮ層１０７よりも電気抵抗が高いため、ｐ側パッド電極１０９から注入された電流は透明導電膜１０８を通って絶縁膜１１１には流れず、第２のｎ型ＧａＮ層１０７に流れることになる。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１１によって埋められている溝部１１６が電流阻止領域となる。
【００５５】
以下に、図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を図面を参照して説明する。
【００５６】
まず、図２を参照して、実施の形態１と同様に、ＭＯＣＶＤ法等によって、サファイア基板１０１上に、バッファ層１１４、第１のｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３、発光層１０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７を順次成長させてウエハ１２０を形成する。
【００５７】
次に、ウエハ１２０の表面（第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面）上にレジストマスク（図示せず）を形成し、図７の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を除去することによって、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させる。これにより、電流阻止領域となる溝部１１６の形成と、図６に示すｎ側パッド電極１１０を形成するための第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面の露出部の形成とが同時に行なわれる。ここで、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去は、たとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００５８】
次に、たとえば厚さ１μｍのＳｉＯ2からなる絶縁膜１１１をウエハ１２０の表面上に形成し、その上にレジストマスクを形成して、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の絶縁膜１１１を除去することによって、図８の模式的断面図に示すように、絶縁膜１１１をパターンニングする。これにより、電流阻止領域となる溝部１１６を絶縁膜１１１が埋める構成が形成される。ここで、絶縁膜１１１の除去もたとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００５９】
続いて、ウエハ１２０の表面上にたとえば厚さ２００ｎｍのＩＴＯからなる透明導電膜１０８を形成し、その上にレジストマスクを形成して、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の透明導電膜１０８を除去することによって、図９の模式的断面図に示すように、透明導電膜１０８をパターンニングする。ここで、透明導電膜１０８の除去もたとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００６０】
次に、図６に示すｐ側パッド電極１０９およびｎ側パッド電極１１０を形成するために、図９に示すウエハ１２０の表面上にレジストマスクを形成した後に、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層をこの順序で蒸着等することによって積層する。その後、リフトオフによりＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層の積層体の一部を除去することによって、ｐ側パッド電極１０９およびｎ側パッド電極１１０を形成する。
【００６１】
ここで、ｐ側パッド電極１０９は、透明導電膜１０８との接触面が溝部１１６の上方に対応する領域内に含まれるような大きさに形成されることが好ましい。この場合には、フォトリソグラフィ工程においてアライメントずれが生じた場合でもｐ側パッド電極１０９が発光層１０４の発光領域の上方の領域に重ならないようにすることができるため、安定して高い光取り出し効率を得ることができる傾向にある。
【００６２】
その後、ウエハ１２０を分割することによって、図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子が得られる。図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、発光層１０４から発せられた光は主に第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面から外部に取り出されるため、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面が主たる光取り出し面となる。特に、本実施の形態においては、主たる光取り出し面となる第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面に凹凸が形成されていることから、凹凸を形成しない場合と比べてより多くの光を外部に取り出すことができる。
【００６３】
以上のようにして得られた図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、上述したように、絶縁膜１１１により埋められた溝部１１６が電流阻止領域となる。ここで、発光層１０４からの光に対して不透明なｐ側パッド電極１０９が電流阻止領域となる溝部１１６の上方に形成された場合でも、ｐ側パッド電極１０９の下方の発光層１０４の部分は除去されており、ｐ側パッド電極１０９の下方では発光しないことから、従来のようにｐ側パッド電極１０９の下方で発光した光がｐ側パッド電極１０９で吸収される量を低減することができる。
【００６４】
それゆえ、図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、電流の注入量に対して外部に取り出すことができる光子の割合が向上するため、従来と比べて光取り出し効率を向上させることができる。
【００６５】
図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、ｐ側パッド電極１０９の下方に電流阻止領域を設けていない従来の窒化物半導体発光ダイオード素子と比べて、光取り出し効率を約２０％向上させることができる。
【００６６】
なお、本実施の形態においては、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させてその露出表面を絶縁膜１１１で覆ったが、発光層１０４の表面を露出させてその露出表面を絶縁膜１１１で覆ってもよい。
【００６７】
また、本実施の形態においては、絶縁膜１１１としてＳｉＯ2を用いたが、本発明においてはＳｉＯ2に限定されないことは言うまでもない。たとえば、絶縁膜１１１としてＡｌＮ等の窒化物を用いた場合には、熱伝導率が良くなるため、大電流密度駆動時の窒化物半導体発光ダイオード素子の特性を上げることができ、また、ドライエッチング時に、ｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層等の断面に発生する欠陥を修復する効果があるため、特に大電流密度駆動時や高温環境での駆動時に窒化物半導体発光ダイオード素子の特性が低下しない等の効果がある。
【００６８】
また、本実施の形態において、上記のｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層等の厚さおよび材質も上記のものに限定されないことは言うまでもない。
【００６９】
（実施の形態３）
図１０に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子のさらに他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、導電性のＳｉ基板１２１上に、金属層１１３（第１の貼り付け用金属層１１３ａおよび第２の貼り付け用金属層１１３ｂの積層体からなる）、ＳｉＯ2からなる絶縁膜１１７、ＡＰＣ（ＡｇとＰｄとＣｕとの合金）からなる反射膜１１２、たとえば厚さ５００ｎｍの第２のｎ型ＧａＮ層１０７、たとえば厚さ１０ｎｍのＩｎＧａＮコンタクト層１１５、たとえば厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０６、たとえば厚さ３０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ＧａＮからなるバリア層とＩｎqＧａ1-qＮ（０＜ｑ＜１）からなるウエル層とを含むたとえば厚さ１００ｎｍの発光層１０４、たとえばｎ型ＩｎＧａＮとｎ型ＧａＮとからなるｎ型ＳＬ層２０２およびたとえば厚さ５μｍの第１のｎ型ＧａＮ層１０２が順次積層された構成を有している。
【００７０】
そして、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面上にはＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層がこの順序で積層されることによってｎ側パッド電極１１０が形成されている。また、導電性のＳｉ基板１２１の裏面にはｐ側パッド電極１０９が形成されている。
【００７１】
また、ｎ側パッド電極１１０の下方においては、第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を切り欠いた溝部１１６が形成されており、その溝部１１６がＳｉＯ2からなる絶縁膜１１１によって埋められている。
【００７２】
ここで、絶縁膜１１１は、第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面から断面、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５の断面、ｐ型ＧａＮ層１０６の断面、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の断面、発光層１０４の断面、ｎ型ＳＬ層２０２の断面および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の断面から表面を覆うようにして溝部１１６を埋めている。ここで、断面とは、溝部１１６の側面を構成する表面のことを意味しており、溝部１１６の底面は第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面により構成されている。
【００７３】
また、絶縁膜１１１を覆うようにして反射膜１１２が形成されており、その反射膜１１２の周縁を覆うようにして絶縁膜１１７が形成されている。そして、絶縁膜１１７が形成されていない反射膜１１２の表面と第１の貼り付け用金属層１１３ａの表面とが接触している。
【００７４】
なお、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７によってトンネルダイオードが構成されており、ｐ型ＧａＮ層１０６のキャリア濃度はたとえば１×１０19／ｃｍ3程度とすることができ、第２のｎ型ＧａＮ層１０７のキャリア濃度はたとえば２×１０18／ｃｍ3程度とすることができる。
【００７５】
以上のような構成の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、ｎ側パッド電極１１０から注入された電流は絶縁膜１１１には流れず、第１のｎ型ＧａＮ層１０２を通ってｎ型ＳＬ層２０２に流れることになる。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１１によって埋められている溝部１１６が電流阻止領域となる。
【００７６】
以下に、図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を図面を参照して説明する。
【００７７】
まず、実施の形態１および２と同様に、ＭＯＣＶＤ法等によって、サファイア基板上に、たとえば厚さ５０ｎｍのＡｌrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなるバッファ層、第１のｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型ＳＬ層２０２、発光層１０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５および第２のｎ型ＧａＮ層１０７を順次成長させてウエハを形成する。
【００７８】
次に、ウエハの表面（第２のｎ型ＧａＮ層１０７の表面）上にレジストマスク（図示せず）を形成し、図１１の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を除去することによって、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させる。これにより、電流阻止領域となる溝部１１６が形成される。ここで、第２のｎ型ＧａＮ層１０７等の除去は、たとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００７９】
次に、たとえば厚さ１μｍのＳｉＯ2からなる絶縁膜１１１をウエハの表面上に形成し、その上にレジストマスクを形成して、図１２の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の絶縁膜１１１を除去することによって、絶縁膜１１１をパターンニングする。ここで、絶縁膜１１１の除去もたとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。これにより、電流阻止領域となる溝部１１６を絶縁膜１１１が埋める構成が形成される。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。
【００８０】
続いて、ウエハの表面上にたとえば厚さ３００ｎｍのＡＰＣからなる反射膜１１２をスパッタ等により形成し、その上にレジストマスクを形成して、図１３の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の反射膜１１２を除去することによって、反射膜１１２をパターンニングする。ここで、反射膜１１２の除去もたとえばドライエッチングやウエットエッチング等により行なうことができる。その後、レジストマスク（図示せず）を除去する。なお、ＡＰＣからなる反射膜１１２は、発光層１０４からの光を反射する役割と、第２のｎ型ＧａＮ層１０７へのコンタクト電極としての役割とを有している。
【００８１】
続いて、反射膜１１２の表面および反射膜１１２から露出している第２のｎ型ＧａＮ層１０７の一部の表面上にレジストマスクを形成して、図１４の模式的断面図に示すように、レジストマスク（図示せず）が形成されていない部分の第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部を除去することによって第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させてｐ層側分離溝１２２を形成する。
【００８２】
次に、ウエハの表面上にたとえば厚さ１μｍのＳｉＯ2からなる絶縁膜１１７を形成し、その後、図１５の模式的断面図に示すように、溝部１１６の底面の上方に対応する箇所の絶縁膜１１７を除去して、反射膜１１２の表面を露出させる。
【００８３】
続いて、図１６の模式的断面図に示すように、ウエハの表面上に第１の貼り付け用金属層１１３ａを蒸着等により形成する。
【００８４】
また、図１７の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製したウエハとは別途に、Ｓｉ基板１２１の表面上に第２の貼り付け用金属層１１３ｂを蒸着等により形成したウエハを形成する。
【００８５】
次に、図１８の模式的断面図に示すように、図１７に示すウエハの第２の貼り付け用金属層１１３ｂ上に図１６に示すウエハの第１の貼り付け用金属層１１３ａ側を設置し、第１の貼り付け用金属層１１３ａと第２の貼り付け用金属層１１３ｂとを加熱して貼り合わせる。なお、第１の貼り付け用金属層１１３ａと第２の貼り付け用金属層１１３ｂとを貼り合わせることにより金属層１１３が形成される。
【００８６】
続いて、サファイア基板１０１およびバッファ層１１４を除去することにより、図１９の模式的断面図に示すように、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させる。ここで、サファイア基板１０１は裏面（第１のｎ型ＧａＮ層１０２が位置する側の表面とは反対側の表面）側から研磨後に、サファイア基板１０１の裏面側からレーザ光を照射することによってバッファ層１１４を溶融させて、サファイア基板１０１を剥離する。
【００８７】
次に、図２０の模式的断面図に示すように、第１のｎ型ＧａＮ層１０２をエッチングすることによって、第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の積層体の外周を取り囲むようにｎ層側分離溝１２３を形成する。
【００８８】
ここで、ｎ層側分離溝１２３は、ウエハを分割して取り出される窒化物半導体発光ダイオード素子の形状が残るように形成される。また、ｎ層側分離溝１２３は、上記の積層体を上記の積層体をドライエッチングやウエットエッチング等の手法で除去することにより形成することができるが、これらのエッチングに際しては、絶縁膜１１７をエッチングストップ層として機能させることが好ましい。
【００８９】
次に、露出した第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面をエッチングすることによって、図２１の模式的断面図に示すように、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面に凹凸を形成する。
【００９０】
次に、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面上にレジストマスクを形成した後に、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層をこの順序で蒸着等することによって積層する。その後、リフトオフによりＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層の積層体の一部を除去することによって、図２２の模式的断面図に示すように、ｎ側パッド電極１１０を形成する。また、Ｓｉ基板１２１の裏面にｐ側パッド電極１０９を形成する。
【００９１】
ここで、ｎ側パッド電極１１０は、第１のｎ型ＧａＮ層１０２との接触面が溝部１１６の上方に対応する領域内に含まれるような大きさに形成されることが好ましい。この場合には、フォトリソグラフィ工程においてアライメントずれが生じた場合でもｎ側パッド電極１１０が発光層１０４の発光領域の上方の領域に重ならないようにすることができるため、安定して高い光取り出し効率を得ることができる傾向にある。
【００９２】
その後、たとえば図２２に示す破線に沿ってウエハを分割することにより、図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子が得られる。図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、発光層１０４から発せられた光は主に第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面から外部に取り出されるため、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面が主たる光取り出し面となる。特に、本実施の形態においては、主たる光取り出し面となる第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面に凹凸が形成されていることから、凹凸を形成しない場合と比べてより多くの光を外部に取り出すことができる。
【００９３】
以上のようにして得られた図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、上述したように、絶縁膜１１１により埋められた溝部１１６が電流阻止領域となる。ここで、発光層１０４からの光に対して不透明なｎ側パッド電極１１０が電流阻止領域となる溝部１１６の上方に形成された場合でも、ｎ側パッド電極１１０の下方の発光層１０４の部分は除去されており、ｎ側パッド電極１１０の下方では発光しないことから、従来のようにｎ側パッド電極１１０の下方で発光した光がｎ側パッド電極１１０で吸収される量を低減することができる。
【００９４】
それゆえ、図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、電流の注入量に対して外部に取り出すことができる光子の割合が向上するため、従来と比べて光取り出し効率を向上させることができる。
【００９５】
図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、ｎ側パッド電極１１０の下方に電流阻止領域を設けていない従来の窒化物半導体発光ダイオード素子と比べて、光取り出し効率を約３０％向上させることができる。
【００９６】
なお、本実施の形態においては、第１のｎ型ＧａＮ層１０２の表面を露出させてその露出表面を絶縁膜１１１で覆ったが、発光層１０４の表面を露出させてその露出表面を絶縁膜１１１で覆ってもよく、ｐ型ＧａＮ層１０６またはｐ型ＡｌＧａＮ層１０５の表面を露出させるだけでもよい。
【００９７】
また、本実施の形態においては、絶縁膜１１１としてＳｉＯ2を用いたが、本発明においてはＳｉＯ2に限定されないことは言うまでもない。たとえば、絶縁膜１１１としてＡｌＮ等の窒化物を用いた場合には、熱伝導率が良くなるため、大電流密度駆動時の窒化物半導体発光ダイオード素子の特性を上げることができ、また、ドライエッチング時に、ｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層等の断面に発生する欠陥を修復する効果があるため、特に大電流密度駆動時や高温環境での駆動時に窒化物半導体発光ダイオード素子の特性が低下しない等の効果がある。
【００９８】
（実施の形態４）
図２３に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子のさらに他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図２３に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、電流阻止領域の形成のために、第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２の一部をリング状に除去する点で実施の形態３と異なっている。
【００９９】
このような形状でも、電流阻止領域の内側に残っている第２のｎ型ＧａＮ層１０７は外側の第２のｎ型ＧａＮ層１０７と分離されているため、電流が注入されず、その上方の発光層１０４にも電流が注入されないため発光しない。
【０１００】
このように、電流阻止領域の内側に第２のｎ型ＧａＮ層１０７、ＩｎＧａＮコンタクト層１１５、ｐ型ＧａＮ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、発光層１０４、ｎ型ＳＬ層２０２および第１のｎ型ＧａＮ層１０２を残すことにより、ｎ側パッド電極１１０にワイヤボンディングする時の衝撃が加わった場合でも、結晶の機械強度が十分であるためにクラックなどが発生しにくく、歩留まり良く製造できる。
【０１０１】
（その他）
本発明において、基板の材質は上記の実施の形態１〜４で用いたものに限定されないことは言うまでもない。
【０１０２】
また、本発明において、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層についても、上記の実施の形態１〜４で用いたものに限定されないことは言うまでもない。
【０１０３】
本発明において、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層としては、それぞれ独立に、たとえば、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≠０）の組成式で表わされる窒化物半導体結晶を用いることができ、ｎ型窒化物半導体層には上記の組成式で表わされる窒化物半導体結晶にシリコン等のｎ型不純物がドープされていてもよく、ｐ型窒化物半導体層には上記の組成式で表わされる窒化物半導体結晶にボロン等のｐ型不純物がドープされていてもよい。また、発光層にも上記の組成式で表わされる窒化物半導体結晶にｎ型不純物またはｐ型不純物がドープされていてもよく、発光層としては単一量子井戸構造を有するものを用いてもよく、多重量子井戸構造を有するものを用いてもよい。
【０１０４】
なお、上記の組成式において、Ａｌはアルミニウムを示し、Ｇａはガリウムを示し、Ｉｎはインジウムを示し、Ｎは窒素を示し、ｘはＡｌの組成比を示し、ｙはＧａの組成比を示し、ｚはＩｎの組成比を示す。また、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層においては、上記の組成式のｘ、ｙおよびｚの値がそれぞれ異なる窒化物半導体結晶を用いてもよいことは言うまでもない。
【０１０５】
また、上記の実施の形態１〜４においては、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極としてＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層およびＡｕ層をこの順序で蒸着等することによって積層したものを用いているが、これに限定されないことは言うまでもない。
【０１０６】
また、上記の実施の形態２および３においては、第１のｎ型窒化物半導体層または第２のｎ型窒化物半導体層よりも高抵抗の高抵抗材料としてＳｉＯ2を用いたが、本発明においてはＳｉＯ2に限定されないことは言うまでもない。また、高抵抗材料は、本発明の窒化物半導体発光素子の製造工程の少なくとも１つの工程において、ドライエッチング用のマスクとして利用されたものであってもよい。
【０１０７】
また、上記の実施の形態１および２においてはそれぞれ第２のｎ型窒化物半導体層に接するコンタクト電極としてＩＴＯからなる透明導電膜１０８が用いられており、上記の実施の形態３および４においてはコンタクト電極として反射膜１１２が用いられているが、本発明において、コンタクト電極はこれらに限定されないことは言うまでもない。
【０１０８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体発光ダイオード素子だけでなく、窒化物半導体レーザダイオード素子等の窒化物半導体発光ダイオード素子以外の発光素子にも利用することができる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の一例の模式的な断面図である。
【図２】図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図４】図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図１に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図６】本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図である。
【図７】図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図８】図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図９】図６に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子のさらに他の一例の模式的な断面図である。
【図１１】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１６】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１７】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１８】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図１９】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２０】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２１】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２２】図１０に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２３】本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子のさらに他の一例の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１００  電流阻止領域、１０１  サファイア基板、１０２  第１のｎ型ＧａＮ層、１０３  ｎ型ＡｌＧａＮ層、１０４  発光層、１０５  ｐ型ＡｌＧａＮ層、１０６  ｐ型ＧａＮ層、１０７  第２のｎ型ＧａＮ層、１０８  透明導電膜、１０９  ｐ側パッド電極、１１０  ｎ側パッド電極、１１１，１１７  絶縁膜、１１２  反射膜、１１３  金属層、１１３ａ  第１の貼り付け用金属層、１１３ｂ  第２の貼り付け用金属層、１１４  バッファ層、１１５  ＩｎＧａＮコンタクト層、１１６  溝部、１２０  ウエハ、１２１  Ｓｉ基板、１２２  ｐ層側分離溝、１２３  ｎ層側分離溝、２０２  ｎ型ＳＬ層。
【図１】
0005126884.tif 000002
【図２】
0005126884.tif 000003
【図３】
0005126884.tif 000004
【図４】
0005126884.tif 000005
【図５】
0005126884.tif 000006
【図６】
0005126884.tif 000007
【図７】
0005126884.tif 000008
【図８】
0005126884.tif 000009
【図９】
0005126884.tif 000010
【図１０】
0005126884.tif 000011
【図１１】
0005126884.tif 000012
【図１２】
0005126884.tif 000013
【図１３】
0005126884.tif 000014
【図１４】
0005126884.tif 000015
【図１５】
0005126884.tif 000016
【図１６】
0005126884.tif 000017
【図１７】
0005126884.tif 000018
【図１８】
0005126884.tif 000019
【図１９】
0005126884.tif 000020
【図２０】
0005126884.tif 000021
【図２１】
0005126884.tif 000022
【図２２】
0005126884.tif 000023
【図２３】
0005126884.tif 000024