(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた一対の電極と、前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極に設けられた複数の帯状電極と、前記複数の帯状電極を覆って前記第１基板の前記液晶層と接する面に設けられた配向膜と、を備え、前記一対の電極間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置であって、
前記配向膜は、前記液晶層と接する面をラビング布で一方向にラビングすることにより配向性を付与されており、
前記第１基板には、前記一方の電極を構成する画素電極と、前記画素電極と絶縁膜を介して対向配置されていて前記一対の電極の他方の電極を構成する共通電極とが設けられ、
前記第１基板の前記液晶層側に柱状構造物が設けられ、前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、最大径の方向を規定する長軸と、最小径の方向を規定する短軸とを有する形状とされ、
前記柱状構造物は、１画素電極毎に１以上ずつ設けられ、前記ラビング方向において、対応する画素電極の上流側に配置され、
前記柱状構造物の長軸方向と前記帯状電極の延在方向とはいずれもラビング方向に対して傾いて配置され、前記ラビング方向に対する前記柱状構造物の長軸の傾き方向と、前記ラビング方向に対する前記帯状電極の傾き方向とは、前記ラビング方向を挟んで逆方向である液晶表示装置。
【請求項２】
前記ラビング方向と前記帯状電極の延在方向とが交差する角度が、１°以上１０°以下である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記柱状構造物は、前記第１基板と前記第２基板との間のスペーサとして機能する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板には、前記画素電極と前記共通電極のうち前記液晶層に近い側に配置された電極に前記複数の帯状電極が設けられ、
前記柱状構造物は、前記複数の画素電極の境界部と重なる位置に配置され、前記柱状構造物を通って前記ラビング方向と平行に延びる線上に前記画素電極が配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極と前記共通電極とが対向する領域のうち、当該画素電極の中心を通って前記ラビング方向と平行に延びる中心線を挟んで一方側に配置された領域を第１領域、他方側に配置された領域を第２領域とし、更に、前記第１領域に設けられた前記帯状電極を第１帯状電極、前記第２領域に設けられた前記帯状電極を第２帯状電極とした場合に、
前記第１帯状電極の前記中心線に対する傾き方向と、前記第２帯状電極の前記中心線に対する傾き方向とが、前記中心線を挟んで逆方向であり、
前記柱状構造物は、前記ラビング方向において前記第１領域の上流側及び前記第２領域の上流側に、それぞれ１以上ずつ設けられ、
前記第１領域の上流側に設けられた前記柱状構造物の前記中心線に対する傾き方向と、前記第２領域の上流側に設けられた前記柱状構造物の前記中心線に対する傾き方向とが、前記中心線を挟んで逆方向である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、相対向して配置された所定の曲率半径を有する一対の第１曲線部と、前記一対の第１曲線部間に位置させられるとともに、前記所定の曲率半径より小さい曲率半径を有する一対の第２曲線部と、からなる形状である請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、前記長軸と平行な一対の直線部と、前記一対の直線部間に位置させられた一対の直線部若しくは一対の曲線部と、からなる形状である請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、前記長軸と平行な第１対角線と前記短軸と平行な第２対角線とが、前記第２対角線の中心点で直角に交わる形状である請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が封止された構造となっており、一対
の基板の間隔を保持するために、基板全面に均一な密度でスペーサが配置される。スペー
サは、微小な球状の形状を有するものが知られているが、最近では、フォトリソグラフィ
技術を用いて、基板上に一体に形成するものが知られている。基板上に形成されたスペー
サは、柱状構造を有するため、「柱状スペーサ」と呼ばれることがある（例えば、特許文
献１参照）。
【０００３】
ところで、最近の液晶表示装置では、高視野角化を図る一手段として、液晶層に対して
基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する
）が実用化されている。横電界方式としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦ
Ｓ（Fringe-Field Switching）方式が知られている。
【０００４】
横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方に液
晶層を駆動するための一対の電極が設けられている。そして、一対の電極のうち、配向膜
と接する部分の電極は、一定の間隔をあけて配置された複数の帯状電極を有している。例
えば、ＦＦＳ方式の液晶表示装置では、画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層され
、両電極のうち液晶層側の表面近傍に配置された電極に、複数の帯状の電極スリットが形
成され、電極スリット間に配置された電極が帯状電極となる。そして、帯状電極の表面に
ポリイミドなどの有機材料を塗布し、ラビング布を擦り付けるラビング処理を施すことに
よって配向膜が形成される。
【０００５】
ここで、帯状電極の延在方向は、ラビング方向と交差する方向に配置される。液晶分子
は帯状電極の延在方向と直交する方向に配向するため、帯状電極の延在方向はラビング方
向と平行に配置されることが望ましい。しかし、両者を平行に配置すると、液晶分子の回
転方向が時計回りと反時計回りの２つの方向で発生し、両者の間にディスクリネーション
が発生するため、通常は、帯状電極の延在方向をラビング方向から１°〜１０°傾けた方
向に配置し、液晶分子の回転方向を一方向に揃えるようにしている。
【特許文献１】特開２００４−４５５５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、帯状電極の延在方向をラビング方向から傾けた方向に配置すると、回転
金属ロールなどに巻き付けたラビング布で配向膜の表面を擦ったときに、ラビング布の毛
先が帯状電極の延在方向に向いてしまい、本来配向すべき方向と異なる方向に配向処理さ
れてしまうことがある。すなわち、配向膜の下地には、帯状電極による微細な段差構造が
形成されているため、帯状電極を覆う配向膜の表面にもこの段差構造に起因した微細な段
差が形成され、配向膜の表面をラビング布で擦ったときに、ラビング布の毛先がこの段差
に沿って流されてしまうのである。
【０００７】
この問題に対して、特許文献１のような楕円状の柱状スペーサ（柱状構造物）を用いる
ことが考えられる。特許文献１の柱状スペーサでは、配向膜をラビングする際に、柱状ス
ペーサの形状を楕円形状とし、ラビングの影となる部分の柱状スペーサの根元にスロープ
部を設けている。この柱状スペーサでは、楕円の長軸方向がラビング方向と平行な方向に
配置されているため、ラビング布の毛先の向きをラビング方向と平行な方向に揃えること
ができる。
【０００８】
しかしながら、柱状スペーサによる毛先の制御効果は、柱状スペーサの近傍にしか及ば
ないため、柱状スペーサから離れた領域では帯状電極の影響が強くなり、毛先の向きは徐
々に帯状電極の延在方向と平行な方向に近づいていく。そのため、帯状電極の一端部から
他端部に向けて配向膜をラビング布で擦った場合、帯状電極の他端部側では、本来配向さ
れるべき方向とはずれた方向に配向処理されることになり、そのずれが大きい場合には、
配向不良として認識されることになる。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、配向膜をラビングするときに
帯状電極の段差に起因して配向方向が大きくずれてしまうことを防止することのできる液
晶表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた一対の電極と、前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極に設けられた複数の帯状電極と、前記複数の帯状電極を覆って前記第１基板の前記液晶層と接する面に設けられた配向膜と、を備え、前記一対の電極間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置であって、前記配向膜は、前記液晶層と接する面をラビング布で一方向にラビングすることにより配向性を付与されており、前記第１基板には、前記一方の電極を構成する画素電極と、前記画素電極と絶縁膜を介して対向配置されていて前記一対の電極の他方の電極を構成する共通電極とが設けられ、前記第１基板の前記液晶層側に柱状構造物が設けられ、前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、最大径の方向を規定する長軸と、最小径の方向を規定する短軸とを有する形状とされ、前記柱状構造物は、１画素電極毎に１以上ずつ設けられ、前記ラビング方向において、対応する画素電極の上流側に配置され、前記柱状構造物の長軸方向と前記帯状電極の延在方向とはいずれもラビング方向に対して傾いて配置され、前記ラビング方向に対する前記柱状構造物の長軸の傾き方向と、前記ラビング方向に対する前記帯状電極の傾き方向とは、前記ラビング方向を挟んで逆方向である。
【００１１】
この構成によれば、ラビング方向に沿ったラビング布の進行及びラビング布の毛先の動
きは次のようになる。まず、ラビング布の毛先は、柱状構造物に当接した後、柱状構造物
の両側面に沿うように僅かな距離を隔てて分断される。このとき、ラビング布の毛先の向
きは、柱状構造物の長軸と平行な方向に配置される。この方向は、帯状電極の延在方向、
すなわち、帯状電極によってラビング布の毛先がずれる方向とは逆の方向である。
【００１２】
次に、ラビング布の進行によってラビング布が柱状構造物から離れると、ラビング布の
毛先の向きは、帯状電極によって形成された微小な段差によって、帯状電極の延在方向と
平行な方向にずれていく。ラビング布の毛先の向きは、柱状構造物から離れるにしたがっ
て、徐々にラビング方向と平行な方向に近づいていき、柱状構造物から所定の距離だけ離
れると、ラビング方向と平行になる。そして、更に柱状構造物から離れると、毛先の向き
は、柱状構造物によって制御された方向とは逆方向に傾いていき、徐々に帯状電極の延在
方向と平行な方向に近づいていく。
【００１３】
このように、本発明の液晶表示装置では、帯状電極による毛先のずれの方向と、柱状構
造物による毛先のずれの方向とが互いに相殺するため、柱状構造物から離れた領域でも、
毛先の向きのずれを最小限に抑えることができる。そのため、ラビング方向から大きくず
れた方向に配向処理される領域が形成されず、概ね均一な配向状態が得られる。
【００１４】
本発明においては、前記ラビング方向と前記帯状電極の延在方向とが交差する角度が、
１°以上１０°以下であることが望ましい。
この構成によれば、帯状電極の傾き角が小さいため、帯状電極によるラビングへの影響
も小さくなる。そのため、少ない柱状構造物の数で十分な配向制御効果を得ることができ
、その結果、開口率の高い液晶表示装置が提供できる。
【００１５】
本発明においては、前記柱状構造物は、前記第１基板と前記第２基板との間のスペーサ
として機能することが望ましい。
この構成によれば、スペーサを省略することができ、装置構成が簡略化される。
【００１６】
本発明においては、前記第１基板には、前記画素電極と前記共通電極のうち前記液晶層に近い側に配置された電極に前記複数の帯状電極が設けられ、前記柱状構造物は、前記複数の画素電極の境界部と重なる位置に配置され、前記柱状構造物を通って前記ラビング方向と平行に延びる線上に前記画素電極が配置されていることが望ましい。
この構成によれば、帯状電極によるラビング布の毛先のずれを、柱状構造物によって確実に相殺することができる。また、柱状構造物が画素電極の境界部に配置されているため、開口率の高い液晶表示装置が提供できる。
【００１７】
本発明においては、前記柱状構造物は、１画素電極毎に１以上ずつ設けられ、前記ラビング方向において、対応する画素電極の上流側に配置されている。
この構成によれば、画素電極毎に柱状構造物が配置されているため、帯状電極によるラビング布の毛先のずれを、柱状構造物によって確実に相殺することができる。
【００１８】
本発明においては、前記画素電極と前記共通電極とが対向する領域のうち、当該画素電
極の中心を通って前記ラビング方向と平行に延びる中心線を挟んで一方側に配置された領
域を第１領域、他方側に配置された領域を第２領域とし、更に、前記第１領域に設けられ
た前記帯状電極を第１帯状電極、前記第２領域に設けられた前記帯状電極を第２帯状電極
とした場合に、前記第１帯状電極の前記中心線に対する傾き方向と、前記第２帯状電極の
前記中心線に対する傾き方向とが、前記中心線を挟んで逆方向であり、前記柱状構造物は
、前記ラビング方向において前記第１領域の上流側及び前記第２領域の上流側に、それぞ
れ１以上ずつ設けられ、前記第１領域の上流側に設けられた前記柱状構造物の前記中心線
に対する傾き方向と、前記第２領域の上流側に設けられた前記柱状構造物の前記中心線に
対する傾き方向とが、前記中心線を挟んで逆方向であることが望ましい。
【００１９】
この構成によれば、画素電極はいわゆるマルチドメイン構造となっている。すなわち、
画素電極を構成する帯状電極の延在方向は、前記中心線を挟んで一方側（第１領域）と他
方側（第２領域）とで異なっている。この構成においては、第１領域と第２領域の各々に
１以上ずつ柱状構造物が配置され、柱状構造物の長軸方向も、第１領域と第２領域の各々
について適切な方向に設定されている。そのため、第１領域と第２領域の双方について均
一な配向状態が得られる。
【００２０】
本発明においては、前記柱状構造物を前記第１基板と平行な平面で切った断面は、例え
ば、以下の形状であることが望ましい。
（１）相対向して配置された所定の曲率半径を有する一対の第１曲線部と、前記一対の第
１曲線部間に位置させられるとともに、前記所定の曲率半径より小さい曲率半径を有する
一対の第２曲線部と、からなる形状。
（２）前記長軸と平行な一対の直線部と、前記一対の直線部間に位置せられた一対の直線
部若しくは一対の曲線部と、からなる形状。
（３）前記長軸と平行な第１対角線と前記短軸と平行な第２対角線とが、前記第２対角線
の中心点で直角に交わる形状（菱形、凧形）。
【００２１】
上記構成の柱状構造物によれば、ラビング方向に沿ったラビング布の進行及びラビング
布の毛先の動きは次のようになる。まず、ラビング布の毛先は、柱状構造物の先端部に当
接した後、柱状構造物の両側面に沿うように僅かな距離を隔てて分断される。次に、ラビ
ング布の進行につれて前記の分断の距離は次第に大きくなり、ラビング布が柱状構造物の
短径部分に達したときに、柱状構造物の両側面に位置する毛先間の距離は最大となる。こ
の後、ラビング布の進行につれて当該距離は小さくなり、最後に、柱状構造物の後端部に
達したときに、毛先は再び会合する。このように、本発明の柱状構造物によれば、毛先の
動きが滑らかに進行するため、柱状構造物の影となる部分においても、ラビング布の毛先
を十分に行き届かせることができる。
【００２２】
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶表示装置を備えている。
この構成によれば、均一な配向状態が得られる横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下の説明では、ＸＹＺ直
交座標系を用いて部材の配置を説明する。本実施形態では、例えば、Ｘ軸方向を走査線の
延在方向、Ｙ軸方向をデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による画像表示領域の観察
方向とする。各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２４】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶表示装置は、液晶に対し略基板面方向の電界を印加して配向を制御する
ことにより画像表示を行う方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれ
る方式を採用したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
【００２５】
また本実施形態の液晶表示装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶表示
装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の
画素を構成するものとなっている。したがって表示の最小単位を構成する領域を「サブ画
素領域」、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される領域を「画素領域」と称する。
また、複数の画素によって形成される領域を「画像表示領域」と呼ぶ。
【００２６】
図１は、本実施形態の液晶表示装置１００の等価回路図である。液晶表示装置１００の
画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、画素電極９
と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。画素電極９
と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走査線駆動回路１
０２から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、複数のサブ画素において共通の電
位に保持されるようになっている。
【００２７】
データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続
されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６
ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよう
にしてもよい。
【００２８】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続
されている。走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給
される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加さ
れるようになっている。
【００２９】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とさ
れることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミ
ングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込ま
れた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する
共通電極１９との間で一定期間保持される。
【００３０】
図２は、液晶表示装置１００を構成するマトリクス状に形成された画素領域（３つのサ
ブ画素領域）の平面図である。液晶表示装置１００の画素領域は、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のカラ
ーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂをそれぞれ備えた３つのサブ画素領域により構成され
ている。サブ画素領域の各々には、内側に複数のスリット２９が形成された概略梯子形状
の画素電極９が形成されている。画素電極９の外周を取り囲むようにして、走査線３ａと
共通線３ｂと複数のデータ線６ａとが配置されている。
【００３１】
走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍にスイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成
されている。ＴＦＴ３０はデータ線６ａ及び画素電極９と電気的に接続されている。また
、画素電極９と平面視でほぼ重なる位置に略矩形状の共通電極１９が形成されている。
【００３２】
画素電極９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。画素電極９には、走査
線３ａ及びデータ線６ａの双方と交差する方向（図示斜め方向）に延びる複数のスリット
２９が形成されている。スリット２９はデータ線６ａの延在方向に沿って等間隔に配列さ
れている。本実施形態の場合、スリット２９は、走査線３ａと平行な方向から反時計回り
に１°〜１０°傾いた方向とされ、１つのサブ画素の画素電極９に１７本のスリット２９
が形成されている。各スリット２９は略同一の幅に形成され、互いに平行である。そして
、画素電極９は、複数のスリット２９によって形成された複数本（図示では１６本）の帯
状電極部９ｃを有している。スリット２９が一定の幅を有して等間隔で配列されているこ
とから、帯状電極部９ｃも一定の幅を有して等間隔で配列されている。
【００３３】
本実施形態の場合、画素電極９の短辺の長さは３０μｍ〜１００μｍであり、長辺方向
の長さは１００μｍ〜４００μｍである。スリット２９の幅と帯状電極部９ｃの幅はいず
れも４μｍであるが、これに限定されない。
【００３４】
共通電極１９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。共通電極１９は、走
査線３ａと平行に延びる共通線３ｂと一体に形成されている。なお、共通線３ｂと共通電
極１９とを別々の導電膜を用いて形成し、これらを電気的に接続してもよい。このように
別部材とする場合には、共通電極１９を共通線３ｂと異なる配線層に形成し、層間絶縁膜
に開口したコンタクトホールを介して両者を接続した構成とすることもできる。
【００３５】
ＴＦＴ３０は、走査線３ａ上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜から
なる半導体層３５と、データ線６ａを分岐して半導体層３５上に延出されたソース電極３
１と、半導体層３５上から画素電極９の形成領域に延びる矩形状のドレイン電極３２とを
備えている。走査線３ａは、半導体層３５と対向する位置でＴＦＴ３０のゲート電極とし
て機能する。ドレイン電極３２と画素電極９とは、両者が平面的に重なる位置に形成され
た画素コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。
【００３６】
なお、図示のサブ画素領域において、画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領
域が、当該サブ画素領域の容量として機能する。そのため、別途蓄積容量を設ける必要が
無く、高い開口率を得ることができる。
【００３７】
画素電極９の境界部に柱状構造物６０が設けられている。柱状構造物６０は、後述する
ラビング工程で使用されるものである。本実施形態の場合、柱状構造物６０は、ＴＦＴア
レイ基板と対向基板とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサの機能を
兼ねている。
【００３８】
柱状構造物６０は、１サブ画素領域毎に２つずつ設けられている。１サブ画素領域に設
けられた２つの柱状構造物６０は、データ線６ａと重なる位置において、対応する画素電
極９のＴＦＴ側の縁から共通線３ｂ側の縁までの間隔を３等分する位置に配置されている
。
【００３９】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、１サブ画素領域毎に１つずつ配置しても良
く、１画素領域毎（すなわち３サブ画素領域毎）に１つずつ配置しても良い。また、柱状
構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構造物６０を通って走査線
と平行な線上（ラビングが行われる方向）に画素電極９が配置されていれば良い。
【００４０】
柱状構造物６０は、基板と平行な平面で切った断面が、最大径の方向を規定する長軸と
、最小径の方向を規定する短軸とを有する矩形状を成している。柱状構造物６０の長軸は
、走査線３ａ及びデータ線６ａの双方と交差する方向（図示斜め方向）に延びており、本
実施形態の場合、長軸の延在方向は、走査線３ａと平行な方向から時計回りに１°〜１０
°傾いた方向とされている。
【００４１】
図３は、図２のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ
基板１０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向配置された対向基板２０と、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（
液晶層５０と反対側）に設けられた第１偏光板１４と、対向基板２０の外面側に設けられ
た第２偏光板２４と、第１偏光板１４の外面側に設けられた照明装置９０と、を備えてい
る。そして、導光板９１と反射板９２とを備えた照明装置９０によって第１偏光板１４の
外面側から照明光が照射される構成となっている。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを
基体としてなり、基板本体１０Ａの液晶層５０側に走査線３ａと共通電極１９と共通線３
ｂとが形成されている。走査線３ａ、共通電極１９、及び共通線３ｂを覆って、シリコン
酸化物膜等からなる絶縁薄膜１１が形成されており、絶縁薄膜１１上に島状の半導体層３
５が形成されている。絶縁薄膜１１上にはまた、半導体層３５と一部重なるようにしてソ
ース電極３１とドレイン電極３２とが形成されている。ＴＦＴ３０を覆って、シリコン酸
化物膜や樹脂膜からなる層間絶縁膜１２が形成されており、層間絶縁膜１２上に画素電極
９が形成されている。層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極３２に達する画素コンタク
トホール４７を介して、画素電極９とドレイン電極３２とが電気的に接続されている。
【００４３】
画素電極９を覆って、ポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。配向膜１８
は、液晶層５０と接する面がラビング処理（配向処理）されており、液晶を所定方向に配
向させるようになっている。配向膜１８による配向規制方向は、本実施形態の場合、走査
線３ａと平行な方向であり、画素電極９のスリット２９の延在方向とは交差する方向であ
る。
【００４４】
対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体とし
てなり、基板本体２０Ａの液晶層５０側に、カラーフィルタ２２（２２Ｂ、２２Ｇ、２２
Ｒ）と、カラーフィルタ２２を覆う配向膜２８とが積層されている。カラーフィルタ２２
は、図２に示したように、各サブ画素領域に対応して設けられた色材層であり、１つの画
素領域内に、青色の色材層からなるカラーフィルタ２２Ｂと、緑色の色材層からなるカラ
ーフィルタ２２Ｇと、赤色の色材層からなるカラーフィルタ２２Ｒとが配列されている。
【００４５】
配向膜２８はＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１８と同様の構成である。配向膜２８に
よる配向規制方向は、配向膜１８の配向規制方向と反平行であり、したがって液晶層５０
は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈する。
【００４６】
図４は、液晶表示装置１００を構成する光学素子等の光学軸の配置関係の説明図である
。偏光板１４の透過軸１５３はＸ軸と平行であり、偏光板２４の透過軸１５５はＹ軸と平
行である。配向膜１８，２８は、平面視で平行かつ逆方向にラビング処理されており、そ
の方向は、ラビング方向１５１である。ラビング方向１５１は、偏光板１４の透過軸１５
３と平行である。
【００４７】
ラビング方向１５１は、図４に示す方向に限定されるものではないが、画素電極９と共
通電極１９との間に生じる電界の主方向１５８と交差する方向（一致しない方向）とされ
る。本実施形態では、帯状電極部の延在方向１５６は、ラビング方向１５１と平行な方向
（Ｘ軸）から反時計回りに鋭角θ２（例えば１°〜１０°）を成す方向である。そのため
、電界の方向１５８は、ラビング方向１５１と直交する方向（Ｙ軸）から反対時計回りに
鋭角θ２を成す方向となる。
【００４８】
また、ＴＦＴアレイ基板上には、Ｘ軸と交差する方向に延びる柱状構造物が設けられて
いる。柱状構造物の長軸の方向１５９は、Ｘ軸と平行な方向から時計回りに鋭角θ１（例
えば１°〜１０°）を成す方向である。Ｘ軸と平行な方向から時計回りに傾いた方向を正
方向、反時計回りに傾いた方向を負方向とした場合、Ｘ軸に対する柱状構造物の長軸の傾
き方向と、Ｘ軸に対する帯状電極の傾き方向とは、Ｘ軸を挟んで逆方向となっている。
【００４９】
上記構成の液晶表示装置１００では、ＴＦＴ３０を介して画素電極９に画像信号（電圧
）を供給することで、画素電極９と共通電極１９との間に基板面方向の電界を生じさせ、
この電界によって液晶を駆動する。そして、サブ画素領域毎に透過率を変更させて表示を
行う。すなわち、画素電極９に電圧を印加しない状態において、液晶層５０を構成する液
晶分子は、ラビング方向と平行な方向に水平配向している。そして、画素電極９及び共通
電極１９を介して画素電極９を構成する帯状電極９ｃの延在方向に対して直交する方向の
電界を液晶層５０に発生させると、液晶分子が基板面内で回転し、電界の方向と平行な方
向に配向する。
【００５０】
照明装置９０から照射された光は、偏光板１４を透過することで、偏光板１４の透過軸
に沿う直線偏光に変換され、液晶層５０に入射する。そして、液晶層５０がオフ状態（非
選択状態）であれば、液晶層５０に入射した直線偏光は、入射時と同一の偏光状態で液晶
層５０から出射する。この直線偏光は、直線偏光と直交する透過軸を有する偏光板２４に
吸収されて、サブ画素領域が暗表示となる。一方、液晶層５０がオン状態（選択状態）で
あれば、液晶層５０に入射した直線偏光は、液晶層５０により所定の位相差（１／２波長
）が付与されて、入射時の偏光方向から９０°回転した直線偏光に変換されて液晶層５０
から出射する。この直線偏光は、偏光板２４の透過軸と平行であるため、偏光板２４を透
過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。以上により、ノーマリブラ
ックモードを用いた液晶表示装置が提供される。
【００５１】
次に、液晶表示装置１００の製造方法を配向膜１８のラビング工程を中心に説明する。
図５は、基板本体１０Ａ上に形成された配向膜１８の表面をラビングロール６９を用いて
ラビングする工程の説明図である。
【００５２】
図５に示すように、まず、画素電極９と柱状構造物６０が形成された層間絶縁膜１２上
に、ポリアミック酸又は可溶性ポリイミドを含む配向膜形成材料を塗布し、仮焼成工程、
及び本焼成工程を経てポリイミド膜からなる配向膜１８を形成する。
【００５３】
次に、回転金属ロール６５に巻きつけたラビング布６６を配向膜１８の表面に接触させ
、回転金属ロール６５を回転させつつ一方向に走査することにより、配向膜１８を構成す
るポリイミドのポリマー主鎖を延伸させる。これにより、回転金属ロール６５を走査した
方向（ラビング方向）に配向性が付与され、配向膜１８上に位置する液晶層の液晶分子を
当該ラビング方向に配向させることが可能となる。
【００５４】
回転金属ロール６５はＹ軸と平行な軸の周りに回転し、該軸と直交する方向（Ｘ軸方向
）に基板本体１０Ａ上を相対移動（走査）される。回転金属ロール６５は柱状構造物６０
側から画素電極９側に向けて走査され、回転金属ロール６５に巻き付けられたラビング布
６６の毛先は、柱状構造物６０によって所定の方向に揃えられる。回転金属ロール６５の
走査方向において柱状構造物６０の下流側では、毛先の向きは、画素電極９によって形成
された配向膜表面の段差１８ａによって影響を受ける。
【００５５】
なお、図５では、回転金属ロール６５の大きさを小さく記載したが、実際には、数十ｃ
ｍ程度の直径を有するものが用いられる。ラビング布６６は、数十μｍ〜数百μｍ程度の
長さの毛先を有するものが用いられ、基板上に押し付けられて配向膜１８と一定の接触面
積を有している。回転金属ロール６５の走査方向において配向膜１８と接触する部分の長
さは、数ｍｍ程度である。この長さは、画素数十個分に相当する。
【００５６】
図６は、柱状構造物６０の形状及び作用の説明図である。図６（ａ）は、柱状構造物６
０の斜視図であり、図６（ｂ）は柱状構造物近傍のラビング布の毛先の流れを説明する平
面図である。
【００５７】
図６（ａ）に示すように、柱状構造物６０は、最大径の方向を規定する長軸ＡＸ１と、
最小径の方向を規定する短軸ＡＸ２とを有する略直方体の形状を有している。本実施形態
の場合、柱状構造物６０はＴＦＴアレイ基板と対向基板との間の柱状スペーサとして機能
し、柱状構造物６０の高さＤは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間の基板間隔と一致し
ている。柱状構造物６０の長軸ＡＸ１と平行な１辺の長さＷ１は、数十μｍであり、長軸
ＡＸ１と直交する短軸ＡＸ２と平行な１辺の長さＷ２は、数μｍ〜数十μｍである。
【００５８】
図６（ｂ）に示すように、柱状構造物６０の長軸ＡＸ１は、Ｘ軸から時計回りに角度θ
１だけ傾いた方向に延びている。帯状電極９ｃは、Ｘ軸から反時計回りに角度θ２だけ傾
いた方向に延びているため、Ｘ軸に対する柱状構造物６０の長軸ＡＸ１の傾き方向と、Ｘ
軸に対する帯状電極９ｃの傾き方向とはＸ軸を挟んで逆方向である。
【００５９】
Ｘ軸と平行な方向にラビングを行うと、ラビング方向Ｒｕｂ（Ｘ軸）に沿ったラビング
布の毛先の動きは次のようになる。まず、画素電極（帯状電極９ｃ）の上流側に配置され
た柱状構造物６０にラビングロールが接触すると、ラビング布の毛先は、図示点線で示し
たように、柱状構造物６０の両側面に沿うように僅かな距離を隔てて分断される。この分
断の距離はラビング布の進行につれて次第に大きくなり、ラビング布が柱状構造物６０の
短径部分に達したときに、柱状構造物６０の両側面に位置する毛先間の距離は最大となる
。この後、ラビング布の進行につれて当該距離は小さくなり、最後に、柱状構造物６０の
後端部に達したときに、毛先は再び会合する。
【００６０】
この一連の動作により、ラビング布の毛先は柱状構造物６０の側面に沿って滑らかに進
行し、毛先の向きが、柱状構造物６０の長軸ＡＸ１の延在方向と平行な方向に揃えられる
。このときの毛先の向きは、帯状電極９ｃの延在方向、すなわち、帯状電極９ｃによって
ラビング布の毛先がずれる方向とは逆の向きである。
【００６１】
次に、ラビング布の進行によってラビング布が柱状構造物６０から離れると、ラビング
布の毛先の向きは、帯状電極９ｃによって形成された微小な段差によって、帯状電極９ｃ
の延在方向と平行な方向にずれていく。ラビング布の毛先の向きは、柱状構造物６０から
離れるにしたがって、徐々にラビング方向Ｒｕｂと平行な方向に近づいていき、柱状構造
物６０から所定の距離だけ離れると、ラビング方向Ｒｕｂと平行になる。そして、更に柱
状構造物６０から離れると、毛先の向きは、柱状構造物６０によって制御された方向（ラ
ビング方向Ｒｕｂと平行な方向から時計回りに傾いた方向）とは逆方向に傾いていき、徐
々に帯状電極９ｃの延在方向と平行な方向に近づいていく。
【００６２】
このように、本実施形態の液晶表示装置１００では、帯状電極９ｃによる毛先のずれの
方向と、柱状構造物６０による毛先のずれの方向とが互いに相殺するため、柱状構造物６
０から離れた領域でも、毛先の向きのずれを最小限に抑えることができる。そのため、ラ
ビング方向Ｒｕｂから大きくずれた方向に配向処理される領域が形成されず、サブ画素領
域全体で概ね均一な配向状態が得られる。
【００６３】
［帯状電極と柱状構造物の配置の変形例］
図７は、帯状電極９ｃと柱状構造物６０の配置の変形例である。図７において、第１実
施形態と共通の構成については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図７（ａ）は、帯状電極９ｃの延在方向を異ならせた例である。図７（ａ）の帯状電極
９ｃは、走査線３ａと平行な方向から時計回りに数度傾いた方向に延びている。ラビング
方向Ｒｕｂは走査線３ａと平行な方向であり、図示左側から図示右側にラビングロールを
走査することによりラビング処理が行われる。
【００６５】
柱状構造物６０の長軸は、走査線３ａと平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向に
延びている。柱状構造物６０の長軸方向と帯状電極９ｃの延在方向とはいずれもラビング
方向Ｒｕｂに対して傾いて配置され、ラビング方向Ｒｕｂに対する柱状構造物６０の長軸
の傾き方向と、ラビング方向Ｒｕｂに対する帯状電極９ｃの傾き方向とは、ラビング方向
Ｒｕｂを挟んで逆方向である。
【００６６】
図７（ｂ）では、画素電極がいわゆるマルチドメイン構造となっている。すなわち、画
素電極の中心を通ってラビング方向Ｒｕｂと平行に延びる中心線上に共通線３ｂが配置さ
れ、共通線３ｂを挟んで走査線３ａと離間する側の第１領域と、走査線３ａと近接する側
の第２領域とで、帯状電極の延在方向が異なっている。第１領域に設けられた第１帯状電
極９ｃ１の共通線３ｂに対する傾き方向と、第２領域に設けられた第２帯状電極９ｃ２の
共通線３ｂに対する傾き方向とは、共通線３ｂを挟んで逆方向である。
【００６７】
第１帯状電極９ｃ１は、走査線３ａと平行な方向から時計回りに数度傾いた方向に延び
ている。第２帯状電極９ｃ２は、走査線３ａと平行な方向から反時計回りに数度傾いた方
向に延びている。ラビング方向Ｒｕｂは走査線３ａと平行な方向であり、図示左側から図
示右側にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる。
【００６８】
柱状構造物６０は、ラビング方向Ｒｕｂにおいて第１領域の上流側及び第２領域の上流
側に、それぞれ１つずつ設けられている。第１領域の上流側に設けられた柱状構造物６０
は、画素電極の境界部に配置され、第１領域に配置された画素電極の中心を通って共通線
３ｂと平行な線上に配置されている。第２領域の上流側に設けられた柱状構造物６０は、
画素電極の境界部に配置され、第２領域に配置された画素電極の中心を通って共通線３ｂ
と平行な線上に配置されている。第１領域の上流側に設けられた柱状構造物６０の共通線
３ｂに対する傾き方向と、第２領域の上流側に設けられた柱状構造物６０の共通線３ｂに
対する傾き方向とは、共通線３ｂを挟んで逆方向である。
【００６９】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、第１領域の上流側及び第２領域の上流側に
、それぞれ２以上ずつ設けられていても良い。また、１画素領域毎（すなわち３サブ画素
領域毎）に、第１領域と第２領域のそれぞれに１つずつ柱状構造物６０を配置しても良い
。また、柱状構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構造物６０を
通って走査線３ａと平行な線上（ラビングが行われる方向）に画素電極９が配置されてい
れば良い。
【００７０】
図７（ｃ）は、帯状電極９ｃの延在方向を異ならせた例である。図７（ｃ）の帯状電極
９ｃは、データ線６ａと平行な方向から時計回りに数度傾いた方向に延びている。ラビン
グ方向Ｒｕｂはデータ線６ａと平行な方向であり、図示上側から図示下側にラビングロー
ルを走査することによりラビング処理が行われる。
【００７１】
柱状構造物６０は、ラビング方向Ｒｕｂにおいて画素電極の上流側に配置されている。
柱状構造物６０は、１サブ画素領域毎に１つずつ設けられている。柱状構造物６０は、画
素電極の中心を通ってデータ線６ａと平行な線上に配置されている。
【００７２】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、１サブ画素領域毎に２以上ずつ配置しても
良く、データ線６ａに沿って配列された複数の画素電極に対して１つずつ配置しても良い
。また、柱状構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構造物６０を
通って走査線と平行な線上（ラビングが行われる方向）に画素電極９が配置されていれば
良い。
【００７３】
柱状構造物６０の長軸は、データ線６ａと平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向
に延びている。柱状構造物６０の長軸方向と帯状電極９ｃの延在方向とはいずれもラビン
グ方向Ｒｕｂに対して傾いて配置され、ラビング方向Ｒｕｂに対する柱状構造物６０の長
軸の傾き方向と、ラビング方向Ｒｕｂに対する帯状電極９ｃの傾き方向とは、ラビング方
向Ｒｕｂを挟んで逆方向である。
【００７４】
図７（ｄ）では、画素電極がいわゆるマルチドメイン構造となっている。すなわち、画
素電極の中心を通ってラビング方向Ｒｕｂと平行に延びる中心線を挟んでデータ線６ａと
近接する側の第１領域と、データ線６ａと離間する側の第２領域とで、帯状電極の延在方
向が異なっている。第１領域に設けられた第１帯状電極９ｃ１の前記中心線に対する傾き
方向と、第２領域に設けられた第２帯状電極９ｃ２の前記中心線に対する傾き方向とは、
前記中心線を挟んで逆方向である。
【００７５】
第１帯状電極９ｃ１は、データ線６ａと平行な方向から時計回りに数度傾いた方向に延
びている。第２帯状電極９ｃ２は、データ線６ａと平行な方向から反時計回りに数度傾い
た方向に延びている。ラビング方向Ｒｕｂはデータ線６ａと平行な方向であり、図示上側
から図示下側にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる。
【００７６】
柱状構造物６０は、ラビング方向Ｒｕｂにおいて第１領域の上流側及び第２領域の上流
側に、それぞれ１つずつ設けられている。第１領域の上流側に設けられた柱状構造物６０
は、画素電極の境界部に配置され、第１領域に配置された画素電極の中心を通ってデータ
線６ａと平行な線上に配置されている。第２領域の上流側に設けられた柱状構造物６０は
、画素電極の境界部に配置され、第２領域に配置された画素電極の中心を通ってデータ線
６ａと平行な線上に配置されている。第１領域の上流側に設けられた柱状構造物６０のデ
ータ線６ａに対する傾き方向と、第２領域の上流側に設けられた柱状構造物６０のデータ
線６ａに対する傾き方向とは、データ線６ａと平行な線を挟んで逆方向である。
【００７７】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、第１領域の上流側及び第２領域の上流側に
、それぞれ２以上ずつ設けられていても良い。また、データ線６ａに沿って配列された複
数の画素電極に対して、第１領域と第２領域のそれぞれに１つずつ柱状構造物６０を配置
しても良い。また、柱状構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構
造物６０を通って走査線３ａと平行な線上（ラビングが行われる方向）に画素電極９が配
置されていれば良い。
【００７８】
さらに、図７（ｄ）では、走査線３ａに沿って隣接する画素電極の第１領域同士又は第
２領域同士が、データ線６ａを挟んで隣接している。そのため、データ線６ａを挟んで隣
接する第１領域同士又は第２領域同士の柱状構造物６０を１箇所に集約し、データ線６ａ
上に配置しても良い。
【００７９】
図７（ｅ）は、帯状電極９ｃの延在方向を異ならせた例である。図７（ｅ）の帯状電極
９ｃは、データ線６ａと平行な方向に延びている。ラビング方向Ｒｕｂはデータ線６ａと
平行な方向から時計回りに数度傾いた方向であり、図示右上から図示左下にラビングロー
ルを走査することによりラビング処理が行われる。
【００８０】
柱状構造物６０は、ラビング方向Ｒｕｂにおいて画素電極の上流側に配置されている。
柱状構造物６０は、１サブ画素領域毎に１つずつ設けられている。柱状構造物６０は、画
素電極の中心を通ってデータ線６ａと平行な線上に配置されている。
【００８１】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、１サブ画素領域毎に２以上ずつ配置しても
良く、データ線６ａに沿って配列された複数の画素電極に対して１つずつ配置しても良い
。また、柱状構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構造物６０を
通ってラビング方向と平行な線上に画素電極９が配置されていれば良い。
【００８２】
図７（ｆ）は、帯状電極９ｃの延在方向を異ならせた例である。図７（ｆ）の帯状電極
９ｃは、走査線３ａと平行な方向から時計回りに４５度程度傾いた方向に延びている。ラ
ビング方向Ｒｕｂは、帯状電極９ｃの延在方向から反時計回りに数度傾いた方向であり、
図示左上から図示右下にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる。
【００８３】
柱状構造物６０の長軸は、ラビング方向Ｒｕｂから反対時計回りに数度傾いた方向に延
びている。柱状構造物６０の長軸方向と帯状電極９ｃの延在方向とはいずれもラビング方
向Ｒｕｂに対して傾いて配置され、ラビング方向Ｒｕｂに対する柱状構造物６０の長軸の
傾き方向と、ラビング方向Ｒｕｂに対する帯状電極９ｃの傾き方向とは、ラビング方向Ｒ
ｕｂを挟んで逆方向である。
【００８４】
［柱状構造物の断面形状の変形例］
図８は、柱状構造物６０の断面形状（基板と平行な平面で切った断面の形状）の変形例
である。図８において、第１実施形態と共通の構成については、同じ符号を付し、詳細な
説明は省略する。
【００８５】
図８（ａ）の柱状構造物６０は、長軸ＡＸ１と平行な一対の直線部７１，７１と、これ
ら一対の直線部の間に位置せられた一対の曲線部７２，７２と、からなる長円形の断面形
状を有している。図８（ａ）の例では、曲線部７２は半円であるが、楕円でも良い。また
、円又は楕円の一部であっても良い。
【００８６】
ラビング方向Ｒｕｂは長軸ＡＸ１と平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向であり
、図示右下から図示左上にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる
。ラビング布の毛先は、柱状構造物６０の先端部（図示下側の曲線部７２）に当接した後
、柱状構造物６０の両側面（直線部７１，７１）に沿うように僅かな距離を隔てて分断さ
れる。そして、柱状構造物６０の両側面に沿って滑らかに進行し、その間に、直線部７１
，７１と平行な方向に毛先の向きが揃えられる。
【００８７】
図８（ｂ）の柱状構造物６０は、相対向して配置された所定の曲率半径を有する一対の
第１曲線部７３，７３と、これら一対の第１曲線部間に位置させられるとともに、前記所
定の曲率半径より小さい曲率半径を有する一対の第２曲線部７４，７４と、からなる歪ん
だ円形の断面形状を有している。図８（ｂ）の例では、長軸ＡＸ１と短軸ＡＸ２とを有す
る楕円となっているが、柱状構造物６０の断面形状は楕円に限らない。
【００８８】
ラビング方向Ｒｕｂは長軸ＡＸ１と平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向であり
、図示右下から図示左上にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる
。ラビング布の毛先は、柱状構造物６０の先端部（図示下側の第２曲線部７４）に当接し
た後、柱状構造物６０の両側面（第１曲線部７３，７３）に沿うように僅かな距離を隔て
て分断される。そして、柱状構造物６０の両側面に沿って滑らかに進行し、その間に、長
軸ＡＸ１と概ね平行な方向に毛先の向きが揃えられる。
【００８９】
図８（ｃ）の柱状構造物６０は、長軸ＡＸ１と平行な第１対角線７５と短軸ＡＸ２と平
行な第２対角線７６とが、互いの中心点で直角に交わる菱形の断面形状を有している。ま
た、図８（ｄ）の柱状構造物６０は、長軸ＡＸ１と平行な第１対角線７７と短軸ＡＸ２と
平行な第２対角線７８とが、第２対角線７８の中心点で直角に交わる凧形の断面形状を有
している。
【００９０】
ラビング方向Ｒｕｂは長軸ＡＸ１と平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向であり
、図示右下から図示左上にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる
。ラビング布の毛先は、柱状構造物６０の先端部に当接した後、柱状構造物６０の両側面
に沿うように僅かな距離を隔てて分断される。そして、柱状構造物６０の両側面に沿って
滑らかに進行し、その間に、長軸ＡＸ１と概ね平行な方向に毛先の向きが揃えられる。
【００９１】
図８（ｅ）の柱状構造物６０は、長軸ＡＸ１と平行な一対の直線部７１，７１と、これ
ら一対の直線部の間に位置せられた一対の直線部７９，７９と、からなる平行四辺形の断
面形状を有している。直線部７９は、短軸ＡＸ２と平行な方向から反時計回りに数度傾い
た方向（ラビング方向Ｒｕｂと直交する方向に近づく方向）に延びている。
【００９２】
ラビング方向Ｒｕｂは長軸ＡＸ１と平行な方向から反時計回りに数度傾いた方向であり
、図示右下から図示左上にラビングロールを走査することによりラビング処理が行われる
。ラビング布の毛先は、柱状構造物６０の先端部（図示下側の直線部７９）に当接した後
、柱状構造物６０の両側面（直線部７１，７１）に沿うように僅かな距離を隔てて分断さ
れる。そして、柱状構造物６０の両側面に沿って滑らかに進行し、その間に、長軸ＡＸ１
と平行な方向に毛先の向きが揃えられる。この例では、直線部７９がラビング方向Ｒｕｂ
と直交するため、ラビングロールと当接したときに、ラビング布の毛先が大きく乱されな
い。
【００９３】
［第２の実施の形態］
図９は、第２実施形態の液晶表示装置２００の任意の１サブ画素の平面図である。図９
において、第１実施形態と共通の構成については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略す
る。
【００９４】
本実施形態の液晶装置２００は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の電極構造を備え
た液晶表示装置である。すなわち、１つのサブ画素領域内に、複数の帯状電極部９ｃを備
えた画素電極９と、複数の帯状電極部１９ｃを備えた共通電極１９とを備えている。
【００９５】
画素電極９を構成する帯状電極部９ｃは、データ線６ａ側の端部においてデータ線６ａ
に沿って延びる基幹部９ａと接続されている。共通電極１９を構成する帯状電極部１９ｃ
は、画素電極９の基幹部９ａと反対側のサブ画素辺縁にてデータ線６ａに沿って延びる基
幹部１９ａと接続されている。共通電極１９は、走査線３ａと反対側のサブ画素辺縁に配
置された共通線３ｂと接続されている。
【００９６】
帯状電極９ｃはデータ線６ａの延在方向に沿って等間隔に配列されている。本実施形態
の場合、帯状電極９ｃは、走査線３ａと平行な方向から反時計回りに１°〜１０°傾いた
方向とされ、１つのサブ画素の画素電極９に８本の帯状電極９ｃが形成されている。各帯
状電極９ｃは略同一の幅に形成され、互いに平行である。
【００９７】
帯状電極１９ｃはデータ線６ａの延在方向に沿って等間隔に配列されている。本実施形
態の場合、帯状電極１９ｃは、走査線３ａと平行な方向から反時計回りに１°〜１０°傾
いた方向とされ、１つのサブ画素の共通電極１９に８本の帯状電極１９ｃが形成されてい
る。各帯状電極１９ｃは略同一の幅に形成され、互いに平行である。
【００９８】
画素電極９の境界部に柱状構造物６０が設けられている。柱状構造物６０は、ラビング
工程で使用されるものである。本実施形態の場合、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを所定
間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサの機能を兼ねている。なお、ラビング
方向は、走査線３ａと平行な方向（Ｘ軸）であり、図示左側から図示右側にラビングロー
ルを走査することによりラビング処理される。
【００９９】
柱状構造物６０は、１サブ画素領域毎に２つずつ設けられている。１サブ画素領域に設
けられた２つの柱状構造物６０は、対応する画素電極９のＴＦＴ側の縁から共通線３ｂ側
の縁までの間隔を３等分する位置に配置されている。
【０１００】
なお、柱状構造物６０の数はこれに限らず、１サブ画素領域毎に１つずつ配置しても良
く、１画素領域毎（すなわち３サブ画素領域毎）に１つずつ配置しても良い。また、柱状
構造物６０の位置も、上述の位置に限らず、少なくとも、柱状構造物６０を通って走査線
と平行な線上（ラビングが行われる方向）に画素電極９が配置されていれば良い。
【０１０１】
柱状構造物６０は、基板と平行な平面で切った断面が、最大径の方向を規定する長軸と
、最小径の方向を規定する短軸とを有する矩形状を成している。柱状構造物６０の長軸は
、走査線３ａ及びデータ線６ａの双方と交差する方向（図示斜め方向）に延びており、本
実施形態の場合、長軸の延在方向は、走査線３ａと平行な方向から時計回りに１°〜１０
°傾いた方向とされている。帯状電極９ｃ，１９ｃは走査線３ａと平行な方向から反時計
回りに１°〜１０°傾いた方向とされているため、走査線３ａの延在方向（すなわちラビ
ング方向）に対する柱状構造物６０の長軸の傾き方向と、走査線３ａの延在方向に対する
帯状電極９ｃ，１９ｃの傾き方向とは、走査線３ａの延在方向を挟んで逆方向となってい
る。
【０１０２】
図１０は、図９のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。対向基板２０の構成は第１実施形態
と同様である。一方、ＴＦＴアレイ基板１０では、基板本体１０Ａ上に、ＴＦＴ３０が形
成されており、これらを平面的に覆う層間絶縁膜１２上に、画素電極９と共通電極１９（
共通線３ｂ）とが形成されている。画素電極９とＴＦＴ３０とは、層間絶縁膜１２に形成
された画素コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。この構成の液晶表示
装置２００では、画素電極９の帯状電極部９ｃと共通電極１９の帯状電極部１９ｃとの間
に形成した基板面方向の横電界により液晶を駆動する構成となる。
【０１０３】
［電子機器］
図１１は、本発明に係る液晶表示装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話
の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶表示装置を小サイズの表示
部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０
４を備えて構成されている。
【０１０４】
上記実施の形態の液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコ
ンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ
直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、
ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備え
た機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても
、高コントラスト、広視野角の画像表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】液晶表示装置の１画素領域の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図４】液晶表示装置の光学軸の配置の説明図である。
【図５】配向膜のラビング工程の説明図である。
【図６】柱状構造物の構成及び作用の説明図である。
【図７】帯状電極と柱状構造物の配置の変形例である。
【図８】柱状構造物の断面形状の変形例である。
【図９】第２実施形態の液晶表示装置の１サブ画素の平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。
【図１１】電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【０１０６】
９…画素電極、９ｃ，９ｃ１，９ｃ２…帯状電極、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）
、１８…配向膜、１９…共通電極、１９ｃ…帯状電極、２０…対向基板（第２基板）、５
０…液晶層、６０…柱状構造物、６６…ラビング布、７１，７９…直線部、７２，７３，
７４…曲線部、７５，７６，７７，７８…対角線、１００，２００…液晶表示装置、１３
００…携帯電話（電子機器）、ＡＸ１…長軸、ＡＸ２…短軸、Ｒｕｂ…ラビング方向
【図１】
0005243082.tif 000002
【図２】
0005243082.tif 000003
【図３】
0005243082.tif 000004
【図４】
0005243082.tif 000005
【図５】
0005243082.tif 000006
【図６】
0005243082.tif 000007
【図７】
0005243082.tif 000008
【図８】
0005243082.tif 000009
【図９】
0005243082.tif 000010
【図１０】
0005243082.tif 000011
【図１１】
0005243082.tif 000012