(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂と、
（Ｂ）下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂と、
（Ｃ）無機充填剤と、
（Ｄ）下記一般式（３）で表されるトリアゾール化合物と、
（Ｅ）硬化促進剤と、
を含み、
該硬化促進剤（Ｅ）が、下記一般式（１１）で表される化合物、下記一般式（１２）で表される化合物、下記一般式（１３）で表される化合物及び下記一般式（１４）で表される化合物から選ばれた１種以上の潜伏性触媒であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
0005228496.tif 000059
（ただし、上記一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４は水素、炭素数１〜４の炭化水素基又は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａ、ｂは０〜１０の整数であり、ｃ、ｄは１〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＲ３Ｒ４−を有する構造をとる。）
【化２】
0005228496.tif 000060
（ただし、上記一般式（２）において、−Ｒ６−はフェニレン基、ビフェニレン基、又はナフチレン基である。−Ｒ７−はフェニレン基又はナフチレン基であり、−Ｒ７−がナフチレン基の場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよい。Ｒ８、Ｒ９は、それぞれＲ６、Ｒ７に導入される基で、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈは０以上、８以下の整数、ｉは０以上、５以下の整数である。ｎ２の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【化３】
0005228496.tif 000061
（ただし、上記一般式（３）において、Ｒ１０は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素基である。）
【化１１】
0005228496.tif 000062
（ただし、上記一般式（１１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は芳香族基又はアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）
【化１２】
0005228496.tif 000063
（ただし、上記一般式（１２）において、Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｊは０〜５の整数であり、ｋは０〜３の整数である。）
【化１３】
0005228496.tif 000064
（ただし、上記一般式（１３）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１８とＲ１９が結合して環状構造となっていてもよい。）
【化１４】
0005228496.tif 000065
（ただし、上記一般式１４）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【請求項２】
前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、フェノール性水酸基含有芳香族類、アルデヒド類、下記一般式（４）で表される化合物（Ｊ）とを共縮合して得られたフェノール樹脂類をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
0005228496.tif 000066
（ただし、上記一般式（４）において、Ａｒ１は炭素数６〜２０の芳香族基、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａは０〜１０の整数であり、ｃは１〜３の整数である。）
【請求項３】
前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、下記一般式（５）で
表される構造を有するエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化５】
0005228496.tif 000067
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【請求項４】
前記一般式（５）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、下記一般式（６）で表される構造を有するエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化６】
0005228496.tif 000068
（ただし、上記一般式（６）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【請求項５】
前記（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂が、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂、下記一般式（８）で表されるフェノール樹脂及び下記式一般式（９）で表されるフェノール樹脂から選ばれた１種以上のフェノールアラルキル型樹脂であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化７】
0005228496.tif 000069
（ただし、上記一般式（７）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ７は０以上、４以下の整数、ｉ７は０以上、３以下の整数である。ｎ７の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【化８】
0005228496.tif 000070
（ただし、上記一般式（８）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ８は０以上、４以下の整数、ｉ８は０以上、３以下の整数である。ｎ８の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【化９】
0005228496.tif 000071
（ただし、上記一般式（９）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ９は０以上、４以下の整数、ｉ９は０以上、５以下の整数である。ｎ９の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【請求項６】
前記（Ｄ）一般式（３）で表されるトリアゾール化合物が、下記式（１０）で表されるトリアゾール化合物を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１０】
0005228496.tif 000072
【請求項７】
更に（Ｆ）シランカップリング剤と、（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素
原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物と、を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
更に（Ｈ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｈ２）を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
更に（Ｉ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ｃ）無機充填剤を当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の８０重量％以上、９２重量％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）等の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化に伴い、それらの実装方式は、挿入実装から表面実装に移り変わりつつある。それに伴い、リードフレームの多ピン化及びリードの狭ピッチ化が要求されており、小型・軽量でかつ多ピン化に対応できる表面実装型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等が各種の半導体装置に用いられている。そしてその半導体装置は、生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。
【０００３】
これら半導体封止用エポキシ樹脂組成物には難燃性が要求されており、そのために主成分とは別に難燃性付与成分として、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等のブロム化エポキシ樹脂と酸化アンチモンとが組み合わせて配合されていた。
【０００４】
しかしながら、近年、環境保護の観点からダイオキシン類似化合物を発生する危惧のある含ハロゲン化合物や毒性の高いアンチモン化合物の使用を規制する動きが高まっている。このため、半導体封止用組成物に関しては、上述のブロム化エポキシ樹脂をはじめとするハロゲン化合物や酸化アンチモンを使用することなしに難燃性を達成させる技術が検討されるようになった。また、半導体装置を１５０〜２００℃での高温で長時間保管すると、難燃剤であるブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物は半導体素子の抵抗値増加や金線の断線を引き起こすことが知られている。この観点からもブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物を使用しない高温保管特性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の開発が求められている。こうした中、ブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物代替の水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属酸化物の難燃剤が使用されてきているが、溶融樹脂粘度の上昇による流動性の低下、離型性の悪化による連続成形性の低下や耐半田性の低下という課題があった。
【０００５】
上記のような状況から、難燃性付与剤を添加せずとも良好な難燃性が得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、ビフェニル骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。これらのエポキシ樹脂組成物は、低吸水性、熱時低弾性率、高接着性で、難燃性に優れ、信頼性の高い半導体装置を得ることができるものの、これらの樹脂の製造には、コストがかかるという難点があった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０３９１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１５５８４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ブロム化エポキシ樹脂、アンチモン化合物を使用せずに、低コストながらも耐燃性に優れ、かつ流動性、連続成形性、耐半田性が良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物により半導体素子を封止してなる信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂と、（Ｂ）下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）下記一般式（３）で表されるトリアゾール化合物と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
【化１】
0005228496.tif 000002
（ただし、上記一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４は水素、炭素数１〜４の炭化水素基又は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａ、ｂは０〜１０の整数であり、ｃ、ｄは１〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＲ３Ｒ４−を有する構造をとる。）
【００１０】
【化２】
0005228496.tif 000003
（ただし、上記一般式（２）において、−Ｒ６−はフェニレン基、ビフェニレン基、又はナフチレン基である。−Ｒ７−はフェニレン基又はナフチレン基であり、−Ｒ７−がナフチレン基の場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよい。Ｒ８、Ｒ９は、それぞれＲ６、Ｒ７に導入される基で、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈは０以上、８以下の整数、ｉは０以上、５以下の整数である。ｎ２の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００１１】
【化３】
0005228496.tif 000004
（ただし、上記一般式（３）において、Ｒ１０は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素基である。）
【００１２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、フェノール性水酸基含有芳香族類、アルデヒド類、下記一般式（４）で表される化合物（Ｊ）とを共縮合して得られたフェノール樹脂類をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂であるものとすることができる。
【００１３】
【化４】
0005228496.tif 000005
（ただし、上記一般式（４）において、Ａｒ１は炭素数６〜２０の芳香族基、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａは０〜１０の整数であり、ｃは１〜３の整数である。）
【００１４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、下記一般式（５）で表される構造を有するエポキシ樹脂であるものとすることができる。
【００１５】
【化５】
0005228496.tif 000006
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００１６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記一般式（５）で表される構造を有するエポキシ樹脂が、下記一般式（６）で表される構造を有するエポキシ樹脂であるものとすることができる。
【００１７】
【化６】
0005228496.tif 000007
（ただし、上記一般式（６）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００１８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂が、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂、下記一般式（８）で表されるフェノール樹脂及び下記式一般式（９）で表されるフェノール樹脂から選ばれた１種以上のフェノールアラルキル型樹脂であるものとすることができる。
【００１９】
【化７】
0005228496.tif 000008
（ただし、上記一般式（７）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ７は０以上、４以下の整数、ｉ７は０以上、３以下の整数である。ｎ７の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００２０】
【化８】
0005228496.tif 000009
（ただし、上記一般式（８）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化
水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ８は０以上、４以下の整数、ｉ８は０以上、３以下の整数である。ｎ８の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００２１】
【化９】
0005228496.tif 000010
（ただし、上記一般式（９）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ９は０以上、４以下の整数、ｉ９は０以上、５以下の整数である。ｎ９の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００２２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ｄ）一般式（３）で表されるトリアゾール化合物が、下記式（１０）で表されるトリアゾール化合物を含むものとすることができる。
【００２３】
【化１０】
0005228496.tif 000011
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に（Ｅ）硬化促進剤を含み、該硬化促進剤（Ｅ）が、下記一般式（１１）で表される化合物、下記一般式（１２）で表される化合物、下記一般式（１３）で表される化合物及び下記一般式（１４）で表される化合物から選ばれた１種以上の潜伏性触媒であるものとすることができる。
【００２４】
【化１１】
0005228496.tif 000012
（ただし、上記一般式（１１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は芳香族基又はアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００２５】
【化１２】
0005228496.tif 000013
（ただし、上記一般式（１２）において、Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｊは０〜５の整数であり、ｋは０〜３の整数である。）
【００２６】
【化１３】
0005228496.tif 000014
（ただし、上記一般式（１３）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１８とＲ１９が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００２７】
【化１４】
0005228496.tif 000015
（ただし、上記一般式１４）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００２８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に（Ｆ）シランカップリング剤と、（
Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物と、を含むものとすることができる。
【００２９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に（Ｈ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｈ２）を含むものとすることができる。
【００３０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、更に（Ｉ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を含むものとすることができる。
【００３１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記無機充填剤（Ｃ）を当該半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の８０重量％以上、９２重量％以下の割合で含むものとすることができる。
【００３２】
本発明の半導体装置は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に従うと、ブロム化エポキシ樹脂、アンチモン化合物を使用せずに、低コストながらも耐燃性に優れ、かつ流動性、連続成形性、耐半田性が良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂と、（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）一般式（３）で表されるトリアゾール化合物と、を含むことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする。これらにより、低コストながらも耐燃性に優れ、かつ流動性、連続成形性、耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び信頼性に優れた半導体装置が得られるものである。以下、本発明について詳細に説明する。
【００３５】
先ず、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物について説明する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、エポキシ樹脂として（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂を用いる。該エポキシ樹脂（Ａ）は、分子内に芳香族環炭素が多く、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は耐燃性に優れ、吸水率が低くなるという特徴を有している。また、下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）は、異なるｍ、ｎ値である複数の成分の集合体であり、各々の成分はｍが０〜２０の整数、ｎが１〜２０の整数であって、各々の成分毎に互いに同じであっても異なっていてもよいが、全体としての平均値ではｍとｎとの比率ｍ／ｎが、１／１０〜１／１であることが好ましく、１／９〜１／２であることがより好ましい。ｍ／ｎの平均値の下限値が上記範囲内であると、耐燃性向上効果を得ることができる。また、ｍ／ｎの平均値の上限値が上記範囲内であれば、樹脂粘度が高くなることによる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の流動性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００３６】
【化１】
0005228496.tif 000016
（ただし、上記一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４は水素、炭素数１〜４の炭化水素基又は炭素数６〜２０の芳香族基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａ、ｂは０〜１０の整数であり、ｃ、ｄは１〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＲ３Ｒ４−を有する構造をとる。）
【００３７】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）としては、特に限定するものではないが、例えば、下記一般式（６）で表される構造を有するエポキシ樹脂、下記一般式（１５）で表される構造を有するエポキシ樹脂、下記一般式（１６）で表される構造を有するエポキシ樹脂、下記一般式（１７）で表される構造を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。耐燃性の観点からは、下記一般式（６）で表される構造を有するエポキシ樹脂、下記一般式（１６）で表される構造を有するエポキシ樹脂等に代表される下記一般式（５）で表される構造を有するエポキシ樹脂がより好ましく、下記一般式（６）で表される構造を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。
【００３８】
【化６】
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（ただし、上記一般式（６）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００３９】
【化１５】
0005228496.tif 000018
（ただし、上記一般式（１５）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｆ、ｇは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。
【００４０】
【化１６】
0005228496.tif 000019
（ただし、上記一般式（１６）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００４１】
【化１７】
0005228496.tif 000020
（ただし、上記一般式（１７）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基である。ｆ、ｇは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、
ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００４２】
【化５】
0005228496.tif 000021
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ｅは０〜５の整数であり、ｆは０〜３の整数である。ｍは０〜２０の整数、ｎは１〜２０の整数であり、かつ、ｍ／ｎの平均は１／１０〜１／１である。ｍ個の繰り返し単位とｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず−ＣＨ２−を有する構造をとる。）
【００４３】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基含有芳香族類、アルデヒド類、下記一般式（４）で表される化合物（Ｊ）を共縮合して得られたフェノール樹脂類をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化することにより得ることができる。下記一般式（４）で表される化合物（Ｊ）は、グルシジルエーテル基が結合していない芳香族環にＷ１Ｒ５（Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子、Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基）が結合している点を特徴とするものである。Ｗ１Ｒ５が結合していることで下記一般式（４）で表される化合物（Ｊ）は極性を有し、これにより反応性が向上するため、フェノール性水酸基含有芳香族類、アルデヒド類からなるノボラック樹脂の構造中に該化合物（Ｊ）の構造を導入することができるものである。該エポキシ樹脂（Ａ）は、同様に耐燃性に優れ、低吸水性であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂よりも原料コストが安く、原料も入手し易いといった利点があるため、低コストで製造又は入手することができるものである。
【００４４】
【化４】
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（ただし、上記一般式（４）において、Ａｒ１は炭素数６〜２０の芳香族基、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ａは０〜１０の整数であり、ｃは１〜３の整数である。）
【００４５】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の製造に用いられるフェノール性水酸基含有芳香族類としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｍ−
クレゾール、フェニルフェノール、エチルフェノール、ｎ−プロピルフェノール、ｉｓｏ−プロピルフェノール、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、メチルプロピルフェノール、メチルブチルフェノール、ジプロピルフェノール、ジブチルフェノール、ノニルフェノール、メシトール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール等のフェノール類；１−ナフトール、２−ナフトール、メチルナフトール等のナフトール類が挙げられる。これらの中でも、フェノール、ｏ−クレゾール、１−ナフトール、２−ナフトールが好ましく、更にｏ−クレゾールがより好ましい。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【００４６】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の製造に用いられるアルデヒド類としては、特に限定されるものではないが、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族系アルデヒド；ベンズアルデヒド、４−メチルベンズアルデヒド、３，４−ジメチルベンズアルデヒド、４−ビフェニルアルデヒド、ナフチルアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒドが挙げられる。これらの中でも、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒドが好ましく、更にホルムアルデヒドがより好ましい。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【００４７】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の製造に用いられる一般式（４）で表される化合物（Ｊ）としては、一般式（４）の構造であれば特に限定されるものではないが、例えば、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、メチルフェニルスルフィド、エチルフェニルスルフィド、１−メトキシナフタレン、２−メトキシナフタレン、１−メチル−２−メトキシナフタレン、１−メトキシ−２−メチルナフタレン、１，３，５−トリメチル−２−メトキシナフタレン、１−エトキシナフタレン、２−エトキシナフタレン、１−ｔ−ブトキシナフタレン、メチルナフチルスルフィド、エチルナフチルスルフィド、１，４−ジメトキシナフタレン、２，６−ジメトキシナフタレン、２，７−ジメトキシナフタレン、１−メトキシアントラセン等が挙げられる。これらの中でも、耐燃性、低吸水性等を考慮すると、下記式（１８）で表される化合物が好ましく、下記式（１９）で表されるメトキシナフタレン化合物がより好ましい。
【００４８】
【化１８】
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（ただし、上記一般式（１８）において、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基で、Ｗ１は酸素原子又は硫黄原子である。ｅは０〜５の整数である。）
【００４９】
【化１９】
0005228496.tif 000024
（ただし、上記一般式（１９）において、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい。ｅは０〜５の整数である。）
【００５０】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の前駆体であるフェノール樹脂類の合成方法については特に限定しないが、例えば、フェノール性水酸基含有芳香族類とアルデヒド類と一般式（４）で表される化合物（Ｊ）とを共存下で酸性触媒を用いて共縮合させる方法が挙げられる。
【００５１】
一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の合成方法については特に限定しないが、例えば、エポキシ樹脂（Ａ）の前駆体であるフェノール樹脂類を過剰のエピクロルヒドリンに溶解した後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の存在下で５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０℃で１〜１０時間反応させる方法等が挙げられる。反応終了後、過剰のエピクロルヒドリンを留去し、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで溶剤を留去することにより一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）を得ることができる。
【００５２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用できるエポキシ樹脂としては、例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ナフトール型エポキシ樹脂；フェノール性水酸基を持つ化合物とトリアジン環をもつ化合物との共縮合化合物のエポキシ化物等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノールエポキシ樹脂、等が挙げられる。半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるＮａ＋イオンやＣｌ−イオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては１００ｇ／ｅｑ以上５００ｇ／ｅｑ以下が好ましい。
【００５３】
他のエポキシ樹脂を併用する場合における一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）の配合割合としては、全エポキシ樹脂に対して、１０重量％以上であることが好ましく、３０重量％以上であることがより好ましく、５０重量％以上であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると、耐燃性、低吸水性等を向上させる効果を得ることができる。
【００５４】
エポキシ樹脂全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、４重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、エポキシ樹脂全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、１０重量％以下であることが好ましく、８重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００５５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、硬化剤として下記一般式（２）で表され
るフェノール樹脂（Ｂ）を用いる。該フェノール樹脂（Ｂ）は、分子内に芳香族環炭素が多く、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は耐燃性に優れる。また、分子中のメチレン基により、可撓性が発現し、Ｔｇ以上の温度域（以下、「熱時」とも言う。）において半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物は弾性率を低く抑えられ、リフロー時の発生応力を低減化することが可能となる。これにより、特に一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂が熱時における弾性率が高いことから、フェノール樹脂の選択によっては耐半田性の低下を引き起こす場合があるところ、一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）と組み合わせて用いることにより、良好な耐半田性を得ることができることとなる。
【００５６】
【化２】
0005228496.tif 000025
（ただし、上記一般式（２）において、−Ｒ６−はフェニレン基、ビフェニレン基、又はナフチレン基である。−Ｒ７−はフェニレン基又はナフチレン基であり、−Ｒ７−がナフチレン基の場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよい。Ｒ８、Ｒ９は、それぞれＲ６、Ｒ７に導入される基で、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈは０以上、８以下の整数、ｉは０以上、５以下の整数である。ｎ２の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００５７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）としては、特に限定するものではないが、例えば、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂、下記一般式（８）で表されるフェノール樹脂、下記一般式（９）で表されるフェノール樹脂等のフェノールアラルキル型樹脂が挙げられる。これらのうちから、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用しても良い。耐燃性の観点からは、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂がより好ましい。また、低コストの観点からは、下記一般式（８）で表されるフェノール樹脂がより好ましい。
【００５８】
【化７】
0005228496.tif 000026
（ただし、上記一般式（７）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ７は０以上、４以下の整数、ｉ７は０以上、３以下の整数である。ｎ７の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００５９】
【化８】
0005228496.tif 000027
（ただし、上記一般式（８）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ８は０以上、４以下の整数、ｉ８は０以上、３以下の整数である。ｎ８の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００６０】
【化９】
0005228496.tif 000028
（ただし、上記一般式（９）において、Ｒ８、Ｒ９は、炭素数１以上、１０以下の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｈ９は０以上、４以下の整数、ｉ９は０以上、５以下の整数である。ｎ９の平均値は１以上、５以下の正数である。）
【００６１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他のフェノール樹脂を併用することができる。併用できるフェノール樹脂としては、特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール化合物、等が挙げられる。他のフェノール樹脂を併用する場合における一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）の配合割合としては、特に限定するものではないが、フェノール樹脂全体に対して、３０重量％以上であることが好ましく、５０重量％以上であることが特に好ましい。一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）の配合割合が上記範囲内であると、良好な耐半田性を得ることができる。
【００６２】
フェノール樹脂全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、４重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、フェノール樹脂全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、１０重量％以下であることが好ましく、８重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田リフロー性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００６３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、（Ｃ）無機充填剤を用いる。本発明の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いる無機充填剤（Ｃ）としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いられているものを使用することができ、例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤（Ｃ）の粒径としては、金型への充填性を考慮すると０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが望ましい。
【００６４】
無機充填剤（Ｃ）の含有割合の下限値としては、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の８０重量％以上であることが好ましく、８２重量％以上であることがより好ましく、８４重量％以上であることが特に好ましい。無機充填剤（Ｃ）の含有割合の下限値が上記範囲内であると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿量が増加して強度が低下することによる耐半田クラック性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、無機充填剤（Ｃ）の含有割合の上限値としては、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の９２重量％以下であることが好ましく、９１重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下であることが特に好ましい。無機充填剤（Ｃ）の含有割合の上限値が上記範囲内であると、流動性が損なわれることによる成形面での不具合の発生を引き起こす恐れが少ない。
【００６５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、（Ｄ）下記一般式（３）で表されるトリアゾール化合物を用いる。下記一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物とリードフレーム表面との親和性を改善し、界面の剥離を抑える効果がある。一方で半導体封止用エポキシ樹脂組成物の架橋に関与し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の弾性率を高くしてしまう効果から、剥離抑制効果を低下させる面も併せ持つ。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂と一般式（２）で表されるフェノール樹脂と組み合わせることで、適正な熱時低弾性率の範囲とすることができるため、一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）を用いることによる剥離を抑える効果が顕著に発現し、耐湿信頼性及び耐半田性を向上させることができる。
【００６６】
【化３】
0005228496.tif 000029
（ただし、上記一般式（３）において、Ｒ１０は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素基である。）
【００６７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）としては、特に限定するものではないが、アミノ基とメルカプト基を有するトリアゾール化合物、２つのメルカプト基を有するトリアゾール化合物、水酸基とメルカプト基を有するトリアゾール化合物等がより好ましく、アミノ基とメルカプト基を有する下記一般式（１０）で表されるトリアゾール化合物が特に好ましい。
【００６８】
【化１０】
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【００６９】
一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）の配合割合の下限値は、特に限定するものではないが、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体に対して、０．０１重量％以上であることが好ましい。一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）の配合割合の下限値が上記範囲内であると、フレームとの密着性を向上させる効果を得ることができる。また、一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）の配合割合の上限値は、特に限定するものではないが、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体に対して、２重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）の配合割合の上限値が上記範囲内であると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の流動性が低下したり、半導体装置の耐半田性が低下したりする恐れが少ない。
【００７０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、更に（Ｅ）硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、エポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール性水酸基を２個以上含む化合物のフェノール性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性触媒がより好ましい。特に流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、また半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物熱時低弾性率という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が好ましい。
【００７１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン、ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００７２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（１１）で表される化合物等が挙げられる。
【００７３】
【化１１】
0005228496.tif 000031
（ただし、上記一般式（１１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は芳香族基又はアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００７４】
一般式（１１）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（１１）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（１１）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるものが好ましい。
【００７５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式（１２）で表される化合物等が挙げられる。
【化１２】
0005228496.tif 000032
（ただし、上記一般式（１２）において、Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｊは０〜５の整数であり、ｋは０〜３の整数である。）
【００７６】
一般式（１２）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００７７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（１３）で表される化合物等が挙げられる。
【化１３】
0005228496.tif 000033
（ただし、上記一般式（１３）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１８とＲ１９が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００７８】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換あるいはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００７９】
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
【００８０】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【００８１】
一般式（１３）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１５、Ｒ１６及びＲ１７がフェニル基であり、かつＲ１８、Ｒ１９及びＲ２０が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【００８２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、下記一般式（１４）で表される化合物等が挙げられる。
【化１４】
0005228496.tif 000034
（ただし、上記一般式１４）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００８３】
一般式（１４）において、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【００８４】
また、一般式（１４）において、Ｘ２は、Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（１４）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、及び−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００８５】
また、一般式（１４）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基およびビニル基等の反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
【００８６】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【００８７】
硬化促進剤（Ｅ）の配合割合の下限値は、全エポキシ樹脂組成物中０．１重量％以上であることが好ましい。硬化促進剤（Ｅ）の配合割合の下限値が上記範囲内であると、硬化性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、硬化促進剤（Ｅ）の配合割合の上限値は、全エポキシ樹脂組成物中１重量％以下であることが好ましい。硬化促進剤（Ｅ）の配合割合の上限値が上記範囲内であると、流動性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００８８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、更に（Ｆ）シランカップリング剤と（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を用いることができる。シランカップリング剤（Ｆ）は、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等、特に限定せず、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応し、エポキシ樹脂と無機充填剤の界面強度を向上させるものであればよい。また、後述する芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｇ）（以下、単に「化合物（Ｇ）」とも称する。）は、当該シランカップリング剤（Ｆ）との相乗効果により、エポキシ樹脂組成物の粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するため、シランカップリング剤（Ｆ）は化合物（Ｇ）の効果を充分に得るためにも有効である。
【００８９】
エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。また、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤（Ｆ）は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００９０】
シランカップリング剤（Ｆ）の配合割合の下限値としては、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることが特に好ましい。シランカップリング剤（Ｆ）の配合割合の下限値が上記範囲内であると、化合物（Ｇ）との相乗効果により、エポキシ樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、シランカップリング剤（Ｆ）の配合割合の下限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度が低下することによる半導体装置における耐半田クラック性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、シランカップリング剤（Ｆ）の配合割合の上限値としては、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に１重量％以下であることが好ましく、０．８重量％以下であることがより好ましく、０．６重量％以下であることが特に好ましい。シランカップリング剤（Ｆ）の配合割合の上限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することによる耐半田クラック性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００９１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いることができる（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（以下、単に「化合物（Ｇ）」とも称する。）は、これを用いることにより、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の溶融粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するものである。化合物（Ｇ）としては、下記一般式（２０）で表される単環式化合物又は下記一般式（２１）で表される多環式化合物等を用いることができ、これらの化合物は水酸基以外の置換基を有していてもよい。
【００９２】
【化２０】
0005228496.tif 000035
（ただし、上記一般式（２０）において、Ｒ２５、Ｒ２９はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２６、Ｒ２７、及びＲ２８は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【００９３】
【化２１】
0005228496.tif 000036
（ただし、上記一般式（２１）において、Ｒ３０、Ｒ３６はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、及びＲ３５は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【００９４】
一般式（２０）で表される単環式化合物の具体例として、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（２１）で表される多環式化合物の具体例として、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体が挙げられる。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさから、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物（Ｇ）を、具体的には、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とすることができる。これらの化合物（Ｇ）は１種類を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００９５】
化合物（Ｇ）の配合割合の下限値としては、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０３重量％以上であることがより好ましく、０．０５重量％以上であることが特に好ましい。化合物（Ｇ）の配合割合の下限値が上記範囲内であると、シランカップリング剤（Ｆ）との相乗効果により、エポキシ樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物（Ｇ）の配合割合の上限値としては、全エポキシ樹脂組成物中に１重量％以下であることが好ましく、０
．８重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることが特に好ましい。化合物（Ｇ）の配合割合の上限値が上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下や硬化物物性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００９６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、更に（Ｈ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｈ２）を用いることができる。カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）（以下、単に「ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）」ともいう。）は、ブタジエンとアクリロニトリルの共重合体であり、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の低応力性を向上させる効果を有するものである。また、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）中のカルボキシル基、アクリロニトリル基が極性を有しているため、半導体封止用エポキシ樹脂組成物のエポキシ樹脂との相溶性が適正な状態となり、封止用エポキシ樹脂組成物中でのブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）の分散性が良好となる。このため、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）は、このため、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）は、パッケージ表面においても均一に分散し、パッケージ表面・金型表面の汚れを抑えることができる。
【００９７】
更に、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）の全量又は一部を、エポキシ樹脂と硬化促進剤により予め溶融・反応させた反応生成物（Ｈ２）を用いることにより、封止用エポキシ樹脂組成物中でのブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）の分散性をより向上させることができ、連続成形後の金型表面の汚れがより発生し難く、連続成形性を極めて良好にすることができる。カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｈ２）の製法については、特に限定するものではないが、例えば、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂とを、硬化促進剤の存在下で溶融・反応させて得ることができる。ここで言う、エポキシ樹脂とは、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではなく、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、又は該エポキシ樹脂（Ａ）と併用することができるエポキシ樹脂として前述したものと同じものを用いることができる。また、ここで言う硬化促進剤とは、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体中のカルボキシル基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との硬化反応を促進させるものであればよく、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール樹脂のフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる硬化促進剤と同じものも用いることができる。
【００９８】
カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）としては、特に限定するものではないが、その構造の両端にカルボキシル基を有する化合物が好ましく、下記一般式（２２）で表される化合物がより好ましい。
【００９９】
【化２２】
0005228496.tif 000037
（ただし、上記一般式（２２）において、ｐは１未満の正数、ｑは１未満の正数で、かつｐ＋ｑ＝１。ｒは５０〜８０の整数。）
【０１００】
一般式（２２）において、ｐは１未満の正数、ｑは１未満の正数で、かつｐ＋ｑ＝１。ｒは５０〜８０の整数である。一般式（２２）で表される化合物におけるアクリロニトリル含有割合ｑは、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性に影響する。アクリロニトリル含有割合ｑの下限値としては、０．０５以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。アクリロニトリル含有割合ｑの下限値が上記範囲内であると、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）はエポキシ樹脂マトリックスと適正な相溶状態となり、金型表面の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を引き起こす恐れが少ない。また、アクリロニトリル含有割合ｑの上限値としては、０．３０以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましい。アクリロニトリル含有割合ｑの上限値が上記範囲内であると、流動性の低下による充填不良等の発生や、高粘度化による電子部品装置内における金線流れ等の不都合の発生を引き起こす恐れが少ない。
【０１０１】
（Ｈ）成分の配合割合の下限値としては、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）としての配合割合で、全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることが特に好ましい。（Ｈ）成分の配合割合の下限値を上記範囲にすることで、低応力性を向上させる効果が得られる。また、（Ｈ）成分の配合割合の下限値を上記範囲にすることで、金型表面の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑えることができる。また、（Ｈ）成分の配合割合の上限値としては、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）としての配合割合で、全エポキシ樹脂組成物中１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましく、０．３重量％以下であることが特に好ましい。（Ｈ）成分の配合割合の上限値を上記範囲にすることで、流動性の低下による成形時における充填不良の発生や高粘度化によるワイヤー流れ等の不具合の発生を抑えることができる。
【０１０２】
カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）の数平均分子量は、２０００以上、５０００以下であることが好ましく、３０００以上、４０００以下であることがより好ましい。上記範囲内にすることで、流動性の低下による成形時における充填不良の発生や高粘度化による金線流れ等の不具合の発生を抑えることができる。
【０１０３】
また、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）のカルボキシル基当量は、１２００以上、３０００以下が好ましく、より好ましくは１７００以上、２５００以下である。上記範囲内にすることで、樹脂組成物の成形時における流動性や離型性を低下させることなく、金型や樹脂硬化物の汚れがより発生し難く、連続成形性が特に良好となる効果が得られる。
【０１０４】
（Ｈ）成分に含まれるナトリウムイオン量、塩素イオン量は、（Ｈ１）換算量に対して、それぞれ、１０ｐｐｍ以下、４５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。ナトリウムイオン量及び塩素イオン量は以下の方法で求めることができる。（Ｈ）成分を乾式分解・灰化後酸溶解し、ＩＣＰ発光分析法にてナトリウムイオン量を測定する。また塩素イオン量は燃焼管式酸素法−ＩＣ法にて測定する。ナトリウムイオン量や塩素イオン量が上記範囲内であると、ナトリウムイオンや塩素イオンによる回路の腐食が抑えられ、半導体装置の耐湿信頼性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【０１０５】
カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）は、長期にわたる常温での保存において劣化し、低応力剤としての効果が低下する可能性があり、それを防止するため非リン系酸化防止剤を添加することができる。一般に用いられる酸化防止剤の例としては、リン系化合物、窒素原子含有化合物、イオウ原子含有化合物、ヒンダードフェノールを含むフェノール系化合物等が挙げられるが、酸化防止剤としてリン系化合物を用いた場合には、耐湿性が低下する可能性があり不適である。しかし非リン系酸化防
止剤を用いた場合には、このような問題点を克服することができる。その中でも、耐湿性をより向上させるためには、窒素、硫黄などの元素を含まない酸化防止剤を用いることが好ましい。その例としては、４，６−ジ−ターシャリー−ブチルフェノール（例えば、チバガイギー社製、Ｉｒｇａｎｏｘ１２９等が市販されている）等のヒンダードフェノールが挙げられるがこれに限定されるものではない。該酸化防止剤は、目的により単独もしくは複数添加することができる。非リン系酸化防止剤は予め（Ｈ）成分に混合することも、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の混合時に添加することもできる。その添加割合はブタジエン・アクリロニトリル共重合体に対して０.０１重量％以上、１０重量％以下の割合
であることが好ましい。この範囲内においては良好な酸化防止効果が得られ、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体の低応力剤としての効果を充分に発現させることができる。
【０１０６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、更に（Ｉ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を用いることができる。（Ｉ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を用いることにより、エポキシ樹脂組成物の成形時における流動性や離型性を低下させることなく、金型表面や樹脂硬化物表面の汚れがより発生し難く、連続成形性が特に良好となる効果が得られる。
【０１０７】
更に、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）の全量又は一部をエポキシ樹脂と硬化促進剤により予め溶融・反応させた反応生成物（Ｉ２）を用いることで、連続成形後の金型表面の汚れがより発生し難く、連続成形性を極めて良好にすることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）の製法については、特に限定するものではないが、例えば、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂とを、硬化促進剤の存在下で溶融・反応させて得ることができる。ここで言う、エポキシ樹脂とは、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではなく、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、又は該エポキシ樹脂（Ａ）と併用することができるエポキシ樹脂として前述したものと同じものを用いることができる。また、ここで言う硬化促進剤とは、オルガノポリシロキサン中のカルボキシル基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との硬化反応を促進させるものであればよく、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール性水酸基を２個以上含む化合物のフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる硬化促進剤と同じものも用いることができる。
【０１０８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いることができるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）（以下、単に「オルガノポリシロキサン（Ｉ１）」ともいう。）は、１分子中に１個以上のカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンであり、特に限定するものではないが、下記一般式（２３）で表されるオルガノポリシロキサンが望ましい。
【０１０９】
【化２３】
0005228496.tif 000038
（ただし、上記一般式（２３）において、Ｒ３７は少なくとも１つ以上がカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｌの平均値は、１以上、５０以下の正数である。）
【０１１０】
一般式（２３）において、Ｒ３７は少なくとも１つ以上がカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。尚、一般式（２３）で示されるオルガノポリシロキサンのカルボキシル基を有する有機基の炭素数とは、有機基中の炭化水素基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。カルボキシル基を有する有機基の炭素数を上記範囲にすることで、樹脂との相溶性が低下することによる樹脂硬化物表面の外観の悪化を抑えることができる。また、一般式（２３）において、ｌの平均値は、１以上、５０以下の正数である。ｌの平均値を上記範囲にすることで、オイル単体の粘度が高くなることによる流動性の低下を抑えることができる。一般式（２３）で表されるオルガノポリシロキサンを使用すると、流動性の低下を引き起こさず、樹脂硬化物表面の外観が特に良好になる。
【０１１１】
（Ｉ）成分の配合割合の下限値としては、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）としての配合割合で、全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０３重量％以上であることがより好ましく、０．０５重量％以上であることが特に好ましい。（Ｉ）成分の配合割合の下限値を上記範囲にすることで、良好な連続成形性を得ることができる。また、（Ｉ）成分の配合割合の上限値としては、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）としての配合割合で、全エポキシ樹脂組成物中３重量％以下であることが好ましく、２重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることが特に好ましい。（Ｉ）成分の配合割合の上限値を上記範囲にすることで、離型剤や過剰のオルガノポリシロキサンによる樹脂硬化物表面の汚れを抑えることができる。
【０１１２】
また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、（Ｉ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を添加する効果を損なわない範囲で、他のオルガノポリシロキサンを併用することができる。
【０１１３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、前述した成分以外に、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤；酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体；ハイドロタルサイト等のＰＨ調整剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤、等の添加剤を適宜配合してもよい。
【０１１４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｉ）成分、及びその他の添加剤等を、例えば、ミキサー等を用いて常温で均一に混合したもの、更にその後、加熱ロール、ニーダー又は押出機等の混練機を用いて溶融混練し、続いて冷却、粉砕したものなど、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。
【０１１５】
次に、本発明の半導体装置について説明する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止し半導体装置を製造するには、例えば、半導体素子を搭載したリードフレーム、回路基板等を金型キャビティ内に設置した後、半導体封止用エポキシ樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクシ
ョンモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
【０１１６】
本発明の半導体装置で封止される半導体素子としては、特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。
【０１１７】
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等が挙げられる。
【０１１８】
トランスファーモールドなどの成形方法で半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止した本発明の半導体装置は、そのまま、或いは８０℃から２００℃程度の温度で、１０分から１０時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
【０１１９】
図１は、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。
【実施例】
【０１２０】
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。以下配合割合は重量部とする。実施例、比較例で用いた成分について、以下に示す。
【０１２１】
エポキシ樹脂１：下記式（２４）で表される構造を有するエポキシ樹脂（ｏ−クレゾールとホルムアルデヒドと２−メトキシナフタレンを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量２５１、軟化点５８℃。下記一般式（２４）において、全体としての平均値でｍ／ｎ＝１／４。）
エポキシ樹脂２：下記式（２４）で表される構造を有するエポキシ樹脂（ｏ−クレゾールとホルムアルデヒドと２−メトキシナフタレンを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量２２０、軟化点５２℃。下記一般式（２４）において、全体としての平均値でｍ／ｎ＝１／９。）
エポキシ樹脂３：下記式（２４）で表される構造を有するエポキシ樹脂（ｏ−クレゾールとホルムアルデヒドと２−メトキシナフタレンを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量２７０、軟化点６３℃。下記一般式（２４）において、全体としての平均値でｍ／ｎ＝３／７。）
【０１２２】
【化２４】
0005228496.tif 000039
【０１２３】
エポキシ樹脂４：下記式（２５）で表される構造を有するエポキシ樹脂（フェノールとホルムアルデヒドとメチルフェニルスルフィドを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量１９６、軟化点５４℃。下記一般式（２５）において、全体としての平均値でｍ／ｎ＝１／４。）
【０１２４】
【化２５】
0005228496.tif 000040
【０１２５】
エポキシ樹脂５：下記式（２６）で表される構造を有するエポキシ樹脂（ｏ−クレゾールとホルムアルデヒドとメチルナフチルスルフィドを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量２５５、軟化点６０℃。下記一般式（２６）において、全体としての平均値でｍ／ｎ＝１／４。）
【０１２６】
【化２６】
0005228496.tif 000041
【０１２７】
エポキシ樹脂６：フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量２３８、軟化点６０℃。）
エポキシ樹脂７：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ（株）製、Ｎ６６０。エポキシ当量１９６、軟化点６２℃。）
エポキシ樹脂８：トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、Ｅ−１０３２Ｈ６０。エポキシ当量１６９、軟化点５８℃。）
エポキシ樹脂９：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ
−４０００ＨＫ。エポキシ当量１９５、融点１０７℃）
【０１２８】
フェノール樹脂１：下記式（２７）で表されるフェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ。水酸基当量２０３、軟化点６７℃）
【０１２９】
【化２７】
0005228496.tif 000042
【０１３０】
フェノール樹脂２：下記一般式（２８）で表されるフェノール樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ。水酸基当量１６５、軟化点６５℃）
【０１３１】
【化２８】
0005228496.tif 000043
【０１３２】
フェノール樹脂３：下記式（２９）で表されるフェノール樹脂（新日鐵化学（株）製、ＳＮ−４８５。水酸基当量２１４、軟化点８５℃）
【０１３３】
【化２９】
0005228496.tif 000044
【０１３４】
フェノール樹脂４：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト(株)製、ＰＲ−ＨＦ−３。水酸基当量１０４、軟化点８０℃。）
【０１３５】
無機充填剤１：溶融球状シリカ（平均粒径３０μｍ）
【０１３６】
化合物Ｄ−１：下記式（１０）で表される化合物：３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（日本カーバイド工業（株）製）
【０１３７】
【化１０】
0005228496.tif 000045
【０１３８】
化合物Ｄ−２：下記式（３０）で表される化合物：３，５−ジメルカプト−１，２，４−トリアゾール（試薬）
【０１３９】
【化３０】
0005228496.tif 000046
【０１４０】
化合物Ｄ−３：下記式（３１）で表される化合物：３−ヒドロキシ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（試薬）
【０１４１】
【化３１】
0005228496.tif 000047
【０１４２】
硬化促進剤１：下記式（３２）表される硬化促進剤
【０１４３】
【化３２】
0005228496.tif 000048
【０１４４】
硬化促進剤２：下記式（３３）表される硬化促進剤
【０１４５】
【化３３】
0005228496.tif 000049
【０１４６】
硬化促進剤３：下記式（３４）表される硬化促進剤
【０１４７】
【化３４】
0005228496.tif 000050
【０１４８】
硬化促進剤４：下記式（３５）で表される硬化促進剤
【０１４９】
【化３５】
0005228496.tif 000051
【０１５０】
硬化促進剤５：下記式（３６）で表される硬化促進剤
【０１５１】
【化３６】
0005228496.tif 000052
【０１５２】
シランカップリング剤１：Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（Ｙ−９６６９）
シランカップリング剤２：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（チッソ（株）製  Ｓ８１０）
シランカップリング剤３：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ（株）製  Ｓ５１０）
【０１５３】
化合物Ｇ−１：２，３−ジヒドロキシナフタレン（試薬）
化合物Ｇ−２：１，２−ジヒドロキシナフタレン（試薬）
【０１５４】
化合物Ｈ１−１：カルボキシル基を両末端に有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体（宇部興産製、ＣＴＢＮ−１００８ＳＰ。一般式（２２）において、ｉ＝０．８２、ｊ＝０．１８、ｌの平均値は６２。数平均分子量３５５０、カルボキシル基当量２２００ｇ／ｅｑ。ナトリウムイオン量５ｐｐｍ、塩素イオン量２００ｐｐｍ。酸化防止剤として４，６−ジ−ターシャリー−ブチルフェノール（非リン系酸化防止剤）を３．０重量％含有。）
化合物Ｈ２−1：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、ＹＬ
−６８１０（エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、融点４７℃）６５重量部を１４０℃で加温溶融し、前記Ｈ１−１を３３重量部、トリフェニルホスフィンを０．８重量部添加して、１４０℃にて３０分間溶融混合して得た溶融反応物
【０１５５】
化合物Ｉ１−１：下記式（３７）で表される化合物（東レ・ダウコーニング（株）製、ＢＹ−７５０、分子量約１５００）
【０１５６】
【化３７】
0005228496.tif 000053
【０１５７】
化合物Ｉ２−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、ＹＬ−６８１０（エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、融点４７℃）１２重量部を１４０℃で加温溶融し、Ｇ１−１を６重量部、トリフェニルホスフィンを０．１５重量部添加して、１４０℃にて３０分間溶融混合して得た溶融反応物
【０１５８】
着色剤１：カーボンブラック
離型剤１：グリセリントリモンタン酸エステル（クラリアントジャパン（株）製、リコルブＷＥ４、滴点８２℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ）
離型剤２：酸化ポリエチレンワックス（クラリアントジャパン（株）製、リコワックスＰＥＤ１９１、敵点１２２、酸化１７ｍｇＫＯＨ／ｇ）
難燃剤１：水酸化アルミニウム（住友化学（株）製、ＣＬ−３０３）
【０１５９】
実施例１
エポキシ樹脂１                                                ６．２７重量部
フェノール樹脂１                                              ４．２３重量部
無機充填剤１                                                ８５．００重量部
化合物Ｄ−１                                                  ０．１０重量部
硬化促進剤１                                                  ０．２０重量部
シランカップリング剤１                                        ０．２０重量部
シランカップリング剤２                                        ０．２０重量部
化合物Ｇ−１                                                  ０．１０重量部
化合物Ｈ１−１                                                ０．１０重量部
化合物Ｉ２−１                                                ０．１５重量部
着色剤１                                                      ０．３０重量部
離型剤１                                                      ０．０５重量部
離型剤２                                                      ０．１０重量部
難燃剤１                                                      ３．００重量部
をミキサーにて常温混合し、８０〜１００℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。評価結果を表１に示す。
【０１６０】
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型に、１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はｃｍ。
【０１６１】
吸湿率：上記耐半田性の評価において吸湿前の初期重量と８５℃、相対湿度６０％で１６８時間加湿処理した後の重量を測定し、その増加量を初期重量で除して、吸湿率（％）を計算した。
【０１６２】
耐燃性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒、注入圧力９．８ＭＰａの条件で、樹脂組成物を注入成形して、３．２ｍｍ厚の耐燃試験片を作製した。得られた試験片について、ＵＬ９４の規格に則り耐燃試験を行った。表には、耐燃ランクを示した。
【０１６３】
金線流れ率：低圧トランスファー自動成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、１６０ピンＬＱＦＰ（プリプレーティングフレーム：ニッケル／パラジウム合金に金メッキしたもの、パッケージ外寸：２４ｍｍ×２４ｍｍ×１．４ｍｍ厚、パッドサイズ：８．５ｍｍ×８．５ｍｍ、チップサイズ７．４ｍｍ×７．４ｍｍ×３５０μｍ厚）を得た。得られた１６０ピンＬＱＦＰパッケージを軟Ｘ線透視装置（ソフテックス（株）製、ＰＲＯ−ＴＥＳＴ１００）で観察し、金線の流れ率を（流れ量）／（金線長）の比率を求めた。判定基準は５％未満を○、５％以上を×とした。
【０１６４】
連続成形性：低圧トランスファー自動成形機（第一精工製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、８０ピンＱＦＰ（プリプレーティングフレーム：ニッケル／パラジウム合金に金メッキしたもの、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×３５０μｍ厚）を得る成形を、連続で８００ショットまで行なった。判定基準は未充填、離型不良等の問題が全く発生せずに８００ショットまで連続成形できたものを◎、５００ショットまで連続成形できたものを○、それ以外を×とした。
【０１６５】
パッケージ外観及び金型汚れ性：上記連続成形性の評価において、５００ショット経過後及び８００ショット経過後のパッケージ及び金型について、目視で汚れを評価した。パッケージ外観及び金型汚れ性の判定基準は、５００ショットまでに汚れが発生したものを×、５００ショットまで汚れていないものを○、８００ショットまで汚れていないものを◎で表す。また、上記連続成形性において、８００ショットまで問題なく成形できなかったものについては、連続成形を断念した時点でのパッケージ外観及び金型汚れ状況で判断
した。
【０１６６】
耐半田性：上記連続成形性の評価において成形したパッケージを１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度６０％で１６８時間加湿処理後、２６０℃のＩＲリフロー処理をした。パッケージ２０個について、半導体素子とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の密着状態を超音波探傷装置により観察。２０個すべてのパッケージにおいて、クラック及び剥離が発生しなかったものは◎、ダイパッド下を除く部分で剥離が発生しなかったものは○、クラックの発生及びリード先端部（ワイヤーとの接合部近傍）において剥離したものは×、その他を△とした。
【０１６７】
実施例２〜３６、比較例１〜６
表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１〜５に示す。
【０１６８】
【表１】
0005228496.tif 000054
【０１６９】
【表２】
0005228496.tif 000055
【０１７０】
【表３】
0005228496.tif 000056
【０１７１】
【表４】
0005228496.tif 000057
【０１７２】
【表５】
0005228496.tif 000058
【０１７３】
実施例１〜３６は、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）及び一般式（３）で表される構造を有する化合物（Ｄ）を含むものであり、エポキシ樹脂（Ａ）の種類と配合量、フェノール樹脂（Ｂ）の種類と配合量、化合物（Ｄ）の種類と配合量、無機充填剤（Ｃ）の配合量を変えたものを含み、更に硬化促進剤（Ｅ）、カップリング剤（Ｆ）、芳香環を構成
する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基を結合した化合物（Ｇ）、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）又はカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（Ｈ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｈ２）、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）又はカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（Ｉ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（Ｉ２）を添加したものをも含むものであるが、いずれにおいても、流動性（スパイラルフロー）、金線流れ率、耐燃性、連続成形性、パッケージ外観及び金型汚れ性、耐半田性のバランスに優れた結果が得られた。
【０１７４】
一方、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）を用いていない比較例１〜４、一般式（２）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）を用いていない比較例５、一般式（３）で表されるトリアゾール化合物（Ｄ）を用いていない比較例６は、いずれも耐半田性が劣る結果となった。また、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）を用いていない比較例１〜４では、用いたエポキシ樹脂やフェノール樹脂の種類によっては、耐燃性も劣る結果となった。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明に従うと、耐燃性に優れ、かつ流動性、連続成形性、耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物を得ることができるため、半導体装置封止用として好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。
【符号の説明】
【０１７７】
１  半導体素子
２  ダイボンド材硬化体
３  ダイパッド
４  金線
５  リードフレーム
６  半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体
【図１】
0005228496.tif 000073