(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶粒の組成がＲ2Ｔ14Ｂ（Ｒは１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）という組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ相を含む主相と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ相よりＲが多い粒界相と、３つ以上の複数の主相により囲まれた粒界３重点とを含み、
前記粒界３重点が、前記Ｒを９０ａｔ％以上含むＲリッチ相と、前記Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であり、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相とを含み、
前記粒界３重点において、前記Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが下記式（１）を満たすと共に、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が６０％以上であり、
磁石組成中のＣｕの含有量が、０．１５質量％以上０．５質量％以下であることを特徴とする希土類焼結磁石。
０．２≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ＜０．４５  ・・・（１）
【請求項２】
磁石組成中のＲの含有量が、２５質量％以上３５質量％以下である請求項１に記載の希土類焼結磁石。
【請求項３】
磁石組成中のＣｏの含有量が、１．５質量％以上３．０質量％以下である請求項１又は２に記載の希土類焼結磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐食性の向上を図った希土類焼結磁石に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒは希土類元素、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素）系の組成を有する希土類永久磁石は、Ｒ2Ｔ14Ｂの組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ相を含む主相と、Ｒ2Ｔ14ＢよりＲを多く含むＲリッチ相を含む粒界相とを含む組織を有し、高い保磁力ＨｃＪを有するなど優れた磁気特性を発揮する永久磁石である。Ｒ−Ｔ−Ｂ系の希土類永久磁石は、高性能な永久磁石として、ハードディスクドライブ（Hard  disk  drive：ＨＤＤ）ヘッド駆動用ヴォイスコイルモータ(Voice  Coil  Motor：ＶＣＭ)や電気自動車やハイブリッドカーなど特に高性能が要求されるモータなどに使用されている。
【０００３】
希土類永久磁石は、組成にＲを含むため、活性が高いが、Ｒは酸化し易く耐食性が劣ることから、耐食性を改善するために種々の検討が行われている。一般的には、希土類磁石の表面をニッケル（Ｎｉ）などでめっきして耐食性を上げるようにしている。
【０００４】
希土類永久磁石そのものの耐食性を改善することは、めっきなどでコーテイングした後の希土類磁石の信頼性を高める上で極めて重要である。耐食性を上げるための元素として、一般的にはＣｏやＣｕなどの元素を添加することにより、希土類磁石の耐食性の向上を図ることが検討されている。
【０００５】
従来では、例えば、複数の粒界が合流する粒界３重点に存在するＲリッチ相の回りにＣｏ及びＣｕを原子量比で３０％から６０％含む中間相を形成することで、粒界３重点におけるＲリッチ相のＲの酸化を抑制し、耐食性を向上させた希土類焼結磁石が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、粒界３重点に存在するＲリッチ相の周りをＣｏ及びＣｕを含む中間相で覆うようにするだけでは、粒界３重点にＲリッチ相が多く存在しているため、腐食の進行を十分抑制することはできない、という問題があった。
【０００８】
即ち、粒界３重点でＲリッチ相の回りを中間相で覆うことで、Ｒの酸化が粒界相内部に進行するのを抑制するようにしているが、磁石表面で３重点の領域部分にピンホール等が発生した場合、粒界３重点にはＲリッチ相が多く存在しているため、粒界３重点で中間相がＲリッチ相を覆うだけではＲの酸化を十分抑制できず、Ｒの酸化が粒界相内部に進行するのを抑制することができない場合もあった。
【０００９】
近年、希土類焼結磁石は自動車や産業機器などでの使用が増加していることから、こうした用途においても更に安定して使用することができる希土類焼結磁石を提供するため、耐食性に優れた希土類焼結磁石が求められている。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、耐食性を向上させた希土類焼結磁石を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明者らは希土類焼結磁石について鋭意研究をした。その結果、粒界３重点におけるＲの原子百分率が所定の範囲であり、そのときのＲとＣｏとＣｕとを原子百分率より換算した組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが所定の範囲内であると共に、焼結体の断面に現れる粒界３重点の断面積におけるＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が所定値以上である組成を含む相を粒界３重点に含むようにすることにより、希土類焼結磁石の耐食性を向上することができることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
【００１２】
本発明に係る希土類焼結磁石は、結晶粒の組成がＲ2Ｔ14Ｂ（ＲはＮｄを含む１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）という組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ相を含む主相と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ相よりＲが多い粒界相と、３つ以上の複数の主相により囲まれた粒界３重点とを含み、前記粒界３重点が、前記Ｒを９０ａｔ％以上含むＲリッチ相と、前記Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であり、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相とを含み、前記粒界３重点において、前記Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが下記式（１）を満たすと共に、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が６０％以上であることを特徴とする。
０．０５≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ＜０．５  ・・・（１）
【００１３】
本発明は、粒界３重点に、Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であると共に、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相を含み、Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算した組成比が上記式を満たすと共に、粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積を６０％以上としている。そのため、粒界３重点には前記Ｒに富む領域（Ｒリッチ相）が減少し、Ｃｏ及びＣｕが多く存在する。粒界３重点にＣｏとＣｕとが多く存在することで、耐食性を向上させることができる。また、粒界３重点でＲリッチ相が減少することで、希土類焼結磁石をめっき液に浸漬し、希土類焼結磁石の表面にめっきを施しても、希土類焼結磁石の表面がめっき液により損傷することを抑制することができる。このため、希土類焼結磁石がめっき液と反応して粒界相成分が腐食して脱落し、水素を吸蔵するのを抑制することができる。これにより、希土類焼結磁石のめっき層との接触部の粒界相が変性するのを抑え、その部分の保磁力低下に起因する減磁を抑制することができるため、本発明により得られる希土類焼結磁石はめっきを開始した初期に生じるフラックスの低下を抑制することができる。
【００１４】
本発明の好ましい態様として、磁石組成中のＲの含有量が、２５質量％以上３５質量％以下であることが好ましい。Ｒの含有量を上記範囲内とすることで、磁気特性を維持させることができるため、希土類焼結磁石として安定して用いることができる。
【００１５】
本発明の好ましい態様として、磁石組成中のＣｏの含有量が、０．６質量％以上３．０質量％以下であることが好ましい。Ｃｏの含有量を上記範囲内とすることで、磁気特性を維持しつつ耐食性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の好ましい態様として、磁石組成中のＣｕの含有量が、０．０５質量％以上０．５質量％以下であることが好ましい。Ｃｕの含有量を上記範囲内とすることで、磁気特性を維持しつつ耐食性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、耐食性を向上させた希土類焼結磁石を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界３重点付近を模式的に示す図である。
【図２】図２は、従来の希土類焼結磁石の粒界３重点付近を模式的に示す図である。
【図３】図３は、めっき施した希土類焼結磁石を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図５は、実施例１の希土類焼結磁石の組成像である。
【図６】図６は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｕのＥＰＭＡによる観察結果である。
【図７】図７は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｏのＥＰＭＡによる観察結果である。
【図８】図８は、比較例１の希土類焼結磁石の組成像である。
【図９】図９は、比較例１の希土類焼結体のＣｕのＥＰＭＡによる観察結果である。
【図１０】図１０は、比較例１の希土類焼結体のＣｏのＥＰＭＡによる観察結果である。
【図１１】図１１は、実施例１の希土類焼結磁石のＮｄのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１２】図１２は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｏのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１３】図１３は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｕのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１４】図１４は、比較例１の希土類焼結磁石のＮｄのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１５】図１５は、比較例１の希土類焼結磁石のＣｏのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１６】図１６は、比較例１の希土類焼結磁石のＣｕのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。
【図１７】図１７は、ＰＣＴ試験機を用いて行なった耐食性の測定結果を示す図である。
【図１８】図１８は、フラックスの測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を好適に実施するための形態（以下、実施形態という。）につき、詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態及び実施例に記載した内容により限定されるものではない。また、以下に記載した実施形態及び実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、以下に記載した実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。
【００２０】
＜希土類焼結磁石＞
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金を用いて形成される焼結体である。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、結晶粒の組成がＲ2Ｔ14Ｂ（ＲはＮｄを含む１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）という組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ相を含む主相（結晶粒）と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ相よりＲが多い粒界相と、３つ以上の複数の主相により囲まれた粒界３重点とを含み、前記粒界３重点が、前記Ｒを９０ａｔ％以上含むＲリッチ相と、前記Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であり、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相とを含み、前記粒界３重点において、前記Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが下記式（２）を満たすと共に、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が６０％以上である。
０．０５≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ＜０．５  ・・・（２）
【００２１】
Ｒは、１種以上の希土類元素を表す。希土類元素とは、長周期型周期表の第３族に属するＳｃとＹとランタノイド元素とのことをいう。ランタノイド元素は、例えば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む。希土類元素は、軽希土類及び重希土類に分類され、重希土類元素とは、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕをいい、軽希土類元素はそれ以外の希土類元素である。製造コスト及び磁気特性の観点から、ＲはＮｄを含むものであることが好ましい。
【００２２】
Ｔは、Ｆｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を示すものである。Ｔは、Ｆｅ単独であってもよく、Ｆｅの一部がＣｏで置換されていてもよい。Ｆｅの一部をＣｏに置換する場合、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。また、Ｃｏの含有量は、Ｆｅの含有量の２０質量％以下に抑えることが望ましい。これは、Ｃｏの含有量がＦｅの含有量の２０質量％より大きくなるようにＦｅの一部をＣｏに置換すると、磁気特性を低下させる虞がある。また、希土類焼結磁石が高価となってしまうからである。Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ以外に、例えば、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどの元素の少なくとも１種の元素を更に含んでいてもよい。
【００２３】
本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界相は、Ｒ2Ｔ14Ｂ相よりＮｄが多いＲリッチ相とＲ2Ｔ14Ｂ相よりＣｏが多いＣｏリッチ相と主相よりＣｕが多いＣｕリッチ相とを含んでいる。粒界相は、Ｒリッチ相の他に、Ｂの含有量が高いＢリッチ相が含まれていてもよい。結晶粒の粒径は、１μｍから１００μｍ程度である。
【００２４】
本実施形態に係る希土類焼結磁石におけるＲの含有量は、２５質量％以上３５質量％以下であるのが好ましく、２８質量％以上３３質量％以下であるのがより好ましい。Ｂの含有量は、０．５質量％以上１．５質量％以下であり、０．８質量％以上１．２質量％以下であるのが好ましい。残部は、Ｃｏ及びＣｕを除くＴである。
【００２５】
Ｃｏの含有量は、０．６質量％以上３．０質量％以下であるのが好ましく、０．７質量％以上２．８質量％以下であるのがより好ましく、０．８質量％以上２．５質量％以下であるのが更に好ましい。Ｃｏの含有量が０．６質量％を下回ると、本実施形態による耐食性の向上の効果が得られない虞があるからである。Ｃｏの含有量が３．０質量％を超えると、希土類焼結磁石の磁気特性が低下する虞があり、コストが増大することにもなるからである。そのため、Ｃｏの含有量を上記範囲内とすることで、磁気特性を維持しつつ耐食性の向上を図ることができるため、好ましい。
【００２６】
Ｃｕの含有量は、０．０５質量％以上０．５質量％以下であるのが好ましく、０．０６質量％以上０．４質量％以下であるのがより好ましく、０．０７質量％以上０．３質量％以下であるのが更に好ましい。Ｃｕの含有量が０．０５質量％を下回ると、希土類焼結磁石は耐食性の向上の効果が得られない虞があるからである。Ｃｕの含有量が０．５質量％を超えると、希土類焼結磁石の磁気特性が低下する虞があるからである。そのため、Ｃｕの含有量を上記範囲内とすることで、磁気特性を維持しつつ耐食性の向上を図ることができるため、好ましい。
【００２７】
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、複数の主相により粒界３重点が形成される。粒界３重点は、Ｒ2Ｔ14Ｂ相よりＲが多く、Ｃｏ及びＣｕを含む相を含んでいる。図１は、本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界３重点付近を模式的に示す図であり、図２は、従来の希土類焼結磁石の粒界３重点付近を模式的に示す図である。図１、図２に示すように、粒界３重点には、Ｒ４５相と、Ｒ７５相と、Ｒリッチ相とが含まれる。Ｒ４５相は、Ｒを３５ａｔ％以上５５ａｔ％以下含む相であり、好ましくは４０ａｔ％以上５０ａｔ％以下含む相であり、更に好ましくは４５ａｔ％程度含む相である。Ｒ７５相は、Ｒを６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満含む相であり、好ましくは７０ａｔ％以上８０ａｔ％以下含む相であり、更に好ましくは７５ａｔ％程度含む相である。Ｒリッチ相は、ＲをＲ７５相よりも多く含む相であり、Ｒを９０ａｔ％よりも多く含む相である。図１に示すように、本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界３重点にはＲ７５相が多く含まれている。一方、図２に示すように、従来の希土類焼結磁石の粒界３重点にはＲリッチ相が多く含まれている。
【００２８】
本実施形態に係る希土類焼結磁石では、Ｒ７５相は、Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが、下記式（３）を満たし、下記式（４）を満たすことが好ましく、下記式（５）を満たすことがより好ましい。
０．０５≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ＜０．５０  ・・・（３）
０．１０≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ≦０．４０  ・・・（４）
０．２０≦（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒ≦０．３０  ・・・（５）
【００２９】
組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが、０．０５未満の場合、粒界３重点中に余分なＲリッチ相が残り、希土類焼結磁石の耐食性を向上させることができないからである。また、組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが、０．５を超える場合、希土類焼結磁石の磁気特性を低下させるからである。そのため、組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが上記式（３）を満たすことで、粒界３重点に含まれるＲの含有量を減少させ、Ｃｏ及びＣｕの含有量を増大させることができるので、磁気特性を維持しつつ耐食性を向上させることができる。
【００３０】
一方、図２に示すような従来の希土類焼結磁石では、粒界３重点には、Ｒリッチ相が多く含まれるため、Ｒの含有量は多く、Ｃｏ及びＣｕの含有量は少ない。そのため、粒界３重点のＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは０．０５未満となる。
【００３１】
焼結体の断面に現れる粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積は６０％以上であることが好ましく、７０％以上であるのが更に好ましい。Ｃｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が６０％を下回ると、粒界３重点の領域にＲリッチ相が多く残ることとなり、上記のように、希土類焼結磁石の耐食性は低下するからである。Ｃｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積を６０％以上とすることで、ＲとＣｏとＣｕとが粒界相内に略同じ領域で存在する割合が高くなり、耐食性を更に向上させることができる。
【００３２】
希土類焼結磁石の表面には通常めっきが施されるが、従来の希土類焼結磁石の表面にめっきを施すと、めっき液と粒界相との反応によって発生する水素を介して希土類焼結磁石の表面の腐食反応が促進すると共に、希土類焼結磁石の表面に形成されるめっきの膜厚の分だけフラックスは低下する。
【００３３】
図３は、めっき施した希土類焼結磁石を模式的に示す断面図である。図３に示すように、希土類焼結磁石１０は、その表面全体をＮｉめっき膜１１で覆っている。希土類焼結磁石１０の表面をＮｉめっき膜１１で被覆した際、希土類焼結磁石１０の厚さＡとＮｉめっき膜１１の厚さＢの両面分の和が実際の製品の厚さＣとなる。製品としては、製品の厚さＣは一定とし、希土類焼結磁石１０には、所定の膜厚ＸのＮｉめっき膜１１で被覆されるようにする。そのため、希土類焼結磁石１０は、めっきする際に希土類焼結磁石１０の表面に生じる希土類焼結磁石１０の表面の腐食と、希土類焼結磁石１０の表面に形成したＮｉめっき膜１１の膜厚Ｘの分だけ、フラックスの低下を生じる。希土類焼結磁石１０にＮｉめっき膜１１を施す前後におけるフラックスの値の差をフラックスロスといい、希土類焼結磁石１０にＮｉめっき膜１１を施すことでフラックスの低下が生じるＮｉめっき膜１１の厚さをめっき皮膜厚ロスという。
【００３４】
本実施形態に係る希土類焼結磁石では、粒界３重点にＲ７５相を多く含み、このＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは、上記式（３）を満たし、焼結体の断面に現れる粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積は６０％以上としているため、耐食性が向上している。そのため、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、その表面に被覆用のめっきを施しても、粒界３重点に存在するＲリッチ相の量を減少させ、Ｃｏ及びＣｕを多く含む相が増加しているので、めっき液と粒界相の反応によって発生する水素を介して腐食反応が促進されるのを抑制することができると考えられる。このため、希土類焼結磁石の耐食性を向上させることができる。これにより、希土類焼結磁石のめっきとの接触部のダメージが軽減され、希土類焼結磁石が減磁するのを抑制することができる。また、希土類焼結磁石の表面にめっきを施してもめっき開始初期に生じるフラックスの低下を抑制することができる。
【００３５】
希土類焼結磁石はその表面にめっき膜を形成することでめっき膜の膜厚の分、フラックスは低下するが、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、その表面にめっきを施す際、めっき開始初期に生じるフラックスの低下を抑制することができるため、めっきを施す前後において生じる希土類焼結磁石のフラックスの値の差（フラックスロス）を抑制することができる。
【００３６】
Ｎｉめっき膜１１は、希土類焼結磁石１０の被覆層として用いられ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−ＰなどＮｉを含んで形成されるめっき膜であればよい。Ｎｉめっき膜１１は、Ｎｉ以外の金属からなる金属めっき膜でもよい。Ｎｉ以外の金属からなる金属めっき膜は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れか一つ以上を主成分として含む層で形成される。これらのめっき膜は、例えば、電気めっき法や無電解めっき法によって形成される。めっき膜は電気めっき法により形成することが好ましい。めっき膜を電気めっきで形成することで、希土類焼結磁石１０に容易にめっき膜を形成することができる。また。電気めっきは蒸着などによりめっき膜を形成する場合に比べて低コスト、かつ安全に再現性を有して形成することができる。
【００３７】
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、例えばプレス成形などにより目的とする所定形状に成形されて得られる。希土類焼結磁石１０の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、断面形状がリング状等、希土類焼結磁石の形状に応じて変更することができる。
【００３８】
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金からなる希土類焼結磁石を用いているが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類合金粉末と樹脂バインダーとを混練して希土類ボンド磁石用コンパウンド（組成物）を作製し、得られる希土類ボンド磁石用コンパウンドを所定の形状に成形した希土類ボンド磁石を希土類焼結磁石として用いてもよい。
【００３９】
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、粒界３重点において、Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であり、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相を含み、Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが上記式を満たすと共に、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積を６０％以上としている。このため、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、耐食性を向上させることができると共に、めっきを開始した初期に生じるフラックスの低下を抑制することでめっき膜を形成した後の希土類焼結磁石のフラックスロスを抑制することができる。
【００４０】
＜希土類焼結磁石の製造方法＞
上述したような構成を有する希土類焼結磁石の好適な製造方法について図面を用いて説明する。本実施形態では、主相系合金の粉末は、Ｒ１2Ｆｅ14Ｂ（Ｒ１は少なくともＮｄを含み、Ｄｙを含まない１種類以上の希土類元素を表す）及び不可避不純物を含み、Ｃｏ及びＣｕを含まないものである。粒界相系合金の粉末は、Ｒ２（Ｒ２は少なくともＤｙを含み、Ｎｄを含まない１種類以上の希土類元素を表す）とＦｅとＣｏとＣｕとを含むものである。主相系合金の粉末と粒界相系合金の粉末とを用いて本実施形態に係る希土類焼結磁石を製造する方法について説明する。図４は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法は、以下の工程を有する。
（ａ）主相系合金と粒界相系合金とを準備する合金準備工程（ステップＳ１１）
（ｂ）主相系合金と粒界相系合金とを粉砕する粉砕工程（ステップＳ１２）、
（ｃ）主相系合金粉末と粒界相系合金粉末とを混合する混合工程（ステップＳ１３）
（ｄ）混合した混合粉末を成形する成形工程（ステップＳ１４）
（ｅ）成形体を焼結する焼結工程（ステップＳ１５）
（ｆ）焼結体を時効処理する時効処理工程（ステップＳ１６）
（ｇ）焼結体を冷却する冷却工程（ステップＳ１７）
（ｈ）希土類焼結磁石を研磨する研磨工程（ステップＳ１８）
（ｉ）希土類焼結磁石の表面をめっきするめっき工程（ステップＳ１９）
【００４１】
＜合金準備工程：ステップＳ１１＞
原料金属を真空又はＡｒガスなどの不活性ガスの不活性ガス雰囲気中で鋳造して主相系合金及び粒界相系合金を得る（ステップＳ１１）。本実施形態では、主相系合金は、Ｒ１の含有量が２７質量％以上３３質量％以上以下であり、Ｂの含有量が０．８質量％以上１．２質量％以下であり、Ｆｅはｂａｌ．となるように調整する。粒界相系合金は、Ｒ２の含有量は２５質量％以上５０質量％以下であり、Ｃｏの含有量は５質量％以上５０質量％以下であり、Ｃｕの含有量は０．３質量％以上１０質量％以下となるように調整する。原料金属としては、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボロン、さらにはこれらの合金等を使用することができる。原料金属を鋳造する鋳造方法は、例えばインゴット鋳造法やストリップキャスト法やブックモールド法や遠心鋳造法などである。得られた原料合金は、凝固偏析がある場合は必要に応じて均質化処理を行う。原料合金の均質化処理を行う際は、真空又は不活性ガス雰囲気の下、７００℃以上１５００℃以下の温度で１時間以上保持して行う。これにより、希土類磁石用合金は融解されて均質化される。
【００４２】
＜粉砕工程：ステップＳ１２＞
次いで、合金準備工程（ステップＳ１１）で主相系合金及び粒界相系合金が作製された後、これらの主相系合金及び粒界相系合金を別々に粉砕する（ステップＳ１２）。なお、主相系合金及び粒界相系合金を共に粉砕してもよいが、組成ずれを抑える観点などから別々に粉砕することがより好ましい。粉砕工程（ステップＳ１２）は、粒径が数百μｍ程度になるまで粉砕する粗粉砕工程（ステップＳ１２−１）と、粒径が数μｍ程度になるまで微粉砕する微粉砕工程（ステップＳ１２−２）とがある。
【００４３】
（粗粉砕工程：ステップＳ１２−１）
主相系合金及び粒界相系合金を各々粒径が数百μｍ程度になるまで粗粉砕する（ステップＳ１２−１）。これにより、主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は、主相系合金及び粒界相系合金に水素を吸蔵させた後に水素を放出させ、脱水素を行なうことで主相系合金及び粒界相系合金を粗粉砕する。また、粗粉砕を行なう際は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行うようにしてもよい。
【００４４】
高い磁気特性を得るために、粉砕工程（ステップＳ１２）から焼結工程（ステップＳ１５）までの各工程の雰囲気は低酸素濃度とすることが好ましい。酸素含有量は、各製造工程における雰囲気の制御、原料に含有される酸素量の制御等により調節される。各工程での酸素濃度は３０００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００４５】
（微粉砕工程：ステップＳ１２−２）
【００４６】
次いで、粗粉砕工程（ステップＳ１２−１）で主相系合金及び粒界相系合金を粗粉砕した後、主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末を粒径が数μｍ程度になるまで微粉砕する（ステップＳ１２−２）。これにより、主相系合金及び粒界相系合金の粉砕粉末を得る。微粉砕は、主にジェットミルが用いられ、主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末を平均粒径数μｍ程度になるまで粉砕する。ジェットミルは、高圧の不活性ガス（例えば、Ｎ2ガス）を狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末を加速して主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末同士の衝突やターゲット又は容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。
【００４７】
主相系合金及び粒界相系合金の粗粉砕粉末を微粉砕する際、ステアリン酸亜鉛、オレイン酸アミド等の粉砕助剤を添加することにより、成形時に配向性の高い微粉砕粉末を得ることができる。
【００４８】
＜混合工程：ステップＳ１３＞
次いで、微粉砕工程（ステップＳ１２−２）で主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末を得た後、主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末を低酸素雰囲気で混合する（ステップＳ１３）。これにより、混合粉末が得られる。低酸素雰囲気は、例えば、Ｎ2ガス、Ａｒガス雰囲気など不活性ガス雰囲気として形成する。主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末の配合比率は、質量比で８０対２０以上９７対３以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で９０対１０以上９７対３以下である。
【００４９】
粉砕工程（ステップＳ１２）において、主相系合金及び粒界相系合金を一緒に粉砕する場合の配合比率も、主相系合金及び粒界相系合金を別々に粉砕する場合と同様に、主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末の配合比率は、質量比で８０対２０以上９７対３以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で９０対１０以上９７対３以下である。
【００５０】
＜成形工程：ステップＳ１４＞
次いで、混合工程（ステップＳ１３）で主相系合金粉末と粒界相系合金粉末とを混合して得られる混合粉末を成形する（ステップＳ１４）。混合粉末を、電磁石に抱かれた金型内に充填し、磁場印加によってその結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。これにより成形体が得られる。得られる成形体は特定方向に配向するので、より磁性の強い異方性を有する希土類焼結磁石１０が得られる。この磁場中成形は、１．２Ｔｅｓｌａ以上の磁場中で、０．７ｔ／ｃｍ2から１．５ｔ／ｃｍ2（７０ＭＰａから１５０ＭＰａ）前後の圧力で行なうことが好ましい。印加する磁場は静磁場に限定されず、パルス状磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
【００５１】
成形体は例えばプレス成形などにより目的とする所定形状に成形する。希土類合金粉末を成形して得られる成形体の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、断面形状がリング状等、希土類焼結磁石の形状に応じて変更することができる。
【００５２】
主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末の混合粉末を目的とする所定の形状に成形する際、磁場を印加して成形して得られる成形体を一定方向に配向させるようにしてもよい。これにより、希土類焼結磁石が特定方向に配向するので、より磁性の強い異方性希土類焼結磁石が得られる。
【００５３】
＜焼結工程：ステップＳ１５＞
次いで、成形工程（ステップＳ１４）で混合粉末を磁場中で成形した後、得られた成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する（ステップＳ１５）。焼結温度は、組成、粉砕方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、例えば９００℃以上１２００℃以下で１時間以上１０時間以下焼結する。これにより、焼結体が得られる。
【００５４】
＜時効処理工程：ステップＳ１６＞
次いで、焼結工程（ステップＳ１５）で成形体を焼結して得られた焼結体に時効処理が施される（ステップＳ１６）。時効処理工程（ステップＳ１６）は、焼成後、得られた焼結体を焼成時よりも低い温度で保持することで、焼結体の組織を調整することにより最終製品である希土類焼結磁石の磁気特性を調整する工程である。時効処理は、例えば、７００℃から９００℃の温度で１時間から３時間、更に５００℃から７００℃の温度で１時間から３時間加熱する２段階加熱や、６００℃付近の温度で１時間から３時間加熱する１段階加熱等、時効処理を施す回数に応じて適宜処理条件を調整する。
【００５５】
＜冷却工程：ステップＳ１７＞
次いで、時効処理工程（ステップＳ１６）で焼結体に時効処理を施した後、焼結体はＡｒガスで加圧した状態で急冷を行う（ステップＳ１７）。これにより、本実施形態に係る希土類焼結磁石を得ることができる。冷却速度は、特に限定されるものではなく、３０℃／ｍｉｎ以上とするのが好ましい。
【００５６】
＜研磨工程：ステップＳ１８＞
次いで、冷却工程（ステップＳ１７）で得られた本実施形態に係る希土類焼結磁石はボールミルを用いて２時間程度バレル研磨を行い、角取りを行なう（ステップＳ１８）。また、得られた希土類焼結磁石は、所望のサイズに切断したり、表面を平滑化することで、所定形状の希土類焼結磁石としてもよい。
【００５７】
＜めっき工程：ステップＳ１９＞
次いで、研磨工程（ステップＳ１８）で希土類焼結磁石を研磨した後、硝酸を用いて所定時間、実施形態に係る希土類焼結磁石の表面をエッチングする。その後、Ｎｉめっきを行い、実施形態に係る希土類焼結磁石の表面にＮｉめっき膜を形成する（ステップＳ１９）。
【００５８】
以上のようにして、得られる本実施形態に係る希土類焼結磁石は、粒界３重点において、Ｒが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であり、Ｃｏ及びＣｕを含むＲ７５相を含み、Ｒ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが所定の範囲内であると共に、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積を６０％以上としている。これにより、粒界３重点に含まれるＲリッチ相を減少させることができる。このため、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、耐食性を向上させることができる。また、めっき液により粒界相成分が腐食して水素を吸蔵するのを抑制することができると考えられるため、めっきを開始した初期に生じるフラックスの低下を抑制することができる。このため、本実施形態に係る希土類焼結磁石の表面にＮｉめっき膜を形成する際でも、得られた希土類焼結磁石のフラックスロスが抑制できる。この結果、Ｎｉめっき膜によるめっき皮膜厚ロスを低減でき、高い磁気特性を有する希土類焼結磁石を製造することができる。
【００５９】
希土類焼結磁石に含有されるＣの量は、製造工程で用いられる粉砕助剤の種類及び添加量等により調節する。さらに、希土類焼結磁石に含有されるＮの量は、原料合金の種類及び量や、原料合金を窒素雰囲気で粉砕する場合の粉砕条件等により調節する。
【００６０】
主相系合金及び粒界相系合金の粉砕は、主相系合金及び粒界相系合金に水素を吸蔵させた後、水素を放出させて粗粉砕するようにしているが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、いわゆる水素化分解・脱水素再結合（ＨＤＤＲ：Hydrogenation  Decomposition  Desorption  Recombination）法を用いて主相系合金及び粒界相系合金を粉砕して主相系合金粉末と粒界相系合金粉末を得るようにしてもよい。ＨＤＤＲ法は、水素中で原料（出発合金）を加熱することにより、原料を水素化・分解（ＨＤ：Hydrogenation  Decomposition）し、その後、脱水素・再結合（ＤＲ：Desorption  Recombination）させることにより、結晶を微細化させる方法である。
【００６１】
以上、本実施形態に係る希土類焼結磁石の好適な実施形態について説明したが、本実施形態に係る希土類焼結磁石はこれに制限されるものではない。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形、種々の組み合わせが可能であり、永久磁石以外についても同様に適用することができる。
【実施例】
【００６２】
本発明の内容を実施例及び比較例を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６３】
＜１．希土類焼結磁石の作製＞
［実施例１］
所定の組成を有する主相系合金１及び粒界相系合金１を作製し、所定の磁石組成を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石を作製した。主相系合金１及び粒界相系合金１の組成とＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の磁石組成を表１に示す。
【００６４】
ストリップキャスト法により表１に示す組成を有する主相系合金１及び粒界相系合金１を作製した。主相系合金１及び粒界相系合金１からなる混合物に室温で水素吸蔵処理を施した後に、Ａｒ雰囲気中で６００℃で１時間、脱水素処理を行って主相系合金１及び粒界相系合金１を粗粉砕した。粗粉砕した主相系合金１及び粒界相系合金１に、粉砕助剤としてオレイン酸アミドを０．１ｗｔ％添加し、ジェットミルにて微粉砕を行って平均粒径が４．０μｍ程度の微粉を得た。得られた主相系合金粉末及び粒界相系合金粉末を、質量比が９５対５となるように低酸素雰囲気で混合し、混合粉末を得た。得られた混合粉末を、印加磁場が１．５Ｔｅｓｌａ、成形圧力が１．２ｔｏｎ／ｃｍ2として磁場中で成形し、成形体を得た。得られた成形体は、真空中において１０４０℃で４時間保持し、焼結した。その後、Ａｒ雰囲気中で時効処理を行って熱処理を行い焼結体を得た。時効処理は２段階で行った。８００℃で１時間保持した後、５５０℃で１時間保持して行った。Ａｒ雰囲気中で焼結後の時効処理の１段目までの降温過程（１０４０℃から８００℃）における冷却速度は５０℃／ｍｉｎとした。時効処理の１段目から２段目の時効処理まで降温過程（８００℃から５５０℃）の冷却速度を５０℃／ｍｉｎとした。時効処理して得られた希土類焼結磁石にボールミルを用いて２時間バレル研磨を行い角取りを行った。その後、硝酸にて所望の時間エッチングを行った後、Ｎｉめっきを行った。
【００６５】
【表１】
0005303738.tif 000002
【００６６】
［実施例２、３、比較例１］
実施例２、３、比較例１は、実施例１に用いた主相系合金１と同様の組成の主相系合金２から４を用い、実施例１に用いた粒界相系合金１の組成を変えた粒界相系合金２から４を用いたこと以外は、実施例１と同様にして行なって、希土類焼結体を得た。主相系合金２及び粒界相系合金２の組成とその質量比と得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の磁石組成とを表２に示し、主相系合金３及び粒界相系合金３の組成とその質量比と得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の磁石組成とを表３に示し、主相系合金４及び粒界相系合金４の組成とその質量比と得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の磁石組成とを表４に示す。
【００６７】
【表２】
0005303738.tif 000003
【００６８】
【表３】
0005303738.tif 000004
【００６９】
【表４】
0005303738.tif 000005
【００７０】
＜２．評価＞
［元素マッピング］
（ＥＰＭＡ）
粒界３重点において、Ｃｕ及びＣｏの高濃度領域の存在位置を確認するため、実施例１から３の希土類焼結磁石及び比較例１の希土類焼結磁石の組織をＥＰＭＡ（Electron  Probe  Micro  Analyzer）により観察し、ＥＰＭＡによる元素マッピングを行なった。図５は、実施例１の希土類焼結磁石の組成像である。図６は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｕのＥＰＭＡによる観察結果である。図７は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｏのＥＰＭＡによる観察結果である。図８は、比較例１の希土類焼結磁石の組成像である。図９は、比較例１の希土類焼結体のＣｕのＥＰＭＡによる観察結果である。図１０は、比較例１の希土類焼結体のＣｏのＥＰＭＡによる観察結果である。また、実施例２、３について同様に行い、ＥＰＭＡにより観察し、ＥＰＭＡによる元素マッピングを行なった。実施例１から３及び比較例１で、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とが一致する領域の面積割合を表５に示す。
【００７１】
【表５】
0005303738.tif 000006
【００７２】
図５、８において、白色の部分ほど当該元素の濃度が高いことを示しているが、一般に主相には濃度分布がほとんど存在しないことから、この白色の濃度の高い領域は粒界相に該当すると解される。図６、７に示すように、Ｎｄに富む粒界３重点において、実施例１では、Ｃｏに富む領域とＣｕに富む領域とはほとんど一致し、表５に示すように、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とが一致するのは約８８％程度であった。また、表５に示すように、実施例２では、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とが一致するのは約９３％程度であり、実施例３では、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とが一致するのは約６７％程度であった。一方、図９、１０に示すように、Ｎｄに富む粒界３重点において、比較例１では、表５に示すように、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とは、部分的に単独で存在している領域があり、Ｃｕの高濃度領域とＣｏの高濃度領域とが一致するのは約５４％程度であった。
【００７３】
（ＳＴＥＭ−ＥＤＳ）
粒界３重点において、Ｎｄ、Ｃｏ及びＣｕの高濃度領域の存在位置を確認するため、ＳＴＥＭ−ＥＤＳ（Scanning  Transmission  Electron  Microscope−Energy  Dispersive  X‐ray  Spectrometer）により、観察した。実施例１から３の希土類焼結磁石及び比較例１の希土類焼結磁石の組織をＳＴＥＭ−ＥＤＳにより観察し、ＳＴＥＭ−ＥＤＳによる元素マッピングを行なった結果を図１１から図１６に示す。図１１は、実施例１の希土類焼結磁石のＮｄのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。図１２は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｏのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。図１３は、実施例１の希土類焼結磁石のＣｕのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。図１４は、比較例１の希土類焼結磁石のＮｄのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。図１５は、比較例１の希土類焼結磁石のＣｏのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。図１６は、比較例１の希土類焼結磁石のＣｕのＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果である。また、実施例１から３及び比較例１で、ＲをＮｄとして、ＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒを表６に示す。
【００７４】
【表６】
0005303738.tif 000007
【００７５】
ＳＴＥＭ−ＥＤＳによる元素マッピングでは、図１１から図１３に示すように、実施例１の希土類焼結磁石の方が比較例１の希土類焼結磁石より粒界３重点においてＮｄ、Ｃｏ及びＣｕが多く偏析している組織が見られた。このとき、粒界３重点の組成の点分析から、実施例１と比較例１の両方の希土類焼結磁石からＮｄを９０ａｔ％以上含む相（Ｒリッチ相）と、Ｎｄが３５ａｔ％以上５５ａｔ％以下であって、Ｆｅを４５ａｔ％程度、Ｃｏ及びＣｕを各々２ａｔ％程度含む相（Ｒ４５相）とが確認された。また、実施例１では、Ｎｄが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であって、Ｆｅを２ａｔ％程度、Ｃｏを９ａｔ％から１９ａｔ％、Ｃｕを７ａｔ％程度含む相（Ｒ７５相）が確認された。比較例１では、Ｎｄが６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満であって、Ｆｅを２２ａｔ％程度、Ａｌを１．５ａｔ％程度、Ｃｏを１ａｔ％程度、Ｃｕを１．５ａｔ％程度含む相（Ｒ７５相）が確認された。また、実施例１の希土類焼結磁石のＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは、表６に示すように、０．２１から０．３５の範囲内であった。
【００７６】
実施例１の希土類焼結磁石のＥＰＭＡの観察結果とＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果を併せて実施例１の希土類焼結磁石の粒界３重点の状態を模式的に示すと、図１のように示すことができる。図１に示すように、実施例１の希土類焼結磁石の粒界３重点では、Ｎｄを６０ａｔ％以上９０ａｔ％未満含むＲ７５相が多く存在し、このときのＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは、０．０５以上０．５未満であるといえる。
【００７７】
実施例２、３の希土類焼結磁石の粒界３重点においてもＲ７５相が確認された。また、実施例２の希土類焼結磁石の粒界３重点においてＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは０．２８から０．４５の範囲内であった。実施例３の希土類焼結磁石の粒界３重点においてＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは０．０７から０．０９の範囲内であった。よって、実施例２、３の希土類焼結磁石の粒界３重点においても、Ｒ７５相が多く存在し、このときのＮｄ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは、０．０５以上０．５未満であるといえる。
【００７８】
一方、比較例１の希土類焼結磁石のＥＰＭＡの観察結果とＳＴＥＭ−ＥＤＳによる観察結果を併せて粒界３重点の状態を模式的に示すと、図２のように示すことができる。図２に示すように、比較例１の希土類焼結磁石の粒界３重点においてもＲ７５相が含まれていたが、比較例１の希土類焼結磁石のＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒは、０．０３４程度であった。
【００７９】
よって、比較例１の希土類焼結磁石は、実施例１から３の希土類焼結磁石に比べて粒界３重点のＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒが小さかった。従って、比較例１の希土類焼結磁石は、実施例１から３の希土類焼結磁石に比べて粒界３重点のＲ７５相に含まれるＣｏとＣｕとの量が少量であることが判明した。
【００８０】
［耐食性の評価］
Ｎｉめっきを施さずエッチングのみを行った希土類焼結磁石を試料とした。この試料をプレッシャークッカー試験（Unsaturated  Press.  Test；ＰＣＴ）試験機を用いて１２０℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨの条件下で腐食させ、希土類焼結磁石の表面の腐食物を除去し、希土類焼結磁石の単位面積当たりの質量減少率を求めた。図１７は、ＰＣＴ試験機を用いて行なった耐食性の測定結果を示す図である。図１７に示すように、比較例１に比べ実施例１から３の質量変化は小さかった。よって、粒界３重点のＣｏ及びＣｕの含有量を増量し、Ｒリッチ相を減少させることで、希土類焼結磁石の耐食性を向上させるのに寄与していることが確認された。
【００８１】
［フラックスロスの評価］
Ｎｉめっきを施した希土類焼結磁石とエッチングのみ行った希土類焼結磁石にパルス着磁を行い、磁束測定器を用いてコイルの巻き数２５０としてオープンフラックス測定を行なった。エッチングのみを行なった希土類焼結磁石のフラックス値を基準として、Ｎｉめっきを施した希土類焼結磁石のフラックス値の低下の割合を測定した。なお、上記のように、Ｎｉめっきを施す前後におけるフラックスの値の差をフラックスロスという。図１８は、フラックスの測定結果を示す図である。図１８に示すように、希土類焼結磁石に対して両面で約４μｍ程度の膜厚のＮｉめっきを施した時の両面でのめっき皮膜厚ロスは、１．６％程度であった。このとき、希土類焼結磁石に対して両面で約２０μｍ程度の膜厚のＮｉめっきを施した場合には、比較例１では、フラックスロスは約４．５％程度であった。これに対し、実施例１から３では、フラックスロスは約３％から４％程度までに抑えられていた。よって、本実施形態に係る希土類焼結磁石を用いれば、フラックスロスを抑制することができることが確認された。
【００８２】
このように、実施例１から３による希土類焼結磁石及び比較例１による希土類焼結磁石は、組成及び基本的な製造方法が一致しているにも関わらず、耐食性及びフラックスロスに差異が見られた。実施例１から３による希土類焼結磁石は、比較例１による希土類焼結磁石に比べて耐食性を向上させることができると共に、めっきを開始した初期に生じるフラックスの低下を抑制することができた。これは、粒界３重点においてＲ７５相を含み、このＲ７５相に含まれるＲとＣｏとＣｕとを原子百分率で換算して表される組成比（Ｃｏ＋Ｃｕ）／Ｒを所定の範囲内として、粒界３重点におけるＲリッチ相の割合を減少させ、Ｃｏ及びＣｕを含めるようにし、断面内の粒界３重点の断面積においてＣｏに富む領域とＣｕに富む領域との両方が一致している面積が所定値以上であるか否かが、希土類焼結磁石の耐食性及びフラックスの低下の抑制に影響するものと解される。従って、本実施形態に係る希土類焼結磁石によれば、耐食性が向上すると共に、フラックスロスが抑制された希土類焼結磁石を製造することができることが判明した。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
以上のように、本発明に係る希土類焼結磁石は、耐食性が向上すると共に、フラックスロスが抑制されるので、ＨＤＤヘッド駆動用ＶＣＭ、電気自動車やハイブリッドカーなどのモータ用の永久磁石として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８４】
１０  希土類焼結磁石
１１  Ｎｉめっき膜
Ａ  希土類焼結磁石の厚さ
Ｂ  Ｎｉめっき膜の厚さ
Ｃ  実際の製品の厚さ
Ｘ  膜厚
【図１】
0005303738.tif 000008
【図２】
0005303738.tif 000009
【図３】
0005303738.tif 000010
【図１６】
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【図１７】
0005303738.tif 000012
【図１８】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
0005303738.tif 000024
【図１５】
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