(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される有機ＥＬ素子用化合物。
【化１】
0005242016.tif 000095
【化２】
0005242016.tif 000096
［式（１）中、Ａｒは上記一般式（Ａ）から選ばれる二価の基、Ｒ１は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。Ｒ２〜Ｒ４及びＲ５〜Ｒ８はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｎ２〜ｎ４は０又は１〜５の整数、ｎ５〜ｎ８は０又は１〜４の整数を示す。式（ａ）中、Ｒ１１及びＲ１３はそれぞれ独立に、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数２〜６のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｍ１及びｍ３は０又は１〜４の整数を示す。］
【請求項２】
ｍ１及びｍ３が０である、請求項１に記載の有機ＥＬ素子用化合物。
【請求項３】
合計で１１〜１３個のベンゼン環を有する、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子用化合物。
【請求項４】
Ｒ１がフェニル基、ｎ２〜ｎ４及びｎ５〜ｎ８が０である、請求項１〜３のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子用化合物。
【請求項５】
互いに対向して配置されている２つの電極間に、１又は２以上の有機層を備える有機ＥＬ素子であって、
前記有機層のうち少なくとも１層は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子用化合物を含む、有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子用化合物を含む有機層がホール注入層である請求項５記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子用化合物及び有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等の表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、例えば、ホール注入電極（陽極）と電子注入電極（陰極）との間に、発光性有機材料を含む発光層等の有機層を備えるものである。この発光層に上記電極から電界を印加することにより、発光性有機材料を励起・発光させる。
【０００３】
この有機ＥＬ素子の発光原理は、おおむね以下のように考えられている。即ち、まず、ホール注入電極から注入されたホール（正孔）と電子注入電極から注入された電子とが、発光層において再結合することにより、発光性有機材料の励起子が生成する。次いで、その励起子が失活する際に、エネルギーが光（蛍光、燐光）成分として放出される。これにより発光が生じると考えられている。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を抑制する方法の１つとして、ホール注入電極と発光層との間に発光層とは別の有機層、例えば、ホール注入層を設ける方法が挙げられる。これにより、ホール注入電極から発光層に円滑にホールを注入することが可能となる。
【０００５】
このホール注入層の材料としては様々なものが知られているが、その代表的なものとしては、例えば、特許文献１のテトラフェニルベンジジン化合物、特許文献２のＮ，Ｎ’型ジ−ビフェニルアミノ化合物が挙げられる。これらの化合物をホール注入層の材料とすることにより、駆動電圧を抑制することができる。
【特許文献１】特開２００１−２７３９７８号公報
【特許文献２】特開平１０−８８１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のテトラフェニルベンジジン化合物は、その対称性の高い構造に起因して結晶性が高く、有機ＥＬ素子中で結晶化して発光率の低下や駆動電圧の上昇を引き起こすという問題点があった。更にこの有機ＥＬ素子では、駆動電圧を十分に抑制することができないという問題点もあった。
【０００７】
これに対し、特許文献２のＮ，Ｎ’型ジ−ビフェニルアミノ化合物を用いた有機ＥＬ素子では、駆動電圧を抑制することが可能であるものの、分子量が大きく対称性が高いために、化合物を真空蒸着し、有機ＥＬ素子の有機層を形成する際に高い蒸着温度が必要であることが問題となっていた。即ち、高い温度で蒸着を行うと化合物の分解を伴う虞がある。化合物が分解されるとその化合物の有機層での純度が低下し、得られる有機ＥＬ素子は、電気的及び化学的に不安定となり、駆動寿命が低下して、駆動電圧が上昇してしまう。
【０００８】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、十分に駆動電圧を抑制することが可能であり、且つ有機層を形成するための蒸着温度を十分に低くすることが可能な有機ＥＬ素子用化合物及びこの化合物を用いた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される化合物を有機ＥＬ素子用に用いることにより、上記目的を達成できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は下記一般式（１）で表される有機ＥＬ素子用化合物を提供するものである。
【００１１】
【化１】
0005242016.tif 000002
【００１２】
【化２】
0005242016.tif 000003
【００１３】
なお、式（１）中、Ａｒは上記一般式（ａ）で表される二価の基、Ｒ１は水素原子又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフェニル基又は炭素数３〜５且つ窒素数１〜３の含窒素複素環基を示す。Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は炭素数１〜４のアルコキシ基を示す。ｎ２〜ｎ４は０又は１〜５の整数、ｎ５〜ｎ８は０又は１〜４の整数を示す。但し、Ｒ１が水素原子である時、ｎ２は１〜５の整数であり、且つＲ２の少なくとも１つは置換基を有してもよいフェニル基である。式（ａ）中、Ｒ１１〜Ｒ１３はそれぞれ独立に、炭素数１〜３のアルキル基、総炭素数２〜６のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｍ１〜ｍ３は０又は１〜４の整数を示す。但し、Ｒ１１〜Ｒ１３を除いた上記一般式（ａ）が上記一般式（１）中で、４，４”−ジアミノ−[１，１’；４’，１”]ターフェニル骨格を形成する場合を除く。
【００１４】
ここで「Ｒ１１〜Ｒ１３を除いた上記一般式（ａ）が上記一般式（１）中で、４，４”−ジアミノ−[１，１’；４’，１”]ターフェニル骨格を形成する」とは、一般式（ａ）が以下の骨格（一般式（ａ’））を有することをいう。
【００１５】
【化３】
0005242016.tif 000004
【００１６】
このような有機ＥＬ素子用化合物が本発明の目的を達成できる要因は、現在のところ詳細には明らかにされていないが、本発明者らはその要因の１つを以下のように考えている。但し、要因はこれに限らない。
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、上記一般式（１）に示すように、Ｎ−Ａｒ−Ｎ骨格に結合する基のうち４個全て、若しくは少なくとも３個はｐ−ビフェニル骨格を有する。このため本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、従来のものに比べ、高いホール輸送性と高いホール注入性とを有すると考えられる。よって、このような化合物を、有機ＥＬ素子のホール注入電極と発光層との間に備えられるホール注入層及び／又はホール輸送層の構成材料に用いると、その高いホール注入性と輸送性とに起因して、ホール注入電極とホール注入層及び／又はホール輸送層との密着性が向上し、駆動電圧が低くなると考えられる。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、上記一般式（１）及び（ａ）に示すように、２個の窒素原子間の−Ａｒ−基が、ターフェニル構造を有している。これにより、本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、−Ａｒ−基として４，４’−ビフェニル構造を有するテトラフェニルベンジジン化合物に比べ、嵩高さが大きいことから、駆動電圧が低下すると考えられる。また、上記一般式（ａ’）で表されるターフェニル構造が除かれた本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、−Ａｒ−基が上記一般式（ａ’）である化合物に比べて、分子の対称性が低下しており、有機ＥＬ素子の有機層を形成する際に十分に低い温度で蒸着を行うことが可能となると考えられる。このため、本発明の有機ＥＬ素子用化合物においては、従来の有機ＥＬ素子用化合物において問題となっていた４００℃を超える高い蒸着温度は不要となり、化合物の分解を伴う虞がなくなる。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、有機ＥＬ素子の駆動電圧をより低下させるという観点から、Ｒ１が置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒ２〜Ｒ４及びＲ５〜Ｒ８がそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表すことが好ましい。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、ｍ１〜ｍ３が０であるのがよく、蒸着温度を低くすることが可能であるという観点から、有機ＥＬ素子用化合物全体として１１〜１３個のベンゼン環を有することが好ましく、１１個のベンゼン環を有することがより好ましい。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、Ｒ１がフェニル基、ｎ２〜ｎ４及びｎ５〜ｎ８が０であることが好ましい。このような場合、発光効率を維持し、駆動電圧をより低下させ、かつ蒸着温度を低くすることが可能となる。
【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子は、互いに対向して配置されている２つの電極間に、１又は２以上の有機層を備える有機ＥＬ素子であって、この有機層のうち少なくとも１層は、前述した有機ＥＬ素子用化合物を含む。これにより上記のような効果が得られる有機ＥＬ素子を製造することが可能となる。有機ＥＬ素子の駆動電圧をより低下させるためには、前述した有機ＥＬ素子用化合物を含む有機層は、ホール注入層、ホール輸送層及び発光層のうちの少なくとも１層であることが好ましく、ホール注入層であることがより好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、十分に駆動電圧を抑制することが可能であり、且つ有機層を形成するための蒸着温度を十分に低くする（例えば、４００℃以下）ことが可能な有機ＥＬ素子用化合物及び有機ＥＬ素子を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明は下記実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００２５】
（有機ＥＬ素子用化合物）
本発明の好適な実施形態に係る有機ＥＬ素子に用いられる化合物（有機ＥＬ素子用化合物）は、上述の一般式（１）で表されるテトラアリールジアミン誘導体（以下、場合により「化合物（１）」という。）である。
【００２６】
一般式（１）におけるＲ１の「置換基を有していてもよいフェニル基」に用いられる置換基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基又は炭素数３〜５且つ窒素数１〜３の含窒素複素環基が挙げられ、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又はフェニル基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。これらの置換基の置換位置としては、特に限定されないが、フェニル基のｍ−位又はｐ−位であることがより好ましい。Ｒ１は置換基を有していないフェニル基であることが特に好ましい。
【００２７】
Ｒ２〜Ｒ４の炭素数１〜４のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基が挙げられる。
【００２８】
Ｒ２〜Ｒ４の総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｓ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブチルアミノ基が挙げられる。
【００２９】
Ｒ２〜Ｒ４の炭素数１〜４のアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００３０】
Ｒ２〜Ｒ４の「置換基を有していてもよいフェニル基」における置換基としては、特に限定されないが、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基又は炭素数３〜５且つ窒素数１〜３の含窒素複素環基が挙げられ、炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又はフェニル基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。これらの置換基の置換位置としては、特に限定されないが、フェニル基のｍ−位又はｐ−位であることがより好ましい。
【００３１】
上記炭素数３〜５且つ窒素数１〜３の含窒素複素環基としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、ピロリル基が挙げられる。
【００３２】
Ｒ５〜Ｒ８の炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は炭素数１〜４のアルコキシ基は、Ｒ２〜Ｒ４の場合と同義である。Ｒ５〜Ｒ８としては炭素数１〜４のアルキル基、総炭素数２〜８のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基又は置換基を有していてもよいフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。
【００３３】
Ｒ１１〜Ｒ１３の炭素数１〜３のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基が挙げられる。Ｒ１１〜Ｒ１３の総炭素数２〜６のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉ−プロピルアミノ基が挙げられる。
【００３４】
Ｒ１１〜Ｒ１３の炭素数１〜３のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基が挙げられる。
【００３５】
ｍ１〜ｍ３は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、０であることが好ましい。
【００３６】
ｎ２〜４は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、０又は１であることが好ましく、さらに、昇華温度を低くする観点から、０であることが最も好ましい。
【００３７】
ｎ５〜ｎ８は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、０であることが好ましい。
【００３８】
化合物（１）中のベンゼン環の数としては、蒸着温度を低くすることが可能であるという観点から、１１個〜１３個であることが好ましく、１１個であることがより好ましい。また、化合物（１）の分子量は、昇華温度を低くするという観点から、１０００以下であることが好ましい。
【００３９】
式（ａ）における結合位置としては、駆動電圧を低くするという観点から、隣接ベンゼン環及び窒素原子との結合を有するベンゼン環において、隣接ベンゼン環中の炭素と隣接窒素原子は、パラ位で当該ベンゼン環に結合していることが最も好ましい。
【００４０】
化合物（１）は、例えば、以下に述べる２つの方法で製造される。
【００４１】
（Ａ）下記一般式（ａ）で表される２級アミン（Ａｒ２及びＡｒ３はそれぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等を表す。）と、下記一般式（ｂ）で表される二置換ベンゼン（式（ｂ）中、Ｘ１は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基（−ＯＳＯ２ＣＦ３）を表す。）とを反応させて、下記一般式（ｃ）で表される置換アリールアミンを得、当該置換アリールアミンをｎ−ブチルアミン等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬（例えば、ホウ酸トリエチル、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン等）でホウ酸化させて、下記一般式（ｄ）で表されるアリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物（式（ｄ）中、Ｒは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。）を得る。
【００４２】
最後に、当該アリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物と、下記一般式（ｅ）で表される二置換ベンゼン（式（ｅ）中、Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立に、臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基（−ＯＳＯ２ＣＦ３）を表す。）とを、パラジウム触媒及び塩基存在下クロスカップリングさせることにより、式（７）で表される目的の化合物が得られる。なお、（Ａ）の製造方法に基づいた反応スキームは以下の通りである。
【００４３】
【化４】
0005242016.tif 000005
【００４４】
（Ｂ）下記一般式（ｆ）で表される２級アミン（Ａｒ２及びＡｒ３はそれぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等を表す。）と、下記一般式（ｇ）で表される二置換ベンゼン（式（ｇ）中、Ｘ４は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基（−ＯＳＯ２ＣＦ３）を表す。）とを反応させて、下記一般式（ｈ）で表される置換アリールアミンを得、当該置換アリールアミンをｎ−ブチルリチウム等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬でホウ酸化させて、下記一般式（ｉ）で表されるアリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物を得る。当該アリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物（式（ｄ）中、Ｒは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。）と下記一般式（ｊ）で表される二置換ベンゼン（式（ｅ）中、Ｘ５及びＸ６はそれぞれ独立に、臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基（−ＯＳＯ２ＣＦ３）を表す。）とをパラジウム触媒及び塩基存在下クロスカップリングさせることにより、下記一般式（ｋ）で表される置換アリールアミンを得る。
【００４５】
次に、下記一般式（ｌ）で表される２級アミン（式（ｌ）中、Ａｒ４及びＡｒ５はビフェニル基等を表す。）と、下記一般式（ｍ）で表される二置換ベンゼン（式（ｍ）中、Ｘ７は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基（−ＯＳＯ２ＣＦ３）を表す。）とを反応させて、下記一般式（ｎ）で表される置換アリールアミン化合物を得、当該置換アリールアミンをｎ−ブチルリチウム等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬でホウ酸化させて、下記一般式（ｏ）で表されるアリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物（式（ｏ）中、Ｒは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。）を得る。
【００４６】
最後に、下記一般式（ｋ）で表される置換アリールアミン化合物と、下記一般式（ｏ）で表されるアリールアミンのホウ酸（又はホウ酸エステル）化合物とをパラジウム触媒存在下、クロスカップリングさせることにより、式（８）で表される目的の化合物が得られる。なお、（Ｂ）の製造方法に基づいた反応スキームは以下の通りである。
【００４７】
【化５】
0005242016.tif 000006
【００４８】
化合物（１）の具体例としては、上記一般式（１）におけるＡｒ、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１３、ｎ２〜ｎ８及びｍ１〜ｍ３の組み合わせがそれぞれ下記表１〜７５に示された、化合物番号（Ｉ−１）〜（Ｉ−３００）、（ＩＩ−１）〜（ＩＩ―３００）、（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３００）、（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３００）、（Ｖ−１）〜（Ｖ−３００）の化合物が挙げられるが、これらには限定されない。ただし、表中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎＰｒはｎ−プロピル基、ｉＰｒはｉ−プロピル基、ｎＢｕはｎ−ブチル基、ｉＢｕはｉ−ブチル基、ｓＢｕはｓ−ブチル基、ｔＢｕはｔ−ブチル基、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ表す。
【００４９】
【表１】
0005242016.tif 000007
【００５０】
【表２】
0005242016.tif 000008
【００５１】
【表３】
0005242016.tif 000009
【００５２】
【表４】
0005242016.tif 000010
【００５３】
【表５】
0005242016.tif 000011
【００５４】
【表６】
0005242016.tif 000012
【００５５】
【表７】
0005242016.tif 000013
【００５６】
【表８】
0005242016.tif 000014
【００５７】
【表９】
0005242016.tif 000015
【００５８】
【表１０】
0005242016.tif 000016
【００５９】
【表１１】
0005242016.tif 000017
【００６０】
【表１２】
0005242016.tif 000018
【００６１】
【表１３】
0005242016.tif 000019
【００６２】
【表１４】
0005242016.tif 000020
【００６３】
【表１５】
0005242016.tif 000021
【００６４】
【表１６】
0005242016.tif 000022
【００６５】
【表１７】
0005242016.tif 000023
【００６６】
【表１８】
0005242016.tif 000024
【００６７】
【表１９】
0005242016.tif 000025
【００６８】
【表２０】
0005242016.tif 000026
【００６９】
【表２１】
0005242016.tif 000027
【００７０】
【表２２】
0005242016.tif 000028
【００７１】
【表２３】
0005242016.tif 000029
【００７２】
【表２４】
0005242016.tif 000030
【００７３】
【表２５】
0005242016.tif 000031
【００７４】
【表２６】
0005242016.tif 000032
【００７５】
【表２７】
0005242016.tif 000033
【００７６】
【表２８】
0005242016.tif 000034
【００７７】
【表２９】
0005242016.tif 000035
【００７８】
【表３０】
0005242016.tif 000036
【００７９】
【表３１】
0005242016.tif 000037
【００８０】
【表３２】
0005242016.tif 000038
【００８１】
【表３３】
0005242016.tif 000039
【００８２】
【表３４】
0005242016.tif 000040
【００８３】
【表３５】
0005242016.tif 000041
【００８４】
【表３６】
0005242016.tif 000042
【００８５】
【表３７】
0005242016.tif 000043
【００８６】
【表３８】
0005242016.tif 000044
【００８７】
【表３９】
0005242016.tif 000045
【００８８】
【表４０】
0005242016.tif 000046
【００８９】
【表４１】
0005242016.tif 000047
【００９０】
【表４２】
0005242016.tif 000048
【００９１】
【表４３】
0005242016.tif 000049
【００９２】
【表４４】
0005242016.tif 000050
【００９３】
【表４５】
0005242016.tif 000051
【００９４】
【表４６】
0005242016.tif 000052
【００９５】
【表４７】
0005242016.tif 000053
【００９６】
【表４８】
0005242016.tif 000054
【００９７】
【表４９】
0005242016.tif 000055
【００９８】
【表５０】
0005242016.tif 000056
【００９９】
【表５１】
0005242016.tif 000057
【０１００】
【表５２】
0005242016.tif 000058
【０１０１】
【表５３】
0005242016.tif 000059
【０１０２】
【表５４】
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【０１０３】
【表５５】
0005242016.tif 000061
【０１０４】
【表５６】
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【０１０５】
【表５７】
0005242016.tif 000063
【０１０６】
【表５８】
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【０１０７】
【表５９】
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【０１０８】
【表６０】
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【０１０９】
【表６１】
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【０１１０】
【表６２】
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【０１１１】
【表６３】
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【０１１２】
【表６４】
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【０１１３】
【表６５】
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【０１１４】
【表６６】
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【０１１５】
【表６７】
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【０１１６】
【表６８】
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【０１１７】
【表６９】
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【０１１８】
【表７０】
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【０１１９】
【表７１】
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【０１２０】
【表７２】
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【０１２１】
【表７３】
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【０１２２】
【表７４】
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【０１２３】
【表７５】
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【０１２４】
（有機ＥＬ素子）
図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子の第１実施形態を示す模式断面図である。図４に示す有機ＥＬ素子１００は、互いに対向して配置されている２つの電極（第１の電極１及び第２の電極２）により、ホール注入層１４、ホール輸送層１１、発光層１０及び電子注入層１３が挟持された構造を有している。ホール注入層１４、ホール輸送層１１、発光層１０及び電子注入層１３はいずれも有機層であり、第１の電極１側からこの順に積層されている。なお、電子注入層１３は無機層（金属層、金属化合物層等）とすることもできる（以下同様）。
【０１２５】
図２は、本発明に係る有機ＥＬ素子の第２実施形態を示す模式断面図である。図２に示す有機ＥＬ素子２００は、図１における有機ＥＬ素子１００の電子注入層１３と発光層１０との間に電子輸送層１２を設けた構造を有している。
【０１２６】
図３は、本発明に係る有機ＥＬ素子の第３実施形態を示す模式断面図である。図３に示す有機ＥＬ素子３００は、図２における有機ＥＬ素子２００の発光層１０が、第１の発光層１０ａと、第２発光層１０ｂとに置き換わった構造を有している。
【０１２７】
なお、第１〜第３実施形態において第１の電極１は基板４上に形成されているが、基板４側からの積層の順番を逆にしてもよい。つまり、第１実施形態の有機ＥＬ素子の場合は、基板４側から第２の電極２、電子注入層１３、発光層１０、ホール輸送層１１、ホール注入層１４、第１の電極１の順で積層されてもよい。また、本発明の有機ＥＬ素子用化合物は、上述したホール注入層１４、ホール輸送層１１及び発光層１０のうち少なくとも１層に含有されていることが好ましく、ホール注入層１４に含有されていることが最も好ましい。
【０１２８】
上記実施形態においては、第１の電極１及び第２の電極２がそれぞれホール注入電極（陽極）及び電子注入電極（陰極）として機能し、電源Ｐによる電界の印加により、第１の電極１からホール（正孔）が注入されるとともに、第２の電極２から電子が注入され、これらの再結合に基づいて発光層中の有機ＥＬ素子用化合物が発光する。
【０１２９】
また、発光層、ホール輸送層、電子輸送層、ホール注入層及びホール輸送層の好適な厚さは、いずれも５〜２００ｎｍである。
【０１３０】
（基板）
基板４としては、従来の有機ＥＬ素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いることができ、ガラス、石英等の非晶質基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＰ等の結晶基板、Ｍｏ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄ、ＳＵＳ等の金属基板等を用いることができる。また、結晶質又は非晶質のセラミック、金属、有機物等の薄膜を所定基板上に形成したものを用いてもよい。
基板４の側を光取出し側とする場合には、基板４としてガラスや石英等の透明基板を用いることが好ましく、特に、安価なガラスの透明基板を用いることが好ましい。透明基板には、発色光の調整のために、色フィルター膜や蛍光物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜等を設けてもよい。
【０１３１】
（第１の電極）
第１の電極１はホール注入電極（陽極）として機能する。そのため、第１の電極１の材料としては、従来の有機ＥＬ素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いられるが、その第１の電極１に隣接する層に効率よく且つ均一に電界を印可できる材料が好ましい。
【０１３２】
また、基板４の側を光取り出し側とする場合、有機ＥＬ素子の発光波長領域である波長４００〜７００ｎｍにおける透過率、特にＲＧＢ各色の波長における第１の電極１の透過率は、５０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。第１の電極１の透過率が５０％未満であると、発光層１０からの発光が減衰されて画像表示に必要な輝度が得られにくくなる。
【０１３３】
光透過率の比較的高い第１の電極１は、各種酸化物で構成される透明導電膜を用いて構成することができる。かかる材料としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）等が好ましく、中でも、ＩＴＯは、面内の比抵抗が均一な薄膜を容易に得ることができる点で特に好ましい。
【０１３４】
第１の電極１の膜厚は、上述の光透過率を考慮して決定することが好ましい。例えば酸化物透明導電膜を用いる場合、その膜厚は、好ましくは１０〜５００ｎｍ、より好ましくは３０〜３００ｎｍであることが好ましい。第１の電極１の膜厚が５００ｎｍを超えると、光透過率が不充分となると共に、基板４からの第１の電極１の剥離が発生する場合がある。また、膜厚の減少に伴い光透過性は向上するが、膜厚が１０ｎｍ未満の場合、抵抗率が大きくなり有機ＥＬ素子の駆動電圧を上昇させる傾向にある。
【０１３５】
（第２の電極）
第２の電極２は電子注入電極（陰極）として機能する。第２の電極２の材料としては、従来の有機ＥＬ素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いられるが、金属材料、有機金属錯体もしくは金属化合物等が挙げられ、発光層１０へ効率的且つ確実に電子を注入できるように、仕事関数が比較的低い材料を用いると好ましく、また透明であってもよい。
【０１３６】
第２の電極２を構成する金属材料の具体例としては、Ｌｉ、Ｎａ、ＫもしくはＣｓ等のアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒもしくはＢａ等のアルカリ土類金属、あるいはＡｌ（アルミニウム）が挙げられる。また、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、ＺｎもしくはＺｒ等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属と特性が近い金属を用いることもできる。更には、上記金属材料の酸化物もしくはハロゲン化物を用いることもできる。更に、上記材料を含む混合物もしくは合金であってもよく、これらを複数積層してもよい。
【０１３７】
第２の電極２の膜厚は、電子を均一に注入できる程度であればよく、０．１ｎｍ以上とすればよい。
【０１３８】
なお、第２の電極２上には補助電極を設けてもよい。これにより、発光層１０等への電子注入効率を向上させることができ、また、発光層１０や電子注入層１３への水分又は有機溶媒の侵入を防止することができる。補助電極の材料としては、仕事関数及び電荷注入能力に関する制限がないため、一般的な金属を用いることができるが、導電率が高く取り扱いが容易な金属を用いることが好ましい。また、特に第２の電極２が有機材料を含む場合には、有機材料の種類や密着性等に応じて適宜選択することが好ましい。
【０１３９】
補助電極に用いられる材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられるが、中でもＡｌ及びＡｇ等の低抵抗の金属を用いると電子注入効率を更に高めることができる。また、ＴｉＮ等の金属化合物を用いることにより一層高い封止性を得ることができる。これらの材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。また、２種以上の金属を用いる場合は合金として用いてもよい。このような補助電極は、例えば、真空蒸着法等によって形成可能である。
【０１４０】
（ホール注入層）
ホール注入層１４の材料としては、上述した本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物、即ち化合物（１）が用いられる。このようなホール注入層１４を備える有機ＥＬ素子は、従来の有機ＥＬ素子と比較して、十分に優れた発光効率を有し、駆動電圧の低下を十分に抑制できる。
【０１４１】
ホール注入層１４は、構成材料として化合物（１）を単独で用いられていてもよく、化合物（１）を主成分の材料として含有し、更に従来のホール輸送層の材料として用いられているものを１種もしくは２種以上含有していてもよい。そのような材料としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子材料が挙げられる。また、ホール注入層１４に構成材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で熱処理を加えても良い。
【０１４２】
ホール注入層１４における化合物（１）以外の材料の含有割合は、発光効率、駆動電圧及び／又は駆動寿命を向上させる観点から、体積基準で、１０％以下であると好ましく、５％以下であるとより好ましい。
【０１４３】
（ホール輸送層）
ホール輸送層には、低分子材料、高分子材料のいずれのホール輸送性材料も使用可能であり、化合物（１）を含有していてもよい。ホール輸送性低分子材料としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などが挙げられる。また、ホール輸送性高分子材料としては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸共重合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリスチレンスルホン酸共重合体（Ｐａｎｉ／ＰＳＳ）などが挙げられる。ホール輸送層の構成材料としては、化合物（１）が単独で用いられていてもよく、化合物（１）を主成分の材料として含有し、さらにホール輸送性材料を１種もしくは２種以上含有していてもよい。
【０１４４】
（発光層）
発光層１０の材料としては、電子とホールとの再結合により励起子が生成し、その励起子がエネルギーを放出して基底状態に戻る際に発光するような有機化合物であれば、特に限定されることなく用いることができる。具体的には、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体、イリジウム錯体もしくは希土類金属錯体等の有機金属錯体化合物、アントラセン、ナフタセン、ベンゾフルオランテン、ナフトフルオランテン、スチリルアミンもしくはテトラアリールジアミン又はこれらの誘導体、ペリレン、キナクリドン、クマリン、ＤＣＭもしくはＤＣＪＴＢなどの低分子有機化合物、あるいは、ポリアセチレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体もしくはポリチオフェン誘導体等のπ共役系ポリマー、又は、ポリビニル化合物、ポリスチレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアクリレート誘導体もしくはポリメタクリレート誘導体等の非π共役系の側鎖型ポリマーもしくは主鎖型ポリマー等に色素を含有させたものなどの高分子有機化合物などを挙げることができる。また、構成材料として化合物（１）を含有させても良い。
【０１４５】
（電子輸送層）
電子輸送層１２の材料としては、従来知られているものであれば、特に限定されることなく用いることができ、低分子材料、高分子材料のいずれの電子輸送材料も使用可能である。電子輸送性低分子材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、フェナントロリン及びその誘導体、並びにこれらの化合物を配位子とする金属錯体などが挙げられる。また、電子輸送性高分子材料としては、ポリキノキサリン、ポリキノリンなどが挙げられる。電子輸送層１２の材料は、１種を単独で用いてもよく、また、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４６】
（電子注入層）
電子注入層１３の構成材料は、従来の有機ＥＬ素子において電子注入層に用いられているものであれば特に限定されることはなく、リチウム等のアルカリ金属、フッ化リチウム、酸化リチウム等を用いることができる。この電子注入層１３を備えることにより、有機ＥＬ素子は、第２の電極（電子注入電極）２からの電子の注入を容易にし、電子を安定に輸送し、更には有機発光層１０からのホールを妨げる機能を有するものとなる。それにより、有機ＥＬ素子の発光効率が向上するとともに駆動電圧が全体的に低下する傾向にある。
【０１４７】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、上記化合物（１）を用いてホール注入層１４を形成する以外は、公知の製造方法で製造できる。そのようなホール注入層１４を含めて各有機層の形成方法としては、真空蒸着法、イオン化蒸着法、塗布法等を、有機層を構成する材料に応じて適宜選択して採用できる。
【実施例】
【０１４８】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１４９】
（合成例１）
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス−（ｐ−ビフェニル）−［１，１’；３’，１’’］−ターフェニル−４，４’’−ジアミン（化合物（Ｉ））の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
【０１５０】
【化６】
0005242016.tif 000082
【０１５１】
ビス−（ｐ−ビフェニル）アミン２０．０ｇ（０．０６２モル）と、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン５２．８ｇ（０．１８６モル）と、無水炭酸カリウム２５．８ｇ（０．１８６モル）と、銅粉６．０ｇ（０．０９４モル）と、デカヒドロナフタレン４０ｍＬとを混合し、１８０〜２００℃で約４０時間反応させた。次いで、反応生成物をトルエン７００ｍＬで抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／２（体積比））により精製したところ、ビス−（ｐ−ビフェニル）−４−ブロモフェニルアミン（以下、化合物（Ｉ−１）という。）１５．４ｇ（収率５２％）が得られた。
【０１５２】
上記化合物（Ｉ−１）１５．０ｇ（０．０３２モル）と、テトラヒドロフラン１２０ｍＬとの混合溶液に、１．５７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液２４．０ｍＬ（０．０３８モル）を加え、−７８℃で約１時間反応させた。次いで、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン１７．９ｇ（０．０９６モル）を加え、約６時間反応させた。反応生成物を５００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝５／１（体積比））により精製したところ、ビス−（ｐ−ビフェニル）−４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラニル）フェニルアミン（以下、化合物（Ｉ−２）という。）７．３８ｇ（収率４４％）が得られた。
【０１５３】
上記化合物（Ｉ−２）３．５ｇ（０．００６７モル）と、ｍ−ジブロモベンゼン０．６５ｇ（０．００２８モル）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１９ｇ（０．０００１７モル）と、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬと、エタノール２０ｍＬと、トルエン８０ｍＬとを混合し、８０〜９０℃で約１０時間反応させた。次に、反応生成物を４００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝３／１（体積比））により精製したところ、化合物（Ｉ）２．４３ｇ（収率７８％）が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度９９．９８％（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により純度確認）の化合物（Ｉ）を得た。
【０１５４】
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図４に示すようにｍ／ｅ＝８６９にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光（ＩＲ）法を用いて分析したところ、図５に示すＩＲスペクトルが得られた。更に、この化合物を１Ｈ−核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図６に示すＮＭＲスペクトルが得られ、１３Ｃ−核磁気共鳴（１３Ｃ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図７に示すＮＭＲスペクトルが得られた。これらのことから、合成例１において得られた化合物が、化合物（Ｉ）であることが確認された。
【０１５５】
（合成例２）
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス−（ｐ−ビフェニル）−［１，１’；３’，１’’］−ターフェニル−３，３’’−ジアミン（化合物（ＩＩ））の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
【０１５６】
【化７】
0005242016.tif 000083
【０１５７】
ビス−（ｐ−ビフェニル）アミン２０．０ｇ（０．０６２モル）と、１−ブロモ−３−ヨードベンゼン５２．８ｇ（０．１８６モル）と、無水炭酸カリウム２５．８ｇ（０．１８６モル）と、銅粉６．０ｇ（０．０９４モル）と、デカヒドロナフタレン４０ｍＬとを混合し、１８０〜２００℃で約４０時間反応させた。次いで、反応生成物をトルエン６００ｍＬで抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／２（体積比））により精製したところ、ビス−（ｐ−ビフェニル）−３−ブロモフェニルアミン（以下、化合物（ＩＩ−１）という。）１２．７ｇ（収率４３％）が得られた。
【０１５８】
上記化合物（ＩＩ−１）１２．０ｇ（０．０２６モル）と、テトラヒドロフラン１２０ｍＬとの混合溶液に、１．５７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液１８．２ｍＬ（０．０３０モル）を加え、−７８℃で約１時間反応させた。次いで、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン７．２４ｇ（０．０４０モル）を加え、約６時間反応させた。反応生成物を３００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝５／１（体積比））により精製したところ、ビス−（ｐ−ビフェニル）−３−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラニル）フェニルアミン（以下、化合物（ＩＩ−２）という。）４．７６ｇ（収率３５％）が得られた。
【０１５９】
上記化合物（ＩＩ−２）２．３ｇ（０．００４４モル）と、ｍ−ジブロモベンゼン０．４３ｇ（０．００１８モル）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１２ｇ（０．０００１１モル）と、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬと、エタノール２０ｍＬと、トルエン８０ｍＬとを混合し、８０〜９０℃で約１０時間反応させた。次に、反応生成物を４００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝３／１（体積比））により精製したところ、化合物（ＩＩ）（収率６７％）が得られた。これを、昇華精製することにより、純度９９．９２％（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により純度確認）の化合物（ＩＩ）を得た。
【０１６０】
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図８に示すようにｍ／ｅ＝８６９にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光（ＩＲ）法を用いて分析したところ、図９に示すＩＲスペクトルが得られた。更に、この化合物を１Ｈ−核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図１０に示すＮＭＲスペクトルが得られ、１３Ｃ−核磁気共鳴（１３Ｃ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図１１に示すＮＭＲスペクトルが得られた。これらのことから、合成例２において得られた化合物が、化合物（ＩＩ）であることが確認された。
【０１６１】
（合成例３）
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス−（ｐ−ビフェニル）−［１，１’；３’，１’’］−ターフェニル−４，３’’−ジアミン（化合物（ＩＩＩ））の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
【０１６２】
【化８】
0005242016.tif 000084
【０１６３】
上記化合物（Ｉ−２）３．５ｇ（０．００６７モル）と、ｍ−ジブロモベンゼン１５．７ｇ（０．０６７モル）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２３ｇ（０．０００２０モル）と、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬと、エタノール２０ｍＬと、トルエン８０ｍＬとを混合し、８０〜９０℃で約６時間反応させた。次に、反応生成物を３００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／１（体積比））により精製したところ、ビス−（ｐ−ビフェニル）−（３’−ブロモ−４，４’−ビフェニル）アミン（以下、化合物（ＩＩＩ−１）という。）２．６６ｇ（収率７２％）が得られた。
【０１６４】
上記化合物（ＩＩＩ−１）１．４０ｇ（０．００２５モル）と、上記化合物（ＩＩ−２）１．５７ｇ（０．００３０モル）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０８７ｇ（０．００００７５モル）と、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬと、エタノール２０ｍＬと、トルエン８０ｍＬとを混合し、８０〜９０℃で約１０時間反応させた。次に、反応生成物を４００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝３／１（体積比））により精製したところ、化合物（ＩＩＩ）１．３４ｇ（収率６２％）が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度９９．９１％（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により純度確認）の化合物（ＩＩＩ）を得た。
【０１６５】
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図１２に示すようにｍ／ｅ＝８６９にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光（ＩＲ）法を用いて分析したところ、図１３に示すＩＲスペクトルが得られた。更に、この化合物を１Ｈ−核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図１４に示すＮＭＲスペクトルが得られ、１３Ｃ−核磁気共鳴（１３Ｃ−ＮＭＲ）法を用いて分析したところ、図１５に示すＮＭＲスペクトルが得られた。これらのことから、合成例１において得られた化合物が、化合物（ＩＩＩ）であることが確認された。
【０１６６】
（合成例４）
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス−（ｐ−ビフェニル）−［１，１’；４’，１’’］−ターフェニル−３，３’’−ジアミン（化合物（ＩＶ））の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
【０１６７】
【化９】
0005242016.tif 000085
【０１６８】
上記化合物（ＩＩ−２）１．７０ｇ（０．００３３モル）と、ｐ−ジブロモベンゼン０．３２ｇ（０．００１４モル）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０８７ｇ（０．００００７５モル）と、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬと、エタノール２０ｍＬと、トルエン８０ｍＬとを混合し、８０〜９０℃で約１０時間反応させた。次に、反応生成物を４００ｍＬのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン＝３／１（体積比））により精製したところ、化合物（ＩＶ）０．６１ｇ（収率５２％）が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度９９．９３％（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により純度確認）の化合物（ＩＶ）を得た。
【０１６９】
（実施例１）
まず、用意したガラス基板上に、ホール注入電極（陽極）としてのＩＴＯを２００ｎｍの厚さに成膜し、パターニングした。次に、中性洗剤、アセトン及びエタノールの混合液を用いて、該ガラス基板の超音波洗浄を行った。続いて、そのガラス基板を混合液から引き上げて乾燥した後、酸素置換されたチャンバー内で、赤外線照射を行うことにより、酸素をオゾン化し、基盤表面をオゾン洗浄した。そして洗浄後のガラス基板を蒸着装置（アルバック製）の基板ホルダーに固定して、１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、合成例１で得られた化合物（Ｉ）をそのガラス基板上に蒸着し、１００ｎｍの厚さを有するホール注入層を形成した。
【０１７０】
続いて、系内を減圧状態に維持したまま、下記式（１１）で表される化合物をホール注入層上に蒸着し、３０ｎｍの厚さを有するホール輸送層を形成した。次いで、系内を減圧状態に維持したまま、下記式（１２）で表される化合物と、下記式（１１）で表される化合物と、下記式（１３）で表される化合物とを、質量比６０：３８：２の割合で、ホール輸送層上に共蒸着させ、２０ｎｍの厚さを有する第１発光層を形成した。
【０１７１】
【化１０】
0005242016.tif 000086
【０１７２】
【化１１】
0005242016.tif 000087
【０１７３】
【化１２】
0005242016.tif 000088
【０１７４】
次いで、系内を減圧状態に維持したまま、上記式（１２）で表される化合物（アントラセン誘導体）と、上記式（１１）で表される化合物と、下記式（１４）で表される化合物とを、質量比６０：３８：２の割合で、第１発光層上に共蒸着させ、２０ｎｍの厚さを有する第２発光層を形成した。
【０１７５】
【化１３】
0005242016.tif 000089
【０１７６】
更に、系内を減圧状態に維持したまま、下記式（１５）で表される化合物を第２発光層上に蒸着し、２０ｎｍの厚さを有する電子輸送層を形成した。そして、系内を減圧状態に維持したまま、電子注入層してのフッ化リチウムを蒸着法により電子輸送層上に形成した。この電子注入層の膜厚は０．３ｎｍであった。そして、その上に電子注入電極（陰極）としてのアルミニウムを１５０ｎｍの膜厚で成膜し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
【０１７７】
【化１４】
0005242016.tif 000090
【０１７８】
（実施例２）
合成例１で得られた化合物（Ｉ）を用いる代わりに合成例２で得られた化合物（ＩＩ）を用いてホール注入層を形成した以外は実施例１と同様にして、実施例２の有機ＥＬ素子を得た。
【０１７９】
（実施例３）
合成例１で得られた化合物（Ｉ）を用いる代わりに合成例３で得られた化合物（ＩＩＩ）を用いてホール注入層を形成した以外は実施例１と同様にして、実施例３の有機ＥＬ素子を得た。
【０１８０】
（実施例４）
合成例１で得られた化合物（Ｉ）を用いる代わりに合成例４で得られた化合物（ＩＶ）を用いてホール注入層を形成した以外は実施例１と同様にして、実施例４の有機ＥＬ素子を得た。
【０１８１】
（比較例１）
合成例１で得られた化合物（Ｉ）を用いる代わりに下記式（１６）で表される化合物（以下、化合物（１６）ともいう。）を用いてホール注入層を形成した以外は実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を得た。
【０１８２】
【化１５】
0005242016.tif 000091
【０１８３】
（比較例２）
合成例１で得られた化合物（Ｉ）を用いる代わりに下記式（１７）で表される化合物（以下、化合物（１７）ともいう。）を用いてホール注入層を形成した以外は実施例１と同様にして、比較例２の有機ＥＬ素子を得た。
【０１８４】
【化１６】
0005242016.tif 000092
【０１８５】
＜ホール注入層に用いた化合物の熱特性＞
上記の実施例１〜４及び比較例１、２に用いた化合物（Ｉ）〜（ＩＶ）、（１６）及び（１７）のガラス転移温度（Ｔｇ）及び蒸着温度を表７６に示す。なお、ガラス転移温度は示差走査熱量測定により決定した。
【０１８６】
【表７６】
0005242016.tif 000093
【０１８７】
＜素子特性評価試験＞
上記のようにして得られた実施例１〜４及び比較例１、２の有機ＥＬ素子について、真空中、室温にて、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流駆動時の初期輝度及び駆動電圧、並びに、５０ｍＡ／ｃｍ２の定電流駆動時の輝度が半減するまでの寿命（輝度半減寿命）をそれぞれ測定した。それらの結果を表７７に示す。
【０１８８】
【表７７】
0005242016.tif 000094
【図面の簡単な説明】
【０１８９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す模式断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のマススペクトルである。
【図５】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のＩＲスペクトルである。
【図６】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図７】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図８】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のマススペクトルである。
【図９】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のＩＲスペクトルである。
【図１０】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１１】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１２】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のマススペクトルである。
【図１３】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物のＩＲスペクトルである。
【図１４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１５】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子用化合物の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【符号の説明】
【０１９０】
１…第１の電極、２…第２の電極、４…基板、１０…発光層、１１…ホール輸送層、１２…電子輸送層、１３…電子注入層、１４…ホール注入層、１００…第１実施形態に係る有機ＥＬ素子、２００…第２実施形態に係る有機ＥＬ素子、３００…第３実施形態に係る有機ＥＬ素子、Ｐ…電源。
【図１】
0005242016.tif 000097
【図２】
0005242016.tif 000098
【図３】
0005242016.tif 000099
【図４】
0005242016.tif 000100
【図５】
0005242016.tif 000101
【図６】
0005242016.tif 000102
【図７】
0005242016.tif 000103
【図８】
0005242016.tif 000104
【図９】
0005242016.tif 000105
【図１０】
0005242016.tif 000106
【図１１】
0005242016.tif 000107
【図１２】
0005242016.tif 000108
【図１３】
0005242016.tif 000109
【図１４】
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【図１５】
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