(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された一対のコンデンサの両端に入力された搬送波が前記一対のコンデンサの容量変化によって変調されることによって前記一対のコンデンサ間の接続点から得られる被変調波に基づいて前記容量変化を検出する容量変化検出装置であって、
前記容量変化を相殺させる搬送波を入力する搬送波入力手段と、
前記搬送波入力手段によって該搬送波が入力される時の前記被変調波を異なるタイミングで比較した結果に基づいて前記一対のコンデンサの両端に入力される搬送波の入力異常を検知する入力異常検知手段とを備え、
前記接続点が共通する前記一対のコンデンサが複数構成されており、
前記搬送波入力手段は、前記複数の一対のコンデンサのうち一部の一対のコンデンサに入力される搬送波のデューティ比を変更する、ことを特徴とする、容量変化検出装置。
【請求項２】
前記入力異常検知手段は、前記被変調波の略最大振幅時の状態と前記被変調波の略最小振幅時の状態とを比較した結果に基づいて、前記入力異常の検知をする、請求項１に記載の容量変化検出装置。
【請求項３】
前記複数の一対のコンデンサのうち前記接続点に対して一方の側に配置されたコンデンサの容量変化率の和ともう一方の側に配置されたコンデンサの容量変化率の和とが等しく、且つ、前記複数の一対のコンデンサを構成する各コンデンサの容量変化率が互いに異なる、請求項１に記載の容量変化検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直列接続された一対のコンデンサの両端に入力された搬送波が前記一対のコンデンサの容量変化によって変調されることによって前記一対のコンデンサ間の接続点から得られる被変調波に基づいて前記容量変化を検出する容量変化検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として、基板に対しＸ軸方向に変位可能に支持されたメインフレームを備え、メインフレームに対しＹ軸方向に変位可能に支持された振動子のＹ軸方向の振動の大きさを検出することにより、Ｚ軸回りの角速度を検出するセンサ装置が知られている（例えば、特許文献１，２，３参照）。
【０００３】
これらのセンサ装置では、左右両側の駆動電極部に駆動信号を入力することによって、メインフレームを基板に対してＸ軸方向に振動させている。この状態で、Ｚ軸回りに角速度が作用すると、振動子はコリオリ力によってその角速度に応じた振幅でＹ軸方向に振動し始める。このＹ軸方向の振幅が静電容量の変化として検出されることを利用して、角速度が検出され得る。
【特許文献１】特許第３５１２００４号公報
【特許文献２】特開２０００−１３１０７２号公報
【特許文献３】特開２００７−１０８０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述の静電容量の変化は、対になった電極に搬送波を入力し、そのときに移動する電荷を電圧に変換することによって検出される。しかしながら、搬送波が断線等によって入力されなくなった場合には、静電容量の変化を適切に検出することができなくなる。
【０００５】
そこで、本発明は、静電容量の変化を検出するための搬送波の入力の異常を適切に検出することができる、容量変化検出装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る容量変化検出装置は、
直列接続された一対のコンデンサの両端に入力された搬送波が前記一対のコンデンサの容量変化によって変調されることによって前記一対のコンデンサ間の接続点から得られる被変調波に基づいて前記容量変化を検出する容量変化検出装置であって、
前記容量変化を相殺させる搬送波を入力する搬送波入力手段と、
前記搬送波入力手段によって該搬送波が入力される時の前記被変調波を異なるタイミングで比較した結果に基づいて前記一対のコンデンサの両端に入力される搬送波の入力異常を検知する入力異常検知手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
第２の発明は、第１の発明に係る容量変化検出装置であって、
前記入力異常検知手段は、前記被変調波の略最大振幅時の状態と前記被変調波の略最小振幅時の状態とを比較した結果に基づいて、前記入力異常の検知をすることを特徴とする。
【０００８】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る容量変化検出装置であって、
前記接続点が共通する前記一対のコンデンサが複数構成されており、
前記搬送波入力手段は、前記複数の一対のコンデンサのうち一部の一対のコンデンサに入力される搬送波のデューティ比を変更することを特徴とする。
【０００９】
第４の発明は、第３の発明に係る容量変化検出装置であって、
前記複数の一対のコンデンサのうち前記接続点に対して一方の側に配置されたコンデンサの容量変化率の和ともう一方の側に配置されたコンデンサの容量変化率の和とが等しく、且つ、前記複数の一対のコンデンサを構成する各コンデンサの容量変化率が互いに異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、静電容量の変化を検出するための搬送波の入力の異常を適切に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。図１は、本発明に係る容量変化検出装置の一実施形態である角速度検出装置に備えられた角速度検出素子１の模式図である。角速度検出装置の具体例として、ヨーレートセンサが知られている。角速度検出素子１は、水平面内にて互いに直交したＸ，Ｙ軸各方向の中心線に対してそれぞれ対称となるように半導体基板上で形成されている。
【００１２】
振動子１０，１１は、Ｘ軸方向に振動している状態で、Ｘ，Ｙ両軸に直交するＺ軸回りの角速度が作用すると、コリオリ力によってその角速度に応じた振幅でＹ軸方向に振動するものである。フレーム１５は、駆動電極部５１−１，５１−２に駆動信号が入力されることにより生じた静電引力によって振動子１０をＸ軸方向に励振させるものであり、フレーム１６は、駆動電極部５１−３，５１−４に駆動信号が入力されることにより生じた静電引力によって振動子１１をＸ軸方向に励振させるものである。
【００１３】
図２は、角速度検出素子１を備える角速度検出装置の励振回路を示した図である。励振回路は、振動子１０，１１のＸ軸方向の励振振動の振幅が一定となるように駆動電極部５１−１〜５１−４に発生する駆動力（静電引力）Ｆを制御するものである。振動子１０，１１のＸ軸方向の外側に設けられた駆動電極部５１−１〜５１−４のそれぞれは、上述の特許文献に記載されているように、基板上に固着した櫛歯状の固定電極指と、振動子１０，１１と同様に基板上から所定距離だけ浮かして同振動子と一体的に形成された櫛歯状の可動電極指と、を有している。これらの電極指は、Ｘ軸方向に延設されるとともにＹ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えている。各駆動電極部において、可動電極指の各電極指は、固定電極指の各電極指間に侵入している。可動電極指と固定電極指の間に駆動電圧ＶＤが印加されると、Ｘ軸方向に駆動力Ｆが発生する（式（１）参照）。
【００１４】
Ｆ＝（εＮｈＶＤ２）／２ｇ  ・・・（１）
ここで、εは誘電率、ｇは櫛歯状電極間のギャップ、εは誘電率、Ｎはギャップの数、ｈは櫛歯状電極の高さ（基板からの高さ）である。すなわち、駆動力Ｆは駆動電圧ＶＤの２乗に比例する。
【００１５】
振動子１０，１１のＸ軸方向の変位は、フレームを介してチャージアンプ６０（例えば、図３に示された回路構成）と復調回路７０とによって検出され、その変位の振幅は検波回路８０とローパスフィルタ（ＬＰＦ）９０とによって検出される。積分回路１１０は、減算器１００によって算出されたＸ軸方向の振幅と基準振幅との差分を積分することによって駆動電極部５１−１〜５１−４に入力する駆動信号の駆動電圧ＶＤを算出する。駆動回路１２０は、振動子１０，１１をその共振周波数（例えば、１０ｋＨｚ）でＸ軸方向に一定振幅で振動させるため、当該共振周波数にほぼ等しい振動数を有する駆動電圧ＶＤの駆動信号を駆動電極部５１−１〜５１−４に出力する。この駆動信号に基づき発生した駆動力ＦによってＸ軸方向に振動子１０，１１が励振された状態でＺ軸周りに角速度が作用すると、振動子１０，１１のＹ軸方向の振動を検出するための検出電極部５３−１〜５３−４に構成されたコンデンサの容量が変動する。振動子１０のＹ軸方向の振動を検出するために、検出電極部５３−１に構成されたコンデンサと検出電極部５３−２に構成されたコンデンサとが、一対の直列接続されたコンデンサとして、フレームを介して振動子１０に対してＹ軸方向に対称に配置されている。同様に、振動子１１のＹ軸方向の振動を検出するために、検出電極部５３−３に構成されたコンデンサと検出電極部５３−４に構成されたコンデンサとが、一対の直列接続されたコンデンサとして、フレームを介して振動子１１に対してＹ軸方向に対称に配置されている。
【００１６】
振動子１０，１１のＹ軸方向の外側に設けられた検出電極部５３−１〜５３−４のそれぞれは、上述の特許文献に記載されているように、基板上に固着した櫛歯状の固定電極指２１と、振動子１０，１１と同様に基板上から所定距離だけ浮かして同振動子と一体的に形成された櫛歯状の可動電極指２４と、を有している。これらの電極指は、Ｘ軸方向に延設されるとともにＹ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えている。各検出電極部において、可動電極指２４の各電極指は、固定電極指２１の各電極指間に侵入している。ここで、検出電極部５３−１において、可動電極指２４−１の各電極指は、固定電極指２１−１の各電極指間の幅方向中心位置からずれて、固定電極指２１−１の各電極指のＹ軸方向外側にて同各電極指とそれぞれ近接しており、互いに近接した各電極指同士でコンデンサを構成している。振動子１０に対して検出電極部５３−１とＹ軸方向反対側に設けられた検出電極部５３−２においても、可動電極指２４−２の各電極指は、固定電極指２１−２の各電極指間の幅方向中心位置からずれて、固定電極指２１−２の各電極指のＹ軸方向外側にて同各電極指とそれぞれ近接しており、互いに近接した各電極指同士でコンデンサを構成している。同様に、可動電極指２４−３と固定電極指２１−３，可動電極指２４−４と固定電極指２１−４のそれぞれについても、互いに近接した各電極指同士でコンデンサを構成している。
【００１７】
したがって、振動子１０のＹ軸方向の振動時には、可動電極指２４−１と固定電極指２１−１の各近接した一対の電極指間の距離と、可動電極指２４−２と固定電極指２４−２の各近接した一対の電極指間の距離とは、一方の距離が増加する場合には他方の距離が減少するように互いに反対方向に増減変化する。つまり、固定電極指２１−１及び可動電極指２４−１の各電極指によって構成されるコンデンサ（以下、コンデンサＣ１という）の総容量が増加（又は減少）すると、固定電極指２１−２及び可動電極指２４−２の各電極指によって構成されるコンデンサ（以下、コンデンサＣ２という）の総容量が減少（又は増加）するようになっている。同様に、振動子１１のＹ軸方向の振動時には、可動電極指２４−３と固定電極指２１−３の各近接した一対の電極指間の距離と、可動電極指２４−４と固定電極指２４−４の各近接した一対の電極指間の距離とは、一方の距離が増加する場合には他方の距離が減少するように互いに反対方向に増減変化する。つまり、固定電極指２１−３及び可動電極指２４−３の各電極指によって構成されるコンデンサ（以下、コンデンサＣ３という）の総容量が増加（又は減少）すると、固定電極指２１−４及び可動電極指２４−４の各電極指によって構成されるコンデンサ（以下、コンデンサＣ４という）の総容量が減少（又は増加）するようになっている。
【００１８】
図４は、各コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の容量変化を検出する振幅検出回路を示した図である。振幅検出回路は、振動子１０，１１のＹ軸方向の振動を検出するための搬送波信号として、矩形波信号を生成し出力する矩形波信号発生回路３０を備える。矩形波信号発生回路３０は、振動子１０，１１の共振周波数よりも非常に高い周波数（例えば、１ＭＨｚ）の矩形波信号を生成し、矩形波信号を伝達する信号線５５−１〜５５−４を介して、当該矩形波信号を検出電極部５３−１〜５３−４に供給する。また、検出電極部５３−１に入力される矩形波信号１と検出電極部５３−２に入力される矩形波信号２とが互いに反転した関係となるように、位相遅延回路として、反転回路３１が設けられている。同様に、検出電極部５３−３に入力される矩形波信号３と検出電極部５３−４に入力される矩形波信号４とが互いに反転した関係となるように、位相遅延回路として、反転回路３２が設けられている。
【００１９】
図４に示される振幅検出回路は、コリオリ力によって検出電極部５３に構成されたコンデンサＣ１〜Ｃ４の容量が変動すると、各コンデンサとチャージアンプ６１との間で電荷が移動する。チャージアンプ６１は、その電荷の移動量を電圧に変換して出力する。図３は、チャージアンプ６１の一例である。チャージアンプ６１は、オペアンプ６５、コンデンサ６６及び抵抗６７を備えるＱ−Ｖ変換回路である。
【００２０】
図５に示される矩形波信号１，２，３，４が検出電極部５３に入力されている場合、各コンデンサＣ１〜Ｃ４の電気容量（検出容量）をＣ［Ｆ］，それらの容量変化率を△Ｃ［Ｆ／μｍ］，各コンデンサＣ１〜Ｃ４の電気容量とは異なる寄生容量などによる容量のアンバランス分をＣ’［Ｆ］，矩形波信号の振幅をＶ［Ｖ］，振動子のＹ軸方向の変位を△ｘ（＝sin（ωｔ））［μｍ］と表すならば、矩形波信号のレベルの反転タイミングｔａにおける移動電荷Ｑａ（すなわち、矩形波信号１，３においてＬからＨレベルへの立ち上がりタイミングｔａにチャージアンプ６１に移動する電荷Ｑａ）とタイミングｔａから時間Ｔ１後にレベルが再反転するタイミングｔｂにおける移動電荷Ｑｂ（すなわち、矩形波信号１，３においてＨからＬレベルへの立ち下がりタイミングｔｂにチャージアンプ６１に移動する電荷Ｑｂ）は、それぞれ、下記の式（２）（３）のように表すことができる。なお、図５において、矩形波信号１と矩形波信号３は同位相であり、矩形波信号２と矩形波信号４は同位相である。また、各矩形波信号は、周期がＴでデューティ比が（Ｔ１／Ｔ）の矩形波である。また、時間Ｔ１は、矩形波信号１，３のＨレベル時間であって、矩形波信号２，４のＬレベル時間である。
【００２１】
Ｑａ＝２（Ｃ＋△Ｃ△ｘ）Ｖ−２（Ｃ−△Ｃ△ｘ）Ｖ−Ｃ’Ｖ
＝４△Ｃ△ｘＶ−Ｃ’Ｖ  ・・・（２）
Ｑｂ＝−２（Ｃ＋△Ｃ△ｘ）Ｖ＋２（Ｃ−△Ｃ△ｘ）Ｖ＋Ｃ’Ｖ
＝−４△Ｃ△ｘＶ＋Ｃ’Ｖ  ・・・（３）
つまり、上述の矩形波信号が入力されるコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が接続される接続点からはその矩形波信号をコンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化に応じて振幅変調した電圧信号Ｓａ、すなわち矩形波信号をコンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化を表す変調波信号△ｘで振幅変調した電圧信号Ｓａが得られる。したがって、電圧信号Ｓａを増幅するチャージアンプ６１からは、図６（ａ）に示されるような被変調波信号Ｓｂが出力されることになる（被変調波信号Ｓｂの包絡線は△ｘ）。被変調波信号Ｓｂは、チャージアンプ６１のＱ−Ｖ変換係数を（１／Ｃｆ）とするならば、ＤＣ成分（＝−（Ｃ’／Ｃｆ）Ｖ）をもったｓｉｎ波とその反転信号との間を行き来する信号となる。変調波信号△ｘの振幅の正の最大値において被変調波信号Ｓｂの振幅が最大に、変調波信号△ｘの振幅の負の最大値において被変調波信号Ｓｂの振幅が最小になる。なお、電圧信号Ｓａが取り出される当該接続点は、直列接続されたコンデンサＣ１とＣ２の間と直列接続されたコンデンサＣ３とＣ４の間とを接続した点の電位と同電位上の点であればよい。
【００２２】
被変調波信号Ｓｂは、サンプルホールド回路を備える復調回路７１によって復調される。サンプルホールド回路は、上述の矩形波信号と同一周期且つ互いに逆相の第１及び第２のパルス列信号で被変調波信号Ｓｂをサンプルホールドする。被変調波信号Ｓｂの正側電圧のみを第１パルス列信号で順次サンプルホールドするとともに、被変調波信号Ｓｂの負側電圧のみを第２パルス列信号で順次サンプルホールドすることによって、復調回路７１は、コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化すなわちＺ軸周りに作用している角速度を正及び負により共に表す電圧信号を出力する（図６（ｂ）参照。Ｓｃ１：正側電圧信号，Ｓｃ２：負側電圧信号）。
【００２３】
検波回路８１によって電圧信号Ｓｃが検波されるとともにＬＰＦ９１によって平均化される（図６（ｃ）参照）。つまり、ＬＰＦ９１は、振動子１０，１１のＹ軸方向の振動の振幅、すなわちＺ軸周りの角速度による振動子１０，１１のＹ軸方向の振動の大きさを表す電圧信号Ｓｅを出力する。この電圧信号Ｓｅの大きさに応じて、Ｚ軸回りの角速度の大きさを検出することが可能となる。
【００２４】
ところで、検出電極部５３に入力される矩形波信号が断線すると（矩形波信号を伝達する信号線５５の断線や矩形波信号発生回路３０の異常などによって矩形波信号が検出電極部５３に入力されなくなると）、搬送波が得られず、振動子１０，１１のＹ軸方向の振動の振幅を正確に検出することができなくなる。そこで、本実施例の角速度検出装置は、電圧信号Ｓｅの誤検出を防止するため、矩形波信号の断線を検出する断線検出手段を備える。
【００２５】
本実施例の角速度検出装置は、各コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の容量変化がそれらのコンデンサ間で相殺されるような矩形波信号を被変調波信号Ｓｂの最大振幅タイミングｔ１及び最小振幅タイミングｔ２において検出電極部５３に入力することによって、矩形波信号の断線を検出する。図７は、各コンデンサの容量変化を相殺させる矩形波信号の一例を示した図である。矩形波信号発生回路３０は、デューティ比が（Ｔ１／Ｔ）の矩形波信号を定常的に出力するが、例外的に被変調波信号Ｓｂの最大振幅タイミングｔ１及び最小振幅タイミングｔ２では、少なくとも１パルスの矩形波信号のデューティ比が（Ｔ２／Ｔ）となるように、振動子１０に対応する一対のコンデンサＣ１，Ｃ２に入力される矩形波信号１，２のデューティ比を変更する（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ）。
【００２６】
矩形波信号が断線していない場合、図７に示される矩形波信号が検出電極部５３に入力されると、被変調波信号Ｓｂは図８（ａ）に示される電圧信号となる。図７に示される期間（ｔｂ−ｔｄ）では、矩形波信号１が正のためコンデンサＣ１の容量変化率については『＋（＋△Ｃ）＝＋△Ｃ』となり、矩形波信号２が負のためコンデンサＣ２の容量変化率については『−（−△Ｃ）＝＋△Ｃ』となり、矩形波信号３が負のためコンデンサＣ３の容量変化率については『−（＋△Ｃ）＝−△Ｃ』となり、矩形波信号４が正のためコンデンサＣ４の容量変化率については『＋（−△Ｃ）＝−△Ｃ』となる。したがって、各コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化はそれらのコンデンサ間で相殺されることにより、電気容量としてアンバランス分Ｃ’のみが残るため、タイミングｔ１及びｔ２における被変調波信号Ｓｂの電圧は、共に、「−Ｃ’Ｖ」となる。その結果、タイミングｔ１における被変調波信号Ｓｂの電圧とタイミングｔ２における被変調波信号Ｓｂの電圧との差電圧は、アンバランス分Ｃ’の大きさにかかわらず零となる。
【００２７】
一方、矩形波信号が断線している場合（例えば、矩形波信号３が断線している場合）、図７に示される矩形波信号が検出電極部５３に入力されると、被変調波信号Ｓｂは図８（ｂ）に示される電圧信号となる。矩形波信号３の断線により各コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化はそれらのコンデンサ間で相殺されなくなるため、タイミングｔ１における被変調波信号Ｓｂの電圧は「△Ｃ（ｔ１）Ｖ＋（Ｃ＋Ｃ’）Ｖ」となり、タイミングｔ２における被変調波信号Ｓｂの電圧は「△Ｃ（ｔ２）Ｖ＋（Ｃ＋Ｃ’）Ｖ」となり、この差電圧は「（△Ｃ（ｔ１）−△Ｃ（ｔ２））Ｖ」となる。なお、△Ｃ（ｔ＊）とは、タイミングｔ＊における△Ｃである。
【００２８】
したがって、タイミングｔ１における被変調波信号Ｓｂの電圧とタイミングｔ２における被変調波信号Ｓｂの電圧との差電圧の大きさに応じて、矩形波信号の断線検出が可能となる。上記の通り、ｔ１とｔ２における差電圧はアンバランス分Ｃ’によらず、断線による△Ｃのアンバランスのみに依存するので、角速度検出素子個体間のばらつきに応じて断線検出をするための閾値を個体毎に設定しなくても、各個体共通の閾値を設定することができる。例えば、この差電圧が零より大きい所定の断線検出閾値を超えた場合には、矩形波信号が断線しているとみなすことができる。
【００２９】
次に、矩形波信号の断線を検出するための具体的な回路について説明する。図９は、矩形波信号の断線検出回路を示した図である。断線検出回路は、タイミング信号ＣＬＫＡとＣＬＫＢを生成し出力するタイミング信号発生回路１５０と、タイミング信号に従って被変調波信号Ｓｂをサンプルホールドするサンプルホールド回路１６０，１６１と、コンパレータ１７０，１７１と、ＯＲ回路１８０とを備える。
【００３０】
図１０は、被変調波信号Ｓｂとタイミング信号ＣＬＫＡ，ＣＬＫＢのタイミングチャートである。タイミング信号発生回路１５０は、被変調波信号Ｓｂをピークホールドすることなどによって、タイミング信号ＣＬＫＡとして、コンデンサＣ１，Ｃ３の容量が最大でコンデンサＣ２，Ｃ４の容量が最小の時に（すなわち、被変調波信号Ｓｂの最大振幅タイミングｔ１で）、Ｈレベル期間が所定時間のワンショットパルスを出力する。また、タイミング信号発生回路１５０は、被変調波信号Ｓｂをピークホールドすることなどによって、タイミング信号ＣＬＫＢとして、コンデンサＣ１，Ｃ３の容量が最小でコンデンサＣ２，Ｃ４の容量が最大の時に（すなわち、被変調波信号Ｓｂの最小振幅タイミングｔ２で）、Ｈレベル期間が所定時間のワンショットパルスを出力する。矩形波信号発生回路３０は、タイミング信号ＣＬＫＡ又はＣＬＫＢがＨレベルの期間だけ、振動子１０に対応する一対のコンデンサＣ１，Ｃ２に入力される矩形波信号１，２のパルス幅を延長する。すなわち、矩形波信号発生回路３０は、タイミング信号ＣＬＫＡ又はＣＬＫＢのワンショットパルスが入力されたときの矩形波信号１，２のデューティ比を（Ｔ１／Ｔ）から（Ｔ２／Ｔ）に変更する。
【００３１】
断線検出回路のサンプルホールド回路１６０は、タイミング信号ＣＬＫＡがＨレベルのときに被変調波信号Ｓｂの電圧をサンプルし、ＣＬＫＡがＬレベルになったときの被変調波信号Ｓｂの電圧をホールドする。また、サンプルホールド回路１６１は、タイミング信号ＣＬＫＢがＨレベルのときに被変調波信号Ｓｂの電圧をサンプルし、ＣＬＫＢがＬレベルになったときの被変調波信号Ｓｂの電圧をホールドする。サンプルホールド回路１６０，１６１の出力電圧は、コンパレータ１７０，１７１に入力される。
【００３２】
コンパレータ１７０、１７１は、第１の非反転入力端子（＋ａ）に入力される電圧と第１の反転入力端子（−ａ）に入力される電圧との差電圧△ａと第２の非反転入力端子（＋ｂ）に入力される電圧と第２の反転入力端子（−ｂ）に入力される電圧との差電圧△ｂとを比較する。コンパレータ１７０は、△ａ＜△ｂのときにＬレベルを出力し、△ａ＞△ｂのときにＨレベルを出力する。サンプルホールド回路１６０の出力電圧は、コンパレータ１７０の第１の非反転入力端子（＋ａ）とコンパレータ１７１の第１の反転入力端子（−ａ）に入力され、サンプルホールド回路１６１の出力電圧は、コンパレータ１７０の第１の反転入力端子（−ａ）とコンパレータ１７１の第１の非反転入力端子（＋ａ）に入力される。図８にて示した通り、矩形波信号が断線していない場合には△ａは零となり、矩形波信号が断線している場合には△ａは断線状態に応じた所定値Ｘになる。そこで、△ｂを零より大きく所定値Ｘより小さい値に設定することによって、矩形波信号が断線した場合、コンパレータ１７０と１７１のいずれかの出力がＨレベルになり、その結果、ＯＲ回路１８０の出力はＨレベルになる。したがって、ＯＲ回路１８０の出力を矩形波信号の断線検出状態を示す断線検出フラグとして設定することによって、ＯＲ回路１８０の出力のレベルに応じて、矩形波信号の断線検出が可能となる。
【００３３】
ところで、矩形波信号が入力される検出電極部５３において構成される各コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量変化率△Ｃが全て同じときに複数の矩形波信号が断線すると、上述の断線検出の構成のままでは、断線が生じていないコンデンサ間でそれらの容量の変化量が相殺されて、当該複数の矩形波信号の断線を検出できない場合がある。例えば、矩形波信号１と４の２信号が断線した場合、上述したように、矩形波信号２が入力されるコンデンサＣ２の容量変化率が（＋△Ｃ）となり矩形波信号３が入力されるコンデンサＣ３の容量変化率が（−△Ｃ）となるので、コンデンサＣ２の容量の増加量とコンデンサＣ３の容量の減少量が相殺されて、矩形波信号１と４の断線を検出できないことが考えられ得る。
【００３４】
そこで、下記の式（４）（５）を満たす容量変化率となるようにコンデンサＣ１〜Ｃ４を形成することによって、いずれの組み合わせで矩形波信号が断線したとしても、断線が生じていないコンデンサ間でそれらの容量の変化量が相殺されずに、複数の矩形波信号の断線を検出することが可能となる。
【００３５】
△Ｃ１＋△Ｃ３＝△Ｃ２＋△Ｃ４  ・・・（４）
△Ｃ１≠△Ｃ２且つ△Ｃ１≠△Ｃ４且つ△Ｃ３≠△Ｃ２且つ△Ｃ３≠△Ｃ４  ・・・（５）
式（４）は、各コンデンサが共通に接続される接続点に対してＹ軸方向の同じ側に形成されたコンデンサの容量変化率の合計値はその反対側に形成されたコンデンサの容量変化率の合計値と同じであることを示す。また、式（５）は、各コンデンサの容量変化率が互いに異なることを示している。なお、式（５）では、当該接続点に対してＹ軸方向の同じ側に形成されたコンデンサについてはそれらの容量変化率が互いに等しくてもよいことを示している。
【００３６】
図１１は、式（４）（５）を満たす容量変化率の設定方法の一例を示した図である。このように各コンデンサの容量変化率を設定することによって、図７に示される矩形波信号が検出電極部５３に入力された状態でどの組み合わせで矩形波信号が断線しても各コンデンサ間で容量変化が相殺されないため、複数の矩形波信号の断線が可能となる。例えば、矩形波信号１と２の２信号が断線しても、コンデンサＣ３の容量変化率は（１・△Ｃ）でありコンデンサＣ４の容量変化率は（−１．５・△Ｃ）であるので、コンデンサＣ３とＣ４間で容量変化は相殺されない。矩形波信号２と３の２信号が断線しても、コンデンサＣ１の容量変化率は（２・△Ｃ）でありコンデンサＣ４の容量変化率は（−１．５・△Ｃ）であるので、コンデンサＣ１とＣ４間で容量変化は相殺されない。矩形波信号２と４の２信号が断線しても、コンデンサＣ１の容量変化率は（２・△Ｃ）でありコンデンサＣ３の容量変化率は（１・△Ｃ）であるので、コンデンサＣ１とＣ３間で容量変化は相殺されない。もちろん、３つの矩形波信号が断線しても、容量変化が相殺されることはない。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００３８】
例えば、上述の実施例では、各コンデンサの容量変化率が「Ｃ１：＋△Ｃ、Ｃ２：＋△Ｃ、Ｃ３：−△Ｃ、Ｃ４：−△Ｃ」となるように矩形波信号の正負を設定したが、「Ｃ１：＋△Ｃ、Ｃ２：−△Ｃ、Ｃ３：＋△Ｃ、Ｃ４：−△Ｃ」などのように矩形波信号の正負を設定してもよい。この場合の矩形波信号は、図１２のように設定すればよい。
【００３９】
また、上述の実施例では、各コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の容量変化がそれらのコンデンサ間で相殺されるような矩形波信号を被変調波信号Ｓｂの最大振幅タイミングｔ１及び最小振幅タイミングｔ２において入力することが好ましいが、差電圧「（△Ｃ（ｔ１）−△Ｃ（ｔ２））Ｖ」が小さくなることにより断線検出閾値の設定余裕が小さくなるものの（図８（ｂ）参照）、被変調波信号Ｓｂの振幅が互いに異なるタイミングにおいて当該矩形波信号を入力するようにしてもよい。
【００４０】
また、上述の実施例では、いずれの組み合わせで矩形波信号が断線したとしても、複数の矩形波信号の断線が検出できるように、式（４）（５）を満たすように設定する例を挙げたが、各コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量を全て等しくするとともに、矩形波信号１〜４の振幅（Ｖ１〜Ｖ４）が式（６）（７）を満たすように設定することによっても、同様に、複数の矩形波信号の断線検出が可能となる。
【００４１】
Ｖ１＋Ｖ３＝Ｖ２＋Ｖ４  ・・・（６）
Ｖ１≠Ｖ２且つＶ１≠Ｖ４且つＶ３≠Ｖ２且つＶ３≠Ｖ４  ・・・（７）
また、「電荷Ｑ＝容量Ｃ×振幅電圧Ｖ」という関係から、（４）〜（７）の式を組み合わせた式（８）（９）を満たすように設定することによって、複数の矩形波信号の断線検出が可能となる。
【００４２】
Ｃ１Ｖ１＋Ｃ３Ｖ３＝Ｃ２Ｖ２＋Ｃ４Ｖ４  ・・・（８）
Ｃ１Ｖ１≠Ｃ２Ｖ２且つＣ１Ｖ１≠Ｃ４Ｖ４
且つＣ３Ｖ３≠Ｃ２Ｖ２且つＣ３Ｖ３≠Ｃ４Ｖ４  ・・・（９）
また、上述の実施例では、容量がコンプリメンタリに変化する２組の直列接続されたコンデンサに矩形波信号を入力する例を挙げたが、１組や３組以上の同様の構成のコンデンサを有する場合であっても、上述の実施例と同様に考えることによって同様の効果を得ることができる。
【００４３】
また、上述の実施例は角速度検出装置に適用した例であったが、本発明は、振動子の変位に基づいて同振動子に作用する加速度に伴う力や圧力などの物理量を検出する加速度検出装置や圧力検出装置にも適用できる。この場合、振動子の変位を検出電極部５３により検出するものであるが、振動子を振動させる必要はないため、駆動電極部は不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る容量変化検出装置の一実施形態である角速度検出装置に備えられた角速度検出素子１の模式図である。
【図２】角速度検出素子１を備える角速度検出装置の励振回路を示した図である。
【図３】チャージアンプの一例である。
【図４】各コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の容量変化を検出する振幅検出回路を示した図である。
【図５】矩形波信号１，２，３，４のタイミングチャートである。
【図６】チャージアンプ６１の出力後の電圧信号を示した図である。
【図７】クロック信号ＣＬＫＡ，ＣＬＫＢと矩形波信号１，２，３，４のタイミングチャートの一例である。
【図８】正常時と断線時のチャージアンプ６１の出力の違いを示す図である。
【図９】矩形波信号の断線検出回路を示した図である。
【図１０】被変調波信号Ｓｂとタイミング信号ＣＬＫＡ，ＣＬＫＢのタイミングチャートである。
【図１１】容量変化率の設定方法の一例を示した図である。
【図１２】クロック信号ＣＬＫＡ，ＣＬＫＢと矩形波信号１，２，３，４のタイミングチャートの一例である。
【符号の説明】
【００４５】
１  角速度検出素子
１０，１１  振動子
１５，１６  フレーム
２１（２１−１，２１−２，２１−３，２１−４）  固定電極指
２４（２４−１，２４−２，２４−３，２４−４）  可動電極指
３０  矩形波信号発生回路
５１（５１−１，５１−２，５１−３，５１−４）  駆動電極部
５３（５３−１，５３−２，５３−３，５３−４）  検出電極部
５５−１，５５−２，５５−３，５５−４  信号線
６０，６１  チャージアンプ
１５０  タイミング信号発生回路
１６０，１６１  サンプルホールド回路
１７０，１７１  コンパレータ
１８０  ＯＲ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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