(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置の製造方法において、
基板を提供し、
発光ユニットを該基板上に形成し、
該発光ユニットに電気的に接続する少なくとも一つの電極を形成し、
該電極上に位置する少なくとも一つの保護層を形成し、
該発光ユニットと該保護層を被覆するように蛍光粉層を該発光ユニット上に形成し、
該保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去することで、該蛍光粉層を平坦とし、並びに該保護層の一表面を露出させ、
該保護層を除去し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の発光装置の製造方法において、該保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去するステップにおいては研磨法或いは切削法を利用して該蛍光粉層の厚さが該保護層より高くならないようにすることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の発光装置の製造方法において、該保護層を除去するステップでは、エッチング法を利用して該保護層を除去することを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の発光装置の製造方法において、該蛍光粉層の厚さは１０μｍから５０μｍとすることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の発光装置の製造方法において、該発光ユニットは垂直式発光ダイオードチップ、フリップチップ式発光ダイオードチップ或いは正面型発光ダイオードチップとすることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項６】
発光装置の製造方法において、
基板を提供し、
該基板上に発光ユニットとサブマウントを包含する発光モジュールを設置し、
第１電極と第２電極を形成し、該第１電極と該第２電極は該サブマウントを介して該発光ユニットに電気的に接続させ、
第１保護層を該第１電極の上に、第２保護層を該第２電極の上にそれぞれ形成し、
蛍光粉層を該発光モジュール上に形成し、該蛍光粉層に該発光モジュールと該第１保護層と該第２保護層を被覆させ、
該第１保護層と第２保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去し、
該第１保護層と第２保護層を除去し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の発光装置の製造方法において、
基板を提供し、該基板上に発光ユニットとサブマウントを包含する発光モジュールを設置するステップでは、
第１導電パッドと第２導電パッドを形成し、
該サブマウントを該第１導電パッドと該第２導電パッドの上に設置し、該サブマウントは少なくとも一つの第１連接ユニットと少なくとも一つの第２連接ユニットを包含し、該第１連接ユニットは該第１導電パッドに電気的に接続し、該第２連接ユニットは該第２導電パッドに電気的に接続し、
該発光ユニットを該サブマウントの上に設置し、該発光ユニットは該第１連接ユニットと該第２連接ユニットに電気的に接続し、こうして該発光モジュールを構成し、
及び該発光モジュールを該基板の上に設置し、該第１導電パッドと該第２導電パッドはそれぞれ該第１電極と該第２電極に電気的に接続することを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の発光装置の製造方法において、該第１保護層と第２保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去するステップでは、研磨法或いは切削法を用いて、該蛍光粉層の高さが該第１保護層及び第２保護層より高くならないようにすることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の発光装置の製造方法において、該第１保護層と第２保護層を除去するステップでは、エッチング法を利用して該第１保護層と第２保護層を除去することを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の発光装置の製造方法において、該蛍光粉層の厚さは１０μｍから５０μｍとすることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９６８年に世界で最初の発光ダイオード製品が誕生し、その後、光電産業は続々と各種の色の発光ダイオードを研究開発し、１９９３年には日本の日亜化学工業株式会社が発光効率の比較的高い青色発光ダイオードの開発に成功することで、フルカラーの発光ダイオード製品が実現することになった。
【０００３】
ＧａＩｎＮ系の青色及び緑色発光ダイオードの開発が完成した後、白色発光ダイオードが業界の追求の対象となった。１９９６年に日亜化学工業株式会社が白色発光ダイオードの量産を開始してから、世界の発光ダイオード業者の研究開発の重点は白色発光ダイオードに移り、それは完全に、既存の白熱灯に代わり室内外の照明に用いられ得て、また広範に、革命的に伝統的な白熱灯等の既存の光源の代わりとなることで、省エネ環境保護のテーマに符合する主要光源となる。
【０００４】
白色発光ダイオードは高い耐震性、長い寿命、低い消費電力等の特性により、広く民衆の日常生活中に応用され、たとえば、家電用品、各種メーターの指示ランプ、或いは光源などに用いられている。且つ屋外の発光装置或いは表示装置、たとえば、交通信号、屋外電子看板等もますます一般に発光ダイオードを発光素子として使用するようになっている。且つ現在、表示装置も省エネ二酸化炭素削減の傾向の影響を受けるのに伴い、液晶ディスプレイのバックライトも次第に一般に発光ダイオードを採用するのが主流となってきている。その原因は、発光ダイオードは高輝度、低消費電力の要求に符合し、すなわち、発光ダイオードは節電省エネのグリーン環境保護訴求に符合し、また高輝度照明を提供できることにあり、そのうち、特に白色発光ダイオードを光源とする発明は良好な照明の応用である。
【０００５】
伝統的な固体半導体白色光源は以下の三種類の方式がある。第１種の白色光源は、赤、青、緑の三色の白色発光ダイオードチップで構成した白色発光モジュールであり、それは高い発光効率、高い演色性の長所を有するが、同時に異なる色の発光ダイオードチップを利用しなければならず、このためこのような白色発光モジュールは組合せの異なるエピタキシャル材料で製造する必要があり、このために発光モジュール自身の電圧特性がチップの電気性能の違いにより異なるものとなり、このため発光モジュールの製造コストが高くなりがちで、且つその制御回路設計が複雑で、及び混光効果が悪くなる。
【０００６】
第２種の白色光源は青色発光ダイオードで、ＹＡＧ蛍光粉を励起して白色光を発生する。このような白色光源は現在光電産業市場の主流であり、その技術特徴は黄色光ＹＡＧ蛍光粉を光学ゴムを青色発光ダイオードチップの外周に充填して、この青色発光ダイオードチップの発射する青色光を光学ゴム中に入射させ、青色光で黄色光ＹＡＧ蛍光粉を励起して青色光を黄色光に変換する。そのうち、該黄色光の波長は約４００〜５３０ｎｍであり、青色発光ダイオードチップが発射する光線を利用して励起すると同時に、一部の青色光を発射させ、この一部の光変換に関与しない青色光を蛍光粉の発射する黄色光に組み合わせることで、青色光、黄色光を混合して白色光となす。
【０００７】
第３種の白色光源は三色の蛍光粉を含有する紫外光発光ダイオードに光学ゴムを励起させて均一な青色光を発生させ、一定比率の青色、緑色、赤色蛍光粉を励起させて３波長の白色光を得る。
【０００８】
白色発光ダイオードパッケージ技術の方面に関しては、ハイパワーで大面積の発光ダイオード照明モジュールを発展させる際に、その放熱問題は厳重に素子寿命に影響を与えるほか、現行の発光ダイオードパッケージに常用されているスポット接着、樹脂封止、モールディングの方式は、現在産業で採用されている発光ダイオードのパッケージが経済面の考慮に基づいており、エポキシ樹脂を採用してパッケージしているため、使用過程中の粘度の変化、蛍光粉層の気泡発生、材料欠如、黒点及び蛍光ゴム中の蛍光粉沈殿の発生等の比較的回避しがたい欠点を制御しにくくなる。且つ蛍光粉層は平坦面でなく、このため色光の発光均一度を一致するように保持することができず、且つ白色発光ダイオード製品の異なる発光角度における色温度の差異を形成しやすい。
【０００９】
蛍光粉或いは封止樹脂の不断の改良の下、白色発光ダイオードは出光効率が改善され、光変換効率が改善された。ただし、白色発光ダイオードはまたその他の問題に直面することになった。たとえば、蛍光粉層の厚さが不断に増すか、或いは蛍光粉或いは封止樹脂が白色発光ダイオードの外部電極を被覆し、これにより、白色発光ダイオードの電気的接触不良の問題が発生し、且つ蛍光粉層は不断に改良されていても、依然として非平坦面とされ、このため色温度均一度の問題が依然として存在する。
【００１０】
以上を鑑み、我々は新規な発光装置の製造方法を提供し、蛍光粉が電極を被覆する欠点を改善するほか、発光装置の厚さの問題を改善し、これにより発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを効果的に減少する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の一つの目的は、一種の発光装置の製造方法を提供することにあり、それは、電極が蛍光粉に被覆されないようにすることで、電極の導電性を高めることができる製造方法である。
【００１２】
本発明の別の目的は、一種の発光装置の製造方法を提供することにあり、それは、保護層で電極を保護し、且つ蛍光粉層の高さを保護層の高さを超過しないものとすることで、発光装置の厚さを減らし並びに色温度均一度を改善する方法である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、発光装置の製造方法において、
基板を提供し、
発光ユニットを該基板上に形成し、
該発光ユニットに電気的に接続する少なくとも一つの電極を形成し、
該電極上に位置する少なくとも一つの保護層を形成し、
該発光ユニットと該保護層を被覆するように蛍光粉層を該発光ユニット上に形成し、
該保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去することで、該蛍光粉層を平坦とし、並びに該保護層の一表面を露出させ、
該保護層を除去し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光装置の製造方法において、該保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去するステップにおいては研磨法或いは切削法を利用して該蛍光粉層の厚さが該保護層より高くならないようにすることを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の発光装置の製造方法において、該保護層を除去するステップでは、エッチング法を利用して該保護層を除去することを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の発光装置の製造方法において、該蛍光粉層の厚さは１０μｍから５０μｍとすることを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光装置の製造方法において、該発光ユニットは垂直式発光ダイオードチップ、フリップチップ式発光ダイオードチップ或いは正面型発光ダイオードチップとすることを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項６の発明は、発光装置の製造方法において、
基板を提供し、
該基板上に発光ユニットとサブマウントを包含する発光モジュールを設置し、
第１電極と第２電極を形成し、該第１電極と該第２電極は該サブマウントを介して該発光ユニットに電気的に接続させ、
第１保護層を該第１電極の上に、第２保護層を該第２電極の上にそれぞれ形成し、
蛍光粉層を該発光モジュール上に形成し、該蛍光粉層に該発光モジュールと該第１保護層と該第２保護層を被覆させ、
該第１保護層と第２保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去し、
該第１保護層と第２保護層を除去し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項７の発明は、請求項６記載の発光装置の製造方法において、
基板を提供し、該基板上に発光ユニットとサブマウントを包含する発光モジュールを設置するステップでは、
第１導電パッドと第２導電パッドを形成し、
該サブマウントを該第１導電パッドと該第２導電パッドの上に設置し、該サブマウントは少なくとも一つの第１連接ユニットと少なくとも一つの第２連接ユニットを包含し、該第１連接ユニットは該第１導電パッドに電気的に接続し、該第２連接ユニットは該第２導電パッドに電気的に接続し、
該発光ユニットを該サブマウントの上に設置し、該発光ユニットは該第１連接ユニットと該第２連接ユニットに電気的に接続し、こうして該発光モジュールを構成し、
及び該発光モジュールを該基板の上に設置し、該第１導電パッドと該第２導電パッドはそれぞれ該第１電極と該第２電極に電気的に接続することを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項８の発明は、請求項６記載の発光装置の製造方法において、該第１保護層と第２保護層の上の部分の該蛍光粉層を除去するステップでは、研磨法或いは切削法を用いて、該蛍光粉層の高さが該第１保護層及び第２保護層より高くならないようにすることを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項６記載の発光装置の製造方法において、該第１保護層と第２保護層を除去するステップでは、エッチング法を利用して該第１保護層と第２保護層を除去することを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項６記載の発光装置の製造方法において、該蛍光粉層の厚さは１０μｍから５０μｍとすることを特徴とする、発光装置の製造方法としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は一種の発光装置の製造方法を提供し、それはまず基板を提供し、その後、該基板上に発光ユニットを形成し、該発光ユニットに電気的に接続された少なくとも一つの電極を形成し、複数の保護層を該電極上に形成し、蛍光粉層を該発光ユニット上に形成し、該蛍光粉層に該発光ユニットと該保護層を被覆させ、該保護層より上の部分の蛍光粉層を除去し並びに該蛍光粉層を平坦とする。及び、該保護層を除去する。これにより本発明は発光装置製造の過程で保護層を利用して蛍光粉層が電極の導電性に影響を与えるのを防止し、且つ本発明はさらに発光装置の蛍光粉の厚さと均一性の問題を改善し、これにより発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを有効に減少するとともに、白色光色温度制御の安定性も大幅に改善する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｂ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｃ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｄ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｅ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｆ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図１Ｇ】本発明の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ａ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｂ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｃ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｄ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｅ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｆ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図２Ｇ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ａ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｂ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｃ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｄ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｅ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｆ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｇ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｈ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｉ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図３Ｊ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ａ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｂ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｃ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｄ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｅ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｆ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【図４Ｇ】本発明の別の好ましい実施例の実施ステップ表示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１Ａから図１Ｇを参照されたい。これらは本発明の好ましい実施例の実施ステップの表示図である。図１Ａから図１Ｇは本発明の第１発光装置１０の製造フローを示す。
【００１８】
まず、図１Ａに示されるように、基板１２を提供する。該基板１２の材料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＺｎＯ及びＭｎＯ、III−V族、II−VI族、IV族、IV−IV族及び上述の任意の組合せのうちのいずれかとされる。
【００１９】
図１Ｂに示されるように、発光ユニット１４を該基板１２上に形成する。そのうち、本実施例の発光ユニット１４は正面型発光ダイオードチップとされる。
【００２０】
図１Ｃに示されるように、第１電極１６と第２電極１８をそれぞれ該発光ユニット１４上に形成する。そのうち、該第１電極１６と該第２電極１８の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００２１】
図１Ｄに示されるように、第１保護層１６２と第２保護層１８２をそれぞれ第１電極１６と第２電極１８の上に形成する。そのうち、該第１保護層１６２と該第２保護層１８２の材料は、誘電材料、有機材料或いは乾燥材料から選択される。
【００２２】
以上に続き、図１Ｅに示されるように、蛍光粉層１０２を発光ユニット１４の上に形成する。該蛍光粉層１０２の材料は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、テルビウムアルミニウムガーネット（ＴＡＧ）、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、例えばＳｒ２ＳｉＯ４或いはＳｒ３ＳｉＯ５結晶相を有する組合せ物、硫化物（Ｓｕｌｆａｔｅ）、窒化物（Ｎｉｔｒａｔｅ）、或いは上述の材料の任意の組合せ、及び、透明樹脂、シリコーン樹脂、或いは上述の材料の任意の組合せとされ、そのうち、該透明樹脂はエポキシ樹脂、ポリエチレン或いはポリプロピレン等とされ得る。
【００２３】
図１Ｆに示されるように、切削法或いは研磨法を利用して該第１保護層１６２と該第２保護層１８２より上の部分の該蛍光粉層１０２を除去し、蛍光粉層１０２の厚さが第１保護層１６２と第２保護層１８２の厚さを超過しないようにする。
【００２４】
そのうち、切削法は、ウォーターナイフ或いはマシンナイフで切削を行ない、研磨法は研磨輪で研磨を行ない、該蛍光粉層１０２の厚さを第１保護層１６２と第２保護層１８２の厚さと同じか或いはそれより小さくする。該蛍光粉層１０２の厚さは１０μｍから５０μｍとされる。
【００２５】
図１Ｇに示されるように、エッチング法で、第１保護層１６２と第２保護層１８２を除去する。そのうち、エッチング法はウエットエッチング或いはドライエッチングを採用する。
【００２６】
こうして、本実施例は該第１電極１６と該第２電極１８が該蛍光粉層１０２に被覆されず、これにより該第１電極１６と該第２電極１８の導電性低下を防止でき、ひいては該第１電極１６と該第２電極１８が該蛍光粉層１０２の影響を受けて接触不良を形成するのを防止する。
【００２７】
このほか本発明は該蛍光粉層１０２を修正した後の出光面は平坦面とされ、これにより、本発明の発光装置１０の色温度の均一性は良好となり、且つさらに発光装置の蛍光粉層１０２の厚さを改善でき、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを有効に減らすことができ、同時に白色光色温度制御の安定性を大幅にアップできる。
【実施例２】
【００２８】
図２Ａから図２Ｇを参照されたい。これらは本発明の別の好ましい実施例のステップ表示図である。図２Ａから図２Ｇは本発明の第２発光装置２０の製造フローを示す。
【００２９】
まず、図２Ａに示されるように、導電基板２２を提供する。該基板２２の材料は、半導体、金属或いはその合金より選択される。
【００３０】
図２Ｂに示されるように、続いて発光ユニット２４を該基板２２上に形成する。そのうち本実施例の発光ユニット２４はフリップチップ式発光ダイオードチップとされる。
【００３１】
これにより、図２Ｃに示されるように、第１電極２６と第２電極２８をそれぞれ該基板２２上に形成し、且つ該第１電極２６と該第２電極２８はそれぞれ発光ユニット２４に電気的に接続する。そのうち、該第１電極２６と該第２電極２８の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００３２】
図２Ｄに示されるように、第１保護層２６２と第２保護層２８２をそれぞれ第１電極２６と第２電極２８の上に形成する。そのうち、該第１保護層２６２と該第２保護層２８２の材料は、誘電材料、有機材料或いは乾燥材料から選択される。
【００３３】
以上に続き、図２Ｅに示されるように、蛍光粉層２０２を発光ユニット２４の上に形成する。該蛍光粉層２０２の材料は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、テルビウムアルミニウムガーネット（ＴＡＧ）、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、例えばＳｒ２ＳｉＯ４或いはＳｒ３ＳｉＯ５結晶相を有する組合せ物、硫化物（Ｓｕｌｆａｔｅ）、窒化物（Ｎｉｔｒａｔｅ）、或いは上述の材料の任意の組合せ、及び透明樹脂、シリコーン樹脂、或いは上述の材料の任意の組合せとされ、そのうち、該透明樹脂はエポキシ樹脂、ポリエチレン或いはポリプロピレン等とされ得る。
【００３４】
図２Ｆに示されるように、切削法或いは研磨法を利用して該蛍光粉層２０２、該第１保護層２６２と該第２保護層２８２を平坦とし、該蛍光粉層２０２の厚さが該第１保護層２６２と該第２保護層２８２の厚さを超過しないようにする。
【００３５】
そのうち、切削法は、ウォーターナイフ或いはマシンナイフで切削を行ない、研磨法は研磨輪で研磨を行ない、該蛍光粉層２０２の厚さを第１保護層２６２と第２保護層２８２の厚さと同じか或いはそれより小さくする。該蛍光粉層２０２の厚さは１０μｍから５０μｍとされる。
【００３６】
図２Ｇに示されるように、エッチング法で、第１保護層２６２と第２保護層２８２を除去する。そのうち、エッチング法はウエットエッチング或いはドライエッチングを採用する。
【００３７】
こうして、本実施例は該第１電極２６と該第２電極２８が該蛍光粉層２０２に被覆されず、これにより該第１電極２６と該第２電極２８の導電性低下を防止でき、ひいては該第１電極２６と該第２電極２８が該蛍光粉層２０２の影響を受けて接触不良を形成し、不良品であると誤って判断されるのを防止する。
【００３８】
このほか本発明は該蛍光粉層２０２を修正した後の出光面が平坦面とされ、これにより、本発明の発光装置２０の色温度の均一性は良好となり、且つさらに発光装置の蛍光粉層２０２の厚さを改善でき、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを有効に減らすことができ、同時に白色光色温度制御の安定性を大幅にアップできる。
【実施例３】
【００３９】
図３Ａから図３Ｊを参照されたい。これらは本発明の別の好ましい実施例のステップ表示図である。図３Ａから図３Ｇは本発明の第３の発光装置３０の製造フローを示す。
【００４０】
まず、図３Ａに示されるように、基板３２を提供する。該基板３２の材料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＺｎＯ及びＭｎＯ、III−V族、II−VI族、IV族、IV−IV族及び上述の任意の組合せのうちのいずれかとされる。
【００４１】
図３Ｂに示されるように、続いて発光モジュール３４（図３Ｅ参照）の第１導電パッド３４２と第２導電パッド３４４を該基板３２上に形成する。そのうち該第１導電パッド３４２と該第２導電パッド３４４の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００４２】
そして図３Ｃに示されるように、サブマウント（ｓｕｂ−ｍｏｕｎｔ）３４６を該第１導電パッド３４２と該第２導電パッド３４４の上に設置し、且つサブマウント３４６は第１連接ユニット３４８と第２連接ユニット３５０を具え、該第１連接ユニット３４８は該第１導電パッド３４２に電気的に接続され、該第２連接ユニット３５０は該第２導電パッド３４４に電気的に接続される。そのうち、該サブマウント３４６の材料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＺｎＯ及びＭｎＯ、III−V族、II−VI族、IV族、IV−IV族族及び上述の任意の組合せのうちのいずれかとされる。
【００４３】
以上に続き、図３Ｄに示されるように、第１導電支持パッド３５２と第２導電支持パッド３５４を該サブマウント３４６の上に形成する。該第１導電支持パッド３５２は該第１連接ユニット３４８に電気的に接続され、該第２導電支持パッド３５４は該第２連接ユニット３５０に電気的に接続される。そのうち、該第１導電支持パッド３５２と該第２導電支持パッド３５４の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００４４】
図３Ｅに示されるように、発光ユニット３５６を該第１導電支持パッド３５２と該第２導電支持パッド３５４の上に設置する。該発光ユニット３５６は該第１導電支持パッド３５２と該第２導電支持パッド３５４に電気的に接続される。そのうち、該発光ユニット３５６には少なくとも一つの発光ダイオードが設けられ、且つ該発光ダイオードは垂直式発光ダイオード、フリップチップ式発光ダイオード或いは正面型発光ダイオードとされる。
【００４５】
以上に続き、図３Ｆに示されるように、第１電極３６と第２電極３８を該基板３２上に形成し、且つそれは該発光モジュール３４の二側に位置させる。該第１電極３６は該第１導電パッド３４２に電気的に接続され、該第２電極３８は該第２導電パッド３４４に電気的に接続される。そのうち、該第１電極３６と該第２電極３８の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００４６】
図３Ｇに示されるように、第１保護層３６２と第２保護層３８２をそれぞれ該第１電極３６と第２電極３８の上に形成し、そのうち、該第１保護層３６２と該第２保護層３８２の材料は、誘電材料、有機材料或いは乾燥材料より選択される。
【００４７】
図３Ｈに示されるように、続いて蛍光粉層３０２を発光モジュール３４上に形成する。蛍光粉層３０２の材料は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、テルビウムアルミニウムガーネット（ＴＡＧ）、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、例えばＳｒ２ＳｉＯ４或いはＳｒ３ＳｉＯ５結晶相を有する組合せ物、硫化物（Ｓｕｌｆａｔｅ）、窒化物（Ｎｉｔｒａｔｅ）、或いは上述の材料の任意の組合せ、及び透明樹脂、シリコーン樹脂、或いは上述の材料の任意の組合せとされ、そのうち、該透明樹脂はエポキシ樹脂、ポリエチレン或いはポリプロピレン等とされ得る。
【００４８】
図３Ｉに示されるように、切削法或いは研磨法を利用して該第１保護層３６２と該第２保護層３８２の上の部分の蛍光粉層３０２を除去し、すなわち、高さが該第１保護層３６２と該第２保護層３８２を超過する部分の蛍光粉層３０２を除去し、該蛍光粉層３０２の厚さが該第１保護層３６２と該第２保護層３８２の厚さを超過しないようにし、及び獲得する出光面が該蛍光粉層３０２と平坦であるようにする。
【００４９】
そのうち、切削法は、ウォーターナイフ或いはマシンナイフで切削を行ない、研磨法は研磨輪で研磨を行ない、該蛍光粉層３０２の厚さを第１保護層３６２と第２保護層３８２の厚さと同じか或いはそれより小さくする。該蛍光粉層３０２の厚さは１０μｍから５０μｍとされる。
【００５０】
図３Ｊに示されるように、エッチング法で、第１保護層３６２と第２保護層３８２を除去する。そのうち、エッチング法はウエットエッチング或いはドライエッチングを採用する。
【００５１】
こうして、本実施例は該第１電極３６と該第２電極３８が該蛍光粉層３０２に被覆されず、これにより該第１電極３６と該第２電極３８の導電性低下を防止でき、ひいては該第１電極３６と該第２電極３８が該蛍光粉層３０２の影響を受けて接触不良を形成し、不良品であると誤って判断されるのを防止する。
【００５２】
このほか本発明は該蛍光粉層３０２を修正した後の出光面が平坦面とされ、これにより、本発明の発光装置３０の色温度の均一性は良好となり、且つさらに発光装置の蛍光粉層３０２の厚さを改善でき、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを有効に減らすことができ、同時に白色光色温度制御の安定性を大幅にアップできる。
【実施例４】
【００５３】
図４Ａから図４Ｇを参照されたい。これらは本発明の別の好ましい実施例のステップ表示図である。図示されるように、本発明の製造方法は垂直式発光ダイオードの製造に応用可能である。そのうち、図４Ａから図４Ｇは、第４の発光装置４０の製造過程を示す。
【００５４】
まず、図４Ａに示されるように、導電基板４２を提供する。該基板３２の材料は、半導体、金属或いはその合金より選択される。
【００５５】
続いて、図４Ｂに示されるように、発光ユニット４４を該基板４２上に形成する。そのうち本実施例の発光ユニット４４は垂直式発光ダイオードとされる。
【００５６】
続いて、図４Ｃに示されるように、上電極４６を該発光ユニット４４の上に形成し、該上電極４６の材料は、金、銀、鉛、インジウム、錫、導電ゴム及び上述の任意の組合せのいずれかとされる。
【００５７】
図４Ｄに示されるように、保護層４６２を該上電極４６の上に形成する。そのうち、該保護層４６２の材料は、誘電材料、有機材料或いは乾燥材料より選択される。
【００５８】
続いて、図４Ｅに示されるように、蛍光粉層４０２を発光ユニット４４の上に形成する。該蛍光粉層４０２の材料は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、テルビウムアルミニウムガーネット（ＴＡＧ）、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、例えばＳｒ２ＳｉＯ４或いはＳｒ３ＳｉＯ５結晶相を有する組合せ物、硫化物（Ｓｕｌｆａｔｅ）、窒化物（Ｎｉｔｒａｔｅ）、或いは上述の材料の任意の組合せ、及び透明樹脂、シリコーン樹脂、或いは上述の材料の任意の組合せとされ、そのうち、該透明樹脂はエポキシ樹脂、ポリエチレン或いはポリプロピレン等とされ得る。
【００５９】
図４Ｆに示されるように、切削法或いは研磨法を利用して該蛍光粉層４０２、該保護層４６２を平坦とし、該蛍光粉層４０２の厚さが該保護層４６２の厚さを超過しないようにする。
【００６０】
そのうち、切削法は、ウォーターナイフ或いはマシンナイフで切削を行ない、研磨法は研磨輪で研磨を行ない、該蛍光粉層４０２の厚さを第保護層４６２の厚さと同じか或いはそれより小さくする。該蛍光粉層４０２の厚さは１０μｍから５０μｍとされる。
【００６１】
図４Ｇに示されるように、エッチング法で、該保護層４６２を除去する。そのうち、該エッチング法はウエットエッチング或いはドライエッチングを採用する。
【００６２】
こうして、本実施例は該上電極４６が該蛍光粉層４０２に被覆されず、これにより該上電極４６の導電性低下を防止でき、ひいては該上電極４６が該蛍光粉層４０２の影響を受けて接触不良を形成し、不良品であると誤って判断されるのを防止する。
【００６３】
このほか本発明は該蛍光粉層４０２を修正した後の出光面が平坦面とされ、これにより、本発明の発光装置４０の色温度の均一性は良好となり、且つさらに発光装置の蛍光粉層４０２の厚さを改善でき、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを有効に減らすことができ、同時に白色光色温度制御の安定性を大幅にアップできる。
【００６４】
総合すると、本発明は一種の発光装置の製造方法とされ、それは保護層を利用して蛍光粉層が基板上の電極を被覆するのを防止し、これにより電極の導電性が蛍光粉層の影響をうけないようにし、こうして本発明の製造方法により製造された発光装置が電源に外接される時、電極の接触不良により発光装置が不良品と判定されるのを防止し、且つ本発明は発光装置の厚さを減らして色温度の均一度を改善できる。
【００６５】
以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００６６】
１０  発光装置
１０２  蛍光粉層
１２  基板
１４  発光ユニット
１６  第１電極
１６２  第１保護層
１８  第２電極
１８２  第２保護層
２０  発光装置
２０２  蛍光粉層
２２  基板
２４  発光ユニット
２６  第１電極
２６２  第１保護層
２８  第２電極
２８２  第２保護層
３０  発光装置
３２  基板
３４  発光モジュール
３４２  第１導電パッド
３４４  第２導電パッド
３４６  サブマウント
３４８  第１連接ユニット
３５０  第２連接ユニット
３５２  第１導電支持パッド
３５４  第２導電支持パッド
３５６  発光ユニット
３６  第１電極
３６２  第１保護層
３８  第２電極
３８２  第２保護層
４０  発光装置
４０２  蛍光粉層
４２  基板
４４  発光ユニット
４６  上電極
４６２  保護層
【図１Ａ】
0005242661.tif 000002
【図１Ｂ】
0005242661.tif 000003
【図１Ｃ】
0005242661.tif 000004
【図１Ｄ】
0005242661.tif 000005
【図１Ｅ】
0005242661.tif 000006
【図１Ｆ】
0005242661.tif 000007
【図１Ｇ】
0005242661.tif 000008
【図２Ａ】
0005242661.tif 000009
【図２Ｂ】
0005242661.tif 000010
【図２Ｃ】
0005242661.tif 000011
【図２Ｄ】
0005242661.tif 000012
【図２Ｅ】
0005242661.tif 000013
【図２Ｆ】
0005242661.tif 000014
【図２Ｇ】
0005242661.tif 000015
【図３Ａ】
0005242661.tif 000016
【図３Ｂ】
0005242661.tif 000017
【図３Ｃ】
0005242661.tif 000018
【図３Ｄ】
0005242661.tif 000019
【図３Ｅ】
0005242661.tif 000020
【図３Ｆ】
0005242661.tif 000021
【図３Ｇ】
0005242661.tif 000022
【図３Ｈ】
0005242661.tif 000023
【図３Ｉ】
0005242661.tif 000024
【図３Ｊ】
0005242661.tif 000025
【図４Ａ】
0005242661.tif 000026
【図４Ｂ】
0005242661.tif 000027
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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