(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、非磁性基板、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）、下地層、中間層、磁気記録層、保護層及び潤滑層をこの順に備えた垂直磁気記録媒体であって、
前記ＳＵＬは、磁性層に最も近い層であるＳＵＬ（Ａ）と、前記ＳＵＬ（Ａ）を除く層である２層以上のＳＵＬ（Ｂ）と、隣接する２層のＳＵＬ（Ｂ）間の１または複数の非磁性金属スペーサー層から構成され、
前記ＳＵＬ（Ｂ）は、反強磁性カップリング（ＡＦＣ）をしており、
前記ＳＵＬ（Ａ）は、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料によって構成され、
前記ＳＵＬ（Ｂ）は、各層が、それぞれ、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料によって構成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＳＵＬ（Ａ）の膜厚が２ｎｍから８ｎｍの範囲内であり、ＳＵＬ（Ａ）の層構造がアモルファスであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＳＵＬ（Ａ）がＶを含有し、Ｖの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記ＳＵＬ（Ａ）がＴｉを含有し、Ｔｉの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性金属スペーサー層がＲｕまたはＲｕ合金であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ＳＵＬ（Ｂ）の飽和磁化（Ｂｓ）が１．４Ｔ以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記ＳＵＬの総膜厚（ＳＵＬ（Ａ）＋ＳＵＬ（Ｂ））が１０ｎｍから８０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記下地層はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上の層構造を有し、前記下地層は結晶性の層であり、基板に対して、ｆｃｃ（１１１）またはｈｃｐ（００１）配向を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記磁気記録層がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔを主成分とする合金、または、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒子が非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に分散されているグラニュラー構造を有する材料から選ばれる単層または２層以上の層構造を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔを主成分とする合金、またはグラニュラー構造を有する材料のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒子中のＣｒ含有量が５原子％以上４０原子％以下であることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に使用される垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤの高密度化に伴い、磁気記録方式は面内磁気記録方式から高密度化に適した垂直磁気記録方式に変りつつある。垂直磁気記録方式のＨＤＤに使用される媒体（以下、垂直記録媒体）の特徴は、磁気記録層の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向していることである。また、垂直媒体のもう一つの特徴は、軟磁性裏打ち層（以下、ＳＵＬとも称する）を有することである。信号記録時にヘッドが発生する磁界をＳＵＬを用いて還流させることで、強い記録磁界を得ることが出来る。
【０００３】
媒体の高密度化を進めるには、ノイズを低減することが重要であり、これまでに低ノイズ化に向けた様々な取り組みがなされてきた。中でも、磁気記録層において粒界への非磁性物質の偏析を促進することは、磁性結晶粒子間の交換相互作用を低減し、磁化反転単位を小さくして媒体ノイズを低減することに繋がるため、偏析を促進するための材料やプロセスが検討されている。
【０００４】
面内磁気記録媒体の磁気記録層の材料としては、主にＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａなどの合金材料が用いられてきた。これらの合金材料では、結晶粒界に非磁性材料であるＣｒが偏析することにより、個々の結晶粒が磁気的に分離され媒体ノイズが低減される。このような結晶粒界へのＣｒの偏析は、加熱や基板バイアス印加など成膜プロセスの工夫により促進されてきた。しかしながら、垂直磁気記録媒体では、面内媒体と同様に加熱や基板バイアス印加を施してもＣｒの偏析量が少なく、これが原因で媒体ノイズを低減することが困難であった。
【０００５】
この問題を解決する方法として、酸化物を結晶粒界に偏析させることにより、結晶粒の磁気的な分離を促進する、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2磁気記録層を用いたグラニュラー媒体が提案されている。ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2グラニュラー層では、ＣｏＰｔＣｒ結晶粒の周囲をＳｉＯ2が取り囲むように偏析し、これにより個々のＣｏＰｔＣｒ結晶粒が磁気的に分離される。グラニュラー媒体は従来のＣｏＣｒ系合金を磁気記録層の材料とする垂直磁気記録媒体と比較して媒体ノイズが低減できることが確認されており、有望な方式として期待されている。
【０００６】
しかし、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2グラニュラー層においてＳｉＯ2の結晶粒界への偏析を促すには、成膜中の雰囲気の圧力を高くする必要があるが、このような高圧力の結果として、層の密度が低下してしまう。層の密度が低下すると、水分や酸化性の物質などの腐食成分が結晶粒子間の空隙を通って、ＳＵＬに到達し、ＳＵＬが腐食されてしまうという問題が生じる。高密度化に向けて、ヘッドと媒体間のスペーシングを低減するために、今後更に保護層の薄膜化を進める必要があることから、ＳＵＬの腐食がますます深刻になることは明白である。
【０００７】
この問題を解決するため、ＳＵＬに含まれるＣｏ濃度を低減して耐食性を高める方法（特許文献１）や、ＳＵＬ表面にＳＵＬを保護するバリヤー層を設ける方法（特許文献２）が提案されている。しかし、ＳＵＬに含まれるＣｏ濃度を減少させるだけでは耐食性の向上が不十分であった。また、バリヤー層を設ける方法に関しては、バリヤー層自体の欠陥をゼロにすることは不可能であり、欠陥を通ってＳＵＬが腐食することは避けられない。また、バリヤー層の付加によりヘッドとＳＵＬ間のスペーシングが広がり、媒体の書き込み能力（writeability）が低下するという欠点もある。
【０００８】
また、特許文献３には、軟磁性層の材料として、非晶質のＣｏＦｅＡｌＣｒ合金にさらにＴａ、Ｎｂ、Ｚｒのいずれかを添加し、耐食性を向上させることが開示されている。また、軟磁性層は複数層から成っていてもよく、２層の軟磁性層をＲｕを挟んでＡＦＣをすることなども開示されている。
【０００９】
更に、特許文献４には、ＡＦＣをした非晶質軟磁性層の材料として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、およびＢから選択された少なくとも１種の元素を含むことが記載されている。また、ＡＦＣの上層として別の軟磁性層を配置してもよいことも開示されている。
【００１０】
しかし、特許文献３および４に記載の磁気記録媒体では、ＡＦＣをする軟磁性層に、Ｃｒ、Ｔｉ等を添加すると電磁気特性が劣化することは認知されていない。
【００１１】
以上の背景から、媒体の性能を低下させることなくＳＵＬ自身の耐食性を向上させる方法が求められていた。
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−１０９３５８号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４０１９号公報
【特許文献３】特開２００７−２９４０３２号公報
【特許文献４】特開２００７−２７３０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上述の問題点に鑑みなされたもので、高記録密度を実現しながら、腐食耐性の強い垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
垂直磁気記録媒体の高記録密度化を達成するには、結晶粒子の孤立化が不可欠である。しかし、この結晶粒子の孤立化に伴う腐食の問題を改善するためには、磁気記録媒体を構成する各層の腐食耐性を高める必要があると思われる。特に、今までに提案されているＳＵＬの組成には、腐食に強い元素が含まれていないため、ＳＵＬは最も腐食されやすい。本発明はこの問題を解決するため、まず、いろいろな組成のターゲットを用いて腐食実験を行い、その中で、腐食に強い元素を探索し、媒体の各層、特にＳＵＬに添加することを試みた。更に、各層の構造を制御し、よい電磁変換特性を保持ながら腐食耐性を強めることに成功した。
【００１５】
このように、本発明は、特定の構造および材料から成るＳＵＬを含む磁気記録媒体に関する。具体的には、以下の通りである。
【００１６】
本発明の垂直磁気記録媒体は、少なくとも、非磁性基板、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）、下地層、中間層、磁気記録層、保護層及び潤滑層をこの順に備えた垂直磁気記録媒体であって、前記ＳＵＬは、磁性層に最も近い層であるＳＵＬ（Ａ）と、前記ＳＵＬ（Ａ）を除く層である２層以上のＳＵＬ（Ｂ）と、隣接する２層のＳＵＬ（Ｂ）間の１または複数の非磁性金属スペーサー層から構成され、前記ＳＵＬ（Ｂ）は、反強磁性カップリング（ＡＦＣ）をしており、前記ＳＵＬ（Ａ）は、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料によって構成され、前記ＳＵＬ（Ｂ）は、各層が、それぞれ、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料によって構成されることを特徴とする。
【００１７】
本発明の垂直磁気記録媒体は、前記ＳＵＬ（Ａ）の膜厚は２ｎｍから８ｎｍの範囲内であり、ＳＵＬ（Ａ）の層構造がアモルファスであることが好ましい。また、前記ＳＵＬ（Ａ）がＶを含有する場合、Ｖの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることが好ましい。前記ＳＵＬ（Ａ）がＴｉを含有する場合、Ｔｉの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明の垂直磁気記録媒体は、前記非磁性スペーサ膜がＲｕまたはＲｕ合金であることが好ましい。
【００１９】
加えて、本発明の垂直磁気記録媒体は前記ＳＵＬ（Ｂ）の飽和磁化（Ｂｓ）が１．４Ｔ以上であることが好ましい。
【００２０】
本発明の垂直磁気記録媒体のＳＵＬの総膜厚（ＳＵＬ（Ａ）＋ＳＵＬ（Ｂ））は１０ｎｍから８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２１】
本発明の垂直磁気記録媒体の下地層はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる１種以上の材料からなる単層または２層以上の層構造を有し、この下地層は結晶性の層であり、基板に対して、ｆｃｃ（１１１）またはｈｃｐ（００１）配向を有することが好ましい。
【００２２】
本発明の垂直磁気記録媒体の磁気記録層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔを主成分とする合金、または、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒子が非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に分散されているグラニュラー構造を有する材料から選ばれる単層または２層以上の層構造を有することが好ましく、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔを主成分とする合金、またはグラニュラー構造を有する材料のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒子中のＣｒ含有量が５原子％以上４０原子％以下であることが好ましい。本明細書において、「主成分とする」とは、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの総和が６０原子％以上であることを言う。
【発明の効果】
【００２３】
垂直磁気記録媒体を上記のように構成することで、磁性層、中間層及び下地層の耐腐食性が強く、また、ＳＵＬの磁性層側の耐腐食性が強く、かつその腐食バリアの働きでＳＵＬが保護され、高記録密度かつ高耐久性の垂直磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、垂直磁気記録媒体に関し、少なくとも、非磁性基板、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）、下地層、中間層、磁気記録層、保護層及び潤滑層をこの順に備える。本発明では、ＳＵＬは、磁性層に最も近いＳＵＬ（Ａ）と、前記ＳＵＬ（Ａ）を除いた、２層以上のＳＵＬ（Ｂ）と、隣接する２層のＳＵＬ（Ｂ）間の１または複数の非磁性金属スペーサー層から構成される。また、ＳＵＬ（Ｂ）は、反強磁性カップリング（ＡＦＣ）している。
【００２５】
ＳＵＬ（Ａ）はＣｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料と、Ｃｒ、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料によって構成される。一方、ＳＵＬ（Ｂ）は、各層が、それぞれ、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料によって構成される。
【００２６】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、図面に記載の垂直磁気記録媒体は、本発明の一実施形態であり、本願発明を制限することを意図するものではない。
【００２７】
図１は、本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための断面模式図である。図１の実施形態では、垂直磁気記録媒体は、非磁性基板（１）上に、第１ＳＵＬ（２）（ＳＵＬ（Ｂ））、ＡＦＣスペーサー（３）、第２ＳＵＬ（４）（ＳＵＬ（Ｂ））、第３ＳＵＬ（５）（ＳＵＬ（Ａ））、下地層（６）、第１中間層（７）、第２中間層（８）、下磁気記録層（９）、上磁気記録層（１０）、保護層（１１）、及び潤滑層（１２）を順次含んでいる。このように、図１の実施形態は、ＳＵＬが３層（ＳＵＬ（Ａ）が１層、ＳＵＬ（Ｂ）が２層）の例を示している。
【００２８】
以下に、本発明の各構成要素について具体的に説明する。
【００２９】
本発明の磁気記録媒体において、非磁性基板（１）としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、並びに、ガラス、強化ガラス、または結晶化ガラス等を用いることができる。
【００３０】
基板（１）には、通常の方法でポリッシュ加工を施して表面を平滑化しておくことが好ましい。ポリッシュ加工後の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．１〜０．４ｎｍである。加工された基板はよく洗浄し、表面の異物を取り除いたのち、非磁性基板上（１）上に各層の成膜を行う。
【００３１】
軟磁性裏打ち層は記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを防止し、垂直方向の磁界を確保する役割を担う層である。軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）は、垂直磁気記録媒体の磁性層に最も近い側のＳＵＬ（Ａ）（第３ＳＵＬ（５））と、それ以外の２層から構成されるＳＵＬ（Ｂ）（第１ＳＵＬ（２）と第２ＳＵＬ（４））を含み、ＳＵＬ（Ｂ）の２層間には更に、非磁性金属スペーサー層（３）が設けられている。図１の実施形態では、ＳＵＬ（Ｂ）は２層の例を示したが、本発明はこれに限定されず、更に多くのＳＵＬ（Ｂ）を含んでいてもよい。この場合、複数の各ＳＵＬ（Ｂ）の間に非磁性金属スペーサー層を設けることが好ましい。例えば、ＳＵＬ（Ｂ）を３層とする場合、第１及び第２のＳＵＬ（Ｂ）の間と、第２及び第３のＳＵＬ（Ｂ）の間に非磁性金属スペーサー層を設けることができる。
【００３２】
第１ＳＵＬ（２）、または第２ＳＵＬ（４）（ＳＵＬ（Ｂ））はＣｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料から構成され、Ｂｓが１．４Ｔ以上であることを特徴とする。ＳＵＬ（Ｂ）のＢｓが１．４Ｔより小さい場合、十分な書き込み特性を得るため、ＳＵＬを厚くしなければならないので、生産性に劣る。また、ＳＵＬ（Ｂ）のＢｓが１．４Ｔ以下である場合、下記のＳＵＬ間のＡＦＣカップリングの強さ（Ｈｅｘ）も弱く、信号を再生する時に、ＳＵＬからのノイズが高くなる。ＳＵＬ（Ｂ）のＢｓを１．４Ｔ以上に保持するために、ＣｏおよびＦｅの総濃度を８５原子％以上とし、またＦｅの濃度を１０％以上とすることが好ましい。
【００３３】
また、高融点且つ原子サイズの大きいＷ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどを添加することによって、ＳＵＬをアモルファスかアモルファス様の構造にすることができる。アモルファス構造にすることで、表面粗さが大きくなることを防いで、磁気ヘッドを低浮上量に制御できる。また、アモルファスＳＵＬは、結晶ＳＵＬと比べ、結晶粒界から起因するノイズがなく、高記録密度化が可能となる。
【００３４】
また、ＳＵＬ（２）とＳＵＬ（４）の間に、非磁性金属スペーサー（例えば、ＲｕまたはＲｕ合金）層を設けることによって、反強磁性カップリング（ＡＦＣ）を持たせる。ＳＵＬ間のＡＦＣによって、ＳＵＬの磁壁形成が抑制され、信号を再生する時にＳＵＬからのスパークノイズを無くすことができる。また、ＡＦＣを強めるために、非磁性金属スペーサー層の膜厚は０．４〜１．０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３５】
磁性層に最も近いＳＵＬ（ＳＵＬ（Ａ））はＣｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｃｒ、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の材料と、Ｗ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂからなる群から選ばれる１種以上の材料によって構成されることが好ましい。
【００３６】
また、ＳＵＬ（Ａ）がＣｒを含有する場合、Ｃｒの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることを好ましい。Ｃｒの濃度が５原子％以下の場合、Ｃｒによる防腐食効果が不十分で、ＳＵＬ（Ａ）が腐食されてしまう。Ｃｒの濃度が４０原子％以上の場合、ＳＵＬ（Ａ）のＢｓが低すぎで、ＳＵＬとしての役割を果たせない。
【００３７】
ＳＵＬ（Ａ）がＶを含有する場合、Ｖの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることを好ましい。その理由はＳＵＬ（Ａ）がＣｒを含有する場合と同様である。
【００３８】
ＳＵＬ（Ａ）がＴｉを含有する場合、Ｔｉの濃度が５原子％以上、４０原子％以下であることを好ましい。その理由はＳＵＬ（Ａ）がＣｒを含有する場合と同様である。
【００３９】
Ｃｒ、ＶまたはＴｉを含有することによって、ＳＵＬ（Ａ）の腐食耐性が高められる。
【００４０】
また、ＳＵＬ（Ａ）の膜厚は２ｎｍから８ｎｍの範囲内であることが好ましく、層の構造はアモルファスであることが好ましい。ＳＵＬ（Ａ）をアモルファス構造とすることで、基板表面から滲入してきた水分や、酸性成分などの腐食性の物質がＳＵＬ（Ａ）の層によって止められ、腐食されやすいＳＵＬ（Ｂ）まで腐食性物質が到達するのを防ぐことができる。磁性層からＳＵＬ（Ａ）までの層の組成がＣｒ、Ｖ、またはＴｉを含有するため、腐食されにくく、また、ＳＵＬ（Ａ）の防食バリア効果で、ＳＵＬ（Ｂ）も腐食から保護される。
【００４１】
ＳＵＬ（Ａ）の膜厚が２ｎｍより薄い場合、腐食バリアとして厚さが不十分であり、腐食性の物質が薄すぎるＳＵＬ（Ａ）を通過して、ＳＵＬ（Ｂ）を腐食してしまう。ＳＵＬ（Ａ）が８ｎｍより厚い場合、ＳＵＬ全体のＢｓが低くなって、媒体の書き込み特性が悪化してしまう。
【００４２】
また、ＳＵＬ（Ｂ）にＣｒ、ＶまたはＴｉを添加すると、ＳＵＬ（Ｂ）のＢｓが１．４Ｔ以上に保持できないので、好ましくない。
【００４３】
また、前記ＳＵＬの総膜厚（ＳＵＬ（Ａ）＋ＳＵＬ（Ｂ））は、１０ｎｍから８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。総膜厚が１０ｎｍより薄い場合、十分な書き込み特性が得られなく、８０ｎｍより厚い場合、ＡＦＣの強さが低下し、ＳＵＬからのノイズが増え、かつ、生産性も劣る。
【００４４】
上記の軟磁性裏打ち層の各層及び非磁性金属スペーサー層は、例えば、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法および条件を用いて成膜することができる。
【００４５】
具体的には、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法では、ガス圧は０．４Paから４Paが好ましい。ガスの種類はＡｒが好ましい。
【００４６】
下地層は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる１種以上の材料からなる。下地層は、単層または２層以上で構成することができる。特に、下地層の耐腐食性を強めるため、Ｃｒ、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の材料を含むことが好ましい。また、下地層は結晶性の層であって、基板に対して、ｆｃｃ（１１１）またはｈｃｐ（００１）の配向を有することが好ましい。下地層の膜厚は１．５〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。下地層の厚さが１．５ｎｍより薄い場合、磁気記録膜の垂直配向性が低く、記録再生特性及び熱揺らぎ耐性が悪い。下地層が１５ｎｍより厚い場合、磁気記録膜の結晶粒径が大きくなり、信号対ノイズ比（ＳＮＲ）が悪化する。また、下地層が磁性を持つ場合、下地層の結晶粒界からの遷移ノイズを減らすため、下地層のＢｓと厚さｔの積Ｂｓ・ｔが７．０Ｔ・ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
下地層は、例えば、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法および条件を用いて成膜することができる。
【００４８】
中間層は、磁気記録層の結晶性を向上し、また、ｃ軸を膜面に垂直に配向させる機能を有する。本発明の一実施形態では、図１に示すように、中間層は第１中間層と第２中間層を有することが好ましい。このように複数層の中間層を設けることにより、結晶性を良くする部分（第１中間層）と垂直配向性を向上する部分をそれぞれの適する材料で形成することができる利点がある。
【００４９】
第１中間層の材料は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる１種以上の材料からなる。特に、中間層の耐腐食性を強めるため、Ｃｒ、ＶおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の材料を含むことが好ましい。また、中間層の磁性を持たさないため、Ｃｏの濃度を７０原子％以下、Ｎｉの濃度を９２原子％以下をすることが好ましい。第２中間層の材料は、ＲｕまたはＲｕＣｒ系合金である。
【００５０】
中間層は、例えば、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法および条件を用いて成膜することができる。
【００５１】
磁気記録層は単層または２層以上の積層構造を有していてもよい。磁気記録層はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔを主成分とする合金、または、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒子が非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に分散されているグラニュラー構造を有する材料から選ばれる。
【００５２】
具体的には、磁気記録層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＴｉＯ2合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の群から選ばれる１種以上の材料からなる。また、何れの合金においてもＣｒ含有量は５ａｔ％以上であることが好ましい。Ｃｒを含有することによって、磁気記録層が腐食耐性が強くなる。上記合金の好ましい組成の例としては、下記である。本明細書では、元素記号または基（ＴｉＯ2、ＳｉＯ2など）の右添え字（例えばＣｏ67の６７、（ＴｉＯ2）7の７、Ｃｏ(91-y)の（９１−ｙ）Ｖyのｙなど）として記載した数字などは、合金におけるその原子または基の原子％を表す。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＴｉＯ2合金：Ｃｏ67−Ｃｒ10−Ｐｔ16−（ＴｉＯ2）7
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2合金：Ｃｏ60−Ｃｒ14−Ｐｔ18−（ＳｉＯ2）8
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏ合金：  Ｃｏ57−Ｃｒ18−Ｐｔ16−Ｏ9
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金：Ｃｏ66−Ｃｒ16−Ｐｔ14−Ｂ4
【００５３】
保護層（１１）は、その下にある各層を保護し、併せて、Ｃｏの溶出も防止するための層である。保護層（１１）の材料には、垂直磁気記録媒体に通常使用されているものを用いることができる。例えば、保護層（１１）は、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、アモルファスカーボン（好ましくはダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ））などのカーボンを主体とする保護層、あるいは磁気記録媒体保護層用の材料として知られている種々の薄層材料を用いることができる。保護層（１１）の厚さは、通常の垂直磁気記録媒体の膜厚を適用すればよい。
【００５４】
保護層（１１）は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００５５】
液体潤滑層（１２）は、保護層とヘッド間に生ずる摩擦力を減少させ、耐久性および信頼性を向上させる目的を有する。液体潤滑層の材料は、磁気記録媒体に通常使用されているものを用いることができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を挙げることができる。潤滑層の膜厚等は、通常の垂直磁気記録媒体で用いられる膜厚等を適用することができる。
【００５６】
潤滑層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
【００５８】
（防食効果のある膜組成を探索）
防食効果のある膜組成を探索するため、発明者らが成膜に用いるソース材料（ターゲット）で、防食実験を鋭意検討した。図２に、ターゲット材料を常温において３％硝酸で１０分処理した後の、ターゲット材料からのＣｏ溶出量をターゲット中のＣｒ、ＶまたはＴｉの原子％に対してプロットした。Ｃｒ、ＶまたはＴｉが５原子％以上の場合、Ｃｏの溶出量が大幅に減らされ、耐腐食性がアップされることを示している。なお、使用したターゲットの組成は以下の通りである。
Ｃｒ含有ターゲット：Ｃｏ(91-x)−Ｃｒx−Ｚｒ5−Ｎｂ4、ｘ＝２、５、１０、２０、３０
Ｖ含有ターゲット：Ｃｏ(91-y)−Ｖy−Ｚｒ5−Ｎｂ4、ｙ＝２、５、１０、２０、３０
Ｔｉ含有ターゲット：Ｃｏ(91-z)−Ｃｒz−Ｚｒ5−Ｎｂ4、ｚ＝２、５、１０、２０、３０
【００５９】
また、ターゲット材料からのＣｏ溶出量は、ＩＣＰによって測定した。
【００６０】
図１の層構成を有する磁気記録媒体を製作し、評価を行った。
【００６１】
（実施例１）
基板（１）として、直径９５ｍｍ、板厚１．７５ｍｍのアルミ基板を用い、これに不織布、ダイヤモンドスラリーを用いて、浮遊砥粒法によりテクスチャ加工を施し、加工後のＲａは０．２ｎｍとした。
【００６２】
引き続き、アルミ基板をよく洗浄し、乾燥して、成膜装置に導入した。成膜法は、特に明記しない限り、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、Ａｒガスをスパッタガスとして、ガス圧力０．９Ｐａで成膜した。始めに、アルミ基板上にＳＵＬ（２）であるＣｏ72Ｆｅ20Ｎｂ6Ｚｒ2の組成の層を成膜した。成膜されたＣｏ72Ｆｅ20Ｎｂ6Ｚｒ2の膜厚は２５ｎｍで非晶質構造であった。引き続き、純Ｒｕのスパッタターゲットを用い、非磁性金属スペーサー層（３）を０．６ｎｍで成膜した。この上に、ＳＵＬ（２）と同じＣｏ72Ｆｅ20Ｎｂ6Ｚｒ2の組成の層をＳＵＬ（４）として１５．５ｎｍで成膜した。次に、Ｃｏ66Ｆｅ20Ｃｒ6Ｎｂ6Ｚｒ2の組成の層をＳＵＬ（５）として５ｎｍで成膜した。ＳＵＬ（５）も非晶質構造であった。
【００６３】
ＳＵＬ（５）の上に、Ｃｏ56Ｎｉ35Ｃｒ5Ｆｅ4ターゲットを用いてｆｃｃ（１１１）の配向を有する下地層（６）を６．０ｎｍで成膜した。粒子を微細化するため、成膜はＡｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ（４Ｐａ）の雰囲気中で行った。
【００６４】
引き続いて、中間層（７）及び中間層（８）を成膜した。始めに、Ｃｏ61Ｃｒ34Ｔａ5の組成を有する第１中間層（７）をＣｏ61Ｃｒ34Ｔａ5のスパッタターゲットを用いて、Ａｒガス圧８０ｍＴｏｒｒ（１０．７Ｐａ）において膜厚１２ｎｍで成膜した。次に、Ｒｕから成る第２中間層（８）を純Ｒｕのスパッタターゲットを用いて、Ａｒガス圧９０ｍＴｏｒｒ（１２Ｐａ）において膜厚１１ｎｍで成膜した。
【００６５】
引き続いて、２層構成の磁気記録層（９）及び磁気記録層（１０）を形成した。始めに、第１磁気記録層（９）をＣｏ62Ｃｒ14Ｐｔ18（ＳｉＯ2）6のスパッタターゲットを用いて、Ａｒ及びＯ2の混合ガス圧４０ｍＴｏｒｒ（５．３Ｐａ）において、膜厚８．５ｎｍで成膜した。Ａｒ及びＯ2の混合ガス中のＯ2濃度は２体積％であった。次に、第２磁気記録層（１０）をＣｏ64Ｃｒ20Ｐｔ10Ｂ6のスパッタターゲットを用いて膜厚７．５ｎｍで成膜した。
【００６６】
引き続いてカーボンからなる保護層（１１）をＰＥＣＶＤ法とスパッタ法で形成した。エチレンガスを用い、ＰＥＣＶＤ法で３．０ｎｍの膜厚で保護層を形成し、引き続き、カーボンターゲットを用い、スパッタ法により０．５ｎｍの膜厚で保護層を形成した。
【００６７】
引き続き、パーフロロポリエーテルからなる潤滑剤層（１２）を浸漬塗布法を用いて１．２ｎｍの膜厚で塗布した。
【００６８】
上記工程により磁気記録媒体を得、これを実施例１とした。
【００６９】
（実施例２）
ＳＵＬ（５）を、Ｃｏ67Ｆｅ20Ｖ5Ｎｂ6Ｚｒ2スパッタターゲットを用いて膜厚５ｎｍで成膜した以外は、実施例１と同様にして実施例２の磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
（実施例３）
ＳＵＬ（５）を、Ｃｏ69Ｆｅ20Ｔｉ7Ｎｂ4Ｚｒ4スパッタターゲットを用いて膜厚５ｎｍで成膜した以外は実施例１と同様にして実施例３の磁気記録媒体を製作した。
【００７１】
（実施例４）
下地層（６）を、Ｎｉ88Ｃｒ5Ｗ7スパッタターゲットを用いて膜厚１０ｎｍで成膜した以外は実施例１と同様にして実施例４の磁気記録媒体を製作した。
【００７２】
（実施例５）
下地層（６）を、Ｎｉ94Ｔｉ6スパッタターゲットを用いて膜厚６ｎｍで成膜した以外は実施例１と同様にして実施例５の磁気記録媒体を作製した。
【００７３】
（比較例１）
ＳＵＬ（５）を、ＳＵＬ（４）と同じく、Ｃｏ72Ｆｅ20Ｎｂ6Ｚｒ2スパッタターゲットを用いて膜厚５ｎｍで成膜した以外は実施例１と同様にして比較例１の磁気記録媒体を作製した。
【００７４】
（比較例２）
下地層（６）を、Ｃｏ61Ｎｉ35Ｆｅ4スパッタターゲットを用いて膜厚５．５ｎｍで成膜した以外は実施例１と同様にして比較例２の磁気記録媒体を作製した。
【００７５】
（比較例３）
ＳＵＬ（２）及びＳＵＬ（４）を、Ｃｏ57Ｆｅ25Ｃｒ10Ｎｂ6Ｚｒ2スパッタターゲットを用いて成膜した以外は実施例１と同様にして比較例３の磁気記録媒体を作製した。
【００７６】
（比較例４）
ＳＵＬ（２）及びＳＵＬ（４）を、Ｃｏ60Ｆｅ25Ｔｉ7Ｎｂ6Ｚｒ2スパッタターゲットを用いて成膜した以外は実施例１と同様にして比較例４の磁気記録媒体を作製した。
【００７７】
上記実施例及び比較例の各磁気記録媒体のＳＵＬ（２）、（４）、（５）と下地層（６）の組成、並びに、ＳＵＬ（５）と下地層（６）の膜厚を表１に示した。
【００７８】
（結果）
実施例、比較例の磁気記録媒体について、記録再生特性（ＯＷ（ｄＢ）及びＳＮＲ（ｄＢ））と、耐腐食特性を評価した。結果を表１に示す。
【００７９】
耐腐食の評価は成膜したばかりのＯＳＡパーティクールカウントと高温高湿環境で９６時間放置後のパーティクールカウントの比較によって判断する。実施例のように、耐腐食性が強ければ、高温高湿放置後のパーティクールカウントが殆ど増えない。
【００８０】
また、ＳＵＬ（２）及びＳＵＬ（４）にＣｒまたはＴｉを添加する場合、耐腐食特性には問題がないが、書込み特性が悪化し、その結果、ＳＮＲも落ちてしまう。
【００８１】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための断面模式図である。
【図２】ターゲット材料からのＣｏ溶出量をターゲット中のＣｒ、ＶまたはＴｉの原子％に対してプロットした図である。
【符号の説明】
【００８３】
１    非磁性基板
２    第１ＳＵＬ
３    非磁性金属スペーサー層
４    第２ＳＵＬ
５    第３ＳＵＬ
６    下地層
７    第１中間層
８    第２中間層
９    第１磁性層
１０    第２磁性層
１１    保護層
１２    潤滑剤層
【図１】
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【図２】
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