(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及びｐ型電極が順次に形成され、前記ｎ型半導体層において、前記活性層及び前記ｐ型半導体層が積層されずに露出した上面にｎ型電極が形成されたフリップチップ型の発光素子であって、
前記ｐ型電極は、
前記ｐ型半導体層の上面のうち、前記ｎ型電極に近接する端部のメサエッジ領域を露出させないように前記端部のメサエッジから所定幅で、前記ｐ型半導体層の上面に接触して形成されたオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層より高い反射率を有し、前記オーミックコンタクト層及び前記オーミックコンタクト層により覆われていない前記ｐ型半導体層の上面を覆う反射層と、を備え、
前記オーミックコンタクト層は前記ｐ型半導体層の上面で前記反射層より小さいコンタクト抵抗を有することを特徴とするフリップチップ型の発光素子。
【請求項２】
前記ｎ型電極は前記メサエッジを囲むように形成され、前記オーミックコンタクト層は前記メサエッジの端部を一周するように形成される請求項１に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項３】
基板の上面にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及びｐ型電極が順次に形成され、前記ｎ型半導体層の露出された上面にｎ型電極が形成されたフリップチップ型の発光素子であって、
前記ｐ型電極は、
前記ｐ型半導体層の上面のうち、前記ｎ型電極に近接する端部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層より高い反射率を有し、前記オーミックコンタクト層及び前記オーミックコンタクト層により覆われていない前記ｐ型半導体層の上面を覆う反射層と、を備え、
前記オーミックコンタクト層は前記ｐ型半導体層の上面で前記反射層より小さいコンタクト抵抗を有し、
前記オーミックコンタクト層は、その幅ｌが０．８Ｌｓ≦ｌ≦１．２Ｌｓの範囲内であり、ここで、Ｌｓは、電流拡散長であって、次式で表され、
【数１】
0005165254.tif 000003
ここで、ρｃは、前記ｐ型電極のコンタクト抵抗であり、ρｐは、前記ｐ型半導体層の抵抗であり、ｔｐは、前記ｐ型半導体層の厚さであり、ｔｎは、前記ｎ型半導体層の厚さであり、ρｎは、ｎ型半導体層の抵抗であることを特徴とするフリップチップ型の発光素子。
【請求項４】
前記オーミックコンタクト層は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｇａ、ＺｎＮｉ、及びＩＴＯからなる群から選択されたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項５】
前記反射層は、Ａｇ、Ａｇ２Ｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、及びＩｒからなる群から選択されたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項６】
前記反射層は、誘電体層と金属層とを備える全方向反射器構造を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項７】
前記誘電体層は、λ／４ｎの厚さを有し、ここで、λは、発光する光の波長であり、ｎは、前記誘電体層の構成物質の屈折率であることを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項８】
前記誘電体層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化マグネシウムからなる群から選択されたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ型の発光素子。
【請求項９】
前記金属層は、Ａｇ、Ａｇ２Ｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、及びＩｒからなる群から選択されたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ型の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ型の発光素子に係り、特に、オーミックコンタクト層による光吸収を減らして反射度を向上させたｐ型電極を有するフリップチップ型の発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の特性を利用して電気的信号を光に変化させる半導体発光素子、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、ディスプレイ装置、照明機器など多様な分野で現在応用されている。
【０００３】
かかる半導体発光素子は、光の出射方向によってトップエミット型の発光素子とフリップチップ型の発光素子とに分類される。
【０００４】
トップエミット型の発光素子は、ｐ型半導体層とオーミックコンタクトを形成するｐ型電極を通じて光が出射される構造を有する。前記ｐ型電極は、主にｐ型半導体層上にＮｉ層とＡｕ層とが順次に積層された構造を有する。しかし、Ｎｉ層／Ａｕ層で形成されたｐ型電極は、半透明性を有し、前記ｐ型電極が適用されたトップエミット型の発光素子は、低い光利用効率及び低い輝度特性を有する。
【０００５】
フリップチップ型の発光素子は、ｐ型半導体層上に形成されたｐ型電極が反射電極となっているので、活性層で発生した光が反射電極で反射され、前記反射光が基板を通じて出射される構造を有する。図１は、ｐ型電極の反射度（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）変化による光抽出効率の変化を示すグラフである。図１に示すように、ｐ型電極の反射度は、フリップチップ型の発光素子の光抽出効率に非常に大きい影響を与えるということが分かる。したがって、前記反射電極は、Ａｇ，Ａｌ、及びＲｈのような光反射特性に優れた物質で形成される。かかる反射電極が適用されたフリップチップ型の発光素子は、高い光利用効率及び高い輝度特性を有しうる。しかし、前記反射電極は、前記ｐ型半導体層上で大きいコンタクト抵抗を有するため、前記反射電極が適用された発光素子の動作電圧が高くなり、発光素子の特性が不安定であるという問題点を有する。
【０００６】
かかる問題点を解決するために、低いコンタクト抵抗及び高い反射率を有する電極物質及び電極構造に関する研究が行われつつある。
【０００７】
特許文献１は、反射電極が適用された半導体発光素子に関する技術を開示する。ここで、反射電極とｐ型半導体層との間にＴｉまたはＮｉ／Ａｕなどの物質で形成されたオーミックコンタクト層が介在されているが、前記オーミックコンタクト層の光吸収率が高いため、光損失が起きる。したがって、上記のような従来の半導体発光素子で光利用効率及び輝度特性が低下する。したがって、かかる点を解決するために、半導体発光素子で電極構造の改善が必要である。
【特許文献１】国際公開第０１／０４７０３８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、上述したような問題点に鑑みてなされたものであって、ｐ型半導体層と反射電極との間のコンタクト抵抗を減らしつつ、光利用効率を向上させたフリップチップ型の発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明によるフリップチップ型の発光素子は、基板の上面にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及びｐ型電極が順次に形成され、前記ｎ型半導体層の一部が露出されて、その露出された部分にｎ型電極が形成されたフリップチップ型の発光素子であって、前記ｐ型電極は、前記ｐ型半導体層の上面のうち、前記ｎ型電極に近接して電流集中が発生する端部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層及び前記オーミックコンタクト層により覆われていない前記ｐ型半導体層の上面を覆う反射層と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるフリップチップ型の発光素子は、マスクの設計変更のみでもｐ型電極の構造を改善して、コンタクト抵抗及び動作電圧を十分に低下させ、かつ光抽出効率を向上させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付した図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００１２】
図２は、本発明の一実施形態によるフリップチップ型の発光素子の概略的な上面図である。図２に示すように、本実施形態のフリップチップ型の発光素子は、実質的に同じ構造を有するセルが３×３アレイ形態に形成されている。基板（図３の１０）、ｎ型半導体層１１、及びｎ型電極１９は共通に用いられ、ｎ型半導体層１１上に活性層１２、ｐ型半導体層（図３の１３）、及びｐ型電極１６が３×３アレイ形態に整列される。
【００１３】
図３は、図２のフリップチップ型の発光素子の中央部に位置したセルＡの概略的な断面図である。
【００１４】
図２及び図３に示すように、フリップチップ型の発光素子は、基板１０の上面にｎ型半導体層１１、活性層１２、ｐ型半導体層１３、及びｐ型電極１６が順次に形成され、ｎ型半導体層１１の露出された上面にｎ型電極１９が形成されている。ここで、本発明の主特徴であるｐ型電極１６は、ｐ型半導体層１３の上面のうち電流集中（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｒｏｗｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ、電流偏重）が発生し、ｎ型電極１９に近接する端部（エッジ）に所定幅ｌで形成されたオーミックコンタクト層１４と、オーミックコンタクト層１４及びオーミックコンタクト層１４により覆われていないｐ型半導体層１３の上面を覆う反射層１５と、を備える。かかる構造は、従来のマスク設計を変更することのみでも容易に具現可能である。
【００１５】
基板１０は、透明基板であって、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）のうちいずれか一つで形成されることが望ましい。ｎ型半導体層１１は、基板１０の上面に積層され、ｎ−ＧａＮ系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系の半導体で形成されうる。活性層１２は、ｎ型半導体層１１の上面に積層され、Ａｌが所定比率含まれたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）であるＧａＮ系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物の半導体で形成されうる。活性層１２は、多重量子ウェルまたは単一量子ウェル構造を有し、かかる活性層の構造は、本発明の技術的範囲を制限しない。ｐ型半導体層１３は、活性層１２の上面に積層され、ｐ−ＧａＮ系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物の半導体層で形成されうる。
【００１６】
各層の形成方法は、電子ビーム蒸着器、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型の熱蒸着器、またはスパッタリングなどが用いられる。
【００１７】
ｎ型半導体層１１の一部は、活性層１２及びｐ型半導体層１３が積層されずに露出され、その露出された部分には、ｎ型電極１９が位置する。
【００１８】
ｐ型電極１６は、ｐ型半導体層１３の上面にオーミックコンタクト層１４と反射層１５とが順次に積層されて形成される。
【００１９】
ｐ型電極１６に電流を注入すれば、後述するように、ｎ型電極１９と隣接した領域に電流が集中する電流集中が発生する。本発明は、かかる電流集中を利用して動作電圧を大きく増加させずに光抽出効率を向上させる。このために、オーミックコンタクト層１４は、ｐ型半導体層１３の上面のうち、ｎ型電極１９と近接する端部、すなわち電流集中が発生する領域に所定幅ｌで形成される。
【００２０】
オーミックコンタクト層１４は、反射層１５のコンタクト抵抗を低める役割を果たす。オーミックコンタクト層１４は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｇａ、ＺｎＮｉ、及びＩＴＯからなる群から選択されたいずれか一つで形成され、約１〜１００Åの厚さを有する。
【００２１】
オーミックコンタクト層１４の幅ｌは、電流集中が発生する領域を十分に覆うことができるように、０．８Ｌｓ≦ｌ≦１．２Ｌｓの範囲内にあることが望ましい。ここで、Ｌｓは、電流拡散長とし、電流が集中する程度と関連する。ｐ型半導体層１３の端部で発生する電流集中は、“Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｒｏｗｄｉｎｇ  ａｎｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ  ｅｆｆｅｃｔｓ  ｉｎ  ＧａＩｎＮ／ＧａＮ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｇｒｏｗｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ｖｏｌ  ７８．ｐｐ３３３７．２００１）に開示されている。この論文によれば、フリップチップ型の発光素子構造の場合、電流集中は、ｎ型電極１９と近い方のメサエッジ（ｍｅｓａ−ｅｄｇｅ）、すなわちｐ型半導体層１３の上面の端部で最も多く発生する。この論文で、電流拡散長Ｌｓは、下記の数式により表現される。
【００２２】
【数１】
0005165254.tif 000002
ここで、ρｃは、ｐ型電極１６のコンタクト抵抗であり、ρｐは、ｐ型半導体層１３の抵抗であり、ｔｐは、ｐ型半導体層１３の厚さであり、ｔｎは、ｎ型半導体層１１の厚さであり、ρｎは、ｎ型半導体層１１の抵抗である。
【００２３】
反射層１５は、オーミックコンタクト層１４及びオーミックコンタクト層１４により覆われていない（すなわち、外部に露出される）ｐ型半導体層１３の上面上に積層されて形成される。反射層１５は、光反射特性に優れた物質で形成され、活性層１２で発生する光を反射させる役割を果たす。かかる反射層１５は、Ａｇ、Ａｇ２Ｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、及びＩｒからなる群から選択されたいずれか一つで形成されて直接光を反射するダイレクトメタル構造を有する。
【００２４】
上記のように構成されたフリップチップ型の発光素子は、ｐ型電極１６及びｎ型電極１９に所定電圧が印加され、かかる電圧により、ｎ型半導体層１１の電子とｐ型半導体層１３の正孔とが活性層１２に集まる。このとき、活性層１２で電子と正孔との再結合が発生して光が放出される。このとき、発生した光は四方に放出されるが、ｐ型半導体層１３に向かった光は反射層１５で反射され、主な光は基板１０から放出される。
【００２５】
図４は、前述した実施形態によるフリップチップ型の発光素子の抵抗構造を示す等価回路図であり、図５〜図７は、本実施形態によるフリップチップ型の発光素子の特性を示すグラフである。図面を参照して、本発明の作用及び効果を説明する。
【００２６】
まず、図４に示すように、ｐ型半導体層１３は、オーミックコンタクト層１４が形成された第１領域と、オーミックコンタクト層１４が形成されずに直接反射層１５が形成された第２領域とに分けられる。反射層１５に電流ｉが注入されれば、電流ｉの一部は前記第１領域を通過し、残りは前記第２領域を通過する。すなわち、電流ｉの一部は、オーミックコンタクト層１４を経てｐ型半導体層１３に流れ、残りは、直接ｐ型半導体層１３に流れる。ρｐの抵抗を有するｐ型半導体層１３を通過した電流ｉは、活性層１２及びｎ型半導体層１１を経てｎ型電極１０に流れる。このとき、前記第１領域は、相対的に低いコンタクト抵抗ρｃ１を有し、前記第２領域は、相対的に高いコンタクト抵抗ρｃ２を有する。また、前記第１領域を通過した電流は、ｎ型半導体層１１で活性層の端部とｎ型電極とのギャップを通過する一方、前記第２領域を通過した電流は、前記第１領域を通過した電流に比べて、ｎ型半導体層でさらに長い距離を通過するので、ｎ型半導体層１１の抵抗ρｎの影響をさらに受ける。したがって、反射層１５に注入された電流ｉは、第１領域を通じてｎ型電極１９に流れる傾向が強い。したがって、フリップチップ型の発光素子の全体の抵抗は、前記第１領域のサイズと密接に関連する。
【００２７】
以下、図５〜図７のグラフは、ｎ型半導体層１１は、２．０×１０−４ｃｍの厚さ及び８．０×１０−３Ωｃｍの抵抗を有するｎ−ＧａＮ層であり、ｐ型半導体層１３は、１．５×１０−５ｃｍの厚さ及び２．０Ωｃｍの抵抗を有するｐ−ＧａＮ層であり、ｐ型電極のコンタクト抵抗は、１．０×１０−３Ωｃｍ２であるフリップチップ型の発光素子についての実験結果である。かかるフリップチップ型の発光素子についての電流拡散長Ｌｓは、５０μｍと計算される。
【００２８】
図５は、オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子の抵抗の変化を示す図面である。前記オーミックコンタクト層の幅ｌに反比例して抵抗が小さくなっていて、前記オーミックコンタクト層の幅ｌが所定長さ以上となれば、それ以上抵抗の変化がない。これは、前記第１領域が一定のサイズ以上となれば、ほとんどの電流が第１領域を通じて流れるためである。すなわち、オーミックコンタクト層の幅ｌが所定長さを超えれば、電流集中によりそれ以上オーミックコンタクト層の本来機能であるコンタクト抵抗を低下させる機能を行えないということが分かる。ここで、それ以上抵抗の変化のないオーミックコンタクト層の幅ｌは、電流拡散長Ｌｓに該当する。
【００２９】
図６は、オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子に２０ｍＡの電流が流れるように加えられる順方向電圧Ｖｆの変化を示す図面である。前記順方向電圧は、フリップチップ型の発光素子の動作電圧を表す。図６に示すように、オーミックコンタクト層の幅ｌが広くなるにつれて順方向電圧Ｖｆが低くなっていて、前記オーミックコンタクト層の幅ｌが所定長さ以上となれば、それ以上順方向電圧Ｖｆの変化がないということが分かる。これは、図５に示すように、前記オーミックコンタクト層の幅ｌが所定長さ以上となれば、それ以上抵抗の変化がないためである。一方、オーミックコンタクト層がｐ型半導体層の上面の全体を覆う場合、順方向電圧が約３．２７Ｖである一方、図面に示すように、オーミックコンタクト層の幅ｌは、電流拡散長Ｌｓが５０μｍである場合、順方向電圧が約３．３２Ｖであって、駆動電圧の差が０．０５Ｖほどと電圧上昇幅は大きくない。
【００３０】
図７は、オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子の正規化された光出力を示す図面である。オーミックコンタクト層がｐ型半導体層の上面の全体を覆う場合を基準の光出力の１．００とした。図７に示すように、オーミックコンタクト層の幅ｌが広くなるにつれて、光出力が緩慢に低下していて、６０μｍを超えたところで急速に低下するということが分かる。これは、オーミックコンタクト層が広くなるにつれてオーミックコンタクト層での光吸収が大きくなり、反射層の反射効率が低下するためである。図７に示すように、オーミックコンタクト層の幅ｌは、電流拡散長Ｌｓほどのサイズであるときには、まだ光出力が大きく低下しないということが分かる。
【００３１】
図５〜図７に示すように、本発明のフリップチップ型の発光素子は、オーミックコンタクト層をｐ型半導体層の上面の全体に形成せずにその一部にのみ形成しても、電流集中が発生する領域側にオーミックコンタクト層を形成することによって、コンタクト抵抗及び動作電圧を十分に低減することができるということが分かり、さらに、反射層の一部を直接ｐ型半導体層に接触させることによって、反射効率を向上させて光抽出効率を向上させるということが分かる。さらに具体的に、オーミックコンタクト層の幅ｌが０．８Ｌｓ≦ｌ≦１．２Ｌｓ範囲内にある場合には、電流集中が発生する領域を十分にカバーできるので、コンタクト抵抗及び動作電圧を十分に低下させるだけでなく、反射効率を十分に維持できるということが分かる。
【００３２】
図８は、本発明の他の実施形態によるフリップチップ型の発光素子の概略的な断面図である。図８は、前述した実施形態と同様に、３×３アレイ形態になされたフリップチップ型の発光素子の中央部に位置したセルの断面図と理解されうる。本実施形態は、前述した実施形態と比較するとき、反射層以外は実質的に同じであるので、前述した実施形態と実質的に同じ構成要素に対しては同じ参照番号を使用し、実質的に同じ構成要素の説明は省略する。
【００３３】
図８に示すように、本実施形態のｐ型電極２６は、ｐ型半導体層１３の上面のうち、ｎ型電極１９に近接する端部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層１４と、オーミックコンタクト層１４及びオーミックコンタクト層１４により覆われていないｐ型半導体層１３の上面を覆う反射層２５と、を備える。
【００３４】
反射層２５は、誘電体層２５ａと金属層２５ｂとが順次に積層された全方向反射器構造を有する。誘電体層２５ａは、オーミックコンタクト層１４により覆われていないｐ型半導体層１３の上面に形成される。金属層２５ｂは、オーミックコンタクト層１４及び誘電体層２５ａの上面に形成される。誘電体層２５ａは、厚さがλ／４ｎであり、ここで、λは、発光する光の波長であり、ｎは、誘電体層２５ａの構成物質の屈折率である。誘電体層２５ａは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムで形成され、金属層２５ｂは、Ａｇ、Ａｇ２Ｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、及びＩｒからなる群から選択されたいずれか一つで形成されうる。
【００３５】
このように誘電体層２５ａが金属層２５ｂに先立って積層されることによって、誘電体層２５ａは、金属層２５ｂに対して高屈折のコーティングとして機能し、さらに反射効率を向上させる。
【００３６】
一方、ｐ型半導体層の上面の端部に沿ってオーミックコンタクト層が形成されることによって電流集中が深刻化しうるが、図２に示すように、３×３アレイ形態の構造を有することによって電流集中を緩和させる。しかし、本発明は、かかるアレイ構造に限定されるものではない。本発明のフリップチップ型の発光素子は、セル（図２のＡ）一つのみでもよく、複数個のセルが多様に配列された構造を有しうる。
【００３７】
かかる本願発明のフリップチップ型の発光素子は、理解を助けるために図面に示した実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、フリップチップ型の発光素子及びそれを利用したディスプレイ装置、照明装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ｐ型電極の反射度変化による光抽出効率の変化を示すグラフである。
【図２】本発明の一実施形態によるフリップチップ型の発光素子の概略的な上面図である。
【図３】図２のフリップチップ型の発光素子の中央部に位置したセルＡの概略的な断面図である。
【図４】本実施形態によるフリップチップ型の発光素子の抵抗構造を示す等価回路図である。
【図５】オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子の抵抗の変化を示すグラフである。
【図６】オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子に２０ｍＡの電流が流れるように加えられる順方向電圧の変化を示すグラフである。
【図７】オーミックコンタクト層の幅ｌに対して、フリップチップ型の発光素子の正規化された光出力を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施形態によるフリップチップ型の発光素子の概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０    基板、
１１    ｎ型半導体層、
１２    活性層、
１３    ｐ型半導体層、
１４    オーミックコンタクト層、
１５，２５    反射層、
１６，２６    ｐ型電極、
１９    ｎ型電極。
【図１】
0005165254.tif 000004
【図２】
0005165254.tif 000005
【図３】
0005165254.tif 000006
【図４】
0005165254.tif 000007
【図５】
0005165254.tif 000008
【図６】
0005165254.tif 000009
【図７】
0005165254.tif 000010
【図８】
0005165254.tif 000011