(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＧａＮ半導体層と、
前記ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、
前記ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極と、を含む半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｎ型電極は、ＬａＮｉ５を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
基板上にｎ型ＧａＮ半導体層を形成する段階と、
前記ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面上に活性層を形成する段階と、
前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と、
前記基板を除去する段階と、
前記ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面上にランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記ｎ型電極は、ＬａＮｉ５を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記ｎ型電極の形成前に、前記ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面にレーザーを照射する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
ＧａＮ基板と、
前記ＧａＮ基板のガリウム表面に形成されたｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、
前記ＧａＮ基板の窒素表面に形成されたランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極と、を含む半導体発光素子。
【請求項８】
前記ＧａＮ基板は、成長基板または支持基板であることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記ｎ型電極は、ＬａＮｉ５を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
ＧａＮ基板のガリウム表面上にｎ型半導体層を形成する段階と、
前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と、
前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と、
前記ＧａＮ基板の窒素表面上にランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ｎ型電極は、ＬａＮｉ５を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ｎ型電極の形成前に、前記ＧａＮ基板の窒素表面にレーザーを照射することを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関するもので、より詳細には、順方向電圧の特性及びターンオン電圧の特性のような発光素子自体の特性を向上させ、入力電圧を減少させ発光素子の効率を増加させながら、低電圧動作で発光素子の信頼性が増加する半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、素子内に含まれている半導体物質が光を発光する素子で、例えばＬＥＤのようなダイオードを用いて半導体を接合した形態で電子／正孔の再結合によるエネルギーを光に変換して放出する種類の素子がある。
【０００３】
このような半導体発光素子は現在、照明、表示装置及び光源として広く用いられ、少ない電力で所望の波長の光を発光し、水銀のような環境有害物質の放出を抑えることができ、エネルギーの節約及び環境保護の側面を考慮し、その開発が加速化している状況である。
【０００４】
特に、最近その開発及び使用が活性化された窒化ガリウム（ＧａＮ）系ＬＥＤを用いた携帯電話のキーパッド、サイドビューアー、カメラフラッシュ等の常用化に乗り、最近発光ダイオードを用いた一般照明の開発が活気を帯びている。大型ＴＶのバックライトユニット及び自動車の前照灯、一般照明等その応用製品が小型携帯製品から大型化、高出力化、高効率化、高い信頼性を有する製品に進み、該当製品に要求される特性を示す光源を要求するようになった。
【０００５】
ＧａＮ系ＬＥＤの製造時に各半導体層上に形成される電極の接触抵抗のような特性の制御が重要である。特に、ｎ型ＧａＮ系半導体層に接触しながら形成されるｎ型オーミック（ｏｈｍｉｃ）電極は、低い順方向電圧（ｆｏｒｗａｒｄ ｖｏｌｔａｇｅ、Ｖｆ）を示すことが要求される。従って、ｎ型ＧａＮ系半導体層に接触するｎ型オーミック電極は接触抵抗が低い材料を含む必要がある。
【０００６】
ｎ型ＧａＮ半導体層上に形成されるｎ型電極にはＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ａｕ及びこれらの合金が用いられる。しかし、現在用いられるｎ型電極の材料を用いてｎ型電極が形成された半導体発光素子は、相変わらず接触抵抗が高く、それにより順方向電圧値が所望の水準より高い値を表す問題が残っていた。
【０００７】
従って、半導体発光素子の特性を所望の水準に制御し、素子発光の効率をより高めながら製品の信頼性は維持することができるｎ型電極の材料物質の開発が求められた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は順方向電圧の特性及びターンオン電圧の特性のような発光素子自体の特性を向上させ、入力電圧を減少させて発光素子の効率を増加させながら、低電圧動作で発光素子の信頼性が増加する半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上のような目的を達成するための本発明の一側面による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層と、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層と、活性層上に形成されたｐ型半導体層と、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極と、を含む。
【００１０】
ｎ型電極は、ランタン−ニッケル合金のうち、ＬａＮｉ５を含むことができる。
【００１１】
本発明の他の実施例によると、基板上にｎ型ＧａＮ半導体層を形成する段階と、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面上に活性層を形成する段階と、活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と、基板を除去する段階と、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面上にランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。
【００１２】
ｎ型電極は、ランタン−ニッケル合金のうち、ＬａＮｉ５を含むことができる。基板は、サファイア基板であることができる。
【００１３】
好ましくは、ｎ型電極の形成前に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面をレーザー処理し窒素表面の特性を向上させることができる。
【００１４】
本発明のさらに他の実施例によると、ＧａＮ基板と、ＧａＮ基板のガリウム表面に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成されたｐ型半導体層と、ＧａＮ基板の窒素表面に形成されたランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極と、を含む半導体発光素子が提供される。ＧａＮ基板は、成長基板または支持基板であることができる。
【００１５】
ｎ型電極は、ランタン−ニッケル合金のうち、ＬａＮｉ５を含むことができる。
【００１６】
本発明のさらに他の実施例によると、ＧａＮ基板のガリウム表面上にｎ型半導体層を形成する段階と、ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と、活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と、ＧａＮ基板の窒素表面上にランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。
【００１７】
ｎ型電極は、ランタン−ニッケル合金のうち、ＬａＮｉ５を含むことができる。
【００１８】
好ましくは、ｎ型電極の形成前に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面をレーザー処理し窒素表面の特性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による半導体発光素子は、ｎ型電極のオーミック特性が向上し、順方向電圧の特性が向上し、ターンオン電圧が減少し発光素子自体の特性が向上する効果がある。
【００２０】
また、本発明による半導体発光素子は、入力電圧を減少させ入力電圧と発光した光量の比率が高くなり発光素子の効率（ｌｍ／Ｗ）を増加させることができ、入力電圧が低いため、低電圧で動作するようになり信頼性が増加する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変更されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は、当業界において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００２２】
図１は、本発明の一実施例による半導体発光素子の断面図である。本発明の一実施例による半導体発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０と、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０のガリウム表面に形成された活性層１２０と、活性層１２０上に形成されたｐ型半導体層１３０と、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極１５０と、を含む。
【００２３】
半導体発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０、活性層１２０及びｐ型半導体層１３０が順次的に積層された形態で、そのうち、ｎ型半導体層は特にＧａＮ系化合物半導体を含む。ｎ型ＧａＮ半導体層１１０は、ＧａＮ系化合物半導体層に不純物として、例えばＳｉ、Ｇｅ及びＳｎのうちいずれかを選んで使用することができる。
【００２４】
活性層１２０は、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０のガリウム表面に形成される。活性層１２０は発光を活性化させる層で、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０及びｐ型半導体層１３０のエネルギーバンドギャップより小さいエネルギーバンドギャップを有する物質を利用して形成される。
【００２５】
活性層１２０は、例えばｎ型ＧａＮ半導体層１１０がＧａＮ系化合物半導体であるため、ＧａＮ系化合物半導体のエネルギーバンドギャップより小さいエネルギーバンドギャップを有するＩｎＧａＮ系化合物半導体を利用して形成されることができる。このとき、活性層１２０の特性上、不純物はドーピングされないことが好ましく、障壁の高さや井戸層の厚さ、組成、井戸の数を調整し波長や量子効率を調節することができる。
【００２６】
活性層１２０上にはｐ型半導体層１３０が積層される。ｐ型半導体層１３０は、例えばＧａＮ系半導体、ＺｎＯ系半導体、ＧａＡｓ系半導体、ＧａＰ系半導体及びＧａＡｓＰ系半導体のような半導体で構成されることができる。その他にも、半導体層はＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ族半導体及びＳｉで構成された群から適切に選ばれ具現されることができる。
【００２７】
ｐ型半導体層１３０がＧａＮ系化合物半導体を含む場合、不純物としてはＭｇ、Ｚｎ及びＢｅのうち、いずれかを選んで使用することができる。
【００２８】
ｎ型電極１５０は、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面に形成される。ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面（Ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｆａｃｅ）は相対的に窒素がより豊富に存在する表面を意味する。これとは反対に、ガリウム表面（ｇａｌｌｉｕｍ−ｆａｃｅ）は相対的にガリウムがさらに豊富に存在する表面を意味する。ＧａＮ系半導体層の窒素表面及びガリウム表面に対しては、以下、図２ａ乃至図２ｄを参照してさらに説明する。
【００２９】
従って、本発明の一実施例による半導体発光素子１００において、ｎ型電極１５０はｎ型ＧａＮ半導体層１１０の表面中の相対的に窒素がさらに豊富な表面に形成される。ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面はその上にｎ型電極を形成した場合、圧電効果によりオーミック接触の形成が悪い場合がある。このような窒素表面上に安定したオーミック接触の形成のためにランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極１５０を形成する。特に、ｎ型電極は、ランタン−ニッケル合金のうち、ＬａＮｉ５を含むことができる。
【００３０】
ｎ型電極１５０は、ランタン−ニッケル合金を含むが、特にランタンはｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面と仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が類似で安定したオーミック接触を形成することに寄与することができる。また、ランタンはニッケルと合金として含まれ、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面の窒素極性（Ｎｉｔｒｏｇｅｎ ｐｏｌａｒｉｔｙ）を低めることができ、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０及びｎ型電極１５０間のオーミック接触の特性をさらに改善することができる。
【００３１】
ｐ型電極１４０は、ｐ型半導体層１３０とのオーミック接触特性等を考慮し、Ａｇ、ＺｎまたはＭｇのような金属を使用することができる。
【００３２】
図２ａ乃至図２ｄは、本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法に提供される図面である。本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法によると、先ず、図２ａを参照すると、基板１６０上にｎ型ＧａＮ半導体層１１０を形成する。
【００３３】
基板１６０は、その上にｎ型ＧａＮ半導体層１１０を成膜するための成長基板として、ＧａＮ系半導体層と結晶格子常数が類似で成膜特性が優れているサファイア基板またはスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）基板が使用されることができる。
【００３４】
このとき、基板１６０上に成膜されるｎ型ＧａＮ半導体層１１０が基板１６０と接する表面は窒素表面である。図２ａにはｎ型ＧａＮ半導体層１１０の成長方向を矢印で示している。成長方向は成膜方法により異なることができ、同じ成膜方法による場合でも条件を制御して成長方向を異なるようにすることができる。本実施例では基板１６０とｎ型ＧａＮ半導体層１１０の境界面は窒素表面で、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０及び活性層１２０の境界面はガリウム表面に成長した場合を挙げ、説明する。
【００３５】
ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の成膜が終わると、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０のガリウム表面上に活性層１２０を形成する。活性層１２０上にはｐ型半導体層１３０を形成する。活性層１２０上にはｐ型半導体層１３０を形成する。
【００３６】
ｎ型ＧａＮ半導体層１１０、活性層１２０及びｐ型半導体層１３０の形成は、公知の成膜方法を利用して行われることができる。例えば、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ、ＭＢＥ）方法を利用して行われることができる。
【００３７】
半導体層１１０、１３０及び活性層１２０が積層されると、成長基板として使用された基板１６０は公知の方法、例えばレーザー等を利用して除去される（図２ｂ参照）。上述のように、基板１６０及びｎ型ＧａＮ半導体層１１０の境界面は窒素表面であるため、基板１６０を除去すると（図２ｃ）、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の表面は窒素が相対的に豊富な窒素表面である。
【００３８】
基板１６０の除去により露出したｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面上にはｎ型電極１５０が、ｐ型半導体層１３０上にはｐ型電極１４０が形成される（図２ｄ）。ｎ型電極１５０及びｐ型電極１４０は通常の電極形成方法により形成されることができるが、例えば電子ビーム蒸発器（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を利用して形成することができる。
【００３９】
ｎ型電極１５０はランタン−ニッケル合金を含む。特に、ｎ型電極１５０はＬａＮｉ５を含むことが好ましい。
【００４０】
図２ｃにおいて、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０はその上にｎ型電極１５０を形成する前に、窒素表面をレーザー処理し窒素表面の特性を向上させることができる。レーザーの前処理により窒素表面はｎ型電極１５０との接触特性がさらに向上されることができる。
【００４１】
図３は、図２ｃにおいてｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面及びガリウム表面を示した図面である。Ａはｎ型ＧａＮ半導体層１１０及び活性層１２０の境界面を拡大して示し、Ｂはｎ型ＧａＮ半導体層１１０及び基板１６０の境界面であったが、基板１６０の除去により外部に露出した表面を拡大して示している。上述したように、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の成長方向は矢印で示した。
【００４２】
Ａにはｎ型ＧａＮ半導体層１１０が活性層１２０との境界面にガリウム（Ｇａ）が豊富に存在することが示されている。Ｂにはｎ型ＧａＮ半導体層１１０が外部に露出された表面に窒素が豊富に存在することが示されている。ｎ型ＧａＮ半導体層１１０は基板（不図示）上で、基板側に窒素が豊富で、反対側にはガリウムが豊富になるように成長することが一般的である。これとは反対に基板側にガリウムが豊富になるように成長させるためには、通常の成膜方法を変形または制御する特別な工程及び条件がさらに必要であるため、図３のように成長させる。
【００４３】
これにより、ランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極１５０は図２ｄのようにｎ型ＧａＮ半導体層１１０の窒素表面に形成され、上述したように窒素が豊富な表面でも優れたオーミック接触特性を表すことができる。
【００４４】
図４は、本発明の他の実施例による半導体発光素子の断面図である。本実施例による半導体発光素子２００はＧａＮ基板２６０と、ＧａＮ基板２６０のガリウム表面に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成されたｐ型半導体層と、ＧａＮ基板の窒素表面に形成されたランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極と、を含む半導体発光素子が提供される。本実施例による半導体発光素子２００で活性層２２０及びｐ型半導体層２３０は、図１の半導体発光素子１００の活性層１２０及びｐ型半導体層１３０と同一であるため、その説明は省略する。
【００４５】
本実施例による半導体発光素子２００は、ｎ型半導体層２１０、活性層２２０及びｐ型半導体層２３０をＧａＮ基板２６０上に順次的に積層する。ＧａＮ基板２６０は、導電性基板で、半導体層２１０、２３０に使用されるＧａＮ系半導体で構成される。
【００４６】
ＧａＮ基板２６０は成長基板または支持基板であることができる。ＧａＮ基板２６０が成長基板である場合、ＧａＮ系半導体層とは結晶格子常数が同一または類似であるため、成長時に欠陥抑制が可能で、成膜特性が優れている。
【００４７】
ＧａＮ基板２６０が支持基板である場合には、別途の成長基板を使用してｎ型半導体層２１０、活性層２２０及びｐ型半導体層２３０を形成し、成長基板を除去した後、再び積層体２１０、２２０、２３０を支持するための基板でＧａＮ基板２６０を形成して使用することができる。支持基板は通常使用される方法により形成されることができるが、例えば接合層を利用して接合されるか、またはｎ型半導体層２１０上にメッキ方法を利用して形成されることができる。
【００４８】
本実施例でｎ型半導体層２１０はＧａＮ系半導体、ＺｎＯ系半導体、ＧａＡｓ系半導体、ＧａＰ系半導体及びＧａＡｓＰ系半導体のような半導体で構成されることができる。その他にも、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ族半導体及びＳｉで構成された群から適切に選ばれ具現されることができる。但し、ＧａＮ基板２６０がＧａＮ系半導体を含んでいるため、結晶格子常数等の成長条件を考慮しＧａＮ系半導体層であることが好ましい。
【００４９】
本実施例によるｎ型電極２５０は、ＧａＮ基板２６０の窒素表面上に形成される。従って、ＧａＮ基板２６０のガリウム表面上にはｎ型半導体層２１０が形成される。ｎ型電極２５０はランタン−ニッケル合金を含み、特にＬａＮｉ５を含むことができる。
【００５０】
好ましくは、ｎ型電極２５０の形成前に、ＧａＮ基板２６０の窒素表面をレーザー処理し窒素表面の特性を向上させることができる。レーザーの前処理によりＧａＮ基板２６０の窒素表面はｎ型電極２５０との接触特性がさらに向上されることができる。
【００５１】
図５は、図４でＧａＮ基板の窒素表面及びガリウム表面を示した図面である。図５でｎ型半導体層２１０は、特にＧａＮ系半導体層である場合を挙げ、説明する。ＣはＧａＮ基板２６０及びｎ型半導体層２１０の境界面を拡大して示し、ＤはＧａＮ基板２６０の外部表面を拡大して示した。上述したように、ｎ型ＧａＮ半導体層１１０の成長方向は矢印で示した。
【００５２】
ＧａＮ基板２６０の窒素表面及びガリウム表面は選択的にｎ型半導体層２１０に形成することができるが、本実施例ではＧａＮ基板２６０のガリウム表面とｎ型半導体層２１０が接触できるように形成する。これにより、ＧａＮ基板２６０の外部表面は窒素表面で、この窒素表面上にｎ型電極２５０を形成する（Ｄの拡大図参照）。ＧａＮ基板２６０のガリウム表面上にｎ型半導体層２１０が形成されると、成長特性上、ｎ型半導体層２１０の窒素表面と接触するようになる。
【００５３】
これにより、ランタン−ニッケル合金を含むｎ型電極２５０は、図４のようにＧａＮ基板２６０の窒素表面に形成され、上述したように窒素が豊富な表面でも優れたオーミック接触特性を表すことができる。
【００５４】
図６は、本発明による半導体発光素子のｎ型電極、Ｔｉ／Ａｌのｎ型電極及びＣｒのｎ型電極の３５０ｍＡにおける順方向電圧を夫々示したグラフである。ここで、ｎ型電極はｎ型ＧａＮ半導体層上に形成し順方向電圧を測定した。Ｔｉ／Ａｌ及びＣｒのｎ型電極もｎ型ＧａＮ系半導体層上に形成し順方向電圧を測定した。
【００５５】
図６を参照すると、ＬａＮｉ５を使用しｎ型電極を具現した場合、約３．４５Ｖで、Ｔｉ／Ａｌのｎ型電極（約３．７７Ｖ）及びＣｒのｎ型電極（約３．７２Ｖ）より低い順方向電圧の特性を示した。従って、本発明によるランタン−ニッケルｎ型電極の順方向電圧の特性は、従来のｎ型電極より優れていることを確認することができた。
【００５６】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、上記の請求範囲により解釈されるべきである。また、本発明に対して請求範囲に記載の本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは当該技術分野において通常の知識を有する者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例による半導体発光素子の断面図である。
【図２ａ】本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法に提供される図面である。
【図２ｂ】本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法に提供される図面である。
【図２ｃ】本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法に提供される図面である。
【図２ｄ】本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法に提供される図面である。
【図３】図２ｃにおいて、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面及びガリウム表面を示した図面である。
【図４】本発明の一実施例による半導体発光素子の断面図である。
【図５】図４において、ＧａＮ基板の窒素表面及びガリウム表面を示した図面である。
【図６】本発明による半導体発光素子のｎ型電極、Ｔｉ／Ａｌのｎ型電極及びＣｒのｎ型電極の順方向電圧を示したグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
１００  半導体発光素子
１１０  ｎ型ＧａＮ半導体層
１２０  活性層
１３０  ｐ型半導体層
１４０  ｐ型電極
１５０  ｎ型電極
１６０  基板
【図１】
0005165508.tif 000002
【図２ａ】
0005165508.tif 000003
【図２ｂ】
0005165508.tif 000004
【図２ｃ】
0005165508.tif 000005
【図２ｄ】
0005165508.tif 000006
【図３】
0005165508.tif 000007
【図４】
0005165508.tif 000008
【図５】
0005165508.tif 000009
【図６】
0005165508.tif 000010