(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面に互いに隣接するゲート信号線と互いに隣接するドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
前記画素領域に、前記ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素電極は、反射膜であり、
前記対向電極は絶縁層を介して前記画素電極の上層に形成され、
前記対向電極は前記画素電極の形成領域内で一方向に延在し該一方向と交差する方向に並設された複数の電極から形成され、
前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタを被う無機材からなる第１の保護膜を構成する層と、前記第１の保護膜の上面に形成される有機材からなる第２の保護膜を構成する層との積層体となっており、
前記対向電極に対向電圧を供給する対向電圧信号線は前記一方の基板の一端にて共通に接続され端子部に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を構成する層と前記積層体とからなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、反射型と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は液晶を介して対向配置される一対の基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に多数の画素からなる液晶表示部を備えて構成される。
【０００３】
各画素の液晶はそれに印加される電界の強さによって光の透過率が制御されるようになっている。
【０００４】
また、反射型と称される液晶表示装置は、前記各基板のうち一方の基板の液晶側の面であって、少なくも画素領域の全部に（あるいは一部に：この場合一部反射型と称される場合がある）光の反射効率の良好な反射膜を備えて構成される。この場合、この反射膜は、液晶に電界を印加させる際の一方の電極を構成することが通常である。
【０００５】
液晶表示装置の液晶表示部へ外来光が入射し、各画素の液晶を通して該反射膜で反射される光を観察することによって、該液晶表示部における映像を認識できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように構成される反射型の液晶表示装置において、前記反射膜をその表面に凹凸が形成されるようにして構成し、これにより反射光の照射方向をある程度散乱させるようにすることが望ましい。
【０００７】
表面が平坦な反射膜の場合、観察者が液晶表示部を観察した際に観察者の顔あるいはその背景等が鮮明に映ってしまう場合があるからである。
【０００８】
しかしながら、反射膜を上記のように加工することは製造工程の増大等を招くことになり、他の工夫がなされるに到った。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は特別な構成を施すことなく反射型として信頼性の優れた液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に、前記一方の基板側から、一方の電極、絶縁層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は反射膜を兼ねる構成として形成され、他方の電極は前記一方の電極の形成領域内で一方向に延在し該一方向と交差する方向に並設された複数の電極から形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
このように構成された液晶表示装置は、反射膜を兼ねる一方の電極の絶縁膜を介した上層は、他の電極によって凹凸が形成された面として形成されることになる。
【００１３】
このため、外来光が液晶を介して反射膜に入射し、該反射膜で反射された光が前記凹凸によって散乱されるようになる。
【００１４】
したがって、特別な構成を施すことなく反射型として信頼性の優れた液晶表示装置を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１６】
実施例１．
《等価回路》
図２は本発明による液晶表示装置の等価回路を示す図である。同図は等価回路であるが、実際の幾何学配置に対応した図となっている。
【００１７】
同図において、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
【００１８】
前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００１９】
また、各ゲート信号線ＧＬの間には該ゲート信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線ＣＬが形成されている。これら各対向電圧信号線ＣＬは後述する映像信号に対して基準となる信号（電圧）が供給されるようになっており、各画素領域において後述する対向電極ＣＴと接続されるようになっている。
【００２０】
各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬからの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００２１】
また、画素電極ＰＩＸと対向電圧信号線ＣＬとの間には容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素子Ｃｓｔｇによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長く蓄積させるようになっている。
【００２２】
各画素領域における画素電極ＰＩＸは、この画素電極ＰＸと隣接する対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１に対してほぼ平行な成分を有する電界を発生せしめるようになっており、これにより対応する画素領域の液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００２３】
各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子部ＤＴＭが形成されている。
【００２４】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載されたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と称されている。
【００２５】
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになっており、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続されるようになっている。
【００２６】
また、各対向電圧信号線ＣＬの一端（右端）は、それぞれ共通に接続されて透明基板ＳＵＢ１の端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続されている。
【００２７】
前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板ＳＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっている。
【００２８】
そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機能も兼ねている。
【００２９】
なお、上述した説明では、ＣＯＧ方式を用いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式によって形成されたもので、その出力端子が透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の端子部に接続されるようなっている。
【００３０】
また、上記構成の液晶表示装置は、いわゆるデスクトップ型あるいはラップトップ型のものとして用いられるが、本発明は携帯電話の液晶表示装置にも適用できるものである。
《画素の構成》
図１は上述した液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。また、同図のIII−III線における断面図を図３に、IV−IV線における断面図を図４に示している。
【００３１】
まず、透明基板ＳＵＢ１の表面であって画素領域の下側には図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬはたとえばＡｌあるいはその合金からなっている。
【００３２】
このゲート信号線ＧＬは、該画素領域の上側に位置づけられる画素領域の対応するゲート信号線（図示せず）、後述するドレイン信号線ＤＬ、該画素領域の右側に位置づけられる画素領域の対応するドレイン信号線（図示せず）とともに、該画素領域を囲むようにして形成されている。
【００３３】
また、隣接する各ゲート信号線ＧＬの間に該各ゲート信号線ＧＬと平行に走行する対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえばゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、たとえばＡｌあるいはその合金からなっている。
【００３４】
また、透明基板ＳＵＢ１の上面には、前記ゲート信号線ＧＬの形成領域を回避しかつ前記対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続するようにして、画素領域の大部分を覆うようにして対向電極ＣＴが形成されている。
【００３５】
この対向電極ＣＴは後述する画素電極ＰＩＸとの間に電界を発生せしめるもので、反射膜をも兼ねるようにしている。
【００３６】
このため、この対向電極ＣＴは光の反射効率の良好な材料が選定され、たとえばＡｌ等で形成される。
【００３７】
このようにゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ、対向電極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはこれらゲート信号線ＧＬ等をも被ってたとえばＳｉＮ等からなる絶縁膜ＧＩが形成されている（図３、図４参照）。
【００３８】
この絶縁膜ＧＩは、前記ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬに対しては後述のドレイン信号線ＤＬとの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに対してはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇに対してはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００３９】
そして、前記絶縁膜ＧＩの上面であってゲート信号線ＧＬと重畳する部分にたとえばアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００４０】
この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となり、この上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することによって、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタが形成されるようになっている。
【００４１】
なお、この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域ばかりでなく、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域にも形成されている。該ドレイン信号線ＤＬのゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能を前記絶縁膜ＧＩとともにもたせるためである。
【００４２】
薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１はドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるようになっており、この際に、該ドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長に相当する分だけの間隔を有してソース電極ＳＤ２が形成されるようになっている。
【００４３】
すなわち、前記絶縁膜ＧＩ上にて図中ｙ方向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成され、この際に、その一部が前記半導体層ＡＳの上面まで延在させることによってドレイン電極ＳＤ１が形成されている。これらドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１はたとえばＣｒあるいはその合金によって形成されている。
【００４４】
また、この際に形成されるソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳの形成領域をはみ出して延在され、この延在部は後述する画素電極ＰＩＸとの接続を図るコンタクト部となっている。
【００４５】
そして、画素領域内における前記絶縁膜ＧＩの表面には図中ｘ方向に延在する帯状パターンからなる複数の画素電極ＰＩＸが図中ｙ方向に並設されて形成されている。
【００４６】
これら各画素電極ＰＩＸは、たとえば対向電圧信号線ＣＬの上方の領域において図中右端で、下方の領域において図中左端で互いに電気的接続がなされ、その一部が前記ソース電極ＳＤ２の延在部に重畳されて、該ソース電極ＳＤ２と電気的に接続されている。
【００４７】
なお、この画素電極ＰＩＸは前記対向電圧信号線ＣＬおよび前記対向電極ＣＴと重畳する部分に前記絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
【００４８】
また、図中ｘ方向へ延在する各画素電極ＰＩＸは、そのほぼ中央部にてたとえば一つの屈曲部を有し、いわゆる逆’へ’の字状のパターンとなっている。
【００４９】
これは画素領域の図中右半分と左半分の各領域において、画素電極をたとえばゲート信号線ＧＬの走行方向に対し、それぞれθ、（１８０°−θ）の角度を持たせることにより、各領域に発生する電界の方向を異ならしめている。
【００５０】
このような構成はいわゆるマルチドメイン方式と称され、観察者の液晶表示部を観察する際の角度によって色調の変化が生じるのを回避した構成となっている。
【００５１】
この趣旨から、この画素電極ＰＩＸは、図１に示すような構成とせず、たとえば図中ｙ方向に画素電極ＰＩＸを延在させ、その延在方向に幾つかの屈曲部を形成するようにして形成してもよいことはいうまでもない。
【００５２】
薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給された画素電極ＰＩＸは、前記対向電極ＣＴ（映像信号に対して基準となる電圧が印加される）との間において電界を発生せしめ、この電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を有する電界によって液晶ＬＣの光の透過率を制御するようになっている。
【００５３】
なお、この画素電極ＰＩＸは金属等の不透明な材料で形成してもよいが、たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜のように光透過性の材料で形成することによって、画素の開口率を向上させる効果を奏する。
【００５４】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレイン信号線ＤＬ、画素電極ＰＩＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には該薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被ってたとえばＳｉＮ等からなる保護膜ＰＳＶが形成されている（図３、図４、参照）。この保護膜ＰＳＶは主として薄膜トランジスタＴＦＴの液晶ＬＣとの直接の接触を回避させ、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止させるために形成されている。
【００５５】
そして、この保護膜ＰＳＶの表面には配向膜ＯＲＩ２が形成され、その表面に形成されたラビング方向に液晶ＬＣの分子の初期配向方向が規制されるようになっている。
【００５６】
また、このように構成された透明基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形成されている。
【００５７】
このブラックマトリクスＢＭは表示のコントラストを向上させるため、そして、薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の照射を回避するために形成されている。
【００５８】
このようにブラックマトリクスＢＭが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面には、ｙ方向に並設される各画素領域に共通な色のカラーフィルタＦＩＬが形成され、ｘ方向にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順に配置されている。
【００５９】
そして、これらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬをも被ってたとえば樹脂膜からなる平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２のラビング方向は透明基板ＳＵＢ１側の配向膜のそれと同じになっている。
【００６０】
このように構成した液晶表示装置は、その画素領域において多数の画素電極ＰＩＸが並設されて形成されている。このため、絶縁膜ＧＩの上面は該画素電極ＰＩＸによる凹凸が形成されるとともに、これら画素電極ＰＩＸを被う保護膜ＰＳＶの表面にも該凹凸が顕在化するようになる。
【００６１】
このことは、外来光の照射によって反射される光が前記凹凸によって充分に散乱されるようになる。
【００６２】
この場合、画素電極ＰＩＸをたとえばＩＴＯ膜のような透光性の材料で形成した場合、画素の開口率の低下を憂えることなくそれらの間隔を狭くでき、前記凹凸を多くできることから、反射光の散乱の効果を大きくすることができる。
【００６３】
そして、前記画素電極ＰＩＸは、それが透光性あるいは非透光性の材料で構成されようとも、その電極幅と隣接する他の画素電極ＰＩＸとの離間距離（電極間間隔）との関係において、該電極幅に対して電極間間隔が１／２〜２倍であることによって、画素の開口率を低減させることなく反射光の散乱を充分なものとできることが確かめられた。
【００６４】
実施例２．
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１と対応した図となっている。また、図６は図５のVI−VI線における断面図である。
【００６５】
図１の場合と異なる構成は、絶縁膜ＧＩの上面に保護膜ＰＳＶが形成され、画素電極ＰＩＸは該保護膜ＰＳＶの上面に形成されていることにある。
【００６６】
このため、該画素電極ＰＩＸは、前記絶縁膜ＧＩ上に形成される薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と該保護膜ＰＳＶに形成されたコンタクト孔ＣＨ２を通して電気的に接続されている。
【００６７】
このように構成された液晶表示装置は、図１の場合と同様、その画素領域において保護膜ＰＳＶの表面に画素電極ＰＩＸによる凹凸が形成されるようになり、この凹凸によって反射膜である対向電極からの反射光を錯乱させることができる。
【００６８】
実施例３．
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図５と対応した図となっている。また、図８は図７のVIII−VIII線における断面図（透明基板ＳＵＢ２側の構成は図示していない）である。
【００６９】
図５の場合と異なる構成は、絶縁膜ＧＩの上面に反射膜である対向電極ＣＴが形成され、対向電極ＣＴの上面に保護膜ＰＳＶが形成されていることにある。
【００７０】
このため、該対向電極ＣＴは、前記絶縁膜ＧＩ下に形成される対向電圧信号線ＣＬと該保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜ＧＩを貫通して形成されたコンタクト孔ＣＨ３、該保護膜ＰＳＶに形成されたコンタクト孔ＣＨ３’を通して電気的に接続されている。
【００７１】
このように構成された液晶表示装置も、その画素領域において保護膜ＰＳＶの表面に画素電極ＰＩＸによる凹凸が形成されるようになり、この凹凸によって反射膜である対向電極からの反射光を錯乱させることができる。
【００７２】
実施例４．
図９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１と対応した図となっている。また、図１０は図９のX−X線における断面図(透明基板ＳＵＢ２側の構成は図示していない)である。
【００７３】
図１の場合と異なる構成は、まず、保護膜ＰＳＶがたとえばＳｉＮ等の無機材からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂等の有機材からなる保護膜ＰＳＶ２との順次積層体で構成されていることにある。このような保護膜ＰＳＶはそれ自体の誘電率を小さくでき、たとえば画素電極ＰＩＸと対向電極ＣＴとの間に生じる電界による残像の発生を抑制することができる。
【００７４】
また、対向電極ＣＴの一部は、ドレイン信号線に重畳させることで開口率の向上を図ることができる。
【００７５】
そして、保護膜ＰＳＶ（正確には保護膜ＰＳＶ２）の上面に形成された電極はたとえばＩＴＯ膜等からなる対向電極ＣＴとなっており、保護膜ＰＳＶ２およびＰＳＶ１、絶縁膜ＧＩを貫通して形成したコンタクト孔ＣＨ４を通して対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。
【００７６】
なお、この実施例では、対向電極ＣＴをたとえば図中ｙ方向へ直線的に延在する帯状の電極を図中ｘ方向に並設させ、その下側の一端を共通接続させたパターンとして構成し、該共通接続された部分で前記コンタクト孔ＣＨ４を通して対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続させている。
【００７７】
このため、該対向電圧信号線ＣＬはゲート信号線ＧＬに近接して隣接するように形成している。
【００７８】
画素電極ＰＩＸは、前記対向電圧信号線ＣＬの形成領域を回避して該対向電圧信号線ＣＬと同層に形成され、保護膜ＰＳＶ２およびＰＳＶ１、絶縁膜ＧＩを貫通して形成されたコンタクト孔ＣＨ５、保護膜ＰＳＶ２およびＰＳＶ１を貫通して形成されたコンタクト孔ＣＨ５’を通して該絶縁膜ＧＩ上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と電気的な接続が図れている。
【００７９】
このようにした場合にも、その画素領域において保護膜ＰＳＶの表面に対向電極ＣＴによる凹凸が形成されるようになり、この凹凸によって反射膜である画素電極ＰＩＸからの反射光を錯乱させることができる。
【００８０】
実施例５．
図１１は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図９と対応した図となっている。また、図１２は図１１のXII−XII線における断面図である。
【００８１】
図９の場合と異なる構成は、反射膜である画素電極ＰＩＸは絶縁膜ＧＩ上に形成されていることにある。
【００８２】
この場合、絶縁膜ＧＩの上面には薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２が形成されていることから、それらを重畳させて形成されることによって電気的接続が図れ、コンタクト孔を通すことなく行うことができる。
【００８３】
実施例６．
図１３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１１と対応した図となっている。また、図１４は図１３のXIV−XIV線における断面図である。
【００８４】
図１３の場合と異なる構成は、反射膜である画素電極ＰＩＸは無機材からなる保護膜ＰＳＶ１上に形成されていることにある。
【００８５】
この場合、該画素電極ＰＩＸは前記保護膜ＰＳＶ１に形成したコンタクト孔ＣＨ６を通して絶縁膜ＧＩの上面の薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２に電気的接続がなされるようになっている。
【００８６】
実施例７．
上述した各実施例は、そのいずれにおいても、画素領域の全域にわたって外来光を反射させる反射膜が形成されたものである。
【００８７】
しかし、たとえば画素領域の約半分の領域において反射膜を形成し、他の残りの約半分の領域において該反射膜と電気的に接続された透光性の材料膜（たとえばＩＴＯ膜）を形成し、これらを画素電極あるいは対向電極として形成するようにしてもよい。必要な際には透過型あるいは反射型として用いられるいわゆる一部反射型の液晶表示装置を得ることができる。
【００８８】
この場合、他方の電極（対向電極あるいは画素電極）は上述した各実施例のようなパターンとし、これにより前記反射膜からの反射光を充分に散乱させることができる。
【００８９】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、特別な構成を施すことなく反射型として信頼性の優れたものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体等価回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X線における断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線における断面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV線における断面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＧＩ…絶縁膜、ＡＳ…半導体層、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＰＳＶ…保護膜、ＰＳＶ１…無機材からなる保護膜、ＰＳＶ２…有機材からなる保護膜、ＰＩＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極。
【図１】
0005165169.tif 000002
【図２】
0005165169.tif 000003
【図３】
0005165169.tif 000004
【図４】
0005165169.tif 000005
【図５】
0005165169.tif 000006
【図６】
0005165169.tif 000007
【図７】
0005165169.tif 000008
【図８】
0005165169.tif 000009
【図９】
0005165169.tif 000010
【図１０】
0005165169.tif 000011
【図１１】
0005165169.tif 000012
【図１２】
0005165169.tif 000013
【図１３】
0005165169.tif 000014
【図１４】
0005165169.tif 000015