(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記基板上の前記画素領域の外側に、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路と、
前記基板の１辺に沿って配列された複数の端子と、
該複数の端子のうち一の端子と前記周辺回路とを電気的に接続し、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とを有する引回配線と
を備え、
前記引回配線の高抵抗部分は、前記一の端子と重なる領域において、少なくとも前記一の端子の第１辺に沿って延在する第１部分と、当該第１部分から前記一の端子の第１辺と交差する第２辺に沿って延在する第２部分と、当該第２部分から前記第１部分に沿って延在する第３部分とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一の端子と前記引回配線の高抵抗部分との間に中継層と、
前記一の端子と前記中継層とを電気的に接続する第１コンタクトホールと、
前記中継層と前記引回配線の高抵抗部分とを電気的に接続する第２コンタクトホールとを備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記一の端子と重なる領域に、前記引回配線の高抵抗部分と同一層に形成されたダミー膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記一の端子は、外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子として設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記一の端子は、当該電気光学装置の良否を検査するための検査信号が入力又は出力される検査用端子として設けられており、
前記引回配線の高抵抗部分は、前記基板をマザー基板から分断する前の状態において前記基板と隣り合う他の基板上に延在し、当該他の基板上に設けられた検査用端子と重なることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上の画素領域に複数の画素部が形成されると共に、画素領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の画素部を駆動するための駆動回路、当該電気光学装置の検査に用いられる検査回路等の周辺回路が作り込まれる。更に、周辺領域には、周辺回路に外部から各種信号を供給する或いは周辺回路からの出力信号を外部へ出力するための端子が設けられる（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このような端子を有する電気光学装置では、電気光学装置の組み立て時、検査時或いは運搬時などに電気光学装置の周辺で静電気が発生し、これが上述した端子を介して周辺回路に印加されると、周辺回路が劣化又は破壊されてしまう（即ち、静電破壊されてしまう）おそれがある。そこで、例えば特許文献１に開示されているように、このような端子と周辺回路とを互いに電気的に接続する配線には、周辺回路の静電破壊を防止するために抵抗素子が形成されることが多い。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−７９５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような抵抗素子は、例えば、配線の一部を、例えば導電性のポリシリコン等の比較的高抵抗な材料から構成すると共に該一部を周辺領域における端子と周辺回路との間で引き回すことで形成される。この場合、抵抗素子を形成する（即ち、抵抗素子となる、配線の一部を引き回す）ためだけの基板上の面積が比較的大きくなってしまい、電気光学装置を小型化することが困難になるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、静電破壊を防止しつつ、小型化に適する電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の外側に、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路と、前記基板の１辺に沿って配列された複数の端子と、該複数の端子のうち一の端子と前記周辺回路とを電気的に接続し、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とを有する引回配線とを備え、前記引回配線の高抵抗部分は、前記一の端子と重なる領域において、少なくとも前記一の端子の第１辺に沿って延在する第１部分と、当該第１部分から前記一の端子の第１辺と交差する第２辺に沿って延在する第２部分と、当該第２部分から前記第１部分に沿って延在する第３部分とを有する。
また、前記一の端子と前記引回配線の高抵抗部分との間に中継層と、前記一の端子と前記中継層とを電気的に接続する第１コンタクトホールと、前記中継層と前記引回配線の高抵抗部分とを電気的に接続する第２コンタクトホールとを備える。
また、前記一の端子と重なる領域に、前記引回配線の高抵抗部分と同一層に形成されたダミー膜を備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上の画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）には複数の画素部が、例えば、縦横に相互に間隔を隔ててマトリクス状に配列される。基板上の周辺領域には、例えば選択回路（或いはデマルチプレクサ）、走査線駆動回路、検査回路等の周辺回路が配置される。更に、基板上の周辺領域には、例えば外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子、当該電気光学装置の良否を検査するための検査信号が入力又は出力される検査用端子等の端子が、例えば、基板の縁に沿って複数配列される。例えば複数の外部回路接続端子である、端子には、電気光学装置の駆動時に、例えば外部回路から、画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等を含む各種信号が供給されると共に、各種信号が端子に電気的に接続される引回配線を介して周辺回路に供給される。そして、各種信号の供給に応じて、周辺回路によって、例えば走査線やデータ線を介して画素部が駆動され、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリクス駆動方式で行われる。
【０００９】
本発明では、引回配線は、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とを有する。即ち、引回配線は、例えばＡｌ（アルミニウム）等を含んで形成される低抵抗部分と、例えば導電性のポリシリコン等を含んで形成されることで低抵抗部よりも高抵抗とされた高抵抗部分とから構成される。言い換えれば、引回配線の低抵抗部分に対して、高抵抗部分によって、抵抗が付加される。よって、例えば端子を介して引回配線に供給された信号は、引回配線の途中に設けられた高抵抗部分を介して周辺回路に供給されることになる。従って、電気光学装置の組み立て時、検査時或いは運搬時などに、電気光学装置の周辺で静電気が発生し、引回配線に印加された場合であっても、高抵抗部分によって、引回配線と電気的に接続された周辺回路（より具体的には、周辺回路に含まれる薄膜トランジスタ）に過剰な電圧が印加されてしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、引回配線に印加された静電気によって周辺回路が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できる。言い換えれば、引回配線の高抵抗部分が、周辺回路を静電気から保護する静電気保護抵抗として機能することにより、電気光学装置の静電気耐圧を向上させることができる。
【００１０】
本発明では特に、引回配線が有する高抵抗部分の少なくとも一部は、端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に周辺領域のうち端子が形成された領域内で引き回される。典型的には、高抵抗部分の少なくとも一部は、基板上の積層構造において、層間絶縁膜を介して端子より下層側に配置され、該層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して端子と電気的に接続される。更に、高抵抗部分の少なくとも一部は、端子が形成された領域内で引き回される。即ち、高抵抗部分の少なくとも一部は、基板上で平面的に見て、端子と重なるように引き回される。つまり、高抵抗部分の少なくとも一部は、高抵抗部分の有する抵抗値が、所定の抵抗値に近づくように（典型的には、当該少なくとも一部の有する抵抗値が大きくなるように）、端子が形成された領域内で引き回される。よって、高抵抗部分を、所定の抵抗値を有するようにするために、基板上の周辺領域のうち端子が形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。従って、基板上の周辺領域を画素領域に対して狭めることが可能となり、画素領域を狭めることなく基板のサイズを小さく（言い換えれば、シュリンク）することが可能となる。この結果、当該電気光学装置を小型化することが可能となる。
【００１１】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、周辺回路が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できると共に、当該電気光学装置を小型化することができる。そして特に、このような構成とすれば、複数の基板を含むマザー基板上に複数の電気光学装置を形成した後に切断して個々の電気光学装置にするという汎用的な製造工程において、同一面積内により多くの電気光学装置を形成することが可能となる。同一マザー基板上に当該電気光学装置を数枚や十数枚或いは数十枚配列して製造する場合、例えば基板のサイズをコンマ数ｍｍや数ｍｍ程度に僅かに小さくできるだけでも、同一マザー基板上に一列や複数列だけ多く、或いは一行や複数行だけ多く、当該電気光学装置を形成することも可能となり得る。よって、このように基板のサイズを僅かに小さくできるだけでも、実用上は、極めて有益であり、その効果は絶大であると言える。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記一の端子は、外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子として設けられる。
【００１３】
この態様によれば、外部回路接続端子と電気的に接続された周辺回路が静電破壊されてしまうことを防止できると共に、外部回路接続端子と電気的に接続された引回配線の高抵抗部分を、基板上の周辺領域のうち外部回路接続端子が形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一の端子は、当該電気光学装置の良否を検査するための検査信号が入力又は出力される検査用端子として設けられており、前記引回配線の高抵抗部分は、前記基板をマザー基板から分断する前の状態において前記基板と隣り合う他の基板上に延在し、当該他の基板上に設けられた検査用端子と重なる。
【００１５】
この態様によれば、検査用端子と電気的に接続された周辺回路が静電破壊されてしまうことを防止できると共に、検査用端子と電気的に接続された引回配線の高抵抗部分を、基板上の周辺領域のうち検査用端子が形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。
【００１６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００１７】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、小型化することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００１８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１０を参照して説明する。
【００２０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、対向基板側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０を対向配置した状態で、平面的に見て（即ち、図１において）ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺が、対応する対向基板２０の一辺から張り出す或いは露出するように、対向基板２０と比較して大きい平面サイズで形成されている。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間において、シール材５２によって囲まれた画像表示領域１０ａに液晶層５０が封入される。
【００２３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２４】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００２５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、画像信号が供給される画像信号端子などを含む外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の、対向基板２０から張り出した一辺に沿って設けられている。即ち、図１中でＴＦＴアレイ基板１０の下縁に沿って横に長手状に延びる張出領域に、複数の外部回路接続端子１０２が配列されている。
【００２６】
この一辺（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０における複数の外部回路接続端子１０２が配列された一辺）に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、デマルチプレクサ７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、検査回路１６０は、この一辺に対向する辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。加えて、検査回路１６０と電気的に接続された検査用端子１０３が、走査線駆動回路１０４が配置されたＴＦＴアレイ基板１０の２辺の両方に沿って、該２辺の各々に沿ったシール領域５２ａよりも外側に設けられている。即ち、図１中でＴＦＴアレイ基板１０の右縁及び左縁の各々に沿って縦に伸びる帯状領域に、複数の検査用端子１０３が配列されている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０、及び検査用端子１０３と、検査回路１６０、走査線駆動回路１０４等とを電気的に接続するための引回配線９１が形成されている。
【００２８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２９】
尚、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００３０】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【００３１】
図３において、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４及び検査回路１６０を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０上の外部回路接続端子１０２のうち画像信号端子１０２ｖに外部回路としての画像信号供給回路４００が電気的に接続されている。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａには、１０８８行の走査線１１ａが行方向（即ち、Ｘ方向）に延在するように設けられ、また、８本毎にグループ化された１９８４（＝２４８×８）列のデータ線６ａが、列方向（即ち、Ｙ方向）に延在するように、且つ、各走査線１１ａと互いに電気的な絶縁を保つように、設けられている。尚、走査線１１ａ及びデータ線６ａの本数はそれぞれ１０８８本及び１９８４本に限定されるものではない。１グループを構成するデータ線数は、本実施形態では「８」としたが、「２」以上であればよい。
【００３３】
画素部６００は、１０８８本の走査線１１ａと１９８４本のデータ線６ａとの交差に対応して、それぞれ配列されている。従って、本実施形態では、画素部６００は、縦１０８８行×横１９８４列で、所定の画素ピッチでマトリクス状に配列することになる。
【００３４】
図４に示すように、画素部６００は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。
【００３５】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線１１ａに電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。
【００３６】
液晶素子７２は、画素電極９ａ、対向電極２１並びに画素電極９ａ及び対向電極２１間に狭持された液晶から構成されている。液晶素子７２において、データ線６ａ及び画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３７】
蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
【００３８】
以上のような画素部６００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。
【００３９】
再び図３において、本実施形態では、１グループを構成する８列のデータ線６ａを区別するために、右から順にそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ系列と呼ぶ場合がある。詳細には、ａ系列とは１、９、１７、・・・、１９７７列目のデータ線６ａであり、ｂ系列とは２、１０、１８、・・・、１９７８列目のデータ線６ａであり、ｃ系列とは３、１１、１９、・・・、１９７９列目のデータ線６ａであり、ｄ系列とは４、１２、２０、・・・、１９８０列目のデータ線６ａであり、ｅ系列とは５、１３、２１、・・・、１９８１列目のデータ線６ａであり、ｆ系列とは６、１４、２２、・・・、１９８２列目のデータ線６ａであり、ｇ系列とは７、１５、２３、・・・、１９８３列目のデータ線６ａであり、ｈ系列とは８、１６、２４、・・・、１９８４列目のデータ線６ａである。
【００４０】
走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタを有しており、１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａに、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・、Ｇ１０８８を供給する。詳細には、走査線駆動回路１０４は、１フレームの期間にわたって１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａを順番に選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧に相当するＬレベルとする。
【００４１】
画像信号供給回路４００は、ＴＦＴアレイ基板１０とは別体構成であり、表示動作の際には、画像信号端子１０２ｖを介してＴＦＴアレイ基板１０と接続される。画像信号供給回路４００は、走査線駆動回路１０４によって選択された走査線１１ａと、各グループに属する８列のデータ線６ａのうち、デマルチプレクサ７によって選ばれるデータ線６ａとに対応する画素電極９ａに対し、当該画素電極９ａが含まれる画素の階調に応じた電圧の画像信号を出力する。画像信号供給回路４００から画像信号端子１０２ｖに供給された画像信号は、引回配線９０（図１参照）に含まれる画像信号線３００を介してデマルチプレクサ７へ供給される。本実施形態では、画像信号線３００は、後に詳述するように、低抵抗部３１０と、低抵抗部３１０よりも高抵抗である高抵抗部３２０とを有しており、デマルチプレクサ７が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００４２】
一方、検査時においては、画像信号端子１０２ｖには、画像信号供給回路４００の代わりに、検査用画像信号供給回路が接続されて、検査動作に合わせた検査用の画像信号が供給される。
【００４３】
尚、本実施形態では、上述したように、データ線６ａの列数は「１９８４」であり、これらが８列毎にグループ化されているので、画像信号端子１０２ｖの個数は「２４８」である。
【００４４】
デマルチプレクサ７は、データ線６ａ毎に設けられたＴＦＴ７１を含んで構成されている。ここで、ＴＦＴ７１はｎチャネル型であり、各ドレインはデータ線６ａの一端に接続されている。同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のＴＦＴ７１のソースは、当該グループに対応する画像信号線３００と共通接続されている。
【００４５】
即ち、ｍ番目（但し、ｍは１以上２４８以下の整数）のグループは、ａ系列の（８ｍ−７）列目、ｂ系列の（８ｍ−６）列目、ｃ系列の（８ｍ−５）列目、ｄ系列の（８ｍ−４）列目、ｅ系列の（８ｍ−３）列目、ｆ系列の（８ｍ−２）列目、ｇ系列の（８ｍ−１）列目及びｈ系列の（８ｍ）列目のデータ線６ａから構成されるので、これら８列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のソースは共通接続されて、画像信号ＶＩＤ（ｍ）が供給される。（８ｍ−７）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のゲートには、制御信号線７００を介して制御信号Ｓｅｌ１が供給され、同様に（８ｍ−６）列目、（８ｍ−５）列目、（８ｍ−４）列目、（８ｍ−３）列目、（８ｍ−２）列目、（８ｍ−１）列目及び（８ｍ）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のゲートには、引回配線９０（図１参照）に含まれる制御信号線７００を介して制御信号Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３、Ｓｅｌ４、Ｓｅｌ５、Ｓｅｌ６、Ｓｅｌ７及びＳｅｌ８が供給される。制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、・・・、Ｓｅｌ８は、図示しない外部回路としてのタイミング制御回路から外部回路接続端子１０２のうち制御信号端子１０２ｓを介して制御信号線７００に供給される。本実施形態では、制御信号線７００は、後に詳述するように、画像信号線３００と概ね同様に、低抵抗部７１０と、低抵抗部７１０よりも高抵抗である高抵抗部７２０とを有しており、デマルチプレクサ７が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００４６】
図３において、検査回路１６０は、制御回路１６２、及びデータ線６ａ毎に設けられたＴＦＴ１６４を含んで構成されている。
【００４７】
制御回路１６２は、シフトレジスタを含んで構成されている。制御回路１６２には、検査時において、転送開始パルスＤＸ、クロック信号ＣＬＸ、反転クロック信号ＣＬＸＢ、転送方向制御信号ＤＩＲＸ、電源電位ＶＤＤが、外部に設けられた検査制御回路（図示省略）から検査用端子１０３（図１参照）のうち検査用端子１０３ｉ、及び引回配線９１（図１参照）に含まれる検査用信号線８１０を介して供給される。制御回路１６２は、検査時において、転送開始パルスＤＸを、転送方向制御信号ＤＩＲＸ並びにクロック信号ＣＬＸ及び反転クロック信号ＣＬＸＢに従って順次シフトして、転送パルスＸ１、Ｘ２、・・・、Ｘ２４８を後述するＴＦＴ１６４の各グループに対応して出力する。本実施形態では、検査用信号線８１０は、後に詳述するように、低抵抗部８１１と、低抵抗部８１１よりも高抵抗である高抵抗部８１２とを有しており、検査回路１６０（より具体的には、制御回路１６２に含まれるＴＦＴ）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００４８】
ＴＦＴ１６４は、ｎチャネル型のＴＦＴであり、各ソースは、データ線６ａの他端（即ち、データ線６ａにおけるデマルチプレクサ７が接続された一端とは反対側である他端）に接続されている。同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のＴＦＴ１６４のゲートは共通接続されており、制御回路１６２から当該グループに対応する転送パルスＸｍが供給される。
【００４９】
即ち、ｍ番目のグループを構成する（８ｍ−７）列目、（８ｍ−６）列目、（８ｍ−５）列目、（８ｍ−４）列目、（８ｍ−３）列目、（８ｍ−２）列目、（８ｍ−１）列目及び（８ｍ）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のゲートには、制御回路１６２による転送パルスＸｍが共通に供給される。
【００５０】
１番目から２４８番目までのグループにおいてａ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のドレインは、グループを構成するデータ線６ａの数と同じ本数である８本の検査用信号線８２０のうち、検査信号Ｃｘ１として読み出す検査用信号線８２０に共通接続されている。同様に、各グループにおいて、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のドレインは、８本の検査用信号線８２０のうち、検査信号Ｃｘ２、Ｃｘ３、Ｃｘ４、Ｃｘ５、Ｃｘ６、Ｃｘ７及びＣｘ８として読み出す検査用信号線８２０に共通接続されている。検査用信号線８２０は、引回配線９１（図１参照）に含まれ、検査用端子１０３（図１参照）のうち検査用端子１０３ｏに電気的に接続されている。本実施形態では、検査用信号線８２０は、後に詳述するように、検査用信号線８１０と概ね同様に、低抵抗部８２１と、低抵抗部８２１よりも高抵抗である高抵抗部８２２とを有しており、検査回路１６０（より具体的には、ＴＦＴ１６４）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００５１】
上述した検査回路１６０によって、検査時には、例えば、データ線６ａのグループ毎に制御回路１６２から転送パルスＸ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２０を出力して、各グループに対応するＴＦＴ１６４をオン状態とすることで、予め所定電圧の検査用の画像信号が供給されたデータ線６ａの電位を、８本の検査用信号線８２０に出力する。そして、８本の検査用信号線８２０に電気的に接続された外部の判定手段によって８本の検査用信号線８２０が所定の電位であるか否かを判定することで、デマルチプレクサ７や各データ線６ａの良否を判定する検査が行われる。尚、このような検査は、後に説明するが、マザー基板上にＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成された状態で（即ち、マザー基板が液晶装置１００毎に分断される前に）行われる。
【００５２】
検査用端子１０３（図１参照）のうち検査用端子１０３ｙは、検査時において、走査線駆動回路１０４から出力される検査用の出力信号を、検査信号ＹＥＰとして読み出すための検査用端子であり、引回配線９１（図１参照）に含まれる検査用信号線８３０を介して走査線駆動回路１０４（より具体的には、走査線駆動回路１０４の有するシフトレジスタの最終段の出力線）と電気的に接続されている。検査時において、検査用端子１０３ｙをプローブすることで、走査線駆動回路１０４を検査することができる。本実施形態では、検査用信号線８３０は、後に詳述するように、低抵抗部８３１と、低抵抗部８３１よりも高抵抗である高抵抗部８３２とを有しており、走査線駆動回路１０４（より具体的には、走査線駆動回路１０４に含まれるＴＦＴ）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００５３】
尚、検査用端子１０３（図１参照）のうち検査用端子１０３ｎｃは、未使用端子である。検査用端子１０３ｎｃは、検査用端子１０３ｉと同様に、検査用信号線８１０を介して制御回路１６２と電気的に接続されている。
【００５４】
ここで、上述のように構成された液晶装置の動作について、図３を参照して説明する。
【００５５】
走査線駆動回路１０４は、ある１フレーム（第ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ１０８８を１水平期間毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。
【００５６】
ここで、１水平期間では、タイミング制御回路から供給される制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、・・・、Ｓｅｌ８は、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせて画像信号供給回路４００は、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を供給する。
【００５７】
詳細には、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ１がＨレベルとなったとき、ｉ行目の走査線１１ａとａ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧だけ対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ１だけがＨレベルであるので、ａ系列のデータ線６ａが選択される（即ち、ａ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１だけがオンする）結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれａ系列（１、９、１７、・・・、１９７７列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｉがＨレベルであると、ｉ行目に位置する画素のすべてにおいて、画素スイッチング用ＴＦＴ３０がオン（導通）状態となるので、ａ系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｉ行１列、ｉ行９列、ｉ行１７列、・・・、ｉ行１９７７列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００５８】
次に、画像信号供給回路４００は、制御信号Ｓｅｌ２がＨレベルとなったとき、今度はｉ行目の走査線１１ａとｂ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ２だけがＨレベルであるため、ｂ系列のデータ線６ａが選択される結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｂ系列（２、１０、１８、・・・、１９７８列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行２列、ｉ行１０列、ｉ行１８列、・・・、ｉ行１９７８列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００５９】
同様に、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ３がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｃ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ４がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｄ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ５がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｅ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ６がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｆ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ７がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｇ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ８がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｈ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、それぞれ１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。これにより、ｉ行目の各画素の階調に応じた画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８が、ｃ系列（３、１１、１９、・・・、１９７９列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行３列、ｉ行１１列、ｉ行１９列、・・・、ｉ行１９７９列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｄ系列（４、１２、２０、・・・、１９８０列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｅ系列（５、１３、２１、・・・、１９８１列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｆ系列（６、１４、２２、・・・、１９８２列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｇ系列（７、１５、２３、・・・、１９８３列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｈ系列（８、１６、２４、・・・、１９８４列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加される。
【００６０】
これにより、ｉ行目の画素に対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極９ａに印加された電圧は、走査信号ＧｉがＬレベルになっても、液晶容量によって次の第（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。
【００６１】
次に、本実施形態に係る液晶装置における、外部回路接続端子と電気的に接続された引回配線の具体的な構成について、図３に加えて、図５及び図６を参照して説明する。尚、ここでは、外部回路接続端子１０２のうち画像信号端子１０２ｖと電気的に接続された、引回配線９０に含まれる画像信号線３００について主に説明する。引回配線９０に含まれる他の配線（例えば上述した制御信号線７００など）も、画像信号線３００と概ね同様に構成されている。
【００６２】
ここに図５は、画像信号線のレイアウトを示す平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’断面図である。尚、図５では、画像信号線のレイアウトのうち、本発明の特徴的な構成である、高抵抗部のレイアウトを特に拡大して示している。
【００６３】
図３及び図５に示すように、本実施形態では、複数の画像信号線３００は、低抵抗部３１０及び高抵抗部３２０をそれぞれ有している。尚、低抵抗部３１０は、本発明に係る「低抵抗部分」の一例であり、高抵抗部３２０は、本発明に係る「高抵抗部分」の一例である。
【００６４】
図３及び図５において、低抵抗部３１０は、画像信号線３００における、後述する高抵抗部３２０以外の部分として形成されている。
【００６５】
図５及び図６において、低抵抗部３１０は、アルミニウム膜からなる画像信号端子１０２ｖと同一膜から形成された配線層３１０ａと、画像信号端子１０２ｖと層間絶縁膜４２を介して下層側に形成されたアルミニウム膜からなる中継層９１０と同一膜から形成された配線層３１０ｂとからなる。配線層３１０ａと配線層３１０ｂとは、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１を介して互いに電気的に接続されている。即ち、低抵抗部３１０は、互いに電気的に接続された２つの配線層３１０ａ及び３１０ｂからなる二重配線として形成されている。低抵抗部３１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうち画像信号端子１０２ｖが形成されていない領域に形成されている。即ち、低抵抗部３１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画像信号端子１０２ｖと重ならないように設けられている。
【００６６】
尚、ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。また、「同一膜である」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。
【００６７】
画像信号端子１０２ｖは、層間絶縁膜４２上に配置されたアルミニウム膜からなり、該アルミニウム膜の上層側に配置された層間絶縁膜４３に開口された開口部１５１０から露出するように形成されている。
【００６８】
尚、制御信号端子１０２ｓ、検査用端子１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｎｃ及び１０３ｙは、画像信号端子１０２ｖと概ね同様に構成されている。即ち、制御信号端子１０２ｓ、検査用端子１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｎｃ及び１０３ｙの各々は、層間絶縁膜４２上に配置されたアルミニウム膜からなり、該アルミニウム膜の上層側に配置された層間絶縁膜４３に開口された開口部から露出するように形成されている。
【００６９】
一方、高抵抗部３２０は、中継層９１０よりも層間絶縁膜４１を介して下層側に（言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の下地絶縁膜１２上に）配置された導電性ポリシリコン膜から構成されている。高抵抗部３２０は、低抵抗部３１０と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８２（図５参照）を介して電気的に接続されている。また、高抵抗部３２０は、画像信号端子１０２ｖと、コンタクトホール８３、８４及び中継層９１０を介して電気的に接続されている。より詳細には、高抵抗部３２０は、中継層９１０と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８４を介して電気的に接続されている。更に、中継層９１０は、画像信号端子１０２ｖと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３を介して電気的に接続されている。言い換えれば、中継層９１０は、高抵抗部３２０と画像信号端子１０２ｖとを電気的に中継接続する。
【００７０】
尚、画像信号端子１０２ｖが形成された領域内の一部には、高抵抗部３２０と同一膜からなるダミー膜９２０が設けられており、ダミー膜９２０は、中継層９１０と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８５を介して電気的に接続されている。
【００７１】
よって、導電性ポリシリコン膜からなる高抵抗部３２０は、アルミニウム膜からなる二重配線とされた低抵抗部３１０よりも抵抗値が高くなっている。即ち、画像信号線３００の低抵抗部３１０に対して、高抵抗部３２０によって、抵抗が付加されている。よって、画像信号端子１０２ｖを介して画像信号線３００に供給された画像信号は、画像信号線３００の途中に設けられた高抵抗部３２０を介してデマルチプレクサ７に供給されることになる。従って、液晶装置１００の組み立て時、検査時或いは運搬時などに、液晶装置１００の周辺で静電気が発生し、画像信号線３００に印加された場合であっても、高抵抗部３２０によって、画像信号線３００と電気的に接続されたデマルチプレクサ７（より具体的には、デマルチプレクサ７に含まれるＴＦＴ７１）に過剰な電圧が印加されてしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、画像信号線３００に印加された静電気によってデマルチプレクサ７が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できる。言い換えれば、画像信号線３００の高抵抗部３２０が、デマルチプレクサ７を静電気から保護する静電気保護抵抗として機能することにより、液晶装置１００の静電気耐圧を向上させることができる。
【００７２】
図５において、本実施形態では特に、画像信号線３００が有する高抵抗部３２０の一部は、周辺領域のうち画像信号端子１０２ｖが形成された領域内で引き回されている。即ち、高抵抗部３２０のうち引回部分３２１は、周辺領域のうち画像信号端子１０２ｖが形成された領域内で引き回されている。高抵抗部３２０の引回部分３２１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画像信号端子１０２ｖと重なるように引き回されている。つまり、高抵抗部３２０の引回部分３２１は、高抵抗部３２０の有する抵抗値が、所定の抵抗値に近づくように（つまり、当該引回部分３２１の有する抵抗値が大きくなるように）、画像信号端子１０２ｖが形成された領域内で引き回されている。よって、高抵抗部３２０を、所定の抵抗値を有するようにするために、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうち画像信号端子１０２ｖが形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。即ち、高抵抗部３２０における、周辺領域のうち画像信号端子１０２ｖが形成された領域を除く領域に形成された引回部分３２２を小さくすることができる（言い換えれば、引回部分３２２のレイアウト面積を小さくすることができる）。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域を画像表示領域１０ａに対して狭めることが可能となり、画像表示領域１０ａを狭めることなくＴＦＴアレイ基板１０を小さく（言い換えれば、シュリンク）することが可能となる。この結果、当該液晶装置１００を小型化することが可能となる。
【００７３】
尚、図３を参照して上述した制御信号線７００は、上述した画像信号線３００と概ね同様に構成されている。即ち、複数の制御信号線７００は、低抵抗部７１０及び高抵抗部７２０をそれぞれ有している。低抵抗部７１０は、配線層３１０ａと同一膜から形成された配線層と、配線層３１０ｂと同一膜から形成された配線層とが、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されてなる二重配線として形成されている。一方、高抵抗部７２０は、高抵抗部３２０と同一膜から構成されている。高抵抗部７２０は、低抵抗部７１０及び制御信号端子１０２ｓと電気的に接続されている。ここで、本実施形態では特に、制御信号線７００が有する高抵抗部７２０の一部は、周辺領域のうち制御信号端子１０２ｓが形成された領域内で引き回されている。よって、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域を画像表示領域１０ａに対して狭めることが可能となり、画像表示領域１０ａを狭めることなくＴＦＴアレイ基板１０を小さくすることが可能となる。
【００７４】
次に、本実施形態に係る液晶装置における、検査用端子と電気的に接続された引回配線の具体的な構成について、図３に加えて図７から図１０を参照して説明する。尚、ここでは、検査用端子１０３のうち検査用端子１０３ｉと電気的に接続された、引回配線９１に含まれる検査用信号線８１０について主に説明する。引回配線９１に含まれる他の配線（上述した検査用信号線８２０及び８３０）も、検査用信号線８１０と概ね同様に構成されている。
【００７５】
ここで先ず、本実施形態に係る液晶装置の検査用端子の配置について、図７及び図８を参照して説明する。ここに図７は、本実施形態に係る液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。図８は、図７の点線Ａ０によって囲まれる一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【００７６】
図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、製造プロセスにおいて、マザー基板Ｓ上で一挙に複数形成される形態がとられるものとする。即ち、マザー基板Ｓの上において、液晶装置１００が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置１００においては、それぞれ、図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（画素スイッチング用ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデマルチプレクサ７、検査回路１６０等）が形成されることになるのである。
【００７７】
ちなみに、図７において示されるマザー基板Ｓは、図１及び図２に示されるＴＦＴアレイ基板１０を複数含んでなる。即ち、図７に示すマザー基板Ｓ上には、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成され、これとは別に、図７には図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜等々が形成されて、対向基板２０が複数形成され、各対向基板２０は個別に分断される。そして、マザー基板Ｓに形成されたＴＦＴアレイ基板１０の各々に、対向基板２０を個別に対向させて、一対のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０について、個別に、シール材５２によって貼り合わせて貼り合せた後、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、マザー基板Ｓを分断することによって、図１及び図２に示したような各個別の液晶装置１００が製造されることになる。
【００７８】
ここで、図７及び図８に示すように、マザー基板Ｓにおいて各ＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿って切断領域Ｃｔが設けられる。そして、マザー基板Ｓは、切断領域Ｃｔに対してダイシング或いはスクライビングが施されることにより分断される。
【００７９】
図８において、複数の検査用端子１０３（即ち、検査用端子１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｎｃ及び１０３ｙ）は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａよりも外側に、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って配列されている。検査用端子１０３は、図１を参照して上述したようにＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａの両側の各々に配置されるので、マザー基板Ｓにおいて互いに隣り合うＴＦＴアレイ基板１０の各々に形成された検査用端子１０３は、切断領域Ｃｔを挟んで互いに隣り合うことになる。
【００８０】
尚、図８中では、左側のＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａの側に配置された８個の検査用端子１０３と、右側のＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａの左側に配置された８個の検査用端子１０３とが、切断領域Ｃｔを挟んで互いに隣り合っている。
【００８１】
続いて、本実施形態に係る液晶装置の検査用信号線８１０の具体的な構成について、図３に加えて図９及び図１０を参照して説明する。ここに図９は、図８の点線Ａ１で囲む一部の構成を示す部分拡大平面図であり、図１０は、図９のＢ−Ｂ’断面図である。
【００８２】
図３、図９及び図１０に示すように、本実施形態では、検査用信号線８１０は、低抵抗部８１１及び高抵抗部８１２を有している。尚、図９及び図１０中では、左側のＴＦＴアレイ基板１０上の検査用端子１０３ｉに電気的に接続された高抵抗部８１２を高抵抗部８１２−１として示し、右側のＴＦＴアレイ基板１０の検査用端子１０３ｉに電気的に接続された高抵抗部８１２を高抵抗部８１２−２として示してある。
【００８３】
尚、低抵抗部８１１は、本発明に係る「低抵抗部分」の一例であり、高抵抗部８１２は、本発明に係る「高抵抗部分」の一例である。
【００８４】
図３及び図９において、低抵抗部８１１は、検査用信号線８１０における、後述する高抵抗部８１２以外の部分として形成されている。
【００８５】
図９及び図１０において、低抵抗部８１１は、アルミニウム膜からなる検査用端子１０３ｉと同一膜から形成された配線層８１１ａと、検査用端子１０３ｉと層間絶縁膜４２を介して下層側に形成されたアルミニウム膜からなる中継層９１３と同一膜から形成された配線層８１１ｂとからなる。配線層８１１ａと配線層８１１ｂとは、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１ｂを介して互いに電気的に接続されている。即ち、低抵抗部８１１は、互いに電気的に接続された２つの配線層８１１ａ及び８１１ｂからなる二重配線として形成されている。低抵抗部８１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうち検査用端子１０３ｉが形成されていない領域に形成されている。即ち、低抵抗部８１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、検査用端子１０３ｉと重ならないように設けられている。
【００８６】
検査用端子１０３ｉは、層間絶縁膜４２上に配置されたアルミニウム膜からなり、該アルミニウム膜の上層側に配置された層間絶縁膜４３に開口された開口部１５３０から露出するように形成されている。
【００８７】
一方、高抵抗部８１２（即ち、高抵抗部８１２−１及び８１２−２）は、中継層９１３よりも層間絶縁膜４１を介して下層側に（言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の下地絶縁膜１２上に）配置された導電性ポリシリコン膜から構成されている。高抵抗部８１２は、低抵抗部８１１と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８２ｂ（図９参照）を介して電気的に接続されている。また、高抵抗部８１２は、検査用端子１０３ｉと、コンタクトホール８３ｂ、８４ｂ及び中継層９１３を介して電気的に接続されている。より詳細には、高抵抗部８１２は、中継層９１３と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８４ｂを介して電気的に接続されている。更に、中継層９１３は、検査用端子１０３ｉと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３ｂを介して電気的に接続されている。言い換えれば、中継層９１３は、高抵抗部８１２と検査用端子１０３ｉとを電気的に中継接続する。
【００８８】
尚、検査用端子１０３ｉが形成された領域内の一部には、高抵抗部８１２と同一膜からなるダミー膜９２３が設けられており、ダミー膜９２３は、中継層９１３と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８５ｂを介して電気的に接続されている。
【００８９】
よって、導電性ポリシリコン膜からなる高抵抗部８１２は、アルミニウム膜からなる二重配線とされた低抵抗部８１１よりも抵抗値が高くなっている。即ち、検査用信号線８１０の低抵抗部８１１に対して、高抵抗部８１２によって、抵抗が付加されている。従って、例えば、マザー基板Ｓに形成された複数の液晶装置１００に対して検査を行う際などに、液晶装置１００の周辺で静電気が発生し、検査用信号線８１０に印加された場合であっても、高抵抗部８１２によって、検査用信号線８１０と電気的に接続された検査回路１６０（より具体的には、制御回路１６２に含まれるＴＦＴ）に過剰な電圧が印加されてしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、検査用信号線８１０に印加された静電気によって検査回路１６０が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できる。
【００９０】
ここで、図９に示すように、本実施形態では、検査用信号線８１０は、その一部が切断領域Ｃｔに形成されており、マザー基板ＳがＴＦＴアレイ基板１０毎に分断される際に、その途中で切断される。よって、マザー基板Ｓが分断されることで個別の液晶装置１００が製造された後において検査用端子１０３ｉに印加された静電気が、検査用信号線８１０を介して検査回路１６０に印加されることを防止できる。
【００９１】
図９において、本実施形態では特に、検査用信号線８１０が有する高抵抗部８１２の一部は、周辺領域のうち検査用端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されている。より詳細には、図９中、左側のＴＦＴアレイ基板１０上の検査用端子１０３ｉに電気的に接続された検査用信号線８１０に着目すれば、検査用信号線８１０が有する高抵抗部８１２−１の一部は、当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査用端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されると共に、高抵抗部８１２−１の他の一部は、右側のＴＦＴアレイ基板１０上の検査用端子１０３ｉ（言い換えれば、当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続されない検査用端子１０３ｉ、つまり、高抵抗部８１２−２が電気的に接続される検査用端子１０３）が形成された領域内で引き回されている。即ち、高抵抗部８１２−１は、その一部８１２−１ａが当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査用端子１０３ｉと重なるように形成されると共に、その他の一部８１２−１ｂが当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査用端子１０３ｉが形成されたＴＦＴアレイ基板１０とマザー基板Ｓ上で互いに隣り合うＴＦＴアレイ基板１０上に形成された検査用端子１０３ｉと重なるように形成される。言い換えれば、高抵抗部８１２−１は、マザー基板Ｓ上で互いに隣り合うＴＦＴアレイ基板１０に夫々形成されると共に切断領域Ｃｔを介して互いに隣り合う２つの検査用端子１０３ｉと夫々重なって引き回される部分を有している。つまり、高抵抗部８２０−１は、高抵抗部８２０−１の有する抵抗値が、所定の抵抗値に近づくように、その一部８１２−１ａ及びその他の一部８１２−１ｂが検査用端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されている。よって、高抵抗部８２０−１を、所定の抵抗値を有するようにするために、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうち検査用端子１０３ｉが形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域を画像表示領域１０ａに対して狭めることが可能となり、画像表示領域１０ａを狭めることなくＴＦＴアレイ基板１０を小さく（言い換えれば、シュリンク）することが可能となる。この結果、当該液晶装置１００を小型化することが可能となる。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４及び検査回路１６０が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できると共に、当該液晶装置１００を小型化することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００９３】
図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９４】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９５】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９６】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９７】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９８】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の画像信号線のレイアウトを示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】第１実施形態に係る液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。
【図８】図７の点線Ａ０によって囲まれる一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【図９】図８の点線Ａ１で囲む一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
６ａ…データ線、７…デマルチプレクサ、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…画素スイッチング用ＴＦＴ、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５３…額縁遮光膜、９０、９１…引回配線、１０２…外部回路接続端子、１０２ｖ…画像信号端子、１０３、１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｙ、１０３ｎｃ…検査用端子、１０４…走査線駆動回路、１６０…検査回路、３００…画像信号線、３１０…低抵抗部、３２０…高抵抗部、４００…画像信号供給回路、６００…画素部、８１０、８２０、８３０…検査用信号線、８１１…低抵抗部、８１２…高抵抗部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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