(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の半導体パッケージを積層してなる積層型半導体パッケージにおいて、隣接する前記半導体パッケージの電源配線同士および接地配線同士を接続導体によって接続するとともに、電源配線接続用と接地配線接続用の前記接続導体を交互に並べて複数配設しており、該接続導体は短冊形状であり、該短冊形状の接続導体の長辺が上下に位置するように配置し、上下互いに対向するそれぞれの前記長辺を隣接する前記半導体パッケージの電源配線同士または接地配線同士に接続するとともに電源配線接続用の前記接続導体および接地配線接続用の前記接続導体の表面が対面するように複数配設されていることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記接続導体は、金属バンプの周囲に低融点半田を溶着させて形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記接続導体は、誘電率の高い樹脂によって取り囲まれていることを特徴とする請求項１または２記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
隣接する前記半導体パッケージの層間に、前記半導体パッケージの表面と平行に２枚の金属板が対面させて配置され、該金属板は、電源配線接続用の前記接続導体および接地配線接続用の前記接続導体にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記金属板の間に誘電率の高い樹脂を配置したことを特徴とする請求項４記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の積層型半導体パッケージに、半導体素子を含む電子部品が搭載されて成る電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が搭載される半導体パッケージが少なくとも２つ以上積層されてなる積層型半導体パッケージならびにその積層型半導体パッケージを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化や高機能化に伴う高集積化に対応して、半導体素子をはじめとする電子部品が高密度に搭載された半導体パッケージに関する開発が活発に行なわれている。例えば、グリッド状にランドを持つＢＧＡ(Ball Grid Array)パッケージやＣＳＰ(Chip Scale Package)が採用されている。また更なる高密度化に対応するために、複数の半導体パッケージを上下に積み重ねて一体的に積層したＰＯＰ(Package On Package)と呼ばれる積層型半導体パッケージが使用されるようになってきている。
【０００３】
しかしながら、ＰＯＰ構造は半導体素子を実装した半導体パッケージが３次元的に接続されるので、上層に存在するパッケージに実装された半導体素子ほど、下層の半導体パッケージを介して接続されるために電源供給線路の接続点が多くなり、接続距離も長くなる。従って、電源供給経路のインダクタンスの変動が大きくなり、電源バウンスが発生して、安定した信号品質が保てなくなってしまう。
【０００４】
ここで、電源バウンスとは上記インダクタンス成分により逆起電圧が生じ、電源供給線路の電圧が変動する事である。この解決法として、図５に示すように、２段目の半導体パッケージ102ｂよりも上に存在する半導体素子105ｂへの電源供給経路をプリント基板108と半田ボール104ａ，104ｂを介して直接接続し、接続点を少なくする方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００６−２９５１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の方法は、１段目の半導体パッケージ102ａよりも２段目の半導体パッケージ102ｂのサイズが大きくなってしまい、積層型半導体パッケージ101全体の実装面積が大きくなるという問題がある。更に、積層型半導体パッケージ101は半導体素子105ａ，105ｂ間の距離が短いため、半導体素子105ａ，105ｂ間に挟まれた空間に熱が滞留し、熱の滞留が著しい場合は半導体素子105ａ，105ｂが動作不良を起こしてしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するために案出されたものであり、その目的は、実装面積を大きくする事なく、電源バウンスを減少させ、安定した信号品質を供給するパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層型半導体パッケージは、複数個の半導体パッケージを積層してなる積層型
半導体パッケージにおいて、隣接する半導体パッケージの電源配線同士および接地配線同士を接続導体によって接続するとともに、電源配線接続用と接地配線接続用の接続導体を交互に並べて複数配設しており、該接続導体は短冊形状であり、該短冊形状の接続導体の長辺が上下に位置するように配置し、上下互いに対向するそれぞれの前記長辺を隣接する前記半導体パッケージの電源配線同士または接地配線同士に接続するとともに電源配線接続用の前記接続導体および接地配線接続用の前記接続導体の表面が対面するように複数配設されていることを特徴とする。
【０００９】
また、好ましくは、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、前記接続導体は、金属バンプの周囲に低融点半田を溶着させて形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、好ましくは、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、前記接続導体は、誘電率の高い樹脂によって取り囲まれていることを特徴とする。
【００１１】
また、好ましくは、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、前記接続導体は短冊形状であり、対向する長辺によって隣接する前記半導体パッケージの電源配線同士または接地配線同士を接続するとともに電源配線接続用の前記接続導体および接地配線接続用の前記接続導体の表面が対面するように複数配設されていることを特徴とする。
【００１２】
また、好ましくは、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、隣接する前記半導体パッケージの層間に、前記半導体パッケージの表面と平行に２枚の金属板が対面させて配置され、その金属板は、電源配線接続用の前記接続導体および接地配線接続用の前記接続導体にそれぞれ接続されていることを特徴とする。
【００１３】
また、好ましくは、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、前記金属板の間に誘電率の高い樹脂を配置したことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の電子装置は、上記本発明の積層型半導体パッケージに、半導体素子を含む電子部品が搭載されて成る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の積層型半導体パッケージによれば、隣接する半導体パッケージの電源配線同士および接地配線同士を接続導体によって接続するとともに、電源配線接続用と接地配線接続用の接続導体を交互に並べて複数配設したことことから、電源配線接続用の接続導体と接地配線接続用の接続導体間に容量を持たせることができ、この容量から半導体素子への電荷供給ができるので、上段半導体素子への電荷供給経路が短くなる。これによって、電源供給経路に付随するインダクタンスによる電圧の変動、すなわち電源バウンスを小さくすることができる。
【００１７】
また、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、接続導体は、金属バンプの周囲に低融点半田を溶着させて形成されている場合、リフローを通した際に液化した低融点半田が金属バンプの周囲を取り囲み、円柱形状の接続導体が形成されるとともに、金属バンプ径と同等の高さを持つ円柱形状となることから、半導体パッケージ間の距離を一定に保ちつつ、接続導体間の容量を一定のものとすることができる。
【００１８】
また、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、接続導体は、誘電率の高い樹脂によって取り囲まれている場合、樹脂は比誘電率が空気に比べて大きいので、接続導体間に形成される容量値を大きくする事が可能となる。従って、電源バウンスを小さくすることができる。
【００１９】
また、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、接続導体は短冊形状であり、対向する長辺によって隣接する半導体パッケージの電源配線同士または接地配線同士を接続するとともに電源配線接続用の接続導体および接地配線接続用の接続導体の表面が対面するように複数配設されている場合、対面する接続導体の表面積を大きくすることができ、大きな容量を形成する事が可能となる。従って、電源バウンスをより効果的に抑制する事が出来る。
【００２０】
また、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、隣接する半導体パッケージの層間に、半導体パッケージの表面と平行に２枚の金属板が対面させて配置され、その金属板は、電源配線接続用の接続導体および接地配線接続用の接続導体にそれぞれ接続されている場合、電源配線接続用の接続導体と接続した電源用金属板と接地配線接続用の接地導体に接続した接地用金属板間に容量を形成する事が可能となる。接続導体同士の容量形成に加えて、更に金属板による容量形成が可能となるので、電源バウンスをより効果的に抑制する事が出来る。
【００２１】
また、本発明の積層型半導体パッケージにおいて、金属板の間に誘電率の高い樹脂を配置した場合、電源配線接続用の接地導体と接続した電源用金属板と接地配線接続用の接地導体に接続した接地用金属板間に形成される容量を大きくする事が出来るので、電源バウンスをより抑制する事が可能となる。
【００２２】
また、本発明の電子装置は、上記本発明の積層型パッケージに半導体素子を含む電子部品が搭載されてなることから、電子部品に供給される電源の電源バウンスが抑制されて、電子部品の作動性に優れる電子装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の積層型半導体パッケージについて以下に詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明の積層型半導体パッケージ１の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１の平面図である。また、図３は本発明の積層型半導体パッケージの実施の形態の他の例を示す平面図である。図１乃至図３において同じ部位には同じ符号を付している。図１は図２の断面Ａ−ＡＡを示している。また、図２、図３において、分かりやすくするために、特定導体部位にハッチングを付している。従って、このハッチングは断面を示すものではない。
【００２５】
図１乃至図３において、１は本発明の積層型半導体パッケージを示す。２は半導体パッケージの基板を示し、２ａは実装基板８からみて１層目の半導体パッケージの基板、２ｂは実装基板８からみて２層目の半導体パッケージの基板を示す。３は２枚の金属板を示し、３aは電源配線接続用の接続導体４aに接続されている金属板（以下、電源電位金属板ともいう）、３ｂは接地配線接続用の接続導体４ｂに接続されている金属板（以下、接地電位金属板ともいう）を示す。４は隣接する半導体パッケージ間を接続する接続導体を示し、４aは隣接する半導体パッケージの電源配線同士を接続する電源配線接続用の接続導体（以下、電源用接続導体ともいう）、４ｂは隣接する半導体パッケージの接地配線同士を接続する接地配線接続用の接続導体（以下、接地用接続導体ともいう）、４ｃは隣接する半導体パッケージの信号配線同士を接続する信号配線接続用の接続導体（以下、信号用接続導体ともいう）を示す。５は電子部品の例としての半導体素子を示す。６は接続導体４を取り囲む誘電率が高い樹脂および２枚の金属板３の間に配置された誘電率が高い樹脂を示す。
【００２６】
本発明の積層型半導体パッケージ１において、基板２aおよび基板２ｂは、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等の無機絶縁材料と半導体素子５および実装基板８間を繋ぐ為の金属配線とから主として成っている。
【００２７】
金属配線は、例えば、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の金属粉末メタライズ、あるいは銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ）またはニオブ（Ｎｂ）やそれらの合金等で形成される。この金属配線は、厚膜法や薄膜法等の金属層形成手段により上記セラミックス等の絶縁体に所定パターンに被着、形成される。
【００２８】
例えば金属配線を厚膜法で形成する場合、Ｗ粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、セラミックグリーンシートに所定のパターンで印刷塗布し、これらセラミックグリーンシートを積層して積層体とするともに焼成することによって形成することができる。
【００２９】
また、基板２aおよび基板２ｂの無機絶縁材料は、例えばセラミックグリーンシート積層法や、押し出し成形法等の基板形成手段によって形成される。
【００３０】
これらの無機絶縁材料は以下のようにして作製される。無機絶縁材料が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、まず、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化カルシウムまたは酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これをドクターブレード法等でシート状となすことによってセラミックグリーンシートを得る。そして、セラミックグリーンシートに各導体層と成る金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布して、これらを上下に積層し、最後にこの積層体を還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００３１】
また、基板２aおよび基板２ｂの無機絶縁材料は、ポリイミド，エポキシ樹脂，フッ素樹脂，ポリノルボルネンまたはベンゾシクロブテン等の有機絶縁材料、あるいはセラミック粉末等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で結合して成る複合絶縁材料等の電気的な絶縁材料から成っていてもよい。
【００３２】
例えば、複合絶縁材料からなる場合、まず酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミックスを混合した熱硬化性のエポキシ樹脂、あるいはガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させて成るガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁層の上面に、有機樹脂前駆体をスピンコート法もしくはカーテンコート法等により被着させ、これを熱硬化処理することによって絶縁層を形成する。この絶縁層と、銅層を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィ技術を採用することによって形成して成る薄膜配線導体層とを交互に積層し、約１７０℃程度の温度で加熱硬化することによって製作される。これらの積層された無機絶縁材料の厚みは、使用する材料の特性に応じて、要求される仕様に対応する機械的強度や電気的特性等の条件を満たすように設定される。
【００３３】
また、本発明の積層型半導体パッケージ１において、基板２aおよび基板２ｂの表面には、高速で動作するＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子５や半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子５が搭載される。この半導体素子５は、裏面側に信号用や電源用、接地用の端子（図示せず）が形成され、各端子が基板２aおよび基板２ｂの表面に形成されたフリップチップ用電極パッドに、錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金や錫-銀-銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃu）等の半田または金（Ａｕ）等から成るフリップチップ接続用導体バンプを介して電気的に接続されて実装される。
【００３４】
各フリップチップ用電極パッドは、基板２aおよび基板２ｂの内部に形成されている金属配線と、基板２aおよび基板２ｂの表面から内部にかけて形成されたビア導体等の貫通導体等とを介してそれぞれ所望の回路に電気的に接続され、半導体素子５の各端子が、対応する回路配線と電気的に接続される。
【００３５】
また、基板２aと基板２ｂ内に形成された貫通導体（図示せず）は、セラミックグリーンシートに貫通孔を金型やパンチングによる打ち抜き方法またはレーザ加工等の加工方法により形成しておき、Ｗ粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを貫通孔の内側側面の所定の領域に塗布し、これをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成することによって形成することができる。
【００３６】
本発明の積層型半導体パッケージ１において、信号波形を伝送する基板２aと基板２ｂ内に形成された線路導体（図示せず）は、各線路導体の配線幅および基板２aと基板２ｂ内に形成された絶縁層厚みを設定することにより、線路導体の特性インピーダンスを任意の値に設定することができる。そのため、例えば複数の線路導体により、良好な伝送特性を有する線路導体を形成することが可能となる。各線路導体の特性インピーダンスは一般的には５０Ωに設定される。なお、複数の線路導体は、それぞれ異なる電気信号を伝送するものとしてもよい。
【００３７】
本発明の積層型半導体パッケージ１は、半導体パッケージ基板２と半導体素子５とを含む複数個の半導体パッケージが積層されてなる。隣接する半導体パッケージ基板２の電源配線同士および接地配線同士は接続導体４によって接続される。この接続導体４は、隣接する半導体パッケージ基板２の層間に、電源用接続導体４aと接地用接続導体４ｂとが基板２の表面に沿って、交互に並べて複数配設される。
【００３８】
半導体素子５のスイッチング動作に必要な電荷は基板２aの場合、外部電気回路と接続される外部接続用導体バンプ７および基板２a内の金属配線を介して供給され、基板２ｂの場合、実装基板８上に形成された外部電気回路と接続される外部接続用導体バンプ７、基板２a内の金属配線、電源用接続導体４ａ、電源電位金属板３aおよび基板２ｂ内の金属配線を介して供給される。また、接地電位が外部接続用導体バンプ７、基板２ａ内の金属配線、接地用接続導体４ｂ、接地電位金属板３ｂおよび基板２ｂ内の金属配線を介して供給される。
【００３９】
そして本発明の積層型半導体パッケージ１においては、電源用接続導体４aと接地用接続導体４ｂ、電源電位金属板３aと接地電位金属板３ｂ間に形成されるデカップリング容量が半導体素子５に供給される電荷を補う役目をする。その結果、半導体素子５のスイッチング動作によって得られた信号波形は積層型半導体パッケージ１内に形成された配線を伝播し、外部接続用導体バンプ７を介して実装基板８上に形成された外部電気回路に伝送される。
【００４０】
このように、電源用接続導体４aと接地用接続導体４ｂとの間および電源電位金属板３aと接地電位金属板３ｂとの間のデカップリング容量から半導体素子５の動作に必要な電荷が供給される。このデカップリング容量は半導体素子５の近辺に配置される為、デカップリング容量から半導体素子５への電荷供給経路が短くなる。これによって、電源供給経路に付随するインダクタンスにより生じる電圧の変動、すなわち半導体素子５に供給される電源供給回路の電源バウンスは小さくなる。
【００４１】
本発明の積層型半導体パッケージ１において、積層型半導体パッケージ１を上面から透視する図２に示すように、電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂは、基板２の半導体素子５を実装する中心部および半導体素子５のスイッチング動作によって得られた信号波形を伝送する為の信号用接続導体４ｃを除く部分に配置されるのが好ましい。配置の仕方は、例えば、信号用接続導体４ｃが半導体素子５の周囲に配置され、電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂがその外周部に千鳥状の配置となるように配置されるのが好ましい。つまり、接続導体４ａ，４ｂは、図２に示すように、縦、横グリッド状の交点に複数列に配置され、第１列目４１に隣接する第２列目４２において、第１列目４１の電源用接続導体４a（右上がりのハッチングを付した接続導体）の隣には第２列目４２の接地用接続導体４ｂ（右下がりのハッチングを付した接続導体）が位置するように電源用接続導体４ａと接地用接続導体４ｂとが配置される。
【００４２】
また、半導体素子５への確実な電荷供給という観点から、電源配線接続用の接続導体４aおよび接地配線接続用の接続導体４ｂおよび信号配線接続用の接続導体４ｃがそれぞれ接触しないように密に配置されるのがよい。
【００４３】
電源接続用導体４aおよび接地用接続導体４ｂの間には、誘電率の高い樹脂６が配置されるのが好ましい。これによって、電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂの間の容量値を大きくすることができる。
【００４４】
電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂは、例えば、高融点半田バンプの外周に溶着された低融点半田バンプを溶融させて隣接する半導体パッケージの間を接続するように柱状に形成される。または、金属バンプの周囲に低融点半田を溶着させて隣接する半導体パッケージの間を接続するように柱状に形成される。ここで、低融点半田バンプは、錫の割合が63％、融点が184℃である共晶半田や、共晶半田よりも低融点の金属、例えば、亜鉛およびインジューム等を混合させて更に融点を低くした半田が好ましい。
【００４５】
また、電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂは、長方形、正方形、円筒形状であってもよい。円筒形状である場合は、導体厚みを信号が伝送する際の最大周波数成分における表皮深さ分の厚みとなるようにするのが好ましい。すなわち、円筒形状を上から見た場合、円筒形状の外周から内周に向い、表皮深さまでは導体が存在する部分とすることが好ましい。その内側は非導体であってもよい。
【００４６】
また、本発明の積層型半導体パッケージ１において、図１に示されるように、層方向に隣接する半導体パッケージ基板２の層間に、半導体パッケージ基板２の表面と平行に２枚の金属板３（電源電位金属板３ａ，接地電位金属板３ｂ）の広い面同士が対面させて配置され、その２枚の金属板３は、電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂにそれぞれ接続されており、信号用接続導体４ｃとは接続されていない構造となっている。
【００４７】
このような２枚の金属板は例えば、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の金属粉末メタライズ、あるいは銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ）またはニオブ（Ｎｂ）やそれらの合金等で形成されている。
【００４８】
金属板３は、隣接する半導体パッケージ間の電磁干渉（EMIノイズ）をシールドすることにもなる。さらに、半導体パッケージ間に滞留する熱を金属板３により熱伝導させて放散させる機能も有する。
【００４９】
また、電源電位金属板３aと接地電位金属板３ｂ間の距離は短いほど好ましい。また、２枚の金属板３の平面視における形状は、正方形、長方形の他に、菱形形状、多角形であってもよく、円形であってもよい。
【００５０】
また、上記２枚の金属板３の間または電源用接続導体４ａおよび接地用接続導体４ｂの間には、誘電率の高い樹脂が用いられるのが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂が用いられる。また、例えば、アクリル樹脂やフェノール樹脂やシリコン樹脂等の高誘電率を持つ材料を混合して得られる樹脂を配置することにより構成してもよい。
【００５１】
また、本発明の積層型半導体パッケージ１において、隣接する半導体パッケージ間を接続する接続導体４は、図３に示されるように、細長い金属板を用いた短冊形状であってもよい。この場合、短冊板状体を長辺が上下に位置するように立てて並べ、上下互いに対向するそれぞれの長辺を隣接する半導体パッケージ基板２の電源配線同士または接地配線同士に接続するとともに、板の広い表面が隣接する板の広い表面に対面するように電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂが交互に並べて複数配設される。
【００５２】
ここで、半導体素子５のスイッチング動作によって得られた信号波形を伝送する為の信号用接続導体４ｃは半導体素子５の周囲に配置されているのがよい。電源用接続導体４aおよび接地用接続導体４ｂは、その外側に配置され、半導体パッケージ基板２の辺に対して斜め４５°の角度で左または右に傾いたように並べられる。また、電源用接続導体４aと接地用接続導体４ｂとは、交互に広い表面が対面するように並べられ、また、電源用接続導体４aと接地用接続導体４ｂの厚みは信号用接続導体４ｃの直径の値と略同等の厚みを持っていることが望ましい。
【００５３】
また、本発明の積層型半導体パッケージ１に搭載される電子部品は、半導体素子５のみに限らず、チップ抵抗，薄膜抵抗，コイルインダクタ，クロスインダクタ，チップキャパシターまたは電解キャパシター等を用いた、電子回路モジュール等を構成したものでもよい。
【００５４】
また、積層型半導体パッケージ１の平面視における形状は、正方形状や長方形状の他に、菱形状，六角形状または八角形状、円形状等の形状であってもよい。
【００５５】
そして、このような本発明の積層型半導体パッケージ１は、半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや電子部品搭載用基板、多数の半導体素子５が搭載されるいわゆるマルチチップモジュールやマルチチップパッケージ、あるいはマザーボード等として使用される。
【００５６】
また、図４は本発明の実施形態による積層型半導体パッケージ１の半導体パッケージ基板２間を形成する製造工程の一部を示す図である。
【００５７】
（ａ）まず、図４（a）に示されるように、基板２aと基板２ｂの主面中央部へ半導体素子５を実装する。
【００５８】
（ｂ）次に、図４（ｂ）に示されるように、電源電位金属板３aに対して、電源配線接続用低融点半田ペースト４abを用いて電源配線接続用高融点半田ボール４aaを電源電位金属板３aの所定箇所に接続する。
【００５９】
また、接地電位金属板３bに対して、接地配線接続用低融点半田ペースト４bbを用いて接地配線接続用高融点半田ボール４baを接地電位金属板３bの所定箇所に接続する。
【００６０】
また、電源電位金属板３ａまたは接地電位金属板３ｂの半田ボール４aa，４ba，４caを接続しない位置には、半田ボール４aa，４ba，４caよりも直径の大きな貫通孔を設けておく。
【００６１】
２つの電源配線接続用高融点半田ボール４aaを電源配線接続用低融点半田ペースト４abにて接続したもの、２つの接地配線接続用高融点半田ボール４baを接地配線接続用低融点半田ペースト４bbにて接続したもの、２つの信号配線接続用高融点半田ボール４caを信号配線接続用低融点半田ペースト４cbにて接続する。そして、メタルマスクなどの半田ボールを支持するものを用いて、２つが接続された接地配線用高融点半田ボール４ba、２つが接続された信号配線用高融点半田ボール４caを電源電位金属板３aの貫通孔の内部に、また、２つが接続された電源配線用接続用高融点半田ボール４aa、２つが接続された信号配線用高融点半田ボール４caを接地電位金属板３bの貫通孔の内部にそれぞれ金属板３と接触しないように配置する。
【００６２】
（ｃ）次に、図４（ｃ）に示されるように、（a）にて作製された半導体素子５が実装された基板２aと基板２ｂに、（b）にて作製された電源電位金属板３aと接地電位金属板３bを実装する。
【００６３】
（ｄ）次に、図４（ｄ）に示されるように、（ｃ）にて作製された基板２aの上に基板２bを半導体素子５が対面するように、基板２bを反転して積層する。
【００６４】
（ｅ）最後に、図４（e）に示されるように、（ｄ）にて積層して作製した基板２aおよび基板２ｂをリフローにより接合し、その後、隣接する半導体パッケージ基板２の層間に封止樹脂６を配置する。
【００６５】
このようにして積層型半導体パッケージ１の外部接続用導体バンプ７上に実装される構造が作製される。
【００６６】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００６７】
また、上記実施の形態の説明において上下左右という用語は、単に図面上の位置関係を説明するために用いたものであり、実際の使用時における位置関係を意味するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の積層型半導体パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す積層型半導体パッケージの平面図である。
【図３】本発明の積層型半導体パッケージの実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図４】図１に示す積層型半導体パッケージの製造方法の一部を示す断面図である。
【図５】従来の積層型半導体パッケージの例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１：積層型半導体パッケージ
２a ：（半導体パッケージの）基板
２b ：（半導体パッケージの）基板
３a ：電源配線接続用の接続導体に接続されている金属板（電源電位金属板）
３b ：接地配線接続用の接続導体に接続されている金属板（接地電位金属板）
４a ：隣接する半導体パッケージの電源配線同士を接続する接続導体（電源用接続導体）
４b ：隣接する半導体パッケージの接地配線同士を接続する接続導体（接地用接続導体）
４c ：隣接する半導体パッケージの信号配線同士を接続する接続導体（信号用接続導体）
４aa：電源配線接続用高融点半田ボール
４ab：電源配線接続用低融点半田ペースト
４ba：接地配線接続用高融点半田ボール
４bb：接地配線接続用低融点半田ペースト
４ca：信号配線接続用高融点半田ボール
４cb：信号配線接続用低融点半田ペースト
５：半導体素子
６：樹脂
７：外部接続用導体バンプ 
８：実装基板
【図１】
0005153364.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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