(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を研磨する研磨パッドを保持して回転させるパッド回転機構と、前記研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッシング工具と、前記パッド回転保持機構に保持された前記研磨パッドと対向するように前記ドレッシング工具を保持して回転させる工具回転機構とを備え、前記工具回転機構により回転保持された前記ドレッシング工具を前記パッド回転機構により回転保持された前記研磨パッドの研磨面に当接させ、前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
前記研磨パッドもしくは前記ドレッシング工具のいずれか一方の回転速度を変化させて前記研磨パッドと前記ドレッシング工具との回転速度比を変化させ、
前記回転速度比毎に、前記研磨パッドの研磨面に形成される前記ドレッシング工具上の所定点による削り軌跡の密度分布を算出し、径方向における前記削り軌跡の密度分布が最小となるときの前記研磨パッドと前記ドレッシング工具との回転速度比を最適回転速度比として設定し、
前記最適回転速度比を満足するように前記研磨パッドと前記ドレッシング工具の回転速度を設定し、前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行うことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。
【請求項２】
前記最適回転速度比は、シミュレーション計算により得られることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を研磨する研磨装置に用いられる研磨パッドのドレッシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板表面を研磨する研磨装置としてＣＭＰ装置が例示される。ＣＭＰ装置は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical
Mechanical Polishing）により基板表面を超精密に研磨加工する技術として、シリコン基板やガラス基板、半導体ウェハなどの基板の研磨加工に広く利用されている。このような研磨装置では、チャックに保持された基板と研磨ヘッドに装着された研磨パッドとを相対回転させて押接し、基板と研磨パッドとの当接部に研磨内容に応じたスラリー（Slurry）を供給して化学的・機械的な研磨作用を生じさせ、基板表面を平坦に研磨加工する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−３１９２４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板の研磨を行う研磨パッドは研磨時間に応じて研磨面の目詰まりが進行して表面が劣化してくるため、従来の研磨装置では定期的なドレッシングを行って常に良好な研磨が行われるようにメンテナンスされている。なお、ドレッシングとは、ダイヤモンド等の粒子を表面に接着させたドレッサーを研磨パッドに当接させ、研磨パッドの表面を削ることによってパッド表面の粗さを増し、研磨パッドの研磨能力を回復させることである。
【０００４】
研磨パッドの表面状態は、研磨加工後の基板の面内均一性や基板間の加工のばらつきに大きな影響を与えるため、上記のような研磨装置では、ドレッシング時には常に研磨パッドにおける面内均一性を確保することが重要な課題であった。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨パッドにおけるドレッシングの面内均一性を確保できる研磨パッドのドレッシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的を達成するため、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法は、基板を研磨する研磨パッドを保持して回転させるパッド回転機構と、前記研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッシング工具と、前記パッド回転保持機構に保持された前記研磨パッドと対向するように前記ドレッシング工具を保持して回転させる工具回転機構とを備え、前記工具回転機構により回転保持された前記ドレッシング工具を前記パッド回転機構により回転保持された前記研磨パッドの研磨面に当接させ、前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、前記研磨パッドもしくは前記ドレッシング工具のいずれか一方の回転速度を変化させて前記研磨パッドと前記ドレッシング工具との回転速度比を変化させ、前記回転速度比毎に、前記研磨パッドの研磨面に形成される前記ドレッシング工具上の所定点による削り軌跡の密度分布を算出し、径方向における前記削り軌跡の密度分布が最小となるときの前記研磨パッドと前記ドレッシング工具との回転速度比を最適回転速度比として設定し、前記最適回転速度比を満足するように前記研磨パッドと前記ドレッシング工具の回転速度を設定し、前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行う。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、研磨パッド面内を均一にドレッシングすることが可能な研磨パッドのドレッシング方法を提供することができる。
【０００８】
さらに、本方法によりドレッシングされた研磨パッドを用いれば、研磨加工後の基板の面内均一性の確保や、基板間の加工のばらつき防止に貢献することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る研磨装置の代表例であるＣＭＰ装置（化学的機械的研磨装置）を図１に示しており、まずこの図を参照して研磨装置ＰＭの全体構成から概要説明する。研磨装置ＰＭは、大別的には、シリコン基板やガラス基板、半導体ウェハなどの基板（以下、ウェハＷと称する）の搬入・搬出を行うカセットインデックス部１、研磨加工を行う研磨加工部２、研磨加工が終了したウェハＷの洗浄を行う基板洗浄部３、及び研磨装置ＰＭ内でウェハＷの搬送を行う搬送装置４（第１搬送ロボット４１、第２搬送ロボット４２）などからなり、各部はそれぞれ自動開閉式のシャッタで仕切られてクリーンチャンバが構成される。研磨装置ＰＭの作動は、後述の制御装置４００（図２を参照）により制御される。
【００１０】
カセットインデックス部１には、それぞれ複数枚のウェハＷを保持したカセット（キャリアとも称される）Ｃ1〜Ｃ4を載置するウェハ載置テーブル１２が設けられ、ウェハ載置テーブル１２の前方に第１搬送ロボット４１が配設されている。第１搬送ロボット４１は多関節アーム型のロボットであり、床面に設けられたリニアガイドに沿って移動自在な基台の上部に水平旋回及び昇降作動自在な旋回台が設けられ、この旋回台に取り付けられた多関節アームを伸縮させて、アーム先端部のウェハチャックでウェハＷの外周縁部を把持可能になっている。第１搬送ロボット４１によりセンドカセットＣ1，Ｃ2から取り出された研磨加工前の未加工ウェハＷは、基板洗浄部３内に設けられた未加工ウェハＷを搬送するための通路内で研磨加工部２の第２搬送ロボット４２に受け渡される。
【００１１】
研磨加工部２は、９０度毎に回動送りされる円形のインデックステーブル２０を中心として４つのエリアに区分されており、未加工ウェハＷの搬入及び加工済ウェハＷの搬出を行う搬送ステージＳ0と、ウェハ表面の研磨加工を行う第１研磨ステージＳ1、第２研磨ステージＳ2、第３研磨ステージＳ3とから構成される。インデックステーブル２０は、これら４つのステージに対応して４分割されている。
【００１２】
搬送ステージＳ0には、第２搬送ロボット４２が設けられている。第２搬送ロボット４２により研磨加工部２に搬入されたウェハＷは、第２搬送ロボット４２により搬送され、搬送ステージＳ0に位置決めされたウェハチャック２００に載置されて吸着保持される。
【００１３】
第１研磨ステージＳ1、第２研磨ステージＳ2、第３研磨ステージＳ3には、それぞれウェハチャック２００に吸着保持されたウェハＷの表面を研磨する研磨機構２２（パッド回転機構）と、研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓをドレッシングするドレッシング機構２３（工具回転機構）とが設けられている。
【００１４】
研磨機構２２は、図２に概要構成を示すように、研磨パッド２２０と、研磨パッドの研磨面２２０ｓを下向きの水平姿勢で保持し回転させる研磨ヘッド２２２、研磨ヘッドを水平揺動及び昇降作動させる研磨アーム２２３、及びウェハ表面を上向きの水平姿勢で回転させる上記ウェハチャック２００などからなり、各ステージで行われるプロセス内容に応じた加工条件でウェハ表面が研磨加工される。なお、研磨パッド２２０の直径は、研磨対象であるウェハＷの直径よりも小さく設定されている。
【００１５】
研磨機構２２によるウェハ表面の研磨加工は、研磨アーム２２３を水平揺動させて研磨ヘッド２２２をウェハチャックの上方に位置させた状態で、研磨ヘッド２２２を回転させながら下降させ、ウェハチャック２００に吸着保持されて回転されるウェハＷの表面（被研磨面Ｗｓ）に研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓを所定圧力で押圧させ、研磨ヘッドの中心部からスラリーを供給しながら研磨アーム２２３を揺動させることで行われ、ウェハＷの表面全体が平坦に研磨加工される。
【００１６】
なお、各研磨機構２２で用いられる研磨パッド２２０は、層間絶縁膜ＣＭＰ、メタルＣＭＰ等の加工プロセス、回路パターンの微細度、第１次研磨（粗研磨）〜第３次研磨（仕上げ研磨）等の加工段階などに応じて、適宜なパッドが選択して装着される。また研磨ヘッド２２２には、中心を貫通して円環状の研磨パッド２２０の中心部にスラリーを供給するスラリー供給構造が設けられており、研磨加工時には、スラリー供給装置から加工目的に応じたスラリーが供給されるようになっている。また研磨アーム２２３の先端部には、研磨加工中のウェハの研磨状態を光学的に検出する終点検出器が取り付けられており、研磨加工中の膜厚減少などがリアルタイムで検出され研磨加工の終点をフィードバック制御可能になっている。
【００１７】
ドレッシング機構２３は、ドレッシング工具２３０と、ドレッシング工具２３０を上向きの水平姿勢で回転させる回転構造とを備えて構成され、研磨アーム２２３を揺動させて研磨ヘッド２２２をドレッシング工具２３０上に移動させ、研磨パッド２２０を回転させながら下降させて研磨面２２０ｓを相対回転するドレッシング面２３０ｓに当接させ、詳細図示省略するノズルからドレッシング加工部に純水を供給して研削屑等を洗い流し、研磨面２２０ｓをドレッシングするように構成される。
【００１８】
インデックステーブル２０は、図１に示すように、第１〜第３研磨ステージＳ1、Ｓ2、Ｓ3における研磨加工が終了すると９０度回動送りされ、ウェハチャック２００に吸着保持されたウェハＷが、搬送ステージＳ0から順次第１研磨ステージＳ1→第２研磨ステージＳ2→第３研磨ステージＳ3に送られて各研磨ステージでＣＭＰ加工され、第３研磨ステージＳ3での研磨加工が終了したウェハＷが搬送ステージＳ0に送り出される。搬送ステージＳ0に送り出されて、吸着保持が解除された加工済ウェハＷは、第２搬送ロボット４２によって研磨加工部２から基板洗浄部３に搬送される。
【００１９】
基板洗浄部３は、第１洗浄室３１、第２洗浄室３２、第３洗浄室３３及び乾燥室３４の４室構成からなり、表裏両面の研磨加工が終了して第２搬送ロボット４２により搬入された加工済ウェハＷが、第１洗浄室３１→第２洗浄室３２→第３洗浄室３３→乾燥室３４に順次送られて研磨加工部２で付着したスラリーや研磨摩耗粉等の除去洗浄が行われる。各洗浄室における洗浄方法は種々の構成例があるが、例えば、第１洗浄室３１では回転ブラシによる両面洗浄、第２洗浄室３２では超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第３洗浄室３３では純水によるスピナー洗浄、乾燥室３４では窒素雰囲気下における乾燥処理が行われる。なお、第１洗浄室３１の下方には、未加工ウェハＷを搬送するための通路が設置されている。
【００２０】
基板洗浄部３で洗浄された加工済ウェハＷは、第１搬送ロボット４１により基板洗浄部３から取り出され、ウェハ載置テーブル１２上に載置されたレシーブカセットＣ3，Ｃ4の所定スロット、又はセンドカセットＣ1，Ｃ2の空きスロットに収容される。
【００２１】
制御装置４００は、図２に示すように、研磨加工部２の研磨機構２２及びドレッシング機構２３、カセットインデックス部１、基板洗浄部３、搬送装置４等にそれぞれ制御信号を出力して、各装置の作動を制御するように構成される。また、制御装置４００には、各種の指令やデータ等の入力操作が行われる入力部４１０や、研磨やドレッシングの条件を設定変更するための条件設定部４２０が電気的に接続される。
【００２２】
次に、研磨装置ＰＭを用いて半導体ウェハＷの表面を研磨加工する場合の、研磨装置ＰＭの作用について図３を参照しながら説明する。ここで、図３は、カセットインデックス部１のセンドカセットＣ1に収容された未加工ウェハＷが、研磨加工部２で順次研磨処理され、基板洗浄部３で洗浄処理され、カセットインデックス部１のレシーブカセットＣ4に収納されるまでのウェハＷの流れを点線と矢印を付して示したものである。なお、研磨装置ＰＭの作動は制御装置４００（図２を参照）によって制御され、制御装置４００は予め設定された制御プログラムに基づいて各部の作動制御を行う。
【００２３】
研磨装置ＰＭで研磨加工プログラムがスタートされると、第１搬送ロボット４１がセンドカセットＣ1の位置に移動し、旋回台を水平旋回及び昇降作動させるとともに多関節アームを伸長作動させてウェハチャックでスロット内の未加工ウェハＷを取り出し、旋回台を１８０度旋回作動させて第１洗浄室３１の下方に設置されている通路に向かい、この通路内で研磨加工部２側の第２搬送ロボット４２に未加工ウェハを受け渡す。
【００２４】
第１搬送ロボット４１から未加工ウェハＷを受け取った第２搬送ロボット４２は、未加工ウェハを研磨加工部２に搬入する。そして未加工ウェハＷは、第２搬送ロボット４２により研磨機構２２に搬送され、搬送ステージＳ0に位置決め停止されたインデックステーブル２０のウェハチャック２００上に載置される。ウェハＷが載置されると、ウェハチャック２００がウェハの裏面を真空吸着して保持し、第２搬送ロボット４２は退避する。
【００２５】
研磨機構２２の第１研磨ステージＳ1〜第３研磨ステージＳ3において研磨加工が開始される。このような３段階の研磨ステージＳ1〜Ｓ3において行われるウェハ表面の研磨加工については、既に公知であるため（例えば、本出願人による特開2002−93759号公報）、本明細書においては詳細説明を省略し、以下簡潔に説明する。
【００２６】
第２搬送ロボット４２が退避すると、インデックステーブル２０が時計回りに９０度回動されてウェハチャック２００に吸着保持されたウェハＷが第１研磨ステージＳ1に位置決めされ、同時に研磨アーム２２３が揺動されて研磨ヘッド２２２がウェハＷ上に移動する。そして研磨ヘッド２２２とウェハチャック２００とが反対方向に回転起動するとともに研磨ヘッド２２２が下降し、研磨パッド２２０（研磨面）をウェハ表面（被研磨面）に押圧させて第１次研磨加工を行う。研磨加工中には研磨ヘッド２２２の軸心からスラリーを供給しながら研磨パッド２２０がウェハＷの回転中心と外周端部との間を往復動するように研磨アーム２２３を揺動作動させ、ウェハ表面を均一に平坦研磨する。
【００２７】
第１次研磨加工が終了すると、制御装置４００は、インデックステーブル２０を時計回りにさらに９０度回動させ、第１次研磨加工が終了したウェハを第２研磨ステージＳ2に、搬送ステージＳ0で待機されたウェハを第１研磨ステージＳ1に位置決めする。そして、第１及び第２研磨ステージでそれぞれ研磨ヘッド２２２を下降させて、第１次研磨加工と第２次研磨加工とを同時に並行して行う。
【００２８】
第２次研磨加工が終了すると、制御装置４００は、第１次研磨加工が終了したか否かを確認し、第１次研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル２０を時計回りにさらに９０度回動させて、第２次研磨加工が終了したウェハを第３研磨ステージＳ3に、第１次研磨加工が終了したウェハを第２研磨ステージＳ2に、搬送ステージで待機されたウェハを第１研磨ステージＳ1に位置決めし、それぞれ研磨ヘッド２２２を下降させて、第１，第２，第３次研磨加工を同時並行して行わせる。
【００２９】
第３次研磨加工が終了すると、制御装置４００は、第１次研磨加工及び第２次研磨加工が終了したか否かを確認し、全ての研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル２０を時計回りにさらに９０度回動させて、第３次研磨加工が終了したウェハＷを搬送ステージＳ0に、他のステージに位置したウェハＷも前述同様に各１段ずつ移動させて位置決めする。
【００３０】
インデックステーブル２０が位置決め停止され、第１〜第３研磨ステージＳ1〜Ｓ3を経て表面研磨が終了したウェハＷが搬送ステージＳ0に位置決めされると、第２搬送ロボット４２がウェハチャック２００上で真空吸着が解除された加工済ウェハＷの外周縁部を把持して上昇及び旋回作動し、リニアガイドに沿って水平移動して基板洗浄部３に搬送する。また加工済ウェハＷの搬送後に第１搬送ロボット４１から未加工ウェハＷを受け取って研磨加工部２に搬入する。
【００３１】
基板洗浄部３では、第１洗浄室３１で回転ブラシによる両面洗浄、第２洗浄室３２で超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第３洗浄室３３で純水によるスピナー洗浄、乾燥室３４で窒素雰囲気下における乾燥処理が行われる。そして、このようにして洗浄された完成品ウェハは、カセットインデックス部１の第１搬送ロボット４１によって基板洗浄部３から取り出され、レシーブカセットＣ4の指定スロットに収納される。
【００３２】
以上の作動が順次繰り返して行われ、第１枚目のウェハの研磨加工完了後はインデックステーブル２０の回動間隔毎に、表面及び裏面が平坦に研磨されたウェハＷがカセットＣ4に収納される。インデックステーブル２０の回動間隔は、３つのステージに分割された研磨加工時間によって規定され、例えば第１次研磨加工の時間間隔毎に完成ウェハＷが連続生産される。また、ドレッシング機構２３によるドレッシングが各研磨ステージにおいて各研磨加工の行われる前に毎回行われ、研磨パッド表面（研磨面２２０ｓ）の目詰まりが修正されて平坦度が確保される。
【００３３】
なお、ウェハチャック２００の回転速度や、研磨ヘッド２２２の回転速度及び移動速度、研磨圧力、ウェハＷに対する研磨時間、スラリーの種類及び供給量等といった研磨条件（パラメータ）は、予め入力部４１０で入力されて制御装置４００の内部メモリにレシピファイルとして設定記憶され、制御装置４００は、このレシピファイルのデータに基づいて各装置の作動を制御する。
【００３４】
そして、本実施形態では、研磨パッド２２０の面内をより均一にドレッシングするため、条件設定部４２０により、研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓ上に形成されるドレッシング工具２３０の各部の削り軌跡の密度分布がほぼ均一となる、研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０との最適回転速度比ρTを予め設定し、この設定された最適回転速度比ρTを満足するように、研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓのドレッシングを行うようになっている。以下に、条件設定部４２０による研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０との最適回転速度比ρTの設定方法について説明するが、これらはシミュレーション計算に基づくものである。
【００３５】
なお、条件設定部４２０によるシミュレーション計算を実行するにあたり、図４に示すように、研磨パッド２２０の直径（図には「Pad OD」と示されている）が２６６［mm］であり、ドレッシング工具２３０の直径（図には「Conditioner OD」と示されている）が１４０［mm］であり、研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０との中心間距離（図には「Conditioning Position」と示されている。）が７５［mm］であり、ドレッシング時間が１２［sec］であることを前提条件としている。
【００３６】
まず、条件設定部４２０は、研磨パッド２２０もしくはドレッシング工具２３０のいずれか一方の回転数を変化させて、研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０との回転数比を変化させる。
【００３７】
本実施形態では、研磨パッド２２０の回転速度２６５［rpm］に対して、ドレッシング工具２３０の回転速度を２７５，２４０，２０５，１７０，１３５，１００，６５［rpm］に変化させて、回転数比を０．９６，１．１０，１．２９，１．５６，１．９６，２．６５，４．０８の７段階に変化させている。なお、研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０は、（図４中の矢印Ａで示す）同一方向に回転するものとする。
【００３８】
次に、条件設定部４２０は、上記の回転数比毎に、ドレッシング機構２３により回転保持されたドレッシング工具２３０を、研磨機構２２に回転保持された研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓに当接させたときの、研磨面２２０ｓにおけるドレッシング工具２３０上の所定点の削り軌跡の密度分布を算出する。
【００３９】
本実施形態では、図４に示すように、ドレッシング工具２３０上の任意点Ｐを、中心から７０［mm］の周上に４度ピッチで９０個の点Ｐ1〜Ｐ90として設定し、これらＰ1〜Ｐ90の各点の削り軌跡Ｌ1〜Ｌ90をドレッシング時間分について積算し、研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓ上における単位面積当たりのドレッシング工具２３０の削り軌跡の本数、すなわち削り軌跡密度を算出する。
【００４０】
図５は、上記条件に基づき、（ａ）回転数比が０．９６の場合、（ｂ）回転数比が１．５６の場合、（ｃ）回転数比が４．０８の場合の同一径方向上における（図中では、上側が研磨パッド２２０の外周（Pad Edge）であり、下側が研磨パッド２２０の中心（Pad Center）である）ドレッシング工具２３０の任意点Ｐの削り軌跡の密度を示した図である。この図から、研磨パッド２２０の径方向における削り軌跡の密度は、（ａ）回転数比が０．９６の場合は中心から外周に向かって密から粗となり、（ｃ）回転数比が４．０８の場合は中心から外周方向に向かって粗から密となり、（ａ）（ｃ）いずれの場合にも密度分布にばらつきが見られるが、（ｂ）回転数比が１．５６の場合にはほぼ均一であることが分かる。
【００４１】
そして、条件設定部４２０は、パッドドレッシングの面内均一性を示す指標の一つである、研磨パッド２２０上の径方向における削り軌跡密度分布を定義し、回転数比毎に該削り軌跡密度分布を計算した。なお、削り軌跡密度分布は、研磨パッド２２０の径方向における削り軌跡密度の最大値と最小値との差を、径方向における削り軌跡密度の平均値で割った割合として定義され、この値が小さい程研磨パッド２２０の各部における削り軌跡の密度の最大値と最小値との差が小さい、すなわちドレッシングが研磨面２２０ｓ内でより均一に行われていることを意味する。なお、削り軌跡密度分布の許容値は、研磨対象や生産工程等に応じて異なるものの、半導体ウェハの研磨を行う研磨パッドにおいて一般的に２０％程度とされている。続いて、条件設定部４２０は、削り軌跡密度分布が最も均一となる回転速度比を選択し、これを最適回転速度比ρTとして設定する。
【００４２】
図６は、上記条件に基づく（図４参照）、回転数比と削り軌跡密度分布との関係を示す図である。この図から分かるように、本実施形態においては、削り軌跡密度分布の値が最も小さい、すなわちドレッシングの面内均一性が最も高いときの回転速度比は１．５６であり、この値が最適回転速度比ρTとして設定される。
【００４３】
条件設定部４２０は、設定された上記の最適回転速度比ρTを用いて、入力部４１０に研磨パッド２２０の回転速度が入力されると、この入力された研磨パッド２２０の回転速度からドレッシング工具２３０の回転速度を算出する。逆に、入力部４１０にドレッシング工具２３０の回転速度が入力されても、設定された上記の最適回転速度比ρTを用いて、前記入力されたドレッシング工具２３０の回転速度から、研磨パッド２２０の回転速度を算出することも可能である。
【００４４】
ここで、条件設定部４２０により算出された研磨パッド２２０の回転速度（もしくはドレッシング工具２３０の回転速度）を、図示しない表示装置等により表示する構成とすれば、オペレータは直ちに所望のドレッシングの面内均一性を確保するための設定を知ることが可能となり、ドレッシング条件を適正な組み合わせに変更することができる。
【００４５】
上記構成によれば、シミュレーション計算に基づき、研磨パッド２２０の研磨面２２０ｓ上に形成されるドレッシング工具２３０の削り軌跡の密度分布がほぼ均一となるように、研磨パッド２２０とドレッシング工具２３０との最適回転速度比ρTを予め設定し、この最適回転速度比ρT満足するように、研磨パッド２２０の回転速度及びドレッシング工具２３０の回転速度が決定される。そして、この決定された研磨パッド２２０及びドレッシング工具２３０の回転速度に基づいて研磨パッド２２０のドレッシングを行うことにより、面内でドレッシングが均一に行われた研磨パッドを得ることができる。さらに、このようにドレッシングされた研磨パッドを用いれば、研磨加工後の基板の面内均一性の確保や、基板間の加工のばらつき防止に貢献することができる。
【００４６】
本実施形態に係る発明を分かりやすくするために、上記実施形態の構成要件を付して説明したが、本発明がこれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００４７】
例えば、上記実施形態においては、研磨パッド２２０の直径が研磨対象であるウェハＷの直径よりも小さい場合について説明したが、研磨パッド２２０の直径がウェハＷの直径より大きい場合であっても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施形態に係る研磨装置の全体構成例を示す平面図である。
【図２】研磨機構及びドレッシング機構を模式的に示す概要構成図である。
【図３】上記研磨装置におけるウェハの流れを示す説明図である。
【図４】研磨パッドとドレッシング工具の位置関係及びドレッシングの条件を示す説明図である。
【図５】研磨パッドの径方向におけるドレッシング工具の削り軌跡の密度を示す説明図であり、回転数比が（ａ）０．９６の場合、（ｂ）１．５６の場合、（ｃ）４．０８の場合をそれぞれ示す。
【図６】研磨パッド及びドレッシング工具の回転速度比と、削り軌跡密度分布との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
ＰＭ  研磨装置
Ｗ  ウェハ（基板）
２２  研磨機構（パッド回転機構）
２３  ドレッシング機構（工具回転機構）
２２０  研磨パッド        ２２０ｓ  研磨面
２３０  ドレッシング工具
４００  制御装置          ４２０  条件設定部
【図１】
0005257752.tif 000002
【図２】
0005257752.tif 000003
【図３】
0005257752.tif 000004
【図４】
0005257752.tif 000005
【図５】
0005257752.tif 000006
【図６】
0005257752.tif 000007