(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電放電（ＥＳＤ）パワークランプにおいて、
ＥＳＤを検出し、前記ＥＳＤを接地に分路するためのＥＳＤ抑制回路構成要素と、
前記ＥＳＤ抑制回路構成要素に連結され、前記ＥＳＤ抑制回路構成要素が被験する非ＥＳＤ過渡事象を抑制して、前記ＥＳＤ抑制回路構成要素が、過渡事象を被験している間も適切な作動を維持できるようにするための単一事象効果（ＳＥＥ）保護回路構成要素と、
前記ＥＳＤパワークランプの製造上の欠陥を検出するために、前記ＥＳＤ抑制回路構成要素と前記ＳＥＥ保護回路構成要素に連結されている欠陥検出器と、
を備えている静電放電（ＥＳＤ）パワークランプ。
【請求項２】
前記ＥＳＤ抑制回路構成要素は、前記ＥＳＤを接地に分路するように作動可能なスイッチを備えている、請求項１に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項３】
各スイッチに連結されている、前記各スイッチの作動を独立して制御するためのトリガ回路を更に備えており、前記ＥＳＤが検出された場合は、前記ＥＳＤ抑制回路構成要素は、前記各スイッチが同時に起動するときにだけ前記ＥＳＤを接地に分路するようになっている、請求項２に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項４】
前記トリガ回路は、抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路網を備えている、請求項３に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項５】
前記ＲＣ回路網の時定数は、前記ＥＳＤパワークランプが接続されている電源の立ち上がり時間より小さい、請求項４に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項６】
前記ＥＳＤ抑制回路構成要素は、前記ＥＳＤを接地に分路するように作動可能な第１スイッチと第２スイッチとを備えており、
前記ＳＥＥ保護回路構成要素は、前記ＥＳＤ抑制回路構成要素の前記第１スイッチと前記第２スイッチを独立して作動させるために、前記第１スイッチに連結されている第１トリガ回路と前記第２スイッチに連結されている第２トリガ回路とを含んでおり、
前記欠陥検出器は、前記第１トリガ回路の出力を受け取るゲートを有した第１Ｐ型トランジスタと、前記第２トリガ回路の出力を受け取るゲートを有した第２Ｐ型トランジスタと、電流源とを備えており、前記第１および第２トリガ回路の一方からの出力が閾値レベルより低ければ、前記第１Ｐ型トランジスタの出力または前記第２Ｐ型トランジスタの出力が欠陥を示す信号となる、請求項１に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項７】
前記欠陥検出器は、トリガ機構と電流源を備えており、前記ＥＳＤパワークランプ内の欠陥を検出すると、前記トリガ機構は、前記欠陥検出器を通して電流を流す、請求項１に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項８】
前記ＥＳＤ抑制回路構成要素は、正の供給電圧と接地の間に直列に接続されている第１スイッチと第２スイッチとを備えており、前記ＥＳＤパワークランプは、
正の供給電圧を受け取り、信号を前記第１スイッチに出力する第１抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路網であって、前記信号は、前記正の供給電圧を追跡して、前記第１スイッチを非導電状態とし、ＥＳＤを被験している場合は、前記第１ＲＣ回路網は、トリガ信号を出力し、前記第１スイッチを導電モードにして前記ＥＳＤを導電する、第１抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路網と、
正の供給電圧を受け取り、信号を前記第２スイッチに出力する第２抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路網であって、前記信号は、前記正の供給電圧を追跡して、前記第２スイッチを非導電状態とし、ＥＳＤを被験している場合は、前記第２ＲＣ回路網は、トリガ信号を出力し、前記第２スイッチを導電モードにして前記ＥＳＤを前記第１スイッチから導電する、第２抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路網と、を備えており、
前記第１スイッチと前記第２スイッチの両方が導電モードになっているときに、前記ＥＳＤが接地に分路される、請求項１に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項９】
前記第１スイッチと前記第２スイッチは、電源端末に接続されている本体端末と共に配置されているＮ型ＭＯＳＦＥＴＳを備えている、請求項８に記載のＥＳＤパワークランプ。
【請求項１０】
前記欠陥検出器は、前記第１ＲＣ回路網の出力と前記第２ＲＣ回路網の出力に連結され、前記ＥＳＤパワークランプの製造上の欠陥を検出する、請求項８に記載のＥＳＤパワークランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電放電（ＥＳＤ）パワークランプに関しており、より具体的には、単一事象効果（ＳＥＥ）の影響を低減し、例えば宇宙又は軍事用途のような放射線環境下で使用するためのＥＳＤパワークランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
米国政府は、防衛脅威縮小機関が認めた契約第ＤＴＲＡ０１−０３−Ｄ−００１８−０００１号に準拠した本発明に、一定の権利を留保している。
【０００３】
静電荷は、静止状態にある不平衡な電荷である。通常、静電荷は、絶縁体の表面を互いに擦り合わせるか、又は引き離すことによって作り出される。一方の面は電子を得、他方の面は電子を失う。その結果、静電荷として知られている不平衡な電気的状態になる。静電荷が一方の面から他方の面に動くときに、静電荷は静電放電（ＥＳＤ）となる。ＥＳＤは、異なる電位を有する２つの面の間で動く電荷の小規模な「稲妻」である。
【０００４】
ＥＳＤは、２つの面の間の電圧差が、２つの面を分離している媒体の絶縁耐力を破壊するほど高いときに、起こる。静電荷が動いてＥＳＤになるとき、静電荷は、例えば集積回路のゲート酸化物、金属被覆、及び回路構成要素の接合部を損傷又は破壊する虞のある電流になる。ＥＳＤは、例えば、帯電体が集積回路に接触するか、帯電した集積回路が接地面に接触するか、帯電したマシンが集積回路に接触するか、静電界が絶縁体を横切って誘電体を破壊できるほどの電圧を誘起するなど、多くのやり方で発生する。
【０００５】
ＥＳＤ事象は、工場の試験では検出されない装置の損傷を作り出し、後で、装置の潜在的な故障の原因となる。潜在するＥＳＤ欠陥を有する装置は、ＥＳＤによって破壊されてはいないが劣化しているので、「歩行可能な負傷兵」と呼ばれる。これは、ＥＳＤパルスが、装置を破壊するほどに強くはないが、損傷を生じさせる程度であるときに起こる。装置は、電流漏洩の増大、又は逆方向降伏電圧の低下による接合部の劣化を被るが、装置は機能し続け、例えば、なおデータシートの限界値内にあることが多い。装置は、数多くの弱いＥＳＤパルスを受けるが、各連続するパルスは、装置を、致命的な故障が起こるまで更に劣化させる。歩行可能な負傷兵の装置を篩に掛ける実用的な方法は殆どない。この種の損傷を回避するためには、装置には、連続的なＥＳＤ保護を施さねばならない。
【０００６】
ＥＳＤ事象に対して保護するため、集積回路構成要素には、普通、ＥＳＤパワークランプが付いている。回路構成要素を保護するためにＥＳＤエネルギーを分路する従来型の方法は、ツェナーダイオード、金属酸化物バリスター（ＭＯＶ）、過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオード、及び通常の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）又はバイポーラクランプダイオードのような装置を伴っている。しかしながら、これらの装置の多くは、信号が、最初の電圧状態から別の状態へ移り、その後最初の電圧状態に戻る、望ましくない過渡状態を含む、「グリッチ」を受ける。
【０００７】
グリッチは、放射線の影響を含む多くの要因によって起こる。従って、多くの回路は、或るレベルの「放射線強度」、即ち回路が核又は他の放射線に耐えられる程度を示す回路の属性を含むように設計されている。宇宙、兵器又は航空用途に用いられる集積デジタル回路は、放射線に曝される可能性が高く、それらの信頼性が重要であることが多いので、一般的に、耐放射線特性が、他の用途に用いられる回路より高くなるように設計されている。しかしながら、そのような半導体回路は、アルファ粒子（例えば、或る種の集積回路パッケージング材料内に存在するウラニウム及びトリウムのような要素の自然崩壊の副産物）又はエネルギー陽子、中性子、電子、重イオン、及び全ての自然の要素（例えば、これらは、銀河間空間、地球周回軌道空間、更には硬度の高い大気中又は商業飛行高度にさえ、広範囲のエネルギーとして豊富にある）のような、回路の周囲の環境内に存在する単一の荷電粒子によって引き起こされる外乱のような放射線効果の影響を受け易い。
【０００８】
荷電粒子がトランジスタ（又は何らかの活性電子装置）を通過するとき、粒子が通過する媒体をイオン化することによって、粒子はエネルギーを失い、後にホール電子対の軌跡が残る。対の電子が衝突したトランジスタの高電圧状態のノードに向かって移動すると、そのノードで放電電流となる。放電電流が、そのノードで高電圧状態を保持しているトランジスタの駆動電流を超えると、ノードは、望ましくない低い状態に移る。逆に、対のホールが衝突したトランジスタの低電圧状態のノードに向かって移動すると、そのノードで充電電流となる。充電電流が、そのノードで低電圧状態を保持しているトランジスタの駆動電流を超えると、ノードは、望ましくない高い状態に移る。粒子によって作られるホール電子対の数は有限なので、ノード電圧の外乱は一時的なものである。
【０００９】
粒子が誘発する回路の外乱は、ランダムであり、一般的に単一事象効果（ＳＥＥ）と呼ばれる。ＳＥＥは、多くの形態を取ることができる。粒子が衝突した結果、ビットフリップ、又は他の形態の保存データの破損が生じる場合、これは、単一事象混乱（ＳＥＵ）又はソフトのエラーとして知られている。粒子が論理回路のノードで過渡的な電圧外乱を引き起こす場合、これは、単一事象過渡現象（ＳＥＴ）として知られている。
【００１０】
回路ノードは、通常、ＳＥＴ後は所望の電圧状態に戻る。従って、ＳＥＴは、元来それだけで問題になることはない。問題となるのは、回路のノードで電圧が一時的に乱れたことの結果である。例えば、ノードがＥＳＤ回路の場合、外乱がＥＳＤパワークランプを不正に作動させ、ＥＳＤパワークランプが保護するように設計された回路構成要素を通してＥＳＤを運ぶ可能性がある。或いは、システム電力が掛けられたときにＥＳＤ回路がオンになれば、回路構成要素は、不用意にトリガされ、不適切に作動するかもしれない。
【００１１】
ＥＳＤパワークランプのＳＥＥに対する感受性は、集積回路の外形寸法を低減し、クロック速度を高めるほど高くなる。外形寸法を低減するほど、ＳＥＥは、正常な論理パルスとして論理ゲートを通って伝播し、論理回路内に混乱を来たし易くなる。
【００１２】
既存のＥＳＤパワークランプは、起こり得るＳＥＥを考慮していない。従って、放射線によって引き起こされるＳＥＥに対するＥＳＤパワークランプの耐性を改良して、ＥＳＤパワークランプ保護を備えたシステムが、放射線環境下で信頼性を保って機能できるようにすることが必要である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以下に開示する実施形態では、放射線環境下で作動する静電放電（ＥＳＤ）パワークランプを示している。ＥＳＤパワークランプは、ＥＳＤを検出し、ＥＳＤを接地に分路するためのＥＳＤ抑制回路構成要素と、ＥＳＤ抑制回路構成要素が被験する非ＥＳＤ過渡事象を抑制するための単一事象効果（ＳＥＥ）保護回路構成要素とを含んでおり、ＥＳＤ抑制回路構成要素が、過渡事象が被験される際に適切な作動を維持して、回路構成要素の誤り又は不用意なトリガを回避するようになっている。
【００１４】
別の実施形態では、静電放電（ＥＳＤ）パワークランプは、ＥＳＤを検出するトリガ回路構成要素と、トリガ回路構成要素に連結されていて、独立して作動する複数のスイッチを含んでいるＥＳＤ抑制回路構成要素とを含んでおり、トリガ回路構成要素がＥＳＤを検出すると、ＥＳＤ抑制回路構成要素は、両方のスイッチが同時に起動するときにだけＥＳＤを接地に分路するようになっている。
【００１５】
別の実施形態では、静電放電（ＥＳＤ）パワークランプ内の単一事象効果（ＳＥＥ）に対して無感覚にする方法を提供している。本方法は、直列に接続された第１スイッチと第２スイッチを含む放電経路を提供する段階を含んでいる。本方法は、更に、第１スイッチを起動させるために第１起動信号を第１スイッチに提供する段階と、第２スイッチを起動させるために第２起動信号を第２スイッチに提供する段階とを含んでいる。本方法は、更に、第１スイッチと第２スイッチを同時に作動させて放電経路を介してＥＳＤを接地に分路し、ＥＳＤパワークランプが過渡事象を被験していて第１スイッチ又は第２スイッチの一方が間違って起動している場合には、ＥＳＤパワークランプが過渡事象を抑制する段階を含んでいる。
【００１６】
上記及びこの他の態様は、添付図面を適切に参照しながら以下の詳細な説明を読めば、当業者には明らかになるであろう。更に、ここに述べている実施形態は、請求している本発明の範囲を限定するものではない旨理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
静電放電（ＥＳＤ）保護は、あらゆる回路に共通の要件である。放射線の影響が生じる衛星環境下では、商用パワークランプは、空間に浮遊している粒子によって傷つき易く、パワークランプの作動に悪影響を及ぼす恐れがある。本出願は、厳しいイオン又は陽子放射線環境下の静電放電（ＥＳＤ）保護に用いられるオン・チップ抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）トリガ式電気供給クランプについて述べている。ＥＳＤパワークランプは、放射線が引き起こす単一事象効果（ＳＥＥ）による影響を減じるよう設計されているので、オン・チップパワークランプ保護付のシステムは、例えば放射線環境下で信頼性を備えて機能できるようになっている。
【００１８】
各図において、図１は、放射線環境下にある集積回路１０２にＥＳＤ保護を提供するシステム１００の１つの例を示している。システム１００は、集積回路１０２に連結されている、ＳＥＥ保護回路１０６を含むＥＳＤ保護装置１０４を含んでいる。システム１００は、供給電圧源と電圧スパイクからの接地（ＧＮＤ）との間に接続されている電子回路又は集積回路構成要素１０２を保護するためのものである。ＥＳＤ保護装置１０４は、正極性のＥＳＤパルスが集積回路構成要素１０２の入力に掛かっている間に、正の供給源から負の供給源（ＧＮＤ）への低インピーダンス経路を保証する。ＥＳＤ保護装置１０４内のＳＥＥ保護回路１０６は、ＥＳＤ保護装置１０４内で発生するどの様なＳＥＴ又は非ＥＳＤの過渡事象でも抑制するように作動する。
【００１９】
図２は、ＥＳＤ保護装置２００の或る実施形態を示すブロック図である。ＥＳＤ保護装置２００は、ＥＳＤを除去するための抑制回路構成要素２０４に連結されている、ＥＳＤを検出するためのトリガ回路構成要素２０２を含んでいる。ＥＳＤ保護装置２００は、抑制回路２１０及び２１２にそれぞれ連結されている二重トリガ２０６及び２０８を含んでいるので、抑制回路２１０と２１２は、それぞれ同時に、但し互いに独立してトリガされる。ＥＳＤ保護装置２００は、更に、例えばＥＳＤ保護装置２００内の製造上の欠陥を検出するために、トリガ回路構成要素２０２と抑制回路構成要素２０４に連結されている欠陥検出器２１４を含んでいる。
【００２０】
図３Ａは、ＥＳＤ保護装置３００の或る実施形態を示す回路図である。装置３００は、スイッチ３０６と３０８を作動させるトリガ３０２と３０４を含んでおり、ＥＳＤ３１０が生じると、トリガは、スイッチ３０６と３０８を閉鎖して、ＥＳＤ３１０に、接地への経路を提供する。スイッチ３０６と３０８は、それぞれ、ＥＳＤ３１０を接地に分路するため、同時に作動しなければならない。
【００２１】
図３Ｂは、ＥＳＤ保護装置３００の回路図である。トリガ３０２と３０４は、ＲＣ回路（ＲＣ１とＲＣ２）を含んでおり、それらはバッファ（例えばインバータ）３１０と３１２を通してスイッチ３０６と３０８に連結されている。この図では、スイッチ３０６と３０８は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴとして示されている。積層スイッチ３０６と３０８は、例えばＳＥＥに対して良好な耐性を実現するために装置の本体端末がＳＯＩプロセスの供給源端末に接続するように配置されている。更に、スイッチ３０６のドレン端末はシステムの電源に接続されており、スイッチ３０８のドレン端末はスイッチ３０６の供給源端末に接続されており、スイッチのゲート端末は、バッファ３１０と３１２の出力にそれぞれ接続されている。
【００２２】
勿論、代替設計として、ＥＳＤ保護装置３００を同じ方式で作動させるために、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをＰ型ＭＯＳＦＥＴと置き替え、インバータ３１０と３１２を取り除いてもよい。更に、別の代替設計として、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをＰ型ＭＯＳＦＥＴに置き替え、インバータ３１０と３１２を非インバーターバッファに置き替えて、ＥＳＤ保護装置３００を同じ方式で作動させ、例えばＲＣ回路網の負荷を軽減することもできる。
【００２３】
このように、ＥＳＤ保護装置は、３つの回路部分、即ち、ＥＳＤ事象が発生していることを確認し、ＥＳＤ事象中にパワークランプをオンタイムにすることを決めるためのＲＣ回路網、スイッチを制御してＥＳＤ電流を送るための駆動回路、及びＥＳＤ電流を送るためのプルダウン装置（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）、を含んでいる。
【００２４】
２つの別々の駆動回路（例えば、ＲＣ回路３０２と３０４）は、ＳＥＥから守るために積層プルダウン回路を別々に駆動するのに用いられる（以下に詳細に記載）。ＲＣ回路は、具体的な用途に必要な抵抗器とコンデンサの組み合わせを含んでいる。抵抗器とコンデンサの値の選択は、積ＲＣ（抵抗ｘキャパシタンス）又は時定数（τ）（例えば、一般的には、コンテンサは、５ＲＣ時定数後に、ほぼ完全に充電又は放電される）によって制御される。
【００２５】
作動時、ＥＳＤが被験されると、大きな電圧スパイクがＲＣ回路網３０２と３０４の入力に現れる。抵抗器とコンデンサの値は、時定数がＥＳＤの間に経過する時間より大きいか、又は遙かに大きくなるように（ＥＳＤパルスは非常に速い立ち上がり時間で特徴付けられる）選択されている場合、コンデンサはＥＳＤの間に充電せず、従って、ＥＳＤの間はノードＮ１とＮ２の電圧を低く保持する。ノードＤ１とＤ２は高いので、スイッチＮＥＳＤ１とＮＥＳＤ２は導電モードになり、ＥＳＤ電流を吸収してそれを接地に送る。
【００２６】
正常な作動時、ＥＳＤが無ければ、システムの電力でゆっくり立ち上がるので、ＲＣ回路網は、時定数が電力供給の立ち上がり時間より小さいか、又は遙かに小さい場合は、電力供給に追随し、ノードＮ１とＮ２を高く保持し、結果的にノードＤ１とＤ２が低くなり、トランジスタはオンにならない。例えば、時定数が電力供給の立ち上がり時間の約１０倍未満であれば、システム電力が正常にオンになることから起こる意図せぬ電流は最小化することができる。
【００２７】
ＳＥＥが発生すると（粒子がトランジスタ３０６又は３０８の一方に衝突し、それをオンにする）、電力を接地に分路させるには両方のトランジスタが同時にオンにならなければならないので、ＥＳＤ保護装置３００は、必要に応じて作動する。粒子が、各トランジスタ３０６と３０８に衝突し、ＳＥＥ事象を両方のトランジスタで同時に発生させる機会は非常に稀で、放射線事象の間には殆ど発生しない。更に、図５で後に示すように、多くのトランジスタを並列に使うスイッチを実装すると、同時放射線事象の発生は実質的に取るに足らないものとなる。従って、何れかのトランジスタに当たっても、ＥＳＤ保護装置３００の作動を損なうことは無い。
【００２８】
ＥＳＤ保護装置３００は、別のＳＥＥ保護の層を提供するため、１つ又は複数のトリガとスイッチのセットを含んでいる。例えば、ＥＳＤ保護装置３００がもう１つのトリガとスイッチのセットを含んでおり、追加のスイッチがスイッチ３０６及び３０８と直列に接続されている場合、ＥＳＤを接地に分路するには、３つ全てのスイッチが、同時に作動しなければならない。このように、粒子が、同時に１つ又は２つのスイッチに衝突した場合は、ＥＳＤパワークランプが、なお正しく作動する。
【００２９】
ＥＳＤ保護装置３００は、更に、装置３００が作動する前に装置内の欠陥を確認する欠陥検出器３１４を含んでいる。例えば、製造の観点から、ＥＳＤ保護装置３００は、製造時に、両方のトリガ回路が十分に機能しているか、又は一方に欠陥があるか否かを判断するため、試験しなければならない。故障検出器３１４は、基本的に、ＲＣ回路の一方にある抵抗短絡を検出する。
【００３０】
例えば、回路配置の制約を満たし、ＥＳＤ事象に対する適切なＲＣ定数を有するため、通常は、ＲＣ回路網内の抵抗器の値はメガオームの範囲内にあり、ＲＣ回路網内のコンデンサの値は、ピコファラドの範囲内にある。ＲＣ回路網内の１つのコンデンサの欠陥は、装置に電力が供給されると、抵抗短絡を引き起こし、内部ノードＮ１又はＮ２の一方をダウンさせる恐れがある。その結果、ＥＳＤ保護装置３００の並列経路の一方がオンになり（例えばＮ型ＭＯＳＦＥＴ３０６又は３０８が導通し）、放射線過渡事象を抑制するための抑制技法が設計通りには機能しなくなる。この例では、抵抗器によって制限される漏洩電流は小さく（例えば約１０ｕＡ未満）、通常は、製造選別工程（例えば、一般的な選別工程で欠陥を検出するには、約１００ｕＡを必要とする）では検出されない。
【００３１】
欠陥検出器３１４の１つの目的は、ノードの一方（Ｎ１又はＮ２）がダウンするか否かを検出するために多くの配置領域を追加すること無く、試験中の抵抗器の漏洩電流を補うことである。図４は、欠陥検出器３１４の１つの例を示している。図示のように、欠陥検出器３１４は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ３１６、３１８と、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ３２０を含んでいる。トランジスタ３２０（ＮＦ１）のゲートは、システムの電源に繋がれており、常にオンになっている。トランジスタ３２０は、抵抗器３２２と組み合わせられて、選別のための電流を設定し、電流源と同様に働く。Ｎ１かＮ２の一方が十分に低ければ、Ｐ型トランジスタ３１６又は３１８は、オンになり、静電流を電源から接地に流し始める。欠陥検出器３１４を通る漏洩電流を測定することによって、ＲＣ回路網内の欠陥を特定することができる。
【００３２】
ＥＳＤ保護装置３００のトランジスタは、大きなトランジスタでもよいが、トリガすると、トランジスタは大量の電流を引き込む。意図せぬ電流の引き込みを少なくするために、各トランジスタは、図５に示しているように、小さな並列の構造に分解することができる。並列構造設計にすると、粒子がトランジスタに衝突した場合、トランジスタは、小さな設計のために電流を引き込む能力が制限される。並列構造設計は、トランジスタと同じ量のトランジスタ領域を使用し（例えば約１００レッグまで有することができる）、並列トランジスタは、全てトリガされると、１つの幅広トランジスタと同じ電流を引き込むことになるが、先に述べたように、全てのトランジスタに同時に影響を及ぼすことの無い、個々のトランジスタの過渡現象又は欠陥による意図せぬ電流の低減を、達成することができる。
【００３３】
ＥＳＤ保護装置３００の二重のトリガとスイッチの機構は、更に、装置を作動させるためのフェールセーフ方法を提供する。例えば、装置が一旦市場で実装されると、装置は、できるだけ長く適切に作動することが望ましいので、装置が半分故障した場合も、回路が全体として適切に作動すれば有用である。並列設計なので、１つのレッグの故障は、ＥＳＤ保護回路としての装置の作動に影響しない。例えば、ＲＣ回路又はトランジスタの１つが故障した場合、装置は、なおＥＳＤ保護装置として作動し、この場合でも、装置はある程度放射線で損傷し易くはなるが、ＥＳＤを接地に分路する。更に、１つのレッグが故障した場合、残りのレッグは、高い電流を引き込まず、それが守っている回路を損傷させない。
【００３４】
以上の詳細な説明は、制限を加えるのではなく分かり易くするためのものであって、特許請求の範囲が、全ての等価物を含めて本発明の範囲を定義するものと理解頂きたい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】放射線環境下の集積回路にＥＳＤ保護を提供するシステムの一例を示している。
【図２】ＥＳＤ保護装置の或る実施形態を示すブロック図である。
【図３】図３Ａは、ＥＳＤ保護装置の別の実施形態を示すブロック図である。
【００３６】
図３Ｂは、ＥＳＤ保護装置の１つの例の回路図である。
【図４】ＥＳＤ保護装置内の欠陥検出器の一例を示している。
【図５】ＥＳＤ保護装置用の並列トランジスタ構造設計の例を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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