(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層の少なくとも一方の主面において、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも一層積層されてなる配線基板であって、
前記導体層の非配線領域に設けられたプレーン状導体領域に枝葉状のスリットを形成し、前記枝葉状のスリットの主軸が、前記導体層の配線パターンと略平行であることを特徴とする、配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板を用い、この上に半導体素子を搭載して半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。
【０００３】
一方、上記樹脂絶縁層は例えば熱硬化性樹脂から構成するが、前記樹脂絶縁層を形成するに際しては、溶融状態にある熱硬化性樹脂を上記導体層上に塗布した後、加熱硬化させることによって行う。
【０００４】
しかしながら、上記導体層はベタ状の領域及びパターン化された金属配線の領域を有しているので、溶融状態にある前記熱硬化性樹脂を前記金属配線の領域上に塗布した場合、前記熱硬化性樹脂は、前記金属配線のパターン間に流れ込んでしまい、前記熱硬化性樹脂の、前記金属配線上に残存する割合が減少してしまう。一方、溶融状態にある前記熱硬化性樹脂を前記ベタ状の領域に形成した場合、前記熱硬化性樹脂は、そのままベタ状の導体層領域上に残存するようになる。
【０００５】
したがって、溶融状態にある前記熱硬化性樹脂を、前記導体層上に一様に塗布しても、金属配線領域とベタ状領域とでは、前記熱硬化性樹脂の塗布厚が異なり、最終的に得る樹脂絶縁層の厚さも、前記金属配線領域と前記ベタ状領域とで互いに異なるようになってしまう。一般には、前記ベタ状領域における厚さが前記金属配線領域における厚さよりも大きくなってしまう。ここで、前記ベタ状とは、信号線とは異なり配線に関与しない比較的広い面積の導体部分（いわゆるベタパターン）のことを意味する。
【０００６】
また、このような上記熱硬化性樹脂の厚さの変動は、上記配線基板の面内におけるインピーダンスの変動を生ぜしめることになり、前記配線基板に要求されるインピーダンス特性を満足することができなくなってしまう場合がある。
【０００７】
特許文献１では、上記導体層の、上記金属配線領域においてダミーパターンを形成し、見かけ上、金属配線のパターン間距離を低減させている。したがって、溶融状態の熱硬化性樹脂を導体層上に塗布した場合において、前記熱硬化性樹脂の、前記金属配線パターン間に流れ込む割合を低減することができるようになる。この結果、前記導体層の前記金属配線上に残存する前記熱硬化性樹脂の割合が増大し、前記金属配線領域とベタ状領域とにおける前記熱硬化性樹脂の塗布厚の差が減少し、最終的に得る樹脂絶縁層の厚さの変動も抑制されるようになる。
【０００８】
しかしながら、上述のようにダミーパターンを形成する方法では、樹脂絶縁層全体の厚さが増大してしまうことになるので、配線基板のインピーダンスを増大させてしまう結果となる。一方、前記樹脂絶縁層の厚さを低減させるべく、塗布厚自体を低減させることも考えられるが、塗布厚を減少させると塗布ムラが生じてしまい、均一な樹脂絶縁層を形成することができないという問題がある。
【特許文献１】特許第３１２６３３０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる、いわゆる樹脂製配線基板において、前記樹脂絶縁層を薄くかつ均一に形成し、前記配線基板のインピーダンス変動を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
コア層の少なくとも一方の主面において、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも一層積層されてなる配線基板であって、
前記導体層の非配線領域に設けられたプレーン状導体領域にスリットを形成したことを特徴とする、配線基板に関する。
【００１１】
本発明によれば、配線基板の導体層における非配線領域の、プレーン状導体領域、すなわちベタ状領域にスリットを形成している。したがって、溶融状態にある熱硬化性樹脂を前記導体層上に塗布した場合、前記熱硬化性樹脂は、前記導体層の配線領域における金属配線のパターン間に流れ込んでしまうと同時に、前記導体層の前記ベタ状領域に形成したスリット内にも流れ込むようになる。なお、前記ベタ状領域とは、信号線と異なり配線に関与しない比較的広い面積の導体部分（いわゆるベタパターン）のことを意味する。
【００１２】
したがって、前記熱硬化性樹脂の、前記金属配線上に残存する割合が減少してしまうと同時に、前記ベタ状の領域に残存する割合も同時に減少するようになる。結果として、溶融状態にある前記熱硬化性樹脂を、前記導体層上に一様に塗布した際に、金属配線領域とベタ状領域とでの、前記熱硬化性樹脂の塗布厚がほぼ同一となり、最終的に得る樹脂絶縁層の厚さも、前記金属配線領域と前記ベタ状領域とでほぼ同一となる。
【００１３】
このため、上記熱硬化性樹脂の厚さの変動が抑制されるので、上記配線基板の面内におけるインピーダンスの変動を抑制できるようになり、前記配線基板に要求されるインピーダンス特性を満足することができるようになる。
【００１４】
なお、前記スリットは、線状、枝葉状、及び／又は波形状とすることができる。この場合、線状及び枝葉状のスリットは、上記導体層の上記ベタ状領域が比較的狭い場合に有効であり、波形状のスリットは、そのうねり度合いやうねりの長さを調節することによって、その形成面積を簡易に増大させることができるので、上記導体層の上記ベタ状領域が比較的広い場合に有効である。
【００１５】
また、本発明の一態様において、前記スリットの少なくとも一部は、前記導体層の配線パターンと略平行とすることができる。この場合、前記導体層の配線領域における金属配線のパターン間に流れ込んでしまう度合いを、前記導体層の前記ベタ状領域に形成したスリット内に流れ込む度合いで効率良く相殺することができるようになる。したがって、溶融状態にある前記熱硬化性樹脂を、前記導体層上に一様に塗布した際の、金属配線領域とベタ状領域との、前記熱硬化性樹脂の塗布厚をより均一化することができるようになる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる、いわゆる樹脂製配線基板において、外部接続端子とのコンタクトエラーを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
最初に、本発明の方法に使用する配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなるような樹脂製配線基板であれば特に限定されるものではない。
【００１９】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、前記配線基板を上側から見た場合に状態を示し、図２は、前記配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び２に示す前記配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図１及び２に示す前記配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２０】
図１〜４に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２１】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２２】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２３】
第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２４】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２および第２のビア層Ｖ２が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２および第２のビア層Ｖ１２が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属パッド１７が形成されている。
【００２５】
なお、金属パッド１０は、後に形成するはんだバンプを介して図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域を構成する。図１に示すように、金属パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。
【００２６】
また、金属パッド１７は、配線基板１をマザーボード等に接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１の略中心部を除く外周領域に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。
【００２７】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、金属パッド１０は開口部８ａを介してソルダーレジスト層８から露出している。また、第２の主表面ＣＰ２上にも開口部１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されており、金属パッド１７は開口部１８ａを介してソルダーレジスト層１８から露出している。
【００２８】
また、開口部８ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しないはんだからなる、はんだバンプ１１が金属パッド１０と電気的に接続するようにして形成されている。さらに、開口部１８ａ内には図示しないはんだボールやピン等が金属パッド１７と電気的に接続するようにして形成されている。
【００２９】
なお、図１〜４から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３０】
次に、図１〜４に示す配線基板１の、導体層の構成について説明する。なお、ここでは、代表として、第１の導体層Ｍ２を中心に説明するが、その他の導体層についても同様に構成することができる。
【００３１】
図５は、第１の導体層Ｍ２の一例を示す概略構成図である。なお、図５は、図３及び４同様に、第１の導体層Ｍ２の一部を拡大して示している。図５に示すように、第１の導体層Ｍ２は、金属配線７ｂ及び金属パッド３４ｐを有している。また、金属パッド３４ｐは、第１のビア層Ｖ１に形成されたビア導体３４ｓと電気的に接続されている。
【００３２】
図５から明らかなように、第１の導体層Ｍ２においては、金属パッド３４ｐから金属配線７ｂが放射状に延在するようにして密に形成されている。一方、金属配線７ｂが形成されていない非配線領域に設けられたプレーン状導体領域、すなわちベタ状領域７ｃを有している。そして、このベタ状領域７ｃには、複数の直線状のスリット４１が金属配線７ｂと略平行に形成されている。
【００３３】
したがって、図５に示すような構成の第１の導体層Ｍ２上に、第２のビア層Ｖ２を形成する際に、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を第１の導体層Ｍ２上に塗布した場合、熱硬化性樹脂６は、第１の導体層Ｍ２の金属配線７ｂのパターン間に流れ込んでしまうと同時に、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃに形成したスリット４１内にも流れ込むようになる。したがって、熱硬化性樹脂６の、金属配線７ｂ上に残存する割合が減少してしまうと同時に、ベタ状領域７ｃに残存する割合も同時に減少するようになる。
【００３４】
結果として、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を、第１の導体層Ｍ２上に一様に塗布した際に、金属配線７ｂが形成された領域とベタ状領域７ｃとでの、熱硬化性樹脂６の塗布厚がほぼ同一となり、最終的に得る第２のビア層Ｖ２の厚さも、金属配線７ｂの形成領域とベタ状領域７ｃとでほぼ同一となる。このため、熱硬化性樹脂６の厚さの変動が抑制されるので、配線基板１の面内におけるインピーダンスの変動を抑制できるようになり、配線基板１に要求されるインピーダンス特性を満足することができるようになる。
【００３５】
また、本例では、スリット４１を金属配線７ｂと略平行となるように形成しているので、第１の導体層Ｍ２の金属配線７ｂのパターン間に流れ込んでしまう度合いを、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃに形成したスリット４１内に流れ込む度合いで効率良く相殺することができるようになる。したがって、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を、第１の導体層Ｍ２上に一様に塗布した際の、金属配線７ｂの形成領域とベタ状領域７ｃとの、熱硬化性樹脂６の塗布厚をより均一化することができるようになる。
【００３６】
図６は、第１の導体層Ｍ２の他の例を示す概略構成図である。本例では、図５に示す例において、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃにおいて、直線状のスリット４１の代わりに枝葉状のスリット４２を設けた点で相違し、その他の構成要素は同一である。
【００３７】
したがって、本例においても、第１の導体層Ｍ２上に、第２のビア層Ｖ２を形成する際に、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を第１の導体層Ｍ２上に塗布した場合、熱硬化性樹脂６は、第１の導体層Ｍ２の金属配線７ｂのパターン間に流れ込んでしまうと同時に、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃに形成したスリット４２内にも流れ込むようになる。したがって、熱硬化性樹脂６の、金属配線７ｂ上に残存する割合が減少してしまうと同時に、ベタ状領域７ｃに残存する割合も同時に減少するようになる。
【００３８】
結果として、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を、第１の導体層Ｍ２上に一様に塗布した際に、金属配線７ｂが形成された領域とベタ状領域７ｃとでの、熱硬化性樹脂６の塗布厚がほぼ同一となり、最終的に得る第２のビア層Ｖ２の厚さも、金属配線７ｂの形成領域とベタ状領域７ｃとでほぼ同一となる。このため、熱硬化性樹脂６の厚さの変動が抑制されるので、配線基板１の面内におけるインピーダンスの変動を抑制できるようになり、配線基板１に要求されるインピーダンス特性を満足することができるようになる。
【００３９】
また、本例では、スリット４２の主軸部分４２Ａを金属配線７ｂと略平行となるように形成しているので、第１の導体層Ｍ２の金属配線７ｂのパターン間に流れ込んでしまう度合いを、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃに形成したスリット４２内に流れ込む度合いで効率良く相殺することができるようになる。したがって、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を、第１の導体層Ｍ２上に一様に塗布した際の、金属配線７ｂの形成領域とベタ状領域７ｃとの、熱硬化性樹脂６の塗布厚をより均一化することができるようになる。
【００４０】
図７は、第１の導体層Ｍ２のその他の例を示す概略構成図である。本例では、図５に示す例において、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃが比較的大きく、かかるベタ状領域７ｃにおいて、直線状のスリット４１の代わりに波形状のスリット４３を設けた点で相違し、その他の構成要素は同一である。
【００４１】
本例においても、第１の導体層Ｍ２上に、第２のビア層Ｖ２を形成する際に、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を第１の導体層Ｍ２上に塗布した場合、熱硬化性樹脂６は、第１の導体層Ｍ２の金属配線７ｂのパターン間に流れ込んでしまうと同時に、第１の導体層Ｍ２のベタ状領域７ｃに形成したスリット４３内にも流れ込むようになる。したがって、熱硬化性樹脂６の、金属配線７ｂ上に残存する割合が減少してしまうと同時に、ベタ状領域７ｃに残存する割合も同時に減少するようになる。
【００４２】
結果として、溶融状態にある熱硬化性樹脂６を、第１の導体層Ｍ２上に一様に塗布した際に、金属配線７ｂが形成された領域とベタ状領域７ｃとでの、熱硬化性樹脂６の塗布厚がほぼ同一となり、最終的に得る第２のビア層Ｖ２の厚さも、金属配線７ｂの形成領域とベタ状領域７ｃとでほぼ同一となる。このため、熱硬化性樹脂６の厚さの変動が抑制されるので、配線基板１の面内におけるインピーダンスの変動を抑制できるようになり、配線基板１に要求されるインピーダンス特性を満足することができるようになる。
【００４３】
なお、本例では、波形状のスリット４３を設けており、そのうねり度合いやうねりの長さを調節することによって、その形成面積を簡易に増大させることができるので、本例のように、ベタ状領域７ｃが比較的大きいような場合でも、かかるベタ状領域７ｃの全体に亘って上述した作用効果を奏するようなスリット４３を簡易に形成することができる。
【００４４】
なお、図５〜７では、第１の導体層Ｍ２について説明したが、図１〜４に示す配線基板１においては、第１の導体層Ｍ２について述べたが、第１の導体層Ｍ１２についても同様である。
【００４５】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】同じく、実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】図１及び２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図５】前記配線基板の導体層の一例を示す概略構成図である。
【図６】前記配線基板の導体層の他の例を示す概略構成図である。
【図７】前記配線基板の導体層のその他の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  配線基板、
Ｍ１  コア導体層
Ｖ１  第１のビア層
Ｍ２  第１の導体層
Ｖ２  第２のビア層
Ｍ１１  コア導体層
Ｖ１１  第１のビア層
Ｍ１２  第１の導体層
Ｖ１２  第２のビア層
３４ｐ  金属パッド
３４ｓ  ビア導体
７ｂ  金属配線
７ｃ  非配線領域に設けられたプレーン状導体領域（ベタ状領域）
４１  直線状のスリット
４２  枝葉状のスリット
４３  波形状のスリット
【図１】
0005179234.tif 000002
【図２】
0005179234.tif 000003
【図３】
0005179234.tif 000004
【図４】
0005179234.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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