(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の駆動素子と、
前記駆動素子に電気的に接続された配線部と、
前記駆動素子および前記配線部上に各駆動素子と対応して形成された複数の第１電極と、
前記第１電極上にそれぞれ形成された複数の発光部と、
前記発光部からの光を透過可能な材料により形成されると共に前記複数の発光部上に設けられた共通の第２電極と、
前記第２電極よりも低抵抗の補助配線部と、
前記第２電極と前記補助配線部との間を電気的に接続する導電性のコンタクト部と
を備え、
前記配線部および前記コンタクト部は、１つの導電層をパターニングすることにより形成されたものである
発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記補助配線部との間は、前記コンタクト部によって部分的に接続されている
請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項３】
前記導電層が、
その少なくとも最上層に形成されると共に前記第１電極に対して低いエッチング選択性を示す材料からなる低エッチング選択性膜と、
前記低エッチング選択性膜の下層に形成されると共に前記第１電極に対して高いエッチング選択性を示す材料からなる高エッチング選択性膜と
を含む多層膜により構成され、
前記コンタクト部における前記低エッチング選択性膜が、部分的に除去されている
請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項４】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する平坦化絶縁層および電極間絶縁層が形成され、
前記電極間絶縁層が前記平坦化絶縁層の上に形成されると共に、前記電極間絶縁層の開口は、前記平坦化絶縁層の開口よりも内側に形成されている
請求項３に記載の発光表示装置。
【請求項５】
前記導電層が、前記第１電極に対して低いエッチング選択性を示す材料により構成され、
前記コンタクト部のうちの上層部分が、部分的に除去されている
請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項６】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する平坦化絶縁層および電極間絶縁層が形成され、
前記電極間絶縁層が前記平坦化絶縁層の上に形成されると共に、前記電極間絶縁層の開口は、前記平坦化絶縁層の開口よりも内側に形成されている
請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項７】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する絶縁層が形成され、
前記開口の側面は、上が広く下が狭い階段状に形成されている
請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項８】
前記コンタクト部は、前記第１電極に対して高いエッチング選択性を示す材料により構成されている
請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項９】
基板上に複数の駆動素子および配線部を形成してこれら複数の駆動素子と配線部との間を電気的に接続する工程と、
前記駆動素子および前記配線部上に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層をパターニングすることにより、前記複数の駆動素子にそれぞれ対応する複数の第１電極を形成すると共に補助配線部を形成する工程と、
前記第１電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、
前記複数の発光部上に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第２電極を共通に形成する工程と、
導電性のコンタクト部を形成すると共にこのコンタクト部によって前記第２電極と前記補助配線部との間を電気的に接続する工程と
を含み、
前記補助配線部を、前記第２電極よりも低抵抗の材料により形成し、
１つの第２導電層を形成すると共にこの第２導電層をパターニングすることにより、前記配線部および前記コンタクト部をそれぞれ形成する
発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２電極と前記補助配線部との間を電気的に接続する工程において、これらの間を部分的に接続させる
請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２導電層を、前記第１電極に対して低いエッチング選択性を示す材料からなる低エッチング選択性膜を少なくとも最上層とすると共に前記第１電極に対して高いエッチング選択性を示す材料からなる高エッチング選択性膜を前記低エッチング選択性膜の下層とする多層膜により形成する
請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する平坦化絶縁層を形成する工程と、
前記平坦化絶縁層と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する電極間絶縁層を形成する工程と
を含み、
前記電極間絶縁層の開口を、前記平坦化絶縁層の開口よりも内側に形成する
請求項１１に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２導電層を、前記第１電極に対して低いエッチング選択性を示す材料により形成すると共に、
前記第２導電層の厚みを、前記第１電極のパターニング形成の際に前記コンタクト部のうちの上層部分のみが部分的に除去されるように設定する
請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する平坦化絶縁層を形成する工程と、
前記平坦化絶縁層と前記第２電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する電極間絶縁層を形成する工程と
を含み、
前記電極間絶縁層の開口を、前記平坦化絶縁層の開口よりも内側に形成する
請求項１３に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記コンタクト部と前記第２電極との層間に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層における前記コンタクト部に対応する領域を選択的に除去することにより、上が広く下が狭い階段状の側面をなす開口を形成する工程と
を含む請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記階段状の側面をなす開口を、ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスクを用いて形成する
請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記コンタクト部を、前記第１電極に対して高いエッチング選択性を示す材料により形成する
請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上面発光方式の発光表示装置およびそのような発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ（Electro Luminescence）現象を利用して映像を表示する有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は有機発光素子自体の発光現象を利用しているために視野角が広く、また消費電力が低いなどの優れた特徴を備えている。さらに、この有機ＥＬ表示装置は高精細度の高速ビデオ信号に対しても高い応答性を示すことから、特に映像分野等において、実用化に向けた開発が進められている。【０００３】
有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れており、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において、特に適した駆動方式と考えられている。このアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、有機発光層を含む有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ表示素子を駆動させるための駆動素子（上記薄膜トランジスタ）とが配設された駆動パネルを有しており、この駆動パネルと封止パネルとが有機ＥＬ素子を挟むようにして、互いに接着層により貼り合わされた構成となっている。また、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機発光層が形成された構成となっている。【０００４】
有機ＥＬ表示装置には、各有機ＥＬ素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者のほうが開口率を高くすることができるため、開発の主流となっている。【０００５】
ここで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取り出し側、すなわち封止パネル側の電極は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、この光取り出し側の電極へ印加された電圧が面内で不均一となるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまうという問題があった。【０００６】
そこで、例えば特許文献１には、駆動パネル側の電極と同じ層に同じ材料によって、光取り出し側の電極と接続するための補助配線を形成するようにした技術が開示されている。【０００７】
【特許文献１】特開２００２―３１８５５６号公報
【発明の開示】
【０００８】
このように、光取り出し側の電極と比べ抵抗率の低い材料によって補助配線を形成し、これを光取り出し側の電極と接続するようにすれば、上述した電極電圧の面内不均一性がある程度緩和されるとも考えられる。
【０００９】
ところが、上記特許文献１の技術では、駆動パネル側の電極の表面に例えばアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金を用いるようにした場合、その電極と同一材料で補助配線を形成すると、補助配線の表面が酸化されやすくなってしまう。表面が酸化されると、補助配線と光取り出し側の電極との間の接続抵抗が増加し、この部分で大きな電圧降下が生じてしまうことになる。よって、この電圧降下の増加に起因して、装置の消費電力も増大してしまう。
【００１０】
このように従来の技術では、補助配線の構成によらずに消費電力の増大が生じないようにし、光取り出し側の電極電圧の面内均一化を実現して表示品質を向上させるのが困難であった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、補助配線の構成によらず、低消費電力を確保すると共に表示品質を向上させることが可能な発光表示装置、およびそのような発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の発光表示装置は、複数の駆動素子と、これら駆動素子に電気的に接続された配線部と、駆動素子および配線部上に各駆動素子と対応して形成された複数の第１電極と、これら第１電極上にそれぞれ形成された複数の発光部と、これら発光部からの光を透過可能な材料により形成されると共に複数の発光部上に設けられた共通の第２電極と、この第２電極よりも低抵抗の補助配線部と、第２電極と補助配線部との間を電気的に接続する導電性のコンタクト部とを備え、配線部およびコンタクト部が１つの導電層をパターニングすることにより形成されたものである。
【００１３】
本発明の発光表示装置では、第２電極と補助配線との間が導電性のコンタクト部を介して電気的に接続されているので、仮に補助配線の表面が酸化しても、接続抵抗の増大が回避される。また、配線部およびコンタクト部が１つの導電層をパターニングすることにより形成されたものである（１つの導電層を形成すると共にこの導電層をパターニングすることにより、配線部およびコンタクト部がそれぞれ形成される）ことにより、配線層とコンタクト部とが同じ工程で形成され得るため、製造工程が簡素化する。
【００１４】
本発明の発光表示装置の製造方法は、基板上に複数の駆動素子および配線部を形成してこれら複数の駆動素子と配線部との間を電気的に接続する工程と、駆動素子および配線部上に第１導電層を形成する工程と、この第１導電層をパターニングすることにより、複数の駆動素子にそれぞれ対応する複数の第１電極を形成すると共に補助配線部を形成する工程と、第１電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、これら複数の発光部上に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第２電極を共通に形成する工程と、導電性のコンタクト部を形成すると共にこのコンタクト部によって第２電極と補助配線部との間を電気的に接続する工程とを含み、上記補助配線部を第２電極よりも低抵抗の材料により形成し、１つの第２導電層を形成すると共にこの第２導電層をパターニングすることにより、配線部およびコンタクト部をそれぞれ形成するようにしたものである。
【００１６】
本発明の発光表示装置または発光表示装置の製造方法によれば、第２電極と補助配線との間を導電性のコンタクト部を介して電気的に接続させるようにしたので、仮に補助配線の表面が酸化しても、接続抵抗の増大を回避することができる。よって、補助配線の構成によらず、低消費電力を確保すると共に表示品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光表示装置の構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した発光表示装置の製造方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】比較例に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図７】電極間に流れる電流と補助配線での電圧降下との関係を表す特性図である。
【図８】他の比較例に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図１０】図９に示した発光表示装置の製造方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図１５】図１４に示した発光表示装置の製造方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を表す断面図である。
【図１８】第３の実施の形態の変形例に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図１９】本発明の変形例に係る発光表示装置の製造方法に使用されるマスクの構成を表す断面図である。
【図２０】図１９に示したマスクを使用した場合に対応する第１の実施の形態の変形例に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１】図１９に示したマスクを使用した場合に対応する第２の実施の形態の変形例に係る発光表示装置の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。【００１９】
［第１の実施の形態］
図１および図２は、本発明の第１の実施の形態に係る発光表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の構成を表すものであり、図１は平面構成を示し、図２は図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成を示している。【００２０】
この有機ＥＬ表示装置１は、一対の絶縁性の透明基板１０Ａ，１０Ｂ間に多層膜が積層された積層構造をなしている。具体的には、透明基板１０Ａ側からゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、シリコン膜１３、ストッパ絶縁膜１４および配線層１５Ａが積層され、薄膜トランジスタＴｒを構成している。また、薄膜トランジスタＴｒ上には、パッシベーション絶縁膜１６および平坦化絶縁膜１７Ａが積層されている。この平坦化絶縁膜１７Ａ上には、薄膜トランジスタＴｒの形成領域に対応して、有機ＥＬ素子ＥＬが形成されている。【００２１】
各有機ＥＬ素子ＥＬは、平坦化絶縁膜１７Ａ側から第１電極１８Ａ、有機発光層１９および第２電極２０の順に積層された積層構造をなしている。このうち、第１電極１８Ａおよび有機発光層１９は、平坦化絶縁膜１７Ａ上の電極間絶縁膜２１によって互いに分離され、例えば図２に示したような矩形状によって透明基板１０Ａ，１０Ｂ内でマトリクス状に配置されている。一方、第２電極２０は、各有機ＥＬ素子ＥＬに対して共通の電極であり、図２に示したように、透明基板１０Ａ，１０Ｂ内に一様に形成されている。【００２２】
図１および図２に示したように、各薄膜トランジスタＴｒ、各第１電極１８Ａおよび各有機発光層１９の間に対応する領域には、第１電極１８Ａと同一の層に補助配線１８Ｂが形成されている。また、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１には、この補助配線１８Ｂの形成領域の一部（図１参照）に、上が広く下が狭い順テーパ状の開口が設けられている。この開口の底部とゲート絶縁膜１２との層間では、配線層１５Ａと同一の層に導電性のコンタクト部１５Ｂが形成され、このコンタクト部１５Ｂ上で、第２電極２０と補助配線１８Ｂとが電気的に接続されている。【００２３】
また、第２電極２０上には保護膜２３が一様に形成され、この保護膜２３と透明基板１０Ｂとの層間には、封止樹脂１７Ｂが一様に形成されている。このような構成により有機ＥＬ表示装置１は、有機発光層１９から発せられた光を、最終的に第２電極２０側（透明基板１０Ｂ側）、すなわち上方から射出するようになっており、いわゆる上面発光型の構造をなしている。【００２４】
透明基板１０Ａ，１０Ｂは、例えばガラス材料やプラスチック材料などの絶縁性材料により構成される。【００２５】
薄膜トランジスタＴｒは、各有機ＥＬ素子ＥＬを発光駆動させるための駆動素子である。このうち、ゲート電極１１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）などにより構成される。また、シリコン膜１３は薄膜トランジスタＴｒのチャネル領域を形成する部分であり、例えばアモルファスシリコン膜などにより構成される。【００２６】
配線層１５Ａは、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極およびドレイン電極を構成すると共に、信号線などの配線としても機能している。この配線層１５Ａは、後述するようにコンタクト部１５Ｂと同一の材料から構成されている。具体的には、例えば表面が酸化されにくく、第２電極２０との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性材料により構成される。また、後述するように、第１電極１８Ａに対して高いエッチング選択比を示す材料であるのが望ましい。より具体的には、例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide；酸化インジウム亜鉛）もしくは銀（Ａｇ）、またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。また、この配線層１５Ａを、Ｔｉ／Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｔｉ／（ＡｌＳｉ合金）、Ｔｉ／（ＡｌＳｉＣｕ合金）またはＴｉ／（ＡｌＣｅ（セリウム）合金）などのＴｉを最上層とする多層膜によって構成するようにしてもよい。なお、配線層１５の構成材料は、第１電極１８Ａの構成材料やエッチング方法などによって適宜選択される。【００２７】
パッシベーション絶縁膜１６は、薄膜トランジスタＴｒを保護するためのものであり、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。また、平坦化絶縁膜１７Ａは、層構造を平坦化してその上に有機ＥＬ素子ＥＬを形成するためのものであり、例えば感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンまたはアクリル樹脂などの絶縁性材料により構成される。【００２８】
有機発光層１９は、図示しない正孔輸送層、発光層および電子輸送層を順次堆積させたものであり、第１電極１８Ａおよび第２電極２０によって挟持されている。そしてこれら第１電極１８Ａと第２電極２０との間に所定の電圧を印加すると、発光層内に注入された正孔および電子のキャリア再結合によって、発光が得られるようになっている。【００２９】
第１電極１８Ａは、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）であると共に、この有機発光層１９からの光を反射して上方へ導くための反射電極としても機能している。よって、この第１電極１８Ａは、反射率の高い金属、例えばＡｌや、ＡｌＮｄ（ネオジウム）合金またはＡｌＣｅ合金などのＡｌを主成分とする合金などにより構成される。なお、このような第１電極１８Ａの構成材料は、表面が酸化されやすいという性質（表面酸化性）を有している。【００３０】
第２電極２０も、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）である。第２電極２０は、この有機発光層１９からの光を透過して上方へ射出するため、透明または半透明の電極となっている。よって、この第２電極２０は、例えば、透明材料であるＩＴＯやＩＺＯ、または半透明材料であるＭｇ（マグネシウム）Ａｇ合金やＣｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌなどにより構成される。【００３１】
補助配線１８Ｂは、前述のように各薄膜トランジスタＴｒ、各第１電極１８Ａおよび各有機発光層１９の間に対応する領域に形成されており、抵抗の高い透過性の第２電極２０における電極電圧の面内不均一性を抑制するためのものである。よって、この補助配線１８Ｂは第２電極２０よりも低抵抗となるように（例えば、抵抗率の低い材料により）構成され、具体的には、上述した第１電極１８Ａの構成材料と同一の材料により構成される。【００３２】
コンタクト部１５Ｂは、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間を、例えば図１に示したように部分的に電気的接続をするためのものであり、前述のように配線層１５Ａと同一の層に、配線層１５Ａと同一材料によって形成される。すなわち、表面が酸化されにくく、第２電極２０との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性材料であり、さらに第１電極１８Ａに対して高いエッチング選択比を示す材料であるのが望ましい。なお、第１電極１８Ａに対して高いエッチング選択比を示す材料にするのは、詳細は後述するが、エッチングにより第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂを形成する際に、コンタクト部１５Ｂも一緒にエッチングされないようにするためである。【００３３】
電極間絶縁膜２１は、各有機ＥＬ素子ＥＬ同士を分離するためのものであり、その側面は上が広く下が狭い順テーパ形状となっている。ここで、この順テーパ形状は、なるべく緩やかであるのが望ましい。また、この電極間絶縁膜２１間の開口の幅は、コンタクト部１５Ｂが形成されている平坦化絶縁膜１７Ａでの開口よりも広くなるように構成され、図２に示したように、第２電極２０がこれらの開口部分において、上が広く下が狭い階段状をなすようになっている。このように順テーパ形状をなるべく緩やかにしたり開口部分を階段状に形成するのは、詳細は後述するが、そのほうが第２電極２０を形成する際に断線したり抵抗値増加を招いたりするのを回避するためである。なお、この電極間絶縁膜２１は、例えば感光性のポリイミド樹脂などの絶縁性材料により構成される。【００３４】
保護膜２３は、第２電極２０を保護するためのものであり、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。また、封止樹脂１７Ｂは、層構造を平坦化して透明基板１０Ｂで挟み込むようにするためのものである。【００３５】
ここで、薄膜トランジスタＴｒが本発明における「駆動素子」の一具体例に対応し、有機発光層１９が本発明における「発光部」の一具体例に対応する。また、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１が本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。【００３６】
次に図３〜図５を参照して、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。図３〜図５はそれぞれ、有機ＥＬ表示装置１の製造工程の一部を断面図で表したものである。【００３７】
まず、図３（Ａ）に示したように、前述した材料よりなる透明基板１０Ａ上に、例えばスパッタ法、（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法およびフォトリソグラフィ法を用いて、前述した材料よりなるゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、シリコン膜１３、ストッパ絶縁膜１４および配線層１５Ａをこの順に積層させ、例えば透明基板１０Ａ上でマトリクス状をなす複数の薄膜トランジスタＴｒをそれぞれ形成する。【００３８】
ここで、配線層１５Ａを例えばスパッタ法により形成する際に、この配線層１５Ａと同一の材料を用いて、ゲート絶縁膜１２上、すなわち配線層１５Ａと同一の層における、図１に示したような薄膜トランジスタＴｒ間に対応する領域の一部に、コンタクト部１５Ｂを一緒に形成する。なお、これら配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂの材料は、後述する金属層１８のエッチング方法により適宜選択され、例えば後述するようにリン酸、硝酸および酢酸の混合酸を用いてウエットエッチングにより行う場合、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層膜とすることができ、その場合の膜厚としては、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ＝５０ｎｍ／５００ｎｍ／５０ｎｍ程度とする。なお、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層膜の場合、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）によるエッチング方法が考えられるが、その場合にはパタン不良欠陥が発生しやすくなってしまうため、好ましくない。【００３９】
次いで、同じく図３（Ａ）に示したように、これら薄膜トランジスタＴｒおよびコンタクト部１５Ｂ上に、前述した材料よりなるパッシベーション絶縁膜１６を、例えばＣＶＤ法により一様に形成する。【００４０】
次に、図３（Ｂ）に示したように、パッシベーション絶縁膜１６上に、前述した材料よりなる平坦化絶縁膜１７Ａを、例えばスピンコート法やスリットコート法により一様に塗布形成する。そしてコンタクト部１５Ｂに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって露光および現像を行って開口を形成し、その後焼成を行うことにより、図中の符号Ｐ１で示したような順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。この際、平坦化絶縁膜１７Ａとして用いる感光性樹脂には、この傾斜がなるべく緩やかになるような感光性樹脂を適宜選択する。なお、この傾斜をより緩やかなものとするため、ハーフトーンマスクを用いて開口を形成したり、この開口部分の大きさが異なる複数枚のマスクを用いて複数回の露光処理を行うようにしてもよい。なお、この順テーパ形状の斜度は、後に形成する第２電極２０の膜厚や形成方法によって適宜設定する。【００４１】
次に、図４（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部１５Ｂ上に、例えば前述した第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂの構成材料（この例では、金属材料）を用いて、例えばスパッタ法により金属層１８を、例えば３００ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。【００４２】
次に、図４（Ｂ）に示したように、金属層１８を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、図１および図２に示した形状からなる第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂをそれぞれ形成する。この際、第１電極を各薄膜トランジスタＴｒに対応する位置に形成すると共に、補助配線１８Ｂを各薄膜トランジスタＴｒ間に対応する領域に形成する。また、この補助配線１８Ｂの一部がコンタクト部１５Ｂと電気的に接続されるようにパターニングする。ここで、コンタクト部１５Ｂは、前述のように金属層１８に対してエッチング選択比の高い材料から構成されているため、この金属層１８をエッチングする際に、コンタクト部１５Ｂも一緒にエッチングされるおそれはない。なお、このときのエッチングは、例えばリン酸、硝酸および酢酸の混合酸を用いたウエットエッチングにより行う。【００４３】
次に、図５（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａ、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂ上に、前述した材料よりなる電極間絶縁膜２１を、例えばスピンコート法やスリットコート法により一様に塗布形成し、例えばフォトリソグラフィ法によって所定の形状、すなわち各第１電極１８Ａおよび後に形成する各有機発光層１９が互いに分離されるようにパターニングする。また、この際も図中の符号Ｐ２で示したように、コンタクト部１５Ｂに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的に除去し、順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。そして同様にこの傾斜がなるべく緩やかになるように、ハーフトーンマスクを用いて開口を形成したり、この開口部分の大きさが異なる複数枚のマスクを用いて複数回の露光処理を行うようにする。また、この電極間絶縁膜２１間の開口の幅を、平坦化絶縁膜１７Ａでの開口よりも広くなるように構成し、開口部の側面が階段状となるように形成する。【００４４】
次に、図５（Ｂ）に示したように、各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を、例えば真空蒸着法により形成する。そしてこの有機発光層１９、電極間絶縁膜２１、平坦化絶縁膜１７Ａ、コンタクト部１５Ｂおよび補助配線１８Ｂ上に、例えば真空蒸着法により前述した材料よりなる第２電極２０を、例えば１０ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。【００４５】
最後に、第２電極２０上に、例えばＣＶＤ法により前述した材料によりなる保護膜２３を一様に形成すると共に、この保護膜２３上に封止樹脂１７Ｂを、例えば滴下注入法により一様に形成し、これを前述した材料よりなる透明基板１０Ｂで挟み込むことにより、図１および図２に示した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１が製造される。【００４６】
この有機ＥＬ表示装置１では、配線層１５Ａおよび薄膜トランジスタＴｒを介して第１電極１８Ａに電圧が印加されると、第２電極２０との間の電位差に応じた輝度で有機発光層１９が発光する。この有機発光層１９からの光は、第１電極１８Ａで反射されつつ第２電極を透過することにより、図２に上方、すなわち透明基板１０Ｂ側に射出される。そして各画素に配置された有機ＥＬ素子ＥＬから画素信号に応じた光が射出されることで、有機ＥＬ表示装置１に所定の画像が表示される。【００４７】
ここで、この有機ＥＬ表示装置１では、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間が、表面が酸化されにくく第２電極２０との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性のコンタクト部１５Ｂを介して電気的に接続されているため、仮に第１電極１８Ａと同一材料からなる補助配線１８Ｂの表面が酸化したとしても、これら第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間の接続抵抗の増大が回避される。【００４８】
これに対して、例えば図６に示した従来の有機ＥＬ表示装置１０１（比較例１）では、補助配線１１８Ｂが、第１電極１１８Ａと同一の層に同一材料により形成されると共に第２電極１２０と直接接続されているため、補助配線１１８Ｂの表面が酸化されると、第２電極１２０と補助配線１１８Ｂとの間の接続抵抗が増大してしまうことになる。【００４９】
よって、例えば図７に示したように、符号Ｇ１０１で示した比較例１では、薄膜トランジスタＴｒの実使用領域（ドレイン電流Ｉｄ＝１μＡ〜１０μＡ程度の領域）において、上記接続抵抗の増大に起因して約１Ｖもの電圧降下が生じているのに対して、符号Ｇ１で示した本実施の形態では、同じ実使用領域において、約１０μＶ〜１００μＶ程度しか電圧降下が生じず、その結果、比較例１と比べ有機ＥＬ表示装置全体での消費電力が大幅に減少することになる。【００５０】
また、例えば図８に示したように、従来の別の有機ＥＬ表示装置２０１（比較例２）では、補助配線２１８Ｂが配線層１５Ａと同一の層に同一材料により形成されていることから、上記したような接続抵抗増大の問題は回避されるものの、薄膜トランジスタＴｒや配線層１５Ａによってレイアウト上の制限を受け、補助配線２１８Ｂを形成するのが困難である。そして仮に補助配線２１８Ｂを形成できたとしても、各配線間の距離が非常に短いことから、この補助配線２１８Ｂを介した配線間のショート不良を招きやすくなり、装置の歩留まりが低下してしまうことになる。【００５１】
これに対して本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１では、補助配線１８Ｂが第１電極１８Ａと同一の層に形成されると共に、第１電極１８Ａ間に対応する領域に位置する補助配線１８Ｂの一部のみが配線層１５Ａと同一層のコンタクト部１５Ｂと接続されているため、このコンタクト部１５Ｂを形成する際に、薄膜トランジスタＴｒや配線層１５Ａによってレイアウト上の制限を受けるおそれはない。【００５２】
以上のように、本実施の形態では、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間を導電性のコンタクト部１５Ｂを介して電気的に接続させると共に、補助配線１８Ｂの一部のみをこのコンタクト部１５Ｂと接続させるようにしたので、補助配線１８Ｂの表面が酸化しても接続抵抗の増大を回避することができると共に、コンタクト部１５Ｂを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもない。よって、レイアウト上の自由度と低消費電力を確保しつつ、有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上させることが可能となる。【００５３】
また、コンタクト部１５Ｂを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもないことから、無理なレイアウトによって配線層１５Ａとの間でショート不良などを引き起こすこともなく、従来の有機ＥＬ表示装置と比べて製造歩留まりを向上させることが可能となる。【００５４】
また、コンタクト部１５Ｂを、配線層１５Ａと同一層に同一材料によって形成するようにしたので、このコンタクト部１５Ｂの形成によって製造工程が増えることもなく、製造コストも維持することができる。すなわち、配線層１５Ａとコンタクト部１５Ｂとを同じ工程で形成することができるため、後述する第２の実施の形態と比べ、製造工程を簡素化することができる。【００５５】
また、コンタクト部１５Ｂを、第１電極１８Ａに対してエッチング選択比の高い材料により形成するようにしたので、金属層１８をエッチングして第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂを形成する際に、コンタクト部１５Ｂも一緒にエッチングしてしまうおそれもない。よって、上記したようなコンタクト部１５Ｂを確実に形成することができる。【００５６】
さらに、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１における開口の側面を、上が広く下が狭い順テーパ形状とすると共に、電極間絶縁膜２１での開口の幅のほうが平坦化絶縁膜１７Ａでの開口の幅よりも広くなるようにしたので、これら開口の側面部分における第２電極２０の断線や抵抗値増大を回避し、これに起因した製造歩留まりの低下も回避することが可能となる。【００５７】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る発光表示装置について説明する。なお、第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。【００５８】
図９は、本実施の形態に係る発光表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表すものである。この有機ＥＬ表示装置２では、コンタクト部２２Ａが、配線層１５Ａではなく第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｃと同一の層に形成されている。ただし、このコンタクト部２２Ａは、これら第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｃとは別個の材料により構成されている。具体的には、このコンタクト部２２Ａとしては、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｃのエッチング時に選択比が大きくなるような材料が用いられる。そして第１の実施の形態と同様に、第２電極２０と補助配線１８Ｃとの間がコンタクト部２２Ａを介して接続されている。なお、その他の部分の構成については、第１の実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置１と同様である。【００５９】
次に図１０〜図１３を参照して、この有機ＥＬ表示装置２の製造方法について説明する。図１０〜図１３はそれぞれ、有機ＥＬ表示装置２の製造工程の一部を断面図で表したものである。【００６０】
まず、図１０（Ａ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして透明基板１０Ａ上に薄膜トランジスタＴｒを形成し、その上にパッシベーション絶縁膜１６を一様に形成する。ただし第１の実施の形態とは異なり、配線層１５Ａと同一の層に、コンタクト部２２Ａを形成しない。【００６１】
次に、図１０（Ｂ）に示したように、パッシベーション絶縁膜１６上に、第１の実施の形態と同様にして平坦化絶縁膜１７Ａを一様に形成する。【００６２】
次に、図１１（Ａ）に示したように、コンタクト部２２Ａを形成するための金属層２２を、例えばスパッタ法により、例えば５０ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。そして図１１（Ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、第１の実施の形態と同様に薄膜トランジスタＴｒ間に対応する領域の一部に、コンタクト部２２Ａを形成する。【００６３】
次に、図１２（Ａ）に示したように、このコンタクト部２２Ａおよび平坦化絶縁膜１７Ａの上に、第１の実施の形態と同様にして、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｃを形成するための金属層２２を一様に形成する。そして図１２（Ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、薄膜トランジスタＴｒの形成領域に対応して第１電極１８Ａを形成すると共に、各薄膜トランジスタＴｒ間に対応する領域においてコンタクト部２２Ａと部分的に電気的接続するようにして、補助配線１８Ｃを形成する。なお、この金属層２２のエッチングの際にも、第１の実施の形態と同様に、コンタクト部２２Ａは金属層２２に対してエッチング選択比の高い材料により構成されていることから、コンタクト部２２Ａが一緒にエッチングされてしまうおそれはない。【００６４】
次に、図１３（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａ、第１電極１８Ａ、補助配線１８Ｃおよびコンタクト部２２Ａ上に、第１の実施の形態と同様にして、電極間絶縁膜２１を所定の形状、すなわち各第１電極１８Ａおよび後に形成する各有機発光層１９が互いに分離されるように形成する。また、この際も図中の符号Ｐ３で示したように、コンタクト部２２Ａに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的に除去し、順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。そして同様にこの傾斜がなるべく緩やかになるように、ハーフトーンマスクを用いて開口を形成したり、この開口部分の大きさが異なる複数枚のマスクを用いて複数回の露光処理を行うようにする。【００６５】
次に、図１３（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を形成した後、この有機発光層１９、電極間絶縁膜２１、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部２２Ａ上に、第１の実施の形態と同様にして第２電極２０を一様に形成する。この際も同様に、電極間絶縁膜２１における開口の順テーパ形状の傾斜角などを考慮して、この開口の傾斜部分で第２電極２０が断線したり抵抗値が増大したりしないよう、第２電極２０の厚みを調整するようにする。【００６６】
そして最後に、第２電極２０上に保護膜２３および封止樹脂１７Ｂをこの順に一様に形成し、これを透明基板１０Ｂで挟み込むことにより、図９に示した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置２が製造される。【００６７】
以上のように、本実施の形態においても、第２電極２０と補助配線１８Ｃとの間を導電性のコンタクト部２２Ａを介して接続させるようにすると共に、補助配線１８Ｃの一部のみをこのコンタクト部２２Ａと接続させるようにしたので、第１の実施の形態と同様の作用・効果を生ずる。すなわち、補助配線１８Ｃの表面が酸化しても接続抵抗の増大を回避することができると共にコンタクト部２２Ａを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもないので、レイアウト上の自由度と低消費電力を確保しつつ有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上させることが可能となる。【００６８】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る発光表示装置について説明する。なお、第１および第２の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。【００６９】
図１４は、本実施の形態に係る発光表示装置（有機ＥＬ表示装置３）の断面構成を表すものである。この有機ＥＬ表示装置３では、配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂがそれぞれ、透明基板１０Ａの側から順に、層１５Ａ１，１５Ａ２，１５Ａ３および層１５Ｂ１，１５Ｂ２，１５Ｂ３のように積層された多層膜となっている。これらの多層膜のうちの少なくとも最上層（例えば、層１５Ａ３，１５Ａ２や層１５Ｂ３，１５Ｂ２）は、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチング時に選択比が小さくなる（第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す）ような材料（例えば、ＭｏやＡｌ）により構成されると共に、このような低いエッチング選択性を示す材料からなる層の下層（例えば、層１５Ａ２，１５Ａ１や層１５Ｂ２，１５Ｂ１）に、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチング時に選択比が大きくなる（第１電極１８Ａ等に対して高いエッチング選択性を示す）ような材料（例えば、Ｔｉ）により構成されている。具体的には、層１５Ａ３，Ａ２，Ａ１および層１５Ｂ３，Ｂ２，Ｂ１の順に、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｔｉのように構成される。これにより、後述するように、コンタクト部１５Ｂのうちの上層（この場合、層１５Ｂ３，１５Ｂ２）の一部が、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチング時に選択的に除去されている。また、この有機ＥＬ表示装置３では、図中の符号Ｐ４１で示したように、電極間絶縁膜２１の開口が、平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも内側に形成されるようになっている。なお、その他の部分の構成については第１の実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置１と同様であり、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間がコンタクト部１５Ｂを介して接続されている。【００７０】
次に図１５〜図１７を参照して、この有機ＥＬ表示装置３の製造方法について説明する。図１５〜図１７はそれぞれ、有機ＥＬ表示装置３の製造工程の一部を断面図で表したものである。【００７１】
まず、図１５（Ａ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、透明基板１０Ａ上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、シリコン膜１３、ストッパ絶縁膜１４および配線層１５Ａをこの順に積層させ、例えば透明基板１０Ａ上でマトリクス状をなす複数の薄膜トランジスタＴｒをそれぞれ形成する。また、この配線層１５Ａを形成する際に、この配線層１５Ａと同一の材料を用いて、第１の実施の形態と同様にして、コンタクト部１５Ｂを一緒に形成する。ただし、本実施の形態においては、これら配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂを、前述のように、層１５Ａ１〜１５Ａ３および層１５Ｂ１〜１５Ｂ３からなる多層膜により形成する。具体的には、後述する金属層１８をＲＩＥおよびウエットエッチングの組み合わせによりエッチングする場合、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｔｉの多層膜とすることができ、その場合の膜厚としては、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｔｉ＝５０ｎｍ／５００ｎｍ／５０ｎｍ程度とする。なお、これら薄膜トランジスタＴｒおよびコンタクト部１５Ｂ上には、第１の実施の形態と同様にして、パッシベーション絶縁膜１６を一様に形成する。【００７２】
次に、図１５（Ｂ）に示したように、パッシベーション絶縁膜１６上に、第１の実施の形態と同様にして、平坦化絶縁膜１７Ａを一様に形成する。そして第１の実施の形態と同様にして、コンタクト部１５Ｂに対応する領域に対し、図中の符号Ｐ５で示したような順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。【００７３】
次に、図１６（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部１５Ｂ上に、第１の実施の形態と同様にして、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂの構成材料を用いて金属層１８を一様に形成する。【００７４】
次に、図１６（Ｂ）に示したように、金属層１８を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングするために、図中に示したような選択的なパターンからなるフォトレジスト膜２４を、金属層１８上に形成する。そして前述のように例えばＲＩＥおよびウエットエッチングの組み合わせによって金属層１８をエッチングすることにより、例えば図１７（Ａ）に示した形状からなる第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂがそれぞれ形成される。ここで、コンタクト部１５Ｂのうちの上層部分である層１５Ｂ３，１５Ｂ２はそれぞれ、前述のように金属層１８に対してエッチング選択比の低い材料から構成されているため、この金属層１８をエッチングする際に、これらの層１５Ｂ３，１５Ｂ２の一部（具体的には、フォトレジスト膜２４が形成されていなかった部分）も一緒にエッチングされる。一方、コンタクト部１５Ｂのうちの下層部分である層１５Ｂ１は前述のように金属層１８に対してエッチング選択比の高い材料から構成されているため、この金属層１８をエッチングする際に、この層１５Ｂ１は一緒にエッチングされない。なお、このエッチングの際には、図中の符号Ｐ６で示したように、サイドエッチングも生じるようになっている。【００７５】
次に、図１７（Ｂ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａ、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂ上に、第１の実施の形態と同様にして、電極間絶縁膜２１を一様に形成すると共に、各第１電極１８Ａおよび後に形成する各有機発光層１９が互いに分離されるようにパターニングする。この際、第１の実施の形態と同様にしてコンタクト部１５Ｂに対応する領域を選択的に除去し、順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。ただし、本実施の形態では、図１７（Ａ）中の符号Ｐ６で示したようなサイドエッチングが生じていることから、後に形成する第２電極２０における断線や抵抗値増大を回避するため、図１７（Ｂ）中の符号Ｐ７で示したように、電極間絶縁膜２１間の開口を平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも内側に形成するようにする。【００７６】
その後は、第１の実施の形態と同様にして、各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を形成すると共に、この有機発光層１９、電極間絶縁膜２１、平坦化絶縁膜１７Ａ、コンタクト部１５Ｂおよび補助配線１８Ｂ上に第２電極２０を一様に形成する。そしてこの第２電極２０上に保護膜２３を一様に形成すると共に、この保護膜２３上に封止樹脂１７Ｂを一様に形成し、これを透明基板１０Ｂで挟み込むことにより、図１４に示した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置３が製造される。【００７７】
以上のように、本実施の形態においても、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間を導電性のコンタクト部１５Ｂを介して接続させるようにすると共に、補助配線１８Ｂの一部のみをこのコンタクト部１５Ｂと接続させるようにしたので、第１の実施の形態と同様の作用・効果を生ずる。すなわち、補助配線１８Ｂの表面が酸化しても接続抵抗の増大を回避することができると共にコンタクト部１５Ｂを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもないので、レイアウト上の自由度と低消費電力を確保しつつ有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上させることが可能となる。【００７８】
また、配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂをそれぞれ多層膜（層１５Ａ１〜１５Ａ３および層１５Ｂ１〜１５Ｂ３）により形成すると共に、これらの多層膜のうちの少なくとも最上層を、第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す材料により構成すると共に、このような低いエッチング選択性を示す材料からなる層の下層を、第１電極１８Ａ等に対して高いエッチング選択性を示す材料により構成するようにしたので、コンタクト部１５Ｂのうちの上層（図１４の場合、層１５Ｂ３，１５Ｂ２）の一部が第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチング時に選択的に除去されるものの、コンタクト部１５Ｂのうちの下層（図１４の場合、層１５Ｂ１）は、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチング時に選択的に除去されるおそれがない。よって、配線層１５Ａやコンタクト部１５Ｂを多層膜とすることにより、その多層膜のうちの一部の層を、第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す材料により構成することができるようになり、第１の実施の形態と比べ、配線層１５Ａやコンタクト部１５Ｂの材料選択の幅を広げることが可能となる。よって、例えば、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂのエッチングの際にエッチング不良の発生しにくい材料を選択することなどが可能となり、その場合には歩留まりを向上させることが可能となる。【００７９】
さらに、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１における開口の側面を、上が広く下が狭い順テーパ形状とすると共に、電極間絶縁膜２１の開口を、平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも内側に形成するようにしたので、金属層１８をエッチングする際に生じたサイドエッチングに起因した第２電極２０の断線や抵抗値増大を回避し、これに起因した製造歩留まりの低下も回避することが可能となる。【００８０】
なお、本実施の形態では、図１４に示した有機ＥＬ表示装置３のように、配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂをそれぞれ多層膜により形成すると共に、これらの多層膜のうちの少なくとも最上層を、第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す材料により構成すると共に、このような低いエッチング選択性を示す材料からなる層の下層を、第１電極１８Ａ等に対して高いエッチング選択性を示す材料により構成する場合について説明したが、例えば図１８に示した有機ＥＬ表示装置４のように、配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂをそれぞれ、第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す材料からなる単層（例えば、層１５Ａ３および層１５Ｂ３）により構成すると共に、これらの層１５Ａ３，１５Ｂ３の厚みを、第１電極１８のパターニング形成の際にコンタクト部１５Ｂのうちの上層部分のみが部分的に除去されるように（言い換えると、コンタクト部１５Ｂの一部が貫通して除去されない程度の厚みに）設定するようにしてもよい。このように構成した場合も、配線層１５Ａやコンタクト部１５Ｂの全体を、第１電極１８Ａ等に対して低いエッチング選択性を示す材料により構成することができるようになり、第１の実施の形態と比べ、配線層１５Ａやコンタクト部１５Ｂの材料選択の幅を広げることが可能となる。なお、この有機ＥＬ表示装置４においても、有機ＥＬ表示装置３の場合と同様に、図中の符号Ｐ４２で示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１における開口の側面を上が広く下が狭い順テーパ形状とすると共に、電極間絶縁膜２１の開口を平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも内側に形成するようにするのが好ましい。【００８１】
以上、第１〜第３の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。【００８２】
例えば、上記実施の形態で説明した平坦化絶縁膜１７Ａや電極間絶縁膜２１に開口を形成する際に、例えば図１９（Ａ），（Ｂ）にそれぞれ示したように、露光光Ｌ１を通過させる部分や露光光Ｌ０を遮光する遮光部５１，６１に加え、露光光Ｌ２１のうちの一部を露光光Ｌ２２として部分的に透過させる部分透過部５２，６２を有するハーフトーンマスク５やグレイトーンマスク６を用いるようにしてもよい。また、例えば図１９（Ｃ），（Ｄ）に示したように、露光光Ｌ１を通過させる部分の面積の異なる複数のマスク（この例では、２つのマスク７Ａ，７Ｂ）を用いて、複数回に分けて露光するようにしてもよい。これらのように構成した場合、例えば図２０や図２１にそれぞれ示した有機ＥＬ表示装置１Ａ，２Ａ（それぞれ、第１および第２の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１，２の変形例に対応する。なお、第３の実施の形態の有機ＥＬ表示装置３，４の変形例については図示していないが、有機ＥＬ表示装置１Ａの場合と同様となる。）のように、平坦化絶縁膜１７Ａや電極間絶縁膜２１における開口の側面部分を、図中の符号Ｐ８１，Ｐ８２，Ｐ９で示したようにさらに多段の階段状に形成することができ、これにより傾斜角度をより緩やかにすることが可能となる。よって、上記実施の形態における効果に加え、さらに第２電極２０での断線や抵抗値増大の発生を防止することが可能となる。【００８３】
また、コンタクト部の形成位置は、上記実施の形態で説明した図１，図９などの位置、すなわち配線層１５Ａとの同一層や、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂとの同一層には限られず、他の層に形成するようにしてもよい。【００８４】
また、本発明の発光表示装置は、上記実施の形態で説明したような有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置には限られず、他の発光表示装置にも適用することが可能である。【００８５】
また、上記実施の形態において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。【００８６】
さらに、上記実施の形態では、有機ＥＬ表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、例えば透明基板１０Ｂ側にカラーフィルタ層を設けるなどして、他の層を備えるようにしてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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