(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１信号電圧を伝送する第１信号線と、
前記第１信号電圧より小さい大きさを有する第２信号電圧を伝送する第２信号線と、
前記第１信号線と前記第２信号線との間に、前記第１信号電圧と同一な大きさの電圧を伝送する第１リダンダンシー配線と、
前記第１リダンダンシー配線が位置しない前記第１信号線の側に、前記第１信号電圧と同一な大きさの電圧を伝送する第２リダンダンシー配線と、
前記第１信号線が位置しない前記第２リダンダンシー配線の側に、前記第１信号電圧とは異なる大きさを有する第３信号電圧を伝送する第３信号線と、
を含み、
前記第１リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第２信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぎ、
前記第２リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第３信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぎ、
前記第１リダンダンシー配線及び前記第２リダンダンシー配線が、前記第１信号線と連結されている、
制御信号部の構造。
【請求項２】
前記第１リダンダンシー配線は前記第２信号線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質で形成される、
請求項１に記載の制御信号部の構造。
【請求項３】
前記第１リダンダンシー配線を形成する導電物質は、銅系列、銀系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンである、
請求項２に記載の制御信号部の構造。
【請求項４】
前記第１リダンダンシー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される、
請求項１に記載の制御信号部の構造。
【請求項５】
ゲート線と、前記ゲート線と絶縁し交差して画素領域を定義するデータ線と、前記画素領域に前記ゲート線と前記データ線とに電気的に連結されて形成される薄膜トランジスタと、前記画素領域に前記薄膜トランジスタの一電極と連結されて形成される画素電極とを含む画面表示部；
前記ゲート線にゲート信号を出力するゲート駆動回路と、前記データ線にデータ信号を出力するデータ駆動回路とを含む駆動回路部；
前記駆動回路部の駆動回路を駆動するための配線として、第１信号電圧を伝送する第１信号線と、前記第１信号電圧より小さい第２信号電圧を伝送する第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、前記第１信号電圧と同一な電圧を伝送する第１リダンダンシー配線と、前記第１リダンダンシー配線が位置しない前記第１信号線の側において前記第１信号電圧と同一な電圧を伝送する第２リダンダンシー配線と、前記第１信号線が位置しない前記第２リダンダンシー配線の側に、前記第１信号電圧とは異なる大きさを有する第３信号電圧を伝送する第３信号線と、を含む制御信号部；
を備え、
前記第１リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第２信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぎ、
前記第２リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第３信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぎ、
前記第１リダンダンシー配線及び前記第２リダンダンシー配線が前記第１信号線と連結されている、
液晶表示装置。
【請求項６】
前記制御信号部は前記ゲート駆動回路を駆動するための信号配線を含む、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記制御信号部は前記データ駆動回路を駆動するための信号配線を含む、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１信号電圧はゲートオン電圧または電源電圧である、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２信号電圧はゲートオフ電圧または接地電圧である、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１リダンダンシー配線は前記第２信号線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質で形成される、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１リダンダンシー配線を形成する導電物質は、銅系列、銀系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンである、
請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１リダンダンシー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される、
請求項５に記載の制御信号部の構造。
【請求項１３】
前記第１リダンダンシー配線は前記ゲート線を形成する物質で形成される、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１リダンダンシー配線は前記データ線を形成する物質で形成される、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１リダンダンシー配線は前記画素電極を形成する物質で形成される、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１信号線は、前記ゲート駆動回路に連結される第１信号配線と、前記データ駆動回路に連結される第２信号配線とが連結されている、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１信号配線は前記ゲート配線を形成する導電物質で形成され、前記第２信号配線は前記データ配線を形成する導電物質で形成される、
請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１信号配線は前記データ配線を形成する導電物質で形成され、前記第２信号配線は前記ゲート配線を形成する導電物質で形成される、
請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１リダンダンシー配線は、前記ゲート駆動回路に連結される第１配線と、前記データ駆動回路に連結される第２配線とが連結されている、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１配線は前記ゲート配線を形成する導電物質で形成され、前記第２配線は前記データ配線を形成するための導電物質で形成される、
請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第１配線は前記データ配線を形成する導電物質で形成され、前記第２配線は前記ゲート配線を形成する導電物質で形成される、
請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記制御信号部の信号線は、
基板上に前記ゲート配線を形成するための導電物質からなり、パッドを有する下層配線と、
前記下層配線の一端を露出させる第１接触ホールが形成された前記下層配線を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記第１接触ホールを介して前記下層配線と連結され、パッドを有する上層配線と、
を含む請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記上層配線のパッドを露出させる第２接触ホール及び前記下層配線のパッドを露出させる第３接触ホールが形成された前記上層配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２及び第３接触ホールを介してそれぞれ前記上層配線のパッド及び前記下層配線のパッドと連結される補助パッドと、
をさらに含む請求項２２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は制御信号部の構造及びこれを含む液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、現在最も広く用いられている平板表示装置の中の一つであり、電気場を生成する多数の電極が形成されている二枚の基板と、二枚の基板の間の液晶層と、それぞれの基板の外側面に付着されて光を偏光させる二枚の偏光板とからなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。このような液晶表示装置の一枚の基板には薄膜トランジスタが形成されているが、これは電極に印加される電圧をスイッチングする役割を果たす。
【０００３】
薄膜トランジスタが形成される基板の中央部には画面が表示される表示領域が位置する。表示領域には多数の信号線、つまり多数のゲート線及びデータ線が各々行方向と列方向に形成されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には画素電極が形成されており、薄膜トランジスタはゲート線を介して伝達されるゲート信号に応じてデータ線を介して伝達されるデータ信号を制御して画素電極に送る。
【０００４】
表示領域の外側にはゲート線及びとデータ線に各々連結されている多数のゲートパッド及びデータパッドが形成されており、このパッドは外部駆動集積回路と直接連結され外部からゲート信号及びデータ信号の印加を受けてゲート線及びデータ線に伝達する。
【０００５】
薄膜トランジスタ基板には、このようなゲート信号及びデータ信号を伝達するために、ゲート用印刷回路基板及びデータ用印刷回路基板が異方性導電膜（ＡＣＦ；ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ）を用いた熱圧着工程を通じて付着されている。
【０００６】
薄膜トランジスタ基板とデータ用印刷回路基板との間には、データ制御信号をデータ信号に変換してデータパッド及びデータ線に出力するデータ駆動集積回路が実装されたデータ信号伝送用フィルムが連結されている。また、薄膜トランジスタ基板とゲート用印刷回路基板との間には、ゲート制御信号をゲート信号に変換してゲートパッド及びゲート線に出力するゲート駆動集積回路が実装されたゲート伝送用フィルムが連結されている。
【０００７】
ここで、ゲート用印刷回路基板を使用せずにデータ用印刷回路基板でゲート信号を制御するゲート制御信号を出力してこのような信号をゲート伝送用フィルムに伝達することもできる。この時は、ゲート制御信号を伝達する制御信号用配線をデータ用印刷回路基板に連結されるデータ信号伝送用フィルムに形成し、このゲート制御信号用配線とゲート伝送用フィルムに形成されたゲート信号線とを連結するゲート制御信号用連結配線を薄膜トランジスタ上に形成して、データ用印刷回路基板からデータ信号伝送用フィルムを介して印加されるゲート用制御信号をゲート伝送用フィルムのゲート駆動集積回路に伝達する。
【０００８】
ゲート制御信号は、ゲート駆動集積回路が出力するゲートオン電圧（Ｖｏｎ）及びゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）と、薄膜トランジスタ基板内のデータ電圧差の基準となる共通電圧（Ｖｃｏｍ）とを含む各種制御信号を含んでいる。
【０００９】
ゲート駆動集積回路に入力されるこのような各種ゲート制御信号は、液晶表示装置の駆動時には互いに異なる大きさの電圧をもってゲート制御信号用連結配線を介して伝達される。薄膜トランジスタ基板上に形成されたゲート制御信号用連結配線は互いに隣接するように並んで配置されているので、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のような高電圧を伝達する高電圧配線とゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のような低電圧を伝達する低電圧配線とが並んで配列されている。
【００１０】
しかしながら、このような配線の配置構造は、液晶駆動時に高電圧配線と低電圧配線との間に電位差を発生させる。この電位差により、液晶表示装置を製造したり使用する間に浸透した水分が電気分解反応を起こして、高電圧配線に損傷を与え、薄膜トランジスタ基板上の素子不良を招くおそれがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、電気機器、特に液晶表示装置において、電気分解による配線の損傷を防止することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような技術的課題を解決するために、高電圧配線の両側に高電圧配線と同一な大きさの電圧が印加される高電圧リダンダンシー（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）配線を形成して、高電圧配線の周辺部に等電位を形成する。
【００１３】
より詳しくは、本発明による制御信号部は、第１信号電圧を伝送する第１信号線と、前記第１信号電圧より小さい大きさを有する第２信号電圧を伝送する第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に、前記第１信号電圧と同一な大きさの電圧を伝送する第１リダンダンシー配線と、前記第１リダンダンシー配線が位置しない前記第１信号線の側に、前記第１信号電圧と同一な大きさの電圧を伝送する第２リダンダンシー配線と、前記第１信号線が位置しない前記第２リダンダンシー配線の側に、前記第１信号電圧とは異なる大きさを有する第３信号電圧を伝送する第３信号線と、を含む。前記第１リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第２信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぐ。前記第２リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第３信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぐ。そして、前記第１リダンダンシー配線及び前記第２リダンダンシー配線が、前記第１信号線と連結されている。
【００１６】
第１リダンダンシー配線は第２信号線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質で形成され、銅系列、銀系列、クロム系列、窒化クロムと窒化モリブデンを含むモリブデン系列のような金属物質で形成されることができる。また、第１リダンダンシー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成されることができる。
【００１７】
また、本発明による液晶表示装置では、ゲート線と、前記ゲート線と絶縁し交差して画素領域を定義するデータ線と、前記画素領域に前記ゲート線と前記データ線とに電気的に連結されて形成される薄膜トランジスタと、前記画素領域に前記薄膜トランジスタの一電極と連結されて形成される画素電極とを含む画面表示部；前記ゲート線にゲート信号を出力するゲート駆動回路と、前記データ線にデータ信号を出力するデータ駆動回路とを含む駆動回路部；前記駆動回路部の駆動回路を駆動するための配線として、第１信号電圧を伝送する第１信号線と、前記第１信号電圧より小さい第２信号電圧を伝送する第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、前記第１信号電圧と同一な電圧を伝送する第１リダンダンシー配線と、前記第１リダンダンシー配線が位置しない前記第１信号線の側において前記第１信号電圧と同一な電圧を伝送する第２リダンダンシー配線と、前記第１信号線が位置しない前記第２リダンダンシー配線の側に、前記第１信号電圧とは異なる大きさを有する第３信号電圧を伝送する第３信号線と、を含む制御信号部；を含むことができる。前記第１リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第２信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぐ。前記第２リダンダンシー配線は、その付近における水分及び前記第３信号線との電位差に基づく電気分解の影響を自身が受けることによって、前記第１信号線の損傷を防ぐ。前記第１リダンダンシー配線及び前記第２リダンダンシー配線が前記第１信号線と連結されている。
【００１８】
ここで、制御信号部はゲート駆動回路を駆動するための信号配線を含んだり、データ駆動回路を駆動するための信号配線を含むことができる。
【００１９】
第１信号電圧はゲートオン電圧または電源電圧であり、第２信号電圧はゲートオフ電圧または接地電圧であり得る。
【００２０】
この時、第１リダンダンシー配線は第２信号線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質で形成され、銅系列、銀系列、クロム系列、窒化クロムと窒化モリブデンを含むモリブデン系列のような金属物質で形成されることができる。また、第１リダンダンシー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成されることができる。なお、第１リダンダンシー配線はゲート配線を形成する物質で形成されたり、データ配線を形成する物質で形成されたり、または画素電極を形成する物質で形成されることができる。
【００２１】
そして、第１信号線は、ゲート駆動回路に連結される第１信号配線とデータ駆動回路に連結される第２信号配線とが連結されている構造からなることができ、第１信号配線はゲート配線を形成する導電物質で形成され、第２信号配線はデータ配線を形成する導電物質で形成されることができ、反対に、第１信号配線はデータ配線を形成する導電物質で形成され、第２信号配線はゲート配線を形成する導電物質で形成されることができる。
【００２２】
また、第１リダンダンシー配線は、ゲート駆動回路に連結される第１配線とデータ駆動回路に連結される第２配線とが連結されている構造からなることができ、第１配線はゲート配線を形成する導電物質で形成され、第２配線はデータ配線を形成するための導電物質で形成されることができ、反対に、第１配線はデータ配線を形成する導電物質で形成され、第２配線はゲート配線を形成する導電物質で形成されることができる。
【００２３】
また、制御信号部の信号配線は、基板上に前記ゲート配線を形成するための導電物質からなり、パッドを有する下層配線と、前記下層配線の一端を露出させる第１接触ホールを有して形成され、前記下層配線を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に前記第１接触ホールを介して前記下層配線に連結され、パッドを有する上層配線とを含むことができる。ここに、上層配線のパッドを露出させる第２接触ホール及び下層配線のパッドを露出させる第３接触ホールを有して形成され、下層配線を覆う第２絶縁膜と、第２及び第３接触ホールを介して上層配線のパッド及び下層配線のパッドを覆う補助パッドとをさらに含むことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明について詳細に説明する。
【００２５】
図１は薄膜トランジスタ基板にゲート制御信号配線が形成される液晶表示装置の配置構造を概略的に示した図である。
【００２６】
上部のカラーフィルター基板１００に合着されている薄膜トランジスタ基板２００の外部には、データ線１３０にデータ信号を印加するデータ駆動集積回路３１０及びゲート線１４０にゲート信号を印加するゲート駆動集積回路４１０が位置している。データ駆動集積回路３１０はデータ用印刷回路基板６００と薄膜トランジスタ基板２００とを電気的に連結するデータ伝送用フィルム３００上に設置されており、ゲート駆動集積回路４１０は薄膜トランジスタ基板２００に電気的に連結されているゲート伝送用フィルム４００上に実装されている。
【００２７】
このようなゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００は、異方性導電膜（ＡＣＦ；ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ）（図示せず）を用いた熱圧着工程を通じて薄膜トランジスタ基板２００と電気的に連結される。ここで、各々のフィルム３００、４００に形成されたリード線及びこれに対応して薄膜トランジスタ基板２００に形成された配線は一対一で対応するように整列されており、異方性導電膜の導電粒子（図示せず）を通じて互いに連結さ
れている。
【００２８】
この時、ゲート駆動集積回路４１０の駆動を制御するためのゲート制御信号は、データ用印刷回路基板５００、データ伝送用フィルム３００、薄膜トランジスタ基板２００及びゲート伝送用フィルム４００の各々に形成されて、互いに電気的に連結されているゲート制御信号連結配線５２０を介して、ゲート駆動集積回路４１０に伝達される。ゲート駆動集積回路４１０は、ゲート制御信号を調節してゲート信号を薄膜トランジスタ基板２００のゲート線１４０に伝達する。ゲート制御信号連結配線５２０に示された矢印はゲート制御信号の伝送方向を示したものである。
【００２９】
ゲート制御信号は、ゲート駆動集積回路４１０が出力するゲートオン電圧（Ｖｏｎ）、ゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）、薄膜トランジスタ基板２００内のデータ電圧差の基準となる共通電圧（Ｖｃｏｍ）、ゲートクロック（ＣＰＶ）、初期垂直信号（ｓｔａｒｔ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｓｉｇｎａｌ，ＳＴＶ）、ライン反転信号（ｌｉｎｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｓｉｇｎａｌ，ＲＶＳ）、ゲートオンイネイブル（ｇａｔｅ ｏｎ ｅｎａｂｌｅ，ＯＥ）、接地電圧（ＶＧＮＤ）及び電源電圧（ＶＤＤ）を含む各種制御信号を含むが、これらのゲート制御信号はゲート駆動集積回路４１０の駆動を制御する。
【００３０】
このようなゲート制御信号のうち、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）、電源電圧（ＶＤＤ）などは１０〜２０Ｖの電圧の大きさを有し、ゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）、接地電圧（ＶＧＮＤ）などは０Ｖ以下の電圧の大きさを有し、二つの電圧は約１０Ｖ以上の電圧差がある。
【００３１】
ゲートオン電圧のような高電圧が通過する配線である高電圧配線とゲートオフ電圧のように低電圧が通過する配線である低電圧配線とを互いに隣接するように配置すれば、液晶表示装置を駆動する時に二つの配線の間に高電圧と低電圧との電圧の差に該当する電位差がかかる。
【００３２】
一方、液晶表示装置を製作したり使用する過程、特に湿気のある工程及び使用環境では、水分が配線に浸透するようになる。特に、ゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００とが接着される接着部分に位置する配線部位にも水分が浸透して、これらの配線の接着部の段差部に集中的に位置する。
【００３３】
水分はそのものがイオン粒子を含有しており、その中の陰イオンは高電圧配線と低電圧配線との間に発生する電位差によって低電圧配線から高電圧配線に水分を通じて移動するようになる。高電圧配線と陰イオンとの電気化学的反応によって高電圧配線をなす金属物質が水分に溶出することにより、高電圧配線のオープン（断線）が起こる。
【００３４】
このような電気分解による配線のオープンは、ゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００とが接着される接着部分に位置する配線部位、特に“Ａ”領域と“Ｂ”領域とで表示されている部分で多く発生する。
【００３５】
本発明は、電気分解による高電圧配線の損傷がないように高電圧配線の周辺部を等電位にする配線配置構造を提案する。具体的には、高電圧配線と低電圧配線との間に、高電圧配線が伝送する電圧と同一な大きさを有する電圧を伝送する余分の配線、つまり、高電圧リダンダンシー配線を配置する。
【００３６】
このようにする場合、低電圧配線と高電圧リダンダンシー配線との間には二つの配線が伝送する電圧の差だけの電位差が発生するので、電気分解によって高電圧リダンダンシー配線が損傷することもあるが、高電圧リダンダンシー配線と高電圧配線との間は等電位を維持するようになり、電気分解による高電圧配線の損傷は起こらない。
【００３７】
以下、次の図面を参照して詳細に説明する。
【００３８】
図２乃至図５は、データ信号伝送用フィルムと薄膜トランジスタ基板との付着部分に位置するいくつかの選択されたゲート制御信号配線の構造を説明するための概略図である。
【００３９】
図２は、高電圧信号配線と低電圧信号配線とを互いに隣接するように配置した場合におけるゲート制御信号配線及びデータ伝送用フィルムのリード線の配置図を示したものであり、図３は、図２に示した切断線III−III'による断面図を示したものである。
【００４０】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５が形成されている薄膜トランジスタ基板２００とゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５が形成されているデータ伝送用フィルム３００とが、導電性粒子２５１と接着剤２５２とからなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５とは導電性粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００４１】
データ伝送用フィルム３００には２０Ｖ程度の高電圧、例えばゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号リード線３０１の片側に０Ｖ以下の低電圧、例えばゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）を伝送する低電圧信号リード線３０２が形成されており、高電圧信号リード線３０１の反対側には３Ｖ程度のゲート共通電圧（Ｖｃｏｍ）を伝送する共通電圧信号リード線３０３が形成されている。そして、低電圧信号リード線３０２の他の一側と共通電圧信号リード線３０３の他の一側とには、他の種類のゲート制御信号（Ｖ１、Ｖ２）を伝送するその他のゲート制御信号リード線３０４、３０５が形成されている。
【００４２】
そして、薄膜トランジスタ基板２００には、これらリード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５と一対一対応で接触する高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２、共通電圧信号配線２０３及びその他の信号配線２０４、２０５が形成されている。
【００４３】
液晶表示装置を駆動するために、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、薄膜トランジスタ基板２００の信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５及びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線を介してゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。この過程で、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１とゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）を伝送する低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２との間には、ゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆがかかる。
【００４４】
一方、液晶表示装置を製作する過程、特に湿気がある工程で水分が配線に浸透するようになる。特に、ゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００との間に露出される配線部分にも工程中に水分が浸透して、これら配線の接着部分の段差部に集中的に位置する。
【００４５】
水分はそのものがイオン粒子を含有しており、そのうちの陰イオン５００は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧信号配線２０１に水分を通じて移動するようになる。高電圧信号配線２０１と陰イオン５００との反応によって高電圧信号配線２０１をなす金属物質が水分に溶出することにより、高電圧信号配線２０１のオープン（断線）が起こる。
【００４６】
しかしながら、高電圧信号配線の片側または両側に高電圧信号配線が伝送する電圧と同一な大きさの電圧を伝送する高電圧リダンダンシー配線を形成して高電圧信号配線の周辺部を等電位になるように形成する場合には、電気分解による高電圧信号配線の損傷を防止することができる。
【００４７】
図４は本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図の一部を示したものであり、図５は図４に示した切断線V−V'による断面図を示したものである。
【００４８】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が形成されている薄膜トランジスタ基板２００とゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３及び高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０が形成されているデータ伝送用フィルム３００とが、導電性粒子２５１と接着剤２５２とからなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２１０、２２０とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０とは異方性導電膜２５０内の導電性粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００４９】
データ伝送用フィルム３００において、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号リード線３０１の両側にはゲートオン電圧（Ｖｏｎ）と同一な大きさの電圧を伝送する高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０が形成されている。
【００５０】
そして、高電圧リダンダンシーリード線３１０の高電圧信号リード線３０１が位置しない側には、ゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）を伝送する低電圧信号リード線３０２が形成されており、他の高電圧リダンダンシーリード線３２０の高電圧信号リード線３０１が位置しない側には、ゲート共通電圧（Ｖｃｏｍ）を伝送する共通電圧信号リード線３０３が形成されている。
【００５１】
そして、薄膜トランジスタ基板２００には、これらリード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５と一対一対応で接触する高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２及び共通電圧信号配線２０３、高電圧信号配線２０１の両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が形成されている。
【００５２】
液晶表示装置を駆動するために、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３と薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３とを通過し、これら配線２０１、２０２、２０３に電気的に連結されているゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線（図示せず）を介してゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００５３】
この過程で、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１と同一な大きさの電圧を伝送する高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０及び高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間は等電位をなすようになる。また、低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２はゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のような低電圧を伝送し、これに隣接する高電圧リダンダンシーリード線３１０及び高電圧リダンダンシー配線２１０はゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のような高電圧を伝送して、低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２と高電圧リダンダンシーリード線３１０及び高電圧リダンダンシー配線２１０との間には、ゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００５４】
一方、液晶表示装置を製作する過程、特に湿気がある工程では、水分が配線に浸透するようになる。特に、ゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００との間に露出される配線部分にも工程中に水分が浸透して、これら配線の接続部の段差部に集中的に位置する。
【００５５】
水分はそのものがイオン粒子を含有しており、そのうち陰イオン５００は高電圧リダンダンシー配線２１０と低電圧信号配線２０３との間で発生する電位差によって低電圧信号配線２０３から高電圧リダンダンシー配線２１０に水分を通じて移動するようになる。高電圧リダンダンシー配線２１０と陰イオン５００との反応によって高電圧リダンダンシー配線２１０をなす金属物質が水分に溶出する。
【００５６】
しかし、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号配線２０１と高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な大きさを有する電圧を伝送する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間には等電位が形成される。等電位をなす高電圧信号配線２０１の周辺部では、水分内に存在する陰イオン５００が高電圧信号配線２０１に集中するのではなく、水分内で無作為に存在するようになる。高電圧信号配線２０１と陰イオンの反応は起こらず、したがって、それによる高電圧信号配線２０１の溶出は発生しない。
【００５７】
つまり、高電圧信号配線２０１は高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０の犠牲によって水分に溶出せずに安全な状態を維持するようになる。
【００５８】
詳述した本発明の第１実施例では、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１の両側に位置し、高電圧信号配線２０１と分離されて形成された場合を例に挙げたが、図６に示した本発明の第２実施例による制御信号部の構造で示すように、二つの高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結される場合でも、高電圧信号配線２０１の周辺部を等位にすることができる。また、二つの高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０のうちの少なくとも一つが高電圧信号配線２０１に連結される場合でも、高電圧信号配線２０１の周辺部を等電位にすることができる。
【００５９】
また、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は、高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるものであるので、低電圧の信号配線（共通電圧信号配線２０３、低電圧信号配線２０２等）が高電圧信号配線２０１の片側にだけある場合には、低電圧の信号配線のある側にだけ高電圧リダンダンシー配線を形成することも可能である。
【００６０】
詳述した本発明の第１実施例では、ゲートオン電圧を伝送する配線を高電圧信号配線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送する配線を低電圧信号配線の一例とした。しかし、ゲート制御信号配線のうちの高電圧信号配線としては、ゲートオン電圧を伝送する配線以外に電源電圧（ＶＤＤ）を伝送する配線が他の例であり、低電圧信号配線としては、接地電圧（ＶＧＮＤ）を伝送する配線が他の例であることもある。
【００６１】
要するに、本発明では、高電圧と低電圧の信号配線が隣接する場合に、高電圧信号配線の周辺に等電位をなすように高電圧と同一な大きさの電圧を伝送する高電圧リダンダンシー配線を形成して、配線部分に浸透した水分の陰イオンによる高電圧信号配線の損傷を防止する。
【００６２】
高電圧リダンダンシー配線は通常の金属物質、例えば、ゲート配線またはデータ配線を形成する物質で形成されることができる。この時、低電圧配線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質で形成されることができ、特に、銅系列、銀系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンを用いて高電圧リダンダンシー配線を形成するのが、電気分解の影響をあまり受けないので有利である。または、高電圧リダンダンシー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化した導電物質で形成される場合にも陰イオンによる反応を減らすことができるので有利である。
【００６３】
詳述した本発明の第１及び第２実施例ではゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分だけについて説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が基板に形成される場合にも本発明を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線間の電圧の差によって発生する電気分解によって引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用可能である。
【００６４】
以下、このような制御信号部の構造を含む液晶表示装置について説明する。
【００６５】
図７は本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図を示したものであり、図８は図７に示した切断線VIII−VIII'による断面図である。
【００６６】
本発明の第３実施例による液晶表示装置は、ゲート制御信号部から高電圧信号配線、低電圧信号配線及び共通電圧信号配線のようにゲート制御信号を伝送する信号配線がデータ配線形成用導電物質で形成され、高電圧リダンダンシー配線がゲート配線形成用導電物質で形成されたことを例として示したものである。
【００６７】
絶縁基板１０上に、ゲート電極２２を有するゲート線２０、ゲート線２０の一端に連結されるゲートパッド２１を含むゲート配線２０、２１、２２と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とが形成されている。高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は高電圧リダンダンシー線及び高電圧リダンダンシー線の一端に形成される高電圧リダンダンシーパッドを含む。
【００６８】
高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は後述するゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のうちゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のような高電圧を伝送する高電圧信号配線２０１の両側に配列されている。この時、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は後述するゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３に沿って位置するが、基板の上部と左側面とから各々始まって延長され、互いに連結されない一対の配線形態に形成されている。
【００６９】
ゲート線２０は横方向に伸びており、ゲート駆動集積回路（図示せず）から出力されるゲート信号を画素領域に伝達する。
【００７０】
ゲート配線２０、２１、２２と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とは銅系列、アルミニウム系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で形成されることができ、単一膜または多層膜に形成されることができる。
【００７１】
そして、絶縁基板１０上には、ゲート配線２０、２１、２２と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とを覆う窒化ケイ素または酸化ケイ素などのような絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００７２】
ゲート絶縁膜３０上には、ゲート電極２２に対応する位置に非晶質ケイ素からなる半導体層４０が形成されている。
【００７３】
そして、ゲート絶縁膜３０上には、縦方向に伸びてゲート線２０に交差して画素領域を定義するデータ線６０、データ線６０の一端に形成されるデータパッド６１、データ線６０から突出して半導体層４０に接触するソース電極６２、ソース電極６２に対応して半導体層４０に接触するドレーン電極６３を含むデータ配線６０、６１、６２、６３とゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３とが形成されている。
【００７４】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３は、ゲート制御信号線及びゲート制御信号線の両端に形成されるゲート制御信号パッドを含む。
【００７５】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３は、その一端が基板の上部に位置して後述するデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３と接触できるようになっており、他の一端は基板の左側面に位置して後述するゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３と接触できるようになっている。
【００７６】
このような構造によって、データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３を介して伝達されるゲート制御信号は、薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３を介してゲート駆動集積回路（図示せず）に伝達される。
【００７７】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のような高電圧を伝送する高電圧信号配線２０１、ゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のような低電圧を伝送する低電圧信号配線２０２及び共通信号電圧を伝送する共通電圧信号配線２０３を含む。この時、高電圧信号配線２０１は高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０の間に位置するように配列されている。
【００７８】
データ配線６０、６１、６２、６３とゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３とは、銅系列、アルミニウム系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で形成されることができ、単一膜または多層膜に形成されることができる。
【００７９】
半導体層４０とソース電極６２との間または半導体層４０とドレーン電極６３との間には、不純物がドーピングされた非晶質ケイ素などからなる抵抗性接触層５１、５２が介在している。
【００８０】
そして、データ配線６０、６１、６２、６３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び半導体層４０を含む基板の全面には、窒化ケイ素または酸化ケイ素のような絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【００８１】
保護膜７０には、ドレーン電極６３を露出させる接触ホール７１、データパッド６１を露出させる接触ホール７３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッドを露出させる接触ホール（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されており、ゲート絶縁膜３０とともにゲートパッド２１を露出させる接触ホール７２、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０の一端に位置するパッドを露出させる接触ホール（Ｃ４、Ｃ５）が各々形成されている。
【００８２】
そして、保護膜７０上には接触ホール７１を介してドレーン電極６１に連結されて画素領域に形成される画素電極８０、接触ホール７２を介してゲートパッド２１に連結されるゲート補助パッド８１、接触ホール７３を介してデータパッド６１に連結されるデータ補助パッド８２、接触ホール（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）を介してゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッド及び高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０のパッドに連結されるゲート制御信号補助パッド８３、８４、８５、８６、８７が形成されている。
【００８３】
このように形成された薄膜トランジスタ基板２００に、ゲート駆動集積回路（図示せず）を実装したゲート伝送用フィルム４００と、データ駆動集積回路（図示せず）を実装され、ゲート制御信号が通過するゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３及び高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０が形成されるデータ伝送用フィルム３００とが異方性導電膜２５０によって付着されている。
【００８４】
データ伝送用フィルム３００には、データ信号が印加されるデータ信号リード線３５０とゲート駆動集積回路を駆動するためのゲート制御信号が印加されるゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３とが形成されている。
【００８５】
データ信号リード線３５０は絶縁基板１０上に形成されたデータ補助パッド８２に電気的に接触し、データ補助パッド８２に連結されるデータ線２０にデータ信号を伝達する。そして、ゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は絶縁基板１０の上部上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触して、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３にゲート制御信号を伝達する。
【００８６】
また、データ伝送用フィルム３００には、高電圧信号配線２０１の電気分解による損傷を防止するために、高電圧信号配線２０１の両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０に高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な電圧を伝送するための高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０が形成されている。高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とは異方性導電膜２５０の導電粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００８７】
一方、ゲート伝送用フィルム４００には、ゲート信号を伝送するゲート信号リード線４５０と絶縁基板１０上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３からゲート制御信号の伝達を受けてゲート駆動集積回路（図示せず）に伝送するゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３とが形成されている。
【００８８】
このような配線配置により、液晶表示装置を駆動する過程で基板の上部に位置するゲート制御信号部の高電圧信号配線２０１とその両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間には等電位がかかる。ここで、高電圧信号線２０１と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とが接続されている。また、高電圧信号リード線４０１と高電圧リダンダンシーリード４１０，４２０とが接続されている場合もある。
【００８９】
ゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３は絶縁基板１０の左側面上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触して、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を介してゲート制御信号を受ける。ゲート伝送用フィルム４００のゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３を介して入ったゲート制御信号は、ゲート伝送用フィルム４００上に実装されたゲート駆動集積回路（図示せず）に入力されてゲート駆動集積回路の駆動を制御する。
【００９０】
ゲート信号リード線４５０は絶縁基板１０上に形成されたゲート補助パッド８１に電気的に接触して、ゲート駆動集積回路から出るゲート信号をゲート補助パッド８１に連結されるゲート線２０に伝達する。
【００９１】
また、ゲート伝送用フィルム４００には、高電圧信号配線４０１の電気分解による損傷を防止するために、高電圧信号配線４０１の両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０に高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な電圧を伝送するための高電圧リダンダンシーリード線４１０、４２０が形成されている。高電圧リダンダンシーリード線４１０、４２０と高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とは、異方性導電膜２５０の導電粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００９２】
このような配線配置により、液晶表示装置を駆動する過程で基板の左側に位置するゲート制御信号部の高電圧信号配線２０１とその両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間は等電位をなす。
【００９３】
液晶表示装置を駆動するために、ゲート制御信号は、データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０を介して薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３、２１０、２２０を通過し、これら配線２０１、２０２、２０３、２１０、２２０に電気的に連結されているゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３、４１０、４２０を介してゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００９４】
この過程で、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１と高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０及び高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０とは同一な大きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１と高電圧リダンダンシーリード線３１０、３２０及び高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間は等電位をなすようになる。また、低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２とこれに隣接する高電圧リダンダンシーリード線３１０及び高電圧リダンダンシー配線２１０との間には二つの信号の電圧の差に該当する電位差がかかる。また、共通電圧信号リード線３０３及び共通電圧信号配線２０３とこれに隣接する高電圧リダンダンシーリード線３２０及び高電圧リダンダンシー配線２２０との間には二つの信号の電圧の差に該当する電位差がかかる。
【００９５】
一方、液晶表示装置を製作する過程、特に湿気がある工程で水分が配線に浸透するようになる。特に、ゲート及びデータ伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００との間に露出される配線部分にも工程中に水分が浸透して、これら配線の接着部の段差部に集中的に位置する。水分はそのものがイオン粒子を含有しており、そのうちの陰イオンは高電圧リダンダンシー配線２１０と低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧リダンダンシー配線２１０に水分を通じて移動する。高電圧リダンダンシー配線２１０と陰イオンの反応によって高電圧リダンダンシー配線２１０をなす金属物質が水分に溶出する。また、陰イオンは高電圧リダンダンシー配線２２０と共通電圧信号配線２０３との間に発生する電位差によって共通電圧信号配線２０３から高電圧リダンダンシー配線２２０に水分を通じて移動する。高電圧リダンダンシー配線２２０と陰イオンの反応によって高電圧リダンダンシー配線２２０をなす金属物質が水分に溶出する。
【００９６】
しかしながら、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号配線２０１と高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な大きさを有する電圧を伝送する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０との間には等電位が形成される。従って、等電位をなす高電圧信号配線２０１の周辺部は、水分内に存在する陰イオンが高電圧信号配線２０１に集中するのではなく水分内で無作為に存在するようになる。高電圧信号配線２０１と陰イオンとの反応は起こらないので、それによる高電圧信号配線２０１の溶出は起こらない。
【００９７】
つまり、高電圧信号配線２０１は高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０の犠牲によって水分に溶出せずに安全な状態を維持するようになる。
【００９８】
上記で詳述した本発明の第３実施例による液晶表示装置では、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１の両側に位置し、高電圧信号配線２０１と分離されて形成されたことを例に挙げたが、二つの高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０のうちの少なくとも一つの配線が高電圧信号配線２０１に連結される場合も本発明を適用することができる。
【００９９】
また、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は、薄膜トランジスタ基板２００の上部に位置してデータ伝送用フィルム３００に連結される部分と、薄膜トランジスタ基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４００に連結される部分とを連結して一つの配線に形成されることができる。
【０１００】
また、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は、高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるものであるので、低電圧の信号配線（低電圧信号配線２０２、共通電圧信号配線２０３）が高電圧信号配線２０１の片側にだけある場合には、低電圧の信号配線のある側にだけ高電圧リダンダンシー配線を形成することも可能である。
【０１０１】
詳述した本発明の第３実施例による液晶表示装置では、ゲートオン電圧を伝送する配線を高電圧信号配線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送する配線を低電圧信号配線の一例とした。しかし、ゲート制御信号配線のうちの高電圧信号配線としては、ゲートオン電圧を伝送する配線以外に電源電圧（Ｖｄｄ）を伝送する配線が他の例であり、低電圧信号配線としては接地電圧（ＶＧＮＤ）を伝送する配線が他の例であることがある。
【０１０２】
要するに、本発明では、高電圧と低電圧の信号配線が隣接する場合に、高電圧信号配線の周辺に等電位をなすように高電圧と同一な大きさの電圧を伝送する高電圧リダンダンシー配線を形成して、配線の段差部分に浸透した水分内の陰イオンによる高電圧信号配線の損傷を防止する。
【０１０３】
高電圧リダンダンシー配線は通常の金属物質、例えば、ゲート配線またはデータ配線を形成する物質で形成されることができる。この時、低電圧配線を形成する導電物質より酸化特性の小さい導電物質、例えば、銅系列、銀系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンで高電圧リダンダンシー配線が形成されるのが、電気分解の影響をあまり受けないので有利である。または、高電圧リダンダンシー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化した導電物質で形成される場合にも陰イオンによる反応を減らすことができるので有利である。
【０１０４】
詳述した本発明の第３実施例による液晶表示装置では、基板においてゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分だけについて説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が薄膜トランジスタ基板に形成される場合にも本発明の原理を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線間の電圧の差によって発生する電気分解により引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用可能である。
【０１０５】
本発明の第３実施例において、データ伝送用フィルム３００とゲート伝送用フィルム４００とに連結されるように形成されるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３がデータ配線形成用導電物質で形成されたことを例としたが、ゲート配線形成用導電物質で形成されることも可能である。
【０１０６】
また、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を二つ以上の配線が互いに連結される構造で形成することもできる。制御信号配線を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で形成する場合には、一つの配線はゲート配線形成用導電物質で形成され、他の一つの配線はデータ配線形成用導電物質で形成されるようにして、二つの配線が連結されるようにすることができる。このような信号制御配線の構造は制御信号部での高電圧リダンダンシー配線にもその適用が可能である。これを図９及び図１０を参照して説明する。
【０１０７】
図９はゲート制御信号配線のうちの一つのゲート制御信号配線の平面構造を示したものであり、図１０は図９に示した切断線X−X'による断面構造を示したものである。
【０１０８】
絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物質からなる第１信号配線２０８が第１方向に伸びている。第１信号配線２０８の一端に形成されるパッドは、データ伝送用フィルム３００と連結されるように薄膜トランジスタ基板２００の上部に位置する。
【０１０９】
絶縁基板１０上には、このような第１信号配線２０８を覆う窒化ケイ素または酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１１０】
ゲート絶縁膜３０には、第１信号配線２０８のパッドが位置しない他の一端を露出させる接触ホール３２が形成されている。
【０１１１】
そして、ゲート絶縁膜３０上には、データ配線形成用導電物質からなる第２信号配線２０９が第２方向に伸びている。第２信号配線２０９の一端に形成されるパッドは、ゲート伝送用フィルム４００と連結されるように薄膜トランジスタ基板２００の左側面に位置する。第２信号配線２０９は接触ホール３２を介して第１信号配線２０８と連結されていて、データ伝送用フィルム３００を通じて入力されるゲート制御信号をゲート伝送用フィルム４００に伝達する。
【０１１２】
ゲート絶縁膜３０上には、第２信号配線２０９を覆う窒化ケイ素または有機膜からなる保護膜７０が形成されている。
【０１１３】
保護膜７０には第２信号配線２０９のパッドを露出させる接触ホール（Ｃ９）が形成されており、ゲート絶縁膜３０とともに第１信号配線２０８のパッドを露出させる接触ホール（Ｃ８）が形成されている。
【０１１４】
保護膜７０上には、接触ホール（Ｃ８）を介して第１信号配線２０８のパッドに連結される第１信号補助パッド８８と、接触ホール（Ｃ９）を介して第２信号配線２０９のパッドに連結される第２信号補助パッド８９とが形成されている。
【０１１５】
詳述した構造を有する制御信号部にデータ伝送用フィルム３００を付着する際には、データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８とを対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０８と第１信号補助パッド８８とを付着させる。データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８とは導電粒子２５１によって電気的に連結される。また、同様な方法でゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９と第２信号補助パッド８９とを対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０９と第２信号補助パッド８９とを付着させる。ゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９と第２信号補助パッド８９とは導電粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１１６】
詳述した本発明の第３実施例において、データ及びゲート伝送用フィルム３００、４００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０、４０１、４０２、４０３、４１０、４２０と薄膜トランジスタ基板の配線２０１、２０２、２０３、２１０、２２０との連結部分は、この部分に浸透する水分の量を最小化するために配線の段差を緩和する構造を有することができる。これについては、図１１と図１２を参照して以下で説明する。
【０１１７】
図１１は制御信号配線とリード線とが接触する部分の配線配置構造を示したものであり、図１２は図１１に示した切断線XII−XII'による断面構造を示したものである。制御信号配線を二重層に形成し、リード線が二つの接触部を通じて制御信号配線の各々の層に接触することを示したものである。
【０１１８】
絶縁基板１０上に、ゲート配線形成用導電物質からなって一端にパッドを有する第１信号配線２９が形成されている。また、絶縁基板１０上には窒化ケイ素などからなる第１信号配線２９を覆うゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１１９】
ゲート絶縁膜３０上には、データ配線形成用導電物質からなって一端にパッドを有する第２信号配線６９が形成されている。第２信号配線６９は第１信号配線２９に重なるように第１信号配線２９のパターンに沿って形成されるが、第１信号配線２９のパッド部分に及ばないように第１信号配線２９よりは短く形成されている。また、ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線６９を覆う窒化ケイ素または有機絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【０１２０】
保護膜７０には第２信号配線６９のパッドを露出させる接触ホール（Ｃ６）が形成されており、ゲート絶縁膜３０とともに第１信号配線２９のパッドを露出させる接触ホール（Ｃ７）が形成されている。
【０１２１】
そして、保護膜７０上には、二つの接触ホール（Ｃ６、Ｃ７）を介して第１信号配線２９と第２信号配線６９とに連結される制御信号補助パッド８９が形成されている。
【０１２２】
このような構造を有する制御信号配線にデータ伝送用フィルム３００を付着する場合には、基板の制御信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９とを対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０によって付着する。この時、基板の制御信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９は導電性粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１２３】
接触部でのこのような配線の構造は、段差による接触不良を減らすことができるだけでなく、制御信号配線の断線を補完することができ、パッド部分に流入する湿気の浸透を最小化することができる。
【０１２４】
また、詳述した本発明の第３実施例では、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３がデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質で形成され、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０がゲート配線２０、２１、２２形成用導電物質で形成されたことを例として説明しているが、これは一つの実施例にすぎない。つまり、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質以外に、ゲート配線２０、２１、２２形成用導電物質または画素電極８０形成用導電物質で形成されることができる。
【０１２５】
同様に、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０もゲート配線２０、２１、２２形成用導電物質以外に、データ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質または画素電極８０形成用導電物質で形成されることもできる。特に、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は、銅系列、銀系列、クロム系列、モリブデン系列、窒化クロムまたは窒化モリブデンなどのような還元力の強い導電物質、またはＩＴＯやＩＺＯなどのような酸化した導電物質で形成されるのが電気分解による損傷をあまり受けないので有利である。
【０１２６】
次に説明する本発明の第４実施例による液晶表示装置は、高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２及び共通電圧信号配線２０３のようにゲート制御信号を伝送するゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３がデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質で形成されたものであり、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が画素電極８０形成用導電物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯで形成された例を示したものである。
【０１２７】
図１３は本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図を示したものであり、図１４は図１３に示した切断線XIV−XIV'による断面図である。画面表示部の構造は本発明の第３実施例と同一であり、ゲート制御信号を伝送するゲート制御信号部の構造が異なる。そのため、画面表示部を除いたゲート制御信号部に対してだけ説明する。
【０１２８】
絶縁基板１０にゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上にデータ配線２０、２１、２２、２３形成物質からなるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３は、ゲート制御信号線とゲート制御信号線の両端に連結されるゲート制御信号パッドとを含む。
【０１２９】
そして、ゲート絶縁膜３０上には、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を覆う保護膜７０が形成されている。
【０１３０】
保護膜７０にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドを露出させる接触ホール（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が形成されている。そして、保護膜７０上には接触ホール（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を介してゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに連結されるゲート制御信号補助パッド８５、８３、８７が形成されている。
【０１３１】
また、保護膜７０上には、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のうちのゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を伝送する高電圧信号配線２０１の両側に位置する高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０が形成されている。この高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０は画素電極８０形成物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成されている。
【０１３２】
本発明の第４実施例による液晶表示装置でのように、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０がＩＴＯやＩＺＯで形成される場合には、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０によって高電圧配線２０１が電気分解によって損傷を受けるのを防止することができること以外に、高電圧リダンダンシー配線２１０、２２０も電気分解による損傷の恐れがあまりないという長所がある。
【０１３３】
【発明の効果】
本発明によれば、高電圧信号配線の周辺部に高電圧と等電位をなすように高電圧リダンダンシー配線を形成することにより、電気分解による高電圧信号配線の損傷を防止することができるので、液晶表示装置の素子特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来の、制御信号部を含む液晶表示装置の概略図。
【図２】
従来の。高電圧リダンダンシー配線が形成されていない場合の制御信号部の配線配置図。
【図３】
図２に示した切断線III−III'の断面図。
【図４】
本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図。
【図５】
図４に示した切断線V−V'の断面図。
【図６】
本発明の第２実施例による制御信号部の配線配置図。
【図７】
本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図。
【図８】
図７に示した切断線VIII−VIII'の断面図。
【図９】
制御信号部における信号配線の他のパターンを示した平面図。
【図１０】
図９に示した切断線X−X'の断面図。
【図１１】
制御信号部の信号配線において、パッド部分の他のパターンを示した平面図。
【図１２】
図１１に示した切断線XII-XII'の断面図。
【図１３】
本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図。
【図１４】
図１３に示した切断線XIV−XIV'の断面図。
【符号の説明】
１０  絶縁基板
２０、１４０  ゲート線
２１  ゲートパッド
２２  ゲート電極
２９、２０８  第１信号配線
３０  ゲート絶縁膜
３２  接触ホール
４０  半導体層
５１、５２  抵抗性接触層
６０、１３０  データ線
６１  データパッド
６２  ソース電極
６３  ドレーン電極
６９、２０９  第２信号配線
７０  保護膜
７１、７２、７３、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９  接触ホール
８０  画素電極
８１  ゲート補助パッド
８２  データ補助パッド
８３、８４、８５、８６、８７  ゲート制御信号補助パッド
８８  第１信号補助パッド
８９  第２信号補助パッド
１００  カラーフィルター基板
２００  薄膜トランジスタ基板
２０１、４０１  高電圧信号配線
２０２  低電圧信号配線
２０３  共通電圧信号配線
２０４、２０５  その他の信号配線
２１０、２２０  高電圧リダンダンシー配線
２５０  異方性導電膜
２５１  導電性粒子
２５２  接着剤
３００  データ伝送用フィルム
３０１  高電圧信号リード線
３０２  低電圧信号リード線
３０３  共通電圧信号リード線
３０４、３０５  その他のゲート制御信号リード線
３１０  データ駆動集積回路
３１０、３２０、４１０  高電圧リダンダンシーリード線
３５０  データ信号リード線
４００  ゲート伝送用フィルム
４０１、４０２、４０３  リード線
４１０  ゲート駆動集積回路
４１０、４２０  高電圧リダンダンシーリード線
４５０  ゲート信号リード線
５００  陰イオン
５２０  ゲート制御信号連結配線
６００  データ用印刷回路基板
５１０  制御基板
【図１】
0005232948.tif 000002
【図２】
0005232948.tif 000003
【図３】
0005232948.tif 000004
【図４】
0005232948.tif 000005
【図５】
0005232948.tif 000006
【図６】
0005232948.tif 000007
【図７】
0005232948.tif 000008
【図８】
0005232948.tif 000009
【図９】
0005232948.tif 000010
【図１０】
0005232948.tif 000011
【図１１】
0005232948.tif 000012
【図１２】
0005232948.tif 000013
【図１３】
0005232948.tif 000014
【図１４】
0005232948.tif 000015