(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レッドのサブ画素、グリーンのサブ画素およびブルーのサブ画素で構成される複数の画素を備え、前記複数の画素の発光によって映像を表示する有機電界発光表示装置において、
前記各サブ画素は、
データ線、走査線および第１電源電圧線に接続されており、前記データ線を介して供給される駆動電圧を格納するストレージキャパシタを含み、所定の駆動電流を発生させる画素駆動部と、
前記画素駆動部と第２電源電圧線との間に接続され、前記駆動電流に応じた輝度で発光する有機発光素子と、を備え、
前記画素駆動部は、前記ストレージキャパシタと前記走査線との間に接続され、前記駆動電圧を増加させる補償電圧を発生させる補助キャパシタをさらに備え、
前記各サブ画素の前記補助キャパシタは、前記各サブ画素の発光効率比に応じてキャパシタンスを異にし、
前記画素駆動部は、
前記ストレージキャパシタの第１端子と初期化電源線との間に接続され、（ｎ−１）番目の走査信号によって通電されて前記ストレージキャパシタを初期化させる初期化トランジスタと、
前記データ線に接続され、ｎ番目の走査信号によって通電され、データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、
前記第１スイッチングトランジスタに第１電極が接続され、前記ストレージキャパシタの第１端子にゲート電極が接続され、前記駆動電流を発生させる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極と第２電極との間に接続され、前記ｎ番目の走査信号によって通電されて前記駆動トランジスタをダイオード接続させ、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値電圧補償トランジスタと、
前記第１電源電圧線と前記駆動トランジスタの前記第２電極との間に接続され、ｎ番目の発光制御信号によって通電されて前記第１電源電圧を前記駆動トランジスタの前記第２電極に伝達する第２スイッチングトランジスタと、をさらに含み、
前記ストレージキャパシタの第２端子が前記第１電源電圧線に接続され、
前記補助キャパシタのキャパシタンスは、ホワイトを表示させる場合における前記各サブ画素の駆動電流比に反比例することを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記グリーンのサブ画素の補助キャパシタは、前記レッドのサブ画素の補助キャパシタより大きなキャパシタンスを有し、前記レッドのサブ画素の補助キャパシタは、前記ブルーのサブ画素の補助キャパシタより大きなキャパシタンスを有することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記補助キャパシタによって増加される補償電圧は、下式で表されることを特徴とする、請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
Ｖｘ＝Ｃａｕｘ／（Ｃｓｔ＋Ｃａｕｘ）×（ＶＶＤＤ−ＶＶＳＳ）
ここで、Ｖｘは補償電圧、Ｃａｕｘは補助キャパシタのキャパシタンス、Ｃｓｔはストレージキャパシタのキャパシタンス、ＶＶＤＤは高レベルの走査信号、ＶＶＳＳは低レベルの走査信号である。
【請求項４】
前記画素駆動部は、前記駆動トランジスタと前記有機発光素子との間に接続され、前記ｎ番目の発光制御信号によって通電されて前記駆動電流を前記有機発光素子に伝達する発光制御トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記初期化トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、前記駆動トランジスタ、前記閾値電圧補償トランジスタ、前記第２スイッチングトランジスタ、および前記発光制御トランジスタは、同一の導電型（Ｎ型またはＰ型）のＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする、請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
映像を表示する複数の画素を有する表示パネルと、
前記表示パネルに走査信号を供給する走査ドライバと、
前記表示パネルにデータ信号を供給するデータドライバと、
前記走査ドライバを制御する走査制御信号と、前記データドライバを制御するデータ制御信号とを生成するタイミング制御部と、
前記データドライバと前記表示パネルとの間に連結され、前記画素を構成するサブ画素に対応する前記データ信号を順次に供給するデマルチプレクサと、
前記デマルチプレクサを制御するデマルチプレクサ制御部と、を備え、
前記複数の画素は、レッドのサブ画素、グリーンのサブ画素およびブルーのサブ画素で構成され、
前記各サブ画素は、
データ線、走査線および第１電源電圧線に接続されており、前記データ線を介して供給される駆動電圧を格納するストレージキャパシタを含み、所定の駆動電流を発生させる画素駆動部と、
前記画素駆動部と第２電源電圧線との間に接続され、前記駆動電流に応じた輝度で発光する有機発光素子と、を備え、
前記画素駆動部は、前記ストレージキャパシタと前記走査線との間に接続され、前記駆動電圧を増加させる補償電圧を発生させる補助キャパシタをさらに備え、
前記各サブ画素の前記補助キャパシタは、前記各サブ画素の発光効率比に応じてキャパシタンスを異にし、
前記補助キャパシタのキャパシタンスは、ホワイトを表示させる場合における前記各サブ画素の駆動電流比に反比例することを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記デマルチプレクサは、前記各サブ画素に接続されるデータ線を介して前記表示パネルに接続されることを特徴とする、請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記データ線は、各補助キャパシタに接続され、前記補助キャパシタは、前記サブ画素に応じて異なるキャパシタンスを有することを特徴とする、請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記補助キャパシタは、発光効率に応じて異なるキャパシタンスを有することを特徴とする、請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記補助キャパシタは、グリーン＞レッド＞ブルーの順にキャパシタンスを有することを特徴とする、請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記デマルチプレクサは、水平周期の間に、前記各サブ画素に前記データ信号を順次に供給することを特徴とする、請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記走査ドライバは、前記データ信号が前記サブ画素に同時に供給されるように、前記画素に前記走査信号を供給することを特徴とする、請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、より詳しくは、データドライバ用の出力線の数を減少させ、一様な輝度の映像を表示し、一様な電圧でホワイトバランスを調整することができる、有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、比較的に重厚長大となり易い陰極線管を用いた表示装置に代わって、様々な平板表示装置が開発されている。平板表示装置（Flat Panel Display：ＦＰＤ）としては、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Field Emission Display：ＦＥＤ）、プラズマ表示パネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）および有機電界発光表示装置（Organic Electro-luminescent Display：ＯＥＬＤ）などが挙げられる。
【０００３】
平板表示装置の中でも有機電界発光表示装置は、有機発光素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）を含む。ここで、有機発光素子とは、カソードから供給される電子と、アノードから供給される正孔との再結合によって発光する、自発光素子である。このような有機電界発光表示装置は、応答速度（通常１μｓ）が比較的速く、消費電力が比較的低いという長所を有する。一般に、有機電界発光表示装置は、各画素に備えられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いて、データ信号に応じた駆動電流を有機発光素子に供給することで、有機発光素子を発光させ、所定の映像を表示する。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【０００５】
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置は、表示パネル１０、走査ドライバ２０、データドライバ３０およびタイミング制御部４０を含む。
【０００６】
表示パネル１０は、複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎおよび発光制御線Ｅ１〜Ｅｎと、複数のデータ線Ｄ１−Ｄｍとが交差する領域に形成された、複数の画素Ｐ１１〜Ｐｎｍを含む。各画素Ｐ１１〜Ｐｎｍは、外部から第１電源Ｖｄｄおよび第２電源Ｖｓｓを供給され、複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍから伝達されるデータ信号に応じて発光することで、所定の映像を表示する。また、画素Ｐ１１〜Ｐｎｍでは、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを介して伝達される発光制御信号によって発光時間が制御される。
【０００７】
走査ドライバ２０は、タイミング制御部４０からの走査制御信号Ｓｇに応答して走査信号を生成し、その走査信号を複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次に供給することで、画素Ｐ１１〜Ｐｎｍを選択する。また、走査ドライバ２０は、走査制御信号Ｓｇに応答して発光制御信号を生成し、その発光制御信号を複数の発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに順次に供給することで、発光を制御する。
【０００８】
データドライバ３０は、タイミング制御部４０からレッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のデータを供給され、データ制御信号Ｓｄに応答してデータ信号を生成し、そのデータ信号を複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍに供給する。この際、データドライバ３０は、１水平周期毎に、１水平線に相当するデータ信号をデータ線Ｄ１〜Ｄｍに供給する。
【０００９】
タイミング制御部４０は、外部グラフィック制御部（図示せず）から供給される映像データ、水平および垂直同期信号Ｈｓｙｎｃ、Ｖｓｙｎｃに相当するデータ制御信号Ｓｄおよび走査制御信号Ｓｇを生成する。ここで、タイミング制御部４０は、データ制御信号Ｓｄをデータドライバ３０に、走査制御信号Ｓｇを走査ドライバ２０に各々に供給する。
【００１０】
このように構成される従来の有機電界発光表示装置では、各画素Ｐ１１〜Ｐｎｍは、複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎおよび発光制御線Ｅｎ〜Ｅｍと、複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍとが交差する領域に位置する。ここで、データドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を各々に供給するように、ｍ本の出力線を備える。すなわち、従来の有機電界発光表示装置では、データドライバ３０は、データ線Ｄ１〜Ｄｍと同一数の出力線を備えなければならない。よって、データドライバ３０の内部には、ｍ本の出力線を有するように、複数のデータ集積回路（Integrated Circuit：ＩＣ）が組込まれることで、製造コストを上昇させてしまう。特に、表示パネル１０の解像度および寸法（インチ数）が大きくなるほど、データドライバ３０は、より多くのデータ集積回路ＩＣを組込む必要があるので、製造コストをさらに上昇させてしまう。
【特許文献１】特開２００４−３３４１７９号公報
【特許文献２】大韓民国特許公開第２００２−９０５７４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、データドライバ用の出力線の数を減少させ、一様な輝度の映像を表示し、一様な電圧でホワイトバランスを調整することができる、新規かつ改良された有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、レッドのサブ画素、グリーンのサブ画素およびブルーのサブ画素で構成される複数の画素を備え、複数の画素の発光によって映像を表示する有機電界発光表示装置が提供される。本有機電界発光表示装置において、各サブ画素は、データ線、走査線および第１電源電圧線に接続されており、データ線を介して供給される駆動電圧を格納するストレージキャパシタを含み、所定の駆動電流を発生させる画素駆動部と、画素駆動部と第２電源電圧線との間に接続され、駆動電流に応じた輝度で発光する有機発光素子と、を備える。また、本有機電界発光表示装置において、画素駆動部は、ストレージキャパシタと走査線との間に接続され、駆動電圧を増加させる補償電圧を発生させる補助キャパシタをさらに備え、各サブ画素の補助キャパシタは、各サブ画素の発光効率比に応じてキャパシタンスを異にする。
【００１３】
上記補助キャパシタのキャパシタンスは、ホワイト画素を形成する各サブ画素の駆動電流比に反比例するようにしてもよい。
【００１４】
上記グリーンのサブ画素の補助キャパシタは、レッドのサブ画素の補助キャパシタより大きなキャパシタンスを有し、レッドのサブ画素の補助キャパシタは、ブルーのサブ画素の補助キャパシタより大きなキャパシタンスを有するようにしてもよい。
【００１５】
上記補助キャパシタによって増加される補償電圧は、下式で表されるようにしてもよい。
Ｖｘ＝Ｃａｕｘ／（Ｃｓｔ＋Ｃａｕｘ）×（ＶＶＤＤ−ＶＶＳＳ）
ここで、Ｖｘは補償電圧、Ｃａｕｘは補助キャパシタのキャパシタンス、Ｃｓｔはストレージキャパシタのキャパシタンス、ＶＶＤＤは高レベルの走査信号、ＶＶＳＳは低レベルの走査信号である。
【００１６】
上記画素駆動部は、ストレージキャパシタの第１端子と初期化電源線との間に接続され、（ｎ−１）番目の走査信号によって通電されてストレージキャパシタを初期化させる初期化トランジスタと、データ線に接続され、ｎ番目の走査信号によって通電され、データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、第１スイッチングトランジスタに第１電極が接続され、ストレージキャパシタの第１端子にゲート電極が接続され、駆動電流を発生させる駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲート電極と第２電極との間に接続され、ｎ番目の走査信号によって通電されて駆動トランジスタをダイオード接続させ、駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値電圧補償トランジスタと、第１電源電圧線と駆動トランジスタの第２電極との間に接続され、ｎ番目の発光制御信号によって通電されて第１電源電圧を駆動トランジスタの第２電極に伝達する第２スイッチングトランジスタと、をさらに含むようにしてもよい。
【００１７】
上記画素駆動部は、駆動トランジスタと有機発光素子との間に接続され、ｎ番目の発光制御信号によって通電されて駆動電流を有機発光素子に伝達する発光制御トランジスタをさらに含むようにしてもよい。
【００１８】
上記第１〜第６トランジスタは、同一の導電型（Ｎ型またはＰ型）のＭＯＳＦＥＴであるようにしてもよい。
【００１９】
映像を表示する複数の画素を有する表示パネルと、表示パネルに走査信号を供給する走査ドライバと、表示パネルにデータ信号を供給するデータドライバと、走査ドライバを制御する走査制御信号と、データドライバを制御するデータ制御信号とを生成するタイミング制御部と、データドライバと表示パネルとの間に連結され、画素を構成するサブ画素に対応するデータ信号を順次に供給するデマルチプレクサと、デマルチプレクサを制御するデマルチプレクサ制御部と、を備えるようにしてもよい。
【００２０】
上記デマルチプレクサは、各サブ画素に接続されるデータ線を介して表示パネルに接続されるようにしてもよい。
【００２１】
上記データ線は、各補助キャパシタに接続され、補助キャパシタは、サブ画素に応じて異なるキャパシタンスを有するようにしてもよい。
【００２２】
上記補助キャパシタは、発光効率に応じて異なるキャパシタンスを有するようにしてもよい。
【００２３】
上記補助キャパシタは、グリーン＞レッド＞ブルーの順にキャパシタンスを有するようにしてもよい。
【００２４】
上記デマルチプレクサは、水平周期の間に、各サブ画素に前記データ信号を順次に供給するようにしてもよい。
【００２５】
上記走査ドライバは、データ信号がサブ画素に同時に供給されるように、画素に走査信号を供給するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明によれば、データドライバ用の出力線の数を減少させ、一様な輝度の映像を表示し、一様な電圧でホワイトバランスを調整することができる、有機電界発光表示装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【００２９】
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、表示パネル１００、走査ドライバ１２０、データドライバ１３０、タイミング制御部１４０、デマルチプレクサ部１５０およびデマルチプレクサ制御部１６０を備える。
【００３０】
表示パネル１００は、複数の走査線Ｓ１〜Ｓｎおよび発光制御線Ｅ１〜Ｅｎと、複数のデータ線Ｄ１１〜Ｄｍｋとによって定義される領域に位置する、複数の画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋを含む。
【００３１】
各画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋは、該当するデータ線Ｄ１１〜Ｄｍｋを介して供給されるデータ信号に応じて発光する。各画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋを代表する画素１１０については後述する。
【００３２】
また、各画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋに該当するデータ線Ｄ１１〜Ｄｍｋには、データ信号を一時的に格納する複数のデータ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａｍｋが備えられる。
【００３３】
例えば、データプログラム周期中に、第１画素Ｐ１１１を発光させるために第１データ線Ｄ１１にデータ電圧が印加されると、データ線Ｄ１１に形成される第１データ線キャパシタＣｄａｔａ１１はデータ電圧を一時的に格納する。次に、走査周期中に、第１走査信号Ｓ１によって第１画素Ｐ１１１が選択されると、第１データ線キャパシタＣｄａｔａ１１に格納されたデータ電圧が第１画素Ｐ１１１に供給されることで、データ電圧に応じて第１画素Ｐ１１１を発光させる。
【００３４】
このように各データ線Ｄ１１〜Ｄｍｋに形成されたデータ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａｍｋは、複数のデータ線Ｄ１１〜Ｄｍｋに供給されるデータ信号を各々に一時的に格納し、さらに、格納されたデータ電圧を走査信号によって選択された画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋに供給する。ここで、データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａｍｋは、データ線Ｄ１１〜Ｄｍｋと、第３電極と、両者の間に介在される絶縁層とによって等価的に形成される、寄生キャパシタによって実現される。実質的には、データ線Ｄ１１〜Ｄｍｋに等価的に形成される各データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａｍｋは、データ信号を安定的に格納するために、各画素Ｐ１１１〜Ｐｎｍｋに備えられるストレージキャパシタＣｓｔより高いキャパシタンスを有することが望ましい。
【００３５】
走査ドライバ１２０は、タイミング制御部１４０から供給される走査制御信号Ｓｇに応答して走査信号を生成し、その走査信号を走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次に供給する。ここで、走査ドライバ１２０は、図６に示すように、１水平周期（１Ｈ）の所定期間（すなわち走査周期）にのみ走査信号を供給する。本発明の実施形態によれば、１水平周期（１Ｈ）は、走査周期とデータプログラム周期とに区分される。走査ドライバ１２０は、走査線Ｓｎに、１水平周期の走査周期中には走査信号を供給し、データプログラム周期中には走査信号を供給しない。一方、走査ドライバ１２０は、走査制御信号Ｓｇに応答して発光制御信号を生成し、その発光制御信号を発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに順次に供給する。
【００３６】
データドライバ１３０は、Ｒ、Ｇ、Ｂデータをタイミング制御部１４０から供給され、データ制御信号Ｓｄに応答してＲ、Ｇ、Ｂデータ信号を出力線Ｄ１〜Ｄｍに順次に供給する。ここで、データドライバ１３０は、各出力端子に接続された出力線Ｄ１〜Ｄｍ／ｋにｋ個（ｋ：２以上の整数、図６中ではＲ、Ｇ、Ｂの３個）のデータ信号を順次に供給する。より詳しくは、データドライバ１３０は、１水平周期（１Ｈ）のデータプログラム周期中に、該当する画素にデータ信号（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ）を順次に供給する。ここで、該当する画素に供給されるデータ信号Ｒ、Ｇ、Ｂは、データプログラム周期にのみ供給されるので、走査信号が供給される走査周期と重複しない。
【００３７】
タイミング制御部１４０は、外部グラフィック制御部(図示せず)から供給される映像データと水平および垂直同期信号とに応じて、データ制御信号Ｓｄおよび走査制御信号Ｓｇを生成する。ここで、タイミング制御部１４０は、データ制御信号Ｓｄをデータドライバ１３０に、走査制御信号Ｓｇを走査ドライバ１２０に各々に供給する。
【００３８】
デマルチプレクサ部１５０は、ｍ個のデマルチプレクサ１５１を含む。具体的には、デマルチプレクサ部１５０は、データドライバ１３０に接続される出力線Ｄ１〜Ｄｍと同一数のデマルチプレクサ１５１を含み、デマルチプレクサ１５１の入力端子は、データドライバ１３０の出力線Ｄ１〜Ｄｍに各々に接続される。そして、デマルチプレクサ１５１の出力端子、例えば第１デマルチプレクサは、ｋ個のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに接続される。第１デマルチプレクサ１５１は、データプログラム周期中に順次に供給されるｋ個のデータ信号を、ｋ個のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに印加する。１本の出力線Ｄ１に順次に供給されるｋ個のデータ信号がｋ本のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに順次に印加されるので、データドライバ１３０に備えられる出力線の数は顕著に減少しうる。例えば、ｋ＝３であれば、データドライバ１３０に備えられる出力線の数が１／３に減少するので、データドライバ１３０に組込まれるデータ集積回路ＩＣの数も減少する。すなわち、本発明の実施形態によれば、デマルチプレクサ１５１を用いて、１本の出力線Ｄ１に対応するデータ信号をｋ本のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに供給することで、データ集積回路ＩＣの製造コストが節減される。
【００３９】
デマルチプレクサ制御部１６０は、ｋ個のデータ信号が分割されて出力線Ｄ１を介してｋ本のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに供給されるように、１水平周期（１Ｈ）のデータプログラム周期中に、ｋ個の制御信号をデマルチプレクサ１５１の制御端子に供給する。ここで、デマルチプレクサ制御部１６０から供給されるｋ個の制御信号は、図６に示すように、データプログラム周期中に、互いに重複しないように順次に供給される。本実施形態においては、デマルチプレクサ制御部１６０がタイミング制御部１４０の外部に備えられる。代替的に、デマルチプレクサ制御部１６０がタイミング制御部１４０の内部に備えられてもよい。
【００４０】
図３は、図２に示すデマルチプレクサの内部回路図を示す。
【００４１】
図３では、説明の便宜上、ｋが３であり、データがレッド、グリーン、ブルーの順に入力されると仮定して説明する。また、デマルチプレクサ１５１がデータドライバ１３０の第１出力線Ｄ１に接続されると仮定して説明する。
【００４２】
図３を参照すれば、デマルチプレクサ１５１は、第１スイッチング素子Ｔ１、第２スイッチング素子Ｔ２および第３スイッチング素子Ｔ３を含む。各スイッチング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３は、薄膜トランジスタで構成され、本実施形態においては、スイッチング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３がＰ型ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成されるが、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴで構成されてもよい。
【００４３】
第１スイッチング素子Ｔ１は、第１出力線Ｄ１と第１データ線Ｄ１１との間に接続される。ここで、第１スイッチング素子Ｔ１は、デマルチプレクサ制御部１６０から第１制御信号ＣＳ１が供給されると通電され、第１出力線Ｄ１からのレッドデータ信号を第１データ線Ｄ１１に供給する。第１データ線Ｄ１１に供給されたデータ信号は、図２とともに説明したデータプログラム周期中に、第１データ線キャパシタＣｄａｔａ１１に格納される。
【００４４】
第２スイッチング素子Ｔ２は、第１出力線Ｄ１と第２データ線Ｄ１２との間に接続される。ここで、第２スイッチング素子Ｔ２は、デマルチプレクサ制御部１６０から第２制御信号ＣＳ２が供給されると通電され、第１出力線Ｄ１からのグリーンデータ信号を第２データ線Ｄ１２に供給する。第２データ線Ｄ１２に供給されたデータ信号は、図２とともに説明したデータプログラム周期中に、第２データ線キャパシタＣｄａｔａ１２に格納される。
【００４５】
第３スイッチング素子Ｔ３は、第１出力線Ｄ１と第３データ線Ｄ１３との間に接続される。ここで、第３スイッチング素子Ｔ３は、デマルチプレクサ制御部１６０から第３制御信号ＣＳ３が供給されると通電され、第１出力線Ｄ１からのブルーデータ信号を第３データ線Ｄ１３に供給する。第３データ線Ｄ１３に供給されたデータ信号は、図２とともに説明したデータプログラム周期中に、第３データ線キャパシタＣｄａｔａ１３に格納される。
【００４６】
デマルチプレクサ１５１の詳細な動作は、画素１１０の構造とともに後述する。
【００４７】
図４は、図２に示すＮ×Ｍ個の画素を代表する画素を示す回路図である。なお、本発明の実施形態に係る画素は、図４に示す画素に限定されるものではない。
【００４８】
図４を参照すれば、本発明の実施形態に係る画素１１０は、有機発光素子ＯＬＥＤと、データ線Ｄｍｋ、前回（previous）および今回（current）の走査線Ｓｎ、Ｓｎ−１、発光制御線Ｅｎ、第１電源電圧線Ｖｄｄおよび初期化電圧線Ｖｉｎｉｔに接続されて、有機発光素子ＯＬＥＤを発光させるための駆動電流を発生させる画素駆動回路１１１とを含む。データ線Ｄｍｋには、画素１１０にデータ電圧を供給するデータ線キャパシタＣｄａｔａｍｋが形成される。
【００４９】
有機発光素子ＯＬＥＤは、アノード電極が画素駆動回路１１１に、カソード電極が第２電源電圧線Ｖｓｓに各々に接続される。ここで、第２電源Ｖｓｓは、第１電源Ｖｄｄより低い電圧、例えば、接地電圧または負電圧などを有する。よって、有機発光素子ＯＬＥＤは、画素駆動回路１１１から供給される駆動電流に応じて発光する。
【００５０】
画素駆動回路１１１は、１つのストレージキャパシタＣｓｔと、６つのトランジスタＭ１〜Ｍ６とを含む。ここで、第１トランジスタＭ１は、駆動トランジスタであり、第３トランジスタＭ３は、第１トランジスタＭ１をダイオード接続させることで閾値電圧を補償する閾値電圧補償トランジスタであり、第４トランジスタＭ４は、ストレージキャパシタＣｓｔを初期化させる初期化トランジスタである。また、第６トランジスタＭ６は、有機発光素子ＯＬＥＤの発光を制御する発光制御トランジスタであり、第２および第５トランジスタＭ２、Ｍ５は、スイッチングトランジスタである。
【００５１】
第１スイッチングトランジスタＭ２は、ゲート電極が今回の走査線Ｓｎに、ソース電極がデータ線Ｄｍｋに各々に接続されて、今回の走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号によって通電されることで、データ線キャパシタＣｄａｔａｍｋから供給されるデータ電圧を伝達する。
【００５２】
駆動トランジスタＭ１は、ソース電極が第１スイッチングトランジスタＭ２のドレイン電極に、ゲート電極がノードＮに各々に接続される。ノードＮでは、閾値電圧補償トランジスタＭ３のソースまたはドレイン電極と、ストレージキャパシタＣｓｔの第１端子とが共通に接続され、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧が決定される。よって、駆動トランジスタＭ１は、ゲート電極に印加された電圧に応じて駆動電流を発生させる。
【００５３】
閾値電圧補償トランジスタＭ３は、駆動トランジスタＭ１のゲート電極とソース電極との間に接続され、今回の走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号に応答して駆動トランジスタＭ１をダイオード接続させる。よって、走査信号によって駆動トランジスタＭ１がダイオードとして機能することで、ノードＮに電圧Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ［Ｖ］が印加されて、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧として用いられる。
【００５４】
初期化トランジスタＭ４は、初期化電圧線Ｖｉｎｉｔと、ストレージキャパシタＣｓｔの第１端子との間に接続され、前回のフレーム中にストレージキャパシタＣｓｔに充電された電荷を、ゲート電極に接続された（ｎ−１）番目の走査線Ｓｎ−１の走査信号に応答して、初期化電圧線Ｖｉｎｉｔを介して放電させることで、ストレージキャパシタＣｓｔを初期化させる。
【００５５】
第２スイッチングトランジスタＭ５は、第１電源電圧線Ｖｄｄと、駆動トランジスタＭ１のソース電極との間に接続され、ゲート電極に接続された発光制御線Ｅｎを介して伝達される発光制御信号によって通電されることで、第１電源電圧Ｖｄｄを駆動トランジスタＭ１のソース電極に印加する。
【００５６】
発光制御トランジスタＭ６は、駆動トランジスタＭ１と有機発光素子ＯＬＥＤとの間に接続され、ゲート電極に接続された発光制御線Ｅｎを介して伝達される発光制御信号に応答して駆動トランジスタＭ１で発生される駆動電流を、有機発光素子ＯＬＥＤに伝達する。
【００５７】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１電源電圧線Ｖｄｄと、駆動トランジスタＭ１のゲート電極との間に接続され、第１電源電圧Ｖｄｄと駆動トランジスタＭ１のゲート電極との間に印加される電圧Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ［Ｖ］に応じた電荷を１フレーム中にわたって維持する。
【００５８】
図４では、第１〜第６トランジスタＭ１〜Ｍ６がＰ型ＭＯＳＦＥＴで構成されるが、代替的に、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴで構成されてもよい。
【００５９】
よって、前述の構成によれば、データ信号に相当する電圧がデータプログラム周期中にデータ線キャパシタＣｄａｔａｍｋに格納され、データ線キャパシタＣｄａｔａｍｋに格納された電圧が走査周期中に画素に供給されることで、データ信号が画素に供給される。すなわち、データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１ｋに格納された電圧が各画素に同時に供給される、すなわち、各データ信号が同時に供給されるので、一様な輝度で映像が表示される。
【００６０】
しかしながら、デマルチプレクサを用いて、データプログラム周期と走査周期とが区分されるので、データプログラム周期中には互いに分離されていた、データ線キャパシタＣｄａｔａｍｋと画素内のストレージキャパシタＣｓｔとが走査周期中に互いに接続される。これによって、データ線キャパシタＣｄａｔａｍｋに格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相当する電荷が、データ線キャパシタＣｄａｔａｍｋとストレージキャパシタＣｓｔとの間で電荷共有（charge sharing）される。ここで、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧ＶｇＭ１は、実質的に数式１で表される。
【００６１】
ＶｇＭ１＝Ｃｄａｔａ×Ｖｄａｔａ＋Ｃｓｔ×Ｖｉｎｉｔ／Ｃｄａｔａ＋Ｃｓｔ
．．．（数式１）
ここで、ＶｇＭ１は駆動トランジスタＭ１のゲート電圧、Ｖｄａｔａはデータ電圧、Ｖｉｎｉｔは初期化電圧、Ｖｄｄは第１電源電圧、Ｃｄａｔａは各データ線キャパシタのキャパシタンス、Ｃｓｔは各画素のストレージキャパシタのキャパシタンスを示す。
【００６２】
数式１を参照すれば、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧ＶｇＭ１とデータ電圧Ｖｄａｔａとの差は、データ線キャパシタＣｄａｔａおよびストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタンスに応じて異なる。すなわち、データ線に実際に印加されたデータ電圧より低い電圧が駆動トランジスタＭ１のゲート電極に印加される。よって、ブラックの表示が困難となり、コントラスト比が低下する。
【００６３】
この問題は、ブラックデータ電圧を高くすることで解消されうる。しかし、データドライバの仕様により、より高いブラックデータ電圧を印加することはできない。代替的に、この問題は、第１電源電圧Ｖｄｄを低くすることで解消されうる。この場合、ブラックの表示が可能となるが、第１電源電圧Ｖｄｄと同様に、第２電源電圧Ｖｓｓも低くする必要がある。よって、第２電源電圧ＶｓｓのＤＣ／ＤＣ効率が顕著に低下する。
【００６４】
よって、本発明の実施形態に係る画素は、図４に示すように、補助キャパシタＣａｕｘを画素内に含む。
【００６５】
補助キャパシタＣａｕｘは、第１電極が今回の走査線Ｓｎと第１スイッチングトランジスタＭ２のゲート電極とに共通に接続され、第２電極がストレージキャパシタＣｓｔと駆動トランジスタＭ１のゲート電極とに共通に接続される。
【００６６】
補助キャパシタＣａｕｘは、走査周期から発光周期に移行させる一方で、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧ＶＧを高める。ここで、走査信号の低レベル電圧が低走査電圧ＶＶＳＳ、走査信号の高レベル電圧が高走査電圧ＶＶＤＤと仮定される。補助キャパシタＣａｕｘの第１電極に印加される電圧が低走査電圧ＶＶＳＳから高走査電圧ＶＶＤＤに移行されることで、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧ＶＧは、ストレージキャパシタＣｓｔと補助キャパシタＣａｕｘとの結合による補償電圧分だけ高められる。
【００６７】
駆動トランジスタのゲート電圧ＶＧは、実質的に数式２で表される。
【００６８】
Ｃｓｔ（ＶＧ−ＶｇＭ１）＝Ｃａｕｘ｛（ＶｇＭ１−ＶＧ）−（ＶＶＳＳ−ＶＶＤＤ）｝
ＶＧ＝ＶｇＭ１＋Ｃａｕｘ／（Ｃｓｔ＋Ｃａｕｘ）×（ＶＶＤＤ−ＶＶＳＳ）
．．．（数式２）
ここで、ＶＧは補助キャパシタが形成された後における駆動トランジスタＭ１のゲート電圧、ＶｇＭ１は補助キャパシタが形成される前における駆動トランジスタＭ１のゲート電圧、ＶＶＤＤは高レベル走査信号、ＶＶＳＳは低レベル走査信号、Ｃａｕｘは補助キャパシタのキャパシタンス、Ｃｓｔはストレージキャパシタのキャパシタンスを示す。
【００６９】
数式２を参照すれば、補助キャパシタＣａｕｘが形成された後に、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧が補償電圧｛Ｃａｕｘ／（Ｃｓｔ＋Ｃａｕｘ）×（ＶＶＤＤ−ＶＶＳＳ）｝分だけ高められることで、低下電圧が補償される。
【００７０】
例えば、第１電源電圧Ｖｄｄがブラックデータ電圧と同一であれば、補助キャパシタＣａｕｘが形成される前に、７ｎＡ程度の非常に高いブラックレベル電流が駆動トランジスタＭ１に通電されることで、コントラスト比が非常に低下する。一方、本発明の実施形態によれば、補助キャパシタＣａｕｘが形成された後に、０.０２ｎＡ程度のブラックレベル電流が駆動トランジスタＭ１に通電されることで、データドライバの仕様を満足した上で、コントラスト比も向上する。ストレージキャパシタＣｓｔが補助キャパシタＣａｕｘより大きなキャパシタンスを有することが望ましい。前述の例において、測定電流は、ストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタンスが補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスの１０倍程度である場合に得られたものである。
【００７１】
図５は、本発明の実施形態に基づいて、図３に示す代表的なデマルチプレクサと図４に示す代表的な画素との接続構造を詳細に示す回路図であり、図６は、図５に示す画素回路の動作を示すタイミング図である。
【００７２】
図５では、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）およびブルー（Ｂ）のサブ画素が第１出力線Ｄ１に接続された１つのデマルチプレクサ１５１に接続される（すなわちｋ＝３）と仮定する。
【００７３】
図５および図６を参照すれば、１水平周期（１Ｈ）の（ｎ−１）番目の走査周期中に、（ｎ−１）番目の走査線Ｓｎ−１に低レベル走査信号が供給される。（ｎ−１）番目の走査線Ｓｎ−１に低レベル走査信号が供給されると、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素内の各初期化トランジスタＭ４が通電される。初期化トランジスタＭ４が通電されると、ストレージキャパシタＣｓｔの第１端子と駆動トランジスタＭ１のゲート電極とが初期化電圧線Ｖｉｎｉｔに接続される。すなわち、（ｎ−１）番目の走査線Ｓｎ−１に低レベル走査信号が供給されると、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素のストレージキャパシタＣｓｔに格納されていた前回のフレームのデータ電圧、すなわち駆動トランジスタＭ１のゲート電圧が初期化される。よって、（ｎ−１）番目の走査線Ｓｎ−１に低レベル走査信号が供給されると、ｎ番目の走査線Ｓｎに接続された第１スイッチングトランジスタＭ２が通電されていない状態を維持する。
【００７４】
そして、データプログラム周期中に順次に供給される第１〜第３制御信号ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３によって、第１、第２および第３のスイッチング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が順次に通電される。最初に、第１制御信号ＣＳ１によって第１スイッチング素子Ｔ１が通電されると、Ｒデータ信号が第１出力線Ｄ１から第１データ線Ｄ１１に供給される。この際には、第１データ線キャパシタＣｄａｔａ１１が、第１データ線Ｄ１１に供給されたＲデータ信号に相当する電圧で充電される。次に、第２制御信号ＣＳ２によって第２スイッチング素子Ｔ２が通電されると、Ｇデータ信号が第１出力線Ｄ１から第２データ線Ｄ１２に供給される。この際には、第２データ線キャパシタＣｄａｔａ１２が、第２データ線Ｄ１２に供給されたＧデータ信号に相当する電圧で充電される。最後に、第３制御信号ＣＳ３によって第３スイッチング素子Ｔ３が通電されると、Ｂデータ信号が第１出力線Ｄ１から第３データ線Ｄ１３に供給される。この際には、第３データ線キャパシタＣｄａｔａ１３が、第３データ線Ｄ１３に供給されたＢデータ信号に相当する電圧で充電される。一方、データプログラム周期中には、ｎ番目の走査線Ｓｎに走査信号が供給されないので、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素には、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ信号が供給されない。
【００７５】
そして、データプログラム周期に後続するｎ番目の走査周期中に、ｎ番目の走査線Ｓｎに低レベル走査信号が供給される。ｎ番目の走査線Ｓｎに走査信号が供給されると、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素内の第１スイッチングトランジスタＭ２および閾値電圧補償トランジスタＭ３が通電される。Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素の第１スイッチングトランジスタＭ２は、データプログラム周期中に第１〜第３データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１３に格納されていた、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ信号に相当する電圧Ｖｄａｔａを、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素に各々に伝達する。ここで、閾値電圧補償トランジスタＭ３は、駆動トランジスタＭ１をダイオード接続させる。ダイオード接続された駆動トランジスタＭ１を介して、第１〜第３データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１３に格納されていた、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ信号に相当する電圧Ｖｄａｔａと、駆動トランジスタＭ１の閾値電圧Ｖｔｈとの差に相当する電圧（Ｖｄａｔａ−ＶｔｈＭ１［Ｖ］）が駆動トランジスタＭ１のゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの第１端子に印加される。ここで、駆動トランジスタＭ１のゲート端子に印加される電圧は、数式１に基づくものである。
【００７６】
そして、ｎ番目の走査信号が高レベルに移行されて、発光制御線Ｅｎに低レベルの発光制御信号が印加されると、第２スイッチングトランジスタＭ５および発光制御トランジスタＭ６が通電されるので、駆動トランジスタＭ１のソース電極に印加される第１電源電圧Ｖｄｄとゲート電圧に応じた駆動電流とが、発光制御トランジスタＭ６を介して有機発光素子ＯＬＥＤに供給されることで、所定の輝度で発光する。ここで、駆動トランジスタＭ１のゲート電圧は、数式２に基づくものである。
【００７７】
よって、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置では、デマルチプレクサ１５１を用いることで、１つの第１出力線Ｄ１から順次に供給されるＲ、Ｇ、Ｂデータ信号が、ｋ本のデータ線Ｄ１１〜Ｄ１ｋに供給されうる。また、データ信号に相当する電圧がデータプログラム周期中にデータ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１ｋに格納され、データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１ｋに格納された電圧が走査周期中に画素に供給される。よって、データ線キャパシタＣｄａｔａ１１〜Ｃｄａｔａ１ｋに格納された電圧が画素に同時に供給される、すなわち、データ信号が同時に供給されるので、一様な輝度で映像が表示される。
【００７８】
また、各画素に補助キャパシタＣａｕｘが備えられるので、データ線キャパシタＣｄａｔａとストレージキャパシタＣｓｔとの間の電荷共有により、画素に印加される電圧が低下するという問題が解消されることで、コントラスト比が向上する。
【００７９】
本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置では、レッド、グリーン、ブルーの有機物質が発光のために用いられるが、レッド、グリーン、ブルーの有機物質は、通電される電流値に応じて発光輝度を異にする。すなわち、レッド、グリーン、ブルーの有機物質の発光効率が異なるので、ホワイトバランスを調整するためには、レッド、グリーン、ブルーのデータ電圧が異なる必要がある。しかし、レッド、グリーン、ブルーのデータ電圧の差が顕著な場合には、有機電界発光表示装置の駆動に困難を伴う。
【００８０】
よって、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置では、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素が補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスを異にすることで、同一のデータ電圧でホワイトバランスが調整される。
【００８１】
図７は、図４に示す画素内の補助キャパシタのキャパシタンスに応じた、駆動電流の変化を示すシミュレーション図である。
【００８２】
図７では、横軸は、補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスを表し、右側ほどキャパシタンスが低下する。ここで、補助キャパシタＣａｕｘの単位は［ＰＦ］である。縦軸は、画素に通電されるホワイト電流値を表し、単位は［ｎＡ］である。
【００８３】
図７に示すように、同一のデータ電圧に関して補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスが低下すると、画素中の電流値が増加する。例えば、補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスが０．０５［ＰＦ］であれば、画素電流値が１１０［ｎＡ］となり、キャパシタンスが０．０３［ＰＦ］であれば、画素電流値が２２０［ｎＡ］となり、キャパシタンスが０．０１［ＰＦ］であれば、画素電流値が４４０［ｎＡ］となる。一般的に、有機物質の発光効率は、グリーン＞レッド＞ブルーの順となる。
【００８４】
よって、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素がホワイト画素を形成する、ホワイト電流の比が約２：１：４である場合には、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素の補助キャパシタＣａｕｘは、約３：５：１のキャパシタンス比を有するので、同一のデータ電圧でホワイトバランスが調整される。すなわち、各補助キャパシタのキャパシタンスは、ホワイト電流比に反比例する。
【００８５】
図８は、本発明の実施形態により、図７に示すシミュレーション図に基づいて同一電圧でホワイトバランスを調整可能な、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素を示すレイアウト図である。
【００８６】
図８を参照すれば、レッド、グリーン、ブルーの画素は、補助キャパシタのキャパシタンスを除けば、同一のレイアウトを有する。また、各画素回路は図４に示す接続関係を有しており、図８に示すレイアウトが以下で説明される。
【００８７】
すなわち、Ｒの画素では、前回の走査線Ｓｎ−１、今回の走査線Ｓｎ、発光制御線Ｅｎおよび初期化電圧線Ｖｉｎｉｔが互いに平行して第１方向に延設される。また、第１電源電圧線Ｖｄｄおよびデータ線Ｄｍが互いに平行して第２方向に延設される。ここで、第１方向に延設された線と第２方向に延設された線とが、両者の間に絶縁層を介在させて、互いに交差される。
【００８８】
図８に示すように、第１スイッチングトランジスタＭ２、駆動トランジスタＭ１、閾値電圧補償トランジスタＭ３、第２スイッチングトランジスタＭ５および発光制御トランジスタＭ６は、第１半導体層で構成される。また、初期化トランジスタＭ４は、第２半導体層で構成される。
【００８９】
今回の走査線Ｓｎは、第１スイッチングトランジスタＭ２および閾値電圧補償トランジスタＭ３のゲート電極として機能する。前回の走査線Ｓｎ−１は、初期化トランジスタＭ４のゲート電極として機能する。また、発光制御線Ｅｎは、第２スイッチングトランジスタＭ５および発光制御トランジスタＭ６のゲート電極として機能する。
【００９０】
ストレージキャパシタＣｓｔは、上部基板と、第１電源電圧線に相当する下部基板とを含む。補助キャパシタＣａｕｘは、今回の走査線Ｓｎに相当する下部基板と、駆動トランジスタＭ１のゲート電極に相当する上部基板とを含む。ここで、補助キャパシタＣａｕｘは、レッド、グリーン、ブルーの画素に応じて寸法を異にする。補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスは、駆動トランジスタＭ１のゲート電極として用いられる上部基板の寸法を変化させることで、調節されうる。
【００９１】
図７に示すように、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素のホワイト電流比が２：１：４である場合、補助キャパシタＣａｕｘが３：５：１のキャパシタンス比を有すれば、同一のデータ電圧でホワイトバランスが調整されうる。よって、図８に示すように、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素における各補助キャパシタＣａｕｘ（Ｒ）、Ｃａｕｘ（Ｇ）、Ｃａｕｘ（Ｂ）は、寸法を異にする。
【００９２】
補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスは、各有機物質の発光効率に応じて異なる。各有機物質の発光効率が向上する、すなわち、同一の電流値に関して輝度が向上するほど、補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスが増加される必要がある。一般的に、グリーンの有機物質の発光効率が最高となり、次にレッドが高く、ブルーの有機物質の発光効率が最低となる。よって、補助キャパシタＣａｕｘのキャパシタンスは、グリーン＞レッド＞ブルーの順に決定される。
【００９３】
前述のように、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、各画素が補助キャパシタＣａｕｘを含むので、デマルチプレクサの駆動によって、画素に印加されたデータ電圧の低下が補償されることで、ブラックの表示が可能となり、コントラスト比が向上する。よって、電圧電圧ＶｄｄおよびＶｓｓを低下させる必要がなくなり、ＤＣ／ＤＣ効率の低下が防止される。
【００９４】
また、レッド、グリーン、ブルーの各サブ画素の発光効率に応じて、補助キャパシタＣａｕｘがキャパシタンスを異にすることで、同一のデータ電圧でホワイトバランスが調整され、有機発光表示装置が容易に駆動される。
【００９５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】従来の有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図３】図２に示すデマルチプレクサの内部回路図である。
【図４】図２に示すＮ×Ｍ個の画素を代表する画素を示す回路図である。
【図５】本発明の実施形態に基づいて、図３に示す代表的なデマルチプレクサと図４に示す代表的な画素との接続構造を詳細に示す回路図である。
【図６】図５に示す画素回路の動作を示すタイミング図である。
【図７】図４に示す画素内の補助キャパシタのキャパシタンスに応じた、駆動電流の変化を示すシミュレーション図である。
【図８】本発明の実施形態により、図７に示すシミュレーション図に基づいて同一データ電圧でホワイトバランスを調整可能な、レッド、グリーン、ブルーのサブ画素を示すレイアウト図である。
【符号の説明】
【００９７】
１００    表示パネル
１２０    走査ドライバ
１３０    データドライバ
１４０    タイミング制御部
１５０    デマルチプレクサ部
１５１    デマルチプレクサ
１６０    デマルチプレクサ制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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