(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト組成物であって
少なくとも１つの縮合多環部分、及び酸不安定性保護基によって保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、
感光性酸発生剤と
を含むレジスト組成物において、
前記連結分子性ガラスは、
【化１】
0005179270.tif 000011
を含む構造体を有する、前記組成物。
【請求項２】
前記保護基は、アセタール基、ケタール基、オルトエステル基、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記感光性酸発生剤は、（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド（ＭＤＴ）、Ｎ−ヒドロキシ−ナフタルイミド（ＤＤＳＮ）、オニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、Ｎ−ヒドロキシアミドのスルホン酸エステル、イミド、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
界面活性剤をさらに含み、前記界面活性剤は、フッ素含有界面活性剤、シロキサン含有界面活性剤、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
塩基性クエンチ剤をさらに含み、前記塩基性クエンチ剤は、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボン酸塩、水酸化物、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物は、酸不活性の骨格構造を有する重合成分を本質的に含まない、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
基板上にパターン化された構造を形成する方法であって、
感光性酸発生剤と、少なくとも１つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含んだ組成物であって、前記連結分子性ガラスが
【化１】
0005179270.tif 000012
を含む構造体を有する前記組成物を準備するステップと、
前記基板上に前記組成物の膜を形成するステップと、
前記膜をパターン様式で画像形成するステップであって、前記膜の少なくとも１つの領域が放射又は粒子ビームで露光されて、前記膜の前記少なくとも１つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、
前記画像形成するステップの後、前記基板上の前記膜をベークするステップと、
前記ベークするステップの後、塩基水溶液中で前記膜を現像して、前記膜の塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、前記膜のパターン化された構造が前記除去後に残る、ステップと
を含む方法。
【請求項８】
前記放射は、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、ｘ線、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記放射は、４ナノメートルから７０ナノメートルまでの範囲の波長を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記粒子ビームは、電子ビーム、イオン・ビーム、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護基は、アセタール基、ケタール基、オルトエステル基、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ用レジストのための材料組成物及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィを用いて、３０ナノメートル（ｎｍ）又は３０ｎｍ以下の画像をプリントするために、レジストの厚さが５０ｎｍ又はそれ以下の範囲になることがある。これは、現像段階中の画像崩壊による可能性がある。こうした比較的薄いレジストでは、二層又は三層法を用いることができる。三層法においては、比較的厚い有機物下層及び薄いＳｉ含有中間層がある可能性があるが、ここでＳｉ含有層は化学気相堆積による酸化シリコン層又はスピン・コーティングによるシルセスキオキサン・ポリマー膜とすることができる。レジストは、初めに光学的露光、電子ビーム（Ｅビーム）又は極端紫外線（ＥＵＶ）により画像形成し、現像することができるが、その際画像は中間層に転写することができる。次いで、中間層は、下層に対するエッチング・マスクとして機能することができる。レジストは、高解像度の画像を得るために比較的薄い可能性があるので、酸化シリコン層を通してのエッチングには、難しい課題を呈する可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、酸化物反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）処理のエッチャント（ＣＦ４など）に対する高いエッチング耐性を有するフォトリソグラフィ用レジスト、例えば放射又は粒子ビーム露光に適したレジストを開発する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、
少なくとも１つの縮合多環部分、及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、
感光性酸発生剤と
を含むレジスト組成物に関する。
【０００５】
本発明は、基板上にパターン化された構造を形成する方法であって、
感光性酸発生剤と、少なくとも１つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含む組成物を準備するステップと、
前記組成物の膜を前記基板上に形成するステップと、
前記膜をパターン様式で画像形成するステップであって、前記膜の少なくとも一つの領域は放射又は粒子ビームに露光されて、前記膜の前記少なくとも一つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、
前記画像形成するステップの後、前記基板上の前記膜をベークするステップと、
前記ベークするステップの後、前記膜を塩基水溶液中で現像して前記膜の塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、前記膜からのパターン化された構造は前記除去後に残る、ステップと
含む方法に関する。
【０００６】
本発明の特徴は、添付の特許請求の範囲において示される。しかし、本発明自体は、例証的な実施形態に関する以下の詳細な説明を添付の図面とともに読みながら参照することによって、最も良く理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の特定の実施形態を示し、詳細に説明することになるが、様々な変更及び修正を、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく施すことができることを理解されたい。本発明の範囲は、構成成分の数、その材料、その形状、その相対的配置などには決して限定されることはなく、単に実施形態の実施例として開示される。本発明の特徴及び利点は、添付の図面に詳細に示されるが、図面全体を通して類似の参照番号は類似の要素を示す。図面は、本発明を説明するためのものであるが、図面は必ずしも一定の尺度で描かれてはいない。
【０００８】
本発明の縮合環系は、ベンゼン環部分のような炭素をベースとした芳香族及び飽和環状部分を含むことができ、或いは、例えばフラン基、ピラン基、チオフェン基又はピロール基などの炭素と共にヘテロ元素によって形成された複素環部分を含むことができる。レジスト製剤の組成物に芳香族及び非芳香族環状部分を含めると、レジストのエッチング耐性を高めることができる。本発明で説明される縮合芳香環系は、ベンゼン環と少なくとも１つの他の環構造体との組合せを含むことができる。他の環構造体がベンゼン部分である場合には、縮合環部分は、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、ピレンなどの縮合芳香族部分とすることができる。これらの縮合芳香族部分の幾つかの例は、以下の構造部分を含むことができる。
【化１】
0005179270.tif 000002
【０００９】
他の環状構造体は、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、又はシクロオクタンのような飽和環とすることができる。デカリン、ノルボルネン、アダマンタンなどの多環構造体もまたベンゼン環構造体と組み合わせて用いることができる。これらの縮合多環構造体の幾つかの例は、以下の構造部分を含むことができる。
【化２】
0005179270.tif 000003
【００１０】
本発明の一実施形態において、フォトリソグラフィ・レジスト組成物は、少なくとも１つの上記のような縮合多環部分と、少なくとも１つの塩基可溶性官能基とを有する化合物を含むことができる。塩基可溶性官能基は、例えば、ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホンアミド、ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシジカルボキシイミド、アミノ基、イミノ基、それらの組合せなどとすることができる。化学的に増幅されたレジスト系に対しては、化合物の官能基は酸不安定性保護基によって保護して、化合物の溶解の割合を現像液中での高い溶解度から現像液中での極めて低い溶解度まで変化させることができる。酸触媒による化学増幅プロセス中に、保護基をレジストの露光領域内の構造部から除去して非保護状態の官能基を再生することができ、これが化合物を現像液に可溶にすることができる。露光されない領域は、現像液に不溶のままであることができる。酸触媒による化学増幅プロセスは、放射又は粒子ビームからなどのエネルギーへの露光の直後に起り得て、熱ベークの直後に続いて起ることができる。
【００１１】
本発明の一実施形態において、レジスト組成物は、少なくとも１つの多環部分を組み込んだ分子性ガラスのような、非重合又は低分子量の化合物を含むことができる。分子性ガラスは、基板上にアモルファス膜を形成することができる低分子量化合物であると記述することができる。分子性ガラスを含むレジスト製剤は、スピン・コーティングなどにより基板上にコーティングしてアモルファス膜を形成することができる。これらの化合物内への縮合環状構造体の組み込みは、化合物のエッチング速度を、縮合多環部分をもたない類似化合物に対して、改善することができる。こうした組み込みはまた、ガラス転移温度Ｔｇ、及びコーティング膜の機械的特性を改善することができる。縮合多環部分を組み込んだ分子性ガラスのいくつかの例は、以下の構造体を含むことができる。
【化３】
0005179270.tif 000004
【化４】
0005179270.tif 000005
【化５】
0005179270.tif 000006
【００１２】
縮合多環部分を組み込んだ分子性ガラスを用いて調製したレジスト膜は、ポリマー又は樹脂を用いて調製した膜に対して、改善された解像度及び低減されたライン・エッジ粗度をもたらすことができるが、その際フォトレジスト用途に用いられるコイル状態のそれらポリマー又は樹脂材料は、約５ナノメートル（ｎｍ）又はそれ以上の分子直径サイズを有する可能性がある。分子性ガラスは、約２ｎｍ又はそれ以下の分子サイズを有することができる。ポリマー内の分子鎖は、隣接する分子鎖と絡み合う可能性がある。ポリマー分子に比べて分子性ガラス分子の相対的に小さなサイズ、及びポリマー鎖にみられるような絡み合いがないことは、特に４０ｎｍ以下の像のプリントにおいて、分子性ガラスを用いて製剤されたレジストの解像度を改善する可能性がある。
【００１３】
塩基可溶性官能基は、アセタール、ケタール、オルトエステル基、それらの組合せなどの酸不安定性保護基によって保護することができる。例えば、レジスト組成物の化合物は、少なくとも１つのヒドロキシル基を有する上記の化合物を含むことができ、ここで少なくとも１つのヒドロキシル基は、メトキシシクロヘキシル基（ＭＯＣＨ）への転換により保護される。ＭＯＣＨ保護構造体を含む上述の分子性ガラスの幾つかの具体例は、以下の構造体を含むことができる。
【化６】
0005179270.tif 000007
【化７】
0005179270.tif 000008
【化８】
0005179270.tif 000009
【００１４】
本発明の一実施形態において、レジスト組成物は、酸開裂性官能基結合により連結して連結分子性ガラスを形成することができる２つ又はそれ以上の分子性ガラス部分（上述の分子性ガラスから誘導されたものなど）の組合せを含むことができる。酸開裂性結合は、酸触媒による増幅プロセスの中で分解し得る官能基を含むことができる。酸開裂性官能基の幾つかの例は、炭酸塩、エステル、エーテル、アセタール、ケタール、オルトエステル、又はそれらの組合せを含むことができる。例えば、アセタール型結合は、塩基可溶性ヒドロキシル基を、ビニルエーテル、ジビニルエーテル又はそれらの組合せと反応させることによって形成することができる。こうした連結は、分子性ガラスのガラス転移温度（Ｔｇ）及び機械的特性を改善することができる。連結分子性ガラスは、類似の非連結型分子性ガラスに比べて、増加した分子サイズを有することができる。この増加は、次にコーティング膜のＴｇを高めることができる。化学増幅プロセスにおいて、分子性ガラス部分の連結ネットワークは、より小さな分子（個別の分子性ガラス部分など）に分解され、より小さな分子の構造的及び化学的利点をなお保持することができる。大きな連結分子は、小さな分子に比べて、より高いＴｇおよび高い機械的強度のような望ましい特性を有することができる。連結分子性ガラスの構造体の具体例は、以下の構造体を含むことができる。
【化９】
0005179270.tif 000010
【００１５】
連結は直線型、平面型又は三次元型とすることができ、さまざまな分子量を有するさまざまなサイズの連結された分子性ガラス部分の混合を含むことができる。連結分子性ガラスは、相互に連結した少なくとも２つの分子性ガラス部分を含むことができ、１００個もの多くの連結された分子性ガラス部分、例えば約２個と約５０個の間の連結された分子性ガラス部分を含むことができる。分子性ガラス部分に対する連結部分の割合を高めることによって、連結分子性ガラスのサイズ及び分子量を増加させることができる。分子量の範囲は、約３００グラム／モル（ｇ／モル）と約１００，０００ｇ／モルの間、例えば約８００ｇ／モルと約３０，０００ｇ／モルの間とすることができる。一実施形態においては、分子性ガラスの最大分子量は、例えば約３，０００ｇ／モルとし、連結分子性ガラスに対しては約１００，０００ｇ／モルとすることができる。
【００１６】
連結の切断は、酸触媒開裂（光酸発生剤の存在下におけるフォトリソグラフィ・プロセス中の放射又は粒子ビームへの露光によるなど）を介して起り得るが、その際サイズ及び分子量は、分子性ガラス化合物のそれまで減少する可能性がある。分子性ガラス又は連結分子性ガラスを組み込んだ本発明のレジスト組成物は、酸触媒開裂を受けることのない酸不活性の骨格構造を有するポリマー又は樹脂組成物を本質的に含まない。
【００１７】
本発明の一実施形態において、組成物は、感光性酸発生剤（ＰＡＧ）をさらに含むことができる。例えば、ＰＡＧは、（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド（ＭＤＴ）、Ｎ−ヒドロキシ−ナフタルイミド（ＤＤＳＮ）、オニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、Ｎ−ヒドロキシアミドのスルホン酸エステル、イミド、又はそれらの組合せを含むことができる。
【００１８】
本発明の一実施形態において、組成物は、界面活性剤をさらに含むことができる。界面活性剤は、コーティングの均一性を改善するために用いることができ、イオン性、非イオン性、モノマー、オリゴマー、及びポリマー化学種、又はそれらの組合せを含むことができる。可能性がある界面活性剤の例は、ミネソタ州セントポール所在の３Ｍ社から入手可能なＦＬＵＯＲＡＤシリーズなどのフッ素含有界面活性剤、及びコネチカット州ダンベリー所在のユニオンカーバイド社から入手可能なＳＩＬＷＥＴシリーズなどのシロキサン含有界面活性剤を含む。
【００１９】
本発明の組成物は、他の成分を溶解するためのキャスト溶媒を含むことができ、従って、全組成物を基板表面上に均一に塗布して無欠陥コーティングを与えることができる。この組成物は、多層画像形成プロセス中のフォトレジストとして用いる場合には、ある画像形成層のフォトレジストに用いる溶媒は、下層の材料に対する溶媒であることはできず、さもなければ望ましくない混合が起こる可能性がある。適切なキャスト溶媒の例は、エトキシエチルプロピオネート（ＥＥＰ）、ＥＥＰとガンマ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）の組合せ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、及び乳酸エチルを含むことができる。本発明は、いずれの特定の溶媒の選択にも限定されない。
【００２０】
本発明の組成物は、塩基性クエンチ剤、増感剤又は当技術分野で公知の他の適切な薬剤を含むことができる。本発明の組成物は、これらの適切な薬剤のいずれの特定の選択にも限定されず、ここで塩基性クエンチ剤は、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボン酸塩、水酸化物、又はそれらの組合せを含むことができる。例えば、塩基性クエンチ剤は、ジメチルアミノピリジン、７−ジメチルアミノ−４−メチルクマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ１）、第三級アミン、立体障害を含有するジアミン及び１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン（ＰＲＯＴＯＮ  ＳＰＯＮＧＥ）などのグアニジン塩基、ベルベリン、又はＢＡＳＦ社から入手可能な市販のＰＬＵＲＯＮＩＣ又はＴＥＴＲＯＮＩＣシリーズのような重合アミンを含むことができる。ＰＡＧがオニウム塩であるとき、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド又はセチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドを塩基性クエンチ剤として用いることができる。
【００２１】
本発明の組成物は、さまざまな成分のいずれか特定の割合にも限定されない。本発明の組成物は、この組成物中の分子性ガラスの全重量に基づいて、約０．２から約３０重量パーセント（ｗｔ．％）まで、例えば約０．５ｗｔ．％から約１５ｗｔ．％までのＰＡＧを含むことができる。レジスト組成物は、この組成物中の分子性ガラスの全重量に基づいて、約０．０２ｗｔ．％から約２０ｗｔ．％まで、例えば約０．０５ｗｔ．％から約１０ｗｔ．％までの塩基性クエンチ剤を含むことができる。ここで本発明の組成物は溶媒を含み、全体の組成物は、約５０ｗｔ．％から約９９ｗｔ．％までの溶媒を含むことができる。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態において、基板上にパターン化された構造を調製する方法を示すフロー図である。ステップ１１０において、ある組成物の膜を基板上に形成するが、この組成物は、少なくとも１つの縮合多環部分及び少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスまたは連結分子性ガラス、及び上述の感光性酸発生剤などの化合物を含むことができる。この組成物は、上述の界面活性剤及び／又は塩基性クエンチ剤をさらに含むことができる。膜は、スピン・コーティング、スプレー・コーティング、ディップ・コーティング、ドクター・ブレーディング、ロール・コーティングなどの方法により形成することができるが、これらの方法は、本発明の方法により、個々に又は組み合わせて用いることができる。基板は、４、６、１１、１２、１３、１４及び１５族元素の材料、プラスチック材料、酸化シリコン、ガラス、溶融石英、マイカ、セラミック、前述の基板上に堆積させた金属、それらの組合せなどを含むことができる。基板は、種々異なる材料のスタック又は積層を含むことができる。三層法において用いる基板に対しては、比較的厚い有機物下層及び薄いＳｉ含有中間層を配置することができ、ここでＳｉ含有層は化学気相堆積による酸化シリコン層又はスピン・コーティングによるシルセスキオキサン・ポリマー膜とすることができる。例えば、基板は、半導体製造において使用されるような調製されたシリコン・ウェハ基板を含むことができる。膜は、基板の上面に配置するか又は基板に一体的に接合することができる。
【００２３】
ステップ１１５において、膜は、放射又は粒子ビーム源を用いてパターン様式で画像形成され、膜の露光領域内において感光性酸発生剤による酸触媒の生成をもたらし、ここで酸触媒による結合開裂反応が、酸開裂性結合、例えば塩基可溶性官能基の酸不安定性保護基及び連結分子性ガラス内の酸開裂性結合において起こる。
【００２４】
図２は、例証的なパターン様式の画像形成を示し、そこでは放射又は粒子ビーム源２０５が、放射又は高エネルギー粒子を、パターン付けされたマスク２１０を通して基板２００上に配置された膜２２５の上に投射する。このマスクは、放射に対して実質的に不透明であるか又は高エネルギー粒子に対して非貫通性であるマスク部分２２０、及び放射に対して実質的に透明であるか又は高エネルギー粒子に対して貫通性である非マスク部分２１５のパターンを有することができる。荷電高エネルギー粒子に対しては、直接書込露光を用いることができ、その場合マスクは用いず、露光用粒子は電場及び／又は磁場により導かれて膜２２５の上に直接書き込む。非マスク部分２１５を通過する放射又は粒子は、膜２２５に達して膜２２５の露光領域２３０内に吸収されることができ、そこで放射又は粒子は、膜２２５の露光領域２３０内に酸触媒の生成を誘起することができる。非露光領域２４０は酸触媒を生成しない。
【００２５】
放射又は高エネルギー粒子への露光は、露光領域２３０を現像液に可溶にすることができる。本発明のフォトレジスト組成物は、例えば凡そ４３６ナノメートル（ｎｍ）及び３６５ｎｍの波長の紫外線（ＵＶ）、例えば凡そ２５７ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍの波長の遠紫外線（ＤＵＶ）、凡そ４ｎｍから凡そ７０ｎｍまでの、例えば凡そ１３ｎｍの波長の極端紫外線（ＥＵＶ）、ｘ線、これらの組合せなどの放射を用いてパターン様式で画像形成することができる。種々の放射の波長、例えば３１３ｎｍ、３３４ｎｍ、４０５ｎｍ、及び１２６ｎｍなどを用いることができるが、ここで光源は主として、特定の水銀輝線又は特定のレーザによるものとすることができる。高性能リソグラフィに対しては、単一波長及び／又は狭いバンド幅の光源を用いることができる。それよりも厳格でない条件に対しては、幅広の多波長光源を用いることができる。本発明のフォトレジスト組成物は、電子ビーム、イオン・ビーム、これらの組合せなどの粒子ビームを用いてパターン様式で画像形成することができる。適切な放射又は粒子ビームのタイプは、全体のフォトレジスト組成物の成分（例えば、分子性ガラス組成物、感光性酸発生剤（ＰＡＧ）、塩基（又はクエンチ剤）、界面活性剤、溶媒などの選択）に依存する可能性がある。
【００２６】
図１を再び参照すると、ステップ１２０において、膜は露光後ベークすることができる。露光後ベークは、約６０℃から約１７５℃まで、例えば約９０℃から約１６０℃までのの範囲で実施することができる。露光後ベークは約３０秒から５分までの時間実施することができる。
【００２７】
ステップ１２５において、膜を現像し、膜の塩基可溶性露光領域を膜から除去して、膜の露光されない不溶性領域によるパターン化された構造を残すことができる。現像液は、有機塩基又は塩基水溶液、例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化物のようなアルカリ性水溶液現像液とすることができる。
【００２８】
ステップ１３０において、パターン化された構造は、次に、下層の基板（例えば、有機誘電体、セラミック、金属又は半導体）に転写することができる。転写は、乾式エッチング（例えば、反応性イオン・エッチング、プラズマ・エッチング、イオン・ビームなど）、湿式エッチング、他の適切な方法、又はそれらの組合せにより達成することができる。ハード・マスクをレジストの下に用いて、さらに下層の材料層又は部分へのパターンの転写を促進することができる。プロセスは１３５で終る。
【実施例１】
【００２９】
メトキシシクロヘキセンで保護された９，１０−ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）アントラセン（ＢＤＨＰＡ−ＭＯＣＨ）の合成。
凡そ１０ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を、６００ｍｇの９，１０−ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）アントラセン（ＢＤＨＰＡ）に加え、この混合物を数時間攪拌したが、この間には溶液は透明にならなかった。次に、この不透明な溶液を、約１３ｍｇのシュウ酸に加えた。酸が溶解した後、過剰量の１−メトキシシクロヘキセン（凡そ２．４ｇ）を溶液に加え、反応物を室温で一晩攪拌したが、その間に溶液は透明になった。次に、反応物を約２．６ｇの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
【実施例２】
【００３０】
メトキシシクロヘキセンで保護された３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−５，５’，６，６’−テトラオール（ＴＳＰＴ−ＭＯＣＨ）の合成。
凡そ３１．５ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を、３．５ｇの３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−５，５’，６，６’−テトラオール（ＴＳＰＴ）に加え、この混合物を数時間攪拌したが、この間には溶液は透明にならなかった。次に、この不透明な溶液を、約３０ｍｇのシュウ酸に加えた。酸が溶解した後、過剰量の１−メトキシシクロヘキセン（約７．７ｇ）を溶液に加え、反応物を室温で一晩攪拌したが、その間に溶液は透明になった。次に、反応物を約５ｇの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
【実施例３】
【００３１】
メトキシシクロヘキセンによって保護された、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルに連結した９，１０−ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）アントラセン（ＢＤＨＰＡ−ＤＶＥ−ＭＯＣＨ）の合成。
凡そ１４．２５ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を、７５０ｍｇの９，１０−ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）アントラセン（ＢＤＨＰＡ）、０．３０９ｇの１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、及び１９．８ｍｇのトリフルオロ酢酸に加えた。この混合物を室温で数日間攪拌したが、この間に溶液は暗色となったが透明にはならなかった。０．７８ｇの１−メトキシシクロヘキセンを溶液に加え、凡そ５〜６時間の攪拌後、溶液は透明になった。次いで翌日、反応物を約４ｇの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
【実施例４】
【００３２】
メトキシシクロヘキセンで保護された、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルと連結した３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−５，５’，６，６’−テトラオール（ＴＳＰＴ−ＤＶＥ−ＭＯＣＨ）の合成。
凡そ４５．９９ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を、５．１１ｇの３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−５，５’，６，６’−テトラオール（ＴＳＰＴ）、２．４８ｇの１−メトキシシクロヘキセン、及び約６５ｍｇのトリフルオロ酢酸に加えた。この混合溶液を、室温で一晩攪拌したが、溶液は２日目も不透明のままであった。この混合液を、約２．４１ｇの１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルに加え、反応物を再び室温で一晩攪拌し、その後溶液は３日目に透明になった。この溶液に、さらに２．５５ｇの１−メトキシシクロヘキセンを加え、次に、攪拌４日目に約５．５ｇの塩基性活性酸化アルミニウムによって反応物をクエンチした。
【実施例５】
【００３３】
レジスト製剤及びリソグラフィ解析。
レジスト（Ａ−Ｄ）は、分子性ガラス及び上で合成された連結分子性ガラス（実施例１−４）の各々を、５．６重量％（ｗｔ％）のトリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート（ＴＰＳ  ＰＦＢＵＳ）ＰＡＧ、０．２８ｗｔ％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）クエンチ剤、及びＰＧＭＥＡ溶媒中の約２００ｐｐｍから約１０００ｐｐｍまでのＦＬＵＯＲＡＤ  ＦＣ−４３０界面活性剤（３Ｍ社から入手可能）と混合することによって製剤した。各成分の重量パーセント（ｗｔ％）は、レジスト製剤内の化合物（分子性ガラス又は連結分子性ガラス）の重量に対するものである。
【００３４】
レジストは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）で下塗りされたウェハの上にスピン・コーティングした。膜は、ホット・プレート上、約９０℃から約１１０℃までの間の温度で約１分間ベークした。露光は、１００ｋＶのＬｅｉｃａ社の露光システム上で実施した。露光後、レジスト試料は、１）９０−１１０℃で約１分間露光後ベークを施し、又は２）露光後ベーク（ＰＥＢ）を実施せずに凡そ３０分間放置して、次に、０．２６Ｎのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）により約２０秒から約６０秒までの時間現像した。
【００３５】
レジストＡは、露光後ベークなしに６０ｎｍ  ｌ／ｓを解像した。レジストＢは、６０ｎｍ  ｌ／ｓの画像を解像しなかったが、レジストとＭＯＣＨで保護されたポリビニルフェノール・レジストとを混合することによって、３０ｎｍ  ｌ／ｓの解像度を示した。レジストＣ及びＤは、両方とも３０ｎｍ  ｌ／ｓの画像を解像した。
【００３６】
本発明の実施形態に関する上述の説明は、例証及び説明の目的で提示した。これは網羅的であること、或いは本発明を開示された通りの形態に限定することを意図したものではなく、明らかに、多くの修正及び変更が可能である。当業者には明らかであるこのような修正及び変更は、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲内に含まれることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施形態による、基板上にパターン化された構造を作成する方法を示すフロー図である。
【図２】本発明の実施形態による、パターン様式の画像形成を示す。
【符号の説明】
【００３８】
２００：基板
２０５：放射又は粒子源
２１０：パターン付けされたマスク
２１５：マスク部分
２２０：非マスク部分
２２５：膜
２３０：露光領域
２４０：非露光領域
【図１】
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【図２】
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