(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ電磁波を発生又は検出するための光導電アンテナ素子であって、
半導体層と、
半導体層上に形成された一対の電極と、を備え、
前記電極は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するアンテナ領域を形成するアンテナ部、外部配線と接続されるパッド部、及び前記アンテナ部と前記パッド部とを接続するライン部を有し、
前記ライン部は、前記アンテナ部から延在する平行部分を含み、前記アンテナ領域の外側において曲げられていることを特徴とする光導電アンテナ素子。
【請求項２】
前記平行部分は、前記電極間における前記アンテナ部の対向方向と略直交する方向に延在することを特徴とする請求項１記載の光導電アンテナ素子。
【請求項３】
一方の前記電極の前記ライン部は、前記アンテナ領域の外側において他方の前記電極の反対側に屈曲されており、
他方の前記電極の前記ライン部は、前記アンテナ領域の外側において一方の前記電極の反対側に屈曲されていることを特徴とする請求項１又は２記載の光導電アンテナ素子。
【請求項４】
前記ライン部は、前記アンテナ領域の外側において引き回された引回し部分を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の光導電アンテナ素子。
【請求項５】
前記引回し部分は、ジグザグ状に引き回されていることを特徴とする請求項４記載の光導電アンテナ素子。
【請求項６】
前記半導体層は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、通常よりも低温でエピタキシャル成長されたＧａＡｓ層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の光導電アンテナ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するための光導電アンテナ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光導電アンテナ素子としては、次のようなものが一般的である。すなわち、半導体層上に形成された一対の電極が、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するアンテナ領域を形成するアンテナ部、外部配線と接続されるパッド部、及びアンテナ部とパッド部とを接続するライン部を有し、そのライン部が直線状に形成されている光導電アンテナ素子である（例えば、特許文献１参照）。このように、一対の電極においてライン部が直線状に形成されているのは、ライン部が直線的に所定の長さを有していないと光導電アンテナ素子の特性が劣化してしまうからである。
【特許文献１】特開２００４−２０７２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、光導電アンテナ素子の生産性の向上や、光導電アンテナ素子が適用された装置の小型化を図るために、光導電アンテナ素子自体の小型化が望まれている。しかしながら、上述したような従来の光導電アンテナ素子にあっては、一対の電極においてライン部が直線的に所定の長さを有していないと光導電アンテナ素子の特性が劣化してしまうため、光導電アンテナ素子の小型化が妨げられるという問題がある。
【０００４】
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、特性の劣化を防止しつつ、小型化を図ることができる光導電アンテナ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る光導電アンテナ素子は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するための光導電アンテナ素子であって、半導体層と、半導体層上に形成された一対の電極と、を備え、電極は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するアンテナ領域を形成するアンテナ部、外部配線と接続されるパッド部、及びアンテナ部とパッド部とを接続するライン部を有し、ライン部は、アンテナ部から延在する平行部分を含み、アンテナ領域の外側において曲げられていることを特徴とする。
【０００６】
この光導電アンテナ素子では、一対の電極において、アンテナ部とパッド部とを接続するライン部が、アンテナ部から延在する平行部分を含み、アンテナ領域の外側で曲げられている。このように、ライン部をアンテナ領域の外側において曲げることで、ライン部が直線的に所定の長さを有する従来の光導電アンテナ素子と同等又はそれ以上の特性を維持しつつ、従来の光導電アンテナ素子よりも小型化を図ることができる。なお、アンテナ部のパターンがダイポールパターンやボウタイパターン等の場合には、平行部分は、電極間におけるアンテナ部の対向方向と略直交する方向に延在することが好ましい。また、半導体層は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、通常よりも低温でエピタキシャル成長されたＧａＡｓ層である場合がある。
【０００７】
本発明に係る光導電アンテナ素子においては、一方の電極のライン部は、アンテナ領域の外側において他方の電極の反対側に屈曲されており、他方の電極のライン部は、アンテナ領域の外側において一方の電極の反対側に屈曲されていることが好ましい。この光導電アンテナ素子によれば、アンテナ部、パッド部及びライン部が半導体層上に効率良く配置されることになるため、特性の劣化を防止しつつ、より一層の小型化を実現することできる。
【０００８】
本発明に係る光導電アンテナ素子においては、ライン部は、アンテナ領域の外側において引き回された引回し部分を含むことが好ましい。この光導電アンテナ素子によれば、ライン部が直線的に所定の長さを有する従来の光導電アンテナ素子と同等又はそれ以上の特性を確実に維持することができる。
【０００９】
このとき、引回し部分は、ジグザグ状に引き回されていることが好ましい。このように、引回し部分をジグザグ状に形成することで、効率の良い引回しを実現することができ、また、ライン部の全長を長くすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、特性の劣化を防止しつつ、小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１は、本発明に係る光導電アンテナ素子の一実施形態が適用されたテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの背面図であり、図２は、図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールのII−II線に沿っての断面図である。図１，２に示されるように、テラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１は、テラヘルツ電磁波を発生して前方（図２において下方）に出射したり、或いは前方（図２において下方）から入射したテラヘルツ電磁波を検出したりするための装置である。
【００１３】
テラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１は、金属からなる直方体状のベース２を備えている。ベース２の後面２ｂには、凹部３が形成されている。凹部３は、ベース２の後面２ｂに形成された断面矩形状の凹部４、及び凹部４の底面４ａに形成された断面円形状の凹部５を含んでいる。凹部５の底面５ａ（すなわち、凹部３の底面）には、凹部５の底面５ａからベース２の前面２ａに貫通する開口６が形成されている。ベース２の前面２ａの周囲には、後述する半球状レンズ８の先端を保護するために、枠２ｃが形成されている。
【００１４】
凹部５には、Ｏリング等である円環状の緩衝部材７が、凹部５の底面５ａ及び側面５ｂに接触した状態で開口６を包囲するように配置されている。更に、凹部５には、緩衝部材７に球面部８ａが接触した状態で、テラヘルツ電磁波を透過させる半球状レンズ８が配置されている。半球状レンズ８の平面部８ｂは、凹部４の底面４ａと略平行になっており、球面部８ａの頂部は、開口６を介して外部に臨んでいる。半球状レンズ８の材質としては、テラヘルツ電磁波に対して高い透過性を有する高抵抗のシリコンが用いられることが好ましく、また、半球状レンズ８の形状としては、テラヘルツ電磁波を効率良く放射又は集光するために超半球形状が採用されることが好ましい。
【００１５】
凹部４には、凹部４の側面４ｂに側面９ｂが沿う状態で、矩形状の配線基板９が配置されている。図３は、図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの配線基板の正面図である。図３に示されるように、配線基板９は、セラミックやガラス入りエポキシ樹脂等、絶縁性を有する材料からなる矩形状の基板１１を有している。基板１１の中央部分には、後方（図２において上方）から入射した可視乃至赤外光が通過する断面円形状の光通過孔１２が形成されている。光通過孔１２には、ガラスや石英等、可視乃至赤外光を透過させる材料からなる光透過部材１３が嵌められている。これにより、後述する光導電アンテナ素子１７の表面を保護することができる。
【００１６】
基板１１の前面１１ａには、金属からなる信号配線（外部配線）１４及び接地配線（外部配線）１５が、光通過孔１２を挟んで対向するように形成されている。信号配線１４は、電気信号を伝送する配線であって、後述する電気信号入出力用ポート２５の電気信号入出力用ピン２６と電気的に接続されている。接地配線１５は、接地をとるための配線であって、導電性を有するベース２と電気的に接続されている。
【００１７】
図２に示されるように、配線基板９には、半球状レンズ８の平面部８ｂに接触した状態で正方形薄板状の光導電アンテナ素子１７が固定されている。図４は、図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの光導電アンテナ素子の背面図である。図４に示されるように、光導電アンテナ素子１７は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するための素子であって、半絶縁性ＧａＡｓ基板１８と、半絶縁性ＧａＡｓ基板１８上に低温ＭＢＥ（分子線エピタキシ成長法）によって形成されたＧａＡｓ層（半導体層）１９と、ＧａＡｓ層１９上に形成された一対のオーミック電極（電極）２１，２１と、を備えている。オーミック電極２１は、ＡｕＧｅ，Ａｕ等からなる。
【００１８】
一方のオーミック電極２１は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するアンテナ領域Ａを形成するダイポールパターンのアンテナ部２２、外部配線と接続されるパッド部２３、及びアンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４を有している。アンテナ部２２は、ＧａＡｓ層１９上における中央部に形成されており、パッド部２３は、ＧａＡｓ層１９上における一方の縁部の両角部に形成されている。
【００１９】
一方のオーミック電極２１のライン部２４は、アンテナ部２２から両側に延在しており、アンテナ領域Ａの外側において他方のオーミック電極２１の反対側に屈曲されている。より詳細には、一方のオーミック電極２１のライン部２４は、一対のオーミック電極２１，２１間におけるアンテナ部２２の対向方向と略直交する方向にアンテナ部２２から両側に延在する直線状の平行部分２４ａ、及び平行部分２４ａの両端部から略直角に立ち上がって各パッド部２３に到る直線状の引出部分２４ｂを含んでいる。各引出部分２４ｂは、ＧａＡｓ層１９上における一方の縁部と略直交する両縁部に沿って形成されている。
【００２０】
同様に、他方のオーミック電極２１は、テラヘルツ電磁波を発生又は検出するアンテナ領域Ａを形成するダイポールパターンのアンテナ部２２、外部配線と接続されるパッド部２３、及びアンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４を有している。アンテナ部２２は、ＧａＡｓ層１９上における中央部に形成されており、パッド部２３は、ＧａＡｓ層１９上における他方の縁部の両角部に形成されている。
【００２１】
他方のオーミック電極２１のライン部２４は、アンテナ部２２から両側に延在しており、アンテナ領域Ａの外側において一方のオーミック電極２１の反対側に屈曲されている。より詳細には、他方のオーミック電極２１のライン部２４は、一対のオーミック電極２１，２１間におけるアンテナ部２２の対向方向と略直交する方向にアンテナ部２２から両側に延在する直線状の平行部分２４ａ、及び平行部分２４ａの両端部から略直角に立ち上がって各パッド部２３に到る直線状の引出部分２４ｂを含んでいる。各引出部分２４ｂは、ＧａＡｓ層１９上における他方の縁部と略直交する両縁部に沿って形成されている。
【００２２】
図５は、図４の光導電アンテナ素子が取り付けられた図３の配線基板の正面図である。図５に示されるように、光導電アンテナ素子１７は、基板１１の光通過孔１２にアンテナ部２２が対向するように（すなわち、基板１１を通過した可視乃至赤外光がアンテナ部２２に照射されるように）、配線基板９にフリップチップボンディングによってマウントされている。ボンディングには、Ａｕや半田のバンプ、或いはＡｇペーストや導電性エポキシ樹脂等が用いられ、光導電アンテナ素子１７の一方のオーミック電極２１は、そのパッド部２３を介して配線基板９の信号配線１４と電気的に接続されており、光導電アンテナ素子１７の他方のオーミック電極２１は、そのパッド部２３を介して配線基板９の接地配線１５と電気的に接続されている。
【００２３】
図１及び２に示されるように、ベース２には、電気信号入出力用ポート２５がネジ等によって取り付けられている。電気信号入出力用ポート２５の電気信号入出力用ピン２６は、配線基板９において基板１１の前面１１ａに形成された信号配線１４と電気的に接続されている。電気信号入出力用ポート２５としては、コンパクトであり且つ汎用的なＳＭＡやＢＮＣ等の同軸コネクタを用いることができる。
【００２４】
ベース２の後面２ｂには、矩形薄板状のカバー２７がネジ２８によって取り付けられている。カバー２７には、配線基板９の光通過孔１２を囲むように光通過孔２９が形成されている。カバー２７は、配線基板９、光導電アンテナ素子１７及び半球状レンズ８を緩衝部材７に対して押圧していると同時に、配線基板９を電気信号入出力用ポート２５の電気信号入出力用ピン２６及びベース２の凹部４の底面４ａに対して押圧している。カバー２７の材料としては、カバー２７が配線基板９等を緩衝部材７に対して確実且つ容易に押圧し得る板バネとして機能するよう金属を用いることが好ましいが、セラミックやプラスチック等を用いてもよい。
【００２５】
カバー２７によって、配線基板９、光導電アンテナ素子１７及び半球状レンズ８が緩衝部材７に対して押圧された状態においては、半球状レンズ８の光軸ＯＡが光導電アンテナ素子１７のアンテナ部２２を通るように、凹部４によって配線基板９が位置決めされ、緩衝部材７によって半球状レンズ９が位置決めされている。
【００２６】
以上のように構成されたテラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１の動作について説明する。
【００２７】
テラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１がテラヘルツ電磁波発生モジュールとして使用される場合、電気信号入出力用ポート２５及び配線基板９の信号配線１４を介して光導電アンテナ素子１７の一対のオーミック電極２１，２１間にバイアス電圧が印加される。そして、配線基板９の光通過孔１２を介して光導電アンテナ素子１７のアンテナ部２２に可視乃至赤外光が励起光として照射される。これにより、光導電アンテナ素子１７のＧａＡｓ層１９で励起された自由キャリアがバイアス電圧による電場で加速されて一対のオーミック電極２１，２１間に電流が流れる。この電流の変化によって、光導電アンテナ素子１７のアンテナ領域Ａにおいてテラヘルツ電磁波が発生し、半球状レンズ８を介して前方に出射される。
【００２８】
テラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１がテラヘルツ電磁波検出モジュールとして使用される場合、配線基板９の光通過孔１２を介して光導電アンテナ素子１７のアンテナ部２２に可視乃至赤外光が励起光として照射され、光導電アンテナ素子１７のＧａＡｓ層１９で自由キャリアが励起される。このとき、前方から半球状レンズ８を介して光導電アンテナ素子１７のアンテナ領域Ａにテラヘルツ電磁波が入射すると、ＧａＡｓ層１９で励起された自由キャリアがテラヘルツ電磁波による電場で加速されて光導電アンテナ素子１７の一対のオーミック電極２１，２１間に電流が流れる。この電流が配線基板９の信号配線１４及び電気信号入出力用ポート２５を介して検出される。
【００２９】
以上説明したように、テラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１に適用された光導電アンテナ素子１７では、一対のオーミック電極２１，２１において、アンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４が、オーミック電極２１，２１間におけるアンテナ部２２の対向方向と略直交する方向にアンテナ部２２から延在する平行部分２４ａを含んでいる。そして、一方のオーミック電極２１のライン部２４が、アンテナ領域Ａの外側において他方のオーミック電極２１の反対側に屈曲されており、他方のオーミック電極２１のライン部２４が、アンテナ領域Ａの外側において一方のオーミック電極２１の反対側に屈曲されている。これにより、アンテナ部２２、パッド部２３及びライン部２４をＧａＡｓ層１９上に効率良く配置することができると共に、ライン部が直線的に所定の長さを有する従来の光導電アンテナ素子と同等又はそれ以上の特性を得ることができる。このように、光導電アンテナ素子１７によれば、ライン部２４をアンテナ領域Ａの外側において曲げることで、特性の劣化を防止しつつ、小型化を図ることが可能となる。
【００３０】
次に、本発明に係る光導電アンテナ素子の実施例について説明する。実施例、比較例１及び比較例２の光導電アンテナ素子を用意し、各光導電アンテナ素子の特性をテラヘルツ電磁波測定システムにて測定した。
【００３１】
図６は、テラヘルツ電磁波測定システムの構成図である。図６に示されるように、テラヘルツ電磁波測定システム５０においては、超短パルスレーザ５１から出射されたレーザ光Ｌは、光路の途中でビームスプリッタ５２によって分割される。ビームスプリッタ５２を透過したレーザ光Ｌは、ミラー５３、チョッパー５４及び集光レンズ５５を順次介して、テラヘルツ電磁波発生モジュール５６の光導電アンテナ素子に入射する。一方、ビームスプリッタ５２で反射されたレーザ光Ｌは、ミラー５７、光軸方向に移動可能なミラー５８（通常、リトロリフレクタが用いられる）、ミラー５９及び集光レンズ６１を順次介して、テラヘルツ電磁波検出モジュール６２の光導電アンテナ素子に入射する。なお、テラヘルツ電磁波発生モジュール５６及びテラヘルツ電磁波検出モジュール６２は、上述したテラヘルツ電磁波発生・検出モジュール１と同様の構成である。
【００３２】
テラヘルツ電磁波発生モジュール５６から放射されたテラヘルツ電磁波Ｔは、放物面鏡ミラー６３，６４によってテラヘルツ電磁波検出モジュール６２に導波され、レーザ光Ｌとの間で相関作用を生じさせる。このとき、テラヘルツ電磁波発生モジュール５６の光導電アンテナ素子に、直流電圧源６５からバイアス電圧が印加され、テラヘルツ電磁波検出モジュール６２の光導電アンテナ素子に、ロックインアンプ６６が接続される。そして、ミラー５８が平行移動させられることにより、テラヘルツ電磁波Ｔとレーザ光Ｌとの時間相関波形が得られ、これがコンピュータ６７でフーリエ変換されることにより、テラヘルツ電磁波のスペクトルが得られる。
【００３３】
以上のように構成されたテラヘルツ電磁波測定システムのテラヘルツ電磁波発生モジュール５６及びテラヘルツ電磁波検出モジュール６２に、以下のような実施例、比較例１及び比較例２の光導電アンテナ素子を適用し、各光導電アンテナ素子の特性を測定した。
【００３４】
実施例の光導電アンテナ素子は、上述した光導電アンテナ素子１７と同様の構成である。実施例の光導電アンテナ素子の諸寸法は、図４を参照すると、素子サイズについては、オーミック電極２１，２１間におけるアンテナ部２２の対向方向の長さ：４ｍｍ、その対向方向と略直交する方向の長さ：３．６ｍｍである。オーミック電極２１については、ライン部２４の幅：５μｍ、アンテナ部２２の幅：１０μｍ、対向する平行部分２４ａ，２４ａ間の間隔：２０μｍ、対向するアンテナ部２２，２２間の間隔：５μｍである。
【００３５】
図７は、比較例１の光導電アンテナ素子の背面図である。比較例１の光導電アンテナ素子は、オーミック電極においてアンテナ部とパッド部とを接続するライン部が直線状に形成されている点で、実施例の光導電アンテナ素子と異なっている。比較例１の光導電アンテナ素子の諸寸法は、図７を参照すると、素子サイズについては、オーミック電極１２１，１２１間におけるアンテナ部１２２の対向方向の長さ：６ｍｍ、その対向方向と略直交する方向の長さ：１０ｍｍである。オーミック電極１２１については、ライン部１２４の長さ：６ｍｍ、ライン部１２４の幅：５μｍ、アンテナ部１２２の幅：１０μｍ、対向するライン部１２４，１２４間の間隔：２０μｍ、対向するアンテナ部１２２，１２２間の間隔：５μｍである。
【００３６】
図８は、比較例２の光導電アンテナ素子の背面図である。比較例２の光導電アンテナ素子は、オーミック電極においてアンテナ部とパッド部とを接続するライン部が直線状に形成されている点で、実施例の光導電アンテナ素子と異なっている。比較例２の光導電アンテナ素子の諸寸法は、図８を参照すると、素子サイズについては、オーミック電極２２１，２２１間におけるアンテナ部２２２の対向方向の長さ：４ｍｍ、その対向方向と略直交する方向の長さ：３．６ｍｍである。オーミック電極２２１については、ライン部２２４の長さ：１．４ｍｍ、ライン部２２４の幅：５μｍ、アンテナ部２２２の幅：１０μｍ、対向するライン部２２４，２２４間の間隔：２０μｍ、対向するアンテナ部２２２，２２２間の間隔：５μｍである。
【００３７】
図９は、実施例、比較例１及び比較例２の光導電アンテナ素子の特性を示すグラフである。一般的に、ピーク値の１０−２倍までの電界強度の範囲に対応する周波数領域で光導電アンテナ素子を使用することができる。そうすると、図９（ｂ）に示されるように、比較例１の光導電アンテナ素子は、３ＴＨｚ程度まで使用することができる。これに対し、比較例１の光導電アンテナ素子を小型化した比較例２の光導電アンテナ素子は、低周波の領域にスパイク状のピークが生じているため、２ＴＨｚ弱までしか使用することができない。このように、オーミック電極においてアンテナ部とパッド部とを接続するライン部が直線状に形成された比較例１，２の光導電アンテナ素子にあっては、ライン部が直線的に所定の長さを有していないと光導電アンテナ素子の特性が劣化してしまうため、光導電アンテナ素子の小型化が妨げられていた。
【００３８】
一方、図９（ａ）に示されるように、実施例の光導電アンテナ素子は、素子サイズについては比較例２の光導電アンテナ素子と同様に小型化されているものの、比較例１の光導電アンテナ素子と同様に３ＴＨｚ程度まで使用することができる。このように、実施例の光導電アンテナ素子によれば、ライン部をアンテナ領域の外側において曲げることで、特性の劣化を防止しつつ、小型化を図ることが可能であることが明らかとなった。
【００３９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００４０】
例えば、アンテナ部２２のパターンは、ダイポールパターンに限定されず、図１０に示されるボウタイパターンの他、ストリップラインパターン（すなわち、平行部分２４ａから突出していないもの）やスパイラルパターン等であってもよい。なお、アンテナ部２２のパターンがスパイラルパターン等の場合には、平行部分２４ａの延在方向は、一対のオーミック電極２１，２１間におけるアンテナ部２２の対向方向と略直交する方向に限定されない。
【００４１】
また、ライン部２４は、アンテナ領域Ａの外側において引き回された引回し部分２４ｃを含んでいてもよい。引回し部分２４ｃは、図１１に示されるように、各ライン部２４が平行で且つ一方の側と他方の側とを往復するように、ジグザグ状に引き回されたものであってもよいし、或いは、図１３に示されるように、一方のライン部２４が一方の側でのみ往復し且つ他方のライン部２４が他方の側でのみ往復するように、ジグザグ状に引き回されたものであってもよい。そして、引回し部分２４ｃは、図１２，１４に示されるように、アンテナ領域Ａの両側に形成されていてもよい。これらの光導電アンテナ素子１７によれば、効率の良い引回しを実現することができ、また、ライン部２４の全長を長くすることができるため、ライン部が直線的に所定の長さを有する従来の光導電アンテナ素子と同等又はそれ以上の特性を確実に維持することが可能となる。
【００４２】
また、ライン部２４は、アンテナ領域Ａの外側において屈曲されたものに限定されず、湾曲されたもの等、曲げられたものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る光導電アンテナ素子の一実施形態が適用されたテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの背面図である。
【図２】図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールのII−II線に沿っての断面図である。
【図３】図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの配線基板の正面図である。
【図４】図１のテラヘルツ電磁波発生・検出モジュールの光導電アンテナ素子の背面図である。
【図５】図４の光導電アンテナ素子が取り付けられた図３の配線基板の正面図である。
【図６】テラヘルツ電磁波測定システムの構成図である。
【図７】比較例１の光導電アンテナ素子の背面図である。
【図８】比較例２の光導電アンテナ素子の背面図である。
【図９】実施例、比較例１及び比較例２の光導電アンテナ素子の特性を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る光導電アンテナ素子の他の実施形態の背面図である。
【図１１】本発明に係る光導電アンテナ素子の他の実施形態の背面図である。
【図１２】本発明に係る光導電アンテナ素子の他の実施形態の背面図である。
【図１３】本発明に係る光導電アンテナ素子の他の実施形態の背面図である。
【図１４】本発明に係る光導電アンテナ素子の他の実施形態の背面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１４…信号配線（外部配線）、１５…接地配線（外部配線）、１７…光導電アンテナ素子、１９…ＧａＡｓ層（半導体層）、２１…オーミック電極（電極）、２２…アンテナ部、２３…パッド部、２４…ライン部、２４ａ…平行部分、２４ｃ…引回し部分、Ａ…アンテナ領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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