(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置であって、
電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、
第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、
第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で電気容量を得るように構成された第１のコンデンサと、
第９、第１０、第１１の電極を有し、前記第９の電極と前記第１０の電極との間における電流量を、前記第１１の電極に印加される電位によって調整する第３のトランジスタと、
第１２、第１３、第１４の電極を有し、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間における電流量を、前記第１４の電極に印加される電位によって調整する第４のトランジスタと、
第１５、第１６、第１７の電極を有し、前記第１５の電極と前記第１６の電極との間における電流量を、前記第１７の電極に印加される電位によって調整する第５のトランジスタと、
第１８、第１９、第２０の電極を有し、前記第１８の電極と前記第１９の電極との間における電流量を、前記第２０の電極に印加される電位によって調整する第６のトランジスタと、
第２１、第２２、第２３の電極を有し、前記第２１の電極と前記第２２の電極との間における電流量を、前記第２３の電極に印加される電位によって調整する第７のトランジスタと、
第２４、第２５の電極を有し、前記第２４の電極と前記第２５の電極との間で電気容量を得るように構成された第２のコンデンサと
を備え、
前記第２の電極が、前記発光素子の一方の電極に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量が調整されることで、前記発光素子における電流量が制御され、
前記第３および第４の電極が、前記第７の電極に対して電気的に接続され、
前記第５の電極が、前記第１の電極に対して電気的に接続され、
前記第９の電極が、前記第１２の電極に対して電気的に接続され、
前記第１０の電極が、前記第１の電極に対して電気的に接続され、
前記第１３の電極が、前記第７の電極に対して電気的に接続され、
前記第１４の電極が、前記第２３の電極に対して電気的に接続され、
前記第１５、第１９、第２１および第２４の電極が前記第８の電極に電気的に接続され、
前記第１６、第２２、第２５の電極および前記発光素子の他方の電極が接地され、
前記第１７の電極が前記第６の電極に電気的に接続され、
さらに、
前記第１２の電極に第１の電位を付与する第１電位付与手段と、
前記第１２の電極に前記第１の電位が付与された状態で、前記第１４および２３の電極に第２の電位を付与することで、前記第４および第７のトランジスタを、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間および前記第２１の電極と前記第２２の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定して、前記第１のコンデンサに電荷を蓄積させる第２電位付与手段と、
前記第６および第１７の電極に第３の電位を付与して、前記第２および第５のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間および前記第１５の電極と前記第１６の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記第１のコンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に対応する電荷量とする第３電位付与手段と、
前記第１８の電極に第４の電位を付与した状態で前記第２０の電極に第５の電位を付与して、前記第２のコンデンサに電荷を蓄積させる第４および第５電位付与手段と、
前記第１および第２のコンデンサに蓄積された前記電荷量に応じた電位が前記第３の電極に付与され、かつ前記第１電位付与手段によって前記第９の電極に所定の電位が付与された状態で、前記第１１の電極に第６の電位を付与して、前記第３のトランジスタを、前記第９の電極と前記第１０の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することにより、前記発光素子を発光させる第６電位付与手段と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置を駆動させる画像表示装置の駆動方法であって、
(a)前記第１２の電極に第１の電位が付与された状態で、前記第１４および第２３の電極に第２の電位を付与することにより、前記第４および第７のトランジスタを、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間および前記第２１の電極と前記第２２の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定しつつ、前記第１のコンデンサに電荷を蓄積させるステップと、
(b)前記第６および第１７の電極に第３の電位を付与して、前記第２および第５のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間および前記第１５の電極と前記第１６の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記第１のコンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に応じた電荷量とするステップと、
(c) 前記第１８の電極に第４の電位を付与した状態で前記第２０の電極に第５の電位を付与して、前記第２のコンデンサに電荷を蓄積させるステップと、
(d)前記第１および第２のコンデンサに蓄積された前記電荷量に応じた電位が前記第３の電極に付与され、かつ前記第９の電極に所定の電位が付与された状態で、前記第１１の電極に第６の電位を付与することにより、前記第３のトランジスタを、前記第９の電極と前記第１０の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記発光素子を発光させるステップと、
を有することを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置、およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。そして、この様な画像表示装置では、一般に、有機ＥＬ素子と、その発光を制御する薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）とが電気的に直列に接続されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の発光を制御する薄膜トランジスタ（以下「制御トランジスタ」と称する）については、ソースとドレインとの間に電流が流れ始める閾値電圧が存在する。そして、この閾値電圧は、各画素を構成する制御トランジスタによって若干異なるため、画像表示においてムラの発生を招く虞がある。
【０００４】
そこで、制御トランジスタのゲートとドレインとの間に、制御トランジスタの閾値電圧を補償するためのトランジスタが電気的に接続された画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献１，２）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２８００５９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４１３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ素子についても、両電極間に電流が流れ始める閾値電圧が存在し、この閾値電圧は、経年劣化などによって変動するため、画像表示においてムラの発生を招く虞がある。
【０００７】
このような問題は、電流量によって発光輝度が調整される発光素子が用いられた画像表示装置一般に共通する。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、発光素子の特性の変化も考慮して、画質の劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で電気容量を得るように構成されたコンデンサとを備え、前記第２の電極が、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量が調整されることで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第３および第４の電極が、前記第７の電極に対して電気的に接続され、前記第５の電極が、前記第１の電極に対して電気的に接続されることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の画像表示装置であって、前記コンデンサに電荷を蓄積させた状態で、前記第６の電極に第１の電位を付与して、前記第２のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記コンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に対応する電荷量とする第１電位付与手段を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の画像表示装置であって、前記第８の電極に画像信号に応じた電位を付与する第２電位付与手段を更に備え、前記第１電位付与手段が、前記第２電位付与手段によって前記第８の電極に前記画像信号に応じた電位が付与された状態で、前記第６の電極に前記第１の電位を付与して、前記第２のトランジスタを、前記導通状態に設定することにより、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記コンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧と、前記画像信号に応じた電圧とを合わせた電圧に対応する電荷量とすることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の画像表示装置であって、第９、第１０、第１１の電極を有し、前記第９の電極と前記第１０の電極との間における電流量を、前記第１１の電極に印加される電位によって調整する第３のトランジスタと、第１２、第１３、第１４の電極を有し、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間における電流量を、前記第１４の電極に印加される電位によって調整する第４のトランジスタとを更に備え、前記第９の電極が、前記第１２の電極に対して電気的に接続され、前記第１０の電極が、前記第１の電極に対して電気的に接続され、前記第１３の電極が、前記第７の電極に対して電気的に接続されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の画像表示装置であって、前記第１２の電極に第１の電位を付与する第１電位付与手段と、前記第１２の電極に前記第１の電位が付与された状態で、前記第１４の電極に第２の電位を付与することで、前記第４のトランジスタを、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定して、前記コンデンサに電荷を蓄積させる第２電位付与手段と、前記第６の電極に第３の電位を付与して、前記第２のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記コンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に対応する電荷量とする第３電位付与手段と、前記コンデンサに蓄積された前記電荷量に応じた電位が前記第３の電極に付与され、かつ前記第１電位付与手段によって前記第９の電極に所定の電位が付与された状態で、前記第１１の電極に第４の電位を付与して、前記第３のトランジスタを、前記第９の電極と前記第１０の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することにより、前記発光素子を発光させる第４電位付与手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項１に記載の画像表示装置を駆動させる画像表示装置の駆動方法であって、(A)前記コンデンサに電荷を蓄積させた状態で、前記第６の電極に第１の電位を付与して、前記第２のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することにより、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記コンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に対応する電荷量とするステップと、(B)前記(A)ステップで前記コンデンサに蓄積された前記電荷量に応じた電位が前記第３の電極に付与された状態で、前記第１の電極に対して所定の電位を付与することにより、前記発光素子を発光させるステップとを有することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項４に記載の画像表示装置を駆動させる画像表示装置の駆動方法であって、(a)前記第１２の電極に第１の電位が付与された状態で、前記第１４の電極に第２の電位を付与することにより、前記第４のトランジスタを、前記第１２の電極と前記第１３の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定しつつ、前記コンデンサに電荷を蓄積させるステップと、(b)前記第６の電極に第３の電位を付与して、前記第２のトランジスタを、前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記コンデンサに蓄積された電荷の量を、前記第２のトランジスタ、前記第１のトランジスタ、および前記発光素子を介した電荷の移動により、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、前記発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に応じた電荷量とするステップと、(c)前記コンデンサに蓄積された前記電荷量に応じた電位が前記第３の電極に付与され、かつ前記第９の電極に所定の電位が付与された状態で、前記第１１の電極に第４の電位を付与することにより、前記第３のトランジスタを、前記第９の電極と前記第１０の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定することで、前記発光素子を発光させるステップとを有することを特徴とする。
【００１６】
＜用語に関する記載＞
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線などを介して常に導電可能に接続されている態様、および一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線などだけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、その他の部材の状態（例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導電状態）に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線およびその他の部材によって導電可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。
【００１７】
また、本明細書における「ゲート電圧」とは、トランジスタに関し、ソースの電位を基準としたソースとゲートとの電位差のことを言う。
【００１８】
また、本明細書における「閾値電圧」には、トランジスタの閾値電圧と、発光素子の閾値電圧とが含まれる。そして、トランジスタの閾値電圧とは、トランジスタがオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。また、発光素子の閾値電圧とは、発光素子が発光していない状態（発光素子の両電極間に電流が流れていない状態）から発光素子が発光している状態（発光素子の両電極間に電流が流れている状態）に移り変わるときの、境界となる発光素子の両電極間に印加される電圧のことを言う。なお、適宜「閾値電圧」を「閾値」と略称する。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１から請求項７のいずれに記載の発明によっても、コンデンサに電荷が蓄積された状態で、第２のトランジスタを導通状態とすることにより、コンデンサに蓄積された電荷の量が、第１のトランジスタの閾値電圧と、発光素子の閾値電圧とを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に応じた電荷量となるため、発光素子の特性の変化も考慮して、画質の劣化を抑制することができる。
【００２０】
また、請求項３に記載の発明によれば、画像信号に応じた電荷の蓄積と、第１のトランジスタおよび発光素子の閾値電圧の補償とが同時に行われるため、１フレーム分の期間を占める発光のための準備期間を圧縮することができる。
【００２１】
また、請求項４、請求項５および請求項７のいずれに記載の発明によっても、発光素子を発光させるべきでない期間における発光素子への電流の過度な供給が防止されるため、更に画質の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
＜画像表示装置の概略構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の概略構成を例示する図である。
【００２４】
画像表示装置１００は、本体部１１０と表示部１２０とを備えた携帯電話機、すなわち携帯可能な電子機器であり、動画や静止画などといった各種画像を表示部１２０で表示する。
【００２５】
本体部１１０は、通信機能、バッテリーなどの給電機能、および操作部などを備えている。
【００２６】
表示部１２０は、例えば、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ（organic electroluminescence display）、および本体部１１０より供給される各種信号が入力されるドライバ手段を備えている。なお、有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する自発光型画像表示装置である。
【００２７】
また、有機ＥＬディスプレイは、発光輝度に対応する画像信号（例えば、画素毎では、画素データ信号）に応じた電位を各画素に供給するための画像信号線（例えば、後述するデータ線Ｌdata）と、該画像信号線に対して略直交するように設けられ、各画素に走査信号を供給するための走査信号線（例えば、後述するセンス・セレクト線Ｌｓｓ）とを有する。なお、走査信号は、画像信号線を介して画素データ信号に応じた電荷を各画素に蓄積させるタイミングを制御する信号である。
【００２８】
一方、ドライバ手段は、画像信号線に対して電気的に接続され、画素データ信号を画像信号線に供給するタイミングを制御するＸドライバ（画像信号線駆動回路）と、走査信号線に対して電気的に接続され、走査信号を走査信号線に供給するタイミングを制御するＹドライバ（走査信号線駆動回路）とを備える。例えば、画像表示装置１００では、Ｘドライバは有機ＥＬディスプレイの短辺に沿って配置され、Ｙドライバは有機ＥＬディスプレイの長辺に沿って配置されている。
【００２９】
＜画像表示装置の機能構成＞
図２は、画像表示装置１００の機能構成を例示するブロック図である。
【００３０】
画像表示装置１００は、主に、制御部１１１、操作部１１２、ＸドライバＸｄ、専用ドライバＳｄ、および表示パネル１２１を備える。
【００３１】
制御部１１１は、画像表示装置１００の動作を統括制御する部分である。この制御部１１１は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、およびＲＯＭなどを備えて構成され、例えば、ＲＯＭ内などに格納されたプログラムをＣＰＵが読み込んで実行することで、各種動作や制御が実現される。なお、制御部１１１は、ＸドライバＸｄ、および専用ドライバＳｄからの信号の送出を制御する機能も有している。
【００３２】
操作部１１２は、いわゆるテンキーなどの各種ボタンを備え、該各種ボタンが押下されることで、制御部１１１に対して各種信号を送出する。
【００３３】
表示パネル１２１は、多数の画素回路１Ａが格子状に配列されて構成されている。ここで、画素回路１Ａの回路構成について説明する。
【００３４】
図３は、画素回路１Ａの回路構成を例示する図である。
【００３５】
画素回路１Ａは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、４つのトランジスタＱ１〜Ｑ４、およびコンデンサＣ１を備えている。
【００３６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機物などで構成され、発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード電極とカソード電極とを有しており、アノード電極は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に高電位側となる電源線（ここでは、ＶＤＤ線）Ｌｄに対して電気的に接続される。一方、カソード電極は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に低電位側となるように、接地されている。
【００３７】
トランジスタＱ１〜Ｑ４は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。
【００３８】
トランジスタ（適宜「駆動トランジスタ」とも称する）Ｑ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して、ソース電極とドレイン電極とが電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量を調整することで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度を制御する。
【００３９】
このトランジスタＱ１は、第１〜３電極Ｅ１〜Ｅ３を有している。詳細には、第１電極Ｅ１は、トランジスタＱ３を介して、ＶＤＤ線Ｌｄに対して電気的に接続される。この第１電極Ｅ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際にドレイン電極（以下「ドレイン」と略称する）として機能する。第２電極Ｅ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極に対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際にソース電極（以下「ソース」と略称する）として機能する。第３電極Ｅ３は、コンデンサＣ１に対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極（以下「ゲート」と略称する）として機能する。
【００４０】
また、トランジスタＱ１では、第３電極Ｅ３に印加される電位、より詳細には第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。そして、第１−２電極間における電流量の調整に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量が制御される。また、第３電極（ゲート）Ｅ３に印加される電位により、トランジスタＱ１は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００４１】
トランジスタ（適宜「Ｖth補償用トランジスタ」と称する）Ｑ２は、トランジスタＱ１が導通状態となる場合のゲート電圧（具体的には、第２電極Ｅ２の電位を基準とした第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との電位差）の下限値（トランジスタＱ１の閾値電圧）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいてアノード電極とカソード電極間に電流が流れ得る該両電極間の電位差の下限値（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧）とを併せて補償する。より詳細には、トランジスタＱ２は、トランジスタＱ１のゲート電圧を、トランジスタＱ１の閾値電圧（以下「閾値Ｖthtr」とも称する）と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧（以下「閾値Ｖthol」とも称する）とに応じた分だけシフトさせる。
【００４２】
このトランジスタＱ２は、第４〜６電極Ｅ４〜Ｅ６を有している。詳細には、第４電極Ｅ４は、第３電極Ｅ３とコンデンサＣ１とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第４電極Ｅ４は、トランジスタＱ１のゲートＥ３に対して電気的に接続される。第５電極Ｅ５は、第１電極Ｅ１とトランジスタＱ３とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第５電極Ｅ５は、トランジスタＱ１の第１電極Ｅ１に対して電気的に接続される。第６電極Ｅ６は、センス・セレクト線Ｌｓｓに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。
【００４３】
なお、センス・セレクト線Ｌｓｓは、後述するＶth補償処理および書込処理を行うタイミングを制御する電位を第６電極Ｅ６に対して付与するものである。
【００４４】
また、トランジスタＱ２では、第６電極Ｅ６に印加される電位、より具体的には第５電極Ｅ５と第６電極Ｅ６との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極Ｅ４と第５電極Ｅ５との間（以下「第４−５電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。そして、第６電極（ゲート）Ｅ６に印加される電位により、トランジスタＱ２は、第４−５電極間（ドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時におけるトランジスタＱ１のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、トランジスタＱ１がアモルファスシリコンを用いて構成されている場合には、トランジスタＱ１ごとに閾値Ｖthtrが異なる傾向にある。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤも、経時的な劣化に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤごとに閾値Ｖtholが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖtholを補償する機能（Ｖth補償機能）を持たせないと、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。
【００４６】
そこで、画像表示装置１００では、発光前に各画素においてトランジスタＱ１のゲート電圧を閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖtholに応じた値とすることで、トランジスタＱ１における閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖtholのばらつきを補償する処理（Ｖth補償処理）を実現するためにトランジスタＱ２が設けられている。
【００４７】
コンデンサＣ１は、トランジスタＱ１の第３電極Ｅ３およびトランジスタＱ２に対して電気的に接続される第７電極Ｅ７と、データ線Ｌdataに対して電気的に接続される第８電極Ｅ８とを有し、第７電極Ｅ７と第８電極Ｅ８との間で電気容量を得るように構成されている。そして、コンデンサＣ１の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。
【００４８】
なお、データ線Ｌdataは、第８電極Ｅ８に対して、画素データ信号に応じた電位を付与するものである。
【００４９】
トランジスタ（適宜「発光制御トランジスタ」と称する）Ｑ３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光タイミングを制御する。
【００５０】
このトランジスタＱ３は、第９〜１１電極Ｅ９〜Ｅ１１を有している。詳細には、第９電極Ｅ９は、ＶＤＤ線Ｌｄに対して電気的に接続される。第１０電極Ｅ１０は、第１電極Ｅ１と第５電極Ｅ５とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第１０電極Ｅ１０は、トランジスタＱ１の第１電極Ｅ１およびトランジスタＱ２の第５電極Ｅ５に対して電気的に接続される。第１１電極Ｅ１１は、マージ線Ｌｍに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。
【００５１】
なお、マージ線Ｌｍは、第１１電極Ｅ１１に対して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光タイミングを制御する電位を付与するものである。
【００５２】
また、トランジスタＱ３では、第１１電極Ｅ１１に印加される電位、より詳細には第１０電極Ｅ１０と第１１電極Ｅ１１との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第９電極Ｅ９と第１０電極Ｅ１０との間（以下「第９−１０電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。また、第１１電極（ゲート）Ｅ１１に印加される電位により、トランジスタＱ３は、第９−１０電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００５３】
トランジスタ（適宜「プリチャージ用トランジスタ」と称する）Ｑ４は、コンデンサＣ１に電荷を蓄積させるタイミングを制御する。
【００５４】
このトランジスタＱ４は、第１２〜１４電極Ｅ１２〜Ｅ１４を有している。詳細には、第１２電極Ｅ１２は、ＶＤＤ線Ｌｄと第９電極Ｅ９とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第１２電極Ｅ１２は、ＶＤＤ線Ｌｄおよび第９電極Ｅ９に対して電気的に接続される。第１３電極Ｅ１３は、第４電極Ｅ４と第３電極Ｅ３および第７電極Ｅ７とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第１３電極Ｅ１３は、第３電極Ｅ３、第４電極Ｅ４、および第７電極Ｅ７に対して電気的に導電可能に接続される。第１４電極Ｅ１４は、プリチャージ線Ｌｐに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。
【００５５】
なお、プリチャージ線Ｌｐは、第１４電極Ｅ１４に対して、コンデンサＣ１にある程度の電荷を蓄積させるタイミングを制御するための電位を付与するものである。
【００５６】
また、トランジスタＱ４では、第１４電極Ｅ１４に印加される電位、より詳細には第１３電極Ｅ１３と第１４電極Ｅ１４との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１２電極Ｅ１２と第１３電極Ｅ１３との間（以下「第１２−１３電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。また、第１４電極（ゲート）Ｅ１４に印加される電位により、トランジスタＱ４は、第１２−１３電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００５７】
このような画素回路を有する表示パネル１２１では、図２に示すように、列方向に沿って並ぶ複数の画素回路１Ａに対して共通のデータ線Ｌdataが電気的に接続され、行方向に沿って並ぶ複数の画素回路１Ａに対して共通のセンス・セレクト線Ｌｓｓが電気的に接続される。
【００５８】
ＸドライバＸｄは、制御部１１１からの信号に応答して、データ線Ｌdataに対して画素データ信号に応じた電位を供給する。なお、制御部１１１は、例えば、外部から送信されてくる画像データに同期させて、ＸドライバＸｄから各データ線Ｌdataに対する画素データ信号に応じた電位の供給タイミングを制御する信号をＸドライバＸｄに対して送出する。
【００５９】
専用ドライバＳｄは、制御部１１１からの制御信号に応じた波形で、ＶＤＤ線Ｌｄ、マージ線Ｌｍ、プリチャージ線Ｌｐ、およびセンス・セレクト線Ｌｓｓに対して電位を印加する。
【００６０】
この専用ドライバＳｄは、例えば、Ｙドライバ、第１〜４シフトレジスタを備えて構成される。Ｙドライバは、第１〜４シフトレジスタに格納されたデータに基づいてＶＤＤ線Ｌｄ、マージ線Ｌｍ、プリチャージ線Ｌｐ、およびセンス・セレクト線Ｌｓｓに対して電位を印加する機能を有する。
【００６１】
例えば、第１シフトレジスタは、ＶＤＤ線Ｌｄに印加すべき電位（以下「電源線電位」とも称する）Ｖ１のデータを保持する。ここでは、電源線電位Ｖ１は、所定の高電位の値（例えば、１０Ｖ）となっている。また、第２シフトレジスタは、マージ線Ｌｍに印加すべき電位（以下「マージ線電位」とも称する）Ｖｍのデータを保持する。ここでは、マージ線電位Ｖｍとして、電位Ｖｈ，Ｖｌの２値が適宜採用される。また、第３シフトレジスタは、プリチャージ線Ｌｐに印加すべき電位（以下「プリチャージ線電位」とも称する）Ｖｐのデータを保持する。ここでは、プリチャージ線電位Ｖｐとして、電位Ｖｈ，Ｖｌの２値が適宜採用される。更に、第４シフトレジスタは、センス・セレクト線Ｌｓｓに印加すべき電位（以下「センス・セレクト線電位」とも称する）Ｖｓのデータを保持する。ここでは、センス・セレクト線電位Ｖｓとして、電位Ｖｈ，Ｖｌの２値が適宜採用される。
【００６２】
そして、Ｙドライバ、および第１〜４シフトレジスタで制御される電源線電位Ｖ１、マージ線電位Ｖｍ、プリチャージ線電位Ｖｐ、およびセンス・セレクト線電位Ｖｓは、制御部１１１からの制御信号に応じた波形をそれぞれ示す。
【００６３】
＜画像表示装置の駆動＞
図４は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートであり、図５は、画素回路１Ａの動作フローを示すフローチャートである。図４および図５は、表示パネル１２１に含まれる１つの画素回路１Ａで１回発光させる駆動に着目したものとなっており、画像表示装置１００で動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図４で示す駆動波形、および図５で示す動作フローがフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図４で示す駆動波形、および図５で示す動作フローは、制御部１１１の制御下で実現される。
【００６４】
図４では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)マージ線Ｌｍに印加されるマージ線電位（以下、単に「電位」と称する）Ｖｍ、(ｂ)プリチャージ線Ｌｐに印加されるプリチャージ線電位（以下、単に「電位」と称する）Ｖｐ、(ｃ)センス・セレクト線Ｌｓｓに印加されるセンス・セレクト線電位（以下、単に「電位」と称する）Ｖｓ、(ｄ)データ線Ｌdataに印加される信号の電位（電位Ｖｄ）の波形が示されている。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際には、発光の準備段階および実際に発光する段階に拘わらず、ＶＤＤ線Ｌｄに対して所定の正の高電位Ｖｄｄ（例えば、１０Ｖ）が印加された状態が維持される。また、１回の発光に係る期間は、発光輝度を調整するための準備期間Ｐｐ（時刻ｔ１〜ｔ１０）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐｅ（〜時刻ｔ１，時刻ｔ１０〜）とを備えて構成される。
【００６５】
以下、図４を参照しつつ、図５で示す画素回路１Ａの動作フローについて説明する。
【００６６】
まず、ステップＳ１では、マージ線Ｌｍに付与される電位Ｖｍが、所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻ｔ１）。このとき、電位Ｖｐおよび電位Ｖｓが、所定の低電位Ｖｌに設定されている。このため、トランジスタＱ２〜Ｑ４が非導通状態となっている。また、電位Ｖｄは、０Ｖ（ＧＮＤ）に設定されている。なお、発光が複数回目の場合には、ステップＳ１では、前回の発光が終了され、発光が１回目の場合には、単に準備期間Ｐｐが開始される。
【００６７】
ステップＳ２では、プリチャージ線Ｌｐに付与される電位Ｖｐが、所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻ｔ２）。
【００６８】
ステップＳ３では、プリチャージ線Ｌｐに付与される電位Ｖｐが、所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻ｔ３）。このとき、トランジスタＱ４が非導通状態に設定される。
【００６９】
ここで、時刻ｔ２〜ｔ３では、電位Ｖｐが、所定の高電位Ｖｈに維持される。このとき、第１４電極Ｅ１４に所定の高電位Ｖｈが付与されて、トランジスタＱ４が導通状態となる。また、ＶＤＤ線Ｌｄには所定の高電位Ｖｄｄが付与され、データ線Ｌdataには０Ｖ（ＧＮＤ）が付与されている。このため、第１２電極Ｅ１２に所定の高電位Ｖｄｄが付与された状態となり、コンデンサＣ１に、所定の高電位Ｖｄｄに応じた電荷が蓄積される。なお、このとき、コンデンサＣ１に蓄積された電荷により、第３電極Ｅ３に正電位が付与され、トランジスタＱ１が導通状態に設定される。
【００７０】
ステップＳ４では、データ線Ｌdataに付与される電位Ｖｄが、画素データ信号に応じた電位−Ｖdataに設定される（時刻ｔ４〜ｔ５）。このとき、画素データ信号に応じた電位−Ｖdataの付与により、コンデンサＣ１に画素データ信号に応じた電荷が蓄積される処理（書込処理）が開始される。
【００７１】
ステップＳ５では、センス・セレクト線Ｌｓｓに付与される電位Ｖｓが、所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻ｔ６）。このとき、第６電極Ｅ６に所定の高電位Ｖｈが付与されて、トランジスタＱ２が導通状態に設定される。
【００７２】
ステップＳ６では、センス・セレクト線Ｌｓｓに付与される電位Ｖｓが、所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻ｔ７）。このとき、トランジスタＱ２が非導通状態に設定される。
【００７３】
ここで、時刻ｔ６〜ｔ７では、電位Ｖｓが、所定の高電位Ｖｈに維持され、トランジスタＱ２の導通状態が維持される。そして、時刻ｔ６〜ｔ７の初期の段階では、コンデンサＣ１に蓄積された電荷によってトランジスタＱ１も導通状態に設定されており、第２電極Ｅ２が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して接地されている。このため、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が、トランジスタＱ２の第４電極Ｅ４から第５電極Ｅ５、トランジスタＱ１の第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２、および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを順次に介して移動する。この電荷の移動により、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が徐々に減少し、第３電極Ｅ３に付与される電位も徐々に低減される。そして、最終的に、第７電極Ｅ７と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極との間の電位差が、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholとを合わせた電圧に到達すると、電荷の移動が停止する。
【００７４】
ステップＳ７では、データ線に付与される電位Ｖｄが、ＧＮＤに設定される（時刻ｔ８〜ｔ９）。このとき、ステップＳ５〜Ｓ６でコンデンサＣ１からの電荷の移動が停止した状態よりも、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８に印加される電位がＶdata高くなる。つまり、トランジスタＱ１のゲート電圧が電圧Ｖdata分上昇する。また、このときコンデンサＣ１に蓄積されている電荷の量は、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholと、画素データ信号に応じた電圧Ｖdataとを合わせた電圧に対応する電荷量となっている。つまり、トランジスタＱ１は、画素データ信号に応じた電位Ｖdataに応じた電流が第１−２電極間で流れ得る導通状態に設定される。つまり、本動作フローでは、Ｖth補償処理と書込処理とが時間的に平行して行われる。
【００７５】
ステップＳ８では、マージ線Ｌｍに付与される電位Ｖｍが、所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻ｔ１０）。このとき、第１１電極Ｅ１１に所定の高電位Ｖｈが付与されて、トランジスタＱ３が導通状態に設定される。また、ＶＤＤ線Ｌｄ、すなわち第９電極Ｅ９には所定の高電位Ｖｄｄが付与され、第１電極Ｅ１には電位Ｖｄｄに応じた所定の電位が付与され、データ線Ｌdataには０Ｖ（ＧＮＤ）が付与された状態にある。更に、閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖtholを加味した上で、画素データ信号に応じた電位Ｖdataが第３電極Ｅ３に印加された状態となっている。このため、トランジスタＱ１の第１−２電極間で、画素データ信号Ｖdataに応じた電流が流れるように設定される。つまり、画素データ信号Ｖdataに応じた電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが、画素データ信号Ｖdataに応じた発光輝度で発光する。
【００７６】
このようなステップＳ１〜Ｓ８の処理により、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける１フレーム分の発光が実現され、ステップＳ１〜Ｓ８の処理が順次繰り返されることで、複数フレーム分の発光が行われる。
【００７７】
なお、上記では、表示パネル１２１に含まれる１つの画素回路１Ａの駆動に着目して説明したが、表示パネル１２１に含まれる複数の画素回路１Ａについては、以下のような駆動が行われる。なお、ここでは、表示パネル１２１には、所定数（ここでは、仮に１００とする）の水平ラインの画素回路１Ａの列が配置されているものとする。
【００７８】
まず、図４の時刻ｔ２〜ｔ３の駆動波形のように、プリチャージ線Ｌｐに対する高電位Ｖｈの付与が、全画素回路１Ａに対して同時に行われる。
【００７９】
次に、表示パネル１２１の１ライン目に配列される画素回路１Ａにおける書込処理、表示パネル１２１の２ライン目に配列される画素回路１Ａにおける書込処理、表示パネル１２１の３ライン目に配列される画素回路１Ａにおける書込処理、・・・、表示パネル１２１の１００ライン目に配列される画素回路１Ａにおける書込処理といった具合に、時刻ｔ４〜ｔ９までの駆動波形が、水平ラインの本数分、時間順次に行われる。
【００８０】
そして、全画素回路１Ａに対する書込処理が完了した時点で、全画素回路１Ａにおいて、マージ線Ｌｍに対する所定の高電位Ｖｈの付与が行われることで、全画素回路１Ａにおいて同時に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光が行われる。
【００８１】
以上のように、コンデンサＣ１に電荷が蓄積された状態で、トランジスタＱ２を導通状態とすることにより、コンデンサＣ１に蓄積された電荷の量が、トランジスタＱ１の閾値電圧（閾値Ｖthtr）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧（閾値Ｖthol）とを合わせた電圧を含む電圧に応じた電荷量となる。このため、発光素子（ここでは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の特性の変化も考慮して、画質の劣化を抑制することができる。
【００８２】
また、コンデンサＣ１に対する画像信号に応じた電荷の蓄積と、トランジスタＱ１および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧（閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖthol）の補償とが同時に行われる。このため、１フレーム分の期間を占める発光のための準備期間を圧縮することができる。
【００８３】
また、トランジスタＱ３が設けられたことで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるべきでない期間における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の過度な供給が防止される。このため、更に画質の劣化を抑制することができる。
【００８４】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極が接地されているため、表示パネル１２１に配列される全て（又は複数）の画素回路１Ａについて、カソード電極を共通のものとすることができる。つまり、表示パネル１２１におけるカソード電極を簡単な構造で構成することが可能となり、製造工程の簡略化による歩留まりの向上、生産効率の向上、製造設備の簡略化、およびコスト低減などといった種々のメリットを得ることができる。
【００８５】
なお、Ｖth補償処理には、一般に０．１〜１ミリ秒程度の時間を要するため、水平ラインの本数が多くなると、準備期間Ｐｐの長期化を招いてしまう。このため、本実施形態に係る画素回路１Ａは、例えば、水平ラインの数が１００ライン程度までの画素数が比較的少ない小型の表示パネルに適用されるのが好適である。
【００８６】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
【００８７】
＜変形例１＞
◎例えば、上記実施形態では、画素回路１Ａを構成する４つのトランジスタＱ１〜Ｑ４が全てｎ型のＴＦＴであったが、これに限られず、例えば、全てのトランジスタが、キャリアが正孔であるタイプ（ｐ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴであっても良い。
【００８８】
ここで、ｐ型のＴＦＴを用いて構成された変形例１に係る画素回路１Ｂの回路構成について説明する。
【００８９】
図６は、変形例１に係る画素回路１Ｂの回路構成を例示する図である。
【００９０】
変形例１に係る画素回路１Ｂは、上記実施形態に係る画素回路１Ａと比較して、４つのトランジスタＱ１〜Ｑ４が、ｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴであるトランジスタＱｂ１〜Ｑｂ４に変更され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極とアノード電極とが反転されている点で異なる。なお、各トランジスタＱｂ１〜Ｑｂ４については、上記実施形態に係る各トランジスタＱ１〜Ｑ４とは構造が異なるため、第１〜６電極Ｅ１〜Ｅ６、第９〜１４電極Ｅ９〜Ｅ１４の符号が、Ｅｂ１〜Ｅｂ６，Ｅｂ９〜Ｅｂ１４に変更されている。その他の構成については、全く同様となっているため、同じ符号を付して説明を省略する。
【００９１】
次に、ｐ型のＴＦＴを用いて構成された変形例１に係る画素回路１Ｂの駆動について説明する。
【００９２】
図７は、画素回路１Ｂにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートであり、図８は、画素回路１Ｂの動作フローを示すフローチャートである。図７および図８は、表示パネル１２１に含まれる１つの画素回路１Ｂを１回発光させる駆動に着目したものとなっており、複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図７で示す駆動波形、および図８で示す動作フローがフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図７で示す駆動波形、および図８で示す動作フローは、制御部１１１の制御下で実現される。
【００９３】
図７では、図４と同様に、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)電位Ｖｍ、(ｂ)電位Ｖｐ、(ｃ)電位Ｖｓ、(ｄ)電位Ｖｄの波形が示されている。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際には、発光の準備段階および実際に発光する段階に拘わらず、ＶＤＤ線Ｌｄに対して所定の負の高電位Ｖｄｄ（例えば、−１０Ｖ）が印加された状態が維持される。また、１回の発光に係る期間は、発光輝度を調整するための準備期間Ｐｐ（時刻ｔ１〜ｔ１０）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する発光期間Ｐｅ（〜時刻ｔ１，時刻ｔ１０〜）とを備えて構成される。
【００９４】
そして、図７で示す駆動波形は、図４で示した駆動波形と比較して、各電位Ｖｍ，Ｖｐ，Ｖｓ，Ｖｄの駆動波形が上下反転したものとなっている。つまり、図４で示した駆動波形では、所定の高電位Ｖｈとなっている部分が、図７で示す駆動波形では、所定の低電位Ｖｌとなり、図４で示した駆動波形では、所定の低電位Ｖｌとなっている部分が、図７で示す駆動波形では、所定の高電位Ｖｈとなっている。また、データ線Ｌdataに印加される電位Ｖｄの正負が逆転されている。つまり、図４で示した駆動波形では、電位−Ｖdataとなっている部分が、図７で示す駆動波形では、電位＋Ｖdataとなっている。
【００９５】
したがって、図８で示す動作フローについても、上記実施形態に係る各ステップＳ１〜Ｓ８の処理において、所定の高電位Ｖｈ、所定の低電位Ｖｌ、および画素データ信号に応じた電位−Ｖdataとなっていた部分が、変形例１に係る各ステップＳＴ１〜ＳＴ８では、所定の低電位Ｖｌ、所定の高電位Ｖｈ、および画素データ信号に応じた電位＋Ｖdataにそれぞれ変更されている。
【００９６】
＜変形例２＞
◎また、上記実施形態では、Ｖth補償処理と書込処理とが時間的に平行して行われることで、コンデンサＣ１に蓄積される電荷の量が、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholと、画素データ信号に応じた電圧Ｖdataとを合わせた電圧に対応する電荷量とされたが、これに限られない。
【００９７】
例えば、コンデンサＣ１に蓄積される電荷の量が、閾値Ｖthtrと閾値Ｖtholとを合わせた電圧に対応する電荷量とされた後に、コンデンサＣ１に対して画素データ信号に応じた電位が付与される書込処理が行われるようにしても良い。このような構成を採用しても、有機ＥＬ素子の特性の変化も考慮して、画質の劣化を抑制することができる。したがって、Ｖth補償処理において、コンデンサＣ１に蓄積された電荷の量が、トランジスタＱ２、トランジスタＱ１、および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介した電荷の移動により、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholとを合わせた電圧を少なくとも含む電圧に対応する電荷量とされれば良い。
【００９８】
ここで、各画素回路においてＶth補償処理と書込処理とが時間順次に行われる変形例２に係る画素回路の具体例を示して説明する。
【００９９】
図９は、変形例２に係る画素回路１Ｃの回路構成を例示する図である。
【０１００】
画素回路１Ｃは、上記実施形態に係る画素回路１Ａと比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、４つのトランジスタＱ１〜Ｑ４、およびコンデンサＣ１などといった同様な構成を有する。但し、画素回路１Ｃでは、上記実施形態に係るセンス・セレクト線Ｌｓｓが、センス線Ｌｓｎとされるとともに、別にセレクト線Ｌｓｌが設けられ、更に、書込処理を行うための３つのトランジスタＱ５〜Ｑ７、およびコンデンサＣ２が追加されている。
【０１０１】
以下、変形例２に係る画素回路１Ｃの回路構成のうち、上記実施形態に係る画素回路１Ａと異なる部分について説明する。なお、同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
トランジスタＱ２の第６電極（ゲート）Ｅ６は、センス線Ｌｓｎに対して電気的に接続されている。なお、センス線Ｌｓｎは、Ｖth補償処理を行うタイミングを制御する電位を第６電極Ｅ６に対して付与するものである。
【０１０３】
トランジスタＱ５〜Ｑ７は、いわゆるｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。
【０１０４】
トランジスタＱ５は、第１５〜１７電極Ｅ１５〜Ｅ１７を有している。詳細には、第１５電極Ｅ１５は、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８に対して電気的に接続され、第１６電極Ｅ１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを接地する配線に対して電気的に接続される。また、第１７電極Ｅ１７は、センス線Ｌｓｎに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。
【０１０５】
このトランジスタＱ５では、第１７電極Ｅ１７に印加される電位、より詳細には第１６電極Ｅ１６と第１７電極Ｅ１７との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１５電極Ｅ１５と第１６電極Ｅ１６との間（以下「第１５−１６電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。また、第１７電極（ゲート）Ｅ１７に印加される電位により、トランジスタＱ５は、第１５−１６電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【０１０６】
トランジスタＱ７は、第２１〜２３電極Ｅ２１〜Ｅ２３を有している。詳細には、第２１電極Ｅ２１は、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８に対して電気的に接続され、第２２電極Ｅ２２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを接地する配線に対して電気的に接続される。また、第２３電極Ｅ２３は、プリチャージ線Ｌｐに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。
【０１０７】
このトランジスタＱ７では、第２３電極Ｅ２３に印加される電位、より詳細には第２２電極Ｅ２２と第２３電極Ｅ２３との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第２２電極Ｅ２２と第２３電極Ｅ２３との間（以下「第２２−２３電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。また、第２３電極（ゲート）Ｅ２３に印加される電位により、トランジスタＱ７は、第２１−２２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【０１０８】
コンデンサＣ２は、第２４，２５電極Ｅ２４，Ｅ２５を有している。詳細には、第２４電極Ｅ２４は、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８に対して電気的に接続され、第２５電極Ｅ２５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを接地する配線に対して電気的に接続され、第２４電極Ｅ２４と第２５電極Ｅ２５との間で電気容量を得るように構成されている。
【０１０９】
つまり、トランジスタＱ５，Ｑ７およびコンデンサＣ２は、コンデンサＣ１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを接地する配線との間を、電気的に並列して接続する。換言すれば、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８が、トランジスタＱ５，Ｑ７およびコンデンサＣ２を介して接地される。
【０１１０】
トランジスタＱ６は、第１８〜２０電極Ｅ１８〜Ｅ２０を有している。詳細には、第１８電極Ｅ１８は、データ線Ｌdataに対して電気的に接続される。また、第１９電極Ｅ１９は、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８と、第１５電極Ｅ１５、第２１電極Ｅ２１、および第２４電極Ｅ２４とを電気的に接続する配線に対して電気的に接続される。つまり、第１９電極Ｅ１９は、第８電極Ｅ８、第１５電極Ｅ１５、第２１電極Ｅ２１、および第２４電極Ｅ２４に対して電気的に接続される。更に、第２０電極Ｅ２０は、セレクト線Ｌｓｌに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。なお、セレクト線Ｌｓｌは、書込処理を行うタイミングを制御する電位を第２０電極Ｅ２０に対して付与するものである。
【０１１１】
このトランジスタＱ６では、第２０電極Ｅ２０に印加される電位、より詳細には第１９電極Ｅ１９と第２０電極Ｅ２０との間（すなわちソースとゲートとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１８電極Ｅ１８と第１９電極Ｅ１９との間（以下「第１８−１９電極間」とも称する）において流れる電流の量が調整される。また、第２０電極（ゲート）Ｅ２０に印加される電位により、トランジスタＱ６は、第１８−１９電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【０１１２】
次に、変形例２に係る画素回路１Ｃの駆動について説明する。
【０１１３】
図１０は、画素回路１Ｃにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートであり、図１１は、画素回路１Ｃの動作フローを示すフローチャートである。図１０および図１１は、表示パネル１２１に含まれる１つの画素回路１Ｃを１回発光させる駆動に着目したものとなっており、複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図１０で示す駆動波形、および図１１で示す動作フローがフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図１０で示す駆動波形、および図１１で示す動作フローは、制御部１１１の制御下で実現される。
【０１１４】
図１０では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)マージ線Ｌｍに印加される電位（電位Ｖｍ）、(ｂ)プリチャージ線Ｌｐに印加される電位（電位Ｖｐ）、(ｃ)センス線Ｌｓｎに印加される電位（電位Ｖｓｎ）、(ｄ)データ線Ｌdataに印加される信号の電位（電位Ｖｄ）、（ｅ）セレクト線Ｌｓｌに印加される電位（電位Ｖｓｌ）の波形が示されている。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際には、発光の準備段階および実際に発光する段階に拘わらず、ＶＤＤ線Ｌｄには、所定の正の高電位Ｖｄｄ（例えば、１０Ｖ）が印加される。また、１回の発光に係る期間は、発光輝度を調整するための準備期間Ｐｐ（時刻Ｔ１〜Ｔ１２）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐｅ（〜時刻Ｔ１，時刻Ｔ１２〜）とを備えて構成される。
【０１１５】
以下、図１０を参照しつつ、図１１で示す画素回路１Ｃの動作フローについて説明する。
【０１１６】
まず、ステップＳＰ１では、電位Ｖｍが、所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻Ｔ１）。このとき、電位Ｖｐ、電位Ｖｓｎ、電位Ｖｓｌが所定の低電位Ｖｌに設定され、電位Ｖｄが０Ｖ（ＧＮＤ）に設定されている。つまり、トランジスタＱ２〜Ｑ７が非導通状態となっている。なお、発光が複数回目の場合には、ステップＳＰ１では、前回の発光が終了され、発光が１回目の場合には、単に準備期間Ｐｐが開始される。
【０１１７】
ステップＳＰ２では、電位Ｖｐが所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻Ｔ２）。ここでは、第１４電極Ｅ１４および第２３電極Ｅ２３に所定の高電位Ｖｈが付与されて、トランジスタＱ４，Ｑ７が導通状態となる。
【０１１８】
ステップＳＰ３では、電位Ｖｐが所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻Ｔ３）。このとき、トランジスタＱ４，Ｑ７が非導通状態に設定される。
【０１１９】
ここで、時刻Ｔ２〜Ｔ３では、トランジスタＱ４，Ｑ７が導通状態に維持されるため、コンデンサＣ１の第７電極Ｅ７に所定の高電位Ｖｄｄが付与されるとともに、第８電極Ｅ８が接地された状態となる。このため、コンデンサＣ１に、所定の高電位Ｖｄｄに応じた電荷が蓄積される。なお、このとき、コンデンサＣ２とコンデンサＣ１との間に蓄積された電荷が掃き出される。また、コンデンサＣ１における電荷の蓄積により、第３電極Ｅ３に正電位が付与され、トランジスタＱ１が導通状態に設定される。
【０１２０】
ステップＳＰ４では、電位Ｖｓｎが所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻Ｔ４）。このとき、第６，１７電極Ｅ６，Ｅ１７に所定の高電位Ｖｈがそれぞれ付与されて、トランジスタＱ２，Ｑ５が導通状態に設定される。
【０１２１】
ステップＳＰ５では、電位Ｖｓｎが所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻Ｔ５）。このとき、トランジスタＱ２，Ｑ５が非導通状態に設定される。
【０１２２】
ここで、時刻Ｔ４〜Ｔ５では、電位Ｖｓｎが所定の高電位Ｖｈに維持される。そして、時刻Ｔ４〜Ｔ５の初期の段階では、コンデンサＣ１に蓄積された電荷によってトランジスタＱ１が導通状態に設定されている。また、トランジスタＱ１の第２電極Ｅ２が接地された状態であるため、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が、トランジスタＱ２の第４電極Ｅ４から第５電極Ｅ５、トランジスタＱ１の第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２、および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを順次に介して移動する。この電荷の移動により、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が徐々に減少し、第３電極Ｅ３に付与される電位も徐々に低減される。そして、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８が接地されているため、最終的に、第７電極Ｅ７と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極との間の電位差が、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholとを合わせた電圧に到達すると、電荷の移動が停止する。このとき、第３，７電極Ｅ３，Ｅ７に、閾値Ｖthtrと閾値Ｖtholとを合わせた分に応じた電位が印加された状態となる。
【０１２３】
ステップＳＰ６では、電位Ｖｄが、画素データ信号に応じた電位＋Ｖdataに設定される（時刻Ｔ６〜Ｔ７）。このとき、画素データ信号に応じた電位＋Ｖdataの付与によって、コンデンサＣ２に画素データ信号に応じた電荷が蓄積される処理（書込処理）が開始される。
【０１２４】
ステップＳＰ７では、電位Ｖｓｌが所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻Ｔ８）。このとき、トランジスタＱ６の第２０電極Ｅ２０に所定の高電位Ｖｈが付与されて、トランジスタＱ６が導通状態に設定される。このとき、コンデンサＣ２の第２５電極Ｅ２５が接地されているため、第２４電極Ｅ２４と第２５電極Ｅ２５との間に画素データ信号に応じた電位差Ｖdataが生じる。
【０１２５】
ステップＳＰ８では、電位Ｖｓｌが、所定の低電位Ｖｌに設定される（時刻Ｔ９）。このとき、トランジスタＱ６が非導通状態に設定される。
【０１２６】
この時刻Ｔ４〜Ｔ５では、コンデンサＣ２に画素データ信号に応じた電位＋Ｖdataに応じた電荷が蓄積される。よって、コンデンサＣ２の第２４電極Ｅ２４には電位Ｖdataが印加された状態となる。このため、コンデンサＣ１の第８電極Ｅ８に電位Ｖdataが付与された状態となる。したがって、第３，７電極Ｅ３，Ｅ７に対して印加される電位が、トランジスタＱ１の閾値Ｖthtrと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値Ｖtholとを合わせた値に、電位Ｖdataが加えられたものとなる。このとき、トランジスタＱ１では、ゲート電圧がＶdata分上昇するため、トランジスタＱ１は、画素データ信号に応じた電位Ｖdataに応じた電流が第１−２電極間で流れ得る導通状態に設定される。つまり、本動作フローでは、Ｖth補償処理の後に、書込処理が行われる。
【０１２７】
ステップＳＰ９では、電位Ｖｄが、０Ｖ（ＧＮＤ）に設定される（時刻Ｔ１０〜Ｔ１１）。
【０１２８】
ステップＳＰ１０では、電位Ｖｍが、所定の高電位Ｖｈに設定される（時刻Ｔ１２）。このとき、トランジスタＱ３が導通状態となり、第９電極Ｅ９には所定の高電位Ｖｄｄが付与された状態にある。また、閾値Ｖthtrおよび閾値Ｖtholを加味した上で、画素データ信号に応じた電位Ｖdataが第３電極Ｅ３に印加された状態となっている。このため、トランジスタＱ１の第１−２電極間で、画素データ信号Ｖdataに応じた電流が流れるように設定される。つまり、画素データ信号Ｖdataに応じた電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが、画素データ信号Ｖdataに応じた発光輝度で発光する。
【０１２９】
このようなステップＳＰ１〜ＳＰ１０の処理により、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける１回の発光が実現され、ステップＳＰ１〜ＳＰ１０の処理が時間順次に繰り返されることで、複数回の発光が行われる。
【０１３０】
なお、上記では、表示パネル１２１に含まれる１つの画素回路１Ｃの駆動に着目して説明したが、ここで、表示パネル１２１に含まれる複数の画素回路１Ｃの駆動について説明する。
【０１３１】
表示パネル１２１には、多数の画素回路１Ｃによってそれぞれ構成される多数（ここではＮ本とする）の水平ラインが配列されている。そして、表示パネル１２１の上部から順に並ぶ水平ライン（例えば、１本目の水平ライン、２本目の水平ライン、３本目の水平ライン、・・・、Ｎ本目の水平ライン）について、時間的に少しずつずらしながら上記の画素回路１Ｃの駆動が行われることで、１フレームの画像が表示される。更に、１フレームの画像の表示が、時間的に連続して行われることで、複数フレームの画像が表示される。
【０１３２】
以上のように、変形例２の構成では、上記実施形態のように、表示パネル１２１に配列される全画素回路１Ａについて同時に発光させるような駆動を行うことなく、時間順次に、画素回路１Ｃを発光させることが可能である。このため、水平ラインの本数が多い大型の表示パネルに、画素回路１Ｃを適用しても、１フレームの画像を表示するために必要な期間が長くなるような不具合が生じ難い。
【０１３３】
また、変形例２の構成では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが接地されている電極を基準として、Ｖth補償処理および書込処理における電荷の調整が行われる。つまり、常に同じＧＮＤを基準の電位としている。このため、表示パネルの大型に伴う電位Ｖｄｄの増大に起因して、ＧＮＤが０Ｖから若干ずれても、画像信号に応じた発光輝度が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいて実現される。すなわち、画像表示においてムラが発生し難いため、画質の向上が更に図られる。
【０１３４】
＜その他の変形例＞
◎また、上記実施形態では、画像表示装置の一例として、携帯電話機を例示して説明したが、これに限られず、例えば、ノート型パソコンや家庭用の薄型テレビ装置などといったその他の画像表示装置を含む画像表示装置一般に本発明を適用しても、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
【０１３５】
◎また、上記実施形態では、有機ＥＬディスプレイを用いた画像表示装置を挙げて説明したが、本発明の適用対象はこれに限られず、例えば、無機材料によって構成されたＥＬ素子など、電流量によって発光輝度が調整されるタイプ（電流制御型）の発光素子が配列された画像表示装置一般に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。
【図２】画像表示装置の機能構成を示すブロック図である。
【図３】画素回路の回路構成を例示する図である。
【図４】有機ＥＬ素子を発光させる際の信号波形を示すタイミングチャートである。
【図５】画素回路の動作フローを示すフローチャートである。
【図６】変形例１に係る画素回路の回路構成を例示する図である。
【図７】変形例１に係る信号波形を示すタイミングチャートである。
【図８】変形例１に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。
【図９】変形例２に係る画素回路の回路構成を例示する図である。
【図１０】変形例２に係る信号波形を示すタイミングチャートである。
【図１１】変形例２に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３７】
１Ａ〜１Ｃ  画素回路
１００  画像表示装置
１１１  制御部
１２１  表示パネル
Ｃ１，Ｃ２  コンデンサ
Ｅ１〜Ｅ２５，Ｅｂ１〜Ｅｂ６，Ｅｂ９〜Ｅｂ１４  電極
Ｌｄ  電源線
Ｌdata  データ線
Ｌｍ  マージ線
Ｌｐ  プリチャージ線
Ｌｓｌ  セレクト線
Ｌｓｎ  センス線
Ｌｓｓ  センス・セレクト線
ＯＬＥＤ  有機ＥＬ素子
Ｑ１〜Ｑ７，Ｑｂ１〜Ｑｂ４  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005148951.tif 000007
【図７】
0005148951.tif 000008
【図８】
0005148951.tif 000009
【図９】
0005148951.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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