(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
基板を略水平方向に搬送しつつ基板に複数種類の処理を行うことが可能な基板処理列を複数有するとともに、
基板に行う処理の工程を基板処理列ごとに変更する制御部を備え、
前記複数の基板処理列は上下方向に並べて設けられており、
前記基板処理列は、それぞれ、基板を搬送する主搬送機構と、基板を処理する処理ユニットと、を備えており、
前記制御部は、一部の基板処理列について通常運転時における工程で基板に処理を行わせつつ、他の基板処理列について検査または検証のための試運転時における工程で基板に処理を行わせることができ、
前記装置は、さらに、基板の搬送経路を基板処理列ごとに設定するための情報を入力する入力部を備え、
前記制御部は、前記入力部に入力された情報に基づいて、各基板処理列の搬送経路を変更し、
前記入力部に入力される情報は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報であり、
前記制御部は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報に基づいて、特定された処理ユニットのみに基板を搬送する搬送経路を決定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、基板に行う処理の工程を各基板処理列間で同じにさせることができ、かつ、基板に行う処理の工程を基板処理列間で異ならせることができることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、一部の基板処理列について種類の異なる複数の処理を含む工程で基板に処理を行わせつつ、他の基板処理列について単一の処理のみからなる工程で基板に処理を行わせることを特徴とする基板処理装置。  
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
各基板処理列において行われる複数種類の処理は、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜材料塗布処理と、基板に現像液を供給する現像処理と、基板を加熱または冷却する熱処理とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、
全ての基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程とすることができ、
かつ、一部の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程としつつ、他の基板処理列における処理を、レジスト膜材料塗布処理、現像処理および熱処理のいずれか一つの処理のみとすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、
全ての基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程とすることができ、
かつ、一部の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程としつつ、他の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記熱処理を含み、レジスト膜を形成するための工程のみ、または、前記現像処理と前記熱処理を含み、基板を現像するための工程のみであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板に処理を行う基板処理装置において、
上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、
各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、
を有する処理ブロックを横方向に複数個並べて構成し、
隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して、各処理ブロックの同じ階層の処理ユニット間で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる処理部と、
各主搬送機構を制御して、各階層の処理ユニットに対する基板の搬送経路を階層ごとに変更する制御部と、
を備え、
前記制御部は、検査または検証のための試運転を行う処理ユニットがある階層では、当該試運転を行う処理ユニットのみに基板を搬送させ、
前記装置は、さらに、基板の搬送経路を各階層ごとに設定するための情報を入力する入力部を備え、
前記制御部は前記入力部に入力された情報に基づいて、各階層の搬送経路を変更し、
前記入力部に入力される情報は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報であり、
前記制御部は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報に基づいて、特定された処理ユニットのみに基板を搬送する搬送経路を決定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、各処理ブロックの同じ階層においてそれぞれ、一連の処理の全部又は一連の処理の一部を基板に行わせることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックは、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとを含み、
前記塗布処理ブロックは、前記処理ユニットとして基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットを備え、
前記現像処理ブロックは、前記処理ユニットとして基板に現像液を供給する現像処理ユニットを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記塗布処理ブロックの全ての階層において搬入された基板を前記塗布処理ユニットで処理させてから当該塗布処理ブロックの外部に払い出させることができ、
かつ、前記塗布処理ブロックの一部の階層では搬入された基板を前記塗布処理ユニットで処理させてから当該塗布処理ブロックの外部に払い出させつつ、前記塗布処理ブロックの他の階層では搬入された基板を前記塗布処理ユニットに搬送させずに当該塗布処理ブロックの外部に払い出させることができることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記現像処理ブロックの全ての階層において搬入された基板を前記現像処理ユニットで処理させてから当該現像処理ブロックの外部に払い出させることができ、
かつ、前記現像処理ブロックの一部の階層では搬入された基板を前記現像処理ユニットで処理させてから当該現像処理ブロックの外部に払い出させつつ、前記現像処理ブロックの他の階層では搬入された基板を前記現像処理ユニットに搬送させずに当該現像処理ブロックの外部に払い出させることができることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜形成処理を行う塗布処理ブロックや現像処理を行う現像処理ブロックなどが並べられて構成される処理部を備えている。各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。そして、各処理ブロックの主搬送機構はその処理ブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構との間で基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う。一連の処理としては、まずレジスト膜形成処理を行い、次に外部の露光機で露光して、その後に現像処理を行うことが例示される。各処理ブロックは基板に処理を行わせるための動作を並行して行い、また、同じ処理ブロックの複数の処理ユニットも並行して基板に処理を行う。これにより、一連の処理が複数の基板に対して並行して進められ、効率よく基板を処理することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、基板に行う処理の工程を基板ごとに変更して、２以上の異なる工程の処理を並行して進めることは困難である。工程が異なれば、基板の搬送経路も変わるため、少なくとも主搬送機構の動作は工程の種類ごとに変わり、基板を効率よく搬送することができない。
【０００４】
なお、上述した「２以上の異なる工程を並行して進める」とは、一部の基板に対してはレジスト膜形成処理と現像処理を行いつつ、他の基板に対してはレジスト膜形成処理のみを行う場合などが例示される。また、このように動作させたい場面としては、レジスト膜形成処理を行う一部の処理ユニットについて試運転を行いつつ、基板にレジスト膜形成処理および現像処理を含む一連の処理を行いたいケースなどが想定される。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に行う処理の工程を基板ごとに変更して、２以上の異なる工程の処理を並行して進めることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を略水平方向に搬送しつつ基板に複数種類の処理を行うことが可能な基板処理列を複数有するとともに、基板に行う処理の工程を基板処理列ごとに変更する制御部を備え、前記複数の基板処理列は上下方向に並べて設けられており、前記基板処理列は、それぞれ、基板を搬送する主搬送機構と、基板を処理する処理ユニットと、を備えており、前記制御部は、一部の基板処理列について通常運転時における工程で基板に処理を行わせつつ、他の基板処理列について検査または検証のための試運転時における工程で基板に処理を行わせることができ、前記装置は、さらに、基板の搬送経路を基板処理列ごとに設定するための情報を入力する入力部を備え、前記制御部は、前記入力部に入力された情報に基づいて、各基板処理列の搬送経路を変更し、前記入力部に入力される情報は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報であり、前記制御部は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報に基づいて、特定された処理ユニットのみに基板を搬送する搬送経路を決定することを特徴とする。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、複数の基板処理列と制御部を備えて、基板に行う処理の工程を基板処理列ごとに変更することで、基板に行う処理の工程を基板ごとに好適に変更することができる。よって、基板処理列の数に相当する複数の異なる工程の処理を並行して進めることができる。
【０００８】
また、複数の基板処理列が上下方向に重なるように配置されていることで、フットプリントが増大することを防止することができる。
また、通常運転時における工程で基板に処理を行わせる通常運転と、試運転時における工程で基板に処理を行わせる試運転とを基板処理列ごとに並行して行うことができる。これにより、試運転を行う場合であっても、本装置の稼働率が低下することを抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記制御部は、基板に行う処理の工程を各基板処理列間で同じにさせることができ、かつ、基板に行う処理の工程を基板処理列間で異ならせることができることが好ましい。基板に行う処理の工程を各基板処理列間で同じにさせることで、同じ工程で処理を行った基板を、全ての基板処理列において得ることができる。また、基板に行う処理の工程を基板処理列間で異ならせることで、工程が異なる処理を行った各種の基板を各基板処理列において得ることができる。
【００１０】
（削除）
【００１１】
本発明において、前記制御部は、一部の基板処理列について種類の異なる複数の処理を含む工程で基板に処理を行わせつつ、他の基板処理列について単一の処理のみからなる工程で基板に処理を行わせることが好ましい。基板処理列ごとに、種類の異なる複数の処理を含む工程で基板に処理を行わせつつ、単一の処理のみからなる工程で基板に処理を行わせることができる。
【００１２】
本発明において、各基板処理列において行われる複数種類の処理は、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜材料塗布処理と、基板に現像液を供給する現像処理と、基板を加熱または冷却する熱処理とを含むことが好ましい。各基板処理列において、基板にレジスト膜を形成することができ、かつ、基板を現像することができる。
【００１３】
本発明において、前記制御部は、全ての基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程とすることができ、かつ、一部の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程としつつ、他の基板処理列における処理を、レジスト膜材料塗布処理、現像処理および熱処理のいずれか一つの処理のみとすることが好ましい。全ての基板処理列においてレジスト膜形成処理および現像処理を基板に行わせることで、レジスト膜形成処理および現像処理を行った基板を、全ての基板処理列において得ることができる。また、一部の基板処理列においてレジスト膜形成処理および現像処理を基板に行わせつつ、他の基板処理列においてレジスト膜材料塗布処理、現像処理および熱処理のいずれか一つの処理のみを行わせることで、レジスト膜形成処理および現像処理を行った基板を得つつ、レジスト膜材料塗布処理、現像処理および熱処理のいずれか一の処理のみを行った基板を得ることができる。
【００１４】
本発明において、前記制御部は、全ての基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程とすることができ、かつ、一部の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記現像処理と前記熱処理を含み、基板にレジスト膜を形成し、かつ、基板を現像するための工程としつつ、他の基板処理列における処理を、前記レジスト膜材料塗布処理と前記熱処理を含み、レジスト膜を形成するための工程のみ、または、前記現像処理と前記熱処理を含み、基板を現像するための工程のみであることが好ましい。全ての基板処理列においてレジスト膜形成処理および現像処理を基板に行わせることで、レジスト膜形成処理および現像処理を行った基板を、全ての基板処理列において得ることができる。また、一部の基板処理列においてレジスト膜形成処理および現像処理を基板に行わせつつ、他の基板処理列においてレジスト膜形成処理および現像処理のいずれか一方のみを基板に行わせることで、レジスト膜形成処理および現像処理を行った基板を得つつ、レジスト膜形成処理および現像処理のいずれか一方のみを行った基板を得ることができる。
【００１５】
また、請求項７に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、を有する処理ブロックを横方向に複数個並べて構成し、隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して、各処理ブロックの同じ階層の処理ユニット間で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる処理部と、各主搬送機構を制御して、各階層の処理ユニットに対する基板の搬送経路を階層ごとに変更する制御部と、を備え、前記制御部は、検査または検証のための試運転を行う処理ユニットがある階層では、当該試運転を行う処理ユニットのみに基板を搬送させ、前記装置は、さらに、基板の搬送経路を各階層ごとに設定するための情報を入力する入力部を備え、前記制御部は前記入力部に入力された情報に基づいて、各階層の搬送経路を変更し、前記入力部に入力される情報は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報であり、前記制御部は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報に基づいて、特定された処理ユニットのみに基板を搬送する搬送経路を決定することを特徴とする。
【００１６】
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、複数の階層を有する処理部と制御部を備えて、基板に行う処理を一連の処理の全部と、一連の処理の一部とで階層ごとに変更することで、基板に行う処理を基板ごとに好適に変更することができる。よって、処理ブロックの階層の数に相当する複数の異なる処理を並行して進めることができる。
また、当該試運転を行う処理ユニットのみに基板を搬送させることで、当該処理ユニットが基板に行う処理の品質を好適に試験、検証、確認することができる。
また、入力部を備えることで、制御部は各階層の搬送経路を簡易に変更することができる。
また、試運転を行う処理ユニットを特定する情報が入力される入力部によれば、オペレータは好適に各階層の搬送経路を簡易に変更することができる。
【００１７】
本発明において、前記制御部は、各処理ブロックの同じ階層においてそれぞれ、一連の処理の全部又は一連の処理の一部を基板に行わせることが好ましい。各階層において一連の処理の全部を基板に行わせることで、一連の処理の全部を行った基板を、全ての階層において得ることができる。また、一部の階層において一連の処理の全部を基板に行わせつつ、他の階層において一連の処理の一部を基板に行わせることで、異なる処理を行った各種の基板を各階層において得ることができる。
【００１８】
（削除）
【００２２】
本発明において、前記処理ブロックは、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとを含み、前記塗布処理ブロックは、前記処理ユニットとして基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットを備え、前記現像処理ブロックは、前記処理ユニットとして基板に現像液を供給する現像処理ユニットを備えていることが好ましい。処理部の各階層において、基板に処理液を塗布する塗布処理と、基板に現像液を供給する現像処理とを行うことができる。
【００２３】
本発明において、前記制御部は、前記塗布処理ブロックの全ての階層において搬入された基板を前記塗布処理ユニットで処理させてから当該塗布処理ブロックの外部に払い出させることができ、かつ、前記塗布処理ブロックの一部の階層では搬入された基板を前記塗布処理ユニットで処理させてから当該塗布処理ブロックの外部に払い出させつつ、前記塗布処理ブロックの他の階層では搬入された基板を前記塗布処理ユニットに搬送させずに当該塗布処理ブロックの外部に払い出させることができることが好ましい。塗布処理ブロックの全ての階層において、塗布処理ユニットで基板に処理を行わせることができる。また、塗布処理ブロックの一部の階層において、塗布処理ユニットで基板に処理を行わせ、塗布処理ブロックの他の階層において、塗布処理ユニットで処理を行わないようにすることができる。
【００２４】
本発明において、前記制御部は、前記現像処理ブロックの全ての階層において搬入された基板を前記現像処理ユニットで処理させてから当該現像処理ブロックの外部に払い出させることができ、かつ、前記現像処理ブロックの一部の階層では搬入された基板を前記現像処理ユニットで処理させてから当該現像処理ブロックの外部に払い出させつつ、前記現像処理ブロックの他の階層では搬入された基板を前記現像処理ユニットに搬送させずに当該現像処理ブロックの外部に払い出させることができることが好ましい。現像処理ブロックの全ての階層において、基板に現像処理ユニットで処理を行わせることができる。また、現像処理ブロックの一部の階層において、基板に現像処理ユニットで処理を行わせ、現像処理ブロックの他の階層において、現像処理ユニットで基板に処理を行わないようにすることができる。
【００２５】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
【００２６】
（１）基板に処理を行う基板処理装置において、基板を略水平方向に搬送しつつ基板に一連の処理を行うことが可能な基板処理列を上下方向に複数設けるとともに、基板に対して行わせる処理を、基板処理列ごとに前記一連の処理の全部とすることができ、かつ、前記一連の処理の一部のみとすることができる制御部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００２７】
前記（１）に記載の基板処理装置によれば、複数の基板処理列と制御部を備えて、基板に行う処理を一連の処理の全部と、一連の処理の一部とで基板処理列ごとに変更することで、基板に行う処理を基板ごとに好適に変更することができる。よって、基板処理列の数に相当する複数の異なる処理を並行して進めることができる。
【００２８】
（２）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記制御部は、各基板処理列において前記一連の処理の全部を基板に行わせることができ、かつ、一部の基板処理列において前記一連の処理の全部を基板に行わせつつ、他の基板処理列において前記一連の処理の一部を基板に行わせることができることを特徴とする基板処理装置。
【００２９】
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、各基板処理列において一連の処理の全部を基板に行わせることで、一連の処理の全部を行った基板を、全ての基板処理列において得ることができる。また、一部の基板処理列において一連の処理の全部を基板に行わせつつ、他の基板処理列において一連の処理の一部を基板に行わせることで、異なる処理を行った各種の基板を各基板処理列において得ることができる。
【００３０】
（３）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記一連の処理の全部を基板に行う通常運転を、一部の基板処理列で行わせつつ、前記一連の処理の一部を基板に行う試運転を、他の基板処理列に行わせて、当該他の基板処理列を復旧させることを特徴とする基板処理装置。
【００３１】
前記（３）に記載の基板処理装置によれば、通常運転時における処理を基板に行わせる通常運転と、試運転時における処理を基板に行わせる試運転とを基板処理列ごとに並行して行うことができる。これにより、試運転を行う場合であっても、本装置の稼働率が低下することを抑制することができる。
【００３２】
（４）前記（１）から前記（３）のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列において行われる一連の処理は、基板にレジスト膜を形成するための処理と基板を現像するための処理を含み、前記制御部は、全ての基板処理列において基板にレジスト膜を形成するための処理と基板を現像するための処理を基板に行わせることができ、かつ、一部の基板処理列において基板にレジスト膜を形成するための処理と基板を現像するための処理を基板に行わせつつ、他の基板処理列において基板にレジスト膜を形成するための処理、および、基板を現像するための処理のいずれか一方のみを基板に行わせることができることを特徴とする基板処理装置。
【００３３】
前記（４）に記載の基板処理装置によれば、全ての基板処理列においてレジスト膜を形成するための処理と基板を現像するための処理を基板に行わせることで、レジスト膜が形成され、かつ、現像された基板を、全ての基板処理列において得ることができる。また、一部の基板処理列においてレジスト膜を形成するための処理と基板を現像するための処理を基板に行わせつつ、他の基板処理列においてレジスト膜を形成するための処理、および、基板を現像するための処理のいずれか一方のみを基板に行わせることで、レジスト膜が形成され、かつ、現像された基板を得つつ、レジスト膜が形成された基板、または、現像された基板を得ることができる。
【００３４】
（５）上述した基板処理装置において、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【００３５】
前記（５）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックにおいて基板にレジスト膜を形成することができる。
【００３６】
（６）上述した基板処理装置において、前記塗布処理ブロックは、前記処理ユニットとしてさらに、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備え、前記現像処理ブロックは、前記処理ユニットとしてさらに、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００３７】
前記（６）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックにおいて基板にレジスト膜を好適に形成することができる。また、現像処理ブロックにおいて基板を好適に現像することができる。
【００３８】
（７）上述した基板処理装置において、前記塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックは隣接していることを特徴とする基板処理装置。
【００３９】
前記（７）に記載の基板処理装置によれば、処理部の各階層では、基板に処理液を塗布する処理と、基板に現像液を供給する処理とを含む一連の処理を好適に行うことができる。
【００４０】
（８）前記（７）に記載の基板処理装置において、前記塗布処理ブロックに隣接して設けられ、複数枚の基板を収納するカセットに対して基板を搬送するとともに、前記塗布処理ブロックの各主搬送機構と基板の受け渡しを行うインデクサ部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００４１】
前記（８）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックに現像処理ブロックとインデクサ部とを隣接させているので、塗布処理ユニットで処理した基板を、塗布処理ブロックから現像処理ブロックへ搬送させることで、基板に処理液を塗布する処理と、基板に現像液を供給する処理とを含む一連の処理を好適に行うことができる。また、塗布処理ユニットで処理した基板を、塗布処理ブロックからインデクサ部へ基板を搬送させることで、基板に処理液を塗布する処理のみを行い、現像液を供給する処理を行わないようにすることも好適にできる。
【００４２】
（９）前記（７）または前記（８）に記載の基板処理装置において、前記現像処理ブロックに隣接して設けられ、本装置とは別体の露光機に対して基板を搬送するとともに、前記現像処理ブロックの各主搬送機構と基板の受け渡しを行うインターフェイス部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００４３】
前記（９）に記載の基板処理装置によれば、現像処理ブロックにインターフェイス部を隣接させているので、現像処理ブロックからインターフェイス部を経由して露光機へ基板を搬送させて、露光機で露光された基板を現像処理ユニットで現像させることができる。また、現像処理ブロックから露光機へ基板を搬送させることなく、当該現像処理ブロックの現像処理ユニットで露光されていない基板を現像させることもできる。
【発明の効果】
【００４４】
この発明に係る基板処理装置によれば、複数の基板処理列と制御部を備えて、基板に行う処理の工程を基板処理列ごとに変更することで、基板に行う処理の工程を基板ごとに好適に変更することができる。よって、基板処理列の数に相当する複数の異なる工程の処理を並行して進めることができる。
また、複数の基板処理列が上下方向に重なるように配置されていることで、フットプリントが増大することを防止することができる。
また、通常運転時における工程で基板に処理を行わせる通常運転と、試運転時における工程で基板に処理を行わせる試運転とを基板処理列ごとに並行して行うことができる。これにより、試運転を行う場合であっても、本装置の稼働率が低下することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
まず、本実施例の概要を説明する。図１、図２は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。図１は、全ての基板処理列において同じ工程で基板に処理を行う例を示しており、図２は、各基板処理列において互いに異なる工程で基板に処理を行う例を示している。
【００４６】
実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置１０である。以下では、基板処理装置１０を装置１０と適宜に略記する。本装置１０は、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに複数種類の処理を行うことが可能な２つの基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを備えている。基板処理列Ｌｕ、Ｌｄは上下方向に設けられている。基板処理列Ｌｕ、Ｌｄは処理部３を構成する。以下では、基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを特に区別しない場合には、単に基板処理列Ｌと記載する。本装置１０には、後述するインターフェイス部を介して、本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰが隣接されている。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。
【００４７】
各基板処理列Ｌにおいて行われる処理としては、大きく塗布処理、熱処理、エッジ露光、および、現像処理に分けられる。塗布処理は、反射防止膜材料塗布処理とレジスト膜材料塗布処理がある。熱処理は、冷却処理、加熱処理、加熱／冷却処理、および、ＰＥＢ（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理がある。なお、ＰＥＢ処理は露光後加熱処理とも言われる処理であるが、本明細書では「ＰＥＢ処理」と記載する。
【００４８】
そして、図１に示すように、基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄで同じとすることができる。基板処理列Ｌｕの工程は、処理の種類を順番に並べると、冷却処理Ｔ１ｕ、反射防止膜材料塗布処理Ｔ２ｕ、加熱／冷却処理Ｔ３ｕ、冷却処理Ｔ４ｕ、レジスト膜材料塗布処理Ｔ５ｕ、加熱／冷却処理Ｔ６ｕ、冷却処理Ｔ７ｕ、エッジ露光Ｔ８ｕ、ＰＥＢ処理Ｔ１０ｕ、冷却処理Ｔ１１ｕ、現像処理Ｔ１２ｕ、加熱処理Ｔ１３ｕ、冷却処理Ｔ１４ｕである。なお、エッジ露光Ｔ８ｕ後であってＰＥＢ処理Ｔ１０ｕの前には露光Ｔ９を行う。基板処理列Ｌｄは、基板処理列Ｌｕの工程と同じである。
【００４９】
上記に例示した工程は、本装置１０本来の処理を行う一工程であるので、以下では、「通常運転時における工程」という。図１、２では、通常運転時における工程で処理が行われた基板Ｗに、符号「Ｗａ」を付している。
【００５０】
また、基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で異ならせることができる。例えば、基板処理列Ｌｕでは、通常運転時における工程で基板Ｗに処理を行わせつつ、基板処理列Ｌｄでは、基板Ｗにレジスト膜材料塗布処理を行うのみとする。すなわち、基板処理列Ｌｄの工程は、レジスト膜材料塗布処理を行うのみの工程である。図２では、基板処理列Ｌｄの工程で処理が行われた基板Ｗに、符号「Ｗｂ」を付している。
【００５１】
このように、本装置１０によれば、２つの基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを備えているので、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいて同じ工程で基板Ｗに並行して処理を行うこと、および、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいて互いに異なる工程で基板Ｗに並行して処理を行うことを好適に実現できる。よって、基板Ｗに行う処理の工程を基板処理列Ｌｕ、Ｌｄごとに変更することで、基板Ｗに行う処理の工程を基板Ｗごとに好適に変更することができる。よって、基板処理列Ｌの数に相当する２つの異なる工程の処理を並行して進めることができる。
【００５２】
図１８に示すような、単一の基板処理列Ｌｓで通常運転時の工程とレジスト膜材料塗布処理を１回行うのみの工程を並行して行う場合と比べると、本装置１０の方が基板Ｗの搬送効率が高く、基板Ｗの搬送制御が簡略、容易であることが明らかである。図１８は、従来例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。図示するように、従来の基板処理装置２００が有する単一の基板処理列Ｌｓで、通常運転時の工程（実線）とレジスト膜材料塗布処理を１回行うのみの工程（点線）を並行して行う場合、基板Ｗの搬送経路は２経路（それぞれ実線と点線で示される経路）になる。この２経路に基板Ｗを交互に搬送させると、搬送経路が単一の場合に比べて基板Ｗの搬送効率は全体として低下し、基板Ｗを搬送させる制御も非常に複雑になる。
【００５３】
以下では、本実施例をより詳細に説明する。図３は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図４と図５は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図６ないし図９は、図３におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【００５４】
本装置１０は、上述した処理部３のほか、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備えている。処理部３の一側方にはＩＤ部１が隣接して設けられ、処理部３の他の側方にはＩＦ部５が隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置１０とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。ＩＤ部１は外部から装置１０に搬送される基板Ｗを処理部３へ渡す。ＩＦ部５は処理部３と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。以下、ＩＤ部１、処理部３、ＩＦ部５などについてそれぞれ説明する。
【００５５】
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
【００５６】
［処理部３］
処理部３の各基板処理列Ｌは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ略水平方向に基板Ｗを搬送可能に構成されている。各基板処理列Ｌは、基板Ｗを搬送する主搬送機構Ｔをそれぞれ備えている。本実施例では、各基板処理列Ｌはそれぞれ複数（各２基、計４基）の主搬送機構Ｔを有する。各基板処理列Ｌの複数の主搬送機構Ｔは基板Ｗが搬送される方向に並べられ、搬送方向に隣接する主搬送機構Ｔ同士で基板Ｗを受け渡し可能である。各主搬送機構Ｔは、後述する各種処理ユニットに対して基板Ｗを搬送しつつ、隣接する他の主搬送機構Ｔに基板Ｗの受け渡しを行う。
【００５７】
具体的には、基板処理列Ｌｕには、主搬送機構Ｔ１と主搬送機構Ｔ２が１列に並べられている。主搬送機構Ｔ１はＩＤ部１側に配置され、主搬送機構Ｔ２はＩＦ部５側に配置されている。同様に、基板処理列Ｌｄには、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４が１列に並べられており、主搬送機構Ｔ３はＩＤ部１側に配置され、主搬送機構Ｔ４はＩＦ部５側に配置されている。  
【００５８】
本実施例では、上述の基板処理列Ｌを有する処理部３は、複数（２台）の処理ブロックＢａ、Ｂｂを横方向（搬送方向と略同じ）に並べて構成されている。ＩＤ部１には処理ブロックＢａが隣接しており、ＩＦ部５には処理ブロックＢｂが隣接している。各処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数（２つ）の階層Ｋに分けられている。処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１には上述の主搬送機構Ｔ１が設けられ、下側の階層Ｋ３には主搬送機構Ｔ３が設けられている。同様に、処理ブロックＢｂの上側の階層Ｋ２には主搬送機構Ｔ２が設けられており、下側の階層Ｋ４には主搬送機構Ｔ４が設けられている。
【００５９】
隣接する処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋ１、Ｋ２の主搬送機構Ｔ１、Ｔ２同士は基板Ｗを受け渡し可能であり、階層Ｋ１、Ｋ２が基板処理列Ｌｕを構成する。同様に、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４同士は基板Ｗを受け渡し可能であり、階層Ｋ３、Ｋ４が基板処理列Ｌｄを構成する。
【００６０】
［処理部３〜処理ブロックＢａ］
ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ１には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ３には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ３との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との間を移動することができる。
【００６１】
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間にも、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が設けられている。載置部ＰＡＳＳ２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４は載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗを受け渡す。
【００６２】
各載置部ＰＡＳＳ１は複数（２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ１Ａには、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗが載置され、他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂには主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ渡す基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４および後述する載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６も複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。また、載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ１Ｂには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤおよび主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ６にも付設されている。
【００６３】
階層Ｋ１について説明する。主搬送機構Ｔ１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ１を移動可能に設けられている。階層Ｋ１には、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１が設けられている。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。
【００６４】
塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。
【００６５】
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜用材料を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。本明細書では、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで行われる処理を適宜に反射防止膜材料塗布処理と記載し、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴで行われる処理を適宜にレジスト膜材料塗布処理と記載する。
【００６６】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。
【００６７】
図１０を参照する。図１０（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。
【００６８】
供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
【００６９】
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
【００７０】
熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却処理する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。なお、本明細書では、加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる処理を適宜に加熱／冷却処理と記載する。
【００７１】
主搬送機構Ｔ１を具体的に説明する。図１１を参照する。図１１は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。
【００７２】
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
【００７３】
階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３および処理ユニットの平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ３から見た階層Ｋ３の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ１から見た階層Ｋ１の各種処理ユニットの配置と略同じである。階層Ｋ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ階層Ｋ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。したがって、処理ブロックＢａは、この発明における塗布処理ブロックに相当する。
【００７４】
以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
【００７５】
処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。
【００７６】
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
【００７７】
階層Ｋ１、Ｋ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
【００７８】
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
【００７９】
また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。
【００８０】
［処理部３〜処理ブロックＢｂ］
階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
【００８１】
階層Ｋ２には、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷが設けられている。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。なお、本明細書では、現像処理ユニットＤＥＶで行われる処理を適宜に現像処理と記載し、エッジ露光ユニットＥＥＷで行われる処理を適宜にエッジ露光と記載する。
【００８２】
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。
【００８３】
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱処理する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却処理する冷却ユニットＣＰと、加熱／冷却処理を行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。
【００８４】
加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に配置される加熱冷却ユニットＰＨＰでは露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。したがって、階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。同様に階層Ｋ４に加熱冷却ユニットＰＨＰで行われる加熱／冷却処理を、特にＰＥＢ処理と記載する。また、処理ブロックＢｂは、この発明における現像処理ブロックに相当する。
【００８５】
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
【００８６】
さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ５が積層されている。主搬送機構Ｔ２と後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、載置部ＰＡＳＳ５を介して基板Ｗを受け渡す。
【００８７】
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
【００８８】
階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
【００８９】
以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。
【００９０】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は処理部３の各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ（階層Ｋ２、Ｋ４）と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。第１搬送機構ＴＩＦＡは、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄに対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例では第１搬送機構ＴＩＦＡは、階層Ｋ３、Ｋ４の載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と、各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
【００９１】
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、基板処理列Ｌの搬送方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは階層Ｋ２、Ｋ４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
【００９２】
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【００９３】
次に本装置１０の制御系について説明する。本装置１０はさらに、制御部９０と入力部１０１を備えている。図１１は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【００９４】
入力部１０１は、基板の搬送経路を各階層ごとに設定するための情報を入力可能である。この入力部１０１に入力された情報は、メインコントローラ９１に出力される。入力される情報は、たとえば、各階層において基板を搬送する処理ユニットの種類とその順番である。あるいは、入力される情報は、試運転を行う処理ユニットを特定する情報である。入力部１０１は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。
【００９５】
制御部９０は、図１２に示するように、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。また、入力部１０１に入力された情報に基づいて、第１から第７コントローラ９３〜９９を介して各主搬送機構Ｔを制御して各階層Ｋの搬送経路を変更する。
【００９６】
たとえば、メインコントローラ９１は、搬送する処理ユニットの種類とその順番に関する情報に基づいて、各基板Ｗを搬送させる処理ユニットとその順番を決定し、さらに、それらを結ぶ搬送経路を決定する。あるいは、試運転を行う処理ユニットを特定する情報に基づいて、特定された処理ユニットのみに搬送する搬送経路を決定する。
【００９７】
第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１と冷却ユニットＣＰ１と加熱冷却ユニットＰＨＰ１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１搬送機構ＴＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、第２搬送機構ＴＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。
【００９８】
メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００９９】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について、基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄで同じとする場合と、基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で異ならせる場合とに分けて説明する。なお、各動作例において基板Ｗの搬送経路は、オペレータによって予め入力部１０１に入力された情報に基づく。
【０１００】
［動作例１〜基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄで同じとする場合］
図１３は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗの搬送経路、すなわち、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットや載置部などを示すものである。図１３に示すフローチャートは、図１に示した工程と対応している。便宜上、図１３のフローチャートにおいて、図１に示した処理を行う処理ユニットに、図１で当該処理に付した符号を括弧書きで記載する。また、図１４は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。
【０１０１】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図１３におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【０１０２】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。
【０１０３】
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
【０１０４】
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ１には既に冷却処理が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１に移動する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗに対して冷却処理を開始する（ステップＳ２、図１における冷却処理Ｔ１ｕに対応。以下、処理の符号のみ付記する。）。この熱処理（冷却）は、当該冷却処理ユニットＣＰ１に主搬送機構Ｔ１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。
【０１０５】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して反射防止膜材料塗布処理を開始する（ステップＳ３ａ−反射防止膜材料塗布処理Ｔ２ｕ）。
【０１０６】
具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。
【０１０７】
主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４ａ−加熱／冷却処理Ｔ３ｕ）。
【０１０８】
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１に移動すると、冷却ユニットＣＰ１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５ａ−冷却処理Ｔ４ｕ）。
【０１０９】
続いて、主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ６ａ−レジスト膜材料塗布処理Ｔ５ｕ）。
【０１１０】
主搬送機構Ｔ１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ７ａ−加熱／冷却処理Ｔ６ｕ、ステップＳ８ａ−冷却処理Ｔ７ｕ）。
【０１１１】
主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置し（ステップＳ９ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１ａ）。
【０１１２】
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗは全て、階層Ｋ１において各種処理ユニット間を上述した搬送経路で搬送され、搬送された各処理ユニットで所定の処理が順次行われる。
【０１１３】
また、主搬送機構Ｔ１は、載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを次の処理ユニット（本実施例で反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１）に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ２に載置して、階層Ｋ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。
【０１１４】
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９ａ）。
【０１１５】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０ａ−エッジ露光Ｔ８ｕ）。
【０１１６】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ１１ａ）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６ａ）。
【０１１７】
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７ａ−冷却処理Ｔ１１ｕ）。
【０１１８】
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８ａ−現像処理Ｔ１２ｕ）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
【０１１９】
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ２において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９ａ−加熱処理Ｔ１３ｕ、ステップＳ２０ａ−冷却処理Ｔ１４ｕ）。
【０１２０】
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂに払い出される。
【０１２１】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
【０１２２】
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでにＰＥＢ処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５ａ−ＰＥＢ処理Ｔ１０ｕ）。
【０１２３】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１６ａ）。続いて、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４におけるＰＥＢ処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する（ステップＳ１５ｂ−ＰＥＢ処理Ｔ１０ｄ）。
【０１２４】
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。
【０１２５】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。露光機ＥＸＰでは基板Ｗを露光する（ステップＳ１３−露光Ｔ９）。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。
【０１２６】
その後、第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２７】
［動作例２〜基板Ｗに行う処理の工程を各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で異ならせる場合］
次に動作例２を説明する。図１５は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗの搬送経路、すなわち、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。図１５に示すフローチャートは、図２に示した工程と対応している。便宜上、図１５のフローチャートにおいて、図２に示した処理を行う処理ユニットに、図２で当該処理に付した符号を括弧書きで記載する。また、図１６は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。ただし、動作例１と同様な動作をする搬送機構等には、適宜に簡略に説明する。
【０１２８】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、動作例１で説明したＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作と同様である。このため、説明省略する。
【０１２９】
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ１の動作は、動作例１で説明した主搬送機構Ｔ１の動作と同様である。よって、主搬送機構Ｔ１の動作の説明は省略し、主搬送機構Ｔ３について説明する。
【０１３０】
主搬送機構Ｔ３は載置部ＰＡＳＳ３に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ３は直前に載置部ＰＡＳＳ４Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ３は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２ｂ）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ３Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップ１ｂ）。
【０１３１】
主搬送機構Ｔ３はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３にアクセスする。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３に搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ６ｂ−レジスト膜材料塗布処理Ｔ２１ｄ）。
【０１３２】
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ３にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第４コントローラ９６によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ３に搬送された基板Ｗは全て、階層Ｋ２においてレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３にのみに搬送する搬送経路で搬送される。そして、搬送されたレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３でレジスト膜材料塗布処理のみが行われる。
【０１３３】
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ２の動作は、動作例１で説明した主搬送機構Ｔ２の動作と同様である。よって、主搬送機構Ｔ２の動作の説明は省略する。主搬送機構Ｔ４は、基板Ｗを搬送する動作を一切行わない。たとえば、第５コントローラ９７は、主搬送機構Ｔ４を停止させた状態にさせる。
【０１３４】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
【０１３５】
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５−ＰＥＢ処理Ｔ１０ｕ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１６ａ）。
【０１３６】
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１３７】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢの動作は、動作例１で説明した第２搬送機構ＴＩＦＢの動作と同様である。よって、第２搬送機構ＴＩＦＢの動作の説明は省略する。
【０１３８】
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、２つ基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいてそれぞれ基板Ｗに行う処理の工程を別個独立に変更する制御部９０を備えているので、基板Ｗに行う処理の工程を基板Ｗごとに好適に変更することができる。
【０１３９】
そして、動作例１で例示したように、基板Ｗに行う処理の工程を基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で同じにさせることで、同じ工程で処理を行った基板Ｗを、全ての基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいて得ることができる。
【０１４０】
動作例１では、全ての基板処理列Ｌにおいて、本装置１０本来の処理を行う一工程である、通常運転時における工程で、基板Ｗを処理させることができる。通常運転時における工程は、具体的には、レジスト膜材料塗布処理とこれに関連して行う熱処理を含み、基板Ｗにレジスト膜を形成するための工程と、現像処理とこれに関連して行う熱処理を含み、基板Ｗを現像するための工程とを含む。したがって、レジスト膜形成処理および現像処理を行った基板を、全ての基板処理列において得ることができる。
【０１４１】
また、動作例２で例示したように、基板Ｗに行う処理の工程を基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で異ならせることで、工程が異なる処理を行った各種の基板Ｗを各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいてそれぞれ得ることができる。
【０１４２】
動作例２では、基板処理列Ｌｕにおいて、通常運転時における工程で基板Ｗを処理させつつ、基板処理列Ｌｄにおいて単一の処理のみからなる工程で基板Ｗに処理を行わせる。単一の処理はレジスト膜材料塗布処理であり、基板処理列Ｌｄにおいてレジスト膜材料塗布処理のみが行われた基板Ｗを得ることができる。よって、基板処理列Ｌの数に相当する複数の異なる工程の処理を並行して進めることができる。
【０１４３】
このため、基板処理列Ｌｄにおけるレジスト膜材料塗布処理のみを検査、検証したり、１又は２以上のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ３を試運転するなど、基板処理列Ｌｄにおいて試運転時における工程で基板Ｗを処理する際にも、基板処理列Ｌｕは通常運転時における工程で基板Ｗに処理を行うことができる。よって、本装置１０の稼働率が低下することを抑制することができる。
【０１４４】
また、処理部３は処理ブロックＢａ、Ｂｂを並べて構成され、上述する基板処理列Ｌｕは各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋ１−Ｋ２で構成されるとともに、基板処理列Ｌｄも各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋ３−Ｋ４で構成されている。そして、各階層Ｋ１−Ｋ４の主搬送機構Ｔ１−Ｔ４をそれぞれ別個独立に制御する制御部９０が、各階層Ｋ１−Ｋ４における基板Ｗの搬送経路を変更することで、基板に行う処理を階層ごとに変更することができる。すなわち、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋ１−Ｋ２、Ｋ３−Ｋ４のそれぞれにおいて、一連の処理の全部又は一連の処理の一部を、基板Ｗに行わせることができる。よって、上述する２つ基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおいてそれぞれ基板Ｗに行う処理の工程を変更することを好適に実現することができる。
【０１４５】
また、入力部１０１を備え、制御部９０がこの入力部１０１に入力された情報に基づいて制御することで、入力部１０１を操作するオペレータが搬送経路の変更を好適に指示することができる。
【０１４６】
また、入力部１０１に入力される情報は、各階層において基板に行う処理の種類とその順番に関する情報や、試運転を行う処理ユニットを特定する情報であるので、制御部９０は好適に搬送経路を決定することができる。
【０１４７】
また、処理ブロックＢａの両側方に処理ブロックＢｂとＩＤ部１とを隣接させているので、塗布処理ユニット３１で処理した基板を、処理ブロックＢａから処理ブロックＢｂへ搬送させることで、基板Ｗに処理液を塗布する処理と、基板に現像液を供給する処理とを含む一連の処理を好適に行うことができる。また、塗布処理ユニット３１で処理した基板Ｗを、処理ブロックＢａからＩＤ部１へ基板Ｗを搬送させることで、基板Ｗに処理液を塗布する処理のみを行い、現像液を供給する処理を行わないようにすることも好適にできる。
【０１４８】
また、処理ブロックＢｂにＩＦ部５を隣接させているので、処理ブロックＢｂからＩＦ部５を経由して露光機ＥＸＰへ基板Ｗを搬送させて、露光機ＥＸＰで露光された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶで現像させることができる。また、処理ブロックＢｂから露光機ＥＸＰへ基板Ｗを搬送させることなく、処理ブロックＢｂの現像処理ユニットＤＥＶで露光されていない基板Ｗを現像させることもできる。
【０１４９】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１５０】
（１）上述した実施例では、動作例１、２を説明したが、これに限られない。たとえば、基板処理列Ｌｕにおける処理の工程は、単一の処理のみであってもよいし、２種以上の処理を含む工程であってもよい。また、２種以上の処理を含む工程の場合では、各種の処理の順番を適宜に変更してもよい。同様に、基板処理列Ｌｄにおける処理の工程も、処理数およびその順番を適宜に変更してもよい。
【０１５１】
図１７を参照する。変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。図示する変形例では、基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で、基板Ｗに行う処理の工程は異なる。基板処理列Ｌｕの工程は、上述した動作例１の基板処理列Ｌｕの工程と略同じである。基板処理列Ｌｄの工程は、最初の３つの処理（冷却処理Ｔ１ｕ、反射防止膜材料塗布処理Ｔ２ｕおよび加熱／冷却処理Ｔ３ｕ）を行わない点で、基板処理列Ｌｕと異なる。最初の３つの処理は、反射防止膜用材料塗布処理とこれに関連した熱処理であり、基板Ｗに反射防止膜を形成するための工程と言える。このような工程を基板処理列Ｌｄでは行わないようにしてもよい。そして、基板処理列Ｌｕにおいて所定の工程で処理を行った基板Ｗを、基板処理列Ｌｄにおける工程で処理させることもできる。この場合には、基板Ｗ上の同じ酸化膜に２回以上、パターンを形成する二度露光を好適に行うこともできる。
【０１５２】
（２）上述した実施例では、通常運転時における工程として、図１、図２に示すように、冷却処理Ｔ１ｕ、反射防止膜材料塗布処理Ｔ２ｕ、……、加熱処理Ｔ１３ｕ、冷却処理Ｔ１４ｕなる手順を例示したが、これに限られることなく、適宜に変更することができる。通常運転時における工程は、通常時、基板Ｗに行う処理であればよく、その工程の数も単一であっても複数であってもよい。
【０１５３】
（３）上述した実施例では、検査、検証する処理は、単一の処理（例えば、動作例２で説明したレジスト膜材料塗布処理）に限られない。複数の処理を検査、検証の目的としてもよい。たとえば、レジスト膜材料塗布処理とこれに関連する熱処理を含み、基板Ｗにレジスト膜を形成するための処理としてもよい。あるは、現像処理とこれに関連する熱処理を含み、基板Ｗを現像するための処理としてもよい。
【０１５４】
（４）上述した実施例では、動作例２で基板処理列Ｌｄのみ試運転時の工程であったが、基板処理列Ｌｕ、Ｌｄの双方において試運転時の工程で基板Ｗに処理を行ってもよい。
【０１５５】
（５）上述した実施例では、別体の露光機ＥＸＰが本装置１０に隣接している場合で説明したが、これに限られない。本装置１０は露光機ＥＸＰと隣接しない場合でもよい。
【０１５６】
（６）上述した実施例では、基板処理列Ｌを２つ備える構成であったが、これに限られない。３以上の基板処理列Ｌを構成して上下方向に多段に設けるように変更してもよい。この場合、制御部９０は、各基板処理列Ｌにおける工程が一律に同じとなるように制御でき、かつ、少なくとも２つの基板処理列Ｌ間で工程が異なるように制御できれば足りる。
【０１５７】
（７）上述した実施例では、基板処理列Ｌは上下方向に並べて設けられていたが、これに限られない。たとえば、横方向または水平方向に並べて設けられている複数の基板処理列を備えるように変更してもよい。あるいは、複数の基板処理列を横方向および上下方向にそれぞれ並ぶように配置してもよい。
【０１５８】
（８）上述した実施例では、処理部３を複数の処理ブロックＢａ、Ｂｂを並べて構成したが、これに限られない。たとえば、処理部３を１つの上下方向に分けられた階層を有する単一の処理ブロックで構成してもよい。基板処理列Ｌｕを構成する単一の処理ブロックと、基板処理列Ｌｄを構成する単一の処理ブロックと上下に積層してもよい。
【０１５９】
（９）上述した実施例では、基板処理列Ｌは基板Ｗにレジスト膜や反射防止膜を形成する処理や、露光後加熱（ＰＥＢ）処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。基板処理列Ｌにおいて洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行うように変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。また、ＩＦ部５を省略して基板処理装置を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図３】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図４】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図５】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図６】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図７】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図８】図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。
【図９】図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【図１０】（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。
【図１１】主搬送機構の斜視図である。
【図１２】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１３】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１４】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１５】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１６】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１７】変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図１８】従来例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１６１】
１  …インデクサ部（ＩＤ部）
３  …処理部
５  …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１  …塗布処理ユニット
４１、４２  …熱処理ユニット
６１  …第１吹出ユニット
６１ａ  …第１吹出口
６２  …排出ユニット
６２ａ  …排出口
６５  …第２気体供給管
６６  …第２気体排出管
９０  …制御部
９１  …メインコントローラ
９３〜９９  …第１ないし第７コントローラ
１０１  …入力部
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４  …階層
Ｌ、Ｌｕ、Ｌｄ  …基板処理列
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ  …処理ブロック
ＢＡＲＣ  …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ  …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ  …現像処理ユニット
ＥＥＷ  …エッジ露光ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４  …主搬送機構
ＴＩＦ  …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ  …載置部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  …搬送スペース
ＥＸＰ  …露光機
Ｃ  …カセット
Ｗ  …基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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