(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極間に配置される単層又は多層の有機薄膜層と、を備え、前記有機薄膜層のうち少なくとも一層に発光層を有する有機電界発光素子であって、
前記発光層には、下記一般式（２）で表される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとのランダム共重合高分子である電荷輸送性の高分子ホスト材料と、白金またはイリジウム原子と芳香族炭化水素を含む配位子とからなる燐光発光性の金属錯体であるゲスト材料と、が少なくとも含有されていることを特徴とする有機電界発光素子。
【化２】
0005242976.tif 000022
一般式（２）中、ｌ２およびｍ２はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ２は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【請求項２】
前記高分子ホスト材料が、下記一般式（２）−（ａ）で表される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールと、Ｎ位置換カルバゾールと、のランダム共重合高分子であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
0005242976.tif 000023
一般式（２）−（ａ）中、ｌ３およびｍ３はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ３は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびＲ６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【請求項３】
前記一般式（２）または前記一般式（２）−（ａ）で表される前記高分子ホスト材料中の、ｌ２：ｍ２またはｌ３：ｍ３の比率が、９０：１０〜１０：９０の範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記一般式（２）または前記一般式（２）−（ａ）で表される高分子ホスト材料の、電場強度１×１０５（Ｖ／ｃｍ）における正孔ドリフト移動度が１×１０−５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記燐光発光性の金属錯体が、下記一般式（３）で表されるイリジウムと配位子フェニルピリジンとからなるイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【化４】
0005242976.tif 000024
一般式（３）中、ｍ４は０〜２の整数であり、ｎ４は１〜３の整数である。また、Ｒ９〜Ｒ１６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基またはベンゼン環もしくはピリジン環に縮合した芳香環である。さらに、Ｒ１７〜Ｒ１９は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）は、低電圧で高輝度高効率の発光が得られるため、有望な次世代表示素子としての応用が期待されている。有機ＥＬ素子は、電界発光現象（ＥＬ）を用いた自発光型の発光デバイスであり、原理的にはＬＥＤと似ているが、発光材料として有機材料を用いているところが特徴である。
【０００３】
有機ＥＬ素子の実用化への観点から、一層の低電圧化と発光効率のさらなる向上が求められている。まず、発光効率向上の手法の一つとして、三重項励起子の利用があげられる。有機発光素子では、有機層内での正孔と電子との再結合により、一重項励起子と三重項励起子が１：３の割合で生成すると考えられている。
従来の発光材料においては、生成した三重項励起子は、その励起寿命が長いため、失活過程において、放射失活よりも無輻射の熱失活が優先的におこる。したがって、従来の有機発光素子では、一重項励起子からの放射（蛍光）のみを発光として利用し、三重項励起子からの放射（燐光）を発光に利用することができなかった。
【０００４】
しかしながら、Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大の研究グループにより、室温で燐光を示す燐光性有機材料を発光層に用いた有機発光素子が開示され（非特許文献１）、これらの有機発光素子が、従来の蛍光材料を用いた有機発光素子と比較して高い発光効率を有していることが示された。これによって、原理的には、生成した励起子をすべて発光に用いることができることとなり、燐光材料を用いた有機発光素子の研究が活発に行われるようになった。このような燐光発光性有機材料は、白金やイリジウムなどの重金属を中心に有する錯体構造を有している。典型的な緑色燐光材料として、ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍなどがあげられる。
【０００５】
また、次世代表示素子の実用化に向けて、燐光発光性材料を用いた有機ＥＬ素子は高効率化の観点から期待されている。しかし、その研究はまだ端緒に就いたところであり、素子の効率向上、駆動電圧の低減、色純度の向上および素子構造の最適化など、未解決の課題が多く残されている。したがって、これらの課題を解決するために、燐光発光材料を用いた素子の材料と素子構造の最適化が求められている。さらに、将来の大画面、高精細ディスプレイに対して有機ＥＬ素子を応用する場合を考慮すると、スピンコート法、インクジェット法、印刷法などの溶液を用いたウェットプロセスにより発光層を成膜することが好適であると考えられるため、ウェットプロセスで成膜でき、低電圧駆動が可能であるとともに高効率・長寿命材料の開発が求められている。
【０００６】
ここで、発光層が、ホスト材料と燐光発光性のゲスト材料との混合体により構成される場合において、ゲスト材料の三重項励起子からの燐光発光に至るまでの過程は以下のように考えられている。
１．発光層への正孔・電子の注入
２．正孔・電子の再結合による、ホスト材料の励起子生成（一重項および三重項）
３．ホスト材料からゲスト材料への励起エネルギーの移動（一重項および三重項）
４．ゲスト材料の三重項励起子生成
５．ゲスト材料の三重項励起子の失活に伴う燐光放出
上記以外にも、ゲスト材料上で、正孔または電子のトラップと再結合がおこる過程も考えられており、各々の過程におけるエネルギー移動、発光は、これらを阻害する様々な失活過程との競争で起こっている。
【０００７】
したがって、有機ＥＬ素子の発光効率を高めるためには、発光量子収率の高い発光材料をゲスト材料として用いることが必須となるが、有機ＥＬ素子においてこのゲスト材料を効率よく発光させるためには、発光層中でゲスト材料の周りをとりまくホスト材料の選択も極めて重要である。すなわち、ホスト材料には、電極から効率よく電子および正孔が注入されること、および注入された電子と正孔が効率よく輸送されることが求められる。また、素子の耐久性の観点からは、ホスト材料には高い膜安定性が求められる。
【０００８】
また、ウェットプロセスにより発光層の成膜が可能な有機ＥＬ素子の実現のためには、有機溶媒に対する溶解性およびウェットプロセスでの優れた成膜性が求められる。燐光材料をゲスト材料として用いる有機ＥＬ素子における、従来のホスト材料としては、非特許文献１に開示されているＮ，Ｎ’−ジカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）や、特許文献１に開示されているカルバゾール骨格を有する低分子材料が広く知られている。しかし、これらの材料は真空蒸着法によって成膜する有機ＥＬ素子には有効であるが、一般的には低分子材料をウェットプロセスによって成膜すると、膜の結晶化の問題があるため、ウェットプロセスによる有機ＥＬ素子の作製には不向きであると考えられている。
【０００９】
一方、本発明に関係して特許文献２〜４が開示されている。特許文献２では、ホスト材料として側鎖型の非共役系高分子が開示され、実施例でも非共役方高分子を用いた素子が開示されている。しかし、側鎖型の非共役系高分子は共役の広がりが乏しく、電荷移動度が低い。このように電荷移動度の低い高分子材料を有機ＥＬ素子のホスト材料として用いた場合、素子の駆動電圧の上昇を招いてしまうという問題がある。尚、主鎖型高分子についても開示はされているが、具体的な実施例は開示されていない。
また、特許文献３では、高分子ホスト材料として、３，６位で結合した主鎖型ポリカルバゾールが開示されている。しかし、開示された高分子ホスト材料では、３，６位連結のため共役系が広がりにくいことが知られている。さらに、特許文献４では、ベンゼン環とフルオレンが結合したものを繰り返し単位とする主鎖型高分子が開示されるとともに、この主鎖型高分子を用いた有機ＥＬ素子が開示されている。しかしながら、ベンゼン環とフルオレンが結合したものを繰り返し単位とする主鎖型高分子では共役系の広がりが不十分であると考えられる。またカルバゾールの２位にベンゼン環が結合したものを繰り返し単位とする主鎖型高分子についても開示されているが、共役系の広がりが不十分であると考えられ、具体的な実施例も示されていない。
したがって、特許文献３および特許文献４において実際に実施例で開示されている高分子材料は主鎖型高分子ではあるものの高い電荷移動度が望めず、有機ＥＬ素子のホストに用いた場合には、素子の駆動電圧の上昇を招くことになる。
【特許文献１】特許ＷＯ０１／０７２９２７号公報
【特許文献２】特開２００１−２５７０７６号公報
【特許文献３】特開２００３−０７７６７３号公報
【特許文献４】特開２００７−１０６９９０号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１７５，４（１９９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、発光効率が高く、安定性に優れ、ウェットプロセスによって発光層の成膜が可能な有機電界発光素子およびディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、高効率発光が得られ、安定性に優れ、ウェットプロセスにより発光層の成膜が可能な塗布型有機ＥＬ素子を実現すべく、鋭意検討を重ねた結果、Ｎ位に置換基を導入したカルバゾールを繰り返し単位として、２，７位で結合したポリカルバゾールが、高分子形状が直鎖状であって共役が発達しているため高い電荷移動度を有し、ウェットプロセスによって均一で安定性に優れた薄膜を形成可能であることを見出した。
これらのポリカルバゾールをホスト材料として、蛍光または燐光を発する発光材料をゲスト材料として用いることにより、低電圧動作が可能で極めて高効率な塗布型有機電界発光素子が得られることを明らかにし、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極と、前記一対の電極間に配置される単層又は多層の有機薄膜層と、を備え、前記有機薄膜層のうち少なくとも一層に発光層を有する有機電界発光素子であって、
前記発光層には、下記一般式（２）で表される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとのランダム共重合高分子である電荷輸送性の高分子ホスト材料と、白金またはイリジウム原子と芳香族炭化水素を含む配位子とからなる燐光発光性の金属錯体であるゲスト材料と、が少なくとも含有されていることを特徴とする。
【化２】
0005242976.tif 000002
一般式（２）中、ｌ２およびｍ２はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ２は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【００１４】
本発明の有機電界発光素子は、前記高分子ホスト材料が、下記一般式（２）−（ａ）で表される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとのランダム共重合高分子であることが好ましい。
【化３】
0005242976.tif 000003
一般式（２）−（ａ）中、ｌ３およびｍ３はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ３は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびＲ６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【００１５】
本発明の有機電界発光素子は、前記一般式（２）または前記一般式（２）−（ａ）で表される前記高分子ホスト材料中の、ｌ２：ｍ２またはｌ３：ｍ３の比率が、９０：１０〜１０：９０の範囲であることが好ましい。
【００１６】
本発明の有機電界発光素子は、前記一般式（２）または前記一般式（２）−（ａ）で表される高分子ホスト材料の、電場強度１×１０５（Ｖ／ｃｍ）における正孔ドリフト移動度が１×１０−５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上であることが好ましい。
【００１８】
本発明の有機電界発光素子は、前記燐光発光性の金属錯体が、下記一般式（３）で表されるイリジウムと配位子フェニルピリジンとからなるイリジウム錯体であることが好ましい。
【化４】
0005242976.tif 000004
一般式（３）中、ｍ４は０〜２の整数であり、ｎ４は１〜３の整数である。また、Ｒ９〜Ｒ１６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基またはベンゼン環もしくはピリジン環に縮合した芳香環である。さらに、Ｒ１７〜Ｒ１９は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明の有機電界発光素子によれば、Ｎ位に置換基を導入したカルバゾールを繰り返し単位として、２，７位で結合したポリカルバゾールをホスト材料とし、蛍光または燐光を発する発光材料をゲスト材料として用いることで、極めて高効率発光を示す塗布型有機電界発光素子を得ることができる。
さらに、本発明の有機電界発光素子によれば、低電圧動作が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態である有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の一例について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態である有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の断面模式図を示す。尚、図１は、本実施形態の有機ＥＬ素子１０の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の有機ＥＬ素子の寸法関係とは異なる。
図１に示す有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）１０は、基板１上に、陽極２が形成され、その上に正孔注入層３と発光層４とからなる有機薄膜層８が形成され、さらに陰極５が積層されている。更にまた、封止用ガラス７が、紫外線硬化樹脂６により接着されて概略構成されている。
前記陽極２と前記陰極５とに電圧を印加することにより、陽極２から正孔が正孔注入層３に注入される。前記正孔は、前記正孔注入層３中を移動した後、発光層４に注入される。一方、陰極５からは、電子が発光層４に注入される。発光層４中で前記正孔と前記電子とが再結合し、電界発光する構成となっている。
【００２１】
（基板）
基板１は、透明で、空気および水分等を遮蔽する特性に優れた材料が好ましい。基材１の材質として、たとえば、ガラスや石英等の無機材料、プラスチックフィルム等の有機材料を例示することができるが、本実施形態では特にこれらに限定されるものではない。
また、基板１としてプラスチックフィルム等の有機材料を用いる場合は、ガスバリア層を設けることが好ましい。
ここでガスバリア層とは、空気および水分等を遮蔽する効果を有する薄膜層を指し、ＣＶＤ法または高周波スパッタリング法等によって形成されるＳｉＯ２またはＳｉＮ等を例示することができる。さらに、ガスバリア層として、基板１にハードコート層を設けることもできる。
【００２２】
（陽極）
陽極２は、透明で、導電性が高く、仕事関数の大きい材料が好ましく、少なくとも仕事関数が４．２ｅＶ以上であることがより好ましい。
また、有機ＥＬ素子１０の発光を陽極２側から取り出す場合は、陽極２の材料は透明であることが好ましい。
陽極２の材質として、インジウム−錫−酸化物（以下、ＩＴＯ）またはインジウム−亜鉛−酸化物（以下、ＩＺＯ）等の導電性透明酸化物を例示することができるが、本実施形態では特にこれらに限定されるものではない。
【００２３】
（正孔注入層）
正孔注入層３は、正孔注入能の高い有機材料によって構成されることが好ましく、電界を印加することによって陽極２から正孔注入層３内に、正孔を高効率で取り込み、さらに正孔注入層３内から発光層４に正孔を高効率に注入可能な材料であることが好ましい。
また、正孔注入層３は、電界を印加しても、有機薄膜として安定に存在することのできる有機材料であることが好ましい。
正孔注入層３は、たとえば、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホネ―トとの混合材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合材料）、ポリアニリンおよびポリチオフェン等の導電性高分子材料を例示することができるが、本実施形態では特にこれらに限定されるものではない。
【００２４】
正孔注入層３の膜厚は、１ｎｍ〜５μｍとすることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍがより好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。
正孔注入層３の膜厚が１ｎｍ未満であると、正孔注入層３は層を形成せずにアイランド構造となり、有機ＥＬ素子として機能できないために好ましくない。一方、正孔注入層３の膜厚が５μｍを超えると、膜厚が厚いため発光に必要な電圧が高くなりすぎて、発光効率が低下するために好ましくない。さらに、電圧が高くなると短絡が生じて、有機ＥＬ素子１０が破壊されてしまう場合があるため、好ましくない。
【００２５】
（発光層）
発光層４は、少なくとも２成分以上の有機材料、すなわち、高分子ホスト材料と、燐光性の発光材料からなるゲスト化合物とから構成されている。
発光層４をホスト／ゲスト系とすることで、濃度消光が抑制され、有機ＥＬ素子１０の発光効率を向上することができる。また、生じた励起子を安定してゲスト化合物の三重項エネルギー準位に保持することができる。このため、有機ＥＬ素子１０の発光効率を向上することができる。
【００２６】
＜高分子ホスト材料＞
発光層４を構成する高分子ホスト材料は、前述の発光層４の主成分となる電荷輸送材料である。
高分子ホスト材料としては、下記一般式（４）で示される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールを繰り返し単位とする２，７位で結合された高分子材料であることが好ましい。
【００２７】
【化５】
0005242976.tif 000005
式中、ｎ１は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、同一又は独立の置換基であって、水素原子；メチル基、エチル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基等のアリール基等である。
【００２８】
また、高分子ホスト材料が、下記一般式（５）で示される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとの２，７位で結合されたランダム共重合高分子であることが好ましい。
【化６】
0005242976.tif 000006
式中、ｌ２およびｍ２はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ２は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、同一又は独立の置換基であって、水素原子；メチル基、エチル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基等のアリール基等である。
【００２９】
さらに、高分子ホスト材料が、下記一般式（５）−（ａ）で示される、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとの２，７位で結合されたランダム共重合高分子であることが好ましい。
【化７】
0005242976.tif 000007
式中、ｌ３およびｍ３はそれぞれ１〜９９の整数、ｎ３は２〜１，０００，０００の整数であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびＲ６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子；メチル基、エチル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基等のアリール基等である。
【００３０】
以下に、一般式（４）で示される化合物の具体的な例を示す。ただし、これらは、代表例を例示しただけであり、本発明に用いられる一般式（４）で示される高分子ホスト材料がこれらに限定されるわけではない。
【化８】
0005242976.tif 000008
【００３１】
また、一般式（５）で示される化合物の具体的な例を示す。ただし、これらは、代表例を例示しただけであり、本発明に用いられる一般式（５）で示される高分子ホスト材料がこれらに限定されるわけではない。
【化９】
0005242976.tif 000009
【００３２】
さらに、一般式（５）で示される化合物のうち、一般式（５）−（ａ）で表される化合物の具体的な例を示す。ただし、これらは、代表例を例示しただけであり、本発明に用いられる一般式（５）−（ａ）で示される高分子ホスト材料がこれらに限定されるわけではない。
【化１０】
0005242976.tif 000010
【００３３】
【化１１】
0005242976.tif 000011
【００３４】
本実施形態の高分子ホスト材料に、前記一般式（５）または前記一般式（５）−（ａ）で表されるランダム共重合高分子を用いる場合は、３，６，Ｎ位置換カルバゾールとＮ位置換カルバゾールとの組成比率（ｌ２：ｍ２またはｌ３：ｍ３）が、９０：１０から１０：９０の範囲であることが好ましい。組成比率のｌ２またはｌ３が９０を超えると、素子の発光効率の低下のために好ましくなく、ｌ２またはｌ３が１０未満であると、一重項および三重項エネルギーが低下するために好ましくない。これに対して、ｌ２またはｌ３が１０から９０の範囲であると、素子の発光効率が向上するために好ましい。
【００３５】
また、本実施形態の高分子ホスト材料に、前記一般式（５）または前記一般式（５）−（ａ）で表されるランダム共重合高分子を用いる場合は、電場強度１×１０５（Ｖ／ｃｍ）における正孔ドリフト移動度が１×１０−５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上であることが好ましい。正孔ドリフト移動度が、１×１０−５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）未満であると、素子の駆動電圧が上昇するため好ましくない。これに対して、１×１０−５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上であると、素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
なお、本発明において、正孔ドリフト移動度とは、ホスト材料の正孔の運びやすさを評価する指標であり、材料の薄膜を２つの電極で挟んだ構造の素子に対し、電圧を印加した状態でパルス光を照射したときの過渡光電流をオシロスコープ等によってモニターして、正孔の走行時間を算出する。印加電圧、膜厚、走行時間から、正孔ドリフト移動度を見積もる。
【００３６】
＜ゲスト材料＞
発光層４を構成するゲスト材料は、蛍光または燐光を発する材料であることが好ましく、燐光発光性材料がより好ましい。本実施形態のゲスト材料として用いられる燐光発光性材料としては、好ましくは遷移金属を有する金属錯体であり、より好ましくは白金またはイリジウム原子と、芳香族炭化水素を含む配位子と、からなる燐光発光性の金属錯体である。燐光発光性の金属錯体は、燐光の量子収率が高いため、好ましい。
【００３７】
さらに、本実施形態のゲスト材料において、前記燐光発光性の金属錯体が、下記一般式（６）で表されるイリジウムと配位子フェニルピリジンとからなるイリジウム錯体であることが好ましい。
【化１２】
0005242976.tif 000012
式中、ｍ４は０〜２の整数であり、ｎ４は１〜３の整数である。また、Ｒ９〜Ｒ１６は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、アリール基またはベンゼン環もしくはピリジン環に縮合した芳香環である。さらに、Ｒ１７〜Ｒ１９は、同一又は独立の置換基であって、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、またはアリール基である。
【００３８】
以下に、本実施形態で用いられるゲスト材料の具体的な構造式を示す。ただし、これらは、代表例を例示しただけであり、本発明に用いられるゲスト材料がこれらに限定されるものではない。なお、式（６−１）〜式（６−２７）は、一般式（６）に対応する。
【００３９】
【化１３】
0005242976.tif 000013
【００４０】
【化１４】
0005242976.tif 000014
【００４１】
本実施形態の発光層４の膜厚は、１ｎｍ〜５μｍとすることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍがより好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。
発光層４の膜厚が１ｎｍ未満であると、発光層４は層を形成せずにアイランド構造となり、有機ＥＬ素子として機能できないために好ましくない。一方、発光層４の膜厚が５μｍを超えると、膜厚が厚いため発光に必要な電圧が高くなりすぎて、発光効率が低下するために好ましくない。さらには、電圧が高くなると短絡が生じて、有機ＥＬ素子１０が破壊されてしまう場合があるため、好ましくない。
【００４２】
なお、上記具体例で示された高分子ホスト材料およびゲスト材料を含む発光層４は、他の成分を含んでいてもよい。すなわち、他の金属錯体材料、蛍光材料もしくは燐光材料等の発光材料、または正孔輸送層、電子注入層もしくは電子輸送層に用いられる化合物などが挙げられる。
【００４３】
（陰極）
本実施形態の陰極５は、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、少なくとも４．０ｅＶ以下であることが好ましい。陰極５に仕事関数の低い金属を用いることで、陰極５と発光層４との間の電子注入障壁が低くなり、陰極５から発光層４へ電子が注入されやすくなる。仕事関数の低い金属としては、たとえば、Ｌｉ、Ｃｓなどのアルカリ金属、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇなどのアルカリ土類金属を例示することができるが、本実施形態は特にこれらに限定されるものではない。
しかしながら、仕事関数の低い金属は空気中の酸素や水分等と反応しやすいため、ＭｇＡｇ等の合金、またはＬｉＦ、ＬｉＯ２、ＣｓＦ等の化合物として形成することが好ましい。または、前記アルカリ金属および前記アルカリ土類金属の上に、ＡｌおよびＡｕ等の仕事関数の高い金属を積層することが好ましい。
【００４４】
（封止用ガラス）
本実施形態の封止用ガラス７を、紫外線硬化樹脂６を用いて基板１に接着することで、有機ＥＬ素子１０のデバイス部分が外界から遮蔽することができる。このため、空気中の酸素や水分等の影響が少なくなり、有機ＥＬ素子としての耐久性、素子寿命を大きく改善することができる。また、ガラスによる封止を行う際には、封止用ガラス７と基板１との内部の空気を窒素ガスで置換し、さらに内部に乾燥剤を導入することで、前述の効果をさらに高めることができる。
【００４５】
（製造方法）
以下に、本実施形態の有機ＥＬ素子１０の製造方法の一例について詳細に説明する。
有機ＥＬ素子の製造工程は、一般的には、陽極形成工程、有機薄膜層形成工程、陰極形成工程からなる。
【００４６】
（陽極形成工程）
まず、基板１上に、スパッタ法、真空蒸着法等によって陽極２を形成する。陽極２はパターン状に形成してもよく、パターンの形成は、陽極２の形成の際、マスクを用いて形成するか、もしくは、全面に陽極２を形成した後、レジストを塗布し、ガラスマスクにより露光処理して、パターンを形成する。
【００４７】
（有機薄膜層形成工程）
次に、陽極２上に、有機薄膜層８を形成する。
本実施形態の有機薄膜層８の形成方法は、特に限定されないが、真空蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、インクジェット法、印刷法などの方法で形成することができる。また、形成された有機薄膜層８の特性面および製造面から、真空蒸着、スピンコート、インクジェット、印刷法が特に好ましい。さらに、将来の大画面、高精細ディスプレイに有機ＥＬ素子を適用する場合においては、スピンコート法、インクジェット法、印刷法など、ウェットプロセスにより有機薄膜層８を形成することが好ましい。
【００４８】
（正孔注入層）
正孔注入層３として、前述のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合材料を用いる場合には、スピンコート法を利用する形成方法を例示することができる。
たとえば、まず、所定量のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを有機溶媒に含有させ、正孔注入層用溶液を調整する。次に、スピンコーターの所定の位置に、基板１をセットし、所定の回転速度とした後、前記正孔注入層用溶液を塗布する。それを１８０℃のチャンバーに導入し、乾燥工程を行い、有機溶媒を除去することにより、所定の膜厚の正孔注入層３を形成する。
前記有機溶媒としては、極性溶媒が好ましく、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ―ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリンなどを挙げることができる。
【００４９】
（発光層）
発光層４は、まず、発光層溶液を調整した後、スピンコート法、もしくはインクジェット法などのウェットプロセスにより、発光層溶液を正孔注入層３の上に塗布、乾燥させて形成する方法を例示することができる。
より具体的には、たとえば、スピンコーターの所定の位置に、正孔注入層３を形成した基板１をセットし、前記発光層溶液を滴下した後、所定の速度で回転させて塗布する。回転を止め、前記スピンコーターから取り出した前記基板１をチャンバーに導入し、１時間保持する。この乾燥工程により、前記有機溶媒を除去し、所定の膜厚の発光層４を形成する。
【００５０】
有機薄膜層８は、正孔注入層３および発光層４を含む複数の層から構成されている。正孔注入層３および発光層４以外の有機薄膜層８としては、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが挙げられる。前記他の層の形成にはそれぞれ、各層を構成するために知られた種々の材料を用いることができる。
【００５１】
（陰極形成工程）
最後に、スパッタ法、真空蒸着法等によって、陰極５を形成する。以下に、真空蒸着法による陰極５の形成方法を例示するが、特にこれに限定されることはない。
まず、有機薄膜層８までを形成した前記基板１を真空蒸着器のチャンバー内の所定の位置に取り付け、その後、前記チャンバー内を減圧状態にし、金属材料を真空蒸着することによって、前記金属材料からなる陰極５を前記基板１上に形成する。
【００５２】
以下、本発明の実施形態の効果について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層を構成する２成分以上の材料が、高分子ホスト材料と、燐光性の発光材料からなるゲスト化合物とから構成されているので、電子、正孔および電子および正孔の再結合により生成される励起子を発光層内に蓄積することができる。また、生じた励起子をゲスト化合物の三重項エネルギー準位に保持させることができるため、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
【００５３】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、高分子ホスト材料が、形状が直鎖状であって共役が発達しているため電荷輸送能に優れている、Ｎ位に置換基を導入したカルバゾールを繰り返し単位として、２，７位で結合したポリカルバゾールであるため、発光層内に多くの正孔を蓄積することができる。その結果、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
【００５４】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、ゲスト化合物が、励起子を三重項エネルギー準位に安定的に保持することができる、白金またはイリジウム原子を有する燐光性の発光材料であるので、発光層内のゲスト化合物の三重項エネルギー準位に励起子を蓄積し、高効率発光させることができる。その結果、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
【００５５】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層などの有機薄膜層をウェットプロセスにより成膜することができるため、ドライプロセスで必要となる大型の真空チャンバーなどを必要とせず、大型の有機ＥＬディスプレイの製造を簡易にすることができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態の有機電界発光素子によれば、Ｎ位に置換基を導入したカルバゾールを繰り返し単位として、２，７位で結合したポリカルバゾールをホスト材料とし、蛍光または燐光を発する発光材料をゲスト材料として用いることで、極めて高効率発光を示す塗布型有機電界発光素子を得ることができる。
さらに、本実施形態の有機電界発光素子によれば、電荷輸送能の高い高分子ホスト材料を用いているために、低電圧動作が可能となる。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例および比較例の有機ＥＬ素子の作製と特性について詳細に説明し、本発明の効果について説明するが、本発明はこれらの実施例よって限定されるものではない。
【００５８】
本発明のポリカルバゾール誘導体の製造に用いたモノマー体、例えば、２，７−ジクロロ−Ｎ−アルキルカルバゾール、２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−アルキルカルバゾール、２，７−ジクロロ−Ｎ−（４−アルキルオキシフェニル）カルバゾール、および２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−アルキルオキシフェニル）カルバゾールは、Ｊｅａｍ−Ｆｒａｎｃｏｉｓら著、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，Ｖｏｌ．３４，ｐ４６８０，（２００１）、Ｇｉａｎｎｉら著、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，Ｖｏｌ．３５，ｐ２１２２，（２００２）、Ｋｉｊｉｍａら著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒ，Ｖｏｌ．３４，ｐ９００，（２００５）、Ａｈｍｅｄら著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１８，ｐ１００７，（２００６）などの公知の方法により合成した。得られた生成物は質量スペクトル、および１Ｈ−ＮＭＲ分析により構造を確認し、以下のポリカルバゾール誘導体の合成に用いた。
【００５９】
＜実施例１＞
発光層の高分子ホスト材料として、２，７位結合−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールと２，７位結合−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールとの、モル比でｌ：ｍ＝５０：５０となるようなランダム共重合体（化合物（５）−１７）を合成した。
【化１５】
0005242976.tif 000015
【００６０】
ます、最初に、アルゴン置換したシュレンクに０．７９ｇ（２．８８ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、０．４５ｇ（２．８８ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、６．０ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに０．２８ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールと０．２６ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールを１５ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。
次いで、エンドキャップ剤として０．１７ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）の４−クロロトリフェニルアミンを反応溶液に加え、容器を密閉し、６５℃で８時間攪拌した。反応液をメタノール２０００ｍＬ、濃塩酸８０ｍＬの混合溶媒に滴下し、１２時間攪拌した。沈殿物を濾取して１５０ｍＬのトルエンに溶解させ、１５０ｍＬの３Ｎ−ＨＣｌで２回洗浄し、さらに超純水で中性になるまで繰り返し洗浄した。
続いて１５０ｍＬのアンモニア水で２回洗浄し、超純水で中性になるまで洗浄した。トルエン溶液を濃縮し、２０００ｍＬのメタノール中に滴下して、再沈澱処理した。沈殿物を濾取し、ポリマー０．４２ｇ（回収率７７％）を得た。
【００６１】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリマーの分子量は、ポリスチレン換算で重量平均分子量（Ｍｗ）６３８，８０４、数平均分子量（Ｍｎ）９２，６０４、および多分散性（Ｍｗ／Ｍｎ）６．９０であった。
また、図２に、このポリマーの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）を示す。
【００６２】
＜実施例２＞
発光層の高分子ホスト材料として、２，７位結合−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールと２，７位結合−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾールとを、モル比で、ｌ：ｍ＝３０：７０となるようにランダム共重合体（化合物（５）−１７）を合成した。
【００６３】
実施例１で用いた、２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾール０．２８ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）および、２，７−ジクロロ−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾール０．２６ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）に替えて、２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾール０．１６ｇ（０．３６ｍｍｏｌ）および、２，７−ジクロロ−Ｎ−（４−（２−エチルヘキシルオキシ）フェニル）カルバゾール０．３７ｇ（０．８４ｍｍｏｌ）とし、その他の条件は実施例１と同様にして共重合体を合成し、ポリマー０．４１ｇ（回収率７８％）を得た。
【００６４】
ＧＰＣにより測定したポリマーの分子量は、ポリスチレン換算で重量平均分子量（Ｍｗ）４１８，６４９、数平均分子量（Ｍｎ）１２４，４６１、および多分散性（Ｍｗ／Ｍｎ）３．３６であった。
また、図３に、このポリマーの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）を示す。
【００６５】
＜実施例３＞
発光層の高分子ホスト材料として、２，７位結合−３，６−ジメチル−Ｎ−デシルカルバゾールと２，７位結合−Ｎ−デシルカルバゾールとを、モル比でｌ：ｍ＝４０：６０となるようにランダム共重合体（化合物（５）−２）を合成した。
【化１６】
0005242976.tif 000016
【００６６】
まず、最初に、アルゴン置換したシュレンクに０．６６ｇ（２．４０ｍｍｏｌ）のビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、０．３８ｇ（２．４０ｍｍｏｌ）の２，２’−ビピリジルをアルゴン気流中で入れ、８．０ｍＬのＤＭＦを加えた後、室温で３０分間攪拌した。そこに、０．１６ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−３，６−ジメチル−Ｎ−デシルカルバゾールと、０．２３ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）の２，７−ジクロロ−Ｎ−デシルカルバゾールを、２０ｍＬのＴＨＦで溶かした溶液を加え、容器を密閉し、６５℃で７２時間攪拌した。
次に、反応液をメタノール１０００ｍＬ、濃塩酸４０ｍＬの混合溶媒に滴下し、１２時間攪拌した。沈殿物を濾取して１５０ｍＬのトルエンに溶解させ、１５０ｍＬの３Ｎ−ＨＣｌで２回洗浄し、さらに超純水で中性になるまで繰り返し洗浄した。
続いて１５０ｍＬのアンモニア水で２回洗浄し、超純水で中性になるまで洗浄した。トルエン溶液を濃縮し、１０００ｍＬのメタノール中に滴下して、再沈澱処理した。沈殿物を濾取し、ポリマー０．１３ｇ（回収率６５％）を得た。
【００６７】
ＧＰＣにより測定したポリマーの分子量は、ポリスチレン換算で重量平均分子量（Ｍｗ）４９０，９２０、数平均分子量（Ｍｎ）１０２，８８４、および多分散性（Ｍｗ／Ｍｎ）４．７７であった。
また、図４に、このポリマーの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）を示す。
【００６８】
実施例１〜３で得られた高分子の溶液光学特性および薄膜光学特性を測定した。表１に、実施例１〜３により合成した高分子の特性をそれぞれ示す。
溶液光学特性は、実施例１〜３で得られた高分子をそれぞれクロロホルムに溶解して、吸収スペクトル（ＵＶ）測定時には、１．０×１０−５（ｍｏｌ／ｌ）に、蛍光スペクトル（ＰＬ）測定時には、１．０×１０−７（ｍｏｌ／ｌ）にそれぞれ濃度を調整した後に測定した。
また、薄膜光学特性は、実施例１〜３で得られた高分子の、トルエンまたはキシレン溶液を作成し、スピンコート法によって成膜した。成膜条件は、５００ｒｐｍ（５秒）後、２０００ｒｐｍ（６０秒）であり、薄膜の膜厚は３０〜４０（ｎｍ）に調整した。
【００６９】
【表１】
0005242976.tif 000017
【００７０】
表１において、λｍａｘは吸収スペクトルの極大波長（ｎｍ）を示し、ＰＬは蛍光の極大波長（ｎｍ）を示している。
また、実施例１〜３の高分子の、溶液状態での蛍光量子収率（Φｓｏｌ）は、９，１０−ジフェニルアントラセン（φ＝０．９０）を基準に算出した。
さらに、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、サイクリックボルタメトリーにより測定した薄膜の酸化電位のｏｎｓｅｔから算出した。
更にまた、最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、光学的バンドギャップとＨＯＭＯとの差から算出した。
また、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）は、実施例１〜３で得られた高分子の薄膜の、ＵＶスペクトルの吸収端から求めた。
【００７１】
また、実施例１〜３の高分子をもちいてスピンコート膜（溶媒：トルエン）を形成し、正孔ドリフト移動度をタイムオブフライト法により測定した。
表２に、実施例１〜３の高分子膜の正孔ドリフト移動度の測定結果を示す。実施例１〜３のいずれの高分子も、１０−４（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の高い正孔ドリフト移動度を有することが示された。
【００７２】
【表２】
0005242976.tif 000018
【００７３】
＜実施例４＞
実施例４として、図１に示す構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように作製した。
まず、ガラスからなる基板１上にインジウム−すず酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極２を形成した。
次に、陽極２上に、正孔注入層としてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＣＨ８０００）を、スピンコート法により３５ｎｍに成膜し、１８０℃にて乾燥した。
さらに、高分子ホスト材料として実施例１で示した高分子（５）−１７と、ゲスト化合物として例示した化合物（６）−２の構造式で表されるＩｒ（ｐｐｙ）３とを、質量比で９４：６の割合になるように混合してトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液を用いて、スピンコート法により発光層４を成膜した。
更にまた、発光層４の上に、ＣｓＦ（２ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）からなる陰極５を真空蒸着により成膜した。
また、陰極５の成膜後、窒素ガスで満たされたグローブボックス中にて、封止用ガラス７を紫外線硬化樹脂６にて素子に接着し、封止を行った。
【００７４】
実施例４の有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ陽極側に正、アルミニウム陰極側に負となるように電圧を印加したときの、電流、輝度、発光スペクトルを測定した。電圧印加時に、発光ピークが５１６ｎｍのゲストからの緑色発光が得られた。また、輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における電圧は、４．９（Ｖ）、同じく輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における外部発光量子効率と、電力効率はそれぞれ、３．３（％）、７．４ｌ（ｍ／Ｗ）であった。
【００７５】
＜実施例５＞
実施例５の有機ＥＬ素子は、実施例１で示した高分子（５）−１７（モノマー仕込み比率５０：５０）と、電子輸送材料ＯＸＤ−７とを、質量比で７０：３０となるように混合したものを、高分子ホスト材料として用いた。
この高分子ホスト材料と、ゲスト化合物としてＩｒ（ｐｐｙ）３とを、質量比で９４：６となるように混合してトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液を用いて、スピンコート法により発光層４を成膜した。なお、発光層の組成以外は、前述の実施例４の素子と同様の構造を有する。
【００７６】
実施例５の有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ陽極側に正、アルミニウム陰極側に負となるように電圧を印加したとき、発光ピークが５１６ｎｍのゲストからの緑色発光が得られた。また、輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における電圧は、６．０（Ｖ）、同じく輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における外部発光量子効率と、電力効率はそれぞれ、４．４（％）、７．８ｌ（ｍ／Ｗ）であった。
【００７７】
【化１７】
0005242976.tif 000019
【００７８】
＜比較例１＞
比較例１の有機ＥＬ素子は、カルバゾール基を側鎖に有する非共役系高分子であるポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）と、電子輸送材料ＯＸＤ−７とを、質量比で７０：３０となるように混合したものを、高分子ホスト材料として用いた。
この高分子ホストと、ゲスト化合物としてＩｒ（ｐｐｙ）３とを、質量比で９４：６となるように混合してトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液を用いて、スピンコート法により発光層４を成膜した。なお、発光層の組成以外は、前述の実施例５の素子と同様の構造を有する。
【００７９】
比較例１の有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ陽極側に正、アルミニウム陰極側に負となるように電圧を印加したとき、発光ピークが５１２ｎｍのゲストからの緑色発光が得られた。また、輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における電圧は、５．３（Ｖ）、同じく輝度１００（ｃｄ／ｍ２）における外部発光量子効率と、電力効率はそれぞれ、３．１（％）、６．６ｌ（ｍ／Ｗ）であった。
【００８０】
実施例５〜６および比較例１の有機ＥＬ素子の、発光層の組成を表３に、評価結果を表４にそれぞれ示す。
実施例５の有機ＥＬ素子は比較例１の有機ＥＬ素子よりも低電圧で発光が得られた。また、実施例６の有機ＥＬ素子は比較例１の有機ＥＬ素子よりも高い外部量子効率が得られた。
【００８１】
以上の結果から、本発明の高分子材料をホストとして、燐光材料をゲストとして用いることで、低電圧での駆動が可能で、高効率発光が得られる塗布型有機ＥＬ素子を作製できることが示された。
【００８２】
【表３】
0005242976.tif 000020
【００８３】
【表４】
0005242976.tif 000021
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、高効率な燐光を発する有機電界発光素子に関するものであり、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、露光光源、標識、看板、インテリアの分野に好適に使用できる発光素子、照明機器、ディスプレイ産業において利用可能性がある。特に、省エネルギーで視認性の高いフラットパネルディスプレイに好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】実施例１に係る高分子である化合物（５）−１７（モノマー仕込み比率５０：５０）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２】実施例２に係る高分子である化合物（５）−１７（モノマー仕込み比率７０：３０）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３】実施例３に係る高分子である化合物（５）−２（モノマー仕込み比率４０：６０）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４】本発明の実施形態である有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の断面模式図を示す。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・基板、２・・・陽極、３・・・正孔注入層、４・・・発光層、５・・・陰極、６・・・紫外線硬化樹脂、７・・・封止用ガラス、８・・・有機薄膜層、１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
【図１】
0005242976.tif 000025
【図２】
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【図３】
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【図４】
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