(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の対向する電極を有し、その間に液晶を挟持する液晶セルと、
前記２枚の対向する電極間に印加する電圧として、制御可能な掃引速度Ｒｓ（Ｖ／秒）で変化する掃引電圧成分Ｖｓと、前記掃引電圧成分に重畳され、周波数ｆおよびピーク−ピーク振幅Ｖｐｐを有する高周波交流成分が合成された信号電圧を、前記液晶セルに印加可能な信号発生手段と、
前記信号電圧の掃引電圧成分に対応するアドミッタンスを測定可能なアドミッタンス測定手段と、
を有し、
前記掃引電圧成分Ｖｓが、所定の電圧−Ｖｍａｘ〜＋Ｖｍａｘの間で正方向および負方向に少なくとも１往復以上繰り返して掃引され、
前記掃引電圧成分Ｖｓ＝０のときのアドミッタンスの絶対値をＹ０、
Ｖ２を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０から立ち上がるときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
Ｖ１を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０に戻るときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
ΔＶを、ΔＶ＝Ｖ２−Ｖ１
とそれぞれ定義したとき、
Ｖ２、Ｖ１およびΔＶが、測定または決定されること
を特徴とする液晶物性評価装置。
【請求項２】
前記アドミッタンスの絶対値を、前記掃引電圧成分Ｖｓに対して表示可能な表示手段をさらに有する請求項１記載の液晶物性評価装置。
【請求項３】
前記掃引電圧成分Ｖｓの掃引速度Ｒｓを変化させ、ΔＶ＝０となる掃引速度ｖ０が測定または決定されることを特徴とする請求項１または２記載の液晶物性評価装置。
【請求項４】
前記アドミッタンスの位相を、前記掃引電圧成分Ｖｓに対して表示可能な表示手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶物性評価装置。
【請求項５】
前記高周波交流成分の周波数ｆおよびピーク−ピーク振幅Ｖｐｐが変更可能であり、前記周波数ｆが、前記アドミッタンスの位相変化が最も鋭敏に観測されるように設定されることを特徴とする請求項４記載の液晶物性評価装置。
【請求項６】
前記２つの電極は、その間に挟持する液晶の配向方向を決める配向手段を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶物性評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶材料の物性評価装置および測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイは薄型テレビ、パソコンモニターなどに幅広く使用されている。特に、テレビに使用される液晶ディバイスは、その応答性を良くすることが重要な課題となっている。
【０００３】
液晶素子材料の開発には、それを構成する部材の設計が重要であり、応答性の改善には、液晶素子内の液晶材料分子の並びを解析する必要がある。従来、粘性係数測定装置（特許文献１、２参照）、誘電率測定装置（特許文献３，４参照）、弾性定数測定装置（特許文献５参照）、屈折率測定装置（特許文献６参照）などの物性測定装置が提案されている。その中でも、特許文献３、４および５には、液晶に対する印加電圧とそれによる誘電率の変化の関係についての記載がある。
【特許文献１】特開２００６−２４３６３８
【特許文献２】特開２００４−２０２５５
【特許文献３】特開平５−６６３７６
【特許文献４】特開平７−３５７９７
【特許文献５】特開２００４−２８６４８５
【特許文献６】特開２０００−９８３１４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのように、誘電率、粘性係数、弾性率等を単独で測定する方法は従来から知られていたが、アドミッタンスの測定、特に粘性や弾性率等を含む分子の並びの変化を簡便に推測する評価方法および評価装置は提供されていない。
【０００５】
本発明は、これらの問題に鑑み、印加電圧による分子の並びの変化を簡便に測定する装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の事項に関する。
【０００７】
１．  ２枚の対向する電極を有し、その間に液晶を挟持する液晶セルと、
前記２枚の対向する電極間に印加する電圧として、制御可能な掃引速度Ｒｓ（Ｖ／秒）で変化する掃引電圧成分Ｖｓと、前記掃引電圧成分に重畳され、周波数ｆおよびピーク−ピーク振幅Ｖｐｐを有する高周波交流成分が合成された信号電圧を、前記液晶セルに印加可能な信号発生手段と、
前記信号電圧の掃引電圧成分に対応するアドミッタンスを測定可能なアドミッタンス測定手段と、
を有することを特徴とする液晶物性評価装置。
【０００８】
２．  前記アドミッタンスの絶対値を、前記掃引電圧成分Ｖｓに対して表示可能な表示手段をさらに有する上記１記載の液晶物性評価装置。
【０００９】
３．  前記掃引電圧成分Ｖｓが、所定の電圧−Ｖｍａｘ〜＋Ｖｍａｘの間で正方向および負方向に少なくとも１往復以上繰り返して掃引されることを特徴とする上記１または２記載の液晶物性評価装置。
【００１０】
４．  前記掃引電圧成分Ｖｓ＝０のときのアドミッタンスの絶対値をＹ０、
Ｖ２を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０から立ち上がるときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
Ｖ１を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０に戻るときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
ΔＶを、ΔＶ＝Ｖ２−Ｖ１
とそれぞれ定義したとき、
Ｖ２、Ｖ１およびΔＶが、測定または決定されることを特徴とする上記３記載の液晶物性評価装置。
【００１１】
５．  前記掃引電圧成分Ｖｓの掃引速度Ｒｓを変化させ、ΔＶ＝０となる掃引速度ｖ０が測定または決定されることを特徴とする上記４記載の液晶物性評価装置。
【００１２】
６．  前記アドミッタンスの位相を、前記掃引電圧成分Ｖｓに対して表示可能な表示手段を有することを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の液晶物性評価装置。
【００１３】
７．  前記高周波成分の周波数ｆおよびピーク−ピーク振幅Ｖｐｐが変更可能であり、前記周波数ｆが、前記アドミッタンスの位相変化が最も鋭敏に観測されるように設定されることを特徴とする上記６記載の液晶物性評価装置。
【００１４】
８．  前記２つの電極は、その間に挟持する液晶の配向方向を決める配向手段を有することを特徴とする上記１〜７のいずれかに記載の液晶物性評価装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、印加電圧による分子の並びの変化を簡便に測定できる装置を提供することができる。本発明の装置では、印加電圧変化に伴うアドミッタンス変化を測定することが可能であり、好ましい態様では、粘性や弾性率を含めた液晶分子の配向の変化を簡便に測定できる。
【００１６】
本発明のような、アドミッタンス電位依存性の測定は従来は知られておらず、特に、後述するＶ２、Ｖ１およびΔＶは、従来提唱されていない新しいパラメータであり、液晶材料の物性および液晶の分子挙動の指標として使用が期待される。加えて配向膜の性能も簡便に評価可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の測定装置に使用される液晶セルは、図１に模式的に示すような公知の構造であって、２枚の対向する電極２を有し、その間に液晶層４を挟持できる構造を有する。一般に、２枚の電極は、２枚の基板１の対向する内側表面に形成される。
【００１８】
基板としては、従来液晶素子用の基板として用いられているものであれば特に限定されないが、ガラス基板であることが好ましい。電極層は、従来液晶素子用の電極として用いられているものであれば特に限定されず、例えばＩＴＯ等を挙げることができる。
【００１９】
液晶セルは、測定対象の液晶（実用的には複数種類の化合物の混合物で与えられる）の分子の配向を制御する手段として、必要により配向膜３を備える。配向膜／配向方法としては、従来液晶素子用の配向膜／配向方法として用いられているものから適宜選択することができる。水平配向膜としては例えば、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜などが挙げられる。これらは一般にラビング処理して使用される。また、垂直配向膜としては、例えば、界面活性剤、シラン化合物など（による電極表面の処理）が挙げられ、具体的には、トリメチルセチルアンモニウムブロマイド、オクタデシルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【００２０】
対向する２枚の上下電極表面における配向は、同一でなくてもよく、例えば一方を水平配向として一方を垂直配向とすることも可能である。また、配向膜を使用しない構造も可能である。さらに、上下の配向方向を共に水平配向とした場合、そのツイスト角も適宜変更することができる。プレチルト角も適宜設定することができる。また、上下水平配向の角度を変化させることで液晶材料の旋回能（Ｈｅｌｉｃａｌ  Ｔｗｉｓｔｉｎｇ  Ｐｏｗｅｒ）などの評価への応用が期待できる。
【００２１】
液晶セルの構造を設定し、液晶材料（単独の化合物および複数の化合物の混合物のどちらも意味する。）を電極間に挟持して測定対象とする。この場合、液晶材料の使用が予定される液晶装置に対して、影響を与える物性の特徴がよく現れるように、測定に供する液晶セルを設定することが好ましい。例えば負の誘電異方性を有する液晶材料の評価、１例としてＶＡモードの液晶装置で使用可能な液晶材料の評価には、垂直配向を備えた液晶セルを使用することができる。また、例えば正の誘電異方性を有する液晶材料の評価、例えばＴＮモード、ＩＰＳモード等で使用可能な材料の評価には、水平配向を備えた液晶セルを使用することができる。
【００２２】
本発明では、液晶材料の評価が可能であるばかりでなく、電極間に挟持する液晶材料を設定し、配向膜または配向方法を変更することで、配向膜／配向方法の評価を行うことも可能である。
【００２３】
本発明の測定装置は、液晶セルに対して信号電圧を印加可能な信号発生手段と、この信号発生手段と協働してアドミッタンスを測定するアドミッタンス測定手段を有する。
【００２４】
測定のために液晶セルに印加する信号電圧は、変更可能な所定の掃引速度Ｒｓ（Ｖ／秒）で線形に電圧が変化する掃引電圧成分Ｖｓに、アドミッタンス測定のためのプローブ信号として高周波交流成分が重畳された波形を有する。掃引電圧成分Ｖｓは、一般に測定の対象の液晶材料の使用可能性のある（または興味の対象となる）電圧範囲または印加電界範囲を含むように設定される。
【００２５】
掃引電圧成分Ｖｓは、一定の掃引速度Ｒｓ（Ｖ／ｓ）で変化することが好ましく、特に絶対値が等しい＋｜Ｒｓ｜と−｜Ｒｓ｜（｜Ｒｓ｜は絶対値を示す。）により、最高電圧＋Ｖｍａｘと最低電圧−Ｖｍａｘの間を繰り返して掃引するように変化することが好ましい。
【００２６】
具体的には、電圧の掃引は、例えば０（ボルト）→＋Ｖｍａｘ→−Ｖｍａｘ→０（ボルト）の１サイクルを少なくとも１回行うことが好ましい。一般に、初期の０（ボルト）→Ｖｍａｘの間では、その後のサイクルと異なる挙動を示す場合があるので、初期の０（ボルト）→Ｖｍａｘを除いて少なくとも１サイクルの掃引を行ってヒステリシスを観察することが好ましい。さらには、複数回の掃引を行ってヒステリシスを観察することが好ましい。
【００２７】
この掃引電圧のサイクルの中で、正方向の掃引速度と負方向の掃引速度を同一とすることが好ましい。また、Ｖｍａｘおよび−Ｖｍａｘにおいて、電圧を保持してもよいが、通常は直ちに掃引速度Ｒｓを、＋｜Ｒｓ｜から−｜Ｒｓ｜に反転させること、即ち、いわゆる三角波の交流信号が好ましい。
【００２８】
掃引速度の絶対値は、特に制限はないが、例えば５０Ｖ／ｓまでの範囲であり、好ましくは１０ｍＶ／ｓ〜５Ｖ／ｓの範囲である。典型的な範囲としては、１０ｍＶ／ｓ〜１Ｖ／ｓの範囲が挙げられる。
【００２９】
掃引電圧成分Ｖｓに重畳される高周波交流成分は、アドミッタンス測定のためのプローブ信号である。そのため、高周波交流成分は、正弦波を使用することが好ましく、その周波数は、掃引電圧成分のサイクル周波数よりも十分に高い周波数を有する必要があり、好ましくは１０倍以上、より好ましくは５０倍以上の周波数を有する。周波数が低い範囲での測定は、掃引電圧との対応が不正確になる。具体的には、好ましくは１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚであり、より好ましくは１０Ｈｚ〜１ｋＨｚである。
【００３０】
また、高周波信号成分の振幅は、液晶分子の配向に影響を与えないように、小さな電圧振幅を採用することが好ましい。ピーク−ピーク振幅Ｖｐｐとして、例えば１ｍＶ〜１Ｖであり、好ましくは０．５Ｖ以下、より好ましくは０．１Ｖ以下であり、典型的な例では０．０５Ｖである。
【００３１】
さらに、本発明の測定装置では、
前記掃引電圧成分Ｖｓ＝０のときのアドミッタンスの絶対値をＹ０、
Ｖ２を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０から立ち上がるときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
Ｖ１を、前記掃引電圧成分Ｖｓの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０に戻るときの掃引電圧成分Ｖｓの絶対値、
ΔＶを、ΔＶ＝Ｖ２−Ｖ１
とそれぞれ定義したとき、
Ｖ２、Ｖ１およびΔＶの測定が可能であることが好ましい。
【００３２】
前述の測定信号電圧印加による液晶材料のアドミッタンス測定では、１例として図２に示すようなヒステリシスのある曲線（縦軸：アドミッタンスの絶対値、横軸：掃引電圧）が得られる。
【００３３】
掃引電圧成分Ｖｓ＝０ボルト付近では、アドミッタンス絶対値Ｙ０を示しているが、掃引電圧を大きくしていくと、液晶分子は安定する方向（誘電率が大きくなる方向）に配向を変化させるために、アドミッタンスの絶対値が立ち上がる。この電圧をＶ２とする。また、電圧を下げて来たときに、アドミッタンスの絶対値がＹ０に落ちてくる電圧をＶ１とする。Ｖ２とＶ１の差が、ΔＶ（＝Ｖ２−Ｖ１）である。
【００３４】
本発明の装置では、掃引速度Ｒｓを変更することが可能である。掃引速度Ｒｓを大きくまたは小さく変えると、Ｖ２とＶ１が一致しΔＶ＝０を満たす掃引速度Ｒｓが見いだされる。このときのＲｓをｖ０と定義する。
【００３５】
これらのＶ１、Ｖ２、ΔＶ、ｖ０の値は、液晶材料の電圧応答性を表す物性評価のための指標として応用することができると期待される。従来のパラメータとの関連では、Δε、弾性定数、粘性係数などを複合して表していると理解される。
【００３６】
さらに本発明の装置は、アドミッタンスの位相を測定できることが好ましく、特に掃引電圧に対して、位相変化が最も鋭敏に現れるように、高周波成分の周波数ｆが調整可能であることが好ましい。アドミッタンスの９０°からのずれは、導電率成分が存在することを意味し、液晶材料または配向膜等の長期安定性が問題になる。
【００３７】
以上のような本発明の液晶物性評価装置は、ハードウェアとともにハードウェアを機能させるソフトウェアを有することができる。従って、信号発生手段およびアドミッタンス測定手段は、それぞれ単独のハードウェアで構成されていてもよいし、複数のハードウェアで構成されていても、両方が一つのハードウェアで構成されてもよい。さらには、ハードウェアと組み合わせたソフトウェアまたは論理的な構成をその一部として有していてもよい。
【００３８】
図３に、液晶物性評価装置の構成の１例をブロック図により示す。この例では、定電位保持装置１３および電位掃引装置１２により掃引電圧成分Ｖｓをつくり、交流発振器１４により高周波交流成分をつくり、掃引電圧成分と高周波交流成分を合わせることで信号電圧を作り出して液晶セル１１に印加する。交流振幅測定装置１５により交流電流の振幅および位相を測定し、信号電圧を比較して、アドミッタンス（アドミッタンスの絶対値および位相）を得ることができる。さらに、ＸＹレコーダ１６を備えることで、掃引電圧を横軸として、縦軸にアドミッタンスの絶対値または位相をプロットすることが可能である。
【実施例】
【００３９】
次に、液晶材料を評価した実施例を示す。実験には、図３の構成に対応して次の装置を使用した。
【００４０】
定電位保持装置は、株式会社東方技研製のポテンシオスタット・ガルバノスタット  モデル２０２０（最大設定電圧±１０Ｖ、を用いた。電流レンジ±１μＡ〜±１Ａ  ７レンジ、最小電流±１ｎＡ以下）を使用した。
【００４１】
交流発振器は、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製  １９４１／１９４５マルチファンクションシンセサイザ（振幅  ０  ｍＶｐ−ｐ〜２０，０００Ｖｐ−ｐ、周波数  ０．０１μＨｚ〜１５ＭＨｚ）を使用した。
【００４２】
電位掃引装置は、北斗電工株式会社製  簡易関数発生器ＨＢ−１１１（設定電位範囲  −５．０００Ｖ〜０〜＋５．０００Ｖ、掃引速度  ０．１ｍＶ／ｓ〜５ｋＶ／ｍｉｎ）を使用した。
【００４３】
交流振幅測定装置には、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製  シンクロトラック  ロックイン・アンプ  ＬＩ−５７５（感度レンジ  １００ｎＶ〜５００ｍＶ／Ｆ．Ｓ、周波数範囲  ０．５Ｈｚ〜２００ｋＨｚ、入力電圧範囲  ０．３Ｖ〜３０Ｖｐ−ｐ）を使用した。
【００４４】
ＸＹレコーダは、グラフィック株式会社製  Ｘ−Ｙレコーダ  ＷＸ１２００−ＵＭ−１０１（ペン振れ幅  ０．５〜５０００ｍＶ／ｃｍ、最大ペン速度  ８００ｍｍ／ｓ）を使用した。
【００４５】
（実験例１）
セチルトリメチルアンモニウムブロマイドの配向膜を調整した２枚のガラス基板から、セルギャップ５μｍであるＶＡ素子を組み立てた。得られたＶＡ素子に液晶材料として、ＭＬＣ−６６０８（メルク）を注入し、２００ｍＶ／ｓの掃引速度で、Ｖｐｐ＝０．０５Ｖ、１ｋＨｚの交流信号を印加して−５Ｖ〜５Ｖのセル電極間電圧掃引を行った。得られたアドミッタンス電位依存性を図４に示す。
【００４６】
また、アドミッタンス電位依存性と同時に、フェーズシフトの電位依存性を測定した。結果を図５に示す。
【００４７】
（実験例２）
掃引速度を５０ｍＶ／ｓに変えた以外は実験例１と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図６に示す。
【００４８】
（実験例３）
掃引速度を１Ｖ／ｓに変えた以外は実験例１と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図７に示す。
【００４９】
実験例１、２、３のＶＡ素子におけるΔＶの値を表１に示す。
【００５０】
【表１】
0005211599.tif 000002
この結果から、掃引速度を大きくしていくにつれて、ΔＶの値が大きくなり、この液晶材料およびセル構成の場合では、表の速度範囲ではΔＶが−から＋へ変化し、ΔＶ＝０は０．２Ｖ／ｓより大きく１Ｖ／ｓより小さい掃引速度で現れる。
【００５１】
Ｖ２は電場エネルギーによって配向し誘電率の変化が起き始める電圧を意味し、Ｖ１は電場エネルギーから解放され配向膜のアンカリング力によって元に戻る電圧を意味している。したがって、ΔＶは粘性にかかわる電場の影響と弾性にかかわる配向膜の影響の大小を示し、ΔＶ＝０となる掃引速度ｖ０は、粘性にかかわる電場の影響と弾性にかかわる配向膜の影響がつり合っている点であることを意味している。
【００５２】
（実験例４）
交流信号をＶｐｐ＝０．０５Ｖ、５００Ｈｚに変えた以外は実験例１と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図８に示す。
【００５３】
（実験例５）
交流信号をＶｐｐ  ０．０５Ｖ、２００Ｈｚに変えた以外は実験例１と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図９に示す。
【００５４】
実験例１、４および５の結果から測定条件として交流信号の周波数を変化させた場合、Ｖ１、Ｖ２の電位は変化しないことが観測される。すなわち、Ｖ１、Ｖ２は漏れ電流にかかわらず一定の測定できることを意味している。
【００５５】
（実験例６）
ポリイミドの配向膜を調整した２枚のガラス基板から、ツイスト角が右９０度、セルギャップ５μｍであるＴＮ素子を組み立てた。得られたＴＮ素子に液晶として、ＭＬＣ−６６０１（メルク）を注入し、２００ｍＶ／ｓの掃引速度で、Ｖｐｐ＝０．０５Ｖ、１ｋＨｚの交流信号を印加して−１０Ｖ〜１０Ｖのセル電極間電圧掃引を行った。得られたアドミッタンス電位依存性を図１０および表２に示す。
【００５６】
（実験例７）
ツイスト角を１８０度（アンチパラレル）に変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１１および表３に示す。
【００５７】
（実験例８）
ツイスト角を左９０度に変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１２および表４に示す。
【００５８】
（実験例９）
ツイスト角を３６０度（パラレル）に変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１３および表５に示す。
【００５９】
（実験例１０）
液晶として、カイラルドープ剤ＺＬＩ−４５７１（メルク）を０．５％添加したＭＬＣ−６６０１（メルク）に変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１４および表２に示す。
【００６０】
（実験例１１〜１３）
カイラルドープ剤ＺＬＩ−４５７１（メルク）を０．１％、０．２％、１％をそれぞれ添加したＭＬＣ−６６０１（メルク）に変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表２に示す。
【００６１】
【表２】
0005211599.tif 000003
【００６２】
（実験例１４〜１７）
液晶として、カイラルドープ剤ＺＬＩ−４５７１（メルク）を０．１％、０．２％、０．５％、１％をそれぞれ添加したＭＬＣ−６６０１（メルク）に変えた以外は実験例７と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表３に示す。
【００６３】
【表３】
0005211599.tif 000004
【００６４】
（実験例１８〜２１）
液晶として、カイラルドープ剤ＺＬＩ−４５７１（メルク）を０．１％、０．２％、０．５％、１％をそれぞれ添加したＭＬＣ−６６０１（メルク）に変えた以外は実験例８と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表４に示す。
【００６５】
【表４】
0005211599.tif 000005
【００６６】
（実験例２２〜２０）
液晶として、カイラルドープ剤ＺＬＩ−４５７１（メルク）を０．１％、０．２％、０．５％、１％をそれぞれ添加したＭＬＣ−６６０１（メルク）に変えた以外は実験例９と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表５に示す。
【００６７】
【表５】
0005211599.tif 000006
【００６８】
実験例６〜２５の結果から、各ツイスト角についてカイラルドープ剤の添加量とΔＶの関係を図１５に示す。カイラルドープ剤の添加量が大きくなると、ヒステリシスが大きくなり配向に及ぼす影響が大きくなり、ある濃度以上では配向に及ぼす影響が飽和することがわかる。一方、添加量が小さすぎると、配向に及ぼす影響が小さくなる。したがって、ΔＶはカイラルドープ剤の最適な添加量を決定する指標となることを意味している。
【００６９】
（実験例２６）
掃引速度を５０ｍＶ／ｓに変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１６に示す。
【００７０】
（実験例２７）
掃引速度を１Ｖ／ｓに変えた以外は実験例６と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図１７に示す。
【００７１】
実験例６、２６，２７のＴＮ素子におけるΔＶの値を表６に示す。
【００７２】
【表６】
0005211599.tif 000007
この結果から、掃引速度を大きくしていくにつれて、表の速度範囲ではΔＶが＋の範囲で大きくなった。この液晶材料およびセル構成の場合では、外挿すると、ΔＶ＝０は０．０５Ｖ／ｓより小さな掃引速度で現れる。
【００７３】
尚、ＴＮセル（実験例６で使用したセル）に誘電率異方性が負である液晶材料（実験例１で使用した液晶材料）を注入して測定した場合や、ＶＡ素子（実験例１で使用したセル）に誘電率異方性が正である液晶材料（実験例６で使用した液晶材料）を注入して測定した場合には、アドミッタンス電位依存性は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に使用される液晶セルの構成を模式的に示す図である。
【図２】掃引電圧に対するアドミッタンスの絶対値の依存性の１例を模式的に示すグラフである。
【図３】本発明の液晶物性評価装置の１例を示すブロック図である。
【図４】実験例１で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図５】実験例１で測定したアドミッタンスの位相の電圧依存性を示す図である。
【図６】実験例２で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図７】実験例３で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図８】実験例４で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図９】実験例５で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１０】実験例６で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１１】実験例７で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１２】実験例８で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１３】実験例９で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１４】実験例１０で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１５】カイラルドープ剤の添加量とΔＶの関係を示すグラフである。
【図１６】実験例２６で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【図１７】実験例２７で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  基板
２  電極
３  配向膜
４  液晶層
１１  液晶セル
１２  電位掃引装置
１３  定電位保持装置
１４  交流発振器
１５  交流振幅測定装置
１６  ＸＹレコーダ
【図１】
0005211599.tif 000008
【図２】
0005211599.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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