(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸コネクタ（１０）と、複数の導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）を第１絶縁フィルム（３ｄ）と第２絶縁フィルム（３ｅ）とで挟んだ構造であり且つ前記同軸コネクタ（１０）に前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第１端（３１）を接続され且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第１絶縁フィルム（３ｄ）側面が露出し被測定物に対する接触部（３３）になっており且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第２絶縁フィルム（３ｅ）側面は前記第２絶縁フィルム（３ｅ）で被覆されているフレキシブル・フラット・ケーブル（３０）とを具備した高周波測定用プローブ（１０１，１０２）であって、前記接触部（３３）に、前記露出した導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）が凸面側になるように該露出した前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）を曲げて凸部（３４）を設けたことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２）。
【請求項２】
同軸コネクタ（１０）と、前記同軸コネクタ（１０）に第１端（２１）を接続された同軸ケーブル（２０）と、複数の導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）を第１絶縁フィルム（３ｄ）と第２絶縁フィルム（３ｅ）とで挟んだ構造であり且つ前記同軸ケーブル（２０）の第２端（２２）に前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第１端（３１）を接続され且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第１絶縁フィルム（３ｄ）側面が露出し被測定物に対する接触部（３３）になっており且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第２絶縁フィルム（３ｅ）側面は前記第２絶縁フィルム（３ｅ）で被覆されているフレキシブル・フラット・ケーブル（３０）とを具備した高周波測定用プローブ（２００）であって、前記接触部（３３）に、前記露出した導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）が凸面側になるように該露出した前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）を曲げて凸部（３４）を設けたことを特徴とする高周波測定用プローブ（２００）。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の高周波測定用プローブ（１０１，１０２，，２００）において、前記第２絶縁フィルム（３ｅ）に貼着されたシールド箔（４１）を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）において、前記第１絶縁フィルム（３ｄ）に貼着されたシールド箔（４２）を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波測定用プローブに関し、さらに詳しくは、インピーダンスの変化を抑制できる構造とした高周波測定用プローブおよび外来ノイズを拾い難い構造とした高周波測定用プローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導体を誘電体で担持したコプレーナ導体構造物の導体の第１端を同軸ケーブルに接続し、導体の第２端を誘電体より突出させて被測定物に対する接触部とし、誘電体の一面に金属をコーティングしてシールドとした高周波測定プローブが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特表２００３−５１０５７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記従来の高周波測定プローブでは、コプレーナ導体構造物の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適であった。また、誘電体の一面がシールドになっており、外来ノイズを拾い難くなっていた。
しかし、被測定物に対する接触部においては誘電体が無いため、インピーダンスが変化してしまう問題点がある。また、シールドが無いため、外来ノイズを拾ってしまう問題点がある。
そこで、本発明の目的は、インピーダンスの変化を抑制できる構造とした高周波測定用プローブおよび外来ノイズを拾い難い構造とした高周波測定用プローブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の観点では、本発明は、同軸コネクタ（１０）と、複数の導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）を第１絶縁フィルム（３ｄ）と第２絶縁フィルム（３ｅ）とで挟んだ構造であり且つ前記同軸コネクタ（１０）に第１端（３１）を接続され且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第１絶縁フィルム（３ｄ）側面が露出し被測定物に対する接触部（３３）になっており且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第２絶縁フィルム（３ｅ）側面は前記第２絶縁フィルム（３ｅ）で被覆されたフレキシブル・フラット・ケーブル（３０）とを具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２）を提供する。
上記第１の観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２）では、フレキシブル・フラット・ケーブル（３０）の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適である。そして、被測定物に対する接触部（３３）の裏面にも第２絶縁フィルム（３ｅ）があるので、インピーダンスの変化を抑制できる。
【０００５】
第２の観点では、本発明は、同軸コネクタ（１０）と、前記同軸コネクタ（１０）に第１端（２１）を接続された同軸ケーブル（２０）と、複数の導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）を第１絶縁フィルム（３ｄ）と第２絶縁フィルム（３ｅ）とで挟んだ構造であり且つ前記同軸ケーブル（２０）の第２端（２２）に第１端（３１）を接続され且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第１絶縁フィルム（３ｄ）側面が露出し被測定物に対する接触部（３３）になっており且つ前記導体ストリップ（３ａ，３ｂ，３ｃ）の第２端（３２）の前記第２絶縁フィルム（３ｅ）側面は前記第２絶縁フィルム（３ｅ）で被覆されたフレキシブル・フラット・ケーブル（３０）とを具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（２００）を提供する。
上記第２の観点による高周波測定用プローブ（２００）では、フレキシブル・フラット・ケーブル（３０）の導体を用いており、例えばマイクロストリップライン構造の被測定物に接触させるのに好適である。そして、被測定物に対する接触部（３３）の裏面にも第２絶縁フィルム（３ｅ）があるので、被測定物に対する接触部（３３）においてもインピーダンスの変化を抑制できる。さらに、同軸コネクタ（１０）とフレキシブル・フラット・ケーブル（３０）の間に同軸ケーブル（２０）を介在させるので、被測定物に対する接触部（３３）から同軸コネクタ（１０）までの長さを容易に伸張することが出来る。
【０００６】
第３の観点では、本発明は、前記第１または第２の観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）において、前記第２絶縁フィルム（３ｅ）に貼着されたシールド箔（４１）を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）を提供する。
上記第３の観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）では、第２絶縁フィルム（３ｅ）側にシールド箔（４１）があるので、外来ノイズを拾い難くなる。
【０００７】
第４の観点では、本発明は、前記第１から第３のいずれかの観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）において、前記第１絶縁フィルム（３ｄ）に貼着されたシールド箔（４２）を具備したことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）を提供する。
上記第４の観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）では、第１絶縁フィルム（３ｄ）側にシールド箔（４２）があるので、外来ノイズを拾い難くなる。
【０００８】
第５の観点では、本発明は、前記第１から第４のいずれかの観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）において、前記接触部（３３）に凸部（３４）を設けたことを特徴とする高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）を提供する。
上記第５の観点による高周波測定用プローブ（１０１，１０２，２００）では、被測定物に対する接触部（３３）に凸部（３４）を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の高周波測定用プローブによれば、被測定物に対する接触部の裏面にも絶縁フィルムがあるので、インピーダンスの変化を抑制でき、インピーダンス整合を向上できる。。また、シールド箔があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。さらに、柔軟で薄いフレキシブル・フラット・ケーブルを用いるので、同軸ケーブルやリジッドな電極では接触させることが困難な部分にも容易に接触させることが可能になり、高周波測定対象を大きく広げることが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図に示す実施の形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００１１】
図１は、実施例１に係る高周波測定用プローブ１０１を示す上面図である。図２は、同一部破断正面図である。
【００１２】
この高周波測定用プローブ１０１は、同軸コネクタ１０と、フレキシブル・フラット・ケーブル３０と、シールド箔４１，４２とを具備してなる。
【００１３】
フレキシブル・フラット・ケーブル３０は、中心導体ストリップ３ａと両側導体ストリップ３ｂ，３ｃとを、第１絶縁フィルム３ｄと第２絶縁フィルム３ｅとで挟んで、接着した構造である。
フレキシブル・フラット・ケーブル３０の第１端３１では、露出した導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃが、半田付けにより、同軸コネクタ１０に接続されている。
フレキシブル・フラット・ケーブル３０の第２端３２では、第１絶縁フィルム３ｄ側面のみ導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃが露出し、半田被覆され、被測定物に対する接触部３３になっている。接触部３３には、凸部３４が設けられている。一方、第２絶縁フィルム３ｅ側面は第２絶縁フィルム３ｅで被覆されており、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃは露出していない。
【００１４】
シールド箔４１は第２絶縁フィルム３ｅに貼着され、シールド箔４２は第１絶縁フィルム３ｄに貼着されている。
【００１５】
具体例を示すと、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃは、幅０．４ｍｍの銅箔である。導体ストリップ３ａと３ｂの間のギャップ幅および導体ストリップ３ａと３ｃの間のギャップ幅は０．３ｍｍである。第１絶縁フィルム３ｄおよび第２絶縁フィルム３ｅは、幅２．１ｍｍのＰＥＴフィルムである。シールド箔４１，４２はアルミ箔である。フレキシブル・フラット・ケーブル３０のインピーダンスは５０Ωである。
【００１６】
実施例１の高周波測定用プローブ１０１によれば、被測定物に対する接触部３３の裏面にも第２絶縁フィルム３ｅがあるので、インピーダンスの変化を抑制できる。また、シールド箔４１があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。さらに、被測定物に対する接触部３３に凸部３４を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。
【実施例２】
【００１７】
図３は、実施例２に係る高周波測定用プローブ１０２を示す上面図である。図４は、同一部破断正面図である。
この高周波測定用プローブ１０２は、フレキシブル・フラット・ケーブル３０の第１端３１で、露出した導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃが、挟み込みにより、同軸コネクタ１０に接続されている。それ以外の構成は、実施例１に係る高周波測定用プローブ１０１と同じである。
【実施例３】
【００１８】
図５は、実施例３に係る高周波測定用プローブ２００を示す上面図である。図６は、同一部破断正面図である。
【００１９】
この高周波測定用プローブ２００は、同軸コネクタ（ＳＭＡコネクタ）１０と、同軸ケーブル２０と、フレキシブル・フラット・ケーブル３０と、シールド箔４１，４２とを具備してなる。
【００２０】
同軸コネクタ１０には、同軸ケーブル２０の第１端２１の中心導体とシールド導体とが挟み込みにより接続されている。
【００２１】
フレキシブル・フラット・ケーブル３０は、中心導体ストリップ３ａと両側導体ストリップ３ｂ，３ｃとを、第１絶縁フィルム３ｄと第２絶縁フィルム３ｅとで挟んで、接着した構造である。
フレキシブル・フラット・ケーブル３０の第１端３１では、露出した導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃが、半田付けにより、同軸ケーブル２０の第２端２２の中心導体とシールド導体とに接続されている。
フレキシブル・フラット・ケーブル３０の第２端３２では、第１絶縁フィルム３ｄ側面のみ導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃが露出し、被測定物に対する接触部３３になっている。接触部３３には、凸部３４が設けられている。一方、第２絶縁フィルム３ｅ側面は第２絶縁フィルム３ｅで被覆されており、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃは露出していない。
【００２２】
シールド箔４１は第２絶縁フィルム３ｅに貼着され、シールド箔４２は第１絶縁フィルム３ｄに貼着されている。
【００２３】
具体例を示すと、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃは、幅０．４ｍｍの銅箔である。導体ストリップ３ａと３ｂの間のギャップ幅および導体ストリップ３ａと３ｃの間のギャップ幅は０．３ｍｍである。第１絶縁フィルム３ｄおよび第２絶縁フィルム３ｅは、幅２．１ｍｍのＰＥＴフィルムである。シールド箔４１，４２はアルミ箔である。フレキシブル・フラット・ケーブル３０のインピーダンスは５０Ωである。同軸ケーブル２０のインピーダンスは５０Ωである。
【００２４】
実施例３の高周波測定用プローブ２００によれば、被測定物に対する接触部３３の裏面にも第２絶縁フィルム３ｅがあるので、インピーダンスの変化を抑制できる。また、シールド箔４１があるので、外来ノイズを拾い難くすることが出来る。また、被測定物に対する接触部３３に凸部３４を設けたので、被測定物に対する接触性を良好かつ安定に出来る。さらに、同軸ケーブル２０の長さを変えることにより、接触部３３から同軸コネクタ１０までの長さを容易に伸張することが出来る。
【実施例４】
【００２５】
フレキシブル・フラット・ケーブル３０のインピーダンスは、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃや第１絶縁フィルム３ｄや第２絶縁フィルム３ｅの材料や寸法を変えることにより、また、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃに第１絶縁フィルム３ｄや第２絶縁フィルム３ｅを接着する接着剤の材料や厚さを変えることにより変更でき、被測定物のインピーダンスとマッチングさせることが出来る。導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃの材料としては、銅の他、銀やニッケルを用いてもよい。
【００２６】
なお、導体ストリップ３ａ，３ｂ，３ｃの寸法、導体ストリップ３ａと３ｂの間のギャップ幅、導体ストリップ３ａと３ｃの間のギャップ幅は、被測定物の寸法（例えば配線パターン幅やギャップ幅、ＩＣチップのピン幅やピッチ）に合わせる必要があるため、選択の自由度は制限される。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明の高周波測定用プローブは、例えば１０ＧＨｚ程度までの高周波の測定に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例１に係る高周波測定用プローブを示す上面図である。
【図２】実施例１に係る高周波測定用プローブを示す一部破断正面図である。
【図３】実施例２に係る高周波測定用プローブを示す上面図である。
【図４】実施例２に係る高周波測定用プローブを示す一部破断正面図である。
【図５】実施例３に係る高周波測定用プローブを示す上面図である。
【図６】実施例３に係る高周波測定用プローブを示す一部破断正面図である。
【符号の説明】
【００２９】
３ａ，３ｂ，３ｃ        導体ストリップ
３ｄ                    第１絶縁フィルム
３ｅ                    第２絶縁フィルム
１０                    同軸コネクタ
２０                    同軸ケーブル
３０                    フレキシブル・フラット・ケーブル
３３                    接触部
３４                    凸部
４１，４２              シールド箔
１０１，１０２，２００      高周波測定用プローブ
【図１】
0005219633.tif 000002
【図２】
0005219633.tif 000003
【図３】
0005219633.tif 000004
【図４】
0005219633.tif 000005
【図５】
0005219633.tif 000006
【図６】
0005219633.tif 000007