(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工面である第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している石英基板と、
前記第２主面上に設けられている第１シリコン窒化膜、当該第１シリコン窒化膜上に設けられている第１シリコン酸化膜、及び当該第１シリコン酸化膜上に設けられている第２シリコン窒化膜を含み、基板検出光を加工装置による前記石英基板の認識を妨げない程度に非減衰とし、かつ露光光に対してハーフミラー特性を有する第１膜構造体と、
前記第２シリコン窒化膜上に設けられているリンドープポリシリコン膜、当該リンドープポリシリコン膜上に設けられている第２シリコン酸化膜、当該第２シリコン酸化膜上に設けられている第１ポリシリコン膜、当該第１ポリシリコン膜上に設けられている第３シリコン酸化膜、及び当該第３シリコン酸化膜上に設けられている第２ポリシリコン膜を含み、基板検出光の前記石英基板に対する透過率及び反射率を加工装置において前記石英基板の存在を認識できる程度とし、露光光を吸収する特性を有する第２膜構造体と
を具えていることを特徴とするウエハプロセス適用基板。
【請求項２】
前記第１シリコン窒化膜、前記第１シリコン酸化膜、及び前記第２シリコン窒化膜の膜厚を、λ／４ｎ（ここで、λは露光光の波長であり、ｎは波長λの場合の膜材料の屈折率である。）としてあることを特徴とする請求項１に記載のウエハプロセス適用基板。
【請求項３】
前記第１シリコン窒化膜及び前記第２シリコン窒化膜の膜厚を４３ｎｍとし、かつ前記第１シリコン酸化膜の膜厚を６２ｎｍとしたことを特徴とする請求項２に記載のウエハプロセス適用基板。
【請求項４】
前記露光光は、ｉ線であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のウエハプロセス適用基板。
【請求項５】
前記基板検出光は、６００ｎｍから７００ｎｍの範囲の波長を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のウエハプロセス適用基板。
【請求項６】
前記露光光の反射を最大でも３０％とし、かつ透過光の透過を最大でも２％とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のウエハプロセス適用基板。
【請求項７】
被加工面である第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している石英基板を準備する工程と、
前記第２主面上に第１シリコン窒化膜を成膜し、当該第１シリコン窒化膜上に第１シリコン酸化膜を成膜し、及び当該第１シリコン酸化膜上に第２シリコン窒化膜を成膜して、基板検出光を加工装置による前記石英基板の認識を妨げない程度に非減衰とし、かつ露光光に対してハーフミラー特性を有する第１膜構造体を形成する工程と、
前記第２シリコン窒化膜上にリンドープポリシリコン膜を成膜し、当該リンドープポリシリコン膜上に第２シリコン酸化膜を成膜し、当該第２シリコン酸化膜上に第１ポリシリコン膜を成膜し、当該第１ポリシリコン膜上に第３シリコン酸化膜を成膜し、及び当該第３シリコン酸化膜上に第２ポリシリコン膜を成膜して、基板検出光の前記石英基板に対する透過率及び反射率を加工装置において前記石英基板の存在を認識できる程度とし、露光光を吸収する特性を有する第２膜構造体を形成する工程と
を含むことを特徴とするウエハプロセス適用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、露光工程を含むいわゆるウエハプロセスに適用して好適な基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、光学素子といった装置の製造工程であるいわゆるウエハプロセスにおいて使用される加工装置、すなわち露光装置といった製造装置では、処理対象である基板、すなわちウエハが所定位置に存在するか否かの認識を光センサ或いは静電容量センサにより行う例が知られている。
【０００３】
例えば、光センサによる基板の認識に際して、出射光の波長が６００ｎｍから７００ｎｍ程度であるレーザダイオード（以下、ＬＥＤと称する。）を光源として用いる構成が知られている。
【０００４】
この場合には、基板からの反射光を検出するか、基板が所定の位置に配置された場合にＬＥＤの出射光が非検知となるか又は出射光の光量が減少することにより、加工装置に処理対象である基板が適切に配置されているか否かを判定している。
【０００５】
例えば、ＳＯＳ(Silicon on Sapphire）基板の光学的な検出をより精度よく行うために、ＳＯＳ基板の裏面に、リンイオンをドープした多結晶シリコン層を設ける構成が知られている（例えば特許文献１参照。）。
【０００６】
また、半導体基板の位置検出を光学的手段により行うに際し、基板上に多結晶シリコン膜／シリコン酸化膜／多結晶シリコン膜を順次積層した多層構造体をアラインメントマークとして設ける構成が知られている（例えば特許文献２参照。）。
【０００７】
さらに、いわゆる露光工程を行うに際して、露光光を吸収する層とマスクパターンの検査光の吸収体で構成する吸収体層とを積層することにより、露光光の反射によるパターニング精度の低下を防止し、かつパターン検査におけるコントラストの低下を防止する構成が知られている（例えば特許文献３参照。）。
【０００８】
さらにまた、積層膜上に形成されるレジストパターンの線幅の制御性を向上させることを目的として、反射防止膜の下層に形成される積層膜の膜厚を露光光の変動を考慮して調整する構成が知られている（例えば特許文献４参照。）。
【特許文献１】特開平７−２８３３８３号公報
【特許文献２】特開２００６−２４５３５４号公報
【特許文献３】特開平２００４−００６７９８号公報
【特許文献４】特開２００３−３３２１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したような基板検出のための膜構造を適用すれば、確かに加工装置における基板の認識をより確実に行うことができる。しかしながら、その後行われるフォトリソグラフィ工程の露光工程において、露光光の、基板に対する反射率が高くなってしまうため、露光工程ごとに反射防止膜を形成して、露光光の反射を防止する必要があった。
【００１０】
しかしながら、基板に、露光工程ごとに露光光に対する反射防止膜を形成する手法は、所要の工程数が増加してしまい、それにより製造コストが増大してしまうという問題があった。
【００１１】
この発明の発明者は、鋭意研究を進める中で、特定の構成の多層膜構造体を基板上に予め形成しておくことで上記従来の問題点を解決できることを見出し、この発明を完成するに至った。
【００１２】
この発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工装置による基板の精度のよい認識と露光工程における露光光の反射によるパターニング精度の低下防止とを両立することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明のウエハプロセス適用基板の好適な構成例によれば、以下の構成を具えているのがよい。
【００１４】
すなわち、このウエハプロセス適用基板は、被加工面である第１主面及び第１主面に対向している第２主面を有している石英基板を具えている。
【００１５】
また、ウエハプロセス適用基板は、第２主面上に設けられている第１シリコン窒化膜、第１シリコン窒化膜上に設けられている第１シリコン酸化膜、及び第１シリコン酸化膜上に設けられている第２シリコン窒化膜を含む、基板検出光を加工装置による石英基板の認識を妨げない程度に非減衰とし、かつ露光光に対してハーフミラー特性を有する第１膜構造体を具えている。
【００１６】
さらに、ウエハプロセス適用基板は、第２シリコン窒化膜上に設けられているリンドープポリシリコン膜、リンドープポリシリコン膜上に設けられている第２シリコン酸化膜、第２シリコン酸化膜上に設けられている第１ポリシリコン膜、第１ポリシリコン膜上に設けられている第３シリコン酸化膜、第３シリコン酸化膜上に設けられている第２ポリシリコン膜を含む、第２膜構造体を具えている。
【００１７】
この第２膜構造体は、基板検出光の石英基板に対する透過率及び反射率を加工装置において石英基板の存在を認識できる程度とし、露光光を吸収する機能を有している。
【００１８】
また、この発明のウエハプロセス適用基板の製造方法によれば、下記のような工程を含んでいる。
【００１９】
すなわち、この製造方法は、被加工面である第１主面及び第１主面に対向している第２主面を有している石英基板を準備する工程と、第２主面上に第１シリコン窒化膜を成膜し、第１シリコン窒化膜上に第１シリコン酸化膜を成膜し、及び第１シリコン酸化膜上に第２シリコン窒化膜を成膜して、基板検出光を加工装置による石英基板の認識を妨げない程度に非減衰とし、かつ露光光に対してハーフミラー特性を有する第１膜構造体を形成する工程と、第２シリコン窒化膜上にリンドープポリシリコン膜を成膜し、リンドープポリシリコン膜上に第２シリコン酸化膜を成膜し、第２シリコン酸化膜上に第１ポリシリコン膜を成膜し、第１ポリシリコン膜上に第３シリコン酸化膜を成膜し、及び第３シリコン酸化膜上に第２ポリシリコン膜を成膜して、基板検出光の前記石英基板に対する透過率及び反射率を加工装置において石英基板の存在を認識できる程度とし、露光光を吸収する特性を有する第２膜構造体を形成する工程とを含んでいる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明のウエハプロセス適用基板によれば、第１シリコン窒化膜、第１シリコン酸化膜及び第２シリコン窒化膜をこの順に積層した第１膜構造体と基板検出光の反射を高めて透過率を低減する第２膜構造体とを設けてある。このため、これらの膜構造体が相俟って露光光の反射を低減するとともに、基板検出光を反射して、実質的に不透過とするため、基板検出光の反射光を検出するか又は基板検出光が基板を不透過となることを検出する加工装置における基板の検出をより精度よく行うことができる。しかも、露光光の反射を効果的に低減してより精度の高いレジストパターンの形成が可能となる。
【００２１】
また、第１膜構造体と第２膜構造体とが相俟って、露光光の反射を低減するため、従来必要であった露光工程ごと、特に露光光がウエハの裏面、すなわち第２主面側にまで到達する、早い段階での露光工程において反射防止膜の形成工程を不要とすることができる。よって、製造工程をより簡易なものとすることができる。従って、装置の製造コストのさらなる低減が実現される。
【００２２】
また、この発明のウエハプロセス適用基板の製造方法によれば、上述した構成を有するこの発明のウエハプロセス適用基板を効率的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図を参照して、この発明の実施形態につき説明する。なお、図には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。
【００２４】
（ウエハプロセス適用基板の構成）
図１を参照して、この発明の実施形態のウエハプロセス適用基板の構成例につき説明する。
【００２５】
図１は、ウエハプロセス適用基板を切断した切断面の一部領域を概略的に示す図である。
【００２６】
この発明のウエハプロセス適用基板１０は、露光光の反射の低減と基板の検出光に対する反射率の増大及び透過率の低減とを両立するための構成を具えている点に特徴を有している。
【００２７】
この発明のウエハプロセス適用基板１０とは、露光工程を含むいわゆるウエハプロセスに適用される基板を意味する。すなわち、ここでいうウエハプロセス適用基板１０のウエハプロセス適用後の具体的な用途については特に限定されない。この発明のウエハプロセス適用基板１０には、電気的デバイスである半導体装置の製造用のみならず、例えばナノインプリンティング用、光学素子製造用といった種々の用途に適用される基板も含まれる。
【００２８】
図１に示されるように、この発明のウエハプロセス適用基板１０は、基板２０を含んでいる。基板２０は、この例では平行平板状の石英基板である。
【００２９】
基板２０は、第１主面２０ａ及びこの第１主面２０ａに対向している第２主面２０ｂを有している。この第１主面２０ａは、トランジスタといった素子が作り込まれるか、またはパターン形成といった任意好適ななんらかの加工がなされる、すなわち露光工程といったウエハプロセスが適用される被加工面である。
【００３０】
この発明のウエハプロセス適用基板１０は、第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０を具えている。
【００３１】
第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０は、いずれもこの例では第２主面２０ｂ全面を覆って設けられている。
【００３２】
第１膜構造体３０は、基板２０の第２主表面２０ｂ上に設けられている。この第１膜構造体３０は、いわゆるウエハプロセスの露光工程において第２膜構造体４０と相俟って、露光光の反射を低減させる機能を有する多層膜構造体である。
【００３３】
第１膜構造体３０は、好ましくは、基板検出光を加工装置による石英基板２０の認識を妨げない程度に非減衰、すなわち、好ましくは例えば波長６４０ｎｍにおいて、高透過性かつ低反射性であり、かつ露光光、例えば波長３６５ｎｍにおいて、反射光：透過光の比率がほぼ１：１となるいわゆるハーフミラー特性を有しているのがよい。
【００３４】
ここでいう、「ハーフミラー特性」とは、反射率と透過率との比を厳密に１：１、すなわち、入射光に対する強度の割合を５０％：５０％の割合に限定するものではない。すなわち「ハーフミラー特性」には、第１膜構造体と組み合わされる第２膜構造体の光学的特性、求められるレジスト寸法（精度）における露光光の反射許容値等を考慮して、「ハーフミラー特性」、すなわち反射率と透過率との比に幅を持たせることができる。
【００３５】
露光光の反射許容値（上限）を、例えば、一般的な技術水準で妥当であると考えられる３０％とすると、「ハーフミラー特性」の反射率及び透過率の強度の割合それぞれには、好ましくは例えば±３％程度の幅を持たせることができる。
【００３６】
第１膜構造体３０は、好ましくは例えば、第１シリコン窒化膜３２、第１シリコン酸化膜３４及び第２シリコン窒化膜３６を含んでいる。
【００３７】
第１シリコン窒化膜３２は、この例では、基板２０の第２主面２０ｂ上全面に光学的な特性を損なわない程度に均一、すなわちほぼ均一な膜厚として設けられている。第１シリコン酸化膜３４は、この例では、第１シリコン窒化膜３２上全面にほぼ均一な膜厚として設けられている。第２シリコン窒化膜３６は、この例では、この第１シリコン酸化膜３４上全面にほぼ均一な膜厚として設けられている。
【００３８】
第１シリコン窒化膜３２、第１シリコン酸化膜３４、及び第２シリコン窒化膜３６の膜厚は、露光光の波長λ及びこの波長λにおける膜材料の屈折率ｎに基づいて、式：λ／４ｎを適用して決定すればよい。
【００３９】
この発明のウエハプロセス適用基板１０には、例えば波長が３６５ｎｍであるいわゆるｉ線を露光光として用いる露光工程の適用が想定されている。
【００４０】
この発明のウエハプロセス適用基板１０に適用可能な露光光は、ｉ線に限定されない。露光光の反射は、求められるレジスト寸法（精度）等を考慮して、一般的な技術水準で反射率３０％程度までは許容される。詳細は後述するが、この発明のウエハプロセス適用基板１０に適用可能な露光光の波長の範囲は、現状の技術水準で許容される反射率を考慮して、好ましくは例えば、３２０ｎｍから４４０ｎｍ程度の範囲とするのがよい。
【００４１】
よって、露光光をｉ線とした場合には、シリコン窒化膜の屈折率ｎsinは２．０９であり、シリコン酸化膜の屈折率ｎsioは１．４７５であることから、式：λ／４ｎより、第１シリコン窒化膜３２及び第２シリコン窒化膜３６の膜厚を、好ましくは例えば４３ｎｍ程度とし、かつ第１シリコン酸化膜３４の膜厚を、好ましくは例えば６２ｎｍ程度とするのがよい。
【００４２】
第１膜構造体３０において、検出光が減衰するか又は干渉により検出光の透過率が低下すると、ウエハプロセス適用基板１０全体としての検出光の反射率が低下し、反射型センサによる基板の検出が困難となるおそれがあるため、検出光については、減衰及び透過率の低下がないように、すなわち可能な限り検出光を透過するような特性を有するものとするのがよい。
【００４３】
詳細は後述するが、膜厚を上述の式：λ／４ｎにより決定し、第２膜構造体４０を基板２０に単独で設ける場合と比較して、第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０を基板２０に積層した場合には、例えば露光光が３６５ｎｍの場合に、４０％を超えていた反射率を１０％未満にまで低減することができる。
【００４４】
第２膜構造体４０は、第１膜構造体３０上、すなわち第２シリコン窒化膜３６上に設けられている。
【００４５】
この第２膜構造体４０は、ウエハプロセスに使用される加工装置が基板、すなわちウエハプロセス適用基板１０を検出するために基板面に対して照射する検出光を反射する機能を有している。
【００４６】
第２膜構造体４０は、基板検出光の反射を加工装置の反射光検知センサが検知できる３０％程度となるように高め、また、基板検出光の石英基板に対する透過率を、好ましくは加工装置の透過光検知センサが透過光の強度の低下を認識することにより、加工装置が基板が存在していると認識できる程度にまで、より好ましくはゼロ又はゼロに近い状態にする程度にまで減少させる。
【００４７】
また、第２膜構造体４０は、露光光の波長、例えば波長３６５ｎｍの光を吸収して、露光光の反射によるパターニング精度の低下を防止する。
【００４８】
第２膜構造体４０は、リンドープポリシリコン膜４２、第２シリコン酸化膜４４、第１ポリシリコン膜４６、第３シリコン酸化膜４８及び第２ポリシリコン膜４９を有している。
【００４９】
リンドープポリシリコン膜４２は、第２シリコン窒化膜３６上全面に、ほぼ均一な膜厚として設けられている。このリンドープポリシリコン膜４２には、ドーパントとしてリン（Ｐ）イオンがドープされている。このリンイオンのドープ量は、好ましくは例えば２．５Ｅ２０ｃｍ-3程度とするのがよい。
【００５０】
第１シリコン窒化膜３２やリンドープポリシリコン膜４２は、特に石英基板上に成膜された場合には、石英基板の熱膨張係数がこれらに比較して小さいため、強い引っ張り応力を受ける。この応力により、石英基板上の膜構造体及び石英基板の双方又はいずれか一方が損傷してしまうおそれがあるため、特にリンドープポリシリコン膜４２の膜厚は、膜構造体及び石英基板の損傷を防止できる膜厚とする必要がある。
【００５１】
また、加工装置による基板の認識を、静電容量センサにより行う場合に対応するためには、リンドープポリシリコン膜４２の膜厚を２００ｎｍよりも厚くする必要がある。
【００５２】
これらの点を考慮して、リンドープポリシリコン膜４２の膜厚は、好ましくは例えば、２６０ｎｍ程度とするのがよい。
【００５３】
リンドープポリシリコン膜４２の膜厚をこの程度とすれば、応力による膜構造体及び石英基板の双方又はいずれか一方の損傷を効果的に防止することができる。加えて、このリンドープポリシリコン膜４２は導電性膜であるため、静電容量センサといった電気的な手段により基板の存否認識を行う加工装置にも対応することができる。
【００５４】
第２シリコン酸化膜４４は、リンドープポリシリコン膜４２上全面に、ほぼ均一な膜厚として設けられている。第１ポリシリコン膜４６は、第２シリコン酸化膜４４上全面に、ほぼ均一な膜厚として設けられている。第３シリコン酸化膜４８は、第１ポリシリコン膜４６上全面に、ほぼ均一な膜厚として設けられている。第２ポリシリコン膜４９は、第３シリコン酸化膜４８上全面に、ほぼ均一な膜厚として設けられている。
【００５５】
第２シリコン酸化膜４４、第１ポリシリコン膜４６、第３シリコン酸化膜４８及び第２ポリシリコン膜４９が順次積層された積層構造体は、加工装置が基板の認識に用いる６００ｎｍから７００ｎｍ程度の範囲内の波長の基板検出光を反射又は不透過として、加工装置に基板の存在を認識させる機能と、リンドープポリシリコン膜４２からのリンイオンの拡散、すなわちオートドープを防止する機能とを有している。
【００５６】
第２シリコン酸化膜４４、第１ポリシリコン膜４６、第３シリコン酸化膜４８及び第２ポリシリコン膜４９の膜厚は、加工装置が基板の認識に用いる検査光の波長λ及びこの波長λにおける膜材料の屈折率ｎに基づいて、式：λ／４ｎを適用して決定すればよい。
【００５７】
この発明のウエハプロセス適用基板１０には、既に説明したように、６００ｎｍから７００ｎｍ程度の範囲内の波長の基板検出光の適用が想定されている。
【００５８】
基板検出光の波長が、好ましくは例えば６４０ｎｍである場合には、第２シリコン酸化膜４４及び第３シリコン酸化膜４８の膜厚をそれぞれ１１０ｎｍ程度とし、第１ポリシリコン膜４６及び第２ポリシリコン膜４９の膜厚をそれぞれ４２ｎｍ程度とするのがよい。
【００５９】
ここで、この発明の実施形態のウエハプロセス適用基板１０、第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０の光学的特性、すなわち反射率及び透過率につき、図２、図３及び図４を参照して説明する。
【００６０】
ここでいう反射率及び透過率は、いわゆる光学シミュレーションにより求められた計算値をグラフ化して示したものである。
【００６１】
なお、露光光及び基板検出光は、基板（及び膜構造体）に対して垂直な方向から入射されるものとした。
【００６２】
また、反射率は、基板及び膜構造体から反射してくる光の強度／入射光の強度（単位：％）であり、透過率は、基板及び膜構造体を透過する光の強度／入射光の強度（単位：％）である。
【００６３】
図２は、この発明のウエハプロセス適用基板の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【００６４】
横軸は波長（ｎｍ）を示し、及び縦軸（左側）は反射率（％）を示し、及び縦軸（右側）は透過率（％）を示している。
【００６５】
実線で示されているグラフ（Ｉ）は反射率を表し、及び破線で示されているグラフ（ＩＩ）は透過率を表している。
【００６６】
グラフ（Ｉ）から明らかなように、露光光として適用が想定されている波長３６５ｎｍの光での反射率は６．７％程度である。また、波長３００ｎｍから４００ｎｍの範囲で、ほぼ反射率は６０％を下回っている。さらに波長３２０ｎｍから４４０ｎｍの範囲では反射率は３０％を下回っている。すなわち、波長３２０ｎｍから４４０ｎｍの範囲では反射率を最大でも３０％とすることができる。よって、この発明のウエハプロセス適用基板１０は極めて優れた露光光の反射防止特性を有していることがわかる。
【００６７】
また、グラフ（ＩＩ）から明らかなように、基板検出光として適用が想定されている波長６００ｎｍでの透過率は０．５％程度であり、７００ｎｍでの透過率は１．４％程度である。すなわち波長６００ｎｍから７００ｎｍの範囲では、透過率は常に２％を下回っている。すなわち、この範囲で透過率は、最大でも２％程度である。よって、この発明のウエハプロセス適用基板１０は、極めて優れた検出光の反射特性を有していることがわかる。
【００６８】
この発明のウエハプロセス適用基板１０の特徴部分である第１膜構造体３０の光学的特性、すなわち反射率及び透過率につき、図３を参照して説明する。
【００６９】
図３は、この発明の第１膜構造体の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【００７０】
横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸（左側）は反射率（％）を示し、及び縦軸（右側）は透過率（％）を示している。
【００７１】
実線で示されているグラフ（Ｉ）は反射率を表し、及び破線で示されているグラフ（ＩＩ）は透過率を表している。
【００７２】
グラフ（Ｉ）から明らかなように、この発明の第１膜構造体は、露光光の波長、すなわちこの例では波長３６５ｎｍの光における反射率と透過率との比がほぼ１：１である、いわゆるハーフミラー特性を有している。
【００７３】
このように、第１膜構造体は、露光光の波長に対して、反射率と透過率との比が、好ましくはほぼ１：１である、いわゆるハーフミラー特性を有する膜構造体として設計及び構成するのがよい。
【００７４】
また、グラフ（ＩＩ）から明らかなように、基板検出光として適用が想定されている波長６００ｎｍから７００ｎｍの範囲では、透過率は９０％を超えている。
【００７５】
次いで、この発明のウエハプロセス適用基板１０の第２膜構造体４０の光学的特性、すなわち反射率及び透過率につき、図４を参照して説明する。
【００７６】
図４は、この発明の第２膜構造体の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【００７７】
横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸（左側）は反射率（％）を示し、縦軸（右側）は透過率（％）を示している。
【００７８】
実線で示されているグラフ（Ｉ）は反射率を表し、及び破線で示されているグラフ（ＩＩ）は透過率を表している。
【００７９】
グラフ（Ｉ）から明らかなように、露光光として想定されている波長３６５ｎｍでは、反射率は４０％から５０％程度である。
【００８０】
また、グラフ（ＩＩ）から明らかなように、基板検出光として適用が想定されている波長６００ｎｍから７００ｎｍの範囲では、透過率は最大でも１．５％程度である。
【００８１】
このように、第２膜構造体４０単独では、多層膜構造の光学的な干渉により、特に３６５ｎｍ程度の波長光、すなわち露光長の反射率が４０％程度と一般的な許容される反射率である３０％よりも高くなってしまう。
【００８２】
しかしながら、第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０を順に積層したこの発明のウエハプロセス適用基板１０によれば、既に説明した図２から明らかなように、これら第１膜構造体３０及び第２膜構造体４０が相俟って、極めて優れた露光光の反射防止特性と、極めて優れた検出光の反射特性とを両立できることがわかる。
【００８３】
（製造方法）
既に説明した図１を参照して、この発明のウエハプロセス適用基板の製造方法例につき説明する。
【００８４】
まず、基板を準備する。この例では基板として石英基板２０を準備する。この石英基板２０の外形等については特に限定されない。
【００８５】
次に、第１シリコン窒化膜３２を、常法に従うＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）法により、石英基板２０の第２主面２０ｂ上に成膜する。
【００８６】
この第１シリコン窒化膜３２は、好ましくは例えば、原料ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2ガス及びＮＨ3ガスの混合ガスを用い、ガス流量を１００ｃｍ-3から３００ｃｍ-3程度とし、圧力を２７Ｐａ（パスカル）から５３Ｐａ（０．２〜０．４ｔｏｒｒ）程度とし、及び温度を６８０℃から７２０℃程度として成膜するのがよい。
【００８７】
次いで、第１シリコン酸化膜３４を、常法に従うＬＰ−ＣＶＤ法により、成膜する。
【００８８】
この第１シリコン酸化膜３４は、好ましくは例えば、原料ガスとしてＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）を用い、ガス流量を１００ｃｍ-3から３００ｃｍ-3程度とし、圧力を２７Ｐａ（パスカル）から８０Ｐａ（０．２〜０．６ｔｏｒｒ）程度とし、及び温度を７３０℃から８３０℃程度として成膜するのがよい。
【００８９】
次に、第２シリコン窒化膜３６を、既に説明した第１シリコン窒化膜３２と同様の工程により、成膜する。
【００９０】
以上の工程により、第１膜構造体３０が完成する。なお、ＬＰ−ＣＶＤ法といった成膜工程によれば、第１主面２０ａ上にも第２主面２０ｂ側に成膜される膜と同一の膜が不可避的に形成されてしまう。このような不所望な膜は、常法に従うドライエッチング工程といった任意好適な手法により、適宜除去すればよい。
【００９１】
さらに、第２シリコン窒化膜３６上に、リンドープポリシリコン膜４２を、常法に従うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜し、リンイオンを常法に従ってドープすることにより形成する。
【００９２】
次に、第２シリコン酸化膜４４を、第１シリコン酸化膜３４と同様の工程により形成する。
【００９３】
次いで、第１ポリシリコン膜４６を、常法に従うＣＶＤ法により成膜する。
【００９４】
次に、第３シリコン酸化膜４８を、第１シリコン酸化膜３４と同様の工程により形成する。
【００９５】
次いで、第２ポリシリコン膜４９を、第１ポリシリコン膜４６と同様の工程により成膜する。
【００９６】
以上の工程により、第２膜構造体４０が完成し、この発明のウエハプロセス適用基板１０の製造工程は終了となる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】ウエハプロセス適用基板を切断した切断面の一部領域を概略的に示す図である。
【図２】この発明のウエハプロセス適用基板の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【図３】この発明の第１膜構造体の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【図４】この発明の第２膜構造体の反射率を示すグラフ及び透過率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９８】
１０：ウエハプロセス適用基板
２０：石英基板
２０ａ：第１主面
２０ｂ：第２主面
３０：第１膜構造体
３２：第１シリコン窒化膜
３４：第１シリコン酸化膜
３６：第２シリコン窒化膜
４０：第２膜構造体
４２：リンドープポリシリコン膜
４４：第２シリコン酸化膜
４６：第１ポリシリコン膜
４８：第３シリコン酸化膜
４９：第２ポリシリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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