(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角形の基板表面に形成された塗布膜の縁部に上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、上記基板表面の縁部の不要な塗布膜を除去する塗布膜除去方法において、
上記溶剤吐出部及び不活性ガス吐出部により上記基板表面の端部から上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、上記塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる除去工程と、
上記排出路に接続される濃度測定部により、排出路から排出される上記溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度検出工程と、
上記濃度測定部により検出された上記混合排液中の上記溶解物の有無を判別する濃度判別工程と、
上記濃度測定部による上記溶解物の濃度検出値に基づいて上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程と、を含み、
上記溶解物の濃度判別工程において、上記混合排液中の上記溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去工程を続行し、上記溶解物の無が確認された後、上記除去条件を変更設定する工程で変更設定された除去条件により、上記塗布膜除去工程を行う、ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載の塗布膜除去方法において、
上記塗布膜の除去条件の変更は、上記溶解物の濃度検出値に基づく上記溶剤の吐出量又は上記塗布膜除去部の移動速度の少なくとも一方の変更である、ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項３】
塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角形の基板表面に形成された塗布膜の縁部に上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、上記基板表面の縁部の不要な塗布膜を除去する塗布膜除去方法において、
上記溶剤吐出部及び不活性ガス吐出部により上記基板表面の端部から上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、上記塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる除去工程と、
上記排出路に接続される濃度測定部により、排出路から排出される上記溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度検出工程と、
上記濃度測定部により検出された上記混合排液中の上記溶解物の有無を判別する濃度判別工程と、
上記塗布膜除去部に搭載された撮像手段により、上記基板表面の縁部を撮像して、塗布膜の剥離状態、剥離幅及び塗布膜の残渣を画像処理する工程と、
上記濃度測定部による上記溶解物の濃度検出値、及び上記撮像手段による上記画像処理に基づいて、上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程と、を含み、
上記溶解物の濃度判別工程において、上記混合排液中の上記溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去工程を続行し、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程で変更設定された除去条件により、上記塗布膜除去工程を行う、ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項４】
請求項３に記載の塗布膜除去方法において、
上記塗布膜の除去条件の変更は、上記溶解物の濃度検出値に基づく上記溶剤の吐出量及び上記塗布膜除去部の移動速度の変更、又は上記画像処理に基づく上記不活性ガスの吐出量、上記排出路の排気量、若しくは上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかの変更である、ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の塗布膜除去方法において、
上記濃度測定部による上記溶解物の濃度検出は、発光体から照射される可視光域を含んだ光を受光体が受光し、上記受光体は、上記発光体からの光のうち、上記可視光域の光を３分割して得られる、赤領域成分の光、緑領域成分の光、及び青領域成分の光のいずれか、又は上記複数の色領域の成分の光を受光して濃度を検出する、ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項６】
塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部と、
上記溶剤供給源から上記溶剤吐出部に供給される溶剤の流量を調整する溶剤流量調整手段と、
上記塗布膜除去部を、表面に塗布膜が形成された角形の基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる移動機構と、
上記排出管路に介設され、上記溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度測定部と、
上記濃度測定部からの検出信号に基づいて、塗布膜の除去条件を設定すると共に、上記溶剤流量調整手段及び上記移動機構を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部は、上記濃度測定部により上記混合排液中の溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去部による塗布膜の除去動作を続行させ、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件に基づいて上記溶剤の吐出量又は上記塗布膜除去部の移動速度の少なくとも一方を変更する、ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項７】
塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部と、
上記溶剤供給源から上記溶剤吐出部に供給される溶剤の流量を調整する溶剤流量調整手段と、
上記不活性ガス供給源から上記不活性ガス吐出部に供給される不活性ガスの流量を調整する不活性ガス流量調整手段と、
上記塗布膜除去部を、表面に塗布膜が形成された角形の基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる移動機構と、
上記排出管路に介設され、上記溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度測定部と、
上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間を相対的に調整する高さ調整機構と、
上記塗布膜除去部に搭載され、上記基板表面の縁部を撮像して画像処理する撮像手段と、
上記濃度測定部からの検出信号に基づいて、塗布膜の除去条件を設定すると共に、上記溶剤流量調整手段、上記不活性ガス調整手段、上記移動機構、上記高さ調整機構及び上記撮像手段を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部は、上記濃度測定部により上記混合排液中の溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去部による塗布膜の除去動作を続行させ、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件に基づいて上記溶剤の吐出量又は上記塗布膜除去部の移動速度の少なくとも一方を変更し、又は上記撮像手段の画像処理に基づいて上記不活性ガスの吐出量、上記排出路の排気量、若しくは上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかを変更する、ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の塗布膜除去装置において、
上記濃度測定部は、上記排出管路に接続する少なくとも対向する側壁に透明部を有する収容室と、この収容室の一方の透明部から他方の透明部に向かって可視光域を含んだ光を照射する発光体と、上記収容室内の上記混合排液を挟むように発光体に対して配置される受光体とを具備し、上記受光体は、上記発光体からの光のうち、上記可視光域の光を３分割して得られる、赤領域成分の光、緑領域成分の光、及び青領域成分の光のいずれか、又は上記複数の色領域の成分の光を受光する、ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表面に塗布膜が形成された角形の基板に対して、基板の縁部の不要な塗布膜を除去する塗布膜除去方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下にウエハ等という）の表面に例えばレジスト液を塗布し、ステッパー等の露光装置を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液を塗布して現像処理を行うフォトリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
上記露光処理工程においては、例えばステッパー（縮小投影露光装置）等の露光装置が用いられており、レチクル等のフォトマスクに光を照射し、フォトマスクに描画されている回路パターンの原図を縮小してウエハ上に転写している。
【０００４】
ところで、このフォトマスクの製造工程においても、上記ウエハ等と同様にフォトリソグラフィー技術が用いられており、レジスト塗布工程、露光処理工程、現像処理工程という一連のプロセス工程を経ている。
【０００５】
この種の製造プロセスにおいて、フォトマスクを作製する場合、角形のマスク基板にレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、更に現像することによって所望のレジストパタ−ンを作製することが行われている。上記のような処理を行う場合、例えば、レジスト膜の形成方法として、角形のマスク基板（以下に基板という）を、例えばスピンチャック上に載置保持した状態で、スピンチャックを回転させ、例えばこの基板上面の中心部にレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて放射状に拡散させて塗布することが行われている。
【０００６】
この塗布処理の際、塗布直後における膜厚は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくなった後や時間が経つに従い、表面張力の影響で基板周縁部でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。このように基板の周縁部に不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されずに残存することになり、その後の基板の搬送工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因となる。
【０００７】
そこで、従来では、基板表面にレジスト液等を塗布した後、基板のパターン形成領域の外側の縁部の不要な塗布膜を除去する処理が行われている。このような手法として、塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角形の基板表面に形成された塗布膜の縁部に上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで複数回移動させることにより、上記基板表面の縁部の不要な塗布膜を除去する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
上記特許文献１記載の塗布膜を除去する手法においては、塗布膜の種類に応じて予め複数用意されたレシピ、例えば塗布膜の溶剤の種類、塗布膜の除去幅、塗布膜除去部の移動回数等に基づいて塗布膜の除去を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２６１７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１記載のように、予め用意するレシピのうち塗布膜除去動作の回数を設定するためには、塗布膜除去の事前評価を行い、サンプル基板を用いて確認が必要となる。この塗布膜除去の事前評価は、塗布膜の種類や塗布膜の溶剤の種類等に応じて行う必要があり、実際の塗布膜の除去処理中における微細な条件変化の対応や除去処理後の除去状態の対応に懸念がある。
【００１１】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、溶剤によって剥離された不要な塗布膜の溶解物の濃度を監視し、塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認して、塗布膜の除去処理を行うことにより、塗布膜の除去精度の向上、塗布膜除去時間の短縮及び溶剤の使用量の削減を図れるようにした塗布膜除去方法及び装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、この発明の第１の塗布膜除去方法は、塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角形の基板表面に形成された塗布膜の縁部に上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、上記基板表面の縁部の不要な塗布膜を除去する塗布膜除去方法において、  上記溶剤吐出部及び不活性ガス吐出部により上記基板表面の端部から上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、上記塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる除去工程と、  上記排出路に接続される濃度測定部により、排出路から排出される上記溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度検出工程と、  上記濃度測定部により検出された上記混合排液中の上記溶解物の有無を判別する濃度判別工程と、  上記濃度測定部による上記溶解物の濃度検出値に基づいて上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程と、を含み、  上記溶解物の濃度判別工程において、上記混合排液中の上記溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去工程を続行し、上記溶解物の無が確認された後、上記除去条件を変更設定する工程で変更設定された除去条件により、上記塗布膜除去工程を行う、ことを特徴とする。
【００１３】
この場合、上記塗布膜の除去条件は、上記溶解物の濃度検出値に基づいて設定することができ、例えば上記溶剤の吐出量の変更又は上記塗布膜除去部の移動速度のいずれか又は双方を変更して、再度塗布膜除去工程を行うことができる。
【００１４】
上記第１の塗布膜除去方法は、  塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部と、  上記溶剤供給源から上記溶剤吐出部に供給される溶剤の流量を調整する溶剤流量調整手段と、  上記塗布膜除去部を、表面に塗布膜が形成された角形の基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる移動機構と、  上記排出管路に介設され、上記溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度測定部と、  上記濃度測定部からの検出信号に基づいて、塗布膜の除去条件を設定すると共に、上記溶剤流量調整手段及び上記移動機構を制御する制御部と、を具備し、  上記制御部は、上記濃度測定部により上記混合排液中の溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去部による塗布膜の除去動作を続行させ、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件に基づいて上記溶剤の吐出量又は上記塗布膜除去部の移動速度の少なくとも一方を変更する、ことを特徴とする塗布膜除去装置によって実施される。
【００１５】
上記のように構成することにより、溶剤によって剥離された不要な塗布膜の溶解物の濃度を監視して、塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認、すなわち塗布膜の溶解物の無を確認することができる。また、確認された溶解物の濃度検出値に基づいて、溶剤の吐出量又は塗布膜除去部の移動速度を変更して、再度塗布膜の除去処理を行うことができる。
【００１６】
また、この発明の第２の塗布膜除去方法は、塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角形の基板表面に形成された塗布膜の縁部に上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、上記基板表面の縁部の不要な塗布膜を除去する塗布膜除去方法において、  上記溶剤吐出部及び不活性ガス吐出部により上記基板表面の端部から上記溶剤及び不活性ガスを吐出しながら、上記塗布膜除去部を上記基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる除去工程と、  上記排出路に接続される濃度測定部により、排出路から排出される上記溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度検出工程と、  上記濃度測定部により検出された上記混合排液中の上記溶解物の有無を判別する濃度判別工程と、  上記塗布膜除去部に搭載された撮像手段により、上記基板表面の縁部を撮像して、塗布膜の剥離状態、剥離幅及び塗布膜の残渣を画像処理する工程と、  上記濃度測定部による上記溶解物の濃度検出値、及び上記撮像手段による上記画像処理に基づいて、上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程と、を含み、  上記溶解物の濃度判別工程において、上記混合排液中の上記溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去工程を続行し、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件を変更設定する工程で変更設定された除去条件により、上記塗布膜除去工程を行う、ことを特徴とする。
【００１７】
この場合、上記塗布膜の除去条件は、上記溶解物の濃度検出値と上記画像処理に基づいて変更して設定することができ、例えば、上記溶解物の濃度検出値に基づいて、上記溶剤の吐出量及び上記塗布膜除去部の移動速度を変更、又は上記画像処理に基づいて、上記不活性ガスの吐出量、上記排出路の排気量、若しくは上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかを変更して、再度塗布膜除去工程を行うことができる。
【００１８】
上記第２の塗布膜除去方法は、  塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、上記溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液を排出するための排出路と、この排出路に排出管路を介して接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部と、  上記溶剤供給源から上記溶剤吐出部に供給される溶剤の流量を調整する溶剤流量調整手段と、  上記不活性ガス供給源から上記不活性ガス吐出部に供給される不活性ガスの流量を調整する不活性ガス流量調整手段と、  上記塗布膜除去部を、表面に塗布膜が形成された角形の基板の辺縁の所定の幅に沿って基板の一端側から他端側まで移動させる移動機構と、  上記排出管路に介設され、上記溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度測定部と、  上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間を相対的に調整する高さ調整機構と、  上記塗布膜除去部に搭載され、上記基板表面の縁部を撮像して画像処理する撮像手段と、  上記濃度測定部からの検出信号に基づいて、塗布膜の除去条件を設定すると共に、上記溶剤流量調整手段、上記不活性ガス調整手段、上記移動機構、上記高さ調整機構及び上記撮像手段を制御する制御部と、を具備し、  上記制御部は、上記濃度測定部により上記混合排液中の溶解物の無が確認されるまで、上記塗布膜除去部による塗布膜の除去動作を続行させ、上記溶解物の無が確認された後、上記塗布膜の除去条件に基づいて上記溶剤の吐出量又は上記塗布膜除去部の移動速度の少なくとも一方を変更し、又は上記撮像手段の画像処理に基づいて上記不活性ガスの吐出量、上記排出路の排気量、若しくは上記塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかを変更する、ことを特徴とする塗布膜除去装置によって実施される。
【００１９】
上記のように構成することにより、溶剤によって剥離された不要な塗布膜の溶解物の濃度を監視して、塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認することができる。また、撮像手段によって塗布膜除去後の塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認することができる。更に、確認された溶解物の濃度検出値に基づいて、溶剤の吐出量又は塗布膜除去部の移動速度を変更し、撮像手段による画像処理に基づいて、不活性ガスの吐出量、排出路の排気量、若しくは塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかを変更して、再度塗布膜の除去処理を行うことができる。
【００２０】
この発明において、上記濃度測定部は、上記排出管路に接続する少なくとも対向する側壁に透明部を有する収容室と、この収容室の一方の透明部から他方の透明部に向かって可視光域を含んだ光を照射する発光体と、上記収容室内の上記混合排液を挟むように発光体に対して配置される受光体とを具備し、上記受光体は、上記発光体からの光のうち、上記可視光域の光を３分割して得られる、赤領域成分の光、緑領域成分の光、及び青領域成分の光のいずれか、又は上記複数の色領域の成分の光を受光する、色識別センサシステムを用いる方が好ましい。
【００２１】
このように構成することにより、溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の有無及び濃度を塗布膜の色成分に基づいて測定することができる。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、溶剤によって剥離された不要な塗布膜の溶解物の濃度を監視して、塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認、すなわち塗布膜の溶解物の無を確認することができ、確認された溶解物の濃度検出値に基づいて、溶剤の吐出量又は塗布膜除去部の移動速度を変更して、再度塗布膜の除去処理を行うことができるので、塗布膜の除去精度の向上が図れると共に、塗布膜除去時間の短縮及び溶剤の使用量の削減が図れる。
【００２３】
また、撮像手段によって塗布膜除去後の塗布膜の剥離状態（除去状態）を確認し、撮像手段による画像処理に基づいて、不活性ガスの吐出量、排出路の排気量、若しくは塗布膜除去部と上記基板表面との隙間のいずれかを変更して、再度塗布膜の除去処理を行うことにより、除去回数及び除去幅の補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明に係る塗布膜除去装置を適用した塗布膜形成システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記塗布膜形成システムの概略斜視図である。
【図３】上記塗布膜除去装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】上記塗布膜除去装置の概略平面図である。
【図５】上記塗布膜除去装置の要部を断面で示す概略構成図である。
【図６】この発明における制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図７】この発明における濃度測定部の測定原理を説明するための分光感度特性を示すグラフである。
【図８】この発明における塗布膜除去の作用を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、この発明を実施するための形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る塗布膜除去装置を塗布膜形成システムに適用する場合について説明する。
【００２６】
塗布膜形成システムは、例えば５枚のマスク基板Ｇ（以下に基板Ｇという）が収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＢ１を備えており、このキャリアブロックＢ１は、キャリアＣを載置するキャリア載置部１と受け渡し手段２とを備えている。
【００２７】
基板Ｇは、例えば半導体マスクを形成するためのガラス基板であり、例えば一辺の長さが１５２±０．５ｍｍの正方形であって、厚さが６．３５ｍｍの、一辺の長さが６インチサイズの角形のガラス基板が用いられる。受け渡し手段２はキャリアＣから基板Ｇを取り出し、取り出した基板ＧをキャリアブロックＢ１の奥側に設けられている処理部Ｂ２へと受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００２８】
処理部Ｂ２の中央には主搬送手段３が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１から奥を見て例えば右側には塗布ユニット４及び現像ユニット５、左側には洗浄ユニット６、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２が夫々配置されている。塗布ユニット４は、基板にレジスト液を塗布する処理を行うユニットであり、現像ユニット５は、露光後の基板に現像液を液盛りして所定時間そのままの状態にして現像処理を行うユニットであり、洗浄ユニット６はレジスト液を塗布する前に基板を洗浄するためのユニットである。
【００２９】
上記棚ユニットＵ１，Ｕ２は複数のユニットが積み上げられて構成され、図２に示すように、塗布膜除去ユニット１０や加熱ユニット７、冷却ユニット８のほか、基板Ｇの受け渡しユニット９等が上下に積層状に設けられている。上記主搬送手段３は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２及び塗布ユニット４、現像ユニット５並びに洗浄ユニット６の間で基板Ｇを搬送する役割を持っている（図１参照）。なお、図２では便宜上受け渡し手段２及び主搬送手段３は図示されていない。
【００３０】
上記処理部Ｂ２はインタ−フェイス部Ｂ３を介して露光装置Ｂ４と接続されている。インタ−フェイス部Ｂ３は受け渡し手段２Ａを備えており、この受け渡し手段２Ａは、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され、上記処理ブロックＢ２と露光装置Ｂ４との間で基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００３１】
このような塗布膜形成システムにおける基板Ｇの処理の流れについて説明すると、まず外部からキャリアＣがキャリア載置部１に搬入され、受け渡し手段２によりこのキャリアＣ内から基板Ｇが取り出される。基板Ｇは、受け渡し手段２から棚ユニットＵ１の受け渡しユニット９を介して主搬送手段３に受け渡され、所定のユニットに順次搬送される。例えば洗浄ユニット６にて所定の洗浄処理が行われ、熱処理ユニットの一つにて加熱乾燥が行われた後、冷却ユニット８にて所定の温度に調整され、塗布ユニット４にて塗布膜の成分が溶剤に溶解された塗布液例えばレジスト液の塗布処理が行われる。
【００３２】
続いて基板Ｇは塗布膜除去ユニット１０にて、基板Ｇの縁部に付着している不要なレジスト膜（塗布膜）が除去される。ここで基板Ｇの縁部とは、基板のパターン形成領域の外側の周縁領域及び基板端面をいう。
【００３３】
不要なレジスト膜（塗布膜）が除去された後、基板Ｇは加熱ユニット７の一つにて、所定温度に加熱されてプリベーク処理が行われた後、冷却ユニット８の一つにて所定の温度に調整され、次いで主搬送手段３により棚ユニットＵ２の受け渡しユニット９を介してインターフェイス部Ｂ３の受け渡し手段２Ａに受け渡され、この受け渡し手段２Ａにより露光装置Ｂ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。この後基板Ｇは、インターフェイス部Ｂ３を介して処理部Ｂ２に搬送され、加熱ユニット７の一つにて所定の温度に加熱されて、ポストエクスポージャーベーク処理が行われる。次いで冷却ユニット８にて所定の温度まで冷却されて温度調整された後、現像ユニット５にて現像液が液盛りされ、所定の現像処理が行われる。こうして所定の回路パターンが形成された基板Ｇは主搬送手段３、キャリアブロックＢ１の受け渡し手段２を介して、例えば元のキャリアＣ内に戻される。
【００３４】
次に、この発明に係る塗布膜除去装置を構成する塗布膜除去ユニット１０について図３ないし図５を参照して説明する。塗布膜除去ユニット１０は処理容器３０を具備しており、処理容器３０の側面には例えばシャッタ３１ａにより開閉自在に構成された基板Ｇの搬出入口３１が形成され、この搬出入口３１を介して処理容器３０の内部に主搬送手段３がアクセスできるように構成されている。
【００３５】
処理容器３０の内部には、主搬送手段３との間で基板Ｇの受け渡しを行うための基板チャック３２が、搬出入口３１を介して主搬送手段３との間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる位置に設けられている。基板チャック３２は、例えば基板Ｇの４つ辺部を保持するための４個の保持部３３を備えており、これら保持部３３は保持アーム３３ａを介して昇降機構３４及び回転機構３５により、昇降自在及び略鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。なお、基板チャック３２の上面の４箇所には、基板Ｇを僅かな隙間例えば０．２ｍｍをおいて支持するプロキシミティ（図示せず）が設けられている。
【００３６】
また処理容器３０の内部には、基板Ｇの側辺を保持する位置決めピン３６を有する４本の載置台３７が、基板チャック３２と干渉しない位置に設けられている。これら載置台３７は塗布膜の除去処理時に基板Ｇを保持するためのものであり、基板チャック３２が載置台３７に対して昇降することにより、基板チャック３２との間で基板Ｇの受け渡しが行われるようになっている。これら載置台３７は、基板Ｇを安定に支持し、かつ後述する塗布膜除去部と干渉しない状態で基板Ｇを保持するようになっている。
【００３７】
なお、載置台３７により支持された基板ＧのＹ方向の対向する両側辺部には、助走ステージ１５が基板Ｇの対向する辺部に水平状に近接配置されている。助走ステージ１５は、両端部に設けられる膨隆略矩形状の平坦助走部１５ａが載置台３７に載置される基板Ｇの上面と略同一平面を有すると共に、基板Ｇの側端部に近接して配置され、更に、平坦助走部１５ａの先端面が基板Ｇの端部面と同一面上に位置している。なお、この場合、助走ステージ１５と基板Ｇとの隙間は、１．０ｍｍ以下に設定されている。
【００３８】
更に処理容器３０の内部には、載置台３７により支持された基板ＧのＹ方向の両側に、この基板ＧのＹ方向に伸びる互いに対向する一対の辺の端縁に沿って移動して、当該辺の縁部の不要な塗布膜であるレジスト膜を除去するための塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂが設けられている。この例では、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂ（以下に符号４０Ａで代表する）は、図５に示すように、断面形状が略コ字型の基体４１を備えており、この基体４１は基板Ｇの縁部の上下に間隔を介して挟み込むように設けられている。
【００３９】
基体４１の上面部分には、基板表面の端縁の辺縁に沿って多数の溶剤吐出孔４２ａが配列された溶剤吐出部４２が設けられると共に、基板表面の溶剤吐出部４２からの溶剤（例えばシンナー）の供給領域よりも端縁から見て内側の領域に不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給するためのＮ２ガス吐出部４３が設けられている。
【００４０】
上記溶剤吐出部４２には溶剤供給管路４５を介して溶剤供給源である溶剤タンク４６が接続されており、溶剤タンク４６から溶剤吐出部４２に供給される溶剤の流量を調整する手段として、溶剤供給管路４５には溶剤流量調整弁Ｖ１が介設されている。また、Ｎ２ガス吐出部４３にはＮ２ガス供給管路４７を介してＮ２ガス供給源であるガスタンク４８が接続されており、ガスタンク４８からＮ２ガス吐出部４３に供給されるＮ２ガスの流量を調整する手段として、Ｎ２ガス供給管路４７には、Ｎ２ガス流量調整弁Ｖ２が介設されている。上記溶剤流量調整弁Ｖ１とＮ２ガス流量調整弁Ｖ２は制御部６０と電気的に接続されており、制御部６０からの制御信号に基づいて制御されるように構成されている。
【００４１】
また、基体４１の背面部分には、溶剤と、Ｎ２ガスと、溶剤による塗布膜の溶解物とを吸引排出するための排出路である吸引排出路４４が形成されている。この場合、排出路４４は、基体４１の垂直壁４１ａの下端より若干高い位置に開口しており、溶剤吐出部４２から吐出された溶剤が基板Ｇの裏面に回り込むのを防止している。この吸引排出路４４には、排出管路４４ａを介して吸引手段である例えば吸引ポンプ４９が接続されている。
【００４２】
上記排出管路４４ａにおける吸引ポンプ４９の一次側には、溶剤及び塗布膜（レジスト膜）の溶解物の混合排液中の溶解物の濃度を検出する濃度測定部２０が配設されている。
【００４３】
この濃度測定部２０は、図５に示すように、排出管路４４ａに接続する少なくとも対向する側壁に透明部２２ａ，２２ｂを有する収容室２１と、この収容室２１の一方の透明部２２ａから他方の透明部２２ｂに向かって可視光域を含んだ光を照射する発光体２３ａと、収容室２１内の上記混合排液を挟むように発光体２３ａに対して配置される受光体２３ｂとを具備している。受光体２３ｂは、発光体２３ａからの光のうち、可視光域（波長：４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の光を３分割して得られる、赤領域成分の光（波長：７００ｎｍ）、緑領域成分の光（波長：５５０ｎｍ）、及び青領域成分の光（波長：４００ｎｍ）のいずれか、又は上記複数の色領域の成分の光を受光するように形成されている。なお、受光体２３ｂの入光側には、上記赤領域成分の光、緑領域成分の光、及び青領域成分の光のいずれかの強度を計測するためのフィルタ２４が設けられている。
【００４４】
また濃度測定部２０は、受光体２３ｂが受光した光の信号を増幅する増幅器２５と、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２６と、変換されたデジタル信号を処理する信号処理部２７と、を備えており、信号処理部２７からの信号が上記制御部６０に伝達されるようになっている。
【００４５】
次に、濃度測定部２０の濃度測定原理について説明する。発光体２３ａから照射される光は、全ての波長４００ｎｍ〜７００ｎｍに対して等しい密度の白色光であると仮定した場合、測定対象物が例えば赤色である場合は、測定対象物に白色光を照射すると、赤の光の波長（７００ｎｍ）だけを反射し、他の色の波長は吸収される。また、測定対象物が例えば青色である場合は、測定対象物に白色光を照射すると、青の光の波長（４００ｎｍ）だけを反射し、他の色の波長は吸収される。また、測定対象物が例えば緑色である場合は、測定対象物に白色光を照射すると、緑の光の波長（５５０ｎｍ）だけを反射し、他の色の波長は吸収される。
【００４６】
識別できる色は赤、緑、青の３原色であることから、上記濃度測定原理に基づいて混合排液中の溶解物すなわちレジストの色を３原色でどのような割合になっているかを調べることで、混合排液中の溶解物の有無の判断及び濃度を検出することができる。すなわち、図７に示すように、例えば、測定したいレジストの色が青色なら７００ｎｍの吸光度を測定することによって、青色のレジストの青領域成分の濃度ＢL，ＢM，ＢH（ＢL＜ＢM＜ＢH）を測定することができる。また、レジストの色が赤色の場合は、４００ｎｍの吸光度を測定することによって、赤色のレジストの赤領域成分の濃度ＲL，ＲM，ＲH（ＲL＜ＲM＜ＲH）を測定することができ、また同様に、レジストの色が緑色の場合は、５５０ｎｍの吸光度を測定することによって、緑色のレジストの緑領域成分の濃度ＧL，ＧM，ＧH（ＧL＜ＧM＜ＧH）を測定することができる。
【００４７】
上記のように構成することにより、濃度測定部２０によって溶剤及び塗布膜の溶解物の混合排液中の溶解物の有無及び濃度を塗布膜の色成分に基づいて測定することができる。
【００４８】
一方、基体４１の先端側部分には、縁部検出センサ１１が配設されている。この縁部検出センサ１１は、基体４１の上面部分に基板表面に対向して設けられる発光素子１１ａと、基体４１の下面部分に基板裏面と対向して設けられる受光素子１１ｂとで構成されて、基板Ｇの端縁上のある位置を検出するようになっている。
【００４９】
更に、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの基体４１の上面部分には、基板表面の縁部を撮像し、画像処理する撮像手段である撮像カメラ例えばＣＣＤカメラ１２が搭載されている。このＣＣＤカメラ１２は制御部６０に電気的に接続されており、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された、例えばレジスト膜の除去状態すなわち剥離状態及び剥離幅（カット幅）やレジスト残渣の確認等の画像データ信号は制御部６０に送られ、制御部６０の画像解析部６３によって解析され、解析された画像情報に基づいて後述する塗布膜除去条件が変更設定される。
【００５０】
塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂは、例えば幅Ｘが３ｍｍ〜３０ｍｍ、間隔Ｙが６ｍｍ〜８ｍｍに設定され、例えば厚さが５ｍｍ〜７ｍｍの基板Ｇに対して例えば幅１ｍｍ〜５ｍｍ程度の縁部の不要な塗布膜を除去することができる形状に形成されている。なお溶剤吐出孔４２ａの形状としては複数孔であってもよいし、単一孔であってもスリット状のものであってもよい。
【００５１】
上記塗布膜除去ユニット１０は、載置台３７に保持された基板Ｇの両外側に、基板ＧのＹ方向の互いに対向する一対の辺と略平行に設けられたＹ方向に互いに対向して伸びる２本のＹ方向ガイドレール５１，５２を備えており、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂは、夫々Ｙ方向移動機構５３，５４により、Ｙ方向ガイドレール５１，５２に沿ってＹ方向に移動自在に構成されている。またこのＹ方向ガイドレール５１，５２はＸ方向移動機構５５，５６により、Ｘ方向に伸びるＸ方向ガイドレール５７，５８に沿ってＸ方向に移動自在に構成されており、これにより塗布膜除去部４０Ａ，４０ＢはＸ軸，Ｙ軸に沿って、Ｘ軸とＹ軸とを同期させた状態で移動自在に構成されることとなる。ここでＹ方向移動機構５３，５４は例えばベルト駆動機構により構成され、Ｘ方向移動機構５５，５６は例えばボールねじ機構により構成される。なお、図３中、符号Ｍ１，Ｍ２は夫々Ｙ方向移動機構５３，５４のモータ、符号Ｍ３，Ｍ４は夫々Ｘ方向移動機構５５，５６のボールねじを回転させるモータである。
【００５２】
また、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂは、Ｙ方向移動機構５３，５４の上部に配設された高さ調整機構５９Ａ，５９Ｂによって高さ調整すなわち塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂと基板表面との隙間ｓが調整可能に形成されている。高さ調整機構５９Ａ，５９Ｂは、例えばボールねじ機構により構成される。なお図３中、符号Ｍ５，Ｍ６は夫々高さ調整機構５９Ａ，５９Ｂのモータである。
【００５３】
上記シャッタ３１ａ、基板チャック３２の昇降機構３４や回転機構３５、Ｙ方向駆動機構５３，５４の各モータＭ１，Ｍ２、Ｘ方向駆動機構５５，５６の各モータＭ３，Ｍ４、高さ調整機構５９Ａ，５９Ｂの各モータＭ５，Ｍ６の駆動動作は制御部６０により制御される。制御部６０は、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）、プログラム及びメモリ等により構成されるが、ここでは、この発明の要部である塗布膜の除去に係る各機能をブロック化し構成要素として図６に基づいて説明する。
【００５４】
図６に示すように、制御部６０は、上記濃度測定部２０で検出されたレジスト膜の溶解物の濃度検出データやＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像処理データ等を収集して記憶するデータ記憶部６１と、濃度検出データを解析する濃度解析部６２と、画像処理データを解析する画像解析部６３と、を備えている。また、制御部６０は、上記濃度解析部６２及び画像解析部６３で解析されたデータに基づいて塗布膜（レジスト膜）の除去条件であるパラメータを変更するパラメータ変更部６４と、予め設定されたパラメータと変更後のパラメータを格納するパラメータ格納部６５と、パラメータ格納部６５に格納されている複数のパラメータから目的のパラメータを選択するパラメータ選択部６６と、を備えている。
【００５５】
ここで、パラメータとは、塗布膜（レジスト膜）の除去条件の要素であって、例えば溶剤の吐出量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの移動速度，Ｎ２ガスの吐出量，吸引排出路４４の排気量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂと基板表面との隙間（距離）等を少なくとも含む。これらパラメータのうち、溶剤の吐出量と塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの移動速度は、上記濃度測定部２０の溶解物の濃度検出値に基づいて変更設定される。また、別のパラメータのＮ２ガスの吐出量，吸引排出路４４の排気量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂと基板表面との隙間（距離）等は、上記ＣＣＤカメラ１２が撮像した画像データに基づいて変更設定される。
【００５６】
また、制御部６０は、制御プログラム６７と表示プログラム６８を備えており、制御プログラム６７に基づいて、上記Ｙ方向移動機構５３，５４、Ｘ方向移動機構５５，５６、高さ調整機構５９Ａ，５９Ｂ、溶剤流量調整弁Ｖ１、Ｎ２ガス流量調整弁Ｖ２及び吸引ポンプ４９が駆動制御され、また、表示プログラム６８からの信号が表示装置７０に伝達されるようになっている。なお、図６中、符号ＢＳはバスである。
【００５７】
なお、制御部６０は、上記以外に、レジストの種類や溶剤の種類のレシピ作成・選択部を備えており、目的に応じたレジストやレジストの溶剤が選択されるようになっている。
【００５８】
上記のように構成される塗布膜除去ユニット１０における不要塗布膜の除去処理の流れについて説明すると、まず、塗布ユニット２においてレジスト液が塗布された基板Ｇが、主搬送手段３によって塗布膜除去ユニット１０にまで搬送されると、昇降機構３４，回転機構３５の駆動によって基板チャック３２が上昇して主搬送手段３から基板Ｇを受け取る。その後、主搬送手段３は塗布膜除去ユニット１０から後退する一方、基板チャック３２は下降して、基板Ｇを載置台３７上に載置し、基板Ｇと助走ステージ１５とを近接した状態にする。この状態で、予め溶剤吐出部４２から溶剤を吐出すると共に、Ｎ２ガス吐出部４３からＮ２ガスを吐出して、吸引状態におかれた塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂを、一方の助走ステージ１５から基板Ｇの一端側に移動させ、更に、基板Ｇの一端側から他端側の助走ステージ１５に渡って連続移動して、基板Ｇの周縁部の不要なレジスト膜を溶解して除去する。このレジスト膜除去処理は、基板Ｇの対向する２辺同時に行われる。この際、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの始点側に配置された助走ステージ１５により溶剤がはね散るのを防止することができる。また、助走ステージ１５が基板Ｇの端部に近接して配置されているので、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂを基板Ｇの辺部及び助走ステージ１５に渡って移動することにより、溶剤の吐出（供給）と吸引状態を変えることなく基板Ｇの辺部から角部に渡って塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂから溶剤を均一に吐出（供給）すると共に、溶解物を吸引することができる。したがって、基板Ｇの角部におけるレジスト膜除去面の直進性が得られると共に、ミストの発生を抑制することができる。
【００５９】
基板Ｇの対向する２辺のレジスト膜除去が終了した後、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂはホームポジションに戻る一方、昇降機構３４，回転機構３５が駆動して基板チャック３２が上昇して載置台３７の上方へ基板Ｇを移動し、上昇した位置で基板チャック３２を水平方向に９０度回転して基板Ｇの姿勢を変換した後、下降し、基板Ｇを載置台３７上に載置してレジスト膜が除去された辺部を助走ステージ１５と近接する位置におく。この状態で、上記と同様に塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂを基板Ｇの一端側から他端側及び助走ステージ１５に渡って移動しつつ溶剤及びＮ２ガスを吐出すると共に、吸引排出路４４から吸引することによって、基板Ｇの残りの２辺の不要レジスト膜が除去される。
【００６０】
次に、上記実施形態の塗布膜除去装置における不要レジスト膜の除去処理の流れについて図８に示すフローチャートを参照して説明する。
【００６１】
塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂにより、基板表面に形成されたレジスト膜の縁部に溶剤及びＮ２ガスを吐出しながら、この塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂを基板Ｇの辺縁の所定の幅に沿って基板Ｇの一端側から他端側まで移動させて、基板Ｇの縁部の不要レジスト膜を溶剤によって溶解して除去（剥離）する（除去工程：Ｓ−１）。
【００６２】
Ｎ２ガス、溶剤及びレジスト膜の溶解物の混合排液は吸引排出路４４及び排出管路４４ａを流れて収容室２１に収容された状態で、濃度測定部２０により、溶剤及び溶解物の混合排液中の溶解物の濃度（レジスト濃度）が検出される（濃度測定工程：Ｓ−２）。このとき、レジストの種類によりレジストの色成分は予め分かっているので、レジストの色成分の光の波長によって溶解物の濃度（レジスト濃度）が測定（検出）される。
【００６３】
溶解物の濃度（レジスト濃度）を測定（検出）によって得られた検出値に基づいて濃度測定部２０により検出された混合排液中の溶解物の有無すなわちレジスト濃度が０（ゼロ）か否かを判別する（濃度判別工程：Ｓ−３）。この際、濃度測定部２０により検出された検出データ信号は制御部６０に伝達され、制御部６０のデータ記憶部６１に格納され、濃度解析部６２により解析される。この濃度判別工程において、レジスト濃度が０（ゼロ）でないと判断された場合は、再度除去工程（Ｓ−１）を繰り返す。
【００６４】
レジスト濃度が０（ゼロ）すなわち混合排液中の溶解物（レジスト）が無と判断された場合は、塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂに搭載されたＣＣＤカメラ１２により、基板表面の縁部を撮像して、レジスト膜の剥離状態、剥離幅（カット幅）及び塗布膜の残渣等の確認し、画像処理する（画像処理工程：Ｓ−４）。ＣＣＤカメラ１２により撮像され画像処理された画像データは、制御部６０に伝達され、制御部６０のデータ記憶部６１に格納され、画像解析部６３により解析される。
【００６５】
次に、上記濃度測定工程（Ｓ−２）及び画像処理工程（Ｓ−４）で得られた濃度検出データ及び画像データに基づいて、レジスト膜の除去条件の要素であるパラメータの変更が必要か否かを判別する（Ｓ−５）。パラメータの変更が必要な場合は、制御部６０のパラメータ選択部６６の中から必要パラメータを変更する。この場合、パラメータには、例えば溶剤の吐出量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの移動速度，Ｎ２ガスの吐出量，吸引排出路４４の排気量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂと基板表面との隙間（距離）ｓ等が含まれており、必要なパラメータが選択されて変更設定される。これらパラメータのうち、溶剤の吐出量と塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの移動速度は、濃度測定部２０の溶解物の濃度検出値に基づいて変更設定される。また、別のパラメータのＮ２ガスの吐出量，吸引排出路４４の排気量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂと基板表面との隙間（距離）ｓ等は、上記ＣＣＤカメラ１２が撮像した画像データに基づいて変更設定される。
【００６６】
パラメータが変更設定されたら、変更後のパラメータに基づいて再度除去工程（Ｓ−１）、濃度測定工程（Ｓ−２）、濃度判別工程（Ｓ−３）を繰り返す。パラメータの変更が必要でない場合は、処理を終了する。
【００６７】
なお、上記実施形態では、塗布膜除去Ａ，４０ＢにＣＣＤカメラ１２を搭載して、レジスト濃度が０（ゼロ）すなわち混合排液中の溶解物（レジスト）が無と判断された場合に、Ｄカメラ１２による画像処理を行う実施形態を説明したが、ＣＣＤカメラ１２を搭載しない場合においても、少なくとも溶剤の吐出量，塗布膜除去部４０Ａ，４０Ｂの移動速度のパラメータを変更して不要レジスト膜の除去処理を行うことができる。
【００６８】
また、上記実施形態では、溶剤流量調整手段が溶剤供給管路４５に介設される溶剤流量調整弁Ｖ１にて形成される場合について説明したが、溶剤流量調整手段を別の構造としてもよい。例えば、上記溶剤流量調整弁Ｖ１に代えて溶剤供給管路４５に切換弁を介設し、溶剤タンク４６に供給される圧送用気体の加圧力を調整して、溶剤流量を調整してもよい。また、上記実施形態では、Ｎ２ガス流量調整手段がＮ２ガス供給管路４７に介設されるＮ２ガス流量調整弁Ｖ２である場合について説明したが、Ｎ２ガス流量調整弁Ｖ２に代えてＮ２ガスの加圧力を調整して、Ｎ２ガス流量を調整してもよい。
【００６９】
なお、上記実施形態は、この発明の一例を示すものであり、この発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば、この発明は、ＬＣＤ、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）等の角形の基板にも適用できる。
【符号の説明】
【００７０】
Ｇ  基板（マスク基板）
１０  塗布膜除去ユニット
１１  縁部検出センサ
１２  ＣＣＤカメラ（撮像手段）
２０  濃度測定部
２１  収容室
２２ａ，２２ｂ  透明部
２３ａ  発光体
２３ｂ  受光体
３２  基板チャック
４０Ａ，４０Ｂ  塗布膜除去部
４２  溶剤吐出部
４３  Ｎ２ガス溶剤吐出部（不活性ガス吐出部）
４４  吸引排出路
４４ａ  排出管路
４５  溶剤供給管路
４６  溶剤タンク（溶剤供給源）
４７  Ｎ２ガス供給管路（不活性ガス供給管路）
４８  ガスタンク（不活性ガス供給源）
４９  吸引ポンプ（吸引手段）
５３，５４  Ｙ方向移動機構
５５，５６  Ｘ方向移動機構
５９Ａ，５９Ｂ  高さ調整機構
６０  制御部
Ｖ１  溶剤流量調整弁（溶剤流量調整手段）
Ｖ２  Ｎ２ガス流量調整弁（不活性ガス流量調整手段）
ｓ  塗布膜除去部と基板との隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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