(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、前記一対の基板の一方には複数の画素領域が形成され、前記各画素領域には、複数のスリット状開口を有する上電極と、前記上電極と絶縁層を介して前記基板側に形成された下電極と、前記液晶層側に形成された配向膜を備えた液晶表示パネルにおいて、
前記複数のスリット状開口は、長手方向が前記配向膜のラビング方向と予め定めた所定の傾斜角を有するように形成され、
前記下電極は、前記スリット状開口の端部と平面視で重畳し、前記スリット状開口の端部のうち、前記スリット状開口の長手方向と前記ラビング方向のなす鋭角部分の角度方向を正とするとき、前記スリット状開口の境界の方向と前記ラビング方向とのなす角度φ（ただし、０°≦｜φ｜≦９０°）が負になっている部分に前記下電極が存在しない領域が形成されている、
液晶表示パネル。
【請求項２】
前記下電極が存在しない領域は、前記下電極に形成された開口により形成されている、 請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記下電極が存在しない領域は、前記下電極の側端部に形成された切り欠きにより形成されている、
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記スリット状開口の端部は鋭角状とされている、
請求項３に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記下電極は、前記画素領域毎に形成された平坦化膜の表面に形成されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界方式の液晶表示パネルに関する。更に詳しくは、本発明は、開口度が
大きくて明るく、しかも、面押し特性が良好なフリンジ・フィールド・スィッチング（Fr
inge Field Switching：以下、「ＦＦＳ」という。）モードの液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignmen
t）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等の縦電界方式のものが
多く使用されているが、一方の基板にのみ電極を備えた横電界方式の液晶表示パネルも知
られている、この横電界方式の液晶表示装置のうち、ＦＦＳモードの液晶表示装置の動作
原理を図１１及び図１２を用いて説明する（下記特許文献１及び２参照）。
【０００３】
図１１は従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表し
た１画素分の模式平面図である。図１２は図１１のXII−XII線に沿った断面図である。
【０００４】
このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦ
とを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板７１の表面にそれぞれ平行に複数の
走査線７２及びコモン配線７３が設けられ、これら走査線７２及びコモン配線７３に交差
する方向に複数の信号線７４が設けられている。そして、走査線７２及び信号線７４で区
画された領域のそれぞれを覆うようにコモン配線７３に接続されたＩＴＯ（Indium Tin O
xide）やＩＺＯ（indium Zinc Oxide）等からなる透明材料で形成された対向電極ともい
われる）７５が設けられている。この対向電極７５の表面に絶縁膜７６を介してストライ
プ状に複数のスリット７７が形成されたＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極７８が設け
られている。そして、この画素電極７８及び複数のスリット７７部の表面は配向膜８０に
より被覆されている。
【０００５】
そして、走査線７２と信号線７４との交差位置の近傍にはスイッチング素子としてのＴ
ＦＴが形成されている。このＴＦＴは、走査線７２の表面に半導体層７９が配置され、半
導体層７９の表面の一部を覆うように信号線７４の一部が延在されてソース電極Ｓを構成
し、半導体層７９の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを構成し、また、半導体層７９の一
部分と重畳する導電性層がドレイン電極Ｄを構成しており、このドレイン電極Ｄは画素電
極７８に接続されている。
【０００６】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板８２の表面にカラーフィルタ層８３
、オーバーコート層８４及び配向膜８５が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ＡＲの画素電極７８及び対向電極７５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層
８３とが互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させる
。次いで、アレイ基板ＡＲとびカラーフィルタ基板の間に液晶ＬＣを封入すると共に、両
基板のそれぞれ外側に偏光板８６及び８７を偏光方向が互いに直交する方向となるように
配置することにより、ＦＦＳモードの液晶表示パネル７０が形成される。
【０００７】
このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０は、画素電極７８と対向電極７５の間に電界を
形成すると、図１１に示したように、この電界は画素電極７８の両側で対向電極７５に向
かう。そのため、スリット７７に存在する液晶だけでなく画素電極７８上に存在する液晶
も動くことができる。従って、ＦＦＳモードの液晶表示パネル７０は、従来のＩＰＳモー
ドの液晶表示パネルよりも広視野角かつ高コントラストであり、更に高透過率であるため
明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示パネ
ル７０は、ＩＰＳモードの液晶表示パネルよりも平面視で画素電極７８と対向電極７５と
の重複面積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける
必要がなくなるという長所も存在する。
【特許文献１】特開２００２−  １４３６３号公報
【特許文献２】特開２００２−２４４１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルも同様で
あるが、電極端でリバースツイストドメインが発生し、このリバースツイストドメインは
、面押し試験などを行うと、発生領域が広がってリップル不良等が発生することが知られ
ている。このリバースツイストドメインの発生原理を図１３Ａ、図１３Ｂ及び図１４Ａ〜
図１４Ｅを用いて説明する。
【０００９】
図１３ＡはＦＦＳモードの液晶表示パネルの上電極における１個のスリットの端部部分
の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１３Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である
。図１４Ａ〜図１４Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす
角度φの関係を示す図である。
【００１０】
この上電極９１には、スリット状開口９２が例えば斜め方向に傾いて形成されている。
このスリット状開口９２の底部には絶縁膜が存在しており、更にこの絶縁膜の下部には下
電極が存在している。このスリット状開口９２に対しラビング方向が図１３ＡにおけるＹ
方向であるとすると、電圧無印加時には液晶分子９３ａはラビング方向に配列している。
この状態で上電極９１と下電極との間に駆動電圧が印加されると、図１３Ｂに示したよう
に、上電極９１と下電極との間に、スリット状開口９２の境界に直角な方向に電界Ｅが生
じ、この電界Ｅに対応して液晶分子９３ａが例えば所定角度θだけ水平回転する。
【００１１】
ところが、電界Ｅの方向は、スリット状開口９２の長辺９４ａ側及び９４ｂ側ではそれ
ぞれ同一方向であるが、スリット状開口９２の端部９５側では、スリット状開口９２の一
方の長辺側９４ａ側と他方側の長辺９４ｂの間で方向が順次１８０°変化している。その
ため、スリット状開口９２の端部９５側においては、上電極９１と下電極との間に駆動電
圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域
が存在する。
【００１２】
すなわち、図１４Ａに示すように、配向膜のラビング方向をＹとし、上電極９１のスリ
ット状開口９２の長手方向をＺとし、ＺからＹへ向かう鋭角部分の角度方向を正とすると
、スリット状開口の位置Ａでは、スリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす
鋭角部分の角度φは正（φ>０°）となる。また、図１４Ｂに示したスリット状開口Ｂの
位置では、スリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとが平行となり、φ＝０°とな
る。更に、図１４Ｃに示したスリット状開口Ｃの位置では、スリット状開口Ｃからラビン
グ方向Ｙへ向かう鋭角部分の角度φは、方向が図１４Ａに示した位置Ａの場合とは逆方向
になるので、φは負（φ<０°）となる。同様に、図１４Ｄに示したスリット状開口Ｄの
位置ではφ＝±９０°となり、更に、図１４Ｄに示したスリット状開口Ｅの位置では、ス
リット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとの間の鋭角部分の角度φは、図１４Ａに示
した位置Ａと同じ方向であるので、正（φ>０°）となる。
【００１３】
そのため、スリット状開口９２の端部９５側においては、上電極９１と下電極との間に
駆動電圧が印加された際、図１４Ｂに示した位置Ｂと図１４Ｄに示した位置Ｄとの間では
、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域となる。このよう
なスリット状開口９２の端部９５側の異常配向領域はリバースツイストドメインと称され
ている。従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、リバースツイストドメインは正常な
画像表示ができないため、このリバースツイストドメインを遮光部材で遮光するようにし
ている。このように、リバースツイストドメインを遮光部材で遮光すると、開口率の損失
が生じる。
【００１４】
本発明は、従来例のＩＰＳモードの液晶表示パネルの問題点を解決すべくなされたもの
である。すなわち、本発明は、開口度が大きくて明るく、しかも、面押し特性が良好なＦ
ＦＳモードの液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶表示パネルは、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、一対の基板の一方には複数の画素領域が形成され、各画素領域には、複数のスリット状開口を有する上電極と、上電極と絶縁層を介して基板側に形成された下電極と、液晶層側に形成された配向膜を備えた液晶表示パネルにおいて、複数のスリット状開口は、長手方向が配向膜のラビング方向と予め定めた所定の傾斜角を有するように形成され、下電極は、スリット状開口の端部と平面視で重畳し、スリット状開口の端部のうち、スリット状開口の長手方向とラビング方向のなす鋭角部分の角度方向を正とするとき、スリット状開口の境界の方向とラビング方向とのなす角度φ（ただし、０°≦｜φ｜≦９０°）が負になっている部分に下電極が存在しない領域が形成されている。
【００１６】
このように配向膜のラビング方向と予め定めた所定の傾斜角を有するものとすると、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルとなる。
【００１７】
加えて、下電極が存在しない領域では、上電極と下電極との間に駆動電圧が印加されても液晶分子に印加される電界は非常に弱くなるので、液晶分子はほとんど駆動されずに配向膜によって配向方向が規制されている状態となる。そのため、この下電極が存在しない領域では実質的にバックライト装置からの光を透過しない。一方、下電極が存在している領域では、上電極と下電極との間に駆動電圧が印加されると、最初の配向方向から例えば角度θだけ水平回転してバックライト装置からの光を透過するようになる。そうすると、本発明の液晶表示パネルでは、上電極と下電極との間に駆動電圧が印加されたとき、下電極が存在しない領域と下電極が存在している領域とでは液晶分子の配向方向は角度θだけずれていることになる。
【００１８】
しかしながら、従来例のように、上電極のスリット状開口の端部と平面視で重畳する部
分に下電極が存在しない領域が形成されていないと、スリット状開口の一方の長辺側と他
方側の長辺との間で電界の方向が順次１８０°変化している。そのため、液晶分子右方向
に水平回転することもできれば左方向に水平回転することができる領域、すなわちリバー
スツイストドメインが存在する。それに対し、本発明の液晶表示パネルにおいては、上電
極と下電極との間に駆動電圧が印加されたとき、下電極が存在しない領域では、液晶分子
が実質的に駆動されることがないので、従来例のようなリバースツイストドメインは生じ
難くなる。また、本発明の液晶表示パネルにおいては、たとえリバースツイストが発生し
ても本来のツイスト方向のドメインに押されるから、リバースツイストドメインを極力小
さくすることができるようになる。
【００１９】
なお、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、上電極のスリット状開口の端部は遮
光膜で遮光していたため、遮光部分の面積が広く、開口率が大幅に小さくなっている。そ
れに対し、本発明では下電極の開口部が形成されている部分は、バックライト装置からの
光を透過しないから、特に上電極のスリット状開口の端部を遮光しなくても済むため、開
口度が大幅に向上する。従って、本発明の液晶表示装置によれば、開口度が大きくて明る
く、しかも、面押し特性が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
【００２１】
また、ＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、スリット状開口の境界がスリット状開口の長手方向とラビング方向のなす鋭角部分の角度方向を正とするとき、スリット状開口の境界の方向とラビング方向とのなす角度φ（ただし、０°≦｜φ｜≦９０°）が負になっている部分では、液晶分子が右方向にも左方向にも回転しやすくなるので、最も異常配向が生じ易い。従って、係る態様の液晶表示パネルによれば、バックライト装置からの光を透過させない下電極が存在しない領域を、最も異常配向が生じ易い領域のみに小さく形成できるため、より明るい表示の液晶表示パネルとなる。
【００２２】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、下電極が存在しない領域は、下電極の側端部に形成された切り欠きにより形成されていることが好ましい。
【００２３】
フォトリソグラフィー法によって下電極が存在しない領域を形成する場合、下電極の内
側に周囲が閉じた開口を形成するよりも、下電極の外周から一部が開放された切り欠きが
延在するように形成する方が、マスクの位置合わせの許容度が大きくなる。そのため、係
る態様の液晶表示パネルによれば、容易に製造できるようになる。
【００２４】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、下電極が存在しない領域は、下電極に形成された開口により形成されていることが好ましい。
【００２５】
下電極が存在しない領域を開口状とすることにより、上電極のスリット状開口の端部が
画素内のいずれの位置にあっても、この上電極のスリット状開口と平面視で重畳する下電
極が存在しない領域を形成することができる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば
、
下電極の存在しない領域が小さくても、容易に平面視で下電極の開口と重畳するようにで
きるので、より明るい表示の液晶表示装置となる。
【００２６】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、スリット状開口の端部は鋭角状とされていることが好ましい。
【００２７】
鋭角状とされた上電極のスリット状開口の端部は、リバースツイストドメインの基点と
なるので、リバースツイストドメインを狭い範囲内に収めることができる。そのため、リ
バースツイストドメインが表示画質に与える影響を少なくすることができると共に、バッ
クライト装置からの光を透過しない領域である下電極に形成する切り欠きを小さくできる
ので、より明るい表示の液晶表示装置となる。加えて、この鋭角状とされた上電極のスリ
ット状開口の端部は、下電極の切り欠きが小さくても、容易に平面視で下電極の切り欠き
と重畳するようにできるので、より明るい表示の液晶表示装置となる。
【００２８】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、下電極は画素領域毎に形成された平坦化膜の表面に形成されていることが好ましい。
【００２９】
画素毎に平坦化膜が形成されていると、平坦化膜の表面に形成される各電極は、例えば
スイッチング素子等の存在による凹凸が均されて平らになるため、セルギャップが均一化
される。そのため、係る態様の液晶表示パネルによれば、表示画質が良好な液晶表示パネ
ルが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルを例示するものであって、本発
明をこの液晶表示パネルに特定することを意図するものではなく特許請求の範囲に含まれ
るその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における
説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法
に比例して表示されているものではない。
【００３１】
図１は第１の実施形態に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１
画素分の概略平面図である。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。図３は図１の
III−III線に沿った断面図である。図４Ａは第１の実施形態の液晶表示パネルの上電極に
おける１個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図４Ｂ
は電圧印加時の模式拡大平面図である。図５は第２の実施形態に係る液晶表示パネルのカ
ラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。図６は図５のVI−VI線
に沿った断面図である。図７は図５のVII−VII線に沿った断面図である。図８は第３の実
施形態に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面
図である。図９は図８のIX−IX線に沿った断面図である。図１０は図８のＶ−Ｖ線に沿っ
た断面図である。
【００３２】
［第１の実施形態］
この第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａは、アレイ基板ＡＲと、カラーフィルタ基
板ＣＦとを備えている。アレイ基板ＡＲは、ガラス基板等の第１の透明基板１１の表示領
域の表面にはマトリクス状に複数の走査線１２及び信号線１３が互いにゲート絶縁膜１４
で絶縁された状態で交差するように形成されており、更に、表示領域の周縁部にはコモン
配線（図示省略）が形成されている。これらの走査線１２及び信号線１３で囲まれたそれ
ぞれの領域が各画素（「サブ画素」ともいう）を形成する。また、第１の透明基板１１に
は画素毎にスイッチング素子として例えばＴＦＴが形成されており、このＴＦＴを含む第
１の透明基板１１の表面全体に亘って例えば窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるパ
ッシベーション膜１５で被覆されている。
【００３３】
そして、パッシベーション膜１５の表面には有機材料からなる平坦化膜１６が形成され
ており、この平坦化膜１６及びパッシベーション膜１５にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対
応する位置にコンタクトホール１７が形成されている。そして、平坦化膜１６の表面には
、それぞれの画素領域にＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる下電極１８が形
成されており、この下電極１８はコンタクトホール１７を経てＴＦＴのドレイン電極Ｄに
電気的に接続されている。従って、第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、下電極１
８は画素電極として機能する。
【００３４】
そして、この下電極１８には、以下に述べる上電極２１のスリット状開口部２０の端部
と平面視で重畳する部分に周囲が閉じた形状の下電極１８が存在しない領域２２が形成さ
れている。この下電極１８が存在しない領域２２の詳細については後述する。更に、下電
極１８が形成された第１の透明基板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ
素層からなる絶縁膜１９が形成されている。この絶縁膜１９の表面には、それぞれの画素
に互いに平行に伸びる複数のスリット状開口部２０を有する上電極２１がベタ状に形成さ
れている。この上電極２１はＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料で形成されており、
表示領域の周縁部で図示しないコモン配線に電気的に接続されている。従って、第１の実
施形態の液晶表示装置１０Ａでは、上電極２１は対向電極として機能する。なお、下電極
１８及び上電極２１のうち、どちらをＴＦＴのドレイン電極Ｄと接続するか及びどちらを
コモン配線と接続するかは任意である。
【００３５】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、図２及び図３に示したように、ガラス基板等の第２
の透明基板２５の表面に、アレイ基板ＡＲの走査線１２、信号線１３、コンタクトホール
１７及びＴＦＴに対応する位置を被覆するように遮光膜２６が形成されている。更に、遮
光膜２６で囲まれた第２の透明基板２５の表面には、所定の色のカラーフィルタ層２７が
形成されている。また、遮光膜２６及びカラーフィルタ層２７の表面を被覆するようにオ
ーバーコート層２８が形成されている。そして、オーバーコート層２８の表面には第２の
配向膜２９が形成されている。このカラーフィルタ基板ＣＦの配向膜とアレイ基板ＡＲの
配向膜のラビング方向は、平面視で同一方向であるが、上電極２１に形成されるスリット
１７に対して５°〜１０°程度傾いているようになされる。
【００３６】
そして、アレイ基板ＡＲの下電極１８及び上電極２１とカラーフィルタ基板ＣＦのカラ
ーフィルタ層２６とが互いに対向するように、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦ
が対向され、その間に液晶３０が封入されている。更に、アレイ基板ＡＲの外側に第１の
偏光板３１及びバックライト装置（図示省略）が配置され、カラーフィルタ基板ＣＦの外
側に第２の偏光板３２が配置されて第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａが完成される
。
【００３７】
ここで、この第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａの下電極１８に形成された下電極
１８が存在しない領域２２について図４Ａ及び図４Ｂを用いて説明する。この上電極２１
には、スリット状開口部２０が例えば斜め方向に傾いて形成されている。このスリット状
開口部２０に対しラビング方向が図４ＡにおけるＹ方向であるとすると、電圧無印加時に
は液晶分子３０ａは、図４Ａに示したように、ラビング方向に平行に配列している。この
状態で上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加されると、上電極２１と下電極１
８との間に、スリット状開口１８の境界に直角な方向に電界Ｅが生じ、図４Ｂに示したよ
うに、この電界Ｅに対応して液晶分子３０ａが所定角度θだけ水平回転する。
【００３８】
ところが、電界Ｅの方向は、スリット状開口部２０の長辺２０ａ及び２０ｂ側ではそれ
ぞれ同一方向であるが、スリット状開口部２０の端部２０ｃ側では、スリット状開口部２
０の一方の長辺側２０ａ側と他方側の長辺２０ｂの間で方向が順次１８０°変化している
。そのため、従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、スリット状開口部２０の端部
２０ｃ側においては、上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加された際、液晶分
子が右回転することも左回転することもできる領域が存在している。
【００３９】
そこで、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、上電極２１のスリット状開口部
２０の端部２０ｃと平面視で重畳する部分の下電極１８に周囲が閉じた形状の下電極１８
が存在しない領域２２を形成した。下電極１８が存在しない領域２２が形成されている部
分では、上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加されても液晶分子３０ｂに印加
される電界は非常に弱くなるので、図４Ｂに示したように、液晶分子３０ｂはほとんど駆
動されずに第１の配向膜２４によって配向方向が規制されている状態となり、実質的にバ
ックライト装置からの光を透過しない。
【００４０】
一方、下電極１８が存在している領域では、上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧
が印加されると、図４Ａに示した最初の配向方向から例えば角度θだけ水平回転してバッ
クライト装置からの光を透過するようになる。しかしながら、従来例のように、上電極２
１のスリット状開口２０の端部２０ｃと平面視で重畳する部分に下電極１８が存在してい
ると、スリット状開口２０の一方の長辺側２０ａと他方側の長辺２０ｂとの間で電界の方
向が順次１８０°変化しているので、液晶分子３０ａの配向方向が右方向にも左方向にも
水平回転するものが存在している。それに対し、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａ
では、上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加されても、下電極１８が存在しな
い領域２２では液晶異分子が駆動されないため、従来例のようなリバースツイストドメイ
ンは生じ難くなる。しかも、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいてたとえリバ
ースツイストが発生しても、本来のツイスト方向のドメインに押されるから、リバースツ
イストドメインを極力小さくすることができるようになる。
【００４１】
なお、上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加されている場合、スリット状開
口２０の長手方向とラビング方向のなす鋭角部分の角度方向を正（図４Ａ参照）とすると
き、スリット状開口２０の境界の方向とラビング方向Ｙとの間の鋭角部分の角度φが負と
なる位置では、液晶分子２０ａは左右のどちらの方向にも容易に水平回転できるので、最
も異常配向が生じ易い。従って、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、下
電極１８に形成する下電極１８が存在しない領域２２は、上電極２１のスリット状開口２
０の端部２０ｃの境界の方向とラビング方向Ｙとの間の鋭角部分の角度φが負となる位置
を含む部分とする。この部分に下電極１８が存在しない領域２２を形成すると、バックラ
イト装置からの光を透過させない下電極１８が存在しない領域２２を、最も異常配向が生
じ易い領域のみに小さく形成できるため、より明るい表示の液晶表示パネル１０Ａが得ら
れる。
【００４２】
加えて、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、上電極１８のスリット状開口２０
の端部２０ｃは遮光膜２６で遮光していたため、遮光部分の面積が広く、開口率が大幅に
小さくなっている。それに対し、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、下
電極１８に下電極１８が存在しない領域２２が形成されている部分は、バックライト装置
からの光を透過しないので、特に上電極１８のスリット状開口２０の端部２０ｃを遮光し
なくても済むため、開口度が大幅に向上させることができる。従って、第１の実施形態の
液晶表示パネル１０Ａによれば、開口度が大きくて明るく、しかも、押し特性の強いＦＦ
Ｓモードの液晶表示パネルが得られる。
【００４３】
なお、第１の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０が走査線１２
及び信号線１３に対して傾いて形成されている例を示したが、走査線１２ないし信号線１
３に沿って形成されているようにしても良い。
【００４４】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂを図５〜図７を用いて説明する。なお、
図５〜図７においては、図１〜図３に示した第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａと同
一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００４５】
第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂが第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａと構
成が相違する点は、
（１）上電極２１に形成されるスリット状開口２０が信号線１３に沿って形成されている
点、及び、
（２）スリット状開口２０の端部２０ｃに形成する下電極１８の開口部２２を一部が開放
された切り欠きにより形成した点、
（３）上電極２１を画素電極として作動させ、下電極１８を対向電極として作動させるよ
うにした点、
である。
【００４６】
すなわち、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂは、上電極２１として信号線１３に
沿って伸びる複数のスリット状開口２０を備えており、このスリット状開口２０の端部２
０ｃは鋭角状とされている。そして、この上電極２１はコンタクトホール１７を介してＴ
ＦＴのドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。また、上電極２１の下部には絶縁膜１
９を介して下電極１８が形成されており、この下電極１８の上電極２１に形成されたスリ
ット状開口２０の端部２０ｃと平面視で重畳する位置には一部が開放された切り欠き２２
ａが形成されている。従って下電極１８の周囲形状は切り欠き２２ａの存在のために凸凹
状態となっている。この下電極１８は平坦化膜１６の表面にベタ状に形成され、ＴＦＴ形
成部分及びコンタクトホール１７を迂回して図示しない表示領域の周縁部に形成されてい
るコモン配線に接続されている。
【００４７】
下電極１８は、平坦化膜１６の表面にＩＴＯないしＩＺＯからなる透明導電性材料から
なる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法により形成される。このとき、下電極１８
の外周から一部が開放された切り欠き２２ａを延在させる方が、下電極１８の内側に周囲
が閉じた開口を形成するよりもマスクの位置合わせの許容度が大きくなるため、容易に下
電極１８の周縁部に一部が開放された切り欠き２２ａを形成できるようになる。また、上
電極２１のスリット状開口２０も、絶縁膜１９の表面にＩＴＯないしＩＺＯからなる透明
導電性材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法により形成される。この上
電極２１のスリット状開口２０の鋭角状の端部２０ｃを平面視で下電極１８の周縁部に形
成された切り欠き２２ａ内に位置させるためのマスクの位置合わせの許容度が大きくなる
ので、容易に製造できるようになる。しかも、上電極２１のスリット状開口２０の端部２
０ｃを鋭角状とすると、この鋭角状の端部２０ｃがリバースツイストドメインの基点とな
り、リバースツイストドメインを狭い範囲内に収めることができるので、リバースツイス
トドメインが表示画質に与える影響を少なくすることができる。
【００４８】
なお、第２の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０が信号線１３
に沿って形成されているようになした例を示したが、走査線１２に沿って形成されている
ようにしてもよく、更には走査線１２及び信号線１３に対して傾いた方向となるようにし
ても良い。
【００４９】
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃを図８〜図１０を用いて説明する。なお
、図８〜図１０においては、図１〜図３に示した第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａ
と同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００５０】
第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃが第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａと構
成が相違する点は、
（１）上電極２１に形成されるスリット状開口２０の一方端が切り欠かれた開放形状とな
っている点、及び、
（２）スリット状開口２０の端部２０ｃに形成する下電極１８の開口部２２を一方のみに
形成した点、
である。
【００５１】
すなわち、第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃは、第１の実施形態の液晶表示パネ
ル１０Ａの場合と同様に、上電極２１に形成する複数のスリット状開口２０として走査線
１２及び信号線１３に対して傾いた形状を備えている。そして、このスリット状開口２０
の一方端部は切り欠かれた開放形状となされており、この部分には下電極１８の開口部は
形成されていない。その代わりに、スリット状開口２０の閉鎖形状となっている一方側の
端部２０ｃにのみ下電極１８の開口部２２が形成されている。このような構成を採用した
のは、スリット状開口２０の切り欠かれた形状となっている一方端部には、ラビング方向
と平行になるスリット状開口２０の境界が存在しないため、リバースツイストドメインが
生じないためである。
【００５２】
この第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃによれば、スリット状開口２０の閉鎖形状
となっている一方側の端部２０ｃは、下電極１８に開口部２２が形成されているため、リ
バースツイストドメインの生成を有効に抑制することができる。加えて、第３の実施形態
の液晶表示パネル１０Ｃによれば、スリット状開口２０の切り欠かれた開放形状となって
いる一方端部はバックライトからの光を透過するため、第１の実施形態の液晶表示パネル
１０Ａよりも明るい表示が可能となる。
【００５３】
なお、第３の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０が走査線１２
及び信号線１３に対して傾いた方向となるように形成した例を形成したが、スリット状開
口２０の一方端に切り欠かれた開放形状を備えていれば走査線１２ないし信号線１３に沿
って形成されているようにしてもよい。
【００５４】
なお、上記第１〜第３の実施形態では、下電極１８を平坦化膜１６の表面に形成した例
を示したが、この平坦化膜は必ずしも必要な構成ではなく、第１の透明基板１１の表面に
直接下電極１８を形成してもよい。しかしながら、画素毎に平坦化膜が形成されていると
、平坦化膜の表面に形成される各電極は、例えばスイッチング素子等の存在による凹凸が
均されて平らになるため、セルギャップが均一化されるので、表示画質が良好な液晶表示
パネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】図４Ａは第１の実施形態の液晶表示パネルの上電極における１個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図４Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である。
【図５】第２の実施形態に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿った断面図である。
【図７】図５のVII−VII線に沿った断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿った断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の模式平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線に沿った断面図である。
【図１３】図１３ＡはＦＦＳモードの液晶表示パネルの上電極における１個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１３Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす角度φの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０Ａ、１０Ｂ：液晶表示パネル  １１：第１の透明基板  １２：走査線  １３：信号線
１４：ゲート絶縁膜  １５：パッシベーション膜  １６：平坦化膜  １７：コンタクト
ホール  １８：下電極  １９：絶縁膜  ２０：スリット状開口  ２０ａ、２０ｂ：（スリ
ット状開口の）長辺  ２０ｃ：（スリット状開口の）端部  ２１：上電極  ２２：下電極
が存在しない領域  ２２ａ：(下電極の)切り欠き  ２４：第１の配向膜  ２５：第２の透
明基板  ２６：遮光膜  ２７：カラーフィルタ層  ２８：オーバーコート層  ２９：第２
の配向膜  ３０：液晶  ３０ａ、３０ｂ：液晶分子  ３１：第１の偏光板  ３２：第２の
偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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