(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素のマトリクスに基づいた表示装置であって、
各画素が、前記画素内で少なくとも１つの編成方向に事前設定ピッチで編成された複数のサブ画素を含み、
各サブ画素が、同じピッチ（ＰＦ）で、少なくとも１つの光電子放出要素に面して配置された色フィルタを含み、不透明区域が前記色フィルタを分離し、
前記光電子放出要素の電源の制御回路を含み、
各サブ画素が少なくとも２つの光電子放出要素を含み、
前記光電子放出要素が前記画素の前記編成方向のそれぞれにおいて前記色フィルタのピッチ（ＰＦ、ＰＦＸ、ＰＦＹ）の２分の１である繰り返しピッチ（ＰＥ、ＰＥＸ、ＰＥＹ）を有し、
各色フィルタのサイズが前記方向において前記光電子放出要素の寸法以下であり、
前記制御回路が、前記画素の各色フィルタに面して配置された前記少なくとも２つの光電子放出要素を選択する選択手段を含む
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記画素において、前記色フィルタが１次元編成を有し、各サブ画素が２つの光電子放出要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記画素において、前記色フィルタが２次元編成を有し、各サブ画素が４つの光電子放出要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記光電子放出要素を選択するための手段が、前記サブ画素が前記光電子放出要素を含むのと同数の選択コマンドを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記選択コマンドが、前記表示装置の複数の行および／または複数の列に関連することを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記選択コマンドが、前記表示装置の前記行の全ておよび／または前記列の全てに関連することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
別個の選択コマンドが、各行および／または列に関連することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の装置を生産する方法であって、
光電子放出要素の上方に色フィルタのマトリクスを配置するステップと、
選択コマンド（ＣＳ）を連続的に供給するステップと、
前記選択コマンド（ＣＳ）のそれぞれに対して位置合わせ不良を決定するステップと、  位置合わせ不良なしに対応する前記選択コマンド（ＣＳ）を選択するステップと
を順次含むことを特徴とする方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素のマトリクスに基づいた表示装置であって、各画素が前記画素内で少なくとも１つの編成方向に事前設定ピッチで編成された複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、同じピッチで、少なくとも１つの光電子放出要素に面して配置された色フィルタを含み、不透明区域が色フィルタを分離し、光電子放出要素の電源の制御回路を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、従来、それぞれが３原色の複数のサブ画素から構成される独立した色画素のマトリクスを含む。したがって、原色の各サブ画素は、事前定義された色の光を供給する放出要素を表す。このタイプの装置は、例えば、それぞれがサブ画素を構成する有色有機発光ダイオードのマトリクスによって達成される。
【０００３】
小さいサイズおよび／または高解像度の表示装置、すなわち、一般に５０μｍ未満のピッチを有する画素の場合、有機発光ダイオード製作方法では異なる色相のサブ画素を達成することができない。
【０００４】
したがって、これらの表示装置では、色サブ画素の形成は、白色を放出する発光ダイオードを色フィルタのマトリクスと組み合わせることによって行われる。図１に示されるように、表示装置は従来のように行および列に編成された画素１のマトリクスを含む。各画素１は、複数の色サブ画素２、例えば青、赤、緑、および白のサブ画素によって形成される。従来のやり方では、画素１のマトリクス、したがってサブ画素２のマトリクスは、複数の光電子放出要素５を支持する基板４の上方に色フィルタ３のマトリクスを配置することによって達成される。各色フィルタ３はサブ画素２に属し、したがって、サブ画素のピッチは色フィルタのピッチ（ＰＦ）と同一である。
【０００５】
光電子放出要素５は光放射を放出することができ、所要の集積密度で集積化され得る任意の要素によって形成される。光電子放出要素５は、例えば、従来のように、基板４上に、例えば、２つの電極間、すなわち、各サブ画素特有のカソードと、概して連続的であるアノードとの間に配置された有機層の連続スタックによって形成された有機発光ダイオードである。光電子放出要素５は全て同じ色、好ましくは白色を放出し、それにより５０μｍ未満の繰り返しピッチがダイオード間で得られるようになる。色フィルタ２のマトリクスは任意の適切な技法によって、例えば透明基板６上のフォトリソグラフィによって生成され、次に、例えば基板４上に固着させることによって組み立てられる。
【０００６】
画素１内で、サブ画素２の異なる編成が画素編成とは独立に可能である。サブ画素２は色フィルタ３に関連し、同じ色フィルタの編成は各サブ画素の編成に対応する。画素１内で、色フィルタ３は１次元または２次元、すなわち直線または平面で編成されてもよい。
【０００７】
画素１および１’において、並んでストライプに配置された色フィルタ３の１次元編成の例が図２に示される。この編成では、３つのサブ画素２Ｒ、２Ｇ、２Ｂおよび対応する色フィルタ３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが、直線（図２のＸ軸に沿って）または列で単一の編成方向に、ピッチＰＦＸで並んで配置された隣接する色ストライプを形成する。色フィルタ３Ｒ、３Ｂ、および３Ｇは、有利には、色フィルタ３のピッチ（ＰＦＸ）を画定する、編成方向（図２のＸ軸）と平行なより小さい辺をもつ長方形である。
【０００８】
色フィルタ３の２次元編成の例がカッド（正方形）マトリクス編成によって図３に表される。この編成では、各画素の４つの色フィルタ３Ｒ、３Ｂ、３Ｇ、３Ｙが、２方向（直角をなすＸおよびＹ軸）で定義された平面にピッチＰＦＸおよびＰＦＹをもつカッド（図３）で配置される。有利には、色フィルタは正方形である。
【０００９】
光電子放出要素５のピッチＰＥは編成方向のそれぞれにおいて色フィルタ３のピッチＰＦと同一である（ＰＥＸ＝ＰＦＸおよびＰＥＹ＝ＰＦＹ）。したがって、光電子放出要素５の上方に色フィルタ３のマトリクスを配置するのは任意の従来の位置合わせ技法を使用して行われる。
【００１０】
色フィルタを使用すると、基板上に単一のタイプの有機発光ダイオードしか形成する必要がないという利点が与えられ、それにより製作方法がより簡単になり、高い集積密度が得られるようになる。
【００１１】
しかし、この手法は、有機発光ダイオードを支持する基板に対して色フィルタのマトリクスが完全に位置合わせされることを必要とする。しかし、基板位置合わせ機械は、一般に約１ミクロンの位置合わせ精度を有する。いかなる位置合わせ不良も軽減し、それによって異なるサブ画素間のいかなる情報の混合も防止するために、安全マージンがサブ画素間に設けられなければならない。したがって、不透明区域７が色フィルタ間に配置される。これらの不透明区域７は、従来、反射要素によって、あるいは有利には黒色の着色剤を用いた、または例えばクロム、酸化クロム、もしくはクロム／ＳｉＯ２サーメットから製作された吸収金属層による吸収フィルタによって達成される。これらの不透明区域のサイズは、使用される機械の精度と同じ程度の大きさ、一般に１〜２ミクロンである。したがって、マトリクス画素繰り返しピッチが減少すると、不透明区域によって占められる表面の割合が増加し、信号が減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、実施するのが容易であり、小さい寸法および／または高解像度のものであり、位置合わせ方法に対する制約を緩和する表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による装置は、添付の特許請求の範囲と、特に、各サブ画素が少なくとも２つの光電子放出要素を含み、光電子放出要素が画素編成方向のそれぞれにおいて色フィルタのピッチの２分の１の繰り返しピッチを有し、各色フィルタのサイズが前記方向で光電子放出要素のサイズ以下であり、制御回路が、画素の各色フィルタに面して配置された光電子放出要素を選択するための手段を含むということとによって特徴づけられる。
【００１４】
他の利点および特徴は、非限定的な例示として与えられたにすぎない、添付図面に示されている本発明の特定の実施形態の以降の説明からより明確に明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
画素１内では、色フィルタ３および光電子放出要素５のそれぞれのサイズに応じて、ならびに位置合わせ手段の精度に応じて、位置合わせ不良が、単一の方向で、例えばＸ軸に沿って、または２つの方向で、すなわちＸ軸およびＹ軸に沿って存在することがある。
【００１６】
色フィルタ３の１次元編成を有する、すなわち軸Ｘに沿って並んで位置合わせされた色フィルタを有する画素１（図２）は、単一の方向のみ、すなわちサブ画素２が編成される方向（Ｘ軸）で位置合わせ不良を受けやすい。さらに、色フィルタ３の２次元編成を有する画素１は、従来のように、２つの方向の位置合わせ不良を受けやすい。
【００１７】
色フィルタおよび光電子放出要素のマトリクスは、ストライプ、三角形、またはカッドで、画素マトリクスおよびこれらの画素内のサブ画素の編成を考慮に入れる同じ全体的な編成を有する。
【００１８】
色フィルタ３のマトリクスと光電子放出要素５のマトリクスとの間の位置合わせに関する制約を緩和するために、光電子放出要素５は、画素内の色フィルタの編成方向のそれぞれにおいて色フィルタ５の繰り返しピッチ（ＰＦ）の２分の１である繰り返しピッチ（ＰＥ）を与える（ＰＦＸ＝２ＰＥＸおよびＰＦＹ＝２ＰＥＹ）。したがって、各画素編成方向に色フィルタ３の２倍の光電子放出要素５がある。
【００１９】
したがって、色フィルタ３Ｒ、３Ｂ、３Ｇが方向Ｘにのみに配置される１次元編成を有する画素では、したがってサブ画素２につき２つの光電子放出要素５がある。同様に、色フィルタ３が２つの方向ＸおよびＹにカッドで配置されるカッド・マトリクス・タイプの２次元編成では、したがってサブ画素２につき４つの光電子放出要素５がある。
【００２０】
さらに、画素１の編成方向のそれぞれにおいて、色フィルタ３は光電子放出要素の対応するサイズ以下であるサイズを有する。したがって、色フィルタ３が光電子放出要素５のピッチＰＥよりも大きいピッチＰＦを有するので、色フィルタ３は連結されない。したがって、非発色区域が同じ画素１のまたは２つの隣接する画素の隣接する色フィルタ３の周りに存在し、その区域が色フィルタを分離し、その区域を通って迷光放出が生じることがある。この迷光放出を防止するために、色フィルタ３の周りに位置しているこの区域７は、放出された光放射の吸収または反射によって、任意の適切な手段によって、好ましくは従来技術の装置を生産するのに使用されるものと同様の吸収フィルムによって不透明にされる。区域７は、黒色の着色剤によるまたは例えばクロム、酸化クロム、もしくはクロム／ＳｉＯ２サーメットから製作された吸収金属層による吸収フィルタによって達成され得る。
【００２１】
色フィルタ３は光電子放出要素５のピッチＰＥの２倍のピッチＰＦを有し、（注目されている編成方向での）吸収区域のサイズＬは色フィルタ３のサイズ以上である。言いかえれば、編成方向のそれぞれでの色フィルタ３のサイズＬは、常に、この同じ方向でサブ画素２のピッチＰＦの半分以下である。
【００２２】
画素の色フィルタ３がＸ軸に沿って並んで配置される図４に示される１次元編成では、不透明区域７は各色フィルタ３の各側面に配置され、各色フィルタの幅ＬＸは２ＬＸ≦ＰＦＸのようなものである。
【００２３】
図５に示されるカッド・マトリクス・タイプの２次元編成では、色フィルタ３は平面Ｘ、Ｙ内でカッドに配置される。使用される方向（Ｘ、Ｙ）の両方で、色フィルタ３のサイズＬは、関係している方向のサブ画素２のピッチＰＦの少なくとも２分の１である。したがって、２ＬＸ≦ＰＦＸおよび２ＬＹ≦ＰＦＹである。したがって、不透明区域７は色フィルタ３を囲む画素の全表面を満たす。
【００２４】
全ての場合、色フィルタのマトリクスは、例えば、色フィルタが生成される前、その間、またはその後にフォトリソグラフィによって達成され得る不透明区域７によって分離された、例えば青、緑、赤のフィルタ（３Ｂ、３Ｇ、３Ｒ）を含む。
【００２５】
色フィルタ３および光電子放出要素５は異なる繰り返しピッチ（ＰＦ、ＰＥ）を有し、したがって、各サブ画素２は色フィルタ３に面して配置された複数の光電子放出要素５を含む。そのとき、サブ画素２に関連する異なる光電子放出要素５の同時動作は抑制されなければならない。
【００２６】
１次元編成では、各サブ画素２は、２つの光電子放出要素５に関連する色フィルタ３を含む。端部サブ画素は単一の光電子放出要素５のみを含むことがある。光電子放出要素は全て同一であり、ピッチＰＥＸでＸ軸に沿って並んで配置される。
【００２７】
図６および７は、画素１の３つの色フィルタ３と７つの隣接する光電子放出要素５ａから５ｇとの間の２つの異なる位置合わせ不良を示す。理想的には、画素の３つの色フィルタは、６つの光電子放出要素５ａから５ｆと位置合わせされるべきである。Ｘに沿った第１の位置合わせ不良が図６によって示される。この場合、最も左に位置している２つの光電子放出要素５ａおよび５ｂはフィルタ３Ｂによって部分的に覆われる。次の２つの光電子放出要素５ｃおよび５ｄは中央のフィルタ３Ｒによって部分的に覆われ、次の２つの光電子放出要素５ｅおよび５ｆはフィルタ３Ｇによって部分的に覆われる。画素１の不透明区域７は、光電子放出要素５ａから５ｆの残りの部分を覆う。
【００２８】
図６に示された位置合わせ不良では、その結果、光電子放出要素５ａおよび５ｂは対にされ、色フィルタ３Ｂに関連し、光電子放出要素５ｃおよび５ｄは対にされ、色フィルタ３Ｒに関連し、光電子放出要素５ｅおよび５ｆは対にされ、色フィルタ３Ｇに関連する。光電子放出要素５ｇは注目されている画素に関連せず、注目されている画素の右に位置している隣接する画素に関連する。光電子放出要素５ｇのわずかな部分が注目されている画素の不透明区域によって覆われるのに対して、光電子放出要素５ａのそれと等価な部分は注目されている画素の右に位置している画素の不透明区域（図示せず）によって覆われる。
【００２９】
図７によって示されるＸ軸に沿った第２の位置合わせ不良では、光電子放出要素５ｂおよび５ｃはフィルタ３Ｂによって、光電子放出要素５ｄおよび５ｅはフィルタ３Ｒによって、光電子放出要素５ｆおよび５ｇはフィルタ３Ｇによって部分的に覆われる。図７に示された位置合わせ不良では、光電子放出要素５ｂおよび５ｃは対にされ、色フィルタ３Ｂに関連し、光電子放出要素５ｄおよび５ｅは対にされ、色フィルタ３Ｒに関連し、光電子放出要素５ｆおよび５ｇは対にされ、同じ画素の色フィルタ３Ｇに関連する。光電子放出要素５ａは、この場合、注目されている画素ともはや関連していないが、注目されている画素の左側に位置している隣接する画素に関連する。
【００３０】
したがって、光電子放出要素５を含む基板４と色フィルタ３のマトリクスとの間に存在する位置合わせ不良に応じて、画素の同じ色フィルタ３は必ずしも同じ光電子放出要素５を覆うとは限らない。しかし、位置合わせ不良が何であれ、２つの隣接する光電子放出要素間に構成される間隔を考慮しない限り、各色フィルタは、注目されている色フィルタの寸法を有する光電子放出要素の等価物に全面的に面して位置を定められる。したがって、色フィルタ３および光電子放出要素５は完全には位置合わせされなくてもよい。しかし、各色フィルタによって効果的に覆われ、各サブ画素２に関連することになる隣接する光電子放出要素５は、装置の後の使用において選択されなければならない。この選択は、各色フィルタ３とそれが覆う光電子放出要素との電子的位置合わせに取り入れてもよい。これは、画素の各色フィルタに面して配置された光電子放出要素を選択するための手段を含む光電子放出要素の電源制御回路によって行われる。
【００３１】
図８に示される光電子放出要素の電源制御回路は、それぞれが図６および７に示された３つのサブ画素を有する画素１の行に対応する。制御回路は、供給されるべき画素の行に対応する行コマンドＣＬと、この行の異なるサブ画素の電源を制御する列コマンドＣＣ（図８のＣＣ１からＣＣ４）とを含む。
【００３２】
列コマンドＣＣ１に関連する第１の電子スイッチＴ１は、列コマンドＣＣ１と第２の電子スイッチＴ２の制御電極との間に接続される。第１の電子スイッチＴ１の制御電極は行コマンドＣＬに接続される。
【００３３】
各列コマンドＣＣは前述で明示されたように第１および第２の電子スイッチに接続され、第２の電子スイッチＴ２は全て行コマンドＣＬに接続される。
【００３４】
各第２の電子スイッチＴ２は電源端子Ｖｄｄおよび４つの第３の電子スイッチＴ３（Ｔ３ａからＴ３ｄ）に接続される。各第３の電子スイッチＴ３はそれ自体光電子放出要素に接続され、その結果、各光電子放出要素５は２つの第３の電子スイッチＴ３に接続される。したがって、列コマンドＣＣ１に関連する電子スイッチＴ２は、電子スイッチＴ３ａを介して光電子放出要素５ａに、電子スイッチＴ３ｂおよびＴ３ｃを介して光電子放出要素５ｂに、ならびに電子スイッチＴ３ｄを介して光電子放出要素５ｃ接続される。光電子放出要素５ｃは、列コマンドＣＣ２に関連する電子スイッチＴ２にも接続される。
【００３５】
したがって、各サブ画素２は列コマンドＣＣに関連し、各列コマンドＣＣは３つの直接隣接する光電子放出要素に接続される。したがって、列コマンドＣＣ１は光電子放出要素５ａ／５ｂ／５ｃに接続され、列コマンドＣＣ２およびＣＣ３はそれぞれ電子スイッチによって光電子放出要素５ｃ／５ｄ／５ｅおよび５ｅ／５ｆ／５ｇに接続される。列コマンドＣＣ４は直接隣接する画素に対応し、特に光電子放出要素５ｇに接続される。
【００３６】
光電子放出要素５は、反対の状態にある２つの選択コマンドＣＳ１およびＣＳ２によって列コマンドＣＣと２つずつ関連する。選択コマンドＣＳは、事前定義された配線図に従って、単一の列コマンドＣＣに２つの隣接した光電子放出要素５だけを関連させるように第３の電子スイッチＴ３の制御電極に接続される。選択コマンドＣＳ１は電子スイッチＴ３ａおよびＴ３ｂの制御電極に接続されるが、選択コマンドＣＳ２は電子スイッチＴ３ｃおよびＴ３ｄの制御電極に接続される。有利には、光電子放出要素５ｂは、第２の電子スイッチＴ２に直接に、すなわち、第３の電子スイッチＴ３ｂおよびＴ３ｃなしで接続される。光電子放出要素５ｄおよび５ｆにとっても同様である。
【００３７】
選択コマンドＣＳ１がハイ状態であると、光電子放出要素５ａおよび５ｂを列コマンドＣＣ１に接続する電子スイッチＴ３ａおよびＴ３ｂはオンにされ、電子スイッチＴ３ｃおよびＴ３ｄはオフにされる。これは、列コマンドＣＣ１信号が加えられたとき光電子放出要素５ａおよび５ｂの同時動作を引き起こす。同様に、そのとき、光電子放出要素５ｃおよび５ｄの動作は列コマンドＣＣ２の状態に依存し、光電子放出要素５ｅおよび５ｆの動作は列コマンドＣＣ３の状態に依存する。
【００３８】
これに反して、選択コマンドＣＳ２がハイ状態であると、光電子放出要素５ｂおよび５ｃを列コマンドＣＣ１に接続する電子スイッチＴ３ｃおよびＴ３ｄはオンであり、電子スイッチＴ３ａおよびＴ３ｂはオフである。これは、列コマンドＣＣ１信号が加えられたとき光電子放出要素５ｂおよび５ｃの同時動作を引き起こす。同様に、そのとき、光電子放出要素５ｄおよび５ｅの動作は列コマンドＣＣ２の状態に依存し、光電子放出要素５ｆおよび５ｇの動作は列コマンドＣＣ３の状態に依存する。
【００３９】
したがって、選択信号ＣＳ１およびＣＳ２の値に応じて、列コマンドＣＣ１に関連するサブ画素の光電子放出要素が異なり、ＣＳ１がハイ状態である場合５ａおよび５ｂであり、そうでない場合５ｂおよび５ｃである。したがって、図６から８によって示された１次元編成では、各サブ画素２は、サブ画素に関連する列コマンドＣＣに接続された２つの選択された光電子放出要素に関連する色フィルタによって形成される。
【００４０】
選択された光電子放出要素５が対応するサブ画素の色フィルタに面して配置されるように活性化されるべき選択コマンドＣＳを選ぶために、色フィルタと光電子放出要素との間の位置合わせ不良の決定が、選択コマンドＣＳ１およびＣＳ２のそれぞれをハイ状態に連続的に切り替え、得られた画像の品質をモニタすることによって行われる。次に、位置合わせ不良なしに対応する選択コマンドＣＳがハイ状態に保持される。このようにして、位置合わせは光電子放出要素５と色フィルタ３との間で電子的に行われる。
【００４１】
別個の選択コマンドＣＳが図８に示されるように画素の各ラインに関連する場合、電子位置合わせは表示装置のラインごとに独立に行われる。サブ画素が列に編成される場合、列の位置合わせも可能である。
【００４２】
２つの反対の選択コマンドＣＳ１およびＣＳ２は、さらに、表示装置の行または列の全部の組に使用されてもよく、または変形として表示装置の一部に使用されてもよく、すなわち、表示装置は、例えば２つ、３つ、または４つの群の行または列に分割され、したがって、行または列の各群は２つの選択コマンドを含む。図９の制御回路では、選択は各色に対応する映像信号ＶＧ、ＶＢ、ＶＲと制御回路の列コマンドＣＣとの間で行われ、各列コマンドは光電子放出要素の列に関連する（図９）。したがって、列コマンドＣＣａからＣＣｇは、表示装置の同じ列のそれぞれ光電子放出要素５ａから５ｇの全ての動作を制御する。
【００４３】
図９に示された実施形態では、電子スイッチＴ４は、映像信号（例えばＶＲ）と４つの電子スイッチＴ５ａからＴ５ｄとの間に接続される。各電子スイッチＴ５は対応する列コマンド（電子スイッチＴ５ａからＴ５ｄに対するＣＣａからＣＣｃ）に接続され、それぞれは同一の列の全ての光電子放出要素を制御する。選択コマンドＣＳ１は電子スイッチＴ５ａおよびＴ５ｂの制御電極に接続されるが、選択コマンドＣＳ２は電子スイッチＴ５ｃおよびＴ５ｄの制御電極に接続される。このようにして、選択コマンドＣＳ１が活性化されると、映像信号ＶＲは電子スイッチＴ５ａおよびＴ５ｂを介して２つの列コマンドＣＣａおよびＣＣｂに加えられ、光電子放出要素５ａおよび５ｂの全てを制御する。一方、選択コマンドＣＳ２が活性化されると、映像信号ＶＲは電子スイッチＴ５ｃおよびＴ５ｄを介して２つの列コマンドＣＣｂおよびＣＣｃに加えられ、光電子放出要素５ｂおよび５ｃの全てを制御する。同様にして、映像信号ＶＢは、ＣＳ１が活性化される場合、列コマンドＣＣｃおよびＣＣｄに加えられ、ＣＳ２が活性化される場合、列コマンドＣＣｄおよびＣＣｅに加えられる。映像信号ＶＧは、列コマンドＣＣｅおよびＣＣｆまたは列コマンドＣＣｆおよびＣＣｇのいずれかに加えられる。したがって、シフトレジスタ８からの信号が、様々な映像信号にそれぞれ関連する電子スイッチＴ４の制御電極に連続的に加えられると、選択された光電子放出要素は活性化される。列コマンドＣＣｂ、ＣＣｄ、およびＣＣｆは、有利には、対応する映像信号に直接接続される。
【００４４】
一般的な対応のように、光電子放出要素を選択するための手段は、サブ画素２が光電子放出要素５を含むのと同数の選択コマンドを含む。したがって、２次元カッド・マトリクス編成では、各サブ画素は、２つの方向に位置合わせ不良処理を伴う４つの光電子放出要素５を含む。したがって、光電子放出要素を選択するための手段は４つの選択コマンドを含む。
【００４５】
図１０に示されるこの２次元カッド・マトリクス編成では、光電子放出要素を選択するための手段は１次元編成の場合に説明されたものと同様である。しかし、そのとき、２つの選択コマンドがＸ軸に沿った位置合わせを行うために使用され、他の２つの選択コマンドがＹ軸に沿った位置合わせ用である。
【００４６】
第１の位置合わせは画素の光電子放出要素の全ての行でＸ軸に沿って行われてもよく、次に、Ｙ軸に沿った第２の位置合わせは光電子放出要素の列で行われるが、その逆も成立する。
【００４７】
全ての場合、選択コマンドは光電子放出要素５および対応する色フィルタ３が電子的に位置合わせされるのを可能にし、注目されている色フィルタに面して効果的に配置されている光電子放出要素がどれであるかを決定する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来技術による装置の画素を概略的に断面で表す図である。
【図２】従来技術による装置の画素における色フィルタの異なる編成を平面図で表す図である。
【図３】従来技術による装置の画素における色フィルタの異なる編成を平面図で表す図である。
【図４】本発明による装置の画素における色フィルタの異なる編成を平面図で表す図である。
【図５】本発明による装置の画素における色フィルタの異なる編成を平面図で表す図である。
【図６】図４による画素の色フィルタと光電子放出要素との間の軸Ｘに沿った２つの位置合わせ不良を下面図で表す図である。
【図７】図４による画素の色フィルタと光電子放出要素との間の軸Ｘに沿った２つの位置合わせ不良を下面図で表す図である。
【図８】本発明による装置の制御回路の２つの実施形態を表す図である。
【図９】本発明による装置の制御回路の２つの実施形態を表す図である。
【図１０】図５による画素の位置合わせをそれぞれ下面図で表す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  画素
１’  画素
２  サブ画素
２Ｂ  サブ画素
２Ｒ  サブ画素
２Ｇ  サブ画素
３  色フィルタ
３Ｂ  色フィルタ
３Ｒ  色フィルタ
３Ｇ  色フィルタ
３Ｙ  色フィルタ
４  基板
５  光電子放出要素
５ａ  光電子放出要素
５ｂ  光電子放出要素
５ｃ  光電子放出要素
５ｄ  光電子放出要素
５ｅ  光電子放出要素
５ｆ  光電子放出要素
５ｇ  光電子放出要素
６  透明基板
７  不透明区域
８  シフトレジスタ
ＣＣ１  列コマンド
ＣＣ２  列コマンド
ＣＣ３  列コマンド
ＣＣ４  列コマンド
ＣＣａ  列コマンド
ＣＣｂ  列コマンド
ＣＣｃ  列コマンド
ＣＣｄ  列コマンド
ＣＣｅ  列コマンド
ＣＣｆ  列コマンド
ＣＣｇ  列コマンド
ＣＬ  行コマンド
ＣＳ１  選択コマンド
ＣＳ２  選択コマンド
ＬＸ  色フィルタのサイズ
ＬＹ  色フィルタのサイズ
ＰＥ  光電子放出要素のピッチ
ＰＥＸ  光電子放出要素のピッチ
ＰＥＹ  光電子放出要素のピッチ
ＰＦ  色フィルタのピッチ
ＰＦＸ  色フィルタのピッチ
ＰＦＹ  色フィルタのピッチ
Ｔ３ａ  電子スイッチ
Ｔ３ｂ  電子スイッチ
Ｔ３ｃ  電子スイッチ
Ｔ３ｄ  電子スイッチ
Ｔ４  電子スイッチ
Ｔ５ａ  電子スイッチ
Ｔ５ｂ  電子スイッチ
Ｔ５ｃ  電子スイッチ
Ｔ５ｄ  電子スイッチ
Ｖｄｄ  電源端子
ＶＧ  映像信号
ＶＢ  映像信号
ＶＲ  映像信号
【図１】
0005248299.tif 000002
【図２】
0005248299.tif 000003
【図３】
0005248299.tif 000004
【図４】
0005248299.tif 000005
【図５】
0005248299.tif 000006
【図６】
0005248299.tif 000007
【図７】
0005248299.tif 000008
【図８】
0005248299.tif 000009
【図９】
0005248299.tif 000010
【図１０】
0005248299.tif 000011