(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第２のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該チャックテーブルに保持されたウエーハのストリートの一端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程と、
該往路遮断溝形成工程が実施されたストリートに隣接するストリートの他端側を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該往路遮断溝形成工程が実施されストリートに沿って形成された該遮断溝の他端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該基板に該遮断溝に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって該遮断溝が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された該遮断溝の一端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該基板に該遮断溝に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含み、
該遮断溝の幅は該分割溝の幅より広く設定されており、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と該往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該往路遮断溝形成工程を実施する前に、該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置と該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置を該加工送り方向における該第２の方向の下流側に所定の間隔を置いて位置付け、該チャックテーブルに保持されたウエーハの最初に加工するストリートの他端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における該第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線によって形成された該遮断溝に沿って該基板に分割溝を形成する復路遮断溝および分割溝形成工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に２つの集光点をもってレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第２のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該チャックテーブルに保持されたウエーハのストリートの一端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射し、ウエーハのストリートに沿って該積層体に所定の間隔をもって２条の遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程と、
該往路遮断溝形成工程が実施されたストリートに隣接するストリートの他端側を該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該往路遮断溝形成工程が実施されストリートに沿って形成された該２条の遮断溝の中間部他端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に２条の遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該積層体および該基板に該２条の遮断溝の中間部に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって該遮断溝が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された該２条の遮断溝の中間部一端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該積層体および該基板に該２条の遮断溝の中間部に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含み、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と該往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項４】
該往路遮断溝形成工程を実施する前に、該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置と該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置を該加工送り方向における該第２の方向の下流側に所定の間隔を置いて位置付け、該チャックテーブルに保持されたウエーハの最初に加工するストリートの他端を該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に２条の遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線によって形成された該２条の遮断溝の中間部に沿って該積層体および該基板に分割溝を形成する復路遮断溝および分割溝形成工程を実施する、請求項３記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々のデバイスを製造している。
【０００３】
このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
【０００４】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にSiO2,SiO,SiN等のガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と回路を形成する機能膜が積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００５】
上述したＬｏｗ−ｋ膜はウエーハの素材と異なるため、切削ブレードによって同時に切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
【０００６】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成されたストリートに沿って２条のレーザー加工溝を形成して積層体を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハをストリートに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１４２３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、上記特許文献１に開示されたウエーハの分割方法においては、レーザー加工装置によって半導体ウエーハに形成されたストリートに沿って２条のレーザー加工溝を形成し、その後切削装置によって２条のレーザー加工溝間を切断するので、生産性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、デバイスに損傷を与えることなく複数のデバイスを区画するストリートに沿って効率よく加工することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、第１の発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第２のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該チャックテーブルに保持されたウエーハのストリートの一端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程と、
該往路遮断溝形成工程が実施されたストリートに隣接するストリートの他端側を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該往路遮断溝形成工程が実施されストリートに沿って形成された該遮断溝の他端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該基板に該遮断溝に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって該遮断溝が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された該遮断溝の一端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該基板に該遮断溝に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含み、
該遮断溝の幅は該分割溝の幅より広く設定されており、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と該往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、上記往路遮断溝形成工程を実施する前に、上記第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置と第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置を該加工送り方向における第２の方向の下流側に所定の間隔を置いて位置付け、チャックテーブルに保持されたウエーハの最初に加工するストリートの他端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブルと第１のレーザー光線照射手段および第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段を作動して積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って積層体に遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段を作動して基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線によって形成された遮断溝に沿って基板に分割溝を形成する復路遮断溝および分割溝形成工程を実施するウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
第２の発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に２つの集光点をもってレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第２のレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該チャックテーブルに保持されたウエーハのストリートの一端を該第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射し、ウエーハのストリートに沿って該積層体に所定の間隔をもって２条の遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程と、
該往路遮断溝形成工程が実施されたストリートに隣接するストリートの他端側を該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該往路遮断溝形成工程が実施されストリートに沿って形成された該２条の遮断溝の中間部他端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に２条の遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該積層体および該基板に該２条の遮断溝の中間部に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって該遮断溝が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を該第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された該２条の遮断溝の中間部一端側を該第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルと該第１のレーザー光線照射手段および該第２のレーザー光線照射手段とを該加工送り方向における第１の方向に相対的に移動しつつ該第１のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って該積層体に遮断溝を形成するとともに、該第２のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し該積層体および該基板に該２条の遮断溝の中間部に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含み、
該復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と該往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１２】
また、本発明によれば、上記往路遮断溝形成工程を実施する前に、上記第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置と第２のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線の照射位置を加工送り方向における第２の方向の下流側に所定の間隔を置いて位置付け、チャックテーブルに保持されたウエーハの最初に加工するストリートの他端を第１のレーザー光線照射手段から２つの集光点をもって照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブルと第１のレーザー光線照射手段および第２のレーザー光線照射手段とを加工送り方向における第２の方向に相対的に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段を作動して積層体を分断することができる出力のレーザー光線を２つの集光点をもって照射しウエーハのストリートに沿って積層体に２条の遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段を作動して積層体および基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し第１のレーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線によって形成された２条の遮断溝の中間部に沿って積層体および基板に分割溝を形成する復路遮断溝および分割溝形成工程を実施するウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
第１の発明によるウエーハの加工方法によれば、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第２のレーザー光線照射手段によってウエーハの基板に分割溝を形成する際には積層体にストリートに沿って分割溝の幅より広く設定された遮断溝が形成されており、この遮断溝に沿って基板に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射するので、積層体が剥離することはなく、デバイスに損傷を与えることはない。しかも、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程はチャックテーブルを往復することによって実施され遮断溝と分割溝が順次形成されるので、効率的である。
【００１４】
また、第２の発明によるウエーハの加工方法によれば、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第２のレーザー光線照射手段によってウエーハの基板に分割溝を形成する際には２つの集光点をもってレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段によって積層体にストリートに沿って２条の遮断溝が形成されており、この２条の遮断溝の中間部に沿って基板に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射するので、積層体は分割溝の両側が２条の遮断溝によって分断さているため剥離してもデバイス側に影響することはない。しかも、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程はチャックテーブルを往復することによって実施され２条の遮断溝と分割溝が順次形成されるので、効率的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１には本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図１に示されたレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａと、該第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａに矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設された第１のレーザー光線照射ユニット５ａと、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂと、該第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂに矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設された第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとを具備している。
【００１７】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の被加工物載置面３６１ａ上に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１８】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は、上記チャックテーブル３６の加工送り位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を備えている。X軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り位置を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り位置を検出することができる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り位置を検出することができる。
【００２０】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２１】
上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａは、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）即ち上記チャックテーブル３６の被加工物載置面３６１ａに垂直方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａは、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。この第２の割り出し送り手段４３は、後述する第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６ｂの第2の第2の集光器６３ｂの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置を調整する集光器位置調整手段として機能する。
【００２２】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は、上記レーザー光線照射ユニット支持機構４の可動支持基台４２の割り出し送り位置を検出するためのY軸方向位置検出手段４３３を備えている。Y軸方向位置検出手段４３３は、案内レール４１に沿って配設されたリニアスケール４３３aと、可動支持基台４２に配設されリニアスケール４３３aに沿って移動する読み取りヘッド４３３bとからなっている。このY軸方向位置検出手段４３３の読み取りヘッド４３３bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、第１のレーザー光線照射ユニット５ａの割り出し送り位置（後述する第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置）を検出する。なお、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてパルスモータ４３２を用いた場合には、パルスモータ４３２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第１のレーザー光線照射ユニット５ａの割り出し送り位置（後述する第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置）を検出することができる。また、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第１のレーザー光線照射ユニット５ａの割り出し送り位置（後述する第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置）を検出することができる。
【００２３】
図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット５ａは、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられた第１のレーザー光線照射手段６ａを具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット５ａは、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための集光点位置調整手段５３を具備している。集光点位置調整手段５３は、上記一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１および第１のレーザー光線照射ユニット５ａを案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。
【００２４】
第１のレーザー光線照射手段６ａは、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６０aを含んでいる。また、第１のレーザー光線照射手段６ａは、図２に示すようにケーシング６０a内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aと、上記ケーシング６０aの先端に装着された第１の集光器６３aを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段６１aは、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２aとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段６１aのパルスレーザー光線発振器６１１ａは、３５５nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段６２aは、パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。
【００２５】
上記第１のレーザー光線照射手段６ａを構成するケーシング６０aの前端部には、撮像手段７が配設されている。この撮像手段7は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２６】
次に、上記第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂおよび第２のレーザー光線照射ユニット５ｂについて説明する。なお、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂおよび第２のレーザー光線照射ユニット５ｂについては、上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａおよび第１のレーザー光線照射ユニット５ａの構成部材と実質的に同一機能を有する各構成部材には同一符号を付して説明する。
第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂは上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａと平行に配設され、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂの可動支持基台４２と上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａの可動支持基台４２とが対向して配設されている。従って、上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａの可動支持基台４２を構成する装着部４２２に配設された第１のレーザー光線照射ユニット５ａと、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂの可動支持基台４２を構成する装着部４２２に配設された第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとは、近接した位置に線対称に配置される。なお、第２のレーザー光線照射ユニット５ｂの第２のレーザー光線照射手段６ｂを構成するケーシング６０bの前端部には、撮像手段は配設されていない。
【００２７】
第２のレーザー光線照射手段６ｂは、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６０bを含んでいる。また、第２のレーザー光線照射手段６bは、図３に示すようにケーシング６０b内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bと、上記ケーシング６０bの先端に装着された第２の集光器６３ｂを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段６１bは、ＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１bと、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２bとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段６１bのパルスレーザー光線発振器６１１bは、３５５nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段６２bは、パルスレーザー光線発振手段６１bから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。なお、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第2の集光器６３ｂと上記第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aは、加工送り方向（X軸方向）の所定の間隔を置いて配置されている。
【００２８】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段８を具備している。制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、カウンター８４と、入力インターフェース８５および出力インターフェース８６とを備えている。制御手段８の入力インターフェース８５には、上記X軸方向位置検出手段３７４、集光器位置調整手段として機能するY軸方向位置検出手段４３３および撮像手段７等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、第１のレーザー光線照射手段６ａ、第２のレーザー光線照射手段６ｂ等に制御信号を出力する。
【００２９】
図示のレーザー加工装置１は以上のように構成されており、以下このレーザー加工装置１を用いてウエーハにレーザー加工を施すウエーハの加工方法について説明する。
図４には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図５には図４に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図４および図５に示す半導体ウエーハ１０は、シリコン等の基板１００の表面に絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された積層体１０１によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス１０２は、格子状に形成されたストリート１０３によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、基板１００は、SiまたはGaAsによって厚さが例えば６０μmに形成されている。また、積層体１０１は厚さが２〜１０μnに形成されており、積層体１０１を形成する絶縁膜は、SiO2,SiO,SiN等のガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっている。
【００３０】
上述した半導体ウエーハ１０のストリート１０３に沿ってレーザー加工を施すには、半導体ウエーハ１０を図６に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープTの表面に貼着する。このとき、半導体ウエーハ１０は、裏面１０bをダイシングテープTの表面に貼着する。従って、半導体ウエーハ１０は、表面１０ａが露出することになる。
【００３１】
このようにして環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置１のチャックテーブル３６上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ１０は、保護テープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ３６２によって固定される。
【００３２】
上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および制御手段８によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および制御手段８は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０３と、ストリート１０３に沿ってレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート１０３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００３３】
次に、本発明によるウエーハの加工方法における第１の発明について、図７乃至図１４を参照して説明する。
上述したようにチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されたストリート１０３を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテール３６に保持された半導体ウエーハ１０のストリート１０３の一端を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第１の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ１０のストリート１０３の積層体１０１に遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動して図７の（ａ）および(b)で示すようにチャックテーブル３６を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０３−１の一端（図７の（ａ）において右端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。そして、第１のレーザー光線照射手段６ａの集光点位置調整手段５３を作動して第１の集光器６３aから照射するパルスレーザー光線の集光点Ｐ1が半導体ウエーハ１０の表面１０aから所定距離(h1)上側の位置になるように調整する。従って、第１の集光器６３aから照射するパルスレーザー光線は、半導体ウエーハ１０の表面１０aに集光スポットより大きい所定の直径を有する円形のスポット(S1)で照射される。なお、スポット(S1)の直径は、例えば３０μmになるように集光点位置調整手段５３によって調整される。次に、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向（加工送り方向における第１の方向）に所定の加工送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、ストリート１０３−１の他端（図７の（ａ）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図８に示すように半導体ウエーハ１０の積層体１０１には、ストリート１０３−１に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成され、積層体１０１は分断される。
【００３４】
上記往路遮断溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：YAGレーザー
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：１W
【００３５】
上述した往路遮断溝形成工程においては、所定幅（例えば３０μm）の遮断溝１１０を形成するために第１の集光器６３aから照射するパルスレーザー光線の集光点Ｐ1が半導体ウエーハ１０の表面１０aから所定距離(h1)上側の位置になるように調整し集光スポットより大きい円形のスポット(S1)で照射する例を示したが、Y軸方向に長軸を有する楕円スポットを形成する集光器を用いてもよい。
【００３６】
上述した往路遮断溝形成工程を実施したならば、往路遮断溝形成工程が実施されたストリート１０３に隣接するストリート１０３の他端側を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに往路遮断溝形成工程が実施されストリート１０３に形成された遮断溝１１０の他端側を第２のレーザー光線照射手段６bから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第２の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射し半導体ウエーハ１０のストリート１０３に沿って積層体１０１に遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段６bを作動して基板１００に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し基板１００に遮断溝１１０に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、上記往路遮断溝形成工程が終了した状態から第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を割り出し送り方向（図７の（ａ）において紙面に垂直な方向）に移動し、図９の（ａ）および(b)で示すように上記往路遮断溝形成工程が実施されたストリート１０３−１に隣接するストリート１０３−２の他端（図９の（ａ）において左端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。
【００３７】
ここで、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂとの位置関係について、図９の(b)を参照して説明する。第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂは、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aに対して矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に所定の間隔L1をもって図９の（ａ）および(b)において左側（加工送り方向における第２の方向X2の下流側）に配置されている。また、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂは、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aに対して矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に所定の間隔L2をもって図９の(b)において下側に配置されている。なお、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂと第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aのY軸方向の間隔L2は、互いに隣接するストリート１０３の間隔に設定されている。即ち、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に往路遮断溝形成工程が実施されたストリート１０３−１に隣接するストリート１０３−２を位置付けた際には、往路遮断溝形成工程が実施されストリート１０３−１に形成された遮断溝１１０が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂと対応する位置に位置付けられるようになっている。この間隔L2の調整は、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置を調整する集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３を作動し、可動支持基台４２を案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動して調整する。
【００３８】
図９の（ａ）および(b)に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図９の（ａ）において矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図１０の（ａ）に示すようにストリート１０３−１の他端（図１０の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して第２の集光器６３ｂから半導体ウエーハ１０の基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。この第２のレーザー光線照射手段６ｂによって照射されるパルスレーザー光線の出力は、上記第１のレーザー光線照射手段６aによって照射されるパルスレーザー光線の出力より高い。このように第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂから照射するパルスレーザー光線の集光点Ｐ2は、第２のレーザー光線照射手段６ｂの集光点位置調整手段５３によって半導体ウエーハ１０の表面１０a付近に位置付けるように調整されている。なお、第２の集光器６３ｂから照射するパルスレーザー光線の集光スポットは、図示の実施形態においてはφ５μmに設定されている。そして、図１０の（b）に示すようにストリート１０３−１の他端（図１０の（ａ）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に移動し、図１０の（c）に示すようにストリート１０３−１の他端（図１０の（c）において右端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、図１１に示すように上記ストリート１０３−２に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成されるとともに、ストリート１０３−１に形成されている遮断溝１１０に沿って基板１００に分割溝１１１が形成される。
【００３９】
なお、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第１のレーザー光線照射手段６ａによって実施する加工条件は、上記往路遮断溝形成工程にける加工条件と同一でよい。
また、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第２のレーザー光線照射手段６ｂによって実施する加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：YAGレーザー
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：２０ｋＨｚ
平均出力                ：１０W
【００４０】
上述した復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施したならば、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって遮断溝１１１が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された遮断溝１１０の一端側を第２のレーザー光線照射手段６bから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第１の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って積層体１０１に遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段６bを作動して基板１００に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し基板１００に遮断溝１１０に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が終了した状態から第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を割り出し送り方向（図１０の（c）において紙面に垂直な方向）に移動し、図１２の（ａ）および(b)で示すように上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−2（遮断溝１１０が形成されている）の一端（図１２の（ａ）において右端）を第２のレーザー光線照射手段６bの第２の集光器６３bの直下（第２の集光器６３bから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。この結果、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−2に隣接するストリート１０３−３が第１のレーザー光線照射手段６aの第１の集光器６３aと対応する位置に位置付けられる。
【００４１】
図１２の（ａ）および(b)に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第２のレーザー光線照射手段６bのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して半導体ウエーハ１０の基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図１２の（ａ）において矢印Ｘ1で示す加工送り方向における第1の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図１3の（ａ）に示すようにストリート１０３−2の一端（図１3の（ａ）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。そして、図１３の（b）に示すようにストリート１０３−３の他端（図１３の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ1で示す加工送り方向における第１の方向に移動し、図１３の（c）に示すようにストリート１０３−３の他端（図１３の（ａ）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、図１４に示すように上記ストリート１０３−３に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成されるとともに、ストリート１０３−２に形成されている遮断溝１１０に沿って基板１００に分割溝１１１が形成される。
【００４２】
上述したように、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第２のレーザー光線照射手段６bによって半導体ウエーハ１０の基板１００に分割溝１１１を形成する際には積層体１０１にストリート１０３に沿って遮断溝１１０が形成されており、この遮断溝１１０に沿って基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射するので、積層体１０１が剥離することはなく、デバイス１０２に損傷を与えることはない。しかも、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程はチャックテーブル３６を往復することによって実施され遮断溝１１０と分割溝１１１が順次形成されるので、効率的である。
【００４３】
以後、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と上記往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施することにより、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０３に沿って遮断溝１１０と分割溝１１１を形成する。なお、最後のストリート１０３に沿って実施する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程または往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程においては、第２のレーザー光線照射手段６bだけを作動して既に形成されている遮断溝１１０に沿って分割溝１１１を形成する。このようにして、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０３に沿って遮断溝１１０と分割溝１１１を形成したならば、チャックテーブル３６を９０度回動して該チャックテーブル３６に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０３に沿って上述した往路遮断溝形成工程と復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。
【００４４】
以上のようにして半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０３に沿って遮断溝１１０と分割溝１１１を形成したならば、半導体ウエーハ１０は次工程である分割工程に搬送される。
【００４５】
次に、他の実施形態について、図１５および図１６を参照して説明する。
図１５および図１６に示す実施形態においては、先ず図１５の（ａ）に示すように半導体ウエーハ１０の最初に加工するストリート１０３−１の他端（図１５の（ａ）において左端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。このとき、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂが第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと加工送り方向（X軸方向）において一直線上に配置されるように集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３によって調整されている。
【００４６】
図１５の（ａ）に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図１５の（ａ）において矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図１５の（b）に示すようにストリート１０３−１の他端（図１５の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して第２の集光器６３ｂから半導体ウエーハ１０の基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。そして、図１５の（c）に示すようにストリート１０３−１の一端（図１５の（c）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に移動し、図１５の（d）に示すようにストリート１０３−１の一端（図１５の（d）において右端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３から照射されるパルスレーザー光線によってストリート１０３−1に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成されるとともに、ストリート１０３−1に形成される遮断溝１１０を追うように第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂから照射されるパルスレーザー光線によって遮断溝１１０に沿って基板１００に分割溝１１１が形成される（復路遮断溝および分割溝形成工程）。
【００４７】
上述したようにストリート１０３−1に沿って復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程を実施したならば、集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３によって第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aをストリート１０３の間隔だけ移動する。そして、加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動して図１６の（ａ）に上記復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−１に隣接するストリート１０３−２の一端（図１６の（ａ）において右端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。次に、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図１６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向（加工送り方向における第１の方向）に所定の加工送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図１６の（b）に示すようにストリート１０３−２の他端（図１６の（b）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０の積層体１０１には、ストリート１０３−１に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成され、積層体１０１は分断される。このとき、第２のレーザー光線照射手段６ｂは作動しないので、上述した実施形態の図７および図８に示す往路遮断溝形成工程と実質的に同一である。以後、上述した実施形態の復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。
【００４８】
次に、本発明によるウエーハの加工方法における第２の発明について説明する。
第２の発明によるウエーハの加工方法を実施するためには、第１のレーザー光線照射手段６ａは、割り出し送り方向（Y軸方向）に所定の間隔を持ってレーザー光線を照射するように構成されている。例えば、図１７に示すように第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの集光レンズとして、非球面レンズ６３１を用い、上記パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線(LB)を第１の集光点P1aと第2の集光点P1bに集光されるように構成されている。なお、第１の集光点P1aと第2の集光点P1bの集光スポットは図示の実施形態においてはφ５μmに設定されており、第１の集光点P1aと第2の集光点P1bの間隔（Ｌ３）は例えば３０μmになる用に設定されている。また、図１８に示すようにビームスプリッター６３２を用いて、上記パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線(LB)を第１の集光点P1aと第2の集光点P1bに集光されるように構成してもよい。更に、図１９に示すように音響工学素子６３３を用いて、音響工学素子６３３に２つの電圧を交互に印加することにより上記パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線(LB)を第１の集光点P1aと第2の集光点P1bに交互に集光されるように構成してもよい。
【００４９】
上述したように上記パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線(LB)を第１の集光点P1aと第2の集光点P1bに集光されるように構成され第１のレーザー光線照射手段６ａを備えたレーザー加工装置を用いて実施する本発明によるウエーハの加工方法における第２の発明について、図２０乃至図２７を参照して説明する。
先ず、図２０の（ａ）および(b)で示すようにチャックテール３６に保持された半導体ウエーハ１０のストリート１０３の一端を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第１の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ１０のストリート１０３の積層体１０１に所定の間隔をもって２条の遮断溝を形成する往路遮断溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動して図２０の（ａ）および(b)で示すようにチャックテーブル３６を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０３−１の一端（図２０の（ａ）において右端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の第１の集光点P1a位置と第2の集光点P1b位置）に位置付ける。そして、第１のレーザー光線照射手段６ａの集光点位置調整手段５３を作動して第１の集光器６３aから照射するパルスレーザー光線の第１の集光点P1aと第2の集光点P1bが半導体ウエーハ１０の表面１０aになるように調整する。次に、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図２０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向（加工送り方向における第１の方向）に所定の加工送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、ストリート１０３−１の他端（図２０の（ａ）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図２１に示すように半導体ウエーハ１０の積層体１０１には、ストリート１０３−１に沿って例えば３０μmの間隔をもって第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bが形成され、積層体１０１は分断される。この往路遮断溝形成工程における加工条件は、上記第１の発明における往路遮断溝形成工程の加工条件と同一でよい。
【００５０】
上述した往路遮断溝形成工程を実施したならば、往路遮断溝形成工程が実施されたストリート１０３に隣接するストリート１０３の他端側を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに往路遮断溝形成工程が実施されストリート１０３に形成された２条の遮断溝の中間部他端側を第２のレーザー光線照射手段６bから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第２の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射し半導体ウエーハ１０のストリート１０３に沿って積層体１０１に遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段６bを作動して積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し積層体１０１および基板１００に２条の遮断溝（第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０）の中間部に沿って分割溝を形成する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、上記往路遮断溝形成工程が終了した状態から第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を割り出し送り方向（図２０の（ａ）において紙面に垂直な方向）に移動し、図２２の（ａ）および(b)で示すように上記往路遮断溝形成工程が実施されたストリート１０３−１に隣接するストリート１０３−２の他端（図２２の（ａ）において左端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。
【００５１】
ここで、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂとの位置関係について、図２２の(b)を参照して説明する。第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂは、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aに対して矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に所定の間隔L1をもって図２２の（ａ）および(b)において左側（加工送り方向における第２の方向X2の下流側）に配置されている。また、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂは、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aに対して矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に所定の間隔L2をもって図２２の(b)において下側に配置されている。なお、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂと第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aのY軸方向の間隔L2は、互いに隣接するストリート１０３の間隔に設定されている。この間隔L2の調整は、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの割り出し送り方向（Y軸方向）の相対位置を調整する集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３を作動し、可動支持基台４２を案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動して調整する。
【００５２】
図２２の（ａ）および(b)に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図２２の（ａ）において矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図２３の（ａ）に示すようにストリート１０３−１の他端（図２３の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して第２の集光器６３ｂから半導体ウエーハ１０の積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。この第２のレーザー光線照射手段６ｂによって照射されるパルスレーザー光線の出力は、上記第１のレーザー光線照射手段６aによって照射されるパルスレーザー光線の出力より高い。このように第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂから照射するパルスレーザー光線の集光点Ｐ2は、第２のレーザー光線照射手段６ｂの集光点位置調整手段５３によって半導体ウエーハ１０の表面１０a付近に位置付けるように調整されている。なお、第２の集光器６３ｂから照射するパルスレーザー光線の集光スポットは、図示の実施形態においてはφ５μmに設定されている。そして、図２３の（b）に示すようにストリート１０３−１の一端（図２３の（ａ）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に移動し、図２３の（c）に示すようにストリート１０３−１の一端（図２３の（c）において右端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、図２４に示すように上記ストリート１０３−２に沿って例えば３０μmの間隔をもって第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bが形成されるとともに、ストリート１０３−１に形成されている第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bの中間部に沿って積層体１０１および基板１００に分割溝１１１が形成される。この復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程における加工条件は、上記第１の発明における復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程の加工条件と同一でよい。
【００５３】
上述した復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施したならば、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって遮断溝１１１が形成されたストリートに隣接するストリートの一端側を第１のレーザー光線照射手段６aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付けるとともに復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程によって形成された第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bの中間部の一端側を第２のレーザー光線照射手段６bから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、チャックテーブル３６を加工送り方向における第１の方向に移動しつつ第１のレーザー光線照射手段６aを作動して積層体１０１を分断することができる出力のレーザー光線を照射しウエーハのストリートに沿って積層体１０１に遮断溝を形成するとともに、第２のレーザー光線照射手段６bを作動して積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し基板１００に遮断溝１１０に沿って分割溝を形成する往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。即ち、制御手段８は、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が終了した状態から第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を割り出し送り方向（図２３の（c）において紙面に垂直な方向）に移動し、図２５の（ａ）および(b)で示すように上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−2（遮断溝１１０が形成されている）の一端（図２５の（ａ）において右端）を第２のレーザー光線照射手段６bの第２の集光器６３bの直下（第２の集光器６３bから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。この結果、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−2に隣接するストリート１０３−３が第１のレーザー光線照射手段６aの第１の集光器６３aと対応する位置に位置付けられる。
【００５４】
図２５の（ａ）および(b)に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第２のレーザー光線照射手段６bのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して半導体ウエーハ１０の積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図２５の（ａ）において矢印Ｘ1で示す加工送り方向における第1の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図２６の（ａ）に示すようにストリート１０３−2の一端（図２６の（ａ）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。そして、図２６の（b）に示すようにストリート１０３−３の他端（図２６の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ1で示す加工送り方向における第１の方向に移動し、図２６の（c）に示すようにストリート１０３−３の他端（図２６の（ａ）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、図２７に示すように上記ストリート１０３−３に沿って例えば３０μmの間隔をもって第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bが形成されるとともに、ストリート１０３−２に形成されている第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bの中間部に沿って積層体１０１および基板１００に分割溝１１１が形成される。
【００５５】
上述したように、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第２のレーザー光線照射手段６bによって半導体ウエーハ１０の積層体１０１および基板１００に分割溝１１１を形成する際には積層体１０１にストリート１０３に沿って第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bが形成されており、この第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bの中間部に沿って積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射するので、積層体１０１は分割溝１１１の両側が２条の遮断溝（第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０b）によって分断さているため剥離してもデバイス側に影響することはない。しかも、復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程はチャックテーブル３６を往復することによって実施され遮断溝１１０と分割溝１１１が順次形成されるので、効率的である。
【００５６】
以後、上記復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と上記往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程とを繰り返し実施することにより、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０３に沿って遮断溝１１０と分割溝１１１を形成する。なお、最後のストリート１０３に沿って実施する復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程または往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程においては、第２のレーザー光線照射手段６bだけを作動して既に形成されている遮断溝１１０に沿って分割溝１１１を形成する。このようにして、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０３に沿って遮断溝１１０と分割溝１１１を形成したならば、チャックテーブル３６を９０度回動して該チャックテーブル３６に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０３に沿って上述した往路遮断溝形成工程と復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。
【００５７】
次に、他の実施形態について、図２８および図２９を参照して説明する。
図２８および図２９に示す実施形態においては、先ず図２８の（ａ）に示すように半導体ウエーハ１０の最初に加工するストリート１０３−１の他端（図２８の（ａ）において左端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。このとき、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂが第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと加工送り方向（X軸方向）において一直線上に配置されるように集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３によって調整されている。
【００５８】
図２８の（ａ）に示すようにチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図２８の（ａ）において矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図２８の（b）に示すようにストリート１０３−１の他端（図２８の（ａ）において左端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂのパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bを作動して第２の集光器６３ｂから半導体ウエーハ１０の積層体１０１および基板１００に分割溝を形成することができる出力のパルスレーザー光線を照射する。そして、図２８の（c）に示すようにストリート１０３−１の一端（図２８の（c）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ2で示す加工送り方向における第２の方向に移動し、図２８の（d）に示すようにストリート１０３−１の一端（図２８の（d）において右端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０には、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３から照射されるパルスレーザー光線によってストリート１０３−1に沿って例えば３０μmの間隔をもって第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bが形成されるとともに、ストリート１０３−１に形成される第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bを追うように第１の遮断溝１１０aと第２の遮断溝１１０bの中間部に沿って積層体１０１および基板１００に分割溝１１１が形成される。（復路遮断溝分割溝形成工程）。
【００５９】
上述したようにストリート１０３−1に沿って復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程を実施したならば、集光器位置調整手段として機能する第２の割り出し送り手段４３によって第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aをストリート１０３の間隔だけ移動する。そして、加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動して図２９の（ａ）に上記復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程が実施されたストリート１０３−１に隣接するストリート１０３−２の一端（図２９の（ａ）において右端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。次に、制御手段８は、第１のレーザー光線照射手段６aのパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aを作動して第１の集光器６３aから積層体１０１を分断することができる出力のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７のパルスモータ３７２を作動してチャックテーブル３６を図２９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向（加工送り方向における第１の方向）に所定の加工送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、ストリート１０３−２の他端（図２９の（ａ）において左端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０の積層体１０１には、ストリート１０３−１に沿って例えば幅が３０μmの遮断溝１１０が形成され、積層体１０１は分断される。このとき、第２のレーザー光線照射手段６ｂは作動しないので、上述した実施形態の図２０および図２１に示す往路遮断溝形成工程と実質的に同一である。以後、上述した実施形態の復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程および往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を実施する。
【００６０】
以上、本発明を図示の実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては加工送り手段としてチャックテーブル３６を加工送り方向（X軸方向）に移動する例を示したが、第１のレーザー光線照射手段６ａおよび第２のレーザー光線照射手段６ｂを加工送り方向（X軸方向）に移動するように構成してもよい。この場合、上述したウエーハの加工法の加工送り方向における第１の方向と第２の方向は逆となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図1に示すレーザー加工装置に装備される第１のレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図３】図1に示すレーザー加工装置に装備される第２のレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図５】図４に示す半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図６】図４に示す半導体ウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における往路遮断溝形成工程を示す説明図。
【図８】図７に示す往路遮断溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図１１】図９および図１０に示す復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図１４】図１２および図１３に示す往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図１５】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における他の実施形態の復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程を示す説明図。
【図１６】本発明によるウエーハの加工方法の第１の発明における他の実施形態の往路遮断溝形成工程を示す説明図。
【図１７】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明を実施するための第１のレーザー光線照射手段の実施形態を示す要部説明図。
【図１８】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明を実施するための第１のレーザー光線照射手段の他の実施形態を示す要部説明図。
【図１９】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明を実施するための第１のレーザー光線照射手段の更に他の実施形態を示す要部説明図。
【図２０】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における往路遮断溝形成工程を示す説明図。
【図２１】図２０に示す往路遮断溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図２２】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図２３】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図２４】図２２および図２３に示す復路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図２５】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図２６】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を示す説明図。
【図２７】図２５および図２６に示す往路遮断溝形成工程兼分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図。
【図２８】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における他の実施形態の復路遮断溝形成工程および分割溝形成工程を示す説明図。
【図２９】本発明によるウエーハの加工方法の第２の発明における他の実施形態の往路遮断溝形成工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００６２】
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
４ａ：第１のレーザー光線照射ユニット支持機構
４ｂ：第２のレーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２の割り出し送り手段
４３３：Y軸方向位置検出手段
５ａ：第１のレーザー光線照射ユニット
５ｂ：第２のレーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５３：集光点位置調整手段
６ａ：第１のレーザー光線照射手段
６１a：パルスレーザー光線発振手段
６２a：出力調整手段
６２a：第１の集光器
６ｂ：第２のレーザー光線照射手段
６１b：パルスレーザー光線発振手段
６２b：出力調整手段
６２b：第２の集光器
７：撮像手段
８：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１００：基板
１０１：積層体
１０２：デバイス
１０３：ストリート
１１０：遮断溝
１１０a：第１の遮断溝
１１０b：第２の遮断溝
１１１：分割溝
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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