(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴と金属細線接続用の第２凹穴とが形成された絶縁基板の前記第１凹穴を含む部分に第１配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第２凹穴を含む部分に第２配線パターンとなる金属薄板が形成され、前記第１凹穴内の金属薄板上にＬＥＤチップが実装され、前記ＬＥＤチップが金属細線を介して前記第２凹穴内の金属薄板に電気的に接続されており、
前記第１凹穴を含むＬＥＤチップと前記金属細線の少なくとも一部分とは、シリコーン樹脂微粒子、光拡散剤またはシランカップリング剤を含有する第１透明樹脂を用いて形成された第１封止樹脂部にて封止され、
前記第１封止樹脂部を含む前記絶縁基板の表面は、第２透明樹脂を用いて形成された第２封止樹脂部にて封止され、
前記第１封止樹脂部と前記第２封止樹脂部とは、異なる材料により形成されており、
前記絶縁基板の前記第１凹穴と第２凹穴とを仕切る仕切壁部に、前記第１凹穴と第２凹穴とを跨るようにして凹溝部が形成されており、前記凹溝部の底面に前記金属細線の略中央部がワイヤボンディングされていること
を特徴とするチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項２】
請求項１に記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記第１透明樹脂が液状シリコーン系樹脂であり、前記第２透明樹脂が液状エポキシ系樹脂であるチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項３】
請求項１に記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記第１封止樹脂部は、前記第１凹穴を含むＬＥＤチップと前記第２凹穴を含む金属細線の全体とを封止しているチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項４】
請求項１に記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記ＬＥＤチップの垂直断面方向の寸法は、前記絶縁基板の垂直断面方向の寸法よりも大きいチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項５】
請求項１に記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記光拡散剤は、炭酸カルシウム、シリカ、シリコーン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、リン酸チタン、チタン酸マグネシウム、マイカ、ガラスフィラー、硫酸バリウム、クレー（粘土）、タルク、変成シリコーン樹脂を用いて形成されたゴム状弾性体、またはポリメチルシルセスオキサンの無機系拡散剤であるチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項６】
請求項１に記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記光拡散剤は、アクリル系、スチレン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ナイロン系、メタクリレート−スチレン系、有機フッ素系またはノルボルネン系の有機系拡散剤であるチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項７】
請求項１から請求項４までのいずれか１つに記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記第１凹穴の底面と前記第２凹穴の底面とは、同じ高さまたは略同じ高さであるチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項８】
請求項１から請求項４までのいずれか１つに記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記第２凹穴は、複数個形成されているチップ部品型ＬＥＤ。
【請求項９】
請求項１から請求項４までのいずれか１つに記載のチップ部品型ＬＥＤにおいて、
前記第１凹穴及び第２凹穴の内周面は、前記絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成されているチップ部品型ＬＥＤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装用のチップ部品型ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）に関し、特に、各種表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照光スイッチ等の光源として利用されるチップ部品型ＬＥＤに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照光スイッチ等の光源として、従来からチップ部品型ＬＥＤが利用されている。
【０００３】
図１０は、従来のチップ部品型ＬＥＤの一例を示す説明図である。
【０００４】
従来のチップ部品型ＬＥＤは、絶縁基板８１，８２を２層構造としてもので、上層の絶縁基板８２に貫通穴８３を形成し、この貫通穴８３内の底部（即ち、下層の絶縁基板８１の上面）まで延設して一方の配線パターン８４を形成し、貫通穴８３内の前記配線パターン８４上にＬＥＤチップ８５を実装し、このＬＥＤチップ８５と金属細線８７とを含む絶縁基板８２の表面を透明樹脂８８で封止した構造となっている。
【０００５】
しかしながら、図１０に示す従来のチップ部品型ＬＥＤによれば、２枚の絶縁基板８１，８２を必要とし、かつ、ＬＥＤチップ８５を下層の絶縁基板８２上に実装することから、絶縁基板８２は実装可能な最低限度の厚さが必要であるため、薄型化が困難であるとともに、コスト的にも高くなるといった問題があった。
【０００６】
このような問題を解決するものとして、特開平０７−２３５６９６号公報に開示されているチップ部品型ＬＥＤがある。
【０００７】
図１１は、従来のチップ部品型ＬＥＤの他の例を示す説明図である。
【０００８】
この特開平０７−２３５６９６号公報に開示されているチップ部品型ＬＥＤでは、図１１に示すように、図１０に示す下層の絶縁基板８１の代わりに薄い銅板８９を絶縁基板８２の裏面に貼り合わせることにより、チップ部品型ＬＥＤの薄型化を実現している。
【特許文献１】特開平０７−２３５６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、近年、薄型のＬＥＤチップの高さをさらに薄くすることでチップ部品型ＬＥＤの薄型化を実現する技術が必要とされている。しかし、特開平０７−２３５６９６号公報に開示されているチップ部品型ＬＥＤのように絶縁基板の代わりに銅板等を用いることでチップ部品型ＬＥＤの薄型化を実現する技術は確立されているが、ＬＥＤチップ自体を薄くすることは大変困難なことである。
【００１０】
具体的には、紫外、青、緑及びオレンジ色の光を出力するＬＥＤチップは、窒化物系半導体を用いて形成されており、この窒化物系半導体を用いたＬＥＤチップは結晶が硬いため薄いＬＥＤチップを作成することが困難である。また、緑〜赤外色の光を出力するＬＥＤチップは、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＡｓ系半導体を用いて形成することが主流であり、このＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＡｓ系半導体を用いて形成されたＬＥＤチップは、結晶が柔らかいため薄いＬＥＤチップを作成することは容易であるが、ＬＥＤチップのハンドリング等を考えるとＬＥＤチップの薄型化には限界がある。これらの理由により、前記絶縁基板等からなら基板よりもＬＥＤチップの高さの方が大きくなってしまい、基板に形成された凹部の開口部から上方にＬＥＤチップの上部が突出してしまう。そして、前記基板に形成された凹部に搭載したＬＥＤチップを透明樹脂で封止したときに、ＬＥＤチップの突出した部位付近からチップ割れ及びヒビが発生してしまうといった問題が生じていた。
【００１１】
なお、前述の特開平０７−２３５６９６号公報に開示されているチップ部品型ＬＥＤにおいては、上層の絶縁基板８２の垂直断面方向の厚さよりも高いＬＥＤチップを搭載する場合の実施形態については全く記載されていない。
【００１２】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、基板に形成された貫通孔にＬＥＤチップが搭載されてなるチップ部品型ＬＥＤにおいて、ＬＥＤチップの割れ及びヒビの発生を防止することができるチップ部品型ＬＥＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明のチップ部品型ＬＥＤは、図１に示すように、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａと金属細線接続用の第２凹穴３ｂとが形成された絶縁基板１の前記第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄板２ａが形成され、前記第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄板２ｂが形成され、前記第１凹穴３ａ内の金属薄板２ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６を介して前記第２凹穴３ｂ内の金属薄板２ｂに電気的に接続され、前記第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と前記金属細線６の一部分とがシリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する第１透明樹脂を用いて形成された第１封止樹脂部７１にて封止され、前記第１封止樹脂部７１を含む前記絶縁基板１の表面が第２透明樹脂を用いて形成された第２封止樹脂部７２にて封止され、前記第１封止樹脂部７１と第２封止樹脂部７２とは異なる材料により形成されているといったものである。また、前記シリコーン樹脂微粒子の代わりに、光拡散剤またはシランカップリング剤をもちいてもよい。さらに、前記第１封止樹脂部が前記第１凹穴を含むＬＥＤチップと前記第２凹穴を含む金属細線の全体とを封止していてもよい。またさらに、前記ＬＥＤチップとしては、前記絶縁基板の垂直断面方向の寸法（厚さ）よりも垂直断面方向の寸法（高さ）が大きいものが用いられる。
【００１４】
これにより、ＬＥＤチップ５を覆う樹脂を形成する際に、シリコーン樹脂微粒子、光拡散剤またはシランカップリング剤を含有した液状シリコーン系樹脂を用いるので、シリコーン樹脂微粒子、光拡散剤またはシランカップリング剤の含有量分だけ実質的に液状シリコーン系樹脂の量が減ることになる。このことから、絶縁基板の垂直断面方向の寸法（厚さ）よりも垂直断面方向の寸法（高さ）が大きいＬＥＤチップ５を使用した場合においても、ＬＥＤチップの割れ、ヒビが入るという不良を低減できる。
【００１５】
また、本発明に係るチップ部品型ＬＥＤは、前記絶縁基板の前記第１凹穴と第２凹穴とを仕切る仕切壁部に、前記第１凹穴と第２凹穴とを跨るようにして凹溝部が形成されており、この凹溝部の底面に前記金属細線の略中央部がワイヤボンディングされていることを特徴とする。
【００１６】
この構成によると、金属細線のＬＥＤチップに接続されている部位とその近傍を除く部分をより低い位置に配置することができるので、ワイヤーループ（金属細線）の高さを低くできる利点がある。その結果、より薄型化されたチップ部品型ＬＥＤを得ることができる。
【００１７】
また、前記第１透明樹脂が硬化後の硬度が柔らかい液状シリコーン系樹脂であり、前記第２透明樹脂が硬化後の硬度が硬い液状エポキシ系樹脂であることが好ましい。
【００２０】
また、前記光拡散剤は、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、シリコーン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、リン酸チタン、チタン酸マグネシウム、マイカ、ガラスフィラー、硫酸バリウム、クレー（粘土）、タルク、変成シリコーン樹脂を用いて形成されたゴム状弾性体、またはポリメチルシルセスオキサンの無機系拡散剤、もしくはアクリル系、スチレン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ナイロン系、メタクリレート−スチレン系、有機フッ素系またはノルボルネン系の有機系拡散剤であることが好ましい。
【００２１】
また、前記第１凹穴の底面と前記第２凹穴の底面とが同じ高さまたは略同じ高さであることが好ましい。
【００２２】
また、前記第２凹穴が複数個（例えば、図４に示すように、金属細線接続用の第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃが）形成されていてもよい。
【００２３】
この場合には、表面２電極用素子をＬＥＤチップとして搭載することができる。特に、ＬＥＤチップを構成する基板が絶縁体である場合に好ましい。
【００２４】
また、前記第１凹穴及び第２凹穴の内周面が、前記絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は上記のように構成したので、基板に形成された貫通孔にＬＥＤチップが搭載されてなるチップ部品型ＬＥＤにおいて、ＬＥＤチップの割れ及びヒビの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明のチップ部品型ＬＥＤの実施形態について説明する。
【００２７】
なお、本明細書においては、硬化後に「シリコーン系樹脂」と呼ばれる樹脂について、硬化前は「液状シリコーン系樹脂」と呼ぶものとする。また、本発明において、ＬＥＤチップの垂直断面方向の寸法(高さ)は、絶縁基板の垂直断面方向の寸法（厚さ）よりも大きいものとする。
【００２８】
＜基本形態１＞
まず初めに、本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態１について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
図１は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態１を示す断面図である。
【００３０】
このチップ部品型ＬＥＤ１０は、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴（貫通穴）３ａと、金属細線接続用の第２凹穴（貫通穴）３ｂとが形成された絶縁基板１の裏面側に、それぞれの凹穴に対応した配線パターンとなる金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂが電気的に分離された状態で形成されている。また、絶縁基板１の表面側には、第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄膜４ａが形成され、第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂが形成されている。そして、このような配線構造において、第１凹穴３ａの底面部分の金属薄膜４ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６を介して第２凹穴３ｂの底面部分の金属薄膜４ｂに電気的に接続され、この状態において、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体が封止樹脂部７により封止された構造となっている。
【００３１】
このチップ部品型ＬＥＤは、ＬＥＤチップ５を金属薄膜４ａ，２ａ上に直接実装することによって、従来の下層の基板（絶縁基板または銅板）を省略するとともに金属細線６の高さも従来より低くして薄型化を実現している。
【００３２】
ここで、基本形態１では、この封止樹脂部７は、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５及び金属細線６の一部分を封止する第１封止樹脂部７１と、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を封止する第２封止樹脂部７２とで構成されている。後の製造方法で詳細を説明するが、第１封止樹脂部７１は、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状の第１透明樹脂を用いてポッティングで形成される。また、第２封止樹脂部７２は第２透明樹脂のみを用いてトランスファー成形にて形成される。このような構成及び製造方法とする理由は、トランスファー成形で欠点となるシリコーン樹脂微粒子７１ａのばらつきを回避するため、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する第１封止樹脂部７１をポッティングで形成し、外面形状が光の取り出しに影響を与えるため、外形形状を安定して形成できるトランスファー成形で第２封止樹脂部７２を形成することによって、外形形状が不安定な材料で形成される第１封止樹脂部７１を第２封止樹脂部７２で封止するためである。
【００３３】
本形態では、第１透明樹脂は例えばシリコーン系樹脂であり、第２透明樹脂は例えばエポキシ系樹脂である。また、絶縁基板１は、ガラスエポキシ樹脂により形成されており、その厚さは約７０μｍとなっている。また、裏面側に形成された金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂは、約２０μｍの厚さに形成されている。さらに、本形態では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ４７０μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂの内径をφ１８０μｍとした。
【００３４】
このように、本形態によれば、第１封止樹脂部７１を形成する際に、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂を用いているため、前記液状シリコーン系樹脂が硬化する過程での応力を低減することができる。例えばＬＥＤチップ５表面を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂のみで形成するとＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が大きくなってしまうが、ＬＥＤチップ５を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂と固形状のシリコーン樹脂微粒子７１ａとで形成することにより、固形状のシリコーン樹脂微粒子の含有量分だけ、実質的に液状シリコーン系樹脂の量が減る。その結果、ＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が減り、ＬＥＤチップ５の割れ及びヒビといった不良を低減することができるので、絶縁基板１の垂直断面方向の厚さよりも高いＬＥＤチップ５を使用することができる。
【００３５】
次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤ１０の製造方法について、図２を参照して説明する。
【００３６】
図２は、図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【００３７】
最初の工程では、金属箔を絶縁基板１の表面及び裏面にそれぞれ貼り付けることにより絶縁基板１の表面と裏面とにそれぞれ金属薄膜２，４を形成する（図２（ａ））。
【００３８】
次の工程では、絶縁基板１の表面側のＬＥＤチップ搭載位置４１と金属細線接続位置４２との金属薄膜４を除去する（図２（ｂ））。
【００３９】
次の工程では、金属薄膜４を除去した領域（ＬＥＤチップ搭載位置４１及び金属細線接続位置４２）に、レーザ加工により、前記絶縁基板１の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面をもつ第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂを、絶縁基板１の裏面側の金属薄膜２まで到達する深さに形成する（図２（ｃ））。本形態では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ４７０μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂの内径をφ１８０μｍとした。
【００４０】
次の工程では、第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂの側面と底面の金属薄膜２上とに延設するように、絶縁基板１の表面側から、厚さ２０μｍのＣｕメッキ層４５をメッキにより形成し（図２（ｄ））、このメッキ層４５の表面に、湿気による錆、酸化等、表面の保護のため、厚さ１０μｍのＮｉ／Ａu層（不図示）を蒸着で形成する。ここで、Ｃｕメッキ層４５が不要な箇所（不図示）はメッキ時にはレジストを用いて保護してあり、このレジストはＣｕメッキ層４５及びＮｉ／Ａu層形成後に除去される。
【００４１】
次の工程では、絶縁領域を形成するために、絶縁基板1表面のＮｉ／Ａu層及びＣｕメッキ層４５と金属薄膜４との不要な部分（符号４６により示す）を除去するとともに、絶縁基板1裏面の金属薄膜２の不要な部分（符号２２により示す）を除去する（図２（ｅ））。これにより、絶縁基板１の表面に、金属薄膜４及びメッキ層４５の一部分により構成された第１配線パターンとなる金属薄膜４ａと、金属薄膜４及びメッキ層４５の他の一部分により構成された第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂとが絶縁状態で形成され、絶縁基板１の裏面に、第１配線パターンの金属薄膜４ａに対向する金属薄膜２ａと、第２配線パターンの金属薄膜４ｂに対向する金属薄膜２ｂとが絶縁状態で形成される。
【００４２】
次の工程では、ＬＥＤチップ搭載用の凹穴３ａの底面の金属薄膜４ａに、銀ペーストを用いて青色のＬＥＤチップ５を実装する（図２（ｆ））。
【００４３】
次の工程では、実装されたＬＥＤチップ５と金属細線接続用の第２凹穴３ｂの底面の金属薄膜４ｂとを金属細線６を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する（図２（ｇ））。
【００４４】
次の工程では、透明樹脂にて、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体を封止する。具体的に説明すると、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と金属細線６の一部分とを、シリコーン樹脂微粒子（屈折率１．４３、平均粒径０．４μｍ）７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂（屈折率１．４１）を用いたポッティングにより第１封止樹脂部７１を形成して封止し（図２（ｈ））、次に、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を、エポキシ系樹脂を用いたトランスファーモールドにより第２封止樹脂部７２を形成し封止する（図２（ｉ））。ここで、第１封止樹脂部７１を形成するポッティング時の硬化条件及び第２封止樹脂部７２を形成するトランスファーモールド時の硬化条件をいずれも１５０℃、１時間とした。
【００４５】
第１封止樹脂部７１をシリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂を用いて形成するのは、ＬＥＤチップにかかる硬化時の応力を減らすためであり、第２透明樹脂をエポキシ系樹脂を用いて形成するのは、その硬度により外形形状に安定化を図るためである。
【００４６】
なお、絶縁基板１に設けた配線パターンのＣｕメッキ層はＮｉ/Ａｕ層で保護されているが、さらに、光反射率を高めるために、少なくとも第１、第２凹穴を含めて絶縁基板の表面側を金属薄膜及びＣｕメッキ層等を形成した後にＡｇメッキしてもよい。この場合、絶縁基板の表面全体を第２封止樹脂部で覆うことが望ましい。この場合、第２封止樹脂部を形成する際に、エポキシ系樹脂のような、ガス遮断性がよく吸湿性が低い樹脂を用いることで、前記Ａｇメッキの腐食が防止される。
【００４７】
最後に、ダイシングを行うことにより、幅１．６ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、高さ０．２ｍｍの青色のチップ部品型ＬＥＤ１０を得る（図１参照）。
＜基本形態１の変形例＞
次に、前述の基本形態１の変形例について図面を参照しつつ説明する。
【００４８】
図３は、図１に示す基本形態１のチップ部品型ＬＥＤの変形例１を示す断面図である。
【００４９】
このチップ部品型ＬＥＤ１０は、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴（貫通穴）３ａと、金属細線接続用の第２凹穴（貫通穴）３ｂとが形成された絶縁基板１の裏面側に、それぞれの凹穴に対応した配線パターンとなる金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂが電気的に分離された状態で形成されている。また、絶縁基板１の表面側には、第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄膜４ａが形成され、第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂが形成されている。そして、このような配線構造において、第１凹穴３ａの底面部分の金属薄膜４ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６を介して第２凹穴３ｂの底面部分の金属薄膜４ｂに電気的に接続され、この状態において、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体が封止樹脂部７により封止された構造となっている。
【００５０】
本変形例１のチップ部品型ＬＥＤ１０は、第１封止樹脂部７１で、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と第２凹穴３ｂを含む金属細線６の全体とを封止した構造となっており、第１封止樹脂部７１を、微粒子状の光拡散剤（例えば屈折率１．４５、平均粒径０．００７μｍ〜０．０４μｍのシリカ微粒子）７１ｂを含有する液状の第１透明樹脂を用いて形成している点が、図１に示すチップ部品型ＬＥＤ１０と異なっている。なお、本変形例１においても、第１封止樹脂部７１はポッティングにより形成され、第２封止樹脂部７２は第２透明樹脂のみを用いてトランスファー成形により形成される。
【００５１】
本変形例１では、第１透明樹脂は例えばシリコーン系樹脂であり、第２透明樹脂は例えばエポキシ系樹脂である。また、絶縁基板１は、ガラスエポキシ樹脂により形成されており、その厚さは約５０μｍとなっている。また、裏面側に形成された金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂは、約２０μｍの厚さに形成されている。さらに、本形態では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ４７０μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂの内径をφ１８０μｍとした。
【００５２】
また、光拡散剤７１ｂとしては無機系拡散剤または有機系拡散剤が用いられ、例えば、無機系拡散剤は、炭酸カルシウム、シリカ、シリコーン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、リン酸チタン、チタン酸マグネシウム、マイカ（雲母）、ガラスフィラー、硫酸バリウム、クレー（粘土）、タルク（滑石）、変成シリコーン樹脂を用いて形成されたゴム状弾性体、またはポリメチルシルセスオキサンであり、有機系拡散剤は、アクリル系、スチレン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ナイロン系、メタクリレート−スチレン系、有機フッ素系またはノルボルネン系等の有機系拡散剤である。
【００５３】
このように、本変形例１によれば、第１封止樹脂部７１を形成する際に、光拡散剤７１ｂを含有する液状シリコーン系樹脂を用いているため、前記液状シリコーン系樹脂が硬化する過程での応力を低減することができる。例えばＬＥＤチップ５表面を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂のみで形成するとＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が大きくなってしまうが、ＬＥＤチップ５を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂と光拡散剤７１ｂとで形成することにより、固形状の光拡散剤の含有量分だけ、実質的に液状シリコーン系樹脂の量が減る。その結果、ＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が減り、ＬＥＤチップ５の割れ及びヒビといった不良を低減することができるので、絶縁基板１の垂直断面方向の厚さよりも高いＬＥＤチップ５を使用することができる。特に、光拡散剤７１ｂを用いているため、第１封止樹脂部７１での光度の低下も防止できる。
＜基本形態２＞
次に、本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態２について図面を参照しつつ説明する。
【００５４】
図４は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態２を示す断面図である。但し、以下の説明において、上記基本形態１と同じ（若しくは同じ機能を有する）部材には同符号を付している。
【００５５】
このチップ部品型ＬＥＤ２０は、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴（貫通穴）３ａと、この第１凹穴３ａを挟んで両側に金属細線接続用の第２凹穴（貫通穴）３ｂ及び第３凹部（貫通穴）３ｃとが形成された絶縁基板１の裏面側に、それぞれの凹穴に対応した配線パターンとなる金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂ，２ｃが電気的に分離された状態で形成されている。また、絶縁基板１の表面側には、第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄膜４ａが形成され、第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂが形成され、第３凹穴３ｃを含む部分に第３配線パターンとなる金属薄膜４ｃが形成されている。そして、このような配線構造において、第１凹穴３ａの底面部分の金属薄膜４ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６ａを介して第２凹穴３ｂの底面部分の金属薄膜４ｂに電気的に接続されるとともに、金属細線６ｂを介して第３凹穴３ｃの底面部分の金属薄膜４ｃに電気的に接続され、この状態において、ＬＥＤチップ５及び金属細線６ａ，６ｂを含む絶縁基板１の表面全体が封止樹脂部７により封止された構造となっている。
【００５６】
ここで、本形態では、この封止樹脂部７は、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５、第２凹穴３ｂを含む金属細線６ａ、及び第３凹穴部３ｃを含む金属細線６ｂの全体を封止する第１封止樹脂部７１と、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を封止する第２封止樹脂部７２とで構成されている。また、本形態では、第１封止樹脂部７１は、シランカップリング剤７１ｃを含有する液状シリコーン系樹脂を用いて形成されており、第２封止樹脂部７２は、エポキシ系樹脂を用いて形成されている。また、絶縁基板１は、ガラスエポキシ樹脂により形成されており、その厚さは約６０μｍとなっている。また、裏面側に形成された金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂは、約２５μｍの厚さに形成されている。さらに、本実施形態２では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ５００μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃの内径をそれぞれφ２００μｍとした。
【００５７】
このように、本形態によれば、第１封止樹脂部７１を形成する際に、シランカップリング剤７１ｃを含有する液状シリコーン系樹脂を用いているため、前記液状シリコーン系樹脂が硬化する過程での応力を低減することができる。例えばＬＥＤチップ５表面を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂のみで形成するとＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が大きくなってしまうが、ＬＥＤチップ５を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂と固形状のシランカップリング剤７１ｃとで形成することにより、固形状のシランカップリング剤７１ｃの含有量分だけ、実質的に液状シリコーン系樹脂の量が減る。その結果、ＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が減り、ＬＥＤチップ５の割れ及びヒビといった不良を低減することができるので、絶縁基板１の垂直断面方向の厚さよりも高いＬＥＤチップ５を使用することができる。さらに、第１封止樹脂部７１と金属薄膜４ａ，４ｂ，４ｃとの密着性も向上する。
【００５８】
次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤ２０の製造方法について、図５を参照して説明する。
【００５９】
図５は、図４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【００６０】
最初の工程では、金属箔を絶縁基板１の表面及び裏面にそれぞれ貼り付けることにより絶縁基板１の表面と裏面にそれぞれ金属薄膜２，４を形成する（図５（ａ））。
【００６１】
次の工程では、絶縁基板１の表面側のＬＥＤチップ搭載位置４１と金属細線接続位置４２，４３との金属薄膜４を除去する（図５（ｂ））。
【００６２】
次の工程では、金属薄膜４を除去した領域（ＬＥＤチップ搭載位置４１及び金属細線接続位置４２，４３）にレーザ加工により傾斜面をもつ第１凹穴３ａ、第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃを、絶縁基板１の裏面側の金属薄膜２まで到達する深さに形成する（図５（ｃ））。本実施形態２では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ５００μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃの内径をそれぞれφ２００μｍとした。
【００６３】
次の工程では、第１凹穴３ａ，第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃの側面と底面の金属薄膜２上とに延設するように、絶縁基板１の表面側から、厚さ１５μｍのＣｕメッキ層４５をメッキにより形成し（図２（ｄ））、このメッキ層４５の表面に、湿気による錆、酸化等、表面の保護のため、厚さ１０μｍのＮｉ／Ａu層（不図示）を蒸着で形成する。ここで、Ｃｕメッキ層４５が不要な箇所（不図示）はメッキ時にはレジストを用いて保護してあり、このレジストはＣｕメッキ層４５及びＮｉ／Ａu層形成後に除去される。
【００６４】
次の工程では、絶縁領域を形成するために、絶縁基板1表面のＮｉ／Ａu層及びＣｕメッキ層４５と金属薄膜４との不要な部分（符号４６，４７により示す）を除去するとともに、絶縁基板1裏面の金属薄膜２の不要な部分（符号２２，２３により示す）を除去する（図５（ｅ））。これにより、絶縁基板１の表面に、第１配線パターンとなる金属薄膜４ａと、第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂと、第３配線パターンとなる金属薄膜４ｃとが絶縁状態で形成され、絶縁基板１の裏面に、第１配線パターンの金属薄膜４ａに対向する金属薄膜２ａと、第２配線パターンの金属薄膜４ｂに対向する金属薄膜２ｂと、第３配線パターンの金属薄膜４ｃに対向する金属薄膜２ｃとが絶縁状態で形成される。
【００６５】
次の工程では、ＬＥＤチップ搭載用の凹穴３ａの底面の金属薄膜４ａに、シリコーン樹脂を用いて赤色のＬＥＤチップ５を実装する（図５（ｆ））。
【００６６】
次の工程では、実装されたＬＥＤチップ５と金属細線接続用の第２凹穴３ｂの底面の金属薄膜４ｂとを金属細線６ａを用いてワイヤボンディングして電気的に接続するとともに、ＬＥＤチップ５と金属細線接続用の第３凹穴３ｃの底面の金属薄膜４ｃとを金属細線６ｂを用いてワイヤボンディングして電気的に接続する（図５（ｇ））。
【００６７】
次の工程では、透明樹脂にて、ＬＥＤチップ５及び金属細線６ａ，６ｂを含む絶縁基板１の表面全体を封止する（図５（ｈ））。具体的に説明すると、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と第２凹穴３ｂ及び第３凹穴３ｃを含む両金属細線６ａ，６ｂの全体を、シランカップリング剤７１ｃを含有する液状シリコーン系樹脂を用いたポッティングにより第１封止樹脂部７１を形成して封止して、次に、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を、エポキシ系樹脂を用いたトランスファーモールドにより第２封止樹脂部７２を形成した封止する。ここで、第１封止樹脂部７１を形成するポッティング時の硬化条件を１５０℃、３時間とし、第２封止樹脂部７２を形成するトランスファーモールド時の硬化条件を１２０℃、１時間とした。
【００６８】
最後に、ダイシングを行うことにより、幅１．５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、高さ０．１８ｍｍの赤色チップ部品型ＬＥＤ２０を得る（図５参照）。
＜実施形態１＞
図６は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの実施形態１を示す断面図であり、図７は図６に示すチップ部品型ＬＥＤの平面図である。但し、以下の説明において、上記基本形態１と同じ（若しくは同じ機能を有する）部材には同符号を付している。
【００６９】
このチップ部品型ＬＥＤ３０は、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴（貫通穴）３ａと、金属細線接続用の第２凹穴（貫通穴）３ｂとが形成された絶縁基板１の裏面側に、それぞれの凹穴に対応した配線パターンとなる金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂが電気的に分離された状態で形成されている。また、絶縁基板１の表面側には、第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄膜４ａが形成され、第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂが形成されている。これら金属薄膜４ａ，４ｂは、第１凹穴３ａと第２凹穴３ｂとを仕切る仕切壁部１ａの表面中央部に金属薄膜４を除去した一定幅の切欠き部４８を形成することで絶縁されている。また、仕切壁部１ａの表面には、この切欠き部４８と直交する方向に、すなわち第１凹穴３ａと第２凹穴３ｂとに跨がるようにして、所定深さの凹溝部１１が形成されている。
【００７０】
そして、このような配線構造において、第１凹穴３ａの底面部分の金属薄膜４ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６を介して第２凹穴３ｂの底面部分の金属薄膜４ｂに電気的に接続されている。このとき、金属細線６は、仕切壁部１ａの凹溝部１１内を通って配線されており、その中央部付近が凹溝部１１底面にワイヤボンディングされている。すなわち、金属細線６のＬＥＤチップ５に接続されている部位とその近傍を除く部分が絶縁基板１の表面より上方に出ないように配線されている。そして、この状態において、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体が封止樹脂部７により封止された構造となっている。
【００７１】
ここで、本形態では、この封止樹脂部７は、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と第２凹穴３ｂを含む金属細線６の全体を封止する第１封止樹脂部７１と、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を封止する第２封止樹脂部７２とで構成されている。また、本形態では、第１封止樹脂部７１は、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂を用いてポッティングで形成される。また、第２封止樹脂部７２はエポキシ系樹脂のみを用いてトランスファー成形にて形成される。
【００７２】
本形態では、絶縁基板１は、ガラスエポキシ樹脂により形成されており、その厚さは約５５μｍとなっている。また、裏面側に形成された金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂは、約１８μｍの厚さに形成されている。また、本形態では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ４００μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂの内径をφ１５０μｍとした。さらに、凹溝部１１の深さは２５μｍとした。
【００７３】
このように、本形態によれば、金属細線６がＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａと金属細線接続用の第２凹穴３ｂとの間に形成された凹溝部１１底面にワイヤボンディングされているため、金属細線６のＬＥＤチップ５に接続されている部位とその近傍を除く部分をより低い位置に配置することができ、さらに薄型化された（例えば０．１５ｍｍ程度の）チップ部品型ＬＥＤ３０を得ることができる。また、第１封止樹脂部７１を形成する際に、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂を用いているため、前記液状シリコーン系樹脂が硬化する過程での応力を低減することができる。例えばＬＥＤチップ５表面を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂のみで形成するとＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が大きくなってしまうが、ＬＥＤチップ５を覆う樹脂を液状シリコーン系樹脂と固形状のシリコーン樹脂微粒子７１ａとで形成することにより、固形状のシリコーン樹脂微粒子７１ａの含有量分だけ、実質的に液状シリコーン系樹脂の量が減る。その結果、ＬＥＤチップ５にかかる硬化時の応力が減り、ＬＥＤチップ５の割れ及びヒビといった不良を低減することができる。また、金属細線６がワイヤボンディングされている凹溝部１１を前記シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂で覆うため、金属細線６及び凹溝部１１への応力が低減でき、凹溝部１１から金属細線６が剥がれてしまうことを防止できる。
【００７４】
次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤ３０の製造方法について、図８を参照して説明する。
【００７５】
図８は、図６に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【００７６】
最初の工程では、金属箔を絶縁基板１の表面及び裏面にそれぞれ貼り付けることにより絶縁基板１の表面と裏面にそれぞれ金属薄膜２，４を形成する（図８（ａ））。
【００７７】
次の工程では、絶縁基板１の表面側のＬＥＤチップ搭載位置４１と、金属細線接続位置４２と、凹溝部１１となる位置（不図示）との金属薄膜４を除去する（図８（ｂ））。
【００７８】
次の工程では、金属薄膜４を除去した領域のうちＬＥＤチップ搭載位置４１及び金属細線接続位置４２にレーザ加工により傾斜面をもつ第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂを、絶縁基板１の裏面側の金属薄膜２まで到達する深さに形成する。このとき、形成される第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂを仕切ることになる仕切壁部１ａの表面に、これら第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂ間を跨ぐように、予め設定された深さの凹溝部１１を同じレーザ加工により形成する（図８（ｃ））。本形態では、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴３ａの内径をφ５００μｍ、金属細線接続用の第２凹穴３ｂの内径をφ２００μｍとし、凹溝部１１の深さを２５μｍとした。
【００７９】
次の工程では、第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂの側面と底面の金属薄膜２上とに延設するように、絶縁基板１の表面側から、厚さ２５μｍのＣｕメッキ層４５をメッキにより形成し（図８（ｄ））、このメッキ層４５の表面に、湿気による錆、酸化等、表面の保護のため、厚さ１０μｍのＮｉ／Ａu層（不図示）を蒸着で形成する。ここで、Ｃｕメッキ層４５が不要な箇所（不図示）はメッキ時にはレジストを用いて保護してあり、このレジストはＣｕメッキ層４５及びＮｉ／Ａu層形成後に除去される。
【００８０】
次の工程では、絶縁領域を形成するために、絶縁基板1表面のＮｉ／Ａu層及びＣｕメッキ層４５と金属薄膜４との不要な部位を除去（符号４６により示す）するとともに、絶縁基板1裏面の金属薄膜２の不要な部位を除去（符号２２により示す）する（図８（ｅ））。
これにより、絶縁基板１の表面に、第１配線パターンとなる金属薄膜４ａと、第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂとが絶縁状態で形成され、絶縁基板１の裏面に、第１配線パターンの金属薄膜４ａに対向する金属薄膜２ａと、第２配線パターンの金属薄膜４ｂに対向する金属薄膜２ｂとが絶縁状態で形成される。なお、本形態では、この工程において、金属細線６を配線するための凹溝部１１表面のＮｉ／Ａu層及びＣｕメッキ層４５も除去している。すなわち、凹溝部１１表面は絶縁基板１が露出した状態となっている。
【００８１】
次の工程では、ＬＥＤチップ搭載用の凹穴３ａの底面の金属薄膜４ａに、エポキシ樹脂を用いてＬＥＤチップ５を実装する（図８（ｆ））。
【００８２】
次の工程では、実装されたＬＥＤチップ５と凹溝部１１のボンディング部６１ａとを金属細線６を用いてワイヤボンディングし、さらに、凹溝部１１のボンディング部６１ａと金属細線接続用の第２凹穴３ｂの底面の金属薄膜４ｂとを金属細線６を用いてワイヤボンディングして、ＬＥＤチップ５と金属薄膜４ｂとを電気的に接続する（図８（ｇ））。
【００８３】
次の工程では、透明樹脂にて、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体を封止する（図８（ｈ））。具体的に説明すると、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５と第２凹穴３ｂを含む金属細線６とこれら第１凹穴３ａ及び第２凹穴３ｂを連通する凹溝部１１を含むボンディング部６１ａとの全体を、シリコーン樹脂微粒子７１ａを含有する液状シリコーン系樹脂を用いたポッティングにより第１封止樹脂部７１を形成して封止し、次に、このこの第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を、エポキシ系樹脂を用いたトランスファーモールドにより第２封止樹脂部７２を形成し封止する。ここで、第１封止樹脂部７１を形成するポッティング時の硬化条件を１５０℃、１時間とし、第２封止樹脂部７２を形成するトランスファーモールド時の硬化条件を１５０℃、３時間とした。
【００８４】
最後に、ダイシングを行うことにより、幅１．６５ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ、高さ０．１５ｍｍの高演色のチップ部品型ＬＥＤ３０を得る（図６参照）。
＜参考形態１＞
次に、チップ部品型ＬＥＤの参考形態１について図面を参照しつつ説明する。
【００８５】
図９は、チップ部品型ＬＥＤの参考形態１を示す断面図である。但し、以下の説明において、上記基本形態１と同じ（若しくは同じ機能を有する）部材には同符号を付している。
【００８６】
このチップ部品型ＬＥＤ４０は、ＬＥＤチップ搭載用の第１凹穴（貫通穴）３ａと、金属細線接続用の第２凹穴（貫通穴）３ｂとが形成された絶縁基板１の裏面側に、それぞれの凹穴に対応した配線パターンとなる金属（Ｃｕ）薄膜２ａ，２ｂが電気的に分離された状態で形成されている。また、絶縁基板１の表面側には、第１凹穴３ａを含む部分に第１配線パターンとなる金属薄膜４ａが形成され、第２凹穴３ｂを含む部分に第２配線パターンとなる金属薄膜４ｂが形成されている。そして、このような配線構造において、第１凹穴３ａの底面部分の金属薄膜４ａ上にＬＥＤチップ５が実装され、このＬＥＤチップ５が金属細線６を介して第２凹穴３ｂの底面部分の金属薄膜４ｂに電気的に接続され、この状態において、ＬＥＤチップ５及び金属細線６を含む絶縁基板１の表面全体が封止樹脂部７により封止された構造となっている。
【００８７】
ここで、本形態では、この封止樹脂部７は、第１凹穴３ａを含むＬＥＤチップ５及び金属細線６の一部分を封止する第１封止樹脂部７１と、この第１封止樹脂部７１を含む絶縁基板１の表面全体を封止する第２封止樹脂部７２とで構成されている。さらに、第１封止樹脂部７１は、第１凹穴３ａ内全体に充填された下部封止樹脂部７１ｄ１と、この下部封止樹脂部７１ｄ１上に配置された上部封止樹脂部７１ｄ２から構成されている。
【００８８】
これら下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２は同じ材料（例えば、液状シリコーン系樹脂）を用いて形成されており、第２封止樹脂部７２は、例えばエポキシ系樹脂を用いて形成されている。また、下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２の形状は類似しており、例えば下部封止樹脂部７１ｄ１は第１凹穴３ａの形状と一致した形状となっており、上部封止樹脂部７１ｄ２は、下部封止樹脂部７１ｄ１を上下逆さにした形状となっている。
【００８９】
前記下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２は、例えば、下部封止樹脂部７１ｄ１を上下逆さにした形状の凹部を底面に有した金型を用いてトランスファーモールドを実施することにより形成されたものである。即ち、トランスファーモールド時には、前記金型の凹部の開口部を前記第１凹穴３ａの開口部に一致させつつ前記金型を絶縁基板１に上方から押し当てた状態で前記金型の凹部と前記第１凹穴３ａとに透明樹脂を注入し硬化させることにより、前記下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２を一体形成する。
【００９０】
このように、本形態によれば、第１封止樹脂部７１を類似した形状の下部封止樹脂部７１ｄ１と上部封止樹脂部７１ｄ２とで構成したので、第１封止樹脂部７１が硬化する過程でのＬＥＤチップ５への応力を低減することができる。例えば、第１封止樹脂部７１を下部封止樹脂部７１ｄ１のみで構成した場合、ＬＥＤチップ５上部が第１封止樹脂部７１から露出してしまうとともに、第１封止樹脂部７１に対する第２封止樹脂部７２の樹脂量が大きくこのため第２封止樹脂部７２が硬化する過程でのＬＥＤチップ５上部への応力が大きくなってしまうことにより、ＬＥＤチップ５が割れてしまうといった問題が生じてしまう。このため、第１封止樹脂部７１を同じ材料を同じ分量だけ用いて形成した下部封止樹脂部７１ｄ１と上部封止樹脂部７１ｄ２とで構成し、これら下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２でＬＥＤチップ５全体を覆うことにより、ＬＥＤチップ全体にかかる応力を等しくより小さくすることができるため、ＬＥＤチップ５の割れ及びヒビといった不良を低減することができる。
【００９１】
なお、本形態のチップ部品型ＬＥＤは、第１封止樹脂部７１を類似した形状の下部封止樹脂部７１ｄ１と上部封止樹脂部７１ｄ２とで構成した点以外は前述の基本形態１と同様の構成を備えたものであり、第１封止樹脂部７１以外の構成については詳細な説明を省略する。また、本形態のチップ部品型ＬＥＤの製造方法についても、前記下部封止樹脂部７１ｄ１及び上部封止樹脂部７１ｄ２をトランスファーモールドにより形成する点以外は、図２を参照しつつ説明した前述の基本形態１のチップ部品型ＬＥＤの製造方法と同様の手順であるため詳細な説明を省略する。
【００９２】
なお、前述の基本形態１〜２、実施形態１、および参考形態１においては、１個のチップ部品型ＬＥＤを１個のＬＥＤチップのみで構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、１個のチップ部品型ＬＥＤを複数個のＬＥＤチップで構成してもよい。この場合、複数子のＬＥＤチップを個々に動作させることができるように、ＬＥＤチップ毎に配線パターン及び凹穴を形成する。このような構成において、各ＬＥＤチップの発光色（例えば青、赤、黄または緑色）を異ならせておくことにより、多色発光のチップ部品型ＬＥＤを得ることができる。
【００９３】
また、前述の基本形態１〜２および実施形態１のチップ部品型ＬＥＤにおいては、設計に応じてＬＥＤチップの発光色を変更できるものとし、前述の参考形態１のチップ部品型ＬＥＤにおいては、設計に応じてＬＥＤチップの発光色を選択できるものとする。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明のチップ部品型ＬＥＤは、透明基板の厚さよりも高いＬＥＤチップを用いてチップ部品型ＬＥＤを形成する際に活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態１を示す断面図である。
【図２】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【図３】図１に示す基本形態１のチップ部品型ＬＥＤの変形例１を示す断面図である。
【図４】本発明のチップ部品型ＬＥＤの基本形態２を示す断面図である。
【図５】図４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【図６】本発明のチップ部品型ＬＥＤの実施形態１を示す断面図である。
【図７】図６に示すチップ部品型ＬＥＤの平面図である。
【図８】図６に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【図９】チップ部品型ＬＥＤの参考形態１を示す断面図である。
【図１０】従来のチップ部品型ＬＥＤの一例を示す説明図である。
【図１１】従来のチップ部品型ＬＥＤの他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９６】
２ａ  金属薄膜（第１配線パターン）
２ｂ  金属薄膜（第２配線パターン）
２ｃ  金属薄膜（第３配線パターン）
３ａ  第１凹穴
３ｂ  第２凹穴
３ｃ  第３凹穴
４ａ，４ｂ  金属薄膜
５  ＬＥＤチップ
６，６ａ，６ｂ  金属細線
７  封止樹脂部
７１  第１封止樹脂部
７１ｄ１  下部封止樹脂部
７１ｄ２  上部封止樹脂部
７２  第２封止樹脂部
１０，２０，３０，４０  チップ部品型ＬＥＤ
１１  凹溝部
４１  ＬＥＤチップ搭載位置
４２，４３  金属細線接続位置
４５  メッキ層
７１  第１封止樹脂部
７２  第２封止樹脂部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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