(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超高周波を発生させる超高周波発生部と、
前記超高周波によって光を発生する複数の光発生部と、
前記光発生部と連結され、前記光発生部から発生された光をガイドする光ガイド部と、
前記超高周波発生部と各光発生部とを連結して、前記超高周波を前記光発生部に伝送する超高周波伝送部と、
を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記超高周波発生部は、マグネトロンであることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記超高周波伝送部は、導波管であることを特徴とする請求項１または２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記光発生部は、
前記超高周波によって励起され光を発生させる発光ガスを内部に含まれるランプ部と、
前記ランプ部の外郭を取り囲む、前記超高周波を共振させる超高周波共振部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記超高周波共振部は、メッシュ構造を有することを特徴とする請求項４に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記光発生部は、前記超高周波共振部の外郭の一部を取り囲み、前記ランプ部から発生された光を反射させ前記光ガイド部に入射させる光反射部をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記光ガイド部は、棒形状を有することを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記光ガイド部の内部には、光を拡散させるためのビーズが分布されたことを特徴とする請求項７に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記光ガイド部は、複数個は並列で配置されることを特徴とする請求項７に記載のバックライトアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバックライトアセンブリ及び表示装置に関し、より詳細には、画像の表示品質を向上させたバックライトアセンブリ及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は液晶の電気的及び光学的特性を用いて画像を表示する。前記液晶表示装置は他の表示装置に比べて薄くて軽く、低消費電力及び低駆動電圧で作動する長所があって、産業全般に渡って多く使用されている。
【０００３】
前記液晶表示装置は液晶光透過率を用いて画像を表示する液晶表示パネル及び前記液晶表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリを含む。
【０００４】
前記液晶表示装置のバックライトアセンブリは、光源の位置によって、エッジ型バックライトアセンブリと、直下型バックライトアセンブリと、で分類される。
【０００５】
前記エッジ型バックライトアセンブリは、透明導光板の側面に一つまたは二つの光源及び前記光源を収納する収納容器を含み、導光板の一面を通じて光源から発生された光を多重反射して前記液晶表示パネルに出射する。
【０００６】
前記直下型バックライトアセンブリは、前記液晶表示パネルの下部に配置された複数個の光源、前記光源を収納する収納容器、前記光源の上面に配置された拡散板及び前記光源の下面に配置された反射板を含む。前記光源から出射された光は前記反射板によって反射され、前記拡散板によって拡散された後、前記液晶表示パネルに出射される。
【０００７】
一般的に、前記エッジ型及び直下型バックライトアセンブリに採用された光源は放電ガスを含む透明なガラス管と、前記ガラス管内に形成された蛍光物質と、前記ガラス管の両端部に配置された一対の電極とを含む。この際、前記光源の動作原理を簡単に説明すると、外部から高電圧が印加された前記電極は電子を発生させ、前記電子は前記放電ガスを放電させることで紫外線を発生させ、前記紫外線は前記蛍光物質によって可視光線に変更され外部に出射される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、前記光源は使用回数が増加するほど、前記蛍光物質が劣化し、または前記電極が腐食する。前記蛍光物質の劣化及び前記電極の腐食は前記光源の寿命を縮め、輝度及び輝度均一性の低下が発生する。また、高電圧が印加される電極から多量の熱が放出されるが、前記多量の熱は液晶を劣化させ、または光学部材を変形させる。このように、前記光源は長く使用するほど、前記液晶表示装置の表示品質が低下するという問題点を有する。
【０００９】
本発明の技術的課題は、このような従来の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は蛍光物質及び電極を有しない光源を使用することで、画像の表示品質を向上させたバックライトアセンブリを提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、上述したバックライトアセンブリを有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した本発明の目的を達成するために一実施例によるバックライトアセンブリは、超高周波発生部、光発生部及び光ガイド部を含む。超高周波発生部は超高周波を発生させる。前記光発生部は前記超高周波によって光を発生する。前記光ガイド部は前記光発生部と連結され、前記光発生部から発生された光をガイドする。
【発明の効果】
【００１３】
このようなバックライトアセンブリ及び表示装置によると、光発生ユニットが電極及び蛍光物質によらずに超高周波を通じて光を発生することで、輝度均一性及び安定性が向上し、画像の表示品質がより向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１５】
<バックライトアセンブリの第１実施形態>
図１は本発明の第１実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図であり、図２は図１のバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。
【００１６】
図１及び図２に示すように、本実施形態によるバックライトアセンブリ４００は収納容器１００、光発生ユニット２００、及びサイドモールド３００を含み、上部に光を出射させる。
【００１７】
収納容器１００はプレート形状を有する底部１１０、及び底部１１０のエッジから延長された側部１２０を含む。収納容器１００は強度が優れて変形の少ない金属または合成樹脂からなることが望ましい。収納容器１００には底部１１０及び側部１２０によって収納空間が形成され、前記収納空間には光発生ユニット２００及びサイドモールド３００が収納される。
【００１８】
収納容器１００の側壁１２０はＸ−軸方向に向き合うように一対が形成されており、Ｙ−軸方向には形成されていない。しかし、図示されたのとは異なり、収納容器１００はＸ−軸方向だけではなくＹ−軸方向にも向き合うように一対の側壁１２０が形成されうる。
【００１９】
光発生ユニット２００は収納容器１００内に収納され光を発生し、超高周波発生部２１０、超高周波伝送部２２０、光発生部２３０、及び光ガイド部２４０を含む。
【００２０】
超高周波発生部２１０は外部の電源印加装置（図示せず）から電源の印加を受け超高周波を発生させる。前記超高周波は、たとえば、２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲を有することが望ましく、さらに望ましくは約２．４５ＧＨｚの周波数を有する。
【００２１】
超高周波発生部２１０は、たとえば、超高周波を発生させるマグネトロン（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）である。前記マグネトロンは、一般的に、アノード及びカソードの２極管で構成され、強い磁界を発生させる磁石が前記アノード及びカソードに対して実質的に垂直に配置される。
【００２２】
前記マグネトロンによる超高周波の生成原理を簡単に説明すると、前記カソードから放出された電子は強い磁界によって早く回転し前記アノードに到達する。前記アノードに到達した電子は前記アノードに形成された空洞に入射され振動電流を起こし、前記振動電流は超高周波を発生させる。
【００２３】
超高周波発生部２１０は、Ｙ軸方向の両端部に一対が配置されている。即ち、超高周波発生部２１０は収納容器１００の側壁１２０が形成されていないＹ軸方向の両端部に一対が配置されている。しかし、図面に示されたのとは異なり、超高周波発生部２１０はＹ軸方向への一方の端部のみに配置されることができる。
【００２４】
超高周波伝送部２２０は超高周波発生部２１０と光発生部２３０との間に配置され超高周波発生部２１０と光発生部２３０とを連結し、超高周波発生部２１０から発生された超高周波を光発生部２３０に伝送する。
【００２５】
超高周波伝送部２２０は、たとえば、電波を伝送することができる導波管である。前記導波管は超高周波を伝送するための金属管として、たとえば、銅（Ｃｕ）からなることができる。前記導波管の横断面は、たとえば、矩形または円形形状を有することができる。
【００２６】
光発生部２３０は、超高周波伝送部２２０から超高周波の伝送を受け発生させる。光発生部２３０はＸ軸方向に沿って２列で複数個が配置され、収納容器１００の底部１１０上の両端部に配置されている。この際、一方の端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する超高周波伝送部２２０によって一つの超高周波発生部２１０と連結され、反対側の端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する他の超高周波伝送部２２０によって他の一つの超高周波発生部２１０と連結される。
【００２７】
なお、図面に示されたのと異なり、光発生部２３０は収納容器１００の底部１１０上の一方の端部のみに１列で複数個が配置されることができ、それにより、光発生部２３０は複数個の枝を有する超高周波伝送部２２０によって一つの超高周波発生部２１０と連結されることができる。即ち、一つの超高周波発生部２１０が複数個の光発生部２３０に超高周波を提供することができる。さらに、超高周波発生部２１０が２つまたは３つ以上に配置され、それぞれの超高周波発生部２１０がこれと対応される複数個の光発生部２３０に超高周波を提供することもできる。
【００２８】
光ガイド部２４０は光発生部２３０から発生された光をガイドして収納容器１００の上部に出射させる。光ガイド部２４０はＹ軸方向を長手方向とする棒形状を有し、両端部に配置された光発生部２３０と連結される。光ガイド部２４０はＸ軸に沿って並列で複数個が配置される。なお、図面に示されたのと異なり、光発生部２３０が一方端部のみに配置される場合、光ガイド部２４０は一方端部のみに配置された光発生部２３０と連結されることができる。
【００２９】
一方、光発生部２３０及び光ガイド部２４０の具体的な構成要素については別途の図面を用いて後述する。
【００３０】
サイドモールド３００は超高周波発生部２１０、超高周波伝送部２２０、及び光発生部２３０を取り囲む。サイドモールド３００は収納容器１００の側壁１２０が形成されていない底部１１０の両端部に側壁１２０と同一の役割を担うことができる。また、サイドモールド３００の上部面には光の光学特性を向上させる光学部材（図示せず）が形成されることができる。
【００３１】
サイドモールド３００は図面において直角で曲がったＵ−字形状を有しているが、これとは異なり、収納容器１００が４つの側壁１２０からなる場合、サイドモールド３００はＬ−字形状を有することもできる。
【００３２】
図面に示されていないが、本実施形態によるバックライトアセンブリ４００は光ガイド部２４０を支持するためのガイド支持部（図示せず）及び光発生ユニットの下部に配置され光を反射させる反射シート（図示せず）をさらに含むことができる。前記ガイド支持部は光ガイド部２４０を支持することで、光ガイド部２４０の中央部位が通常の高さより低くなることを防止する。前記反射シートは収納容器１００の底部１１０上に配置され、光発生ユニット２００で発生した光のうち下部に向かう光を上部に反射させる。
【００３３】
図３は図１の光発生ユニットのうち光発生部２３０を抜粋して示した拡大斜視図である。
【００３４】
図３に示すように、光発生部２３０はランプ部２３２、超高周波共振部２３４、及び光反射部２３６を含む。
【００３５】
ランプ部２３２は超高周波伝送部２２０から伝送された超高周波を用いて光を発生させる。ランプ部２３２は、たとえば、球形状を有する透明管であり、内部に発光ガスを含んでいる。前記発光ガスは不活性ガスであることが望ましく、例えば、硫黄ガス、アルゴンガス、クリプトンガスであることができる。ランプ部２３２は、たとえば、超高周波伝送部２２０と連結され固定されることができる。
【００３６】
ランプ部２３２で光を発生する原理を簡単に説明すると、超高周波伝送部２２０から伝送された超高周波ランプ部２３２内の発光ガスに到達すると、前記発光ガスは励起され極度にイオン化されたプラズマ状態になり光を発生させる。
【００３７】
超高周波共振部２３４はランプ部２３２の外郭を覆うことで、超高周波伝送部２２０から伝送された超高周波を共振させる。即ち、超高周波共振部２３４は超高周波伝送部２２０から伝送された超高周波を共振させることで、前記超高周波が超高周波共振部２３４の外部に流出されることを防止する。その結果、ランプ部２３２は超高周波共振部２３４内で共振される超高周波によってより多くの量の光を発生させることができる。
【００３８】
超高周波共振部２３４は前記超高周波を共振させ外部に流出されることを遮断するために金属物質からなることが望ましい。また、超高周波共振部２３４はランプ部２３２から発生された光を通過させるためにメッシュ構造からなることが望ましい。この際、超高周波共振部２３４がより稠密なメッシュな構造を有する場合、前記超高周波共振率は増加するが、ランプ部２３２から発生された光の透過率は減少するので、超高周波共振部２３４は適切な密度を有するメッシュ構造からなることが望ましい。
【００３９】
超高周波共振部２３４には超高周波入射ホール２３４ａ及び超高周波出射ホール２３４ｂが形成される。超高周波入射ホール２３４ａは超高周波伝送部２２０の端部と結合され前記超高周波を超高周波共振部２３４に入射させる。
【００４０】
反面、超高周波出射ホール２３４ｂは超高周波入射ホール２３４ａと向き合うように反対側に形成され、前記超高周波の一部を出射させる。超高周波出射ホール２３４ｂは前記超高周波の出射量を減少させるために、超高周波入射ホール２３４ａより小さい面積を有することが望ましい。超高周波出射ホール２３４ｂは根本的にランプ部２３２から放出された光がよりよく透過されるようにするために形成される。
【００４１】
ただし、超高周波共振部２３４は図面で一部の領域のみにメッシュ構造を有することとして示したが、これとは異なり、超高周波入射ホール２３４ａ及び超高周波出射ホール２３４ｂを除いた超高周波共振部２３４の全領域がメッシュ構造からなることもできる。
【００４２】
光反射部２３６は超高周波共振部２３４の外郭の一部を覆い、ランプ部２３２で発生された光を反射させ光ガイド部２４０に入射させる。光反射部２３６には前記反射された光を出射させるための光出射ホール２３６ａが形成される。光出射ホール２３６ａは超高周波出射ホール２３４ｂと対応する位置に形成され、超高周波出射ホール２３４ｂより大きい面積を有することが望ましい。光出射ホール２３６ａは光ガイド部２４０と結合され、前記反射された光が光ガイド部２４０に入射されるように移動経路を提供する。
【００４３】
図４は図１の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した拡大斜視図である。図５は図４の光ガイド部をＩ−Ｉ′線に沿って切断した断面図である。
【００４４】
図４及び図５に示すように、光ガイド部２４０は横断面が楕円形の棒形状を有し、望ましくは、円形の棒形状を有する。光ガイド部２４０は光パイプ（ｌｉｇｈｔ  ｐｉｐｅ）であることが望ましく、例えば、光繊維、導光板などであることができる。光ガイド部２４０はガラスまたは合成樹脂からなることができ、合成樹脂は、たとえば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙ  ｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈｃｒｙｌａｔｅ）である。
【００４５】
光ガイド部２４０は光発生部２３０と連結され光の入射を受け、前記光をガイドして収納容器１００の上部に出射させる。光ガイド部２４０の内部には前記光の拡散効率を増加させるために光拡散物質２４２が分布される。光拡散物質２４２は、たとえば、ビーズであり、光ガイド部２４０の内部に不規則に分布されることが望ましい。それとは異なり、光ガイド部２４０の内部には前記光の拡散効率を増加させるために気泡が不規則に分布されることができる。
【００４６】
図６及び図７は図４と異なる光ガイド部を示した拡大斜視図である。
【００４７】
図６に示すように、光ガイド部２４０には光ガイド部２４０の長手方向に沿って光伝送ホール２４４がさらに形成されることができる。 光伝送ホール２４４は光ガイド部２４０の横断面の中央に形成されることが望ましく、光伝送ホール２４４の横断面は光ガイド部２４０の横断面と同一の楕円形を有することが望ましい。光伝送ホール２４４は光発生部から発生された光の伝送効率をより増加させることができる。
【００４８】
図７に示すように、光ガイド部２４０は図６と異なり横断面が多角形の棒形状を有し、望ましくは矩形の棒形状を有する。また、光ガイド部２４０には光ガイド部２４０の長手方向に沿って矩形の横断面を有する光伝送ホール２４４がさらに形成されることができる。この際、光ガイド部２４０が矩形の棒形状を有する場合、複数個の光ガイド部２４０をさらに密接して収納容器１００内に配置させることができる。
【００４９】
本実施形態によると、光発生ユニット２００が電極及び蛍光物質によらず、超高周波を通じて光を発生することで、多量の熱が発生されることを防止し寿命が長くなり、輝度均一性及び安定性が向上された光を発生させることができる。
【００５０】
<バックライトアセンブリの第２実施形態>
図８は本発明の第２実施形態によるバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。第２実施形態によるバックライトアセンブリは光発生ユニットを除いては第１実施形態によるバックライトアセンブリと同一であるので、同一の構成要素について同一の参照符号を使用しその詳細な説明を省略する。
【００５１】
図８に示すように、本実施形態による光発生ユニット２００は収納容器１００内に収納され光を発生し、超高周波発生部２５０、超高周波伝送部２２０、光発生部２３０、及び光ガイド部２４０を含む。
【００５２】
超高周波発生部２５０は外部の電源印加装置（図示せず）から電源の印加を受け超高周波を発生させる。前記超高周波は、たとえば、２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲を有することが望ましく、さらに望ましくは約２．４５ＧＨｚの周波数を有する。
【００５３】
超高周波発生部２５０はＹ軸方向への両端部に複数個が配置されている。即ち、超高周波発生部２５０は収納容器１００の側壁１２０が形成されてないＹ軸方向への両端部に複数個が配置され、両端部に配置された複数個の超高周波発生部２５０はＸ軸方向に沿って一列で配置される。
【００５４】
超高周波伝送部２２０は超高周波発生部２５０と光発生部２３０との間に配置され超高周波発生部２５０と光発生部２３０とを連結し、超高周波発生部２５０から発生された超高周波を光発生部２３０に伝送する。
【００５５】
光発生部２３０は超高周波伝送部２２０から超高周波の伝送を受け、光を発生させる。光発生部２３０はＸ軸方向に沿って２列で複数個が配置され、収納容器１００の底部１１０上の両端部に配置されている。
【００５６】
光ガイド部２４０は光発生部２３０から発生された光をガイドして収納容器１００の上部に出射させる。光ガイド部２４０は、たとえば、Ｙ軸方向を長手方向とする棒形状を有し、両端部に配置された光発生部２３０と連結される。光ガイド部２４０はＸ軸方向に沿って複数個が並列に配置される。
【００５７】
本実施形態による光発生ユニット２００は一つの光ガイド部２４０を駆動させるために光ガイド部２４０の両端部にそれぞれ一対の超高周波発生部２５０、超高周波伝送部２２０及び光発生部２３０を具備する。図面とは異なり、光発生ユニット２００は一つの光ガイド部２４０を駆動させるために光ガイド部２４０の一方の端部のみにそれぞれ一つの超高周波発生部２５０、超高周波伝送部２２０、及び光発生部２３０を具備することもできる。
【００５８】
<バックライトアセンブリの第３実施形態>
図９は本発明の第３実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図であり、図１０は図９のバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。第３実施形態によるバックライトアセンブリは光発生ユニットを除いては、第１実施形態によるバックライトアセンブリと同一であるので、同一の構成要素については同一の参照符号を使用しその詳細な説明を省略する。
【００５９】
図９及び図１０に示すように、本実施形態による光発生ユニット２００は収納容器１００内に収納され光を発生し、超高周波発生部２１０、超高周波伝送部２２０、光発生部２３０、及び光ガイド部２６０を含む。
【００６０】
超高周波発生部２１０は外部の電源印加装置（図示せず）から電源の印加を受け超高周波を発生させる。前記超高周波は、たとえば、２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲を有することが望ましく、さらに望ましくは約２．４５ＧＨｚの周波数を有する。
【００６１】
超高周波発生部２１０はＹ軸方向への両端部に一対が配置されている。即ち、超高周波発生部２１０は収納容器１００の側壁１２０が形成されていないＹ軸方向への両端部に一対が配置されている。
【００６２】
超高周波伝送部２２０は超高周波発生部２１０と光発生部２３０との間に配置され超高周波発生部２１０と光発生部２３０とを連結し、超高周波発生部２１０から発生された超高周波を光発生部２３０に伝送する。
【００６３】
光発生部２３０は超高周波伝送部２２０から超高周波の伝送を受け、光を発生させる。光発生部２３０はＸ軸方向に沿って２列で複数個が配置され、収納容器１００の底部１１０上の両端部に配置されている。この際、一方の端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する超高周波伝送部２２０によって一つの超高周波発生部２１０と連結され、反対側端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する他の超高周波伝送部２２０によって他の一つの超高周波発生部２１０と連結される。
【００６４】
図１１は図９の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した拡大斜視図である。
【００６５】
図１１に示すように、光ガイド部２６０は光発生部２３０から発生された光をガイドして収納容器１００の上部に出射させる。即ち、光ガイド部２６０は光発生部２３０から発生された光の入射を受け全反射を通じて収納容器１００の上部に出射させる。
【００６６】
光ガイド部２６０は矩形のプレート形状を有し、収納容器１００の底部１１０上に配置される。光ガイド部２６０は所定の厚さを有する。光ガイド部２６０の内部には光ガイド部２６０の内部に入射された光を拡散させるために光拡散物質または気泡が不規則に分布されることができる。
【００６７】
光ガイド部２６０には複数個の光入射ホール２６２が並列に形成されることができる。それぞれの光入射ホール２６２はＹ軸方向に長く形成される。それぞれの光入射ホール２６２の両端部には光発生部２３０が配置され、光発生部２３０から発生された光は光入射ホール２６２を通じて入射され光ガイド部２６０の中央により早く伝送される。この際、光入射ホール２６２の横断面は矩形形状を有することが望ましい。
【００６８】
<バックライトアセンブリの第４実施形態>
図１２は本発明の第４実施形態によるバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。図１３は図１２の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した拡大斜視図である。第４実施形態によるバックライトアセンブリは光発生ユニットを除いては、第１実施形態によるバックライトアセンブリと同一であるので、同一の構成要素については同一の参照符号を使用しその詳細な説明を省略することにする。
【００６９】
図１２及び図１３に示すように、本実施形態による光発生ユニット２００は収納容器１００内に収納され光を発生し、超高周波発生部２１０、超高周波伝送部２２０、光発生部２３０、及び光ガイド部２７０を含む。
【００７０】
超高周波発生部２１０は外部の電源印加装置（図示せず）から電源の印加を受けた超高周波を発生させる。前記超高周波は、たとえば、２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲を有することが望ましく、さらに望ましくは、約２．４５ＧＨｚの周波数を有する。
【００７１】
超高周波発生部２１０はＹ軸方向への両端部に一対が配置されている。即ち、超高周波発生部２１０は収納容器１００の側壁１２０が形成されていないＹ軸方向への両端部に一対が配置されている。
【００７２】
超高周波伝送部２２０は超高周波発生部２１０と光発生部２３０との間に配置され超高周波発生部２１０と光発生部２３０とを連結し、超高周波発生部２１０から発生された超高周波を光発生部２３０に伝送する。
【００７３】
光発生部２３０は超高周波伝送部２２０から超高周波の伝送を受け光を発生させる。光発生部２３０はＸ軸方向に沿って２列で複数個が配置され、収納容器１００の底部１１０上の両端部に配置されている。この際、一方の端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する超高周波伝送部２２０によって一つの超高周波発生部２１０と連結され、反対側端部に配置された光発生部２３０は複数個の枝を有する他の超高周波伝送部２２０によって他の一つの超高周波発生部２１０と連結される。
【００７４】
光ガイド部２７０は光発生部２３０から発生された光をガイドして収納容器１００の上部に出射させる。即ち、光ガイド部２７０は光発生部２３０から発生された光の入射を受け全反射を通じて収納容器１００の上部に出射させる。
【００７５】
光ガイド部２７０はＹ軸方向を長手方向とする棒形状を有し、光ガイド部２７０の横断面は矩形形状を有する。横断面が矩形を有する光ガイド部２７０は複数個がＸ軸方向に沿って並列に配置される。この際、光ガイド２７０のそれぞれは互いに密接して配置されることが望ましい。
【００７６】
光ガイド部２７０の内部には光ガイド部２７０の内部に入射された光を拡散させるために光拡散物質または気泡が不規則に分布されることができる。
【００７７】
それぞれの光ガイド部２７０には光入射ホール２７２がＹ軸方向に長く形成されることができる。それぞれの光入射ホール２７２の両端部には光発生部２３０が配置され、光発生部２３０から発生された光は光入射ホール２７２を通じて入射され光ガイド部２７０の中央により早く伝送される。この際、光入射ホール２７２の横断面は矩形形状を有することが望ましい。
【００７８】
<バックライトアセンブリの第５実施形態>
図１４は本発明の第５実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図である。
【００７９】
図１４に示すように、本実施形態によるバックライトアセンブリ５００は、収納容器５１０、光発生ユニット５２０、ランプカバー５３０、及び導光板５４０を含む。
【００８０】
収納容器５１０は底部５１２及び側壁５１４を含み収納空間を定義し、光発生ユニット５２０、ランプカバー５３０、及び導光板５４０を収納する。
【００８１】
光発生ユニット５２０は収納容器５１０の内に配置され光を発生させる。光発生ユニット５２０はＸ軸方向の両端部に一対が配置されるが、図面と異なり、一方の端部のみに配置されることもできる。
【００８２】
光発生ユニット５２０は超高周波発生部５２２、超高周波伝送部５２４、光発生部５２６、及び光ガイド部５２８を含む。
【００８３】
超高周波発生部５２２は外部の電源によって超高周波を発生させる。超高周波伝送部５２４は超高周波発生部５２２と光発生部５２６とを連結し前記超高周波を光発生部５２６に伝送する。光発生部５２６は前記超高周波を用いて光を発生させる。光ガイド部５２８は光発生部５２６から発生された光をガイドして収納容器５１０の上部に出射させる。
【００８４】
図面では、光ガイド部５２８の両端部にそれぞれ一対の超高周波発生部５２２、超高周波伝送部５２４、及び光発生部５２６が配置されることを示したが、これとは異なり、光ガイド部５２８の一方の端部に一つの超高周波発生部５２２、超高周波伝送部５２４、及び光発生部５２６が配置されることができる。
【００８５】
ランプカバー５３０は光発生ユニット５２０の一部を覆い、光発生ユニット５２０から発生された光を導光板５４０の側面に入射させる。ランプカバー５３０は、たとえば、Ｕ−字形状を有することが望ましい。
【００８６】
導光板５４０は収納容器５１０の底面５１２上に配置され、光発生ユニット５２０から発生された光を導光板５４０の側面から入射を受けガイドして上部に出射させる。
【００８７】
本実施形態によるバックライトアセンブリ５００は導光板５４０の下部に配置され光を反射させる反射シート（図示せず）をさらに含むことができる。前記反射シートは導光板５４０内に入射され導光板５４０の下部に出射された光を反射させる。
【００８８】
<表示装置の実施形態>
図１５は本発明の一実施形態による表示装置を示した分解斜視図である。本実施形態によるバックライトアセンブリは第１実施形態によるバックライトアセンブリと同一であるので、同一の構成要素については同一の参照符号を使用しその詳細な説明は省略する。
【００８９】
図１５に示すように、本実施形態による表示装置１０００はバックライトアセンブリ、光学部材６００、表示パネル７００、及びトップシャーシ８００を含み、光を用いて画像を表示する。
【００９０】
前記バックライトアセンブリは表示パネル７００の下部に配置され、収納容器１００、光発生ユニット２００、及びサイドモールド３００を含み、表示パネル７００に光を提供する。
【００９１】
光学部材６００は表示パネル７００と前記バックライトアセンブリとの間に配置されサイドモールド３００の上面に配置され、前記バックライトアセンブリから発生された光の光学特性を向上させる。光学部材６００は、例えば、拡散板６１０及び少なくとも一つのプリズムシート６２０を含む。
【００９２】
拡散板６１０は前記バックライトアセンブリから発生された光を拡散させ光の輝度均一性をより向上させる。プリズムシート６２０は拡散板６１０に少なくとも一つ、たとえば、一対が配置され、拡散板６１０を透過した光を反射及び屈折させることで、光の正面輝度を向上させる。
【００９３】
表示パネル７００は光学部材６００の上部に配置され、光学部材６００を通過した光を情報が含まれたイメージ光に変更させる。表示パネル７００は薄膜トランジスタ基板７１０、カラーフィルタ基板７２０、液晶層７３０、印刷回路基板７４０、及び可撓性印刷回路基板７５０を含む。
【００９４】
薄膜トランジスタ基板７１０は前記複数個がマトリックス形態に配置された画素電極、前記各画素電極に駆動電圧を印加する薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタをそれぞれ作動させる信号線を含む。
【００９５】
前記画素電極は透明で導電性のあるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及びアモルファスインジウム錫酸化物（ａ-ＩＴＯ）などをフォト−エッチング工程によってパターニングされ形成される。
【００９６】
カラーフィルタ基板７２０は薄膜トランジスタ基板７１０と向き合うように配置される。カラーフィルタ基板７２０はカラーフィルタ基板７２０の全面に配置され透明で導電性のある共通電極及び前記画素電極と向き合うところに配置されたカラーフィルタを含む。
【００９７】
前記カラーフィルタは白色光のうち赤色光を選択的に通過させる赤色カラーフィルタ、白色光のうち緑色光を選択的に通過させる緑色カラーフィルタ、及び白色光のうち青色光を選択的に通過させる青色カラーフィルタを含む。
【００９８】
液晶層７３０は薄膜トランジスタ基板７１０とカラーフィルタ基板７２０との間に介在され、前記画素電極と共通電極との間に形成された電場によって再配列される。再配列された液晶層７３０は光学部材６００を透過した光の光透過率を調節し、光透過率が調節された光は前記カラーフィルタを通過することで画像が表示される。
【００９９】
印刷回路基板７４０は画像信号を処理する駆動回路ユニットを含み、前記駆動回路ユニットは外部から入射された画像信号を、前記薄膜トランジスタを制御する駆動信号に変更させる。
【０１００】
印刷回路基板７４０はデータ印刷回路基板、及びゲート印刷回路基板で構成される。前記データ印刷回路基板は可撓性回路基板７５０によってベンディングされ収納容器１００の側面または背面に配置され、ゲート印刷回路基板は可撓性回路基板７５０にベンディングされ収納容器１００の側面または背面に配置される。一方、前記ゲート印刷回路基板は薄膜トランジスタ基板７１０及び可撓性回路基板７５０に別途の信号配線を形成することで、除去されることができる。図面では、前記ゲート印刷回路基板が省略されたことを一例として示した。
【０１０１】
可撓性回路７５０は印刷回路基板７４０と薄膜トランジスタ基板７１０とを電気的に連結し、印刷回路基板７４０から発生された前記駆動信号を前記薄膜トランジスタ基板７１０に提供する。可撓性印刷回路基板７５０は、例えば、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）またはチップオンフィルム（ＣＯＦ）である。
【０１０２】
トップシャーシ８００は表示パネル７００の端部位を覆い収納容器１００の側部１２０と結合され表示パネル７００を前記バックライトアセンブリの上部に固定させる。
【０１０３】
トップシャーシ８００は外部から加えられた衝撃及び振動によって脆性の弱い表示パネル７００の破損または損傷を防止し、表示パネル７００が収納容器１００から離脱されることを防止する。
【０１０４】
本実施形態による表示装置１０００はパネル固定部材（図示せず）をさらに含むことができる。前記パネル支持部材は光学部材６００と表示パネル７００との間に配置され、光学部材６００を固定させ表示パネル７００を支持する。
【０１０５】
以上、説明されたように、本発明によると、光発生ユニットが電極及び蛍光物質を具備しないことで、多量の熱を放出しないで光を発生して液晶の劣化及び光発生ユニットの形状変形を防止することができる。
【０１０６】
また、光発生ユニットが超高周波によって直接自然色に近い可視光線を発生することで、表示装置の色再現性をより向上させることができる。
【０１０７】
また、光発生ユニットが超高周波によって光を発生して半永久的な寿命を有することで、光発生ユニットの交換による費用損失を減少させることができる。
【０１０８】
また、光発生ユニットが超高周波によって光を発生することで、時間の流れによって光の輝度が変化する現象を防止し、光発生効率も増加させることができる。
【０１０９】
従って、光発生ユニットが電極及び蛍光物質に寄らず、超高周波を通じて光を発生することで、輝度均一性及び安定性が向上され画像の表示品質がより向上することができる。
【０１１０】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の第１実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図である。
【図２】図１のバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。
【図３】図１の光発生ユニットのうち光発生部を抜粋して示した拡大斜視図である。
【図４】図１の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した 拡大斜視図である。
【図５】図４の光ガイド部をＩ−Ｉ′線に沿って切断した断面図である。
【図６】図４と異なる光ガイド部を示した拡大斜視図である。
【図７】図４と異なる光ガイド部を示した拡大斜視図である。
【図８】本発明の第２実施形態によるバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図である。
【図１０】図９のバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。
【図１１】図９の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した拡大斜視図である。
【図１２】本発明の第４実施形態によるバックライトアセンブリの一部を示した平面図である。
【図１３】図１２の光発生ユニットのうち光ガイド部を抜粋して示した拡大斜視図である。
【図１４】本発明の第５実施形態によるバックライトアセンブリを示した分解斜視図である。
【図１５】本発明の一実施形態による表示装置を示した分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１００    収納容器、
２００    光発生ユニット、
２１０、２５０    超高周波発生部、
２２０    超高周波伝送部、
２３０    光発生部、
２３２    ランプ部、
２３４    超高周波共振部、
２３６    光反射部、
２４０、２６０、２７０    光ガイド部、
２４２    光拡散物質、
２４４    光伝送ホール、
３００    サイドモールド、
４００、５００    バックライトアセンブリ、
６００    光学部材、
７００    表示パネル、
８００    トップシャーシ。
【図１】
0005148085.tif 000002
【図２】
0005148085.tif 000003
【図３】
0005148085.tif 000004
【図４】
0005148085.tif 000005
【図５】
0005148085.tif 000006
【図６】
0005148085.tif 000007
【図７】
0005148085.tif 000008
【図８】
0005148085.tif 000009
【図９】
0005148085.tif 000010
【図１０】
0005148085.tif 000011
【図１１】
0005148085.tif 000012
【図１２】
0005148085.tif 000013
【図１３】
0005148085.tif 000014
【図１４】
0005148085.tif 000015
【図１５】
0005148085.tif 000016