(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凸部と凹部とが並べられ前記凹部に表面処理層が形成された反転オフセット印刷用除去版の再生方法であって、
前記表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を前記凹部に形成する工程と、
前記凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、
前記凹部に表面処理を施す工程と、
前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を前記凸部から剥離する工程と、
を含むことを特徴とする反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項２】
前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、
前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、
前記凸部に金属膜を形成し、
前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、
前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、
リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされる、
ことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項３】
前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、
前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、
前記反転オフセット印刷用除去版の凸部に金属膜を形成し、
前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされる、
ことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項４】
前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、
前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、
前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、
前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、
リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされる、
ことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項５】
前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、
前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、
前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされる、
ことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項６】
前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成は、
反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を前記凸部に転写することによりなされる、
ことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項７】
前記表面処理層の剥離は、前記表面処理層に酸素プラズマ若しくは紫外線を照射することによりなされる、
ことを特徴とする請求項１乃至６に何れか１項記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【請求項８】
前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７に何れか１項記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の低コスト化および微細化に対応するため、画像パターンを印刷法により形成することが試みられている。
【０００３】
微細な画像パターンが形成可能な印刷法として、反転オフセット印刷法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
反転オフセット印刷法について図２を用いて説明する。
【０００５】
まず、剥離性表面を有するブランケット１１に、転写物を含むインキ２１を塗布、予備乾燥してブランケット１１表面に転写物２２を形成する。
【０００６】
次に、転写物２２を反転オフセット印刷用除去版（以下除去版ともいう）３１に密着させ離すことで、ブランケット１１に転写物２３を形成する。
【０００７】
次に、転写物２３を基材４１に密着させ離すことで、パターンが形成された基材４２を得る印刷方法である。
【特許文献１】特開２０００−２８９３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、反転オフセット印刷法は、低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することは困難である。
【０００９】
図３、図４を用いて説明する。
【００１０】
図３は、凹部および凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版３１と、転写物が全面に形成されたブランケット１４が接触している状態を説明するための断面図である。
【００１１】
ブランケット１４は除去版３１との接触時の圧力により変形する。
低解像度部３２の凹部の開口巾に対して凹部の版深が小さい場合は、低解像度部３２においては、その凹版領域の大部分にブランケット１４が接触してしまう。
これにより、ブランケット１４の除去版３１の凹部に接触した部分の転写物がブランケット１４から除去されてしまい、パターン内部の大部分が抜けてしまう。
【００１２】
低解像度部３２の凹版領域とブランケット１４の接触を避けるために除去版３１の版深を深くすると、高解像度部３３の凸部のアスペクト比（版深÷開口巾）が大きくなり、凸部の強度が低下するという問題が生じてしまう。
【００１３】
図４は、除去版の形成方法の一例を説明するための断面図である。
【００１４】
除去版３１となる基板３４上にレジスト３５が形成されており、ウェットエッチングすることにより除去版を形成する。ウェットエッチングは等方的であり版深と同程度にサイドエッチングが生じる。低解像度部３２の版深を深くすると、高解像度部３３の解像度が損なわれるという問題が生じてしまう。
【００１５】
そのため、除去版３１の凹部に表面処理を施し、版深が浅い場合に凹部に接触してもパターン抜けが起こらない工夫が考えられる。しかしながら、シランカップリング剤などで表面処理を施した場合でも、経時的な劣化や洗浄作業の繰り返しなどにより、その機能が損なわれることがある。
【００１６】
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することが可能な反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１記載の発明は、複数の凸部と凹部とが並べられ前記凹部に表面処理層が形成された反転オフセット印刷用除去版の再生方法であって、前記表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を前記凹部に形成する工程と、前記凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、前記凹部に表面処理を施す工程と、前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を前記凸部から剥離する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
請求項２記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、前記凸部に金属膜を形成し、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされることを特徴とする。
【００１９】
請求項３記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、前記反転オフセット印刷用除去版の凸部に金属膜を形成し、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされることを特徴とする。
【００２０】
請求項４記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされることを特徴とする。
【００２１】
請求項５記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされることを特徴とする。
【００２２】
請求項６記載の発明は、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成は、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を前記凸部に転写することによりなされることを特徴とする。
【００２３】
請求項７記載の発明は、前記表面処理層の剥離は、前記表面処理層に酸素プラズマ若しくは紫外線を照射することによりなされることを特徴とする。
【００２４】
請求項８記載の発明は、前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版の表面処理剤の経時変化や洗浄工程の繰り返しによりその効果が薄れたとしても、表面処理を再度施すことによってその除去版を繰り返し利用することが出来る。
【００２９】
まず本発明の除去版を図１を用いて説明する。
図１は除去版の平面図（ａ）、断面図（ｂ）の一例である。
除去版５１は、複数の凸部と凹部とが並べられ、凹部の側面部、底部に表面処理を施すことにより、側面部、底部にブランケット上のインキ液膜が接触しても除去されず、よって画像パターン中の抜けがなくなる。
すなわち、除去版５１の凹部には表面処理層が形成されている。
【００３０】
本発明の実施形態において、表面処理は撥インキ処理であることが望ましい。
すなわち、凹部の表面処理層を撥インキ剤を用いて形成することで、パターン抜けを著しく少なくすることが出来る。
【００３１】
本発明の実施形態において、反転オフセット印刷用除去版５１の凸部に金属膜が形成されていることが望ましい。金属膜を有している場合、その後除去版５１を再生する場合にプロセスが容易になるためである。
具体的には、反転オフセット印刷用除去版５１を再生するプロセスにおいて凸部に金属膜を形成すれば除去版５１を再生するプロセスが容易になるが、予め凸部に金属膜が形成されている反転オフセット印刷用除去版５１を用いれば、除去版を再生するプロセスにおいて凸部に金属膜を形成するプロセスが省略できるため、除去版５１の再生プロセスの容易化を図る上でより一層有利となる。
【００３２】
本発明の実施形態において、反転オフセット印刷用除去版の再生方法は、表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を凹部に形成する工程と、凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、凹部に表面処理を施す工程と、金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を凸部から剥離する工程とを含むことが望ましい。
経時変化した表面処理層の上から繰り返し表面処理を施しても、例えばシランカップリング剤などの場合、結合する官能基が表面に現れていない、若しくは少ないため、その機能を十分に発揮できない恐れがある。
また、再生前の除去版と同様に用いるためには、再生に用いた一時的な材料は全て剥離することが望ましい。
【００３３】
本発明の実施形態において、凸部を表面処理から保護するために、一時的に凸部上に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成することが望ましい。
金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成方法は特に限定されるものではないが、凸部に形成された金属膜をマスクとして、除去版裏面からの露光によりネガ型レジストをパターニング、金属層などをリフトオフ法によって形成する方法や、同様にポジ型レジストをパターニングして樹脂層を形成する方法、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を凸部に転写して形成する方法などがあるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
本発明の実施形態における清浄な除去版材料面の形成方法は、特に限定されるものではないが、酸素プラズマ若しくは紫外線を表面処理層に照射することすることが望ましい。
特に酸素プラズマ法は短時間で清浄な面が形成されるため好ましい。
【００３５】
本発明の実施形態における除去版の材料は、ガラス、ステンレスなどの金属、各種レジスト材料などが用いられるが、これらに限定されるものではない。また、非画像部のパターン形成方法としては、サンドブラスト、フォトリソグラフィー、エッチング、ＦＩＢ（収束イオンビーム）、ナノインプリンティング法などがある。
【００３６】
本発明の実施形態におけるブランケットの材料は、インキ液膜の形成、除去版による非画像部のインキ除去、基材への転写が可能なものが用いられる。また、変形の少ない材料が好ましいが、ある程度の柔軟性が求められる。
このような材料として、シリコーン系エラストマー、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴムなどを用いることが出来る。
また、ブランケット表面の濡れ性を調製するため、ブランケット表面にフッ素樹脂およびシリコーンの塗布、プラズマ処理、ＵＶオゾン洗浄処理などの表面処理を施しても良い。
【００３７】
本発明の実施形態における撥インキ処理、すなわち、表面処理層の形成は、シリコーンやシランカップリング剤を用いた化学的処理、フッ素プラズマなどの物理的処理などが挙げられるが、長期安定性などを考慮するとガラスや金属表面に対するシランカップリング処理が好ましい。
カップリング剤は用いるインキによって異なるが、撥水性や撥油性の高いフッ素元素やシロキサン基が含まれるものが好ましい。上記の例として、長鎖フルオロアルキルシラン、加水分解性基含有シロキサン、フルオロアルキル基含有オリゴマー、フルオロエーテル基含有ポリマー、パーフルオロアルキル基含有ポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
以下、実施例をもとに説明する。
【００３９】
（実施例１）
実施例１について説明する。
凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版の作製方法および再生方法を図５に示す。
除去版の材料として、ガラス６１を用いた。
ガラス６１上にクロム層６２をスパッタにより５０ｎｍ、アルミ層６３をスパッタにより５０ｎｍ製膜した（ａ）。
次いで、ポジレジスト層６４を製膜し、該ポジレスト層６４を用いたフォトリソ、エッチング、レジスト剥離によりクロム６２およびアルミ６３の非画像パターンを形成した（ｂ）。
パターンは図１に示すパターンを１００ｍｍ×１００ｍｍの中央付近に１００個×１００個配置したものである。
図１に示すパターンの各部寸法は、領域が２５０μｍ×２５０μｍに高解像度部ライン／スペース幅が５μｍ／５μｍ、低解像度部矩形が１４０μｍ×２１０μｍである。
次いで、フッ酸を用いたガラスエッチングにより、版深５μｍになるように複数の凹部および凸部を並べて形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン（ＧＥ東芝シリコーン製ＴＳＬ８２３３）を用い、これをイソプロピルアルコールに０．５重量％で溶解させた溶液に１０分浸漬後、１２０℃で１０分乾燥させることによりガラス表面およびアルミ表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた（ｃ）。
しかる後、アルミ層６３をエッチング液（りん酸：酢酸：硝酸：水＝８５：５：５：５）により剥離した（ｄ）。
これにより、凸部に金属膜（クロム６２）が形成され且つ凹部に撥インキ処理を施した反転オフセット印刷用除去版５１を作製することが出来た。なお、図中符号５２は撥インキ処理された凹部を示す。
【００４０】
言い換えると、反転オフセット印刷用除去版５１は、インキをインキ膜形成基材上に塗布してインキ膜を形成するインキ膜形成工程と、複数の凸部と凹部とが並べられた反転オフセット印刷用除去版をインキ膜に接触させて凸部にインキ膜を転写させることでインキ膜の不要部をインキ膜形成基材から除去する除去工程と、インキ膜形成基材上に残ったインキ膜の要部を被印刷基板に転写する転写工程とを備える反転オフセット印刷法に使用する反転オフセット印刷用除去版である。
そして、反転オフセット印刷用除去版５１は凸部に金属膜（クロム６２）が形成されたものである。
また、反転オフセット印刷用除去版５１は凹部に表面処理層が形成され、該表面処理層は、撥インキ剤で形成されている。
【００４１】
除去版５１の再生方法は次の通りである。
まず、除去版５１に酸素プラズマ（１００Ｐａ、４００Ｗ、１分）を照射し、凹部の表面処理を剥離して清浄な除去版材料面を形成した（ｅ）。
このとき、水に対する接触角は３．６度であり、ガラスの水に対する接触角（３．５度）とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料（ガラス）面が形成されたと思われる。
しかる後、ネガ型レジスト６７を製膜（ｆ）、除去版裏面から露光して現像することで、除去版凸部が開口したパターンを形成した（ｇ）。なお、図中符号６７‘はパターニングされたネガレジストを示す。
言い換えると、金属膜（クロム６２）マスクとして、反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジスト６７を反転オフセット印刷用除去版５１の裏面から露光したのち現像することでネガ型レジスト６７をパターニングして凸部の金属膜（クロム６２）が臨むネガ型レジスト６７箇所を開口させた。
次いで、蒸着法によりアルミを５０ｎｍ製膜し、リフトオフすることにより凸部にのみアルミ６３を形成した（ｈ）。
言い換えると、ネガ型レジスト６７の開口に臨む金属膜（クロム６２）の表面に金属層としてアルミ６３からなる金属層を形成した。
表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン（ＧＥ東芝シリコーン製ＴＳＬ８２３３）を用い、１２０℃で１０分乾燥させることによりガラスおよびアルミ層６３の表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた（ｉ）。
言い換えると、凹部に表面処理剤からなる表面処理層が形成された。
しかる後、アルミ層６３をエッチング液（りん酸：酢酸：硝酸：水＝８５：５：５：５）により剥離した（ｊ）。
これにより、凸部に金属膜（クロム６２）が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版５１を再生することが出来た。
また、上述したように、反転オフセット印刷用除去版５１の凸部に金属膜（クロム６２）を形成することで、金属膜（クロム６２）をマスクとして利用することでアルミ６３からなる金属層の形成が容易に行え、したがって、反転オフセット印刷用除去版５１を再生するプロセスが容易となる効果が奏される。
【００４２】
（実施例２）
次に実施例２について説明する。
実施例２では、表面処理剤として撥インキ性のパーフルオロエーテル基含有ポリマー（フロロテクノロジー製ＦＧ５０１０）を用いた以外は、実施例１と同様である。
実施例１と同様の方法で再生を行った結果、凸部に金属膜が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版を再生することが出来た。
【００４３】
（実施例３）
次に実施例３について説明する。
実施例１と同様に作製した除去版の再生方法を図６に示す。
まず、再生すべき除去版５１を用意する（ａ）。
除去版５１の表面に酸素プラズマ（１００Ｐａ、４００Ｗ、１分）を照射し、凹部の表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を形成した（ｂ）。
このとき、水に対する接触角は３．６度であり、ガラスの水に対する接触角（３．５度）とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料（ガラス）面が形成されたと思われる。
なお、図中符号６５はエッチングされたガラスを示す。
しかる後、ポジ型レジスト６８を製膜（ｃ）、除去版裏面から露光して現像することで除去版凸部上にのみレジスト膜６８を形成した（ｄ）。
言い換えると、金属膜（クロム６２）をマスクとして、除去版の表面に製膜されたポジ型レジスト６８を反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することでポジ型レジスト６８をパターニングすることにより金属膜（クロム層６２）の表面にポジ型レジスト６８を残存させることによって、凸部に樹脂層を形成した。
なお、図中符号６８‘はパターニングされたポジレジストを示す。
表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン（ＧＥ東芝シリコーン製ＴＳＬ８２３３）を用い、これをイソプロピルアルコールに０．５重量％で溶解させた溶液に１０分浸漬後、１２０℃で１０分乾燥させることによりガラス表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた（ｅ）。
言い換えると、凹部に表面処理剤からなる表面処理層が形成された。
しかる後、ポジ型レジスト６８‘をアセトンによって剥離した（ｆ）。
これにより、凸部に金属膜（クロム６２）が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版５１を再生することが出来た。
また、上述したように、反転オフセット印刷用除去版５１の凸部に金属膜（クロム６２）を形成することで、金属膜（クロム６２）をマスクとして利用することでポジ型レジスト膜６８からなる樹脂層の形成が容易に行え、したがって、反転オフセット印刷用除去版５１を再生するプロセスが容易となる効果が奏される。
【００４４】
（実施例４）
次に実施例４について説明する。
除去版の再生方法を図７に示す。
まず、除去版の凸部の金属膜（クロム６２）をエッチング液（硝酸アンモニウムセリウム：過塩素酸：水＝３４：１６：１５０）により剥離し、凸部表面がガラスである除去版を得る（ａ）。
次に、除去版に紫外線（１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、１５分）を照射し、凹部の表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を形成した（ｂ）。
このとき、水に対する接触角は４．０度であり、ガラスの水に対する接触角（３．５度）に近い値であったことから、清浄な除去版材料（ガラス）面が形成されたと思われる。
しかる後、銀粒子水分散液（平均粒径２０ｎｍ、住友電気工業株式会社製）にポリエチレンオキサイド（平均分子量１０，０００、アルドリッチ製）を、（ポリエチレンオキサイド／銀粒子／水）＝（１／８／３１）の重量比となるように溶解させたインキを反転オフセット印刷用ブランケットにバーコータ（＃６）で塗布した後、室温で３分間乾燥させ、インキ膜を形成、除去版の凸部に転写して２００℃で３０分焼成し、除去版凸部に銀の膜を形成した（ｃ）。
言い換えると、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料を凸部に転写することにより凸部に金属膜（銀）を形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン（ＧＥ東芝シリコーン株式会社の商品名ＴＳＬ８２３３）を用い、これをイソプロピルアルコールに０．５重量％で溶解させた溶液に１０分浸漬後、１２０℃で１０分乾燥させることによりガラスおよび銀表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた（ｄ）。
しかる後、銀をエッチング液（りん酸：酢酸：硝酸：水＝８５：５：５：５）により剥離した（ｅ）。
これにより、凸部はガラスで凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版５１'を再生することが出来た。
【００４５】
（実施例５）
次に実施例５について説明する。
実施例４で用いた反転オフセット印刷用除去版の再生方法を図８に示す。
まず、再生すべき除去版５１'を用意する（ａ）。
次いで、除去版５１'に酸素プラズマ（１００Ｐａ、４００Ｗ、１分）を照射し、凹部の表面処理を剥離して清浄な除去版材料面を形成した（ｂ）。
このとき、水に対する接触角は３．６度であり、ガラスの水に対する接触角（３．５度）とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料（ガラス）面が形成されたと思われる。
しかる後、ポジ型レジスト６８を反転オフセット印刷用ブランケットにバーコータ（＃６）で塗布した後、室温で１分間乾燥させ、インキ膜を形成、除去版の凸部に転写して７０度で２０分乾燥、除去版凸部に樹脂層を形成した（ｃ）。
言い換えると、反転オフセット印刷用ブランケットから樹脂材料を凸部に転写することにより凸部に樹脂層を形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン（ＧＥ東芝シリコーン株式会社の商品名ＴＳＬ８２３３）を用い、これをイソプロピルアルコールに０．５重量％で溶解させた溶液に１０分浸漬後、１２０℃で１０分乾燥させることによりガラス表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた（ｄ）。しかる後、樹脂層をアセトンにより剥離した（ｅ）。
これにより、凸部はガラスで凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版５１'を再生することが出来た。
【００４６】
（比較例１）
次に比較例１について説明する。
比較例１では、実施例２と同様に作製した表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版を、アセトンを含ませたウェスで１００回擦り洗いをした結果、表面処理を施した部分の水に対する接触角が１１４度から７４度に低下し、撥インキ性が薄れていることが明らかとなった。
【００４７】
なお、本発明により再生した反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた画像形成方法は、低解像度部と高解像度部が混在した画像を形成することが可能となるため、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ、カラーフィルタなどのデバイスに応用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の除去版を説明するための図である。
【図２】反転オフセット印刷の工程を説明するための断面図である。
【図３】除去版とブランケットが接触している状態を説明するための断面図である。
【図４】ウェットエッチングによる除去版の作製方法を説明するための断面図である。
【図５】反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。
【図６】反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。
【図７】反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。
【図８】反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１１……ブランケット、１２……転写物２２が全面に形成されたブランケット、１３……転写物２３が形成されたブランケット、１４……転写物が全面に形成されたブランケット、２１……インキ、２２……予備乾燥された転写物、２３……ブランケット上に残った画像部の転写物、２４……除去版により除去された非画像部の転写物、３１……除去版、３２……除去版の低解像度部、３３……除去版の高解像度部、３４……除去版となる基板、３５……レジスト、４１……基材、４２……転写物が形成された基板、５１……本発明の凸部金属膜付除去版、５１'……本発明の凸部金属膜無除去版、５２……撥インキ処理された凹部、６１……ガラス、６２……クロム層、６３……アルミ層、６４……レジスト層、６５……エッチングされたガラス、６６……撥インキ処理層、６７……ネガレジスト、６７‘……パターニングされたネガレジスト、６８……ポジレジスト、６８‘……パターニングされたポジレジスト、６９……銀層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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