(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１及び第２の面を貫通する第１の開口を有する主基板と、
前記主基板の前記第２の面側に設けられ、前記第１の開口を通る光軸上に第１の光路変換面を有する光導波路と、
前記光軸上において前記光導波路の前記第１の光路変換面に光信号を入力、又は前記第１の光路変換面からの前記光信号を出力する光素子と、
前記主基板及び前記光導波路に設けられた第２の開口に挿入され、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面を有する光接続確認モジュールと、
を備え、
前記光接続確認モジュールは、直方体状の本体と、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路に対応した位置に設けられた、前記本体を垂直方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔に設けられた複数の光信号取出部とを備え、また、前記本体の側面に、前記光導波路の前記光信号の光路の間隔より小さい間隔で側面貫通孔が設けられ、また、前記側面貫通孔には前記光導波路の前記光信号が伝播する複数のコアが設けられ、前記光信号は、前記光導波路を伝播し、前記複数のコアの何れかを介して、対応する前記光信号取出部又は前記光導波路に伝播するよう構成され、さらに
前記光接続確認モジュールは、前記光信号の光路に対して所定の角度を有して行われるスライド操作に基づいて、前記コアを伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換し、前記光信号を前記光信号取出部の光信号取出面から取り出す光電子回路基板。
【請求項２】
前記光接続確認モジュールは、前記所定の角度を９０度とする請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項３】
前記光接続確認モジュールは、入射した前記光信号を伝播させる第１及び第２の伝送路を有し、前記スライド操作に基づいて前記光信号を伝播させる前記第１又は第２の伝送路の選択が行われ、前記選択に基づいて前記複数のコアの少なくとも１つに前記光信号を伝播させる請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項４】
前記光接続確認モジュールは、前記第１及び第２の伝送路に前記光信号取出部を有し、
前記光信号取出部は、前記光信号の一部を取り出す第３の光路変換面を有する請求項３に記載の光電子回路基板。
【請求項５】
前記光接続確認モジュールは、前記第１及び第２の伝送路の間に第４の光路変換面が設けられる請求項３又は４に記載の光電子回路基板。
【請求項６】
前記光接続確認モジュールは、前記主基板及び前記光導波路に設けられた複数の開口に挿入される請求項１から５のいずれか１項に記載の光電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、コネクタに接続された複数の光ファイバと、複数の光ファイバの他端に接続されたスライド切替式の光スイッチと、さらにスライド切替式の光スイッチの複数の光ファイバが接続された面に対向する面に、複数の光ファイバの半分の数の光ファイバが接続されている光ファイバ変換コードが提案されている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この光ファイバ変換コードの接続状態の良否を判定するため、複数の光ファイバを接続した側の光ファイバの端面から信号光を入射させ、光スイッチのオン・オフ操作を行って他端における所定の光ファイバ端面からの信号光の出射光を光パワーメータで確認し、この操作を複数の光ファイバを接続した側の各光ファイバについて行なうことにより光ファイバの接続状態の良否を判定することができる。
【特許文献１】特開平８−３１３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、簡単な構成で光接続状態を容易に確認することができ、さらに、光信号を伝播させる光導波路のコアを選択できる光接続確認モジュールを搭載した光電子回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。
【０００６】
（１）対向する第１及び第２の面を貫通する第１の開口を有する主基板と、前記主基板の前記第２の面側に設けられ、前記第１の開口を通る光軸上に第１の光路変換面を有する光導波路と、前記光軸上において前記光導波路の前記第１の光路変換面に光信号を入力、又は前記第１の光路変換面からの前記光信号を出力する光素子と、前記主基板及び前記光導波路に設けられた第２の開口に挿入され、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面を有する光接続確認モジュールと、を備え、前記光接続確認モジュールは、直方体状の本体と、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路に対応した位置に設けられた、前記本体を垂直方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔に設けられた複数の光信号取出部とを備え、また、前記本体の側面に、前記光導波路の前記光信号の光路の間隔より小さい間隔で側面貫通孔が設けられ、また、前記側面貫通孔には前記光導波路の前記光信号が伝播する複数のコアが設けられ、前記光信号は、前記光導波路を伝播し、前記複数のコアの何れかを介して、対応する前記光信号取出部又は前記光導波路に伝播するよう構成され、さらに、前記光接続確認モジュールは、前記光信号の光路に対して所定の角度を有して行われるスライド操作に基づいて、前記コアを伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換し、前記光信号を前記光信号取出部の光信号取出面から取り出す光電子回路基板。
【０００７】
（２）前記光接続確認モジュールは、前記所定の角度を９０度とする前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１０】
（３）前記光接続確認モジュールは、入射した前記光信号を伝播させる第１及び第２の伝送路を有し、前記スライド操作に基づいて前記光信号を伝播させる前記第１又は第２の伝送路の選択が行われ、前記選択に基づいて前記複数のコアの少なくとも１つに前記光信号を伝播させる前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１１】
（４）前記光接続確認モジュールは、前記第１及び第２の伝送路に前記光信号取出部を有し、前記光信号取出部は、前記光信号の一部を取り出す第３の光路変換面を有する前記（３）に記載の光電子回路基板。
【００１２】
（５）前記光接続確認モジュールは、前記第１及び第２の伝送路の間に第４の光路変換面が設けられる前記（３）又は（４）に記載の光電子回路基板。
【００１３】
（６）前記光接続確認モジュールは、前記主基板及び前記光導波路に設けられた複数の開口に挿入される前記（１）から（５）のいずれか１項に記載の光電子回路基板。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールのスライド操作に基づいて光導波路を伝播する光信号を基板外に取り出すことで、光導波路と光素子の接続状
態を容易に確認することができる。また、光接続確認モジュールのスライド操作に基づいて光導波路を伝播する少なくとも１つの光信号を光信号取出部から基板外に取り出すことで、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、及び光接続のオン・オフを行うことができる。さらに、光導波路を伝播する光信号を遮断せずに、光信号の基板外への取り出し、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、及び光接続のオン・オフを行うことができる。
【００１５】
請求項２に記載の光電子回路基板によれば、効率的にスライド操作を行うことができる。
【００１８】
請求項３に記載の光電子回路基板によれば、光信号を伝播させるコアを選択することができる。
【００１９】
請求項４に記載の光電子回路基板によれば、選択したコアに光信号が伝播したか否かを確認することができる。
【００２０】
請求項５に記載の光電子回路基板によれば、効率的に第１及び第２の伝送路に光信号を導くことができる。
【００２１】
請求項６に記載の光電子回路基板によれば、光信号の基板外への取り出し、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、光接続のオン・オフ、及び光信号を伝播させる光導波路のコアの選択、をより自由度を有して行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１の実施の形態］
（光電子回路基板１の構成）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＡ−Ａ線における光電子回路基板の中央部分の断面図であり、図１（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＢ−Ｂ線における光電子回路基板の断面図である。
【００２３】
本実施形態に係る光電子回路基板１は、後述する光接続確認モジュール３と、図１（ａ）に示す主基板としての第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを挟んで形成される基板１０と、光信号２が伝播する光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）において基板１０の第１の面としての実装面１３０上に搭載される第１の光モジュール１２Ａと、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）において基板１０の実装面１３０上に搭載される第２の光モジュール１２Ｂとを備える。また、基板１０には、光接続確認モジュール３をスライド操作可能な後述する第２の開口としての開口１３が設けられている。なお、開口１３は、光接続確認モジュール３が、光信号２の光路に対して９０度の角度をなしてスライド操作を行えるように、基板１０に形成されるが、これに限定されない。
【００２４】
本実施形態に係る光導波路１０Ｃは、図１（ｃ）に示すように、光信号２が伝播する第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄと、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの周囲に設けられ、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの屈折率よりも小さい屈折率を示すクラッド１０１を有する。第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄは、上面視にて略長方形に形成される。そして、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄは、図１（ｃ）に示すように、略正方形状の断面積を有するように形成されており、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの縦横寸法は、一例において、縦５０μｍ×横５０μｍである。また、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄは、例えば、２５０μｍ間隔で配置される。なお、光導波路１０Ｃが有するコアの数は上記の例に限定されない。
【００２５】
図２Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第１の光モジュール付近の断面図である。また、図２Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第２の光モジュール付近の断面図である。
【００２６】
本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂはそれぞれ、外部接続用の複数の端子１２０と基板１０に予め形成された複数の端子１１０Ａのそれぞれとを導電性ボールとしてのハンダボール１２１を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。この場合において、複数の端子１２０はＢＧＡ用のパッドとなる。
【００２７】
図２Ａに示すように、第１の光モジュール１２Ａは、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装可能な支持基板１２２と、支持基板１２２のハンダボール１２１が接合する側である裏面側に設けられる複数の端子１２０と、支持基板１２２上に予め形成された端子１２４とワイヤー１２３を介して電気的に接続される発光素子１２５とを有する。
【００２８】
また、第１の光モジュール１２Ａは、発光素子１２５が固定されている面の反対側の支持基板１２２の面に固定されるＬＳＩ等の制御部１２６と、支持基板１２２を貫通して裏面側の少なくとも一部の端子１２４と電気的に接続する端子１２７と、制御部１２６と端子１２７とを電気的に接続するワイヤー１２３とを有する。そして、支持基板１２２の制御部１２６が固定される側の面において、制御部１２６、ワイヤー１２３、及び端子１２７は封止樹脂１２８で封止される。
【００２９】
ここで、基板１０の第１の基板１０Ａの上には複数の端子１１０Ａが予め形成されており、第１の光モジュール１２Ａの複数の端子１２０は、複数の端子１１０Ａにハンダボール１２１を介してそれぞれ接合される。
【００３０】
本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａは、基板１０の面方向に光信号２を発する発光素子１２５と、基板１０内に形成された光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとが光結合するように位置決め固定される。
【００３１】
一方、第２の光モジュール１２Ｂにおいては、図２Ｂに示すように、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播する光信号２の受信が可能な光路上の所定の位置に受光素子１２９が固定される。なお、第２の光モジュール１２Ｂは、これらの構成以外については第１の光モジュール１２Ａと同一の構成を有するので、各構成についての詳細な説明は省略する。
【００３２】
（発光素子１２５の構成）
第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２５は、面発光型の発光ダイオード、又は面発光型半導体レーザ等の発光素子（面発光型光素子）である。第１の光モジュール１２Ａは、本実施の形態においては、４つの発光素子１２５を有する。例えば、４つの発光素子１２５は、所定の方向に沿ってアレイ状に配列されて形成される。なお、４つの発光素子１２５のそれぞれの間隔は、一例として２５０μｍであるが、当該間隔は係る値に限定されるものではない。
【００３３】
また、本実施形態においては、発光素子１２５として、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を用いる。本実施形態に係る発光素子１２５としてのＶＣＳＥＬは、閾値電流が１ｍＡであり、１．６Ｖから２．２Ｖの順電圧において、発光波長が８４０ｎｍから８６０ｎｍの範囲内、例えば、８５０ｎｍである。すなわち、発光素子１２５は、近赤外領域（波長：７００ｎｍから１０００ｎｍ）に発光波長を有する。また、発光素子１２５の応答速度は、２．５Ｇｂｐｓである。なお、発光素子１２５として可視光（例えば、発光波長６８０ｎｍ）を発する発光ダイオードを用いても良い。
【００３４】
さらに、本実施形態に係るＶＣＳＥＬは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造を有する。例えば、ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板の上に、ｎ型下部反射鏡層としてのｎ型ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層としてのｐ型ＤＢＲ層、ｐ型コンタクト層が係る順に形成される。
【００３５】
ここで、ｎ型ＤＢＲは、例えば、ｎ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、ｐ型ＤＢＲは、例えば、ｐ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、活性層は、ｉ−ＧａＡｓのバルクの層、又は単一量子井戸層、若しくは多重量子井戸層から構成することができる。そして、電流狭窄層は、例えば、ｐ型ＤＢＲ層の所定の領域にプロトンを注入して高抵抗領域とすることにより形成できる。さらに、ｐ型コンタクト層は、例えば、所定濃度のＺｎをドーピングしたＧａＡｓから形成できる。
【００３６】
ｎ型ＧａＡｓ基板のｎ型ＤＢＲが形成されている面の反対側にはｎ型電極が形成され、ｐ型コンタクト層の上にはｐ型電極が形成される。ここで、ｐ型電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。開口は上面視にて略円状に形成され、５μｍから１０μｍの直径を有する。当該開口から近赤外領域の光が出射される。なお、応答速度が１０ＧｂｐｓであるＶＣＳＥＬを発光素子１２５として用いてもよい。さらに、本実施形態の変形例においては、発光波長が１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍであるＶＣＳＥＬを発光素子１２５として用いることもできる。
【００３７】
（受光素子１２９の構成）
第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９は、例えば、面型のフォトダイオード等を受光素子１２９として用いる。本実施形態においては、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを受光素子１２９として用いる。第２の光モジュール１２Ｂは、上述した第１の光モジュール１２Ａの４つの発光素子１２５に対応した４つの受光素子１２９を有する。例えば、４つの受光素子１２９は、所定の方向に沿ってアレイ状に配列されて形成される。なお、４つの受光素子１２９のそれぞれの間隔は、一例として２５０μｍであるが、当該間隔は係る値に限定されるものではない。
【００３８】
本実施形態に係る受光素子１２９は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構造を有する。例えば、受光素子１２９は、ＧａＡｓ基板上に、ｐ型半導体層（ｐ層）と、真性半導体層（ｉ層）と、ｎ型半導体層（ｎ層）とが形成され、ｉ層がｐ層とｎ層との間に形成されるＰＩＮ構造を有する。そして、受光素子１２９は、ｐ層に接続されたｐ側電極と、ｎ層に形成されたｎ側電極とをさらに備え、ｐ側電極は、所定の領域に開口を有する。受光素子１２９は、当該開口の内側において光を受光する。すなわち、当該開口の内側が光を受光する受光部となる。ここで、ＰＩＮフォトダイオードは、波長が８５０ｎｍにおける感度が、例えば、０．２（Ａ／Ｗ）であり、受光部の直径は約１ｍｍである。
【００３９】
本実施形態に係る発光素子１２５としてのＶＣＳＥＬを形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造、及び受光素子１２９としてのＰＩＮフォトダイオードは、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等によって形成される。
【００４０】
（支持基板１２２の構成）
第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂの支持基板１２２は、ガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材料、すなわち、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。例えば、支持基板１２２は、Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ  ４（ＦＲ−４）から形成される。そして、支持基板１２２は、外部回路への実装側となる裏面に銅、金、又はアルミニウム等の導電性材料から形成された複数の端子１２０を有する。
【００４１】
また、支持基板１２２は、端子１２０と同様の材料から形成され、発光素子１２５又は受光素子１２９とワイヤー１２３を介して電気的に接続される複数の端子１２４を有する。さらに、支持基板１２２の制御部１２６が固定される表面には、端子１２０と同様の導電性材料から形成され、スルーホールを介して裏面の複数の端子１２４と電気的に接続する複数の端子１２７が設けられる。ここで、複数の端子１２７は、支持基板１２２の制御部１２６が固定される表面上に予め形成された電力供給用の配線パターンと電気的に接続されている。
【００４２】
（制御部１２６の構成）
制御部１２６は、発光素子１２５を駆動する駆動回路と、受光素子１２９が受光した光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。
【００４３】
（封止樹脂１２８について）
封止樹脂１２８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料から形成され、ワイヤー１２３、制御部１２６、および端子１２７を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、封止樹脂１２８は、主成分をエポキシ樹脂にしてシリカ等の充填材を加えて形成してもよい。
【００４４】
（基板１０の構成）
基板１０の第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂとは、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。そして、第１の基板１０Ａは、第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂを搭載する側の表面に、銅、金、アルミニウム等の導電性材料から形成される複数の端子１１０Ａを有する。
【００４５】
また、第１の基板１０Ａは、図２Ａに示すように、第１の光モジュール１２Ａが設けられる位置に発光素子１２５と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとを光結合させる開口としての開口部１０ａを有する。開口部１０ａは、第１の面としての実装面１３０と、光導波路１０Ｃと接する第２の面とを貫通して設けられる。なお、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとの光結合が可能であれば、開口部１０ａには、発光素子１２５が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。
【００４６】
また、第１の基板１０Ａは、図２Ｂに示すように、第２の光モジュール１２Ｂが設けられる位置に受光素子１２９と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとを光結合させる開口部１０ｂを有する。なお、開口部１０ｂについても開口部１０ａと同様に、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとの光結合が可能であれば、発光素子１２５が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。
【００４７】
（光導波路１０Ｃの構成）
光導波路１０Ｃは、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄと、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの周囲に形成されて第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを覆うクラッド１０１とを有する。第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄは、第１の基板１０Ａの開口部１０ａ、１０ｂに対応する位置に、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに対して４５度に傾斜して設けられる第１の光路変換面としてのミラー１０Ｄを含む。当該ミラー１０Ｄは、発光素子１２５、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄ、及び受光素子１２９の間の光軸上にそれぞれ設けられる。そして、ミラー１０Ｄの周囲にはクラッド１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填され、ミラー１０Ｄの表面は光透過性樹脂１０Ｅによって覆われる。
【００４８】
本実施形態において、光導波路１０Ｃは、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄとクラッド１０１とを含む層の厚さが１００〜２００μｍの範囲で形成される。なお、光導波路１０Ｃは以下のように作成することができる。まず、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに対応する領域に第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの形状のくぼみを有する鋳型を作成する。そして、作成した鋳型に、クラッド用フィルム基材を密着させる。続いて、鋳型のくぼみの領域に、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを形成する材料である硬化性樹脂を充填する。
【００４９】
次に、くぼみ内の硬化性樹脂を硬化させて第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを形成した後、鋳型を取り除く。これにより、クラッド１０１となるクラッド用フィルム基材上に第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄが残される。そして、クラッド用フィルム基材の第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄが形成された面側に、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを覆うクラッド１０１を設ける。これにより、光導波路１０Ｃが作成される。なお、この光導波路１０Ｃの作成方法は、鋳型を用いて光導波路層を形成する方法であるが、他にも、例えば耐熱性の光反応性の高分子材料を直接露光して光導波路を形成する方法なども用いることができる。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄにミラー１０Ｄをさらに設ける。
【００５０】
なお、本実施形態に係るミラー１０Ｄは、第１の基板１０Ａの開口部１０ａ、１０ｂに対応する位置に、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに対して４５度に傾斜して設けられているが、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに対するミラー１０Ｄの角度は４５度に限定されない。また、本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとはそれぞれ、発光素子１２５のみ、又は受光素子１２９のみを有する一方向型の光モジュールであるが、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとはそれぞれ、発光素子１２５と受光素子１２９とを有する双方向型の光モジュールとして形成することもできる。
【００５１】
（光接続確認モジュール３の構成）
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、図３（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図３（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図３（ａ）のＥ−Ｅ線断面図であり、図３（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、図３（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。図４は、本発明の第１の実施の形態に係る図３（ａ）の矢印Ｆ方向から見た光接続確認モジュールの正面図である。なお、図４における光信号２は、図１（ａ）に示す第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播した光信号２を示している。
【００５２】
光接続確認モジュール３は、例えば、クラッド１０１と同じ材料により形成された本体３０と、図１（ａ）に示す光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに対応した位置に設けられた貫通孔３１と、貫通孔３１に設けられた第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄと、を備えて概略構成されている。
【００５３】
また、光接続確認モジュール３の第１の光モジュール１２Ａ側の側面には、図３（ａ）及び図４に示すように、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの間隔の半分の間隔、例えば１２５μｍ間隔で貫通孔が設けられ、さらに、一例として、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄと同じ材料によって第１〜第８のコア３３ａ〜３３ｈが、その貫通孔に設けられている。光信号２は、光導波路１０Ｃを伝播し、第１〜第８のコア３３ａ〜３３ｈの何れかを介して対応する光信号取出部、又は光導波路１０Ｃに伝播する。
【００５４】
さらに、本実施の形態において、第１、第４、第５及び第８のコア３３ａ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｈは、図３（ｃ）及び図４に示すように、光接続確認モジュール３の第１の光モジュール１２Ａ側の側面から入射した光信号２が、第２の光モジュール１２Ｂ側の側面から光導波路１０Ｃに伝播するよう構成されている。
【００５５】
また、第２、第３、第６及び第７のコア３３ｂ、３３ｃ、３３ｆ、３３ｇに入射した光信号２は、図３（ｂ）及び図４に示すように、後述する第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのミラー３２２によって光路変換され、コア３２３に伝播するよう構成されている。
【００５６】
光接続確認モジュール３は、例えば、図４に示す矢印Ｇ方向の後述するスライド操作によって、光導波路１０Ｃを伝播する光信号２の、光接続確認モジュール３を介した通過、又は、遮断を制御することができ、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂと間の光信号２の送受信のオン・オフを行うスイッチ機能を有している。
【００５７】
（第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの構成）
第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄは、図３（ｄ）に示すように、半円柱形状を有して設けられ、光信号２の光路に対して４５度の角度を持って形成された凸部３２１を有する基部３２０と、金属材料の蒸着等の方法によって、凸部３２１上に４５度の角度を持って設けられ、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄから入射した光信号２の光路を垂直方向に変換する第２の光路変換面としてのミラー３２２と、基部３２０の側面に形成され、ミラー３２２によって光路変換された光信号２を光信号取出面としての上面３２４から外部に出射させるコア３２３と、を備えて全体が円柱形状を有するように構成されている。なお、ミラー３２２の角度は、４５度に限定されず、光信号２を取り出す方向に基づいて変更可能である。
【００５８】
基部３２０は、例えば、コア３２３が有する屈折率よりも小さい屈折率を有する樹脂材料等から作製されるが、これに限定されず、クラッド１０１と同一の材料を用いて作製されても良い。コア３２３は、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播する光信号２を可視光として取り出すために本実施の形態で用いられる発光素子１２５の発光波長８４０ｎｍ〜８６０ｎｍで励起される蛍光体を含有している。このような蛍光体として例えば、ユウロピウム（Ｅｕ）、ネオジウム（Ｎｄ）、イツテルビウム（Ｙｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）等の希土類元素を使用することができる。これらの混合物を発光中心として、その発光中心がフッ化物やリン酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩等の酸化物が母体に含まれている無機化合物でも良い。無機の蛍光体であるコア３２３の上面３２４からは、このような蛍光体の励起に基づいて生じる可視光が出射される。
【００５９】
（光接続確認モジュール３の作製方法）
図５Ａ及びＢは、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。以下に、図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら、一例として、第１の光信号取出部３２ａの作製方法について説明する。他の第２〜第４の光信号取出部３２ｂ〜３２ｄについても同様に作製される。
【００６０】
１  まず、図５Ａ（ａ）に示すように、凸部３２１を設けた、半円柱形状を有する基部３２０を形成する。
２  次に、図５Ａ（ｂ）に示す凸部３２１に、金属材料による蒸着等によってミラー３２２を形成する。
４  図５Ａ（ｃ）に示すように、基部３２０の側部とミラー３２２にコア３２３を形成し、全体の形状を研磨し、第１の光信号取出部３２ａを作製する。
５  次に、図５Ｂ（ｄ）に示す矩形状を有する本体３０を用意する。
６  図５Ｂ（ｅ）に示すように、光導波路１０Ｃの第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの間隔に合わせて側面を貫通する８つの貫通孔を開ける。その貫通孔に矩形状の第１〜第８のコア１００ａ〜１００ｈを挿入、又は配置する。
７  図５Ｂ（ｆ）に示すように、光接続確認モジュール３の上面から下面に向かって貫通する貫通孔３１を第２、第３、第６及び第７のコア３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｇの位置に合わせて４つ形成する。
８  図５Ｂ（ｇ）に示すように、貫通孔３１に、第１の光信号取出部３２ａを挿入する。次に、第２〜第４の光信号取出部３２ｂ〜３２ｄを貫通孔に挿入し、光接続確認モジュール３は作製される。なお、光接続確認モジュール３の作製方法は、これに限定されず、また、貫通孔３１が設けられる位置も用途に応じて変更可能である。
【００６１】
（光電子回路基板１の動作）
以下に、第１の実施の形態における光電子回路基板の動作について、前述の図１から図５を参照し、図６及び図７を引用しながら説明する。
【００６２】
（光信号２の送受信について）
一例として、光電子回路基板１の開口１３に光接続確認モジュール３を挿入し、第１の光モジュール１２Ａから第２の光モジュール１２Ｂへ画像信号を送信する場合について説明する。第１の光モジュール１２Ａの制御部１２６は、第２の光モジュール１２Ｂに送信する画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に応じて発光素子１２５への通電を制御する。発光素子１２５には、駆動回路の制御に基づいて、ｐ型電極とｎ型電極との間に所定の電圧が印可される。これにより、画像信号は発光素子１２５が発する光信号２に変換され、発光素子１２５は、光信号２を波長８５０ｎｍのレーザ光として出射する。
【００６３】
そして、図２Ａに示すように、発光素子１２５から発せられたレーザ光の光信号２は、開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃに入射する。
【００６４】
光信号２は、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄに設けられたミラー１０Ｄで所定の方向へ反射される。すなわち、光信号２は、ミラー１０Ｄにおいて光路を９０度変換されて、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄ内を第２の光モジュール１２Ｂの方向に向かって伝播する。光導波路１０Ｃは、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄにミラー１０Ｄが設けられており、クラッド１０１には設けられていないので、開口部１０ａから入射した光信号２はクラッド１０１には入射しない。係る構成によって第２の光モジュール１２Ｂは、光接続確認モジュール３を介して第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播する光信号２だけを受信する。
【００６５】
そして、図２Ｂに示すように、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播した光信号２は、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄの光出射位置側に設けられるミラー１０Ｄに入射する。ミラー１０Ｄは、第１〜第４のコア１００ａ〜１００ｄを伝播した光信号２を第２の光モジュール１２Ｂに搭載された受光素子１２９の方向に反射する。そして、ミラー１０Ｄにおいて光路を９０度変換された光信号２は、開口部１０ｂより出射して第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００６６】
そして、受光素子１２９は、入射した光信号２の光強度に応じてｐ側電極とｎ側電極との間に生じた電圧に対応する電流を、制御部１２６に出力する。制御部１２６は、受光素子１２９から出力される電流を増幅回路で増幅した後に、所定の信号処理を実行する。なお、以下の説明において、光信号２の送受信は、上記に述べた過程を簡略化し、単に「光信号２を受信」及び「光信号２を送信」等と表現するものとする。
【００６７】
（光接続確認操作とセレクト操作について）
図６（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の第１のコア付近の断面図であり、図６（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の第２のコア付近の断面図である。図７（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、図７（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。図７（ａ）及び（ｂ）における光接続確認モジュール３の光取出部に付された黒丸は、光信号２が可視化され、上面３２４から出射している様子を表している。例えば、赤外光を可視化するには、赤外光が照射されると可視光を発光する蛍光材料からなる赤外線センサを用いる。以下に、ユーザが行う光接続確認操作とセレクト操作について説明するが、工場出荷時における検査等に用いることができる。
【００６８】
一例として、第１の光モジュール１２Ａから送信され、光導波路１０Ｃの第１のコア１００ａを伝播する光信号２は、図６（ａ）に示すように、第１のコア１００ａから光接続確認モジュール３の第１の光モジュール１２Ａ側に設けられた第１のコア３３ａを介して、光接続確認モジュール３の第２の光モジュール１２Ｂ側の側面から、再び、光導波路１０Ｃの第１のコア１００ａに伝播する。
【００６９】
また、第３のコア１００ｃを伝播する光信号２も同様に、図４に示す第５のコア３３ｅを介して第２の光モジュール１２Ｂ側の側面から第３のコア１００ｃに伝播し、第２の光モジュール１２Ｂによって受信される。
【００７０】
また、第１の光モジュール１２Ａから送信され、第２及び第４のコア１００ｂ、１００ｄを伝播する光信号２は、図４に示すように、光接続確認モジュール３の第３及び第７のコア３３ｃ、３３ｇを介して、第２及び第４の光信号取出部３２ｂ、３２ｄに入射し、図４及び図６（ｂ）に示すように、ミラー３２２によって光路変換され、コア３２３を介して上面３２４から出射し、可視化されて出射した光信号２をユーザが目視することによって、ユーザは、第２及び第４のコア１００ｂ、１００ｄが正常に第１の光モジュール１２Ａと光接続されていることを確認することができる。
【００７１】
続いて、ユーザが、光接続確認モジュール３に対して、図７（ａ）に示す矢印Ｃ方向にスライド操作を行うと、光接続確認モジュール３は、光導波路１０Ｃのコアとコアの半分の間隔だけ矢印Ｃ方向に移動し、例えば、図４に示す光接続モジュール３の第１のコア３３ａに入射していた光導波路１０Ｃの第１のコア１００ａを伝播する光信号２が、隣接する第２のコア３３ｂに入射する。
【００７２】
また、第３のコア３ｃに入射していた第２のコア１００ｂを伝播する光信号２は、第４のコア３３ｄに入射し、第５のコア３３ｅに入射していた第３のコア１００ｃを伝播する光信号２は、第６のコア３３ｆに入射する。さらに、第７のコア３３ｇに入射していた第４のコア１００ｄを伝播する光信号２は、第８のコア３３ｈに入射する。
【００７３】
このとき、第１及び第３の光信号取出部３２ａ、３２ｃに光信号２が入射するので、図７（ｂ）に示すように、第１及び第３の光信号取出部３２ａ、３２ｃの上面３２４から光信号２が可視光化されて出射し、ユーザは、その可視化された光信号２を目視することによって、ユーザは、第１及び第３のコア１００ａ、１００ｃが正常に第１の光モジュール１２Ａと光接続されていることを確認することができる。
【００７４】
また、図７（ａ）に示す状態のとき、光導波路１０Ｃの第２及び第４のコア１００ｂ、１００ｄを伝播する光信号２は、オフされ、図７（ｂ）に示す状態のとき、光導波路１０Ｃの第１及び第３のコア１００ａ、１００ｃを伝播する光信号２は、オフされるので、光接続確認モジュール３は、スイッチ機能も有している。なお、光信号取出部を光接続確認モジュール３のどのコアに対応させて設置するかによって、同時に光信号２をオン・オフさせる光導波路１０Ｃのコアを選択することができる。
【００７５】
（第１の実施の形態の変形例）
図８Ａ（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図であり、図８Ａ（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光接続確認モジュールの概略図であり、図８Ｂ（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の第１の光モジュール付近の拡大図である。なお、以下の記述において、第１の実施の形態と同一の構成及び機能を有する部分については、第１の実施の形態と同じ符号を付している。
【００７６】
（光電子回路基板１の構成）
図８Ａ及びＢにおける光電子回路基板１は、第１の実施の形態の変形例であり、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂが、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂを結ぶ直線上で、かつ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの近傍に設けられ、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂには、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂが、光信号２の光路に対して９０度の角度をなしてスライド操作を行えるように挿入されている。
【００７７】
光導波路１０Ｃは、図８Ａ（ａ）及び図８Ｂ（ｄ）に示すように、第１〜第８のコア１００ａ〜１００ｈを有し、それに合わせて、第１の光接続確認モジュール３Ａは、図８Ａ（ｂ）に示す第１〜第８の光信号取出部３２Ａ〜３２Ｈを有し、第１の光接続確認モジュール３Ｂは、図８Ａ（ｃ）に示す第９〜第１６の光信号取出部３２Ｉ〜３２Ｐを有して概略構成されている。また、第１の実施の形態と同様に、光導波路１０Ｃのコアに対応した図示しないコアが、光導波路１０Ｃのコアとコアの半分の間隔で光接続確認モジュール３Ａ及び３Ｂの側面に、図４に示すコアの倍の数、設けられている。
【００７８】
（光接続確認操作及び選択操作について）
本変形例における光接続確認操作及び選択操作は、上記した第１の実施の形態と同様に、ユーザが、所定の方向に第１又は第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂに対するスライド操作を行うことによって行われる。
【００７９】
図８Ａ（ａ）に示す光電子回路基板１は、第１の光接続確認モジュール３Ａによって、第１、第２、第５及び第６のコア１００ａ、１００ｂ、１００ｅ、１００ｆの光信号２がオフされている。このときユーザは、図８Ｂ（ｄ）において黒丸で示す、第１、第２、第５及び第６の光信号取出部３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｅ、３２Ｆの上面３２４から出射した可視化された光信号２を目視することによって、第１、第２、第５及び第６のコア１００ａ、１００ｂ、１００ｅ、１００ｆと第１の光モジュール１２Ａとが、正常に光接続されていることが分かる。
【００８０】
また、ユーザが、図８Ｂ（ｄ）に示す矢印Ｈ方向に第１の光接続確認モジュール３Ａに対してスライド操作を行い、例えば、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈと第１の光モジュール１２Ａが正常に光接続されているとき、ユーザは、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈに対応した、第１の光接続確認モジュール３Ａの第３、第４、第７及び第８の光信号取出部３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｇ、３２Ｈの上面３２４から出射した可視光化された光信号２を目視することによって、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈと第１の光モジュール１２Ａとが、正常に光接続されていることが分かる。
【００８１】
さらに、図８Ａ（ａ）に示す状態のとき、光導波路１０Ｃの第１、第２、第５及び第６のコア１００ａ、１００ｂ、１００ｅ、１００ｆを伝播する光信号２は、オフされており、ユーザが、図８Ｂ（ｄ）に示す矢印Ｈ方向に第１の光接続確認モジュール３Ａに対してスライド操作を行うとき、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈを伝播する光信号２をオフすることができるので、光信号２を伝播させるコアを選択することができる。
【００８２】
第２の光接続確認モジュール３Ｂは、図８Ａ（ａ）の状態のとき、第１の光モジュール１２Ａ及び第１の光接続確認モジュール３Ａを介して光導波路１０Ｃの第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈを伝播する光信号２を、図示しないコアを介して第２の光モジュール１２Ｂに伝播させるよう構成されている。
【００８３】
ユーザは、図８Ａ（ａ）に示す矢印Ｉ方向に第２の光接続確認モジュール３Ｂに対してスライド操作を行うとき、図８Ａ（ａ）に示す、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈを伝播する光信号２が、第１１、第１２、第１５及び第１６の光信号取出部３２Ｋ、３２Ｌ、３２Ｏ、３２Ｐに入射し、ユーザは、第１１、第１２、第１５及び第１６の光信号取出部３２Ｋ、３２Ｌ、３２Ｏ、３２Ｐの上面３２４から可視光化された光信号２を目視することで、第３、第４、第７及び第８のコア１００ｃ、１００ｄ、１００ｇ、１００ｈが正常であることが分かる。さらに、第２の光モジュール１２Ｂが受信する光信号２に基づいて光導波路１０Ｃと第２の光モジュール１２Ｂの光接続、又は、第２の光モジュール１２Ｂが正常か否かを判断することができる。
【００８４】
［第２の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、図１０（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図１０（ａ）のＪ−Ｊ線断面図であり、図１０（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図１０（ａ）のＫ−Ｋ線断面図であり、図１０（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、図１０（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。
【００８５】
本実施の形態における光電子回路基板１は、第１の実施の形態と同様に、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの間に開口１３を有し、開口１３には、光接続確認モジュール３Ｃが挿入されている。
【００８６】
（光接続確認モジュール３Ｃの構成）
光接続確認モジュール３Ｃは、本体３０と、本体３０の上面に設けられた４つの貫通孔３１と、側面に設けられた第１〜第８のコア３３ａ〜３３ｈと、貫通孔３１に挿入された第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄと、を備えて概略構成されている。
【００８７】
（第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄの構成）
第２の実施の形態に係る第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄは、図１０（ｂ）に示すように、第２、第３、第６及び第７のコア３３ｂ、３３ｃ、３３ｆ、３３ｇを介して入射する光信号２の一部を反射してコア３２３に入射させるハーフミラー３２２Ａを設けた構成を有する。よって、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続をオフしなくても、光接続確認操作を行うことができる。
【００８８】
（第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄの作製方法）
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の作製工程を示した概略図である。以下に、図１１を参照しながら、一例として、第１の光信号取出部３４ａの作製方法について説明する。他の第２〜第４の光信号取出部３４ｂ〜３４ｄについても同様に作製される。
【００８９】
１  まず、図１１（ａ）に示す円柱形状を有するコア３２５を用意する。
２  次に、図１１（ｂ）に示すように、光信号２に対して４５度の角度を有するように傾斜面を形成する。
３  次に、図１１（ｃ）に示すように、傾斜面に金属材料による蒸着等によってハーフミラー３２２Ａを形成する。
４  次に、図１１（ｄ）に示すように、コア３２５の上に半円柱形状を有する基部３２０を形成する。
５  次に、図１１（ｅ）に示すように、基部３２０の側部とハーフミラー３２２Ａにコア３２３を形成し、全体の形状を円柱形状となるよう研磨し、第１の光信号取出部３２ａを作製する。
６  上記１〜５の工程を経て作製された第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄを第１の実施の形態と同様の工程を経て作製された光接続確認モジュール３Ｃの本体３０に設けられた貫通孔３１に挿入して、光接続確認モジュール３Ｃは作製される。なお、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの作製方法は、これに限定されず、また、貫通孔３１が設けられる位置も用途に応じて変更可能である。
【００９０】
（光接続確認操作と選択操作について）
図１２（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第１のコア付近の断面図であり、図１２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第２のコア付近の断面図である。図１３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、図１３（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。図１３（ａ）及び（ｂ）における光接続確認モジュール３Ｃの光取出部に付された黒丸は、光信号２が可視化され、上面３２４から出射している様子を表している。
【００９１】
第１の実施の形態においては、光信号取出部の上面３２４から光信号２が出射するとき、光信号２が出射した光信号取出部に対応した光導波路１０Ｃのコアに伝播していた光信号２は、光路変換されて取り出されてしまうので、第２の光モジュール１２Ｂに受信されることはなかった。しかし、本実施の形態においては、第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄは、ハーフミラー３２２Ａを有しているので、光信号２の一部が上面３２４から出射している、図１３（ａ）における第２及び第４の光信号取出部３４ｂ、３４ｄ、及び、図１３（ｂ）における第１及び第３の光信号取出部３４ａ、３４ｃは、図１２（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃを伝播する光信号２の一部を上面３２４に向けて反射することにより光路変換し、他の一部は、ハーフミラー３２２Ａ、コア３２５を介して光導波路１０Ｃに伝播するので、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続を遮断、すなわちオフすることなく、ユーザは、光接続等の確認を行うことができる。
【００９２】
また、ユーザは、図１３（ａ）に示す矢印Ｃ方向に光接続確認モジュール３Ｃに対してスライド操作を行うことによって、図１３（ａ）において確認できなかった、第１及び第３のコア１００ａ、１００ｂの光接続の確認を、光接続をオフすることなく、行うことができる。なお、本実施の形態においては、第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄは、ハーフミラー３２２Ａを有しているので、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続のオン・オフを行うことはできない。
【００９３】
（第２の実施の形態の変形例）
図１４Ａ（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図であり、図１４Ａ（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光接続確認モジュールの概略図であり、図１４Ｂ（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の第１の光モジュール付近の拡大図である。
【００９４】
（光電子回路基板１の構成）
図１４Ａ及びＢにおける光電子回路基板１は、第２の実施の形態の変形例であり、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂが、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂを結ぶ直線上で、かつ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの近傍に設けられ、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂには、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅが、挿入されている。
【００９５】
光導波路１０Ｃは、図１４Ａ（ａ）及び図１４Ｂ（ｄ）に示すように、第１〜第８のコア１００ａ〜１００ｈを有し、それに合わせて、第１の光接続確認モジュール３Ｄは、図１４Ａ（ｂ）に示す第１〜第８の光信号取出部３４Ａ〜３４Ｈを有し、第２の光接続確認モジュール３Ｅは、図１４Ａ（ｃ）に示す第９〜第１６の光信号取出部３４Ｉ〜３４Ｐを有して概略構成されている。
【００９６】
第２の実施の形態と同様に、光導波路１０Ｃのコアに対応した図示しないコアが、光導波路１０Ｃのコアとコアの半分の間隔で光接続確認モジュール３Ｄ及び３Ｅの側面に設けられている。また、第１〜第１６の光信号取出部３４Ａ〜３４Ｐは、第２の実施の形態と同様に、図１０（ｂ）に示すハーフミラー３２２Ａを有している。
【００９７】
（光接続確認操作及び選択操作について）
本変形例における光接続確認操作及び選択操作は、上記した第１の実施の形態の変形例と同様に、ユーザが、所定の方向に第１又は第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅに対するスライド操作を行うことによって行われる。
【００９８】
本変形例においては、第１〜第１６の光信号取出部３４Ａ〜３４Ｐがハーフミラー３２２Ａを有しているので、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続をオフすることなく、光接続の確認が行える点が、第１の実施の形態における変形例と異なっている。なお、本変形例においては、第２の実施の形態と同様に、第１〜第１６の光信号取出部３４Ａ〜３４Ｐは、ハーフミラー３２２Ａを有しているので、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続のオン・オフを行うことはできない。
【００９９】
［第３の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図１５は、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、図１６（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、図１６（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの上方図であり、図１６（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。
【０１００】
光電子回路基板１は、第１の光モジュール１２Ａから開口１３までは、第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂを光信号２が伝播し、開口１３から第２の光モジュール１２Ｂまでは、第３〜第６のコア１００ｃ〜１００ｆを有して概略構成されている。
【０１０１】
（光接続確認モジュール３Ｆの構成）
光接続確認モジュール３Ｆは、図１６（ｂ）に示す矢印Ｍ方向から光信号２を入射し、本体３０と、第２の実施の形態における光信号取出部と同様に、ハーフミラー３２２Ａを有する第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄと、本体３０に設けられた第１及び第２の伝送路としてのコア３５ａ、３５ｂ及び３５ｃ、３５ｄと、コア３５ａとコア３５ｂの間に設けられた第４の光路変換面としてのミラー３６ａと、コア３５ｃとコア３５ｄの間に設けられた第４の光路変換面としてのミラー３６ｂと、を備えて概略構成されている。
【０１０２】
コア３５ａ及びコア３５ｂの光信号２が入射する端面は、図１６（ａ）に示すように、ミラー３６ａを挟んで隣接している。同様に、コア３５ｃ及び３５ｄの光信号２が入射する端面は、図１６（ａ）に示すように、ミラー３６ｂを挟んで隣接している。
【０１０３】
これは、ユーザが、図１５に示す矢印Ｃ方向に光接続確認モジュール３Ｆに対してスライド操作を行ったとき、光信号２を隣接するコアに導くためである。なお、本実施の形態におけるコアの間に設けられたミラー３６ａ及び３６ｂは、図１６（ｂ）に示すように、三角形状を有するが、このミラー３６ａ及び３６ｂを本体３０と同じ材料で、本体３０と共に作製し、コアに接する部分のみにミラーを設ける構成、又は、光信号２の入射のときの臨界角に応じて、ミラーを設けない構成としても良い。
【０１０４】
（第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄの構成）
第１〜第４の光信号取出部３４ａ〜３４ｄは、第２の実施の形態における光信号取出部と同様の構成及び機能を有し、図１６（ｂ）に示す光接続確認モジュール３Ｆの貫通孔３１に設けられている。
【０１０５】
（セレクト操作について）
図１７（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、図１７（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。
【０１０６】
光電子回路基板１は、図１７（ａ）に示す状態にあるとき、第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂを伝播する光信号２は、光接続確認モジュール３Ｆのミラー３６ａ、３６ｂによって光路変換され、コア３５ａ、３５ｃを介して第３及び第５のコア１００ｃ、１００ｅに伝播する。
【０１０７】
このとき、光信号２は、コア３５ａに設けられた第１の光信号取出部３４ａのハーフミラー３２２Ａによって一部が光路変換され、第１の光信号取出部３４ａのコア３２３を介して可視光化されて上面３２４から出射する。ユーザは、この可視光化された光信号２を目視することによって、第１の光モジュール１２Ａと第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂとの光接続の確認、及び、第１の光モジュール１２Ａ及び第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂが正常であるか否かの確認を行うことができる。さらに、ユーザは、第３〜第５のコア１００ｃ〜１００ｆのうち、どのコアに光信号２が伝播しているのかを知ることができる。
【０１０８】
ユーザが、図１７（ａ）の状態から図１７（ｂ）の状態になるように、矢印Ｃ方向に光接続確認モジュール３Ｆに対してスライド操作を行うと、光信号２が入射していたコア３５ａ、３５ｃに隣接するコア３５ｂ、３５ｄに光信号２が伝播し、ミラー３６ａ、３６ｂによって光路変換され、光信号２は、コア３５ｂ、３５ｄを介して第４及び第６のコア１００ｄ、１００ｆに伝播する。
【０１０９】
このとき、光信号２は、コア３５ｂ、３５ｄに設けられた第２及び第４の光信号取出部３４ｂ、３４ｄのハーフミラー３２２Ａによって一部が光路変換され、第２及び第４の光信号取出部３４ｂ、３４ｄのコア３２３を介して可視光化されて上面３２４から出射する。ユーザは、この可視光化された光信号２を目視することによって、第１の光モジュール１２Ａと第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂとの光接続の確認、及び、第１の光モジュール１２Ａ及び第１及び第２のコア１００ａ、１００ｂが正常であるか否かの確認を行うことができる。さらに、ユーザは、第３〜第５のコア１００ｃ〜１００ｆのうち、どのコアに光信号２が伝播しているのかを知ることができる。
【０１１０】
ユーザは、光接続確認モジュール３Ｆに対してスライド操作を行うことによって、第１のコア１００ａを伝播する光信号２を、第３及び第４のコア１００ｃ、１００ｄの何れかを選択し、選択されたコアに光信号２を伝播させることができる。同様に、第２のコア１００ｂを伝播する光信号２を、第５及び第６のコア１００ｅ、１００ｆの何れかを選択し、選択されたコアに光信号２を伝播させることができる。なお、光導波路１０Ｃのコアを増やし、光接続確認モジュールを複数設置することによって、第１の光モジュール１２Ａから送信された光信号２を、より多くの光導波路のコアに選択して伝播させることができる。
【０１１１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組み合わせの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＡ−Ａ線における光電子回路基板の中央部分の断面図であり、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＢ−Ｂ線における光電子回路基板の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第１の光モジュール付近の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第２の光モジュール付近の断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図３（ａ）のＥ−Ｅ線断面図であり、（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る図３（ａ）の矢印Ｆ方向から見た光接続確認モジュールの正面図である。
【図５Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。
【図５Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の第１のコア付近の断面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の第２のコア付近の断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。
【図８Ａ】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光接続確認モジュールの概略図である。
【図８Ｂ】（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の第１の光モジュール付近の拡大図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図１０（ａ）のＪ−Ｊ線断面図であり、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図１０（ａ）のＫ−Ｋ線断面図であり、（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る光信号取出部の作製工程を示した概略図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第１のコア付近の断面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第２のコア付近の断面図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。
【図１４Ａ】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。
【図１４Ｂ】（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の第１の光モジュール付近の拡大図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図である。
【図１６】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの上方図であり、（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。
【図１７】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係るスライド操作前の光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係るスライド操作後の光電子回路基板の概略図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１…光電子回路基板、２…光信号、３、３Ｃ、３Ｆ…光接続確認モジュール、３Ａ、３Ｂ…第１及び第２の光接続確認モジュール、３Ｄ〜３Ｅ…第１及び第２の光接続確認モジュール、１０…基板、１０Ａ…第１の基板、１０Ｂ…第２の基板、１０Ｃ…光導波路、１０Ｄ…ミラー、１０Ｅ…光透過性樹脂、１０ａ…開口部、１０ｂ…開口部、１２Ａ…第１の光モジュール、１２Ｂ…第２の光モジュール、１３…開口、１３Ａ、１３Ｂ…開口、３０…本体、３１…貫通孔、３２ａ〜３２ｄ…第１〜第４の光信号取出部、３２Ａ〜３２Ｐ…第１〜第１６の光信号取出部、３３ａ〜３３ｈ…第１〜第８のコア、３４ａ〜３４ｄ…第１〜第４の光信号取出部、３６ａ、３６ｂ…ミラー、１００ａ〜１００…第１〜第４のコア、１０１…クラッド、１１０Ａ…端子、１２０…端子、１２１…ハンダボール、１２２…支持基板、１２３…ワイヤー、１２４…端子、１２５…発光素子、１２６…制御部、１２７…端子、１２８…封止樹脂、１２９…受光素子、１３０…実装面、３２０…基部、３２１…凸部、３２２…ミラー、３２２Ａ…ハーフミラー、３２３…コア、３２４…上面、３２５…コア
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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