(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、
前記液晶層を包囲するシール部と、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、
前記第１基板は前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有し、前記第１遮光層は外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部を含む少なくとも１つの透光部を有し、
前記転移部の少なくとも一部は前記シール部の少なくとも一部と重なって前記少なくとも１つの透光部に設けられており、
前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含み、前記少なくとも１つの透光部に設けられている前記転移部の前記少なくとも一部および前記シール部の前記少なくとも一部の少なくとも一部が前記凹部に設けられている、液晶表示パネル。
【請求項２】
前記凹部は、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂層に形成された貫通孔または穴によって形成されている、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記凹部の深さは、１μｍ以上３μｍ以下である、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記転移部は、光硬化性樹脂を含む転移剤を用いて形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示パネルおよびその製造方法に関し、特に、滴下法を用いる液晶表示パネルの製造方法およびそのような製造方法に適した液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示パネルの大型化が進むに連れて、一対の基板間に液晶層を形成する方法として、従来の真空注入法に代えて、滴下法が採用されつつある。
【０００３】
真空注入法を用いた液晶表示パネルの作製プロセスは、以下の工程を包含している。
【０００４】
（ａ１）液晶表示パネルを構成する一対の基板（典型的にはカラーフィルタ基板およびＴＦＴ基板）の一方の基板上に、シール剤を用いて所定のパターンを形成する。この後、一対の基板を貼り合わせて、シール剤を硬化し、液晶セルを得る。シール剤のパターンは、液晶層が形成される領域（表示領域を包含する領域）を規定するとともに、注入口を形成するように、形成される。
【０００５】
（ａ２）得られた液晶セル内を真空に排気した後、注入口に液晶材料を接触させながら、液晶セル内と外部との気圧差および毛細管現象を利用して、液晶材料を注入する。
【０００６】
（ａ３）その後、注入口を封止剤で封止する。
【０００７】
これに対し、滴下法では、以下の工程をとる。
【０００８】
（ｂ１）一対の基板の内の一方の基板上に、液晶層を形成する領域を包囲するようにシール剤でパターンを形成した後、シール剤のパターンで包囲された領域内に液晶材料を滴下する。
【０００９】
（ｂ２）その後、他方の基板と貼り合せた後、シール剤を硬化する。
【００１０】
滴下法において、シール剤で形成されるパターンは、液晶層が形成される領域を完全に包囲する必要があるので、ディスペンサーなどを用いてシールパターンを描画すると、少なくとも１つの継ぎ目が形成されることになる。
【００１１】
図２１を参照しながら、滴下法におけるシールパターンの特徴を説明する。
【００１２】
図２１は、マザー基板を用いて４枚の液晶表示パネルを作製する例を示している。マザー基板２０は４枚のカラーフィルタ基板を含んでおり、それぞれの表示領域２４には画素に対応して配列されたカラーフィルタおよび対向電極（いずれも不図示）を有している。さらに、カラーフィルタ基板２０は、表示領域１４を囲むように、遮光層（ブラックマトリクス）２２を有しており、遮光層２２は表示領域１４の外縁を規定する。図２１中では、ＴＦＴ基板１０を液晶表示パネルごとに分離して描いているが、マザー基板２０と同様に、４枚のＴＦＴ基板１０を含むマザー基板の段階で、マザー基板２０と貼り合わされる。４枚のＴＦＴ基板１０のそれぞれの表示領域１４には、ＴＦＴ、画素電極、およびゲート信号配線やソース信号配線など必要な回路要素が形成されている。ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０とは、シール部３２によって互いに固定されている。シール部３２は遮光層２２の外側に形成される。
【００１３】
液晶表示パネルにおける表示領域１４よりも外側の部分は非表示領域（または額縁領域）と呼ばれ、出来るだけ狭くすることが望まれている。遮光層２２およびシール部３２は非表示領域に設けられる。
【００１４】
一方、遮光層２２は、表示領域１４内に不要な光が入射するのを防止するために、ある程度の幅が必要である。遮光が不充分であると、黒表示の品位が低下するので、画質への影響が大きい。これら両方の要求を満足するために、遮光層２２の外延の極近傍にシール部２２を精度良く形成する必要が生じる。
【００１５】
しかしながら、描画法で形成されたシール部３２には、少なくとも１つの継ぎ目部分３２ｂが形成される。このシールの継ぎ目部分３２ｂは、シール延設部分３２ａよりも太くなり易い。ここで、シール延設部分３２ａは継ぎ目部分３２ｂを除く部分を指し、その幅はほぼ一定している。延設部分３２ａは、ディスペンサー等のノズルが基板面内を相対的に移動しながらシール剤でシールパターンを描画する部分であるので、シール剤の吐出量とノズルの移動速度とによって決まる。従って、延設部分３２ａの幅は安定する。これに対し、継ぎ目部分３２ｂは、シール剤が最初に付与される部分（シール描画の開始点）を含んでおり、最初に付与されるシール剤の量は、ノズルの先端に滞留しているシール剤の量に依存する。これは、ノズルの位置決め（高さ決めを含む）の時間ばらつきや、シール描画の終点において、ノズルを基板から離すときに、ノズルの先端に残るシール剤の量のばらつきに起因する。このように、シール描画の開始点および終点におけるシール剤の量が一定しないこと、および継ぎ目を形成する必要があることから、継ぎ目部分３２ｂの幅は、延設部分３２ａよりも太くなりやすい。
【００１６】
図２２は、シール継ぎ目部分の近傍の拡大図であり、図２２（ａ）は平面図、図２２（ｂ）は断面図である。
【００１７】
上述したように、継ぎ目部分３２ｂでシールパターンの幅が広くなくと、その一部が遮光層２２と重なってしまう。シール剤としては、光硬化性樹脂（熱硬化を併用するものも含む）が広く用いられており、カラーフィルタ基板２０側から光照射（典型的には紫外線（ＵＶ）照射）を行うと、遮光層２２と重なった部分のシール剤３２’を十分に硬化することが出来ず、その結果、未硬化の光硬化樹脂の成分が液晶材料中に溶出し、主にイオン性成分による液晶表示パネルの電圧保持率の低下や配向不良が発生など、信頼性が低下するという問題がある。
【００１８】
なお、ＴＦＴ基板１０側から光照射することも考えられる。しかしながら、後述するように、ＴＦＴ基板１０側から紫外線を照射する場合、ＴＦＴに紫外線が照射されるのを防止する（例えばＴＦＴ部分を遮光するマスクを用いる）必要がある。これに対し、カラーフィルタ基板２０側から紫外線を照射すれば、カラーフィルが紫外線を十分に吸収するような場合には、これを省略することができる利点がある。少なくとも、ＴＦＴに対するダメージを少なくすることが出来る。
【００１９】
継ぎ目部分３２ｂの一部が遮光層２２と重なることを防止するために、特許文献１は、図２３に示すように、シールを液晶表示パネルの外部にまで描画し、液晶表示パネルの外部で継ぎ目部分３２ｄを形成する方法を開示している。特許文献１は、また、図２４に示すように、シールの描画の開始点または終点３２ｅを液晶表示パネルの外部に形成する方法を開示している。
【００２０】
なお、特許文献２は、液晶表示パネルの角部ではシール部と遮光部との間隔が、辺における間隔の約１．４倍となることを利用し、角部にシールの継ぎ目部分を形成する方法を開示しているが、特許文献１でも指摘されているように、シールの継ぎ目の幅が約１．４
倍を超えると、上記問題に対応できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２００２−１２２８７０号公報
【特許文献２】特開平８−２４０８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
上記特許文献１に記載の方法を用いると、液晶表示パネル内に継ぎ目部分３２ｂを形成する必要がなくなるものの、図２５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板（ＴＦＴマザー基板）１０とカラーフィルタ基板（ＣＦマザー基板）２０とを貼り合せた後、両方のマザー基板１０および２０を同じ分断ラインＣＬに沿って切断する場合にしか適用できない。図２５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０に信号配線引き出し部（ドライバー実装部）を設けるために、ＴＦＴマザー基板１０の分断ラインＣＬ１とＣＦマザー基板２０の分断ラインＣＬ２とが異なる場合、ＴＦＴマザー基板１０上にシール部３２ｔが残り、除去されるべきＣＦマザー基板２０の断片が固定され、除去できなくなるという不都合が生じてしまう。液晶表示パネルの大型化に伴う信号遅延等を抑制するために信号配線引出し部を３辺または４辺に設ける構成においては、図２５（ａ）に示したようなシールパターンを採用することが出来なくなる。また、信号配線引出しが２辺の場合には、図２５（ａ）のパターンを採用することが出来るが、マザー基板１０および２０と同時にシール部３２を切断する必要があり、切断不良が生じやすい。
【００２３】
さらに、特許文献１の方法を採用するためには、液晶表示パネル外まで継ぎ目部分を形成することなくシールパターンを描画できる装置を用意する必要があり、シールパターン描画装置が大型化し、製造コストを上昇させる。
【００２４】
上記特許文献２に記載されている方法では、上記特許文献１に記載されている問題点に加え、本発明者の検討によると、図２６（ａ）および（ｂ）に模式的に示すように、角部においては、継ぎ目部分を形成しなくても、１．４倍を超える幅になることがあり、遮光層２２と重なった部分のシール剤３２ｃ’を十分に硬化することが出来ないという問題が発生することがある。
【００２５】
また、シールの継ぎ目部分や角部だけでなく、上下の基板間で電気的な接続をとるための転移部（例えばコモン転移部）においても同様の問題が発生することがある。
【００２６】
本発明は上記諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、液晶表示パネル内にシール継ぎ目部分や転移部など従来の製造方法ではシールパターンの幅が太くなる部分を形成しても信頼性が低下しない液晶表示パネルを効率良く製造する方法およびそのような製造方法によって製造される液晶表示パネルを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備える液晶表示パネルの製造方法であって、（Ａ）前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有する前記第１基板であって、前記第１遮光層が外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部を含む少なくとも１つの透光部を有する前記第１基板または前記第１基板を含む第１マザー基板と、前記第２基板または前記第２基板を含む第２マザー基板とを用意する工程と、（Ｂ）前記第１基板の前記第１遮光層の外側に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画
する工程であって、（Ｂ１）前記第１基板の前記透光部の近傍からシール剤の付与を開始する工程と、（Ｂ２）前記第１基板の前記第１遮光層の外周に沿って前記シール剤を付与する工程と、（Ｂ３）前記透光部の近傍に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成する工程とを包含する工程と、（Ｃ）前記シール剤によって包囲された前記表示領域内に液晶材料を付与する工程と、（Ｄ）前記液晶材料を間に介して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、（Ｅ）前記工程（Ｄ）の後で、前記第１基板側から光照射することによって前記シール剤を硬化する工程とを包含することを特徴とする。
【００２８】
ある実施形態において、前記第１基板は長方形であって、前記少なくとも１つの透光部は、少なくとも前記長方形の辺に設けられた透光部を含み、前記辺に設けられた透光部において前記継ぎ目部分を形成する。
【００２９】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、前記長方形の辺に設けられた２以上の透光部を含み、前記長方形の辺に設けられた前記２以上の透光部において前記継ぎ目部分を形成する。
【００３０】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、前記長方形の角に設けられた透光部をさらに含む。
【００３１】
ある実施形態において、前記第１マザー基板は、前記第１基板を複数枚含み、前記複数枚の内のある１枚の前記第１基板に対して、前記第１基板の前記２以上の透光部の１つの近傍から開始し、前記第１遮光層の外周に沿って前記シール剤を付与し、他の１つの透光部の近傍で前記シール剤の付与を終える第１描画工程と、前記複数枚の内の他の１枚の前記第１基板に対して、前記第１基板の前記２以上の透光部の１つの近傍から開始し、前記第１遮光層の外周に沿って前記シール剤を付与し、他の１つの透光部の近傍で前記シール剤の付与を終える第２描画工程と、前記第１描画工程の後に、前記ある１枚の前記第１基板に対して、前記第１基板の前記１つの透光部の近傍または前記他の１つの透光部の近傍に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成するように、前記シール剤の付与を開始する第３描画工程と、前記第２描画工程の後に、前記他の１枚の前記第１基板に対して、前記第１基板の前記１つの透光部の近傍にまたは前記他の１つの透光部の近傍に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成するように、前記シール剤の付与を開始する第４描画工程とを包含する。
【００３２】
本発明の他の液晶表示パネルの製造方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備える液晶表示パネルの製造方法であって、（Ａ）前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有する前記第１基板であって、前記第１遮光層が外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部を含む少なくとも１つの透光部を有する前記第１基板または前記第１基板を含む第１マザー基板と、前記第２基板または前記第２基板を含む第２マザー基板とを用意する工程と、（Ｂ）前記第２基板が前記第１基板と貼り合わされたときに、前記第１基板の前記第１遮光層の外側に位置する前記第２基板の領域に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画する工程であって、（Ｂ１）前記第１基板の前記透光部に対応する位置の近傍からシール剤の付与を開始する工程と、（Ｂ２）前記第１基板の前記第１遮光層の外周に対応する領域に沿って前記シール剤を付与する工程と、（Ｂ３）前記透光部に対応する位置の近傍に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成する工程とを包含する工程と、（Ｃ）前記シール剤によって包囲された前記表示領域内に液晶材料を付与する工程と、（Ｄ）前記液晶材料を間に介して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、（Ｅ）前記工程（Ｄ）の後で、前記第１基板側から光照射することによって、前記シール剤を硬化する工程とを包含することを特徴とする。
【００３３】
ある実施形態において、前記第１基板は長方形であって、前記少なくとも１つの透光部は、少なくとも前記長方形の辺に設けられた透光部を含み、前記辺に設けられた透光部に対応する領域において前記継ぎ目部分を形成する。
【００３４】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、前記長方形の辺に設けられた２以上の透光部を含み、前記長方形の辺に設けられた前記２以上の透光部に対応する領域において前記継ぎ目部分を形成する。
【００３５】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、前記長方形の角に設けられた透光部をさらに含む。
【００３６】
ある実施形態において、前記第２マザー基板は、前記第２基板を複数枚含み、前記複数枚の内のある１枚の前記第２基板に対して、前記第１基板の前記２以上の透光部の１つの近傍に対応する領域から開始し、前記第１遮光層の外周に対応する領域に沿って前記シール剤を付与し、他の１つの透光部の近傍に対応する領域で前記シール剤の付与を終える第１描画工程と、前記複数枚の内の他の１枚の前記第２基板に対して、前記第１基板の前記２以上の透光部の１つの近傍に対応する領域から開始し、前記第１遮光層の外周に対応する領域に沿って前記シール剤を付与し、他の１つの透光部の近傍に対応する領域で前記シール剤の付与を終える第２描画工程と、前記第１描画工程の後に、前記ある１枚の前記第２基板に対して、前記第１基板の前記１つの透光部の近傍に対応する領域または前記他の１つの透光部の近傍に対応する領域に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成するように、前記シール剤の付与を開始する第３描画工程と、前記第２描画工程の後に、前記他の１枚の前記第２基板に対して、前記第１基板の前記１つの透光部の近傍に対応する領域または前記他の１つの透光部の近傍に対応する領域に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成するように、前記シール剤の付与を開始する第４描画工程とを包含する。
【００３７】
ある実施形態において、前記液晶表示パネルは、前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含み、前記少なくとも１つの透光部は前記広ギャップ領域の近傍に設けられた透光部を含む。
【００３８】
ある実施形態において、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部を形成するための、光硬化性樹脂を含む転移剤を前記第１基板または前記第２基板に付与する工程を更に包含し、前記転移剤は前記凹部に付与される。
【００３９】
ある実施形態において、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部を形成するための、光硬化性樹脂を含む転移剤を前記第１基板または前記第２基板に付与する工程を更に包含し、前記転移剤は、前記少なくとも１つの透光部の近傍の前記第１基板上、または、前記第１基板の前記透光部に対応する前記第２基板上の位置の近傍に付与される。
【００４０】
ある実施形態において、前記工程（Ｅ）は、前記光照射によって前記転移剤を硬化する工程を包含する。
【００４１】
ある実施形態において、前記転移部は、前記シールパターンと少なくとも一部が重なるように形成される。
【００４２】
ある実施形態において、前記第２基板は前記非表示領域に少なくとも１つの第２遮光層を有し、前記少なくとも１つの第２遮光層は前記第１基板の前記少なくとも１つの透光部
に対応する領域に設けられている。
【００４３】
ある実施形態において、前記第２基板は、ソース信号配線と、ゲート信号配線とを有し、前記少なくとも１つの第２遮光層は、前記ソース信号配線または前記ゲート信号配線と同一の導電層を含む。
【００４４】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、複数の切欠き部または複数の開口部を有し、前記第２遮光層は、前記複数の前記切欠き部または前記複数の開口部の間隙または周辺に対応するように配置される透光部分をさらに有し、前記工程（Ｄ）の後で、前記第２基板側から光照射する工程をさらに包含する。
【００４５】
本発明のさらに他の液晶表示パネルの製造方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含む、液晶表示パネルの製造方法であって、（Ａ）前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有する前記第１基板または前記第１基板を含む第１マザー基板と、前記第２基板または前記第２基板を含む第２マザー基板とを用意する工程と、（Ｂ）前記凹部を有する前記第１基板の前記第１遮光層の外側に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画する工程、または、前記凹部を有する前記第２基板が前記第１基板と貼り合わされたときに、前記第１基板の前記第１遮光層の外側に位置する前記第２基板の領域に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画する工程であって、（Ｂ１）前記第１基板または前記第２基板の前記凹部からシール剤の付与を開始する工程と、（Ｂ２）前記第１基板の前記第１遮光層の外周に沿って、または前記第１基板の前記第１遮光層の外周に対応する前記２基板の領域に沿って、前記シール剤を付与する工程と、（Ｂ３）前記凹部の近傍に付与された前記シール剤と継ぎ目部分を形成する工程とを包含する工程と、（Ｃ）前記シール剤によって包囲された前記表示領域内に液晶材料を付与する工程と、（Ｄ）前記液晶材料を間に介して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、（Ｅ）前記工程（Ｄ）の後で光照射することによって前記シール剤を硬化する工程とを包含することを特徴とする。
【００４６】
本発明にさらに他の液晶表示パネルの製造方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含む、液晶表示パネルの製造方法であって、（Ａ）前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有する前記第１基板または前記第１基板を含む第１マザー基板と、前記第２基板または前記第２基板を含む第２マザー基板とを用意する工程と、（Ｂ）前記凹部を有する前記第１基板の前記第１遮光層の外側に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画する工程、または、前記凹部を有する前記第２基板が前記第１基板と貼り合わされたときに、前記第１基板の前記第１遮光層の外側に位置する前記第２基板の領域に、前記表示領域を包囲するように光硬化性樹脂を含むシール剤でシールパターンを描画する工程と、（Ｂ’）前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部を形成するための、光硬化性樹脂を含む転移剤を前記第１基板または前記第２基板に付与する工程であって、  前記転移剤を前記凹部に付与する工程と、（Ｃ）前記シール剤によって包囲された前記表示領域内に液晶材料を付与する工程と、（Ｄ）前記液晶材料を間に介して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、（Ｅ）前記工程（Ｄ）の後で、光照射することによって前記シール剤および前記転移剤を硬化する工程とを包含することを特徴とする。
【００４７】
ある実施形態において、前記工程（Ｂ）は、（Ｂ１）前記第１基板または前記第２基板の前記凹部からシール剤の付与を開始する工程を包含する。
【００４８】
ある実施形態において、前記凹部を形成する工程は、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂層に貫通孔または穴を形成する形成する工程を包含する。
【００４９】
ある実施形態において、前記凹部を形成する工程は、前記感光性樹脂層にハーフ露光法を用いて穴を形成する工程を包含する。
【００５０】
ある実施形態において、前記第１基板は前記表示領域にカラーフィルタを備える。
【００５１】
本発明の液晶表示パネルは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記液晶層を包囲するシール部とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有し、前記第１遮光層は外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部を含む少なくとも１つの透光部を有し、前記シール部は前記少なくとも１つの透光部において幅が広がっている。
【００５２】
本発明の他の液晶表示パネルは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記液晶層を包囲するシール部と、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は前記非表示領域内の前記表示領域側に設けられた第１遮光層を有し、前記第１遮光層は外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部を含む少なくとも１つの透光部を有し、前記転移部の少なくとも一部は前記少なくとも１つの透光部に設けられていることを特徴とする。
【００５３】
ある実施形態において、前記第１基板は、前記表示領域内にカラーフィルタを有する。
【００５４】
ある実施形態において、前記第２基板は前記非表示領域に少なくとも１つの第２遮光層を有し、前記少なくとも１つの第２遮光層は前記第１基板の前記少なくとも１つの透光部に対応する領域に配置されている。
【００５５】
ある実施形態において、前記第２基板は、ソース信号配線と、ゲート信号配線とを有し、前記少なくとも１つの第２遮光層は、前記ソース信号配線または前記ゲート信号配線と同一の導電層を含む。
【００５６】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの透光部は、スリット状の切欠き部または開口部を含み、前記少なくとも１つの第２遮光層は、前記スリット状の切欠き部または開口部に対向するように配置された複数の遮光部を含む。
【００５７】
本発明のさらに他の液晶表示パネルは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記液晶層を包囲するシール部と、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する転移部とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含み、前記転移部は前記凹部に設けられていることを特徴とする。
【００５８】
本発明のさらに他の液晶表示パネルは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記液晶層を包囲するシール部とを有し、表示領
域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、前記非表示領域内に、前記第１基板と前記第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、前記広ギャップ領域は、前記第１基板または前記第２基板の表面の凹部を含み、前記シール部の一部は前記凹部に設けられている。
【００５９】
ある実施形態において、前記凹部は、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂層に形成された貫通孔または穴によって形成されている。
【発明の効果】
【００６０】
本発明の液晶表示パネルの製造方法は、シール剤の継ぎ目となる部分に対して透光部（切欠きまたは開口部）を有する遮光層を備えた基板を用い、当該基板側から光照射するので、継ぎ目部分のシール剤の硬化が不充分になることを防止することができる。また、シールパターンの幅が広くなる角部や転移部（例えばコモン転移部）に透光部を設けることにより、角部や転移部におけるシール剤の硬化不良も防止することができる。このように、シールパターンの幅が太くなる部分の遮光層にだけ透光部を設けるので、非表示領域の幅を狭く維持できる。尚、一方の基板の透光部を設けた部分に対向する位置の他方の基板側に遮光層を設ければ、遮光層の本来の目的である光漏れ防止効果も損なうことは無い。
【００６１】
また、液晶表示パネル外にシール部を形成する必要が無いので、マザー基板の切断時に不良が発生することもない。さらに、液晶表示パネル内に２以上の継ぎ目部分を設けることによって、シールパターンの描画順序の自由度が増すため、および／または、複数のディスペンサーを用いて同時に描画できるため、シール描画工程のタクトタイムを短縮することができる。また、シールパターンに２以上の継ぎ目部分を設けることによって、比較的小さなシールパターン描画装置を用いて、大型の液晶表示パネルにシールパターンの描画を行うことが可能となり、製造コストの上昇を抑制することができる。
【００６２】
上記基板としてカラーフィルタ基板を用いると、ＴＦＴの紫外線によるダメージを低減できる。さらに、光照射工程において、ＴＦＴを保護するために用いられるマスクを省略することも可能となる。なお、ＴＦＴ基板側からも光照射を行うことによって、硬化に必要な照射時間を短縮することもできる。
【００６３】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、シール継ぎ目部分や転移部などのシールパターンの幅が太くなる箇所の基板の表面に凹部を設け、基板間の間隙が広い領域を形成するので、シールパターンの幅の増大そのものを抑制することができる。また、この凹部と上記透光部とを組合せて用いることによって、両方の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の液晶表示パネルのシールの継ぎ目部分の構成を説明するための模式図である。
【図２】６枚のカラーフィルタ基板をとれるＣＦマザー基板２０にシール描画を行う工程を説明するための模式図である。
【図３】本発明による実施形態の液晶表示パネルの角部におけるシールの構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の３Ｂ−３Ｂ’線に沿った断面図である。
【図４】典型的な液晶表示パネルの平面図である。
【図５】信号配線取り出し部が設けられていない辺に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の５Ｂ−５Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の５Ｃ−５Ｃ’線に沿った断面図である。
【図６】信号配線取り出し部が設けられていない辺に透光部を設けた場合の遮光層の他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の６Ｂ−６Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の６Ｃ−６Ｃ’線に沿った断面図である。
【図７】信号配線取り出し部が設けられていない辺に透光部を設けた場合の遮光層のさらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の７Ｂ−７Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の７Ｃ−７Ｃ’線に沿った断面図である。
【図８】液晶表示パネルの短辺ＳＥ１のゲート信号配線引き出し部ＧＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の８Ｂ−８Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の８Ｃ−８Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の８Ｄ−８Ｄ’線に沿った断面図である。
【図９】液晶表示パネルの短辺ＳＥ１のゲート信号配線引き出し部ＧＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の９Ｂ−９Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の９Ｃ−９Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の９Ｄ−９Ｄ’線に沿った断面図である。
【図１０】液晶表示パネルの短辺ＳＥ１のゲート信号配線引き出し部ＧＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層のさらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１０Ｂ−１０Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１０Ｃ−１０Ｃ’線に沿った断面図である。
【図１１】液晶表示パネルの長辺ＬＥ１のソース信号配線引き出し部ＳＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１１Ｂ−１１Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１１Ｃ−１１Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の１１Ｄ−１１Ｄ’線に沿った断面図である。
【図１２】液晶表示パネルの長辺ＬＥ１のソース信号配線引き出し部ＳＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１２Ｂ−１２Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１２Ｃ−１２Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の１２Ｄ−１２Ｄ’線に沿った断面図である。
【図１３】液晶表示パネルの長辺ＬＥ１のソース信号配線引き出し部ＳＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層のさらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１３Ｂ−１３Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１３Ｃ−１３Ｃ’線に沿った断面図である。
【図１４】実施例の液晶表示パネルにおけるシール部３２および切欠き部２２ａを有する遮光層２２の構成を示す模式図である。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は、一般的な液晶表示パネルの配置を説明するための模式的な平面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、従来のコモン転移部分の構成を説明するための模式的な平面図である。
【図１７】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態の液晶表示パネルのコモン転移部分の構成を説明するための模式図である。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の液晶表示パネルのコモン転移部分の構成を説明するための模式図である。
【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の他の液晶表示パネルのコモン転移部分の構成を説明するための模式図である。
【図２０】樹脂層６１の厚さ（貫通孔６１ａの深さ）とシール部３２の幅を小さくする効果の関係を示すグラフである。
【図２１】滴下法におけるシールパターンの特徴を説明するための図である。
【図２２】（ａ）および（ｂ）は、シール継ぎ目部分の近傍の拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２３】従来のシールパターンの例を示す図である。
【図２４】従来のシールパターンの他の例を示す図である。
【図２５】（ａ）および（ｂ）は、従来のシールパターンの問題点を説明するための図である。
【図２６】（ａ）および（ｂ）は、従来のシールパターンの他の問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００６５】
以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示パネルおよびその製造方法を説明する。
【００６６】
本発明による実施形態の液晶表示パネルは、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０と、カラーフィルタ基板２０と、ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間に設けられた液晶層４０と、液晶層４０を包囲するシール部３２とを有し、表示領域と表示領域の周辺の非表示領域とを備える。カラーフィルタ基板２０は、非表示領域内の表示領域側に設けられた第１遮光層２２Ａを有し、第１遮光層２２Ａは外側の境界の近傍に設けられた切欠き部（透光部）２２ａを有する。シール部３２は、遮光層２２Ａの切欠き部２２ａにおいてその幅が広がっている。遮光層２２Ａの切欠き部２２ａの幅および長さを十分にとっておけば、ここに継ぎ目部分３２ｂを形成すれば、その幅が広がっても遮光層２２Ａと重なることがない。従って、図１（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板２０の裏面側から紫外線を照射しても、シール剤を十分に硬化することが出来る。
【００６７】
なお、シール剤は、紫外線硬化性樹脂に限られず、他の波長の光（例えば可視光）で硬化する樹脂を用いてもよく、種々の光硬化性樹脂を好適に用いることができる。また、光硬化性樹脂とは、所定の波長の光を照射することによって硬化反応が進行する樹脂を指し、光硬化後に、さらに熱硬化を行うことが出来る樹脂を含む。熱硬化を併用することによって、一般に硬化物物性（硬度や弾性率）が向上する。さらに、シール剤には、光硬化性樹脂とともに散乱性を付与するための粒子（充填剤）を混合してもよい。粒子を分散させたシール剤は、光を散乱または拡散反射するので、シール剤内のより広い部分に光を行き渡らせる効果が得られる。
【００６８】
図１（ａ）に示したカラーフィルタ基板２０の遮光層２２Ａは、継ぎ目部分３２ｂの全体に亘る１つの切欠き部２２ａを有しているが、シール剤に十分な光を照射できれば、切欠き部２２ａに限られない。例えば、図１（ｃ）に示す遮光層２２Ｂのように、複数の小さな切欠き部２２ｂをストライプ状に設けても良いし、あるいは、図１（ｄ）に示す遮光層２２Ｃのように、微細な複数の開口部（あな）２２ｃを設けても良い。また、切欠き部や開口部によって、シール剤に光照射を可能とする透光部は、一定の幅で形成する必要は無く、継ぎ目部分３２の幅の広がりを吸収できるように、適宜変更することが出来る。なお、図１（ｃ）や図１（ｄ）に示す切欠き部２２ｂや開口部２２ｃを設けた場合、図１（ａ）の切欠き部２２ａよりもシール剤に光が照射され難いので、基板に直角に入射する光だけでなく反射板などを用いて照射角度をつけるタイプの光照射装置を用いたり、散乱性（拡散反射性）を有するシール剤を用いることが好ましい。
【００６９】
最終的な液晶表示パネルにおいて、遮光層２２Ａに設けた切欠き部２２ａを透過した光によって表示品位が低下することがある。従って、この切欠き部２２ａに対向する位置に別途遮光層を設けることが好ましい。ここで、遮光性テープなどをカラーフィルタ基板２０の外側（観察者側）に貼って良いが、製造工程が増加したり、位置合わせに問題が生じたり、液晶表示パネルを筐体に組み込む際に段差となったりするので好ましくない。そこで、後に具体例を示すようにＴＦＴ基板１０側の対応する位置に遮光層を設けることが好ましい。このとき、ＴＦＴ基板に設けられるソース信号配線および／またはゲート信号配線と同一の導電層を用いて遮光層を形成すれば、工程を増加することなく遮光層を形成することができる。
【００７０】
このような構成を採用すると、工程を複雑にすることなく、継ぎ目部分を液晶表示パネル内に形成してもシール剤を十分に硬化させることができ、且つ、カラーフィルタ基板の遮光層に設けた透光部からの光漏れも効果的に防止することができる。また、カラーフィルタ基板側から光照射するので、ＴＦＴに照射される光は、少なくともカラーフィルを透過することによって減光され、ＴＦＴに対する光照射によるダメージを低減することができる。カラーフィルタだけで十分なレベルまで減光できる場合には、光照射からＴＦＴを保護するためのマスクを用いる必要が無く、更に製造効率が向上する。
【００７１】
次に、図２を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示パネルの製造方法を説明する。
【００７２】
図２は、６枚のカラーフィルタ基板をとれるＣＦマザー基板２０にシール描画を行う工程を説明するための模式図である。本発明による実施形態の液晶表示パネルの製造方法の利点の一つは、以下で説明するように、複数の継ぎ目部分を設けることにより、可動範囲の狭いディスペンサーを用いて、大型の液晶表示パネルを製造できることにある。また、液晶表示パネル内に２以上の継ぎ目部分を設けることによって、シールパターンの描画順序の自由度が増すため、および／または、複数のディスペンサーを用いて同時に描画できるため、シール描画工程のタクトタイムを短縮できるという利点も得られる。
【００７３】
ＣＦマザー基板２０に含まれる６つのカラーフィルタ基板２０（Ａ１〜Ａ３およびＢ１〜Ｂ３）の一枚（例えば図２中のＡ１）について、例えば、点Ｓ１からシール剤の付与を開始する。点Ｓ１は、シールパターンの開始点となる。この点Ｓ１は、カラーフィルタ基板２０の切欠き部２２ａの近傍に設定されている（図では、切欠き部２２ａだけを模式的に示している）。点Ｓ１からシールの描画を開始した後、カラーフィルタ基板２０の遮光層２２の外周に沿ってシール剤を付与し（図２中の実線に従って）、他の切欠き部２２ａの近傍でシール剤の付与を終える。点Ｓ２がシールパターンの終点となる。
【００７４】
この後、カラーフィルタ基板２０Ａ１について、あらため開始点Ｓ１からシール剤の付与を開始し、図２中の破線に従って、終点Ｓ２までシール描画を行うことによって、表示領域を包囲するシール部を形成することが出来る。
【００７５】
このように、複数の継ぎ目部分を設ける構成を採用すると、開始点Ｓ１から終点Ｓ１に至る全範囲を一度の描画する必要が無いので、ディスペンサーのノズル（および／またはマザー基板）の可動範囲が狭くても、シール描画を行うことが出来る。もちろん、十分な可動範囲が得られる場合は、例えば、開始点Ｓ１からシール描画を開始し、カラーフィルタ基板２０の遮光層２２の外周に沿ってシール剤を付与し、点Ｓ２を通過し、再び開始点Ｓ１まで戻り、点Ｓ１において継ぎ目部分を形成しても良い。この場合、継ぎ目部分は点Ｓ１に１つだけ形成されることなる。
【００７６】
さらに、本発明の実施形態の製造方法においては、６枚のカラーフィルタ基板２０（Ａ１〜Ａ３およびＢ１〜Ｂ３）について、それぞれのカラーフィルタ基板２０のシール部３２を順次完成させる必要もなく、例えば、カラーフィルタ基板Ａ１〜Ａ３について、実線部のシールパターンを描画し、次にまたは同時に、カラーフィルタ基板Ｂ１〜Ｂ３の実線部のシールパターンを描画した後、カラーフィルタ基板Ａ１〜Ａ３について、破線部のシールパターンを描画し、次にまたは同時に、カラーフィルタ基板Ｂ１〜Ｂ３の破線部のシールパターンを描画してもよい。
【００７７】
また、ここでは、長方形の基板に対し、短辺に切欠き部２２ａを設けた例を示したが、長辺に切欠き部を設けても良いし、さらに、短辺および長辺の両方に切欠き部を設けて、３以上の継ぎ目部分を形成してもよい。切欠き部２２ａ、すなわち透光部の配置は、ディ
スペンサーの可動範囲、マザー基板の大きさおよびマザー基板内のパネルの配置に応じて適宜設定すればよい。もちろん、切欠き部２２ａに限られず、図１（ｃ）および（ｄ）に示した、複数の切欠き部や複数の開口部、およびこれらを混在させるなど、シール剤に十分な光を照射できるのであれば、切欠き部や開口部の形状に制限はない。但し、後述するように、ＴＦＴ基板に設ける遮光層によって効率良く遮光するためには、適宜形状は配置を設定することが好ましい。
【００７８】
上記の説明においては、ＣＦマザー基板２０にシール描画を行う例を説明したが、ＴＦＴマザー基板１０の対応する領域にシールパターンを描画してもよい。すなわち、カラーフィルタ基板２０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせたときにシール部３２が形成される位置が、カラーフィルタ基板の遮光層２２の透光部２２（切欠き部２２ａなど）と上述の関係となる位置にシールパターンを描画すれば良い。
【００７９】
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法において、シール剤の継ぎ目部分は、液晶表示パネル内に形成され、特許文献１に記載されているように液晶表示パネルの外にシール部分が存在しないので、ＴＦＴマザー基板１０およびＣＦマザー基板２０を液晶パネルに対応させて分断する際に、切断不良が発生することが無く、液晶パネルの３辺以上に信号配線引出し部を設ける場合にも、カラーフィルタ基板の断片を除去できないという問題が発生することがない。
【００８０】
なお、切欠き部２２などの透光部は、継ぎ目部分だけでなく、図３に示すように、角部にも設けることが好ましい。遮光層２２Ｄのように角部に切欠き部２２ｄを設けることにより、角部で太くなったシール剤３２ａ’が遮光層２２Ｄと重なることが防止され、シール剤を十分に硬化することができる。
【００８１】
この角部において、継ぎ目部分を形成してもよいが、継ぎ目部分の検査の容易さを考慮すると、継ぎ目部分は、角を除く辺に形成することが好ましい。辺に継ぎ目部分を形成すると、光学的にシール部の幅を検出することによって、継ぎ目部分の不良の有無を確認することが出来る。すなわち、継ぎ目部分で切れていたり、幅が細くなり過ぎた不良を容易に検出することができる。
【００８２】
次に、図４から図１３を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示パネルの構成をさらに詳細に説明する。
【００８３】
図４は、典型的な液晶表示パネルの平面図を示す。液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１０’と、カラーフィルタ基板２０と、これらを互いに接着固定するシール部３２を有している。ＴＦＴ基板１０’は、２つの長辺ＬＥ１およびＬＥ２と、２つの短辺ＳＥ１およびＳＥ２を有しており、図示の例では、長辺ＬＥ１および短辺ＳＥ１がカラーフィルタ基板２０からはみ出しており、長辺ＬＥ１にソース信号配線引出し部ＳＢ１が設けられ、短辺ＳＥ１にゲート信号配線引き出し部ＧＢ１が設けられている。従って、これらの信号配線引き出し部ＳＢ１およびＧＢ１においては、シール部３２およびカラーフィルタ基板２０の遮光部（不図示）がそれぞれの信号配線と重なることになる。従って、カラーフィルタ基板２０の遮光層に設けられる透光部（切欠き部など）に対応する遮光層をＴＦＴ基板に設ける場合、その位置によって、好ましい構造が異なる。
【００８４】
なお、図４には、信号配線取り出し部が２辺に設けられている例を示しているが、信号配線取り出し部を３辺に設ける構成（例えばゲート信号配線取り出し部を２つの短辺に設ける構成）や、４辺に設ける構成（ゲート信号配線取り出し部およびソース信号配線取り出し部をそれぞれ２辺に設ける構成）もある。
【００８５】
まず、図５、図６および図７を参照しながら、信号配線取り出し部が設けられていない辺（ＳＥ２またはＬＥ２）に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を説明する。図５は、信号配線取り出し部が設けられていない辺に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の５Ｂ−５Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は５Ｃ−５Ｃ’線に沿った断面図である。図６は、他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の６Ｂ−６Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の６Ｃ−６Ｃ’線に沿った断面図である。図７はさらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の７Ｂ−７Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の７Ｃ−７Ｃ’線に沿った断面図である。
【００８６】
シール継ぎ目部分３２ｂを形成する位置に、図５に示すように切欠き部２２ａを設ける場合、図６に示すように複数の切欠き部２２ｂを設ける場合、あるいは図７に示すように複数の切欠き部２２ｂ’および複数の開口部２２ｃ’を設ける場合、いずれの場合においても、カラーフィルタ基板の遮光層２２の透光部（２２ａ、２２ｂ、２２ｂ’、２２ｃ’）に対応するＴＦＴ基板１０の領域には、ゲート信号配線引き出し部またはソース信号引き出し部が存在しないので、必要な領域に遮光層１２ａを形成することができる。このとき、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたゲート信号配線（不図示）と、それを覆うゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜上に形成されたソース信号配線（不図示）と、それを覆う絶縁保護膜１５を有している。このゲート信号配線を形成する導電層をパターニングする際に、遮光層１２ａを残すようにパターニングすることによって、ゲート信号配線の形成と同じ工程で遮光層１２ａを形成することが出来る。このような構成を採用すると、製造工程を増加させることなく、遮光層１２ａをＴＦＴ基板１０に形成することができる。
【００８７】
なお、短辺ＳＥ２には、各画素に設けられる補助容量に所定の信号を供給するための補助容量配線の幹線や、断線が生じた信号配線の電気的な接続を修正するための予備配線が配設される場合がある。これらの配線は、比較的太いので、これらを遮光層として利用することができる。一般に、補助容量配線の幹線や予備配線は、ゲート信号配線を形成する導電層を用い、ゲート信号配線と同じ工程で形成される。このように、液晶表示パネルの短辺側は、遮光層を形成するための設計の自由度が高いので、シール継ぎ目部分は短辺側に設けるのが好ましい。
【００８８】
具体的には、ＴＦＴ基板は以下の工程で作製することができる。
【００８９】
ガラス基板１１に、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮをスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程およびドライエッチング等のエッチング工程により、ゲート信号配線と、ゲート電極とを形成すると同時に、遮光層１２ａを形成する。例えば、ゲート信号配線等と同時に補助容量配線を形成する場合において、短辺ＳＥ２側に補助容量配線の幹線を配置すれば、補助容量配線の幹線を遮光層１２ａとして用いることもできる。
【００９０】
次に、それらの上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１３をプラズマＣＶＤ法により成膜する。その後、ＴＦＴ等のアクティブ素子を形成する。更に、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮをスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ソース信号配線とドレイン電極を形成する。
【００９１】
次に、透明樹脂等の絶縁保護膜１５をスピンコーティング法等で形成し、この絶縁保護膜１５には、その上に形成する画素電極とドレイン電極とをコンタクトするコンタクトホールや補助容量形成用のスルーホールを形成する。この絶縁保護膜１５の上にＩＴＯ等の透明電極をスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て画素電極を形成する。
【００９２】
カラーフィルタ基板は、例えば以下のようにして作製することができる。
【００９３】
ドライフィルム方式、スピンコーティング方式、インクジェット方式等により、ガラス基板２１のＴＦＴ基板の画素に対応するＲＧＢ（レッド・グリーン・ブルー）のカラーフィルタおよびその他の領域に遮光層を形成する。遮光層は、黒色光硬化性樹脂を用いて形成されるので、パターニングの際に同じ工程で、透光部（切欠き部および／または開口部）を形成することができる。
【００９４】
次に、図８、図９および図１０を参照しながら、短辺ＳＥ１のゲート信号配線引き出し部ＧＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を説明する。図８は、液晶表示パネルの短辺ＳＥ１のゲート信号配線引き出し部ＧＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の８Ｂ−８Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の８Ｃ−８Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の８Ｄ−８Ｄ’線に沿った断面図である。図９は、他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の９Ｂ−９Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の９Ｃ−９Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の９Ｄ−９Ｄ’線に沿った断面図である。図１０は、さらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１０Ｂ−１０Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１０Ｃ−１０Ｃ’線に沿った断面図である。
【００９５】
ＴＦＴ基板１０のガラス基板１１上にはゲート信号配線１２ｂが形成されており、ゲート信号配線が遮光層として機能する。但し、図８に示すように切欠き部２２ａを設けた場合は、ゲート信号配線１２ｂの間から光が漏れるので、ソース信号配線と同層の導電層１４ａを用いて、図８（ｄ）に示すように、ゲート信号配線１２ｂの間隙を遮光する複数の遮光部１４ａを形成する。なお、遮光部１４ａをゲート信号配線１２ｂおよびその間隙と重なる単一の遮光層として形成することも可能であるであるが、ゲート絶縁膜１３を介して遮光層とゲート信号配線とが互いに重なると、異物などによって絶縁不良が発生することがあり、場合によってはゲート信号配線間が短絡する危険がある。従って、歩留まりの観点からは、遮光層とゲート信号配線１２ｂとが重ならないように、ゲート信号配線１２ｂの間隙に対応するよう遮光部１４ａを形成することが好ましい。
【００９６】
また、図９（ａ）に示すように、複数の切欠き部２２ｂをゲート信号配線１２ｂと対向するように配置すれば、ゲート信号配線１２ｂだけで十分に遮光することができるので、構成を簡単にできる利点がある。
【００９７】
また、図１０（ａ）に示すように、複数の切欠き部２２ｂ’と複数の開口部２２ｃ’とを設けた場合、切欠き部２２ｂ’をゲート信号配線１２ｂに対応するように配置すれば、開口部２２ｃ’に対応するように、遮光層１４ａを設ければ、透光部からの光を遮光することができる。
【００９８】
次に、図１１、図１２および図１３を参照しながら、長辺ＬＥ１のソース信号配線引き出し部ＳＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を説明する。
【００９９】
図１１は、液晶表示パネルの長辺ＬＥ１のソース信号配線引き出し部ＳＢ１に対応する領域に透光部を設けた場合の遮光層の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１１Ｂ−１１Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１１Ｃ−１１Ｃ’線に沿った断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の１１Ｄ−１１Ｄ’線に沿った断面図である。図１２は、他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１２Ｂ−１２Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１２Ｃ−１２Ｃ’線に沿った
断面図であり、（ｄ）は（ａ）中の１２Ｄ−１２Ｄ’線に沿った断面図である。図１３は、さらに他の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１３Ｂ−１３Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）中の１３Ｃ−１３Ｃ’線に沿った断面図である。
【０１００】
ＴＦＴ基板１０のガラス基板１１上にはソース信号配線１４ｂが形成されており、ソース信号配線１４ｂが遮光層として機能する。但し、図１１に示すように切欠き部２２ａを設けた場合は、ソース信号配線１４ｂの間から光が漏れるので、ゲート信号配線１２ｂと同層の導電層１２ａを用いて、図１１（ｄ）に示すように、ソース信号配線１４ｂの間隙を遮光する複数の遮光部１２ａを形成する。なお、遮光部１２ａをソース信号配線１４ｂおよびその間隙と重なる単一の遮光層として形成することも可能であるであるが、上述と同様に歩留まりの観点からは、ソース信号配線１４ｂの間隙に対応するよう遮光部１２ａを形成することが好ましい。なお、図１１（ｄ）では、ゲート絶縁膜１３の下に遮光部１２ａ、ゲート絶縁膜の上にソース信号配線１４ｂを設けた構成を例示しているが、この構成に限られない。例えば、ＴＦＴの形成プロセスによっては、アクティブエリア（表示領域）内のソース信号配線を額縁領域のソース端子部に接続する途中で、ゲートメタル（ゲート信号配線を形成する導電層）と接続して、ソース端子部の配線をゲートメタルで形成する場合もある。この場合、ゲート絶縁膜１３に対する配線１４ｂおよび遮光部１２ａの積層関係（上下関係）は、図１１（ｄ）に例示した構成と逆になるが、上述の効果を得ることができる。このことは、他の実施形態についても同様である。
【０１０１】
また、図１２（ａ）に示すように、複数の切欠き部２２ｂをソース信号配線１４ｂと対向するように配置すれば、ソース信号配線１４ｂだけで十分に遮光することができるので、構成を簡単にできる利点がある。
【０１０２】
また、図１３（ａ）に示すように、複数の切欠き部２２ｂ’と複数の開口部２２ｃ’とを設けた場合、切欠き部２２ｂ’をソース信号配線１４ｂに対応するように配置すれば、開口部２２ｃ’に対応するように、遮光層１２ａを設ければ、透光部からの光を遮光することができる。
【０１０３】
例えば、本発明による実施形態の液晶表示パネルの製造方法を用いて、１７ＳＸＧＡ型の液晶表示パネルを製造する場合、例えば以下の構成とすることが好ましい。
【０１０４】
図１４は、１７ＳＸＧＡ型の液晶表示パネルにおけるシール部３２および切欠き部２２ａを有する遮光層２２の構成を示す模式図である。
【０１０５】
図１４に示すように、本実施例では、図１に示した切欠き部２２ａを設ける構成を採用した。液晶表示パネルの構造は図４に示したものと同じであり、切欠き部２２ａは、短辺ＳＥ２に設けた。切欠き部３２ｂの遮光には、ＴＦＴ基板に設けた補助容量配線の幹線を用いた。
【０１０６】
ここで、遮光層２２Ａの端部と分断ラインとの間隔Ｗｓは２．３ｍｍとし、切欠き部２２の深さＤを０．３ｍｍ、幅Ｗを１０．０ｍｍとした。なお、遮光層２２Ａの幅（切欠き部２２ａ以外の領域）は約３ｍｍとした。この様なサイズとした理由を以下に説明する。
【０１０７】
用いたディスペンサーで、シール幅（延設部分３２ａの幅）を１．２ｍｍに設定すると、±０．３ｍｍのばらつきが生じた。また、ディスペンサーのノズルの位置合わせ精度は±０．１５ｍｍであった。また、マザー基板の分断精度によって決まるマージンは±約０．２ｍｍであった。従って、１．２ｍｍ＋０．３ｍｍ＋（０．１５ｍｍ×２）＋０．２ｍｍから、遮光層２２Ａの端部から分断ラインとの間隔Ｗｓは２ｍｍ以上必要となる。ここ
では、Ｗｓを２．３ｍｍに設定した。
【０１０８】
また、シールの継ぎ目部分３２ｂの幅の最大値Ｓｍａｘは、２．１ｍｍ程度であった。これに、上記ノズルの位置合わせ精度（０．１５ｍｍ×２）を加え、さらに分断マージン０．２ｍｍを考慮し、切欠き部２２ａにおける遮光層２２Ａの端部から分断ラインとの間隔は２．６ｍｍとした。すなわち、切欠き部２２ａの深さＤを０．３ｍｍに設定した。
【０１０９】
なお、角部は、延設部分より０．１ｍｍから０．１５ｍｍ太くなるため、角部の遮光層を深さ０．１５ｍｍだけ切欠き、遮光層の端部と分断ラインとの最低間隔が２．１５ｍｍとなるようにシールパターンを描画した（図３参照）。
【０１１０】
液晶表示パネルの製造においては、図２を参照しながら説明したように、ＣＦマザー基板２０にシール描画行った。その後、公知の方法で、ＣＦマザー基板２０上に滴下法を用いて液晶材料を滴下し、ＴＦＴマザー基板１０を所定の配置となるように貼り合わせた後、カラーフィルタ基板側から紫外線を照射し、シール剤の硬化を行った。なお、シール剤の硬化は、数ジュール／ｃｍ2の紫外線照射の後、１２０℃で１時間程度熱硬化を併用した。
【０１１１】
得られた液晶表示パネルは、分断時の切断不良も無く、また、シール剤の硬化不良に伴う電圧保持率の低下や、配向不良などの信頼性の低下は見られなかった。また、切欠き部からの光漏れによる表示品位の低下も無かった。
【０１１２】
ＣＦマザー基板２０に液晶材料を滴下し、ＴＦＴマザー基板１０を貼り合せ、そのまま、下側から光照射する、すなわちＣＦマザー基板２０側から光照射する工程を採用すると、シール描画から光照射まで、ＣＦマザー基板２０を下側に配置（カラーフィルタが形成された面を上に向けた配置）で実行できるので、装置やプロセスを簡略にできるという利点も得ることができる。
【０１１３】
シール剤を硬化するための光照射を片側の基板側からのみ行うと、図１（ｃ）、（ｄ）のようなパターンの場合、透光部の面積比率に依存して、十分に硬化するために必要な照射時間が長くなり、時には３倍以上必要となる場合がある。
【０１１４】
これに対し、上述したように、ＣＦ基板の遮光層に複数の切欠き部または複数の開口部を設け、ＴＦＴ基板の遮光層として例えばソース信号配線やゲート信号配線を用いて、切欠き部または開口部からの光を選択的に遮光する構成を採用すると、ソース信号配線やゲートソース信号配線との間は光を透過するので、ＴＦＴ基板側からシール剤に光を照射することができる。このように、ＴＦＴ基板側の遮光層が、ＣＦ基板側の遮光層の複数の切欠き部または複数の開口部の間隙または周辺に対応するように配置される透光部分を有する構成を採用すると、両方の基板側からシール剤に光を照射することができる。その結果、シール剤を硬化するために必要な照射時間を短縮することができる。
【０１１５】
両側から光照射する方法としては、光源を表示パネルの上下に設置すればよい。また、表示パネルを反転させる機構を装置に設けてもよい。この場合、光照射時間は両側照射時の最低必要照射時間の２倍程度になるが、片側照射時の照射時間よりも短くすることができる。なお、シール材料によっては、開口部のエッジから遮光部側へ数十μｍの距離まで光硬化させることが可能であり、このようなシール材料を併用するのが望ましい。
【０１１６】
切欠き部または開口部のパターンは、ストライプ状に限られず、図１（ｄ）のメッシュパターンでも良い。なお、図１（ｄ）には円形の開口部をメッシュ状に配列した例を示しているが、開口部の形状はこれに限られず、四角形であってもよく、パターンの一部に丸
みや屈曲部などを有してもよい。特に、ＴＦＴ基板の信号配線で遮光する場合、信号配線の形状は設計上の制約を受けることが多いので、配線パターンに合わせて開口部のパターンを形成することが好ましい。
【０１１７】
また、シール硬化用光照射装置には、反射板等を用いて、表示パネルの法線方向だけでなく、斜めからも光を照射できる装置が知られており、このように斜め方向からも光を照射できる装置を用いれば、ＣＦ基板の遮光層とＴＦＴ基板の遮光層は、多少オーバーラップしても、シール剤を十分に硬化することができる。例えば、基板間ギャップ程度のオーバーラップがあっても、オーバーラップがない場合と同じ照射条件（照射強度および照射時間）で照射しても、得られた液晶表示パネルの信頼性に差は認められなかった。
【０１１８】
次に、一方の基板の電極を外部への接続端子を有する他方の基板の電極に転移する転移部における問題を説明する。以下では、転移部として、ＣＦ基板の対向電極（コモン電極ともいう。）をＴＦＴ基板上の端子に電気的に接続するための経路を構成するコモン転移部を例にその問題を説明する。
【０１１９】
図１５（ａ）に、一般的なＴＦＴ液晶表示パネルの構成を模式的に示す。図１５（ｂ）は、ＴＦＴ液晶表示パネルの１つの画素の等価回路を示す。
【０１２０】
図１５（ｂ）に示したように、ＴＦＴ６４にソース信号配線６２を接続し、ゲート信号配線６３によって、ＴＦＴ６４を駆動することによって、画素電極６５に所定の信号電圧を供給する。画素電極６５は液晶層４０を介してコモン電極６６と対向し、液晶容量（コンデンサ）を構成している。液晶層４０にＴＦＴ６４を介して信号電圧が印加されることにより、液晶層４０の光学特性が変化し、表示素子として機能する。
【０１２１】
ＣＦ基板２０の液晶層４０側に形成されているコモン電極６６は、コモン転移部６０を介して、ＴＦＴ基板１０’側に転移され、コモン電極端子６６ａに接続される。図１５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０’の非表示領域には、ソース信号配線６２ａおよびゲート信号配線端子６３ａが配置されており、コモン電極端子６６ａは、通常ソース信号配線６２ａと同じ辺に設けられる。
【０１２２】
コモン転移部を形成する転移剤として、光硬化性樹脂と導電性粒子とを含む転移剤が用いられる。導電性粒子は、例えば、粒径が４〜１０μｍ程度の金属粒子や金属皮膜をつけたプラスチックビーズである。転移剤の光硬化性樹脂としては、シール剤に用いられる光硬化性樹脂と同様のものが用いられる。
【０１２３】
このように光硬化性樹脂を含む転移剤を用いてコモン転移部を形成する場合、コモン転移部に光照射するための透過領域を確保するために、額縁領域を広くする必要がある。そこで、コモン転移部とシール部とを少なくとも一部が重なるように形成することが考えられる。しかしながら、たとえシール部内にコモン転移部を形成しても、コモン転移部を含むシール部の幅が太くなり、額縁領域が広くなるという問題が生じる。
【０１２４】
この問題を図１６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。これまでの説明と共通する構成要素は、共通の参照符号で示し、ここでの説明を省略する。
【０１２５】
コモン転移部６０は、シール部３２の近傍に設けられ、ＣＦ基板上の対向電極（いずれも不図示）とＴＦＴ基板上のコモンパッド６０ａとを電気的に接続する。図１６（ｄ）に示すように、シール部３２から離した位置にコモン転移部６０を設けると、非表示領域（額縁）の幅が広くなってしまう。そこで、図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように、シール部３２とコモン転移部６０とが少なくとも一部が重なるように形成することが多い。しかしながら、図１６（ａ）〜（ｃ）に示した場合でも、コモン転移部６０によって、シール剤が押し出されて、シールパターンの幅が太くなった部分３２ｃ（コモン転移シール部分と呼ぶことがある。）が形成される。すなわち、コモン転移シール部分３２ｃは、上述した継ぎ目部分３２ｂと同様に延設部分３２ａ（例えば図１参照）よりも幅が広くなってしまうという問題がある。
【０１２６】
そこで、本実施形態では、コモン転移シール部分３２ｃを硬化するための光を照射する基板側の遮光部に透光部（切欠きまたは開口部）を設ける。
【０１２７】
図１７（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態の液晶表示パネルのコモン転移シール部分の構成を説明するための模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１７Ｂ−１７Ｂ’線に沿った断面図である。
【０１２８】
カラーフィルタ基板２０は、非表示領域内の表示領域側に設けられた第１遮光層２２Ａを有し、第１遮光層２２Ａは外側の境界の近傍に設けられた切欠き部（透光部）２２ａを有する。シール部３２は、遮光層２２Ａの切欠き部２２ａにおいてその幅が広がっている。遮光層２２Ａの切欠き部２２ａの幅および長さを十分にとっておけば、ここにコモン転移シール部分３２ｃを形成すれば、その幅が広がっても遮光層２２Ａと重なることがない。従って、図１７（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板２０の裏面側から紫外線を照射しても、シール剤を十分に硬化することが出来る。もちろん、シール剤に十分な光を照射できれば、切欠き部２２ａに限られない。例えば、先の図１（ｃ）に示した遮光層２２Ｂのように、複数の小さな切欠き部２２ｂをストライプ状に設けても良いし、あるいは、図１（ｄ）に示す遮光層２２Ｃのように、微細な複数の開口部（あな）２２ｃを設けても良いし、他の形状であってもよいのは先の実施形態と同様である。
【０１２９】
次に、シール部の幅が太くなることそのものを抑制する実施形態を説明する。以下に説明する実施形態では、液晶表示パネルの非表示領域内に、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を設け、この広ギャップ領域にシールパターンの幅が太くなる部分を形成する。そのことによって、シールパターンが太くなることを抑制する。広ギャップ領域は、ＣＦ基板またはＴＦＴ基板の液晶層側の表面に凹部を設けることによって形成し、この凹部に転移剤またはシール剤が付与されると、この部分は広ギャップ領域なので表示面内へのシール剤の広がりが抑制される。
【０１３０】
基板の表面に凹部を形成する方法は、種々あるが、例えば、ＴＦＴ基板上に樹脂膜を形成する場合、この樹脂膜の所定の位置にまたは貫通孔を設けることによって形成することができる。例えば、ＴＦＴ基板上に形成されたＴＦＴや信号配線と画素電極との間に形成される層間絶縁膜を形成するための樹脂膜として利用することができる。また、カラーフィルター基板に形成される各種樹脂層（着色樹脂層など）を用いることもできる。
【０１３１】
以下では、ＴＦＴ基板の層間絶縁膜として形成される樹脂層を用いて広ギャップ領域を形成する例を説明する。また、シール部が太くなる部分として、上述したコモン転移シール部分３２ｃを例示するが、これに限られず、継ぎ目部分や角部など、シールパターン幅が太くなるシール部分に広く適用できることは言うまでもない。更に、上述した実施形態で説明したように、遮光層に透光部を設ける構成と任意に組合せてもよい。
【０１３２】
図１８（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の液晶表示パネルのコモン転移シール部分の構成を説明するための模式図であり、（ａ）、（ｃ）および（ｄ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１８Ｂ−１８Ｂ’線に沿った断面図である。
【０１３３】
図１８（ａ）に示すように、シール部３２には樹脂層６１を設け、コモン転移部６０の
樹脂層６１には貫通孔６１ａを形成する。この貫通孔６１ａによって、広ギャップ領域が形成される。なお、ここでは、貫通孔６１ａの大きさをコモンパッド６０ａと同じにした例を示しているが、これに限られない。
【０１３４】
シール部３２は、液晶表示パネルによって決まるギャップ（液晶層の厚さ）となったときに、所定の線幅になるようにシール剤が塗布される。コモン転移シール部分３２ｃが形成される部分のギャップは、樹脂層６１の膜厚分だけ増加する。線状に塗布する際に供給されるシール剤の断面積は一定であるので、樹脂層６１の貫通孔６１ａ部分のシール幅は細くなる。例えば、コモン転移部６０を設けないと、図１８（ｃ）に示すように、凹部のシールの線幅が細くなる。コモン転移剤を付与すると、コモン転移剤の体積に応じて、シール剤が広がるため、図１８（ａ）に示すような構造となる。
【０１３５】
例えば、樹脂層の膜厚を２．５μｍ、樹脂層のシール部分３２の幅を約１０００μｍ、樹脂層のある部分のシール部のギャップを５．５μｍとし、樹脂層の貫通孔６１ａの幅は１２００μｍとし、シールが存在しない場合のコモン転移部６０の直径は５００μｍを目標値とした場合、コモン部シール部分３２ｃの最大幅は１１００μｍとなった。
【０１３６】
本実施形態における樹脂層６１に設ける貫通孔６１aの幅は、コモン転移部６０の直径
もしくはメインシール部（延設部分）の幅の最大値より大きくすることが好ましい。樹脂層に貫通孔を形成しない場合のコモン転移シール部分の最大幅は約１４００μｍであったので、本発明の実施形態によると、コモン転移６０を含むコモン転移シール部分３２ｃの幅は、従来にくらべ３００μｍも狭くできたことになる。このことから、遮光層の切欠き部２２ａの幅を３００μｍ狭くすることが可能であり、先の実施形態よりも更に狭額縁化が可能となる。
【０１３７】
また、コモン転移部６０の直径の目標値を４００μｍとした場合、コモン転移シール部分３２ｃの最大線幅は、約１０００μｍとなった。この場合、メインのシール部３２の幅１０００μｍと等しくなり、図１８（ｄ）に示すように、遮光層２２Ａの切欠き部２２ａも不要となる。
【０１３８】
なお、樹脂層６１の貫通孔６１ａは、必ずしも、シール部の幅全体に渡っている必要は無い。このことを図１９を参照しながら説明する。
【０１３９】
図１９（ａ）〜（ｄ）は、本発明による他の実施形態の液晶表示パネルのコモン転移シール部分の構成を説明するための模式図であり、（ａ）、（ｃ）および（ｄ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の１９Ｂ−１９Ｂ’線に沿った断面図である。
【０１４０】
例えば、図１９（ａ）のように樹脂層６１の貫通孔６１ａがシール部の幅の途中までであっても十分効果が得られる。特に、コモン転移部の仕上り径がシール部の幅に対して小さい場合には、樹脂層６１に貫通孔６１ａ（または凹部）を設けていない側、すなわち図１９（ａ）においては表示領域の反対側へ、コモン転移部６０によってシール剤が押し出されて増加する幅をほとんど無視できるため、このような構成が効果的である。
【０１４１】
また、樹脂層として、他の目的で形成されている樹脂層を利用する場合に、膜厚を厚く選択せざるを得ない場合などは、貫通孔６１ａを設けるとシール部の幅が細くなり過ぎることがあるが、図１９（ａ）に示す構成を採用することによって、十分なシール幅を確保することができる。なお、シール幅が細くなりすぎると、シール部の強度不足に起因する不良が発生する場合などがある。
【０１４２】
図２０に、樹脂層６１の厚さ（貫通孔６１ａの深さ）とシール部３２の幅を小さくする
効果の関係を示す。
【０１４３】
樹脂膜厚が大きいほど（すなわち広ギャップ部のギャップが広いほど）、また、メインのシール幅が大きいほど効果が大きいことがわかる。線幅低減効果は、簡単なシミュレーションでは下式で表せる。
{（メインのシール幅×メインのシール部のギャップ）／（メインのシール部のギャッ
プ＋樹脂の凹部深さ）}＋コモン転移径  −（コモン転移径＋メインのシール線幅）
【０１４４】
ここでいうコモン転移径は、シールと接触しない場合の、コモン転移剤の仕上り径である。上記シミュレーション式は、コモン転移剤の形状を考慮していないため、必ずしも実際と精密には一致しないが、おおむね同程度の効果が得られる。
【０１４５】
なお、上述の効果を実質的に得るためには、ある程度の製造上の線幅ばらつきを吸収できるだけの効果を有する必要があるため、少なくともシール部のギャップ（広ギャップ領域以外のシール部におけるギャップ）の１割程度、ギャップを広くすることが好ましい。また、上記の例では、樹脂層６１に貫通孔６１ａを設ける場合を例示したが、貫通孔に変えて凹部（穴）を設けてもよい。凹部は、例えば感光性樹脂（フォトレジスト）を用いてハーフ露光法によって形成することができる。ハーフ露光法によって形成する場合は、ポジ型感光性樹脂の場合、完全に光分解しない照射時間で露光・現像して凹部（穴）を形成する。逆にネガ型の場合は、完全に光硬化しない照射時間で露光・現像して凹部（穴）を形成する。ハーフ露光法により凹部を形成する場合は、凹部の深さを制御できるという利点がある。また、感光性樹脂層の上下に形成される導電層間のリークを防ぐ必要がある場合には感光性樹脂層に貫通孔を形成できないので、このような場合には穴（凹部）を形成すればよい。
【０１４６】
なお、貫通孔または凹部（穴）を形成する層は層間絶縁膜に限らず、ブラックマトリックス用の樹脂層やオーバーコート用の樹脂層であってもよい。また、感光性樹脂層を用いる貫通孔または凹部の形成を簡便なプロセスで行うことができる。なお、深い貫通孔や凹部を形成することは難しいが、無機材料層を用いてもよい。表面に形成される凹部の深さは、シール幅が細くなり過ぎるなどのデメリットを考慮すると、通常は約１μｍ〜約３μｍ程度の範囲内にあることが好ましい。
【０１４７】
樹脂層の貫通孔または凹部のサイズ、すなわち、広ギャップ領域のサイズとしては、コモン転移部の仕上り幅の最大値より、小さくなるよう設計することが好ましい。図１９に示した実施形態では、シール部の幅の細りを、貫通孔６１ａのパターンおよび配置によっても制御が可能となり、最適構造を選択する幅を広げることが可能となる。例えば、上記と同じ条件で、貫通孔６１ａのエッジが、シール部３２の幅の中心から外側に３００μｍの位置にある場合について、同様の効果を確認した。好適には、シール部の線幅がプロセスばらつきのため最小となった場合でも、シール部の外側のエッジが貫通孔６１ａ内に落ちこまないような位置に貫通孔６１ａのエッジを配置することが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明によると、液晶表示パネル内にシール継ぎ目部分や転移部など従来の製造方法ではシールパターンの幅が太くなる部分を形成しても、信頼性が低下しない液晶表示パネルを効率良く製造する方法が提供される。特に本発明は大型の液晶表示パネルの滴下法を用いて効率良く製造することが可能となる。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  ＴＦＴ基板（ＴＦＴマザー基板）
２０  カラーフィルタ基板（ＣＦマザー基板）
３２  シール部
３２ａ  シール延設部分
３２ａ’  角部シール部
３２ｂ  シール継ぎ目部分
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ  遮光層（カラーフィルタ基板側）
２２ａ  切欠き部（透光部）
２２ｂ  ストライプ状切欠き部
２２ｃ  開口部
４０  液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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