(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装された電子部品と、
前記配線基板上に実装され、その上面に導電性ワイヤがアーチ状に設けられた導体ポストと、
前記導電性ワイヤを露出させて前記導体ポスト及び前記電子部品を被覆する樹脂層と、
前記樹脂層の表面を覆い、前記導電性ワイヤに電気的に接続されたシールド部材とを備えたことを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
配線基板上に電子部品と共に導体ポストを実装する工程と、
前記導体ポストの上面に、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を配設する工程と、
前記金型を用いて、該金型を前記導体に接触させながら前記電子部品及び前記導体ポストを樹脂封止する工程とを含み、
前記導体は、前記導体ポストの上面に導電性ワイヤをアーチ状にボンディングすることによって配設されることを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂封止する工程後、封止樹脂層の表面から露出している前記導体上に導電性接続材料を付着させて、前記封止樹脂層の表面を覆うようにシールド部材を装着する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項４】
前記シールド部材を装着する工程において、前記導体上に前記導電性接続材料を付着させる際に、前記封止樹脂層上の前記導体が露出している部分以外の所要の箇所に接着性材料を付着させることを特徴とする請求項３に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂封止する工程後、前記シールド部材を装着する前に、前記封止樹脂層の表面から露出している前記導体の表面に粗化処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品装置及びその製造方法に関し、より詳細には、配線基板に半導体素子等の電子部品と共に実装された外部接続端子として供される導体ポストを封止樹脂で封止し、その封止樹脂の表面に導体ポストを露出させた構造を有する電子部品装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上述した構造を有する電子部品装置として、基板上に複数の電子部品を搭載してなる回路モジュールが急速に普及している。かかる回路モジュールには、ＩＣ（ＬＳＩ）やハイブリッドモジュール等のように樹脂によって封止されたものや金属製キャップで部品を覆ったもの、金属製キャップに収納されたものなどが存在する。
【０００３】
このうち、金属製キャップに収納されたタイプの回路モジュールのプロセスでは、個々の回路モジュール毎に基板を作製し、当該基板上に電子部品を実装した後、この電子部品を封止樹脂で封止し、更にその上に金属製キャップの装着を行っている。この金属製キャップは、周囲の電磁界、放熱等から電子部品を保護するためのシールド部材としての役割を果たす。かかる回路モジュールは、シールド機能を有していることから、近年急速に普及している「ワンセグ」受信機等の携帯端末機に組み込まれて利用されている。
【０００４】
このようなシールド部材を有したモジュール製品（デバイス）には、基板上に実装されたＩＣチップ等の電子部品の電極端子を外部（シールド部材）に接続するための専用の端子が当該基板上の周辺部分に設けられており、その典型的な形態として金属ポストが設けられている。この金属ポストの高さは、基板上に実装された電子部品の高さよりも高く選定されている。
【０００５】
これにより、金属ポストは、シールド部材が装着されたときに基板上の電子部品がこのシールド部材に接触しないよう支持する役割を果たすと共に、当該デバイスの外部接続端子としての役割を果たしている。このため、基板上の電子部品を覆っている封止樹脂層の表面に金属ポストの上面（外部との接続面）を露出させる必要がある。
【０００６】
その方法の一例としては、樹脂封止の際にリリースフィルム（例えば、ポリエステルやＰＥＴ等からなるシート材の一方の面に接着剤が塗布されたもの）を用いて金属ポストの上面を露出させる方法がある。図５はその一例を示したものである。
【０００７】
図５は樹脂封止を行っている状態（シールド部材を装着する前の状態）を示している。図中、１０は配線基板、１２は配線基板１０のチップ実装面側の最表層に形成された配線層、１２Ｐはこの配線層１２の所要の箇所に画定されたパッド部、２１，２２は配線基板１０に実装されたＩＣチップ等の電子部品、Ｗ１，Ｗ２は電子部品２１，２２の電極端子をそれぞれ対応するパッド部１２Ｐに接続している金属ワイヤ、２３は対応するパッド部１２Ｐに被着された導電性材料、２４はこの導電性材料２３を介して実装された金属ポスト、２５は電子部品２１，２２及び金属ポスト２４を封止するように形成された封止樹脂層、４１，４２は金型、６０はリリースフィルムを示す。
【０００８】
図示のように、樹脂封止（封止樹脂層２５の形成）には金型（上型４１と下型４２）が用いられるが、その上型４１の表面（内部側）に厚めのリリースフィルム６０を貼り付けておき、樹脂封止の際にモジュール製品（基板１０上に電子部品２１，２２及び金属ポスト２４が実装されたもの）を上型４１と下型４２で挟み込み、加熱しながら加圧すると、上型４１に貼り付けられたリリースフィルム６０が金属ポスト２４の頂部に当接する。つまり、金属ポスト２４の頂部がリリースフィルム６０で覆われているので、樹脂封止中に金型（上型４１）が金属ポスト２４の頂部に直接接触することはなく、比較的軟らかい金属材料（鉄（Ｆｅ）など）からなる金型（上型４１）の表面に傷が付くのを防止することができる。また、樹脂封止後にフィルム６０を剥すことでポスト２４の上面が露出するので、この後の段階で装着されるべきシールド部材（金属製キャップ）との接続面を確保することができる。
【０００９】
また、封止樹脂層の表面に金属ポストの上面を露出させる他の方法としては、基板上に実装された電子部品及び金属ポストをすべて封止樹脂により封止した後、その封止樹脂層に埋め込まれた金属ポストの上面が露出するように当該封止樹脂部分を除去する方法がある。図６はその一例を示したものである。
【００１０】
すなわち、図６（ａ）に示すように配線基板１０上の電子部品２１，２２及び金属ポスト２４を樹脂２５で封止した後に、図６（ｂ１）に示すように金属ポスト２４上の樹脂部分を局所的にレーザで除去し、あるいは、図６（ｂ２）に示すように封止樹脂層２５の表面全体を平面的に研磨することで、金属ポスト２４の上面（シールド部材との接続面）を露出させている。
【００１１】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、量産タイプの回路モジュールのプロセスにおいて、封止樹脂部の形成工程で、上金型に分割ラインに沿って突条を設けることで封止樹脂部に溝が形成されるようにし、該溝と封止樹脂部上にシールド層を形成した後、集合基板の分離工程で、上記の溝の幅より狭いブレードを用いて集合基板を切断することにより、封止樹脂部を覆うシールド層の側面が分離面に露出されるようにして、回路モジュールの側面部にもシールド効果をもたせるようにしたものがある。
【特許文献１】特開２００４−２６０１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように従来の技術では、封止樹脂層の表面に金属ポストの上面を露出させるためのいくつかの方法（図５、図６）があるが、金属ポストを搭載するに際してはその搭載高さの公差を考慮する必要があり、また樹脂封止を行う際にも同様に封止高さの公差を考慮する必要があるため、以下に記述するような課題があった。
【００１３】
すなわち、図５に示した方法では、金属ポスト２４の搭載高さの公差や封止樹脂層２５の封止高さの公差を考慮して、金属ポスト２４の少なくとも上面が必ず露出するようにその高さを若干高めに設定しなければならないため、その設定が難しく、煩雑であった。また、上述したように金属ポストはシールド部材を支持する役割を果たすことから、１つのデバイス（モジュール製品）について２個以上の金属ポスト２４を設ける必要があり、各金属ポスト２４の高さのばらつきを抑えることが困難であった。そこで、このばらつきを吸収するためにリリースフィルム６０の厚さを相当厚く（１００μｍ以上）する必要があり、そのため、フィルム代のコストが相当かかり、製造コストの上昇につながるといった問題もあった。
【００１４】
一方、図６に示した方法では、封止樹脂層２５の金属ポスト２４上の樹脂部分を局所的にレーザで除去しているが、上記と同様に金属ポスト２４の搭載高さの公差や封止樹脂層２５の封止高さの公差から、金属ポスト２４上の樹脂の厚さが最も厚くなる場合を想定したレーザの条件が必要である（つまり、金属ポスト２４上の樹脂の厚さが最も厚くなる場合を想定してレーザの出力を高めなければならない）。そのため、そのレーザ照射の際の発熱がモジュール製品に影響を与える可能性があった。また、レーザを用いた処理、平面研磨の処理を必要とするため、その分の工程が増えるといった不利もあった。さらに、封止樹脂層２５の上面から金属ポスト２４の上面までの高さにばらつきがあるため、シールド部材（金属製キャップ）と接続させる際に使用する銀（Ａｇ）ペースト等の導電性材料の塗布量をコントロールすることが困難であるといった問題もあった。
【００１５】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、ポストの搭載高さの公差等に影響されることなく、外部との接続面（ポストの上面）を容易に露出させることができ、樹脂封止の際に使用していたリリースフィルムを不要としてコストの低減化に寄与することができる電子部品装置の製造方法及び電子部品装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、配線基板上に電子部品と共に導体ポストを実装する工程と、前記導体ポストの上面に、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を配設する工程と、前記金型を用いて、該金型を前記導体に接触させながら前記電子部品及び前記導体ポストを樹脂封止する工程とを含み、前記導体は、前記導体ポストの上面に導電性ワイヤをアーチ状にボンディングすることによって配設されることを特徴とする電子部品装置の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の一形態に係る電子部品装置の製造方法によれば、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を導体ポストの上面に配設しておき、樹脂封止の際に、この導体に金型を接触させながら電子部品及び導体ポストの樹脂封止を行っているので、金型が接触している導体の上面に樹脂が付着することはなく、金型から外したときに、導体ポストの上面に設けられた導体の上面を封止樹脂層の表面から確実に露出させることができる。
【００１８】
このように本発明によれば、導体ポスト上に設けた導体を有効に利用しているので、ポストの搭載高さの公差等に影響されることなく、外部（例えば、シールド部材）との接続面となる導体ポストの上面（その上に設けた導体の上面）を容易に露出させることが可能となる。
【００１９】
また、樹脂封止の際に従来使用していた高価なリリースフィルム６０（図５）が不要となるので、コストの低減化に寄与することができる。さらに、金型よりも軟らかい材料からなる導体が介在しているので、樹脂封止中に金型が導体の上面に接触しても、金型の表面に傷が付くのを防ぐことができる。
【００２０】
また、本発明の他の形態によれば、配線基板と、前記配線基板上に実装された電子部品と、前記配線基板上に実装され、その上面に導電性ワイヤがアーチ状に設けられた導体ポストと、前記導電性ワイヤを露出させて前記導体ポスト及び前記電子部品を被覆する樹脂層と、前記樹脂層の表面を覆い、前記導電性ワイヤに電気的に接続されたシールド部材とを備えたことを特徴とする電子部品装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１〜図４は本発明の一実施形態に係るモジュール製品（電子部品装置）の製造方法を工程順に従って断面図の形態で示したものである。
【００２３】
先ず図４を参照すると、本実施形態に係るモジュール製品（電子部品装置）５０は、基本的には、配線基板１０と、この配線基板１０に実装された所要の電子部品（本実施形態では、ＩＣやＬＳＩ等のチップ部品２１，２２）と、配線基板１０上でチップ部品２１，２２の周囲の領域に実装された金属ポスト２４と、各チップ部品２１，２２及び金属ポスト２４を封止するように形成された封止樹脂層２５と、この封止樹脂層２５上に装着された金属製シールドケース３０とを備えて構成されている。
【００２４】
配線基板１０は、プラスチックパッケージにおいて一般に用いられているものと同等の樹脂基板１１を使用しており、この樹脂基板１１の両面にそれぞれ所要の形状にパターニングされた配線層１２及び１３と、各配線層１２，１３のそれぞれ所要の箇所に画定されたパッド部１２Ｐ、１３Ｐを露出させて両面を覆うように形成された絶縁性の保護膜（ソルダレジスト層）１４及び１５とを備えている。
【００２５】
また、チップ実装面側のソルダレジスト層１４から露出するパッド部１２Ｐのうち、金属ポスト２４が実装されるパッド部１２Ｐには導電性材料２３が被着されており、この導電性材料２３を介して金属ポスト２４が当該パッド部１２Ｐに接合されている。本実施形態では、金属ポスト２４は立方体の形状を有している。
【００２６】
一方、チップ実装面側と反対側のソルダレジスト層１５から露出するパッド部１３Ｐは外部に露出させた状態のままである。つまり、配線基板１０は、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型のパッケージ構造を有している。図示の例では、パッド部１３Ｐを露出させているが、必ずしも露出させた状態のままにしておく必要はない。最終的に本製品５０がプリント配線板等のマザーボードに実装されることを考慮すると、当該パッド部１３Ｐにあらかじめはんだボール等の外部接続端子を接合させておいてもよい。この場合、配線基板１０はＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型のパッケージ構造を有する。
【００２７】
また、配線基板１０に実装された電子部品２１，２２は、それぞれの電極端子が金属ワイヤＷ１，Ｗ２を介してそれぞれ対応するパッド部１２Ｐに接続（ワイヤボンディング）されている。また、金属ポスト２４の上面には、本発明を特徴付ける金属ワイヤＷ３，Ｗ４が設けられている。各金属ワイヤＷ３，Ｗ４は、後述するように樹脂封止の際に用いられる金型よりも軟らかい材料から形成されている。本実施形態では、２本のワイヤＷ３，Ｗ４は、特に図１（ｂ）に明示されるように断面的に見てアーチ状に、かつ、平面的に見て十字状に交差するようにボンディングされている。
【００２８】
また、金属製シールドケース３０はグランド（ＧＮＤ）として機能し、封止樹脂層２５の表面から露出している金属ワイヤＷ３，Ｗ４上に付着させた導電性接続材料２６と、金属ワイヤＷ３，Ｗ４が露出している部分以外の所要の箇所に付着させた絶縁性の接着剤２７とを介して、封止樹脂層２５上に装着されている。つまり、導電性接続材料２６を介して金属製シールドケース３０と金属ポスト２４との電気的な接続が確保され、接着剤２７を介して金属製シールドケース３０と封止樹脂層２５とが機械的に接合され、モジュール製品５０全体としての強度が確保されている。
【００２９】
本実施形態に係る電子部品装置（モジュール製品）５０を構成する各部材の材料等については、以下に記述する製造方法の各工程に関連付けて適宜説明する。
【００３０】
以下、本実施形態に係る電子部品装置５０を製造する方法について、その製造工程を順に示す図１〜図４を参照しながら説明する。
【００３１】
先ず最初の工程では（図１（ａ）参照）、所要の配線基板１０を準備し、そのチップ実装面側に所要の数のチップ部品２１，２２（ＣＰＵやＤＳＰ等の能動素子、キャパシタ素子、抵抗素子、インダクタンス素子等の受動素子など）と共に、外部接続端子として供される立方体形状の金属ポスト２４を実装する。
【００３２】
配線基板１０を構成する樹脂基板１１の形態としては、図示のように少なくとも最表層に配線層１２，１３が形成された基板であって、各配線層１２，１３が基板内部を通して電気的に接続されている形態のものであれば十分である。樹脂基板１１の内部には配線層が形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。本発明を特徴付ける部分ではないので詳細な図示を省略しているが、樹脂基板１１の内部に配線層が形成されている形態の場合には、基板内部で絶縁層を介在させて形成された各配線層及び各配線層間を相互に接続するビアホール（に充填された導体）を介して最表層の配線層１２，１３が相互に電気的に接続されている。この形態の基板としては、例えば、ビルドアップ法により形成され得る多層配線基板がある。これは、ガラス−エポキシ基板等のコア基板を中心としてその両面に、導体パターン（典型的に銅（Ｃｕ）の配線層）の形成、絶縁層（例えば、エポキシ系の樹脂）の形成、絶縁層におけるビアホールの形成を順次繰り返して多層配線構造とし、最終的に最表層の配線層１２，１３をソルダレジスト層（例えば、エポキシ系の樹脂）１４，１５で被覆し、その所要の箇所を開口して導体パターンの一部（パッド部１２Ｐ，１３Ｐ）を露出させるものである。一方、樹脂基板１１の内部に配線層が形成されていない形態の場合、この樹脂基板１１の所要の箇所に適宜形成されたスルーホールを介して最表層の配線層１２，１３が相互に電気的に接続されている。
【００３３】
また、配線基板１０の両面から露出する各パッド部１２Ｐ（Ｃｕ），１３Ｐ（Ｃｕ）には、金属ワイヤやはんだ、はんだボール等の外部接続端子が接合されるので、その表面にニッケル（Ｎｉ）めっき及び金（Ａｕ）めっきをこの順に施しておくのが望ましい。これは、金属ワイヤ等を接合したときのコンタクト性を良くするため（Ａｕ層）と、このＡｕ層とパッド部（Ｃｕ）との密着性を高め、ＣｕがＡｕ層中へ拡散するのを防ぐため（Ｎｉ層）である。
【００３４】
また、金属ポスト２４の実装に際しては、その対応するパッド部１２Ｐ上に導電性材料２３としてはんだを被着させておき、このはんだ２３を溶融させて金属ポスト２４を実装する。はんだ２３には、例えば、共晶はんだや鉛フリーはんだ（Ｓｎ（錫）−Ａｇ（銀）系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系など）が用いられる。
【００３５】
また、金属ポスト２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）が用いられる。本実施形態では、当該デバイス（電子部品装置５０）毎に２個の金属ポスト２４が含まれている。すなわち、配線基板１０は後の段階で各デバイスに対応させて四角形状に個片化（ダイシング）されるが、２個の金属ポスト２４は、その個片化された基板上で対角線上に位置するように配置されている。また、金属ポスト２４の高さは、基板上に実装されたチップ部品２１，２２の高さよりも高く選定されている。これにより、金属ポスト２４は、外部接続端子としての機能に加え、最終的に金属製シールドケース３０が装着されたときに各チップ部品２１，２２がこの金属製シールドケース３０に接触しないよう支持する機能を有している。
【００３６】
次の工程では（図１（ｂ）参照）、配線基板１０に実装されたチップ部品２１，２２の電極端子をそれぞれ対応する基板上のパッド部１２Ｐに金属ワイヤＷ１，Ｗ２で接続（ワイヤボンディング）し、さらに、金属ポスト２４上にも金属ワイヤＷ３，Ｗ４でボンディングを施す。
【００３７】
各金属ワイヤＷ１〜Ｗ４には、当該技術分野で一般に用いられている金（Ａｕ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）からなるワイヤが用いられる。ただし、金属ポスト２４上にボンディングされる金属ワイヤＷ３，Ｗ４については、後述する樹脂封止の際に用いられる金型（金属）よりも軟らかい材料から形成されている必要がある。
【００３８】
金属ポスト２４上でのワイヤボンディングは、図示のように２本のワイヤＷ３，Ｗ４をそれぞれ断面的に見てアーチ状に、かつ、平面的に見て十字状に（図示せず）交差するように行っている。図示の例では、金属ポスト２４上に２本のワイヤＷ３，Ｗ４でボンディングを行っているが、１本のワイヤをアーチ状にボンディングしてもよい。
【００３９】
次の工程では（図２参照）、金型（上型４１と下型４２）を用いて樹脂封止（封止樹脂層２５の形成）を行う。これは、例えば以下のようにして行うことができる。
【００４０】
先ず、上型４１と下型４２に分かれた封止金型を用意し、これを所定温度（１７５℃前後）に加熱する。次に、下型４２上に樹脂封止対象物（基板１０上に電子部品２１，２２及び金属ポスト２４が実装され、金属ポスト２４上に金属ワイヤＷ３，Ｗ４がボンディングされたもの）を装着し、更にこの上に封止樹脂として密着力の高いタブレット状の熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を載せる。そして、この上に上型４１を当接させて挟み込み、封止金型の熱とプレスによる圧力で熱硬化性樹脂を溶融して基板全面に広げ（３分程度）、金型内で保持しながら熱硬化性樹脂を硬化させる処理（キュア）を行う（４時間程度）。
【００４１】
これによって、上型４１により金属ワイヤＷ３，Ｗ４が押しつぶされながら（つまり、金型を当該ワイヤに接触させながら）封止樹脂２５が充填される。このように樹脂封止を行った後、封止樹脂層２５が形成された配線基板１０を金型４１，４２から取り外す。
【００４２】
これにより、金属ポスト２４の上面にボンディングされた金属ワイヤＷ３，Ｗ４が封止樹脂層２５の表面から露出した構造体（図３（ａ））が作製されたことになる。
【００４３】
次の工程では（図３（ａ）参照）、封止樹脂層２５から露出した金属ワイヤＷ３，Ｗ４の表面に粗化処理を施す。これは、露出しているワイヤＷ３，Ｗ４の部分は面積的に非常に小さく微細であるため、最終的に金属製シールドケース３０を装着する際に使用する導電性材料２６が当該ワイヤ上に付着し難いことも想定され、かかる不都合を解消するために行うものである。例えば、レーザにより、金属ワイヤＷ３，Ｗ４の表面を軽く削ることで表面を荒らすことができる。これにより、露出しているワイヤＷ３，Ｗ４の面積が相対的に増えるので、導電性材料２６が付着し易くなり、導電性材料２６との電気的な接続を確実なものにすることができる。
【００４４】
次の工程では（図３（ｂ）参照）、前の工程で得られた構造体（基板１０上に電子部品２１，２２及び金属ポスト２４が実装され、金属ポスト２４の上面にボンディングされた金属ワイヤＷ３，Ｗ４が封止樹脂層２５の表面から露出し、さらに金属ワイヤＷ３，Ｗ４の表面に粗化処理が施された構造体）を、ダイサー等により、各デバイス単位に切断して個片化する。
【００４５】
最後の工程では（図４参照）、前の工程で各デバイス単位に個片化（ダイシング）された構造体に対し、金属製シールドケース３０を装着する。シールドケース３０の材料としては、ステンレス鋼板（ＳＵＳ３０４）が用いられる。これは、封止樹脂層２５の表面から露出している金属ワイヤＷ３，Ｗ４上に導電性接続材料２６を付着させ、かつ、金属ワイヤＷ３，Ｗ４が露出している部分以外の所要の箇所に接着剤２７を付着させ、さらにその上に金属製シールドケース３０を、封止樹脂層２５の表面を覆うように配置して、導電性接続材料２６及び接着剤２７を溶融、硬化させることで、実施することができる。
【００４６】
導電性接続材料２６及び接着剤２７は、それぞれの塗布性や強度、温度／時間等の硬化条件などを考慮して適宜選定される。導電性接続材料２６としては、例えば、Ａｇペーストやはんだペースト等が用いられる。また、接着剤２７としては、例えば、熱硬化型接着剤や紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤等を使用することができる。
【００４７】
これによって、金属製シールドケース３０と金属ポスト２４とが金属ワイヤＷ３，Ｗ４及びＡｇペースト２６等を介して電気的に接続され、金属製シールドケース３０と封止樹脂層２５とが接着剤２７を介して機械的に接合され、モジュール製品５０全体としての強度が確保される。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態に係るモジュール製品（電子部品装置）３０の製造方法によれば、ワイヤボンディング技術を利用して金属ポスト２４上に金属ワイヤＷ３，Ｗ４をアーチ状にボンディングしておき（図１（ｂ））、樹脂封止の際に上型４１により金属ワイヤＷ３，Ｗ４を押しつぶしながら（つまり、金型を当該ワイヤに接触させながら）封止樹脂２５を充填しているので（図２）、押しつぶされた部分のワイヤＷ３，Ｗ４上には樹脂２５が付着することはなく、金型４１，４２から外したときに（図３（ａ））、金属ポスト２４の上面にボンディングされた金属ワイヤＷ３，Ｗ４の上面は封止樹脂層２５の表面から確実に露出させることができる。
【００４９】
このように本実施形態に係る方法では、ワイヤボンディング技術により金属ポスト２４上に設けたアーチ状の金属ワイヤＷ３，Ｗ４を有効に利用しているので、金属ポスト２４の搭載高さの公差や封止樹脂層２５の封止高さの公差に影響されることなく、金属製シールドケース３０との接続面（ポスト２４上に設けたワイヤＷ３，Ｗ４の上面）を容易に露出させることが可能となる。
【００５０】
また、金型４１，４２よりも軟らかい材料からなる金属ワイヤＷ３，Ｗ４が介在しているので、樹脂封止中に金型（上型４１）が金属ワイヤＷ３，Ｗ４の上面に接触しても、金型（上型４１）の表面に傷が付くのを防止することができる。
【００５１】
また、樹脂封止の際に従来使用していた高価なリリースフィルム６０（図５）が不要となるので、コストの低減化に寄与することができる。また、従来のようにレーザを用いた処理（図６（ｂ１））、平面研磨の処理（図６（ｂ２））も不要となるため、金属ポスト２４の搭載高さの公差等に基づいてレーザの条件を設定する必要もなく、その結果、そのレーザ照射の際の発熱がモジュール製品に何らかの影響を及ぼす可能性も排除することができ、さらに、工程の簡素化にも寄与することができる。
【００５２】
上述した実施形態では、金属ポスト２４の上面に導体として金属ワイヤＷ３，Ｗ４を使用した場合を例にとって説明したが、本発明の要旨からも明らかなように、ポストの上面に配設すべき導体の形態が金属ワイヤに限定されないことはもちろんである。要は、金型を用いて樹脂封止を行ったときに金型の表面に傷を付けるおそれのない材料（金型よりも軟らかい材料）から構成された導体、あるいは、少なくともその表層部分のみが導電性材料からなり、全体として金型よりも軟らかい構造体であれば十分である。例えば、コア部分が樹脂からなり、その樹脂の周囲をはんだ等の導電性材料で覆った球状体（樹脂コアボール）を金属ポスト２４の上面に配設してもよい。
【００５３】
また、上述した実施形態では、配線基板１０として樹脂基板１１を使用した場合を例にとって説明したが、使用する配線基板が樹脂基板に限定されないことはもちろんである。例えば、セラミックパッケージにおいて用いられているセラミック基板や、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）において用いられているシリコン基板の形態であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るモジュール製品（電子部品装置）の製造方法を説明するための工程（その１）を示す断面図である。
【図２】図１の工程に続く工程（その２）を示す断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程（その３）を示す断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程（その４）を示す断面図である。
【図５】モジュール製品（電子部品装置）のプロセスにおいて封止樹脂層の表面に金属ポスト（上面）を露出させるための方法の一例を説明するための図である。
【図６】モジュール製品（電子部品装置）のプロセスにおいて封止樹脂層の表面に金属ポスト（上面）を露出させるための方法の他の例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…配線基板、
２１，２２…ＩＣチップ（電子部品）、
２４…金属ポスト（導体ポスト）、
２５…封止樹脂層、
２６…導電性ペースト（導電性接続材料）、
２７…接着剤（接着性材料）、
３０…金属製シールドケース（シールド部材）、
４１，４２…金型、
５０…モジュール製品（電子部品装置）、
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…金属ワイヤ。
【図１】
0005248918.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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