(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線パターンが形成された基板上の欠陥を修正する欠陥修正装置であって、
前記基板上の欠陥部位を抽出する欠陥抽出部と、
該欠陥抽出部で抽出された欠陥部位の前記基板上における位置情報を抽出する位置情報抽出部と、
その時点のプロセス情報を入手し、該プロセス情報と前記位置情報抽出部で抽出された前記欠陥部位の位置情報とに基づいて、前記基板の設計情報から、その時点における当該欠陥部位の周辺または下地の状態を示す膜情報を得る膜情報取得部と、
前記欠陥抽出部で抽出された前記欠陥部位の特徴量を数値化する特徴抽出部と、
該特徴抽出部で数値化された特徴情報に基づいて欠陥種別を分類する欠陥分類部と、
前記欠陥部位の前記位置情報、前記特徴情報、前記欠陥種別及び前記膜情報に基づいて前記欠陥部位の欠陥修正方法を生成する修正方法生成部と、
該修正方法生成部で生成された欠陥修正方法に基づいて欠陥修正機構を動作させて欠陥修正を行う制御部とを備える
欠陥修正装置。
【請求項２】
前記欠陥修正機構は、
レーザ発信器と、
レーザ光を通過させる開口面積及び光軸と直交する面内における開口角度を可変するスリットと、
前記基板を搭載し光軸と直交する面内を移動するステージと、
光軸を微小移動させる光軸移動部とを含み、
レーザ光照射時、前記ステージの位置を保持しながら、前記光軸移動部を使用してレーザ光照射位置を調整する
請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項３】
複数の配線パターンが形成された基板上の欠陥を修正する欠陥修正装置を用いた欠陥修正方法であって、
前記基板上の欠陥部位を抽出する過程と、
前記欠陥部位の前記基板上における位置情報を取得する過程と、
その時点のプロセス情報を入手し、該プロセス情報と前記欠陥部位の位置情報とに基づいて、前記基板の設計情報から、その時点における当該欠陥部位の周辺または下地の状態を示す膜情報を取得する過程と、
前記抽出された欠陥部位の特徴量を数値化し特徴情報を生成する過程と、
前記特徴情報に基づいて欠陥種別を分類する過程と、
前記欠陥部位の前記位置情報、前記特徴情報、前記欠陥種別及び前記膜情報に基づいて前記欠陥部位の欠陥修正方法を生成する過程と、
前記生成された欠陥修正方法に基づき欠陥修正機構を動作させて欠陥修正を行う過程とからなる
欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等の基板上に形成されたデバイスパターンや配線パターンにおける欠陥を自動的に修正するのに適した、欠陥修正装置及び欠陥修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electro-Luminescence）などのフラットパネルディスプレイに使われるＴＦＴ基板は、ガラス基板上に微細なデバイスパターンや配線パターンを形成することにより作製される。このようなデバイスパターンや配線パターンを形成するときに、ガラス基板上に塵埃や水滴が付着したままプロセス処理が行われることなどにより、形成中のパターンに欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じたＴＦＴ基板は、不良デバイスとなり、歩留りを低下させる。したがって、製造ラインの歩留りを高い水準で安定させるために、欠陥修正装置（「リペア装置」とも呼ばれる。）を用いてパターンの修復を実行してから次プロセスに流すことが行われている。
【０００３】
パターン欠陥の修正を行うためには、まず基板上の欠陥の有無を調べ、欠陥がある場合はその位置を特定する必要があるので、この目的のために欠陥検査が行われる。欠陥検査方式には、主に電気式欠陥検査と光学式欠陥検査の２種類がある。
【０００４】
電気式欠陥検査は、微小電流をデバイスパターンや配線パターンに流し、電気回路としての本来あるべき特性と比較することにより、導通や容量の異常を検知し、パターンとしての短絡や開放を検査する方法である。
【０００５】
この電気式欠陥検査は、動作異常を引き起こす欠陥を確実に発見することができるという長所を持つが、欠陥位置の正確な特定は不得意である。デバイスパターンの欠陥においては、どの画素で欠陥が発生しているかまではわかるものの、画素内のどこの箇所にあるかまではわからない。また、液晶ディスプレイで発生する、画素内の信号線やゲート線などにはみ出しがあるために窓部と呼ばれる画素電極（透明導電膜）の領域に欠けが生じてしまい、それによりその画素だけ光量不足となるようなタイプの欠陥に対しては、電気式欠陥検査だけでは発見することができない。
【０００６】
一方、光学式欠陥検査は、デバイスパターンや配線パターンを、いわば光学顕微鏡のような装置で撮像し、本来あるべき画像と比較することにより、パターン欠陥を検査する方法である。
【０００７】
光学式欠陥検査は、電気特性に関係なくパターン欠陥を発見でき、しかも欠陥箇所の位置を正確に検出することができる。さらに、欠陥部位の形状などの特徴量を抽出し、予めデータベース化された情報と比較することで、欠陥種類を特定することも可能である。
【０００８】
しかしながら、光学式欠陥検査において基板上の欠陥箇所の詳細な位置や形状を検出するためには、撮像倍率を大きくする必要がある。撮像倍率が大きくなると、エリアカメラの場合は撮像回数を、ラインカメラの場合は撮像時間を増加しなくてはならないため、基板全面を検査するのに必要な検査時間が長くなってしまう。実際の製造工程においては、検査時間には制限があるため、撮像画像の１ピクセルが２〜５μｍ相当となる分解能で光学式欠陥検査が行われるのが普通であり、この分解能では１０μｍ程度の微小な欠陥については、欠陥の検出は可能であっても、詳細な形状の検出は困難となる。
【０００９】
このような電気式欠陥検査や光学式欠陥検査により得られた欠陥情報を基に、欠陥修正装置を用いて欠陥修正が行われるが、生産性向上のために、近年様々な自動化の試みがなされている。例えば、欠陥修正装置にデジタイザを取り付けることで、オペレータが検出された欠陥位置についての細かい修正位置の教示を行った後は、欠陥修正装置が自動で欠陥修正作業を行うことができるものが提案されている。
【００１０】
さらに、オペレータを全く介さない方法として、電気式欠陥検査を基に発見された欠陥に対して光学式欠陥検査を行うことにより、欠陥位置を特定し、自動修正を行うものが提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１１】
また、欠陥修正装置に撮像装置を取り付け、撮像した欠陥の画像から欠陥修正装置を動作させるためのデータを作成する方法が提案されている（例えば、特許文献２，３，４を参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１７７８４４号公報
【特許文献２】特開平７−８６７２２号公報
【特許文献３】特開２０００−２０８９０２号公報
【特許文献４】特開２００４−２９７４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、これら特許文献１〜４に記載されたような従来の欠陥修正方法では、比較的修理が簡単な欠陥にしか対応できないという問題がある。
【００１３】
まず、特許文献１に記載のものは、電気式欠陥検査で検出された欠陥のみを修正するだけであり、短絡を伴わない単純なパターンはみ出し欠陥等には対応することができない。
【００１４】
また、特許文献２，４に記載のものは、単純に欠陥画像（被検査画像）と基準パターンとの差画像を欠陥範囲として修正を行った場合は、その欠陥の種類を把握しない限り、修正に失敗しやすいという問題がある。
すなわち、その差画像に表示されているものが異物なのか、パターンのはみ出しなのか、はみ出し欠陥であればはみ出したパターンの組成・膜厚は何か等の情報を知らないと適切なレーザ出力の設定が難しい。例えば、特許文献２に記載されているような、修正できるまで複数回修正を繰り返し行う方法では、修正終了までに時間がかかりすぎる場合や、最初の１回で削り過ぎてしまい下層にダメージを与えてしまう場合がある。
【００１５】
さらに、特許文献３には、欠陥検査装置において修正対象となる欠陥種類を特定した後、欠陥修正装置が具備する画像検出機構で一致する欠陥と比較しながら修正対象となる欠陥を探索する方法が提案されているが、この方法だと予め欠陥検査装置において十分な撮像倍率で欠陥箇所を撮像する必要があることと、欠陥修正装置において修正対象欠陥を探索しなければならないことなどから、検査から修正までに多大な時間を要する恐れがある。
【００１６】
その他、欠陥検査装置に内蔵される一般的なＸＹステージの繰り返し精度はバックラッシュの存在のために数μｍ程度であるため、撮像した欠陥画像に基づき欠陥修正を行う場合、数μｍ程度の大きさの欠陥修正を精度良く行うことができないという問題点や、光学スリットの大きさや角度が固定であったり、自動化に対応していなかったりして、複雑なパターン修正が難しく、結果として修正不可能な欠陥が多いという問題点があった。
【００１７】
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、複雑な修正作業を要する難易度の高い欠陥に対しても精度良く欠陥修正を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、本発明の欠陥修正装置は、複数の配線パターンが形成された基板上の欠陥を修正する欠陥修正装置であって、前記基板上の欠陥部位を抽出する欠陥抽出部と、該欠陥抽出部で抽出された欠陥部位の前記基板上における位置情報を抽出する位置情報抽出部と、その時点のプロセス情報を入手し、該プロセス情報と前記位置情報抽出部で抽出された前記欠陥部位の位置情報とに基づいて、前記基板の設計情報から、その時点における当該欠陥部位の周辺または下地の状態を示す膜情報を得る膜情報取得部と、前記欠陥抽出部で抽出された前記欠陥部位の特徴量を数値化する特徴抽出部と、該特徴抽出部で数値化された特徴情報に基づいて欠陥種別を分類する欠陥分類部と、前記欠陥部位の前記位置情報、前記特徴情報、前記欠陥種別及び前記膜情報に基づいて前記欠陥部位の欠陥修正方法を生成する修正方法生成部と、該修正方法生成部で生成された欠陥修正方法に基づいて欠陥修正機構を動作させて欠陥修正を行う制御部とを備えることを特徴とする。
【００１９】
上述の構成によれば、基板の欠陥位置情報を基に、欠陥部位の画像取得と解析を行い、更にその時点における欠陥部位の周辺または下地の状態を示す膜情報も利用して欠陥修正方法を決定するので、例えば数μｍ以下の微小欠陥や、複雑な形状を持つ欠陥に対しても効果的な修正を精度よく自動で行える。
しかも、欠陥の下地の膜情報を把握し適切なレーザプロセスを選択するので、基板にダメージを与える可能性や欠陥の取り残しが生じる可能性が少ない。
【００２０】
また、本発明の欠陥修正装置の一側面は、前記欠陥修正機構は、レーザ発信器と、レーザ光を通過させる開口面積及び光軸と直交する面内における開口角度を可変するスリットと、前記基板を搭載し光軸と直交する面内を移動するステージと、光軸を微小移動させる光軸移動部とを含み、レーザ光照射時、前記ステージの位置を保持しながら、前記光軸移動部を使用してレーザ光照射位置を調整することを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、レーザの光軸を微小移動させてレーザ移動位置を調整するので、ＸＹステージの位置決め精度によらず、レーザ移動位置を移動させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、複雑な修正作業を要する難易度の高い欠陥に対しても精度良く修正を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の一実施の形態例について、図１〜図８を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本発明による欠陥修正装置の一実施の形態に係る構成例を示す図である。
本実施形態では、液晶ディスプレイ等のＴＦＴ基板上のパターン欠陥を修正するための欠陥修正装置を例に挙げて説明する。
【００２５】
本実施形態に係る欠陥修正装置１は所謂レーザリペア装置であるが、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法などの配線修正手法を行える構成とすることも可能であり、本例に限られるものではない。
【００２６】
欠陥修正装置１は、予め欠陥検査装置１００によって行われた欠陥検査の結果として、ＴＦＴ基板６の欠陥の位置情報を、欠陥修正装置１内にある全体制御部（以下、「制御部」という。）２にて受け取っておく。位置情報の精度は欠陥修正装置１に内蔵の撮像装置１７にて、欠陥箇所が撮影範囲内に確実に入る程度の精度でよい。なお、制御部２はパーソナルコンピュータ等のコンピュータ（演算処理装置）であり、画像解析及び修正方法生成部３とともに修正方法生成手段を構成する。
【００２７】
まず、制御部２ではステージ制御部７にコマンドを送り、ＴＦＴ基板６が搭載されたＸＹステージ５を動かし、欠陥検査装置１で検出された欠陥箇所が対物レンズ８の真下になるようにする。次にフォーカスステージ１０を動かして対物レンズ８とＴＦＴ基板６の間隔を調整し、撮像装置１７で光学レンズ１４ｇを透過した光の合焦点画像が撮像できるようにする。なお、ここではハーフミラー１５ａ，１５ｂ、光学レンズ１４ａ、及びランプ９による落射照明により、適切な明るさを持つ画像が得られるようにしている。
【００２８】
図３は、このようにして得られたパターンはみ出し欠陥を含む欠陥画像の例である。
本実施形態において、画素パターン１１０は、例えばアクティブマトリックス方式における液晶ディスプレイのカラーフィルタを取り除いたガラス基板の一画素パターンの概略構成を示しており、大きく、信号線１１１、走査線１１２、保持容量素子（キャパシタ）１１３、画素電極１１４から構成されている。この例では信号線１１１にはみ出し欠陥１１５が発生している。撮像された欠陥画像は、画像解析及び修正方法生成部３の欠陥画像メモリ１８に一旦保存される。
【００２９】
次に、制御部２はステージ制御部７にコマンドを送ってＸＹステージ５を動かし、欠陥箇所から繰り返しパターン数個分、即ち全く同じ画素パターンとなる位置まで移動した位置が対物レンズ１０８の真下になるようにして、欠陥の無い参照画像を撮像し、画像解析及び欠陥生成方法生成部３の参照画像メモリ１９に保存する。このようにして得られた参照画像１２０の例を、図４に示す。
【００３０】
欠陥抽出部２０では欠陥画像メモリ１８に保存された欠陥画像と、参照画像メモリ１９に保存された参照画像とを位置合わせした後に差分をとって差画像を生成することで、欠陥部位の画像を抽出する。図５は、図３に示した欠陥画像１１０と図４に示した参照画像１２０の差画像から抽出された欠陥１１５を示したものである。欠陥抽出部２０は、抽出した欠陥部位の情報を詳細位置情報抽出部２１及び特徴抽出部２２に出力する。
【００３１】
詳細位置情報抽出部２１は、抽出された欠陥のＴＦＴ基板６上における正確な位置をＸＹステージ５の現在位置及び欠陥画像から算出し、その情報を膜情報コード付与部２４と修正方法生成部２７に送る。
【００３２】
膜情報コード付与部２４は、詳細位置情報抽出部２１からの欠陥の正確な位置とその時点のプロセス情報に基づいて、設計情報データベースより欠陥が存在する位置のパターン設計情報を取り出し、膜情報コード付与部２４にて膜情報コードを出力する。
【００３３】
ＴＦＴ基板等の基板は一般に、複数の回路層が積層されて構成される。したがって、その時点の成膜プロセスやパターン形成プロセス毎に基板の状態が異なる。例えば同一配線パターン内の同じ位置であっても、そのときのプロセスによって配線パターンや周囲に接している部材の種類や有無が異なる。そのため、欠陥部分の厚みや熱に対する強度なども異なり、それらの諸条件を考慮してレーザ照射の可否、レーザ照射位置、レーザ出力等を決定しなければならない。欠陥修正を精度よく実施するためには、欠陥の正確な位置とその時点のプロセス情報を取得して、その時点における当該欠陥部位周辺あるいは欠陥の下地の状態といった基板の状態、すなわち膜情報（設計情報もしくは回路情報ともいう）を得て、欠陥修正方法に反映する必要がある。
プロセス情報は、図示しないマスタコンピュータなどから入手してもよいし、直接基板製造装置から入手してもよい。プロセス情報としては、例えば現在何層目か、あるいはロット番号などの情報が挙げられる。
【００３４】
また、特徴抽出部２２は抽出された欠陥の色、大きさ、コントラスト、形状等の特徴情報を数値化して比較／分類コード付与部２６へ出力する。
【００３５】
比較／分類コード付与部２６は、数値化された欠陥の特徴情報と分類データベース２５に登録されている特徴情報データを比較し、一致した特徴の分類コードを付与する。分類コードと欠陥種別は紐つけられており、分類コードを調べるとその欠陥の種別が判定できる。
【００３６】
本実施形態では、分類データベース２５及び比較／分類コード付与部２６により欠陥種別を分類しているが、分類方法は種々の周知技術、例えば特開平５−１０８８００号公報、特開２００３−２３３８０７号公報、あるいは特開２００１−１６８１６０号公報等に記載された分類方法が適用できる。
【００３７】
修正方法生成部２７は、これらの詳細位置情報、特徴情報、設計情報（膜情報コード）、欠陥種別情報（分類コード）から、修正機構部をどのように動作させるかその内容を規定した欠陥修正方法を生成する。
具体的には、例えば図３に示した欠陥１１５の場合、窓部に存在する信号線パターンのはみ出しであるとの判断ができるので、信号線１１１の組成物の除去に適したレーザ照射出力と照射時間、及びＴＦＴ基板６上のレーザ照射サイズ、角度、位置等を算出し、それらの情報を制御部２に出力する。
【００３８】
制御部２は修正方法生成部２７によって生成された欠陥修正方法に従って、修正機構制御部１６にコマンドを送り、修正機構部４内の各ユニットを動作させ、欠陥の修正を自動的に行う。
【００３９】
修正機構部４は、レーザ光源１３から照射されたレーザビームを光学レンズ１４ｂ，１４ｃにて補正した後に、可変スリット１２を通過させることにより、照射サイズ、角度を変更できるようにしてある。
【００４０】
可変スリット１２は、例えば、図６に示すようなＸＹ−θスリットと呼ばれるもので、長方形のＸ、Ｙ方向の開口長と、回転角θが変更できるスリットであり、修正機構制御部１６からの駆動信号により駆動できるものとする。
【００４１】
可変スリット１２によって照射形状を整形されたレーザビームはガルバノミラー１１ａ，１１ｂ、各種光学レンズ１４ｄ，１４ｄ，１４ｆ、ハーフミラー１５ａを通過後に、対物レンズ８を介して、ＴＦＴ基板６に照射される。
【００４２】
ガルバノミラー１１ａ，１１ｂは、二次元に角度可変のミラーであり、修正機構制御部１６により駆動することで、ＸＹステージ５を動かさずに、対物レンズ８の視野範囲内でレーザビームの光軸、すなわち照射位置を動かすことができる。
【００４３】
このような可変スリット１２、ガルバノミラー１１ａ，１１ｂを備える欠陥修正装置１においては、欠陥に対し十分な位置精度を持ってレーザビームを照射できるため、従来よりも精度よくパターン欠陥の修正が可能となる。
【００４４】
上記欠陥検査装置１は、欠陥を探索する方法として光学式検査機を使えるため、導通状態は正常であるパターン欠陥に対しての修正が可能となる。
【００４５】
また、欠陥修正装置１が具備する高精度な欠陥部位の画像を用いて欠陥の位置情報・特徴情報・種別情報を抽出し、これらの情報から総合的に修正方法を決定するので、従来よりも高精度な欠陥修正ができるようになり、繰り返し修正を行う必要がない。
【００４６】
また、欠陥検査装置１００においては少なくとも位置検出ができればよく、高精度な欠陥部位の画像取得を必要としないため、通常の１ピクセルが２〜５μｍ相当となる分解能の検査で済み、長い検査時間を必要としない。
【００４７】
次に、欠陥修正装置１による欠陥修正処理について、図２のフローチャートを参照して説明する。
【００４８】
まず、制御部２によりＸＹステージ５とフォーカスステージ１０を微調整し、被検査画像（欠陥画像）を撮像して（ステップＳ１）、欠陥画像メモリ１８に保存する。次に、欠陥抽出部２０にて欠陥画像メモリ１８に保存された被検査画像（欠陥画像）と参照画像メモリ１９に登録された参照画像が比較され、その差分から欠陥が抽出される（ステップＳ２）。
【００４９】
続いて、詳細位置情報抽出部２１にて欠陥部位のＴＦＴ基板６上における詳細な位置情報を取得する（ステップＳ３）。この詳細な位置情報は膜情報コード付与部２４に送られ、膜情報コード付与部２４にて、欠陥の詳細な位置情報とその時点におけるプロセス情報に基づいて欠陥部位におけるＴＦＴ基板６の設計情報を示す膜情報コードを取得する（ステップＳ４）。この設計情報（膜情報コード）は修正方法生成部２７へ送られる。
【００５０】
一方、特徴抽出部２２では、欠陥抽出部２０で抽出された欠陥部位の画像から得られる情報を当該欠陥部位の特徴量として抽出し、数値化する（ステップＳ５）。そして比較／分類コード付与部２６にて数値化された特徴情報に基づいて当該欠陥の欠陥種別を分類し、その分類コードを出力する（ステップＳ６）。この分類コードは修正方法生成部２７へ送られる。
【００５１】
修正方法生成部２７では、欠陥の詳細な位置情報、特徴情報、設計情報（膜情報コード）、欠陥種別情報（分類コード）を受け取り、各条件を考慮して当該欠陥部位の適切な欠陥修正方法を生成、決定する（ステップＳ７）。この生成された欠陥修正方法は、制御部２へ送られる。そして、制御部２はこの生成された欠陥修正方法に基づき、修正機構制御部１６を制御して修正機構部４を駆動させ、最適な欠陥修正を実行する（ステップＳ８）。他に欠陥がある場合には、上記ステップＳ１〜Ｓ８からなる一連の処理を繰り返す。
【００５２】
ここで、レーザによるパターン欠陥の除去について説明する。
図７（ａ）の欠陥１３１は、欠陥抽出部２０によって抽出された欠陥の一例である。この欠陥１３１に対して、従来の欠陥修正装置を用いて修正する場合は、図７(ｂ)のように、除去すべき欠陥全てを含むように、可変スリット１２の開口面積１３２、すなわち照射領域１３２を調整し、レーザを照射していた。しかし、この照射方法では欠陥１３１以外の多くの部分にレーザが照射されていた。欠陥１３１以外の場所にレーザビームが照射されるのは、下地のガラス基板にダメージを与える可能性がある。
【００５３】
そこで、図７(ｃ)のように２回に分け２つの照射領域１３３，１３４にレーザを照射すれば、欠陥１３１以外の場所にレーザ照射する面積が最小限で済む。しかし、従来の欠陥修正装置ではＸＹステージを用いてレーザ照射位置を移動させていたため、数μｍ程度の繰り返し位置精度しかない。そのため図７(ｃ)のような欠陥修正を試みても、図７(ｄ)のように、照射領域１３５，１３６が離れてしまうなど、照射位置に誤差が生じやすく、自動化が難しかった。
【００５４】
本実施形態に係る欠陥修正装置１では、ガルバノミラー１１ａ，１１ｂを用いてレーザビームの光軸を動かすことにより、レーザ照射位置の精度を１μｍ以内に収めることができるので、欠陥修正も精度よく実現できる。
【００５５】
図８に、図７（ｃ）をさらに発展させた例を示す。欠陥１４１に対して欠陥全体を含むように設定したレーザ照射領域にメッシュをかけ、区分された数十箇所にレーザを照射して欠陥を除去することを考える。この場合、欠陥１４１以外にレーザが照射されることがないのできれいに欠陥修正が行える。しかし、レーザ径が小さいので欠陥修正を完了するのに時間がかかる（タクトタイムの長大化）。また、図７（ｂ）〜（ｃ）に示すレーザ照射領域と比較して１回当たりの照射領域が小さいため、レーザ照射位置の移動精度もあまり要求されない。
【００５６】
一方、図７（ｂ）〜（ｃ）に示すようにレーザ照射領域が比較的大きい場合、レーザ照射位置の移動精度が要求されるが、本実施形態の構成によれば、精度良く移動できるので、一度に多くの面積をレーザ照射することができ、欠陥修正に係る時間を短縮することができる（タクトタイムの短縮）。
【００５７】
なお、レーザビームを動かすための機構には、ガルバノミラー以外にも、光学系に含まれる一部のレンズにピエゾステージなどを取り付けることによって微小移動させる方法もある。
【００５８】
なお、本実施形態では、参照画像を得るのに欠陥箇所の近傍の撮影画像を使用しているが、パターン設計情報から合成した欠陥箇所の本来あるべき理想画像を参照画像とすることも可能である
【００５９】
以上、本発明に係る欠陥修正方法を実行する欠陥修正装置の実施形態を、ＴＦＴ基板等の欠陥を修正する場合について説明したように、欠陥検査装置によるＴＦＴ基板の欠陥位置情報を基に、欠陥部位の画像取得と解析を行い、更に欠陥位置の膜情報も利用して欠陥修正方法を決定するので、数μｍ以下の微小欠陥や、複雑な形状を持つ欠陥に対しても効果的な修正を精度よく自動で行える。
【００６０】
しかも、下地の膜情報を把握し適切なレーザプロセスを選択するので、基板にダメージを与える可能性や欠陥の取り残しが生じる可能性が少ない。
【００６１】
また、光軸を移動してレーザ照射位置を微小移動するガルバノミラー等のレーザビームスキャン機構を具備し、レーザ照射面積及び角度を適切に選ぶことができ、またＸＹステージの位置を保持したままレーザビームを動かすことができるため、ＸＹステージの位置決め精度によらず、レーザ照射によるパターンはみ出しや異物の除去、あるいはレーザＣＶＤ等による断線部分の配線を高精度にかつ精度良く自動で行うことができる。
【００６２】
仮に欠陥及び基板の状況を詳細に分析してより複雑な欠陥修正方法を決定したとしても、その複雑な欠陥修正方法を正確に実行できる欠陥修正機構を備えていなければ全く意味のないものになる。本発明に係る欠陥修正装置の欠陥修正機構は、そのような複雑な欠陥修正処理の要求にも追随することができ、精度のよい欠陥修正を実現可能にしている。
【００６３】
なお、以上の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００６４】
また、上述した実施形態のレーザリペア装置に替えてレーザＣＤＶ装置を利用する場合、パターンの再描画に最適なＸＹスリットの開口面積及び開口角度、最適なレーザ出力、最適なＣＶＤ用原料ガス状態、最適な照射位置、最適な照射回数等を求めて、欠陥修正方法を決定する。
【００６５】
さらに、上述した実施形態では、フラットパネルディスプレイのガラス基板上に形成されたデザインパターンの欠陥修正を行なう場合について説明したが、修正対象はこの例に限定されるものではなく、例えば半導体ウェハ、フォトマスク、磁気ディスク等、修正対象基板上に所定パターンが形成されたものに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る欠陥修正装置の構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る欠陥修正処理のフローチャートである。
【図３】はみ出し欠陥の例を示す図である。
【図４】参照画像の例を示す図である。
【図５】抽出された欠陥の例を示す図である。
【図６】ＸＹ−θスリットを示す図である。
【図７】パターン欠陥の除去例を示す図である。
【図８】パターン欠陥の除去例を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…欠陥修正装置、２…全体制御部（制御部）、３…画像解析及び修正方法生成部、４…修正機構部、５…ＸＹステージ、６…ＴＦＴ基板（検査対象物）、７…ステージ制御部、１１ａ，１１ｂ…ガルバノミラー（光軸移動部）、１２…可変スリット、１３…レーザ光源、１４ａ〜１４ｇ…光学レンズ、１６…修正機構制御部、１７…撮像装置（撮像部）、１８…欠陥画像メモリ（被検査画像記憶部）、１９…参照画像メモリ（参照画像記憶部）、２０…欠陥抽出部、２１…詳細位置情報抽出部、２２…特徴抽出部、２３…設計情報データベース（基板設計情報取得部）、２４…膜情報コード付与部（基板設計情報取得部）、２５…分類データベース（欠陥分類部）、２６…比較／分類コード付与部（欠陥分類部）、２７…修正方法生成部
【図１】
0005196723.tif 000002
【図２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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