(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体に対してＸ線を発生するＸ線発生手段と、前記被検体を透過したＸ線を検出して投影データを収集する複数のチップデバイスを有する投影データ収集手段と、前記Ｘ線発生手段及び前記投影データ収集手段を前記被検体の体軸の周囲で高速回転する回転手段と、前記投影データを再構成処理して画像データを生成する画像データ生成手段を備えてなるＸ線ＣＴ装置において、
前記投影データ収集手段は、自己の回路基板に搭載された各々のチップデバイスごとにその背面に装着した熱伝導体と、この熱伝導体を前記チップデバイスに固定させた状態で前記熱伝導体と前記チップデバイスを覆う第１のシールドボックスと、この第１のシールドボックスを離間して覆う第２のシールドボックスと、を有するシールド手段を備えることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
前記シールド手段は、前記第１のシールドボックスの外表面あるいは前記第２のシールドボックスの内表面の少なくとも何れか一方に電波吸収シートを貼付することを特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
前記シールド手段は、前記第１のシールドボックス及び前記第２のシールドボックスの端部を高周波的に接地することを特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項４】
前記シールド手段は、前記第１のシールドボックスの端部を前記回路基板のグラウンド層に直接あるいはオンボードクリップを介して接続することを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項５】
前記シールド手段は、前記第２のシールドボックスの端部を前記回路基板のグラウンド層あるいは電源層に直接あるいはオンボードクリップを介して接続することを特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項６】
前記投影データ収集手段は、この投影データ収集手段が備えたスイッチ群あるいはＤＡＳユニットの少なくとも何れか一方の回路基板に搭載されたチップデバイスに対して前記シールド手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項７】
前記投影データ収集手段は、ＤＡＳユニットのＤＡＳ制御基板に搭載されたチップデバイスに対して前記シールド手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線ＣＴ装置に係り、特に架台回転部に設けられた回路デバイスが発生する熱と放射ノイズの低減をはかったＸ線ＣＴ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＸ線ＣＴ装置では、Ｘ線検出部や演算処理部の高速化及び高性能化によりＣＴ画像データ（以下では、画像データと呼ぶ。）のリアルタイム表示が可能となり、更に、へリカルスキャン方式やマルチスライス方式の開発により複数のスライス面における画像データや３次元画像データを短時間で収集することが可能となった。
【０００３】
特に、スライス方向（被検体の体軸方向）に対しても複数のＸ線検出素子が配列されたＸ線検出器を用いるマルチスライス方式によりボリュームレンダリング画像データ等の３次元画像データの収集に要する時間が飛躍的に短縮され、診断効率が大幅に向上すると共に装置の操作者や被検体の負荷が軽減されるようになった。
【０００４】
Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線発生部から放射され被検体を透過したＸ線はこの被検体の後方に配置されたＸ線検出部によって検出され、この検出信号は、データ収集ユニット（以下ではＤＡＳ(data acquisition system)ユニットと呼ぶ。）で信号処理されて投影データが生成される。そして、上述のＸ線発生部、Ｘ線検出部及びＤＡＳユニットを被検体の周囲で高速回転させながら収集した複数の投影データを再構成処理することにより画像データが生成される。
【０００５】
マルチスライス方式のＸ線検出部では、シンチレータとフォトダイオードによって構成される複数のＸ線検出素子が２次元配列され、これらのＸ線検出素子の各々から出力された検出信号はデータ束ねされた後、ＤＡＳユニットに設けられた多チャンネルの電流／電圧変換器やＡ／Ｄ変換器等により信号処理される。従って、上述のＸ線検出部やＤＡＳユニットは、従来のＸ線ＣＴ装置と比較し極めて多くのＸ線検出素子や回路素子によって構成され、これらの素子から許容できないレベルの熱や放射ノイズが発生するという新たな問題点を有するようになった。
【０００６】
即ち、上述の素子が発生する熱は自己の回路特性を劣化させ、又、これらの素子が発生する放射ノイズは、生成される画像データの画質を劣化させるのみならずＥＭＣ（electro-magnetic compatibility）規格に対する適合を困難にする可能性がある。
【０００７】
Ｘ線検出部が発生した熱を低減するために、冷却ファンやヒートポンプを用いた方法等が既に試みられている。又、上述のＸ線検出部やＤＳＡユニットを覆った高い熱伝導率を有する金属カバーの複数箇所にペルチェ素子からなる冷却装置やヒートパイプを配置し、更に、この金属カバーを高周波的に接地することによりＸ線検出部が発生する熱と放射ノイズを低減させる方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３４９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の方法では発熱や放射ノイズを効率よく低減させることは不可能であった。特に、ヒートパイプを用いた方法は発熱対策に有効であるが、接地されたヒートパイプはアンテナとして作用し放射ノイズを却って増大させる可能性がある。
【０００９】
更に、画像データのフレームレートを高くして時間分解能を改善するためにはＸ線検出部及びＤＳＡユニットとＸ線発生部を架台回転部と共に被検体の周囲で高速回転させる必要があり、このような高速回転を行なうＸ線検出部やＤＡＳユニットに対し特許文献１に記載されたヒートパイプや冷却装置を装着した場合、ヒートパイプや冷却装置には、例えば、１３Ｇ乃至４０Ｇの極めて大きな遠心力が作用し破損する危険性を有している。
【００１０】
即ち、高速回転する架台回転部に設けられたＸ線検出部やＤＡＳユニットが発生する熱と放射ノイズの両方を効率よく低減する方法はこれまで提案されていなかった。
【００１１】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被検体の周囲で高速回転する架台回転部に設けられた回路デバイスを、放熱機能を有するシールドボックスで覆うことにより、回路デバイスが発生する熱と放射ノイズの効果的な低減を可能としたＸ線ＣＴ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一側面は、被検体に対してＸ線を発生するＸ線発生手段と、前記被検体を透過したＸ線を検出して投影データを収集する複数のチップデバイスを有する投影データ収集手段と、前記Ｘ線発生手段及び前記投影データ収集手段を前記被検体の体軸の周囲で高速回転する回転手段と、前記投影データを再構成処理して画像データを生成する画像データ生成手段を備えてなるＸ線ＣＴ装置に係り、前記投影データ収集手段は、自己の回路基板に搭載された各々のチップデバイスごとにその背面に装着した熱伝導体と、この熱伝導体を前記チップデバイスに固定させた状態で前記熱伝導体と前記チップデバイスを覆う第１のシールドボックスと、この第１のシールドボックスを離間して覆う第２のシールドボックスと、を有するシールド手段を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被検体の周囲で高速回転する架台回転部に設けられた回路デバイスを放熱機能を有するシールドボックスで覆うことにより、回路デバイスが発生する熱と放射ノイズを安定かつ効果的に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施例）
以下に述べる本発明の実施例では、被検体の周囲で高速回転するＸ線ＣＴ装置の架台回転部に設けられたＤＡＳユニットの回路デバイス（以下では、チップデバイスと呼ぶ。）の背面に所定厚みの熱伝導体を装着し、この熱伝導体をチップデバイスに固定するように金属製の第１のシールドボックスで覆う。更に、前記第１のシールドボックスを金属製の第２のシールドボックスによって覆い、この第２のシールドボックスの内表面あるいは第１のシールドボックスの外表面の少なくとも何れか一方に電波吸収シートを貼付する。そして、第１のシールドボックス及び第２のシールドボックスの端部は、前記チップデバイスが搭載された回路基板のグランド（ＧＮＤ）層に接続する。
【００１５】
尚、以下の実施例では、マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置について述べるが、これに限定されるものではなく、ヘリカルスキャン方式のＸ線ＣＴ装置や従来のシングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置であってもよい。
【００１６】
（装置の構成）
以下、本発明の実施例におけるＸ線ＣＴ装置の構成につき図１乃至図７を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本実施例におけるＸ線ＣＴ装置１００の全体構成を示すブロック図であり、このＸ線ＣＴ装置１００は、被検体３０に対してＸ線を照射するＸ線発生部５と、被検体３０を透過したＸ線を検出して投影データを収集する投影データ収集部６と、Ｘ線発生部５及び投影データ収集部６を搭載し被検体３０の周囲で高速回転する架台回転部２を備え、更に、被検体３０を載置し架台回転部２の中央部に設けられた開口部に挿入する寝台１と、寝台１の移動や架台回転部２の回転を行なう寝台・架台移動機構部３と、寝台・架台移動機構部３を制御する機構制御部４を備えている。
【００１８】
又、Ｘ線ＣＴ装置１００は、投影データ収集部６が収集した投影データを再構成処理して画像データを生成する画像データ生成部７と、生成した画像データを表示する表示部９と、被検体情報の入力や撮影条件の設定等を行なう入力部１０と、上述の各ユニットを統括的に制御するシステム制御部１１を備えている。
【００１９】
そして、寝台１は、寝台・架台移動機構部３により、その長手方向にスライド可能な図示しない天板を有し、被検体３０は、その体軸方向が前記天板の長手方向に一致するように載置される。又、機構制御部４は、システム制御部１１から供給される制御信号に基づき、天板の移動方向や移動速度あるいは架台回転部２の回転速度等を制御する。
【００２０】
一方、Ｘ線発生部５は、被検体３０に対しＸ線を照射するＸ線管５１と、このＸ線管５１の陽極と陰極の間に印加する高電圧を発生する高電圧発生器５２と、Ｘ線管５１から放射されたＸ線をコリメートするＸ線絞り器５３と、架台回転部２に設けられたＸ線管５１に電力を供給するためのスリップリング５４を備えている。
【００２１】
Ｘ線管５１は、Ｘ線を発生する真空管であり、高電圧発生器５２から供給された高電圧により電子を加速させ、タングステンターゲットに衝突させてＸ線を放射する。又、Ｘ線絞り器５３は、Ｘ線管５１と被検体３０の間に位置し、Ｘ線管５１から放射されたＸ線ビームを所定の受像サイズに絞り込む機能を有している。例えば、Ｘ線管５１から放射されたＸ線ビームを有効視野領域（ＦＯＶ）に基づいてコーンビーム（四角錐）状、又はファンビーム状のＸ線ビームに成形する。
【００２２】
一方、投影データ収集部６は、被検体３０を透過したＸ線を検出するＸ線検出器６１と、このＸ線検出器６１から出力された複数チャンネルの検出信号を所定のチャンネル数に束ねるスイッチ群６２と、スイッチ群６２の出力信号に対して電流／電圧変換とＡ／Ｄ変換を行なうＤＡＳユニット６３と、ＤＡＳユニット６３の出力を非接触方式により架台回転部２の外部に設けられた画像データ生成部７に供給するデータ伝送回路６４を備えている。
【００２３】
次に、投影データ収集部６のＸ線検出器６１につき、図２を用いて説明する。図２は、Ｘ線検出素子６１１が２次元配列されたＸ線検出器６１の展開図を示したものであり、Ｘ線検出素子６１１の各々は、Ｘ線を光に変換するシンチレータと光を電気信号に変換するフォトダイオードによって構成されている。
【００２４】
マルチスライス方式のＸ線検出器６１には、例えば、被検体３０の体軸方向であるスライス方向（Ｚ方向）に対して８０素子、又、前記スライス方向に直交するチャンネル方向（Ｘ方向）に対して約９００素子のＸ線検出素子６１１が配列されている。但し、チャンネル方向に配列されたＸ線検出素子６１１は、実際には、Ｘ線管５１の焦点を中心とした円弧に沿って架台回転部２に装着されている。そして、Ｘ線検出器６１におけるスライス方向の中央部には、Ｘ線検出素子６１１が０．５ｍｍ間隔で３２素子配置され、これら３２素子のＸ線検出素子６１１の両端には、Ｘ線検出素子６１１が１．０ｍｍ間隔で２４素子ずつ配置されている。
【００２５】
図１に戻って、投影データ収集部６のスイッチ群６２は、例えば、図示しないマルチプレクサとこのマルチプレクサを制御する制御回路を備え、Ｘ線検出器６１から供給された投影データをＤＡＳユニット６３へ転送する際、スライス方向のＸ線検出素子６１１から出力された複数チャンネルの投影データを所定チャンネル数Ｍ１に「データ束ね」してＤＡＳユニット６３へ供給する。
【００２６】
一方、ＤＡＳユニット６３は、Ｍ１チャンネルの受信部を有し、この受信部は、Ｘ線検出器６１から供給された投影データに対して電流／電圧変換とＡ／Ｄ変換を行なう。
【００２７】
図３は、ＤＡＳユニット６３の構成を示すブロック図であり、このＤＡＳユニット６３は、スイッチ群６２を介してＸ線検出器６１から電流信号として供給された当該被検体３０に対するＭ１チャンネルの投影データを電圧信号に変換するＭ１チャンネルの電流／電圧変換器６３１と、この電圧信号をＡ／Ｄ変換するＭ１チャンネルのＡ／Ｄ変換器６３２と、電流／電圧変換器６３１及びＡ／Ｄ変換器６３２を制御するＤＡＳ制御部６３３を備えている。
【００２８】
そして、ＤＡＳ制御部６３３に設けられた図示しないチップデバイスは、放熱対策が講じられたシールドボックスによって覆われ、このシールドボックスは、前記チップデバイスがＡ／Ｄ変換器６３２に対して高周波クロックパルスを供給する際に発生する熱と放射ノイズを低減する機能を有しているが、その詳細については後述する。
【００２９】
一方、図１のデータ伝送回路６４は、ＤＡＳユニット６３から出力された投影データを、例えば、光通信手段により後述する画像データ生成部７の投影データ記憶回路７１に供給して保存する。尚、このデータ伝送方法は、架台回転部２における投影データ収集部６と架台回転部２の外部に設けられた画像データ生成部７の間の信号伝送が可能であれば他の方法に替えることが可能であり、例えば、既に述べたスリップリング等のデバイスを使用しても構わない。
【００３０】
そして、Ｘ線発生部５のＸ線管５１、Ｘ線絞り器５３及びスリップリング５４と投影データ収集部６は、被検体３０の周囲で高速回転可能な架台回転部２に設けられ、機構制御部４から供給された駆動制御信号により、被検体３０の体軸方向（Ｚ方向）に平行な軸を回転中心として１回転／秒乃至２回転／秒の高速回転が行なわれる。
【００３１】
次に、図４を用いて上述の投影データ収集部６における「データ束ね」の詳細について説明する。但し、この図では、説明を簡単にするために、チャンネル方向における１つのチャンネルのスライス方向に１２個のＸ線検出素子６１１−１乃至６１１−１２を配列した場合について述べる。
【００３２】
即ち、図４のＸ線検出器６１では、例えば、スライス方向の中心部において８素子のＸ線検出素子６１１−３乃至６１１−１０が０．５ｍｍ間隔で配置され、その両端には、Ｘ線検出素子６１１−１乃至６１１−２及びＸ線検出素子６１１−１１乃至６１１−１２が１ｍｍ間隔で夫々配置されている。
【００３３】
一方、ＤＡＳユニット６３は、Ｍ１（Ｍ１＜１２）チャンネルの電流／電圧変換器６３１−１乃至６３１−Ｍ１及びＡ／Ｄ変換器６３２−１乃至６３２−Ｍ１とこれらを制御する図示しないＤＡＳ制御部６３３を有し、スイッチ群６２は、Ｘ線検出素子６１１において検出された１２列の受信信号をＭ１列に「データ束ね」している。この「データ束ね」によって、マルチスライスにおけるスライス厚を変えることが可能となる。
【００３４】
例えば、Ｘ線検出素子６１１−３乃至６１１−１０を、スイッチ群６２を介してＤＡＳユニット６３の電流／電圧変換器６３１−１乃至６３１−Ｍ１に接続することによりスライス厚０．５ｍｍのデータがＭ１スライス分得られる。一方、スライス厚１ｍｍのデータが要求される場合には、Ｘ線検出素子６１１−１を電流／電圧変換器６３１−１、Ｘ線検出素子６１１−２を電流／電圧変換器６３１−２、Ｘ線検出素子６１１−３及び６１１−４を電流／電圧変換器６３１−３、Ｘ線検出素子６１１−５及び６１１−６を電流／電圧変換器６３１−４に夫々接続し、更に、Ｘ線検出素子６１１−７及び６１１−８を電流／電圧変換器６３１−５、Ｘ線検出素子６１１−９及び６１１−１０を電流／電圧変換器６３１−６、Ｘ線検出素子６１１−１１を電流／電圧変換器６３１−７、Ｘ線検出素子６１１−１２を電流／電圧変換器６３１−Ｍ１に接続する。
【００３５】
同様の方法により、図４に示した０．５ｍｍ間隔のＸ線検出素子６１１から得られる検出信号に対して上述の「データ束ね」を行なうことにより、Ｘ線検出素子６１１をスライス方向に１ｍｍ間隔で６４素子配列した場合と等価な投影データが収集される。即ち、この場合のスライス方向における実効素子数は６４となる。このような「データ束ね」により、狭い領域を高分解能で撮影する場合と広い領域を高感度で撮影する場合の何れにおいても対応することが可能となる。
【００３６】
尚、Ｘ線検出器６１では、１回転（０．５秒乃至１秒）の間に膨大な２次元の投影データが検出され、このような膨大な投影データの処理や伝送を短時間で行なうためにスイッチ群６２、ＤＡＳユニット６３及びデータ伝送回路６４には高速処理が可能なチップデバイスが用いられる。このため、上述の各ユニットからは大量の熱や放射ノイズが発生する。
【００３７】
特に、ＤＡＳユニット６３のＤＡＳ制御部６３３に備えられたチップデバイスが発生する熱は自己の回路特性を劣化させ、又、このチップデバイスが発生する放射ノイズは、他のユニットに影響を与え画像データに画質劣化を齎すのみならずＥＭＣ（electromagnetic compatibility）規格への適合化を困難にする。このため、ＤＡＳ制御部６３３に対する発熱対策及び放射ノイズ対策は特に重要となる。
【００３８】
再び図１に戻って、画像データ生成部７は、投影データ記憶回路７１と、再構成演算回路７２と、画像データ記憶回路７３を備えている。
【００３９】
投影データ記憶回路７１は、Ｘ線検出器６１にて検出されデータ伝送回路６４を介して送られてくる投影データを保存する記憶回路であり、被検体３０の複数スライス面に対して収集された投影データが保存される。又、再構成演算回路７２は、投影データ記憶回路７１に保存されている複数スライス面における投影データを再構成処理してボリュームデータを生成し、更に、このボリュームデータをレンダリング処理して３次元画像データを生成する。そして、得られた３次元画像データを画像データ記憶回路７３に一旦保存する。
【００４０】
次に、表示部９は、表示データ生成回路９１と、変換回路９２と、モニタ９３を備えている。表示データ生成回路９１は、画像データ記憶回路７３に保存されている３次元画像データを読み出し、この３次元画像データに患者情報等の付帯情報を付加して表示データを生成する。そして、変換回路９２は、前記表示データに対してＤ／Ａ変換とテレビフォーマット変換を行ないモニタ９３に表示する。
【００４１】
一方、入力部１０は、表示パネルやキーボード、各種スイッチ、選択ボタン、マウス等の入力デバイスを備えたインターラクティブなインターフェースであり、操作者は、投影データの収集に先立ち、この入力部１０において被検体情報の入力や投影データ収集条件、再構成条件、画像表示条件等の設定を行なう。
【００４２】
システム制御部１１は、図示しないＣＰＵと記憶回路を備え、入力部１０から送られてくる各種設定条件や、各種コマンド信号を内部の記憶回路に一旦保存する。そして、この入力部１０からの入力情報に従って、機構制御部４、Ｘ線発生部５、投影データ処理部６、画像データ生成部７及び表示部９を統括的に制御する。
【００４３】
（ＤＡＳユニットにおける発熱対策及び放射ノイズ対策）
次に、ＤＡＳユニット６３における発熱対策及び放射ノイズ対策を目的としたチップデバイスのシールド方法につき図５を用いて説明する。
【００４４】
図５において、例えば、ＤＡＳユニット６３のＤＡＳ制御部６３３におけるチップデバイス８３の信号端子は、ＢＧＡ（ball grid array）８２を介して回路基板８１の図示しない信号ラインに接続され、このチップデバイス８３の背面には所定厚みの熱伝導体８４が装着される。更に、チップデバイス８３と熱伝導体８４を覆うようにして第１のシールドボックス８５が取り付けられ、その端部はオンボードクリップ８８を介して回路基板８１のＧＮＤ層８９に接続される。このとき、熱伝導体８４は、架台回転部２が高速回転した場合でもチップデバイス８３の背面から剥離しないように第１のシールドボックス８５により固定される。
【００４５】
次に、チップデバイス８３と熱伝導体８４を覆っている第１のシールドボックス８５を更に覆うように第２のシールドボックス８６を取り付け、その端部は第１のシールドボックス８５と同様にしてオンボードクリップ８８を介し回路基板８１のＧＮＤ層８９に接続される。そして、第２のシールドボックス８６の内表面あるいは第１のシールドボックス８５の外表面の少なくとも何れか一方に電波吸収シート８７を貼付する。
【００４６】
この電波吸収シート８７は、架台回転部２の高速回転において剥離しないように第２のシールドボックス８６の内表面に貼付することが好適であるが特に限定されるものではなく、上述のように、第１のシールドボックス８５の外表面に貼付しても構わない。
【００４７】
尚、上述の第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６は、電気伝導率及び熱伝導率が何れも高い銅やアルミニウム等を用いて形成することができ、熱伝導体８４は、例えば、シリコンゴムやシリコンゲルパット等のシリコン系材料に熱伝導性の良い銀やアルミナ等の粒子を分散させて形成することが可能である。又、電波吸収シート８７は、例えば、弾性バインダーと異方性黒鉛を均一に混合して得られたペーストをシート状に成型することによって得られる。
【００４８】
上述の熱伝導体８４と電波吸収シート８７を付加した第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６による発熱低減と放射ノイズ低減の機序につき図６及び図７を用いて説明する。
【００４９】
図６は、第１のシールドボックス８５による発熱低減の機序を説明するための図であり、図中の矢印は熱の伝達方向を示している。即ち、動作中のチップデバイス８３から発生した熱は熱伝導体８４を介して第１のシールドボックス８５に伝達され、更に、この熱は、第１のシールドボックス８５の端部を固定しているオンボードクリップ８８を介して回路基板８１のＧＮＤ層８９に伝達されてＤＡＳ制御部６３３の外部に放熱される。
【００５０】
一方、図７は、第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６による放射ノイズ低減の機序を説明するための図であり、図中の矢印は放射ノイズの放射経路を示している。即ち、動作中のチップデバイス８３から放射された放射ノイズは、オンボードクリップ８８を介して直接あるいは高周波的に接地されている第１のシールドボックス８５によってシールドされる。
【００５１】
一方、第１のシールドボックス８５を透過した放射ノイズは、第１のシールドボックス８５と同様にしてオンボードクリップ８８を介し接地された第２のシールドボックス８６によりシールドされ、内部に閉じ込められた電磁エネルギーの大部分は電波吸収シート８７において吸収される。
【００５２】
即ち、第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６によるシールド効果と電波吸収シート８７による電磁波吸収効果により、ＤＡＳ制御部６３３のチップデバイス８３から発生した放射ノイズの外部への放射を大幅に抑えることができる。
【００５３】
（変形例１）
次に上述の実施例における第１の変形例につき図８を用いて説明する。上述の実施例では、回路基板８１に搭載した１個のチップデバイス８３を第１のシールドボックス８５と第２のシールドボックス８６で覆う場合について述べたが、この第１の変形例では、複数個のチップデバイスの各々を第１のシールドボックスで覆い、更に、第１のシールドボックスによって覆われた複数個のチップデバイスを纏めて第２のシールドボックスで覆う場合について述べる。
【００５４】
即ち、図８に示した本変形例における複数個（図８では２個）のチップデバイス８３ａ及び８３ｂの信号端子は、ＢＧＡ８２ａ及び８２ｂを介して回路基板８１の図示しない信号ラインに接続され、このチップデバイス８３ａ及び８３ｂの背面には熱伝導体８４ａ及び８４ｂが装着される。更に、チップデバイス８３ａ及び熱伝導体８４ａを覆う第１のシールドボックス８５ａとチップデバイス８３ｂ及び熱伝導体８４ｂを覆う第１のシールドボックス８５ｂが取り付けられ、第１のシールドボックス８５ａ及び８５ｂの両方を覆う第２のシールドボックス８６が取り付けられる。
【００５５】
そして、第１のシールドボックス８５ａ及び８５ｂと第２のシールドボックス８６の端部はオンボードクリップ８８を介して回路基板８１のＧＮＤ層８９に接続され、第２のシールドボックス８６の内表面あるいは第１のシールドボックス８５ａ及び８５ｂの外表面の少なくとも何れか一方に電波吸収シート８７が貼付される。
【００５６】
（変形例２）
次に上述の実施例における第２の変形例につき図９を用いて説明する。上述の実施例では、回路基板８１に搭載した１個のチップデバイス８３を第１のシールドボックスと第２のシールドボックスで覆う場合について述べたが、この第２の変形例では、複数のチップデバイスを第１のシールドボックスで覆い、更に、第１のシールドボックスによって覆われた複数個のチップデバイスを第２のシールドボックスで覆う場合について述べる。
【００５７】
即ち、図９に示した本変形例における複数個（図９では２個）のチップデバイス８３ａ及び８３ｂの信号端子は、ＢＧＡ８２ａ及び８２ｂを介して回路基板８１の図示しない信号ラインに接続され、このチップデバイス８３ａ及び８３ｂの背面に熱伝導体８４ａ及び８４ｂが装着される。更に、熱伝導体８４ａが装着されたチップデバイス８３ａと熱伝導体８４ｂが装着されたチップデバイス８３ｂの両方を覆う第１のシールドボックス８５が取り付けられ、この第１のシールドボックス８５を覆う第２のシールドボックス８６が取り付けられている。
【００５８】
そして、第１のシールドボックス８５と第２のシールドボックス８６の端部はオンボードクリップ８８を介して回路基板８１のＧＮＤ層８９に接続され、第２のシールドボックス８６の内表面あるいは第１のシールドボックス８５の外表面の少なくとも何れか一方に電波吸収シート８７を貼付される。
【００５９】
以上述べた上述の実施例とその変形例によれば、電波吸収シートと熱伝導体を備えた２層のシールドボックスで架台回転部のチップデバイスを覆うことにより、このチップデバイスが発生する熱と放射ノイズを同時に低減することが可能となる。
【００６０】
又、第１のシールドボックス、第２のシールドボックス、電波吸収シート及び熱伝導体によるシールド構造は小型かつ軽量で実現可能なため、架台回転部が高速回転した場合の遠心力による破損を防止することができる。特に、チップデバイスの背面に装着された熱伝導体は、第１のシールドボックスによって固定されているため上述の高速回転に対して剥離する心配が無くなる。
【００６１】
更に、上述の第１の変形例あるいは第２の変形例によれば、回路基板に複数個のチップデバイスが隣接して搭載されている場合、シールド構造を簡略化することによって更なる軽量化が可能となり、架台回転部の回転に対する信頼性が向上する。
【００６２】
即ち、高速回転する架台回転部に設けられたチップデバイスが発生する熱と放射ノイズを安定かつ効果的に低減することができるため、チップデバイスの発熱による回路特性の劣化や放射ノイズによる画像データの画質劣化を防止することができ、更に、ＥＭＣ規格への適合化が容易となる。
【００６３】
以上、本発明の実施例について述べてきたが、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、変形して実施してもよい。例えば、上述の実施例では、ＤＡＳユニット６３のＤＡＳ制御部６３３に設けられたチップデバイス８３が発生する熱や放射ノイズを低減させる場合について述べたが、架台回転部２における他のユニットが有するチップデバイスであってもよい。例えば、ＤＡＳユニット６３の電流／電圧変換器６３１やＡ／Ｄ変換器６３２のチップデバイスであってもよく、又、スイッチ群６２のマルチプレクサやその制御回路が備えたチップデバイスであってもよい。
【００６４】
又、第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６は、オンボードクリップ８８を介して回路基板８１のＧＮＤ層８９に接続する場合について述べたが、ハンダ付け等によりＧＮＤ層８９に直接接続してもよい。
【００６５】
更に、第２のシールドボックス８６は高周波的に接地すればよく、ＧＮＤ層８９に接続する代わりにコンデンサ等を介して回路基板８１の図示しない電源層に接続することも可能である。
【００６６】
又、チップデバイス８３を覆うシールドボックスの数は２つに限定されるものではなく、例えば、第２のシールドボックス８６を、更に、１つあるいは複数のシールドボックスによって覆ってもよい。
【００６７】
一方、上述の実施例ではマルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置１００について述べたが、ヘリカルスキャン方式のＸ線ＣＴ装置や従来のシングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置であってもよく、マルチスライス方式の投影データに基づいて３次元画像データを生成する場合について述べたがこれに限定されない。
【００６８】
更に、上述の熱伝導体８４は、薄いシート状のものであってもよく、又熱伝導率の高い接着剤によって構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例に係るＸ線ＣＴ装置の全体構成を示すブロック図。
【図２】同実施例におけるＸ線検出器の構成を示す図。
【図３】同実施例におけるＤＡＳユニットの構成を示す図。
【図４】同実施例における投影データ収集部の構成を示す図。
【図５】同実施例のＤＡＳユニットにおけるチップデバイスのシールド構造を説明するための図。
【図６】同実施例のシールドボックスによる発熱低減の機序を示す図。
【図７】同実施例のシールドボックスによる放射ノイズ低減の機序を示す図。
【図８】同実施例の第１の変形例におけるチップデバイスのシールド構造を示す図。
【図９】同実施例の第２の変形例におけるチップデバイスのシールド構造を示す図。
【符号の説明】
【００７０】
１…寝台
２…架台回転部
３…寝台・架台移動機構部
４…機構制御部
５…Ｘ線発生部
５１…Ｘ線管
５２…高電圧発生器
５３…Ｘ線絞り器
５４…スリップリング
６…投影データ収集部
６１…Ｘ線検出器
６１１…Ｘ線検出素子
６２…スイッチ群
６３…ＤＡＳユニット
６３１…電流／電圧変換器
６３２…Ａ／Ｄ変換器
６３３…ＤＡＳ制御部
６４…データ伝送回路
７…画像データ生成部
７１…投影データ記憶回路
７２…再構成演算回路
７３…画像データ記憶回路
８１…回路基板
８２…ＢＧＡ
８３…チップデバイス
８４…熱伝導体
８５、８６…シールドボックス
８７…電波吸収シート
８８…オンボードクリップ
８９…ＧＮＤ層
９…表示部
９１…表示データ生成回路
９２…変換回路
９３…モニタ
１０…入力部
１１…システム制御部
１００…Ｘ線ＣＴ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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