(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられ、かつ前記光半導体素子を接合するためのダイボンド材とは異なる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ基を有するエポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、
光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記エポキシ化合物の全てが、芳香族骨格を有さず、かつ構成する原子が炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであるエポキシ化合物である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
金型を用いて成形される光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物が脂環式骨格を有する、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物を含有する、請求項３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物を含有する、請求項３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物と、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物との双方を含有する、請求項３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
前記エポキシ化合物のエポキシ当量が１００以上、３００以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項９】
前記エポキシ基を有するエポキシ化合物と、前記硬化剤と、前記酸化チタンと、前記酸化チタンとは異なる充填材とを混練することにより混練物を得、次に、前記混練物を熱処理温度４０℃以上、８０℃以下及び熱処理時間１時間以上、９６時間以下で熱処理することにより得られる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１０】
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、前記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために好適に用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物及びその製造方法に関する。また、本発明は、該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠状の成形体が配置されている。該枠状の成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成形体を形成するための組成物の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化触媒と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物を硬化させた硬化物を１５０℃の高温条件下に５００時間放置した後に測定される光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率は８０％以上である。また、上記硬化性組成物では、トランスファー成形時のせん断離型力が１０ショット以内に２００ＫＰａ以下である。
【０００５】
下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献２では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００６】
上記特許文献１，２の実施例ではいずれも、上記エポキシ樹脂として、トリスグリシジルイソシアヌレートが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１４１３２７号公報
【特許文献２】特開２０１１−００９５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１，２に記載のような従来の硬化性組成物を用いて成形体を作製し、該成形体を備えた光半導体装置を得た場合に、該光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されると、光半導体装置から取り出される光の明るさが低下するという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されても、光度が低下し難い光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体を提供することである。
【００１０】
本発明の目的は、高温高湿下で通電して使用されても、光度が低下し難い光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられ、かつ前記光半導体素子を接合するためのダイボンド材とは異なる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ基を有するエポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれる前記エポキシ化合物の全てが、芳香族骨格を有さず、かつ構成する原子が炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであるエポキシ化合物である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【００１２】
また、本発明の広い局面によれば、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が提供される。
【００１３】
すなわち、本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、前記成形体が、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られ、前記光半導体装置用白色硬化性組成物が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であり、前記光半導体装置用白色硬化性組成物が、エポキシ基を有するエポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有さず、前記エポキシ化合物を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、光半導体装置が提供される。
【００１４】
本明細書では、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物に関する発明と、上述した光半導体装置に関する発明との双方が開示される。
【００１５】
前記エポキシ化合物が脂環式骨格を有することが好ましい。前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物を含有することが好ましい。前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物を含有することが好ましい。前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物と、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物との双方を含有することが好ましい。前記エポキシ化合物のエポキシ当量が１００以上、３００以下であることが好ましい。
【００１６】
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含むことが好ましい。
【００１７】
前記光半導体装置用硬化性組成物が、前記エポキシ基を有するエポキシ化合物と、前記硬化剤と、前記酸化チタンと、前記酸化チタンとは異なる充填材とを混練することにより混練物を得、次に、該混練物を熱処理温度４０℃以上、８０℃以下及び熱処理時間１時間以上、９６時間以下で熱処理することにより得られることが好ましい。
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であり、この場合に、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。
【００２０】
本発明の広い局面によれば、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法であって、前記エポキシ基を有するエポキシ化合物と、前記硬化剤と、前記酸化チタンと、前記酸化チタンとは異なる充填材とを混練することにより混練物を得る混練工程と、前記混練物を熱処理温度４０℃以上、８０℃以下及び熱処理時間１時間以上、９６時間以下で熱処理する熱処理工程とを備える、光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法が提供される。
【００２１】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法では、前記混練工程において、混練温度２０℃以上、１００℃以下及び混練時間１０分以上、１２０分以下の条件で混練することが好ましい。
【００２２】
本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【００２３】
本発明に係る光半導体装置では、前記成形体が、前記光半導体素子の側方に配置されており、前記成形体の内面が前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、上記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有さず、上記エポキシ化合物を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであるので、光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。
【００２５】
本発明に係る光半導体装置では、成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られるので、高温高湿下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、酸化チタン（Ｃ）と、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）とを含む。
【００２９】
エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さない。エポキシ化合物（Ａ）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。硬化剤（Ｂ）は、酸無水物硬化剤である。
【００３０】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用によって、光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。例えば、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体を備える光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されても、光度が低下し難くなる。
【００３１】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用によって、上記硬化性組成物を硬化させて成形体を形成したときに、バリが発生し難くなる。
【００３２】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用によって、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体のダイシング性を高めることができる。成形体をダイシングしても、成形体にクラック及び欠けが生じ難くなる。
【００３３】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用によって、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体と、該成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性を高めることができる。
【００３４】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用によって、光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が冷熱サイクルなどの熱衝撃を受けても、光半導体装置の品質が低下し難くなる。例えば、硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体にクラックが生じ難くなり、該成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材にクラックが生じ難くなり、該成形体と該部材との剥離が生じ難くなり、配線の接続不良が生じ難くなる。
【００３５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。
【００３６】
以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の他の詳細を説明する。
【００３７】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
本発明では、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さない。エポキシ化合物（Ａ）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。
【００３９】
上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有することが好ましい。すなわち、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さず、かつ脂環式骨格を有することが好ましい。脂環式骨格を有するエポキシ化合物の使用により、成形体のダイシング性がより一層高くなり、更に光半導体装置が冷熱サイクルなどの熱衝撃を受けても、光半導体装置の品質が低下し難くなる。
【００４０】
上記エポキシ化合物（Ａ）におけるエポキシ基の２つの炭素原子は、脂環式骨格の炭素原子であってもよく、脂環式骨格の炭素原子でなくてもよい。エポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子である場合に、エポキシ基は、脂環エポキシ基と呼ばれる。
【００４１】
上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物（Ａ１）を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１）は、脂環エポキシ基を有するエポキシ化合物である。上記エポキシ化合物（Ａ１）は、エポキシシクロヘキシル基を有することが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４２】
上記エポキシ化合物（Ａ）の全体１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ１）の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体が上記エポキシ化合物（Ａ１）であってもよい。上記エポキシ化合物（Ａ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４３】
上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物（Ａ２）を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ２）は、脂環エポキシ基を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ２）は、脂環式骨格とは別の部位にエポキシ基を有する。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ２）の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の全体が上記エポキシ化合物（Ａ２）であってもよい。上記エポキシ化合物（Ａ２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４４】
上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子であるエポキシ化合物（Ａ１）と、脂環式骨格を有し、かつエポキシ基の２つの炭素原子が脂環式骨格の炭素原子ではないエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１）と上記エポキシ化合物（Ａ２）との併用により、成形体のダイシング性がより一層良好になる。
【００４５】
上記エポキシ化合物（Ａ）としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）ブタンテトラカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物、水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合物及び水添ビスフェノールＦ型エポキシ化合物等が挙げられる。これら以外のエポキシ化合物（Ａ）を用いてもよい。
【００４６】
上記エポキシ化合物（Ａ１）の市販品としては、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド３０００、エポリードＧＴ３０１、エポリードＧＴ４０１（以上、ダイセル社製）等が挙げられる。なかでも、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートであるセロキサイド２０２１Ｐが好ましい。
【００４７】
上記エポキシ化合物（Ａ２）の市販品としては、ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル社製）、並びにＳＴ−４０００Ｄ（新日鐵化学社製）等が挙げられる。なかでも、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物であるＥＨＰＥ３１５０が好ましい。ＥＨＰＥ３１５０の使用により、上記成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００４８】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、１００以上、３００以下であることが特に好ましい。エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体と、該成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性がより一層高くなる。
【００４９】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００５０】
上記エポキシ化合物（Ａ１）と上記エポキシ化合物（Ａ２）とを併用する場合には、上記硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ１）と上記エポキシ化合物（Ａ２）とを重量比で、１：１０００〜１０００：１で含むことが好ましく、１：１００〜１００：１で含むことがより好ましく、１：２０〜２０：１で含むことが更に好ましく、１：１０〜１０：１で含むことが特に好ましく１：５〜５：１で含むことが最も好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ１）と上記エポキシ化合物（Ａ２）との重量比が上記範囲内であると、成形体のダイシング性がより一層良好になる。
【００５１】
［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤である。該酸無水物硬化剤の使用によって、成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５２】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００５３】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００５４】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００５５】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは１００重量部以下である。
【００５６】
また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜２：１であることが好ましく、０．５：１〜１．５：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００５７】
（酸化チタン（Ｃ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は上記酸化チタン（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化チタン（Ｃ）の使用によって、酸化チタン（Ｃ）とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記酸化チタン（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５８】
上記酸化チタン（Ｃ）は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性により一層優れた成形体が得られ、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても品質が低下し難くなる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。
【００５９】
上記酸化チタン（Ｃ）は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物より表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００６０】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番：ＣＲ−５８や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番：Ｒ−６３０等が挙げられる。
【００６１】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは１５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。
【００６２】
（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は特に限定されない。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６３】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６４】
上記充填材（Ｄ）は、球状充填材（Ｄ１）を含むことが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、破砕充填材（Ｄ２）を含むことが好ましい。成形体の強靭性をより一層高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）との双方を含むことが好ましい。また、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）との併用により、成形体のダイシング性がより一層高くなる。
【００６５】
上記球状充填材（Ｄ１）は球状である。球状充填材（Ｄ１）はアスペクト比が２以下である充填材をいう。球状充填材（Ｄ１）は、真球状であってもよく、球を扁平にした楕円球状であってもよく、又はこれらに類似した形状であってもよい。
【００６６】
上記破砕充填材（Ｄ２）は、破砕された充填材である。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、特に限定されない。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は好ましくは１．５以上、好ましくは２０以下である。アスペクト比が１．５未満である破砕充填材は、比較的高価である。従って、硬化性組成物のコストが高くなる。上記アスペクト比が２０以下であると、上記破砕充填材（Ｄ２）の充填が容易である。
【００６７】
上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置（商品名：ＦＰＡ、日本ルフト社製）を用いて、上記破砕充填材（Ｄ２）の破砕面を測定することにより求めることができる。
【００６８】
上記球状充填材（Ｄ１）の好ましい例としては、シリカ、アルミナ、チタン酸カリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、硼酸アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム及び硫酸カルシウム等の無機球状充填材、並びに架橋アクリルの樹脂粒子等の有機球状充填材等が挙げられる。上記球状充填材（Ｄ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６９】
上記破砕充填材（Ｄ２）の好ましい例としては、シリカ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム及び炭化ケイ素等が挙げられる。上記破砕充填材（Ｄ２）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７０】
成形性を高め、かつ熱伝導性及び光反射特性に優れた成形体を得る観点からは、上記破砕充填材（Ｄ２）は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムであることが好ましい。
【００７１】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）の平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）の平均粒径はそれぞれ、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。該平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。
【００７２】
上記充填材（Ｄ）における平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）における平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）における平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ  １３  ３２０」等が挙げられる。
【００７３】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。
【００７４】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９３重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなる。
【００７５】
上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）とを併用する場合には、上記光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材（Ｄ１）の含有量の上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量に対する重量比（球状充填材（Ｄ１）／破砕充填材（Ｄ２））が、０．３以上、３０以下であることが好ましく、１以上、１５以下であることがより好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量及び上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量は、上記硬化性組成物１００重量％中での含有量を示す。すなわち、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）とを重量比（球状充填材（Ｄ１）：破砕充填材（Ｄ２））で、１：３０〜３０：１で含むことが好ましく、１：１５〜１５：１で含むことがより好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量が相対的に多くなると、成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層高くなって、成形体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量が相対的に多くなると、成形体の強度がより一層高くなる。
【００７６】
（硬化促進剤（Ｅ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含まないか又は含む。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、硬化促進剤（Ｅ）を含むことが好ましい。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７７】
上記硬化促進剤（Ｅ）は、塩基性を有する硬化促進剤を含有することが好ましい。塩基性を有する硬化促進剤の使用により、硬化性組成物の硬化性がより一層良好になる。
【００７８】
なお、上記硬化剤が塩基性を有するか否かは、硬化剤１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが塩基性であることにより判断される。
【００７９】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００８０】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００８１】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００８２】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００８３】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【００８４】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【００８５】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００８６】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００８７】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００８８】
上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記塩基性を有する硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。塩基性を有する硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。
【００８９】
（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、カップリング剤、酸化防止剤、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【００９０】
上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。
【００９１】
上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【００９２】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【００９３】
（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【００９４】
光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。
【００９５】
光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なる。
【００９６】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体にクラック及び欠けを生じ難くすることができる。
【００９７】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１２０分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜４０分間混練することがより好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが更に好ましい。
【００９８】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）とを混練することにより混練物を得、次に、該混練物を熱処理温度４０℃以上、８０℃以下及び熱処理時間１時間以上、９６時間以下で熱処理することにより得られることが好ましい。このようにして硬化性組成物を得ることで、成形体におけるバリの発生をより一層抑えることができる。なお、上記熱処理は混練物を混練せずに行われることが好ましい。上記混練物は、混練温度２０℃以上、１００℃以下及び混練時間１０分以上、１２０分以下の条件で混練することにより得られることが好ましい。
【００９９】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法は、上記エポキシ基を有するエポキシ化合物と、上記硬化剤と、上記酸化チタンと、上記酸化チタンとは異なる充填材とを混練することにより混練物を得る混練工程と、上記混練物を熱処理温度４０℃以上、８０℃以下及び熱処理時間１時間以上、９６時間以下で熱処理する熱処理工程とを備える。このようにして硬化性組成物を得ることで、成形体におけるバリの発生をより一層抑えることができる。上記混練工程において、混練温度２０℃以上、１００℃以下及び混練時間１０分以上、１２０分以下の条件で混練することが好ましい。
【０１００】
本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【０１０１】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。
【０１０２】
トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。
【０１０３】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【０１０４】
本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【０１０５】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。
【０１０６】
本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。
【０１０７】
リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５が配置されている。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。
【０１０８】
第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【０１０９】
光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。
【０１１０】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。
【０１１１】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１１２】
また、図２に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。
【０１１３】
さらに、図３に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図２，３において、分割前光半導体装置用部品１１及び分割前光半導体装置１２では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。
【０１１４】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。
【０１１５】
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１１６】
（エポキシ化合物（Ａ１））
１）セロキサイド２０２１Ｐ（３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、エポキシ当量１２６、ダイセル社製）
２）セロキサイド３０００（１，２：８，９−ジエポキシリモネン、エポキシ当量９３、ダイセル社製）
３）エポリードＧＴ４０１（多官能脂環式エポキシ樹脂、エポキシ当量２２０、ダイセル社製）
【０１１７】
（エポキシ化合物（Ａ２））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１７７、ダイセル社製）
２）ＳＴ−４０００Ｄ（水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量７００、新日鐵化学社製）
【０１１８】
（他のエポキシ化合物）
１）ＴＥＰＩＣ（トリグリシジルイソシアヌレート、窒素原子を有する、エポキシ当量１００、日産化学社製）
２）ＹＤ−１２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、芳香族骨格を有する、エポキシ当量１９０、新日鐵化学社製）
【０１１９】
（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＭＨ−７００（ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、塩基性を有さない、新日本理化社製）
２）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、塩基性を有さない、新日本理化社製）
【０１２０】
（酸化チタン（Ｃ））
１）ＣＲ−９０（ルチル型酸化チタン、Ａｌ，Ｓｉにより表面処理されている、石原産業社製）
２）ＣＲ−５８（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、石原産業社製）
【０１２１】
（球状充填材（Ｄ１））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＤＡＭ−４５（球状アルミナ、平均粒径４０μｍ、デンカ社製）
【０１２２】
（破砕充填材（Ｄ２））
１）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
２）Ｂ−５５（破砕充填材である硫酸バリウム、平均粒径１．２μｍ、堺化学工業社製）
【０１２３】
（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、塩基性を有する、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、塩基性を有する、日本化学工業社製）
【０１２４】
（実施例１〜２２及び比較例１〜５）
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所製）にて下記の表１，２に示す混練温度及び混練時間の条件で混練して混練物を得、次に下記の表１，２に示す熱処理温度及び熱処理時間で熱処理して、次に２３℃に降温させて、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温（２３℃）で液状である場合、溶融混練物を硬化性組成物として用いた。溶融混練物が常温（２３℃）で固体である場合、常温で粉砕した後、タブレット化して、硬化性組成物を得た。
【０１２５】
（評価）
（１）バリの発生
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形装置（ＴＯＷＡ社製「ＹＰＳ−ＭＰ」）を用いて、トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）でＭＡＰ成形法により上記リードフレーム上に、上記硬化性組成物を硬化させることにより得られた成形体を作製し、成形体を備えた光半導体装置搭載用基板を作製した。金型としては、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成形用金型を用いた。キャビティサイズは、１個当たり６ｍｍ×３ｍｍ、深さ５ｍｍとした。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により観察した。成形体におけるバリの発生を下記の基準で判定した。
【０１２６】
［バリの発生の判定基準］
○○：バリがないか、又はバリの長さが１ｍｍ以下
○：バリの長さが１ｍｍを超え、３ｍｍ以下
×：バリの長さが３ｍｍを超える
【０１２７】
（２）ダイシング性
上記（１）バリの発生の評価に用いた成形体を用意した。この成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。複数の成形体がマトリックス状に連なった分割前成形体を、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＡＤ３３５０」）を用いて、個々の成形体に分割し、光半導体素子搭載部を１つ有する光半導体搭載用基板を１５０個得た。
【０１２８】
上記１５０個の光半導体搭載用基板における成形体のダイシング面を観察した。ダイシング性を下記の基準で判定した。
【０１２９】
［ダイシング性の判定基準］
○○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中３個以下
○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中４個以上、１０個以下
×：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中１１個以上
【０１３０】
（３）成形体と封止剤との密着性
上記硬化性組成物を１７０℃のプレス機で２時間プレスして、厚み１ｍｍの硬化シートを得た。得られた硬化シート上にシリコーン封止剤を０．２ｍＬ滴下し、その上に３ｍｍ×３ｍｍの大きさのシリコンウェハを載せた。その後、１５０℃で２時間加熱して、シリコーン封止剤を硬化させて、サンプルを得た。
【０１３１】
得られたサンプルをダイシェアテスター（レスカ社製「ＰＴＲ−１１０２」）を用いて、硬化シートである成形体と封止剤とのダイシェア強度を測定した。成形体と封止剤との密着性を下記の基準で判定した。
【０１３２】
［成形体と封止剤との密着性］
○○：ダイシェア強度が３０Ｎ以上
○：ダイシェア強度が１０Ｎ以上、３０Ｎ未満
×：ダイシェア強度が１０Ｎ未満
【０１３３】
（４）光度保持率
上記（１）バリの発生の評価に用いた成形体を用意した。この成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。アフターキュア後の成形体において、バリがある場合には、ＡＸ−９３０（リックス社製）を用いてバリを除去した。
【０１３４】
次に、アフターキュア後の成形体上に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤーを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。
【０１３５】
得られた光半導体装置の光度（通電試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、温度８５℃及び湿度８５％の条件で、電流１２０ｍＡで１０００時間通電した後に、光半導体装置の光度（通電試験後の光度）を測定した。通電試験前後の光度から光度保持率を求めた。光度保持率を下記の基準で判定した。
【０１３６】
上記光度保持率は下記式で表される。
【０１３７】
光度保持率（％）＝（通電試験後の光度）／（通電試験前の光度）×１００
【０１３８】
［光度保持率の判定基準］
○：光度保持率が９０％以上
×：光度保持率が９０％未満
【０１３９】
（５）耐熱衝撃性
上記（４）光度保持率の評価で得られた白色発光の光半導体装置を用意した。この光半導体装置を、冷熱サイクル試験装置（ＥＳＰＥＣ社製「ＴＳＡ−４２ＥＬ」）を用いて、−４０℃から１２０℃に加熱し、１２０℃から−４０℃に冷却する過程を１サイクルとして、１０００サイクルの冷熱サイクル試験を行った。耐熱衝撃性を以下の基準で評価した。
【０１４０】
［耐熱衝撃性の判定基準］
○○：１０００サイクルの冷熱サイクル試験後に、封止剤におけるクラック及び剥離の発生がなく、成形体におけるクラックの発生がなく、かつ金ワイヤーの断線がない
○：５００サイクルの冷熱サイクル試験後に、封止剤におけるクラック及び剥離の発生がなく、成形体におけるクラックの発生がなく、かつ金ワイヤーの断線がないが、１０００サイクルの冷熱サイクル試験後に、封止剤におけるクラック又は剥離の発生があるか、成形体におけるクラックの発生があるか、又は金ワイヤーの断線がある
×：５００サイクルの冷熱サイクル試験後に、封止剤におけるクラック又は剥離の発生があるか、成形体におけるクラックの発生があるか、又は金ワイヤーの断線がある
【０１４１】
結果を下記の表１，２に示す。
【０１４２】
【表１】
0005143964.tif 000002
【０１４３】
【表２】
0005143964.tif 000003
【符号の説明】
【０１４４】
１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
【要約】
【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されても、光度が低下し難い光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含む。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有さない。上記エポキシ化合物を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。
【選択図】図１【図１】
0005143964.tif 000004
【図２】
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【図３】
0005143964.tif 000006