(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドであって、当該研磨パッドは、
研磨表面の少なくとも一部分を形成する複数の研磨アイランドと、
当該複数の研磨アイランドと同一平面上にあり、少なくとも複数の研磨アイランドのいくつかのコーナーをつなぐ上部表面を有する複数の突起と、からなり、
１つあるいはそれ以上の複数の研磨アイランドと、１つあるいはそれ以上の突起が、研磨バッドの表面に複数の不連続な流体保持溝を形成することにより流体の流れを制限し、更にそれぞれの突起が２つの不連続な流体保持溝を架橋し、
少なくとも１つの突起が、引き続く不連続の流体保持溝の１つと接する、研磨パッド。
【請求項２】
上記の不連続の流体保持溝が、研磨表面の縁部の内側に形成される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
上記の不連続の流体保持溝が、弓形の溝、線形の溝或はこれらの任意の組み合せから選ばれる、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
上記の研磨パッドが、リニアポリッシャー及びロータリポリッシャーの少なくとも１つと共に用いられるように適合される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
上記複数の不連続流体保持溝のそれぞれの長さが、複数のアイランドのうちの１つのアイランドの幅に等しい、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
基板研磨パッドであって、当該パッドは、
(a) 基板研磨パッドの研磨表面と、
(b) 上記研磨表面上に形成されて、上記研磨表面の下方に凹んでいる複数の不連続な流体保持溝セグメントと、を備え、
上記の流体保持溝セグメントは、X−Y方向に配置されており、複数の研磨アイランドと、当該研磨アイランドと同一平面上にある上部表面を有する複数の突起と、により形成され、当該複数の突起が、少なくともいくつかの研磨アイランドのコーナーをつなぎ、それぞれの突起が、複数の不連続な流体保持溝のうち２つを架橋し、
少なくとも１つの突起が、引き続く不連続の流体保持溝の１つと接する、基板研磨パッド。
【請求項７】
上記の流体保持溝セグメントが、基板研磨表面の縁部の内側に形成される、請求項６に記載の基板研磨パッド
【請求項８】
上記の流体保持溝セグメントが、１７．８ｍｍから３８．１ｍｍの間のピッチを有する、請求項６に記載の基板研磨パッド。
【請求項９】
上記の流体保持溝セグメントが、０．１３ｍｍから２．５ｍｍの間の深さを有する、請求項６に記載の基板研磨パッド。
【請求項１０】
上記の流体保持溝セグメントが、０．１５ｍｍから２．０ｍｍの間の幅を有する、請求項６に記載の基板研磨パッド。
【請求項１１】
上記の基板研磨パッドが、ロータリポリッシャー或はリニアポリッシャーの少なくとも１つと共に用いられるように適合されている、請求項６に記載の基板研磨パッド。
【請求項１２】
上記複数の不連続流体保持溝のそれぞれの長さが、複数のアイランドのうちの１つのアイランドの幅に等しい、請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項１３】
基板研磨用装置であって、当該装置は、
(a)１つ以上の回転可能なプラテンと、
(b)上記の回転可能な各プラテン上に配置される研磨パッドと、を備え、
上記研磨パッドは、研磨パッドの表面上に形成され、且つ、研磨表面の下方に凹んでいる少なくともいくつかの流体保持溝セグメントを備え、当該セグメントは、複数の研磨アイランドと、当該研磨アイランドと同一平面上にある上部表面を有する複数の突起により形成され、当該複数の突起が、少なくともいくつかの研磨アイランドのコーナーをつなぎ、それぞれの突起が、複数の不連続な流体保持溝のうち２つを架橋し、少なくとも１つの突起が、引き続く不連続の流体保持溝の１つと接し、それぞれの突起が、第１の流体保持溝セグメントを完全に架橋する第１サイドと、第２の流体保持溝セグメントを完全に架橋する第２サイドと、を有する、基板研磨用装置。
【請求項１４】
(a) 上記の回転可能なプラテンに接続されているモーターと、
(b) 上記回転可能なプラテンに対向して回転可能に取り付けられている１つ以上の研磨ヘッドとをさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
上記流体保持溝セグメントが、X−Y方向に配置される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
流体保持溝セグメントが、０．１５ｍｍと２．０ｍｍの間である幅を有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
流体保持溝セグメントが、１７．８ｍｍから３８．１ｍｍの間のピッチを有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
流体保持溝セグメントが、０．１３ｍｍから２．５ｍｍの間の深さを有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１９】
上記の回転可能なプラテンが、化学機械研磨システムの一部である、請求項１３に記載の装置。
【請求項２０】
上記の複数の不連続の流体保持溝のそれぞれの長さが、複数のアイランドのうちの１つのアイランドの幅に等しい、請求項１３に記載の研磨パッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】  （発明の分野）
本発明は、基板を研磨するための装置及び方法に関する。本発明は、特に、基板の研磨均一性を改善するための表面を有するプラテン／研磨パッドアセンブリに関する。
【０００２】  （関連技術背景）
集積回路及びその他の電子デバイスの製造において、製造プロセス中に、導体、半導体及び誘電体材料の多層が堆積され、そして、基板から除去される。たびたび、基板表面を研磨して、高いトポグラフィー、表面欠陥、スクラッチ又は埋め込まれた粒子を除去する必要がある。1つの研磨プロセスが、化学機械研磨（CMP）として知られていて、基板上に形成された電子デバイスの品質と信頼性を改善するために用いられる。
【０００３】  一般に、研磨プロセスは、、スラリまたは他の流体の存在下で、制御された圧力、温度及びパッドの回転速度下で、基板を研磨パッドに対して保持することを含む。基板表面上の膜間により高い除去速度及び選択性を促進するために、研磨プロセスは、典型的に、研磨プロセス中に、化学スラリを導入することを含む。CMPを行うために用いられる1つの研磨システムはアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドから提供されるMIRRA（登録商標）である。
【０００４】  CMPの重要な目標は、基板表面のプラナリティ(planarity)均一を達成することである。均一なプラナリティは、基板表面から材料を均一に除去することと、基板上に堆積された非均一な層を除去することとを含む。成功するCMPは、また、1つの基板から次の基板までのプロセスリピータビリティーを要求する。よって、均一性は、１つの基板だけでなく、１つのバッチの中で処理される一連の基板に達成されなければならない。
【０００５】  基板プラナリティは、大きい程度で、CMP装置の構成と、スラリ及びパッドのような消耗品の組成及び構成によって、決定されて、その全てが研磨速度に寄与する。非均一な研磨に寄与する1つの要素は、基板と研磨パッドとの界面におけるスラリの非均一な補充及び分配である。スラリは、主に、基板表面から選択された材料の材料除去速度を強化するために用いられる。基板と接触している固定体積のスラリが、基板表面上の選択された材料と化学反応するので、スラリ成分が消費される。
【０００６】  パッドの回転中に、スラリの慣性によって、スラリが操作中にパッドから外の方へ流れるので、パッドの非均一なスラリ分配が結果として生じる。パッド上の非均一なスラリ分配の結果として、処理されている基板が、悪い研磨均一性を経験する。通常、結果として生じる研磨は「センタ・スロー(center-slow)」であり、基板のセンタ部分での材料の除去速度が基板の外側部分よりも低いことを意味する。基板のセンタ部に印可される圧力を増大することによって、センタ・スロー研磨効果を補償しようとする試みは、圧力の適切な特性を達成するのが難しいであるため、基板のプラナリティを危なくする可能性がある。さらに、パッド上に増大される基板のローディング圧力が作用して、スラリをパッドと基板との間から外へ押しつけて、パッド上にスラリが材料切れになっているエリアを残す。その結果、研磨は基板表面にわたって非均一になる。
【０００７】  悪いスラリ分配の問題を解決する１つの方法は、パッドに溝を設けることであった。溝が設けられるパッドの一種は、ニューアーク（デラウェア）にあるロデル社（Rodel Inc.）から提供されるIC 1000である。図1は、パッドの上部研磨表面に形成された溝のX−Y構造を示す。複数の溝が、第１の方向（X）に互いに平行して延伸し、複数の溝が、第１の方向に直交する第２の方向(Y)に互いに平行して延伸する。その結果は、直角で互いに交差する溝のX-Yパターンである。溝は、スラリの一部を溝の中に保持することによって、操作中のスラリの分配を制御すると考えられる。しかし、そのようなパッドデザインが、フラット或はプレーナのパッドよりも、多くのスラリ体積を収容するが、パッドの回転中に、スラリの慣性が、スラリをパッドから放射状に外へ流させるので、スラリ分配の均一性の達成に無効であると判明した。
【０００８】  基板の全ての領域にフレッシュなスラリの均一な分布を確実にする試みにおいて、従来の方法は、研磨サイクル中に、大体積のスラリを継続的にパッドに供給する。その結果、スラリが化学機械研磨における主要な消耗品及び操作のコストの重要なソースとなる。操作コストを最小にするために、プロセスサイクルに用いられるスラリの体積を最小にしなければならない。しかし、上記のように、従来のパッドは、パッドと基板との間にスラリを効率的に保持することができない。その結果、消費されるスラリの体積は、所望よりも実質的に高い。
【０００９】  パッドの研磨表面に溝の存在によるもう１つの問題は、パッドの研磨特性に有害な影響を与えることである。特に、溝は、基板を研磨するために利用できる総面積を減少し、よって、基板から材料の除去速度を減小させる。さらに、パッドの堅さ(stiffness)は、溝によって影響を受けることができる。好ましいパッド構造は、研磨パッドの剛性（または堅さ）とコンプライアンス（または可撓性）との適切なバランスを考慮に入れる。一般に、堅さは、基板の表面にわたるトポグラフィー及び／或は基板形状にも関わらず、基板の直径にわたるフィーチャを除去するためのCMP装置の能力に言及するダイ内（within-die）均一性を確実にする必要がある。研磨表面上の溝の供給は、パッドの堅さを容認できない低レベルまでにを減小して、悪いダイ内均一性を結果としてもたらすことができる。
【００１０】  従って、研磨パッドが、パッド表面にわたるスラリ分配を制御して、均一且つプレーナの研磨を提供できることが、必要である。
【００１１】  （発明の概要）
本発明は、一般に、研磨パッドの表面にわたるスラリの分配を改善して、研磨プロセスの均一性及びプラナリティを改善する基板研磨用装置を提供する。本発明の装置は、好ましく、化学機械研磨システムに組み込まれるように適応される。
【００１２】  本発明の１つの態様において、パターン化された上部研磨表面を有する研磨パッドが提供される。複数の不連続な或は妨げられた流体デリバリー／保持溝が、上部研磨表面の上に形成されて、操作中に、スラリ又は他の流体がパッドから外へ流れるのを抑制するように適応される不連続な或はか妨げられた溝セグメントの均一な或はランダムなパターンを含む。1つの実施例では、障害物或は突出が、上部研磨表面の上に形成される。もう１つの実施例では、溝のジオメトリは、流体流を制限するように適応される一連の鋭いターンを含む。
【００１３】  このように、上記の本発明の特徴、利点及び目的が達成されて、且つ詳細に理解されことができるが、上記のように簡単に説明された本発明の更なる詳細な記載が、添付図面に示される実施例を参照して、与えられるだろう。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施例のみを示し、本発明がこれに限定されなく、他の同等の有効な実施例を認めることを注意すべき。
【００１４】  （好ましい実施例の詳細な説明）
本発明は、一般に、流体保持溝が形成されている研磨パッドに関する。上記の溝は、研磨パッドの上部表面上に形成されて、好ましくは、突出、障害物或は溝の幾何学形状によって、それぞれの端部で区切られる複数の不連続な溝セグメントを含む。上記の突出は、パッド材料の一部であってもよく、研磨サイクル中に、溝内に流体を保持するように作用する。
【００１５】  記載の明瞭と容易さのために、以下の記載は、主にCMPシステムに言及する。
しかし、本発明は、基板を研磨或はクリーニングするためのパッド及びプラテンアセンブリを用いる他のタイプのプロセスにも同等に適用できる。
【００１６】  図2は、サンタクララ（カリフォルニア）にあるアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドから提供されるMirra（登録商標）SystemのようなCMPシステム30の概略図である。図示されるシステムは、１つ以上の研磨ステーション32、33及びローディングステーション34を含む。好ましくは、システム30が、ロータリ／オービタル研磨ステーション32及びリニア研磨ステーション33を含む。研磨ヘッド36は、研磨ステーション32、33及びローディングステーション34の上に配置された研磨ヘッドディスプレースメントメカニズム37に、回転可能に取り付けられている。フロントエンド基板搬送領域38は、CMPシステムに隣接して設置されている。搬送領域38が別のコンポーネントであってもよいが、CMPシステムの一部とみなされる。基板検査ステーション40は、基板搬送領域38内に配置されて、システム30に導入される基板のプレ及び／或はポストプロセス検査を可能にする。
【００１７】  典型的に、基板が、ローディングステーション34で研磨ヘッド36の上に載せられて、その後、研磨ステーション32、33を通して回転させられる。各研磨ステーション32は、その上に取付けられた研磨或はクリーニングパッドを含む。１つのプロセスシーケンスは、ステーション32の２つで研磨パッドを含み、且つ第3のステーション32でクリーニングパッドを含んで、研磨プロセスの終わりに基板クリーニングを容易にする。サイクルの終わりに、基板はフロントエンド基板搬送領域38に返され、もう１つの基板が、処理のために、ローディングステーション34から取ってくる。
【００１８】  簡潔のために、ロータリ研磨ステーション32のみが、以下のように詳細に記載される。しかし、（図2の中で示される研磨ステーション33のような）リニアポリッシャー及びそれらの操作が、この技術分野でよく知られている。さらに、本発明は、ロータリ及びリニアポリッシャーを含む任意のポリッシャーの使用を予想する。
【００１９】  図3は、本発明と共に有利に用いられる研磨ステーション32及び研磨ヘッド36の概略図である。研磨ステーション32は、回転可能なプラテン41の上部表面に固定されているパッド45を含む。パッド45は、ニューアーク（デラウェア）にあるRodel社等の製造業者によって供給される任意の市販のパッドを使用してもよく、好ましく、ポリウレタンのようなフォーム(foam)或はプラスチックを含む。他のパッド材料は、ウレタン含浸ポリエステルフェルト、ニューアーク（デラウェア）にあるRodel社によりPolitexとして販売されるようなタイプのマイクロポーラスウレタンパッド、及びRodel社によって製造されるICシリーズ及びMHシリーズの研磨パッドのようなブローンコンポジットウレタンを含む。さらに、パッド45は、例えば、接着材によって互いに固定される2つ以上のパッドを含む複合パッドであってもよい。プラテン41が、プラテン41に回転運動を与えるたモーター46或は他の適当な駆動機構に結合される。操作中に、プラテン41がセンタ軸Xのまわりに速度Vpで回転させられる。プラテン41は、時計まわり或は反時計まわりのいずれかの方向に回転することができる。
【００２０】  図3は、また、研磨ステーション32の上に取り付けられる研磨ヘッド36を示す。研磨ヘッド36は、研磨のために、基板42を支持する。研磨ヘッド36は、研磨ヘッド36に対して基板42をチャックするための真空タイプ機構を含んでもよい。操作中に、真空チャックは、基板42の表面の後ろに負真空力を生成して、基板42を吸引して保持する。研磨ヘッド36は、典型的に、ポケット（図示せず）を含み、基板が、少なくとも初期に、真空下でこのポケットの中に支持される。基板42が一旦ポケットの中に固定され、パッド45上に位置されると、真空を除去することができる。その後、研磨ヘッド36は、基板の後に、基板42の裏側へ矢印48で示される制御された圧力を印加し、基板42をパッド45に対して押し付けて、基板表面の研磨を容易にする。研磨ヘッドディスプレースメントメカニズム37は、研磨ヘッド36及び基板42を速度Vsで、時計まわりまたは反時計まわり方向に、好ましくは、プラテンン41と同じ方向に回転させる。さらに、研磨ヘッドディスプレースメントメカニズム37は、好ましく、矢印50と52で示される方向に、研磨ヘッド36を、プラテン41にわたって半径方向に移動させる。
【００２１】  図3に参照すると、CMPシステムが、また、研磨パッドに所望の組成のケミカルスラリを導入するためのケミカル供給システム54を含む。幾つかの応用において、スラリは、基板表面の研磨を容易にする研磨材料を提供し、好ましくは、固体アルミナ或はシリカからなる組成物である。操作中に、ケミカル供給システム54は、矢印56で示されるように、選択された速度で、スラリをパッド45上に導入する。他の応用では、パッド45がその上に配置される研磨粒子を有してもよく、ただ、脱イオン水のような液体がパッド45の研磨表面に供給されることが必要となる。
【００２２】  図4Aは、パッド45の1つの実施例の平面図であり、図4Bは図4Aの一部のクローズアップ図である。複数のほぼ線状の溝60は、研磨パッド45の上部表面の上に配置されることが示されれている。溝60は、ｘ軸に沿ってパッド45の表面にわたって線形に延長する第１の部分62とy軸に沿ってパッド45の表面にわたって延長する第2の部分64とを含む。溝60の相対配向は、研磨パッド上に、X−Yグリッドパターンを画成する。パッド45の研磨表面67のバルクは、溝60により画成されるアイランド70によって提供される。溝60は、それらのそれぞれの長さに沿って不連続である。上記の不連続は、溝60を通過する流体の流れを抑制するために、溝60に障害物を設けること、或は、その他の方法で、険しいターンまたはコーナー等の溝60のジオメトリによって、流体の流れを妨げることを意味する。
【００２３】  図4Bに示されるように、溝60の長さに沿って配置された複数の突出66或は障害物が、複数の溝セグメント68を画成する。突出66は、溝60の製造中に、ミリングされなかったパッド材料の一部であってもよい。従って、突出66の上部表面が、研磨表面67と同一平面上にあり、よって、研磨表面の全表面積を増大する。パッド45及び溝60を製造する方法について、本発明が限定しないことが理解される。よって、溝60は、代わりに、既知或は未知の技術及び装置によって成形または他の方法でシェーピングされてもよい。さらに、突出66は、接着材によって、溝50の長さに沿って固定される別の材料ピースであってもよい。
【００２４】  図4A及びBに図示される実施例は、各アイランド70のコーナーで、突出66を提供し、それによって、各アイランド70を各隣接するアイランド70へ架橋し、溝セグメント68を、アイランド70の幅に制限する。しかし、以下図7-9に関して説明されるように、突出66の密度が、要望によって、変えることができる。
【００２５】  図5は、図4Aのハッチング5-5に沿ってとられるパッド45及びそれに形成された溝60の断面図である。溝60は、一対の側壁92と底部90によって画成される。図5では、側壁92が互いにほぼ平行し、底部90に直交しているが、代替の幾何学形状も予想される。溝寸法は、深さαと幅βである。1つの実施例では、深さαが、約5ミルから100ミルの間であってもよく、幅βが約6ミルから約80ミルの間であってもよい。最も好ましくは、溝の寸法が、約50ミル或は80のミルの厚さを有するパッド45上に、約25ミル×65ミルである。
【００２６】  溝60の最大深さαにおける１つの制限は、パッド45の堅さ或は剛性に与える影響である。溝深さαの増大が、結果として、より少ないパッド剛性をもたらすことができる。剛性はパッド45の研磨品質に影響を及ぼすので、溝深さαが、剛性ロスを避けるように調節しなければならない。一方、溝深さαは、ある程度の摩耗に適応するのに十分でなければならない。時間にわたって、連続研磨が、パッド45に摩耗を引き起こし、結果として、パッド全体の厚さ及び溝の深さαを減小する。よって、パッド45の尚早の取換えを避けるために、溝60は、十分な寿命を提供するように、そのサイズが設定される。特別な溝深さαは、弾性係数に影響を及ぼすことができる他のパッド特性（例えばパッドの組成及び構造）に依存する。
【００２７】  深さαは、好ましく、溝60の長さに沿って一定であるが、本発明には、テーパ状或はスロープ状の溝も予想される。傾斜の角度は、傾斜方向により決定されるスラリデリバリー制御を容易にすることができる。例えば、スラリがパッド45の縁部の方へ流れるのをさらに抑制するために、溝60が、パッド45の中央に向かってより深くなるように、傾斜を有してもよい。もう１つの実施例では、溝60が異なる及び反対の傾斜角度を有してもよく、これによって、溝60の長さに沿ってウェル・エリア(well-area)が形成されて、溝60の他のエリアよりも、高い体積のスラリを収集するように作用する。
【００２８】  アイランド70の幅は、Wpとして示される。図4に示される実施例において、アイランド70は、等しい長さ（ｘ軸）及び高さ（ｙ軸）を有するが、他の形状及び寸法も可能である。1つの実施例では、アイランド70によって提供される研磨表面67は、約0.5平方インチ（或は、約5×105平方ミル）から約2.0平方インチ（或は、約2×106 平米ミル）の間である。
【００２９】  図示されている溝60が、アイランド70の幅((Wp)と溝60の幅βとの合計（即ち、Wp＋β）として定義されるピッチPによって、均一に間隔があけられている。図4に示されるように、ピッチP1は、ｙ軸に沿って配向された溝60間の間隔を示し、ピッチP2はがx軸に沿って配向された溝60間の間隔を示す。1つの実施例では、溝60の間のピッチPは、約713ミルから約1495ミルの間である。
【００３０】  アイランドの幅Wpに対する溝の幅βの比は、パッド45の所望の堅さ或は剛性を決定し、続いて、パッド45の研磨特徴を定義するために、選ばれる。1つの実施例では、β/Wp比は、約0.004から約0.113の間である。溝60があまりに広いと、研磨パッド45がフレキシブルになりすぎて、基板トポロジーの高いポイントと低いポイントが同じ速度で研磨されるような平坦化(planarizing)効果を引き起こす。その結果、基板の上部表面が平坦化されなく、全基板の厚さが減らされる。一方、溝60があまりに狭いと、溝60から廃棄材料を除去するのが難しくなり、アイランド70が、独立に研磨に貢献するための十分な局部堅さを有しない可能性がある。同様に、ピッチPがあまりに小さいと、溝60が一緒に近くなりすぎて、研磨パッド45がフレキシブルすぎである。ピッチPがあまりに大きいと、スラリが均一に基板の全表面に輸送されなくなる。
【００３１】  図6は、図4のハッチング6-6に沿ってとられるパッド45の断面側面図であり、突出66によって分離されている溝セグメント68を示す。上記のように、突出66は、溝60の構成中に、除去されなかったパッド原料の一部であってもよい。その結果、突出66の上部表面は、パッド45の研磨表面67と同一平面上にある。よって、溝60の溝セグメント68を画成することに加えて、突出66は、また、パッド45の全研磨表面積を増大する。
【００３２】  操作中に、スラリは、パッド45の上部表面に提供される。その後、基板をパッド45と接触させて、基板表面の研摩を可能にする。パッド45の表面上に形成された溝60によって、パッド45上におけるスラリの滞留時間が増長される。
特に、突出66の存在は、妨げられていない流れ経路を無くし、スラリがパッド45の縁部に向かって外へ流れるのを抑制する。従って、パッド上のスラリの滞留時間が増長されて、スラリは、パッド45から外へ流される前に、より効率的に消費される。よって、研磨サイクル中に、消費されるスラリの総体積が減少されることができる。
【００３３】  本発明は、任意の数の、均一な又はランダムの溝及び突出構成を予想する。図7-10は、本発明の実施例を図示する。図７から９の中の各実施例が、溝セグメントを画成するために、溝に配置された複数の突出を有するX-Y配向溝を示す。突出66の密度を増大することによって、溝セグメント68がますます小さくなり、それによって、溝内の流体のモビリティをより小さいボリュームに制限する。溝60を通してパッド45の縁部の方への流体モビリティは、流れ経路96によって、図7及び図8で図示される。単位面積あたりの突出66の数が増加するため、利用可能な流れ経路96の数が減少される。研磨中に、パッド表面から廃棄材料の除去を容易にするために、好ましい実施例では、流体をパッド45の縁部に向かって半径方向に外の方へ、最終的にパッド45から外へ排出するための、少なくとも１つの流れ経路が提供される。
【００３４】  上記の実施例は、パッド表面上にでX−Yグリッドパターンを設ける。しかし、溝60を通して半径方向に流れる流体の流れを制限することに適応される任意の溝形状寸法が予想される。図10は、もう１つの実施例を示し、この実施例では、溝60が、パッド45の縁部に向かって半径方向に外の方へ進む一連の鋭いターンを含む。溝60は、図7及び8のものに類似したステップッド流れ経路を画成して、パッド45の縁部に延長する線状の或は湾曲した溝よりも長い経路を提供し、それを通して、流体が流れる。さらに、溝60のターンで、溝60の側壁との各衝突は、流体の運動エネルギーの一部を吸収し、これによって、流体の流れをさらに抑制する。
【００３５】  図10の実施例において、各溝60のセグメントは、均一に間隔を置いて、溝60に沿って半径方向に外の方へ進む。もう１つの実施例において、溝60のカーブセグメントの間のピッチは、変化してもよい。このように、例えば、図11において、パッド45の内側部分と比べて、外側部分の方では、溝セグメントが、より接近して間隔を置く。よって、半径方向の単位長さにつき流体の流動距離が、外側部分で増大される。
【００３６】  上記の記載が、本発明の好ましい実施例に向けられたが、本発明の他の及びさらなる実施例が、本発明の基礎範囲から逸脱せずに、考案されることができ、その範囲は、特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】溝が形成された従来技術の研磨パッドの平面図であり、(Ａ)はその一部のクローズアップ図である。
【図２】CMPシステムの概略図である。
【図３】研磨ステーションの概略図である。
【図４】(A)は研磨パッドの1つの実施例の平面図であり、(B)はその一部のクローズアップ図である。
【図５】ハッチング5-5に沿ってとられる図4の研磨パッドの横断面図である。
【図６】ハッチング6-6に沿ってとられる図4の研磨パッドの横断面図である。
【図７】研磨パッドのもう１つの実施例の平面図である。
【図８】研磨パッドのもう１つの実施例の平面図である。
【図９】研磨パッドのもう１つの実施例の平面図である。
【図１０】研磨パッドのもう１つの実施例の平面図である。
【図１１】研磨パッドのもう１つの実施例の平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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