(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスロットが設けられた少なくとも１つのスロット基板が設けてあるメインバーンインチャンバと、緩衝バーンインチャンバとを提供するステップと、
半導体素子が収納された複数のテストソケットが設けてある少なくとも１つのバーンインボードを提供するステップと、
該バーンインボードを緩衝バーンインチャンバの中にロードするステップと、
該緩衝バーンインチャンバを加温し、該バーンインボード上の各半導体素子の温度がバーンインの温度に達するようにする予熱を実施するステップと、
該緩衝バーンインチャンバ内の各バーンインボードを該メインバーンインチャンバに移す該バーンインボードをロードするステップと、
制御装置から電気テスト信号を各半導体素子に提供し電気テストを実施するステップと、
該制御装置が各半導体素子から返信されたテスト信号を受信することにより、これらの半導体素子の故障率を計算するステップと、
該制御装置がこれらのバーンインボードでバーンインテストが終了したか否かを判断するステップと、
を少なくとも含み、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの温度をそれぞれ制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバにおける前記複数のスロットの電流または電圧を制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの間に位置する第１のゲートの開閉を制御し、
前記制御装置を用いて、前記緩衝バーンインチャンバの側部上に位置する第２のゲートの開閉を制御するマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン方法。
【請求項２】
制御装置があるバーンインボードでバーンインテストが終了したことを判断した後、該制御装置が継続するフローは、
バーンインボードを該メインバーンインチャンバから緩衝バーンインチャンバの中に移す、該バーンインテストをすでに終了したバーンインボードをロードするステップと、
緩衝バーンインチャンバの中の温度を降温し、温度調整を行なうステップと、
該バーンインテストをすでに終了したバーンインボードを移し出し、該バーンインボードを緩衝バーンインチャンバの外に搬送するステップと、
テスト前のバーンインボードを提供し、緩衝バーンインチャンバの中に入れるステップと、
緩衝バーンインチャンバ内の温度を調整し、緩衝バーンインチャンバの中の温度がバーンインの温度に達するようにするステップと、
該テスト前のバーンインボードをメインバーンインチャンバの中にロードするステップと、
電気テストを行ない、電気テスト信号を提供し、各半導体素子に対して電気テストを行なうステップと、
該制御装置が各半導体素子から返信されたテスト信号を受信することにより、これらの半導体素子の故障率を計算するステップと、
該制御装置がこれらのバーンインボードでバーンインテストが終了したか否かを判断するステップと、
を含み、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの温度をそれぞれ制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバにおける前記複数のスロットの電流または電圧を制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの間に位置する第１のゲートの開閉を制御し、
前記制御装置を用いて、前記緩衝バーンインチャンバの側部上に位置する第２のゲートの開閉を制御するマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のバーンイン装置およびバーンイン方法に関し、特にマルチチャンバを有するバーンイン装置およびそのバーンイン方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子は、本邦の重要な経済源となっている。技術の進歩に伴い、半導体素子の信頼性に対する要求も、次第に厳しいものになっている。現在、業界で半導体素子製品の信頼性の評価によく用いられている指標は、故障率（fail rate）である。半導体素子製品の信頼性とは、半導体製品を一定時間操作した後の残存率（故障率に対して）であり、残存率が高いほど（すなわち故障率が低いほど）、半導体素子製品の信頼性がよくなる。
【０００３】
一般的に、半導体素子製品は使用初期において比較的高い故障率があるが、時間の経過に伴い、故障率は下降する。この段階は、初期故障期（infancy period）とも呼ばれている。そのため、半導体素子製品の初期故障期は、製品が是否合於品質規格要求に適合しているか否かを評価する同様に重要な指標となっており、不良品除去の根拠とされている。
【０００４】
一般的に、初期故障期でよく見られる故障メカニズムは、設計または工程の欠陥などによってもたらされる故障であり、通常は、半導体素子のテストプロセス時にバーンイン（Burn-In）の方式を使用して初期故障期を除去することができる。バーンインとは、半導体素子を特殊な耐高温のバーンインボード（Burn-in Board）上に挿入し、例えば電圧、電流などの半導体素子動作条件を印加してから、高温環境中におき、加速エージングさせるものである。
【０００５】
現在、バーンイン技術は、１．昇温し、温度の安定を待つ、２．バーンインを行なう、３．降温を待ってバーンインを終了するという、３つのステップに分けることができる。こうした方法の欠点は、１つのバーンインチャンバでバーンインを行なうプロセスにおいて、昇温および降温のプロセスに非常に時間がかかることである。かつ、現在の１つのバーンインチャンバにおけるバーンイン方法は、いずれもロット全体の半導体素子をバーンインするため、一部の半導体素子がすでにバーンイン完了条件に達したときに、すべての半導体素子のバーンインが完了するのを待たなければ、取り出して降温することができない。半導体素子のバーンインプロセスにおいて、バーンインチャンバの中にバーンインボードを挿していないその他のスロットがあったとしても、その他の半導体素子を加えてバーンインテストを行なうことができない。
【０００６】
このように、１つのバーンインチャンバでは、１回に１ロットの半導体素子のバーンイン作業しか行なうことができず、１つのバーンインチャンバの処理能力を下げ、さらに費用がかかり、待ち時間は生産能力に大きな影響を及ぼす。
【０００７】
従来技術の特許文献１では、デュアルバーンインチャンバ式のバーンイン装置を開示している。このデュアルバーンインチャンバ式バーンイン装置は、加熱器を介して空気を加熱し、伝送管を介し、熱い空気を２つのバーンインチャンバの間で循環させ、２つのバーンインチャンバの温度を上げるが、バーンインプロセスにおいて昇温および降温に時間がかかる問題と、バーンインチャンバの処理能力がよくなく、生産能力に影響を及ぼす問題とを有効に解決することはできない。そのため、前記の問題をいかにして解決するかが、業界において深刻な課題となっている。
【特許文献１】米国特許７，１１１，２１１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記の問題を解決するため、本発明は、メインバーンインチャンバと、少なくとも１つの緩衝バーンインチャンバとを含む、マルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン装置を提供する。緩衝バーンインチャンバの容積は、メインバーンインチャンバの容積よりも小さく、メインバーンインチャンバ内には少なくとも１つのスロット基板が設けてある。スロット基板上には複数のスロットが設けてあり、各スロットにバーンインボードを挿すことができる。バーンインボード上には複数のテストソケットが設けてあり、各テストソケットに半導体素子を収納することができる。また、メインバーンインチャンバおよび緩衝バーンインチャンバの温度をそれぞれ制御することができ、メインバーンインチャンバの中のスロットの出力電圧を制御することができる制御装置を含む。また、バーンインボードを緩衝バーンインチャンバからメインバーンインチャンバに移動させ、またはバーンインボードをメインバーンインチャンバの中から緩衝バーンインチャンバに移動させることができるロード装置をさらに含むことができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の主な目的は、半導体素子バーンインプロセスにおいて、その他の半導体素子を加えてバーンインを行なうことができない問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン装置を提供することである。
【００１０】
本発明のもう１つの目的は、半導体素子バーンインプロセスにおいて、一部の半導体素子がバーンイン条件にすでに達したときに、すべての半導体素子のバーンインが完了するのを待ってからでなければ降温し取り出すことができない問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造の半導体素子バーンイン装置を提供することである。
【００１１】
本発明のさらにもう１つの目的は、半導体素子バーンインプロセスにおいて、昇温および降温に時間がかかる問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造の半導体素子バーンイン装置を提供することである。
【００１２】
本発明のさらにもう１つの目的は、半導体素子バーンインプロセスにおいて、その他の半導体素子を加えてバーンインを行なうことができない問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造の半導体素子バーンイン方法を提供することである。
【００１３】
本発明のさらにもう１つの目的は、半導体素子バーンインプロセスにおいて、一部の半導体素子がバーンイン条件にすでに達したときに、すべての半導体素子のバーンインが完了するのを待ってからでなければ降温し取り出すことができない問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造の半導体素子バーンイン方法を提供することである。
【００１４】
本発明のさらにもう１つの目的，半導体素子バーンインプロセスにおいて、昇温および降温に時間がかかる問題を有効に解決することができるマルチチャンバ構造の半導体素子バーンイン方法を提供することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、半導体素子のバーンイン装置およびバーンイン方法を開示し、利用される構造および基本原理は、関連技術分野で通常の知識を有するものであれば理解することができるため、以下の文中での説明において、完全な描写は行なわない。また、以下の文中において参照する図面は、本発明の特徴に関する構造の概要を表すためのものであり、実際の寸法に基づき完全に作図する必要はない。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明のマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン装置の概要図である。図１に示すように、本発明の半導体素子バーンイン装置は、メインバーンインチャンバ１０２と、緩衝バーンインチャンバ１０４と、制御装置１０６と、少なくとも１つのロード装置とを含む。
【００１７】
緩衝バーンインチャンバ１０４の容積はメインバーンインチャンバ１０２の容積よりも小さい。緩衝バーンインチャンバの容積が比較的小さいため、昇温および降温プロセスにおける待ち時間を節約することができる。
【００１８】
また、例えばＵＳ７１１２１１におけるバックプレーン（backplane）のように、メインバーンインチャンバ１０２の中にスロット基板（未表示）が設けてある。例えばＵＳ７１１２１１におけるソケット（motherboard socket）のように、スロット基板上に複数のスロット（未表示）が設けてあり、各スロットにバーンインボード２０を挿すことができる。
【００１９】
また、本実施例において、メインバーンインチャンバ１０２と緩衝バーンインチャンバ１０４との間にゲート１１０が配置してあるだけでなく、緩衝バーンインチャンバ１０４の側部上にももう１つゲート１２０が配置されている。バーンインを行なうプロセスにおいて、制御装置１０６はメインバーンインチャンバ１０２および緩衝バーンインチャンバ１０４の温度をそれぞれ制御することができ、メインバーンインチャンバ１０２における各スロットの電流または電圧を制御することができる。
【００２０】
また、制御装置１０６は、各バーンインボード２０のテスト状況に基づき、ゲート１１０およびゲート１２０の開閉を制御することができる。例えば、アームロボットなどのロード装置（未表示）を介し、テストが完了したバーンインボード２０を、メインバーンインチャンバ１０２から緩衝バーンインチャンバ１０４に移動させ、降温プロセスを経た後、最後にゲート１２０から緩衝バーンインチャンバ１０４に移す。
【００２１】
当然、制御装置１０６は、バーンインボード２０を緩衝バーンインチャンバ１０４に移した後に、ロード装置にもう１つのテスト前のバーンインボード２０を先に緩衝バーンインチャンバ１０４の中に搬送させ、所定の温度まで予熱した後、ゲート１１０を経由してメインバーンインチャンバ１０２に入れ、バーンインボード２０をスロット基板上のスロットに電気的に接続することもできる。
【００２２】
ここで強調すべきことは、ロード装置はバーンインチャンバ１０４の外部に配置することも、バーンインチャンバ１０４の内部に配置することもでき、本発明ではこれについて制限しないことである。
【００２３】
図２は、バーンインボード２０の概要図である。バーンインボード２０上には、複数のテストソケット２０２と、例えばゴールドフィンガーなどの接続インターフェース２０４が設けてある。各テストソケット２０２の中には、半導体素子２０６を収納することができる。
【００２４】
接続インターフェース２０４は、メインバーンインチャンバ１０２の中のスロット基板上のスロットに挿すことができる。そのため、バーンインテストを行なうプロセスにおいて、制御装置１０６はバーンインボード２０上の接続インターフェース２０４によりテスト信号を送信し、かつ半導体素子２０６のテスト信号を受信することができる。これによって、各バーンインボード２０上の半導体素子２０６の故障率を計算し、どのバーンインボード２０でバーンインテストが終了しているかを判断することができる。
【００２５】
次に、図１および図３を同時に参照する。図３は、本発明のマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンインのフロー概要図である。
【００２６】
先ず、図３におけるステップ３０１に示すように、メインバーンインチャンバと緩衝バーンインチャンバとを提供する。
【００２７】
次に、ステップ３０２に示すように、少なくとも１つのバーンインボード２０を提供する。バーンインボード２０上には、複数のテストソケット２０２が設けてあり、テストソケット２０２内には半導体素子２０６を収納することができる。
【００２８】
次に、ステップ３０３を実施し、温度の検出を行なう。制御装置１０６を介し、メインバーンインチャンバ１０２および緩衝バーンインチャンバ１０４の温度をそれぞれ検出する。
【００２９】
次に、ステップ３０４を実施し、予熱ステップを行なう。ロード装置がテスト前のバーンインボード２０を緩衝バーンインチャンバ１０４に置いた後、予熱ステップを行ない、緩衝バーンインチャンバ１０４の中の温度をメインバーンインチャンバ１０２と同じ温度付近まで加熱したときに、バーンインボード２０上の各半導体素子２０６の温度が予熱温度に達することができる。その後、ステップ３０５を実施する。ロード装置は、バーンインボード２０をメインバーンインチャンバ１０２にロードし、スロット基板のスロット上に電気的に接続する。
【００３０】
次に、ステップ３０６を実施し、電気テストを行なう。制御装置１０６から電気テスト信号をスロット基板経由でバーンインボード２０上に送信し、バーンインボード２０およびその上の複数のテストソケット２０２を介し、各半導体素子２０６に対し電気テストを行なう。
【００３１】
ステップ３０７を実施し、故障率を計算する。制御装置１０６が各半導体素子が返信したテスト信号を受信することによってこれらの半導体素子の故障率を計算し、故障率成長曲線（図４参照）を得ることができる。
【００３２】
その後、テストを終了するか否かを判断する（ステップ３０８参照）故障率経験照合線に基づき（図５参照、半導体素子の特性により得られた半導体素子の故障率と時間の理想的な関係の曲線である）、次の判断式と合わせて、バーンインボード２０のバーンインテストフローを終了するか否かを判断する。先ず、故障率経験照合線の単位時間内の故障率の差Ｇtを計算する。
Ｇt＝Ｆx−Ｆx-1
【００３３】
次に、各半導体素子２０６の単位時間内の故障率ＦＡnの差ＧＡnを計算する。
ＧＡn＝ＦＡn−ＦＡn-1
【００３４】
さらに、バーンインテストを終了するか否かを判断する。Ｋ回連続した半導体素子２０６の単位時間内の故障率の差が故障率経験照合線の単位時間内の故障率の差よりも小さい場合、バーンインボード２０のバーンインテストフローの終了に適合すると判断する。例えば、
（ＧＡn＜Ｇt）and（ＧＡn-1＜Ｇt）and …… and （ＧＡn-(k-1)＜Ｇt）
【００３５】
Ｋ回連続した半導体素子２０６の単位時間内の故障率の差が故障率経験照合線の単位時間内の故障率の差よりも小さくない場合、一定時間後にステップ３０７を再度実施してから、ステップ３０８を再度実施する。
【００３６】
また、図６は、本発明のもう１つの具体的な実施例のバーンイン方法のフロー概要図である。先ず、バーンインのステップを行なう前に、複数のバーンインボード２０をメインバーンインチャンバ１０２におけるスロット基板の中に入れた後、ゲート１１０を閉じる。制御装置１０６によって加熱装置を制御し、バーンインチャンバ１０２の中の温度を所定の高温まで上げる。
【００３７】
次に、制御装置１０６が電気信号（例えば電圧、電流）を各バーンインボード２０上の半導体素子２０６に提供し、テストを実施し、各バーンインボード２０上の半導体素子２０６のテスト状況を計算する。
【００３８】
あるバーンインボード２０でバーンインテストが終了していると判断された後、制御装置１０６がロード装置にバーンインテストをすでに終了したバーンインボード２０をメインバーンインチャンバから緩衝バーンインチャンバの中に移させる（ステップ６０１参照）。
【００３９】
次に、制御装置１０６は、緩衝バーンインチャンバ１０４に対し温度調整を行なう。例えば、緩衝バーンインチャンバ１０４の中の温度を室温または人体が接触可能な温度または５０℃未満まで調整する（ステップ６０２参照）。バーンインボード２０上の半導体素子２０６がいずれも降温した後、制御装置１０６がロード装置にバーンインボード２０を緩衝バーンインチャンバ１０４の外に移させる（ステップ６０３参照）。
【００４０】
次に、制御装置がロード装置にテスト前のバーンインボード２０を取らせ、緩衝バーンインチャンバ１０４の中に搬送させる（ステップ６０４参照）。
【００４１】
次に、緩衝バーンインチャンバ１０４内の温度を調整し、緩衝バーンインチャンバ１０４の中の温度がバーンインの温度に達するようにする（ステップ６０５参照）。その後、制御装置１０６がロード装置にテスト前のバーンインボード２０をメインバーンインチャンバ１０２の中に移させる（ステップ６０６参照）。
【００４２】
さらに、電気テストを行なうのに伴い、制御装置１０６は、スロット基板に電気的に接続し、各バーンインボード２０およびその上の複数のテストソケット２０２を介し、各半導体素子２０６に対し電気テストを行なうことができる（ステップ６０７参照）。
【００４３】
次に、制御装置１０６が各半導体素子２０６の故障率の計算を継続する（ステップ６０８参照）。制御装置１０６がバーンインボード２０がバーンインテストの終了に達したか否かを判断する（ステップ６０９）。
【００４４】
その後、ステップ６０１〜６０８を繰り返す。プロセスは前記実施例と同じであるため。ここでは繰り返し説明しない。
【００４５】
最後に強調すべきことは、本発明のメインバーンインチャンバ１０２と緩衝バーンインチャンバ１０４との間は分離可能であり、その間は、接続機構（図中には未表示）を介し両者を気密接合することができる。その目的は、初回のバーンイン開始前に、複数のバーンインボード２０をメインバーンインチャンバ１０２におけるスロット基板の中に迅速に置くことができるようにすることである。
【００４６】
また、本発明の前記の開示に基づき、複数の緩衝バーンインチャンバ１０４と１個のメインバーンインチャンバ１０２を使用して一緒に配置することを選択することができる。メインバーンインチャンバ１０２における複数のバーンインボード２０は、一定時間内に、例えば緩衝バーンインチャンバ１０４の昇温または降温のプロセスにおいて、その他のバーンインボード２０がバーンインテストの終了に達したときに、もう１つの緩衝バーンインチャンバ１０４を介してバーンインボード２０のロードを実施することができる。実施例において、例えば１つ目の緩衝バーンインチャンバ１０４を昇温チャンバとし、もう１つの緩衝バーンインチャンバ１０４を降温チャンバとして設定する。
【００４７】
メインバーンインチャンバ１０２のうち、バーンインボード２０がバーンインテストの終了に達したとき、制御装置１０６がロード装置にバーンインボード２０を降温の緩衝バーンインチャンバ１０４の中に送らせ、降温を行なう。
【００４８】
同時に、制御装置１０６は、ロード装置にテスト前のバーンインボード２０を昇温の緩衝バーンインチャンバ１０４の中に送らせ、予熱が完了した後、テスト前のバーンインボード２０をメインバーンインチャンバ１０２に送り、バーンインテストを実施する。予熱テストが同じ種類の半導体素子２０６（例えばＤＲＡＭ）である場合、本発明のマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン装置は、停止せずに２４時間テストを行なうことができ、テストの処理能力（throughput）を有効に高めることができる。本実施例は、緩衝バーンインチャンバ１０４を追加することを除き、その他の構造およびテストプロセスは、いずれも前記と同じであるため、詳しくは説明しない。
【００４９】
以上の説明は、本発明の比較的優れた実施例でしかなく、本発明の特許出願権を限定するものではない。また、以上の説明は、本技術分野の当業者が理解し実施することができるものであるため、本発明の開示の主旨を逸脱せずに完成したその他の同等の変更または修飾は、特許請求の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン装置の概要図である。
【図２】バーンインボードの概要図である。
【図３】本発明のマルチチャンバ構造を有する半導体素子のバーンインフロー概要図である。
【図４】半導体素子故障率成長曲線である。
【図５】故障率経験照合線である。
【図６】本発明のもう１つの具体的な実施例のバーンインフロー概要図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０    バーンイン装置
１０２  メインバーンインチャンバ
１０４  緩衝バーンインチャンバ
１０６  制御装置
１１０  ゲート
１２０  ゲート
２０    バーンインボード
２０２  テストソケット
２０４  接続インターフェース
２０６  半導体素子
【図１】
0005214383.tif 000002
【図２】
0005214383.tif 000003
【図３】
0005214383.tif 000004
【図４】
0005214383.tif 000005
【図５】
0005214383.tif 000006
【図６】
0005214383.tif 000007