(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
載置台本体と、
前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンと
を具備し、
前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、
前記下部材は金属製であり、前記上部材は樹脂製であることを特徴とする基板載置台。
【請求項２】
基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
載置台本体と、
前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンと
を具備し、
前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、
前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、
前記折部が前記上部材と前記下部材との接着部分を有している場合に、接着部分として導電接着剤を用いることを特徴とする基板載置台。
【請求項３】
基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
載置台本体と、
前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンと
を具備し、
前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、
前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、
前記下部材は金属で形成されており、前記上部材は導電性樹脂で形成されていることを特徴とする基板載置台。
【請求項４】
基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
載置台本体と、
前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンと
を具備し、
前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、
前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、
前記上部材は、金属製の心材とその外側を覆う樹脂部材とを有することを特徴とする基板載置台。
【請求項５】
前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材とが嵌合して構成されており、その嵌合部分が前記折部として機能することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項６】
前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材とが接着されて構成されており、その接着部分が前記折部として機能することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項７】
前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材との間に撓み変形可能な可撓部材が介在されて構成されており、前記可撓部材が前記折部として機能することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項８】
前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材とが嵌合し、かつその嵌合部分の少なくとも一部が接着されて構成されており、その嵌合部分および接着部分が前記折部として機能することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項９】
前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材との間に圧縮力を与える圧縮力付与部材をさらに有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記圧縮力が解除されて前記折部が折れることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項１０】
前記圧縮力付与部材はコイルバネであることを特徴とする請求項９に記載の基板載置台。
【請求項１１】
前記昇降ピンは、前記上部材に対して上方向に付勢する付勢力を与える付勢力付与部材と、前記上部材に付勢力が与えられている状態で前記下部材と前記上部材とを連結する連結部材とをさらに有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記連結部材の連結が解除されて前記折部が折れることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項１２】
前記付勢力付与部材はコイルスプリングであり、前記連結部材は、前記下部材に固定される固定部と前記上部材に付勢力が付与されている際に前記上部材を係止する係止部とを有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記係止部の係止が解除されて前記折部が折れることを特徴とする請求項１１に記載の基板載置台。
【請求項１３】
前記下部材および前記上部材が導電性を有しているとき、
前記可撓部材は導電性樹脂で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の基板載置台。
【請求項１４】
前記下部材および前記上部材はいずれも金属で形成されていることを特徴とする請求項２または請求項４に記載の基板載置台。
【請求項１５】
前記昇降ピンは前記載置台本体と同電位であることを特徴とする請求項２から請求項１４のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項１６】
前記処理装置はプラズマ処理を行うものであり、前記載置台本体は下部電極として機能することを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項１７】
前記昇降ピンは、前記支持位置よりも上昇したメンテナンス位置をとることが可能であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の基板載置台。
【請求項１８】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、
前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構と
を具備し、
前記基板載置台は請求項１から請求項１７のいずれかの構成を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
前記処理機構は、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを有することを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記プラズマ生成機構は、下部電極として機能する前記基板載置台と、基板載置台に対向して設けられた上部電極と、基板載置台に高周波電力を印加する高周波電源とを有することを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置において処理容器内で基板を載置する基板載置台およびこの基板載置台を適用した基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤや半導体の製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板や半導体ウエハに対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の各種処理が行われる。
【０００３】
このような処理は、例えば、チャンバー内に設けられた基板載置台に基板を載置した状態で行われ、基板載置台に対する基板のローディングおよびアンローディングは基板載置台が備えている複数の昇降ピンを昇降させることにより行われる。すなわち、基板をローディングする際には、昇降ピンを載置台本体の表面から突出した状態として、搬送アームに載せられた基板をピンの上に移し替え、昇降ピンを下降させる。また、基板をアンローディングする際には、基板が載置台本体に載置されている状態から昇降ピンを上昇させて基板を載置台本体表面から上昇させ、その状態で基板を搬送アームに移し替える。このような技術は慣用技術であり、例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
そして、ＦＰＤ用のガラス基板に対してプラズマエッチングを行うエッチング装置の場合、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置し、基板載置台が下部電極として機能する。その場合には、基板面内において均一なプロセスを実現ために、昇降ピンを導電性材料である金属、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）で構成する必要がある場合もある。
【０００５】
ところで、ＬＣＤに代表されるＦＰＤ用のガラス基板は大型化が指向されており、一辺が２ｍを超えるような巨大なものも要求され、基板載置台も極めて大型化している。また、大型基板を支持するため、昇降ピンの数も多数必要となっている。このため、基板載置台自体が極めて高価なものとなっている。特に、エッチング装置の基板載置台は、上述したように下部電極として機能するため、冷却機構や給電機構等が取り付けられるため一層高価なものとなっている。
【０００６】
このような基板載置台は、多数設けられた昇降ピンが載置台本体内を昇降するため、昇降ピンが載置台本体から突出した状態で、搬送アームが昇降ピンに接触する等のトラブルが発生すると、基板載置台自体を損傷させるおそれがある。特に、上述したような、金属製の昇降ピンを用いた場合には、搬送アームの接触等の横方向の力により昇降ピン自体が曲がり、一連の搬送動作において昇降ピンが曲がったまま昇降動作してしまい、高価な基板載置台を損傷する可能性が高まる。このように載置台本体に損傷が生じると高価な基板載置台を交換する必要があり、装置コスト上昇の要因となってしまう。
【特許文献１】特開平１１−３４０２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、昇降ピンによる載置台本体への損傷が生じ難い基板載置台、およびそのような基板載置台を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンとを具備し、前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、前記下部材は金属製であり、前記上部材は樹脂製であることを特徴とする基板載置台を提供する。
また、本発明の第２の観点では、基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンとを具備し、前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、前記折部が前記上部材と前記下部材との接着部分を有している場合に、接着部分として導電接着剤を用いることを特徴とする基板載置台を提供する。
また、本発明の第３の観点では、基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンとを具備し、前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、前記下部材は金属で形成されており、前記上部材は導電性樹脂で形成されていることを特徴とする基板載置台を提供する。
また、本発明の第４の観点では、基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して鉛直に挿通され、前記載置台本体の表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピンとを具備し、前記昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部と、前記折部よりも下方部分を構成する下部材と、前記折部よりも上方部分を構成する上部材とを有し、前記下部材および前記上部材は導電性を有しており、前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続され、前記上部材は、金属製の心材とその外側を覆う樹脂部材とを有することを特徴とする基板載置台を提供する。
【０００９】
上記第１から第４の観点において、前記昇降ピンは、前記下部材と上部材とが嵌合して構成されており、その嵌合部分が前記折部として機能するように構成してもよいし、前記下部材と前記上部材とが接着されて構成されており、その接着部分が前記折部として機能するように構成してもよいし、前記下部材と前記上部材とが嵌合し、かつその嵌合部分の少なくとも一部が接着されて構成されており、その嵌合部分および接着部分が前記折部として機能するように構成してもよい。あるいは、前記昇降ピンは、前記下部材と前記上部材との間に撓み変形可能な可撓部材が介在されて構成されており、前記可撓部材が前記折部として機能するように構成してもよい。
【００１０】
上記第１から第４の観点において、前記昇降ピンは前記下部材と前記上部材との間に圧縮力を与える圧縮力付与部材をさらに有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記圧縮力が解除されて前記折部が折れるように構成することができる。この場合に、前記圧縮力付与部材としてコイルバネを用いることができる。
【００１１】
また、前記昇降ピンは、前記上部材に対して上方向に付勢する付勢力を与える付勢力付与部材と、前記上部材に付勢力が与えられている状態で前記下部材と前記上部材とを連結する連結部材とをさらに有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記連結部材の連結が解除されて前記折部が折れるように構成することができる。この場合に、前記付勢力付与部材はコイルスプリングであり、前記連結部材は、前記下部材に固定される固定部と前記上部材に付勢力が付与されている際に前記上部材を係止する係止部とを有し、前記昇降ピンに前記所定の大きさの横方向の力が加えられた際に前記係止部の係止が解除されて前記折部が折れるように構成することができる。
【００１２】
上記第２または第４の観点において、前記下部材および前記上部材はいずれも金属で形成されていてもよい。
また、第２から第４の観点において、前記上部材と前記下部材との間に前記可撓部材が介在され、前記下部材および前記上部材が導電性を有しているとき、前記可撓部材は導電性樹脂で構成されていてもよい。
また、このように前記折部を介して前記上部材の先端から前記下部材の下端まで電気的に導通するように接続されている構成とした場合に、前記昇降ピンは前記載置台本体と同電位であることが好ましい。
【００１３】
上記第１から第４の観点において、前記処理装置はプラズマ処理を行うものであり、前記載置台本体は下部電極として機能するものとすることができる。また、前記昇降ピンは、前記支持位置よりも上昇したメンテナンス位置をとることが可能である構成とすることができる。
【００１４】
本発明の第５の観点では、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構とを具備し、前記基板載置台は上記第１の観点の構成を有する基板処理装置を提供する。
【００１５】
上記第５の観点において、前記処理機構は、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを有する構成とすることができる。また、前記プラズマ生成機構は、下部電極として機能する前記基板載置台と、基板載置台に対向して設けられた上部電極と、基板載置台に高周波電力を印加する高周波電源とを有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、昇降ピンは、前記載置台本体内に没した退避位置と、前記載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、前記支持位置にある時に、前記載置台本体の表面位置またはそれより上方位置に、前記昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部を有するので、支持位置にある昇降ピンの載置台本体表面から突出した部分に横方向の力が作用しても、昇降ピンが変形する前に折部において折れるので、昇降ピンが変形して直接的に載置台本体へ損傷を生じさせることや、昇降ピンが変形した状態のまま昇降動作されて載置台本体へ損傷を生じさせることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。このプラズマエッチング装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００１８】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有している。
【００１９】
このチャンバー２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための基板載置台であるサセプタ４が設けられている。このサセプタ４は、サセプタ本体４ａと、サセプタ本体４ａへのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン３０とを有している。
【００２０】
サセプタ本体４ａには、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されており、この給電線２３には整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給される。
【００２１】
前記サセプタ４の上方には、このサセプタ４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２２】
シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２３】
前記チャンバー２の底部には排気管１９が形成されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００２４】
次に、本発明の一実施形態に係る基板載置台であるサセプタ４について、図２に示す拡大図をも参照して詳細に説明する。
このサセプタ４は、上述したように、サセプタ本体４ａと昇降ピン３０とを有しており、サセプタ本体４ａは、金属製の基材５と基材５の周縁に設けられた絶縁部材６とを有している。
【００２５】
チャンバー２の底壁２ａにはサセプタ本体４ａの周縁部に対応するように絶縁体からなるスペーサ部材７が設けられており、その上にサセプタ本体４ａが載せられている。スペーサ部材７と底壁２ａとの間、スペーサ部材７とサセプタ本体４ａとの間は気密にシールされており、サセプタ本体４ａと底壁２ａとの間に大気雰囲気の空間３１が形成されている。そして、この空間３１により大気絶縁が図られている。底壁２ａには、サセプタ本体４ａを支持するセラミックス等の絶縁体からなる複数の絶縁部材３２が埋設されており、これら絶縁部材３２の中心に鉛直に設けられた貫通孔に挿入されたボルト３３により底壁２ａとサセプタ本体４ａが固定されるようになっている。
【００２６】
サセプタ本体４ａの上面、すなわち基材５の表面には、誘電体材料からなる複数の凸部５ａが突起状に形成されており、これら凸部５ａが絶縁部材６に周囲を囲まれた状態になっている。絶縁部材６ａの上面と凸部５ａの上面とは同じ高さとなっており、ガラス基板Ｇをサセプタ本体４ａに載置する場合には、絶縁部材６の上面および凸部５ａの上面に接触した状態とされる。
【００２７】
昇降ピン３０は、サセプタ２の底壁に設けられた孔２ｂおよびサセプタ本体４ａの基材５に設けられた孔５ｂに挿通されており、図３に示すように、ガラス基板Ｇの周縁部に相当する位置に１０本、中央部に３本、合計１３本設けられている。昇降ピン３０は、図示しない駆動機構で昇降されるようになっており、処理中等のガラス基板Ｇの搬送を行っていない時には、サセプタ本体４ａ内に没した退避位置に位置し、ガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングの際には図２に示すようにサセプタ本体４ａの表面から上方に突出した状態でガラス基板Ｇを支持する支持位置に位置するようになっている。また、昇降ピン３０の下端には導電性のストッパ６０がねじ止めされている。ストッパ６０とサセプタ本体４ａとの間には、真空雰囲気と大気雰囲気を遮断するための導電性のベローズ６２が設けられている。したがって、昇降ピン３０が導電性の場合には、昇降ピン３０はベローズ６２およびストッパ６０を介してサセプタ本体４ａと電気的に繋がることになり、同電位に保持される。ストッパ６０の下には絶縁部材６１が設けられている。
【００２８】
昇降ピン３０には、支持位置にある時に、サセプタ本体４ａの表面位置またはその僅かに上の位置に、昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が昇降ピン３０の突出した部分に加えられた際に折れる折部３５を有する。
【００２９】
すなわち、昇降ピン３０は、下部材３０ａと上部材３０ｂとを有しており、上記折部３５においてこれらが接着されている。そして、昇降ピン３０に所定値以上の負荷（力）が及ぼされることにより、折部３５から折れるようになっている。
【００３０】
具体的には、図４に示すように、折部３５は、下部材３０ａの上端部中央に設けられた凹部３６に上部材３０ｂの下端部中央に設けられた凸部３７が嵌め込まれ、かつ凹部３６の底面と凸部３７の先端との間に形成された接着剤層３８を有している。凹部３６および凸部３７の高さや接着材層３８の面積等を調節することにより、折部３５から折れる際の力の最小値を調整することができる。これにより、ガラス基板Ｇの昇降動作の際には、折部３５は変形せずに通常通りの動作が可能であるが、昇降ピン３０に横から所定値以上の力が加わった時に、折部３５から折れるようになっている。
【００３１】
折部３５の直下位置には、昇降ピン３０の取り付け取り外し等のメンテナンス時にスパナ等の工具を当てるメンテナンス部３９が設けられている。従来この種のメンテナンスは、ガラス基板Ｇを支持する支持位置で行われており、したがって、メンテナンス部３９はガラス基板Ｇが支持位置にあるときに図５の（ａ）に示すようにサセプタ本体４ａの表面より上に出ている必要がある。このような状態を本実施形態に適用すると折部３５がサセプタ本体４ａの表面よりもかなり上方位置となる。しかし、昇降ピンの折れ位置は、理想的にはサセプタ本体４ａの表面に近いほど好ましい。したがって、図５の（ｂ）に示すように、支持位置においては、折部３５の高さ位置をサセプタ本体４ａの表面高さまたはそれよりも僅かに上になるようにして好ましい位置を確保した上で、昇降ピン３０のさらなる停止位置としてこの支持位置よりもさらに上昇させたメンテナンス位置を新たに設け、図５の（ｃ）に示すように、このメンテナンス位置に昇降ピン３０を位置させることによりメンテナンス部３９をサセプタ本体４ａの表面よりも上に位置させて昇降ピン３０のメンテナンスを可能にした。もちろん、従来のように退避位置と支持位置の２つの位置のみとして支持位置にて昇降ピンの取り付け取り外しを行うようにしてもよい。
【００３２】
なお、折部３５の形状は、図４に示すものに限らず、図６の（ａ）に示すようにすり鉢状の凹部３６′と、円錐台状の凸部３７′の組み合わせとして小面積の接着剤層３８′としてもよい。また昇降ピン３０の動作に支障がない限り、図６の（ｂ）に示すように、凹部３６と凸部３７との嵌め込みだけでもよい。また、図６の（ｃ）に示すように、折部３５を平面状の接着剤層３８″のみとしてもよい。
【００３３】
また、折部３５は、図７に示すように、下部材３０ａと上部材３０ｂとの間に撓み（または曲げ）変形可能な例えば樹脂製の可撓部材３４が介在された構造とし、この可撓部材３４が変形して折部３５から折れるように構成してもよい。この場合には、下部材３０ａおよび上部材３０ｂと可撓部材３４との付着性を高めるため、下部材３０ａおよび上部材３０ｂの端部にそれぞれ突起４５、４６を形成しておき、これらの突起４５、４６が埋設されるように可撓部材３４を設けることができる。可撓部材３４は、下部材３０ａおよび上部材３０ｂに一体的に成形してもよく、成形後に下部材３０ａおよび上部材３０ｂに接着剤等によって接着してもよい。
【００３４】
下部材３０ａを構成する材料としては、昇降ピン３０をチャンバー２の下方の図示しない取り付け部に確実に取り付ける観点からはステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属材料であることが好ましい。また、上部材３０ｂは孔５ｂにおけるサセプタ本体４ａとの擦れによるトラブルを防止する観点からは樹脂部材であることが好ましい。
【００３５】
しかし、基板面内に均一なエッチング処理を行う観点からは、昇降ピン３０の下部材３０ａおよび上部材３０ｂが導電性を有するものとし、折部材３５を介して上部材３０ｂの先端から下部材３０ａの下端まで電気的に導通するようにして、サセプタ本体４ａと同電位とすることが好ましく、そのような観点からは上部材３０ｂはステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属で構成し、接着剤層３８としては導電性接着剤を用いることが好ましく、可撓部材３４としては導電性樹脂を用いることが好ましい。また、可撓部材３４を下部材３０ａおよび上部材３０ｂに接着剤によって接着する場合には、この接着剤としても導電性接着剤を用いることが好ましい。このように昇降ピン３０を導電性にすることにより、上述したように、昇降ピン３０が導電性のベローズ６２およびストッパ６０を介してサセプタ本体４ａと電気的に繋がり、サセプタ本体４ａと同電位となる。また、上部材３０ｂを導電性樹脂で構成することにより、サセプタ本体４ａとの擦れによるトラブル防止およびエッチングの均一性を両立させることができる。もちろん、昇降ピン３０の一部または全部を絶縁材料にて構成してもよく、下部材３０ａと上部材３０ｂとを接着する接着剤も絶縁性であってよい。図８に示すように、上部材３０ｂをステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる心材４０と、その外側に巻かれた通常の樹脂材４１とを有するものとすることによっても、サセプタ本体４ａとの擦れによるトラブル防止およびエッチングの均一性を両立させることができる。
【００３６】
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理基板であるガラス基板Ｇを、図示しないロードロック室から図示しない搬送アームにより基板搬入出口２１を介してチャンバー２内へと搬入し、サセプタ本体４ａの上、つまり、サセプタ本体４ａの表面に形成された誘電体材料からなる凸部５ａおよび絶縁部材６の上に載置する。この場合に、昇降ピン３０は上方に突出して支持位置に位置しており、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン３０の上に受け渡す。その後、昇降ピン３０を下降させてガラス基板Ｇをサセプタ本体４ａの上に載置する。
【００３７】
その後、ゲートバルブ２２を閉じ、排気装置２０によって、チャンバー２内を所定の真空度まで真空引きする。そして、バルブ１６を開放して、処理ガス供給源１８から処理ガスを、マスフローコントローラ１７によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管１５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部空間１２へ導入し、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバー２内を所定圧力に制御する。
【００３８】
この状態で高周波電源２５から整合器２４を介して高周波電力をサセプタ本体４ａに印加し、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシャワーヘッド１１との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇにエッチング処理を施す。
【００３９】
このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、処理ガス導入を停止した後、チャンバー２内の圧力を所定の圧力に調整し、昇降ピン３０によりガラス基板Ｇを支持位置まで上昇させる。この状態でゲートバルブ２２を開放して図示しない搬送アームをチャンバー２内に挿入し、昇降ピン３０上にあるガラス基板Ｇを搬送アームに受け渡す。そして、ガラス基板Ｇを基板搬入出口２１を介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ搬出する。
【００４０】
以上の処理において、ガラス基板Ｇの搬入および搬出の際には、昇降ピン３０がサセプタ本体４ａの表面から突出した支持位置に位置されるが、そのような場合に、搬送アーム等が昇降ピンに衝突する事故が生じて横方向の力が及ぼされることがある。そして、その際の力が昇降ピンに変形を及ぼす大きさのものである場合、従来では、その際の力により昇降ピン３０が変形してサセプタ本体４ａに直接損傷を与えるか、または昇降ピン３０が変形したまま使用を続けることによりサセプタ本体４ａに損傷を与えるという事態が生じていた。これに対し、本実施形態の場合には、昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が昇降ピン３０の突出した部分に加えられた際に折れる折部３５を形成しているので、昇降ピン３０が変形する前に折れ部３５で折れ、昇降ピン３０に変形が生じない。このため、サセプタ本体４ａが損傷することを防止することができる。
【００４１】
次に、昇降ピン３０の構造の他の例について説明する。
図９は、昇降ピンの他の例を示す模式的な断面図である。この例では、昇降ピン３０は、下部材３０ａと上部材３０ｂとの間に圧縮力を与える圧縮力付与部材としてのコイルスプリング４３をさらに有している。このコイルスプリング４３は、下部材３０ａの上部に形成された凹部４４に設けられており、一端が下部材３０ａに他端が上部材３０ｂに取り付けられている。そして、図９の（ａ）に示す通常の状態では、このコイルスプリング４３は、引張られた状態で凹部４４に収容されており、この際のバネ力により下部材３０ａと上部材３０ｂとの間に圧縮力が与えられる。したがって、昇降ピン３０の通常の昇降動作の際には圧縮力により変形等を生じずに昇降動作を行うことが可能である。
【００４２】
この例の昇降ピン３０の場合でも、昇降ピン３０に昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れ部３５で折れるように設計される。具体的には、下部材３０ａと上部材３０ｂとの間の圧縮力よりも大きな力がこれらの間に作用するような横方向の力が昇降ピン３０に与えられた場合に、折部３５で折れるのであるから、そのときの力が昇降ピン３０が変形する力よりも小さくなるように、バネの引張力を調整する。これにより、昇降ピン３０に所定の横方向の力が及ぼされた際に、図９の（ｂ）のように折部３５で折れるのである。
【００４３】
次に、昇降ピン３０の構造のさらに他の例について説明する。
図１０は、昇降ピンのさらに他の例を示す模式的な断面図である。この例では、昇降ピン３０は、上部材３０ｂに対して上方向に付勢する付勢力を与える付勢力付与部材としてのコイルスプリング５１と、上部材３０ｂに付勢力が与えられている状態で下部材３０ａと上部材３０ｂとを連結する樹脂製の連結部材５２とをさらに有している。
【００４４】
下部材３０ａの上端部には、上方が開口する凹部５３が形成されており、上部材３０ｂの下端部には、下方が開口する凹部５４が形成されている。また、凹部５４の上部には段部５４ａを有しており、段部５４ａより上の部分が大径部５４ｂとなっている。連結部材５２は、下端部にネジ部５２ａを有しており、上端部に傘状の係合部５２ｂを有している。凹部５３の外周部には上記コイルスプリング５１が嵌め込まれ、凹部５３の中央部には連結部材５２の下部が挿入され、ネジ部５２ａにより下部材３０ａに螺合されている。連結部材５２の上部は凹部５４に嵌め込まれており、その係合部５２ｂが大径部５４ａに挿入されており、係合部５２ｂが段部５４ａに係合するようになっている。上部材３０ｂの下端にはコイルスプリング５１に対応するように環状に押圧部５５が形成されており、下部材３０ａと上部材３０ｂとを連結した際に、押圧部５５がコイルスプリング５１を圧縮し、その付勢力が上部材３０ｂに及ぼされるようになっている。
【００４５】
昇降ピン３０にガラス基板Ｇの荷重が及ぼされていない時には、図１０の（ａ）に示すように、上部材３０ｂはコイルスプリング５１により上方へ付勢され、凹部５４の段部５４ａと連結部材５２の係合部５２ｂとが係合して昇降ピン３０は変形等を生じずに安定して昇降動作を行うことが可能である。またガラス基板Ｇの荷重が及ぼされているときには、図１０の（ｂ）に示すように、コイルスプリングが圧縮され係合部５２ｂと段部５４ａとの係合は解除されるが、横方向の力が加わらない限り安定した昇降動作を行うことができる。
【００４６】
この例の昇降ピン３０の場合でも、昇降ピン３０に昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れ部３５で折れるように設計される。具体的には、上部材３０ｂに及ぼされる付勢力よりも大きな力が上部材３０ｂに作用するような横方向の力が昇降ピン３０に与えられた場合に、段部５４ａと係合部５２ｂの係合が外れて折部３５で折れると考えられるから、そのときの力が昇降ピン３０が変形する力よりも小さくなるように、バネの付勢力を調整する。これにより、昇降ピン３０に所定の横方向の力が及ぼされた際に、図１０の（ｃ）のように折部３５で折れるのである。
【００４７】
なお、図９、図１０の例においても、導電性を確保するために上部材３０ｂを導電性樹脂で構成したり、図８に示すような構造にすることが可能であることは言うまでもない。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、本実施形態では、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置における下部電極としてのサセプタに本発明の基板載置台を適用した例について示したが、これに限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。また、プラズマ処理に限らず、他の処理装置に適用することも可能である。
【００４９】
また、昇降ピンとしては、昇降ピンが変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部を有するものであればよく、折部の構成は上記実施形態に限るものではない。例えば、このような条件を満たす限り、折部が単に切り欠きであってもよい。
【００５０】
また、被処理基板はＦＰＤ用ガラス基板Ｇに限られず半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の処理装置におけるサセプタを拡大して示す断面図。
【図３】サセプタ本体における昇降ピンの配置を説明するための平面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタに用いられた昇降ピンの構造の一例を示す図。
【図５】本実施形態のサセプタにおける昇降ピンのメンテナンス手法を説明するための概略図。
【図６】図４の昇降ピンにおける折部の変形例を説明するための図。
【図７】図４の昇降ピンにおける折部の他の例を説明するための図。
【図８】図４の昇降ピンの変形例を示す図。
【図９】昇降ピンの構造の他の例を示す図。
【図１０】昇降ピンの構造のさらに他の例を示す図。
【符号の説明】
【００５２】
１；処理装置（プラズマエッチング装置）
２；チャンバー（処理容器）
３；絶縁板
４；サセプタ（基板載置台）
４ａ；サセプタ本体（載置台本体）
５；基材
５ａ；凸部
６；絶縁部材
７；スペーサ部材
１１；シャワーヘッド（ガス供給手段）
２０；排気装置
２５；高周波電源（プラズマ生成手段）
３０；昇降ピン
３０ａ；下部材
３０ｂ；上部材
３４；可撓部材
３５；折部
３６，３６′；凹部
３７，３７′；凸部
３８，３８′，３８″；接着剤層
３９；メンテナンス部
４０；心材
４１；樹脂材
４３；コイルスプリング（圧縮力付与部材）
４４；凹部
５１；コイルスプリング（付勢力付与部材）
５２；連結部材
５２ｂ；係合部
５４ａ；段部
５５；押圧部
Ｇ；ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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