(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤と、ポリメチルメタクリレート製樹脂膜で被覆されたアンチモン系硝酸化合物とを含み、
前記アンチモン系硝酸化合物の添加量が、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．２重量部以上１０重量部以下であり、前記カチオン重合開始剤の添加量が、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１０重量部以下であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤と、ポリメチルメタクリレート製樹脂膜で被覆されたアンチモン系硝酸化合物とを含むエポキシ樹脂組成物と、電極を備えた基板と、電極を備えた半導体素子とを準備する工程と、
前記エポキシ樹脂組成物を、前記基板の電極上に塗布する工程と、
塗布された前記エポキシ樹脂組成物に紫外線を照射する工程と、
紫外線を照射した前記エポキシ樹脂組成物が塗布された前記基板の電極に、前記半導体素子の電極を接合する工程と、
前記基板の電極と前記半導体素子の電極とが接合された状態で、前記エポキシ樹脂組成物を加熱する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板の電極と前記半導体素子の電極との接合は、超音波を印加することにより行われる請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子と基板とのフリップチップ実装に用いられるエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を基板に実装して半導体装置を製造する分野では、半導体素子を高密度に実装する要求が高まっており、その要求を満たす方式としてフリップチップ実装方式が注目されている。これは、半導体素子（チップ）と基板との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わるものであり、半導体素子をフェイスダウン実装し、半導体素子の回路面側に形成したバンプと配線基板の電極との間を電気的及び機械的に接続する方式である。
【０００３】
上記フリップチップ実装において、回路面の保護や、バンプ破断の抑制等のために、半導体素子と基板との間に封止樹脂が充填されている。この封止樹脂には、水分や粉塵に対して半導体素子を保護する機能と、半導体素子と基板との熱膨張率差に起因する接合部の破断を抑制する機能とが必要であり、低熱膨張性、高弾性、耐吸水性等が要求される。
【０００４】
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、例えば特許文献１及び特許文献２がある。
【特許文献１】特開平９−２０８８０６号公報（特許第３５９２８２５号公報）
【特許文献２】特開平１１−３４３４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、上記フリップチップ実装方式による接合方法の一つとして、半導体素子の電極と基板の電極とを超音波振動により金属接合する超音波接合方式が採用されている。この超音波接合方式では、一般的に半導体素子と基板とを超音波接合した後に、半導体素子と基板との間に封止樹脂が充填されている。
【０００６】
しかし、最近では半導体素子の高性能化に伴い、半導体素子の電極が挟ピッチ化されており、これに伴いその電極のサイズも小さくなる傾向にある。このため、半導体素子と基板とを接合した後から封止樹脂が充填されるまでの間、サイズの小さな電極のみで半導体素子と基板との接合を支えなければならず、半導体装置の製造工程において何らかの振動等が加わった場合には、半導体素子と基板との接合が破断するおそれがある。また、超音波接合は、常温で行えても、封止樹脂の充填温度や硬化温度が加わった場合、半導体素子と基板との熱膨張率差から生じる応力を接合部が支えることができないため、接合部が破断するという問題がある。
【０００７】
本発明は上記問題を解決したもので、接合信頼性が高いエポキシ樹脂組成物及びそのエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤と、ポリメチルメタクリレート製樹脂膜で被覆されたアンチモン系硝酸化合物とを含み、前記アンチモン系硝酸化合物の添加量が、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．２重量部以上１０重量部以下であり、前記カチオン重合開始剤の添加量が、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１０重量部以下であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明のエポキシ樹脂組成物と、電極を備えた基板と、電極を備えた半導体素子とを準備する工程と、前記エポキシ樹脂組成物を、前記基板の電極上に塗布する工程と、塗布された前記エポキシ樹脂組成物に紫外線を照射する工程と、紫外線を照射した前記エポキシ樹脂組成物が塗布された前記基板の電極に、前記半導体素子の電極を接合する工程と、前記基板の電極と前記半導体素子の電極とが接合された状態で、前記エポキシ樹脂組成物を加熱する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、半導体素子と基板との接合部の接合信頼性を向上できる。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子と基板との接合信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施形態１）
先ず、本発明のエポキシ樹脂組成物の実施形態について説明する。本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤と、樹脂膜で被覆された中和剤とを含む。
【００１３】
前述のように電極が挟ピッチ化された半導体素子に対応できる超音波接合方式では、(１)接合温度、封止樹脂の充填温度及び封止樹脂の硬化温度の温度差を無くすこと、(２)予め基板上に封止樹脂を塗布し、超音波接合を行うと同時に封止樹脂の硬化を行うことにより、接合部に加わる応力を封止樹脂内に分散させること等が有効である。このことから、超音波接合方式では、常温で接合可能なため、基板上に常温で封止樹脂を塗布した後、超音波接合と封止樹脂の硬化を常温で同時に行うことが理想的である。
【００１４】
一方、封止樹脂を常温で硬化させる１つの手法として、紫外線を照射することにより硬化反応が生じる紫外線硬化型樹脂を用いることが挙げられる。しかし、紫外線硬化型樹脂は、これまで半導体装置の封止樹脂としては使用できなかった。その理由は、封止樹脂として一般的なエポキシ樹脂を紫外線硬化型樹脂として用いる場合、耐熱性の得られるエポキシ樹脂の硬化剤はカチオン重合開始剤に限定され、このカチオン重合開始剤が硬化反応する際には、強酸イオンを生成し、半導体素子の電極及び基板の電極、配線等を腐食するからである。
【００１５】
そこで、本発明では、エポキシ樹脂とカチオン重合開始剤とを含むエポキシ樹脂組成物に樹脂膜で被覆された中和剤を含有させることにより、上記問題を解決した。即ち、エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤を含む紫外線硬化型樹脂に被覆された中和剤を含有させたものである。但し、紫外線硬化型樹脂に単に中和剤を添加すると、エポキシ樹脂の硬化反応の開始前に中和剤とカチオン重合開始剤とが反応してしまい、エポキシ樹脂の硬化反応が阻害されるので、中和剤を樹脂膜で被覆したものである。この樹脂膜は、後述する熱可塑性樹脂で形成することにより、エポキシ樹脂が常温で硬化し、半導体素子と基板とが接合された後に、加熱することにより破壊することができる。これにより、カチオン重合開始剤が硬化反応した際に生成した強酸イオンを中和することができる。
【００１６】
上記中和剤としては、無機物系中和剤又は有機物系中和剤を用いることができるが、樹脂膜で被覆しやすい常温で固体状のものが好ましい。なお、本明細書において常温とは２５℃をいうものとする。
【００１７】
無機物系中和剤としては、例えば、アルミニウム−ケイ素系硝酸化合物、ジルコニウム系硝酸化合物、アンチモン系硝酸化合物、ビスマス系硝酸化合物、アンチモン−ビスマス系硝酸化合物、マグネシウム−アルミニウム系硝酸化合物、ジルコニウム系硝酸化合物等の陽イオン交換機能を有する金属化合物が使用でき、より具体的にはゼオライト等が使用できる。
【００１８】
また、有機物系中和剤としては、アミン系化合物、イミダゾール系化合物等を使用することができる。アミン系化合物としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン等を用いることができる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等を用いることができる。
【００１９】
上記有機物系中和剤の中では、アミン系化合物が特に好ましい。アミン系化合物は、エポキシ樹脂の硬化剤としても用いられ、エポキシ樹脂との反応性が大きいため、紫外線硬化後にさらに加熱硬化することで、エポキシ樹脂の耐熱性をより向上できる。
【００２０】
上記樹脂膜で被覆された中和剤は、マイクロカプセル化方法、ポリマー被覆方法等を用いて作製することができる。マイクロカプセル化方法としては、例えば、熱可塑性樹脂を溶剤中に溶解させ、その溶液中に中和剤を分散させた後に乾燥し、中和剤の周囲に被膜を形成する手法等がある。この熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、熱可塑性ポリイミド等を用いることができる。また、ポリマー被覆方法としては、例えば、特許第３０９２９７１号公報に記載されているポリマー被覆方法を用いて重合反応させることにより、中和剤の周囲に被膜を形成する手法等がある。
【００２１】
上記樹脂膜で被覆された中和剤の添加量は、中和剤の種類によって異なるが、エポキシ樹脂主剤１００重量部に対して０．２重量部以上１０重量部以下とすることができる。
【００２２】
上記エポキシ樹脂は、グリシジルエーテル基を有することが好ましい。これにより、紫外線照射後の硬化時間を比較的長くすることができるため、半導体素子と基板との超音波接合を余裕をもって行うことができる。
【００２３】
グリシジルエーテル基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、固形タイプ又は液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ビスフェノールＳ型エポキシ、ビフェニル型エポキシ、ジフェニルエーテル型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、ヘキサフルオロイソブロベニルビスフェノール型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ＤＰＰノボラック型エポキシ、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ、テトラフェニロールエタン型エポキシ、ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ等を用いることができる。これらの中でも、特にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は接合信頼性が高いので、好ましい。
【００２４】
上記カチオン重合開始剤としては特に限定されないが、例えば、芳香族スルホニウム塩等を用いることができる。カチオン重合開始剤の添加量は、エポキシ樹脂主剤１００重量部に対して０．０５重量部以上１０重量部以下とすることができる。
【００２５】
上記エポキシ樹脂組成物には、通常、無機フィラーが添加される。これにより、エポキシ樹脂組成物の熱膨張率を低下させることができる。無機フィラーの添加量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して、３０重量％以上７０重量％以下が好ましく、４０重量％以上６０重量％以下がより好ましい。
【００２６】
さらに、上記無機フィラーは、平均粒径が０．１μｍ以下のナノシリカフィラーを含むことが好ましく、平均粒径が０．０５μｍ以下のナノシリカフィラーを含むことがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の透光性を維持しつつ、低熱膨張率化を実現できるため、透光性が必要な紫外線硬化型樹脂組成物の無機フィラーとして最適となる。
【００２７】
上記ナノシリカフィラーの含有量は、上記無機フィラーの全重量に対して、２０重量％以上１００重量％以下とすることができ、好ましくは４０重量％以上１００重量％以下である。
【００２８】
また、上記エポキシ樹脂組成物は、カップリング剤をさらに含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物に含まれる各成分の結合性がより向上するからである。カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤等を用いることができる。カップリング剤の添加量は、エポキシ樹脂主剤１００重量部に対して、０．１重量部以上７重量部以下とすることができる。
【００２９】
図１は、本実施形態のエポキシ樹脂組成物のイメージ図である。本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、通常液状に形成され、例えば、エポキシ樹脂主剤１と、カチオン重合開始剤２と、樹脂膜で被覆された中和剤３と、無機フィラー４と、カップリング剤５とを含んでいる。
【００３０】
（実施形態２）
次に、本発明の半導体装置の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１のエポキシ樹脂組成物と、電極を備えた基板と、電極を備えた半導体素子とを準備する工程と、上記エポキシ樹脂組成物を、上記基板の電極上に塗布する工程と、塗布された上記エポキシ樹脂組成物に紫外線を照射する工程と、紫外線を照射した上記エポキシ樹脂組成物が塗布された上記基板の電極に、上記半導体素子の電極を接合する工程と、上記基板の電極と上記半導体素子の電極とが接合された状態で、上記エポキシ樹脂組成物を加熱する工程とを含む。
【００３１】
実施形態１のエポキシ樹脂組成物を用いることにより、半導体素子と基板との接合信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００３２】
上記半導体素子には、例えば、ＬＳＩチップ、ウエハ等が含まれる。また、上記基板には、プリント基板、セラミック基板、半導体基板等が含まれる。
【００３３】
上記基板の電極と上前記半導体素子の電極との接合は、超音波を印加することにより行われることが好ましい。超音波接合方式では、常温で接合可能なため、基板上に常温で実施形態１のエポキシ樹脂組成物（封止樹脂）を塗布した後、超音波接合と封止樹脂の硬化を常温で同時に行うことができ、電極が挟ピッチ化された半導体素子と基板とを確実に接合することができる。
【００３４】
以下、図面に基づき本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図２Ａ〜Ｃは、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法では、先ず実施形態１のエポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂と、電極を備えた基板と、電極の上にバンプ（端子）を形成した半導体素子とを準備する。次に、図２Ａに示すように、複数の電極２１が形成された基板２２の上に、実施形態１のエポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂２３を常温で塗布する。この状態で封止樹脂２３に紫外線を照射して、封止樹脂２３の硬化反応を開始させる。次に、図２Ｂに示すように、基板２２の上に、複数のバンプ２４を形成した半導体素子２５を位置合わせする。続いて、図２Ｃに示すように、常温で半導体素子２５を基板２２に接触させ、超音波を印加して振動を与えることにより、半導体素子２５のバンプ２４と基板２２の電極２１との接合面に金属新生面を露出させ、バンプ２４と電極２１とを金属接合する。封止樹脂２３の常温での硬化反応は、通常６０〜１２０分で終了する。上記超音波接合は封止樹脂２３の常温での硬化反応が終了する前に行われる。これにより、超音波接合により接合部に加わる応力を封止樹脂２３内に分散でき、半導体素子２５と基板２２との接合をより確実にすることができる。
【００３５】
封止樹脂２３が常温である程度硬化した後に、半導体素子２５と基板２２とを１００〜１５０℃に加熱する。これにより、中和剤の樹脂膜が溶融して破壊され、封止樹脂２３の硬化反応より生成した強酸イオンを中和することができる。さらに、この加熱により、封止樹脂２３を完全に硬化させることができ、封止樹脂２３の耐熱性を向上できる。
【００３６】
なお、図３に上記工程における時間と、封止樹脂２３の硬化度と、封止樹脂２３の温度との関係を模式的に示す。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３８】
＜マイクロカプセル型中和剤の作製＞
下記のようにして、マイクロカプセル型中和剤Ａ及びＢを作製した。
【００３９】
（マイクロカプセル型中和剤Ａ）
先ず、アルドリッチ製のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）１０ｇをアセトン１５０ｇ中に溶解させ、その溶液に東亜合成製の無機物系中和剤“ＩＸＥ３００”（商品名）を分散させた。分散方法は、超音波洗浄器を用いて超音波を１０分間印加して分散させた後、スターラーを用いて３０分攪拌した。その後，２５０メッシュのふるい上に分散後の溶液を注ぎ、常温で１時間乾燥させた後、さらに８０℃の恒温槽で２時間乾燥させた後、ミキサーを用いて分散させて、マイクロカプセル型中和剤Ａを作製した。
【００４０】
（マイクロカプセル型中和剤Ｂ）
無機物系中和剤“ＩＸＥ３００”に代えて、住友化学製の有機物系（アミン系）中和剤“ＤＤＭ”（商品名）を用いた以外は、マイクロカプセル型中和剤Ａと同様にしてマイクロカプセル型中和剤Ｂを作製した。
【００４１】
（実施例１）
エポキシ樹脂主剤として室温で液状タイプの大日本インキ化学工業製のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂“ＥＸＡ８３０ＬＶＰ”（商品名）９８重量部と、カチオン重合開始剤として旭電化工業製のカチオン系光重合開始剤“アデカオプトマーＳＰ−１５０”（商品名）１重量と、マイクロカプセル型中和剤Ａ５重量部と、無機フィラーとして扶桑化学工業製のシリカ粉末“ＰＬ３”（平均粒径：０．２μｍ）４２重量部と、カップリング剤として信越化学工業製のγ−グリシドキプロピルトリエトキシシラン“ＫＢＭ４０３”（商品名）１重量部とを均一に撹拌・混合し、本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４２】
（実施例２）
“ＰＬ３”の添加量を４３．２重量部とし、マイクロカプセル型中和剤Ａに代えて、マイクロカプセル型中和剤Ｂを８重量部用いた以外は、実施例１と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４３】
（比較例１）
“ＰＬ３”の添加量を４０重量部とし、中和剤を全く添加しなかった以外は、実施例１と同様にして本比較例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４４】
（比較例２）
マイクロカプセル型中和剤Ａに代えて、マイクロカプセル化されていない無機物系中和剤“ＩＸＥ３００”を５重量部用いた以外は、実施例１と同様にして本比較例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４５】
＜半導体素子と基板の準備＞
半導体素子として、電極径３０μｍ、電極ピッチ５０μｍ、電極数６８０の上に高さ３０μｍの金製のバンプを備える縦８．５ｍｍ、横８．５ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍのＬＳＩチップを準備した。また、基板として、電極幅３７．５μｍ、電極ピッチ５０μｍの電極を備える縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの三菱瓦斯化学製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなる配線基板を準備した。
【００４６】
＜半導体装置の作製＞
上記実施例１、２及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物を用いてそれぞれ下記のようにして半導体装置を作製した。
【００４７】
即ち、武蔵エンジニアリング製の塗布機“ＦＡＤ３２０ｓ”（商品名）を用いて、図２Ａに示すように、エポキシ樹脂組成物６ｍｇを、上記配線基板の電極周辺に塗布した。その後、ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ製の紫外線照射装置“ＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＨＬＳ１００Ｕ”を用いて、エポキシ樹脂組成物に紫外線を照射した。このときの照射量は、３００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００４８】
次に、図２Ｂに示すように、パナソニックＦＳエンジニアリング製の超音波フリップチップボンダ“ＦＣＢ−２Ｍ  ＵＳ”を用いて、上記ＬＳＩチップのバンプと配線基板の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、続いて、図２Ｃに示すように、ＬＳＩチップと配線基板とを超音波接合した。このときの接合条件は、温度を常温、荷重を５．５ｋｇ、超音波出力を４０％とした。
【００４９】
その後、常温で９０分放置し、硬化反応が進んでいることを確認した後、１５０℃の恒温槽で１時間加熱し、エポキシ樹脂組成物を完全に硬化させて、半導体装置を作製した。
【００５０】
＜電気的接続の確認＞
実施例１、２及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物を用いて作製した各半導体装置５０個の各接続点間の導通抵抗を測定した結果、実施例１、２及び比較例１のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置では、全て電気的導通が確認された。しかし、比較例２のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置では、５０個全てのサンプルで電気的導通が得られなかった。これは、比較例２のエポキシ樹脂組成物ではマイクロカプセル化されていない中和剤を用いため、カチオン重合開始剤と中和剤とが反応し、エポキシ樹脂の硬化を阻害したため、恒温槽で１５０℃に加熱した際に半導体素子と基板との熱膨張率差により、金属接合部が破断したものと考えられる。
【００５１】
＜接合信頼性の評価＞
次に、実施例１、２及び比較例１のエポキシ樹脂組成物を用いて作製した各半導体装置５０個を、楠本化学製の高度加速寿命試験装置“ＰＭ２５０”（商品名）を用いて温度１２１℃、相対湿度８５％、気圧１．７ａｔｍの条件で加速寿命試験を行い、試験開始時（０時間）から２４時間毎に各半導体装置の各接続点間の導通抵抗を測定することにより、接続信頼性を評価した。評価基準は、試験後の導通抵抗の上昇が、試験前の導通抵抗に対して１０％以下の場合には、接続信頼性は良と判断し、１０％を超えた場合には、接続信頼性は不良と判断した。その結果を表１に示す。表１では、不良数／サンプル数として示した。
【００５２】
【表１】
0005212678.tif 000002
【００５３】
表１から、実施例１、２のエポキシ樹脂組成物を用いて接合した半導体装置では、５０４時間経過後も全て導通抵抗の上昇が１０％以下と確認され、接合信頼性は全て良と判断された。一方、比較例１では、試験時間の経過に伴い導通抵抗の上昇が１０％を超えるものが増加することが分かる。
【００５４】
また、比較例１の不良のサンプルについて、配線基板側からＬＳＩチップの回路面に向かって研磨を行い、ＬＳＩチップの回路面を観察した。その結果、ＬＳＩチップのアルミニウム製の電極が消失しており，金製のバンプのみが残存していたことから、ＬＩＳチップの電極が強酸イオンにより腐食されたものと思われる。
【００５５】
以上の実施例１、実施例２を含む本発明の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５６】
（付記１）  エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤と、樹脂膜で被覆された中和剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【００５７】
（付記２）  前記エポキシ樹脂は、グリシジルエーテル基を有する付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００５８】
（付記３）  前記中和剤は、無機物系中和剤である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００５９】
（付記４）  前記中和剤は、有機物系中和剤である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６０】
（付記５）  前記有機物系中和剤は、アミン系化合物を含む付記４に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６１】
（付記６）  前記樹脂膜は、熱可塑性樹脂で形成されている付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６２】
（付記７）  無機フィラーを含む付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６３】
（付記８）  前記無機フィラーは、平均粒径が０．１μｍ以下のナノシリカフィラーをさらに含む付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６４】
（付記９）  付記１〜８のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物と、電極を備えた基板と、電極を備えた半導体素子とを準備する工程と、
前記エポキシ樹脂組成物を、前記基板の電極上に塗布する工程と、
塗布された前記エポキシ樹脂組成物に紫外線を照射する工程と、
紫外線を照射した前記エポキシ樹脂組成物が塗布された前記基板の電極に、前記半導体素子の電極を接合する工程と、
前記基板の電極と前記半導体素子の電極とが接合された状態で、前記エポキシ樹脂組成物を加熱する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６５】
（付記１０）  前記基板の電極と前記半導体素子の電極との接合は、超音波を印加することにより行われる付記９に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施形態１のエポキシ樹脂組成物のイメージ図である。
【図２】実施形態２の半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図３】実施形態２の半導体装置の製造工程における時間と、封止樹脂の硬化度と、封止樹脂の温度との関係を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  エポキシ樹脂主剤
２  カチオン重合開始剤
３  樹脂膜で被覆された中和剤
４  無機フィラー
５  カップリング剤
２１  電極
２２  基板
２３  封止樹脂
２４  バンプ
２５  半導体素子
【図１】
0005212678.tif 000003
【図２】
0005212678.tif 000004
【図３】
0005212678.tif 000005