(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記パターンが形成されていない場所に設けられている遮光部材を有するモールドを用意する工程と、
前記基板上に形成された光硬化性樹脂に前記モールドを接触させる工程と、該光硬化性樹脂を光照射により硬化させることにより第１の加工領域を形成する工程と、該第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去する工程により、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に形成された前記光硬化性樹脂に前記モールドを接触させる工程と、該光硬化性樹脂を光照射により硬化させることにより第２の加工領域を形成する工程と、該第２の加工領域の周囲にはみ出した該光硬化性樹脂を除去する工程により、第２回目のパターンを形成する工程と、
を有し、
前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の整数倍とすることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記加工領域の幅の長さに、前記モールドの加工誤差および前記基板と前記モールドの位置合わせ誤差による調整量を加えた長さが含まれていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記パターンを形成する工程を３回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記第１の加工領域において前記第１方向に形成される各加工領域の間隔を、
前記第１の加工領域の幅の長さの２倍とすると共に、前記第２方向における加工領域は互いに隣接しない間隔として、前記各加工領域を形成する工程と、
前記第２回目のパターンを形成する工程の後に、前記第２の加工領域と隣接する領域に第３の加工領域を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記パターンを形成する工程を複数回繰り返し行うに際し、各パターンを形成する工程に異なるモールドを用いることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
基板の加工方法であって、請求項１から４のいずれか１項に記載のインプリント方法により基板上の樹脂にインプリントされたパターンをマスクとして前記基板を加工する工程を有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項６】
基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記基板上に樹脂を塗布し、前記モールドによるインプリントを複数回行うことにより第１の加工領域を形成すると共に、該第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去し、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記第１回目のパターンを形成する工程に引き続き第２回目のパターンを形成するに際し、前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に、前記第１回目のパターンを形成する工程と同じ工程を繰り返し行うことにより、前記第２回目のパターンを形成する工程と、
を少なくとも有し、
前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の整数倍とすることを特徹とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドが有するパターンを樹脂層に転写するインプリント方法および基板の加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、モールド上の微細な構造を樹脂や金属等の被加工部材に転写する微細加工技術が開発され、注目を集めている（非特許文献１参照）。
この技術は、ナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれ、数ｎｍオーダーの分解能を持つため、ステッパ、スキャナ等の光露光機に代わる次世代の半導体製造技術としての期待が高まっている。
さらに、立体構造をウエハレベルで一括加工可能なため、フォトニッククリスタル等の光学素子、μ−ＴＡＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｔｏｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）などのバイオチップの製造技術、等として幅広い分野への応用が期待されている。
【０００３】
このような加工技術は、例えば半導体製造技術に適用する場合には以下のように行われる。
基板（例えば半導体ウエハ）上に光硬化型の樹脂層を有するワークと、当該樹脂に所望の凹凸パターンが形成されたモールドを合わせて、両者の間に樹脂を充填させ、紫外光を照射することで樹脂を硬化させる。
これにより、樹脂層に上記パターンが転写されるので、この樹脂層をマスク層としてエッチング等を行い、基板へのパターン形成が行われる。
また、半導体のリソグラフィーにインプリントを用いる場合、基板の大きさより小さいモールドを用いて、基板上への転写を繰り返し行うステップアンドリピート方式が適しているとされている（非特許文献２参照）。
その理由は、ウエハサイズの増加に伴う重ね合わせやモールドパターンそのものの積算誤差を減少して精度を向上させることができ、あるいはサイズの増加に伴うモールド作製のコストを削減することができるからである。
【非特許文献１】Ｓｔｅｐｈａｎ  Ｙ．Ｃｈｏｕ  ｅｔ．ａｌ．，  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，Ｖｏｌ．６７，Ｉｓｓｕｅ  ２１，ｐｐ．  ３１１４−３１１６（１９９５）。
【非特許文献２】Ｔ．Ｂａｉｌｅｙ  ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．６，ｐｐ．  ３５７２−３５７７（２０００）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したインプリント方法では、モールドよりもサイズの大きいデバイスを製造することが困難であるという問題を有している。
すなわち、図１０に示すように、基板上５２０３にパターンを加工する場合に、１ショット分のインプリントを行った際、ショット外に樹脂が押し出され、モールド５２０１の縁に沿うようにはみ出し領域５２０４を形成してしまう場合が生じる。
このように形成されたはみ出し領域の幅は、一般にパターンの大きさまたはパターンの周期よりも大きくなる。
また、この部分の樹脂層の膜厚は、ショット内の領域５２０５（加工領域）における樹脂層の膜厚よりも厚くなることが多い。
例えば、加工領域５２０５における樹脂層の膜厚や、パターンの凹凸が数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度であるのに対し、はみ出し領域５２０４における樹脂層の厚さは数μｍ以上になることがある。
【０００５】
このようなはみだし領域５２０４上にはパターンを形成することが困難なため、隣接するショット間に、少なくともはみ出し領域５２０４の幅の分だけ隙間が生じてしまう。
この結果、モールドが有するパターンをつなぎ合わせてサイズの大きいデバイスを製造することが困難となる。
また、サイズの大きいデバイスを製造しない場合であっても、はみ出し領域５２０４により、１枚のウエハから取れるチップ数が減少し、製造コストが上がってしまうという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、隣接する加工領域間のパターン同士をつなぐことを可能とし、製造コストの低減化を図ることができるインプリント方法および基板の加工方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、つぎのように構成したインプリント方法および基板の加工方法を提供するものである。
本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記パターンが形成されていない場所に設けられている遮光部材を有するモールドを用意する工程と、
前記基板上に形成された光硬化性樹脂に前記モールドを接触させる工程と、該光硬化性樹脂を光照射により硬化させることにより第１の加工領域を形成する工程と、該第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去する工程により、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に形成された前記光硬化性樹脂に前記モールドを接触させる工程と、該光硬化性樹脂を光照射により硬化させることにより第２の加工領域を形成する工程と、該第２の加工領域の周囲にはみ出した該光硬化性樹脂を除去する工程により、第２回目のパターンを形成する工程と、
を有し、
前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の整数倍とすることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記加工領域の幅の長さに、前記モールドの加工誤差および前記基板と前記モールドの位置合わせ誤差による調整量を加えた長さが含まれていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記パターンを形成する工程を３回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記第１の加工領域において前記第１方向に形成される各加工領域の間隔を、
前記第１の加工領域の幅の長さの２倍とすると共に、前記第２方向における加工領域は互いに隣接しない間隔として、前記各加工領域を形成する工程と、
前記第２回目のパターンを形成する工程の後に、前記第２の加工領域と隣接する領域に第３の加工領域を形成することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記パターンを形成する工程を複数回繰り返し行うに際し、各パターンを形成する工程に異なるモールドを用いることを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、上記したいずれかに記敵のインプリント方法により基板上の樹脂にインプリントされたパターンをマスクとして前記基板を加工する工程を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記基板上に樹脂を塗布し、前記モールドによるインプリントを複数回行うことにより第１の加工領域を形成すると共に、該第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去し、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記第１回目のパターンを形成する工程に引き続き第２回目のパターンを形成するに際し、前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に、前記第１回目のパターンを形成する工程と同じ工程を繰り返し行うことにより、前記第２回目のパターンを形成する工程と、
を少なくとも有し、
前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の整数倍とすることを特徹とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、隣接する加工領域間のパターン同士をつなぐことを可能とし、製造コストの低減化を図ることができるインプリント方法および基板の加工方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
つぎに、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の実施の形態のインプリント方法においては、基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントするに際し、加工領域を形成すると共にはみ出し領域を除去してパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行う。
その際、第２回目以降の転写工程では、それ以前の第１回目の転写工程において形成された加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去し、そのはみ出し領域が形成されていた領域に、加工領域を重ねてパターンを転写する。その際、上記第１回目の転写工程での複数回のインプリントによって、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、上記加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
該複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の整数倍としてインプリントする。
これにより、加工領域から樹脂がはみ出したはみ出し領域にもパターンを容易に転写することができ、隣接ショット間（隣接する加工領域間）の隙間を低減し、隣接するショットのパターン同士をつなぐことが可能となるインプリント方法を実現することができる。
また、本発明の実施の形態の基板の加工方法においては、上記した本実施の形態のインプリント方法におけるはみ出し領域を除去する工程に引き続いて、上記モールドのパターンが転写された基板上の樹脂のパターンを用い、基板の加工を行うことができる。
なお、本発明における基板とは、シリコンウエハなどの単成分の基板のみならず、面上に多層の膜が形成されている基板等も含む、披加工部材全体を意味している。
【実施例】
【００１０】
以下に、本発明の実施例について、図を用いて説明する。
なお、以下の各図において、同一または対応する部分には同一の符号が付されている。
［実施例１］
実施例１では、本発明を適用したインプリント方法について説明する。
図１に、本実施例におけるインプリント方法のフローについて説明する図を示す。
工程１０１は、１回目の転写工程である。
ここでは、基板上に形成した樹脂層に、ステップアンドリピート方式によって、モールドのパターンを転写するインプリントを、１回または複数回行うことにより第１の加工領域を形成する。
また、工程１０２は１回目の除去工程である。
ここでは、工程１０１で上記第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂（はみ出し領域の樹脂）を除去する。
これにより、第１回目のパターンが形成される。
このように、本実施例のパターンを形成する工程は、上記したように、転写工程と、転写工程を行った後にはみ出し領域を除去する除去工程と、による一連の工程からなっている。
【００１１】
工程１０３は、第２の加工領域を形成する２回目の転写工程である。
ここでは工程１０２で樹脂層を除去したはみ出し領域上に加工領域が重なるようにインプリント工程を行う。
工程１０４は２回目の除去工程である。
ここでは、工程１０３で上記第２の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去する。
これにより、第２回目のパターンが形成される。
【００１２】
このように転写工程と除去工程との一連の工程からなるパターンを形成する工程を、第３回目以降においても複数回繰り返すことで、一旦生じたはみ出し領域上にもパターンを転写することが可能となる。
図１では、１０５がＮ回目の転写工程、１０６がＮ回目の除去工程である。
なお、以下で説明する実施例では、パターン形成工程を３回繰り返し行う場合について説明する。
【００１３】
つぎに、本実施例におけるインプリント工程について、具体的に説明する。
図２に、本実施例におけるインプリント工程について説明する図を示す。
まず、図２（ａ）に示す工程では、基板２０３上に樹脂層２０２を形成する。その後、図２（ｂ）に示す工程において、遮光部材としての遮光膜７０１が設けられているモールド２０１を用意し、このモールド２０１を樹脂層２０２に接触させて、モールド２０１と基板２０３の間に樹脂層２０２を充填させる。このとき、モールド２０１により加工領域２０５から押し出された樹脂層２０２がはみ出し領域２０４となって形成される。
ここで、遮光膜７０１は、はみ出し領域２０４の樹脂層２０２が光照射により硬化しないように遮光するための膜であり、モールド２０１のパターンが形成されていない場所に設けられている。
また、樹脂層２０２は、光硬化性樹脂が用いられる。
次に、図２（ｃ）に示す工程において、モールド２０１の裏面からＵＶ光等の光を照射することにより樹脂層２０２を硬化させる。モールド２０１には遮光膜７０１が設けられているため、加工領域２０５の樹脂層７０２のみを硬化させ、はみ出し領域２０４の樹脂層７０３は未硬化の状態とすることができる。
次に、図２（ｄ）に示す工程において、モールド２０１を硬化した樹脂層７０２と未硬化の樹脂層７０３から剥離することで、モールド２０１上のパターンが樹脂層７０２上に転写される。
そして、図２（ｅ）に示すように、アセトン等の溶剤を用いてはみ出し領域２０４の樹脂層７０３のみを除去することが可能となる。
【００１４】
本実施例において、モールド２０１は表面に所望のパターンを有し、材質には例えばシリコン、石英、サファイア等が用いられる。
また、パターンのある表面はフッ素系シランカップリング剤等を用いた離型処理を施す事が一般的である。
本実施例では、離型処理により形成された離型層を含めてモールドと記すことにする。
樹脂層２０２に用いる材料は、例えばアクリル系、あるいはエポキシ系の光硬化性樹脂等が適用可能である。
基板２０３上への樹脂層２０２の形成方法としては、インクジェットやディスペンサにより液滴状に塗布する方法や、スピンコートにより塗布する方法等が適用可能である。
遮光膜７０１は、Ｃｒなどの金属をスパッタ、ＣＶＤ、真空蒸着、イオンプレーティングなどによって蒸着することによって形成された金属膜を用いることができる。この遮光膜７０１は、光硬化性樹脂を硬化しうる光を完全に遮断しないものであってもよい。この場合、遮光されていない領域と、遮光されている領域とで光硬化性樹脂の硬化度に、必要な差異が生じるものであればよい。
図３に、加工領域の周囲にはみ出した樹脂に照射される光を遮断する構造を有するモールドを用いた際の２回目のパターン形成工程について説明する図を示す。
【００１５】
図３（ａ）において、１回目の転写工程によって形成された樹脂層８０１に隣接した領域に２回目の転写工程における樹脂層８０２を配置する。このとき、樹脂層８０２とモールド２０１は、２回目の転写工程のインプリント工程における加工領域４０７が、１回目の転写工程におけるはみ出し領域４０４に重なるように配置する必要がある。
また図３（ｂ）において、モールド２０１を樹脂８０２に接触させ、モールド２０１の裏面から光を照射すると、２回目の転写工程における加工領域４０７に形成された樹脂層８０３は硬化する。
一方、遮光膜７０１により、２回目の転写工程におけるはみ出し領域４０６に形成された樹脂層８０４は、硬化されない。
ところで、図３（ｂ）において、モールド２０１を樹脂層８０２に接触させると、はみ出し領域４０６の樹脂層８０４の一部が１回目の転写工程における加工領域４０５の樹脂層８０１上にもはみ出す。
しかし、樹脂層８０１は１回目のパターン形成工程において硬化しているため、未硬化の樹脂層８０４と混ざり合うことなく、樹脂層８０４のみを除去することが可能である。
同様に、３回目のパターン形成工程においても、それ以前の工程におけるはみ出し領域に３回目の加工領域を重ねてパターンを転写し、はみ出し領域の樹脂層のみを除去する。
以上の工程により、図３（ｂ）に示すように、基板２０３上に所望のパターンが転写された樹脂層を形成することができる。
【００１６】
このように、遮光膜を持つモールドによる除去方法を用いることで、隣接する加工領域間の隙間低減、および隣接する加工領域のパターン同士をつなぐことができる。
このとき、溶剤に溶かすだけで、はみ出し領域の樹脂層を除去することが可能であるため、はみ出し領域の樹脂層除去時における基板へのダメージを軽減することができる。
【００１７】
つぎに、パターン形成工程を３回繰り返し行うインプリント方法について具体的に説明する。
図４に、パターン形成工程を３回繰り返し行うインプリント方法において、各転写工程における加工領域の配置について詳細に説明するために基板を上から見た図を示す。
５０１は１回目の転写工程における加工領域（第１の加工領域）、５０２は２回目の転写工程における加工領域（第２の加工領域）、５０３は３回目の転写工程における加工領域（第３の加工領域）である。
図４（ａ）に、第１回目のパターンを形成する工程での１回目の転写工程における加工領域（第１の加工領域）の配置を示す。
図における第１方向の配置は、第１方向に対する各加工領域の間隔が、加工領域の第１方向に対する幅の整数倍、例えば２倍となるようにする。
但し、ここにおける加工領域幅の２倍とは、加工領域幅にモールドの加工誤差および基板とモールドの位置合わせ誤差による調整量を加えた長さの２倍とし、以下も同様のものとする。
また、第１方向と直交する第２方向の配置は、第１方向には加工領域幅の１倍の距離動かし、第２方向には例えば加工領域幅の１．５倍の距離動かした位置となるようにする。
但し、第２方向へ動かす距離は、１．５倍に限らず、少なくとも加工領域幅にはみ出し領域の幅を加えた距離であり、大きくても加工領域幅の２倍の長さからはみ出し領域の幅を引いた距離である。
【００１８】
図４（ｂ）に、第２回目のパターンを形成する工程での２回目の転写工程における加工領域５０２の配置を示す。
図における第１方向に対して、１回目の転写工程における加工領域に隣接するように加工領域を配置する。
図４（ｃ）は、第３回目のパターンを形成する工程での３回目の転写工程における加工領域５０３の配置を示した図である。
図における第１方向に対して、１回目と２回目の転写工程における加工領域の間に３回目の転写工程における加工領域を配置する。
本実施例のように加工領域を配置することにより、パターン形成工程を３回繰り返すことで基板全域にパターンを転写することができる。
３回以上繰り返す場合においても、前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記各加工領域の幅の長さに、前記第１回目のパターンを形成する工程の終了後に、繰り返し行われるパターン形成工程の回数を掛け合わせた長さとする。これにより、同様に基板全域にパターンを転写することができる。
但し、一般に、パターン形成工程における転写工程と除去工程は、使用する装置を交換する必要があるため、加工方法のスループットを向上させるためには、繰り返し行うパターン形成工程の回数が少ないほうが好ましい。
【００１９】
本実施例のように加工領域を配置することにより、パターン形成工程を３回繰り返すだけで、隣接する全ての加工領域に対して、加工領域間の隙間低減、および加工領域のパターン同士をつなぐことができる。
なお、図４は本実施例の１例を示したに過ぎず、各回の転写工程におけるインプリント工程の回数等は、モールドと基板の大きさや形状により異なる。
【００２０】
また、本実施例においてパターンが転写された樹脂層をマスクとして、基板２０３にパターンを転写することも可能である。図５にその方法を説明する図を示す。
基板上に転写された樹脂層には、パターンの下地に一般に残膜と呼ばれる厚みが存在し、図５（ａ）は樹脂層８０１や樹脂層８０３等に存在する残膜を除去した後の樹脂層９０１を示す。これは、図４（ｃ）のような樹脂層の状態から、残膜が無くなるまで、膜厚を均等に減らすエッチングを樹脂層に対して行ったものである。
次に、残った樹脂層９０１をマスクとして基板のエッチングを行い図５（ｂ）に示す状態となる。
最後に、残った樹脂層９０１を除去することにより、図５（ｃ）に示すように、基板上に所望のパターンを転写することができる。
【００２１】
ピッチがＸのドットパターンを加工領域２０５に転写する際に、本発明を用いない場合には図６（ａ）に示すようになることがある。
すなわち、隣接する加工領域間のはみ出し領域２０４の幅をＹとしたとき、ピッチはＹ以上となる。ここで、ＹがＸよりも大きい場合には隣接する加工領域間でピッチをＸにすることが難しい。
これに対して本発明を用いることで、図６（ｂ）に示すように、はみ出し領域にもパターンを形成することができ隣接する加工領域同士を近接させることが可能となるため、隣接する加工領域間でドットパターンのピッチをＸにすることができる。
このように本実施例では、隣接する加工領域間のパターンをつなぐことが可能となる。このような加工方法は、屈折率の分布が面内方向に周期的に配列されているフォトニック結晶などの構造体に好適に用いることができる。
なお、つなぐことができるパターンとしてはドットパターンに限らず、ラインアンドスペースパターンやホールパターン、及び自由パターン等の他のパターンにも適用可能である。
また、本実施例においてモールドの加工領域の形状は、四角形に限らず、例えば六角形など広く適用可能である。
【００２２】
また、遮光部材を用いずに、パターンをつなぐことも可能である。
すなわち、第１の加工領域の上に、第１の加工領域を保護する第１の保護層を形成し、第１の保護層によって、前記第１の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、はみ出し領域の樹脂層を除去する。次に、はみ出し領域を含む第１の加工領域と隣接する領域に形成された樹脂にモールドを接触させ、第２の加工領域を形成する。
そして、第２の加工領域の樹脂層に、第２の加工領域を保護する第２の保護層を形成する。
最後に、第１及び第２の保護層によって、第１及び第２の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、第２の加工領域の周囲にはみ出した樹脂を除去する。
このように、基板上に樹脂を塗布し、モールドによるインプリントを１回または複数回行うことにより第１の加工領域を形成すると共に、第１の加工領域の周囲にはみ出した樹脂によるはみ出し領域を除去し、第１回目のパターンを形成する。
そして、第１回目のパターンを形成する工程に引き続き第２回目のパターンを形成するに際し、はみ出し領域を含む第１の加工領域と隣接する領域に、第１回目のパターンを形成する工程と同じ工程を繰り返し行い第２回目のパターンを形成してもよい。
【００２３】
［実施例２］
実施例２においては、実施例１とは別の加工領域の配置方法による構成例について説明する。
実施例１との差異は加工領域の配置方法であるため、その部分についてのみ説明する。
図７を用いて、パターン形成工程に４回繰り返す方法について説明する。
１２０１は１回目の転写工程における加工領域、１２０２は２回目の転写工程における加工領域、１２０３は３回目の転写工程における加工領域、１２０４は４回目の転写工程における加工領域である。
まず、図７（ａ）に示すように、１回目の転写工程において、加工領域の並びの周期を第１方向、第２方向共に加工領域幅の２倍として加工領域１２０１にパターンの転写を行い、その後除去工程を行う。
次に、図７（ｂ）、図７（ｃ）に示すように、２回目の転写工程および３回目の転写工程において、１回目の転写工程における加工領域１２０１の間の加工領域１２０２と１２０３のそれぞれにパターンを転写して、除去工程を行う。
最後に、図７（ｄ）に示すように、残った領域である加工領域１２０４に４回目の転写工程でパターンを転写して除去工程を行う。パターン形成工程を３回繰り返す方法では、加工領域の配置において、第１方向または第２方向のどちらか一方向は加工領域の端を揃えることはできない。
これに対して、パターン形成工程を４回繰り返す方法では、第１方向と第２方向の両方で加工領域の端を揃えることが可能となる。
つまり、網の目上に加工領域の端をダイシングする場合等、第１方向と第２方向の両方で加工領域の端を揃える必要がある場合においても、それぞれの加工領域のパターンをつないでパターンを転写することが可能である。
【００２４】
図８を用いて、パターン形成工程を２回繰り返す方法について説明する。
図８（ａ）に示すように、１回目の転写工程において、第１方向加工領域の並びの周期を加工領域の幅の２倍とし、第２方向の間隔は適当な幅として加工領域１２０１にパターンの転写を行い、除去工程を行う。
ここにおける適当な幅とは、各インプリント工程におけるはみ出し領域が隣接する加工領域に重ならない幅とする。
次に、図８（ｂ）に示すように２回目の転写工程において、１回目の転写工程における第１方向の加工領域１２０１の間にパターンを転写してそれぞれ除去工程を行う。
以上の工程によって、一方向にのみ各加工領域の転写パターンをつなぐ必要がある場合においては、パターン形成工程をそれぞれ３回よりも少ない２回だけ繰り返すことでパターンを転写することが可能となる。
なお、本発明における、パターン形成工程の回数、または加工領域の配置方法、配置の順番、またはモールドの加工領域の形状は、これだけに限るものではない。
【００２５】
［実施例３］
実施例３においては、実施例１、実施例２とは別の構成例について説明する。実施例１と実施例２との差異は、各転写工程に用いるモールドの構成であるため、その部分についてのみ説明する。
本発明では、各転写工程に同じモールドを用いるとは限らない。つまり、例えば実施例２におけるパターン形成工程を４回繰り返す方法において、１回目、２回目、３回目、４回目の転写工程にそれぞれ異なるモールドを用いることも可能である。
【００２６】
図９（ａ）は１回目のパターン形成工程を終えた段階を示す。
図９（ｂ）は２回目のパターン形成工程を終えた段階を示す。
ここで、２回目の転写工程に用いたモールドは、１回目の転写工程に用いたモールドとは異なるパターンを持ったモールドである。
図９（ｃ）は３回目のパターン形成工程を終えた段階を示す。３回目の転写工程で用いたモールドは、１回目と２回目とは異なるパターンをもつモールドであり、このモールドを用いて転写工程を行う。
図９（ｄ）は４回目のパターン形成工程終えた段階を示す。４回目の転写工程で用いたモールドも、１回目、２回目、３回目とは異なるパターンをもつモールドであり、このモールドを用いて転写工程を行う。
全ての転写工程に同じパターンをもつモールドを用いた際には、大きくても１つの加工領域分の周期をもつパターンしか転写できない。
しかし、このように各回の転写工程に異なるパターンをもつモールドを用いることで、４倍の周期構造をもつパターンを転写することが可能となる。
【００２７】
以上のように、本実施例では、各回の転写工程にパターンの異なるモールドを用いることで、より大きな周期を持つパターンを転写することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例１におけるインプリント方法のフローについて説明する図。
【図２】本発明の実施例１におけるはみ出し領域の除去工程を説明する図。
【図３】本発明の実施例１における加工領域の周囲にはみ出した樹脂に照射される光を遮断する構造を有するモールドを用いた際の２回目のパターン形成工程について説明する図。
【図４】本発明の実施例１におけるパターン形成工程を３回繰り返し行うインプリント方法において、各転写工程における加工領域の配置について説明する図。
【図５】本発明の実施例１における基板への転写方法を説明する図。
【図６】本発明の実施例１におけるパターンのつなぎを説明する図。
【図７】本発明の実施例２における加工領域の配置を説明する図。
【図８】本発明の実施例２における加工領域の配置を説明する図。
【図９】本発明の実施例３における基板加工を説明する図。
【図１０】従来例におけるインプリントを用いた基板の加工方法の問題点を説明する図。
【符号の説明】
【００２９】
１０１：１回目の転写工程
１０２：１回目の除去工程
１０３：２回目の転写工程
１０４：２回目の除去工程
１０５：３回目の転写工程
１０６：３回目の除去工程
２０１：モールド
２０２：樹脂層
２０３：基板
２０４：はみ出し領域
２０５：加工領域
４０４：１回目のはみ出し領域
４０５：１回目の加工領域
４０６：２回目のはみ出し領域
４０７：２回目の加工領域
５０１：１回目の加工領域
５０２：２回目の加工領域
５０３：３回目の加工領域
７０１：遮光膜
７０２：硬化した樹脂層
７０３：未硬化の樹脂層
８０１：硬化した１回目の樹脂層
８０２：２回目の樹脂層
８０３：硬化した２回目の樹脂層
８０４：未硬化の２回目の樹脂層
９０１：樹脂層
１２０１：１回目の加工領域
１２０２：２回目の加工領域
１２０３：３回目の加工領域
１２０４：４回目の加工領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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