(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体の記録層を形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、Ｂｉ及びＦｅを含み、磁束を前記スパッタリングターゲットの表面側から漏洩させるため前記スパッタリングターゲットの表面に溝を設けた形状を有し、前記溝がマグネトロンスパッタリングにおいて磁界を発生する磁極の上に設けられたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング可能なスパッタリングターゲット。
【請求項２】
非強磁性化合物を含む請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｆｅが、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物として含まれている請求項１から２のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｆｅが、α−Ｆｅ２Ｏ３として含まれている請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、焼結法を採用することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の構成要素である酸化物記録層を製膜するために用いるスパッタリングターゲット（以下、適宜ターゲットと略称する）、特にマグネトロンスパッタリング可能なターゲット及びその製造方法に係る。また、そのスパッタリングターゲットを用いて製造した光記録媒体、特に青色レーザ波長領域でも高密度の記録が可能な追記型光記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色レーザ波長以下で記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供するため、超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。
本出願人は先願（特許文献１参照）において、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む膜を用いた追記型光記録媒体が優れた特性を示すことを開示した。また、この層を形成する方法としてスパッタリング法を用いることも開示した。また、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含むターゲットについて先願（特願２００５−１１３４６６）などで開示した。
【０００３】
スパッタリング法は薄膜の気相形成法の１つとして従来から広く知られており、工業的な薄膜製造にも利用されてきた。スパッタリング法では、目的とする膜の成分と同じ成分のターゲット材を用意し、通常は、このターゲット材にグロー放電で発生させたアルゴンガスイオンを衝突させてターゲット材の構成原子を叩き出し、基板上に原子を堆積させることにより成膜が行われる。
酸化物は一般に融点が高いため、蒸着法などの方法は好ましくなく、スパッタリング法がよく用いられる。また、製膜速度を速くするため、ターゲットの裏面側に磁界発生手段を配置するマグネトロンスパッタリングを併用することが多い。
マグネトロンスパッタリングは、ターゲットの裏面側に配置した磁界発生手段で発生させた磁界により、ターゲット近傍にＡｒのプラズマを集中させてターゲット表面に衝突するイオンを増やすことにより、スパッタリングされる原子を増やし、製膜速度を向上させるものである。高周波、直流のどちらの方式とも併用可能である。
【０００４】
しかし、マグネトロンスパッタリングでは、ターゲットの裏面側に配置された磁界発生手段からの磁束を、ターゲットを通して、ターゲットの表面側に漏洩させる必要がある。このため、ターゲットの透磁率が高いと、ターゲット中を通る磁束が増えてしまい、漏洩磁束による十分な磁界強度が得られないため製膜速度が遅くなる。したがって、漏洩磁束を多くするため、透磁率の高いターゲットでは、厚さを薄くしたり、磁束が漏れやすい構造にするなどの方法で漏洩磁束を確保する必要がある。
また、ターゲットが薄いと、ターゲット１枚当たりのスパッタ可能時間が短くなってしまう。このため、スパッタ室を開放してターゲットを交換し、再び真空引きを行う頻度が高くなり、生産性低下によるコストアップを招く。
更に、焼結法によりターゲットを製造する場合、製品化のためには焼結後に表面付近の酸化領域を研削する必要がある。研削量は、ターゲットの厚さによらず１ｍｍ程度であるため、ターゲットを薄くするほどスパッタリングに寄与せずに捨てられる領域の比率が高くなり、これによってもコスト高となってしまう。
【０００５】
他の公知技術としては、特許文献２などに、Ｆｅと他の元素の化合物を作ることで透磁率を低下させたターゲットについて開示されている。
また、特許文献３などに、Ｆｅ族元素と他の元素との化合物からなる合金粒子の平均粒径を２００μｍ以下にすることで透磁率を下げたターゲットについて開示されている。
これらの公知技術をＢｉ、Ｆｅ、及びＯを含むターゲットに適用することで、マグネトロンスパッタリングが可能であることは容易に想像されるが、そのようにして製膜した膜を用いて良好な特性を示す光記録媒体が実現可能かどうかは不明であり、従来例は参考にならない。
また、構成元素の種類が異なれば、上記ターゲットの組成や構成化合物と、膜の構造や組成の関係も異なるため、ターゲットの構成を変える必要があり、上記文献に開示された知見は本発明の参考にはならない。
また、特許文献４には、Ｂｉ３Ｆｅ５Ｏ１２の薄膜製造用のターゲットに関する記述があり、Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３を混合、焼結するとの記述がある。しかし、この文献は、磁気光学効果が大きい、いわゆるガーネット構造の薄膜を製造するためのものであり、マグネトロンスパッタリングの記述はなく、本発明とは異なる。
高密度記録が可能な追記型光記録媒体を実現するには、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｏ（酸素）を含み、安定した組成、構造を持つ膜が必要となる。また、生産性、コストを考えると、製膜速度やターゲットの利用効率などを考慮する必要がある。そのためには適切なターゲットで、適切な膜を作製することが必要となる。しかし、ターゲットを構成する化合物の形態、構造、不純物などが、形成される膜の組成、結晶性などに影響するため、ターゲットを構成する化合物を、必要な膜の特性に適したものとする必要がある。更に、追記型光記録媒体を低コストで作製する必要があるため、製膜速度の速い製膜法を用いる必要がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１０８３９６号公報
【特許文献２】特許第３０９８２０４号公報
【特許文献３】特開平６−１８４７４０号公報
【特許文献４】特公平２−４２８９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、良好な特性を示す記録層をマグネトロンスパッタリングで形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、次の＜１＞〜＜８＞の発明（以下、本発明１〜８という）によって解決される。
＜１＞  光記録媒体の記録層を形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、Ｂｉ及びＦｅを含み、磁束をターゲットの表面側から漏洩させるための形状、構造、組成の何れかを少なくとも１つ有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング可能なスパッタリングターゲットである。
＜２＞  非強磁性化合物を含む前記＜１＞に記載のスパッタリングターゲットである。
＜３＞  Ｆｅが、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物として含まれている前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットである。
＜４＞  Ｆｅが、α−Ｆｅ２Ｏ３として含まれている前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットである。
＜５＞  表面側から磁束が漏れるような形状を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットである。
＜６＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、焼結法を採用することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。
＜７＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて製膜したＢｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を有することを特徴とする光記録媒体である。
＜８＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、マグネトロンスパッタリング可能で、安定した組成、構造を有する膜を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、及びそのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明１は、光記録媒体用の記録層を形成するときに用いられるスパッタリングターゲットであって、Ｂｉ及びＦｅを含み、磁束をターゲットの表面側から漏洩させるための形状、構造、組成の何れかを少なくとも１つ有するマグネトロンスパッタリング可能なスパッタリングターゲットに関する。
Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む膜を記録層に用いた追記型光記録媒体は優れた記録特性を示す。この記録層を作製するにはスパッタリング法が最適である。
その際、製膜速度を向上させるために、ターゲットの裏面側に磁界発生手段を配置し、ターゲットの表面側から磁束を漏洩させてターゲット表面付近の磁束密度を高め、ターゲットに衝突して原子を叩き出す役割を担うイオンのターゲット近傍の密度が高くなるようにするマグネトロンスパッタリングを用いることが多い。
しかし、ターゲットがＦｅなどの強磁性を示す元素又は化合物を含むと、ターゲットの透磁率が高くなり磁束がターゲット中を通るため、ターゲット表面から磁束が漏れにくくなり、その結果、製膜速度が遅くなってしまうという問題がある。
そこで、本発明１では、磁束がターゲットの表面側から漏れる量を多くするための形状、構造、組成の何れかを少なくとも１つ有するターゲットとすることにより、Ｂｉ及びＦｅを含むターゲットでもマグネトロンスパッタリングを可能としたものである。これにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む特性の良好な記録層の製膜と、製膜の生産性の向上が両立可能となる。
【００１１】
ターゲットの表面側から磁束がより多く漏れるようにするには、ターゲット中にＦｅが単体金属として存在しないことが好ましい。このような状態を実現する手段も含めて、磁束をターゲットの表面側から漏洩させるための手段としては、次の（１）〜（５）ようなものが挙げられる。また、それぞれの手段を複数用いても良い。
（１）非強磁性体のみからなるか、又は、非強磁性体が主成分となり、ターゲット全体では透磁率が低くなっているような組成のターゲットとする。
（２）磁束が漏れやすい形状、構造のターゲットとする。
（３）微粒子が集合したような構造を持ち、各微粒子間の磁気的な結合を切ることにより、全体として透磁率が低くなるようなターゲットとする。
（４）例えばＦｅのような強磁性で飽和磁束密度が高く透磁率が高い材料でも化合物にすれば飽和磁束密度、透磁率を低くできるので、そのような化合物の集合体からなるターゲットとする。
（５）厚さの薄いターゲットとする。
なお、強磁性体とは、磁場によりその方向に強く磁化し、磁場を取り除いても残留磁化を残して磁気ヒステリシスを残す物質を言うが、本発明では、このような強磁性を示す物質以外のものを総称して非強磁性体という。
【００１２】
（１）の例としては、Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の混合体からなるもの、Ｂｉとα−Ｆｅ２Ｏ３からなるもの、ＢｉＦｅＯ３とＢｉ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３からなるものなどがある。これらの材料は何れも非強磁性体である。しかし、強磁性体であるＦｅやγ−Ｆｅ２Ｏ３が微量に存在していても良い。
（２）の例としては、ターゲットの表面に溝を設けるなどして断面積が小さい部分を作ると、その部分は磁束密度が飽和しやすくなり、その部分から磁束が漏れやすくなる。
（３）の例としては、強磁性体であっても、その粒子の大きさが数ｎｍから数十ｎｍ程度になると、常時性的な性質を示す超常磁性と呼ばれる状態になる。超常磁性となる粒子の大きさは物質により異なるが、数ｎｍから１０ｎｍ程度であることが多い。そこで、そのような粒子を磁気的な結合を起こさせることなく集合体とすることにより常磁性的なターゲットとすることができ、磁束の漏れが大きくなる。例えば、そのような微粒子の周りを別の非磁性体で囲むような構造にする。具体例としては、Ｆｅ又はＦｅの化合物を微粒子化して超常磁性状態の粒子とし、その粒子をＢｉ、Ｂｉ化合物、又は他の非強磁性体からなる材料で取り囲むようにすることで磁束密度、透磁率が低いターゲットとなる。その結果、表面側から磁束が漏れやすくなり、マグネトロンスパッタリングが可能となる。また、超常磁性を示すような微結晶が存在すると近傍に存在する粒子も影響を受けて透磁率が低下する。超常磁性を示すような１０ｎｍ以下の粒径の粒子が体積比で平均粒径の２分の１の３乗倍以上存在すると、おおよそ、マグネトロンスパッタリング可能な程度に透磁率が低下すると考えられる。また、結晶粒径のばらつきが大きいと組成ずれを起こしやすい。
透磁率μは１０程度以下が好ましい。また、見かけ上磁化がゼロになる補償温度が室温以下であるような化合物とすることも効果がある。
【００１３】
（４）の例としては、Ｆｅ−Ｓｉ合金とＢｉからなるもの、Ｂｉ−ＬｉとＦｅ−Ｇｅからなるもの、Ｍｇ３Ｂｉ２とＦｅ３Ｓｎ２からなるものなど、Ｆｅと他の元素との化合物とＢｉ又はＢｉの化合物との混合体からターゲットを構成することにより、飽和磁束密度、透磁率を低くすることができる。このような化合物の混合体とすることにより、表面側からの磁束の漏れが大きくなりマグネトロンスパッタリングが可能となる。
（５）の例としては、ターゲットの厚さを薄くする方法がある。Ｆｅがそのまま存在していてもターゲットの厚さを１ｍｍ程度にすることでマグネトロンスパッタリングが可能な程度に磁束が漏れる。最適な厚さは、ターゲットを構成する化合物の種類や組成により異なるが、マグネトロンスパッタリングが可能な程度に薄くするという手段により本発明の効果が得られる。
更に、上記（１）〜（５）に含まれない場合もあるが、補償温度が室温付近にあるようにすること、又は製膜のためのプラズマ放電により上昇した温度付近にキュリー温度が存在する材料を用いることなどにより、飽和磁束密度、透磁率を小さくすることができる。
上記のような種々の手段を用いてターゲットの表面側からの磁束の漏れを大きくすることができ、マグネトロンスパッタリングが可能となる。
【００１４】
本発明のターゲットは、原料の酸化物粉末を混合焼成することにより作製される。Ｂｉ酸化物とＦｅ酸化物の粉末から焼成することが可能である。また、主にＢｉ、Ｆｅ、及びＯの３元素を含む化合物の粉末を作製し、その粉末を焼成することによりターゲットとすることも可能である。
焼成法としては、ホットプレス法やＨＩＰ法などの加圧加熱焼成法を用いることができる。焼成温度に関しては、ターゲット強度を向上させるためには高温であることが好ましいが、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯの３元素からなる化合物の場合、約８００℃以上では相分離、融解などが起こり、均一なターゲットを焼成することが難しくなる。そこで焼成温度は７５０℃程度を超えないように制御する必要がある。例えば、Ｂｉ酸化物及びＦｅ酸化物を混合し焼結する場合は、混合物のうち最も低融点であるＢｉ酸化物の融点（８００℃程度）を超えない温度で焼結する必要がある。また、Ｂｉ粉末とα−Ｆｅ２Ｏ３粉末を混合し焼結してもよい。このターゲットは酸化物のみからなるターゲットよりも熱伝導率が高いため製膜中にターゲットが破損しにくくなる。
【００１５】
本発明２は、非強磁性化合物を含むターゲットである。
ターゲットの表面側から磁束がより多く漏れるようにするには、非強磁性化合物のみからなることが好ましいが、強磁性材料を含んでいても、非強磁性材料が５０体積％程度よりも多い場合には、磁束の漏れは大きくなる。更に、強磁性材料がγ−Ｆｅ２Ｏ３程度の磁束密度を持つ材料であれば、非強磁性化合物が３０体積％程度であってもマグネトロンスパッタリングが可能な程度に磁束の漏れが生じる。
【００１６】
本発明３は、ＦｅがＢｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物として含まれるターゲットである。
マグネトロンスパッタリングを可能とするためには、強磁性成分の少ないターゲットにする必要があるが、Ｆｅが非強磁性化合物として含まれていれば、ターゲットとしては強磁性でなくなり、マグネトロンスパッタリング可能となる。例えば、ペロブスカイト構造のＢｉＦｅＯ３は反強磁性であるため透磁率が低くなり、マグネトロンスパッタリングが可能となる。また、強磁性であるかないか不明であるが、Ｂｉ２５ＦｅＯ４０、Ｂｉ３６Ｆｅ２Ｏ５７のようにＦｅ原子の含有量が少ない化合物は、たとえ強磁性を示すとしても飽和磁束密度が小さく透磁率が小さい。このようなＢｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物を含むことは効果が大きい。
上記のような化合物を含むターゲットを作製するには、Ｂｉ酸化物とＦｅ酸化物を焼成してＢｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物の粉末を作製した後、その化合物が溶融しない温度で焼結してターゲット形状とする。常圧焼結法、ホットプレス、ＨＩＰ法などが適用できる。
【００１７】
本発明４は、Ｆｅがα−Ｆｅ２Ｏ３として含まれるターゲットである。
Ｆｅ酸化物が含まれていても、強磁性体でなければマグネトロンスパッタリング可能である。γ−Ｆｅ２Ｏ３やＦｅ３Ｏ４（マグネタイト）は強磁性体であり好ましくないが、α−Ｆｅ２Ｏ３（ヘマタイト）は常磁性体である。したがって、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯの３元系化合物が主成分であり、組成を調整するためにＦｅ酸化物を加えたいときに、常磁性体であるα−Ｆｅ２Ｏ３（ヘマタイト）を加えることが効果が大きい。
【００１８】
本発明５は、表面から磁束が漏れるような形状を有するターゲットである。
表面から磁束が漏れるように透磁率などの磁気特性を最適化する方法もあるが、形状を変えて磁束が漏れやすくする方法も効果がある。平坦な板に部分的に溝などを設けることにより、その部分から磁束が漏れやすくなる。溝を設けた部分では、局所的に断面積が小さくなっているため磁束密度が高くなりやすく、飽和磁束密度を超えてしまうと磁束が漏れる。また、溝の端部など形状が急に変化している部分では、磁極が生じるため磁束の流れが変化し、磁束が漏れやすくなる。このような効果で、強磁性体を含むターゲットでもマグネトロンスパッタリング可能となる。特に、マグネトロンスパッタリングにおいて磁界を発生する磁極の上に溝を設けると、スパッタリングにより削られる範囲が広がり、製膜速度の向上と共に、ターゲットの利用効率も向上する。また、円形ターゲットでは、ターゲットの中心に対して複数個の溝を同心円状に設けると一層効果が大きくなる。
【００１９】
本発明６は、焼結法を採用するターゲットの製造方法である。
焼結法を採用することにより、ＢｉとＦｅなどの融点の大きく異なる材料を混合したターゲットが作製可能となる。また、粉末を焼結することにより粉末粒子の磁気的な特性をそのまま残すことが可能であり、磁束密度、透磁率などの特性を制御して作製することができる。焼結法を用いることにより、設計どおりの飽和磁束密度、透磁率が実現可能であり、マグネトロンスパッタリングを可能とするターゲットを製造することができる。
【００２０】
本発明７は、本発明１から５のいずれかのターゲットを用いて製膜したＢｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を有する光記録媒体である。
ポリカーボネートなどの樹脂基板の上に必要な膜を製膜し光記録媒体とする。樹脂基板にはトラッキングなどの制御を行うための溝やピットを形成しても良い。真空中でアルゴンガスを導入し高周波電力を印加することにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含む膜を製膜する。アルゴンに加えて酸素を製膜中に導入することで、記録膜中の酸素量を制御することができ、良好な特性を実現しやすい。他に反射層としての金属膜や特性向上のための保護層などを設けても良い。
【００２１】
本発明８は、本発明１から５のいずれかのターゲットを用いてＢｉ、Ｆｅ、及びＯを含む記録層を製膜する光記録媒体の製造方法である。これにより、製膜速度を早くすることができ、生産性の向上を実現できる。また、酸素を導入して製膜することで更に特性の向上を図ることもできる。
【実施例】
【００２２】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２３】
参考例１
Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の粉末をＢｉとＦｅの原子比が２：１になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を、１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、大気中７５０℃で５時間焼成することにより、ターゲットを作製した。ターゲットの大きさは、直径７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍとした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、ターゲット１を得た。このターゲット１の充填密度は９９％、比抵抗は１，０００Ωｃｍ以上であった。
上記ターゲットのＸ線回折パターンを測定した。測定条件は表１に示した通りである。
測定結果を図１に示す。
この測定で得られた回折ピークの位置を同定するために検索を行い、既存物質との照合を行った。図１の一番上に示されている（ａ）がターゲット１の回折パターンであり、その下の（ｂ）はＢｉＦｅＯ３の回折ピークが出る位置を既知のデータで示したものである。Ｘ線回折には過去に測定されたデータなどから既知物質の回折線がどこに出てどの程度の強度なのかがデータベース化されており、そのデータと比較することにより測定物質を同定することができる。
（ｂ）で示したＢｉＦｅＯ３のデータと（ａ）の測定データを比較して検索した結果、○印を付けたピークがＢｉＦｅＯ３のピークであるということが分かった。
（ｃ）は、α−Ｆｅ２Ｏ３の既知データ、（ｄ）は、Ｂｉ２Ｏ３の既知データであり、同様にしてα−Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３の同定を行ったが、顕著なピークは見当たらなかった。
以上の結果から、最も大きなピークは、ＢｉＦｅＯ３のピークであり、この化合物が主に存在していることが明らかとなった。
【００２４】
【表１】
0005211500.tif 000002
【００２５】
参考例２
参考例１で作製したターゲットを用いて光記録媒体を作製した。
案内溝（溝深さ２１ｎｍ、トラックピッチ０．４３μｍ）を有するポリカーボネート基板上に、スパッタリング法で、膜厚１５ｎｍのＡｌ２Ｏ３層、膜厚１３ｎｍのＢｉＦｅＯ層、膜厚２０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２層、膜厚１００ｎｍのＡｌＴｉ（Ｔｉ：１重量％）層を順に設け、更にその上に、スピンコート法で紫外線硬化型樹脂（サンノプコ社製：ノプコキュア１３４）からなる膜厚約５μｍの保護層を設けて追記型光記録媒体を得た。スパッタリング製膜には、芝浦メカトロニクス製のスパッタリング装置（ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用いた。スパッタリング条件は、Ａｒ流量：４０ｓｃｃｍ、電力：１００Ｗである。ターゲットをボンディングした無酸素銅製のバッキングプレートの裏面には、マグネトロンスパッタリング用のマグネットが配置されている。ＢｉＦｅＯ層の製膜は、ＲＦマ
グネトロンスパッタリングにより行った。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、以下の条件で二値記録を行った。
・変調方式    ：  １−７変調
・記録線密度  ：  最短マーク長（２Ｔ）＝０．２０４（μｍ）
・記録線速度  ：  ６．６１（ｍ／ｓ）
その結果、連続記録部において、記録パワーが６．４ｍＷで６．２％という良好なジッタ値（リミットイコライザ使用）が得られ、かつ変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）６２％で、記録極性がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗである良好な記録再生特性を実現することができた。また、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した評価では（基板のトラックピッチを０．４０μｍとした）、ＰＲＳＮＲ＝２３、ＳｂＥＲ＝５．８×１０−７が得られ、非常に良好な記録再生特性が実現できた。ここで、ＰＲＳＮＲは、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に基く信号品質を表す指標であり、ＳｂＥＲは、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格におけるエラーレートを示す値である。
【００２６】
参考例３
Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の粉末及びＢｉとＦｅの粉末をＢｉとＦｅの原子比が１：１になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を８００℃で５時間焼成し、焼成の終わった粉末をＸ線回折で確認したところ、ＢｉＦｅＯ３の粉末が形成されていた。
一方、Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の粉末及びＢｉとＦｅの粉末を、ＢｉとＦｅの原子比が２５：１になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を８００℃で５時間焼成し、焼成の終わった粉末をＸ線回折で確認したところ、Ｂｉ２５ＦｅＯ４０の粉末が形成されていた。
上記２つの粉末を２３：１のモル比で混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末をホットプレス法により９００℃、１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、３時間焼成することによりターゲットを作製した。ターゲットの大きさは、直径７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍとした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、ターゲット２を得た。このターゲット２の充填密度は９７％、比抵抗は１，０００Ωｃｍ以上であった。
【００２７】
参考例４
参考例３で作製したターゲット２を用いた点以外は、参考例２と同様にして光記録媒体を作製し、二値記録を行った。
その結果、連続記録部において、記録パワーが６．１ｍＷで５．９％という良好なジッタ値（リミットイコライザ使用）が得られ、かつ変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）６２％で、記録極性がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗである良好な記録再生特性を実現することができた。また、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した評価では（基板のトラックピッチを０．４０μｍとした）、ＰＲＳＮＲ＝２１、ＳｂＥＲ＝２．１×１０−６が得られ、非常に良好な記録再生特性が実現できた。
【００２８】
参考例５
Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の粉末をＢｉとＦｅの原子比が６：５になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、大気中７５０℃で５時間焼成することによりターゲットを作製した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、ターゲット３を得た。このターゲット３の充填密度は９９％、比抵抗は１，０００Ωｃｍ以上であった。
【００２９】
参考例６
参考例５で作製したターゲット３を用いて光記録媒体を作製した。
案内溝（溝深さ２１ｎｍ、トラックピッチ０．４３μｍ）を有するポリカーボネート基板上に、スパッタリング法で、膜厚１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３層、膜厚１３ｎｍのＢｉＦｅＯ層、膜厚２０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２層、膜厚１００ｎｍのＡｇ層を順に設け、更にその上に、スピンコート法で、紫外線硬化型樹脂（サンノプコ社製：ノプコキュア１３４）からなる膜厚約５μｍの保護層を設けて追記型光記録媒体を得た。スパッタリング製膜には、ＵＮＡＸＩＳ製のスパッタリング装置（ＤＶＤ  Ｓｐｒｉｎｔｅｒ）を用いた。スパッタリング条件は、Ａｒ流量：２０ｓｃｃｍ、電力：１．２ｋＷである。ターゲットをボンディングした無酸素銅製のバッキングプレートの裏面には、マグネトロンスパッタリング用のマグネットが配置されている。ＢｉＦｅＯ層の製膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより行った。
上記光記録媒体に対し、実施例２と同様にして二値記録を行った。
その結果、連続記録部において、記録パワーが８．８ｍＷで５．５％という良好なジッタ値（リミットイコライザ使用）が得られ、かつ変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）５５％で、記録極性がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗである良好な記録再生特性を実現することができた。また、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した評価では（基板のトラックピッチを０．４０μｍとした）、ＰＲＳＮＲ＝３３、ＳｂＥＲ＝９．６×１０−１０が得られ、非常に良好な記録再生特性が実現できた。
【００３０】
実施例７
本実施例では図２のようにターゲット表面に溝を設けた。これにより、溝から磁束が漏
れやすくなり、マグネトロンスパッタリングによる製膜が容易になる。
Ｂｉ２Ｏ３とα−Ｆｅ２Ｏ３の粉末をＢｉとＦｅの原子比が２：１になるように混合し
、エタノールを加え、ボールミルで１時間湿式混合した。この混合粉末をホットプレス法
により、５０〜１００ＭＰａで加圧成型し、真空中、８１０℃で５時間焼成した。その後
、溝を形成するなどの加工を行ってターゲットを作製した。ターゲットの大きさは、直径
７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍとした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、ターゲット４を得た。真空中で焼結したため、ターゲットの密度は９２％と高くできたが、酸素が欠損したため、若干強磁性的な性質となった。また、ターゲットの比抵抗は８．５Ωｃｍであった。
【００３１】
実施例８
実施例７で作製したターゲット４を用い、ＢｉＦｅＯ層の製膜を、Ａｒと酸素の混合ガ
ス中（Ａｒ流量：４０ｓｃｃｍ、酸素流量：４ｓｃｃｍ）で行った点以外は、実施例６と
同様にして光記録媒体を作製し、二値記録を行った。
その結果、連続記録部において、記録パワーが９．８ｍＷで５．２％という良好なジッ
タ値（リミットイコライザ使用）が得られ、かつ変調度（Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  ａｍｐｌ
ｉｔｕｄｅ）５５％で、記録極性がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗである良好な記録再生特性を
実現することができた。また、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した評価では（基板のトラッ
クピッチを０．４０μｍとした）、ＰＲＳＮＲ＝２７、ＳｂＥＲ＝２．３×１０−８が得
られ、非常に良好な記録再生特性が実現できた。
【００３２】
実施例９
Ｂｉ２Ｏ３とＦｅ２Ｏ３の粉末をＢｉとＦｅの原子比が２：１になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、大気中７８０℃で５時間、ホットプレス法により、焼成した後、図２のように加工を行い溝を形成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は９７％、比抵抗は１，０００Ωｃｍ以上であった。比抵抗が大きいため、高周波スパッタリングにより製膜を行った。ターゲットの充填密度が９６％よりも高く、マグネトロンスパッタをより効率よく行うことができ、製膜時のプラズマ放電が安定するので、再現性良く光記録媒体を量産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、ターゲット１のＸ線回折パターンの測定結果を示す図である。
【図２】図２は、ターゲット表面に溝を設けた構造を示す図である。
【図１】
0005211500.tif 000003
【図２】
0005211500.tif 000004