(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力を増幅する高周波トランジスタと、
前記高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス線と、
誘電体によって形成される基板と、
前記基板に設置され、前記バイアス線を挿通する口径の最大値が前記バイアス線の伝送する高周波の波長の２分の１以下の第１の挿通孔を前記基板と垂直な部分に有し、前記基板と平行な部分に前記垂直な部分を挟んで前記高周波トランジスタと対向する位置に第２の挿通孔を有する側壁と、
前記側壁を挟んで前記基板と対向する位置に設けられ、前記第２の挿通孔に対応する位置に前記バイアス線を挿通する第３の挿通孔を有するカバーと、を備え、
前記バイアス線は、前記第１の挿通孔から挿通され、前記第２の挿通孔まで前記側壁によって覆われ、前記第３の挿通孔を介して前記カバーの外部のバイアス電源に接続可能であることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
【請求項２】
前記バイアス線がλ／４線路を備え、
前記側壁が前記λ／４線路を覆うことを特徴とする、請求項１記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項３】
前記側壁が、金属によって形成されていることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の高周波電力増幅モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を増幅する高周波電力増幅モジュールに係り、特にバイアス線路からの高周波の漏れを低減する高周波電力増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波信号を増幅させる高周波電力増幅モジュールにおいては、高周波トランジスタにバイアス電力を供給する必要がある。
【０００３】
図４に示すように、従来の高周波電力増幅モジュールは、バイアス線路１０８が露出しており、このバイアス線路１０８から高周波信号が漏れ出し、カバー１０９の外のバイアス線がアンテナの役目をして漏れ出した高周波信号の発振の原因となることがあるという問題点があった。
【０００４】
この点に関し、バイアス回路を収納する収納部を設けた筐体を用いる技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平１１−３３０７６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の技術においては、バイアス回路から高周波トランジスタに至る線路から高周波が漏れ出すことを防止できず、また、筐体の構造が複雑になり製造コストが上昇すると言う問題点があった。
【０００６】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、バイアス線路からの高周波信号の漏れを低減させた安価に製造できる高周波電力増幅モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明は、電力を増幅する高周波トランジスタと、高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス線と、誘電体によって形成される基板と、 基板に設置され、バイアス線を挿通する口径の最大値がバイアス線の伝送する高周波の波長の２分の１以下の第１の挿通孔を基板と垂直な部分に有し、基板と平行な部分に垂直な部分を挟んで高周波トランジスタと対向する位置に第２の挿通孔を有する側壁と、側壁を挟んで基板と対向する位置に設けられ、第２の挿通孔に対応する位置にバイアス線を挿通する第３の挿通孔を有するカバーと、を備え、バイアス線は、第１の挿通孔から挿通され、第２の挿通孔まで側壁によって覆われ、第３の挿通孔を介してカバーの外部のバイアス電源に接続可能であることを特徴とする高周波電力増幅モジュールを提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高周波電力増幅モジュールは高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス線を覆い、径の最大値が伝送する高周波の波長の２分の１以下のバイアス線を挿通する挿通孔を有する側壁を備える。このため、高周波電力増幅モジュールはバイアス線からの高周波信号の漏れを低減させることができるという効果があり、バイアス線からの高周波信号の漏れを低減させた高周波電力増幅モジュールを安価に製造することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明による高周波電力増幅モジュールの一実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】
＜実施形態の詳細＞
図１は、本実施形態の高周波電力増幅モジュールの構成を示す概要図である。図１に示すように、本実施形態の高周波電力増幅モジュールは、高周波トランジスタ１０１にバイアス電力を供給するバイアス線１０８を覆い、径の最大値が伝送する高周波の波長の２分の１以下の前記バイアス線を挿通する挿通孔１０６，１０７を有する側壁１０５を備える。
【００１１】
バイアス線１０８がλ／４線路を備える場合には、側壁１０５はこのλ／４線路を覆ってもよい。この側壁１０５は、アルミニウムや銅などの金属によって形成される。
【００１２】
さらに詳細に説明する。本実施形態の高周波電力増幅モジュールは、アルミニウムなどのケース１０３上に誘電体基板１０２を設け、この誘電体基板１０２上に高周波トランジスタ１０１への信号の入力を行なう第１のマイクロストリップ線路１０４Ａと信号の出力を行なう第２のマイクロストリップ線路１０４Ｂとを設ける。
【００１３】
第２のマイクロストリップ線路１０４Ｂには、バイアス電力を供給するバイアス線１０８が接続している。
【００１４】
このバイアス線１０８を覆う側壁１０５は、バイアス線１０８を挿通する挿通孔１０６，１０７を有する。挿通孔１０６，１０７は、径の最大値が伝送する高周波の波長の２分の１以下である。すなわち、挿通孔１０６，１０７が円の場合は直径が、円以外の場合は最も長い径が伝送する高周波の波長の２分の１以下である。
【００１５】
図２は半円形の挿通孔１０６を示した図である。図２に示すように、短い径１２２と長い径１２１がある場合、最も長い径を伝送する高周波の波長の２分の１以下とする。
【００１６】
伝送する高周波の波長の２分の１の長さは、例えば次のように算出する。Ｗをマイクロストリップ線路１０４Ａの幅、ｄを誘電体基板１０２の厚さ、εｒをこの誘電体基板１０２の誘電体の比誘電率、ｆを高周波信号の周波数（Ｈｚ）とすると、実効誘電率εeは以下の式（１）又は（２）のように表すことができ、よって波長λ（ｍ）は以下の式（３）のように表される。
【数１】
0005148189.tif 000002
【００１７】
このλに１／２を掛けたものが伝送する高周波の波長の２分の１の長さとなる。
【００１８】
次に、側壁１０５が覆う範囲について説明する。図３は側壁１０５が覆う範囲２１０の付近の回路を分布定数にて表した図である。図３に示すように、高周波トランジスタ１０１にマイクロストリップ線路２０１が接続され、このマイクロストリップ線路２０１にλ／４線路２０３が接続され、このλ／４線路２０３にバイアス線２０７とグランド接続２０４が接続され、バイアス線２０７は端子２０５を介してバイアス電源２０６に接続している。
【００１９】
このとき、側壁１０５は少なくともバイアス線２０７を覆う。λ／４線路２０３と端子２０５を覆うように構成することがより望ましい。さらに、グランド接続２０４を覆うように構成することもできる。
【００２０】
ここで、径の最大値が伝送する高周波の波長の２分の１以下にする理由を説明する。側壁に挿通孔を設けた場合、この側壁は導波管として機能する。ところで、導波管はこの導波管の幅の１／２以下の高周波信号を伝送しない。この現象は所謂カットオフ周波数として公知である。よって、挿通孔１０６，１０７の径の最大値をマイクロストリップ線路１０４が伝送する高周波信号の波長の２分の１以下にすることによって、この高周波信号が側壁１０５を介して漏れ出すことを防ぐことができる。
【００２１】
＜実施形態の効果＞
以上述べたように、本実施形態の高周波電力増幅モジュールは高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス線を覆い、径の最大値が伝送する高周波の波長の２分の１以下のバイアス線を挿通する挿通孔を有する側壁を備える。このため、本実施形態の高周波電力増幅モジュールはバイアス線からの高周波信号の漏れを低減させることができるという効果がある。
【００２２】
＜本発明の具体化における可能性＞
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】高周波電力増幅モジュールの構成を示す概要図である。
【図２】半円形の挿通孔を示した図である。
【図３】側壁が覆う範囲の付近の回路を分布定数にて表した図である。
【図４】従来の高周波電力増幅モジュールの構成を示す概要図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０１：高周波トランジスタ、
１０２：誘電体基板、
１０３：ケース、
１０４Ａ，１０４Ｂ：マイクロストリップ線路、
１０５：側壁、
１０６，１０７：挿通孔、
１０８：バイアス線、
１０９：カバー、
１１０：カバー上のバイアス線挿通孔、
１２１：挿通孔の長い径、
１２２：挿通孔の短い径、
２０１：マイクロストリップ線路、
２０３：λ／４線路、
２０４：グランド接続、
２０５：端子、
２０６：カバー外の端子、
２０７：バイアス線、
２１０：側壁が覆う範囲。
【図１】
0005148189.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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