(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、
前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、
前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、
を有する被帯電体の総層厚検出装置。
【請求項２】
最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体に対し、接触又は近接して該被帯電体を帯電させる帯電部材と、
この帯電部材により帯電させられた被帯電体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、
前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、
前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、
を有する帯電装置。
【請求項３】
前記帯電部材に給電する給電手段と、
前記演算部の演算結果に基づいて前記給電部を制御する制御手段と、
を有する請求項２記載の帯電装置。
【請求項４】
前記演算部の演算結果に基づいて、被帯電体の寿命を判定する判定手段、
をさらに有する請求項２又は３記載の帯電装置。
【請求項５】
最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する像保持体と、
この像保持体に接触又は近接して該像保持体を帯電させる帯電部材と、
この帯電部材により帯電させられた前記像保持体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、
前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、
前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、
を有する画像形成装置。
【請求項６】
前記帯電部材に給電する給電手段と、
前記演算部の演算結果に基づいて前記給電部を制御する制御手段と、
を有する請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記演算部の演算結果に基づいて、前記像保持体の寿命を判定する判定手段、
をさらに有する請求項５又は６記載の画像形成装置。
【請求項８】
最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量の変化を取得し、
前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の被帯電体の飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶し、
取得した飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、記憶した複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する被帯電体の総層厚検出方法。
【請求項９】
最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量の変化を取得するステップと、
前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の被帯電体の飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶するステップと、
取得した飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、記憶した複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出するステップと、
をコンピュータに実行させる被帯電体の総層厚検出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、総層厚検出装置、帯電装置、画像形成装置、総層厚検出方法及び総層厚検出プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電極部材に異なる電圧を印加して得られたＶ−Ｉ特性に基づいて、被帯電体の厚みを検知する画像形成装置を開示する。
【０００３】
【特許文献１】特許第３０６４６４３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、比誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の総層厚を検出することができる総層厚検出装置、帯電装置、画像形成装置、総層厚検出方法及び総層厚検出プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１に係る本発明は、最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、を有する被帯電体の総層厚検出装置である。
【０００７】
請求項２に係る本発明は、最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体に対し、接触又は近接して該被帯電体を帯電させる帯電部材と、この帯電部材により帯電させられた被帯電体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、を有する帯電装置である。
【０００９】
請求項３に係る本発明は、前記帯電部材に給電する給電手段と、前記演算部の演算結果に基づいて前記給電部を制御する制御手段と、を有する請求項２記載の帯電装置である。
【００１０】
請求項４に係る本発明は、前記演算部の演算結果に基づいて、被帯電体の寿命を判定する判定手段、をさらに有する請求項２又は３記載の帯電装置である。
【００１１】
請求項５に係る本発明は、最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する像保持体と、この像保持体に接触又は近接して該像保持体を帯電させる帯電部材と、この帯電部材により帯電させられた前記像保持体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶する記憶手段と、前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、前記記憶手段が記憶する複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する演算部と、を有する画像形成装置である。
【００１３】
請求項６に係る本発明は、前記帯電部材に給電する給電手段と、前記演算部の演算結果に基づいて前記給電部を制御する制御手段と、を有する請求項５記載の画像形成装置である。
【００１４】
請求項７に係る本発明は、前記演算部の演算結果に基づいて、前記像保持体の寿命を判定する判定手段、をさらに有する請求項５又は６記載の画像形成装置である。
【００１５】
請求項８に係る本発明は、最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量の変化を取得し、前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の被帯電体の飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶し、取得した飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、記憶した複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出する被帯電体の総層厚検出方法である。
【００１６】
請求項９に係る本発明は、最も外側を被覆する保護層と電荷を輸送し前記保護層とは比誘電率が異なる電荷輸送層とを含む被覆層を具備する被帯電体の飽和電荷量の変化を取得するステップと、前記保護層及び前記電荷輸送層それぞれの層厚及び比誘電率の少なくともいずれかが公差内でばらついた場合の被帯電体の飽和電荷量の複数の初期値と、前記保護層の層厚変化に対する被帯電体の飽和電荷量の変化の関係を示す複数の関係情報とを、それぞれ対応させた複数の対応情報を記憶するステップと、取得した飽和電荷量の変化及び飽和電荷量の初期値と、記憶した複数の対応情報とに基づいて、被帯電体の被覆層の総層厚を算出するステップと、をコンピュータに実行させる被帯電体の総層厚検出プログラムである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、比誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の総層厚を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２において、本発明の実施形態に係る画像形成装置１０の概要が示されている。画像形成装置１０は、画像形成部１２と、原稿読取装置１４とを有する。画像形成部１２は、例えばゼログラフィ方式のもので、用紙などの記録媒体が積載された例えば４段の給紙トレイ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ及び手差しトレイ１８とを有し、これらトレイ１６ａ〜１６ｄ、１８から記録媒体搬送路２０に供給された記録媒体に画像を形成するようになっている。
【００１９】
即ち、画像形成部１２は、例えば円筒状の回転する像保持体２２と、この像保持体２２を一様に接触帯電する例えば帯電ロールからなる帯電部材２４と、この帯電部材２４により一様に帯電された像保持体２２に静電潜像を形成する露光装置（光書込み装置）２６と、この露光装置２６により形成された像保持体２２上の潜像を現像剤で可視化する現像装置２８と、この現像装置２８により形成された現像剤像を記録媒体に転写する転写装置３０と、像保持体２２に残った現像剤をクリーニングするクリーナ３２とを有する。
【００２０】
帯電部材２４は、例えばゴムなどの弾性を有する部材を表面に有し、像保持体２２に接触して回転する。露光装置２６は、レーザ走査方式のもので、例えば原稿読取装置１４で読み取った原稿の画像をレーザのオンオフ信号に変えて出力する。転写装置３０は例えば転写ロールから構成され、この転写装置３０により現像剤像が転写された記録媒体が定着装置３４に送られ、この定着装置３４により現像剤像が記録媒体に定着される。現像剤像が定着された記録媒体は、排出トレイ３６に排出される。
【００２１】
記録媒体搬送路２０には、複数の記録媒体搬送ロール３８が設けられている。この記録媒体搬送ロール３８の一つとして、転写装置３０上流側近傍には、レジストロール４０が配置されている。このレジストロール４０は、供給された記録媒体を一時停止させ、像保持体２２に潜像が形成されるタイミングと同期して記録媒体を転写装置３０に供給するように制御される。
【００２２】
原稿読取装置１４は、原稿を光学的に読み取る光学系４２と、自動原稿送り装置４４とを有する。
光学系４２は、自動原稿送り装置４４により送られた原稿を流し読みする機能と、反射ミラー等を走査して原稿台ガラス５４上に載置された原稿を読み取る機能とを備えている。
【００２３】
自動原稿送り装置４４は、多数の原稿が載置される原稿載置台５６と、原稿を搬送する原稿搬送路５８と、画像を読み取った後の原稿が排出される排出台６０とを有する。
【００２４】
また、画像形成装置１０は、制御ユット６２、表示装置及びキーボードなどを含むユーザインタフェース装置（ＵＩ装置）６４、ＨＤＤ・ＣＤ装置などの記憶装置６６及び通信装置６８などを有する。制御ユニット６２は、ＣＰＵ７０及びメモリ７２などを含み、画像形成装置１０を構成する各部を制御するようにされている。
このように、画像形成装置１０は、コンピュータとしての機能を含み、記憶媒体７４又は通信装置６８を介して受け入れたプログラムを実行することにより、印刷などの処理を行う。
【００２５】
次に、像保持体２２、帯電部材２４及びその周辺について詳述する。
図３は、像保持体２２、帯電部材２４及びその周辺の構成の詳細を示す模式図である。帯電部材２４には、電源部８２が接続されている。電源部８２は、交流電源８４及び直流電源８６を有し、制御ユニット６２の制御に応じて、所定の直流電圧Ｖｄｃに交流電圧Ｖａｃを重畳した電圧を帯電部材２４に印加する。例えば、電源部８２は、交流電源８４が１０００Ｈｚの周波数でピーク間電圧Ｖｐｐが８００〜２５００Ｖ程度の交流電圧を帯電部材２４に対して印加し、直流電源８６が−７５０Ｖ程度の直流電圧Ｖｄｃを帯電部材２４に対して印加して、所定の電流を帯電部材２４に供給するようにされている。電流検出部８８は、電源部８２が帯電部材２４に対して流す電流を検出し、制御ユニット６２に対して出力する。
【００２６】
像保持体２２は、例えば接地されたアルミニウムなどからなる円筒状の導電性支持体９０と、この導電性支持体９０の外面を覆う感光層９２とを有する。感光層９２は、図４に示すように、例えば電荷発生層９４、電荷輸送層（ＣＴ層）９６及び保護層（ＯＣ層）９８から構成される。電荷発生層９４は、図５にも示すように例えば層厚（膜厚）が０．１５μｍにされており、電荷キャリア生成材料を含んで導電性支持体９０を被覆している。電荷輸送層９６は、電荷キャリア輸送材料を含み例えば比誘電率が３である部材からなり、層厚が約２０μｍにされ、電荷発生層９４の外側に積層されている。保護層９８は、例えば比誘電率が４．５である部材からなり、層厚が約５μｍにされ、電荷輸送層９６の外側に積層されている。また、保護層９８は、電荷輸送層９６よりも硬度が高くされている。例えば、電荷輸送層９６が１０００サイクルの処理で約３０ｎｍの摩耗となるのに対し、保護層９８は１０００サイクルの処理で約３ｎｍの摩耗となるようにされている。
【００２７】
図６は、電流検出部８８が検出する直流電流値と像保持体２２の電位との関係を示すグラフである。ここで、電源部８２は像保持体２２を帯電させるために帯電部材２４に対して交流電圧と直流電圧とを印加しており、直流電源８６が帯電部材２４に対して印加する直流電圧が−７５０Ｖとなっている。帯電部材２４に−７５０Ｖの直流電圧が印加され、像保持体２２が１回転すると、像保持体２２は約−７２０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ１を算出する。像保持体２２は１回転しても帯電電荷量が飽和していない。
【００２８】
像保持体２２が２回転すると、像保持体２２は約−７４０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ２を算出する。像保持体２２は２回転しても帯電電荷量が飽和していない。像保持体２２が３回転すると、像保持体２２は約−７５０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ３を算出する。像保持体２２は３回転すると帯電電荷量が飽和している。像保持体２２が４回転すると、像保持体２２の帯電電荷量が飽和しているので、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出するリーク電流のみからなる直流電流値に応じて電荷量Ｑ４を算出する。なお、電流検出部８８が検出するリーク電流には、電源部８２が印加する電圧値に応じて変化するリーク電流と、電源部８２が印加する電圧値によらず流れるリーク電流とが含まれている。
【００２９】
像保持体２２が３回転するまでに制御ユニット６２が算出した電荷量Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３には、それぞれリーク電流に対応する電荷量Ｑ４が含まれている。そこで、制御ユニット６２は、像保持体２２の飽和電荷量Ｑを下式１により算出することにより、検出するようにされている。
【００３０】
飽和電荷量Ｑ＝Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３−Ｑ４×３      ・・・（１）
【００３１】
また、像保持体２２は、上述したように円筒状の部材であり、帯電部材２４が接触することによって外面側から摩耗し、感光層９２の総層厚が摩耗によって減少すると、飽和電荷量Ｑが増大する。
【００３２】
図７は、感光層９２の総層厚の減少に対する像保持体２２の飽和電荷量Ｑの変化について、感光層９２の公差内でのばらつきに応じて算出した結果を示したグラフである。なお、図７には、保護層９８の層厚が４．５μｍ，５μｍ，５．５μｍの３通りにばらつき、電荷輸送層９６の層厚が１９μｍ，２０μｍ，２１μｍの３通りに、比誘電率がε１，ε２，ε３の３通りにばらついた場合における９通りのばらつきサンプル（ばらつきａ〜ｉ）が示されている。
【００３３】
図７に示すように、感光層９２の総層厚が所定値まで減少するまで、像保持体２２の飽和電荷量Ｑは、感光層９２の総層厚の減少量に略比例して増大する。上述したように、保護層（ＯＣ層）９８が円筒状の像保持体２２の最外被覆層であるため、感光層９２は画像形成装置１０の画像形成数（サイクル数、又は動作時間）に応じて保護層９８から摩耗し始める。また、感光層９２の総層厚が所定の厚さになるまで保護層９８のみが摩耗し、さらに感光層９２の摩耗が進むと電荷輸送層（ＣＴ層）９６が摩耗し始めて、像保持体２２の飽和電荷量Ｑが急増し始める。  
【００３４】
像保持体２２は、画像形成装置１０ごとに、ばらつきａ〜ｉなどのように電荷輸送層９６及び保護層９８がばらついており、電荷輸送層９６及び保護層９８のばらつきに応じて、飽和電荷量Ｑの初期値と、保護層９８の摩耗量（層厚減少量）に対する像保持体２２の飽和電荷量の変化量（傾きα）の値とがそれぞれ異なる値となっている。ただし、傾きαの異なる値それぞれは、飽和電荷量Ｑの異なる初期値にそれぞれ対応している。
【００３５】
次に、制御ユニット６２が像保持体２２を管理するために行う処理について説明する。
図８は、制御ユニット６２が像保持体２２を管理するために実行する管理プログラム１００の構成を示すプログラム構成図である。
図８に示すように、管理プログラム１００は、飽和電荷量検出部１０２、対応情報データベース１０４、選択部１０６、記憶部１０８、関係情報データベース１１０、演算部１１２、寿命判定部１１４及び帯電条件制御部１１６から構成される。
【００３６】
飽和電荷量検出部１０２は、電流検出部８８が検出した電流値を受け入れ、上式１を用いた演算により飽和電荷量Ｑを検出し、後述する記憶部１０８に対して出力する。また、飽和電荷量検出部１０２は、検出した飽和電荷量Ｑが初期値である場合には、検出結果を選択部１０６に対しても出力するようにされている。
【００３７】
対応情報データベース１０４は、図９（Ｂ）に例示するように、飽和電荷量Ｑの予め算出された異なる複数の初期値と、複数の像保持体２２のばらつきサンプルとの対応を示すデータベースであり、例えばメモリ７２内に記憶され、選択部１０６のアクセスに応じてデータを選択部１０６に対して出力する。ここで、対応情報データベース１０４は、ばらつきサンプル名（ばらつきａ〜ｉ）を介して、飽和電荷量Ｑの複数の初期値に対する複数の傾きαの値（図９（Ａ）を用いて後述する関係情報）をそれぞれ対応させた複数の対応情報を構成する。
【００３８】
選択部１０６は、飽和電荷量検出部１０２が検出した飽和電荷量Ｑの初期値を受け入れて対応情報データベース１０４にアクセスし、受けいれた初期値に最も近い初期値と対応するばらつきサンプルを選択して、選択結果を演算部１１２に対して出力する。
【００３９】
記憶部１０８は、飽和電荷量検出部１０２が検出した飽和電荷量Ｑをそれぞれ記憶し、記憶した飽和電荷量Ｑの値を演算部１１２のアクセスに応じて出力する。
【００４０】
関係情報データベース１１０は、図９（Ａ）に例示するように、保護層（ＯＣ層）９８の１μｍの摩耗（１μｍの層厚減少）に対する像保持体２２の飽和電荷量Ｑの変化量（傾きαの値：関係情報）をばらつきサンプルごとに示すデータを含むデータベースであり、例えばメモリ７２内に記憶され、演算部１１２のアクセスに応じてデータを演算部１１２に対して出力する。
【００４１】
演算部１１２は、選択部１０６からばらつきサンプルの選択結果を受け入れ、選択されたばらつきサンプルに対応する傾きαの値（関係情報）を関係情報データベース１１０から受けいれて、記憶部１０８にアクセスし、下式２によって感光層９２の摩耗量（層厚減少量）を算出し、下式３によって感光層９２の総層厚を算出して、選択されたばらつきサンプルに対応する算出結果それぞれを寿命判定部１１４及び帯電条件制御部１１６に対して出力する。
【００４２】
感光層９２の摩耗量（層厚減少量）＝α（Ｑｍ−Ｑｘ０）      ・・・（２）
α：傾き（関係情報：Ａ〜Ｉのいずれか）
Ｑｍ：飽和電荷量の検出値
Ｑｘ０：飽和電荷量の初期値（Ｑａ０〜Ｑｉ０のいずれか）
【００４３】
感光層９２の総層厚Ｄ＝Ｄｘ−α（Ｑｍ−Ｑｘ０）      ・・・（３）
Ｄｘ：感光層９２の総層厚の初期値（Ｄ１〜Ｄ３のいずれか）
α：傾き（関係情報：Ａ〜Ｉのいずれか）
Ｑｍ：飽和電荷量の検出値
Ｑｘ０：飽和電荷量の初期値（Ｑａ０〜Ｑｉ０のいずれか）
【００４４】
なお、上式３において、感光層９２の総層厚の初期値Ｄｘの値は、図７にも示したように、下式４〜６により示されるＤ１〜Ｄ３のいずれかがばらつきサンプル（ばらつきａ〜ｉ）ごとに設定されている。
【００４５】
Ｄ１＝ＯＣ層＋ＣＴ層＋電荷発生層
＝４．５＋１９＋０．１５＝２３．６５（μｍ）      ・・・（４）
【００４６】
Ｄ２＝ＯＣ層＋ＣＴ層＋電荷発生層
＝５＋２０＋０．１５＝２５．１５（μｍ）          ・・・（５）
【００４７】
Ｄ３＝ＯＣ層＋ＣＴ層＋電荷発生層
＝５．５＋２１＋０．１５＝２６．６５（μｍ）      ・・・（６）
【００４８】
そして、演算部１１２は、選択部１０６により選択されたばらつきサンプルに応じて、総層厚の初期値Ｄｘの値をＤ０〜Ｄ３の中から選択して用いるようにされている。
【００４９】
寿命判定部１１４は、演算部１１２が出力する演算結果を受け入れ、受け入れた演算結果に応じて像保持体２２の寿命を判定し、判定結果を出力する。例えば、寿命判定部１１４は、演算部１１２が出力する感光層９２の摩耗量（層厚減少量）が像保持体２２の寿命の基準となる摩耗量（寿命基準摩耗量）に達しているか否かにより、像保持体２２の寿命を判定する。また、寿命判定部１１４は、演算部１１２が出力する感光層９２の総層厚に応じて像保持体２２の寿命を判定するようにされてもよい。
【００５０】
帯電条件制御部１１６は、演算部１１２が出力する演算結果を受け入れ、受け入れた演算結果に応じて、像保持体２２に対する帯電条件を制御するために、電源部８２の出力を制御する制御情報を電源部８２に対して出力する。例えば、帯電条件制御部１１６は、演算部１１２が出力する感光層９２の総層厚に応じて電源部８２を制御する。また、帯電条件制御部１１６は、演算部１１２が出力する感光層９２の摩耗量（層厚減少量）に応じて電源部８２を制御するようにされてもよい。
【００５１】
図１０は、制御ユニット６２が管理プログラム１００を実行して像保持体２２を管理するために行う処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
図１０に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、飽和電荷量検出部１０２は、電流検出部８８を介して、像保持体２２の飽和電荷量の初期値を検出する。
【００５２】
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、演算部１１２は、選択部１０６からばらつきサンプルの選択結果を受け入れ、選択されたばらつきサンプルに対応する傾きαの値（関係情報）を関係情報データベース１１０から受けいれる。つまり、演算部１１２は、１つの傾きαの値（関係情報）を選択する。
【００５３】
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、演算部１１２は、上式２によって感光層９２の摩耗量を算出するために、飽和電荷量の検出値Ｑｍと飽和電荷量の初期値Ｑｘ０とを用いて飽和電荷量Ｑの変化を検出する（Ｑｍ−Ｑｘ０を演算する）。
【００５４】
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、演算部１１２は、選択した傾きαの値（関係情報）を用いて上式２により感光層９２の摩耗量（層厚減少量）を算出する。
【００５５】
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、演算部１１２は、上述した関係情報、対応情報及び上式３を用いて感光層９２の総層厚を算出する。
【００５６】
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、帯電条件制御部１１６は、Ｓ１０８の処理で算出した感光層９２の総層厚に応じて電源部８２を制御することにより、像保持体２２に対する帯電条件を制御する。
【００５７】
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、寿命判定部１１４は、演算部１１２が出力する感光層９２の摩耗量（層厚減少量）が像保持体２２の寿命の基準となる摩耗量（寿命基準摩耗量）に達しているか否かにより、像保持体２２の寿命を判定し、像保持体２２が寿命（交換時期）であると判定した場合にはＳ１１４の処理に進み、像保持体２２が寿命に達していないと判定した場合にはＳ１０４の処理に進む。
【００５８】
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、制御ユニット６２は、ＵＩ装置６４を介して像保持体２２を交換すべき指示を表示する。
【００５９】
なお、上記実施形態においては、感光層９２の飽和電荷量の初期値及び総層厚の初期値を、複数のばらつきサンプルごとに対応させて記憶し、ばらつきサンプルを１つ選択した後に感光層９２の摩耗量及び総層厚を検出する場合を例に説明したが、これに限定されることなく、管理プログラム１００は、感光層９２の飽和電荷量の初期値及び総層厚の初期値をそれぞれ関数で規定するようにされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概要を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概要を示す構成図である。
【図３】像保持体、帯電部材及びその周辺の構成の詳細を示す模式図である。
【図４】像保持体の断面の構成を示す模式図である。
【図５】像保持体を構成する部材を比較した結果を示す図表である。
【図６】電流検出部が検出する直流電流値と像保持体の電位との関係を示すグラフである。
【図７】感光層の総層厚の減少に対する像保持体の飽和電荷量Ｑの変化について、感光層の公差内でのばらつきに応じて算出した結果を示したグラフである。
【図８】制御ユニットが像保持体を管理するために実行する管理プログラムの構成を示すプログラム構成図である。
【図９】管理プログラムに含まれるデータベースの内容を示す図表であって、（Ａ）は関係情報データベースに含まれる関係情報を示し、（Ｂ）は対応情報データベースに含まれる飽和電荷量Ｑの予め算出された異なる複数の初期値と、複数の像保持体のばらつきサンプルとの対応を示す図表である。
【図１０】制御ユニットが管理プログラムを実行して像保持体を管理するために行う処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６１】
１０    画像形成装置
１２    画像形成部
２２    像保持体
２４    帯電部材
６２    制御ユニット
６４    ＵＩ装置
７０    ＣＰＵ
７２    メモリ
８２    電源部
８４    交流電源
８６    直流電源
８８    電流検出部
９０    導電性支持体
９２    感光層
９４    電荷発生層
９６    電荷輸送層
９８    保護層
１００    管理プログラム
１０２    飽和電荷量検出部
１０４    対応情報データベース
１０６    選択部
１０８    記憶部
１１０    関係情報データベース
１１２    演算部
１１４    寿命判定部
１１６    帯電条件制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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