(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射部と、
短辺同士が対向するように、２列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、
前記画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、
前記画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、
前記画素電極接続部が、前記光照射部の外側に配置されていることを特徴とする光変調装置。
【請求項２】
前記画素電極接続部が、前記光照射部の外周に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光変調装置。
【請求項３】
前記画素電極接続部が、前記光照射部の外周に沿って、光照射部の外周に近接する位置と、離間する位置と交互に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の光変調装置。
【請求項４】
前記長辺方向に隣接する画素電極の画素電極接続部同士が隣接しないように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光変調装置。
【請求項５】
前記画素電極接続部が、各画素電極に対して２個の画素電極接続部が配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の光変調装置。
【請求項６】
前記画素電極接続部が、画素電極の対向する短辺と反対側の短辺近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調装置の反射特性を向上させる技術に係り、特に光変調物質として液晶を用いた光変調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調装置とは、所定のデータに応じて光変調物質である液晶に電圧をかける時間を調整し、液晶のねじれを変えることによって通過する光の特性を変える装置である。光変調装置は主に光通信装置に使われている。
【０００３】
光変調装置を構成する液晶パネルには、多くの種類があるが、その１つにＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon)と呼ばれているものがある。ＬＣＯＳは、半導体基板上に直接液晶を載せ、透明電極で挟み込んだ構成を有する。
【０００４】
ＬＣＯＳは、半導体基板上に形成された画素電極上に液晶を直接載せてシールする。ＬＣＯＳの場合は、半導体基板上の画素電極が反射板と電極とを兼ねているため、光は透明電極１枚のみ通過すればよく、透過率を高くすることができる。
【０００５】
また、ＬＣＯＳの場合は、画素電極下に配線を配置できるので、配線幅だけ各画素の開口率を上げることもできる。
このように、ＬＣＯＳは、高い透過率と高い開口率とを有するため、光変調装置を始め、ディスプレイなどに使用され始めた。そして、それに合わせてＬＣＯＳに関わる技術も多くの提案をみるものである（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
特許文献１に示した従来技術を説明する。特許文献１に示した従来技術は、典型的なＬＣＯＳ構造を有している。画素電極が同一平面上に複数並べられており、それぞれの画素電極は、駆動素子によって所定の電圧を与えられる。画素電極と駆動素子とは、コンタクトホールとビアホールとを介して接続されている。
【０００７】
また、画素電極と駆動素子との間には、光が駆動素子に当たらないように遮光層を配置して駆動素子の誤動作を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−１６９１２０号公報（第２頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に示した従来技術は、典型的なＬＣＯＳ構造を示したものであり、光変調装置のパネルにも用いることができる。発明者は、特許文献１に示した従来技術を画素領域の広い、言い換えれば光照射部が大きい光変調装置に使う場合を検討した。
【００１０】
すなわち、光可変分散補償器（ＴＯＤＣ（Tunable Optical Dispersion Compensator））を構成する光変調装置として、このようなＬＣＯＳを用いる場合を検討したものである。
【００１１】
このような光可変分散補償器（ＴＯＤＣ）を図７を用いて説明する。
図７において、符号１００は、全体で、光可変分散補償器（ＴＯＤＣ）を示している。
このような光通信分野では、複数の波長の光データを、帯域をかせぐために１本の光ファイバ１０２に、複数の波長の光をまとめて伝送しているが、長い距離を伝送していると各波長の位相がずれてくる。
【００１２】
このため、光可変分散補償器１００では、光ファイバ１０２を伝送されてきた光を、分波器１０４を通過させて、分波器１０４で波長ごとに光を分離している。そして、分波器１０４で各波長毎に分離された光を、光学レンズ１０６を介して、ＬＣＯＳ１０８に反射させ、ＬＣＯＳ１０８の画素電極群を選択的に作動させて、各波長の位相を合わせることができるように構成されている。
【００１３】
しかしながら、ＬＣＯＳをこのような光変調装置に用いると、下記に説明するように、画素領域に影が生じて、光の反射が不均一になるという不具合があることが分かった。
また、強い光を照射すると画素電極接続部周辺にあるスリット状の穴から光が漏れて駆動素子が誤動作してしまう場合もあった。
【００１４】
［問題の説明：図８、図９］
ここで、発明者が検討した特許文献１に示した従来技術を画素領域の広い光変調装置に用いるときに生じる問題を図を用いて説明する。図８は、大きな画素領域をもつＬＣＯＳを説明するために模式的に示した図であって、図８（ａ）は、その平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ´の断面図である。図９は、図８に示す表示領域を模式的に示す平面図である。
【００１５】
図８（ａ）、（ｂ）において、符号２００は、全体で、従来技術のＬＣＯＳを用いた光変調装置を示している。
この光変調装置２００は、半導電体基板からなる基板２０２の上に、ゲート電極２０４が形成されており、このゲート電極２０４の近傍に、ドレイン領域２０６とソース領域２０８とが形成されている。そして、これらのゲート電極２０４と、ドレイン領域２０６と、ソース領域２０８とによって、ＭＯＳ型トランジスタの駆動素子２１０が構成されている。
【００１６】
また、これらのＭＯＳ型トランジスタの駆動素子２１０同士は、素子分離領域２１２で電気的に絶縁分離されるとともに、層間絶縁膜２１４、２１６で電気的に絶縁分離されている。
【００１７】
そして、この層間絶縁膜２１６の上面には、光保護膜（遮光層）２１８が形成され、この光保護膜（遮光層）２１８の上面に、層間絶縁膜２２０を介して、画素電極２２２が形成されている。
【００１８】
この画素電極２２２と、その下部に位置する駆動素子２１０とは、駆動素子２１０の配線２１１と、画素電極２２２の下面とを、画素電極接続部２２４を介して電気的に接続されている。
【００１９】
この場合、画素電極接続部２２４は、光保護膜（遮光層）２１８に形成された孔部を貫通して接続されており、この光保護膜（遮光層）２１８に形成された開口部と画素電極接続部２２４との間に隙間が形成されており、画素電極接続部２２４の周辺にスリット２２６が形成されている。
【００２０】
さらに、画素電極２２２の上面には、最終保護膜２２８が形成され、この最終保護膜２２８を介して液晶層２２９が形成され、この液晶層２２９の上面に、図示しない対向電極（透明電極）が設けられている。
【００２１】
図８（ａ）に示したように、画素電極２２２は、長辺２２２ａと短辺２２２ｂとを有する矩形の電極であって、短辺２２２ｂ同士が対向するように、２列に一定間隔離間して、整然と並んでいる。この画素電極２２２の配置している領域に光が照射される。そのエリアは、光変調装置の仕様により自由に決められる。
【００２２】
このエリアは、複数の画素電極２２２で構成されており、図８（ａ）、図９に示したように、光照射部２３０を構成している。
画素電極２２２は、実際には光変調装置を搭載する機器の光学系などの都合によって光照射部２３０のサイズが決められる。そして、画素電極２２２の数や、長辺２２２ａと短辺２２２ｂとのサイズも決められるのである。したがって、画素電極２２２のサイズが大変大きくなる場合がある。例えば、長辺２２２ａが１ｍｍ、短辺２２２ｂが５μｍである。
【００２３】
図８に示す例では、図面を見やすくするために、長辺２２２ａと短辺２２２ｂとのサイズを変更すると共に、計８個の画素電極２２２が並ぶように示している。なお、図９は、光照射部２３０の全体を見渡すようにした平面図である。
【００２４】
図８に示したように、画素電極２２２は、整然と並んで配置しているから、画素電極２２２と駆動素子２１０との接続のための画素電極接続部２２４も並んで配置することになり、画素電極接続部２２４の列２３２を構成してしまう。
【００２５】
このため、光照射部２３０の全体を見ると、図９に示したように、画素電極接続部２２４の列２３２による線状の影２３４ができてしまう。
特に光通信分野など高品位な反射特性を必要とする分野では影の影響を無視できなくなる。
【００２６】
また、画素電極接続部２２４の周囲には、スリット２２６がある。このスリット２２６は、駆動素子２１０との接続のため、わずかに光保護膜（遮光層）２１８が開口している部分である。
【００２７】
このスリット２２６の真下に駆動素子２１０があるため、強い光の照射時にスリット２２６から光が侵入し、駆動素子２１０が誤動作してしまうのである。
このため、特許文献１に示した従来技術を光変調装置、とりわけ光照射部の面積が大きい光変調装置に用いると、光照射部に線状の影が発生してしまい、反射にムラが生じてしまう。さらに、強い光を照射すると、駆動素子が誤動作をしてしまうのである。
【００２８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、光照射部の面積が大きくても、反射のムラを起こさず、駆動素子も誤動作しない光変調装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明されたものであって、本発明の光変調装置は、
光照射部と、
短辺同士が対向するように、２列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、
前記画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、
前記画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、
前記画素電極接続部が、前記光照射部の外側に配置されていることを特徴とする。
【００３０】
このように構成することによって、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されているので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００３１】
また、画素電極接続部周辺からの光漏れによる駆動素子の誤動作も防止することができる。
その結果、光変調装置として、各波長の位相を正確に合わせることができ、光伝送を確実に行うことができる。
【００３２】
また、本発明の光変調装置は、前記画素電極接続部が、前記光照射部の外周に沿って配置されていることを特徴とする。
このように画素電極接続部が、光照射部の外周に沿って配置されているので、画素電極において対向する短辺からの距離ができるだけ短くなるので、画素電極に生じる抵抗も少なくてすみ、安定した作動を行えることになる。
【００３３】
しかも、この場合でも、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されているので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００３４】
また、本発明の光変調装置は、前記画素電極接続部が、前記光照射部の外周に沿って、光照射部の外周に近接する位置と、離間する位置と交互に配置されていることを特徴とする。
【００３５】
このように構成することによって、光照射部の外周がぼやけた状態であっても、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている部分が多くなるので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００３６】
また、本発明の光変調装置は、前記長辺方向に隣接する画素電極の画素電極接続部同士が隣接しないように配置されていることを特徴とする。
このように構成することによって、光照射部の外周がぼやけた状態であっても、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている部分が多くなるので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００３７】
また、本発明の光変調装置は、前記画素電極接続部が、各画素電極に対して２個の画素電極接続部が配置されていることを特徴とする。
このように各画素電極に対して２個の画素電極接続部が配置されていれば、各画素電極の駆動を確実に行うことができる。
【００３８】
また、本発明の光変調装置は、前記画素電極接続部が、画素電極の対向する短辺と反対側の短辺近傍に配置されていることを特徴とする。
このように画素電極接続部が、画素電極の対向する短辺と反対側の短辺近傍に配置されていれば、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に確実に外れた位置に配置されるので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影が全く発生しなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されているので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００４０】
また、画素電極接続部周辺からの光漏れによる駆動素子の誤動作も防止することができる。
その結果、光変調装置として、各波長の位相を正確に合わせることができ、光伝送を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、図１（ａ）は、本発明の光変調装置の画素電極が配置している光照射部を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ´の断面図である。
【図２】図２は、本発明の光変調装置の第２の実施形態を説明する断面図であって、図１（ｂ）に示す方向と同じ方向から見た図である。
【図３】図３は、本発明の光変調装置の第３の実施形態を説明する断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【図４】図４は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【図５】図５は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【図６】図６は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【図７】図７は、光可変分散補償器（ＴＯＤＣ）を説明する概略図である。
【図８】図８は、従来の問題点を説明する大きな画素領域をもつＬＣＯＳを説明するために模式的に示した図であって、図８（ａ）は、その平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ´の断面図である。
【図９】図９は、図８に示す表示領域を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。
説明にあっては、発明に関係のない部分（例えば、画素電極より上部の液晶層をシールする構造など）は、説明を省略する。
【００４３】
また、図面にあっては、同一の構成には同一の番号を付与するものとする。
【実施例１】
【００４４】
［本発明の第１の実施形態の説明：図１］
本発明の光変調装置の第１の実施形態を図１を用いて説明する。
図１（ａ）は、本発明の光変調装置の画素電極が配置している光照射部を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ´の断面図である。
【００４５】
図１（ａ）、（ｂ）において、符号１０は、全体で、本発明のＬＣＯＳを用いた光変調装置を示している。
この光変調装置１０は、基板１２の上に、ゲート電極１４が形成されており、このゲート電極１４の近傍に、ドレイン領域１６とソース領域１８とが形成されている。そして、これらのゲート電極１４と、ドレイン領域１６と、ソース領域１８とによって、ＭＯＳ型トランジスタの駆動素子２０が構成されている。
【００４６】
また、これらのＭＯＳ型トランジスタの駆動素子２０同士は、素子分離領域２２で電気的に絶縁分離されるとともに、層間絶縁膜２４、２６で電気的に絶縁分離されている。
そして、この層間絶縁膜２６の上面には、光保護膜（遮光層）２８が形成され、この光保護膜（遮光層）２８の上面に、層間絶縁膜３０を介して、画素電極３２が形成されている。
【００４７】
この画素電極３２と、その下部に位置する駆動素子２０とは、駆動素子２０の配線２１と、画素電極３２の下面とを、画素電極接続部３４を介して電気的に接続されている。
この場合、画素電極接続部３４は、光保護膜（遮光層）２８に形成された孔部を貫通して接続されており、この光保護膜（遮光層）２８に形成された開口部と画素電極接続部３４との間に隙間が形成されており、画素電極接続部３４の周辺にスリット３６が形成されている。
【００４８】
さらに、画素電極３２の上面には、最終保護膜３１を介して、光変調物質である液晶層３８が形成され、この液晶層３８の上面に、図示しない対向電極（透明電極）が設けられている。
【００４９】
なお、光変調物質としては、電気光学効果を有するものであればよく、液晶以外にも、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）などの電気光学効果を有する光学結晶などが使用可能である。
【００５０】
基板１２は、シリコン半導体基板を用いることができる。ソース領域１８、ドレイン領域１６は、基板１２に不純物を添加して形成する拡散領域である。ゲート電極１４は、ポリシリコンなどで構成することができる。これらＭＯＳ型トランジスタは、駆動素子２０であり、配線２１で図示しない他の回路系と接続されている。駆動素子２０は、画素電極１つに対して１つ設けてある。これら駆動素子２０は、基板１２に設ける素子分離領域２２により分離されている。
【００５１】
配線２１は、画素電極接続部３４を介して画素電極３２と接続している。これら配線２１は、層間絶縁膜２４、２６、３０で光保護膜（遮光層）２８や画素電極３２と分離されている。
【００５２】
光保護膜（遮光層）２８は、画素電極３２と同一の素材で構成することができる。例えば、アルミニウムや銅などの金属である。光保護膜（遮光層）２８と配線２１などが接触しないように、画素電極接続部３４の周囲にわずかに隙間を設けてあり、これがスリット３６となる。
【００５３】
画素電極３２の上部には最終保護膜３１が設けられている。最終保護膜３１は、例えば、公知のＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜を用いることができる。この最終保護膜３１の上部に液晶層３８を設けている。この液晶層３８はシールされており、さらにその上部に電極を有する基板（（対向電極（透明電極））を備えるが、その部分に関しては説明を省略する。
【００５４】
なお、画素電極３２の上部には最終保護膜３１を必ず設けなければならないというものではない。画素電極３２の反射率や用いる液晶材料などによって、最終保護膜３１を設けずに、画素電極３２の上部に液晶層３８を設けるなど、適宜変更可能である。
【００５５】
図１に示すように、画素電極３２は長辺３２ａと短辺３２ｂとを有する矩形の電極であって、短辺３２ｂ同士が対向するように、２列に一定間隔離間して、基板１２と平行な方向に整然と並んでいる。
【００５６】
この画素電極３２の配置している領域に光が照射される。このエリアは、複数の画素電極３２で構成されており、そのエリアにおいて、図１に示した実施例では、略矩形形状である光照射部４０が形成されている。もちろん、この光照射部４０のサイズは、光変調装置の仕様により自由に決められる。
【００５７】
画素電極３２は、実際には光照射部４０のサイズに合わせて長辺３２ａと短辺３２ｂとのサイズが決められる。例えば、長辺３２ａが１ｍｍ、短辺３２ｂが５μｍである。図１に示す例では、図面を見やすくするために、長辺と短辺とのサイズを変更すると共に、計８個の画素電極３２が並ぶように示している。
【００５８】
なお、画素電極３２は、光照射部４０に照射された光を均一に反射させる必要があるため、平坦度が高い方がよい。このため、特に限定しないが、公知のＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術を用いて画素電極３２の表面を平坦化するとよい。
【００５９】
画素電極３２は、その下部に位置する画素電極３２を駆動する駆動素子２０と画素電極接続部３４を介して接続している。
光照射部４０は、複数の画素電極３２が並ぶエリアであって、画素電極接続部３４は、そのエリア外にある。
【００６０】
すなわち、画素電極接続部３４が、画素電極３２の対向する短辺３２ｂと反対側の短辺３２ｂ近傍に配置されている。
このため、図１に示すように、画素電極３２は、整然と並んで配置しており、画素電極３２と駆動素子２０との接続のための画素電極接続部３４も並んで配置しているが、この列は、光照射部４０のエリア外にあるため、光照射部４０の中に線状の影を生み出すことはない。すなわち、光照射部４０に光のムラが生じることもない。
【００６１】
また、本発明の実施形態においても、画素電極接続部３４の周囲には、駆動素子２０との接続のため、わずかに光保護膜（遮光層）２８が開口しているスリット３６がある。このスリット３６の真下に駆動素子２０があるが、そもそも光を照射する光照射部４０のエリア外であるため、強い光の照射時にスリット３６から光が侵入し、駆動素子２０が誤動作してしまうこともない。
【００６２】
この実施例の光変調装置は、配置している画素電極３２と駆動素子２０との画素電極接続部３４に特徴を有する。隣り合う画素電極３２の画素電極接続部同士を遠ざけて、光照射部４０から外れた端部に設けている。
【００６３】
すなわち、画素電極接続部３４が、画素電極３２の対向する短辺３２ｂと反対側の短辺３２ｂ近傍に配置されている。
このようにすることによって、従来のように、画素電極接続部３４による線状の影が発生することがない。
【００６４】
また、駆動素子２０は画素電極３２とは異なる平面、例えば、半導体基板１２の表面に設け、駆動素子２０と画素電極３２との間に光保護膜（遮光層）２８を有している。画素電極接続部３４は、光照射部４０から外れた部分に設けているから、例えば、光照射部４０の画素電極３２の下部に駆動素子２０を配置したとしても、画素電極接続部３４が光照射部４０から外れた部分に設けているため、強い光を照射したときに生じる光の漏れは、駆動素子２０には届かず、誤動作を防止することができる。
【実施例２】
【００６５】
［本発明の第２の実施形態の説明：図２］
次に、本発明の光変調装置の第２の実施形態を図２を用いて説明する。
図２は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す断面図であって、図１（ｂ）に示す方向と同じ方向から見た図である。
【００６６】
この実施例の光変調装置１０は、図１に示した光変調装置１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
図２に示す本発明の第２の実施形態と、図１に示す第１の実施形態との違いは、駆動素子２０の配置である。図２に示す構成では、駆動素子２０は、光照射部４０のエリア内に設けている。
【００６７】
駆動素子２０は、光照射部４０のエリア内に設け、画素電極３２との接続部分である画素電極接続部３４は、光照射部４０のエリア外に設けている。しかし、双方を補助配線４２を用いて接続している。
【００６８】
このように、層間絶縁膜２４の上部に補助配線４２を備えることにより、駆動素子２０は、光保護膜（遮光層）２８の下部であれば、どこにでも配置することができる。
【実施例３】
【００６９】
［本発明の第３の実施形態の説明：図３］
次に、本発明の光変調装置の第３の実施形態を図３を用いて説明する。
図３は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【００７０】
この実施例の光変調装置１０は、図１に示した光変調装置１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例の光変調装置１０では、図３に示したように、光照射部４０が、楕円形状の光照射部である。
【００７１】
すでに説明したように、画素電極３２は、光照射部４０のサイズに応じて選ばれる。しかし、そのサイズが大きくなればなるほど、画素電極３２自体の抵抗成分が問題となってくる。
【００７２】
つまり、画素電極３２は、金属などを用いることができるが、そのサイズが大きくなると、抵抗成分が無視できなくなるのである。これは、画素電極３２をより高速で駆動するときに問題となる。
【００７３】
すなわち、駆動素子２０の駆動経路（ドレイン領域１６）に抵抗成分が付加されているのと同じであるから、画素電極３２への電圧印加に遅延が生じてしまうことがある。
ところで、本発明の光変調装置を搭載する装置の光学系においては、光照射部は楕円形状になることが多い。円形のレンズ、円形の口径を有する光照射装置を用いる場合が多いからである。
【００７４】
そこで、図３に示すように、光照射部４０の形状に合わせると共に、そのエリア外に画素電極接続部３４を配置する。まるで、画素電極接続部３４は、平面からみて孤を描くように配置するのである。すなわち、画素電極接続部３４が、光照射部４０の外周に沿って外側に配置されている。
【００７５】
画素電極３２は、長辺３２ａが数ｍｍ、短辺３２ｂが数μｍであるから、その長辺の中間付近に画素電極接続部３４を設けるとバランスがよい。とはいえ、その部分は、光照射部４０のエリア内となる。しかし、図３に示す構成とすれば、画素電極３２の長辺の中間付近に設ける場合よりも抵抗が付加してしまうものの、抵抗成分を減少させることができる。
【００７６】
図３に示す構成の駆動素子２０は、接続される画素電極３２に設ける画素電極接続部３４の位置に合わせて、その駆動能力を変えるようにすることもできる。
このように画素電極接続部３４が、光照射部４０の外周に沿って配置されているので、画素電極３２において対向する短辺３２ｂからの距離ができるだけ短くなるので、画素電極３２に生じる抵抗も少なくてすみ、安定した作動を行えることになる。
【００７７】
しかも、この場合でも、画素電極３２と駆動素子２０とを電気的に接続する画素電極接続部３４が、光照射部４０の外側に配置されているので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【実施例４】
【００７８】
［本発明の第４の実施形態の説明：図４］
次に、本発明の光変調装置の第４の実施形態を図４を用いて説明する。
図４は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【００７９】
この実施例の光変調装置１０は、図１に示した光変調装置１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例の光変調装置１０では、図４に示したように、図３に示した実施例３と同様に、光照射部４０が、楕円形状の光照射部である。
【００８０】
また、図４に示したように、画素電極接続部３４が、光照射部４０の外周に沿って、光照射部４０の外周に近接する位置に配置された画素電極接続部３４ａと、離間する位置に配置された画素電極接続部３４ｂとが、交互に、いわゆる千鳥状に配置されている。
【００８１】
このように構成することによって、光照射部４０の外周がぼやけた状態であっても、画素電極３２と駆動素子２０とを電気的に接続する画素電極接続部３４が、光照射部４０の外側に配置されている部分が多くなるので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００８２】
この場合、この実施例の光変調装置１０では、光照射部４０の外周に近接する位置に配置された画素電極接続部３４ａと、離間する位置に配置された画素電極接続部３４ｂとを、１つおきに交互に、いわゆる千鳥状に配置したが、図示しないが、交互であれば、２つおきに交互にする、または、２つずつ交互に配置するなどその配置は適宜変更可能である（以下の実施例６でも同様である）。
【実施例５】
【００８３】
［本発明の第５の実施形態の説明：図５］
次に、本発明の光変調装置の第５の実施形態を図５を用いて説明する。
図５は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【００８４】
この実施例の光変調装置１０は、図１に示した光変調装置１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例の光変調装置１０では、図４に示したように、図３に示した実施例３と同様に、光照射部４０が、楕円形状の光照射部である。また、画素電極接続部３４が、光照射部４０の外周に沿って外側に配置されている。
【００８５】
また、この実施例の光変調装置１０では、１つの各画素電極接続部３４に対して、２個の画素電極接続部３４が配置されている。
このように各画素電極３２に対して２個の画素電極接続部３４が配置されていれば、画素電極３２と駆動素子２０とを電気的に接続する部分が増えるから、各画素電極３２の駆動を確実に行うことができる。
【実施例６】
【００８６】
［本発明の第６の実施形態の説明：図６］
次に、本発明の光変調装置の第６の実施形態を図６を用いて説明する。
図６は、本発明の光変調装置の断面を模式的に示す平面図であって、図１（ａ）に示す方向と同じ方向からみた図である。
【００８７】
この実施例の光変調装置１０は、図１に示した光変調装置１０と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例の光変調装置１０では、図６に示したように、図３に示した実施例３と同様に、光照射部４０が、楕円形状の光照射部である。
【００８８】
また、図６に示したように、図４に示した実施例４と同様に、画素電極接続部３４が、光照射部４０の外周に沿って、光照射部４０の外周に近接する位置に配置された画素電極接続部３４ａと、離間する位置に配置された画素電極接続部３４ｂとが、交互に、いわゆる千鳥状に配置されている。
【００８９】
また、この実施例の光変調装置１０では、図５に示した実施例５と同様に、１つの各画素電極接続部３４に対して、２個の画素電極接続部３４が配置されている。
このように構成することによって、光照射部４０の外周がぼやけた状態であっても、画素電極３２と駆動素子２０とを電気的に接続する画素電極接続部３４が、光照射部４０の外側に配置されている部分が多くなるので、従来のように画素電極接続部により生じる線状の影がなくなり、反射にムラが生じることがなく、光の反射が均一になる。
【００９０】
このように各画素電極３２に対して２個の画素電極接続部３４が配置されていれば、各画素電極３２の駆動を確実に行うことができる。
なお、上記の実施例３〜６では、光照射部４０が、楕円形状の光照射部である場合について説明したが、図１に示した実施例１と同様に、略矩形形状である光照射部４０に適用することも可能であり、また、光照射部４０がその他の形状であっても基本的には適用可能である。
【００９１】
以上説明した、本発明の光変調素子は、画素電極の下部に駆動素子を設ける例を説明したが、これに限定するものではない。例えば、駆動素子を画素電極とは平面的に重ならないような位置（光照射部のさらに外側の位置）に設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明の光変調装置は、画素電極接続部が光照射部の外部に配置してあり、画素電極接続上部での光の乱反射を防止できるため、高精度な反射特性を必要とする用途に利用でき、さらに光漏れによる駆動素子の誤動作も防止できるため、光エネルギーの強いレーザー機器にも用いることができる。
【符号の説明】
【００９３】
１０   光変調装置
１２   基板
１４   ゲート電極
１６   ドレイン領域
１８   ソース領域
２０   駆動素子
２１   配線
２２   素子分離領域
２４   層間絶縁膜
２６   層間絶縁膜
３０   層間絶縁膜
３１   最終保護膜
３２   画素電極
３２ａ 長辺
３２ｂ 短辺
３４   画素電極接続部
３４ａ 画素電極接続部
３４ｂ 画素電極接続部
３６   スリット
３８   液晶層
４０   光照射部
４２   補助配線
１００ 光可変分散補償器
１０２ 光ファイバ
１０４ 分波器
１０６ 光学レンズ
２００ 光変調装置
２０２ 基板
２０４ ゲート電極
２０６ ドレイン領域
２０８ ソース領域
２１０ 駆動素子
２１１ 配線
２１２ 素子分離領域
２１４ 層間絶縁膜
２１６ 層間絶縁膜
２１８  光保護膜（遮光層）
２２０ 層間絶縁膜
２２２ 画素電極
２２２ａ      長辺
２２２ｂ      短辺
２２４ 画素電極接続部
２２６ スリット
２２８ 最終保護膜
２２９  液晶層
２３０ 光照射部
２３２ 列
２３４ 影
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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