(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（II）で表されることを特徴とする電荷輸送材料。
【化１ａ】
0005168840.tif 000069
（一般式（II）中、環Ａ〜環Ｅは各々独立に、置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよいベンゼン環、又は置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよいピリジン環を表し、環Ａ〜環Ｅは、下記式（IV−２）〜（IV−４）のいずれかで表される。
【化１ｂ】
0005168840.tif 000070
Ａｒ１〜Ａｒ４は各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。なお、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＱ１が有する置換基、Ａｒ３とＡｒ４、Ａｒ３とＱ２が有する置換基は、互いに結合して、各々独立に、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。
Ｑ１、Ｑ２は、それぞれ、窒素原子と環Ａ、環Ｅとを連結する、置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよい芳香族複素環由来の２価の連結基、或いは直接結合を表す。）
【請求項２】
Ａｒ１Ａｒ２Ｎ−、Ａｒ３Ａｒ４Ｎ−がともに下記構造式（III）で表されるＮ−カルバゾリル基であることを特徴とする請求項１に記載の電荷輸送材料。
【化２】
0005168840.tif 000071
【請求項３】
環Ｃがピリジン環であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電荷輸送材料。
【請求項４】
トルエンに対して２．０重量％以上溶解することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電荷輸送材料。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
【請求項６】
前記電荷輸送材料と燐光発光材料とを含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項７】
更に溶剤を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項８】
基板上に、陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子において、請求項１ないし４のいずれかに記載の電荷輸送材料を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の溶媒に可溶で、電荷輸送能が高く、容易には結晶化しない電荷輸送材料と、この電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物と、この電荷輸送材料を含む層を有する、発光効率が高く駆動安定性が高い有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式製膜法が挙げられる。このうち、湿式製膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
【０００３】
湿式製膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下のような問題がある。  
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。  
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。  
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
【０００４】
上記問題のために、湿式製膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
【０００５】
以上のような問題を解決する試みとして、特許文献１には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料（電荷輸送材料、発光材料）を混合して湿式製膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率及び最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。
【０００６】
湿式製膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献１では、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。非特許文献１に記載の有機電界発光素子の電荷輸送材料は、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。
【化４】
0005168840.tif 000002
【０００７】
しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式製膜法では均一な非晶質膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶媒に対する溶解性が低い。このため、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を塗布溶媒に用いる必要があるが、ハロゲン系溶媒は環境負荷が大きく実用上問題がある。また、ハロゲン系溶媒中に含まれる不純物により材料が劣化される可能性が大きいため、ハロゲン系溶媒を用いた湿式製膜法による素子は駆動安定性が十分でないことが考えられる。
【０００８】
特許文献２には、カルバゾリル基を含む電荷輸送材料の耐熱性を向上させる目的で、以下に示す化合物が例示されている。
【化５】
0005168840.tif 000003
【０００９】
上記の化合物は、ｍ−位で連結されたベンゼン環が５つ連続した部分構造を有するため、比較的結晶化しにくいと考えられるが、カルバゾリル基が１つだけであるため、電荷輸送能が乏しい。更に、上記の化合物は、ベンゼン環が５つ連続した部分構造における中央のベンゼン環のみにカルバゾリル基が置換しているため、ＨＯＭＯが分子の中央に局在化する傾向があることからも、電荷輸送能が乏しいと考えられ、有機電界発光素子の材料としては改善が必要である。また、ＨＯＭＯが分子の中央に局在化している化合物は、溶媒に対する溶解性も十分ではないと考えられるため、上記の化合物は、湿式製膜法による薄膜形成には適さない。
【００１０】
特許文献２には、以下に示す化合物も例示されている。
【化６】
0005168840.tif 000004
【００１１】
上記の化合物は、カルバゾリル基を２つ有するが、前述した化合物Ｈ−４、Ｈ−５と同様に、ＨＯＭＯが分子の中央に局在化する傾向があり、電荷輸送能が乏しく、溶媒に対する溶解性も十分ではないと考えられるため、有機電界発光素子の材料としては改善が必要であり、また、湿式製膜法による薄膜形成にも適さない。
【００１２】
特許文献３には、以下に示す化合物が開示されている。
【化７】
0005168840.tif 000005
【００１３】
上記の化合物は、ｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有するが、５つの環のうち２つがピリジン環であるため、湿式製膜法における塗布溶媒として有用な炭化水素系溶媒への溶解性が低い。また、化合物中の環に占めるピリジン環の比率が高くなると、結晶性が高くなる傾向にあることからも、上記の化合物は湿式製膜法による薄膜形成に適さない。
【特許文献１】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献２】ＷＯ２００４／０７４３９９号公報
【特許文献３】ＷＯ２００５／０２２９６２号公報
【非特許文献１】Japanese  Journal  of  Applied  Physics  Vol.44,  No.1B,  2005,  pp.626-629
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記従来の実状に鑑みてなされたものであって、種々の溶媒に可溶であり、電荷輸送能が高く、容易には結晶化しない電荷輸送材料を提供すること、更には駆動安定性に優れ、低い電圧で駆動可能な有機電界発光素子を形成するための組成物、及びそれを用いた有機電気発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らが鋭意検討した結果、下記構造の有機化合物は、溶媒に対する溶解性に優れ、高い非晶質性を有するため、湿式製膜法による薄膜形成が可能であり、更に、下記構造の有機化合物は優れた電荷輸送性を有するため、有機電界発光素子に用いると高い駆動安定性を示し、かつ低い駆動電圧で駆動可能であることを見出し、本発明に到達した。
【００１６】
即ち、本発明の要旨は、下記一般式（II）で表されることを特徴とする電荷輸送材料（請求項１）、に存する。
【００１７】
本発明の別の要旨は、この電荷輸送材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子用組成物（請求項５）、に存する。
【００１８】
本発明の更に別の要旨は、基板上に、陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子において、この電荷輸送材料を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子（請求項８）、に存する。
【００１９】
【化８ａ】
0005168840.tif 000006
（一般式（II）中、環Ａ〜環Ｅは各々独立に、置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよいベンゼン環、又は置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよいピリジン環を表し、環Ａ〜環Ｅは、下記式（IV−２）〜（IV−４）のいずれかで表される。
Ａｒ１〜Ａｒ４は各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。なお、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＱ１が有する置換基、Ａｒ３とＡｒ４、Ａｒ３とＱ２が有する置換基は、互いに結合して、各々独立に、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。  
Ｑ１、Ｑ２は、それぞれ、窒素原子と環Ａ、環Ｅとを連結する、置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基として芳香族炭化水素基、アルキル基を有していてもよい芳香族複素環由来の２価の連結基、或いは直接結合を表す。）
【化８ｂ】
0005168840.tif 000007
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電荷輸送材料及びこの電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物によれば、電荷輸送能が高い材料を含む均一な有機薄膜を湿式製膜法によって容易に形成することが可能であり、有機電界発光素子の大面積化が容易となる。更に、本発明の電荷輸送材料及びこの電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子によれば、低い電圧で発光させることが可能となり、かつ素子の安定性、特に駆動安定性が向上する。
【００２１】
また、本発明の電荷輸送材料は、優れた製膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、真空蒸着法による製膜にも、湿式製膜法による製膜にも適用可能である。
【００２２】
また、本発明の電荷輸送材料及びこの電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物は、優れた製膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子注入材料、電子輸送材料などとしても適用可能である。
【００２３】
従って、本発明の電荷輸送材料及びこの電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【００２４】
また、本発明の電荷輸送材料及びこの電荷輸送材料を含む有機電界発光素子用組成物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体等にも有効に利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明の電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００２６】
［電荷輸送材料］
本発明の電荷輸送材料は、下記一般式（Ｉ）で表される電荷輸送材料であって、特に有機電界発光素子に用いられることが好ましい。
【００２７】
【化９】
0005168840.tif 000008
（一般式（Ｉ）中、環Ａ〜環Ｅは各々独立に、置換基を有していてもよいベンゼン環、又は置換基を有していてもよいピリジン環を表す。ただし、環Ａ〜環Ｅのうち、２つ以上がピリジン環であることはない。  
Ａｒ１〜Ａｒ４は各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。なお、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＱ１が有する置換基、Ａｒ３とＡｒ４、Ａｒ３とＱ２が有する置換基は、互いに結合して、各々独立に、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。  
Ｑ１、Ｑ２は各々独立に、環Ａ〜環Ｅのいずれか１つと窒素原子とを連結する、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の２価の連結基、或いは直接結合を表す。ただし、Ｑ１、Ｑ２は、環Ａ〜環Ｅのうち、それぞれ異なる環に結合する。）
【００２８】
以下、上記一般式（Ｉ）で表される電荷輸送材料について説明する。
【００２９】
［１］構造上の特徴
本発明の電荷輸送材料はｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有するため、溶媒に対する溶解性が極めて高く、また、非晶質性も極めて高く、容易には結晶化しない非晶質な有機薄膜を形成することが可能である。また、２以上のジアリールアミノ基を有するため、電荷輸送性に優れる。
【００３０】
［２］分子量範囲
本発明の電荷輸送材料の分子量は、通常５０００以下、好ましくは４０００以下、より好ましくは３０００以下であり、また通常２００以上、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上である。分子量がこの上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量がこの下限値を下回ると、ガラス転移温度及び、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
【００３１】
［３］物性
本発明の電荷輸送材料は、通常５０℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から、ガラス転移温度は８０℃以上であることが好ましく、１１０℃以上であることが更に好ましい。
【００３２】
また、本発明の電荷輸送材料は、通常３００℃以上、８００℃以下の気化温度を有する。
【００３３】
また、本発明の電荷輸送材料は、ガラス転移温度と気化温度の間に結晶化温度を有さないことが好ましい。
【００３４】
また、本発明の電荷輸送材料は、溶剤溶解性が良好であり、例えば、トルエンに対する溶解度が２５℃、大気圧で２重量％以上、特に５重量％以上であることが好ましい。この溶解度の上限については特に定めないが通常５０重量％以下である。
【００３５】
［４］環Ａ〜環Ｅ
本発明の電荷輸送材料における環Ａ〜環Ｅは各々独立に、任意の置換基を有していてもよい（なお、本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、「１以上の置換基を有していてもよい」ことを表す。）ベンゼン環、又は任意の置換基を有していてもよいピリジン環を表す。但し、環Ａ〜環Ｅのうち、２つ以上がピリジン環であることはない。即ち、環Ａ〜環Ｅはすべてベンゼン環であるか、或いは、１個がピリジン環で４個がベンゼン環である。環Ａ〜環Ｅのうち、ピリジン環が２個以上あると、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の結晶性が高くなる傾向にあり、このため、湿式製膜法による薄膜形成に不適当となる場合がある。
環Ａ〜環Ｅはそれぞれ１置換位置に通常分子量１０００以下の置換基を有することができる。ここでいう置換基は、以下に具体的に例示する環Ａ〜環Ｅの置換基を複数個連結してなるものであってもよい。
【００３６】
環Ａ〜環Ｅが有していてもよい任意の置換基として具体的には、次のようなものが挙げられる。
【００３７】
置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくは、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルケニル基（好ましくは、炭素数２〜９のアルケニル基であり、例えばビニル、アリル、１−ブテニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキニル基（好ましくは、炭素数２〜９のアルキニル基であり、例えばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアラルキル基（好ましくは、炭素数７〜１５のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアミノ基［好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基（例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよい、５又は６員環の芳香族複素環を有するヘテロアリールアミノ基（例えばピリジルアミノ、チエニルアミノ、ジチエニルアミノ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよい、炭素数２〜１０のアシル基を有するアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）］
置換基を有していてもよいアルコキシ基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を有するものであり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいヘテロアリールオキシ基（好ましくは、５又は６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ、チエニルオキシ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアシル基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアシル基であり、例えばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数７〜１３のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）
ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子又は塩素原子が挙げられる。）
カルボキシル基
シアノ基
水酸基
メルカプト基
置換基を有していてもよいアルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜８までのアルキルチオ基であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアリールチオ基（好ましくは、炭素数６〜１２までのアリールチオ基であり、例えばフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいスルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいシリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいボリル基（例えばジメシチルボリル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）
置換基を有していてもよい芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）
【００３８】
上記置換基が更に置換基を有する場合、その置換基としては、上記例示置換基が挙げられる。
【００３９】
環Ａ〜環Ｅの置換基としては、電気化学的耐久性を向上させる観点及び耐熱性を向上させる観点からは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基であり、更に好ましくは無置換のフェニル基、或いは１又は２置換のフェニル基である。
【００４０】
環Ａ〜環Ｅの置換基としては、溶解性及び非晶質性を更に向上させる観点からは、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、更に好ましくはメチル基、エチル基である。
【００４１】
環Ａ〜環Ｅは、特に高い溶解性を有する点においては、すべてベンゼン環であること、すなわち、下記式（IV−１）で表されることが好ましい。
【００４２】
【化１０】
0005168840.tif 000009
【００４３】
環Ａ〜環Ｅは、高い電子輸送性を有し、高い電気化学的安定性を有する点においては、下記式（IV−２）〜（IV−４）で表されることが好ましく、式（IV−２）で表されることが特に好ましい。
【００４４】
【化１１】
0005168840.tif 000010
【００４５】
環Ａ〜環Ｅが、上記式（IV−２）〜（IV−４）で表される場合、電気化学的耐久性を更に向上させる観点及び耐熱性を向上させる観点から、それぞれ、ピリジン環のＮのｐ−位が任意の置換基で置換されていることがより好ましく、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基で置換されていることが更に好ましく、１又は２置換のフェニル基又は無置換のフェニル基で置換されていることが最も好ましい。
【００４６】
［５］Ａｒ１Ａｒ２Ｎ−、Ａｒ３Ａｒ４Ｎ−
本発明の電荷輸送材料におけるＡｒ１〜Ａｒ４は各々独立に、任意の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は任意の置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
【００４７】
前記芳香族炭化水素基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の、１価の基が挙げられる。
【００４８】
前記芳香族複素環基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の、１価の基が挙げられる。
【００４９】
Ａｒ１〜Ａｒ４が有していてもよい任意の置換基を例示するならば、環Ａ〜環Ｅが有していてもよい置換基として前述した基が挙げられる。
【００５０】
Ａｒ１〜Ａｒ４は、電気化学的耐久性を向上させる観点及び耐熱性を向上させる観点からは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基であり、更に好ましくは無置換のフェニル基、或いは１又は２置換のフェニル基である。
【００５１】
Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ３とＡｒ４は、互いに結合して、各々独立に、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。Ａｒ１とＡｒ２、又は、Ａｒ３とＡｒ４が互いに結合して環を形成した場合の、Ａｒ１Ａｒ２Ｎ−、又は、Ａｒ３Ａｒ４Ｎ−の好ましい例を下記に示す。これらのうち、高い三重項励起準位を有する点で、Ｎ−カルバゾリル基がより好ましい。
【００５２】
【化１２】
0005168840.tif 000011
【００５３】
［６］Ｑ１、Ｑ２
Ｑ１、Ｑ２は各々独立に、環Ａ〜環Ｅのいずれか１つと窒素原子とを連結する、任意の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環又は任意の置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の２価の連結基（芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環が２以上連結した基も含む）、或いは直接結合を表す。但し、Ｑ１、Ｑ２は、環Ａ〜環Ｅのうち、それぞれ異なる環に結合する。
【００５４】
前記芳香族炭化水素環由来の２価の連結基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の、２価の基が挙げられる。
【００５５】
前記芳香族複素環由来の２価の連結基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の、２価の基が挙げられる。
【００５６】
Ｑ１、Ｑ２が有していてもよい任意の置換基を例示するならば、環Ａ〜環Ｅが有していてもよい置換基として前述した基が挙げられる。
【００５７】
Ｑ１、Ｑ２は、電気化学的耐久性を向上させる観点からは、ベンゼン環由来の２価の基、ベンゼン環が複数連結した２価の基（例えば、ビフェニレニル基、ターフェニレニル基など）、又は直接結合であることが好ましく、三重項励起準位の低下を防ぐ観点からは、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、又は直接結合であることが更に好ましい。高い電気化学的安定性を有する観点からは、Ｑ１、Ｑ２はｐ−フェニレン基又は直接結合であることが特に好ましく、溶解性を更に向上させる観点からはｍ−フェニレン基又は直接結合であることが特に好ましい。
【００５８】
特に、前記一般式（Ｉ）で表される本発明の電荷輸送材料は、下記一般式（II）のように、Ｑ１は環Ａに、Ｑ２は環Ｅにそれぞれ連結していることが、非常に高い溶解性を有するために好ましい。
【００５９】
【化１３】
0005168840.tif 000012
【００６０】
なお、前述のＡｒ１とＱ１が有する置換基、Ａｒ３とＱ２が有する置換基は、互いに結合して、各々独立に、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。  
このような環としては、
【化１４】
0005168840.tif 000013
などが挙げられる。
【００６１】
［７］例示
以下に、本発明の電荷輸送材料として好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の例示化合物において、環Ａ〜環Ｅに相当するｍ−位で連結された５個の環のうち、１つの環にＮ−カルバゾリル基が２個結合している場合、一方のＮ−カルバゾリル基は置換基として導入されたものであり、Ａｒ１Ａｒ２Ｎ−、Ａｒ３Ａｒ４Ｎ−には該当しない。
【００６２】
【化１５】
0005168840.tif 000014
【００６３】
【化１６】
0005168840.tif 000015
【００６４】
【化１７】
0005168840.tif 000016
【００６５】
【化１８】
0005168840.tif 000017
【００６６】
【化１９】
0005168840.tif 000018
【００６７】
【化２０】
0005168840.tif 000019
【００６８】
【化２１】
0005168840.tif 000020
【００６９】
［８］合成法
前記一般式（Ｉ）で表される本発明の電荷輸送材料は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、次の〔Ａ〕〜〔Ｃ〕のような方法で合成することができる。
【００７０】
〔Ａ〕ｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有する２又は２以上置換ハロゲン化物（Ｘ−Ａｒ−Ｘ、好ましくはＸ＝Ｂｒ，Ｉ）を出発原料として用い、この出発原料と、２級アミン（Ａｒ１１Ａｒ１２ＮＨ）とを、銅粉末、銅線、ハロゲン化銅（ＣｕＸ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ））、酸化銅（ＣｕＯ）などの銅触媒（出発原料のハロゲン原子に対して０．１〜５当量程度）及び、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウムなど塩基性物質（出発原料のハロゲン原子に対して１〜１０当量程度）の存在下、不活性ガス気流下、無溶媒又は、ニトロベンゼンなどの芳香族系溶媒、テトラグライム、ポリエチレングリコールなどの溶媒中、２０〜３００℃の温度範囲で、１〜６０時間撹拌混合する方法。
【００７１】
【化２２】
0005168840.tif 000021
【００７２】
〔Ｂ〕ｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有する２又は２以上置換ハロゲン化物（Ｘ−Ａｒ−Ｘ、好ましくはＸ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）を出発原料として用い、この出発原料と、２級アミン（Ａｒ１１Ａｒ１２ＮＨ）とを、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（Ｐｄ＝パラジウム、ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン）、Ｐｄ（ｄｂａ）２、酢酸パラジウムなどの２価のパラジウム触媒と、ＢＩＮＡＰ（＝２，２’−ビス（ジフェニルフォスフィノ−１，１’−ビナフチル）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、１，２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）ブタン、ｄｐｐｆ（＝１，１’−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン）などのリガンド類の組合せ、或いはＰｄ（ＰＰｈ）４などの０価のパラジウム錯体、或いはＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）２などのパラジウム塩化物錯体などの触媒（出発原料のハロゲン原子に対して０．００１〜１当量程度）と、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、トリエチルアミンなどの塩基性物質（通常、出発原料のハロゲン原子に対して、１．１〜１０当量）の存在下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミンなどの溶媒中、３０〜２００℃で１〜６０時間かけて撹拌する方法。
【００７３】
【化２３】
0005168840.tif 000022
【００７４】
〔Ｃ〕ｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有する２又は２以上置換フッ化物（Ｆ−Ａｒ−Ｆ）を出発原料として用い、この出発原料と、２級アミン（Ａｒ１１Ａｒ１２ＮＨ）と水素化ナトリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、ｎ−ブチルリチウムなどの強塩基とを反応させたもの（出発原料のフッ素原子に対して１．１〜１０当量程度）とを、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶液中で加熱還流下、１〜６０時間撹拌する方法。
【００７５】
【化２４】
0005168840.tif 000023
【００７６】
なお、〔Ａ〕、〔Ｂ〕の方法では、出発原料としてはハロゲン化物（Ｘ−Ａｒ−Ｘ）の代わりに−ＯＳＯ２ＣＦ３、−ＯＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３などのエステル化されたヒドロキシル基を２以上含む化合物（例えば、ＣＦ３ＳＯ２Ｏ−Ａｒ−ＯＳＯ２ＣＦ３）を用いることもできる。
【００７７】
また、下記式のように〔Ａ〕〜〔Ｃ〕の方法を段階的に反応させることによって、非対称な化合物を合成することもできる。
【００７８】
【化２５】
0005168840.tif 000024
【００７９】
出発原料となるｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した部分構造を有する２又は２以上置換ハロゲン化物は、公知のカップリング反応を用いて合成することが可能である。公知のカップリング手法としては、具体的には、「Palladium  in  Heterocyclic  Chemistry  :  A  guide  for  the  Synthetic  Chemist」（第二版、2002、Jie  Jack  Li  and  Gordon  W.  Gribble、Pergamon社）、「遷移金属が拓く有機合成  その多彩な反応形式と最新の成果」（1997年、辻二郎、化学同仁社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社））などに記載又は引用されている、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応などの、環同士の結合（カップリング）反応を用いることができる。
【００８０】
また、トリアリールアミン構造を有するハロゲン化アリールなどを合成した後で、ｍ−位で連結されたベンゼン環又はピリジン環が５つ連結した構造を形成すること可能である。
【００８１】
このようにして合成される前記一般式（Ｉ）で表される化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分及び難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ  ピー  シー発行）、或いは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。
【００８２】
具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。
【００８３】
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（ＡＡＡ）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（１ＨＮＭＲ，１３ＣＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。
【００８４】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の電荷輸送材料を含むものであり、更に好ましくは更に溶剤、燐光発光材料を含む。
【００８５】
［１］溶剤
本発明の有機電界発光素子用組成物は溶剤を含んでいることが好ましい。  
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては、溶質がである本発明の電荷輸送材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
【００８６】
本発明の電荷輸送材料は溶解性が非常に高いため、種々の溶剤が適用化能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
【００８７】
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【００８８】
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物は、例えば、２５℃における水の溶解度が１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下である溶剤を、組成物中１０重量％以上含有することが好ましい。
【００８９】
また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、有機電界発光素子用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは沸点が１５０℃以上、より好ましくは沸点が２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点８０℃以上、好ましくは沸点１００℃以上、より好ましくは沸点１２０℃以上で、通常沸点２７０℃未満、好ましくは沸点２５０℃未満、より好ましくは沸点２３０℃未満の溶剤を用いることが効果的である。
【００９０】
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
【００９１】
［２］発光材料
本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料を含有することが好ましい。
【００９２】
発光材料とは、本発明の有機電界発光素子用組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、有機電界発光素子用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ２）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
【００９３】
発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
【００９４】
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
【００９５】
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００９６】
燐光発光材料としては、例えば周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
【００９７】
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（Ｖ）又は式（VI）で表される化合物が挙げられる。  
ＭＬ（ｑ−ｊ）Ｌ’ｊ        （Ｖ）  
（一般式（Ｖ）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、Ｌ及びＬ’は二座配位子を表す。ｊは０、１又は２を表す。）
【００９８】
【化２６】
0005168840.tif 000025
（一般式（VI）中、Ｍｄは金属を表し、Ｔは炭素又は窒素を表す。Ｒ９２〜Ｒ９５は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ９４及びＲ９５は無い。）
【００９９】
以下、まず、一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。  
一般式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。  
また、一般式（Ｖ）中の二座配位子Ｌ及びＬ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【０１００】
【化２７】
0005168840.tif 000026
【０１０１】
【化２８】
0005168840.tif 000027
【０１０２】
Ｌ’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。  
【化２９】
0005168840.tif 000028
【０１０３】
上記Ｌ，Ｌ’の部分構造において、環Ａ１は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環Ａ２は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
【０１０４】
環Ａ１，Ａ２が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【０１０５】
一般式（Ｖ）で表される化合物として、更に好ましくは、下記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０１０６】
【化３０】
0005168840.tif 000029
（一般式（Ｖａ）中、ＭａはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１０７】
【化３１】
0005168840.tif 000030
（一般式（Ｖｂ）中、ＭｂはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１０８】
【化３２】
0005168840.tif 000031
（一般式（Ｖｃ）中、ＭｃはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、ｊは０、１又は２を表す。更に、環Ａ１及び環Ａ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環Ａ２及び環Ａ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１０９】
上記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）において、環Ａ１及び環Ａ１’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【０１１０】
また、環Ａ２、環Ａ２’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【０１１１】
更に、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０１１２】
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。更に、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。更に、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。更に、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。更に、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
【０１１３】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０１１４】
中でも、環Ａ１、環Ａ１’、環Ａ２及び環Ａ２’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【０１１５】
また、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）におけるＭａ，Ｍｂ，Ｍｃとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
【０１１６】
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）又は（Ｖｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない（以下において、Ｐｈはフェニル基を表す。）。
【０１１７】
【化３３】
0005168840.tif 000032
【０１１８】
【化３４】
0005168840.tif 000033
【０１１９】
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
また、ＷＯ２００５／０１９３７３号公報に記載の化合物も使用することができる。
【０１２０】
次に、前記一般式（VI）で表される化合物について説明する。  
一般式（VI）中、Ｍｄは金属を表し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０１２１】
また、一般式（VI）において、Ｒ９２及びＲ９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
【０１２２】
更に、Ｔが炭素の場合、Ｒ９４及びＲ９５は、それぞれ独立に、Ｒ９２及びＲ９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Ｔが窒素の場合はＲ９４及びＲ９５は無い。
【０１２３】
また、Ｒ９２〜Ｒ９５は更に置換基を有していてもよい。この場合の更に有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。  
更に、Ｒ９２〜Ｒ９５は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
【０１２４】
一般式（VI）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１，Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【０１２５】
【化３５】
0005168840.tif 000034
【０１２６】
［３］その他の成分
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤及び発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。  
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１２７】
また、２層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
【０１２８】
［４］有機電界発光素子用組成物中の材料濃度と配合比
有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料、発光材料及び必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、更に好ましくは０．５重量％以上、最も好ましくは１重量％以上であり、通常８０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、更に好ましくは３０重量％以下、最も好ましくは２０重量％以下である。この濃度が０．０１重量％未満であると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、８０重量％を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。
【０１２９】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料／電荷輸送材料の重量混合比は、通常、０．１／９９．９以上であり、より好ましくは０．５／９９．５以上であり、更に好ましくは１／９９以上であり、最も好ましくは２／９８以上で、通常、５０／５０以下であり、より好ましくは４０／６０以下であり、更に好ましくは３０／７０以下であり、最も好ましくは２０／８０以下である。この比が０．１／９９．９未満であったり、５０／５０を超えたりすると、著しく発光効率が低下する。
【０１３０】
［５］有機電界発光素子用組成物の調製方法
本発明の有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料、発光材料、及び必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、及び組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
【０１３１】
［６］有機電界発光素子用組成物の性状、物性等
（水分濃度）
有機電界発光素子を、有機電界発光素子用組成物を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、有機電界発光素子用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【０１３２】
具体的には、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下、より好ましくは０．０１重量％以下である。
【０１３３】
有機電界発光素子用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」（ＪＩＳ  Ｋ００６８：２００１）に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法（ＪＩＳ  Ｋ０２１１−１３４８）等により分析することができる。
【０１３４】
（均一性）
本発明の有機電界発光素子用組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径０．１μｍ以上の粒子成分を含有しないことをいう。
【０１３５】
（物性）
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における粘度は、通常２ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上であり、通常１０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは５０ｍＰａ・ｓ以下である。
【０１３６】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の製膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生するため、本発明の組成物の２０℃における表面張力は、通常５０ｍＮ／ｍ未満、好ましくは４０ｍＮ／ｍ未満である。
【０１３７】
更に、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における蒸気圧は、通常５０ｍｍＨｇ以下、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下、より好ましくは１ｍｍＨｇ以下である。
【０１３８】
［７］有機電界発光素子用組成物の保存方法
本発明の有機電界発光素子用組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。保管温度は、通常−３０℃以上、好ましくは０℃以上で、通常３５℃以下、好ましくは２５℃以下である。
【０１３９】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、前記一般式（Ｉ）で表される本発明の電荷輸送材料を含む層を有するものである。
【０１４０】
図１は本発明に用いられる一般的な有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は発光層、５は電子注入層、６は陰極を各々表す。
【０１４１】
［１］基板
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１４２】
［２］陽極
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は発光層側の層（正孔注入層３又は発光層４など）への正孔注入の役割を果たすものである。
【０１４３】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
【０１４４】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Appl．Phys．Lett．，60巻，2711頁，1992年）。
【０１４５】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすること
も可能である。
【０１４６】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、更には上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１４７】
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【０１４８】
［３］正孔注入層
正孔注入層３は陽極２から発光層４へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層３には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
【０１４９】
正孔注入層３では、電気的に中性の化合物から電子が一つ除かれたカチオンラジカルが、近傍の電気的に中性な化合物から一電子を受容することによって、正孔が移動する。素子非通電時の正孔注入層３にカチオンラジカル化合物が含まれない場合は、通電時に、正孔輸送性化合物が陽極２に電子を与えることにより正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが生成し、このカチオンラジカルと電気的に中性な正孔輸送性化合物との間で電子の授受が行われることにより正孔を輸送する。
【０１５０】
正孔注入層３にカチオンラジカル化合物が含まれると、陽極２による酸化によって生成する以上の濃度で正孔輸送に必要なカチオンラジカルが存在することになり、正孔輸送性能が向上するため、正孔注入層３にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましい。カチオンラジカル化合物の近傍に電気的に中性な正孔輸送性化合物が存在すると、電子の受け渡しがスムーズに行われるため、正孔注入層３にカチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが更に好ましい。
【０１５１】
ここで、カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物であり、移動しやすい正孔（フリーキャリア）を既に有している。
【０１５２】
また、正孔輸送性化合物に電子受容性化合物を混合することによって、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物への一電子移動が起こり、上述のカチオンラジカル化合物が生成する。このため、正孔注入層３に正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが好ましい。
【０１５３】
以上の好ましい材料についてまとめると、正孔注入層３に正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが更に好ましい。また、正孔注入層３にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが更に好ましい。
【０１５４】
更に、必要に応じて、正孔注入層３には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。
【０１５５】
但し、正孔注入層３として、電子受容性化合物のみを湿式製膜法によって陽極２上に製膜し、その上から直接、本発明の有機電界発光素子用組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、本発明の有機電界発光素子用組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
【０１５６】
（正孔輸送性化合物）
正孔輸送性化合物としては、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
【０１５７】
正孔輸送性化合物の例としては、本発明の電荷輸送材料の他、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
【０１５８】
芳香族アミン化合物の中でも、特に、本発明の電荷輸送材料などの芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０１５９】
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型有機化合物）が更に好ましい。
【０１６０】
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式（VII）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１６１】
【化３６】
0005168840.tif 000035
（一般式（VII）中、Ａｒ２１，Ａｒ２２は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ２３〜Ａｒ２５は、各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ２１〜Ａｒ２５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１６２】
【化３７】
0005168840.tif 000036
（上記各式中、Ａｒ３１〜Ａｒ４１は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の１価又は２価の基を表す。Ｒ３１及びＲ３２は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
【０１６３】
Ａｒ２１〜Ａｒ２５及びＡｒ３１〜Ａｒ４１としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環由来の、１価又は２価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。
【０１６４】
その芳香族炭化水素環としては、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。
【０１６５】
また、その芳香族複素環としては、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。
【０１６６】
また、Ａｒ２３〜Ａｒ２５、Ａｒ３１〜Ａｒ３５、Ａｒ３７〜Ａｒ４０としては、上に例示した１種類又は２種類以上の芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環由来の２価の基を２つ以上連結して用いることもできる。
【０１６７】
Ａｒ２１〜Ａｒ４１の芳香族炭化水素環及び／又は芳香族複素環由来の基は、更に置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、次の置換基群Ｚから選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【０１６８】
［置換基群Ｚ］
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは８以下のアルキル基；ビニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは５以下のアルケニル基；エチニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは５以下のアルキニル基；メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下のアルコキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上、通常２５以下、好ましくは１４以下のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１１以下、好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常２以上、通常２０以下、好ましくは１２以下のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の、炭素数が通常１０以上、好ましくは１２以上、通常３０以下、好ましくは２２以下のジアリールアミノ基；フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常６以上、好ましくは７以上、通常２５以下、好ましくは１７以下のアリールアルキルアミノ基；アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２以上、通常１０以下、好ましくは７以下のアシル基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上、通常８以下、好ましくは４以下のハロアルキル基；メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下のアルキルチオ基；フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上、通常２５以下、好ましくは１４以下のアリールチオ基；トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上、通常３３以下、好ましくは２６以下のシリル基；トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上、通常３３以下、好ましくは２６以下のシロキシ基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下の芳香族炭化水素環基；チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、通常２８以下、好ましくは１７以下の芳香族複素環基。
【０１６９】
Ａｒ２１、Ａｒ２２としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の１価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。
【０１７０】
また、Ａｒ２３〜Ａｒ２５としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の２価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ましい。
【０１７１】
Ｒ３１、Ｒ３２としては、水素原子又は任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの具体例としては、前記の置換基群Ｚにおいて例示した各基が挙げられる。
【０１７２】
一般式（VII）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物（ＰＢ−１）が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
【０１７３】
【化３８】
0005168840.tif 000037
【０１７４】
他の芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式（VIII）及び／又は一般式（IX）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。
【０１７５】
【化３９】
0005168840.tif 000038
（一般式（VIII）、（IX）中、Ａｒ４５，Ａｒ４７及びＡｒ４８は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ４４及びＡｒ４６は各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表す。また、Ａｒ４５〜Ａｒ４８のうち、同一のＮ原子に結合する２つの基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ４１〜Ｒ４３は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。）
【０１７６】
Ａｒ４５，Ａｒ４７，Ａｒ４８及びＡｒ４４、Ａｒ４６の具体例、好ましい例、有していてもよい置換基の例及び好ましい置換基の例は、それぞれ、Ａｒ２１，Ａｒ２２及びＡｒ２３〜Ａｒ２５と同様である。Ｒ４１〜Ｒ４３はとして好ましくは水素原子又は［置換基群Ｚ］に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基である。
【０１７７】
一般式（VIII）及び／又は（IX）で表される繰り返し単位を含む芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。
【０１７８】
また、湿式製膜法により正孔注入層を形成する場合には、種々の溶剤に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合物（特開２００４−０１４１８７）及び非対称１，４−フェニレンジアミン化合物（特開２００４−０２６７３２）が好ましい。
【０１７９】
また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜精製材料として利用されてきた芳香族アミン化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択してもよい。正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能な芳香族アミン化合物としては、例えば、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の層形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）；４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物（特開平５−２３４６８１号公報）；トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物（米国特許第４，９２３，７７４号）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物（米国特許第４，７６４，６２５号）；α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル）−ｐ−キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）；分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）；ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１７５３９５号公報）；エチレン基で３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開平４−２６４１８９号公報）；スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）；チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結した化合物（特開平４−３０４４６６号公報）；スターバースト型芳香族トリアミン化合物（特開平４−３０８６８８号公報）；ベンジルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）；フルオレン基で３級アミンを連結した化合物（特開平５−２５４７３号公報）；トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）；ビスジピリジルアミノビフェニル（特開平５−３２０６３４号公報）；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）；フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）；ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）；ヒドラゾン化合物（特開平２−３１１５９１号公報）；シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）；シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）；ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）；キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、必要に応じて２種以上を混合して用いてもよい。
【０１８０】
また、正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能なフタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリンコバルト（II）、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン亜鉛（II）、５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリンバナジウム（IV）オキシド、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン銅（II）、フタロシアニン亜鉛（II）、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅（II）、４，４’，４”，４'''−テトラアザ−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン等が挙げられる。
【０１８１】
また、正孔注入層の正孔輸送性化合物として適用可能なオリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体（特開６−２５６３４１）等が挙げられる。
【０１８２】
また、本発明における正孔輸送性化合物として適用可能なポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、ポリ（３，４−エチテンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）等が挙げられる。
【０１８３】
なお、これらの正孔輸送性化合物の分子量は、高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合性化合物）の場合を除いて、通常９０００以下、好ましくは５０００以下、また、通常２００以上、好ましくは４００以上の範囲である。正孔輸送性化合物の分子量が高過ぎると合成及び精製が困難であり好ましくない一方で、分子量が低過ぎると耐熱性が低くなるおそれがありやはり好ましくない。
【０１８４】
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用するのが好ましい。
【０１８５】
（電子受容性化合物）
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物が更に好ましい。
【０１８６】
例としては、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５）等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。
【０１８７】
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。
【０１８８】
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物（Ａ−２）が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
【０１８９】
【化４０】
0005168840.tif 000039
【０１９０】
（カチオンラジカル化合物）
カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物である。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
【０１９１】
カチオンラジカルは、正孔輸送性化合物に前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましく、正孔輸送性化合物として更に好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点から更に好ましい。
【０１９２】
カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。
【０１９３】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２０００年，１２巻，４８１頁）やエメラルジン塩酸塩（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９９０年，９４巻，７７１６頁）等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合（脱水素重合）、即ち、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、又は、電気化学的に酸化することによっても生成する。この酸化重合（脱水素重合）の場合、モノマーが酸化されることにより、高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
【０１９４】
正孔注入層３は、湿式製膜法又は真空蒸着法により陽極２上に形成される。
【０１９５】
陽極２として一般的に用いられるＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）は、その表面粗さが１０ｎｍ程度の粗さ（Ｒａ）を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという問題があった。陽極２の上に形成される正孔注入層３は湿式製膜法により形成することは、真空蒸着法より形成する場合と比較して、これら陽極表面の凹凸に起因する、素子の欠陥の発生を低減する利点を有する。
【０１９６】
湿式製膜法による層形成の場合は、前述した各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）の１種又は２種以上の所定量を、必要により電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶剤に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層３を形成させる。
【０１９７】
湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されないが、正孔注入層に用いられる各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）を失活させる恐れのある、失活物質又は失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。
【０１９８】
これらの条件を満たす好ましい溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。これらは何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【０１９９】
上述のエーテル系溶剤及びエステル系溶剤以外に使用可能な溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。また、これらの溶剤のうち１種又は２種以上を、上述のエーテル系溶剤及びエステル系溶剤のうち１種又は２種以上と組み合わせて用いてもよい。特に、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、電子受容性化合物及びカチオンラジカル化合物を溶解する能力が低いため、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。
【０２００】
塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０％重量以上、また、通常９９．９９９重量％以下、好ましくは９９．９９重量％以下、更に好ましくは９９．９重量％以下の範囲である。なお、２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０２０１】
真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。
【０２０２】
このようにして形成されるよい正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
なお、正孔注入層３は図６に示す如く、これを省略しても良い。
【０２０３】
［４］発光層
正孔注入層３の上には発光層４が設けられる。発光層４は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３を通じて注入された正孔と、陰極６から電子輸送層５を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層４は発光材料（ドーパント）と１種又は２種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層４は本発明の電荷輸送材料をホスト材料として含むことが更に好ましく、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
【０２０４】
ここで、湿式製膜法として具体的には、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法などを使用できる。
【０２０５】
なお、発光層４は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。
【０２０６】
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。
【０２０７】
本発明においては、発光層４以外に、正孔注入層３及び後述の電子輸送層５等の有機層を有する場合、発光層４と正孔注入層３や電子輸送層５等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、更に好ましくは１００ｎｍ以上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であり、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。また、発光層４以外の正孔注入層３や後述の電子注入層５の導電性が高い場合、発光層４に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層３の膜厚を厚くして発光層４の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。
【０２０８】
よって、発光層４の膜厚は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層４のみを有する場合の発光層４の膜厚は、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。
【０２０９】
［５］電子注入層
電子注入層５は陰極６から注入された電子を効率よく発光層４へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層５を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。  
電子注入層５の膜厚は０．１〜５ｎｍが好ましい。
【０２１０】
また、陰極６と有機発光層４又は後述の電子輸送層８との界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ、ＣｓＣＯ３等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Appl.Phys.Lett.,70巻，152頁，1997年；特開平１０−７４５８６号公報；IEEETrans.Electron.Devices，44巻，1245頁，1997年；SID  04  Digest，154頁）。
【０２１１】
更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０２１２】
電子注入層５は、発光層４と同様にして塗布法、或いは真空蒸着法により発光層４上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。
【０２１３】
アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼ及びディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入・輸送層を形成する。
【０２１４】
このとき、電子注入層５の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
なお、電子注入層５は、図５，６に示す如く、これを省略しても良い。
【０２１５】
［６］陰極
陰極６は、有機発光層側の層（電子注入層５又は有機発光層４など）に電子を注入する役割を果たす。陰極６として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２１６】
陰極６の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０２１７】
［７］その他の構成層
以上、図１に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極２及び陰極６と発光層４との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層４以外の任意の層を省略してもよい。
【０２１８】
有してもよい層としては例えば、電子輸送層７が挙げられる。電子輸送層７は素子の発光効率を更に向上させることを目的として、図２に示す如く、発光層４と電子注入層５との間に設けられる。
【０２１９】
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極６から注入された電子を効率よく発光層４の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極６又は電子注入層５からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−又は５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２２０】
電子輸送層７の膜厚は、通常下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【０２２１】
電子輸送層７は、正孔注入層３と同様にして塗布法、或いは真空蒸着法により有機発光層４上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０２２２】
また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図３に示す如く、正孔阻止層８を設けることも効果的である。正孔阻止層８は正孔と電子を発光層４内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層８は、発光層４から移動してくる正孔が電子輸送層７に到達するのを阻止することで、発光層４内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層４内に閉じこめる役割と、電子輸送層８から注入された電子を効率よく発光層４の方向に輸送する役割がある。
【０２２３】
正孔阻止層８は、陽極２から移動してくる正孔を陰極６に到達するのを阻止する役割と、陰極６から注入された電子を率よく有機発光層４の方向に輸送することができる化合物により、発光層４の上に、発光層４の陰極６側の界面に接するように積層形成される。
【０２２４】
正孔阻止層８を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
【０２２５】
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。
【０２２６】
更に、ＷＯ２００５／０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。
【０２２７】
正孔阻止層８の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２２８】
正孔阻止層８も正孔注入層３と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【０２２９】
電子輸送層７及び正孔阻止層８は必要に応じて、適宜設ければよく、１）電子輸送層のみ、２）正孔阻止層のみ、３）正孔阻止層／電子輸送層の積層、４）用いない、等、用法がある。
【０２３０】
正孔阻止層８と同様の目的で、図４に示す如く、正孔注入層３と発光層４の間に電子阻止層９を設けることも効果的である。電子阻止層９は、発光層４から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層４内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層４内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく有機発光層４の方向に輸送する役割がある。
【０２３１】
電子阻止層９に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。また、発光層４を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層９も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
【０２３２】
このため、電子阻止層９も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層９に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（ＷＯ２００４／０８４２６０号公報記載）等が挙げられる。
【０２３３】
なお、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極６、電子注入層５、有機発光層４、正孔注入層３、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２〜図６に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【０２３４】
更には、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ２Ｏ５等を電荷発生層（ＣＧＬ）として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２３５】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０２３６】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２３７】
［合成例］
以下に本発明の電荷輸送材料に用いられる化合物の合成例を示す。  
なお、以下の合成例において、ガラス転移温度はＤＳＣ測定により、気化温度はＴＧ−ＤＴＡ測定により、融点はＤＳＣ測定又はＴＧ−ＤＴＡ測定によりそれぞれ求めた。
【０２３８】
（合成例１：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−１）の合成）
【化４１】
0005168840.tif 000040
【０２３９】
空気中、３’−ブロモアセトフェノン（２５．０ｇ）、ベンズアルデヒド（６．６６ｇ）、酢酸アンモニウム（６２．０ｇ）、及び酢酸（１５７ｍｌ）を、加熱還流下、９時間撹拌し、室温まで放冷した。析出した結晶を濾過により回収した後、エタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１の２，６−ビス（３−ブロモフェニル）−４−フェニルピリジン（６．７２ｇ、収率２３％）を白色結晶として得た。
【０２４０】
【化４２】
0005168840.tif 000041
【０２４１】
窒素気流中、カルバゾール（７．００ｇ）、３−ブロモヨードベンゼン（１４．２ｇ）、銅粉末（２．６６ｇ）、炭酸カリウム（５．７９ｇ）、及びテトラグライム（１０ｍｌ）を、１４０℃に加熱下、５時間撹拌し、室温まで放冷した。反応終了後、反応液にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。減圧乾燥することにより、目的物２（１０．５ｇ、収率７８％）を無色粘調液体として得た。
【０２４２】
【化４３】
0005168840.tif 000042
【０２４３】
窒素気流中、目的物２（１０．５ｇ）、ビス（ピナコラートジボロン）（９．９３ｇ）、酢酸カリウム（１０．９ｇ）、及び無水ジメチルスルホキシド（１９０ｍｌ）を、６０℃に加熱下、１５分間撹拌し、[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（II）ジクロロメタン錯体（０．７９９ｇ）を加え、８０℃に加熱下、９時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液に水（２５０ｍｌ）、トルエン（５００ｍｌ）を加え、撹拌した。水層をトルエンで２回再抽出した後、有機層を合わせ、硫酸マグネシウム及び活性白土を加えた。硫酸マグネシウム及び活性白土を濾別し、トルエンを減圧留去した。析出した結晶を冷メタノールで洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物３（９．８６ｇ、収率８０％）を白色結晶として得た。
【０２４４】
【化４４】
0005168840.tif 000043
【０２４５】
窒素気流中、目的物１（１．８６ｇ）、目的物３（３．８４ｇ）、ジメトキシエタン（８０ｍｌ）、及び水（１２ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．３７ｇ）、炭酸カリウム（３．３２ｇ）を順次投入し、加熱還流下、６時間撹拌した。得られた溶液に食塩水（１００ｍｌ）を加えてから、ジクロロメタン（２×１００ｍｌ）で抽出後、有機層に無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物４（本発明化合物（Ｉ−１））（２．１６ｇ）を得た。  
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７８９（Ｍ＋））
このものの気化温度は５４１℃、融点は検出されず、ガラス転移温度は１２５℃であった。
【０２４６】
（合成例２：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−２）の合成）
【化４５】
0005168840.tif 000044
【０２４７】
窒素気流中、１，３−ジヨードベンゼン（１４．９ｇ）、３−ブロモフェニルボロン酸（２０．０ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）、及びエタノール（５０ｍｌ）の混合物に、炭酸ナトリウム（２４．０ｇ）の水溶液（１００ｍｌ）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（２．００ｇ）、を順次投入し、加熱還流下、７時間撹拌した。得られた溶液に水（２００ｍｌ）、トルエン（１００ｍｌ）を加えてから、水層をトルエン（２×１００ｍｌ）で抽出後、有機層を合わせて、無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物５（１５．５ｇ）を得た。
【０２４８】
【化４６】
0005168840.tif 000045
【０２４９】
窒素気流中、目的物５（８．１９ｇ）、２，５−ジフルオロフェニルボロン酸（１０．０ｇ）、トルエン（１５０ｍｌ）、及びエタノール（２５ｍｌ）の混合物に、炭酸ナトリウム（１１．２ｇ）の水溶液（７５ｍｌ）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．９７５ｇ）、を順次投入し、加熱還流下、８時間撹拌した。得られた溶液に水（１５０ｍｌ）、トルエン（１００ｍｌ）を加えてから、水層をトルエン（２×１００ｍｌ）で抽出後、有機層を合わせて、無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物６（７．９１ｇ）を得た。
【０２５０】
【化４７】
0005168840.tif 000046
【０２５１】
窒素気流中、水素化ナトリウム（５５％，４．６１ｇ）の無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）懸濁液にカルバゾール（１７．７ｇ）を添加し、８０℃で３０分撹拌した後、目的物６（６．００ｇ）を添加し、加熱還流下で８時間撹拌した。これに氷冷下、水（５０ｍｌ）、メタノール（３００ｍｌ）を加えて、析出した沈殿を濾別し、メタノール洗浄した。得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物７（本発明化合物（Ｉ−２））（１．０２ｇ）を得た。  
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１０４２（Ｍ＋））
このものの気化温度は５５４℃、融点は検出されず、ガラス転移温度は１６９℃であった。
【０２５２】
（合成例３：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−３）の合成）
【化４８】
0005168840.tif 000047
【０２５３】
窒素気流中、−６０〜−６５℃のエタノールバスで冷却しながら、目的物２（９．０６ｇ）の無水テトラヒドロフラン（４００ｍｌ）溶液に、１．５４Ｍノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液（２７．４ｍｌ）を７分間かけて滴下した後、４０分間撹拌した。その後、室温下で２．２時間撹拌した後、１Ｎ塩酸水溶液（４５ｍｌ）を加え、更に３０分間撹拌した。得られた溶液から減圧下でテトラヒドロフランを留去してから、ジエチルエーテル（４００ｍｌ）、飽和食塩水（１００ｍｌ）を加え、振り混ぜた後、有機層を分取し、これを飽和食塩水で洗った。得られた有機層に無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮した。得られた固形分を、水及びノルマルヘキサンで懸濁洗浄後、エタノール−ノルマルヘキサンからの再沈殿にて精製し、目的物８（４．０３ｇ）を得た。
【０２５４】
【化４９】
0005168840.tif 000048
【０２５５】
２００ｍｌ四つ口フラスコに、３’−ブロモアセトフェノン（１１．９ｇ）、脱水エタノールを窒素下で加え、更にテトラクロロシラン（２０．３ｇ）を滴下して加えた。６時間室温で撹拌した後、氷中にあけ、析出した固体を濾取した。濾取物をトルエンに溶かし、不溶物を除去し、エタノールとトルエンの混合溶媒にて再結晶を行ったところ、目的物９の白色針状結晶（６．４ｇ）を得た。
【０２５６】
【化５０】
0005168840.tif 000049
【０２５７】
２００ｍｌ三つ口フラスコに、目的物９（１．２ｇ）、目的物８（２．５ｇ）、トルエン（６６ｍL）、水（１０ｍL）、及び炭酸カリウム（２．７ｇ）を加え、系内を窒素置換した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２２８ｍｇ）を入れ、バス温１００℃で６時間撹拌した。不溶物を濾取し、ピリジン及びメタノールで熱懸洗後、昇華精製を行ったところ、目的物１０（本発明化合物（Ｉ−３））の黄色ガラス状固体（１．５ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１０３１（Ｍ＋））
このもののガラス転移温度は１５０℃、融点は観測されず、気化温度は５７３℃であった。
【０２５８】
（合成例４：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−４）の合成）
【化５１】
0005168840.tif 000050
【０２５９】
３’−ブロモアセトフェノン（２５ｇ）、４−フェニルベンズアルデヒド（１３ｇ）、酢酸アンモニウム（６４．４ｇ）、及び酢酸（１６５ｍｌ）を、加熱還流下、９時間撹拌し、室温まで放冷した。析出した結晶を濾取した後、エタノールで２回加熱洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１１（７．４８３g、収率２１．２％）を白色結晶として得た。
【０２６０】
【化５２】
0005168840.tif 000051
【０２６１】
窒素雰囲気下、６０℃に昇温した目的物１１（８．０ｇ）、目的物８（１３．５６ｇ）、エタノール（１７ｍｌ）、及びトルエン（１７０ｍｌ）の混合物に、炭酸ナトリウム（７．７９ｇ）と水（５０ｍｌ）の水溶液を添加し、更にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．６８ｇ）を添加し、窒素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。室温まで放冷した後、有機層を抽出、濃縮後、メタノールに再沈させ、結晶を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン＝１／１）で精製した。更に、メタノール、酢酸エチルで加熱洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１２（本発明化合物（Ｉ−４））（７．８ｇ、収率６２％）を白色結晶として得た。この白色結晶７．８ｇを昇華精製したところ、白色固体６．２ｇが回収された。
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝８６６（Ｍ＋））から目的物１２であることを確認した。
このものの気化温度は５５８℃、融点は観測されず、ガラス転移温度は１３３℃であった。
【０２６２】
（合成例５：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−５）の合成）
【化５３】
0005168840.tif 000052
【０２６３】
窒素雰囲気下、目的物５（１．９ｇ，５．０ｍｍｏｌ）、及び目的物８（４．３ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（４０ｍｌ）溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え、更に窒素バブリングを１５分間行い、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（２８８ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）を一度に加えた。反応混合物を還流させながら１２時間撹拌し、室温まで放冷後、水に注ぎ、ジクロロメタン（２×５０ｍｌ）で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１３（本発明化合物（Ｉ−５））（２．５ｇ）を得た。
このものの質量分析を行ったところ、分子イオンピークが７１２（Ｍ＋）であった。
このものの融点は観測されず、ガラス転移温度は１１２℃であった。
【０２６４】
（合成例６：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−６）の合成）
【化５４】
0005168840.tif 000053
【０２６５】
窒素雰囲気下、ジブロモカルバゾール（２５．２ｇ，７７．６ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（３７．８ｇ，３１０ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（２３４ｍｌ）溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１９４ｍｌ）を加え、更に窒素バブリングを１５分間行い、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（４．５ｇ，３１０ｍｍｏｌ）を一度に加えた。反応混合物を８０℃で７時間撹拌し、室温まで放冷後、水に注ぎ、ジクロロメタン（２×２００ｍｌ）で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（２×１００ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１４（１０．３７ｇ）を得た。
【０２６６】
【化５５】
0005168840.tif 000054
【０２６７】
オイルに分散された５５％水素化ナトリウム（０．８１９ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）を乾燥ジメチルホルムアミド（８６ｍｌ）に懸濁させ、ジフェニルカルバゾール（５．００ｇ、１５．７ｍｍｏｌ）を少量ずつ加えた。混合物を８０℃まで昇温させ、３−ブロモフルオロベンゼン（１１．０ｇ，６２．６ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、溶液を還流させながら５時間半撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ、析出した固体を濾取した。得られた固体を再結晶により精製して、目的物１５（４．３３ｇ、５８％）を得た。
【０２６８】
【化５６】
0005168840.tif 000055
【０２６９】
窒素雰囲気下、３，６−ジフェニル−９−（３−ブロモフェニル）カルバゾール（４．３１ｇ、９．０８ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン（２．７７ｇ、１０．９ｍｍｏｌ）、及び酢酸カリウム（３．０３ｇ，３０．８７ｍｍｏｌ）のジメチルスルホキシド溶液（４５ｍｌ）に［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（II）錯体ジクロロメタン付加物（０．２２ｇ，０．２７ｍｍｏｌ）を加えた。８０℃で８時間撹拌し、反応混合物を水に注いだ。トルエン（２×３００ｍｌ）で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下で濃縮し、活性白土を加え濾過した。減圧下に濾液の溶媒を留去し、残渣を再結晶して、目的物１６（３．２７ｇ、６９％）を得た。
【０２７０】
【化５７】
0005168840.tif 000056
【０２７１】
窒素雰囲気下、目的物５（１．０ｇ，２．６ｍｍｏｌ）、及び目的物１６（３．２２ｇ，６．１７ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（３０ｍｌ）溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１５ｍｌ）を加え、更に窒素バブリングを１５分間行い、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１４４ｍｇ，０．１３ｍｍｏｌ）を一度に加えた。反応混合物を還流させながら１２時間撹拌し、室温まで放冷後、水に注ぎ、ジクロロメタン（２×５０ｍｌ）で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１７（本発明化合物（Ｉ−６））（１．７ｇ）を得た。
このものの質量分析を行ったところ、分子イオンピークが１０１６（Ｍ＋）であった。
このものの融点は観測されず、ガラス転移温度は１６３℃であった。
【０２７２】
（合成例７：前記一般式（Ｉ）で表される本発明に係る化合物（Ｉ−７）の合成）
【化５８】
0005168840.tif 000057
【０２７３】
窒素雰囲気下、目的物１１（１．５１ｇ，２．８ｍｍｏｌ）、及び目的物１６（３．８ｇ，７．３ｍｍｏｌ）のトルエン（３０ｍｌ）−エタノール（７．５ｍｌ）溶液に２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１０ｍｌ）を加え、更に窒素バブリングを１５分間行い、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（０．２６ｇ，０．２２４ｍｍｏｌ）を一度に加えた。反応混合物を還流させながら３．５時間撹拌し、室温まで放冷後、水に注ぎトルエン（３×５０ｍｌ）で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（２×５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物１８（本発明化合物（Ｉ−７））（３．２ｇ）を得た。
このものの質量分析を行ったところ、分子イオンピークが１１６９（Ｍ＋）であった。
このものの気化温度は５８１℃、融点は観測されず、ガラス転移温度は１８１℃であった。
【０２７４】
［トルエンへの溶解度測定］
（測定例１：本発明化合物（Ｉ−１）の溶解度測定）
本発明化合物（Ｉ−１）のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、本発明化合物（Ｉ−１）はトルエンに対して高い溶解性を示した。
【０２７５】
（測定例２：本発明化合物（Ｉ−２）の溶解度測定）
本発明化合物（Ｉ−２）のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、本発明化合物（Ｉ−２）はトルエンに対して高い溶解性を示した。
【０２７６】
（測定例３：本発明化合物（Ｉ−４）の溶解度測定）
本発明化合物（Ｉ−４）のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、本発明化合物（Ｉ−４）はトルエンに対して高い溶解性を示した。
【０２７７】
（測定例４：本発明化合物（Ｉ−７）の溶解度測定）
本発明化合物（Ｉ−７）のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、本発明化合物（Ｉ−７）はトルエンに対して高い溶解性を示した。
【０２７８】
（測定例５：比較化合物（Ｈ−１）の溶解度測定）
下記構造式で表される化合物Ｈ−１のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、化合物Ｈ−１のトルエンに対する溶解性は低かった。
【化５９】
0005168840.tif 000058
【０２７９】
（測定例６：比較化合物（Ｈ−６）の溶解度測定）
下記構造式で表される化合物Ｈ−６のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、化合物Ｈ−６のトルエンに対する溶解性は比較的低かった。
【化６０】
0005168840.tif 000059
【０２８０】
（測定例７：比較化合物（Ｈ−７）の溶解度測定）
下記構造式で表される化合物Ｈ−７のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、化合物Ｈ−７のトルエンに対する溶解性は低かった。
【化６１】
0005168840.tif 000060
【０２８１】
（測定例８：比較化合物（Ｈ−８）の溶解度測定）
下記構造式で表される化合物Ｈ−８のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、化合物Ｈ−８のトルエンに対する溶解性は低かった。
【化６２】
0005168840.tif 000061
【０２８２】
（測定例９：比較化合物（Ｈ−９）の溶解度測定）
下記構造式で表される化合物Ｈ−９のトルエンへの溶解度を調べた。その結果を表１に表す。表１に表す如く、化合物Ｈ−９のトルエンに対する溶解性は低かった。
【化６３】
0005168840.tif 000062
【０２８３】
【表１】
0005168840.tif 000063
【０２８４】
［有機電解発光素子の製造・評価］
（実施例１）
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。  
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍ堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２８５】
次いで、正孔注入層３を以下のように湿式製膜法によって形成した。正孔注入層３の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物（ＰＢ−１（重量平均分子量：２９４００，数平均分子量：１２６００））と下記に示す構造式の電子受容性化合物（Ａ−２）とを用い、下記の条件でスピンコートした。
【０２８６】
【化６４】
0005168840.tif 000064
【０２８７】
スピンコート条件
溶媒    安息香酸エチル
塗布液濃度      ＰＢ−１    ２．０重量％
Ａ−２      ０．４重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    ２３０℃×１５分
上記のスピンコートにより膜厚３０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０２８８】
続いて、発光層４を以下のように湿式製膜法によって形成した。発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−１）を、下記に示す構造式の芳香族アミン化合物（Ｈ−１０）、下記に示す構造式のイリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、下記の条件でスピンコートした。
【０２８９】
【化６５】
0005168840.tif 000065
【０２９０】
スピンコート条件
溶媒    トルエン
塗布液濃度      Ｉ−１      １．０重量％
Ｈ−１２    １．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ６０秒
乾燥条件    ８０℃×６０分（減圧下）
上記のスピンコートにより膜厚８０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０２９１】
次に、正孔阻止層８として下記に示すピリジン誘導体（ＨＢ−１）をるつぼ温度２４２〜２５８℃として、蒸着速度０．０８ｎｍ／秒で５ｎｍの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は５．２×１０−４Ｐａ（約４．０×１０−６Ｔｏｒｒ）であった。
【０２９２】
【化６６】
0005168840.tif 000066
【０２９３】
次に、正孔阻止層８の上に、電子輸送層７として下記に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＴ−１）を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は２１６〜２３１℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は４．０×１０−４Ｐａ（約３．２×１０−６Ｔｏｒｒ）、蒸着速度は０．１ｎｍ／秒で膜厚は３０ｎｍとした。
【０２９４】
【化６７】
0005168840.tif 000067
【０２９５】
上記の正孔阻止層８及び電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２．２×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．８×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２９６】
次に、電子輸送層７の上に、電子注入層５として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０３ｎｍ／秒、真空度２．７×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．５×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。
【０２９７】
次に、電子注入層５の上に、陰極６として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．３ｎｍ／秒、真空度４．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約５．６×１０−４Ｐａ）で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極６を完成させた。
以上の電子注入層５、陰極６の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２９８】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。  
輝度／電流：２７．８［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：６．２［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：１４．２［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０２９９】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１３ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６３）であった。
【０３００】
（実施例２）
本発明化合物（Ｉ−１）の代わりに本発明化合物（Ｉ−２）を用いた以外は、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。
【０３０１】
すなわち、発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−２）を、前述の芳香族アミン化合物（Ｈ−１０）及びイリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、湿式製膜法によって下記のスピンコート条件で形成した。  
スピンコート条件
溶媒    トルエン
塗布液濃度      Ｉ−２      １．０重量％
Ｈ−１０    １．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ６０秒
乾燥条件    ８０℃×６０分（減圧下）
上記のスピンコートにより膜厚８０ｎｍの均一な薄膜が形成された。  
この素子の発光特性は以下の通りである。  
輝度／電流：３１．９［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：９．０［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：１１．１［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０３０２】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１０ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．２９，０．６３）であった。
【０３０３】
（実施例３）
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍ堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０３０４】
次いで、正孔注入層３を以下のように湿式製膜法によって形成した。正孔注入層３の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物（ＰＢ−２（重量平均分子量：２６５００，数平均分子量：１２０００））と下記に示す構造式の電子受容性化合物（Ａ−２）とを用い、下記の条件でスピンコートした。
【０３０５】
【化６８】
0005168840.tif 000068
【０３０６】
スピンコート条件
溶媒    安息香酸エチル
塗布液濃度      ＰＢ−２    ２．０重量％
Ａ−２      ０．４重量％
スピナ回転数    ２０００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    ２３０℃×３時間
上記のスピンコートにより膜厚３０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０３０７】
続いて、発光層４を以下のように湿式製膜法によって形成した。発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−１）を、実施例１で用いたイリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、下記の条件でスピンコートした。
【０３０８】
スピンコート条件
溶媒    キシレン
塗布液濃度      Ｉ−１      ２．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    １３０℃×６０分（減圧下）
上記のスピンコートにより膜厚４０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０３０９】
次に、正孔阻止層８として、実施例１で用いたピリジン誘導体（ＨＢ−１）をるつぼ温度２８０〜２８０℃として、蒸着速度０．１〜０．１３ｎｍ／秒で５ｎｍの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は２．９×１０−４Ｐａであった。
【０３１０】
次に、正孔阻止層８の上に、電子輸送層７として、実施例１で用いたアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＴ−１）を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は３８３〜３６４℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は２．７×１０−４Ｐａ、蒸着速度は０．１〜０．１３ｎｍ／秒で膜厚は３０ｎｍとした。
【０３１１】
上記の発光層４、正孔阻止層８及び電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２．３×１０−５Ｐａ以下になるまで排気した。
【０３１２】
次に、電子注入層５として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．００８〜０．０１ｎｍ／秒、真空度４．０×１０−５Ｐａで、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。
【０３１３】
次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．０８〜０．１２ｎｍ／秒、真空度９．５×１０−５Ｐａで膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を電子注入層５の上に形成して陰極８を完成させた。
以上の２層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０３１４】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度／電流：８．４［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：９．７［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：２．７［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０３１５】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１２．８ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ(ｘ，ｙ)=(０．３１１,０．６２２)であった。
【０３１６】
（実施例４）
本発明化合物（Ｉ−１）の代わりに本発明化合物（Ｉ−２）を用いた以外は、実施例３と同様に有機電界発光素子を作成した。
【０３１７】
すなわち、発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−２）を、イリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、湿式製膜法によって下記のスピンコート条件で発光層４を形成した。
スピンコート条件
溶媒    キシレン
塗布液濃度      Ｉ−２      ２．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ      
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    １３０℃×６０分（減圧下）
【０３１８】
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度／電流：１３．９［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：９．１［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：４．８［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０３１９】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１４．０ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ)=(０．３１１，０．６２４)であった。
【０３２０】
（実施例５）
本発明化合物（Ｉ−１）の代わりに本発明化合物（Ｉ−４）を用いた以外は、実施例３と同様に有機電界発光素子を作成した。
【０３２１】
すなわち、発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−４）を、イリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、湿式製膜法によって下記のスピンコート条件で発光層４を形成した。
スピンコート条件
溶媒    キシレン
塗布液濃度      Ｉ−４      ２．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    １３０℃×６０分（減圧下）
上記のスピンコートにより膜厚４０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０３２２】
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度／電流：１０．８［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：８．８［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：３．９［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０３２３】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１４．０ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）=(０．３０６，０．６２６)であった。
【０３２４】
（実施例６）
本発明化合物（Ｉ−１）の代わりに本発明化合物（Ｉ−７）を用いた以外は、実施例３と同様に有機電界発光素子を作成した。
【０３２５】
すなわち、発光層４の材料として、本発明化合物（Ｉ−７）を、イリジウム錯体（Ｄ−２）と共に用い、湿式製膜法によって下記のスピンコート条件で発光層４を形成した。
スピンコート条件
溶媒    キシレン
塗布液濃度      Ｉ−７      ２．０重量％
Ｄ−２      ０．１重量％
スピナ回転数    １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間    ３０秒
乾燥条件    １３０℃×６０分（減圧下）
上記のスピンコートにより膜厚４０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０３２６】
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度／電流：１４．４［ｃｄ／Ａ］＠１００ｃｄ／ｍ２
電圧：７．９［Ｖ］＠１００ｃｄ／ｍ２
発光効率：５．７［１ｍ／ｗ］＠１００ｃｄ／ｍ２
【０３２７】
素子の発光スペクトルの極大波長は５１６．４ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｄ−２）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）=(０．３３５，０．６１１)であった。
【０３２８】
以上の実施例から明らかなように、本発明の電荷輸送材料をホスト材料として用いた有機電界発光素子は、本発明の電荷輸送材料が電荷輸送性に優れ、容易には結晶化しないため、均一な発光が得られ、発光効率が高く、低い電圧で駆動可能であった。
【図面の簡単な説明】
【０３２９】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図５】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図６】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
【０３３０】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  発光層
５  電子注入層
６  陰極
７  電子輸送層
８  正孔阻止層
９  電子阻止層
【図１】
0005168840.tif 000072
【図２】
0005168840.tif 000073
【図３】
0005168840.tif 000074
【図４】
0005168840.tif 000075
【図５】
0005168840.tif 000076
【図６】
0005168840.tif 000077