(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、コア基板の両面に複数の絶縁層と導体層が交互に積層され、前記コア基板が、孔部側面に形成された孔部導体層及びその内部に充填された充填物とを有するスルーホール、及び前記孔部導体層と前記導体層を接続するためのスルーホールランド部をスルーホール開口部に具備するビルドアップ多層配線基板であって、前記スルーホールランド部が、前記スルーホールの外径と等しい板状の基部と、前記板状基部の少なくとも一方の面に形成された凸部を有する錨状形状をなし、前記凸部が前記スルーホールもしくは前記充填物に嵌合するように固定されているか、もしくは前記スルーホールランド部の板状基部に凸部が形成されていない面上にビアホールを形成して前記導体層と電気的に接続されているか、もしくは前記ランド部の板状基部の両面に円盤状あるいは円筒状の凸部が形成されて、前記凸部の一方が孔部導体層、他方が前記導体層と電気的に接続するために用いられる下記ａ）〜ｄ）記載の工程を含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法。
ａ）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ）前記充填物に、請求項１に記載のスルーホールランド部の凸部が嵌合する径の穴加工を行う工程、
ｄ）前記穴に該ランド部の凸部を合せて圧入する工程。
【請求項２】
少なくとも下記に記載のａ’）〜ｄ’）の工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法。
ａ’）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ’）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ’）前記充填物が、請求項１に記載のランド部の凸部を挿入可能な程度の硬度を有する状態において、スルーホール充填物にスルーホールランド部の凸部を合わせて圧入する工程、
ｄ’）充填物を硬化させて、スルーホールランドを固定する工程。
【請求項３】
少なくとも下記に記載のａ’’）〜ｄ’’）の工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法。
ａ’’）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ’’）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ’’）スルーホール内に、請求項１に記載のスルーホールランド部の一方の凸部を圧入し、他方の凸部をスルーホールと反対側に突出させる工程、
ｄ’’）スルーホールランドを形成したコア基板に、ビルドアップ材料を、該スルーホールランド部の突出した凸部が貫通するような条件で加熱加圧ラミネートする工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ多層配線基板に係り、特に、電気信号の伝送効率を向上させるビルドアップ多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器において扱うべき情報量は近年の情報技術の進歩によって飛躍的に増大している。大量の情報を処理するためには、半導体素子単体の処理速度を向上させることも重要ではあるが、それと同時に、半導体素子間で受送信する情報量を増やすことも求められている。受送信する情報量を増やすためには、半導体素子間のチャネル数を増やす、あるいは高速信号(以下単に高速信号と記す場合、その周波数は５００ＭＨｚ以上とする)を受送信に使用するなどの手法を考えることができる。
【０００３】
半導体素子間を行き来する信号の経路となるのが、半導体素子が搭載されるビルドアップ多層配線基板に形成される導体部分である。ビルドアップ多層配線基板においては、コア基板を中心に導体層と絶縁層が交互に積層され、信号は導体層上に形成された配線パターン、あるいは導体層間を接続するスルーホール・ビアホールを使って伝送される。
【０００４】
信号の経路を構成する要素のうち、配線パターンについてはサブトラクティブ法などのプロセスで作成される。また、スルーホールやビアホールは、絶縁層にドリルもしくはレーザで穴あけ加工を施した後、穴の内部を導体めっきすることで形成される。
【０００５】
スルーホール・ビアホールのための穴あけ加工を行う際には、他の配線パターンに対してμｍ単位で位置合わせを行う必要がある。しかし、その位置合わせ精度は完全ではないため、配線パターンのうち、スルーホール・ビアホールの上下の開口部にあたる部分には、スルーホールランドと呼ばれる、配線やビアホール・スルーホール本体と比較して面積が広くなった部分が形成される。
【０００６】
ビルドアップ多層配線基板を一般的な半導体インターポーザとして用いる場合、一面が半導体素子の実装面・他方の面がプリント基板などに搭載する面であるので、半導体素子間の信号は、すべてスルーホール・ビアホールといった層間接続のための構造物(以下、層間接続構造)を通過する。そのため、多数の入出力端子を持つ半導体素子に対応するインターポーザには、信号の配線となる層間接続構造を多数設ける必要がある。
【０００７】
多層配線基板を用いて高速信号を伝送する場合、配線の特性インピーダンスを無視することはできない。配線の途中に特性インピーダンスが異なる層間接続構造がある場合、その接続界面で高速信号が反射され、特に高速信号の伝送効率が低下するためである。
【０００８】
ギガヘルツ帯の高速信号に対応するビルドアップ多層配線基板の場合、配線パターンはすべてストリップライン構造など、特性インピーダンスを一定に保つことが可能な構造をとっている。
【０００９】
また、層間接続構造部のうち、スルーホール本体に関しては、電源・グランドラインのスルーホールを適切に配置する、あるいは信号配線となるスルーホールを同軸構造とするなど、特性インピーダンスを一定に保つ対策が知られている。(例えば、特許文献1参照)
しかし、特許文献１では、スルーホールランドに特性インピーダンス制御の対策はなんら施されておらず、スルーホールランドの特性インピーダンスは配線・同軸スルーホールの特性インピーダンスと大きく異なっている。そのため、スルーホールランドとスルーホ
ールの境界において高速信号の反射・伝送効率の低下が起こる。
【特許文献１】特開２００１―１２７４３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
導体素子の入出力端子数は、受送信する情報量に比例して増加する。半導体インターポーザを、インターポーザの面積を一定に保ったまま端子数の多い半導体素子に対応させるには、スルーホールの密度を含む、配線の収容密度を高める必要がある。
【００１１】
しかし、スルーホールランドの存在がスルーホールの密度を高める際の妨げとなる。隣接する配線間のクロストークを防ぐため、スルーホールとスルーホールの間、あるいはスルーホールランドとスルーホールランドの間には一定の間隔を確保する必要があるが、スルーホールランドの径はスルーホールの径より大きいため、スルーホールランド間に必要な間隔を設けた場合、スルーホールのピッチは許容される最小限の間隔よりも広くなるため、スルーホールの単位面積あたりの密度を高められないという問題がある。
【００１２】
また、特に高速信号に対応する半導体インターポーザにおいては、信号の配線となるすべての部分で特性インピーダンスを整合させて、伝送効率が低下しないよう設計しなければならない。しかし、スルーホール本体よりも径の大きいスルーホールランドを設けると、スルーホールランドと、ランドにはさまれたスルーホールとの間に特性インピーダンスの不整合が生じるため、スルーホールランドでの信号の反射が増大し、それに伴い信号の伝送効率が低下するという問題もある。
【００１３】
従って、本発明が解決しようとする課題は、スルーホールとその開口部のランドとの位置合わせを容易にして確実に接続するためにランドの径を大きくせざるを得ないということが、逆にスルーホールの密度を上げられずかつインピーダンスの不整合等上記問題の原因であるという認識にたって、位置合わせが不要なランド構造を具備するビルドアップ多層配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１にかかる発明は、少なくとも、コア基板の両面に複数の絶縁層と導体層が交互に積層され、前記コア基板が、孔部側面に形成された孔部導体層及びその内部に充填された充填物とを有するスルーホール、及び前記孔部導体層と前記導体層を接続するためのスルーホールランド部をスルーホール開口部に具備するビルドアップ多層配線基板であって、前記スルーホールランド部が、前記スルーホールの外径と等しい板状の基部と、前記板状基部の少なくとも一方の面に形成された凸部を有する錨状形状をなし、前記凸部が前記スルーホールもしくは前記充填物に嵌合するように固定されているか、もしくは前記スルーホールランド部の板状基部に凸部が形成されていない面上にビアホールを形成して前記導体層と電気的に接続されているか、もしくは前記ランド部の板状基部の両面に円盤状あるいは円筒状の凸部が形成されて、前記凸部の一方が孔部導体層、他方が前記導体層と電気的に接続するために用いられる下記ａ）〜ｄ）記載の工程を含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法である。
ａ）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ）前記充填物に、請求項１に記載のスルーホールランド部の凸部が嵌合する径の穴加工を行う工程、
ｄ）前記穴に該ランド部の凸部を合せて圧入する工程。
【００１５】
本発明の請求項２にかかる発明は、少なくとも下記に記載のａ’）〜ｄ’）の工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法である。
ａ’）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ’）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ’）前記充填物が、請求項１に記載のスルーホールランド部の凸部を挿入可能な程度の硬度を有する状態において、スルーホール充填物にスルーホールランド部の凸部を合わせて圧入する工程、
ｄ’）充填物を硬化させて、スルーホールランドを固定する工程。
【００１６】
本発明の請求項３にかかる発明は、少なくとも下記に記載のａ’’）〜ｄ’’）の工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法である。
ａ’’）コア基板にスルーホールを形成し、その後導体めっきによりコア基板全面及びスルーホール内面に孔部導体層を形成する工程、
ｂ’’）スルーホール内に充填物を充填する工程、
ｃ’’）スルーホール内に、請求項１に記載のスルーホールランド部の一方の凸部を圧入し、他方の凸部をスルーホールと反対側に突出させる工程、
ｄ’’）スルーホールランドを形成したコア基板に、ビルドアップ材料を、該スルーホールランド部の突出した凸部が貫通するような条件で加熱加圧ラミネートする工程。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、スルーホール本体に外径が等しいスルーホールランドを形成することが可能となるため、スルーホールランドの径に制限されること無くスルーホールのピッチを設定でき、入出力端子数の多い半導体素子に対応したインターポーザを製造できる。
【００２２】
また、本発明によってスルーホール本体に外径が等しいスルーホールランドを形成することで、スルーホール-スルーホールランド間での特性インピーダンス整合が得られ、高速信号の反射防止・信号の伝送効率の向上が達成できる。
【００２３】
さらにまた、スルーホールランドにビアホールをスタックした構造を持つ基板に本発明を適用することで、信号の伝送効率向上とビアホール加工精度の両立が可能となる。伝送特性を改善するためにスルーホールランドの径を縮小すると、定法でスタックビアを加工する際に位置合わせが困難になる。しかし、請求項３に示すように、スルーホールランドと層間を接続する導体を一体に形成することで、ビアホール加工の難易度を上昇させること無く、スルーホールランド径を縮小することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、図を参照しながら説明する。
【００２５】
図１は、本発明になるビルドアップ多層配線基板の一例について、特徴的な一部分の側断面図を示している。
【００２６】
本発明によるビルドアップ多層配線基板１００は、絶縁樹脂１と導体層２を積層したコア基板と、コア基板の両面に交互に積層された絶縁層３、導体層４からなる。コア基板にはスルーホール１１が穿設され、スルーホール内面はコア基板両面の導通を確保するため導体１２でめっきされており、さらにその内部は充填物１３で充填されている。コア基板表面の導体層で閉塞されており、スルーホール内面の導体１２（孔部導体層）と配線パターンとを電気的に接続している。スルーホールランド（以下、ランドとも記す）を組成する部材１４の詳細な断面形状を図２に示した。部材１４は、スルーホール外径と等しい直径のランド部となる板状の基部１４１（以下、単に基部と記す）と、基部から突出してスルーホールランド全体をスルーホールに固定するための凸部１４２からなる錨状の形状を有している。本実施例で下記に記載の板状の基部及び凸部の形状は円盤状もしくは円筒状である。但し、必ずしもこれに制限されることなく場合によっては他の形状であってもかまわない。その際は、基部の形状はスルーホールの外形に合わせるのが望ましい。
【００２７】
絶縁層３は具体的には実施例に示すように、エポキシ系樹脂と無機フィラーからなる絶縁材料を加圧加熱ラミネートして形成することができる。また、絶縁層３の上には、アディティブ法もしくはサブトラクティブ法を用いて、導体層４が形成される。
【００２８】
本発明において、コア基板として両面銅張板から作成された多層配線基板を用いる場合、その厚さは２００μｍ〜８００μｍとするのが好ましい。また、コア基板に３層以上の多層配線基板を用いるばあいも、すべての層の厚さを合計したものがこれに準じた値となるような基板を用意するのが好ましい。
【００２９】
ビルドアップ多層配線基板のうち、スルーホールランドにビアホールがスタックされた構造を持つものにも、本発明によるスルーホールランドを適用できる。
【００３０】
図３は、本発明の他の実施形態によるビルドアップ多層配線基板のうち、ビアホールがスルーホールランドにスタックされた構造を持つものの一例について、特徴的な一部分の側断面図を示している。
【００３１】
図３に示された本発明によるビルドアップ多層配線基板１０１は、絶縁樹脂１と導体層２を積層したコア基板と、コア基板の両面に交互に積層された絶縁層３、導体層４からなる。コア基板にはスルーホール１１が穿設され、スルーホール内面はコア基板両面の導通を確保するため導体（孔部導体層）１２でめっきされており、さらにその内部は充填物１３で充填されている。コア基板表面の導体層には配線パターンが形成されているほか、スルーホールの端部はスルーホールランド１５で閉塞されており、スルーホール内面をめっきする導体と電気的に接続されている。スルーホールランドを組成する部材１５の形状を図４に示した。部材１５は、スルーホール外径と等しい直径のランド部となる板状基部１５１と、スルーホールランド全体をスルーホールに固定するために用いられる凸部１５２に加え、凸部１５２に対して板状基部の裏面に突出して形成され、スルーホールランド部と一体となってランド部にスタックされたビアホールの役目をなすもうひとつの凸部１５３を有する。
【００３２】
絶縁層３は具体的には実施例に示すように、エポキシ系樹脂と無機フィラーからなる絶縁材料を加圧加熱ラミネートして形成することができる。また、導体層４は銅箔を積層し
、露光現像によるパターン作成とエッチングを用いた通常の配線形成方法で形成される。この絶縁層４を積層する工程において、ランド部に設けられた凸部１５３に絶縁層４を貫通させることによって、スルーホールランド部にスタックされたビアホールを、穴加工の工程を経ずに作成することが可能になる。
【００３３】
本発明によるビルドアップ多層配線基板において、スルーホールの外径に等しい直径のスルーホールランドを有するスルーホールを信号の配線とすることにより、さらに好ましい結果が得られる。スルーホールとスルーホールランドの間における特性インピーダンスの不整合が抑制されるため、スルーホールランドで反射される信号が減少し、結果として高速信号の伝送効率が向上する。
【００３４】
次に本発明になるビルドアップ多層配線基板の製造方法の一例について、図５及び図６を参照して説明する。
【００３５】
図５(a)に示した第一の工程では、コア基板１０の所望の箇所にドリルを用いて穴加工を施したのち、無電解銅めっき、続いて電解銅めっきを行なうことで、孔部導体層１２および両面の銅箔上に導体層１６を形成する。本例においてはコア基板として両面銅張板を使用しているが、予め内層に配線を形成し、最外層の全面に銅箔が敷設された多層配線基板を使用することもできる。
【００３６】
続く第二の工程では、スルーホール１１を充填物１３で充填し、その後充填物ごとに適した方法で硬化させ、基板表面をバフ研磨および化学研磨によって所望の厚さにまで研磨して、表面を平坦とする。
【００３７】
図５(b)に示す第三の工程では、導体層上にドライフィルムレジストをラミネートし、さらに、マスクを用いてパターン露光および現像を行ない、その後エッチング加工とドライフィルムレジスト剥離を行うことで、導体層に配線パターン２１を形成する。配線パターン形成にはドライフィルムレジストに限定されず液状レジストを用いてもよく、パターン露光の手法としてはレーザによる直描法を用いてもよい。
【００３８】
図５(c)に示す第四の工程では、ドリルもしくはドリルとレーザを併用して、充填物を充填したスルーホール１１の両端からコア基板を貫通しない程度の深さの穴を設ける。この穴はスルーホールランド自体をコア基板に固定するために用いられるものであり、その直径ｒおよび深さｄは、スルーホールランド部材の凸部１４２及び凸部１５２の直径ｒ'および長さｄ'と等しい。なお、本図ではスルーホールの両端に穴加工を行っているが、ランドを設ける必要のないスルーホールに対しては、本工程および以下図６(e)に示す工程の実施は要しない。
【００３９】
一方、コア基板とは別に銅基材３０を用意し、図５(c)に示すように片面もしくは両面に凸部を形成した後銅基材を打ち抜いて、ランド部となる部材１４および１５を作成する。本実施例においてはスルーホールランド部基材として銅を用いているが、基材として銅合金・４２％鉄含有ニッケルなどを用いてもよい。また、凸部の形成に際しては、基材をハーフエッチングする工法又は基材の表面にパターンめっきで凸部を設ける工法など、既知の工法のいずれかひとつ、もしくは複数の工法を組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
部材１４及び部材１５の各部寸法のうち、基部１４１と基部１５１の外径はスルーホール２１の外径と等しくする必要がある。またこれ以外の寸法についても、適切な値あるいは適切な範囲に管理することにより、好ましい結果を得ることができる。
【００４１】
例えば板状の基部１４１及び基部１５１の厚さと導体層２の高さが一致するよう設定す
ることで、導体層とスルーホールランドの平坦を保ち、絶縁層３や導体層４も平坦に積層できるため望ましい。また、凸部１４２及び凸部１５２の直径ｒ'をスルーホールの径の三分の一以上とすることで、部材１４及び部材１５をコア基板に固定する際の信頼性を確保できる。さらに直径ｒ'をスルーホール内面導体の内径と等しくすることで、スルーホールランド部における特性インピーダンス整合の効果を最大限発揮するようにできる。
【００４２】
図６(e)に示す第五の工程では、スルーホールに設けた穴に部材１４及び部材１５を圧入し、スルーホール端部をスルーホールランドで閉塞する。
【００４３】
図６(f)に示す第六の工程では、導体層２上にエポキシ樹脂などを主成分とし、無機フィラーによって線膨張係数が調整されたビルドアップ材料を積層し、熱硬化することで、絶縁層３を形成する。ここでスルーホールランドに部材１５を用いている場合、積層および熱硬化の条件を適切に定めることにより、突出した凸部１５３で絶縁層３を貫通させることができる。これがスルーホールランドにスタックされたビアホールと同じ役割をする。
【００４４】
次に第七の工程として厚さ約１μｍの無電解銅めっきを行った後、ドライフィルムレジストをラミネートし、マスクもしくはレーザによる直接描画法を用いてパターン露光および現像を行い、配線パターンを形成する。続けて電解銅めっきを行なった後、ドライフィルムレジストの剥離および１μｍ程度エッチングを施し、図６(g)のように導体層4に配線を形成する。
【００４５】
最後に、通常の配線板と同様に最外層にソルダーレジスト層形成や電極の表面めっき処理を行い、多層配線基板が完成する。
【００４６】
ビルドアップ基板の更なる多層化を行う場合は、第六の工程と第七の工程を必要な数の層が形成できるまで繰り返せばよい。
【実施例１】
【００４７】
以下、実施例１により、本発明を具体的に説明する。
【００４８】
厚さ４００μｍのBTレジン基材５１の両面に厚さ１８μｍの銅箔５２を配した、ビルドアップ多層配線基板材料５０(三菱ガス化学製ＣＣＬ−ＨＬ８３０)を準備した。このビルドアップ多層配線基板材料の所望の箇所にドリルを用いて穴加工(直径１００μｍ)を施し、次いで無電解銅めっき(厚さ１μｍ)、続いて電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行なうことで、図６(a)のごとく、スルーホール１１とその内面に銅めっき層１２を形成した。
【００４９】
熱硬化型永久穴埋めインキ(太陽インキ社製ＴＨＰ−１００ＤＸ)を、スクリーン印刷機を用いて上記めっきを施したスルーホールに充填した。充填した穴埋めインキは、１８０℃のクリーンオーブンで１時間加熱し、完全に硬化させた。
【００５０】
両面の導体層が所望の厚さになるまで導体層と穴埋めインキにバフ研磨を施した後、導体層上にドライフィルムレジスト(日立化成工業製ＲＹ−３３１５）をラミネートした。さらに、パターン露光(露光量６０ｍＪ／ｃｍ2 ）および現像(現像液：１％ＮａＣＯ3 )後、塩化第二銅液を用いてエッチング加工およびドライフィルムレジスト剥離(剥離液：５％ＮａＯＨ)を行い、図７(b)のように、導体層に配線パターン２１を形成した。
【００５１】
スルーホール１１に、再びドリルを用いて穴加工(直径１００μｍ)を行った。この時穴の深さは３５μｍであった。続けて同じスルーホールにＵＶ−ＹＡＧレーザで穴加工（直径５０μｍ）を行った。ＵＶ−ＹＡＧレーザで設けた細孔の深さは導体層２の表面より７
０μｍであった。この二つの穴は図７(c)に示すとおり、いずれもスルーホール１１の中心と同じ中心を持つ円形の穴である。
【００５２】
コア基材５０とは別に、厚さ３５μｍの電解銅箔を用意した。この銅箔の両面にドライフィルムレジスト(日立化成工業製ＲＹ−３３１５)をラミネートした後、５００μｍピッチで銅箔の片面に直径５０μｍの突出する凸部１４２が形成されるべく、パターン露光(露光量６０ｍＪ／ｃｍ2 )および現像(現像液：１％ＮａＣＯ3 )によってパターンを形成した。この銅箔に電解めっき(厚さ３５μｍ)を行い、所定の長さの凸部が形成されたところで直径１００μｍの円形に打ち抜いた上で、ドライフィルムレジスト剥離(剥離液：５％ＮａＯＨ)を行い、スルーホールランドとなるランド部材１４を作成した。
【００５３】
ドリルおよびレーザで穴加工を行った基材５０に、前記工程によって作成したランド部材１４を、凸部１４２がＵＶ−ＹＡＧレーザで形成した細孔に嵌合するよう配した。その後、導体層２の上にエポキシ樹脂を主成分とするビルドアップ材料（味の素ファインテクノ社製ＡＢＦ−ＧＸ３）を真空ラミネータで加熱加圧ラミネート（１７０℃、３０Ｎ／ｃｍ２ ）し、さらに２００℃で１時間熱硬化することで、図７(d)のように絶縁層３を形成した。
【００５４】
ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いてビアホールとなる穴加工(直径５０μｍ)を行った。
【００５５】
厚さ約１μｍの無電解銅めっきを行った後、ドライフィルムレジスト５（日立化成工業社製ＲＹ−３３２５）をラミネートし、パターン露光（露光量６０ｍＪ／ｃｍ2 ）および現像（現像液：１％ＮａＣＯ3 ）を行い、図８(e)のように配線形成用パターンを形成した。
【００５６】
続いて電解銅めっきを行なった後、ドライフィルムレジスト５を剥離（剥離液：５％ＮａＯＨ）し、硫酸−過酸化水素系エッチング液により１μｍエッチングし、図８(f)のように導体配線層４の形成を行った。
【実施例２】
【００５７】
以下、実施例２により、本発明の別の一例を具体的に説明する。
【００５８】
厚さ８００μｍのエポキシ含浸ガラス布基材６１の両面に厚さ１８μｍの銅箔６２を配した、ビルドアップ多層配線基板材料６０(日立化成工業製ＭＣＬ−Ｅ−６７９)を準備した。このビルドアップ多層配線基板材料の所望の箇所にドリルを用いて穴加工(直径１５０μｍ)を施し、無電解銅めっき(厚さ１μｍ)続いて電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行なうことで、図９(a)のごとく、スルーホール１１とその内面に銅めっき層１２を形成した。
【００５９】
両面の導体層が１μｍになるまで導体層にバフ研磨を施した後、熱硬化型永久穴埋めインキ(太陽インキ社製ＴＨＰ−１００ＤＸ)を、スクリーン印刷機を用いて上記めっきを施したスルーホールに充填した。充填した穴埋めインキは、１００℃のクリーンオーブンで１時間加熱し、半硬化状態とした。(図９(b))
コア基材６０とは別に、厚さ１８μｍの電解銅箔を用意した。この銅箔の両面にドライフィルムレジスト(日立化成工業製ＲＹ−３３１５)をラミネートした後、５００μｍピッチで銅箔の片面に直径１２０μｍの凸部が、他の一面に同様のピッチで直径６０μｍの凸部がそれぞれ形成されるよう、パターン露光(露光量６０ｍＪ／ｃｍ2 )および現像(現像液：１％ＮａＣＯ3 )によってレジストパターンを形成した。この銅箔に電解めっき(厚さ３５mm)を行い、所定の長さの凸部が形成されたところで直径１５０μｍの円形に打ち抜いた上で、ドライフィルムレジスト剥離(剥離液：５％ＮａＯＨ)を行い、図９(c)-1に示
すようにスルーホールランドとなる部材１５を作成した。
また、同様の手法で厚さ１８μｍの電解銅箔の片面にのみ直径１２０μｍの凸部を形成した後、直径１５０μｍの円形に打ち抜いて、図９(c)-2に示すスルーホールランド部材１４を作成した。
【００６０】
スルーホール１１に充填した半硬化状態の充填物１３に、スルーホールランド部材の凸部１４２および１５２を刺し、図９(d)に示すようにスルーホール末端を閉塞するランド部を形成した。その後基板を１８０℃で１時間ベークし、充填物を完全に硬化させてスルーホールランド部材を固定した。
【００６１】
導体層上にドライフィルムレジスト(ニチゴー・モートン製３０２Ｊ３８Ｅ）をラミネートし、パターン露光(露光量２０ｍＪ／ｃｍ2 ）および現像(現像液：１％ＮａＣＯ3 )によって配線形成用レジストパターンを形成した。その後電解銅めっき（厚さ１５μｍ）とドライフィルムレジスト剥離(剥離液：５％ＮａＯＨ)、硫酸−過酸化水素系エッチング液によるエッチング(１μｍ)を行い、図１０(e)のように、導体層に配線パターン２１を形成した。
【００６２】
基材表面の導体層の上にエポキシ樹脂を主成分とするビルドアップ材料（味の素ファインテクノ社製ＡＢＦ−ＧＸ３）を真空ラミネータで加熱加圧ラミネート（１７０℃、１０Ｎ／ｃｍ2、のち１７０℃、３０Ｎ／ｃｍ2 ）し、さらに２００℃で１時間熱硬化することで、図１０(f)のようにランド部材の突出した凸部１５３が貫通した絶縁層３を形成した。
【００６３】
ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いてビアホールとなる穴加工(直径５０μｍ)を行った。
【００６４】
厚さ約１μｍの無電解銅めっきを行った後、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社製ＲＹ−３３２５）をラミネートし、パターン露光（露光量６０ｍＪ／ｃｍ2 ）および現像（現像液：１％ＮａＣＯ3 ）を行い、配線形成用パターンを形成した。
【００６５】
続いて電解銅めっきを行なった後、ドライフィルムレジストを剥離（剥離液：５％ＮａＯＨ）し、硫酸−過酸化水素系エッチング液により１μｍエッチングし、図１０(g)のように導体配線層４の形成を行った。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明になるビルドアップ多層配線基板の側断面図。
【図２】本発明になるビルドアップ多層配線基板において、スルーホールランドを形成する部材の側断面図。
【図３】本発明になるビルドアップ多層配線基板のうち、スルーホールランド上にビアホールがスタックされたものの側断面図。
【図４】本発明になるビルドアップ多層配線基板において、スルーホールランドとその上にスタックされたビアホールを同時に形成するために用いる部材の側断面図。
【図５】(a)〜(ｄ)  本発明になるビルドアップ基板の製造工程図。
【図６】(ｅ)〜(ｇ)  本発明になるビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する図。
【図７】(a)〜(ｄ)   本発明になるビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する図。
【図８】(ｅ)〜(g)   本発明になるビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する図。
【図９】(a)〜(ｄ)   本発明になるビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する図。
【図１０】(ｅ)〜(g)   本発明になるビルドアップ基板の製造工程の一例を説明する図。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・コア基板絶縁層
２・・・コア基板導体層
３・・・絶縁層
４、１６・・・導体層
５・・・ドライフィルムレジスト
１１・・・スルーホール
１２・・・スルーホール内面の導体層（孔部導体層）
１３・・・充填物
１４・・・スルーホールランド
１５・・・ビアホールがスタックされたスルーホールランド
２１・・・コア基板最外層配線、配線パターン
３０・・・銅基材
１００、１０１・・・ビルドアップ多層配線基板
１４１，１５１・・・板状基部
１４２，１５２，１５３・・・凸部
【図２】
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【図４】
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【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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