(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）走査回路、
（２）映像信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びる走査線、
（５）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるデータ線、並びに、
（６）電流供給部、
を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置における、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、
前記駆動回路は、
（Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備え、電流供給部と有機エレクトロルミネッセンス発光部との間に接続された駆動トランジスタ、
（Ｄ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第１ノード初期化トランジスタ、並びに、
（Ｅ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第２ノード初期化トランジスタ、
を含んでおり、
第１ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｄ−２）他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタのゲート電極側の第１ノードに接続されており、
第２ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部側の駆動トランジスタのソース／ドレイン領域である第２ノードに接続されており、
走査回路の動作に基づき各走査線は順次走査され、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の走査線をＳＣＬm、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｐ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_P、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｑ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_Q（但し、ＰとＱは、１＜Ｐ＜Ｑ＜Ｍの関係を満たし、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において所定の値）と表すとき、
走査線ＳＣＬmが走査される所定の長さに固定された期間において、映像信号出力回路の動作に基づいてデータ線には第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも先に走査される有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号と第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号とが順次供給されるように設定されており、
有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法は、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が、駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が、有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加し、走査線ＳＣＬm_pre_Qからの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタを介して、第２ノード初期化電圧供給線から第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加し、次いで、
（ｂ）走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態を維持した第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加した状態で、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部と導通させ、以て、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させ、その後、
（ｃ）データ線から第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも先に走査される有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号と第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号とを順次第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）第１ノードを浮遊状態とし、電流供給部から、駆動トランジスタを介して、第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流す、
工程から成る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項２】
各走査線が走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たす請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項３】
Ｐ＝２、且つ、Ｑ＝３である請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項４】
前記駆動回路は、データ線と駆動トランジスタのゲート電極との間に配され、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタを更に備えており、
第ｍ行目の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項５】
前記（ｃ）において、走査線ＳＣＬmからの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタによって書込み処理を行う請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項６】
前記（ｄ）において走査線ＳＣＬmからの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とする請求項４または請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項７】
前記駆動回路は、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域と電流供給部との間に配され、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、発光制御トランジスタ制御線に接続されたゲート電極を備えた発光制御トランジスタを更に備えており、
前記（ｂ）において、発光制御トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部と導通させる請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項８】
前記駆動回路は、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続された一方の電極と、駆動トランジスタのゲート電極に接続された他方の電極とを有するコンデンサ部を更に備えている請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
【請求項９】
（１）走査回路、
（２）映像信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びる走査線、
（５）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるデータ線、並びに、
（６）電流供給部、
を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記駆動回路は、
（Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備え、電流供給部と有機エレクトロルミネッセンス発光部との間に接続された駆動トランジスタ、
（Ｄ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第１ノード初期化トランジスタ、並びに、
（Ｅ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第２ノード初期化トランジスタ、
を含んでおり、
第１ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｄ−２）他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタのゲート電極側の第１ノードに接続されており、
第２ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部側の駆動トランジスタのソース／ドレイン領域である第２ノードに接続されており、
走査回路の動作に基づき各走査線は順次走査され、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の走査線をＳＣＬm、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｐ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_P、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｑ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_Q（但し、ＰとＱは、１＜Ｐ＜Ｑ＜Ｍの関係を満たし、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において所定の値）と表すとき、
走査線ＳＣＬmが走査される所定の長さに固定された期間において、映像信号出力回路の動作に基づいてデータ線には第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも先に走査される有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号と第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号とが順次供給されるように設定されており、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が、駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が、有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧が印加され、走査線ＳＣＬm_pre_Qからの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタを介して、第２ノード初期化電圧供給線から第２ノードに第２ノード初期化電圧が印加され、次いで、
（ｂ）走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態を維持した第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加した状態で、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部と導通させ、以て、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させ、その後、
（ｃ）データ線から第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも先に走査される有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号と第ｍ番目の有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する映像信号とが順次第１ノードに印加される書込み処理が行われ、次いで、
（ｄ）第１ノードが浮遊状態とされ、電流供給部から、駆動トランジスタを介して、第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス発光部に流される、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
各走査線が走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たす請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
Ｐ＝２、且つ、Ｑ＝３である請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
前記駆動回路は、データ線と駆動トランジスタのゲート電極との間に配され、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタを更に備えており、
第ｍ行目の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
前記（ｃ）において、走査線ＳＣＬmからの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタによって書込み処理が行われる請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１４】
前記（ｄ）において走査線ＳＣＬmからの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とする請求項１２または請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１５】
前記駆動回路は、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域と電流供給部との間に配され、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、発光制御トランジスタ制御線に接続されたゲート電極を備えた発光制御トランジスタを更に備えており、
前記（ｂ）において、発光制御トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部と導通させる請求項９ないし請求項１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１６】
前記駆動回路は、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続された一方の電極と、駆動トランジスタのゲート電極に接続された他方の電極とを有するコンデンサ部を更に備えている請求項９ないし請求項１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と略称する）を発光素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）において、有機ＥＬ素子の輝度は、有機ＥＬ素子を流れる電流値によって制御される。そして、液晶表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、単純マトリクス方式に比べて構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等、種々の利点を有する。
【０００３】
有機ＥＬ素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する）を駆動するための回路として、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００６−２１５２１３号公報から周知である。５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図１２に示すように、映像信号書込みトランジスタＴSig、駆動トランジスタＴDrv、発光制御トランジスタＴEL_C、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ1から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ2を構成し、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極は第１ノードＮＤ1を構成する。
【０００４】
尚、これらのトランジスタ及びコンデンサ部については、後に詳しく説明する。
【０００５】
例えば、各トランジスタはｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、発光部ＥＬＰは、駆動回路を覆うように形成された層間絶縁層等の上に設けられている。発光部ＥＬＰのアノード電極は、駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧ＶCat（例えば、０ボルト）が印加される。符号ＣELは発光部ＥＬＰの寄生容量を表す。
【０００６】
有機ＥＬ表示装置は、図１３に概念図を示すように、
（１）走査回路１０１、
（２）映像信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部ＥＬＰ、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、
（６）電流供給部１００、
（７）発光制御トランジスタ制御回路１０３、
（８）第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４、並びに、
（９）第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５、
を備えている。尚、図１３においては、便宜のため３×３個の有機ＥＬ素子１０を示したが、これは単なる例示に過ぎない。
【０００７】
各有機エレクトロルミネッセンス素子１０における駆動のタイミングチャートを模式的に図１４に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１５の（Ａ）〜（Ｄ）及び図１６の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。図１４に示すように、［期間−ＴＰ（５）1］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４及び第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき、第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND1及び第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND2をハイレベルとする。これにより、図１５の（Ｂ）に示すように、第１ノード初期化トランジスタＴND1及び第２ノード初期化トランジスタＴND2をオン状態とすることで、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ2の電位は、ＶSS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、これによって、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差が、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖth以上となる。駆動トランジスタＴDrvはオン状態である。
【０００８】
次いで、図１４に示すように、［期間−ＴＰ（５）2］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。図１５の（Ｄ）に示すように、第１ノード初期化トランジスタＴND1のオン状態を維持したまま、［期間−ＴＰ（５）2］の始期において発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cをハイレベルとする。これにより、発光制御トランジスタＴEL_Cをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。そして、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶthに達すると、駆動トランジスタＴDrvがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードの電位は、概ね（ＶOfs−Ｖth）である。その後、［期間−ＴＰ（５）3］において、第１ノード初期化トランジスタＴND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cをローレベルとし、発光制御トランジスタＴEL_Cをオフ状態とする。次に、［期間−ＴＰ（５）4］において、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４の動作に基づき第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND1をローレベルとすることによって、第１ノード初期化トランジスタＴND1をオフ状態とする。
【０００９】
次いで、図１４に示すように、［期間−ＴＰ（５）5］において、駆動トランジスタＴDrvに対する書込み処理を行う。具体的には、図１６の（Ｃ）に示すように、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、及び、発光制御トランジスタＴEL_Cのオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）ＶSig］とし、次いで、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって映像信号書込みトランジスタＴSigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶSigへと上昇する。第１ノードＮＤ1の電位の変化分に基づく電荷は、コンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣEL、駆動トランジスタＴDrvにおけるゲート電極と発光部ＥＬＰ側のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。従って、第１ノードＮＤ1の電位が変化すると、第２ノードＮＤ2の電位も変化する。しかし、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値が大きな値である程、第２ノードＮＤ2の電位の変化は小さくなる。そして、一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値は、コンデンサ部Ｃ1の容量値及び駆動トランジスタＴDRVの寄生容量の値よりも大きい。そこで、第２ノードＮＤ2の電位は殆ど変化しないとすれば、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（Ａ）のとおりとなる。
【００１０】
Ｖgs≒ＶSig−（ＶOfs−Ｖth）    （Ａ）
【００１１】
その後、図１４に示すように、［期間−ＴＰ（５）6］において、駆動トランジスタＴDrvの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ2の電位）を上昇させる移動度補正処理を行う。具体的には、図１６の（Ｄ）に示すように、駆動トランジスタＴDrvのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタＴEL_Cをオン状態とし、次いで、所定の時間（ｔ0）が経過した後、映像信号書込みトランジスタＴSigをオフ状態とする。その結果、駆動トランジスタＴDrvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴDrvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）6］の全時間ｔ0）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。
【００１２】
Ｖgs≒ＶSig−（ＶOfs−Ｖth）−ΔＶ    （Ｂ）
【００１３】
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（５）7］において、映像信号書込みトランジスタＴSigがオフ状態となり、第１ノードＮＤ1、即ち、図１６の（Ｅ）に示すように、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極は浮遊状態となる一方、発光制御トランジスタＴEL_Cはオン状態を維持しており、発光制御トランジスタＴEL_Cの一方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部（電圧ＶCC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ2の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴDrvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ1の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴDrvのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsであるので、式（Ｃ）で表すことができる。発光部ＥＬＰは、ドレイン電流Ｉdsの値に応じた輝度で発光する。
【００１４】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2
＝ｋ・μ・（ＶSig−ＶOfs−ΔＶ）2    （Ｃ）
【００１５】
以上に概要を説明した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動等についても、後に詳しく説明する。
【００１６】
【特許文献１】特開２００６−２１５２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
以上説明したように、図１３に示す従来の有機ＥＬ表示装置にあっては、走査回路、映像信号出力回路、発光制御トランジスタ制御回路の他、第１ノード初期化トランジスタ制御回路、及び、第２ノード初期化トランジスタ制御回路を用いて、有機ＥＬ素子を制御している。有機ＥＬ表示装置の製造の容易化や歩留まりの向上等を図る観点からは、有機ＥＬ素子を制御するために用いられる回路の種類は、少ないことが望ましい。
【００１８】
従って、本発明の目的は、有機ＥＬ素子を制御するための回路を削減することができる有機ＥＬ表示装置、及び、係る有機ＥＬ表示装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に用いられる有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、これらを単に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置と呼ぶ場合がある）は、
（１）走査回路、
（２）映像信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（５）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
（６）電流供給部、
を備えている。
【００２０】
上述した有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路は、
（Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
（Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、
（Ｃ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた発光制御トランジスタ、
（Ｄ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第１ノード初期化トランジスタ、
（Ｅ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第２ノード初期化トランジスタ、並びに、
（Ｆ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
から構成されており、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、  映像信号書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
発光制御トランジスタにおいては、
（Ｃ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
（Ｃ−２）ゲート電極は、発光制御トランジスタ制御線に接続されており、
第１ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｄ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
第２ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されている。
【００２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の走査線をＳＣＬm、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｐ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_P、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｑ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_Q（但し、ＰとＱは、１＜Ｐ＜Ｑ＜Ｍの関係を満たし、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において所定の値）と表すとき、第ｍ行目の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、走査回路の動作に基づき各走査線は順次走査されると共に、各走査線が走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たしていることを特徴とする。
【００２３】
そして、上記の目的を達成するための本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法（以下、単に、本発明の駆動方法と呼ぶ場合がある）は、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が、駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が、有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加し、走査線ＳＣＬm_pre_Qからの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタを介して、第２ノード初期化電圧供給線から第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで、
（ｂ）走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態を維持した第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加した状態で、発光制御トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部と導通させ、以て、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線ＳＣＬmからの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬmからの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、電流供給部から、発光制御トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタと駆動トランジスタとを介して、第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流す、
工程から成ることを特徴とする。
【００２４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、第ｍ行目の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている。従って、背景技術において説明した第１ノード初期化トランジスタ制御回路、及び、第２ノード初期化トランジスタ制御回路を必要としない。これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と呼ぶ場合がある）を制御するための回路を削減することができる。
【００２５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置にあっては、各走査線が走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複する。これにより、本発明の駆動方法にあっては、上記の重複期間において、第１ノード初期化トランジスタと第２ノード初期化トランジスタとが共にオン状態となり、背景技術において説明した閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理を支障なく行うことができる。また、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しないので、前処理に引き続く各種の処理を背景技術において説明したと同様に行うことができる。従って、表示画像の品質に何ら影響を与えることがない。
【００２６】
上述したように、本発明の有機ＥＬ表示装置にあっては、第ｍ行目の有機ＥＬ素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている。上述したＰ、Ｑの値は、各走査線が走査される所定の長さに固定された期間が、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たすことを妨げない限り、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定することができる。尚、第ｍ行目の有機ＥＬ素子から走査線ＳＣＬm_pre_P，ＳＣＬm_pre_Qへ至る配線の長さは、Ｐ、Ｑの値が大きい程、長くなる。有機ＥＬ表示装置の製造上、走査線ＳＣＬm_pre_P，ＳＣＬm_pre_Qへ至る配線の長さは、できるだけ短いことが望ましい。上記の観点からは、Ｐ＝２、且つ、Ｑ＝３とする構成であることが好ましい。
【００２７】
本発明の駆動方法にあっては、工程（ｂ）において、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行なう。定性的には、閾値電圧キャンセル処理において、第１ノードと第２ノードとの間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタのゲート電極とソース領域との間の電位差）が駆動トランジスタの閾値電圧に近づく程度は、閾値電圧キャンセル処理の時間により左右される。従って、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分長く確保した形態にあっては、第２ノードの電位は第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に達する。そして、第１ノードと第２ノードとの間の電位差は駆動トランジスタの閾値電圧に達し、駆動トランジスタはオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を短く設定せざるを得ない形態にあっては、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧より大きく、駆動トランジスタはオフ状態とはならない場合がある。本発明の駆動方法にあっては、閾値電圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタがオフ状態となることを要しない。
【００２８】
尚、工程（ｂ）において、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させるには、前記工程（ａ）における第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾値電圧を加えた電圧を超える電圧を電流供給部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加すればよい。
【００２９】
本発明の駆動方法にあっては、工程（ｄ）において、走査線からの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とする。この時期と、発光制御トランジスタ制御線からの信号により発光制御トランジスタをオン状態とする時期との先後関係は、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定することができる。例えば、映像信号書込みトランジスタをオフ状態とした後、直ちに、あるいは、所定の間隔を空けて、発光制御トランジスタをオン状態とする態様であってもよいし、発光制御トランジスタをオン状態とした後、映像信号書込みトランジスタをオフ状態とする態様であってもよい。尚、発光制御トランジスタをオン状態とした後、映像信号書込みトランジスタをオフ状態とする態様にあっては、発光制御トランジスタと映像信号書込みトランジスタとが共にオン状態となる期間が存在する。この期間において、駆動トランジスタの特性に応じて第２ノードの電位を上昇させる移動度補正処理の動作が行われる。尚、発光制御トランジスタをオン状態とした状態で、工程（ｃ）を行う構成とすることもできる。この構成にあっては、書込み処理において実質的に移動度補正処理が併せて行なわれる。
【００３０】
以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の有機ＥＬ表示装置、及び、本発明の駆動方法、（以下、これらを単に、本発明と略称する場合がある）において、走査回路、映像信号出力回路等の各種の回路、走査線、データ線等の各種の配線、電流供給部、有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と呼ぶ場合がある）の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。具体的には、発光部は、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。
【００３１】
有機ＥＬ素子を構成する駆動回路は、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）である。駆動回路の詳細は後述する。
【００３２】
駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができるが、場合によっては、例えば、発光制御トランジスタや映像信号書込みトランジスタ等にｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いることもできる。コンデンサ部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の有機ＥＬ表示装置にあっては、第ｍ行目の有機ＥＬ素子を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている。即ち、背景技術において説明した第１ノード初期化トランジスタ制御回路、及び、第２ノード初期化トランジスタ制御回路を必要としない。これにより、有機ＥＬ素子を制御するための回路を削減することができる。また、本発明の有機ＥＬ表示装置にあっては、各走査線が走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複する。これにより、本発明の駆動方法にあっては、上記の重複期間において、第１ノード初期化トランジスタと第２ノード初期化トランジスタとが共にオン状態となり、背景技術において説明した閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理を支障なく行うことができる。また、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しないので、前処理に引き続く各種の処理を背景技術において説明したと同様に行うことができる。従って、表示画像の品質に何ら影響を与えることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例】
【００３５】
実施例の有機ＥＬ表示装置は、図１に概念図を示すように、
（１）走査回路１０１、
（２）映像信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路を備えている有機ＥＬ素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（６）電流供給部１００、
を備えている。尚、図１においては、３×３個の有機ＥＬ素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。
【００３６】
上述したように、各有機ＥＬ素子１０は、駆動回路、及び、発光部ＥＬＰを備えている。ここで、発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等の周知の構成、構造を有する。また、走査線ＳＣＬの一端に走査回路１０１が設けられている。更には、走査回路１０１、映像信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電流供給部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。
【００３７】
駆動回路は、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部Ｃ1から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）である。即ち、実施例の駆動回路は、図２に示すように、（Ａ）駆動トランジスタＴDrv、（Ｂ）映像信号書込みトランジスタＴSig、（Ｃ）発光制御トランジスタＴEL_C、（Ｄ）第１ノード初期化トランジスタＴND1、（Ｅ）第２ノード初期化トランジスタＴND2、並びに、（Ｆ）一対の電極を備えたコンデンサ部Ｃ1を備えた駆動回路である。
【００３８】
上述した駆動トランジスタＴDrv、映像信号書込みトランジスタＴSig、発光制御トランジスタＴEL_C、第１ノード初期化トランジスタＴND1、及び、第２ノード初期化トランジスタＴND2は、それぞれ、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、映像信号書込みトランジスタＴSig、発光制御トランジスタＴEL_C、第１ノード初期化トランジスタＴND1、及び、第２ノード初期化トランジスタＴND2をｐチャネル型のＴＦＴから形成してもよい。
【００３９】
図３に有機ＥＬ素子１０の一部分の模式的な一部断面図を示す。有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタ及びコンデンサ部Ｃ1は支持体２０上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部Ｃ1の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴDrvのソース領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図３においては、駆動トランジスタＴDrvのみを図示する。駆動トランジスタＴDrv以外のトランジスタは隠れて見えない。
【００４０】
より具体的には、駆動トランジスタＴDrvは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５、及び、ソース／ドレイン領域３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、コンデンサ部Ｃ1は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ2に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、コンデンサ部Ｃ1を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７（第２ノードＮＤ2に相当する）に接続されている。駆動トランジスタＴDrv及びコンデンサ部Ｃ1等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ2）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。
【００４１】
以上、有機ＥＬ素子１０の構造を簡単に説明した。次いで、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成するトランジスタ等の接続について説明する。
【００４２】
図２に示すように、駆動トランジスタＴDrvにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタＴEL_Cの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ1の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ2を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタＴSigの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ1の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ1を構成する。
【００４３】
また、映像信号書込みトランジスタにおいては、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。
【００４４】
そして、発光制御トランジスタＴEL_Cにおいては、
（Ｃ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部１００に接続されており、
（Ｃ−２）ゲート電極は、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cに接続されている。尚、発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極の接続については、後程、図４や図５を参照して改めて説明する。
【００４５】
また、第１ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線ＰＳND1に接続されており、
（Ｄ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードＮＤ1に接続されている。
【００４６】
そして、第２ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線ＰＳND2に接続されており、
（Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードＮＤ2に接続されている。
【００４７】
以上、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成するトランジスタ等の接続の概要を説明した。
【００４８】
尚、図１３を参照して説明した従来の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子の駆動回路において、第１ノード初期化トランジスタのゲート電極が第１ノード初期化トランジスタ制御回路に接続され、第２ノード初期化トランジスタのゲート電極が第１ノード初期化トランジスタ制御回路に接続される点が相違する他、上記で説明したと同様の構成を有する。
【００４９】
次いで、実施例の有機ＥＬ表示装置における各有機ＥＬ素子１０の映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、及び、発光制御トランジスタＴEL_Cの各ゲート電極の接続について説明する。
【００５０】
以下の説明において、実施例の有機ＥＬ表示装置における第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の走査線をＳＣＬmと表す。また、記載の便宜のため、第ｍ番目の発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_CをＣＬmと表す。後述する図６に示すように、実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、走査回路１０１の動作に基づき、走査線ＳＣＬ1乃至ＳＣＬMの順に、各走査線ＳＣＬは順次走査される。
【００５１】
図１に示すように、実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路において、第１ノード初期化トランジスタＴND1のゲート電極は第Ｐ本分先行して走査される走査線ＳＣＬに接続されており、第２ノード初期化トランジスタＴND2のゲート電極は第Ｑ本分先行して走査される走査線ＳＣＬに接続されている。
【００５２】
実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、第ｍ番目の走査線ＳＣＬmよりも第Ｐ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_P、該走査線ＳＣＬmよりも第Ｑ本分先行して走査される走査線をＳＣＬm_pre_Q（但し、ＰとＱは、１＜Ｐ＜Ｑ＜Ｍの関係を満たし、有機ＥＬ表示装置において所定の値）と表すとき、第ｍ行目の有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタＴSigのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されており、第１ノード初期化トランジスタＴND1のゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Pに接続されており、第２ノード初期化トランジスタＴND2のゲート電極は走査線ＳＣＬm_pre_Qに接続されている。
【００５３】
より具体的には、実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、Ｐ＝２、且つ、Ｑ＝３である。図４は、実施例の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのゲート電極の配線を模式的に示した図である。尚、図５は、図４から主に第ｍ行目の有機ＥＬ素子１０に関係する部分を抜き出した図である。図４や図５に示すように、第ｍ行目の有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路において、映像信号書込みトランジスタＴSigのゲート電極は走査線ＳＣＬmに接続されている。そして、第１ノード初期化トランジスタＴND1のゲート電極は、走査線ＳＣＬmよりも第Ｐ本分（実施例においては第２本分）先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_Pに対応する走査線ＳＣＬm-2に接続されている。また、第２ノード初期化トランジスタＴND2のゲート電極は、走査線ＳＣＬmよりも第Ｑ本分（実施例においては第３本分）先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_Qに対応する走査線ＳＣＬm-3に接続されている。また、発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極は、第ｍ番目の発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_CであるＣＬmに接続されている。
【００５４】
上述したように、実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、走査線ＳＣＬ1乃至ＳＣＬMの順に各走査線ＳＣＬは順次走査される。従って、Ｐ＝２、且つ、Ｑ＝３であるとき、第１行目の有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路においては、第Ｑ本分先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_Qは走査線ＳＣＬM-2であり、第Ｐ本分先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_Pは走査線ＳＣＬM-1である。図４に示す配線Ｃは図示せぬ走査線ＳＣＬM-2に接続され、配線Ｅは走査線ＳＣＬM-1に接続されている。同様に、図示せぬ第３行目の有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路における配線Ａは走査線ＳＣＬMに接続されている。第２行目の有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路における配線Ｂは、走査線ＳＣＬM-1に接続され、配線Ｄは、走査線ＳＣＬMに接続されている。尚、画像表示に寄与しないダミーの走査線を走査線ＳＣＬ1の前段（例えば、走査線ＳＣＬ0，ＳＣＬ-1，ＳＣＬ-2等）に形成しておき、これらのダミーの走査線を含めて順次走査し、走査線ＳＣＬm_pre_PやＳＣＬm_pre_Qがこれらのダミーの走査線に対応する構成とすることもできる。
【００５５】
以上、実施例の有機ＥＬ表示装置における各有機ＥＬ素子１０の映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、及び、発光制御トランジスタＴEL_Cの各ゲート電極の接続について説明した。次いで、走査線ＳＣＬにおける信号、及び、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cにおける信号について説明する。
【００５６】
図６は、実施例の有機ＥＬ表示装置の走査線ＳＣＬと発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cにおける信号の模式的なタイミングチャートである。図６に示すように、或るフレーム、例えば、第Ｕ番目のフレームは、期間Ｔ1〜期間ＴMで形成される。期間Ｔ1を含む図６に示す各期間の長さは、所謂水平走査期間（１Ｈ）である。期間Ｔ1前の状態は前フレーム（即ち、第（Ｕ−１）番目のフレーム）の形成中の状態であり、第（Ｕ−１）番目のフレームにおける期間ＴM以前の状態である。同様に期間ＴM後の状態は、後フレーム（即ち、第（Ｕ＋１）番目のフレーム）の形成中の状態である。尚、図６においては、便宜のため、第（Ｕ−１）番目、第（Ｕ＋１）番目のフレームにおける各期間の表記を省略した。他の図面においても同様である。
【００５７】
実施例の有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、走査回路１０１の動作に基づき各走査線ＳＣＬは順次走査される。そして、各走査線ＳＣＬが走査される所定の長さに固定された期間は、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たしている。以下、図６を参照して詳しく説明する。
【００５８】
実施例の有機ＥＬ表示装置にあっては、各走査線ＳＣＬに印加される走査パルスの固定された長さを、所謂水平走査期間（１Ｈ）の略１．５倍の長さとした。より具体的には、図６に示すように、走査線ＳＣＬmに印加される走査パルスは、期間Ｔmの始期よりも水平走査期間（１Ｈ）の略半分先行して立ち上がり、期間Ｔmの終期で立ち下がる。他の走査線ＳＣＬについても同様に、走査パルスは本来の期間よりも水平走査期間（１Ｈ）の略半分先行して立ち上がる。
【００５９】
これにより、図６に示すように、走査線ＳＣＬm_pre_Q（実施例においては走査線ＳＣＬm-3）が走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_P（実施例においては走査線ＳＣＬm-2）が走査される期間の一部とが重複する。また、走査パルスが先行して立ち上がる期間の長さは水平走査期間（１Ｈ）未満であるから、走査線ＳＣＬm_pre_P（実施例においては走査線ＳＣＬm-2）が走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とは重複しない。
【００６０】
尚、走査パルスの立ち上がりが、水平走査期間（１Ｈ）以上先行して立ち上がる構成とすることもできる。例えば、走査パルスの立ち上がりが、水平走査期間（１Ｈ）の２倍先行して立ち上がる構成とすることもできる。但し、その場合には、走査線ＳＣＬm-2が走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複し、上記の条件を満たさない。従って、上述した条件、即ち、走査線ＳＣＬm_pre_Qが走査される期間の一部と走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間の一部とが重複し、且つ、走査線ＳＣＬm_pre_Pが走査される期間と走査線ＳＣＬmが走査される期間とが重複しない条件を満たすＰ、Ｑを、改めて選択する必要がある。
【００６１】
また、図６に示すように、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cには、所定の波形の信号が印加される。発光制御トランジスタ制御線ＣＬm-1における信号の波形と、発光制御トランジスタ制御線ＣＬm1における信号の波形とは、立ち上がり／立ち下がりが水平走査期間（１Ｈ）ずれている点を除く他、同様の形状である。尚、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cの信号の変化の詳細は、後述する有機ＥＬ素子１０の動作の説明において述べる。
【００６２】
以上、走査線ＳＣＬにおける信号、及び、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cにおける信号について説明した。次いで、図６に示す信号と、各行における有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態との関係について、概要を簡単に説明する。
【００６３】
上述したように、実施例においては、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する駆動トランジスタＴDrv、映像信号書込みトランジスタＴSig、発光制御トランジスタＴEL_C、第１ノード初期化トランジスタＴND1、及び、第２ノード初期化トランジスタＴND2は、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。従って、ゲート電極がハイレベルであればトランジスタはオン状態となる。また、ゲート電極がローレベルであればトランジスタはオフ状態となる。従って、各トランジスタのオン／オフ状態の変化は、各トランジスタのゲート電極の信号の形状に倣う。
【００６４】
図７は、図４に示す有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのゲート電極の配線と、図６に示す走査線ＳＣＬと発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cにおける信号の模式的なタイミングチャートに基づき、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態を模式的に示した図である。図７においては、第（ｍ−３）行目乃至第ｍ行目の有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、及び、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン／オフ状態を示した。
【００６５】
以上、図６に示す信号と、各行における有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態との関係について簡単に説明した。
【００６６】
次いで、実施例の発光部ＥＬＰの駆動方法を説明する。
【００６７】
有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されているが、以下の説明において、１つの画素は、３つの副画素（赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素）から構成されているとする。また、各画素を構成する有機ＥＬ素子１０は、上述したように線順次駆動され、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素、より具体的には、Ｎ個の副画素のそれぞれを構成する有機ＥＬ素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各有機ＥＬ素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、駆動回路の構成に応じて適宜選択すればよい。
【００６８】
ここで、原則として、第ｍ行目、第ｎ列（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）に位置する有機ＥＬ素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る有機ＥＬ素子１０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０あるいは第（ｎ，ｍ）番目の副画素と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。
【００６９】
そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部ＥＬＰを発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部ＥＬＰを発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部ＥＬＰを発光させてもよい。この所定の期間は、有機ＥＬ表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部ＥＬＰを発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部ＥＬＰの発光は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部ＥＬＰの発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において書込み処理や移動度補正処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部ＥＬＰは、非発光状態を維持する。上述した非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。但し、各副画素（有機ＥＬ素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。
【００７０】
１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。
【００７１】
図８の（Ａ）に、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、発光制御トランジスタＴEL_Cの各ゲート電極の信号を模式的に示す。図８の（Ａ）に示すように、映像信号書込みトランジスタＴSigのゲート電極には、図６に示す走査線ＳＣＬmの信号が印加され、第１ノード初期化トランジスタＴND1のゲート電極には、図６に示す走査線ＳＣＬm-2の信号が印加され、第２ノード初期化トランジスタＴND2のゲート電極には、走査線ＳＣＬm-3の信号が印加される。上述したように、各トランジスタのオン／オフ状態の変化は、各トランジスタのゲート電極の信号の形状に倣う。図８の（Ｂ）に、有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン／オフ状態を示す。
【００７２】
図９に、図８の（Ｂ）に示す映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン／オフ状態のタイミングチャートと、有機ＥＬ素子１０を構成する駆動回路における第１ノードＮＤ1の電位と、第２ノードＮＤ2の電位とを合わせて示した。即ち、図９は、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【００７３】
実施例の駆動方法においては、
（ａ）第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差が、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthを越え、且つ、第２ノードＮＤ2と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELを越えないように、走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタＴND1を介して、第１ノード初期化電圧供給線ＰＳND1から第１ノードＮＤ1に第１ノード初期化電圧を印加し、走査線ＳＣＬm_pre_Qからの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタＴND2を介して、第２ノード初期化電圧供給線ＰＳND2から第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで、
（ｂ）走査線ＳＣＬm_pre_Pからの信号によりオン状態を維持した第１ノード初期化トランジスタＴND1を介して、第１ノード初期化電圧供給線ＰＳND1から第１ノードＮＤ1に第１ノード初期化電圧を印加した状態で、発光制御トランジスタ制御線ＣＬmからの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタＴEL_Cを介して駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部１００と導通させ、以て、第１ノードＮＤ1の電位を保った状態で、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線ＳＣＬmからの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタＴSigを介して、データ線ＤＴＬから映像信号を第１ノードＮＤ1に印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬmからの信号により映像信号書込みトランジスタＴSigをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ1を浮遊状態とし、電流供給部１００から、発光制御トランジスタ制御線ＣＬmからの信号によりオン状態とされた発光制御トランジスタＴEL_Cと駆動トランジスタＴDrvとを介して、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことにより、発光部ＥＬＰを駆動する。
【００７４】
上述したように、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図２に示し、有機ＥＬ表示装置の概念図を図１に示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図９に示した。また、有機ＥＬ素子１０の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１０の（Ａ）〜（Ｅ）及び図１１の（Ａ）〜（Ｆ）に示した。これらの図を参照して、以下、上述した工程（ａ）乃至（ｄ）を詳細に説明する。
【００７５】
尚、背景技術において、図１４、図１５の（Ａ）〜（Ｄ）、及び、図１６の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して概略を説明した従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路における動作は、実施例の動作に対し、以下の点が相違する。
【００７６】
従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路における動作では、図１４に示すように［期間−ＴＰ（５）1］の始期において、第１ノード初期化トランジスタＴND1と第２ノード初期化トランジスタＴND2とがオン状態となるのに対し、実施例の動作では、図９に示すように［期間−ＴＰ（５）1A］〜［期間−ＴＰ（５）1B］において、第２ノード初期化トランジスタＴND2がオン状態となった後に、第１ノード初期化トランジスタＴND1がオン状態となる。
【００７７】
また、実施例の動作では、走査パルスが先行して立ち上がるため、図９に示すように、［期間−ＴＰ（５）5A］において前段の映像信号が書き込まれ、次いで、［期間−ＴＰ（５）5B］において本来の映像信号が書き込まれる。一方、従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路における動作では、図９に示す［期間−ＴＰ（５）1A］に対応する期間はないので、前段の映像信号が書き込まれることがない。
【００７８】
上記の相違を除く他、従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路における動作は、実質的に実施例と同様である。従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路におけるタイミングチャートである図１４に示す各期間は、図９に示す各期間に概ね対応する。
【００７９】
上述したように、実施例の有機ＥＬ表示装置を構成する５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴSig、駆動トランジスタＴDrv、発光制御トランジスタＴEL_C、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ1から構成されている。
【００８０】
［発光制御トランジスタＴEL_C］
発光制御トランジスタＴEL_Cの一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部１００（電圧ＶCC）に接続され、発光制御トランジスタＴEL_Cの他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。また、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン状態／オフ状態は、発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極に接続された発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cによって制御される。尚、電流供給部１００は、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰに電流を供給し、発光部ＥＬＰの発光を制御するために設けられている。また、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cは、発光制御トランジスタ制御回路１０３に接続されている。
【００８１】
［駆動トランジスタＴDrv］
駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、発光制御トランジスタＴEL_Cの他方のソース／ドレイン領域に接続されている。即ち、駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタＴEL_Cを介して、電流供給部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴDrvの他方のソース／ドレイン領域は、
（１）発光部ＥＬＰのアノード電極、
（２）第２ノード初期化トランジスタＴND2の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）コンデンサ部Ｃ1の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ2を構成する。また、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極は、
（１）映像信号書込みトランジスタＴSigの他方のソース／ドレイン領域、
（２）第１ノード初期化トランジスタＴND1の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）コンデンサ部Ｃ1の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ1を構成する。
【００８２】
ここで、駆動トランジスタＴDrvは、有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉdsを流すように駆動される。有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ  ：実効的な移動度
Ｌ  ：チャネル長
Ｗ  ：チャネル幅
Ｖgs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖth：閾値電圧
Ｃox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox
とする。
【００８３】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2    （１）
【００８４】
このドレイン電流Ｉdsが有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉdsの値の大小によって、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。
【００８５】
［映像信号書込みトランジスタＴSig］
映像信号書込みトランジスタＴSigの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極に接続されている。一方、映像信号書込みトランジスタＴSigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、映像信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、ＶSig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、映像信号書込みトランジスタＴSigのオン状態／オフ状態は、映像信号書込みトランジスタＴSigのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬ（ＳＣＬm）によって制御される。
【００８６】
［第１ノード初期化トランジスタＴND1］
第１ノード初期化トランジスタＴND1の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極に接続されている。一方、第１ノード初期化トランジスタＴND1の一方のソース／ドレイン領域には、第１ノードＮＤ1の電位（即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位）を初期化するための電圧ＶOfsが供給される。また、第１ノード初期化トランジスタＴND1のオン状態／オフ状態は、第１ノード初期化トランジスタＴND1のゲート電極に接続された第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND1によって制御される。第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND1は、第Ｐ本分先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_P（実施例においては、走査線ＳＣＬm-2）に接続されている。
【００８７】
［第２ノード初期化トランジスタＴND2］
第２ノード初期化トランジスタＴND2の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴDrvのソース領域に接続されている。一方、第２ノード初期化トランジスタＴND2の一方のソース／ドレイン領域には、第２ノードＮＤ2の電位（即ち、駆動トランジスタＴDrvのソース領域の電位）を初期化するための電圧ＶSSが供給される。また、第２ノード初期化トランジスタＴND2のオン状態／オフ状態は、第２ノード初期化トランジスタＴND2のゲート電極に接続された第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND2によって制御される。第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺND2は、第Ｑ本分先行して走査される走査線ＳＣＬm_pre_Q（実施例においては、走査線ＳＣＬm-3）に接続されている。
【００８８】
［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴDrvのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧ＶCatが印加される。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号ＣELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶth-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶth-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。
【００８９】
以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。
【００９０】
ＶSig  ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・０ボルト〜１０ボルト
ＶCC   ：発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部の電圧
・・・２０ボルト
ＶOfs  ：駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ1の電位）を初期化するための電圧
・・・０ボルト
ＶSS   ：駆動トランジスタＴDrvのソース領域の電位（第２ノードＮＤ2の電位）を初期化するための電圧
・・・−１０ボルト
Ｖth   ：駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧
・・・３ボルト
ＶCat  ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖth-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト
【００９１】
以下、実施例の有機ＥＬ表示装置を構成する５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。尚、上述したように、各種の処理（閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が全て完了した後、直ちに発光状態が始まるものとして説明するが、これに限るものではない。
【００９２】
［期間−ＴＰ（５）-1］（図９、図１０の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０が発光状態にある期間である。即ち、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０における発光部ＥＬＰには、後述する式（５）に基づくドレイン電流Ｉ’dsが流れており、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０の輝度は、係るドレイン電流Ｉ’dsに対応した値である。ここで、映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1及び第２ノード初期化トランジスタＴND2はオフ状態であり、発光制御トランジスタＴEL_C及び駆動トランジスタＴDrvはオン状態である。第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０の発光状態は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。
【００９３】
図９に示す［期間−ＴＰ（５）0］〜［期間−ＴＰ（５）5A］は、前回の各種の処理完了後の発光状態が終了した後から、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。即ち、この［期間−ＴＰ（５）0］〜［期間−ＴＰ（５）5A］は、実施例においては、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの或る時間長さの期間である。
【００９４】
そして、この［期間−ＴＰ（５）0］〜［期間−ＴＰ（５）5A］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。即ち、［期間−ＴＰ（５）0］〜［期間−ＴＰ（５）1B］、［期間−ＴＰ（５）3］〜［期間−ＴＰ（５）5A］においては、発光制御トランジスタＴEL_Cはオフ状態であるので、有機ＥＬ素子１０は発光しない。尚、［期間−ＴＰ（５）2］においては、発光制御トランジスタＴEL_Cはオン状態となる。しかし、この期間においては後述する閾値電圧キャンセル処理が行われている。閾値電圧キャンセル処理の説明において詳しく述べるが、後述する式（２）を満たすことを前提とすれば、有機ＥＬ素子１０が発光することはない。
【００９５】
以下、先ず、［期間−ＴＰ（５）0］〜［期間−ＴＰ（５）4］の各期間について説明する。尚、［期間−ＴＰ（５）1A］の始期、［期間−ＴＰ（５）1B］の始期は、上述したＰ、Ｑの値に応じて定まる。実施例においては、［期間−ＴＰ（５）1A］の始期は期間Ｔm-4の始期であり、［期間−ＴＰ（５）1B］の始期は期間Ｔm-3の始期である。［期間−ＴＰ（５）2］の始期、［期間−ＴＰ（５）2］〜［期間−ＴＰ（５）3］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。尚、［期間−ＴＰ（５）4］の始期は上述したＰの値に応じて定まり、期間の長さは、上述したＰの値と走査パルスが先行して立ち上がる程度に応じて定まる。
【００９６】
［期間−ＴＰ（５）0］
上述したように、この［期間−ＴＰ（５）0］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は、非発光状態にある。映像信号書込みトランジスタＴSig、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2はオフ状態である。また、［期間−ＴＰ（５）-1］から［期間−ＴＰ（５）0］に移る時点で、発光制御トランジスタＴEL_Cがオフ状態となるが故に、第２ノードＮＤ2（駆動トランジスタＴDrvのソース領域あるいは発光部ＥＬＰのアノード電極）の電位は、（Ｖth-EL＋ＶCat）まで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴDrvのゲート電極）の電位も低下する。
【００９７】
［期間−ＴＰ（５）1A］〜［期間−ＴＰ（５）1B］
上記の期間（実質的には［期間−ＴＰ（５）1B］）において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理を行う。以下、詳細に説明する。
【００９８】
［期間−ＴＰ（５）1A］（図９、図１０の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）1A］（実施例では、期間Ｔm-4に対応する）の完了以前において、走査線ＳＣＬm_pre_Qに対応する走査線ＳＣＬm-3はローレベルからハイレベルとなる。走査線ＳＣＬm-3からの信号に基づき、第２ノード初期化トランジスタＴND2はオン状態となる。そして、オン状態とされた第２ノード初期化トランジスタＴND2を介して、第２ノード初期化電圧供給線ＰＳND2から第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧を印加する。第２ノードＮＤ2の電位は、（Ｖth-EL＋ＶCat）からＶSSに低下する。また、第２ノードＮＤ2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ1の電位も低下する。
【００９９】
［期間−ＴＰ（５）1B］（図９、図１０の（Ｃ）及び（Ｄ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）1B］（実施例では、期間Ｔm-3と期間Ｔm-2の一部に対応する）の完了以前において、走査線ＳＣＬm_pre_Pに対応する走査線ＳＣＬm-2はローレベルからハイレベルとなる。走査線ＳＣＬm-2からの信号に基づき、第１ノード初期化トランジスタＴND1はオン状態となる。また、走査線ＳＣＬm_pre_Qに対応する走査線ＳＣＬm-3はハイレベルであるので、第２ノード初期化トランジスタＴND2もオン状態を維持する。オン状態とされた第１ノード初期化トランジスタＴND1を介して、第１ノード初期化電圧供給線ＰＳND1から第１ノードＮＤ1に第１ノード初期化電圧を印加し、オン状態を維持した第２ノード初期化トランジスタＴND2を介して、第２ノード初期化電圧供給線ＰＳND2から第２ノードＮＤ2に第２ノード初期化電圧を印加する。
【０１００】
その結果、第１ノードＮＤ1の電位はＶOfs（０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ2の電位は、ＶSS（−１０ボルト）となる。第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位差は１０ボルトであり、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthは３ボルトであるので、駆動トランジスタＴDrvはオン状態となる。尚、第２ノードＮＤ2と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELを越えない。
【０１０１】
以上の処理により、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶth以上となる。駆動トランジスタＴDrvはオン状態である。
【０１０２】
この［期間−ＴＰ（５）1B］の完了以前（実施例では、期間Ｔm-3の終期）において、走査線ＳＣＬm_pre_Qに対応する走査線ＳＣＬm-3はハイレベルからローレベルとなり、第２ノード初期化トランジスタＴND2はオフ状態となる。
【０１０３】
［期間−ＴＰ（５）2］（図９、図１０の（Ｅ）参照）
この期間に、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。以下、詳細に説明する。
【０１０４】
走査線ＳＣＬm_pre_Pに対応する走査線ＳＣＬm-2からの信号によりオン状態を維持した第１ノード初期化トランジスタＴND1を介して、第１ノード初期化電圧供給線ＰＳND1から第１ノードＮＤ1に第１ノード初期化電圧を印加した状態で、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタ制御線ＣＬmをローレベルからハイレベルとし、発光制御トランジスタ制御線ＣＬmからの信号により発光制御トランジスタＴEL_Cをオン状態とする。そして、オン状態とされた発光制御トランジスタＴEL_Cを介して駆動トランジスタＴDrvの一方のソース／ドレイン領域を電流供給部１００と導通させる。
【０１０５】
その結果、第１ノードＮＤ1の電位は変化しないが（ＶOfs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ1の電位から駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ2の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が上昇する。そして、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶthに達すると、駆動トランジスタＴDrvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位が（ＶOfs−Ｖth＝−３ボルト＞ＶSS）に近づき、最終的に（ＶOfs−Ｖth）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。
【０１０６】
（ＶOfs−Ｖth）＜（Ｖth-EL＋ＶCat）    （２）
【０１０７】
以上説明したように、工程（ｂ）により、第２ノードＮＤ2の電位は、最終的に、（ＶOfs−Ｖth）となる。即ち、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存して、第２ノードＮＤ2の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【０１０８】
［期間−ＴＰ（５）3］（図９、図１１の（Ａ）参照）
次いで、走査線ＳＣＬm_pre_Pに対応する走査線ＳＣＬm-2からの信号により第１ノード初期化トランジスタＴND1のオン状態を維持したまま、［期間−ＴＰ（５）3］の始期において、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタＴEL_Cをハイレベルからローレベルにする。その結果、発光制御トランジスタＴEL_Cはオフ状態となる。第１ノードＮＤ1の電位は変化せず（ＶOfs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ2の電位も（ＶOfs−Ｖth＝−３ボルト）を保持する。
【０１０９】
［期間−ＴＰ（５）4］（図９、図１１の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）4］の始期（実施例では、期間Ｔm-1の始期）において、走査線ＳＣＬm_pre_Pに対応する走査線ＳＣＬm-2からの信号により、第１ノード初期化トランジスタＴND1はオフ状態となる。第１ノードＮＤ1及び第２ノードＮＤ2の電位は、実質上、変化しない。実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる。
【０１１０】
次いで、［期間−ＴＰ（５）5A］〜［期間−ＴＰ（５）7］の各期間について説明する。尚、後述するように、［期間−ＴＰ（５）5B］において、上記工程（ｃ）、即ち、書込み処理が行わわれる。そして、実施例においては、［期間−ＴＰ（５）6］において移動度補正処理が行われる。上述したように、これらの処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる。
【０１１１】
［期間−ＴＰ（５）5A］（図９、及び、図１１の（Ｃ）参照）
上述したように、実施例においては、走査パルスは水平走査期間（１Ｈ）の略半分先行して立ち上がる。従って、走査線ＳＣＬmは期間Ｔm-1においてローレベルからハイレベルとなり、映像信号書込みトランジスタＴSigは、期間Ｔm-1においてオフ状態からオン状態となる。ここで、期間Ｔm-1においては、図１や図２に示すデータ線ＤＴＬには、前段の映像信号ＶSig_pre（換言すれば、第（ｎ，ｍ−１）番目の有機ＥＬ素子１０のための映像信号）が、映像信号出力回路１０２によって印加される。従って、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶSig_preへと上昇する。
【０１１２】
［期間−ＴＰ（５）5B］（図９、及び、図１１の（Ｄ）参照）
そして、期間Ｔmにおいては、データ線ＤＴＬには、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０のための映像信号ＶSigが印加される。また、走査線ＳＣＬmはハイレベルを維持している。従って、走査線ＳＣＬmからの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタＴSigを介して、データ線ＤＴＬから映像信号ＶSigが第１ノードＮＤ1に印加され、書込み処理が行われる。第１ノードＮＤ1の電位は、ＶSig_preからＶSigへと変化する。従って、［期間−ＴＰ（５）5A］において、前段の映像信号ＶSig_preが印加されても、動作上問題となることはない。
【０１１３】
ここで、コンデンサ部Ｃ1の容量は値ｃ1であり、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量は値ｃELである。そして、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量の値をｃgsとする。駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位がＶOfsからＶSig（＞ＶOfs）に変化したとき、コンデンサ部Ｃ1の両端の電位（第１ノードＮＤ1及び第２ノードＮＤ2の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ1の電位）の変化分（ＶSig−ＶOfs）に基づく電荷が、コンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣEL、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃELが、値ｃ1及び値ｃgsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位の変化分（ＶSig−ＶOfs）に基づく駆動トランジスタＴDrvのソース領域（第２ノードＮＤ2）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値ｃELは、コンデンサ部Ｃ1の容量値ｃ1及び駆動トランジスタＴDRVの寄生容量の値ｃgsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図９に示した駆動のタイミングチャートも、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮せずに示した。駆動トランジスタＴDrvのゲート電極（第１ノードＮＤ1）の電位をＶg、駆動トランジスタＴDrvのソース領域（第２ノードＮＤ2）の電位をＶsとしたとき、Ｖgの値、Ｖsの値は以下のとおりとなる。それ故、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位差、即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（３）で表すことができる。
【０１１４】
Ｖg ＝ＶSig
Ｖs ≒ＶOfs−Ｖth
Ｖgs≒ＶSig−（ＶOfs−Ｖth）      （３）
【０１１５】
即ち、駆動トランジスタＴDrvに対する書込み処理において得られたＶgsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSig、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖth、及び、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極を初期化するための電圧ＶOfsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELとは無関係である。
【０１１６】
［期間−ＴＰ（５）6］（図９、図１１の（Ｅ）参照）
その後、駆動トランジスタＴDrvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴDrvのソース領域（第２ノードＮＤ2）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。
【０１１７】
一般に、駆動トランジスタＴDrvをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生じることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴDrvのゲート電極に同じ値の映像信号ＶSigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴDrvを流れるドレイン電流Ｉdsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴDrvを流れるドレイン電流Ｉdsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生じると、有機ＥＬ表示装置の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。
【０１１８】
従って、具体的には、駆動トランジスタＴDrvのオン状態を維持したまま、期間Ｔmの完了以前に、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cをハイレベルとし、発光制御トランジスタＴEL_Cをオン状態とする。次いで、所定の時間（ｔ0）が経過した後、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴSigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ1（駆動トランジスタＴDrvのゲート電極）を浮遊状態とする。そして、以上の結果、駆動トランジスタＴDrvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴDrvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴDrvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴDrvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。
【０１１９】
Ｖgs≒ＶSig−（ＶOfs−Ｖth）−ΔＶ      （４）
【０１２０】
尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）6］の全時間ｔ0）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴDrvのソース領域における電位（ＶOfs−Ｖth＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（５）6］の全時間ｔ0は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（５）6］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox）のばらつきの補正も同時に行われる。
【０１２１】
（ＶOfs−Ｖth＋ΔＶ）＜（Ｖth-EL＋ＶCat）    （２’）
【０１２２】
［期間−ＴＰ（５）7］（図９、図１１の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この期間内に、上記の工程（ｄ）を以下のように行う。即ち、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬmをローレベルとし、映像信号書込みトランジスタＴSigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ1、即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極を浮遊状態とする。そして、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、発光制御トランジスタ制御線ＣＬmをハイレベルに保ち、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン状態を維持し、発光制御トランジスタＴEL_Cのドレイン領域が、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部１００（電圧ＶCC、例えば２０ボルト）に接続された状態に保つ。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ2の電位は上昇する。
【０１２３】
ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、コンデンサ部Ｃ1が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴDrvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ1の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、式（４）の値を保持する。
【０１２４】
また、第２ノードＮＤ2の電位が上昇し、（Ｖth-EL＋ＶCat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴDrvのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）のように変形することができる。
【０１２５】
Ｉds＝ｋ・μ・（ＶSig−ＶOfs−ΔＶ）2    （５）
【０１２６】
従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉdsは、例えば、ＶOfsを０ボルトに設定した場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号ＶSigの値から、駆動トランジスタＴDrvの移動度μに起因した第２ノードＮＤ2（駆動トランジスタＴDrvのソース領域）における電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉdsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-EL、及び、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖth-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴDrvの閾値電圧Ｖthの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０の輝度は、係る電流Ｉdsに対応した値である。
【０１２７】
しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴDrvほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶgsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（ＶSig−ＶOfs−ΔＶ）2の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉdsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴDrvにおいても、映像信号ＶSigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉdsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉdsが均一化される。即ち、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部の輝度のばらつきを補正することができる。
【０１２８】
発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（５）-1］の終わりに相当する。
【０１２９】
以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｎ，ｍ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。
【０１３０】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ素子、駆動回路を構成する各種の構成要素の構成、構造、発光部の駆動方法における工程は例示であり、適宜、変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】図１は、有機ＥＬ表示装置の概念図である。
【図２】図２は、５トランジスタ／１コンデンサ部から構成された駆動回路の等価回路図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ素子の一部分の模式的な一部断面図である。
【図４】図４は、有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのゲート電極の配線を模式的に示した図である。
【図５】図５は、図４から主に第ｍ行目の有機ＥＬ素子１０に関係する部分を抜き出した図である。
【図６】図６は、有機ＥＬ表示装置の走査線と発光制御トランジスタ制御線における信号の模式的なタイミングチャートである。
【図７】図７は、図４に示す有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのゲート電極の配線と、図６に示す走査線ＳＣＬと発光制御トランジスタ制御線における信号の模式的なタイミングチャートに基づき、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態を模式的に示した図である。
【図８】図８の（Ａ）は、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子における映像信号書込みトランジスタ、第１ノード初期化トランジスタ、第２ノード初期化トランジスタ、発光制御トランジスタの各ゲート電極の信号を模式的に示す。図８の（Ｂ）は、有機ＥＬ素子における映像信号書込みトランジスタ、第１ノード初期化トランジスタ、第２ノード初期化トランジスタ、発光制御トランジスタのオン／オフ状態を示す。
【図９】図９は、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子の駆動のタイミングチャートの模式図である。
【図１０】図１０の（Ａ）〜（Ｅ）は、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図１１】図１１の（Ａ）〜（Ｆ）は、図１０の（Ｅ）に引き続き、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の等価回路図である。
【図１３】図１３は、従来の有機ＥＬ表示装置の概念図である。
【図１４】図１４は、有機エレクトロルミネッセンス素子における駆動の模式的なタイミングチャートである。
【図１５】図１５の（Ａ）〜（Ｄ）は、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【図１６】図１６の（Ａ）〜（Ｅ）は、図１５の（Ｄ）に引き続き、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１３２】
ＴSig・・・映像信号書込みトランジスタ、ＴDrv・・・駆動トランジスタ、ＴEL_C・・・発光制御トランジスタ、ＴND1・・・第１ノード初期化トランジスタ、ＴND2・・・第２ノード初期化トランジスタ、Ｃ1・・・コンデンサ部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部）、ＣEL・・・発光部ＥＬＰの寄生容量、ＮＤ1・・・第１ノード、ＮＤ2・・・第２ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＣＬEL_C・・・発光制御トランジスタ制御線、ＡＺND1・・・第１ノード初期化トランジスタ制御線、ＡＺND2・・・第２ノード初期化トランジスタ制御線、１０，１０1，１０N・・・有機エレクトロルミネッセンス素子、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３５・・・ソース／ドレイン領域、３４・・・チャネル形成領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８，３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電流供給部、１０１・・・走査回路、１０２・・・映像信号出力回路、１０３・・・発光制御トランジスタ制御回路
【図１】
0005157317.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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