(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハの該ダイシングテープ側を切削装置のチャックテーブル上に保持し、環状の切れ刃の外周部の断面形状がＶ字状の切削ブレードを用いて、該環状の切れ刃の外周縁の下端を該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハの裏面に達する位置に位置付け、ウエーハを該分割予定ラインに沿って切断することにより該接着フィルムに該分割予定ラインに沿って幅の狭い破断ラインまたは断面がＶ字状の破断溝を形成するウエーハ切削工程と、
該ウエーハ切削工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムに張力を作用せしめ、該接着フィルムを該切削溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
該接着フィルム破断工程を実施した後、該分割予定ラインに沿って分割された個々のデバイスを裏面に該接着フィルムが装着されている状態で該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する、請求項１記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが４０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ７０〜８０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断する方法においては、ウエーハの厚みが厚い場合（例えば５００μm以上）には半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断してもデバイスに損傷が生じることはないが、半導体ウエーハの厚みが薄く（例えば２００μm以下）なると接着フィルムが糊状であるため切削中に半導体ウエーハが踊りデバイスの側面（切断面）にチッピングが発生してデバイスの品質を低下させるという問題がある。また、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断すると、接着フィルムの切断屑が髭状に生成されてデバイスに設けられたボンディングパッドに付着するという問題がある。また、切削ブレードの切れ刃はダイヤモンド砥粒をメッキで固めて形成されているので、接着フィルムを切断すると目詰まりが生じて頻繁にドレッシングを行う必要があり、切削ブレードの寿命が低下するという問題もある。なお、上述した問題を解消するためには、切削ブレードによって半導体ウエーハのみを切断して個々のデバイスに分割し、その後、半導体ウエーハの裏面に装着された接着フィルムが貼着されているダイシングテープを拡張することにより、接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する方法も考えられるが、切削ブレードによる半導体ウエーハの切断溝の幅に起因して接着フィルムの破断面が波打ち、接着フィルムが不均一に分離されてデバイスの品質の安定が図れないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムをデバイスの品質を低下させることなく装着することができるデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハの該ダイシングテープ側を切削装置のチャックテーブル上に保持し、環状の切れ刃の外周部の断面形状がＶ字状の切削ブレードを用いて、該環状の切れ刃の外周縁の下端を該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハの裏面に達する位置に位置付け、ウエーハを該分割予定ラインに沿って切断することにより該接着フィルムに該分割予定ラインに沿って幅の狭い破断ラインまたは断面がＶ字状の破断溝を形成するウエーハ切削工程と、
該ウエーハ切削工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムに張力を作用せしめ、該接着フィルムを該切削溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【０００７】
上記接着フィルム破断工程を実施した後、分割予定ラインに沿って分割された個々のデバイスを裏面に接着フィルムが装着されている状態でダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ウエーハ切削工程においては切削ブレードを構成する環状の切れ刃の断面形状がV字状の外周縁だけが接着フィルムに接触するので、ウエーハの厚みが薄くても切削中に踊ることはなく、ウエーハの切断面にチッピングが生じることはない。また、ウエーハ切削工程においては接着フィルムを切断しないので、切削ブレードを構成する切れ刃に目詰まりが生じないとともに、髭状の切削屑が発生することもない。また、ウエーハ切削工程においてはウエーハの裏面が環状の切れ刃の断面形状がV字状の外周縁だけで切断されるので、接着フィルムには分割予定ラインに沿って極めて幅の狭い破断ラインが形成されるか断面がV字状の破断溝が形成されるため、接着フィルム破断工程においてダイシングテープを拡張することにより接着フィルムが極めて幅の狭い破断ラインまたは断面がV字状の破断溝に沿って破断される。従って、接着フィルムの破断面が波状となることがなく均一となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明によるデバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが１００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。
【００１１】
上述した半導体ウエーハ２の裏面２bには、図２の(a)および(b)に示すようにダイボンディング用の接着フィルム３が装着される（接着フィルム装着工程）。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム３は、図示の実施形態においてはエポキシ系樹脂からなり、その厚さが８０μmに形成されている。
【００１２】
接着フィルム装着工程を実施したならば、図３の(a)および(b)に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ２の接着フィルム３側を貼着する（ウエーハ支持工程）。なお、上記ダイシングテープTは、図示の実施形態においては厚さが８０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが５μｍ程度塗布されている。
【００１３】
上述した接着フィルム装着工程およびウエーハ支持工程の他の実施形態について、図４を参照して説明する。
図４に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム３が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図４の（ａ）および（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム３を、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ（ＬＥ５０００）を用いることができる。
【００１４】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、環状の切れ刃の外周部の断面形状がV字状の切削ブレードを用い、ダイシングテープＴに貼着された半導体ウエーハ２を表面２a側から分割予定ライン２１に沿って切断するとともに、環状の切れ刃の外周縁によって接着フィルム３に分割予定ライン２１に沿って断面がV字状の切削溝を形成するウエーハ切削工程を実施する。このウエーハ切削工程は、図５の(a)に示す切削装置４を用いて実施する。図５の(a)に示す切削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物を切削する切削ブレード４２０を備えた切削手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図５の(a)において矢印Ｘで示す加工送り方向および該加工送り方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。切削ブレード４２０は円盤状の基台４２１と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃４２２からなっており、環状の切れ刃４２２は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒をメッキによって固定して形成されており、図５の(b)に示すように外周部４２２aは断面形状がV字状に形成されている。上記撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１５】
このように構成された切削装置４を用いてウエーハ切削工程を実施するには、チャックテーブル４１上に上述したウエーハ支持工程において半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。なお、図５の(a)においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム固定クランプによって固定される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって上記撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００１６】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード４２０との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１７】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、切削領域のアライメントが実施されたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動せしめる。このとき、図６に示すように半導体ウエーハ２は切削すべき分割予定ライン２１の一端（図６において左端）が切削ブレード４２０の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４２０を図６において矢印４２０aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって下方に切り込み送りし、図６において実線で示すように切削ブレード４２０を構成する環状の切れ刃４２２の外周縁の下端が半導体ウエーハ２の裏面(下面)に達する切り込み送り位置に位置付ける。
【００１８】
上述したように切削ブレード４２０の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２０を図６において矢印４２０aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル４１を図６において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード４２０の直下を通過したらチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、図７に示すように半導体ウエーハ２が分割予定ライン２１に沿って環状の切れ刃４２２の幅と略同一の幅を有する切断溝２１０によって切断されるとともに、半導体ウエーハ２の裏面(下面)は切削ブレード４２０を構成する環状の切れ刃４２２の外周縁だけによって切断される。このとき、切削ブレード４２０を構成する環状の切れ刃４２２の外周縁が半導体ウエーハ２の裏面(下面)より接着フィルム３側に位置付けられていれば、図７に示すように接着フィルム３には環状の切れ刃４２２の断面形状がV字状の外周部４２２aによって断面がV字状の破断溝３１が形成される。なお、切削ブレード４２０を構成する環状の切れ刃４２２の外周縁が半導体ウエーハ２の裏面(下面)に達するが接着フィルム３を切削しない場合には、接着フィルム３には分割予定ライン２１に沿って極めて幅の狭い破断ラインが形成される。このように、ウエーハ切削工程においては、切削ブレード４２０を構成する環状の切れ刃４２２の断面形状がV字状の外周部４２２aにおける外周縁だけが接着フィルム３に接触するので、半導体ウエーハ２の厚みが２００μm以下であっても切削中に踊ることはなく、半導体ウエーハ２の切断面にチッピングが生じることはない。また、ウエーハ切削工程においては接着フィルム３を切断しないので、切削ブレード４２０を構成する切れ刃４２に目詰まりが生じないとともに、髭状の切削屑が発生することもない。
【００１９】
上述したウエーハ切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。この結果、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って切断され個々のデバイス２２に分割されるとともに、接着フィルム３には分割予定ライン２１（個々のデバイス２２の外周辺）に沿って格子状に破断溝３１または極めて幅の狭い破断ラインが形成される。
【００２０】
上述したようにウエーハ切削工程を実施したならば、ダイシングテープTを拡張して接着フィルム３に張力を作用せしめ、接着フィルム３を上記切削溝３１に沿って破断する接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程は図８に示す接着フィルム破断装置を用いて実施される。図８に示す接着フィルム破断装置６は、基台６１と、該基台６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第１のテーブル６２と、該第１のテーブル６２上に矢印Ｙと直交する矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第２のテーブル６３を具備している。基台６１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール６１１、６１２が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方の案内レール６１１には、その上面に断面がＶ字状の案内溝６１１aが形成されている。
【００２１】
上記第１のテーブル６２は、中央部に矩形状の開口６２１を備えた窓枠状に形成されている。この第１のテーブル６２の一方の側部下面には、上記基台６１に設けられた一方の案内レール６１１に形成されている案内溝６１１aに摺動可能に嵌合する被案内レール６２２が設けられている。また第１のテーブル６２の両側部上面には上記被案内レール６２２と直交する方向に２本の案内レール６２３、６２４が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方案内レール６２３には、その上面に断面がＶ字状の案内溝６２３aが形成されている。このように構成された第１のテーブル６２は、被案内レール６２２を基台６１に設けられた一方の案内レール６１１に形成された案内溝６１１aに嵌合するとともに、他方の側部下面を基台６１に設けられた他方の案内レール６１２上に載置される。図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、第１のテーブル６２を基台６１に設けられた案内レール６１１、６１２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動する第１の移動手段６４を具備している。
【００２２】
上記第２のテーブル６３は矩形状に形成され、一方の側部下面には上記第１のテーブル６２に設けられた一方の案内レール６２３に形成されている案内溝６２３aに摺動可能に嵌合する被案内レール６３２が設けられている。このように構成された第２のテーブル６３は、被案内レール６３２を第１のテーブル６２に設けられた一方の案内レール６２３に形成されている案内溝６２３aに嵌合するとともに、他方の側部下面を第１のテーブル６２に設けられた他方の案内レール６２４上に載置される。図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、第２のテーブル６３を上記第１のテーブル６２に設けられた案内レール６２３、６２４に沿って矢印Ｘで示す方向に移動する第２の移動手段６５を具備している。
【００２３】
図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段６６と、該フレーム保持手段６６に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段６７を具備している。フレーム保持手段６６は、環状のフレーム保持部材６６１と、該フレーム保持部材６６１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６６２とからなっている。フレーム保持部材６６１の上面は環状のフレームFを載置する載置面６６１aを形成しており、この載置面６６１a上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面６６１a上に載置された環状のフレームFは、クランプ６６２によってフレーム保持部材６６１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６６は、第２のテーブル６３の上方に配設され、後述するテープ拡張手段６７によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２４】
テープ拡張手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６６１の内側に配設される拡張ドラム６７０を具備している。この拡張ドラム６７０は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６７０は、下端部に上記第２のテーブル６３に設けられた穴(図示せず)の内周面に回動可能に嵌合する装着部を備えているとともに、該装着部の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ６７１を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６６１を上下方向に進退可能な支持手段６７２を具備している。この支持手段６７２は、上記支持フランジ６７１上に配設された複数のエアシリンダ６７３からなっており、そのピストンロッド６７４が上記環状のフレーム保持部材６６１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６７３からなる支持手段６７２は、図８および図９の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６６１を載置面６６１aが拡張ドラム６７０の上端と略同一高さとなる基準位置と、図９の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６６１を載置面６６１aが拡張ドラム６７０の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。
【００２５】
図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、図８に示すように上記拡張ドラム６７０およびフレーム保持部材６６１を回動せしめる回動手段６８を具備している。この回動手段６８は、上記第２のテーブル６３に配設されたパルスモータ６８１と、該パルスモータ６８１の回転軸に装着されたプーリ６８２と、該プーリ６８２と拡張ドラム６７０の支持フランジ６７１とに捲回された無端ベルト６８３とからなっている。このように構成された回動手段６８は、パルスモータ６８１を駆動することにより、プーリ６８２および無端ベルト６８３を介して拡張ドラム６７０を回動せしめる。
【００２６】
図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、上記環状のフレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームＦにダイシングテープＴを介して支持されている半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２を検出するための検出手段７を具備している。検出手段７は、基台６１に配設されたＬ字状の支持柱７１に取り付けられている。この検出手段７は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記環状のフレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームＦにダイシングテープＴを介して支持されている半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。
【００２７】
また、図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、個々に分割されたデバイス２２をダイシングテープTからピックアップするピックアップ手段８を具備している。このピックアップ手段８は、基台６１に配設された旋回アーム８１と、該旋回アーム８１の先端に装着されたピックアップコレット８２とからなっており、旋回アーム８１が図示しない駆動手段によって旋回せしめられる。なお、旋回アーム８１は上下動可能に構成されており、先端に装着されたピックアップコレット８２は、ダイシングテープTに貼着されている個々に分割されたデバイス２２をピックアップすることができる。
【００２８】
図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は以上のように構成されており、この接着フィルム破断装置６を用いて実施する接着フィルム破断工程について、主に図９を参照して説明する。
上述したウエーハ切削工程が実施された半導体ウエーハ２（個々のデバイス２２に分割されている）および半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム３（個々のデバイス２２の外周辺に沿って格子状に切削溝３１が形成される）をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６６を構成するフレーム保持部材６６１の載置面６６１a上に載置し、クランプ６６２によってフレーム保持部材６６１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６６１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。
【００２９】
図９の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているフレーム保持部材６６１に、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２（個々のデバイス２２に分割されている）をダイシングテープTを介して支持した環状のフレーム４を固定したならば、テープ拡張手段６７を構成する支持手段６７２としての複数のエアシリンダ６７３を作動して、環状のフレーム保持部材６６１を図９の（ｂ）に示す拡張位置まで下降せしめる。従って、フレーム保持部材６６１の載置面６６１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（b）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６７０の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３には放射状に引張力が作用するので、接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられるとともに、図１０に示すように接着フィルム３はデバイス２２の外周辺に沿って破断される。このとき、接着フィルム３には上記図７に示すように分割予定ライン２１（デバイス２２外周辺）に沿って断面がV字状の破断溝３１または極めて幅の狭い破断ラインが形成されているので、この断面がV字状の破断溝３１または極めて幅の狭い破断ラインに沿って破断されるため、破断面が波状となることがなく均一となる。なお、上述したテープ拡張工程を実施する際には、接着フィルム３に例えば１０℃以下の冷却流体（エアー）を噴射し、接着フィルム３を冷却して伸縮性を低下せることが望ましい。
【００３０】
上述したように接着フィルム破断工程を実施したならば、第１の移動手段６４および第２の移動手段６５を作動して第１のテーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に移動するとともに、第２のテーブル６３を矢印Ｘで示す方向（図８参照）に移動し、フレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに接着フィルム３を介して貼着されている個々のデバイス２２を検出手段７の直下に位置付ける。そして、検出手段７を作動し個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向と一致するかを確認する。もし、個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向とズレているならば、回動手段６８を作動しフレーム保持手段６６を回動して一致させる。次に、第１のテーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に移動するとともに、第２のテーブル６３を矢印Ｘで示す方向（図８参照）に移動しつつ、図１１に示すようにピックアップ手段８を作動しピックアップコレット８２によって所定位置に位置付けられたデバイス２２（裏面に接着フィルム３が装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。このピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。従って、デバイス２２の厚さが１００μm以下であっても接触により破損することなく確実にピックアップすることができる。このようにしてピックアップされたデバイス２２の裏面には、図１２に示すようにデバイス２２の外周辺に沿って均一に破断された接着フィルム３が装着されている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。
【図２】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程を示す説明図。
【図３】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ支持工程を示す斜視図。
【図４】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程およびウエーハ支持工程の他の実施形態を示す説明図。
【図５】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ切削工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図６】図５に示す切削装置を用いて本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ切削工程を実施する状態を示す説明図。
【図７】図６に示すウエーハ切削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。
【図８】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム破断工程を実施するための接着フィルム破断装置の斜視図。
【図９】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム破断工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム破断工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。
【図１１】本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程の説明図。
【図１２】本発明によるデバイスの製造方法によって製造されたデバイスの斜視図。
【符号の説明】
【００３２】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：接着フィルム
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
４２０：切削ブレード
４２２：切削ブレードの切れ刃
４３：撮像手段
６：ピックアップ拡張装置
６１：基台
６２：第１のテーブル
６３：第２のテーブル
６４：第１の移動手段
６５：第２の移動手段
６６：フレーム保持手段
６７：テープ拡張手段
６８：回動手段
７：検出手段
８：ピックアップ手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
0005122893.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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