(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気アモルファス合金リボンの焼きなまし方法であって、以下の：
（ａ）合金組成および長手方向の軸を有する非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
（ｂ）前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記アモルファス合金リボンに引張力を施しながら前記非焼きなましアモルファス合金リボンを高温域に配置し、それにより、焼きなまし製品を生成する工程と、
（ｃ）前記引張応力により前記長手方向の軸に垂直な誘導磁気容易平面を焼きなまし製品が有するよう、
ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記合金組成を選択する工程と
を包含する方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、前記非焼きなましアモルファス合金リボンとして連続非焼きなましアモルファス合金リボンを提供することを包含し、
前記工程（ｂ）は、前記高温域を通して前記リボンを連続的に搬送することを包含する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記焼きなまし製品は磁性を有し、
前記工程（ｂ）は、フィードバック制御ループで前記引張応力を調整して、前記磁性を所定値に調整することを包含する請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、前記アモルファス合金リボンを焼きなますことであって、それにより、前記焼きなまし製品を強磁性的に飽和する磁界まで直線的なヒステリシスループを特徴とする磁気的挙動を前記焼きなまし製品に与える、焼きなますことを包含する請求項１記載の方法。
【請求項５】
磁気アモルファス合金リボンの焼きなまし方法であって、以下の：
（ａ）合金組成および長手方向の軸を有する非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
（ｂ）前記長手方向の軸に沿って前記アモルファス合金リボンに引張力を施しながら周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記非焼きなましアモルファス合金リボンを高温域に配置し、それにより、焼きなまし製品を生成する工程と、
（ｃ）焼きなまし製品が前記引張応力により前記長手方向の軸に垂直な誘導磁気容易平面を有するように、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、Ｎｂ、及びＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記合金組成を選択する工程と
を包含する方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは３０〜４５であり、ｂは３以下であり、ｃは３０〜５５であり、ｄは１〜４であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のような前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ）は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜３０であり、ｂは４以下であり、ｃは４５〜６０であり、ｄは１〜３であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のような前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記工程（ｃ）は、Ｆｅ３３Ｃｏ２Ｎｉ４３Ｍｏ２Ｂ２０、Ｆｅ３５Ｎｉ４３Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ３６Ｃｏ２Ｎｉ４４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ３６Ｎｉ４６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｃｕ１Ｍｏ３Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ４Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｎｂ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ２Ｎｂ２Ｂ１６、Ｆｅ４１Ｎｉ４１Ｍｏ２Ｂ１６、およびＦｅ４５Ｎｉ３３Ｍｏ４Ｂ１８（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群から前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）は、Ｆｅ３０Ｎｉ５２Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２８Ｎｉ５４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２６Ｎｉ５６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２４Ｎｉ５８Ｍｏ２Ｂ１６（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群から前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項５記載の方法。
【請求項１０】
磁気アモルファス合金リボンの焼きなまし方法であって、以下の：
（ａ）１ｍｍ〜１４ｍｍの幅および１５μｍ〜４０μｍの厚みを有する非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
（ｂ）前記アモルファス合金リボンの長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記アモルファス合金リボンに引張力を施しながら、高温域に前記非焼きなましアモルファス合金リボンを配置し、それにより、焼きなまし製品を生成する工程と、
（ｃ）焼きなまし製品が前記引張応力により前記長手方向の軸に垂直な誘導磁気容易平面を有するように、
ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記合金組成を選択し、前記焼きなまし製品を別個の細長い条板に切断可能にする延性を前記焼きなまし製品が有するよう前記合金組成を選択する工程と
を包含する方法。
【請求項１１】
磁気機械式電子製品監視システムで用いるためのマーカーの製造方法であって、以下の：
（ａ）合金組成および長手方向の軸を有する少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
（ｂ）前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記少なくとも１つのアモルファス合金リボンに引張力を施しながら前記少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンを高温域に配置し、それにより、少なくとも１つの焼きなまし製品を生成する工程と、
（ｃ）前記引張応力により前記長手方向の軸に垂直な誘導磁気容易平面を少なくとも１つの焼きなまし製品が有するよう、  ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記合金組成を選択する工程と、
（ｄ）バイアス磁界を生じる磁化強磁性バイアス素子に隣接して少なくとも１つの焼きなまし製品を配置する工程と、
（ｅ）ハウジング中に前記少なくとも１つの焼きなまし製品および前記バイアス素子を封入する工程と
を包含する方法。
【請求項１２】
前記工程（ｄ）は、前記磁化強磁性バイアス素子に隣接して前記焼きなまし製品のうちの２つを位置を合わせて配置することを包含し、前記工程（ｅ）は、前記ハウジング中に前記２つの焼きなまし製品および前記バイアス素子を封入することを包含する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記工程（ａ）は、前記少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンとして連続非焼きなましアモルファス合金リボンを提供することを包含し、前記工程（ｂ）は、前記高温域を通して前記リボンを連続的に搬送することを包含する請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記焼きなまし製品は磁性を有し、前記工程（ｂ）はフィードバック制御ループで前記引張応力を調整して、前記磁性を所定値に調整することを包含する請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（ｂ）は、前記少なくとも１つのアモルファス合金リボンを焼きなまし、それにより、前記焼きなまし製品を強磁性的に飽和する磁界まで直線的なヒステリシスループを特徴とする磁気的挙動を前記少なくとも１つの焼きなまし製品に与えることを包含する請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
磁気機械式電子製品監視システムで用いるためのマーカーの製造方法であって、以下の：
（ａ）合金組成および長手方向の軸を有する少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
（ｂ）前記長手方向の軸に沿って前記少なくとも１つのアモルファス合金リボンに引張力を施しながら周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンを高温域に配置し、それにより、少なくとも１つの焼きなまし製品を生成する工程と、
（ｃ）前記引張応力により前記長手方向の軸に垂直な誘導磁気容易平面を少なくとも１つの焼きなまし製品が有するよう、前記合金組成を選択する工程と、
（ｄ）バイアス磁界を生じる磁化強磁性バイアス素子に隣接して前記少なくとも１つの焼きなまし製品を配置する工程と、
（ｅ）ハウジング中に前記少なくとも１つの焼きなまし製品および前記バイアス素子を封入する工程と
を包含する方法であって、前記工程（ｃ）は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、Ｎｂ、及びＣｒらなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記アモルファス合金組成を選択することを包含する方法。
【請求項１７】
前記工程（ｃ）は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは３０〜４５であり、ｂは３以下であり、ｃは３０〜５５であり、ｄは１〜４であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記工程（ｃ）は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜３０であり、ｂは４以下であり、ｃは４５〜６０であり、ｄは１〜３であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）のように前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記工程（ｃ）は、Ｆｅ３３Ｃｏ２Ｎｉ４３Ｍｏ２Ｂ２０、Ｆｅ３５Ｎｉ４３Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ３６Ｃｏ２Ｎｉ４４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ３６Ｎｉ４６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｃｕ１Ｍｏ３Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ４Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｎｂ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ２Ｎｂ２Ｂ１６、Ｆｅ４１Ｎｉ４１Ｍｏ２Ｂ１６、およびＦｅ４５Ｎｉ３３Ｍｏ４Ｂ１８（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群から前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記工程（ｃ）は、Ｆｅ３０Ｎｉ５２Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２８Ｎｉ５４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２６Ｎｉ５６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２４Ｎｉ５８Ｍｏ２Ｂ１６（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群から前記アモルファス合金組成を選択することを包含する請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記工程（ａ）は、前記少なくとも１つの非焼きなましアモルファス合金リボンとして、１ｍｍ〜１４ｍｍの幅および１５μｍ〜４０μｍの厚みを有する非焼きなましアモルファス合金リボンを提供することを包含し、前記工程（ｃ）は、前記少なくとも１つの焼きなまし製品を別個の細長い条板に切断可能にする延性を前記少なくとも１つの焼きなまし製品が有するよう前記合金組成を選択することを包含する請求項１１記載の方法。
【請求項２２】
磁気機械式電子製品監視システム中のマーカーに用いるための共振器であって、以下の：
長手方向の軸を有し、かつＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板、
を含む共振器。
【請求項２３】
磁気機械式電子製品監視システム中のマーカーに用いるための共振器であって、以下の：
長手方向の軸を有し、かつ、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、Ｎｂ、及びＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿って周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、
当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板
を備える共振器。
【請求項２４】
ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは３０〜４５であり、ｂは３以下であり、ｃは３０〜５５であり、ｄは１〜４であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項２３記載の共振器。
【請求項２５】
ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜３０であり、ｂは４以下であり、ｃは４５〜６０であり、ｄは１〜３であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項２３記載の共振器。
【請求項２６】
Ｆｅ３３Ｃｏ２Ｎｉ４３Ｍｏ２Ｂ２０、Ｆｅ３５Ｎｉ４３Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ３６Ｃｏ２Ｎｉ４４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ３６Ｎｉ４６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｃｕ１Ｍｏ３Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ４Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｎｂ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ２Ｎｂ２Ｂ１６、Ｆｅ４１Ｎｉ４１Ｍｏ２Ｂ１６、およびＦｅ４５Ｎｉ３３Ｍｏ４Ｂ１８（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項２３記載の共振器。
【請求項２７】
Ｆｅ３０Ｎｉ５２Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２８Ｎｉ５４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２６Ｎｉ５６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２４Ｎｉ５８Ｍｏ２Ｂ１６（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項２３記載の共振器。
【請求項２８】
前記平坦な条板は、１ｍｍ〜１４ｍｍの幅および１５μｍ〜４０μｍの厚みを有する請求項２２記載の共振器。
【請求項２９】
磁気機械式電子製品監視システムに用いるためのマーカーであって、以下の：
長手方向の軸を有し、かつ、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板を含む共振器、
前記平坦な条板に隣接して配置される前記印加バイアス磁界Ｈを生じる磁化強磁性バイアス素子、ならびに
前記平坦な条板および前記バイアス素子を封入するハウジング
を備えるマーカー。
【請求項３０】
前記平坦な条板は、第１の平坦な条板であり、前記第１の平坦な条板と実質的に同一の第２の平坦な条板を備えるマーカーであり、前記第１の平坦な条板は、前記バイアス素子に隣接する前記第２の平坦な条板と位置を合わせて前記ハウジング中に配置される請求項２９記載のマーカー。
【請求項３１】
磁気機械式電子製品監視システムに用いるためのマーカーであって、以下の：
長手方向の軸を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿って周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板を含む共振器、
前記平坦な条板に隣接して配置される前記印加バイアス磁界Ｈを生じる磁化強磁性バイアス素子、ならびに
前記平坦な条板および前記バイアス素子を封入するハウジングを含むマーカーであって、前記共振器は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、Ｎｂ、及びＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有するマーカー。
【請求項３２】
前記共振器は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは３０〜４５であり、ｂは３以下であり、ｃは３０〜５５であり、ｄは１〜４であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項３１記載のマーカー。
【請求項３３】
前記共振器は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜３０であり、ｂは４以下であり、ｃは４５〜６０であり、ｄは１〜３であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項３１記載のマーカー。
【請求項３４】
前記共振器は、Ｆｅ３３Ｃｏ２Ｎｉ４３Ｍｏ２Ｂ２０、Ｆｅ３５Ｎｉ４３Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ３６Ｃｏ２Ｎｉ４４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ３６Ｎｉ４６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｃｕ１Ｍｏ３Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ４Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｎｂ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ２Ｎｂ２Ｂ１６、Ｆｅ４１Ｎｉ４１Ｍｏ２Ｂ１６、およびＦｅ４５Ｎｉ３３Ｍｏ４Ｂ１８（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項３１記載のマーカー。
【請求項３５】
前記共振器は、Ｆｅ３０Ｎｉ５２Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２８Ｎｉ５４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２６Ｎｉ５６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２４Ｎｉ５８Ｍｏ２Ｂ１６（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項３１記載のマーカー。
【請求項３６】
前記平坦な条板は、１ｍｍ〜１４ｍｍの幅および１５μｍ〜４０μｍの厚みを有する請求項２９記載のマーカー。
【請求項３７】
磁気機械式電子製品監視システムであって、以下の：
長手方向の軸を有し、かつ、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、
当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板を含む共振器、前記平坦な条板に隣接して配置される前記印加バイアス磁界Ｈを生じる磁化強磁性バイアス素子、ならびに前記平坦な条板および前記バイアス素子を封入するハウジングを備えるマーカー、
前記共振器を機械的に共振させ、前記共振周波数ｆｒで信号を放出させるように前記マーカーを励振するために前記交流信号バーストを発生するための送信器、
前記共振周波数ｆｒで前記共振器から前記信号を受信するための受信器、
前記受信器を作動させるように前記送信器および前記受信器に接続されて、信号バーストの終了後に前記共振周波数ｆｒで前記信号を検出する同期回路、ならびに
警報を含む磁気機械式電子製品監視システムであって、前記共振器からの前記共振周波数ｆｒでの前記信号が前記受信器により検出される場合、前記受信器は、前記警報をトリガする当該磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項３８】
磁気機械式電子製品監視システムであって、以下の：
長手方向の軸を有するアモルファス磁気歪み合金の平坦な条板であって、前記長手方向の軸と垂直な誘導磁気容易平面を前記平坦な条板が有するよう、前記長手方向の軸に沿って周囲磁界以外の磁界を用いることなく引張力を施しながら高温で焼きなまされ、
印加バイアス磁界Ｈにおける交流信号バーストにより駆動される場合の共振周波数をｆｒとしたとき、少なくとも８Ｏｅの印加バイアス磁界Ｈまで直線的なＢ−Ｈループを有し、前記共振周波数ｆｒ及び前記印加バイアス磁界Ｈにおける感受率｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が１２００Ｈｚ／Ｏｅ未満であり、
前記交流信号バーストの終了後１ｍｓにおいて最大振幅値を有するバイアス磁界に対して、信号がその初期値の１０％に低減する時間であるリングダウン時間が少なくとも３ｍｓである、当該アモルファス磁気歪み合金の平坦な条板を含む共振器、
前記平坦な条板に隣接して配置される前記印加バイアス磁界Ｈを生じる磁化強磁性バイアス素子、
ならびに前記平坦な条板および前記バイアス素子を封入するハウジングを備えるマーカー、
前記共振器を機械的に共振させ、前記共振周波数ｆｒで信号を放出させるように前記マーカーを励振するために前記交流信号バーストを発生するための送信器、
前記共振周波数ｆｒで前記共振器から前記信号を受信するための受信器、
前記受信器を作動させるように前記送信器および前記受信器に接続されて、信号バーストの終了後に前記共振周波数ｆｒで前記信号を検出する同期回路、ならびに
警報を含む磁気機械式電子製品監視システムであり、前記共振器からの前記共振周波数ｆｒでの前記信号が前記受信器により検出される場合、前記受信器は前記警報をトリガする磁気機械式電子製品監視システムであって、
前記共振器は、
ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する当該磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項３９】
前記共振器は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは３０〜４５であり、ｂは３以下であり、ｃは３０〜５５であり、ｄは１〜４であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項３８記載の磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項４０】
前記共振器は、ＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、及びＮｂからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜３０であり、ｂは４以下であり、ｃは４５〜６０であり、ｄは１〜３であり、ｅは０〜１であり、ｘは０〜３であり、ｙは１４〜１８であり、ｚは０〜２であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１５〜２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の組成を有する請求項３８記載の磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項４１】
前記共振器は、Ｆｅ３３Ｃｏ２Ｎｉ４３Ｍｏ２Ｂ２０、Ｆｅ３５Ｎｉ４３Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ３６Ｃｏ２Ｎｉ４４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ３６Ｎｉ４６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｃｕ１Ｍｏ３Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｍｏ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ４Ｂ１６、Ｆｅ４０Ｎｉ３８Ｎｂ４Ｂ１８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｍｏ２Ｎｂ２Ｂ１６、Ｆｅ４１Ｎｉ４１Ｍｏ２Ｂ１６、およびＦｅ４５Ｎｉ３３Ｍｏ４Ｂ１８（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項３８記載の磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項４２】
前記共振器は、Ｆｅ３０Ｎｉ５２Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２８Ｎｉ５４Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２６Ｎｉ５６Ｍｏ２Ｂ１６、Ｆｅ２４Ｎｉ５８Ｍｏ２Ｂ１６（式中、下付数字は原子％で表され、１．５原子％までのＢはＣにより置き換えられ得る）からなる群からの組成を有する請求項３８記載の磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項４３】
前記平坦な条板は、１ｍｍ〜１４ｍｍの幅および１５μｍ〜４０μｍの厚みを有する請求項３７記載の磁気機械式電子製品監視システム。
【請求項４４】
アモルファス合金リボンの焼きなまし方法であって、以下の：
前記アモルファス合金リボンが３６０℃で６秒間焼きなまされた場合に前記アモルファス合金リボンにおいて０．０４  Ｏｅ／ＭＰａより大きい応力誘導異方性を生じるよう選択され、引張応力が焼きなまし中に前記長手方向の軸に沿って加えられる場合に前記長手方向の軸に垂直な磁気容易軸を生じるよう選択されるＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＣｕｅＳｉｘＢｙＺｚ（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で表され、ＭはＭｏ、ＮｂおよびＣｒからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる群からの少なくとも１つの元素であり、ａは２０〜５０であり、ｂは４以下であり、ｃは３０〜６０であり、ｄは１〜５であり、ｅは０〜２であり、ｘは０〜４であり、ｙは１０〜２０であり、ｚは０〜３であり、ならびにｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１４〜２５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）の合金組成および長手方向の軸を有する非焼きなましアモルファス合金リボンを提供する工程と、
前記長手方向の軸に沿っておよび周囲磁界以外の磁界を用いることなく前記アモルファス合金に引張力を施しながら前記アモルファス合金リボンを高温域に配置し、それにより、前記アモルファス合金リボンにおいて０．０４  Ｏｅ／ＭＰａより大きい前記異方性および前記磁気容易軸を生じる工程と
を包含する方法。
【請求項４５】
３６０℃で６秒間焼きなまされた場合に前記アモルファス合金リボンにおいて０．０５Ｏｅ／ＭＰａより大きい応力誘導異方性を生じるよう前記合金組成を選択する工程を包含する請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
前記高温域に前記アモルファス合金リボンを配置する工程は、１分未満の間、３００℃〜４２０℃の最大温度での温度プロフィールを有する高温域に前記アモルファス合金を配置することを包含する請求項４４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】  本発明は、磁気アモルファス合金、およびこのような合金の焼きなまし方法に関する。本発明はまた、磁気機械式電子製品監視または同定における使用のためのアモルファス磁気歪み合金に関する。本発明はさらに、このようなマーカーを用いた磁気機械式電子製品監視または同定システム、ならびにアモルファス磁気歪み合金の製造方法およびマーカーの製造方法に関する。
【０００２】  米国特許第３，８２０，０４０号は、アモルファス鉄ベースの金属の横磁界焼きなましが印加磁界によるヤング率の大きな変化を生じること、およびこの作用が、印加磁界との組合せにおける磁気機械的共振器の振動周波数の制御を達成するための有用な手段を提供するということを教示する。
【０００３】  印加磁界により振動周波数を制御する可能性は、電子製品監視に用いるためのマーカーに関して欧州特許出願第０  ０９３  ２８１号において特に有用であることが見出された。この目的のための磁界は、条板を有する磁気弾性共振器に隣接して配置される磁化強磁性条板バイアス磁石により生成され、共振器はマーカーまたはタグハウジング中に含入される。共振周波数でのマーカーの有効透磁率の変化は、信号同一性をマーカーに提供する。信号同一性は、印加場を変える共振周波数を変えることにより除去され得る。したがって例えばマーカーはバイアス条板を磁化することにより作動され、同様に印加磁界を除去するバイアス磁石を消磁することにより不作動にされ、したがって共振周波数を感知可能的に変える。このようなシステム（欧州特許出願第０  ０９２３  ２８１号とＰＣＴ出願国際公開第９０／０３６５２号を参照）は、生産固有の機械的応力に関連した単軸異方性のための印加磁界に伴うヤング率の感知される変化も示し得る「調製された」状態のアモルファスリボンでできたマーカーを元々は使用した。この従来技術のマーカーに用いられた通常の組成は、Ｆｅ40Ｎｉ38Ｍｏ4Ｂ18である。
【０００４】  米国特許第５，４５９，１４０号は、電子製品監視システムにおける横磁界焼きなましアモルファス磁気機械的素子の適用が、調製アモルファス金属として用いる従来技術のマーカーに関連した多数の欠陥を除去する、ということを開示する。理由の１つは、横磁界焼きなましに関連した直線的ヒステリシスループが、別の種類のＥＡＳシステム（すなわち調波システム）において望ましくない警報を生じ得る調波の生成を回避するということである。このような焼きなまし共振器の別の利点は、それらの高共振振幅である。さらなる利点は、磁界における熱処理が磁気歪み条板の共振周波数の点で稠性を有意に改良することである。
【０００５】  例えばLivingston J.D. 1982「Magnetochemical Properties of Amorphous Metals」phys. Stat sol(a) Vol.70 pp591-596により、ならびにHerzer G. 1997 Magnetomechanical damping in amorphous ribbons with uniaxial anisotropy, Materials Science and Engineering A226-228 p.631により説明されているように、共振器または特性（例えば共振周波数）、振幅またはリングダウン時間は、飽和磁気歪みおよび誘導異方性の強度によって主に決定される。両方の量は、合金組成に大きく依存する。誘導異方性はさらに、焼きなまし条件に、すなわち焼きなまし時間および温度、ならびに焼きなまし中に加えられる引張応力に依存する（Fujimori H. 1983「Magnetic Anisotropy」in F.E. Luborsky (ed) Amorphous Metallic Alloys, Butterworths, London pp. 300-316およびその中の参考文献、Nielsen O. 1985 Effects of Longitudinal and Torsional Stress Annealing on the Magnetic Anisotropy in Amorphous Ribbon Materials, IEEE Transitions on Magnetics, vol. Mag-21, No.5, Hilzinger H.R. 1981 Stress Induced Anisotropy in a Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy, Proc. 4th Int. Conf. on Rapidly Quenched Metals (Sendai 1981) pp.791を参照）。それゆえ、共振器特性はこれらのパラメーターに大きく依存する。
【０００６】  したがって、上記の米国特許第５，４６９，１４０号は、好ましい物質が少なくとも約３０原子％のＣｏを含有するＦｅ−Ｃｏベースの合金であることを教示する。この特許による高Ｃｏ含量は、比較的長いリングダウン期間の信号を維持するために必要である。ドイツ国実用新案特許Ｇ９４  １２  ４５６．６は、比較的高い誘導磁気異方性を明示する合金組成を選択することにより長リングダウン時間が達成され、したがってこのような合金がＥＡＳマーカーに特に適していることを教示する。この実用新案特許は、Ｆｅ−Ｃｏベースの合金から出発し、約５０％までの鉄および／またはコバルトがニッケルに置き換えられる場合、これがより低いＣｏ含量でも達成され得ることを教示する。少なくとも約８  Ｏｅの比較的高い異方性磁界に関する直線的Ｂ−Ｈループの必要性、ならびにこのような磁気弾性マーカーのためのＣｏ含量を低減させるためにＮｉを許容することの利点は、約３０原子％〜約４５原子％未満の鉄含量および約４原子％〜約４０原子％のＣｏ含量を有する合金が特に適切であることを教示する米国特許第５，６２８，８４０号に記載された研究により再確認された。米国特許第５，７２８，２３７号は、共振周波数の小変化、ならびに地球の磁界におけるマーカーの配向の変化のためのその結果生じる信号振幅の小変化を特徴とし、同時に確実に不活性化可能な２３原子％より低いＣｏ含量を有するさらに別の組成を開示する。米国特許第５，８４１，３４８号は、少なくとも約１０  Ｏｅの異方性磁界ならびに約３０原子％未満の鉄含量のための信号の最適化リングダウン挙動を有する、少なくとも約１２原子％のＣｏ含量を有するＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉベースの合金を開示する。
【０００７】  上記の例における磁界焼きなましはリボン幅を横断して実行され、すなわち磁界方向は、リボン軸（軸線）と垂直に、リボン表面の平面に向けられていた。この種の焼きなましは既知であり、本明細書中では横磁界焼きなましと呼ばれる。磁界の強度は、リボン幅を横断して強磁的にリボンを飽和するのに十分強くなければならない。これは、数百のＯｅの磁界で達成され得る。例えば米国特許第５，４６９，１４０号は、５００  Ｏｅまたは８００  Ｏｅを超える磁界強度を教示する。ＰＣＴ出願国際公開第９６／３２５１８号は、約１  ｋＯｅ〜１．５ｋＯｅの磁界強度を開示する。ＰＣＴ出願国際公開第９９／０２７４８号および国際公開第９９／２４９５０号は、リボン平面に対して垂直な磁界の印加が信号振幅を強化する（または強化し得る）ことを開示する。
【０００８】  磁界焼きなましは、例えばバッチ毎に、トロイド状に巻かれたコア上またはあらかじめ切断されたまっすぐなリボン条板上で実施され得る。あるいは、欧州特許出願第０  ７３７  ９８６号（米国特許第５，６７６，７６７号）に詳細に開示されているように、横方向飽和磁界がリボンに印加される炉を通してある巻取器から別の巻取器に合金リボンを搬送することにより連続方式で、焼きなましは実施され得る。
【０００９】  上記の特許に開示された通常の焼きなまし条件は、約３００℃〜４００℃の焼きなまし温度、数秒から数時間までの焼きなまし時間である。例えばＰＣＴ出願国際公開第９７／１３２３５８号は、１．８ｍ長の炉に関して約０．３ｍ／分から１２ｍ／分までの焼きなまし速度を教示する。
【００１０】  磁気音響マーカーに関する通常の機能的要件は、以下のように要約され得る：
１．  通常は８  Ｏｅの最小適用電解まで直線的なＢ−Ｈループ。
２．  活性化状態での印加バイアス磁界Ｈに対する共振周波数ｆrの小感受率、すなわち通常は｜ｄｆr／ｄＨ｜＜１２００Ｈｚ／Ｏｅ。
３．  信号の十分に長いリングダウン時間、すなわち、励振駆動磁界が消された後少なくとも１〜２ｍｓの時間間隔の高信号振幅。
【００１１】  これらの要件はすべて、リボン軸に垂直な適切な共振器合金において比較的高い磁気異方性を誘導することにより、満たされ得る。これは慣用的には、共振器合金が感知可能量のＣｏを含有する場合にのみ達成可能であると考えられており、すなわち米国特許第５，４６９，１４０号、第５，７２８，２３７号、第５，６２８，８４０号および第５，８４１，３４８号によるＦｅ40Ｎｉ38Ｍｏ4Ｂ18のような従来技術の組成はこの目的のためには適切でない。しかしながらコバルトの原料コストが高いため、合金中のその含量を低減することは非常に望ましい。
【００１２】  上記のＰＣＴ出願国際公開第９６／３２５１８号は、約０〜約７０  ＭＰａの範囲の引張応力が焼きなまし中に加えられ得ることを開示する。この引張応力の結果は、共振器振幅および周波数勾配｜ｄｆr／ｄＨ｜がいずれもわずかに増大し、依然として変化しないか、またはわずかに低減するというものであった。すなわち最大約７０  ＭＰａに限定された引張応力を加えた場合、共振器特性に関しては明らかな利点または欠点は認められなかった。
【００１３】  しかしながら、焼きなまし中に加えられた引張応力が磁気異方性を誘導する（Nielsen O. 1985 Effects of Longitudinal and Torsional Stress Annealing on the Magnetic Anisotropy in Amorphous Ribbon Materials, IEEE Transitions on Magnetics, vol. Mag-21, No.5, Hilzinger H.R. 1981 Stress Induced Anisotropy in a Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy, Proc. 4th Int. Conf. on Rapidly Quenched Metals (Sendai 1981) pp.791を参照）ということは既知である。この異方性の大きさは加えた応力の大きさに比例し、焼きなまし温度、焼きなまし時間および合金組成に依存する。その配向は、磁気容易リボン軸または磁気困難リボン軸（リボン軸に垂直な容易磁気平面）に対応しており、したがってそれぞれ合金組成に応じて、磁界誘導異方性を低減するかまたは増大する。
【００１４】  本発明者等のうちの１人が共同発明者である同時係属中出願（第０９／１３３，１７２号、「Method Employing Tension Control and Lower-Cost Alloy Composition for Annealing Amorphous Alloys with Shorter Annealing Time」（Herzer等、１９９８年８月１３日提出、米国特許第６，２５４，６９５号として登録済）は、リボン軸に垂直な磁界およびリボン軸に平行に加えられる引張応力の同時存在下でのアモルファスリボンの焼きなまし方法を開示する。約３０原子％未満の鉄を含有する組成に関して、印加引張応力は誘導異方性を強化することが判明した。その結果、所望の共振器特性が低Ｃｏ含量で達成され、これは好ましい実施形態では約５原子％〜１８原子％Ｃｏの範囲であった。
【００１５】  上記の最新技術によれば、アモルファス磁気音響共振器のＣｏ含量を低減するためにさらなる手段を提供することは非常に望ましい。本発明は、このすべてが、低またはゼロＣｏ含量を有する特定の合金組成を選択することにより、および焼きなまし中にリボンに沿って制御引張応力を加えることにより達成され得るという認識に基づいている。
【００１６】  低原料コストで電子製品監視に用いるのに適した特性を有する共振器を生成するために、磁気歪み合金ならびにこのような合金の焼きなまし方法を提供することは、本発明の一目的である。
【００１７】  焼きなましアモルファスリボンの磁気特性において高稠度を得るようフィードバック過程において焼きなましパラメーター、特に引張応力が調整される焼きなまし方法を提供することは、本発明のさらなる目的である。
【００１８】  前磁化磁界Ｈを加えるかまたは除去することにより活性化または不活性化され得る、および活性化状態において、励振後に高信号振幅を有する共振周波数ｆrで縦機械的共振発振を示すよう、交流磁界により励振され得る長方形延性磁気歪み条板に切断され得る磁気機械的監視システムにおけるマーカー中に組み入れるためのこのような磁気歪みアモルファス合金を提供することは、本発明の別の目的である。
【００１９】  バイアス磁界における変化があるとすると共振周波数におけるわずかな変化だけが起こるが、共振周波数は、マーカー共振器が活性状態から不活性状態に切り換えられると有意に変わるこのような合金を提供することは、本発明のさらに別の目的である。
【００２０】  本発明の別の目的は、磁気機械式監視システムのためのマーカー中に組み入れられた場合、調波監視システム中の警報をトリガしないこのような合金を提供することである。
【００２１】  磁気機械式監視システムに用いるのに適したマーカーを提供することも、本発明の一目的である。
【００２２】  このようなアモルファス磁気歪み合金からなる共振器を有するマーカーを用いて操作可能である磁気機械式電子製品監視システムを提供することは、本発明の一目的である。
【００２３】  上記の目的は、アモルファス磁気歪み合金が少なくとも約３０ＭＰａ〜約４００ＭＰａの引張応力下で連続的に焼きなましされる場合に達成され、オプションとして、リボン軸に垂直な磁界が同時に加えられる。合金組成は、焼きなまし中に加えられる引張応力が磁気困難リボン軸を、言い換えればリボン軸に垂直な磁気容易平面を含むよう、選択されねばならない。これは、同一の大きさの誘導異方性を達成させ、これは、引張応力を加えずに、より大きいＣｏ含量および／またはより遅い焼きなまし速度でのみ可能である。したがって本発明の焼きなましは、従来技術の技法を用いて可能であるより低い原料および低い焼きなましコストで磁気弾性共振器を生成し得る。
【００２４】  この目的のために、約４原子％未満のコバルト含量を有するＦｅ−Ｎｉベースの合金を選択することは有益である。上記のように焼きなましされる場合、電子製品監視または同定システムにおけるマーカーに用いるための適切な特性を有する共振器を生成する合金組成に関する一般式を以下に示す：
ＦｅaＣｏbＮｉcＭdＣｕeＳｉxＢyＺz
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙおよびｚは原子％で示され、ＭはＭｏ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒおよびＶからなる１つまたは複数の元素であり、ならびにＺはＣ、ＰおよびＧｅからなる１つまたは複数の元素であり、
２０≦ａ≦５０、
０≦ｂ≦４、
３０≦ｃ≦６０、
１≦ｄ≦５、
０≦ｅ≦２、
０≦ｘ≦４、
１０≦ｙ≦２０、
０≦ｚ≦３、ならびに
１４≦ｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦２５、
したがってａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）。
【００２５】  好ましい実施形態では、Ｍが選択される群は、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａのみに制限され、以下の範囲が当てはまる：
３０≦ａ≦４５、
０≦ｂ≦３、
３０≦ｃ≦５５、
１≦ｄ≦４、
０≦ｅ≦１、
０≦ｘ≦３、
１４≦ｙ≦１８、
０≦ｚ≦２、ならびに
１５≦ｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦２２。
【００２６】  ＥＡＳ適用のためのこのような特に適した合金に関する例は、Ｆｅ33Ｃｏ2Ｎｉ43Ｍｏ2Ｂ20、Ｆｅ35Ｎｉ43Ｍｏ4Ｂ18、Ｆｅ36Ｃｏ2Ｎｉ44Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ36Ｎｉ46Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ40Ｎｉ38Ｍｏ3Ｃｕ1Ｂ18、Ｆｅ40Ｎｉ38Ｍｏ4Ｂ18、Ｆｅ40Ｎｉ40Ｍｏ4Ｂ16、Ｆｅ40Ｎｉ38Ｎｂ4Ｂ18、Ｆｅ40Ｎｉ40Ｍｏ2Ｎｂ2Ｂ16、Ｆｅ41Ｎｉ41Ｍｏ2Ｂ16およびＦｅ45Ｎｉ33Ｍｏ4Ｂ18である。
【００２７】  別の好ましい実施形態では、Ｍが選択される群はＭｏ、ＮｂおよびＴａのみに制限され、以下の範囲が当てはまる：
２０≦ａ≦３０、
０≦ｂ≦４、
４５≦ｃ≦６０、
１≦ｄ≦３、
０≦ｅ≦１、
０≦ｘ≦３、
１４≦ｙ≦１８、
０≦ｚ≦２、ならびに
１５≦ｄ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦２０。
【００２８】  このような組成の例は、Ｆｅ30Ｎｉ52Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ30Ｎｉ52Ｎｂ1Ｍｏ1Ｂ16、Ｆｅ29Ｎｉ52Ｎｂ1Ｍｏ1Ｃｕ1Ｂ16、Ｆｅ28Ｎｉ54Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ28Ｎｉ54Ｎｂ1Ｍｏ1Ｂ16、Ｆｅ26Ｎｉ56Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ26Ｎｉ54Ｃｏ2Ｍｏ2Ｂ16、Ｆｅ24Ｎｉ56Ｃｏ2Ｍｏ2Ｂ16およびその他の同様の場合である。
【００２９】  このような合金組成は、３６０℃で６秒間焼きなまされた場合に少なくとも約ｄＨk／ｄσ≒０．０２  Ｏｅ／ＭＰａである引張応力σが焼きなまし中に加えられる場合の誘導異方性磁界Ｈkの増大を特徴とする。
【００３０】  適切な合金組成は、約３ｐｐｍより大きく、約２０ｐｐｍ未満の飽和磁気歪みを有する。特に適した共振器は、上記のように焼きなまされた場合、約６  Ｏｅ〜１４  Ｏｅの異方性磁界Ｈkを有し、Ｈkは、飽和磁気歪みが低下されるとそれに対応して下がる。このような異方性磁界は、活性共振器が、磁界における変化があるとすると共振周波数ｆrにおける比較的わずかな変化、すなわち｜ｄｆ／ｄＨ｜＜１２００Ｈｚ／Ｏｅだけが起こるが、同時に共振周波数ｆrが、マーカー共振器が活性状態から不活性状態に切り換えられると少なくとも約１．６ｋＨｚだけ有意に変わるよう十分に高い。好ましい実施形態では、このような共振器リボンは、約３０μｍ未満の厚み、約３５ｍｍ〜４０ｍｍの長さ、約１３ｍｍ未満、好ましくは約４ｍｍ〜８ｍｍ、すなわち例えば６ｍｍの幅を有する。
【００３１】  焼きなまし過程は、磁気合金が強磁的に飽和される磁界まで直線的であるヒステリシスループを生じる。その結果、交流磁界で励振されると、物質は事実上調波をまったく生じないし、したがって調波監視システムにおける警報をトリガしない。
【００３２】  誘導異方性の変動および引張応力を伴う磁気音響特性の対応する変動も、焼きなまし過程を制御するために有益に用いられ得る。この目的のために、磁気特性（例えば異方性磁界、透磁率または所定バイアスでの音速）は、リボンが炉を通過した後に測定される。測定中は、リボンはあらかじめ定義された応力または好ましくはデッドループにより配列され得る非応力下にあるべきである。この測定結果は、それらが短い共振器で起こる場合、減磁作用を組み入れるよう補正され得る。その結果生じる試験パラメーターがその所定値から逸脱する場合、聴力は、所望の磁気特性を生じるよう増大または低減される。このフィードバック系は、組成変動、厚み変動、ならびに磁気および磁気弾性特性に関する焼きなまし時間および温度からの偏差の影響を有効に補償し得る。結果は、焼きなましリボンの非常に一貫した再現可能な特性であるが、さもなければ上記の影響パラメーターによる比較的強い変動を受ける。
【００３３】  図面を参照しながら本発明をさらに説明する。
【００３４】  ＥＡＳシステム
図３に示した磁気機械式監視システムは、既知の方法で動作する。当該システムは、マーカー１のほかに、所定周波数で、例えば５８ｋＨｚで、例えば６０Ｈｚの反復速度で、連続バースト間に休止期間を入れて、ＲＦバーストを出す（送信する）コイルまたはアンテナ６を有する送信回路５を包含する。送信回路５は、受信コイルまたはアンテナ８を有する受信回路７も制御する同期回路９により上記のＲＦバーストを出すよう制御される。活性化マーカー１（すなわち磁化バイアス素子４を有するマーカー）が、送信回路５が活性化されているときにコイル６および８間に存在すると、コイル６により出されるＲＦバーストは共振器３を駆動して、５８ｋＨｚ（この例では）の共振周波数で発振し、それにより、指数関数的に減衰する初期高振幅を有する信号を発生する。
【００３５】  同期回路９は、受信回路７を活性化して、第１のおよび第２の検出ウインドウ内で所定周波数５８ｋＨｚ（この例では）での信号を探すよう、受信回路７を制御する。通常、同期回路９は、約１．６ｍｓの持続時間を有するＲＦバーストを出すよう送信回路５を制御するが、この場合、同期回路９は、ＲＦバーストの終了後約０．４ｍｓに開始する約１．７ｍｓの持続期間を有するの第１の検出ウインドウにおいて受信回路７を活性化する。この第１の検出ウインドウ中、受信回路７は、提示される所定周波数、例えば５８ｋＨｚで任意の信号を組み込む。第２の検出ウインドウからの組込み信号と確実に比較され得るこの第１の検出ウインドウにおける組込み結果を生成するために、マーカー１により出される信号は、存在する場合は、比較的高い振幅を有する必要がある。
【００３６】  本発明により作製された共振器３が１８ｍＯｅで送信回路５により駆動される場合、受信コイル８は１００回転の密接に連結された巻上げコイルであり、信号振幅は約１．６ｍｓの持続時間の交流励振バースト後約１ｍｓで測定され、それは第１の検出ウインドウにおいて少なくとも１．５ｎＷｂの振幅を生じる。概して、Ａ１∝Ｎ・Ｗ・Ｈac（式中、Ｎは受信コイルの回転数であり、Ｗは共振器の幅であり、Ｈacは励振（駆動）磁界の磁界強度である）である。Ａ１を生じるこれらの因子の特定の組合せは重要でない。
【００３７】  その後、同期回路９は受信回路７を不活性化し、次に、上記のＲＦバーストの終了後約６ｍｓで開始する第２の検出ウインドウ中に受信回路７を再活性化する。第２の検出ウインドウ中、受信回路７は再び、所定周波数（５８ｋＨｚ）で適当な振幅を有する信号を探す。マーカー１から出ている信号は、存在する場合、減衰する振幅を有することが既知であるため、受信回路７は、第２の検出ウインドウで検出された任意の５８ｋＨｚ信号の振幅を、第１の検出ウインドウで検出された信号の振幅と比較する。振幅差動が指数関数的に減衰する信号の場合と一致すれば、信号は実際、コイル６および８間に存在するマーカー１から出ていると推量され、したがって受信回路７は警報器１０を作動させる。
【００３８】  このアプローチは、マーカー１以外のＲＦ源からの偽ＲＦ信号による偽警報を確実に回避する。このような偽信号は比較的一定の振幅を示すと推測され、したがってこのような信号が第１のおよび第２の検出ウインドウにそれぞれ組み込まれた場合でも、それらは比較判定基準を満たすことができず、受信回路７に警報器１０をトリガさせない。
【００３９】  さらに、共振器３の共振周波数ｆrにおける上記の有意の変化により、少なくとも１．２ｋＨｚであるバイアス磁界Ｈbが除去されると、マーカー１が不活性化された場合、不活性化が完全に有効ではない場合でさえ、受信回路７が同調された所定共振周波数で送信回路５により励振されても、マーカー１は信号を出さないと推測される。
【００４０】  合金調製
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｂ（式中、Ｍ＝Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ）系内のアモルファス合金は、通常は２０μｍ〜２５μｍ厚の薄いリボンとして溶解物から急冷により調製された。アモルファスとはここでは、リボンが５０％未満の結晶分画を示したことを示す。表１は、調査した組成およびそれらの基本的特性を列挙する。組成は公称のみであり、個々の濃度はこの公称値からわずかに逸れることがあり、溶融過程および原料の純度により、合金は炭素のような不純物を含有し得る。さらに例えば１．５原子％までのホウ素が窒素に取って代わり得る。
【００４１】  鋳物はすべて、市販原料を用いて、少なくとも３ｋｇのインゴットから調製した。実験のために用いたリボンは幅６ｍｍで、それらの最終幅に直接鋳造するかまたはより幅広のリボンから条板にした。リボンは強く、硬質でかつ延性であって、光沢性上面と多少光沢性の低い底面を有した。
【００４２】  焼きなまし
約０．５Ｎ〜約２０Ｎの範囲でリボン軸に沿って引張力を加えることにより、炉を通して１つのリールから別のリールに合金リボンを搬送することにより、連続方式でリボンを焼きなました。
【００４３】  同時に、永久磁石により生じる約２ｋＯｅの磁界を、焼きなまし中にリボン長軸に垂直に加えた。従来技術の教示に従ってリボン軸を横断して、すなわちリボン幅を横切って磁界を配向し、あるいはリボン平面と垂直な実質的構成成分を明示するよう磁界を配向した。後者の技法は、高信号振幅という利点を提供する。両場合とも、焼きなまし磁界はリボン長軸に垂直である。
【００４４】  以下に示した実施例の大多数はリボン平面に本質的に垂直に配向された焼きなまし磁界を用いて得られたが、主要な結論は、慣用的「横」焼きなましに、ならびに磁界の存在を伴わない焼きなましに同様に当てはまる。
【００４５】  焼きなましは、周囲雰囲気中で実施した。焼きなまし温度は、約３００℃〜約４２０℃の範囲内で選択した。焼きなまし温度の下限は約３００℃で、これは固有の応力の生成の一部を軽減するために、かつ磁気異方性を誘導するために十分な熱エネルギーを提供するために必要である。焼きなまし温度の上限は、結晶化温度に起因する。焼きなまし温度のもう一つの上限は、リボンが短い条板に切断される熱処理後に十分に延性であるという要件に起因する。最高焼きなまし温度は、好ましくはこれらの材料特性温度の最低より低い必要がある。したがって通常は、焼きなまし温度の上限は約４２０℃である。
【００４６】  リボンを処理するために用いられる炉は長さ約４０ｃｍで、リボンに上記焼きなまし温度を施す長さ約２０ｃｍのホットゾーンを有した。焼きなまし速度は２ｍ／分で、これは約６秒の焼きなまし時間に対応する。
【００４７】  リボンをまっすぐに炉に通して搬送し、磁界によりリボンに及ぼされる力およびトルクによるリボンの曲げまたは捩りを回避するために、延長焼きなまし固定により支持した。
【００４８】  試験
焼きなましリボンを短片に、通常は３８ｍｍの長さに切断した。これらの試料を用いて、ヒステリシスループおよび磁気弾性特性を測定した。この目的のために、２つの共振器片を一緒に載せて、二重共振器を形成した。このような二重共振器は、本質的には２倍のリボン幅を有する単一共振器と同一の特性を有するが、しかしサイズ低減という利点を有する（Herzerの同時係属出願第０９／２４７，６８８号（１９９９年２月１０日出願、「Magneto-Acoustic Marker for Electronic Surveillance Having Reduced Size and High Amplitude」） およびＰＣＴＷＯ００／４８１５２として公開）。本発明の実施例においてこの形態の共振器を用いたが、本発明はこの特定の型の共振器に限定されず、約２０ｍｍ〜１００ｍｍの長さを有し、約１〜１５ｍｍの幅を有する他の型の共振器（単一または複数の）にも適用する。
【００４９】  ヒステリシスループは、約３０  Ｏｅピーク振幅の正弦磁界で６０Ｈｚの周波数で測定した。異方性磁界は、そこまではＢ−Ｈループが直線的挙動を示し、そこで磁化がその飽和値に到達する磁界Ｈkとして定義される。リボン軸と垂直な容易磁気軸（または容易平面）に関しては、横異方性磁界は、次式：
Ｈk＝２Ｋu／Ｊs
（式中、Ｊsは飽和磁化であり、Ｋuは磁気容易軸と平行な方向から容易軸に垂直な方向に磁化ベクトルの向きを変えるために容積単位当たりで必要なエネルギーである）
により異方性定数Ｋuに関する。
【００５０】  異方性磁界は、本質的には２つの寄与からなる。すなわち、
Ｈk＝Ｈdemag＋Ｈa
（式中、Ｈdemagは減磁作用によるものであり、Ｈaは熱処理により誘導される異方性を特徴とする）。合理的共振器特性に関する予備要件は、Ｈa＞０ということであり、これはＨk＞Ｈdemagと等価である。検査した長さ３８ｍｍ、幅６ｍｍの二重共振器試料の減磁磁界は、通常はＨdemag３〜３．５  Ｏｅであった。
【００５１】  約１８ｍＯｅのピーク振幅を有する共振周波数での小交流磁界発振のトーンバーストを用いて縦共振振動を励振することにより、磁気音響特性、例えば共振周波数ｆrおよび共振振幅Ａ１を、リボン軸に沿った重ね合わせ直流バイアス磁界Ｈの関数として求めた。オンタイムのバーストは約１．６ｍｓであり、バースト間の休止期間は約１８ｍｓであった。
【００５２】  延長条板の縦機械的振動の共振周波数は、以下により示される：
【数１】
0005276246.tif 000002
（式中、Ｌは試料長であり、ＥHはバイアス磁界Ｈでのヤング率であり、ｐは質量密度である）。長さ３８ｍｍの試料に関しては、共振周波数は通常は、バイアス磁界強度によって、約５０ｋＨｚ〜６０ｋＨｚであった。
【００５３】  機械的振動に関連した機械的応力は、磁気弾性相互作用を介して、バイアス磁界Ｈにより求められるその平均値ＪHに近い磁化Ｊの周期的変化を生じる。磁束の関連変化は、約１００回転を有するリボン周囲の密接連結ピックアップコイルで測定された電磁力（ｅｍｆ）を誘導する。
【００５４】  ＥＡＳシステムでは、マーカーの磁気音響応答は、ノイズレベルを低減するトーンバースト間で有益に検出され、したがって例えばより広いゲートを可能にする。信号は、励振後に、すなわちトーンバーストが終わると、指数関数的に減衰する。減衰（または「リングダウン」）時間は、合金組成および加熱処理によっており、約数百マイクロ秒から数ミリ秒までの範囲であり得る。少なくとも約１ｍｓの十分に長い減衰時間は、トーンバースト間における十分な信号同一性を提供することが重要である。
【００５５】  したがって誘導共振信号振幅を、励振後約１ｍｓで測定した。この共振信号振幅は、以下においてＡ１と呼ばれる。したがってここで測定されるような高Ａ１振幅は、良好な磁気音響応答の、同時に低信号減衰の両方の指標である。
【００５６】  応答特性を特性化するために、ｆr対Ｈbias曲線の以下の特性パラメーターを評価した：
・Ｈmax（Ａ１振幅がその最大値を明示するバイアス磁界）
・Ａ１max（Ｈ＝ＨmaxでのＡ１振幅）
・ｔR.Hmax（Ｈmaxでのリングダウン時間、すなわち、信号がその初期値の約１０％に低減する時間間隔）
・｜ｄｆr／ｄＨ｜（Ｈ＝Ｈmaxでのｆr（Ｈ）の勾配）
・Ｈmin（共振周波数ｆrがその最小値を明示する、すなわち｜ｄｆr／ｄＨ｜＝０であるバイアス磁界）
・Ａ１min（Ｈ＝ＨminでのＡ１振幅）
・tR.Hmin（Ｈminでのリングダウン時間、すなわち、信号がその初期値の約１０％に低減する時間間隔）。
【００５７】  結果
表ＩＩは、慣用的磁気音響マーカーのために鋳物状態で用いられるようなアモルファスＦｅ40Ｎｉ38Ｍｏ4Ｂ18合金の特性を列挙する。鋳物状態での欠点は、調波システムにおいて望ましくない警報をトリガする非直線的Ｂ−Ｈループである。後者の欠陥は、直線的Ｂ−Ｈループを生じるリボン軸に垂直な磁界における焼きなましにより克服され得る。しかしながらこのような慣用的加熱処理後、共振器特性は感知できるほどに崩壊する。したがって、信号のリングダウン時間が有意に低減し、これが低Ａ１振幅を生じる。さらに、Ａ１振幅がその最大値を有するバイアス磁界Ｈmaxでの勾配｜ｄｆr／ｄＨ｜は、数千Ｈｚ／Ｏｅという望ましくない高い値に増大する。
【００５８】  上記の困難は、例えば２０Ｎという引張力が焼きなまし中に加えられれば克服し得るということを本発明者等は見出した。この引張力は、磁界のほかに、または磁界の代わりに加えられ得る。いずれの場合でも、同一Ｆｅ40Ｎｉ38Ｍｏ4Ｂ18に関する結果は、表ＩＩＩに列挙された優れた共振器特性を有する直線的Ｂ−Ｈループである。純磁界焼きなましと比較して、引張応力下での焼きなましは、高信号振幅Ａ１（長いリングダウン時間を示す）を生じ、これは、鋳造合金を用いる慣用的マーカーの場合を有意に超えている。同様に応力焼きなまし試料は、約１０００Ｈｚ／Ｏｅ未満の適度に低い勾配を示す。
【００５９】  別の例が、Ｆｅ40Ｎｉ40ＭＯ4Ｂ16合金に関して表ＩＶに示されている。これも焼きなまし中の引張力は、磁界焼きなまし試料と比較して、共振器特性を有意に改良する（すなわち、より高い振幅より低い勾配）。異方性磁界Ｈkは、加えられる引張応力に伴って直線的に増大する。すなわち、
【数２】
0005276246.tif 000003
逸れにより引張応力σと引張力Ｆの関係は以下のように示される：
【数３】
0005276246.tif 000004
（式中、ｔはリボン厚であり、ｗはリボン幅である（例：６ｍｍ幅および２５μｍ厚のリボンに関しては、１０Ｎという引っ張り力は６７ＭＰａの引張応力に対応する））。
【００６０】  一例として、図１は、本発明により焼きなまされた共振器に特徴的な通常の直線的ヒステリシスループを示す。対応する磁気音響応答は、図２に示されている。図は、共振器の磁気音響特性に作用する基本的メカニズムを例示するよう意図されている。したがってバイアス磁界Ｈを伴う共振周波数ｆrの変動、ならびに共振振幅Ａ１の対応する変動は、磁界を伴う磁化Ｊの変動と強く相関する。したがってｆrがその最小値を有するバイアス磁界Ｈminは、異方性磁界Ｈkの近くに位置する。さらに、振幅が最大であるバイアス磁界Ｈmaxも異方性磁界Ｈkと相関する。本発明の実施例に関しては、通常はＨmax≒０．４〜０．８ＨkおよびＨmin≒０．８〜０．９Ｈkである。さらに、勾配｜ｄｆr／ｄＨ｜は異方性磁界Ｈkの増大に伴って低減する。さらに、リングダウン時間はＨｋに伴って有意に増大するため、高いＨkは信号振幅Ａ１に有益である（表ＩＶ参照）。適当な共振器特性は、異方性磁界Ｈkが約６〜７  Ｏｅを超える場合に見出される。
【００６１】  引張応力への共振器特性の依存を用いて、応力レベルの適当な選択により特定の共振器特性を作り上げ得る。特に引張力は、閉鎖ループ過程における焼きなまし過程を制御するために用い得る。例えばＨkが焼きなまし後に連続的に測定される場合、最も一貫した方法で所望の共振器特性を得るために、結果は引っ張り応力を調整するようフィードバックされ得る。
【００６２】  応力焼きなましは、異方性磁界Ｈkが焼きなまし応力に伴って増大する場合、すなわちｄＨk／ｄσ＞０である場合に利点を生じるだけである、ということは今まで考察された結果から明白である。これは、鉄含量が約３０原子％未満である場合のＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｂ型アモルファス合金の場合であることが判明した（同時係属中出願第０９／１３３，１７２号（１９９８年８月１３日提出、米国特許第６，２５４，６９５号として付与済）。表Ｖは、これらの比較例のいくつかに関する結果（表Ｉからの合金Ｎｏ１および２）を列挙する。合金Ｎｏ１および２に関して示された結果は、それらが電子製品監視のためのマーカー中に現在用いられているような線状共振器に典型的である（同時係属中出願第０９／１３３，１７２号（米国特許第６，２５４，６９５号として認可済）および０９／２４７，６８８号（ＰＣＴ  ＷＯ００／４８１５２として公開済））。しかしながら、それらが原料コストを増大する約１０原子％より高い感知できるほどのＣｏ含量を有するため、これらの合金は本発明の範囲外である。
【００６３】  本発明の範囲を越えるさらなる例は、表１の合金ｎｏ．３および４により示されている。表Ｖで立証されているように、合金ｎｏ．３はｄＨk／ｄσの負の値を有し、すなわち応力焼きなましは不適切な共振器特性を生じる（低リングダウン時間、ならびに結果としてのこの実施例に関する低振幅）。合金ｎｏ．４は、焼きなまし後でさえ非直線的Ｂ−Ｈループを有するため、不適切である。
【００６４】  表ＶＩは、本発明のさらに別の実施例を列挙する（表Ｉからの合金５〜２１）。これらの実施例はすべて、応力下での焼きなましによりＨkの有意の増大を示し（ｄＨk／ｄσ＞０）、結果として、Ｈmaxでの合理的に低い勾配ならびに高レベルの信号振幅Ａ１の点での適当な共振器特性を示す。これらの合金は、約３０原子％より高い鉄含量、低またはゼロＣｏ含量を特徴とし、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＳｉおよびＢのほかに、周期表のＶｂ族および／またはＶＩｂ族から選択される少なくとも１つの元素、例えばＭｏ、Ｎｂおよび／またはＣｒを含有する。特に後者の状況は、ｄＨk／ｄσ＞０、すなわち、合金がＣｏをまったく含有しないかまたは無視可能な量で含有するが、適当な値まで引張応力焼きなましによって共振器特性を有意に改良できる、ということに関与する。これらのＶｂおよびＶＩｂ族元素の利点は、適当な合金５〜２１を合金ｎｏ．３（Ｆｅ40Ｎｉ38Ｓｉ4Ｂ18）と比較した場合にもっとも明白になる。
【００６５】  合金ｎｏ．７〜２１は、それらがＨmaxで１０００Ｈｚ／Ｏｅ未満の勾配を明示するため、特に適している。明らかに、ＭｏおよびＮｂの使用は、Ｃｒのみを付加するよりも勾配を低減するのに有効である。さらにＢ含量低減も、共振器特性に有益である。
【００６６】  表ＶＩに示されたすべての実施例において、リボン平面に垂直な磁界が、引張応力のほかに加えられた。さらに同様の結果は、磁界の存在を伴わずに得られる。これは、焼きなまし設備のための投資の点から見て有益であり得る（高価な磁石を必要としない）。応力焼きなましの別の利点は、焼きなまし温度が合金のキューリー温度より高く（この場合、磁界焼きなましは異方性を誘導しないかあるいは非常に低い異方性を誘導する）、これが合金最適化を促すという点である。さらに一方では、磁界が同時に存在することは、所望の共振器特性を達成するために必要な応力の大きさを低減するための利点を提供する。
【００６７】  約４原子％という多量のＭｏを含有する合金を用いる場合に生じる一問題は、これらの合金が鋳造における難点を示す傾向があることである。これらの難点は、Ｍｏ含量が約２原子％に低減されるか、および／またはＮｂに置き換えられた場合に、多くが取り除かれる。さらに、より低いＭｏおよび／またはＮｂ含量は原料コストを低減するが、Ｍｏの低減は焼きなまし応力に対する感受性を低減し、例えばより高い勾配を生じる。これは、約６００〜７００Ｈｚ／Ｏｅ未満の勾配が共振器に必要である場合、欠点であり得る。Ｍｏ含量低減の勾配強化作用は、Ｆｅ含量を３０原子％またはそれ以下に低減することにより補償され得る。これは、それぞれ表ＩおよびＶＩの実施例１８〜２１に対応する合金シリーズＦｅ30-xＮｉ52+xＭｏ2Ｂ16（ｘ＝０、２、４および６原子％）により実証される。これらの低鉄含量合金は、引張応力焼きなましに対する非常に高い感受性を有し、すなわちｄＨk／ｄσ?０．０５０  Ｏｅ／ＭＰａであり、これは、より高いＦｅ含量では、Ｍｏおよび／またはＮｂにおけるかなり高い含量を用いて達成可能なだけである（それぞれ表Ｉおよび表ＶＩの実施例１３および１５を参照）。したがってこれらの低鉄含量合金の応力焼きなましは、７００Ｈｚ／Ｏｅを有意に下回る低勾配を生じ、これが特に適切な共振器を生じる。焼きなまし応力ｄＨk／ｄσに対する感受性は、付加的磁界誘導異方性が低勾配のために必要とされないよう高くさえある（これらの合金のキューリー温度は約２３０℃〜３１０℃の範囲であり、焼きなまし温度よりはるかに低い、ということに留意すべきである。したがって磁界誘導異方性は、本調査においては無視し得る）。したがってこれらの低鉄含量合金は、それらが、焼きなまし中の磁界の同時存在を伴わずに適度に低い勾配も生じるために好ましく、これが、焼きなまし設備のためのコストを有意に低減する。
【００６８】  要約すると、低鉄含量および低Ｍｏ／Ｎｂ含量合金組成、例えばＦｅ30+xＮｉ52-y-xＣｏyＭｏ2Ｂ16またはＦｅ30+xＮｉ52-y-xＣｏyＭｏ1Ｂ16（ｘ＝−１０〜３、ｙ＝０〜４）が、それらの良好な鋳造性、低原料コストおよび応力焼きなましに対するそれらの高感受性（すなわち３６０℃で６秒間焼きなました場合、ｄＨk／ｄσ?０．０５  Ｏｅ／ＭＰａ）（これが付加的磁界が加えられない場合でも、中等度の大きさの焼きなまし応力で特に低い勾配を生じる）のために、特に適切である。これらの因子はすべて、焼きなまし設備のための投資低減に寄与する。
【００６９】
【表１】
0005276246.tif 000005
【００７０】
【表２】
0005276246.tif 000006
【００７１】
【表３】
0005276246.tif 000007
【００７２】
【表４】
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【００７３】
【表５】
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【００７４】
【表６】
0005276246.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【図１】  引張応力下で、および／またはリボン軸に垂直な磁界中で焼きなまされたアモルファスリボンに関する通常のヒステリシスループを示す。図１に示した特定例は、本発明での一実施形態であり、リボン平面に実質的に垂直に配向された２ｋＯｅの磁界および約１９Ｎの引張力の同時存在下で、３６０℃で２ｍ／分の速度で（焼きなまし時間約６秒）連続的に焼きなまされたアモルファスＦｅ40Ｎｉ40Ｍｏ4Ｂ16合金リボンから逐次切断された２つの３８ｍｍ長、６ｍｍ幅および２５μｍ厚の条板から調製される二重共振器に対応する。
【図２】  引張応力下で、および／またはリボン軸に垂直な磁界中で焼きなまされたアモルファス磁気歪みリボンに関する磁気バイアス磁界Ｈの一関数としての共振周波数ｆrおよび共振振幅Ａ１での通常の挙動を示す。図２に示した特定例は、本発明の一実施形態であり、リボン平面に実質的に垂直に配向された２ｋＯｅの磁界および約１９Ｎの引張力の同時存在下で、３６０℃で２ｍ／分の速度で（焼きなまし時間約６秒）連続的に焼きなまされたアモルファスＦｅ40Ｎｉ40Ｍｏ4Ｂ16合金リボンから逐次切断された２つの３８ｍｍ長、６ｍｍ幅および２５μｍ厚の条板から調製される二重共振器に対応する。
【図３】  磁気機械的製品監視システムの概略図であり、本発明の原理にしたがって作製された共振器を有するマーカーを示す。そのハウジングの上部は、内部構成成分を示すために部分的に引き剥がされている。
【図１】
0005276246.tif 000011
【図２】
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【図３】
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