(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンからなり貫通孔を有する基板本体と、前記基板本体の表面を覆う絶縁膜と、を有する基板と、
前記基板と接触しないように、前記貫通孔に配置されると共に、前記基板の両面から突出する貫通部と、前記貫通部の一方の端部と一体的に構成されると共に、前記基板の一方の面と接続され、バネ性を有する支持部とを備えたプローブ針と、を備え、
前記支持部は、下面側に形成された金属層と前記金属層上に積層されためっき膜とを含み、
前記支持部は前記貫通部上まで延在し、前記支持部の一方の端部に形成された前記金属層が前記貫通部の一方の端部と接続されており、前記支持部の他方の端部に形成された前記金属層が前記絶縁膜と接続されており、
前記支持部は、前記絶縁膜との接続部を除き、前記絶縁膜との間に空隙を形成する片持ち梁形状であり、
電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、前記貫通部の他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記支持部は、スパイラル形状であることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
前記プローブ針の材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブカード。
【請求項４】
前記貫通部の他方の端部に、前記電極パッドと接触するバンプを設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のプローブカード。
【請求項５】
前記貫通部の他方の端部の形状は、ラウンド形状又は先の尖った形状であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のプローブカード。
【請求項６】
基板とプローブ針とを有するプローブカードの製造方法であって、
前記基板に貫通孔を設け、前記基板の表面及び前記貫通孔の側面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成する工程の後に、前記貫通孔を充填し、かつ、前記絶縁膜を覆うように、第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜の前記貫通孔に充填された部分を貫通する第１の開口部と、前記第１のレジスト膜の前記基板の一方の面の絶縁膜の上面を露出させるように開口する第２の開口部と、を形成する工程と、
前記第１の開口部を覆うように金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記貫通部形成工程の後に、前記基板の一方の面側の全面に、シード層を形成する工程と、
前記シード層上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜に、前記プローブ針の支持部を形成するための第３の開口部を形成する工程と、
前記シード層を給電層とする電解めっきにより、前記第２の開口部及び前記第３の開口部に前記プローブ針の支持部を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、を含むプローブカードの製造方法。
【請求項７】
前記貫通部形成工程において、前記基板の一方の面に前記金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成し、
前記貫通部形成工程の後に、かつ、前記シード層を形成する工程の前に、
前記基板の他方の面側の全面に、第３のレジスト膜を形成し、前記第３のレジスト膜に、前記プローブ針の貫通部の下端面を露出させる第４の開口部を形成する工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第４の開口部に前記プローブ針の突起部を形成する工程と、を含む請求項６記載のプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、電極パッドと接触するプローブ針を備えたプローブカード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップの電気的検査を行う際にはプローブ装置が用いられている。プローブ装置は、半導体チップに設けられた電極パッドと接触するプローブ針を備えたプローブカードを有する。
【０００３】
図１は、従来のプローブカードの断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来のプローブカード２００は、プローブカード本体２０１と、複数のプローブ針２０３とを有する。
【０００５】
プローブカード本体２０１は、配線基板であり、複数のプローブ針２０３と電気的に接続されている。複数のプローブ針２０３は、プローブカード本体２０１の下面２０１Ａに設けられている。プローブ針２０３は、バネ性を有しており、片持ち梁形状とされている。プローブ装置（図示せず）を用いて、半導体チップ２０５の電気的検査を行う際、プローブ針２０３の先端２０３Ａは、半導体チップ２０５に設けられた電極パッド２０６と接触する。
【０００６】
図２及び図３は、プローブ装置により検査される半導体チップの平面図である。
【０００７】
プローブ装置により検査される半導体チップ２０５としては、電極パッド２０６がペリフェラル配置された半導体チップ２０５−１（図２参照）や、電極パッド２０６がマトリックス配置された半導体チップ２０５−２（図３参照）等がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−４９４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のプローブ針２０３では、プローブ針２０３の配設ピッチＪが大きく（配設ピッチＪ≧１５０μｍ）なってしまう。そのため、半導体チップ２０５−１に設けられた電極パッド２０６を狭ピッチで配置した場合、半導体チップ２０５−１に設けられた電極パッド２０６にプローブ針２０３の先端２０３Ａを精度良く接触させることができないという問題があった。
【０００９】
また、半導体チップ２０５−２では、電極パッド２０６をマトリックス配置することで電極パッド２０６の配設ピッチが狭くなってしまうため、半導体チップ２０５−２に設けられた電極パッド２０６にプローブ針２０３の先端２０３Ａを精度良く接触させることができないという問題があった。特に、マトリックス配置された半導体チップ２０５−２において、電極パッド２０６の狭ピッチ化を行った場合、上記問題が顕著となる。
【００１０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、半導体チップに設けられた電極パッドが狭ピッチで配置された場合や電極パッドがマトリックス配置された場合でも電極パッドにプローブ針を精度良く接触させることのできるプローブカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板とプローブ針とを有するプローブカードの製造方法であって、前記基板に貫通孔を設け、前記基板の表面及び前記貫通孔の側面に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後に、前記貫通孔を充填し、かつ、前記絶縁膜を覆うように、第１のレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜の前記貫通孔に充填された部分を貫通する第１の開口部と、前記第１のレジスト膜の前記基板の一方の面の絶縁膜の上面を露出させるように開口する第２の開口部と、を形成する工程と、前記第１の開口部を覆うように金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部形成工程の後に、前記基板の一方の面側の全面に、シード層を形成する工程と、前記シード層上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜に、前記プローブ針の支持部を形成するための第３の開口部を形成する工程と、前記シード層を給電層とする電解めっきにより、前記第２の開口部及び前記第３の開口部に前記プローブ針の支持部を形成する工程と、前記第２のレジスト膜を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、前記第１のレジスト膜を除去する工程と、を含むプローブカードの製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、シリコンからなり貫通孔を有する基板本体と、前記基板本体の表面を覆う絶縁膜と、を有する基板と、前記基板と接触しないように、前記貫通孔に配置されると共に、前記基板の両面から突出する貫通部と、前記貫通部の一方の端部と一体的に構成されると共に、前記基板の一方の面と接続され、バネ性を有する支持部とを備えたプローブ針と、を備え、前記支持部は、下面側に形成された金属層と前記金属層上に積層されためっき膜とを含み、前記支持部は前記貫通部上まで延在し、前記支持部の一方の端部に形成された前記金属層が前記貫通部の一方の端部と接続されており、前記支持部の他方の端部に形成された前記金属層が前記絶縁膜と接続されており、前記支持部は、前記絶縁膜との接続部を除き、前記絶縁膜との間に空隙を形成する片持ち梁形状であり、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、前記貫通部の他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とするプローブカードが提供される。
【００１２】
本発明によれば、基板と接触しないように貫通孔に配置され、基板の両面から突出すると共に、電気的検査を行う際、他方の端部が半導体チップの電極パッドと接触する貫通部と、貫通部の一方の端部と一体的に構成されると共に、基板の一方の面と接続され、バネ性を有する支持部とを有するプローブ針をプローブカードに設けることにより、プローブ針の配設ピッチを狭くすることが可能となる。これにより、半導体チップに設けられた電極パッドが狭ピッチで配置された場合や電極パッドがマトリックス配置された場合でも電極パッドにプローブ針を精度良く接触させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体チップに設けられた電極パッドが狭ピッチで配置された場合や電極パッドがマトリックス配置された場合でも電極パッドにプローブ針を精度良く接触させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
図４は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの断面図であり、図５は、図４に示すプローブ針が半導体チップの電極パッドと接触した状態を模式的に示す図である。また、図６は、図４に示すプローブ針を平面視した図である。図４及び図５において、Ｘ，Ｘ方向は、基板本体１５の上面１５Ａと平行な面方向、Ｙ，Ｙ方向は、Ｘ，Ｘ方向に垂直な方向をそれぞれ示している。図５及び図６において、本実施の形態のプローブカード１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１６】
図４及び図５を参照するに、第１の実施の形態のプローブカード１０は、基板１１と、プローブ針１２とを有する。基板１１は、基板本体１５と、絶縁膜１６とを有する。基板本体１５は、板状とされており、複数の貫通孔１８を有する。貫通孔１８は、プローブ針１２の構成要素のうちの１つである後述する貫通部１９をＹ，Ｙ方向に移動可能に収容するための孔である。貫通孔１８の直径は、例えば、５０μｍとすることができる。貫通孔１８のピッチは、例えば、１００μｍとすることができる。
【００１７】
基板本体１５の材料としては、シリコン、樹脂（例えば、絶縁樹脂）、金属（例えば、Ｃｕ）等を用いることができる。なお、基板本体１５の材料として、絶縁樹脂を用いた場合、図４及び図５に示す絶縁膜１６は不要となる。
【００１８】
また、半導体チップ２５に設けられた半導体基板（図示せず）がシリコン基板の場合、基板本体１５の材料としては、例えば、シリコンを用いるとよい。
【００１９】
このように、基板本体１５の材料としてシリコンを用いることにより、プローブカード１０と半導体チップ２５との間の熱膨張係数の差が緩和されるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６にプローブ針１２を精度良く接触させることができる。基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、基板本体１５の厚さは、例えば、３００μｍとすることができる。
【００２０】
絶縁膜１６は、基板本体１５の表面（貫通孔１８の側面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆うように設けられている。絶縁膜１６は、基板本体１５とプローブ針１２との間を絶縁するための膜である。絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができる。絶縁膜１６として、熱酸化膜を用いた場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。
【００２１】
プローブ針１２は、貫通部１９と、支持部２１とを有する。貫通部１９は、導電性を有した材料により構成されており、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように、貫通孔１８に配置されている。貫通部１９の端部１９Ａ（一方の端部）は、基板本体１５の上面１５Ａに設けられた絶縁膜１６の面１６Ａ（基板１１の一方の面）よりも突出している。貫通部１９の一方の端部１９Ａは、支持部２１と一体的に構成されている。貫通部１９の端部１９Ｂ（他方の端部）は、基板本体１５の下面１５Ｂに設けられた絶縁膜１６の面１６Ｂ（基板１１の他方の面）よりも突出している。貫通部１９の端部１９Ｂは、プローブ装置（図示せず）が半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する部分である。貫通部１９の直径は、例えば、３０μｍとすることができる。
【００２２】
支持部２１は、一方の端部が貫通部１９の端部１９Ａと一体的に構成されており、他方の端部が絶縁膜１６の面１６Ａと接続されている。支持部２１は、導電性を有した材料により構成されると共に、バネ性を有する。支持部２１は、貫通部１９をＹ，Ｙ方向に移動可能な状態で支持するための部材である。図５に示すように、支持部２１は、貫通部１９の端部１９Ｂが電極パッド２６と接触した際、貫通部１９の端部１９Ｂと電極パッド２６とを一定の力で接触させた状態で、貫通部１９を上方に移動させる。支持部２１の絶縁膜１６の面１６Ａと接触している部分の直径は、例えば、３０μｍとすることができる。支持部２１は、断面形状がＬ字形状（図４参照）とされており、平面形状は長方形（図６参照）とされている。
【００２３】
このように、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように、貫通孔１８に配置され、両端部１９Ａ，１９Ｂが基板１１の両面（具体的には、絶縁膜１６の面１６Ａ，１６Ｂ）から突出すると共に、電気的検査を行う際、端部１９Ｂが半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する貫通部１９と、貫通部１９の端部１９Ａと一体的に構成されると共に、絶縁膜１６の面１６Ａ（基板１１の一方の面）と接続され、バネ性を有する支持部２１とを有するプローブ針１２をプローブカード１０に設けることにより、プローブ針１２の配設ピッチＰを狭くすることが可能となるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６が狭ピッチで配置された場合や電極パッド２６がマトリックス配置された場合でも電極パッド２６にプローブ針１２（具体的には、貫通部１９の端部１９Ｂ）を精度良く接触させることができる。
【００２４】
プローブ針１２の配設ピッチＰは、例えば、８０μｍ〜１００μｍの範囲で適宜選択することが可能である。
【００２５】
上記構成とされたプローブ針１２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いるとよい。このように、プローブ針１２の材料としてＣｕを用いることにより、支持部２１にバネ性を持たせることができると共に、めっき法を用いてプローブ針１２を形成する際、容易にプローブ針１２を形成することができる。
【００２６】
本実施の形態のプローブカードによれば、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように、貫通孔１８に配置され、両端部１９Ａ，１９Ｂが基板１１の両面（具体的には、絶縁膜１６の面１６Ａ，１６Ｂ）から突出すると共に、電気的検査を行う際、端部１９Ｂが半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する貫通部１９と、貫通部１９の端部１９Ａと一体的に構成されると共に、絶縁膜１６の面１６Ａ（基板１１の一方の面）と接続され、バネ性を有する支持部２１とを有するプローブ針１２をプローブカード１０に設けることにより、プローブ針１２の配設ピッチＰを狭くすることが可能となるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６が狭ピッチで配置された場合や電極パッド２６がマトリックス配置された場合でも電極パッド２６にプローブ針１２（具体的には、貫通部１９の端部１９Ｂ）を精度良く接触させることができる。
【００２７】
図７〜図１９は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図である。図７〜図１９において、第１の実施の形態のプローブカード１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２８】
図７〜図１９を参照して、第１の実施の形態のプローブカード１０の製造方法について説明する。始めに、図７に示す工程では、複数の貫通孔１８を有すると共に、板状とされた基板本体１５を形成する。基板本体１５の材料としては、シリコン、樹脂（例えば、絶縁樹脂）、金属（例えば、Ｃｕ）等を用いることができる。半導体チップ２５に設けられた半導体基板（図示せず）がシリコン基板の場合、基板本体１５の材料としては、例えば、シリコンを用いるとよい。
【００２９】
このように、基板本体１５の材料としてシリコンを用いることにより、プローブカード１０と半導体チップ２５との間の熱膨張係数の差が緩和されるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６にプローブ針１２を精度良く接触させることができる。基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、基板本体１５の厚さは、例えば、３００μｍとすることができる。また、基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、貫通孔１８は、例えば、異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング）により形成することができる。この場合、貫通孔１８の直径は、例えば、５０μｍとすることができる。また、貫通孔１８のピッチは、例えば、１００μｍとすることができる。なお、本実施の形態では、基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００３０】
次いで、図８に示す工程では、図７に示す基板本体１５の表面（貫通孔１８の側面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆う絶縁膜１６を形成する。これにより、基板本体１５及び絶縁膜１６を有した基板１１が形成される。絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができる。絶縁膜１６として熱酸化膜を用いた場合、例えば、シリコンからなる基板本体１５を熱酸化することで、基板本体１５の表面を覆う熱酸化膜を形成する。絶縁膜１６として熱酸化膜を用いる場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。
【００３１】
次いで、図９に示す工程では、複数の貫通孔１８を充填すると共に、絶縁膜１６の両面１６Ａ，１６Ｂを覆うように、レジスト膜３１を形成する。レジスト膜３１は、例えば、液状レジストを絶縁膜１６の面１６Ａから供給し、その後、液状レジストを絶縁膜１６の面１６Ｂに供給することで形成する。絶縁膜１６の両面１６Ａ，１６Ｂに形成された部分のレジスト膜３１の厚さは、例えば、２０μｍとすることができる。
【００３２】
次いで、図１０に示す工程では、マスクを介して、図９に示す構造体に設けられたレジスト膜３１を露光し、次いで、露光処理されたレジスト膜３１を現像することで、レジスト膜３１に開口部３２，３３を形成する。
【００３３】
開口部３２は、貫通孔１８を充填するレジスト膜３１を貫通するように形成する。開口部３２は、プローブ針１２の貫通部１９が形成される空間である。開口部３２の直径は、例えば、３０μｍとすることができる。開口部３３は、支持部２１の形成領域に対応する部分の絶縁膜１６の面１６Ａを露出するように形成されている。開口部３３の直径は、例えば、３０μｍとすることができる。
【００３４】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す構造体の下面に、金属板３５を貼り付ける。金属板３５は、電解めっき法により、プローブ針１２の貫通部１９を形成する際の給電層となる部材である。金属板３５としては、例えば、Ｃｕ板を用いることができる。なお、図１１に示す工程において、金属板３５の代わりに、図１０に示す構造体の下面に金属箔を貼り付けてもよい。金属箔としては、例えば、Ｃｕ箔を用いることができる。
【００３５】
次いで、図１２に示す工程では、金属板３５を給電層とする電解めっき法により、開口部３２を充填するようにめっき膜を析出成長させることで、貫通部１９を形成する。貫通部１９を構成するめっき膜としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。
【００３６】
次いで、図１３に示す工程では、図１２に示す構造体に設けられた金属板３５を除去する。具体的には、金属板３５を絶縁膜１６から剥がす。
【００３７】
次いで、図１４に示す工程では、レジスト膜３１の上面３１Ａ、開口部３３の側面に対応する部分のレジスト膜３１の面、及び開口部３３に露出された部分の絶縁膜１６の面１６Ａを覆うシード層３７を形成する。シード層３７は、電解めっき法により、プローブ針１２の支持部２１を形成する際の給電層となる層である。シード層３７は、例えば、スパッタ法や無電解めっき法等の方法により形成することができる。シード層３７としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層３７としてＣｕ層を用いた場合、シード層３７の厚さは、例えば、０．３μｍとすることができる。
【００３８】
次いで、図１５に示す工程では、シード層３７上に開口部３９を有したレジスト膜３８を形成する。開口部３９は、支持部２１の形成領域に対応する部分のシード層３７を露出するように形成する。
【００３９】
次いで、図１６に示す工程では、シード層３７を給電層とする電解めっき法により、開口部３３，３９を充填するめっき膜４１を析出成長させる。めっき膜４１は、支持部２１の構成要素の１つとなる膜である。めっき膜４１としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。めっき膜４１としてＣｕめっき膜を用いた場合、めっき膜４１の厚さＭは、例えば、１０μｍとすることができる。
【００４０】
次いで、図１７に示す工程では、シード層３７上に形成されたレジスト膜３８を除去する。次いで、図１８に示す工程では、めっき膜４１に覆われていない不要な部分のシード層３７を除去する。不要な部分のシード層３７は、例えば、エッチングにより除去する。これにより、貫通部１９と、シード層３７及びめっき膜４１からなる支持部２１とを備えたプローブ針１２が形成される。
【００４１】
次いで、図１９に示す工程では、図１８に示すレジスト膜３１を除去する。これにより、本実施の形態のプローブカード１０が製造される。
【００４２】
（第２の実施の形態）
図２０は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブカードの断面図であり、図２１は、図２０に示すプローブ針を平面視した図である。図２０及び図２１において、第１の実施の形態のプローブカード１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００４３】
図２０及び図２１を参照するに、第２の実施の形態のプローブカード５０は、第１の実施の形態のプローブカード１０に設けられたプローブ針１２の代わりに、プローブ針５２を設けた以外は、プローブカード１０と同様に構成される。
【００４４】
プローブ針５２は、プローブ針１２に設けられた支持部２１の代わりに、スパイラル形状とされた支持部５３（図２１参照）を設けた以外はプローブ針１２と同様に構成される。支持部５３は、一方の端部が絶縁膜１６の面１６Ａと接続されており、他方の端部が貫通部１９の端部１９Ａと一体的に構成されている。支持部５３は、導電性を有した材料（例えば、Ｃｕ）により構成されており、バネ性を有する。
【００４５】
本実施の形態のプローブカードによれば、半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する貫通部１９と一体的に構成されると共に、絶縁膜１６の面１６Ａに配設される支持部５３をスパイラル形状とすることにより、支持部５３のバネ性を向上させることができる。また、本実施の形態のプローブカード５０は、第１の実施の形態のプローブカード１０と同様な効果を得ることができる。
【００４６】
さらに、第２の実施の形態のプローブカード５０は、第１の実施の形態のプローブカード１０と同様な手法により製造することができる。
【００４７】
図２２は、他のプローブカードの平面図である。図２２において、図２１に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４８】
図２２に示すプローブ針５５に設けられた支持部５６のように、スパイラルの量を増加させてもよい。これにより、支持部５６のバネ性をさらに向上させることができる。
【００４９】
（第３の実施の形態）
図２３は、本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。図２３において、第１の実施の形態のプローブカード１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５０】
図２３を参照するに、第３の実施の形態のプローブカード６０は、第１の実施の形態のプローブカード１０に設けられたプローブ針１２の代わりに、プローブ針６２を設けた以外はプローブカード１０と同様に構成される。
【００５１】
プローブ針６２は、プローブ針１２に設けられた貫通部１９の代わりに貫通部６３を設けた以外はプローブ針１２と同様に構成される。貫通部６３は、一方の端部６３Ａが支持部２１と一体的に構成されており、他方の端部６３Ｂには突起部６４が設けられている。突起部６４は、プローブ装置（図示せず）が半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する部分である。突起部６４の突出量は、例えば、２５μｍとすることができる。この場合、突起部６４の直径は、例えば、３０μｍとすることができる。
【００５２】
本実施の形態のプローブカードによれば、プローブ装置により半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６と接触する貫通部６３の端部６３Ｂに突起部６４を設けたことにより、電極パッド２６にプローブ針６２（具体的には、貫通部６３の端部６３Ｂ）を精度良く接触させることができる。また、本実施の形態のプローブカード６０は、第１の実施の形態のプローブカード１０と同様な効果を得ることができる。
【００５３】
図２４及び図２５は、プローブ針の端部の他の形状を示す図である。
【００５４】
なお、本実施の形態では、貫通部６３の端部６３Ｂに突起部６４を設けた場合を例に挙げて説明したが、突起部６４を設ける代わりに、例えば、貫通部６３の端部６３Ｂを図２４及び図２５に示すような形状にしてもよい。
【００５５】
図２６〜図３２は、本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図である。図２６〜図３２において、第３の実施の形態のプローブカード６０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５６】
図２６〜図３２を参照して、第３の実施の形態のプローブカード６０の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図７〜図１０に示す工程と同様な手法により、図１０に示す構造体を形成する。
【００５７】
次いで、図２６に示す工程では、図１０に示す構造体の上面に、金属板６５を貼り付ける。金属板６５としては、例えば、Ｃｕ板を用いることができる。また、金属板６５の代わりに金属箔（例えば、Ｃｕ箔）を用いてもよい。
【００５８】
次いで、図２７に示す工程では、金属板６５を給電層とする電解めっき法により、開口部３２を充填するようにめっき膜（例えば、Ｃｕ膜）を析出成長させることで、プローブ針６２の貫通部６３を形成する。
【００５９】
次いで、図２８に示す工程では、図２７に示す構造体の下面に、開口部６６Ａを有したレジスト膜６６を形成する。開口部６６Ａは、端部６３Ｂを露出するように形成されている。開口部６６Ａは、突起部６４の形状と略等しい形状とされている。開口部６６Ａの直径は、例えば、３０μｍとすることができる。レジスト膜６６の厚さは、例えば、２５μｍとすることができる。
【００６０】
次いで、図２９に示す工程では、金属板６５を給電層とする電解めっき法により、開口部６６Ａを充填するようにめっき膜（例えば、Ｃｕ膜）を析出成長させることで、プローブ針６２の突起部６４を形成する。
【００６１】
次いで、図３０に示す工程では、金属板６５を除去する。次いで、図３１に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図１４〜図１８に示す工程と同様な処理を行うことで、支持部２１を形成する。これにより、プローブ針６２が形成される。
【００６２】
次いで、図３２に示す工程では、レジスト膜３１，６６を除去する。これにより、図２３に示すプローブカード６０が製造される。
【００６３】
（第４の実施の形態）
図３３は、本発明の第４の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。図３３において、第１の実施の形態のプローブカード１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６４】
図３３を参照するに、第４の実施の形態のプローブカード７０は、第１の実施の形態のプローブカード１０の構成に、さらにバンプ７２を設けた以外は、プローブカード１０と同様に構成される。
【００６５】
バンプ７２は、貫通部１９の端部１９Ｂに設けられている。バンプ７２は、プローブ装置（図示せず）により半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６と接触する部材である。バンプ７２としては、例えば、Ａｕバンプを用いることができる。バンプ７２としてＡｕバンプを用いた場合、バンプ７２の高さは、例えば、４０μｍとすることができる。バンプ７２としてＡｕバンプを用いた場合、バンプ７２は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。
【００６６】
本実施の形態のプローブカードによれば、貫通部１９の端部１９Ｂに半導体チップ２５の電極パッド２６と接触するバンプ７２を設けることにより、プローブ装置により半導体チップ２５の電気的検査を行う際、バンプ７２を介して、電極パッド２６とプローブ針１２とを精度良く電気的に接続させることができる。
【００６７】
また、本実施の形態のプローブカード７０は、第１の実施の形態のプローブカード１０と同様な効果を得ることができる。
【００６８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、電極パッドと接触するプローブ針を備えたプローブカード及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】従来のプローブカードの断面図である
【図２】プローブ装置により検査される半導体チップの平面図（その１）である。
【図３】プローブ装置により検査される半導体チップの平面図（その２）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。
【図５】図４に示すプローブ針が半導体チップの電極パッドと接触した状態を模式的に示す図である。
【図６】図４に示すプローブ針を平面視した図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その２）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その４）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その５）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その７）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その８）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その９）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１０）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１１）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１２）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１３）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。
【図２１】図２０に示すプローブ針を平面視した図である。
【図２２】他のプローブカードの平面図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。
【図２４】プローブ針の端部の他の形状を示す図（その１）である。
【図２５】プローブ針の端部の他の形状を示す図（その２）である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その１）である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その２）である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その３）である。
【図２９】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その４）である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その５）である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その６）である。
【図３２】本発明の第３の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を示す図（その７）である。
【図３３】本発明の第４の実施の形態に係るプローブカードの断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０，５０，６０，７０  プローブカード
１１  基板
１２，５２，５５，６２  プローブ針
１５  基板本体
１５Ａ，３１Ａ  上面
１５Ｂ  下面
１６  絶縁膜
１６Ａ，１６Ｂ  面
１８  貫通孔
１９，６３  貫通部
１９Ａ，１９Ｂ，６３Ａ，６３Ｂ  端部
２１，５３，５６  支持部
２５  半導体チップ
２６  電極パッド
３１，３８，６６  レジスト膜
３２，３３，３９，６６Ａ  開口部
３５，６５  金属板
３７  シード層
４１  めっき膜
６４  突起部
６６  凹部
７２  バンプ
Ｍ  厚さ
Ｐ  ピッチ
【図１】
0005276895.tif 000002
【図２】
0005276895.tif 000003
【図３】
0005276895.tif 000004
【図４】
0005276895.tif 000005
【図５】
0005276895.tif 000006
【図６】
0005276895.tif 000007
【図７】
0005276895.tif 000008
【図８】
0005276895.tif 000009
【図９】
0005276895.tif 000010
【図１０】
0005276895.tif 000011
【図１１】
0005276895.tif 000012
【図１２】
0005276895.tif 000013
【図１３】
0005276895.tif 000014
【図１４】
0005276895.tif 000015
【図１５】
0005276895.tif 000016
【図１６】
0005276895.tif 000017
【図１７】
0005276895.tif 000018
【図１８】
0005276895.tif 000019
【図１９】
0005276895.tif 000020
【図２０】
0005276895.tif 000021
【図２１】
0005276895.tif 000022
【図２２】
0005276895.tif 000023
【図２３】
0005276895.tif 000024
【図２４】
0005276895.tif 000025
【図２５】
0005276895.tif 000026
【図２６】
0005276895.tif 000027
【図２７】
0005276895.tif 000028
【図２８】
0005276895.tif 000029
【図２９】
0005276895.tif 000030
【図３０】
0005276895.tif 000031
【図３１】
0005276895.tif 000032
【図３２】
0005276895.tif 000033
【図３３】
0005276895.tif 000034