(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品基板に対して所定の処理を実行する基板処理実行部と非製品基板に対してダミー処理を実行するダミー処理実行部とを備えることにより基板処理装置を制御する制御装置であって，
基板の処理に用いられる１または２以上のレシピを記憶する記憶部と，
前記記憶部に記憶されたレシピから前記基板処理装置に設けられた処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報を取得し，取得した温度情報に基づいて前記処理容器内の温度状態が整えられているか否かを判定する判定部と、を備え，
前記基板処理実行部は，
前記判定部により前記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，前記ダミー処理実行部に前記ダミー処理を実行させることなく，製品基板に対して所定の処理を実行し，
さらに，処理中の製品基板が含まれる製品基板群からなるロットが存在しない状態で，一のロットに対する処理が非連続に実行されるようにロットの非連続投入を指示するロット非連続投入指示部を備え，
前記ダミー処理実行部は，
前記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示された場合，前記判定部に前記判定を実行させることなく，前記非連続に投入されたロットの製品基板に対して前記所定の処理が実行される前に非製品基板に対してダミー処理を実行する基板処理装置の制御装置。
【請求項２】
前記判定部は，
前記記憶部に記憶されたレシピのうち直前の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを第１の判定条件として比較することにより，前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項１に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項３】
前記判定部は，
前記第１の判定条件に加え，以前の製品基板の処理に用いられたレシピの設定電力から算出された値と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定電力とを第２の判定条件として比較することにより，前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項２に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項４】
前記基板処理装置は，前記処理容器内の温度を検出する温度センサを備え，
前記判定部は，
前記温度センサにより検出された処理容器内の温度を取得し，取得された処理容器内の温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを第３の判定条件として比較することにより，前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項１〜３のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項５】
前記判定部は，
指定されたダミー処理の運用条件を示すパラメータに応じて，
前記記憶部に記憶されたレシピのうち直前の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを比較する第１の判定条件，
前記第１の判定条件に加え，以前の製品基板の処理に用いられたレシピの設定電力から算出された値と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定電力とを比較する第２の判定条件、及び
前記処理容器内の温度を検出する温度センサにより検出された処理容器内の温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを比較する第３の判定条件、からなる３つの判定条件の少なくともいずれかに基づいて前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項１〜４のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項６】
前記判定部は，
前記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，ロット連続投入時がダミー処理の運用条件として前記パラメータに指定されている場合，前記第３の判定条件により前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項７】
前記判定部は，
前記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，ロット連続投入時がダミー処理の運用条件として前記パラメータに指定されていない場合，前記第１の判定条件および前記第２の判定条件により前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項８】
前記判定部は，
前記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，ロット連続投入時がダミー処理の運用条件として前記パラメータに指定されていない場合，前記第１の判定条件，前記第２の判定条件および前記第３の判定条件により前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項９】
前記ダミー処理実行部は，
前記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示され，ロット非連続投入時がダミー処理の運用条件として前記パラメータに指定されている場合，前記判定部に前記判定を実行させることなく，前記非連続に投入された製品基板に対して前記所定の処理を実行する前に非製品基板に対してダミー処理を実行する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項１０】
前記ダミー処理実行部は，
前記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示され，ロット非連続投入時がダミー処理の運用条件として前記パラメータに指定されていない場合，前記第１の判定条件および前記第３の判定条件により前記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
【請求項１１】
製品基板に対して所定の処理を施す基板処理装置を制御する方法であって，
前記処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報を取得し，
前記取得された温度情報に基づいて前記処理容器内の温度状態が整えられているか否かを判定し，
前記前記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，非製品基板に対して前記ダミー処理を実行することなく，製品基板に対し前記所定の処理を実行し，
さらに，処理中の製品基板が含まれる製品基板群からなるロットが存在しない状態で，一のロットに対する処理が非連続に実行されるようにロットの非連続投入が指示された場合，前記判定を実行させることなく，前記非連続に投入されたロットの製品基板に対して前記所定の処理が実行される前に非製品基板に対してダミー処理を実行する基板処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，製品基板に所定の処理を施す基板処理装置を制御する制御装置および制御方法に関する。特に，処理容器内の状態を整えるためにダミー処理を実行するか否かを判定する制御装置および制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，基板処理装置では，予め定められたレシピに定義された手順に基づいてＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理，エッチング処理，アッシング処理などの基板処理が行われている。このうち，ＣＶＤ処理では，多数の基板上に膜が形成される際，徐々に処理容器の内壁にも膜が堆積していく。また，エッチング処理では，基板上に形成された膜を削り取る際，反応生成物がプラズマにより分解されて処理容器の内壁に付着していく。これらの異物は，処理容器内が加熱および冷却を繰り返すことにより処理容器内壁から剥離または脱離し，パーティクルとして基板上に落下し，これによって処理後の製品の性能を劣化させるため好ましくない。
【０００３】
そこで，上記パーティクルの問題を回避するために，処理容器内を定期的にクリーニングするとともに，クリーニング工程後，処理容器内の雰囲気を自動的に整えるためにシーズニングする技術が従来から知られている（たとえば，特許文献１を参照。）。このシーズニング工程では，予め定められたレシピに示された手順に基づき，非製品基板に対してダミー処理が実行され，これにより基板処理装置の状態が整えられる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２３３３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし，処理容器内の状態が安定している場合には，ダミー処理を行う必要はないと考えられる。しかもこのとき，圧力などの温度以外の状態を考慮する必要はないと考えられる。その理由を次に説明する。すなわち，プロセス条件のうち，温度は，一番レスポンスが悪い。たとえば，基板処理装置に設けられたヒータなどの設定温度をプロセス条件に合致するように変更しても，これに応答して処理容器内の温度がプロセス条件に合致した温度に安定するまでには相当の時間がかかる。
【０００６】
このため，処理容器内の状態が安定していない場合，製品基板の処理に先立ち，まず温度をプロセス条件に合致した値に変更させ，処理容器内の実際の温度が徐々に設定温度に移行するのを待つ必要がある。このように，処理容器内の状態が整えられていない場合，そのレスポンスの悪さから温度条件を前もって制御する必要がある。この観点から考えると，処理容器内の状態が安定していない場合，処理容器内の状態（特に，温度状態）を前もって整えるために実行されるダミー処理の意義は大きい。
【０００７】
これに対し，圧力や投入パワーなどの温度以外のプロセス条件は，比較的レスポンスがよい。たとえば，ガスの流量やガスの排気量，供給電力量をプロセス条件に合致した値に変更しても，処理容器内の状態は比較的瞬時に目標値に至る。よって，温度以外のプロセス条件を整えるために，基板処理の前に前もってダミー処理を行うことは，この処理に費やす種々のエネルキーや材料等の資源の無駄使いであるばかりか，不要なダミー処理を実行すると，その間，製品を生産することができないため，スループットが低下して製品の生産性が下がるという問題が生じていた。
【０００８】
上記問題を解消するために，本発明では，温度に関する条件に基づき処理容器内の状態を整えるためにダミー処理を実行するか否かを判定する基板処理装置の制御装置，その制御方法およびその制御プログラムが提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち，上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，製品基板に対して所定の処理を実行する基板処理実行部と非製品基板に対してダミー処理を実行するダミー処理実行部とを備えることにより基板処理装置を制御する制御装置が提供される。この制御装置は，基板の処理に用いられる１または２以上のレシピを記憶する記憶部と，前記記憶部に記憶されたレシピから上記基板処理装置に設けられた処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報を取得し，取得した温度情報に基づいて上記処理容器内の温度状態が整えられているか否かを判定する判定部と、を備え，上記基板処理実行部は，上記判定部により上記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，上記ダミー処理実行部に上記ダミー処理を実行させることなく，製品基板に対して所定の処理を実行し，さらに，処理中の製品基板が含まれる製品基板群からなるロットが存在しない状態で，一のロットに対する処理が非連続に実行されるようにロットの非連続投入を指示するロット非連続投入指示部を備え，前記ダミー処理実行部は，前記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示された場合，前記判定部に前記判定を実行させることなく，前記非連続に投入されたロットの製品基板に対して前記所定の処理が実行される前に非製品基板に対してダミー処理を実行する。
【００１０】
製品基板に対してエッチング処理などの所定の処理を実行する場合，前もって処理容器内の雰囲気をプロセス条件に合致した状態に整えておく必要がある。特に，温度の場合，前述したように，処理容器内の実際の温度が目標値まで移行するのに相当の時間がかかるため，処理容器内の温度状態を前もって整えるために実行するダミー処理の意義は大きい。
【００１１】
しかし，圧力や投入パワーなどの温度以外のプロセス条件は，比較的レスポンスがよく，たとえば，ガスの流量やガスの排気量，供給電力量をプロセス条件に合致した値に変更しても，処理容器内の状態は比較的瞬時に目標値に至る。このため，処理容器内の温度以外の状態を前もって整えるために，多くのコストと時間を費やしてダミー処理を実行するのは得策ではない。
【００１２】
そこで，本発明によれば，上記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，上記ダミー処理を実行することなく，製品基板に対してエッチング処理などの所定の処理が施される。これにより，ダミー処理を実行する際に消費していたガスやパワーなどのエネルギーや材料などの資源の無駄な消費を抑えることができる。さらに，ダミー処理の実行に費やしていた時間を，製品の生産に効率的に使用することができる。この結果，省エネを図りつつ，スループットを向上させて製品の生産性を飛躍的に向上させることができる。
【００１３】
さらに，製品基板の処理に用いられる１または２以上のレシピを記憶する記憶部を備えていて，上記判定部は，上記記憶部に記憶されたレシピのうち直前の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを第１の判定条件として比較することにより，上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００１４】
また，上記判定部は，上記第１の判定条件に加え，以前の製品基板の処理に用いられたレシピの設定電力から算出された値と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定電力とを第２の判定条件として比較することにより，上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。ここで，以前の製品基板の処理に用いたレシピの設定電力から算出された値とは，直前に処理されたロットに属する複数の基板に用いた複数のレシピの設定電力の平均値であってもよく，一番最近処理された基板に用いたレシピの設定電力であってもよい。
【００１５】
上記基板処理装置は，上記処理容器内の温度を検出する温度センサを備え，上記判定部は，上記温度センサにより検出された処理容器内の温度を取得し，取得された処理容器内の温度と次の製品基板の処理に用いられるレシピの設定温度とを第３の判定条件として比較することにより，上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００１６】
これによれば，処理容器内の実際の温度とレシピの設定温度との違いにより，処理容器の温度状態が整えられているか否かが判定される。このように実際の温度と次のプロセスに使われるレシピの設定温度とを比較することにより，処理容器の温度状態が整えられているかを処理容器の実際の状態に応じて的確に判定することができる。この結果，ダミー処理が必要か否かをより的確に判定することができる。
【００１７】
なお，センサが検出する処理容器内の温度としては，上部電極近傍の温度が好ましいが，たとえば，下部電極近傍の温度，基板を載置する載置台の温度，処理容器の側壁の温度，ヒータの設定温度等，処理容器内の温度状態を示す値であればどんな検出値であってもよい。
【００２０】
非連続にロットの処理が実行される場合，直前に処理したロット（製品基板）の処理時刻から次に処理されるロットの処理時刻まで，比較的長時間が経過していると考えられる。たとえば，基板処理装置のメンテナンス後にロットを投入したような場合である。このような場合，処理容器内の状態が崩れていて安定していない。このため，製品基板を処理する前に処理容器内の状態を整える必要がある。特に，温度条件は前述した理由により前もって制御しておく必要がある。
【００２１】
そこで，本発明では，ロットの非連続投入が指示された場合，判定部による判定を待つまでもなく，無条件に製品基板にエッチング処理等を施す前に非製品基板に対してダミー処理が実行される。これにより，処理容器内のコンディションが崩れている可能性が非常に高いロットの非連続投入時であっても，ダミー処理の実行により，温度状態を含む処理容器内のコンディションを確実に整えることができる。この結果，製品基板に対する処理を精度良く実行することができる。
【００２２】
上記判定部は，指定されたダミー処理の運用条件を示すパラメータに応じて，上記第１の判定条件，上記第２の判定条件および上記第３の判定条件の少なくともいずれかの判定条件に基づいて上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００２３】
このとき，上記判定部は，上記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，上記パラメータによりロット連続投入時がダミー処理の運用条件として指定されている場合，上記第３の判定条件により上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００２４】
また，上記判定部は，上記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，上記パラメータによりロット連続投入時がダミー処理の運用条件として指定されていない場合，上記第１の判定条件および上記第２の判定条件により上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００２５】
あるいは，上記判定部は，上記ロット連続投入指示部によりロットの連続投入が指示され，上記パラメータによりロット連続投入時がダミー処理の運用条件として指定されていない場合，上記第１の判定条件，上記第２の判定条件および上記第３の判定条件により上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００２６】
上記ダミー処理実行部は，上記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示され，上記パラメータによりロット非連続投入時がダミー処理の運用条件として指定されている場合，上記判定部に上記判定を実行させることなく，上記非連続に投入された製品基板に対して上記所定の処理を実行する前に非製品基板に対してダミー処理を実行してもよい。
【００２７】
これによれば，パラメータがロット非連続投入時の処理を指定している場合，無条件にダミー処理が実行される。この結果，製品基板の処理を行う前に処理容器内の雰囲気を安定した状態に確実に整えることができる。
【００２８】
上記ダミー処理実行部は，上記ロット非連続投入指示部によりロットの非連続投入が指示され，上記パラメータによりロット非連続投入時がダミー処理の運用条件として指定されていない場合，上記第１の判定条件および上記第３の判定条件により上記処理容器の温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００２９】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，製品基板に対して所定の処理を施す基板処理装置を制御する方法であって，上記処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報を取得し，上記取得された温度情報に基づいて上記処理容器内の温度状態が整えられているか否かを判定し，上記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，非製品基板に対して上記ダミー処理を実行することなく，製品基板に対し上記所定の処理を実行し，さらに，処理中の製品基板が含まれる製品基板群からなるロットが存在しない状態で，一のロットに対する処理が非連続に実行されるようにロットの非連続投入が指示された場合，前記判定を実行させることなく，前記非連続に投入されたロットの製品基板に対して前記所定の処理が実行される前に非製品基板に対してダミー処理を実行する基板処理装置の制御方法が提供される。
【００３１】
これによれば，上記処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，上記ダミー処理を実行することなく，製品基板に対して所定の処理が施される。これにより，ダミー処理の実行に消費していたエネルギーや材料などの資源の消費を抑えることができる。また，いままでダミー処理に費やしてきた時間も製品基板の処理に使用することができる。この結果，省エネを図りつつ，スループットを向上させて製品の生産性を飛躍的に向上させることができる。
【発明の効果】
【００３２】
以上説明したように本発明によれば，温度に関する条件に基づいて処理容器の温度状態が整えられていると判定された場合，ダミー処理を省略して，製品基板に対して所定の処理を実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，同一の構成及び機能を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００３４】
また，本明細書中１ｍＴｏｒｒは（１０−３×１０１３２５／７６０）Ｐａ，１ｓｃｃｍは（１０−６／６０）ｍ３／ｓｅｃとする。
【００３５】
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかる制御装置を用いた基板処理システムについて，図１を参照しながら説明する。なお，本実施形態では，本システムを用いた処理の一例としてエッチング処理を例に挙げて説明する。
【００３６】
（基板処理システム）
まず，基板処理システムの全体構成について，図１を参照しながら説明する。
基板処理システム１０は，ＭＥＳ（Manufacturing Execution System）１００，ＥＣ（Equipment Controller）２００，スイッチングハブ６５０，ｎ個のＭＣ（Module
Controller）３００ａ〜３００ｎ，ＤＩＳＴ（Distribution）ボード７５０およびＰＭ（Process Module）４００ａ〜４００ｎを有している。
【００３７】
ＭＥＳ１００は，情報処理装置（たとえば，ＰＣ（Personal Computer））から構成されていて，複数のＰＭ４００が設置された工場全体の製造工程を管理するとともに，必要な情報を図示しない基幹システムに送受信する。ＭＥＳ１００は，ＬＡＮ（Local
Area Network）などのネットワーク６００によりＥＣ２００と接続されている。
【００３８】
ＥＣ２００は，スイッチングハブ６５０を通じて接続された複数のＭＣ３００を制御することにより，複数のＰＭ４００にて実行されるプロセスを統括的に制御する。具体的には，ＥＣ２００は，処理対象のウエハＷの処理方法を示したレシピに基づいて，任意のタイミングに各ＭＣ３００に制御信号を送信する。スイッチングハブ６５０は，ＥＣ２００から送信された制御信号の送信先をＭＣ３００ａ〜ＭＣ３００ｎのいずれかに切り替える。各ＭＣ３００は，送信された制御信号に基づいてＰＭ内に搬入されたウエハＷに所望の処理（本実施形態ではエッチング処理）を施すように制御する。ここでは，ＥＣ２００がマスタ側の機器として機能し，ＭＣ３００がスレーブ側の機器として機能する。なお，ＥＣ２００は，プロセスを実施する前にダミー処理を実行するか否かを判定する機能も有するが，これについては後述する。
【００３９】
ＭＣ３００は，ＤＩＳＴボード７５０によってＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）ネットワーク７００を介して各ＰＭ４００に備えられた複数のＩ／Ｏポート（４００ａ１〜４００ａ３，４００ｂ１〜４００ｂ３，・・・，４００ｎ１〜４００ｎ３）にそれぞれ接続されている。ＧＨＯＳＴネットワーク７００は，ＭＣ３００のＭＣボードに搭載されたＬＳＩ（ＧＨＯＳＴと称される。）により制御されるネットワークである。ここでは，ＭＣ３００がマスタ側の機器として機能し，Ｉ／Ｏポートがスレーブ側の機器として機能する。ＭＣ３００は，ＥＣ２００から送信された制御信号に対応するアクチュエータ駆動信号をいずれかのＩ／Ｏポートに送出する。
【００４０】
Ｉ／Ｏポートは，ＭＣ３００から送信されたアクチュエータ駆動信号を各ＰＭ４００に設けられた該当ユニット（各ＰＭ）に伝達することにより各ユニットをＥＣ２００からの指令に従って駆動するとともに，該当ユニットから出力された信号をＭＣ３００に伝達する。
【００４１】
つぎに，ＥＣ２００およびＰＭ４００のハードウエア構成について，図２，３を参照しながらそれぞれ説明する。なお，ＭＥＳ１００およびＭＣ３００のハードウエア構成については図示していないが，ＥＣ２００と同様な構成である。
【００４２】
（ＥＣのハードウエア構成）
図２に示したように，ＥＣ２００は，ＲＯＭ２０５，ＲＡＭ２１０，ＣＰＵ２１５，バス２２０，内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３０を有している。
【００４３】
ＲＯＭ２０５には，ＥＣ２００にて実行される基本的なプログラムや，異常時に起動するプログラム等が記録されている。ＲＡＭ２１０には，各種プログラムやレシピなどが蓄積されている。エッチング処理時に用いるレシピには，製品ウエハ（ガラスウエハ）に対してエッチング処理を実行するための手順やその際のプロセス条件（たとえば，設定温度）が定義されている。また，ダミー処理時に用いるレシピには，非製品ウエハ（ダミーウエハ）に対してダミー処理を実行するための手順やその際のプロセス条件が定義されている。なお，ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は，記憶装置の一例であり，ＥＥＰＲＯＭ，光ディスク，光磁気ディスク，ハードディスクなどの記憶装置であってもよい。
【００４４】
ＣＰＵ２１５は，製品ウエハに対するエッチング処理を制御するとともに，必要な場合には非製品ウエハに対するダミー処理を実行する。バス２２０は，各デバイス間で情報をやりとりする経路である。
【００４５】
内部インタフェース２２５は，オペレータの操作によりキーボード７０５やタッチパネル７１０から，たとえば，ダミー処理の運用条件を示すパラメータ（データ）を入力するとともに，必要な情報をモニタ７１５やスピーカ７２０に出力する。外部インタフェース２３０は，ＭＥＳ１００やＭＣ３００とデータを送受信する。
【００４６】
（ＰＭシステムのハードウエア構成）
図３に示したように，ＰＭ４００（基板処理装置に相当）は，第１のプロセスシップ４０５，第２のプロセスシップ４１０，搬送ユニット４１５，位置合わせ機構４２０およびカセットステージ４２５を有している。
【００４７】
第１のプロセスシップ４０５は，プラズマを用いてウエハに反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）処理を施すＰＭ（Process Module）１を有している。第２のプロセスシップ４１０は，第１のプロセスシップ４０５と平行に配設されていて，ＲＩＥ処理が施されたウエハに対してＣＯＲ（Chemical
Oxide Removal）処理とＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を実行するＰＭ２を有している。
【００４８】
搬送ユニット４１５は，矩形の搬送室であり，ゲートバルブ４１５ａおよびゲートバルブ４１５ｂを介して第１のプロセスシップ４０５および第２のプロセスシップ４１０と接続されている。搬送ユニット４１５には搬送アーム４１５ｃが設置されていて，ゲートバルブ４１５ａ，４１５ｂの開閉により各ユニットを気密に保ちながら，搬送されてきたウエハを，搬送アーム４１５ｃを用いて第１のプロセスシップ４０５または第２のプロセスシップ４１０に搬送する。
【００４９】
搬送ユニット４１５の一端には，ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構４２０が設けられている。位置合わせ機構４２０は，ウエハＷを載置した状態で回転台４２０ａを回転させながら，光学センサ４２０ｂによりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより，ウエハＷの位置を合わせるようになっている。
【００５０】
搬送ユニット４１５の側壁には，カセットステージ４２５が設けられていて，カセットステージ４２５には，３つのカセット容器４２５ａ１〜４２５ａ３が載置されている。各カセット容器４２５ａには，たとえば，最大で２５枚のウエハＷが多段に収容される。
【００５１】
（各ＰＭの内部構成および機能）
つぎに，エッチング処理を実行する各ＰＭの内部構成および機能について，図４に模式的に示したＰＭ１（ＰＭ２）の縦断面図を参照しながら説明する。
【００５２】
ＰＭ１（ＰＭ２）は，天井部の略中央部および底部の略中央部が開口された角筒形状の処理容器Ｃを有している。処理容器Ｃは，たとえば，表面が陽極酸化処理されたアルミニウムにより構成されている。
【００５３】
処理容器内には，その上方にて上部電極４５０が設けられている。上部電極４５０は，処理容器Ｃの上部に設けられた開口周縁に設けられた絶縁材４５５により処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。上部電極４５０には，整合回路４６０を介して高周波電源４６５が接続されている。整合回路４６０には，その周囲にてマッチングボックス４７０が設けられていて，整合回路４６０の接地筐体となっている。
【００５４】
上部電極４５０には，また，ガス供給路４７５を介して処理ガス供給部４８０が接続されていて，処理ガス供給部４８０から供給される所望のガスを複数のガス噴射孔４９５から処理容器Ｃ内に供給する。このようにして，上部電極４５０は，ガスシャワーヘッドとしても機能するようになっている。上部電極４５０には，温度センサ４８５が設けられている。温度センサ４８５は，処理容器内の温度として上部電極４５０近傍の温度を検出する。
【００５５】
処理容器内には，その下方にて下部電極５００が設けられている。下部電極５００は，ウエハＷを載置するサセプタとしても機能する。下部電極５００は，絶縁材５０５を介して設けられた支持体５１０により支持されている。これにより，下部電極５００は，処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。
【００５６】
処理容器Ｃの底面に設けられた開口の外周近傍には，ベローズ５１５の一端が装着されている。ベローズ５１５の他端には，昇降プレート５２０が固着されている。かかる構成により，処理容器Ｃの底面の開口部は，ベローズ５１５および昇降プレート５２０によって密閉されている。また，下部電極５００は，ウエハＷを載置する位置を処理プロセスに応じた高さに調整するために，ベローズ５１５および昇降プレート５２０と一体となって昇降する。
【００５７】
下部電極５００には，導電路５２５を介してインピーダンス調整部５３０が接続されていて，さらに，昇降プレート５２０が接続されている。上部電極４５０および下部電極５００は，カソード電極およびアノード電極に相当する。かかる構成により，排気機構５３５によって処理容器内部が所望の真空度まで減圧され，ゲートバルブ５４０の開閉によって基板Ｗが気密に処理容器内部に搬送された状態にて，処理容器内部に供給されたガスが印加された高周波電力によりプラズマ化され，生成されたプラズマの作用により基板Ｗに所望のエッチングが施される。
【００５８】
（ＥＣの機能構成）
つぎに，ＥＣ２００の各機能について，各機能をブロックにて示した図５を参照しながら説明する。ＥＣ２００は，記憶部２５０，入力部２５５，ロット連続投入指示部２６０，ロット非連続投入指示部２６５，判定部２７０，ダミー処理実行部２７５，基板処理実行部２８０，通信部２８５および出力部２９０の各ブロックにより示される機能を有している。
【００５９】
記憶部２５０は，基板（ダミー基板を含む）の処理に用いられる１または２以上のレシピを記憶する。すなわち，記憶部２５０は，基板Ｗをエッチング処理するための手順を示したエッチング処理用レシピ２５０ａや，ダミー基板をダミー処理するための手順を示したダミー処理用レシピ２５０ｂを記憶する。入力部２５５は，オペレータにより指定されたダミー処理の運用条件を示すパラメータ等の情報を入力する。
【００６０】
ロット連続投入指示部２６０は，第１のロット（エッチング処理中の基板Ｗが含まれる製品基板群から構成される）が存在する状態において，第１のロットに続いて他の製品基板群からなる第２のロットが連続的に処理されるようにロットの連続投入を指示する。たとえば，図６の上方に示したように，現時点で，ロットＡに含まれる２５枚の基板Ｗが順にＰＭ１に搬送され，ＰＭ１にてエッチング処理されている場合について考える。ロットＡの稼働中にオペレータがロットＢの稼働（処理）を要求したとき，ロット連続投入指示部２６０は，これに応じて判定部２７０に「ロット連続投入」を指示する。工場が２４時間稼働している通常の状態では，ロットの処理要求時，ほとんどの場合，この「ロット連続投入」が指示される。
【００６１】
ロット非連続投入指示部２６５は，エッチング処理中の基板Ｗが含まれる製品基板群からなるロットが存在しない状態において，一のロットが非連続に処理されるようにロットの非連続投入を指示する。たとえば，図６の下方に示したように，この時点で，ＰＭ１に搬送され，エッチング処理されている基板Ｗが存在しない場合（すなわち，装置が非稼働中の場合），オペレータが新たなロットＢの稼働（処理）を要求したとき，ロット非連続投入指示部２６５は，これに応じて判定部２７０に「ロット非連続投入」を指示する。「ロット非連続投入」が指示される場合としては，たとえば，ＰＭの保守のためにロットの連続投入を停止し，ＰＭをクリーニングした後に新たなロットの処理を要求する場合や，災害や何らかのアクシデントがあった場合など比較的長時間ＰＭを稼働していなかったことにより，ＰＭ内の雰囲気が不安定な状態にある場合において新たなロットの処理を要求する場合が挙げられる。
【００６２】
判定部２７０は，処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報を取得し，取得した温度情報に基づいて処理容器Ｃの温度状態が整えられているか否かを判定する。処理容器内の雰囲気を整えるための温度に関する情報の一例としては，温度センサ４８５により検出された処理容器内の実際の温度（ここでは，上部電極４５０の温度）が挙げられる。温度センサ４８５が検出する温度としては，上部電極４５０近傍の温度が好ましいが，たとえば，下部電極５００近傍の温度，基板を載置する載置台の温度，処理容器の側壁の温度，ヒータの設定温度等，処理容器内の温度状態を示す値であればよい。
【００６３】
処理容器内の温度に関する情報の他の例としては，これから行う基板Ｗのエッチング処理に使用されるエッチング処理用レシピ２５０ａに定義された設定温度Ｔや直前のエッチング処理に使用されたエッチング処理用レシピ２５０ａに定義された設定温度Ｔoldが挙げられる。
【００６４】
ダミー処理実行部２７５は，処理容器内でダミー基板に対してダミー処理を実行する。より具体的には，ダミー処理実行部２７５は，製品基板に対してエッチング処理を実行する前に，前もって処理容器内をプロセス条件に合致した状態に整えておくために，ダミー処理用レシピ２５０ｂに定義された手順に基づき非製品であるダミー基板に対して所定の処理を実行する。
【００６５】
基板処理実行部２８０は，エッチング処理用レシピ２５０ａに定義された手順に基づき処理容器内で基板Ｗに対して所定の処理（本実施形態ではエッチング処理）を実行する。
【００６６】
通信部２８５は，ダミー処理実行部２７５から指令を受けると，これに応じてＰＭに搬送されたダミー基板に対してダミー処理を実行するための制御信号をＭＣ３００に送信する。ＭＣ３００は，制御信号に応じた駆動信号をＰＭ内の各アクチュエータに送信し，駆動信号に応じて各アクチュエータが動作することにより，ＰＭ内は，製品基板に対するエッチング処理の実行前に，前もってプロセス条件に合致した状態に整えられる。
【００６７】
また，通信部２８５は，基板処理実行部２８０から指令を受けると，これに応じてＰＭに搬送された製品基板に対してエッチング処理を実行するための制御信号をＭＣ３００に送信する。ＭＣ３００は，制御信号に応じた駆動信号をＰＭ内の各アクチュエータに送信し，駆動信号に応じて各アクチュエータが動作することにより，ＰＭ内にて製品基板がエッチング処理される。出力部２９０は，各処理中に不具合が生じたとき，その不具合をモニタ７１５に表示するなどしてオペレータに警告したり，必要な情報をスピーカ７２０などに出力する。
【００６８】
なお，以上に説明したＥＣ２００の各機能は，実際には，ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより，または，各機能を実現するための図示しないＩＣ等を制御することにより達成される。たとえば，本実施形態では，ロット連続投入指示部２６０，ロット非連続投入指示部２６５，判定部２７０，ダミー処理実行部２７５，基板処理実行部２８０の各機能は，実際には，ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムやレシピを実行することにより達成される。
【００６９】
（ＥＣの動作）
つぎに，ＥＣ２００により実行されるロット処理（ダミー判定／基板処理）の動作について，図７を参照しながら説明する。図７は，ＥＣ２００が実行するロット処理を示したフローチャート（メインルーチン）である。
【００７０】
なお，本処理を開始する前に，オペレータの操作によりダミー処理の運用条件を示すパラメータが「ロット連続投入」，「ロット非連続投入」，「ロット連続／非連続投入」，「設定なし」のいずれかに設定されている。「ロット連続投入」は，ロット連続投入時に対応してダミー処理の抑制処理を希望するときにオペレータにより選択される。「ロット非連続投入」は，ロットが連続投入されていない時（ロット非連続投入時）に対応してロットの処理に先立ってダミー処理を無条件に実行することを希望するときにオペレータにより選択される。「ロット連続／非連続投入」は，ロット連続投入時のダミー処理の抑制とロット非連続投入時のダミー処理の無条件実行との両方を希望するときにオペレータにより選択される。「設定なし」は，通常のダミー処理の実行を希望するときにオペレータにより選択されるか，もしくは，オペレータが何も選択しなかった場合にデフォルト値として設定される。
【００７１】
（ロット処理）
オペレータがロットスタートボタンを「オン」すると，図７のステップ７００からロット処理が開始され，ステップ７０５に進んで，判定部２７０は，該当ロットが連続投入されたか否かを判定する。ロット連続投入指示部２６０がロット連続投入を指示している場合，判定部２７０は，該当ロットが連続的に投入されたと判定し，ステップ７１０に進んでロット連続投入時のダミー判定／基板処理（図８参照）を実行し，ステップ７９５に進んで本処理を終了する。
【００７２】
一方，ロット非連続投入指示部２６５がロット非連続投入を指示している場合，判定部２７０は，該当ロットが非連続に投入されたと判定し，ステップ７１５に進んでロット非連続投入時のダミー判定／基板処理（図１２参照）を実行し，ステップ７９５に進んで本処理を終了する。
【００７３】
（ダミー判定／基板処理：ロット連続投入時）
ステップ７１０にて呼び出されるロット連続投入時のダミー判定／基板処理について，図８のフローチャートを参照しながら説明する。ロット連続投入時のダミー判定／基板処理は，図８のステップ８００から処理が開始され，ステップ８０５に進んで，判定部２７０は，ダミー運用変更パラメータには何が設定されているかを判定する。ダミー運用変更パラメータが「ロット連続投入」または「ロット連続／非連続投入」に設定されている場合，判定部２７０は，オペレータがダミー処理を抑制することを希望していると判定してステップ８１０に進む。
【００７４】
（パラメータ：ロット連続投入またはロット連続／非連続投入）
具体的には，まず，ステップ８１０にて，判定部２７０は，温度センサ４８５により検出された処理容器内の実温度ＴｓｅｎをＰＭ実温度Ｔｐに格納し，ステップ８１５に進んで，ＰＭ実温度Ｔｐと該当ロット（これから処理する基板）に使用するエッチング処理用レシピ２５０ａに定義された設定温度（レシピ温度Ｔｒ）との差分の絶対値が予め定められたインターロックＴｓｈ１以下か否かを判定する（第３の判定条件に相当）。
【００７５】
ＰＭ実温度Ｔｐとレシピ温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ１以下の場合，判定部２７０は，処理容器内がエッチング処理に適した状態に安定しているのでダミー処理は不要であると判定し，ステップ８２０に進む。基板処理実行部２８０は，該当ロットに属する基板に対してエッチング処理を施した後，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ８９５に進み本処理を終了する。
【００７６】
一方，ＰＭ実温度Ｔｐとレシピ温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ１より大きい場合，判定部２７０は，処理容器内がエッチング処理に適した温度状態に安定していないのでダミー処理が必要であると判定し，ステップ８３０に進む。ダミー処理実行部２７５は，ダミー基板に対してダミー処理を実行し，基板処理実行部２８０は，該当ロットに属する基板に対してエッチング処理を施した後，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ８９５に進んで本処理を終了する。
【００７７】
（パラメータ：設定なしまたはロット非連続投入）
以上，ステップ８０５にてダミー運用変更パラメータが「ロット連続投入」または「ロット連続／非連続投入」に設定されている場合のダミー処理の判定について説明した。つぎに，ステップ８０５にてダミー運用変更パラメータが「設定なし」または「ロット非連続投入」に設定されている場合のダミー処理の判定について説明する。
【００７８】
ステップ８０５にて，ダミー運用変更パラメータが「設定なし」または「ロット非連続投入」に設定されていると判定された場合，判定部２７０は，ステップ８３５に進んで，直前に処理された基板に用いたレシピの設定温度Ｔroldと次に処理する基板のレシピの設定温度Ｔｒとの差分の絶対値が，予め定められたインターロックＴｓｈ２以下であるか否かを判定する（第１の判定条件に相当）。
【００７９】
図９は，直前のロットの処理に用いられたエッチング処理用レシピＡの一例であり，図１０は，これからロットの処理に用いられるエッチング処理用レシピＢの一例である。ここではインターロックＴｓｈ２は５℃であり，エッチング処理用レシピＡの設定温度（上部電極温度（電極））は８０℃であり，エッチング処理用レシピＢの設定温度（上部電極温度（電極））も８０℃である。
【００８０】
この場合，エッチング処理用レシピＡの設定温度とエッチング処理用レシピＢの設定温度との差分はインターロックＴｓｈ２以下であるから，判定部２７０は，ステップ８３５にて「ＹＥＳ」と判定してステップ８４０に進み，直前に処理されたロット（属する複数の基板）に用いた１または２以上のレシピの上部ＲＦ電力（たとえば，図９に示したレシピの上部ＲＦ電力）の平均値Ｐaveと次に処理する基板のレシピの設定ＲＦ電力Ｐｒ（たとえば，図１０に示したレシピの上部ＲＦ電力）とに差があるか否かを判定する（第２の判定条件に相当）。
【００８１】
ロットに属する基板のすべてがエッチング処理用レシピＡを使用した場合，直前レシピ上部ＲＦ電力の平均値Ｐaveは，図９に示したように「１０００Ｗ」である。また，これから用いるレシピの上部ＲＦ電力Ｐｒは，図１０に示したように「９００Ｗ」であって等しくない。この場合，判定部２７０は，処理容器内の状態が整えられていないため，ダミー処理が必要であると判定し，ステップ８３０に進む。ダミー処理実行部２７５がダミー処理後，ステップ８２０に進んで基板処理実行部２８０が基板をエッチング処理し，ついで，ステップ８２５に進み，図１０に示したレシピ温度Ｔｒ（上部電極温度（電極））８０℃を直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ８９５に進み，本処理を終了する。
【００８２】
一方，図９のエッチング処理用レシピＡの設定温度Ｔrold（上部電極温度（電極）））が８０℃であるのに対して，図１１に示したように，エッチング処理用レシピＢの設定温度Ｔｒ（上部電極温度（電極）））が７４℃である場合，エッチング処理用レシピＡの設定温度とエッチング処理用レシピＢの設定温度との差分はインターロックＴｓｈ２（＝５℃）より大きい。よって，この場合には，判定部２７０は，ダミー処理が必要であると判定して，ステップ８３５にて「ＮＯ」と判定し，直ちにステップ８３０に進みダミー処理が実行され，次に，ステップ８２０にてエッチング処理が実行され，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ８９５に進み，本処理を終了する。
【００８３】
さらに，直前のロット処理に用いられたレシピの設定温度Ｔroldとこれからロット処理に用いるレシピの設定温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ２（＝５℃）以下（すなわち，第１の判定条件を満たす場合）であって，直前レシピ上部ＲＦ電力の平均値Ｐaveがこれから用いるレシピの上部ＲＦ電力Ｐｒに等しい場合（すなわち，第２の判定条件を満たす場合）には，判定部２７０は，ステップ８１０に進む。そして，判定部２７０が，ステップ８１０に続くステップ８１５にて，ＰＭ実温度Ｔｐと該当ロット（これから処理する基板）に使用するエッチング処理用レシピ２５０ａに定義された設定温度（レシピ温度Ｔｒ）との差分の絶対値が予め定められたインターロックＴｓｈ１以下である（すなわち，第３の判定条件を満たす）と判定した場合，判定部２７０は，ダミー処理が不要であると判定し，ステップ８１５にて第３の判定条件を満たさないと判定した場合には，ダミー処理が必要であると判定してそれぞれ必要な処理（ステップ８２０，ステップ８２５，ステップ８３０）を実行した後，本処理を終了する。
【００８４】
以上に説明したように，本実施形態にかかるロット連続投入時のダミー判定／基板処理によれば，パラメータに応じて第１の判定条件，第２の判定条件および第３の判定条件の少なくともいずれかによりダミー処理を実行するか否かが判定される。そして，所定の判定条件を満たすと判定された場合，製品基板を処理することが可能な程度まで処理容器内が安定していると判定し，ダミー処理を実行することなく，直ちにエッチング処理が実行される。この結果，ダミー処理に消費していた高周波電力などのエネルギーやガス，ダミー基板などの資源の無駄な消費を抑えることができるとともに，ダミー処理に費やされていた時間を製品基板の処理に使用することができる。この結果，省エネを図りつつ，スループットを向上させて製品の生産性を飛躍的に向上させることができる。
【００８５】
なお，以前の製品基板の処理に用いたレシピの設定電力から算出された値とは，直前に処理されたロットに属する複数の基板に用いた複数のレシピの設定電力の平均値に限られず，たとえば，一番最近処理された基板に用いたレシピの設定電力であってもよい。
【００８６】
（ダミー判定／基板処理：ロット連続投入時）
つぎに，ステップ７１５にて呼び出されるロット非連続投入時のダミー判定／基板処理について，図１２のフローチャートを参照しながら説明する。ロット非連続投入時のダミー判定／基板処理は，図１２のステップ１２００から処理が開始され，ステップ８０５に進んで，判定部２７０は，ダミー運用変更パラメータには何が設定されているかを判定する。
【００８７】
（パラメータ：ロット非連続投入またはロット連続／非連続投入）
ダミー運用変更パラメータが「ロット非連続投入」または「ロット連続／非連続投入」に設定されている場合，判定部２７０は，オペレータが無条件にダミー処理を実行することを希望していると判定してステップ８３０に進む。
【００８８】
この場合，たとえ，これからの処理に用いられるレシピの上部電極温度Ｔｒが検出温度Ｔｓｅｎに等しい場合やこれからの処理に用いられるレシピの上部電極温度Ｔｒ（図１０のエッチング処理用レシピＢ参照）が直前の処理に用いられたレシピの上部電極温度Ｔrold（図１３のエッチング処理用レシピＡ参照）に等しい場合であっても，ダミー処理実行部２７５は，ステップ８３０にてダミー基板に対してダミー処理を実行し，基板処理実行部２８０は，ステップ８２０にて該当ロットに属する基板に対してエッチング処理を施した後，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ１２９５に進み，本処理を終了する。
【００８９】
（パラメータ：設定なしまたはロット連続投入）
一方，ステップ８０５にてダミー運用変更パラメータが「設定なし」または「ロット連続」に設定されている場合，判定部２７０は，ステップ８１０に続くステップ８１５にて第３の判定条件を満たすか否かを判定する。ステップ８１５にて第３の判定条件が満たされていないと判定された場合には，ダミー処理が必要であると判定され，ステップ８３０にてダミー処理，ステップ８２０にてエッチング処理が実行された後，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ８９５に進み，本処理を終了する。
【００９０】
一方，ステップ８１５にて第３の判定条件が満たされていると判定された場合には，判定部２７０は，ステップ１２０５に進み，直前レシピ温度Ｔroldとレシピ温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ２の範囲内であるか否か（第３の判定条件を満たすか否か）を判定する。
【００９１】
直前レシピ温度Ｔroldとレシピ温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ２の範囲内である場合，判定部２７０は，ダミー処理が不要であると判定してステップ８２０に進む。基板処理実行部２８０は，ステップ８２０にて基板のエッチング処理を実行し，ステップ８２５にてレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存し，ステップ１２９５に進んで本処理を終了する。
【００９２】
一方，ステップ１２０５にて直前レシピ温度Ｔroldとレシピ温度Ｔｒとの差分の絶対値がインターロックＴｓｈ２より大きい場合，判定部２７０は，ダミー処理が必要であると判定してステップ８３０に進む。ステップ８３０にてダミー処理，ステップ８２０にてエッチング処理が実行された後，ステップ８２５に進みレシピ温度Ｔｒを直前レシピ温度Ｔroldに保存して，ステップ１２９５に進み，本処理を終了する。
【００９３】
非連続にロットの処理が実行される場合，直前に処理したロット（製品基板）の処理時刻から次に処理されるロットの処理時刻まで，比較的長時間が経過していると考えられる。たとえば，基板処理装置のメンテナンス後にロットを投入したような場合である。このような場合，処理容器内の状態が崩れていて安定していない。このため，製品基板を処理する前に処理容器内の状態を整える必要がある。特に，温度条件は前述した理由により前もって制御しておく必要がある。
【００９４】
これに対して，以上に説明したように，本実施形態にかかるロット非連続投入時のダミー判定／基板処理によれば，パラメータがロット非連続投入時の処理を指定している場合（すなわち，御パラメータが「ロット非連続投入」または「ロット連続／非連続投入」の場合），無条件にダミー処理が実行される。この結果，製品基板の処理を行う前に処理容器内の雰囲気を確実に安定した状態に整えることができる。
【００９５】
図８のダミー判定／基板処理（ロット連続投入時）では，ステップ８３５にて第１の判定条件が判定され，ステップ８４０にて第２の判定条件が判定され，ステップ８１５にて第３の判定条件が判定された。また，図１２のダミー判定／基板処理（ロット非連続投入時）では，ステップ１２０５にて第１の判定条件が判定され，ステップ８１５にて第３の判定条件が判定された。
【００９６】
このように，判定部２７０は，ロット連続投入指示部２６０によりロットの連続投入が指示された場合のみ，第２の判定条件または第２の判定条件を含んだ条件に基づく判定を行ってもよい。
【００９７】
また，判定部２７０は，ロット連続投入指示部２６０によりロットの連続投入が示され，ロット連続投入時がダミー処理の運用条件としてパラメータに指定されていない場合（すなわち，パラメータには「設定なし」または「ロット非連続投入」が設定されている場合），図８のステップ８３５にて第１の判定条件を判定し，ステップ８４０にて第２の判定条件を判定し，ステップ８１５にて第３の判定条件を判定することなく，処理容器Ｃの温度状態が整えられているか否かを判定してもよい。
【００９８】
（基板処理装置の変形例１）
基板処理装置は，図３に示したＰＭ４００に限られず，たとえば，図１４のＰＭ４００ｕに示した構成であってもよい。ＰＭ４００ｕは，カセットチャンバ（Ｃ／Ｃ）４００ｕ１，４００ｕ２，トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）４００ｕ３，プリアライメント（Ｐ／Ａ）４００ｕ４，プロセスチャンバ（Ｐ／Ｃ）（＝ＰＭ）４００ｕ５，４００ｕ６を含んで構成されている。
【００９９】
カセットチャンバ４００ｕ１，４００ｕ２には，処理前の製品基板（ウエハＷ）および処理済の製品基板が収容されるとともに，ダミー処理用の非製品基板が，カセットの最下段にたとえば３枚収容されている。プリアライメント４００ｕ４は，ウエハＷの位置決めを行う。
【０１００】
トランスファチャンバ４００ｕ３には，屈伸および旋回可能な多関節状のアーム４００ｕ３１が設けられている。アーム４００ｕ３１は，アーム４００ｕ３１の先端に設けられたフォーク４００ｕ３２上にウエハＷを保持し，適宜屈伸および旋回しながらカセットチャンバ４００ｕ１，４００ｕ２とプリアライメント４００ｕ４とプロセスチャンバ４００ｕ５，４００ｕ６との間でウエハＷを搬送するようになっている。
【０１０１】
このような構成のＰＭ４００ｕにおいても，上述したようにプロセスチャンバ４００ｕ５，４００ｕ６にてウエハにエッチング処理などのプロセスが実行される前に，ダミー処理を実行するか否かが判定される。そして，不必要な場合にはダミー処理を実行することなく，ウエハＷがプロセスチャンバ４００ｕ５，４００ｕ６に搬入され，実際のプロセスが実行される。また，ロットが非連続的に投入される場合には，プロセスチャンバ４００ｕ５，４００ｕ６にてウエハＷにエッチング処理などのプロセスが実行される前に，必ずダミー処理が実行される。
【０１０２】
（基板処理装置の変形例２）
さらに，基板処理装置は，図１５のＰＭ４００ｔに示した構成であってもよい。ＰＭ４００ｔは，ウエハＷを搬送する搬送システムＨとウエハＷに対して成膜処理またはエッチング処理等の基板処理を行う処理システムＳとを有している。搬送システムＨと処理システムＳとは，ロードロック室（ＬＬＭ：Load Lock Module）４００ｔ１，４００ｔ２を介して連結されている。
【０１０３】
搬送システムＨは，カセットステージ４００Ｈ１と搬送ステージ４００Ｈ２とを有している。カセットステージ４００Ｈ１には，容器載置台Ｈ１ａが設けられていて，容器載置台Ｈ１ａには，４つのカセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ４が載置されている。各カセット容器Ｈ１ｂは，処理前の製品基板（ウエハＷ），処理済の製品基板およびダミー処理用の非製品基板を多段に収容することができる。
【０１０４】
搬送ステージ４２０には，屈伸および旋回可能な２本の搬送アームＨ２ａ１，Ｈ２ａ２が，磁気駆動によりスライド移動するように支持されている。搬送アームＨ２ａ１，Ｈ２ａ２は，先端に取り付けられたフォーク上にウエハＷを保持するようになっている。
【０１０５】
搬送ステージ４００Ｈ２の一端には，ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構Ｈ２ｂが設けられている。位置合わせ機構Ｈ２ｂは，ウエハＷを載置した状態で回転台Ｈ２ｂ１を回転させながら，光学センサＨ２ｂ２によりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより，ウエハＷの位置を合わせるようになっている。
【０１０６】
ロードロック室４００ｔ１，４００ｔ２には，その内部にてウエハＷを載置する載置台がそれぞれ設けられているとともに，その両端にて気密に開閉可能なゲートバルブｔ１ａ，ｔ１ｂ，ｔ１ｃ，ｔ１ｄがそれぞれ設けられている。かかる構成により，搬送システムＨは，カセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ３とロードロック室４００ｔ１，４００ｔ２と位置合わせ機構Ｈ２ｂとの間でウエハＷを搬送するようになっている。
【０１０７】
処理システムＳには，トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）４００ｔ３および６つのプロセスチャンバ（Ｐ／Ｃ）４００ｓ１〜４００ｓ６（＝ＰＭ１〜ＰＭ６）が設けられている。トランスファチャンバ４００ｔ３は，気密に開閉可能なゲートバルブｓ１ａ〜ｓ１ｆを介してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６とそれぞれ接合されている。トランスファチャンバ４００ｔ３には，屈伸および旋回可能なアームＳａが設けられている。
【０１０８】
かかる構成により，処理システムは，アームＳａを用いてウエハＷをロードロック室４００ｔ１，４００ｔ２からトランスファチャンバ４００ｔ３を経由してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６に搬入し，ウエハＷに対してエッチング処理などのプロセスが施された後，再び，トランスファチャンバ４００ｔ３を経由してロードロック室４００ｔ１，４００ｔ２へ搬出するようになっている。
【０１０９】
このような構成のＰＭ４００ｔにおいても，上述したようにプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６にてウエハにエッチング処理などのプロセスが実行される前に，ダミー処理を実行するか否かが判定される。そして，不必要な場合にはダミー処理を実行することなく，ウエハＷがプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６に搬入され，実際のプロセスが実行される。また，ロットが非連続的に投入される場合には，プロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６にてウエハＷにエッチング処理などのプロセスが実行される前に，必ずダミー処理が実行される。
【０１１０】
上記実施形態において，各部の動作はお互いに関連しており，互いの関連を考慮しながら，一連の動作として置き換えることができる。そして，このように置き換えることにより，基板処理装置を制御する装置の発明の実施形態を，基板処理装置を制御する方法の実施形態とすることができる。
【０１１１】
また，上記制御装置の各部の動作を，各部の処理と置き換えることにより，基板処理装置を制御するプログラムの実施形態とすることができる。また，基板処理装置の制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させることにより，制御プログラムの実施形態を制御プログラムに記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施形態とすることができる。
【０１１２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１３】
たとえば，本発明にかかる基板処理装置の種類は問わず，容量結合型プラズマ処理装置であっても，誘導結合型プラズマ処理装置であっても，マイクロ波プラズマ処理装置であってもよい。また，本発明にかかる基板処理装置は，大型のガラス基板を処理する装置であっても，通常のウエハサイズの基板を処理する装置であってもよい。
【０１１４】
また，本発明にかかる基板処理装置では，成膜処理またはエッチング処理に限られず，熱拡散処理，アッシング処理，スパッタリング処理等のあらゆる基板処理を行うことができる。
【０１１５】
また，本発明に係る制御装置の機能は，ＥＣ２００またはＭＣ３００の少なくともいずれかにより達成されることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理システムを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるＥＣのハードウエア構成図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるＰＭのハードウエア構成図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかるＰＭの縦断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかるＥＣの機能構成図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかるロットの連続投入およびロットの非連続投入を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態にて実行されるロット処理ルーチンを示したフローチャートである。
【図８】本発明の一実施形態にて実行されるダミー判定／基板処理ルーチン（ロット連続投入時）を示したフローチャートである。
【図９】本発明の一実施形態にかかる直前に使用したレシピＡの一例を示した図である。
【図１０】本発明の一実施形態にかかるこれから使用するレシピＢの一例を示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態にかかるこれから使用するレシピＢの他の一例を示した図である。
【図１２】本発明の一実施形態にて実行されるダミー判定／基板処理ルーチン（ロット非連続投入時）を示したフローチャートである。
【図１３】本発明の一実施形態にかかるこれから使用するレシピＢの他の一例を示した図である。
【図１４】本発明の一実施形態にかかる他のＰＭの縦断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態にかかる他のＰＭの縦断面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１０        基板処理システム
１００      ＭＥＳ
２００      ＥＣ
２５０      記憶部
２５０ａ    エッチング処理用レシピ
２５０ｂ    ダミー処理用レシピ
２５５      入力部
２６０      ロット連続投入指示部
２６５      ロット非連続投入指示部
２７０      判定部
２７５      ダミー処理実行部
２８０      基板処理実行部
２８５      通信部
２９０      出力部
３００      ＭＣ
４００      ＰＭ
４２５      カセットステージ
４５０      上部電極
４８５      温度センサ
５００      下部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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