(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動腕に形成された励振電極と導通する基部電極を有する音叉型圧電振動片と、
内面にこの音叉型圧電振動片を実装するキャビティを形成し、外面に外部端子を有する絶縁性パッケージと、
前記絶縁性パッケージ内面に形成され、前記外部端子から接続された接続端子と、
前記接続端子の上面の一部を覆う絶縁層と、
前記接続端子及び前記絶縁層の上面に形成され、前記基部電極と前記接続端子とを導通するとともに、前記音叉型圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備え、
前記接続端子と前記導電性接着剤とは、前記接続端子と前記導電性接着剤とが互いに接触し、前記絶縁層により全周が囲まれる導通領域を介して導通し、
前記導通領域の面積は、前記導電性接着剤が前記接続端子及び前記絶縁層の上面に形成される領域である塗布領域の面積よりも小さいことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
振動腕に形成された励振電極と導通する基部電極を有する音叉型圧電振動片と、
内面にこの音叉型圧電振動片を実装するキャビティを形成し、外面に外部端子を有する絶縁性パッケージと、
前記絶縁性パッケージ内面に形成され、前記外部端子から接続された接続端子と、
前記接続端子の上面に形成されるバンプと、
前記バンプの上面の一部を覆う絶縁層と、
前記バンプ及び前記絶縁層の上面に形成され、前記バンプを介して前記基部電極と前記接続端子とを導通するとともに、前記音叉型圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備え、
前記バンプと前記導電性接着剤とは、前記バンプと前記導電性接着剤とが互いに接触し、前記絶縁層により全周が囲まれている導通領域を介して導通し、
前記導通領域の面積は、前記導電性接着剤が前記バンプ及び前記絶縁層の上面に形成される領域である塗布領域の面積よりも小さいことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
前記導通領域は、前記絶縁層により円形又は矩形に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記絶縁層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記導通領域は、前記塗布領域の面積の３０パーセントから７５パーセントであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片と、パッケージ内にその圧電振動片を収容した圧電デバイスとの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話などのクロック源等において、圧電振動片や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
【０００３】
特許文献１に示される音叉型圧電振動片は、水晶ウエハなどの圧電材料をウェットエッチングすることにより、音叉型の外形形状を形成する。その音叉型圧電振動片のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値を低くするために、一対の振動腕の幅と厚さとの関係を調整している。また、特許文献２では、音叉型圧電振動片のＣＩ値のバラツキ（標準偏差σ）を安定させるとともに小型化を図るため、振動腕に溝部を形成するとともに基部に切り込み部を形成して、各素子間のＣＩ値のバラツキを小さくしている。
【特許文献１】特開２００１−２０３５６０
【特許文献２】特開２００４−２６６８７１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献２に示されるように、基部に切り込み部が形成された音叉型圧電振動片であっても未だＣＩ値のバラツキが大きく、切れ込み部がない音叉型圧電振動片と比べてもＣＩ値のバラツキを大きく改善していない。また、頂点温度のバラツキも大きく、製品検査時には規格に入らない音叉型圧電振動片が不良品として多数発生していた。
【０００５】
そこで本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、小型化を進める上でＣＩ値のバラツキをより小さくしまた頂点温度のバラツキを改善した圧電振動片又は圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の観点の圧電デバイスは、振動腕に形成された励振電極と導通する基部電極を有する音叉型圧電振動片と、内面にこの音叉型圧電振動片を実装するキャビティを形成し、外面に外部端子を有する絶縁性パッケージと、絶縁性パッケージ内面に形成され、外部端子から接続された接続端子と、接続端子の表面の一部を覆う絶縁層と、基部電極と接続端子とを導通するとともに音叉型圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備える。
第１の観点の構成によれば、接続端子の表面の一部が絶縁層で覆われているため、ＣＩ値のバラツキが小さくなりさらに頂点温度のバラツキも小さくなる。このためＣＩ値又は頂点温度の検査などで不良品の発生率が下がる。
【０００７】
第２の観点による圧電デバイスは、接続端子と導電性接着剤とが導通する領域は、導電性接着剤の塗布面積よりも小さい。
第２の観点の構成によれば、導電接着剤が塗布される量を変えることなく圧電振動片を接着固定しても、絶縁層があるため接続端子が導電性接着剤と導通する領域は導電性接着剤の塗布領域の面積よりも小さくなる。
【０００８】
第３の観点による圧電デバイスにおいて、接続端子と導電性接着剤とが導通する領域は、絶縁層により円形又は矩形に形成されている。
第３の観点の構成によれば、接続端子と導電性接着剤とが導通する領域は導電性接着剤の塗布領域の面積よりも小さくなる。
【０００９】
第４の観点による圧電デバイス。絶縁層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成されている
第４の観点による圧電デバイスの構成によれば、二酸化ケイ素又は酸化アルミニウムは接続電極、特に金メッキ又は金バンプに結合し易い絶縁層である。
【００１０】
第５の観点による圧電デバイスは、接続端子の表面にはバンプが形成され、このバンプと導電性接着剤とが導通する。
第５の観点の構成によれば、接続端子の表面にはバンプが形成されている圧電デバイスであってもよい。
【００１１】
第６の観点による圧電デバイスの接続端子は、第１接続端子と第２接続端子とから構成され、第１接続端子及び第２接続端子がそれぞれ絶縁層で覆われている。
第６の観点の構成によれば、第１接続端子のみに絶縁層が形成されるのではなく、第１接続端子及び第２接続端子がそれぞれ絶縁層で覆われるようと。接続端子と導電性接着剤とが導通する領域はより小さくできる。
【００１２】
また、第７の観点による圧電デバイスにあっては、接続端子が導電性接着剤と導通する領域は、塗布領域の面積の３０パーセントから７５パーセントである。
第７の観点の構成によれば、接続端子が導電性接着剤と導通する領域が３０パーセント以上であれば実際に圧電振動片を固定させることができる。一方、図６から理解できるように、接続端子が導電性接着剤と導通する領域が８０パーセント以上であると頂点温度（ＺＴＣ）のバラツキσが１以上となり、従来の接続端子と同様バラツキが大きくなってしまう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、パッケージ内の接続端子上に絶縁層を形成し導電接着剤と導通する領域を小さくすることで、ＣＩ値のバラツキをより小さくしまた頂点温度のバラツキを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜水晶振動子５０の構成＞
以下、本発明の各実施形態にかかる水晶振動子５０について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の第一実施形態にかかる水晶振動子５０の概略図を示している。図１（ａ）は全体斜視図であり、図１（ｂ）は断面図であり、図１（ｃ）は金属蓋体７１を取り外した上面図である。
【００１５】
表面実装型の水晶振動子５０は、絶縁性のセラミックパッケージ５１と水晶振動子５０のパッケージを覆う金属蓋体７１とからなる。金属蓋体７１は、コバール（鉄（Ｆｅ）／ニッケル（Ｎｉ）／コバルト（Ｃｏ）合金）製である。セラミックパッケージ５１は、アルミナを主原料とするセラミック粉末およびバインダ等を含むスラリーを用いたグリーンシートからプレス抜きされた底面用セラミック層５１ａ、壁用セラミック層５１ｂおよび台座用セラミック層５１ｃからなる。パッケージを構成するセラミックパッケージ５１の材料として、アルミナを主原料とするセラミック粉末の代わりにガラスセラミックを使用したりしてもよい。図１（ｂ）から理解されるように、これら複数のセラミック層５１ａ〜５１ｃから構成されたパッケージは、キャビティ５８を形成し、このキャビティ５８内に、音叉型水晶振動片２０を実装する。
【００１６】
台座用セラミック層５１ｃの上面の一部には、音叉型水晶振動片２０の第１基部電極２３ａと第２基部電極２５ａ（図２参照）と導通する接続端子８１が形成されている。セラミックパッケージ５１の底面に形成された少なくとも２つの外部端子８２が形成されている。接続端子８１と外部端子８２とは、スルーホール配線８３によって導通している。壁用セラミック層５１ｂの上端には封止材３７があり、金属蓋体７１の接合している。
【００１７】
＜第１圧電振動片の構成＞
図２（ａ）は、本発明の第１の音叉型水晶振動片２０の実施形態を示した平面図である。（ｂ）はＢ―Ｂ断面図である、
第１の音叉型水晶振動片２０は、例えば水晶Ｚ板１０となるように水晶単結晶ウエハを切り出して形成されている。水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。また、第１の音叉型水晶振動片２０は３２．７６８ＫＨｚで信号を発振する小型の振動片である。このような音叉型水晶振動片２０は、基部２９とこの基部２９からＸ方向に突出する一対の振動腕２１を有している。この振動腕２１の表面には、溝部２７が図２に示すように各振動腕２１に２箇所ずつ形成されている。この溝部２７は振動腕２１の裏面側にも同様に形成されているため、図２（ｂ）に示されるように、振動腕２１の溝部２７の断面図はほぼＨ型になっている。溝部２７は、ＣＩ（クリスタル・インピーダンス）値の上昇を抑えるために設けられている。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、第１の音叉型水晶振動片２０の基部２９は、その全体がほぼ板状に形成されている。そして、図において縦方向の長さＬ２が、例えば０．５８ｍｍに形成されている。一方、この基部２９から突出して配置されている振動腕２１の図において縦方向の長さＬ１は約１．７０ｍｍに形成されている。したがって、この振動腕２１に対する基部２９の長さは約３４パーセントとなっている。また振動腕２１の腕幅Ｗ３は約０．１２ｍｍ程度である。
【００１９】
基部２９は、各振動腕２１側の第１基部２９−１と第２基部２９−２とを形成している。第１基部２９−１はＹ方向の長さ（幅）がＷ１であり、第２基部２９−２はＹ方向の長さ（幅）が、第１基部２９−１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２である。幅Ｗ１は幅Ｗ２の約７５パーセントから９０パーセントである。例えば、幅Ｗ１は０．４２ｍｍに幅Ｗ２は０．５０ｍｍに形成されている。このため、振動腕２１の振動により溝部２７から漏れてきた漏れ振動は、第２基部２９−２に伝わり難くなる。
【００２０】
また、第２基部２９−２には、２箇所の連結部２８が形成されている。２箇所の連結部２８は、この水晶単結晶ウエハから音叉型水晶振動片２０を切り取る際に残る部材であり、一般に一枚の水晶単結晶ウエハには、数千個の第１の音叉型水晶振動片２０が連結されている。
【００２１】
第１の音叉型水晶振動片２０の振動腕２１及び基部２９には、第１電極パターン２３と第２電極パターン２５とが形成されている。第１電極パターン２３と第２電極パターン２５とはともに、５０オングストローム〜７００オングストロームのクロム（Ｃｒ）層の上に４００オングストローム〜３０００オングストロームの金（Ａｕ）層が形成された構成になっている。クロム（Ｃｒ）層の代わりに、タングステン（Ｗ）層又はチタン（Ｔｉ）層を使用してもよく、また金（Ａｕ）層の代わりに、銀（Ａｇ）層を使用してもよい。また１層からなる場合もあり、例えばＡｌ（アルミ）層が用いられる。
【００２２】
音叉型水晶振動片２０の基部２９には、第１基部電極２３ａと第２基部電極２５ａとが形成され、腕部２１の溝部２７には、第１溝電極２３ｄ及び第２溝電極２５ｄがそれぞれ形成される。この第１溝電極２３ｄ及び第２溝電極２５ｄの幅は、振動腕２１の腕幅Ｗ３と同等である。図２（ｂ）に示すように、左側の振動腕２１の両側面には、第２側面電極２５ｃが形成されている。図示しない右側の振動腕２１の両側面には、第１側面電極２３ｃが形成されている。第１基部電極２３ａ１と第１側面電極２３ｃ及び第１溝電極２３ｄとを導通するため第１接続電極２３ｂが形成されており、第２基部電極２５ａ１と第２側面電極２５ｃ及び第２溝電極２５ｄとを導通するため第２接続電極２５ｂが形成されている。
【００２３】
＜セラミックパッケージ５１の構成＞
次に、セラミックパッケージ５１の製造方法について説明する。図３（ａ）は（ｂ）に示すセラミックパッケージ５１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
【００２４】
積層圧着されたセラミックパッケージ５１には、セラミックパッケージ５１の表裏面の導通をとるためのスルーホール８３が形成される。スルーホール８３はタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなる導電ペーストを充填して形成される。キャビティ５８側の一対の接続端子８１及び底面側の一対の外部端子８２も高融点金属からなる導電ペーストを厚く塗布することにより形成される。さらに接続端子８１及び外部端子８２は、電気メッキにより接続端子８１及び外部端子８２上にニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金（Ａｕ）メッキが施され配線として完成する。
【００２５】
さらに導電性接着剤３１との導通を良くするために金メッキされた接続端子８１及び外部端子８２上に、金（Ａｕ）バンプ８４が形成されている。さらに金バンプ８４上の一部に絶縁層８７が形成される。絶縁層８７は例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が好ましい。絶縁層８７は導電接着剤３１が金バンプ８４に導通する領域を小さくする役割を有している。なお、図３に示した絶縁層８７は金バンプ８４の導通する導通領域が円形になるように形成されており、その直形はφ０．０１ｍｍからφ０．１８ｍｍである。また、金バンプ８４を形成せずに、直接金メッキされた接続端子８１上に絶縁層８７を形成しても良い。
【００２６】
音叉型水晶振動片２０を底面に対して水平に片持ち支持するために、金バンプ８４及び絶縁層８７の上に導電性接着剤３１が塗布される。導電性接着剤３１は、エポキシ、シリコーン、ポリイミド又はポリウレタン系樹脂等をバインダとし、銀、ニッケル又はカーボン等の導電性フィラーから構成される。音叉型水晶振動片２０が衝撃などで剥がれることのないように図３に描かれる塗布領域に導電性接着剤３１が塗布される。この導電性接着剤３１の塗布領域は、長さＬ１１が例えば０．３０ｍｍ前後であり幅Ｗ１１が０．１５ｍｍ〜０．２０ｍｍである。これより小さな塗布領域になると接着力が弱く音叉型水晶振動片２０が衝撃などで剥がれるおそれがある。
【００２７】
＜接続端子に形成される絶縁層の形状＞
図３の絶縁層８７は金バンプ８４の導通する導通領域が円形になるように形成されていたが、それ以外の導通領域の形状に形成されてもよい。
図４及び図５は、セラミックパッケージ５１のキャビティ５８側の台座用セラミック層５１ｃ周辺を拡大した図である。
【００２８】
＜＜実施形態１＞＞
図４（ａ）は、台座用セラミック層５１ｃには接続端子８１が形成されその上に金バンプ８４が形成されており、さらに絶縁層８７ａが形成されている。この絶縁層８７ａは、台座用セラミック層５１ｃの両端に金バンプ８４が現れるように形成されている。金バンプ８４のＸ方向の長さＷＡは約０．０１ｍｍから約０．１５ｍｍでありＹ方向の長さＬＡが０．３ｍｍである。そして、この金バンプ８４及び絶縁層８７ａに導電接着剤３１が塗布され、音叉型水晶振動片２０の基部２９が接着される。例えば、左右一対の金バンプ８４のＸ方向の長さＷＡは約０．０５ｍｍであると、導電接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域は導電接着剤３１の塗布領域の２５パーセント程度になる。
【００２９】
＜＜実施形態２＞＞
図４（ｂ）は、台座用セラミック層５１ｃには接続端子８１が形成されその上に金バンプ８４が形成されており、さらに絶縁層８７ｂが形成されている。この絶縁層８７ｂは、台座用セラミック層５１ｃの中央に金バンプ８４が現れそのＹ方向の長さが短く形成されている。金バンプ８４のＸ方向の長さＷＢは約０．０１ｍｍから約０．１５ｍｍでありＹ方向の長さＬＢが０．０１ｍｍから約０．３ｍｍである。例えば、左右一対の金バンプ８４のＸ方向の長さＷＢは約０．０５ｍｍでＹ方向の長さＬＢが０．１５ｍｍあると、導電接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域は導電接着剤３１の塗布領域の１２パーセント程度になる。
【００３０】
＜＜実施形態３＞＞
図４（ｃ）は、台座用セラミック層５１ｃには接続端子８１が形成されその上に金バンプ８４が形成されており、さらに絶縁層８７ｃが形成されている。この絶縁層８７ｃは、台座用セラミック層５１ｃの中央Ｘ方向に延びた金バンプ８４が現れている。金バンプ８４のＸ方向の長さＷＣは約０．２ｍｍでありＹ方向の長さＬＣが０．０１ｍｍから０．１ｍｍである。例えば、左右一対の金バンプ８４のＹ方向の長さＬＣは約０．０５ｍｍであると、導電接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域は導電接着剤３１の塗布領域の１８パーセント程度になる。
【００３１】
＜＜実施形態４＞＞
図５（ａ）は、図４に示した実施形態１から実施形態３とは異なり、一対の台座用セラミック層５１ｃ上に形成される絶縁層８７の形状が左右で異なっている実施形態である。図５（ａ）では、左側の絶縁層８７ｃは実施形態３の絶縁層８７ｃと同じであるが、右側台座用セラミック層５１ｃには絶縁層８７がまったく形成されていない。図５（ａ）では、左側を実施形態３の絶縁層８７ｃとしたが、逆に右側のみに実施形態３の絶縁層８７ｃを形成しても良い。さらに、実施形態１の絶縁層８７ａ又は実施形態２の絶縁層８７ｂを形成してもよい。図５（ａ）の片側のみの絶縁層８７ｃでは、導電接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域は両方の導電接着剤３１の塗布領域の６８パーセント程度になる。
【００３２】
＜＜実施形態５＞＞
図５（ｂ）は、台座用セラミック層５１ｃには接続端子８１及び金バンプ８４が形成されており、さらに絶縁層８７ｄが形成されている。この絶縁層８７ｄは、台座用セラミック層５１ｃの中央領域に矩形の金バンプ８４が現れている。矩形の金バンプ８４の一辺の長さは約０．０１ｍｍから約０．１５ｍｍである。例えば、矩形の金バンプ８４の一辺の長さは約０．０５ｍｍであると、導電接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域は導電接着剤３１の塗布領域の４パーセント程度になる。
【００３３】
＜金バンプとＣＩ値のバラツキ及び頂点温度のバラツキ（標準偏差σ）＞
図６は、ＣＩ値のバラツキ及び頂点温度のバラツキ（標準偏差σ）に関して、第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１及び第２実施形態の絶縁層８７ｂが形成された接続端子８１に対して調べた結果である。調べた母数は各３０個である。
【００３４】
図６（ａ）は、第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１及び第２実施形態の絶縁層８７ｂが形成された接続端子８１に関してＣＩ値の変化を示した表である。縦軸にバラツキを採り、横軸に導電性接着剤３１に対する金バンプ８４の面積比率を採っている。なお、絶縁層８７ａの長さＬＡ及び長さＷＡ又は絶縁層８７ｂの長さＬＢ及び長さＷＢを変化させることによって、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率を３０パーセント、５０パーセント、７５パーセント及び９０パーセントと変えた。
【００３５】
図６（ｂ）は、第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１及び第２実施形態の絶縁層８７ｂが形成された接続端子８１に関して頂点温度（ＺＴＣ）の変化を示した表である。縦軸にバラツキを採り、横軸に導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率を採っている。
【００３６】
従来の音叉型水晶振動片には、ＣＩ値のバラツキが２．５であり、頂点温度のバラツキが１．３であった。
その一方で、第１実施形態及び第２実施形態の水晶振動子５０は、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率が下がるほどＣＩ値のバラツキ及び頂点温度のバラツキが小さくなった。特に第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１の方がＣＩ値のバラツキ及び頂点温度のバラツキが小さくなる。
【００３７】
導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する領域が３０パーセント以上であれば実際に水晶振動片２０を台座用セラミック層５１ｃに固定させることができるので、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率の最低限度は３０パーセントである。逆に、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率が８０パーセント以上であると、特に第２実施形態の頂点温度のバラツキが１．０となってしまい、従来の基部電極と比べて差異が小さくなってしまう。そこで導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率の最高限度は７５パーセント程度である。
図６（ａ）及び（ｂ）から理解できるように、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率は３０パーセントから７０パーセントが特に好ましい。
【００３８】
＜第２圧電振動片の構成＞
図７は、本発明の第２の音叉型水晶振動片１２０の実施形態を示した平面図である。同じ構成の部材については図２などで使用した符号を使用している。第２の音叉型水晶振動片１２０は基部２９を小型にして、第１の音叉型水晶振動片２０よりもＹ方向の長さを小さくすることができる。
【００３９】
第２の音叉型水晶振動片１２０は、水晶Ｚ板１０となるように水晶単結晶ウエハを切り出して形成されている。第２音叉型水晶振動片１２０は、基部２９の振動腕２１を形成した端から２箇所の連結部２８への途中において、基部２９の幅方向に延長され、振動腕２１の両外側の位置で振動腕２１と平行に延びる支持用腕部２９−３を備えている。支持用腕部２９−３の電極幅Ｗ６は０．０５ｍｍから０．０８ｍｍ程度と狭く形成されている。支持用腕部２９−３の先端には、導電接着のための広域部２９−４を設けている。この広域部２９−４の電極幅Ｗ７は０．１４ｍｍから０．２０ｍｍ程度で長さＬ７が０．１４ｍｍから０．２０ｍｍ程度に形成されている。このような第２の音叉型水晶振動片１２０の外形は水晶単結晶ウエハなどをウェットエッチングなどで精密に形成している。
【００４０】
第２音叉型水晶振動片１２０の基部２９を小さくしても支持用腕部２９−４の所定長さを隔てていることから、屈曲振動する振動腕２１からの振動漏れは広域部２９−４にほとんど及ぶことがない。第２の音叉型水晶振動片１２０を支持するために、広域部２９−４において導電性接着剤３１で固定される。
【００４１】
＜セラミックパッケージ１５１の構成＞
図８は第２の音叉型水晶振動片１２０用のセラミックパッケージ１５１である。図８（ａ）は（ｂ）に示すセラミックパッケージ１５１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。図３で説明した第１の音叉型水晶振動片２０用のセラミックパッケージ５１とほぼ同じ構成であり、同じ部材には同じ符号を付している。
【００４２】
図８のセラミックパッケージ１５１が図３のセラミックパッケージ５１と異なる点は、台座用セラミック層１５１ｃの位置である。台座用セラミック層１５１ｃ上には、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなる一対の接続端子８１が形成される。さらに接続端子８１は、電気メッキにより接続端子８１及び外部端子８２上にニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金（Ａｕ）メッキが施され配線として完成する。
【００４３】
さらに金メッキされた接続端子８１及び外部端子８２上に、金（Ａｕ）バンプ８４が形成されている。さらに金バンプ８４上の一部に絶縁層８７が形成される。絶縁層８７は導電接着剤３１が金バンプ８４に導通する領域を小さくする役割を有している。そして、第２の音叉型水晶振動片１２０を底面に対して水平に片持ち支持するために、金バンプ８４及び絶縁層８７の上に導電性接着剤３１が塗布される。
【００４４】
図８では、金バンプ８４の導通する導通領域が円形になるように絶縁層８７が形成されているが、図４ないし図５で示したように、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する形状及び面積は変更することが可能である。そして、セラミックパッケージ１５１においても、導電性接着剤３１と金バンプ８４とが導通する面積比率は約１パーセントから８０パーセント程度が好ましい。このような絶縁層８７は、ＣＩ値のバラツキが小さくなりさらに頂点温度のバラツキも小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる水晶振動子５０の概略図を示している。  （ａ）は全体斜視図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は金属蓋体７１を取り外した上面図である。
【図２】（ａ）は、音叉型水晶振動片２０の全体構成を示した図であり、(ｂ)は、音叉型水晶振動片２０の一本の振動腕２１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は（ｂ）に示すセラミックパッケージ５１のＡ−Ａ断面図である。  （ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】セラミックパッケージ５１のキャビティ５８側の台座用セラミック層５１ｃ周辺を拡大した図である。
【図５】セラミックパッケージ５１のキャビティ５８側の台座用セラミック層５１ｃ周辺を拡大した図である。
【図６】（ａ）は、第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１及び第２実施形態の絶縁層８７ｂが形成された接続端子８１に関してＣＩ値の変化を示した表である。  （ｂ）は、第１実施形態の絶縁層８７ａが形成された接続端子８１及び第２実施形態の絶縁層８７ｂが形成された接続端子８１に関して頂点温度（ＺＴＣ）の変化を示した表である。
【図７】本発明の第２の音叉型水晶振動片１２０の実施形態を示した平面図である。
【図８】第２の音叉型水晶振動片１２０用のセラミックパッケージ１５１である。（ａ）は（ｂ）に示すセラミックパッケージ１５１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    …  水晶Ｚ板
２０    …  音叉型水晶振動片
２１    …  振動腕
２３    …  第１電極パターン（２３ａ  …  第１基部電極，２３ｂ  …  第１接続電極，２３ｄ  …  第１溝電極，２３ｃ  …  第１側面電極）
２５    …  第２電極パターン（２５ａ  …  第２基部電極，２５ｂ  …  第２接続電極，２５ｃ  …  第２側面電極，２５ｄ  …  第２溝電極）
２７    …  溝部
２８    …  連結部
２９    …  基部（２９−１  …  第１基部，２９−２  …  第２基部，２９−３  …  支持用腕部，２９−４  …  広域部）
３１    …  導電性接着剤
３７    …  封止材
５０    …  水晶振動子
５１，１５１    …  セラミックパッケージ（５１ａ  …  底面用セラミック層，５１ｂ  …  壁用セラミック層，５１ｃ，１５１ｃ  …  台座用セラミック層）
５８    …  キャビティ
７１    …  金属蓋体
８１    …  接続端子
８２    …  外部端子
８３    …  スルーホール配線
８４    …  金バンプ
８７，８７ａ，８７ｂ，８７ｃ  …  絶縁層
１２０  …  第２音叉型水晶振動片
【図１】
0005249561.tif 000002
【図２】
0005249561.tif 000003
【図３】
0005249561.tif 000004
【図４】
0005249561.tif 000005
【図５】
0005249561.tif 000006
【図６】
0005249561.tif 000007
【図７】
0005249561.tif 000008
【図８】
0005249561.tif 000009