(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから形成されたシリコンウェーハに対し、還元性ガス雰囲気中、希ガス雰囲気中あるいは還元性ガスと希ガスの混合ガス雰囲気中で少なくとも１１００℃〜１３００℃の温度の熱処理が施され、前記シリコンウェーハの表面にＤＺ層、該ＤＺ層より内部に所要量のＢＭＤがそれぞれ形成されたシリコンウェーハにおいて、前記ＤＺ層の表層部に酸素が導入され、前記表層部の固溶酸素の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記表層部の固溶酸素は、前記表層部の深さ方向に濃度分布しており、前記シリコンウェーハ表面〜２μｍ深さの範囲領域において、前記固溶酸素はその濃度が極小値をもつ分布となり、ＢＭＤ密度が２．５×１０７個／ｃｍ３以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。
【請求項２】
引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから形成されたシリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層が設けられたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、
前記シリコンエピタキシャル層の表層部に酸素が導入され、前記表層部の固溶酸素の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になっていることを特徴とするシリコンウェーハ。
【請求項３】
前記表層部の固溶酸素は、前記表層部の深さ方向に濃度分布していることを特徴とする請求項２に記載のシリコンウェーハ。
【請求項４】
前記シリコンウェーハ表面〜２μｍ深さの範囲領域において、前記固溶酸素はその濃度が極小値をもつ分布となり、ＢＭＤ密度が２．５×１０７個／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項３に記載のシリコンウェーハ。
【請求項５】
前記シリコンウェーハ表面からの深さが２μｍのところにおける前記固溶酸素の濃度が１．２〜６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にあり、前記シリコンウェーハ表面からの深さが９μｍのところにおける前記固溶酸素の濃度が２．８〜５．２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にあることを特徴とする請求項１または４に記載のシリコンウェーハ。
【請求項６】
前記ＤＺ層の表層部あるいは前記シリコンエピタキシャル層の表層部への酸素の導入は、その酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理によりなされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェーハに関し、詳細には、デバイス活性領域となる表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性を有し、更にはその内部が優れた金属不純物のゲッタリング能力を備えるシリコンウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高集積化、高性能化あるいは高機能化において、それを構成する半導体素子はその設計基準が例えば６５ｎｍ〜４５ｎｍとますます微細化している。そして、このような半導体デバイスの基板として、チョクラルスキー（ＣＺ：ＣＺｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法あるいは磁界下チョクラルスキー（ＭＣＺ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ａｐｐｌｉｅｄ  ＣＺｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により引上げ育成され製造されるシリコンウェーハが広く使用される。
【０００３】
上記シリコンウェーハは、デバイスの製造歩留まりの向上およびその高い信頼性を確保する上から、デバイス製造ラインで生じる微量の汚染金属をゲッタリングすることが必須になる。また、上記デバイスが作製される活性領域における例えば格子空孔のような点欠陥の凝集物、格子間酸素の析出物（ＢＭＤ：Ｂｕｌｋ  Ｍｉｃｒｏ  Ｄｅｆｅｃｔ）等の低減が強く要求される。ここで、点欠陥の凝集物は例えば結晶に起因するパーティクル（ＣＯＰ：Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）、八面体状ボイド欠陥（ＬＳＴＤ：Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ  Ｄｅｆｅｃｔ）等といわれるようなものである。そして、ＢＭＤは例えば正八面体アモルファスＳｉＯ２のような微小なシリコン酸化物である。
【０００４】
上記金属不純物のゲッタリングとしては、従来からエクストリンシックゲッタリング（ＥＧ：Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ  Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）法といわれシリコンウェーハの裏面に形成されるバックサイドダメージ層、バックサイドポリシリコン層、リン不純物拡散層等に汚染金属をゲッタリングさせる方法が知られている。さらに、上記汚染金属のゲッタリングサイトをシリコンウェーハの内部（バルク部）に形成するイントリンシックゲッタリング（ＩＧ：Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）法が開発され、現在ではこのＩＧ法が半導体デバイス製造で広く使用されるようになっている。
【０００５】
ＩＧ法は、一般的にＣＺ法あるいはＭＣＺ法で引上げ育成され製造されたシリコンウェーハ中の過飽和に存在する格子間酸素を熱処理により析出させ、シリコンウェーハのバルク部にＢＭＤを生成しその周りに二次的な転位や積層欠陥を誘起させ、この析出物およびその周りをゲッタリングサイトにして汚染金属をゲッタリングさせる方法である。この場合、デバイス活性領域となる表層部でのＢＭＤ生成が抑制されるように制御される。
【０００６】
これまで、上記ＩＧ効果を有するシリコンウェーハの作製方法が種々に提案されてきた。これ等の作製方法は、シリコンウェーハ中に存在する過飽和の格子間酸素の析出、析出核の調整、析出物／析出核の溶解、格子間酸素の拡散等を熱的に制御するものである。例えば１１００〜１３００℃の高温熱処理において、析出核の縮小・消滅がなされ、また、シリコンウェーハ表層部の酸素の外方拡散により、デバイス活性領域にＢＭＤ量が少なく無欠陥層といわれるデヌューデッドゾーン（ＤＺ：Ｄｅｎｕｄｅｄ  Ｚｏｎｅ）層が形成される。また、例えば５００〜９００℃程度の低温熱処理において、サイズ、密度等の均一な析出核形成が行われる。そして、例えば〜１０００℃程度の中温熱処理において、ＢＭＤおよび二次欠陥の成長、あるいは一部の析出物の溶解等の制御がなされる。
【０００７】
上記ＢＭＤ生成の現象は、例えば過飽和気体が液滴に凝結する場合と同様に考えることができ、下記に概説する統計熱力学の熱平衡論に立脚しシリコンウェーハ内での過飽和酸素の凝結現象としてとらえることができる。そして、いわゆる熱的系のＨｅｌｍｈｏｌｔｚ自由エネルギーが最小になるように進むとして扱うことができる。熱的系の上記自由エネルギーは、ほぼＢＭＤの自由エネルギーとシリコンウェーハ内に固溶した酸素の自由エネルギーとの和とすることができる。そして、ＢＭＤの自由エネルギーは、その内部エネルギー、表面エネルギー、応力場エネルギー、電場エネルギーおよび温度・エントロピー積を含む。ここで、エントロピーは熱的エネルギーの分配に関与する状態量から求められる。あるいは、これ等の自由エネルギーはいわゆる熱的カノニカル分布の分配関数から導出してもよい。
【０００８】
上記ＢＭＤ生成現象の把握から、ＢＭＤの自由エネルギーはＢＭＤ径に依存し、それが最大になる臨界核径の存在することが導き出される。そして、ある温度でＢＭＤ径が上記臨界核径より小さいとＢＭＤは溶解しその縮小・消滅が進み、逆に上記臨界核径より大きくなるとＢＭＤの成長が進行する。これは、上述した熱的系の自由エネルギーが最小になるように進むためである。ここで、臨界核径は熱処理温度の上昇とともに増大し、しかも酸素の過飽和度に依存する。
【０００９】
上記ＢＭＤ生成において、シリコンウェーハ中の酸素クラスタが均一核になると考えられるが、その他にＢＭＤの自由エネルギーを低減させる窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）等の不純物あるいは格子空孔等も析出核となる。また、シリコンウェーハ中のｎ型あるいはｐ型の不純物も活性化して電場エネルギーを作ることから酸素析出に影響を与える。そこで、上記ＩＧ効果を有するシリコンウェーハの作製方法には、Ｎ、Ｃ等の不純物添加、あるいは熱処理における格子空孔の凍結等を制御する方法がある。あるいは、上記ＢＭＤの臨界核径の温度による増大速度とＢＭＤの実質的な成長速度とを考慮し、熱処理温度への昇温速度あるいは熱処理温度からの降温速度を制御する方法が提示され、それ等の一部は実用化されている。
【００１０】
そして、上記ＩＧ効果を有するシリコンウェーハ製造方法の中で、シリコンウェーハのバルク部に適度なＢＭＤを生成すると共に、上記ＤＺ層においてグローンイン欠陥である格子空孔の凝集物を消滅させ高品質にする方法が提示されている（例えば、特許文献１参照）。この方法の特徴は、高温熱処理における雰囲気ガスとして、上記凝集物の空洞内壁に形成される酸化層（ＳｉＯｘ層）を除去して凝集物を効果的に消滅させる水素（Ｈ２）のような還元性ガスあるいはアルゴンのような希ガスを用いるところにある。以下、このような方法で作製されるシリコンウェーハをアニールウェーハと呼称する。
【００１１】
あるいは、シリコンウェーハのバルク部に適度なＢＭＤを生成すると共に、このシリコンウェーハにシリコンエピタキシャル成長を行い、結晶性が高品質となるシリコンエピタキシャル層をデバイス活性領域にする方法が種々に提示されている（例えば、特許文献２参照）。以下、このような方法で作製されるシリコンウェーハをＩＧ処理付きエピタキシャルウェーハともいう。
【００１２】
ところで、上述した半導体デバイスの高集積化、高性能化あるいは高機能化における半導体素子等の微細構造物は、シリコンウェーハの表層部における応力を増大させる。その代表的な応力として、例えばＭＩＳＦＥＴを構成する微細パターン周端部に生成される応力、ｎ型あるいはｐ型不純物のイオン注入による残留歪みに伴う応力等が挙げられる（例えば、非特許文献１参照）。
【００１３】
そして、上記デバイスの製造プロセスでは、その低温化・短時間化が進行し、例えば拡散炉を用いた熱処理の温度が全て１０００℃未満になってきている。そして、これまで半導体デバイス製造の熱プロセスで多用されてきた急速加熱アニール（ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）に代わって、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の様々な低サーマルバジェットの熱処理が使用されるようになってきている。ここで、ＲＴＡはハロゲンランプの光照射によるアニールであり、その処理時間は数ｓｅｃ（秒）〜数十ｓｅｃであったが、上記低サーマルバジェットの処理時間は数ｍｓｅｃと極短時間になる。そして、このようなデバイス製造プロセスでは、上述した素子の微細化に伴い増大する応力の熱処理による緩和が難しくなる。また、昇降温が従来に増し急激になる低サーマルバジェットの熱処理では、シリコンウェーハの表層部における熱応力も増大する。
【００１４】
上述したような半導体デバイスおよびその製造プロセスの動向の中にあって、上記アニールウェーハおよびＩＧ処理付きエピタキシャルウェーハは、それ等の製法上必然的にウェーハ表層部での固溶酸素の濃度が低減することから、ウェーハ表層部における上記応力の増大により、転位等の欠陥が生じしかも伝播し易くなる。このために、アニールウェーハおよびＩＧ処理付きエピタキシャルウェーハでは、ウェーハ表層部で増大する上記応力により半導体デバイスの製造歩留まりが低下する虞が出てきた。また、上記デバイス製造プロセスの低温化・短時間化のために、このデバイス製造プロセス中においてウェーハ表層部の固溶酸素を補償することも期待できなくなってきた。なお、上述したような虞はＩＧ処理のないシリコンエピタキシャルウェーハであっても同様である。
【００１５】
そこで、ウェーハ表層部の応力を従来に増して増大させる微細化したデバイス構造、あるいは低温化・短時間化されたデバイス製造プロセスに対応するために、デバイス製造プロセス投入前の段階でウェーハ表層部に適度の酸素が固溶されて、転位の発生抑制および転位のピンニング能力を有するシリコンウェーハが強く望まれるようになってきている。
【特許文献１】特許第３１７１３０８号公報
【特許文献２】特開２００６−１８８４２３号公報
【非特許文献１】「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ」、Ｆｅｂ．２００５  Ｖｏｌ．１８、Ｎｏ．１，ｐ．１９−２５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、デバイス製造プロセス投入前の段階でウェーハ表層部の固溶酸素の濃度が適度に調節され制御されたアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハから成るシリコンウェーハを提供することを主目的とする。そして、デバイス活性領域となる表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性とを有し、更にはその内部が優れた金属不純物のゲッタリング能力を備えるシリコンウェーハを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、第一の発明にかかるシリコンウェーハは、引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから形成されたシリコンウェーハに対し、還元性ガス雰囲気中、希ガス雰囲気中あるいは還元性ガスと希ガスの混合ガス雰囲気中で少なくとも１１００℃〜１３００℃の温度の熱処理が施され、前記シリコンウェーハの表面にＤＺ層、該ＤＺ層より内部に所要量のＢＭＤがそれぞれ形成されたシリコンウェーハにおいて、前記ＤＺ層の表層部に酸素が導入され、前記表層部の固溶酸素の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記表層部の固溶酸素は、前記表層部の深さ方向に濃度分布しており、前記シリコンウェーハ表面〜２μｍ深さの範囲領域において、前記固溶酸素はその濃度が極小値をもつ分布となり、ＢＭＤ密度が２．５×１０７個／ｃｍ３以下である、構成になっている。
【００１８】
そして、第二の発明にかかるシリコンウェーハは、引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから形成されたシリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層が設けられたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコンエピタキシャル層の表層部に酸素が導入され、前記表層部の固溶酸素の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、構成になっている。
【００１９】
上記発明において、その好適な実施態様では、前記シリコンウェーハ表面〜２μｍ深さの範囲領域において、前記固溶酸素はその濃度が極小値をもつ分布となり、ＢＭＤ密度が２．５×１０７個／ｃｍ３以下である。あるいは、前記シリコンウェーハ表面からの深さが２μｍのところにおける前記固溶酸素の濃度が１．２〜６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にあり、前記シリコンウェーハ表面からの深さが９μｍのところにおける前記固溶酸素の濃度が２．８〜５．２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にある。そして、前記ＤＺ層の表層部あるいは前記シリコンエピタキシャル層の表層部への酸素の導入は、その酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理によりなされている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の構成により、半導体デバイス製造プロセス投入前の段階において、アニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハの表層部の固溶酸素が適度な濃度に調節され、上記表層部での転位の発生抑制および転位の高いピンニング能力を有するシリコンウェーハが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図１ないし図５を参照して説明する。図１は、本実施形態にかかるシリコンウェーハを示し、（ａ）はアニールウェーハから形成されたシリコンウェーハの断面図、（ｂ）はシリコンエピタキシャルウェーハから形成されたシリコンウェーハの断面図である。図２は、本実施形態にかかるシリコンウェーハの固溶酸素濃度の深さ方向分布の一例を示すグラフである。図３は、アニールウェーハの作製における熱処理の温度プロセスの一例を示す図である。図４は、シリコンウェーハ表層部への酸素注入／濃度制御における熱処理プロセスの一例を示す説明図である。そして、図５は、アニールウェーハの作製工程と固溶酸素の注入工程とを連続して行う熱処理プロセスの一例を示す説明図である。なお、本明細書中の格子間酸素濃度［Ｏｉ］はＯｌｄ  ＡＳＴＭによる換算係数による値である。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、アニールウェーハから成るシリコンウェーハ１１の表裏面には、ＤＺ層１２ａおよび１２ｂ（以下、まとめてＤＺ層１２ともいう）が形成されている。その詳細は後述するが、このＤＺ層１２は、例えば水素（Ｈ２）のような還元性ガス、アルゴン（Ａｒ）のような希ガスあるいは還元ガスと希ガスの混合ガスの雰囲気下での適宜な昇温プロセス、保持滞在プロセス、降温プロセスの熱処理を通して形成される。また、ＤＺ層１２より内部のバルク部にＢＭＤ等から成るゲッタリングサイト１３が設けられている。そして、ＤＺ層１２の表層部にその濃度および分布が調節制御された固溶酸素１４が導入されている。
【００２３】
同様にして、図１（ｂ）に示すように、シリコンエピタキシャルウェーハから成るシリコンウェーハ２１の表面には、シリコンエピタキシャル層２２が形成され、その表層部に濃度等の制御された固溶酸素１４が導入されている。ここで、シリコンウェーハ２１のバルク部２３には、従来技術で説明したＩＧ処理により形成されるＢＭＤ等から成るいわゆる緩和誘起ゲッタリングのメカニズムが働くゲッタリングサイトが設けられていてもよい。また、シリコンエピタキシャルウェーハは、ＥＧ効果を有するシリコンエピタキシャルウェーハ、偏析誘起ゲッタリングのメカニズムを有するｐ／ｐ＋構造のシリコンエピタキシャルウェーハであっても構わない。
【００２４】
上記ＤＺ層１２あるいはシリコンエピタキシャル層２２の表層部における固溶酸素１４は、図２に示すように、それ等の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になるように調節されている。ここで、図２の横軸は、シリコンウェーハ１１あるいは２１の表面から深さであり、縦軸は固溶酸素の濃度である。なお、図中の点線は従来のアニールウェーハの場合の酸素濃度の一般的な分布であり、破線はシリコンエピタキシャルウェーハの場合の酸素濃度の一般的な分布である。いずれの場合とも、その表層部における酸素濃度は１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３レベルになる。例えば、酸素濃度を二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定すると、アニールウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの場合、それぞれ、６×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００２５】
そして、固溶酸素１４は、その濃度とともにその深さ方向分布が種々に調節され制御される。図中の実線（ａ）では、固溶酸素１４がウェーハ表面から２μｍ深さ内の領域で極小値を有する分布になり、ウェーハ表面から２μｍ深さ、そして２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。これに対して、図中の実線（ｂ）では、固溶酸素１４は、ウェーハ表面から２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。また、図中の実線（ｃ）では、固溶酸素１４は、ウェーハ表面から２μｍ深さ程度までは増加し、それ以降は極大値から極小値を経て２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００２６】
ここで、図中の実線（ａ）のように、シリコンウェーハ１１あるいは２１の表面〜２μｍ深さの範囲領域において、固溶酸素１４が極小値をもつような分布が好ましい。更に、これ等のシリコンウェーハ表面からの深さが２μｍのところにおける固溶酸素の濃度が１．２〜６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にあり、シリコンウェーハ表面からの深さが９μｍのところにおける固溶酸素の濃度が２．８〜５．２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲にあることと好適である。
【００２７】
このようにして、最終的に製造されるシリコンウェーハ１１あるいは２１の表面〜２μｍ深さの範囲領域に生成されるＢＭＤの密度は、例えば２０ｎｍ以上のもので２．５×１０７個／ｃｍ３以下にすることが容易になる。この程度のＢＭＤ密度であれば、半導体デバイス性能を大きく低下させることはない。また、上記シリコンウェーハの表層部に形成される半導体デバイスの例えば深さが０．３μｍ程度以下になるウェル層等における転位の発生／伝播が効果的に抑制されるようになる。
【００２８】
上記固溶酸素１４の濃度およびその深さ方向分布の調節と制御の方法には種々の方法がある。以下に、上記シリコンウェーハ１１あるいは２１の形成に用いられるアニールウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの作製方法、これ等のウェーハに対する固溶酸素１４の注入およびその濃度制御の方法について詳細に説明する。
（アニールウェーハの作製）
この作製に使用される初期のシリコンウェーハは、例えばＣＺ法により引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから製造され、その表裏面又は表面が鏡面に研磨加工され、結晶内の格子間酸素濃度［Ｏｉ］が例えば１．０〜１．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になっている。
【００２９】
アニールウェーハの作製では、多数枚の初期のシリコンウェーハを例えば横型拡散炉あるいは縦型拡散炉のような熱処理炉に投入し、図３に示すような温度プロセスでバッチ処理を施す。ここで、熱処理炉内は、例えば水素（Ｈ２）のような還元性ガス、アルゴン（Ａｒ）ガスのような希ガスあるいは還元ガスと希ガスの混合ガスの雰囲気にして、適宜な昇温プロセス、保持滞在プロセス、降温プロセスの熱処理が行われる。なお、還元ガスとしてはＮＨ３ガス、Ｎ２Ｈ２ガスのような水素化合物ガスであっても構わない。上記希ガスはアルゴンの他に、ヘリウム、ネオン、クリプトンガスであってもよい。
【００３０】
図３の温度プロセスの熱処理では、昇温速度は、室温から９００℃までは例えば５〜１００℃／ｍｉｎ程度の範囲とし、９００℃から１１００〜１３００℃となる保持滞在の温度例えば１２００℃までは１〜１５℃／ｍｉｎの昇温速度に設定する。そして、上記保持温度で例えば１分〜４８時間の範囲で保持滞在処理を行う。その後は、例えば、保持温度から７００℃まで３℃／ｍｉｎ以下の降温速度で降温する。
【００３１】
上記昇温プロセスでは、温度上昇と共に上述したＢＭＤの臨界核径が増大する。ここで、上記昇温速度を適度に制御することで従来技術において説明した低温熱処理のＢＭＤの縮小・消滅の調整および析出核形成がなされる。また、中温熱処理がなされ、バルク部ではＢＭＤが成長し、表層部では酸素の外方拡散が起こり酸素濃度が減少する。
【００３２】
そして、保持滞在プロセスになると、表層部では酸素はより一層外方拡散し、ＢＭＤの消滅が加速される。更に、表層部に残存するグローンイン欠陥である格子空孔の凝集物が効果的に消滅し高品質の結晶性を有するＤＺ層になる。なお、バルク部では酸素がウェーハ内を拡散しＢＭＤの収縮が生じるが、酸素減少量が少ないためＢＭＤは消滅しない。
【００３３】
降温プロセスでは、降温速度が小さいため、理論上は表層部でもＢＭＤが成長するが、実際は酸素が外方拡散によって減少しているため、ＢＭＤは形成されずＤＺ層となる。一方、バルク部では再びＢＭＤが析出・成長する。このようにして、ウェーハの両面領域にＤＺ層を形成すると共に、バルク部に所要密度のＢＭＤを形成する。
【００３４】
このようにして、例えば図１（ａ）に示したＤＺ層１２ａおよび１２ｂの厚さは、例えば１０μｍ程度になるように制御される。これ等の両面のＤＺ層１２は、例えば２０ｎｍ以上のＢＭＤ密度が１０７個／ｃｍ３以下になる。そして、ＤＺ層１２の表層部の固溶酸素の濃度は１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３レベルになる。
【００３５】
また、アニールウェーハのバルク部にはＢＭＤ密度が例えば５×１０８〜５×１０９個／ｃｍ３程度に生成され、ＢＭＤおよびその周りの二次的な転位や積層欠陥等から成るゲッタリングサイト１３が形成される。ここで、バルク部のＢＭＤ密度が５×１０８個／ｃｍ３未満になると半導体デバイスの量産製造における金属不純物のゲッタリング効果が不充分になり、上記ＢＭＤ密度が５×１０９個／ｃｍ３を越えてくるとウェーハ反りが顕在化する。
【００３６】
（シリコンエピタキシャルウェーハの作製）
シリコンエピタキシャルウェーハの作製では、例えば上記初期のシリコンウェーハ（エピタキシャル成長の場合、シリコン基体ともいう）の表面に例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で１０μｍ程度の所要膜厚の図１（ｂ）に示すようなシリコンエピタキシャル層２２を成長させる。
【００３７】
シリコンエピタキシャル層のエピタキシャル成長では、例えば常圧下あるいは減圧下のＣＶＤにおける成膜の原料ガスとして、ＳｉＨ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４等を適宜に使用する。ここで、希釈用のガスとしてＨ２ガスを使用し、ドーパントガスとしてＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等を用いる。そして、上記原料ガスに合わせて成長温度として例えば１０００〜１２５０℃の所要温度になるように設定する。なお、シリコンエピタキシャル層はシリコン基体と導電型が同じになり、例えばｐ／ｐ＋あるいはｎ／ｎ＋構造になるように形成されてもよいし、シリコン基体と導電型が異なるようになっていてもよい。
【００３８】
なお、ＩＧ処理付きエピタキシャルウェーハの場合には、シリコン基体としてＩＧ処理が施された例えば図３で説明したようなアニールウェーハを用いることができる。あるいは、上記ＩＧ処理では、従来技術で説明した高温熱処理、低温熱処理、中温熱処理を適宜に組み合わせ、シリコンウェーハのバルク部にＢＭＤから成るゲッタリングサイトを所要量に形成するようにしてもよい。ここで、ＤＺ層の形成は僅かであってもあるいは無くても構わない。そして、ＩＧ処理の高温熱処理における雰囲気ガスとして例えば希釈酸素を含む酸化性ガスを用いてもよい。従来技術で説明したように、ＢＭＤ析出核となるＮ、Ｃ等の不純物が適度に導入された初期のシリコンウェーハを用いてもよい。これは、いわゆるエピタキシャル成長の工程で生じ易い析出核消滅を軽減するためである。このように、ＩＧ処理としてはアニールウェーハの作製の場合と異なる種々の方法が適用できる。
【００３９】
このシリコンエピタキシャルウェーハでは、例えば図１（ｂ）に示したシリコンエピタキシャル層２２の固溶酸素の濃度は１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３レベルになる。また、シリコンエピタキシャル層２２はＣＯＰ等の格子空孔の凝集物のない高品質な結晶層となる。
【００４０】
（固溶酸素の注入／濃度制御）
次に、上記アニールウェーハのＤＺ層１２の表層部あるいはシリコンエピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル層２２の表層部への固溶酸素の注入およびその濃度の調節と制御について説明する。ここで、表層部は、従来技術で説明したようにデバイス活性領域になるところであり半導体デバイスの種類により異なってくるが、ウェーハ表面からほぼ５μｍ程度の深さ以下の領域である。上記固溶酸素の注入および濃度制御には以下のような種々の方法がある。
【００４１】
（１）等温熱処理＆急速高温処理の方法
例えば、アニールウェーハあるいはシリコンエピタキシャルウェーハを急速冷却が可能な熱処理炉に投入し、図４に示すような温度プロセスで熱処理を行う。ここで、熱処理炉内は、例えば酸素（Ｏ２）ガス、酸素ガスを希ガスあるいは窒素ガスのような不活性ガスで希釈した酸素希釈ガス、Ｈ２Ｏガス、ＮＯ２、ＮＯのような酸素含有ガスの雰囲気にして、等温熱処理とその後の急速降温処理が行われる。また、熱処理炉内は上記酸素含有ガスの減圧状態あるいは加圧状態にしても構わない。上記熱処理炉としては例えばＲＴＡ装置のようなランプ加熱方式の急速加熱・急速冷却装置が好適に使用される。なお、バッチ処理可能な装置では、熱処理炉の熱容量が小さく強制冷却機構が備えられているとよい。
【００４２】
等温熱処理では、図４に示す等温の熱処理温度Ｔ１およびその保持時間ｔが適宜に設定され、急速降温処理では、熱処理温度Ｔ１から所定の温度Ｔ０までの降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）が調整される。この熱処理温度Ｔ１、保持時間ｔおよび降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）の調整により上記固溶酸素の注入と濃度制御が自在になされる。また、等温熱処理において、例えば上記酸素希釈ガスの希釈の度合いを時間的変化させることによっても、シリコンウェーハ表層部の固溶酸素の濃度分布を自在に変えることができる。そして、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したように、アニールウェーハのＤＺ層１２の表層部およびシリコンエピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル層２２の表層部に固溶酸素１４が導入され、その固溶酸素の濃度および濃度分布が調節制御される。なお、例えば室温から上記熱処理温度Ｔ１への昇温速度はウェーハにスリップ等の欠陥が発生しない程度にし、その昇温時における雰囲気ガスは不活性ガスあるいは酸素含有ガスを問わない
【００４３】
なお、上記等温熱処理においては、上記ウェーハは酸化性ガスに曝され表面が僅かであれ酸化される。このために、引き続いて行われる急速降温処理においてウェーハ表層部への格子空孔の注入およびその凍結が防止されるようになる。
【００４４】
上記酸素含有の雰囲気下の等温熱処理と急速降温処理では、等温の熱処理温度Ｔ１は例えば１０００℃〜１３００℃の範囲の温度に設定され、所定の温度Ｔ０は、例えば７００℃〜９００℃の範囲の温度に設定される。また、保持時間ｔは例えば数秒から数十分の範囲で調整され、降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）は例えば１０℃／ｍｉｎ〜１００℃／ｍｉｎの範囲で調整される。そして、ウェーハ表層部に注入される固溶酸素の濃度は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で自在に制御される。
【００４５】
ここで、熱処理温度Ｔ１が高くなるに従い、また、保持時間ｔが長くなるほど固溶酸素１４の濃度は増大する。そして、降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）が小さくなると、例えば図２の実線（ｂ）のように、固溶酸素１４はウェーハ表面からその内部に向かって単調に増加する濃度分布になる。逆に、降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）が大きくなると、例えば図２の実線（ａ）、（ｃ）のように、固溶酸素１４はウェーハ表層部で極小値あるいは極大値をもつ濃度分布になる。実線（ａ）と実線（ｃ）の相違は、等温の熱処理温度Ｔ１の温度にあり、実線（ａ）が例えば１０００℃の場合、実線（ｃ）が例えば１２００℃の場合である。
【００４６】
なお、上記降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）が例えば１００℃／ｍｉｎを超えてくると、ウェーハのスリップ発生が起こり易くなることから、ウェーハ内の温度差を小さくする制御が必要になる。
【００４７】
（２）アニールウェーハ作製での酸素ガス切換え方法
図５はこの方法にかかるアニールウェーハの作製工程と固溶酸素の注入工程とを連続して行う熱処理プロセスの一例を示す説明図である。ここで使用される初期のシリコンウェーハは、例えばＣＺ法により引上げ育成して製造され、その表裏面又は表面が鏡面に研磨加工され、結晶内の格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．０〜１．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のものである。
【００４８】
アニールウェーハの作製で説明したのと同様に、多数枚の初期のシリコンウェーハを横型拡散炉あるいは縦型拡散炉のような熱処理炉に投入する。そして、はじめのアニールウェーハの作製工程では、この熱処理炉内は、例えばアルゴンのような希ガスの雰囲気にして、適宜な昇温プロセス、保持滞在プロセス、降温プロセスの熱処理が行われる。
【００４９】
すなわち、図５に示す昇温プロセスでは、室温から９００℃までは例えば５〜１００℃／ｍｉｎ程度の範囲とし、９００℃から１１００〜１３００℃となる保持滞在の温度例えば１２００℃までは１〜１５℃／ｍｉｎの昇温速度に設定する。そして、この昇温プロセスにおいては、第１の実施形態で説明したのと同じように低温熱処理のＢＭＤの縮小・消滅の調整および析出核形成がなされ、中温熱処理のバルク部でのＢＭＤ成長、表層部では酸素の外方拡散が行われる。
【００５０】
そして、保持滞在プロセスにおいて、シリコンウェーハが保持滞在の温度に所要の時間保持されて、表層部では酸素はより一層外方拡散し、ＢＭＤの消滅が加速され、表層部に残存するグローンイン欠陥である格子空孔の凝集物が効果的に消滅し高品質の結晶性を有するＤＺ層になる。
【００５１】
次に、降温プロセスにおいて、所定のガス切換え温度Ｔ２までは例えば３℃／ｍｉｎ以下の降温速度で降温する。そして、このガス切換え温度Ｔ２の時点で上記アルゴンのような希ガスから酸素含有ガスに切換えて固溶酸素の注入工程になる。ここで、酸素含有ガスは１００％のＯ２ガスでもよいし、その他の酸素を含有するガスであってもよい。そして、所定のＫｅｅｐ時間のあいだガス切換え温度に維持した後に、上記酸素含有ガスの雰囲気中において、再度、上記降温プロセスの例えば１０℃／ｍｉｎ以上での降温を例えば７００℃の温度まで行う。
【００５２】
この固溶酸素の注入では、ガス切換え温度が重要である。ガス切換え温度は、例えば１１００℃〜１３００℃の範囲で適宜に設定される。ここで、ウェーハ表層部の固溶酸素の濃度は、ガス切換え温度に対しほぼ比例して増加する。しかし、上記Ｋｅｅｐ時間を０〜２０分と変えても僅かな増加しかない。ここで、上記降温プロセスでの降温の速度が１０℃／ｍｉｎで、ガス切換え温度Ｔ２が１１００℃の場合には、Ｋｅｅｐ時間を５分以上にすることによりウェーハ表層部の酸素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になる。ガス切換え温度Ｔ２が１１５０℃以上の場合には、Ｋｅｅｐ時間が無くてもウェーハ表層部の酸素濃度は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上にできる。上記酸素含有ガスを雰囲気ガスとする降温プロセスにおいて、その降温の速度は、例えば横型あるいは縦型拡散炉のような熱処理炉で可能であれば、等温熱処理＆急速高温処理の方法の場合で説明したのと同様な急速降温にしても構わない。
【００５３】
なお、上記（１）および（２）で説明した固溶酸素の注入／濃度制御の方法は、その酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理により、アニールウェーハのＤＺ層の表層部あるいはシリコンエピタキシャル層の表層部に固溶酸素を導入する方法である。
【００５４】
（３）酸素イオン注入の方法
例えば図１に示したアニールウェーハのＤＺ層１２ａあるいはシリコンエピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル層２２に対して、それ等の表面から酸素イオン注入を行う。ここで、酸素イオンのドーズ量は例えば１０１１〜１０１３イオン／ｃｍ２の範囲で適宜に設定される。また、注入エネルギーは例えば５０〜５００ｋｅＶの範囲で設定される。ここで、ドーズ慮と注入エネルギーを時間的に変化させることにより、固溶酸素１４のウェーハ深さ方向の濃度分布を自在に調節し制御することができる。なお、酸素イオン注入後のウェーハは例えば１１００℃程度のＲＴＡ、９００℃程度の熱処理炉によるアニールにより格子間酸素として固溶させるとよい。
【００５５】
（４）その他の方法
上述したアニールウェーハのＤＺ層あるいはシリコンエピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル層への固溶酸素の注入には、その他に酸素のプラズマドーピングの方法がある。この方法では、上記ウェーハは、容器内に生成された酸素プラズマに所定の時間曝される。ここで、酸素ガス雰囲気の容器内が減圧状態にされプラズマ励起される。そして、酸素プラズマ中の酸素イオンがウェーハ表面に注入される。その後、例えば１１００℃程度のＲＴＡ、９００℃程度の熱処理炉によるアニールにより格子間酸素として固溶させる。
【００５６】
本実施形態では、アニールウェーハあるいはシリコンエピタキシャルウェーハに対して、デバイス製造プロセス投入前の段階で、上記ウェーハの表層部に適度の酸素を固溶させ、その固溶酸素の濃度あるいはその分布を調節し制御する。このようにして、表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性を有し、更には内部が優れた金属不純物のゲッタリング能力を備えるシリコンウェーハが安定して得られる。しかも、このようなシリコンウェーハは、シリコン単結晶のＣＺ法あるいはＭＣＺ法における結晶熱履歴、デバイス製造プロセス等のウェーハ素性に影響されないものになる。
【００５７】
アニールウェーハあるいはシリコンエピタキシャルウェーハから成る上記シリコンウェーハは、微細構造化し高応力化する半導体デバイス、あるいは熱プロセスが低温化し短時間化するデバイス製造プロセスにあっても、デバイス活性領域となるシリコンウェーハの表層部における転位等の欠陥の発生およびその伝播が容易にしかも安定して抑制できるようになる。このようにして、本実施形態のシリコンウェーハは、デバイス設計基準が例えば３２ｎｍ以下の更に高集積化、高性能化あるいは高機能化した半導体デバイスであっても、その製造歩留まり低下の虞を解消する。
【実施例】
【００５８】
次に、実施例により本発明の効果について具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。以下、初期のシリコンウェーハとしてＣＺ法で引上げ育成した単結晶シリコンインゴットから製造した８インチ径のシリコンウェーハを使用した。ここで、ウェーハ中の初期の格子間酸素濃度［Ｏｉ］は１．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。そして、アニールウェーハの作製およびその表層部への適度な固溶酸素の注入を行い、アニールウェーハ作製の段階と固溶酸素の注入後の段階のそれぞれのシリコンウェーハの酸素濃度を二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定し、ＤＺ層の深さおよびＢＭＤ量を赤外散乱トモグラフ法で計測して評価した。
【００５９】
（実施例１）
本実施例では、アニールウェーハを作製し、その後に等温熱処理＆急速高温処理の方法によりアニールウェーハの表層部への固溶酸素の注入および濃度制御を行った。アニールウェーハ作製のための熱処理では、雰囲気ガスは水素ガスであり、保持滞在プロセスの保持温度は１２００℃、保持滞在時間を１時間とした。なお、昇温プロセスおよび降温プロセスにおける昇降温速度は標準的なものを用いた。そして、上記作製したアニールウェーハ（この実施例において水素アニールウェーハともいう）の表層部への固溶酸素の注入では、枚葉式のＲＴＡ装置を利用し、ドライＯ２ガス雰囲気において等温の熱処理温度Ｔ１＝１１００℃、保持時間ｔ＝０．５分、熱処理温度Ｔ１から所定の温度Ｔ０＝７００℃までの降温速度（ΔＴ／ｍｉｎ）を１００℃／ｍｉｎとした。
【００６０】
図６はシリコンウェーハの酸素濃度の深さ方向分布を示す。ここで、実線が上記アニールウェーハ表層部に固溶酸素の注入をした実施例１のシリコンウェーハの濃度分布を示し、点線が比較例１とした水素アニールウェーハの場合の濃度分布を示す。なお、ウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜は除去してある。図６に示されるように、実施例１では、図中の破線に示すウェーハ表面から１μｍまでの深さ領域内において、酸素濃度が最小値を示す。そして、この最小値は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、ウェーハの最表面近くの濃度は略２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。また、酸素濃度は、図中の一点鎖線に示すウェーハ表面から２μｍ深さ、そして２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００６１】
これに対して、比較例１である水素アニールウェーハの場合の酸素濃度は、ウェーハの最表面近くが略６×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になり、ウェーハ表面から１μｍ深さから実施例１の場合とほぼ同じで単調に増加してバルク部で１．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００６２】
ＤＺ層の深さは実施例１および比較例１とも１１．４μｍで差はなかった。そして、ＤＺ層におけるＢＭＤ量は共に赤外散乱トモグラフの検出限界以下（１０７個／ｃｍ３）であった。また、バルク部におけるＢＭＤ量は、実施例１および比較例１とも約１．７×１０９個／ｃｍ３であった。
【００６３】
（実施例２）
本実施例では、アニールウェーハ作製での酸素ガス切換え方法により、アニールウェーハ作製工程と表層部への固溶酸素の注入工程とを連続的に行った。アニールウェーハ作製工程の熱処理では、雰囲気ガスはアルゴンガスであり、保持滞在プロセスの保持温度は１２００℃、保持滞在時間を０．５時間とした。ここで、昇温プロセスは標準的なものを用いた。その後、ガス切換え温度は１２００℃のままにしてアルゴンガスをドライＯ２ガスに切換えて５分間保持した。その後の降温プロセスはドライＯ２ガス雰囲気において７００℃まで降温速度を５℃／ｍｉｎとした。また、比較例２として上記ドライＯ２ガスへの切換えをしないでアルゴンガス雰囲気のままで実施例２と同じ熱処理プロセスを施したアニールウェーハ（この実施例においてアルゴンアニールウェーハともいう）を作製した。
【００６４】
図７はシリコンウェーハの酸素濃度の深さ方向分布を示す。ここで、実線が実施例２のシリコンウェーハの濃度分布を示し、点線が比較例２としたアルゴンアニールウェーハの濃度分布を示す。なお、ウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜は除去してある。図７に示されるように、実施例２では、酸素濃度は、図中の一点鎖線に示す深さ２μｍからウェーハ表面にかけて急激に減少するが、ウェーハの最表面近くの濃度は略１．３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。そして、酸素濃度は、ウェーハ表面から２μｍ深さ〜２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００６５】
これに対して、比較例２であるアルゴンアニールウェーハの酸素濃度は、一点鎖線に示す深さ２μｍから実施例２の場合と同様に減少し、図中の破線に示す深さ１μｍからウェーハ表面にかけて実施例２よりも急減する。そして、ウェーハの最表面近くの濃度は略５．２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になる。また、酸素濃度は、実施例２と同様にウェーハ表面から２μｍ深さ〜２０μｍ深さにかけて単調に増加しバルク部で１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度になる。
【００６６】
ＤＺ層の深さは実施例２および比較例２とも１０μｍ程度で差はなかった。そして、ＤＺ層におけるＢＭＤ量は共に２．５×１０７個／ｃｍ３以下であった。また、バルク部におけるＢＭＤ量は、実施例２および比較例２とも約５×１０８個／ｃｍ３であった。
【００６７】
以上のことから、本実施形態で説明したシリコンウェーハでは、アニールウェーハの表層部に適度の固溶酸素が簡便にしかも効果的に注入され、その濃度分布が調節され制御されることが確認できた。また、この固溶酸素を注入したシリコンウェーハを用い、その表面に形成した転位の伝播を測定し、デバイス活性領域となる表層部が高い応力耐性を示すことが確かめられている。
【００６８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
【００６９】
上記アニールウェーハ作製での酸素ガス切換え方法においては、アニールウェーハ作製は希ガスを雰囲気ガスとしているが、水素ガスを用いる場合にもほぼ同様に行うことができる。但し、この場合には、ガス切換え温度において、水素ガスを希ガスで置換してから、酸素含有ガスに切換えるようにするとよい。
【００７０】
また、対象とするシリコンウェーハは、その口径、抵抗率、導電型に限定されるものではない。そして、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施形態にかかるシリコンウェーハを示し、（ａ）はアニールウェーハから形成されたシリコンウェーハの断面図、（ｂ）はシリコンエピタキシャルウェーハから形成されたシリコンウェーハの断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるシリコンウェーハの固溶酸素濃度の深さ方向分布の一例を示すグラフである。
【図３】本発明の実施形態のアニールウェーハの作製における熱処理の温度プロセスの一例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態のシリコンウェーハ表層部への酸素注入／濃度制御における熱処理プロセスの一例を示す説明図である。
【図５】本発明の実施形態におけるアニールウェーハの作製工程と固溶酸素の注入工程とを連続して行う熱処理プロセスの一例を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例１におけるシリコンウェーハの酸素濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例２におけるシリコンウェーハの酸素濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７２】
１１，２１  シリコンウェーハ
１２，１２ａ，１２ｂ  ＤＺ層
１３  ゲッタリングサイト
１４  固溶酸素
２２  シリコンエピタキシャル層
２３  バルク部
【図１】
0005276863.tif 000002
【図２】
0005276863.tif 000003
【図３】
0005276863.tif 000004
【図４】
0005276863.tif 000005
【図５】
0005276863.tif 000006
【図６】
0005276863.tif 000007
【図７】
0005276863.tif 000008