(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されて一部が外部に露出するリードと、前記リードの下面および側面が外部に露出した状態で前記回路素子および前記リードを一体的に被覆する封止樹脂とを備え、
前記リードは、前記封止樹脂の内部から周辺部に向かって裾広がりの形状を有し、
前記リードの幅が最大である箇所で、前記リードの側面が前記封止樹脂から外部に露出することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記封止樹脂から露出する前記リードの下面および側面にロウ材が付着されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記回路素子は半導体素子であり、
前記リードは、前記半導体素子を取り囲むように複数が配置されると共に、金属細線を経由して前記半導体素子の電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
回路素子と電気的に接続される複数のリードから成るユニットが配置され、前記ユニットを囲むタイバーにより前記リードが連結されると共に、前記リードと前記タイバーとの連結部が他の領域の前記リードよりも太く形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記各ユニットに回路素子を配置すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、
前記リードの裏面が露出された状態で、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、
前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記タイバーを除去することにより、分離された前記封止樹脂の側面から、前記リードの幅が最大である箇所で、前記リードの側面を露出させる工程と、
を具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードが前記タイバーに連結される箇所では、前記リードの幅は、前記ユニットの内側から外側に向かって裾広がりの形状を有することを特徴とする請求項４に記載の回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記タイバーの幅は、前記封止樹脂のダイシングに用いられるダイシングソーの幅よりも狭いことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記ユニットは、中央部に設けられるアイランドと前記アイランドを取り囲むように配置された複数の前記リードから構成され、
前記回路素子は前記アイランドに固着される半導体素子であり、前記半導体素子と前記リードとは金属細線を経由して接続されることを特徴とする請求項４から請求項６の何れかに記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内蔵される回路素子と電気的に接続されたリードが封止樹脂の側面から外部に露出する小型の回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。その一方で、半導体装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、実装面積の低減を求められる半導体装置では、樹脂封止体裏面からリードを露出させ、その実装面積をチップサイズと同等あるいはわずかに大きくするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージが利用されている。
【０００３】
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図１０から図１２を参照として、半導体装置の製造方法を説明する。図１０は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図１１はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図１２は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。
【０００５】
図１０に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部１１１を複数形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、ダイパッド１０３の上面に接着剤により半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接合する。
【０００６】
図１１に示すように、次に、封止シート１０６を貼り合わせ、半導体チップ１０４を接合したリードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、図示していないが、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
【０００７】
図１２に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。その後、図示していないが、共通の樹脂パッケージ１１０を、ダイシングにより個々の搭載部１１１毎に切断し、半導体装置が完成する。
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した構成の半導体装置では、信号接続用端子１０２の下面および側面が外部に露出し、この露出する部分の信号接続用端子１０２に半田を付着させて半導体装置を実装している。しかしながら、数十個程度の多数の電極を有する半導体チップ１０４が小型にパッケージングされると、個々の信号接続用端子１０２のサイズが小さくなる。従って、信号接続用端子１０２が外部に露出する面積が狭くなり、接続のために用いられるロウ材と信号接続用端子１０２とが接触する面積も小さくなる。このことにより、ロウ材により実装される半導体素子の接続信頼性が良好でない問題があった。
【０００９】
更に、上記した半導体装置の製造方法では、各搭載部１１１の信号接続用端子１０２は、核搭載部１１１の間に形成されるタイバーにより一体に支持される。しかしながら、半導体チップ１０４の多ピン化に伴い、各信号接続用端子１０２が細く形成されると、信号接続用端子１０２とタイバーとの接続強度を十分に確保することが困難になる。このことから、製造工程の途中段階に於いて、タイバーに連結された信号接続用端子１０２が変形してしまう問題があった。
【００１０】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、実装時の接続信頼性が向上された回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の回路装置は、回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されて一部が外部に露出するリードと、前記リードの下面および側面が外部に露出した状態で前記回路素子および前記リードを一体的に被覆する封止樹脂とを備え、前記リードは、前記封止樹脂の内部から周辺部に向かって裾広がりの形状を有し、前記リードの幅が最大である箇所で、前記リードの側面が前記封止樹脂から外部に露出することを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路装置の製造方法は、回路素子と電気的に接続される複数のリードから成るユニットが配置され、前記ユニットを囲むタイバーにより前記リードが連結されると共に、前記リードと前記タイバーとの連結部が他の領域の前記リードよりも太く形成されたリードフレームを用意する工程と、前記各ユニットに回路素子を配置すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記リードの裏面が露出された状態で、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記タイバーを除去することにより、分離された前記封止樹脂の側面から、前記リードの幅が最大である箇所で、前記リードの側面を露出させる工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、リードの端部が周辺部に向かって裾広がりの形状を有するので、封止樹脂から外部に露出するリードの面積が大きくなる。従って、回路装置を実装する際に、外部に露出するリードの側面に比較的多量のロウ材を付着させることが可能となるので、回路装置と外部との接続信頼性を向上させることができる。
【００１４】
更に、本発明によれば、図４を参照して、各ユニット２６を支持するために設けられるタイバー３２とリード３０との連結部に於いて、リード３０が他の領域よりも太く形成されている。このことにより、リード３０とタイバー３２との連結部の機械的強度が向上されるので、製造工程の途中段階に於けるリード３０の変形が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図を参照して、本発明の回路装置およびその製造方法を説明する。
【００１６】
図１および図２を参照して、本発明の回路装置５の構成を説明する。図１（Ａ）は実装面を下面とした回路装置５の斜視図であり、図１（Ｂ）は実装面を上面とした回路装置５の斜視図である。図２（Ａ）は回路装置５を上面から見た平面図であり、図２（Ｂ）は回路装置５が実装基板８に実装された状態を示す断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）を参照して、本形態の回路装置５は、外形形状が薄型の６面体であるＱＦＮである。回路装置５の具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。回路装置５の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。
【００１８】
図１（Ｂ）を参照すると、回路装置５の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
【００１９】
本実施の形態では、リード３０は、回路装置５の四方の周辺部に複数個が配置され、下面および側面が連続して外部に露出している。このことにより、回路装置５を実装する際に、リード３０の下面および側面の両方に半田を溶着させることが可能となる。従って、リード３０と半田とが接触する面積が大きくなるので、回路装置５の接続信頼性が向上される。
【００２０】
図１（Ｃ）を参照して、アイランド２８およびリード３０の下面は、封止樹脂３６の下面よりも内側（上方）に窪んで露出している。アイランド２８およびリード３０の下面が、封止樹脂３６の下面よりも内側に窪む距離Ｗ３は、例えば１μｍ〜２μｍ程度である。
【００２１】
図２（Ａ）を参照して、回路装置５の中心部付近にはアイランド２８が配置され、このアイランド２８を囲むように多数個のリード３０が離間して配置されている。アイランド２８の上面には半導体素子４４が固着され、半導体素子４４の上面に設けられた電極とリード３０とは、金属細線４６により接続されている。また、アイランド２８の４隅から外側に向かって吊りリード２９が延在している。この吊りリード２９は製造工程の途中段階に於いて、アイランド２８を支持するために設けられている。
【００２２】
図２（Ｂ）を参照して、上記した構成の回路装置５は、実装基板８の上面に実装される。実装基板８としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂材料、アルミニウム等の金属、セラミック等から成る基板である。実装基板８の上面には、銅箔等の金属を所定形状にパターニングした導電路７が形成されている。本形態の回路装置５は、ロウ材６（半田）を介して、実装基板８の上面に形成された導電路７に固着される。
【００２３】
ロウ材６としては、鉛共晶半田または鉛フリー半田が採用される。ロウ材６は、リード３０の下面だけではなく、リード３０の側面にも接触している。この様に、リード３０の下面および側面の両方にロウ材６が接触することにより、ロウ材６とリード３０とが密着する面積が増大して、両者の接続強度が向上される。更に、リード３０の側面に溶着されたロウ材６は、回路装置５の側方から容易に視覚的に確認できるので、ロウ材６が付着されている状況を容易に判断できる。
【００２４】
本実施の形態の回路装置５では、リード３０が、回路装置５の周辺部に向かって裾広がりの形状を有している。図２（Ａ）を参照して、リード３０の大部分の領域の幅Ｌ１が０．２５ｍｍであるのに対し、裾広がりの形状を呈するリード３０の端部の幅Ｌ２は０．３ｍｍである。この様に、回路装置５の周辺部におけるリード３０の形状を裾広がりとすることにより、回路装置５の周辺部に於いて、幅が広いリード３０の下面とロウ材６とが接触する面積が大きくなる。更に、回路装置５の周辺部にて外部に露出するリード３０の側面の面積も大きくなるので、リード３０の側面とロウ材６とが接触する面積も大きくなる。以上のことにより、リード３０の下面および側面がロウ材６に接触する面積が大きくなるので、ロウ材６による接続信頼性が向上される。
【００２５】
次に、図３から図９を参照して、上記した構成の回路装置の製造方法を説明する。
【００２６】
図３および図４を参照して、先ず、本形態の回路装置の製造方法に使用されるリードフレーム１０の構成を説明する。ここで、図３（Ａ）はリードフレーム１０を全体的に示す平面図であり、図３（Ｂ）はリードフレーム１０に配置されるブロック１２を拡大した平面図である。また、図４はブロック１２に含まれるユニットの構成を示す平面図である。
【００２７】
図３（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。
【００２８】
リードフレーム１０には、多数個のユニットから成るブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って一列に５個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は１つでも良いし、６個以上の多数個でも良い。
【００２９】
ブロック１２の周辺部には、ブロック１２が形成されない残余の領域である第１支持部１４と第２支持部１６が設けられており、これらでリードフレーム１０を全体的に支持する外枠が構成されている。第１支持部１４は、リードフレーム１０の長手方向に対向する周辺部に位置している。第２支持部１６は、リードフレーム１０の短手方向に対向する周辺部に位置している。更に、第２支持部１６は、各ブロック１２の間にも設けられている。
【００３０】
図３（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０に設けられるブロック１２の構成を詳細に説明する。ブロック１２の内部には、マトリックス状に配置された複数のユニット２６が形成されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。
【００３１】
この図では、ブロック１２の内部に設けられた各ユニット２６同士の間に規定される分割線を点線にて示している。ここでは、ユニット２６がマトリックス状に配置されているので、分割線は格子状に規定されている。分割線２０は紙面上にて縦方向に規定されており、分割線１８は紙面上にて横方向に規定されている。
【００３２】
分割線２０は、リードフレーム１０の下端から上端まで延長して規定されており、このことは回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線２０に沿って上端から下端まで切断されることを示している。
【００３３】
分割線１８は、リードフレーム１０の左端から右端まで連続して規定されている。このことも、回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線１８に沿って左端から右端まで切断されることを示している。更に、分割線１８は、リードフレーム１０に設けられたブロック１２に共通して規定されている。即ち、製造工程に於いて、分割線１８に沿ってダイシングを行うと、複数のブロック１２に含まれるユニット２６の分離を一括して行うことができる。
【００３４】
本発明では、上記した分割線１８、２０に対応する箇所のリードフレーム１０の切断を容易にするために、等間隔にハーフ溝２２および貫通溝２４を設けている。
【００３５】
ハーフ溝２２は、分割線２０に対応する箇所の第１支持部１４を部分的に肉薄に形成した部位である。ハーフ溝２２は、第１支持部１４を例えば０．１ｍｍ程度ハーフエッチングして肉薄にすることで形成されている。この様に分割線２０が規定された箇所にハーフ溝２２を設けることで、この部分の第１支持部１４を容易に分割することができるので、ダイシングに用いるダイシングソーの摩耗を低減させることができる。更には、ハーフ溝２２はリードフレーム１０を貫通するものではないので、ハーフ溝２２を設けることによる第１支持部１４の機械的強度の低下が抑制される。
【００３６】
貫通溝２４は、分割線１８が規定された領域の第２支持部１６を、部分的に貫通して設けられた部位である。貫通溝２４が設けられた部位では、リードフレーム１０を構成する金属材料が位置していないので、分割線１８に沿うダイシングによるユニット２６の分離が容易に行える。更に、このダイシングによるダイシングソーの摩耗も抑制される。
【００３７】
ここで、本形態では、リードフレーム１０を貫通する貫通溝２４を短手方向の第２支持部１６に設け、リードフレーム１０を貫通せずに部分的に肉薄にしたハーフ溝２２を長手方向の第１支持部１４に設けている。ハーフ溝２２を長手方向の第１支持部１４に設けることで、第１支持部１４の機械的強度が所定以上に保たれ、製造工程の途中段階に於けるリードフレーム１０の撓みや折れ曲がりが抑制される。また、短手方向の第２支持部１６に関しては、第１支持部１４と比較すると要求される機械的強度が弱いので、ダイシングを容易にするために、リードフレーム１０を貫通する貫通溝２４の形成が可能となる。
【００３８】
ここで、上記したハーフ溝２２および貫通溝２４の幅Ｗ１は、例えば０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００３９】
ここで、分割線２０が通過する部分の第１支持部１４、分割線１８が通過する部分の第２支持部１６の両方にハーフ溝２２が設けられても良い。更には、これらの領域の両方に貫通溝２４が設けられても良い。
【００４０】
更に、分割線２０により区画される各第１支持部１４には、第１支持部１４を貫通する円形の貫通孔３４が形成されている。更に、第２支持部１６にも同様に貫通孔３４が設けられている。この貫通孔３４は、製造工程にて塗布される封止樹脂とリードフレーム１０との密着性を向上させるためのものである。
【００４１】
図４を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニット２６の構成を説明する。ユニット２６は、上述したように１つの回路装置を構成する単位要素であり、ここでは、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
【００４２】
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。換言すると、各ユニット２６は、タイバー３２により囲まれている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８は、吊りリード２９を経由してタイバー３２に連結されている。
【００４３】
また、各タイバー３２の位置は、図３を参照して説明した分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。
【００４４】
更に、上記した除去を確実に行うために、タイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ２は例えば０．２ｍｍ程度である。即ち、タイバー３２の幅Ｗ２は、図３を参照して説明した貫通溝２４やハーフ溝２２の幅よりも狭く形成され、更には製造工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。
【００４５】
更に本形態では、リード３０がタイバー３２に連結される箇所に於いて、リード３０の幅が他の領域よりも太く形成されている。例えば、リード３０の大部分の太さは０．２５ｍｍ程度であり、リード３０とタイバー３２との接続箇所におけるリード３０の太さは０．３ｍｍ程度である。この様に、タイバー３２に接続する部分のリード３０を太くすることにより、リード３０とタイバー３２とが連結される強度を向上させることができる。従って、製造工程の途中段階に於ける、リード３０の折れ曲がりが抑制され、製造される回路装置の品質が向上される。
【００４６】
ここで、単にリード３０とタイバー３２とが連結される強度を向上させるのであれば、各リード３０を全体的に太く形成すればよい。しかしながら、本形態では、極めて小型の回路装置が製造されるので、リード３０は密に配置されており、リード３０同士が離間する距離が非常に短い。従って、リード３０とタイバー３２とが連結される強度を向上させるために個々のリード３０を全体的に太く形成すると、リード３０間の間隔が狭くなる。このことからリード３０同士が接触してショートが発生してしまう恐れがある。
【００４７】
この問題を回避するために、本形態ではリード３０がタイバー３２に接触する部分のみを裾広がりに広く形成している。この様にすることで、リード３０同士の接触が防止され、更に、製造工程の途中段階に於けるリード３０の折れ曲がりが防止される。
【００４８】
次に、図５から図９を参照して、上記した構成のリードフレーム１０を使用した回路装置の製造方法を説明する。
【００４９】
図５を参照して、先ず、リードフレーム１０の所定の箇所に半導体素子４４を固着する。図５（Ａ）は１つのユニット２６を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ-Ｂ’線に於ける断面図である。
【００５０】
本工程では、図３に示した構成のリードフレーム１０を、パンチング加工またはエッチング加工により用意する。そして、このリードフレーム１０の各ブロック１２（図３参照）に対して、半導体素子４４のダイボンディングおよびワイヤボンディングを行う。本工程では、図３に示すリードフレーム１０に配置された全てのブロック１２に対して、一括してダイボンディングおよびワイヤボンディングを行っている。
【００５１】
図５（Ａ）を参照して、先ず、半田等の導電性接着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性の接着材を介して、アイランド２８の上面に半導体素子４４を実装する。そして、半導体素子４４の上面に設けられた電極とリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。
【００５２】
図５（Ｂ）を参照して、本工程では、リードフレーム１０の下面は、ほぼ全面的に接着シート４８の上面に貼着させている。接着シート４８は、上面に薄く接着樹脂が塗布された樹脂製のシートであり、その材料としては例えばポリイミドまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が採用される。リードフレーム１０の裏面を接着シート４８に接着させる理由は、次工程の樹脂封止の工程に於いて、リードフレーム１０の裏面に封止樹脂が回り込むことを防止するためである。
【００５３】
上記したように、本実施の形態では、リード３０とタイバー３２との連結部に於いて、リード３０の幅が裾広がりに広く形成されている。このことにより、タイバー３２とリード３０とが強固に連結されている。従って、金属細線４６をリード３０の上面に接続させるために、ボンディングツールによりリード３０の上面に振動エネルギーを加えると、強固に支持されたリード３０に良好にエネルギーが伝達される。結果的に、金属細線４６とリード３０との密着が良好となり、両者の接続信頼性が向上される。
【００５４】
図６および図７を参照して、次に、図５に示したアイランド２８、リード３０、金属細線４６および半導体素子４４が被覆されるように封止樹脂３６を形成する。
【００５５】
図６（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド金型５０を使用して樹脂封止を行う。本工程では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたはポリエチレン等の熱可塑性樹脂を使用するインジェクションモールドが採用される。
【００５６】
本工程では、接着シート４８が下面に貼着されたリードフレーム１０を下金型５４の平坦な上面に載置し、上金型５２と下金型５４とを当接させることで、各ブロック１２を１つのキャビティ５６に収納させて樹脂封止を行っている。
【００５７】
金型５０は、上金型５２と下金型５４とからなり、ブロック１２の周辺部に対応する領域にゲート６０が設けられており、ゲート６０に対向するブロック１２の周辺部にエアベント５８が形成されている。ゲート６０を経由して、液状または半固形状の封止樹脂がキャビティ５６に注入される。そして、ゲート６０から注入された封止樹脂に対応した量のキャビティ５６内の空気が、エアベント５８を経由して外部に放出される。キャビティ５６に注入された封止樹脂３６は、必要に応じて加熱硬化される。
【００５８】
また、本工程に於いては、ブロック１２の周囲のリードフレーム１０の残余部（図３（Ａ）に示す第１支持部１４および第２支持部１６）は、上金型５２および下金型５４により押圧されている。更に、本工程では、リードフレーム１０の下面は接着シート４８に貼着されている。従って、高い圧力をもって封止樹脂をキャビティ５６に注入しても、注入された封止樹脂がリードの下面に回り込むことが抑制されている。尚、図５（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０の下面は、接続端子として外部に露出するアイランド２８およびリード３０の下面に対応している。このことから、リードフレーム１０の下面が封止樹脂により被覆されてしまうと、アイランド２８およびリード３０を外部と接続することが困難になる。本形態では、上記した接着シート４８を採用することにより、リードフレーム１０の下面への封止樹脂の回り込みを防止しているので、アイランド２８およびリード３０の下面は良好に外部に露出する。
【００５９】
図６（Ｂ）に上記工程が終了したリードフレーム１０の断面図を示す。ここでは、各ブロック１２が個別に封止樹脂３６により封止されている。
【００６０】
図７を参照して、上記した樹脂封止の工程が終了した各ブロック１２の状態を詳細に説明する。図７（Ａ）は封止樹脂３６が付着される方向からリードフレーム１０を見た平面図であり、図７（Ｂ）はその反対面のリードフレーム１０の平面図である。
【００６１】
図７（Ａ）を参照して、封止樹脂３６は、ブロック１２が形成される領域だけではなく、ブロック１２の周辺部の第１支持部１４および第２支持部１６の表面も被覆されるように形成されている。この様にすることで、リードフレーム１０の第１支持部１４に設けられたハーフ溝２２および第２支持部１６に設けられた貫通溝２４も、封止樹脂３６が充填される。更に、第１支持部１４および第２支持部１６を貫通して設けた貫通孔３４にも、封止樹脂３６が充填される。
【００６２】
図７（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０の裏面には、リードフレーム１０の上面に形成された封止樹脂３６が一部露出している。具体的には、上記した貫通溝２４および貫通孔３４に充填された封止樹脂３６が、リードフレーム１０の下面に露出している。ハーフ溝２２に関しては、リードフレーム１０を貫通していないので、この箇所に充填された封止樹脂３６はリードフレーム１０の下面に露出しない。
【００６３】
図８および図９を参照して、次に、上記した各ブロック１２のユニットを個別に分離する。図８はダイシングの工程を示す図であり、図９はブロック１２が個別に分離される状態を示す図である。
【００６４】
図８を参照して、先ず本工程では、樹脂封止が終了したリードフレーム１０をダイシングシート４２に貼着する。ダイシングシート４２は、上面に接着層が形成された樹脂シートであり、ステンレス等の金属を円環状に形成した金属枠３８により周囲が支持されている。
【００６５】
上記した構成のダイシングシート４２の上面にリードフレーム１０が貼着される。ここで、先工程では、リードフレーム１０の下面には接着シート４８が貼着されていたが（図
５（Ｂ）参照）、この接着シート４８は予め除去されても良いし、そのままリードフレーム１０と共にダイシングシート４２に貼着されても良い。ここで、リードフレーム１０は、封止樹脂３６が形成された面が貼着されても良いし、封止樹脂３６が形成された面に対向する面が貼着されても良い。
【００６６】
ダイシングシート４２にリードフレーム１０を貼着させた後は、高速で回転するダイシングブレード４０を使用して、リードフレーム１０に形成された各ブロック１２を一括してダイシングする。本工程では、各ブロック１２の封止樹脂３６をダイシングすると共に、金属から成るリードフレーム１０の外枠（支持部）もダイシングにより分割している。
【００６７】
本工程のダイシングは、各ブロック１２の封止樹脂３６およびリードフレーム１０が完全に分離される深さで行われる。
【００６８】
更に本工程では、紙面方向で横方向に行われるダイシングにより、リードフレーム１０に形成される全てのブロック１２を横方向に分離すると共に、リードフレーム１０の短手方向の支持部である第２支持部１６が分割される。更に、紙面上にて縦方向にダイシングを行うことにより、各ブロック１２が縦方向に分割されると共に、リードフレーム１０の長手方向の支持部である第１支持部１４が分割される。
【００６９】
図９を参照して、上記したダイシングの詳細を説明する。先ず、封止樹脂３６により一体に封止される１つのブロック１２には、マトリックス状に多数個のユニット２６が配置されている。そして、各ユニット２６同士の間に格子状に分割線が規定されている。ここでは、紙面上にて横方向に分割線１８が規定されており、縦方向に分割線２０が規定されている。
【００７０】
更に、分割線１８に沿って、リードフレーム１０の第２支持部１６を貫通して設けた貫通溝２４が形成されている。そして、この貫通溝２４が形成された箇所ではリードフレーム１０を構成する金属材料は除去されており、封止樹脂３６のみが位置している。ここで、リードフレーム１０を構成する銅などの金属材料は、エポキシ樹脂等から成る封止樹脂３６よりも切断されにくい材料である。従って、貫通溝２４を設けることにより、分割線１８に沿ってダイシングを行ったときの、ダイシングブレード４０により切断される金属材料が減少する。このことにより、ダイシングに伴うダイシングブレード４０の摩耗が抑制される。
【００７１】
一方、紙面上にて縦方向に規定された分割線２０に沿って、リードフレーム１０の第１支持部１４を部分的に肉薄にしたハーフ溝２２が設けられている。そして、ハーフ溝２２が設けられた部分は、他の領域よりもダイシングブレード４０によるダイシングが行いやすい条件にある。従って、分割線２０が規定された部分にハーフ溝２２を設けることにより、分割線２０に沿って封止樹脂３６および第１支持部１４を分離した際の、ダイシングブレード４０の摩耗が抑制されている。
【００７２】
更に、図９（Ｂ）を参照して、分割線１８および分割線２０に沿って上記したダイシングを行うことにより、各ユニット２６同士の間に位置しているタイバー３２が除去される。従って、本工程によりタイバー３２が除去されることにより、各ユニット２６同士が電気的に分離される。更に、各ユニット２６の内部に位置するリード３０およびアイランド２８も電気的に分離される。
【００７３】
本実施の形態では、図９（Ｂ）を参照して、分割線１８、２０が規定された位置に設けられているタイバー３２の幅Ｗ２は、本工程で使用されるダイシングブレード４０の幅よりも狭い。従って、ダイシングブレード４０を用いて、分割線１８、２０に沿ってダイシングを行うことにより、タイバー３２は全面的に除去される。本工程のダイシングを行うことにより、各リード３０の裾広がりの端部が外部に露出する構造が得られる。
【００７４】
以上の工程により、図１および図２に構成を示した回路装置が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法に使用されるリードフレームを示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法に使用されるリードフレームを示す平面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図１０】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
５      回路装置
６      ロウ材
７      導電路
８        実装基板
１０      リードフレーム
１２      ブロック
１４      第１支持部
１６      第２支持部
１８      分割線
２０      分割線
２２      ハーフ溝
２４      貫通溝
２６      ユニット
２８      アイランド
２９      吊りリード
３０      リード
３２      タイバー
３４      貫通孔
３６      封止樹脂
３８      金属枠
４０      ダイシングブレード
４２      ダイシングシート
４４      半導体素子
４６      金属細線
４８      接着シート
５０      金型
５２      上金型
５４      下金型
５６      キャビティ
６０      ゲート
５８      エアベント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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