(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
内孔の真円度が５．５μｍ以下であり、
内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（Ａ）で示されるSkの値が、０．５５〜−０．５５の範囲内であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【数１】
0005335983.tif 000031
ただし、上記数式（Ａ）におけるｎSKはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【請求項２】
内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
内孔の真円度が５．５μｍ以下であり、
内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（Ｂ）で示されるKuの値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【数２】
0005335983.tif 000032
ただし、上記数式（Ｂ）におけるｎKuはサンプリング数であり、Riは、孔の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【請求項３】
内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（Ｂ）で示されるKuの値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【数３】
0005335983.tif 000033
ただし、上記数式（Ｂ）におけるｎKuはサンプリング数であり、Riは、孔の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【請求項４】
２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が８０GByte以上である磁気ディスクに対応するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
内孔の全周に亘る形状プロファイルから算出される下記数式（Ｃ）に示されるSkIDの値と、磁気ディスク用ガラス基板の外形の形状プロファイルから算出される下記数式（Ｃ）に示されるSkODの値と、同軸度Ｃの値を用いて算出される下記数式（Ｃ）で示されるＡＣの値が９．６μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【数４】
0005335983.tif 000034
ただし、上記数式（Ｃ）に示されるSkIDの値は、数式（Ｄ）により算出され、上記数式（Ｃ）に示されるSkODの値は、数式（Ｅ）により算出される値である。
【数５】
0005335983.tif 000035
上記数式（Ｄ）におけるｎIDはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【数６】
0005335983.tif 000036
上記数式（Ｅ）におけるｎODはサンプリング数であり、Riは、外形の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から当該形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板と、
前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
内孔の真円度が５．５μｍ以下であり、
内孔の全周に亘る形状プロファイルから算出される下記数式（Ｃ）に示されるSkIDの値と、磁気ディスク用ガラス基板の外形の形状プロファイルから算出される下記数式（Ｃ）に示されるSkODの値と、同軸度Cの値を用いて算出される下記数式（Ｃ）で示されるACの値が９．６μｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【数７】
0005335983.tif 000037
ただし、上記数式（Ｃ）に示されるSkIDの値は、数式（Ｄ）により算出され、上記数式（Ｃ）に示されるSkODの値は、数式（Ｅ）により算出される値である。
【数８】
0005335983.tif 000038
上記数式（Ｄ）におけるｎIDはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【数９】
0005335983.tif 000039
上記数式（Ｅ）におけるｎODはサンプリング数であり、Riは、外形の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から当該形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【請求項８】
上記同軸度Ｃが７μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項９】
２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が８０GByte以上である磁気ディスクに対応するものであることを特徴とする請求項７または８に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板と、
前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク用ガラス基板およびその評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。
【０００３】
このような磁気記録技術のひとつであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）は、ディスク状の基板の表面に磁性体薄膜からなる磁気記録層を有した磁気ディスクと、磁気ディスクを高速で回転させるスピンドルモータと、スイングアームの先端に取り付けられ、磁気ディスクの磁気記録層に磁気データを読み書きする磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気ディスク上の半径方向に移動する位置決め装置とを主な構成要素としている（特許文献１）。
【０００４】
磁気ディスクの両主表面に形成された磁気記録層に対してそれぞれ磁気ヘッドが対向配置されるので、１つの磁気ディスクにつき２つの磁気ヘッドを備えているのが、一般的な構成である。ここで、磁気記録媒体用基板としては、かつてはアルミニウム基板が広く用いられてきた。
【０００５】
しかしながら、磁気ディスクの小型化、薄板化、および高密度記録化に伴い、近年は、アルミニウム基板に比べ基板表面の平坦性及び基板強度に優れたガラス基板の需要が高まっている。
【０００６】
ガラス基板は、従来、例えば、特許文献２の段落〔０００４〕に示すように、ガラスを円盤状に形成して面取りを行い、端面および主表面を研磨し、その後に耐衝撃性や耐振動性を向上させるための化学強化処理を施すことにより製造されていた（特許文献２）。
【０００７】
このようにして製造されたガラス基板は、両面に磁性層等の記録層を設けることにより、磁気記録媒体として利用されてきた。
【０００８】
ここで、磁気ディスク用ガラス基板の場合、スピンドルモータに連結するために、内孔が設けられているが、回転の際のブレやそれに伴うＴＭＲ（Track Mis Registration）を防止するため、内孔の形状は、真円に近いものが好ましい。
【０００９】
真円の近さを表す指標としては、一般に真円度が知られている。 
真円度は、円形形体の幾何学的に正しい円からの狂いの大きさを示す指標であり、従来の定義は、例えばＪＩＳ規格によれば、「円形形体を２つの同心の幾何学的円で挟んだとき、同心円の間隔が最小となる場合の、２円の半径の差」と定義されている（非特許文献１）。
【００１０】
即ち、磁気ディスク用基板の内孔の場合、内孔の全周に亘る形状プロファイルを測定し、プロファイルの最大値における外接円と最小値における内接円の差分が真円度である。
なお、本願で言うところの外接円とは、上記真円度の定義における２つの同心円のうち半径が大きい円（プロファイルのうち、最も外側に接している円）である。また、内接円とは、半径の小さい円（プロファイルのうち、最も内側に接している円）である。
【００１１】
なお、磁気ディスク用ガラス基板は通常、大量生産されるものであり、真円度にバラつきが生じるため、バラつきが所定の数値範囲（寸法公差）に収まるように製造される。
【００１２】
また、別の観点では、磁気ディスク用ガラス基板の場合、スピンドルモータに連結するために、円孔が設けられているが、回転の際のブレやＴＭＲ(Track Mis Registration)を最小限にするため、円孔の中心と外周端の描く円の中心は、一致しているのが好ましい。
【００１３】
ただし、磁気ディスク用ガラス基板の場合、実際には外周端と円孔は真円を描いているわけではなく、凹凸形状を有する環状の形状となっているため、このような形状における中心の一致度を示す指標が必要となる。
【００１４】
この一致の程度を評価する指標としては同芯度（同軸度）がある。 
同軸度とは、ＪＩＳ（日本工業規格）においては「共通の軸線をもつように配置された２つの機械部分の軸線が一致していない程度。２つの線又は２つの軸では、指定された長さの中の幾つかの点で測定したそれらの距離で表す。その距離が許容値を超えないとき、同軸である、一致している、又は心が合っている（アライメントが保たれている）と見なす。２つの軸の場合は、一方の軸に取り付けたテストインジケータを振り回して測定した場合の読みの最大差の１／２がこれに該当する。」と定義されている（非特許文献２）。
【００１５】
磁気ディスク用基板のような円板の場合、外径（外周）および内径（内周）部分の２つのプロファイルが存在するため、例えば外周プロファイルの最小二乗円中心と、内周プロファイルの最小二乗円中心との差分を同軸度とするのが一般的である。
【００１６】
なお、磁気ディスク用ガラス基板は通常、大量生産されるものであり、同軸度にバラつきが生じるため、バラつきが所定の数値範囲（寸法公差）に収まるように製造される。
【００１７】
さらに、別の観点では、磁気ディスク用ガラス基板の場合、磁気ディスクに要求される板厚に応じて所定の板厚になるように形成されるが、回転の際のブレやそれに伴うＴＭＲ（Track Mis Registration）を防止するため、ガラス基板の板厚は、一定値であるのが好ましい。
【００１８】
ガラス基板の板厚の定義としては、従来、ガラス基板上の一点、或いは複数点で測定された両主表面間の距離で示されていた（特許文献３）。
【００１９】
なお、磁気ディスク用ガラス基板は通常、大量生産されるものであり、板厚にバラつきが生じるため、バラつきが所定の数値範囲（寸法公差）に収まるように製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００１−２４３７３５号公報
【特許文献２】特開２０００−０７６６５２号公報
【特許文献３】特開平８−１４７６９１号公報
【非特許文献】
【００２１】
【非特許文献１】ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１−１９８４
【非特許文献２】ＪＩＳ Ｂ ０１８２：１９９３ 工作機械-試験及び検査用語
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
ここで、近年のＨＤＤにおける高記録密度化および高速回転化の加速により、従来よりもさらにＴＭＲの影響、すなわちディスクのFlatteringにより磁気ディスク上を浮上する磁気ヘッドが、その半径／トラック位置情報を記録しているTrack情報を含むサーボ情報を見失う現象が著しくなる傾向がある。
【００２３】
これは、記録密度向上による狭トラック幅化、そして高速回転によるディスクの機械的振動による読み取りエラーが主たる原因である。
【００２４】
そのため、磁気ディスク用ガラス基板には、磁気ディスクの狭トラック幅化、ＨＤＤの高速回転により、磁気ヘッドがTrack情報を含むサーボ情報を見失わないように、安定して回転できるよう、例えば、（A）真円度、（B）同軸度、（C）ガラスの板厚も、従来に比べてより精度の高いものが求められており、その要求は一般的に８０ＧＢ以上／５，４００ｒｐｍ以上の性能を有するＨＤＤにおいて顕著になってくる。
【００２５】
ところが、上記（A）真円度の場合、従来の真円度の定義で寸法公差を管理して、磁気ディスク用ガラス基板を製造した場合であっても、このガラス基板を磁気ディスクとしＨＤＤを製造したときに、サーボ情報を見失う現象を完全に防止することができない場合があった（第１の課題）。
【００２６】
即ち、同一の真円度を有する磁気記録媒体用ガラス基板であっても、前記したようなＴＭＲの影響を排除できるものと、できないものとが混在しており、これまでのような、ただ単に外形／内孔プロファイルの最大値における外接円と最小値における内接円の差分というパラメータだけでは、その良し悪しを明確に区分けができない場合が存在しており、ＴＭＲと平面形状との因果関係を明確にできなかった。
【００２７】
本発明における第１の発明は、このような第１の問題点の改善の為になされたものであり、その目的は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことを実現できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することにある。
【００２８】
次に、（B）同軸度の場合、従来の同軸度の定義で寸法公差を管理して、磁気ディスク用ガラス基板を製造した場合であっても、このガラス基板を磁気ディスクとしＨＤＤを製造したときに、サーボ情報を見失う現象を完全に防止することができない場合があった（第２の課題）。
【００２９】
即ち、同一の同軸度を有する磁気記録媒体用ガラス基板であっても、前記したようなＴＭＲの影響を排除できるものと、できないものが混在しており、これまでのような、ただ単に外径／内径プロファイル中心の中心間距離というパラメータだけでは、その良し悪しを明確に区分けができない場合が存在しており、ＴＭＲと平面形状との因果関係を明確にできなかった。
【００３０】
本発明における第２の発明は、このような第２の問題点の改善の為になされたものであり、その目的は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことを実現できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することにある。
【００３１】
次に、（C）ガラスの板厚の場合、従来の板厚の定義で寸法公差を管理して、磁気ディスク用ガラス基板を製造した場合であっても、このガラス基板を磁気ディスクとしＨＤＤを製造したときに、サーボ情報を見失う現象を完全に防止することができない場合があった（第３の課題）。
【００３２】
即ち、同一の板厚を有する磁気ディスク用ガラス基板であっても、前記したようなＴＭＲの影響を排除できるものと、できないものとが混在しており、これまでのような、ただ単にガラス基板上の一点、或いは複数点で測定された両主表面間の距離というパラメータだけでは、その良し悪しを明確に区分けができない場合が存在しており、ＴＭＲと平面形状との因果関係を明確にできなかった。
【００３３】
本発明における第３の発明は、このような第３の問題点の改善の為になされたものであり、その目的は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことを実現できる磁気ディスク用ガラス基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
本発明者は上記第１の課題を解決するために鋭意検討した結果、従来の真円度の定義は内孔のプロファイルの最大値と最小値の差分を表す指標に過ぎず、プロファイルのバラつきや位置依存性が考慮されていないという点に着目した。
【００３５】
即ち、従来の真円度の定義では、内孔形状のうねり（凹凸）が特定の場所に偏っている場合でも、均等に存在する場合でも、最大値と最小値が同じであれば、真円度は同じものとして評価されることに着目した。
【００３６】
そこで、本発明者はさらに検討を重ねた結果、内孔の形状を評価する指標として、内孔の形状のばらつきやうねりの位置をも考慮した指標を用いることにより、ＴＭＲと内孔の形状との因果関係を把握できることを見出し、第１の発明を完成するに至った。
【００３７】
具体的には、上記第１の課題を解決するため、第１の発明は以下の構成を有する。
【００３８】
（構成１−１）内孔を有し、前記内孔のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータが、所定の範囲内にあることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【００３９】
（構成１−２）前記パラメータは、前記内孔のプロファイルと、前記内孔のプロファイルにおける最小値の内接円または最小二乗円との、径方向の差分を有することを特徴とする構成１−１記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４０】
（構成１−３）前記差分は、前記内径プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記内孔のプロファイルにおける最小値の内接円または最小二乗円に対して引かれた直線における、前記内孔のプロファイルと前記内接円または最小二乗円との間の差であることを特徴とする構成１−２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４１】
（構成１−４）前記所定の範囲は、前記パラメータとディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲を有することを特徴とする構成１−１〜１−３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４２】
（構成１−５）前記所定の範囲は、前記差分の分布状態を規定するスキューネスおよび／またはクルトシスとディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲を有することを特徴とする構成１−２〜１−４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４３】
（構成１−６）前記ディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性はAxial Displacement３ｓであることを特徴とする構成１−５記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４４】
（構成１−７）前記所定の範囲は、スキューネスおよび／またはクルトシスとAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値になっている平坦部における、スキューネスおよび／またはクルトシスの上下限以内の範囲であることを特徴とする構成１−６に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００４５】
（構成１−８）構成１−１〜１−７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板と、前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００４６】
（構成１−９）内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板の前記内孔のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータが、所定の範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００４７】
（構成１−１０）前記パラメータは、前記内孔のプロファイルと、前記内孔のプロファイルにおける最小値の内接円または最小二乗円との、径方向の差分を有することを特徴とする構成１−９記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００４８】
（構成１−１１）前記差分は、前記内径プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記内孔のプロファイルにおける最小値の内接円または最小二乗円に対して引かれた直線における、前記内孔のプロファイルと前記内接円または最小二乗円との間の差であることを特徴とする構成１−１０に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００４９】
（構成１−１２）前記所定の範囲は、前記パラメータとディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲を有することを特徴とする構成１−１０または１−１１のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００５０】
（構成１−１３）前記所定の範囲は、前記差分の分布状態を規定するスキューネスおよび／またはクルトシスとディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲を有することを特徴とする構成１−１０から１−１２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００５１】
（構成１−１４）前記ディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性はAxial Displacement３ｓであることを特徴とする構成１−１３に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００５２】
（構成１−１５）前記所定の範囲は、スキューネスおよび／またはクルトシスとAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値になっている平坦部における、スキューネスおよび／またはクルトシスの上下限以内の範囲であることを特徴とする構成１−１４に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００５３】
（構成１−１６）構成１−９〜１−１５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法を工程に有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００５４】
一方、本発明者は上記第２の課題を解決するために鋭意検討した結果、従来の同軸度の定義は最小二乗円を用いて平均化したプロファイルどうしの中心間距離で表現されるのが一般的であり、内外周のプロファイルのばらつきが考慮されていないこと、またプロファイルの相対的な偏りが考慮されていない点に着目した。
【００５５】
即ち、従来の同軸度の定義では、内外周のうねり（凹凸）が特定の場所に偏っている場合でも、均等に存在する場合でも、最小二乗円が同じであれば、同軸度は同じ値として評価されているということに着目した。
【００５６】
そこで、本発明者はさらに検討を重ねた結果、同軸度を評価する指標として、従来の指標のみならず、内外周のプロファイルのばらつきや相対的な偏りをも考慮した指標を用いることにより、ＴＭＲとの因果関係を把握できることを見出し、第２の発明を完成するに至った。
【００５７】
具体的には、上記第２の課題を解決するため、第２の発明は以下の構成を有する。
【００５８】
（構成２−１）内孔を有するガラス基板の外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータと、前記外周形状と内周形状の中心位置差とから規定される評価値が、所定の範囲内にあることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【００５９】
（構成２−２）前記パラメータは、外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルそれぞれと、各々の最小二乗円との径方向の差分を有することを特徴とする構成２−１記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６０】
（構成２−３）前記差分は、前記外周形状のプロファイルと内周形状の前記プロファイルそれぞれの最小二乗中心法で求めた円の中心から、各々の最小二乗円に対して引かれた直線における、前記プロファイルと前記最小二乗円との間の差であることを特徴とする構成２−２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６１】
（構成２−４）前記中心位置差は、外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心間の差であることを特徴とする構成２−１〜２−３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６２】
（構成２−５）前記パラメータは、前記差分のヒストグラムの分布状態を規定するスキューネスを有することを特徴とする構成２−４記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６３】
（構成２−６）前記評価値は以下の式（１−１）（１−２）で表される式から求められる修正同軸度（Amendment Concentricity、ＡＣ）であることを特徴とする構成２−５記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【数１】
0005335983.tif 000002
【００６４】
（構成２−７）前記所定の範囲は、前記評価値とディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲であることを特徴とする構成２−６記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６５】
（構成２−８）前記所定の範囲は、前記修正同軸度とＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値以下となる修正同軸度の範囲であることを特徴とする構成２−７記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００６６】
（構成２−９）構成２−１〜２−８のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板と、前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００６７】
（構成２−１０）内孔を有するガラス基板の外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルを測定し、前記外周形状と前記内周形状のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータと、前記外周形状と内周形状の中心位置差とから規定される評価値が、所定の範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００６８】
（構成２−１１）前記パラメータは、外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルそれぞれと、各々の最小二乗円との径方向の差分を有することを特徴とする構成２−１０記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００６９】
（構成２−１２）前記差分は、前記外周形状のプロファイルと内周形状の前記プロファイルそれぞれの最小二乗中心法で求めた円の中心から、各々の最小二乗円に対して引かれた直線における、前記プロファイルと前記最小二乗円との間の差であることを特徴とする構成２−１１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００７０】
（構成２−１３）前記中心位置差は、外周形状のプロファイルと内周形状のプロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心間の差であることを特徴とする構成２−１０〜２−１２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００７１】
（構成２−１４）前記パラメータは、前記差分のヒストグラムの分布状態を規定するスキューネスを有することを特徴とする構成２−１３記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００７２】
（構成２−１５）前記評価値は以下の式（１−１）（１−２）で表される式から求められる修正同軸度（Amendment Concentricity、ＡＣ）であることを特徴とする構成２−１４記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【数２】
0005335983.tif 000003
【００７３】
（構成２−１６）前記所定の範囲は、前記評価値とディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲であることを特徴とする構成２−１５記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００７４】
（構成２−１７）前記所定の範囲は、前記修正同軸度とＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値以下となる修正同軸度の範囲であることを特徴とする構成２−１６記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００７５】
さらに、本発明者は上記第３の課題を解決するために鋭意検討した結果、従来の板厚の定義は両主表面における特定の点（一点ないし数点）の距離を表す指標に過ぎず、両主表面全体の板厚の分布を反映したものではないことに着目した。
【００７６】
即ち、従来の板厚の定義では、主表面の位置によって板厚にばらつきや偏りがある場合でも、測定点での板厚が同じであれば、板厚は同じものとして評価されることに着目した。
【００７７】
そこで、本発明者はさらに検討を重ねた結果、板厚を評価する指標として、板厚の分布、特にディスク半径位置に対する板厚情報を考慮した指標を用いることにより、ＴＭＲと板厚との因果関係を把握できることを見出し、第３の発明を完成するに至った。
【００７８】
具体的には、上記第３の課題を解決するため、第３の発明は以下の構成を有する。
【００７９】
（構成３−１）中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるパラメータが、所定の範囲内にあることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【００８０】
（構成３−２）前記パラメータは、中心からの径方向の位置とディスク１周分における板厚差異、或いは板厚を掛けた値を有することを特徴とする構成３−１記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００８１】
（構成３−３）内孔を有し、前記パラメータは、内孔から外周に向けて螺旋状に中心からの径方向の位置と板厚の関係を求めた値を有することを特徴とする構成３−２記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００８２】
（構成３−４）前記パラメータは、以下の式（２−１）（２−２）で表されるＭ値であることを特徴とする構成３−２または３−３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【数３】
0005335983.tif 000004
【００８３】
（構成３−５）前記パラメータは、以下の式（２−３）で表されるＭ値であることを特徴とする構成３−２または３−３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【数４】
0005335983.tif 000005
【００８４】
（構成３−６）前記所定の範囲は、前記Ｍ値とディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲であることを特徴とする構成３−４または３−５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００８５】
（構成３−７）前記ＴＭＲ（Track Mis Registration）特性は、Axial Displacement３ｓであることを特徴とする構成３−６記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００８６】
（構成３−８）前記所定の範囲は、前記Ｍ値とAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値になっている平坦部における、前記Ｍ値の上限以内の範囲であることを特徴とする構成３−７に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【００８７】
（構成３−９）構成３−１〜３−８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板と、前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００８８】
（構成３−１０）中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるパラメータが、所定の範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００８９】
（構成３−１１）前記パラメータは、中心からの径方向の位置とディスク１周分における板厚差異、或いは板厚を掛けた値を有することを特徴とする構成３−１０記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００９０】
（構成３−１２）前記パラメータは、ガラス基板の内孔から外周に向けて螺旋状に中心からの径方向の位置と板厚を求めた値を有することを特徴とする構成３−１１記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００９１】
（構成３−１３）前記パラメータは、以下の式（２−１）（２−２）で表されるＭ値であることを特徴とする構成３−１１または３−１２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【数５】
0005335983.tif 000006
【００９２】
（構成３−１４）前記パラメータは、以下の式（２−３）で表されるＭ値であることを特徴とする構成３−１１または３−１２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【数６】
0005335983.tif 000007
【００９３】
（構成３−１５）前記所定の範囲は、前記Ｍ値とディスクバランスまたはＴＭＲ（Track Mis Registration）特性の相関により規定される範囲であることを特徴とする構成３−１３または３−１４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００９４】
（構成３−１６）前記ＴＭＲ（Track Mis Registration）特性は、Axial Displacement３ｓであることを特徴とする構成３−１５に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００９５】
（構成３−１７）前記所定の範囲は、前記Ｍ値とAxial Displacement３ｓの相関図において、Axial Displacement３ｓが一定値になっている平坦部における、前記Ｍ値の上限以内の範囲であることを特徴とする構成３−１６に記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法。
【００９６】
（構成３−１８）構成３−１０〜３−１７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の評価方法を工程に有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００９７】
（構成A）
また、上記第１の課題を解決するための磁気ディスク用ガラス基板は、内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（３−１）で示されるSkの値が、０．５５〜−０．５５の範囲内である構成である。
【数７】
0005335983.tif 000008
【００９８】
ただし、上記数式（３−１）におけるｎＳＫはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【００９９】
換言すると、上記第１の課題を解決するための磁気ディスク用ガラス基板は、内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、内孔の全周に亘る形状プロファイルと、当該形状プロファイルの最小二乗円とを取得し、この最小二乗円をベースラインとして上記形状プロファイルをX-Y平面に展開したものより算出される下記数式（３−１）で示されるSkの値が、０．５５〜−０．５５の範囲内である構成である。
【数８】
0005335983.tif 000009
【０１００】
ただし、上記数式（３−１）におけるｎＳｋはサンプリング数であり、Riは内孔の形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分（最小値）のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１０１】
（構成B）
さらに、磁気ディスク用ガラス基板は、上記内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（３−２）で示されるKuの値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内である構成がより好ましい。
【数９】
0005335983.tif 000010
【０１０２】
ただし、上記数式（３−２）におけるｎＫｕはサンプリング数であり、Riは内孔の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１０３】
換言すると、磁気ディスク用ガラス基板は、上記内孔の全周に亘る形状プロファイルと、当該形状プロファイルの最小二乗円とを取得し、この最小二乗円をベースラインとして上記形状プロファイルをX-Y平面に展開したものより算出される下記数式（３−２）で示されるKuの値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内である構成がより好ましい。
【数１０】
0005335983.tif 000011
【０１０４】
ただし、上記数式（３−２）におけるｎＫｕはサンプリング数であり、Riは内孔の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１０５】
（構成C）
また、上記第１の課題を解決するための他の磁気ディスク用ガラス基板は、内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、内孔の全周に亘る形状プロファイルより算出される下記数式（３−２）で示されるKuの値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内である構成である。
【数１１】
0005335983.tif 000012
【０１０６】
ただし、上記数式（３−２）におけるｎＫｕはサンプリング数であり、Riは、内孔の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１０７】
（構成D）
さらに、磁気ディスク用ガラス基板は、真円度が５．５μｍ以下である構成がより好ましい。
【０１０８】
（構成E）
さらに、磁気ディスク用ガラス基板は、２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が８０GByte以上である磁気ディスクに対応するものである構成がより好ましい。
【０１０９】
（構成F）
さらに、磁気ディスク用ガラス基板は、内孔の全周に亘る形状プロファイルから算出される下記数式（１−１）に示されるSkIDの値と、磁気ディスク用ガラス基板の外形の形状プロファイルから算出される下記数式（１−１）に示されるSkODの値と、同軸度Cの値を用いて算出される下記数式（１−１）で示されるACの値が９．６μｍ以下である構成がより好ましい。
【数１２】
0005335983.tif 000013
【０１１０】
ただし、上記数式（１−１）に示されるSkIDの値は、数式（１−３）により算出され、上記数式（１−１）に示されるSkODの値は、数式（１−４）により算出される値である。
【数１３】
0005335983.tif 000014
【０１１１】
上記数式（１−３）におけるｎIDはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【数１４】
0005335983.tif 000015
【０１１２】
上記数式（１−４）におけるｎODはサンプリング数であり、Riは、外形の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から当該形状プロファイルの最小値の最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１１３】
（構成G）
さらに、磁気ディスク用ガラス基板は、下記数式（２−１）、（２−２）で表される、磁気ディスク用ガラス基板の中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるＭ値（×１０６）ｍｍ３が２０以内である構成がより好ましい。
【数１５】
0005335983.tif 000016
【０１１４】
（構成H）
上記第２の課題を解決するための磁気ディスク用ガラス基板は、内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、内孔の全周に亘る形状プロファイルから算出される下記数式（１−１）に示されるSkIDの値と、磁気ディスク用ガラス基板の外形の形状プロファイルから算出される下記数式（１−１）に示されるSkODの値と、同軸度Cの値を用いて算出される下記数式（１−１）で示されるＡＣの値が９．６μｍ以下である構成である。
【数１６】
0005335983.tif 000017
【０１１５】
ただし、上記数式（１−１）に示されるSkIDの値は、数式（１−３）により算出され、上記数式（１−１）に示されるSkODの値は、数式（１−４）により算出される値である。
【数１７】
0005335983.tif 000018
【０１１６】
上記数式（１−３）におけるｎＩＤはサンプリング数であり、Riは、内孔の全周に亘る形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から前記形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【数１８】
0005335983.tif 000019
【０１１７】
上記数式（１−４）におけるｎＯＤはサンプリング数であり、Riは、外形の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心から当該形状プロファイルの最小二乗円に対して引かれた直線における、前記形状プロファイルと前記最小二乗円との間の差分のi番目の値であり、σは、標準偏差である。
【０１１８】
（構成I）
さらに、上記磁気ディスク用ガラス基板は、下記数式（２−１）、（２−２）で表される、磁気ディスク用ガラス基板の中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるＭ値（×１０６）ｍｍ３が２０以内である構成とすることがより好ましい。
【数１９】
0005335983.tif 000020
【０１１９】
（構成J）
さらに、上記磁気ディスク用ガラス基板は、上記同軸度Ｃが７μｍ以下である構成とすることがより好ましい。
【０１２０】
（構成K）
さらに、上記磁気ディスク用ガラス基板は、２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が８０GByte以上である磁気ディスクに対応するものである構成とすることがより好ましい。
【０１２１】
（構成L）
上記第３の課題を解決するための磁気ディスク用ガラス基板は、内孔を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、下記数式（２−１）、（２−２）で表される、磁気ディスク用ガラス基板の中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるＭ値（×１０６）ｍｍ３が２０以内である構成である。
【数２０】
0005335983.tif 000021
【０１２２】
（構成M）
さらに、上記磁気ディスク用ガラス基板は、２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が８０GByte以上である磁気ディスクに対応するものである構成とすることがより好ましい。
【０１２３】
（構成N）
さらに、上記第１〜３のいずれか１つの課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体は、上記磁気ディスク用ガラス基板と、前記ガラス基板の主表面に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層とを有する構成であることが好ましい。
【発明の効果】
【０１２４】
本発明によれば、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことを実現できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】（ａ）はガラス基板１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は磁気記録媒体１００を示す断面図である。
【図２】ガラス基板１の製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【図３】図２のステップ１０９の詳細を示すフローチャートである。
【図４】図２のステップ１０９を説明するための図である。
【図５】図２のステップ１０９を説明するための図である。
【図６】ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の測定システム５１を示す概念図である。
【図７】スキューネス（Ｓｋ）とAxial Displacement３ｓの相関図である。
【図８】クルトシス（Ｋｕ）から３を引いた値（Ｋｕ−３）とAxial Displacement３ｓの相関図である。
【図９】ＲｒｍｓとAxial Displacement３ｓの相関図である。
【図１０】（ａ）はガラス基板１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は磁気記録媒体１００を示す断面図である。
【図１１】ガラス基板１の製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【図１２】図１１のステップ１０９の詳細を示すフローチャートである。
【図１３】図１１のステップ１０９を説明するための図である。
【図１４】図１１のステップ１０９を説明するための図である。
【図１５】ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の測定システム５１を示す概念図である。
【図１６】外周端面９および内周端面１１のスキューネス（Ｓｋ）とＴＭＲ特性の関係を示す図である。
【図１７】同軸度Ｃおよび修正同軸度ＡＣとAxial Displacement３ｓの相関図である。
【図１８】同軸度Ｃおよび修正同軸度ＡＣとAxial Displacement３ｓの相関図である。
【図１９】（ａ）はガラス基板１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は磁気記録媒体１００を示す断面図である。
【図２０】ガラス基板１の製造方法の詳細を示すフローチャートである。
【図２１】図２０のステップ１０９の詳細を示すフローチャートである。
【図２２】図２０のステップ１０９を説明するための図である。
【図２３】図２０のステップ１０９を説明するための図である。
【図２４】ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の測定システム５１を示す概念図である。
【図２５】Ｍ値とAxial Displacement３ｓの相関図である。
【発明を実施するための形態】
【０１２６】
（実施形態１）
以下、図１〜図９の図面に基づき、本発明の実施形態１を詳細に説明する。なお、図１〜図９に付された部材番号は、本実施形態１に関する説明のものである。また、ステップ番号についても、同様であり、実施形態１で使用されているステップ番号は、実施形態１の説明のために付されたものである。
【０１２７】
以下、図面に基づき、本発明の実施形態１を詳細に説明する。
【０１２８】
まず、図１を参照して、本実施形態1に係るガラス基板１の構造について簡単に説明する。
【０１２９】
図１（ａ）に示すように、ガラス基板１は、円板形状を有する本体３を有し、本体３の中心には内孔５が形成されている。
【０１３０】
なお、内孔５の形状は、内孔のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータが、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、詳細は後述する。
【０１３１】
図１（ｂ）に示すように、本体３は、実質的に平滑な主表面７ａ、７ｂを有している。
【０１３２】
主表面７ａ、７ｂは、情報を記録再生するための層が形成される面であり、例えば図１（ｃ）に示すように、主表面７ａ、７ｂの一方または両方に、下地層１８ａ、磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、ガラス基板１は、磁気記録媒体１００となる(少なくとも磁性層１８ｂは記録層として必要）。
【０１３３】
また、図１（ｂ）に示すように、本体３は主表面７ａ、７ｂに対して直交している内周端面１１および外周端面９を有している。
【０１３４】
内周端面１１および外周端面９は面取されており、それぞれ内周面取面１３および外周面取面１５が設けられている。
【０１３５】
さらに、本体３は表面に化学強化層１７が形成されている。 
化学強化層１７の詳細については後述するが、例えば、ガラス基板１の原料となるガラスのイオンの一部を、よりイオン半径の大きいイオンに置換し、圧縮応力層とした層である。
【０１３６】
次に、図１〜図２を参照して、ガラス基板１の製造方法について説明する。
【０１３７】
なお、以下の説明では、製造工程中におけるガラスを「ガラス基材１ａ」と称し、完成品を「ガラス基板１」と称することにする。
【０１３８】
まず、図２に示すように、原料となるガラスを円板状に成形してガラス基材１ａを製造する（ステップ１０１）。
【０１３９】
原料となるガラスとしては例えばフロート法、ダウンドロー法、リドロー法又はプレス法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。
このうち、結晶化ガラスとしては、組成が酸化物基準の質量％で、ＳｉＯ２：４５．６０〜６０％、およびＡｌ２Ｏ３：７〜２０％、およびＢ２Ｏ３：１．００〜８％未満、およびＰ２Ｏ５：０．５０〜７％、およびＴｉＯ２：１〜１５％、およびＲＯの合計量：５〜３５％（ただしＲはＺｎ及びＭｇ）の各成分を含有し、ＣａＯの含有量が３．００％以下、ＢａＯの含有量が４％以下であり、ＰｂＯ成分、Ａｓ２Ｏ３成分およびＳｂ２Ｏ３成分およびＣｌ−、ＮＯ−、ＳＯ２−、Ｆ−成分を含有せず、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４、Ｒ２ＴｉＯ４、（ただしＲはＺｎ、Ｍｇから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が２．９５以下のものが挙げられる。このうち、ヤング率が９０ＧＰａ以上となるような組成が好ましく、１００ＧＰａ以上となる組成がより好ましい。これは、ヤング率を上記範囲とすることより、ガラス基板１を図１（ｃ）に示す磁気記録媒体１００としたときに、フラッタリングをより抑制できるためである。
【０１４０】
なお、以下の実施形態ではプレス法で製造されたガラスを例に説明する。
【０１４１】
次に、ガラス基材１ａの平坦度及び板厚調整のため、研削装置を用いて主表面７ａ、７ｂを研削（第１ラッピング）する（ステップ１０２）。
研削は、例えば両面ラッピング装置とアルミナ等の砥粒を用いて行う。
【０１４２】
次に、図２に示すように、ガラス基材１ａの中心に内孔５（図１参照）を形成する（ステップ１０３）。 
内孔５の形成は、例えばコアドリルを用いて行う。
【０１４３】
なお、シートガラスを用いた場合は、ステップ１０１、１０３は行わず、代わりに、カッターを用いてシート形状から内孔も含めて円板形状にガラスを切り出す工程（スクライブ工程）を行う。
【０１４４】
次に、図２に示すように、内周端面１１および外周端面９の面取および内孔の直径である内径の調整を行う（ステップ１０４）。面取は、例えばダイヤモンド砥粒を固着させた砥石を用いて行う。
【０１４５】
なお、面取後に主表面７ａ、７ｂを研削（第２ラッピング）する工程を追加してもよい。これにより、内孔５の形成や面取によって生じた主表面の凹凸を研削でき、研磨の際の負担を軽減できる。
【０１４６】
次に、図２に示すように、ガラス基材１ａの内周端面１１および外周端面９の研磨、即ち端面研磨を行う（ステップ１０５）。 
このステップ１０５については後述する。
【０１４７】
次に、図２に示すように、ガラス基材１ａに化学強化を行い、化学強化層１７を形成する（ステップ１０６）。
【０１４８】
具体的には、化学強化液にガラスを浸漬し、化学強化液に含まれているイオンのうち、ガラスに含まれているイオンよりもイオン半径が大きいイオンを、ガラスに含まれている当該イオンとイオン交換して化学強化層１７を形成する。
【０１４９】
次に、化学強化が終わると、ガラス基材１ａを洗浄して表面の化学強化液を除去した後、図２に示すように、ガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂの表面粗さを調整する（実質的に平滑にする）ため、主表面７ａ、７ｂを研磨する（ステップ１０７）。
【０１５０】
研磨は、例えば両面研磨装置と硬質樹脂ポリッシャとを用い、遊星歯車機構を用いて行うことができる。研磨液は、例えば、酸化セリウムや酸化ランタン等の砥粒を水に分散させてスラリーとしたものが用いられる。
【０１５１】
研磨が終了すると、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去する（ステップ１０８）。
【０１５２】
具体的にはスクラブ洗浄、超音波洗浄等の物理的な洗浄や、フッ化物、有機酸、過酸化水素、界面活性剤等を用いた薬液洗浄が挙げられる。
【０１５３】
ここで、ステップ１０１〜１０８のうち、ステップ１０４（面取り工程）および特にステップ１０５（端面研磨工程）においては、本願において着目しているディスク形状バランス／ＴＭＲ特性を左右する内孔の形状プロファイルのバラツキを発生させ易い工程であるため、例えばステップ１０４では内外周加工タイヤモンド砥粒砥石の（１）装置へ取り付け時の中心位置／上下方向のアライメント、（２）ワークへの押し付け力の均一化（部分的な片あたりの低減）、また、ステップ１０５においては研磨ブラシの（１）ワークへの押し付け力の均一化、（２）あるいはワークを重ねて加工するスタッキング方式においては、スタック位置に依存せずブラシのワーク押し付け力が一定になるような条件で加工を行うことで良好な形状プロファイルを得ることができるが、特に以下の方法でステップ１０５を行うことがより好ましい。
【０１５４】
ステップ１０５においては、回転ブラシを用いてガラス基材１ａの内周端面１１を端面研磨することに加えて、回転軸を有し、かつ、当該回転軸の周囲に配置された複数の研磨布を備えた内周研磨部をガラス基材１ａの内周端面１１に同圧力で接触させて、ガラス基材１ａの内周端面１１と内周研磨部との間に研磨液を供給し、内周研磨部とガラス基材１ａとを、回転軸を中心に相対的に回動または回転軸方向に相対的に移動させることによりガラス基材１ａの内周端面１１を研磨する内周端面研磨工程を行うことがより好ましい。
【０１５５】
内周端面研磨工程を上記の構成とすることにより、研磨布をガラス基材１ａの内周端面１１の全体に面接触かつ均等な押圧力で押し当てることができるため、ガラス基材１ａの面取面と内周端面１１の粗さを低くすることができると共に、ＴＭＲ特性を向上できる良好な形状プロファイルを得ることができる。そして、さらに、上記良好な形状プロファイルを得るためには、上記回転軸を有する内周研磨部と、ガラス基板１ａとの両方を互いに逆方向に回転させながら研磨し、上記内周研磨部の回転数とガラス基板１ａとの回転数との比（内周研磨部の回転数/ガラス基板１ａとの回転数）を１．５〜５．０の範囲で行うことが特に好ましい。また、上記良好なプロファイルを得るためには、例えば、内周端面研磨工程における内周端面１１の取しろを内径の１０％以内とすることがさらに好ましい。また、１％以内とするとより好ましい。0.1％以内はより好ましい。0.05％以内はさらに好ましい。
【０１５６】
最後に、製品検査（真円度の検査）を行う（ステップ１０９）。
【０１５７】
ここで、ステップ１０９の詳細について、図３〜図８を参照して説明する。
【０１５８】
前述のように、ガラス基板１は、内孔５のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータが、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、それを評価するために、内孔５のプロファイルを測定してパラメータを求め、パラメータが所定の範囲内にあるか否かを判定する。
【０１５９】
具体的には、以下の手順で検査を行う。 
まず、図３に示すように、公知の真円度／同軸度測定装置等を用いて、ガラス基板１の内孔５（の内周端面１１）の形状を測定し、内孔５の形状プロファイルを作成する（ステップ２０１）。
【０１６０】
作成したプロファイルの例を図４（ａ）に示す、なお、図４（ａ）においては、参考のため、内孔５の設計寸法および中心位置を、点線で示す円と線で表している。
【０１６１】
図４（ａ）に示すように、プロファイル２１は表面の凹凸形状が所定の倍率に拡大されており、凹んでいる部分（凹部２３）と突出している部分（凸部２５）が存在している。
【０１６２】
次に、図３に示すように、作成したプロファイルの最小二乗円とその中心を求める（ステップ２０２）。
【０１６３】
ステップ２０２の例を図４（ｂ）に示す。 
なお、図４（ｂ）は最小二乗円２７およびその中心２９が表されているが、参考のため、プロファイルの最小点（最も凹んでいる部分）の内接円３１およびプロファイルの最大点（最も突出している部分）の外接円３３も図示している。
【０１６４】
次に、図３に示すように、最小二乗円２７の中心２９から内接円３１に直線（垂線）を引き、直線上における内接円３１とプロファイル２１との距離を差分Ｒとして求める（ステップ２０３）。
【０１６５】
ステップ２０３の例を図４（ｃ）に示す。 
図４（ｃ）に示すように、直線は、直線Ｌ１、Ｌ２・・・Ｌｎと示されているように、任意のサンプリング数ｎに相当する本数が引かれ、差分もＲ１、Ｒ２・・・Ｒｎと示されるようにサンプリング数ｎだけ取得される。 
なお、サンプリング数や、直線同士の間隔（角度）は任意に設定可能である。
また、図４（ｃ）では内接円３１とプロファイル２１との距離を差分Ｒとしているが、図１３（ｃ）に示すように、最小二乗円２７とプロファイル２１との距離を差分Ｒとしてもよい。以下の説明では最小二乗円２７とプロファイル２１との距離を差分Ｒとする。
また、プロファイルが最小二乗円より外側にある場合をプラスとする。
【０１６６】
次に、差分Ｒのヒストグラムを作成する（ステップ２０４）。 
具体的には、例えば図５のように差分Ｒの値と、当該値を持つサンプリングポイントの数のヒストグラムを作成する。
【０１６７】
次に、図３に示すように、ヒストグラムの分布状態を元に、Ｓｋ（Skewness、スキューネス）、Ｋｕ（Kurtosis、クルトシス）を計算する。具体的には以下の式（１）、（２）を用いて計算を行う（ステップ２０５）。なお、Ｋｕについては式（２）から明らかなように、σとＲの４乗を用いているため、最小値は０となるが、ここでは図８に示すように式（２）から３を引いて最小値をマイナス３とした値（Ｋｕ−３）を用いてもよい。
【数２１】
0005335983.tif 000022
【０１６８】
次に、図３に示すように、スキューネス／クルトシスとディスクバランス／ＴＭＲ特性の相関から、ガラス基板１のディスクバランス／ＴＭＲ特性が所定の範囲内にあるか否かを判定し、範囲内にある場合は良品として扱い、範囲外の場合は不良品として扱う（ステップ２０６）。
【０１６９】
具体的には、図７、８に示すようなスキューネス／クルトシスとAxial Displacement３ｓとの関係から、スキューネス／クルトシスが一定の範囲内、具体的にはスキューネス／クルトシスの値が、図７、８でAxial Displacement３ｓが一定値になっている平坦部における上下限以内であるか否かを判定し、一定の範囲内にある場合は良品として扱い、範囲外の場合は不良品として扱う。
【０１７０】
なお、Axial Displacement３ｓとは、基板振動測定データ（振動波形）を回転数ごとにかつ周波数ごとに積分して平均値＋３ｓのトラック位置決め誤差量を求めたものであり、３ｓおよびｓ２は例えば以下の式（３）（４）で求められる。
【数２２】
0005335983.tif 000023
【０１７１】
このように、スキューネス／クルトシスを用いることにより、形状プロファイルにおける凹部または凸部の位置依存性を加味したディスクバランス／ＴＭＲ特性を評価することができる。
【０１７２】
ここで、図７、８に示すようなスキューネス／クルトシスとAxial Displacement３ｓとの関係を求める方法について簡単に説明する。
【０１７３】
まず、検査対象となるガラス基板１を所定の枚数分製造し、スキューネス／クルトシスを求める。
【０１７４】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図６に示す測定システム５１を用いて所定の回転数、所定の測定位置におけるAxial Displacement３ｓを求める。
【０１７５】
測定システム５１について簡単に説明すると、測定システム５１はヘッド５３を備えたレーザードップラー速度計（ＬＤＶ）５５と、レーザードップラー速度計５５が測定したデータを高速フーリエ変換（ＦＦＴ）する変換部５７を有している。
【０１７６】
次に、スキューネスおよび／またはクルトシスと、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットして図７、８に示すような相関図を作成する。 
以上がステップ１０９の詳細である。
【０１７７】
このように、本実施形態１によれば、ガラス基板１は、内孔５のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータ（スキューネスおよび／またはクルトシス）が、（ディスクバランス／ＴＭＲ特性の要求を満たす）所定の範囲内にある。
【０１７８】
そのため、ガラス基板１は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことができる。
【０１７９】
ここで、本実施形態１におけるガラス基板１の内孔について、詳述する。
【０１８０】
本実施形態１にかかるガラス基板１の内周端面１１の形状プロファイルを取得し、これを解析したとき、上述した数式（１）で示されるスキューネス（Sk）の値が、０．５５〜−０．５５の範囲内がより好ましく、０．３５〜−０．３５の範囲内がさらに好ましく、０．２０〜−０．２０の範囲内が特に好ましい。上記範囲とすることで、良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。また、当該磁気ディスク用ガラス基板１を用いてＨＤＤドライブを作製し、情報の読み出し/書き込みを行う場合に、外からの衝撃によって、情報の読み出し/書き込みが阻害されることがあるが、上記スキューネス（Sk）の値を０．３５〜−０．３５の範囲内とした場合には、このような場合であっても良好なＴＭＲ特性を発揮することができる。
【０１８１】
また、本実施形態１にかかるガラス基板１の内周端面１１の形状プロファイルを取得し、これを解析したとき、上述した数式（２）で示されるクルトシス（Ku）は、図８に示すように、Ｋｕから３を引いてマイナス３を最小値とした場合に（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内がより好ましく、１．０〜−１．０の範囲内がさらに好ましく、０．５〜−０．５の範囲内が特に好ましい。上記範囲とすることで、良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。また、当該磁気ディスク用ガラス基板１を用いてＨＤＤドライブを作製し、情報の読み出し/書き込みを行う場合に、外からの衝撃によって、情報の読み出し/書き込みが阻害されることがあるが、上記クルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）を１．０〜−１．０の範囲内とした場合には、このような場合であっても良好なＴＭＲ特性を発揮することができる。
【０１８２】
なお、本実施形態１におけるガラス基板１は、上記スキューネス（Sk）の値が、０．５５〜−０．５５の範囲内であるか、クルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内であるかの少なくとも一方を満足しており、特に両方を満たしていることが特に好ましい。スキューネス（Sk）またはクルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）がそれぞれ上記範囲内であることにより、良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができるが、スキューネス（Sk）およびクルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）をそれぞれ上記範囲内とすることで特に良好なTMR特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。
【０１８３】
また、本実施形態１にかかるガラス基板１の真円度は、５．５μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましく、３μｍ以下が特に好ましい。一般的に真円度が良好なもの（例えば、真円度５．５μｍ以下）は真円度が悪いもの（例えば、真円度１０μｍ）と比べると、ＴＭＲ特性が良好になる傾向にあるが、同じ真円度であってもＴＭＲ特性がよいものと悪いものがある。このため、上記範囲の真円度であって、本実施形態１にかかるスキューネスおよび／またはクルトシスの範囲である形状プロファイルである内孔とすることにより、より一層良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。
【０１８４】
また、さらに、本発明にかかる磁気ディス用ガラス基板は、ガラス基板１の板厚における内周端面１１の長さの割合が５５％以上であることが好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく６５％以上であることが特に好ましい。ただし、面取面が十分確保されない場合には、チッピングが発生しやすいために、板厚における内周端面１１の長さの割合の上限値としては、９０％以下であることがより好ましい。上記範囲の内周端面１１の長さであり、上記範囲のスキューネスおよび／またはクルトシスとすることにより、ＴＭＲ特性をより一層高めることができる。
【０１８５】
そして、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、記録容量が２．５インチサイズのディスク１枚あたり８０GByte（トラック密度（TPI）が１２０〜１６０kTPI）以上である磁気ディスクに対応したものであることが好ましく、１６０GByte（１８０〜２２０kTPI）以上である磁気ディスクに対応したものであることがさらに好ましく、３２０GByte（２８０〜３２０kTPI）以上である磁気ディスクに対応したものであることが特に好ましく、５００GByte（３８０〜４２０kTPI）以上である磁気ディスクに対応したものであることがさらに特に好ましい。中でも、３２０GByte以上である磁気ディスクに対応したガラス基板１の場合、上記磁気ディスクのトラック幅は極めて小さいため、ＴＭＲ特性が良好でないと、情報の読み出し/書き込みにおけるエラーが頻発してしまう。このため、本実施形態１にかかる磁気ディスク用ガラス基板とする、すなわち、上記範囲のスキューネスおよび／またはクルトシスを有するガラス基板１とすることにより、良好な情報の読み出し/書き込みを行うことができる磁気ディスクを得ることができる。
【０１８６】
さらに、本発明にかかる磁気ディス用ガラス基板は、磁気ヘッドとしてDynamic Flying Height (DFH) コントロールヘッドに対応した磁気ディスクに用いられるものであることが好ましい。Dynamic Flying Height (DFH) コントロールヘッドの場合には、ヘッドとディスクとの距離が、従来の磁気ヘッドのものと比べて格段に小さくなっているため、磁気ディスクと磁気ヘッドとが衝突しやすくなっている。このため、磁気ディスクとDFHコントロールヘッドとの距離を一定に保つためには、磁性膜が成膜された磁気ディスク用ガラス基板１のフラッタリング特性を向上させる必要がある。そして、本実施形態１におけるガラス基板１は、スキューネスおよび／またはクルトシスの値が上記範囲内であるために、フラッタリング特性を従来と比べてより一層向上させることができるため、好適に使用できる。
【０１８７】
また、さらに、本発明にかかる磁気ディス用ガラス基板は、回転数が５４００ｒｐｍ以上で回転する磁気ディスクに対応したものであることがより好ましく、７２００ｒｐｍ以上で回転する磁気ディスクに対応したものであることがさらに好ましく、１００００ｒｐｍ以上で回転する磁気ディスクに対応したものであることが特に好ましい。特に本実施形態にかかるガラス基板１を、サーバ用途に使用される磁気ディスクに用いる場合、サーバでは、磁気ディスクを高速回転させているために、より一層良好なＴＭＲ特性が要求される。本実施形態１にかかるガラス基板１は、上記のとおり良好なＴＭＲ特性を実現できるため、上記用途に好適に用いられるガラス基板１を提供できる。
【０１８８】
また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、当該ガラス基板に磁性膜を成膜した複数枚の磁気ディスクを搭載するハードディスクドライブに用いられることがより好ましい。複数枚の磁気ディスクを搭載したハードディスクの場合、スピンドルにはめ込む位置が、磁気ディスク間でずれた場合には、複数の磁気ディスク間でＴＭＲ特性が変化しやすくなる。本実施形態１にかかる磁気ディスク用ガラス基板を用いることで、上記問題を抑制することができる。
【０１８９】
また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板のヤング率は、７５GPa以上であることがより好ましく、８０GPa以上であることがさらに好ましく、８５GPa以上であることが特に好ましい。上記範囲のヤング率を有するガラスを用いることでＴＭＲ特性を向上させることができ、さらに、上記内孔のスキューネス（Sk）およびクルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）を上記範囲内とすることにより、より一層良好なＴＭＲ特性を得ることができる。
【０１９０】
また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板の熱膨張係数は、１００〜３００℃の温度において、６０×１０-7／℃以上であることが好ましく、７０×１０-7／℃以上であることがより好ましい。一方上記熱膨張係数の上限値としては９０×１０-7／℃以下であることが好ましい。上記ガラス基板の熱膨張係数を上記の範囲とすることで、スピンドルの材料であるステンレスの熱膨張係数に近づけることができるのでＴＭＲ特性を向上させることができ、さらに、上記内孔のスキューネス（Sk）およびクルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）を上記範囲内とすることにより、より一層良好なＴＭＲ特性を得ることができる。
【実施例１】
【０１９１】
以下、実施例に基づき、本実施形態１をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例・比較例は本実施形態１を説明するためのものである。
【０１９２】
（実施例）
以下の手順により外径65ｍｍ／内径20mm／板厚0.635mmt の磁気ディスク用ガラス基板を製造して内孔の形状を測定し、内孔の形状とディスクバランス／ＴＭＲ特性の相関を求めた。
【０１９３】
まず、以下の工程に従ってガラス基板１を１００枚製造した。
【０１９４】
（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
本実施例に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、まず、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材とし、このガラス母材を切断してガラスディスクを切り出す。板状ガラスとしては、様々な板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらのうち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【０１９５】
本実施例においては、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。
【０１９６】
次いで、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス母材を得た。
【０１９７】
（２）切り出し工程（コアリング、チャンファリング）
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
【０１９８】
（３）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【０１９９】
（４）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面および内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。次に、回転軸を有し、かつ、当該回転軸の周囲に配置された複数の研磨布（硬質の研磨パッド）を備えた内周研磨部をガラス基材１ａの内周端面１１に同圧力で接触させて、ガラス基材１ａの内周端面１１と内周研磨部との間に酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を供給し、内周研磨部とガラス基材１ａとを、回転軸を中心に相対的に回動または回転軸方向に相対的に移動させることによりガラス基材１ａの内周端面１１を研磨した。
【０２００】
（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【０２０１】
（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程および研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【０２０２】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍであった。
【０２０３】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した１０重量％硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【０２０４】
（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、最終研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒（平均粒子径０．８μｍ）を用いた。この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。
【０２０５】
上記のように、第１ラッピング工程、切り出し工程、第２ラッピング工程、端面研磨工程、第１研磨工程、化学強化工程および第２研磨工程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、高剛性の磁気ディスク用基板を得た。
【０２０６】
そして、端面研磨工程において研磨条件を変動させたガラス基板を作製し、得られた１００枚のガラス基板１の内孔の全周に亘る形状プロファイルをミツトヨ社製真円度測定装置ＲＡ−３２４を用いて測定し、Digital Metrology Solutions社製の真円度解析ソフトOmniRoundを用い、プロファイルをガウスフィルタでフィルタリング処理したのち、最小二乗円２７とプロファイル２１との差分Ｒを求めた。（なお、このときのガラス基板１の真円度は、すべて５．５μｍ以下であった。） 
なお、サンプリングポイントの数は０．１度毎に３６００点とした。
【０２０７】
次に、差分のヒストグラムを作成し、スキューネスおよびクルトシスを求めた。
【０２０８】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図６に示す測定システムを用いて回転数：５４００ｒｐｍ／測定位置ｒ：３０ｍｍの条件においてAxial Displacement３ｓを求めた。
【０２０９】
次に、スキューネス／クルトシスと、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットした。
【０２１０】
また、比較例として以下の式（５）に示すＲｒｍｓ（Roundness Root Mean Square、差分Ｒの二乗平均平方根）とAxial Displacement３ｓとの相関をプロットした。
【数２３】
0005335983.tif 000024
【０２１１】
作成したヒストグラムを図５に、ガラス基板１のスキューネス／クルトシスとＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の相関図をそれぞれ図７、図８に、さらに比較例としてＲｒｍｓとＴＭＲ特性の相関図を図９に示す。
【０２１２】
図７〜図８から明らかなように、スキューネス／クルトシスとAxial Displacement３ｓの間に高い相関が見られた。
【０２１３】
具体的には図７ではＳｋが０．５５〜−０．５５の範囲でAxial Displacement３ｓが０．００５μｍで一定となっていた。
【０２１４】
また、図８ではＫｕから３を引いた値（Ｋｕ−３）が１．６〜−１．６の範囲でAxial Displacement３ｓが０．００５μｍで一定となっていた。
【０２１５】
一方、図９から明らかなように、ＲｒｍｓとAxial Displacement３ｓの間には高い相関は見られず、Ｒｒｍｓからはディスクバランス／ＴＭＲ特性は一意的に評価できなかった。
【０２１６】
以上の結果より、本発明のパラメータ（スキューネス／クルトシス）を元にガラス基板１の内孔５の形状をディスクバランス／ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の要求を満たす形状にすることが可能であることが分かった。
【０２１７】
（スキューネス・クルトシス）
次に、端面研磨工程の加工条件を変更して、（A）スキューネスが（Sk）０．５５〜−０．５５の範囲内であり、クルトシス（Ku）から３を引いた値（Ｋｕ−３）が１．６〜−１．６の範囲であるガラス基板、（B）スキューネスが上記（A）の範囲を外れ、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上記（A）の範囲内であるガラス基板、（C）スキューネスが上記（A）の範囲内であり、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上記（A）の範囲外であるガラス基板、（D）スキューネス（Sk）、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）ともに上記（A）の範囲に入っていないガラス基板を作製し、これらのＴＭＲを測定した。その結果、ＴＭＲ特性は、（A）が最もよく、（B）、（C）は実用上問題ないレベルのＴＭＲ特性が得られ、（D）は実用上使用できないレベルのＴＭＲ特性であった。
【０２１８】
（真円度とスキューネス・クルトシスとの関係）
次に真円度とスキューネスおよびクルトシスとの関係を調べた。まず、端面研磨加工の加工条件を変更して真円度が異なる複数のガラス基板を作成し、これらガラス基板に対してＴＭＲ特性を求めた。その結果、真円度が小さくなるほどＴＭＲ特性が良好なガラス基板の割合が増加したが、同じ真円度が３．０μｍのガラス基板であっても、ＴＭＲ特性が良好であったものと良好でなかったものとが存在した。そこで、これらガラス基板のスキューネスが（Sk）およびクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）を測定した。その結果、ＴＭＲ特性が良好であったガラス基板のスキューネスが（Sk）およびクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）は上述の範囲内であったが、ＴＭＲ特性が良好でなかったガラス基板のスキューネスが（Sk）およびクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）は上述の範囲外であった。さらに、回転数を１００００ｒｐｍに増大させたところ、真円度が０．７μｍで同じガラス基板であっても、ＴＭＲ特性が良好であったものと良好でなかったものとが存在した。そこで、これらガラス基板のスキューネスが（Sk）およびクルトシス(Ku)を測定した結果、上記と同様の結果が得られた。すなわち、真円度が０．７μｍ以下と非常に小さい場合においても、上記スキューネス（Sk）やクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）を所定範囲内とすることによってＴＭＲ特性をさらに改善することが可能となる。
【０２１９】
（板厚における内周端面の割合とＴＭＲ特性との関係）
次に、スキューネス（Sk）およびクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）の少なくとも一方が上述の範囲内であるガラス基板１の板厚における内周端面の長さの割合を変化させたときのＴＭＲ特性との関係を調べた。
【０２２０】
具体的には、上記切り出し工程および端面研磨工程の加工条件を変更させて、板厚における内周端面の割合がそれぞれ４０％、５５％、６０％、７０％でありスキューネス（Sk）およびクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上述の範囲内のガラス基板を作成して、それぞれについてＴＭＲ特性を調べた。その結果、（A）５５％のガラス基板、（B）６０％のガラス基板、（C）７０％のガラス基板は、４０％のガラス基板のＴＭＲ特性を１００％としたとき、それぞれ、（A）１５０％、（B）１９０％、（C）２５０％の結果となった。つまり、板厚における内周端面の割合は、５５％以上とすればより好ましいことがわかる。ただし、ディスクの回転数は１００００ｒｐｍであり、ＴＭＲ特性の比率は、（４０％の場合のＴＭＲ特性）／（それぞれの割合のＴＭＲ特性）として計算した。すなわち、ＴＭＲ特性の比率が高いほど良好な結果であることを示す。
一方、さらにＴＭＲ特性を改善すべく、ヤング率がさらに高いガラス素材として結晶化ガラスを用い（組成は後述）、スキューネス（Sk）及び／またはクルトシス(Ku) から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、（A）スキューネスが（Sk）０．５５〜−０．５５の範囲内であり、クルトシス（Ku）から３を引いた値（Ｋｕ−３）が１．６〜−１．６の範囲であるガラス基板、（B）スキューネスが上記（A）の範囲を外れ、クルトシス(Ku)から３を引いた値が上記（A）の範囲内であるガラス基板、（C）スキューネスが上記（A）の範囲内であり、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上記（A）の範囲外であるガラス基板、を作成して、それぞれについて上述のアモルファスガラスを用いたガラス基板とＴＭＲ特性を比較した。なお、差異を明らかにするために、真円度はいずれも０．５μｍとし、ディスクの回転数は１００００ｒｐｍへと増大させた。その結果、いずれのガラス基板においても、結晶化ガラスの方がよいＴＭＲ特性が得られた。すなわち、結晶化ガラスを用いることで、真円度が０．５μｍ以下と非常に小さい場合においても、上記スキューネス（Sk）やクルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）を所定範囲内とすることによってＴＭＲ特性をさらに改善することが可能となる。
なお、上記結晶化ガラスの具体的な組成は、酸化物基準の質量％で、ＳｉＯ２：４９．６０％、Ｐ２Ｏ５：１．００％、Ａｌ２Ｏ３：１８．００％、Ｂ２Ｏ３：１．００％、Ｎａ２Ｏ：４．００％、ＭｇＯ：８．００％，ＺｎＯ：１４．００％、ＴｉＯ２：４．００％、ＣｅＯ２：０．４０％であり、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４（ただしＲはＺｎ、Ｍｇ）を含有し、主結晶相の結晶粒径が６ｎｍであり、結晶化度が６％、比重が２．８４６であり、かつヤング率が１０２ＧＰａである。
【０２２１】
（実施形態２）
以下、図１０〜図１８の図面に基づき、本発明の実施形態２を詳細に説明する。なお、図１０〜図１８に付された部材番号は、本実施形態２に関する説明のものであり、上記実施形態１に関する説明で使用されている図１〜図９の部材番号とは別のものである。つまり、本実施形態２で使用される部材番号は、図１０〜図１８を説明するために付している。また、ステップ番号についても、同様であり、実施形態２で使用されているステップ番号は、実施形態２の説明のために付されたものである。なお、本実施形態１および２と重複する一部の情報については、実施形態１および２に記載している。
【０２２２】
まず、図１０を参照して、本実施形態２に係るガラス基板１の構造について簡単に説明する。
【０２２３】
図１０（ａ）に示すように、ガラス基板１は、円板形状を有する本体３を有し、本体３の中心には内孔５が形成されている。
【０２２４】
図１０（ｂ）に示すように、本体３は、実質的に平滑な主表面７ａ、７ｂを有している。
【０２２５】
主表面７ａ、７ｂは、情報を記録再生するための層が形成される面であり、例えば図１０（ｃ）に示すように、主表面７ａ、７ｂの一方または両方に、下地層１８ａ、磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、ガラス基板１は、磁気記録媒体１００となる(少なくとも磁性層１８ｂは記録層として必要)。
【０２２６】
また、図１０（ｂ）に示すように、本体３は主表面７ａ、７ｂに対して直交している内周端面１１および外周端面９を有している。
【０２２７】
なお、内周端面１１および外周端面９の形状は、外周端面９のプロファイルと内周端面１１のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータと、外周端面９と内周端面１１の中心位置差とから規定される評価値が、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、詳細は後述する。
【０２２８】
内周端面１１および外周端面９は面取されており、それぞれ内周面取面１３および外周面取面１５が設けられている。
【０２２９】
さらに、本体３は表面に化学強化層１７が形成されている。
【０２３０】
化学強化層１７の詳細については後述するが、例えば、ガラス基板１の原料となるガラスのイオンの一部を、よりイオン半径の大きいイオンに置換し、圧縮応力層とした層である。
【０２３１】
次に、図１０〜図１１を参照して、ガラス基板１の製造方法について説明する。
【０２３２】
なお、以下の説明では、製造工程中におけるガラスを「ガラス基材１ａ」と称し、完成品を「ガラス基板１」と称することにする。
【０２３３】
次に、具体的な製造方法についてより詳細に説明する。
【０２３４】
まず、図１１に示すように、原料となるガラスを円板状に成形してガラス基材１ａを製造する（ステップ１０１）。
【０２３５】
原料となるガラスとしては例えばフロート法、ダウンドロー法、リドロー法又はプレス法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。
【０２３６】
なお、以下の実施形態ではプレス法で製造されたガラスを例に説明する。
【０２３７】
次に、ガラス基材１ａの板厚調整のため、研削装置を用いて主表面７ａ、７ｂを研削（第１ラッピング）する（ステップ１０２）。 
研削は、例えば両面ラッピング装置とアルミナ等の砥粒を用いて行う。
【０２３８】
次に、図１１に示すように、ガラス基材１ａの中心に内孔５（図１０参照）を形成する（ステップ１０３）。 
内孔５の形成は、例えばコアドリルを用いて行う。
【０２３９】
なお、シートガラスを用いた場合は、ステップ１０１〜１０３は行わず、代わりに、カッターを用いてシート形状から円板形状にガラスを切り出し、さらに内孔５を切り出す工程（カッティング工程）を行う。
【０２４０】
次に、図１１に示すように、ガラス基材１ａの端面のクラックを除去するため、内周端面１１および外周端面９の面取を行う（ステップ１０４）。面取は、例えばダイヤモンド砥粒が付着した砥石を用いて行う。
【０２４１】
なお、面取後に主表面７ａ、７ｂを研削（第２ラッピング）する工程を追加してもよい。これにより、内孔５の形成や面取によって生じた凹凸を研削でき、研磨の際の負担を軽減できる。
【０２４２】
次に、図１１に示すように、ガラス基材１ａの内周端面１１および外周端面９の研磨、即ち端面研磨を行う（ステップ１０５）。 
端面研磨は例えば回転ブラシを用いて行う。
【０２４３】
次に、図１１に示すように、ガラス基材１ａに化学強化を行い、化学強化層１７を形成する（ステップ１０６）。
【０２４４】
具体的には、化学強化液にガラスを浸漬し、化学強化液に含まれているイオンのうち、ガラスに含まれているイオンよりもイオン半径が大きいイオンを、ガラスに含まれている当該イオンとイオン交換して化学強化層１７を形成する。
【０２４５】
次に、化学強化が終わると、ガラス基材１ａを洗浄して表面の化学強化液を除去した後、図１１に示すように、ガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂの平坦度と表面粗さを調整する（実質的に平滑にする）ため、主表面７ａ、７ｂを研磨する（ステップ１０７）。
【０２４６】
研磨は、例えば両面研磨装置と硬質樹脂ポリッシャとを用い、遊星歯車機構を用いて行うことができる。研磨液は、例えば、酸化セリウムや酸化ランタン等の砥粒を水に分散させてスラリーとしたものが用いられる。
【０２４７】
研磨が終了すると、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去する（ステップ１０８）。
【０２４８】
具体的にはスクラブ洗浄、超音波洗浄等の物理的な洗浄や、フッ化物、有機酸、過酸化水素、界面活性剤等を用いた薬液洗浄が挙げられる。
【０２４９】
ここで、ステップ１０１〜１０８のうち、特にステップ１０１（ガラスを円板状に成形）、ステップ１０３（内孔の形成）、ステップ１０４（面取り工程）およびステップ１０５（端面研磨工程）においては、本願において着目しているディスク形状バランス／ＴＭＲ特性を左右する周方向の端部プロファイルのバラツキを発生させ易い工程である。そこで例えばステップ１０１および１０３においては、外周および内周の中心位置差が最も生じ易い工程であるため、１０１での加工後の外周中心位置と１０３加工前の内孔治工具中心位置のアライメント調整、また１０１と１０３工程を同時に実施する（回転中心が同一である、コンパス式の内外周加工など）のも内外周の中心位置差を低減するために有効である。またステップ１０４では内外周加工ダイヤモンド砥粒砥石の（１）装置へ取り付け時の中心位置／上下方向のアライメント、（２）ワークへの押し付け力の均一化（部分的な片あたりの低減）、そしてステップ１０５においては研磨ブラシの（１）ワークへの押し付け力の均一化、（２）またワークを重ねて加工するスタッキング方式においては、スタック位置に依存せずブラシのワーク押し付け力が一定になるような条件で加工を行うことで良好な形状プロファイルを得ることができるが、特に以下の方法でステップ１０５を行うことがより好ましい。
【０２５０】
ステップ１０５においては、回転ブラシを用いてガラス基材１ａの内周端面１１を端面研磨することに加えて、回転軸を有し、かつ、当該回転軸の周囲に配置された複数の研磨布を備えた内周研磨部をガラス基材１ａの内周端面１１に同圧力で接触させて、ガラス基材１ａの内周端面１１と内周研磨部との間に研磨液を供給し、内周研磨部とガラス基材１ａとを、回転軸を中心に相対的に回動または回転軸方向に相対的に移動させることによりガラス基材１ａの内周端面１１を研磨する内周端面研磨工程を行うことがより好ましい。
【０２５１】
内周端面研磨工程を上記の構成とすることにより、研磨布をガラス基材１ａの内周端面１１の全体に面接触かつ均等な押圧力で押し当てることができるため、ガラス基材１ａの面取面と内周端面１１の粗さを低くすることができると共に、ＴＭＲ特性を向上できる良好な形状プロファイルを得ることができる。これは、内周端面形状のうねり（凹凸）を小さくすることによって、内外周のプロファイルのばらつきや相対的な偏りを小さくすることができるためである。そして、さらに、上記良好な形状プロファイルを得るためには、上記回転軸を有する内周研磨部と、ガラス基板１ａとの両方を互いに逆方向に回転させながら研磨し、上記内周研磨部の回転数とガラス基板１ａとの回転数との比（内周研磨部の回転数/ガラス基板１ａとの回転数）を１．５〜５．０の範囲で行うことが特に好ましい。また、上記良好なプロファイルを得るためには、例えば、内周端面研磨工程における内周端面１１の取しろを内径の１％以内とすることがさらに好ましい。
【０２５２】
最後に、製品検査を行う（ステップ１０９）。
【０２５３】
ここで、ステップ１０９の詳細について、図１２〜図１５を参照して説明する。
【０２５４】
前述のように、ガラス基板１は、内周端面１１および外周端面９の形状は、外周端面９のプロファイルと内周端面１１のプロファイルにおける凹凸形状の偏りを示すパラメータと、外周端面９と内周端面１１の中心位置差とから規定される評価値が、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、それを評価するために、内周端面１１および外周端面９のプロファイルを測定してパラメータを求め、パラメータが所定の範囲内にあるか否かを判定する。
【０２５５】
具体的には、以下の手順で検査を行う。 
まず、図１２に示すように、公知の真円度／同軸度測定装置等を用いて、ガラス基板１の内周端面１１および外周端面９の形状を測定し、形状プロファイルを作成する（ステップ２０１）。
【０２５６】
作成したプロファイルの例を図１３（ａ）に示す、なお、図１３（ａ）においては、参考のため、内周端面１１（外周端面９）の設計寸法および中心位置を点線で示す円と線で表している。
【０２５７】
図１３（ａ）に示すように、プロファイル２１は表面の凹凸形状が所定の倍率に拡大されており、凹んでいる部分（凹部２３）と突出している部分（凸部２５）が存在していることが分かる。
【０２５８】
次に、図１２に示すように、内周端面１１および外周端面９それぞれについて、作成したプロファイルの最小二乗円とその中心を求める（ステップ２０２）。
【０２５９】
ステップ２０２の例を図１３（ｂ）に示す。 
なお、図１３（ｂ）は最小二乗円２７およびその中心２９が表されているが、参考のため、プロファイルの最小点（最も凹んでいる部分）の内接円３１およびプロファイルの最大点（最も突出している部分）の外接円３３も図示している。
【０２６０】
次に、図１２に示すように、内周端面１１および外周端面９それぞれについて、最小二乗円２７の中心２９から最小二乗円２７に直線（垂線）を引き、図１３（ｃ）に示すように、直線上における最小二乗円２７とプロファイル２１との距離を差分Ｒとして求める（ステップ２０３）。
【０２６１】
ステップ２０３の例を図１３（ｃ）に示す。 
図１３（ｃ）に示すように、直線は、直線Ｌ１、Ｌ２・・・Ｌｎと示されているように、任意のサンプリング数ｎに相当する本数が引かれ、最小二乗円２７とプロファイル２１との差分もＲ１、Ｒ２・・・Ｒｎと示されるようにサンプリング数ｎだけ取得される。
【０２６２】
なお、サンプリング数や、直線同士の間隔（角度）は任意の数を設定可能である。
【０２６３】
次に、内周端面１１および外周端面９それぞれについて、差分Ｒのヒストグラムを作成する（ステップ２０４）。
【０２６４】
具体的には、例えば図１４のように差分Ｒの値と、当該値を持つサンプリングポイントの数のヒストグラムを作成する。
【０２６５】
次に、図１２に示すように、内周端面１１および外周端面９それぞれについて、ヒストグラムの分布状態を元に、プロファイルの凹凸を偏りを示すSk（Skewness）を計算する。具体的には以下の式（イ）を用いて計算を行う（ステップ２０５）。
【数２４】
0005335983.tif 000025
【０２６６】
次に、図１２に示すように、内周端面１１と外周端面９の中心間距離を測定する（ステップ２０６）。
【０２６７】
具体的には、内周端面１１と外周端面９の形状プロファイルの最小二乗中心法で求めた円の中心間距離、即ち、従来の同軸度の定義による同軸度Ｃを求める。
【０２６８】
次に、図１２に示すように、内周端面１１および外周端面９それぞれについてのスキューネスと同軸度Ｃの組み合わせである修正同軸度ＡＣを求める（ステップ２０７）。
【０２６９】
具体的には、以下の式（ロ）を用い、スキューネスを加味した修正同軸度ＡＣ（Amendment Concentricity）を求める。
【数２５】
0005335983.tif 000026
【０２７０】
なお、式（ロ）において内周端面１１と外周端面９の形状プロファイルが完全な正規分布を取る場合（SKOD/SKIDが＋∞か−∞になる場合）はSKOD/SKIDは０とする。
【０２７１】
次に、図１２に示すように、修正同軸度ＡＣとディスクバランス／ＴＭＲ特性の相関から、ガラス基板１のディスクバランス／ＴＭＲ特性が所定の範囲内にあるか否かを判定し、範囲内にある場合は良品として扱い、範囲外の場合は不良品として扱う（ステップ２０８）。
【０２７２】
具体的には、修正同軸度ＡＣと、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係（図１７、図１８参照）から、修正同軸度ＡＣが所定の範囲内にあるか否か、具体的には修正同軸度ＡＣが、Axial Displacement３ｓが所定の以下となる範囲にあるか否かを判定する。
【０２７３】
なお、Axial Displacement３ｓとは、基板振動測定データ（振動波形）を回転数ごとにかつ周波数ごとに積分して平均値＋３ｓのトラック位置決め誤差量を求めたものであり、３ｓおよびｓ２は例えば以下の式（ハ）（ニ）で求められる。
【数２６】
0005335983.tif 000027
【０２７４】
ここで、ディスクバランス／ＴＭＲ特性の評価に当たり、修正同軸度ＡＣを上記式（ロ）とした理由について簡単に説明する。
【０２７５】
まず、本出願人は同軸度とディスクバランス／ＴＭＲ特性との関係について検討したところ、内周端面１１と外周端面９のスキューネスの絶対値および極性（プラスマイナス）の違いがディスクバランス／ＴＭＲ特性に影響しているのではないかと仮定した。
【０２７６】
この仮定を元にさらに検討を重ねた結果、内周端面１１と外周端面９のスキューネスとディスクバランス／ＴＭＲ特性の間に図１６に示すような関係が見出された。
【０２７７】
即ち、図１６に示すように、内周端面１１と外周端面９のスキューネスの極性が異なる場合（プラスとマイナスの符号が異なる場合）は、スキューネスがディスクバランス／ＴＭＲ特性に与える影響は相殺され、極性が一致する場合はディスクバランス／ＴＭＲ特性が悪化することを確認した。
【０２７８】
そのため、上記知見をもとに、同軸度に内周端面１１と外周端面９のスキューネスの絶対値および極性を加味した修正同軸度ＡＣを導入すると、図１７に示すように、修正同軸度ＡＣを用いた場合の方が同軸度Ｃを用いた場合よりもAxial Displacement３ｓ（ディスクバランス／ＴＭＲ特性）が急激に変化しており、高い相関が見られた。
【０２７９】
以上の理由により、本発明では修正同軸度ＡＣを式（ロ）としている。
【０２８０】
また、図１７、１８に示すようなスキューネスとAxial Displacement３ｓとの関係を求める方法について簡単に説明する。
【０２８１】
まず、検査対象となるガラス基板１を所定の枚数分製造し、スキューネスを求める。
【０２８２】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図１５に示す測定システム５１を用いて所定の回転数、所定の測定位置でAxial Displacement３ｓを求める。
【０２８３】
測定システム５１について簡単に説明すると、測定システム５１はヘッド５３を備えたレーザードップラー速度計（ＬＤＶ）５５と、レーザードップラー速度計５５が測定したデータを高速フーリエ変換（ＦＦＴ）する変換部５７を有している。
【０２８４】
次に、スキューネスと、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットして図１７、１８に示すような相関図を作成する。 
以上がステップ１０９の詳細である。
【０２８５】
このように、本実施形態２によれば、ガラス基板１は、内周端面１１および外周端面９それぞれについてのスキューネス／クルシトスと内周端面１１と外周端面９の中心間距離の組み合わせから求められる評価値が、ディスクバランス／ＴＭＲ特性の要求を満たす所定の範囲内にある。
【０２８６】
そのため、ガラス基板１は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことができる。
【０２８７】
ここで、本実施形態２におけるガラス基板１の内孔について、詳述する。
【０２８８】
本実施形態２にかかるガラス基板１の内孔と外形の全周に亘る形状プロファイルを取得し、これらのプロファイルと同軸度Ｃを用いて、上記数式（ロ）によって算出される修正同軸度ＡＣが９．６μｍ以下であることがより好ましく、８．０μｍ以下であることがさらに好ましく、５．０μｍ以下であることが特に好ましい。特に、サーバ用途で使用される磁気ディスクに対応した磁気ディスク用ガラス基板の場合には、８．０μｍ以下とすることにより、より良好なＴＭＲ特性を得ることができる。また、２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が５００GByte（３８０〜４２０kTPI）以上の場合には、トラック密度が高いためサーボエラーを抑制するためには、上記修正同軸度ＡＣを５．０μｍ以下とすることが好ましい。
【０２８９】
また、本実施形態２にかかるガラス基板１は、上記の修正同軸度ＡＣが上記範囲内であり、さらに、ガラス基板１の内周端面１１の形状プロファイルを取得し、これを解析したとき、実施形態１で説明したスキューネス（Sk）の値が、０．５５〜−０．５５の範囲内がより好ましく、０．３５〜−０．３５の範囲内がさらに好ましく、０．２０〜−０．２０の範囲内が特に好ましい。上記範囲とすることで、良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。また、当該磁気ディスク用ガラス基板１を用いてＨＤＤドライブを作製し、情報の読み出し/書き込みを行う場合に、外からの衝撃によって、情報の読み出し/書き込みが阻害されることがあるが、上記スキューネス（Sk）の値を０．３５〜−０．３５の範囲内とした場合には、このような場合であっても良好なＴＭＲ特性を発揮することができる。
【０２９０】
また、本実施形態２にかかるガラス基板１は、上記の修正同軸度ＡＣが上記範囲内であり、さらに、ガラス基板１の内周端面１１の形状プロファイルを取得し、これを解析したとき、実施形態１で説明したクルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）が、１．６〜−１．６の範囲内がより好ましく、１．０〜−１．０の範囲内がさらに好ましく、０．５〜−０．５の範囲内が特に好ましい。上記範囲とすることで、良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。また、当該磁気ディスク用ガラス基板１を用いてＨＤＤドライブを作製し、情報の読み出し/書き込みを行う場合に、外からの衝撃によって、情報の読み出し／書き込みが阻害されることがあるが、上記クルトシス（Ku）の値から３を引いた値（Ｋｕ−３）を１．０〜−１．０の範囲内とした場合には、このような場合であっても良好なＴＭＲ特性を発揮することができる。
【０２９１】
さらに、本実施形態２にかかるガラス基板１は、上記の修正同軸度ＡＣが上記範囲内であり、内孔の真円度は、５．５μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましく、３μｍ以下が特に好ましい。一般的に真円度が良好なもの（例えば、真円度５．５μｍ以下）は真円度が悪いもの（例えば、真円度１０μｍ）と比べると、ＴＭＲ特性が良好になる傾向にあるが、同じ真円度であってもＴＭＲ特性がよいものと悪いものがある。このため、上記範囲の真円度であって、本実施形態１にかかるスキューネスおよび/またはクルトシスの範囲である形状プロファイルである内孔とすることにより、より一層良好なＴＭＲ特性を実現できる磁気ディスクに対応したガラス基板１を得ることができる。
【０２９２】
また、さらに、本実施形態１のガラス基板１は、上記の修正同軸度ＡＣが上記範囲内であり、ガラス基板１の板厚における内周端面１１の長さの割合が５５％以上であることが好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく６５％以上であることが特に好ましい。ただし、面取面が十分確保されない場合には、チッピングが発生しやすいために、板厚における内周端面１１の長さの割合の上限値としては、９０％以下であることがより好ましい。上記範囲の内周端面１１の長さであり、上記範囲のスキューネスおよび／またはクルトシスとすることにより、ＴＭＲ特性をより一層高めることができる。
【実施例２】
【０２９３】
以下、実施例に基づき、本実施形態２における磁気ディスク用ガラス基板１をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例・比較例は本実施形態２を説明するためのものである。
【０２９４】
（実施例）
以下の手順により65/0.635mmt の磁気ディスク用ガラス基板を製造して内孔の形状を測定し、内孔の形状とディスクバランス／ＴＭＲ特性の相関を求めた。
【０２９５】
まず、以下の工程に従ってガラス基板１を１００枚製造した。
【０２９６】
（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
本実施例に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、まず、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材とし、このガラス母材を切断してガラスディスクを切り出す。板状ガラスとしては、様々な板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらのうち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【０２９７】
本実施例においては、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。
【０２９８】
次いで、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス母材を得た。
【０２９９】
（２）切り出し工程（コアリング、チャンファリング）
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
【０３００】
（３）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【０３０１】
（４）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面および内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。
【０３０２】
（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【０３０３】
（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程および研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくと共に、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【０３０４】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍであった。
【０３０５】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した１０重量％硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【０３０６】
（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、最終研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒（平均粒子径０．８μｍ）を用いた。この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。
【０３０７】
上記のように、第１ラッピング工程、切り出し工程、第２ラッピング工程、端面研磨工程、第１研磨工程、化学強化工程および第２研磨工程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、高剛性の磁気ディスク用基板を得た。
【０３０８】
研磨が終了すると、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去し、１００枚のガラス基板１を完成させた。
【０３０９】
次に、１００枚のガラス基板１の内孔と外形の形状プロファイルをミツトヨ社製真円度測定装置ＲＡ−３２４を用いて測定し、Digital Metrology Solutions社製の真円度解析ソフトOmniRoundを用い、プロファイルをガウスフィルタでフィルタリング処理したのち、それぞれについて最小二乗円２７とプロファイル２１との差分Ｒを求めた。また、同軸度Ｃも求めた。
なお、サンプリングポイントの数は０．１度毎に３６００点とした。
【０３１０】
次に、差分のヒストグラムを作成し、修正同軸度ＡＣを求めた。
【０３１１】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図１５に示す測定システムを用いて回転数：５４００ｒｐｍ／測定位置ｒ：３０ｍｍの条件においてAxial Displacement３ｓを求めた。
【０３１２】
次に、修正同軸度ＡＣと、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットした。
【０３１３】
作成したヒストグラムを図１４に、ガラス基板１の修正同軸度ＡＣとＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の相関図をそれぞれ図１８に示す。なお、図１８には参考として、同軸度ＣとAxial Displacement３ｓの関係もプロットしている。
【０３１４】
図１８から明らかなように、修正同軸度ＡＣを用いた場合の方が同軸度Ｃを用いた場合よりもAxial Displacement３ｓが急激に変化しており、Axial Displacement３ｓとの間に高い相関が見られた。
【０３１５】
即ち、例えば図１８でAxial Displacement３ｓが０．６μｍ以下となるようなガラス基板１を得たい場合は、修正同軸度ＡＣが９．６μｍ以下のガラス基板１を良品と判断すればよい。
【０３１６】
以上の結果より、本発明のパラメータである修正同軸度ＡＣを元にガラス基板１の内孔５の形状をディスクバランス／ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の要求を満たす形状にすることが可能であることが分かった。
(実施形態２−２)
「（スキューネス・クルトシス）」の項で説明した試料、具体的には（A）スキューネスが（Sk）０．５５〜−０．５５の範囲内であり、クルトシス（Ku）から３を引いた値（Ｋｕ−３）が１．６〜−１．６の範囲であるガラス基板、（B）スキューネスが上記（A）の範囲を外れ、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上記（A）の範囲内であるガラス基板、（C）スキューネスが上記（A）の範囲内であり、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）が上記（A）の範囲外である試料、それぞれにおいて、ＡＣが８．０ｕｍと５．０ｕｍのもの（Ａ２，Ｂ２，Ｃ２）を作成してＴＭＲテスト回転数：１００００ｒｐｍでＴＭＲ特性を比較したところ、いずれにおいてもＡＣ＝５．０の方が良好であり（ただし順序はＡＢＣと同じ）、２．５インチサイズのディスク１枚あたりの記録容量が５００GByte（３８０〜４２０kTPI）相当以上の高いトラック密度においてもサーボエラーを抑制することが可能な結果であった。
(実施形態２−３)
実施形態１と同じ結晶化ガラスを使用し、上記の実施形態２−２と同様の三種類のサンプル（Ａ３，Ｂ３，Ｃ３）を作製し１００００ｒｐｍにて比較したところ、さらに良好な結果が得られた（ただし順序はＡＢＣと同じ）。なお、内径及び外形の真円度、それらの同軸度はいずれも0.5μｍとした。
すなわち、結晶化ガラスを用いることで、内径および外形の真円度、それらの同軸度が０．５μｍ以下と非常に小さい場合においても、上記ＡＣ、スキューネス（Sk）、クルトシス(Ku)から３を引いた値（Ｋｕ−３）を所定範囲内とすることによってＴＭＲ特性をさらに改善することが可能となる。
【０３１７】
（実施形態３）
以下、図１９〜図２５の図面に基づき、本発明の実施形態３を詳細に説明する。なお、図１９〜図２５に付された部材番号は、本実施形態３に関する説明のものであり、上記実施形態１および２に関する説明で使用されている図１〜図１８の部材番号とは別のものである。つまり、本実施形態３で使用される部材番号は、図１９〜図２５を説明するために付している。また、ステップ番号についても、同様であり、実施形態３で使用されているステップ番号は、実施形態３の説明のために付されたものである。なお、本実施形態１および２と重複する一部の情報については、実施形態１および２に記載している。
【０３１８】
以下、図面に基づき、本発明の実施形態３を詳細に説明する。
【０３１９】
まず、図１９を参照して、本実施形態３に係るガラス基板１の構造について簡単に説明する。
【０３２０】
図１９（ａ）に示すように、ガラス基板１は、円板形状を有する本体３を有し、本体３の中心には内孔５が形成されている。
【０３２１】
図１９（ｂ）に示すように、本体３は、実質的に平滑な主表面７ａ、７ｂを有している。
【０３２２】
主表面７ａ、７ｂは、情報を記録再生するための層が形成される面であり、例えば図１９（ｃ）に示すように、主表面７ａ、７ｂの一方または両方に、下地層１８ａ、磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、ガラス基板１は、磁気記録媒体１００（磁気ディスク）となる(少なくとも磁性層１８ｂは記録層として必要）。
【０３２３】
また、図１９（ｂ）に示すように、本体３は主表面７ａ、７ｂに対して直交している内周端面１１および外周端面９を有している。
【０３２４】
内周端面１１および外周端面９は面取されており、それぞれ内周面取面１３および外周面取面１５が設けられている。
【０３２５】
さらに、本体３は表面に化学強化層１７が形成されている。 
化学強化層１７の詳細については後述するが、例えば、ガラス基板１の原料となるガラスのイオンの一部を、よりイオン半径の大きいイオンに置換し、圧縮応力層とした層である。
【０３２６】
ガラス基板１は、中心からの径方向の位置と板厚（主表面７ａと主表面７ｂ間の距離）から求められるパラメータが、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、詳細は後述する。
【０３２７】
次に、図１９〜図２５を参照して、ガラス基板１の製造方法について説明する。
【０３２８】
なお、以下の説明では、製造工程中におけるガラスを「ガラス基材１ａ」と称し、完成品を「ガラス基板１」と称することにする。
【０３２９】
まず、図２０に示すように、原料となるガラスを円板状に成形してガラス基材１ａを製造する（ステップ１０１）。
【０３３０】
原料となるガラスとしては例えばフロート法、ダウンドロー法、リドロー法又はプレス法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。
【０３３１】
なお、以下の実施形態ではプレス法で製造されたガラスを例に説明する。
【０３３２】
次に、ガラス基材１ａの板厚調整のため、研削装置を用いて主表面７ａ、７ｂを研削（第１ラッピング）する（ステップ１０２）。 
研削は、例えば両面ラッピング装置とアルミナ等の砥粒を用いて行う。
【０３３３】
次に、図２０に示すように、ガラス基材１ａの中心に内孔５（図１９参照）を形成する（ステップ１０３）。 
内孔５の形成は、例えばコアドリルを用いて行う。
【０３３４】
なお、シートガラスを用いた場合は、ステップ１０１〜１０３は行わず、代わりに、カッターを用いてシート形状から円板形状にガラスを切り出し、さらに内孔５を切り出す工程（カッティング工程）を行う。
【０３３５】
次に、図２０に示すように、ガラス基材１ａの端面のクラックを除去するため、内周端面１１および外周端面９の面取を行う（ステップ１０４）。面取は、例えばダイヤモンド砥粒が付着した砥石を用いて行う。
【０３３６】
なお、面取後に主表面７ａ、７ｂを研削（第２ラッピング）する工程を追加してもよい。これにより、内孔５の形成や面取によって生じた凹凸を研削でき、研磨の際の負担を軽減できる。
【０３３７】
次に、図２０に示すように、ガラス基材１ａの内周端面１１および外周端面９の研磨、即ち端面研磨を行う（ステップ１０５）。 
端面研磨は例えば回転ブラシを用いて行う。
【０３３８】
次に、図２０に示すように、ガラス基材１ａに化学強化を行い、化学強化層１７を形成する（ステップ１０６）。
【０３３９】
具体的には、化学強化液にガラスを浸漬し、化学強化液に含まれているイオンのうち、ガラスに含まれているイオンよりもイオン半径が大きいイオンを、ガラスに含まれている当該イオンとイオン交換して化学強化層１７を形成する。
【０３４０】
次に、化学強化が終わると、ガラス基材１ａを洗浄して表面の化学強化液を除去した後、図２０に示すように、ガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂの平坦度と表面粗さを調整する（実質的に平滑にする）ため、主表面７ａ、７ｂを研磨する（ステップ１０７）。
【０３４１】
研磨は、例えば両面研磨装置と硬質樹脂ポリッシャとを用い、遊星歯車機構を用いて行うことができる。研磨液は、例えば、酸化セリウムや酸化ランタン等の砥粒を水に分散させてスラリーとしたものが用いられる。
【０３４２】
研磨が終了すると、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去する（ステップ１０８）。
【０３４３】
具体的にはスクラブ洗浄、超音波洗浄等の物理的な洗浄や、フッ化物、有機酸、過酸化水素、界面活性剤等を用いた薬液洗浄が挙げられる。
【０３４４】
ここで、ステップ１０１〜１０８のうち、特に(１)ステップ１０２（第一ラッピング）および面取（ステップ１０４）後に行われる場合がある（２）第２ラッピング、そして（３）ステップ１０７（研磨工程）においては、本願において着目しているディスクバランス／ＴＭＲ特性を左右する板厚バラツキを発生させ易い工程であるため、例えば(１)のステップ１０２では投入する素材の板厚差異を<１００μｍにし、かつ素材を保持するキャリアホルダーへの入り枚数を所定数以上（>90%の充填率）するなどして加工圧力が枚バッチ加工毎に変化するのを抑制すること、また加工荷重を研削の段階（例えば初期／中期／末期）に応じて可変することなどにより、全加工ステップにおける第１加工段階で出来る限り板厚がばらつくことを抑制することが必要である。特に素材の元の厚みに対し加工（或いは研削）取り代が最も大きい工程はこのステップ１０２であることが多いため、板厚バラツキを抑えるためには、ステップ１０２が最も留意を要する工程である。
【０３４５】
また（２）第２ラッピングにおいても前記（１）と同様の配慮をなす必要があるが、投入するワーク（第１ラッピング加工済み）の板厚差異を<10μｍにすることが望ましい。
【０３４６】
さらに（３）研磨工程においても前記（２）と同様の配慮をなす必要があるが、投入するワーク（ステップ１０６化学強化済み）の板厚差異を<１μｍにすることが望ましい。
【０３４７】
最後に、製品検査（板厚の検査）を行う（ステップ１０９）。
【０３４８】
ここで、ステップ１０９の詳細について、図２１〜図２５を参照して説明する。
【０３４９】
前述のように、ガラス基板１は、中心からの径方向の位置と板厚（主表面７ａと主表面７ｂ間の距離）の関係から求められるパラメータが、所定の範囲内に収まるような形状となっているが、それを評価するために、板厚を測定してパラメータを求め、パラメータが所定の範囲内にあるか否かを判定する。
【０３５０】
具体的には、以下の手順で検査を行う。 
まず、図２１に示すように、公知の板厚測定装置等を用いて、ガラス基板１の板厚（主表面７ａと主表面７ｂ間の距離）を、中心からの径方向の位置ごとに、ガラス基板１の主表面全面に渡って所定の数だけ測定する（ステップ２０１）。
【０３５１】
この際、図２２に示すように、内周端の所定の位置から外周端の所定の位置まで、測定点２２が螺旋状に一周する形状を描くように板厚を測定するのが望ましい。
【０３５２】
このように測定することで、ガラス基板１の主表面全面に渡って中心からの径方向の位置ごとにムラなく板厚データを得ることができる。特に、磁気ディスクはスピンドルを介して回転しており、この磁気ディスクに記録された情報を磁気ヘッドを用いて読み出す場合、磁気ヘッドは、磁気ディスクをシークする動作を行う。このとき、磁気ディスク上を移動する磁気ヘッドの軌跡を見ると、磁気ディスク上を螺旋状に一周する形状を描くようになるため、上記螺旋状に板厚を測定することで、ヘッドの移動に対応した板厚の情報を得ることができる。
【０３５３】
次に、図２１に示すように、測定した径方向の位置と板厚の関係から求められるパラメータであるＭ値を計算する。（ステップ２０２）。
【０３５４】
Ｍ値とは、最初の測定位置における板厚と各測定位置の板厚差と、測定位置の半径との掛け算（測定位置におけるモーメントに相当する値）の総和を意味し、以下の式（６）（７）で表される。
【０３５５】
なお、測定した径方向の位置と板厚の関係の例および式（６）を図２３に示す。
【数２７】
0005335983.tif 000028
【０３５６】
なお、ここでの「サンプリング数」とは、使用する板厚測定系における測定プローブの横方向サイズ或いは横方向分解能を１サンプリング単位とするものであり、例えば非接触測定機器ではレーザスポット径、或いはそれにより決定される横方向分解能が１サンプリング単位である。
【０３５７】
なお、式（６）（７）は、その形から明らかなように、外周に近い部分（ｒが大きい部分）の板厚差、即ち、外周近傍の板厚のバラツキの影響が、内周近傍の板厚のバラツキよりも大きく現れるような式になっている。
【０３５８】
すなわちディスクFlatteringは、外周側の変位量の方が内周側よりも大きく（内周側はスピンドルに保持されており、剛性が外周側のそれよりも大きいため）、Ｍ値が大きくなることから、外周近傍の板厚のバラツキの方が、内周近傍の板厚のバラツキよりもディスクバランス／ＴＭＲ特性に与える影響が大きいためである。
【０３５９】
また、上記した式（６）（７）では板厚差Δｔとして、最初の測定位置における板厚と、各測定位置の板厚差を用いているが、Δｔではなく、単に各測定位置の板厚を用いてもよく、具体的には式（８）に示す式としてもよい。
【数２８】
0005335983.tif 000029
【０３６０】
次に、測定したＭ値から、ガラス基板１のディスクバランス／ＴＭＲ特性が所定の範囲内にあるか否かを判定し、範囲内にある場合は良品として扱い、範囲外の場合は不良品として扱う（ステップ２０３）。
【０３６１】
具体的には、図２５に示すようなＭ値とAxial Displacement３ｓとの関係から、Ｍ値が一定の範囲内であるか否かを判定し、一定の範囲内にある場合は良品として扱い、範囲外の場合は不良品として扱う。
【０３６２】
なお、Axial Displacement３ｓとは、基板振動測定データ（振動波形）を回転数ごとにかつ周波数ごとに積分して平均値＋３ｓのトラック位置決め誤差量を求めたものであり、３ｓおよびｓ２は例えば以下の式（ハ）（二）で求められる。
【数２９】
0005335983.tif 000030
【０３６３】
ここで、図２５に示すようなＭ値とAxial Displacement３ｓとの関係を求める方法について簡単に説明する。
【０３６４】
まず、検査対象となるガラス基板１を所定の枚数分製造し、Ｍ値を求める。
【０３６５】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図２４に示す測定システム５１を用いて所定の回転数、所定の測定位置でAxial Displacement３ｓを求める。
【０３６６】
測定システム５１について簡単に説明すると、測定システム５１はヘッド５３を備えたレーザードップラー速度計（ＬＤＶ）５５と、レーザードップラー速度計５５が測定したデータを高速フーリエ変換（ＦＦＴ）する変換部５７を有している。
【０３６７】
次に、Ｍ値と、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットして図２５に示すような相関図を作成する。 
以上がステップ１０９の詳細である。
【０３６８】
このように、本実施形態によれば、ガラス基板１は、中心からの径方向の位置と板厚の関係から求められるパラメータ（Ｍ値）が、ディスクバランス／ＴＭＲ特性の要求を満たす所定の範囲内にある。
【０３６９】
そのため、ガラス基板１は、ＨＤＤとしたときに、磁気ディスクに記録されているTrack情報を含むサーボ情報を安定に読み出すことができる。
【実施例３】
【０３７０】
以下、実施例に基づき、本実施形態３をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例・比較例は本実施形態３を説明するためのものである。
【０３７１】
（実施例）
以下の手順により外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板を製造して板厚を測定し、Ｍ値とディスクバランス／ＴＭＲ特性の相関を求めた。
【０３７２】
まず、以下の工程に従ってガラス基板１を１００枚製造した。
【０３７３】
（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
本実施例に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、まず、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材とし、このガラス母材を切断してガラスディスクを切り出す。板状ガラスとしては、様々な板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらのうち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【０３７４】
本実施例においては、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。
【０３７５】
次いで、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス母材を得た。
【０３７６】
なお、ラッピングの際には、板厚バラツキを発生させないようにするため、投入する素材の板厚差異を<１００μｍにし、かつ素材を保持するキャリアホルダーへの入り枚数を所定数以上（>90%の充填率）にして加工圧力が枚バッチ加工毎に変化するのを抑制した。また加工荷重を研削の段階（初期／中期／末期）に応じて可変することにより、ラッピング加工段階で出来る限り板厚がばらつくことを抑制するようにした。
【０３７７】
（２）切り出し工程（コアリング、チャンファリング）
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
【０３７８】
（３）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【０３７９】
なお、第２ラッピング工程においても第１ラッピング工程と同様に、板厚のばらつきを発生させないようにするため、投入するワーク（第１ラッピング加工済み）の板厚差異を<10μｍにした。
【０３８０】
（４）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面および内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。
【０３８１】
（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。
【０３８２】
この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【０３８３】
なお、主表面研磨工程においても第１ラッピング工程と同様に、板厚のばらつきを発生させないようにするため、投入するワーク（第１ラッピング加工済み）の板厚差異を<５μｍにした。
【０３８４】
（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程および研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくと共に、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【０３８５】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍであった。
【０３８６】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した１０重量％硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【０３８７】
（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、最終研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒（平均粒子径０．８μｍ）を用いた。この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。
【０３８８】
上記のように、第１ラッピング工程、切り出し工程、第２ラッピング工程、端面研磨工程、第１研磨工程、化学強化工程および第２研磨工程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、高剛性の磁気ディスク用基板を得た。
【０３８９】
研磨が終了すると、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去し、１００枚のガラス基板１を完成させた。
【０３９０】
次に、１００枚のガラス基板１の板厚を、キーエンス社製ＬＫ−Ｇ１５（測定ヘッド）／ＬＫ−Ｇ３００１（測定コントローラ）で構成される非接触式レーザ変位計（スポットサイズ：２０μｍ）を用いて、図２２に示すように内周から外周に向けて螺旋状に測定した。なお、螺旋の形状はアルキメデス螺旋（一様螺旋）とし、サンプリングポイントは２０μｍ毎に合計８，５５０，０００点とした（半径位置 ｒ=１３．０〜３２．０ｍｍの範囲を測定）。なお、８，５５０，０００点という測定点数は以下の式から決定している。
【０３９１】
測定点数Ｎ：Ｎ={π（３２２−１３２）}／π(０．０１２) = ８，５５０，０００  即ち、上記式において３２、１３は半径位置（ｍｍ）の両端を示し、０．０１はスポットサイズの半径（ｍｍ）を示す。
【０３９２】
次に、測定した板厚と位置情報を元に、式（６）（７）（ステップ２０２参照）からＭ値を求めた。
【０３９３】
次に、ガラス基板１の表面に磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、磁気記録媒体１００を製造し、図２４に示す測定システムを用いて回転数：５，４００ｒｐｍ／測定位置ｒ：３０ｍｍの条件においてAxial Displacement３ｓを求めた。
【０３９４】
次に、Ｍ値と、ディスクバランス／ＴＭＲ特性を示すAxial Displacement３ｓとの関係をプロットした。
【０３９５】
図２５から明らかなように、Ｍ値とAxial Displacement３ｓの間に強い相関が見られた。
【０３９６】
具体的には図２５ではＭ値（×１０６）ｍｍ３が２０以下の範囲でAxial Displacement３ｓが０．００５μｍで一定となり、Ｍ値（×１０６）ｍｍ３が２０を超えると急激にAxial Displacement３ｓが大きくなっていた。
【０３９７】
即ち、図２５ではＭ値（×１０６）ｍｍ３が２０以内であればAxial Displacement３ｓが一定値に低く抑えられているため、ディスクバランス／ＴＭＲ特性が良好なガラス基板におけるＭ値の上限は２０になる。
【０３９８】
以上の結果より、本発明のパラメータ（Ｍ値）を元にガラス基板１の板厚をディスクバランス／ＴＭＲ特性（Axial Displacement３ｓ）の要求を満たす形状にすることが可能であることが分かった。
【０３９９】
(板厚とＭ値)
ガラス基板１の中心を通る直線を引き、磁気ディスクの内周（半径１５ｍｍの位置）、中周（半径２２ｍｍの位置）、外周（半径３０ｍｍの位置）の３点の板厚を測定し、その平均値をガラス基板１の板厚としたときの、板厚とＴＭＲ特性の関係を調べた。その結果、同じ板厚を有するガラス基板１であってもＴＭＲ特性が良好なものと良好でないものとが存在した。次に、これらＴＭＲ特性が良好なものと良好でないもののそれぞれについて、上記Ｍ値（×１０６）ｍｍ３を求めたところ、ＴＭＲ特性が良好なもののＭ値（×１０６）ｍｍ３は２０以下であり、ＴＭＲ特性が良好でないもののＭ値（×１０６）ｍｍ３は２０より大きかった。
【０４００】
次に、板厚を異ならせたガラス基板１を作成して、それぞれについてＴＭＲ特性を求めたところ、板厚の厚いガラス基板１のほうが薄いガラス基板よりもＴＭＲ特性が良好な割合が多い結果となった。しかし、同じ板厚であっても、ＴＭＲ特性が良好なものと良好でないものが存在するため、上記Ｍ値（×１０６）ｍｍ３を使って、ガラス基板１を評価することで良好なＴＭＲ特性が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０４０１】
上述した実施形態１では、本発明を磁気記録媒体用のガラス基板１に適用した場合について説明したが、本発明は何らこれに限定されることなく、内孔の形状を規定する必要がある全てのディスク状の記録媒体に適用できる。
【０４０２】
また、上述した実施形態２では、本発明を磁気記録媒体用のガラス基板１に適用した場合について説明したが、本発明は何らこれに限定されることなく、内孔の形状を規定する必要がある全てのディスク状の記録媒体に適用できる。
【０４０３】
さらに、上述した実施形態３では、本発明を磁気記録媒体用のガラス基板１に適用した場合について説明したが、本発明は何らこれに限定されることなく、板厚を規定する必要がある全てのディスク状の記録媒体に適用できる。
【０４０４】
また、上記の説明では、実施形態１、２、３と分けて説明したが、これらの実施形態を適宜組み合わせても良いことはいうまでもない。
【符号の説明】
【０４０５】
１……………ガラス基板
３……………本体
５……………内孔
７ａ…………主表面
１７…………化学強化層
１８ｂ………磁性層
２１…………プロファイル
２３…………凹部
２５…………凸部
２９…………中心
３１…………内接円
３３…………外接円
【図１】
0005335983.tif 000040
【図２】
0005335983.tif 000041
【図３】
0005335983.tif 000042
【図４】
0005335983.tif 000043
【図５】
0005335983.tif 000044
【図６】
0005335983.tif 000045
【図７】
0005335983.tif 000046
【図８】
0005335983.tif 000047
【図９】
0005335983.tif 000048
【図１０】
0005335983.tif 000049
【図１１】
0005335983.tif 000050
【図１２】
0005335983.tif 000051
【図１３】
0005335983.tif 000052
【図１４】
0005335983.tif 000053
【図１５】
0005335983.tif 000054
【図１６】
0005335983.tif 000055
【図１７】
0005335983.tif 000056
【図１８】
0005335983.tif 000057
【図１９】
0005335983.tif 000058
【図２０】
0005335983.tif 000059
【図２１】
0005335983.tif 000060
【図２２】
0005335983.tif 000061
【図２３】
0005335983.tif 000062
【図２４】
0005335983.tif 000063
【図２５】
0005335983.tif 000064