(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物である半導体ウェハ内の半導体チップの通電の為の電極パッド部に針をあて電
気的特性検査を行った後、電極パッド上に形成される針痕や多数のその他異物の状態など
の判定をおこなう被検査物の外観検査方法において、
前記電極パッドの原画像を２値化画像とする工程と、
該２値化画像をラベリングして個々のラベルを形成する工程と、
前記ラベリングした個々のラベルの周囲を領域として囲う工程と、
前記個々のラベルを囲った領域毎の画素数を算出し、
画素数の大きい範囲に位置する領域と小さい範囲に位置する領域の境目を画素数の閾値と
して設定し、
前記画素数の大きい範囲に位置する領域を針痕、小さい範囲に位置する領域をその他異物
と区分けする工程を有し、
さらに、
前記半導体チップの電極パッド部内に存在する各領域ごとに、穴埋め処理をおこなう工程と、
前記各領域ごとの輝度値別の画素数を求め、縦軸を画素数、横軸を輝度値から成るヒスト
グラムを作成し、
任意に設定した画素数の上位領域の平均輝度値と下位領域の平均輝度値を算出する工程と
、
前記各上位平均輝度値と下位平均輝度値ごとの差の境目を平均輝度差の閾値と設定する工
程と、
前記平均輝度差の閾値よりも大きい平均輝度差のものを針痕と判定し、また、平均輝度差
の閾値よりも小さい平均輝度差のものをその他異物と判定し、
前記針痕とその他異物とを区分けする工程を有する
ことを特徴とする被検査物の外観検査方法。
【請求項２】
被検査物である半導体ウェハ内の半導体チップの通電の為の電極パッド部に針をあて電
気的特性検査を行った後、電極パッド上に形成される針痕や多数のその他異物の状態など
の判定をおこなう被検査物の外観検査装置において、
前記電極パッドの原画像を２値化画像とする手段と、
該２値化画像をラベリングして個々のラベルを形成する手段と、
前記ラベリングした個々のラベルの周囲を領域として囲う手段と、
前記個々のラベルを囲った領域毎の画素数を算出し、
画素数の大きい範囲に位置する領域と小さい範囲に位置する領域の境目を画素数の閾値と
して設定し、
前記画素数の大きい範囲に位置する領域を針痕、小さい範囲に位置する領域をその他異物
と区分けする手段を備え、
さらに、
前記半導体チップの電極パッド部内に存在する各領域ごとに、穴埋め処理をおこなう手
段と、
前記各領域ごとの輝度値別の画素数を求め、縦軸を画素数、横軸を輝度値から成るヒスト
グラムを作成し、
任意に設定した画素数の上位領域の平均輝度値と下位領域の平均輝度値を算出する手段と
、
前記各上位平均輝度値と下位平均輝度値ごとの差の境目を平均輝度差の閾値と設定する手
段と、
前記平均輝度差の閾値よりも大きい平均輝度差のものを針痕と判定し、また、平均輝度差
の閾値よりも小さい平均輝度差のものをその他異物と判定し、
前記針痕とその他異物とを区分けする手段を備えた
ことを特徴とする被検査物の外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の被検査物である半導体ウェハ内の半導体チップの電気的特性検査によりその電極パッド上に形成される針痕とその他異物とを区分けするそして／または区分けできる被検査物の外観検査方法およびそれを備えた装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被検査物である半導体ウェハ内に形成された半導体チップの電気的特性を検査するために、通常、当該半導体チップ内の電極パッドには、検査用のプローブの針が刺され通電される。多く、電極パッドはアルミニウムなどから成り、検査用プローブは通電を確保するために、相当程度の加圧力で電極パッドに押し当てられる。それによって、電極パッドには電気的特性検査用プローブによる針痕が形成される。
【０００３】
被検査物の半導体ウェハ内の半導体チップの電気的特性検査をおこなった時に生じる電極パッド上の通電のための針痕だけでなく、電極の削りカスなどに代表されるその他の異物などの付着物が混在している場合がある。その後工程である外観検査において、正規の針痕であるにもかかわらず、単に、被検査物の半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができるその他異物が混在するだけの場合でも、不良と取り扱われていた。
【０００４】
ところで、これら電気的特性検査が完了した後の検査用プローブによる針痕が形成された電極パッドの在る半導体チップを含む半導体ウェハを、その後の工程へ送るに際し、半導体チップ上のパターン欠陥の検査の他に、この電極パッドの検査もおこなう。例えば、電極パッド上にある針痕の有無や形状の異常その他異物などの検出を外観検査として行う。
【０００５】
半導体チップの電気的特性検査を行う時に、形状の異常、その他異物などが電極パッド表面に付着することがある。その付着したその他異物は、後の工程でウェハを洗浄する際に取り除くことができる。その為、該その他異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕しいては正常な電極パッドとして扱いたい。
【０００６】
〔特許文献１〕に示す電極パッドの針痕に関する電気的特性検査工程の出願では、上記の様な電極パッド上の針痕の位置などを高速に判定する針痕読み取り装置および針痕読み取り方法に関する出願であり、同じ半導体チップ内の電極パッド上に位置する針痕以外のその他異物が残っていても正常な電極パッドとして扱うか否かを判定するに関する発明とは異なる課題の出願である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０４５１９４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の様に、被検査物の半導体ウェハ内の半導体チップの電気的特性を検査する場合に、検査用プローブの通電確保のために、検査用プローブが電極パッドに押し当てられる。その場合に残る針痕と共にその他異物などが半導体チップの電極パッド表面に付着することがある。本発明では、該付着したその他異物は、後の工程でウェハを洗浄する際に取り除くことができるものであり、該その他異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕、しいては正常な電極パッドとして扱うという判定が検査として可能とすることが本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
被検査物である半導体ウェハ内の半導体チップの通電の為の電極パッド部に針をあて電
気的特性検査を行った後、電極パッド上に形成される針痕や多数のその他異物の状態など
の判定をおこなう被検査物の外観検査方法において、
前記電極パッドの原画像を２値化画像とする工程と、
該２値化画像をラベリングして個々のラベルを形成する工程と、
前記ラベリングした個々のラベルの周囲を領域として囲う工程と、
前記個々のラベルを囲った領域毎の画素数を算出し、
画素数の大きい範囲に位置する領域と小さい範囲に位置する領域の境目を画素数の閾値と
して設定し、
前記画素数の大きい範囲に位置する領域を針痕、小さい範囲に位置する領域をその他異物
と区分けする工程を有し、
さらに、
前記半導体チップの電極パッド部内に存在する各領域ごとに、穴埋め処理をおこなう工程と、
前記各領域ごとの輝度値別の画素数を求め、縦軸を画素数、横軸を輝度値から成るヒスト
グラムを作成し、
任意に設定した画素数の上位領域の平均輝度値と下位領域の平均輝度値を算出する工程と
、
前記各上位平均輝度値と下位平均輝度値ごとの差の境目を平均輝度差の閾値と設定する工
程と、
前記平均輝度差の閾値よりも大きい平均輝度差のものを針痕と判定し、また、平均輝度差
の閾値よりも小さい平均輝度差のものをその他異物と判定し、
前記針痕とその他異物とを区分けする工程を有する
ことを特徴とする被検査物の外観検査方法である。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、
被検査物である半導体ウェハ内の半導体チップの通電の為の電極パッド部に針をあて電
気的特性検査を行った後、電極パッド上に形成される針痕や多数のその他異物の状態など
の判定をおこなう被検査物の外観検査装置において、
前記電極パッドの原画像を２値化画像とする手段と、
該２値化画像をラベリングして個々のラベルを形成する手段と、
前記ラベリングした個々のラベルの周囲を領域として囲う手段と、
前記個々のラベルを囲った領域毎の画素数を算出し、
画素数の大きい範囲に位置する領域と小さい範囲に位置する領域の境目を画素数の閾値と
して設定し、
前記画素数の大きい範囲に位置する領域を針痕、小さい範囲に位置する領域をその他異物
と区分けする手段を備え、
さらに、
前記半導体チップの電極パッド部内に存在する各領域ごとに、穴埋め処理をおこなう手
段と、
前記各領域ごとの輝度値別の画素数を求め、縦軸を画素数、横軸を輝度値から成るヒスト
グラムを作成し、
任意に設定した画素数の上位領域の平均輝度値と下位領域の平均輝度値を算出する手段と
、
前記各上位平均輝度値と下位平均輝度値ごとの差の境目を平均輝度差の閾値と設定する手
段と、
前記平均輝度差の閾値よりも大きい平均輝度差のものを針痕と判定し、また、平均輝度差
の閾値よりも小さい平均輝度差のものをその他異物と判定し、
前記針痕とその他異物とを区分けする手段を備えた
ことを特徴とする被検査物の外観検査装置である。
【発明の効果】
【００１１】
被検査物である半導体ウェハの外観検査、特に、半導体チップの電極パッドの状態に関する外観検査において、
電極パッドの針痕の有無や形状の異常などの検査を行う時、単に付着しているだけのその他異物は、後の工程で半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができる。その為、該その他異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕、しいては正常な電極パッドとして扱かうことができる。
【００１２】
本発明では、半導体チップの電極パッドの針痕やその他異物の状態について、針痕が正常であるか否かの判断とともに、電極パッドの針痕の有無や形状の異常などの検査を行う時に付着していたその他異物は、後の工程で被検査物である半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができる。その為、該その他異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕しいては正常な電極パッドとして扱うという判定をおこない、本来の不具合をもつ被検査物のみを選択して不具合として排除する方法とその手段を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
被検査物である半導体ウェハの外観検査、特に、半導体チップの電気的特性検査をおこなった時に生じる電極パッド上に通電のための針痕だけでなく付着していたその他異物が混在している場合、その後工程である外観検査装置において、正規の針痕であるにもかかわらず、単に、被検査物を洗浄する際に取り除くことができるその他異物があるだけの場合でも、不良と取り扱われていた。その要因の異なる不具合の内容を当該発明の区分け方法および装置を用いて、外観検査の信頼性を上げることができる。
【００１４】
以下、図を用いて、電気的特性検査をおこなった時に生じる電極パッド上に通電のための針痕とウェハを洗浄する際に取り除くことができるその他異物との区分け方法とその装置について、説明する。
【００１５】
図１は、被検査物１の写真である。１枚の被検査物１である半導体ウェハに多くの半導体チップ２が搭載されている。その半導体チップ２の中に、図２に示す様に、半導体チップ２に通電するための電極パッド３が複数並んでいる。そこには、図２に示す様に、チップ２の電気的特性試験を行われたことにより、電気的特性検査用プローブによる針痕４が残る。その針痕４の概要を示す図を図３として示す。また、図４には、図２と同様に半導体チップ２の中の電極パッドを示しているが、その中に、上記同様の電気的特性検査用プローブによる針痕４が示されている。その電極パッドの中に、電気的特性検査によって形成された正規の針痕４とともに、図５に示す様に、該電極パッドの削りカスなどに代表されるその他異物５が存在していることを示す。本発明では、上記針痕４とその他異物５が混在している場合、その付着していたその他異物５は、後の工程で被検査物１である半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができることから、針痕４とその他異物５が混在していると云う理由で不具合とするのでは無く、針痕４とその他異物５を区分けし、単に、取り除くことができるその他異物５が存在すると云う理由だけの場合、本発明では、外観検査にて不良としないなどの判定を下す場合に利用できる。
【００１６】
上記記載の針痕４とその他異物５の判別方法について述べる。まず、その区別する方法を代表する一つの電極パッドについて図６に記載のフローチャートを用いてその手順を説明する。図及び下記に記載のＳ１〜Ｓ１３はそのステップを示す。また、Ｓ１〜Ｓ５ステップは、第１の判定方法と装置についてを示し、Ｓ６〜Ｓ１１ステップは、第２の判定方法と装置について示す。
【００１７】
Ｓ１：  図７に示す様に該電極パッドを原画像に対し２値化をおこない図８に示す様に白黒画像からなる２値化画像を作成する。
【００１８】
Ｓ２：  次に、前記２値化画像に対しラベリング処理をおこなう。すなわち、各画像にラベル（番号）を付与する。図９に示す電極パッドの画像の場合、２つのラベルが付与される。個々のラベルについて、その他異物５を第１のラベル、針痕４を第２のラベルと付与する。
【００１９】
Ｓ３：  ラベリングした個々のラベルの周囲を個々に領域として囲う。図１０に示す様に、Ｓ２工程にてラベリング処理されたその他異物５を第１の領域と針痕４を第２の領域として２つのラベルの周囲を個々のラベルの凹部分を含めて囲い込みを行い個々の領域とする。
【００２０】
Ｓ４：  ここでは説明の為に、上記の第１の領域第２の領域として、各電極パットの、それぞれ囲った領域について、図１１に示す様に、縦軸を領域数、横軸を画素数として、前記個々の領域の画素数をプロットしたヒストグラムを得る。ここで、当該ヒストグラムの傾向として、画素数が大きい場合は第２のラベルの領域である針痕４であり、画素数が小さい場合は第１のラベルの領域であるその他異物５であるという傾向がある。従い、該ヒストグラムには、画素数の少ない箇所と多い箇所に領域数に対するヒストグラムのピークが存在する。これにより、当該ピークの間に、画素数の閾値８を設定し、前記傾向に基づき、画素数の閾値８よりも大きい場合は、第２の領域である針痕４、小さい場合は、第１の領域であるその他異物５であると判定できるという傾向に基づき判定する。
【００２１】
Ｓ５：  囲った個々の領域別の画素数は、図１１のヒストグラムから把握できる様に、第２のラベルの領域である針痕４では、画素数が大きい範囲に領域数の大きいデータが偏り、逆に、第１のラベルの領域であるその他異物５では、画素数の小さい範囲に領域数の大きいデータが偏る。前記の様に、第２の領域に関する画素数が大きい側の領域数のピークと第１の領域に関する画素数が小さい側の領域数のピークと云う様に、領域数のピークは、２分化する。当該２分化した間の画素数の値を画素数の閾値８とする。画素数の閾値８よりも画素数の小さい領域数のピークの場合をその他異物５と判定し、逆に、画素数の閾値８よりも画素数の大きい領域数のピークの場合を針痕４と判定する。
【００２２】
Ｓ６：  ここで、必ずしも上記の傾向が顕著でない場合がある。特に、寸法の大きなその他異物が多く存在する場合などは、Ｓ５ステップで、明確に判定されない場合が生じるので、課題の解決する手段に記載の第２の判定をおこなう。
まず、穴埋め処理をおこなう。具体的には、図１２にその処理の前後を示す様に、事例として、Ｓ２ステップにて説明の為代表的な領域として示した、ラベリングが為されたその他異物５あるいは針痕４からなる２種類の領域の中の白い部分を「穴」とし該「穴」を黒く穴埋めする。
【００２３】
Ｓ７：  図１３に示すラベリングした個々のラベルの領域の画像の濃淡情報を用いて、図１３に示すように、付与された各領域毎に、横軸を輝度値および縦軸を画素数として、第１の領域のヒストグラム、第２の領域のヒストグラムを算出する。その他異物５のヒストグラムおよび針痕４のヒストグラムとして実際に得られた個々のヒストグラムを重ね合わせ一つにしたものを全体ヒストグラムとして図１４に示す。
【００２４】
Ｓ８：  図１４に示す全体ヒストグラムより、任意に設定した上位数個の画素数の平均輝度値と、下位数個の画素数の平均輝度値を算出する。
それらを整理して、図１５に示すヒストグラムから、第１のラベルの領域に該当するその他異物５に対応するヒストグラムの上位数個の画素数の平均輝度値を９１Ｕと、下位数個の画素数の平均輝度値を９１Ｌを求める。
【００２５】
次に、図１６に示すヒストグラムから、第２のラベルの領域に該当する針痕４に対応するヒストグラムの上位数画素の平均輝度値９２Ｕと、下位数個の画素数の平均輝度値９２Ｌを求める。
【００２６】
Ｓ９：  図１５の第１のラベルの領域に該当するヒストグラムの上位数個の画素数の平均輝度値９１Ｕと下位数個の画素数の平均輝度値９１Ｌのそれぞれの平均輝度値の差と、図１６の第２のラベルの領域に該当するヒストグラムの上位数個の画素数の平均輝度値９２Ｕと下位数個の画素数の平均輝度値９２Ｌのそれぞれの平均輝度値の差をもって判定する。すなわち、図１７に示す第１のラベルの領域に該当する平均輝度差Ｃ４と、同図に示す第２のラベルの領域に該当する平均輝度差Ａ４とを比較すると、内部に白い部分がある針痕４からなる第２のラベルの領域に該当する異物の場合はその差が大きく、全面輝度が低い（黒い）その他異物５からなる第１のラベルの領域に該当する異物の場合は差が小さくなる。該平均輝度差が大きい場合と小さい場合の境目を平均輝度差の閾値１１として設定する。平均輝度差の閾値１１よりも平均輝度差が大きい領域を針痕４と判定し、小さい領域をその他異物５と判定する。
【００２７】
Ｓ１０：  前記ラベルの領域ごとに、画素数の閾値８よりも大きい範囲に領域数が多く、平均輝度差の閾値１１よりも大きい平均輝度差のものを第２のラベルの領域に属する針痕４と判定する。
【００２８】
Ｓ１１：  前記ラベルの領域ごとに、画素数の閾値８よりも小さい範囲に領域数が多く、平均輝度差の閾値１１よりも小さい平均輝度差のものを第１のラベルの領域に属するその他異物５と判定する。
【００２９】
Ｓ１２：  当該記載している説明では、事例として、針痕４とその他異物５をそれぞれ各１個の場合を説明しているが、実際の判定時には、電極パッドのその他異物５は、個々に複数有る場合が想定される。その場合、ラベルの領域が付与された個数分、上記判定を繰り返す。
【００３０】
Ｓ１３：  上記繰り返し、半導体ウェハ内にあるすべての半導体チップについて、判定が完了すると、外観検査工程は完了する。
上記の結果によって、針痕４とその他異物５が混在する場合、外観検査工程の後、被検査物を洗浄する際にその他異物５は、取り除くことができる欠陥であるので、良品であると判定する。ただし、針痕４が該電極パッドの中央に位置しない場合は不良品と判断するなど、当該発明の針痕４であるかその他異物５であるかを判定した後、その情報を持って全体の情報から、当該外観検査装置としての判定を下すことになる。
【実施例】
【００３１】
（第１の判定方法の実施例）
半導体ウェハに代表される被検査物１を持って、所定の半導体チップ２の電気的特性検査によりその電極パッド３上に形成される針痕４とその他異物５を見出した。その後の工程の外観検査工程に於いて、当該発明に基づき画素数の閾値８及び平均輝度差の閾値１１をそれぞれに用いて当該発明の判定方法に沿って検査を行った。
【００３２】
実施例を説明するにあたり、説明記号をまとめて、あらかじめ、下記表１に示す様に設定しておく。
0005192885.tif 000002
【００３３】
表１
外観検査工程に於いて、前記図６に示すフローチャートに沿って、所定の電極パッド３の検査を行ったところ、２値化処理、ラベリング、領域１２の囲い込み、その結果から、ラベルの領域ａの画素数Ａ１として、Ａ１＝４４４、ラベルの領域ｂの画素数Ｂ１として、Ｂ１＝３９を、ラベルの領域ｃの画素数Ｃ１として、Ｃ１＝１６８を得た。この時の画素数の閾値８を２つの画素数のピークの間で、且つ、画素数が小さいピークの近い側を取って、画素数の閾値８＝１００と設定した。その結果、ラベルの領域ａの画素数Ａとラベルの領域ｃの画素数Ｃは画素数の閾値８より高く、ラベルの領域ｂの画素数Ｂは画素数の閾値８よりも小さいという結果となるので、上記結果から、ラベルの領域ｂをその他異物５であると判定した。
【００３４】
上記、画素数の閾値８を用いての判定で十分な場合は、当該段階までの判定で十分であるが、上記の様に、明確な結果が得られない場合には、以下の平均輝度差の閾値１１を用いて判定結果を得るための検査をおこなう。
【００３５】
（第２の判定方法の実施例）
次に、平均輝度差の閾値１１を用いた検査の実施例を述べる。
まず、穴埋め処理をおこない、ヒストグラムを各ラベルの領域毎に算出し、その結果から、ラベルの領域ａの上位１２画素の平均輝度値Ａ２を求めたところ、Ａ２＝２２９．７、同じく、下位１２画素の平均輝度値Ａ３を求めたところ、Ａ３＝２６．３、また、ラベルの領域ｃの上位１２画素の平均輝度値Ｃ２を求めたところ、Ｃ２＝９１、同じく、下位１２画素の平均輝度値Ｃ３を求めたところ、Ｃ３＝２３．４を得た。このときの平均輝度差Ａ４、Ｃ４は、それぞれ、Ａ４＝Ａ２−Ａ３＝２０３．４、Ｃ４＝Ｃ２−Ｃ３＝６７．６となる。平均輝度差の閾値１１を経験から通常輝度差は１５０〜２００程度であるので、経験的に輝度値の高い部分が少ない、すなわち輝度値の低い針痕４も存在することから、少し低めの値を選定し、当該平均輝度差の閾値１１を１００と設定した。
【００３６】
上記結果をもって判定すると、ラベルの領域ａの平均輝度差Ａ４＝２０３．４は、平均輝度差の閾値１１よりも高く、ラベルの領域ｃの平均輝度差Ｃ４＝６７．６は、平均輝度差の閾値１１よりも低い。従い、ラベルの領域ａを針痕４であると判定し、ラベルの領域ｃをその他異物５であると判定した。これをもって、背景技術に記載の外観検査では、その他異物５がある場合、外観検査での判定としては、すべて不良品と判定していたとのことであったが、当該手法を用いることにより針痕４とその他異物５との検査対象としての差違を明確に区別することができた。この手法および装置を用いて、後工程の洗浄工程で被検査物である半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができるものであるその他異物５が電極パッド上に残っていたとしても針痕４に異常がなければ、正常な電極パッド、正常な半導体チップとして扱うという判定を検査結果の仕分け区分として扱うことを可能とした。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
被検査物の半導体ウェハ内の半導体チップの電気的特性検査をおこなった時に生じる電極パッド上の通電のための針痕だけでなく、電極の削りカスなどに代表されるその他の異物などの付着物が混在している場合がある。
【００３８】
その後工程である外観検査において、正規の針痕であるにもかかわらず、単に、被検査物の半導体ウェハを洗浄する際に取り除くことができるその他異物が混在するだけの場合でも、不良と取り扱っていた。
【００３９】
本発明では、前記の様な要因の異なる不具合の内容を当該発明の仕分け方法および装置を用いて区分するすることを可能とし、外観検査の信頼性を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】半導体ウェハの図。
【図２】針痕を伴う電極パッドの図。
【図３】針痕を説明する図。
【図４】その他異物を伴う電極パッドの図。
【図５】針痕とその他異物を説明する図。
【図６】針痕とその他異物を区別する方法のフローチャート。
【図７】電極パッドの原画像。
【図８】電極パッドの２値化画像。
【図９】電極パッドの針痕とその他異物をラベリング処理状況を示す図。
【図１０】電極パッドの針痕とその他異物の周囲を囲む処理を示す図。
【図１１】領域と画素数のヒストグラムと画素数の閾値。
【図１２】電極パッドの針痕とその他異物の穴埋めを示す図。
【図１３】ラベリングした個々のラベルの範囲の原画像からヒストグラムを算出する図。
【図１４】輝度値ごとの画素数を示す全体ヒストグラム。
【図１５】その他異物からなるラベルのヒストグラム。
【図１６】針痕からなるラベルのヒストグラム。
【図１７】ヒストグラムを用いて行う判別処理を示す図。
【符号の説明】
【００４１】
１        被検査物（半導体ウェハ）
２        半導体チップ
３        電極パッド
４        針痕、第２のラベル
５        その他異物、第１のラベル
６        針
７        保護膜
８        画素数の閾値
９１Ｕ    第１のラベルの領域の上位の平均輝度値（その他異物）
９１Ｌ    第１のラベルの領域の下位の平均輝度値（その他異物）
９２Ｕ    第２のラベルの領域の上位の平均輝度値（針痕）
９２Ｌ    第２のラベルの領域の下位の平均輝度値（針痕）
１１      平均輝度差の閾値
１２      領域
Ａ１      ラベルの領域ａの画素数
Ｂ１      ラベルの領域ｂの画素数
Ｃ１      ラベルの領域ｃの画素数
Ａ２      ラベルの領域ａの上位の平均輝度値
Ａ３      ラベルの領域ａの下位の平均輝度値
Ｃ２      ラベルの領域ｃの上位の平均輝度値
Ｃ３      ラベルの領域ｃの下位の平均輝度値
Ａ４      ラベルの領域ａの平均輝度差
Ｃ４      ラベルの領域ｃの平均輝度差
【図１】
0005192885.tif 000003
【図２】
0005192885.tif 000004
【図３】
0005192885.tif 000005
【図４】
0005192885.tif 000006
【図５】
0005192885.tif 000007
【図６】
0005192885.tif 000008
【図７】
0005192885.tif 000009
【図８】
0005192885.tif 000010
【図９】
0005192885.tif 000011
【図１０】
0005192885.tif 000012
【図１１】
0005192885.tif 000013
【図１２】
0005192885.tif 000014
【図１３】
0005192885.tif 000015
【図１４】
0005192885.tif 000016
【図１５】
0005192885.tif 000017
【図１６】
0005192885.tif 000018
【図１７】
0005192885.tif 000019