(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１高周波電力を供給する第１電源部と、
前記第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する、前記第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する第２電源部と、
前記第１高周波電力を第１出力側へ出力し、前記第１出力側のインピーダンスの整合を取る第１整合器と、
前記第２高周波電力を第２出力側へ出力し、前記第２出力側のインピーダンスの整合を取る第２整合器と、
前記第１出力側にある第１給電点と前記第２出力側にある第２給電点とを有する放電電極と、
前記放電電極と離間されて対面配置され、被処理基板を設置可能な電極と、
一方を前記放電電極の前記第１給電点に電気的に接続され、他方を前記第１整合器に電気的に接続され、前記第１整合器から供給される前記第１高周波電力を前記放電電極へ供給する第１高周波給電伝送路と、
一方を前記放電電極の前記第２給電点に電気的に接続され、他方を前記第２整合器に電気的に接続され、前記第２整合器から供給される前記第２高周波電力を前記放電電極へ供給する第２高周波給電伝送路と、
を具備し、
前記第１給電点へ供給する前記第１高周波電力の電圧波形の位相と、前記第２給電点へ供給する前記第２高周波電力の電圧波形の位相が時間的に変化し、
前記第１高周波電力の周波数の位相に対して、前記第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、前記第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる前記位相差の変調の振幅は、前記第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上であり、
前記第１整合器は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、前記第２整合器は、前記プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、
前記第１高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｎλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置され、
前記第２高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｍλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置される真空処理装置。
【請求項２】
電圧波形の位相が時間的に変化する第１高周波電力を供給する第１電源部と、
前記第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する、前記第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する第２電源部と、
前記第１高周波電力を第１出力側へ出力し、前記第１出力側のインピーダンスの整合を取る第１整合器と、
前記第２高周波電力を第２出力側へ出力し、前記第２出力側のインピーダンスの整合を取る第２整合器と、
前記第１出力側にある第１給電点と前記第２出力側にある第２給電点とを有する放電電極と、
前記放電電極と離間されて対面配置され、被処理基板を設置可能な電極と、
一方を前記放電電極の前記第１給電点に電気的に接続され、他方を前記第１整合器に電気的に接続され、前記第１整合器から供給される前記第１高周波電力を前記放電電極へ供給する第１高周波給電伝送路と、
一方を前記放電電極の前記第２給電点に電気的に接続され、他方を前記第２整合器に電気的に接続され、前記第２整合器から供給される前記第２高周波電力を前記放電電極へ供給する第２高周波給電伝送路と、
を具備し、
前記第１給電点へ供給する前記第１高周波電力の電圧波形の位相と、前記第２給電点へ供給する前記第２高周波電力の電圧波形の位相が時間的に変化し、
前記第１高周波電力の周波数の位相に対して、前記第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、前記第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる前記位相差の変調の振幅は、前記第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上であり、
前記第１整合器は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、前記第２整合器は、前記プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、
前記第１高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｎλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置され、
前記第２高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｍλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置される真空処理装置。
【請求項３】
真空処理装置を用いた薄膜の製造方法であって、
前記真空処理装置は、
第１高周波電力を供給する第１電源部と、
前記第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、前記第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する第２電源部と、
前記第１高周波電力を第１出力側へ出力し、前記第１出力側のインピーダンスの整合を取る第１整合器と、
前記第２高周波電力を第２出力側へ出力し、前記第２出力側のインピーダンスの整合を取る第２整合器と、
前記第１出力側にある第１給電点と前記第２出力側にある第２給電点とを有する放電電極と、
前記放電電極と離間されて対面配置され、被処理基板を設置可能な電極と、
一方を前記放電電極の前記第１給電点に電気的に接続され、他方を前記第１整合器に電気的に接続され、前記第１整合器から供給される前記第１高周波電力を前記放電電極へ供給する第１高周波給電伝送路と、
一方を前記放電電極の前記第２給電点に電気的に接続され、他方を前記第２整合器に電気的に接続され、前記第２整合器から供給される前記第２高周波電力を前記放電電極へ供給する第２高周波給電伝送路と、
を備え、
前記薄膜の製造方法は、
（ａ）前記電極に前記被処理基板を保持する工程と、
（ｂ）前記第１高周波電力と前記第２高周波電力とを前記放電電極へ供給してプラズマを発生する工程と
を具備し、
前記第１給電点へ供給する前記第１高周波電力の電圧波形の位相と、前記第２給電点へ供給する前記第２高周波電力の電圧波形の位相が時間的に変化し、
前記第１高周波電力の周波数の位相に対して、前記第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、前記第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる前記位相差の変調の振幅は、前記第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上であり、
前記第１整合器は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、前記第２整合器は、前記プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、
前記第１高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｎλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置され、
前記第２高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｍλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置される薄膜の製造方法。
【請求項４】
電圧波形の位相が時間的に変化する真空処理装置を用いた薄膜の製造方法であって、
前記真空処理装置は、
第１高周波電力を供給する第１電源部と、
前記第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、前記第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する第２電源部と、
前記第１高周波電力を第１出力側へ出力し、前記第１出力側のインピーダンスの整合を取る第１整合器と、
前記第２高周波電力を第２出力側へ出力し、前記第２出力側のインピーダンスの整合を取る第２整合器と、
前記第１出力側にある第１給電点と前記第２出力側にある第２給電点とを有する放電電極と、
前記放電電極と離間されて対面配置され、被処理基板を設置可能な電極と、
一方を前記放電電極の前記第１給電点に電気的に接続され、他方を前記第１整合器に電気的に接続され、前記第１整合器から供給される前記第１高周波電力を前記放電電極へ供給する第１高周波給電伝送路と、
一方を前記放電電極の前記第２給電点に電気的に接続され、他方を前記第２整合器に電気的に接続され、前記第２整合器から供給される前記第２高周波電力を前記放電電極へ供給する第２高周波給電伝送路と、
を備え、
前記薄膜の製造方法は、
（ａ）前記電極に前記被処理基板を保持する工程と、
（ｂ）前記第１高周波電力と前記第２高周波電力とを前記放電電極へ供給してプラズマを発生する工程と
を具備し、
前記第１給電点へ供給する前記第１高周波電力の電圧波形の位相と、前記第２給電点へ供給する前記第２高周波電力の電圧波形の位相が時間的に変化し、
前記第１高周波電力の周波数の位相に対して、前記第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、前記第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる前記位相差の変調の振幅は、前記第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上であり、
前記第１整合器は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、前記第２整合器は、前記プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、
前記第１高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｎλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置され、
前記第２高周波給電伝送路は、前記放電電極中央部から１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）の電気長より大きく、前記放電電極中央部から３／８λ＋ｍλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置される薄膜の製造方法。
【請求項５】
（ｃ）基板に透明導電層を形成する工程と、
（ｄ）前記透明導電層上に請求項３又は４の薄膜の製造方法を用いて光電変換層を形成する工程と、
（ｅ）前記光電変換層上に裏面電極層を形成する工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
（ｆ）請求項５に記載の光電変換装置の製造方法で、基板に光電変換装置を形成する工程と、
（ｇ）前記基板の前記光電変換装置側を覆うように保護材を装着する工程と
を具備する太陽電池パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関し、特にプラズマを用いて処理を行う真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている。そのプラズマＣＶＤ法を用いた真空処理装置は、例えば、大面積（例示：縦１ｍ以上×横１ｍ以上）を有する基板に、膜を形成する場合に使用される。形成される膜としては、アモルファスシリコン太陽電池や微結晶シリコン太陽電池や液晶ディスプレイなどに用いられる非晶質（アモルファス）シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコンが例示される。そのような真空処理装置は、エッチングガスでプラズマを発生させることにより、チャンバや放電電極に付着した膜をクリーニング（セルフクリーニング）することも可能である。
【０００３】
プラズマを用いて処理を行う真空処理装置の技術分野においては、形成する薄膜の高品質化はもとより、薄膜形成の高速化及び薄膜の大面積化のための技術開発が行われている。こうした技術の進展に伴い、装置の電極へ供給される電力は増大している。装置の電極へ供給される電力が増大するにつれて、真空処理装置に電力を供給する高周波送電経路での送電ロス（ＲＩ２）による送電経路の熱的負荷も増大する。特に、電流の定在波のピークが立つ領域では送電ロスが最大となり熱的負荷が最も増大する。このため、高周波送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させる技術が望まれる。
【０００４】
関連する技術として特開平８−２３６４１２号公報（対応米国出願番号０８／３４８、３５２）に固定ＲＦ整合回路を有するプラズマチャンバが開示されている。この高周波ＲＦプラズマシステムは、半導体基板を処理するためのものである。この高周波数ＲＦプラズマシステムは、プラズマチャンバと、結合デバイスと、ＲＦ電力発生器とを備えている。前記ＲＦ電力発生器は、固定ＲＦインピーダンス整合回路と、電力感知カプラと、制御回路とを備える。プラズマチャンバは、半導体基板とプロセスガスを内部に受容するに適している。結合デバイスは、該チャンバの内部のプロセスガスへＲＦエネルギーを結合させる。前記ＲＦ電力発生器は、前記プラズマチャンバに隣接して載置される。この前記ＲＦ電力発生器は、前記ＲＦ電力発生器と、前記固定ＲＦインピーダンス整合回路と、前記電力感知カプラと、前記制御回路とを備える。前記ＲＦ電力発生器は、少なくとも１ＭＨｚの周波数を有するＲＦエネルギーを発生させるＲＦ電力ソースであって、前記ＲＦ電力ソースは前記結合デバイスから、前記周波数における波長の８分の１よりも実質的に小さい距離をもって配置される。前記固定ＲＦインピーダンス整合回路は、前記ＲＦ電力ソースと前記結合デバイスの間に接続され、固定インピーダンスを有する。前記電力感知カプラは、前記ＲＦ電力ソースと前記結合デバイスの間で整合回路と直列に接続され、前記電力感知カプラを介して供給されるＲＦ電力の量を指示する測定出力を有する。前記制御回路は、前記電力感知カプラの前記測定出力に結合され、前記ＲＦ電力回路に接続されて、前記電力感知カプラによって測定される供給電力を所定のレベルに維持するように、前記ＲＦ電力回路により発生するＲＦ電力の量を支配する。
【０００５】
この特開平８−２３６４１２号公報の技術では、「電力ソースは結合デバイス（プラズマチャンバ内の電極等）から、周波数における波長の８分の１よりも実質的に小さい距離をもって配置される」こととしている。これは、例えば、基板サイズが１ｍ角で６０ＭＨｚのＲＦ電力を給電する真空プラズマ処理装置の場合、６０ＭＨｚ時の波長（λ）は、真空中ではλ＝約５ｍであるから、１／８λ＝約０．６ｍとなり、また、特定の条件下での水素プラズマ中ではλ＝約２．８ｍであるから、１／８λ＝約０．３５ｍとなる。すなわち、プラズマ発生中の基板中央部から電極周囲までの距離０．５ｍは、波長の８分の１を越えることになる。従って、基板サイズが１ｍ角以上のような大面積の基板を用いる場合、「波長の８分の１よりも実質的に小さい距離」を実現することはできない。
【０００６】
特開２００５−１１３１７８号公報にプラズマ化学蒸着装置、プラズマ発生方法、プラズマ化学蒸着方法が開示されている。このプラズマ化学蒸着装置は、複数の第１整合器と、放電電極と、複数の第２整合器と、対向電極とを具備する。複数の第１整合器は、第１電力を第１出力側へ出力する。ここで、前記複数の第１整合器の各々は、前記第１出力側のインピーダンスの整合をとる。放電電極は、前記第１出力側にあり、前記複数の第１整合器の各々に対応した複数の第１給電点のうちの一つに前記第１電力を供給される。複数の第２整合器は、第２電力を第２出力側へ出力する。ここで、前記複数の第２整合器の各々は、前記第２出力側のインピーダンスの整合をとる。対向電極は、前記放電電極に対向する。前記放電電極は、更に、前記第２出力側にあり、前記複数の第２整合器の各々に対応した複数の第２給電点のうちの一つに前記第２電力を供給され、前記対向電極との間に、供給されたガスの放電を形成し、前記対向電極上の基板に成膜する。
【０００７】
特開２００１−２５７０９８号公報に放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法が開示されている。この放電電極への給電方法は、給電された高周波電力に基づいて放電状態を発生させるための方法である。この放電電極への給電方法は、前記高周波電力の電圧波形の位相を時間的に変化させることにより、前記放電電極内に生じる電圧分布を変化させることを特徴とする。
【０００８】
これら特開２００５−１１３１７８号公報や特開２００１−２５７０９８号公報の技術は、高周波電力の電圧波形の位相を時間的に変化させて均一な放電処理を行う。それにより、製膜された膜における膜厚分布を均一にすることができる。ただし、プラズマ処理実施中に整合器内部回路を固定していない為、チャンバ内部のプラズマインピーダンスが変化した場合に、プラズマチャンバ内の反射電力を最小にするために，整合器内部回路を調整する。しかしながら，整合回路の内部回路をプラズマ発生中に変更すると定在波の電圧波形の腹の中央部が処理基板中央部から移動する場合がある。電圧波形の位相を時間的に変化させて均一な放電処理を行う領域は電圧波形の腹の中央部の周囲となるので、定在波の電圧波形の腹の中央部が処理基板中央部から移動する場合は処理基板の中央から放電処理が均一な領域が移動するので処理基板全体の均一な放電処理ができなくなる。
【０００９】
特開２００６−２０６９３５号公報に電極接続用コネクタを備えた真空プラズマ処理装置が開示されている。この真空プラズマ処理装置は、筐体と、前記筐体内に格納された放電用の電極と、前記電極に対向して設置される基板と、前記電極に対して前記基板と反対側に対向して設置される防着板と、前記筐体外部に設置される高周波電源から前記筐体内に電力を供給する給電ケーブルと前記電極とを電気的に接続する電極接続用コネクタとを具備する。前記給電ケーブルと前記電極接続用コネクタとの接点を、前記防着板に対して前記電極と反対側に設置する。ここで、前記電極接続用コネクタは、前記電極に接続される真空ＲＦケーブル部と、前記真空ＲＦケーブル部に直列に接続されて前記給電ケーブルに接続されるコネクタ部とを備える。前記電極接続用コネクタに沿った前記コネクタ部の設置位置と前記電極の中央部との距離は、前記高周波電源から出力される前記電力としてのＲＦの、前記コネクタ部から前記電極への接続部までと、前記接続部から前記電極中央部までのそれぞれの電気長の和で１／４（定在波の電流の腹）を超え、１／２（定在波電圧の腹）未満に対応する距離である。この特開２００６−２０６９３５号公報の技術は、発熱する箇所をコネクタ部から整合器側へ移動させている。それにより、コネクタ部を発熱から保護することができる。しかしならが、整合器部の接続部で発熱する可能性を排除しておらず、装置全体の信頼性を十分向上するものとなっていない。
【００１０】
【特許文献１】特開平８−２３６４１２号公報
【特許文献２】特開２００６−２０６９３５号公報
【特許文献３】特開２００５−１１３１７８号公報
【特許文献４】特開２００１−２５７０９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、高周波送電経路での送電ロスを低減でき、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置、薄膜の製造方法、及び光電変換装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、高周波送電経路での送電ロスを低減しながら、より均一な膜厚分布を有する膜を製膜することが可能な真空処理装置、薄膜の製造方法、及び光電変換装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１４】
本発明の真空処理装置は、第１電源部（２０、１９、１７ａ）と、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）と、第１整合器（１３ａ）と、第２整合器（１３ｂ）と、放電電極（３）と、電極（２）とを具備する。第１電源部（２０、１９、１７ａ）は、第１高周波電力を供給する。第２電源部（２０、１９、１７ｂ）は、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第１整合器（１３ａ）は、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第１出力側のインピーダンスの整合を取る。第２整合器（１３ｂ）は、第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を第２出力側へ出力し、第２出力側のインピーダンスの整合を取る。放電電極（３）は、第１出力側にある第１給電点（４３）と第２出力側にある第２給電点（４４）とを有する。電極（２）は、放電電極（３）と離間されて対面配置され、被処理基板（８）を設置可能である。第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる当該位相差の変調の振幅は、第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上である。
本発明では、一方の高周波電力の周波数の位相に対して、他方の高周波電力の周波数に位相差を持たせて、一方の高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調（以下位相変調という）を行って定在波の電流振幅が最大となる位置を揺動させることにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域を揺動させることで、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。特に、第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる当該位相差の変調の振幅（＝Δとする）を、第１及び第２高周波電力の波長λの１／４（１／４波長、９０°）以上とすることで、揺動の振幅（＝Δ０とする）を１／８波長以上（揺動の範囲は１／４波長以上となる）とすると、揺動の範囲内に送電ロスの最大部と最小部が含まれることとなり、局所的な発熱を十分に緩和することができる。ここで、Δ＝２×Δ0となる。
【００１５】
上記の真空処理装置において、第１整合器（１３ａ）は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、第２整合器（１３ｂ）は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定されていても良い。
本発明では、更に、被処理基板（８）をプラズマ処理する場合、多少反射波が増大しても第１整合器（１３ａ９）及び第２整合器（１３ｂ）の内部回路を固定とすることで、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時の放電電極上の高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極（３）の中央部からずれず、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時のプラズマ分布の中心が放電電極（３）中央部からずれないので、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来る。プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【００１６】
上記の真空処理装置において、放電電極（３）中央部から、第１給電点（４３）と第１整合器（１３ａ）との間の領域の一部まで、の高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｎλ／２未満でも良い。
放電電極（３）中央部から、第２給電点（４４）と第２整合器（１３ｂ）との間の領域の一部まで、の高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｍλ／２未満ででも良い。
本発明では、更に、熱的負荷に対して脆弱である箇所（放電電極（３）から整合器（１３）の放電電極（３）側接続部までの間の高周波給電伝送路）が、放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に存在しても、位相変調を採用しているので、定在波電流が最も高い領域が揺動して高周波給電伝送路の熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能となる。すなわち、高周波給電伝送路の接続コネクタ部等の熱的負荷に対して脆弱である箇所を放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に設けても局所的な熱的負荷が低減可能であるため、送電経路等の設計の自由度を高めることが出来、より信頼性の高い真空処理装置を提供することが出来る。
【００１７】
本発明の真空処理装置は、第１電源部（２０、１９、１７ａ）と、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）と、第１整合器（１３ａ）と、第２整合器（１３ｂ）と、放電電極（３）と、電極（２）とを具備する。第１電源部（２０、１９、１７ａ）は、第１高周波電力を供給する。第２電源部（２０、１９、１７ｂ）は、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する。第１整合器（１３ａ）は、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第１出力側のインピーダンスの整合を取る。第２整合器（１３ｂ）は、第２高周波電力を第２出力側へ出力し、第２出力側のインピーダンスの整合を取る。放電電極（３）は、第１出力側にある第１給電点（４３）と第２出力側にある第２給電点（４４）とを有する。電極（２）は、放電電極（３）と離間されて対面配置され、被処理基板（８）を設置可能である。第１整合器（１３ａ）は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定され、かつ、第２整合器（１３ｂ）は、プラズマ発生中にインピーダンスが固定される。
本発明では、位相変調を行って定在波の電流振幅が最大となる位置を揺動させることにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域を揺動させることで、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。加えて、被処理基板（８）をプラズマ処理する場合、多少反射波が増大しても第１整合器（１３ａ）及び第２整合器（１３ｂ）の内部回路を固定とすることで、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時の放電電極上の高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極（３）の中央部からずれず、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時のプラズマ分布の中心が放電電極（３）中央部からずれないので、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来る。また、プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【００１８】
上記の真空処理装置において、放電電極（３）中央部から、第１給電点（４３）と第１整合器（１３ａ）との間の領域の一部まで、の第１高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｎλ／２未満でも良い。
放電電極（３）中央部から、第２給電点（４４）と第２整合器（１３ｂ）との間の領域の一部まで、の第２高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｍλ／２未満でも良い。
本発明では、更に、熱的負荷に対して脆弱である箇所（放電電極（３）から整合器（１３）の放電電極（３）側接続部までの間の高周波給電伝送路）が、放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に存在しても、位相変調を採用しているので、定在波電流が最も高い領域が揺動して高周波給電伝送路の熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能となる。すなわち、高周波給電伝送路の接続コネクタ部等の熱的負荷に対して脆弱である箇所を放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に設けても局所的な熱的負荷が低減可能であるため、送電経路等の設計の自由度を高めることが出来、より信頼性の高い真空処理装置を提供することが出来る。
【００１９】
本発明の真空処理装置は、第１電源部（２０、１９、１７ａ）と、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）と、第１整合器（１３ａ）と、第２整合器（１３ｂ）と、放電電極（３）と、電極（２）とを具備する。第１電源部（２０、１９、１７ａ）は、第１高周波電力を供給する。第２電源部（２０、１９、１７ｂ）は、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第１整合器（１３ａ）は、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第１出力側のインピーダンスの整合を取る。第２整合器（１３ｂ）は、第２高周波電力を第２出力側へ出力し、第２出力側のインピーダンスの整合を取る。放電電極（３）は、第１出力側にある第１給電点（４３）と第２出力側にある第２給電点（４４）とを有する。電極（２）は、放電電極（３）と離間されて対面配置され、被処理基板（８）を設置可能である。放電電極（３）中央部から、第１給電点（４３）と第１整合器（１３ａ）との間の領域の一部まで、の第１高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｎλ／２未満でも良い。
放電電極（３）中央部から、第２給電点（４４）と第２整合器（１３ｂ）との間の領域の一部まで、の第２高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｍλ／２より大きく、かつ、３／８λ＋ｍλ／２未満でも良い。
本発明では、位相変調を行って定在波の電流振幅が最大となる位置を揺動させることにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域を揺動させることで、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。加えて、熱的負荷に対して脆弱である箇所（放電電極（３）から整合器（１３）の放電電極（３）側接続部までの間の高周波給電伝送路）が、放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に存在しても、位相変調を採用しているので、定在波電流が最も高い領域が揺動して高周波給電伝送路の熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能となる。すなわち、高周波給電伝送路の接続コネクタ部等の熱的負荷に対して脆弱である箇所を放電電極（３）中央部から１／８λ＋ｎλ／２〜３／８λ＋ｎλ／２の範囲の定在波電流が最も高い領域に設けても局所的な熱的負荷が低減可能であるため、送電経路等の設計の自由度を高めることが出来、より信頼性の高い真空処理装置を提供することが出来る。
【００２０】
本発明は、真空処理装置を用いた薄膜の製造方法である。ここで、真空処理装置は、第１電源部（２０、１９、１７ａ）と、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）と、第１整合器（１３ａ）と、第２整合器（１３ｂ）と、放電電極（３）と、電極（２）とを具備する。第１電源部（２０、１９、１７ａ）は、第１高周波電力を供給する。第２電源部（２０、１９、１７ｂ）は、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第１整合器（１３ａ）は、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第１出力側のインピーダンスの整合を取る。第２整合器（１３ｂ）は、第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を第２出力側へ出力し、第２出力側のインピーダンスの整合を取る。放電電極（３）は、第１出力側にある第１給電点（４３）と第２出力側にある第２給電点（４４）とを有する。電極（２）は、放電電極（３）と離間されて対面配置され、被処理基板（８）を設置可能である。
薄膜の製造方法は、（ａ）電極（２）に被処理基板（８）を保持する工程と、（ｂ）第１高周波電力と第２高周波電力とを放電電極（３）へ供給してプラズマを発生する工程とを具備する。第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる当該位相差の変調の振幅は、第1及び第２高周波電力の波長λの１／４以上とすることで揺動の振幅を１／８波長以上（揺動の範囲は１／４波長以上となる）とすると、揺動の範囲内に、プラズマ分布が強い領域に相当しやすい定在波の電圧の振幅が最大となる位置とプラズマ分布が弱い領域に相当しやすい定在波の電圧の振幅が最小となる位置とが含まれることとなり、プラズマ分布が均一化することができる。
【００２１】
上記の薄膜の製造方法において、（ｂ）工程において、第１整合器（１３ａ）はインピーダンスが固定され、かつ、第２整合器（１３ｂ）はインピーダンスが固定されても良い。
本発明では、加えて、被処理基板（８）をプラズマ処理する場合、多少反射波が増大しても第１整合器（１３ａ）及び第２整合器（１３ｂ）の内部回路を固定とすることで、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時の放電電極上の高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極（３）の中央部からずれず、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）が、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に相対的に変化する第２高周波電力を供給する時のプラズマ分布の中心が放電電極（３）中央部からずれないので、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来る。また、プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【００２２】
本発明は、真空処理装置を用いた薄膜の製造方法である。ここで、真空処理装置は、第１電源部（２０、１９、１７ａ）と、第２電源部（２０、１９、１７ｂ）と、第１整合器（１３ａ）と、第２整合器（１３ｂ）と、放電電極（３）と、電極（２）とを具備する。第１電源部（２０、１９、１７ａ）は、第１高周波電力を供給する。第２電源部（２０、１９、１７ｂ）は、第１高周波電力の電圧波形の位相に対して、電圧波形の位相が時間的に変化する、第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を供給する。第１整合器（１３ａ）は、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第１出力側のインピーダンスの整合を取る。第２整合器（１３ｂ）は、第１高周波電力と同じ周波数である第２高周波電力を第２出力側へ出力し、第２出力側のインピーダンスの整合を取る。放電電極（３）は、第１出力側にある第１給電点（４３）と第２出力側にある第２給電点（４４）とを有する。電極（２）は、放電電極（３）と離間されて対面配置され、被処理基板（８）を保持可能である。
薄膜の製造方法は、（ａ）電極（２）に被処理基板（８）を保持する工程と、（ｂ）第１高周波電力と第２高周波電力とを放電電極（３）へ供給してプラズマを発生する工程とを具備する。（ｂ）工程において、第１整合器（１３ａ）はインピーダンスが固定され、かつ、第２整合器（１３ｂ）はインピーダンスが固定される。
【００２３】
本発明の光電変換装置の製造方法は、（ｃ）基板（５１）に透明導電層（５２）を形成する工程と、（ｄ）透明導電層（５２）上に、上記各段落のいずれかに記載の薄膜の製造方法を用いて光電変換層（５３）を形成する工程と、（ｅ）光電変換層（５３）上に裏面電極層（５４）を形成する工程とを具備する。
本発明では、高周波給電伝送路の熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能である真空処理装置を用いた薄膜の製造方法を用いた光電変換装置の製造方法を提供できるので、安定して光電変換装置の製造が可能となり製造コストの低減ができる。
また、本発明では、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来、プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる薄膜の製造方法を用いた光電変換装置の製造方法を提供できるので、性能が安定した光電変換装置の製造が可能となり、製造コストの低減及び光電変換装置の信頼性向上ができる。
【００２４】
本発明の太陽電池パネルの製造方法は、（ｆ）上記各段落に記載の光電変換装置の製造方法で、基板（５１）に光電変換装置（９０）を形成する工程と、（ｇ）基板（５１）の光電変換装置（９０）側を覆うように保護材を装着する工程とを具備する。
本発明では、高周波給電伝送路の熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能である真空処理装置を用いた薄膜の製造方法を用いた太陽電池パネルの製造方法を提供できるので、安定して太陽電池パネルの製造が可能となり、製造コストの低減ができる。
また、本発明では、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来、プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる薄膜の製造方法を用いた太陽電池パネルの製造方法を提供できるので、性能が安定した太陽電池パネルの製造が可能となり、製造コストの低減及び太陽電池パネルの信頼性向上ができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、高周波送電経路の送電ロスによる熱的負荷が平滑化して局所的な熱的負荷が低減可能である真空処理装置を用いた薄膜の製造ができる。また、高周波送電経路での送電ロスを低減しながら、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来、より均一な膜厚分布を有する薄膜の製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の真空処理装置、薄膜の製造方法、及び光電変換装置の製造方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。ここでは、本発明の真空処理装置として、製膜条件として高圧狭ギャップ条件により、高速製膜を行うことが可能な薄膜製造装置について説明する。
【００２７】
図１は、本発明の真空処理装置としての薄膜製造装置の実施の形態の構成を示す概略図である。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。薄膜製造装置１の側面から見た図である。薄膜製造装置１は、製膜室６、対向電極２、均熱板５、均熱板保持機構１１、放電電極３、防着板４、支持部７、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂ、整合器１３ａ、１３ｂ、高真空排気部３１、低真空排気部３５、及び架台３７を具備する。なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。
【００２８】
製膜室６は真空容器であり、その内部で基板８に微結晶シリコンｉ層などが製膜される。製膜室６は、架台３７上でｚ方向（鉛直方向）に対してθ＝７°〜１２°傾けて保持されている。このため、対向電極２の基板８の製膜処理面が、ｚ方向（鉛直方向）に対して７°〜１２°上に向いた状態で傾く。基板８を鉛直方向から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板８の自重を利用して少ない手間で基板８を保持し、更に基板８と対向電極２の密着性を向上して基板８の温度分布と電位分布を均一化することが出来て好ましい。
【００２９】
対向電極２は、基板８を保持可能な保持手段（図示されず）を有する非磁性材料の導電性の板である。大面積基板（例示：縦１ｍ以上×横１ｍ以上）を保持（設置）可能である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性からニッケル合金やアルミやアルミ合金やニッケル又はアルミの被膜で覆われた素材の使用が望ましい。対向電極２は、放電電極３に対向する電極（例示：接地側）となる。対向電極２は、一方の面を均熱板５の表面に密接し、製膜時に他方の面を基板８の表面と密接する。
【００３０】
均熱板５は、内部に温度制御された熱媒体を循環させ、または温度制御されたヒーターを組み込むことで、自身の温度を制御して、全体が概ね均一な温度を有し、接触している対向電極２の温度を均一化する機能を有する。熱媒体は、非導電性媒体であり、水素やヘリウムなどの高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が使用でき、中でも１５０℃〜２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば商品名：ガルデン、Ｆ０５など）の使用が好適である。
【００３１】
均熱板保持機構１１は、均熱板５及び対向電極２を製膜室６の側面（図１の右側）に対して略平行となるように保持する。製膜時は、均熱板５、対向電極２及び基板８を、放電電極３へ近づける。それにより、基板８と放電電極３との距離ｄは、例えば、３ｍｍ〜１０ｍｍとすることができる。
【００３２】
放電電極３は、各ブロック状の電極を略平行に組み合わせて構成され、更に複数の電極単位に分割構成しても良い。放電電極３を分割構成する場合は、好ましくは給電点の数に合わせて分割形成する。高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂを接続する給電点４３、４４とから、それぞれ高周波電力を供給され、放電電極３と対向電極２との間に原料ガスのプラズマを発生させ基板８に膜を製膜する。
【００３３】
防着板４は接地され、プラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限する。本実施の形態の場合、製膜室６の内側における防着板４の後ろ側（基板８と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。
【００３４】
支持部７は、製膜室６の側面（図１における左側の側面）から内側へ垂直に延びている部材である。支持部７は防着板４と結合され、防着板４が放電電極３を覆うように防着板４を保持している。それと共に、支持部７は放電電極３と絶縁的に結合され、放電電極３を製膜室６の側面（図１における左側の側面）に対して略平行に保持している。
【００３５】
整合器１３ａ、１３ｂは、出力側のインピーダンスを整合し、図示されない高周波電源から高周波給電伝送路１４ａ、１４ｂを介して供給される高周波電力を、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂを介して放電電極３へ送電する。
【００３６】
低真空排気部３５は、初めに製膜室６内の気体を排気して、製膜室６内を低真空（例えば１００Ｐａ以下）とする粗引き排気用の真空ポンプである。弁３４は、低真空排気部３５と製膜室６との経路を開閉する。高真空排気部３１は、粗引き排気された製膜室６内の気体をさらに排気して、製膜室６内を高真空（例えば１０−２Ｐａ以下）とする高真空排気用の真空ポンプである。弁３２は、高真空排気部３１と製膜室６との経路を開閉する弁である。架台３７は、上面に配置された保持部３６を介して製膜室６を保持するものである。架台３７の内部には低真空排気部３５が配置される領域が形成されている。
【００３７】
放電電極３の温度調節を行う場合、熱媒体は熱媒体供給装置（図示されず）から送出され、高周波給電伝送路１２を介して、放電電極３の給電点４４側に供給され、放電電極３内部を通り、給電点４３側から熱媒体供給装置（図示されず）へ送出される。高周波給電伝送路１２は、例えば、その円管の中心部分に設けた細管を用いて熱媒体を通し、その円管の周辺部を用いて電力を給電することが可能である。熱媒体の温度を熱媒体供給装置で制御することで、放電電極３の温度を所望の温度に制御して製膜室６内のヒートバランスを適切に保つことで、基板８の表裏温度差にともなうソリ変形を抑制することができる。
【００３８】
図２は、図１の薄膜製造装置の構成の一部を示す部分斜視図である。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。本実施の形態においては、一例として、１つの製膜室６について８個の放電電極３を備えた薄膜製造装置１について説明する。ただし、放電電極３の数は８個よりも多くてもよいし、少なくてもよく、特に限定されるものではない。
【００３９】
製膜室６には、放電電極３として８個の放電電極３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ（以下、放電電極３ａ〜３ｈとも表記する。区別する必要がない場合には、単に放電電極３とも記す）が備えられている。放電電極３ａ〜３ｈは、各ブロック状の電極を略平行に組み合わせて構成されている。放電電極３ａ〜３ｈは、それぞれ平板であっても良い。また、放電電極３ａ〜３ｈは、一体の平板であっても良い。
【００４０】
放電電極３ａ〜３ｈの各々に対応して、整合器１３ａとして、整合器１３ａａ、１３ｂａ、１３ｃａ、１３ｄａ、１３ｅａ、１３ｆａ、１３ｇａ、１３ｈａ（以下、整合器１３ａａ〜１３ｈａとも表記する。区別する必要がない場合には、単に整合器１３ａとも記す。一部図示せず。）が設けられている。同様に、放電電極３ａ〜３ｈの各々に対応して、整合器１３ｂとして、整合器１３ａｂ、１３ｂｂ、１３ｃｂ、１３ｄｂ、１３ｅｂ、１３ｆｂ、１３ｇｂ、１３ｈｂ（以下、整合器１３ａｂ〜１３ｈｂとも表記する。区別する必要がない場合には、単に整合器１３ｂとも記す。一部図示せず。）が設けられている。
【００４１】
放電電極３ａの給電点（端部）４３側には、高周波給電伝送路１２ａ、整合器１３ａａ、高周波給電伝送路１４ａ、熱媒体供給管１５ａ、及び原料ガス配管１６ａが設けられている。また、給電点（端部）４４側には、高周波給電伝送路１２ｂ、整合器１３ａｂ、高周波給電伝送路１４ｂ、熱媒体供給管１５ｂ、及び原料ガス配管１６ｂが設けられている。
【００４２】
同様に、放電電極３ｂ〜３ｈの各々に対して、給電点４３側には、高周波給電伝送路１２ａ、整合器１３ｂａ〜１３ｈａの内の対応するもの、高周波給電伝送路１４ａ、熱媒体供給管１５ａ、及び原料ガス配管１６ａがそれぞれ設けられている。また、給電点４４側には、高周波給電伝送路１２ｂ、整合器１３ｂｂ〜１３ｈｂの内の対応するもの、高周波給電伝送路１４ｂ、熱媒体供給管１５ｂ、及び原料ガス配管１６ｂがそれぞれ設けられている。なお、図２においては、図を見易くために整合器１３ａａ、１３ａｂ、１３ｈａのみを表示し、他の整合器の表示を省略している。
【００４３】
放電電極３ａ〜３ｈの給電点４３の近傍には、原料ガス配管１６ａが接続されている。同様に、放電電極３ａ〜３ｈの給電点４４の近傍には、原料ガス配管１６ｂが接続されている。原料ガス配管１６ａ、１６ｂからは、放電電極３ａ〜３ｈに原料ガスが供給され、放電電極３ａ〜３ｈは、この原料ガスを対向電極２側（図２中の右側）へ略均一に放出している。
【００４４】
ただし、放電電極３ａ〜３ｈへの電力供給は、放電電極３と整合器１３ａ、１３ｂ及び高周波給電伝送路１４ａ、１４ｂそれぞれ一つを一組として、８組を超えるまたは８組未満の組みで行うことも可能である。また各々の整合器に対して個別の高周波電源から電力を供給しても良い。本発明の技術的思想を達成することが可能であるならば、放電電極３と整合器１３ａ、１３ｂ及び高周波給電伝送路１４ａ、１４ｂの組合せは、前記の場合の組み合わせに限定するものではない。
【００４５】
図３は、図１の複数の放電電極に対する電力供給に関わる構成を示す概略図である。
薄膜製造装置１には、更に、放電電極３ａ〜３ｈの各々に対して、高周波発振器２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ（以下、高周波発振器２０ａ〜２０ｈとも表記する。区別する必要がない場合には、単に高周波発振器２０とも記す）と、分配器１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ、１９ｅ、１９ｆ、１９ｇ、１９ｈ（以下、分配器１９ａ〜１９ｈとも表記する。区別する必要がない場合には、単に分配器１９とも記す）とが設けられている。更に、給電点４３側には、増幅器１７ａａ、１７ｂａ、１７ｃａ、１７ｄａ、１７ｅａ、１７ｆａ、１７ｇａ、１７ｈａ（以下、増幅器１７ａａ〜１７ｈａとも表記する。区別する必要がない場合には、単に、増幅器１７ａとも記す）が設けられている。更に、給電点４４側には、位相変調器１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｆ、１８ｇ、１８ｈ（以下、位相変調器１８ａ〜１８ｈとも表記する。区別する必要がない場合には、単に、位相変調器１８とも記す）と、増幅器１７ａｂ、１７ｂｂ、１７ｃｂ、１７ｄｂ、１７ｅｂ、１７ｆｂ、１７ｇｂ、１７ｈｂ（以下、増幅器１７ａｂ〜１７ｈｂとも表記する。区別する必要がない場合には、単に、増幅器１７ｂとも記す）とが設けられている。ここで、前段まで記載されていた高周波電源とは、高周波発振器と増幅器との組み合わせによるものであり、更に位相変調器を含んでいてもよい。
【００４６】
高周波発振器２０ａ〜２０ｈは、放電電極３ａ〜３ｈに対応して設けられている。高周波発信器２０ａ〜２０ｈは、増幅器１７ａａ〜１７ｈａや、増幅器１７ａｂ〜１７ｈｂ及び位相変調器１８ａ〜１８ｈのような各機器を介して、放電電極３ａ〜３ｈの給電点４３、４４へ高周波電力を供給する。その高周波電力は、高周波（ＶＨＦ：Ｖｅｒｙ  Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を有し、１０〜８００ＭＨｚが好ましく、より好ましくは３０〜３００ＭＨｚであり、更に好ましくは６０ＭＨｚである。このような高周波にすると、プラズマの電子温度が下がり、膜質が向上する。加えて、プラズマの密度が増加するので、製膜速度を向上させることができる。高周波発振器２０ａ〜２０ｈは、互いに同調して同じ位相の高周波電力を出力する。
【００４７】
高周波発振器２０ａ〜２０ｈの出力回路は、それぞれ分配器１９ａ〜１９ｈで二つに分岐されている。例えば、高周波発振器２０ａの出力回路は分配器１９ａで二つに分岐され、一方の分岐回路は、増幅器１７ａａ、高周波給電伝送路１４ａ、整合器１３ａａ及び高周波給電伝送路１２ａを備え、放電電極３ａの給電点４３に接続されている。他方の分岐回路は、位相変調器１８ａ、増幅器１７ａｂ、高周波給電伝送路１４ｂ、整合器１３ａｂ及び高周波給電伝送路１２ｂを備え、放電電極３ａの給電点４４に接続されている。
【００４８】
同様に、高周波発振器２０ｂ〜２０ｈの出力回路は、それぞれ分配器１９ｂ〜１９ｈで二つに分岐されている。一方の分岐回路は、増幅器１７ｂａ〜１７ｈａの内の対応するもの、高周波給電伝送路１４ａ、整合器１３ｂａ〜１３ｈａの内の対応するもの、及び高周波給電伝送路１２ａを備え、放電電極３ｂ〜３ｈの内の対応するものの給電点４３に接続されている。他方の分岐回路は、位相変調器１８ｂ〜１８ｈの内の対応するもの、増幅器１７ｂｂ〜１７ｈｂの内の対応するもの、高周波給電伝送路１４ｂ、整合器１３ｂｂ〜１３ｈｂの内の対応するもの、及び高周波給電伝送路１２ｂを備え、放電電極３ｂ〜３ｈの内の対応するものの給電点４４に接続されている。
【００４９】
分配器１９ａ〜１９ｈは、それぞれ高周波発振器２０ａ〜２０ｈからの高周波電力を、上記二つの分岐回路の各々へ分配して出力する。分配された高周波電力は、それぞれ互いに位相及び電力の大きさが概ね等しい。
【００５０】
増幅器１７ａａ〜１７ｈａは、制御部３０から送られる制御信号に基づいて、それぞれ分配器１９ａ〜１９ｈで分配された一方の高周波電力を、位相を変更せずに、所定の倍率又は所定の出力となるように増幅する。そして、増幅器１７ａａ〜１７ｈａは、増幅された高周波電力を、それぞれ整合器１３ａａ〜１３ｈａへ出力する。
【００５１】
位相変調器１８ａ〜１８ｈは、制御部３０から送られる制御信号Ｓ１ａ〜Ｓ１ｈの内の対応するものに基づいて、それぞれ分配器１９ａ〜１９ｈで分配された一方の高周波電力の周波数の位相に対して、他方の高周波電力の周波数に位相差を持たせて、一方の高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調を行う。位相変調としては、例えば、供給された高周波電力の周波数の位相に対して、波長λの１／ｎ（ｎは２以上の自然数）分の振れ幅、及び所定の周期で位相差を揺動させる。増幅器１７ａｂ〜１７ｈｂは、制御部３０から送られる制御信号に基づいて、それぞれ位相変調器１８ａ〜１８ｈから供給される位相変調後の高周波電力を、位相を変更せずに、所定の倍率又は所定の出力となるように増幅する。そして、増幅器１７ａｂ〜１７ｈｂは、増幅された高周波電力を、それぞれ整合器１３ａｂ〜１３ｈｂへ出力する。
【００５２】
給電点４３に供給される高周波電力の位相に対して、給電点４４に供給される高周波電力の位相は、位相変調器１８ａ〜１８ｈにより、相対的に位相変調されている。それにより、放電電極３ａ〜３ｈ上に発生する高周波の定在波を揺動させて、プラズマを均一化させることができる。その結果、形成される膜の膜厚及び膜質をより均一にすることができる。その際、特開２００１−２５７０９８号公報や、特開２００２−３２２５６３号公報や、特開２００４−１２８１５９号公報の技術を用いることが出来る。
【００５３】
制御部３０は、制御信号により、供給された高周波電力を所定倍率又は所定の出力に増幅するように増幅器１７ａａ〜１７ｈａ、１７ａｂ〜１７ｈｂを制御する。また、制御信号Ｓ１ａ〜Ｓ１ｈにより、分配された一方の高周波電力に対して、他方の高周波電力の位相変調を行うように位相変調器１８ａ〜１８ｈを制御する。
【００５４】
制御部３０は、増幅器１７ａａ〜１７ｈａ、１７ａｂ〜１７ｈｂについては、互いに同じ倍率又は同じ出力となり、同調するように制御する。同様に、位相変調器１８ａ〜１８ｈについては、互いに同じ位相変調を行い、同調するように制御する。
一方、整合器１３ａａ〜１３ｈａは、反射波ができるだけ少なくなるように、互いに独立した状態で制御される。同様に、整合器１３ａｂ〜１３ｈｂは、反射波ができるだけ少なくなるように、互いに独立した状態で制御される。ただし、整合器１３ａａと１３ａｂは、反射波ができるだけ少なくなるように協調して制御される。同様に、整合器１３ｂａと１３ｂｂ、整合器１３ｃａと１３ｃｂ、整合器１３ｄａと１３ｄｂ、整合器１３ｅａと１３ｅｂ、整合器１３ｆａと１３ｆｂ、整合器１３ｇａと１３ｇｂ、整合器１３ｈａと１３ｈｂのそれぞれは、反射波ができるだけ少なくなるように互いに協調して制御される。
【００５５】
ここで、高周波発振器２０ａ（〜２０ｈ）、分配器１９ａ（〜１９ｈ）及び増幅器１７ａａ（〜１７ｈａ）は、放電電極３ａ（〜３ｈ）の一方の給電点４３へ高周波電力を供給する第１電源部と考えることができる。同様に、高周波発振器２０ａ（〜２０ｈ）、分配器１９ａ（〜１９ｈ）、位相変調器１８ａ（〜１８ｈ）及び増幅器１７ａｂ（〜１７ｈｂ）は、放電電極３ａ（〜３ｈ）の他方の給電点４４へ高周波電力を供給する第２電源部と考えることができる。
【００５６】
図４は、図３の放電電極に対する高周波電力の供給を説明する詳細図である。
高周波給電伝送路１２ａと高周波給電伝送路１２ｂとは、ループ回路２１により電気的に接続されている。ループ回路２１を構成するものとしては、例えば同軸ケーブルなどを上げることができるが、これに限定されるものではない。ループ回路２１は、高周波発振器２０ａ〜２０ｈから出力される高周波の波長の整数倍の長さを有する。ただし、ループ回路２１と高周波給電伝送路１２ａ及び高周波給電伝送路１２ｂとの間に、それぞれインダクタンス成分や、インダクタンス成分と直列／並列にキャパシタンス成分を含んでいても良い。
【００５７】
放電電極３ａ〜３ｈの給電点４３及び４４で反射される高周波電力のみを引き込むように、ループ回路２１に備えられるインダクタンス成分やキャパシタンス成分の容量を設定する。これにより構成される閉ループ経路（ループ回路２１−高周波給電伝送路１２ａ−放電電極３ａ〜３ｈ−高周波給電伝送路１２ｂ−ループ回路２１）により、放電電極３ａ〜３ｈで反射された高周波電力のみを、高周波発振器２０ａ〜２０ｈへ戻さずにループ回路２１に導入させることが出来る。そして、反射電力同士を、ループ回路２１において相殺させて反射電力を最小化することが出来る。
【００５８】
ショートバー２２Ｔおよびアースバー２２Ｌは、放電電極３ａ〜３ｈの裏側に接続され、放電電極３ａ〜３ｈの放電を調整し、より均一化するように設けられている。アースバー２２Ｌは、放電電極３の裏側の面に略平行に設けられた、略棒状の導電体である。防着板４に両端を電気的に接続され、防着板４を介して接地されている。ショートバー２２Ｔは、放電電極３とアースバー２２Ｌとの間に電気的に、かつ互いに並列に接続されている。ショートバー２２Ｔおよびアースバー２２Ｌは、放電に磁気的な影響を与えず、クリーニングガスに対して耐食性を有する必要があることから、非磁性の耐食性金属であることが好ましい。例えば、ハステロイやインコネル製の棒である。
【００５９】
ショートバー２２Ｔを放電電極３ａ〜３ｈの裏側の適切な位置に、適切な数、長さ及び材質で接続、配置することにより、放電電極３ａ〜３ｈの放電状態を調整し、プラズマ領域をより均一化できる。また、放電電極３ａ〜３ｈに高周波電力が印加されているとき、放電電極３ａ〜３ｈにおける高周波電力の定在波の分布を制御することができる。
【００６０】
図５は、図３の整合器の構成を説明する模式図である。
整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂの各々は、出力側のインピーダンスを整合可能とするものである。整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂには、図５に示すように、高周波電力の周波数を調整する第１コンデンサ（位相調整部）２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調整する第２コンデンサ（振幅調整部）２５Ｍと、が設けられている。第１コンデンサ２３Ｔおよび第２コンデンサ２５Ｍは、ともに可変容量コンデンサであり、第１コンデンサ２３Ｔの容量Ｃｔおよび第２コンデンサ２５Ｍの容量Ｃｍを調節することにより、整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂのインピーダンスの値が調節される。
【００６１】
第１コンデンサ２３Ｔおよびコイル２４は、高周波給電伝送路１４ａおよび高周波給電伝送路１２ａの間、または、高周波給電伝送路１４ｂおよび高周波給電伝送路１２ｂの間に直列に配置されている。また、第２コンデンサ２５Ｍの一方の端部は、高周波給電伝送路１４ａまたは高周波給電伝送路１４ｂと電気的に接続され、他方の端部は整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂの筐体を介して接地されている。
【００６２】
整合器１３ａａ〜１３ｈａは、各給電点４３での電力の位相が実質的に等しくなるように、各素子（第１コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調整する第２コンデンサ２５Ｍ）の回路定数が予め概ね同じに揃えられる。同様に、整合器１３ａｂ〜１３ｈｂは、各給電点４４での電力の位相が実質的に等しくなるように、各素子の回路定数が予め概ね同じに揃えられる。その上で、各整合器の各素子の回路定数は、制御部３０により、薄膜製造装置１の動作中に必要に応じて個別に制御される。
【００６３】
整合器１３ａｂ〜１３ｈｂには、図２に示すように、熱媒体供給装置（図示せず）から熱媒体供給管１５ｂを介して熱媒体が供給される。供給された熱媒体は高周波給電伝送路１２ｂを介して放電電極３ａ〜３ｈへ供給される。そして、熱媒体は放電電極３ａ〜３ｈから高周波給電伝送路１２ａを介して整合器１３ａａ〜１３ｈａに流入し、整合器１３ａａ〜１３ｈａから熱媒体供給管１５ａを介して熱媒体供給装置（図示せず）へ送出される。熱媒体は上述のように、下側の整合器１３ａｂ〜１３ｈｂから上側の整合器１３ａａ〜１３ｈａへ向って流されることが好ましい。このように流すことで滞留箇所や未到達の箇所が発生することなく、熱媒体を放電電極３内に行き渡らせることができるからである。
【００６４】
高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂは、整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂから供給される高周波電力を放電電極３ａ〜３ｈへ供給する。高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂは、一方を放電電極３ａ〜３ｈに電気的に接続され、他方を整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂに電気的に接続されている。
増幅器１７ａａ〜１７ｈａは、高周波電力、例えばＶＨＦ（３０ＭＨｚから３００ＭＨｚ）の周波数帯域の電力、より好ましくは６０ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力を供給する。一方、増幅器１７ａａ〜１７ｈａ、１７ａｂ〜１７ｈｂは、位相変調された高周波電力を供給する。
【００６５】
次に、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態について説明する。
【００６６】
図６は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態を示すフロー図である。
本実施の形態の製膜方法では、上記本実施の形態の真空処理装置を用いて、薄膜を製膜する。すなわち、まず、薄膜製造装置１において、製膜を行う準備として、インピーダンスの調整を行う（ステップＳ０１）。このインピーダンスの調整は、製膜ごとに行っても良いし、複数回の製膜ごとに行っても良い。次に、調整された薄膜製造装置１により所定の条件下で製膜を行う（ステップＳ０２）。以下、具体的に説明する。
【００６７】
図７〜図９は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態における高周波の定在波の状態を説明する図である。図中、点線は、放電電極３に供給された高周波電力により発生する電圧の定在波（以下、定在波電圧とも記す）の電圧分布強度を示す。二点鎖線は、放電電極３に供給された高周波電力により発生する電流の定在波（以下、電流定在波とも記す）の電流分布強度を示している。また、この例では、図１〜図５に説明された薄膜製造装置１が真空処理装置として使用されている。放電電力３に供給される高周波電力の周波数は、約６０ＭＨｚ（波長は、真空中：λ＝約５ｍ、水素プラズマ中：λ＝約２．８ｍ）とする。放電電極３の図の左右方向の長さを１．２ｍとする。
【００６８】
（１）ステップＳ０１
図７のように、薄膜製造装置１において、プラズマＣＶＤの実行前の初期状態では、例えば、定在波電圧の電圧分布強度の最大値の位置Ｑは、放電電極３ａ〜３ｈ毎に基板８の相当する位置の基板８の中心の位置ＰからそれぞれΔａ〜Δｈ（図中には、その一つをΔとして表示）だけずれている。この状態で基板８上にプラズマＣＶＤの製膜処理を実施すると、基板８の中心の位置ＰからそれぞれΔａ〜Δｈだけずれた箇所に膜厚が厚い領域が製膜される。
【００６９】
次に、整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂ個々の調整を行い、その状態で基板８上に製膜処理を実施する。数回繰り返し、膜厚が最も領域が基板８の中心の位置Ｐと一致するように調整を実施する。その調整方法としては、両端の増幅器１７ａａ〜１７ｈａ、１７ａｂ〜１７ｈｂから供給される高周波電力間の位相等を調整する。具体的には、整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂの内部回路の各素子（第１コンデンサ２３Ｔ、コイル２４、第２コンデンサ２５Ｍ）の回路定数を調整する。基板８の中心の位置Ｐと膜厚が最も厚い領域とが、放電電極３ａ〜３ｈに対応する基板８の全てで一致した場合、図８のように、電圧分布強度の最大値の位置Ｑが、放電電極３（基板８）の中心の位置Ｐに全て合致したこととなる。これにより、Δａ〜Δｈ＝０となる。この時の放電電極３（基板８）の中心の位置とは，略中心であれば良く、厳密に中心である必要はない。
【００７０】
（２）ステップＳ０２
その調整後、製膜室６に製膜ガスを導入し、高周波発振器２０ａ〜２０ｈから高周波電力を供給し、プラズマＣＶＤを実行する。そのとき、その高周波電力に対して位相変調を行い、図９のように定在波電圧を揺動させる。すなわち、その位相変調は、電圧分布強度の中心を電極中心から±Δ０の幅で揺動するように位相を変調する。具体的には、制御部３０からの制御信号Ｓ１ａ〜Ｓ１ｈで制御された位相変調回路１８ａ〜１８ｈにより、増幅器１７ａａ〜１７ｈａに供給される高周波の位相を、増幅器１７ａｂ〜１７ｈｂに供給される高周波の位相に対して変調させる。これにより、給電点４３、４４に供給される高周波電力の位相は互いに相違させることができる。
【００７１】
このように位相変調を実施することで、定在波電流の振幅が最大となる位置が揺動することになる。それにより、送電ロス（ＲＩ２）の最大部の領域が揺動して、局所的な発熱による送電経路（整合器１３、高周波給電伝送路１２、放電電極３）の損傷を防止することができる。
【００７２】
このとき、定在波電圧の揺動幅Δ０を１／８λ以上（揺動範囲±Δ０）となるように、高周波電力の周波数を位相変調することがより好ましい。その場合、位相変調の振幅は１／４λ以上（変調範囲±１／４λ以上、すなわち、高周波電力の周波数変調範囲±９０°以上）となる。定在波電圧の揺動による範囲（±Δ０）として、範囲の一方の端が曲線Ａ３で、中心が曲線Ａ１で、範囲の他方の端が曲線Ａ２で示されている。
【００７３】
揺動幅Δ０を１／８λ以上とすることがより好ましいのは、以下の理由による。このような揺動幅にすると、送電ロス（ＲＩ２）の最大部（電流分布強度の振幅が最大の位置：電圧分布強度の振幅が最大の位置Ｑから１／４λの位置）と送電ロスの最小部（電流分布強度の振幅が最小の位置：電圧分布強度の振幅が最大の位置Ｑと同じ位置）とが揺動の範囲内に含まれることになる。これにより、電流が集中することによる局所的な発熱をより十分に緩和することができる。
更に、このような揺動幅Δ０にすると、電圧分布強度の振幅が最大の位置と電圧分布強度の振幅が最小の位置とが揺動の範囲（±Δ０）に含まれることになるからである。これにより、位相変調を行わない場合におけるプラズマ密度の高い領域と低い領域とを網羅した形でプラズマ全体を揺動することが可能となり、より均一化したプラズマ処理分布が得られる。
【００７４】
本発明により、高周波送電経路での送電ロスを低減でき、熱的負荷を減少させることができる。また、高周波送電経路での送電ロスを低減しながら、より均一な膜厚分布を有する膜を製膜することが可能となる。
【００７５】
図１０は、従来の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布を説明する図である。図１１は、実施の形態の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布を説明する図である。図１０及び図１１は、消費電力を共に２４ｋＷとして製膜したときの膜厚分布が示されている。図１１に示された膜厚分布は、図１０に示された膜厚分布と比較して、格段にばらつきが小さくなっていることが判る。
【００７６】
図１２は、従来の薄膜の製造方法と実施の形態の薄膜の製造方法との比較結果をまとめた表である。表において上段の「従来の製膜方法」に記載されているのが、従来の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布（図１０）および製膜速度であり、下段の「本実施の形態の製膜方法」に記載されているのが、本実施の形態の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布（図１１）および製膜速度である。図１０に関する膜厚分布（従来）が±２５．７％で、図１１に関する膜厚分布（本実施の形態）が±１３．７％である。
【００７７】
なお、製膜速度については、従来が２．１５ｎｍ／ｓ、本実施の形態が２．１３ｎｍ／ｓであり、略同等である。また、本実施の形態において消費電力を２８ｋＷとして製膜した場合、膜厚分布が±１７．２％、製膜速度が２．５７ｎｍ／ｓとなり、膜厚分布のばらつきを抑えつつ、製膜速度を向上することが可能なことが判明した。
【００７８】
上記実施の形態では、給電点４４に供給される高周波電力の周波数の位相を、給電点４３に供給される高周波電力の周波数の位相に対して変調している。しかし、両高周波電力の周波数の位相について、一方の高周波電力の周波数の位相が、他方の高周波電力の周波数の位相に対して、相対的に上述のような変調がなされていればよい。従って、給電点４３に供給される高周波電力の周波数の位相を、給電点４４に供給される高周波電力の周波数の位相に対して上述のように変調してもよい。また、給電点４３に供給される高周波電力の周波数の位相と給電点４４に供給される高周波電力の周波数の位相とを同時に変調して、結果として上述のような変調が起きるようにしてもよい
【００７９】
上記実施の形態では、整合器と高周波給電伝送路と放電電極との間の電気長の関係を特に規定しないが、以下のようにすることも可能である。図１３は、本発明の真空処理装置としての薄膜製造装置の第２の実施の形態における整合器と高周波給電伝送路と放電電極との位置関係を説明する図である。整合器と高周波給電伝送路と放電電極との間の電気長は、以下の関係を有することができる。すなわち、“放電電極３中央部”と、“放電電極３と高周波給電伝送路１２ａとの接続部（給電点４３）から高周波給電伝送路１２ａと整合器１３ａとの接続部までの領域の一部（当該領域の任意の箇所）”と、の間における第１高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｎλ／２未満になるように設定する。
“放電電極３中央部”と、“放電電極３と高周波給電伝送路１２ｂとの接続部（給電点４４）から高周波給電伝送路１２ｂと整合器１３ｂとの接続部までの領域の一部（当該領域の任意の箇所）”と、の間における第２高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｍλ／２（ｍは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｍλ／２未満になるように設定する。すなわち、高周波給電伝送路１２ａは、放電電極３中央部から１／８λ＋ｎλ／２の電気長より大きく、放電電極３中央部から３／８λ＋ｎλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置に配置され、高周波給電伝送路１２ｂは、放電電極３中央部から１／８λ＋ｍλ／２の電気長より大きく、放電電極３中央部から３／８λ＋ｍλ／２の電気長より小さい範囲を含む位置にされる。
【００８０】
この場合、図８のように電圧分布強度の最大値の位置Ｑを、放電電極３（基板８）の中心の位置Ｐと合致させた場合、放電電極３の中央部から１／８λ〜３／８λの範囲が、定在波電流の振幅が最も大きい領域になる。従って、本実施の形態の上記の条件から、この定在波電流の振幅が最も大きい領域に、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂが設けられることになる。しかし、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂをこの範囲に配置しても、上述した位相変調により定在波を揺動させることで、熱的負荷の低減が可能となる。それにより、送電経路（整合器１３、高周波給電伝送路１２、放電電極３）の熱的負荷を低減することが可能となる。
【００８１】
このように、定在波電流の振幅が最も大きく熱的負荷の大きい領域に、熱的負荷に弱い高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂを配置しても問題を発生させないようにすることができる。すなわち、薄膜製造装置１の設計上、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂの一部を放電電極３の中央部から１／８λ〜３／８λの範囲に配置したい場合でも、従来は熱的負荷の関係からできなかった。しかし、本発明では上記理由により、高周波給電伝送路１２ａ、１２ｂの一部をその範囲に配置することができ、薄膜製造装置１の設計の自由度を高めることが可能となった。
【００８２】
上記実施の形態では、上記ステップＳ０２において、制御部３０は、プラズマ発生中に各整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂを、反射波を少なくするように制御している。しかし、上記ステップＳ０２において、制御部３０が、プラズマ発生中に各整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂを制御せず、各素子の回路定数を固定したままとすることがより好ましい。
【００８３】
これは、以下の理由による。上記ステップＳ０１では、定在波電圧の電圧分布強度の最大値の位置Ｑと放電電極３の中心の位置Ｐとを合致させ、ステップＳ０２で、その位置Ｐを中心に定在波電圧を揺動させるようにしている。しかし、ここで、整合器１３の内部回路の回路定数をプラズマ発生中に変更すると、定在波電圧の振幅の最大となる位置Ｑ（揺動０のとき）が放電電極３（基板８）の中心の位置Ｐからずれてしまうおそれがある。そうなると、プラズマ分布の中心が放電電極３の中心からずれ、そのずれた位置を中心に定在波電圧が揺動することになり、位相変調をしてもより均一な膜厚分布が得られないおそれがある。
【００８４】
ここで、上記のようにプラズマ発生中に各整合器１３ａａ〜１３ｈａ、１３ａｂ〜１３ｈｂの各素子の回路定数を固定とすることで、プラズマ発生中に定在波電圧の振幅の最大となる位置Ｑ（揺動０のとき）と放電電極３（基板８）の中心の位置Ｐとがずれないようにすることができる。それにより、その位置Ｐを中心に定在波電圧を揺動させることができ、プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【００８５】
ただし、回路定数を「固定」するとは、回路定数を完全に固定していなくても、定在波電圧の振幅の最大となる位置Ｑ（揺動０のとき）と放電電極３（基板８）の中心の位置Ｐとのずれが、±１／８λ未満となる程度に回路定数が変動（制御による変動を含む）する場合を含む。より好ましくは、±１／１６λ未満である。このような範囲の中心の位置のずれであれば、そのずれによりプラズマ分布の中心のずれが発生しても、得られる膜の膜厚分布の均一性は、従来技術の場合よりもよく、許容範囲内となるからである。
【００８６】
上記実施の形態では、製膜に関して説明している。しかし、基板上の膜をエッチングするドライエッチングやエッチバック等の工程に関しても、本発明を同様に適用することが可能である。その場合、大面積な基板を用いた工程であっても、エッチング用のプラズマ分布をより均一に形成及び制御することが可能となる。
【００８７】
次に、本発明の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成について説明する。
図１４は、本発明の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成を示す概略図である。光電変換装置９０は、シリコン系太陽電池であり、基板５１、透明電極層５２、太陽電池光電変換層５３、及び裏面電極層５４を具備する。なお、ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。また、結晶質シリコン系という場合、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコン系も含まれる。
【００８８】
ここで、アモリファス太陽電池の場合、太陽電池光電変換層５３は、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を有する第１セル層９１である。多接合型（タンデム型）太陽電池の場合、太陽電池光電変換層５３は、上記第1セル層９１、透明電極層９３、及び微結晶シリコン薄膜からなる微結晶ｐ層膜／微結晶ｉ層膜／微結晶ｎ層膜を有する第２セル層９２を積層した構造である。図１４は、多接合型（タンデム型）太陽電池の例を示している。
【００８９】
次に、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態について説明する。図１５〜図１８は、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。ここでは、光電変換装置９０として、基板５１としてのガラス基板上に太陽電池光電変換層５３として多接合型（タンデム型）太陽電池を用いた例について説明する。
【００９０】
（１）図１５（ａ）：
基板５１としてソーダフロートガラス基板（１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：４ｍｍ）を使用する。基板端面は破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００９１】
（２）図１５（ｂ）：
透明導電層５２として酸化錫膜（ＳｎＯ２）を主成分とする透明電極膜を約５００ｎｍ〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて基板温度約５００℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層５２として、透明電極膜に加えて、基板５１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて基板温度約５００℃で製膜処理する。
【００９２】
（３）図１５（ｃ）：
その後、基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極層５２の膜面側から入射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層５２を発電セル（光電変換装置９０）の直列接続方向（Ｘ方向）に対して垂直な方向（Ｙ方向）へ、基板５１とレーザー光を相対移動して、溝６１を形成するように幅約６ｍｍ〜１５ｍｍの短冊状にレーザーエッチングする。
【００９３】
（４）図１５（ｄ）：
本実施の形態の薄膜製造装置１を用い上記の薄膜の製造方法により、減圧雰囲気：３０〜１０００Ｐａ、基板温度：約２００℃にて、光電変換層５３の第1セル層９１としてのアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を順次製膜する。第1セル層９１は、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとを主原料に、透明導電層５２の上に製膜される。太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。第1セル層９１は本実施の形態では、ｐ層：ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主とし膜厚２００ｎｍ〜３５０ｎｍ、ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚３０ｎｍ〜５０ｎｍである。また、ｐ層膜とｉ層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。なお、単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池の場合、以上により、光電変換層５３の製造は終了する。
【００９４】
多接合型（タンデム型）太陽電池の場合、更に以下の工程を行い、光電変換層５３を完成させる。すなわち、次に、第1セル層９１の上に、本実施の形態の薄膜製造装置１を用い上記の薄膜の製造方法により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚにて、第２セル層９２としての微結晶シリコン薄膜からなる微結晶ｐ層膜／微結晶ｉ層膜／微結晶ｎ層膜を順次製膜する。第２セル層９２は本実施の形態では、微結晶ｐ層：Ｂドープした微結晶ＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍ、微結晶ｉ層：微結晶Ｓｉを主とし膜厚１．２μｍ〜３．０μｍ、微結晶ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００９５】
微結晶シリコン薄膜、特に微結晶ｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、放電電極３と基板５１の表面との距離ｄは、３ｍｍ〜１０ｍｍにすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００９６】
第1セル層９１と第２セル層９２の間に電流整合性を取るために半反射膜となることを目的に、中間コンタクト層９３としてＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：２０ｎｍ〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。また、中間コンタクト層９３を設けない場合もある。多接合型（タンデム型）太陽電池の場合、以上により、光電変換層５３の製造は終了する。
【００９７】
（５）図１５（ｅ）
基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層５３の膜面側から入射する。パルス発振：１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層５２のレーザーエッチングラインの約１００〜１５０μｍの横側を、溝６２を形成するようにレーザーエッチングする。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
【００９８】
（６）図１６（ａ）
裏面電極層５４としてＡｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約１５０℃にて順次製膜する。裏面電極層５４は本実施の形態では、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。ｎ層と裏面電極層５４との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層５３と裏面電極層４との間にＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
【００９９】
（７）図１６（ｂ）
基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板５１側から入射する。レーザー光が光電変換層５３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層５４が爆裂して除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層２のレーザーエッチングラインの約２５０〜４００μｍの横側を、溝６３を形成するようにレーザーエッチングする。
【０１００】
（８）図１６（ｃ）と図１７（ａ）
発電領域を区分して、基板５１の端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板５１側から入射する。レーザー光が透明導電層５２と光電変換層５３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層５４が爆裂して、裏面電極層５４／光電変換層５３／透明導電層５２が除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板５１の端部から５〜２０ｍｍの位置を、図１７（ａ）に示すように、Ｘ方向（溝６１、６２、６３の方向に垂直な方向）の絶縁溝６４を形成するようにレーザーエッチングする。
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【０１０１】
（９）図１７（ａ）、図１７（ｂ）
ただし、図１７（ａ）は太陽電池膜面側から見た図、図１７（ｂ）は受光面の基板側から見た図である。
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート６６との健全な接着・シール面を確保するために、基板５１周辺（周囲領域６５）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去する。基板５１の端から５〜２０ｍｍで基板５１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図１６（ｃ）、図１７（ａ）工程で設けた絶縁溝６４よりも基板５１の端側において、Ｙ方向は基板５１の端側部付近の溝６１よりも基板端側において、裏面電極層５４／光電変換層５３／透明導電層５２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。研磨屑や砥粒は基板５１を洗浄処理して除去した。
【０１０２】
（１０）図１８（ａ）
端子箱取付け部分はバックシート６６に開口貫通窓を設けて集電板６７を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材等のシートを複数層設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セル（光電変換装置９０）と、他方端部の太陽電池発電セル（光電変換装置９０）とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔と光電変換装置９０の間に銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、基板５１からはみ出さないように、かつ、太陽電池モジュールの全体を覆うように、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、基板５１からはみ出さないように、かつ、太陽電池モジュールの全体を覆うように、防水効果の高いバックシート６６を設置する。バックシート６６は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／ＡＬ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート６６までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させてバックシート６６と基板５１を密着させる。
【０１０３】
（１１）図１８（ｂ）
太陽電池モジュールの裏側に端子箱６８を接着剤で取付ける。そして、銅箔と端子箱６８の出力ケーブル６９とをハンダ等で接続し、端子箱内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル８０が完成する。
（１２）図１８（ｃ）
図１７（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル８０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１３）図１８（ｄ）
発電検査（図１７（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
【０１０４】
本発明の光電変換装置の製造方法では、上記の本発明の真空処理装置を用いて薄膜の製造方法を行っているので、形成される光電変換層５３の膜厚分布及び膜特性の均一性がより高くなっている。そのため、形成される光電変換装置９０としての太陽電池の特性をより向上させることが可能となる。
【０１０５】
上記実施の形態では光電変換装置９０としての太陽電池として、単層アモルファスシリコン太陽電池、又は、アモルファスシリコン太陽電池と微結晶シリコン太陽電池とを積層した多接合型（タンデム型）太陽電池を用いたものについて説明した。しかし、本発明は、この例に限定されるものではない。例えば、太陽電池として微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池や、シリコンゲルマニウム太陽電池、また、これら太陽電池を各１〜複数層に積層させた多接合型（タンデム型）太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。更に本発明は、金属基板などのような非透光性基板上に製造された、基板とは反対の側から光が入射するタイプの太陽電池にも同様に適用可能である。
【０１０６】
本発明の真空処理装置では、対向電極２に保持された基板８と放電電極３とを製膜室６内に離間させて対面配置し、その放電電極３と対向電極２との間にプラズマ（放電状態）を広範囲に発生させる。そして、放電電極３に複数の給電点を介して給電する際に、１つの給電点４３に供給される高周波電力の電圧波形の位相と、他の少なくとも１つの給電点４４に供給される高周波電力の電圧波形の位相との差を時間的に変化させている。このとき、上述のように、位相変調の振幅幅を±１／４λ（すなわち、高周波電力の周波数変調幅±９０°）以上とすることが出来る（ケース１）。この場合、以下の効果を得ることができる。
【０１０７】
高周波電力の定在波における電圧振幅が最大となる位置を放電電極３の中央とするように整合器１３の内部回路を調整した状態（ステップＳ０１）で、位相変調を実施している（ステップＳ０２）。これにより、定在波の電流振幅が最大となる位置が揺動することにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域が揺動して、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。特に、位相変調の振幅幅を±１／４λとすることで揺動の振幅を±１／８波長以上（揺動の範囲は１／４波長以上となる）とすると、揺動の範囲内に送電ロスの最大部と最小部が含まれることとなり、局所的な発熱を十分に緩和することができる。
【０１０８】
また、本発明の真空処理装置では、対向電極２に保持された基板８と放電電極３とを製膜室６内に離間させて対面配置し、その放電電極３と対向電極２との間にプラズマ（放電状態）を広範囲に発生させる。そして、放電電極３に複数の給電点を介して給電する際に、１つの給電点４３に供給される高周波電力の電圧波形の位相と、他の少なくとも１つの給電点４４に供給される高周波電力の電圧波形の位相との差を時間的に変化させている。このとき、上述のように、“放電電極３中央部”と、“放電電極３と高周波給電伝送路１２ａとの接続部（給電点４３）から高周波給電伝送路１２ａと整合器１３ａとの接続部までの領域の一部（当該領域の任意の箇所）”と、の間における第１高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｎλ／２（ｎは０以上の整数）より大きく、かつ、３／８λ＋ｎλ／２未満になるように設定する。
“放電電極３中央部”と、“放電電極３と高周波給電伝送路１２ｂとの接続部（給電点４４）から高周波給電伝送路１２ｂと整合器１３ｂとの接続部までの領域の一部（当該領域の任意の箇所）”と、の間における第２高周波電力の電気長の総和が１／８λ＋ｍλ／２より大きく、かつ、３／８λ＋ｍλ／２未満になるように設定する。（ケース２）。この場合、以下の効果を得ることができる。
【０１０９】
高周波電力の定在波における電圧振幅が最大となる位置を放電電極３の中央とするように整合器１３の内部回路を調整した状態（ステップＳ０１）で、位相変調を実施している（ステップＳ０２）。これにより、定在波の電流振幅が最大となる位置が揺動することにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域が揺動して、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。特に、熱的負荷に対して脆弱である箇所（放電電極３から整合器１３の放電電極３側接続部までの間の高周波給電伝送路１２）の一部が、放電電極３中央部から１／８λ〜３／８λの範囲の定在波電流が最も高い領域に存在しても、位相変調を採用することにより、熱的負荷を低減可能となる。それにより、送電経路の熱的負荷を低減した信頼性の高い真空処理装置を得ることが出来る。すなわち、熱的負荷に対して脆弱である箇所を定在波電流が最も高い領域に設けても問題が無いので、送電経路等の設計の自由度を高めることが出来る。
【０１１０】
更に、本発明では、上記ケース１及びケース２を組み合わせた真空処理装置とすることが出来る（ケース３）。それにより、上記ケース１及びケース２の効果に加えて、局所的な発熱をより十分に緩和して、送電経路の熱的負荷を更により低減した信頼性の高い真空処理装置を得ることが出来る。
【０１１１】
更に、本発明では、上記ケース２又はケース３の真空処理装置において、更に上述のように、プラズマ発生中に整合回路によるインピーダンス調整を実質的に行わない整合回路を有するようにすることが出来る（ケース４）。この場合、上記ケース２又はケース３の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【０１１２】
整合器１３の内部回路をプラズマ発生中に変更すると、高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極３の中央部からずれることになる。そうなると、プラズマ分布の中心が放電電極３中央部からずれることになり、位相変調を実施してもより均一な膜厚分布を得られなくなるおそれがある。このため、ステップＳ０１の調整の実施後に、基板８をプラズマ処理する場合、多少反射波が増大しても整合器１３の内部回路を固定とすることで、高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極３の中央部からずれず、プラズマ分布の中心が放電電極３中央部からずれないので、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来る。プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【０１１３】
更に、本発明の真空処理装置では、対向電極２に保持された基板８と放電電極３とを製膜室６内に離間させて対面配置し、その放電電極３と対向電極２との間にプラズマ（放電状態）を広範囲に発生させる。そして、放電電極３に複数の給電点を介して給電する際に、１つの給電点４３に供給される高周波電力の電圧波形の位相と、他の少なくとも１つの給電点４４に供給される高周波電力の電圧波形の位相との差を時間的に変化させている。このとき、上述のように、プラズマ発生中に整合回路によるインピーダンス調整を実質的に行わない整合回路を有するようにすることが出来る（ケース５）。この場合、以下の効果を得ることができる。
【０１１４】
高周波電力の定在波における電圧振幅が最大となる位置を放電電極３の中央とするように整合器１３の内部回路を調整した状態（ステップＳ０１）で、位相変調を実施している（ステップＳ０２）。これにより、定在波の電流振幅が最大となる位置が揺動することにより、送電ロス（ＲＩ２）が最大となる領域が揺動して、局所的な発熱による送電経路の損傷を防止することができる。加えて、ステップＳ０１の調整の実施後に、基板８をプラズマ処理する場合、多少反射波が増大しても整合器１３の内部回路を固定とすることで、高周波電力の定在波の電圧の振幅が最大となる位置が放電電極３の中央部からずれず、プラズマ分布の中心が放電電極３中央部からずれないので、安定したプラズマ処理分布を得ることが出来る。プラズマ分布がより均一化されるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【０１１５】
更に、本発明では、上記ケース５の真空処理装置において、更に上述のように、位相変調の振幅を１／４λ（すなわち、高周波電力の周波数変調幅±９０°）以上とすることが出来る（ケース６）。この場合、上記ケース５の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【０１１６】
位相変調の振幅を１／４λとすることで揺動の振幅を１／８波長以上（揺動の範囲は１／４波長以上となる）とすると、揺動の範囲内に送電ロスの最大部と最小部が含まれることとなり、局所的な発熱を十分に緩和することができる。
【０１１７】
本発明により、高周波送電経路での送電ロスを低減でき、熱的負荷を減少させることができる。それにより、信頼性の高い真空処理装置を得ることが出来る。また、高周波送電経路での送電ロスを低減しながら、より均一な膜厚分布を有する膜を製膜することが可能となる。それにより、製造歩留まりを改善でき、光電変換装置の効率をより向上することが出来る。
【０１１８】
本発明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変形又は変更され得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】図１は、本発明の真空処理装置としての薄膜製造装置の実施の形態の構成を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明の薄膜製造装置の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図である。
【図３】図３は、本発明の薄膜製造装置の実施の形態の構成における複数の放電電極に対する電力供給に関わる構成を示す概略図である。
【図４】図４は、本発明の薄膜製造装置の実施の形態の構成における放電電極に対する高周波電力供給に関わる構成を示す詳細図である。
【図５】図５は、本発明の薄膜製造装置の実施の形態の構成における整合器の構成を示す模式図である。
【図６】図６は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図７】図７は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態における定在波の状態を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態における定在波の状態を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の薄膜の製造方法の実施の形態における定在波の状態を説明する図である。
【図１０】図１０は、従来の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布を説明する図である
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態の薄膜の製造方法を用いて製膜された膜の膜厚分布を説明する図である。
【図１２】図１２は、従来の薄膜の製造方法と本発明の実施の形態の薄膜の製造方法との比較結果をまとめた表である。
【図１３】図１３は、本発明の真空処理装置としての薄膜製造装置の実施の形態における整合器と高周波給電伝送路と放電電極との位置関係を説明する図である。
【図１４】図１４は、本発明の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成を示す概略図である。
【図１５】図１５は、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【図１６】図１６は、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【図１７】図１７は、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【図１８】図１８は、本発明の光電変換装置の製造方法を含む太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１  薄膜製造装置（真空処理装置）
２  対向電極
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ  放電電極
４  防着板
５  均熱板
６  製膜室
７  支持部
８  基板
１１    均熱板保持機構
１２ａ、１２ｂ  高周波給電伝送路
１３ａ、１３ａａ、１３ｂａ、１３ｃａ、１３ｄａ、１３ｅａ、１３ｆａ、１３ｇａ、１３ｈａ、１３ｂ、１３ａｂ、１３ｂｂ、１３ｃｂ、１３ｄｂ、１３ｅｂ、１３ｆｂ、１３ｇｂ、１３ｈｂ  整合器
１４ａ、１４ｂ  高周波給電伝送路
１５ａ、１５ｂ  熱媒体供給管
１６ａ、１６ｂ  原料ガス配管
１７ａ、１７ａａ、１７ｂａ、１７ｃａ、１７ｄａ、１７ｅａ、１７ｆａ、１７ｇａ、１７ｈａ、１７ｂ、１７ａｂ、１７ｂｂ、１７ｃｂ、１７ｄｂ、１７ｅｂ、１７ｆｂ、１７ｇｂ、１７ｈｂ  増幅器
１８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｆ、１８ｇ、１８ｈ  位相変調器
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ、１９ｅ、１９ｆ、１９ｇ、１９ｈ  分配器
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ  高周波発振器
２１  ループ回路
２２Ｔ  ショートバー
２２Ｌ  アースバー
２３Ｔ  第１コンデンサ（位相調整部）
２４  コイル
２５Ｍ  第２コンデンサ（振幅調整部）
３１  高真空排気部
３２、３４  弁
３５  低真空排気部
３７  架台
４３、４４  給電点（端部）
５１  基板
５２  透明電極層
５４  裏面電極層
５３  光電変換層
６１、６２、６３  溝
６４  絶縁溝
６５  周囲領域
６６  バックシート
６７  集電板
６８  端子箱
６９  出力ケーブル
８０  太陽電池パネル
９０  光電変換装置
９１  第１セル層
９２  第２セル層
９３  透明電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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