(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に形成され、第１の電極と、該第１の電極上に形成された発光層と、該発光層上に形成された第２の電極とを有し、オンにされて所定の範囲内の波長の光を発する有機発光デバイスと、
上記基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された多層ミラーとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記多層ミラーが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、
上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、
上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、
上記多層ミラーは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護することを特徴とする有機発光デバイス構造体。
【請求項２】
上記多層ミラーは、１／４波長スタックからなることを特徴とする請求項１記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項３】
上記高密度層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム−スズ、酸化亜鉛インジウム−スズ、金属から選択される材料から形成されることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項４】
上記平坦化層は、ポリアクリラートから形成され、上記高密度層は、酸化アルミニウムから形成されることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項５】
上記第１の電極は、アノードであり、上記第２の電極は、カソードであることを特徴と
する請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項６】
当該有機発光デバイスは、上取出し型デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項７】
当該有機発光デバイスは、下方取出し型デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項８】
当該有機発光デバイスは、透明デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項９】
上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスと上記基板の間に配設され、上記第１の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１０】
上記第１の電極は、透明アノードであり、上記第２の電極は、カソードであることを特徴とする請求項９記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１１】
上記第２の電極は、反射カソードであることを特徴とする請求項１０記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１２】
上記第２の電極は、透明電極であり、該第２の電極上に形成された更なる１／４波長スタックを備えることを特徴とする請求項９記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１３】
上記第１の電極は、透明アノードであり、上記第２の電極は、透明カソードであることを特徴とする請求項１２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１４】
上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイス上に配設され、上記第２の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１５】
上記第１の電極は、アノードであり、上記第２の電極は、透明カソードであることを特徴とする請求項１４記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１６】
上記第１の電極は、反射アノードであることを特徴とする請求項１５記載の有機発光デバイス構造体。
【請求項１７】
透明基板と、
上記透明基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された１／４波長スタックと、
上記１／４波長スタック上に形成され、透明アノードと、該透明アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲内の波長の光を発する有機発光デバイスとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、
上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、
上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、
上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護することを特徴とする有機発光デバイス構造体。
【請求項１８】
基板と、
上記基板上に形成され、反射アノードと、該反射アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲内の波長の光を発する有機発光デバイスと、
上記有機発光デバイス上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された１／４波長スタックとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、
上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、
上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、
上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護することを特徴とする有機発光デバイス構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周囲の環境内の有害化学種（harmful species）から有機発光デバイスを保護する構造及びこのようなデバイスから出射された光を反射及び透過させる構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリマ有機発光デバイス及び低分子有機発光デバイスを含む有機発光デバイス（organic light emitting devices：以下、ＯＬＥＤという。）は、例えばラップトップコンピュータ、テレビジョン受像機、デジタル腕時計、電話機、ページャ、移動電話機、計算機等の様々な種類の仮想表示型ディスプレイ（virtual-view type displays）及び直接表示型ディスプレイ（virtual-and direct-view type displays）に採用されている。有機発光デバイスは、無機半導体発光デバイスとは異なり、一般的に構造が単純であり、製造が比較的簡単で安価である。更に、ＯＬＥＤは、多種多様な色を必要とする用途及び表示領域が広い機器への用途にも容易に用いることができる。
【０００３】
画像表示用途（imaging applications）のための２次元ＯＬＥＤアレーは、当該技術分野において知られており、通常、行及び列に配列された複数のアクティブ画素からなるＯＬＥＤ表示領域を含む。図１Ａは、従来のＯＬＥＤ構造を概略的に示す図（断面図）である。ここに示すＯＬＥＤ構造は、単一のアクティブ画素１５を備え、アクティブ画素１５は、例えば電極部（electrode region）であるアノード部（以下、単にアノードという。）１２と、アノード１２上に形成された発光層１４と、発光層１４上に形成された他方の電極部であるカソード部（以下、単にカソードという。）１６とから構成されている。アクティブ画素１５は、基板１０上に配設されている。カバー２０及び基板１０は、封止部２５とともに協働して、外部環境からアクティブ画素１５に酸素や水蒸気が浸入することを防いでいる。
【０００４】
従来の手法では、発光層１４からの光は、基板１０を介して下方に透過される。このような「下方取出し（bottom emitting）」構成では、基板１０及びアノード１２は、透明材料から形成される。一方、この構成では、カソード１６及びカバー２０は、透明である必要はない。
【０００５】
「上取出し（top- emitting）」ＯＬＥＤ及び透明ＯＬＥＤ（transparent OLED：ＴＯＬＥＤ）等の他のＯＬＥＤ構造も知られている。上取出しＯＬＥＤでは、発光層１４から出射された光は、カバー２０を介して上方に透過される。したがって、この場合、基板１０は、不透明な材料から形成してもよく、カバー２０は、透明な材料から形成する必要がある。図１Ａに示すような設計に基づく上取出し構成では、カソード１６に透明材料を用いるが、アノード１２は、透明である必要はない。図１Ｂに示す他の上取出し構成では、図１Ａにおけるアノード１２とカソード１６の位置を入れ替え、このため透明なアノード１２を用いている。この場合、カソード１６は、不透明であってもよい。このような構成は、「反転構成（"inverted" configuration）」と呼ばれることもある。
【０００６】
光が上方及び下方の両方向に（すなわち、デバイスの上面と底面の両方から）出射されるＴＯＬＥＤでは、基板１０、アノード１２、カソード１６、カバー２０の全てが透明である必要がある。この構成は、図１Ａ又は図１Ｂに示すものと同様の構成を有していてもよい。
【０００７】
ＯＬＥＤを形成する場合、通常、反応性金属（reactive metal）の層をカソードとして用いて、効率的な電子注入及び低い動作電圧を実現している。しかしながら、反応性金属及び反応性金属と有機材料の間の界面は、酸素及び水分に影響を受けやすく、これによりデバイスの寿命が著しく制限される。水分及び酸素は、この他にも悪い影響を生じることが知られている。例えば、水分及び酸素により、ＯＬＥＤにおける「ダークスポット領域（dark spot area）」が増加することが知られている。当該技術分野では、このような外部環境からの化学種（species）を侵入させないための様々なバリア部が知られている。その具体例としては、その開示内容全体が引用により本願に援用される米国特許第５，７５７，１２６号明細書、第６，１４６，２２５号明細書、第６，２６８，２９５号明細書等に開示されている多層構造（multi-layer structures）が含まれる。
【０００８】
更に、ＯＬＥＤに関連して分布ブラッグ反射器（distributed Bragg reflector：以下、ＤＢＲという。）を利用することも知られている。これらのＤＢＲは、多くの場合いわゆる「１／４波長スタック（quarter-wave stack）」を用いた多層ミラー構造を有する。このような構造により、とりわけ、発光波長帯域のスペクトル（spectrum of the emission band）を狭くし、ピーク出力輝度を高くし、出射光の向きを変えることができる。このような構造の具体例は、例えば、ドダバラプー（Dodabalapur）他の米国特許第５，６７４，６３６号明細書、ドダバラプー他の米国特許第５，８１４，４１６号明細書、ボロビック（Bulovic）他の米国特許第５，８３４，８９３号明細書、ジョーンズ（Jones）他の米国特許第５，９２０，０８０号明細書等に開示されている。これらの文献は、それぞれ引用により本願に援用されるものとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２２４７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、ＯＬＥＤデバイスに関連して用いられ、多層ミラーとして及び外部環境からの有害化学種に対するバリアとして同時に機能する新たな構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る有機発光デバイス構造体は、基板と、上記基板上に形成され、第１の電極と、該第１の電極上に形成された発光層と、該発光層上に形成された第２の電極とを有し、オンにされて所定の範囲内の波長の光を発する有機発光デバイスと、上記基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された多層ミラーとを備え、上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記多層ミラーが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、上記多層ミラーは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護する。
【００１２】
多層ミラーは、好ましくは、１／４波長スタック（quarter-wave stack）である。好ましくは、第１の電極はアノードであり、第２の電極はカソードであるが、これと反対の構成としてもよい。更に、用途に応じて、有機発光デバイスは、上取出し型デバイス、下方取出し型デバイス、透明デバイスのいずれであってもよい。
【００１３】
幾つかの実施例においては、１／４波長スタックは有機発光デバイスと基板との間に配設され、第１の電極は透明電極である。これらの実施例では、第２の電極も透明にしてもよく、この場合、必要であれば、第２の電極上に更なる１／４波長スタックを形成してもよい。一方、第２の電極は不透明であってもよく、この場合、第２の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。
【００１４】
他の実施例では、１／４波長スタックは有機発光デバイス上に配設され、第２の電極は透明電極である。この実施例では、第１の電極は不透明であってもよく、この場合、第１の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。
【００１５】
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された１／４波長スタックと、上記１／４波長スタック上に形成され、透明アノードと、該透明アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲内の波長の光を発する有機発光デバイスとを備え、上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護する。
【００１６】
この実施例における平坦化層及び高密度層の厚さは、１／４波長スタックが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。更に、平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。
【００１７】
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、基板と、上記基板上に形成され、反射アノードと、該反射アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、上記有機発光デバイス上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有し、平滑な表面を形成する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続して配設された１／４波長スタックとを備え、上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲内の波長のうちのピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層は、基底にある表面の凹凸に関係なく、平滑な表面を形成し、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料で形成され、上記平坦化層と上記高密度層は、水及び酸素の透過を防ぎ、上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスを、周辺環境の有害化学種から保護する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、単一の多層スタックによって、望ましい光学的特性及びバリア特性を同時に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（A）は、周知のＯＬＥＤ構造を単純化して示す断面図であり、（B）は、（A）とは異なる層構造の周知のＯＬＥＤ構造を単純化して示す断面図である。
【図２】本発明の実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。
【図４】本発明の更に異なる実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施例を示す図面を参照して、本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、ここに説明する実施例とは異なる形式で実施することもでき、本発明の構成は、ここに示す形式に限定されるものではない。
【００２１】
なお、図面は、一般的な図面の場合と同様、単純化された図式的な表現に過ぎず、実際の構造は、構成部品の相対的な尺度を含む多くの点で、図面とは異なっている。
【００２２】
ここで用いる所定の材料の「層（layer）」とは、厚さが長さ及び幅に対して小さい材料の部分を指す。層には、シート（sheet）、箔（foil）、膜（film）、積層（lamination）、コーティング（coating）等が含まれる。この明細書において層は、必ずしも平面状である必要はなく、例えば、他の構成部品を少なくとも部分的に包み込むように、湾曲し、屈曲し、又は他の形状に曲がっていてもよい。「層」は、２つ以上の副次的な層、すなわち「副層（sublayer）」を含んでいてもよい。
【００２３】
図２は、包括的に符号１００で指示されるＯＬＥＤデバイスの構造を示し、ＯＬＥＤデバイス１００は、基板１１０と、多層ミラー（この場合、１／４波長スタック）１２０と、ＯＬＥＤ１４０と、カバー部１５０とを備える。
【００２４】
ＯＬＥＤ１４０は、周知のいかなるＯＬＥＤであってもよい。例えば、上述のように、ＯＬＥＤ１４０は、そのアノード及びカソードとして機能する電極部１４２、１４６を備える。更に、ＯＬＥＤ１４０は、電極部１４２、１４６間に配設された発光部１４４（放射部）１４４を備える。
【００２５】
発光部１４４は、（ａ）正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とからなる３層構成（すなわちダブルヘテロ構造構成）、（ｂ）正孔輸送層と、発光及び電子輸送機能を提供する層とからなる２層構成、又は電子輸送層と、発光及び正孔輸送機能を有する層とからなる２層構成（すなわち、シングルヘテロ構造構成）（ｃ）正孔輸送、電子輸送、発光機能を有する単一の層からなる構成（すなわち、単層構成）を含む、数多くの周知の構成に関連して設けることができる。各構成において、更なる層を追加してもよく、例えば、正孔注入又は電子注入を促進するための層を追加してもよく、或いは正孔又は電子をブロックするための層を設けてもよい。このようなデバイスの様々な構造については、例えば、米国特許第５，７０７，７４５号明細書に開示されており、この文献の開示内容全体は、引用により本願に援用される。当該技術分野では、より複雑なＯＬＥＤ構造も実用化されている。
【００２６】
図２に示す実施例では、多くの場合、電極部１４６と１／４波長スタック１２０の組合せによって、微小共振器効果（microcavity effect）が生じる。この実施例においては、電極部１４２は、多くの場合、ＯＬＥＤの所望の出力波長である所定の波長の出力光に対して透明性を有する。ここで言う「透明（transparent）」とは、その領域（この場合、電極部１４２）を通過する出力光の減衰量が小さく、所定の波長において、透過率が通常８０％より大きいことを意味する。
【００２７】
好ましい構成として、電極部１４２をアノードとして選択した場合、適切な透明性を有する材料としては、酸化インジウム−スズ（indium tin oxide：以下、ＩＴＯという。）、酸化亜鉛−スズ等の金属酸化物及び当分野で周知の他の材料が用いられる。電極部１４２をカソードとして選択した場合には、適切な透明性を有する材料としては、例えば、Ｍｇ−Ａｇ／ＩＴＯ、ＬｉＦ／Ａｌ／ＩＴＯ等の金属／金属酸化物の組合せ又は当分野で周知の他の材料が用いられる。
【００２８】
図２に示す構造の好ましい実施例として、図２に示すＯＬＥＤデバイス１００を下方取出し型ＯＬＥＤとした場合、基板１１０は透明である必要があり、一方、カバー１５０は、透明である必要はない。この構成においては、電極部１４６は、例えばＯＬＥＤデバイス１００の共振器効果（cavity effect）を高めるために、反射性材料から形成することが望ましい。ここで「反射性」とは、所定の波長の出力光の相当な量、典型的には少なくとも８０％が反射されることを意味する。電極部１４６をカソードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、アルミニウム、アルミニウム／リチウム、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。一方、電極部１４６をアノードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、例えば金、クロム、ニッケル、プラチナ及び当分野で周知の他の材料を用いることができる。
【００２９】
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００をＴＯＬＥＤとした場合、基板１１０及びカバー１５０の両方は透明である。更に、電極部１４６も透明である。電極部１４６に用いることができる透明な材料としては、電極部１４２に関して上述した材料と同様の材料がある。
【００３０】
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００を上取出し型ＯＬＥＤとした場合、カバー１５０及び電極部１４６は透明である。
【００３１】
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００の特に好ましい構成は、下方取出し型構成であり、この場合、基板１１０は透明基板であり、電極部１４２が透明アノードである、電極部１４６が反射性カソードである。
【００３２】
図３は、包括的に符号２００で示される、本発明の他の実施例であるＯＬＥＤデバイスの構造を示している。この実施例では、多層ミラー（ここでは、１／４波長スタック２２０）を電極部２４６上に基板２１０とは反対側に設けている。
【００３３】
後により詳細に説明するように、本発明に基づく１／４波長スタック２２０は、周辺環境における有害化学種の侵入を阻止する機能を有するため、この実施例では、別個のカバーを設ける必要がない。図３では、１／４波長スタック２２０を電極部２４６上に直接設けているが、１／４波長スタック２２０の形成において用いられるあらゆる基体（substrate）を含む介在層（intervening region）を設けてもよい。また、介在層は、従来と同様、本発明に基づくデバイスの他の様々な層間に設けることができる。
【００３４】
図３に示す実施例では、微小共振器効果は、電極部２４２と１／４波長スタック２２０の組合せによって生じる。この実施例では、電極部２４６は、透明である。
【００３５】
ＯＬＥＤデバイス２００を下方取出し型ＯＬＥＤとした場合、又はＯＬＥＤデバイス２００をＴＯＬＥＤとした場合、基板２１０及び電極部２４２も透明にする。
【００３６】
図３に示す構造の好ましい実施例として、ＯＬＥＤデバイス２００を上取出し型ＯＬＥＤとした場合、電極部２４２を反射性材料から形成して、例えばこのＯＬＥＤデバイス２００の共振器効果を高めることができる。これに代えて、上取出し構成においても、電極部２４２を透明材料から形成してもよい。
【００３７】
図２と同様、電極部２４２は、好ましくはアノードであり、電極部２４６は、好ましくはカソードである。
【００３８】
また、この他、数多くの構成が可能である。例えば、図４に示すＯＬＥＤデバイス３００は、基板３１０と、２つの多層ミラー（この場合、１／４波長スタック３２０ａ、３２０ｂ）と、ＯＬＥＤ３４０とを備える。微小共振器効果は、１／４波長スタック３２０ａと１／４波長スタック３２０ｂの組合せによって生じる。この実施例では、電極部３４２、３４６は、共に透明である。ここでは、電極部３４２をアノードとし、電極部３４６をカソードとすることが好ましい。
【００３９】
ＯＬＥＤデバイス３００は、下方取出し型でも、上取出し型でも、透明型でもよく、この実施例に上述と同様の変形を適用することができる。例えば、ＯＬＥＤデバイス３００をＴＯＬＥＤ又は下方取出し型デバイスとした場合、基板３１０は透明である。図３に示す実施例において好ましい構成は、透明（ＴＯＬＥＤ）構成である。
【００４０】
上述のように、基板１１０、２１０、３１０及びカバー１５０は、望まれる構成に応じて、透明であることが要求される場合もあり、透明であることが要求されない場合もある。これらのコンポーネントの一般的な材料としては、ポリマ、セラミクス、半導体、金属等がある。
【００４１】
金属は、基板及びカバーについて通常用いられる厚さでは、実質的な透明性を有さないが、優れたバリア特性を提供する。更に、金属は、例えば金属缶（metal cans）や金属箔等の様々な構成で設けることができる。この目的に適した金属としては、アルミニウム、金、ニッケル、ニッケル合金、インジウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。
【００４２】
半導体（例えば、シリコン）は、金属と同様、通常、良好な透明性を示さない。しかしながら、半導体は、水、酸素及びこの他の有害化学種に対する良好なバリア特性を有するとともに、電気回路を作り上げることができる基板を提供する。
【００４３】
セラミクスは、多くの場合、低い透過性と、透明性とを示す。好ましいセラミクスは、ガラスであり、より好ましくはソーダ石灰ガラス及びホウケイ酸ガラスである。
【００４４】
光学的な透明性が望まれる場合、ポリマを材料として用いることが望ましい場合も多い。しかしながら、ポリマを基板又はカバーとして選択した場合、殆どのポリマは、透過であるので、更なるバリア領域を設けることが望ましい。必要であれば、本発明に基づく多層ミラーによりこの機能を実現してもよい。
【００４５】
図２に示す特定の実施例では、基板１１０の材料は、多くの場合、光学的特性、柔軟性、他の表面に対する適合性（conformability）、処理（例えばウェハベースのプロセスを想定）時における寸法の安定性、他のコンポーネント（例えば、この実施例では、１／４波長スタック１２０の協働的なバリア層）との十分な接着性等を含む１つ以上の有利な特性に基づいて選択される。
【００４６】
柔軟性が望まれる場合、基板１１０は、紙、織地、金属泊、フレキシブルガラス（ショットガラステクノロジー社（Schott Glass Technologies）から入手可能）及び／又はポリマ層から構成してもよい。より好ましい柔軟性を有する基板材料としては、他の材料に対して強力な接着力を有する例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリイミド、ポリオレフィン、フルオロポリマ等の１つ以上のポリマコンポーネントがある。このようなポリマコンポーネントは、例えば、ホモポリマ、コポリマ、ポリマ混合体等として入手可能である。好ましいポリマコンポーネントの具体例としては、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエステルカーボナート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルイミド、ポリアクリラート、デュポン社（DuPont）から入手可能なカプトン（Kapton：商標）ポリイミド薄膜のようなポリイミド、ハネウェル社（Honeywell）から入手可能なアクラ（Aclar：商標）フルオロポリマのようなフルオロポリマ、ＢＦグッドリッチ社（BF Goodrich）から入手可能なアピア（Appear：商標）ポリノルボルネン（polynorbornene：ＰＮＢ）、ＢＦグッドリッチ社から入手可能なアートン（Arton：商標）等がある。これらの材料を用いる場合の基板１１０の厚さは、代表的には７５〜６２５μｍの範囲内である。
【００４７】
多層ミラー（この実施例では、１／４波長スタック１２０）は、基板１１０上に、平坦化材料（planarizing material）１２１ａ〜１２１ｃと高密度材料（high-density material）１２２ａ〜１２２ｃの両方を含む一連の協働的なバリア層を形成することによって形成できる。これらの協働的なバリア層は、交互に積層された構成となっている。好ましくは、２〜１０対（又はこれ以上）の層を用いる。すなわち、図２では、３対の層を示しているが、この他の層構成も可能である。更に、図２に示すように、底面層は、平坦化材料層１２１ａであることが望ましいが、底面層は、例えば高密度材料層であってもよい。同様に、図２に示す最上位層は、高密度材料層１２２ｃであるが、この最上位層は、平坦化材料層であってもよい。
【００４８】
この結果、本発明に基づく多層ミラー構造は、水分及び酸素の侵入の防止に適した、複合バリア層（composite barrier layer）としても機能する。更に、これらの構造は、生来的に柔軟性を有し、したがって、フレキシブルＯＬＥＤ（flexible OLED：ＦＯＬＥＤ）の製造に非常に適している。
【００４９】
なお、「平坦化材料（planarizing material）」とは、基底にある表面の不規則な凹凸を反映した表面を形成するのではなく、その材料によって円滑な平面状の表面を形成する材料を意味する。平坦化材料として好ましい材料は、表面に堆積したときに、コンフォーマルでない液体（non-conformal liquid）となる材料である。このような材料としては、例えばアクリラートモノマがある（アクリラートモノマは、通常、紫外線又は電子ビームに晒されて、モノマを架橋させてポリアクリラートを形成する）。好ましい平坦化材料は、例えばフッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートがある。平坦化材料層１２１ａ〜１２１ｃは、例えば、ディッピング、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着コーティング、噴霧、フラッシュ蒸着、化学気相成長等の当該技術分野において周知の技術で形成することができる。
【００５０】
高密度材料とは、特に水や酸素等の汚染物質及び有害化学種（deleterious species）が拡散することを防ぐように、原子間距離が十分小さい材料を意味する。好ましい高密度材料には、例えば、一酸化シリコン（ＳｉＯ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む酸化シリコン、窒化シリコン（通常、Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム（通常、Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム−スズ（zinc indium tin oxide）、及び例えば銀、クロム、アルミニウム、金等の金属がある。高密度材料層１２２ａ〜１２２ｃは、例えば抵抗加熱蒸着、スパッタリング、プラズマ化学気相成長（plasma-enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）、電子ビーム法等の当該技術分野において周知の方法で形成することができる。
【００５１】
多層バリア部の形成に関する更なる情報は、例えば米国特許第４，８４２，８９３号明細書、第４，９５４，３７１号明細書、第５，２６０，０９５号明細書、第６，２２４，９４８号明細書に開示されており、これらの文献の開示内容全体は、引用により本願に援用されるものとする。
【００５２】
適切な透明性及び十分に異なる屈折率を有する平坦化材料層１２１ａ〜１２１ｃ及び高密度材料層１２２ａ〜１２２ｃを選択することにより、多層ミラー１２０を形成することができる。好ましくは、多層ミラー内の各層の厚さは、透過するように選択された光のピーク波長をλとすると、λ／４とする。なお、本発明に基づく多層ミラー構造を含む多層ミラー構造では、通常、単一の波長ではなく、所定の範囲内に分布する波長の光の波長が透過される。ここで、当該技術分野では周知のように、層の厚さが略λ／４であれば、透過レベルのピークは、略λで生じる。（このような透過波長の分布の結果、特定の波長を透過させるのではなく、特定の波長を反射させる場合には、層の厚さは、λ／４とは大きく異ならせる必要がある。）。このような多層ミラーは、周知であり、多層ミラー内の層の厚さに基づいて、「１／４波長スタック（quater-wave stack）」と呼ばれる。多層ミラーの透過率／反射率は、層の対の数、層の厚さ、用いられる材料の屈折率に依存して定まることが知られている。
【００５３】
本発明を実現するために好ましい平坦化材料と高密度材料の対としては、例えばポリアクリラートと酸化アルミニウムの対がある。
【００５４】
図３及び図４に示す実施例にも、図２に示す１／４波長スタック１２０と同様の１／４波長スタック２２０、３２０ａ、３２０ｂが設けられている。これらのスタックは、平坦化材料層２２１ａ〜２２１ｃ、３２１ａ〜３２１ｃと、高密度材料層２２２ａ〜２２２ｃ、３２２ａ〜３２２ｃとを含んでいる。なお、１／４波長スタック３２０ｂは、基板３１０の上に形成されている。一方、１／４波長スタック２２０、３２０ａは、ＯＬＥＤ２４０、３４０上に形成されており、これらのＯＬＥＤ２４０、３４０は、後に形成される協働的なバリア層２２１ａ〜２２１ｃ、２２２ａ〜２２２ｃ、３２１ａ〜３２１ｃ、３２２ａ〜３２２ｃに対して「基板」として機能する。
【００５５】
具体的な幾つかの実施例を用いて本発明を説明したが、上述した実施例を様々に変形できることは、当業者にとって明らかである。これらの変形は、本発明の範囲内にあり、本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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