(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に平行に延びる複数の第１のストリートと該複数の第１のストリートと直交する方向に延びる複数の第２のストリートによって区画された領域にデバイスが形成され、該半導体基板の裏面に金属層が積層されたウエーハを、該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの裏面側を保持し、ウエーハの表面に形成された最外側の第１のストリートに沿って切断して第１の基準線を形成するとともに、ウエーハの表面に形成された最外側の第２のストリートに沿って切断して第２の基準線を形成する基準線形成工程と、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの表面側を保持し、該第１の基準線および該第２の基準線を基準として断面形状がＶ字状の切れ刃を有する切削ブレードによる切削位置に該第１のストリートおよび該第２のストリートを位置付け、ウエーハの裏面側から該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿って切削することにより該金属層を切断するとともに、該半導体基板の裏面に該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿ってＶ字状の切削溝を形成するＶ溝形成工程と、
該Ｖ溝形成工程が実施され該半導体基板に形成されたＶ字状の切削溝の表面に残留する加工歪を除去する加工歪除去工程と、
該加工歪除去工程が実施されたウエーハを該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿ってＶ字状の切削溝の底部と該半導体基板の表面間を切断することによってウエーハを個々のデバイスに分割する切断工程と、を含み、
該切断工程は、該Ｖ字状の切削溝の幅より小さい幅の切れ刃を有する切削ブレードによって実施する、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【請求項２】
該加工歪除去工程は、プラズマエッチングによって実施される、請求項１記載のウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状のストリートによって区画された領域にデバイスが形成され、裏面に金属層が積層されたウエーハを、ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に、IC,LSI、IBGT(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等のデバイスを形成する。(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等の個別半導体デバイスの裏面には電極となる金属層が積層されている。半導体基板の表面に(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等が形成された半導体ウエーハは、半導体基板の裏面に金属膜を積層した後に、ストリートに沿って切断し個々のデバイスに分割している。
【０００３】
このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００２−３５９２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、IBGT(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等のデバイスが形成された半導体基板の裏面には鉛や金等の金属層が積層されており、半導体基板の裏面に金属層が積層されたウエーハを切削装置の切削ブレードによって切削して個々のデバイスに分割すると、次のような問題が発生することがわかった。即ち、金属層が積層されたウエーハを切削装置の切削ブレードによって切削して分割したデバイスの金属層側を電極フレームに接合してパッケージングし、例えば１８０℃の温度範囲において繰り返し昇降実験すると、半導体基板における金属層から数μm内部に雲母のような割れが発生し、半導体基板が電極フレームに接合された金属層から剥離するという問題がある。
【０００５】
上述した問題は、半導体基板の裏面に積層された金属層の厚みが厚いか、電極フレームにデバイスの金属層を接合するロー材の厚みが厚い場合には、電極フレームと半導体基板の熱膨張率の相違による熱歪を金属層やロー材が吸収して半導体基板に割れが生ずることはない。しかるに、半導体パッケージの軽量化やコスト低減等の理由から金属層やロー材の厚みを例えばそれぞれ１〜２μm程度に薄くすると、電極フレームと半導体基板の熱膨張率の相違による熱歪を金属層やロー材によって吸収できなくなる。このとき、デバイスの切断面に切削ブレードの切断による加工歪が残留している場合に、半導体基板に割れが発生すると考えられる。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、半導体基板の裏面に積層される金属層の厚みを薄くしても、電極フレームに金属層を接合したデバイスの半導体基板に割れが発生することを防止できるウエーハの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に平行に延びる複数の第１のストリートと該複数の第１のストリートと直交する方向に延びる複数の第２のストリートによって区画された領域にデバイスが形成され、該半導体基板の裏面に金属層が積層されたウエーハを、該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの裏面側を保持し、ウエーハの表面に形成された最外側の第１のストリートに沿って切断して第１の基準線を形成するとともに、ウエーハの表面に形成された最外側の第２のストリートに沿って切断して第２の基準線を形成する基準線形成工程と、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの表面側を保持し、該第１の基準線および該第２の基準線を基準として断面形状がＶ字状の切れ刃を有する切削ブレードによる切削位置に該第１のストリートおよび該第２のストリートを位置付け、ウエーハの裏面側から該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿って切削することにより該金属層を切断するとともに、該半導体基板の裏面に該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿ってＶ字状の切削溝を形成するＶ溝形成工程と、
該Ｖ溝形成工程が実施され該半導体基板に形成されたＶ字状の切削溝の表面に残留する加工歪を除去する加工歪除去工程と、
該加工歪除去工程が実施されたウエーハを該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿ってＶ字状の切削溝の底部と該半導体基板の表面間を切断することによってウエーハを個々のデバイスに分割する切断工程と、を含み、
該切断工程は、該Ｖ字状の切削溝の幅より小さい幅の切れ刃を有する切削ブレードによって実施する、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【０００８】
上記加工歪除去工程は、プラズマエッチングによって実施される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によるウエーハの分割方法によれば、分割されたデバイスを構成する半導体基板の裏面側周辺は面取りされた状態の傾斜面に形成されているとともに、この傾斜面は上記加工歪除去工程によって加工歪が除去されている。従って、デバイスを構成する半導体基板の裏面に積層された金属層が１μm程度に薄い場合であっても、金属層側を電極フレームに接合してパッケージングし、熱負荷を繰り返し作用しても半導体基板に割れが生ずることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明によるウエーハの分割方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが３００μmのシリコンからなる半導体基板２０の表面２０ａに平行に延びる複数の第１のストリート２１と該複数の第１のストリート２１と直交する方向に延びる複数の第２のストリート２２によって区画された複数の矩形領域が形成され、この複数の矩形領域に絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等のデバイス２３が形成されている。このように形成された半導体基板２０の裏面２０bには、図２に示すように鉛、ニッケル、金等の金属層２４が金属蒸着によって積層されて形成されている。なお、金属層２４の厚さは、図示の実施形態においては１μmに設定されている。
【００１２】
以下、上述した半導体ウエーハ２を第１のストリート２１および第２のストリート２２に沿って分割する方法について説明する。
先ず、図３に示すように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに保護テープ３aを貼着する。
半導体基板２０の裏面２０bに保護テープ３aを貼着したならば、切削装置のチャックテーブルに半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着された保護テープ３a側を保持し、半導体基板２０の表面２０ａに形成された最外側の第１のストリート２１に沿って切断して第１の基準線を形成するとともに、半導体基板２０の表面２０ａに形成された最外側の第２のストリート２２に沿って切断して第２の基準線を形成する基準線形成工程を実施する。この基準線形成工程は、図４に示す切削装置４を用いて実施する。図４に示す切削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物を切削する切削ブレード４２１を備えた切削手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図４において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。切削ブレード４２１は円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃４２１aからなっており、切れ刃４２１aは例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成され、断面形状がU字状に形成されている。上記撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１３】
このように構成された切削装置４を用いて基準線形成工程を実施するには、チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着された保護テープ３a側を載置し、図示しない吸引手段を作動して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル４１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、半導体基板２０の表面２０aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００１４】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された複数の第１のストリート２１のうち最外側のストリート２１aと切削ブレード４２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された複数の第２のストリート２２のうち最外側のストリート２２aに対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１５】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された複数の第１のストリート２１および複数の第２のストリート２２のうちそれぞれ最外側のストリート２１aおよびストリート２２aを検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図５に示すように半導体ウエーハ２は切削すべき第１のストリート２１aの一端（図５において左端）が切削ブレード４２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４２１を図５において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図５において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切れ刃４２１aの下端が半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着された保護テープ３aに達する位置に設定されている。
【００１６】
上述したように切削ブレード４２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１を図５において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル４１を図５において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード４２１の直下を通過したらチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２は、半導体基板２０の表面２０aに形成された最外側の第１のストリート２１aに沿って切断される。
【００１７】
なお、上記基準線形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ：外径５２ｍｍ、幅３０μｍ
切削ブレードの回転速度：４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ：１０ｍｍ／秒
【００１８】
上述したように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された最外側の第１のストリート２１aに沿って切断したらならば、半導体ウエーハ２を保持するチャックテーブル４１を９０度回動し、上記と同様に半導体ウエーハ２を半導体基板２０の表面２０aに形成された最外側の第２のストリート２２aに沿って切断する。この結果、半導体ウエーハ２は、図６に示すように半導体基板２０の表面２０aに形成された最外側の第１のストリート２１aおよびストリート２２aに沿って切断され、第１に基準線２１１および第２に基準線２２１が形成される。
【００１９】
上述した基準線形成工程を実施したならば、切削装置のチャックテーブルに半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０a側を保持し、上記第１の基準線２１１および第２の基準線２２１を基準として断面がV字状の切削ブレードによる切削位置に第１のストリート２１および第２のストリート２２を位置付け、半導体ウエーハ２の裏面２０b側から第１のストリート２１および第２のストリート２２に沿って切削することにより金属層２４を切断するとともに、半導体基板２０の裏面に第１のストリート２１および第２のストリート２２に沿ってV字状の切削溝を形成するV溝形成工程を実施する。このV溝形成工程は、上記図４に示す切削装置４を用いて実施することができる。但し、図７に示すように切削ブレード４２２の切れ刃４２２aは、幅が２００μmで断面形状が９０度のV字状の切削ブレードを用いる。
【００２０】
切削装置４を用いてV溝形成工程を実施するには、図８に示すように上述したように半導体基板２０の裏面２０bに貼着された保護テープ３aを剥離して、半導体基板２０の表面２０aに保護テープ３bを貼着する。そして、図７に示すようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３b側を載置し、図示しない吸引手段を作動して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル４１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４が上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００２１】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された第１に基準線２１１と切削ブレード４２２との位置合わせを行うアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成された第２に基準線２２１と切削ブレード４２２との位置合わせを行うアライメントも遂行する。なお、半導体ウエーハ２に形成された複数の第１のストリート２１の間隔および複数の第２のストリート２２の間隔は、その設計値が図示しない制御手段のメモリに格納されている。なお、チャックテーブル４１上に半導体基板２０の裏面２０bを上側にして保持しても、半導体基板２０を透過する赤外線カメラを搭載した撮像手段を用いれば、半導体基板２０の裏面側から表面に形成されたストリートを検出することができるが、半導体基板２０の裏面２０bには赤外線を遮断する金属層２４が積層されているために、半導体基板２０の裏面側から表面に形成されたストリートを検出することができない。従って、上述したようにアライメント工程は、半導体ウエーハ２に形成された第１に基準線２１１と第２に基準線２２１を基準として実施する。
【００２２】
上述したように半導体ウエーハ２に形成された第１に基準線２１１および第２に基準線２２１と切削ブレード４２２との位置合わせを行うアライメントを実施したならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図示しない制御手段のメモリに格納されている第１に基準線２１１から複数の第１のストリート２１の間隔に対応する距離だけチャックテーブル４１を矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動する。この結果、第１のストリート２１が切削ブレード４２２と対応する位置に位置付けられる。このように、第１に基準線２１１を基準として第１のストリート２１を切削ブレード４２２の切削位置に位置付けるので、半導体基板２０の裏面２０bに金属層２４が積層され、撮像手段４３によってストリートを検出することができなくても、ストリートを切削ブレード４２２の切削位置に位置付けることができる。次に、図９に示すように半導体ウエーハ２は切削すべき第１のストリート２１aの一端（図９において左端）が切削ブレード４２２の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４２２を図９において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図９において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４の表面（上面）から例えば８０μm下方位置に設定されている。
【００２３】
上述したように切削ブレード４２２の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２２を図９において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル４１を図９において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で切削送りする。そして、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード４２２の直下を通過したらチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２は、図１０に示すように半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４が切断されるとともに、半導体基板２０の裏面２０bに第１のストリート２１に沿ってV字状の切削溝２５が形成される。以後、順次複数の第１のストリート２１の間隔に対応する距離だけチャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に割り出し送りし、隣接する第１のストリート２１に沿って金属層２４を切断するとともに半導体基板２０の裏面２０bにV字状の切削溝２５を形成する。なお、半導体基板２０の裏面２０bに形成されるV字状の切削溝２５は、図示の実施形態においては深さHが８０μm、幅Lが１６０μmに設定されている。
【００２４】
なお、上記V溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ：外径５２ｍｍ、幅２００μｍ（断面形状：V字状）
切削ブレードの回転速度：４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ：１０ｍｍ／秒
【００２５】
上述したように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４を複数の第１のストリート２１に沿って切断するとともに、半導体基板２０の裏面２０bに複数の第１のストリート２１に沿ってV字状の切削溝２５を形成したらならば、半導体ウエーハ２を保持するチャックテーブル４１を９０度回動する。そして、図示しない制御手段のメモリに格納されている第２に基準線２２１から複数の第２のストリート２２の間隔に対応する距離だけチャックテーブル４１を矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動し、上述したように切り込み送りした後に切削送りすることにより、半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４を切断するとともに、半導体基板２０の裏面２０bに第２のストリート２２に沿ってV字状の切削溝２５を形成する。以後、順次複数の第２のストリート２２の間隔に対応する距離だけチャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に割り出し送りし、隣接する第２のストリート２２に沿って金属層２４を切断するとともに半導体基板２０の裏面２０bにV字状の切削溝２５を形成する。このようにして、半導体基板２０の裏面２０bに複数の第１のストリート２１および複数の第２のストリート２２に沿ってV字状の切削溝２５を形成すると、V字状の切削溝２５の表面２５aには切削によって生ずる加工歪が残留する。
【００２６】
上述したようにV溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに形成されたV字状の切削溝２５の表面２５aに残留する加工歪を除去する加工歪除去工程を実施する。この加工歪除去工程は、図示の実施形態においては図１１に示すプラズマエッチング装置５を用いて実施する。図１１に示すプラズマエッチング装置５は、ハウジング５１と、該ハウジング５１内に上下方向に対向して配設された下部電極５２と、上部電極５３を具備している。下部電極５２は、円盤状の被加工物保持部５２１と、該被加工物保持部５２１の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部５２２とからなっている。被加工物保持部５２１の上面には多孔質セラミックス材によって形成された吸着チャック５２１aが配設されており、この吸着チャック５２１a上に上記V溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２が載置され、図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持される。また、支持部５２２には、高周波電圧印加手段５４に接続されている。
【００２７】
上記上部電極５３は、円盤状のガス噴出部５３１と、該ガス噴出部５３１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部５３２とからなっている。このようにガス噴出部５３１と円柱状の支持部５３２とからなる上部電極５３は、ガス噴出部５３１が下部電極５２を構成する被加工物保持部５２１と対向して配設されている。上部電極５３を構成する円盤状のガス噴出部５３１には、下面に開口する複数の噴出口５３１ａが設けられている。この複数の噴出口５３１ａは、ガス噴出部５３１に形成された連通路５３１ｂおよび支持部５３２に形成された連通路５３２ａを介してガス供給手段５５に連通されている。ガス供給手段５５は、六フッ化イオウ(SF6)等のフッ素系ガスを主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給するようになっている。
【００２８】
以上のよう構成されたプラズマエッチング装置５を用いて加工歪除去工程を実施するには、下部電極５２を構成する被加工物保持部５２１上に上記V溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３b側を載置し、図示しない吸引手段を作動して半導体ウエーハ２を被加工物保持部５２１上に吸引保持する。従って、被加工物保持部５２１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、半導体基板２０の裏面２０bに積層された金属層２４が上側となる。
【００２９】
次に、ガス供給手段５５を作動してプラズマ発生用ガスを上部電極５３に供給する。ガス供給手段５５から供給されたプラズマ発生用ガスは、支持部５３２に形成された連通路５３２ａおよびガス噴出部５３１に形成された連通路５３１ｂを通して複数の噴出口５３１ａから下部電極５２の吸着保持部材５２１上に保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０b（上面）に向けて噴出される。このように、プラズマ発生用ガスを供給した状態で、高周波電圧印加手段５４から下部電極５２と上部電極５３との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極５２と上部電極５３との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに作用する。フッ素系ガスを主体とするプラズマ発生用の混合ガスは金属層２４をエッチングせずに、シリコンからなる半導体基板２０の裏面２０bに形成されたV字状の切削溝２５の表面２５aをエッチングする。従って、半導体基板２０の裏面２０bに形成されたV字状の切削溝２５の表面２５aに残留する加工歪が除去される。
【００３０】
なお、上述した加工歪除去工程においてはフッ素系ガスを主体とするプラズマ発生用ガスを用いたプラズマエッチングによって実施した例を示したが、加工歪除去工程は半導体基板２０の裏面２０bに積層される金属層２４が金の場合には硝酸とフッ酸との混合液からなるエッチング液を用いたウエットエッチングによって実施してもよい。
【００３１】
上述したように加工歪除去工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を第１のストリート２１および第２のストリート２２に沿ってV字状の切削溝２５の底部と半導体基板２０の表面間を切断ずる切断工程を実施する。この切断工程は、上記図４に示す切削装置４を用いて実施することができる。なお、この切断工程を実施する際には、切削ブレード４２１の切れ刃４２１aが半導体基板２０の裏面２０bに形成されたV字状の切削溝２５の幅Lより小さい幅の切削ブレードを用いることが重要である。
【００３２】
図４に示す切削装置４を用いて切断工程を実施するには、図１２に示すように上記加工歪除去工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bを環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着する（ウエーハ支持工程）。そして、半導体基板２０の表面２０aに貼着されている保護テープ３bを剥離する。
【００３３】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図１３に示すように切削装置４のチャックテーブル４１上に上述したウエーハ支持工程において半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する。なお、図１３においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル４１に配設された図示しないクランプによって固定される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００３４】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された第１のストリート２１と、切削ブレード４２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成されている第２のストリート２２に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００３５】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成されている第１のストリート２１および第２のストリート２２を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１４の(a)に示すように半導体ウエーハ２は切削すべき第１のストリート２１の一端（図１４の(a)において左端）が切削ブレード４２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４２１を図１４の(a)において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図１４の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図示の実施形態においては図１４の(b)に示すように切れ刃４２１aの下端が半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０a(上面)から半導体基板２０の裏面２０bに形成されたV字状の切削溝２５に達する位置に設定されている。
【００３６】
上述したように切削ブレード４２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１を図１４の(a)において矢印４２０で示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル４１を図１４の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード４２１の直下を通過したらチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２は、第１のストリート２１に沿って半導体基板２０の表面２０aからV字状の切削溝２５まで切削される。この結果、半導体ウエーハ２は第１のストリート２１に沿って切断されることになる。以後、順次複数の第１のストリート２１の間隔に対応する距離だけチャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に割り出し送りし、隣接する第１のストリート２１に沿って半導体ウエーハ２を切断する。
【００３７】
なお、上記切断工程は、上記基準線形成工程と同様に以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ：外径５２ｍｍ、幅３０μｍ
切削ブレードの回転速度：４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ：１０ｍｍ／秒
【００３８】
上述したように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成された複数の第１のストリート２１に沿って切断工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を保持するチャックテーブル４１を９０度回動する。そして、半導体基板２０の表面２０aに形成された全ての第２のストリート２２に沿って上記切断工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、図１５に示すように裏面に金属層２４が積層された個々のデバイス２３０に分割される。このようにして分割されたデバイス２３０を構成する半導体基板２０の裏面２０b側周辺は面取りされた状態の傾斜面２５bに形成されているとともに、この傾斜面２５bは上記加工歪除去工程によって加工歪を除去されている。従って、デバイス２３０を構成する半導体基板２０の裏面に積層された金属層２４が１μm程度に薄い場合であっても、金属層２４側を図示しない電極フレームに接合してパッケージングし、熱負荷を繰り返し作用しても半導体基板２０に割れが生ずることはない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの断面拡大図。
【図３】図１に示す半導体ウエーハの裏面に保護テープを貼着した状態を示す斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法における基準線形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図５】本発明によるウエーハの分割方法における基準線形成工程の説明図。
【図６】図５に示す基準線形成工程が実施された半導体ウエーハの平面図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法におけるV溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図８】図５に示す基準線形成工程が実施された半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着するとともに半導体ウエーハの裏面に貼着されている保護テープを剥離した状態を示す斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法におけるV溝形成工程の説明図。
【図１０】図９に示すV溝形成工程が実施された半導体ウエーハの断面拡大図。
【図１１】本発明によるウエーハの分割方法における加工歪除去工程を実施するためのプラズマエッチング装置の要部断面図。
【図１２】本発明によるウエーハの分割方法における切断工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図１３】本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの分割方法における切断工程の説明図。
【図１５】本発明によるウエーハの分割方法によって分割されたデバイスの斜視図。
【符号の説明】
【００４０】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体基板
２１：第１のストリート
２２：第２のストリート
２３：デバイス
２４：金属層
２５：V字状の切削溝
３a.３b：保護テープ
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
４２１：切削ブレード
４２２：切削ブレード
４３：撮像手段
５：プラズマエッチング装置
５１：ハウジング
５２：下部電極
５３：上部電極
５４：高周波電圧印加手段
５５：ガス供給手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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