(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号のミュート回路であって、
ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ラインと、所定の固定電圧端子の間に設けられたミュートトランジスタと、
前記ミュートトランジスタのゲート電圧を生成し、ミュート状態において前記ミュートトランジスタをオン、非ミュート状態において前記ミュートトランジスタをオフするミュート制御回路と、
を備え、
前記ミュート制御回路は、
その入力端子にミュート制御信号が入力され、前記ミュート制御信号に応じて、前記ゲート電圧を、前記ミュートトランジスタのオンに対応する電圧とするか、前記ミュートトランジスタのオフに対応する電圧とするか、を切りかえる切換回路と、
前記信号ラインと前記ミュートトランジスタのゲートへの電圧供給経路上に設けられたスイッチ回路と、
を備え、
前記切換回路は、前記ミュートトランジスタをオフとするために負電圧が必要な場合は、前記オーディオ信号の電圧を出力し、
前記切換回路が前記オーディオ信号の電圧を出力するとき、前記スイッチ回路はオン状態であることを特徴とするミュート回路。
【請求項２】
前記ミュートトランジスタはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であることを特徴とする請求項１に記載のミュート回路。
【請求項３】
前記切換回路は電源電圧が供給され、前記ミュートトランジスタをオンするときに前記電源電圧を前記ミュートトランジスタのゲートに供給することを特徴とする請求項２に記載のミュート回路。
【請求項４】
前記スイッチ回路はＮチャンネルＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項３に記載のミュート回路。
【請求項５】
請求項４に記載のミュート回路を備え、ひとつの半導体基板上に集積化されることを特徴とするオーディオ信号増幅回路。
【請求項６】
デジタルのオーディオ信号が入力される入力端子と、
前記デジタルのオーディオ信号をアナログのオーディオ信号に変換するデジタルアナログ変換器と、
前記アナログのオーディオ信号を増幅するアンプと、
その一端が前記アンプの出力端子と接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗の他端が接続される出力端子と、
前記ミュート制御信号が入力される制御端子と、
前記信号ラインと接続されるミュート端子と、
をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のオーディオ信号増幅回路。
【請求項７】
オーディオ信号を増幅するアンプと、
前記アンプの出力の後段に設けられた直流阻止キャパシタにより直流成分が除去されたオーディオ信号をミュートする請求項１から４のいずれかに記載のミュート回路と、
を備えることを特徴とするオーディオ信号増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーディオ信号のミュート技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種オーディオ機器は、電源の投入・遮断時、たとえば機器の起動時において、ポップ音あるいはポップアップノイズなどと呼ばれるノイズが発生する。このポップ音は、電源の投入にともない、スピーカに入力される電気信号のレベルが急激に変化することにより発生する。こうしたポップ音を抑制するために、特許文献２に記載されるようなミュート回路が用いられる。あるいはミュート回路は、ユーザの指示に応じた無音状態を実現するためにも利用される。
【０００３】
特許文献２の図５に記載されるように、従来のミュート回路では、オーディオ信号が伝搬する信号ラインと、接地端子のような固定電圧端子との間に、ミュートトランジスタが設けられる。このミュートトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴで構成されており、ソースが接地され、ドレインが信号ラインに接続され、ゲートにミュートを制御する制御信号が入力される。このミュートトランジスタのバックゲートは、同図に示されるように、ソースと接続されて接地される。この構成によれば、ミュート状態においては、制御信号がハイレベルとなるとミュートトランジスタがオンし、信号ラインの電位が接地電位に固定される。
【０００４】
ミュート状態が解除され、通常の動作、すなわちオーディオ信号の再生を行う場合、制御信号がローレベルとなり、ミュートトランジスタがオフとなる。オーディオ信号の再生時において、信号ラインの電位は、接地電位０Ｖと中心として、正および負の電圧にスイングする。ここで、ミュートトランジスタをＭＯＳＦＥＴで構成する場合、そのバックゲートとドレイン間には、アノードがバックゲート、カソードがドレインの向きとなるボディダイオードが存在する。信号ラインの電位が負の方向に振れ、ボディダイオードの順方向電圧−Ｖｆより低くなると、信号ラインの電位は−Ｖｆクランプされることになり、十分な振幅がとれなくなるという問題がある。信号ラインの電位がクランプされると波形歪みが発生し、大音量での再生が困難となる。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献２の図６に記載されるように、ミュートトランジスタを２段縦積みされたＭＯＳＦＥＴで構成し、各ＭＯＳＦＥＴのバックゲートを、２つのＭＯＳＦＥＴのボディダイオードが逆向きとなるように配線する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２２３５３７号公報
【特許文献２】特開２００５−３０３５５４号公報
【特許文献３】特開平７−２４０６３２号公報
【特許文献４】特開２００１−２４４７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的に、ミュートトランジスタをオフする場合、ミュートトランジスタのゲートに接地電圧が供給される。この状態で、信号ラインの電位が負にスイングし、ミュートトランジスタのゲートと信号ラインの間の電位差がトランジスタのしきい値電圧Ｖｔを超えると、ミュートトランジスタがオンし、オーディオ信号の振幅レンジが制限されるという問題がある。
【０００８】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は振幅レンジを拡大したミュート回路の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある態様はオーディオ信号のミュート回路に関する。このミュート回路は、ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ラインと、所定の固定電圧端子の間に設けられたミュートトランジスタと、ミュートトランジスタのゲート電圧を生成し、ミュート状態においてミュートトランジスタをオン、非ミュート状態においてミュートトランジスタをオフするミュート制御回路と、を備える。ミュート制御回路は、オーディオ信号の電圧レベルに応じて、非ミュート状態におけるミュートトランジスタのゲート電圧を変化させる。
【００１０】
この態様によると、オーディオ信号の電圧レベルに応じて、ゲート電圧を変化させることにより、非ミュート状態において、ミュートトランジスタがオンするのを防止することができ、振幅レンジを拡大できる。
【００１１】
ミュート制御回路は、オーディオ信号の電圧レベルが所定のしきい値電圧より高いとき、ミュートトランジスタのゲートに接地電圧を供給し、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より低いとき、ミュートトランジスタのゲートに負電圧を供給してもよい。
【００１２】
ミュート制御回路は、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より低いとき、ミュートトランジスタのゲートにオーディオ信号と同レベルの電圧を供給してもよい。
この場合、オーディオ信号ミュートトランジスタに供給するため、負電源が不要となる。
【００１３】
ミュート制御回路は、入力端子にミュート、非ミュート状態を指示する信号が入力され、出力端子がミュートトランジスタのゲートに接続されたドライバ回路と、ドライバ回路の下側の電源端子に電源電圧を供給するスイッチ回路と、を含んでもよい。スイッチ回路は、オーディオ信号の電圧レベルに応じて電源電圧を変化させてもよい。
【００１４】
スイッチ回路は、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より高いとき、ドライバ回路の下側の電源端子に接地電圧を供給し、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より低いとき、ドライバ回路の下側の電源端子にオーディオ信号と同レベルの電圧を供給してもよい。
【００１５】
スイッチ回路は、一端が信号ラインに接続され、他端がドライバ回路の下側の電源端子に接続され、制御端子の電位が固定された第１トランジスタと、一端が接地され、他端がドライバ回路の下側の電源端子に接続され、制御端子にオーディオ信号が入力された第２トランジスタと、を含んでもよい。
【００１６】
本発明の別の態様も、オーディオ信号のミュート回路に関する。このミュート回路は、ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ラインと固定電圧端子の間に設けられたミュートトランジスタと、ミュートトランジスタのゲート電圧を生成し、ミュート状態においてミュートトランジスタをオン、非ミュート状態においてミュートトランジスタをオフするミュート制御回路と、を備える。ミュート制御回路は、非ミュート状態の期間中、オーディオ信号の電圧レベルが負となる少なくともある期間において、ミュートトランジスタのゲート電圧を、オーディオ信号を利用して生成する。
この態様によれば、オーディオ信号の電圧レベルが負の場合に、ミュートトランジスタのゲート電圧をオーディオ信号に追従させることができるため、非ミュート状態においてミュートトランジスタがオンするのを防止することができる。さらに、この態様によれば、負電源が不要になり、回路面積を削減することができる。
【００１７】
本発明の別の態様もまた、オーディオ信号のミュート回路に関する。このミュート回路は、ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ラインと固定電圧端子の間に設けられたミュートトランジスタと、ミュートトランジスタのゲート電圧を生成し、ミュート状態においてミュートトランジスタをオン、非ミュート状態においてミュートトランジスタをオフするミュート制御回路と、を備える。ミュート制御回路は、出力端子がミュートトランジスタのゲートに接続されたドライバ回路と、一端が信号ラインに接続され、他端がドライバ回路の下側の電源端子に接続され、制御端子の電位が固定された第１トランジスタと、一端が接地され、他端がドライバ回路の下側の電源端子に接続され、制御端子にオーディオ信号が入力された第２トランジスタと、を含む。
【００１８】
本発明のさらに別の態様は、オーディオ信号増幅回路である。このオーディオ信号増幅回路は、オーディオ信号を増幅するアンプと、アンプの出力の後段に設けられた直流阻止キャパシタにより直流成分が除去されたオーディオ信号をミュートするミュート回路と、を備える。
【００１９】
本発明のさらに別の態様は、ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ラインと接地端子の間に設けられたミュートトランジスタの制御方法に関する。この方法は、ミュート状態において、ミュートトランジスタのゲートに、当該ミュートトランジスタがオンする電圧を供給するステップと、非ミュート状態において、オーディオ信号の電圧レベルが所定のしきい値電圧より高いとき、ミュートトランジスタのゲートに接地電圧を供給するステップと、非ミュート状態において、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より低いとき、ミュートトランジスタのゲートに負電圧を供給するステップと、を備える。
【００２０】
非ミュート状態において、オーディオ信号の電圧レベルがしきい値電圧より低いとき、ミュートトランジスタのゲートに、オーディオ信号と同レベルの電圧を供給してもよい。
【００２１】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るミュート回路によれば、振幅レンジを拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態に係るオーディオ信号増幅回路の構成を示す回路図である。
【図２】図１のミュート回路の動作波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態に係るオーディオ信号増幅回路１００の構成を示す回路図である。オーディオ信号増幅回路１００は、携帯型音楽プレイヤ、テレビ、音楽再生機能付きの携帯電話端末、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの電子機器に搭載される。電子機器は、接続されたスピーカやイヤホンに対して、あるいは外部の電子機器に対して増幅したオーディオ信号を出力する。
【００２６】
音源１１０は、光ディスク、ハードディスク、フラッシュメモリなどに所定のフォーマットで記録されたデジタルのオーディオ信号を読み出し、これをデコードして、デジタル値の信号として出力する。このデジタルのオーディオ信号Ｓ１は、オーディオ信号増幅回路１００の入力端子１０２に入力される。
【００２７】
オーディオ信号増幅回路１００は、入力端子１０２に入力されたオーディオ信号Ｓ１をアナログのオーディオ信号に変換して増幅した後に、出力端子１０４から出力する。オーディオ信号増幅回路１００は、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）２０、アンプ２２、ミュート回路１０、第１抵抗Ｒ１を備え、ひとつの半導体基板上に集積化された機能ＩＣである。
【００２８】
ＤＡＣ２０は、デジタルのオーディオ信号Ｓ１をアナログのオーディオ信号Ｓ２に変換する。アンプ２２は、アナログのオーディオ信号Ｓ２を増幅し、第１抵抗Ｒ１を介して出力端子１０４から出力する。キャパシタＣ１は直流阻止用に設けられており、一端が出力端子１０４に、他端が信号ライン１１２を介して電子機器の出力端子２０２と接続される。第２抵抗Ｒ２は、キャパシタＣ１とともにローパスフィルタを構成する。
【００２９】
ＤＡＣ２０およびアンプ２２は、ΔΣ変調およびＤ級アンプで構成されてもよい。この場合、オーディオ信号増幅回路１００は、入力端子１０２に入力されたオーディオ信号Ｓ１をΔΣ変調してビットストリームに変換し増幅した後に、出力端子１０４から出力する。出力端子１０４から出力されたビットストリームのオーディオ信号はフィルタに入力される。フィルタは、ビットストリームの高周波成分を除去する。
【００３０】
本実施の形態にオーディオ信号増幅回路１００は、その起動時等にスピーカから発生するポップ音を抑制するために、ミュート機能を備える。以下、このミュート機能について説明する。
【００３１】
ミュート機能は、ミュートトランジスタＭ１０およびミュート制御回路１２を備えるミュート回路１０によって実現される。
【００３２】
オーディオ信号増幅回路１００のミュート端子１０６は、ＤＣデカップリング用のキャパシタＣ１より後段の信号ライン１１２と接続される。この信号ライン１１２の電位は、オーディオ信号の再生時において、接地電圧０Ｖを中心として正負にスイングする。ミュート回路１０は、制御信号Ｓｃｏｎｔに応じて信号ライン１１２の電位を固定することにより、ミュート状態を実現する。
【００３３】
ミュートトランジスタＭ１０は、ミュート対象となるオーディオ信号が伝搬する信号ライン１１２と、所定の固定電圧端子、すなわち接地端子１０８の間に設けられる。ミュートトランジスタＭ１０は、信号ライン１１２と接地端子１０８の間に直列に設けられたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである第１ミュートトランジスタＭ１１、第２ミュートトランジスタＭ１２を含む。なお、以下の説明において、ＭＯＳＦＥＴのドレイン、ソースは、説明のために便宜的に区別したものにすぎず、それを逆に読み替えてもよいことは当業者には理解される。
【００３４】
第１ミュートトランジスタＭ１１のドレインはミュート端子１０６を介して信号ライン１１２に接続される。第２トランジスタＭ２のソースおよびゲートは、第１ミュートトランジスタＭ１１のソースおよびゲートとそれぞれ共通に接続され、そのドレインは接地される。
【００３５】
第１ミュートトランジスタＭ１１と第２ミュートトランジスタＭ１２それぞれのバックゲートは、それぞれのボディダイオードが逆向きに配置されるように接続される。すなわち、第１ミュートトランジスタＭ１１、第２ミュートトランジスタＭ１２のバックゲートは、それぞれのソースと接続される。
【００３６】
第１ミュートトランジスタＭ１１、第２ミュートトランジスタＭ１２はそれらが一体となって一つのＭＯＳＦＥＴとして機能する。つまり第１ミュートトランジスタＭ１１、第２ミュートトランジスタＭ１２の共通接続されたゲートは、ミュートトランジスタＭ１０のゲートに対応し、第１ミュートトランジスタＭ１１のドレインはミュートトランジスタＭ１０のドレインに、第２ミュートトランジスタＭ１２のドレインはミュートトランジスタＭ１０のソースに対応する。
【００３７】
ミュート制御回路１２は、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇを生成し、ミュート状態においてミュートトランジスタＭ１０をオン、非ミュート状態においてミュートトランジスタＭ１０をオフする。
【００３８】
ミュート制御回路１２は、ミュートトランジスタＭ１０のゲートドレイン間電圧Ｖｇｄおよびゲートソース間電圧Ｖｇｓが、ともにＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖｔを超えないように、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２（つまりミュートトランジスタＭ１０のドレイン電圧）に応じて、非ミュート状態におけるミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇを変化させる。つまり、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２が低くなるほど、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇを低く設定する。
【００３９】
この構成によれば、非ミュート状態において、オーディオ信号Ｓ２がスイングしても、ミュートトランジスタＭ１０をオフに維持できるため、ミュートトランジスタＭ１０によってオーディオ信号Ｓ２の伝送が阻害されず、振幅レンジを拡大することができる。
【００４０】
以下、ミュート制御回路１２の具体的な構成例について説明する。ミュート制御回路１２は、非ミュート状態において、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２が所定のしきい値電圧Ｖｔｈより高いとき、ミュートトランジスタＭ１０のゲートに接地電圧（０Ｖ）を供給する。また、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２がしきい値電圧Ｖｔｈより低いとき、ミュートトランジスタＭ１０のゲートに負電圧を供給する。しきい値電圧Ｖｔｈは、接地電圧０Ｖ以下であることが望ましい。
この場合、非ミュート状態において、ミュートトランジスタＭ１０を好適にオフ状態に維持できる。
【００４１】
ミュート制御回路１２は、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２がしきい値電圧Ｖｔｈより低いとき、ミュートトランジスタＭ１０のゲートにオーディオ信号Ｓ２と同レベルの負電圧を供給する。つまりミュート制御回路１２は、非ミュート状態の期間中、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２が負となる少なくともある期間において、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇを、オーディオ信号Ｓ２を利用して生成する。この場合、負電源が不要となるため、回路規模の増大を抑制できる。
【００４２】
ミュート制御回路１２は、ドライバ回路１４およびスイッチ回路１６を含む。
ドライバ回路１４は、その入力端子にミュート状態、非ミュート状態を指示する制御信号Ｓｃｏｎｔが入力され、その出力端子がミュートトランジスタＭ１０のゲートに接続される。ドライバ回路１４は、インバータあるいはバッファで構成することができる。ドライバ回路１４は、制御信号Ｓｃｏｎｔのレベルに応じて、上側の電源端子に印加された電源電圧Ｖｄｄを出力する状態と、下側の電源端子に印加された電源電圧Ｖｓｓのいずれかを出力する。
【００４３】
その結果、ドライバ回路１４が上側の電源電圧Ｖｄｄを出力するとき、ミュートトランジスタＭ１０はオンする。言い換えれば、電源電圧ＶｄｄはミュートトランジスタＭ１０がオン可能なレベルに、つまり第２ミュートトランジスタＭ１２のゲートドレイン間のしきい値電圧より大きく設定される。
【００４４】
ドライバ回路１４の下側の電源端子の電源電圧Ｖｓｓは、スイッチ回路１６により供給される。スイッチ回路１６は、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２に応じて下側の電源電圧Ｖｓｓを変化させる。
【００４５】
スイッチ回路１６はオーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２がしきい値電圧Ｖｔｈより高いとき、ドライバ回路１４の下側の電源端子に接地電圧（０Ｖ）を供給し、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２がしきい値電圧Ｖｔｈより低いとき、ドライバ回路１４の下側の電源端子にオーディオ信号Ｓ２と同レベルの電圧を供給する。
【００４６】
非ミュート状態において、ドライバ回路１４は下側の電源電圧Ｖｓｓを出力する。したがってこの構成によれば、非ミュート状態において、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧のレベルを、好適に変化させることができる。
【００４７】
上述の機能を実現するために、スイッチ回路１６は具体的に以下のように構成される。
スイッチ回路１６は、第１トランジスタＭ１と第２トランジスタＭ２を含む。第１トランジスタＭ１は、一端（ドレイン）が信号ライン１１２に接続され、他端（ソース）がドライバ回路１４の下側の電源端子に接続され、制御端子（ゲート）の電位が固定される。第２トランジスタＭ２は、一端（ソース）が接地され、他端（ドレイン）がドライバ回路の下側の電源端子に接続され、制御端子（ゲート）にオーディオ信号Ｓ２が入力される。
【００４８】
以上がスイッチ回路１６の具体的な構成である。次にスイッチ回路１６の動作を説明する。図２は、図１のミュート回路１０の動作波形図である。
【００４９】
第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２は、オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２に応じて、相補的にオン状態となる。オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２がＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖｔを超えると、第２トランジスタＭ２のゲートソース間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔを超えるため、第２トランジスタＭ２が完全にオンして電源電圧Ｖｓｓは接地電圧０Ｖとなる。この状態において、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇは、接地電圧０Ｖと等しくなる。
【００５０】
オーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２が−Ｖｔより低くなると、第１トランジスタＭ１のゲートドレイン間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔを超えるため、第１トランジスタＭ１が完全にオンし、電源電圧Ｖｓｓはオーディオ信号Ｓ２と同レベルとなる。この状態において、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇは、オーディオ信号Ｓ２と同レベルの電圧となる。
【００５１】
オーディオ信号Ｓ２が電圧レベルＶ２が接地電圧付近（−Ｖｔ＜Ｖ２＜Ｖｔ）のとき、第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２は完全なオン状態ではないものの、オン状態に近い状態となる。第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２のチャネルおよびボディダイオードにも微少な電流しか流れないため、それらの電圧降下は非常に小さい。したがってＶ２＞０Ｖの範囲において電源電圧Ｖｓｓは接地電圧０Ｖとなり、Ｖ２＜０Ｖの範囲において電源電圧Ｖｓｓはオーディオ信号Ｓ２の電圧レベルＶ２に追従する。
【００５２】
このように図１のスイッチ回路１６によれば、非ミュート状態におけるミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇを、Ｖ２＞０Ｖのとき接地電圧０Ｖ、Ｖ２＜０Ｖのときオーディオ信号Ｓ２に応じた電圧レベルＶ２に設定することができる。
【００５３】
この場合、オーディオ信号Ｓ２が負方向にスイングする際に、ミュートトランジスタＭ１０のゲート電圧Ｖｇがオーディオ信号Ｓ２に追従し、ミュートトランジスタＭ１０のゲートドレイン間電圧ＶｇｄがＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖｔを超えないため、オーディオ信号Ｓ２がクランプされるのを防止することができ、オーディオ信号Ｓ２の振幅レンジを拡大することができる。
【００５４】
この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００５５】
実施の形態では、ミュートトランジスタＭ１０を２つのＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを用いて構成する場合を説明したが、ＮチャンネルとＰチャンネルの組み合わせであってもよいし、単一のＭＯＳＦＥＴで構成してもよい。
【００５６】
実施の形態にもとづき、特定の語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０…ミュート回路、Ｍ１０…ミュートトランジスタ、Ｍ１１…第１ミュートトランジスタ、Ｍ１２…第２ミュートトランジスタ、１２…ミュート制御回路、１４…ドライバ回路、１６…スイッチ回路、Ｍ１…第１トランジスタ、Ｍ２…第２トランジスタ、２０…ＤＡＣ、２２…アンプ、１００…オーディオ信号増幅回路、１０２…入力端子、１０４…出力端子、１０６…ミュート端子、１１０…音源、Ｒ１…第１抵抗、Ｒ２…第２抵抗、Ｃ１…キャパシタ、１１２…信号ライン、Ｓｃｏｎｔ…制御信号、Ｓ２…オーディオ信号。
【図１】
0005192592.tif 000002
【図２】
0005192592.tif 000003