(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、
上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層と上記ｎ型窒化物半導体層を含むように台形錐形状の積層体が形成されて、
金属部材が、絶縁膜を介して該積層体の表面に沿って対向するように設けられると共に、上記ｐ型窒化物半導体層、上記発光層、上記ｎ型窒化物半導体層を上記発光素子の側面から離れて上記積層体を保持し、該金属部材の側面が該発光素子の側面を形成し、
該積層体が互いに対向する上底面と、該上底面より大きい底面と、を有し、該上底面側に上記金属部材が配置され、該底面は電極形成面であり、
該積層体の側面が、該発光素子の側面から離れて設けられている窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
上記絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３の材料から屈折率の異なる２種を交互に形成した多層構造であり、光反射機能を有する請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
上記絶縁膜が、無機絶縁膜又は有機絶縁膜である請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
上記絶縁膜上に、Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ａｌの反射層を有する請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
上記底面と上底面に各々電極が設けられている請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
上記底面側の電極が、上記ｎ型窒化物半導体層の表面に設けられた透明電極である請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
上記上底面側の上記ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触するように上記積層体と上記金属部材の間にｐ電極が形成されている請求項５又は６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
上記金属部材により保持されて、互いに分離された上記積層体が複数配置され、該複数の積層体の上に共通の透明電極を有している請求項６又は７に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
上記複数の積層体の間を相互に接続する配線電極を有し、該配線電極が上記絶縁膜上に設けられた反射層である請求項８記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
上記金属部材は、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｗから選択された金属又はその金属を少なくとも含む合金からなる請求項１〜９のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
基板上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層の積層構造を形成する第１工程と、
上記積層構造の一部を深さ方向に全部除去して、ｐ型半導体層と上記発光層とｎ型半導体層を含む台形錐形状の積層体を形成する第２工程と、
上記全部除去した除去部と上記積層体の側面を覆う絶縁膜を形成し、該除去部と積層体の上面及び側面と、を該絶縁膜を介して埋め込む金属部材を形成する第３工程と、
上記基板を除去する工程と、
上記積層体の側面から離れた上記除去部において金属部材を切断することにより、素子に分割する工程と、を備える発光素子の製造方法。
【請求項１２】
上記第３工程において、上記金属部材をメッキにより形成する請求項１１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１３】
上記第２工程の後、上記積層体の上底面に電極を形成する上底面電極形成工程を備え
上記基板を除去する工程の後、該基板除去により露出した上記積層体の底面に電極を形成する底面電極形成工程を備える請求項１１又は１２に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＧａＮ系化合物半導体を用いて発光素子が、青色系の発光が可能の発光
素子として広く用いられるようになって来ている。このＧａＮ系化合物半導体発
光素子は、絶縁基板であるサファイア基板の上にＧａＮ系化合物半導体層を成長
させて構成している関係上、同一面側にｐ型電極とｎ型電極とを形成する必要が
あった（例えば、特許文献１参照）。この同一面側にｐ型電極とｎ型電極とを形
成した窒化物半導体発光素子は、ｎ型電極を形成するためにｐ型半導体層と発光
層の一部を除去する必要があるので、必然的に発光領域の面積が小さくなるとい
う問題があった。
【０００３】
そこで、最近では、サファイア基板の上に必要なＧａＮ系化合物半導体層を成
長させて、その上に反り防止層を形成した後、サファイア基板を研磨により除去
する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２に開示
された方法によれば、両面に電極（一方の面にｎ型電極、他方の面にｐ型電極）
が形成された窒化物半導体発光素子を作成することが可能である。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３３０６２９号公報（図１〜図３）
【特許文献２】特開２００１−３１３４２２号公報（第６頁右欄８行〜第７頁左欄４２行、図８，図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に開示された方法は、個々の素子に分割した際に切
断面（分割後の素子の側面）でｐ側の層とｎ側の層とが短絡しやすいという問題
があった。
【０００６】
そこで、本発明は、側面における短絡を防止することができる窒化物半導体発
光素子の構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の目的を達成するために、本発明に係る第１の窒化物半導体発光素子は、
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層
を有してなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層を含むように台形錐形状の積
層体が形成され、該積層体は側面が絶縁されるように金属部材に埋め込まれたこ
とを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る第２の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層とｐ
型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導
体発光素子において、
少なくとも上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層を含むように台形錐形状の積
層体が形成されて、その積層体が該積層体の表面に沿って対向するように設けら
れた金属部材により保持されたことを特徴とする。
【０００９】
以上のように構成された窒化物半導体発光素子において、上記積層体は側面が
絶縁されるように金属部材に埋め込まれていて、切断時又は切断後に積層体の側
面が損傷を受けることがないので、信頼性を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、両側に電極を形成することがで
きるので、一方の面に正負の電極を設けた従来の窒化物半導体発光素子に比較し
て発光領域を大きくとることができる。
【００１１】
本発明に係る第１と第２の窒化物半導体素子では、上記金属部材の上記積層体
の反対側に位置する面が、平坦な面であることが好ましい。
【００１２】
このようにすると、素子を実装する際に、実装基板にその平坦な面を対向させ
て実装することにより容易に実装することが可能になる。
【００１３】
また、上記第１と第２の窒化物半導体素子では、上記ｎ型窒化物半導体層の対
向する２つの面のうちの上記積層体の反対側に位置する面に透明電極を形成する
ようにして、該透明電極を介して光を出射するようにしてもよい。
【００１４】
このようにすると発光層全体に均一に電流を注入することができ、均一な発光
が可能になる。この場合、上記透明電極は透光性が高くかつ抵抗値を低くできる
ＩＴＯであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、上記ｐ型窒化物
半導体層とオーミック接触するように上記積層体と上記金属部材の間に形成され
るｐ型電極は、Ｒｈを含むことが好ましく、これにより電極の剥離を防止できる
。
【００１６】
さらに、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、上記積層体は
上記ｎ型窒化物半導体層の一部を含んで構成されていてもよいし、上記ｎ型窒化
物半導体層の全てを含むように構成されていてもよい。
【００１７】
また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、より確実に発光
領域の形状を保持するために、上記金属部材の厚さは５０μｍ以上であることが
好ましい。
【００１８】
また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子においては、上記積層体を
複数個備えていてもよく、複数の積層体を用いて発光素子を構成することにより
、大面積の発光素子を構成できる。
【００１９】
さらに、上記積層体を複数個備えた発光素子では、上記複数の積層体は、共通
のｎ型窒化物半導体層の上に設けられていてもよいし、各積層体ごとに分離され
ていてもよい。
【００２０】
また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、上記金属部材は
、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｗ等からなる群から選択
された金属又はその金属を少なくとも含む合金からなることが好ましい。
【００２１】
また、本発明に係る発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層と発光層と
ｐ型半導体層を形成する第１工程と、上記ｐ型半導体層と上記発光層とを含むよ
うに台形錐形状の発光領域を形成する第２工程と、上記発光領域を覆うように金
属部材を形成する第３工程と、上記基板を除去する第４工程と、上記発光領域の
間で金属部材を切断することにより、発光素子ごとに分離する第５工程とを含む
ことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係る発光素子の製造方法では、上記第３工程において、上記金
属部材をメッキにより形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
以上詳細に説明したように、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化
物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有して
なる窒化物半導体発光素子において、上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層を含
むように台形錐形状の積層体を形成し、該積層体を側面が絶縁されるように金属
部材に埋め込んでいるので、切断時又は切断後に積層体の側面が損傷を受けるこ
とがない。したがって、本発明に係る窒化物半導体発光素子によれば、信頼性を
向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
【００２５】
実施の形態１．
本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、図１に示すように、発
光領域を構成する窒化物半導体層の一部が金属部材１に埋め込まれるように設け
られ、その金属部材１によって、発光素子全体の形状が保持されている。
【００２６】
本実施の形態１の窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体層１１
とｐ型窒化物半導体層１３の間に発光層１２を設けることによりダブルへテロ構
造の発光領域が構成されており、そのｐ型窒化物半導体層と発光層とｎ型窒化物
半導体層の一部は台形錐形状（裁頭錐体形状）に加工されている。すなわち、本
発明は、少なくともｐ型窒化物半導体層と発光層が含まれるように台形錐形状の
積層体が形成される。また、積層体２において、ｐ型窒化物半導体層１３上のほ
ぼ全面にはｐ型オーミック電極２２が形成され、ｐ型オーミック電極２２の周辺
部と積層体２の傾斜した側面２ａ及びその側面２ａに連続したｎ型窒化物半導体
層１１を覆うように絶縁層３が形成されている。
【００２７】
そして、以上のように構成された積層体２が金属部材１に埋め込まれるように
して保持されている。尚、積層体２の側面は、絶縁層３を介して金属部材１に埋
め込まれ、積層体２のｐ型オーミック電極２２が形成された面はｐ型オーミック
電極２２を介して金属部材１に対向している。また、ｎ型窒化物半導体層２１の
対向する２つの面のうちの積層体２の反対側に位置する面には透明電極２１が形
成され、その透明電極２１の一部にはｎパッド電極２３が形成されている。
【００２８】
以上のように構成された実施の形態１の窒化物半導体発光素子において、積層
体２の発光層１２で発光された光は、金属部材１の反対側から透明電極２１を介
して出射される。
【００２９】
次に、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
本製造方法ではまず、図２に示すように、サファイア基板１０の上に例えばバ
ッファ層（図示せず）を介してｎ型窒化物半導体層１１、発光層１２及びｐ型窒
化物半導体層１３をその順番に成長させる。
【００３０】
次に、素子間において、ｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングするこ
とにより、台形錐形状の積層体２を形成する（図３）。
【００３１】
この台形錐形状の積層体２は、例えば、マスクを所定の台形錐形状に形成して
おいて、そのマスクを用いてエッチングすることによりそのマスクの形状に対応
した台形錐形状に加工できる。
【００３２】
具体的には、まず、図１１（ａ）に示すように、ｐ型窒化物半導体層１３上に
、断面が台形形状のマスクＭ１を形成する。このマスクＭ１は反応性イオンエッ
チングにより一定のレートでエッチング可能な材料を用いて形成する。
【００３３】
次に、反応性イオンエッチングにより、マスクＭ１の上からサファイア基板１
０上に形成された半導体層（ｐ型窒化物半導体層１３、発光層１２及びｎ型窒化
物半導体層１１）エッチングする。このエッチング工程においては、半導体層と
ともにマスクＭ１そのものもエッチングにより少しづつ除去される。尚、図１１
（ｂ）において、破線と実線の間のＲ１の符号を付した部分が除去された部分で
ある。
【００３４】
このエッチングを積層部２の周りにｎ型窒化物半導体層１１の表面が露出され
るまで続ける（図１１（ｃ））。
【００３５】
このようにすると、マスクＭ１の形状に対応した台形錐形状の積層部２が形成
される。
【００３６】
本方法では、マスク材料と窒化物半導体材料のＲＩＥによるエッチング率を考
慮して、マスクＭ１形状を設定することにより、所望の台形錐形状の積層部２を
形成できる。
【００３７】
上述の方法により積層体２を加工するエッチング手段としては、反応性イオン
エッチングの他、反応性イオンビームエッチング、イオンミリング等のドライエ
ッチングを用いることができる。
【００３８】
また、台形錐形状の積層部２の加工は、例えばウェットエッチングなどの等方
性エッチング手段を用いて、アンダーカッティング（サイドエッチング）現象を
利用するようにしてもよい。このアンダーカッティングを利用すると、台形錐形
状の加工を簡単にできるが、加工精度は上述したドライエッチングを使用した方
法に比較して劣る。
【００３９】
また、積層体２の傾斜した側面２ａの傾斜角（サファイア基板１０の主面との
為す角度）は、ｎ型窒化物半導体層を介して出力される光の取り出し効率を高く
するために、３０度〜８０度の範囲に設定されることが好ましくより好ましくは
４５度に設定する。
【００４０】
また、本発明において、裁頭錐体は、円錐台形錐体、角錐（四角錐、六角錐他
）台形錐体等、種々の台形錐体が適用できる。
【００４１】
以上のようにして、台形錐形状の積層部２を形成した後、積層部２の上底面（
ｐ型窒化物半導体層１３の表面）のほぼ全面にｐ型オーミック電極２２を形成す
る。
【００４２】
ここで、本明細書において、上底面とは、台形錐形状における互いに平行に対
向する２つの面のうちの小さい方の面のことを言い、積層体２の底面という場合
は、対向する２つの面のうちの大きい方の面のことを言う。
【００４３】
ｐ型オーミック電極２２は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔからなる電
極を用いることもできるが、本発明では、Ｒｈ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ等のように、
Ｒｈ層をｐ型窒化物半導体層１３に接する層として形成した電極を用いることが
好ましい。このように、Ｒｈをｐ型窒化物半導体層１３に接する第１層として形
成すると、金属部材１を形成した後に、ｐ型オーミック電極２２がｐ型窒化物半
導体層１３から剥離するのを防止できる。
【００４４】
尚、（／）で表記した組み合わせは、（／）の前に記載した金属をｐ型窒化物
半導体層１３に接する第１層として形成し、その第１層の上に形成した第２層を
（／）の後ろに記載した金属で形成したことを意味している。
【００４５】
各積層体２のｐ型窒化物半導体層上にｐ型オーミック電極２２を形成した後、
図５に示すように、各ｐ型オーミック電極２２の中央部（周辺部を除いた部分を
いう。）を除いて基板上全体を覆うように、絶縁膜３を形成する。
【００４６】
この絶縁膜３は、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｚ
ｒＯ２等の無機絶縁膜を用いて好適に形成することができるが、有機絶縁膜を用
いて形成してもよい。
【００４７】
その後、必要に応じて複数の積層部２の間を接続する配線電極２４を形成する
（図６）。
【００４８】
次に、反射層２４を形成する。この反射層２４はＡｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｌ等の
光反射性の高い材料を用いて形成される。尚、複数の積層部により１つの発光素
子を構成する場合には、この反射層２４が配線用の電極を兼ねるようにしても良
い。特に、台形錐形状の積層体の側面が傾斜しており、これに対向するように反
射層が設けられているので、光の利用効率が飛躍的に向上する。
【００４９】
尚、本発明では、絶縁膜３が反射層を兼ねるようにしてもよい。
【００５０】
反射層として用いることができる絶縁膜３の具体的な材料としては、ＳｉＯ２
、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３
が挙げられ、より好ましくは、これらの材料のなかから、２つの屈折率の異なる
材料を組み合わせて交互に形成することにより多層構造の反射層を兼ねた絶縁膜
３を形成する。例えば、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、を組み合わせて１０〜２０層積層
することにより、多層構造の反射層を形成する。
【００５１】
次に、例えば、メッキ等により金属部材１を全面に形成する（図７）。本発明
において、この金属部材１は、後の工程でサファイア基板１０を除去した後に発
光素子の形状を保持することを第一義的な目的とするものであり、そのために厚
く（好ましくは、５０μｍ以上、より好ましくは、１００〜２００μｍの範囲）
形成する必要がある。
【００５２】
本発明において、金属部材１は、第１にこの目的を果たすことができればよく
、そのためには、例えば、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、
Ｗ等の種々の金属を用いることができる。
【００５３】
また、本実施の形態１において、金属部材１は、反射膜２４との密着性のよい
ことが要求される。また、反射膜２４が形成されていない場合は、金属部材１は
、絶縁膜３とｐ型オーミック電極２２、とりわけ絶縁膜３との密着性が良いこと
が要求される。その場合、上述した材料により構成される絶縁膜３との密着性の
良い材料として、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｉが挙げられる。
【００５４】
また、金属部材１そのものを反射率の高い材料で形成することにより、反射層
２４を省略するようにしてもよい。そのような金属材料として、Ａｇ、Ａｌ、Ｐ
ｔ、Ｒｈが挙げられる。
【００５５】
また、本発明では、発光素子の形状を保持するという第一義的な機能のほか、
光反射機能等を果たすために、金属部材１は、それぞれの機能を有する複数の層
を積層した多層構造としてもよい。例えば、下地層として、発光した光に対する
反射率が高くかつ絶縁膜３、ｐ型オーミック電極２２などとの密着性が良い第１
金属膜を形成し、その上に厚く形成することが可能な第２金属膜を形成するよう
にして、金属部材１を構成することができる。
【００５６】
また、本発明では、金属部材１は、比較的厚く形成する必要があるので、成膜
速度の速い無電解メッキ、や電気メッキを用いて形成することが好ましい。
【００５７】
具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の電気メッキ、Ｎｉ、Ｃｕ等の無電解
メッキを用いることができる。
【００５８】
特に、無電解Ｎｉメッキは、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇに比較して強度が高いためにウ
エハの反りを小さくできかつ電気接点が不用な点で好ましく、さらにＮｉはメッ
キ層の均一性、析出速度、ハンダ濡れ性、バンプ強度、耐食性の点においても優
れた材料である。
【００５９】
次に、図８に示すように、基板１０の側からレーザを照射することによりサフ
ァイア基板１０を除去する。この段階では、比較的厚い金属部材１が形成されて
いるので、基板１０を除去する方法としては、レーザ照射の他、研磨やエッチン
グ等の種々の方法を用いることができる。
【００６０】
そして、基板１０が除去されて露出したｎ型窒化物半導体層１１の表面に透明
電極であるｎ型電極２１を形成する（図９）。このｎ型電極２１はＷ／Ａｌ、Ｖ
／Ａｌ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、Ｍｏ等により形成することができる
。光の取り出し効率を高くするためには、ＺｎＯやＩＴＯを用いることが好まし
く、安価で入手しやすい材料であるという点で、ＩＴＯを用いることがさらに好
ましい。
【００６１】
このＩＴＯを用いて透明電極２１を形成する場合、抵抗値を下げるため、熱処
理を施すことが好ましく、その好ましい熱処理温度は、１００℃〜５００℃であ
り、より好ましい熱処理温度は、２００℃〜４００℃である。
【００６２】
次に、各積層体２に対応してそれぞれｎパッド電極２３を形成し、そのｎパッ
ド電極２３の周辺部と透明電極２１とを覆う絶縁膜４を形成する。
【００６３】
そして、ウエハを積層部の間で分割することにより個々の発光素子とする。
【００６４】
ここで、本発明では、個々の素子に分割する際の分割位置は、少なくとも積層
体２の傾斜側面２ａから離れた位置とし、その傾斜側面２ａと分割後の素子の側
面とが離れるようにする。
【００６５】
以上のように構成された本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子は
、素子に分割する際の分割位置が積層体２の傾斜側面２ａから離れているので、
積層体２の傾斜側面２ａのＰＮ接合面が損傷を受けることがない。
【００６６】
また、素子に分割する際の分割位置が積層体２の傾斜側面２ａから離れている
ので、金属部材１を切断する際の切断屑によるＰＮ接合面の短絡を防止できる。
【００６７】
また、本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、積層体２の両
側に電極を形成しているので、同一面側に電極を形成した素子のように一方の電
極を形成するために発光層の一部を除去する必要はない。これにより、発光層の
面積を小さくすることなく発光領域を確保できるので、発光効率を向上させるこ
とができる。
【００６８】
また、本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、積層体２の両
側に電極を形成しているので、容易に発光層全体に電流を均一に流すことができ
、発光層全体を均一にかつ効率よく発光させることができる。
【００６９】
特に、複数の積層部により１つの発光素子を構成するようにした場合には、比
較的広い面積において、発光面内における均一性に優れた発光素子を提供できる
。
【００７０】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体
層のほぼ全面に透明電極２１を形成しているので、発光層全体に均一に電流を他
注入することができ、発光層全体を均一に発光させることができる。
【００７１】
しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、透明電極２１に代えて
ｎ型窒化物半導体層のほぼ全面に網目状（格子状）のｎ型電極を形成し、その格
子の間から光を出力するようにしても良いし、ｎ型窒化物半導体層の一部にｎ型
電極を形成するようにしてもよい。
【００７２】
ｎ型窒化物半導体はｐ型窒化物半導体に比較して抵抗値を小さくできることか
らｎ型窒化物半導体層内を電流が拡散しやすく、格子状のｎ型電極を用いた場合
であっても、格子（電極が形成されていない部分の面積）を大きくでき、電極に
より光をあまり遮ることなく出射できる。また、ｎ型窒化物半導体層の一部にｎ
型電極を形成するようにした場合であっても、比較的広範囲の発光層に電流を注
入することが可能である。
【００７３】
変形例．
以上の実施の形態１では、ｎ型窒化物半導体層１１を厚さ方向に途中までエッ
チングすることにより、上記積層体を上記ｎ型窒化物半導体層の少なくとも一部
を含むように構成した。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、
図１２に示すように、ｐ型窒化物半導体層１３と発光層１２のみをエッチングす
るようにして積層部１０２ａを形成するようにしても良いし、図１３に示すよう
に、ｐ型窒化物半導体層１３と発光層１２をエッチングした後さらに連続してｎ
型窒化物半導体層１１をサファイア基板が露出するまでエッチングすることによ
り、ｐ型窒化物半導体層１３、発光層１２及びｎ型窒化物半導体層１１により積
層部１０２ｂを形成するようにしてもよい。
【００７４】
実施の形態２．
本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、図１４に示すように、
１つ例に４つの積層体１０２ａを配列した発光素子である。
【００７５】
すなわち、本実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、図１７に示すように、
縦横４つずつ、合計１６個の四角錐台形状の積層体１０２ａ（ｐ型窒化物半導体
層と発光層により構成）をｎ型窒化物半導体層１１の一方の面に配列して比較的
大面積の発光素子を構成している。
【００７６】
また、本実施の形態２の窒化物半導体発光素子において、ｎ型窒化物半導体層
１１の他方の面の全面には、全ての積層体１０２ａに共通の透明電極２３がｎ型
オーミック電極として形成され、その中央部に１つのｎパッド電極２３が形成さ
れている。
【００７７】
また、本実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、１６個の積層体１０２ａで
１つの発光素子を構成するように、かつ分割位置が少なくとも積層体２の傾斜側
面２ａから離れた位置となるように積層部の間において分割されている。
【００７８】
以上のように構成された実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、素子に分割
する際の分割位置が積層体２の傾斜側面２ａから離れているので、積層体２の傾
斜側面２ａのＰＮ接合面が損傷を受けることがなく、かつ金属部材１を切断する
際の切断屑によるＰＮ接合面の短絡も防止できる。
【００７９】
また、本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、実施の形態１
の窒化物半導体発光素子と同様の理由で、発光効率を向上させることができ、発
光層全体を均一にかつ効率よく発光させることができる。
【００８０】
以上の実施の形態２の窒化物半導体発光素子では、ｎ型窒化物半導体層１１を
含まずに、ｐ型窒化物半導体層１３と発光層１２とが積層された積層体１０２ａ
を用いて発光素子を構成した。しかしながら、本発明はこれに限られるものでは
なく、図１５に示すように、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３
と発光層１２とが積層された積層体１０２ｂを用いて構成してもよい。
【００８１】
以上の実施の形態２の窒化物半導体発光素子では、１つの発光素子内では積層
体ごとに分離することなく、発光素子間においてｎ型窒化物半導体層１１が分離
されるようにウエハ上に形成した後、ｎ型窒化物半導体層１１が分離された部分
で素子ごとに分割するようにしてもよい（図１６）。
【００８２】
また、実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、四角錐台形状の積層体１０２
ａを用いて構成したが、本発明はこれに限られるものではなく、円錐台形状の積
層体１０２ｂを用いて構成するようにしてもよい（図１８）。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図２】本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板上に半導体層を形成した後の断面図である。
【図３】実施の形態１の製造方法において、サファイア基板上に半導体層をエッチングして積層体を形成した後の断面図である。
【図４】実施の形態１の製造方法において、各積層体の上にｐ型電極を形成した後の断面図である。
【図５】実施の形態１の製造方法において、絶縁層３を形成した後の断面図である。
【図６】実施の形態１の製造方法において、反射層２４を形成した後の断面図である。
【図７】実施の形態１の製造方法において、金属部材１を形成した後の断面図である。
【図８】実施の形態１の製造方法において、サファイア基板を剥離した後の断面図である。
【図９】実施の形態１の製造方法において、サファイア基板を剥離した後にｎ型窒化物半導体層の上に透明電極を形成した後の断面図である。
【図１０】実施の形態１の製造方法において、透明電極を形成した後にｎパッド電極と絶縁膜４を形成した後の断面図である。
【図１１】実施の形態１の製造方法において、台形錐形状の積層体の形成方法を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１の変形例の窒化物半導体素子の断面図である。
【図１３】実施の形態１の図１２とは別の変形例の窒化物半導体素子の断面図である。
【図１４】実施の形態２の窒化物半導体素子の断面図である。
【図１５】実施の形態２の変形例１の窒化物半導体素子の断面図である。
【図１６】実施の形態２の変形例２の窒化物半導体素子の断面図である。
【図１７】実施の形態２の窒化物半導体素子の平面図である。
【図１８】実施の形態２の変形例３の窒化物半導体素子の平面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…金属部材、
２…積層体、
２ａ…側面、
３…絶縁層、
１０…サファイア基板、
１１…ｎ型窒化物半導体層、
１２…発光層、
１３…ｐ型窒化物半導体層、
２１…透明電極、
２２…ｐ型オーミック電極、
２３…ｎパッド電極、
Ｍ１…マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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