(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを処理する方法であって、
上記ウェーハの直近にプラズマを形成させるステップと、
主エッチ処理の第１相中に、上記プラズマを用いて上記ウェーハを処理している間に上記プラズマに連続ＲＦ電力を印加するステップであって、前記第１相は前記主エッチ処理の最初の約80％である前記ステップと、
上記主エッチ処理の第２相及びオーバーエッチ処理中に、パルス化ＲＦ電力を用いて上記ウェーハを処理するステップであって、前記第２相は前記主エッチ処理の最終部分である前記ステップと、
を含み、前記ウェーハが帯電によって損傷を受ける前の時点で、前記第１相が終了し、前記第２相が開始することを特徴とする方法。
【請求項２】
上記パルス化ＲＦ電力の周期は、約10μｓと約1000μｓとの間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記処理の状態を監視するステップを更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記パルス化電力は、上記状態の変化に応答して開始されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記状態は、光放出であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
上記プラズマは、高密度プラズマであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ処理システムに関する。より詳しく述べれば、本発明は、半導体ウェーハ処理システムにおいてパルス化プラズマを供給する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハ上に製造される半導体のサイズが縮小するにつれて、帯電破壊が重大問題になりつつある。帯電破壊は、一般的に、構造上に差電圧が発生するように構造に非均一帯電を生じさせるプラズマ強化処理を使用して半導体ウェーハ上に構造が形成される時に発生する。この差電圧が、構造内に大きい電流、またはアーキングを発生して構造を破壊させる可能性がある。例えば、プラズマエッチ処理が、構造帯電によって生じたファウラー・ノルトハイム電流に起因してトランジスタ構造のゲート酸化物を破壊する可能性がある。
【０００３】
電子シェーディングは、構造帯電への主たる貢献物の１つである。電子シェーディングは、高アスペクト比を有する稠密なラインパターンを有する構造の形成によって生じる。電子シェーディングは、プラズマ処理中の処理チャンバ内の電子の等方性運動対プラズマ内に含まれるイオンの不等性運動によってもたらされる。電子は、構造の側壁及び他の垂直表面に衝突し、構造を帯電させる。しかしながら、これらの構造の高アスペクト比が、構造の“深い”部分よりも多くの電子をプラズマ付近の構造の部分に衝突させる。このようにして、深い部分の“シェーディング”が、構造全体に電圧差をもたらす。この構造帯電は、ウェーハを処理するためにどのようなプラズマ処理を使用してももたらされ得る。その結果多くのプラズマ処理は、半導体ウェーハ上に構造のトポグラフィ依存帯電破壊を生じさせる可能性がある。トポグラフィ依存帯電は、半導体ウェーハ処理の多くの面に悪影響を与える（電子シェーディング破壊、ノッチング、プロフィル制御の欠損、アスペクト比依存エッチング、エッチ停止、マイクロローディング、フォトレジスト選択制の低下、フォトレジスト筋付け（ striation ）、及びエッチング速度の低下を含む）。
【０００４】
従って、当分野には、トポグラフィ依存帯電を減少させる方法に対する要望が存在している。
【０００５】
【発明の概要】
従来の技術に関連する欠陥は、半導体ウェーハを、本発明のパルス化ＲＦ（高周波）電力を使用してプラズマで処理する方法によって解消される。本発明の方法では、処理ガスにＲＦ電力を印加してチャンバ内にプラズマを形成させる。ウェーハは、第１の時間Ｔ1にわたって連続ＲＦ電力を使用するプラズマで処理され（第１処理相）、第２の時間Ｔ2にわたってパルス化ＲＦ電力を使用するプラズマで処理される（第２処理相）。時間Ｔ1は、例えば主エッチ処理の冒頭部分を含み、一方時間Ｔ2は、主エッチ処理の最終部分及び全エッチ処理の少なくとも一部分を含む。時間Ｔ2中にパルス化電力を印加することにより、ウェーハ上に形成された回路は帯電の結果としての破壊が最小になり、プラズマで処理中のウェーハの電子シェーディングその他の望ましくない効果が大きく減少する。若干の型のプラズマ処理の場合には、連続電力を第２の時間中に印加し、パルス化電力を第１の時間中に印加することができる。また、パルス化電力は、例えば、連続電力、次いでパルス化電力、次いで連続電力、次いでパルス化電力のように、プラズマ処理の多重相中に印加することもできる。
【０００６】
本発明の方法は、コンピュータ可読記憶媒体内に格納されているプログラムコードとして実現することができる。このプログラムコードはコンピュータによって実行され、ウェーハ処理中の半導体ウェーハ処理システムを制御する。半導体ウェーハ処理システムは、処理チャンバと、本発明の方法に従って制御されるＲＦ電源を備えている。
【０００７】
本発明は以下の添付図面に基づく実施の形態の詳細な説明から、容易に理解できるであろう。理解し易いように、図面を通して共通の同一要素に対しては、可能な限り同一の番号を使用している。
【０００８】
【実施の形態】
図１は、プラズマ強化半導体ウェーハ処理システム１００の概要図である。図示システムは、誘導結合プラズマエッチシステムの例である。しかしながら、本発明は、プラズマ強化化学蒸着、物理蒸着、プラズマ焼鈍等を遂行するシステムのような、どのようなプラズマ強化半導体ウェーハ処理システムにも適用可能である。要するに、本発明は、半導体ウェーハ上の構造の形態（トポグラフィ）に依存する帯電を生じさせ得るどのようなシステムにも有用である。
【０００９】
処理システム１００は、処理チャンバ１０１、電源１０５、バイアス電源１０６、及びコントローラ１４０を備えている。処理チャンバ１０１は、トップ１０３、円筒形側壁１１１、及び底１１３によって限定される処理容積１０４を備えている。電源１０５は、ＲＦ信号（例えば、２ＭＨｚ）をアンテナ１０２に結合する。トップ１０３に近接して配置されている複数の巻回を有するアンテナ１０２はＲＦ磁場を発生し、このＲＦ磁場が容積１０４内に導入された処理ガス（または、複数のガス）（例えば、塩素）を励起してプラズマ１３０を形成させる。帯電破壊を受け易い集積回路構造を含む半導体ウェーハ１１０は、ペデスタル１０７上に支持される。ウェーハ１１０は、ウェーハ１１０の処理を容易にするためにプラズマに曝される。ペデスタル１０７は、従ってウェーハ１１０は、バイアス電源１０６からペデスタル１０７に供給されるＲＦ信号（例えば、13.56ＭＨｚ）によってバイアスされている。
【００１０】
処理モニタ１０８は、処理チャンバ１０１内の状態を監視する。処理モニタ１０８は、チャンバ１０１内で遂行される処理に依存する状態を測定するためのどのようなセンサであることもできる。例えば、処理モニタ１０８は、発光分光計（ＯＥＳ）であることができる。ＯＥＳは、プラズマ１３０からの放射の放出を透明な窓１３１を通して監視する。この放射は、処理チャンバ１０１内で遂行される処理の進行に依存する。処理モニタ１０８及びシステム内のいろいろな成分は、コントローラ１４０に結合されている。コントローラ１４０は、処理チャンバ１０１内で遂行される処理を開始させ、監視し、調整し、そして終了させるために必要な信号を供給するハードウェアを含んでいる。
【００１１】
処理チャンバ１０１は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials製の減結合されたプラズマソース（ＤＰＳ）エッチチャンバである。チャンバ１０１は、半導体ウェーハを処理するために必要な要素を含んでいる。例えば、チャンバ１０１は、処理中に半導体ウェーハ１１０を支持するペデスタル１０７（サセプタ）を含んでいる。破線で示されているロボットアーム１１２は、スリット弁１１４を通してウェーハを処理チャンバ１０１内へ、及び該チャンバ１０１から転送する。１つの型のチャンバを例として説明したが、制御可能なＲＦ電源を有する他の型の、及び設計の処理チャンバも、本発明の恩恵を受けることができる。これらのチャンバは、高密度プラズマを発生するチャンバ、フラットコイル構造を有するチャンバ、遠隔プラズマ源を有するチャンバ、容量的に結合されている反応チャンバ等を含む。
【００１２】
チャンバ１０１の外側は典型的には大気圧であり、チャンバ１０１の内側は処理中は減圧される。排気システム１０９がチャンバ１０１内の圧力を調整する。ガスパネル１２０は、ガスライン１２２及び弁１２４を介して処理ガスをチャンバ１０１へ供給する。エッチ処理のような処理中に、処理ガスにＲＦ電力を印加することによって、チャンバ１０１内にプラズマ（例えば、高密度プラズマ）が形成される。ＲＦ電源１０５はアンテナ１０２を付勢し、チャンバ１０１内にプラズマ１３０を点弧させ、支持する。当分野に精通していれば、処理チャンバ内にプラズマを励起させるためには、複数のステップ、即ち、処理ガスを供給するステップ、アンテナに源電力を印加するステップ、ペデスタルにバイアス電力を印加するステップ、等々が必要であることが理解されよう。これらのステップは当分野では公知であるので、詳細な説明は省略する。
【００１３】
一旦プラズマが励起されると、ウェーハは形態に依存する帯電を生ずる可能性がある手法で処理される。即ち、金属がウェーハからエッチされ、帯電をもたらし得るラインパターンが形成される。例えば、エッチ処理においては、電子シェーディングが、主エッチからオーバーエッチへの移行中に発生することが解っている。この段階においては、電子が特色の垂直壁に衝突することによって、ウェーハ１１０上の集積回路特色が帯電し得る。
【００１４】
エッチ及び他のプラズマ処理中の帯電を防ぐために、本発明の方法は、処理の主要部分中にＲＦ電源１０５からアンテナ１０２に連続ＲＦ電力を印加する。ＲＦ電源１０５は、主処理相から次の相への移行中と、その後とに、パルス化ＲＦ電力を印加する。上記次の相は、ウェーハ１１０が帯電によって破壊される恐れがある相である。そこで、上記次の相中にパルス化ＲＦ電力を印加する。主処理相中に印加される連続電力は、ウェーハ１１０上のデバイスを破壊する恐れのある望ましくない残留物を主処理が発生しないようにする。上記次の相中に印加されるパルス化ＲＦ電力は、プラズマ１３０の電子温度Ｔe及び電子密度ｎeを低下させる。この技術は、プラズマがどのようにして形成されているかには無関係にウェーハ帯電を減少させる。以上のように本発明の方法は、ウェーハ帯電を生じさせる高密度プラズマ、難しいトポロジ、高アスペクト比構造等を含むどのようなウェーハ処理状況においても有益である。
【００１５】
エッチ処理に適用される本発明の方法を、図２にタイミング図で示す。タイミング図２００には、ＲＦ電力２０２が時間２０４に対してプロットされている。集積回路処理の主エッチ相２０６の初期の時間中、ＲＦ電力２０２が連続的に印加される。主エッチ相が経過した後に、主エッチ相からオーバーエッチ相２０８へ移行する時と、オーバーエッチ相２０８の少なくとも一部分の間は電力をパルス化する。例えば、主エッチ相の最初の約80％を包含する時間Ｔ1中、連続電力が印加される。主エッチ相の終わりの20％及びオーバーエッチ相の全部を包含する時間Ｔ2中、パルス化電力が印加される。
【００１６】
Ｔ1中に印加される連続電力は、エッチ処理の大部分中の望ましくない残留物の形成、側壁攻撃、及び処理窓の劣化を防ぐ。Ｔ2中に印加されるパルス化電力は、プラズマの電子温度Ｔe及び電子密度ｎeを低下させ、それによってウェーハ１１０の帯電及び関連する破壊を実質的に減少させる。Ｔ2中のパルス化ＲＦ電力のデューティサイクルは、典型的には、約10％と約90％との間である。ＲＦパルスの周期は、典型的には、約10μｓと1000μｓとの間である。
【００１７】
連続電力からパルス化電力への変化は、ウェーハ１１０が帯電破壊を受け易いオーバーエッチまたは他の処理相の開始を指示する処理モニタ１０８からの信号によってトリガすることができる。代替として、連続及びパルス化電力は、経験的に予め定められた時間Ｔ1及びＴ2にわたって印加することができる。本発明の特定の実施の形態においては、ウェーハが処理されている間、処理の進行が発光分光計または別の処理監視技術を使用して監視される。処理の時間が帯電破壊を生じさせ得る時間（例えば、金属エッチシステムにおける主エッチからオーバーエッチへの移行）に近づいたことを処理監視技術が決定すると、ルーチンはＲＦ電源１０５をパルス化させる。
【００１８】
上述した方法は、図１のコントローラ１４０のようなプロセッサをベースとするシステムコントローラによって制御されるシステム内で実現することができる。図３は、図１に示すような処理システム１００のブロック図であって、このシステム１００はこのような能力で使用できるシステムコントローラ１４０を有している。システムコントローラユニット１４０は、メモリ３０４と共に動作可能なプログラマブル中央処理ユニット（ＣＰＵ）３０２、大容量記憶デバイス３０６、入力制御ユニット３０８、及びディスプレイユニット３１０を含んでいる。システムコントローラは更に、電源３１６、クロック３１８、キャッシュ３２０、入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路等々のような公知の支援回路３１４を含んでいる。コントローラ１４０は、チャンバ１０１内のセンサ（図示してない）を通してウェーハ処理を監視するためのハードウェアをも含んでいる。これらのセンサは、ウェーハ温度、チャンバ雰囲気圧力等のようなシステムパラメータを測定する。上述した要素の全ては、制御システムバス３１２に結合されている。
【００１９】
メモリ３０４は、処理システム１００の動作を容易にするためにＣＰＵ３０２が実行する命令を含んでいる。メモリ３０４内の命令は、本発明の方法を実現するプログラム４００のようなプログラムコードの形状である。プログラムコードは、多くの異なるプログラミング言語の何れか１つに適合させることができる。例えば、プログラムコードは、Ｃ、Ｃ++、ベーシック、パスカル、または多くの他の言語で書くことができる。
【００２０】
大容量記憶デバイス３０６は、データ及び命令を格納し、磁気ディスクまたは磁気テープのようなプロセッサ可読記憶媒体からデータ及びプログラムコード命令を検索する。例えば、大容量記憶デバイス３０６は、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、テープドライブ、または光ディスクドライブであることができる。大容量記憶デバイス３０６は、ＣＰＵ３０２から受信する指令に応答して命令を格納し、検索する。大容量記憶デバイス３０６によって格納され、検索されるデータ及びプログラムコード命令は、処理システム１００を動作させるためにＣＰＵ３０２によって使用される。データ及びプログラムコード命令は、先ず大容量記憶デバイス３０６によって媒体から検索され、次いでＣＰＵ３０２が使用するためにメモリ３０４へ転送される。
【００２１】
入力制御ユニット３０８は、チャンバ操作員の入力を受入れるために、キーボード、マウス、またはライトペンのようなデータ入力デバイスをＣＰＵ３０２に結合する。ディスプレイユニット３１０は、ＣＰＵ３０２の制御の下に図形表示及び英数字の形状の情報をチャンバ操作員へ提供する。
【００２２】
制御システムバス３１２は、それに結合されている全てのデバイスの間でのデータ及び制御信号の転送を行う。制御システムバス３１２は単一のバスとして図示されているが、制御システムバス３１２はバスの集合であることもできる。例えば、ディスプレイユニット３１０、入力制御ユニット３０８、及び大容量記憶デバイス３０６を入力・出力周辺バスに結合し、一方ＣＰＵ３０２及びメモリ３０４をローカルプロセッサバスに結合することができる。ローカルプロセッサバス及び入力・出力周辺バスは、一緒に結合されて制御システムバス３１２を形成する。
【００２３】
システムコントローラ１４０は、システムバス３１２及びＩ／Ｏ回路３２２を介して、本発明によるエッチ処理に使用される処理システム１００の要素に結合される。これらの要素は、複数の弁３２４（図１の弁１２４のような）、処理モニタ１０８、排気システム１０９、ＲＦ電源１０５、スリット弁１１４、ガスパネル１２０、ロボットアーム１１２、及びオプションとしてのミクサーブロック３２６（図１には示されていないが、ガスパネル１２０またはチャンバ１０１の何れかに接続することができる）を含む。システムコントローラ１４０はチャンバ要素に信号を供給し、図１のチャンバ１０１内の金属をエッチングするための動作をこれらの要素に遂行させる。
【００２４】
ＣＰＵ３０２は汎用コンピュータであるが、図４の流れ図に示す本発明の方法の実施の形態のプログラム４００のようなプログラムを実行する場合は専用コンピュータになる。本明細書においては、本発明をソフトウェアで実現し、汎用コンピュータ上で実行するものとして説明するが、当分野に精通していれば、本発明を特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）または他のハードウェア回路のようなハードウェアを使用して実現できることは理解されよう。また本発明は、全部または一部をソフトウェア、ハードウェア、または両者で実現できることを理解すべきである。
【００２５】
当分野に精通していれば、図４に示すプログラム４００のようなコンピュータプログラムを容易に考案できよう。プログラム４００は、ステップ４０２において、加工片を処理チャンバ１０１内へ導入する。例えば、プログラム４００は第１セットの命令を実行させて、ロボットアーム１１２にスリット弁１１４を通してウェーハ１１０を挿入させ、ペデスタル１０７上に配置させる。第２セットの命令は、スリット弁１１４を通してロボットアーム１１２を引込めさせ、スリット弁１１４を閉じさせる。
【００２６】
次ぎに、ステップ４０４において、ウェーハ処理が開始される。例えば、プログラム４００は第３セットの命令を実行させ、ガスパネル１２０に処理ガス混合体を主チャンバ１０１内へ導入させる。第４セットの命令は、ＲＦ電源１０５にＲＦ電力をアンテナ１０２に供給させる。ＲＦ電力は、チャンバ１０１内にプラズマ１３０を点弧させ、支持する。金属エッチのようなエッチ処理の場合には、典型的には、塩素（Ｃl2）、三塩化ホウ素（ＢＣl3）のようなガスと、アルゴン（Ａr）とからなるガス混合体が約９ミリトルの圧力で供給される。これらのガスは、Ｃl2については約60標準立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）、ＢＣl3については約30ｓｃｃｍ、そしてＡrについては約50ｓｃｃｍの流量で供給される。ＲＦ信号は、典型的には、約２ＭＨｚの周波数と、約1300Ｗの電力とを有している。上述した例は金属をエッチングするためのチャンバパラメータであるが、本発明は誘電体材料及びシリコンをエッチするチャンバ内での使用にも適用される。
【００２７】
一旦処理が開始されると、プログラム４００は、例えば処理モニタからの信号を参照することによってチャンバ１０１内の状態を監視する。ステップ４０６において、プログラム４００は第４セットの命令を実行させ、所定のトリガ基準に到達するまでＲＦ電源１０５に連続電力を供給させる。例えば、ステップ４０８において、プログラム４００は第５セットの命令を実行させ、処理モニタ信号と主エッチからオーバーエッチへの移行の開始を指示する所定の信号とを比較させる。プログラム４００は、トリガ基準に到達するまで、電源１０５に連続ＲＦ電力を供給するように命令し続ける。代替として、プログラム４００は電源に命令し、所定の時間Ｔ1にわたって連続電力を供給させることができる。このタイミングは、Ｔ1とクロック３１８によって測定された時間Ｔとを比較することによって達成することができる。
【００２８】
トリガ基準に到達すると、または時間Ｔ1が経過すると、ステップ４１０においてプログラム４００は、第６セットの命令によってＲＦ電源１０５にパルス化ＲＦ電力をアンテナ１０２へ供給させる。この命令は、第２のトリガ基準に到達するまで、例えば電源１０５を所定のデューティサイクルでターンオン及びオフさせることができる。例えば、ステップ４１２において、プログラム４００は第７セットの命令を実行させ、処理モニタ信号と第２の所定のトリガ基準とを比較させる。プログラム４００は、第２のトリガ基準に到達するまでＲＦ電源１０５にパルス化ＲＦ電力を供給させる。代替として、プログラム４００は電源１０５に命令し、所定の時間Ｔ2にわたってパルス化電力を供給させることができる。プログラムは、ステップ４１４において終了する。これらの命令を実行することによって、処理システム１００の要素は、半導体ウェーハに対するエッチ処理のような処理を遂行するように動作する。
【００２９】
以上に、コンピュータプログラムが、ＲＦ電源１０５をパルス化する信号を発生することができるものと説明したが、代替としてシステムコントローラ１４０は簡単な“開始”及び“停止”信号を、ＲＦ電源内に組み込まれている専用タイミング回路に供給することができる。開始信号を受信すると、この回路（即ち電力トランジスタに結合されているパルス幅変調タイマ回路）は電源１０５を駆動するための制御信号を自動的に発生する。トリガ基準に到達するか、または所定の時間が経過した結果としてシステムコントローラが停止信号を発行すると、制御信号は終了する。
【００３０】
オーバーエッチへの移行中にパルス化ＲＦ電力を印加することの利点は、図５に示すグラフから容易に理解できる。グラフ５００は、ＲＦパルス中の電子温度Ｔe５０２及び密度ｎe５０４を時間（マイクロ秒（μｓ））の関数として示している。ＲＦ電力は、本発明の方法に従ってエッチ処理のオーバーエッチ部分中に印加された。ＲＦ電力は、200μｓの周期及び50％のデューティサイクルでパルス化されていた。即ち、ＲＦ電力はパルスの“オン”部分５０６中に印加され、この状態を約100μｓ持続した。約1300ＷのＲＦ電力は“オフ”部分５０８中にターンオフされ、この状態を約100μｓ持続した。この例の場合、Ｃl2、ＢＣl3、及びＡrは、それぞれ、60、30、及び50ｓｃｃｍの流量で供給した。
【００３１】
“オン”部分５０６中、電子温度Ｔe５０２はほぼ一定に留まり、電子密度ｎe５０４はゆっくりと増加して行く。電力がターンオフされると、Ｔe及びｎeは共に、それぞれ20及び40μｓ以内に０近くまで急激に降下する。Ｔeの急激な降下は、ウェーハ１１０に衝突する電子のエネルギを減少させる。ｎeの急激な降下はウェーハ１１０に衝突する電子のレートを低下させる。両者は、ウェーハ１１０の帯電を減少させ、帯電破壊を回避する効果を呈する。
【００３２】
エッチ反応器において連続電力に続いてパルス化電力を使用する上述した実施の形態は、形態的な帯電を減少させる。本発明は、形態的な帯電が堆積処理の始まりに発生し得る誘電体堆積のようなプラズマ強化堆積処理における用途にも適用される。この場合、堆積処理の始まりにパルス化電力を使用し、その後のバルク堆積中に連続電力を使用する。
【００３３】
また、上述した実施の形態は２相のプラズマ処理を説明している。しかしながら、本発明は、連続電力、次いでパルス化電力、次いで連続電力、次いでパルス化電力等々を使用してプラズマを発生させる、または、パルス化電力、次いで連続電力、次いでパルス化電力、次いで連続電力等々を使用してプラズマを発生させる多重相処理にも使用することができる。
【００３４】
高アスペクト比構造を含むウェーハは、形態依存帯電を受け易い。従って、本発明は、高アスペクト比構造を有するウェーハの処理に大いに有益である。
【００３５】
以上に、本発明の技術を組み入れたいろいろな実施の形態を詳細に説明したが、当分野に精通していれば、これらの内容を組み入れた他の多くの実施の形態を容易に考案することができよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法を実現するための半導体ウェーハ処理システムを示す図である。
【図２】本発明の方法のタイミング図である。
【図３】図１の半導体ウェーハ処理システムのブロック図である。
【図４】本発明の方法を実現するコンピュータプログラムの流れ図である。
【図５】本発明のプラズマ処理における電子温度Ｔe及び密度ｎeを、時間の関数として示したグラフである。
【符号の説明】
１００  プラズマ強化半導体ウェーハ処理システム
１０１  処理チャンバ
１０２  アンテナ
１０３  トップ
１０４  処理容積
１０５  電源
１０６  バイアス電源
１０７  ペデスタル
１０８  処理モニタ
１０９  排気システム
１１０  ウェーハ
１１１  側壁
１１２  ロボットアーム
１１３  底
１１４  スリット弁
１２０  ガスパネル
１２２  ガスライン
１２４  弁
１３０  プラズマ
１３１  窓
１４０  コントローラ
３０２  ＣＰＵ
３０４  メモリ
３０６  大容量記憶デバイス
３０８  入力制御ユニット
３１０  ディスプレイユニット
３１２  制御システムバス
３１４  支援回路
３１６  電源
３１８  クロック
３２０  キャッシュ
３２２  Ｉ／Ｏ回路
３２４  弁
３２６  ミクサーブロック
４００  プログラム
【図１】
0005197898.tif 000002
【図２】
0005197898.tif 000003
【図３】
0005197898.tif 000004
【図４】
0005197898.tif 000005
【図５】
0005197898.tif 000006