(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理を行うステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理を行うステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、  前記前処理を行うステップでは、前記前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスのうち少なくとも一つまたはこれらの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記前処理ガスの供給流量、濃度および種類のうち少なくともいずれかを異ならせる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理を行うステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理を行うステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、  前記前処理を行うステップでは、前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記混合ガスの供給流量比および濃度比のうち少なくともいずれかを異ならせる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理を行うステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理を行うステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、  前記前処理を行うステップでは、前記前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスのうち少なくとも一つまたはこれらの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記前処理ガスの供給流量、濃度および種類のうち少なくともいずれかを異ならせる基板処理方法。
【請求項４】
反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理を行うステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理を行うステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、  前記前処理を行うステップでは、前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記混合ガスの供給流量比および濃度比のうち少なくともいずれかを異ならせる基板処理方法。
【請求項５】
基板を収容する反応容器と、
前記反応容器内で複数枚の基板を配列して支持する支持具と、
前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所からガスを供給するガス供給系と、
複数枚の基板を収容し配列させた前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理と、前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理と、を行い、前記前処理では、前記前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスのうち少なくとも一つまたはこれらの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記前処理ガスの供給流量、濃度および種類のうち少なくともいずれかを異ならせるように制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
【請求項６】
基板を収容する反応容器と、
前記反応容器内で複数枚の基板を配列して支持する支持具と、
前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所からガスを供給するガス供給系と、
複数枚の基板を収容し配列させた前記反応容器内に前処理ガスを供給して前記複数枚の基板上の自然酸化膜または汚染物質を除去する前処理と、前記反応容器内に本処理ガスを供給して前記前処理が施された前記複数枚の基板上に薄膜を形成する本処理と、を行わせ、前記前処理では、前記前処理ガスとして水素含有ガス、シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスの混合ガスを、前記反応容器内の基板配列領域を含む複数箇所から供給し、その際、前記前処理ガスを、前記基板配列領域より上流側の比較的低温となる領域および前記基板配列領域の下流端部となる領域にそれぞれ対応する箇所から積極的に供給するように、前記前処理ガスを供給する箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記混合ガスの供給流量比および濃度比のうち少なくともいずれかを異ならせるように制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（半導体デバイス）の製造方法および基板処理装置に関する。
詳しくは、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法における半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に薄膜を形成する工程において、ウエハと薄膜との間に高品質な界面を形成する方法およびそれを実現する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においては、減圧ＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、ウエハ上に薄膜を形成することが行われている。
近年、反応炉にウエハを導入する際の自然酸化膜の増加や不純物（ｉｍｐｕｒｉｔｙ）の付着による半導体の劣化等の問題を解決するために、次の方法が用いられている。
反応炉の前段に予備室を設置し、予備室内で充分に酸素や水分等を除去し、予備室内を窒素ガスで置換した後に、ウエハを反応炉内に導入する。
この減圧ＣＶＤ法を実施するには、真空引きが可能な密閉構造に構成された予備室を反応炉の前段に有する予備室付き縦型減圧ＣＶＤ装置（以下、予備室付きＣＶＤ装置という。）が使用される。
予備室付きＣＶＤ装置においては、処理前のウエハはウエハ搬送口から予備室に搬入され、ウエハ処理用治具であるボートにセットされる。その後、予備室は気密に閉じられ、真空引きおよび窒素パージが繰り返されることにより、酸素や水分等が除去される。その後、ウエハは予備室から反応炉内にボートによって搬入（ボートローディング）される。
【０００３】
ところが、この予備室付きＣＶＤ装置においては、真空引きの際の有機物等の汚染物質によるウエハ表面の汚染が懸念される。なぜならば、ウエハおよびボートを反応炉内に搬入するための駆動軸部やボート回転機構部および配線部が予備室内に設置されているからである。
そこで、ウエハが搬入された反応炉内において反応ガスを用いてウエハ上の自然酸化膜または不純物を除去する方法として、水素（Ｈ2 ）アニール法が用いられている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開平５−２９３０９号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この水素アニール法においては、一般的に、９００〜１０００℃の高温処理が必要となるために、ＩＣへの熱ダメージならびにサーマルバジェット増大の問題が考えられる。
ここで、低酸素・炭素密度で高品質な界面をウエハと薄膜との間に形成するには、予備室付きＣＶＤ装置内にウエハを導入してから反応炉における成膜直前までのウエハ表面の汚染を最小限に留めることが、重要である。
具体的には、次のようなウエハ表面の清浄化対策を講ずる必要がある。
予備室においては、反応炉へのウエハ搬入前の窒素置換時および反応炉からの搬出時に、駆動軸部およびボート回転機構部および配線部からの有機物によるウエハ表面の汚染を抑える。
反応炉内においては、比較的に低温である炉口部およびウエハ自体からの汚染を抑制する。
炉内雰囲気の高清浄化ならびに表面に吸着した汚染物質の還元・脱離を、ウエハへの薄膜形成直前まで実施する。
以上のようなウエハ表面の清浄化を、予備室付きＣＶＤ装置を用いて、バッチ処理、例えば、１００〜１５０枚処理の量産プロセスで実施しようとした場合には、比較的に低温である炉口部やウエハからの脱ガスにより、ウエハ表面の汚染が反応炉内のウエハ面間方向すなわちウエハ配列方向で不均一に発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の目的は、バッチ処理における量産プロセスにおいて、ウエハ面間方向にわたり低酸素・炭素密度で高品質な界面をウエハと薄膜との間に均一に形成することのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、プロセスチューブとそれを支持するマニホールドとで構成される反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、基板配列領域よりも低温となる領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における下流端部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、基板配列領域よりも下方の領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、基板を反応容器内に搬入するステップと、
前記反応容器内で基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内で前記前処理が施された基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを前記処理室内の複数箇所から供給すると共に、前記複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前処理ガスの供給流量、濃度または種類を異ならせる半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、基板を反応容器内に搬入するステップと、
前記反応容器内で基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内で前記前処理が施された基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、複数種類の前処理ガスを前記処理室内の複数箇所から供給すると共に、前記複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比を異ならせる半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理するプロセスチューブと、
前記プロセスチューブを支持するマニホールドと、
前記プロセスチューブ内で複数枚の基板を配列して支持する支持具と、
前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所からガスを供給する第一ノズルと、
前記プロセスチューブ内の基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所からガスを供給する第二ノズルと、
前記プロセスチューブの前記第一ノズルが設けられた側とは反対側に設けられ前記プロセスチューブ内を排気する排気路と、
前記第一ノズルおよび前記第二ノズルから前処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記複数枚の基板に対して前処理を施し、少なくとも前記第一ノズルから本処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すように制御するコントローラと、
を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、バッチ処理における量産プロセスにおいて、基板上の自然酸化膜または不純物を基板面間方向にわたり効率的かつ均一に除去し、低酸素・炭素密度で高品質な界面を基板面間方向にわたり、均一に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板処理装置として図１および図２に示された予備室付きＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）が使用されて実施される。
本実施の形態においては、薄膜を形成する前に、水素原子を含むガス、シリコン原子を含むガスまたは塩素原子を含むガスを前処理ガス（界面洗浄ガス）として、単独または混合して、またはキャリアガスと共に、２系統以上の多系統ガスラインから反応炉内へ導入する。
【００１０】
まず、ＣＶＤ装置について説明する。
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１には予備室１２が形成されている。予備室１２は大気圧未満の圧力を維持可能な気密性能を有する密閉室に構築されており、反応炉の前段に設置された予備室を構成している。
筐体１１の前面壁にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１３はゲートバルブ１４によって開閉される。
筐体１１の天井壁位置にはボート３４が出入りするボート搬入搬出口１５が開設されており、ボート搬入搬出口１５はシャッタ１６によって開閉される。
【００１１】
筐体１１には予備室１２内の雰囲気を排気する排気ライン１７の一端が接続されており、排気ライン１７の他端はバルブ１８を介して真空ポンプとしてのメカニカルブースタポンプ１９およびドライポンプ２０に接続されている。
筐体１１には予備室１２内にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給ライン２１の一端が接続されており、窒素ガス供給ライン２１の他端はマスフローコントローラ２２を介して窒素ガス供給源２３に接続されている。
【００１２】
筐体１１の予備室１２内にはボート３４を昇降させるためのボートエレベータ２４が据え付けられている。ボートエレベータ２４はボート３４を昇降させることで、ボート３４を後述する処理室４６内に搬入あるいは処理室４６内から搬出する。
ボートエレベータ２４は垂直にそれぞれ敷設されたガイドレール２５および送りねじ軸２６と、送りねじ軸２６を正逆回転させるモータ２７とを備えている。ガイドレール２５には昇降体２８が垂直方向に昇降自在に嵌合されており、昇降体２８は送りねじ軸２６に垂直方向に進退自在に螺合されている。
昇降体２８にはアーム２９が水平に突設されており、アーム２９の先端部上面には筐体１１の天井壁に設けられたボート搬入搬出口１５を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ３０が水平に設置されている。シールキャップ３０は筐体１１の天井壁下面に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ３０は例えばステンレスのような金属が使用されて円盤形状に形成されている。シールキャップ３０の上面には筐体１１の天井壁下面と当接するシール部材としてのＯリング３１が敷設されている。
【００１３】
シールキャップ３０の下側には、ボートを回転させる回転機構３２が設置されており、回転機構３２の回転軸３３はシールキャップ３０を貫通してボート３４に接続されている。回転機構３２はボート３４を回転させることでウエハ１を回転させる。
基板保持具としてのボート３４は、例えば石英または炭化珪素のような耐熱性材料が使用されて形成されており、複数枚の基板としてのウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する。
ボート３４の下部には断熱板３５が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板３５は例えば石英または炭化珪素のような耐熱性材料が使用されて円板形状に形成されている。断熱板３５はボート３４を処理室４６内に収容した状態においてヒータ４２からの熱が予備室１２側に伝わり難くさせる。
回転機構３２およびボートエレベータ２４のモータ２７には駆動制御部３６が電気配線３７によって電気的に接続されている。駆動制御部３６は回転機構３２およびボートエレベータ２４のモータ２７に所望の動作をさせるべく所望のタイミングにてこれらを制御する。
【００１４】
ボート搬入搬出口１５に対応する筐体１１上には、反応炉４０が設置されている。
反応炉４０は加熱機構としてのヒータ４２を有する。ヒータ４２は円筒形状に形成されており、保持板としてのヒータベース４１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ４２はＵゾーン（アッパゾーン）４２ａ、ＣＵゾーン（センタアッパゾーン）４２ｂ、Ｃゾーン（センタゾーン）４２ｃ、ＣＬゾーン（センタロワゾーン）４２ｄ、Ｌゾーン（ロワゾーン）４２ｅの５つのゾーンに分かれている。
【００１５】
ヒータ４２の内側には、反応管としてのプロセスチューブ４３がヒータ４２と同心円状に配設されている。プロセスチューブ４３は外部反応管としてのアウタチューブ４４と、その内側に設けられた内部反応管としてのインナチューブ４５とから構成されている。
アウタチューブ４４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）のような耐熱性材料が使用されて形成されている。アウタチューブ４４は、内径がインナチューブ４５の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ４５と同心円状に設けられている。
インナチューブ４５は、例えば石英または炭化シリコンのような耐熱性材料が使用されて、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ４５の筒中空部は処理室４６を形成しており、処理室４６は複数枚のウエハ１をボート３４によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容する。
アウタチューブ４４とインナチューブ４５との隙間によって筒状空間４７が形成されている。
【００１６】
アウタチューブ４４の下側にはシール部材としてのＯリング４８を介してマニホールド４９が、アウタチューブ４４と同心円状に配設されている。マニホールド４９は、例えばステンレスが使用されて、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド４９はアウタチューブ４４とインナチューブ４５とに係合しており、これらを支持している。マニホールド４９がヒータベース４１や筐体１１の天井壁に支持されることにより、プロセスチューブ４３は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ４３とマニホールド４９により反応容器が形成される。
【００１７】
プロセスチューブ４３内には、温度検出器としての温度センサ５０が設置されている。ヒータ４２と温度センサ５０とには温度制御部５１が電気配線５２によって電気的に接続されている。温度制御部５１は温度センサ５０により検出された温度情報に基づきヒータ４２への通電具合を調整することにより、処理室４６内の温度が所望の温度分布となるように所望のタイミングをもって制御する。
【００１８】
マニホールド４９には処理室４６内の雰囲気を排気する排気管５３が設けられている。排気管５３はアウタチューブ４４とインナチューブ４５との隙間によって形成される筒状空間４７の下端部に配置されており、筒状空間４７に連通している。
排気管５３のマニホールド４９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ５４および圧力調整装置５５を介してメカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）１９、ドライポンプ（ＤＰ）２０等の排気装置が接続されている。圧力センサ５４、圧力調整装置５５、メカニカルブースターポンプ１９およびドライポンプ２０は、処理室４６内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように排気する。
圧力センサ５４および圧力調整装置５５には圧力制御部５６が電気配線５７によって電気的に接続されている。圧力制御部５６は圧力センサ５４により検出された圧力に基づいて、圧力調整装置５５を処理室４６内の圧力が所望の圧力となるように所望のタイミングをもって制御する。
【００１９】
マニホールド４９にはガス導入部としてのノズルが複数本、処理室４６内に連通するようにそれぞれ接続されている。
複数本のノズルは、互いに長さの異なるエルボ管形状（Ｌ型）の４本のロングノズルと、直管形状（Ｉ型）の１本のショートノズルとから構成されている。
第一ロングノズルＮ１、第二ロングノズルＮ２、第三ロングノズルＮ３および第四ロングノズルＮ４は、ボート３４とインナチューブ４５との間に設けられており、ウエハ群配列領域であるヒータ４２と対向する領域まで立ち上がっている。
第一ロングノズルＮ１、第二ロングノズルＮ２、第三ロングノズルＮ３および第四ロングノズルＮ４のガス噴出口は、ウエハ群配列領域に対応する領域において異なる高さにそれぞれ位置しており、いずれもウエハ群配列方向（垂直方向）の上方に向かって開口している。
第五のノズルであるショートノズルＮ５のガス噴出口は、ウエハ群配列領域よりも上流側の領域であるマニホールド４９と対向する領域、すなわち、ウエハ群配列領域よりも下方の領域であってウエハ群配列領域よりも低温となる領域に位置しており、ウエハ群配列方向と直角方向（水平方向）に向かって開口している。
なお、図２では便宜上、第一のノズルである第一ロングノズルＮ１のみ図示しており、他のノズルの図示は省略している。
【００２０】
これらノズルＮ１〜Ｎ５にはガス供給ラインＬ１〜Ｌ５がそれぞれ接続されている。各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５の各ノズルＮ１〜Ｎ５との接続側と反対側である上流側には、複数のバルブおよび複数のガス流量制御器（マスフローコントローラ）を含むガス供給・流量制御器Ｍを介して複数のガス供給源を含むガス供給ユニットＧが接続されている。
ガス供給・流量制御器Ｍにはガス供給・流量制御部５８が電気配線５９によって電気的に接続されている。ガス供給・流量制御部５８はガス供給・流量制御器Ｍを、各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に流れる各ガスのガス流量が所望の量となるように所望のタイミングをもって制御する。
なお、図１０（ａ）および図１０（ｂ）はガス供給系の具体例を示している。
図１０（ａ）は後述する第一前処理シーケンスを行う場合に用いられる例（以下、第一供給系例という。）を示している。
第一供給系例において、第一ガス供給源Ｇ１は水素（Ｈ2 ）ガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に供給する。第二ガス供給源Ｇ２はモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガスをガス供給ラインＬ５に供給する。第三ガス供給源Ｇ３は窒素（Ｎ2 ）ガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に供給する。
第一ガス供給源Ｇ１より水素ガスを供給する各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５には、上流側から順に上流側バルブＵ１〜Ｕ５、マスフローコントローラＣ１〜Ｃ５、および下流側バルブＤ１〜Ｄ５がそれぞれ設けられている。
第二ガス供給源Ｇ２より、ガス供給ラインＬ５へモノシランガスを供給する接続ラインには、上流側から順に上流側バルブＵ６、マスフローコントローラＣ６、および下流側バルブＤ６が設けられている。
第三ガス供給源Ｇ３より、各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５へ窒素ガスを供給する接続ラインには、上流側から順に上流側バルブＵ７、マスフローコントローラＣ７、および下流側バルブＤ７が設けられている。なお、ガス供給ユニットＧは、第一ガス供給源Ｇ１、第二ガス供給源Ｇ２、第三ガス供給源Ｇ３を含み、ガス供給・流量制御器Ｍは、上流側バルブＵ１〜Ｕ７、マスフローコントローラＣ１〜Ｃ７、下流側バルブＤ１〜Ｄ７を含む。
つまり、第一供給系例は、前処理ガスとして水素ガスを使用する場合に、ガス供給・流量制御器Ｍの各バルブや各マスフローコントローラを制御することにより、水素ガスの流量および濃度を各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５毎すなわち各ノズルＮ１〜Ｎ５毎にそれぞれ変更することができる。
図１０（ｂ）は後述する第二前処理シーケンスを行う場合に用いられる例（以下、第二供給系例という。）を示している。
第二供給系例において、第一ガス供給源Ｇ１は水素ガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に供給する。第二ガス供給源Ｇ２はモノシランガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に供給する。第四ガス供給源Ｇ４は塩素（Ｃｌ2 ）ガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｎ５に供給する。第三ガス供給源Ｇ３は窒素ガスを各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５に供給する。
第一ガス供給源Ｇ１より水素ガスを供給する各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５には、上流側から順に上流側バルブＵ１〜Ｕ５、マスフローコントローラＣ１〜Ｃ５、および下流側バルブＤ１〜Ｄ５がそれぞれ設けられている。
第二ガス供給源Ｇ２より、各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５へモノシランガスを供給する各接続ラインには上流側から順に上流側バルブＵ１１〜Ｕ１５、マスフローコントローラＣ１１〜Ｃ１５、および下流側バルブＤ１１〜Ｄ１５がそれぞれ設けられている。
第四ガス供給源Ｇ４より、各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５へ塩素ガスを供給する各接続ラインには上流側から順に上流側バルブＵ１６〜Ｕ２０、マスフローコントローラＣ１６〜Ｃ２０、および下流側バルブＤ１６〜Ｄ２０がそれぞれ設けられている。
第三ガス供給源Ｇ３より、各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５へ窒素ガスを供給する各接続ラインには上流側から順に上流側バルブＵ２１〜Ｕ２５、マスフローコントローラＣ２１〜Ｃ２５、および下流側バルブＤ２１〜Ｄ２５がそれぞれ設けられている。なお、ガス供給ユニットＧは、第一ガス供給源Ｇ１、第二ガス供給源Ｇ２、第三ガス供給源Ｇ３、第四ガス供給源Ｇ４を含み、ガス供給・流量制御器Ｍは、上流側バルブＵ１〜Ｕ５、Ｕ１１〜Ｕ２５、マスフローコントローラＣ１〜Ｃ５、Ｃ１１〜Ｃ２５、下流側バルブＤ１〜Ｄ５、Ｄ１１〜Ｄ２５を含む。
つまり、第二供給系例は、ガス供給・流量制御器Ｍの各バルブや各マスフローコントローラを制御することにより、水素ガス、モノシランガス、塩素ガスの流量および濃度を各ガス供給ラインＬ１〜Ｌ５毎すなわち各ノズルＮ１〜Ｎ５毎にそれぞれ変更することができる。
【００２１】
駆動制御部３６、温度制御部５１、圧力制御部５６およびガス流量制御部５８は操作部および入出力部をも構成しており、これらはＣＶＤ装置１０全体を制御する主制御部６０に電気的に接続されている。
これら駆動制御部３６、温度制御部５１、圧力制御部５６、ガス流量制御部５８および主制御部６０は、コントローラ６１を構成している。
【００２２】
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を使用して、ウエハ上に多結晶シリコン膜または単結晶シリコン膜（以下、シリコン膜という。）を形成する方法を図３および図４に即して説明する。
図３および図４はウエハ上にシリコン膜を形成する方法を示すシーケンスフローチャートであり、炉内温度変化、各ステップ名、窒素（Ｎ2 ）ガス、水素（Ｈ2 ）ガス、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、塩素（Ｃｌ2 ）ガス等の各供給タイミング、炉内圧力変化をそれぞれ示している。
図３および図４において、横軸は時間経過を表しており、縦軸は炉内温度、各ステップ、各ガスの供給状態、炉内圧力を表している。
図３は第一実施形態に係るシリコン膜形成方法を示しており、図４は第二実施形態に係るシリコン膜形成方法を示している。
なお、以下の説明において、ＣＶＤ装置１０を構成する各部の動作はコントローラ６１により制御される。
【００２３】
シリコンウエハ表面の自然酸化膜を希フッ酸で除去すると同時に、表面を水素終端化させた後に、予備室１２内のボート３４には１バッチ分の枚数、例えば１００〜１５０枚のウエハ１が装填される（ウエハチャージステップ）。
次いで、予備室１２内の不活性ガスによるパージ、例えば窒素パージが実施され（プレパージステップ）、予備室１２内において真空引きおよび窒素パージが繰り返し実施される（サイクルパージステップ）。これにより、予備室１２内の雰囲気中の酸素および水分が充分に除去される。
その後、ボートエレベータ２４はウエハ群装填済みボート３４を上昇させボート搬入搬出口１５を介して処理室４６内へ搬入する（ボートロードステップ）。
複数枚のウエハ１を支持したボート３４の処理室４６内への搬入が完了すると、シールキャップ３０はボート搬入搬出口１５を構成する筐体１１の天井壁下面にＯリング３１を介して当接しボート搬入搬出口１５を閉塞することで処理室４６内をシールする。
この際、ボートロードステップ時のウエハ表面酸化を防ぐために、反応炉４０（処理室４６）内（以下、炉内という。）の温度がウエハ処理温度よりも低いウエハ搬入温度、例えば１００〜４００℃程度の温度となるように、温度制御部５１はヒータ４２を制御する。
図３および図４の場合には、ウエハ搬入温度は２００℃に調整されている。
なお、ウエハチャージステップからボートロードステップまでの間、炉内圧力は大気圧（ＡＴＭ）とされる。
【００２４】
次に、炉内温度をウエハ搬入温度に維持した状態で、炉内がメカニカルブースタポンプ１９およびドライポンプ２０によって真空引きされる（真空引きステップ）。
この際、圧力制御部５６が圧力調整装置５５を制御することで炉内圧力は、大気圧よりも低く、ウエハ処理時圧力よりも低い圧力、例えば１〜１００００Ｐａ程度の圧力に調整される。
図３および図４の場合には、炉内圧力は１Ｐａに調整されている。
このとき、駆動制御部３６はボート３４を回転機構３２によって所定の回転速度で回転させる。
【００２５】
ここまでは、図３および図４に示した第一実施形態および第二実施形態に係るシリコン膜形成方法のシーケンスに共通の初期ステップである。
【００２６】
次に、図３に示した第一実施形態における水素ガス使用汚染除去シーケンス（以下、第一前処理シーケンスという。）に関して記述する。
炉内圧力が所定の圧力（ここでは４５Ｐａ）に調整された後に、炉内に水素ガスが供給されつつ、炉内が排気されることで、炉内が水素ガスによりパージされる（水素パージステップ）。
その後に、炉内に対する水素ガスの供給および排気が維持された状態で、炉内温度はウエハ搬入温度から第一前処理温度、例えば７５０〜８５０℃程度の温度まで上昇される（昇温ステップ）。
この昇温ステップ前、すなわち水素パージステップから、炉内への水素ガスの供給が開始される。
炉内に対する水素ガスの供給および排気は、炉内温度を第一前処理温度（７５０〜８５０℃）から後述する成膜温度（６２０℃）まで降下させる降温ステップおよび炉内温度を成膜温度に安定させる温度安定ステップが完了するまでの間、継続的に行われる。
水素ガスは図１に示された全てのノズルＮ１〜Ｎ５から炉内に供給される。すなわち、ガス噴出口がマニホールド４９に対応する領域に位置するショートノズルＮ５およびガス噴出口がウエハ群配列領域に対応する領域に位置するロングノズルＮ１〜Ｎ４から供給される。炉内に供給された水素ガスは、炉内を上昇し筒状空間４７を流下して排気管５３より排気される。
【００２７】
水素ガスの供給および排気が所定時間維持されることにより、ウエハに対する自然酸化膜および汚染物質の除去処理が所定時間継続される。自然酸化膜および汚染物質の除去処理における反応メカニズムすなわち、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）の水素による除去メカニズムを以下に論述する。
炉内へ水素ガスが供給されることにより、次のような反応が進行すると考えられる。
なお、下記式において＊を付したものは活性種であることを示している。
1)  Ｈ2 →２Ｈ* 
2)  ２Ｈ* ＋Ｏ→Ｈ2 Ｏ↑
3)  ２Ｈ2 ＋Ｃ→ＣＨ4 ↑
4)  ＳｉＯ2 ＋２Ｈ* →ＳｉＯ↑＋Ｈ2 Ｏ↑
７５０〜８５０℃という温度領域においては、Ｈ2 は化学的に活性なＨ* といった形態に分離していると考えられる（反応式1)）。
それらは、炉内雰囲気中に残留した酸素や炭素および自然酸化膜と反応して、Ｈ2 ＯやＣＨ4 やＳｉＯといった形態で気化され、炉外に排気されることで除去されるものと考えられる（反応式2)、3)、4)）。
【００２８】
次に、図４に示した第二実施形態における水素ガス、シランガスおよび塩素ガスを使用する汚染除去シーケンス（以下、第二前処理シーケンスという。）に関して記述する。
炉内圧力が所定の圧力（ここでは４５Ｐａ）に調整された後に、炉内に水素ガスが供給されつつ、炉内が排気されることで、炉内が水素ガスによりパージされる（水素パージステップ）。
その後に、炉内に対する水素ガスの供給および排気が維持された状態で、炉内温度がウエハ搬入温度から、第二前処理温度、例えば６２０℃程度の温度まで昇温される（昇温ステップ）。
なお、第二実施形態では、第二前処理温度を後述する成膜温度を同一の温度としている。
この昇温ステップから、炉内へのシランガスと塩素ガスの供給が開始される。
すなわち、このとき、炉内へ水素ガスとシランガスと塩素ガスとが供給されつつ、炉内が排気されている（水素＋シラン＋塩素パージステップ）。
この時の炉内圧力は、例えば５０Ｐａに調整される。
なお、シランガスと塩素ガスとは、昇温ステップ終了後も所定時間供給し続ける。
水素ガス供給を維持した状態で、シランガスおよび塩素ガスの供給を停止すると、再び、水素パージステップが実施される。つまり、水素ガスの供給および排気は、昇温ステップ前の水素パージステップから昇温ステップ後の水素パージステップが完了する迄の間、継続して実施されている。
シランガスおよび塩素ガス供給停止後に水素パージステップを実施することにより、ウエハ表面に残留した塩素を除去することができる。
水素ガスとシランガスと塩素ガスとは、図１に示された全てのノズルＮ１〜Ｎ５から炉内に供給される。すなわち、ガス噴出口がマニホールド４９に対応する領域に位置するショートノズルＮ５およびガス噴出口がウエハ群配列領域に対応する領域に位置するロングノズルＮ１〜Ｎ４から、水素パージステップにおいては水素ガスがそれぞれ供給され、水素＋シラン＋塩素パージステップにおいては水素ガスとシランガスと塩素ガスの混合ガスがそれぞれ供給される。炉内に供給された水素ガス、シランガス、塩素ガスは炉内を上昇し、筒状空間４７を流下して排気管５３より排気される。
【００２９】
水素ガスとシランガスと塩素ガスとの供給および排気が、所定時間維持されることにより、ウエハに対する自然酸化膜および汚染物質除去処理が所定時間、継続される。自然酸化膜および汚染物質の除去処理における反応メカニズムを以下に論述する。
まず、シランによる水分（Ｈ2 Ｏ）、酸素（Ｏ）除去のメカニズムにつき説明する。
炉内へシランガスが供給されることにより、次の反応が進行すると、考えられる。
5)  ＳｉＨ4 →ＳｉＨ2 ＋Ｈ2 
6)  ＳｉＨ4 →ＳｉＨ3 ＋Ｈ* 
7)  ＳｉＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ↑→ＳｉＯ↑＋２Ｈ2 
8)  ２ＳｉＨ2 ＋Ｏ2 →２ＳｉＯ↑＋２Ｈ2 
9)  ２Ｈ* ＋Ｏ→Ｈ2 Ｏ↑
10) ＳｉＨ4 ＋ＳｉＯ2 →２ＳｉＯ↑＋２Ｈ2 
２００〜６２０℃の範囲内の比較的に低温な領域では、シラン（ＳｉＨ4 ）は完全には分解されずに、ＳｉＨ2 とＨ2 やＳｉＨ3 とＨといった形態に分離していると、考えられる（反応式5)、6)）。
それらは炉内雰囲気中に残留した水分や酸素と反応して、それぞれＳｉＯやＨ2 Ｏといった形態で気化され、炉外に排気されることで除去されるものと、考えられる（反応式7)、8)、9)）。
しかしながら、比較的に低温であるために、反応式10）のように、ウエハ表面に形成されたＳｉＯ2 を除去するまでには至っていない。
次に塩素による酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）の除去メカニズムについて説明する。
炉内へ塩素ガスが供給されると、次のような反応が進行すると、考えられる。
11) ２Ｃｌ2 ＋Ｓｉ→ＳｉＣｌ4 ↑
Ｃｌ2 によるＯやＣとの直接的な反応はないと、考えられるが、ＳｉがＣｌ2 によってエッチングされていると、考えられる（反応式11））。
その際に、Ｓｉ上に吸着したＯやＣが、Ｓｉと一緒にリフトアップされ除去されるものと、考えられる。
【００３０】
第一前処理シーケンスと第二前処理シーケンスとは、それぞれ単独でウエハに対する自然酸化膜および汚染物質の除去に有効であるが、両者を組み合わせることも可能である。両者を組み合わせることにより、より一層高い自然酸化膜または不純物の除去効果を得ることができる。
【００３１】
第一前処理シーケンスまたは第二前処理シーケンス終了後、成膜ステップが実施される。
ここからは、図３と図４とに示したシリコン膜形成方法のシーケンスに共通のステップである。
温度制御部５１によりヒータ４２が制御され、炉内温度が成膜温度（６２０℃）にて安定化すると（温度安定ステップ）、炉内への水素ガスの供給が停止され、シランガスが炉内に供給される。このとき、炉内圧力は例えば２０Ｐａに調整される。シランガスはショートノズルＮ５から炉内に供給される。なお、シランガスは、全てのノズルＮ１〜Ｎ５から炉内に供給するようにしてもよい。炉内に供給されたシランガスは炉内を上昇し、筒状空間４７を流下して排気管５３より排気される。
供給されたシランガスはヒータ４２により加熱された減圧雰囲気内で分解するために、シリコン膜がウエハ表面上に熱ＣＶＤ反応により形成される（成膜ステップ）。
第一前処理シーケンスまたは第二前処理シーケンスによりウエハ表面を清浄化すれば、成膜の下地が多結晶シリコン（poly−Ｓｉ）の場合には多結晶シリコン膜が形成され、成膜の下地が単結晶シリコンの場合には単結晶シリコン膜が形成される。
このように、本実施形態によれば、６２０℃という低温で単結晶シリコン膜を形成することも可能となる。
シランガスの供給を停止することにより、ウエハに対する成膜ステップが終了する。
【００３２】
ウエハに対する成膜ステップ終了後に、炉内圧力が所定の圧力、例えば１〜１００００Ｐａ程度の圧力に調整される。ここでは、炉内圧力は１５Ｐａに調整される。
シランガス供給停止と同時に、炉内が窒素ガスによってパージされることにより、炉内は窒素ガスによって置換される。
その後、炉内への窒素ガス供給が維持されつつ、炉内圧力が上昇されて大気圧に復帰される（大気圧復帰ステップ）。
大気圧復帰ステップ後に、処理後のウエハすなわち単結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜が形成されたウエハを保持したボート３４は、ボートエレベータ２４により降下され処理室４６内から搬出される（ボートアンロードステップ）。
ボート３４に保持された全てのウエハ１が冷えるまで、ボート３４は予備室１２において待機する（ウエハ冷却ステップ）。
待機させたボート３４に保持された全てのウエハ１が所定温度まで冷却すると、ウエハ１はウエハ移載装置（図示せず）によってボート３４から取り出され、ウエハキャリア（図示せず）に回収される（ウエハディスチャージステップ）。
なお、次回のシーケンスのために、ウエハ冷却ステップと並行して、炉内温度が成膜温度から所定のウエハ搬入温度、例えば３００〜６００℃程度の温度（ここでは、２００℃）まで降温される（炉内降温ステップ）。
【００３３】
以上のシリコン膜形成方法を鋭意検討の結果、本発明者は次の現象を見出した。
本実施形態におけるＣＶＤ装置１０のように、プロセスチューブ４３と、プロセスチューブ４３の下方に設けられたマニホールド４９とで反応容器が形成され、マニホールド４９側からプロセスチューブ４３上部に向かってガスが流れるような基板処理装置の場合には、ウエハ群配列領域よりも下方であってウエハ群配列領域よりも低温となるマニホールド４９の部分およびウエハ群配列領域上部（ウエハ群配列領域下流端部付近）においては、酸素や炭素等の汚染の度合いが他の部分よりも大きくなる。
【００３４】
本発明者はこの現象が生じる理由を、次のように考察した。
成膜ステップにおいて、ウエハ群配列領域よりも下方の比較的温度の低いマニホールド４９付近にショートノズルＮ５より導入されたガスは、処理室４６内を上昇してウエハ１に対し成膜処理を施した後に、アウタチューブ４４とインナチューブ４５との間に形成された筒状空間４７を通って排気管５３より排気される。
炉内をウエハ群配列領域上部と、ウエハ群配列領域上部以外の部分と、マニホールド４９近傍との３つのエリアに分けて考えると、ウエハに対する酸素や炭素等の界面不純物密度は、ウエハ群配列領域上部およびマニホールド４９近傍で比較的大きくなる。
マニホールド４９近傍において界面不純物密度が比較的大きくなる理由としては、マニホールド４９に付着していた水分や有機物の脱離による汚染が考えられる。
界面不純物の原因となる水分や有機物は、雰囲気温度が低いほど表面に吸着し易くなるため、炉内において比較的温度の低いマニホールド４９付近には、他のエリアより多くの水分や有機物が吸着しており、それらが成膜シーケンス内での昇温時に脱離して、マニホールド４９近傍のウエハ１に吸着すると、考えられる。
ウエハ群配列領域上部において界面不純物密度が比較的大きくなる理由としては、ウエハ１やボート３４に付着していた水分や有機物の脱離による汚染が考えられる。
脱離した水分や有機物は、反応炉４０の構造上、ウエハ群配列領域を下から上に向かって流れるので、ウエハ群配列領域に一様にウエハ１を配置したと仮定すると、ウエハ群配列領域下流側であるウエハ群配列領域上部の方が、より多くのウエハ１およびボート３４の表面より多くの部分からの脱離水分・有機物の影響を受けると、考えられる。
また、反応炉４０の構造上、排気側からの不純物の逆拡散の影響も、筒状空間４７近傍に位置するウエハ群配列領域上部ではより強く受けていると、考えられる。
【００３５】
本発明者は、このように汚染の度合いが他の部分よりも大きくなる、
（１）ウエハ群配列領域よりも下方（ウエハ群配列領域よりも上流側）の領域、すなわ
ちウエハ群配列領域よりも低温となるマニホールドに対応する領域、および、
（２）ウエハ群配列領域上部（ウエハ群配列領域下流端部）に対応する領域、
から前処理ガスを積極的に供給することで、この現象を改善できることを見出した。
【００３６】
次に、ウエハに対する自然酸化膜・汚染物質除去効果（以下、汚染除去効果という。）の供給ガス系統数による違いを究明するために行った実験について説明する。
【００３７】
図５は実験に使用した評価装置を示している。
なお、図１と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
図５（ａ）に示された第一評価装置においては、ショートノズルＮ５の一系統のみで水素ガスを炉内に導入し、ウエハ１に対する第一前処理シーケンスを実施した後に、ショートノズルＮ５よりシランガスを炉内に導入して成膜ステップを実施した。
汚染除去効果の指標である界面酸素・炭素密度を、ボート３４の中央領域（８９枚目）と上部領域（１６７枚目）に設置したモニタウエハに対して測定した。
図５（ｂ）に示された第二評価装置においては、ショートノズルＮ５と１本のロングノズルＮ１との二系統により水素ガスを炉内に導入し、ウエハ１に対する第一前処理シーケンスを実施した後に、ショートノズルＮ５よりシランガスを炉内に導入して成膜ステップを実施した。すなわち、第一前処理シーケンスではマニホールド４９付近からショートノズルＮ５により水素を供給するだけでなく、ボート３４やウエハ１からの脱ガスによる汚染の影響が比較的高いボート上部領域（１６７枚目）の界面特性を改善するために、その少し下方（１５０枚目）からもロングノズルＮ１により水素ガスを追加導入した。第一評価装置による実験と同様、ボート３４の中央領域（８９枚目）と上方領域（１６７枚目）にモニタウエハを設置して界面酸素・炭素密度を測定した。
【００３８】
図６は実験結果を示すグラフである。
図６において、横軸は評価装置すなわち供給ガス系統数の違いを示しており、縦軸は界面酸素・炭素密度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 ）を示している。
本実験では、第一前処理シーケンスの水素ガスパージ温度は８００℃、水素ガスパージ時間は３０分、各ノズルから供給する水素ガスの供給流量はそれぞれ５ｓｌｍとした。
成膜ステップでは、シランガスの供給流量を０．５ｓｌｍとして、下地膜である約１００ｎｍの厚さの多結晶シリコン膜上に多結晶シリコン膜を約２００ｎｍ形成した。
界面特性はＳＩＭＳ（Secondary Ionization Mass Spectrometer）にて測定した。
【００３９】
図６によれば、水素ガス系統数が１系統の第一評価装置では、ボートやウエハからの脱ガスによる汚染の影響が、ボート上部領域において比較的高いことが判る。
ボート中央領域（８９枚目）に設置したモニタウエハでの界面特性を比較すると、第一評価装置と第二評価装置とにおいて、違いは殆ど見られない。
このことから、水素ガス系統数を１系統から２系統にした際の水素ガス流量の増加、水素ガスパージ中の圧力増加の影響、評価バッチ間の誤差は殆ど無いことが判る。
一方、上部領域（１６７枚目）に設置したモニタウエハでの界面特性を、第一評価装置と第二評価装置とで比較すると、水素ガス系統数を１系統から２系統に増加させ、上部領域（１６７枚目）に対し、上部領域（１６７枚目）の少し手前（上流側）から水素ガスを追加供給することにより、酸素密度で約６１％、炭素密度で約４４％低減できており、汚染密度が大幅に低減されていることが判る。
このことから、水素ガス等の前処理ガスを多系統で追加供給することにより、ウエハ面間方向で不均一に取り込まれるウエハ表面の汚染物質を均一に除去し、高品質な界面を量産処理のウエハ群配列領域（１００〜１５０枚）で均一に形成することができる。
【００４０】
図５（ｂ）の場合においては、ロングノズルＮ１、ショートノズルＮ５に供給する界面洗浄ガスとしての前処理ガスのガス種、供給流量、濃度を同一とした。
すなわち、ロングノズルＮ１、ショートノズルＮ５に供給する前処理ガスのガス種は、いずれも水素ガスとした。また、ロングノズルＮ１、ショートノズルＮ５に供給する水素ガス流量は、いずれも５ｓｌｍとした。また、ロングノズルＮ１、ショートノズルＮ５に供給する水素ガスの濃度は、いずれも１００％とした。
【００４１】
しかしながら、例えば処理室内における汚染の度合いが面間方向で不均一な場合、各ノズルに供給する界面洗浄ガスとしての前処理ガスのガス種や供給流量および濃度は、次のように、処理室内の汚染量に合わせて異ならせてもよい。
【００４２】
（１）例えば、処理室内の上部での汚染の度合いが他の部分に比べ大きい場合、ロングノズルＮ１から処理室内の上部に供給する前処理ガスの供給流量または濃度を、他の部分に供給する前処理ガスの供給流量または濃度よりも大きくするようにしてもよい。
また、ロングノズルＮ１から処理室内の上部に供給する前処理ガスのガス種を他の部分に供給する前処理ガスのガス種と異ならせるようにしてもよい。
例えば、図５（ｂ）の装置の場合、ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する水素ガスの供給流量、ショートノズルＮ５から処理室内下部に供給する水素ガスの供給流量を、それぞれ７ｓｌｍ、５ｓｌｍとするようにしてもよいし、ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する水素ガスの濃度、ショートノズルＮ５から処理室内下部に供給する水素ガスの濃度を、それぞれ、１００％、８０％とするようにしてもよい。
また、ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する前処理ガスを水素ガス、シランガスおよび塩素ガスの混合ガスとし、ショートノズルＮ５より処理室内下部に供給する前処理ガスを水素ガスとするようにしてもよい。
【００４３】
（２）また例えば、処理室内の上部および下部での汚染の度合いが他の部分に比べ大きい場合は、処理室内の上部および下部に供給する前処理ガスの供給流量または濃度を、他の部分に供給する前処理ガスの供給流量または濃度よりも大きくするようにしてもよい。
また、処理室内の上部および下部に供給する前処理ガスのガス種を、他の部分に供給する前処理ガスのガス種と異ならせるようにしてもよい。
例えば、前述した図１、図２のＣＶＤ装置１０において、一番長いロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する水素ガスの供給流量、２番目に長いロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する水素ガスの供給流量、３番目に長い（２番目に短い）ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する水素ガスの供給流量、一番短いロングノズルＮ４から処理室底部に供給する水素ガスの供給流量、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する水素ガスの供給流量を、それぞれ、８ｓｌｍ、６ｓｌｍ、５ｓｌｍ、６ｓｌｍ、７ｓｌｍとするようにしてもよい。
また、一番長いロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する水素ガスの濃度、２番目に長いロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する水素ガスの濃度、３番目に長い（２番目に短い）ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する水素ガスの濃度、一番短いロングノズルＮ４から処理室底部に供給する水素ガスの濃度、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する水素ガスの濃度を、それぞれ、１００％、８０％、８０％、９０％、１００％とするようにしてもよい。
また、一番長いロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する前処理ガスを水素ガスとシランガスと塩素ガスとの混合ガスとし、２番目に長いロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する前処理ガス、３番目に長い（２番目に短い）ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する前処理ガス、一番短いロングノズルＮ４から処理室底部に供給する前処理ガスを水素ガスとし、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する前処理ガスを水素ガスとシランガスと塩素ガスとの混合ガスとするようにしてもよい。
【００４４】
つまり、前処理を行う工程では、前処理ガスを処理室内の複数箇所から供給すると共に、複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前処理ガスの供給流量、濃度、または種類を異ならせるようにしてもよい。
このように、処理室内の各ポジションでの汚染の度合いに合わせて、前処理ガスの供給流量、濃度または種類を各ポジションで異ならせることにより、ウエハ上の自然酸化膜または不純物を、ウエハ面間方向にわたり効率的かつ均一に除去することができるので、低酸素・炭素密度で高品質な界面を１００〜１５０枚一括処理の量産プロセスで均一に形成することができる。
【００４５】
（３）また例えば、処理室内の上部および下部での汚染の度合いが他の部分に比べ大きい場合であって、処理室内の上部および下部から供給する前処理ガスを複数種類の前処理ガスを混合した混合ガスとし、処理室内の他の部分から供給する前処理ガスをその混合ガスと同一の混合ガスとする場合には、処理室内の上部および下部から供給する複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比を、他の部分から供給する複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比と異ならせるようにしてもよい。
例えば、前述したＣＶＤ装置１０において、各ノズルから前処理ガスとして水素ガスとシランガスと塩素ガスとの混合ガスを供給する場合には、ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する水素ガスとシランガスと塩素ガスとの供給流量比、ロングノズルＮ２、Ｎ３、Ｎ４から処理室内中央上部、中央下部、底部に供給する水素ガスとシランガスと塩素ガスとの供給流量比、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する水素ガスとシランガスと塩素ガスとの供給流量比を、それぞれ、５：３：２、８：１：１、６：３：１、とするようにしてもよい。
【００４６】
つまり、前処理を行う工程では、複数種類の前処理ガスを処理室内の複数箇所から供給すると共に、複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比を異ならせるようにしてもよい。
このように、処理室内の各ポジションでの汚染の度合いに合わせて、複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比を各ポジションで異ならせることにより、ウエハ上の自然酸化膜または不純物をウエハ面間方向にわたり効率的かつ均一に除去することができるため、低酸素・炭素密度で高品質な界面を１００〜１５０枚一括処理の量産プロセスで均一に形成することができる。
【００４７】
前処理ガスを供給する処理室内の複数箇所としては、ウエハ群配列領域よりも上流側の領域における少なくとも１箇所と、ウエハ群配列領域に対応する領域における少なくとも１箇所とするのが好ましい。
より好ましくは、前処理ガスをマニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所、およびウエハ群配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所から供給するのがよい。
すなわち、前処理ガスはウエハ群配列領域よりも低温となる領域における少なくとも１箇所、およびウエハ群配列領域に対応する領域における下流端部の少なくとも１箇所から供給するのがより好ましく、
ウエハ群配列領域よりも下方の領域における少なくとも１箇所、およびウエハ群配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所から供給するのがより好ましい。
また、前処理ガスを供給する前処理ガスノズルと、本処理ガスとしての成膜ガスを供給する本処理ガスノズルとは、同一のノズルであることが好ましい。
【００４８】
次に、処理室内下部での汚染の度合いが大きい場合であって、ショートノズルＮ５から処理室内下部に前処理ガスとして供給する塩素ガスと水素ガスとの流量比を変化させた場合の界面汚染（界面酸素密度）の違いを究明するために行った実験について説明する。
【００４９】
実験は図５（ａ）の第一評価装置を用いて行った。
すなわち、図５（ａ）の第一評価装置を用い、前処理ガスとして塩素ガスと水素ガスとの混合ガスを炉内に導入してウエハに対する前処理を実施した後に、ウエハに対してＤ−ｐｏｌｙＳｉ膜を、１００ｎｍ形成した。
前処理の際、塩素ガスと水素ガスとの流量比を、塩素／水素＝０．０２、塩素／水素＝０．１の２通りに変化させた。
界面汚染物質（界面酸素密度）の測定は、ボートの下方領域（１１枚目）にモニタウエハを設置して行った。
【００５０】
界面酸素密度の塩素ガスと水素ガスとの流量比による違いを図７に示す。
図７において、横軸は塩素ガスと水素ガスの流量比（塩素／水素）を示しており、縦軸は界面酸素密度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 ）を示している。
界面特性は、ＳＩＭＳにて測定した。
【００５１】
図７によれば、次のことが判る。
前処理の際、塩素ガスと水素ガスの流量比を、塩素／水素＝０．１とした方が、塩素／水素＝０．０２とした場合よりも、界面酸素密度が低くなっている。
すなわち、塩素ガスの水素ガスに対する割合（塩素／水素）を増加させた方が、低酸素で高品質な界面が得られている。これは、塩素ガスの割合が高まったことにより、ウエハのエッチングが促進され、汚染除去効果が高まったためと、考えられる。
【００５２】
第二前処理シーケンスの説明において論述したように、塩素ガスを用いる場合、反応式11）に示すようなＣｌ2 とＳｉの反応を利用して、シリコンウエハをエッチングすることにより、界面不純物を除去することができる。
この場合に、前処理後のウエハ面間方向での膜厚分布を均一にするためには、シリコンエッチング量をウエハ面間方向で均一にする必要がある。
【００５３】
例えば、前述したＣＶＤ装置１０において、処理室内の上部でのシリコンエッチングの度合いが他の部分に比べ大きい場合は、ロングノズルＮ１から処理室内の上部に供給する前処理ガスの供給流量または濃度を他の部分に供給する前処理ガスの供給流量または濃度よりも小さくしたり、ロングノズルＮ１から処理室内の上部に供給する前処理ガスのガス種を他の部分に供給するガス種と異ならせるようにしてもよい。
【００５４】
次に、処理室内の下部での汚染の度合いが大きい場合であって、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する塩素ガスと水素ガスとの流量比、および、シランガスと塩素ガスとの流量比を変化させた場合のシリコンエッチング量の違いを究明するために行った実験について説明する。
【００５５】
実験は図５（ａ）の第一評価装置を用いて行った。
すなわち、図５（ａ）の第一評価装置を用い、前処理ガスとして水素ガスとシランガスと塩素ガスとの混合ガスを炉内に導入し、ウエハに対する前処理を実施した。
前処理の際、塩素ガスと水素ガスとの流量比を、塩素／水素＝０．０２、塩素／水素＝０．１の２通りに、また、シランガスと塩素ガスとの流量比を、シラン／塩素＝０、シラン／塩素＝２．５の２通りに変化させた。
シリコンエッチング量の測定は、ボートの上方領域（１６７枚目）、中央領域（８９枚目）、下方領域（１１枚目）のそれぞれにモニタウエハを設置して行った。
【００５６】
シリコンエッチング量の塩素ガスと水素ガスとの流量比、および、シランガスと塩素ガスとの流量比によるモニタウエハ位置毎の違いを図８に示す。
図８において、横軸はモニタウエハ位置を示しており、縦軸はシリコンエッチング量（Å）を示している。
【００５７】
図８によれば、次のことが判る。
前処理の際、塩素ガスと水素ガスとの流量比を、塩素／水素＝０．０２とした方が、塩素／水素＝０．１とした場合よりも、ウエハ面間方向でのシリコンエッチング量分布が均一となる。
すなわち、塩素ガスの水素ガスに対する割合を低下させた方が、ウエハ面間方向でのシリコンエッチング量分布を均一にすることができる。
また、前処理の際、シランガスと塩素ガスとの流量比を、シラン／塩素＝０とした方が、シラン／塩素＝２．５とした場合よりも、ウエハ面間方向でのシリコンエッチング量分布が均一となり、シリコンエッチング量を全体的に大きくすることができる。
すなわち、シランガスの塩素ガスに対する割合を低下させた方が、ウエハ面間方向でのシリコンエッチング量分布を良好に保ちつつ、シリコンエッチング量を全領域で増加させることができる。
【００５８】
これらのことから、ウエハ面間方向でのシリコンエッチング量分布を均一にするために、塩素ガスの水素ガスに対する割合を低下させた場合には、シリコンエッチング量が全領域で低下して、界面不純物の除去効果が落ちる懸念がある。
そのような場合にシランガスの塩素ガスに対する割合を低下させることにより、シリコンエッチング量を全領域で増加させることができるため、シリコンエッチング量を良好に保ちつつ、汚染除去効果を全領域で高めることができる。
【００５９】
処理室内の上部および下部でのシリコンエッチングの度合いが他の部分に比べ大きくなるような場合は、処理室内の上部および下部に供給する前処理ガスの供給流量または濃度を、他の部分に供給する前処理ガスの供給流量または濃度よりも小さくする等して適切な供給流量または濃度とするようにしたり、処理室内の上部および下部に供給する前処理ガスのガス種を他の部分に供給する前処理ガスのガス種と異ならせるようにしたりする等して、ウエハ面間方向でのシリコンエッチングの度合いを均一にするようにしてもよい。
【００６０】
例えば、前述したＣＶＤ装置１０において、次のように設定してもよい。
（１）ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する塩素ガスの供給流量、ロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する塩素ガスの供給流量、ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する塩素ガスの供給流量、ロングノズルＮ４から処理室底部に供給する塩素ガスの供給流量、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する塩素ガスの供給流量を、それぞれ、５０ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍ、６０ｓｃｃｍとする。
（２）ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する塩素ガスの濃度、ロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する塩素ガスの濃度、ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する塩素ガスの濃度、ロングノズルＮ４から処理室底部に供給する塩素ガスの濃度、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する塩素ガスの濃度を、それぞれ、２０％、１０％、５％、１０％、３０％とする。
（３）ロングノズルＮ１から処理室内上部に供給する前処理ガスを水素ガスと塩素ガスとの混合ガスとし、ロングノズルＮ２から処理室内中央上部に供給する前処理ガス、ロングノズルＮ３から処理室内中央下部に供給する前処理ガス、ロングノズルＮ４から処理室底部に供給する前処理ガスを水素ガスとシランガスと塩素ガスとの混合ガスとし、ショートノズルＮ５から処理室下部に供給する前処理ガスを水素ガスと塩素ガスとの混合ガスとする。
このように、シリコンエッチング量の度合いに合わせて、ノズル毎に前処理ガスの供給流量、濃度または種類を異ならせることにより、ウエハ面間方向でのシリコンエッチングの度合いを均一にすることができるため、前処理後のウエハ面間方向での膜厚分布を均一にすることができる。
【００６１】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００６２】
例えば、ロングノズルとしては前記実施形態のようにガス噴出口がノズル先端においてガスを上方に向かって噴出するように開口したノズルを使用するに限らず、図９に示すように複数のガス噴出口がノズル管壁においてガスを水平方向に向かって噴出するように開口したノズルを使用していもよい。
この場合、各ロングノズルＮ１〜Ｎ４に設けるガス噴出孔Ｈ１〜Ｈ４は、図９に示すように垂直方向において重ならない箇所に設けるのがよい。図９では各ロングノズルの先端部分にそれぞれ５コのガス噴出口を等間隔に設け、さらに、各ロングノズルＮ１〜Ｎ４の各ガス噴出孔Ｈ１〜Ｈ４同士も等間隔に設け、ロングノズル全体でガス噴出口を等間隔に設けた例を示している。各ロングノズルＮ１〜Ｎ４のガス噴出孔Ｈ１〜Ｈ４をこのように配置することで前処理ガスを炉内全体により均一に供給することができる。
なお、ガス噴出孔Ｈ１〜Ｈ４の大きさ（直径）、孔数、ピッチは場所によって異なるようにしてもよい。
【００６３】
前記実施の形態においては、ウエハ上に多結晶シリコン膜または単結晶シリコン膜を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、アモルファス膜、または、ドーピングされた単結晶膜、多結晶膜、アモルファス膜、または窒化膜、または酸化膜、または金属膜形成時にも適用することができる。
【００６４】
前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。
特に、本発明は基板と薄膜との間に高品質な界面を形成する必要がある場合に適用して優れた効果が得られる。
【００６５】
以下に、好ましい態様を付記する。
（１）プロセスチューブとそれを支持するマニホールドとで構成される反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法。
（２）反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、基板配列領域よりも低温となる領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における下流端部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法。
（３）反応容器内に複数枚の基板を搬入して前記反応容器内に配列させるステップと、
前記反応容器内に前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内に本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、基板配列領域よりも下方の領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所と、から供給する半導体装置の製造方法。
（４）基板を反応容器内に搬入するステップと、
前記反応容器内で基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内で前記前処理が施された基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを前記処理室内の複数箇所から供給すると共に、前記複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前処理ガスの供給流量、濃度または種類を異ならせる半導体装置の製造方法。
（５）基板を反応容器内に搬入するステップと、
前記反応容器内で基板に対して前処理を施すステップと、
前記反応容器内で前記前処理が施された基板に対して本処理を施すステップと、
前記本処理後の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有し、
前記前処理を施すステップでは、複数種類の前処理ガスを前記処理室内の複数箇所から供給すると共に、前記複数箇所のうちの少なくとも１箇所と他の箇所とで、前記複数種類の前処理ガスの供給流量比または濃度比を異ならせる半導体装置の製造方法。
（６）基板を処理するプロセスチューブと、
前記プロセスチューブを支持するマニホールドと、
前記プロセスチューブ内で複数枚の基板を配列して支持する支持具と、
前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所からガスを供給する第一ノズルと、
前記プロセスチューブ内の基板配列領域に対応する領域における上部の少なくとも１箇所からガスを供給する第二ノズルと、
前記プロセスチューブの前記第一ノズルが設けられた側とは反対側に設けられ前記プロセスチューブ内を排気する排気路と、
前記第一ノズルおよび前記第二ノズルから前処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記複数枚の基板に対して前処理を施し、少なくとも前記第一ノズルから本処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すように制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
（７）前記コントローラは、前記第一ノズルおよび前記第二ノズルから前処理ガスを供給する際に、前記第一ノズルと第二ノズルとで、前処理ガスの供給流量、濃度または種類を異ならせるように制御する前記（６）の基板処理装置。
（８）基板を処理するプロセスチューブと、
前記プロセスチューブを支持するマニホールドと、
前記プロセスチューブ内で複数枚の基板を配列して支持する支持具と、
前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所からガスを供給する第一ノズルと、
前記プロセスチューブ内の基板配列領域に対応する領域における少なくとも上部を含む複数箇所からガスを供給する第二ノズルと、
前記プロセスチューブの前記第一ノズルが設けられた側とは反対側に設けられ前記プロセスチューブ内を排気する排気路と、
前記第一ノズルおよび前記第二ノズルから前処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記複数枚の基板に対して前処理を施し、少なくとも前記第一ノズルから本処理ガスを供給し、前記排気路に向かって流して、前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すように制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
（９）前記コントローラは、前記第一ノズルおよび前記第二ノズルから前処理ガスを供給する際に、前記第一ノズルおよび第二ノズルのガス供給箇所のうち少なくとも１箇所と他の箇所とで、前処理ガスの供給流量、濃度または種類を異ならせるように制御する前記（８）の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第一実施形態であるＣＶＤ装置を示す模式的な側面断面図である。
【図２】その主要部を示す側面断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法のシリコン膜形成工程を示すシーケンスフローチャートである。
【図４】本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法のシリコン膜形成工程を示すシーケンスフローチャートである。
【図５】汚染除去効果を評価するための模式図であり、（ａ）は第一評価装置による場合を示し、（ｂ）は第二評価装置による場合を示している。
【図６】汚染除去効果の供給ガス系統数による違いを示すグラフである。
【図７】塩素ガスと水素ガスの流量比を変化させた場合の界面酸素密度の違いを示すグラフである。
【図８】塩素ガスと水素ガスの流量比およびシランガスと塩素ガスとの流量比によるシリコンエッチング量の違いを示すグラフである。
【図９】本発明の第二実施形態であるＣＶＤ装置を示す模式的な側面断面図である。
【図１０（ａ）】第一供給系例を示す配管図である。
【図１０（ｂ）】第二供給系例を示す配管図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…ウエハ（基板）、
１０…ＣＶＤ装置（予備室付きＣＶＤ装置、基板処理装置）、１１…筐体、１２…予備室、１３…ウエハ搬入搬出口、１４…ゲートバルブ、１５…ボート搬入搬出口、１６…シャッタ、
１７…排気ライン、１８…バルブ、１９…メカニカルブースタポンプ、２０…ドライポンプ、
２１…窒素ガス供給ライン、２２…マスフローコントローラ、２３…窒素ガス供給源、
２４…ボートエレベータ、２５…ガイドレール、２６…送りねじ軸、２７…モータ、２８…昇降体、２９…アーム、３０…シールキャップ、３１…Ｏリング、３２…回転機構、３３…回転軸、３４…ボート、３５…断熱板、
３６…駆動制御部、３７…電気配線、
４０…反応炉、４１…ヒータベース、４２…ヒータ、
４３…プロセスチューブ、４４…アウタチューブ、４５…インナチューブ、４６…処理室、４７…筒状空間、４８…Ｏリング、４９…マニホールド、
５０…温度センサ、５１…温度制御部、５２…電気配線、
５３…排気管、５４…圧力センサ、５５…圧力調整装置、５６…圧力制御部、５７…電気配線、５８…ガス流量制御部、５９…電気配線、
６０…主制御部、６１…コントローラ、
Ｎ１…第一ロングノズル、Ｎ２…第二ロングノズル、Ｎ３…第三ロングノズル、Ｎ４…第四ロングノズル、Ｎ５…ショートノズル、
Ｌ１〜Ｌ５…ガス供給ライン、Ｍ１〜Ｍ５…ガス流量制御器、Ｇ１〜Ｇ５…ガス供給源、Ｈ１〜Ｈ４…ガス噴出孔。
【図１】
0005227003.tif 000002
【図２】
0005227003.tif 000003
【図３】
0005227003.tif 000004
【図４】
0005227003.tif 000005
【図５】
0005227003.tif 000006
【図６】
0005227003.tif 000007
【図７】
0005227003.tif 000008
【図８】
0005227003.tif 000009
【図９】
0005227003.tif 000010
【図１０（ａ）】
0005227003.tif 000011
【図１０（ｂ）】
0005227003.tif 000012