(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された粘着テープに裏面が貼着された状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された粘着テープを拡張するテープ拡張手段と、
該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された該粘着テープに貼着されているウエーハを水没するためのウエーハ水没手段と、を具備し、
該ウエーハ水没手段は、該フレーム保持手段に保持される該環状のフレームの表面に載置可能な外形および内径を有し下端面に環状のシールが装着された環状の水溜め部材を備え、該環状の水溜め部材の下端面に装着された該環状のシールを該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームの表面に載置し、該環状の水溜め部材と該環状のフレームおよび該粘着テープによって囲まれた領域に水を供給することにより、該粘着テープの表面に貼着されたウエーハを水没せしめる、
ことを特徴とするウエーハの分割装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、CCD等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００４】
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要で、ストリートの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【０００６】
上述したように分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割する際には、分割されたデバイスがバラバラにならないようにウエーハは粘着テープに貼着される。そして、粘着テープに貼着されるウエーハは、個々のデバイスに分割した後のボンディング工程を容易にするために裏面が粘着テープに貼着される。従って、ウエーハは表面が露出された状態となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与して分割すると、微細な破片が飛散し、特に帯電している場合には微細な破片がデバイスに付着してワイヤーボンディングの際に断線を引き起こす原因となる。また、デバイスが発光ダイオードやCCD等の光デバイスの場合には、微細な破片が付着すると品質が著しく低下するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与して分割する際に飛散する微細な破片がデバイスに付着することなく分割することができるウエーハの分割装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された粘着テープに裏面が貼着された状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された粘着テープを拡張するテープ拡張手段と、
該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された該粘着テープに貼着されているウエーハを水没するためのウエーハ水没手段と、を具備し、
該ウエーハ水没手段は、該フレーム保持手段に保持される該環状のフレームの表面に載置可能な外形および内径を有し下端面に環状のシールが装着された環状の水溜め部材を備え、該環状の水溜め部材の下端面に装着された該環状のシールを該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームの表面に載置し、該環状の水溜め部材と該環状のフレームおよび該粘着テープによって囲まれた領域に水を供給することにより、該粘着テープの表面に貼着されたウエーハを水没せしめる、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるウエーハの分割装置によれば、環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された粘着テープを拡張するテープ拡張手段と、フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された粘着テープに貼着されているウエーハを水没するためのウエーハ水没手段を具備しているので、粘着テープに貼着されたウエーハを水没させた状態でウエーハに外力を付与することにより、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って破断するため、ウエーハが変質層に沿って破断される際に微細な破片が飛散するが、この破片は水中に浮遊してデバイスの表面に付着することはない。そして、ウエーハ水没手段は、フレーム保持手段に保持される環状のフレームの表面に載置可能な外形および内径を有し下端面に環状のシールが装着された環状の水溜め部材を備え、環状の水溜め部材の下端面に装着された環状のシールを該フレーム保持手段に保持された環状のフレームの表面に載置し、環状の水溜め部材と環状のフレームおよび粘着テープによって囲まれた領域に水を供給することにより、粘着テープの表面に貼着されたウエーハを水没せしめる構成であるため、その構造が極めて簡単となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って個々のデバイスに分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ１０はシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには複数の分割予定ライン１０１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ１０の表面１０aには、複数の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ１０を個々のデバイスに分割する分割方法について説明する。
【００１５】
半導体ウエーハ１０を個々のデバイスに分割するには、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を複数の分割予定ライン１０１に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に複数の分割予定ライン１０１に沿って変質層を形成することにより分割予定ラインに沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は、図２に示すレーザー加工装置２を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置２は、被加工物を保持するチャックテーブル２１と、該チャックテーブル２１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２２と、チャックテーブル２１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段２３を具備している。チャックテーブル２１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図２において矢印Ｘで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図２において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りされるようになっている。
【００１６】
上記レーザー光線照射手段２２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング２２１の先端に装着された集光器２２２からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段２２を構成するケーシング２２１の先端部に装着された撮像手段２３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００１７】
上述したレーザー加工装置２を用いて実施する変質層形成工程について、図２および図３を参照して説明する。
この変質層形成工程は、先ず上述した図２に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル２１上に半導体ウエーハ１０を裏面１０ｂを上にして載置し、該チャックテーブル２１上に半導体ウエーハ１０を吸着保持する。半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル２１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段２３の直下に位置付けられる。
【００１８】
チャックテーブル２１が撮像手段２３の直下に位置付けられると、撮像手段２３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段２３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１と、該分割予定ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２２の集光器２２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている複数の分割予定ライン１０１と直交する方向に形成されている複数の分割予定ライン１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０の複数の分割予定ライン１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段２３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１０ｂから透かして分割予定ライン１０１を撮像することができる。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル２１上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図３の（ａ）で示すようにチャックテーブル２１をレーザー光線照射手段２２の集光器２２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１０１の一端（図３の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段２２の集光器２２２の直下に位置付ける。そして、集光器２２２から半導体ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル２１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図３の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段２２の集光器２２２の照射位置が分割予定ライン１０１の他端（図３の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル２１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の表面１０ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０ａ（下面）に露出するとともに表面１０ａから内部に向けて変質層１１０が形成される。この変質層１１０は、溶融再固化層として形成される。
【００２０】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
平均出力                ：１W
集光スポット径          ：φ１μｍ
繰り返し周波数          ：７０ｋＨｚ
加工送り速度            ：３０ｍｍ／秒
【００２１】
上記変質層１１０は、表面１０ａおよび裏面１０ｂに露出しないように内部だけに形成してもよく、また、上記集光点Ｐを段階的に変えて上述したレーザー加工工程を複数回実行することにより、複数の変質層１１０を形成してもよい。そして、上述した変質層形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン１０１に沿って実施する。
【００２２】
上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ１０の内部に複数の分割予定ライン１０１に沿って変質層１１０を形成したならば、分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された粘着テープに貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図４に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープTの表面に半導体ウエーハ１０の裏面１０bを貼着する。なお、上記粘着テープTは、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の粘着剤が厚さが５μｍ程度塗布されている。
【００２３】
なお、ウエーハ支持工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、環状のフレームFに装着された粘着テープTの表面に半導体ウエーハ１０の裏面１０bを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。即ち、図５の(a)および(b)に示すように上記レーザー加工装置２のチャックテーブル２１上に半導体ウエーハ１０の粘着テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、粘着テープTを介して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル２１上に保持する。なお、図５の(a)および(b)においては粘着テープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル２１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。そして、上述したレーザー光線照射位置のアライメント作業が実施される。次に、図５の(a)に示すようにチャックテーブル２１をレーザー光線照射手段２２の集光器２２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１０１の一端（図５の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段２２の集光器２２２の直下に位置付ける。そして、集光器２２２から半導体ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル２１を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図５の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段２２の集光器２２２の照射位置が分割予定ライン１０１の他端（図５の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル２１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂ（下面）に露出するとともに裏面１０ｂから内部に向けて変質層１１０が形成される。
【００２４】
上述した変質層形成工程およびウエーハ支持工程を実施したならば、粘着テープTに貼着された半導体ウエーハ１０を水没させた状態で半導体ウエーハ１０に外力を付与することにより、半導体ウエーハ１０を変質層１１０が形成された分割予定ライン１０１に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図６および図７に示すウエーハの分割装置を用いて実施する。図６には本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の一実施形態の斜視図が示されており、図７には図６に示すウエーハの分割装置の断面図が示されている。
【００２５】
図６および図７に示すウエーハの分割装置４は、矩形状の基台４０を具備している。この基台４０の上面に上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段５が配設されている。このフレーム保持手段５は、基台４０の上面に配設された筒状のフレーム保持部材５１と、該筒状のフレーム保持部材５１の上端部外周に配設された固定手段としての４個のクランプ５２(図６には３個が示されている)とからなっている。筒状のフレーム保持部材５１の上面は環状のフレームFを載置する載置面５１１を形成しており、この載置面５１１上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面５１１上に載置された環状のフレームFは、クランプ５２によって筒状のフレーム保持部材５１に固定される。
【００２６】
上記フレーム保持手段５の筒状のフレーム保持部材５１内には、上記環状のフレームFに装着された粘着テープＴを拡張するテープ拡張手段６が配設されている。このテープ拡張手段６について図７を参照して説明する。図７に示すテープ拡張手段６は、環状のフレームFに装着された粘着テープＴにおけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域と環状のフレームＦとの間に作用する拡張部材６１と、拡張部材６１を図７に示す基準位置から該基準位置より上方の拡張位置の間を移動せしめる進退手段６２を具備している。拡張部材６１は、環状部６１１と底部６１２とからなっている。このように形成された拡張部材６１の環状部６１１は、環状のフレームFの内径より小さく環状のフレームFに装着された粘着テープＴに貼着されている半導体ウエーハ１０の外径より大きい内径および外径を有している。上記進退手段６２は、図示の実施形態においてはエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド６２１の上端が上記拡張部材６１の底部６１２に連結されている。なお、拡張部材６１を構成する環状部６１１と底部６１２とによって形成された空間には水を満たしておくことが望ましい。
【００２７】
図６に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置４は、上記フレーム保持手段５に保持された環状のフレームFに装着された粘着テープＴに貼着されている半導体ウエーハ１０を水没するためのウエーハ水没手段７を具備している。ウエーハ水没手段７は、環状の水溜め部材７１を具備している。この環状の水溜め部材７１は、上記フレーム保持手段５に保持される環状のフレームFの表面（上面）に載置可能な外形および内径を有しており、その下端面には図７に示すように環状のシール７１１が装着されている。環状の水溜め部材７１には、図６に示すように内周面に開口する排水穴７１２が形成されている。この排水穴７１２に排水管７２が接続されており、排水管７２には開閉弁７３が配設されている。このように構成された環状の水溜め部材７１は、水溜め部材作動手段７４によって支持されている。水溜め部材作動手段７４は、一端が環状の水溜め部材７１に取り付けた作動アーム７４１と、該作動アーム７４１の他端に取付けられた作動ロッド７４２と、該作動ロッド７４２を回動するとともに上下方向に移動する駆動手段７４３とからなっている。また、ウエーハ水没手段７は、上記フレーム保持手段５に保持される環状のフレームFの上面に載置された環状の水溜め部材７１に水を供給するノズル７５０を備えた水供給手段７５を具備している。このノズル７５０は支持部７５１と該支持部に接続されたノズル部７５２とからなっており、支持部７５１を回動することによりノズル部７５２が上記フレーム保持部材５１の上方において揺動せしめられる構成されている。
【００２８】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置４は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ウエーハの分割作業を開始するに際しては、テープ拡張手段６の拡張部材６１は図８に示す基準位置に位置付けられている。即ち、拡張部材６１の上端がフレーム保持手段５を構成する筒状のフレーム保持部材５１の載置面５１１と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。このように拡張部材６１が基準位置に位置付けられている状態で、上記図４に示すように半導体ウエーハ１０を粘着テープTを介して支持した環状のフレームFを、図８に示すようにフレーム保持手段５を構成する筒状のフレーム保持部材５１の載置面５１１上に載置し、クランプ５２によって筒状のフレーム保持部材５１に固定する(フレーム保持工程)。
【００２９】
上述したフレーム保持工程を実施したならば、ウエーハ水没手段７を構成する水溜め部材作動手段７４を作動して、図９に示すように環状の水溜め部材７１をフレーム保持手段５を構成する筒状のフレーム保持部材５１の載置面５１１上に保持された環状のフレームFの上方に位置付けるとともに下降せしめ、環状の水溜め部材７１の下端に装着された環状のシール７１１を環状のフレームFの表面（上面）に押圧する。そして、水供給手段７５のノズル７５０を作動してノズル部７５２を環状の水溜め部材７１の上方に位置付け、水供給手段７５を作動しノズル７５０から環状の水溜め部材７１と環状のフレームFおよび粘着テープTによって囲まれた領域に水７０を供給する。従って、粘着テープTの表面に貼着された半導体ウエーハ１０は、水没した状態となる（ウエーハ水没工程）。なお、水供給手段７５によって供給される水には、炭酸ガス(CO2)を混入して導電性をもたせることが望ましい。水供給手段７５によって供給される水に導電性を持たせることにより、水没したウエーハに静電気が帯電することを防止できる。なお、環状の水溜め部材７１と環状のフレームFおよび粘着テープTによって囲まれた領域に水７０を供給する際に、上述したように拡張部材６１を構成する環状部６１１と底部６１２とによって形成された空間には水を満たしておくことにより、半導体ウエーハ１０が貼着された粘着テープTが水７０の重量によって下方にダレるのを防止することができる。
【００３０】
次に、エアシリンダ機構からなる進退手段６２を作動して、拡張部材６１を図１０に示す拡張位置まで上昇せしめる。従って、拡張部材６１の環状部６１１の上端が粘着テープTに当接して押し上げるので、粘着テープTが拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、粘着テープTに貼着されている半導体ウエーハ１０は、放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ１０に放射状に引張力が作用すると、分割予定ライン１０１に沿って形成された変質層１１０は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ１０は変質層１１０に沿って破断され個々のデバイス１０２に分割される。このように半導体ウエーハ１０が変質層１１０に沿って破断される際に微細な破片が飛散するが、この破片は水中に浮遊してデバイス１０２の表面に付着することはない。なお、半導体ウエーハ１０を水没させる水に導電性を持たせることにより半導体ウエーハ１０に静電気が帯電することを防止できるので、半導体ウエーハ１０が変質層１１０に沿って破断される際に飛散する微細な破片がデバイス１０２の表面に付着することをより効果的に防止できる。
【００３１】
上述したテープ拡張工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿って破断し個々のデバイス１０２に分割したならば、ウエーハ水没手段７の排水管７２に配設された開閉弁７３を開路して、環状の水溜め部材７１と環状のフレームFおよび粘着テープTによって囲まれた領域に収容された水７０を排出する。この結果、図１１に示すように環状のフレームFに装着された粘着テープTの表面に貼着され個々に分割されたデバイス１０２は、露出せしめられる。次に、図１１に示すようにピックアップ装置８を作動しピックアップコレット８１によって所定位置に位置付けられたデバイス１０２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって個々のデバイスに分割される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成行程の一実施形態を示す説明図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程を実施したウエーハの斜視図。
【図５】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成行程の他の実施形態を示す説明図。
【図６】本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の一実施形態を示す斜視図。
【図７】図６に示すウエーハの分割装置の断面図。
【図８】本発明によるウエーハの分割方法のウエーハ破断工程におけるフレーム保持工程を示す説明図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法のウエーハ破断工程におけるウエーハ水没工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの分割方法のウエーハ破断工程におけるテープ拡張工程を示す説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの分割方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３３】
２：レーザー加工装置
２１：レーザー加工装置のチャックテーブル
２２：レーザー光線照射手段
４：ウエーハの分割装置
４０：基台
５：フレーム保持手段
５１：筒状のフレーム保持部材
５２：クランプ
６：テープ拡張手段
６１：拡張部材
６２：進退手段
７：ウエーハ水没手段
７１：環状の水溜め部材
７２：排水管
７４：水溜め部材作動手段
７５：水供給手段
１０：半導体ウエーハ
F：環状のフレーム
T：粘着テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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