(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子にバイアス電流および変調電流を印加して前記発光素子の発光強度および消光比を調整する光モジュール回路の調整方法であって、
前記発光素子の発光強度および消光比を測定する測定工程と、
該測定工程によって測定した発光強度が所定強度の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加するバイアス電流の検索範囲を絞り込み、前記バイアス電流を調整するバイアス電流調整工程と、
前記測定工程によって測定した消光比が所定比率の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加する変調電流の検索範囲を絞り込み、前記変調電流を調整する変調電流調整工程とを有し、
前記バイアス電流調整工程は、前記バイアス電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記バイアス電流を増加させ、前記発光素子の発光強度が前記所定強度の値を超えたときに、その前，後のバイアス電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としてなる光モジュール回路の調整方法。
【請求項２】
前記変調電流調整工程は、前記変調電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記変調電流を増加させ、前記発光素子の消光比が前記所定比率の値を超えたときに、その前，後の変調電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としてなる請求項１に記載の光モジュール回路の調整方法。
【請求項３】
発光素子にバイアス電流および変調電流を印加して前記発光素子の発光強度および消光比を調整する光モジュール回路の調整装置であって、
前記発光素子の発光強度および消光比を測定する測定手段と、
該測定手段によって測定した発光強度が所定強度の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加するバイアス電流の検索範囲を絞り込み、前記バイアス電流を調整するバイアス電流調整手段と、
前記測定手段によって測定した消光比が所定比率の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加する変調電流の検索範囲を絞り込み、前記変調電流を調整する変調電流調整手段とを有し、
前記バイアス電流調整手段は、前記バイアス電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記バイアス電流を増加させ、前記発光素子の発光強度が前記所定強度の値を超えたときに、その前，後のバイアス電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としてなる光モジュール回路の調整装置。
【請求項４】
前記変調電流調整手段は、前記変調電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記変調電流を増加させ、前記発光素子の消光比が前記所定比率の値を超えたときに、その前，後の変調電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としてなる請求項３に記載の光モジュール回路の調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子にバイアス電流および変調電流を印加して発光素子の発光強度および消光比を調整する光モジュール回路の調整方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信、光センサ等には例えばレーザダイオード等の発光素子を備えた光モジュール回路が使用される。このとき、一般に発光素子は個々の素子毎に特性ばらつきが大きいから、同じ電流を印加したときでも発光強度や消光比が許容できない程度にばらつく傾向がある。このため、光モジュール回路では、発光素子に直流のバイアス電流を印加して発光素子の発光強度を調整すると共に、交流の変調電流を印加して発光素子の消光比を調整している（例えば、特許文献１参照）。そして、特許文献１には、自動光出力制御部によって発光素子の発光強度に応じてバイアス電流をフィードバック制御すると共に、自動光変調振幅制御部によって消光比に応じて変調電流をフィードバック制御し、周囲温度等に応じて発光素子の特性が変化したときでも、発光強度および消光比を一定に保持する構成が開示されている。
【０００３】
また、光モジュール回路として、レーザダイオードをレーザ駆動回路に接続すると共に、ＥＥＰＲＯＭ等からなる調整用回路をレーザ駆動回路に接続したものが知られている（例えば、特許文献２参照）。そして、特許文献２には、レーザ駆動回路および調整用回路をパッケージした後であっても、調整用回路を用いることによって、レーザ駆動回路の特性を調整可能とした構成が開示されている。
【０００４】
また、光モジュール回路として、光源をドライバに接続すると共に、光源特性を調整するための抵抗器をドライバに接続したものが知られている（例えば、特許文献３参照）。そして、特許文献３には、トリマブル抵抗器をトリミングしてその抵抗値を変化させることによって、光源の光出力を調整する構成が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１３２５２号公報
【特許文献２】特開平５−２２６９５４号公報
【特許文献３】特開２００６−２３７６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来技術による光モジュール回路では、各種の制御部、調整用回路、抵抗器等を用いて発光素子の発光強度や消光比を調整する構成となっている。しかし、特許文献１〜３には発光素子の光学特性を簡易に調整する方法が開示されているものの、発光素子の発光強度や消光比を必ずしも高精度に調整できるものではなかった。
【０００７】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、発光素子の発光強度および消光比を高精度に調整することができる光モジュール回路の調整方法およびその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明は、発光素子にバイアス電流および変調電流を印加して前記発光素子の発光強度および消光比を調整する光モジュール回路の調整方法であって、前記発光素子の発光強度および消光比を測定する測定工程と、該測定工程によって測定した発光強度が所定強度の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加するバイアス電流の検索範囲を絞り込み、前記バイアス電流を調整するバイアス電流調整工程と、前記測定工程によって測定した消光比が所定比率の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加する変調電流の検索範囲を絞り込み、前記変調電流を調整する変調電流調整工程とを有し、前記バイアス電流調整工程は、前記バイアス電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記バイアス電流を増加させ、前記発光素子の発光強度が前記所定強度の値を超えたときに、その前，後のバイアス電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としたことにある。
【０００９】
請求項２の発明では、前記変調電流調整工程は、前記変調電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記変調電流を増加させ、前記発光素子の消光比が前記所定比率の値を超えたときに、その前，後の変調電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としている。
【００１０】
請求項３の発明は、発光素子にバイアス電流および変調電流を印加して前記発光素子の発光強度および消光比を調整する光モジュール回路の調整装置であって、前記発光素子の発光強度および消光比を測定する測定手段と、該測定手段によって測定した発光強度が所定強度の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加するバイアス電流の検索範囲を絞り込み、前記バイアス電流を調整するバイアス電流調整手段と、前記測定手段によって測定した消光比が所定比率の値と一致するように２分法を用いて前記発光素子に印加する変調電流の検索範囲を絞り込み、前記変調電流を調整する変調電流調整手段とを有し、前記バイアス電流調整手段は、前記バイアス電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記バイアス電流を増加させ、前記発光素子の発光強度が前記所定強度の値を超えたときに、その前，後のバイアス電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としたことにある。
【００１１】
請求項４の発明では、前記変調電流調整手段は、前記変調電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に前記変調電流を増加させ、前記発光素子の消光比が前記所定比率の値を超えたときに、その前，後の変調電流の値を２分法の初期の検索範囲とする構成としている。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１，３の発明によれば、発光強度が所定強度の値と一致するように２分法を用いて発光素子に印加するバイアス電流の検索範囲を絞り込み、バイアス電流を調整するから、発光素子の発光強度を所定強度の値に対して高精度に一致させることができる。また、発光素子の消光比が所定比率の値と一致するように２分法を用いて発光素子に印加する変調電流の検索範囲を絞り込み、変調電流を調整するから、発光素子の消光比を所定比率の値に対して高精度に一致させることができる。これにより、発光素子毎に大きな特定ばらつきが生じても、発光素子の発光強度および消光比を正確に所定の値に設定することができる。
【００１３】
さらに、バイアス電流の調整に際して２分法の初期の検索範囲を決めるときには、バイアス電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番にバイアス電流を増加させるから、バイアス電流を段階的に徐々に増加させることができる。このため、例えば最初に発光素子に対して最大のバイアス電流を印加して２分法の初期の検索範囲を決める場合に比べて、動作保証している電流値以上の電流を供給する可能性が少なくなる。この結果、発光素子に過電流を流すことがなくなるから、発光素子の損傷等を防止しつつ、発光素子のバイアス電流を調整することができる。
【００１４】
請求項２，４の発明によれば、変調電流の調整に際して２分法の初期の検索範囲を決めるときには、変調電流の変化量を所定の定数のべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に変調電流を増加させるから、変調電流を段階的に徐々に増加させることができる。このため、例えば最初に発光素子に対して最大振幅の変調電流を印加して２分法の初期の検索範囲を決める場合に比べて、変調電流（振幅）が過大に増加する可能性が少なくなる。
【００１５】
ここで、変調電流が過大に増加すると、発光素子の出力光信号の振幅が測定器の測定範囲を超える場合や発光素子の出力光信号が見た目上ダークレベルを下回る場合があり、これによって消光比が測定できないことがある。これに対し、本発明では、変調電流の過大な増加を抑制できるから、消光比を確実に測定でき、測定ミスを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態による光モジュール回路の調整装置について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
まず、図１は発明の第１の実施の形態による調整装置１を示し、該調整装置１は、測定手段としての測定器２および制御装置３によって構成されている。測定器２は、例えばフォトダイオード等の受光素子（図示せず）を含んで構成され、後述する光モジュール回路５の出力端子に接続されている。そして、測定器２は、発光素子５Ａの発光強度Ｐ0および消光比ＥＲを測定する。
【００１８】
また、制御装置３は、測定器２および光特性制御回路６に接続されている。そして、制御装置３は、後述する光特性調整プログラムに基づいて、これらを制御し、２分法を用いて発光素子５Ａの発光強度Ｐ0および消光比ＥＲが所定の値となるように、光特性制御回路６を用いて発光素子５Ａのバイアス電流（直流電流値Ｉb）および変調電流（電流振幅値Ｉm）を調整する。
【００１９】
被試験デバイス４（Device Under Test）は、光モジュール回路５および光特性制御回路６を含んで構成され、光モジュール回路５は、例えばレーザダイオード等の発光素子５Ａを備えている。ここで、発光素子５Ａは、図５に示すように、供給される電流が閾値を超えると、電流に応じて発光強度が増加するものである。
【００２０】
そして、光モジュール回路５は、図６に示すように、バイアス電流および変調電流を発生し、発光素子５Ａに入力する。これにより、発光素子５Ａは、バイアス電流および変調電流に応じた光信号を出力する。このとき、発光強度Ｐ0は、発光振幅上限値ＰHと発光振幅下限値ＰLとの間で変動するから、光信号の消光比ＥＲは、上限値ＰHと下限値ＰLとの比率によって表される（ＥＲ＝ＰH／ＰL）。また、光信号の強度ＰMは、上限値ＰHと下限値ＰLの中間値（ＰM＝（ＰH＋ＰL）／２）となるから、発光強度Ｐ0は強度ＰMと一致する。
【００２１】
また、光特性制御回路６は、例えばＲＯＭ、ＲＡＭ、可変抵抗等によって構成され、発光素子５Ａのバイアス電流および変調電流を設定するための設定値（Ｉb，Ｉm）を保持する。また、光特性制御回路６は、制御装置３に接続され、該制御装置３によって設定値が調整可能な構成となっている。
【００２２】
本実施の形態による調整装置１は上述の如き構成を有するもので、次に調整装置１による光特性調整プログラムについて、図２および図３を参照しつつ説明する。なお、ステップ１〜１８はバイアス電流の調整処理を示し、ステップ１９〜３５は変調電流の調整処理を示している。
【００２３】
まず、ステップ１〜７は、２分法によってバイアス電流の検索範囲を絞り込む前に、初期の検索範囲を大まかに設定するための処理を行うものである。そして、ステップ１では、発光素子５Ａに供給する電流のうち交流成分となる変調電流の振幅Ｉmを最小値Ｉm0（例えばＩm0＝０）に設定する。次に、ステップ２では、繰返し計算フラグｉを初期値として例えば０に設定する（ｉ＝０）。
【００２４】
次に、ステップ３では、後述する電流Ｉqの演算処理を行い、繰返し計算フラグｉの値に応じた電流Ｉqを算出する。ステップ４では、発光素子５Ａに供給する電流のうち直流成分となるバイアス電流（直流電流値Ｉb）を電流Ｉqに設定し、このバイアス電流（Ｉb＝Ｉq）を発光素子５Ａに供給する。ステップ５では、このときの発光素子５Ａの発光強度Ｐ0を測定する。
【００２５】
次に、ステップ６では、測定した発光強度Ｐ0が予め決められた所定強度Ｐtarget以上か否かを判定する。ここで、所定強度Ｐtargetは、例えば光モジュール回路５が適用される光通信装置、光センサ装置等に仕様に応じて決められる一定値の発光強度である。
【００２６】
そして、ステップ６で「ＮＯ」と判定したときには、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtargetよりも小さいから、ステップ７に移って繰返し計算フラグｉを１だけ増加してステップ３〜６の処理を繰り返す。
【００２７】
一方、ステップ６で「ＹＥＳ」と判定したときには、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtarget以上となっているから、ステップ８に移行して、繰返し計算フラグｉが２以上か否かを判定する。そして、ステップ８で「ＮＯ」と判定したときには、繰返し計算フラグｉが１以下のときに、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtarget以上となっている。この場合、例えばバイアス電流が意図せずに過大になっている、発光素子５Ａに故障が生じている等のように、光モジュール回路５等に不具合が生じているものと考えられる。このため、調整装置１は、エラー処理を行うために、光特性調整プログラムを強制的に終了する。
【００２８】
一方、ステップ８で「ＹＥＳ」と判定したときには、光モジュール回路５、発光素子５Ａ等は正常に動作しているものと考えられるから、２分法を用いてバイアス電流（直流電流値Ｉb）をさらに正確に調整するために、ステップ９に移行する。
【００２９】
ステップ９では、２分法を適用する初期の検索範囲の上限値ＩbHとして現在の電流Ｉqを設定する（ＩbH＝Ｉq）と共に、初期の検索範囲の下限値ＩbLとして繰返し計算フラグｉが１回前の電流Ｉq-1を設定する（ＩbL＝Ｉq-1）。
次に、ステップ１０では上限値ＩbHと下限値ＩbLの中点ＩbMを計算し、ステップ１１では、この中点ＩbMの値となるバイアス電流を発光素子５Ａに供給する（Ｉb＝ＩbM）。
【００３０】
ステップ１２では、このときの発光素子５Ａの発光強度Ｐ0を測定し、ステップ１３では、測定した発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtargetよりも大きい（Ｐ0＞Ｐtarget）か否かを判定する。そして、ステップ１３で「ＹＥＳ」と判定したときには、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtargetよりも大きな値となっているから、バイアス電流は現在の中点ＩbMよりも減少させる必要がある。このため、次なる検索範囲を現在の検索範囲のうち下限値ＩbL側の半分に絞り込むために、新たな上限値ＩbHを現在の中点ＩbMに設定する。
【００３１】
一方、ステップ１３で「ＮＯ」と判定したときには、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtarget以下となっているから、バイアス電流は現在の中点ＩbMよりも増加させる必要がある。このため、次なる検索範囲を現在の検索範囲のうち上限値ＩbH側の半分に絞り込むために、新たな下限値ＩbLを現在の中点ＩbMに設定する。
【００３２】
次に、ステップ１６では、上限値ＩbHと下限値ＩbLとの差が所望の値ΔＩb0以下か否かを判定し、ステップ１７では、上限値ＩbHと下限値ＩbLとの差の絶対値が設定分解能δ以下か否かを判定する。そして、ステップ１６，１７のうちいずれか一方でも「ＮＯ」と判定したときは、収束条件を満たしていないので、ステップ１０〜１５の処理を繰り返す。
【００３３】
一方、ステップ１６，１７のいずれも「ＹＥＳ」と判定したときには、収束条件を満足し、発光強度Ｐ0は十分に所定強度Ｐtargetと近い値になっているものと考えられる。このため、ステップ１８に移行して、バイアス電流を現在の中点ＩbMの値に設定すると共に、光特性調整回路６にこのときのバイアス電流の値を記憶する。
【００３４】
次に、ステップ１９〜２４は、２分法によって変調電流の振幅値Ｉmの検索範囲を絞り込む前に、初期の検索範囲を大まかに設定するための処理を行うものである。そして、ステップ１９では、繰返し計算フラグｉを初期値として例えば０に設定する（ｉ＝０）。
【００３５】
次に、ステップ２０では、後述する電流Ｉqの演算処理を行い、繰返し計算フラグｉの値に応じた電流Ｉqを算出する。ステップ２１では、発光素子５Ａに供給する電流のうち交流成分となる変調電流の振幅Ｉmを電流Ｉqに設定し、バイアス電流および変調電流（Ｉm＝Ｉq）を発光素子５Ａに供給する。ステップ２２では、このときの発光素子５Ａの発光振幅上限値ＰHと発光振幅下限値ＰLに基づいて、消光比ＥＲ（ＥＲ＝ＰH／ＰL）を測定する。
【００３６】
次に、ステップ２３では、測定した消光比ＥＲが予め決められた所定比率ＥＲtarget以上か否かを判定する。ここで、所定強度Ｐtargetは、例えば光モジュール回路５が適用される光通信装置、光センサ装置等に仕様に応じて決められる一定値の消光比である。
【００３７】
そして、ステップ２３で「ＮＯ」と判定したときには、消光比ＥＲが所定比率ＥＲtargetよりも小さいから、ステップ２４に移って繰返し計算フラグｉを１だけ増加してステップ２０〜２３の処理を繰り返す。
【００３８】
一方、ステップ２３で「ＹＥＳ」と判定したときには、消光比ＥＲが所定比率ＥＲtarget以上となっているから、ステップ２５に移行して、繰返し計算フラグｉが２以上か否かを判定する。そして、ステップ２５で「ＮＯ」と判定したときには、ステップ８と同様に、光モジュール回路５等に不具合が生じているものと考えられる。このため、調整装置１は、エラー処理を行うために、光特性調整プログラムを強制的に終了する。
【００３９】
一方、ステップ２５で「ＹＥＳ」と判定したときには、光モジュール回路５、発光素子５Ａ等は正常に動作しているものと考えられるから、２分法を用いて変調電流の振幅値Ｉmをさらに正確に調整するために、ステップ２６に移行する。
【００４０】
ステップ２６では、２分法を適用する初期の検索範囲の上限値ＩmHとして現在の電流Ｉqを設定する（ＩmH＝Ｉq）と共に、初期の検索範囲の下限値ＩmLとして繰返し計算フラグｉが１回前の電流Ｉq-1を設定する（ＩmL＝Ｉq-1）。
【００４１】
次に、ステップ２７では上限値ＩmHと下限値ＩmLの中点ＩmMを計算し、ステップ２８では、振幅値Ｉmが中点ＩmMの値となる変調電流を発光素子５Ａに供給する（Ｉm＝ＩmM）。
【００４２】
ステップ２９では、このときの発光素子５Ａの消光比ＥＲを測定し、ステップ３０では、測定した消光比ＥＲが所定比率ＥＲtargetよりも大きい（ＥＲ＞ＥＲtarget）か否かを判定する。そして、ステップ３０で「ＹＥＳ」と判定したときには、消光比ＥＲが所定比率ＥＲtargetよりも大きな値となっているから、変調電流の振幅値Ｉmは現在の中点ＩmMよりも減少させる必要がある。このため、次なる検索範囲を現在の検索範囲のうち下限値ＩmL側の半分に絞り込むために、新たな上限値ＩmHを現在の中点ＩmMに設定する。
【００４３】
一方、ステップ３０で「ＮＯ」と判定したときには、消光比ＥＲが所定比率ＥＲtarget以下となっているから、変調電流の振幅値Ｉmは現在の中点ＩmMよりも増加させる必要がある。このため、次なる検索範囲を現在の検索範囲のうち上限値ＩmH側の半分に絞り込むために、新たな下限値ＩmLを現在の中点ＩmMに設定する。
【００４４】
次に、ステップ３３では、上限値ＩmHと下限値ＩmLとの差が所望の値ΔＩm0以下か否かを判定し、ステップ３４では、上限値ＩmHと下限値ＩmLとの差の絶対値が設定分解能δ以下か否かを判定する。そして、ステップ３３，３４のうちいずれか一方でも「ＮＯ」と判定したときは、収束条件を満たしていないので、ステップ２７〜３２の処理を繰り返す。
【００４５】
一方、ステップ３３，３４のいずれも「ＹＥＳ」と判定したときには、収束条件を満足し、消光比ＥＲは十分に所定比率ＥＲtargetと近い値になっているものと考えられる。このため、ステップ３５に移行して、変調電流の振幅値Ｉmを現在の中点ＩmMの値に設定すると共に、光特性調整回路６にこのときの変調電流の振幅値Ｉmの値を記憶して終了する。
【００４６】
次に、ステップ３，２０の電流Ｉqの演算処理について、図４を参照しつつ説明する。なお、ステップ３，２０の電流Ｉqの演算処理は、バイアス電流（直流電流値Ｉb）および変調電流（振幅値Ｉm）を段階的に増加させるために、繰返し計算フラグｉに応じた電流Ｉqの値を演算する処理を示している。
【００４７】
まず、ステップ４１では、以下の数１に示すように、電流の変化量係数Ｓを予め決められた所定の定数ｂのべき級数で表す。ここで、電流の変化量係数Ｓは、例えば発光素子５Ａに供給可能な最大電流値を光特性制御回路６の分解能で割った値である。また、定数ｂは１よりも大きく、変化量係数Ｓよりも小さい値（１＜ｂ＜Ｓ）である。
【００４８】
【数１】
0005145859.tif 000002
【００４９】
例えば、変化量係数Ｓが３００で、定数ｂが２のときには、この変化量係数Ｓは、以下の数２に示す多項式で表すことができる。
【００５０】
【数２】
0005145859.tif 000003
【００５１】
次に、ステップ４２では、べき級数で表した多項式の低次数の項の係数ｋiを調整し、全ての係数ｋiが１以上の値となるようにする。具体的には、以下の数３の式に示すように、高次数の項の係数ｋi+1から１を減算し、低次数の項の係数ｋiに定数ｂを加える。本実施の形態では、後述するように、多項式の項毎にバイアス電流の直流電流値Ｉbや変調電流の振幅値Ｉmを変化させる。これに対し、例えば変化量係数Ｓがｂのｎ乗に該当する場合には、例えばバイアス電流の直流電流値Ｉbを最大電流値に一気に変化させることになり、発光素子５Ａに過電流を供給する可能性がある。このような急激な電流の変化を防止するために、係数ｋiの調整を行うものである。
【００５２】
【数３】
0005145859.tif 000004
【００５３】
例えば、変化量係数Ｓが３００で、定数ｂが２のときには、係数ｋiを調整した後の多項式は、以下の数４の式のように表すことができる。
【００５４】
【数４】
0005145859.tif 000005
【００５５】
次に、ステップ４３では、以下の数５の式に示すように、繰返し計算フラグｉの値に応じて、低次数の項から高次数の項の順番で加算処理を行い、電流Ｉqの値をＩ0，Ｉ1，…の順番で段階的に増加させる。
【００５６】
【数５】
0005145859.tif 000006
【００５７】
例えば、変化量係数Ｓが３００で、定数ｂが２のときには、フラグｉが０のときは電流Ｉ0は０となり、フラグｉが１のときは電流Ｉ1は１（＝１×２0）となり、フラグｉが２のときは電流Ｉ2は２（＝２×２0）となる。以上で、２0の項が終了するから、フラグｉが３のときは電流Ｉ3は４（＝２×２0＋１×２1）となる。以下同様な手順を繰り返して、フラグｉの値（ｑ値）に応じて段階的に電流Ｉqを増加させる。そして、ステップ４３が終了するとリターンする。
【００５８】
制御装置３は、以上のプログラムを実行することによって、電流Ｉb，Ｉmの初期の検索範囲を設定した後、２分法を用いてバイアス電流および変調電流を正確に調整する。そして、最終的に最適な値に調整されたバイアス電流の直流電流値Ｉbおよび変調電流の振幅値Ｉmは、光特性制御回路６に記憶する構成となっている。
【００５９】
かくして、本実施の形態では、発光強度Ｐ0が所定強度Ｐtargetの値に一致するように２分法を用いて発光素子５Ａに印加するバイアス電流の直流電流値Ｉbの検索範囲を絞り込み、バイアス電流を調整するから、発光素子５Ａの発光強度Ｐ0を所定強度Ｐtargetの値に対して高精度に一致させることができる。また、発光素子５Ａの消光比ＥＲが所定比率ＥＲtargetの値に一致するように２分法を用いて発光素子５Ａに印加する変調電流の振幅値Ｉmの検索範囲を絞り込み、変調電流を調整するから、発光素子５Ａの消光比ＥＲを所定比率ＥＲtargetの値に対して高精度に一致させることができる。これにより、発光素子５Ａ毎に大きな特定ばらつきが生じても、発光素子５Ａの発光強度Ｐ0および消光比ＥＲを正確に所定の値に設定することができる。
【００６０】
さらに、バイアス電流（直流電流値Ｉb）の調整に際して２分法の初期の検索範囲を決めるときには、バイアス電流の変化量（変化量係数Ｓ）を所定の定数ｂのべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番にバイアス電流を増加させるから、バイアス電流を段階的に徐々に増加させることができる。このため、例えば最初に発光素子５Ａに対して最大電流を印加して２分法の初期の検索範囲を決める場合に比べて、動作保証している電流値以上の電流を供給する可能性が少なくなる。この結果、発光素子５Ａに過電流を流すことがなくなるから、発光素子５Ａの損傷等を防止しつつ、発光素子５Ａのバイアス電流を調整することができる。
【００６１】
同様に、変調電流（振幅値Ｉm）の調整に際して２分法の初期の検索範囲を決めるときには、変調電流の変化量を所定の定数ｂのべき級数で表し、該べき級数をなす多項式の低次の項から高次の項に向けて順番に変調電流を増加させるから、変調電流を段階的に徐々に増加させることができる。このため、例えば最初に発光素子５Ａに対して最大振幅の電流を印加して２分法の初期の検索範囲を決める場合に比べて、変調電流が過大に増加する可能性が少なくなる。これにより、発光素子５Ａの出力光信号の振幅を測定器２の測定範囲内の値にできると共に、出力光信号が見た目上ダークレベルを下回るのを防止することができ、消光比ＥＲを確実に測定でき、測定ミスを防止することができる。
【００６２】
なお、前記実施の形態では、図２および図３中のステップ５，１２，２２，２９が測定工程の具体例を示し、図２中のステップ１〜１８がバイアス電流調整工程（バイアス電流調整手段）の具体例を示し、図３中のステップ１９〜３５が変調電流調整工程（変調電流調整手段）の具体例を示している。
【００６３】
また、前記実施の形態では、バイアス電流の調整を行う場合と変調電流の調整を行う場合とで、いずれの場合も電流の変化量は同じ定数ｂのべき級数で表した。しかし、本発明はこれに限らず、例えばバイアス電流の調整を行う場合と変調電流の調整を行う場合とで、異なる定数のべき級数を用いる構成としてもよい。
【００６４】
さらに、前記実施の形態では、被試験デバイス４は光特性制御回路６を含むものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図７に示す変形例の調整装置１′のように、被試験デバイス４′とは別個に光特性制御装置１１を設け、該光特性制御装置１１を用いてバイアス電流や変調電流を設定する構成としてもよい。この場合、調整後のバイアス電流の電流値Ｉbや変調電流の振幅値Ｉmは光特性制御装置１１に記憶されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態による調整装置を示すブロック図である。
【図２】図１中の調整装置で用いる光特性調整プログラムを示すフローチャートである。
【図３】図２に続くフローチャートである。
【図４】図２および図３中の電流の演算処理を示すフローチャートである。
【図５】発光素子の電流と発光強度との関係を示す特性線図である。
【図６】バイアス電流、変調電流および発光強度の時間変化を示す特性線図である。
【図７】変形例による調整装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６６】
１，１′  調整装置
２  測定器（測定手段）
３  制御装置
４，４′  被試験デバイス
５  光モジュール回路
５Ａ  発光素子
６  光特性制御回路
１１  光特性制御装置
【図１】
0005145859.tif 000007
【図２】
0005145859.tif 000008
【図３】
0005145859.tif 000009
【図４】
0005145859.tif 000010
【図５】
0005145859.tif 000011
【図６】
0005145859.tif 000012
【図７】
0005145859.tif 000013