(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に配列された第１の発光ダイオード群と、
この第１の方向とは異なる第２の方向に配列された第２の発光ダイオード群と
を備え、
上記第１の発光ダイオード群と上記第２の発光ダイオード群とは上記第１の方向を縦方向とするＴ字型に配置され、
上記第１の発光ダイオード群および上記第２の発光ダイオード群のそれぞれの発光ダイオードを個々に発光素子または受光素子として動作させる駆動手段と、
この駆動手段を制御し、少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させ、上記第１の発光ダイオード群の発光および受光により上記第１の方向に移動する物体からの反射光を検出して上記第１の方向における上記物体の位置を求めるとともに、上記第２の発光ダイオード群の発光および受光により上記物体からの反射光を検出して上記物体を上記第２の方向に読み取る制御手段と
を備えたことを特徴とする二次元物体読取装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の発光ダイオード群により検出される前記物体の先端位置と前記第２の発光ダイオード群により検出されるその物体の両端の位置からその物体の二次元形状を求める請求項１記載の二次元物体読取装置。
【請求項３】
前記制御手段は、近接の発光ダイオードが発光しているときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｃと上記近接の発光ダイオードが発光していないときの上記受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｔｈとの差Ｖｃ−Ｖｔｈの絶対値があらかじめ定められた一定値以上のときに、上記受光素子として動作している発光ダイオード上に物体があると判断する請求項１記載の二次元物体読取装置。
【請求項４】
前記第１の発光ダイオード群および前記第２の発光ダイオード群のそれぞれの発光ダイオードは赤色発光ダイオードであり、少なくとも一部の赤色発光ダイオードに隣接して青色発光ダイオードおよび緑色発光ダイオードを備え、前記制御手段は、各色の発光ダイオードから放射され前記物体で反射されて受光された光の強度からその物体の色を求める請求項１から３のいずれか１項に記載の二次元物体読取装置。
【請求項５】
Ｔ字型に配置された複数の発光ダイオードのうち上記Ｔ字の縦方向に配列された第１の発光ダイオード群に沿って物体を移動させ、
上記第１の発光ダイオード群の少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させることにより上記物体からの反射光を検出し、
反射光を検出した発光ダイオードの位置から上記物体の位置を求め、
上記複数の発光ダイオードのうち上記Ｔ字の横方向に配列された第２の発光ダイオード群の少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させることにより上記物体からの反射光を読み取る
ことを特徴とする二次元物体読取方法。
【請求項６】
前記第１の発光ダイオード群により検出される前記物体の先端位置と前記第２の発光ダイオード群により検出されるその物体の両端の位置からその物体の二次元形状を求める請求項５記載の二次元物体読取方法。
【請求項７】
近接の発光ダイオードが発光しているときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｃと上記近接の発光ダイオードが発光していないときの上記受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｔｈとの差Ｖｃ−Ｖｔｈの絶対値があらかじめ定められた一定値以上のときに、上記受光素子として動作している発光ダイオード上に物体があると判断する請求項５記載の二次元物体読取方法。
【請求項８】
上記第１の発光ダイオード群のうち上記物体がこれから通過しようとする位置の発光ダイオードを発光させる請求項５から７のいずれか１項に記載の二次元物体読取方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は二次元物体の形状あるいはパターンを読み取る方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に発光ダイオードは、その基本的な素子構造が受光素子と同等であり、ｐｎ接合へのバイアスを反転させることで、その発光ダイオードの発光波長よりも短い波長の光を受光する受光素子として利用することができる（特許文献１〜４参照）。
【特許文献１】特許登録第２８２３４３６号
【特許文献２】特開２００１−１１９０６３号公報
【特許文献３】特開２００１−１９７２５３号公報
【特許文献４】特開２００４−２６４４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上述したような発光ダイオードの特性を利用し、安価で簡単な構造で二次元物体を読み取ることのできる方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の二次元物体読取装置は、第１の方向に配列された第１の発光ダイオード群と、この第１の方向とは異なる第２の方向に配列された第２の発光ダイオード群とを備え、第１の発光ダイオード群と第２の発光ダイオード群とは第１の方向を縦方向とするＴ字型に配置され、第１の発光ダイオード群および第２の発光ダイオード群のそれぞれの発光ダイオードを個々に発光素子または受光素子として動作させる駆動手段と、この駆動手段を制御し、少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させ、第１の発光ダイオード群の発光および受光により第１の方向に移動する物体からの反射光を検出して第１の方向における物体の位置を求めるとともに、第２の発光ダイオード群の発光および受光により物体からの反射光を検出して物体を第２の方向に読み取る制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００５】
制御手段は、第１の発光ダイオード群により検出される物体の先端位置と第２の発光ダイオード群により検出されるその物体の両端の位置からその物体の二次元形状を求めることができる。近接の発光ダイオードが発光しているときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｃと近接の発光ダイオードが発光していないときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｔｈとの差Ｖｃ−Ｖｔｈの絶対値があらかじめ定められた一定値以上のときに、受光素子として動作している発光ダイオード上に物体があると判断することがよい。
【０００６】
第１の発光ダイオード群と第２の発光ダイオード群とがＴ字型に配置されるとは、Ｔ字型を内包する配置を含み、たとえば十字型や、それぞれの発光ダイオード群が1列だけでなく複数列配置されたものでもよい。
【０００７】
第１の発光ダイオード群および第２の発光ダイオード群のそれぞれの発光ダイオードは赤色発光ダイオードであり、少なくとも一部の赤色発光ダイオードに隣接して青色発光ダイオードおよび緑色発光ダイオードを備え、制御手段は、各色の発光ダイオードから放射され前記物体で反射されて受光された光の強度からその物体の色を求めることもできる。
【０００８】
本発明の二次元物体形状読取方法は、Ｔ字型に配置された複数の発光ダイオードのうちＴ字の縦方向に配列された第１の発光ダイオード群に沿って物体を移動させ、第１の発光ダイオード群の少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させることにより物体からの反射光を検出し、反射光を検出した発光ダイオードの位置から物体の位置を求め、複数の発光ダイオードのうちＴ字の横方向に配列された第２の発光ダイオード群の少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させることにより物体からの反射光を読み取ることを特徴とする。
【０００９】
第1の発光ダイオード群のうち物体がこれから通過しようとする位置の発光ダイオードを発光させることが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、発光ダイオードの特性を利用し、物体の移動に伴ってその位置を順次検出するとともに、その物体を横方向にスキャンすることによって、安価で簡単な構成で二次元物体を読み取ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［構成］
図１および図２は本発明の実施形態の二次元物体読取装置を示す図であり、図１は発光ダイオードの配列例、図２は装置のブロック構成を示す。
【００１２】
この二次元物体読取装置は、第１の方向（以下「縦」方向という）に配列された第１の発光ダイオード群１1と、この第１の方向とは異なる第２の方向（以下「横」方向という）に配列された第２の発光ダイオード群1２と、第１の発光ダイオード群１１および第２の発光ダイオード群１２のそれぞれの発光ダイオードＬＥＤを個々に発光素子または受光素子として動作させる駆動手段としてのマルチプレクサ１３、１４および受発光切替回路１５、１６と、この受発光切替回路１５、１６を制御し、少なくともひとつの発光ダイオードが発光しているときにその近隣の少なくともひとつの発光ダイオードを受光素子として動作させ、第１の発光ダイオード群１１の発光および受光により第１の方向に移動する物体からの反射光を検出して第１の方向における物体の位置を求めるとともに、第２の発光ダイオード群１２の発光および受光により物体からの反射光を読み取る制御手段として、制御回路１７およびメモリ１９を備える。
【００１３】
第１の発光ダイオード群１１と第２の発光ダイオード群１２とは、この形態では第１の発光ダイオード群１１の配列方向を縦方向とし、第２の発光ダイオード群１２の配列方向を横方向とし、発行ダイオードＬＥＤ０が両方向に兼用されるＴ字型に配置される。受発光切替回路１５、１６は、発光ダイオード群１１、１２の個々の発光ダイオードを発光させる回路と、同じ発光ダイオードを光の強さを測定する受光素子として使用し、発光ダイオードの受光出力を増幅して制御回路１７に出力する回路を備える。このような回路の構成および動作については、本出願人が過去に出願した特許文献３に詳しく記載されており、ここでは説明を省略する。マルチプレクサ１３、１４は、それぞれ発光ダイオード群１１、１２の個々の発光ダイオードの動作を指定し、受光素子として動作する発光ダイオードを順次移動させてスキャンを行う。制御回路１７は各部の制御および読み取ったデータの処理を行う。
【００１４】
制御回路１７による処理としては、第１の発光ダイオード群１１により検出される物体の先端位置と第２の発光ダイオード群１２により検出されるその物体の両端の位置からその物体の二次元形状を求める処理や、物体表面の模様を二次元的に求める処理などがある。以下では、二次元形状を求める場合を例に説明する。
【００１５】
［動作］
図３は図１に示した発光ダイオード配列を用いて物体を読み取る動作を説明する図であり、図４はその動作のフローチャートである。読み取り対象の物体３０の端を発光ダイオード群１１、１２の交点部上（発光ダイオードＬＥＤ０の上）に置き、読み取り物体３０を縦配列の発光ダイオード群１１上に沿って（発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、・・の順に）移動させる。この間、発光ダイオード群１１、１２により、それぞれ一定時間間隔でサンプリングスキャンを繰り返す（ステップＳ１、Ｓ３）。すなわち、個々の発光ダイオードを順に発光させ、その隣の発光ダイオードで物体３０からの反射光を検出する。これにより、物体３０の移動に伴って、縦配列の発光ダイオード群１１により先端位置を検出し（ステップＳ２）、横配列の発光ダイオード群１２により物体３０を横方向に読み取る。発光ダイオード群１１により物体３０の先端位置が検出された時点の読み取り結果は、制御回路１７に送られ、メモリ１９に保存される（ステップＳ４）。このサンプリングスキャンの時間間隔は、制御回路１７内のタイマー１８によって設定する。
【００１６】
縦配列の発光ダイオード群１１で物体３０の先端位置を検出しながら横方向の大きさを測定することができるので、物体３０の移動速度が遅い場合も、一定位置間隔で物体３０の読み取りが可能である。物体３０の移動速度が速い場合は、先端を検出できない発光ダイオードが飛び飛びに発生することになるが、その場合には、抜けた情報を前後のスキャン値から推定することができる。
【００１７】
［位置検出の原理］
図５は位置検出の原理を説明する図である。読み取り物体３０を発光ダイオードの上に置くと、物体３０下にある発光ダイオードＬＥＤ０〜ＬＥＤ2は、外光から光が遮られるため受光出力電圧が高くなる（暗レベル）。一方、物体のない発光ダイオードＬＥＤ３からＬＥＤ４は外光が入射し、受光出力電圧が低くなる（外光レベル）。
【００１８】
外光が大きく（明るい）、物体３０による遮光性が高い場合には、発光ダイオード群１１、１２を受光素子として用いるだけでも、物体３０の位置を検出することができる。しかし、現実には外光の大きさは一定ではなく、物体３０も遮光性が高いとは限らない。外光の受光レベルを基準とすることも考えられるが、外光レベルや物体３０の遮光性と反射光の受光レベルとの関係で、物体３０を検出できなくなる可能性がある。そこで、近接の発光ダイオード、特に隣の発光ダイオード、が発光しているときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｃ（以下「読み取り電圧」という）と、近接の発光ダイオードが発光していないときの受光素子として動作している発光ダイオードの受光出力電圧Ｖｔｈ（以下、「基準電圧」という）との差Ｖｃ−Ｖｔｈを求め、その値により物体３０の有無を判断する。
【００１９】
図６から図１３は物体の色および外光の強さと受光出力電圧との関係を説明する図であり、奇数番号が付された発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ3、・・を発光させ、偶数番号が付された隣接する発光ダイオードＬＥＤ０、ＬＥＤ２、ＬＥＤ４、・・で受光する場合の例を示す。図６、図８、図１０、図１２は物体の色が黒で外光がそれぞれ大、中、小、無の場合を示し、図７、９、１１、１３は物体の色が白で外光がそれぞれ大、中、小、無の場合を示す。これらの図において、物体３０がある場合の基準電圧Ｖｔｈは、外光が物体３０を透過して受光される場合等には暗レベルより低くなるが、図では暗レベルと等しいものとして示す。これらの図に示したように、物体３０からの反射が大きいとき（白色）には、読み取り電圧Ｖｃは小さくなり、物体３０からの反射が小さいとき（黒色）には、読み取り電圧Ｖｃは大きくなる。一方、読み取り電圧Ｖｃと基準電圧Ｖｔｈとの差Ｖｃ−Ｖｔｈは、外光や物体３０を透過する光に影響されることなく、物体３０が有る場合は負の値となり、物体が無い場合は零となる。実際には測定誤差やノイズがあるため、Ｖｃ−Ｖｔｈの絶対値がある一定値以下の時に物体無し、一定値以上の時に物体３０有りと判断する。以上の測定方法により、外光の大きさに左右されずに、またどのような物体色でも、精度よく物体の有無を読み取ることができる。
【００２０】
［サンプリングスキャン］
図１４および図１５はサンプリングスキャン動作を説明する図である。ここでは、スキャンサンプリングレートを５０ｍｓとする。また、縦配列の発光ダイオードの間隔ｄ＝２ｍｍとする。
【００２１】
最初に図１に示した発光ダイオードＬＥＤ０上に物体先端があるとし、物体を移動させ、４回目のサンプリング（２００ｍｓ）でＬＥＤ１の信号レベルが「低」から「高」に変わったとする。この際、４回目のサンプリング時における横配列発光ダイオード群のデータをメモリに保存する。ＬＥＤ２、ＬＥＤ３と同様に処理すれば、物体縦方向に対して２ｍｍ間隔で物体横方向の大きさをスキャンすることができる。物体が一定速度で動いたと仮定した場合、位置誤差は最大でも０．６６ｍｍ（２ｍｍ／１５０ｍｓ×２００ｍｓ−２ｍｍ）とすることができる。
【００２２】
次に、速度が変わった場合について説明する。まず、物体速度が０〜０．０４ｍｍ／ｍｓのとき（縦方向の１個の発光ダイオードを通過するのにかかる時間がサンプリング時間５０ｍｓより遅いとき）には、上述の方法により測定することができる。
【００２３】
速度が０．０４ｍｍ／ｍｓ以上の場合について、例えば０．０８ｍｍ／ｍｓの場合を考える。このとき、１サンプリング時間の間に物体はＬＥＤ２まで到達（４ｍｍ移動）する。この場合には、まずＬＥＤ２（４ｍｍ）のデータとしてスキャンデータをメモリ２１に保存する。これにより、１つ前のデータは移動０ｍｍのときのデータであり、ＬＥＤ１（２ｍｍ）のデータは存在しない。しかし、０ｍｍと４ｍｍのデータの平均値をＬＥＤ１のデータとして補間し、メモリ２１に保存する。さらに速度が上がり、精度が極端に悪くなると判断された場合、例えば移動距離が０．１２ｍｍ／ｍｓ以上になった場合には、スキャンエラー（速度速すぎ）として警告を出す。
【００２４】
なお、間隔ｄは第１の発光ダイオード群１１の発光ダイオードの中心間の距離としており、この間隔ｄを基準としてデータ補間を考えたが、発光ダイオードの隙間距離Ｌをデータ補間の基準としたり、隙間距離Ｌを超え間隔ｄ未満のいずれかの値を補間の基準としてもよい。
【００２５】
［速度ガイド］
以上の速度によるスキャン制御と同時に、使用者に速度ガイドを示すことができる。図1を再び参照すると、例えば、第１の発光ダイオード群１１のＬＥＤ１を物体が通過したとき、ＬＥＤ２（またはＬＥＤ０〜２まですべて）を発光させる。続いて、ＬＥＤ２を物体が通過したとき、ＬＥＤ３（またはＬＥＤ０〜３まですべて）を発光させる。使用者は、この発光を目安に、スキャン移動を進める。もし移動していない場合は、発光ダイオードの先頭位置も進まないままとし、移動速度が発光ダイオードの点灯位置を追い越してしまった場合には、使用者が１つ先の発光ダイオードが点灯するまで移動を待つことで、使用者自身にも移動速度を制御することを補助する。
【００２６】
発光ダイオードは高速な調光制御が可能であり、その消灯期間に受光モードに制御を切り替えてスキャンする。スキャンが終了したら、発光ダイオードを発光モードにして点灯させる。これを高速に切り替えることにより、見た目には点灯したまま、受光が可能である。
【００２７】
速度によるスキャン読み込み制御と使用者への速度ガイド指示により、物体の縦横の寸法を精度良く測定することができ、二次元平面形状を読み取ることができる。
【００２８】
［縦方向の解像度改善］
移動速度が遅い場合には、第１の発光ダイオード群１１の発光ダイオード間を移動する間に複数回のサンプリングスキャンが行われることになる。図１４を参照して上述した例では、２ｍｍ移動するまでに４回のサンプリングスキャンが行われている。上述の例では３回のスキャン結果を破棄していたが、移動速度がある程度一定である場合には、それぞれのスキャン結果を０．５ｍｍごとのスキャン結果とすることもできる。これにより、縦方向の解像度が高められる。
【００２９】
［トリガによるスキャン］
以上の例では横方向のスキャンを一定時間間隔で行うこととしたが、これを縦配列の第１の発光ダイオード群１１による物体３０の先端位置検出をトリガとして行うこともできる。すなわち、最初に図１に示した発光ダイオードＬＥＤ０上に物体３０の先端があるとし、物体３０を移動させ、発光ダイオードＬＥＤ１の信号レベルが「低」から「高」に変わったことをトリガとして、横配列の第２の発光ダイオード群１２によるスキャンを行う。
【００３０】
［色判定］
図１６は発光ダイオードの別の配列例を示す。この例では、縦配列および横配列の第１、第２の発光ダイオード群１１、１２のそれぞれの発光ダイオードが赤色発光ダイオードＲＬＥＤであり、少なくとも一部の赤色発光ダイオードＲＬＥＤ１に隣接して、青色発光ダイオードＢＬＥＤおよび緑色発光ダイオードＧＬＥＤを備える。この場合、制御回路１７では、各色の発光ダイオードから放射され物体で反射されて受光された光の強度から、その物体３０の色を求める。
【００３１】
すなわち、赤色発光ダイオードＲＬＥＤ１を受光用に使用し、周辺の緑色発光ダイオードＧＬＥＤ、青色発光ダイオードＢＬＥＤ、赤色発光ダイオードＲＬＥＤ０を発光用に使用する。色は光の三原色（赤、青、緑）の組み合わせで構成される。物体３０の表面に緑色発光ダイオードＧＬＥＤ、青色発光ダイオードＢＬＥＤ、赤色発光ダイオードＲＬＥＤ０をそれぞれ照射すると、例えば物体面が赤い場合、赤色光は反射され、青色光および緑色光は吸収される。同様に物体３０の表面が緑色あるいは青色の場合は、緑色光あるいは青色光が反射され、それ以外は吸収される。緑色発光ダイオードＧＬＥＤ、青色発光ダイオードＢＬＥＤ、赤色発光ダイオードＲＬＥＤを時系列に発光させ、中心に配置される赤色発光ダイオードＲＬＥＤ１によりＲＢＧそれぞれの反射光の強さを読み取る。
【００３２】
発光ダイオードは、伝導帯の電子と荷電子帯の正孔とが再結合してフォトン（光）として放射される。フォトンの発光波長λ（ｎｍ）と禁止帯幅ε（ｅＶ）との間には
λ＝ｈｃ／ε＝（１．２３９８／ε（ｅＶ））１０3  （ｎｍ）
ｈ：プランク定数、ｃ：光速
の関係がある。したがって、発光波長（色）は半導体の種類によって決まってしまう。赤色発光ダイオードの場合、禁止帯幅は１．９ｅＶ程度である。
【００３３】
一方、この逆の過程である光吸収という現象により、発光ダイオードは受光素子としても機能する。つまり、入射光のエネルギＥｇが禁止帯幅エネルギεより大きいＥｇ≧εのとき、荷電子帯の電子を伝導帯に励起し、フォトンが吸収される。
Ｅｇ＝  ｈｃ／λ  ≧ε
光吸収により励起された伝導帯の電子と荷電子帯の正孔の発生により、発光ダイオードのアノード−カソード間に電圧差が生じる。光が強い（光吸収が多い）ほど電圧差が大きくなる。赤色発光ダイオードの場合、禁止帯幅ε＝１．９ｅＶとすると、入射光波長λ≧６５０ｎｍが入射されたとき、光吸収が起きる。つまり、受光素子としてみた場合、赤色発光ダイオードは青色、緑色および赤色に感度をもつ。一方、赤外光には感度を持たない。よって、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、赤色発光ダイオードによる反射光の強さを読み取ることが可能である。
【００３４】
このように、青色発光ダイオードＢＬＥＤ、緑色発光ダイオードＧＬＥＤ、赤色発光ダイオードＲＬＥＤを発光素子として用い、赤色発光ダイオードを受光用に用いることにより、物体面の中心位置あるいはある特定の位置の色を判定することができる。物体面が均一色の場合は、この構成により色判定が可能である。
【００３５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は要旨を変更しない限り種々変更することができる。たとえば、第１の発光ダイオード群１１と第２の発光ダイオード群１２の発光ダイオードとしては、赤色発光ダイオードが好ましいが、緑色発光ダイオードや青色発光ダイオードなど他の色の発光ダイオードとしてもよい。
【００３６】
また、上述の実施の形態では第１、第２の発光ダイオード群１１、１２をそれぞれ１列としたが、一方を１列、他方を２列としたり、両方を２列とするなど、一方または両方を複数列としてもよい。複数列の場合、同一の数の複数列でもよく、異なる数の複数列でもよい。
【００３７】
また、第1、第２の発光ダイオード群１１、１２の発光、受光を隣接する発光ダイオードによって行っているが、隣接する複数個、例えば２個を１対として、その１対ずつで発光、受光を行わせるようにしてもよい。また、受光、発光の配置としては、1つが発光、２つが受光というように、全体を２：１に分ける、すなわち、異なる数に発光、受光を分けるようにしてもよい。
【００３８】
さらに、上述の実施の形態では第１、第２の発光ダイオード群１１、１２をＴ字型に配置したが、十字型に配置したり、両方向からの物体３０を検出するできるよう工字型に配列したりしてもよい。また、第１、第２の発光ダイオード群１１、１２の交差角は９０度に限定されるものではなく、６０度など他の交差角としてもよい。
【００３９】
また、図１６に示した色判定を行う場合、青色ダイオードＢＬＥＤと緑色発光ダイオードＧＬＥＤを赤色発光ダイオードＲＬＥＤ０の図１６における上方に配置してもよい。また、色補正用に３色発光ダイオードをＴ字配列の発光ダイオード群１１、１２とは離れた位置に対として配置してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態における二次元物体読取装置の発光ダイオードの配列例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置のブロック構成図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置における物体の二次元形状を読み取る動作を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置における読み取る動作のフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置における位置検出の原理を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が黒色で外光が大きいときの受光出力電圧を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が白色で外光が大きいときの受光出力電圧を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が黒色で外光が中くらいのときの受光出力電圧を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が白色で外光が中くらいのときの受光出力電圧を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が黒色で外光が小さいときの受光出力電圧を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が白色で外光が小さいときの受光出力電圧を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が黒色で外光が無いときの受光出力電圧を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置において物体が白色で外光が無いときの受光出力電圧を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置におけるサンプリングスキャン動作を説明する図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置におけるサンプリングスキャン動作を説明する図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る二次元物体読取装置の変形例として色判定を行うための発光ダイオードの配列例を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１、１２  発光ダイオード群
１３、１４  マルチプレクサ
１５、１６  受発光切替回路
１７  制御回路
１８  タイマー
１９  メモリ
３０  物体
ＬＥＤ０〜ＬＥＤ4  発光ダイオード
ＲＬＥＤ０〜ＲＬＥＤ１０  赤色発光ダイオード
ＢＬＥＤ  青色発光ダイオード
ＧＬＥＤ  緑色発光ダイオード
【図１】
0005319125.tif 000002
【図２】
0005319125.tif 000003
【図３】
0005319125.tif 000004
【図４】
0005319125.tif 000005
【図５】
0005319125.tif 000006
【図６】
0005319125.tif 000007
【図７】
0005319125.tif 000008
【図８】
0005319125.tif 000009
【図９】
0005319125.tif 000010
【図１０】
0005319125.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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