(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄される表面にエアゾールスプレーを誘導するエアゾールスプレーオリフィスと、
前記エアゾールスプレーオリフィスを出る物質を少なくとも部分的に空間に閉じ込める閉じ込め構造とを備え、
前記閉じ込め構造が、前記空間を出入りする気体を通す気体オリフィスを含み、
前記気体オリフィスを出入りする気体の流れを調整するレギュレータをさらに備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
気体を前記エアゾールスプレーオリフィスに供給する気体源と、液体及び／又は固体を前記エアロゾルオリフィスに提供する液体及び／又は固体源とをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記エアゾールスプレーオリフィスを出た気体を除去する低圧源をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記低圧源が、前記エアゾールスプレーオリフィスを出た液体及び／又は固体を除去するようにも構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記レギュレータを制御して、前記空間内の圧力を制御するコントローラをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記エアゾールスプレーオリフィスが基板テーブルの表面に規定される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記エアゾールスプレーオリフィスがバリア部材の底面に規定され、前記バリア部材が、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に流体を少なくとも部分的に閉じ込める、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記エアゾールスプレーオリフィスが、結像中に流体を前記空間に閉じ込める際に使用される気体の出口でもある、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記エアゾールスプレーオリフィスが、ガスナイフの出口である、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記表面が、洗浄中の前記表面を囲む区域でシールを形成するバリア部材によって囲まれる、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記バリア部材が、前記エアゾールスプレーオリフィスを出る物質が実質的に閉じ込められる空間へと液体を供給する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記シールが非接触シールであり、少なくとも部分的に気体流によって形成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記シールが非接触シールであり、前記バリアと洗浄中の前記表面を囲む前記区域との間から液体を除去する低圧源によって少なくとも部分的に形成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
洗浄される表面にエアロゾルを噴霧するエアゾールスプレーデバイスと、
前記エアロゾルを少なくとも部分的に空間に閉じ込める閉じ込めシステムと、
前記エアゾールスプレーデバイスを出る物質を前記空間から除去する抽出装置と、
前記閉じ込めシステムが、前記空間を出入りする気体を通す気体オリフィスを含み、
前記気体オリフィスを出入りする気体の流れを調整するレギュレータをさらに備える、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ装置の表面を洗浄する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。液体は蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本明細書の説明は、液体について言及している。しかし、別の流体、特に湿潤性流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なことがある。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像する形体の小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁物（例えば最大寸法が最大１０ｎｍ）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁している粒子は、これが懸濁している液体と同様又は同じ屈折率を有していても、有していなくてもよい。他の適切な液体には、炭化水素、フッ化炭化水素及び水溶液がある。
【０００４】
[0004]  しかし、基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、国際ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【０００７】
[0007]  液浸リソグラフィ装置の１つの問題は、その汚染である。汚染は、液浸液を介して、さらに他の機構を介して導入されることがある。汚染の結果、表面に引っ掻き傷ができる、及び／又は像欠陥が基板に与えられることがある。汚染粒子は、パターンを基板に露光中に粒子が放射の結像ビームを邪魔する場合、結像欠陥も引き起こすことがある。例えば基板テーブルの上面の汚染が除去されない場合、汚染が液浸液に再び入ることがある。
【０００８】
[0008]  米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１３２７３１号は、液浸リソグラフィ装置の投影システムの最終要素を液体で洗浄することを開示している。液体はスプレー状態で適用することができる。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  例えば、リソグラフィ装置を洗浄する装置及び方法を提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の態様によれば、洗浄される表面にエアゾールスプレーを誘導するエアゾールスプレーオリフィスを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の態様によれば、洗浄される表面にエアロゾルを噴霧するエアゾールスプレーデバイスと、エアロゾルを空間に閉じ込める閉じ込めシステムと、エアゾールスプレーデバイスを出る物質を空間から除去する抽出装置と、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の態様によれば、表面にエアゾールスプレーを誘導することを含む、液浸リソグラフィ装置の表面を洗浄する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００１４】
【図１】[0014]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0015]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0015]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0016]  リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0017]  液体処理システムを示した断面図である。
【図６】[0018]  さらなる液体供給システムを示した断面図である。
【図７】[0019]  さらなる液体供給システムを示した平面図である。
【図８】[0020]  図７の液体供給システムを示した断面図である。
【図９】[0021]  図７の処理システムの代替形状を示した平面図である。
【図１０】[0022]  図７の液体供給システムの異なる出口形状を示した平面図である。
【図１１】[0023]  本発明の実施形態による洗浄アセンブリを示した断面図である。
【図１２】[0024]  本発明の洗浄アセンブリの実施形態を示した図である。
【図１３】[0025]  図１１及び図１２の実施形態の詳細を示した断面図である。
【図１４】[0026]  本発明の実施形態を示した断面図である。
【図１５】[0027]  図１４の実施形態の詳細を示した断面図である。
【図１６】[0028]  本発明の実施形態を示した断面図である。
【図１７】[0029]  本発明の実施形態を示した断面図である。
【図１８】[0030]  図１７の実施形態を示した拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0031]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
【００１６】
[0032]  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００１７】
[0033]  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００１８】
[0034]  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
【００１９】
[0035]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２０】
[0036]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２１】
[0037]  支持構造ＭＴは、パターニング構造の方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２２】
[0038]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２３】
[0039]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２４】
[0040]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２５】
[0041]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２６】
[0042]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２７】
[0043]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２８】
[0044]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２９】
[0045]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３０】
[0046]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３１】
[0047]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３２】
[0048]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３３】
[0049]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３４】
[0050]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３５】
[0051]  本発明の実施形態は、液浸リソグラフィ装置の洗浄に関する。本発明の実施形態は、洗浄される表面に誘導されるエアゾールスプレー(aerosol spray)を使用する。エアゾールスプレーは、周囲の気体に同伴される液体及び／又は固体の滴／粒子の動的集まりを含むことができる。つまり、液体及び／又は固体の粒子が気体中の懸濁物として分散する。実施形態では、窒素又は二酸化炭素などの不活性ガスを使用する。固体又は液体は水、例えば超純水又は別の溶剤又は洗浄流体でよい。洗浄流体は超純水、又は溶剤及び酸化剤などの別の薬剤、又は他の流体でよい。例えば、溶剤、ハロゲン化物、アルデヒド、オゾン、非極性有機溶剤及び極性有機溶剤と組み合わせた過酸化物、溶解ガス、洗剤、石鹸を使用することができる。乾燥汚れは通常、塩の堆積物であり、まさにその塩に応じて、高いｐＨ又は低いｐＨの溶液を使用して、塩を溶解することができる。金属堆積物を除去するために、別の洗剤を使用してもよい。有機汚染物質の場合、ヘプタン、ヘキサン（非極性である）、アルコール、例えばエタノール、アセトン（極性である）などの有機溶剤を使用することができる。理解されるように、エアゾールスプレーは空間に閉じ込められる。噴霧が洗浄表面に衝突すると、表面には液体がほとんどない。液体が存在する場合、それは通常、ミクロン未満の厚さである。この方法で、エアロゾルの液体及び／又は固体粒子が、その運動エネルギを洗浄される表面に直接与えることができる。エアロゾルが洗浄される表面に衝突すると、汚染物質が剥離する。剥離した汚染物質は、次にエアゾールスプレーオリフィス又は出口を出た物質（気体及び液体及び／又は固体）とともに出口へと誘導される。
【００３６】
[0052]  基本的原理は、閉じ込められた噴霧の原理である。オフラインの実施形態とインラインの実施形態との両方が可能である。本発明の実施形態は、液浸リソグラフィ装置の多くのコンポーネントの洗浄に使用することができる。特に、本発明の実施形態は、液浸リソグラフィ装置の基板を支持するためである基板テーブルの洗浄に使用することができる。あるいは、方法は液浸リソグラフィ装置の液体処理システムの洗浄に使用することができる。方法はインラインで使用することが望ましい。その場合、エアロゾルオリフィスは、装置表面を洗浄する位置へと移動できるように、装置内に配置される。あるいは、エアゾールスプレーオリフィスを所定の位置に固定し、洗浄される表面をオリフィスの下方で移動させることができる。エアゾールスプレーオリフィスが例えば基板テーブルＷＴの表面に設けられている場合は、これを使用して、図２から図１０に示すような液体処理システムを洗浄することができる。したがって、本発明の実施形態は、洗浄される表面にエアゾールスプレーを誘導するエアゾールスプレーオリフィスを備えるリソグラフィ装置に関することが分かる。装置はさらに、基板テーブルを備えることができる。装置はさらに、投影システムを備えることができる。装置はさらに、液体処理システムを備えることができる。液体処理システムは、基板と投影システムの間の空間に液体を閉じ込めるためのものでよい。液体処理システムは、液体閉じ込めシステム及び／又はバリア部材でよい。
【００３７】
[0053]  実施形態の幾つかは、洗浄される表面に対する非接触シールを形成するバリア部材を使用する。洗浄される表面は基板テーブルの上面であることが多い。この目的に使用するために、数タイプの非接触シールが使用可能である。これらのタイプの非接触シールは、結像中に液浸液を基板の局所区域に閉じ込めるために使用することができる。これらのタイプのシールの幾つかを、液浸流体の密封に関して以下で説明する。以下から明白であるように、これらのタイプのシールは、エアゾールスプレーオリフィスから出る物質を空間に閉じ込めるために、本発明の実施形態で使用する閉じ込め構造に使用することができる。
【００３８】
[0054]  投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を閉じ込めるか閉じ込めるシステムの幾つかの実施形態について説明する。これは、本発明の実施形態を多くの異なる種類のシステムで使用できることを例示するにすぎない。本発明の実施形態は、本明細書で開示するシステムのタイプのみに限定されず、任意のタイプのシステムを使用することができる。
【００３９】
[0055]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィシステムが、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮに供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。このシステムを使用して、エアゾールスプレーオリフィスからの物質を閉じ込めることができる。
【００４０】
[0056]  提案されている局所液体供給システムの別の液浸リソグラフィシステムは、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を液体供給システムに設けることである。このようなシステムが図５に図示されている。バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。バリア部材と基板の表面との間にシールを形成することができる。
【００４１】
[0057]  図５を参照すると、リザーバ１１が、投影システムの像フィールドの周囲で基板の非接触シールを形成し、したがって液体が閉じ込められて、基板表面と投影システムの最終要素との間の空間を充填する。リザーバは、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲むバリア部材１２によって形成される。ポート１３を通して空間から液体を出し入れすることができる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。バリア部材１２は、その上端が実施形態では投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。
【００４２】
[0058]  液体は、バリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によってリザーバ内に閉じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって、しかし実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスなどの気体によって形成され、圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板の間のギャップに提供され、第一出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、第一出口１４の真空のレベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。このようなシステムが、米国特許ＵＳ６，９５２，２５３号で開示されている。このタイプのシステムを使用して、エアゾールスプレーオリフィスからの物質を閉じ込めることができる。
【００４３】
[0059]  図６は、液体閉じ込めシステムＩＨの部分であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば円周）に延在し、したがってバリア部材は全体的形状が実質的に円形である。
【００４４】
[0060]  バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過できるように、投影システムＰＳと基板Ｗの間の空間に液体を維持するか、閉じ込めるのに役立つことである。液体の最上レベルは、単にバリア部材１２の存在によって閉じ込められ、空間内の液体のレベルは、液体がバリア部材１２の頂部から溢れないように維持される。バリア部材１２の底部と基板Ｗの間にシールを設けることができる。図６では、シールは非接触シールであり、幾つかのコンポーネントで構成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に作用し、空間内に延在する（しかし投影ビームの経路には入らない）（任意選択の）流れ制御板５０が設けられる。流れ制御板５０は、出口４６を出て空間を横切る液浸液の平行な流れを維持するのに役立つ。空間の他方側では、液体が出口４６の反対側の入口（図示せず）を通って出る。入口は、出口４６と同じレベルでよい（したがって、液浸液は、投影システムの最終要素と基板の間の空間を横切って流れる）。流れ制御板５０は、投影システムＰＳ及び／又は基板Ｗに対するバリア部材１２の光軸方向の動きに対する抵抗を減少させるために、自身内に貫通穴を有する。バリア部材１２の底部に沿ってさらに半径方向外側に移動すると、光軸に実質的に平行な方向で基板に向かう液体の流れを提供する出口４４が設けられている。この液体の流れは、基板Ｗの縁部と基板を支持する基板テーブルＷＴとの間のギャップを全て充填するのに役立てるために使用される。このギャップが液体で充填されないと、基板Ｗの縁部がシールと交差した場合に、投影システムＰＳと基板Ｗの間の空間の液体に気泡が含まれる可能性が高くなる。これは、像品質の劣化につながるので、望ましくない。
【００４５】
[0061]  出口４４の半径方向外側には、バリア部材１２と基板Ｗの間から液体を抽出する抽出装置アセンブリ２０がある。抽出装置２０は、以下でさらに詳細に説明され、バリア部材１２と基板Ｗの間に生成される非接触シールの一部を形成する。
【００４６】
[0062]  抽出装置アセンブリの半径方向外側には、入口８２を通って大気に、及び出口８４を介して低圧源に接続することができる窪み３０がある。窪み３０の半径方向外側にはガスナイフ４０がある。抽出装置、窪み及びガスナイフの構成が、米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号で詳細に開示されている。しかし、その文書では、抽出装置アセンブリの構成が異なっている。
【００４７】
[0063]  抽出装置アセンブリ２０は、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような液体除去デバイス又は抽出装置又は入口で構成される。任意のタイプの液体抽出装置を使用してよい。液体抽出装置は、実施形態では単液体相液体抽出を可能にするために、気体からの液体の分離に使用される多孔質材料に覆われた入口を備える。入口はリング形で、光軸の周囲にあってよい。入口は環状であることが望ましく、連続的又は不連続的でよい。多孔質材料の下流のチャンバ２２はわずかに低圧に維持され、液体で充填される。チャンバ２２内の低圧は、多孔質材料の穴に形成されたメニスカスが、周囲気体を液体抽出装置２０のチャンバ２２に引き込まれるのを実質的に防止するような圧力である。しかし、多孔質表面が液体と接触すると、流れを制限するメニスカスがなく、液体が液体抽出装置２０のチャンバ２２に自由に流入することができる。多孔質表面は、バリア部材１２に沿って半径方向内側に（さらに空間の周囲に）延在し、その抽出速度は、多孔質材料が液体で覆われている程度に従って変化する。
【００４８】
[0064]  本発明の実施形態は、エアゾールスプレーオリフィスを出る物質を閉じ込めるために、図６のそれと同様のシステムを使用するものとして説明される。本発明は、このタイプのシステムのみを使用することに限定されない。
【００４９】
[0065]  図７は、例えば図５の非接触密封デバイス１４、１５、１６を置換することができるメニスカス釘付けデバイスを示す。図７のメニスカス釘付けデバイスは複数の別個の出口６０を備える。各出口６０は、円形であるように図示されているが、そうである必要はない。実際、出口６０は正方形、長方形、三角形、細長いスリットなどでよい。幾つかの例示的形状が図１０に与えられている。
【００５０】
[0066]  図７のメニスカス釘付けデバイスの各出口６０を、別個の低圧源に接続することができる。あるいは、各出口６０を、それ自体が低圧に保持されている共通のチャンバ（環状でよい）に接続する。この方法で、各出口で均一な低圧を達成することができる。隣接する出口６０の間に尾根７０を設けることができる。図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩを通る鏡像断面図である図８に見られるように、１つの実施形態では、バリア１２の下面からの突起に出口６０を形成する。尾根７０は、出口６０と同じ高さに配置されるか、バリア部材１２の表面から出口６０と同じ量又はそれより小さい量だけ突出する。出口６０は、例えば管又は細長い通路５５の出口である。出口は、基板Ｗに面するように配置することが望ましい。これを別の方法で考えると、出口６０が接続された通路５５の細長い軸線が、基板Ｗの上面に対して実質的に直角に（例えば直角から±４５°、３５°、２５°、又は１５°）接続される。
【００５１】
[0067]  各出口６０は、液体と気体の混合物を抽出するように設計される。液体が空間１１から抽出され、気体は出口６０及び尾根７０の液体とは他方の側で雰囲気から抽出される。これは、矢印１００で示すような気体流を生成し、この気体流は、出口６０間の空間１１にある液体のメニスカスを図７に示すような所定の位置に釘付けにするのに効果的である。
【００５２】
[0068]  図９に見られるように、出口及び尾根は、平面図で多角形を形成するように配置される。１つの実施形態では、この形状は少なくとも１つの角を有する。角は、基板テーブルの動作の相対的方向に、望ましくはメニスカス釘付けデバイスの後縁側にあってよい。図７のケースでは、これは主軸１１０、１２０が投影システムの下方で基板Ｗが移動する主要方向に位置合わせされた菱形の形状である。これは、出口及び尾根７０を円形形状で構成した場合よりも最大スキャン速度が速くなることを保証するのに役立つ。というのは、２つの出口の間でメニスカスにかかる力がｃｏｓθの係数で減少するからであり、θは基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの移動方向に対する２つの出口を結ぶ線の角度である。したがって、出口の形状の主軸１１０を基板の主要移動方向（通常はスキャン方向）に位置合わせし、第二軸１２０を基板の他の主要移動方向（通常はステッピング方向）に位置合わせすることにより、スループットを最適化することができる。θが９０°とは異なる構成が有利であることが理解される。したがって、主軸を主要移動方向と正確に位置合わせすることは不可欠ではない。形状が円形である場合は、常に移動方向に対して直角に位置合わせされた２つの出口６０があり、したがってこれらの２つの出口間のメニスカスが、基板Ｗの移動によって入手可能な最大の力を受けることが、さらに理解される。以上から、基板の主要移動方向に対して約４５°に位置合わせされた辺を有する正方形の形状を使用しても、大きい利点があることが分かる。正方形の主要寸法と短い方の寸法との比率は√２：１であり、このような比率が１．２：１より大きい任意の形状が特に適切である。２つの主軸がある形状では、ステッピング及びスキャン方向の動作の量及び速度を考慮して、４／９と８／９の間、又は５／９と７／９の間の長さ比が特に適切である。
【００５３】
[0069]  図８は、バリア部材１２の下面４０の突起に出口６０が設けられていることを示す。しかし、こうである必要はなく、出口６０はバリア部材１２の主要下面にあってよい。この場合、液体は主要下面に突き当たり、したがって望ましくない波の発生を生じやすい自由な上面がない。この場合、図７に示すような規定可能な尾根７０がない。矢印１００は、バリア部材１２の外側から出口６０に関連する通路５５内への気体の流れを示し、矢印１５０は、空間１１から出口６０への液体の通過を示す。通路５５及び出口６０は、２相抽出（つまり気体と液体）が環状流れモードで生じ、気体が通路５５の中心を通って流れて、液体が通路５５の壁に沿って流れるように設計される。その結果、脈動を発生せずに滑らかな流れになる。
【００５４】
[0070]  図８では、空間１１内の液体のレベルが、出口６０の半径方向内側でもバリア部材１２の下面に接触しないように構成される。しかし、以上で検討したように、こうである必要はない。出口６０の半径方向内側にメニスカス釘付けフィーチャがなく、出口６０の半径方向外側にも他のコンポーネント又はメニスカス釘付けフィーチャがない。したがって、図５の液体閉じ込めシステムと比較すると、気体入口５０又は同等品がなく、出口１４が幾つかの別個の出口６０に分割され、それぞれが低圧源に接続されている。メニスカスは、出口６０に入る気体の流れによって誘発された抵抗力によって出口６０間に釘付けされる。約１５ｍ／秒、望ましくは２０ｍ／秒を上回る気体速度が、所望の抵抗力を生成するのに十分である。例えば他の液体閉じ込めシステムに存在するようなガスナイフを必要なくすることによって、基板からの液体の蒸発量を減少させ、したがって液体の跳ね返り、さらに熱膨張／収縮効果の両方を減少させることができる。しかし、所望に応じて、この実施形態でガスナイフを使用することができる。ガスナイフは、出口６０の半径方向外側に配置される。
【００５５】
[0071]  メニスカスを釘付けするために、それぞれが直径１ｍｍで３．９ｍｍ離間された３６個の別個のニードル６０が効果的である。このようなシステムの合計気体流量は、１００ｌ／分のオーダである。
【００５６】
[0072]  図９は、可能な出口の構成の他の幾何学的形状を平面図で示す。これは正方形及び円（点線で図示）の変形を含む。円の変形では、主要移動方向に対して所望の角度を有する拡張部が上下に追加されている。この設計は、他の主要移動方向で同様の拡張部を含むように、さらに変形することができる。これらの形状は、部分的な星、部分的な円と見なすことができる。完全な星形も良好に働く。最後の例は、円形／星形の実施形態と同様であるが、全ての直線を備える。
【００５７】
[0073]  図１０は、出口の幾つかの可能な形状、及び個々の出口間の様々な間隔を示す。出口６０はスリット形、連続的又は不連続的、長円形、円形、直線、長方形、菱形、又は三角形の断面で、尾根７０に実質的に平行又は直角な主軸を有する、及び／又は尾根７０に平行又は実質的に直角な頂点（角）を有してよい。
【００５８】
[0074]  図７から図１０の実施形態は、このタイプのシステムが、エアゾールスプレーオリフィスを出る物質を空間に閉じ込めるために使用できるので説明してきた。
【００５９】
[0075]  次に、本発明の実施形態を図１１に関して説明する。この実施形態は、図６のシステムと同様の閉じ込めシステム２０８を含む。しかし、以上で説明したように、任意の閉じ込め構造２０８を使用することができる。特に、図２から図１０に示す他のシステムの閉じ込め構造を使用してよい。任意の他のシステム、特に自身と表面の間に非接触シールを形成するシステムを使用することができる。これは、本発明のどの実施形態にも当てはまる。
【００６０】
[0076]  図１１では、洗浄デバイス２が基板テーブルＷＴの表面の一部を洗浄する。基板テーブルＷＴが洗浄デバイス２の下で移動する、及び／又は洗浄デバイスが基板テーブルＷＴの表面上で移動することができ、したがって基板テーブルの全区域を洗浄することができる。
【００６１】
[0077]  エアゾールスプレーオリフィス２００を設ける。エアゾールスプレーオリフィス２００は、洗浄される表面にエアゾールスプレー２０１を誘導するように構成される。エアゾールスプレー２０１は、上述したタイプのエアロゾルのいずれかでよい。エアゾールスプレー出口に気体を提供する導管、及びエアゾールスプレー出口に液体及び／又は固体を提供する導管を設けることができる。
【００６２】
[0078]  洗浄される表面にエアゾールスプレー２０１が衝突した後、気体及び液体及び／又は固体粒子が空間２０５内に閉じ込められる。気体は出口２２０を通って抽出される。液体及び／又は固体粒子は、気体とともに出口２２０を通って抽出することができる。代替的又は追加的に、液体及び／又は固体粒子を閉じ込め構造２０８によって抽出することができる。閉じ込め構造２０８は図６に図示したものと同様である。液体は、両方の出口４６、４４を通って提供され、抽出装置２０を通って抽出される。出口４４、４６を出る液体の流量は通常、２０〜１００ｍｌ／分の範囲である。したがって、エアゾールスプレー２０１から来た基板テーブルＷＴの表面上の液体及び／又は固体粒子は、閉じ込め構造２０８によって提供された液体に入り、次に抽出装置２０を通って抽出される。
【００６３】
[0079]  エアゾールスプレーオリフィス２００を出る物質が閉じ込められる空間２０５を規定するために、１つ又は複数の壁２１０を設ける。壁２１０は閉じ込め構造２０８とは別個である。壁２１０は、壁２１０と洗浄される表面との間の空間２０５を実質的に囲むバリアを形成する。エアゾールスプレーオリフィス２００は、壁２１０を通って形成される。壁２１０の底面と基板テーブルＷＴの表面との間に、小さいギャップ２１２が残される。ギャップ２１２を密封するために、デバイス２０８を使用する。これは、入口４４、４６を通って提供される液体によって実行される。この液体は、壁２１０の底縁と基板テーブルＷＴの間のギャップ２１２をわたって延在するメニスカスを有する。メニスカスは、エアゾールスプレーオリフィスを通って出て、洗浄される表面に衝突する気体の流れにより、所定の位置に保持される。洗浄される表面に衝突した後、この気体の流れは次に、出口２２０に向かって上昇する。気体は、出口２２０を通って約１ｍ3／時の率で抽出することができる。洗浄される表面上の液体は、閉じ込め構造２０８によって提供される液体に混入し、次に抽出装置２０によって抽出することができる。
【００６４】
[0080]  エアゾールスプレーは通常、１分間に超純水が５０ｍｌの状態で、１バールの圧力を有する。これは、図１３に示す洗浄ゾーン２０２内で表面を洗浄するのに効果的である。洗浄ゾーン２０２は、洗浄前に液体が存在している場合、１ミクロン未満の液体厚さを有することが望ましい。このような液体は、例えば洗浄される表面が閉じ込め構造２０８に対して移動するにつれて、それによって液体が残るので存在することがあり、又は液体はエアゾールスプレーオリフィス２００を通って提供された液体のこともある。図１３を参照すると、洗浄ゾーンの半径方向外側には、液体が存在する湿潤ゾーン２０６がある。湿潤ゾーンの半径方向外側（つまり抽出装置２０の半径方向外側）には、乾燥ゾーン２０４がある。乾燥ゾーン２０４にはそれと接触している液体及び／又はエアロゾルが実質的にないので、表面上に形成し得る再堆積又は乾燥汚れがない。これは、全部ではないまでも大部分の実施形態に当てはまる。
【００６５】
[0081]  エアゾールスプレーオリフィス２００を出る物質が閉じ込められる空間２０５内の圧力を特定の値に、例えば大気圧に維持すると有利である。気体を空間２０５に入れるか、気体を空間２０５から取り出せるさらなる開口２３０を壁２１０に設けることが必要なことがある。そのために、レギュレータ２３５を設ける。レギュレータ２３５は、空間２０５を出入りする気体の流れを調整し、それによって空間２０５内の圧力を調整するために、コントローラによって制御することができる。圧力を特定の値に調整する。実施形態では、特定の値は大気圧である。
【００６６】
[0082]  さらなる実施形態が図１２に図示されている。この実施形態は、以下の説明を除いて、図１１及び図１３に関して説明した実施形態と同じである。
【００６７】
[0083]  この実施形態では、洗浄デバイスの壁２１０を閉じ込め構造２０８（の頂部）に取り付ける。入口４４、４６を通って提供される液体がない、又はこれらの入口が存在しない。図１２に図示した液体は、エアゾールスプレーオリフィス２００を通って提供された液体である。したがって、超出装置２０は、エアゾールスプレーオリフィス２００を通って空間２０５に提供されている液体を抽出するだけである。図１２には図示されていないが、図１３に示すように壁２１０及びレギュレータ２３５に出口２３０があることが可能である。
【００６８】
[0084]  図１１から図１３の実施形態に関しては、投影システムと基板の間の空間に液体を提供する液体供給システムの設計が使用されているが、その寸法はこの目的に使用できるものとは異なることがある。つまり。機能は同様であるが、寸法は異なり得る。認識されるように、壁２１０を既存のバリア１２（例えば、結像中に液浸液を提供するために使用されるバリア部材）に取り付けることが可能である。この構成は、インラインで使用するのに特に適切である。さらに、費用及び装置内で使用可能な空間に明確な影響を与える別個のハードウェアは必要ない。
【００６９】
[0085]  図１４はさらなる実施形態を示す。図１４の実施形態では、表面に入口３００を設ける。低圧源３１０を入口３００に接続する。エアゾールスプレーオリフィス２００が、少なくとも部分的に出口３００を囲む。例えば、エアゾールスプレーオリフィス２００は環状でよい。エアゾールスプレーオリフィス２００が環状である場合、出口３００はエアゾールスプレーオリフィス２００の中央にある。エアゾールスプレーオリフィス２００は連続的又は不連続的でよい。つまり、オリフィス２００は溝であるが、一連の個別の出口穴でよい。平面図では、エアゾールスプレーオリフィス２００は任意の形状を有してよく、必ずしも環状である必要はない。例えば、エアゾールスプレーオリフィス２００は平面図が正方形でよい。
【００７０】
[0086]  ここで見られるように、エアゾールスプレーオリフィス２００は、噴霧が少なくとも部分的に半径方向内側に誘導されるように構成される。つまり、出口３００の軸線に向かう。アレイの性質、及びほぼ円錐形に開くということから、噴霧オリフィスが噴霧を半径方向内側に誘導しても、必ずしも全部の噴霧が実際に半径方向内側の方向に成分を有するものではなく、円錐の外部分は半径方向外側の成分を有することがある。しかし、噴霧オリフィス２００は、噴霧の大部分が成分と一緒に洗浄される表面に向かって半径方向内側へと下降するように構築及び構成される。
【００７１】
[0087]  エアゾールスプレーオリフィス２００を出る物質は、出口３００を通って抽出される。これは、ガス状液体及び／又は固体相のうち１つ又は複数を含んでよい。出口３００は、自身を通って１時間に約１立方メートルの気体を抽出でき、自身を通って１時間に約３リットルの液体／固体が抽出されるように、低圧が加えられる。その結果、エアゾールスプレーオリフィス２００の半径方向外側の位置で、気体３３０の半径方向内側の流れが生成される。半径方向内側への気体３３０の流れは、洗浄される表面とデバイスの本体３０５との間を通過する。出口３００及びエアゾールスプレーオリフィス２００が、洗浄される表面に面した本体３０５の表面に形成される。洗浄ゾーン２０２の半径方向外側には乾燥ゾーン２０４がある（図１５参照）。１０００ミリバールが周囲大気圧を表す場合、乾燥ゾーン２０４では気圧は１００ミリバールを超える、２０００ミリバールを超える、５００ミリバールを超える、１００００ミリバールを超える、又は１５０００ミリバールを超える過剰圧力になる。半径方向内側への気体３３０の流れは、このゾーンにエアゾールスプレー２０１からの液体及び／又は固体がない状態を維持するのに効果的である。洗浄ゾーン２０２の半径方向内側で、気体は液体出口ゾーン２０６に到達する前に、１０００ミリバール、１０００ミリバール未満、８００ミリバール未満、５００ミリバール未満又は１００ミリバール未満という周囲大気圧に対して低圧になる。
【００７２】
[0088]  したがって、図１１から図１５の以上の実施形態では、エアゾールスプレーオリフィス２００を出る物質を閉じ込め損内に維持するのを容易にする回転／サイクロン流を空間２０５内で生成できることが分かる。実施形態では、Ｏリングを使用して、洗浄区域を密封することができる。したがって、例えば閉じ込め構造２０８を単純なＯリングで置換することができる。その場合、エアゾールスプレーオリフィス２００を出る液体及び／又は固体は、出口２２０を通って出ることになる。
【００７３】
[0089]  図１６はさらなる実施形態を示す。図１６の実施形態は、図６に示したものと同様のバリア部材１２を備える液体処理システムを含む。この実施形態では、結像中に洗浄を実行することができる。これが図１６に示す状況である。エアゾールスプレーオリフィス２００がバリア部材１２の底面に設けられ、これは投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間に液体を供給する。液体は入口４４、４６を通って供給され、抽出装置２０によって除去され、所定の位置に実質的に密封される。ガスナイフ４０の機能は、抽出装置２０を通って逃げる液体を閉じ込めることである。エアゾールスプレーオリフィス２００は、抽出装置２０及び窪み３０の半径方向外側、及びガスナイフ４０の半径方向内側に配置される。したがって、結像中に（又は液体処理システムが動作している任意の他の時に）噴霧オリフィス２００の下方の表面を洗浄することができる。これは、例えば周期的洗浄サイクル中でよい。エアゾールスプレーオリフィスを出る気体は、窪み３０を通って抽出することができる。エアゾールスプレーオリフィスを出て蒸発しない液体は、抽出装置２００で収集するか、窪み３０を通って出ることができる。この液体の通過が矢印４０２で図示されている。したがって、この実施形態では、ガスナイフを使用して、エアゾールスプレーオリフィスを出た材料を窪み３０及び／又は抽出装置２０の出口に向かって押しやる過剰圧力を生成することが分かる。
【００７４】
[0090]  さらなる実施形態が図１７に図示されている。この実施形態は図１６の実施形態と同様である。違いは、この実施形態ではエアゾールスプレーオリフィス２００がガスナイフ出口４０であることである。つまり、特定のモードでは、ガスナイフに（導管５０８を通して）液体及び／又は固体粒子が提供され、これは通常はガスナイフ４０を通って流れる気体に同伴し、それによってガスナイフ４０の出口を出るエアゾールスプレー２０１を形成する。ガスナイフの外幅（例えば直径）が約５０ｍｍで、ガスナイフの幅が約２０μｍである場合、ガスナイフの面積は約３．１４×１０−６ｍ２である。約２０ｌ／分の流量の場合、気体速度は約１００ｍ／秒となる。例えば、液体（例えば水）を１０〜５０ｍｌ／分の流量でガスナイフに提供することができる。ガスナイフからの典型的な気体流量で、エアロゾルが形成される。この実施形態のガスナイフを出る気体及び液体及び／又は固体粒子は、図１６の実施形態に関して上述したのと同じ方法で除去される。この実施形態の利点は、ガスナイフ自体の内部通路が洗浄されることである。これが、図１７のガスナイフの詳細である図１８に図示されている。矢印５０５はガスナイフから出る気体の流れを示し、矢印５１０は洗浄が実行される区域を示す。
【００７５】
[0091]  図１７の実施形態では、液体を小滴にしてガスナイフに供給することができる。小滴は、例えばナノ小滴でよい。小滴として液体を提供することの利点は、これがシステムに引き起こす脈動が少なくなるか、小さくなり、したがって圧力変動が少なくなることである。小滴は、ガスナイフ出口の上流のチャンバに直接提供することができる。例えば、小滴は、図１８に示すチャンバ５０９に提供することができる。あるいは、小滴は、気体をバリア部材１２に供給する前に、気体に同伴させることができる。液体は、以上の実施形態のいずれかで、特に図１６の実施形態では、この方法で提供することができる。
【００７６】
[0092]  図１６及び図１７の実施形態は、いわゆる「閉鎖ディスク」、つまり適切な形状及びサイズの部材を所定の位置にした状態で使用することができる。この場合、部材は抽出装置２０及び出口４４の下方に配置され、したがってバリア１２が囲む（及び液体が供給される）空間はほぼ封入されている。その後、バリア部材１２の底面上のコンポーネントのガスナイフ４０のみが動作している状態で、バリア部材１２が洗浄される表面上を、及び／又はその逆に動くことができる。上述したようなエアゾールスプレー２０１を設けることにより、洗浄される表面に向かって誘導することができる。閉鎖ディスクは、同じ目的のために働くタイプのシャッタ部材である。シャッタ部材は、基板テーブルの表面であるか、（バリア部材に取り付け可能で、バリア部材によって移送できるように）基板テーブルの分離可能な部品であるか、基板テーブルと着脱式に隣接した別のテーブルの表面でよい。
【００７７】
[0093]  本発明の実施形態を使用した洗浄の利点は、噴霧後に乾燥した表面が存在することである。さらに、機械内に汚染物質がほとんど、又は全く再堆積しない。洗浄作用を、制限された表面積に閉じ込め、数分で実行することができる。方法は、任意の３次元表面に使用することができる。例えば、センサ、センサと基板テーブルの間のギャップ、基板が存在しない状態の基板テーブルと基板の間のギャップ（つまり、基板テーブルの表面に規定された流体出口への開口）、及び基板支持体などの基板テーブル上のフィーチャである。
【００７８】
[0094]  さらなる実施形態では、オリフィスが基板テーブル内にある。つまり、オリフィスが基板テーブルの表面に規定されている。これによって、バリア部材１２の下面を洗浄することができる。洗浄されるバリア部材の下面の部分が、基板テーブルのオリフィス上を、及び／又はその逆を移動し、エアゾールスプレーが洗浄される表面に誘導される。
【００７９】
[0095]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板を指すことができる。
【００８０】
[0096]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、またはその辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００８１】
[0097]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータ処理装置が１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取った場合に、本明細書で言及している１つ又は複数の異なるコントローラを動作可能にしてよい。１つ又は複数の処理装置は、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成され、それによってコントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作する。
【００８２】
[0098]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、液浸液を槽（その中に基板を浸す）の形態で提供するか、基板の局所表面区域にのみ提供するか、閉じ込めないかにかかわらず、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に排他的ではないが上述したタイプに適用することができる。閉じ込めない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって基板テーブル及び／又は基板の覆われていないほぼ全表面が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めない、又はある割合の液浸液の閉じ込めを提供することができるが、液浸液をほぼ完全には閉じ込めない。
【００８３】
[0099]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部であるか、空間の表面は基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでよい。
【００８４】
[00100]  以上の説明は例示的であり、限定するものではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、説明されたような本発明を変更できることが、当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図８】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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