(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え、導電性を有するコア基板と、
前記第１の主面に形成された第１の絶縁層と、
前記第２の主面に形成された第２の絶縁層と、
前記コア基板、前記第１の絶縁層、及び前記第２の絶縁層を貫通する第１の貫通孔と、
前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層と、
前記第１の導電層上に、前記第１の貫通孔の内壁面を覆う部分と、前記第１の貫通孔の周辺を覆う部分とが一体的に形成された、電着樹脂膜である第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層を内壁とする第２の貫通孔と、
前記第２の貫通孔内に形成された第２の導電層と、
を有し、
前記第１の貫通孔はテーパ形状が形成された箇所を含み、
前記第１の貫通孔の当該テーパ形状に沿って前記第１の導電層が形成され、
前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有して前記第１の導電層上に形成され、
前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記第３の絶縁層は、略曲線状に形成された箇所を含み、
前記テーパ形状が形成された箇所における前記第３の絶縁層の厚さは、他の箇所における前記第３の絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
配線基板の製造方法であって、
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え導電性を有するコア基板の前記第１の主面に第１の絶縁層を形成し、前記第２の主面に第２の絶縁層を形成し、その後、前記コア基板、前記第１の絶縁層、及び前記第２の絶縁層を貫通する第１の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を電源供給層とした電着法により、前記第１の主面から前記第２の主面に繋がる第２の貫通孔が形成されるように、前記第１の導電層上に、前記第１の貫通孔の内壁面を覆う部分と、前記第１の貫通孔の周辺を覆う部分とが一体的に形成された第３の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の貫通孔内に第２の導電層を形成する工程と、を有し、
前記第１の貫通孔を形成する工程において、テーパ形状部分を有する前記第１の貫通孔を形成し、
前記第１の導電層を形成する工程において、前記テーパ形状に沿って前記第１の導電層を形成し、
前記第３の絶縁層を形成する工程において、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有する前記第３の絶縁層を、前記テーパ形状が形成された箇所における前記第３の絶縁層の厚さが他の箇所における前記第３の絶縁層の厚さよりも厚くなるように形成し、
前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記第３の絶縁層は、略曲線状に形成された箇所を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２の導電層を形成する工程において、導電性シード層を前記第３の絶縁層上に形成し、前記導電性シード層をパターニングした後、前記導電性シード層と同じ材料からなる第２の導電層をめっきすることを特徴する配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の貫通孔を形成する工程において、ドリル加工により前記コア基板の前記第１の主面及び前記第２の主面にテーパ形状の凹部を形成した後、前記凹部の開口面の径よりも小さい径を有する前記第１の貫通孔を形成することを特徴する配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項２又は３記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の貫通孔を形成する工程において、レーザ加工により、前記テーパ形状部分を有する前記第１の貫通孔を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、より具体的には、導電性を有するコア基板を備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信機器等の電子機器に対する小型化、薄型化、及び高性能化等が要求されており、これに伴い、電子機器に備えられる半導体素子等の電子部品及びプリント基板等の配線基板（パッケージ基板）の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が要求されている。かかる要求に対応すべく、半導体素子の配線基板に対する実装方法として、フリップチップ実装等、配線基板上に半導体素子を直接実装するベアチップ実装技術が採用されている。
【０００３】
また、半導体素子の多ピン化に伴い、上述の配線基板として、配線層を多層化してなる多層配線基板が採用されている。更に、半導体素子を試験するためのテスターボードにおいても、配線層の多層化は必要不可欠なものとなっている。かかる多層配線基板として、例えば、絶縁層と導体層とが交互に積層された微細配線がコア基板の一方の主面又は両主面に形成されて成るビルトアップ多層配線基板が採用されている。
【０００４】
このようなビルドアップ多層配線基板に半導体素子がベアチップ実装されてなる半導体装置においては、当該半導体装置を構成する各部品の熱膨張係数の相違に因り、疲労破壊又は断線等を招くおそれがある。例えば、ビルドアップ多層配線基板としてガラスエポキシ樹脂基板が用いられる場合、その熱膨張係数は約１２乃至２０ｐｐｍ／℃であるのに対し、半導体素子がシリコン（Ｓｉ）から成る場合、その熱膨張係数は約３．５ｐｐｍ／℃であり、両者は大きく相違する。従って、温度変化が生じた場合に、かかる熱膨張係数の相違に基づき、熱応力、熱ひずみ等に因り、疲労破壊又は断線等を招くおそれがある。
【０００５】
かかる問題に対応すべく、半導体素子が実装される配線基板の熱膨張係数を低減し、半導体素子と配線基板の熱膨張係数の相違を小さくする態様が提案されている。具体的には、ガラスエポキシ樹脂基板の基材（コア基板）として用いられるガラス布に代えて、熱膨張係数が約１．０乃至２０ｐｐｍ／℃であるカーボン繊維（炭素繊維）材を用いた樹脂を基材（コア基板）として採用した配線基板が提案されている。
【０００６】
一例として、例えば、カーボンクロスにエポキシ樹脂を含浸させた配線基板用基材を使用した配線基板が提案されている。本例では、配線基板用基材に樹脂用孔を設け、当該樹脂用孔内にエポキシ樹脂を充填することにより、配線基板用基材に配線層を形成する。そして、配線層を接続するスルーホールを設け、樹脂用孔の中心線とスルーホールの中心線とをほぼ一致させている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、基板上に形成された導電層の少なくとも一部に絶縁樹脂層が設けられ、前記絶縁樹脂層が電着法で形成された電子部品が提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
更に、基板上に導電層が少なくとも１層形成され、前記基板と前記導電層との間に、電着法により絶縁樹脂層が形成された配線板が提案されている。本例では、前記電着膜が有機溶剤可溶性ポリイミドと親水性ポリマーを含んでいる（特許文献３参照）。
【０００９】
更に、下層回路基板の上に順次積層されなる回路基板であって、回路基板は、繊維強化樹脂基板に形成された貫通孔中に柱状導体が配置された回路基板が提案されている。本例では、貫通孔の内壁面と柱状導体の外周面との間に樹脂硬化物層が介在し、柱状導体の上面は導電薄層で被覆されている回路基板が提案されている（特許文献４参照）。
【００１０】
更に、コア材の補強材としてガラス繊維織布を用いた多層プリント配線板が提案されている。本例では、コア材を積層接着するために用いるプリプレグの補強材として、ガラス繊維織布に樹脂を含浸させた樹脂繊維織布を用いる（特許文献５参照）。
【００１１】
更に、シリコン半導体基板に形成された貫通孔のエッジ部に金属膜が設けられ、当該エッジ部を含む貫通孔の内表面に電着膜が形成されたシリコン半導体基板が提案されている（特許文献６参照）。
【特許文献１】特開１０−１０７３９１号公報
【特許文献２】特開２００２−８４０７２号公報
【特許文献３】特開２０００−２３６１６７号公報
【特許文献４】特開２００２−１００８６９号公報
【特許文献５】特開２０００−１３３９４２号公報
【特許文献６】特開２００６−１２８３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
配線基板における半導体素子の実装の高密度化により、当該配線基板にも高密度化が求められる。従って、配線基板における配線の微細化及び狭ピッチ化が必須となっている。このため、配線のみならず、コア基板に形成されるスルーホールの狭ピッチ化も要求される。
【００１３】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、導電性を有するコア基板を備えた配線基板であって、当該コア基板と、貫通孔に形成された導電層との間を確実に絶縁すると共に、貫通孔の狭ピッチ化を実現することができる配線基板及びその製造方法を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え、導電性を有するコア基板と、前記第１の主面に形成された第１の絶縁層と、前記第２の主面に形成された第２の絶縁層と、前記コア基板、前記第１の絶縁層、及び前記第２の絶縁層を貫通する第１の貫通孔と、前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層と、前記第１の導電層上に、前記第１の貫通孔の内壁面を覆う部分と、前記第１の貫通孔の周辺を覆う部分とが一体的に形成された、電着樹脂膜である第３の絶縁層と、前記第３の絶縁層を内壁とする第２の貫通孔と、前記第２の貫通孔内に形成された第２の導電層と、を有し、前記第１の貫通孔はテーパ形状が形成された箇所を含み、前記第１の貫通孔の当該テーパ形状に沿って前記第１の導電層が形成され、前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有して前記第１の導電層上に形成され、前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記第３の絶縁層は、略曲線状に形成された箇所を含み、前記テーパ形状が形成された箇所における前記第３の絶縁層の厚さは、他の箇所における前記第３の絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする配線基板が提供される。
【００１５】
本発明の別の観点によれば、配線基板の製造方法であって、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え導電性を有するコア基板の前記第１の主面に第１の絶縁層を形成し、前記第２の主面に第２の絶縁層を形成し、その後、前記コア基板、前記第１の絶縁層、及び前記第２の絶縁層を貫通する第１の貫通孔を形成する工程と、前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層を電源供給層とした電着法により、前記第１の主面から前記第２の主面に繋がる第２の貫通孔が形成されるように、前記第１の導電層上に、前記第１の貫通孔の内壁面を覆う部分と、前記第１の貫通孔の周辺を覆う部分とが一体的に形成された第３の絶縁層を形成する工程と、前記第２の貫通孔内に第２の導電層を形成する工程と、を有し、前記第１の貫通孔を形成する工程において、テーパ形状部分を有する前記第１の貫通孔を形成し、前記第１の導電層を形成する工程において、前記テーパ形状に沿って前記第１の導電層を形成し、前記第３の絶縁層を形成する工程において、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有する前記第３の絶縁層を、前記テーパ形状が形成された箇所における前記第３の絶縁層の厚さが他の箇所における前記第３の絶縁層の厚さよりも厚くなるように形成し、前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記第３の絶縁層は、略曲線状に形成された箇所を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導電性を有するコア基板を備えた配線基板であって、当該コア基板と、貫通孔に形成された導電層との間を確実に絶縁すると共に、貫通孔の狭ピッチ化を実現することができる配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
最初に、説明の便宜上、基材（コア基板）にカーボン繊維を使用した配線基板の製造方法の一例を、図１乃至図８を用いて説明する。
【００１９】
まず、カーボン繊維（炭素繊維）材にエポキシ樹脂等の樹脂材料を含浸させてなる強化樹脂のプリプレグ１ａ乃至１ｅを５枚用意し（図１（ａ）参照）、これらのプリプレグを真空プレスにより圧着させてコア基板１を形成する（図１（ｂ）参照）。次いで、コア基板１に、クリアランスホール２をドリル加工又はレーザ加工等により形成する（図１（ｃ）参照）。
【００２０】
しかる後、印刷法等により、クリアランスホール２内に、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂３ａを充填し埋め込む（図１（ｄ）参照）。絶縁樹脂３ａにより、コア基板１とクリアランスホール２とは絶縁される。
【００２１】
次に、コア基板１の表面及び裏面とクリアランスホール２に埋め込まれた絶縁樹脂３ａ上に絶縁樹脂３ｂを形成した後に、箔状の銅（Ｃｕ）層４を積層形成する（図２（ｅ）参照）。次いで、クリアランスホール２と略同心状に、クリアランスホール２の径よりも小さい径のスルーホール５をドリル加工又はレーザ加工法等により貫通形成する（図２（ｆ）参照）。
【００２２】
しかる後、箔状の銅（Ｃｕ）層４（図２（ｅ）参照）上及びスルーホール５の内壁面上に、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）層４を積層形成し（図２（ｇ）参照）、次いで、電解めっき処理により、導電層たる銅（Ｃｕ）層４を更に積層形成する（図３（ｈ）参照）。
【００２３】
次に、印刷法等により、スルーホール５内に、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂３ｃを充填し埋め込み（図３（ｉ）参照）、更に、銅（Ｃｕ）層４及びスルーホール５に埋め込まれた絶縁樹脂３ｃ上に、銅（Ｃｕ）層４’を積層形成する（図３（ｊ）参照）。
【００２４】
しかる後、銅（Ｃｕ）層４’上であって、スルーホール５（図２（ｇ）参照）、絶縁樹脂３ａ、及びコア基板１を含む箇所上に、感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト６をラミネートし、露光及び現像により、所定箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図４（ｋ）参照）。次に、ドライフィルムレジスト６が形成されていない箇所の銅（Ｃｕ）層４及び４’をエッチングし（図４（ｌ）参照）、ドライフィルムレジスト６を剥離する（図４（ｍ）参照）。
【００２５】
次に、ビルドアッププロセスを施す。即ち、図４（ｌ）に示すエッチング処理により露出した絶縁樹脂３ｂ上及び銅（Ｃｕ）層４’上に、絶縁樹脂３ｄを積層形成し（図５（ｎ）参照）、銅（Ｃｕ）層４’の所定の箇所上に形成された絶縁樹脂３ｄにレーザドリリングにより、銅（Ｃｕ）層４’を部分的に露出する凹部７を形成する（図５（ｏ）参照）。そして、絶縁樹脂３ｄ上及び凹部７内に、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）シード層４ａを形成する（図５（ｐ）参照）。
【００２６】
しかる後、銅（Ｃｕ）シード層４ａ上であって、凹部７が形成されている箇所を除く箇所に、感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト６をラミネートし、露光及び現像により、所定箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図６（ｑ）参照）。次に、ドライフィルムレジスト６が形成されていない箇所に、電解めっき処理により所定の厚さを有する銅（Ｃｕ）層４ｂを形成する。
【００２７】
次いで、ドライフィルムレジスト６を剥離し（図７（ｓ）参照）、ドライフィルムレジスト６の直下に形成されている銅（Ｃｕ）シード層４ａをエッチングにより除去する（図７（ｔ）参照）。
【００２８】
次に、図５（ｎ）乃至図７（ｔ）に示す工程を必要な層数分（図７（ｕ）に示す例では２回）繰り返し、最表層の絶縁樹脂３ｄ上であって銅（Ｃｕ）層４ｂが形成されている箇所を除く箇所に、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）７が形成される。ソルダーレジストは、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂等からなる。
【００２９】
最後に、電極を構成する銅（Ｃｕ）層４ｂの露出している表面に、ニッケル（Ｎｉ）層８、金（Ａｕ）層９を、この順にめっき処理により形成する。このようにして、カーボン繊維（炭素繊維）材を用いた樹脂をコア基板１として採用した多層配線基板１０が形成される。
【００３０】
上述のように、コア基板１を構成するカーボン繊維（炭素繊維）材を用いた樹脂は、ガラスエポキシ樹脂基板の基材（コア基板）として用いられるガラス布に比し熱膨張率は低いものの、導電性を有しているため、コア基板１に形成されたスルーホール５内に形成された導電層である銅（Ｃｕ）層４等の配線と、当該コア基板１との間を確実に絶縁する必要がある。
【００３１】
しかしながら、印刷法により絶縁樹脂３をクリアランスホール２を埋め込む工程（図１（ｄ）参照）では、クリアランスホール２を埋め込む絶縁樹脂３の充填量が不足し、クリアランスホール２を確実に充填できないおそれがある。また、クリアランスホール２に埋め込まれた絶縁樹脂３中に、ボイド又はクラック等が発生するおそれがある。この結果、導電性を有するコア基板１と導電層である銅（Ｃｕ）層４とが短絡してしまうおそれがある。
【００３２】
また、従来の配線基板１０においては、図１（ｃ）乃至図３（ｈ）に示すように、隣接するスルーホールとのクリアランス用にクリアランスホール２を形成し、当該クリアランスホール２に絶縁樹脂３を充填して絶縁処理を行い、次いで、絶縁樹脂３内にスルーホール５を形成し、当該スルーホール５の内壁に導電層である銅（Ｃｕ）層４を形成している。即ち、従来の配線基板１０においては、スルーホール５よりも十分に大きなクリアランスホール２の形成が必須であるため、スルーホール５の狭ピッチ化を図ることが困難である。
【００３３】
更に、絶縁樹脂３として用いられるエポキシ樹脂は、安価で汎用性が高いものの熱膨張係数が高いため、無機フィラーを混合して熱膨張係数の低減を図ったとしても、熱膨張係数は約４０ｐｐｍ／℃以上となり、絶縁樹脂３としてエポキシ樹脂を用いる場合、配線基板の熱膨張係数を十分に低減することは困難である。
【００３４】
そこで、以下に、上述の問題点を解消させることが可能な例を示す。
【００３５】
まず、本発明の実施の形態に係る配線基板の基本構造について説明する。次いで、本発明の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法および構造について説明し、最後に、本出願の発明者による本発明の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法の実施例について説明する。
【００３６】
１．本発明の実施の形態に係る配線基板の基本構造
図９に、本発明の実施の形態に係る配線基板の基本構造を示す。
【００３７】
図９を参照するに、本発明の実施の形態に係る配線基板２０は、コア基板２１と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂと、直径がＤＣであるクリアランスホールと、第１の導電層２４と、第３の絶縁層２５と、第２の導電層２６と、第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂと、第４の絶縁層２８ａ及び２８ｂ等から大略構成される。
【００３８】
平板状のコア基板２１は、導電性を有するカーボン繊維（炭素繊維）材にエポキシ系樹脂組成物を含浸させてなるプリプレグを複数積層して圧着して形成される。コア基板２１は、例えば、厚さが約０．２ｍｍのカーボン繊維（炭素繊維）材にエポキシ系樹脂組成物を含浸させてなるプリプレグを５枚積層し圧着して形成される。
【００３９】
カーボン繊維材としては、例えば、カーボン繊維を束ねたカーボン繊維糸により織られ、面広がり方向に展延するように配向されたカーボン繊維クロス若しくはカーボン繊維メッシュ又はカーボン繊維不織布を用いることができる。カーボン繊維材を包容するエポキシ系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率の低減が図られている。但し、コア基板２１に含まれる導電性を有する材料として、上述のカーボン繊維のほかに、カーボンナノチューブ、インバー、４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）を用いてもよい。
【００４０】
コア基板２１の表面（第１の主面）には第１の絶縁層２２ａが形成されており、コア基板２１の裏面（第２の主面）には第２の絶縁層２２ｂが形成されている。第１の絶縁層２及び第２の絶縁層２２ｂは、例えばエポキシ系樹脂から成る。第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂが特許請求の範囲に記載の絶縁部に相当する。
【００４１】
コア基板２１と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂとを貫通するように直径ＤＣを有するクリアランスホール（第１の貫通孔）が形成されている。クリアランスホールの形成数は、配線レイアウト等に因るが、具体的には、例えば約１０００個のクリアランスホールを形成してもよい。また、クリアランスホールの直径ＤＣを、例えば０．５ｍｍに設定してもよい。
【００４２】
クリアランスホールの内壁面の略全面と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上であってクリアランスホールの周辺には、銅（Ｃｕ）から成る第１の導電層２４が、めっき処理により形成されている。上述のようにコア基板２１を構成する材料はカーボン繊維（炭素繊維）を含むため、コア基板２１の表面やクリアランスホールの内壁面に微小の凹凸が形成されてしまうため、第１の導電層２４を確実に設けるべく、クリアランスホールの内壁面においては、その略全面に第１の導電層２４が形成されている。
【００４３】
クリアランスホールの内壁面と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上であってクリアランスホールの周辺とに一体的に形成された第１の導電層２４上には、電着樹脂膜から成る第３の絶縁層２５が形成されている。また、第３の絶縁層２５は、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上における第１の導電層２４の端部上にも形成されている。第３の絶縁層２５が特許請求の範囲に記載の絶縁層に相当する。
【００４４】
第３の絶縁層２５は、例えばエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等から成り、電着法により形成されている。第３の絶縁層２５の形成に電着法が用いられているため、第３の絶縁層２５の膜厚を薄く且つ均一にすることができ、当該膜厚を、例えば約１５μｍ乃至２５μｍに設定することができる。従って、コア基板２１に形成されたクリアランスホールの径を、小さくすることができる。
【００４５】
また、第３の絶縁層２５には、クリアランスホールと略同心状に、クリアランスホールの直径ＤＣよりも小さい直径ＤＴのスルーホール（第２の貫通孔）が貫通形成されている。スルーホールの直径ＤＴを、例えば０．２ｍｍに設定することができる。このように、クリアランスホールの直径ＤＣを、スルーホールの直径ＤＴと略同等の大きさにすることができ、スルーホールの狭ピッチ化を実現することができる。
【００４６】
なお、第３の絶縁層２５は、電着法以外に蒸着法を用いて形成してもよく、この場合、第３の絶縁層２５を構成する材料としてポリパラキシリレン系樹脂を用いることができる。蒸着法を用いることにより、電着法よりも均一に第３の絶縁層２５を形成することができる。
【００４７】
スルーホール内における第３の絶縁層２５上には、例えば銅（Ｃｕ）から成る第２の導電層２６が、めっき処理により形成されている。なお、スルーホールにおいて、第２の導電層２６よりも内側部分には、絶縁樹脂又は導電層が設けられていてもよく、或いは、空洞であってもよい。
【００４８】
そして、スルーホールの開口部の周辺に位置する第３の絶縁層２５と第２の導電層２６の端部とには、例えば銅（Ｃｕ）から成る第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂが形成されており、第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂは、第２の導電層２６に接続している。よって、第１の電極部２７ａと第２の電極部２７ｂとは、第２の導電層２６を介して互いに電気的に接続されている。
【００４９】
クリアランスホールの内壁面と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上であってクリアランスホールの周辺とに一体的に形成された第１の導電層２４上には、第３の絶縁層２５が形成されているため、導電性を有するコア基材２１と第２の導電層２６とを、確実に絶縁することができる。更に、上述のように、クリアランスホールの直径ＤＣを、スルーホールの直径ＤＴと略同等の大きさにすることができ、スルーホールの狭ピッチ化を実現することができる。
【００５０】
なお、第１の導電層２４と第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂとの間には、第３の絶縁層２５が設けられているため、第１の導電層２４と第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂとの短絡は防止される。
【００５１】
また、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上であって、第３の絶縁層２５の外側には、上面が第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂの上面と同一平面となるように、エポキシ系樹脂等から成る第４の絶縁層２８ａ及び２８ｂが形成されている。
【００５２】
このように、図９に示す例によれば、クリアランスホールの内壁面と、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上であってクリアランスホールの周辺とに一体的に形成された第１の導電層２４上に、第３の絶縁層２５が形成されている。そのため、導電性を有するコア基材２１と第２の導電層２６とを、確実に絶縁することができる。
【００５３】
特に、第３の絶縁層２５は、電着法により第１の導電層２４上に形成されているため、第３の絶縁層の膜厚を薄く且つ均一にすることができ、よって、コア基板２１に形成されたクリアランスホールの径を、小さくすることができる。
【００５４】
また、クリアランスホールの直径ＤＣを、クリアランスホールと略同心状に貫通形成されているスルーホールの直径ＤＴと略同等の大きさにすることができるため、スルーホールの狭ピッチ化を実現することができ、高密度で信頼性の高い配線基板２０を提供することができる。
【００５５】
なお、上述の例では、コア基板２１の上面上と下面上において、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂを介して第１の導電層２４と第３の絶縁層２５の端部とが位置しているが、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂを介することなく、コア基板２１の上面上と下面上に直接第１の導電層２４と第３の絶縁層２５の端部とが位置していてもよい。
【００５６】
ところで、図９に示す例では、スルーホールの開口部の周辺に位置する第３の絶縁層２５と第２の導電層２６の端部とに、第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂが形成されているが、本発明はかかる例に限定されず、図１０に示す例の構造に本発明を適用することができる。なお、図１０において、図９に示す箇所と同じ箇所には同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５７】
図１０に示す配線基板３０では、第３の絶縁層２５のうち、第１の絶縁層２２ａ及び第２の絶縁層２２ｂ上に位置している箇所全部と、第２の導電層２６の端部とを含む部分に、第１の電極部２７ａ’及び第２の電極部２７ｂ’が形成されている。即ち、第１の電極部２７ａ’及び第２の電極部２７ｂ’の幅は、図９に示す第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂの幅よりも大きく設定されている。そして、第１の電極部２７ａ’及び第２の電極部２７ｂ’は、第２の導電層２６に接続している。
【００５８】
また、図９に示す例では、第１の導電層２４及び第３の絶縁層２５は略コの字型の断面を有し、第２の導電層２６は、略直線状の断面を有する。しかしながら、本発明はかかる例に限定されず、図１１に示す例の構造に本発明を適用することができる。なお、図１１において、図９に示す箇所と同じ箇所には同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５９】
図１１に示す配線基板５０では、クリアランスホールの、第１の絶縁層２２ａ’及び第２の絶縁層２２ｂ’における直径は、コア基板２１から離れれば離れるほど、コア基板２１内における直径ＤＣよりも大きくなるように設定されている。また、スルーホールの、第１の絶縁層２２ａ’及び第２の絶縁層２２ｂ’における直径は、コア基板２１から離れれば離れるほど、コア基板２１内における直径ＤTよりも大きくなるように設定されている。
【００６０】
そして、かかるクリアランスホールのテーパ形状に沿って第１の導電層２４’が形成され、第３の絶縁層２５’は第１の導電層２４’の形状に沿った形状を有して第１の導電層２４’上に形成され、第２の導電層２６’は第３の絶縁層２５’の形状に沿った形状有して第３の絶縁層２５’に形成されている。
【００６１】
即ち、図１１において点線Ａで囲んだ部分に示されるように、第１の絶縁層２２ａ’及び第２の絶縁層２２ｂ’が設けられている箇所における第１の導電層２４’、第３の絶縁層２５’及び第２の導電層２６’は、略曲線状に形成されており、更に、第１の絶縁層２２ａ’及び第２の絶縁層２２ｂ’が設けられている箇所における第１の導電層２４’、第３の絶縁層２５’及び第２の導電層２６’の厚さは、クリアランスホール及びスルーホールにおける第１の導電層２４’、第３の絶縁層２５’及び第２の導電層２６’の厚さよりも大きく設定されている。
【００６２】
図９に示す配線基板２０において、第１の導電層２４と第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂとの間には、第３の絶縁層２５が設けられているため、第１の導電層２４と第１の電極部２７ａ及び第２の電極部２７ｂとの短絡は防止されるが、図１１において点線Ａで囲んだ部分の構造を設けることにより、図１１において矢印Ｂで示す箇所における第１の導電層２４と第２の導電層２６’との短絡を確実に防止することができる。即ち、第１の絶縁層２２ａ’及び第２の絶縁層２２ｂ’におけるクリアランスホールの開口外縁部分における第１の導電層２４と第２の導電層２６’との短絡を更に確実に防止することができ、絶縁信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
２．本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法
次に、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。以下では、図１２乃至図１９を参照して、本発明の実施の形態に係る配線基板として多層配線基板を例に挙げて、当該方法について説明する。
【００６４】
まず、カーボン繊維（炭素繊維）材にエポキシ樹脂等の樹脂材料を含浸させて成り、厚さが例えば約０．２ｍｍの強化樹脂のプリプレグ６１ａ乃至６１ｅを５枚用意する（図１２（ａ）参照）。そして、これらのプリプレグを真空プレスにより圧着させてコア基板６１を形成する（図１２（ｂ）参照）。
【００６５】
カーボン繊維材としては、例えば、カーボン繊維を束ねたカーボン繊維糸により織られ、面広がり方向に展延するように配向されたカーボン繊維クロスを用いることができる。或いは、カーボン繊維メッシュ又はカーボン繊維不織布を用いることができる。カーボン繊維材を包容するエポキシ系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率の低減が図られている。但し、コア基板６１に含まれる導電性を有する材料として、上述のカーボン繊維のほかに、カーボンナノチューブ、インバー、４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）を用いてもよい。
【００６６】
次いで、コア基板６１に、どの箇所においても均一な直径ＤＣを有するクリアランスホール（第１の貫通孔）６２をドリル加工又はレーザ加工法等により貫通形成する（図１２（ｃ）参照）。クリアランスホール６２の形成数は、配線レイアウト等に因るが、具体的には、例えば約１０００個のクリアランスホール６２を形成してもよい。また、クリアランスホール６２の直径ＤＣを、例えば０．５ｍｍに設定することができる。
【００６７】
しかる後、クリアランスホール６２が形成されたコア基板６１の全面に、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）から成る第１の導電層６３を形成する（図１２（ｄ）参照）。上述のようにコア基板６１を構成する材料はカーボン繊維（炭素繊維）を含むため、コア基板６１の表面やクリアランスホール６２の内壁面に微小の凹凸が形成されてしまうおそれがあるため、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）から成る第１の導電層６３を確実に設けるべく、クリアランスホール６２の内壁面においては、その略全面に第１の導電層６３が形成される。
【００６８】
次に、第１の導電層６３のうち、不要な箇所を取り除くべく、第１の導電層６３が形成されたコア基板６１の表面・裏面上に感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト６４をラミネートし、露光及び現像により、前記不要な箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図１３（ｅ）参照）。そして、ドライフィルムレジスト６４が形成されていない箇所における第１の導電層６３をエッチングし（図１３（ｆ）参照）、次いで、ドライフィルムレジスト６４を剥離する（図１３（ｇ）参照）。
【００６９】
しかる後、クリアランスホール６２の内壁面上と、コア基板６１の表面・裏面に選択的に形成された第１の導電層６３上と、コア基板６１上における第１の導電層６３の端部上とに、図９に示す第３の絶縁層２５及び特許請求の範囲に記載の絶縁層に相当する電着樹脂膜６５を形成する（図１４（ｈ）参照）。電着樹脂膜６５は、例えばポリイミド系樹脂等から成り、電着法により形成される。
【００７０】
より具体的には、コア基板６１において、第１の導電層６３が露出した部分を電源供給層として結線して直流電源を接続し、ポリイミド電着液中に、コア基板６１を浸漬する。コア基板６１をポリイミド電着液中に浸漬した状態で、定電圧法により通電を行い、ポリイミド樹脂を第１の導電層６３に被着させて、所定の乾燥処理を段階的に行う。その結果、膜厚が均一であって且つ膜厚が約１５μｍ乃至２５μｍである電着樹脂膜６５が第１の導電層６３上に形成される。
【００７１】
このように電着樹脂膜６５の膜厚は薄く、電着樹脂膜６５の形成と同時に、電着樹脂膜６５を壁面とするスルーホール（第２の貫通孔）６６がクリアランスホール６２（図１２（ｃ）（ｄ）参照）内に形成される。具体的には、クリアランスホール６２と略同心状に、クリアランスホール６２の直径ＤＣよりも小さい直径ＤＴのスルーホール６６が形成される。スルーホール６６の直径ＤＴを、例えば０．２ｍｍに設定することができる。このように、クリアランスホール６２の直径ＤＣを、スルーホール６６の直径ＤＴと略同等の大きさにすることができ、スルーホール６６の狭ピッチ化を実現することができる。
【００７２】
なお、電着樹脂膜６５を構成する材料としてエポキシ系樹脂を用いることもできる。また、電着樹脂膜６５は、電着法以外に蒸着法を用いて形成してもよく、この場合、ポリパラキシリレン系樹脂を用いることができる。蒸着法を用いることにより、電着法よりも均一に樹脂膜を形成することができる。
【００７３】
次に、電着樹脂膜６５の全面上に、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）シード層６７を形成する（図１４（ｉ）参照）。
【００７４】
しかる後、銅（Ｃｕ）シード層６７上であって、スルーホール６６が形成されている箇所及びその近傍を除く箇所に、感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト６８をラミネートし、露光及び現像により、所定箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図１４（ｊ）参照）。
【００７５】
次に、ドライフィルムレジスト６８が形成されていない箇所に、電解めっき処理により所定の厚さを有する銅（Ｃｕ）層６９を形成し、スルーホール６６を埋め込む（図１５（ｋ）参照）。図１４（ｈ）に示す工程において、スルーホール６６の外周部分を構成する電着樹脂膜６５が形成されているため、スルーホール６６内に埋め込まれた銅（Ｃｕ）層とコア基板６１との間は確実に絶縁されている。
【００７６】
次いで、ドライフィルムレジスト６８を剥離し（図１５（ｌ）参照）、ドライフィルムレジスト６８の直下に形成されている銅（Ｃｕ）シード層６７をエッチングにより除去する（図１５（ｍ）参照）。
【００７７】
次に、ビルドアッププロセスを施す。即ち、図１５（ｌ）に示すエッチング処理により露出した電着樹脂膜６５ｂ上、銅（Ｃｕ）層６９、及びコア基板６１上に、図９に示す第４の絶縁層２８に相当する絶縁樹脂７０を積層形成し（図１６（ｎ）参照）、銅（Ｃｕ）層６９の所定の箇所上に形成された絶縁樹脂７０にレーザドリリングにより、銅（Ｃｕ）層６９を部分的に露出する凹部７１を形成する（図１６（ｏ）参照）。そして、絶縁樹脂７０上及び凹部７１内に、無電解めっき処理により銅（Ｃｕ）シード層７２を形成する（図１６（ｐ）参照）。
【００７８】
しかる後、銅（Ｃｕ）シード層７２上であって、凹部７１が形成されている箇所を除く箇所に、感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト７３をラミネートし、露光及び現像により、所定箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図１７（ｑ）参照）。次に、ドライフィルムレジスト７３が形成されていない箇所に、電解めっき処理により所定の厚さを有する銅（Ｃｕ）層７４を形成する（図１７（ｒ）参照）。
【００７９】
次いで、ドライフィルムレジスト７３を剥離し（図１８（ｓ）参照）、ドライフィルムレジスト６の直下に形成されている銅（Ｃｕ）シード層７２をエッチングにより除去する（図１８（ｔ）参照）。
【００８０】
次に、図１６（ｎ）乃至図１８（ｔ）に示す工程を必要な層数分（図１８（ｕ）に示す例では２回）繰り返し、最表層の絶縁樹脂７０上であって銅（Ｃｕ）層７４が形成されている箇所を除く箇所に、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）７５を形成する。ソルダーレジストは、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂等からなる。
【００８１】
最後に、電極を構成する銅（Ｃｕ）層７４の露出している表面に、ニッケル（Ｎｉ）層７６、金（Ａｕ）層７７を、この順にめっき処理により形成する。
【００８２】
このようにして、図１９に示すクリアランスホール６２（図１２（ｃ）（ｄ）参照）の内壁面とコア基板６１上であってクリアランスホール６２の周辺とに一体的に形成された第１の導電層６３上に、電着樹脂膜６５が電着法により形成されて成る多層配線基板８０が形成される。
【００８３】
ところで、上述の図１２乃至図１９に示す態様にあっては、スルーホール６６内が銅（Ｃｕ）層６９により埋め込まれているが、スルーホール６６内に絶縁樹脂を形成してもよい。また、図１４（ｊ）に示す工程で形成されるレジストパターン６８の形状を異ならしめることによって、電着樹脂膜６５上における銅（Ｃｕ）層６９の幅を簡易に異ならしめることができる。具体的には、図１４（ｉ）に示す工程を行った後に、図１４（ｊ）乃至図１５（ｍ）に示す工程の代わりに、図２０乃至図２１に示す工程を行うことができる。
【００８４】
図１４（ｉ）に示す工程を行った後に、無電解めっき処理により形成された銅（Ｃｕ）シード層６７（図１４（ｉ）参照）をシード層として、電解めっき処理により所定の厚さを有する銅（Ｃｕ）層８５を形成する（図２０（ａ）参照）。
【００８５】
次いで、スルーホール６６内に、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂から成る絶縁樹脂層８６を充填し、スルーホール６６を埋め込み（図２０（ｂ）参照）、更に、銅（Ｃｕ）層８５上に、めっき処理により銅（Ｃｕ）層８７を形成する。
【００８６】
しかる後、スルーホール６６が形成された箇所及びその周辺を除く箇所における銅（Ｃｕ）層８５及び銅（Ｃｕ）層８７を取り除くべく、銅（Ｃｕ）層８７の上に感光性樹脂をフィルム化したエッチングレジストであるドライフィルムレジスト８８をラミネートし、露光及び現像により、前記不要な箇所を露出させたレジストパターンを形成する（図２１（ｄ）参照）。ここでは、ラミネートされたレジスト８８の幅が、図１４（ｊ）に示す工程でレジスト６８が設けられていない箇所の幅よりも長くなるように設定されている。
【００８７】
次に、ドライフィルムレジスト８８が形成されていない箇所における銅（Ｃｕ）層８５及び銅（Ｃｕ）層８７をエッチングし（図２１（ｅ）参照）、次いで、ドライフィルムレジスト８８を剥離する（図２１（ｆ）参照）。
【００８８】
次いで、図１６乃至図１９に示す工程を行い、スルーホール６６内に絶縁樹脂層８６が形成され、電着樹脂膜６５上における銅（Ｃｕ）層８５及び銅（Ｃｕ）層８７の幅が、図１９に示す銅（Ｃｕ）層６９の幅よりも長い多層配線基板を簡易に形成することができる。
【００８９】
ところで、上述の図１２（ｃ）に示す工程においては、コア基板６１に、どの箇所においても均一な直径ＤＣを有するクリアランスホール６２を貫通形成しているが、図２２又は図２３に示す方法を用いることにより、少なくともコア基板６１の上面及び下面部分においてテーパ形状を有するクリアランスホールを形成し、図１１に示す構造、即ち、テーパ形状のクリアランスホール上に、クリアランスホールの形状に沿って第１の導電層を形成する。次に、第１の導電層の形状に沿って電着樹脂膜を形成し、電着樹脂膜の形状に沿って銅（Ｃｕ）層を形成することができる。なお、図１２（ｃ）では２つのクリアランスホール６２が描かれているが、図２２及び図２３では、便宜上１つのクリアランスホールのみ描いている。
【００９０】
テーパ形状を有するクリアランスホールの形成にあっては、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程によりコア基板６１を形成した後に、図２２（ａ）に示すように、先端が鈍角を有するリーディングドリル９０を用いて、コア基板２１の両面にテーパ形状を有する凹部９１を形成する。凹部９１は、リーディングドリル９０の先端に対応した形状、即ち、コア基板２１の表面からコア基板２１の中心に向かって先細る形状を有する。
【００９１】
次に、図２２（ｂ）に示すように、リーディングドリル９０よりも幅の狭いドリル９２を用いて、凹部９１に、コア基板９１を貫通するクリアランスホール６２’を形成する。その結果、クリアランスホール６２’は、コア基板６１の上面及び下面からコア基板６１の中心側に向かって直径が小さくなるテーパ形状がコア基板６１の上面及び下面部分に形成されてなる形状を有する。
【００９２】
或いは、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程によりコア基板６１を形成した後に、図２３（ａ）に示すように、コア基板２１の一方の面に、ＹＡＧレーザを非線形結晶で波長変換を行ったレーザ紫外線（ＵＶ）−ＹＡＧレーザ９３を照射し、コア基板２１に略Ｖ字状に溝部９４を形成する。このときのＵＶ−ＹＡＧレーザ９３の照射条件を、例えば、波長を約３５５ｎｍ、出力を約５Ｗに設定してもよい。
【００９３】
次に、図２３（ｂ）に示すように、コア基板２１の他方の面に、上述のＵＶ−ＹＡＧレーザ９３を照射する。このときのＵＶ−ＹＡＧレーザ９３の照射条件を、例えば、波長を約３５５ｎｍ、出力を約５Ｗに設定してもよい。
【００９４】
その結果、コア基板６１の上面及び下面からコア基板６１の中心側に向かって直径が小さくなるテーパ形状がコア基板６１の上面及び下面部分に形成されたクリアランスホール６２”がコア基板２１内に貫通形成される
次に、図２２又は図２３の工程を経てクリアランスホール６２’又は６２”が形成されたコア基板６１に、図１２（ｄ）乃至図１９に示す工程を施す。その結果、テーパ形状のクリアランスホール６２’又は６２”上に、クリアランスホール６２’又は６２”の形状に沿った第１の導電層６３が形成され、第１の導電層６３の形状に沿った電着樹脂膜６５が形成され、電着樹脂膜６５の形状に沿った銅（Ｃｕ）層６９が形成されてなる多層配線基板を形成することができる。
【００９５】
即ち、上述のテーパ形状部分において、第１の導電層６３、電着樹脂膜６２及び銅（Ｃｕ）層６９を、当該テーパ形状に沿った略曲線状に形成することができ、当該テーパ形状における第１の導電層６３、電着樹脂膜６２及び銅（Ｃｕ）層６９の厚さを、クリアランスホール及びスルーホールにおける第１の導電層６３、電着樹脂膜６２及び銅（Ｃｕ）層６９の厚さよりも大きくすることができる。よって、クリアランスホールの開口外縁部分における第１の導電層６３と銅（Ｃｕ）層６９との短絡を更に確実に防止することができ、絶縁信頼性の向上を図ることができる多層配線基板を形成することができる。
【００９６】
ところで、本出願の発明者は、以下の方法を用いて、本発明の実施の形態に係る多層配線基板を製造した。
【００９７】
まず、厚さが０．２ｍｍのカーボンファイバシートとエポキシ系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層し、更に、その外側に、ガラス／エポキシプリプレグを１枚ずつ積層し、圧着させて成る厚さが１．０ｍｍの導電性コア基板を用意した。なお、カーボンファイバシートを包容するエポキシ系樹脂組成物には、組成物全体の１０ｗｔ％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０ｗｔ％のシリカフィラーとを混合した樹脂を用いた。上記材料により構成された導電性コア基板の平均熱膨張率は、約２５乃至２００℃の温度範囲において、面方向が２ｐｐｍ／℃、厚さ方向が８０ｐｐｍ／℃であった。
【００９８】
このような導電性コア基材に、直径０．５ｍｍのクリアランスホールを約１０００個形成し、これに無電解銅（Ｃｕ）めっき膜及び電解銅（Ｃｕ）めっき膜を形成した。
【００９９】
次に、銅（Ｃｕ）めっき膜上に、電着法により絶縁層を形成した。具体的には、銅（Ｃｕ）めっき膜を結線して直流電源を接続した導電性コア基板を、ステンレス製の容器を満たすポリイミド電着液中に浸漬した。導電性コア基板をポリイミド電着液に浸漬した状態で、定電圧法により１００Ｖ、１０クーロンの条件で１２０秒間通電し、ポリイミド樹脂を銅（Ｃｕ）めっき膜に被着させた。この後、ポリイミド樹脂が被着した導電性コア基板に対して、温度を９０℃に設定して３０分間乾燥処理をし、更に、温度を１８０℃に設定して３０分間乾燥処理を順次段階的に行った。この結果、平均膜厚が２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層を形成した。
【０１００】
電着法により形成された絶縁層に、基板の表裏を電気的に導通するスルーホールを形成した。そして、スルーホールの内壁部分に無電解銅（Ｃｕ）めっきを形成し、これをスルーホールにおけるめっきシード層とした。更に、電解銅（Ｃｕ）めっきにより、スルーホール内に銅（Ｃｕ）めっき膜を形成した。これをサブトラクティブ法によりパターニングし、多層配線基板のコアとなる部分を完成させた。
【０１０１】
次に、上記構造の表裏にエポキシ樹脂シートをラミネートして硬化し、レーザ加工でビア孔を形成し、ビア孔にセミアディティブ法により配線を形成した。これを順次繰り返して、片側に３層、両面で６層のビルドアップ配線を形成し、本発明の実施の形態に係る多層配線基板を完成させた。
【０１０２】
このように、本出願の発明者は、上述の実施例により、導電性コア基板のクリアランスホールの内壁面に膜状の絶縁層である電着樹脂膜が形成されるので、導電性コア基板と配線との間を確実に絶縁することができ、信頼性の高い多層配線基板を提供することができることが分かった。
【０１０３】
また、電着樹脂膜は、電着法により銅（Ｃｕ）めっき上に形成されているため、電着樹脂膜の膜厚を薄く且つ均一にすることができ、よって、コア基板に形成されたクリアランスホールの径を、小さくすることができることが分かった。
【０１０４】
更に、クリアランスホールの直径を、クリアランスホールと略同心状に貫通形成されているスルーホールの直径と略同等の大きさにすることができるため、スルーホールの狭ピッチ化を実現することができ、高密度で信頼性の高い多層配線基板を提供することができることが分かった。
【０１０５】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１０６】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え、導電性を有するコア基板と、
前記コア基板を貫通する第１の貫通孔と、
前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層と、
前記第１の導電層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を内壁とする第２の貫通孔と、
前記第２の貫通孔内に形成された第２の導電層と、
を有することを特徴とする配線基板。
（付記２）
付記１記載の配線基板であって、
前記絶縁層は、前記第１の貫通孔の内壁面を覆う部分と、前記第１の貫通孔の周辺を覆う部分とが一体的に形成されていることを特徴とする配線基板。
（付記３）
付記１又は２記載の配線基板であって、
前記絶縁層は、前記第１の導電層の端部を覆うことを特徴とする配線基板。
（付記４）
付記１乃至３いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第１の導電層及び前記絶縁層は略コの字型の断面を有することを特徴とする配線基板。
（付記５）
付記１乃至３いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第１の貫通孔はテーパ形状が形成された箇所を含み、
前記第１の貫通孔の当該テーパ形状に沿って前記第１の導電層が形成され、
前記絶縁層は、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有して前記第１の導電層上に形成されていることを特徴とする配線基板。
（付記６）
付記５記載の配線基板であって、
前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記絶縁層は、略曲線状に形成された箇所を含み、
前記テーパ形状が形成された箇所における前記絶縁層の厚さは、他の箇所における前記絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする配線基板。
（付記７）
付記１乃至６いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の導電層は、前記絶縁層と接していることを特徴とする配線基板。
（付記８）
付記１乃至７いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の貫通孔は、前記第１の貫通孔の直径より小さい直径を有し、前記第１の貫通孔と略同心状に形成されていることを特徴とする配線基板。
（付記９）
付記１乃至８いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の貫通孔の内部に樹脂が設けられていることを特徴とする配線基板。
（付記１０）
付記１乃至９いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の貫通孔の開口部上には電極部が設けられ、
前記電極部は前記第２の配線部に接続されていることを特徴とする配線基板。
（付記１１）
付記１乃至１０いずれか一項記載の配線基板であって、
前記コア基板と前記第１の導電層との間に絶縁部が形成されていることを特徴とする配線基板。
（付記１２）
付記１乃至１０いずれか一項記載の配線基板であって、
前記コア基材の構成材料は、炭素繊維、カーボンナノチューブ、インバー、及び４２アロイから構成される群から選択される材料を含むことを特徴とする配線基板。
（付記１３）
付記１乃至１２いずれか一項記載の配線基板であって、
前記絶縁層は、電着樹脂膜であることを特徴とする配線基板。
（付記１４）
付記１３記載の配線基板であって、
前記絶縁層の構成材料は、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする配線基板。
（付記１５）
配線基板の製造方法であって、
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え導電性を有するコア基板に、第１の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の主面から前記第２の主面へ、前記第１の貫通孔を介して延在する第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を電源供給層とした電着法により、前記第１の主面から前記第２の主面に繋がる第２の貫通孔が形成されるように、前記第１の導電層上に絶縁層を形成する工程と、
前記第２の貫通孔内に第２の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記１６）
付記１５記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の導電層を形成する工程において、無電解めっき処理により前記第１の導電層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記１７）
付記１５又は１６記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２の導電層を形成する工程において、導電性シード層を前記絶縁層上に形成し、前記導電性シード層をパターニングした後、前記導電性シード層と同じ材料からなる第２の導電層をめっきすることを特徴する配線基板の製造方法。
（付記１８）
付記１５乃至１７いずれか一項記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の貫通孔を形成する工程において、ドリル加工により前記コア基板の前記第１の主面及び前記第２の主面にテーパ形状の凹部を形成した後、前記凹部の開口面の径よりも小さい径を有する前記第１の貫通孔を形成することを特徴する配線基板の製造方法。
（付記１９）
付記１５乃至１７いずれか一項記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の貫通孔を形成する工程において、レーザ加工により、前記テーパ形状部分を有する前記第１の貫通孔を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記２０）
付記１８又は１９記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の導電層を形成する工程において、前記テーパ形状に沿って前記第１の導電層を形成し、
前記絶縁層を形成する工程において、前記第１の導電層の形状に沿った形状を有する前記絶縁層を前記第１の導電層上に形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図２】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図３】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その３）である。
【図４】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その４）である。
【図５】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その５）である。
【図６】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その６）である。
【図７】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その７）である。
【図８】従来の配線基板の製造方法を説明するための図（その８）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る配線基板の基本構造を示す断面図である。
【図１０】図９に示す配線基板の変形例（その１）の構造を示す断面図である。
【図１１】図９に示す配線基板の変形例（その２）の構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その３）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その４）である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１８】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その７）である。
【図１９】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図（その８）である。
【図２０】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例１を説明するための図（その１）である。
【図２１】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例１を説明するための図（その２）である。
【図２２】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例２を説明するための図（その１）である。
【図２３】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法の変形例２を説明するための図（その２）である。
【符号の説明】
【０１０８】
２０、３０、８０      配線基板
２１、６１            コア基板
２２ａ                第１の絶縁層
２２ｂ                  第２の絶縁層
２４、６３            第１の導電層
２５                  第３の絶縁層
２６                  第２の導電層
２７、７４              電極
６２                  クリアランスホール
６６                  スルーホール
６５                  電着樹脂膜
６９                  銅層
９０、９２              ドリル
９３                    紫外線ＹＡＧレーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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