(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートリッジ収納部に関連してコネクタとグランド端子部が形成された情報処理装置に対して、着脱自在に装着されるメモリカートリッジであって、
その一方主面の大部分がグランド部で覆われ、その他方主面に前記コネクタと接続される外部接続端子が形成され、さらに所望の回路パターン部分が形成された基板、および、
その一方主面に前記グランド部の一部を露出するための開口部が形成された、前記基板を収納するハウジングを備え、
それによって、前記メモリカートリッジが前記カートリッジ収納部に装着されたとき、前記グランド部が前記開口部を介して前記情報処理装置のグランド端子部に電気的に接続されて、当該基板に生じる電磁波の不要輻射を除去することを特徴とする、メモリカートリッジ。
【請求項２】
前記開口部は、前記情報処理装置内のコネクタに前記メモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端近傍の一辺に沿って帯状に形成される、請求項１に記載のメモリカートリッジ。
【請求項３】
前記グランド部は、前記基板の一方主面を覆う第１のグランド部と、他方主面を覆う第２のグランド部とを含み、
前記第１のグランド部と前記第２のグランド部とが電気的に接続される、請求項１に記載のメモリカートリッジ。
【請求項４】
前記基板は、外部接続端子を複数含みかつ複数の外部接続端子のそれぞれがその他方主面における、前記情報処理装置内のコネクタに前記メモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端部近傍の一辺に沿うように間隔を開けて形成され、
前記基板の一方主面を覆うグランド部は、前記基板の前記複数の外部接続端子とは反対面に幅広く形成されたグランド電極と、基板の一方主面の大部分を覆うシールド部材とを含んで構成される、請求項１または請求項２に記載のメモリカートリッジ。
【請求項５】
前記グランド電極は、前記基板の一方主面における４辺に沿って幅広く形成される第１のグランド電極であり、
前記基板は、所望の回路パターンに関連して半導体部品が他方主面に実装され、当該所望の回路パターンの形成領域と半導体部品の実装領域を除く領域に形成される第２のグランド電極を含み、
前記第１のグランド電極と前記第２のグランド電極が電気的に接続される、請求項４に記載のメモリカートリッジ。
【請求項６】
前記シールド部材は、前記基板の一方主面の大部分を覆いかつ前記第１のグランド電極に電気的に接続される第１のシールド部材であり、
前記メモリカートリッジは、前記半導体部品ならびに前記基板の他方主面の大部分を覆う第２のシールド部材をさらに備え、
前記第２のシールド部材は、前記第２のグランド電極と電気的に接続される、請求項５に記載のメモリカートリッジ。
【請求項７】
前記第２のグランド電極は、前記複数の外部接続端子の形成された辺を除く３辺であって、前記所望の回路パターンの周囲を囲むように幅広く形成され、
前記第２のシールド部材は、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、前記半導体部品を覆う領域の面と、前記第２のグランド電極に対向する領域の面とが段差状に形成される、請求項６に記載のメモリカートリッジ。
【請求項８】
前記グランド部は、前記開口部において凸状に形成される、請求項１に記載のメモリカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メモリカートリッジに関し、特に例えばビデオゲーム機や携帯ゲーム機等の情報処理装置に着脱自在に装着されるメモリカートリッジ等において、電磁波の不要輻射を軽減するための改良されたメモリカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオゲーム機や携帯ゲーム機等のＣＰＵを用いて所定の情報処理を行う情報処理装置においては、ＲＯＭカートリッジ又はＲＡＭカートリッジ等のメモリカートリッジが着脱自在に装着される。メモリカートリッジは、情報処理装置本体のＣＰＵクロック周波数の高速化にともない、１０メガＨｚ以上の電磁波が外部に漏れることにより不要輻射を発生し、ＣＰＵを内蔵する周辺の情報処理装置又は電子機器（コンピュータ，携帯情報端末，ペースメーカ等）に悪影響を与えたり、誤動作の原因の１つとなる場合がある。斯かる電磁波の不要輻射に対する法規制として米国のＦＣＣがあり、任意規制として日本のＶＣＣＩがある。従来のメモリカートリッジは、周辺の情報処理装置等への悪影響を防止し又は不要輻射を軽減するために、金属製のシールド板を内蔵し、シールド板の一部と基板のグランド（接地）端子を電気的に接続し、そのグランド端子が情報処理装置本体に内蔵されるコネクタのグランド端子を介して不要輻射を吸収していた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、カートリッジ内にシールド板を収納しかつそれを情報処理装置内のコネクタのグランド端子を介して情報処理装置本体のグランド端子に電気的に接続するだけでは、電磁波の不要輻射を十分に軽減できず、また情報処理装置本体内のＣＰＵクロック周波数が高くなるに従って電磁波の不要輻射による影響が増大することが知られている。
【０００４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、新規なメモリカートリッジを提供することである。
この発明の他の目的は、簡単な構成かつ安価にして、電磁波の不要輻射による影響を軽減し得る、メモリカートリッジを提供することである。
この発明のその他の目的は、組み立てが容易で量産性に優れ、一層安価に製造し得る、電磁波の不要輻射対策をした、メモリカートリッジを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の発明（請求項１に係る発明）は、カートリッジ収納部に関連してコネクタとグランド端子部とが形成された情報処理装置に対して、着脱自在に装着されるメモリカートリッジであって、基板とハウジングとを備える。基板は、その一方主面の大部分がグランド部で覆われ、その他方主面に前記コネクタと接続される外部接続端子が形成され、さらに所望の回路パターン部分が形成される。ハウジングは、その一方主面に前記グランド部の一部を露出するための開口部が形成される。それによって、メモリカートリッジがカートリッジ収納部に装着されたとき、グランド部が開口部を介して情報処理装置のグランド端子部に電気的に接続されて、当該基板に生じる電磁波の不要輻射を除去する。
【０００６】
ある実施態様では、開口部は、情報処理装置内のコネクタにメモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端近傍の一辺に沿って帯状に形成される。
他の実施態様では、グランド部は、基板の一方主面を覆う第１のグランド部と、他方主面を覆う第２のグランド部とを含み、第１のグランド部と第２のグランド部とが電気的に接続される。
他の実施態様では、基板は、外部接続端子を複数含みかつ複数の外部接続端子のそれぞれがその他方主面における、情報処理装置内のコネクタにメモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端部近傍の一辺に沿うように間隔を開けて形成される。基板の一方主面を覆うグランド部は、基板の前記複数の外部接続端子とは反対面に幅広く形成されたグランド電極と、基板の一方主面の大部分を覆うシールド部材とを含んで構成される。
【０００７】
さらに他の実施態様では、グランド電極は、基板の一方主面における４辺に沿って幅広く形成される第１のグランド電極である。基板は、所望の回路パターンに関連して半導体部品が他方主面に実装され、当該所望の回路パターンの形成領域と半導体部品の実装領域を除く領域に形成される第２のグランド電極を含む。そして、第１のグランド電極と前記第２のグランド電極が電気的に接続される。
その他の実施態様では、シールド部材は、基板の一方主面の大部分を覆いかつ第１のグランド電極に電気的に接続される第１のシールド部材である。メモリカートリッジは、半導体部品ならびに基板の他方主面の大部分を覆う第２のシールド部材を備える。そして、第２のシールド部材は、第２のグランド電極と電気的に接続される。
その他の実施態様では、第２のグランド電極は、複数の外部接続端子の形成された辺を除く３辺であって、所望の回路パターンの周囲を囲むように幅広く形成される。第２のシールド部材は、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、半導体部品を覆う領域の面と、第２のグランド電極に対向する領域の面とが段差状に形成される。
その他の実施態様では、グランド部は、開口部において凸状に形成される。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、新規なメモリカートリッジが得られる。
また、この発明によれば、簡単な構成かつ安価にして、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、メモリカートリッジが得られる。
さらに、この発明によれば、組み立てが容易で量産性に優れ、一層安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の一実施例であるメモリカートリッジの外観図である。
【図２】カートリッジの分解斜視図である。
【図３】カートリッジに収納される基板の詳細図である。
【図４】カートリッジとビデオゲーム機との一部断面図である。
【図５】カートリッジとビデオゲーム機との関係を説明するためのコネクタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【００１０】
図１はこの発明の一実施例であるメモリカートリッジの外観図である。図２はメモリカートリッジの分解斜視図である。図３は基板の詳細図である。次に、図１ないし図３を参照して、メモリカートリッジ（以下「カートリッジ」と略称する）１０の構成を説明する。
カートリッジ１０は、図１及び図２に示すように、ハウジング１１内に基板１２とシールド部材１３を収納して構成される。ハウジング１１は、その平面形状が扁平な矩形に選ばれ、上ハーフ１１ａと下ハーフ１１ｂとから構成され、図１（ａ）に示す表面と図１（ｂ）に示す裏面を有する。ハウジング１１は、適用されるゲーム機２０（図４参照）内のコネクタ２２（図４参照）に装着される挿入方向先端部分に、開口端面部１１１が形成される。開口端面部１１１には、開口端部１１２が形成される。ハウジング１１の一方主面の一方側面（又は、必要に応じて両側面）には、逆指しを防止するとともに、カートリッジ１０の装着時にガイドするためのテーパー部１１３が形成される。さらに、ハウジング１１の一方主面（図１の実施例では裏面）には、基板１２のグランド電極とシールド部材１３に対向する一方主面であって、シールド部材１３の一部を露出するための開口部１１４が形成される。
【００１１】
より具体的には、基板１２は、その他方主面の平面形状が図３（ａ）に示すように、縦長の長方形の絶縁基板１２１であって、上辺の左右の角を小さな正方形状に切欠いた切欠部１２２ａと、下辺の左右の角を小さな縦長の長方形状に切欠いた切欠部１２２ｂとを有し、左右の耳部分１２３に取付孔１２４を形成して構成される。基板１２の下辺部１２５には、外部接続端子１２６が横方向に複数個形成される。外部接続端子１２６は、より好ましくは、下辺の幅が小さくても多数形成できるように、幅方向に膨らみを有する端子部分が１つずつ交互に千鳥状に配置される。
【００１２】
基板１２の中央部には、ＲＯＭ又はＲＡＭ若しくはフラッシュメモリ等の各種メモリ（半導体電子部品）１４を実装するための端子１２７が複数形成される。この複数の端子１２７と複数の外部接続端子１２６とのそれぞれ対応関係を有するものが所望の回路パターンで接続される。基板１２の耳部分１２３及び上辺部分には、複数の端子１２７と所望の回路パターン（図示を省略）を囲むように、大きな面積のグランド電極１２８ａが形成される。一方、基板１２の一方主面（裏面）には、図３（ｂ）に示すように、所望の回路パターン部分１２９を囲むように、大きな面積のグランド電極１２８ｂが形成される。このグランド電極１２８ｂは他方主面（表面）のグランド電極１２８ａと電気的に接続される。換言すると、（第１の）グランド電極１２８ｂは、図３（ｂ）に示すように、所望の回路パターン部分１２９を囲む左右の耳部分１２３と上辺部分と下辺部分の４つの辺に沿って幅広く形成される。そのうちの下辺部分の（第１の）グランド電極１２８ｂが複数の外部接続端子１２６の形成面（表面）とは反対面（裏面）であって、少なくとも開口端面部１１１の近傍の一辺に沿って幅広く形成され、かつその一部が（第２の）グランド電極１２８ａと電気的に接続される。また、（第２の）グランド電極１２８ａは、図３（ａ）に示すように、複数の外部接続端子１２６の形成された下辺部分を除く左右の耳部分１２３と上辺部分の３辺であって、所望の回路パターン（図示を省略）の周囲を囲むように幅広く形成される。
【００１３】
再度、図２を参照して、上ハーフ１１ａには、開口部１１２を除く開口端面部１１１と左右側面と開口端面部１１１に対向する辺（図１（ａ）から見て上辺）に、壁面１１５が形成される。同様に、下ハーフ１１ｂには、開口部１１２を除く開口端面部１１１と左右側面と開口端面部１１１に対向する辺（図１（ａ）から見て上辺）の３辺に、壁面１１６が形成される。下ハーフ１１ｂの壁面１１６は、平面的に見て上ハーフ１１ａの壁面１１５よりも外側に形成され、上ハーフ１１ａを下ハーフ１１ｂに組み合わせたときに、壁面１１５が内接するように構成される。
【００１４】
これらの壁面１１５及び／又は壁面１１６に関連して、複数の位置決部材１１７が形成される。この位置決部材１１７は、基板１２の上部の角（切欠部１２２ａに接する角）に当接して位置決めする位置決部１１７ａと、基板１２の下部の側面（切欠部１２２ｂに接する側面）に当接して位置決めする位置決部１１７ｂとを含む。なお、位置決部材１１７は、その形状と形成する位置によって、１個で構成してもよい。
【００１５】
シールド部材１３は、ハウジング１１内に収納され、基板１２の少なくとも一方主面（図２の実施例では裏面）の大部分を覆いかつグランド電極に電気的に接続される。具体的には、シールド部材１３は、好ましくは、表面のシールド板１３ａ（第２のシールド部材）と裏面のシールド板１３ｂ（第１のシールド部材）を含む。両シールド板１３ａ，１３ｂは、金属板等の導電性材料が使用される。シールド板１３ａは、基板１２の耳部分１２３及び上辺部分を除く形状の平面部分１３１を有し、かつ半導体部品１４の厚みより若干大きな高さの部分から基板１２の耳部分１２３及び上辺部分に接するような形状の折り曲げ部１３２，１３３を有するように構成される。換言すると、シールド板１３ａ（第２のシールド部材）は、図２の右列最上部に示すように、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、半導体部品１４を覆う領域面と、（第２の）グランド電極１２８ａに対向する領域面とが段差状に形成される。平面部分１３１の下方側面には、位置決用突起１３５が形成される。
【００１６】
一方、シールド板１３ｂは、基板１２に対応する平面形状を有し、開口端部１１２に近傍の開口部１１４に対応する領域にシールド凸状部１３４が形成される。この凸状部１３４は、開口部１１４から露出するように、横方向に帯状に突出して形成される。また、開口端部１１２の隙間を塞ぐために、スペーサ１５が設けられる。スペーサ１５は、側面から見て「コ」字状の樹脂材料で形成される。
【００１７】
次に、カートリッジ１０を組み立てる場合を説明する。上述のように形成されたハウジング１１の上ハーフ１１ａ，下ハーフ１１ｂ，半導体部品１４の実装された基板１２，シールド板１３ａ及び１３ｂならびにスペーサ１５が準備される。まず、上ハーフ１１ａが図２に示すように裏向きで載置される。上ハーフ１１ａの上には、シールド板１３ａが図２に示す状態とは逆の面を下向きにして、上ハーフ１１ａの上に位置決めされて載置される。
【００１８】
シールド板１３ａの載せられた上ハーフ１１ａの上には、スペーサ１５と基板１２が図２に示す状態とは逆の面を下向きにして位置決めされて載せられる。その上には、シールド板１３ｂが図２に示す状態とは逆の面となるように、位置決めされて載置される。その上には、下ハーフ１１ｂが位置決めされて載せられる。その後、ネジ１６によってネジ止めされることにより、シールド板１３ａ，スペーサ１５，基板１２及びシールド板１３ｂが上ハーフ１１ａと下ハーフ１１ｂによって挟まれた状態で、ハウジング１１内で収納されることになる。
【００１９】
このようにして組み立てられたとき、シールド板１３ｂの凸状部１３４は開口部１１４から露出した状態で保持され、かつ基板１２の複数の外部接続端子１２７が開口端部１１２から露出した状態となる。
【００２０】
次に、カートリッジ１０が適用される情報処理装置の一例のビデオゲーム機とカートリッジとの関係について説明する。図４はカートリッジとビデオゲーム機との一部断面図である。図５はカートリッジとビデオゲーム機との関係を説明するためのコネクタの断面図である。
【００２１】
図４を参照して、ビデオゲーム機２０は、ハウジング２１を含む。ハウジング２１の上面には、光学ディスク（例えばＤＶＤ，ＣＤ−ＲＯＭ又はこれに類するもの）を装着するためのディスク装着部２２が形成される。ディスク装着部２２には、蓋２３が開閉自在に装着される。また、ハウジング２１の正面又は前面パネルには、ゲーム機用操作器（コントローラ；図示せず）を接続するためのコントローラ用コネクタ２４が設けられるとともに、上述のカートリッジ１０を装着するためのカートリッジ用コネクタ３０が設けられる。
【００２２】
コネクタ３０は、図５（ａ）に示すような外観形状を有しかつ図５（ｂ）に示すような断面形状をしたハウジング３１を含む。ハウジング３１は、カートリッジ１０を受け入れ可能な収納部３２を有し、カートリッジ１０の複数の外部接続端子１２７と電気的に接続される複数の接点端子３３を収納部３２内に一体的に形成して構成される。ハウジング３１の収納部３２の下部には、開口部３４が形成される。コネクタ３０には、カートリッジ１０が装着されたときのシールド凸状部１３４に対向する位置に、シールド接点３５が形成される。すなわち、シールド接点３５は、開口部３４を介してシールド凸状部１３４に電気的に接続し得る位置に、ハウジング３１と一体的に形成される。
【００２３】
次に、カートリッジ１０をビデオゲーム機２０に装着した場合の作用を説明する。プレイヤは、ゲームプレイの開始に先立って、カートリッジ１０を収納部３２へ挿入することにより、ビデオゲーム機２０のコネクタ３０に装着する。そして、カートリッジ１０の外部接続端子１２７がコネクタ３０の対応する接点端子３３に接続されることにより、ビデオゲーム機２０から電力がカートリッジ１０に供給される。このとき、ビデオゲーム機２０に含まれるＣＰＵ（図示せず）によって、カートリッジ１０内の半導体電子部品の一例メモリ１４がアクセスされ、記憶されているデータが読み出され、又はゲームの進行状態を表すバックアップデータがメモリ１４に書込まれる。ＣＰＵが外部メモリなどをアクセスするとき、高周波クロックを供給して同期を取りながらアクセスする。
【００２４】
しかし、クロック周波数が１０ＭＨｚ以上の高周波の場合、電磁波による不要輻射（ＥＭＩ）が発生する。その場合、カートリッジ１０の基板１２から発生される不要輻射（又はＥＭＩノイズ）は、シールド板１３ａ，１３ｂによって電磁シールドされ、シールド凸状部１３４及びシールド接点３５を介してビデオゲーム機２０内のグランド端子（図示せず）からアースされて除去されることになる。そのため、コネクタ３０の収納部３２（結果としてビデオゲーム機１０）より一部が露出しているカートリッジ１０から、不要輻射が漏れることを防止でき、ビデオゲーム機２０の周辺にある情報処理装置又はその他の電子機器に悪影響を及ぼすのを防止することができる。
【００２５】
上述の実施例では、メモリカートリッジとしてＲＡＭカートリッジの場合を説明したが、この発明の技術思想はその他のメモリや、各種半導体電子部品を内蔵するカートリッジに適用できる。また、情報処理装置として、ビデオゲーム機の場合を説明したが、携帯ゲーム機等の他の情報処理装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００２６】
１０；メモリカートリッジ（カートリッジ）
１１；ハウジング
１１４；開口部
１１５,１１６；壁面
１１７；位置決部材
１２；基板
１２３；耳部分
１２８ａ，１２８ｂ；グランド電極
１３；シールド部材
１３ａ，１３ｂ；シールド板
１３２，１３３；折り曲げ部
１３４；シールド凸状部
１４；半導体部品
１５；スペーサ
２０；ビデオゲーム機
２１；ビデオゲーム機本体ハウジング
２２；ディスク装着部
３０；カートリッジ用コネクタ
３２；収納部
３４；開口部
３５；シールド接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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