(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極上と、隣接する前記画素電極間に形成された隔壁上と、にそれぞれ有機化合物含有液を滴下する滴下工程と、
前記有機化合物含有液の溶媒を乾燥させる乾燥工程と、
を備え、
前記画素電極は、互いに所定の間隔で配置されており、
前記滴下工程は、前記画素電極の配置された間隔の１／ｎ（ｎは正の整数）のピッチで、前記有機化合物含有液を滴下することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
画素電極上と、隣接する前記画素電極間に形成された隔壁上と、にそれぞれ有機化合物含有液を滴下する滴下工程と、
前記有機化合物含有液の溶媒を乾燥させる乾燥工程と、
を備え、
前記滴下工程では、インクジェットによって、画素電極上と、隣接する前記画素電極間に形成された隔壁上とに同期して液滴が吐出されることを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた発光装置の製造方法に関する。    
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶発光装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた発光装置の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極間に形成された電子注入層、正孔注入層、発光層等の有機ＥＬ層とを備える。有機ＥＬ素子では、発光層において正孔注入層、電子注入層からそれぞれ供給された正孔と電子とが再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。
【０００４】
有機ＥＬ素子を用いた発光装置において、基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、有機材料からなる液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ発光装置については、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような有機ＥＬ素子を用いた発光装置では、各有機ＥＬ層の膜厚が不均一であると、発光にむらが生じる。従って、有機ＥＬ層の厚みにむらが少ない発光装置が求められている。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、有機ＥＬ素子の有機層が比較的均一な厚みに形成された発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る発光装置の製造方法は、画素電極上と、隣接する前記画素電極間に形成された隔壁上と、にそれぞれ有機化合物含有液を滴下する滴下工程と、前記有機化合物含有液の溶媒を乾燥させる乾燥工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項1にかかる発明において、前記画素電極は、互いに所定の間隔で配置されており、前記滴下工程は、前記画素電極の配置された間隔の１／ｎ（ｎは正の整数）のピッチで、前記有機化合物含有液を滴下する。
【０００９】
請求項２にかかる発明において、前記滴下工程では、インクジェットによって、画素電極上と、隣接する前記画素電極間に形成された隔壁上とに同期して液滴が吐出される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、有機ＥＬ素子の有機層を比較的均一に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法について図を用いて説明する。
【００１３】
本実施形態に係る発光装置は、図１に示すように、単色の画素３０が行方向（図１の左右方向）に複数配列されるとともに、列方向（図１の上下方向）にも単色の画素３０が複数配列されている。
【００１４】
各画素３０の構成例を示す等価回路を図２に示す。各画素３０は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをアクティブ動作する画素回路ＤＳとを備えており、画素回路ＤＳは、トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、トランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、キャパシタＣｓと、を備える。図２に示すトランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２は、いずれもｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタであるが、これに限らず、少なくとも一方がｐチャネル型でもよく、ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
【００１５】
発光装置１０には、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳに接続された複数のアノードラインＬａと、それぞれ所定列に配列された複数の画素回路ＤＳに接続されたデータラインＬｄと、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路ＤＳのトランジスタＴｒ１１を選択する複数の走査ラインＬｓと、が形成されている。
【００１６】
図２に示すように選択トランジスタＴｒ１１のゲート端子は走査ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネルの列方向に配設されたデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１にそれぞれ接続される。また、発光駆動トランジスタＴｒ１２のゲート端子は接点Ｎ１１に接続されており、ドレイン端子は供給電圧ラインＬａに、ソース端子は接点Ｎ１２にそれぞれ接続されている。キャパシタＣｓは、各端がトランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子に接続されている。なお、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくはこれらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（画素電極３４）が接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（対向電極４０）に基準電圧Ｖｓｓが印加されている。なお、トランジスタＴｒ１１及びトランジスタＴｒ１２がｐチャネル型の電界効果型トランジスタの場合は、それぞれソース端子及びドレイン端子が図２とは逆に接続される。
【００１７】
走査ラインＬｓは、表示パネルの周縁部に配置された走査ドライバ（図示せず）に接続されており、所定タイミングで表示パネルの行方向に配列された複数の画素３０を選択状態に設定するための選択電圧信号（走査信号）Ｓｓｅｌが印加される。また、データラインＬｄは、表示パネルの周縁部に配置されたデータドライバ（図示せず）に接続され、上記画素３０の選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧（階調信号）Ｖｐｉｘが印加される。走査ドライバ及びデータドライバは別個のＩＣチップであってもよく、同一のＩＣチップでもよい。
【００１８】
各行ごとに配列された複数のトランジスタＴｒ１２が、当該トランジスタＴｒ１２に接続された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極３４（例えばアノード電極）に表示データに応じた発光駆動電流を流す状態に設定するように、複数のアノードラインＬａ（供給電圧ライン）は、いずれも所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されている。つまり、アノードラインＬａは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極４０に印加される基準電圧Ｖｓｓより十分電位の高い所定の高電位（供給電圧Ｖｄｄ）が印加される。また、対向電極４０は、例えば、所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、画素基板３１上に２次元配列された全ての画素３０に対して単一の電極層により形成されており、所定の低電圧（基準電圧Ｖｓｓ，例えば接地電位ＧＮＤ）が共通に印加されるように設定されている。
【００１９】
すなわち、各画素において、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ、供給電圧Ｖｄｄと基準電圧Ｖｓｓを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、更に階調信号Ｖｐｉｘに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素回路ＤＳにより制御している。
【００２０】
次に、本実施形態の発光装置１０の平面図を図３に示す。また、図４は図３に示すIV−IV線断面図である。なお、図３では、正孔注入層３６、発光層３７、及び対向電極４０の図示を省略している。また、本実施形態の発光装置１０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが設けられている画素基板３１側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型である。
【００２１】
画素基板３１は、透光性を備える材料から形成され、例えばガラス基板である。また、画素基板３１上にはゲート電極１１ｇ，１２ｇ及び絶縁膜３２が形成される。
【００２２】
絶縁膜３２は、絶縁性材料、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等から構成され、ゲート電極１１ｇ，１２ｇを覆うように画素基板３１上に形成される。また、絶縁膜３２はゲート電極１１ｇ，１２ｇが形成された領域においてトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート絶縁膜として機能する。
【００２３】
トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）である。トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、それぞれ画素基板３１上に形成される。また、トランジスタＴｒ１１は半導体層１１１と、保護絶縁膜１１２と、オーミックコンタクト層１１３，１１４と、ソース電極１１ｓと、ドレイン電極１１ｄと、ゲート電極１１ｇと、を備える。トランジスタＴｒ１２は、トランジスタＴｒ１１と同様に半導体層１２１と、保護絶縁膜１２２と、オーミックコンタクト層１２３，１２４と、ソース電極１２ｓと、ドレイン電極１２ｄと、ゲート電極１２ｇと、を備える。また、トランジスタＴｒ１２のソース電極１２ｓは画素電極３４に接続される。
【００２４】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２において、ゲート電極１１ｇ，１２ｇは、例えば、アルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−チタン−ネオジウム（ＡｌＴｉＮｄ）、またはクロム（Ｃｒ）から形成される。また、ドレイン電極１１ｄ，１２ｄ、ソース電極１１ｓ，１２ｓは、それぞれ例えばＡｌＴｉ／Ｃｒ、ＡｌＴｉＮｄ／ＣｒまたはＡｌＴｉＮｄから形成されている。また、それぞれのドレイン電極１１ｄ，１２ｄ及びソース電極１１ｓ，１２ｓと半導体層１１１，１２１との間には低抵抗性接触のため、オーミックコンタクト層１１３，１１４，１２３，１２４が形成される。
【００２５】
絶縁膜３２上に形成される画素電極（アノード電極）３４は、発光装置１０がボトムエミッション型であれば、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成される。本実施形態では、厚さ５０ｎｍのＩＴＯから構成される。なお、トップエミッション型の発光装置１０であれば、例えばＡｌ等の光反射性の金属層及びその上に積層された上述のＩＴＯ等の透明導電層の２層構造でもよい。また、各画素電極３４は、隣接する他の画素３０の画素電極３４と層間絶縁膜３５によって絶縁されている。
【００２６】
層間絶縁膜３５は、絶縁材料から形成され、例えば、本実施形態では、厚さ２０ｎｍのＳｉＮから構成される。層間絶縁膜３５は、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を保護する保護絶縁膜であって、画素電極３４間に配置されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を覆うように形成され、隣接する画素電極３４間を絶縁する。また、層間絶縁膜３５は画素電極３４を開口する開口３５ａを備え、開口３５ａによって画素３０の発光領域が画定される。
【００２７】
正孔注入層３６は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。例えば、本実施形態では、導電性ポリマであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）及びドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）に高沸点溶媒（例えば、エチレングリコール、N-メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１,３-ジメチル-２-イミダゾリジノン（ＤＭＩ）等）や界面活性剤を適宜混合した溶液が用いられる。正孔注入層３６は、画素電極３４、層間絶縁膜３５、及び隔壁３８上に形成される。特に本実施形態では、詳細に後述するように、正孔注入層３６は、画素電極３４、層間絶縁膜３５及び隔壁３８上に、溶液を滴下し、表示領域内全体に溶液を塗布する。このため、正孔注入層３６は、画素電極３４上のみでなく、層間絶縁膜３５及び隔壁３８上にも形成されている。このように、溶液を表示領域内全体に塗布し、レベリングさせることによって、正孔注入層３６の膜厚に発生するムラを抑制することができ、正孔注入層３６は比較的均一な厚みを有する。なお、表示領域とは、画素基板３１上の画素３０が形成された領域を示す。
【００２８】
発光層３７は、正孔注入層３６上に形成される。発光層３７は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。発光層３７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマを含む発光材料から構成される。また、これらの発光材料は、適宜高沸点芳香族系溶媒（例えばテトラリン、テトラメチルベンゼン等）に溶解した溶液をインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成する。また、本実施形態では、発光装置１０は全ての画素３０から単色の光が発せられるため、全ての画素３０の正孔注入層３６と発光層３７とはいずれも同じ材料で形成されることになる。このため、正孔注入層３６と同様に、画素電極３４上のみでなく、層間絶縁膜３５及び隔壁３８上にも形成されている。このように、発光層３７を形成する際、溶液を表示領域内全体に塗布し、レベリングさせることによって、発光層３７の膜厚にムラが発生を抑制することができ、発光層３７は比較的均一な厚みを有する。
【００２９】
隔壁３８は、樹脂、例えば感光性ポリイミドから構成され、層間絶縁膜３５上に形成される。図３及び図４に示すように、隔壁３８は横断面形状が方形に形成され、列方向に（図３に示す縦方向）延びるように、ストライプ状に形成される。隔壁３８の厚みは、１〜５μｍ程度が好適である。
【００３０】
また、対向電極（カソード電極）４０は、導電材料、例えばＣａ，Ｂａ等仕事関数の低い材料からなる層と、仕事関数の低い材料の酸化を抑えるために仕事関数の低い材料の層を覆うとともに全体のシート抵抗を下げるためのＡｌ等の光反射性導電層からなる２層構造である。本実施形態では、対向電極４０は複数の画素３０に跨って形成される単一の電極層から構成され、電圧Ｖｓｓが印加されている。
【００３１】
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法について図５〜１１を用いて説明する。
【００３２】
まず、ガラス基板等からなる画素基板３１を用意する。次にこの画素基板３１上に、スパッタ法、真空蒸着法等によりＡｌＴｉＮｄ等の金属膜を形成し、パターニングすることにより、図５（ａ）に示すようにゲート電極１１ｇ，１２ｇの形状にパターニングする。
【００３３】
続いて、図５（ｂ）に示すようにＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によりゲート電極１１ｇ，１２ｇ上にシリコン窒化膜等の絶縁膜３２を形成する。
【００３４】
次に図５（ｃ）に示すように、絶縁膜３２上に、半導体層１１１，１２１となるアモルファスシリコン膜及び保護絶縁膜１１２，１２２となるシリコン窒化膜を連続して堆積し、フォトリソグラフィによりシリコン窒化膜をパターニングして保護絶縁膜１１２，１２２を形成する。次いで、アモルファスシリコンにｎ型不純物が含まれた半導体層をＣＶＤ法によって成膜し、フォトリソグラフィによって、アモルファスシリコンにｎ型不純物が含まれた半導体層及びアモルファスシリコン膜をパターニングして、オーミックコンタクト層１１３，１１４，１２３，１２４及び半導体層１１１，１２１を形成する。
次に、スパッタ法、蒸着等により、ＩＴＯ等の導電膜を堆積し、フォトリソグラフィによって、絶縁膜３２上に画素電極３４をパターニング形成する。
その後、ソース−ドレインメタル層をスパッタ法、真空蒸着法等により連続して成膜する。そして、フォトリソグラフィのレジストマスクを用いたエッチングによって、ソース−ドレインメタル層をパターニングしてドレイン電極１１ｄ，１２ｄ及びソース電極１１ｓ，１２ｓを形成する。
【００３５】
続いて、図６（ａ）に示すように、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２等を覆うようにシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜３５をＣＶＤ法等により形成する。次に、フォトリソグラフィ等により画素３０の発光領域に対応する領域に開口３５ａを形成し、画素電極３４を露出させる。
【００３６】
次に、図６（ｂ）に示すように、画素基板３１上に、絶縁性を備える材料、例えば感光性ポリイミド層を形成した上で、ポリイミド層に隔壁に対応する形状に形成されたフォトマスクを介して露光、現像することにより画素電極３４上が露出し且つ開口３５ａ近傍の層間絶縁膜３５が露出するような、開口３５ａより幅の広い開口３８ａを有する隔壁３８を形成する。隔壁３８の開口３８ａは、図３に示すように、列方向にストライプ状に延びている。隔壁３８は、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２及びデータラインＬｄを覆うように形成され、これらが対向電極４０の電界に干渉されることを防止する程度の十分な厚さとなっている。
【００３７】
続いて、画素基板３１上を純水で洗浄、乾燥し、その後減圧条件下で酸素プラズマ処理を行うことで、画素電極３４、隔壁３８の表面に液体がなじみやすくなるよう、親液化処理を施す。ここで、親液とは、例えば正孔注入層となる正孔注入材料を含有する有機化合物含有液、もしくはこれらの溶液に用いる有機溶媒を絶縁性基板上等に滴下して接触角を測定した場合に、当該接触角が３０°未満になる状態と規定する。
【００３８】
次に、図７、図８に示すように、複数の吐出口２０ａを備えたインクジェットヘッド２０が矢印方向に相対的に移動するように、インクジェットヘッド２０或いは画素基板３１を載置するステージを移動させながら、正孔注入材料（例えばＰＥＤＯＴ）に界面活性剤（PEDOT：PSSは強酸性を示すため、陽イオン性活性剤、例えば、アルキルアミン塩、第四級アンモニウム塩等、または両性界面活性剤、例えば、アルキルペタインなど、および非イオン性界面活性剤、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル等が好ましい。）や高沸点溶媒（例えばエチレングリコール、ＮＭＰ、ＤＭＩ等）を適宜混合したＰＥＤＯＴ溶液の液滴３６ｃを、インクジェットヘッド２０の複数の吐出口２０ａから同期して吐出して、表示領域全域に塗布する。吐出口２０ａの間隔は、図８に示す飛滴着弾位置２５の間隔と同じ大きさに設定されている。隣接する吐出口２０ａから吐出される飛滴着弾位置２５の間隔は、隣接する吐出口２０ａの間隔ｔとし、インクジェットヘッド２０の相対的な進行方向（矢印方向）に対する複数の吐出口２０ａの配列方向の角度θとなるようにインクジェットヘッド２０を傾けることで、ｔ・ｓｉｎθとなるように制御することができる。ＰＥＤＯＴ溶液の液滴３６ｃは、図８に示した均一なピッチで設定された飛滴着弾位置２５上に滴下される。なお、飛滴着弾位置２５は液滴の着弾位置であって液滴の径ではなく、着弾したときに液滴が広がる領域でもない。滴下された液滴３６ｃは、その近傍に滴下した液滴３６ｃと結合していき、やがて図７に示すようにＰＥＤＯＴ溶液３６ａを表示領域全域にわたって均一に展開させることができる。このように均一に展開されるため、全域の溶媒の蒸気圧が均等で且つ蒸発熱（吸収熱）による温度変化も全域で均等なので、全域にわたって均等に乾燥されることになり、乾燥が遅い部分に未乾燥の正孔注入材料溶液が静的に吸い寄せられて厚くなるということを抑制できる。このようなレベリング効果によってＰＥＤＯＴ溶液３６ａの厚みは表示領域内において比較的均一となる。本実施形態では、特に飛滴着弾位置２５は、画素電極３４、層間絶縁膜３５だけでなく、隔壁３８上にも設定される。このように隔壁３８上にも着弾させることにより、滴下されたＰＥＤＯＴ溶液の液滴３６ｃ同士の結合が容易となり、より均一に展開させることができる。その結果、より良好なレベリング効果を得ることができる。
【００３９】
また、特に本実施形態では飛滴着弾位置２５の間隔は、画素電極３４の配置を基準に設定されており、つまり、１ピクセル領域の寸法をもとに設定されている。例えば、図８に示す１ピクセル領域Ａの寸法が、ｙμｍ×ｙμｍであったとする。この時、飛滴着弾位置２５の間隔は、１ピクセル領域Ａの一辺ｙμｍを正の整数で除した値、例えばｙ／３μｍに設定される。このように、飛滴着弾位置２５の間隔は、１ピクセル領域Ａの一辺の間隔の１／ｎ（ｎは正の整数）となる。そして、飛滴着弾位置２５に、おおよそ２０〜３０ｐｌのＰＥＤＯＴ溶液３６ａを液滴として滴下する。このように、ＰＥＤＯＴ溶液の飛滴着弾位置２５の間隔と滴下量とを設定することにより、表示領域内に均一にＰＥＤＯＴ溶液３６ａを拡げることができる。
【００４０】
次に、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａが自然乾燥する前に、画素基板３１を減圧チャンバに搬送し乾燥を行なう。これにより、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａを表示領域全域にわたり均一に展開させた状態で、短時間で乾燥させることができる。
【００４１】
減圧チャンバにおいて画素基板３１の乾燥が終了すると、続いて、例えば大気雰囲気下、２００℃で１５分間加熱乾燥して、残留溶媒の除去を行なう。これにより、図９に示すように、表示領域全域にわたって均一な正孔注入層３６を形成することができる。
【００４２】
次に、図１０に示すように、発光材料（例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマを含む単色発光の発光材料）を含有した発光ポリマ溶液の液滴３７ｃをインクジェットヘッド２０の吐出口２０ａから吐出して、表示領域全域に塗布する。
【００４３】
発光ポリマ溶液の液滴３７ｃの飛滴着弾位置も、ＰＥＤＯＴ溶液の液滴３６ｃと同様に図８に示す飛滴着弾位置２５と同じ位置に設定し、飛滴着弾位置２５に、おおよそ２０〜３０ｐｌの発光ポリマ溶液の液滴３７ｃを滴下する。滴下された液滴３７ｃは、その近傍に滴下した液滴３７ｃと結合していき、やがて図１０に示すように発光ポリマ溶液３７ａを表示領域全域にわたって広がる。そのためレベリング効果により、発光ポリマ溶液３７ａを比較的均一な厚みとすることができる。
【００４４】
次に、画素基板３１上に塗布された発光ポリマ溶液３７ａが自然乾燥する前に、画素基板３１を減圧チャンバに搬送し乾燥を行なう。これにより、発光ポリマ溶液３７ａを表示領域全域にわたり均一に展開させた状態で、短時間で乾燥させることができる。
【００４５】
減圧チャンバにおいて画素基板３１の乾燥が終了すると、続いて、窒素雰囲気中１２０℃で３０分間加熱乾燥して、残留溶媒の除去を行なう。これにより、図１１（ａ）に示すように正孔注入層３６上の表示領域全域にわたり、比較的均一な厚みを有する発光層３７を形成することができる。
【００４６】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、発光層３７まで形成した画素基板３１上に、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ等の低仕事関数膜を４ｎｍ、Ａｌ合金膜を５００ｎｍ蒸着して、対向電極４０を形成する。
【００４７】
最後に、画素基板３１を真空中から窒素雰囲気中に搬送し、メタルキャップやガラス等の封止基板（図示せず）に、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を塗布したものと、画素基板３１とを貼り合わせした後、硬化させ、発光装置１０を完成させる。
【００４８】
本発明の実施の形態に係る発光装置の製造方法によれば、画素電極３４と層間絶縁膜３５と隔壁３８上に設定された着弾位置にＰＥＤＯＴ溶液の液滴３６ｃ及び発光ポリマ溶液の液滴３７ｃを着弾させ、近傍の液滴同士を結合させて、画素基板３１上の表示領域の全体にこれらの溶液を塗布する。これにより、レベリング効果によって、これらの溶液の厚みを比較的均一とすることができる。そのため、正孔注入層３６及び発光層３７を比較的均一な厚みに形成することができ、厚みにむらの少ない発光装置を製造することができる。
【００４９】
特に本実施形態では、飛滴着弾位置は均一なピッチで設定されており、更に飛滴着弾位置２５の間隔は、１ピクセル領域Ａの寸法（ｙμｍ）を正の整数で除した値（例えばｙ／３μｍ）に設定されている。そのため、画素電極３４、隔壁３８等の形状に合わせて、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａを規則的に滴下することができる。これにより、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａを表示領域全域にわたって均一に展開することができ、比較的均一でむらの少ない正孔注入層３６及び発光層３７を形成することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａと発光ポリマ溶液３７ａとの溶媒に高沸点溶媒を使用しているため、これらの溶液が画素基板３１上に塗布された後もすぐに乾燥することはない。そのため、滴下したＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａは、近傍に滴下した液滴と結合していき、やがて表示領域全域にわたって比較的均一に展開させることができる。さらに、画素電極３４、層間絶縁膜３５及び隔壁３８の表面に例えば酸素プラズマ処理を施し、これらの表面を親水化させ、塗布する溶液への濡れ性の向上を図ることができる。また、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａに界面活性剤を入れることにより、溶液の凝集力を低下させることができ、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａを、表示領域全域にわたり比較的均一に展開させることができる。
【００５１】
また、上述した実施形態では、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａが表示領域全域に塗布された状態で減圧乾燥することにより、溶液を塗布した後、短時間で乾燥させることができる。これにより乾燥時の厚みのムラの発生を抑制することができる。
【００５２】
また、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造方法は、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ及び発光ポリマ溶液３７ａをインクジェット法によって画素基板３１上に塗布している。インクジェット法では、溶液の滴下位置を適宜選択することが可能であるため、画素基板３１の表示領域のみを選択して塗布することが可能である。これにより基板上に溶液を均一に塗布する方法として隔壁等の凹凸によって均等な厚さに塗布することが困難なスピンコート法やスリットコート法よりも塗布位置及び塗布量を高精細且つ均等に制御でき、より厚さムラのない成膜を行うことができる。また、インクジェット法による塗布のため、スピンコート法やスリットコート法では塗布が難しいサイズの基板上にも溶液を塗布することが可能である。
【００５３】
本発明は上述した実施形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。
上述した実施形態では、単一色を発光する発光装置及び発光装置の製造方法について説明したが、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料が塗り分けられたフルカラーの発光装置及び発光装置の製造方法に用いることができる。この場合、異なる色の画素間で共通する層である、正孔注入層を形成する際に、上述した実施形態の方法を用いることができる。
【００５４】
また、上述した実施形態では、隔壁がストライプ状に形成されている構成を例に挙げて説明したが、これに限られず、隔壁が層間絶縁膜３５と同様に格子状に形成されても良い。この場合、図１２に示すように隔壁３８は、画素電極３４の周囲を取り囲むように格子状に形成されており、ＰＥＤＯＴ溶液、及び発光ポリマ溶液の飛滴着弾位置２６を画素電極３４及び隔壁３８上に設定する。飛滴着弾位置２６のピッチは、画素領域Ａの寸法を元に設定する。なお、図１２は図８と同様に、正孔注入層、発光層、及び対向電極の図示を省略している。このようなピッチの飛滴着弾位置２６上に溶液を滴下することにより、滴下された液滴が近傍の液滴と結合し、レベリング効果によって溶液は比較的均一な厚みとなる。これにより、比較的均一な厚みを有し、厚みのむらの少ない正孔注入層及び発光層を形成することができる。
【００５５】
また、インクジェットヘッド２０の吐出口２０ａの配列方向を、インクジェットヘッド２０の進行方向に対して傾けることによって、ＰＥＤＯＴ溶液３６ａ、及び発光ポリマ溶液３７ａの飛滴着弾位置２５の間隔を制御することについて以下に具体的に説明する。例えば、図１３（ａ）に示した５０μｍ間隔に吐出口２０ａを備えたインクジェットヘッド２０を、図１２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２０の進行方向に対してインクジェットヘッド２０の吐出口２０ａの配列方向を例えば１２０°ずらした場合、つまり、インクジェットヘッド２０を元の状態より３０°回転させることにより、飛滴着弾位置の間隔を４３μｍに設定して溶液を吐出することができる。なお、図中の矢印は、インクジェットヘッド２０の移動方向を示している。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図２】発光装置の画素の等価回路図である。
【図３】画素の平面図である。
【図４】図３に示すIV-IV線断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】溶液の飛滴着弾位置を説明するための平面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】他の実施形態に係る発光装置の画素の要部を示す平面図である。
【図１３】インクジェットヘッドを示しており、（ａ)は移動方向に対して直角に設置した場合の平面図、（ｂ）は（ａ）の状態から３０°傾けた場合の平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０・・・発光装置、２０・・・インクジェットヘッド、２５，２６・・・飛滴着弾位置、３０・・・画素、３１・・・画素基板、３２・・・絶縁膜、３４・・・画素電極、３５・・・層間絶縁膜、３６・・・正孔注入層、３７・・・発光層、３８・・・隔壁、４０・・・対向電極、Ｃｓ・・・キャパシタ、Ｌａ・・・アノードライン、Ｌｄ・・・データライン、Ｌｓ・・・セレクトライン、Ｔｒ１１，Ｔｒ１２・・・トランジスタ
【図１】
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【図２】
0005125686.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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