(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向で対向する第１支持部と、短手方向で対向する第２支持部とを有し、枠状を呈する支持部と、
アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットがマトリックス状に複数個配置されて構成され、前記支持部に囲まれる領域に複数個が配置されたブロックと、を有し、
前記第２支持部は前記ブロック同士の間に設けられ、
前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第１支持部に、前記第１支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝を設け、
前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第２支持部に、前記第２支持部を部分的に貫通する貫通溝を設けることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記ユニット同士の間には、端部が前記支持部に連結されると共に、隣接する前記ユニットの前記リードおよび前記アイランドが一体的に連結されるタイバーが設けられ、
前記貫通溝または前記ハーフ溝の幅は、前記タイバーの幅よりも広く形成されることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ユニットは前記支持部に囲まれる領域にマトリックス状に配置され、
前記貫通溝または前記ハーフ溝は、前記支持部に等間隔に設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
長手方向で対向する第１支持部と、短手方向で対向する第２支持部とを有し、枠状を呈する支持部と、アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットがマトリックス状に複数個配置されて構成され、前記支持部に囲まれる領域に複数個が配置されたブロックと、を有し、前記第２支持部は前記ブロック同士の間に設けられ、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第１支持部に、前記第１支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝が設けられ、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第２支持部に、前記第２支持部を部分的に貫通する貫通溝が設けられたリードフレームを用意する工程と、
前記各ユニットの前記アイランドに回路素子を固着すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、
前記ユニットを構成する前記アイランド、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、
前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記リードフレームの前記支持部を、前記貫通溝または前記ハーフ溝が設けられた箇所にて分離する工程と、
を具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記分離する工程では、前記リードフレームをダイシングシートに貼着した状態で、前記ユニットと共に前記リードフレームの前記支持部をダイシングにより分離することを特徴とする請求項４に記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つのリードフレームから多数個の回路装置を効率的に製造することを可能とするリードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。その一方で、半導体装置では、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、実装面積の低減を求められる半導体装置では、樹脂封止体裏面からリードを露出させ、その実装面積をチップサイズと同等あるいはわずかに大きくするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージが利用されている。
【０００３】
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図９から図１１を参照として、従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法に関し簡単に説明する。図９は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図１０はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図１１は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。
【０００５】
図９に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部を複数形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、ダイパッド１０３の上面に接着剤により半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接合する。
【０００６】
図１０に示すように、次に、封止シート１０６を貼り合わせ、半導体チップ１０４を接合したリードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、図示していないが、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
【０００７】
図１１に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。その後、図示していないが、共通の樹脂パッケージ１１０を、ダイシングにより個々の搭載部毎に切断し、半導体装置が完成する。
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した半導体装置の製造方法では、樹脂パッケージ１１０のダイシングを行う前に、樹脂パッケージをリードフレームから機械的に引きはがす工程が必要とされていた。更に、一枚のリードフレームに多数個の樹脂パッケージ１１０が形成された場合、複数個の樹脂パッケージ１１０をリードフレームから分離させた後に、ダイシングシートに個別に貼着させる工程が必要とされる。この様な工程を行うことにより、製造工程が煩雑なものとなり、製造コストが上昇する問題があった。
【０００９】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、多数個の回路装置を効率的に製造することを可能とするリードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明のリードフレームは、長手方向で対向する第１支持部と、短手方向で対向する第２支持部とを有し、枠状を呈する支持部と、アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットがマトリックス状に複数個配置されて構成され、前記支持部に囲まれる領域に複数個が配置されたブロックと、を有し、前記第２支持部は前記ブロック同士の間に設けられ、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第１支持部に、前記第１支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝を設け、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第２支持部に、前記第２支持部を部分的に貫通する貫通溝を設けることを特徴とする。
【００１１】
本願発明の回路装置の製造方法は、長手方向で対向する第１支持部と、短手方向で対向する第２支持部とを有し、枠状を呈する支持部と、アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットがマトリックス状に複数個配置されて構成され、前記支持部に囲まれる領域に複数個が配置されたブロックと、を有し、前記第２支持部は前記ブロック同士の間に設けられ、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第１支持部に、前記第１支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝が設けられ、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記第２支持部に、前記第２支持部を部分的に貫通する貫通溝が設けられたリードフレームを用意する工程と、前記各ユニットの前記アイランドに回路素子を固着すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記ユニットを構成する前記アイランド、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記リードフレームの前記支持部を、前記貫通溝または前記ハーフ溝が設けられた箇所にて分離する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、内部に形成されるユニット同士の境界線に対応するリードフレームの外枠に、貫通溝またはハーフ溝を設けている。従って、ダイシングによりユニットを個別に分離する工程に於いて、リードフレームの外枠を同時に分割しても、貫通溝またはハーフ溝が形成される領域で外枠を容易に分離できる。このことから、背景技術で説明したように樹脂パッケージをダイシング前にリードフレームから分離させて個別にダイシングシートに貼着させる必要がない。このことにより、工程が簡素化されて製造コストが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、図を参照して、本発明のリードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法を説明する。
【００１４】
図１および図２を参照して、先ず、リードフレーム１０の構成を説明する。ここで、図１（Ａ）はリードフレーム１０を全体的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はリードフレーム１０に配置されるブロック１２を拡大した平面図である。また、図２はブロック１２に含まれるユニットの構成を示す平面図である。
【００１５】
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。
【００１６】
リードフレーム１０には、多数個のユニットから成るブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って一列に５個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は１つ又は２つでも良いし、６個以上の多数個でも良い。
【００１７】
ブロック１２の周辺部には、ブロック１２が形成されない残余の領域である第１支持部１４と第２支持部１６が設けられており、これらでリードフレーム１０を全体的に支持する外枠が構成されている。第１支持部１４は、リードフレーム１０の長手方向に対向する周辺部に位置している。第２支持部１６は、リードフレーム１０の短手方向に対向する周辺部に位置している。更に、第２支持部１６は、各ブロック１２の間にも設けられている。
【００１８】
図１（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０に設けられるブロック１２の構成を詳細に説明する。ブロック１２の内部には、マトリックス状に配置された複数のユニット２６が形成されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。
【００１９】
この図では、ブロック１２の内部に設けられた各ユニット２６同士の間に規定される分割線を点線にて示している。ここでは、ユニット２６がマトリックス状に配置されているので、分割線は格子状に規定されている。分割線２０は紙面上にて縦方向に規定されており、分割線１８は紙面上にて横方向に規定されている。
【００２０】
分割線２０は、リードフレーム１０の下端から上端まで延長して規定されており、このことは回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線２０に沿って上端から下端まで切断されることを示している。
【００２１】
分割線１８は、リードフレーム１０の左端から右端まで連続して規定されている。このことも、回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線１８に沿って左端から右端まで切断されることを示している。更に、分割線１８は、リードフレーム１０に設けられたブロック１２に共通して規定されている。即ち、製造工程に於いて、分割線１８に沿ってダイシングを行うと、複数のブロック１２に含まれるユニット２６の分離を一括して行うことができる。
【００２２】
本発明では、上記した分割線１８、２０に対応する箇所のリードフレーム１０の切断を容易にするために、等間隔にハーフ溝２２および貫通溝２４を設けている。
【００２３】
ハーフ溝２２は、分割線２０に対応する箇所の第１支持部１４を部分的に肉薄に形成した部位である。ハーフ溝２２は、第１支持部１４を例えば０．１ｍｍ程度ハーフエッチングして肉薄にすることで形成されている。この様に分割線２０が規定された箇所にハーフ溝２２を設けることで、この部分の第１支持部１４を容易に分割することができるので、ダイシングに用いるダイシングソーの摩耗を低減させることができる。更には、ハーフ溝２２はリードフレーム１０を貫通するものではないので、ハーフ溝２２を設けることによる第１支持部１４の機械的強度の低下が抑制される。
【００２４】
貫通溝２４は、分割線１８が規定された領域の第２支持部１６を、部分的に貫通して設けられた部位である。貫通溝２４が設けられた部位では、リードフレーム１０を構成する金属材料が位置していないので、分割線１８に沿うダイシングによるユニット２６の分離が容易に行える。更に、このダイシングによるダイシングソーの摩耗も抑制される。
【００２５】
ここで、本形態では、リードフレーム１０を貫通する貫通溝２４を短手方向の第２支持部１６に設け、リードフレーム１０を貫通せずに部分的に肉薄にしたハーフ溝２２を長手方向の第１支持部１４に設けている。ハーフ溝２２を長手方向の第１支持部１４に設けることで、第１支持部１４の機械的強度が所定以上に保たれ、製造工程の途中段階に於けるリードフレーム１０の撓みや折れ曲がりが抑制される。また、短手方向の第２支持部１６に関しては、第１支持部１４と比較すると要求される機械的強度が弱いので、ダイシングを容易にするために、リードフレーム１０を貫通する貫通溝２４の形成が可能となる。
【００２６】
ここで、上記したハーフ溝２２および貫通溝２４の幅Ｗ１は、例えば０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００２７】
ここで、分割線２０が通過する部分の第１支持部１４、分割線１８が通過する部分の第２支持部１６の両方にハーフ溝２２が設けられても良い。更には、これらの領域の両方に貫通溝２４が設けられても良い。
【００２８】
更に、分割線２０により区画される各第１支持部１４には、第１支持部１４を貫通する円形の貫通孔３４が形成されている。更に、第２支持部１６にも同様に貫通孔３４が設けられている。この貫通孔３４は、製造工程にて塗布される封止樹脂とリードフレーム１０との密着性を向上させるためのものである。
【００２９】
図２を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニットの構成を説明する。ユニット２６は、上述したように１つの回路装置を構成する単位要素であり、ここでは、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
【００３０】
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８は、吊りリードを経由してタイバー３２に連結されている。
【００３１】
また、各タイバー３２の位置は、図１を参照して説明した分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。
【００３２】
更に、上記した除去を確実に行うために、タイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ２は例えば０．２ｍｍ程度である。即ち、タイバー３２の幅Ｗ２は、図１を参照して説明した貫通溝２４やハーフ溝２２の幅よりも狭く形成され、更には製造工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。
【００３３】
次に、図３から図７を参照して、上記した構成のリードフレーム１０を使用した回路装置の製造方法を説明する。
【００３４】
図３を参照して、先ず、リードフレーム１０の所定の箇所に半導体素子４４を固着する。図３（Ａ）は１つのユニット２６を示す平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ-Ｂ’線に於ける断面図である。
【００３５】
本工程では、図１に示した構成のリードフレーム１０を、パンチング加工またはエッチング加工により用意する。そして、このリードフレーム１０の各ブロック１２（図１参照）に対して、半導体素子４４のダイボンディングおよびワイヤボンディングを行う。本工程では、図１に示すリードフレーム１０に配置された全てのブロックに対して、一括してダイボンディングおよびワイヤボンディングを行っている。
【００３６】
図３（Ａ）を参照して、先ず、半田等の導電性接着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性の接着材を介して、アイランド２８の上面に半導体素子４４を実装する。そして、半導体素子４４の上面に設けられた電極とリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。
【００３７】
図３（Ｂ）を参照して、本工程では、リードフレーム１０の下面は、ほぼ全面的に接着シート４８の上面に貼着させている。接着シート４８は、上面に薄く接着樹脂が塗布された樹脂製のシートであり、その材料としては例えばポリイミドまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が採用される。リードフレーム１０の裏面を接着シート４８に接着させる理由は、次工程の樹脂封止の工程に於いて、リードフレーム１０の裏面に封止樹脂が回り込むことを防止するためである。
【００３８】
図４および図５を参照して、次に、図３に示したアイランド２８、リード３０、金属細線４６および半導体素子４４が被覆されるように封止樹脂３６を形成する。
【００３９】
図４（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド金型５０を使用して樹脂封止を行う。本工程では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたはポリエチレン等の熱可塑性樹脂を使用するインジェクションモールドが採用される。
【００４０】
本工程では、接着シート４８が下面に貼着されたリードフレーム１０を下金型５４の平坦な上面に載置し、上金型５２と下金型５４とを当接させることで、各ブロック１２を１つのキャビティ５６に収納させて樹脂封止を行っている。
【００４１】
金型５０は、上金型５２と下金型５４とからなり、ブロック１２の周辺部に対応する領域にゲート６０が設けられており、ゲート６０に対向するブロック１２の周辺部にエアベント５８が形成されている。ゲート６０を経由して、液状または半固形状の封止樹脂がキャビティ５６に注入される。そして、ゲート６０から注入された封止樹脂に対応した量のキャビティ５６内の空気が、エアベント５８を経由して外部に放出される。
【００４２】
また、本工程に於いては、ブロック１２の周囲のリードフレーム１０の残余部（図１（Ａ）に示す第１支持部１４および第２支持部１６）は、上金型５２および下金型５４により押圧されている。更に、本工程では、リードフレーム１０の下面は接着シート４８に貼着されている。従って、高い圧力をもって封止樹脂をキャビティ５６に注入しても、注入された封止樹脂がリードフレーム１０の下面に回り込むことが抑制されている。尚、図３（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０の下面は、接続端子として外部に露出するアイランド２８およびリード３０の下面に対応している。このことから、リードフレーム１０の下面が封止樹脂により被覆されてしまうと、アイランド２８およびリード３０を外部と接続することが困難になる。本形態では、上記した接着シート４８を採用することにより、リードフレーム１０の下面への封止樹脂の回り込みを防止しているので、アイランド２８およびリード３０の下面は良好に外部に露出する。
【００４３】
図４（Ｂ）に上記工程が終了したリードフレーム１０の平面図を示す。ここでは、各ブロック１２が個別に封止樹脂３６により封止されている。
【００４４】
図５を参照して、上記した樹脂封止の工程が終了した各ブロック１２の状態を詳細に説明する。図５（Ａ）は封止樹脂３６が付着される方向からリードフレーム１０を見た平面図であり、図５（Ｂ）はその反対面のリードフレーム１０の平面図である。
【００４５】
図５（Ａ）を参照して、封止樹脂３６は、ブロック１２が形成される領域だけではなく、ブロック１２の周辺部の第１支持部１４および第２支持部１６の表面も被覆されるように形成されている。この様にすることで、リードフレーム１０の第１支持部１４に設けられたハーフ溝２２および第２支持部１６に設けられた貫通溝２４も、封止樹脂３６が充填される。更に、第１支持部１４および第２支持部１６を貫通して設けた貫通孔３４にも、封止樹脂３６が充填される。
【００４６】
図５（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０の裏面には、リードフレーム１０の上面に形成された封止樹脂３６が一部露出している。具体的には、上記した貫通溝２４および貫通孔３４に充填された封止樹脂３６が、リードフレーム１０の下面に露出している。ハーフ溝２２に関しては、リードフレーム１０を貫通していないので、この箇所に充填された封止樹脂３６はリードフレーム１０の下面に露出しない。
【００４７】
図６および図７を参照して、次に、上記した各ブロック１２のユニットを個別に分離する。図６はダイシングの工程を示す図であり、図７はブロック１２が個別に分離される状態を示す図である。
【００４８】
図６を参照して、先ず本工程では、樹脂封止が終了したリードフレーム１０をダイシングシート４２に貼着する。ダイシングシート４２は、上面に接着層が形成された樹脂シートであり、ステンレス等の金属を円環状に形成した金属枠３８により周囲が支持されている。
【００４９】
上記した構成のダイシングシート４２の上面にリードフレーム１０が貼着される。ここで、先工程では、リードフレーム１０の下面には接着シート４８が貼着されていたが（図３（Ｂ）参照）、この接着シート４８は予め除去されても良いし、そのままリードフレーム１０と共にダイシングシート４２に貼着されても良い。更に、リードフレーム１０は、封止樹脂３６が形成された面が貼着されても良いし、封止樹脂３６が形成された面とは対向する面が貼着されても良い。
【００５０】
本工程のダイシングは、各ブロック１２の封止樹脂３６およびリードフレーム１０が完全に分離される深さで行われる。
【００５１】
ダイシングシート４２にリードフレーム１０を貼着させた後は、高速で回転するダイシングブレード４０を使用して、リードフレーム１０に形成された各ブロック１２を一括してダイシングする。本工程では、各ブロック１２の封止樹脂３６をダイシングすると共に、金属から成るリードフレーム１０の外枠（支持部）もダイシングにより分割している。
【００５２】
具体的には、紙面方向で横方向に行われるダイシングにより、リードフレーム１０に形成される全てのブロック１２を横方向に分離すると共に、リードフレーム１０の短手方向の支持部である第２支持部１６が分割される。更に、紙面上にて縦方向にダイシングを行うことにより、各ブロック１２が縦方向に分割されると共に、リードフレーム１０の長手方向の支持部である第１支持部１４が分割される。
【００５３】
図７を参照して、上記したダイシングの詳細を説明する。先ず、封止樹脂３６により一体に封止される１つのブロック１２には、マトリックス状に多数個のユニット２６が配置されている。そして、各ユニット２６同士の間に格子状に分割線が規定されている。ここでは、紙面上にて横方向に分割線１８が規定されており、縦方向に分割線２０が規定されている。
【００５４】
更に、分割線１８に沿って、リードフレーム１０の第２支持部１６を貫通して設けた貫通溝２４が形成されている。そして、この貫通溝２４が形成された箇所ではリードフレーム１０を構成する金属材料は除去されており、封止樹脂３６のみが位置している。ここで、リードフレーム１０を構成する銅などの金属材料は、エポキシ樹脂等から成る封止樹脂３６よりも切断されにくい材料である。従って、貫通溝２４を設けることにより、分割線１８に沿ってダイシングを行ったときの、ダイシングブレード４０により切断される金属材料が減少する。このことにより、ダイシングに伴うダイシングブレード４０の摩耗が抑制される。
【００５５】
一方、紙面上にて縦方向に規定された分割線２０に沿って、リードフレーム１０の第１支持部１４を部分的に肉薄にしたハーフ溝２２が設けられている。そして、ハーフ溝２２が設けられた部分は、他の領域よりもダイシングブレード４０によるダイシングが行いやすい条件にある。従って、分割線２０が規定された部分にハーフ溝２２を設けることにより、分割線２０に沿って封止樹脂３６および第１支持部１４を分離した際の、ダイシングブレード４０の摩耗が抑制されている。
【００５６】
更に、図７（Ｂ）を参照して、分割線１８および分割線２０に沿って上記したダイシングを行うことにより、各ユニット２６同士の間に位置しているタイバー３２が除去される。従って、本工程によりタイバー３２が除去されることにより、各ユニット２６同士が電気的に分離される。更に、各ユニット２６の内部に位置するリード３０およびアイランド２８も電気的に分離される。
【００５７】
以上述べたように、本工程では、ダイシングブレード４０が切削する金属材料の量を少なくするために貫通溝２４およびハーフ溝２２を設けている。更に、ダイシングブレード４０によるダイシングにより、各ユニット２６の間に位置しているタイバー３２を除去している。従って、貫通溝２４およびハーフ溝２２の幅はダイシングブレード４０の幅よりも広い方が好適である。更に、タイバー３２の幅はダイシングブレード４０の幅よりも狭く形成される。
【００５８】
以上の工程により、半導体素子が樹脂パッケージされた回路装置が製造される。
【００５９】
図８を参照して、次に、上記工程により製造される回路装置６２の構成を説明する。図８（Ａ）は実装される状態の回路装置６２を上方から見た斜視図であり、図８（Ｂ）はその状態の回路装置６２を下方から見た斜視図である。
【００６０】
図８（Ａ）を参照して、回路装置６２の外形形状は薄型の６面体であり、具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。回路装置６２の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。
【００６１】
図８（Ｂ）を参照すると、回路装置６２の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。製造法の説明にて上記したように、アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
【００６２】
図８（Ｃ）を参照して、アイランド２８およびリード３０の下面は、封止樹脂３６の下面よりも内側（上方）に窪んで露出している。アイランド２８およびリード３０の下面が、封止樹脂３６の下面よりも内側に窪む距離Ｗ３は、例えば１μｍ〜２μｍ程度である。
【００６３】
上記構成の回路装置６２が実装基板等に実装されるときは、回路装置６２の実装面（図８（Ｂ）に示す上面）から露出するリード３０に半田等のロウ材を溶着させる。
【００６４】
本実施の形態では、図６を参照して、リードフレーム１０自体をダイシングシート４２に貼着させて上記したダイシングの工程を行っている。このことにより、１つのリードフレームに構成された複数のブロック１２を一括して効率的に各ユニットに分離できる。上述したように、背景技術では、多数のユニットから成るブロック１２をリードフレーム１０に複数個構成した場合は、ブロック１２をリードフレーム１０から分離した後に、ブロック１２をダイシングシート４２に貼着していた。しかしながら、この場合は、ブロック１２のリードフレーム１０から分離させる工程、分離された各ブロック１２を個別にダイシングシート４２に貼着させる工程を行うと、製造コストが上昇する。このことを抑制するために、本実施の形態ではブロック１２をリードフレームから分離させずに、リードフレーム１０自体をダイシングシート４２に貼着している。そして、各ブロック１２の封止樹脂３６とリードフレームとを一括して切断している。この様にすることで、ブロック１２のリードフレーム１０からの分離およびブロック１２毎のダイシングシート４２への貼着が不要となる。従って、ブロック１２を個別の回路装置に分割する工程が簡素化されて、製造コストが低減される。
【００６５】
更に、図７（Ａ）を参照して、本実施の形態では、リードフレーム１０のダイシングを効率的に行うために、分割線に対応する領域に、ハーフ溝２２または貫通溝２４を設けている。上述したように、ハーフ溝２２および貫通溝２４は、ダイシングが行われる分割線１８、２０に沿って設けられている。従って、ハーフ溝２２および貫通溝２４を設けることにより、ダイシングブレード４０により切断されるリードフレーム１０の領域が削減されるので、リードフレーム１０をダイシングすることによるダイシングブレード４０の摩耗が抑制される。
【００６６】
更にまた、図７（Ａ）を参照して、リードフレーム１０の第１支持部１４および第２支持部１６には、これらの部位を円形に貫通して貫通孔３４が設けられている。そして、貫通孔３４には封止樹脂３６が充填されている。この様にすることで、各支持部と封止樹脂３６との密着強度が向上される。従って、ダイシングすることにより、第１支持部１４および第２支持部１６を被覆する封止樹脂３６をダイシングしても、両支持部に形成された貫通孔３４に封止樹脂３６が強固に密着しているので、分離された封止樹脂３６の剥離が防止されている。分離された封止樹脂３６がリードフレーム１０から剥離してしまうと、剥離した封止樹脂３６がダイシングブレード４０に接触してしまい、ダイシングブレード４０が破損してしまう恐れがある。本実施の形態では、リードフレーム１０に貫通孔３４を設け、この貫通孔３４に封止樹脂３６を充填させることにより、この恐れを回避している。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明のリードフレームを示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図２】本発明のリードフレームを示す平面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図９】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０      リードフレーム
１２      ブロック
１４      第１支持部
１６      第２支持部
１８      分割線
２０      分割線
２２      ハーフ溝
２４      貫通溝
２６      ユニット
２８      アイランド
３０      リード
３２      タイバー
３４      貫通孔
３６      封止樹脂
３８      金属枠
４０      ダイシングブレード
４２      ダイシングシート
４４      半導体素子
４６      金属細線
４８      接着シート
５０      金型
５２      上金型
５４      下金型
５６      キャビティ
５８      エアベント
６０      ゲート
６２      回路装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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