(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレート、特に半導体ウェーハを、温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメントであって、サブストレートを取囲む補償エレメント及び／又はサブストレートから間隔をおいた光変換板を備えるエレメントを有するプロセス室内にて熱処理する方法において、熱処理の間に、温度分布に影響を及ぼす前記エレメントの、サブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的な空間的な配置を変化させ、前記エレメントは、サブストレート平面に対して傾斜して配置することができることを特徴とする、サブストレートを熱処理する方法。
【請求項２】
前記配置を変化させる相対運動を、熱処理の温度経過に関連して制御する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エレメントをサブストレート及び／又はプロセス室に対して動かす、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記エレメントを動かす運動が傾動、旋回及び／又は直線運動である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記補償エレメントがサブストレートをそれに対して平行な平面内で少なくとも部分的に取囲む補償リングである、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記エレメントが複数のセグメント、特にリングセグメントから成り、該セグメントの少なくとも１つが動かされる、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
各セグメントの運動が、少なくとも１つの別のセグメントの配置に関連して制御される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
少なくとも２つのセグメントが同時に動かされる、請求項６又は７記載の方法。
【請求項９】
前記セグメントがサブストレートに関して直径方向で対を成して向き合い、セグメント対が同時に動かされる、請求項６から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
サブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的な少なくとも２つのエレメントの空間的な配置を変化させる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのエレメントとサブストレートとが動かされる、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
サブストレート、特に半導体ウェーハ（２）を温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメント（１２，１６，２０，２５）であって、サブストレートを取囲む補償エレメント（２０，２５）及び／又はサブストレートから間隔をおいた光変換板（１２，１６）から成るエレメントを有するプロセス室（３）内にて熱処理する装置において、熱処理の間に、温度分布に影響を及ぼす前記エレメントの、サブストレート（２）及び／又はプロセス室（３）に対して相対的な空間的な配置を変える装置を有しており、前記エレメントは、サブストレート平面に対して傾斜して配置することができることを特徴とする、サブストレートを熱処理する装置。
【請求項１３】
前記配置が熱処理の温度経過に関連して制御可能である、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記エレメント（１２，１６；２０，２５）がサブストレート（２）及び／又はプロセス室（３）に対して相対的に運動可能である、請求項１２又は１３記載の装置。
【請求項１５】
前記運動が傾動、旋回及び／又は直線運動である、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
補償エレメント（２０；２５）がサブストレートをそれに対して平行な平面内で取囲む補償リングである、請求項１２から１５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１７】
前記補償リング（２０；２５）がサブストレート平面に対し傾斜して配置されている、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記エレメント（２５）が複数のセグメント（２５ａ−ｄ）、特にリングセグメントから成りかつ前記セグメントの少なくとも１つが移動可能である、請求項１２から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１９】
各セグメント（２５ａ−ｄ）の運動が少なくとも１つの別のセグメントの配置に関連して制御可能である、請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
少なくとも２つのエレメントの空間的な配置がサブストレート及び／又はプロセス室（１３）に対して相対的に変化可能である、請求項１２から１９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２１】
少なくとも１つのエレメントとサブストレートとが運動可能である、請求項１２から２０までのいずれか１項記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明はプロセス室における温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェーハを熱処理する方法と装置に関する。
【０００２】
このような装置は、同一出願人のＤＥ−Ａ−１９７３７８０２号によって公知である。この装置においては透光性のプロセス室が熱処理される半導体ウェーハを受容するために設けられている。プロセス室内にあるサブストレートの温度を変えるためにはプロセス室の外側に加熱ランプバンクが設けられている。所定のプロセス結果を達成するための、特にサブストレート内の均質な温度分布を達するためには、プロセス室内でサブストレートに対して平行な平面にてサブストレートを取囲む補償リング並びにサブストレートから間隔をおいて、これに対し平行に延びる、ホットライナとも呼ばれる光変換板が設けられている。補償リングの課題はウェーハの熱処理の間に発生する縁効果を阻止することである。ウェーハの縁において内部領域に対して迅速な加熱が加熱期にて阻止されかつ迅速な冷却が冷却期にて阻止される。この場合には、補償リングを、同一出願人による未公開のＤＥ−Ａ−１９８２１００７号に記載されているように複数のセグメントから構成することが公知である。
【０００３】
ホットライナは加熱ランプバンクから放射された放射光線を吸収し、これによってホットライナは加熱されかつそれ自体ウェーハを加熱するための熱放射を放出するために役立つ。このようなウェーハの間接的な加熱は、ウェーハの少なくとも表面を直接的な光放射に対し遮って、ウェーハの上に構成された組織パターンを保護するために役立つ。このようなホットライナの作用は例えばＤＥ−Ａ−４４３７３６１号に開示されており、繰返しを回避するためにここではこれを援用する。
【０００４】
これらのすべての装置においては、温度分布に影響を及ぼすエレメント、例えば補償リング及び／又は光変換板は熱処理の間、ウェーハの平面に対して並列にかつ不動に保たれるように設けられている。ただＤＥ−Ａ−１９８２１００７号ではウェーハの取出し及び装入の間、半導体ウェーハに対するアプロ−チを許すために役立つ補償リングの運動が記載されている。
さらにＵＳ−４９８１８１５号明細書によれば半導体ウェーハを迅速に熱処理するための方法であって、半導体ウェーハがウェーハを加熱するために円弧ランプで電自適に放射される方法が公知である。円弧ランプから発する放射をほぼ垂直にウェーハに反射するためには円弧状のレフレクタが設けられている。さらにこの場合にはパラボラ形の横断面を備えた、ウェーハを半径方向で取囲む不動のリング状のレフレクタが設けられている。リング状のレフレクタとウェーハとの間には制御可能な熱放射器が設けられている。この熱放射器の放射強度は、ウェーハの中央域と縁域とにおけるウェーハ温度のピイロメータ測定に関連して調節される。
同様にＵＳ４８９１４８８号明細書には、プロセス室にて電磁放射で半導体ウェーハを熱処理する方法と装置が開示されている。プロセス室の外側には電磁放射をプロセス室内で変化させるために可動であるミラーが設けられている。
【０００５】
上記装置から出発して本発明の課題は改善された温度均質性が達成される、サブストレートを熱処理する方法及び装置を提供することである。
【０００６】
前記課題は冒頭に述べた方法において、熱処理の間、温度分布に影響を及ぼすエレメントのサブストレート及び／又はプロセス室に対する空間的な配置を変化させることで解決された。これにより簡単でかつ有効な形式で熱処理する間のプロセス室内部の温度分布、ひいてはサブストレートの上もしくは中における温度分布を変化させかつ与えられているプロセス条件にこれを適合させることができる。特にサブストレートの上もしくは中における温度分布を均質化することができる。
【０００７】
本発明の有利な実施例によれば、前記配置を変化させるための相対運動が熱処理の温度経過に関連して制御され、ひいては温度経過に適合させられた温度分布が達成される。有利には前記エレメントがサブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的に動かされる。当該エレメントを動かすことは、サブストレートを動かすこととは異なってサブストレートの損傷の危険が小さくかつ有利である。
【０００８】
有利には前記運動は傾動、旋回及び／又は直線運動である。この場合、直線運動は上下の運動に限定されるものではなく、側方運動を含むことができる。
【０００９】
本発明の特に有利な実施例では、前記エレメントは、サブストレートを該サブストレートに対して平行な平面にて少なくとも部分的に取囲む補償部材、特に補償リングであって、ウェーハの熱処理の間に発生する縁効果をコントロールするために役立つ。この場合には、エレメントは複数のセグメント、特にリングセグメントから成り、これらのセグメントの少なくとも１つが動かされると有利である。複数のセグメントを設けることによって、プロセス室の内部及びサブストレートの上もしくは中での温度分布の制御の改善が達成される。この場合、温度分布の改善された制御のためには、各セグメントの運動は少なくとも１つの別のセグメントの配置に関連して制御される。さらに複数のセグメントは補償エレメントを有利な価格でも製作できるという利点を有する。
【００１０】
装置の簡易化された構造と簡易化された制御とにとっては、少なくとも２つのセグメントが同時に動かされる。この場合にはセグメントは有利には対を成してサブストレートに関して直径方向で向き合って位置しかつ向き合ったセグメント対が同時に動かされる。これによりサブストレートに関する対称性が達成される。
【００１１】
室の幾何学的な形状に関連して、先に述べたＤＥ−Ａ−１９８２１００７号に記載されているように、サブストレートの対称軸を通らない軸を中心としてセグメントを旋回させることが有利であることもある。
【００１２】
サブストレートを直接的な光放射に対して遮蔽するためには、当該エレメントは、有利には光変換板であって、この光変換板が加熱装置の光放射を吸収し、サブストレートを間接的に加熱するために熱を放射する。
【００１３】
本発明の実施例においてはサブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的な少なくとも２つのエレメントの空間的な配置が変化させられ、これによってプロセス室の内部及びサブストレートの上もしくは中の温度分布の良好な制御が達成されている。本発明の別の実施例ではサブストレートの上もしくは中の温度分布をコントロールするために少なくとも１つのエレメントとサブストレートとが動かされる。
【００１４】
さらに本発明の根底を成す課題は、冒頭に述べた形式の装置であって、温度分布をコントロールするエレメントの、サブストレート及び／又はプロセス室に対する空間的な配置を熱処理の間に変える装置が設けられている装置においても解決された。この装置では方法に関してすでに述べた利点が得られる。
【００１５】
サブストレートの熱処理に際して発生する縁効果をコントロールするためには有利には１つのエレメントは、サブストレートを一平面内でほぼ取囲む補償エレメント、特に補償リングである。この場合、補償リングは有利にはサブストレート平面に対し傾斜して配置される。
【００１６】
これによってウェーハ縁部にはシャドウ効果が生ぜしめられる。このシャドウ効果は加熱値がきわめて高い場合に縁領域の迅速な加熱を阻止する。
【００１７】
さらに本発明の課題は、冒頭に述べた形式の装置において、温度分布の所定のコントロールを達成するために、少なくとも１つのエレメントがサブストレート平面に対して傾斜して配置されていることによって解決された。この場合、当該エレメントは有利にはサブストレートをほぼ取囲む補償エレメント、特に補償リングである。該補償エレメントはウェーハ縁部に加熱装置に対するシャドウ効果を生ぜしめ、ひいては特に加熱値がきわめて高い場合に縁範囲の迅速すぎる加熱を阻止する。有利には当該エレメントは光変換板である。
【００１８】
実施例
以下、図面に基づき本発明を詳細に説明する。
【００１９】
図１には半導体ウェーハ２を熱処理するための装置が概略的な側方断面図で示されている。該装置１はプロセス室３を有し、該プロセス室３は上側と下側とに石英ガラスから製作された壁５もしくは６を有している。壁５の上側には鏡面化されかつ複数のランプ８の形をした加熱源が内部に設けられているランプバンク又は室７が設けられている。壁６の下には室７と同様に内部にランプ１０の形をした加熱源が設けられているランプバンク又は室９が設けられている。
【００２０】
プロセス室の側壁は例えば、当該室内に存在する電磁スペクトルの少なくとも１部に対し所定のミラー作用を達成するために誘導層を備えていることができる。さらに側壁の１７は半導体ウェーハ２の装入と取出しとを可能にするためにプロセス室ドアを有している。
【００２１】
プロセス室３の内部には第１の下側の光変換板１２−ホットライナとも呼ばれる−が設けられている。この光変換板１２は下側のプロセス室壁６に対して平行に延設されている。光変換板１２の上側にはスペーサ１３が設けられている。該スペーサ１３の上には半導体ウェーハ２が載置されているので、半導体ウェーハ２は下側の光変換板１２に対して間隔をおいて平行に保持されている。
【００２２】
半導体ウェーハ２の上側には別の光変換板１６が設けられている。この光変換板１６は図１に示された第１の位置では、半導体ウェーハに対して平行にかつ間隔をたもって保持されている。光変換板１２，１６は高い光吸収係数を有する材料から成り、ランプ８，１０から放射された光を吸収し、次いで半導体ウェーハ２を加熱するための熱放射を行なうために役立つ。
【００２３】
図２に示されているように上側の光変換板１６の位置は半導体ウェーハ２とプロセス室とに関して変化可能である。上側の光変換板１６は図２においては半導体ウェーハ２に対して傾斜して配置され、室内、ひいてはサブストレートの上もしくは内の温度分布が変化させられるようになっている。上側の光変換板１６の前記傾斜はウェーハの熱処理の間に調節され、傾斜位置の程度は熱処理の温度経過及び／又は適当な測定装置、例えば図示されていないピロメータを介して測定されるサブストレートの上もしくは中の温度分布に関連して調節される。
【００２４】
このように傾斜させられた板の別の利点は、これによってプロセスガス流に対するコントロールされた干渉が可能であることである。これはプロセスガスが熱いウェーハ表面で解離しかつ解離生成物がウェーハと反応する場合には常に有利である。例としては例えばＨ２Ｏでのシリジュウムの酸窒化を挙げることができる。この場合にはＨ２Ｏはウェーハに対して平行に流れる。従来はきわめて均質な酸窒化層を達成するためには、反応温度（７００℃〜１１５０℃）でガス流を著しく減少させることが必要であった。しかしながらプロセスガス流のコントロールされた減少は、光変換板１６のコントロールされた傾動よりも技術的に面倒である。ウェーハに対して傾動させられた板では、コンスタントなプロセスガス流で、ガス流減少に際して達成される酸窒化層の均質性と同様の均質性が達成される。ガス流減少と傾動とのコンビネーションは最適な均質性をもたらす。
【００２５】
図１と図２には示されていないが下側の光変換板１２も、プロセス室の内部における温度分布をさらに変化させるために、プロセス室３内に可動に配置されていることができる。例えば上側の光変換板を不動に配置しかつ下側の光変換板１２を傾斜させて、ウェーハ２と上側の光変換板１６との間の傾斜位置を達成することができる。光変換板を傾斜させる代わりに単に光変換板とサブストレート２との間の間隔を減少させ、例えばウェーハの下面に対してウェーハの上面を強く加熱するために例えば上方の光変換板１６を半導体ウェーハにより近づけるために、一方の光変換板とサブストレート２との間の間隔を減少させることもできる。
【００２６】
さらに両方の光変換板１２，１６をプロセス室３内に不動に配置し、ウェーハ２を当該板に対して可動に保持しウェーハ２を相対的に当該板に対して可動に保持することもできる。これは例えばテレスコープロッドとして構成されかつその高さが光変換板１２，１６に対し傾斜配置するために互いに無関係に調節できるスペーサ１３を介して行なうことができる。
【００２７】
図３と図４とには本発明による熱処理装置の別の実施例が示されている。図３と図４とにおいては同じ又は類似した構成部材である限り同じ関連符号が使用されている。
【００２８】
装置１は第１実施例による装置１とほぼ同じ構造を有し、上方の光変換板１６の代りにウェーハ２を取囲む補償リング２０が設けられている点だけで図１の装置とは異っている。補償リング２０はウェーハ２をわずかな間隔をおいて取囲み、加熱期における迅速な加熱並びに冷却期における迅速な冷却が阻止されることで、ウェーハ２の加熱及び冷却の間の縁効果を阻止する。
【００２９】
図３に示されているように補償リング２０は半導体ウェーハ２とほぼ同じ平面に位置しているが、補償リング２０はウェーハのいくらか上側又は下側に配置されていることもできる。
【００３０】
図４に示されているように補償リング２０は半導体ウェーハ２に対して持ち上げられている。このような持上げは、薄い層を製作するために秒あたり４００℃までのきわめて高い加熱値を必要とし、不都合な拡散効果を避けるために最大温度に達したあとで温度が瞬間的に再び下げられるいわゆるフラッシュプロセスにて行なわれる。このようなプロセスについては例えば、本願と同じ出願日に同じ出願人によって出願された「対象物を熱処理する方法」というタイトルを有するＤＥ−Ａ−・・・・・・・号明細書を引用し、繰返しを回避する。補償リングの運動は先きの出願に記載した温度及び／又はプロセス雰囲気の変化に関連して制御される。特に所定の時相関係をその間に形成することができる。高加熱の前及び／又はその間に補償リング２０を移動させかつ該リングを当該位置に保持することによってウェーハの縁の上には、外から入射する光線に対する影が形成され、ひいては縁領域の速すぎる加熱が阻止される。続く冷却期の間にリング２０は再び図３に示された位置にもたらされ、縁領域の迅速すぎる冷却が阻止される。これによりウェーハ表面に亘る温度分布の均質性が著しく改善される。
【００３１】
図３と図４とにおいては補償リング２０は可動に示されているにも拘らず、補償リング２０は不動に配置され、熱処理の間、ウェーハ２が例えば調節可能なスペーサ１３を介して補償リング２０に関して動かされることができる。さらにウェーハ２と補償リング２０との間の相対運動を達成するために光変換板を動かすことも考えられる。
【００３２】
図５と図６には半導体ウェーハ２を熱処理するための装置１の別の実施例が示されている。図５と図６においては同じ又は似た構成部分である限り第１実施例の場合と同じ符号が使用されている。
【００３３】
装置１はこの場合にも、上側と下側の透光性の壁部材５，６によって形成されるプロセス室３を有している。この場合には鏡面化された室内に設けられた上方と下方のライトバンクがプロセス室を制限する上方と下方の壁５，６に隣接して設けられている。先きの実施例とは異なって、図５に示された実施例においてはプロセス室には光変換板は設けられていない。ウェーハ２は下方の透光性の壁５から延設されたスペーサ１３を介してプロセス室３の中央に、しかも下方及び上方の壁５，６に対し平行に保持されている。図６に示したように４つのリングセグメント２５ａ−ｄから成る補償リング２５は適当な形式でプロセス室３の内部に保持されている。図５から判るように補償リング２５はウェーハ２に対して傾斜して配置され、特にウェーハの高加熱に際し、ウェーハ２の縁部領域にシャドウ効果が生ぜしめられるようになっている。補償リングはこの位置に不動に保持されていることができる。
【００３４】
しかしながら先きの実施例の場合のように補償リング２５の位置を熱処理の間に変化させるために補償リングを可動に構成することもできる。この場合には個々のリングセグメント２５ａ−ｄは個別に又はすでに一緒に又は対を成して動かされることができる。特に例えば直径方向で向き合ったリングセグメント２５ａと２５ｃとを一緒に動かしてウェーハ２に関して所定の対称性を生ぜしめることもできる。同様に直径方向で向き合ったリングセグメント２５ｂと２５ｄとが同時に動かされることもできる。図５に示したように補償リングを傾動させる代りに補償リングもしくはその個々のリングセグメントを、例えば図４に示したように持上げるか下降させることもできる。もちろん、セグメントの数は４つに限定されるものではなく、それよりも多いか少ないセグメントが設けられていることもできる。
【００３５】
図７には半導体ウェーハの熱処理の時間的な温度経過とそれに関連して制御される、図５に示されているような補償リングの運動を示した図である。熱処理の開始にあたっては補償リング２５はほぼウェーハ２と同じ平面に位置している。温度が上昇する間、補償リングはウェーハ平面に対し傾けられる。この場合、傾き角と温度の時間的な経過との間には相関関係が与えられておりかつ加熱値の増大に伴って傾き角は大きくなる。温度は最高値まで上昇させられ、次いで該温度はただちに再び下降させられる。温度が低下する間、補償リングの傾きは減少させられる。ウェーハの冷却は温度Ｔ′でストップされる。ウェーハはこの温度にコンスタントに保たれる。この時点では補償リングは再びウェーハに対し平行でかつウェーハの縁部領域が過度に冷却されることは阻止される。
【００３６】
補償リングの上記運動によって、加熱期の間、縁部領域の迅速な加熱を阻止するために、ウェーハ縁部にシャドウが形成される。これによってウェーハ表面に亘る温度分布の均質性が改善される。該均質性のさらなる改善は付加的なウェーハの回転によりかつ／又は加熱ランプの放射強度の調整により達成される。
【００３７】
この改善された均質性は、きわめて高い加熱値が発生するいわゆるフラッシュプロセスの場合に特に必要である。このプロセスの場合には、当該装置のランプバンクは一般的に一杯の出力で働き、この結果、特に縁部領域に不均質性をもたらすことがしばしばある。この場合にはウェーハはきわめて迅速に約９００℃から１１５０℃に加熱される。ウェーハが加熱されるランプ値は１５０℃／ｓから５００℃／ｓの領域にある。加熱の後でウェーハは再び迅速に冷却される。図８にはこのようなフラッシュプロセスが概略的に示されている。補償エレメントの運動によってこのようなフラッシュプロセスに際して、温度平均値からの基準偏差をウェーハに亘って３％から１％に低減させることができるようになっている。
【００３８】
このようなプロセスは特にインプラント（ドーピング）されたウェーハを活性化するために使用される。この場合、この活性化プロセスは、特にわずかな侵入深さでドーピングされている場合には、きわめて高い温度均質性を必要とする。
【００３９】
前述の均質性はウェーハ回転によるほかに、付加的な処理、例えばランプの制御によって一層改善される。例えば図１から図５までには例えば棒形のランプを有する上方のランプバンク８と下方のランプバンク９とが示されている。有利には１つのランプフィールドのランプの軸線は平行に延設されている。図面においては、平行に配置された棒形のランプは図平面内へ延び込んでいる。このようなランプフィールドのランプとしては例えばハロゲンランプが使用される。図５においては補償リング２５の傾動軸は棒形ランプに対して平行に延びている。この配置ではウェーハに対する補償リングの投影はその傾動軸の近くでは消えるようにわずかであるのに対し、この軸に対し直径方向で向き合ったウェーハ縁部では最大である。ランプバンクの中央のランプの放射強度が外側のランプに対して適当に弱められていることによって、ウェーハに亘る温度分布の均質性に必要である放射プロフィールが与えられる。
【００４０】
他の実施例においては補償エレメントを傾動させるための旋回軸は、ランプバンクのランプ軸線に対して平行に延びる代りに、前記ランプ軸線に対して任意の角度：有利には９０゜を成して延びている。ウェーハ及び補助エレメントの保持装置が回転可能に構成されていることによって、補償エレメントの傾動軸とランプ軸線との間の角度を当該プロセスの間にプロセス経過に関連して制御することが可能である。
【００４１】
さらに、上方と下方のランプフィールドのハロゲンランプのランプ軸線は互いに平行にも任意の角度で互いに交差させられて配置されていることもできる。
【００４２】
同様に棒形ランプを有するランプフィールドとピボットランプを有するランプフィールドとの組合わせも考えられ得る。ピボットランプとは棒形ランプとは異なって、フィラメント長さがランプガラス体の直径よりも長いランプを意味するものである。もちろん両方のランプフィールドをピボットランプだけで又はピボットランプと棒形ランプとの組合わせだけで構成することもできる。このようにして特殊な要求に応じて個々の各ランプを制御することによって特殊な放射フィールドを形成し、この放射フィールドでウェーハと機械的な補助エレメントとのランプバンクに対する瞬間的な相対的な空間的配置に関連してウェーハの温度の均質性を最適化することができる。
【００４３】
図７によるプロセス経過では補償リングがユニットとして傾動させられているが、傾動運動の他に該リングを任意の方向へ移動させることもできる。類似した形式で補償リングの個々のセグメントを動かすこともできる。補償リングを動かす代りにウェーハ自体を補償リングに対して相対的に動かすこともできる。
【００４４】
プロセス室３内に、温度分布に影響を及ぼす複数のエレメント、例えば補償リングとホットライナとが、図４に示された実施例の場合のように設けられていると、両方のエレメント、つまり補償リングと光変換板とを動かし、プロセス室の内部の熱分布に影響を及ぼすことができる。個々の実施例の特徴は自由に他の実施例の特徴と組合わせることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置を第１位置で示した図。
【図２】  図１の装置を第２位置で示した図。
【図３】  本発明の第２実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置を第１位置で示した図。
【図４】  図３の装置を第２位置で示した図。
【図５】  本発明の第３実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置の概略的な側面図。
【図６】  図５に示された装置の平面図。
【図７】  本発明による装置の温度分布をコントロールするエレメントの位置を熱処理の温度経過に関連して示した線図。
【図８】  時間的な温度経過のための別の実施を示した線図。
【符号の説明】
１  熱処理する装置、  ２  半導体ウェーハ、  ３  プロセス室、  ５，６  壁、  ７  室、  ８  ランプ、  ９  室、  １０  ランプ、  １１  光変換板、  １２  光変換板、  １３  スペーサ、  １６  光変換板、  ２０  補償リング、  ２５  補償リング
【図１】
0005144867.tif 000002
【図２】
0005144867.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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