(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を吸収し得るものであって、
ピラジンＮ−オキシド化合物をジアゾ成分として有している下記一般式［Ｉ］で表わされることを特徴とする金属錯体化合物。
【化１】
0005352986.tif 000016
（一般式［Ｉ］中、Ａは、下記一般式［ＩＩ］、一般式［ＩＩＩ］、一般式［ＩＶ］或いは一般式［Ｖ］に示される含酸素複素環又は含窒素複素環を表わし、Ｍは、二価又は三価の金属元素を表わし、Ｘは、ヘテロ原子を表わし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子又は一価の官能基である。）
【化２】
0005352986.tif 000017
（一般式［ＩＩ］中、Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基、置換されてもよい炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基、置換されてもよい炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、置換されてもよい飽和または不飽和の複素環基、置換されてもよい炭素数６〜炭素数１８のアリール基、置換されてもよい炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基；置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アシル基、アミノ基、アシルアミノ基、カルバメート基、カルボン酸エステル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、スルファモイル基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種の官能基である。一般式［ＩＩＩ］、一般式［ＩＶ］並びに一般式［Ｖ］におけるＲ6〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基、置換されてもよい炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基、置換されてもよい炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、置換されてもよい飽和または不飽和の複素環基、置換されてもよい炭素数６〜炭素数１８のアリール基、置換されてもよい炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アシル基、アミノ基、アシルアミノ基、カルバメート基、カルボン酸エステル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、スルファモイル基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種の官能基である。）
【請求項２】
前記Ａを、メルドラム酸誘導体としている請求項１記載の金属錯体化合物。
【請求項３】
前記Ａを、ピリドン誘導体としている請求項１記載の金属錯体化合物。
【請求項４】
前記Ａを、バルビツール酸誘導体としている請求項１記載の金属錯体化合物。
【請求項５】
前記Ｘを、酸素原子又は硫黄原子としている請求項１、２、３又は４記載の金属錯体化合物。
【請求項６】
前記Ｍを、周期表の７Ａ属、８属、１Ｂ属及び２Ｂ属から選ばれる金属元素としている請求項１、２、３、４又は５記載の金属錯体化合物。
【請求項７】
前記Ｍを、ニッケル、コバルト、亜鉛、銅、マンガン、パラジウムから選ばれる何れかの金属元素としている請求項６記載の金属錯体化合物。
【請求項８】
前記Ｍを、ニッケル又は銅としている請求項７記載の金属錯体化合物。
【請求項９】
前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3を、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基、炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アシル基、アミノ基、アシルアミノ基、カルバメート基、カルボン酸エステル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、スルファモイル基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種を表わすものとしている請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の金属錯体化合物。
【請求項１０】
波長３８５〜４１０ｎｍのレーザ光を吸収し得るものとしている請求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の金属錯体化合物。
【請求項１１】
分子量が１５００以下であるものとしている請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０記載の金属錯体化合物。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のうち何れかの金属錯体化合物を含んでなり、
基層と、当該基層上に設けられた記録層とを具備してなることを特徴とする光学記録媒体。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のうち何れかの金属錯体化合物を含んでなり、
基層の上側に設けられることを特徴とする光記録材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＶＤなどの光ディスクについて、具体的には、有機金属錯体化合物を記録層に用いた光学記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、赤外線レーザ或いは赤色レーザ光線をデータの記録・読取りに用いる光学ディスク技術の普及に伴い、当該レーザ光線に対して好適に適用し得る有機色素が種々開発されている（例えば、特許文献１乃至４参照）。
【０００３】
そして近年、青色レーザに対応する記録層を構成し得る素材として、種々の有機色素が開発されている。波長４０５ｎｍの所謂青色に対応し得る有機色素もまた開発されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００４】
そして現状において、青色レーザに対応する記録層を設けるには、従来のＤＶＤ等に比べて小さいトラック寸法を設け、記録層の膜が、例えば、５〜１００ｎｍといった薄さで、且つ高い精度で均一に設けることが必要とされている。
【特許文献１】特開平１０−８１０６９号公報
【特許文献２】特開２００６−２５６２９４号公報
【特許文献３】特開２００６−３０６０７０号公報
【特許文献４】国際公開第０６／０６１３９８号パンフレット
【特許文献５】特開２００７−４５１４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特に当該技術の場合、２層式ＤＶＤや、それ以上の複数の記録層を一枚のディスクに設ける場合には、各々の記録層を、より精密に設けなければならない。具体的には、精密に記録層を設けるために求められる有機色素の特性として、溶媒への溶解性が高いことが要求される。溶媒への溶解性が低いと、溶解させる際に部分的に濃度が高い箇所において、再結晶を起こしてしまう可能性がある。その結果として、溶液内において、所定濃度から部分的にばらついた箇所が存在してしまうこととなり、そのばらつきがコートする際の記録層の厚みを不均一にする要因となってしまう。
【０００６】
また他方、記録層を薄く構成した場合においても耐久性を好適に高くするためには、斯かる記録層自体の耐光性も、よりいっそう高くすることが求められることとなる。
【０００７】
本発明はこのような不具合に着目したものであり、本発明の所期の目的は、いわゆる青色レーザによる読み出し操作並びに書き込み操作を好適に行なうことができ、且つ、生産性及び耐久性に優れた光学記録媒体を提供すること、並びに、青色レーザ付近の波長の光を好適に吸収し得る色素を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような手段を講じたものである。
【０００９】
すなわち本発明は、波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を吸収し得るものであって、ピラジンＮ−オキシド化合物をジアゾ成分として含んでいることを特徴とする金属錯体化合物である。併せて本発明は斯かる金属錯体化合物を基層の上側に設けてなる光記録材料である。また本発明は基層と、当該基層上に設けられた記録層とを具備してなり、当該記録層が、波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を吸収し得るピラジンＮ−オキシド化合物をジアゾ成分として有する前記金属錯体化合物を含んでいる光学記録媒体である。
【００１０】
また、波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を好適に吸収するためには、前記ピラジンＮ−オキシド化合物をジアゾ成分として有している前記金属錯体化合物を、下記一般式［Ｉ］で表わされるものとする。
【００１１】
【化３】
0005352986.tif 000002
【００１２】
（一般式［Ｉ］中、Ａは、下記一般式［ＩＩ］、一般式［ＩＩＩ］、一般式［ＩＶ］或いは一般式［Ｖ］に示される含酸素複素環又は含窒素複素環を表わし、Ｍは、二価又は三価の金属元素を表わし、Ｘは、ヘテロ原子を表わし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子又は一価の官能基である。）
ここで、一般式［Ｉ］で表すピラジンＮ−オキシド化合物における１価の官能基Ｒ1〜Ｒ3について説明する。
【００１３】
一般式［Ｉ］で表す金属錯体化合物において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基、炭素数２〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜炭素数１８のアリール基、炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アシル基、アミノ基、アシルアミノ基、カルバメート基、カルボン酸エステル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、スルファモイル基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種が挙げられる。
【００１４】
そして一般式［Ｉ］で表す金属錯体化合物において、Ｘは、ヘテロ原子を表わしたものとすることが望ましいが、硫黄原子又は酸素原子とすることが更に望ましく、酸素原子とすることが特に望ましい。
【００１５】
次に、一般式［Ｉ］で表す金属錯体化合物における金属イオンを示すＭについて説明する。
【００１６】
ピラジンＮ−オキシド化合物と配位して一般式［Ｉ］で表す金属錯体化合物を形成する金属イオンを示すＭとしては、ピラジンＮ−オキシド化合物との配位形成能力があれば特に限定されず、遷移元素、典型元素から選択される。金属の酸化数は限定されない。また、後述する金属錯体化合物において、金属とピラジンＮ−オキシド化合物との比は特に限定されない。また、金属及びピラジンＮ−オキシド化合物以外に、金属錯体化合物は、電荷を有する対イオンを含む形で錯体を形成してもよい。
【００１７】
金属とピラジンＮ−オキシド化合物とが形成する錯体の好ましい構造としては、ピラジンＮ−オキシド化合物が３座配位子となるため、錯体形成のしやすさから、２価の金属１個に対しピラジンＮ−オキシド化合物が２個の割合で配位した構造が好ましい。即ち、ピラジンＮ−オキシド化合物とともに一般式［Ｉ］で表す金属錯体を形成する金属イオンは、周期表（長周期型）の３族〜１２族から選ばれる２価の金属であることが好ましい。これらの２価の金属の中でも、特に、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、銅、マンガン及びパラジウムから選ばれる少なくとも１種の金属が特に好ましい。さらに詳細には金属原子たるＭとして、ニッケル又は銅とすることが好ましい。
【００１８】
尚、含金属ピラジンＮ−オキシド化合物としては、複数種のピラジンＮ−オキシド化合物が金属に配位した構造でもよい。また、後述する光学記録媒体の記録層に、複数種の含金属ピラジンＮ−オキシド化合物を含有していてもよい。
【００１９】
一般式［Ｉ］におけるＡとしては、含酸素複素環であり、具体的には下記一般式［ＩＩ］に示すメルドラム酸誘導体とする。
【００２０】
【化４】
0005352986.tif 000003
【００２１】
斯かる一般式［ＩＩ］におけるＲ4、Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、又はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基； シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の置換されてもよい炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の置換されてもよい炭素数２ 〜 炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の置換されてもよい飽和または不飽和の複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基等の置換されてもよい炭素数６〜炭素数１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の置換されてもよい炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ホルミル基；アシル基；アミノ基；アシルアミノ基；カルバメート基；カルボン酸エステル基；アシルオキシ基；カルバモイル基；スルホニル基；スルフィニル基；スルファモイル基；スルホン酸エステル基；スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種の官能基である。
【００２３】
一般式［Ｉ］におけるＡとしては他方、含窒素複素環であり、具体的には下記一般式［ＩＩＩ］、一般式［ＩＶ］或いは一般式［Ｖ］に示すものとする。
【００２４】
【化５】
0005352986.tif 000004
【００２６】
【化６】
0005352986.tif 000005
【００２７】
斯かる一般式［ＩＩＩ］、一般式［ＩＶ］並びに一般式［Ｖ］におけるＲ6〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、又はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキル基； シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の置換されてもよい炭素数３〜炭素数１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の置換されてもよい炭素数２ 〜 炭素数１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の置換されてもよい飽和または不飽和の複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基等の置換されてもよい炭素数６〜炭素数１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の置換されてもよい炭素数７〜炭素数２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の置換されてもよい炭素数１〜炭素数１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の置換されてもよい炭素数１〜 炭素数１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ホルミル基；アシル基；アミノ基；アシルアミノ基；カルバメート基；カルボン酸エステル基；アシルオキシ基；カルバモイル基；スルホニル基；スルフィニル基；スルファモイル基；スルホン酸エステル基；スルホンアミド基から選ばれるいずれか１種の官能基である。
【００２８】
そして前記Ａのより望ましいものとして、Ａを、ピリドン誘導体又はバルビツール酸誘導体とすることが好ましい。
【００２９】
そして本発明は、上に記したもののうち、特に波長３８５〜４１０ｎｍのレーザ光を吸収し得るものとすることが望ましい。
【００３０】
また一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物の分子量は、好ましい範囲としては、１５００以下、特に好ましくは１０００以下である。分子量が過度に大きいとグラム吸光係数が減少し、色素の量に対して吸収が小さくなるので好ましくはない。
【００３１】
そして、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物の好ましい例としては、具体的には、下記に示された（１）〜（６）の化合物が挙げられる。
【００３２】
【化７】
0005352986.tif 000006
【００３３】
【化８】
0005352986.tif 000007
【００３４】
【化９】
0005352986.tif 000008
【００３５】
【化１０】
0005352986.tif 000009
【００３６】
【化１１】
0005352986.tif 000010
【００３７】
【化１２】
0005352986.tif 000011
【発明の効果】
【００３８】
本発明に係る金属錯体化合物によれば、いわゆる青色レーザによる読み出し操作並びに書き込み操作を好適に行なうことができ、且つ、生産性及び耐久性に優れた光記録材料並びに当該光記録材料を用いた光学記録媒体を提供することが可能となる。
【００３９】
また本発明によれば、青色レーザ付近の波長の光を好適に吸収し得る色素を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明の実施形態が適用される光学記録媒体について説明する。
【００４１】
本実施の形態が適用される光学記録媒体は、少なくとも、基板と、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物を含有する記録層とから構成される。尚、必要に応じて、更に下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。
【００４２】
図１は、本実施の形態が適用される光学記録媒体の外観図である。図２は、本発明をＨＤ  ＤＶＤに対して適用した第一実施形態に係る構成説明図であり、図３は、本発明をＢＤ  ＤＶＤに対して適用した第二実施形態に係る構成説明図である。
【００４３】
＜第一実施形態＞
図２に示される光学記録媒体１０は、光透過性材料からなる基層たる基板１と、基板１上に設けられた記録層２と、記録層２上に積層された反射層３及び保護層４とが順番に積層されているディスク１００を、接着剤５を介して互いに貼り合わせてなるものである。そして光学記録媒体１０は、それぞれの基板１側から照射されるレーザ光Ｌにより、情報の記録・再生が行われるものとなっている。
【００４４】
接着剤５は、本実施形態では、例えば紫外線硬化樹脂接着剤（大日本インキ化学工業社製ＤＶＤ８０２）を採用している。
【００４５】
ここで説明の便宜上、光学記録媒体１０において、図２において下側に配されたディスク１００に設けられた保護層４が存在する側を上方、基板１が存在する側を下方とし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面とする。
【００４６】
基板１は、本実施形態では直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート円盤の表面に、溝深さ約６００Åすなわち６０ｎｍ、溝底部の幅が約０．２４μｍ、トラックピッチ０．４０μｍの案内溝凹凸パターンを有するＨＤ  ＤＶＤフォーマットに準拠したものとしている。
【００４７】
また基板１は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材料であれば、様々な材料を使用することができる。具体的には、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に、非晶質ポリオレフィン） 、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂； ガラスが挙げられる。また、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた構造が挙げられる。中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性等の観点からは、射出成型法にて使用されるポリカーボネート樹脂、耐薬品性及び耐吸湿性等の観点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましい。更に、高速応答等の観点からは、ガラスが好ましい。
【００４８】
樹脂製の基板１を使用した場合、又は、記録層と接する側（上側）に樹脂層を設けた基板１を使用した場合には、上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体１０の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００４９】
記録層２は、上記において（１）〜（６）で示した金属錯体化合物たる色素ａを０．８５ｗｔ％となる様に２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノールに溶解した塗布液をスピンコートし、さらに９０℃で１５分間アニールすることにより基板１表面に形成されたものである。
【００５０】
すなわち記録層２は、基板１の上側に直接、又は必要に応じて基板１上に設けた下引き層等の上側に形成され、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物が含まれるものとなっている。記録層２の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層２が得られるという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。
【００５１】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層２を形成する場合に、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物を溶解させて基板１に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板１を侵食しない溶媒であれば特に限定されない。
【００５２】
具体的には、例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒； 乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。
【００５３】
また、記録層２には、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物に加えて、安定性や耐光性の向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。
【００５４】
ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が、原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えば、エチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
【００５５】
尚、記録層２には、必要に応じて、一般式［Ｉ］で表される金属錯体化合物を複数種類併用しても良い。更に、記録層２には、必要に応じて他系統の色素を併用することもできる。
【００５６】
他系統の色素としては、主として記録用レーザ光Ｌの発振波長域に適度な吸収を有するものであればよく、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒ等に使用され、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する近赤外レーザ光を用いた記録・再生に適する色素や、ＤＶＤ−Ｒ等に使用され、６２０ｎｍ〜６９０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する赤色レーザ光を用いた記録・再生に適する色素等を記録層２に含有させることにより、異なる波長帯域に属する複数種のレーザ光を用いた記録・再生に対応する光学記録媒体１０を製造することもできる。また、上記ＣＤ−ＲあるいはＤＶＤ−Ｒの色素の中で耐光性が良好なものを選び、本発明の化合物に混合することにより、耐光性をさらに向上させることが可能となる。
【００５７】
更に、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【００５８】
記録層２の膜厚は、記録方法等により適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも１ｎｍ以上であり、好ましくは５ｎｍ以上である。但し、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。記録層２の膜厚が過度に厚いと、良好な記録が行なえないおそれがある。
【００５９】
反射層３は、記録層２の上に形成されているものであり、本実施形態では、Ａｒをスパッタガスとして用い、スパッタ法によりＡｇを約１０００Åすなわち１００ｎｍの厚さに設けたものである。また一般的に反射層３の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００６０】
そして反射層３の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕは反射率が高く、反射層３の材料として適している。また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄ等の金属及び半金属を挙げることができる。これらの金属及び半金属の中でも、Ａｇを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。
【００６１】
反射層３を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板１の上や反射層３の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【００６２】
保護層４は、反射層３の上に形成されるものであり、本実施形態では紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業社製ＳＤ３９０）からなる保護層を約４μｍの厚さに設けることにより、基板１、記録層２及び反射層とともにディスク１００を作成したものとしている。また保護層４の材料は、反射層３を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2等が挙げられる。
【００６３】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布して乾燥させれば、保護層４を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層３の上に塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層４を形成することができる。
【００６４】
ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。
【００６５】
保護層４の形成方法としては、記録層２と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層４の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但し、通常１００μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下である。保護層４の膜厚が過度に厚いと、効果が変わらないだけでなく保護層４の形成に時間を要し、またコストが高くなるおそれがある。
【００６６】
上述したように、光学記録媒体１０の層構造として、基板１、記録層２、反射層３、保護層４をこの順に積層して成る構造を例に採って説明したが、この他の層構造を採っても構わない。
【００６７】
例えば、上例の層構造から保護層４を省略して反射層３の上面に、更に別の基板１を貼り合わせてもよい。この際の基板１は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層３等任意の層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を有する光学記録媒体１０や、上例の層構造から保護層４を省略した光学記録媒体１０を、それぞれの保護層４及び／又は反射層３の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。
【００６８】
＜第二実施形態＞
次に、光学記録媒体の第二実施形態について説明する。
【００６９】
図３は、光学記録媒体の第二実施形態を説明する図である。第一実施形態の光学記録媒体１０と共通する部分は同じ符号を付し、説明を省略する。同図に示される光学記録媒体２０は、光透過性材料からなる基板１と、基板１上に設けられた反射層３と、反射層３上に積層された記録層２及び保護被膜６とが順番に積層されている。光学記録媒体２０は、保護被膜６側から照射されるレーザ光Ｌにより、情報の記録・再生が行われる。
【００７０】
保護被膜６は、フィルム又はシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよく、また、前述の保護層４と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することにより形成しても良い。保護被膜６の厚さは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚さが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但し、通常、３００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下である。保護被膜６が過度に厚いと、効果が変わらないだけでなく保護被膜６の形成に時間を要し、また、コストが高くなるおそれがある。
【００７１】
尚、記録層２、反射層３等の各層は通常、前述の光学記録媒体１０と同様のものが用い得る。但し、本層構成では基板１は透明である必要はなく、従って、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、金属（合金を含む）等が用いられる。このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。
【００７２】
ところで、光学記録媒体１０、２０の記録密度を高めるための一つの手段として、対物レンズの開口数を増大させることが挙げられる。これにより、情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レンズの開口数が増大すると、記録・再生を行なうためにレーザ光Ｌを照射した際に、光学記録媒体１０、２０の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。
【００７３】
このような収差は、レーザ光Ｌが透過する透明基板や保護被膜の膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板１は、光学記録媒体１０、２０の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、光学記録媒体２０の構造（基板１、反射層３、記録層２、保護被膜６からなる基本的層構成の光学記録媒体２０）を採用するのが好ましい。光学記録媒体１０の基板１を薄くするのに比べると、光学記録媒体２０の保護被膜６は薄くしやすいため、好ましくは光学記録媒体２０を用いる。
【００７４】
但し、光学記録媒体１０の構造（基板１、記録層２、反射層３、保護層４なる基本的層構成の光学記録媒体１０）であっても、記録・再生用レーザ光Ｌが通過する透明な基板１の厚さを５０μｍ〜３００μｍ程度にまで薄くすることにより、収差を小さくして使用できるようになる。
【００７５】
また、他の各層の形成後に、記録・再生レーザ光Ｌの入射面（通常は、基板１の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよく、記録・再生レーザ光Ｌの入射面ではない面（通常は、反射層３や保護層４の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。
【００７６】
本実施の形態が適用される光学記録媒体１０、２０において、情報の記録・再生のために使用するレーザ光Ｌは、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に、波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光Ｌが好ましい。斯かるレーザ光Ｌの代表例として、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザ光が挙げられる。
【００７７】
波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光Ｌは、波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザ光を使用することによって得られる。また、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ光、及び（ｂ）半導体レーザ光によって励起こされる基本発振波長７４０ｎｍ〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザ光の何れかの発振レーザ光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。尚、ＳＨＧとしては、既存の種々のものを採用することができる。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザ光の場合には、その基本発振波長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザ光励起の固体レーザ光の場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ６結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍ等が挙げられる。
【００７８】
本実施の形態が適用される光学記録媒体１０、２０に、情報の記録を行なう際には、記録層２に対して（通常は、基板１側から基板１を透過させ）、通常、０．４μｍ〜０．６μｍ程度に集束したレーザ光Ｌを照射する。記録層２のレーザ光が照射された部分は、レーザ光Ｌのエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形を起こすため、光学的特性が変化する。
【００７９】
記録層２に記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層２に対して（通常は、記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザ光Ｌを照射する。記録層２において、光学的特性の変化が起きた部分（すなわち、情報が記録された部分）の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読取ることにより、情報の再生が行なわれる。
【００８０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、各部の具体的な構成は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
【００８１】
例えば、本実施形態では、本発明に係る金属錯体化合物を光学記録媒体に好適に適用させた態様を開示したが、当該金属錯体化合物は、特定の波長を吸収し得る色素として、例えばフィルタ等の他の用途に用いても良い。さらに、上記実施形態では光学記録媒体２並びにディスク１００において、単一の記録層２を設けたものとしたが、勿論、光学記録媒体の記憶容量を増大させるべく記録層２を複数積層させた構成としてもよい。
【００８２】
その他、各部の具体的構成についても上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
【実施例】
【００８３】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明は当該実施例によって何ら限定されるものではない。
【００８４】
当該実施例では、上記（１）、（２）、（３）、（４）、（５）及び（６）で示した金属錯体化合物をそれぞれ化合物１、化合物２、化合物３、化合物４、化合物５及び化合物６として、後述する比較例として用いた化合物７との差異について検討する。
【００８５】
＜第一実施例＞
本実施例では、上記化合物３、化合物４、化合物６を合成する手順について示した。併せて、化合物３、化合物４、化合物６に対して、溶媒に対する溶解性、紫外可視吸収スペクトル並びに熱分解温度を調査した。
【００８６】
化合物３の合成
温度計、還流管を付した１００ｍｌ反応フラスコに２−アミノー５−フェニルー１−オキシピラジン０．９４ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、９８％硫酸２．０ｍｌ、プロピオン酸１０ｍｌ、酢酸１０ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら４２％ニトロシル硫酸１．８１ｇ（６．００ｍｍｏｌ）を−５〜０℃で滴下した。その後、この混合物を３０分撹拌してジアゾニウム塩溶液を得た。
【００８７】
温度計、還流管を付した２００ｍｌ反応フラスコにメルドラム酸０．７２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム８．４０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、尿素０．０８ｇ（１ｍｍｏｌ）、及びメタノール／水（３／１；容積比）４０ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら先に得たジアゾニウム塩溶液を５℃を超えないように徐々に加えた。その後、この混合物を５℃以下で１時間撹拌した。反応混合物を水で希釈し、生成物をクロロホルムで抽出した。クロロホルム溶液を分取し、これを水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、クロロホルムを留去して化合物３の配位子  １．０４ｇを得た（収率６１％）。
【００８８】
温度計、還流管を付した５０ｍｌ反応フラスコに化合物３の配位子  ０．５１ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、酢酸ニッケル４水和物０．１９ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）、及びメタノール２５ｍｌを仕込み、この混合物を６０℃で１時間撹拌した。放冷後、析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥した。得られた固体をトルエン／酢酸エチル（５／１；容量比）を溶離液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して化合物３を０．２６ｇ得た（収率４７％）。
【００８９】
なお、当該化合物３をクロロホルム中で紫外可視吸収スペクトルを測定したところλｍａｘは４３５ｎｍであり、モル吸光係数εは７．４８×１０4であった。ＴＧにより熱分解温度を測定したところ２４５℃であった。また、２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）に対する溶解度は、１．５ｗｔ％以上であった。
【００９０】
化合物４の合成
温度計、還流管を付した５０ｍｌ反応フラスコに２−アミノ−６−メチル−５−フェニル−１−オキシピラジン０．４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、９８％硫酸１．０ｍｌ、プロピオン酸５ｍｌ、酢酸５ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら４２％ニトロシル硫酸０．７１ｇ（２．４ｍｍｏｌ）を−５〜０℃で滴下した。その後、この混合物を３０分撹拌してジアゾニウム塩溶液を得た。
【００９１】
温度計、還流管を付した１００ｍｌ反応フラスコにメルドラム酸０．２９ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム０．６０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、尿素０．０３ｇ（０．４ｍｍｏｌ）及びメタノール／水（３／１；容量比）４０ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら先に得たジアゾニウム塩溶液を５℃を超えないように徐々に加えた。その後、この混合物を５℃以下で１時間撹拌した。反応混合物を水で希釈し、析出した結晶を濾取、メタノールで洗浄後、乾燥して化合物４の配位子  ０．５６ｇを得た（収率７９％）。
【００９２】
温度計、還流管を付した５０ｍｌ反応フラスコに化合物４の配位子  ０．４５ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、酢酸ニッケル４水和物０．１６ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）、及びメタノール２５ｍｌを仕込み、この混合物を６０℃で２時間撹拌した。放冷後、析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥した。得られた固体をトルエン／酢酸得率（５／１；容量比）を溶離液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して化合物２を０．４２ｇ得た（収率８７％）。
【００９３】
なお、当該化合物４をクロロホルム中で紫外可視吸収スペクトルを測定したところλｍａｘは４２９ｎｍであり、モル吸光係数εは５．９２×１０4であった。ＴＧにより熱分解温度を測定したところ１９９℃であった。また、２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）に対する溶解度は１．５ｗｔ％以上であった。
【００９４】
化合物６の合成
温度計、還流管を付した５０ｍｌ反応フラスコに２−アミノ−６−メチル−５−フェニル−１−オキシピラジン０．６０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、９８％硫酸３．０ｍｌ、プロピオン酸５ｍｌ、酢酸１０ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら４２％ニトロシル硫酸１．０９ｇ（３．６ｍｍｏｌ）を−５〜０℃で滴下した。その後、この混合物を３０分撹拌してジアゾニウム塩溶液を得た。
【００９５】
温度計、還流管を付した２００ｍｌ反応フラスコにジメチルバルビツール酸０．４７ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム０．９１ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）、尿素０．０５ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、及びメタノール／水（３／１；容量比）４０ｍｌを仕込み、この混合物を０℃以下に冷却した。ここに撹拌しながら先に得たジアゾニウム塩溶液を５℃を超えないように徐々に加えた。その後、この混合物を５℃以下で１時間撹拌した。反応混合物を水で希釈し、析出した結晶を濾取、水、次いでメタノールで洗浄後、乾燥して配位子６  ０．９１ｇを得た（収率８２％）。
【００９６】
温度計、還流管を付した５０ｍｌ反応フラスコに配位子６  ０．３ｇ（０．８２ｍｍｏｌ）、酢酸銅０．０７４ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）、及びメタノール２０ｍｌを仕込み、この混合物を６０℃で２時間撹拌した。放冷後、析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥して化合物６を０．２５ｇ得た（収率７７％）。
【００９７】
なお、当該化合物６をクロロホルム中で、紫外可視吸光スペクトルを測定したところλｍａｘは４３１ｎｍであり、モル吸光係数εは６．２５×１０4であった。ＴＧにより熱分解温度を測定したところ２７２℃であった。また、２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）に対する溶解度は、１．５ｗｔ％以上であった。
【００９８】
＜第二実施例＞
続いて、これら合成した化合物３、化合物４、化合物６及び化合物７を比較例として、各金属錯体化合物の耐光性を測定した。なお化合物７は、上述した特許文献５において開示された構造を示す金属錯体化合物である。
【００９９】
【化１３】
0005352986.tif 000012
【０１００】
具体的に説明すると、これら合成した実施例３、実施例４、実施例６及び比較例１に係る各金属錯体化合物を、５万ルクスの蛍光灯に６０時間暴露させた後、各金属錯体化合物の透過率を測定した。そしてこれらの測定値と暴露前に測定した透過率から各色素の保存率を算出し、表１に示した。
【０１０１】
【表１】
0005352986.tif 000013
【０１０２】
このように、化合物３、化合物４及び化合物６の耐光性は、化合物７に対して優れていることが明確に示された。
【０１０３】
＜第三実施例＞
化合物３、化合物４、化合物６及び化合物７に係る各金属錯体化合物を用いて、以下のように光学記録媒体を作成した。そして当該光学記録媒体をそれぞれ実施例３、実施例４、実施例６及び比較例１とし、光学記録媒体としての記録特性についてそれぞれ評価を行なった。
【０１０４】
実施例３
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート円盤の表面に、溝深さ約６００Åすなわち６０ｎｍ、溝底部の幅が約０．２４μｍ、トラックピッチ０．４０μｍの案内溝凹凸パターンを有するＨＤ  ＤＶＤフォーマットに準拠した基板を用意し、色素材料として化合物１を０．８５ｗｔ％となる様に２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノールに溶解した色素記録層の塗布液を調整した。この塗布液をスピンコートし、さらに９０℃で１５分間アニールすることにより基板表面に色素記録層を形成した。
上記色素記録層の最大光吸収波長は４３２ｎｍ、この波長での光吸収（Ａｂｓ．）は０．５３であった。
次に、色素記録層の上に、Ａｒをスパッタガスとして用い、スパッタ法によりＡｇを約１０００Åすなわち１００ｎｍの厚さに設け、反射層とした。
更に、その上に紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業社製ＳＤ３９０）からなる保護層を約４μｍの厚さに設けてディスク体を作成し、基板と同形状のポリカーボネート製のダミー基板を、紫外線硬化樹脂接着剤（大日本インキ化学工業社製ＤＶＤ８０２）により貼り合わせて、本発明に係る光学記録媒体たるＨＤ  ＤＶＤ−Ｒを作成した。
この媒体１の記録特性をパルステック社製ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００を用いて評価した。評価条件は以下の様にした。なお、評価条件はシステム規格  ＤＶＤ  specifications for High Density Recordable Disk (HD DVD-R) part 1 PHISICAL SPECIFICATIONS Version 1.1に準拠した方法である。
［信号記録］
波長４０６ｎｍ、ＮＡ：０．６５、線速度：２×（１３．２２／ｓ）の条件でＨＤ  ＤＶＤ信号を記録した。記録条件は上記ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒに準拠したマルチパス発光パターンを採用した。
［信号再生］
波長４０６ｎｍ、ＮＡ：０．６５、線速度１×（６．６１ｍ／ｓ）の条件で未記録状態並びに記録後の信号を測定した。
【０１０５】
実施例４
上記実施例３に係る記載において、色素材料を化合物４に変更した以外は、媒体実施例３と同様に本発明の実施例４を作成し、記録特性を評価した。
なお、色素記録層の最大吸収波長は４２７ｎｍ、この波長での光吸収（Ａｂｓ．）は０．４７であった。
【０１０６】
実施例６
上記実施例３に係る記載において、色素材料を化合物６に変更した以外は、実施例３と同様に本発明の実施例６を作成し、記録特性を評価した。
なお、色素記録層の最大吸収波長は４３２．５ｎｍ、この波長での光吸収（Ａｂｓ．）は０．４８であった。
【０１０７】
比較例１
上記実施例３に係る記載において、色素材料を化合物７に変更したこと以外は、実施例３と同様に比較例１を作成し、各記録特性を評価した。
なお、色素記録層の最大光吸収波長は４２２ｎｍ、この波長での光吸収（Ａｂｓ．）は０．３９であった。
【０１０８】
上記各光学記録媒体における評価の結果を表２に示す。
【０１０９】
【表２】
0005352986.tif 000014
【０１１０】
本発明の実施例３、実施例４並びに実施例６については、上述したＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格を満足する特性が得られた。他方、比較例１は規格値を満足するＰＲＳＮＲ値、反射率（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）が得られなかった。
【０１１１】
＜第四実施例＞
化合物１、化合物２、化合物３、化合物４、化合物５及び化合物６に示した金属錯体化合物に対して、改めて、紫外可視吸収スペクトル、熱分解温度並びに２，２，３，３，−テトラフルオロプロパノールに対する溶解度を測定した。その結果を下記表３に示す。
【０１１２】
【表３】
0005352986.tif 000015
【０１１３】
同表に示す通り、上記第一乃至第三実施例において調査していない化合物１、化合物２及び化合物５についても、測定した各項目について、化合物３、化合物４及び化合物６に比べて遜色無い値を示した。すなわち、これら化合物１、化合物２及び化合物５についても化合物３、化合物４及び化合物６同様、光学記録媒体の記録層として好適に適用し得ることが考察される。
【０１１４】
以上のように、これら実施例に係る光学記録媒体により、いわゆる青色レーザによる読み出し操作並びに書き込み操作を好適に行なうことができ、且つ、生産性及び耐久性に優れた光記録材料並びに当該光記録材料を用いた光学記録媒体を提供することが可能となることが実証された。また本発明に斯かる金属錯体化合物よれば、青色レーザ付近の波長の光を好適に吸収し得る色素を提供することが可能となることが実証された。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の実施形態に係る外観図。
【図２】同第一実施形態に係る構成説明図。
【図３】同第二実施形態に係る構成説明図。
【符号の説明】
【０１１６】
１…基層（基板）
２…記録層
３…反射層
１０、２０…光学記録媒体
１００…ディスク
ａ…金属錯体化合物、色素（色素）
【図１】
0005352986.tif 000018
【図２】
0005352986.tif 000019
【図３】
0005352986.tif 000020