(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学要素と、
固定部に一端部が接続され、かつ前記光学要素を保持する保持部に他端部が接続されるリンクを複数有し、前記固定部に対する前記光学要素の位置及び姿勢の少なくとも一つを調整するパラレルリンク機構と、
前記固定部のうち、前記リンクの一端部が接続される位置とは異なる位置であって、かつ前記複数のリンクの間の少なくとも一つに設けられ、前記固定部に伝わる振動を減衰して、前記パラレルリンク機構を介した前記光学要素への振動を抑制するダンパ機構とを備える光学要素駆動装置。
【請求項２】
前記ダンパ機構は、質量体と、前記質量体を前記固定部に対して変位可能に支持する弾性体と、前記弾性体が弾性変形したときに前記質量体が変位するのを抑制する制振部材とを備えることを特徴とする請求項１に記載の光学要素駆動装置。
【請求項３】
前記ダンパ機構は前記質量体、前記弾性体及び前記制振部材を収容する気密室を区画するケーシングを更に備えることを特徴とする請求項２に記載の光学要素駆動装置。
【請求項４】
前記ダンパ機構は、
気密室を区画するケーシングと、
前記ケーシングの外側に配置され、前記固定部が振動したときに弾性変形する弾性体と、
前記気密室に配置される質量体と、
前記気密室において、前記質量体と前記ケーシングとの間に配置され、前記質量体の振動を吸収する制振部材とを備え、前記質量体は前記制振部材のみに接触していることを特徴とする請求項１に記載の光学要素駆動装置。
【請求項５】
前記パラレルリンク機構は、前記光学要素を前記固定部に対して６方向に駆動し、かつ２本の一組の前記リンクからなる複数のリンク対を含み、前記複数のリンク対は前記固定部に分散して取り付けられており、
前記ダンパ機構は、前記固定部に分散して取り付けられた複数のダンパ機構のうちの一つであり、各ダンパ機構は、隣接する２つのリンク対の間に配置されている請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の光学要素駆動装置。
【請求項６】
前記パラレルリンク機構が前記光学要素を移動するときに前記固定部は不動である請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の光学要素駆動装置。
【請求項７】
前記ダンパ機構は前記固定部のみに固定されている請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の光学要素駆動装置。
【請求項８】
前記ダンパ機構と前記リンク対とは、前記固定部に対して、等角度間隔で配置されていることを特徴とする請求項５に記載の光学要素駆動装置。
【請求項９】
所定のパターンを基板上に投影する投影光学系において、
請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の光学要素駆動装置を備えることを特徴とする投影光学系。
【請求項１０】
前記光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、
前記固定部は、前記鏡筒ユニットの一部に不動に固定されていることを特徴とする請求項９に記載の投影光学系。
【請求項１１】
前記鏡筒ユニットと前記固定部との間に配置され、前記鏡筒ユニットに対する前記固定部の位置を調整する位置調整部材を更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の投影光学系。
【請求項１２】
前記固定部は前記光学要素を収容する鏡筒ユニットであることを特徴とする請求項９に記載の投影光学系。
【請求項１３】
前記光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、前記ダンパ機構は前記固定部と前記鏡筒ユニットとの両方に接触し、前記固定部は、前記ダンパ機構を介して前記鏡筒ユニットに取り付けられていることを特徴とする請求項９に記載の投影光学系。
【請求項１４】
請求項９〜請求項１３のうち何れか一項に記載の投影光学系を介して所定のパターンを基板上に露光する露光装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の露光装置を用いて露光を行うリソグラフィ工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子等のデバイスの製造プロセス及びレチクル、フォトマスク等のマスクの製造プロセスにおけるリソグラフィ工程で使用される露光装置の光学要素を駆動する光学要素駆動装置、光学要素駆動装置を備えた投影光学系及び露光装置、並びに、露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子、液晶表示素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、レチクル、フォトマスク等のマスクに形成された所定のパターンを、投影光学系を介して、レジストの塗布されたウエハやガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられる。転写するパターンが高集積化要求に対応するべく微細化していることから、露光装置の露光精度の向上及び解像性能の向上に加え、露光装置に含まれる光学要素の位置合わせ精度の向上が不可欠である。【０００３】
ところが、従来の露光装置では、露光装置の外部や内部からの振動が露光装置に含まれる光学要素（レンズ、ミラー等）に伝達されることがある。振動の伝達により、光学要素の位置や姿勢が変化し、光学要素の位置合わせ精度が低下する虞があった。そこで、振動減衰機能を有するダンパ機構を備えた露光装置が提案されている。例えば特許文献１参照。【０００４】
特許文献１の露光装置では、投影光学系内に固定された固定部としての固定ブロックにパラレルリンク機構からなる姿勢調整機構を介して中間ブロックが支持されている。この中間ブロックに光学要素が保持されている。姿勢調整機構は、中間ブロックの位置と姿勢を６自由度で調整する。この姿勢調整機構の駆動によって光学要素は中間ブロックと共に変位する。これにより、光学要素の位置と姿勢が調整される。【０００５】
中間ブロックには、軸受けを介して追加質量が支持される。中間ブロックは追加質量と対向し、離間している。中間ブロックと追加質量との対向面には互いに吸引し合うように複数個の磁石が配置されている。中間ブロックの磁石と追加質量の磁石との間には、固定ブロック（又は中間ブロック）に支持された導体板が配置されている。振動伝播時には、この導体板と磁石が相対移動し、渦電流を発生する。この渦電流は振動を減衰する力を生じるのに利用される。導体板と磁石は磁気ダンパとして機能する。
【特許文献１】特開２００４−３４０３７２号公報（米国特許出願公開第２００４／２１２７９４号明細書）
【発明の開示】
【０００６】
特許文献１の露光装置では、複数個の磁石が中間ブロックと追加質量に固定されている。各磁石に対面する導体板は、固定ブロックに支持されるか、各磁石とともに中間ブロックや追加質量に支持される。すなわち、特許文献１の露光装置では、ダンパ機構（磁気ダンパ）は、中間ブロック（可動部）と固定ブロック（固定部）に跨って設置されるか、又は、中間ブロック（可動部）にのみ設置される。
【０００７】
そのため、特許文献１の露光装置では、姿勢調整機構が光学要素の位置と姿勢を調整するときに、次の不具合が生じる。
【０００８】
(i)姿勢調整機構は光学要素と共に、追加質量や磁石も駆動しなければならないため、姿勢調整機構の駆動負担（重量）が過大となり、光学要素の位置と姿勢を高精度で調整することが困難になる。
【０００９】
(ii)特にダンパ機構が中間ブロックと固定ブロックに跨って設置された状態で、姿勢調整機構が中間ブロック及び追加質量を変位させるとき、中間ブロックに固定された各磁石と固定ブロックに支持された導体板とが相対移動する。この場合、導体板においては相対移動方向とは逆方向へ作用する制振力が生じる。この制振力は光学要素の位置と姿勢を調整するために駆動された姿勢調整機構の本来的な駆動力に影響し、光学要素の位置と姿勢の調整を更に困難にする。
【００１０】
本発明の目的は、光学要素に対する振動伝播を抑制しつつ、光学要素の位置及び姿勢の少なくとも一方を良好に調整でき、光学要素の位置決め精度を向上することができる光学要素駆動装置、前記光学要素駆動装置を備えた投影光学系、前記投影光学系を備えた露光装置、及び、前記露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することにある。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面によれば、光学要素と、固定部に一端部が接続され、かつ前記光学要素を保持する保持部に他端部が接続されるリンクを複数有し、前記固定部に対する前記光学要素の位置及び姿勢の少なくとも一つを調整するパラレルリンク機構と、前記固定部のうち、前記リンクの一端部が接続される位置とは異なる位置であって、かつ前記複数のリンクの間の少なくとも一つに設けられ、前記固定部に伝わる振動を減衰して、前記パラレルリンク機構を介した前記光学要素への振動を抑制するダンパ機構とを備える光学要素駆動装置が提供される。
【００１２】
一実施形態では、ダンパ機構は、質量体と、質量体を固定部に対して変位可能に支持する弾性体と、弾性体が弾性変形したときに質量体が変位するのを抑制する制振部材とを備える。
【００１３】
一実施形態では、ダンパ機構は質量体、弾性体及び制振部材を収容する気密室を区画するケーシングを更に備える。
【００１４】
一実施形態では、ダンパ機構は、気密室を区画するケーシングと、ケーシングの外側に配置され、固定部が振動したときに弾性変形する弾性体と、気密室に配置される質量体と、気密室において、質量体とケーシングとの間に配置され、質量体の振動を吸収する制振部材とを備え、質量体は制振部材のみに接触している。
【００１６】
一実施形態では、パラレルリンク機構は、光学要素を固定部に対して６方向に駆動し、かつ２本の一組のリンクからなる複数のリンク対を含み、複数のリンク対は固定部に分散して取り付けられており、ダンパ機構は、固定部に分散して取り付けられた複数のダンパ機構のうちの一つであり、各ダンパ機構は、隣接する２つのリンク対の間に配置されている。
【００１７】
一実施形態では、パラレルリンク機構が光学要素を移動するときに固定部は不動である。
【００１９】
一実施形態では、ダンパ機構は固定部のみに固定されている。
【００２０】
本発明の別の側面によれば、所定のパターンを基板上に投影する投影光学系が提供される。その投影光学系は、上記の光学要素駆動装置を備える。
【００２１】
一実施形態では、投影光学系は、光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、固定部は、鏡筒ユニットの一部に不動に固定されている。
【００２２】
一実施形態では、鏡筒ユニットと固定部との間に配置され、鏡筒ユニットに対する固定部の位置を調整する位置調整部材を更に備える。
【００２３】
一実施形態では、固定部は光学要素を収容する鏡筒ユニットである。
【００２４】
一実施形態では、光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、ダンパ機構は固定部と鏡筒ユニットとの両方に接触し、固定部は、ダンパ機構を介して鏡筒ユニットに取り付けられている。
【００２５】
本発明は、更に、上記の投影光学系を介して所定のパターンを基板上に露光する露光装置を提供する。本発明は更に、露光装置を用いて露光を行うリソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に従う露光装置の概略図。
【図２】投影光学系を構成するミラーの配置構成を示す概略図。
【図３】投影光学系に含まれる一つの鏡筒ユニットの部分破断斜視図。
【図４】図３の鏡筒ユニットの平面図。
【図５】ダンパ機構の説明図。
【図６】本発明の第２実施形態に従うダンパ機構の説明図。
【図７】デバイスの製造工程のフローチャート。
【図８】半導体デバイスの製造工程のフローチャート。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１乃至図５を参照して、本発明の第１実施形態に従う走査型露光装置を説明する。走査型露光装置はステップ・アンド・スキャン方式であり、半導体素子の製造に使用される。【００２８】
図１に示すように、露光装置１０は、減圧可能な真空チャンバ（図示略）内に設置されるものであり、ベースプレートＢＰ上に組み上げられたコラム枠１１を有している。コラム枠１１の側部（図１では左側部）には光源１２が配置される。コラム枠１１内の略中央部には投影光学系ＰＯが配置されている。投影光学系ＰＯと光源１２との間には図示しない照明光学系が配置されている。【００２９】
ベースプレートＢＰとコラム枠１１との間には、除振装置５が配置されている。従って、ベースプレートＢＰを介して、露光装置１０が設置される床から進入する外乱振動を低減することができる。光源１２はコラム枠１１とは独立に配置してもよい。【００３０】
光源１２は、ＥＵＶの露光光（軟Ｘ線波長の光）ＥＬを照明光学系に向けて出射する。一実施形態では、光源１２は露光光ＥＬを水平方向（図１ではＹ軸方向）に出射する。光源１２の例は、主に波長５〜２０ｎｍ、例えば波長１１ｎｍの露光光ＥＬを出射するレーザ励起プラズマ光源である。【００３１】
投影光学系ＰＯは、図２に示すように、鏡筒１４を備える。鏡筒１４は、投影光学系ＰＯにおける光軸ＡＸと平行なＺ軸方向に沿って積層された複数（例えば５つ）の鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅによって構成される。複数（例えば７つ）のミラー（光学要素）Ｍ，Ｍ１〜Ｍ６が鏡筒１４内に収容されている。ミラーＭは、投影光学系ＰＯの鏡筒１４内に配置されているが、照明光学系の一部を構成する光学要素である。ミラーＭを除く６つのミラーＭ１〜Ｍ６は投影光学系ＰＯを構成する光学要素である。【００３２】
図２に示すように、６つのミラーＭ１〜Ｍ６は、上から順にミラーＭ２、ミラーＭ４、ミラーＭ３、ミラーＭ１、ミラーＭ６、ミラーＭ５の順に鏡筒１４内に配置されている。ミラーＭ２及びミラーＭ４は最上段の鏡筒ユニット１４ａ内に収容されている。ミラーＭ３は上から二段目の鏡筒ユニット１４ｂ内に収容されている。ミラーＭ１は中段の鏡筒ユニット１４ｃ内に収容されている。ミラーＭ６は下から二段目の鏡筒ユニット１４ｄ内に収容されている。ミラーＭ５は最下段の鏡筒ユニット１４ｅ内に収容されている。ミラーＭ５、Ｍ６は露光光ＥＬの光路上に切り欠きを有する。【００３３】
図１に示すように、鏡筒１４の側壁と上壁には、開口１５ａ，１５ｂがそれぞれ形成されている。一例では、開口１５ａは鏡筒ユニット１４ａと鏡筒ユニット１４ｂに跨って形成された矩形状の開口である。光源１２から出射された露光光ＥＬは、開口１５ａを介して、投影光学系ＰＯの鏡筒１４内に一旦入射する。鏡筒１４内において、開口１５ａの近傍には前述したミラーＭが配置されている。ミラーＭは、入射した露光光ＥＬを上方に向けて反射する。露光光ＥＬは開口１５ｂを介して、鏡筒１４の外部へ出射される。【００３４】
図１に示すように、コラム枠１１の上方にレチクルベース定盤１６がＸＹ面に平行に配置されている。レチクルベース定盤１６の上方には、レチクルステージＲＳＴが浮上配置される。レチクルステージＲＳＴは、例えば磁気浮上型二次元リニアアクチュエータ等からなるレチクルステージ駆動部１７Ｒにより駆動される。レチクルベース定盤１６は、開口１５ｂから出射された露光光ＥＬの通過を許容する開口（図示略）を有する。【００３５】
レチクルステージＲＳＴの下面には、所定のパターン（例えば回路パターン）の形成されたパターン面を有する反射型のレチクルＲがパターン面を下側に向けた状態で配置され、レチクルホルダ（図示略）により保持されている。レチクルステージ駆動部１７Ｒは、レチクルステージＲＳＴを主としてＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる。レチクルレーザ干渉計１８ＲはレチクルステージＲＳＴの位置を常時検出する。【００３６】
コラム枠１１内の下部には、ウエハベース定盤１９がＸＹ平面に沿うように配置されている。ウエハベース定盤１９の上方には、ウエハステージＷＳＴが浮上配置されている。ウエハステージＷＳＴは、例えば磁気浮上型二次元リニアアクチュエータ等からなるウエハステージ駆動部１７Ｗにより駆動される。ウエハステージＷＳＴ上には、レジストの塗布された上面を有するウエハ（基板）Ｗがウエハホルダ（図示略）により保持されている。ウエハステージ駆動部１７ＷはウエハステージＷＳＴを主としてＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる。ウエハレーザ干渉計１８ＷはウエハステージＷＳＴの位置を常時検出する。【００３７】
図３を参照して、ミラーＭ１〜Ｍ６の位置と姿勢を調整する光学要素駆動装置を説明する。【００３８】
図３は、鏡筒１４に含まれる中段の鏡筒ユニット１４ｃを示す。鏡筒ユニット１４ｃの下部には、内側に水平に延びるフランジ部２０が形成されている。円環状のアウタリング（固定部）２１は位置調整部材としての複数の調整用ワッシャ２２を介してフランジ部２０に支持されている。アウタリング２１はミラーＭの位置や姿勢を調整する時であってもフランジ部２０に対して不動である。【００３９】
図４に示すように、複数の調整用ワッシャ２２は、等角度間隔（例えば１２０度）で分散して配置され、アウタリング２１の周方向の等分点（例えば３等分点）を支持する。各調整用ワッシャ２２の高さを調整することにより、フランジ部２０に対するアウタリング２１の位置を調整することができる本実施形態では、アウタリング２１をフランジ部２０に対して水平になるように調整している。【００４０】
アウタリング２１上には、パラレルリンク機構２３とインナリング２４とを含む駆動機構２５が設けられている。パラレルリンク機構２３はインナリング２４を変位可能に支持する。インナリング２４は円環状である。インナリング２４上には、複数（例えば３つ）のミラー保持部材２６ａ，２６ｂ，２６ｃを介してミラーＭ１が保持されている。パラレルリンク機構２３は、インナリング２４を変位させることにより、アウタリング２１に対するミラーＭ１の位置と姿勢のうちの少なくとも一方を調整する。【００４１】
パラレルリンク機構２３は、インナリング２４をアウタリング２１に対して変位可能に連結する。パラレルリンク機構２３は、インナリング２４をアウタリング２１に対して６方向にすなわち６自由度で駆動する。６自由度は、Ｘ軸方向の変位（Δｘ）、Ｙ軸方向の変位（Δｙ）、Ｚ軸方向の変位（Δｚ）、Ｘ軸回りの回転（θｘ）、Ｙ軸回りの回転（θｙ）、及びＺ軸回りの回転（θｚ）が可能であることを意味する。図３の例では、パラレルリンク機構２３は、アウタリング２１に分散して配置された３つのリンク対によって構成される。各リンク対は２本一組のリンク２７によって構成される。各リンク２７の両端はアウタリング２１とインナリング２４に球面対偶を介して接続されている。【００４２】
各リンク２７は、第１軸部材２８と、第１軸部材２８に接続又は連結された第２軸部材２９とを含む。第１軸部材２８の一端（下端）はアウタリング２１にボールジョイント３０を介して取り付けられている。第２軸部材２９の一端（上端）はインナリング２４にボールジョイント（図示略）を介して取り付けられている。第１軸部材２８及び第２軸部材２９の少なくとも一方には、リンク２７の長さ、すなわち、第１軸部材２８の下端と第２軸部材２９の上端との距離を変更可能なアクチュエータ（例えば、圧電素子など）が設けられている。従って、各リンク２７は伸縮可能である。【００４３】
図３及び図４に示すように、複数（例えば３つ）のダンパ機構３１は等角度間隔（例えば１２０度）でアウタリング２１に分散して配置される。各ダンパ機構３１は隣接する２つのリンク対の間に配置される。図４の例では、３つのダンパ機構３１と、パラレルリンク機構２３の３つのリンク対とは、等角度間隔（６０度間隔）で配置されている。ダンパ機構３１及び駆動機構２５により光学要素駆動装置５０が構成される。【００４４】
図５に示すように、各ダンパ機構３１は、アウタリング２１上に固定される矩形のベース部材３２と、ベース部材３２上に固定されるカバー３３とを含む。ベース部材３２とカバー３３は大気圧雰囲気の気密室３５を区画するケーシング３４として機能する。ベース部材３２とカバー３３との間には、気密性を向上させるために気密用シール材を配置することが望ましい。各ダンパ機構３１は、気密室３５内に収容された所定質量の質量体３６、アイソレータ機能を有する弾性体３７、及び、ダンパ機能を有する制振部材３８を更に含む。アイソレータ機能を有する弾性体３７の例はスプリングである。ダンパ機能を有する制振部材３８の例はラバーフォームである。スプリング３７とラバーフォーム３８は質量体３６をケーシング３４内に浮上支持する。アウタリング２１が振動したとき、質量体３６はスプリング３７の弾性変形を伴って慣性的に振動方向に変位し、その後、その振動方向の変位はラバーフォーム３８により減衰される。【００４５】
鏡筒ユニット１４ｃ以外の他の鏡筒ユニット１４ａ，１４ｂ，１４ｄ，１４ｅにおいても、鏡筒ユニット１４ｃと同様に、各ミラーＭ２〜Ｍ６がそれぞれ駆動機構２５を介して固定部としてのアウタリング２１上に位置及び姿勢の少なくとも一方を調整可能に支持されている。そのアウタリング２１上には駆動機構２５におけるパラレルリンク機構２３の３対のリンク対の間に位置するようにして３つのダンパ機構３１が配置されている。【００４６】
次に、露光装置１０の作用を説明する。【００４７】
光源１２が射出した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＯの鏡筒１４に形成された開口１５ａを介して鏡筒１４内に入射し、そして、ミラーＭにより上向きに反射され、鏡筒１４の開口１５ｂを介してレチクルＲに所定の入射角で入射する。このとき、露光光ＥＬは円弧スリット状の照明光となって、レチクルＲのパターン面を照明する。【００４８】
レチクルＲのパターン面で反射された露光光ＥＬは、再び投影光学系ＰＯの鏡筒１４内に入射する。図２に示すように、露光光ＥＬはミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５で順次反射され、ミラーＭ６で集光されて、ウエハＷ上に照射される。従って、ウエハＷ上の複数のショット領域の各々にレチクルＲに形成された所定のパターン（回路パターンなど）がステップ・アンド・スキャン方式で転写される。【００４９】
例えば露光装置１０が設置された建物（図示略）が振動した場合、又はウエハステージＷＳＴやレチクルステージＲＳＴの駆動に伴いコラム枠１１が振動した場合、除振装置５でその振動が低減されるものの、露光精度に影響を及ぼすわずかな振動が投影光学系ＰＯにおける鏡筒１４に伝播する可能性がある。図３に示す鏡筒ユニット１４ｃを例にすると、フランジ部２０上に調整用ワッシャ２２を介して支持されたアウタリング２１が振動する。しかし、アウタリング２１の振動は、ダンパ機構３１により減衰されるため、駆動機構２５を介してミラーＭ１に伝播されない。【００５０】
ダンパ機構３１の振動減衰機能を説明する。【００５１】
ダンパ機構３１では、ケーシング３４内の質量体３６がアウタリング２１の振動に伴ってスプリング３７を弾性変形させながらアウタリング２１の振動を抑制する方向へ慣性的に変位する。ラバーフォーム３８は質量体３６のアウタリング２１に対する相対的な変位エネルギーを吸収する。これにより、質量体３６の変位量は次第に減衰される。これにより、鏡筒１４（鏡筒ユニット１４ｃ）からアウタリング２１に伝播した振動が、アウタリング２１から駆動機構２５を介してミラーＭ１へ更に伝播することが抑制される。【００５２】
露光装置１０の鏡筒１４（各鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅ）内は、不活性ガス若しくは真空雰囲気であるが、第１実施形態では、ダンパ機構３１が気密室３５を備えたケーシング３４を有しており、そのケーシング３４の気密室３５内に、ダンパ機構３１の要部となる質量体３６、スプリング３７、ラバーフォーム３８が収容されている。そのため、鏡筒１４内とケーシング３４の気密室３５内との間でガス交換がなく、相互の機能を劣化させる、例えば相互の雰囲気に影響を及ぼすことがない。【００５３】
第１実施形態の露光装置１０によれば、以下の作用効果を得ることができる。【００５４】
（１）露光装置１０の外部（建物等）や内部（ウエハステージＷＳＴ等）からの振動が投影光学系ＰＯの鏡筒１４に伝わり、その振動がアウタリング２１を介してミラーＭ１〜Ｍ６に伝播しようとしても、アウタリング２１に設けられたダンパ機構３１が振動減衰機能を発揮し、ミラーＭ１〜Ｍ６への振動伝播を抑制する。そのため、そのような振動に起因したミラーＭ１〜Ｍ６の位置や姿勢の変位がなくなり、投影光学系ＰＯにおける各ミラーＭ１〜Ｍ６の位置決め精度の低下を好適に抑制することができる。【００５５】
（２）ダンパ機構３１は固定部としてのアウタリング２１に支持されているため、ダンパ機構３１の重量が投影光学系ＰＯの各ミラーＭ１〜Ｍ６の位置や姿勢を調整する駆動機構２５の駆動の負荷にならない。したがって、投影光学系ＰＯでは駆動機構２５により各ミラーＭ１〜Ｍ６の位置や姿勢を良好に調整することができる。【００５６】
（３）ダンパ機構３１は、所定質量の質量体３６と、質量体３６を変位可能に支持するスプリング３７と、スプリング３７の弾性変形に伴う質量体３６の変位（振動）を抑制する方向に減衰させるラバーフォーム３８とからなる簡単な構成であるため、良好な減衰機能を発揮するダンパ機構３１を安価に得ることができる。【００５７】
（４）ダンパ機構３１は、その要部構成となる質量体３６やスプリング３７及びラバーフォーム３８がケーシング３４の気密室３５内に収容されているため、鏡筒１４内との間でガス交換がない。したがって、ダンパ機構３１の構成材料の選択において、鏡筒１４内の雰囲気への影響を考慮する必要はない。よって、所望の減衰機能に応じてダンパ機構３１の構成材料（質量体３６やラバーフォーム３８等）を自由に選択することができる。【００５８】
（５）各光学要素駆動装置５０に含まれるパラレルリンク機構２３は対応するミラーＭ１〜Ｍ６をアウタリング２１に対して６方向に駆動するため、各ミラーＭ１〜Ｍ６の位置及び姿勢の少なくとも一方を精緻に調整することが可能となり、露光精度の向上に寄与する。【００５９】
（６）アウタリング２１上において各ダンパ機構３１は駆動機構２５における各パラレルリンク機構２３の３つのリンク対の間に配置されている。このため、ダンパ機構３１が各パラレルリンク機構２３のリンク２７の動きに支障を与えることもなく、良好な駆動状態を実現することができる。【００６０】
（７）アウタリング２１上においてダンパ機構３１とパラレルリンク機構２３は、投影光学系ＰＯにおける光軸ＡＸを中心として等角度間隔（６０度間隔）で配置されている。このため、ダンパ機構３１の重量により各鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅ内での光学要素駆動装置５０の重心の偏りが防止される。【００６１】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。【００６２】
第２実施形態では、ダンパ機構の具体的構成においてのみ第１実施形態と異なる。以下の説明ではダンパ機構を中心に説明し、第１実施形態の構成と同一構成については同一符号を付すことにより重複説明を省略する。【００６３】
図６に示すように、第２実施形態のダンパ機構４１では、ケーシング３４はアウタリング２１上に固定される矩形のベース部材３２と、ベース部材３２上に固定されるカバー３３とを含み、大気圧雰囲気の気密室３５を有する。ベース部材３２とカバー３３との間には、気密性を向上させるために気密用シール材を配置することが望ましい。気密室３５内には所定質量の質量体３６が配置されている。質量体３６とベース部材３２との間には質量体３６の鉛直方向の変位を抑制するラバー体４２ａが配置されている。質量体３６とカバー３３の側面との間には質量体３６の水平方向の変位を抑制するラバー体４２ｂ，４２ｃが配置されている。カバー３３の上壁３３ａには貫通孔４３が形成されている。天板部４４ｂとシャフト４４ａとを含むＴ字断面を有する押圧部材４４はカバー３３の上壁３３ａに対して移動可能に支持されている。貫通孔４３には押圧部材４４のシャフト４４ａが挿通されている。シャフト４４ａと貫通孔４３との間に配置されたシール材４５は気密室３５の気密を維持する。【００６４】
気密室３５内において押圧部材４４のシャフト４４ａの端には、天板部４４ｂと略平行な平坦な押圧板４６が固定されている。押圧板４６と質量体３６との間には質量体３６の鉛直方向の変位を抑制するラバー体４２ｄが配置されている。ラバー体４２ａ〜４２ｄはダンパ機能を有する制振部材として機能する。図６の例では、質量体３６はラバー体４２ａ〜４２ｄのみと接触している。カバー３３の上壁３３ａと押圧部材４４の天板部４４ｂとの間にはアイソレータ機能を有する弾性体３７が配置されている。弾性体３７の例はスプリングである。アウタリング２１の振動時には質量体３６がスプリング３７を弾性変形させながら振動方向に変位する。ラバー体４２ａ〜４２ｄは質量体３６の変位量を次第に減衰させる。したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）と略同様の作用効果を得ることができる。【００６５】
各実施形態は以下のように変更してもよい。【００６６】
ダンパ機構３１，４１は、鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅにおけるフランジ部２０に配置されてもよい。この場合、鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅの一部（フランジ部２０）が固定部として機能する。鏡筒１４に伝播した振動は、鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅに設けられたダンパ機構３１，４１により減衰される。よって、各ミラーＭ１〜Ｍ６への振動伝播が抑制される。【００６７】
鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅにおけるフランジ部２０とアウタリング２１との間には位置調整部材としての調整用ワッシャ２２を介在させず、フランジ部２０上にアウタリング２１を直接支持してもよい。【００６８】
調整用ワッシャ２２に代えて、ケーシング３４を有するダンパ機構３１，４１を鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅの一部（フランジ部２０）とアウタリング２１との間に配置してもよい。この場合、固定部としてのアウタリング２１は、ダンパ機構３１，４１を介して鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅの一部に取り付けられる。【００６９】
光学要素駆動装置５０の駆動機構２５は、各ミラーＭ１〜Ｍ６の位置及び姿勢の何れか一方を調整するものであってもよい。【００７０】
光学要素駆動装置５０の駆動機構２５において、インナリング２４を省略し、パラレルリンク機構２３の各リンク対により各ミラーＭ１〜Ｍ６を直接に支持してもよい。【００７１】
ダンパ機構３１，４１を有する光学要素駆動装置５０は、鏡筒１４の鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅ内に収容されたミラーＭ１〜Ｍ６のうち少なくとも一つのミラー（例えば、鏡筒ユニット１４ｃ内のミラーＭ１）を調整してもよい。【００７２】
鏡筒ユニット１４ａ〜１４ｅ内において固定部としてのアウタリング２１上に配置されるダンパ機構３１，４１の個数は、３つ以外の個数（例えば１つ、２つ又は４つ以上）であってもよい。また、ダンパ機構３１，４１は等角度間隔以外の間隔で配置されてもよい。【００７３】
ダンパ機構３１，４１のケーシング３４内の気密室３５は、大気圧雰囲気でなく真空雰囲気でもよい。この場合、大気圧雰囲気下でダンパ機構３１，４１を製造し、その後、気密室３５を減圧すればよい。【００７４】
第１実施形態のダンパ機構３１において、カバー３３を省略してもよい。この場合、質量体３６はスプリング３７及びラバーフォーム３８を介して鏡筒１４内に露出したベース部材３２上に支持される。【００７５】
ダンパ機構３１，４１の制振部材として、ラバーフォーム３８やラバー体４２ａ〜４２ｄの他に、ゲル、オイル、グリースなどの粘性体を用いることができる。【００７６】
各実施形態において光学要素はミラーＭ１〜Ｍ６に限定されず、平行平板、レンズ、ハーフミラーなどの他の光学要素であってもよい。【００７７】
各実施形態において光学要素駆動装置５０は、照明光学系に設けられていてもよく、例えば顕微鏡、干渉計などの光学系の光学要素を駆動してもよい。【００７８】
露光装置１０における投影光学系ＰＯは、全反射タイプに限らず、反射屈折タイプ、全屈折タイプであってもよい。露光装置１０は、縮小露光型に限らず、等倍露光型又は拡大露光型であってもよく、さらに、ステップ・アンド・リピート方式のものであってもよい。【００７９】
露光装置１０の光源１２から出射される露光光は、ＥＵＶ光に限定されず、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ＮＭ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を用いてもよい。【００８０】
露光装置１０は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、又は薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、又はＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４号パンフレットで開示されている液浸型の露光装置であってもよい。【００８１】
次に、露光装置１０をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法を説明する。【００８２】
図７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図７に示すように、まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能と性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レクチルＲ等）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。【００８３】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。ステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。【００８４】
最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。【００８５】
図８は、半導体デバイスの場合における、図７のステップＳ１０４の詳細なフローの一例を示す図である。図８において、ステップＳ１１１（酸化ステップ）では、ウエハＷの表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハＷ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）では、ウエハＷ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）では、ウエハＷにイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜Ｓ１１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。【００８６】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハＷに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステム（露光装置１０）によってマスク（レチクルＲ）の回路パターンをウエハＷ上に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）では露光されたウエハＷを現像し、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。【００８７】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハＷ上に多重に回路パターンが形成される。以上説明した実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ１１６）において上記の露光装置１０が用いられ、真空紫外域の露光光により解像力の向上が可能となり、しかも露光量制御を高精度に行うことができる。従って、結果的に最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まりよく生産することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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