(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子、リード、及び、前記半導体素子と前記リードとを電気的接続する配線を樹脂封止する半導体装置において、
前記半導体素子の表面と前記リードの表面とを橋渡しする構造体を有しており、この構造体の表面に前記配線が形成されており、
前記配線は、金属粒子を焼結することによって形成される金属と、金属粒子を含む導電性接着剤を加熱することで得られる導電材料と、を混在させて形成され、
前記構造体は、少なくとも前記配線が形成される表面が絶縁体材料であり、強度を改善するための充填材を含有する有機材料からなり、
前記構造体に前記配線との密着性を改善させるための表面処理層を設け、
前記半導体素子でのエッジショートを防ぎ、前記構造体と前記半導体素子とを接続する第２の構造体を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記構造体の表面が表面粗さＲａを０．５〜２０μｍに粗化されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ等の半導体素子を有する樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
従来の樹脂封止型半導体装置について図８を用いて説明する。図８は、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。図８に示すように、リードフレームのダイパッド１１上に半導体素子２０が搭載され、その半導体素子２０とリード１２とが金属配線４０により電気的に接続されている。そしてダイパッド１１上の半導体素子２０、リード１２の外囲は封止樹脂５０により封止されている。封止樹脂５０の側面からはリードの一部が突出して設けられ、リードの先端部は曲げ加工が行われている。
【０００４】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、図９に示すように、リードフレームのダイパッド１１上に半導体素子２０を接着剤により接合するダイボンド工程と、半導体素子２０とリード１２の先端部とを金属配線４０により接続するワイヤーボンド工程と、半導体素子２０の外囲を封止する樹脂封止工程と、リードフレーム枠を除去するとともに、リード１２の先端部を曲げ加工するリードカット・ベンド工程を行うことで、図８に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【０００５】
この従来のリードフレームでの課題は、半導体素子が高集積化し、多ピンとなった場合、リードの幅の形成には限界があり、リードの数が多くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できない。この課題の対策としては特許文献１に記述されるものがある。
【０００６】
特許文献１によれば、従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビーム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」をフレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルランドフレーム１３を用いた、図１０に示す樹脂封止型半導体装置を提案している。ターミナルランドフレームを用いることで、リードベンド工程を無くすともに、従来の樹脂封止型半導体装置よりも薄型化を実現することが可能となっている。
【特許文献１】特許第３８９０８２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、携帯電話等に代表される電子機器は高機能化するとともに、薄型化が進み、搭載部品の小型化・薄型化の要求が高まり、０４０２サイズのチップ部品が使用され、より薄い半導体装置が要求されている。特許文献１による方法では、ワイヤーボンドによる金属配線を形成しているため、薄型化には限界があり、０４０２サイズと同等の薄さを実現することは困難であるという課題がある。
【０００８】
半導体装置の薄型化という点ではベアチップを用いる方法も近年実施されている。しかしながら、ベアチップは強度的に極めて弱いため取り扱いが難しいという課題がある。
【０００９】
以上の課題を踏まえ、本発明が課題とするものは、取扱いが容易な薄型の樹脂封止型半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
【００１１】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子、リード、及び、前記半導体素子と前記リードとを電気的接続する配線を樹脂封止する半導体装置において、前記半導体素子の表面と前記リードの表面とを橋渡しする構造体を有しており、この構造体の表面に前記配線が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
このような本発明によれば、表面に配線を形成した構造体が半導体素子とリードとを橋渡しする形状であるため、従来のワイヤーボンドで形成した配線とは異なり、半導体装置の厚み方向で配線が大きく膨らむことはない。したがって、この配線を封止する樹脂も薄く済み、薄型の半導体装置を得ることができる。また、ベアチップを用いなくても薄型化が可能であるため、取り扱いも容易である。
【００１３】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記配線が、金属粒子を焼結することによって形成される金属からなることを特徴とする。
【００１４】
このような本発明によれば、ワイヤーボンドを使用することなく、半導体素子とリードとの電気的接続が可能となるため、薄型の半導体装置を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記配線が、金属粒子を含む導電性接着剤を加熱することで得られる導電材料からなることを特徴とする。
【００１６】
このような本発明によれば、ワイヤーボンドを使用することなく、半導体素子とリードとの電気的接続が可能となるため、薄型の半導体装置を得ることができる。更には加熱温度が低温になるため、作製が容易になる。
【００１７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記構造体が、少なくとも前記配線が形成される表面が絶縁体材料であることを特徴とする。
【００１８】
このような本発明によれば、前記配線同士のショートを防ぐことができるために、上記構造をとることができ、薄型の半導体装置を得ることができる。
【００１９】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記構造体が、強度を改善するための充填材を含有する有機材料からなることを特徴とする。
【００２０】
このような本発明によれば、構造体を介して、半導体装置全体の強度が改善され、取り扱いが容易になる。
【００２１】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記構造体が、表面を絶縁膜で被覆された金属材料であることを特徴とする。
【００２２】
このような本発明によれば、構造体がより強度の高いものになるので、取り扱いが容易になる。さらに構造体の加工精度が良くなり、製造が容易になる。
【００２３】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記構造体に前記配線との密着性を改善させるための表面処理層を設けることを特徴とする。
【００２４】
このような本発明によれば、配線と構造体の密着性が改善することにより、信頼性を向上させた薄型の半導体装置を得ることができる。
【００２５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記構造体の表面が表面粗さＲａを０．５〜２０μｍに粗化されていることを特徴とする。
【００２６】
このような本発明によれば、配線と構造体の密着性をアンカー効果により、向上させることができ、信頼性を向上させた薄型の半導体装置を得ることができる。
【００２７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記半導体素子とのエッジショートを防ぎ、前記構造体と前記半導体素子とを接続する第２の構造体を有することを特徴とする。
【００２８】
このような本発明によれば、半導体素子のエッジショートが容易に防ぐ構造となる薄型の半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る半導体装置によれば、取扱いが容易な薄型の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明に係る樹脂封止型半導体装置について、図を参照して説明する。図１は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。本発明による樹脂封止型半導体装置は、フラットリードフレームのダイパッド１１上に半導体素子２０が搭載され、その半導体素子２０とフラットリード１０との間に３次元構造体３０が設けられている。３次元構造体３０は、半導体素子２０の表面とフラットリード１０の表面とを例えば直線的に橋渡しする傾斜部を有し、この傾斜部の表面に後述する配線４１が形成されている。３次元構造体３０は、少なくとも配線４１が形成される傾斜部の表面が絶縁体材料から構成されるものであり、本実施形態では、３次元構造体３０の全体が絶縁体材料から構成されている。絶縁体材料としては、絶縁体ならマイカ、石綿、ガラス、セメントなどの無機材料や、絶縁体の有機材料などが使用可能である。後述する導電材料である配線４１の形成時に加熱する場合は、配線４１を形成する温度より耐熱性のある材料として、セラミックス、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリカボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、四ふっ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、フッ素樹脂、ポアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂等から、加熱温度に応じて用いることができる。また、有機材料の強度改善や配線材との熱膨張係数差の改善を行うために、充填材としてガラス繊維、ガラスビーズ等を入れたものでもよい。３次元構造体３０は予め半導体素子２０とフラットリード１０を橋渡しする形状に形成しておくと、効率よく生産が可能であるが、ペースト状態の材料を充填するように流しこんだ後に、加熱して固めてもよい。また、３次元構造体３０は金属材料でも酸化膜、ちっ化膜等の絶縁膜を表面に形成して、表面の絶縁性が確保できるものであれば使用できる。
【００３１】
半導体素子２０の電極部とフラットリード１０との電気的接続は、導電材料である配線４１によって行われている。配線４１は、銀、金、銅、ニッケル、白金のいずれかの直径１−１００ｎｍの金属粒子を含有するインク、ペーストを所定の位置にインクジェットや、ディスペンサー、スクリーン印刷、凸版印刷などによって描画し、加熱することによって焼結する金属を得ることで、バルク金属と同等の数μΩ・ｃｍの比抵抗である配線を得ることができる。加熱温度は用いる金属ナノ粒子、及び、金属ナノ粒子の分散材、溶剤によって調整することが可能である。配線４１の厚みとしては、数ｎｍ〜数十μｍのものが作製することが可能であるが、信頼性、及び、コストの面から０．５〜２０μｍにするのがよい。また、配線幅については信頼性、及び、コストの面から２０〜１５０μｍにするのがよい。配線抵抗値が若干大きくても構わない場合、配線４１には直径１ｎｍから５００μｍの金属粒子を含む導電性接着剤を加熱することで得られる導電材料を用いることも可能であるし、この配線４１が前述の配線４１と混在していてもよい。
【００３２】
そしてダイパッド１１上の半導体素子２０、配線４１、フラットリード１０及び３次元構造体３０は封止樹脂５０により封止されている。ワイヤーボンドによる金属配線を用いると封止樹脂の厚みは数百μｍの厚みが必要になってくるが、本発明のようにすれば、配線４１が薄く形成でき、封止樹脂５０を薄くすることができるため、０４０２サイズと同等の薄さである０．２ｍｍ程度の樹脂封止型半導体装置が提供できる。また、従来のような折曲がったリードではなく、フラットリードを用いることによっても、薄型化に貢献している。
【００３３】
本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法を図２に示す。図２は、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の製造工程を示すフロー図である。フラットリードフレームのダイパッド１１上に半導体素子２０を接着剤により接合するダイボンド工程と、３次元構造体３０を設ける、３次元構造体形成工程と、半導体素子２０とフラットリード１０とを導電材料による配線４１により接続する配線形成工程と、半導体素子２０の外囲を封止する樹脂封止工程と、フラットリードフレーム枠をカットするリードカット工程を行うことで、図１に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【００３４】
図３は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。配線４１と３次元構造体３０の間に、表面処理層３１を設けてもよい。表面処理層３１は配線４１と３次元構造体３０の密着性を向上させるために設けるものであり、３次元構造体３０及び配線４１の特性に合わせて材料を選択する必要がある。表面処理層３１の代表的なものとしてはエポキシ系樹脂やウレタン系樹脂がある。また、表面処理層３１は、半導体素子２０でのエッジショートを防ぐためにも用いることができる。表面処理層３１は、３次元構造物３０の傾斜部全体に設けても、配線４１の直下だけに設けてもよい。
【００３５】
図４は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。図３の例では配線４１と３次元構造体３０の密着性を向上させるために表面処理層３１を設けたが、表面処理層３１を設けずに、配線４１と接する３次元構造体３０の表面を加工することによって配線４１と３次元構造体３０の密着性を向上させる手段の一例である。具体的には３次元構造体３０の表面をプラズマ処理、放電加工、サンドブラスト加工、化学的処理などによって、表面粗さＲａを０．５μｍ以上に粗面化することで、アンカー効果が大きくなり、配線４１と３次元構造体３０の密着性を向上させることができる。表面粗さは大きい過ぎるとその上に配線する配線４１の形成が難しくなるので、配線４１の厚みより、表面粗さを抑えた方がよく、表面粗さＲａを２０μｍ以下にした方がよい。
【００３６】
図５は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。これまでの実施例では３次元構造体３０の傾斜部は半導体素子２０の上面とフラットリード１０の面を直線的に接続するような形状であったが、図５のように階段状に結ぶものでもよい。また、図６に示すように、前述したように表面処理層３１を設けてもよい。
【００３７】
図７は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。前述した実施例では３次元構造体３０はフラットリード１０と半導体素子２０に接するような例であったが、どちらか一方或いは図７のように両方に隙間があるような３次元構造体３０でもよい。この場合には、配線４１の形成時に配線４１を形成するインクやペーストが隙間に漏れないように、また、半導体素子２０でのエッジショートを防ぐために、第２の構造体３２を設ける。第２の構造体３２は光硬化型の樹脂を用いて形成すると、効率よく形成することができるが、この限りではない。また予め第２の構造体３２を造形しておき、搭載するように設置してもよい。また、図示しないが、第２の構造体３２の目的を兼ねて、表面処理層３１を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図２】本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【図３】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図５】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図７】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の１例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  フラットリード
１１  ダイパット
１２  リード
１３  ターミナルランドフレーム
２０  半導体素子
３０  ３次元構造体
３１  表面処理層
３２  第２の構造体
４０  金属配線
４１  配線
５０  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005336711.tif 000008
【図８】
0005336711.tif 000009
【図９】
0005336711.tif 000010
【図１０】
0005336711.tif 000011