(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ自発光素子と、前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタとを有する複数の画素と、
前記画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを備え、
前記駆動トランジスタは、飽和領域で駆動される画像表示装置であって、
隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出する検出手段と、
前記検出手段により劣化と判断された画素の前記自発光素子に対して、リファレンス電圧と画像電圧との差分の電圧を演算する手段１と、
前記手段１での演算結果に非線形の発光の補正量を掛算する手段２と、
前記リファレンス電圧から前記手段２での演算結果を減算して補正後の画像電圧を演算する手段３とを有し、
前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％の場合に、前記非線形の発光の補正量は、√[１/{１−(α/100)}]であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記検出手段は、定電流供給手段と、
検出期間内に、前記定電流供給手段から前記各画素の前記自発光素子に定電流を供給したときの前記各画素の前記自発光素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段で検出した電圧をデジタル値に変換するＡ/Ｄ変換手段と、
前記Ａ/Ｄ変換手段で変換されたデジタル値を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたデジタル値に基づき、前記隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出し、前記劣化した前記自発光素子を判定する判定手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％であることを判定することを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記手段１は、リファレンス電圧と画像電圧の差分の電圧を出力する第１減算回路であり、
前記手段２は、前記判定手段の判定結果に基づき前記第１減算回路の出力を利得√[１/{１−(α/100)}]で増幅する増幅器であり、
前記手段３は、前記リファレンス電圧と前記増幅器の出力の差分の電圧を出力する第２減算回路であることを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記自発光素子は、有機発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
それぞれ自発光素子と、前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタとを有する複数の画素と、
前記画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを備え、
前記駆動トランジスタは、線形領域で駆動される画像表示装置であって、
隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出する検出手段と、
前記検出手段により劣化と判断された画素の前記自発光素子に対して、リファレンス電圧と画像電圧との差分の電圧を演算する手段１と、
前記手段１での演算結果に線形の発光の補正量を掛算する手段２と、
前記リファレンス電圧から前記手段２での演算結果を減算して補正後の画像電圧を演算する手段３とを有し、
前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％の場合に、前記線形の発光の補正量は、[１/{１−(α/100)}]であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
前記検出手段は、定電流供給手段と、
検出期間内に、前記定電流供給手段から前記各画素の前記自発光素子に定電流を供給したときの前記各画素の前記自発光素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段で検出した電圧をデジタル値に変換するＡ/Ｄ変換手段と、
前記Ａ/Ｄ変換手段で変換されたデジタル値を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたデジタル値に基づき、前記隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出し、前記劣化した前記自発光素子を判定する判定手段とを有することを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記判定手段は、前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％であることを判定することを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記手段１は、リファレンス電圧と画像電圧の差分の電圧を出力する第１減算回路であり、
前記手段２は、前記判定手段の判定結果に基づき前記第１減算回路の出力を利得[１/{１−(α/100)}]で増幅する増幅器であり、
前記手段３は、前記リファレンス電圧と前記増幅器の出力の差分の電圧を出力する第２減算回路であることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記自発光素子は、有機発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
それぞれ自発光素子と、前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタとを有する複数の画素と、
前記画素に画像電圧を入力する複数の信号線と、
前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動する手段Ａと、
前記駆動トランジスタを線形領域で駆動する手段Ｂとを有する画像表示装置であって、
隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出する検出手段と、
前記検出手段により劣化と判断された画素の前記自発光素子に対して、リファレンス電圧と画像電圧との差分を演算する手段１と、
前記手段Ａにより前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動する場合に、前記手段１での演算結果に非線形の発光の補正量を掛算する手段２と、前記リファレンス電圧から前記手段２での演算結果を減算して補正後の画像電圧を演算する手段３とを有し、
前記手段Ｂにより前記駆動トランジスタを線形領域で駆動する場合に、前記手段１での演算結果に線形の発光の補正量を掛算する手段４と、
前記リファレンス電圧から前記手段４での演算結果を減算して補正後の画像電圧を演算する手段５とを有し、
前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％の場合で、前記手段Ａにより前記駆動トランジスタを飽和領域で駆動する場合に、前記非線形の発光の補正量は、√[１/{１−(α/100)}]であり、
前記手段Ｂにより前記駆動トランジスタを線形領域で駆動する場合に、前記線形の発光の補正量は、[１/{１−(α/100)}]であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
前記検出手段は、定電流供給手段と、
検出期間内に、前記定電流供給手段から前記各画素の前記自発光素子に定電流を供給したときの前記各画素の前記自発光素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段で検出した電圧をデジタル値に変換するＡ/Ｄ変換手段と、
前記Ａ/Ｄ変換手段で変換されたデジタル値を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたデジタル値に基づき、前記隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出し、前記劣化した前記自発光素子を判定する判定手段とを有することを特徴とする請求項１１に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記判定手段は、前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％であることを判定することを特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記手段１は、リファレンス電圧と画像電圧の差分の電圧を出力する第１減算回路であり、
前記手段２は、前記判定手段の判定結果に基づき前記第１減算回路の出力を利得√[１/{１−(α/100)}]で増幅する増幅器であり、
前記手段３は、前記リファレンス電圧と前記増幅器の出力の差分の電圧を出力する第２減算回路であり、
前記手段４は、前記判定手段の判定結果に基づき前記第１減算回路の出力を利得[１/{１−(α/100)}]で増幅する増幅器であり、
前記手段５は、前記リファレンス電圧と前記増幅器の出力の差分の電圧を出力する第３減算回路であることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記自発光素子は、有機発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項１１に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に係り、特に、アクティブマトリクス方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル（以下、有機ＥＬ表示パネルという。）を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ＥＬ表示装置という。）は、次世代のフラットパネルディスプレイとして期待されている。
有機ＥＬ表示パネルは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）と、有機ＥＬ素子に電流を供給するための駆動用の薄膜トランジスタ（以下、ＥＬ駆動ＴＦＴという。）を有するのが普通である。
一方、有機ＥＬ素子は、定電流を印加すると、図１３に示すように、時間（図１３のＴ）の経過とともに、輝度（図１３のＢｒ）が下がっていき、それに伴い、有機ＥＬ素子のアノード電圧（図１３のＶｏｌｅｄ）が上昇していく。図１４に示すように、この輝度の劣化率（図１４のｂｒａｔｅ）とアノード電圧（図１４のＶｏｌｅｄ）の上昇値（図１４のＶｄｅｇ）は線形の関係にある。
ここで、図１５に示すような白い四角形を表示した場合、黒表示部に対して、白い四角形の表示部の劣化が早いため、隣接画素における輝度差が生じ、この輝度が１％を超えた時、図１５のＡに示すように、「焼き付き」として確認される。
ここで、有機ＥＬ表示パネルで焼き付が生じた部分を含む１表示ライン（Ｙアドレス）上のＸアドレス（図１６のＸａｄｒｅｓ）の有機ＥＬ素子のアノード電圧（図１６のＶｏｌｅｄ）をスキャンしていくと、図１６に示すような図となる。なお、図１６のＡが「焼き付き」の始まりの点、図１６のＢの領域が正常領域、図１６のＣの領域が、焼き付きが生じて劣化した領域を示す。
この焼き付きを防止するための技術が、下記特許文献１〜特許文献３に開示されている。
前述の特許文献１、特許文献２に記載されている技術は、有機ＥＬ素子が焼付きのない安定した発光をするために、電流計測によって得られた測定結果をＡ／Ｄ変換し、得られたデジタルデータを基に、有機ＥＬ素子の駆動電圧にフィードバックを行うものである。
また、前述の特許文献３に記載されている技術は、有機ＥＬ素子の端子電圧を測定し、規定値と比較することにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を補正するものであり、予め記録しておいた有機ＥＬ素子の端子電圧と電流の関係から駆動電流を補正するものである。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００５−１５６６９７号公報
【特許文献２】特開２００２−３４１８２５号公報
【特許文献３】特開２００６−１３０８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の特許文献１〜特許文献３に記載されている技術は、以下のような問題点があった。
（１）前述の特許文献１、特許文献２に記載されている技術では、有機ＥＬ素子からＥＬ駆動ＴＦＴへフィードバックする信号に関する具体的な記載がなく、補正信号をどう生成するか分からないため、検出動作が正確にできたとしても正確な補正ができるとは限らない。
（２）前述の特許文献３に記載されている技術では、予め記録しておいた有機ＥＬ素子の端子電圧と電流の関係から駆動電流を補正するため、補正のための膨大なデータテーブルを必要とする。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、画像表示装置において、自発光素子の劣化に対して正確な補正を行うことができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明は、それぞれ自発光素子と、前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタとを有する複数の画素と、前記画素に画像電圧を入力する複数の信号線とを備える画像表示装置であって、隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出する検出手段と、前記検出手段により劣化と判断された画素の前記自発光素子に対して、リファレンス電圧と画像電圧との差分の電圧を演算する手段１と、前記手段１での演算結果に非線形の発光の補正量、あるいは線形の発光の補正量を掛算する手段２と、前記リファレンス電圧から前記手段２での演算結果を減算して補正後の画像電圧を演算する手段３とを有する。
また、前記検出手段は、定電流供給手段と、検出期間内に、前記定電流供給手段から前記各画素の前記自発光素子に定電流を供給したときの前記各画素の前記自発光素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段で検出した電圧をデジタル値に変換するＡ/Ｄ変換手段と、前記Ａ/Ｄ変換手段で変換されたデジタル値を記憶するメモリと、前記メモリに記憶されたデジタル値に基づき、前記隣接した前記画素の前記自発光素子の特性差を検出し、前記劣化した前記自発光素子を判定する判定手段とを有する。
【０００６】
また、本発明では、前記判定手段において、前記自発光素子の発光輝度の劣化量がα％と判定された場合で、前記駆動トランジスタが飽和領域で駆動される場合、前記発光の補正量は、非線形の√[１/{１−(α/100)}]であり、前記駆動トランジスタが、線形領域で駆動される場合、前記発光の補正量は、線形の[１/{１−(α/100)}]である。
また、本発明では、前記手段１は、リファレンス電圧と画像電圧の差分の電圧を出力する第１減算回路であり、前記手段２は、前記判定手段の判定結果に基づき前記第１減算回路の出力を利得√[１/{１−(α/100)}]、あるいは、利得[１/{１−(α/100)}]で増幅する増幅器であり、前記手段３は、前記リファレンス電圧と前記増幅器の出力の差分の電圧を出力する第２減算回路である。
また、本発明では、前記自発光素子は、有機発光ダイオード素子である。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の画像表示装置によれば、自発光素子の劣化に対して正確な補正を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１は、本発明の実施例の焼き付き検出と補正機能を内蔵した有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示す図である。
本実施例では、図１に示すように、先ず、特性検出部１４内の電流源２０から各有機ＥＬ素子に一定の電流を流し、その時の有機ＥＬ素子のアノード電圧を、バッファ回路２１とローパスフィルタ２２を介して検出し、アナログデジタル変換回路２３でデジタル値に変換し、その結果をラインメモリ２４に格納する。
次に、焼付け判定部２５において、その格納した情報から隣接画素間の差分を算出し、焼き付きかどうか判定し、判定結果をフレームメモリ２６に格納し、フレームメモリ２６から補正データ（Ｃｄａｔａ）を信号駆動回路１１にフィードバックする。なお、信号駆動回路１１には、表示用データ（Ｄａｔａ）と、モード切替データ（Ｄｍｏｄｅ）も入力される。
なお、図１において、１０は電源回路、１２は表示用走査回路、１３は検出用走査回路、１５は外部電圧制御部、７０は表示画素、７８は信号線、７９は電源線、９１は検出制御線、１００は制御信号線群、Ｖｅｘｔは外部電圧である。
スイッチ（ＳＷＡ）は、「書込み期間」に、信号線７８を、信号駆動回路１１の対応する出力端子に接続し、スイッチ（ＳＷＢ）は、「検出期間」に、信号線７８を、特性検出部１４内の電流源２０に接続する。さらに、外部電圧制御部１５は、「発光期間」に、信号線７８を、外部電源（例えば、三角波電圧、あるいは、鋸歯状歯電圧）（Ｖｅｘｔ）に接続する。
また、表示画素７０、信号駆動回路１１、表示用走査回路１２、検出用走査回路１３等の各回路は全て、一般に良く知られている低温多結晶シリコン薄膜を用いてガラス基板上に構成されている。また、実際には表示画素７０は、有機ＥＬ表示パネルの表示領域ＡＲ内に多数個配置される。
【０００９】
図１に示すように、有機ＥＬ表示パネルの表示領域ＡＲ内には複数の表示画素７０がマトリクス状に設けられる。
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示パネル内の表示画素の一例を示す等価回路である。なお、図２に示す表示画素の場合、図１に示す制御信号線群１００は、セレクト制御線７１、点灯スイッチ線７５で構成される。セレクト制御線７１と、点灯スイッチ線７５は、表示用走査回路１２に接続される。また、検出制御線９１は、検出用走査回路１３に接続される。
各表示画素７０は、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）１を有しており、有機ＥＬ素子１のカソード電極は共通接地線に接続される。また、アノード電極は、点灯用のｎ型薄膜トランジスタ（以下、点灯ＴＦＴスイッチという。）７３１と、ｐ型薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴという。）７２を介して電源線７９に接続される。電源線７９は電源回路１０に接続される。
また、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極は、保持容量７４を介して信号線７８に接続され、駆動ＴＦＴ７２のドレイン電極とゲート電極との間には、リセット用のｎ型薄膜トランジスタ（以下、セレクトスイッチという。）７６が設けられる。なお、セレクトスイッチ７６のゲート電極は、セレクト制御線７１に接続される。また、点灯ＴＦＴスイッチ７３１のゲート電極は、点灯スイッチ線７５に接続される。
また、有機ＥＬ素子１のアノード電極と信号線７８との間に、有機ＥＬ素子１の端子間電圧検出用の薄膜トランジスタ（以下、検出スイッチという。）９０が接続され、この検出スイッチ９０のゲート電極は、検出制御線９１に接続される。
なお、駆動ＴＦＴ７２、点灯ＴＦＴスイッチ７３１、セレクトスイッチ７６、および検出スイッチ９０は、それぞれ半導体層にポリシリコンを用いる多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成されている。なお、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、あるいは、有機ＥＬ素子１の製造方法などに関しては、一般に報告されているものと大きな相違はないため、ここではその説明は省略する。
【００１０】
図２に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの場合、予め１／６０秒に設定されている１フレーム期間は、例えば、「書込み期間」と「発光期間」と「検出期間」とに３分割されている。
図２に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの駆動方法は良く知られているのでここではその説明は省略する。
但し、図２に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの場合、図３に示すように、「検出期間」では、検出制御線９１Ａないし検出制御線９１Ｎが順次オンとなり、各検出制御線がオンの期間に、スイッチ（ＳＷＢ１）からスイッチ（ＳＷＢｎ）が順次オンとなる。
これにより、各有機ＥＬ素子１には、順次、特性検出部１４内の電流源２０から定電流が流れ、特性検出部１４において、各有機ＥＬ素子１のアノード電圧が検出される。
なお、図４に示すように、「検出期間」は、１フレーム（ＦＬＡ）内のブランキング期間（ＢＲＫ）に行うようにしてもよい。
図４では、各ブランキング期間（ＢＲＫ）毎に、検出制御線９１Ａないし検出制御線９１Ｎが順次オンとなり、各検出制御線がオンの期間に、スイッチ（ＳＷＢ１）からスイッチ（ＳＷＢｎ）が順次オンとなる。したがって、図４の場合は、各ブランキング期間（ＢＲＫ）毎に、１表示ライン上の有機ＥＬ素子１が検査される。
【００１１】
図５は、図１に示す有機ＥＬ表示パネル内の表示画素の他の例を示す等価回路である。
なお、図５に示す表示画素の場合、図１に示す制御信号線群１００は、点灯スイッチ線７５、リセット線８３、セレクトスイッチ線８５で構成される。点灯スイッチ線７５、リセット線８３、セレクトスイッチ線８５は、表示用走査回路１２に接続される。また、検出制御線９１は、検出用走査回路１３に接続される。
各表示画素７０は、有機ＥＬ素子１を有しており、有機ＥＬ素子１のカソード電極は共通接地線に接続される。また、アノード電極は、点灯用のｐ型薄膜トランジスタ（以下、点灯ＴＦＴスイッチという。）７３２と、ｐ型薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴという。）７２を介して電源線７９に接続される。電源線７９は電源回路１０に接続される。
また、駆動ＴＦＴ７２のソース電極とゲート電極との間には、第１の保持容量８０が接続され、さらに、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極は、第２の保持容量８１とｐ型薄膜トランジスタ（以下、セレクトスイッチという。）８４を介して信号線７８に接続される。
駆動ＴＦＴ７２のドレイン電極とゲート電極との間には、リセット用のｎ型薄膜トランジスタ（以下、リセットＴＦＴスイッチという。）８２が設けられる。なお、セレクトスイッチ８４のゲート電極は、セレクトスイッチ線８５に接続される。また、リセットＴＦＴスイッチ８２のゲート電極は、リセット線８３に接続される。さらに、点灯ＴＦＴスイッチ７３２のゲート電極は、点灯スイッチ線７５に接続される。
また、有機ＥＬ素子１のアノード電極と信号線７８との間に、有機ＥＬ素子１の端子間電圧検出用の薄膜トランジスタ（以下、検出スイッチという。）９０が接続され、この検出スイッチ９０のゲート電極は、検出制御線９１に接続される。
なお、駆動ＴＦＴ７２、点灯ＴＦＴスイッチ７３２、セレクトスイッチ７６、および検出スイッチ９０は、それぞれ半導体層にポリシリコンを用いる多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成されている。なお、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、あるいは、有機ＥＬ素子１の製造方法などに関しては、一般に報告されているものと大きな相違はないため、ここではその説明は省略する。
【００１２】
図５に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの場合、予め１／６０秒に設定されている１フレーム期間は、「書込み期間」と「発光期間」とに分割されている。この図５に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの駆動方法は良く知られているのでここではその説明は省略する。
但し、図５に示す表示画素７０を有する有機ＥＬ表示パネルの場合、信号線７８と第２の保持容量８１との間にセレクトスイッチ８４があるため、１フレーム期間のほとんどを発光期間に用いることができる利点があるが、検出動作は、図３に示すような独立動作に限定され、この図３に示すような検出動作は電源投入時などに組み込んで行う。
なお、前述の説明では、信号駆動回路１１、表示用走査回路１２、検査用走査回路１３等の周辺駆動回路は、低温多結晶シリコン（ポリシリコン）薄膜トランジスタ回路で構成しているが、これらの周辺駆動回路あるいはその一部分を単結晶ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）回路で構成して実装するようにしてもよい。その場合に、駆動ＴＦＴ、点灯ＴＦＴスイッチ、リセットスイッチ、および検出スイッチ等の薄膜トランジスタは、それぞれ半導体層にアモルファスシリコンを用いるアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成するようにしてもよい。
【００１３】
図６は、図１に示す焼付け判定部２５の処理内容を説明するための図である。
図６の有機ＥＬ表示パネルのＡに示す部分を拡大したＢの部分に焼付き３０が生じてるものとする。
このとき、特性検出部１４内の電流源２０から各有機ＥＬ素子に一定の電流を流した時に、有機ＥＬ素子のアノード電圧を検出した結果を、図６のＣに示す棒グラフで示す。そして、図６の３１に示す点線よりも上の電圧が、アナログデジタル変換回路２３において「４」に変換され、このＣに示す棒グラフの点線よりも下の電圧が、アナログデジタル変換回路２３において「３」に変換されるものとする。この状態のときに、アナログデジタル変換回路２３から、３２に示すデジタル値が出力される。
図１に示す焼付け判定部２５では、アナログデジタル変換回路２３から出力されるデジタル値３２から、３３に示す隣接表示画素ごとの差分値を算出する。そして、最も左にある表示画素の補正量を０として、その差分値を加算していくと、３４に示すように、各表示画素毎の補正量を算出することができる。
有機ＥＬ素子１は、元々温度特性が大きく、有機ＥＬ表示パネル内の膜厚依存による特性分布も存在するため、焼きついているかどうかの判断は、隣接画素の特性を比較によって行うことが最良の方法である。
【００１４】
次に、隣接表示画素同士の有機ＥＬ素子１の特性を比較して、焼き付きを検出した有機ＥＬ素子１に対する発光の補正量について説明する。
図７に示すように、図２、図５に示す駆動ＴＦＴ７２は、動作領域によって、飽和領域（以下、電流駆動方式という。）と、線形領域（以下、電圧駆動方式という。）とに分けることができる。
（１）駆動ＴＦＴ７２が、図７のＡに示す電流駆動方式の場合
電流駆動方式の場合、有機ＥＬ素子１の発光時に駆動ＴＦＴ７２に流れる電流（Ｉ１）は、下記（１）式のようになる。
I1＝(1/2)・μ・Cox・(W/L)・(Vref ‐Vdata)２・( 1 + λ・Vds1)  
・・・・・・   （１）
なお、μ・Coxは定数、Ｗは駆動ＴＦＴ７２のゲート幅、Ｌは駆動ＴＦＴ７２のゲート長、Ｖｒｅｆはリファレンス電圧、Ｖｄａｔａは表示データに対応する画像電圧、１／λはアーリー電圧、Ｖｄｓ１は、電流（Ｉ１）時の駆動ＴＦＴ７２のドレイン・ソース間電圧である。
ここで、輝度、つまり電流が１％ダウンして、有機ＥＬ素子１のアノード電圧（Ｖｏｌｅｄ）の上昇により、駆動ＴＦＴ７２のドレイン・ソース間電圧が、Ｖｄｓ２になったとき、即ち、輝度１％劣化の発光時に駆動ＴＦＴ７２に流れる電流（Ｉ２）は、下記（２）式のようになる。
I2 ＝0.99・I1
＝ (1/2)・μ・Cox・(W/L)・(Vref ‐Vdata)２・( 1 + λ・Vds2)                
・・・・・・   （２）
（１）式により、Ｖｄｓ１と、Ｖｄｓ２の関係を求め、Ｖ’ｄａｔａとして、Ｉ２の電流を、Ｉ１の電流に戻すものとして、（１）式と（２）式を解くと、下記（３）式が得られる。
V’data＝ Vref ‐(Vref ‐Vdata)・√( 1 / 0.99 )    ・・・・・・  （３）
【００１５】
（２）駆動ＴＦＴ７２が、図７のＣに示す電圧駆動方式の場合
電圧駆動方式の場合、有機ＥＬ素子１の発光時に駆動ＴＦＴ７２に流れる電流（Ｉ３）は、下記（４）式のようになる。
I３＝μ・Cox・(W/L)・(Vref ‐Vdata)・(Vds1)  ・・・・・・・・  （４）
ここで、輝度、つまり電流が１％ダウンして、有機ＥＬ素子１のアノード電圧（Ｖｏｌｅｄ）の上昇により、駆動ＴＦＴ７２のドレイン・ソース間電圧が、Ｖｄｓ２になったとき、即ち、輝度１％劣化の発光時に駆動ＴＦＴ７２に流れる電流（Ｉ４）は、下記（５）式のようになる。
I４＝0.99・I1
＝μ・Cox・(W/L)・(Vref ‐Vdata)・(Vds2)    ・・・・・・・・  （５）
（４）式により、Ｖｄｓ１と、Ｖｄｓ２の関係を求め、Ｖ’ｄａｔａとして、Ｉ４の電流を、Ｉ３の電流に戻すものとして、（４）式と（５）式を解くと、下記（６）式が得られる。
V’data＝Vref ‐(Vref ‐Vdata)・( 1 / 0.99 )    ・・・・・・・・  （６）
（３）式と、（６）式に示すように、補正電圧（Ｖ’ｄａｔａ）は、駆動ＴＦＴ７２の駆動方式に応じて、リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）と画像電圧（Ｖｄａｔａ）の差分の演算結果に対して、回復量の１／２乗を掛け算し、掛け算した結果をリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）から減算する回路と、リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）と画像電圧（Ｖｄａｔａ）の差分の演算結果に対して、回復量を掛け算し、掛け算した結果をリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）から減算する回路の２種類に分類され、それに応じた補正回路を構成することになる。
なお、図７は、駆動ＴＦＴ７２の駆動動作領域を説明するための模式図であり、図７において、Ｉは電流、Ｖは電圧、Ｂは有機ＥＬ素子１の負荷特性、５０は電流駆動必要電圧範囲、５１は電圧駆動必要電圧範囲である。
【００１６】
図２、図５に示すような表示画素では、信号線７８を介して、（１）式、（４）式に示す外部電圧と画像電圧との差分の電圧（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）を供給することによって、階調特性を得ることができる。
図２、図５に示すような表示画素では、まず、外部電圧を印加した時、図２、図５に示すセレクトスイッチ７６（あるいは、リセットＴＦＴスイッチ８２）、点灯ＴＦＴイッチ（７３１、７３２）を制御することによって、駆動ＴＦＴ７２の初期動作点を揃える。
ここから、点灯ＴＦＴスイッチ（７３１、７３２）と、セレクトスイッチ７６（あるいは、リセットＴＦＴスイッチ８２）を順番にオフする。このセレクトスイッチ７６（あるいは、リセットＴＦＴスイッチ８２）をオフする時に、クロックフィードスルーによって、初期動作点が移動する。
次に、信号線７８に画像電圧を入力すると、この動作初期点と画像電圧の差分の電圧、もしくは、差分の電圧の分割分程度、駆動ＴＦＴ７２のゲート電圧にさらに印加されことになり、階調特性が得られることとなる。
つまり、前述の（３）式、（６）式のＶｒｅｆは、外部電圧に表示画素のクロックフィードスルーの電圧シフト分を加味した電圧であり、Ｖｄａｔａは画像電圧である。
以降、外部電圧にクロックフィードスルーの電圧分をシフトした値をリファレンス電圧と呼ぶこととする。
【００１７】
図１７は、図１に示す信号駆動回路１１の出力部の従来の回路構成を示すブロック図である。
図１７に示すように、従来の信号駆動回路１１の出力部は、抵抗ラダー部４０と、セレクタ４１と、出力アンプ部４２によって構成され、表示データ（Ｄａｔａ）に対応する階調電圧となるように、表示データ（Ｄａｔａ）が入力されるデコーダ（ＤＡＤ１）の出力に基づき、セレクタ４１により抵抗ラダー部４０のどの抵抗分割比を出力するかが選択され、出力アンプ部４２を介して、その選択された階調電圧が、有機ＥＬ表示パネルの信号線７８に出力される。
従来、有機ＥＬ素子１の焼付け補正としては、画像電圧に補正信号をフィードバックするといった程度の記載のものや、図１８に示すように、表示データ（Ｄａｔａ）と補正データ（Ｃｄａｔａ）が入力されるデコーダ７（ＤＡＣ７）の出力に基づき、セレクタ４１で選択する抵抗ラダー部４０の抵抗分割比を変更するようにしたものが知られている。
なお、図１８は、従来の有機ＥＬ素子１の焼付け補正回路の回路構成を示すブロック図である。図１８に示す回路構成では、予め記憶しておいた有機ＥＬ素子１のアノード電圧（即ち、補正データ（Ｃｄａｔａ））と、電流（即ち、表示データ（Ｄａｔａ））との関係から駆動電流を補正するような方式を用いていた。しかながら、この方式は、デコーダ７（ＤＡＣ７）内に、膨大なデータテーブル（ＴＢ）を必要とするという問題点があった。
【００１８】
図８は、本発明の実施例の信号駆動回路１１の出力部の回路構成を示すブロック図である。
図８に示す出力部は、図１７に示す出力アンプ部４２の前段に、補正部４３を追加したものである。この補正部４３は、補正データ（Ｃｄａｔａ）が入力されるデコーダ（ＤＡＤ２）の出力に基づき、セレクタ４１の出力を補正するものである。
図９は、本発明の実施例の信号駆動回路１１の出力部の回路構成の具体的な回路構成を示すブロック図である。図９は、前述の（３）式、（６）式の演算を実行する回路である。
図９に示す回路では、演算増幅器からなる減算回路１（４４）により、リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）からセレクタ４１の出力を減算し、当該減算結果に、演算増幅器からなる可変利得増幅器４５により、発光の補正量の１／２乗、あるいは、発光の補正量を掛算して、前述の（３）式、（６）式の第２項を実現し、最後に、演算増幅器からなる減算回路２（４６）により、リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）から可変利得増幅器４５の出力を減算して、前述の（３）式、（６）式を実現する。
ここで、可変利得増幅器４５の増幅率は、補正データ（Ｃｄａｔａ）が入力されるデコーダ（ＤＡＤ２）の出力に基づき可変される。
図１１は、本発明の実施例の信号駆動回路１１の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。図１１に示す回路は、図８に示す回路構成をデジタル回路で実現するものである。
図１１において、Ｒｄａｔａはリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）のデータ、ＤＡＣ５は、補正データ（Ｃｄｔａ）が入力されるデコーダ５であり、デコーダ５は、√（１／０．９９）、あるいは（１／０．９９）を出力する。
ＤＥＤ１は、（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）を計算する演算回路、ＤＥＤ２は、（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）×√（１／０．９９）、あるいは、（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）×（１／０．９９）を計算する演算回路、ＤＥＤ３は、｛Ｖｒｅｆ−（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）×√（１／０．９９）｝、あるいは、｛Ｖｒｅｆ−（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）×（１／０．９９）｝を演算する演算回路である。
この図１１に示す回路において、データテーブルを持つのは、デコーダ５（ＤＡＣ５）であるが、補正したい段階に対するものしか持たないため、従来例に比べて、デークテーブル量が大きく削減される。
【００１９】
前述したように、図２、図５に示す駆動ＴＦＴ７２は、動作領域によって、飽和領域（以下、電流駆動方式という。）と、線形領域（以下、電圧駆動方式という。）とに分けることができる。
図７のＡに示す電流駆動方式を用いれば、同じ階調の信号電圧に対して、多くの電流を流すことが可能であり、また、有機ＥＬ素子１よりも駆動ＴＦＴ７２の方が、温度特性が安定していることから、周囲環境の変化に対して安定動作を行うことができる。
また、図７のＣに示す電圧駆動を用いれば、駆動に必要な電圧範囲が小さくできるため、低電力動作が可能とる。
このため、通常の発光モードでは、電流駆動方式を用いて、電力セーブモードや周囲環境が暗いといった状況下では、電圧駆動方式を用いるといった発光モード切替えを採用される。
図１０は、本発明の実施例の信号駆動回路１１の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。
図１０は、前述したような発光モード切替えに対応したものであり、前述の（３）式を達成するための、発光の補正量の１／２乗を掛算するような可変利得回路１（４５１）と、前述の（６）式を達成するための、発光の補正量を掛算するような可変利得回路２（４５２）の経路を、モード切替データ（Ｄｍｏｄｅ）が入力されるデコーダ３（ＤＡＣ３）の出力により制御されるスイッチ回路４７により切り替えるようにしたものである。
【００２０】
図１２は、本発明の実施例の信号駆動回路１１の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。図１２に示す回路は、図１０に示す回路構成をデジタル回路で実現するものである。
図１２に示す回路は、デコーダ５（ＤＡＣ５）に、補正データ（Ｃｄｔａ）の他に、モード切替データ（Ｄｍｏｄｅ）が入力される他は、図１１に示す回路と同じであるので説明は省略する。
なお、本実施例において、輝度が１％劣化した否かの判断は、以下の方法で実施する。
図１４に示すように、有機ＥＬ素子１の輝度の劣化率（図１４のｂｒａｔｅ）と、有機ＥＬ素子１のアノード電圧（図１４のＶｏｌｅｄ）の上昇値（図１４のＶｄｅｇ）は線形の関係にあるので、輝度が１％劣化したときのアノード電圧（図１４のＶｏｌｅｄ）の上昇値（図１４のＶｄｅｇ）を、図１のアナログデジタル変換回路２３において検出するようにすればよい。
また、前述の説明では、輝度が１％劣化した場合について説明したが、例えば、輝度がα％劣化した場合は、発光の補正量は√[１/{１−(α/100)}]、あるいは[１/{１−(α/100)}]とすればよい。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例の焼き付き検出と補正機能を内蔵した有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示パネルに使用される表示画素の一例を示す等価回路である。
【図３】図２に示す表示画素において、「検出期間」の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】図２に示す表示画素において、「検出期間」の動作の他の例を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】図１に示す有機ＥＬ表示パネルに使用される表示画素の他の例を示す等価回路である。
【図６】図１に示す焼付け判定部の処理内容を説明するための図である。
【図７】図２、図５に示す駆動ＴＦＴの駆動動作領域を説明するための模式図である。
【図８】本発明の実施例の信号駆動回路の出力部の回路構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の実施例の信号駆動回路の出力部の回路構成の具体的な回路構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の実施例の信号駆動回路の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。
【図１１】本発明の実施例の信号駆動回路の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の実施例の信号駆動回路の出力部の他の回路構成を示すブロック図である。
【図１３】有機ＥＬ素子の輝度とアノード電圧の時間的変化を示すグラフである。
【図１４】有機ＥＬ素子の輝度の劣化率とアノード電圧の時間的変化を示すグラフである。
【図１５】有機ＥＬ表示パネルにおいて、「焼き付き」が生じる理由を説明するための図である。
【図１６】有機ＥＬ表示パネルに「焼き付き」が生じた場合の、１表示ライン上の有機ＥＬ素子のアノード電圧をスキャンした状態を示す図である。
【図１７】図１に示す信号駆動回路の出力部の従来の回路構成を示すブロック図である。
【図１８】従来の有機ＥＬ素子１の焼付け補正回路の回路構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
１０  電源回路
１１  信号駆動回路
１２  表示用走査回路
１３  検出用走査回路
１４  特性検出部
１５  外部電圧制御部
２０  電流源
２１  バッファ回路
２２  ローパスフィルタ
２３  アナログデジタル変換回路
２４  ラインメモリ
２５  焼付け判定部
２６  フレームメモリ
４０  抵抗ラダー部
４１  セレクタ
４２  出力アンプ部
４３  補正部
４４  減算回路１
４５，４５１，４５２  可変利得増幅器
４６  減算回路２
４７  スイッチ回路
７０  表示画素
７１  セレクト制御線
７２  ｐ型薄膜トランジスタ（駆動ＴＦＴ）
７３１  点灯用のｎ型薄膜トランジスタ（点灯ＴＦＴスイッチ）
７３２  点灯用のｐ型薄膜トランジスタ（点灯ＴＦＴスイッチ）
７４  保持容量
７５  点灯スイッチ線
７６  ｎ型薄膜トランジスタ（セレクトスイッチ）
７８  信号線
７９  電源線
８０  第１の保持容量
８１  第２の保持容量
８２  ｎ型薄膜トランジスタ（リセットＴＦＴスイッチ）
８３  リセット線
８４  ｐ型薄膜トランジスタ（セレクトスイッチ）
８５  セレクトスイッチ線
９０  薄膜トランジスタ（検出スイッチ）
９１  検出制御線
１００  制御信号線群
ＡＲ  表示領域
ＤＡＣ１，ＤＡＣ２，ＤＡＣ３，ＤＡＣ７  デコーダ
ＤＥＤ１，ＤＥＤ２，ＤＥＤ３  演算回路
ＳＷＡ，ＳＷＢ  スイッチ回路
【図１】
0005129656.tif 000002
【図２】
0005129656.tif 000003
【図３】
0005129656.tif 000004
【図４】
0005129656.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005129656.tif 000009
【図９】
0005129656.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005129656.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0005129656.tif 000017
【図１７】
0005129656.tif 000018
【図１８】
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