(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で示されることを特徴とする塩。
0005125057.tif 000057
（式（Ｉ）中、Ｑ1及びＱ2はフッ素原子を表し、Ｘは直鎖または分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価の残基、あるいは、シクロアルカンを有する炭素数３〜１０の炭化水素の２価の残基（ただし、Ｘは直鎖または分岐のアルキル骨格の場合はエーテル結合を含んでいてもよい。）を表し、Ａ+は式（IIｆ）で示されるカチオンを表す。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１を表す。）
0005125057.tif 000058
（式（IIｆ）中、Ｐ25〜Ｐ27は、互いに独立に、直鎖又は分岐の炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。Ｐ25〜Ｐ27がアルキル基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、Ｐ25〜Ｐ27が環式炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
【請求項２】
式（IIｆ）で示されるカチオンが、式（IIｇ）、式（IIｈ）または式（IIｉ）のいずれかで示されるカチオンである請求項１に記載の塩。
0005125057.tif 000059
（式（IIｇ）〜（IIｉ）中、Ｐ28〜Ｐ30は互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基を表すか又はフェニル基以外の炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。Ｐ28〜Ｐ30がアルキル基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、Ｐ28〜Ｐ30が環式炭化水素基の場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。式中のＰ31〜Ｐ36は、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基を表し、ｌ、ｋ、ｊ、ｉ、ｈおよびｇは、互いに独立に０〜５の整数を表す。）
【請求項３】
式（IIｆ）で示されるカチオンが、式（IIａ）で示されるカチオンである請求項１または２に記載の塩。
0005125057.tif 000060
（式（IIａ）中、Ｐ1〜Ｐ3は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
【請求項４】
Ａ+が、式（IIｅ）で示されるカチオンである請求項１〜３のいずれかに記載の塩。
0005125057.tif 000061
（式（IIｅ）中、Ｐ22〜Ｐ24は、互いに独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
【請求項５】
Ｙが水酸基である請求項１〜４のいずれかに記載の塩。
【請求項６】
式（Ｉ）で示される塩が式（IIIａ）、（IIIｂ）又は式（IIIｃ）で示される塩である請求項１〜５のいずれかに記載の塩。
0005125057.tif 000062
（式（IIIａ）〜（IIIｃ）中、Ｐ22〜Ｐ24は前記と同じ意味を表す。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の塩を有効成分とすることを特徴とする酸発生剤。
【請求項８】
式（IＶ）で示されることを特徴とするエステル体。
0005125057.tif 000063
（式（IＶ）中、Ｑ1及びＱ2はフッ素原子を表し、Ｘは直鎖または分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価の残基、あるいは、シクロアルカンを有する炭素数３〜１０の炭化水素の２価の残基（ただし、Ｘは直鎖または分岐のアルキル骨格の場合はエーテル結合を含んでいてもよい。）を表し、Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１を表す。Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＡｇを表す。）
【請求項９】
式（Ｖ）で示されるアルコールと、
0005125057.tif 000064
（式（Ｖ）中、Ｘは直鎖または分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価の残基、あるいは、シクロアルカンを有する炭素数３〜１０の炭化水素の２価の残基（ただし、Ｘは直鎖または分岐のアルキル骨格の場合はエーテル結合を含んでいてもよい。）を表し、Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１を表す。）
式（ＶI）
0005125057.tif 000065
（式（ＶI）中、Ｑ1及びＱ2はフッ素原子を表し、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＡｇを表す。）
で示されるカルボン酸とをエステル化反応させることを特徴とする式（IＶ）
0005125057.tif 000066
（式（IＶ）中、Ｑ1、Ｑ2、Ｘ、Ｙ、ｎ及びＭは、前記と同じ意味を表す。）
で示されるエステル体の製造方法。
【請求項１０】
式（IＶ）で示されるエステル体と式（ＶII）で示される化合物とを反応させることを特徴とする式（Ｉ）で示される塩の製造方法。
0005125057.tif 000067
（式（IＶ）中、Ｑ1及びＱ2はフッ素原子を表し、Ｘは直鎖または分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価の残基、あるいは、シクロアルカンを有する炭素数３〜１０の炭化水素の２価の残基（ただし、Ｘは直鎖または分岐のアルキル骨格の場合はエーテル結合を含んでいてもよい。）を表し、Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１を表す。Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＡｇを表す。）
0005125057.tif 000068
（式（ＶII）中、Ａ+は、式（IIｆ）で示されるカチオンを表し、ＺはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ4、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6、ＰＦ6又はＣｌＯ4を表す。）
0005125057.tif 000069
（式（IIｆ）中、Ｐ25〜Ｐ27は、互いに独立に、直鎖又は分岐の炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。Ｐ25〜Ｐ27がアルキル基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、Ｐ25〜Ｐ27が環式炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
0005125057.tif 000070
（式（Ｉ）中、Ｑ1、Ｑ2、Ｘ、Ｙ、ｎ及びＡ+は、前記と同じ意味を表す。）
【請求項１１】
請求項７に記載の酸発生剤と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項１２】
樹脂が嵩高い基及び酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位を含む樹脂である請求項１１に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の樹脂組成物と塩基性化合物とを含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物に使用される化学増幅型レジスト組成物に含有される酸発生剤として用いられる塩に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ技術を用いた半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物は、露光により酸を発生する化合物からなる酸発生剤を含有してなる。
半導体の微細加工においては、高い解像度でパターンを形成することが望ましく、化学増幅型レジスト組成物としては、高い解像度を示すものが求められている。
【０００３】
最近、トリフェニルスルホニウム  １−アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（塩）及びｐ−トリルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホネート（塩）を酸発生剤として含有してなる化学増幅型レジスト組成物が提案されているが、さらに高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩が求められていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−４５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで本発明者らは、上記課題を解決するために、化学増幅型レジスト組成物に含有される酸発生剤として用いられる塩について鋭意検討した結果、直鎖、分岐または環状エステル残基を有してなる特定の塩が、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、式（Ｉ）で示されることを特徴とする塩を提供する。
0005125057.tif 000002
（式（Ｉ）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ａ+は有機対イオンを表す。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２の整数を表す。式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。）
【０００８】
また本発明は、式（Ｉ）で示される塩を有効成分とする酸発生剤を提供する。
【０００９】
また本発明は、式（Ｉ）で示される塩の合成中間体である、式（IＶ）で示されるエステル体を提供する。
0005125057.tif 000003
（式（IＶ）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２の整数を表し、式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＡｇを表す。）
【００１０】
また本発明は、式（Ｖ）で示されるアルコールと、
0005125057.tif 000004
（式（Ｖ）中、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２の整数を表し、式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。）
式（ＶＩ）で示されるカルボン酸とをエステル化反応させることを特徴とする式（IＶ）で示されるエステル体の製造方法を提供する。
0005125057.tif 000005
（式（ＶＩ）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｍは、前記と同じ意味を表す。）
【００１１】
また本発明は、式（IＶ）で示されるエステル体と式（ＶII）で示される化合物とを反応させることを特徴とする式（Ｉ）で示される塩の製造方法を提供する。
0005125057.tif 000006
（式（ＶII）中、Ａ+は、有機対イオンを表し、ＺはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ4、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6、ＰＦ6又はＣｌＯ4を表す。）
【００１２】
また本発明は、式（Ｉ）で示される塩と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることを特徴とする樹脂組成物を提供する。
【００１３】
さらに本発明は、該樹脂組成物と塩基性有機化合物とを含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の塩を酸発生剤として用いることにより、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を製造することができるので、本発明は工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の塩は、式（Ｉ）で示されることを特徴とする。
0005125057.tif 000007
ここで、式（Ｉ）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ａ+は有機対イオンを表す。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２を表す。式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。
式（Ｉ）において、Ｘが直鎖もしくは分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価又は３価の残基、又は、単環式もしくは２環式の炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基（直鎖もしくは分岐アルカンはエーテル結合を含んでいてもよく、式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。）である場合が好ましい。
このようなＸとしては、直鎖または分岐の炭素数１〜３０のアルカンの２価又は３価の残基、シクロアルカン又はノルボルナンを有する炭素数３〜１０の化合物の２価又は３価の残基である場合がより好ましい。ここで、Ｘが直鎖または分岐のアルカンの場合はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｘは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。
また、Ｙが水酸基であり、ｎが１である場合が好ましい。
Ｑ1、Ｑ2としてはそれぞれ独立にフッ素原子または−ＣＦ3である場合が好ましく、フッ素原子である場合がさらに好ましい。
【００１６】
Ｘの具体例としては、下記式で示される構造が挙げられる。
0005125057.tif 000008
【００１７】
式（Ｉ）で示される塩のアニオン部の具体例としては、下記式で示されるアニオンが挙げられる。
0005125057.tif 000009
【００１８】
0005125057.tif 000010
【００１９】
0005125057.tif 000011
【００２０】
0005125057.tif 000012
【００２１】
式（Ｉ）で示される塩において、Ａ+は、有機対イオンを表し、具体的には、以下に示す式（IIｆ）、式（IIｂ）、式（IIｃ）及び式（IIｄ）で示されるカチオンが挙げられる。
【００２２】
ここで、式（IIｆ）は、下記式である。
0005125057.tif 000013
式（IIｆ）中、Ｐ25〜Ｐ27は、互いに独立に、直鎖又は分岐の炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。Ｐ25〜Ｐ27がアルキル基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、Ｐ25〜Ｐ27が環式炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
該環式炭化水素基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ビシクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル、ビフェニル基などが挙げられる。
【００２３】
式（IIｂ）は、下記式である。
0005125057.tif 000014
式（IIｂ）中、Ｐ4、Ｐ5は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。該アルキル基及び該アルコキシ基は、式（IIｆ）のアルキル基及びアルコキシ基と同じ意味を表す。
【００２４】
式（IIｃ）は、下記式である。
0005125057.tif 000015
式（IIｃ）中、Ｐ6、Ｐ7は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。また、Ｐ6とＰ7とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基であってもよい。Ｐ8は水素原子を表し、Ｐ9は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、またはフェニル基、ベンジル基などの置換されていてもよい芳香環基をあらわすか、Ｐ8とＰ9とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を表す。Ｐ9がアルキル基の場合、該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。Ｐ9がシクロアルキル基の場合、該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。ここで、式（IIｃ）における２価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、いずれも、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。
【００２５】
式（IIｄ）は、下記式である。
0005125057.tif 000016
式（IIｄ）中、Ｐ10〜Ｐ21は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。該アルキル基及び該アルコキシ基は、式（IIｆ）のアルキル基及びアルコキシ基と同じ意味を表す。Ｂは、硫黄原子又は酸素原子を表す。ｍは、０又は１を表す。
【００２６】
式（IIｆ）で示されるカチオンＡ+の具体例としては、下記式で示されるカチオンが挙げられる。
0005125057.tif 000017
【００２７】
0005125057.tif 000018
【００２８】
0005125057.tif 000019
【００２９】
式（IIｂ）で示されるカチオンＡ+の具体例としては、下記式で示されるカチオンが挙げられる。
0005125057.tif 000020
【００３０】
式（IIｃ）で示されるカチオンＡ+の具体例としては、下記式で示されるカチオンが挙げられる。
0005125057.tif 000021
【００３１】
0005125057.tif 000022
【００３２】
0005125057.tif 000023
【００３３】
式（IIｄ）で示されるカチオンＡ+の具体例としては、下記式で示されるカチオンが挙げられる。
0005125057.tif 000024
【００３４】
0005125057.tif 000025
【００３５】
0005125057.tif 000026
【００３６】
ここで式（IIｆ）で示されるカチオンが式（IIｇ）、式（IIｈ）、式（IIｉ）で示されるカチオンであり、Ａ+が、式（IIｇ）、式（IIｈ）、式（IIｉ）、式（IIｂ）、式（IIｃ）又は式（IIｄ）のいずれかで示されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンである場合が好ましい。
0005125057.tif 000027
式（IIｇ）〜（IIｉ）中、Ｐ28〜Ｐ30は互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基を表すか又はフェニル基以外の炭素数３〜３０の環式炭化水素基を表す。Ｐ28〜Ｐ30がアルキル基である場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、Ｐ28〜Ｐ30が環式炭化水素基の場合には、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。式中のＰ31〜Ｐ36は、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１２の環式炭化水素基を表し、ｌ、ｋ、ｊ、ｉ、ｈおよびｇは、互いに独立に０〜５の整数を表す。
【００３７】
さらに式（IIｆ）で示されるカチオンの中でも、式（IIａ）で示されるカチオンがより好ましく、Ａ+が式（IIｅ）で示されるカチオンである場合が製造が容易であることからさらに好ましい。
0005125057.tif 000028
式（IIａ）中、Ｐ1〜Ｐ3は互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。
【００３８】
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００３９】
0005125057.tif 000029
式（IIｅ）中、Ｐ22〜Ｐ24は、互いに独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。
【００４０】
本発明の式（Ｉ）で示される塩としては、中でも式（IIIａ）、（IIIｂ）又は式（IIIｃ）で示される塩が、優れた解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となることからさらにより好ましい。
0005125057.tif 000030
（式（IIIａ）〜（IIIｃ）中、Ｐ22〜Ｐ24は前記と同じ意味を表す。）
【００４１】
式（Ｉ）で示される塩の製造方法としては、例えば、式（IＶ）で示されるエステル体と
0005125057.tif 000031
（式（IＶ）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２の整数を表し、式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＡｇを表す。）
式（ＶII）で示されるオニウム塩とを、
0005125057.tif 000032
（式中、Ａ+は、有機対イオンを表し、ＺはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ4、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6、ＰＦ6又はＣｌＯ4を表す。）
例えば、アセトニトリル、水、メタノール、クロロホルム、塩化メチレン等の不活性溶媒中にて、０℃〜１５０℃程度の温度範囲、好ましくは０℃〜１００℃程度の温度範囲にて撹拌して反応させて、式（Ｉ）で示される塩を得る方法などが挙げられる。
ここで、Ｑ1、Ｑ2としてはそれぞれ独立にフッ素原子または−ＣＦ3である場合が好ましく、フッ素原子である場合がさらに好ましい。また、式（IＶ）におけるＸおよびＹの例示および好ましい範囲は前記と同様であり、式（ＶII）におけるＡ+の例示および好ましい範囲も前記と同様である。ｎとしては１である場合が好ましい。
【００４２】
式（ＶＩＩ）のオニウム塩の使用量としては、通常、式（IＶ）で示されるエステル体１モルに対して、０．５〜２モル程度である。該塩（Ｉ）は再結晶で取り出してもよいし、水洗して精製してもよい。
【００４３】
式（Ｉ）で示される塩の製造に用いられる式（IＶ）で示されるエステル体の製造方法としては、例えば、先ず、式（Ｖ）
0005125057.tif 000033
（式（Ｖ）中、Ｘは炭素数１〜３０の非環式炭化水素又は単環もしくは２環を含む炭素数３〜３０の炭化水素の２価又は３価の残基を表し、これらの炭化水素はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｙは水酸基、シアノ基又はメトキシ基を表し、ｎは１〜２の整数を表し、式中のＸは炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。）
で示されるアルコールと、式（ＶＩ）
0005125057.tif 000034
（式（ＶI）中、Ｑ1、Ｑ2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｍは、前記と同じ意味を表す。）
で示されるカルボン酸とをエステル化反応させて、式（IＶ）で示されるエステル体を得る方法などが挙げられる。
ここで、Ｑ1、Ｑ2としてはそれぞれ独立にフッ素原子または−ＣＦ3である場合が好ましく、フッ素原子である場合がさらに好ましい。
【００４４】
前記エステル化反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中にて、２０℃〜２００℃程度の温度範囲、好ましくは、５０℃〜１５０℃程度の温度範囲で撹拌して行えばよい。エステル化反応においては、通常は酸触媒としてｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸及び／又は硫酸等の無機酸を添加する。あるいは脱水剤として１，１’−カルボニルジイミダゾール、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド等を添加してもよい。
酸触媒を用いたエステル化反応は、ディーンスターク装置を用いるなどして、脱水しながら実施すると、反応時間が短縮化される傾向があることから好ましい。
【００４５】
エステル化反応における式（ＶＩ）で示されるカルボン酸の使用量としては、式（Ｖ）で示されるアルコール１モルに対して、０．２〜３モル程度、好ましくは０．５〜２モル程度である。エステル化反応における酸触媒は式（Ｖ）で示されるアルコール１モルに対して、触媒量でも溶媒に相当する量でもよく、通常、０．００１モル程度〜５モル程度である。エステル化反応における脱水剤は式（Ｖ）で示されるアルコール１モルに対して、０．２〜５モル程度、好ましくは０．５〜３モル程度である。
【００４６】
本発明の樹脂組成物は、式（Ｉ）で示される塩と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。
【００４７】
式（Ｉ）で示される塩は、酸発生剤として用いられ、露光により生じた酸は、樹脂中の基であって酸に不安定な基に対して触媒的に作用して開裂し、樹脂はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。かかる樹脂組成物は化学増幅型ポジ型レジスト組成物として好適である。
【００４８】
酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるアルキルエステルを有する基、脂環式エステルなどのカルボン酸エステルを有する基、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるラクトン環を有する基などが挙げられる。
ここで、４級炭素原子とは、水素原子以外の置換基と結合していて水素とは結合していない炭素原子を意味し、酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位の炭素原子が３つの炭素原子と結合した４級炭素原子であることが好ましい。
【００４９】
酸に不安定な基の１種であるカルボン酸エステルを有する基を−ＣＯＯＲのＲエステルとして例示すると、（−ＣＯＯ−Ｃ（ＣＨ3）3  をｔｅｒｔ−ブチルエステルという形式で称する。）、ｔｅｒｔ−ブチルエステルに代表されるエーテル結合のα位が４級炭素原子であるアルキルエステル；メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブトキシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラヒドロ−２−ピラニルエステルなどのアセタール型エステル；イソボルニルエステル及び１−アルキルシクロアルキルエステル、２−アルキル−２−アダマンチルエステル、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルエステルなどのエーテル結合のα位が４級炭素原子である脂環式エステルなどが挙げられる。
【００５０】
このようなカルボン酸エステルを有する基としては、（メタ）アクリル酸エステル、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルを有する基が挙げられる。
【００５１】
本発明の樹脂組成物の樹脂は、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合とを有するモノマーを付加重合して製造することができる。
かかるモノマーとしては、酸に不安定な基として、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル基などのような脂環式構造などの嵩高い基を含むモノマーが、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
具体的な嵩高い基を含むモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−アルキル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、α−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、α−クロロアクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルなどが挙げられる。
【００５２】
とりわけ（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルやα−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルをモノマーとして用いた場合は、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
【００５３】
具体的には、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルとしては、例えば、アクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−ｎ−ブチル−２−アダマンチルなどが挙げられ、α−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルとしては、例えば、α−クロロアクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、α−クロロアクリル酸２−エチル−２−アダマンチルなどが挙げられる。
【００５４】
これらの中でも（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル又は（メタ）アクリル酸２−イソプロピル−２−アダマンチルを用いた場合、得られるレジストの感度が優れ耐熱性にも優れる傾向があることから好ましい。
【００５５】
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルは、通常、２−アルキル−２−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。
【００５６】
本発明に用いられる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位に加えて、酸に安定なモノマーに由来する構造単位を含んでいてもよい。ここで、酸に安定なモノマーに由来する構造とは、本発明の塩（I）によって開裂しない構造を意味する。
具体的には、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボン酸基を有するモノマーに由来する構造単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する構造単位、２−ノルボルネンに由来する構造単位、（メタ）アクリロニトリルに由来する構造単位、エーテル結合のα位が２級炭素原子または３級炭素原子のアルキルエステルや１−アダマンチルエステルである（メタ）アクリル酸エステル類に由来する構造単位、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよい（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する構造単位などを挙げることができる。尚、１−アダマンチルエステルは、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるが、酸に安定な基であり、１−アダマンチルエステルには水酸基などが結合していてもよい。
【００５７】
具体的な酸に安定なモノマーとしては、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、式（ａ）、（ｂ）、ヒドロキシスチレン、ノルボルネン（ｃ）などの分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物、無水マレイン酸（ｄ）などの脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸（ｅ）などが例示される。
【００５８】
これらの中でも、特に、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルに由来する構造単位、式（ａ）で示されるモノマーに由来する構造、及び式（ｂ）で示されるモノマーに由来する構造単位を含む樹脂から得られるレジストは、基板への接着性及びレジストの解像性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００５９】
0005125057.tif 000035
（式中、Ｒ1及びＲ2は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3及びＲ4は、互いに独立に水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子を表し、ｐ及びｑは、互いに独立に１〜３の整数を表す。ｐが２または３のときには、Ｒ3は互いに異なる基であってもよく、ｑが２または３のときには、Ｒ4は互いに異なる基であってもよい。）
【００６０】
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルなどのモノマーは、市販されているが、例えば対応するヒドロキシアダマンタンを（メタ）アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
【００６１】
また、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンなどのモノマーは、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又はラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
【００６２】
式（ａ）、式（ｂ）で示される構造単位を与えるモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造し得る（例えば特開２０００−２６４４６号公報）。
【００６３】
0005125057.tif 000036
【００６４】
ここで、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
【００６５】
ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合は、樹脂の構造単位として、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位を用いても充分な透過率を得ることができる。このような共重合樹脂を得る場合は、該当する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
【００６６】
また、２−ノルボルネンに由来する構造単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環式骨格を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。２−ノルボルネンに由来する構造単位は、例えば対応する２−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形成されるものは式（ｃ）で表すことができ、無水マレイン酸無水物及び無水イタコン酸無水物の二重結合が開いて形成されるものはそれぞれ式（ｄ）及び式（ｅ）で表すことができる。
【００６７】
0005125057.tif 000037
【００６８】
ここで、前記式（ｃ）中のＲ5及びＲ6は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基もしくは−ＣＯＯＵ（Ｕはアルコール残基である）を表すか、あるいは、Ｒ5及びＲ6が結合して、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−で示されるカルボン酸無水物残基を表す。
Ｒ5及び／又はＲ6が基−ＣＯＯＵである場合は、カルボキシル基がエステルとなったものであり、Ｕに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル基、２−オキソオキソラン−３−又は−４−イル基などを挙げることができる。ここで、該アルキル基は、水酸基や脂環式炭化水素残基などが置換基として結合していてもよい。
Ｒ5及び／又はＲ6がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、水酸基が結合したアルキルの具体例としては、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
【００６９】
このように、酸に安定な構造単位を与えるモノマーである、式（ｃ）で示されるノルボネン構造の具体例としては、次のような化合物を挙げることができる。
２−ノルボルネン、
２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、
５−ノルボルネン−２−メタノール、
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物。
【００７０】
なお、式（ｃ）中のＲ5及び／又はＲ6の−ＣＯＯＵのＵが、エーテル結合のα位が４級炭素原子である脂環式エステル基などの酸に不安定な基であれば、ノルボルネン構造を有するといえども、酸に不安定な基を有する構造単位である。ノルボルネン構造と酸に不安定な基を含むモノマーとしては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが例示される。
【００７１】
本発明の樹脂組成物で用いる樹脂は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、通常、樹脂における酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位の含有量を１０〜８０モル％の範囲に調整する。
【００７２】
そして、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位として特に、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルに由来する構造単位を含む場合は、該構造単位が樹脂を構成する全構造単位のうち１５モル％以上となると、樹脂が脂環基を有するために頑丈な構造となり、与えるレジストのドライエッチング耐性の面で有利である。
【００７３】
なお、分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物をモノマーとする場合には、これらは付加重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。
【００７４】
さらに、用いられるモノマーとしてはオレフィン性二重結合が同じでも酸に不安定な基が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基が同じでもオレフィン性二重結合が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合との組合せが異なるモノマーを併用してもよい。
【００７５】
また、本発明の化学増幅型レジスト組成物には、好ましくは塩基性化合物、より好ましくは、塩基性含窒素有機化合物、とりわけ好ましくはアミン又はアンモニウム塩を含有させる。塩基性化合物をクエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるようなものが挙げられる。
【００７６】
0005125057.tif 000038
【００７７】
式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。該アルキル基は、好ましくは１〜６個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキル基は好ましくは５〜１０個程度の炭素原子を有し、該アリール基は、好ましくは６〜１０個程度の炭素原子を有する。更に、該アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基上の水素原子の少なくとも１個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は１〜６個の炭素数を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、それぞれ独立に１〜４個の炭素数を有するアルキル基で置換されていてもよい。
【００７８】
Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアルコキシ基を表す。該アルキル基は、好ましくは１〜６個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキル基は、好ましくは５〜１０個程度の炭素原子を有し、該アリール基は、好ましくは６〜１０個程度の炭素原子を有し、該アルコキシ基は、好ましくは１〜６個の炭素原子を有する。
更に、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルコキシ基上の水素原子の少なくとも１個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は１〜６個程度の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよい。
【００７９】
Ｒ16は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは１〜６個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキル基は、好ましくは５〜１０個程度の炭素原子を有する。更に該アルキル基又はシクロアルキル基上の水素原子の少なくとも１個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、１〜６個の炭素原子を有するアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよい。
【００８０】
Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は、それぞれ独立にアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。該アルキル基は、好ましくは１〜６個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキル基は、好ましくは５〜１０個程度の炭素原子を有し、該アリール基は、好ましくは６〜１０個程度の炭素原子を有する。更に、該アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基上の水素原子の少なくとも１個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、１〜６個の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよい。
【００８１】
Ｗは、アルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジスルフィド基を表す。該アルキレン基は、好ましくは２〜６程度の炭素原子を有する。
また、Ｒ11〜Ｒ20において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
【００８２】
このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４′−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２，６−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２′−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ビス（２−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４′−ジピリジルスルフィド、４，４′−ジピリジルジスルフィド、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、２，２′−ジピコリルアミン、３，３′−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）などを挙げることができる。
【００８３】
さらには、特開平１１−５２５７５号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。
【００８４】
本発明の樹脂組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％程度、そして酸発生剤を０.１〜２０重量％程度の範囲で含有することが好ましい。
また、化学増幅型レジスト組成物としてクエンチャーである塩基性化合物を用いる場合は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、０．０１〜１重量％程度の範囲で含有するのが好ましい。
レジスト組成物としては、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
【００８５】
本発明のレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなどの通常工業的に用いられている方法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で通常工業的に用いられている溶剤が使用しうる。
【００８６】
例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００８７】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）の水溶液が用いられることが多い。
【実施例】
【００８８】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。
【００８９】
実施例および比較例中、含有量ないし使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムはＴＳＫｇｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＸＬ−Ｍ３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた値である。
また、化合物の構造はＮＭＲ（日本電子製ＧＸ−２７０型またはＥＸ−２７０型）、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型またはＬＣ／ＭＳＤ  ＴＯＦ型）で確認した。
【００９０】
酸発生剤合成例１：トリフェニルスルホニウム  （２−ヒドロキシエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ１）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル１００部、イオン交換水２５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液２３０部を滴下した。１００℃で３時間還流し、冷却後、濃塩酸８８部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を１６５．０部得た（無機塩含有、純度６２．５％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩８．０部（純度６２．５％）、エチレングリコール１．５７部、ジクロロエタン６０部を仕込み、硫酸１．２４部を加え、４時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、残渣に酢酸エチル１００部添加撹拌後濾過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−２−ヒドロキシエチルエステル  ナトリウム塩を９．２５部得た。
0005125057.tif 000039
【００９１】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．６０（ｑ，２Ｈ）；４．２２（ｔ，２Ｈ）；４．８２（ｂｒ，１Ｈ）
【００９２】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−２−ヒドロキシエチルエステル  ナトリウム塩９．２５部を仕込み、アセトニトリル９２．５部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド１１．４部、イオン交換水５７部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム１００部で１回、５０部で１回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部、次いで酢酸エチル５０部でリパルプすることにより、白色固体としてトリフェニルスルホニウム  （２−ヒドロキシエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ１）を５．５４部得た。
0005125057.tif 000040
【００９３】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．５８（ｑ，２Ｈ）；４．２０（ｔ，２Ｈ）；４．７８（ｔ，１Ｈ）；７．７４−７．８９（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．２（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ２１９．０（Ｃ4Ｈ5Ｆ2Ｏ6Ｓ-＝２１８．９８）
【００９４】
酸発生剤合成例２：トリフェニルスルホニウム  （８−ヒドロキシオクチルオキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ２）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル５００部、イオン交換水７５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液４２４部を滴下した。１００℃で２．５時間還流し、冷却後、濃塩酸４４０部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を８０２．８２部得た（無機塩含有、純度６４．２％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６４．２％）、１，８−オクタンジオール２．３２部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ＴｓＯＨ）３．０２部を加え、４．５時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−８−ヒドロキシオクチルエステル  ナトリウム塩を２．８２部得た（ジエステル体含有、純度４１．２％）。
0005125057.tif 000041
【００９５】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）１．２６−１．４３（ｍ，１０Ｈ）；１．５６−１．６５（ｍ，２Ｈ）；３．３７（ｔ，２Ｈ）；４．１９（ｔ，２Ｈ）
【００９６】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−８−ヒドロキシオクチルエステル  ナトリウム塩２．８２部を仕込み、アセトニトリル２８．２部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド３．１９部、イオン交換水３１．９部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム５０部で２回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部でリパルプした後、酢酸エチル５０部で１回、２００部で２回抽出することにより、無色液体としてトリフェニルスルホニウム  （８−ヒドロキシオクチルオキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ２）を０．７３部得た。
0005125057.tif 000042
【００９７】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）１．２６−１．４２（ｍ，１０Ｈ）；１．５４−１．６４（ｍ，２Ｈ）；３．３８（ｔ，２Ｈ）；４．１８（ｔ，２Ｈ）；４．３１（ｔ，１Ｈ）；７．７５−７．９０（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．２（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３０３．２（Ｃ10Ｈ17Ｆ2Ｏ6Ｓ-＝３０３．０７）
【００９８】
酸発生剤合成例３：トリフェニルスルホニウム  （（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ３）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル１００部、イオン交換水２５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液２３０部を滴下した。１００℃で３時間還流し、冷却後、濃塩酸８８部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を１６５．０部得た（無機塩含有、純度６２．５％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６２．５％）、１，４−シクロヘキサンジメタノール２．２８部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸３．００部を加え、０．６時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、アセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル  ナトリウム塩を６．７８部得た（原料アルコール、ジエステル体含有）。
0005125057.tif 000043
【００９９】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）０．７６−１．０１（ｍ，４Ｈ）；１．２７（ｂｒ，１Ｈ）；１．５７（ｂｒ，１Ｈ）；１．７３（ｄ，４Ｈ）；３．２０（ｔ，２Ｈ）；４．０３（ｄ，２Ｈ）；４．７０（ｂｒ，１Ｈ）
【０１００】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル  ナトリウム塩６．７８部を仕込み、アセトニトリル６７．８部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド６．２５部、イオン交換水６２．５部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム２５０部添加後不溶分を濾過した。有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部でリパルプした後、アセトニトリル１０部添加、不溶分を濾過を３回行うことにより、無色液体としてトリフェニルスルホニウム  （（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ３）を１．８１部得た。
0005125057.tif 000044
【０１０１】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）０．７７−１．０３（ｍ，４Ｈ）；１．２８（ｂｒ，１Ｈ）；１．５７（ｂｒ，１Ｈ）；１．７３（ｄ，４Ｈ）；３．１９（ｔ，２Ｈ）；４．０２（ｄ，２Ｈ）；４．３５（ｔ，１Ｈ）；７．７５−７．９０（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．２（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３０１．０（Ｃ10Ｈ15Ｆ2Ｏ6Ｓ-＝３０１．０６）
【０１０２】
酸発生剤合成例４：トリフェニルスルホニウム  （２−（２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ）エトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ４）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル５００部、イオン交換水７５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液４２４部を滴下した。１００℃で２．５時間還流し、冷却後、濃塩酸４４０部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を８０２．８２部得た（無機塩含有、純度６４．２％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６４．２％）、トリエチレングリコール２．４３部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸３．０８部を加え、１２時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−２−（２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ）エチルエステル  ナトリウム塩を５．０６部得た（原料アルコール、ジエステル体含有）。
0005125057.tif 000045
【０１０３】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．３８−３．４０（ｍ，２Ｈ）；３．４６−３．５４（ｍ，６Ｈ）；３．６２−３．６５（ｍ，２Ｈ）；４．２８−４．３２（ｍ，２Ｈ）；４．５６（ｂｒ，１Ｈ）
【０１０４】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−２−（２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ）エチルエステル  ナトリウム塩５．０６部を仕込み、アセトニトリル５０．６部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド６．８７部、イオン交換水３４．３部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム１００部で１回、５０部で１回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部、酢酸エチル２０部でリパルプした後、酢酸エチル２００部で２回、アセトニトリル５部、酢酸エチル２００部混合溶媒で１回、アセトニトリル１０部、酢酸エチル２００部混合溶媒で１回抽出することにより、無色液体としてトリフェニルスルホニウム  （２−（２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ）エトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ４）を０．９１部得た。
0005125057.tif 000046
【０１０５】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．３９−３．４３（ｍ，２Ｈ）；３．４５−３．５８（ｍ，６Ｈ）；３．６３−３．６６（ｍ，２Ｈ）；４．２９−４．３３（ｍ，２Ｈ）；４．５７（ｔ，１Ｈ）；７．７５−７．９０（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．０（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３０７．０（Ｃ8Ｈ13Ｆ2Ｏ8Ｓ-＝３０７．０３）
【０１０６】
酸発生剤合成例５：トリフェニルスルホニウム  （２−メトキシエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ５）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル５００部、イオン交換水７５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液４２４部を滴下した。１００℃で２．５時間還流し、冷却後、濃塩酸４４０部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を８０２．８２部得た（無機塩含有、純度６４．２％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６４．２％）、２−メトキシエタノール１．２３部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸３．０８部を加え、１０時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−２−メトキシエチルエステル  ナトリウム塩を１．０１部得た。
0005125057.tif 000047
【０１０７】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．２７（ｓ，３Ｈ）；３．５４−３．５８（ｍ，２Ｈ）；４．３０−４．３３（ｍ，２Ｈ）
【０１０８】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−２−メトキシエチルエステル  ナトリウム塩１．０１部を仕込み、アセトニトリル１０．１部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド１．１８部、イオン交換水５．９部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム５０部で２回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部でリパルプすることにより、白色固体としてトリフェニルスルホニウム  （２−メトキシエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ５）を０．８４部得た。
0005125057.tif 000048
【０１０９】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．２７（ｓ，３Ｈ）；３．５４−３．５７（ｍ，２Ｈ）；４．２９−４．３３（ｍ，２Ｈ）；７．７５−７．９０（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．０（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ２３３．０（Ｃ5Ｈ7Ｆ2Ｏ6Ｓ-＝２３２．９９）
【０１１０】
酸発生剤合成例６：トリフェニルスルホニウム  （２−（２−メトキシエトキシ）エトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ６）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル５００部、イオン交換水７５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液４２４部を滴下した。１００℃で２．５時間還流し、冷却後、濃塩酸４４０部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を８０２．８２部得た（無機塩含有、純度６４．２％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６４．２％）、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール１．９５部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸３．０８部を加え、１２時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−２−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル  ナトリウム塩を２．８２部得た。
0005125057.tif 000049
【０１１１】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．２４（ｓ，３Ｈ）；３．４１−３．４５（ｍ，２Ｈ）；３．５４−３．５７（ｍ，２Ｈ）；３．６２−３．６６（ｍ，２Ｈ）；４．２９−４．３３（ｍ，２Ｈ）
【０１１２】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−２−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル  ナトリウム塩２．８２部を仕込み、アセトニトリル２８．２部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド２．８１部、イオン交換水１４．０部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム１００部で１回、５０部で１回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部でリパルプすることにより、無色液体としてトリフェニルスルホニウム  （２−（２−メトキシエトキシ）エトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ６）を３．４７部得た。
0005125057.tif 000050
【０１１３】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）３．２３（ｓ，３Ｈ）；３．４１−３．４４（ｍ，２Ｈ）；３．５３−３．５７（ｍ，２Ｈ）；３．６２−３．６６（ｍ，２Ｈ）；４．２９−４．３２（ｍ，２Ｈ）；７．７６−７．９１（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．０（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ２７７．０（Ｃ7Ｈ11Ｆ2Ｏ7Ｓ-＝２７７．０２）
【０１１４】
酸発生剤合成例７：トリフェニルスルホニウム  （２−シアノエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（酸発生剤Ｂ７）の合成
（１）ジフルオロ（フルオロスルホニル）酢酸メチルエステル５００部、イオン交換水７５０部に、氷浴下、３０％水酸化ナトリウム水溶液４２４部を滴下した。１００℃で２．５時間還流し、冷却後、濃塩酸４４０部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩を８０２．８２部得た（無機塩含有、純度６４．２％）。
（２）ジフルオロスルホ酢酸  ナトリウム塩５．０部（純度６４．２％）、２−シアノエタノール１．１５部、ジクロロエタン６０部を仕込み、ｐ−トルエンスルホン酸３．０８部を加え、１０時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル１００部添加撹拌後ろ過し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−２−シアノエチルエステル  ナトリウム塩を２．４０部得た。
0005125057.tif 000051
【０１１５】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）２．９４（ｔ，２Ｈ）；４．４１（ｔ，２Ｈ）
【０１１６】
（３）上記（２）で得られたジフルオロスルホ酢酸−２−シアノエチルエステル  ナトリウム塩２．４０部を仕込み、アセトニトリル２４．０部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム  クロライド２．８２部、イオン交換水１４．１１部溶液を添加した。１５時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム５０部で２回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部でリパルプすることにより、無色液体としてトリフェニルスルホニウム  （２−シアノエトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート（Ｂ７）を０．７１部得た。
0005125057.tif 000052
【０１１７】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−ｄ6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ｐｐｍ）２．９４（ｔ，２Ｈ）；４．４１（ｔ，２Ｈ）；７．７５−７．９０（ｍ，１５Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．０（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ２２８．０（Ｃ5Ｈ4Ｆ2ＮＯ5Ｓ-＝２２７．９８）
【０１１８】
樹脂合成例１：樹脂Ａ１の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、５：２．５：２．５のモル比で仕込み、全モノマーに対して２重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル％添加し、８０℃で約８時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を３回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約９２００の共重合体を得た。この共重合体は、次式で示される各単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。
【０１１９】
0005125057.tif 000053
【０１２０】
次に、以上の樹脂合成例で得られた樹脂（Ａ１）のほか、以下に示す原料を用いてレジスト組成物を調製し評価を行った。
【０１２１】
＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｂ１：
0005125057.tif 000054
酸発生剤Ｂ２：
0005125057.tif 000055
酸発生剤Ｃ１：
0005125057.tif 000056
酸発生剤Ｃ２：トリフェニルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート
＜クエンチャー＞
クエンチャーＱ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜溶剤＞
溶剤Ｙ１：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート        ８０．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                  ２０．０部
γ−ブチロラクトン                                        ３．０部
【０１２２】
実施例１〜２及び比較例１
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
【０１２３】
樹脂（種類及び量は表１記載）
酸発生剤（種類及び量は表１記載）
クエンチャー（種類及び量は表１記載）
溶剤（種類は表１記載）
【０１２４】
シリコンウェハーにＢｒｅｗｅｒ社製の有機反射防止膜用組成物である「ＡＲＣ−２９Ａ−８」を塗布して２１５℃、６０秒の条件でベークすることによって厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させ、次いでこの上に、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０．２５μｍとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、ＡｒＦエキシマステッパー〔（株）ニコン製の「ＮＳＲ  ＡｒＦ」、ＮＡ＝０．５５、２／３Ａｎｎｕｌａｒ〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
【０１２５】
露光後は、ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
【０１２６】
有機反射防止膜基板上のもので現像後のブライトフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表２に示した。なお、ここでいうブライトフィールドパターンとは、外側にガラス面（透光部）をベースとしてライン状にクロム層（遮光層）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が除去されるパターンである。
【０１２７】
解像度：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。ここでいう実効感度とは、０．１３μｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で表示している。
【０１２８】
〔表１〕
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例Ｎｏ．    樹脂      酸発生剤      クエンチャー    溶剤      ＰＢ／ＰＥＢ
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実施例１  A1／10部    B1／0.21部    Q1／0.0325部      Y1      130℃／130℃
実施例２  A1／10部    B2／0.25部    Q1／0.0325部      Y1      130℃／130℃
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比較例１  A1／10部    C1／0.25部    Q1／0.0325部      Y1      130℃／130℃
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【０１２９】
〔表２〕
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例 No.      実効感度          解像度
(ｍJ/ｃｍ2)        (μｍ)
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実施例１    ２７．５        ０．１２
実施例２    ３０．０        ０．１２
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比較例１    ２５．０        ０．１３
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【０１３０】
従来は、０．１３μｍであっても優れた解像度であったが（比較例１）、実施例１、２によれば、０．１２μｍと、さらに解像度が向上した。また、実効感度がほぼ等しいという結果であった。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明の塩は、優れた解像度を与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物用の酸発生剤として好適に用いられ、中でも、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィに好適な化学増幅型ポジ型レジスト組成物用の酸発生剤として用いることができる。