(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリ装置から離れた位置に配置されている第１のセンサと、
前記第１のセンサが示す温度と前記第１のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第１のオフセット値を格納する第１のレジスタと、
前記第１のメモリ装置の動作を制御するコントローラと
を備え、
前記コントローラは、前記第１のレジスタから前記第１のオフセット値を読み出して、前記第１のオフセット値に応じて前記第１のメモリ装置の動作を制御し、
前記コントローラは、前記第１のメモリ装置の動作中に前記第１のオフセット値を動的に更新するメモリ制御装置。
【請求項２】
前記第１のメモリ装置の前記推定実際温度は、動作中の、可変冷却装置による冷却量に応じて変化し、
前記コントローラは、前記可変冷却装置による冷却量に応じて前記第１のオフセット値を更新する請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項３】
前記コントローラはさらに、前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値を動的に更新する請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項４】
前記可変冷却装置は、速度可変ファンを含み、
前記コントローラは、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第１のオフセット値を更新する請求項２または３に記載のメモリ制御装置。
【請求項５】
第２のメモリ装置から離れた位置に配置されている第２のセンサと、
前記第２のセンサが示す温度と前記第２のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第２のオフセット値を格納する第２のレジスタと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記第２のレジスタから前記第２のオフセット値を読み出して、前記第２のオフセット値に応じて前記第２のメモリ装置の動作を制御し、
前記コントローラは、前記第２のメモリ装置の動作中に前記第２のオフセット値を動的に更新する請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項６】
前記第１のメモリ装置および前記第２のメモリ装置のそれぞれの前記推定実際温度は、動作中の、可変冷却装置による冷却量に応じて変化し、
前記コントローラは、前記可変冷却装置による冷却量に応じて前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値を更新する請求項５に記載のメモリ制御装置。
【請求項７】
前記コントローラはさらに、前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値および前記第２のメモリ装置に対応付けられている第２のしきい値を動的に更新する請求項６に記載のメモリ制御装置。
【請求項８】
前記可変冷却装置は、速度可変ファンを含み、
前記コントローラは、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値を更新する請求項６または７に記載のメモリ制御装置。
【請求項９】
前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値は互いに異なる請求項５から８のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
【請求項１０】
第１のメモリ装置から離れた位置に第１のセンサを配置する段階と、
前記第１のセンサが示す温度と、前記第１のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第１のオフセット値を格納する段階と、
前記第１のオフセット値を読み出す段階と、
前記第１のオフセット値に応じて前記第１のメモリ装置の動作を制御する段階と、
前記第１のメモリ装置の動作中、前記第１のオフセット値を動的に更新する段階と
を備えるメモリ制御方法。
【請求項１１】
前記第１のメモリ装置の動作中、前記第１のオフセット値を動的に更新する段階は、可変冷却装置による冷却量に応じて前記第１のオフセット値を更新する段階を有する請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１２】
前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値を動的に更新する段階をさらに備える請求項１１に記載のメモリ制御方法。
【請求項１３】
前記可変冷却装置は、速度可変ファンを含み、
前記第１のメモリ装置の動作中、前記第１のオフセット値を動的に更新する段階は、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第１のオフセット値を更新する段階を有する請求項１１または１２に記載のメモリ制御方法。
【請求項１４】
第２のメモリ装置から離れた位置に第２のセンサを配置する段階と、
前記第２のセンサが示す温度と、前記第２のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第２のオフセット値を格納する段階と、
前記第２のオフセット値を読み出す段階と、
前記第２のオフセット値に応じて前記第２のメモリ装置の動作を制御する段階と、
前記第２のメモリ装置の動作中、前記第２のオフセット値を動的に更新する段階と
をさらに備える請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１５】
前記第１のオフセット値を動的に更新する段階、および、前記第２のオフセット値を動的に更新する段階は、可変冷却装置による冷却量に応じて前記第１のオフセット値を更新する段階、および、可変冷却装置による冷却量に応じて前記第２のオフセット値を更新する段階を有する請求項１４に記載のメモリ制御方法。
【請求項１６】
前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値および前記第２のメモリ装置に対応付けられている第２のしきい値を動的に更新する段階をさらに備える請求項１５に記載のメモリ制御方法。
【請求項１７】
前記可変冷却装置は速度可変ファンを含み、
前記第１のオフセット値を動的に更新する段階、および、前記第２のオフセット値を動的に更新する段階は、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第１のオフセット値を更新する段階、および、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第２のオフセット値を更新する段階を有する請求項１５または１６に記載のメモリ制御方法。
【請求項１８】
前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値は互いに異なる
請求項１４から１７のいずれか１項に記載のメモリ制御方法。
【請求項１９】
プロセッサと、
前記プロセッサに結合されており、第１のメモリ装置および第２のメモリ装置を有するメモリサブシステムと、
前記第１のメモリ装置から離れた位置に配置されている第１のセンサと、
前記第２のメモリ装置から離れた位置に配置されている第２のセンサと、
前記メモリサブシステムを冷却する可変冷却装置と、
前記メモリサブシステムおよび前記可変冷却装置に結合されているメモリコントローラと
を備え、
前記メモリコントローラは、
前記第１のセンサが示す温度と、前記第１のメモリ装置の推定実際温度との間の差分に対応する第１のオフセット値を格納する第１のレジスタと、
前記第２のセンサが示す温度と、前記第２のメモリ装置の推定実際温度との間の差分に対応する第２のオフセット値を格納する第２のレジスタと、
前記メモリサブシステムの動作を制御するコントローラと
を有し、
前記コントローラは、
前記第１のレジスタから前記第１のオフセット値を読み出して、前記第１のオフセット値に応じて前記第１のメモリ装置の動作を制御し、
前記第２のレジスタから前記第２のオフセット値を読み出して、前記第２のオフセット値に応じて前記第２のメモリ装置の動作を制御し、
前記第１のメモリ装置の動作中に、前記第１のオフセット値を動的に更新し、
前記第２のメモリ装置の動作中に、前記第２のオフセット値を動的に更新するプロセッサベースの電子システム。
【請求項２０】
前記第１のメモリ装置および前記第２のメモリ装置のそれぞれの前記推定実際温度は、動作中の、前記可変冷却装置による冷却量に応じて変化し、
前記コントローラは、前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値を更新する請求項１９に記載のプロセッサベースの電子システム。
【請求項２１】
前記コントローラはさらに、前記可変冷却装置による冷却量に応じて、前記第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値および前記第２のメモリ装置に対応付けられている第２のしきい値を動的に更新する
請求項２０に記載のプロセッサベースの電子システム。
【請求項２２】
前記可変冷却装置は、速度可変ファンを含み、
前記コントローラは、前記速度可変ファンの速度に応じて前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値を更新する請求項２０または２１に記載のプロセッサベースの電子システム。
【請求項２３】
前記第１のオフセット値および前記第２のオフセット値は互いに異なる請求項２０から２２のいずれか１項に記載のプロセッサベースの電子システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱管理に関する。より具体的には、本発明の一部の実施形態は、動作状態に応じた熱しきい値の動的な更新に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子デバイスに、メモリサブシステムが備えられているとしてよい。高密度化または高性能化に伴い、メモリサブシステムの熱管理を行なうことが有益であるとしてよい。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
本発明のさまざまな特徴は、添付図面に図示しているような好ましい実施形態についての以下の説明から明らかとなる。添付図面では、同様の参照番号は概して、複数の図面にわたって、同一構成要素を意味するものとする。図面は必ずしも実寸に即したものではなく、本発明の原理を説明することに重点を置く。
【図１】本発明の一部の実施形態に係るメモリ制御装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一部の実施形態に係る別のメモリ制御装置を示すブロック図である。
【図３】本発明の一部の実施形態に係るフローチャートである。
【図４】本発明の一部の実施形態に係る別のフローチャートである。
【図５】本発明の一部の実施形態に係るプロセッサベースの電子デバイスを示すブロック図である。
【図６】本発明の一部の実施形態に係るメモリモジュールを示すブロック図である。
【図７】本発明のさまざまな実施形態を比較しつつ、メモリ帯域幅とファン速度との関係を示す図である。
【図８】本発明の一部の実施形態に係る状態遷移図である。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
以下に記載する説明では、限定ではなく説明を目的として、特定の構造、アーキテクチャ、インターフェース、方法等、具体的且つ詳細な内容を記載して、本発明のさまざまな側面を徹底的に理解していただく。しかし、当業者には、本開示内容を参照することによって、本発明のさまざまな側面は、開示した具体的且つ詳細な内容とは異なる他の例でも実施し得ることは明らかであろう。また、公知のデバイス、回路および方法の説明は、不要に詳細に説明することで本発明の説明をあいまいにすることを避けるべく、省略する。
【０００５】
図１を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態に係るメモリ制御装置１０は、メモリ装置１２から離れた位置にあるセンサ１１と、オフセット値を格納するレジスタ１３と、メモリ装置１２の動作を制御するコントローラ１４とを備えるとしてよい。例えば、オフセット値は、センサ１１が示す温度と、メモリ装置１２の推定実際温度との差分に対応するとしてよい。例えば、コントローラ１４は、レジスタ１３からオフセット値を読み出して、オフセット値に応じてメモリ装置１２の動作を制御するとしてよい。例えば、コントローラ１４は、メモリ装置１２の動作中に、オフセット値を動的に更新するとしてよい。
【０００６】
本発明の一部の実施形態によると、メモリ装置１２の推定実際温度は、動作中の、可変冷却装置による冷却量に応じて変化するとしてよく、コントローラ１４は、可変冷却装置による冷却量に応じてオフセット値を更新するとしてよい。例えば、本発明の一部の実施形態によると、コントローラ１４はさらに、可変冷却装置による冷却量に応じて、メモリ装置１２に関連付けられているしきい値を動的に更新するとしてよい。例えば、可変冷却装置は、速度可変ファンを有するとしてよく、コントローラ１４は、速度可変ファンの速度に応じてオフセット値を更新するとしてもよい。これに代えて、可変冷却装置は、ポンプ速度が可変である液体冷却システムを有するとしてもよい。
【０００７】
図２を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態に係るメモリ制御装置２０は、第１のメモリ装置２２から離れた位置にある第１のセンサ２１と、第１のオフセット値を格納する第１のレジスタ２３とを備えるとしてよい。例えば、第１のオフセット値は、第１のセンサ２１が示す温度と、第１のメモリ装置２２の推定実際温度との差分に対応するとしてよい。メモリ制御装置２０はさらに、第２のメモリ装置２６から離れた位置にある第２のセンサ２５と、第２のオフセット値を格納する第２のレジスタ２７とを備えるとしてよい。例えば、第２のオフセット値は、第２のセンサ２５が示す温度と、第２のメモリ装置２６の推定実際温度との差分に対応するとしてよい。メモリ制御装置２０はさらに、第１のメモリ装置２２および第２のメモリ装置２６の動作を制御するコントローラ２４を備えるとしてよい。
【０００８】
例えば、コントローラ２４は、第１のレジスタ２３から第１のオフセット値を読み出して、第１のオフセット値に応じて第１のメモリ装置２２の動作を制御するとしてよい。例えば、コントローラ２４は、第１のメモリ装置２２の動作中に第１のオフセット値を動的に更新するとしてよい。例えば、コントローラ２４は、第２のレジスタ２７から第２のオフセット値を読み出して、第１のオフセット値に応じて第１のメモリ装置２２の動作を制御するとしてよい。例えば、コントローラ２４は、第２のメモリ装置２６の動作中に第２のオフセット値を動的に更新するとしてよい。
【０００９】
例えば、メモリ制御装置２０の一部の実施形態によると、第１および第２のメモリ装置のそれぞれの推定実際温度は、動作中の、可変冷却装置による冷却量に応じて変化するとしてよく、コントローラは、可変冷却装置による冷却量に応じて第１および第２のオフセット値を更新するとしてよい。一部の実施形態によると、例えば、コントローラはさらに、可変冷却装置による冷却量に応じて、第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値および第２のメモリ装置に対応付けられている第２のしきい値を動的に更新するとしてよい。例えば、可変冷却装置は、速度可変ファンを有するとしてよく、コントローラ２４は、速度可変ファンの速度に応じて第１および第２のオフセット値を更新するとしてもよい。例えば、第１のオフセット値および第２のオフセット値は互いに異なるとしてよい。
【００１０】
図３を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態は、第１のセンサを第１のメモリ装置から離れた位置に配置する段階（例えば、ブロック３０）と、第１のセンサが示す温度と第１のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第１のオフセット値を格納する段階（例えば、ブロック３１）と、第１のオフセット値を読み出す段階（例えば、ブロック３２）と、第１のオフセット値に応じて第１のメモリ装置の動作を制御する段階（例えば、ブロック３３）と、第１のメモリ装置の動作中に第１のオフセット値を動的に更新する段階（例えば、ブロック３４）とを含むとしてよい。
【００１１】
例えば、第１のメモリ装置の動作中に第１のオフセット値を動的に更新する段階は、可変冷却装置による冷却量に応じて第１のオフセット値を更新する段階（例えば、ブロック３５）を有するとしてよい。例えば、本発明の一部の実施形態はさらに、可変冷却装置による冷却量に応じて第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値を動的に更新する段階（例えば、ブロック３６）を備えるとしてよい。例えば、可変冷却装置は速度可変ファンを含むとしてよく、第１のメモリ装置の動作中に第１のオフセット値を動的に更新する段階は、速度可変ファンの速度に応じて第１のオフセット値を更新する段階（例えば、ブロック３７）を有するとしてよい。
【００１２】
図４を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態はさらに、第２のメモリ装置から離れた位置に第２のセンサを配置する段階（例えば、ブロック４０）と、第２のセンサが示す温度と第２のメモリ装置の推定実際温度との差分に対応する第２のオフセット値を格納する段階（例えば、ブロック４１）と、第２のオフセット値を読み出す段階（例えば、ブロック４２）と、第２のオフセット値に応じて第２のメモリ装置の動作を制御する段階（例えば、ブロック４３）と、第２のメモリ装置の動作中に第２のオフセット値を動的に更新する段階（例えば、ブロック４４）とを備えるとしてよい。
【００１３】
例えば、第１および第２のオフセット値を動的に更新する段階は、可変冷却装置による冷却量に応じて第１および第２のオフセット値を更新する段階（例えば、ブロック４５）を有するとしてよい。例えば、一部の実施形態はさらに、可変冷却装置による冷却量に応じて第１のメモリ装置に対応付けられている第１のしきい値および第２のメモリ装置に対応付けられている第２のしきい値を動的に更新する段階（例えば、ブロック４６）を備えるとしてよい。例えば、可変冷却装置は速度可変ファンを含むとしてよく、第１および第２のオフセット値を動的に更新する段階は、速度可変ファンの速度に応じて第１および第２のオフセット値を更新する段階（例えば、ブロック４７）を有するとしてよい。例えば、第１のオフセット値および第２のオフセット値は互いに異なるとしてよい（例えば、ブロック４８）。これに代えて、可変冷却装置は、ポンプ速度が可変である液体冷却システムを含むとしてもよい。
【００１４】
図５を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態によると、プロセッサベースの電子システム５０は、プロセッサ５１と、プロセッサ５１に結合されているメモリサブシステム５２とを備えるとしてよく、メモリサブシステム５２は第１のメモリ装置５３および第２のメモリ装置５４を有する。システム５０はさらに、第１のメモリ装置５３から離れた位置に配置されている第１のセンサ５５と、第２のメモリ装置５４から離れた位置に配置されている第２のセンサ５６とを備えるとしてよい。可変冷却装置５７は、メモリサブシステム５２を冷却するとしてよい。メモリコントローラ５８は、メモリサブシステム５２および可変冷却装置５７に結合されているとしてよい。
【００１５】
例えば、メモリコントローラ５８は、第１のセンサ５５が示す温度と第１のメモリ装置５３の推定実際温度との差分に対応する第１のオフセット値を格納する第１のレジスタ６１と、第２のセンサ５６が示す温度と第２のメモリ装置５４の推定実際温度との差分に対応する第２のオフセット値を格納する第２のレジスタ６２と、メモリサブシステム５２の動作を制御するコントローラ６４とを有するとしてよい。例えば、コントローラ６４は、第１のレジスタ６１から第１のオフセット値を読み出して第１のオフセット値に応じて第１のメモリ装置５３の動作を制御し、第２のレジスタ６２から第２のオフセット値を読み出して第２のオフセット値に応じて第２のメモリ装置５４の動作を制御し、第１のメモリ装置５３の動作中に第１のオフセット値を動的に更新し、第２のメモリ装置５４の動作中に第２のオフセット値を動的に更新するとしてよい。
【００１６】
プロセッサベースの電子システム５０の一部の実施形態によると、第１のメモリ装置５３および第２のメモリ装置５４のそれぞれの推定実際温度は、動作中の、可変冷却装置５７による冷却量に応じて変化するとしてよく、コントローラ６４は、可変冷却装置５７による冷却量に応じて第１のオフセット値および第２のオフセット値を更新するとしてよい。例えば、システム５０の一部の実施形態によると、コントローラ６４はさらに、第１のメモリ装置５３に対応付けられている第１のしきい値および第２のメモリ装置５４に対応付けられている第２のしきい値を、可変冷却装置５７による冷却量に応じて動的に更新するとしてよい。例えば、可変冷却装置５７は、速度可変ファンを含むとしてよく、コントローラ６４は、速度可変ファンの速度に応じて第１のオフセット値および第２のオフセット値を更新するとしてよい。例えば、第１のオフセット値および第２のオフセット値は互いに異なるとしてよい。
【００１７】
プロセッサベースのシステム５０はさらに、大容量記憶装置６５、および、メモリサブシステム５２と大容量記憶装置６５との間に位置しているキャッシュメモリ６６を備えるとしてよい。例えば、プロセッサ５１は中央演算処理装置（ＣＰＵ）であってよい。例えば、キャッシュメモリ６６は、不揮発性キャッシュメモリ（ＮＶＭ）であってよい。例えば、メモリサブシステム２２は、１以上のＤＩＭＭモジュールでダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を提供するメインシステムメモリであってよい。例えば、センサ５５および５６はそれぞれ、ＤＩＭＭモジュールの上に設けられるが、ＤＲＡＭチップからは離間して設けられるとしてよい。例えば、メモリコントローラ５８は、メモリコントローラハブ（ＭＣＨ）であってよい。例えば、大容量格納装置６５は、ハードディスクドライブまたは光ディスクドライブ等の回転式の媒体であってよい。例えば、大容量格納装置６５は、ソリッドステートドライブ等の非回転式の媒体であってよい。例えば、キャッシュ６６および大容量格納装置６５は共に、入出力コントローラハブ（ＩＣＨ）６７を介してＭＣＨに結合されているとしてよい。
【００１８】
例えば、レジスタ６１および６２は、ＭＣＨ５８、大容量格納装置６５、システムメモリ５２、または、プロセッサベースのシステム５０に結合されている別のメモリ装置あるいは格納装置に存在するとしてよい。例えば、レジスタは、ＩＣＨ６７に結合されているベーシック・インプット／アウトプット・システム（ＢＩＯＳ）６８の一部として実現されるとしてよい。
【００１９】
本発明の一部の実施形態によると、さまざまな特徴をさまざまなコンポーネントに分散させるとしてよい。例えば、メモリＤＩＭＭ装置は、ＤＩＭＭに温度センサ（ＴＳＯＤ）を有するとしてよい。ＴＳＯＤは、ＤＩＭＭの熱データを提供するとしてよい。例えば、システムには複数のＤＩＭＭが設けられているが、ＤＩＭＭ当たりＴＳＯＤは１つのみとするとしてよい。メモリコントローラは、メモリ熱オフセットレジスタを含むとしてよい。例えば、メモリ熱オフセットレジスタは、ファンの回転速度に基づき操作または更新される熱オフセットレジスタであってよい。例えば、ＤＩＭＭ温度センサは、ＭＣＨ上にあるＳＭＢＵＳコントローラを介してポーリングされるとしてよい。当該システムはさらに、管理エージェントを備えるとしてよい。例えば、管理エージェントは、２つの主要機能を実行するベースボード管理コントローラの一部であってよい。第一に、管理コントローラは、当該システムのファンの速度を制御するとしてよい。第二に、管理コントローラは、ファンの回転速度に関する情報を受信して、メモリコントローラ上にある熱オフセットレジスタを更新するとしてよい。
【００２０】
一例を挙げると、メモリサブシステムは、サーバシャーシ内での冷却が難しい場合がある。本発明の一部の実施形態では、熱制御のためのスロットリングより前にメモリ性能を向上させるという利点が得られる。
【００２１】
図６を参照しつつ説明すると、メモリモジュール７０は、プリント配線基板７２の両側に複数のメモリ装置７１を有するダブルデータレート（ＤＤＲ）デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）を備えるとしてよい。例えば、メモリ装置７１は、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）集積回路であってよい。例えば、メモリモジュール７０は、ＤＤＲ３  ＲＤＩＭＭを備えるとしてよい。メモリモジュール７０は、プリント配線基板７２上のメモリ装置７１から離れた位置に熱センサ７３が実装されているとしてよい。例えば、センサ７３は、メモリ装置７１の温度を直接測定するものではないが、メモリ装置７１の温度とセンサ７３の示す温度との間に十分な相関関係が得られるような十分に近接した位置に設けられる。本発明の一部の実施形態には、動作状態に応じてさまざまなオフセット値を格納することによって、メモリ装置７１の温度とセンサ７３が示す温度との間の相関関係として、より高精度なものが得られるという利点があるとしてよい。
【００２２】
本発明の一部の実施形態には、センサ７３が測定する温度とメモリ装置７３の推定実際動作温度との差分に対応するオフセット値を格納するオフセットレジスタが設けられるという利点があるとしてよい。例えば、オフセット値は、熱モデル化ソフトウェアを用いて算出するか、または、当該システムを実際に動作させて実験により決定するとしてもよい。本発明の一部の実施形態には、多種多様な動作負荷および動作パラメータでのシステム熱状態に基づき、ＤＲＡＭ−センサオフセットを更新するためのオフセット値を複数格納するという利点がある。
【００２３】
例えば、可変冷却システムを用いて、サーバシステム内のメモリモジュールを冷却するとしてよい。可変冷却システムの一例として、速度可変ファンが挙げられる。速度可変ファンは、速度可変ファンの速度制御としてその他の構成も可能であるが、複数の不連続の速度が設定されているか、または、連続的に変化させることが可能であるとしてもよい。一部のシステムによると、ファンの速度が低速の場合、センサとＤＲＡＭとのオフセットは大きい可能性があるので、熱限界値を超えないようにするためにはオフセット値を高く設定しなければならない。その一方、ファンの速度が高速の場合、センサとＤＲＡＭとの静的オフセットは小さくなる可能性があり、ガードバンドは低減または削除されるとしてよい。
【００２４】
例えば、さまざまな電力管理方式を用いて、動作中にファンの速度を変化させるとしてよい。ファン電力が低いほど、各コンポーネントの熱状態を正確に感知することがより重要になるとしてよい。図７を参照しつつ説明すると、ファン速度とメモリ帯域幅との関係を示すグラフでは、１Ｕシステムでのメモリ冷却のためのファン電力に対するガードバンドしきい値を低くする例を示している。同図に示すグラフでは、メモリ帯域幅とファン速度との関係を示している。３つの事例が図示されており、それぞれ、０℃、５℃、および１０℃と示されている。横線で示しているように８ＧＢ／ｓという帯域幅を目標にする場合、温度ガードバンドに応じてファンの速度を変える必要があるとしてよい。例えば、０℃曲線で示されているようにセンサが完璧である場合には、８ＧＢ／ｓでのファンの消費電力は７ワットである。５℃曲線および１０℃曲線に示すようにガードバンドを高くすると、同じ８ＧＢ／ｓに対して、１２ワットおよび２１ワットとなり、ファン電力が高くなっている。上記より、コンピュータシステムは、システム冷却条件に基づきオフセットを調整することによって、同じ性能を維持しつつもファン電力を大幅に節約し得ると結論付けられ得る。
【００２５】
従来のシステムでは、ＤＲＡＭに対するアクセスのスロットリングは、温度状態が最悪であると仮定して実行されていたので、動作条件が決して極端ではない多くの場合ではメモリ性能が制限されてしまっていた。本発明の一部の実施形態では、システムの熱特性を予め特定しているので、ＤＲＡＭ−センサオフセット値がファン速度に基づいて選択され、メモリコントローラはファン速度に応じて動作中にオフセット値を更新して、さまざまな動作状態でのメモリ帯域幅を改善するという利点がある。
【００２６】
例えば、オフセットレジスタはシステムが備えるＤＩＭＭ毎に設けられるとしてよく、オフセットレジスタ毎に独立して熱特性に基づき書き換えることができる。例えば、従来の混合ＤＩＭＭ環境では、熱性能が最低の１つのＤＩＭＭが全ＤＩＭＭのスロットリングを引き起こす可能性があり、または、ファン速度が高速化する原因となる可能性がある。本発明の一部の実施形態には、ＤＩＭＭ毎にガードバンドを別個に制御するので、総合的な性能が改善されるという利点がある。
【００２７】
図８を参照しつつ説明すると、本発明の一部の実施形態は、ＢＩＯＳおよび／またはファームウェアの初期設定を含む。例えば、さまざまな動作状態におけるさまざまなしきい値を決定するとしてよい（例えば、スロットリングおよび温度）。そして、しきい値およびオフセットは、メモリコントローラにプログラミングされるとしてよい。動作中、ＤＩＭＭの温度は、ＤＩＭＭの温度センサ（ＴＳＯＤ）を用いて読み取るとしてよい。ＤＩＭＭステートマシンは、センサが示す温度とメモリコントローラにプログラミングされているしきい値とを比較して（例えば、オフセット値の現在の状態を用いる）、比較結果に応じて適宜イベントを開始させるとしてよい。
【００２８】
例えば、イベント開始は、その他の構成も可能であるが、ダブルリフレッシュのアクティブ化、スロットリングのアクティブ化、および／または、ハードウェアピンのアクティブ化等を含むとしてよい。メモリまたは管理コントローラは、開始されたイベントに応じて、ファン速度を管理し、および／または、ユーザが定めたその他の処理を実行するとしてよい。動作環境の更新に基づき、メモリコントローラは、温度オフセット（例えば、ファン速度に基づく）および／またはその他のしきい値をプログラミングし直すとしてよい。本発明の一部の実施形態には、動的に更新を行なって、スロットリングが用いられる前にメモリアクセス性能を改善し、および／または、ファン速度の高速化（および電力増加）を遅らせてスロットリングが発生しない可能性を高めるという利点があるとしてよい。
【００２９】
当業者であれば、図３および図４のフローチャートならびに図８の状態遷移図は、ハードウェア、ソフトウェア、および／または、ファームウェアをさまざまに組み合わせ、いずれの構成でも実現し得るものと認めるであろう。例えば、フローチャートは全て、特定用途向けハードウェア回路で実現するとしてもよい。これに代えて、フローチャートは全て、汎用プロセッサでソフトウェアを実行することによって実現するとしてもよい。これに代えて、フローチャートは、特定用途向けハードウェアと、汎用プロセッサで実行されるソフトウェアとに対して、一部を選択して分割するとしてもよい。
【００３０】
本発明の上記およびその他の側面は、それぞれ別個でも組み合わせても実現される。本発明は、請求項で明確に要件としていない限り、さまざまな側面のうち２以上を必要とするものと解釈されるべきではない。また、現時点において好ましい例と考えられている実施形態に基づき本発明を説明しているが、本発明は開示した例に限定されるものではなく、逆に、本発明の意図および範囲に含まれるさまざまな変形例および均等例を含むものと理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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