(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿入口への挿入時に、該挿入口内の相手端子と摺接する先端部、及び、前記挿入口への
挿入完了後に、前記相手端子と接触する接触部を有するとともに、摩擦力を低減する分散
粒子による複合めっき層が表面に形成されたタブ端子であって、
前記先端部の表面の前記複合めっき層における前記分散粒子は、前記接触部の表面の前
記複合めっき層よりも密であり、前記挿入口への挿入時には、前記分散粒子がより密となった前記先端部と前記相手端子とが摺接し、挿入完了後には、前記分散粒子がより疎となった前記接触部と、前記相手端子とが接触することを特徴とするタブ端子。
【請求項２】
前記複合めっき層は、前記先端部の表面にのみ凹凸が形成された状態で、複合めっき処理が前記先端部の表面及び前記接触部の表面に施されることによって形成されることを特徴とする請求項１に記載のタブ端子。
【請求項３】
前記先端部の前記複合めっき層は、挿入時の挿入力を低減させる分散粒子を含むとともに、前記接触部の前記複合めっき層は、挿入完了後の端子間の接触が安定する分散粒子の密度とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のタブ端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、挿入口内の相手端子と接触するタブ端子に係り、特に、複合めっき層が表面に形成されたタブ端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コネクタの端子に対し、低挿入力化などを目的に、複合めっき処理が施されている。従来の複合めっき処理では、端子全体をめっき液中に浸し、その表面に、金属マトリックスとともに、分散粒子を共析させるようになっている（特許文献１）。ここで、端子は銅などからなり、金属マトリックスはスズ、鉛、銀などであり、分散粒子はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などの低摩擦物質である。
【０００３】
【特許文献１】特表２０００−５０８３７９号公報（第１５頁第１９行〜第１７頁第５行、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、仮に、挿入力をより大きく低減させるため、端子表面での分散粒子の析出量を多くしたとすると、そのような複合めっき層を有する端子と、この端子に接触する端子との間で十分な導電性が確保できない恐れがある。これは、分散粒子として用いられるＰＴＦＥなどのフッ素樹脂に、絶縁性があるからである。
【０００５】
本発明の目的は、このような課題を解決することができるタブ端子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係るタブ端子は、挿入口への挿入時に、該挿入口内の相手端子と摺接する先端部、及び、前記挿入口への挿入完了後に、前記相手端子と接触する接触部を有するとともに、摩擦力を低減する分散粒子による複合めっき層が表面に形成されたタブ端子である。本タブ端子は、前記先端部の表面の前記複合めっき層における前記分散粒子が、前記接触部の表面の前記複合めっき層よりも密であり、前記挿入口への挿入時には、前記分散粒子がより密となった前記先端部と前記相手端子とが摺接し、挿入完了後には、前記分散粒子がより疎となった前記接触部と、前記相手端子とが接触することを特徴とする。
請求項２に係るタブ端子は、請求項１に係るタブ端子において、前記複合めっき層が、前記先端部の表面にのみ凹凸が形成された状態で、複合めっき処理が前記先端部の表面及び前記接触部の表面に施されることによって形成されることを特徴とする。
請求項３に係るタブ端子は、請求項１又は請求項２に係るタブ端子において、前記先端部の前記複合めっき層が、挿入時の挿入力を低減させる分散粒子を含むとともに、前記接触部の前記複合めっき層が、挿入完了後の端子間の接触が安定する分散粒子の密度とされることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本タブ端子では、先端部の複合めっき層における分散粒子が、接触部の複合めっき層よりも密になっている。そのため、タブ端子の挿入時には、分散粒子がより密となった先端部と、挿入口内の相手端子との摺接により、挿入力が低減されるとともに、その挿入完了後には、分散粒子がより疎となった接触部と、相手端子との接触により、電気的接続が安定したものになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に係る実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
（最良の実施の形態）
本発明の最良の実施の形態であるオス端子（タブ状の端子）について説明する。図１に示すように、コネクタが嵌合される際、オスコネクタ１のオス端子１０が、メスコネクタ２の挿入口２ａに挿入される。この挿入口２ａ内には、メス端子２０が形成されており、オス端子１０は、このメス端子２０と、接点２１で接触するようになっている。
【０００９】
ここで、オス端子１０は、先端部１０ａと、接触部１０ｂとを有し、先端部１０ａは、オス端子１０の挿入口２ａへの挿入時に、挿入口２ａ内のメス端子２０（接点２１）と摺接する（図２（ａ））。通常、この挿入時において、挿入力がピーク値になる。挿入口２ａへの挿入が完了した後、接触部１０ｂが、メス端子２０と接触する（同図２（ｂ））。
【００１０】
オス端子１０の表面（先端部１０ａ及び接触部１０ｂの表面）には、図３のように、複合めっき層Ｐが形成されている。この複合めっき処理における分散粒子には、オス端子１０の挿入時に、メス端子２０との間で働く摩擦力を低減させるものを用いる。その分散粒子は、例えば、カーボン、ＰＴＦＥなどである。また、オス端子１０には、銅合金などを用い、金属マトリックスとして、スズ、金、ニッケル、銀などを用いてよい。（この複合めっき処理自体は、従来から周知の手法による。）
【００１１】
本オス端子１０の特徴の一つは、先端部１０ａの表面の複合めっき層Ｐにおける分散粒子が、接触部１０ｂの表面の複合めっき層Ｐよりも密である点である。（図１及び図３では、その分散粒子の密度を表現するために、分散粒子を、実際よりも大きく誇張して表している。）具体的に、このオス端子１０の製造方法を説明すると、（１）プレス加工の金型を構成して、オス端子１０のプレス加工時に、同時に、先端部１０ａに、半球状をした多数の凹部Ｃが形成されるようにする（図４）。そうして、（２）先端部１０ａの表面のみに凹部Ｃが形成された状態で、１回の複合めっき処理をオス端子１０全体の表面に施すことによって、上記の複合めっき層Ｐを形成する。先端部１０ａの表面積は、凹部Ｃにより大きくなっているから、接触部１０ｂよりも多くの分散粒子が析出することになる。
【００１２】
以上のオス端子１０では、分散粒子が摩擦力を低減させ絶縁抵抗を有するものであり、先端部１０ａの複合めっき層Ｐにおけるその分散粒子が、接触部１０ｂの複合めっき層Ｐよりも密になっている。そのため、オス端子１０の挿入時には、先端部１０ａと挿入口２ａ内のメス端子２０との摺接により、挿入力が低減される。これとともに、その挿入完了後には、接触部１０ｂとメス端子２０とが、分散粒子に妨げられることなく接触し、この接触により、電気的接続が安定したものになる。
【００１３】
（他の実施の形態等）
以上、具体的な実施の形態により本発明を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、上記実施の形態を変更して実施することができる。
ａ．  例えば、凹部Ｃの形状は、半球状としたが、もちろん、半楕円球状等の他の類似の形状としてよい。また、多数の半円柱状の溝部を設けるようにしてもよい。そのような溝部を形成する場合、オス端子の挿入方向に合わせてもよいし、オス端子の挿入方向と垂直にしてもよい。さらに、凹部でなく、凸部が形成されるようにしてもよい。
【００１４】
ｂ．  オス端子１０は、厚さを有する一枚板で構成されることを想定して、そのプレス加工時に、ともに、先端部１０ａに、凹部Ｃが形成されるものとした。これとは異なり、薄板金属を所定形状に打ち抜いて、これに折り曲げ加工を施すこと等によって、オス端子１０を形成してもよい。この場合、打ち抜き時に、凹部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るオス端子を示す斜視図
【図２】オス端子とメス端子との接触部分を示す断面図
【図３】オス端子表面の複合めっき層Ｐのイメージを示す断面図
【図４】オス端子表面に形成される多数の凹部Ｃのイメージを示す図
【符号の説明】
【００１６】
１…………オスコネクタ
２…………メスコネクタ
２ａ………挿入口
１０………オス端子（タブ端子）
１０ａ……先端部
１０ｂ……接触部
２０………メス端子（相手端子）
２１………接点
【図１】
0005199708.tif 000002
【図２】
0005199708.tif 000003
【図３】
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【図４】
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