(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、陽極、正孔注入輸送層Ａ、発光層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子であって、
該正孔注入輸送層Ａは、正孔注入輸送性化合物を含む組成物を用いた湿式成膜法にて形成した３以上の層からなり、且つ下記（イ）〜（ハ）の条件を全て満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
（イ）  該正孔注入輸送層Ａの形成に用いられる組成物中に含まれる正孔注入輸送性化合物が全部で３種類以上である。但し、該正孔注入輸送性化合物が高分子化合物の場合、共重合比のみ異なる２以上の化合物は、同じ種類とみなす。
（ロ）  該正孔注入輸送層Ａに含まれる少なくとも２層の形成に用いられる組成物が、各々正孔注入輸送性化合物として、繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有する、互いに異なる種類のアリールアミン高分子化合物を１種類以上含有する。
（ハ）  該各アリールアミン高分子化合物に存在する、任意の２つの３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子を結ぶ経路のうち、経路上にある原子の数が最も少ない経路における該原子の数を、該化合物の「Ｎ：最小窒素間原子数」とする。該アリールアミン高分子化合物を含有する組成物を用いて形成した２以上の層のうち、最も陰極側の層をＬｃ、最も陽極側の層をＬａとし、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最大値をＮｃｍａｘとし、Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最小値をＮａｍｉｎとしたとき、Ｎｃｍａｘ≧Ｎａｍｉｎである。
【請求項２】
請求項１に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎｃｍａｘと前記Ｎａｍｉｎが、Ｎｃｍａｘ＞Ｎａｍｉｎであることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物を含む組成物を用いた湿式成膜法にて形成した任意の２以上の層のうち、より陰極側の層をＬｃ’、より陽極側の層をＬａ’とし、Ｌｃ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最小値をＮｃ’ｍｉｎとし、Ｌａ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最大値をＮａ’ｍａｘとしたとき、Ｎｃ’ｍｉｎ≧Ｎａ’ｍａｘであることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎｃ’ｍｉｎと前記Ｎａ’ｍａｘが、Ｎｃ’ｍｉｎ＞Ｎａ’ｍａｘであることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎａｍｉｎが２以上１０以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する全ての層の形成に用いられる組成物が前記アリールアミン高分子化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する各層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物が全て異なる種類のアリールアミン高分子化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物が有する芳香族性を有さない３級窒素原子が何れも該アリールアミン高分子化合物の主鎖に含まれることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物の少なくとも１種が架橋性基を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する層のうち、Ｌａ層の形成に用いられる組成物が電子受容性化合物を０．１重量％以上５０重量％未満含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機電界発光素子であって、前記電子受容性化合物がＬａ層中で前記正孔注入輸送性化合物とイオン対を形成していることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする有機電界発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機電界発光装置であって、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有し、該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が請求項１乃至１１の何れか１項に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする有機電界発光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機電界発光装置であって、全ての種類の有機電界発光素子が請求項１乃至１１の何れか１項に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする有機電界発光装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の有機電界発光装置であって、前記２種類以上の有機電界発光素子が有する任意の何れかの正孔注入輸送層が同一組成であることを特徴とする有機電界発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子、有機電界発光素子用組成物、及び有機電界発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、簡単な素子構成で様々な色に発光させることができることから、近年、ディスプレイや照明などの発光装置を製造するための技術として、盛んに開発が行われている。
【０００３】
有機電界発光素子は、電極間の有機層に正負の電荷（キャリア）を注入し、このキャリアを再結合させることにより発光を得る素子である。有機電界発光素子としては、具体的には、例えば、アリールアミン高分子化合物を含有する組成物を湿式成膜することにより得られる正孔注入輸送層を有する有機電界発光素子などが開示されている（特許文献１及び２参照）。また、正孔注入輸送層に２種類のアリールアミン高分子を含有する有機電界発光素子なども開示されている（特許文献３及び４参照）。
【０００４】
しかしながら、有機電界発光素子を発光装置として実用化するには、従来の有機電界発光素子では未だ十分ではなく、さらなる駆動電圧の低減と低消費電力化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０―３０８２８０号公報
【特許文献２】特開２００８―６９３６７号公報
【特許文献３】特開２００８―２２３０１２号公報
【特許文献４】特開２００９―７９０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の課題を鑑みてなされたものであり、駆動電圧が低い有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題に対し、本発明者らは、鋭意検討を行った。この結果、陽極と発光層との間に、繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有するアリールアミン高分子化合物を正孔注入輸送性化合物として含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成される正孔注入輸送層が２層以上ある場合について、該アリールアミン高分子化合物に存在する、任意の２つの３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子を結ぶ経路のうち、経路上にある原子の数が最も少ない経路における該原子の数を該化合物の「Ｎ：最小窒素間原子数」としたとき、各正孔注入輸送層におけるＮが特定の状態であることにより、上述の課題を解決可能な有機電界発光素子が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明の第１の要旨は、少なくとも、陽極、正孔注入輸送層Ａ、発光層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子であって、
該正孔注入輸送層Ａは、正孔注入輸送性化合物を含む組成物を用いた湿式成膜法にて形成した３以上の層からなり、且つ下記（イ）〜（ハ）の条件を全て満たすことを特徴とする有機電界発光素子に存する。
（イ）  該正孔注入輸送層Ａの形成に用いられる組成物中に含まれる正孔注入輸送性化合物が全部で３種類以上である。但し、該正孔注入輸送性化合物が高分子化合物の場合、共重合比のみ異なる２以上の化合物は、同じ種類とみなす。
（ロ）  該正孔注入輸送層Ａに含まれる少なくとも２層の形成に用いられる組成物が、各々正孔注入輸送性化合物として、繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有する、互いに異なる種類のアリールアミン高分子化合物を１種類以上含有する。
（ハ）  該各アリールアミン高分子化合物に存在する、任意の２つの３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子を結ぶ経路のうち、経路上にある原子の数が最も少ない経路における該原子の数を、該化合物の「Ｎ：最小窒素間原子数」とする。該アリールアミン高分子化合物を含有する組成物を用いて形成した２以上の層のうち、最も陰極側の層をＬｃ、最も陽極側の層をＬａとし、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最大値をＮｃｍａｘとし、Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最小値をＮａｍｉｎとしたとき、Ｎｃｍａｘ≧Ｎａｍｉｎである。
【０００９】
本発明の第２の要旨は、第１の要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎｃｍａｘと前記Ｎａｍｉｎが、Ｎｃｍａｘ＞Ｎａｍｉｎであることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１０】
本発明の第３の要旨は、第１又は２の要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物を含む組成物を用いた湿式成膜法にて形成した任意の２以上の層のうち、より陰極側の層をＬｃ’、より陽極側の層をＬａ’とし、Ｌｃ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最小値をＮｃ’ｍｉｎとし、Ｌａ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物のＮの最大値をＮａ’ｍａｘとしたとき、Ｎｃ’ｍｉｎ≧Ｎａ’ｍａｘであることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１１】
本発明の第４の要旨は、第３の要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎｃ’ｍｉｎと前記Ｎａ’ｍａｘが、Ｎｃ’ｍｉｎ＞Ｎａ’ｍａｘであることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１２】
本発明の第５の要旨は、第１乃至４の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記Ｎａｍｉｎが２以上１０以下であることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１３】
本発明の第６の要旨は、第１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する全ての層の形成に用いられる組成物が前記アリールアミン高分子化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１４】
本発明の第７の要旨は、第１乃至６の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する各層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物が全て異なる種類のアリールアミン高分子化合物であることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１５】
本発明の第８の要旨は、第１乃至７の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物が有する芳香族性を有さない３級窒素原子が何れも該アリールアミン高分子化合物の主鎖に含まれることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１６】
本発明の第９の要旨は、第１乃至８の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記アリールアミン高分子化合物の少なくとも１種が架橋性基を有することを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１７】
本発明の第１０の要旨は、第１乃至９の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層Ａが有する層のうち、Ｌａ層の形成に用いられる組成物が電子受容性化合物を０．１重量％以上５０重量％未満含むことを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１８】
本発明の第１１の要旨は、第１０の要旨に記載の有機電界発光素子であって、前記電子受容性化合物がＬａ層中で前記正孔注入輸送性化合物とイオン対を形成していることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１９】
本発明の第１２の要旨は、第１乃至１１の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする有機電界発光装置に存する。
【００２０】
本発明の第１３の要旨は、第１２の要旨に記載の有機電界発光装置であって、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有し、該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が第１乃至１１の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする有機電界発光装置に存する。
【００２１】
本発明の第１４の要旨は、第１３の要旨に記載の有機電界発光装置であって、全ての種類の有機電界発光素子が第１乃至１１の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする有機電界発光装置に存する。
【００２２】
本発明の第１５の要旨は、第１３又は１４の要旨に記載の有機電界発光装置であって、前記２種類以上の有機電界発光素子が有する任意の何れかの正孔注入輸送層が同一組成であることを特徴とする有機電界発光装置に存する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を提供することができる。また、この素子を用いることにより、低消費電力なＯＡコンピューターや壁掛けテレビ等用のフラットパネルディスプレイ、表示板、標識灯及び複写機の光源、液晶ディスプレイ、計器類のバックライト光源等の面発光体としての特徴を生かした光源等を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の有機電界発光素子、有機電界発光素子用組成物、及び有機電界発光装置の実施態様を以下に詳細に説明するが、この説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００２６】
本発明の有機電界発光素子は、少なくとも陽極、正孔注入輸送層Ａ、発光層及び陰極をこの順に有する。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、このような有機電界発光素子の陽極と発光層との間の層、好ましくは正孔注入輸送層を湿式成膜法で形成するのに好適な組成物である。
【００２７】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａは、正孔注入輸送性を有する層であり、所謂、正孔注入輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層は、いずれも正孔注入輸送層Ａに含まれる。また、通常、陽極と発光層の間にある層が正孔注入輸送層Ａとなる。本発明に係る正孔注入輸送層Ａは、２以上の層からなる。
正孔注入輸送層Ａに含まれる層の数は、低電圧駆動しやすい点では、多いほうが好ましく、３以上であることが好ましい。一方、プロセスが簡便である点では少ないほうが好ましく、５以下であることが好ましい。
【００２８】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａにおける各層は、正孔注入輸送性化合物を含む組成物を用いて湿式成膜法により形成することにより得られる。該湿式成膜法については、後述する。正孔注入輸送層Ａの形成に用いる正孔注入輸送性化合物は、化合物毎に正孔受容性、正孔輸送性及び正孔注入性などの異なる特性を担わせることができるため、異なる種類であるのが好ましい。そこで、（イ）本発明に係る正孔注入輸送層Ａに含まれる層の形成に用いられる組成物中には、全部で３種類以上の正孔注入輸送性化合物が含まれる。
この理由については、以下のように推定される。
通常、化合物が有する電子雲の広がり方は、化合物の種類により異なる。ここで、３種類以上の正孔注入輸送性化合物が存在した場合、正孔を電子雲の広がり方が狭い化合物から広い化合物へ順次移動させる（電子を電子雲の広がり方が広い化合物から狭い化合物へ順次移動させる）ことができるため、正孔が電子雲の広がり方が狭い化合物にとどまることなく、電子雲の広がり方が広い化合物によって効率良く輸送されるため、十分な低電圧効果が得られる。一方、正孔注入輸送性化合物が２種類しかない場合、２種類の化合物で電子雲の広がり方が大きく異なるために、電子雲の広がり方が狭い化合物から電子雲の広がり方が広い化合物への正孔の移動が十分に行われず、正孔が電子雲の広がり方が狭い化合物にとどまりやすく、駆動電圧を低減できない。
【００２９】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａに含まれる層の形成に用いられる組成物に含まれる正孔注入輸送性化合物は、高分子化合物であることが好ましい。
この理由は、以下のように推定される。
すなわち、本発明に係る正孔注入輸送性化合物が高分子化合物であると、高分子化合物は、高分子鎖に沿って電子雲が連なるため、正孔が電子雲の広がり方が広い化合物に移動した後、高分子鎖に沿って移動しやすいため、電子雲の広がり方が狭い化合物にとどまることなく、電子雲の広がり方が広い化合物によって効率良く輸送される。
【００３０】
また、該高分子化合物は、上述の効果を奏し易いことから、アリールアミン高分子化合物であることが更に好ましく、繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有する化合物（以降、該アリールアミン高分子化合物を「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」という。）であることが特に好ましい。また、該３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子の孤立電子対は、アリールアミン高分子化合物の電荷の授受性や輸送性に影響を与えるため、アリールアミン高分子化合物の繰り返し単位の主鎖に有することが好ましい。
【００３１】
なお、以下において、「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」とは「本発明の有機電界発光素子の正孔注入輸送層Ａの形成に用いられる組成物に含まれる繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有するアリールアミン高分子化合物」と「本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる繰り返し単位中に３級アリールアミノ構造を有するアリールアミン高分子化合物」の双方をさす。
【００３２】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物が３種類以上存在する場合、正孔を電子雲の広がり方が狭い化合物から広い化合物へ順次移動させる（電子を電子雲の広がり方が広い高分子化合物から狭い高分子化合物へ順次移動させる）ことができるため、正孔が電子雲の広がり方が狭い（Ｎの少ない）化合物にとどまることなく、電子雲の広がり方が広い（Ｎの多い）化合物によって効率良く輸送されるため、十分な低電圧効果が得られることから好ましいと推定される。なお、Ｎについては、後述する。
【００３３】
また、本発明において、（ロ）正孔注入輸送層Ａに含まれる少なくとも２層の形成に用いられる組成物は、各々正孔注入輸送性化合物として、互いに異なる種類の本発明に係るアリールアミン高分子化合物を１種類以上含有する。
【００３４】
なお、本発明において、アリールアミン高分子化合物の種類が「各々異なる」或いは「互いに異なる」とは、繰り返し単位及び／又は末端基の構造が異なることである。即ち、共重合比のみ異なる２以上のアリールアミン高分子化合物は、後述する電子雲の広がり方が同じであるため、「各々異なる」或いは「互いに異なる」種類とはいえない。本発明に係るアリールアミン高分子化合物は、その繰り返し単位の構造が異なることにより異なる種類となっていてもよく、その分子末端基の構造が異なることにより異なる種類となっていてもよく、繰り返し単位及び分子末端基が共に異なることにより異なる種類となっていてもよいが、電子雲の広がり方により影響を及ぼすため、繰り返し単位の構造が異なることにより「異なる種類」となっているアリールアミン高分子化合物を含むことがより好ましい。なお、繰り返し単位、分子末端基の「構造が異なる」とは、骨格構造が異なるものに限定されず、骨格構造が同一であっても、置換基の有無や数、置換基の種類、置換基の置換位置が異なるものは異なる種類のものとする。
【００３５】
次に、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の「Ｎ：最小窒素間原子数」の数え方について、説明する。Ｎは、アリールアミン高分子化合物に存在する、任意の２つの３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子を結ぶ経路のうち、経路上にある原子の数が最も少ない経路における該原子の数である。
単純化して説明すると、例えば、アリールアミン高分子化合物が芳香族性を有さない３級窒素原子を３個（Ｎ１〜３）有し、Ｎ１とＮ２を結ぶ最短経路上に３個の原子があり、Ｎ２とＮ３を結ぶ最短経路上に１０個の原子がある場合、Ｎは３個である。
【００３６】
以下、構造例を用いて、より詳細に説明する。
例１）アリールアミン高分子化合物が下式左側のパラフェニレンジアミン構造を繰り返し単位中に有する場合、ベンゼン環の１位と４位が３級窒素原子で置換された構造となる。この場合、１〜４位にある炭素原子が最短経路上にある原子となり、最小窒素間原子数は４となる。
例２）アリールアミン高分子化合物が下式中央のメタフェニレンジアミン構造を繰り返し単位中に有する場合、１〜３位の炭素原子が最短経路上にある原子となり、最小窒素間原子数は３となる。
【００３７】
例３）アリールアミン高分子化合物が下式右側のパラフェニレンジアミン構造とベンジジン構造（２種類のアリールアミン構造）を繰り返し単位中に有する場合、パラフェニレンジアミン構造における最短経路上にある原子数が４で、ベンジジン構造における最短経路上にある原子数が８であるため、最小窒素間原子数は４となる。
【００３８】
【化１】
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【００３９】
ここで、該アリールアミン高分子化合物を含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成した２以上の層のうち、最も陰極側の層をＬｃ、最も陽極側の層をＬａとし、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値をＮｃｍａｘとし、Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値をＮａｍｉｎとしたとき、（ハ）Ｎｃｍａｘ≧Ｎａｍｉｎである。また、ＮｃｍａｘとＮａｍｉｎは、Ｎｃｍａｘ＞Ｎａｍｉｎであることが好ましい。
【００４０】
また、該アリールアミン高分子化合物を含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成した２以上の層のうち、より陰極側の層をＬｃ’、より陽極側の層をＬａ’とし、Ｌｃ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値をＮｃ’ｍｉｎとし、Ｌａ’層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値をＮａ’ｍａｘとしたとき、Ｎｃ’ｍｉｎ≧Ｎａ’ｍａｘであることが好ましい。また、Ｎｃ’ｍｉｎ＞Ｎａ’ｍａｘであることが更に好ましい。
【００４１】
Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値Ｎａｍｉｎは、２以上であることが好ましく、４以上であることが更に好ましいが、また、一方、１０以下であることが好ましく、８以下であることが更に好ましい。そして、Ｎａｍｉｎがこの好ましい上下限の範囲であることが特に好ましい。このようにすることで、Ｌａ層から陽極又は陽極側に接する材料により電子を引き抜かれ易い。
また、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値Ｎｃｍａｘは、９以上であることが好ましく、１３以上であることが更に好ましいが、また、一方、３３以下であることが好ましい。そして、Ｎｃｍａｘがこの好ましい上下限の範囲であることが特に好ましい。このようにすることで、Ｌｃ層の成分により発光層における発光を阻害し難くなる。
【００４２】
Ｌｃ’層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物におけるＮとＬａ’層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物におけるＮの差は、電荷の授受の点では、小さいことが好ましい。具体的には、Ｎｃ’ｍａｘとＮａ’ｍｉｎの差が３０以下であることが好ましく、２６以下であることが更に好ましいが、また、一方、１以上であることが好ましく、４以上であることが更に好ましい。そして、互いに隣接する２層間の場合について、上述の範囲であることが特に好ましい。  
【００４３】
Ｎが上述の状態である場合に、駆動電圧の低い有機電界発光素子が得られる理由について、詳細に説明する。
アリールアミン高分子化合物は、Ｎの多寡によって、その３級アリールアミノ構造における芳香族性を有さない３級窒素原子が有する孤立電子対間の電子雲の広がり方を制御することが可能である。Ｎが少ない場合、各窒素原子が有する孤立電子対間の距離が近くなると共に、各孤立電子対と各孤立電子対間に存在する電子雲が狭い範囲に形成されることになるため、引き抜かれる電子が多く存在することなり、陽極から効率良く正孔を注入されやすい。そこで、Ｌａ層の形成に用いられる組成物には、Ｎが小さいアリールアミン高分子化合物が含まれていることが好ましい。この反対に、Ｎが多い場合、各窒素原子が有する孤立電子対間の距離が遠くなると共に各孤立電子対と各孤立電子対間に存在する電子雲が広い範囲に形成され、正孔が広い範囲に分布して移動しやすくなるため、陰極側に効率良く正孔を移動させやすい。また、Ｎが多いと、各窒素原子が有する各孤立電子対の相互作用が小さくなり、正孔注入輸送性化合物のバンドギャップが広くなり、発光層の発光を阻害し難くなる。そこで、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物には、Ｎが大きいアリールアミン高分子化合物が含まれていることが好ましい。このため、ＮｃｍａｘがＮａｍｉｎ以上であると良く、ＮｃｍａｘがＮａｍｉｎより大きいと更に良いと考えられる。また、好ましくはＮｃ’ｍｉｎがＮａ’ｍａｘ以上、更に好ましくはＮｃ’ｍｉｎがＮａ’ｍａｘより大きいことにより、陽極側からの正孔注入輸送性に特に優れ、発光層の発光を阻害し難い正孔注入輸送層とすることが可能になり、電気特性と発光特性の両面から有機電界発光素子の駆動電圧を低くできると考えられる。
【００４４】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成に用いられる組成物（以下、「本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物」と称す場合がある。）には、全部で本発明に係るアリールアミン化合物が３種類以上含まれていることが好ましい。また、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物中に本発明に係るアリールアミン高分子化合物が全部で３種類以上含まれる場合、正孔注入性の観点から、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物中に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値がＮａｍｉｎであることが好ましく、正孔輸送性に優れ、発光層の発光を阻害し難い観点から、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物中に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値がＮｃｍａｘであることが好ましい。なお、ここで、Ｎｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物は１種であっても２種以上であってもよく、Ｎａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物は１種であっても２種以上であってもよい。
また、３種類以上の本発明に係るアリールアミン高分子化合物におけるＮが、Ｎｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物（Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物のうちＮが最大であるアリールアミン高分子化合物）及びＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物（Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物のうちＮが最小であるアリールアミン高分子化合物）以外のアリールアミン高分子化合物のＮをＮｏｔｈｅｒとしたとき、Ｎｏｔｈｅｒ＞Ｎａｍｉｎ又はＮｃｍａｘ＞Ｎｏｔｈｅｒであることが好ましく、Ｎｃｍａｘ＞Ｎｏｔｈｅｒ＞Ｎａｍｉｎであることが更に好ましい。
【００４５】
すなわち、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物にＮｃｍａｘ、Ｎｏｔｈｅｒ及びＮａｍｉｎが上述の関係を満たすアリールアミン化合物が含まれていると、正孔を電子雲の広がり方が狭い化合物から広い化合物へ順次移動させる（ＮがＮａｍｉｎである化合物→ＮがＮｏｔｈｅｒである化合物→ＮがＮｃｍａｘである化合物へと正孔を順次移動させる）ことができるため、正孔が電子雲の広がり方が狭い（ＮがＮａｍｉｎである）化合物にとどまることなく、電子雲の広がり方が広い（ＮがＮｏｔｈｅｒである）化合物、電子雲の広がり方が更に広い（ＮがＮｃｍａｘである）化合物へと効率良く輸送されるため、十分な低電圧効果が得られると推定される。
【００４６】
また、Ｌｃ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値は、Ｌｃ層の陽極側隣接層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最大値以上であることが好ましい。正孔注入輸送層Ａの最も発光層側に、正孔輸送性が高く、発光層の発光を阻害し難い層が存在することになり、電気特性と発光特性の両面から有機電界発光素子の駆動電圧を低くすることができるためである。そして、Ｌａ層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値は、Ｌａ層の陰極側隣接層の形成に用いられる組成物に含まれる全アリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値以下であることが好ましい。正孔注入輸送層Ａの最も陽極側に、正孔注入性が高い層が存在することになり、陽極から効率良く正孔が注入され、有機電界発光素子の駆動電圧を低減できるためである。
【００４７】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａは、正孔注入輸送性化合物を２種類以上含む組成物を用いることにより形成した層と正孔注入輸送性化合物を１種類以上含む組成物を用いることにより形成した層を含む積層体でもよいし、正孔注入輸送性化合物を１種類以上含む組成物を用いることにより形成した３層を含む積層体としてもよい。これらのうち、正孔注入輸送層Ａは、正孔注入輸送性化合物を２種類以上含む組成物を用いることにより形成した層を含んでいることが好ましい。その理由は、１層中に多種類の化合物が含まれると、層と層との界面に加え、層内全域においても、化合物間で電荷の移動が行われると考えられるためである。
【００４８】
また、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物の種類の数については、正孔注入輸送層Ａにおける任意の隣接する２層について、陽極から正孔注入輸送層Ａへの正孔注入性の点では、陽極側の層の形成に用いられる組成物が１種類以上の前記アリールアミン化合物を含み、その陰極側に隣接する層の形成に用いられる組成物が２種類以上のアリールアミン化合物を含むことが好ましい。しかしながら、また、一方で、陽極側の層から陰極側の層への正孔注入性の点では、陽極側の層の形成に用いられる組成物が２種類以上のアリールアミン化合物を含み、その陰極側に隣接する層の形成に用いられる組成物が１種類以上のアリールアミン化合物を含むことが好ましい。
【００４９】
また、特に、陽極から正孔注入輸送層Ａへの正孔注入性と正孔注入輸送層Ａにおける陽極側の層から陰極側の層への正孔注入性の両面から、正孔注入輸送層Ａが有する全ての層の形成に用いられる組成物にアリールアミン高分子化合物が含まれることが好ましく、正孔注入輸送層Ａが有する全ての層の形成に用いられる組成物が何れも各々異なる種類のアリールアミン高分子化合物を含むことが更に好ましい。
【００５０】
次に、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる本発明に係るアリールアミン高分子化合物の量について説明する。
【００５１】
Ｌｃ層の形成用組成物に正孔注入輸送性化合物として、「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」が１種類のみ含まれる場合、Ｌｃ層の形成用組成物中の正孔注入輸送性化合物の通常５０重量％以上、好ましくは７０重量％以上が、「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」であるのがよい。また、Ｌｃ層の形成用組成物に正孔注入輸送性化合物として、「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」が２種類含まれる場合、Ｌｃ層の形成用組成物中の正孔注入輸送性化合物の通常２０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは４５重量％以上が、「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」であるのがよい。そして、Ｌｃ層の形成用組成物に正孔注入輸送性化合物として、「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」が３種類以上含まれる場合、通常１０重量％以上、好ましくは２０重量％以上、更に好ましくは２５重量％以上が、「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」であるのがよい。「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」の量が上記下限以上であると、本発明に係るＬｃ層が正孔輸送性に優れ、発光層の発光を阻害し難い。なお、上記「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」の量の上限は通常１００重量％である。
また、「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」には、ＮがＮｃｍａｘであるユニットが通常５ユニット％以上、好ましくは１０ユニット％以上、更に好ましくは２０ユニット％以上、特に好ましくは３３ユニット％以上含まれていることがよい。ＮがＮｃｍａｘであるユニットの含有量が上記下限以上であると、Ｌｃ層が正孔輸送性に優れ、発光層の発光を阻害し難い。また、ＮがＮｃｍａｘであるユニットの上記量の上限は通常１００ユニット％である。
【００５２】
Ｌａ層の形成用組成物に含まれる正孔注入輸送性化合物は、通常１重量％以上、好ましくは５重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上が「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」であるのがよい。「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」の量が上記下限以上であると、Ｌａ層が正孔注入性に優れる。また、「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」の上記量の上限は通常１００重量％である。
また、「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」には、ＮがＮａｍｉｎであるユニットが通常５ユニット％以上、好ましくは１０ユニット％以上、更に好ましくは２０ユニット％以上、特に好ましくは３３ユニット％以上含まれていることがよい。ＮがＮａｍｉｎであるユニットの含有量が上記下限以上であると、Ｌａ層が正孔注入性に優れる。また、ＮがＮａｍｉｎであるユニットの上記量の上限は通常１００ユニット％である。
そして、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に互いにＮが異なる「本発明に係るアリールアミン高分子化合物」が３種類以上含まれている場合、「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」及び「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」以外のアリールアミン高分子化合物（ＮがＮｏｔｈｅｒであるアリールアミン高分子化合物）が上述の状態であることが好ましい。具体的には、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の５０重量％以上が「ＮがＮｃｍａｘ以下」であることが好ましく、８０重量％以上が「ＮがＮｃｍａｘ以下」であることが更に好ましく、９０重量％以上が「ＮがＮｃｍａｘ以下」であることが特に好ましい。また、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の５０重量％以上が「ＮがＮａｍｉｎ以上」であることが好ましく、８０重量％以上が「ＮがＮａｍｉｎ以上」であることが更に好ましく、９０重量％以上が「ＮがＮａｍｉｎ以下」であることが特に好ましい。なお、上記上限はどちらも通常１００重量％である。すなわち、本発明に係るアリールアミン高分子化合物における「ＮがＮｃｍａｘであるアリールアミン高分子化合物」及び「ＮがＮａｍｉｎであるアリールアミン高分子化合物」以外のアリールアミン高分子化合物（Ｎｏｔｈｅｒ）の全てが、Ｎｏｔｈｅｒ＞Ｎａｍｉｎ又はＮｃｍａｘ＞Ｎｏｔｈｅｒであることが好ましく、Ｎｃｍａｘ＞Ｎｏｔｈｅｒ＞Ｎａｍｉｎであることが更に好ましい。
【００５３】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物は、少なくとも１つの芳香環基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中に有することが好ましく、少なくとも１つの芳香環基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中の主鎖に有することが更に好ましい。また、電荷輸送性の点から、本発明に係るアリールアミン高分子化合物は、３つの芳香環基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中に有することが好ましく、３つの芳香環基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中の主鎖に有することが更に好ましい。
【００５４】
該芳香環基（以下、この芳香環基を「本発明に係る芳香環基」と称す場合がある。）は、置換基を有していても良い炭素数４〜６０の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基が好ましい。
【００５５】
芳香族炭化水素環基としては、例えば、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、トリフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、コロネン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の５又は６員環の単環又は２〜５縮合環およびこれらの環が複数個直接結合している環等が挙げられる。ここで、本発明において、遊離原子価とは、有機化学・生化学命名法（上）（改定第２版、南江堂、１９９２年発行）に記載のとおり、他の遊離原子価と結合を形成できるものを言う。すなわち、例えば、「１個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニル基のことを言い、「２個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニレン基のことを言う。
【００５６】
芳香族複素環基としては、例えば、１個又は２個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環、トリアジン環等の５又は６員複素環の単環又は２〜４縮合環及びこれらの環が複数個直接結合している環等が挙げられる。
【００５７】
ここで、芳香環基が１個又は２個の遊離原子価を有する縮合環である場合、該縮合している単環の数は、環の安定性が高い点では、少ないことが好ましく、８個以下であることが好ましく、５個以下であることが更に好ましい。一方、下限は、２個である。芳香環基は、具体的には、溶解性及び耐熱性の点から、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、チオフェン環、ピリジン環等の単環；ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環等の縮合環及びフルオレン環、ビフェニル、ターフェニル等の芳香環が２〜８個連結した芳香環が好ましい。これらのうち、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、フルオレン環、ビフェニル、ターフェニルが更に好ましい。
【００５８】
芳香環基が有しても良い置換基としては、炭素数１〜２０の飽和炭化水素基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１２〜６０のジアリールアミノ基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基などが挙げられる。これらのうち、溶解性及び耐熱性の点から、炭素数１〜２０の飽和炭化水素基及び炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基が好ましい。
【００５９】
具体的には、炭素数１〜２０の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基及びオクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、原料の入手しやすさや安価さなどの点から、メチル基、エチル基及びイソプロピル基が好ましく、メチル基及びエチル基が更に好ましい。
【００６０】
炭素数６〜２５の１価の芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフチル基；９−フェナンチル基、３−フェナンチル基などのフェナンチル基；１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントリル基；１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセニル基；１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセニル基；１−ピレニル基などのピレニル基；１−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基；１−コロネニル基などのコロネニル基；４−ビフェニル基、３−ビフェニル基のビフェニル基；フルオランテン環を有する基；フルオレン環を有する基；アセナフテン環を有する基及びベンズピレン環等を有する置換基などが挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の点からフェニル基、２−ナフチル基及び３−ビフェニル基が好ましく、精製のし易さからフェニル基が特に好ましい。
【００６１】
炭素数３〜２０の芳香族複素環基としては、２−チエニル基などのチエニル基；２−フリル基などのフリル基；２−イミダゾリル基などのイミダゾリル基；９−カルバゾリル基などのカルバゾリル基；２−ピリジル基などのピリジル基及び１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアジニル基等が挙げられる。中でも、カルバゾリル基、特に９−カルバゾリル基が安定性の点から好ましい。
【００６２】
炭素数１２〜６０のジアリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−２−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−９−フェナントリル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ基、ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ基等が挙げられる。中でもジフェニルアミノ基、Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−２−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基が好ましく、特にジフェニルアミノ基が安定性の点で好ましい。
【００６３】
炭素数１〜２０のアルキルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基及びオクタデシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基等のアリールオキシ基及び２−チエニルオキシ基等のヘテロアリールオキシ基を有する置換基等が挙げられる。
【００６４】
炭素数１〜２０のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基及びシクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基等のアリールチオ基及び２−チエニルチオ基等のヘテロアリールチオ基等が挙げられる。
【００６５】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物が、芳香環基以外の基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中に有する場合、芳香環基以外の基としては、炭素数１〜７０の脂肪族炭化水素基及び炭素数１〜７０のヘテロ脂肪族炭化水素基などが好ましい。なお、本発明におけるヘテロ脂肪族炭化水素基は、ヘテロ原子を有する脂肪族炭化水素基を言う。ヘテロ原子としては、窒素原子及び酸素原子などが挙げられる。脂肪族炭化水素基は、鎖式でも環式でも良く、飽和でも不飽和でも良い。
【００６６】
脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、原料の入手しやすさや安価さなどから、メチル基、１，２−エチル基、１，３−プロピル基、１，４−ブチル基、１，５−ペンチル基及び１，８−オクチル基等の炭素数１〜１０の基が好ましく、炭素数１〜８の基が更に好ましい。また、合成が容易なことなどから、メチル基、エチル基及びイソプロピル基等の炭素数１〜３の基が特に好ましく、メチル基及びエチル基等の炭素数１〜２の基が最も好ましい。脂肪族炭化水素基は、酸化還元耐久性の点から、飽和炭化水素基が好ましい。
【００６７】
脂肪族不飽和炭化水素基としては、アルケニレン基が好ましく、その具体的な例としては、１，２−ビニレン基、１，３−プロペニレン基、１，２−プロペニレン基及び１，４−ブテニレン基等が挙げられる。これらのうち、分子の平面性向上により共役面が広がり、電荷が非局在化して化合物の安定性が高くなりやすいことから、ビニレン基が特に好ましい。不飽和脂肪族炭化水素基が有する炭素数は、平面性や電荷の広がりの観点から、２以上が好ましく、また、一方、１０以下が好ましく、６以下が更に好ましい。
【００６８】
脂肪族炭化水素基及びヘテロ脂肪族炭化水素基が有する炭素数は、溶解性を上げる点では多いことが好ましいが、一方、化合物の安定性や膜密度の観点では少ない方が好ましい。該炭素数は、具体的には、通常１以上、好ましくは４以上、更に好ましくは６以上であり、また、一方、通常７０以下、好ましく６０以下、更に好ましくは３６以下である。
【００６９】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物としては、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応やＵｌｍａｎｎ反応などのＮ−Ａｒ結合を形成する反応によって合成される、下記式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体などの構造が好ましい。
【００７０】
【化２】
0005246386.tif 000003
【００７１】
式（１）中、Ａｒ１〜Ａｒ３は、各々独立に、本発明に係る芳香環基を表し、Ｚは、２価の基を表し、好ましくは、−ＣＲ１Ｒ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＳｉＲ３Ｒ４−からなる群より選ばれる基を１〜２４個連結した基を表す。Ｒ１〜Ｒ４、は各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、本発明に係る芳香環基を表し、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４は互いに結合して環を形成しても良い。ａは、０〜８の整数を表す。なお、ａが２〜８の整数である場合、Ａｒ３、Ｚは、各々異なっていても良い。ｎは繰り返し単位の繰り返し数を示す。
【００７２】
式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）中、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａは、式（１）中における定義と同義である。ｂは、０〜８の整数を表す。Ｘ１は、ハロゲン原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基（ＣＦ３ＳＯ２Ｏ−）等のスルホン酸エステル基を示す。
式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）で表される単量体は、各々独立に、１種類、又は、２種類以上用いて良く、１０種類以下であることが好ましい。
なお、式（１）、式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）中において、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、Ｘ１が２以上存在する場合、各々異なっていても良い。
【００７３】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物としては、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応、Ｍｉｇｉｔａ−Ｋｏｓｕｇｉ−Ｓｔｉｌｅ反応、Ｓｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応などのＡｒ−Ａｒ結合を形成する反応によって合成される、下記式（２）で表される繰り返し単位を有する重合体などの構造も好ましい。
【００７４】
【化３】
0005246386.tif 000004
【００７５】
式（２）、式（Ｍ２−１）、式（Ｍ２−２）中、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、Ｘ１、ｎは、式（１）、式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）中における定義と同義である。
【００７６】
式（Ｍ２−２）中、Ｇは、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応であれば、ＢｒＺｎ−等の置換基を有する亜鉛原子、Ｍｉｇｉｔａ−Ｋｏｓｕｇｉ−Ｓｔｉｌｅ反応であれば、（ＣＨ３）３Ｓｎ−等の置換基を有するスズ原子、Ｓｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応であれば、（ＲＯ）２Ｂ−（Ｒは水素原子又は互いに結合して環を形成しても良いアルキル基）等の置換基を有するホウ素原子を示す。
【００７７】
なお、式（２）、式（Ｍ２−１）、式（Ｍ２−２）中において、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、Ｘ１が２以上存在する場合、各々異なっていても良い。
【００７８】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物としては、Ｏ−Ａｒ結合やＳ−Ａｒ結合を形成する反応によって合成される、式（３）で表される繰り返し単位を有する重合体などの構造も好ましい。
【００７９】
【化４】
0005246386.tif 000005
【００８０】
式（３）、式（Ｍ３−１）、式（Ｍ３−２）中、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、Ｘ１、ｎは、式（１）、式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）中における定義と同義である。
式（３）、式（Ｍ３−２）中、Ｑ１は、酸素原子、又は硫黄原子を表す。
なお、式（３）、式（Ｍ３−１）、式（Ｍ３−２）中において、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、Ｑ１、Ｘ１が２以上存在する場合、各々異なっていても良い。
【００８１】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物としては、エステル結合やアミド結合を形成する反応によって合成される、下記式（４）で表される繰り返し単位を有する重合体などの構造も好ましい。
【００８２】
【化５】
0005246386.tif 000006
【００８３】
式（４）、式（Ｍ４−１）、式（Ｍ４−２）中、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、ｎは、式（１）、式（Ｍ１−１）〜式（Ｍ１−３）中における定義と同義である。
式（４）、式（Ｍ４−１）、式（Ｍ４−２）中、Ｑ２はカルボニル基、又はスルホニル基を表し、Ｑ３は、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ５−基（Ｒ５は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、本発明に係る芳香環基を表す。）を表し、Ｘ２はハロゲン原子を表す。
なお、式（４）、式（Ｍ４−１）、式（Ｍ４−２）中において、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｚ、ａ、ｂ、Ｑ２、Ｑ３が２以上存在する場合、各々異なっていても良い。
【００８４】
これらのうち、本発明に係るアリールアミン高分子化合物としては、式（１）及び式（２）で表される繰り返し単位を有する重合体が好ましく、式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体が正孔輸送性及び耐久性の点で更に好ましい。また、式（１）〜（４）において、正孔注入輸送性に優れる点では、ａは０が好ましい。また、バンドギャップが広く、正孔輸送性に優れる点では、ａは１又は２が好ましく、１が更に好ましい。そして、Ｚは、耐久性に優れることから、−ＣＲ１Ｒ２−が好ましい。
【００８５】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物は、正孔注入輸送層の電荷輸送能に優れることから、架橋性基を有することが好ましく、少なくとも１つの架橋性基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中に有するのが更に好ましく、少なくとも１つの架橋性基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中の主鎖に有するのが特に好ましい。ここで、架橋性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により、他分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を形成する基のことをいう。そして、正孔注入輸送層Ａが有する層においては、通常、この架橋性基が熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により、他分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を形成している。
【００８６】
以下に架橋性基の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。架橋性基としては、不溶化しやすい点から、例えば、［架橋性基群Ｇ２］に示す基などが挙げられる。
【００８７】
［架橋性基群Ｇ２］
【化６】
0005246386.tif 000007
【００８８】
（式中、Ｒ５１〜Ｒ５３は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ａｒ２１は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。）
【００８９】
これらのうち、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基及びビニルエーテル基などのカチオン重合により架橋反応する基が、反応性が高く架橋による不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点では、オキセタン基が特に好ましい。また、カチオン重合の際に素子の劣化を引き起こす危険性のあるヒドロキシル基が生成しにくい点では、ビニルエーテル基が特に好ましい。そして、正孔注入輸送層の電気化学的安定性が高い点では、シンナモイル基などのアリールビニルカルボニル基及び１個の遊離原子価を有するベンゾシクロブテン環などの環化付加反応性を有する基が特に好ましく、架橋後の構造の安定性が高い点で、１個の遊離原子価を有するベンゾシクロブテン環が最も好ましい。
【００９０】
架橋性基としては、具体的には、１個の遊離原子価を有する、下記式（II）で表されるベンゾシクロブテン環が好ましい。なお、式（II）のベンゾシクロブテン環は、無置換であるがこれが置換基を有するベンゾシクロブテン環も同様に好ましい。また、この置換基同士が互いに結合して環を形成してもよい。
【００９１】
【化７】
0005246386.tif 000008
【００９２】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物が芳香環基が結合したアリールアミノ構造を繰り返し単位中に有する場合、架橋性基は、この芳香環基に直接結合していても良いし、芳香環基以外の基に直接結合してもよいし、これらの基に任意の２価の基を介して結合してもよい。任意の２価の基としては、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基及び（置換基を有していてもよい）−ＣＨ２−基から選ばれる基を任意の順番で１〜３０個連結してなる基が好ましい。これら２価の基を介して結合する架橋性基として好ましい基は、例えば、以下の＜架橋性基を含む基群Ｇ３＞に示す基が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９３】
［架橋性基を含む基群Ｇ３］
【化８】
0005246386.tif 000009
【００９４】
【化９】
0005246386.tif 000010
【００９５】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物が有する架橋性基は、架橋により十分に不溶化し、その上に湿式成膜法で他の層を形成しやすい点では多い方が好ましいが、一方で、正孔注入輸送層にクラックが生じ難く、未反応架橋基が残りにくく、有機電界発光素子が長寿命になりやすい点では少ないことが好ましい。そこで、具体的には、本発明に係るアリールアミン高分子化合物が有する架橋性基の数は、１個以上であることが好ましく、２個以上であることが更に好ましく、また、一方、２００個以下であることが好ましく、１００個以下であることが更に好ましい。また、本発明に係るアリールアミン高分子化合物が有する架橋性基の数を分子量１０００あたりの数で表した場合の好適な範囲は、分子量１０００あたり、通常３．０個以下、好ましくは２．０個以下、更に好ましくは１．０個以下であり、また、一方、通常０．０１個以上、好ましくは０．０５個以上である。
【００９６】
ここで、本発明に係るアリールアミン高分子化合物を例に、分子量１０００あたりの架橋性基の数について説明する。分子量１０００あたりの架橋性基の数は、共役ポリマーからその末端基を除いて、合成時の仕込みモノマーのモル比と構造式から算出する。具体的には、例えば、以下のポリマー１の場合、以下のように算出される。
【００９７】
【化１０】
0005246386.tif 000011
【００９８】
このポリマー１において、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は、平均１２１９．２であり、また、その架橋性基の数は、１繰り返し単位当たり平均０．１０７２個である。そこで、これを単純に比例計算すると、分子量１０００あたりの架橋性基由来の基の数は、０．０８８個と算出される。
【００９９】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ガラス転移温度、融点及び気化温度が高く、これを含む正孔注入輸送層が耐熱性に優れた層になりやすい点では大きいことが好ましいが、また、一方、溶解性が高く、成膜性に優れる点では小さいことが好ましい。そこで、具体的には、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の重量平均分子量は、通常３，０００，０００以下、好ましくは１，０００，０００以下、更に好ましくは５００，０００以下、特に好ましくは２００，０００以下であり、また、一方、通常５，０００以上、好ましくは１０，０００以上、更に好ましくは２０，０００以上である。
【０１００】
また、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常２，５００，０００以下、好ましくは７５０，０００以下、更に好ましくは４００，０００以下であり、また、一方、通常５００以上、好ましくは１，５００以上、更に好ましくは３，０００以上である。
【０１０１】
重量平均分子量及び数平均分子量は、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。ＳＥＣ測定では、高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量が既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量を算出することができる。
【０１０２】
本発明に係るアリールアミン高分子化合物の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、精製が容易で溶解性が高く、電荷輸送性に優れる点では小さいことが好ましく、具体的には、３．５以下が好ましく、２．５以下が更に好ましく、２．０以下が特に好ましい。また、該分散度は、小さい程よいため、その下限は理想的には１である。
【０１０３】
以下に、本発明に係るアリールアミン高分子化合物の好ましい具体的を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０４】
最小窒素間原子数が４の例
【化１１】
0005246386.tif 000012
【０１０５】
最小窒素間原子数が７の例
【化１２】
0005246386.tif 000013
【０１０６】
最小窒素間原子数が８の例
【化１３】
0005246386.tif 000014
【０１０７】
最小窒素間原子数が９の例
【化１４】
0005246386.tif 000015
【０１０８】
最小窒素間原子数が１０の例
【化１５】
0005246386.tif 000016
【０１０９】
最小窒素間原子数が１１の例
【化１６】
0005246386.tif 000017
【０１１０】
最小窒素間原子数が１２の例
【化１７】
0005246386.tif 000018
【０１１１】
最小窒素間原子数が１４の例
【化１８】
0005246386.tif 000019
【０１１２】
最小窒素間原子数が１５の例
【化１９】
0005246386.tif 000020
【０１１３】
最小窒素間原子数が１６の例
【化２０】
0005246386.tif 000021
【０１１４】
最小窒素間原子数が１７の例
【化２１】
0005246386.tif 000022
【０１１５】
最小窒素間原子数が１８の例
【化２２】
0005246386.tif 000023
【０１１６】
最小窒素間原子数が２５の例
【化２３】
0005246386.tif 000024
【０１１７】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物には、本発明の優れた効果を大幅に妨げない量であれば、上述の本発明に係るアリールアミン高分子化合物以外の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、正孔注入輸送層の抵抗値を低減するために用いる電子受容性化合物等が挙げられる。
【０１１８】
電子受容性化合物は、酸化力を有する化合物が好ましく、上述の正孔輸送性化合物から１電子受容することにより、上述の正孔注入輸送性化合物とイオン対を形成する化合物が特に好ましい。
【０１１９】
電子受容性化合物の分子量は、正電荷及び負電荷が十分に非局在化し、電子受容能に優れる点では大きい方が好ましいが、また、一方で、電子受容性化合物自体が電荷輸送の妨げとなり難い点では小さい方が好ましい。このため、具体的には、電子受容性化合物の分子量は通常１００以上、好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上であり、また、一方、通常５０００以下、好ましくは３０００以下、更に好ましくは２０００以下の範囲であるのが良い。
【０１２０】
電子受容性化合物は、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上である化合物が更に好ましい。電子受容性化合物の例としては、例えば、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物；トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体及びヨウ素等が挙げられる。
【０１２１】
上記化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩及び高原子価の無機化合物等が好ましい。また、有機溶媒に対する溶解性が高く、湿式成膜法で膜を形成しやすい点では、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物及び芳香族ホウ素化合物等が好ましい。
【０１２２】
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物又は芳香族ホウ素化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられ、その好ましい例も同様である。例えば、電子受容性化合物として好適な化合物としては、例えば、下記構造式で表される化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２３】
【化２４】
0005246386.tif 000025
【０１２４】
また、以下に、本発明における電子受容性化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２５】
【表１】
0005246386.tif 000026
【０１２６】
【表２】
0005246386.tif 000027
【０１２７】
【表３】
0005246386.tif 000028
【０１２８】
【表４】
0005246386.tif 000029
【０１２９】
【表５】
0005246386.tif 000030
【０１３０】
【表６】
0005246386.tif 000031
【０１３１】
【表７】
0005246386.tif 000032
【０１３２】
【表８】
0005246386.tif 000033
【０１３３】
【表９】
0005246386.tif 000034
【０１３４】
【表１０】
0005246386.tif 000035
【０１３５】
【表１１】
0005246386.tif 000036
【０１３６】
上記具体例のうち、電子受容性、耐熱性及び溶剤に対する溶解性の点で、Ａ−１〜４８、５４、５５、６０〜６２、６４〜７５、７９〜８３、Ｂ−１〜２０、２４、２５、２７、３０〜３７、３９〜４３、Ｃ−１〜１０、１９〜２１、２５〜２７、３０、３１の化合物が好ましく、Ａ−１〜９、１２〜１５、１７、１９、２４、２９、３１〜３３、３６、３７、６５、６６、６９、８０〜８２、Ｂ−１〜３、５、７〜１０、１６、３０、３３、３９、Ｃ−１〜３、５、１０、２１、２５、３１の化合物が更に好ましく、Ａ−１〜７、８０の化合物が特に好ましい。
【０１３７】
なお、電子受容性化合物は、１種類を単独で用いても、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【０１３８】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａは、湿式成膜法により形成する。湿式成膜法により、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの各層を形成する場合は、通常、各層形成用に正孔注入輸送層形成用組成物を調製し、これらを各々塗布成膜し、乾燥させることにより行われる。後述する、湿式成膜法により陽極と発光層との間の層を形成するための本発明の有機電界発光素子用組成物についても同様に層形成を行う。
【０１３９】
湿式成膜法に用いる本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含有される溶媒のうち少なくとも１種類は、上述の本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる溶媒以外の成分を溶解し得る液体であることが好ましい。溶媒の沸点は、均質な膜質となりやすい点では、高い方が好ましいが、一方で、低温で乾燥することができ、他の層や基板に影響を与え難い点では低い方が好ましい。具体的には、溶媒の沸点は１気圧において、１１０℃以上であるのが好ましく、１４０℃以上であるのが更に好ましく、２００℃以上であるのが特に好ましく、また、一方、４００℃以下であるのが好ましく、３００℃以下であるのが更に好ましい。
【０１４０】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含有される溶媒としては、上記の要求特性を満たすものであればよく、特に制限はないが、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、含ハロゲン有機溶媒、アミド系溶媒などを用いることができる。
【０１４１】
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル及び酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル及び安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン及びメチルナフタレン等が挙げられる。
含ハロゲン有機溶媒としては、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン及びｏ−ジクロロベンゼン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
また、これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
これらの溶媒は、１種類を単独で用いても、２種類以上を任意の組合せ及び比率で併用してもよい。
【０１４２】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる溶媒の量は、通常１０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上であり、特に好ましくは８０重量％以上であり、通常９９．９９重量％以下である。
【０１４３】
本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる正孔注入輸送性化合物の量は、該組成物の粘度が高くなる点では多い方が好ましいが、一方で、溶解性の点では少ない方が好ましい。そこで、具体的には、正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる正孔注入輸送性化合物の量は、通常０．０１重量％以上であり、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることが更に好ましく、また、一方、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることが更に好ましく、２０重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４４】
そして、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物に含まれる正孔注入輸送性化合物には、本発明に係るアリールアミン高分子化合物が２５重量％以上含まれていることが好ましく、５０重量％以上含まれていることが更に好ましく、７５重量％以上含まれていることが特に好ましい。また、該上限は、１００重量％である。
【０１４５】
また、本発明に係るＬａ層の形成用組成物に電子受容性化合物が含まれる場合におけるその含有量は、低駆動電圧になり易い点では多い方が好ましいが、一方で、成膜性の点では少ない方が好ましい。また、電子受容性化合物が発光層などの隣接する他の層に拡散して、発光効率や寿命に影響を及ぼす危険性が低い点でも、少ない方が好ましい。そこで、具体的には、本発明に係るＬａ層の形成用組成物に含まれる電子受容性化合物の量は、正孔注入輸送性化合物ないしは本発明に係るアリールアミン高分子化合物に対する割合で０．１重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることが更に好ましく、また、一方、５０重量％未満であることが好ましく、４０重量％以下であることが更に好ましく、２０重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４６】
次に、本発明の有機電界発光素子用組成物について説明する。本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子の陽極と発光層との間の層を湿式成膜法にて形成するための有機電界発光素子用組成物であって、上述の本発明に係るアリールアミン高分子化合物を３種類以上含有する。また、該３種類以上のアリールアミン高分子化合物のうち、２種類以上のアリールアミン高分子化合物は、互いにＮが異なる。
【０１４７】
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる３種類以上のアリールアミン高分子化合物は、該組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層を有する有機電界発光素子の駆動電圧が低くなることから、上述の本発明に係るアリールアミン高分子化合物と同じ関係にあることが好ましい。すなわち、該層の中に電子雲の広がり方が各々異なる３種類以上のアリールアミン高分子化合物が存在すると、層内においても正孔を電子雲の広がり方が狭い高分子化合物から広い高分子化合物へ順次移動させる（電子を電子雲の広がり方が広い高分子化合物から狭い高分子化合物へ順次移動させる）ことができるため、正孔がＮの少ない（電子雲の広がり方が狭い）高分子化合物にとどまることなく、Ｎの多い（電子雲の広がり方が広い）高分子化合物によって効率良く輸送されるため、十分な低電圧効果が得られる。このため、本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる３種類以上のアリールアミン高分子化合物は、上述の関係であることが好ましいと考えられる。
【０１４８】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、電子雲の広がり方が各々異なっていた方が好ましいため、Ｎが各々異なる３種類以上のアリールアミン高分子化合物を含むことが好ましい。さらに、該組成物に含まれるアリールアミン高分子化合物におけるＮの最小値をＮｍｉｎ、最大値をＮｍａｘとしたとき、ＮｍａｘはＮｍｉｎの２．０倍より大きい（Ｎｍａｘ＞２．０Ｎｍｉｎ）ことが好ましく、２．１倍より大きいことが更に好ましく、また、一方、４．３倍より小さいことが好ましい。該組成物中に正孔が効率良く注入されやすい高分子化合物と、正孔が効率良く輸送されやすい高分子化合物が含まれることになり、該組成物を用いて形成された層内の各高分子化合物間で正孔の受け渡しが効率よく行われると考えられるためである。
また、正孔を効率よく順次移動させるためには、該組成物中に、ＮｍａｘよりＮが小さく、ＮｍｉｎよりＮが大きいアリールアミン高分子化合物を含有していることが好ましく、具体的には、Ｎが（Ｎｍａｘ−４）以下、かつ、（Ｎｍｉｎ＋４）以上であるアリールアミン高分子化合物、即ち、（Ｎｍａｘ−４）≧Ｎ≧（Ｎｍｉｎ＋４）を満たすアリールアミン高分子化合物を含有することが好ましい。
【０１４９】
本発明の有機電界発光素子用組成物の組成（各成分の具体例、含有量、任意成分等）及びこれを用いた層形成方法等は、上述の本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物の場合と同様であることが好ましい。
【０１５０】
本発明において、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物及び本発明の有機電界発光素子用組成物に適用される湿式成膜の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法及びフレキソ印刷法等の方法が採用可能である。これらの塗布方法の中でも、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物及び本発明の有機電界発光素子用組成物に特有の液性に合いやすいことから、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法及びノズルプリンティング法が好ましい。
【０１５１】
成膜時の温度は、組成物中に生じる結晶による膜欠損が起こり難い点等から１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。成膜時の相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１５２】
塗布膜は、通常、加熱や減圧乾燥等により乾燥させる。加熱手段としては、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射等が挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えやすいことから、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。具体的には、例えば、塗布膜を有する積層体をホットプレート上に載せる、オーブン内で加熱する、などの手段で加熱することができる。乾燥時の加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入輸送層の形成に用いた溶媒の沸点以上の温度が好ましい。また、２種類以上の混合溶媒を用いた場合は、少なくとも１種類の溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。また、溶媒の沸点上昇を考慮すると、加熱温度は、１２０℃以上４１０℃以下が好ましい。乾燥時の加熱時間は、正孔注入輸送層の形成に用いた溶媒の沸点以上で加熱を行い、かつ加熱乾燥すれば、限定されないが、正孔注入輸送層以外の層の成分の拡散が起こり難い点では短いのが好ましく、また、一方、正孔注入輸送層が均質膜になりやすい点から長いのが好ましい。具体的には、通常、１０秒以上１８０分以下であるのが好ましい。加熱乾燥は、２回以上に分けて行ってもよい。
【０１５３】
このようにして得ることができる本発明に係る正孔注入輸送層Ａが有する各層及び本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成される層の膜厚は、短絡やリークが起こり難い点では厚い方が好ましいが、また、一方、低駆動電圧としやすい点では、薄い方が好ましい。そこで、具体的には、該各層の膜厚は、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることが更に好ましく、また、一方、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、これらの各層の合計厚みである本発明に係る正孔注入輸送層Ａの膜厚は、短絡やリークが起こり難い点では厚い方が好ましいが、一方、正孔注入輸送層の光吸収による発光効率の低下が起こり難い点では、薄い方が好ましい。そこで、具体的には、本発明に係る正孔注入輸送層Ａの膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、また、一方、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【０１５４】
以上の成膜方法についての説明は、本発明の有機電界発光素子用組成物についても同様に適用される。
【０１５５】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成及びその作製方法等について、図１を参照して説明する。但し、図１は本発明に係る有機電界発光素子の構造例の一例を示す断面の模式図である。本発明の有機電界発光素子の層構成及びその作製方法等は、これに限定されない。図１において、１は基板、２は陽極、１０は正孔注入輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表し、正孔注入輸送層１０は、正孔注入輸送層３及び正孔注入輸送層４の積層構造になっている。なお、正孔注入輸送層１０は前述の正孔注入輸送層Ａに相当し、前述の本発明に係る正孔注入輸送層Ａの形成用組成物又は本発明の有機電界発光素子用組成物により形成される。また、正孔注入輸送層３は前述のＬａ層及びＬａ’層に相当し、正孔注入輸送層４は前述のＬｃ層及びＬｃ’層に相当する。なお、基板１、正孔阻止層６、電子輸送層７及び電子注入層８は、本発明の有機電界発光素子において必須の層ではない。
【０１５６】
基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を下げるのが好ましい。
【０１５７】
陽極２は、発光層側の層に正孔を注入する機能を担う電極である。陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック及びポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより形成することもできる。また、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１５８】
陽極２は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極が積層構造である場合、１層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。
【０１５９】
陽極２の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて、決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上となる厚みが好ましく、８０％以上となる厚みが更に好ましい。陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下とするのが好ましい。一方、透明性が不要な場合は、陽極２の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極２は基板１と同一の厚みでもよい。
【０１６０】
陽極２の表面は、正孔注入輸送層１０の形成前に、紫外線＋オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極２上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくのが好ましい。
【０１６１】
正孔注入輸送層１０は、正孔注入輸送層３及び４の積層構造となっている。正孔注入輸送層１０は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極上に形成される。正孔注入輸送層１０は、前述の本発明に係る正孔注入輸送層Ａに相当する。ここで、正孔注入輸送層３及び４は、陽極２から発光層５へ正孔を注入輸送する層であり、正孔注入輸送層３は前述のＬａ層及びＬａ’層に、正孔注入輸送層４は前述のＬｃ層及びＬｃ’層に各々相当する。また、正孔注入輸送層３は所謂正孔注入層に、正孔注入輸送層４は所謂正孔輸送層に、各々相当する。
【０１６２】
発光層５は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。発光層５は、陽極２と陰極９の間に形成される層であり、発光層５は、通常、正孔注入輸送層１０の上に形成される。発光層には、通常、発光材料が含まれる。
【０１６３】
発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。発光材料は、蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよい。蛍光発光材料は、原理上、励起一重項状態のエネルギーギャップが同一発光波長の燐光発光材料よりも小さく、且つ、励起子寿命がナノ秒オーダーと非常に短いため、発光材料に対する負荷が小さく、素子の駆動寿命が長くなりやすい。そこで、特に素子の寿命を重視する場合には、蛍光発光材料を用いることが好ましい。これに対し、燐光発光材料は、原理上、蛍光発光材料よりも有機電界発光素子の発光効率が高くなりやすい。そこで、特に発光効率を重視する用途には、燐光発光材料を使用することが好ましい。発光材料は、１種類のみを用いても、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。具体的には、例えば、青色は、蛍光発光材料を用いて、緑色及び赤色は燐光発光材料を用いるなどとしてもよい。また、発光層５を湿式成膜法で形成する場合は、発光材料分子の対称性や剛性を低下させる、アルキル基などの親油性置換基の導入により溶媒に対する溶解性を向上させる等しておくのが好ましい。
【０１６４】
蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
【０１６５】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン、アリールアミン及びそれらの誘導体等が挙げられる。中でも、アントラセン、クリセン、ピレン、アリールアミン及びそれらの誘導体等が好ましい。
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体及びそれらの誘導体等挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等及びそれらの誘導体等が挙げられる。赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１６６】
上記の青色蛍光を与えるアリールアミン誘導体としては、素子の発光効率、駆動寿命等の観点から、下記式（VII）で表される化合物が好ましい。
【０１６７】
【化２５】
0005246386.tif 000037
【０１６８】
（式中、Ａｒ４１は、核炭素数１０〜４０の置換されていてもよい縮合芳香環基を示し、Ａｒ４２及びＡｒ４３は、各々独立に炭素数６〜４０の置換されていてもよい１価の芳香環基を表す。ｐは１〜４の整数を表す。）
【０１６９】
Ａｒ４１としては、具体的には、ｐ個の遊離原子価を有する、ナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ピレン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、ジフェニルアントラセン、フルオレン、トリフェニレン、ルビセン、ベンゾアントラセン、フェニルアントラセン、ビスアントラセン、ジアントラセニルベンゼン又はジベンゾアントラセンなどが挙げられる。また、Ａｒ４２及びＡｒ４３としては、具体的には、フェニル基等が挙げられる。ｐは１〜４の整数を表す。
【０１７０】
以下に、蛍光発光材料として好ましいアリールアミン誘導体の具体例を示すが、本発明に係る蛍光発光材料は、これらに限定されるものではない。なお、以下の式において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を表す。
【０１７１】
【化２６】
0005246386.tif 000038
【０１７２】
【化２７】
0005246386.tif 000039
【０１７３】
【化２８】
0005246386.tif 000040
【０１７４】
【化２９】
0005246386.tif 000041
【０１７５】
一方、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）の第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。中でも、イリジウム及び白金が発光色の調整がし易いことから好ましい。
【０１７６】
有機金属錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【０１７７】
好ましい燐光発光材料として、具体的には、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げられる。
【０１７８】
特に、燐光発光材料の燐光性有機金属錯体としては、下記式（VIII）又は（IX）で表される化合物が好ましく挙げられる。
ＭＬ（ｑ−ｊ）Ｌ’ｊ        （VIII）
（式（VIII）中、Ｍは金属を表し、ｑはＭの価数を表す。また、ＬおよびＬ’は二座配位子を表す。ｊは０〜２の整数を表す。）
【０１７９】
【化３０】
0005246386.tif 000042
【０１８０】
（式（IX）中、Ｍ７は金属を表し、Ｔは炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ９２〜Ｒ９５は各々独立に任意の置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４及びＲ９５は無い。）
【０１８１】
まず、式（VIII）で表される化合物について説明する。
式（VIII）中、Ｍは任意の金属を表し、ｑはＭの価数を表す。Ｍの好ましいものの具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。また、ＬおよびＬ’は二座配位子を表す。ｊは０〜２の整数を表す。
【０１８２】
式（VIII）中、二座配位子Ｌは、以下式（Ｘ）の部分構造を有する配位子を示す。
【０１８３】
【化３１】
0005246386.tif 000043
【０１８４】
（式（Ｘ）中、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１８５】
環Ａ１の芳香族炭化水素環基としては、２個の遊離原子価を有する、５或いは６員環の単環又は２〜５縮合環等が挙げられる。具体例としては、２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。
【０１８６】
環Ａ１の芳香族複素環基としては、１個又は２個の遊離原子価を有する、５或いは６員環の単環又は２〜４縮合環等が挙げられる。具体例としては、１個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。
【０１８７】
環Ａ２の含窒素芳香族複素環基としては、１個又は２個の遊離原子価を有する、５或いは６員環の単環又は２〜４縮合環等が挙げられる。具体例としては、１個又は２個の遊離原子価を有する、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環などが挙げられる。
【０１８８】
環Ａ１及び環Ａ２が各々有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基；芳香族炭化水素環基等が挙げられる。
【０１８９】
式（VIII）中、二座配位子Ｌ’は、以下の式の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【０１９０】
【化３２】
0005246386.tif 000044
【０１９１】
中でも、Ｌ’としては、錯体の安定性の点から、以下に挙げる配位子が更に好ましい。
【０１９２】
【化３３】
0005246386.tif 000045
【０１９３】
式（VIII）で表される化合物として、特に好ましくは、下記式（VIIIａ）〜（VIIIｃ）で表される化合物等が挙げられる。
【０１９４】
【化３４】
0005246386.tif 000046
【０１９５】
（式（VIIIａ）中、Ｍ４は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、Ｍ４の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１９６】
【化３５】
0005246386.tif 000047
【０１９７】
（式（VIIIｂ）中、Ｍ５は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、Ｍ５の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１９８】
【化３６】
0005246386.tif 000048
【０１９９】
（式（VIIIｃ）中、Ｍ６は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、Ｍ６の価数を表し、ｊは、０〜２の整数を表し、環Ａ１及び環Ａ１’は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２及び環Ａ２’は、各々独立に置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２００】
上記式（VIIIａ）〜（VIIIｃ）において、環Ａ１および環Ａ１’の芳香環基の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基及びカルバゾリル基等が挙げられる。
【０２０１】
上記式（VIIIａ）〜（VIIIｃ）において、環Ａ２および環Ａ２’の含窒素芳香族複素環基の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基及びフェナントリジル基等が挙げられる。
【０２０２】
上記式（VIIIａ）〜（VIIIｃ）において、環Ａ１と環Ａ１’の芳香環基、環Ａ２と環Ａ２’の含窒素芳香族複素環基が各々有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基、アシル基、ハロアルキル基、シアノ基及び（ヘテロ）アリール基等が挙げられる。これらのうち、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基、ハロアルキル基、シアノ基及び（ヘテロ）アリール基等が好ましい。また、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合する、又は、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合すること等により、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０２０３】
上記式（VIIIａ）〜（VIIIｃ）におけるＭ４〜Ｍ６の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金等が挙げられる。
【０２０４】
上記式（VIII）及び（VIIIａ）〜（VIIIｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
【０２０５】
【化３７】
0005246386.tif 000049
【０２０６】
【化３８】
0005246386.tif 000050
【０２０７】
上記式（VIII）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及びこれに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。また、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。
【０２０８】
次に、式（IX）で表される化合物について説明する。
【０２０９】
式（IX）中、Ｍ７は金属を表す。Ｍ７の具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属等が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金が挙げられ、特に好ましくは、白金及びパラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０２１０】
式（IX）において、Ｒ９２〜Ｒ９５は各々独立に任意の置換基を表す。
Ｒ９２及びＲ９３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基又は芳香環基を表す。Ｒ９２及びＲ９３は、更に置換基を有していてもよい。更に置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。また、Ｒ９２及びＲ９３は、２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
【０２１１】
式（IX）において、Ｔは炭素原子または窒素原子を表す。Ｔが炭素原子の場合、Ｒ９４およびＲ９５は、各々独立に、Ｒ９２及びＲ９３と同様の置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４及びＲ９５は無い。
【０２１２】
式（IX）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１、Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、「Ｍｅ」はメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【０２１３】
【化３９】
0005246386.tif 000051
【０２１４】
発光材料の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、耐熱性が高く、ガスが発生し難く、膜質が良く、マイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化が起こり難い点では、高い方が好ましく、また、一方、発光材料の精製が容易で溶媒に溶解させ易い点では低い方が好ましい。そこで、発光材料の分子量は、１００００以下であるのが好ましく、５０００以下であるのが更に好ましく、４０００以下であるのが特に好ましく、３０００以下であるのが最も好ましく、また、一方、１００以上であるのが好ましく、２００以上であるのが更に好ましく、３００以上であるのが特に好ましく、４００以上であるのが最も好ましい。
【０２１５】
発光層中において、発光材料は、電荷輸送性を有するホスト材料から電荷又はエネルギーを受け取って発光することが好ましい。電荷輸送性を有するホスト材料（電荷輸送性化合物）は、電荷（正孔又は電子）輸送性を有し、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。電荷輸送性化合物は、１種類のみを用いても、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２１６】
電荷輸送性化合物は、従来、有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物等を用いることができ、特に、発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
【０２１７】
電荷輸送性化合物としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン系化合物（オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物）、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、トリフェニレン系化合等の化合物等が挙げられる他、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物、キノリン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合、トリフェニレン系化合物等の電子輸送性化合物等が挙げられる。
【０２１８】
また、例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）などのカルバゾール系化合物等の化合物等も好ましく用いることができる。また、この他、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。
【０２１９】
以下に、電荷輸送性化合物として好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２２０】
【化４０】
0005246386.tif 000052
【０２２１】
電荷輸送性化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、ガラス転移温度、融点及び分解温度等が高く、耐熱性に優れ、膜質が良く、マイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化や熱分解による不純物発生などが起こり難い点では、高い方が好ましく、また、一方、電荷輸送性化合物の精製が容易で溶媒に溶解させ易く、成膜性に優れる点では低い方が好ましい。そこで、電荷輸送性化合物の分子量は、１００００以下であるのが好ましく、５０００以下であるのが更に好ましく、４０００以下であるのが特に好ましく、３０００以下であるのが最も好ましく、また、一方、１００以上であるのが好ましく、２００以上であるのが更に好ましく、３００以上であるのが特に好ましく、４００以上であるのが最も好ましい。
【０２２２】
発光層５の形成方法は、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、湿式成膜法であっても、真空蒸着法であってもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましく、スピンコート法及びインクジェット法が更に好ましい。
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、通常、上述の正孔注入輸送層Ａを湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入輸送層Ａの各層を形成するための組成物の代わりに、発光層５となる材料を可溶な溶媒（発光層用溶媒）と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成させる。成膜時の温度や相対湿度などの成膜条件及び乾燥方法や条件などは、前記正孔注入輸送層Ａの湿式成膜法による形成時と同様である。なお、湿式成膜法で発光層を形成する場合は、発光層形成用組成物は、低分子量の材料を用いるのが好ましい。
【０２２３】
発光層の湿式成膜で用いる溶媒は、発光材料や電荷輸送性化合物などが良好に溶解する液体であれば特に限定されない。溶媒の溶解度は、２５℃、１気圧において、発光材料及び電荷輸送性化合物を各々０．０１重量％以上溶解する溶媒が好ましく、０．０５重量％以上溶解する溶媒が更に好ましく、０．１重量％以上溶解する溶媒が特に好ましい。また、成膜後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発し、均一な膜を得やすいことから、溶媒の１気圧における沸点は、８０℃以上であるのが好ましく、１００℃以上であるのが更に好ましく、１２０℃以上であるのが特に好ましく、また、一方、２７０℃以下であるのが好ましく、２５０℃以下であるのが更に好ましく、２３０℃以下であるのが特に好ましい。
【０２２４】
溶媒としては、例えば、正孔注入輸送層Ａの形成について挙げたエーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒及びアミド系溶媒の他、アルカン系溶媒、脂肪族アルコール系溶媒、脂環族アルコール系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒及び脂環族ケトン系溶媒などが挙げられる。これらのうち、アルカン系溶媒及び芳香族炭化水素系溶媒が特に好ましい。これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０２２５】
溶媒の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、発光層形成用組成物中の合計含有量は、低粘性なために成膜作業が行いやすい点で多い方が好ましく、また、一方、厚膜で成膜しやすい点で低い方が好ましい。具体的には、１０重量％以上であるのが好ましく、５０重量％以上であるのが更に好ましく、８０重量％以上であるのが特に好ましく、また、一方、９９．９５重量％以下であるのが好ましく、９９．９０重量％以下であるのが更に好ましく、は９９．８０重量％以下であるのが特に好ましい。
【０２２６】
発光層形成用組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の発光材料、電荷輸送性化合物及び溶媒以外の成分が含有されていてもよい。その他成分としては、例えば、バインダー樹脂；レベリング剤及び消泡剤等の塗布性改良剤などが挙げられる。
【０２２７】
発光層形成用組成物における発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物等の固形分濃度は、均一膜厚としやすい点では小さい方が好ましいが、一方で、膜に欠陥が生じ難い点では大きい方が好ましい。このため、０．０１重量％以上７０重量％以下であるのが好ましい。
【０２２８】
真空蒸着法により発光層５を形成する場合には、通常、発光層５の構成材料（前述の発光材料、電荷輸送性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ）、真空容器内を真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ）、坩堝に向き合って置かれた正孔注入輸送層４の上に発光層５を形成させる。なお、２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて発光層５を形成することもできる。
【０２２９】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以下で行われる。
【０２３０】
発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、３ｎｍ以上であるのが好ましく、５ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、通常２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。
【０２３１】
正孔阻止層６は、電界を与えられた電極間において、陽極から移動してくる正孔が陰極に到達してしまうのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層に向けて輸送する機能を担う層である。正孔阻止層６は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、正孔を発光層内に留め発光効率を向上させ易い点では、この層を用いることが好ましい。正孔阻止層６を用いる場合、通常、正孔阻止層６は、発光層５と陰極９の間に形成される。また、正孔阻止層６は、後述の電子輸送層７がある場合は、発光層５と電子輸送層７の間に、後述の電子注入層８がある場合は、発光層５と電子注入層８の間に形成される。
【０２３２】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２３３】
正孔阻止層６の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔阻止層６の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上であり、また、一方、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２３４】
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５に向けて輸送する機能を担う層である。電子輸送層７は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、素子の発光効率をさせる点では、この層を用いることが好ましい。電子輸送層７を用いる場合、通常、電子輸送層７は、発光層５と陰極９の間に形成される。また、電子輸送層７は、前述の正孔阻止層６がある場合は正孔阻止層６と陰極９の間に、後述の電子注入層８がある場合は発光層５と正孔注入層８の間に形成される。
【０２３５】
電子輸送層７に用いる電子輸送性化合物は、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送できる化合物が好ましい。電子輸送性化合物としては、具体的には、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。電子輸送性化合物は、１種類のみでも、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。  
【０２３６】
電子輸送層７の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。電子輸送層９の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、また、一方、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０２３７】
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５に注入する機能を担う層である。電子注入層８は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、発光層への電子の注入を効率よく行える点では、この層を用いることが好ましい。電子注入層８を用いる場合、通常、電子注入層８は、発光層５と陰極９の間に形成される。また、前述の電子輸送層７がある場合は、電子注入層８は、電子輸送層７と陰極９の間に形成される。  
【０２３８】
電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。具体的には、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。この場合の電子注入層８の膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下であるのが好ましい。
【０２３９】
また、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープしたもの（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）が、電子注入輸送性が向上し、膜質に優れたものとなりやすいため好ましい。この場合の電子注入層１０の膜厚は、５ｎｍ以上であるのが好ましくは、１０ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。電子注入層８の材料は、１種類のみを用いて、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２４０】
電子注入層８の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。陰極９は、陰極９に隣接する発光層５側の層に電子を注入する機能を担う層である。
【０２４１】
陰極９は、正孔注入輸送層１０及び発光層５等に対して、陽極２の反対側に形成される電極である。また、陰極９は、前述の電子輸送層７がある場合は、電子輸送層７の陽極２と逆側に、前述の電子注入層８がある場合は、電子注入層８の陽極２と反対側に形成される。
【０２４２】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。陰極９の材料は、１種類のみを用いて、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様の範囲が好ましい。
【０２４３】
素子の安定性の点では、陰極９の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極９を保護するのが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。  
【０２４４】
本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわなければ、更に他の層を有していてもよい。すなわち、陽極２と陰極９との間に、上述の他の任意の層を有していてもよい。上述の任意の層は、省略されていてもよい。また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層してもよい。具体的には、例えば、図１の層構成であれば、基板上に陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔注入輸送層１０（正孔注入輸送層３及び４）、陽極２の順に設けてもよい。
【０２４５】
また、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２４６】
本発明の有機電界発光素子は、基板以外の有機電界発光素子の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。この場合、各段の間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率及び駆動電圧の観点から好ましい。
【０２４７】
本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として用いても、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成にして用いても、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成にして用いてもよい。また、有機電界発光素子を構成する各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の材料や成分以外の材料や成分が含まれていてもよい。
【０２４８】
本発明の有機電界発光素子は、有機電界発光装置などに使用できる。有機電界発光装置とは、例えば、有機電界表示装置及び有機ＥＬ照明などである。すなわち、本発明の有機電界発光装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いた表示装置及び照明である。本発明の有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、有機電界発光装置に使用することができる。
【０２４９】
本発明の有機電界発光装置においては、駆動電圧を低電圧化し易いことから、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有することが好ましく、該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が本発明の有機電界発光素子又は本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有する有機電界発光素子であるのが好ましく、全ての種類の有機電界発光素子が本発明の有機電界発光素子又は本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有する有機電界発光素子であるのが更に好ましい。また、本発明の有機電界発光装置においては、製造コスト等の点から、２種類以上の有機電界発光素子が有する任意の何れかの正孔注入輸送層が同一組成であることが好ましい。  
【実施例】
【０２５０】
本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２５１】
［実施例１］
以下の手順で有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜をスパッタ成膜により堆積したものを、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気と接触させることにより乾燥させてから、紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２５２】
次に、以下の構造式（ＨＩＴ−１）に示すアリールアミンポリマー、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入輸送層３形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極２上にスピンコート法により成膜し、膜厚３０ｎｍの正孔注入輸送層３を形成した。
【０２５３】
【化４１】
0005246386.tif 000053
【０２５４】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：２．０重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層３の成膜条件＞
スピナ回転時間        ３０秒
スピンコート雰囲気    大気中
加熱条件              大気中、２３０℃、１時間
【０２５５】
引き続き、以下の（ＨＩＴ−２）及び（ＨＩＴ−３）に示す構造式の化合物を含有する正孔注入輸送層４形成用塗布液を調製し、これを以下の条件で正孔注入輸送層３上にスピンコート法により成膜し、加熱することにより重合させ、膜厚１５ｎｍの正孔注入輸送層４を形成した。
【０２５６】
【化４２】
0005246386.tif 000054
【０２５７】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−２：０．１重量％
ＨＩＴ−３：０．９重量％
＜正孔注入輸送層４の成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              ２３０℃、１時間、窒素中
【０２５８】
次に、以下の（ＢＨ−１）及び（ＢＤ−１）の構造式の化合物を含有する発光層５形成用塗布液を調製し、以下の条件でスピンコート法によりこれを成膜し、加熱することにより、膜厚４５ｎｍの発光層５を正孔注入輸送層４上に形成した。
【０２５９】
【化４３】
0005246386.tif 000055
【０２６０】
＜発光層５形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＢＨ−１：３．５重量％
ＢＤ−１：０．３５重量％
＜発光層５の成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
加熱条件              １３０℃、１０分
【０２６１】
この発光層５まで成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、装置内の真空度が２．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した後、以下の（ＨＢ−１）に示す構造式の化合物を真空蒸着法にて、蒸着速度０．８〜１．２Å／秒で発光層５の上に積層させ、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層６を得た。
【０２６２】
【化４４】
0005246386.tif 000056
【０２６３】
更に、以下に示す構造の有機化合物（Ｅ１）を真空蒸着法にて、蒸着速度０．８〜１．２Å／秒で、正孔阻止層６の上に積層させ、膜厚２０ｎｍの電子輸送層７を得た。
【０２６４】
【化４５】
0005246386.tif 000057
【０２６５】
ここで、この電子輸送層７まで蒸着を行った基板を、正孔阻止層６及び電子輸送層７を蒸着したチャンバーに連結された別のチャンバーに真空下で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを陽極２のＩＴＯストライプと直交するように電子輸送層７上に密着させた。
【０２６６】
電子注入層８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１〜０．４Å／秒で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に形成した。次に、陰極９として、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．７〜５．３Å／秒で、膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。
【０２６７】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下の方法で封止処理を行った。窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、１ｍｍの幅で光硬化性樹脂（株式会社スリーボンド製３０Ｙ−４３７）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック株式会社製）を設置した。この上に、陰極まで形成した基板を蒸着面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
【０２６８】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２６９】
［実施例２］
正孔注入輸送層４の成膜において、化合物（ＨＩＴ−２）の代わりに、以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−４）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２７０】
【化４６】
0005246386.tif 000058
【０２７１】
［実施例３］
正孔注入輸送層４の成膜において、化合物（ＨＩＴ−２）の代わりに、以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−５）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２７２】
【化４７】
0005246386.tif 000059
【０２７３】
［比較例１］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２７４】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：２．０重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：０．７５重量％
ＨＩＴ−５：０．２５重量％
【０２７５】
［比較例２］
正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２７６】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：１．０重量％
【０２７７】
［比較例３］
ＨＩＴ−２の代わりに以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１２）を用い、正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１３に示す。
【０２７８】
【化４８】
0005246386.tif 000060
【０２７９】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：０．５重量％
ＨＩＴ−１２：０．５重量％
【０２８０】
実施例１〜３及び比較例１〜３で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表１２に示す。
【０２８１】
【表１２】
0005246386.tif 000061
【０２８２】
【表１３】
0005246386.tif 000062
【０２８３】
表１２、及び表１３より、本発明の有機電界発光素子は、駆動電圧が低いことが分かる。
【０２８４】
［実施例４］
以下の手順で有機電界発光素子を作製した。
【０２８５】
実施例１と同様にして、ガラス基板１上に陽極２を形成し、その表面を洗浄した。
次に、膜厚が２５ｎｍである以外は、実施例１と同様にして、正孔注入輸送層３を形成した。
引き続き、以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−６）を含有する以下の正孔注入輸送層４Ａ形成用塗布液を調製し、これを以下の条件で正孔注入輸送層３上にスピンコート法により成膜し、加熱することにより重合させ、膜厚１０ｎｍの正孔注入輸送層４Ａを形成した。
【０２８６】
【化４９】
0005246386.tif 000063
【０２８７】
＜正孔注入輸送層４Ａ形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−６：１重量％
＜正孔注入輸送層４Ａの成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              ２３０℃、１時間、窒素中
【０２８８】
引き続き、（ＨＩＴ−３）を含有する以下の正孔注入輸送層４Ｂ形成用塗布液を調製し、これを以下の条件で正孔注入輸送層４Ａ上にスピンコート法により成膜し、加熱することにより重合させ、膜厚１０ｎｍの正孔注入輸送層４Ｂを形成した。
【０２８９】
＜正孔注入輸送層４Ｂ形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：１．０重量％
＜正孔注入輸送層４Ｂの成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
スピンコート雰囲気    窒素中
加熱条件              ２３０℃、１時間、窒素中
【０２９０】
次に、実施例１と同様にして、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９を正孔注入輸送層４Ｂ上に形成し、封止処理を行い、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を得た。この素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１５に示す。
【０２９１】
［実施例５］
発光層５の成膜に当たり、化合物（ＢＨ−１及びＢＤ−１）の代わりに、以下に示す構造の化合物（ＲＨ−１、ＲＨ−２、ＧＤ−１及びＲＤ−１）を用いて以下の発光層５形成用塗布液を調製し、以下の条件で発光層５を成膜したこと以外は、実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１５に示す。
【０２９２】
【化５０】
0005246386.tif 000064
【０２９３】
＜発光層５形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＲＨ−１：１．２重量％
ＲＨ−２：３．６重量％
ＧＤ−１：０．２４重量％
ＲＤ−１：０．３４重量％
＜発光層５の成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
加熱条件              １３０℃、２０分
【０２９４】
［実施例６］
発光層５の成膜に当たり、化合物（ＢＨ−１及びＢＤ−１）の代わりに、以下に示す構造の化合物（ＧＨ−1、ＧＨ−２及びＧＤ−１）を用いて以下の発光層５形成用塗布液を調製して発光層５を形成したこと以外は、実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動電圧（正面輝度１，０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧）を表１５に示す。
【０２９５】
【化５１】
0005246386.tif 000065
【０２９６】
＜発光層５形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＧＨ−１：１．２重量％
ＧＨ−２：３．６重量％
ＧＤ−１：０．４８重量％
【０２９７】
実施例４〜６で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表１４に示す。
【０２９８】
【表１４】
0005246386.tif 000066
【０２９９】
【表１５】
0005246386.tif 000067
【０３００】
［実施例７］
ＨＩＴ−１の代わりに以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−７〜ＨＩＴ−９）を用い、ＨＩＴ−２とＨＩＴ−３の代わりにＨＩＴ−３及び以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１１、ＨＩＴ−１３）を用い、正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の比較例３の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例３に対し、何Ｖ増減したか）として表１７に示す。
【０３０１】
【化５２】
0005246386.tif 000068
【０３０２】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−７：１．２重量％
ＨＩＴ−８：０．４重量％
ＨＩＴ−９：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：０．３３重量％
ＨＩＴ−１１：０．３３重量％
ＨＩＴ−１３：０．３３重量％
【０３０３】
［実施例８］
ＨＩＴ−１のみの代わりにＨＩＴ−１及びＨＩＴ−５を用い、ＨＩＴ−２とＨＩＴ−３の代わりに以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１４）、（ＨＩＴ−１５）を用い、正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の比較例３の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例３に対し、何Ｖ増減したか）として表１７に示す。
【０３０４】
【化５３】
0005246386.tif 000069
【０３０５】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：１．５重量％
ＨＩＴ−５：０．５重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−１４：０．１重量％
ＨＩＴ−１５：０．９重量％
【０３０６】
［実施例９］
ＨＩＴ−１の代わりにＨＩＴ−１１及び以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１８、ＨＩＴ―１９）を用い、ＨＩＴ−２とＨＩＴ−３の代わりにＨＩＴ−４及び以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１５、ＨＩＴ−１７）を用い、正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の比較例３の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例３に対し、何Ｖ増減したか）として表１７に示す。
【０３０７】
【化５４】
0005246386.tif 000070
【０３０８】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１８：１．２重量％
ＨＩＴ−１９：０．４重量％
ＨＩＴ−１１：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−４：０．３３重量％
ＨＩＴ−１５：０．３３重量％
ＨＩＴ−１７：０．３３重量％
【０３０９】
実施例７〜９で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表１６に示す。
なお、表１７には、比較例２及び３で得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の比較例３の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例３に対し、何Ｖ増減したか）の値も併記した。
【０３１０】
【表１６】
0005246386.tif 000071
【０３１１】
【表１７】
0005246386.tif 000072
【０３１２】
［実施例１０］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更し、発光層５の化合物（ＢＨ−１及びＢＤ−１）の代わりに、化合物（ＲＨ−１、ＲＨ−２）と以下に示す構造の化合物（ＲＤ−２）を用いて以下の発光層５形成用塗布液を調製して、以下の条件で膜厚５０ｎｍの発光層を成膜したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例４の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例４に対し、何Ｖ増減したか）として表１９に示す。
【０３１３】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：１．５重量％
ＨＩＴ−５：０．５重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：１．０重量％
【０３１４】
【化５５】
0005246386.tif 000073
【０３１５】
＜発光層５形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＲＨ−１：１．２重量％
ＲＨ−２：３．６重量％
ＲＤ−２：０．４８重量％
＜発光層５の成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
加熱条件              １３０℃、２０分
【０３１６】
［実施例１１］
正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１０と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例４の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例４に対し、何Ｖ増減したか）として表１９に示す。
【０３１７】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：０．５重量％
ＨＩＴ−４：０．５重量％
【０３１８】
［実施例１２］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１０と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例４の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例４に対し、何Ｖ増減したか）として表１９に示す。
【０３１９】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：１．６重量％
ＨＩＴ−４：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−  ３：０．５重量％
ＨＩＴ−１１：０．５重量％
【０３２０】
［比較例４］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１０と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の実施例１０〜１２の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧の基準値として表１９に示す。  
【０３２１】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：２．０重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：１．０重量％
【０３２２】
実施例１０〜１２及び比較例４で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表１８に示す。
【０３２３】
【表１８】
0005246386.tif 000074
【０３２４】
【表１９】
0005246386.tif 000075
【０３２５】
［実施例１３］
以下に示す構造の化合物（ＨＩＴ−１０）を用い、正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更し、また、発光層５の化合物（ＢＨ−１及びＢＤ−１）の代わりに、化合物（ＧＨ−２、ＧＤ−１）と以下に示す構造の化合物（ＧＨ−３）を用いて下記の発光層５形成用塗布液を調製して以下の条件で膜厚５０ｎｍの発光層５を成膜したこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例５の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例５に対し、何Ｖ増減したか）として表２１に示す。
【０３２６】
【化５６】
0005246386.tif 000076
【０３２７】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：０．３３重量％
ＨＩＴ−１０：０．３３重量％
ＨＩＴ−１１：０．３３重量％
【０３２８】
【化５７】
0005246386.tif 000077
【０３２９】
＜発光層５形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＧＨ−３：１．２重量％
ＧＨ−２：３．６重量％
ＧＤ−１：０．４８重量％
＜発光層５の成膜条件＞
スピナ回転時間        １２０秒
加熱条件              １３０℃、２０分
【０３３０】
［実施例１４］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１３と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例５の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例５に対し、何Ｖ増減したか）として表２１に示す。
【０３３１】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−７：１．２重量％
ＨＩＴ−８：０．４重量％
ＨＩＴ−９：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−１０：１．０重量％
【０３３２】
［実施例１５］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１３と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、後述の比較例５の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（比較例５に対し、何Ｖ増減したか）として表２１に示す。
【０３３３】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：１．５重量％
ＨＩＴ−５：０．５重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：０．３３重量％
ＨＩＴ−１０：０．３３重量％
ＨＩＴ−１１：０．３３重量％
【０３３４】
［比較例５］
正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１３と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧を、前述の実施例１３〜１５の素子の１０ｍＡ印加時の駆動電圧の基準値として表２１に示す。
【０３３５】
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−１０：１．０重量％
【０３３６】
実施例１３〜１５及び比較例５で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表２０に示す。
【０３３７】
【表２０】
0005246386.tif 000078
【０３３８】
【表２１】
0005246386.tif 000079
【０３３９】
［実施例１６］
正孔注入輸送層３形成用塗布液を下記のように変更し、正孔注入輸送層３を積層後、正孔注入輸送層４を積層せずに、有機化合物（Ｅ１）を真空蒸着法にて、正孔注入輸送層３の上に積層させ、膜厚６０ｎｍの発光層５を得たこと以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を、後述の実施例１７及び１８の素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧の基準値として表２３に示す。
【０３４０】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−７：１．２重量％
ＨＩＴ−８：０．４重量％
ＨＩＴ−９：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
【０３４１】
［実施例１７］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更し、更に、有機化合物（Ｅ１）を真空蒸着法にて、正孔注入輸送層４の上に積層させ、膜厚６０ｎｍの発光層５を得たこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を、前述の実施例１６の素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（実施例１６に対し、何Ｖ増減したか）として表２３に示す。
【０３４２】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１１：０．４重量％
ＨＩＴ−１８：１．２重量％
ＨＩＴ−１９：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−  ３：０．３３重量％
ＨＩＴ−１０：０．３３重量％
ＨＩＴ−１１：０．３３重量％
【０３４３】
［実施例１８］
正孔注入輸送層３、及び正孔注入輸送層４形成用塗布液を下記のように変更し、更に有機化合物（Ｅ１）を真空蒸着法にて、正孔注入輸送層４の上に積層させ、膜厚６０ｎｍの発光層５を得たこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を、前述の実施例１６の素子の正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を±０Ｖとしたときの相対電圧（実施例１６に対し、何Ｖ増減したか）として表２３に示す。
【０３４４】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−７：１．２重量％
ＨＩＴ−８：０．４重量％
ＨＩＴ−９：０．４重量％
Ａ１：０．４重量％
＜正孔注入輸送層４形成用塗布液＞
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度            ＨＩＴ−３：１．０量％
【０３４５】
［比較例６］
正孔注入輸送層３の形成用塗布液を下記のように変更したこと以外は、実施例１６と同様にして、有機電界発光素子を作製した。得られた素子に、実施例１６の駆動電圧測定時の電圧プラス２Ｖを印加したが、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２で発光しなかった。
【０３４６】
＜正孔注入輸送層３形成用塗布液＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            ＨＩＴ−１：２．０重量％
Ａ１：０．４重量％
【０３４７】
実施例１６〜１８及び比較例６で形成された正孔注入輸送層の材料とその最小窒素間原子数を表２２に示す。
【０３４８】
【表２２】
0005246386.tif 000080
【０３４９】
【表２３】
0005246386.tif 000081
【０３５０】
上記の実施例及び比較例の結果から、いずれの素子においても、本発明によれば低電圧化が図れることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０３５１】
本発明により、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を提供することができる。また、この素子を用いた場合消費電力に優れるＯＡコンピューターや壁掛けテレビ等用のフラットパネルディスプレイ、表示板、標識灯及び複写機の光源、液晶ディスプレイ、計器類のバックライト光源等の面発光体としての特徴を生かした光源等を得ることができる。
【符号の説明】
【０３５２】
１  基板
２  陽極
３、４  正孔注入輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
１０  正孔注入輸送層
【図１】
0005246386.tif 000082