(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−Ａｌ２Ｏ３の主結晶を８５〜９５質量％含有するアルミナ質焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成された、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属と、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか一方の高融点金属との複合導体からなる内部配線層とを備えており、前記アルミナ質焼結体は、粒界にＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２を有し、実質的にＭｎＳｉＯ３を有しておらず、Ｘ線回折における前記α−Ａｌ２Ｏ３の（１１０）面の回折強度をＩａ、前記Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の（４２０）面の回折強度をＩｍとしたとき、Ｉｍ／Ｉａの値が０．０２〜０．３であることを特徴とするプローブカード用配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載のプローブカード用配線基板の一方の表面に表面配線層が形成され、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの電気特性を測定するための微細な配線を備えたプローブカード用配線基板およびプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｓｉウェハ等の半導体ウェハに多数個同時に形成される大規模集積回路を有する半導体素子には、異物の付着などに起因する電気不良等によって、ほぼ一定の割合で電気的接続および電気特性の不良品が含まれている。
【０００３】
上記半導体素子の不良品を検出するために、半導体ウェハの状態のまま同時に多数の半導体素子を一括して電気特性の検査を行なうことができるプローブカードが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
このプローブカードは、主としてアルミナ質焼結体からなる絶縁基体の表面および内部に微細な配線が形成されてなる配線基板と、この配線基板の表面に精度よく配置された複数のプローブピンと呼ばれる探針（測定端子）とを含んでいて、このプローブピンを多数の半導体素子の端子に当てて、電圧をかけたときの出力を測定して期待値と比較することで、多数の半導体素子の良否を一括して判定するものである。
【０００５】
近年、半導体素子に形成された集積回路の配線微細化に伴って、プローブカードの単位面積当たりのプローブピン数を多くすることが求められ、またプローブカードの配線基板に形成される配線もより微細化することが求められている。
【０００６】
ところが、配線の微細化、すなわち線幅を狭くすることにより、配線抵抗が増大して電気信号の遅延を招いたり、集積回路の動作状態について正しく判断できず、検査ミスにつながるという問題があった。
【０００７】
そこで、配線としてＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗金属を用いることが考えられるが、これらの低抵抗金属は融点が低いため、アルミナ質焼結体との同時焼成ができない。
【０００８】
これに対し、アルミナ質焼結体からなる絶縁基体の表面および内部にＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗金属とＭｏ、Ｗなどの高融点金属との複合導体からなる配線の形成された配線基板（アルミナ基板）が提案されている（特許文献２を参照。）。
【０００９】
特許文献２によれば、ＭｎおよびＳｉを焼結助剤として含有させることにより、従来のアルミナ基板に対して２００℃以上低い１５００℃以下の温度で焼成することができ、上記低抵抗金属および高融点金属の複合導体とアルミナ質焼結体との同時焼成を可能としている。
【００１０】
しかしながら、特許文献２に記載の配線基板をプローブカード用配線基板に適用しようとすると、絶縁基体の表面に形成された配線とプローブピンとの間に隙間が生じて導通不良を起こしたり、絶縁基体の内部に水分が浸入して絶縁不良を起こしてしまうという問題があった。
【００１１】
すなわち、プローブカードの製造において、プローブカード用配線基板上にＳｉ等の材質を用いてプローブピンを形成する際に、エッチングのためにアルカリ水溶液に浸漬（例えば、４０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に２時間浸漬）するため、プローブカード用配線基板には耐薬品性が要求されるが、低温で焼成している特許文献２に記載のアルミナ基板はプローブカードの製造に用いられる上記アルカリ水溶液への浸漬に十分に耐えうるほどの耐薬品性を備えるものではなかった。
【特許文献１】特開平１１−１６０３５６号公報
【特許文献２】特開２００３−１６３４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低抵抗金属を含む内部配線層を有する耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者等は、鋭意検討した結果、１５００℃以下の温度で焼成する場合においても、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界にＭｎＳｉＯ３を排除しつつ所望の割合でＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２を析出させることによって、耐薬品性を向上させることができることを見い出し、本発明に到達した。
【００１４】
すなわち、本発明は、α−Ａｌ２Ｏ３の主結晶を８５〜９５質量％含有するアルミナ質焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成された、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属と、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか一方の高融点金属との複合導体からなる内部配線層とを備えており、前記アルミナ質焼結体は、粒界にＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２を有し、実質的にＭｎＳｉＯ３を有しておらず、Ｘ線回折における前記α−Ａｌ２Ｏ３の（１１０）面の回折強度をＩａ、前記Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の（４２０）面の回折強度をＩｍとしたとき、Ｉｍ／Ｉａの値が０．０２〜０．３であることを特徴とするプローブカード用配線基板である。
【００１５】
また本発明は、前記プローブカード用配線基板の一方の表面に表面配線層が形成され、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とするプローブカードである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界に、ＭｎＳｉＯ３を析出させずにＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２を析出させてガラスの割合を減少させたことによって、エッチング液（アルカリ水溶液）に浸漬させたときのアルミナ質焼結体のアルカリ水溶液中への溶出を著しく抑制できることから、低抵抗金属を含む内部配線層を有する耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板を実現することができる。
【００１７】
また、本発明のプローブカードによれば、低抵抗金属を含む内部配線層を有する耐薬品性に優れたプローブカード用配線基板を具備しているので、検査ミスを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１は本発明のプローブカード用配線基板の一実施形態の概略断面図であり、図２は本発明のプローブカードの一実施形態を用いた半導体素子の評価装置の説明図である。
【００２０】
図１に示すプローブカード用配線基板１は、α−Ａｌ２Ｏ３を主結晶とするアルミナ質焼結体からなる絶縁基体１１と、絶縁基体１１の内部に形成された低抵抗金属および高融点金属の複合導体からなる内部配線層１２とを備えている。また、絶縁基体１１の表面に表層配線層１３を備えているとともに、絶縁基体１１の内部に内部配線層１２同士または内部配線層１２と表面配線層１３とを電気的に接続するビアホール導体１４を備えている。
【００２１】
絶縁基体１１は複数の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄからなるもので、それぞれの絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはα−Ａｌ２Ｏ３を主結晶とするアルミナ質焼結体で形成されている。ここで、アルミナ質焼結体における主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の割合は８５〜９５質量％程度である。このα−Ａｌ２Ｏ３は粒状または柱状の結晶として存在する。本発明においてα−Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径は特に限定されるものではないが、結晶粒径が大きくなるに従い熱伝導性が向上し、結晶粒径が小さくなるに従い強度が向上することから、高熱伝導性および高強度の両立という点から、α−Ａｌ２Ｏ３の平均結晶粒径は１．０〜５．０μｍ、特に１．７〜２．５μｍであることが望ましい。なお、α−Ａｌ２Ｏ３が柱状の結晶である場合の平均結晶粒径は短軸径に基づいて求めることとする。
【００２２】
ここで、絶縁基体１１がアルミナ質焼結体で形成されていることで、ある程度の耐薬品性は得られている。しかしながら、プローブカード用配線基板１として用いるためには、さらなる耐薬品性が求められる。
【００２３】
そこで、本発明においては、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界に実質的にＭｎＳｉＯ３を有しないことが重要である。ここで、ガラス（非晶質部）は酸性溶液やアルカリ性溶液等の薬品への浸漬によりその構造を破壊されやすいものであるから、アルミナ質焼結体の耐薬品性を上げるためには、主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界に結晶が存在していることが好ましいと考えられる。しかし、存在している結晶がＭｎＳｉＯ３であると、耐薬品性が向上しない。これは、ＭｎＳｉＯ３が酸性溶液やアルカリ性溶液等の薬品への浸漬によりその構造を破壊されやすいからではないかと考えられる。したがって、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界に実質的にＭｎＳｉＯ３を含まないことが重要である。なお、実質的に含まないとはＸ線回折においてその結晶相に由来するピークが認められない程度の量であることを意味する。
【００２４】
また、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界に所望の割合のＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２を有することが重要である。ここで、所望の割合とは、具体的にはＸ線回折におけるα−Ａｌ２Ｏ３の（１１０）面の回折強度をＩａ、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の（４２０）面の回折強度をＩｍとしたとき、Ｉｍ／Ｉａの値が０．０２〜０．３となるような割合である。Ｉｍ／Ｉａの値が０．０２未満であると、粒界中のガラス（非晶質部）の比率が多く、耐薬品性が低下してしまう。一方、Ｉｍ／Ｉａの値が０．３を超えると、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２が多く析出してアルミナ質焼結体の緻密化が阻害されることから、耐薬品性が低下する。より耐薬品性に優れたアルミナ質焼結体を得るためには、Ｉｍ／Ｉａの値は０．０４〜０．２５、さらには０．０５〜０．２であることが望ましい。
【００２５】
また、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２に加えてＭｎＡｌＯ４が析出していることが、絶縁基体１の耐薬品性をさらに向上させる点で望ましい。
【００２６】
なお、アルミナ質焼結体の主結晶であるα−Ａｌ２Ｏ３の粒界にＭｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２やＭｎＡｌＯ４を存在させるためには、後述の焼結助剤成分の混合および所定の焼成条件の下での焼成が必要となる。
【００２７】
一方、絶縁基体１の内部には、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属と、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか一方の高融点金属との複合導体からなる内部配線層１２が形成されている。
【００２８】
アルミナ質焼結体と同時焼成可能な配線材料として、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属が挙げられるが、このような高融点金属からなる配線は抵抗値が高い。一方、低抵抗金属としてのＣｕ、Ａｕ、Ａｇは融点が低いため、これら単体ではアルミナ質焼結体と同時焼成することはできない。そこで、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属と、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか一方の高融点金属との複合導体からなる配線とすることで、低抵抗金属に比べると抵抗値は多少あがってしまうものの、後述する１２００℃〜１５００℃の焼成温度で、アルミナ質焼結体との同時焼成が可能となる。ただし、同時焼成可能といえども、低抵抗金属の融点を超える温度での焼成となるため、低抵抗金属の溶融を抑制して配線の形態を保つことが必要となる。そこで、配線の低抵抗化と保形性をともに達成するうえで、低抵抗金属が１０〜７０体積％、特に４０〜６０体積％、高融点金属が３０〜９０体積％、特に４０〜６０体積％の割合からなることが望ましい。また、高融点金属は平均粒径が１〜１０μｍの粒子として、低抵抗金属からなるマトリックス中に分散していることが望ましい。
【００２９】
なお、表層配線層１３は、高融点金属および低抵抗金属の割合が内部配線層１２と同じであっても異なっていてもよく、高融点金属のみで形成されていてもよい。また、ビアホール導体１４は、表面配線層１３と同様の組成からなることが焼成時にビアホール導体１４からの導体成分の脱落を防止する上で望ましい。
【００３０】
このようなプローブカード用配線基板１は、エッチング液（アルカリ水溶液）に浸漬させたときのアルミナ質焼結体のアルカリ水溶液中への溶出を著しく抑制でき、耐薬品性に優れたものである。
【００３１】
上記のプローブカード用配線基板１は、例えば図２に示すようなプローブカードとして用いることができる。
【００３２】
図２に示すプローブカード２は、プローブカード用配線基板１の一方の表面に表面配線層（図示せず）が形成され、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子２１が接続されたものである。プローブカード用配線基板１の他方の表面に接続端子（図示せず）が形成され、この接続端子が半田３を介して外部回路基板４に接合され、外部回路基板４の電気回路（図示せず）と電気的に接続されている。また、外部回路基板４は、テスタ５に電気的に接続されている。
【００３３】
そして、ステージ６の上に載置された半導体ウェハ７の上面にプローブカード２の測定端子２１を接触させて半導体素子の電気特性を測定することができる。
【００３４】
なお、プローブカード２および外部回路基板４は、昇降装置８によって上下に駆動させることができ、プローブカード２の測定端子２１を半導体ウェハ７の上面に接触させたり離したりすることができる。
【００３５】
次に、上記のプローブカード用配線基板１の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、絶縁基体を形成するために、アルミナ原料粉末として、平均粒径が０．５〜２．５μｍ、特に１．０〜２．０μｍの粉末を用いる。これは、平均粒径を０．５μｍ以上とすることでシート成形性を良好なものとし、２．５μｍ以下とすることで１５００℃以下の温度での焼成によっても緻密化を促進させるためである。
【００３７】
そして、上記アルミナ原料粉末１００質量％に対して、純度９９％以上、平均粒径が０．７〜１．７μｍのＭｎ２Ｏ３粉末を１〜１０質量％添加する。これにより、シート成形性を良好なものとし、Ｍｎ成分の分散性を向上させ、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の結晶化および１２００〜１５００℃の焼成温度での緻密化を促すことができる。なお、Ｍｎのより好ましい添加量は、Ｍｎ２Ｏ３換算で２〜９質量％、さらには４〜８質量％である。
【００３８】
また、上記アルミナ原料粉末１００質量％に対して、純度９９％以上、平均粒径が１〜３μｍのＳｉＯ２粉末を１〜１０質量％添加する。これにより、ＳｉＯ２とＭｎ化合物との反応性を制御しつつ、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の結晶化および１２００〜１５００℃の焼成温度での緻密化を促すことができる。
【００３９】
ＭｎおよびＳｉは、上記の酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等として添加しても良い。この場合、ＭｎがＭｎ２Ｏ３換算で１〜１０質量％、ＳｉがＳｉＯ２換算で１〜１０質量％となるように添加し、好ましくは２〜９質量％、特に４〜７質量％の割合でそれぞれ添加することが、より焼結性を高め、緻密化を促進させることができる。
【００４０】
さらに、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ｎｂ、ＣｒおよびＣｏのうちから選ばれる１種以上を酸化物換算で０．１〜４質量％の割合で添加してもよい。これにより、配線を形成する複合導体との同時焼結性を高めることができる。この成分の最適な含有量は酸化物換算による合量で０．２〜２．５質量％である。
【００４１】
またさらに、アルミナ質焼結体を黒色化するための着色成分としてＷ、Ｍｏなどの金属を２質量％以下の割合で含んでもよい。
【００４２】
なお、ＴｉＯ２やＺｒＯ２等の周期表第４族元素化合物が存在するとアルミナ質焼結体の誘電損失が増大してしまうので、これらの元素含有量が酸化物換算で０．１質量％以下、特に０．０５質量％以下であることが好ましい。
【００４３】
そして、この混合粉末に対して有機バインダ、溶媒を添加してスラリーを調整した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によってグリーンシートを作製する。あるいは、混合粉末に有機バインダを添加し、プレス成形、圧延成形等の方法により所定の厚みのグリーンシートを作製する。なお、グリーンシートの厚みは特に規定されず、たとえば５０〜３００μｍとすることができる。
【００４４】
そして、適宜、このグリーンシートに対して、マイクロドリル、レーザー等により直径が５０〜２５０μｍのビアホールを形成する。
【００４５】
このようにして作製されたグリーンシートに対して、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属粉末と、Ｗ、Ｍｏのうちの少なくとも１種の高融点金属粉末とを前述した比率（低抵抗金属が１０〜７０体積％、高融点金属が３０〜９０体積％）で混合して導体ペーストを調製し、この導体ペーストを各グリーンシートのビアホール内に充填し、またスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により配線パターン状に印刷塗布する。
【００４６】
なお、この導体ペースト中には、絶縁層との密着性を高めるために、上記の金属粉末以外にアルミナ粉末あるいは絶縁基体と同一組成物の混合粉末を添加してもよく、さらにはＮｉ等の活性金属あるいはそれらの酸化物を０．０５〜２体積％の割合で添加してもよい。
【００４７】
その後、導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを位置合わせして積層圧着した後、この積層体を非酸化性雰囲気中、最高温度が１２００〜１５００℃、特に１２５０〜１４００℃の温度となる条件で焼成する。このとき、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２の結晶化および１２００〜１５００℃の焼成温度での緻密化を促すことができるとともに、ＭｎＳｉＯ３の生成およびガラス（非晶質部）の残存を抑制するために、焼成時の１０００℃から最高温度までの昇温過程における昇温速度を３０〜５０℃／ｈｒ、最高温度から１０００℃までの降温過程における降温速度を３０〜５０℃／ｈｒとするのが重要である。
【００４８】
この時の最高温度が１２００℃より低いと、通常の原料を用いた場合において、アルミナ質焼結体を相対密度９５％以上まで緻密化させることができず、熱伝導性や強度が低いものとなってしまい、最高温度が１５００℃より高いと、ＷあるいはＭｏ自体の焼結が進み、Ｃｕの流動により均一組織を維持できなく、強いては低抵抗を維持することが困難となってしまう。また、アルミナ結晶の粒径が大きくなり異常粒成長が発生したり、Ｃｕがセラミックス中へ拡散するときのパスである粒界の長さが短くなるとともに拡散速度も速くなる結果、拡散距離が３０μｍを超えて大きくなり、微細配線化を阻害してしまう。
【００４９】
また、昇温速度および降温速度が３０℃未満であると製造上効率が悪く、５０℃を越えると、ＭｎＳｉＯ３が生成されて耐薬品性が低下してしまう。
【００５０】
また、この焼成時の非酸化性雰囲気としては、窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気であることが望ましい。特に、配線層中の銅の拡散を抑制する上では、水素および窒素を含み露点が＋３０℃以下、特に＋２５℃以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。なお、この雰囲気には所望によりアルゴンガス等の不活性ガスが混入されてもよい。焼成時の露点が＋３０℃より高いと、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分とが反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅とが反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみでなく、銅の拡散を助長してしまうためである。
【００５１】
以上述べた方法により作製されたプローブカード用配線基板は、低抵抗金属を含む内部配線層を具備しつつ、耐薬品性に優れたものとなる。プローブカードは、半導体ウェハに接触させてテストするためのピン（測定端子２１）がＳｉ等により形成されているが、このピン形成工程において、エッチングのために４０％の高濃度に調整されたＫＯＨ水溶液に２時間の長時間にわたって浸漬されたとしても、ＫＯＨ水溶液中にプローブカード用配線基板１の絶縁基体１１中の成分が溶出することによる質量減少を０〜０．５質量％に抑制することができる。
【実施例】
【００５２】
純度が９９％で平均粒子径が１．８μｍのＡｌ２Ｏ３粉末に対して、純度が９９％で平均粒子径が１．５μｍのＭｎ２Ｏ３粉末、純度が９９％で平均粒子径が１．０μｍのＳｉＯ２粉末、純度が９９．９％で平均粒子径が０．７μｍのＭｇＣＯ３粉末、純度が９９％で平均粒子径が１．３μｍのＣａＣＯ３粉末、純度が９９％で平均粒子径が１．０μｍのＳｒＣＯ３粉末、純度が９９％で平均粒子径が１．０μｍのＢａＣｒＯ３粉末、純度９０％を表１に示すような割合で混合した後、さらに、成形用有機樹脂（有機バインダ）としてアクリル系バインダと、有機溶媒としてトルエンを混合してスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて厚さ２００μｍのシート状に成形し、グリーンシートを得た。
【表１】
0005144288.tif 000002
【００５３】
得られたグリーンシートを所定厚みに積層し、露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き焼成を行ない、１０００℃から最高温度の１３５０℃までを表２に示す昇温速度で昇温し、最高温度にて露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて１時間保持した後、１０００℃までを表２に示す降温速度で冷却した。
【００５４】
得られたアルミナ質焼結体の粒界結晶相は、当該アルミナ質焼結体を粉砕し、Ｘ線回折により同定した。Ｘ線回折の結果より、α−Ａｌ２Ｏ３のピーク強度Ｉａ、Ｍｎ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２のピーク強度Ｉｍ、ＭｎＳｉＯ３のピーク強度Ｉｍｓ、ＭｎＡｌ２Ｏ４のピーク強度Ｉｍａを読み取り、Ｉｍ／Ｉａ、Ｉｍｓ／Ｉａ、Ｉｍａ／Ｉａを算出して表２に示した。
【００５５】
また、耐薬品性の指標として、焼結体の初期の質量及び１００℃の水酸化カリウム４０質量％水溶液に５時間浸漬させた後の質量を測定し、（「焼結体の初期質量」−「１００℃の水酸化カリウム４０質量％水溶液に５時間浸漬させた後の質量」）／「焼結体の初期質量」を算出し、質量減少率として表２に示した。なお、質量減少率が０．５％以下のものを○、０．５％を超えるものを×として表２に示した。
【表２】
0005144288.tif 000003
【００５６】
表２から明らかなように、本発明のプローブカード用配線基板を構成する絶縁基体の形成材料であるアルミナ質焼結体は、水酸化カリウム４０質量％水溶液に５時間浸漬させた際の質量減少率が０．５％以下であることから、このアルミナ質焼結体で絶縁基体を形成すれば、耐薬品性に優れたものが得られることがわかる。
【００５７】
なお、本発明範囲内の試料について、上記と同様にして作製したグリーンシートに対して、打抜き加工を施し、直径が２００μｍのビアホールを形成した。そして、平均粒径が２．５μｍのＣｕ粉末を５０体積％、平均粒径が１．５μｍのＷ粉末を５０体積％にアクリル系バインダとアセトンを溶媒として混合し、導体ペーストを調製し、この導体ペーストをスクリーン印刷法によって上記のグリーンシートのビアホール内に充填するとともに、配線パターン状に印刷塗布した。なお、配線パターンは、線幅１５０μｍとなるように調製した。
【００５８】
そして、作製した各シート状成形体を位置合わせして積層圧着して積層体を作製した。
【００５９】
その後、この積層成形体を露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き、１０００℃から最高温度の１３５０℃までを表２に示す昇温速度で昇温し、焼成温度にて露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて１時間保持した後、１０００℃までを表２に示した速度で冷却して配線基板を作製した。
【００６０】
この配線基板の配線層を走査型電子顕微鏡にて観察したところ、本発明のプローブカード用配線基板は導体層に剥離やクラックが生じていないことを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は本発明のプローブカード用配線基板の一実施形態の概略断面図である。
【図２】図２は本発明のプローブカードの一実施形態を用いた半導体素子の評価装置の説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１：プローブカード用配線基板
１１：絶縁基体
１２：内部配線層
１３：表面配線層
１４：ビアホール導体
２：プローブカード
２１：測定端子
【図１】
0005144288.tif 000004
【図２】
0005144288.tif 000005