(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路を内部に有している第１の半導体チップと、
第２の集積回路を内部に有している第２の半導体チップと、
振動部及び前記振動部を囲んでいる枠部を有している圧電振動片と、
前記振動部に設けられている励振電極と、
を有し、
前記励振電極は、前記第１及び第２の半導体チップの少なくともいずれか一方と電気的に接続され、
前記圧電振動片は、前記第１及び第２の半導体チップの間に配置され、
前記枠部は、厚み方向における一方に第１の接合面、他方に第２の接合面を有し、
前記枠部の前記第１の接合面が前記第１の半導体チップの一方の面に接合され、
前記枠部の前記第２の接合面が前記第２の半導体チップの一方の面に接合されている圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載された圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、前記厚み方向における一方に第１の面、他方に第２の面を有し、
前記枠部は、前記第１の面に第１の凸部を備え、前記第１の凸部の前記厚み方向の端面が前記第１の接合面とされ、
前記枠部は、前記第２の面に第２の凸部を備え、前記第２の凸部の前記厚み方向の端面が前記第２の接合面とされている圧電デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の集積回路に電気的に接続されている第１の電極を有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の集積回路に電気的に接続されている第２の電極を有し、
前記励振電極は、第１及び第２の励振電極からなり、
前記枠部の前記第１の面上に設けられ、前記第１の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第１の接
続部を有している第１の配線と、
前記枠部の前記第２の面上に設けられ、前記第２の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第２の接続部を有している第２の配線と、
を備えている圧電デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、第１の切り欠きを有して前記振動部を囲んでいる形状をなし、前記第１の切り欠きの位置を前記第１の配線が通り、
前記第２の凸部は、第２の切り欠きを有して前記振動部を囲んでいる形状をなし、前記第２の切り欠きの位置を前記第２の配線が通っている圧電デバイス。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、前記第１の接続部と前記振動部の間に設けられ、
前記第２の凸部は、前記第２の接続部と前記振動部の間に設けられている圧電デバイス。
【請求項６】
請求項３または４に記載された圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第１の面を、前記第１の半導体チップの前記第１の電極が形成された面に対向させて配置され、
前記第１の接続部が前記第１の電極に対向して配置されている圧電デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載された圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第２の面を、前記第２の半導体チップの前記第２の電極が形成された面に対向させて配置され、
前記第２の接続部が前記第２の電極に対向して配置されている圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、パッケージ内に圧電振動片及びＩＣチップを気密に封止する圧電発振器が開示され、特許文献２にも、発振回路を構成するＩＣチップと圧電振動片をパッケージ内に配置した構造が開示されている。これらの構造では、ＩＣチップ及び圧電振動片を重ねて配置するので、横に並べて配列するよりも平面サイズを小さくすることができる。しかし、近年、高機能化の要求から、発振回路以外にも付加的な回路（データ書き込み用回路、温度補償回路など）を備えたＩＣチップが使用されるようになってきている。その結果、ＩＣチップの平面サイズが大型化するので、圧電発振器の平面サイズも大型化するという問題があった。
【特許文献１】特許第３６２０４５１号公報
【特許文献２】特開平１１−３０８０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、平面サイズの小さい圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る圧電デバイスは、
第１の集積回路を内部に有する第１の半導体チップと、
第２の集積回路を内部に有する第２の半導体チップと、
振動部及び前記振動部を囲む枠部を有する圧電振動片と、
前記振動部に形成された励振電極と、
を有し、
前記励振電極は、前記第１及び第２の半導体チップの少なくともいずれか一方と電気的に接続され、
前記圧電振動片は、前記第１及び第２の半導体チップの間に配置され、
前記圧電振動片の前記枠部は、厚み方向において対向する第１および第２の接合面を有し、
前記枠部の前記第１の接合面が前記第１の半導体チップの一方の面に接合され、
前記枠部の前記第２の接合面が前記第２の半導体チップの一方の面に接合されてなる。
【０００５】
本適用例によれば、第１及び第２の半導体チップの間に圧電振動片が配置されるので平面サイズの小さい圧電デバイスを提供することができる。
［適用例２］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、前記厚み方向において対向する第１および第２の面を有し、
前記枠部には前記第１の面に第１の凸部が形成され、前記第１の凸部の前記厚み方向の端面が前記第１の接合面とされ、
前記枠部には前記第２の面に第２の凸部が形成され、前記第１の凸部の前記厚み方向の端面が前記第２の接合面とされてなる。
［適用例３］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の集積回路に電気的に接続された第１の電極を有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の集積回路に電気的に接続された第２の電極を有し、
前記励振電極は、第１及び第２の励振電極からなり、
前記枠部の前記第１の面上に形成され、前記第１の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第１の接続部を有する第１の配線と、
前記枠部の前記第２の面上に形成され、前記第２の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第２の接続部を有する第２の配線と、
を有する。
［適用例４］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、第１の切り欠きを有して前記振動部を囲む形状をなし、前記第１の切り欠きの位置を前記第１の配線が通り、
前記第２の凸部は、第２の切り欠きを有して前記振動部を囲む形状をなし、前記第２の切り欠きの位置を前記第２の配線が通る。
［適用例５］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、前記第１の接続部と前記振動部の間に形成され、
前記第２の凸部は、前記第２の接続部と前記振動部の間に形成されている。
［適用例６］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は水晶からなり、
前記第１及び第２の半導体チップはそれぞれシリコン酸化膜を表面に有し、
前記第１及び第２の凸部は、直接接合によって、前記シリコン酸化膜に接合されている。
［適用例７］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第１の面を、前記第１の半導体チップの前記第１の電極が形成された面に対向させて配置されている。
［適用例８］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第１の接続部が前記第１の電極に対向するように配置されている。
［適用例９］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第２の面を、前記第２の半導体チップの前記第２の電極が形成された面に対向させて配置されている。
［適用例１０］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第２の接続部が前記第２の電極に対向するように配置されている。
［適用例１１］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の電極が形成された面とは反対面に前記第１の集積回路と電気的に接続された第１の接続端子をさらに有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の電極が形成された面に前記第２の集積回路と電気的に接続された第２の接続端子をさらに有し、
前記第１及び第２の接続端子が導電体によって電気的に接続されている。
［適用例１２］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の電極が形成された面に前記第１の集積回路と電気的に接続された第１の接続端子をさらに有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の電極が形成された面に前記第２の集積回路と電気的に接続された第２の接続端子をさらに有し、
前記第１及び第２の接続端子は、前記枠部を貫通する貫通孔に配置された部分を有する導電体によって電気的に接続されている。
［適用例１３］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の電極が形成された面に前記第１の集積回路と電気的に接続された第１の接続端子をさらに有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の電極が形成された面に前記第２の集積回路と電気的に接続された第２の接続端子をさらに有し、
前記第１及び第２の接続端子は、前記圧電振動片の前記周縁部の側面上に配置された部分を有する導電体によって電気的に接続されている。
［適用例１４］本適用例に係る圧電デバイスにおいて、
前記第２の半導体チップは、前記第２の電極が形成された面とは反対面に、前記第２の集積回路と電気的に接続された外部端子を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る圧電デバイスの平面図である。図２は、図１に示す圧電デバイスの正面図である。図３は、図１に示す圧電デバイスのIII−III線断面図である。図４は、図１に示す圧電デバイスの左側面図である。図５は、図１に示す圧電デバイスのＶ−Ｖ線断面図である。図６は、図１に示す圧電デバイスの底面図である。
【０００７】
圧電デバイスは第１の半導体チップ１０を有する。第１の半導体チップ１０は、第１の集積回路１２を内部（表層部）に有し、第１の集積回路１２に電気的に接続された第１の電極１４を有する。第１の電極１４は、第１の集積回路１２が形成された表層部の表面に形成されている。第１の半導体チップ１０は、第１の電極１４が形成された面とは反対面に第１の集積回路１２と電気的に接続された第１の接続端子１６をさらに有する。第１の電極１４と第１の接続端子１６は、図示しない貫通電極によって電気的に接続されていてもよい。第１の半導体チップ１０は、シリコン酸化膜１８を表面（少なくとも第１の電極１４が形成された面）に有する。
【０００８】
圧電デバイスは第２の半導体チップ２０を有する。第２の半導体チップ２０は、第２の集積回路２２を内部（表層部）に有し、第２の集積回路２２に電気的に接続された第２の電極２４を有する。第２の電極２４は、第２の集積回路２２が形成された表層部の表面に形成されている。第２の半導体チップ２０は、第２の電極２４が形成された面に第２の集積回路２２と電気的に接続された第２の接続端子２６をさらに有する。第２の半導体チップ２０は、第２の電極２４が形成された面とは反対面に、第２の集積回路２２と電気的に接続された外部端子２８を有する。外部端子２８には、図示しないハンダボールを設けてもよい。第２の電極２４と外部端子２８は、図示しない貫通電極によって電気的に接続されていてもよい。第２の半導体チップ２０は、シリコン酸化膜１８を表面（少なくとも第２の電極２４が形成された面）に有する。本実施の形態では、第２の半導体チップ２０の第２の電極２４が形成された面は、第１の半導体チップ１０の第１の電極１４が形成された面よりも大きい。
【０００９】
図７（Ａ）は、第１の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片の平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片のＢ−Ｂ線断面図である。図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片のＣ−Ｃ線断面図である。図７（Ｄ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片の底面図である。
【００１０】
圧電デバイスは、圧電振動片３０を有する。圧電振動片３０は水晶からなる。圧電振動片３０は、相互に反対を向く第１及び第２の面４０，４２を有する。圧電振動片３０は、第１及び第２の面４０，４２の周縁部を除く部分（例えば中央部）を表裏面とする振動部３２と、第１及び第２の面４０，４２の振動部３２を囲む部分（例えば周縁部）を表裏面とする枠部３４と、を含む。圧電振動片３０は、振動部３２と枠部３４を接続する少なくとも１つ（図７（Ａ）では２つ）の連結部３６を有する。詳しくは、振動部３２から相互に反対方向に一対の連結部３６が形成されている。振動部３２と枠部３４は、連結部３６にて連結される部分を除いて、スリット３８にて分離されている。
【００１１】
振動部３２の第１の面４０上には第１の励振電極５２が形成されている。振動部３２の第２の面４２上には第２の励振電極５４が形成されている。第１及び第２の励振電極５２，５４によって振動部３２が挟まれており、印加される電圧によって振動部３２が振動する。
【００１２】
枠部３４の第１の面４０上には、第１の配線５６が形成されている。第１の配線５６は、第１の電極１４に電気的に接続するための第１の接続部６０を有する。第１の配線５６は、第１の励振電極５２と電気的に接続されている。電気的接続のため、第１の配線５６は、連結部３６上に形成される部分を有する。枠部３４の第２の面４２上には、第２の配線５８が形成されている。第２の配線５８は、第２の電極２４に電気的に接続するための第２の接続部６２を有する。第２の配線５８は、第２の励振電極５４と電気的に接続されている。電気的接続のため、第２の配線５８は、連結部３６上に形成される部分を有する。相互に反対方向に延びる一対の連結部３６の一方に第１の配線５６の一部が形成され、他方に第２の配線５８の一部が形成されている。したがって、第１及び第２の配線５６，５８は、オーバーラップしないようになっている。
【００１３】
枠部３４には、第１の面４０に第１の凸部４４が形成されている。第１の凸部４４は、第１の配線５６が形成された領域を避けて形成されている。第１の凸部４４は、第１の接続部６０と振動部３２の間に形成されている。第１の凸部４４は、１箇所のみの第１の切り欠き４８を有して振動部３２を囲む形状をなしている。第１の凸部４４は、スリット３８に隣接して形成されている。第１の切り欠き４８の位置を第１の配線５６が通る。枠部３４には、第２の面４２に第２の凸部４６が形成されている。第２の凸部４６は、第２の配線５８が形成された領域を避けて形成されている。第２の凸部４６は、第２の接続部６２と振動部３２の間に形成されている。第２の凸部４６は、１箇所のみの第２の切り欠き５０を有して振動部３２を囲む形状をなしている。第２の凸部４６は、スリット３８に隣接して形成されている。第２の切り欠き５０の位置を第２の配線５８が通る。第１及び第２の凸部４４，４６は、それぞれ、第１及び第２の配線５６，５８の厚みよりも高くなるように形成されている。
【００１４】
圧電振動片３０は、第１及び第２の半導体チップ１０，２０の間に配置されている。枠部３４の第１及び第２の凸部４４，４６の厚み方向の端面がそれぞれ第１及び第２の半導体チップ１０，２０に接合されている。第１及び第２の凸部４４，４６の厚み方向の端面は、枠部３４の第１及び第２の接合面である。第１及び第２の凸部４４，４６は、直接接合によって、第１及び第２の半導体チップ１０，２０のシリコン酸化膜１８（その平坦な表面）に接合されている。直接接合を適用するために、第１及び第２の凸部４４，４６の表面は圧電振動片３０を構成している水晶が露出している。直接接合の代わりに陽極接合を適用してもよい。
【００１５】
第１及び第２の凸部４４，４６と第１及び第２の半導体チップ１０，２０は、気密に接合している。また、図２及び図３に示すように、第２の切り欠き５０には封止材７０が設けられ、同様に、第１の切り欠き４８にも封止材（図示せず）が設けられている。封止材７０は、電気的な導通が問題にならなければハンダ等の導電材料であってもよいし、電気的な絶縁を図る必要があればガラスであってもよい。ハンダ又はガラスは溶融して第１及び第２の切り欠き４８，５０に設ける。封止材７０によって、第１及び第２の切り欠き４８，５０が気密に塞がれている。したがって、第１及び第２の凸部４４，４６並びに封止材７０によって囲まれたスペースは気密に封止されており、このスペースは真空になっていてもよいし、空気以外のガス（窒素等）が充填されていてもよい。
【００１６】
図８は、第１の半導体チップと圧電振動片の取り付けの詳細を説明する分解図である。図９は、第２の半導体チップと圧電振動片の取り付けの詳細を説明する分解図である。圧電振動片３０は、第１の面４０を、第１の半導体チップ１０の第１の電極１４が形成された面に対向させて配置されている。圧電振動片３０は、第１の接続部６０が第１の電極１４に対向するように配置されている。第１の接続部６０と第１の電極１４の間には、導電部材６６（例えばハンダ）が設けられて両者を電気的に接続している。圧電振動片３０は、第２の面４２を、第２の半導体チップ２０の第２の電極２４が形成された面に対向させて配置されている。圧電振動片３０は、第２の接続部６２が第２の電極２４に対向するように配置されている。第２の接続部６２と第２の電極２４の間には、導電部材６６（例えばハンダ）が設けられて両者を電気的に接続している。
【００１７】
図１に示すように、第１の半導体チップ１０の第１の接続端子１６と第２の半導体チップ２０の第２の接続端子２６が導電体６４（例えばワイヤ）によって電気的に接続されている。また、導電体６４を封止する樹脂６８を設けてもよい。樹脂６８は、第１及び第２の接続端子１６，２６をさらに覆ってもよい。樹脂６８は、第１の半導体チップ１０をさらに覆ってもよいし、圧電振動片３０を覆ってもよい。樹脂６８は、第２の半導体チップ２０の第２の接続端子２６が形成された面を覆ってもよい。
【００１８】
圧電デバイスの機能は次の通りである。第１の集積回路１２は、温度センサを含む。温度センサは温度変化によって出力信号が変化する。第１の集積回路１２は、温度補償電圧生成回路を含む。温度補償電圧生成回路は、温度センサからの出力信号に基づいて温度補償電圧を出力する。第２の集積回路２２の少なくとも一部と圧電振動片３０によって電圧制御型発振回路が構成されており、温度補償電圧に応じた周波数の発振信号を発振回路は出力する。すなわち、温度が変化すると圧電振動片３０の振動周波数が変動するが、振動周波数の変動を修正するようになっている。
【００１９】
本実施の形態によれば、第１及び第２の半導体チップ１０，２０の間に圧電振動片３０が配置されるので平面サイズの小さい圧電デバイスを提供することができる。また、第１及び第２の配線５６，５８を避けた第１及び第２の凸部４４，４６が、第１及び第２の半導体チップ１０，２０に接合されるので、第１及び第２の配線５６，５８と第１及び第２の半導体チップ１０，２０の好ましくない電気的接続を避けることができる。本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、上述した電子デバイスの構成から自明な方法を含む。
【００２０】
（第２の実施の形態）
図１０及び図１１は、それぞれ、本発明の第２の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。図１２は、第２の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片を示す平面図である。なお、図１０に示す圧電振動片の断面は、図１２に示すＸ−Ｘ線断面に対応し、図１１に示す圧電振動片の断面は、図１２に示すXI−XI線断面に対応する。
【００２１】
本実施の形態では、第１の集積回路１１２が形成された第１の半導体チップ１１０は、第１の接続端子１１６が第１の電極１１４が形成された面に形成されている点で、第１の実施の形態に係る第１の半導体チップ１０とは異なる。すなわち、第１の半導体チップ１１０の同一面に、少なくとも１つの第１の電極１１４と、少なくとも１つの第１の接続端子１１６が形成されている。第１の電極１１４及び第１の接続端子１１６は同じ平面形状であってもよく、複数の第１の接続端子１１６と少なくとも１つの第１の電極１１４が一列に並んでいてもよい。その列において、第１の電極１１４は、一対の第１の接続端子１１６の間に位置していてもよい。第２の半導体チップ１２０は、第２の電極１２４が形成された面に第２の集積回路１２２と電気的に接続された第２の接続端子１２６を有する。
【００２２】
第１及び第２の接続端子１１６，１２６は、対向するように配置されている。第１及び第２の半導体チップ１１０，１２０は、平面形状が同じ（同じ大きさ）になっている。第１及び第２の半導体チップ１１０，１２０のそれ以外の構成については、第１の実施の形態で説明した第１及び第２の半導体チップ１０，２０の内容が該当する。
【００２３】
第１及び第２の半導体チップ１１０，１２０の間には圧電振動片１３０が配置されている。圧電振動片１３０は、振動部１３２及び枠部１３４を有する。枠部１３４には、第１及び第２の凸部１４４，１４６を避けて、第１及び第２の面１４０，１４２を貫通するように１つ又は複数の貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２は、対向する第１及び第２の接続端子１１６，１２６の間に位置している。第１及び第２の接続端子１１６，１２６は、貫通孔１７２に配置された部分を有する導電体１６４によって電気的に接続されている。詳しくは、導電体１６４は、貫通孔１７２内の部分と、貫通孔１７２とオーバーラップするように第１及び第２の面１４０，１４２に形成された部分と、第１及び第２の接続端子１１６，１２６と接合される部分（例えばハンダ）と、を含む。圧電振動片１３０のそれ以外の構成については、第１の実施の形態で説明した圧電振動片３０の内容が該当する。例えば、第１及び第２の凸部１４４，１４６には、切り欠き１５０が形成され、切り欠き１５０の位置を第１及び第２の配線１５６，１５８が通る。また、切り欠き１５０には封止材１７０が設けられている。
【００２４】
図１１に示すように、枠部１３４には、第１の配線１５６の第１の接続部１６０とオーバーラップする位置には貫通孔１７２が形成されておらず、第２の配線１５８の第２の接続部１６２とオーバーラップする位置にも貫通孔１７２が形成されていない。ただし、第１の半導体チップ１１０の第１の電極１１４とオーバーラップする位置には、第２の半導体チップ１２０に第２の接続端子１２６を形成し、第２の半導体チップ１２０の第２の電極１２４とオーバーラップする位置には、第１の半導体チップ１１０に第１の接続端子１１６を形成してもよい。この場合の第１及び第２の接続端子１１６，１２６は、第１及び第２の電極１２４に電気的に接続されないのでダミー端子であるため、第１及び第２の集積回路１１２，１２２と電気的に接続されていなくてもよいし、電気的に接続されていてもよい。変形例として、この位置にも貫通孔を形成し、貫通孔に配置された部分を有する導電体によって、第１の配線１５６の第１の接続部１６０と第２の接続端子１２６（又は第２の配線１５８の第２の接続部１６２と第１の接続端子１１６）を電気的に接続してもよい。
【００２５】
本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した効果を達成することができ、同じ大きさの第１及び第２の半導体チップ１１０，１２０を使用することで圧電デバイスの平面サイズをさらに小型化することができる。なお、第１及び第２の凸部１４４，１４６の外側であって、枠部１３４と第１及び第２の半導体チップ１１０，１２０の間のスペースは樹脂等によって封止してもよい。
【００２６】
（第３の実施の形態）
図１３及び図１４は、それぞれ、本発明の第３の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。図１５は、第３の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片を示す平面図である。なお、図１３に示す圧電振動片の断面は、図１５に示すXIII−XIII線断面に対応し、図１４に示す圧電振動片の断面は、図１５に示すXIV−XIV線断面に対応する。
【００２７】
本実施の形態では、圧電振動片２３０の枠部２３４に貫通孔を形成せずに、導電体２６４が圧電振動片２３０（枠部２３４）の周縁部の側面上に配置された部分を有する点で第２の実施の形態と異なる。導電体２６４は、圧電振動片２３０（枠部２３４）の第１及び第２の面２４０，２４２に配置された部分も有する。なお、枠部２３４の周縁部には切り欠き２６６が形成され、切り欠き２６６に導電体２６４が形成されている。
【００２８】
第１の半導体チップ２１０は、第１の電極２１４が形成された面に第１の集積回路２１２と電気的に接続された第１の接続端子２１６をさらに有する。第２の半導体チップ２２０は、第２の電極２２４が形成された面に第２の集積回路２２２と電気的に接続された第２の接続端子２２６をさらに有する。第１及び第２の接続端子２１６，２２６は、導電体２６４によって電気的に接続されている。
【００２９】
図１４に示すように、第１の半導体チップ２１０の第１の電極２１４とオーバーラップする位置には、第２の半導体チップ２２０に第２の接続端子が形成されておらず、第２の半導体チップ２２０の第２の電極２２４とオーバーラップする位置には、第１の半導体チップ２１０に第１の接続端子が形成されていない。しかし、第１の接続部２６０が、圧電振動片２３０（枠部２３４）の周縁部の側面上に延長し、さらに、第２の面２４２に至るように形成されている。同様に、第２の接続部２６２が、圧電振動片２３０（枠部２３４）の周縁部の側面上に延長し、さらに、第１の面２４０に至るように形成されている。変形例として、図１４には示されていない第１及び第２の接続端子を、第２及び第１の接続部２６２，２６０と対向するように形成してもよい。そして、対向する第１の接続部２６０と図示しない第２の接続端子（又は対向する第２の接続部２６２と図示しない第１の接続端子）を電気的に接続してもよい。なお、第１及び第２の集積回路２１２，２２２に電気的に接続される第１及び第２の接続端子２１６，２２６の代わりに、第１及び第２の集積回路２１２，２２２に電気的に接続されないダミー端子を設けてもよい。
【００３０】
第１及び第２の半導体チップ２１０，２２０並びに圧電振動片２３０のその他の構成については、第１及び第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。例えば、第１及び第２の凸部２４４，２４６には、切り欠き２５０が形成され、切り欠き２５０の位置を第１及び第２の配線２５６，２５８が通る。また、切り欠き２５０には封止材２７０が設けられている。本実施の形態でも、第１及び第２の実施の形態で説明した効果を達成することができる。
【００３１】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る圧電デバイスの平面図である。
【図２】図２は、図１に示す圧電デバイスの正面図である。
【図３】図３は、図１に示す圧電デバイスのIII−III線断面図である。
【図４】図４は、図１に示す圧電デバイスの左側面図である。
【図５】図５は、図１に示す圧電デバイスのＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図６は、図１に示す圧電デバイスの底面図である。
【図７】図７（Ａ）は、第１の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片の平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片のＢ−Ｂ線断面図であり、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片のＣ−Ｃ線断面図であり、図７（Ｄ）は、図７（Ａ）に示す圧電振動片の底面図である。
【図８】図８は、第１の半導体チップと圧電振動片の取り付けの詳細を説明する分解図である。
【図９】図９は、第２の半導体チップと圧電振動片の取り付けの詳細を説明する分解図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。
【図１２】図１２は、第２の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第３の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。
【図１５】図１５は、第３の実施の形態に係る圧電デバイスの圧電振動片を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０…第１の半導体チップ、１２…第１の集積回路、１４…第１の電極、１６…第１の接続端子、１８…シリコン酸化膜、２０…第２の半導体チップ、２２…第２の集積回路、２４…第２の電極、２６…第２の接続端子、２８…外部端子、３０…圧電振動片、３２…振動部、３４…枠部、３６…連結部、３８…スリット、４０…第１の面、４２…第２の面、４４…第１の凸部、４６…第２の凸部、４８…第１の切り欠き、５０…第２の切り欠き、５２…第１の励振電極、５４…第２の励振電極、５６…第１の配線、５８…第２の配線、６０…第１の接続部、６２…第２の接続部、６４…導電体、６６…導電部材、６８…樹脂、７０…封止材、１１０…第１の半導体チップ、１１２…第１の集積回路、１１４…第１の電極、１１６…第１の接続端子、１２０…第２の半導体チップ、１２２…第２の集積回路、１２４…第２の電極、１２６…第２の接続端子、１３０…圧電振動片、１３２…振動部、１３４…枠部、１４０…第１の面、１４２…第２の面、１４４…第１の凸部、１４６…第２の凸部、１５６…第１の配線、１５８…第２の配線、１６０…第１の接続部、１６２…第２の接続部、１６４…導電体、１７２…貫通孔、２１０…第１の半導体チップ、２１２…第１の集積回路、２１４…第１の電極、２１６…第１の接続端子、２２０…第２の半導体チップ、２２２…第２の集積回路、２２４…第２の電極、２２６…第２の接続端子、２３０…圧電振動片、２４０…第１の面、２４２…第２の面、２３４…枠部、２６０…第１の接続部、２６２…第２の接続部、２６４…導電体、２６６…切り欠き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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