(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路と、
各単位期間内における駆動期間ごとに、一の前記走査線を順次選択する走査線駆動回路と、
前記各単位期間内における期間であって前記駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の前記駆動期間で選択される前記走査線に対応する前記単位回路の階調データに応じたデータ電位を前記各データ線に出力するデータ線駆動回路と、を具備し、
前記複数の単位回路の各々は、
前記データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、
容量線に接続された第１電極と、前記データ線に接続された第２電極と、を有する容量素子と、
前記第２電極と前記電気光学素子との間に配置されて前記走査線駆動回路による前記走査線の選択時に導通することで前記第２電極と前記電気光学素子とを導通させるスイッチング素子と、を有し、
前記書込期間においては、前記データ線駆動回路から出力される前記データ電位に応じた電荷が前記各単位回路における前記容量素子に充電され、
前記駆動期間においては、前記走査線駆動回路によって選択された前記走査線に対応する前記単位回路の各々における前記電気光学素子には、当該単位回路に対応する前記データ線に接続された複数の前記容量素子から、前記書込期間において充電された電荷が供給される
電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の単位回路の各々における前記電気光学素子は、前記スイッチング素子に接続される第３電極と、定電位が供給される定電位線に接続される第４電極と、前記第３電極および前記第４電極の間に介在する電気光学層と、を備え、
前記容量線は前記定電位線である
請求項１の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線駆動回路と前記データ線の各々とをそれぞれ接続するスイッチング素子が設けられる
請求項１または請求項２の電気光学装置。
【請求項４】
前記各単位回路における前記容量素子とは別に、一方の電極が前記データ線に接続される補助用の容量素子が設けられる
請求項１から請求項３の何れかの電気光学装置。
【請求項５】
前記補助用の容量素子は、各々の容量が異なる複数の容量素子を含み、
前記複数の容量素子における前記一方の電極と前記データ線との間には、前記複数の容量素子のうち何れかの前記容量素子を前記データ線と導通させる第２のスイッチング素子が設けられる
請求項４の電気光学装置。
【請求項６】
前記各データ線は、対応する複数の前記単位回路が接続されるとともに前記各データ線で長さが等しい第１部分と、前記データ線駆動回路に接続されるとともに前記各データ線で長さが異なる第２部分とで構成されるとともに、前記第１部分と前記第２部分との間には両者の導通および非導通を切り替えるための第３のスイッチング素子が設けられ、
前記第３のスイッチング素子は、前記各単位期間内における前記書込期間ごとにオン状態となる一方、前記各単位期間内における前記駆動期間ごとにオフ状態となる
請求項１から請求項４の何れかの電気光学装置。
【請求項７】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路と、
各単位期間内における駆動期間ごとに、一の前記走査線を順次選択する走査線駆動回路と、
前記各単位期間内における期間であって前記駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の前記駆動期間で選択される前記走査線に対応する前記単位回路の階調データに応じたデータ電位を前記各データ線に出力するデータ線駆動回路と、
前記複数のデータ線の各々に対応して配置されるスイッチング素子であって、前記書込期間ごとに導通することで当該データ線と前記データ線駆動回路とを導通させる一方、前記駆動期間ごとに非導通になることで当該データ線と前記データ線駆動回路とを非導通にする第１スイッチング素子と、を具備し、
前記複数の単位回路の各々は、
前記データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、
前記データ線と前記電気光学素子との間に配置されて前記走査線駆動回路による前記走査線の選択時に導通することで両者を導通させる第２スイッチング素子と、を備え、
前記書込期間においては、前記データ線駆動回路から出力される前記データ電位に応じた電荷が前記各データ線に付随する容量に充電され、
前記駆動期間においては、前記各データ線は前記データ線駆動回路から電気的に切り離され、前記走査線駆動回路によって選択された前記走査線に対応する前記単位回路の各々における前記電気光学素子には、当該単位回路に対応する前記データ線に付随する容量から、前記書込期間において充電された電荷が供給される、
電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れかの電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項９】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路を具備し、
前記複数の単位回路の各々は、
データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、
容量線に接続された第１電極と、前記データ線に接続された第２電極と、を有する容量素子と、
前記第２電極と前記電気光学素子との間に配置されて前記走査線の選択時に導通することで前記第２電極と前記電気光学素子とを導通させるスイッチング素子と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、
各単位期間内における駆動期間ごとに一の前記走査線が順次選択され、
前記各単位期間内における期間であって前記駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の前記駆動期間で選択される前記走査線に対応する前記単位回路の階調データに応じたデータ電位が前記各データ線に出力され、
前記書込期間においては、前記データ電位に応じた電荷が前記各単位回路における前記容量素子に充電され、
前記駆動期間においては、前記選択された前記走査線に対応する前記単位回路の各々における前記電気光学素子には、当該単位回路に対応する前記データ線に接続された複数の前記容量素子から、前記書込期間において充電された電荷が供給される
電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子を利用した電気光学装置、その駆動方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの電気光学素子を用いた画像表示装置が各種提案されている。
【０００３】
図３１は、特許文献１に開示された画像表示装置における単位回路Ｐの構成を示す図である。特許文献１に開示された画像表示装置においては、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して複数の単位回路Ｐが配置されるが、図３１においては、そのうちの１つの単位回路Ｐの構成を例示している。図３１に示すように、Ｎチャネル型のトランジスタＴｓのドレインはデータ線に接続されるとともに、そのソースはＯＬＥＤ素子の陽極および容量素子Ｃｏの一方の電極に接続される。トランジスタＴｓのゲートは走査線に接続される。また、図２９に示すように、ＯＬＥＤ素子と容量素子Ｃｏとは並列に接続され、ＯＬＥＤ素子の陰極および容量素子Ｃｏの他方の電極は固定電位に共通に接続される。
【０００４】
以上の構成において、第１に、走査線に供給される走査信号がアクティブ状態に遷移すると、トランジスタＴｓはオン状態となる。これにより、データ線に供給されるデータ電位がトランジスタＴｓを介してＯＬＥＤ素子に供給されるとともに容量素子Ｃｏに書き込まれる。第２に、走査信号が非アクティブ状態に遷移するとトランジスタＴｓはオフ状態となるが、容量素子Ｃｏに蓄積された電荷が残存する間、ＯＬＥＤ素子の発光状態が継続する。
【特許文献１】特開２０００−１２２６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の構成において、ＯＬＥＤ素子の発光量（発光輝度の時間積分値）を十分な値とするためには、ＯＬＥＤ素子の発光時間を十分に確保する必要がある。従って、容量素子Ｃｏの容量を非常に大きな値に設定する必要があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、各単位回路における容量素子の容量を低減しつつ十分な発光量を得るという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路と、各単位期間内における駆動期間ごとに、一の走査線を順次選択する走査線駆動回路と、各単位期間内における期間であって駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の駆動期間で選択される走査線に対応する単位回路の階調データに応じたデータ電位を各データ線に出力するデータ線駆動回路と、を具備し、複数の単位回路の各々は、データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、容量線に接続された第１電極と、データ線に接続された第２電極と、を有する容量素子と、第２電極と電気光学素子との間に配置されて走査線駆動回路による走査線の選択時に導通することで第２電極と電気光学素子とを導通させるスイッチング素子と、を有し、書込期間においては、データ線駆動回路から出力されるデータ電位に応じた電荷が各単位回路における容量素子に充電され、駆動期間においては、走査線駆動回路によって選択された走査線に対応する単位回路の各々における電気光学素子には、当該単位回路に対応するデータ線に接続された複数の容量素子から、書込期間において充電された電荷が供給される。
【０００７】
この態様によれば、各単位期間内の駆動期間においては、走査線駆動回路によって選択された走査線に対応する単位回路には、当該単位回路に対応するデータ線に接続された複数の容量素子から当該単位期間内の書込期間において充電された電荷が一斉に供給されるから、当該単位回路における電気光学素子の発光時間を十分に確保できる。従って、電気光学素子の発光量を十分な値とすることができるとともに、各単位回路における容量素子に必要な容量を図３１に示す構成（以下「従来例」という）に比べて低減できる。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置において、複数の単位回路の各々における電気光学素子は、スイッチング素子に接続される第３電極と、定電位が供給される定電位線に接続される第４電極と、第３電極および第４電極の間に介在する電気光学層と、を備え、容量線は定電位線である。この態様によれば、定電位線とは別に容量線を設ける必要が無いから、電気光学装置の構成を簡素化できる。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置において、各単位回路における容量素子とは別に、一方の電極がデータ線に接続される補助用の容量素子が設けられる。この態様によれば、選択された走査線に対応する単位回路における電気光学素子の発光量を十分な値とするために必要な容量に対して、当該単位回路に対応するデータ線に接続された各容量素子の合計容量が少ない場合であっても、補助用の容量素子の容量によって不足分を補うことができる。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の好適な態様としては、データ線駆動回路とデータ線の各々とをそれぞれ接続するスイッチング素子が設けられる。また、本発明に係る電気光学装置の好適な態様としては、補助用の容量素子は、各々の容量が異なる複数の容量素子を含み、複数の容量素子における一方の電極とデータ線との間には、複数の容量素子のうち何れかの容量素子をデータ線と導通させる第２のスイッチング素子が設けられる。この態様においては、書込期間において複数の容量素子の何れかを選択的にデータ線に導通させることで電気光学素子の発光時間を調節できる。従って、電気光学素子の発光量を複数の段階に調節できる。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置において、各データ線は、対応する複数の単位回路が接続されるとともに各データ線で長さが等しい第１部分と、データ線駆動回路に接続されるとともに各データ線で長さが異なる第２部分とで構成されるとともに、第１部分と第２部分との間には両者の導通および非導通を切り替えるための第３のスイッチング素子が設けられ、第３のスイッチング素子は、単位期間ごとに、書込期間においてオン状態となる一方、駆動期間においてオフ状態となる。この態様においては、各単位期間における駆動期間にて各データ線における第２部分は切り離される。各データ線における第１部分の長さは等しいから、各データ線における容量の値にバラツキが発生することを抑制できる。従って、電気光学素子の発光量がデータ線毎にばらつくことを抑制できる。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路と、複数のデータ線の各々に沿って設けられた複数の容量素子と、を具備し、複数の単位回路の各々は、電気光学素子と、複数の走査線のうち１の走査線に供給される走査信号により制御され、複数の容量素子と電気光学素子との間の導通を制御するスイッチング素子と、を有する。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置において、複数の単位回路は、複数のデータ線のうち１のデータ線に接続された２以上の単位回路からなる単位回路群を有し、複数の容量素子の各々は、単位回路群に属する単位回路の各々に対応して分割して設けられている。
【００１４】
また、本発明に係る電気光学装置として、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路と、各単位期間内における駆動期間ごとに、一の前記走査線を順次選択する走査線駆動回路と、各単位期間内における期間であって駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の駆動期間で選択される走査線に対応する単位回路の階調データに応じたデータ電位を各データ線に出力するデータ線駆動回路と、
複数のデータ線の各々に対応して配置されるスイッチング素子であって、書込期間ごとに導通することで当該データ線とデータ線駆動回路とを導通させる一方、駆動期間ごとに非導通になることで当該データ線とデータ線駆動回路とを非導通にする第１スイッチング素子（例えば図１０に示すスイッチＳｗ）と、を具備し、複数の単位回路の各々は、データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、データ線と電気光学素子との間に配置されて走査線駆動回路による走査線の選択時に導通することで両者を導通させる第２スイッチング素子（例えば図１０に示すトランジスタＴｒ）と、を備え、書込期間においては、データ線駆動回路から出力されるデータ電位に応じた電荷が各データ線（例えば図１０に示す各第１部分Ｚ１が該当する）に付随する容量に充電され、駆動期間においては、各データ線はデータ線駆動回路から電気的に切り離され、走査線駆動回路によって選択された走査線に対応する単位回路の各々における電気光学素子には、当該単位回路に対応するデータ線に付随する容量から、書込期間において充電された電荷が供給される態様とすることもできる。
【００１５】
以上の構成によれば、書込期間において１本のデータ線に付随する容量に充電された電荷を、駆動期間における１個の電気光学素子の発光に利用できるから、各単位回路ごとに容量素子を設けなくて済む。従って、各単位回路ごとに容量素子を設ける構成と比べて高精細化が図られるという利点がある。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成する構成の画像形成装置（印刷装置）においては、像担持体を露光する手段（いわゆる露光ヘッド）として本発明の電気光学装置を採用することもできる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路を具備し、複数の単位回路の各々は、データ電位に応じた階調となる電気光学素子と、容量線に接続された第１電極と、データ線に接続された第２電極と、を有する容量素子と、第２電極と電気光学素子との間に配置されて走査線の選択時に導通することで第２電極と電気光学素子とを導通させるスイッチング素子と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、各単位期間内における駆動期間ごとに一の走査線が順次選択され、各単位期間内における期間であって駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の駆動期間で選択される走査線に対応する単位回路の階調データに応じたデータ電位が各データ線に出力される。以上の駆動方法によっても本発明に係る電気光学装置と同様の効果が得られる。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法として、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して配置された複数の単位回路を具備し、複数の単位回路の各々は、データ電位に応じた階調となる電気光学素子を備える電気光学装置の駆動方法であって、各単位期間内の期間であって駆動期間が開始される前の書込期間ごとに、当該単位期間内の駆動期間で選択される走査線に対応する単位回路の階調データに応じたデータ電位を各データ線に出力してデータ電位に応じた電荷を各データ線に付随する容量に充電し、各単位期間内の駆動期間ごとに、一の走査線を順次選択し、選択した走査線に属する単位回路に対応するデータ線に付随する容量から、当該単位期間内の書込期間において充電された電荷を、当該単位回路における前記電気光学素子へ供給する態様とすることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図である。この電気光学装置１０は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、複数の単位回路Ｕが面状に配列された画素アレイ部１００と、走査線駆動回路２０と、データ線駆動回路３０と、を有する。なお、図１においては、走査線駆動回路２０とデータ線駆動回路３０とが別個の回路として図示されているが、これらの回路の一部または全部が単一の回路とされた構成も採用される。
【００２０】
図１に示すように、画素アレイ部１００には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１０２と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在するｎ本のデータ線１０４とが設けられる（ｍおよびｎは自然数）。各単位回路Ｕは、走査線１０２とデータ線１０４との交差に対応する位置に配置される。従って、これらの単位回路Ｕは縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に配列する。
【００２１】
図１に示す走査線駆動回路２０は、複数の単位回路Ｕを行単位で選択するための回路である。走査線駆動回路２０は順次アクティブとなる走査信号Ｇ[１]ないしＧ[ｍ]を生成してｍ本の走査線１０２の各々に出力する。第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の走査線１０２に供給される走査信号Ｇ[ｉ]のアクティブ状態への遷移は、第ｉ行に属するｎ個の単位回路Ｕの選択を意味する。
【００２２】
図１に示すデータ線駆動回路３０は、走査線駆動回路２０によって選択される走査線１０２に対応する１行分のｎ個の単位回路Ｕの各々の階調データに応じたデータ電位ＶＤ[１]ないしＶＤ[ｎ]を生成して各データ線１０４に出力する。以下では、第ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）のデータ線１０４に出力されるデータ電位ＶＤをＶＤ[ｊ]と表記する。
【００２３】
図２は、各単位回路Ｕについての詳細な電気的構成を示す回路図である。図２に示すように、各単位回路Ｕは、電気光学素子１２と、容量素子Ｃと、トランジスタＴｒと、を有する。電気光学素子１２は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させたＯＬＥＤ素子であり、図２に示すように、トランジスタＴｒと定電位が供給される定電位線（接地線）との間に配置される。ここで、陽極は単位回路Ｕ毎に設けられ、単位回路Ｕ毎に制御される個別電極であり、陰極は単位回路Ｕに共通に設けられた共通電極となっている。そして、陰極は定電位が供給される定電位線に接続されている。尚、陽極が共通電極であり、陰極が個別電極であってもよい。
【００２４】
図２に示す容量素子Ｃは、データ線１０４から供給されるデータ電位ＶＤ[ｊ]を保持する手段である。図２に示すように、容量素子Ｃは、容量線１０６に接続された第１電極Ｅ１と、データ線１０４に接続された第２電極Ｅ２と、を有する。固定電位が供給される容量線１０６は各単位回路Ｕに共通に接続される。また、定電位線に接地電位が供給されているが、例えば、定電位線には負電位が供給されており、データ電位ＶＤ[ｊ]のうち最高輝度を示すデータ電位ＶＤ[Ｎ]が正電位であり、データ電位ＶＤ[ｊ]のうち最低輝度を示すデータ電位ＶＤ[１]が負電位であってもよい。即ち、データ電位ＶＤ[Ｎ]とデータ電位ＶＤ[１]との間に接地電位があってもよい。このようにすれば、接地電位に対するデータ電位ＶＤ[ｊ]の振幅を低減でき、低消費電力化を図ることができる。
【００２５】
図２に示すＮチャネル型のトランジスタＴｒは、走査線１０２の選択時に導通することで容量素子Ｃの第２電極Ｅ２と電気光学素子１２とを導通させるスイッチング素子である。図２に示すように、トランジスタＴｒのソースは電気光学素子１２の陽極に接続されるとともに、そのドレインはデータ線１０４および容量素子Ｃの第２電極Ｅ２に接続される。トランジスタＴｒのゲートは走査線１０２に接続され、走査信号Ｇ[ｉ]がアクティブ状態に遷移するとトランジスタＴｒがオン状態となって、第２電極Ｅ２と電気光学素子１２とが導通する。一方、走査信号Ｇ[ｉ]が非アクティブ状態に遷移するとトランジスタＴｒはオフ状態となって、第２電極Ｅ２と電気光学素子１２とは非導通状態となる。
【００２６】
次に、電気光学装置１０の動作について説明する。図３に示すように、１垂直走査期間（１Ｖ）内における各単位期間１Ｔは、当該単位期間１Ｔの開始時点から所定期間が経過するまでの書込期間Ｐｗと、書込期間Ｐｗの経過後の駆動期間Ｐｄと、を有する。本形態では、駆動期間Ｐｄは、書込期間Ｐｗの終了時点から当該単位期間１Ｔの終了時点までの期間とされている。
【００２７】
図１に示す走査線駆動回路２０は、各単位期間１Ｔ内における駆動期間Ｐｄごとに、一の走査線１０２を順次選択する。例えば、１垂直走査期間（１Ｖ）内の第ｉ番目の単位期間１Ｔでは、走査信号Ｇ[ｉ]がアクティブレベルに設定されることで第ｉ行目の走査線１０２が選択される。
【００２８】
図１に示すデータ線駆動回路３０は、各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗごとに、当該単位期間１Ｔ内の駆動期間Ｐｄにおいて走査線駆動回路２０によって選択される走査線１０２に対応する各単位回路Ｕにおける電気光学素子１２の階調データに対応するデータ電位ＶＤを各データ線１０４に出力する。例えば、１垂直走査期間（１Ｖ）内の第ｉ番目の単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗでは、第ｉ行目のｎ個の単位回路Ｕの各々の階調データに対応するデータ電位ＶＤ[１]ないしＶＤ[ｎ]が各データ線１０４に出力される。以下では、第ｉ行の各単位回路Ｕに着目して、電気光学素子１２を駆動するための動作を書込期間Ｐｗと駆動期間Ｐｄとに区分して説明する。
【００２９】
（ａ）書込期間Ｐｗ
書込期間Ｐｗにおいては、第ｉ行に属する単位回路Ｕの階調データに対応するデータ電位ＶＤに応じた電荷が、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃに充電（蓄積）される。例えば、第ｉ行第ｊ列目の単位回路Ｕの階調データに対応するデータ電位ＶＤ[ｊ]に応じた電荷は、第ｊ列目のデータ線１０４に接続されたｍ個の容量素子Ｃに並列に充電されるという具合である。
【００３０】
（ｂ）駆動期間Ｐｄ
駆動期間Ｐｄにおいては、データ線駆動回路３０の各出力端がハイインピーダンス状態に設定されたうえで、図３に示すように走査信号Ｇ[ｉ]がハイレベルに遷移する。従って、図４に示すように、第ｉ行に属する単位回路Ｕの各々におけるトランジスタＴｒがオン状態となる。これにより、第ｉ行に属する単位回路Ｕの各々には、当該単位回路Ｕに対応するデータ線１０４に接続された複数の容量素子Ｃから、書込期間Ｐｗにおいて充電された電荷が供給される。例えば第i行第ｊ列目の単位回路Ｕにおける電気光学素子１２には、第ｊ列目のデータ線１０４に接続されたｍ個の容量素子Ｃから、書込期間Ｐｗで充電された電荷が一斉に供給されるという具合である。これによって、第ｉ行に属する単位回路Ｕの各々における電気光学素子１２がデータ電位ＶＤに応じた階調で発光する。
【００３１】
本形態の構成によれば、各単位期間１Ｔ内の駆動期間Ｐｄにおいては、走査線駆動回路２０によって選択された走査線１０２に対応する単位回路Ｕの各々には、当該単位回路Ｕに対応するデータ線１０４に接続された各容量素子Ｃから当該単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗにおいて充電された電荷が一斉に供給される。すなわち、ｍ個の容量素子Ｃに並列に充電された電荷を１個の電気光学素子１２の発光に利用できるから、電気光学素子１２の発光時間を十分に確保できる。従って、本形態の構成によれば、各電気光学素子１２の発光量を十分な値とすることができるとともに、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃに必要な容量を従来例に比べて低減できる。
【００３２】
＜Ｂ：第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す回路図である。本形態においては、定電位線が容量線１０６としても機能する点で上述の第１実施形態の構成と相違する。さらに詳述すると、図５に示すように、各単位回路Ｕに共通に接続される定電位線１０８には、各単位回路Ｕにおける電気光学素子１２の陰極が共通に接続されるとともに、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃの第１電極Ｅ１が共通に接続される。本形態の構成によれば、定電位線１０８とは別に容量線１０６を設ける必要が無いから、電気光学装置１０の構成を簡素化できる。
【００３３】
＜Ｃ：第３実施形態＞
図６は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す回路図である。本形態においては、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃとは別に、一方の電極がデータ線１０４に接続される補助用の容量素子Ｃｓが設けられる点で上述の各実施形態の構成と異なる。その他の構成は上述の各実施形態の構成と同様であるから、重複する部分については説明を省略する。
【００３４】
図６に示すように、補助用の容量素子Ｃｓにおける一方の電極Ｅ３はデータ線１０４に接続されるとともに、他方の電極Ｅ４は固定電位が供給される電位線へ接続される。本形態においては、各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗにおいて、補助用の容量素子Ｃｓも充電される。そして、各単位期間１Ｔ内の駆動期間Ｐｄにおいて、補助用の容量素子Ｃｓからの電荷が、当該補助用の容量素子Ｃｓに対応する単位回路Ｕへ供給される。なお、電位線は、例えば図２に示す容量線１０６であってもよいし、図５に示す定電位線１０８であってもよい。
【００３５】
本実施形態の構成によれば、一の電気光学素子１２に対応するデータ線１０４に接続されたｍ個の容量素子Ｃの容量の合計値が、当該電気光学素子１２の発光量を十分な値とするのに不十分である場合であっても、そのデータ線１０４に接続された補助用の容量素子Ｃｓの容量を利用することで不足分を補うことができる。
【００３６】
＜Ｄ：第４実施形態＞
図７は、本発明の第４実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す回路図である。図７に示すように、本形態においては、各データ線１０４の各々は、ｍ個の単位回路Ｕが接続されるとともに各データ線１０４で長さが等しい第１部分Ｚ１と、データ線駆動回路３０に接続された第２部分Ｚ２とで構成される。本形態では、データ線駆動回路３０は、画素アレイ部１００におけるＸ方向中央に配置され、各データ線１０４は折れ曲がってデータ線駆動回路３０に接続される。画素アレイ部１００のＸ方向において各データ線１０４が分布する範囲は、データ線駆動回路３０において各データ線１０４の出力端が分布する範囲よりも広いから、各データ線１０４の長さは異なる。各データ線１０４における第１部分Ｚ１は各データ線１０４で長さが等しいから、各データ線１０４における第２部分Ｚ２は各データ線１０４で長さが異なる。
【００３７】
また、図７に示すように、各データ線１０４の各々において、第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２との間には両者の導通および非導通を切り替えるためのスイッチＳｗが設けられる。各スイッチＳｗは、図示しない制御回路によって一斉にオン状態またはオフ状態となるように制御される。その他の構成は上述の各実施形態の構成と同様である。
【００３８】
図８に示すように、スイッチＳｗは、各単位期間１Ｔ内における書込期間Ｐｗごとにオン状態となる一方、各単位期間１Ｔ内における駆動期間Ｐｄごとにオフ状態となる。さらに詳述すると、書込期間Ｐｗにおいては、各スイッチＳｗが一斉にオン状態となって各データ線１０４とデータ線駆動回路３０とが導通し、データ線駆動回路３０から出力されるデータ電位ＶＤに応じた電荷が各データ線１０４へ供給される。一方、駆動期間Ｐｄにおいては、各スイッチＳｗが一斉にオフ状態となって各データ線１０４とデータ線駆動回路３０とが非導通の状態となるから、データ線駆動回路３０から各データ線１０４へのデータ電位ＶＤに応じた電荷の供給が停止される。
【００３９】
図９は、各データ線１０４にスイッチＳｗが設けられずに、第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２とが連続する構成（以下「対比例」という）を示す回路図である。一般に、各データ線１０４には図示しない寄生容量が含まれている。前述のように、各データ線１０４における第２部分Ｚ２の長さは各データ線１０４で異なるから、対比例の構成では各データ線１０４における寄生容量の値にバラツキが発生する。このため、電気光学素子１２の発光量がデータ線１０４毎にばらつくという問題がある。これに対して、本形態においては、各データ線１０４で長さが異なる第２部分Ｚ２が駆動期間Ｐｄにおいて各データ線１０４から切り離される。第１部分Ｚ１の長さは各データ線１０４で等しいから、例えば駆動期間Ｐｄにて選択された行に属する各単位回路Ｕの階調データが等しい場合には、当該行に属する各単位回路Ｕの電気光学素子１２に供給される電荷は均一化される。すなわち、電気光学素子１２の発光量がデータ線１０４毎にばらつくことを抑制できるという利点がある。
【００４０】
＜Ｅ：第５実施形態＞
図１０は、本発明の第５実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す回路図である。本実施形態では、各単位回路Ｕにおいて容量素子Ｃが設けられない点が上述の各実施形態と異なる。
【００４１】
図１０に示すように、各単位回路Ｕは、電気光学素子１２と、トランジスタＴｒとを有する。トランジスタＴｒは、データ線１０４と電気光学素子１２との間に配置されて走査線１０２の選択時に導通することで両者を導通させる手段である。また、図１０に示すように、ｎ本のデータ線の各々は、ｍ個の単位回路Ｕが接続される第１部分Ｚ１と、データ線駆動回路３０に接続される第２部分Ｚ２と、第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２との間に介在するスイッチＳｗとを有する。各スイッチＳｗは、書込期間Ｐｗごとに導通することで第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２とを導通させる一方、駆動期間Ｐｄごとに非導通になることで第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２とを非導通にする。各スイッチＳｗは、上述の第４実施形態と同様、図示しない制御回路によって一斉にオン状態またはオフ状態になるように制御される。
【００４２】
本実施形態に係る電気光学装置１０の動作は、上述の第４実施形態と同じである。図８に示すように、各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗにおいては、各スイッチＳｗが一斉にオン状態になって各データ線１０４とデータ線駆動回路３０とが導通し、データ線駆動回路３０から出力されるデータ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]が各データ線１０４へ供給される。例えば１垂直走査期間（１Ｖ）内の第ｉ番目の単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗでは、当該第ｉ番目の単位期間１Ｔ内の駆動期間Ｐｄで選択される第ｉ行目のｎ個の単位回路Ｕの各々の階調データに対応するデータ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]が各データ線１０４に供給され、データ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]に応じた電荷が各データ線１０４に付随する容量（寄生容量）に充電される。
【００４３】
ここで、各データ線１０４における第１部分Ｚ１の長さは第２部分Ｚ２の長さに比べて十分に大きいから、第１部分Ｚ１と他の要素（走査線１０２、電源線、隣のデータ線１０４など）との間に発生する寄生容量の値は、第２部分Ｚ２と他の要素との間に発生する寄生容量の値に比べて十分に大きい。このため、各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗでは、データ線駆動回路３０から出力されるデータ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]に応じた電荷の大部分が、各データ線１０４における第１部分Ｚ１に付随する容量に充電される。
【００４４】
図８に示すように、駆動期間Ｐｄにおいては、各スイッチＳｗが一斉にオフ状態になって各データ線１０４における第１部分Ｚ１はデータ線駆動回路３０から電気的に切り離されるとともに、データ線駆動回路３０から各データ線１０４へのデータ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]の供給も停止される。また、走査線駆動回路２０によって一の走査線１０２が選択される。選択された走査線１０２に対応する単位回路Ｕの各々における電気光学素子１２には、当該単位回路Ｕに対応するデータ線１０４における第１部分Ｚ１に付随する容量から、書込期間Ｐｗにおいて充電された電荷が供給される。
【００４５】
本実施形態の構成によれば、１本のデータ線１０４に付随する容量に充電された電荷を１個の電気光学素子１２の発光に利用できるから、上述の各実施形態と異なり、各単位回路Ｕ内に容量素子を設けなくて済む。これにより、各単位回路Ｕ内に容量素子を設ける構成と比べて高精細化が図られるという利点がある。
【００４６】
また、本実施形態においては、上述の第４実施形態と同様、各データ線１０４における第１部分Ｚ１を同じ長さにすることもできる。この構成によれば、各データ線１０４における第１部分Ｚ１に付随する容量の値を均一化することができるから、駆動期間Ｐｄにおいて選択された行に属する各単位回路Ｕの階調データが等しい場合には、当該行に属する各単位回路Ｕの電気光学素子１２に供給される電荷は均一化される。すなわち、電気光学素子１２の発光量がデータ線１０４毎にばらつくことを抑制できるという利点がある。
【００４７】
＜Ｆ：電気光学装置における単位回路Ｕの具体的な構造＞
次に、図面を参照しながら、以上に説明した電気光学装置１０における単位回路Ｕの具体的な構造を説明する。なお、以下で説明する各図面においては、説明の便宜のために、各要素の寸法や比率を実際の装置から適宜に異ならせてある。
【００４８】
＜Ｆ−１：第１実施形態に係る各単位回路Ｕの構造＞
図１１ないし図１４は、第１実施形態に係る電気光学装置１０における単位回路Ｕが形成される各段階の様子を示す平面図である。図１１ないし図１４の平面図においては、各段階にある６個の単位回路ＵがＸ方向およびＹ方向にわたって配列されている。図１５は、図１１ないし図１４におけるＡ−Ａ線から見た断面図である。なお、図１１ないし図１４は平面図であるが、各要素の把握を容易にするために、図１５と共通する要素については適宜に図１５と同態様のハッチングが施されている。
【００４９】
図１１および図１５に示すように、基板４０の面上には、半導体層４１がシリコンなどの半導体材料によって形成される。図１１に示すように、半導体層４１は、Ｙ方向に延びる第１部分４１ａおよび第２部分４１ｂと、Ｘ方向に延びて両者を連結する連結部４１ｃと、を有する。第１部分４１ａは、ドレイン領域として機能するとともに、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃの第２電極Ｅ２としても機能する。第２部分４１ｂはソース領域として機能する。連結部４１ｃはチャネル領域として機能する。図１５に示すように、半導体層４１が形成された基板４０の表面はその全域にわたって第１の絶縁層Ｆａ１で覆われる。
【００５０】
図１２および図１５に示すように、第１の絶縁層Ｆａ１の面上には、トランジスタＴｒのゲート電極４３（走査線１０２）および容量線１０６が形成される。ゲート電極４３と容量線１０６とは、第１の絶縁層Ｆａ１の全域にわたって連続に形成された導電膜（例えばアルミニウムの薄膜）のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。図１２に示すように、ゲート電極４３はＸ方向に延在し、半導体層４１における連結部４１ｃ（ゲート領域）と第１の絶縁層Ｆａ１（図１２では図示省略）を介して重なり合う。
【００５１】
容量線１０６は、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃの第１電極Ｅ１として機能する。
図１２に示すように、容量線１０６はＸ方向に延在し、半導体層４１における第１部分４１ａと第１の絶縁層Ｆａ１（図１２では図示省略）を介して重なり合う。図１５に示すように、容量線１０６（第１電極Ｅ１）と半導体層４１における第１部分４１ａ（第２電極Ｅ２）とが第１の絶縁層Ｆａ１を挟んで対向することで容量Ｃ１が形成される。
【００５２】
なお、ゲート電極４３と容量線１０６との関係のように、複数の要素が共通の膜体（単層および複数層の何れであるかは不問である）の選択的な除去によって同一の工程で形成されることを以下では単に「同層から形成される」と表記する。同層から形成された各要素は当然に同一材料からなり、各々の膜厚は略一致する。複数の要素が同層から形成される構成によれば、その各々が別層から形成される構成と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現されるという利点がある。
【００５３】
図１５に示すように、ゲート電極４３と容量線１０６とが形成された第１の絶縁層Ｆａ１の表面はその全域にわたって第２の絶縁層Ｆａ２で覆われる。図１３および図１５に示すように、第２の絶縁層Ｆａ２の面上には、データ線１０４が形成される。データ線１０４は、第２の絶縁層Ｆａ２の全域にわたって連続に形成された導電膜（例えばアルミニウムの薄膜）のパターニングによって形成される。図１３に示すように、データ線１０４はＹ方向に延在し、第２の絶縁層Ｆａ２（図１３では図示省略）を介して容量線１０６と重なり合う。
【００５４】
図１５に示すように、データ線１０４と容量線１０６とが第２の絶縁層Ｆａ２を挟んで対向することで容量Ｃ２が形成される。図１５に示すように、半導体層４１における第１部分４１ａ（第２電極Ｅ２）と容量線１０６（第１電極Ｅ１）とが第１の絶縁層Ｆａ１を挟んで対向することで形成される容量Ｃ１と、容量線１０６とデータ線１０４とが第２の絶縁層Ｆａ２を挟んで対向することで形成される容量Ｃ２とで各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃが形成される。本形態の構成によれば、各単位回路Ｕ内において積層方向に形成された複数の容量が容量素子Ｃを形成するから、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃの容量値を十分に確保できる。この構成は、画素の高精細化が進んで各単位回路Ｕ内の平面部分における面積が小さくなるような場合において、特に有効である。
【００５５】
データ線１０４は、各単位回路ＵにおけるトランジスタＴｒのドレイン電極としても機能する。図１３および図１５に示すように、データ線１０４はコンタクトホールＣＨを介して半導体層４１における第１部分４１ａ（ドレイン領域）に導通する。
【００５６】
また、図１３に示すように、トランジスタＴｒのソース電極４５はデータ線１０４と同層から形成され、コンタクトホールＣＨ２を介して半導体層４１における第２部分４１ｂ（ソース領域）に導通する。
【００５７】
図１５に示すように、データ線１０４が形成された第２の絶縁層Ｆａ２の表面はその全域にわたって第３の絶縁層Ｆａ３で覆われる。図１４および図１５に示すように、第３の絶縁層Ｆａ３の面上には、電気光学素子１２の陽極１３が形成される。図１４に示すように、トランジスタＴｒのソース電極４５と陽極１３とはコンタクトホールＣＨ３を介して導通する。陽極１３の材料としては、アルミニウムや銀などの金属およびこれらを主成分とする合金といった各種の光反射性の導電材料が採用される。
【００５８】
図１４および図１５に示すように、陽極１３が形成された第３絶縁層Ｆａ３の面上には、各単位回路Ｕを仕切るための隔壁１４が形成される。各電気光学素子１２の発光層１５は、隔壁１４の内周面に包囲されて陽極１３を底面とする窪みに少なくとも形成される。発光素子１５は隔壁１４の上に形成されてもよい。なお、発光層１５による発光を促進または効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層１５に積層された構成としてもよい。
【００５９】
図１５に示すように、各単位回路Ｕにおける発光層１５および隔壁１４を覆うように陰極１６が形成される。陰極１６は、各単位回路Ｕにおける電気光学素子１２にわたって連続に形成される。陰極１６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった光透過性の導電性材料によって形成される。また、陰極１６は、ＭｇとＡｇとの合金のように仕事関数が小さい材料を含み、かつ、光が透過する程度の厚さで形成してもよい。本本形態においては、発光層１５から電気光学素子１２における陰極１６側に放射された光と発光層１５から陰極１６とは反対側に放射されて陽極１３にて反射されて陰極１６に向かう光とは、陰極１６を通過して外部へ出射される（トップエミッション）。
【００６０】
第１実施形態に係る電気光学装置１０は、ボトムエミッション型の構造とすることもできる。図１６ないし図１９は、電気光学装置１０がボトムエミッション型で構成された場合において各単位回路Ｕが形成される各段階の様子を示す平面図である。図２０は、図１６ないし図１９におけるＢ−Ｂ線から見た断面図である。
【００６１】
図１６および図２０に示すように、基板５０の面上には、半導体層５１がシリコンなどの半導体材料によって形成される。図１６に示すように、半導体層５１は、Ｙ方向に延びる第１部分５１ａと、Ｘ方向に延びる第２部分５１ｂとを有する。第１部分５１ａは、トランジスタＴｒのドレイン領域として機能するとともに、容量素子Ｃの第２電極Ｅ２としても機能する。第２部分５１ｂは、チャネル領域およびソース領域として機能する。図２０に示すように、半導体層５１が形成された基板５０の表面はその全域にわたって第１の絶縁層Ｆｂ１で覆われる。
【００６２】
図１７および図２０に示すように、第１の絶縁層Ｆｂ１の面上には、トランジスタＴｒのゲート電極５３（走査線１０２）および容量線１０６が形成される。ゲート電極５３および容量線１０６は同層からなる。図１７に示すように、ゲート電極５３は、Ｘ方向に延在する第１部分５３ａと、Ｙ方向に延在する第２部分５３ｂとを有する。第１部分５３ａは、走査線１０２として機能する。第２部分５３ｂは、第１の絶縁層Ｆｂ１（図１７では図示省略）を介して半導体層５１における第２部分５１ｂ（チャネル領域）と重なり合う。
【００６３】
図１７に示すように、容量線１０６はＸ方向に延びる第１部分１０６ａと、Ｙ方向に延びる第２部分１０６ｂとを有する。図１７に示すように、容量線１０６における第２部分１０６ｂが第１絶縁層Ｆｂ１（図１７では図示省略）を介して半導体層５１における第１部分５１ａと重なり合う。図２０に示すように、容量線１０６における第２部分１０６ｂ（第１電極Ｅ１）と半導体層５１における第１部分５１ａ（第２電極Ｅ２）とが第１の絶縁層Ｆｂ１を挟んで対向することで容量Ｃ１１が形成される。
【００６４】
図２０に示すように、ゲート電極５３と容量線１０６とが形成された第１の絶縁層Ｆｂ１の表面はその全域にわたって第２の絶縁層Ｆｂ２で覆われる。図１８および図２０に示すように、第２の絶縁層Ｆｂ２の面上には、データ線１０４が形成される。図１８に示すように、データ線１０４はＹ方向に延在し、第２の絶縁層Ｆｂ２（図１８では図示省略）を介して容量線１０６における第２部分１０６ｂと重なり合う。図２０に示すように、データ線１０４と容量線１０６における第２部分１０６ｂとが第２の絶縁層Ｆｂ２を挟んで対向することで容量Ｃ２２が形成される。図２０に示すように、半導体層５１における第１部分５１ａ（第１電極Ｅ１）と容量線１０６における第２部分１０６ｂ（第２電極Ｅ２）とが第１の絶縁層Ｆｂ１を挟んで対向することで形成される容量Ｃ１１と、容量線１０６における第２部分１０６ｂとデータ線１０４とが第２の絶縁層Ｆｂ２を挟んで対向することで形成される容量Ｃ２２とで各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃが形成される。
【００６５】
図１８および図２０に示すように、データ線１０４はコンタクトホールＣＨを介して半導体層５１における第１部分５１ａ（ドレイン領域）に導通する。また、図１８に示すように、トランジスタＴｒのソース電極５５はデータ線１０４と同層から形成され、コンタクトホールＣＨ２を介して半導体層５１における第２部分５１ｂ（ソース領域）に導通する。
【００６６】
図２０に示すように、データ線１０４が形成された第２の絶縁層Ｆｂ２の表面はその全域にわたって第３の絶縁層Ｆｂ３で覆われる。図１９および図２０に示すように、第３の絶縁層Ｆｂ３の面上には、電気光学素子１２の陽極１３が形成される。図１９に示すように、トランジスタＴｒのソース電極５５と陽極１３とはコンタクトホールＣＨ３を介して導通する。陽極１３は、光透過性の導電性材料で構成される。
【００６７】
図１９および図２０に示すように、陽極１３が形成された第３絶縁層Ｆｂ３の面上には、隔壁１４が形成される。各電気光学素子１２の発光層１５は、隔壁１４の内周面に包囲されて陽極１３を底面とする窪みに少なくとも形成される。
【００６８】
図２０に示すように、各単位回路Ｕにおける発光層１５および隔壁１４を覆うように陰極１６が形成される。陰極１６は、光反射性の導電性材料で構成される。ここで、陰極１６は、アルミニウムや銀などのように光反射性を有する材料と、マグネシウムやカルシウムなどのように仕事関数の小さい材料とを含んで構成してもよい。本形態においては、発光層１５から電気光学素子１２における陽極１３側に放射された光と発光層１５から陰極１６側に放射されて陰極１６にて反射されて陽極１３に向かう光とは、陽極１３を通過して外部へ出射される（ボトムエミッション）。
【００６９】
＜Ｆ−２：第２実施形態に係る各単位回路Ｕの構造＞
図２１ないし図２４は、第２実施形態に係る電気光学装置１０における単位回路Ｕが形成される各段階の様子を示す平面図である。図２１ないし図２４の平面図においては、各段階にある４個の単位回路ＵがＸ方向およびＹ方向にわたって配列されている。図２５は、図２１ないし図２４におけるＣ−Ｃ線から見た断面図である。なお、図２１ないし図２４は平面図であるが、各要素の把握を容易にするために、図２５と共通する要素については適宜に図２５と同態様のハッチングが施されている。
【００７０】
図２１および図２５に示すように、基板６０の面上には、シリコンなどの半導体材料で形成される半導体層６１および７１が形成される。半導体層６１はＸ方向に延在し、トランジスタＴｒのチャネル領域として機能する。半導体層７１は、容量素子Ｃの第１電極Ｅ１として機能する。図２５に示すように、半導体層６１および半導体層７１が形成された基板６０の表面はその全域にわたって第１の絶縁層Ｆｃ１で覆われる。
【００７１】
図２２および図２５に示すように、第１の絶縁層Ｆｃ１の面上には、トランジスタＴｒのゲート電極６３（走査線１０２）および導電材料からなる配線８０が形成される。ゲート電極６３および配線８０は同層から形成される。図２２に示すように、ゲート電極６３は、Ｘ方向に延在する第１部分６３ａと、Ｙ方向に延在する第２部分６３ｂとを有する。ゲート電極６３における第１部分６３ａは、走査線１０２として機能する。図２２に示すように、ゲート電極６３における第２部分６３ｂは、第１の絶縁層Ｆｃ１（図２２では図示省略）を介して半導体層６１（チャネル領域）と重なり合う。
【００７２】
図２２に示すように、配線８０は、矩形の第１部分８０ａと、第１部分８０ａの縁部からＹ方向の正方向および負方向にそれぞれ延びる第２部分８０ｂとを有する。配線８０における第１部分８０ａは、容量素子Ｃの第２電極Ｅ２としても機能する。図２２に示すように、配線８０における第１部分８０ａは半導体層７１（第１電極Ｅ１）と重なり合う。図２５に示すように、半導体層７１（第１電極Ｅ１）と配線８０における第１部分８０ａ（第２電極Ｅ２）とが第１の絶縁層Ｆｃ１を挟んで対向することで容量Ｃ１１１が形成される。
【００７３】
図２３および図２５に示すように、ゲート電極６３および配線８０が形成された第１の絶縁層Ｆｃ１の表面はその全域にわたって第２の絶縁層Ｆｃ２で覆われる。図２３および図２５に示すように、第２の絶縁層Ｆｃ２の面上には、ドレイン電極６５と、ソース電極６７と、定電位線１０８とが形成される。ドレイン電極６５と、ソース電極６７と、定電位線１０８とは同層から形成される。
【００７４】
図２３に示すように、ドレイン電極６５は、Ｙ方向に延びる第１部分６５ａと、Ｘ方向に延びる第２部分６５ｂとを有する。図２３に示すように、ドレイン電極６５における第１部分６５ａは、コンタクトホールＣＨを介して配線８０における第２部分８０ｂと接続（導通）されてデータ線１０４を形成する。また、図２３に示すように、ドレイン電極６５における第２部分６５ｂは、コンタクトホールＣＨ２を介して半導体層６１（ドレイン領域）と導通する。
【００７５】
図２３に示すように、ソース電極６７はＸ方向に延在し、コンタクトホールＣＨ３を介して半導体層６１（ソース領域）と導通する。
【００７６】
図２３および図２５に示すように、抵抗が低い金属で形成される定電位線１０８はＸ方向に延在し、配線８０における第１部分８０ａと重なり合う。図２５に示すように、定電位線１０８と配線８０における第１部分８０ａとが第２の絶縁層Ｆｃ２を挟んで対向することで容量Ｃ２２２が形成される。図２５に示すように、半導体層７１（第１電極Ｅ１）と配線８０における第１部分８０ａ（第２電極Ｅ２）とが第１の絶縁層Ｆｃ１を挟んで対向することで形成される容量Ｃ１１１と、定電位線１０８と配線８０における第１部分８０ａとが第２の絶縁層Ｆｃ２を挟んで対向することで形成される容量Ｃ２２２とで各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃが形成される。また、図２３に示すように、定電位線１０８はコンタクトホールＣＨ４を介して半導体層７１（第１電極Ｅ１）と接続される。
【００７７】
図２４および図２５に示すように、ドレイン電極６５とソース電極６７と定電位線１０８とが形成された第２の絶縁層Ｆｃ２の表面はその全域にわたって第３の絶縁層Ｆｃ３で覆われる。図２４および図２５に示すように、第３の絶縁層Ｆｃ３の面上には、電気光学素子１２の陽極１３と中間導電層９０が形成される。陽極１３と中間導電層９０とは同層から形成される。図２４に示すように、トランジスタＴｒのソース電極６７と陽極１３とはコンタクトホールＣＨ５を介して導通する。本形態では、陽極１３は光反射性の導電材料で構成される。また、図２４および図２５に示すように、定電位線１０８と中間導電層９０とはコンタクトホールＣＨ６を介して導通する。
【００７８】
図２４および図２５に示すように、陽極１３と中間導電層９０とが形成された第３の絶縁層Ｆｃ３の面上には、隔壁１４が形成される。各電気光学素子１２の発光層１５は、隔壁１４の内周面に包囲されて陽極１３を底面とする窪みに形成される。
【００７９】
図２５に示すように、各単位回路Ｕにおける陽極１３（図２５においては図示せず）と隔壁１４と中間導電層９０とを覆うように陰極１６が形成される。陰極１６は、各単位回路Ｕにおける電気光学素子１２にわたって連続に形成される。図２４および図２５に示すように、陰極１６は、コンタクトホールＣＨ７を介して中間導電層９０と導通する。
したがって、定電位線１０８は、容量素子Ｃの一方の電極として機能するだけでなく、陰極１６の抵抗を低減するために用いられる補助電極としても機能する。
本形態では、陰極１６はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった光透過性の導電性材料によって形成される。つまり、本形態においては、発光層１５から電気光学素子１２における陰極１６側に放射された光と発光層１５から陰極１６とは反対側に放射されて陽極１３にて反射されて陰極１６に向かう光とは、陰極１６を通過して外部へ出射される（トップエミッション）。なお、これに限らず、ボトムエミッション型の構造を採用することもできる。
【００８０】
本形態においては、陰極１６はＩＴＯ等の高抵抗の材料で形成されるが、陰極１６よりも抵抗が低い金属材料で形成される定電位線１０８と陰極１６とがコンタクトホールＣＨ６およびＣＨ７を介して導通することによって、陰極１６の抵抗を下げることができる。これにより、陰極１６での電圧降下が抑制される。すなわち、定電位線１０８は容量線１０６として機能するとともに補助配線としても機能する。
【００８１】
＜Ｇ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
【００８２】
（１）変形例１
上述の各実施形態においては、例えば図３に示すように、駆動期間Ｐｄの終了時点と単位期間１Ｔの終了時点とが同時である場合が例示されているが、これに限らず、例えば単位期間１Ｔの終了時点よりも前に駆動期間Ｐｄが終了する態様であってもよい。また、図３においては、各単位期間１Ｔの開始時点と各単位期間Ｔにおける書込期間Ｐｗの開始時点とが同時である場合が例示されているが、これに限らず、例えば単位期間１Ｔの開始時点から所定の時間が経過した後に書込期間Ｐｗが開始される態様であってもよい。また、図３においては、各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗの終了時点と駆動期間Ｐｄの開始時点とが同時である場合が例示されているが、これに限らず、例えば書込期間Ｐｗの終了前に駆動期間Ｐｄが開始される態様であってもよい。
【００８３】
（２）変形例２
上述の第３実施形態においては、各単位回路Ｕにおける容量素子Ｃとは別に、一方の電極がデータ線１０４に接続される補助用の容量素子Ｃｓが設けられる態様について説明したが、例えば、補助用の容量素子Ｃｓは、各々の容量が異なる複数の容量素子を含み、複数の容量素子における一方の電極とデータ線１０４との間には、複数の容量素子のうち何れかの容量素子をデータ線１０４と導通させるスイッチング素子が設けられる態様とすることもできる。
【００８４】
図２６は、変形例２に係る電気光学装置１０の構成を示す回路図である。図２６に示すように、補助用の容量素子Ｃｓは、各々の容量が異なる第１の容量素子Ｃｓ１と第２の容量素子Ｃｓ２とからなる（例えばＣｓ１の容量＞Ｃｓ２の容量）。図２６に示すように、第１の容量素子Ｃｓ１における一方の電極Ｅ３０、および、第２の容量素子Ｃｓ２における一方の電極Ｅ３００と、データ線１０４との間には、第１の容量素子Ｃｓ１および第２の容量素子Ｃｓ２のうち何れかの容量素子とデータ線１０４とを導通させるスイッチング素子であるスイッチＳｗ２が設けられる。また、図２６に示すように、第１の容量素子Ｃｓ１における他方の電極Ｅ４０、および、第２の容量素子Ｃｓ２における他方の電極Ｅ４００は、固定電位が供給される固定電位線に共通に接続される。固定電位線は、例えば図２に示す容量線１０６とすることもできるし、図５に示す定電位線１０８とすることもできる。
【００８５】
スイッチＳｗ２は、図示しない制御回路によって制御される。各単位期間１Ｔ内の書込期間Ｐｗにおいては、第１の容量素子Ｃｓ１および第２の容量素子Ｃｓ２のうち何れかがスイッチＳｗ２によって選択されてデータ線１０４と導通するとともにその選択された容量素子が充電される。そして、各単位期間１Ｔ内の駆動期間Ｐｄにおいては、当該容量素子からの電荷が、対応する単位回路Ｕへ供給される。図２６に示す構成においては、書込期間Ｐｗにおいて複数の容量素子の何れかを選択的にデータ線１０４に導通させることで電気光学素子１２の発光時間を調節できる。従って、電気光学素子１２の発光量を複数の段階に調節できる。
【００８６】
図２６に示す構成においては、補助用の容量素子Ｃｓが、第１の容量素子Ｃｓ１と第２の容量素子Ｃｓ２とからなる態様について例示したが、これに限らず、補助用の容量素子Ｃｓは、各々の容量が異なる複数の容量素子を含むものであればよい。例えば、補助用の容量素子Ｃｓを、各々の容量が異なる３個の容量素子で構成する態様とすることもできる。各々の容量が異なる容量素子の数が多いほど容量値を細かく調整できるという利点がある。
【００８７】
（３）変形例３
上述の各実施形態においては、各単位回路ＵにおけるトランジスタＴｒは、Ｎチャネル型のトランジスタであるが、これに限らず、Ｐチャネル型で構成することもできる。要するに、トランジスタＴｒは、走査線１０２の選択時に導通することで容量素子Ｃの第２電極Ｅ２と電気光学素子１２とを導通させるスイッチング素子であればよい。
【００８８】
（４）変形例４
上述の第４実施形態においては、各データ線１０４の各々において、第１部分Ｚ１と第２部分Ｚ２との間には両者の導通および非導通を切り替えるためのスイッチＳｗが設けられる。例えば、このスイッチＳｗは薄膜トランジスタで構成することができ、Ｎチャネル型のトランジスタとすることもできるし、Ｐチャネル型のトランジスタとすることもできる。
【００８９】
（５）変形例５
上述の各実施形態においては、電気光学素子１２の一例として、ＯＬＥＤ素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。要は、電気エネルギーに応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。
【００９０】
（６）変形例６
上述の第５実施形態においては、データ電位ＶＤに応じた電荷がデータ線１０４に付随する容量（寄生容量）に充電される態様が例示されているが、例えば図２７に示すように、データ電位ＶＤに応じた電荷を充電するための容量素子Ｃｘが各データ線１０４（第１部分Ｚ１）に設けられる態様とすることもできる。この態様であっても、上述の第５実施形態と同様、各単位回路Ｕ内に容量素子を設けなくて済むため、高精細化が図られるという利点がある。なお、各データ線１０４に設けられる容量素子Ｃｘの数はひとつであってもよいし、２つ以上であってもよい。また、各データ線１０４における容量素子Ｃｘの位置は任意に設定可能である。
【００９１】
＜Ｈ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置１０を利用した電子機器について説明する。図２８は、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１０と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１０は電気光学素子１２にＯＬＥＤ素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００９２】
図２９に、実施形態に係る電気光学装置１０を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１０を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１０に表示される画面がスクロールされる。
【００９３】
図３０に、実施形態に係る電気光学装置１０を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１０を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１０に表示される。
【００９４】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図２８から図３０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用される。本発明にいう電子回路とは、各実施形態のように表示装置の画素を構成する画素回路のほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】各単位回路についての詳細な電気的構成を示す回路図である。
【図３】電気光学素子を駆動するための動作を示す図である。
【図４】駆動期間における単位回路の動作を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図８】同実施形態に係る電気光学装置の動作のタイミングを示す図である。
【図９】対比例の構成を示す回路図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図１１】第１実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１２】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１３】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１４】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１５】図１０ないし図１３におけるＡ−Ａ線から見た断面図である。
【図１６】第１実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１７】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１８】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図１９】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図２０】図１５ないし図１８におけるＢ−Ｂ線から見た断面図である。
【図２１】第２実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図２２】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図２３】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図２４】同実施形態に係る単位回路の製造段階における平面図である。
【図２５】図２１ないし図２４におけるＣ−Ｃ線から見た断面図である。
【図２６】本発明の変形例２に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図２７】本発明の変形例６に係る電気光学装置の構成を示す回路図である。
【図２８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２９】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図３０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図３１】従来の単位回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００９６】
１０……電気光学装置、１２……電気光学素子、２０……走査線駆動回路、３０……データ線駆動回路、１０２……走査線、１０４……データ線、１０６……容量線、１０８……定電位線、Ｃ……容量素子、Ｃｓ……補助用の容量素子、Ｃｘ……容量素子、Ｅ１……第１電極、Ｅ２……第２電極、Ｐｗ……書込期間、Ｐｄ……駆動期間、Ｓｗ……スイッチ、１Ｔ……単位期間、Ｔｒ……トランジスタ、Ｕ……単位回路、Ｚ１……第１部分、Ｚ２……第２部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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