(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）〜（Ｃ）を含有することを特徴とする有機トランジスタ絶縁膜用組成物。
（Ａ）重合性イオン液体
（Ｂ）架橋剤
（Ｃ）重合開始剤
【請求項２】
前記（Ａ）重合性イオン液体が、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基からなる群より選ばれる少なくとも１種を分子内に少なくとも１個有する化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）架橋剤が、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基からなる群より選ばれる少なくとも１種を分子内に少なくとも２個有する化合物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）重合開始剤が、熱もしくは電磁線により、ラジカルもしくはカチオンを生成する化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれかに記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物から得られる絶縁膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項６】
さらに、自己組織化単分子層を有することを特徴とする請求項５記載の有機トランジスタ。
【請求項７】
前記請求項５〜６のいずれかに記載の有機トランジスタを有するディスプレイ用部材。
【請求項８】
前記請求項７に記載のディスプレイ用部材を備えるディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機トランジスタの絶縁膜用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を用いたトランジスタ（有機トランジスタ）は、柔軟性を有するので、フレキシブルディスプレイなどに用いる半導体として、例えばアクティブ駆動回路用半導体としてその実用化が求められている。有機トランジスタの製法として、真空プロセスを用いる蒸着法と、印刷法、インクジェット法等の溶液を用いる方法が開発されている。後者の方法によると、より低温で有機半導体を製造できる。
近年、ゲート絶縁膜として、イオン液体を有機高分子でゲル化したイオンゲルを用いた有機トランジスタが良好なトランジスタ特性を示すことが報告された。（非特許文献１）
【０００３】
【非特許文献１】Journal of the American Chemical Society 2007,129,4532
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、イオン液体を有機高分子でゲル化したイオンゲル絶縁膜は絶縁耐圧が低いという問題があった。
本発明の目的は、上記問題を解決し、絶縁耐圧に優れる絶縁膜を与える有機トランジスタ絶縁膜用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記問題を解決する絶縁膜組成物を見出すべく、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、〔１〕下記（Ａ）〜（Ｃ）を含有することを特徴とする有機トランジスタ絶縁膜用組成物に係るものである。
（Ａ）重合性イオン液体
（Ｂ）架橋剤
（Ｃ）重合開始剤
【０００６】
さらに、本発明は、〔２〕前記（Ａ）重合性イオン液体が、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基からなる群より選ばれる少なくとも１種を分子内に少なくとも１個有する化合物を含むことを特徴とする前記〔１〕に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物、
〔３〕前記（Ｂ）架橋剤が、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基からなる群より選ばれる少なくとも１種を分子内に少なくとも２個有する化合物を含むことを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物、
〔４〕前記（Ｃ）重合開始剤が、熱もしくは電磁線により、ラジカルもしくはカチオンを生成する化合物を含むことを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物に係るものである。
【０００７】
また、本発明は、〔５〕前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物から得られる絶縁膜を有することを特徴とする有機トランジスタ、
〔６〕さらに、自己組織化単分子層を有することを特徴とする前記〔５〕記載の有機トランジスタ
〔７〕前記〔５〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機トランジスタを有するディスプレイ用部材、
〔８〕前記〔７〕に記載のディスプレイ用部材を備えるディスプレイ、
に係るものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機トランジスタ、特に有機薄膜トランジスタに好適な絶縁耐圧に優れる絶縁膜、特に絶縁耐圧に優れるゲート絶縁膜を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の有機トランジスタ絶縁膜用組成物は、（Ａ）重合性イオン液体、（Ｂ）架橋剤および（Ｃ）重合開始剤とを含有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に用いる（Ａ）重合性イオン液体は、分子内に重合性官能基を少なくとも１個有するイオン液体である。
該重合性官能基としては、ラジカル重合性基、カチオン重合性基等が挙げられる。
【００１１】
該ラジカル重合性基としては、ビニル基、アリル基、スチリル基、アクリレート基、メタクリレート基等が例示できる。
該カチオン重合性基としては、エポキシ基、オキセタニル基、グリシジル基、ビニルエーテル基、ε−カプロラクトニル基、β−プロピオラクトニル基、β−ブチロラクトニル基、δ−バレロラクトニル基等が例示できる。
【００１２】
本発明における（Ａ）重合性イオン液体のカチオン部としては、イミダゾリウム系カチオン、ピリジニウム系カチオン、ピペリジニウム系カチオン、ピロリジニウム系カチオン等が挙げられる。
該イミダゾリウム系カチオンとしては、３−ブチル−１−グリシジルイミダゾリウム  カチオン、３−ブチル−１−（２’−メタクリロイルオキシエチル）イミダゾリウム  カチオン、３−エチル−１−オキサテニルエチルイミダゾリウム  カチオン、３−ブチル−１−（４’−ビニルベンジル）イミダゾリウム  カチオン、１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−３−（２’−ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾイル  カチオン等が例示できる。
該ピリジニウム系カチオンとしては、Ｎ−メチル−Ｎ−オキサテニルエチルピリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）ピリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（４−ビニルベンジル）ピリジニウム  カチオン等が例示できる。
該ピペリジニウム系カチオンとしては、Ｎ−メチル−Ｎ−オキサテニルエチルピペリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（２−オキシメタクリロイルエチル）ピペリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（４−ビニルベンジル）ピペリジニウム  カチオン等が例示できる。
該ピロリジニウム系カチオンとしては、Ｎ−ブチル−Ｎ−グリシジルピロリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（２’−メタクリロイルオキシエチル）ピロリジニウム  カチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−オキサテニルエチルピロリジニウム  カチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−（４’−ビニルベンジル）ピロリジニウム  カチオン、Ｎ−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−Ｎ−（２’−ヒドロキシエチル）ピロリジニウム  カチオン等が例示できる。
【００１３】
本発明における（Ａ）重合性イオン液体のアニオン部としては、テトラフルオロボレート  アニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド  アニオン、ヘキサフルオロホスフェート  アニオン等が例示できる。
【００１４】
本発明における（Ａ）重合性イオン液体としては、１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−３−（２’−ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾイル  ヘキサフルオロホスフェート、３−ブチル−１−（３’−エチル−３’−オキサテニル）メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ブチル−１−（３’−エチル−３’−オキサテニル）メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、３−ブチル−１−（３’−エチル−３’−オキサテニル）メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−ブチル−Ｎ−オキサテニルエチルピリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−ブチル−Ｎ−オキサテニルエチルピペリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等を例示できる。
【００１５】
本発明に用いる（Ｂ）架橋剤は、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基からなる群より選ばれる少なくとも１種を分子内に少なくとも２個有する化合物である。
該ラジカル重合性基としては、ビニル基、アリル基、スチリル基、アクリレート基、メタクリレート基等が例示できる。
該カチオン重合性基としては、エポキシ基、オキセタニル基、グリシジル基、ビニルエーテル基、ε−カプロラクトニル基、β−プロピオラクトニル基、β−ブチロラクトニル基、δ−バレロラクトニル基等が例示できる。
本発明に用いる（Ｂ）架橋剤としては、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、グリセロールトリメタクリレート、ビスフェノール−Ａ−エポキシ、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、１，４−ビス｛〔（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ〕メチル｝ベンゼン、３−エチル−３−｛〔（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ〕メチル｝オキセタン、１，３−ビス〔（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ〕ベンゼン、オキセタニルシリケート、オキセタニルシルセスキオキサン、フェノールノボラックオキセタン樹脂等が例示できる。
本発明の組成物における（Ｂ）架橋剤の割合は、（Ａ）重合性イオン液体１００重量部に対して、５〜９０重量部の範囲が好ましく、より好ましくは、１０〜８０重量部、更に好ましくは、２０〜７０重量部である。
【００１６】
本発明に用いる（Ｃ）重合開始剤は、熱もしくは電磁線により、ラジカルもしくはカチオンを生成する化合物である。
【００１７】
該熱によりラジカルを生成する化合物としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビスイソバレロニトリル、２，２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４'−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１、１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２'−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物；メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類；イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類；２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド類；ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類；ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシアゼレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類；ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーカーボネート類が例示できる。
【００１８】
該電磁線によりラジカルを生成する化合物としては、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４'−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（o−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物；メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノンまたはチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が例示できる。
【００１９】
該熱によりカチオンを生成する化合物としては、ジエチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が例示できる。
【００２０】
該電磁線によりカチオンを生成する化合物としては、トリルキュミルヨードニウム  テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示できる。具体的には、商品名フォトイニシエーターＰＩ−２０７４（ローディアジャパン製）が挙げられる。
本発明の組成物における（Ｃ）重合開始剤の割合は、（Ａ）重合性イオン液体１００重量部に対して、５〜６０重量部が好ましく、より好ましくは、１０〜５０重量部であり、更に好ましくは、１０〜４０重量部である。
【００２１】
本発明の絶縁膜用組成物は、適宜、硬化剤、硬化触媒、増感剤、有機溶媒（本発明における（Ａ）重合性イオン液体を除く。）等を含有してもよい。
該硬化剤としては、トリエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ジアミノジフェニルスルフォン、ポリアミド樹脂、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、液状ポリメルカプタン、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ジシアンジアミド等が例示できる。
該硬化触媒としては、２−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン等が例示できる。
【００２２】
該増感剤としては、ナフトキノン化合物、アントラキノン化合物が挙げられ、具体的には、商品名ＤＢＡ（川崎化成工業製）などが挙げられる。
【００２３】
該有機溶媒としては、（Ａ）重合性イオン液体、（Ｂ）架橋剤、（Ｃ）重合開始剤が溶解するものであれば特に制限はないが、常圧での沸点が１００℃〜２００℃のものが好ましく、たとえば、トルエン、キシレン、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート等が挙げられる。
本発明の組成物における該有機溶媒の割合は、（Ａ）重合性イオン液体１００重量部に対して、１０〜１０００重量部の範囲が好ましく、より好ましくは、１００〜１０００重量部である。該有機溶媒は、２種類以上を使用してもよい。
【００２４】
本発明の絶縁膜用組成物を用いて、絶縁膜を形成する方法について、説明する。
本発明の絶縁膜用組成物を例えばプラスチック基板上に塗布する。絶縁膜用組成物の塗布は、例えば、絶縁膜用組成物を有機溶媒に溶解した溶液の状態で行うことができる。
絶縁膜用組成物を含む溶液の塗布は、スピンコート法、ダイコーター法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって行うことができる。
次に、上記のようにして塗布された絶縁膜用組成物の溶液を、乾燥させて有機溶媒を除去し、これにより絶縁膜用組成物からなる層を形成する。乾燥は、有機溶媒が揮発する程度に加熱することによって行うことができる。この際、低温でトランジスタを形成する観点からは、過度には高温としないことが望ましい。
そして、絶縁性組成物からなる層を硬化させることによって、絶縁膜を形成することができる。硬化は、上述したように、電磁線の照射又は加熱によって行うことができる。
【００２５】
本発明の絶縁膜用組成物から形成された絶縁膜上に、自己組織化単分子膜層を形成しても良い。
該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１〜１０重量％溶解した溶液でゲート絶縁膜を処理することにより形成することができる。
【００２６】
該アルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等を例示できる。
該アルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等を例示できる。
【００２７】
該有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、クロロホルム等が例示できる。
【００２８】
本発明の有機トランジスタは、前記の有機トランジスタ用絶縁膜組成物から得られる絶縁膜を有することを特徴とし、さらに、前記の自己組織化単分子膜層を有してもよい。該絶縁膜と該自己組織化単分子膜層とは、接していることが好ましい。
本発明の有機トランジスタ絶縁膜用組成物を用いることにより、例えば、次のように有機トランジスタを作製できる。ここでは、ＮＭＯＳ型の例を示す。ＰＭＯＳ型もＣＭＯＳ型も同様にして作製できる。
【００２９】
有機ｐ型半導体層を公知の方法で作製した上に、ｎ型ソース電極、ｎ型ドレイン電極を公知の方法で作製する。ｎ型ソース電極とｎ型ドレイン電極の間の、有機ｐ型半導体層の上に、本発明の有機トランジスタ絶縁膜用組成物を塗布し、乾燥後、その上に、ゲート電極層とする有機組成物を塗布し、乾燥する。このようにして、ＮＭＯＳ型半導体を作製できる。
【００３０】
本発明の有機トランジスタを用いて、好適に有機トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを好適に作製できる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。
【００３２】
合成例１
３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亞合成製：OXT−１０１）８２．９２ｇ、水酸化ナトリウム１６０ｇ、イオン交換水６４０ｍｌを滴下ロート、メカニカルスターラーを付けた２ｌの三つ口フラスコに入れ、氷浴で冷却しながら、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド１９０．４０ｇをテトラヒドロフラン６４０ｍｌに溶解した溶液を滴下ロートから滴下した。滴下終了後、反応混合物を室温で一晩攪拌した。
反応混合物にジエチルエーテル２００ｍｌを加え、生成物を抽出し、水層が中性になるまでジエチルエーテル層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ロータリーエバポレータでジエチルエーテルを留去することで、３−エチル−３−トリルオキシメチルオキセタンを粘稠な液体として１７５ｇ得た。
【００３３】
合成例２
ベンゾイミダゾール（和光純薬製）５０ｇ、水酸化カリウム（和光純薬製）２３．７３ｇを三方コックを付けた５００ｍｌ三つ口フラスコに入れ、オイルバスで２００℃に加熱し、均一な溶液にした後、ロータリーポンプでフラスコ内部を減圧しながら更に２００℃で３０分反応させた。
【００３４】
反応終了後、フラスコ内を窒素で常圧まで戻し、得られた淡褐色固体を室温まで冷却し、マグネチック攪拌子、アセトニトリル（和光純薬製）２５０ｍｌを加え、マグネチックスターラーで攪拌してスラリーを調製した。
【００３５】
フラスコに滴下ロートを取り付け、合成例１で得た３−エチル−３−トリルオキシメチルオキセタン１１４．４１ｇをフラスコをドライアイス−エタノール浴で−２５℃に冷却しながら、滴下した。滴下終了後、反応混合物を室温まで戻し、更に一晩攪拌した。
【００３６】
得られた反応混合物にイオン交換水２００ｍｌを加え、ロータリーエバポレータでアセトニトリルを留去した。得られた水溶液に塩化ナトリウム、ジエチルエーテル２００ｍｌを加えて、生成物を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレータでジエチルエーテルを留去して１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−ベンゾイミダゾールを粘稠な液体として６５．７１ｇ得た。
【００３７】
0005298680.tif 000002
【００３８】
合成例３
合成例２で合成した１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−ベンゾイミダゾール２０．００ｇ、ブロモエタノール（アルドリッチ製）３４．７１ｇ、ジメチルホルムアミド（和光純薬製）５０ｍｌをテフロン（登録商標）製ストップコックの付いた１２５ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、オイルバスで５０℃で３日間反応させた。
【００３９】
得られた反応混合物をナスフラスコに移し、ロータリーエバポレータで過剰のブロモエタノールとジメチルホルムアミドを留去した。イオン交換水１００ｍｌを加え、得られた水溶液から残存するブロモエタノールならびにジメチルホルムアミドをジエチルエーテルで抽出した後、水溶液をマグネチック攪拌子の入った３００ｍｌの活栓付き三角フラスコに入れた。ヘキサフルオロリン酸カリウム（和光純薬製）１７．０４ｇを加えて室温でマグネチックスターラーで一晩攪拌した後、酢酸エチル１００ｍｌを加えて二層に分離した有機層を抽出し、酢酸エチル溶液を５０ｍｌのイオン交換水で３回水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレータで酢酸エチルを留去し、更に、減圧乾燥器中、１００℃で一晩乾燥し、１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−３−（２’−ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾイル  ヘキサフルオロホスフェートを粘稠な液体として１６．０６ｇ得た。
【００４０】
0005298680.tif 000003
【００４１】
実施例１
１−（３’−エチル−３’−オキセタニル）メチル−３−（２’−ヒドロキシエチル）ベンゾイミダゾイル  ヘキサフルオロホスフェート０．２５ｇ、フェノールノボラックエポキシ樹脂（東都化成工業（株）製：エピトートＹＤＰＮ−６３８）０．１５ｇ、ノボラックオキセタン樹脂（東亞合成（株）製：ＰＮＯＸ）０．１０ｇ、光カチオン重合開始剤（商品名フォトイニシエーターＰＩ−２０７４：ローディアジャパン製）０．１０ｇ、増感剤（商品名ＤＢＡ：川崎化成工業（株））０．０１ｇ、テトラヒドロフラン２．００ｇを１５ｍｌのサンプル管に入れ、エイトシェーカーで攪拌して均一な絶縁膜組成物溶液を得た。
【００４２】
得られた溶液をシリコン基板上にスピンコートして塗膜を形成した。膜厚は、２．２０μｍであった。ホットプレート上で１００℃で１分プリベークした後、得られた塗膜に高圧水銀灯を用いて紫外線を５分間照射した。照射後、ホットプレート上で１００℃で３０分ポストベークして架橋反応を進行させた。
【００４３】
得られた硬化膜上に、アセトン、トルエン、クロロホルムを滴下して耐溶剤性を評価した結果、膜の溶解、膨潤、剥離は起きなかった。
得られた硬化膜上にアルミ電極を蒸着し、Ｉ−Ｖ特性を評価した結果、１００Ｖでも絶縁破壊は起きなかった。
【００４４】
実施例２
ノボラックオキセタン樹脂の替わりにアロンオキセタンＯＸＴ−１０１（東亞合成製）を用いた以外は、実施例１と同様にして絶縁膜溶液を調製した。
【００４５】
0005298680.tif 000004
【００４６】
得られた硬化膜上に、アセトン、トルエン、クロロホルムを滴下して耐溶剤性を評価した結果、膜の溶解、膨潤、剥離は起きなかった。
得られた硬化膜上にアルミ電極を蒸着し、Ｉ−Ｖ特性を評価した結果、１００Ｖでも絶縁破壊は起きなかった。
【００４７】
実施例３
ノボラックオキセタン樹脂の替わりにアロンオキセタンＯＸＴ−１２１（東亞合成製）を用いた以外は、実施例１と同様にして絶縁膜溶液を調製した。
【００４８】
0005298680.tif 000005
【００４９】
得られた硬化膜上に、アセトン、トルエン、クロロホルムを滴下して耐溶剤性を評価した結果、膜の溶解、膨潤、剥離は起きなかった。
得られた硬化膜上にアルミ電極を蒸着し、Ｉ−Ｖ特性を評価した結果、１００Ｖでも絶縁破壊は起きなかった。
【００５０】
実施例４
ノボラックオキセタン樹脂の替わりにアロンオキセタンＯＸＴ−２２１（東亞合成製）を用いた以外は、実施例１と同様にして絶縁膜溶液を調製した。
0005298680.tif 000006
【００５１】
得られた硬化膜上に、アセトン、トルエン、クロロホルムを滴下して耐溶剤性を評価した結果、膜の溶解、膨潤、剥離は起きなかった。
得られた硬化膜上にアルミ電極を蒸着し、Ｉ−Ｖ特性を評価した結果、１００Ｖでも絶縁破壊は起きなかった。
【００５２】
このようにして得られる膜を、有機トランジスタ絶縁膜として、好適に用いることができ、特に有機トランジスタゲート絶縁膜として好適に用いることができる。
【００５３】
該有機トランジスタ絶縁膜用組成物を絶縁膜に用いて、有機トランジスタを作製できる。該有機トランジスタを用いて、好適に有機トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを好適に作製できる。