(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式（１）
【化１】
0005180596.tif 000023
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、置換基として炭素数１〜５のアルキル基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリール基を表し、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
で表されるスルホニルイミデートを、１，８−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ及びビスブトキシマグネシウムからなる群より選ばれる塩基の存在下で次の一般式（２）
Ｙ＝Ｚ−Ｒ５                （２）
（式中、ＹはＲ６−ＣＨ、Ｒ７−Ｃ（Ｒ８）、又はＲ９Ｏ−ＣＯ−Ｎを表し、ＺはＮ、又はＣ−ＣＯ−ＯＲ１０（式中、左末端のＣはＹと二重結合を形成するとともにＲ５と結合している）を表し、Ｒ５は炭素数６〜１８のアリール基、−ＣＯＲａ、−ＣＯＯＲａ、又は−ＳＯ２−Ｒａ（式中、Ｒａは炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表す。）を表し、Ｒ６は水素原子、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基として炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、１〜２個の窒素原子、酸素原子、若しくは硫黄原子からなる異種原子を含有する５〜８員の複素環基、又は炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
で表される求核反応基質化合物と反応させて次の一般式（３）
【化２】
0005180596.tif 000024
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｙ、Ｚ、及びＲ５は、前記一般式（１）及び（２）で示したものと同じである。）
で表わされる求核反応生成物を製造する方法。
【請求項２】
求核反応基質化合物が、次の一般式（４）
【化３】
0005180596.tif 000025
（式中、Ｒ１１は炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基として炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、１〜２個の窒素原子、酸素原子、若しくは硫黄原子からなる異種原子を含有する５〜８員の複素環基、又は炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ１２は炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基又は炭素数６〜１８のアリールスルホニル基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（５）
【化４】
0005180596.tif 000026
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１、及びＲ１２は、前記一般式（１）及び（４）で示したものと同じであり、＊印は不斉炭素原子であることを示す。）
で表されるアミノ化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
求核反応基質化合物が、次の一般式（６）
【化５】
0005180596.tif 000027
（式中、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ１５は炭素数６〜１８のアリール基、−ＣＯＲａ、−ＣＯＯＲａ、又は−ＳＯ２−Ｒａ（式中、Ｒａは炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数６〜１８のアリール基を表す。）を表し、Ｒ１６は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（７）
【化６】
0005180596.tif 000028
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ１６は、前記一般式（１）及び（６）で示したものと同じであり、＊印は不斉炭素原子であることを示す。）
で表されるカルボニル化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
求核反応基質化合物が、次の一般式（８）
【化７】
0005180596.tif 000029
（式中、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（９）
【化８】
0005180596.tif 000030
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１７、及びＲ１８は、前記一般式（１）及び（８）で示したものと同じである。）
で表されるヒドラジン化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
塩基の量が、一般式（１）で表されるスルホニルイミデートに対して０．０１〜２０モル％である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
求核反応生成物が、立体選択的生成物である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルホニルイミデートの求核剤としての使用を提供するものである。より詳細には、本発明は、一般式（１）で表されるスルホニルイミデートを求核剤として使用し、求核反応生成物を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
医薬品産業や農薬産業においては新たな活性化合物の開発のために多数の化合物が製造されてきている。また、近年では有機ＥＬ素子などの素子材料として多くの有機化合物が製造されてきている。
このような有機化合物の製造においては、新しい有機化合物の合成手法の開発が望まれてきている。求核反応は有機化合物を製造する際の代表的な化学反応のひとつとして知られており、多くの産業分野で利用されてきている。特に、求核付加反応は、新たなＣ−Ｃ結合やＣ−Ｎ結合を生成させるための化学反応として開発が進められてきている（非特許文献１〜８参照）。しかし、これらの反応にはほぼ等量という多量の塩基が必要とされたり、また求核反応基質化合物の反応性を確保するために反応サイトに隣接する位置に電子吸引基を有していることが必要とされてきた（例えば、非特許文献９〜１１参照）。
このために、塩基の使用量が少なく、かつ一般性の高い新しい求核試薬の開発が求められている。
【０００３】
【非特許文献１】Alcaide, B. et al., Eur. J. Org. Chem., 2002, 1595.
【非特許文献２】List, B., Acc. Chem. Res., 2004, 37, 548.
【非特許文献３】Notz, W., et al., Acc. Chem. Res., 2004, 37, 580.
【非特許文献４】Shibasaki, M., et al., Chem. Commun., 2002, 1989.
【非特許文献５】Shibasaki, M., et al., Chem. Rev., 2002, 102, 2187.
【非特許文献６】Cordova, A., Acc. Chem. Res., 2004, 37, 102.
【非特許文献７】Marques, M., Angew. Chem. Int. Ed., 2006, 45, 348.
【非特許文献８】Shibasaki, M., etal., J. Organomet. Chem., 2006, 691, 2089.
【非特許文献９】Saito, S., et al., J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 8704.
【非特許文献１０】Saito, S., et al., Chem. Commun., 2007, 1236.
【非特許文献１１】Morimoto, H., et al., J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 9588.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、塩基の使用量が少なく、かつ一般性の高い新しい求核試薬を提供するものである。本発明は、本発明の求核試薬を用いた求核反応による各種の有機化合物の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、新しい求核試薬（求核剤）を開発してきたが、スルホニルイミデートは、従来から知られていたが、これを求核剤として用いる方法は開発されていなかった。本発明者らは、スルホニルイミデートが求核試薬（求核剤）としての反応性を有することを初めて見出したものである。本発明は、スルホニルイミデートを炭素求核剤として用いる初めての反応を提供するものである。
【０００６】
即ち、本発明は、次の一般式（１）
【０００７】
【化１０】
0005180596.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ１、及びＲ２は、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して水素原子又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。）
で表されるスルホニルイミデートを、塩基の存在下で求核反応基質化合物と反応させて求核反応生成物を製造する方法に関する。
また、本発明は、前記した本発明の方法で製造された求核反応生成物のスルホニルイミデート部分を、加水分解又は還元的加水分解して、対応するエステル、アミド、又はアルデヒドを製造する方法に関する。
さらに、本発明は、前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートを、求核反応における求核試薬（求核剤）として使用する方法に関する。また、本発明は、前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートの、求核反応における求核試薬（求核剤）として使用に関する。さらに本発明は、求核反応における求核試薬（求核剤）としての前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートに関する。
【０００９】
本発明をより詳細に説明すれば以下のとおりとなる。
［１］前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートを、塩基の存在下で求核反応基質化合物と反応させて求核反応生成物を製造する方法。
［２］求核反応基質化合物が、次の一般式（２）
Ｙ＝Ｚ−Ｒ５                （２）
（式中、ＹはＲ６−ＣＨ、Ｒ７−Ｃ（Ｒ８）、Ｒ９Ｏ−ＣＯ−Ｎ、又はＲ９−ＣＯ−Ｎを表し、ＺはＮ、又はＣ−ＣＯ−ＯＲ１０を表し、Ｒ５は置換基を有してもよい炭化水素基、−ＣＯＲａ、−ＣＯＯＲａ、又は−ＳＯ２−Ｒａ（式中、Ｒａは置換基を有してもよい炭化水素基を表す。）を表し、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子又は置換基を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して置換基を有してもよい炭化水素基を表す。）
で表される不飽和化合物であって、求核反応生成物が次の一般式（３）
【００１０】
【化１１】
0005180596.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｙ、Ｚ、及びＲ５は、前記一般式（１）及び（２）で示したものと同じである。）
である化合物である前記［１］に記載の方法。
［３］求核反応基質化合物が、次の一般式（４）
【００１２】
【化１２】
0005180596.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｒ１１は置換基を有してもよい炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、又は炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ１２は置換基を有してもよい炭化水素オキシカルボニル基又は置換基を有してもよい炭化水素スルホニル基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（５）
【００１４】
【化１３】
0005180596.tif 000005
【００１５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１、及びＲ１２は、前記一般式（１）及び（４）で示したものと同じである。）
で表されるアミノ化合物である前記［１］又は［２］に記載の方法。
［４］一般式（４）で表されるイミン化合物が、アルデヒドと一般式Ｈ２Ｎ−Ｒ１２（式中、Ｒ１２は前記一般式（４）で示したものと同じである。）で表されるアミノ化合物から、反応系中で生成されるものである前記［３］に記載の方法。
［５］求核反応基質化合物が、次の一般式（６）
【００１６】
【化１４】
0005180596.tif 000006
【００１７】
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ１６は、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭化水素基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（７）
【００１８】
【化１５】
0005180596.tif 000007
【００１９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ１６は、前記一般式（１）及び（６）で示したものと同じである。）
で表されるカルボニル化合物である前記［１］又は［２］に記載の方法。
［６］求核反応基質化合物が、次の一般式（８）
【００２０】
【化１６】
0005180596.tif 000008
【００２１】
（式中、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭化水素オキシ基を表す。）
であって、求核反応生成物が次の一般式（９）
【００２２】
【化１７】
0005180596.tif 000009
【００２３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１７、及びＲ１８は、前記一般式（１）及び（８）で示したものと同じである。）
で表されるヒドラジン化合物である前記［１］又は［２］に記載の方法。
［７］塩基の量が、一般式（１）で表されるスルホニルイミデートに対して０．０１〜２０モル％である前記［１］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］求核反応生成物が、立体選択的生成物である前記［１］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］前記［１］〜［８］のいずれかに記載の方法で製造された求核反応生成物のスルホニルイミデート部分を加水分解又は還元的加水分解して、対応するエステル、アミド、又はアルデヒドを製造する方法。
［１０］前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートを、求核反応における求核試薬として使用する方法。
【００２４】
本発明は、前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートからなる新規な求核試薬（求核剤）を提供するものであり、本発明の方法は、本発明が提供する新規な求核試薬（求核剤）を求核反応に適用することを特徴とするものである。
したがって、本発明の方法は、前記一般式（１）で表されるスルホニルイミデートからなる求核試薬（求核剤）を用いる全ての方法を包含するものであり、本発明における求核反応基質化合物としては、求核反応において本発明の求核試薬との反応性を有する化合物のことを意味する。
本発明の方法における好ましい求核反応としては、ミカエル付加反応のような求核付加反応が挙げられる。本発明の求核付加反応における、付加される不飽和結合としては、Ｃ＝Ｃ結合、Ｃ＝Ｎ結合、及びＮ＝Ｎ結合などが挙げられる
本発明の方法における好ましい求核反応基質化合物としては、前記した一般式（２）で表される化合物が挙げられる。より好ましい求核反応基質化合物としては、当該一般式（２）で表される化合物のうちの前記した一般式（４）、一般式（６）、又は一般式（８）で表される化合物が挙げられる。
【００２５】
本発明における一般式（１）〜（９）における「炭化水素基」としては、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アリールアルケニル基などの飽和又は不飽和の炭化水素基が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１５、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられる。このようなアルキル基の例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、などが挙げられる。
アルケニル基としては、炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１５、炭素数２〜１０の直鎖状又は分枝状のアルケニル基が挙げられる。このようなアルケニル基の例としては、ビニル基、１−メチル−ビニル基、２−メチル−ビニル基、ｎ−２−プロペニル基、１，２−ジメチル−ビニル基、１−メチル−プロペニル基、２−メチル−プロペニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基などが挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数３〜１５、好ましくは炭素数３〜１０の飽和又は不飽和の単環式、多環式又は縮合環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ビシクロ［１．１．０］ブチル基、トリシクロ［２．２．１．０］ヘプチル基、ビシクロ［３．２．１］オクチル基、ビシクロ［２．２．２．］オクチル基、アダマンチル基（トリシクロ［３．３．１．１］デカニル基）、ビシクロ［４．３．２］ウンデカニル基、トリシクロ［５．３．１．１］ドデカニル基、などが挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式芳香族基が挙げられる。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、などが挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式芳香族基（アリール基）に、前記した炭素数１〜２０のアルキル基が結合した、炭素数７〜４０、好ましくは炭素数７〜２０、炭素数７〜１５のアラルキル基（炭素環式芳香脂肪族基）が挙げられる。このような基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチル−メチル基などが挙げられる。
アリールアルケニル基としては、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式芳香族基（アリール基）に、前記した炭素数２〜２０のアルケニル基が結合した、炭素数８〜４０、好ましくは炭素数８〜２０、炭素数８〜１５のアリールアルケニル基が挙げられる。このような基としては、例えば、スチリル基、２−ナフチル−ビニル基などが挙げられる
また、本発明における炭化水素基は、求核反応に悪影響を与えない範囲で、前記してきた炭化水素基における１個又は２個以上の炭素原子が、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子などの異種原子で置換されたものであってもよい。
【００２６】
一般式（４）におけるＲ１１の複素環基としては、１個〜４個、好ましくは１〜３個又は１〜２個の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子からなる異種原子を含有する３〜８員、好ましくは５〜８員の環を有する単環式、多環式、又は縮合環式の複素環基が挙げられる。このような複素環基としては、例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピロリル基、２−ピリジル基、２−インドール基、ベンゾイミダゾリル基などが挙げられる。
これらの炭化水素基や複素環基は、求核反応に悪影響を与えない各種の官能基で置換されていてもよい。このような置換基としては、例えば、前記してきたアルキル基、前記してきたアルケニル基、前記してきたシクロアルキル基、前記してきたアリール基、前記してきたアラルキル基、塩素原子などのハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、１個〜４個の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子からなる異種原子を含有する３〜８員の環を有する複素環基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２１のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数７〜３７のアリール−カルボニルオキシ基、炭素数８〜４１のアラルキルカルボニルオキシ基、炭素数２〜２１のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜３７のアリールオキシカルボニル基、炭素数８〜４１のアラルキルオキシカルボニル基、置換若しくは非置換のアミノ基、アルキルシリル基、などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
一般式（１）における好ましいＲ１としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１５、炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられる。このようなアルキル基の例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、などが挙げられる。
一般式（１）における好ましいＲ２としては、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基が挙げられる。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、などが挙げられる。これらのアリール基は、炭素数１〜５のアルキル基などで置換されていてもよい。
一般式（１）における好ましいＲ３及びＲ４としては、それぞれ独立して水素原子又は前記したアルキル基が挙げられる。
【００２８】
一般式（２）におけるＲ６、及び一般式（４）におけるＲ１１の好ましい基としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１５、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基；炭素数３〜１５、好ましくは炭素数３〜１０の飽和又は不飽和の単環式、多環式又はシクロアルキル基；炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基；炭素数８〜４０、好ましくは炭素数８〜２０、炭素数８〜１５のアリールアルケニル基；１個〜４個、好ましくは１〜３個又は１〜２個の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子からなる異種原子を含有する３〜８員、好ましくは５〜８員の環を有する単環式、多環式、又は縮合環式の複素環基；炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。これらの基はアルキル基、ハロゲン、アルケニル基、などの置換基で置換されていてもよい。
一般式（２）におけるＲ７及びＲ８、及び一般式（６）におけるＲ１３及びＲ１４の好ましい基としては、水素原子又は炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１５、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられる。
一般式（２）における−ＯＲ９、及び一般式（８）におけるＲ１７の好ましい基としては、炭素数１〜２０のアルキル基に酸素原子結合したアルコキシ基が挙げられる。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられる。
一般式（２）における−ＯＲ１０、及び一般式（６）におけるＲ１６の好ましい基としては、炭素数１〜２０のアルキル基に酸素原子結合したアルコキシ基が挙げられる。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられる。
一般式（２）における好ましい＝Ｚ−Ｒ５としては、一般式（４）における＝Ｎ−Ｒ１２基、一般式（６）における＝Ｃ−Ｒ１５基、及び一般式（８）における＝Ｎ−ＣＯＲ１８基が挙げられる。好ましいＲ１２としては、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１８、炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基からなるアリールスルホニル基；炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。これらの基はアルキル基、ハロゲン、アルケニル基、などの置換基で置換されていてもよい。好ましいＲ１５としては、水素原子又はアルキル基が挙げられる。好ましいＲ１８としては、炭素数１〜２０のアルキル基に酸素原子結合したアルコキシ基が挙げられる。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられる。
【００２９】
本発明の方法は、塩基の存在下で行われる。塩基としては、アミン類のような有機塩基、マグネシウム塩のような無機塩基のいずれであってよい。好ましい塩基としては、ＤＢＵ  （１，８−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ）のような環状アミン類や、ビスブトキシマグネシウムのような金属塩などが挙げられる。また、本発明の方法は、モレキュラーシーブ（好ましく４オングストロームのもの）の存在下に行うこともできる。
塩基の使用量は特に制限はないが、従来の方法のように等量使用する必要が無いことが本発明の方法の特徴のひとつである。好ましい塩基の量は、一般式（１）で表されるスルホニルイミデートに対して０．０１〜２０モル％、より好ましくは１〜１５モル％程度である。
本発明の方法は溶媒の存在下で行うのが好ましい。好ましい溶媒としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＣＭ（ジクロロメタン）などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
一般式（２）などで表される求核反応基質化合物は、一般式（１）で表されるスルホニルイミデートに対して等量で行うことができるが、好ましくは０．８〜２当量、０．９〜１．５当量でおこなうことができる。
反応温度は、特に制限はなく−４５℃〜溶媒の沸点までの範囲で選択することができる。好ましい反応温度は０〜室温が上げられる。反応時間は適宜選定することができるが、反応温度が低い場合には１０〜５０時間程度が挙げられる。
本発明の方法で製造された生成物は、クロマトグラフィーなどの精製手段により適宜精製することができる。
【００３０】
本発明の方法で製造された化合物は、スルホニルイミデート部分のβ位が不斉炭素となり、アンチ体とシン体が存在する。本発明の方法は、立体選択的に進行し、いすれかの異性体が多量に生成する。通常の場合にはアンチ体が６０％以上、又は８０％以上で生成する。また、多くの場合には９０％、又は９５％以上でアンチ体を選択的に生成させることもできる。
【００３１】
本発明の方法で製造された生成物は、スルホニルイミデート部分（−Ｃ（ＯＲ１）＝ＮＳＯ２Ｒ２）を有しており、この部分を公知の手法で分解することにより、Ｎ−スルホニルアミド、エステル、アルデヒドなどに誘導することができる。
−Ｃ（ＯＲ１）＝ＮＳＯ２Ｒ２        →        −ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ２Ｒ２
−Ｃ（ＯＲ１）＝ＮＳＯ２Ｒ２        →        −ＣＯＯＲ１
−Ｃ（ＯＲ１）＝ＮＳＯ２Ｒ２        →        −ＣＨＯ
Ｎ−スルホニルアミドとする場合には、本発明の方法よる生成物を、含水アルコール（例えば、ｉ−Ｐｒアルコール）中で硫酸などの酸の存在下で、加水分解することにより製造することができる。
エステルとする場合には、本発明の方法よる生成物を、酸又は塩基の存在下で加水分解することにより製造することができる。
アルデヒドとする場合には、水素化ジイソブチルアルミニウムなどの還元剤の存在下に反応させることにより製造することができる。
このようにして製造されたＮ−スルホニルアミド、エステル、アルデヒドは、β位に本発明の方法により導入された窒素原子又は炭素原子を有しており、β−アミノ酸誘導体などとすることができ、本発明の方法により産業上有用な化合物を簡便に製造することができる。さらに、前記したように本発明の方法は立体選択的に行うことができるので、片方の異性体を選択的に製造することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明は、反応に富んだ新規な求核試薬を提供するものであり、本発明の方法によれば、通常カルボニル化合物由来炭素求核剤は、等量以上の強塩基を用いて発生させるのが常であるが、本発明の方法においては触媒量の塩基を使用するだけで反応を進行させることができ効率的に行うことができる。また、本発明の方法は、立体選択的であり、光学活性体を選択的に製造することができる。
【００３３】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
１Ｈ  ＮＭＲと１３Ｃ  ＮＭＲは JEOL JNM-ECX-400, JNM-ECX-500または、JNM-ECX-600を使用しＣＤＣｌ３を溶媒とし（他の溶媒を使用した場合は個別に記載）、テトラメチルシラン (δ = 0、１Ｈ  ＮＭＲ）またはＣＤＣｌ３ (δ = 77.0、１３Ｃ  ＮＭＲ)を内部標準物質として測定した。 IR スペクトルの測定は JASCO  FT/IR-610 を、旋光度の測定は JASCO P-1010 を使用した.融点測定には YAZAWA BY-1 を使用した。カラムクロマトグラフィーには Silica gel 60 (Merck) を調整用薄層クロマトグラフィーにはWakogel B-5Fを使用した。 全ての反応はアルゴン雰囲気下で実施し、溶媒は定法に従い蒸留したものを使用した。
スルホニルイミデートは文献（Kupfer, R.; Nagel, M.; Wurthwein, E.-U.; Allmann, R. Chem. Ber. 1985, 118, 3089.）に記載の方法に従い製造した。
【実施例１】
【００３４】
イミデート塩酸塩の製造
ニトリルとアルコールから、下記の反応式にしたがってそれぞれのイミデート塩酸塩を製造した。
【００３５】
【化１８】
0005180596.tif 000010
【００３６】
ニトリル（４００ｍモル）とアルコール（４００ｍモル）の混合液にＨＣｌガスを吹き込んだ（１０〜２０分間、発熱）。反応液をそのまま３〜１０時間Ａｒ雰囲気下で放置した。減圧濃縮後、ほぼ純粋なイミデート塩酸塩を得た（収率４０〜８０％）。
【実施例２】
【００３７】
スルホニルイミデートの製造
実施例１で製造したイミデート塩酸塩（Ａ）から、下記の反応式にしたがってスルホニルイミデート（６ｇ）を製造した。
【００３８】
【化１９】
0005180596.tif 000011
【００３９】
イミデート塩酸塩Ａの塩化メチレン（５０ｍＬ）溶液にトリエチルアミン（８．３ｍＬ、５９．５５ｍモル）を室温下滴下した。得られたけん濁液にパラトルエンスルホニルクロリド（ＴｓＣｌ）（３．７８５ｇ、１９．８５ｍモル）とジメチルアミノピリジン（２４２．５ｍｇ、１．９８５ｍモル）を加えた。４０時間撹拌した後、水に反応液を流し込み、塩化メチレンで抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮し反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて精製した後、スルホニルイミデート６ｇを得た（４．５６５ｇ，８５％  収率）。
Ｍｐ．  ３８−３９℃；
１Ｈ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３） δ ： 
7.82 (d, 2H, J = 8.5 Hz), 7.29 (d, 2H, J = 7.9 Hz), 
4.97-5.10 (m, 1H), 2.88 (q, 2H, J = 7.6 Hz), 2.42 (s, 3H), 
1.23 (d, 6H, J = 6.2 Hz), 1.21 (t, 3H, J = 6.2 Hz);  
１３Ｃ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）  δ ： 
176.3, 142.9, 139.4, 129.3, 126.4, 71.9, 27.8, 21.5, 21.1, 10.1; 
ＩＲ  (neat)   2983, 2942, 1597, 1496, 1465, 1383, 1356, 1312, 1235, 
1183, 1157, 1093, 1032, 1017, 955, 909, 838, 814, 799, 
692, 600, 555, 529 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＦＡＢ）；
Ｃ１３Ｈ２０ＮＯ３Ｓとして、  計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋  ２７０．１１６４，
実測値：             ２７０．１１６７．
【実施例３】
【００４０】
イミンとスルホニルイミデートとの一般的反応
下記の反応式にしたがってイミン（１）とスルホニルイミデート（６）を反応させて、対応するアミン化合物（７ｄ）〜（７ｘ）を製造した。
【００４１】
【化２０】
0005180596.tif 000012
【００４２】
４オングストロームのモレキュラーシーブ（以下、ＭＳ４Ａという。）（５０ｍｇ）の入っている容器に、イミン（０．４５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（０．５ｍＬ）溶液とスルホニルイミデート（０．３ｍｍｏｌ）を加えた。その混合物を０℃に冷却した後、ＤＢＵ（５ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．１ｍＬ）溶液を加えた。反応混合物を０℃にて２４時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。ジアステレオ選択性は反応粗生成物の１Ｈ−ＮＭＲにて決定した。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物を得た。
結果を次の表１に示す。
【００４３】
【表１】
0005180596.tif 000013
【００４４】
表１中の番号３では、イミン（１）を１当量、スルホニルイミデート（６）を５当量使用した。番号３、及び１３〜２１では、ＭＳ４Ａを１６７ｍｇ添加した。番号３、１５〜１９、及び２１では、塩基を１０モル％使用した。番号５、及び８では、３８時間反応させた。番号２０では、４０℃で３６時間反応させた。番号１６〜１９では、反応を室温で行った。番号１５〜１９では、３当量のイミン（１）を使用した。
【実施例４】
【００４５】
無機塩基を触媒として用いた反応実施例
下記の反応式にしたがって生成物７ｄを製造した。
【００４６】
【化２１】
0005180596.tif 000014
【００４７】
ＭＳ４Ａ（５０ｍｇ）とＭｇ（ＯｔＢｕ）２（１０ｍｏｌ％）の入っている容器に、イミン１ｂ（０．４５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（０．６ｍＬ）溶液とスルホニルイミデート６ｃ（０．３ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を室温にて１７時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。ジアステレオ選択性は反応粗生成物の１Ｈ−ＮＭＲにて決定した。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物７ｄ（９４％  収率、アンチ／シン＝９６／４）を得た。
Ｍｐ．  １２２−１２３℃；
１Ｈ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３） δ ： 
8.19 (s, 1H), 7.36 (d, 2H, J = 6.8 Hz), 6.93-7.05 (m, 4H), 
6.89 (d, 1H, J = 7.3 Hz), 6.62 (d, 1H, J = 9.6 Hz), 
5.03 (t, 1H, J = 10.5 Hz), 4.87 (quint, 1H, J = 6.2 Hz), 
4.48 (sext, 1H, J = 5.9 Hz), 2.86 (s, 3H), 1.96 (s, 3H), 
1.34 (s, 9H), 1.15 (d, 3H, J = 5.7 Hz), 
0.98 (d, 3H, J = 6.2 Hz), 0.91 (d, 3H, J = 6.2 Hz); 
１３Ｃ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３） δ = 
177.5, 154.7, 141.4, 140.5, 136.1, 134.5, 133.4, 132.4, 
128.9, 128.3, 127.9, 127.7, 78.6, 72.1, 58.9, 46.0, 28.4, 
21.0, 21.0, 20.6, 20.6, 14.9; 
ＩＲ  (neat)   3060, 3032, 2841, 2936, 2881, 1715, 1588, 1513, 1495, 
1456, 1389, 1365, 1299, 1267, 1248, 1225, 1155, 1102, 
1066, 1053, 1004, 973, 930, 910, 884, 851, 824, 738, 
707, 644, 599, 553, 499, 465 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＥＳＩ）；  
Ｃ２６Ｈ３７Ｎ２Ｏ５Ｓとして、  計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋  ４８９．２４２３，                                        実測値：             ４８９．２４１７．
【実施例５】
【００４８】
１ａと６ｅとの反応
下記の反応式にしたがって生成物７ｆを製造した。
【００４９】
【化２２】
0005180596.tif 000015
【００５０】
ＭＳ４Ａ（５０ｍｇ）の入っている容器に、イミン１ａ（５３．２ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（０．５ｍＬ）溶液を加えた。その混合物を０℃に冷却した後、スルホニルイミデート６ｅ（３４０．９ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）とＤＢＵ（１０ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．１ｍＬ）溶液を加えた。反応混合物を０℃にて３０分間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５  ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物７ｆ（９５．８ｍｇ，７９％  収率）を得た。
Ｍｐ．  ８０−８１℃；  
１Ｈ−ＮＭＲ  （Ｃ６Ｄ６）  δ ： 
8.05-8.10 (m, 2H), 7.26-7.30 (m, 2H), 7.00-7.10 (m, 6H), 
6.26 (d, 1H, J = 9.1 Hz), 5.47-5.57 (m, 1H), 3.92-4.03 (m, 2H),            3.59-3.81 (m, 3H), 2.95 (dd, 1H, J = 5.1, 14.2 Hz), 
0.95 (t, 3H, J = 7.1 Hz), 0.82 (t, 3H,  J = 7.1 Hz); 
１３Ｃ−ＮＭＲ  （Ｃ６Ｄ６）  δ ： 
172.8, 155.9, 142.7, 142.0, 132.4, 129.0, 128.8, 127.0, 
126.6, 64.8, 60.8, 53.3, 41.1, 14.6, 13.2; 
ＩＲ  (neat)   3360, 3065, 2982, 1719, 1599, 1523, 1473, 1446, 1397, 
1374, 1305, 1243, 1155, 1091, 1041, 888, 755, 734, 700, 
689, 631 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＦＡＢ）；  
Ｃ２０Ｈ２５Ｎ２Ｏ５Ｓとして、  計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋   ４０５．１４８４，                                      実測値：              ４０５．１４８７．
【実施例６】
【００５１】
３成分反応
下記の式（６）に示される反応式にしたがって生成物７ｚを製造した。
【００５２】
【化２３】
0005180596.tif 000016
【００５３】
ＭＳ４Ａ（５０ｍｇ）とＤＭＦ（０．５ｍＬ）の入っている容器に、ベンズアルデヒド（４５．７μＬ，０．４５ｍｍｏｌ）と２，５−キシリルスルホニルアミド（８３．４ｍｇ，０．４５ｍｍｏｌ）を加えた。その混合物を室温にて２０分間撹拌した後、０℃に冷却した。スルホニルイミデート６ｃ（８５．０ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）とＤＢＵ（１０ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．１ｍＬ）溶液を加えた。反応混合物を０℃にて２３時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。ジアステレオ選択性は反応粗生成物の１Ｈ−ＮＭＲにて決定した。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物７ｚ（１１６．８ｍｇ，７０％  収率）を得た。
Ｍｐ．  ９９−１００℃；  
１Ｈ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）;   δ ： 
8.23 (s, 1H), 7.39 (s, 1H), 7.12 (d, 1H, J = 9.1 Hz), 
6.90-6.97 (m, 3H), 6.87 (dd, 1H, J = 7.6, 1.4 Hz), 
6.65-6.73 (m, 3H), 6.53 (qd, 2H, J = 7.6, 1.4 Hz), 
5.03 (quint, 1H, J = 6.2 Hz), 
4.68 (dd, 1H, J = 11.0, 9.3 Hz), 
4.48 (qd, 1H, J = 11.0, 6.5 Hz), 3.00 (s, 3H), 
2.62 (s, 3H), 1.95 (s, 3H), 1.78 (s, 3H), 
1.40 (d, 3H, J = 6.2 Hz), 0.96 (d, 3H, J = 6.2 Hz), 
0.91 (d, 3H, J = 6.2 Hz);  
１３Ｃ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３） δ = 
177.0, 140.1, 140.0, 138.0, 136.1, 135.2, 135.0, 133.6, 
133.2, 132.6, 132.2, 131.9, 129.7, 128.8, 128.3, 127.3, 
73.1, 62.5, 46.4, 21.4, 21.1, 20.8, 20.5, 20.4, 20.0, 14.5; 
ＩＲ  (neat)   3060, 3029, 2982, 2936, 2878, 1592, 1578, 1493, 1458, 
1386, 1359, 1331, 1292, 1226, 1208, 1162, 1102, 1065, 
1030, 973, 910, 855, 824, 768, 747, 725, 707, 645, 
607, 580, 548, 516, 501, 464, 436, 419 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＦＡＢ）；  
Ｃ２９Ｈ３７Ｎ２Ｏ５Ｓ２として、  計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋  ５５７．２１４４，                                        実測値：              ５５７．２１５１．
【実施例７】
【００５４】
スルホニルイミデート６ａとメチルアクリレートとの反応
下記の反応式にしたがって生成物８を製造した。
【００５５】
【化２４】
0005180596.tif 000017
【００５６】
ＭＳ４Ａ（１００ｍｇ）の入っている容器に、スルホニルイミデート６ａ（６８．１ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（０．５ｍＬ）溶液とメチルアクリレート（３８．７ｍｇ，０．４５ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ（１０ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．１ｍＬ）溶液を室温にて加えた。反応混合物を室温にて２０時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物８（７０．４ｍｇ，７５％収率）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）;   δ ： 
8.02-8.08 (m, 2H), 6.98-7.05 (m, 3H), 3.84-3.92 (m, 1H), 
3.40 (s, 3H), 3.08 (s, 3H), 2.28-2.33 (m, 1H), 2.15-2.24 (m, 1H), 
1.92-2.00 (m, 1H), 1.64-1.74 (m, 1H), 1.35 (d, 3H, J = 6.8 Hz); 
１３Ｃ−ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３） δ ： 
178.5, 172.6, 143.2, 132.2, 128.8, 127.0, 54.7, 51.2, 38.8, 31.9, 
29.3, 17.8; 
ＩＲ  (neat)   3064, 2952, 2879, 2852, 1738, 1603, 1446, 1350, 1307, 
1263, 1197, 1155, 1123, 1092, 1026, 977, 951, 921, 839, 
759, 734, 691, 626, 595, 536, 444, 419 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＦＡＢ）；  
Ｃ１４Ｈ２０ＮＯ５Ｓとして、  計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋    ３７０．１６８３，
実測値：                ３７０．１７００．
【実施例８】
【００５７】
スルホニルイミデート6aとジターシャリーブチルアゾジカルボキシレートとの反応
下記の反応式にしたがって、生成物９を製造した。
【００５８】
【化２５】
0005180596.tif 000018
【００５９】
ＭＳ４Ａ（１００ｍｇ）の入っている容器に、スルホニルイミデート６ａ（１３６．４ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１．１ｍＬ）溶液とジターシャリーブチルアゾジカルボキシレート（１５２ｍｇ，０．６６ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ（５ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．１ｍＬ）溶液を室温にて加えた。反応混合物を室温にて１．５時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。ＭＳ４Ａをろ別した後、母液を水で３回洗浄した。得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物９（２３６．３ｍｇ，８６％  収率）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 70 ℃) δ ： 
8.16-8.80 (m, 1H), 7.90-7.94 (m, 2H), 7.53-7.69 (m, 3H), 
5.50-5.63 (m, 1H), 3.70 (s, 3H), 1.35-1.45 (m, 21H);
１３Ｃ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 70 ℃) δ ： 
141.6, 132.3, 128.7, 125.7, 79.3, 55.4, 55.3, 54.4, 27.7, 27.6, 
14.6; 
ＩＲ  (neat)   3326, 2979, 1732, 1613, 1540, 1507, 1478, 1448, 1393, 
1368, 1307, 1247, 1155, 1092, 1075, 1024, 955, 911, 854, 
758, 733, 690, 611, 585 ｃｍ−１; 
ＨＲＭＳ  （ＦＡＢ）；  
Ｃ２０Ｈ３２Ｎ３Ｏ７Ｓとして、計算値：［Ｍ＋Ｈ］＋  ４５８．１９６１，                                        実測値：             ４５８．１９７５．
【実施例９】
【００６０】
スルホニルイミデート７ｇの１０への変換
下記の反応式にしたがって、生成物１０を製造した。
【００６１】
【化２６】
0005180596.tif 000019
【００６２】
スルホニルイミデート７ｇ（５０  ｍｇ，０．０９２  ｍｍｏｌ）の入っている容器に、ｉ−ＰｒＯＨと水の混合液（９５／５，０．５ｍＬ）と濃硫酸（６６ｍｇ）を加えた。反応液を８０℃にて４０分間撹拌した後、１００℃にて３時間撹拌した。室温まで冷却した後、塩化メチレンで希釈した。飽和重曹水を加えた後、塩化メチレンで３回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮し生成物１０（４６．１ｍｇ，収率  定量的）を得た。
【実施例１０】
【００６３】
スルホニルイミデート７ｙの１１への変換
下記の反応式にしたがって、生成物１１を製造した。
【００６４】
【化２７】
0005180596.tif 000020
【００６５】
スルホニルイミデート７ｙ（８２．３ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ）の入っている容器に、ＤＭＦと水の混合液（９５／５，０．３８ｍＬ）とＤＢＵ（１０ｍｏｌ％）のＤＭＦ（０．０３ｍＬ）溶液を加えた。反応液を室温にて３３時間撹拌した後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。水で３回洗浄した後、得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物１１（５０．４  ｍｇ，９０％  収率）を得た。
【実施例１１】
【００６６】
スルホニルイミデート７ｄの１２ａへの変換
下記の反応式にしたがって、生成物１２ａを製造した。
【００６７】
【化２８】
0005180596.tif 000021
【００６８】
実施例４で製造した７ｄ（１００ｍｇ，０．２０５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２ｍＬ）溶液を−７０℃に冷却した後、Ｒｅｄ−Ａｌ（６５％  ｗ／ｗトルエン溶液、３８５μＬ，７当量）をゆっくり滴下した。１８時間さらに撹拌した後、ＭｅＯＨ（０．１ｍＬ）を−７０℃にて加え反応を停止した。５分間撹拌した後、水を加え室温まで昇温した。酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、不溶物を濾過し、母液を酢酸エチルで３回抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮後、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて精製後、生成物１２ａ（４６．９ｍｇ，８７％  収率）を得た。
【実施例１２】
【００６９】
１３の生成法
下記の反応式にしたがって、生成物１３を製造した。
【００７０】
【化２９】
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【００７１】
ベンズアルデヒド（６０．９μＬ，０．６ｍｍｏｌ）とＤＢＵ（１８．３ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（０．２ｍＬ）溶液の入った容器に、２，５−キシリルスルホニルアミド（１１．１ｍｇ，０．０６ｍｍｏｌ）を加えた。その溶液に、スルホニルイミデート６ｈ（１８３．８ｍｇ，０．７２ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１ｍＬ）溶液を３２時間かけて、低速添加した。低速添加終了後、さらに４６時間撹拌後、Ｅｔ２Ｏ（５ｍＬ）を加えて反応液を希釈した。水で３回洗浄した後、得られた有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４にて乾燥した後、減圧濃縮し、反応粗生成物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーにて粗生成物を精製し、生成物１３（１９６．２ｍｇ，９０％  収率、アンチ／シン＝８７／１３）を得た。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、新規な求核試薬を提供するものである。有機合成分野における新規な反応を提供することができることから、有機合成産業において極めて有用な方法を提供するものであり、産業上の利用可能性を有する。