(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも片面に磁性層を形成する工程、磁性層の表面にレジスト膜を形成する工程、凹凸パターンを有する樹脂製のモールドをレジスト膜に押圧して前記モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写させる工程、レジスト膜からモールドを剥離する工程、転写した凹凸パターンを用いて磁性層に磁気記録パターンを形成する工程を有し、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、
前記モールドは、
互いに対向する一対の基体間に、液状あるいはゲル状の硬化性樹脂材料を挟み、該硬化性樹脂材料の周縁部分のみを硬化させて積層体を得る工程、
前記積層体から一方の基体を剥離して硬化性樹脂材料の層を露出させる工程、
露出して硬化性樹脂材料の層に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押圧する工程、
マスターモールドを押圧したまま前記硬化性樹脂材料の層を硬化させて樹脂製のモールドを得る工程、
マスターモールドから樹脂製のモールドを剥離する工程を経て作製されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
液状あるいはゲル状の硬化性樹脂材料の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
硬化性樹脂材料が、（メタ）アクリル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基およびビニルエーテル基からなる群より選ばれる１種以上の反応基を有する樹脂材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
硬化性樹脂材料が３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長に対して硬化性を有する放射線硬化性樹脂材料であり、硬化性樹脂材料の硬化物が前記硬化性樹脂材料を放射線照射により硬化させた硬化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
硬化性樹脂材料の硬化後の樹脂が、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の透過性が２０％以上、温度２５℃における引張弾性率が１．３ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写する工程にて、レジスト膜を３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の放射線を照射して硬化させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大されその重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られている。特に、磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドおよびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに大きくなり、近年ではさらに巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）ヘッド、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）ヘッドなどが導入されたことによって、１年に約１００％もの割合で増加を続けている。しかし、磁気記録媒体については、記録密度を更に向上させることが要求されており、そのために磁性層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようという試みもある。
【０００３】
最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままビットエラーレートの低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００４】
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかし、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、あるいは隣接トラック間に非磁性部を形成して、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げる方法が検討されている。以下、この方法をディスクリートトラック法という。
【０００５】
ディスクリートトラック型磁気記録媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。 この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と磁気的に分断された磁気記録領域が形成されている。
【０００６】
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法とが知られている（例えば、特許文献２，特許文献３参照。）。このうち、前者の方法は磁性層加工法と称され、後者の方法をプレエンボス法と称される。
プレエンボス法は媒体表面に対する物理的加工が媒体形成前に完了するため、製造工程を簡略化でき、かつ媒体が製造工程において汚染しにくいという利点があるが、その一方で、基板に形成された凹凸形状が、成膜された膜にも引き継がれることになるため、媒体上を浮上しながら記録再生を行う記録再生ヘッドの浮上姿勢、浮上高さが安定しないという問題点があった。
【０００７】
磁性層加工法による磁気記録媒体の製造方法として、ナノインプリント法を用いる方法が提案されている。具体的には、基板上に成膜した連続な磁性層を、ナノインプリント法を用いて磁気記録トラックパターンやビットパターンに加工する方法である。
【０００８】
ここで、ナノインプリント法とは、転写すべき凹凸パターンが予め形成されたモールドを被転写材に押し付け、光を照射あるいは熱を与えながら被転写材を硬化させることによって、凹凸パターンを被転写材に転写する方法である。
ナノインプリント用モールドは、例えば、シリコン等の表面に１００ｎｍ以下の超微細凹凸パターンが形成されたものであり、大変高価である。このモールドがインプリントプロセスの際に摩耗し、破損すると、新しいモールドに交換しなければならないため、ナノインプリント法を経て製造される磁気記録媒体製品のコストが上昇することになる。そのため、工業的にナノインプリントプロセスを適用する際には、原器となるマスターモールドを温存する目的で、レプリカモールドが作製される。すなわち、マスターモールドのパターンをスタンパ装置により他の材料に転写させることにより、一つのマスターモールドから多数のレプリカモールドを作製する。
このレプリカモールドは大量に生産されたものであるから、安価である。したがって、レプリカモールドをナノインプリントプロセスのスタンパとして用いれば、モールドが破損しても別のレプリカモールドに交換でき、高価なマスターモールドを温存できる。その結果、微細な凹凸パターンを備えた製品をナノインプリント法により低コストで製造することが可能となる。
このような方法で製造するレプリカモールドとして樹脂製のモールドを用いることが検討され、例えば、光硬化反応を利用して微細パターンを転写する方法（例えば、非特許文献１参照。）、その光硬化時の収縮を抑制する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開２００５−１２２０４７号公報
【非特許文献１】ステファン・ワイ・チョウ（Ｓｔｅｐｈｅｎ  Ｙ．Ｃｈｏｕ）ら、「アプライド・フィジックス・レター」，米国物理学会、６７巻，２１号，１９９５年１１月２０日、ｐ．３３１４−３１１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ナノインプリント法を用いて磁気録媒体を製造する場合、その磁気記録パターンを微細化し、高記録密度を達成するために、ナノインプリント用モールドには、ますます微細なパターン形成が求められている。微細なパターン形成を行うと、モールドの摩耗の進行が速くなり、また破損の頻度が高くなる傾向にある。さらに、樹脂製のレプリカモールドは金属製のモールドに比べ寿命が短いため、樹脂製のモールドを用いる場合は、レプリカモールドを大量に確保しておく必要がある。そのため、レプリカモールドを大量に高い生産性で製造することが求められる。
【００１０】
ところで、マスターモールドの凹凸パターンを転写させる材料においては、硬化性を有し、柔軟性、充填性が高く、厚さが均一であることが要求される。その要求を満足させる方法として、例えば、ゲル状の硬化性樹脂をベースフィルムの上に印刷し、その印刷膜を転写材料としてマスターモールドを押圧する方法が考えられる。
印刷膜を均一な膜厚でフィルム状に保持するためには印刷する樹脂にある程度の粘性が必要であるが、硬化性樹脂の粘性を高めると、マスターモールドによる転写の際に凹凸パターンへの充填性が低下して、転写の精度が低下する傾向にある。
また、ベースフィルムの表面にあらかじめ堰を設け、その堰の中に液体状の硬化性樹脂を流し、それにより得た硬化性樹脂の層にマスターモールドをスタンプする方法が考えられる。しかしながら、この方法は製造設備が大がかりになる上に生産性が低く、しかも薄い層を得ることは困難である。
また、ベースフィルムの上にスピンコートにより硬化性樹脂の薄膜を形成し、その薄膜を転写材料としてマスターモールドを押圧する方法も考えられるが、さらに製造設備が大がかりになる上に生産性が低下する傾向にある。
したがって、これらの方法では、生産性を上げることができず、しかも凹凸パターンの転写の精度が低くなることがある。そのため、ナノインプリント法を用いて磁気録媒体を製造した場合には、磁気記録媒体の記録密度が低下し、また、生産性が低下することがあった。
本願発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、高記録密度を実現できる磁気記録媒体を高い生産性で安価に製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者は、上記課題を解決すべく検討した結果、互いに対向する一対の基体間に粘性の低い硬化性樹脂材料を挟み、その硬化性樹脂材料の周囲を該硬化性樹脂材料の硬化物で囲った積層体を、磁気記録媒体の製造に用いるモールドの製造に用いることで、前記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成させた。
すなわち、本願発明は以下の通りである。
［１］  基板の少なくとも片面に磁性層を形成する工程、磁性層の表面にレジスト膜を形成する工程、凹凸パターンを有する樹脂製のモールドをレジスト膜に押圧して前記モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写させる工程、レジスト膜からモールドを剥離する工程、転写した凹凸パターンを用いて磁性層に磁気記録パターンを形成する工程を有し、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、
前記モールドは、
互いに対向する一対の基体間に、液状あるいはゲル状の硬化性樹脂材料を挟み、該硬化性樹脂材料の周縁部分のみを硬化させて積層体を得る工程、
前記積層体から一方の基体を剥離して硬化性樹脂材料の層を露出させる工程、
露出して硬化性樹脂材料の層に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押圧する工程、
マスターモールドを押圧したまま前記硬化性樹脂材料の層を硬化させて樹脂製のモールドを得る工程、
マスターモールドから樹脂製のモールドを剥離する工程を経て作製されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
［２］  液状あるいはゲル状の硬化性樹脂材料の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする［１］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［３］  硬化性樹脂材料が、（メタ）アクリル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基およびビニルエーテル基からなる群より選ばれる１種以上の反応基を有する樹脂材料であることを特徴とする［１］または［２］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［４］  硬化性樹脂材料が３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長に対して硬化性を有する放射線硬化性樹脂材料であり、硬化性樹脂材料の硬化物が前記硬化性樹脂材料を放射線照射により硬化させた硬化物であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［５］  硬化性樹脂材料の硬化後の樹脂が、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の透過性が２０％以上、温度２５℃における引張弾性率が１．３ＧＰａ以上であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［６］  モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写する工程にて、レジスト膜を３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の放射線を照射して硬化させることを特徴とする［１］〜［５］のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法では、高記録密度を実現できる磁気記録媒体を高い生産性で安価に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本願発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板の片面に磁性層を形成する工程、磁性層の表面にレジスト膜を形成する工程、凹凸パターンを有する樹脂製のモールドをレジスト膜に押圧して、前記モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写させる工程、レジスト膜からモールドを剥離する工程、転写した凹凸パターンを用いて磁性層に磁気記録パターンを形成する工程を有して、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する方法である。
【００１４】
（モールドの作製方法）
本願発明におけるモールドは、以下の工程を有して得られる。
すなわち、互いに対向する一対の基体間に、液状あるいはゲル状の硬化性樹脂材料を挟み、該硬化性樹脂材料の周縁部分を硬化させて積層体を得る工程、前記積層体から一方の基体を剥離する工程、前記硬化性樹脂材料の層に、凹凸パターンを有するマスターモールドを押圧する工程、マスターモールドを押圧したまま前記硬化性樹脂材料の層を硬化させて樹脂製のモールドを得る工程、マスターモールドから樹脂製のモールドを剥離させる工程を有してモールドを得る。
【００１５】
積層体を得る工程の一実施形態例について説明する。
本実施形態例における積層体は、図１に示すように、互いに対向する一対の長尺な基体１１，１２と、一対の基体１１，１２間に挟まれた硬化性樹脂材料の層１３と、一対の基体１１，１２間に挟まれ、長さ方向に沿った第１の流動抑止体１４，１４とを有する。また、硬化性樹脂材料の層１３は、一対の基体１１，１２および第１の流動抑止体１４，１４によって封入されている。
【００１６】
基体１１，１２が長尺状である本実施形態例では、その間に挟まれる硬化性樹脂材料の層１３の厚さが、フィルムの長さ方向に不均一になる可能性がある。そのため、本実施形態例では、図２に示すように、幅方向に沿った直線状の第２の流動抑止体１５，１５が一定間隔で設けられている。このように幅方向に第２の流動抑止体１５，１５が設けられていれば、硬化性樹脂材料が長さ方向に移動しにくくなるため、硬化性樹脂材料の層１３の厚さが長さ方向に不均一になることを防止できる。
【００１７】
上記積層体１０は以下のようにして作製される。
まず、一方の基体１１に、溶剤で希釈した硬化性樹脂材料を塗布し、乾燥させて溶剤を除去させた後、他方の基体１２を載せる。
次いで、基体１１，１２で挟んだ硬化性樹脂材料の周縁部分を硬化させて、第１の流動抑止体１４を形成する。第１の流動抑止体１４の形成方法については特に制限されるものではなく、硬化性樹脂材料の性質に応じ、適宜選択できるが、例えば、他方の基体１２を載せた後、ロールで巻き取る前に紫外線照射機により幅方向の両端部のみを硬化させる方法が挙げられる。この方法によれば、連続生産が効率的であり、生産性をより高くすることができる。
硬化性樹脂材料の層１３の粘度が低く、両端部のみを硬化させただけでは、その硬化度や基体１１，１２に対する接合性が不充分である場合には、複数の紫外線照射機を用いて硬化性樹脂材料に紫外線を照射することが好ましい。
【００１８】
次いで、幅方向に沿って紫外線を照射して、第２の流動抑止体１５を形成する。第２の流動抑止体１５を形成すれば、封入された硬化性樹脂材料の厚さをより均一化できる。
第２の流動抑止体１５の形成方法としては、例えば、紫外線照射装置のオン−オフをタイマーで制御して一定間隔で紫外線を照射する方法、シャッターを用いて、一定間隔に幅方向に沿って紫外線を照射する方法などが挙げられる。
上記のように、第１の流動抑止体１４および第２の流動抑止体１５を形成することにより、硬化性樹脂材料の層１３を封入させる。その後、ロールで巻き取って、積層体１０のロールを得る。
【００１９】
本実施形態例における基体１１，１２は長尺状であるため、マスターモールドを連続的にスタンプできるようになっている。
長尺状の基体１１，１２の長さとしては、特に制限はなく、例えば、１０ｍ〜２０，０００ｍである。
【００２０】
基体１１，１２が長尺状である本実施形態例では、その間に挟まれる硬化性樹脂材料の層１３の厚さが、フィルムの長さ方向に不均一になる可能性がある。そのため、本実施形態例では、図２に示すように、幅方向に沿った直線状の第２の流動抑止体１５，１５が一定間隔で設けられている。このように幅方向に第２の流動抑止体１５，１５を設ければ、硬化性樹脂材料が長さ方向に移動しにくくなるため、硬化性樹脂材料の層１３の厚さが長さ方向に不均一になることを防止できる。
【００２１】
基体１１，１２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、硬化性樹脂材料として光硬化性樹脂を用いる場合には、硬化させるための放射線を透過させるものが好ましい。さらに、硬化性樹脂材料の層１３の厚さを一定にするために、表面の平滑性が良好になるものがより好ましい。
具体的な基体１１，１２の材料としては、透明な合成樹脂、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。これら材料は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２２】
また、基体１１，１２の少なくとも一方は、硬化性樹脂材料の硬化物を剥離可能な材料であることが好ましい。
積層体１０を用いてレプリカモールドを製造する際には、基体１１，１２の少なくとも一方を剥離するため、基体１１，１２の少なくとも一方が、硬化性樹脂材料の硬化物を剥離可能な材料であれば、基体１１，１２を剥離する際の作業性が良好になる。
ただし、基体１１，１２の剥離性が高すぎると、基体１１，１２に挟まれた硬化性樹脂材料が漏れ出すおそれがある。そのため、基体１１，１２の剥離性は、硬化性樹脂材料が漏れ出ない程度であることが好ましい。
また、基体１１，１２は、圧縮成形する際の加熱による変形を防止するために、圧縮成形する際の加熱温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００２３】
基体１１，１２の硬化性樹脂材料の層１３側には、剥離性のフィルムであるセパレートフィルムが設けられていてもよい。上述したように、基体１１，１２は、硬化性樹脂材料の硬化物を剥離可能な材料であることが好ましいが、その一方で、ベースフィルムになる基体１１には、硬化性樹脂材料の層１３を平坦に保つために高い剛性が求められ、カバーフィルムになる基体１２には、剥離しやすさの点から高い可撓性が求められる。この要求に対し、基体１１，１２の硬化性樹脂材料の層１３側にセパレートフィルムを設けて硬化性樹脂材料の硬化物に対する剥離性を確保すれば、基体１１，１２として剛性または可撓性が高いものを選択できる。したがって、前記要求を容易に満足させることができる。
セパレートフィルムとしては、基体１１，１２との接合性によっても選択されるが、例えば、紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
【００２４】
セパレートフィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５μｍ〜１００μｍが好ましく、８μｍ〜５０μｍがより好ましく、１０〜３０μｍが特に好ましい。
セパレートフィルムを用いる場合には、硬化性樹脂材料の硬化物とセパレートフィルムとが、硬化性樹脂材料の硬化物と基体１１，１２とよりも剥離しやすいことが好ましく、セパレートフィルムと硬化性樹脂材料の硬化物との層間の接着力は、他の各層間の層間接着力よりも小さいことがより好ましい。
【００２５】
基体１１，１２とセパレートフィルムとの組合せ（以下、基体／セパレートフィルムの組み合わせで示す。）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレン、ポリ塩化ビニル／セロフアン、ポリイミド／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。
【００２６】
また、基体１１，１２及びセパレートフィルムの少なくとも一方に、接着力を調整するための表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などが挙げられる。
これらのうち、下塗層を塗設する方法としては、ポリオルガノシロキサン、フッ素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーを含む塗布液を、基体１１，１２またはセパレートフィルムの表面に塗布した後、３０℃〜１５０℃（特に５０℃〜１２０℃）で１分〜３０分間乾燥させる方法などが挙げられる。
【００２７】
基体１１，１２とセパレートフィルムとの静摩擦係数は０．３〜１．４が好ましく、０．５〜１．２がより好ましい。静摩擦係数が０．３未満であると、滑り過ぎるため、積層体をロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、１．４を超えると、ロール状に巻くことが困難となることがある。
【００２８】
基体１１，１２の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２μｍ〜３００μｍが好ましく、５μｍ〜２００μｍがより好ましく、８μｍ〜１００μｍが特に好ましい。
【００２９】
硬化性樹脂材料は、液状あるいはゲル状の流動性のある材料とする。中でも、より高精度に樹脂製モールドを製造できることから、その粘度が１０Ｐａ・ｓ以下のものが好ましい。ここで、粘度は、２５℃の環境下において、例えばビスコメーター（ブルックフィールド社製、商品名「ＤＶ−ＥＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ」）を用いて測定した値である。
硬化性樹脂材料としては、硬化性に優れることから、（メタ）アクリル基、オキセタニル基、シクロヘキセンオキサイド基およびビニルエーテル基からなる群より選ばれる１種以上の反応基を有する樹脂材料が好ましい。
また、硬化性樹脂材料としては、積層体１０を光ナノインプリント法に用いる場合には放射線硬化性樹脂が用いられ、熱ナノインプリント法を用いる場合には熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂が用いられる。
とりわけ、硬化性樹脂材料としては、放射線硬化性樹脂材料がより好ましい。放射線硬化性樹脂材料によれば、光照射によって短時間にかつ容易に硬化させることができるため、マスターモールドからレプリカモールドを製造する工程を簡便かつ短時間に行うことができる。
【００３０】
放射線硬化性樹脂材料は、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長に対して硬化性を有する樹脂を含有し、硬化後の硬化物の３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の透過率が２０％以上、温度２５℃における引張弾性率が１．３ＧＰａ以上であることが好ましい。このような放射線硬化性樹脂を用いれば、硬化性樹脂材料の硬化性が充分に光を透過させるため、ナノインプリントプロセスに光ナノインプリント法を適用することが可能になる。また、硬化性樹脂材料の硬化物の引張弾性率が１．３ＧＰａ以上であれば、ナノインプリント法に適した物性の樹脂製モールドが得られる。
また、このような放射線硬化性樹脂材料は、光硬化時の収縮率が低く、マスターモールドに対する離型性が高いため、この樹脂材料を用いてレプリカモールドを製造すると、微細な凹凸パターンを有する樹脂製モールドを低い不良率で製造できる。
なお、波長の透過率は、例えば分光光度計（日本分光社製、商品名「Ｖ−６５０」）を用いて測定する。測定の際の、試料の硬化膜の厚みは２０μｍとし、測定温度は室温とする。また、引張弾性率はＪＩＳ  Ｋ７１２０に準拠して導出する。すなわち、チャック幅５０ｍｍでレオメーター（例えば、ＦＵＤＯＨ社製、商品名「ＲＴ−３０１０Ｄ−ＣＷ」）に評価用硬化膜を取り付け、２５℃で延伸して、破断点までの変位を求めることにより導出する。
【００３１】
３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の紫外線に対して硬化性を有する放射線硬化性樹脂材料としては、アクリル単量体（Ａ）、光重合開始剤（Ｂ）および離型剤（Ｃ）を含有するものが好ましい。
【００３２】
アクリル単量体（Ａ）としては、特に制限されるものではなく、目的に応じて適宜選択できるものであり、例えば、（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリル酸アミド類が用いられる。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸及びメタクリル酸の総称である。
（メタ）アクリル酸エステルの具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリール（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等のモノ（メタ）アクリレート。
１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のジ（メタ）アクリレート。
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタアエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等のトリ（メタ）アクリレート。
ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等のその他の（メタ）アクリレート。
前記（メタ）アクリルアミド類としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブチルアクリル（メタ）アミド、Ｎ−ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−メトキシエチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−フェニル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ベンジル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。具体的な商品名としては、ビームセット３７１（荒川化学工業社製）等が挙げられる。
これらアクリル単量体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
放射線硬化性樹脂材料中のアクリル単量体の含有量は８５〜９８質量％が好ましく、８７．５〜９６質量％がより好ましく、９０〜９４質量％が特に好ましい。アクリル単量体の含有量が８５質量％以上であれば、硬化後の材料を成形して用いる場合に充分に良好な物性が得られ、９８質量％以下であれば、重合開始剤や離型剤等との混合により、硬化後の材料の物性調整が容易になる。
【００３４】
光重合開始剤（Ｂ）としては、例えば、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤等が挙げられる。
アセトフェノン系光重合開始剤：アセトフェノン、ｐ−（ｔｅｒｔ−ブチル）１’，１’，１’−トリクロロアセトフェノン、クロロアセトフェノン、２’，２’−ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２’−フェニルアセトフェノン、２−アミノアセトフェノン、ジアルキルアミノアセトフェノン等。
ベンゾイン系光重合開始剤：ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール等。
ベンゾフェノン系光重合開始剤：ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、メチル−ｏ−ベンゾイルベンゾエート、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ヒドロキシプロピルベンゾフェノン、アクリルベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン等。
チオキサントン系光重合開始剤：チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ジメチルチオキサントン等。
その他の光重合開始剤：α−アシルオキシムエステル、ベンジル−（ｏ−エトキシカルボニル）−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキサイド、グリオキシエステル、３−ケトクマリン、２−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシド、ジアルキルペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレート等。
【００３５】
放射線硬化性樹脂材料中の重合開始剤の含有量は、アクリル単量体の１００質量部に対して０．００１〜１０質量部であることが好ましく、０．０１〜１０質量部であることがより好ましく、０．１〜５質量部であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量が０．００１質量部以上であれば、アクリル単量体を短時間に重合でき、１０質量部以下であれば、重合開始剤の残渣が硬化物中に残存しにくい。
【００３６】
離型剤（Ｃ）としては、より離型性に優れる硬化物が得られることから、含フッ素界面活性剤を含むことが好ましい。さらには、フッ素含有量が１０〜７０質量％の含フッ素界面活性剤がより好ましく、フッ素含有量が１０〜４０質量％の含フッ素界面活性剤が特に好ましい。含フッ素界面活性剤は、水溶性であっても油溶性であってもよい。
含フッ素界面活性剤としては、アニオン性含フッ素界面活性剤、カチオン性含フッ素界面活性剤、両性含フッ素界面活性剤、ノニオン性含フッ素界面活性剤のいずれであってもよい。これらの中でも、硬化性樹脂材料における相溶性と、その硬化物における分散性が良好であることから、ノニオン性含フッ素界面活性剤が特に好ましい。
【００３７】
アニオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルカルボン酸塩、ポリフルオロアルキル燐酸エステル、またはポリフルオロアルキルスルホン酸塩が好ましい。カチオン性界面活性剤の具体例としては、サーフロンＳ−１１１（商品名、セイミケミカル社製）、フロラードＦＣ−１４３（商品名、スリーエム社製）、メガファックＦ−１２０、メガファックＲ−３０（商品名、ＤＩＣ社製）等が挙げられる。
カチオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルカルボン酸のトリメチルアンモニウム塩、またはポリフルオロアルキルスルホン酸アミドのトリメチルアンモニウム塩が好ましい。カチオン性界面活性剤の具体例としては、サーフロンＳ−１２１（商品名、セイミケミカル社製）、フロラードＦＣ−１３４（商品名、スリーエム社製）、メガファックＦ−１５０（商品名、ＤＩＣ社製）等が挙げられる。
両性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルベタインが好ましい。両性界面活性剤の具体例としては、サーフロンＳ−１３２（商品名、セイミケミカル社製）、フロラードＦＸ−１７２（商品名、スリーエム社製）、メガファックＦ−１２０（商品名、ＤＩＣ社製）等が挙げられる。
ノニオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルアミンオキサイド、またはポリフルオロアルキル・アルキレンオキサイド付加物が好ましい。ノニオン性界面活性剤の具体例としては、サーフロンＳ−１４５（商品名、セイミケミカル社製）、サーフロンＳ−３９３（商品名、セイミケミカル社製）、サーフロンＫＨ−２０（商品名、セイミケミカル社製）、サーフロンＫＨ−４０（商品名、セイミケミカル社製）、フロラードＦＣ−１７０（商品名、スリーエム社製）、フロラードＦＣ−４３０（商品名、スリーエム社製）、メガファックＦ−１４１（商品名、ＤＩＣ社製）等が挙げられる。
【００３８】
放射線硬化性樹脂材料中の含フッ素界面活性剤の含有量は、放射線硬化性樹脂材料の全体を１００質量％とした際の０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜５質量％がより好ましい。含フッ素界面活性剤の含有量が０．０１質量％以上であれば、離型性に優れた硬化物を確実に形成でき、１０質量％以下であれば、放射線硬化性樹脂材料を容易に調製できる。
【００３９】
硬化性樹脂材料として、熱硬化性樹脂を用いる場合には、熱硬化性樹脂としては、熱ナノインプリント法に対する適合性の点から、圧縮成形の際の加熱温度よりも高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱硬化性樹脂が好ましい。
【００４０】
硬化性樹脂材料の層１３の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ〜５０μｍが好ましく、３μｍ〜２５μｍがより好ましく、５μｍ〜１５μｍが特に好ましい。
【００４１】
第１の流動抑止体１４および第２の流動抑止体１５は、前記硬化性樹脂材料を硬化させた硬化物からなる。第１の流動抑止体１４自体および第２の流動抑止体１５自体の幅は１ｍｍ〜２０ｍｍであることが好ましい。第１の流動抑止体１４自体および第２の流動抑止体１５自体の幅が１ｍｍ以上であれば、確実に硬化性樹脂材料を封入でき、２０ｍｍ以下であれば、未硬化の硬化性樹脂材料の面積を充分に確保できる。
【００４２】
上述した積層体では、硬化性樹脂材料の層１３が基体１１，１２および第１の流動抑止体１４および第２の流動抑止体１５によって封入されているため、硬化性樹脂材料が流れ出ることを防止して、硬化性樹脂材料の層１３を薄くかつ均一な厚さにすることができる。とりわけ、第１の流動抑止体１４は、硬化性樹脂材料自体を硬化させたものであるため、硬化性樹脂材料の層１３の全体にわたって厚さが均一化されている。そのため、マスターモールドを押圧した際に、高精度に凹凸パターンを転写させて、樹脂製のレプリカモールドを得ることができる。
また、このような積層体１０を用いれば、レプリカモールドの製造の原料となる硬化性樹脂材料の層１３を、大がかりな設備を用いずにスタンパ装置に容易に連続的に供給できるため、微細な凹凸パターンが形成された樹脂製レプリカモールドを大量に高い生産性で製造できる。
【００４３】
なお、積層体は上記のものに限定されず、例えば、図３に示すように、硬化性樹脂材料の層１３を円形状とし、それ以外の部分１６を硬化させて流動抑止体としたものであってもよい。
【００４４】
上記の積層体およびマスターモールドを用いて樹脂製のレプリカモールドを作製する方法の一実施形態例について説明する。
図４〜６に、マスターモールドを用いて樹脂製のモールドを作製する装置を示す。
この樹脂製モールド作製装置１００は、第１の取付盤１１１に支持された上型セット１１０と、第２の取付盤１２１に支持された下型セット１２０とを具備している。ここで第１の取付盤１１１は図示略の油圧シリンダなどの上下移動用アクチュエータ装置に支持されて上下に移動自在に設けられ、第２の取付盤１２１は図示略の基台上に設置されて固定されている。
【００４５】
前記第１の取付盤１１１の上方には円盤状のカッターセット部材１１２が図示略の油圧シリンダなどの上下移動用アクチュエータ装置に支持されて上下に移動自在に設けられている。このカッターセット部材１１２の底面外周部側には円筒状の外周カッター部１１４が設けられ、カッターセット部材１１２の底面中央部には丸棒状の内周カッター部１１５が設けられ、これら外周カッター部１１４と内周カッター部１１５とからカッター部材１１６が構成されている。また、前記外周カッター部１１４の先端部側にリング状の外周カッター刃１１７が下向きに形成され、内周カッター部１１５の先端部側に内周カッター刃１１８が形成されている。
前記外周カッター部１１４は第１の取付盤１１１の外周部に形成されている透孔１１１ａを介して第１の取付盤１１１の下方側に延出され、内周カッター部１１５は第１の取付盤１１１の中央に形成されている透孔１１１ｂを介して第１の取付盤１１１の下方側に延出され、第１の取付盤１１１に対するカッターセット部材１１２の上下移動に応じて外周カッター部１１４と内周カッター部１１５とが上下移動するように構成されている。
前記外周カッター刃１１７の断面は三角形状に形成されており、円筒状の外周カッター部１１４の内周面１１４ａをそのまま延長した形状の切刃面１１７ａと、外周カッター部１１４の外方に向いて傾斜する外側刃面１１７ｂを有している。前記内周カッター刃１１８は、丸棒状の内周カッター部１１５の外周面をそのまま延長した形状の切刃面１１８ａと、内周カッター部１１５の先端部に形成されている断面逆Ｖ字型のすり鉢状の凹部１１８ｂからなる切刃形状とされている。
【００４６】
第１の取付盤１１１の下方側であって、前記外周カッター部１１４と内周カッター部１１５との間の部分には、放射線源サポート機構１３０と照射装置１４０とが設けられ、照射装置１４０に内蔵されている高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、キセノン水銀ランプ、紫外ＬＥＤランプなどの放射線源から紫外光を下方に照射できるように構成されている。これらの放射線源のうち、成型品の歪みの原因となる熱の発生が小さいことから紫外ＬＥＤランプを用いることが特に好ましい。この場合に用いる紫外線の波長として３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲を例示することができる。
【００４７】
照射装置１４０の下方には枠状のサポート部材１５０が設置され、このサポート部材１５０の下方側に円盤状のガラス盤などの透放射線押圧基盤１６０が設けられている。前記放射線源サポート部材１５０と照射装置１４０と透放射線押圧基盤１６０が第１の取付盤１１１に一体化されており、第１の取付盤１１１の上下移動に応じて透放射線押圧基盤１６０が上下移動するように構成されている。
【００４８】
一方、第２の取付盤１２１の上には、同一高さの円筒状の内側摺動サポート部材１７０と円筒状の外側摺動サポート部材１８０が設けられ、これらの間には円盤状の受け台１９０が上下に摺動自在に嵌め込まれ、受け台１９０はその下方側に設けられたバネ部材などの弾性部材１９１により支持されている。この受け台１９０の上には、摺動サポート部材１７０、１８０よりも若干上方に突出するようにドーナツ円盤状のマスターモールド２０が設置されている。
【００４９】
このマスターモールド２０はその上面側に転写するべき凹凸パターンが形成されたものである。本実施形態例ではディスクリートトラック型磁気記録媒体の表面に凹凸パターンを形成するための樹脂製モールドを製造しようとするので、マスターモールド２０の表面にはディスクリートトラック型磁気記録媒体の表面に形成する薄膜の凹凸パターンが形成されている。
また、前記内側サポート部材１７０の中心部には、前記ロッド状の内周カッター刃１１８を挿入可能な凹部１７１が形成されている。
【００５０】
図４に示す構成の装置で樹脂製のモールドを製造するには、目的の樹脂製のモールドの基になる前記のフィルム状の積層体１０を用意する。
積層体１０のカバーフィルムである一方の基体１２を剥離して硬化性樹脂材料の層１３（図１参照）を露出させる（以下、基体１２を剥離したものを積層体１０ａという。）。図７に示すように、マスターモールド２０と透放射線押圧基盤１６０の間に挟み込み、第１の取付盤１１１を下降させて透放射線押圧基盤１６０を介して積層体１０ａをマスターモールド２０の表面に規定の圧力で押し付ける。このマスターモールド２０はＮｉ合金などの精密加工が可能な材料であって、現状の成形加工技術で微細な凹凸を精密に形成することができる材料から成るメタルプレートなどを適用できる。
この操作によりマスターモールド２０の表面に形成されている微細凹凸の逆パターンである微細凹凸パターンを積層体１０ａの硬化性樹脂材料の層１３に転写する（以上の工程を転写工程という。）。
【００５１】
次いで、マスターモールド２０の表面に積層体１０ａを押しつけた状態のまま、照射装置１４０から紫外放射線を照射し、硬化性樹脂材料を硬化させる（以上の工程を硬化工程という。）。
この硬化の前にまたは後、もしくは硬化中に、図８に示すように、カッターセット部材１１２を下降させて外周カッター部１１４と内周カッター部１１５を下降させ、外周カッター刃１１７と内周カッター刃１１８により積層体１０ａから円板状の樹脂製のモールド３０を打ち抜く（以上の工程を打ち抜き加工工程という。）。
この打ち抜き時において外周カッター刃１１７が円筒状の外側摺動サポート部材１８０の外周の延長面に沿って摺動しつつ積層体１０ａを打ち抜くとともに、内周カッター刃１１８は内側摺動サポート部材１７０の内側に沿って摺動しつつ積層体１０ａを打ち抜くので、正確な位置にて積層体１０ａを打ち抜くことができ、目的通りの内径寸法と外径寸法のドーナツ円盤状のモールド３０を得ることができる。
【００５２】
また、図８に示すように、積層体１０ａを打ち抜いてモールド３０となった部分を除く部分において、内周カッター刃１１８により打ち抜かれた積層体１０ａの中心部１０ｂは内側摺動サポート部材１７０の中心の凹部１７１側に排出され、外周カッター刃１１７により打ち抜かれた積層体１０ａの外周部１０ｃは外側摺動サポート部材１８０の外周側に排出される。ここで、摺動サポート部材１７０の凹部１７１の内径は内周カッター刃１１８の外径とほぼ等しい大きさとされているので、積層体１０ａを打ち抜く際、凹部１７１の内周縁に沿って積層体１０ａを無理なく正確な位置で内周カッター刃１１８により打ち抜くことができ、打ち抜き精度を高めることができる。また、外側摺動サポート部材１８０の外径は外周カッター刃１１７の内径とほぼ等しい大きさとされているので、積層体１０ａを打ち抜く際、外側摺動サポート部材１８０の外周縁に沿って積層体１０ａを無理なく正確な位置で外周カッター刃１１７により打ち抜くことができ、打ち抜き精度を高めることができる。よって内周円の形状及び位置精度と外周円の形状及び位置精度がいずれも高い目的のドーナツ円盤状に積層体１０ａを打ち抜くことができる。
本製造方法において、樹脂製のモールドを、同一のパターンが連続して設けられた長尺状とする場合には、カッター刃による打ち抜きを内周円のみとし、外周円の打ち抜きを行わない。
【００５３】
図８に示すように、積層体１０ａを打ち抜き後、図９に示すように第１の取付盤１１１とカッターセット部材１１２とを上昇させると、外周カッター刃１１７と内周カッター刃１１８の間に挟まれた状態でモールド３０が持ち上がるので、図１０に示すように、第１の取付盤１１１に対してカッターセット部材１１２を上昇させて外周カッター刃１１７と内周カッター刃１１８をモールド３０から外すように移動し、更に、先端部に折曲部４１を有する取出ロッド４０などの剥離手段を用いてモールド３０を取り出すことができる。この取出時において、外周カッター刃１１７と内周カッター刃１１８をモールド３０から既に外しており、モールド３０は透放射線押圧基盤１６０のみに密着した状態であるので、取出ロッド３１によりモールド３０を容易に剥離することができる。
【００５４】
モールド３０を透放射線押圧基盤１６０から取り外した後、新たな積層体１０ａを図１１に示すように、透放射線押圧基盤１６０とマスターモールド２０の間に配置し、再度、上述した押圧加工工程、紫外線照射工程、打ち抜き加工工程を施してモールド３０を得る。そして、上記の操作を繰り返し行うことにより、モールド３０を大量生産することができる。
【００５５】
（磁気記録媒体の製造方法）
本願発明の磁気記録媒体の製造方法は、例えば、ディスクリートトラック型磁気記録媒体やパターンドメディアの製造に適用される。この種の磁気記録媒体として、非磁性基板の表面に磁性層や保護層を形成したものを例示することができる。
例えば、上記のような非磁性基板の表面に形成される磁性層は、面内磁性層でも垂直磁性層でもかまわない。これら磁性層は主としてＣｏを主成分とする合金から形成することが好ましい。
【００５６】
例えば、面内磁気記録媒体用の磁性層としては、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造を利用できる。
垂直磁気記録媒体用の磁性層としては、例えば軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる裏打ち層と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要によりＲｕ等の中間膜、及び６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２ 合金からなる磁性層を積層したものを利用することができる。
【００５７】
磁性層の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とする。磁性層は使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層の膜厚は再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の磁性層膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す各パラメーターは出力の上昇とともに劣化するため、適切な膜厚に設定する必要がある。通常、磁性層はスパッタ法により薄膜として形成する。
【００５８】
本磁気記録媒体の製造方法では、上記磁性層に磁気的に分離した磁気記録パターンを形成するが、その工程に先立ち、磁性層の表面にレジスト膜を形成する工程、凹凸パターンを有する樹脂製のモールドをレジスト膜に押圧して、前記モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写させる工程、レジスト膜からモールドを剥離する工程を有して、マスク層を形成する。
以下、上記のモールドを用いた本願発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例について説明するが、本願発明の製造方法は、下記の方法に限定されるものではない。
【００５９】
本例の磁気記録媒体の製造方法は、例えば、非磁性基板２１０に、少なくとも磁性層２２０を形成する工程Ａ（図１２参照）、磁性層２２０の上にマスク層２３０を形成する工程Ｂ（図１３参照）、マスク層２３０の上にレジスト膜２４０を形成する工程Ｃ（図１４参照）、レジスト膜２４０に磁気記録パターンのネガパターンを、樹脂製のモールド２５０を用いて転写する工程Ｄ（工程Ｄにおける矢印はモールド２５０の動きを示す。よって下向きの矢印は樹脂製のモールド２５０をレジスト膜２４０に押圧する工程、上向きの矢印は基板２１０からモールド２５０を剥離する工程をさす。）（図１５参照）、磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分（工程Ｄの図の凹部）のマスク層２３０を除去する工程Ｅ（工程Ｄで凹部にレジスト膜２４０が残っている場合はレジスト膜２４０及びマスク層２３０の除去工程）（図１６参照）、レジスト膜２４０側表面から磁性層２２０の表層部を部分的にイオンミリングする工程Ｆ（符号２７０は磁性層で部分的にイオンミリングした箇所を示す。また符号ｄは、磁性層でイオンミリングした深さを示す。）（図１７参照）、磁性層２２０のイオンミリングした箇所を反応性プラズマや反応性イオン２７０にさらして磁性層２２０の磁気特性を改質する工程Ｇ（符号２８０は磁性層で磁気特性が改質した箇所を示す。）（図１８参照）、レジスト膜２４０およびマスク層２３０を除去する工程Ｈ（図１９参照）、磁性層２２０に不活性ガスを照射する工程、磁性層２２０の表面を保護膜２９０で覆う工程Ｉ（図２０参照）を有する方法である。
【００６０】
本製造方法における工程Ｂで、磁性層２２０の上に形成するマスク層２３０は、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれた何れか一種以上を含む材料で形成することが好ましい。このような材料を用いることにより、マスク層２３０のミリングイオン２６０に対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層２３０による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。さらに、これらの物質は、反応性ガスを用いたドライエッチングが容易であるため、工程Ｈにおいて、残留物を減らし、磁気記録媒体表面の汚染を減少させることができる。
本製造方法では、これらの物質の中で、マスク層２３０として、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａを用いることが好ましく、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂを用いることがより好ましく、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを用いることが最も好ましい。マスク層２３０の厚さは一般的には１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が好ましい。
【００６１】
次いで、工程Ｃにおいて、このマスク層２３０を介して磁性層２２０の上にレジストを塗布してレジスト膜２４０を形成する。レジストとしては、樹脂製のモールドによる転写特性の良いものが使用できるが、放射線に対して硬化性を有する樹脂とすることが好ましく、例えば、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等の紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。
【００６２】
次いで、工程Ｄにて、凹凸パターンが形成された樹脂製のモールド２５０をレジスト膜２４０に押圧し、モールド２５０の凹凸パターンをレジスト膜２４０に転写し、その後、基板２１０からモールド２５０を剥離させる。ここで、樹脂製のモールド２５０をレジスト膜２４０に押しあてる圧力は一例として６０ＭＰａ以下の圧力とすることができる。この圧力は圧縮力／モールド面積として算出することができ、換言すると、プレス装置で検出した加重をモールド面積で割ることで求めることができる。また、樹脂製のモールド２５０は任意の形状とすることが可能で、例えば、外周部と内周部の両方を打ち抜いた円盤状とできるが、本製造方法では、前述したように、図２１に示すような、同一のパターンが連続して設けられた長尺樹脂製のモールド２５０を用いることが磁気記録媒体の生産性から好ましい。
【００６３】
また、図２１に示すように、長尺のモールド２５０に開口部１０ｄを設け、この開口部１０ｄを基板２１０の開口部に一致させて位置合わせを行い、さらにモールド２５０を放射線透過性の治具により基板２１０に押しあて、治具側からレジスト膜２４０を硬化させるための放射線を照射することにより、磁気記録媒体を高い生産性で製造できる。
また、図２１に示したフィルムでは、同一パターンのモールドを連続して設けているため、各工程を連続して行うことが可能となり、また、容易に磁気記録媒体基板の両面を同時に処理することが可能となる。
【００６４】
本製造方法では、工程Ｃ、Ｄで示した、レジスト膜２４０に磁気記録パターンのネガパターンを転写した後のレジスト膜２４０の凹部の厚さを、０〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。レジスト膜２４０の凹部の厚さをこの範囲とすることにより、工程Ｅで示したマスク層２３０のエッチング工程において、マスク層２３０のエッジの部分のダレを無くし、マスク層２３０のミリングイオン２６０に対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層２３０による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。レジストの厚さは一般的には１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００６５】
工程Ｃ、Ｄのレジスト膜２４０に用いる材料としては、放射線硬化性の材料を用いることが好ましいが、レジストへの放射線照射は、レジスト膜２４０にモールド２５０を用いてパターンを転写する工程に際して行う他、パターン転写工程の後に、レジスト膜２４０に照射してもよい。このような製造方法を用いることにより、レジスト膜２４０に、モールド２５０の凹凸パターンを精度良く転写することが可能となり、工程Ｅで示したマスク層２３０のエッチング工程において、マスク層２３０のエッジの部分のダレを無くし、マスク層２３０の注入イオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層２３０による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。なお、本願発明における放射線とは、熱線、可視放射線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線により硬化性を有する材料とは、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂である。
モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写する工程においてレジスト膜２４０を硬化させる放射線は、汎用的であり、しかも生産性をより高くできる点では、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長の紫外線が好ましい。
【００６６】
本製造方法では、特に、レジスト膜２４０にモールド２５０を用いてパターンを転写する工程に際して、レジスト膜２４０の流動性が高い状態で、レジスト膜２４０にモールド２５０を押圧し、その押圧した状態で、レジスト膜２４０に放射線を照射することによりレジスト膜２４０を硬化させ、その後、モールド２５０をレジスト膜２４０から離すことにより、モールド２５０の形状を精度良く、レジスト膜２４０に転写することが可能となる。
レジスト膜２４０にモールド２５０を押圧した状態で、レジスト膜２４０に放射線を照射する方法としては、モールド２５０の反対側から照射する方法の他、基板２１０側から放射線を照射する方法、モールド２５０の側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、モールド材料または基板２１０からの熱伝導により放射線を照射する方法を用いることができる。
【００６７】
このような製造方法により、磁気トラック間領域（磁性層２２０を分離する領域）の磁気特性を低下、例えば保磁力、残留磁化を極限まで低減させることにより磁気記録の際の書きにじみをなくし、高い面記録密度の磁気記録媒体を得ることができる。
本製造方法では、工程Ｆに示すように、イオンミリング等により磁性層２２０の表層の一部を除去することが好ましい。本製造方法のように、磁性層２２０の表層の一部を除去し、その後に、表面を反応性プラズマや反応性イオンにさらして磁性層２２０の磁気特性を改質させた方が、磁性層２２０の一部を除去しなかった場合に比べ、磁気記録パターンのコントラストがより鮮明になり、また磁気記録媒体のＳ／Ｎが向上する。この理由としては、磁性層２２０の表層部を除去することにより、その表面の清浄化・活性化が図られ、反応性プラズマや反応性イオンとの反応性が高まったこと、また磁性層２２０の表層部に空孔等の欠陥が導入され、その欠陥を通じて磁性層２２０に反応性イオンが侵入しやすくなったことが考えられる。
イオンミリング等により磁性層２２０の表層の一部を除去する深さｄは、好ましくは、０．１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内、より好ましくは、１〜１０ｎｍの範囲内とする。イオンミリングによる除去深さが０．１ｎｍより少ない場合は、前述の磁性層２２０の除去効果が現れず、また、除去深さが１５ｎｍより大きくなると、磁気記録媒体の表面平滑性が低下し、磁気記録再生装置を製造した際の磁気ヘッドの浮上特性が低下する傾向にある。
【００６８】
本製造方法では、例えば磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を磁気的に分離する領域を、すでに成膜された磁性層２２０を反応性プラズマや反応性イオンにさらして磁性層２２０の磁気特性を改質（磁気特性の低下）することにより形成する。
ここで、磁気的に分離した磁気記録パターンとは、工程Ｇに示されるように、磁気記録媒体を表面側から見た場合、磁性層２２０が非磁性化等した領域２８０により分離された状態をさす。すなわち、磁性層２２０が表面側から見て分離されていれば、磁性層２２０の底部において分離されていなくとも、本願発明の目的を達成することが可能であり、磁気的に分離した磁気記録パターンの概念に含まれる。また、磁気記録パターンは、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。
この中で本製造方法は、磁気的に分離した磁気記録パターンが、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート型磁気記録媒体に適用することが、その製造における簡便性から好ましい。
本製造方法において、磁気記録パターンを形成するための磁性層２２０の磁気特性の改質とは、磁性層２２０をパターン化するために、磁性層２２０の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化等を下げることを指す。  
さらに本製造方法では、磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を磁気的に分離する箇所を、すでに成膜された磁性層２２０を反応性プラズマや反応性イオンにさらして磁性層２２０を非晶質化することにより実現することも可能である。すなわち、磁性層２２０の磁気特性の改質は、磁性層２２０の結晶構造の改質によって実現することも含む。ここで、磁性層２２０を非晶質化するとは、磁性層２２０の原子配列を、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態とすることを指し、より具体的には、２ｎｍ未満の微結晶粒がランダムに配列した状態とすることを指す。そしてこの原子配列状態を分析手法により確認する場合は、Ｘ線回折または電子線回折により、結晶面を表すピークが認められず、また、ハローが認められるのみの状態とする。  
【００６９】
磁性層２２０の改質の際に用いられる反応性プラズマとしては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）や反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ）が例示できる。また、反応性イオンとは、前述の誘導結合プラズマ、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンが例示できる。
誘導結合プラズマとは、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマは電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラックメディアを製造する場合に比べ、広い面積の磁性層２２０において、高い効率で磁気特性の改質を実現することができる。反応性イオンプラズマとは、プラズマ中にＯ２、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＣｌ４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを反応性プラズマとして用いることにより、磁性層２２０の磁気特性の改質をより高い効率で実現することが可能となる。
【００７０】
本製造方法では、反応性プラズマもしくは反応性イオンが、ハロゲンイオンを含有することが好ましく、また、ハロゲンイオンが、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＣｌ４、ＫＢｒからなる群から選ばれた何れか１種以上のハロゲン化ガスを反応性プラズマ中に導入して形成したハロゲンイオンであることが、磁性層２２０とプラズマとの反応性を高め、また、形成するパターンの精度をより向上させる点で好ましい。この理由の詳細は明らかではないが、反応性プラズマ中のハロゲン原子が、磁性層２２０の表面に形成している異物をエッチングし、これにより磁性層２２０の表面が清浄化し、磁性層２２０の反応性が高まることが考えられる。また、清浄化した磁性層２２０表面とハロゲン原子とが高い効率で反応することが考えられる。
【００７１】
本製造方法では、成膜された磁性層２２０を反応性プラズマにさらすことにより磁性層２２０を改質するが、この改質は、磁性層２２０を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子またはイオンとの反応により実現することが好ましい。ここでいう反応としては、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化すること、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属が窒化すること、磁性金属が珪化すること等が例示できる。
【００７２】
本製造方法では、その後、工程Ｈに示すように、レジスト膜２４０およびマスク層２３０を除去する。この工程は、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリング、湿式エッチング等の手法を用いることができる。
【００７３】
本製造方法では、その後、工程Ｉに示すように、工程Ｆ、Ｇ、Ｈの工程で活性化した磁性層２２０に不活性ガスを照射し、磁性層２２０を安定化させる。このような工程を設けることにより、磁性層２２０が安定し、高温多湿環境下においても磁性粒子のマイグレーション等の発生が抑制される理由は明らかではないが、磁性層２２０の表面に不活性元素が侵入することにより磁性粒子の移動が抑制されること、または、不活性ガスの照射により、磁性層２２０の活性な表面が除去され、磁性粒子のマイグレーション等が抑制されることが考えられる。
不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスを用いることが好ましい。これらの元素は安定であり、磁性粒子のマイグレーション等の抑制効果が高いからである。不活性ガスの照射は、イオンガン、ＩＣＰ，ＲＩＥからなる群から選ばれた何れかの方法を用いることが好ましい。この中で特に、照射量の多さの点で、ＩＣＰ，ＲＩＥを用いることが好ましい。ＩＣＰ，ＲＩＥについては前述したとおりである。
【００７４】
本製造方法では、工程Ｉに示すように、保護膜２９０を形成後、潤滑材を塗布して磁気記録媒体を製造することが好ましい。保護膜２９０の形成は、一般的にはＤｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎの薄膜をＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜する方法が行われるが特に限定されるものではない。保護膜としては、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜材料を用いることができる。また、保護膜が２層以上の層から構成されていてもよい。  
保護膜２９０の膜厚は１０ｎｍ未満とする必要がある。保護膜の膜厚が１０ｎｍを超えるとヘッドと磁性層２２０との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるからである。
保護膜２９０の上には潤滑層を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層を形成する。  
【００７５】
この磁気記録媒体の製造方法では、マスターモールド２５０の凹凸パターンをレジスト膜２４０に転写するに際して、モールド２５０の裏面からレジスト膜２４０を硬化させるための放射線を照射することが可能となる。これにより、磁性層２２０表面に磁気記録パターンを形成するためのマスク層２３０を短時間で形成することが可能となり磁気記録媒体の生産性を高めることができる。
さらに、上記の方法では、マスターモールドの凹凸パターンが高精度に転写されたモールドを用いるため、磁気記録媒体の記録密度を向上させることができる。
【００７６】
なお、上記磁気記録媒体の製造方法は、イオンミリングする工程Ｆを含む方法であるが、この工程Ｆを省略しても構わない。工程Ｆを省略した場合には、マスクが除去されて磁性層２２０が露出した面が反応性プラズマや反応性イオンにさらされることになる。
また、この磁気記録媒体の製造方法では、磁性層２２０にレジストを塗布する工程、凹凸形状のパターンが形成された樹脂製のモールドをレジストに押しあてる工程、モールドの凹凸パターンをレジストに転写する工程を、基板の両面に対して同時に行うことができる。これは、本願発明におけるモールドは可撓性の高いフィルム状であるため扱い易く、また、このフィルムを長尺状とすることができるため、磁気記録媒体用基板の両表面へのモールドの供給、押しあて、転写、剥離、回収を容易に行うことができるからである。
【００７７】
（磁気記録媒体の用途）
上記の製造方法により得た磁気記録媒体は磁気記録再生装置等に用いられる。
磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例を図２２に示す。この磁気記録再生装置は、上述の本発明の磁気記録媒体３００と、これを記録方向に駆動する媒体駆動部４００と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと５００、磁気ヘッド５００を磁気記録媒体３００に対して相対運動させるヘッド駆動部６００と、磁気ヘッド５００への信号入力と磁気ヘッド５００からの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせた記録再生信号系７００とを具備したものである。これらを組み合わせることにより記録密度の高い磁気記録装置を構成することが可能となる。磁気記録媒体の記録トラックを磁気的に不連続に加工したことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。
さらに上述の磁気ヘッドの再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録装置を実現することができる。またこの磁気ヘッドの浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと、従来より低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録装置を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（硬化性樹脂材料の調製）
ビームセット３７１（荒川化学工業社製）を７７．４質量部、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）の２５質量％アセトン溶液を６．０質量部、メガファックＲ−３０（ＤＩＣ株式会社製）を２．５質量部、酢酸エチル（希釈溶剤）を１６．４質量部配合して、紫外線硬化性の硬化性樹脂材料の溶液を調製した。
この硬化性樹脂材料の粘度は５９．１ｍＰａ・ｓであり、硬化後の硬化物は、波長３６５ｎｍの透過率が６５％、温度２５℃における引張弾性率が０．０３ＧＰａである。
【００７９】
（積層フィルムの製造）
得られた硬化性樹脂材料の溶液を、易接着処理を施したベースフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績社製、厚さ５０μｍ、幅１００ｍｍ、長さ１０００ｍ）上に塗布した。
次いで、希釈溶剤を揮発させて、厚さ３０μｍの紫外線硬化性樹脂材料の層（粘度：２Ｐａ・ｓ）を形成させた。
次いで、その硬化性樹脂材料の層の上に、カバーフィルムとしてシリコーン処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１６μｍ）を貼り合せて、硬化性樹脂材料の層をベースフィルムとカバーフィルムで挟んだ積層フィルムを得た。
【００８０】
（硬化性樹脂材料の封入）
得られた積層フィルムの幅方向の両端部に９０ｍｍ×１０ｍｍの幅で紫外線（３６５ｎｍ、３６ｍＷ／ｍ２）を照射して流動抑止体を形成しながら、ＡＢＳ樹脂製円筒状巻き芯を用いて１０８０ｍｍ／分の巻取り速度で巻き取った。これにより、長さ１５０ｍ、幅１００ｍｍで、幅方向の両端部１０ｍｍが硬化されて流動抑止体になった積層体のロールを得た。
【００８１】
（レプリカモールドの製造）
得られた積層体のロールとマスターモールドを用いて、レプリカモールドを製造した。
マスターモールドとしては、厚さ０．３ｍｍ、内径１６ｍｍ、外径６３．５ｍｍのニッケル電鋳製のドーナツ盤の表面に凹凸高さ８０ｎｍ、凸部幅１２０ｎｍ、凹部幅８０ｎｍの同心円パターンを多数形成したスタンパを用いた。
このマスターモールドのパターン面を下にしてスタンパ装置に取り付けた。次いで、前記積層体を、カバーフィルムの表面を上にしてカバーフィルムの表面がマスターモールドのパターン面と対向するように供給した。
次いで、積層体からカバーフィルムを剥離させ、硬化性樹脂材料の層にマスターモールドを圧力３０ＭＰａで１０秒間押し付けた。その状態のまま、照度が３０ｍＷ／ｃｍ２に設定された紫外線照射装置（波長３６５ｎｍのＬＥＤランプ）により紫外線を２０秒間照射して、硬化性樹脂材料を硬化させた。そして、紫外線の照射を停止し、マスターモールドを上昇させ、硬化性樹脂材料の層にパターンを転写させたレプリカモールドを得た。この工程を連続的に行い、積層体のロールから１５００個のレプリカモールドを得た。
【００８２】
（レジスト膜付磁気記録媒体基板の作製）
磁気記録媒体用ガラス基板を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。
該ガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性層として６５Ｆｅ−３０Ｃｏ−５Ｂ、中間層としてＲｕ、磁性層として７４Ｃｏ−６Ｃｒ−１８Ｐｔ−２ＳｉＯ２（これらはモル比。）合金の順に薄膜を積層した。それぞれの層の膜厚は、ＦｅＣｏＢ軟磁性層は６０ｎｍ、Ｒｕ中間層は１０ｎｍ、磁性層は１５ｎｍとした。その上に、スパッタ法を用いてマスク層を形成した、マスク層にはＴａを用いて膜厚は６０ｎｍとした。この磁気記録媒体の両面に、レジストをスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成した。レジストとしては、紫外線硬化樹脂であるＰＡＫ−０１（東洋合成（株）製）を用いた。また膜厚は、１００ｎｍになるように樹脂を溶媒で希釈して調整した。
【００８３】
＜樹脂製のモールドを用いたインプリント＞
上記磁気記録媒体基板に上記樹脂製のレプリカモールドを、凹凸パターンの面が磁気記録媒体基板のレジスト膜に対向するように石英製の治具で両側から挟んだ。なお、石英製の治具の一方には、磁気記録媒体基板および樹脂製のレプリカモールドの位置合わせ用の、直径２０ｍｍの円柱状の棒が垂直に設けられている。この２つの石英製治具同士を、圧力０．６ＭＰａで１０秒間押圧した後、圧力を変えないまま、石英製治具側から波長３６５ｎｍのＬＥＤランプで照度３０ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を照射した。その後、磁気記録媒体基板からレプリカモールドを剥がし取り、モールドはフィルム巻き取り機により回収した。
基板表面のレジスト膜の厚さは８０ｎｍ、レジスト膜の凹部の厚さは約５ｎｍであった。また、レジスト膜の凹部の形成方法の基板に対する角度は、ほぼ９０度であった。
【００８４】
＜磁気記録パターンの形成と特性評価＞
その後、レジスト膜の凹部の箇所、および、その下のＴａ層をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジストのエッチングに関しては、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とし、Ｔａ層のエッチングに関しては、ＣＦ４ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間３０秒とした。
その後、磁性層でマスク層に覆われていな箇所について、その表面をイオンミリングにより除去した。イオンミリングにはＡｒイオンを用いた。イオンミリングの条件は、高周波放電力  ８００Ｗ、加速電圧  ５００Ｖ、圧力  ０．０１４Ｐａ、Ａｒ流量  ５ｓｃｃｍ、処理時間  ４０秒、電流密度  ０．４ｍＡ／ｃｍ２とした。イオンミリングを施した表面を反応性プラズマにさらし、その箇所の磁性層について磁気特性の改質を行った。磁性層の反応性プラズマ処理は、アルバック社の誘導結合プラズマ装置ＮＥ５５０を用いた。プラズマの発生に用いるガスおよび条件としては、ＣＦ４を９０ｃｃ／分の流量で導入し、プラズマ発生のための投入電力を２００Ｗ、装置内の圧力を０．５Ｐａとし、磁性層を３００秒間処理した。
【００８５】
その後、レジスト膜、マスク層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチングの条件は、ＳＦ６ガスを１００ｓｃｃｍ、圧力２．０Ｐａ、高周波プラズマ電力４００Ｗ、処理時間３００秒とした。その後、磁性層の表面に不活性ガスプラズマを照射した。不活性ガスプラズマの照射条件は、不活性ガス  ５ｓｃｃｍ、圧力  ０．０１４Ｐａ、加速電圧  ３００Ｖ、電流密度  ０．４ｍＡ／ｃｍ２、処理時間  １０秒とした。その表面にＣＶＤ法にてカーボン（ＤＬＣ：ダイヤモンドライクカーボン）保護膜を４ｎｍ成膜し、その後、潤滑材を塗布して磁気記録媒体を製造した。
【００８６】
実施例で製造した磁気記録媒体について、形成したパターンの不良率を調べた。不良率は、磁気記録媒体表面に形成したトラックの３％以上にパターン形成の不良があるものを不良品として計算した。その結果、本実施例の樹脂製モールドを用いて製造した磁気記録媒体の不良率は３．３％であり、高い生産性で高精度に磁気記録媒体を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法で使用する積層体の一実施形態例を示す断面図である。
【図２】硬化性樹脂材料の層および流動抑止体の一例を説明する図である。
【図３】硬化性樹脂材料の層および流動抑止体の他の例を説明する図である。
【図４】樹脂製のレプリカモールドを作製する装置の一例を示す断面図である。
【図５】図４に示す装置を構成する上型セットの下面を示す図である。
【図６】図４に示す装置を構成する下型セットの上面を示す図である。
【図７】樹脂製のモールドの作製方法の一例における一工程を示す図である。
【図８】樹脂製のモールドの作製方法の一例における一工程を示す図である。
【図９】樹脂製のモールドの作製方法の一例における一工程を示す図である。
【図１０】樹脂製のモールドの作製方法の一例における一工程を示す図である。
【図１１】樹脂製のモールドの作製方法の一例における一工程を示す図である。
【図１２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１３】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１４】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１５】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１６】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１７】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１８】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図１９】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図２０】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態例における一工程を示す図である。
【図２１】長尺のモールドを示す図である。
【図２２】磁気記録再生装置の一例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１０，１０ａ  積層体
１１，１２  基体
１３  硬化性樹脂材料の層
１４  第１の流動抑止体
１５  第２の流動抑止体
２０  マスターモールド
３０  樹脂製モールド（モールド）
１００  樹脂製モールド作製装置
１１０  上型セット
１１１  第１の取付盤
１１１ａ，１１１ｂ  透孔
１１２  カッターセット部材
１１４  外周カッター部
１１４ａ  内周面
１１５  内周カッター部
１１６  カッター部材
１１７  外周カッター刃
１１７ａ  切刃面
１１７ｂ  外側刃面
１１８  内周カッター刃
１１８ａ  切刃面
１１８ｂ  凹部
１２０  下型セット
１２１  第２の取付盤
１３０  放射線源サポート機構
１４０  照射装置
１５０  サポート部材
１６０  透放射線押圧基盤
１７０  内側摺動サポート部材（サポート部材）
１７１  凹部
１８０  外側摺動サポート部材（サポート部材）
１９０  受け台
１９１  弾性部材
２１０  基板
２２０  磁性層
２３０  マスク層
２４０  レジスト膜
２５０  モールド
２６０  ミリングイオン
２９０  保護膜
３００  磁気記録媒体
４００  媒体駆動部
５００  磁気ヘッド
６００  ヘッド駆動部
７００  記録再生信号系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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