(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が矩形の半導体素子と、
はんだ層を介して、前記半導体素子と接合されたヒートスプレッダと、
前記半導体素子と、前記ヒートスプレッダと、の間に設けられ、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部と、
前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、
内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、
を備え、  
前記保持部は、以下の式を満足するように設けられ、
前記保持部は、前記収納部の内部に開口する開口部を有し、
前記開口部は、平面視において、前記矩形の半導体素子の辺に面して設けられたこと、を特徴とする半導体装置。
【数３】
0005325917.tif 000004
ここで、Ｓは平面視における保持部の総面積、Ｓｃは平面視における半導体素子の面積、Ｈは半導体素子とヒートスプレッダとの間の寸法、Ｈｓは保持部の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法である。
【請求項２】
前記保持部は、平面視において互いに対向するように設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、ヒートスプレッダと、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、を設ける工程と、
前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間に、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部を設ける工程と、
前記収納部の内部と前記保持部の内部とに所定の量のはんだを供給する工程と、
前記規定部を介在させて、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとが互いに近接する方向に加圧する工程と、
前記加圧した状態で加熱して、前記はんだを溶融させる工程と、
前記溶融したはんだを冷却する工程と、
を備え、
前記溶融したはんだを冷却する工程において、前記収納部に収納された前記溶融したはんだの量が不足する場合には前記保持部から前記溶融したはんだを補充し、前記溶融したはんだの量が過剰である場合には前記保持部に前記溶融したはんだを回収すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（Insulated gate bipolar transistor）、ＩＥＧＴ（Injection Enhanced Gate Transistor）、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、ダイオードなどの電力用の半導体素子の放熱性を向上させるために、半導体素子にヒートスプレッダをはんだ接合してモジュール化した半導体装置が知られている。  
この様な半導体装置においては、半導体素子とヒートスプレッダとの間にスペーサや突起部を設けたり、半導体素子の４隅の位置に同一形状のはんだ溜り部を設けたりすることで、半導体素子の傾きを制御する技術が提案されている。  
しかしながら、半導体素子とヒートスプレッダとの間の離隔寸法の精度を高くすることが難しいため、予め定められた所定の量のはんだを用いて半導体素子とヒートスプレッダとを接合するようにすれば、余剰のはんだが流出したり、はんだ量が不足して引け部が生じたりするおそれがある。  
そのため、半導体装置の信頼性が低下するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、信頼性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、平面形状が矩形の半導体素子と、はんだ層を介して、前記半導体素子と接合されたヒートスプレッダと、前記半導体素子と、前記ヒートスプレッダと、の間に設けられ、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部と、前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、を備えている。  
そして、前記保持部は、以下の式を満足するように設けられ、前記保持部は、前記収納部の内部に開口する開口部を有し、前記開口部は、平面視において、前記矩形の半導体素子の辺に面して設けられている。
【数１】
0005325917.tif 000002
ここで、Ｓは平面視における保持部の総面積、Ｓｃは平面視における半導体素子の面積、Ｈは半導体素子とヒートスプレッダとの間の寸法、Ｈｓは保持部の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。（ａ）はスペーサを備えた半導体装置、（ｂ）は突起部を備えた半導体装置を例示するための模式断面図である。
【図２】保持部について例示をするための模式図である。（ａ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ矢視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ矢視図である。
【図３】比較例に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。
【図４】保持部を設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。なお、（ａ）は、はんだ接合に用いるはんだの量と流出部の発生率との関係を例示するための模式グラフ図、（ｂ）は、はんだ接合に用いるはんだの量と引け部の面積が半導体素子の面積に占める割合との関係を例示するための模式グラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。  
なお、図１（ａ）はスペーサを備えた半導体装置、図１（ｂ）は突起部を備えた半導体装置を例示するための模式断面図である。  
図２は、保持部について例示をするための模式図である。  
なお、図２（ａ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ矢視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ矢視図である。  
図３は、比較例に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。
【０００８】
なお、図３は、保持部１１を設けずに収納部１０のみを設けた場合である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１ａには、半導体素子２、３、ヒートスプレッダ４、５、バスバー６、７、スペーサ８ａ〜８ｄ、はんだ層９ａ〜９ｄ、収納部１０が設けられている。  
また、図１（ｂ）に示すように、半導体装置１ｂには、半導体素子２、３、ヒートスプレッダ１４、１５、バスバー６、７、はんだ層９ａ〜９ｄ、収納部１０が設けられている。
なお、スペーサ８ａ〜８ｄと、後述する突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂとが、各要素間の寸法を規定する規定部となる。  
例えば、スペーサ８ｄと突起部１５ｂとが、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５、１５との間に設けられ、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５、１５との間の寸法を規定する規定部となる。
【００１０】
半導体素子２、３は、例えば、ＩＧＢＴ、ＩＥＧＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ダイオードなどの電力用の半導体素子などとすることができる。  
この場合、半導体素子２、３は、同じ種類の半導体素子とすることもできるし、異なる種類の半導体素子とすることもできる。  
例えば、インバータ制御回路を構成する場合には、半導体素子２、３の一方をスイッチング素子としてのＩＧＢＴ、他方をフリーホイールダイオードとしてのダイオードなどとすることができる。
【００１１】
ヒートスプレッダ４、５、１４、１５は、導電性材料を用いて形成されたものとすることができる。  
ヒートスプレッダ４、５、１４、１５は、例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などを用いて形成されたものとすることができる。なお、後述するはんだ接合の際のはんだ付け性を向上させるために、ヒートスプレッダ４、５、１４、１５の表面にニッケルや金などからなる層を設けるようにすることもできる。  
ここで、例えば、半導体素子２及び半導体素子３の少なくともいずれかがＩＧＢＴなどである場合には、ヒートスプレッダ４、１４はいわゆるエミッタ板とすることができ、ヒートスプレッダ５、１５はいわゆるコレクタ板とすることができる。
【００１２】
図１（ａ）、（ｂ）に例示をしたものの場合には、ヒートスプレッダ４、１４は半導体素子２、３毎に１つずつ設けられ、ヒートスプレッダ５、１５は半導体素子２、３に対して１つ設けられている。  
ヒートスプレッダ４、１４の一方の主面ははんだ層９ａを介してバスバー６の一方の主面にはんだ接合され、ヒートスプレッダ４、１４の他方の主面ははんだ層９ｂを介して半導体素子２、３の一方の主面にはんだ接合されている。  
ヒートスプレッダ５、１５の一方の主面ははんだ層９ｃを介してバスバー７の一方の主面にはんだ接合され、ヒートスプレッダ５、１５の他方の主面ははんだ層９ｄを介して半導体素子２、３の他方の主面にはんだ接合されている。
【００１３】
バスバー６、７は、導電性材料を用いて形成されるものとすることができる。  
バスバー６、７は、例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などを用いて形成されるものとすることができる。なお、はんだ付け性を向上させるために、バスバー６、７の表面にニッケルや金などからなる層を設けるようにすることもできる。
【００１４】
ここで、半導体素子２、３とヒートスプレッダ４、５、１４、１５との間の離隔寸法、ヒートスプレッダ４、１４とバスバー６との間の離隔寸法、ヒートスプレッダ５、１５とバスバー７との間の離隔寸法の管理を行わないと、はんだ層９ａ〜９ｄに部分的に厚みの薄いところや厚いところが生じて、熱応力に対する脆弱部が生じたり、放熱性が低下したりするおそれがある。
【００１５】
そのため、半導体装置１ａにおいては、前述した規定部としてのスペーサ８ａ〜８ｄを設けることでこれらの離隔寸法の管理が行えるようになっている。  
スペーサ８ａ〜８ｄは、例えば、球状を呈したものとすることができる。  
スペーサ８ａは、ヒートスプレッダ４とバスバー６との間に設けられている。  
スペーサ８ｂは、ヒートスプレッダ４と半導体素子２、３との間に設けられている。  
スペーサ８ｃは、ヒートスプレッダ５とバスバー７との間に設けられている。  
スペーサ８ｄは、ヒートスプレッダ５と半導体素子２、３との間に設けられている。  
スペーサ８ａ〜８ｄの大きさや材質には特に限定がなく、適宜設定することができる。  この場合、球状を呈したスペーサ８ａ〜８ｄの直径寸法を２５μｍ以上、８５μｍ以下とすれば、放熱性や耐熱疲労性を向上させることができる。  
また、スペーサ８ａ〜８ｄをニッケル、銅などを用いて形成するようにすれば、はんだに対する濡れ性を向上させることができる。  
そして、はんだ接合時に、バスバー７、スペーサ８ｃ、ヒートスプレッダ５、スペーサ８ｄ、半導体素子２、３、スペーサ８ｂ、ヒートスプレッダ４、スペーサ８ａ、バスバー６を積層させた積層体を加圧するようにすれば、離隔寸法の管理を行うことができる。すなわち、スペーサ８ａ〜８ｄを介することで離隔寸法の管理を行うことができる。
【００１６】
また、半導体装置１ｂにおいては、ヒートスプレッダ１４に突起部１４ａ、１４ｂを設け、ヒートスプレッダ１５に突起部１５ａ、１５ｂを設けて前述した離隔寸法の管理が行えるようになっている。  
すなわち、半導体装置１ｂにおいては、前述した規定部としての突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを設けることでこれらの離隔寸法の管理が行えるようになっている。  
突起部１４ａは、ヒートスプレッダ１４とバスバー６との間に設けられている。  
突起部１４ｂは、ヒートスプレッダ１４と半導体素子２、３との間に設けられている。  突起部１５ａは、ヒートスプレッダ１５とバスバー７との間に設けられている。  
突起部１５ｂは、ヒートスプレッダ１５と半導体素子２、３との間に設けられている。
【００１７】
突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂは、例えば、柱状を呈したものとすることができる。  
突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの大きさには特に限定がなく、適宜設定することができる。  
なお、ヒートスプレッダに突起部を設ける場合を例示したが、半導体素子２、３やバスバー６、７に突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを設けるようにすることもできる。
【００１８】
この場合、柱状を呈した突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの高さ寸法を２５μｍ以上、８５μｍ以下とすれば、放熱性や耐熱疲労性を向上させることができる。  
また、突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの表面にニッケルや金などからなる層を形成するようにすれば、はんだに対する濡れ性を向上させることができる。  
そして、はんだ接合時に、バスバー７、突起部１５ａ、１５ｂが設けられたヒートスプレッダ１５、半導体素子２、３、突起部１４ａ、１４ｂが設けられたヒートスプレッダ１４、バスバー６を積層させた積層体を加圧するようにすれば、離隔寸法の管理を行うことができる。すなわち、突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを介することで離隔寸法の管理を行うことができる。
【００１９】
はんだ層９ａ〜９ｄは、例えば、錫を主成分とする鉛フリーはんだ（無鉛はんだ）を用いたはんだ接合により形成されたものとすることができる。  
はんだ層９ａ〜９ｄは、半導体素子２、３と、ヒートスプレッダ１４、１５、バスバー６、７とを電気的に接続する。  
また、はんだ層９ａ〜９ｄは、半導体素子２、３において発生した熱をヒートスプレッダ１４、１５、バスバー６、７に放出させる際に熱経路の一部となる。  
また、はんだ層９ａ〜９ｄは、半導体素子２、３とヒートスプレッダ１４、１５との間に発生する熱応力を緩和させる。
【００２０】
次に、収納部１０、保持部１１について例示をする。  
ここでは、一例として、半導体素子２に対して設けられた収納部１０、保持部１１について例示をするが、半導体素子３に対して設けられた収納部１０、保持部１１も同様とすることができる。  
また、図２（ａ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ矢視図であるが、図１（ｂ）における対応部分も同様とすることができる。
【００２１】
収納部１０は、ヒートスプレッダ５の半導体素子２が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する。  
例えば、図２（ａ）に示すように、半導体素子２の平面形状が矩形の場合には、収納部１０は矩形の各辺に略平行となる部分を有したものとすることができる。そして、矩形の各辺に略平行となる部分により画された領域が溶融したはんだを収納する収納部１０の内部となる。  
この場合、図２（ａ）に示すように、枠状の収納部１０とすることができ、枠状の収納部１０の線幅寸法は０．５ｍｍ以上とすることができる。
【００２２】
また、収納部１０は、半導体素子２の外縁よりは外側に設けられている。  
そして、収納部１０は、ヒートスプレッダ５の半導体素子２が接合される側の主面から突出して設けられ、その内部には溶融したはんだが収納できるようになっている。  
また、収納部１０を設けることで半導体素子２の位置がずれることを抑制することもできる。  
この場合、平面視において、半導体素子２の外縁と収納部１０の内縁との間の寸法を小さくすれば、半導体素子の位置ずれをさらに小さくすることができる。  
例えば、半導体素子２の外縁と収納部１０の内縁との間の寸法を０ｍｍ〜０．２ｍｍ程度とすることができる。
【００２３】
収納部１０の厚み寸法は、例えば、スペーサ８ｄの直径寸法、突起部１５ｂの高さ寸法と同程度とすることができる。  
例えば、収納部１０の厚み寸法は、２５μｍ以上、８５μｍ以下とすることができる。  収納部１０の材料は特に限定されるわけではなく、溶融したはんだに対する耐熱性を有するものを適宜選択することができる。  
例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法などを用いて所定の形状に熱硬化性樹脂を塗布し、これを加熱硬化させることで収納部１０を形成するようにすることができる。
【００２４】
ここで、スペーサ８ａ〜８ｄ、突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを設けて前述した離隔寸法の管理を行うようにすれば、はんだ接合に用いるはんだの量を一定とすることができる。  
ところが、スペーサ８ａ〜８ｄ、突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの寸法にはばらつきがあるので、前述した離隔寸法がばらつくことになる。  
そのため、はんだ接合に用いるはんだの量を一定とすると、図３に例示をするように、はんだ量が不足して引け部１９ａが生じたり、はんだ量が過剰となり流出部１９ｂが生じたりするおそれがある。
【００２５】
この様な引け部１９ａが生じると、熱応力に対する脆弱部が生じたり、放熱性が低下したりするおそれがある。  
また、流出部１９ｂが生じると、半導体素子２の主面と他方の主面との間、あるいは隣接する半導体素子３との間、とにおいて短絡が生じるおそれがある。  
そのため、本実施の形態においては、保持部１１を設けることで引け部１９ａや流出部１９ｂが発生することを抑制するようにしている。
【００２６】
保持部１１は、内部に保持した溶融したはんだを収納部１０との間において流通させる。
例えば、保持部１１は、溶融したはんだを冷却する際に、収納部１０に収納された溶融したはんだの量が不足する場合には溶融したはんだを補充し、溶融したはんだの量が過剰である場合には溶融したはんだを回収、保持する。
【００２７】
保持部１１は、収納部１０から外方に向けて突出するようにして設けられ、内部に溶融したはんだを収納することができるようになっている。また、保持部１１は、収納部１０の内部に開口する開口部１１ａを有し、開口部１１ａは、平面視において半導体素子２の外縁に面して設けられている。この様な開口部１１ａを設けることで収納部１０との間における溶融したはんだの流通を容易とすることができる。
【００２８】
保持部１１を設けるようにすれば、半導体素子２とヒートスプレッダ５との間に供給されたはんだ量の過不足に応じて、はんだの補充または回収、保持を容易に行うことができる。そのため、図３に例示をした引け部１９ａや流出部１９ｂの発生を抑制することができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２９】
この場合、保持部１１は、平面視において互いに対向させるようにして少なくとも一対設けられるようにすることができる。その様にすれば、半導体素子２の少なくとも両側からはんだの補充または回収を行うようにすることができるので、引け部１９ａや流出部１９ｂの発生をさらに抑制することができる。  
なお、保持部１１を互いに対向させるようにして複数対（図２（ａ）に例示をしたものは２対）設けるようにすることができる。
【００３０】
また、保持部１１の厚み寸法は、収納部１０の厚み寸法と同程度とすることができる。保持部１１が平面視において収納部１０に連設する線状部から形成される場合には、その線幅寸法は収納部１０の線幅寸法と同程度とすることができる。また、保持部１１の材料は、収納部１０の材料と同じとすることができ、収納部１０と保持部１１とを同時に形成するようにすることができる。
【００３１】
本発明者の得た知見によれば、平面視における保持部１１の総面積Ｓが以下の（１）式を満足するようにすれば、引け部１９ａや流出部１９ｂの発生をより確実に抑制することができる。 
【数２】
0005325917.tif 000003
ここで、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｓは平面視における保持部１１の総面積、Ｓｃは平面視における半導体素子の面積、Ｈは半導体素子とヒートスプレッダとの間の寸法、Ｈｓは保持部１１の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法である。
【００３２】
例えば、図２（ａ）に例示をしたもののように、４つの保持部１１が設けられている場合には、総面積Ｓは４つの保持部１１の面積を加えたものとなる。この場合、各保持部１１の面積が等しければ、１つの保持部１１の面積はＳ／４となる。  
保持部１１の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法Ｈは、保持部１１の厚み寸法、溶融したはんだの表面張力、溶融したはんだの粘度などを考慮して適宜設定することができる。例えば、予め実験やシミュレーションを行うことで最大高さ寸法Ｈを求めるようにすることができる。  
また、保持部１１の総面積Ｓの上限値は、スペース効率などを考慮して適宜決定するようにすることができる。
【００３３】
図４は、保持部を設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。なお、図４（ａ）は、はんだ接合に用いるはんだの量と流出部１９ｂの発生率との関係を例示するための模式グラフ図、図４（ｂ）は、はんだ接合に用いるはんだの量と引け部１９ａの面積が半導体素子の面積に占める割合との関係を例示するための模式グラフ図である。  
また、図４（ａ）中のＣａは保持部１１を設けた場合、Ｄａは保持部１１を設けていない場合である。図４（ｂ）中のＣｂは保持部１１を設けた場合、Ｄｂは保持部１１を設けていない場合である。
【００３４】
図４（ａ）、（ｂ）から分かるように、保持部１１を設けるようにすれば、引け部１９ａや流出部１９ｂの発生を大幅に低減させることができる。  
また、はんだ接合に用いるはんだの量にかかわらず引け部１９ａや流出部１９ｂの発生を大幅に低減させることができる。  
そのため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
[第２の実施形態]  
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について例示をする。  
まず、半導体素子２、３、ヒートスプレッダ４、５、バスバー６、７、スペーサ８ａ〜８ｄなどを形成する。  
また、ヒートスプレッダ１４、１５を用いる場合には、ヒートスプレッダ１４に突起部１４ａ、１４ｂを形成し、ヒートスプレッダ１５に突起部１５ａ、１５ｂを形成する。
【００３６】
なお、半導体素子２、３やバスバー６、７に突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを形成するようにしてもよい。例えば、半導体素子２、３を個片化する前のウェーハ状態において、熱硬化性レジストなどの熱硬化性樹脂をインクジェット法などを用いて所定の形状に塗布し、これを加熱硬化させることで突起部１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂを形成するようにすることができる。  
その他の各要素の形成に関しては既知の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。
【００３７】
次に、ヒートスプレッダ５、または、ヒートスプレッダ１５に所定の形状を有する収納部１０、保持部１１を形成する。  
すなわち、ヒートスプレッダ５、または、ヒートスプレッダ１５の半導体素子２、３が接合される領域の外側に、内部に溶融したはんだを収納する収納部１０と、内部に保持した溶融したはんだを収納部１０との間において流通させる保持部１１と、を設ける。  
例えば、熱硬化性レジストなどの熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法、インクジェット法などを用いて所定の形状に塗布し、これを加熱硬化させることで収納部１０、保持部１１を形成するようにすることができる。
【００３８】
この場合、例えば、収納部１０、保持部１１の厚み寸法を２５μｍ以上、８５μｍ以下、線幅寸法を０．５ｍｍ以上、半導体素子の外縁と収納部１０の内縁との間の寸法を０ｍｍ〜０．２ｍｍ程度とすることができる。  
また、平面視における保持部１１の総面積Ｓが前述した（１）式を満足するようにすることができる。  
そして、加熱温度を１５０℃程度、加熱時間を１時間程度とすることができる。
【００３９】
次に、各要素間に各要素間の寸法を規定する規定部を設ける。  
例えば、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５との間に、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５との間の寸法を規定する規定部としてのスペーサ８ｄを設ける。または、半導体素子２、３とヒートスプレッダ１５との間に、半導体素子２、３とヒートスプレッダ１５との間の寸法を規定する規定部としての突起部１５ａを設ける。
【００４０】
次に、各要素のはんだ接合面にはんだ層９ａ〜９ｄとなるはんだペレットを供給し、各要素を積層させて積層体を形成する。  
この際、収納部１０の内部と保持部１１の内部とに所定の量のはんだペレットを供給する。
【００４１】
例えば、各はんだ接合面に所定量のはんだペレットを供給し、バスバー７、スペーサ８ｃ、ヒートスプレッダ５、スペーサ８ｄ、半導体素子２、３、スペーサ８ｂ、ヒートスプレッダ４、スペーサ８ａ、バスバー６を積層させて積層体を形成する。  
なお、スペーサ８ａ〜８ｄを含んだ所定量のはんだペレットを供給し、バスバー７、ヒートスプレッダ５、半導体素子２、３、ヒートスプレッダ４、バスバー６を積層させて積層体を形成するようにしてもよい。  
すなわち、規定部の設定とはんだの供給とが同時に行われるようにしてもよい。また、はんだの供給の後に規定部の設定が行われるようにしてもよい。  
例えば、各はんだ接合面に所定量のはんだペレットを供給し、バスバー７、ヒートスプレッダ１５、半導体素子２、３、ヒートスプレッダ１４、バスバー６を積層させて積層体を形成するようにしてもよい。
【００４２】
そして、形成された積層体を加圧することで、各要素が所定の離隔寸法だけ離隔するようにする。  
例えば、規定部を介在させて、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５、１５とが互いに近接する方向に加圧されるようにすることができる。
【００４３】
次に、この加圧状態を保持した状態で、積層体を加熱してはんだペレットを溶融させる。
積層体の加熱は、例えば、加熱炉などを用いて行うようにすることができる。  
この場合、酸化膜の形成が抑制されるように、はんだペレットに適したフラックスをはんだペレットに滴下させたり、加熱炉内を還元ガス雰囲気としたりして加熱するようにすることができる。  
また、加熱炉内を減圧するようにすれば、溶融したはんだ中の気泡を除去することができるので、はんだ層にボイドが発生することを抑制することができる。
【００４４】
次に、溶融したはんだを冷却して、各要素のはんだ接合面にはんだ層９ａ〜９ｄを形成する。すなわち、各要素をはんだ接合する。  
この際、半導体素子２、３とヒートスプレッダ５（または、ヒートスプレッダ１５）との間に供給されたはんだ量の過不足に応じて、保持部１１からはんだの補充、または保持部１１への余剰はんだの回収、保持が行われる。  
すなわち、溶融したはんだを冷却する工程において、収納部１０に収納された溶融したはんだの量が不足する場合には保持部１１から溶融したはんだを補充し、溶融したはんだの量が過剰である場合には保持部１１に溶融したはんだを回収、保持する。  
そのため、引け部１９ａや流出部１９ｂの発生を抑制することができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。  
以上のようにして、半導体装置１ａ、１ｂが製造されることとなる。
【００４５】
なお、以上に例示をした半導体装置１ａ、１ｂにおいては、収納部１０、保持部１１をヒートスプレッダ５、１５に設ける場合を例示したが、ヒートスプレッダ４、１４にも収納部１０、保持部１１を設けるようにすることができる。  
また、半導体素子２、３の両側の主面をはんだ接合する場合を例示したが、半導体素子の片側の主面のみにはんだ接合する場合にも適用させることができる。なお、その場合には、はんだ接合する側とは反対側のヒートスプレッダ、バスバー、スペーサ、はんだ層、突起部などは不要となる。  
また、ヒートスプレッダとバスバーとが一体化されていてもよい。
【００４６】
以上に例示をした実施形態によれば、信頼性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を実現することができる。  
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【００４７】
例えば、半導体装置１ａ、１ｂなどが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１ａ  半導体装置、１ｂ  半導体装置、２  半導体素子、３  半導体素子、４  ヒートスプレッダ、５  ヒートスプレッダ、６  バスバー、７  バスバー、８ａ〜８ｄ  スペーサ、９ａ〜９ｄ  はんだ層、１０  収納部、１１  保持部、１１ａ  開口部、１４  ヒートスプレッダ、１４ａ  突起部、１４ｂ  突起部、１５  ヒートスプレッダ、１５ａ  突起部、１５ｂ  突起部
【図１】
0005325917.tif 000005
【図２】
0005325917.tif 000006
【図３】
0005325917.tif 000007
【図４】
0005325917.tif 000008