(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、少なくとも二つの山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有すること、第一の山の極大粒子径が１２〜３０μｍ、第二の山の極大粒子径が２〜７μｍの範囲内にあること、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率が１８質量％以下（０％を含む）であること、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径の頻度値Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）が０．５〜１．３であること、からなることを特徴とする球状非晶質シリカ粉末。
【請求項２】
第三の山が更にあり、その極大粒子径が０．１〜０．８μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の球状非晶質シリカ粉末。
【請求項３】
５３μｍのＪＩＳ標準篩にて測定された篩上量が０．５質量％以下（０％を含む）であることを特徴とする請求項１又は２に記載の球状非晶質シリカ粉末。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の球状非晶質シリカ粉末を樹脂及びゴムの少なくとも一方に含有させてなる組成物。
【請求項５】
樹脂及びゴムの少なくとも一方が、エポキシ樹脂である請求項４に記載の組成物からなる半導体封止材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス粉末及びその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型軽量化、高性能化の要求に対応して、半導体の小型化、薄型化、高密度実装化が急速に進展し、半導体パッケージ構造も従来のＱＦＰやＳＯＰなどのリード端子型から、薄型化と高密度実装に有利なＢＧＡやＬＧＡなどのエリアアレイ型に移行している。また、近年では、一つの半導体パッケージ内に複数のＩＣチップを積層するスタックチップ構造が積極的に採用されるようになっており、半導体パッケージ構造の複雑化、高密度実装化がますます進んでいる。【０００３】
スタックチップ構造では、その構造の複雑さから成形性の点で幾つかの問題がクローズアップされている。それは、ＩＣチップが積層されると、基板上のチップが実装されている部分とされていない部分との高低差が、従来のワンチップの場合に比べて極めて大きくなるので、半導体封止材料には流動速度差が生じ、流動速度が遅くなる積層チップの最上段の狭い部分に、微小な気泡を巻き込み、未充填（ボイド）が発生するという問題である。また、電気接続のための金ワイヤーが、積層するチップの数に比例して増加し、ロングスパン化するため、封止時の流動抵抗を受けて変形し、隣接するワイヤーと接触、短絡が発生しやすいという問題である。【０００４】
これらの問題を解決するため、成形用金型側と、半導体封止材料の樹脂側及び充填材側からの改善が行われている。成形用金型側からの改善としては、例えば金型に空気抜き溝（エアベント）を設けて、成形時の金型内のボイドを防ぐ方法（特許文献１）、金型に流動制御部材を設け、ボイド、ワイヤー変形の発生を抑制する方法（特許文献２）などがある。半導体封止材料側からの改善としては、例えば樹脂の粘度を下げ、かつ成形温度における樹脂の硬化時間を精密に制御する方法（特許文献３）、充填材の樹脂への充填率を下げ、封止樹脂の粘度を下げるとともに、充填材の粒径を小さくし、狭部への充填性の向上を図る方法、充填材の粒度分布を調製し充填性と低粘度化の両立を図る方法（特許文献４）などがある。しかしこれらの方法ではまだ不十分であり、ボイド、ワイヤー変形が発生しないというスタックチップ構造半導体の封止に必要な両特性を満たすことのできる半導体封止材料、それに用いるセラミックス粉末は未だない。【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２０９２１６号公報
【特許文献２】特開２００５−３１０８３１号公報
【特許文献３】特開２００６−０１３３８２号公報
【特許文献４】特開２００３−１１００６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、狭隙充填性が良好であり、成形性に優れた半導体封止材料を調製することのできるセラミックス粉末と、それらを樹脂及びゴムの少なくとも一方に含有させてなる組成物、特に半導体封止材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、少なくとも二つの山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有すること、第一の山の極大粒子径が１２〜３０μｍ、第二の山の極大粒子径が２〜７μｍの範囲内にあること、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率が１８質量％以下（０％を含む）であること、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径の頻度値Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）が０．５〜１．３であること、からなることを特徴とするセラミックス粉末である。【０００８】
本発明においては、（１）第三の山が更にありその極大粒子径が０．１〜０．８μｍの範囲内にあること、（２）５３μｍのＪＩＳ標準篩にて測定された篩上量が０．５質量％以下であること、（３）セラミックス粉末がシリカ粉末であること、から選ばれた少なくとも一つの実施態様を備えていることが好ましい。【０００９】
また、本発明は、本発明のセラミックス粉末を樹脂及びゴムの少なくとも一方に含有させてなることを特徴とする組成物である。更に、本発明は、本発明の組成物がエポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体封止材料である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、セラミックス粉末の樹脂組成物中又はゴム組成物中の充填率を８９質量％以上にしても、高い狭隙充填性を維持し、しかも成形性（ボイドとワイヤー変形が起こりにくい）に優れた樹脂組成物又はゴム組成物（以下、両者をあわせて「組成物」という。）、特に半導体封止材料の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の粉末は、セラミックス粉末からなり、セラミックス粉末としては、例えば、シリカや、アルミナ、チタニア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等各種のセラミックス粉末が含まれる。
これらの粉末は単独で用いてもよく、また二種類以上混合物として使用してもよいが、半導体素子と半導体封止材料との熱膨張率を近づけること、及び耐熱性、耐冷熱サイクル性、金型の低摩耗性を更に高める点から、シリカ粉末が好適であり、特に、結晶質シリカを高温で溶融して製造された非晶質シリカ、又は合成法で製造された非晶質シリカが最適である。非晶質シリカ粉末の非晶質率は、後記方法で測定された値で９５％以上であることが好ましい。【００１２】
本発明のセラミックス粉末の特徴は、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、少なくとも二つの山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有すること、第一の山の極大粒子径が１２〜３０μｍ、第二の山の極大粒子径が２〜７μｍの範囲内であること、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率が１８質量％以下（０％を含む）であること、そして、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径の頻度値Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）が０．５〜１．３であること、である。セラミックス粉末をこのような特性を有するものとすることによって、セラミックス粉末のエポキシ樹脂等への充填率を８９質量％以上にしても、高い狭隙充填性を維持し、しかも成形性に優れた半導体封止材料を提供することができる。【００１３】
１２〜３０μｍの範囲に極大粒子径がある第一の山の粒子群は、本発明のセラミックス粉末の主粒である。その極大粒子径が１２μｍ未満であると、組成物の粘度が急激に上昇し、高い成形性を有する組成物の調製が容易でなくなる。一方、極大粒子径が３０μｍをこえると、粘度は低下するが、積層したチップの最上段の狭い部分に粒子が入り込みにくくなり、狭隙充填性が悪化する。第一の山の極大粒子径は１５〜２５μｍの範囲にあることが好ましい。特許文献４には、第一の山の極大粒子径が３２．２〜４２．３μｍである多峰性粒度分布のセラミックス粉末が示されており、本発明と相異している。なお、１２〜３０μｍの粒子の含有率は、２５質量％以上が好ましく、特に３５質量％以上であることが好ましい。上限としては、例えば、６０質量％が好適である。【００１４】
２〜７μｍの範囲に極大粒子径がある第二の山の粒子群は、第一の山の粒子群の間隙に入り込み、粒子の充填構造を密にするので、セラミックス粉末の充填性をより高め、組成物の粘度を一層低下させることができる。好ましくは３〜６μｍである。特に、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と、第一の山の極大粒子径の頻度値Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）が０．５〜１．３、好ましくは、０．６〜１．２である場合に、より低粘度化が図られ、成形性を向上させることができる。特許文献４に示された多峰性粒度分布のセラミックス粉末のＦ２／Ｆ１の値は１．９以上であると推察される。なお、２〜７μｍの粒子の含有率は、１５質量％以上が好ましく、特に２０質量％以上であることが好ましい。上限としては、例えば、５０質量％が好適である。【００１５】
本発明において７μｍ超１２μｍ未満の粒子は、前記二つの山又は後記三つの山の粒子群から構成される密充填構造には不要であるので含有しない方（０％）が最適である。含有していてもその含有率は最大でも１８質量％（０％を含む）、好適には最大でも１５質量％（０％）であることが好ましい。７μｍ超１２μｍ未満の粒子は、第一の山と第二の山とからなる谷の深さを意味し、この谷の部分に粒子が少ない方がよい。この条件は極めて重要であり、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率を制御したセラミックス粉末はこれまでに見あたらない。【００１６】
本発明においては、更に、０．１〜０．８μｍ、好ましくは、０．２〜０．７の範囲に極大粒子径がある第三の山の粒子群が更に存在することが好ましい。この粒子群は、第一の山の粒子群と第二の山の粒子群とによって構成される粒子の充填構造の隙間に入り込み、充填構造を更に密にするので、より高充填率としても良好な成形性を維持するので、ボイドやワイヤー変形が少ない優れた組成物の調製が可能となる。この範囲に入る粒子の含有率は、通常、３質量％以上が好ましく、特に１０質量％以上であることが好ましい。上限としては、例えば、２５質量％が好適である。【００１７】
本発明のセラミックス粉末は、５３μｍのＪＩＳ標準篩にて測定された篩上量が０．５質量％以下（０％を含む）であることが好ましい。更に好ましくは、篩上量が０．３質量％以下（０％を含む）である。篩上量が０．５質量％を超えると、狭隙充填性が悪化する傾向にある。【００１８】
本発明のセラミックス粉末の平均球形度は、０．８５以上、好ましくは、０．９０以上であることが好ましい。これによって、狭隙充填性が向上し、組成物の粘度も更に低下させることができる。【００１９】
本発明のセラミックス粉末の粒度分布は、レーザー回折散乱法による粒度測定に基づく値である。粒度分布測定機としては、例えば、ベックマンコールター社製「モデルＬＳ−２３０」（粒子径チャンネルがｌｏｇ（μｍ）＝０．０４の幅）がある。測定に際しては、溶媒には水を用い、前処理として１分間、ホモジナイザーを用いて２００Ｗの出力をかけて分散処理する。また、ＰＩＤＳ（Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）濃度を４５〜５５質量％に調製する。水の屈折率には１．３３を用い、試料粉末の屈折率にはその材質の屈折率を考慮する。例えば、非晶質シリカでは屈折率を１．５０とする。【００２０】
極大粒子径とは、レーザー回折散乱法による頻度粒度分布において、極大値を示す粒子範囲の中心値のことである。例えば、累積粒度分布で、２０μｍまでの累積値が５０質量％、２４μｍまでの累積値が６５質量％、２８μｍまでの累積値が７０質量％であるときは、極大値を示す粒子範囲は、２０〜２４μｍの間で、極大粒子径は２０μｍと２４μｍの中心である２２μｍと計算される。【００２１】
本発明のセラミックス粉末の篩上量は、ＪＩＳ標準篩にて測定することができる。ＪＩＳ規格の５３μｍ標準篩に、精秤したセラミックス粉末を１０ｇ入れ、シャワー水をかけながら５分間振とうし、篩上に残ったセラミックス粉末を金属製容器に回収、乾燥させた後、質量を測定する。篩上に残ったセラミックス粉末量を、測定に供したセラミックス粉末の質量で除して百分率にすることで、篩上量を算出する。【００２２】
非晶質率は、粉末Ｘ線回折装置（例えばＲＩＧＡＫＵ社製商品名「モデルＭｉｎｉ  Ｆｌｅｘ」）を用い、ＣｕＫα線の２θが２６°〜２７．５°の範囲においてＸ線回折分析を行い、特定回折ピークの強度比から測定する。例えば、シリカ粉末の場合、結晶質シリカは、２６．７°に主ピークが存在するが、非晶質シリカではピークは存在しない。非晶質シリカと結晶質シリカが混在していると、結晶質シリカの割合に応じた２６．７°のピーク高さが得られるので、結晶質シリカ標準試料のＸ線強度に対する試料のＸ線強度の比から、結晶質シリカ混在比（試料のＸ線回折強度／結晶質シリカのＸ線回折強度）を算出し、式、非晶質率（％）＝（１−結晶質シリカ混在比）×１００から非晶質率を求める。【００２３】
平均球形度は、実体顕微鏡（例えば、ニコン社製商品名「モデルＳＭＺ−１０型」）等にて撮影した粒子像を画像解析装置（例えば、マウンテック社製商品名「ＭａｃＶｉｅｗ」）に取り込み、写真から粒子の投影面積（Ａ）と周囲長（ＰＭ）から測定する。周囲長（ＰＭ）に対応する真円の面積を（Ｂ）とすると、その粒子の真円度はＡ／Ｂとなるので、試料の周囲長（ＰＭ）と同一の周囲長を持つ真円を想定すると、ＰＭ＝２πｒ、Ｂ＝πｒ2であるから、Ｂ＝π×（ＰＭ／２π）2となり、個々の粒子の真円度は、真円度＝Ａ／Ｂ＝Ａ×４π／（ＰＭ）2となる。このようにして得られた任意の粒子２００個の真円度を求め、その平均値を二乗したものを平均球形度とした。【００２４】
本発明のセラミックス粉末は、例えば、平均粒子径が０．１〜０．８μｍの粒子と、２〜７μｍの粒子と、１２〜３０μｍの粒子を混合することによって容易に製造することができる。また、セラミックス粉末が、球状シリカ粉末や球状アルミナ粉末等の球状酸化物粉末であるときは、高温火炎中に粉末原料を噴射し、溶融球状化処理した後、例えば重量沈降室、サイクロン、バグフィルター、電気集塵機等の捕集装置で回収する方法において、粉末原料の粒度、噴射量、火炎温度などの処理条件を適宜変更するか、回収粉を分級、篩分け、混合などの操作をするか、又は両者の併用によって製造することができる。【００２５】
本発明の組成物は、本発明のセラミックス粉末を樹脂及びゴムの少なくとも一方に含有させたものである。組成物中のセラミックス粉末の含有率は、例えば、１０〜９９質量％、好ましくは、３０〜９５質量％であることが好ましい。
樹脂としては、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル、フッ素樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、全芳香族ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマー、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネイト、マレイミド変成樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＡＳ（アクリロニトリル−アクリルゴム・スチレン）樹脂、ＡＥＳ（アクリロニトリル・エチレン・プロピレン・ジエンゴム−スチレン）樹脂等を使用することができる。【００２６】
これらの中、半導体封止材料としては、１分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂が好ましい。それを例示すれば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳなどのグリシジルエーテル、フタル酸やダイマー酸などの多塩基酸とエポクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル酸エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、アルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフトールノボラック型エオキシ樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、２，７−ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、更には難燃性を付与するために臭素などのハロゲンを導入したエポキシ樹脂等である。中でも、耐湿性や耐ハンダリフロー性の点からは、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格のエポキシ樹脂等が好適である。【００２７】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、フェノールや、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、クロロフェノール、ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、イソプロピルフェノール、オクチルフェノール等の群から選ばれた１種又は２種以上の混合物をホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシレンとともに酸化触媒下で反応させて得られるノボラック型樹脂、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ビスフェノールＡやビスフェノールＳ等のビスフェノール化合物、ピロガロールやフロログルシノール等の３官能フェノール類、無水マレイン酸、無水フタル酸や無水ピロメリット酸等の酸無水物、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族アミン等をあげることができる。エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させるために、上記した例えばトリフェニルホスフィン、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の硬化促進剤を使用することができる。【００２８】
本発明の組成物には、更に以下の成分を必要に応じて配合することができる。即ち、低応力化剤として、シリコーンゴムや、ポリサルファイドゴム、アクリル系ゴム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロックコポリマーや飽和型エラストマー等のゴム状物質、各種熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質、更にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂の一部又は全部をアミノシリコーン、エポキシシリコーン、アルコキシシリコーンなどで変性した樹脂など、シランカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の疎水性シラン化合物やメルカプトシランなど、表面処理剤として、Ｚｒキレート、チタネートカップリング剤、アルミニウム系カップリング剤など、難燃助剤として、Ｓｂ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ4、Ｓｂ2Ｏ5など、難燃剤として、ハロゲン化エポキシ樹脂やリン化合物など、着色剤として、カーボンブラック、酸化鉄、染料、顔料など、更には離型剤として、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィンなどである。【００２９】
本発明の組成物は、上記各材料の所定量をブレンダーやヘンシェルミキサー等によりブレンドした後、加熱ロール、ニーダー、一軸又は二軸押し出し機等により混練したものを冷却後、粉砕することによって製造することができる。【００３０】
本発明の半導体封止材料は、本発明の組成物がエポキシ樹脂組成物からなるものである。本発明の半導体封止材料を用いて半導体を封止するには、トランスファーモールド、マルチプランジャー等の常套の成形手段が採用される。
【実施例】
【００３１】
実施例１〜５  比較例１〜７
特開２００１−２３３６２７号公報の実施例に記載された装置を用い、天然珪石の粉砕物からなる原料をＬＰＧと酸素との燃焼により形成される火炎中に供給し、溶融球状化処理を行って、球状非晶質シリカ粉末を製造した。火炎形成条件、原料粒度、原料供給量、分級条件などを調整して、表１に示される１２種の球状非晶質シリカ粉末Ａ〜Ｌを製造した。極大粒子径と、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率と、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）の調整は、原料粒度、球状化処理粉の多段篩分け操作の条件、及び篩分け操作で回収された粗粒子、微粒子、超微粒子の混合量を変更することにより行った。平均球形度の制御は、火炎温度と原料供給量の調整により行った。【００３２】
球状非晶質シリカ粉末Ａ〜Ｌの非晶質率はいずれも９９．５％以上、平均球形度は０．８５以上であった。これらの粉末の粒度分布を測定し、極大粒子径と、７μｍ超１２μｍ未満の粒子の含有率と、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）を求めた。１２〜３０μｍの範囲、２〜７μｍの範囲、及び０．１〜０．８μｍの範囲における極大粒子径をそれぞれＰ１、Ｐ２、Ｐ３とし、表１に示した。【００３３】
得られた球状非晶質シリカ粉末の半導体封止材料の充填材としての特性を評価するため、球状非晶質シリカ粉末Ａ〜Ｌ８９部（質量部、以下同じ）に対し、４，４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３'，５，５'−テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂５．５部、フェノール樹脂４．０部、トリフェニルホスフィン０．２部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．５部、カーボンブラック０．３部、カルナバワックス０．５部を加え、ヘンシェルミキサーにてドライブレンドした後、同方向噛み合い二軸押出混練機（スクリュー径Ｄ＝２５ｍｍ、ニーディングディスク長１０Ｄｍｍ、パドル回転数１５０ｒｐｍ、吐出量５ｋｇ／ｈ、ヒーター温度１０５〜１１０℃）で加熱混練した。混練物（吐出物）を冷却プレス機にて冷却した後、粉砕して半導体封止材料を製造し、流動性、狭隙充填性及び金ワイヤー変形量を以下に従って評価した。それらの結果を表１に示す。【００３４】
（１）流動性／スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ；Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）に準拠したスパイラルフロー測定用金型を取り付けたトランスファー成形機を用い、半導体封止材料のスパイラルフロー値を測定した。トランスファー成形条件は、金型温度１７５℃、成形圧力７．４ＭＰａ、保圧時間９０秒とした。【００３５】
（２）狭隙充填性
ＢＧＡ用サブストレート基板にダイアタッチフィルムを介して、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍの模擬チップを２枚重ね、金ワイヤーで接続した後、上記の各半導体封止材料を使用し、トランスファー成形機を用いて、パッケージサイズ３８ｍｍ×３８ｍｍ×１．０ｍｍに成形後、１７５℃で８時間アフターキュアし、ＢＧＡ模擬半導体を３０個作製した。なお、チップ上の隙間は２００μｍ、金ワイヤー径はφ３０μｍ、平均長さは５ｍｍである。トランスファー成形条件は、金型温度１７５℃、成形圧力７．４ＭＰａ、保圧時間９０秒とした。これら３０個の模擬半導体を目視にて未充填の有無を判断し、未充填が無い模擬半導体については、超音波探傷装置を用いて、ボイドの数を計測し、模擬半導体１個あたりの平均ボイド数を算出した。【００３６】
（３）金ワイヤー変形量
上記模擬半導体の金ワイヤーの部分を軟Ｘ線透過装置で観察し、金ワイヤー変形量を測定した。金ワイヤー変形量は、パッケージング前後で金ワイヤーが動いた最大距離とし、１２本の金ワイヤーの平均値をとった。【００３７】
表１
0005354724.tif 000002
【００３８】
表１（続き）
0005354724.tif 000003
【００３９】
表１（続き）
0005354724.tif 000004
【００４０】
実施例と比較例の対比から明らかなように、本発明のセラミックス粉末によれば、比較例よりも狭隙充填性、成形性に優れた組成物、特に半導体封止材料を調製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明のセラミックス粉末は、自動車、携帯電子機器、パソコン、家庭電化製品等に使用される半導体封止材料、半導体が搭載される積層板、更にはパテ、シーリング材、各種ゴム、各種エンジニアプラスチックスなどの充填材として使用される。また、本発明の組成物は、半導体封止材料の他に、ガラス織布、ガラス不織布、その他有機基材に含浸硬化させてなる例えばプリント基板用のプリプレグや、各種エンジニアプラスチックス等として使用できる。