(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、該測定値より前記シリコンウェーハの酸化条件を調整して、該調整した酸化条件下で前記シリコンウェーハに酸化膜を形成し、
前記シリコンウェーハの表面ラフネスの測定をする場合には、ＡＦＭにより前記シリコンウェーハの表面ラフネスのＲａ値を測定することにより行い、
前記シリコンウェーハ表層部の結晶性の測定をする場合には、Ｘ線回折測定により得られるロッキングカーブの半値幅を測定することにより行うことを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜形成方法。
【請求項２】
前記測定した表面ラフネスのＲａ値が、０．１７ｎｍ以下であるか否かにより前記シリコンウェーハの酸化条件を調整することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの酸化膜形成方法。
【請求項３】
前記測定したロッキングカーブの半値幅が、０．０００７４°以下であるか否かにより前記シリコンウェーハの酸化条件を調整することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコンウェーハの酸化膜形成方法。
【請求項４】
前記形成する酸化膜の厚さを、５ｎｍ以下の厚さにすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの酸化膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハに例えば薄い酸化膜を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体シリコンウェーハの主表面にはＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）キャパシタやトランジスタ等の半導体素子が形成される。それら半導体素子に形成されるゲート酸化膜等の絶縁膜は、半導体素子の高密度化に伴いその厚みが減る一方、電源電圧を低くすることは困難であるため、絶縁膜は高い電界強度の下で使用されている。そのため、より品質の高い絶縁膜が必要とされている。
【０００３】
微細化にともなうシリコン酸化膜の薄膜化が進むにつれて、酸化膜厚のバラツキ許容範囲も、絶対値としては原子数個分にまで迫る状況である。また、薄膜化にともない酸化膜に電界を印加した際に直接トンネル電流により絶縁性が低下し、ゲートリークが増大し絶縁膜としての限界に対しては新しいＨｉｇｈ−ｋ材料が研究されている。しかし、これら新材料を使用する際にもシリコン酸化膜を薄く成長させ、その上にＨｉｇｈ−ｋ材料を成長させるなど、薄膜酸化膜を精度よく形成することはますます重要になってくる。
【０００４】
この酸化膜成長制御としては、酸化手法の検討などが行なわれているが、シリコンウェーハそのものの影響としては、結晶方位（非特許文献１−３）やドーパント（非特許文献４−７）などはよく知られているが、５ｎｍ近傍か、それ以下のいわゆる極薄酸化膜形成時代になって、前記以外のパラメータは殆ど報告されていない。
【０００５】
結晶方位依存としては、ウェット、ドライ酸化問わず酸化速度は＜１１１＞  ＞  ＜１００＞の関係である。この酸化速度の面方位依存性は、各面方位の結晶面でのシリコン原子密度差で説明されている。＜１１１＞は７．８５×１０１４（／ｃｍ２）であるのに対して、＜１００＞は６．８×１０１４（／ｃｍ２）であり、面密度が高い方が酸化速度が大きい。
【０００６】
しかし、＜１１０＞と＜１１１＞面間では複雑である。面密度は＜１１１＞が７．８５×１０１４（／ｃｍ２）で、＜１１０＞が９．６×１０１４（／ｃｍ２）であり面密度議論から言えば、酸化速度は＜１１０＞  ＞  ＜１１１＞と推測される。酸化膜が１５ｎｍ程度までの薄いときはこの順であるが、厚くなってくると順序が逆転し、＜１１１＞  ＞  ＜１１０＞となる。このような複雑な挙動については未だ議論されている。
【０００７】
また、ドーパントは酸化速度を加速する方向に働くが、詳細には、ドーパントがリンの場合であれば低温ほど酸化増速の程度が大きく高温になると増速効果は小さくなる。砒素も同様の傾向である。一方ホウ素であれば、高温であっても増速の効果は持続する。
【０００８】
さらに、最近の研究によれば（たとえば非特許文献８）、界面歪により生じた点欠陥の空孔と放出Ｓｉ原子の両者が、酸化反応を促進させる役割を担っているとのモデルが提唱されている。これらは酸化反応の詳細解析が進むにつれて、従来のＤｅａｌ−Ｇｒｏｖｅモデルでは説明できない、特に薄膜領域での酸化機構の説明を試みるものである。
【０００９】
しかし、上述したような従来のパラメータだけでは、例えば極薄の酸化膜を形成する際に膜厚を均一に形成するには不十分であり、より精度を高く酸化条件を調整するための新たなパラメータが必要であった。
【００１０】
【非特許文献１】Ｂ．  Ｅ．  Ｄｅａｌ，  Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １２５，  ５７６  （１９７８）．
【非特許文献２】Ｅ．  Ａ．  Ｉｒｅｎｅ  ｅｔ．  ａｌ．，  Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １３３，  １２５３  （１９８６）．
【非特許文献３】Ｓ．  Ｉ．  Ｒａｉｄｅｒ  ｅｔ．  ａｌ．，  Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １２７，  １７８３  （１９８０）．
【非特許文献４】Ｂ．  Ｅ．  Ｄｅａｌ  ｅｔ．  ａｌ．，    Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １１２，  ４３０  （１９６５）．
【非特許文献５】Ｃ．  Ｐ．  Ｈｏ  ｅｔ．  ａｌ．，    Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １２５，  ６６５  （１９７８）．
【非特許文献６】Ｓｅｏｎｇ  Ｓ．  Ｃｈｏｉ  ｅｔ．  ａｌ．，    Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ５１，  １００１  （１９８７）．
【非特許文献７】Ｃ．  Ｐ．  Ｈｏ  ｅｔ．  ａｌ．，    Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １２６，  １５１６，  １５２３  （１９７９）．
【非特許文献８】高桑、“極薄シリコン酸化膜形成過程のリアルタイムＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ観察”，  表面科学，２３，  ５３６  （２００２）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、該測定値より前記シリコンウェーハの酸化条件を調整して、該調整した酸化条件下で前記シリコンウェーハに酸化膜を形成することを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。
【００１３】
このように、本発明の酸化膜形成方法によれば、シリコンウェーハの表面ラフネス及び／又は結晶性によって、酸化条件の調整ができるため、簡便な方法で測定して正確に酸化条件の調整を行うことができる。また、本発明の方法であれば、表面ラフネスや結晶性によって酸化条件を調整できるため、従来のパラメータとして用いられてきた材料又は結晶方位が同一のウェーハ同士の場合にも、それぞれのウェーハの酸化速度を把握することができ、精度よく酸化膜を形成して薄い酸化膜でも各ウェーハにおいて均一な膜厚に形成することができる。また、従来の酸化速度のパラメータと異なり、測定後、酸化膜形成前に再研磨等することで、表面ラフネスや結晶性を調整し、それによりウェーハの酸化速度を調整できるため、良質な酸化膜を形成することができる。
【００１４】
また、結晶性と表面ラフネスは、密接な関係があるため、両方測定することもできるし、どちらか一方を調べることによっても、シリコンウェーハの酸化条件を正確に調整することができる。
さらに、表面ラフネスや結晶性の良いウェーハは、ウェーハ面内において酸化速度が均一になり、面内均一な厚さの酸化膜が形成され易いため、表面ラフネスや結晶性の良いウェーハを選別して酸化膜を形成することもできる。
【００１５】
このとき、前記シリコンウェーハの表面ラフネスの測定を、ＡＦＭにより前記シリコンウェーハの表面ラフネスのＲａ値を測定することにより行うことが好ましい。
このように、本発明では、表面ラフネスを測定するために、一般的に用いられるＡＦＭによりシリコンウェーハの表面ラフネスのＲａ値を測定することができる。
【００１６】
このとき、前記測定した表面ラフネスのＲａ値が、０．１７ｎｍ以下であるか否かにより前記シリコンウェーハの酸化条件を調整することが好ましい。
このように、ＡＦＭにより測定した表面ラフネスのＲａ値が０．１７ｎｍ以下であれば、酸化速度が十分に小さいため酸化膜の膜厚の制御が容易であり、ウェーハ面内で均一な酸化膜が形成され易いため、上記値を基準にして一緒に酸化膜を形成するウェーハを振り分ける等することで、さらに容易に酸化条件を調整することができる。
【００１７】
また、前記シリコンウェーハ表層部の結晶性の測定を、Ｘ線回折測定により得られるロッキングカーブの半値幅を測定することにより行うことが好ましい。
このように、結晶性の測定を、Ｘ線回折測定により得られるロッキングカーブの半値幅を測定することにより行えば、結晶性を正確に表す数値として把握できるため、酸化条件の調整をより容易に行うことができる。
【００１８】
このとき、前記測定したロッキングカーブの半値幅が、０．０００７４°以下であるか否かにより前記シリコンウェーハの酸化条件を調整することが好ましい。
このように、Ｘ線回折測定して得られたロッキングカーブの半値幅が０．０００７４°以下であれば、酸化速度が十分に小さいため酸化膜の膜厚の制御が容易であり、ウェーハ面内で均一な酸化膜が形成され易いため、上記値を基準にして同一のバッチに入れるウェーハを振り分ける等することで、さらに容易に酸化条件を調整することができる。
【００１９】
このとき、前記形成する酸化膜の厚さを、５ｎｍ以下の厚さにすることが好ましい。
このように、５ｎｍ以下の極薄の酸化膜であっても、本発明の酸化膜形成方法であれば、シリコンウェーハごとの酸化速度を正確に把握できるため、膜厚の精度の良い、ウェーハ面内で均一な酸化膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、本発明のシリコンウェーハの酸化膜形成方法によれば、シリコンウェーハの酸化膜形成前の表面ラフネスや結晶性により酸化条件を調整できるため、ドープ量や結晶方位による従来の酸化速度のパラメータと異なり、同じ素材、結晶方位のウェーハ同士の酸化速度についても把握でき、簡便な方法で正確に所望厚さの酸化膜を形成することができる。また、表面ラフネスや結晶性の良いウェーハはその面内において、酸化速度がほぼ同じになるため、そのようなウェーハを選んで、ウェーハ面内で均一な厚さの良好な酸化膜を形成することもできる。このため、本発明において、測定して表面ラフネスや結晶性が良くなければ、再研磨等することにより、効率的に簡便な方法で、ウェーハ面内で均一な膜厚の酸化膜を形成することができる。特に本発明では、５ｎｍ以下といった極薄の酸化膜であっても正確に厚さをコントロールして形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
例えば極薄の酸化膜を形成する際に、同じ仕様のウェーハであるにもかかわらず、各ウェーハの酸化速度の違いにより、形成される酸化膜厚にバラツキがみられるという問題があった。
【００２２】
これに対して、本発明者らは、まず表面ラフネスと酸化速度の関係を調べるために、表面ラフネスのそれぞれ異なるウェーハに同条件の下で酸化膜形成を行った。その結果、酸化膜厚と表面ラフネスの関係を表した図１に示すように、表面ラフネスが小さいウェーハほど、形成された酸化膜が薄い（酸化速度が小さい）ため、酸化速度と表面ラフネスに相関関係があることを見出した。
【００２３】
次に、シリコンウェーハの表面ラフネスと、そのシリコンウェーハ表層部の結晶性を調べた。表面ラフネスはＡＦＭでＲａ値を測定し、結晶性はウェーハの最表面近傍をＩｎ−Ｐｌａｎｅ配置でＸ線回折測定してロッキングカーブの半値幅を得た。Ｘ線はＣｕ線を用いた。
その結果、表面ラフネスと半値幅の関係を表した図３に示すように、両者には良い相関性が見られることがわかる。この結果から、酸化機構、特に酸化初期の挙動についての知見として、表面ラフネスが大きいウェーハは酸化速度が大きくなるが、これはシリコン表面結晶性と密接な関係があることを示している。つまり、結晶性が乱れる（表面ラフネスが大きくなる）ことで、シリコン−シリコン結合が開裂しやすくなり、そこに酸素原子が入り込みやすくなり酸化速度が大きくなっていると考えた。
【００２４】
以上の検討の結果、本発明者らは、シリコンウェーハの表面ラフネス及び／又はシリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、その測定値より酸化条件を調整して、酸化膜を形成すれば、たとえ極薄の酸化膜であったとしても、均一で正確な厚さの酸化膜を形成できることを見出して、本発明を完成させた。
【００２５】
以下、本発明のシリコンウェーハの酸化膜形成方法について、実施態様の一例を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
本発明の酸化膜形成方法では、まずシリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定する。
この表面ラフネスと結晶性は、両方測定してもよいし、またはどちらか一方を測定してもよい。両者は密接な相関性があり、一方を測定するだけでも十分に酸化速度を把握することができ、また、より一層正確を期すために両方を測定してもよい。
【００２７】
このとき、シリコンウェーハの表面ラフネスの測定を、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（原子間力顕微鏡））により表面ラフネスのＲａ値を測定することにより行うことが好ましい。このように、表面ラフネスを表すのに一般的に用いられるＲａ値を、ＡＦＭにより簡便に求めることができる。
【００２８】
また、シリコンウェーハ表層部の結晶性の測定を、Ｘ線回折測定により得られるロッキングカーブの半値幅を測定することにより行うことが好ましい。
このように、Ｘ線回折測定により得られるロッキングカーブの半値幅であれば、ウェーハ表層部の結晶性が数値として正確に把握しやすい。
このＸ線回折測定の方法としては、特に限定されないが、例えばＸ線はＣｕ線を用い、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ配置で測定することができる。この場合のＸ線回折測定の概要を図２に示す。
【００２９】
次に、本発明では、上記のように測定された測定値より、シリコンウェーハの酸化条件を調整する。
表面ラフネスが小さい（結晶性が良い）とシリコンウェーハの酸化速度は小さいため、上記のように測定された測定値より、酸化条件を調整することが容易にできる。この際、調整される酸化条件としては特に限定されず、酸化時間、酸化温度等を調整することができる。さらに、表面ラフネス（結晶性）が近いウェーハ同士を同じバッチで酸化する等して、ウェーハに形成される酸化膜の厚さがバッチ内で均一に形成することによっても、酸化条件を調整することができる。
また、例えば表面ラフネス・結晶性をそろえたウェーハを膜厚モニターとして利用することで実ウェーハとの膜厚の乖離がなくなり、バッチ間での酸化膜バラツキを抑制することが可能になる。
【００３０】
このとき、ＡＦＭにより表面ラフネスのＲａ値を測定した場合は、そのＲａ値が０．１７ｎｍ以下であるか否かによりシリコンウェーハの酸化条件を調整することが好ましい。
このように、Ｒａ値が０．１７ｎｍ以下であれば、図１のように酸化速度が十分に小さいため酸化膜の膜厚の制御が容易であり、ウェーハ面内で均一な酸化膜が形成され易いため、上記値を基準にして同一のバッチに入れるウェーハを振り分ける等することで、さらに容易に酸化条件を調整することができる。
【００３１】
また、Ｘ線回折測定によりロッキングカーブの半値幅を測定した場合は、その半値幅が０．０００７４°以下であるか否かによりシリコンウェーハの酸化条件を調整することが好ましい。
このように、シリコンウェーハ表層部の半値幅が０．０００７４°以下であれば、図３のようにその表面の表面ラフネスのＲａ値は概ね０．１７ｎｍ以下であり、このため、酸化速度が十分に小さく酸化膜の膜厚の制御が容易であり、ウェーハ面内で均一な酸化膜が形成され易いため、上記値を基準にして同一のバッチに入れるウェーハを振り分ける等することで、さらに容易に酸化条件を調整することができる。
【００３２】
さらには、例えば、上記測定値以下のウェーハのみに例えば極薄酸化膜を形成して、上記測定値以上のウェーハは再研磨等を行って、上記測定値以下になったものに酸化膜を形成することもできる。
【００３３】
次に、本発明では、上記のように調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成する。
このときの酸化膜の形成方法としては、特に限定されず、例えばウェーハを縦型熱処理炉でドライ酸化によって、上記調整された酸化条件下で酸化膜を形成することができる。
【００３４】
このとき、形成する酸化膜の厚さを、５ｎｍ以下の厚さにすることが好ましい。
このように、本発明の酸化膜形成方法であれば、酸化速度を正確に把握することができるため、５ｎｍ以下の極薄の酸化膜を形成する際にも、精度良く正確な厚さの酸化膜を形成することができ、しかも、ウェーハ面内の酸化膜厚の均一性も良いものとなる。従って、近年の極薄の酸化膜が用いられる最先端デバイスにも十分に対応することができる。
【００３５】
このように、本発明によれば、表面ラフネス及び／又は結晶性を測定することにより、酸化条件の調整を行えるため、簡便な方法で正確に酸化条件の調整を行え、精度よく酸化膜の厚さを調節することができる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００３７】
（実施例）
まず、試料を作製する。ボロンをドープした直径２００ｍｍのＰ型半導体シリコンウェーハを試料として準備した。
上記のように準備した半導体シリコンウェーハを、研磨等により、ＡＦＭによる測定で表面ラフネスが異なる５水準のウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）とした。これらの半導体シリコンウェーハをボートに載置して縦型熱処理炉に投入し、膜厚３ｎｍをターゲットにして、８００℃、乾燥酸素雰囲気下（酸素分圧０．１ａｔｏｍ：希釈酸化）で熱処理して酸化膜を各ウェーハ主表面に形成した。次に、エリプソメータ（λ＝６３３ｎｍ）を用いてそれぞれのウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）の酸化膜厚を測定した。この酸化膜厚と表面ラフネスの関係を表したものが図１である。
【００３８】
図１からわかるように、表面ラフネスが小さいほど（表面が平坦なほど）、酸化膜の厚さは薄い（酸化速度が小さい）ことがわかる。このため、このような測定結果を用いれば、酸化条件の調整が可能なこともわかる。
【００３９】
これら熱処理前の半導体シリコンウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）の表層部を、Ｘ線回折測定のＩｎ−ｐｌａｎｅ回折（図２参照）でロッキングカーブを得てその半値幅を測定した。このときの半値幅と表面ラフネスとの関係を示したものが図３である。
図３からわかるように、表面ラフネスと結晶性には密接な相関性があり、どちらを測定しても酸化速度のパラメータとして用いることができることがわかる。
【００４０】
次に、これら半導体シリコンウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）を、ボートに載置して縦型熱処理炉に投入して、ドライ酸化８００℃で厚さ５ｎｍまでさらに酸化膜を形成して、ゲート酸化膜を形成した。
次に、これら半導体シリコンウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）をＣＶＤ炉に投入し、リンをドープしながらゲート酸化膜上にポリシリコン層を成長させた。成長したポリシリコン層厚さは約３００ｎｍ、抵抗値はシート抵抗にして約２５Ω／ｓｑであった。
【００４１】
続いて、これら半導体シリコンウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）に、フォトリソグラフィ技術を用いたパターンニングとエッチングによるポリシリコン層除去を行い、ポリシリコン層を電極としたＭＯＳキャパシタを半導体シリコンウェーハ面内に１００個作製した。なお、フォトリソグラフィ後のポリシリコンエッチングは、フッ硝酸によるウェットエッチングで行った。最後に、半導体シリコンウェーハ背面に形成されているシリコン酸化膜を除去するために、半導体シリコンウェーハ主表面にレジストを塗布し、希フッ酸によるウェットエッチングを行ってウェーハ背面のシリコン酸化膜を除去した。
【００４２】
上記処理を行った半導体シリコンウェーハ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）へ、一定電流をゲート酸化膜が破壊するまで印加する定電流ＴＤＤＢ法を用いて、ゲート酸化膜に電界ストレスを印加した。印加した電流ストレスは０．００１Ａ／ｃｍ２であり、測定温度は測定時間短縮もあり１００℃とした。測定には、フルオートプローバに接続したテスタを用いた。今回の電極面積は４ｍｍ２であった。測定結果をワイブルプロットとして図４に示した。
【００４３】
図４はワイブルプロットと呼ばれるもので、ＴＤＤＢをはじめ半導体デバイスの故障分布を記述する際によく用いられ、横軸は酸化膜に印加された電荷量Ｑｂｄ（Ｃ／ｃｍ２）を指数で表示したもので、縦軸はｌｎｌｎ（１／（１−Ｆ（ｔ）））で表記したものである。ここでＦ（ｔ）は累積故障率であり、ちなみに累積故障率が５０％のときのワイブル値は−０．３７となる。
【００４４】
図４からわかるように、Ｒａ：０．１８ｎｍ以上及び半値幅が０．０００７４°より大きいウェーハＡ、ＢのみＴＤＤＢ特性の劣化（信頼性低下）が見られた。この結果より、Ｒａ：０．１７ｎｍ及び半値幅：０．０００７４°以下のシリコンウェーハであればＴＤＤＢ特性の劣化程度は小さいことがわかる。これは、このようなシリコンウェーハであれば、酸化速度が十分に遅く、酸化膜厚の制御が容易であるため、正確な膜厚に形成することができ、さらには、ウェーハ面内において酸化速度が比較的均一であるため、酸化膜の膜厚均一性も高いためであると考えられる。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】シリコンウェーハの表面ラフネスと酸化膜厚の関係を表すグラフである。
【図２】Ｘ線回折測定の概要を表わす図である。
【図３】ロッキングカーブの半値幅と表面ラフネスの関係を表すグラフである。
【図４】ＴＤＤＢ評価結果のワイブルプロットを表すグラフである。
【図１】
0005272496.tif 000002
【図２】
0005272496.tif 000003
【図３】
0005272496.tif 000004
【図４】
0005272496.tif 000005