(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化構造を備えるパターニングデバイスに汚染粒子があるか否かを検査するための方法であって、
放射ビームを前記パターニングデバイスに誘導すること、および、
前記パターニングデバイス上の汚染粒子を表すものとして前記パターニングデバイスによる散乱放射を検査すること、
を含み、
前記検査することが、ディテクタによって前記散乱放射からスペックルパターンを検出することと、汚染粒子の存在を検出するように、検出されたスペックルパターンと粒子フリーのパターン化表面に関連付けられた所定のスペックルパターンとの差によって与えられるスペックル差パターンを生成することと、前記検出されたスペックルパターンと前記所定のスペックルパターンとの強度差から汚染粒子のサイズを推定することとを含む方法。
【請求項２】
前記ディテクタが、１〜９マイクロメートルの前記パターニングデバイスにつき１画素の分解能を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ディテクタが、ＣＣＤまたは画像記録システムである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記放射ビームが、かすめ入射レーザビームとして提供される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記放射ビームが、可視または近可視光である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記放射ビームが、極端紫外光である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
パターン化構造を備えるパターニングデバイスに汚染粒子があるか否かを検査するためのインスペクションデバイスであって、
放射ビームを前記パターニングデバイスに誘導する放射システムと、
前記パターニングデバイスによる散乱放射からスペックルパターンを検出するディテクタと、
を備え、
汚染粒子の存在を検出するように、検出されたスペックルパターンと粒子フリーのパターン化表面に関連付けられた所定のスペックルパターンとの差によって与えられるスペックル差パターンを生成し、前記検出されたスペックルパターンと前記所定のスペックルパターンとの強度差から汚染粒子のサイズを推定するように構成される、インスペクションデバイス。
【請求項８】
前記ディテクタが、１〜９マイクロメートルの前記パターニングデバイスにつき１画素の分解能を有する、請求項７に記載のインスペクションデバイス。
【請求項９】
前記ディテクタが、ＣＣＤまたは画像記録システムである、請求項７または８に記載のインスペクションデバイス。
【請求項１０】
前記放射ビームが、かすめ入射レーザビームとして提供される、請求項７ないし９のいずれか一項に記載のインスペクションデバイス。
【請求項１１】
前記放射ビームが、可視または近可視光である、請求項７ないし１０のいずれか一項に記載のインスペクションデバイス。
【請求項１２】
前記放射ビームが、極端紫外光である、請求項７ないし１０のいずれか一項に記載のインスペクションデバイス。
【請求項１３】
パターニングデバイスを支持する支持体であって、前記パターニングデバイスが、パターン化構造を備え、パターン付き放射ビームを形成可能である、支持体と、
前記パターン付き放射ビームを、基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記パターニングデバイスを検査するインスペクションデバイスと、
を含み、
前記インスペクションデバイスが、
放射ビームを前記パターニングデバイスに誘導する放射システムと、
前記パターニングデバイスによる散乱放射からスペックルパターンを検出するディテクタと、を備え、
汚染粒子の存在を検出するように、検出されたスペックルパターンと粒子フリーのパターン化表面に関連付けられた所定のスペックルパターンとの差によって与えられるスペックル差パターンを生成し、前記検出されたスペックルパターンと前記所定のスペックルパターンとの強度差から汚染粒子のサイズを推定するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記ディテクタが、１〜９マイクロメートルの前記パターニングデバイスにつき１画素の分解能を有する、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン化構造を備える物体上、具体的にはＥＵＶレチクル上の、汚染粒子を検査するための方法およびデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は、基板のターゲット部分上に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合には、マスクまたはレチクルとも呼ばれる、パターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は一般に、基板上に設けられた放射感応性金属化合物（レジスト）の層上に結像することによってなされる。一般に、単一の基板は、連続してパターン化される、隣接するターゲット部分のネットワークを含む。公知のリソグラフィ装置には、全体のパターンをターゲット部分上に一度に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームによって所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながら、それと同期して基板をその方向と平行に、または反平行にスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
極端紫外光（ＥＵＶ）中での欠陥のない結像を保証できることは、市場への導入および受け入れを成功させる上での利点となる。ＥＵＶレチクル上の粒子は、主な結像欠陥源の１つである。ＥＵＶレチクルは、汚染を焦点に入れないようにする膜またはペリクル（一般的な深紫外光（ＤＵＶ）レチクルが有するような）によって覆われていないので、粒子汚染を受けやすく、それによりリソグラフィプロセス中に欠陥を生じるおそれがある。したがって、レチクルを露光位置に移動させる前に、レチクルを洗浄し検査することが、レチクル取扱いプロセスでの望ましい側面である。
【０００４】
ＤＵＶレチクルおよびブランクス用の現在の高速粒子検出法では、散乱光技法を使用する。この技法では、レーザビームがレチクル上に合焦され、正反射方向から散乱し離れた放射ビームが検査される。一実施形態では、これは、厳密に必要ではないが、かすめ入射によってなされる。ＥＵＶレチクルなどの、パターン化表面を有する物体上の粒子は、光をランダムに散乱させる。照射された表面を顕微鏡で観察すると、粒子が明るい点として輝く。点の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が、粒子のサイズの尺度である。しかし、こうした方法は、ＥＵＶレチクルなどの平坦でない表面を有する物体に容易に移行することができない。というのも、ＥＵＶレチクルのパターン化表面構造が、散乱光の一因となるためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
物体上の汚染粒子を検査するための、物体を高速かつ正確に検査する方法およびデバイスを提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、パターン化構造を備える物体に、汚染粒子があるか否かを検査するための方法が提供される。この方法には、放射ビームを前記物体に誘導すること、前記物体から散乱放射を受け取ること、前記散乱放射からの放射をフィルタを用いてフィルタリングすること、物体上の汚染粒子を表すものとしてフィルタによって透過された散乱放射の一部を検査することが含まれ、前記フィルタが、汚染粒子の存在を検出するように、検出されたスペックルパターンと粒子フリーのパターン化表面に関連付けられた所定のスペックルパターンとの差によって設けられたスペックル差パターンを生成するように構成される。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、パターン化構造を備える物体に、汚染粒子があるか否かを検査するためのインスペクションデバイスが提供される。このインスペクションデバイスは、前記物体によって散乱される放射ビームを前記物体に誘導するための放射システムと、散乱放射を前記物体から受け取るように構成された光学システムと、前記光学システム内に設けられ、前記散乱放射から放射を除去するように前記パターン化構造に関連付けられたフィルタと、フィルタによって透過された放射の一部を検出するように構成されたディテクタとを備え、前記フィルタが、汚染粒子の存在を検出するように、検出されたスペックルパターンと粒子フリーのパターン化表面に関連付けられた所定のスペックルパターンとの差によって設けられたスペックル差パターンを生成するように構成される。
【０００８】
次に、ほんの一例として、本発明の諸実施形態を、添付の概略図を参照して説明する。それらの概略図では、対応する参照記号は、対応する部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照射システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持する構造となっていて、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持体構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持する構造となっていて、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。照射システムは、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学部品、あるいはそれらの任意の組合せなど、さまざまなタイプの光学部品を含むことができる。支持体構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支える。支持体構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否か、などに応じる方式で、パターニングデバイスを保持する。支持体構造には、パターニングデバイスを保持するのに、機械的クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を使用することができる。支持体構造は、例えばフレームでも、テーブルでもよく、それは必要に応じて固定されても、可動でもよい。支持体構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用している場合、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義語としてみなすことができる。
【００１０】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを形成するなどのために、放射ビームの断面内にパターンを付与するのに使用することができる任意のデバイスを指すものとして、広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに厳密に一致しないことがあることに留意されたい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内に形成されているデバイス内の、特定の機能層に対応する。
【００１１】
パターニングデバイスは、透過型でも、反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクは、リソグラフィにおいて公知であり、マスクには、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフト、Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ位相シフトなどのマスクタイプ、ならびにさまざまなハイブリッドマスクタイプがある。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型のミラーのマトリックス配列を使用しており、ミラーをそれぞれ、入射する放射ビームをさまざまな方向に反射するように個々に傾動することができる。傾動されたミラーにより、ミラーマトリックスによって反射された放射ビーム内にパターンが付与される。本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に適した、あるいは液浸液の使用または真空の使用など、他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、カタディオプトリック光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものとして、広義に解釈すべきである。本明細書において、「投影レンズ」という用語を使用している場合、より一般的な用語である「投影システム」と同義語としてみなすことができる。ここで示したように、この装置は、（例えば、反射マスクを使用する）反射型である。あるいは、装置は、（例えば、透過マスクを使用する）透過型でもよい。
【００１２】
このリソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものでもよい。そうした「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数のテーブル上で予備段階を実施している間に、１つまたは複数の別のテーブルを露光に使用することもできる。このリソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を埋めるように、基板の少なくとも一部分を、屈折率の比較的高い液体、例えば水で覆うことができるタイプのものでもよい。液浸液を、リソグラフィ装置内の他の空間、例えば、マスクと投影システムの間に適用することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大させることで、当技術分野で公知である。「液浸」という用語は、本明細書では、基板などの構造が液体中に浸されなければならないことを意味するのではなく、露光中に、液体が投影システムと基板の間にあることを意味するにほかならない。図１を参照すると、イルミネータＩＬが、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザであるとき、別々のものとすることができる。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとはみなされず、放射ビームが、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビーム拡大器を備えるビーム供給システムを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。別の場合には、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビーム供給システムと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００１３】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の、少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータやコンデンサなど、他のさまざまな構成要素を備えることができる。イルミネータは、放射ビームがその断面内に所望の均一性および強度分布を有するように調整するのに、使用することができる。放射ビームＢが、支持体構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢは、マスクＭＡを経由して投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳが、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えばさまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路中に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１を使用して、マスクＭＡを、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部分を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部分を形成する、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合には、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータだけに接続してもよく、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗを、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、位置合せすることができる。図示の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分とターゲット部分の間の間隔内（それらは、けがき線アライメントマークとして知られる）に配置することもできる。同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられている状況では、マスクアライメントマークを、ダイとダイの間に配置することができる。図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００１４】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に固定されたまま、放射ビームに付与されたパターン全体が、ターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち、単一静止露光）。次いで、さまざまなターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴが、Ｘおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００１５】
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされると共に、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および像の反転特性によって決まり得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限され、スキャン運動の長さによって、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さが決まる。
【００１６】
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持するマスクテーブルＭＴが本質的に固定されたままであり、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されると共に、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動する毎にその後で、またはスキャン中に連続する放射パルスと放射パルスの間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに、容易に適用することができる。
上述の使用モードの組合せおよび／または変形、あるいは、全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００１７】
図２は、本発明の第１の実施形態を示す。この実施形態は、独立したデバイス１として示されているが、任意選択で、ツール内デバイス、すなわち、図１を参照して説明したリソグラフィ装置内のデバイスとして設けることもできる。独立したデバイスとして、この実施形態を、物体２、例えばマスクを出荷前に検査する目的に使用することができる。ツール内デバイスとして、この実施形態では、リソグラフィプロセス前に、物体２の迅速な検査を実施することができる。図２のセットアップでは、パターン解析と粒子検出信号の両方をそれによって収集することができる単一の光学チャネル３が構成される。チャネル３は、顕微鏡対物レンズ４、瞳フィルタ５、投影光学システム６、および画像記録システム７を備える。かすめ入射レーザビーム８が、物体２に誘導される。レーザビーム８の波長は、検査目的に適したどんな波長でもよく、具体的にはＥＵＶ光であるが、必ずしもＥＵＶ光とは限らない（しかしながらＥＵＶ光がそれから除外されるのではない）。一般に、別段の指定がない限り、「光」または「放射」という用語は、適切な波長の任意の電磁放射を表すのに使用される。本出願では、各実施形態において、検査のために可視または近可視光を使用することができる。
【００１８】
したがって、図示の実施形態では、瞳フィルタ５が、一方のモードから他方のモードに変わる。この実施形態は、デバイスの体積を制限することができることを利点として有することができる。したがって、デバイス１は、交代モードで使用される。第１のモードでは、物体２のパターンが、ＣＣＤまたは画像記録システムによって検出される。パターンは、光学フィルタリングおよび／またはコンピュータ９内のソフトウェアフィルタリングを用いて解析され、反対に、物体２の所定のパターンによる光学散乱を阻止するための選択性フィルタを制御信号によって形成するために、フィルタパターンがコンピュータ９によって計算されて、制御信号が、瞳面内に設けられた適応フィルタ５に供給される。
【００１９】
逆フィルタパターンを構成するためのフィルタ解析では、潜在する汚染粒子の散乱信号は、パターンの散乱振幅に比べて無視できる。更に、物体２のパターンの規則正しい側面も、考慮に入れることができる。次いで、第２のモードでは、フィルタ５が適応モードでアクティブにされ、物体２からの散乱放射１０が選択的に阻止される。
【００２０】
したがって、前記受け取られた散乱放射ビーム１０のスペクトル成分内の主成分が、前記受け取られた散乱放射ビーム１０から抽出され、逆フィルタが、前記主成分から導出することによって構成される。フィルタ５がアクティブモードのとき、画像記録システム７が、入射する放射ビーム信号を、汚染粒子の存在に帰すことができる信号として解析する。それというのも、この状態では、パターン化構造からの散乱放射が除去されるためである。
【００２１】
したがって、フィルタ５は、物体５上に存在するパターン化構造（図示せず）によって散乱された散乱放射から放射を除去するように、瞳面内に前記物体２に対して設けられる空間フィルタとして提供される。画像記録システム７に関するダイナミックレンジの制約を減らすために、直接散乱画像からのダイナミックレンジが潜在汚染粒子に対応する残像のダイナミックレンジに従ってもたらされるように、追加の光学エレメントがあってよい。フィルタ５は、いわゆるＴＩ−ＤＭＤなどのマイクロミラーデバイスでも、反射または透過モードで使用することができるＬＣＤベースのデバイス、例えばいわゆるＬＣＯＳでもよい。
【００２２】
適応フィルタの実施形態は、物体のパターン２に関する事前の知識が必要でないという利点がある。しかし、特定の利用目的に応じて、本発明を固定フィルタと共に使用することもできることが理解されよう。図３では、複数の光学チャネル１２、１３を備える光学システム１１を含む、一代替実施形態が示されている。具体的には、１つのチャネル１２がパターン解析用に使用され、１つのチャネル１３が粒子検出信号用に使用される。複数のチャネルを提供するために、図３の実施形態では、ビームスプリッタ１４を使用して、かすめ入射放射ビーム８がパターン化物体２によって散乱されたものに由来する散乱放射１０の放射強度を、一方のチャネル１２に向かうフィルタリングされないブランチと、他方のチャネル１３に向かうフィルタリングされるブランチとに分割する。
【００２３】
したがって、２つの画像レコーダ７および７’が存在する。フィルタリングされないブランチ内の画像レコーダ７’が、全体的に２に関して説明した、物体のパターンを検出する。このパターン情報は、光学チャネル１３内の粒子検出ブランチ内の瞳フィルタ５上のパターンを生成するのに使用される。図２と比較して、本実施形態は、より高いスループットをもたらすことができるが、追加の光学エレメントを必要とすることがある。
【００２４】
したがって、図３は、適応フィルタ５を備えるインスペクションデバイス１を示し、適応フィルタ５は、光学システム１１の、フィルタリングされた放射ビーム１０を透過させるための光学チャネル１３内に設けられている。光学システム１１は、別のディテクタ７’を備える別の光学チャネル１２を備える。別のディテクタ７’が、散乱放射ビーム１０を、フィルタリングされない状態で検出する。別のディテクタ７’は、受け取られた散乱放射ビームのスペクトル成分内の主成分を、受け取られた散乱放射ビーム１０から抽出することによって検出し、主成分から導出された逆フィルタが形成されるように適応フィルタ５に伝達可能に結合される。
【００２５】
検出された放射は、散乱した性質をもつので、画像記録デバイス７の検出分解能は比較的低く、具体的には数マイクロメートル程度でよく、その結果、検出を比較的高速に実施することができる。具体的には、この方法により、粒子を視覚的に検出するために電子顕微鏡を使用する、詳しいナノメートルの検査をする必要が回避される。典型の実現可能な解析時間は、数分、具体的には最大１５分とすることができ、これは、単一ロットの最大露光時間に適合する。したがって、実現可能な分解能は、ディテクタ７がスキャンモードであるときに、１マイクロメートルの物体２につき１画素とすることができ、その場合、物体２全体では総計で約５分の検出時間になる。
【００２６】
パターン検出が粒子検出光学システムとは分離して設けられる、一代替実施形態を使用することができる（図示せず）。したがって、オンライン（ツール内）またはオフラインで、パターン検出を可能にすることができる。オフラインの場合には、パターンデータが、好ましくは保証された清浄なレチクルで収集される。更に、この基準検査（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）は、オンライン検査での基準検査よりも正確に（かつ遅く）なり得る。このように収集されたデータを、検出ビーム１０のフィルタリングを可能にすることができるように、実際の検出と同期して提供することができる。
【００２７】
本発明の別の実施形態では、図４は、物体２上の汚染粒子を検出する方法を概略的に示し、先に開示されたものとは別のタイプのフィルタリングが提供される。この実施形態では、パターン化表面によって散乱された散乱放射ビーム１０からスペックルパターン１５をもたらすためのディテクタ７’’が設けられる。先のように、放射ビーム１０を、散乱物体２に対して適切に向けられた、適切な波長のレーザビーム８によってもたらすことができる。先に説明した実施形態と同様に、かすめ入射角を使用することができるが、他の角度も有用となり得る。
【００２８】
したがって、生成されたスペックルパターン１５は、前記パターン化構造上の汚染粒子を表し、パターンを指紋技法に使用することができる。生成されたスペックルパターン１５は、検査され、粒子のないパターン化表面に関連する所定のスペックルパターン１６と比較される。したがって、フィルタリングが設けられ、フィルタリング中を透過した、放射のごく一部分が、前記パターン化構造上の汚染粒子を表す。類似基準（ｓｉｍｉｌａｒｉｔｙ  ｃｒｉｔｅｒｉｏｎ）に基づき、物体２上の汚染粒子の存在を元に確率値を導出することができる。
【００２９】
この値を、レチクルなどの物体のリソグラフィ処理での使用を認めるかどうかに関するＹｅｓ／Ｎｏ判定１７で使用することができる。先に参照された基準には、測定されたスペックルパターン１５と所定のスペックルパターン１６との間の強度差からなされるサイズの推定を含めることができる。このようにして、粒子がある所定のしきい値よりも大きいとき、レチクルを拒絶するようにシステムを構成することができる。
【００３０】
ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して、具体的な参照がこの説明において行われることがあるが、本明細書において記載のリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の適用分野があることを理解されたい。そうした代替適用分野の文脈では、本明細書において「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義語としてみなすことができることが、当業者には理解されよう。本明細書において参照される基板は、露光前または後に、例えばトラック（一般に、レジストの層を基板に与え、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そうした基板処理ツール、および他の基板処理ツールに適用することができる。更に、例えば多層ＩＣを形成するために、基板を２回以上処理することもでき、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。
【００３１】
光リソグラフィの文脈において、本発明の諸実施形態の使用に対して、上記で具体的な参照を行ってきたかもしれないが、本発明を、他の適用分野、例えば、インプリントリソグラフィで使用することができ、文脈が許容する場合は、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層へと押し込むことができ、その後すぐに、レジストは電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを印加することによって硬化される。レジストが硬化された後、パターニングデバイスは、レジスト中にパターンを残した状態でそこから移される。更に、図示の実施形態では、パターン化表面が重力の方向とは反対側に向けられた物体の向きが提案されているが、物体の位置はそれに限定されず、それとは異なるように向けることができ、具体的には、パターン化表面が、重力の方向に沿って表面が向けられた状態でスキャンされる方向に向けることができる。こうすることには、スキャンプロセス中に粒子を集めてしまうリスクが最小限に抑えられることが利点としてあり得る。
【００３２】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長、あるいはそれらの近くの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、および（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００３３】
「レンズ」という用語は、文脈が許容する場合、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品、および静電光学部品を含む、さまざまなタイプの光学部品のいずれか１つまたは組合せを指すことがある。以上、本発明の具体的な諸実施形態を上記で説明してきたが、本発明を、説明した以外の方法で実施することができることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述した機械読取可能な命令の、１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形、あるいは、そうしたコンピュータプログラムが中に記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとることができる。
【００３４】
上記の説明は、限定するものではなく、例示のためのものである。したがって、添付の記載された特許請求の範囲から逸脱することなく、説明したように本発明に対して修正を行うことができることが、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態を示す図である。
【図１】
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【図４】
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【図２】
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【図３】
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