(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記放射ビームと相互作用するミラーアセンブリと、
を備え、
前記ミラーアセンブリは、
反射表面、及び前記反射表面と対向する面に設けられた凸状の接触部分を備える、ダイヤフラムにつるされているミラー構造と、
前記ミラー構造の前記凸状の接触部分とのスティックスリップ接触を確立する接触表面を有する、積み重ねられた第１及び第２のアクチュエータと、
を含み、
前記第１のアクチュエータの前記接触表面は前記接触表面と平行なｘ軸方向に移動可能であり、前記第１のアクチュエータの前記接触表面が前記ｘ軸方向に移動することにより、前記ダイヤフラムにつるされているミラー構造が、前記ｘ軸と実質的に直交し、かつ前記接触表面と平行なｙ軸の周囲を旋回し、
前記第２のアクチュエータの前記接触表面はｙ軸方向に移動可能であり、前記第２のアクチュエータの前記接触表面が前記ｙ軸方向に移動することにより、前記ダイヤフラムにつるされているミラー構造が、前記ｘ軸の周囲を旋回する、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１及び第２のアクチュエータのそれぞれが、シアー圧電アクチュエータである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記ダイヤフラムが、前記接触表面に実質的に平行な面に延在する、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記凸状の接触部分の表面の半径が、前記接触部分の表面と、前記ミラー構造の旋回軸と、の間の距離に実質的に対応する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記積み重ねられた第１及び第２のアクチュエータの前記接触表面に金属層を更に備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
さらに、前記ミラー構造に対して前記接触表面に予圧するばねを備える、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ミラーアセンブリを複数備え、前記複数のミラーアセンブリのそれぞれの前記ミラー構造が、ミラー面を形成するように構成され、前記ミラー構造がそれぞれ、個々のアクチュエータによって旋回可能でありかつ前記放射ビームの光路に配置される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は旋回式構造アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  パターンの構造を小型化し続けるというリソグラフィの需要に起因して、その要件を満足できるように多くの開発がされている。その開発の１つは、例えば回折パターンを使用し、それによって基板へのパターンの投影時に光回折を使用することである。回折現象を使用できるようにするには、光源からの放射ビームを、パターニングデバイスの表面に対して９０度とは異なる斜角で、つまりある角度でパターニングデバイスに投影することができる。このような斜めの入射放射ビームを獲得するために、例えばミラー又はミラーアセンブリを使用することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  例えば、ミラーの高信頼で高解像度の配置を提供することが望ましい。概して、旋回式構造の高解像度の配置及び／又は高い信頼性が望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の実施形態によれば、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
放射ビームと相互作用するミラーアセンブリと、
を備え、
ミラーアセンブリが、
少なくとも１つの軸線の周囲で旋回可能であるとともに反射表面を備えるミラー構造と、
ミラー構造を旋回するとともにミラー構造の接触部分とのスティックスリップ接触を確立する接触表面を有するアクチュエータとを含む、リソグラフィ装置が提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の実施形態では、
少なくとも１つの軸線の周囲で旋回可能な旋回式構造と、
旋回式構造を旋回させ、旋回式構造の接触部分とのスティックスリップ接触を確立する接触表面を有するアクチュエータと、
を備える旋回式構造アセンブリが提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の実施形態では、
ミラーと、
ミラーに接続され、旋回点の周囲で旋回可能である運転構造と、
運転構造とのスティックスリップ接触を確立する接触表面を有する圧電アクチュエータと、
を備えるミラーアセンブリが提供される。
【０００８】
[0008]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[0012]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続されたパターニングデバイス支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴを含む。装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴも含む。装置はさらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１０】
[0013]  照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１１】
[0014]  パターニングデバイス支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持構造体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１２】
[0015]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１３】
[0016]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0017]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１５】
[0018]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１６】
[0019]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１７】
[0020]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１８】
[0021]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0022]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２０】
[0023]  放射ビームＢは、パターニングデバイス支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、パターニングデバイス支持構造体ＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持構造体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２１】
[0024]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２２】
[0025]  １．ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２３】
[0026]  ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。パターニングデバイス支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２４】
[0027]  ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２５】
[0028]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２６】
[0029]  図２は旋回式構造を示し、これはこの例では、反射表面ＲＳを有し、以下でさらに詳細に検討するように旋回点ＰＰＴの周囲で旋回可能である旋回式ミラーである。ミラー構造、又はより一般的な用語では旋回式構造は、旋回式要素ＰＥＴとともに旋回式ミラーＰＭＲを備える。旋回式ミラーＰＭＲは旋回式要素ＰＥＴに強固に接続され、実際には単一の部品を形成することができるので、旋回式構造又はミラー構造は、全体として旋回点ＰＰＴの周囲で旋回することができる。アクチュエータは、圧電要素ＰＥ２の頂部に積み重ねられた圧電要素ＰＥ１のアセンブリによって形成される。実施形態では、単一の圧電要素又は他のタイプのアクチュエータを適用することができる。アクチュエータは、この例では積み重ねた圧電要素ＰＥ１、ＰＥ２であり、接触表面ＣＳを備える。ミラー構造の旋回式要素ＰＥＴには、接触部分ＣＰが設けられて、接触表面ＣＳと接触する。この実施形態では、旋回式要素ＰＥＴ及び旋回式ミラーＰＭＲが、別々の構成要素として図示されているが、旋回式要素ＰＥＴと旋回式ミラーＰＭＲ又は他の旋回式構造は、一体部品を形成することができる。
【００２７】
[0030]  この例では圧電要素ＰＥ１、ＰＥ２で構成されたアクチュエータを起動すると、接触表面ＣＳが対応する方向に移動する。例えば、第一圧電アクチュエータＰＥ１を起動すると、接触表面ＣＳはｘ方向に、つまり図２の図の面で左から右へ、又は右から左へと平行移動し、第二圧電要素ＰＥ２を起動すると、接触表面はｙ方向に、つまり図２の図の面に対して直角方向に移動することができる。ミラー構造（又はさらに一般的には旋回式構造）の接触部分ＣＰがアクチュエータの接触表面ＣＳに接触すると、力が接触部分ＣＰに、従ってミラー構造又は旋回式構造に伝達される。図３ａ及び図３ｂに関して以下でさらに多少詳細に検討するように、接触表面ＣＳの動作が比較的遅いので、接触表面、従って旋回式ミラー構造（つまり旋回式ミラーＰＭＲとの組合せで旋回式要素ＰＥＴ）が従動する。しかし、接触表面ＣＳを比較的高速又は高い加速度で動かすようにアクチュエータが起動されると、滑動が起き、例えば接触表面ＣＳが接触部分ＣＰに対して滑動してしまう。したがって、一方では、接触表面ＣＳの小さい平行移動が旋回式ミラーの小さい角変位に転換されるので、旋回式ミラーの高解像度の位置決めを提供することができるが、他方では、繰り返しのスティックスリップ動作によって、つまり接触表面ＣＳの１方向での遅い動作に、反対方向での高速運動が続き、これが毎回、旋回式要素ＰＥＴと旋回式ミラーＰＭＲのアセンブリを追加の量で傾斜させる繰り返しパターンによって比較的大きい旋回範囲を獲得することができる。圧電アクチュエータを使用すると、接触表面ＣＳのナノメートルの変位の桁で解像度を獲得することができる。しかし、接触表面ＣＳ自体の最大変位は制限される。スティックスリップ動作によって、接触表面ＣＳに平行な面における接触部分ＣＰの最大変位は、接触表面ＣＳ自体の最大変位より大きくすることができる。
【００２８】
[0031]  本明細書で示す実施形態では、実質的に接触表面ＣＳに平行な面の方向で接触表面ＣＳの動作を確立するために、シアー圧電アクチュエータ（sheer piezo electric actuator）を使用する。２つの圧電アクチュエータＰＥ１、ＰＥ２がｘ方向及びｙ方向、つまりこの例では実質的に直交方向での動作を可能にする。接触表面ＣＳが直交方向で（したがって接触表面ＣＳに平行な面で）動作できるようにすることによって、旋回点ＰＰＴの周囲での旋回式ミラーＰＭＲの旋回を提供することができる。つまり、ｙ軸、さらにｘ軸の周囲での旋回を提供することができる。
【００２９】
[0032]  図示の実施形態では、ミラー構造の旋回可能性は、ミラー構造をダイヤフラムＤＦＭ内につるされることによって提供される。したがって、旋回点は、ｘ−ｙ面で、つまり接触表面ＣＳに平行な面で正確に規定しながら、製造公差、温度効果などを考慮するために、それに直角な方向で多少の融通性を与えることができる。接触表面ＣＳに正確に従うために、接触部分ＣＰの表面は凸状にしてよく、凸面の半径は、接触部分ＣＰの表面と旋回軸との間の距離ｒに実質的に対応する。
【００３０】
[0033]  接触表面ＣＳ上に金属層などの保護層を設けることができる。
【００３１】
[0034]  接触表面ＣＳ上に接触部分ＣＰの十分良好に規定された接触力を確立するために、予圧を提供することができる。それに関して、図２のばねＳＰＲなどのばねを使用することができる。多くの代替物が可能である。一例として、ダイヤフラムＤＦＭがばねを形成することができる。
【００３２】
[0035]  リソグラフィ装置内には、本明細書で説明する複数のミラーアセンブリを設けることができ、ミラーアセンブリの反射表面がミラー面を形成し、ミラーはそれぞれ、各ミラーを旋回可能にするために、個々のアクチュエータによって傾斜可能にすることができる。別個の測定システムを設けて、ミラーの位置を測定することができ、測定された位置は、アクチュエータを制御するために適切な制御システムに与えられる。１つ又は複数のミラーを個々に旋回することによって、反射すべき放射ビームの空間強度パターンを変更することができる。
【００３３】
[0036]  図３ａは、時間に対する圧電要素の、つまりその接触表面ＣＳの加速度の例を示す。同様に、図３ｂは、時間に対する接触表面ＣＳの対応する変位を示す。図３ａ及び図３ｂは、一定速度の期間と負の加速及び反対方向への移動の期間とを含むサイクルを示す。図３ａ及び図３ｂに示すような時間は例にすぎないことが理解される。この例では、サイクルは、約０．３０マイクロ秒のサイクル時間を有する。時間ｔ＝０は恣意的に選択されており、サイクルのある瞬間を表す。ｔ＝０の時点で、圧電要素の接触表面の加速度が実質的にゼロである期間、つまり接触表面が一定速度で移動する期間が後に続く。この期間中に、ミラー構造は接触表面の動作に従い、（図２から理解されるように）その旋回につながる。次に（この例ではｔ＝０．２マイクロ秒からｔ＝０．３マイクロ秒）、圧電要素の、つまりその接触表面のほぼ正弦形状の加速パターンが提供され、これは負の加速度及び反対方向での接触表面の動作を提供する。この加速パターン中に、接触表面と接触部分との間の滑動が生じ、ミラーは、その慣性のせいで、負の加速度の前と同じ方向に動作し続ける。ｔ＝０．３マイクロ秒で、圧電要素、特にその接触表面は、加速サイクルを終了し、ｔ＝０の時と同じ位置に戻り、ｔ＝０の時と同じ速度に戻って、その後に追従サイクルを実行することができる。図３ｂは、図３ａに示す接触表面の加速パターンの結果として、接触表面ＣＳの対応する変位を示す。
【００３４】
[0037]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置に適用されるばかりではない。概して、本発明の実施形態は、任意の旋回式構造を高い解像度で旋回する場合にも適用することができる。したがって、以上の説明で傾斜可能なミラーに言及した場合は、任意の傾斜可能な構造と理解することができる。さらに、傾斜可能な構造は、任意の形状又は構成を有することができ、したがってアセンブリがミラー（又は他の構造）及び旋回式要素ＰＥＴを備える図２に示す実施形態に限定されない。例えば、旋回式構造は、一体部品を形成することができる。
【００３５】
[0038]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００３６】
[0039]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００３７】
[0040]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００３８】
[0041]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００３９】
[0042]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００４０】
[0043]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】[0009]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0010]  図１によるリソグラフィ装置の旋回式ミラーアセンブリなどの旋回式構造アセンブリを示した部分断面概略図である。
【図３ａ】[0011]  図３ａは、図２のアセンブリの例示的起動を示した図である。
【図３ｂ】[0011]  図３ｂは、図２のアセンブリの例示的起動を示した図である。
【図１】
0005130122.tif 000002
【図２】
0005130122.tif 000003
【図３ａ】
0005130122.tif 000004
【図３ｂ】
0005130122.tif 000005