(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号源から与えられるパルス信号に応じてオンオフ制御され主電流が流れるスイッチング素子と、
平坦面を備え前記スイッチング素子の主電流を通電する主電流配線と、
前記主電流配線に搭載する搭載面が平坦面に構成され、コイルが内部に配設された基板と、を備え、
前記基板内のコイルは、前記スイッチング素子の主電流に応じて生じる磁束と鎖交するように配設されると共に、前記信号源のパルス信号を入力して前記スイッチング素子の制御端子に与えるように電気的に接続されていることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
【請求項２】
前記スイッチング素子の制御端子に電気的に接続されたゲート抵抗を備え、
前記基板内のコイルは、前記ゲート抵抗と直列接続されていることを特徴とする請求項１記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項３】
前記基板内のコイルは、その巻回端部間が前記主電流配線の配線幅以下の長さであり、当該主電流配線の配線幅内に設置されていることを特徴とする請求項１または２記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項４】
前記基板は多層配線板を備えて構成され、
前記基板内のコイルは、前記多層配線板の複数の各層に形成された配線パターンと当該各層の配線パターンをループ状に結合するビアとを組み合わせて形成されることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項５】
前記基板内のコイルは、前記多層配線板内に互いに逆方向ループ状に巻回された部分コイルを複数直列接続して構成されることを特徴とする請求項４記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項６】
前記多層配線板は、第１層、第２層、第３層および第４層を順に備え、
前記基板内のコイルは、前記多層配線板内の第１層と第３層にそれぞれ形成された配線パターンをビアによって構造的に接続した第１部分コイルと、前記第１部分コイルとは逆方向に巻回され前記多層配線板内の第２層と第４層にそれぞれ形成された配線パターンをビアによって構造的に接続した第２部分コイルとを備えたことを特徴とする請求項５記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項７】
前記多層配線板は、前記コイルと共に前記主電流配線を組み込んで構成されることを特徴とする請求項４ないし６の何れかに記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項８】
前記スイッチング素子の制御端子に接続すると共に前記主電流配線が形成された主電流通電基板と同一基板に形成された制御端子接続配線パターンを備え、
前記制御端子接続配線パターンと前記主電流配線との間にスリットが設けられていることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項９】
前記基板内のコイルに生じる誘導起電圧をクランプするツェナーダイオードを備えたことを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載のスイッチング素子の駆動回路。
【請求項１０】
前記信号源を備えたことを特徴とする請求項１ないし９の何れかに記載のスイッチング素子の駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子の駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング素子の駆動回路は、スイッチング素子の制御端子に印加する電圧を制御することでスイッチング素子をオンオフする。この場合、スイッチング素子のオンオフ時間を決定する主要因は寄生容量に応じた充放電時間である。
【０００３】
寄生容量の充電時間は、駆動回路からスイッチング素子の制御端子に流れ込む電流値の大小に応じて決定される。したがって、充電時間を短縮するためには、制御端子に流れ込む電流値を増加すると良い。この種の技術は例えば特許文献１に記載されている。この特許文献１には、スイッチング素子の制御端子の印加電圧を強制的に電源電圧に近づける構成が開示されている。
【０００４】
すなわち、従来の駆動回路は、スイッチング素子の制御端子から寄生容量に流れる電流値を増すことでスイッチング動作の高速化を図っている。しかし、この場合には駆動回路の電流供給能力を増加しなければならない。この問題の解決を図るため、特許文献２では、スイッチング素子の主電流が流れる電流経路の周囲にインダクタを設け、このインダクタに発生する誘導起電圧をスイッチング素子の制御端子の印加電圧に重畳している。このように動作させることで、駆動回路の電流供給能力を増加させることなく、スイッチング素子を高速動作できることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２５０７１号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２記載の技術を実用化するには、主電流経路に対しインダクタをどのように配置するかが課題となる。特許文献２記載の技術においては、リング状のフェライトコアとこのリング状コアに巻回されたコイルを用いているが、コアがリング状に成形されているため固定が困難となる。しかも、主電流経路の周囲にコアを設置しているため配置スペースを多く必要とする。
【０００７】
コイルの固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明によれば、スイッチング素子は信号源から与えられるパルス信号に応じてオンオフ制御され主電流が流れる。主電流配線は平坦面を備え、基板にはコイルが配設され平坦面を備えている。基板内のコイルにはスイッチング素子の主電流に応じて生じる磁束が鎖交するため、当該磁束に応じた誘導起電圧が発生する。コイルは信号源のパルス信号を入力すると、誘導起電圧を重畳してスイッチング素子の制御端子に与える。
【０００９】
この場合、主電流配線と基板の平坦面間が密着面となっているため、設置スペースを削減できる。しかも、基板と主電流配線の間の密着面が互いに平坦面であるため容易に固定できる。また、例えばフェライトコアなどのコアを必要としないためコストも安くなる。請求項２記載の発明のように、基板内のコイルはゲート抵抗と直列接続されていると良い。
【００１０】
請求項３記載の発明によれば、基板内のコイルの巻回端部間の長さが主電流配線の配線幅以下の長さになっており主電流配線の配線幅内に設置されているため、主電流配線に流れる電流に応じて発生する磁束をコイルに多く鎖交させることができ、逆に主電流配線以外の電流経路に通電する電流に応じて発生する磁束をコイルに出来る限り鎖交させないようにできる。したがって、コイルによる検出精度を高めることができると共に耐ノイズ性を向上できる。
【００１１】
請求項４記載の発明のように、多層配線板の複数の各層に形成された配線パターンと各層の配線パターンをループ状に結合するビアを組合わせてコイルを形成すると良い。するとコイルを多層配線板内に組込むことができる。
【００１２】
請求項５記載の発明によれば、基板内のコイルは、多層配線板内に互いに逆方向ループ状に巻回された部分コイルを複数直列接続して構成されているため、外乱ノイズに対する耐性を高めることができる。
【００１３】
請求項６記載の発明によれば、第１部分コイルが第１層と第３層の配線パターンをビアによって構造的に接続して構成されると共に、第２部分コイルが第２層と第４層の配線パターンをビアにより構造的に接続して構成されているため、第１および第２部分コイル間の磁束鎖交領域をオーバーラップして設けることができ、外乱ノイズに対する耐性を高めることができる。
【００１４】
請求項７記載の発明によれば、多層配線板はコイルと共に主電流配線を組み込んで構成されるため、コイルと主電流配線を多層配線板に共に実装できるようになり、コイルと主電流配線を別々に実装する手間がなくなる。
【００１５】
請求項８記載の発明によれば、制御端子接続配線パターンと主電流配線は同一基板に形成されており、これらの配線間にスリットが設けられているため、これらの配線間の容量結合を抑制できる。
【００１６】
請求項９記載の発明によれば、基板内のコイルに誘導起電圧が過大に生じたときに当該誘導起電圧をツェナーダイオードによって所定電圧でクランプできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態についてスイッチング素子の駆動回路の一例を示す回路図
【図２】（ａ）は要部の構造を概略的に示す平面図、（ｂ）はディスクリートタイプのスイッチング素子の構造例、（ｃ）は要部の構造を概略的に示す斜視図
【図３】多層配線板内の各層の配線パターンを概略的に示す平面図
【図４】多層配線板の構造を概略的に示す縦断面図
【図５】主電流配線の周囲に発生する磁束の方向の説明図
【図６】多層配線板内のコイルに鎖交する磁束のイメージ図
【図７】コイルと主電流配線の配置関係を示す平面図
【図８】（ａ）はスイッチング素子のオン動作を概略的に説明するタイミングチャート、（ｂ）はコイルの寄生成分を考慮した等価回路
【図９】第２実施形態を示す図３相当図
【図１０】第３実施形態について図２（ａ）に示す基板の平面図
【図１１】第４実施形態について示す図１相当図
【図１２】第５実施形態について多層配線板の層構造を示す分解斜視図
【図１３】第６実施形態について示す図２（ｃ）の一部相当図（コイルと主電流配線の配置関係を示す斜視図）
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について図１〜図８を参照しながら説明する。
図１は、スイッチング素子の駆動回路例を示している。この図１に示すように、スイッチング素子Ｍ１は、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタを用いて構成され、誘導性負荷２と直列接続されている。誘導性負荷２には還流ダイオードＤが並列接続されている。
【００１９】
これらのスイッチング素子Ｍ１と誘導性負荷２との直列接続回路には、直流電圧Ｅ１が与えられている。直流電圧Ｅ１はこの直列接続回路の主電源電圧である。このスイッチング素子Ｍ１のゲート端子（制御端子）Ｍ１ｇには信号源Ｓおよび駆動回路１が構成されている。
【００２０】
信号源Ｓは、直流電圧源Ｅ２の正負両側端子間に直列接続された制御スイッチＳＷ１およびＳＷ２を備えておりパルス信号を出力する。駆動回路１は、この信号源Ｓに加えてゲート抵抗ＲｇおよびコイルＬを組み合わせて構成され、スイッチング素子Ｍ１のゲートにパルス信号（例えばＰＷＭ信号）を印加することによりスイッチング素子Ｍ１をオンオフ駆動する。なお、駆動回路１には信号源Ｓを構成要件として含んでも含まなくても良い。
【００２１】
コイルＬは、後述する多層配線板８内に構成され、スイッチング素子Ｍ１のソース端子（出力端子）Ｍ１ｓに流れる主電流の電流経路３の周辺に設置され、電流経路３の通電電流の電磁誘導作用により当該通電電流の変化に応じた誘導起電圧を発生する。
【００２２】
コイルＬの一端子Ｌｔ１はスイッチング素子Ｍ１のゲート端子Ｍ１ｇに接続され、他端子Ｌｔ２はゲート抵抗Ｒｇの信号出力側に接続されている。
図２（ａ）は、スイッチング素子とコイルの接続部分を含む要部を平面図で示している。また、図２（ｂ）はディスクリートタイプのスイッチング素子構造を示している。また、図２（ｃ）は、主電流通電基板に対する多層配線板の設置例を斜視図によって示している。
【００２３】
主電流通電基板４は、例えばガラスエポキシ製の樹脂を基材として構成され、図２（ａ）に示すように、この基材上に銅箔などの金属によって配線パターン５〜７が形成されている。主電流通電基板４の表面にはドレイン電流通電用の主電流配線（配線パターン）５が形成され、ソース電流通電用の主電流配線（配線パターン）６が形成されている。また、主電流通電基板４の表面および裏面には、ゲート電圧印加用配線（配線パターン）７が、各主電流配線５、６の配線幅よりも幅の狭いパターンによって形成されている。
【００２４】
このゲート電圧印加用配線７は、複数の配線７ａ〜７ｃを含む。配線７ａは、その一端にゲート接続用のランドＬａｇが構成され、他端にはコイルＬとの接続端子が設けられている。配線７ａは、その一部がソース電流通電用の主電流配線６の電流通電方向（図２（ａ）の上下方向）と同一方向に延伸し、当該主電流配線６と平行に形成されている。
【００２５】
配線７ａは、その他端が多層配線板８内に構成されるコイルＬの接続端子９ａと半田により接続されており、これにより配線７ａはコイルＬの一端子Ｌｔ１と電気的に接続されている。多層配線板８内の構造および配置位置については後述する。配線７ｂは、その一端がコイルＬの接続端子９ｂと半田により接続されており、これによりコイルＬの他端子Ｌｔ２と電気的に接続されている。配線７ｂの他端には、主電流通電基板４の辺部内側に配置されたゲート抵抗Ｒｇ接続用のランド４ａが構成されている。
【００２６】
配線７ｃは、主電流通電基板４の裏面に配置されるもので、その一端にはランドＬａｓが構成されると共に、その他端には主電流通電基板４の辺部に位置してランド４ｂが構成されている。ランドＬａｓは主電流配線６のパターン端部にも設けられ、ランドＬａｓはスルーホールにより表面および裏面が貫通して接続されている。これにより、ソース電流通電用の主電流配線６と配線７ｃとが電気的に接続されている。主電流配線５は、そのパターン端部にドレイン接続用のランドＬａｄが構成され、ドレイン接続用のランドＬａｄにはスルーホールが設けられている。
【００２７】
図２（ｂ）は、スイッチング素子のパッケージ構造例を示している。スイッチング素子Ｍ１は、例えばＴＯ(Transistor Outline)系パッケージ等の内部に電気的に構成され、複数本のリード端子Ｌｅｇ（ゲート）、Ｌｅｄ（ドレイン）、Ｌｅｓ（ソース）がパッケージの外方に延出して構成され、これらのリード端子Ｌｅｇ，Ｌｅｄ，Ｌｅｓが、図２（ａ）に示す主電流通電基板４の各ランドＬａｇ，Ｌａｄ，Ｌａｓに構成されたスルーホールにそれぞれ挿通され半田付けされることによって固定される。
【００２８】
図２（ａ）および図２（ｃ）に示すように、主電流通電基板４の主電流配線６上には多層配線板８が搭載されている。この多層配線板８は、図１に示すコイルＬが金属配線により内部に構成されている。
【００２９】
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、多層配線板の各層の金属配線パターンおよびビアを模式的に示している。多層配線板８の第１層８ａ〜第４層８ｄは、それぞれガラスエポキシ樹脂を基材としてそれぞれ平板状をなして構成され、それぞれこの基材の上面に金属による配線パターンを形成して構成されている。
【００３０】
第１層８ａの下面が平坦面に成形されており、主電流配線６（主電流通電基板４）の上面に搭載する搭載面となる。これらの第１層８ａ〜第４層８ｄ間は、多層配線板８の接続端子９ａおよび９ｂ側（図３の左側）からその反対側（図３の右側）にかけてジグザグに配置されたスルーホール（ビアに相当）Ｈ１〜Ｈ６を通じて連接されている。また、接続端子９ａおよび９ｂが構成されており、接続端子９ａおよび９ｂは第１層８ａ〜第４層８ｄ間を貫通するスルーホールにより連接されている。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、第１層８ａの表面においては、金属配線１０が、スルーホールＨ１およびＨ２間、Ｈ３およびＨ４間、Ｈ５およびＨ６間を連結している。また、図３（ｃ）に示す第３層８ｃの表面においては、金属配線１０が、接続端子９ａおよびスルーホールＨ６間を連結している。
【００３２】
さらに、図３（ｄ）に示すように、第４層８ｄの表面においては、金属配線１０が、接続端子９ｂおよびスルーホールＨ１間、スルーホールＨ２およびＨ３間、並びに、スルーホールＨ４およびＨ５間を連結している。
【００３３】
すると、電流の通電経路は、接続端子９ａ→スルーホールＨ６→第１層８ａのＨ６およびＨ５間の金属配線１０→スルーホールＨ５→第４層８ｄのＨ５およびＨ４間の金属配線１０→スルーホールＨ４→…→スルーホールＨ１→第４層８ｄのＨ１および接続端子９ｂ間の金属配線１０、を通じて構成される。
【００３４】
したがって、金属配線１０およびスルーホールＨ１〜Ｈ６によってループ状に電流経路を形成することでコイルＬを構成できる。コイルＬの一端子Ｌｔ１は接続端子９ａに接続され、他端子Ｌｔ２は接続端子９ｂに接続される。説明を容易化するため、コイルＬの配線を３回巻回した例を示しているが、実用的には感度を向上するため３を超える巻数のコイルＬを用いても良い。また、逆に設置スペースの削減のため、３未満の巻数のコイルＬを用いても良い。
【００３５】
図４は、主電流配線上に搭載された多層配線板の断面構造を理解し易いように模式的に示している。図４に示すように、主電流配線６上には多層配線板８が密着して搭載されている。多層配線板８の第１層（最下層）８ａはガラスエポキシ樹脂を基材として構成されているが、これらの第１層８ａと主電流配線６との間には、ソルダーレジスト等による回路パターン保護のため絶縁膜が設けられている。これにより、主電流配線６と多層配線板８との間の絶縁性が保たれている。また、絶縁性を強化するためポリイミドなどの薄い絶縁層を別途設けても良い。
【００３６】
図４に示すように、コイルＬは、各層８ａ〜８ｄの金属配線１０およびスルーホールＨ１〜Ｈ６に囲われてループ状に結合して構成されている。図５に示すように、電流が主電流配線６に流れると、この主電流配線６の周囲に磁束φが発生し、多層配線板８内に構成されたコイルＬの開口面Ｌａに鎖交する。すると、コイルＬは誘導起電圧を発生する。
【００３７】
図６は、多層配線板内のコイルの開口面に鎖交する磁束のイメージを図４に対応して示している。磁束の鎖交方向は、図６の掲載面の垂直方向となるが、コイルＬの開口面Ｌａが大きければ磁束φの鎖交数も増加するため、電流変動に応じた誘導起電圧の感度を高めることができる。
【００３８】
したがって、多層配線板８は４層構造のものを適用したが、これに限られるものではなく、磁束が通過するための面積を増加する場合、５層以上の多層配線板を用いても良い。逆に、主電流配線６の周囲のスペースを有効活用するためには多層配線板８を薄くすると良く、この観点では多層配線板８を２層の両面基板、または、３層多層基板で構成し、この内部にコイルＬを配設すると良い。すなわち、多層配線板８の層数は適宜選定すると良い。
【００３９】
図７は、コイルと主電流配線の配置関係を平面図により概略的に示している。前述したように、コイルＬは多層配線板８内に３回（複数）以上巻回されていると良いが、このコイルＬの巻回端部間の長さｌは主電流配線６の配線幅Ｗと一致またはそれ未満の長さであり、また、平面的に配線幅Ｗ内に収めて設置されていると良い。
【００４０】
図２等には省略しているが、主電流通電基板４には他の回路（図示せず）が搭載される。この他の回路に流れる電流に応じた磁束φがコイルＬに鎖交しにくくなる。これにより、他の配線の通電電流の影響を極力抑制できる。また、コイルＬのコイル幅ｗと主電流配線６の配線幅Ｗとの関係はどちらが長くても良いしほぼ同一長としても良い。
【００４１】
上記構成の動作について説明する。図８（ａ）は、スイッチング素子をオフからオンにするときの要部の電圧、電流波形をタイミングチャートにより示しており、図８（ｂ）は、その等価回路を示している。
【００４２】
図８（ｂ）の等価回路に示すように、コイルＬには寄生容量Ｃｐ１、寄生容量Ｃｐ２、寄生インダクタＬｐが図示形態で存在する。制御スイッチＳＷ１をオンすると共に制御スイッチＳＷ２をオフすることで、図８（ａ）に示すように、駆動回路１が電圧源Ｅ２からステップ状のゲート電圧Ｖｄｒをスイッチング素子Ｍ１の制御端子（ＭＯＳＦＥＴのゲート）に印加すると、スイッチング素子Ｍ１のゲート入力容量には電荷が充電され、スイッチング素子Ｍ１のゲートソース間電圧が徐々に増加する（図８（ａ）のＡ区間）。この間、スイッチング素子Ｍ１の出力電流（ソース電流Ｉｓ（≒ドレイン電流Ｉｄ））はほとんど流れない。
【００４３】
その後、スイッチング素子Ｍ１のゲートソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈを上回ると、ソース電流Ｉｓ（≒ドレイン電流Ｉｄ）が増加し始める。このため、当該ソース電流Ｉｓの変化量ｄＩｓ／ｄｔに依存した誘導起電圧Ｋｐ×ｄＩｓ／ｄｔが正方向に重畳される（図８（ａ）のＢ区間）。すると、ソース電流Ｉｓ，ドレイン電流Ｉｄの上昇度を増すことができる。これにより、スイッチング素子Ｍ１を高速スイッチングできる。
【００４４】
＜本実施形態のまとめ＞
本実施形態では、多層配線板８の下面が主電流経路６上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板８の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線６（主電流通電基板４）は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板８の搭載面を主電流配線６の上面に配置することで密着して設置できる。これにより、主電流配線６の周囲に設置スペースを多く必要としない。多層配線板８を主電流配線６（主電流通電基板４）上に配置できるため、コイルＬに多くの磁束を鎖交させることができる。
【００４５】
コイルＬは、その巻回端部間の長さｌが主電流配線６の配線幅Ｗ以下の長さであり、主電流配線６の配線幅Ｗ内に設置されているため、主電流配線６に流れる電流に応じて発生する磁束を多くコイルＬに鎖交させることができ、逆に主電流配線６以外の電流経路に通電する電流に応じて発生する磁束を出来る限り鎖交させないようにできる。したがって、コイルＬによる検出精度を高めることができ耐ノイズ性を向上できる。
【００４６】
コイルＬが、多層配線板８の複数の各層８ａ〜８ｄに形成された金属配線（配線パターン）１０と、この金属配線１０をループ状に結合するスルーホールＨ１〜Ｈ６を組み合わせて構成されるため、コイルＬを多層配線板８内にコンパクトに組込むことができる。これによりコイルＬを安価に構成できる。また、鉄心コア、フェライトコアなどが不要となり低コスト化を実現できる。
【００４７】
製法上においても巻き加工を不要にできるため低コスト化を実現できる。なお、主電流配線６の上面はソルダーレジストなどの絶縁材によりコーティングされているため、コイルＬと主電流配線６等との間の絶縁性を保持できる。
【００４８】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、多層配線板内に互いに逆方向ループ状に巻回された部分コイルを複数直列接続して構成しているところにある。前述実施形態と同一または類似の機能を有する部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明する。
【００４９】
図９（ａ）〜図９（ｄ）は、多層配線板内の各層の配線パターンおよび接続状態を示すもので、前述実施形態の図３に代えて示している。
図９（ａ）〜図９（ｄ）に示すように、接続端子１１ａおよび１１ｂが、接続端子９ａおよび９ｂにそれぞれ隣接して構成されており、これらの接続端子１１ａおよび１１ｂは第１層８ａ〜第４層８ｄを貫通するスルーホールによって連接されている。
【００５０】
図９（ａ）〜図９（ｄ）に示すように、スルーホールＨ１〜Ｈ６は、前述実施形態と同様にジグザグに配置されており、第１層８ａおよび第３層８ｃにおいて金属配線１０が各スルーホールＨ１〜Ｈ６を順に連結しているが、本実施形態ではこれに加えてスルーホールＨ１〜Ｈ６に対してスルーホールＨ７をさらにジグザグに配置し、金属配線１０が当該スルーホールＨ７と接続端子９ａとを連結している。また、金属配線１０がスルーホールＨ１と接続端子１１ｂとを連結している。
【００５１】
すると、電流の通電経路は、接続端子９ａ→スルーホールＨ７→第３層８ｃのＨ７およびＨ６間の金属配線１０→スルーホールＨ６→第１層８ａのＨ６およびＨ５間の金属配線１０→スルーホールＨ５→第３層８ｃのＨ５およびＨ４間の金属配線１０→スルーホールＨ４→…→スルーホールＨ１→第３層８ｃのＨ１および接続端子１１ｂ間の金属配線１０、を通じて構成される。
【００５２】
したがって、図９（ａ）に示す第１層８ａと図９（ｃ）に示す第３層８ｃとの間で所定の一方向（図９中の左側から見た場合、時計回り方向：右巻き）に巻回された部分コイルＬ１を構成できる。
【００５３】
図９（ａ）〜図９（ｄ）に示すように、多層配線板８の各層８ａ〜８ｄは、多層配線板８の接続端子９ａおよび９ｂ側（図９の左側）からその反対側（図９の右側）にかけて平面的にジグザグに配置されたスルーホールＨ８〜Ｈ１５を通じてそれぞれ連接されている。
【００５４】
第２層８ｂでは、金属配線１０が、スルーホールＨ８およびＨ９間、Ｈ１０およびＨ１１間、Ｈ１２およびＨ１３間、Ｈ１４およびＨ１５間を連結しており、第４層８ｄでは、金属配線１０がスルーホールＨ９およびＨ１０間、Ｈ１１およびＨ１２間、Ｈ１３およびＨ１４間、スルーホールＨ１５および接続端子１１ａ間を連結している。
【００５５】
すると、電流の通電経路は、接続端子１１ａ→第４層８ｄの接続端子１１ａおよびスルーホールＨ１５間の金属配線１０→スルーホールＨ１５→第２層８ｂのＨ１５およびＨ１４間の金属配線１０→スルーホールＨ１４→第４層８ｄのＨ１４およびＨ１３間の金属配線１０→スルーホールＨ１３→…→スルーホールＨ８→スルーホールＨ８および接続端子９ｂ間の金属配線１０、を通じて形成される。
【００５６】
したがって、図９（ｂ）に示す第２層８ｂと図９（ｄ）に示す第４層８ｄとの間で、前記の一方向とは逆方向（図９中の左側から見た場合、反時計回り方向：左巻き）に巻回された部分コイルＬ２を構成できる。
【００５７】
実装時には、接続端子１１ａおよび１１ｂ間を連結して短絡することで部分コイルＬ１およびＬ２を直列接続した状態でコイルを構成できる。
本実施形態においては、部分コイルＬ１と部分コイルＬ２とが直列接続して構成されている。また、部分コイルＬ１と部分コイルＬ２とが互いに逆方向に巻回して構成されているため、外乱ノイズに対する耐性を高めることができる。また、部分コイルＬ１が第１層８ａ−第３層８ｃ間、部分コイルＬ２が第２層８ｂ−第４層８ｄ間にそれぞれ構成されているため、部分コイルＬ１−Ｌ２間の磁束鎖交領域をオーバーラップして設けることができ、外乱ノイズに対する耐性を高めることができる。
【００５８】
部分コイルＬ１を第１層８ａ−第３層８ｃ間、部分コイルＬ２を第２層８ｂ−第４層８ｄ間、に構成した実施形態を示したが、部分コイルＬ１を第１層８ａ−第２層８ｂ間、部分コイルＬ２を第３層８ｃ−第４層８ｄ間に構成しても良い。
【００５９】
（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、配線７（制御端子接続配線パターン）と主電流配線６との間にスリットが設けられているところにある。前述実施形態と同一又は類似部分については同一又は類似の符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明を行う。
【００６０】
図１０は、主電流通電基板の一例を示している。この図１０には、図２（ａ）に示した多層配線板８の構成を除いて示している。
図１０に示すように、スリット１２が、主電流配線６の電流経路の脇に位置して当該主電流配線６に沿って形成されている。このスリット１２は、ソース電流Ｉｓが流れる主電流配線６と、配線７ａおよび７ｂとの間に形成されている。このスリット１２は、ソースリード端子Ｌｅｓの接続用のランドＬａｓと配線７ａとの間にも形成される。これにより、ゲート電圧印加用配線７と主電流配線６との間の容量結合を抑制できる。
【００６１】
特に、ゲート電圧印加用配線７の配線７ａ〜７ｃの一部または全部が主電流配線６と並走している場合、容量結合によってゲート印加電圧Ｖｇｉｎにノイズが重畳する虞がある。このため、本実施形態では、スリット１２を設けて絶縁することでノイズの影響を極力抑制できる。 
【００６２】
（第４実施形態）
図１１は、第４実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、コイルに生じる誘導起電圧をクランプするためのツェナーダイオードを設けたところにある。図１１に示すように、コイルＬの一端子Ｌｔ１および他端子Ｌｔ２間には、ツェナーダイオードＤ１およびＤ２が互いに逆方向に接続されている。すると、コイルＬに誘導起電圧が過大に生じたときに当該過電圧を所定電圧でクランプできる。
【００６３】
（第５実施形態）
図１２は、第５実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、コイルと共に主電流配線が多層配線板に組み込まれた状態で構成されているところにある。
【００６４】
図１２は、多層配線板の層構造を分解斜視図によって示している。この多層配線板１３は５層構造となっており、図１２中の下から第１層１３ａ、第２層１３ｂ、第３層１３ｃ、第４層１３ｄおよび第５層１３ｅの５層構造となっている。ここで、第２層１３ｂ〜第５層１３ｅの各層には、図９（ａ）〜図９（ｄ）に示す第１層８ａ〜第４層８ｄの各層とそれぞれ同様の配線パターン（金属配線１０、スルーホールＨ１〜Ｈ１５）が形成されている。第１層１３ａには、主電流通電基板４に形成された配線パターン（主電流配線５，６、ゲート電流印加用配線７）と同様のパターンが形成されている。
【００６５】
したがって、第１層１３ａ〜第５層１３ｅが多層配線板１３に一体化されていると、コイルＬ（部分コイルＬ１、Ｌ２）と主電流配線６を多層配線板１３に共に実装できるようになり、コイルＬと主電流配線６を別々に実装する手間がなくなる。
【００６６】
（第６実施形態）
図１３は、第６実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、コイルを主電流配線に埋め込んだところにある。
【００６７】
前述の実施形態では、主電流配線５、６を主電流通電基板４上の銅箔により形成した実施形態を示したが、これに限られるものではない。すなわち、図１３に示すように、前述実施形態の主電流配線５，６に代えて所定厚さの導電板１４を構成し、その一部に凹部１４ａを成形し、この凹部１４ａの上に多層配線板８を搭載しても良い。
【００６８】
導電板１４の凹部１４ａの下面が多層配線板８の搭載面となる。この導電板１４の凹部１４ａはその凹面が平坦面に構成されており、多層配線板８が凹部１４ａの下面上に搭載される。コイルＬの誘導起電圧は配線１５を接続することで取得できる。このような形態であっても、導電板１４の通電電流に応じて発生する磁束を多層配線板８内のコイルＬに鎖交させることができる。
【００６９】
（他の実施形態）
本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
コイルＬの巻数、コイル幅ｗは適宜変更しても良い。
ソース電流Ｉｓ用の主電流配線６の上に多層配線板８を密着して搭載することで、ソース電流Ｉｓに応じた誘導起電圧をゲート印加電圧Ｖｇｉｎに重畳させる実施形態を示したが、これに限られるものではなく、例えば、ドレイン電流Ｉｄ用の主電流配線５の上に多層配線板８を密着して搭載し、ドレイン電流Ｉｄに応じた誘導起電圧をゲート印加電圧Ｖｇｉｎに重畳させるようにしても良い。
【００７０】
多層配線板８の複数層構造を全て貫通するスルーホールＨ１〜Ｈ６と金属配線１０を用いてコイルＬを構成した実施形態を示したが、多層配線層８の層間（例えば第１層８ａおよび第２層８ｂ間、第２層８ｂおよび第３層８ｃ間、第３層８ｃおよび第４層８ｄ間）のうち何れかを結合するビアを用いてコイルＬを構成しても良い。
【００７１】
誘導性負荷２を駆動するための駆動回路１に適用したが、特にこれに限られるものではなく、ＤＣＤＣコンバータなどスイッチング素子Ｍ１を具備した回路を駆動する駆動回路に適用できる。
【符号の説明】
【００７２】
図面中、１は駆動回路、２は誘導性負荷、３は電流経路、４は主電流通電基板、６は主電流配線、７はゲート電圧印加用配線（制御端子接続配線パターン）、８は多層配線板（基板）、８ａは第１層、８ｂは第２層、８ｃは第３層、８ｄは第４層、９ａ、９ｂは接続端子、１０は金属配線（配線パターン）、１１ａ、１１ｂは接続端子、１２はスリット、１３は多層配線板、１３ａは第１層、１３ｂは第２層、１３ｃは第３層、１３ｄは第４層、１３ｅは第５層、１４は導電板（主電流配線）、１５は配線、Ｌはコイル、Ｌ１は部分コイル（第１部分コイル）、Ｌ２は部分コイル（第２部分コイル）、Ｍ１はスイッチング素子、Ｓは信号源、Ｒｇはゲート抵抗を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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