(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリであって、
複数の単ポート型記憶装置（メモリバンク）から成り、各記憶装置は第一数のエントリを有するものである主メモリと、
該単ポート型記憶装置の中の異なるものから同時に読み書き操作を可能とするように構成された並列バスと、
該第一数のエントリを備える側帯メモリであって、該側帯メモリ内の各エントリは該主メモリ内の記憶装置の一つの中の対応するエントリにマッピングされ、該側帯メモリはサイクル毎に該側帯メモリへ並列読み書きアクセスが可能であるように構成されたものである側帯メモリと、
該主メモリあるいは該側帯メモリへ読み書き操作を導くように構成されたスイッチ回路と、
該主メモリの中のどの記憶装置に該側帯メモリ内の各エントリが対応するか追跡し、メモリアドレス情報に応じて決定論的に該スイッチ回路を制御して該メモリが完全に供給されたデュアルポート型メモリのように機能するように該主メモリと該側帯メモリへのアクセスパタンを実施するように構成された制御論理とを備える、メモリ。
【請求項２】
該主メモリ内の記憶装置の各々が複数の単ポート型トランジスタ６個型（６Ｔ）スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルを備えるものである、請求項１に記載のメモリ。
【請求項３】
該側帯メモリがデュアルポート型アレイを備えるものである、請求項１に記載のメモリ。
【請求項４】
該デュアルポート型アレイが複数のデュアルポート型スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルを備え、該ＳＲＡＭセルがトランジスタ１０個型（１０Ｔ）ＳＲＡＭセル又はトランジスタ８個型（８Ｔ）ＳＲＡＭセルである、 請求項３に記載のメモリ。
【請求項５】
該側帯メモリが並列の第一及び第二単ポート型アレイを備え、該アレイの各々は該第一数のエントリを有し、第一及び第二単ポート型アレイの対応する対の各々は該主メモリ内の記憶装置の一つの中の対応するエントリにマッピングされ、第一及び第二単ポート型アレイの中のエントリの各対応する対の中の只一つのみ有効化され、該制御論理がエントリの各対応する対の中のどれが有効化されているか追跡するように更に構成されているものである、請求項１に記載のメモリ。
【請求項６】
該制御論理は該側帯メモリ内の対応するエントリの各対に対応する該主メモリ内の記憶装置を特定するタグメモリを備え、該タグメモリは更にエントリの各対応する対の中のどれが有効化されているか特定するものである、請求項５に記載のメモリ。
【請求項７】
該制御論理は該側帯メモリ内の各エントリに対応する該主メモリ内の記憶装置を特定するタグメモリを備え、該タグメモリはサイクル毎に該タグメモリに三つのメモリアクセスを可能にするように構成されているものである、 請求項１に記載のメモリ。
【請求項８】
該タグメモリはトリプルポート型のアレイを備えるものである、請求項７に記載のメモリ。
【請求項９】
該タグメモリは並列の第一及び第二デュアルポート型アレイを備えるものであり、該アレイの各々は該第一数のエントリを有し、該タグメモリへの書き込み操作は該第一及び第二デュアルポート型アレイ内のエントリの各対応する対の両方に同じ値を書き込み、第一及び第二同時読み出し操作は夫々該第一及び第二デュアルポート型メモリから読み出すものである、請求項７に記載のメモリ。
【請求項１０】
共有メモリスイッチであって、
複数の受信ポートと、
複数の送信ポートと、
メモリであって、該メモリは
複数の単ポート型記憶装置（メモリバンク）から成り、各記憶装置は第一数のエントリを有するものである主メモリと、
該単ポート型記憶装置の中の異なるものから同時に読み書き操作を可能とするように構成された並列バスと、
該第一数のエントリを備える側帯メモリであって、該側帯メモリ内の各エントリは該主メモリ内の記憶装置の一つの中の対応するエントリにマッピングされ、該側帯メモリはサイクル毎に該側帯メモリへ並列読み書きアクセスが可能であるように構成されたものである側帯メモリと、
該主メモリあるいは該側帯メモリへ読み書き操作を導くように構成されたスイッチ回路と、
該主メモリの中のどの記憶装置に該側帯メモリ内の各エントリが対応するか追跡し、メモリアドレス情報に応じて決定論的に該スイッチ回路を制御して該メモリが完全に供給されたデュアルポート型メモリのように機能するように該主メモリと該側帯メモリへのアクセスパタンを実施するように構成された制御論理とを備える、メモリと、
該受信ポートのいずれをも該メモリと接続するように機能可能である受信クロスバー回路と、
該メモリを該送信ポートのいずれとも接続するように機能可能である送信クロスバー回路と、
該ポート、クロスバー回路、及びメモリの相互作用を制御して該メモリ内のデータ貯蔵及び検索を実行するスイッチ論理と、
を備える共有メモリスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本出願は２００８年１２月１９日に提出された米国特許出願１２／３４００２２号を基に優先権を主張するものであり、この全体をすべての目的において此処に合同するものとする。
【０００２】
本発明は単ポート型の記憶装置（メモリバンク）を使用してサイクル毎に読み書きの同時操作を可能とするメモリに関する。
【０００３】
共有メモリスイッチにおいて、その帯域幅を限定する隘路の一つはメモリの速度である。最悪の場合、各パケット上の読み書きに特別なメモリ位置が必要となることがある。従って、単ポート型のスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルを使用する与えられた帯域幅の完全に供給されたスイッチを得るためには、メモリの操作速度が所望のパケット速度の二倍でなくてはならない。
【０００４】
その一方、サイクル毎に二操作（即ち読み出しと書き込み）が可能な二重（デュアル）ポート型のＳＲＡＭセルを使用すれば、メモリの所要速度の半減が可能となる。しかし、これには単ポート型のＳＲＡＭに比して二倍ものシリコン面積が必要となる。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の種々な実施形態において、各々が第一数のエントリを持つ複数の単ポート型記憶装置を有する主（メイン）メモリを含むメモリが提供される。並列バスが異なる単ポート型記憶装置からの同時読み書きを可能とするように設定されている。この第一数のエントリを有する側帯（サイドバンド）メモリが備えてあり、側帯メモリの各エントリは主メモリの中の一つの記憶装置の対応するエントリにマッピングされる。側帯メモリはサイクル毎にこの側帯メモリへの並列読み書きアクセスを可能とするように設定されている。主メモリと側帯メモリのいずれかへの読み書き操作へ導くようにスイッチ回路が設定されている。制御論理は 側帯メモリの各のエントリが主メモリの中のどの記憶装置に対応するか追跡し、メモリアドレス情報に応じてスイッチ回路を決定的に制御して主メモリと側帯メモリへのアクセスパタンを実行することにより、このメモリが完全供給されたデュアルポート型のメモリのように機能すべく設定されている。
【０００６】
本発明の一種の実施形態において、側帯メモリは同一のサイクルで異なるアドレスでの読み書きが可能なデュアルポート型のアレイとして実施される。
【０００７】
本発明の別種の実施形態において、側帯メモリには並列に第一と第二の単ポート型のアレイがあり、その各々に第一数のエントリが含まれている。第一と第二の単ポート型のアレイの中の各対応する対のエントリの両方が主メモリの中の一つの記憶装置の対応する一つのエントリにマッピングされている。第一と第二の単ポート型のアレイの中の各対応するエントリの一対の中の一方のみが有効である。制御論理は各対応するエントリの対の中どちらが有効なのか追跡するように設定されている。
【０００８】
本発明の更に別種の実施形態においては、側帯メモリの中の各エントリが対応する主メモリ内の記憶装置を同定するタグメモリが制御論理に含まれる。このタグメモリはサイクル毎に例えば二回の読み出しと一回の書き込みのように三回のアクセスを許容するように設定されている。この種の若干の実施形態において、タグメモリは三重ポート型のアレイとして実施される。
【０００９】
この種の中の別の実施形態において、タグメモリは並列の第一と第二の単ポート型のアレイで実施され、その各々には第一数のエントリがあり、タグメモリへの書き込み操作では第一と第二の単ポート型のアレイの中の各対応する対のエントリの両方に同じ値が書き込まれ、第一と第二の同時の読み出し操作では夫々第一と第二のデュアルポート型メモリから読み出される。
【００１０】
更に考慮されて居る実施形態では、本発明の実施形態によって実装されたメモリの使用によって共用メモリスイッチ及びかような共用スイッチの互いに接続された複数のインスタンスを含むスイッチ構造が実現される。
【００１１】
本発明の特徴及び利点は明細書の以後の部分及び図面によって更に明確に理解されることであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】二重周期又はデュアルポート型共用メモリを要する共用メモリスイッチ構造のブロック図である。
【００１３】
【図２Ａ】は本発明の種々の実施形態で使用可能な単ポート型のＳＲＡＭメモリセルの回路図である。
【図２Ｂ】本発明の種々の実施形態で使用可能なデュアルポート型のＳＲＡＭメモリセルの回路図である。
【図２Ｃ】本発明の種々の実施形態で使用可能なデュアルポート型のＳＲＡＭメモリセルの回路図である。
【００１４】
【図３】並列の読み書きバスに接続された単ポート型装置の主ＳＲＡＭアレイのブロック図である。
【００１５】
【図４】本発明の所定の実施形態によって実装されたＳＲＡＭのブロック図である。
【００１６】
【図５】本発明の所定の実施形態によって実装されたＳＲＡＭの一部のブロック図である。
【００１７】
【図６】本発明の別の所定の実施形態によって実装されたＳＲＡＭの一部のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明を実施するに当たり発明者が最良とみなす形体を含めた特別な実施形態を参照して発明を詳細に説明する。これら実施形態の例は図に示されて居る。発明はこれらの実施形態について説明されるが、発明はこれらの実施形態に限定される意図ではない。それに反し、各種の代替、変形、相当例などは本発明の範囲に含まれるものと理解されたい。以下の記述に於いて、多くのを特別な細部事項が徹底的な理解の目的で提出される。本発明を実施するに当たっては、これらの詳細事項がすべて必要とは限らない。その他の場合には、本発明の内容を不必要な程度までに不明確にしないために、周知の手順の実施などについては、詳細な記述は省略される。
【００１９】
本発明の種々の実施形態において、デュアルポート型性能は単ポート型メモリの記憶装置を使用し、同時の読み書き操作が同一の記憶装置に導かれる隅のケースに対処するためメモリを通じて代行的通路を提供することにより達成される。単ポート型の装置は同時に一つの装置から書き込んで他の装置から読み出し可能なデュアルポート型データ、アドレス、及び制御バスによって接続されている。しかし、装置自身は単ポート型なので、このシステムは同一サイクルで同じ装置から読み書きをすることが出来ない。以後説明されるように、本発明の実施形態は無制限な装置のデュアルポート型外部アクセスを維持する一方、これらの装置コンフリクトを回避する機構を提供するものである。
【００２０】
本発明の実施形態は例えばその全体を此処に参照して合同する２００６年５月２３日に発行された題名を  Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ  とする米国特許７０５０３２４号に記載されたような非同時性ＳＲＡＭを実現するために使用可能である。しかし、本発明の実施形態は或る非同時性デザインのスタイルに適当であるが、本発明の基礎的原理は同時性メモリデザインに極めて応用可能であり、従って同時性メモリデザイン及びそれを使用する装置やシステムも本発明の範囲内に含まれることに留意されるべきである。
【００２１】
本発明の特種な実施形態は共有メモリ型スイッチ及び／或はそのような共有メモリ型スイッチの複数のインスタンスを備えるスイッチ構造を実現するのに使用されてもよい。本発明の実施形態が実装可能な共有メモリ型スイッチの例はその全体をすべての目的で此処に参照して合同する２００６年７月１３日に発行された題目をＳｈａｒｅｄ−Ｍｅｍｏｒｙ  Ｓｗｉｔｃｈ  Ｆａｂｒｉｃ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  とする米国特許公開２００６−０１５５９３８Ａ１に記載されている。更に一般的なこととして、本発明の基礎的原理はエサネット、シリアルラピッドＩ／Ｏ、アドバンスドスイッチング、あらゆるストリーミングプロトコル（例えばＴＤＭ，ＳＰＩ−４）、あらゆる高級層プロトコル（例えばＴＣＰ／ＩＰ）、及びあらゆる他のものの上のプロトコル（例えばエサネット上のハイパートランスポート）を含めた事実上すべてのプロトコル或いは相互接続技術に実現されてよい。  
【００２２】
更に一般的なこととして、本発明はＳＲＡＭ技術、共有メモリ型スイッチ技術、又はそれに類する応用面に限定されるものでないと留意されるべきである。それに反し、本発明の実施例は単ポート型メモリへの限定が問題点となるあらゆるコンテキストにおいてその対応に使用可能である。
【００２３】
図１は共有メモリアレイとしてＳＲＡＭアレイ１０２を含む共有メモリ型スイッチ１０１の簡素化されたブロック図である。ＳＲＡＭアレイ１０２は各々が単ポート型ＳＲＡＭセルで実現されているＳＲＡＭ装置０からＢ−１（例えば図３の装置３０２）の主メモリアレイで実現されている。図に示された装置の数は例示のためであって、任意の数の装置が使用可能であることは理解されよう。異なる装置との同時操作が起こってもよいようにデュアルポート型のバス及びアドレスの分配（例えば図３のバス３０４、３０６及び３０８）が供されているが、単ポート型ＳＲＡＭセルが主メモリ装置の実現に使用されているので、与えられた時間においては只一回のみのアクセス（即ち読み出し又は書き込み）が与えられた記憶装置には起こり得る。
【００２４】
以下論じられるように、二次“側帯”メモリが同時の読み書き操作間の装置コンフリクトを解決すべく主メモリに並列構造として供されている。種々の実施形態において、この側帯メモリは主メモリの中のＳＲＡＭ装置の一つと同じサイズ、即ちメモリセルの数が同じである。特種な実施形態において、この側帯メモリはデュアルポート型ＳＲＡＭセルで実現され、従って同時の読み書きを支持する。しかし、後述するように、実施形態では側帯メモリは単ポート型メモリセルを使用して実現されるように考慮されている。  
【００２５】
本発明の種々の実施例との使用に好適な単ポート型及びデュアルポート型ＳＲＡＭセルの例が図２Ａ乃至２Ｃに示されている。図２Ａは対応するビット線ｂ．０及びｂ．１に接続するトランジスタ通過（パス）ゲイト２０６及び２０８と交差カプリングする一対のインバータ２０２及び２０４を含むトランジスタ６個型（６Ｔ）ＳＲＡＭ状態要素２００を示す。アドレス線２１０は通過ゲイト２０６及び２０８をオンにしてビット線をＳＲＡＭ状態要素の内部ノードｘ．０及びｘ．１の上の状態に露出する。ビット線ｂ．０及びｂ．１はＳＲＡＭ状態要素２００に貯蔵されたデータのデュアルレイル型表示と思われてよい。
【００２６】
ＳＲＡＭ状態要素２００の状態を読み出すにはアドレス線２１０を使用してトランジスタ通過ゲイト２０６及び２０８をオンにしてビット線ｂ．０及びｂ．１（予め高に帯電）を夫々内部ノードｘ．０及びｘ．１のに接続する。低である内部ノードは対応する感知されたビット線を低に引き、デュアルレイル値はバッファされて請求者に送られる。ＳＲＡＭ状態要素２００に書き込むにはアドレス線２１０が内部ノードをビット線に露出するように再び使用され、内部ノードは所望の書き込み値で駆動され、交差カプリングされたインバータ２０２及び２０４の中のトランジスタを圧倒し状態要素の新しい内部状態を設立する。
【００２７】
図２Ｂは２本のバスがその中１本が読み出しに、他の１本が書き込みに使用されるトランジスタ１０個型（１０Ｔ）ＳＲＡＭ状態要素２５０を示す。即ち、状態要素２５０への書き込みにはアドレス線ｉｗと共に書き込みバス線＿ｗ．０及び＿ｗ．１が使用される一方、状態要素２５０からの読み出しにはアドレス線ｉｒと共に読み出しバス線＿ｒ．０及び＿ｒ．１が使用される。図２Ａの６Ｔ状態要素と対照的に、１０Ｔ状態要素はダイエアリアをよけい必要とする代わり著しく高速である。更に、読み書きのバスが別であるため、実質的に同時の別のアドレスの読み書き操作が同じＳＲＡＭ装置で可能である。
【００２８】
デュアルポート型ＳＲＡＭを製作するのに、８Ｔ型のデュアルポート型状態ビットも使用可能である。図２Ｃは本発明の種々の実施形態で使用可能であり、図２Ｂの状態要素と同様な機能とトポロジイを有するトランジスタ８個型（８Ｔ）ＳＲＡＭ状態要素２８０を示す。
【００２９】
特種の実施形態においては、主メモリのＳＲＡＭ装置内の“ストライプ”又はエントリ（例えばＸＸＸＸＳＴＲＩＰＥ０ＸＸＸＸＸ）が側帯メモリ内の対応するストライプ又はエントリにマッピングされる。例えば装置０内のストライプ０は側帯メモリ内のストライプ０にマッピングされる。同様に装置１内のストライプ０は側帯メモリ内のストライプ０にマッピングされ、以下同様である。明らかに、主メモリ装置の一つに対応する只一つのエントリが与えられた時間において側帯メモリに貯蔵可能である。種々の実施形態において、主メモリＳＲＡＭ装置に貯蔵された情報へのアクセスのパタンはＳＲＡＭ１０２がそれがあたかも完全に供給されたデュアルポート型メモリであるかのように操作することによって容易にされる。
【００３０】
種々の実施形態において、側帯メモリ内の各エントリ又はストライプはいずれの与えられた時間においても装置０乃至Ｂ−１のいずれかの一つの対応するエントリのコピイを貯蔵する。特別の種類の実施形態において、又下記のように、ある特別の操作を主メモリＳＲＡＭ装置或いは側帯メモリに導くかとの決定は完全に決定論的なものである。より高い情報量を達成するために統計的行為に依存するメモリと異なり、本発明の種々の実施例に従って実現されるメモリではメモリのアクセスに関するコンフリクトによりパケットを落とす危険がない。読み書きの同時操作の異なるシナリオに関する簡単な議論が有用と思われる。
【００３１】
第一の場合として、読み書きの操作の両方が側帯メモリに導かれる。側帯メモリはデュアルポート型であるから、従って両方の操作が並列的に実行される。
【００３２】
第二の場合では、操作の中の一方（即ち読み出し又は書き込み）が側帯メモリに貯蔵されたエントリに導かれ、他方（即ち書き込み又は読み出し）が主メモリのエントリに導かれる。この場合も、主メモリが他方を処理している間に側帯メモリが一方を処理できるので、両方の操作が並列的に実行される。
【００３３】
第三の場合では、両方の操作が導かれて行くエントリのいずれも側帯メモリに貯蔵されて居らず、操作は主メモリの異なる装置へ導かれて行く。上記のように平行な読み書きのバスが存在する限り、両方の操作はコンフリクトなしに主メモリの中で実施可能である。
【００３４】
両方の操作が同一装置内のエントリに導かれ、これらのエントリのいずれも側帯メモリに貯蔵されていないと、興味ある場合となる。本発明の特種な実施形態では、このような場合が検出されると読み出し操作が主メモリに導かれ、書き込み操作が側帯メモリに導かれるように処理される。それと共に主メモリと側帯メモリの両方において同時に読み書きが実施される。これは以下のように実行される。
【００３５】
この場合、上書きされる側帯メモリのエントリは書き込み操作が導かれるものとは違う装置に属すものであり、それはそうでないと書き込み操作で側帯メモリ内の自身のエントリの上書きをすることになるからである。更に、側帯メモリ内で上書きされているエントリは第一の読み出し操作と干渉しない様式で同時に側帯メモリから読み出され、主メモリの対応位置に書き戻されるかも知れない。これは読み出し操作が導かれる主メモリ内の装置は側帯メモリから上書きされているエントリを含むものと異なるからである。この側帯メモリからの同時読み出し操作はこれがデュアルポート型メモリであるから可能とされるものである。
【００３６】
理解される如く、本発明の実施形態に従って実行される側帯メモリに関連するオーバヘッドは主メモリ内の装置のサイズに比例する。即ち、主メモリの装置が大きい程側帯メモリは大きくなる。従って、全体的な面積上の不利益から、本発明の実施形態は主メモリが多数の装置を有する場合及び／或は記録装置のサイズが比較的小さい場合に殊に有利である。
【００３７】
特別な実施形態のより詳細な開示が図４に示されている。示される如く、書き込みチャネルは小さなスイッチ要素４０２に入り、これが書き出しデータを主メモリ４０４又は側帯メモリ４０６に送信する。
【００３８】
側帯タグ論理４０８が読み書きアドレスを受信し、それに従って種々のクロスバー及びメモリを制御する。側帯タグ論理４０８には側帯メモリ４０６内の各エントリの装置番号を貯蔵し、即ち主メモリ４０４内のどちらの装置が側帯メモリ４０６内の各エントリに対応するのかを示す側帯タグメモリ（表示なし）が含まれる。従って、例えば主メモリに６４個の装置がある場合、側帯メモリ内の各エントリはそのエントリに対応する主メモリ内の装置を特定する６ビットで表される。
【００３９】
側帯メモリがデュアルポート型（与えられたサイクル内で読み書き両方が可能）である一方 、主メモリ４０４内のＳＲＡＭは単ポート型（与えられたサイクル内で読み書きの一方のみ可能）である。或るタイプの実施形態では側帯タグ論理４０８内の側帯タグメモリは三重（トリプル）ポート型であり、各サイクルで二つの読み出しと一つの書き込みが可能である。これは各サイクルで二つの異なる指標の二つの読み出しが側帯タグメモリ内で起こることであり、即ち主メモリ４０４内の装置に導かれた二つのメモリ操作毎に一つである。更に、側帯メモリ４０６内のエントリが上書きされた場合、側帯タグメモリ内の対応エントリも変更される。もし主メモリ内の各装置がＮエントリ対Ｗビットであると、主メモリ内の装置の数をＢとした場合、側帯タグブロック内のメモリのサイズがＮｘ［ｌｏｇ2Ｂ］であることが理解されよう。 
【００４０】
上記の実施により、単ポート型記憶装置と若干の追加オーバヘッドを使用したデュアルポート型メモリの性能をデュアルポート型８Ｔ又は１０Ｔの状態ビットで構築した均等周期のデュアルポート型デザインで表される面積のペナルティを２倍乃至３倍の小部分として可能にする。
【００４１】
図５に示される代行的アプローチによると、上記のような面積の節約は達成しないが、それでもデュアルポート型ＳＲＡＭよりは小型な側帯メモリと同様の概念が使用可能である。上記の実施形態のように、これも全く決定論的なものであって、統計的行為に依存する必要はない。
【００４２】
この実施形態においては単ポート型主メモリが二重化され（５０２及び５０２’）、貯蔵されるべきメモリ内の各エントリに二つの位置の可能性があることになる。理解されるように、単ポート型による実施の場合に比較すればこれによってサイズは二倍以上になるが、面積に関するこのペナルティはそれでもデュアルポート型セルを使用する場合より小さい。
【００４３】
各対の装置内の同じ位置の対応するエントリの対の各々について、制御論理５０４は現行の値を持っているのがどちらの装置であるか追跡をする。制御論理５０４はすべての読み出し操作を読み出し操作が導かれているエントリの現行の値を持った装置に導く。同時の読み書きの間、制御論理５０４は読み出し中でない装置に書き込み装置を導く。そのように書き込まれた装置は現行値を含む。
【００４４】
どちら装置が現行値を保持しているか追跡するため、制御論理５０４は装置５０２及び５０２’の中のＮ個のエントリの各々について１ビットを持っており、二つの装置の中のどちらが対応するエントリの値を持っているのか特定する。この情報を使用して、制御器５０４はクロスバー５０６及び５０８を制御し、読み書きの操作を適宜な装置に導く。特定のエントリが装置のなかの一つに上書きされる毎に、変化を反映するために制御論理５０４の中の対応するエントリが変化される。特別な実行法によると、制御論理５０４の中のメモリはデュアルポート型メモリであって、同一のサイクルの中で読み出し操作（即ちどちらの入力される読み出し操作が導かれるべきか特定するため）及び書き込み操作（即ち新しい現行装置を反映すべく入力される書き込み操作に対応するエントリを変更するため）の両方を実行可能にする。
【００４５】
特種の実施形態では、図５を参照して記述されたアプローチが側帯メモリの実施に使用される図４での実施例を改善したものが示されている。即ち、図６に示されているように、図４を参照して上記されたデュアルポート型側帯メモリ４０６は二個の並列された単ポート型メモリ６０６及び６０６’を使用して実施可能なものである。これは１ビットを側帯タグ論理４０８内のＮエントリ側帯タグメモリ（即ちＮｘ［（ｌｏｇ2Ｂ）＋１］）に付け加え、どちらの単ポート型側帯メモリが現行値を持つか追跡し、側帯タグ論理４０８が図５を参照して上記されたように操作する（その結果側帯タグ論理６０８）ように更新して達成することが出来る。このアプローチの利点は側帯メモリの実施に使用される単ポートＳＲＡＭ装置は主メモリ内のＳＲＡＭ装置と同じであってもよいことである。
【００４６】
２個のデュアルポート型メモリを使用するトリプルポート型側帯タグメモリ４１０の代用の実施用として同様な線に沿って更に改善が可能である。即ち、図５を参照して上記のような２個並列された単ポート型メモリの代わりに、並列メモリはデュアルポート型であり、サイクル毎に一つの読み出し操作と一つの書き込み操作を支持するものである。変更はすべてこれらタグメモリの両方に書き込まれ、それで両者は常に同じ値を持っている。この二重化によって二つの読み込み操作が各タグ記憶装置を一つが使用して並列に起こる。即ち書き込み操作は両方のメモリ内の同じ位置に同じ値を書き込むことに関する。各サイクルの読み出し操作の一つは一方の並列デュアルポート型メモリで実施され、他方の読み出し操作は他方のもので実施される。
【００４７】
本発明は特種実施形態について記述されたものであるが、当業者には此処に記述された実施形態の形態や細目は本発明の精神及び範囲を逸脱することなく変更されてよいものであると理解されよう。例えば、此処ではＳＲＡＭに関するメモリ技術として記述がされて居るが、此処に記述された技術は此処に記述された技術と同様に限定される種々のメモリ技術を使用するメモリシステムの実施に使用可能であると理解されよう。更に、本発明の種々な利点、観点、及び目的は種々の実施形態を参照して記述されているが、かかる利点、観点、及び目的によって本発明の範囲は限定されるものでないと理解されよう。それに反し、本発明の範囲は以下の請求項を参照して決定されるべきものである。
【図１】
0005325995.tif 000002
【図２Ａ】
0005325995.tif 000003
【図２Ｂ】
0005325995.tif 000004
【図２Ｃ】
0005325995.tif 000005
【図３】
0005325995.tif 000006
【図４】
0005325995.tif 000007
【図５】
0005325995.tif 000008
【図６】
0005325995.tif 000009