(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３ の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分と、
Ｃｕの化合物から成る第３副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記一般式では、
０．０２≦ｘ≦０．３、
０≦ｙ≦０．０５、
０．０６≦ｚ≦０．２、かつ
０．９９５≦ｍ≦１．０１５であり、
前記第１副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で４モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第２副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で３モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第３副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で０．６モル％以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
（Ｂａ１−ｘ−ｙＣａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３ の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分と、
Ｃｕの化合物から成る第３副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記一般式では、
０．０２≦ｘ≦０．３、
０≦ｙ≦０．０５、
０．０６≦ｚ≦０．２、かつ
１．０１０≦ｍ≦１．０３５であり、
前記第１副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で４モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第２副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で３モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第３副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で０．６モル％以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記誘電体磁器組成物の主成分に含まれる不純物がＮｂ、Ｐ、Ｆｅ、ＡｌまたはＳｉの化合物から成る請求項２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記第１副成分が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される２種の元素の化合物から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記第３副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で０．０５〜０．５モル％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
前記誘電体磁器組成物が、
さらに、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｇａ、ＧｅおよびＨｆから選択される少なくとも１種の化合物から成る第４副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で０．０１モル％以上、１モル％以下含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物を用いた電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の誘電体層などに用いられる誘電体磁器組成物に係り、さらに詳しくは、高誘電率でありながら温度特性が比較的良好であり、誘電損失が低く、絶縁抵抗および交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物およびそれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため、電子部品もより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化においても静電容量を維持するために、誘電率が高く、さらに高電圧下で使用するために交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物及び電子部品が求められている。
【０００３】
誘電率が高く、さらに交流破壊電圧も高い誘電体磁器組成物として、たとえば、特許文献１が開示されている。しかしながら、本先行例では焼成温度が１４００℃と高く、また電極の形成にスパッタ法などの薄膜形成法を用いているため、製造コストが高くなる。
【０００４】
一方、特許文献２では同じく誘電率や交流破壊電圧が良好であり、薄膜形成法でない例が紹介されているが、かかる先行例では添加物としてＭｎをＭｎＯに換算して２重量％含有しているため、安価なＣｕ電極を形成する際にさらされる還元雰囲気により誘電体が還元され、信頼性の劣化が懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０９６５７６号公報
【特許文献２】特開２００３−１０４７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比較的低温で誘電体の焼結が可能であり、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物を提供することである。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物を用いて得られる電子部品を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明の第１の観点に係る誘電磁器組成物は、
（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３ の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記一般式では、
０．０２≦ｘ≦０．３、
０≦ｙ≦０．０５、
０．０６≦ｚ≦０．２、かつ
０．９９５≦ｍ≦１．０１５であり、
前記第１副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で４モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第２副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で３モル％以下（ただしゼロは含まず）含有することを特徴とする。
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第２の観点に係る誘電体磁器組成物は、
（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３ の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記一般式では、
０．０２≦ｘ≦０．３、
０≦ｙ≦０．０５、
０．０６≦ｚ≦０．２、かつ
１．０１≦ｍ≦１．０３５であり、
前記第１副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で４モル％以下（ただしゼロは含まず）含有し、
前記第２副成分を、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素換算で３モル％以下（ただしゼロは含まず）含有することを特徴とする。
【００１０】
なお、本発明において、「化合物」とは主として酸化物を意味するが、他の元素との化合物、あるいは他の化合物との複合化合物でも良い。
【００１１】
本発明によれば、上記の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品が提供される。
【００１２】
本発明に係る電子部品としては、特に限定されないが、好ましくはスイッチング電源回路にて、Ｙコンデンサとしてノイズ除去の目的で用いられるコンデンサが例示される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、比較的低温で焼成でき、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流電圧が高い誘電体磁器組成物を得ることができる。また、高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い安全規格認定中高圧コンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。  
図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
【００１６】
セラミックコンデンサ２ 
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、本実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が５〜２０ｍｍ程度、好ましくは５〜１５ｍｍ程度である。
【００１７】
誘電体層１０ 
本発明の第１の観点では、誘電体層１０は、本発明の第１の観点に係る誘電体磁器組成物を含有する。  
本発明の第１の観点に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物である。
【００１８】
前記第１の観点の一般式では、
０．９９５≦ｍ≦１．０１５であり、好ましくは、０．９９７≦ｍ≦１．００７である。
【００１９】
本発明の第２の観点では、誘電体層１０は、本発明の第２の観点に係る誘電体磁器組成物を含有する。  
本発明の第２の観点に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３の一般式で表される主成分と、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、
ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物である。
【００２０】
なお、本発明の第２の観点に係る誘電体磁器組成物の主成分には、不純物が酸化物換算で１０〜３０００ｐｐｍで含まれる。不純物としては、たとえば、Ｎｂ、Ｐ、Ｆｅ、Ａｌまたは Ｓｉの化合物（たとえば酸化物）が例示される。
【００２１】
前記第２の観点の一般式では、
１．０１０≦ｍ≦１．０３５であり、好ましくは、１．０１１≦ｍ≦１．０２６である。
【００２２】
前記第１の観点および第２の観点の一般式中、ｘはＣａの比率を表し、０．０２≦ｘ≦０．３、好ましくは、０．０５≦ｘ≦０．２である。Ｃａを含有することは、焼結性および交流破壊電圧の向上に効果があるが、少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあり、含有量が多すぎると比誘電率が低下する傾向にある。
【００２３】
上記第１の観点および第２の観点の一般式中、ｙはＳｒの比率を表し、０≦ｙ≦０．０５、好ましくは、０≦ｙ≦０．０３である。Ｓｒを含有することは比誘電率の向上に効果があるが、含有量が多すぎると高温側の容量温度特性が悪化する傾向にある。
【００２４】
上記第１の観点および第２の観点の一般式中、ｚはＺｒの比率を表し、０．０６≦ｚ≦０．２、好ましくは、０．０６≦ｚ≦０．１５である。Ｚｒを含有することは低温側の容量温度特性と交流破壊電圧の向上に効果があるが、含有量が少なすぎると低温側の容量温度特性が、多すぎると高温側の容量温度特性が悪化する傾向にある。
【００２５】
前記第１副成分を含有することで、比誘電率、低温側の容量温度特性および交流破壊電圧の改善に効果を有する。上記した第１副成分の中でも、特にＹ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏが好ましく、さらに好ましくはＹ，Ｔｂ，Ｄｙの化合物である。
前記第１副成分の含有量は、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素あたりにして４モル％以下（ただしゼロは含まず）、好ましくは１〜３．５モル％である。前記第１副成分の含有量が多すぎると焼結性が悪化する傾向にあり、少なすぎると低温側の容量温度特性が悪化する傾向にある。
【００２６】
また、本発明に係る誘電体磁器組成物の第１副成分は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される２種の元素の化合物から成ることが好ましく、さらに好ましくはＹの化合物とＬａの化合物である。
【００２７】
第１副成分として選択される、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される２種の元素のうち、イオン半径が小さい方の元素換算の含有量をＡモル、イオン半径が大きい方の元素換算の含有量をＢモルとすると、Ｂ／Ａの値は好ましくは０．２〜７、より好ましくは０．２〜４である。Ｂ／Ａの値が小さいとＡＣＶＢの値が小さくなり、Ｂ／Ａの値が大きいと誘電率が低下する。
【００２８】
前記第２副成分を含有することで、高温側の容量温度特性および焼結性の向上に効果を有する。上記した第２副成分の中でも、特にＳｉの化合物が好ましい。
前記第２副成分の含有量は、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素あたりにして３モル％以下（ただしゼロは含まず）、好ましくは０．３〜２モル％である。前記第２副成分の含有量が多すぎると比誘電率が低下する傾向にあり、少なすぎると焼結性が悪化する傾向にある。
【００２９】
本発明の誘電体磁器組成物は、第３副成分として、さらにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選択される少なくとも１種の元素の化合物を含有することが好ましい。上記した第３副成分の中でも、特にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕが好ましく、さらに好ましくはＦｅ、Ｃｕの化合物である。
第３副成分を含有することで、低温側の容量温度特性の向上に効果を有する。
また、前記第３副成分を含有することは、焼結性の向上にも効果がある。
【００３０】
前記第３副成分の含有量は、前記主成分１００モル％に対して、各金属元素あたりにして０．６モル％以下、好ましくは０．３モル％以下である。第３副成分の含有量が多すぎると、高温側の容量温度特性が悪化する傾向にある。
【００３１】
本発明の誘電体磁器組成物は、第４副成分として、さらにＮｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｇａ、ＧｅおよびＨｆから選択される少なくとも１種の化合物を含有することが好ましい。上記した第４副成分の中でも、特にＮｂ、Ｔａ、Ｗが好ましく、さらに好ましくはＮｂ、Ｗの化合物である。
第４副成分を含有することは、比誘電率の向上及び低温側の容量温度特性の向上に効果を有している。
【００３２】
前記第４副成分の含有量は、前記主成分に対して、各金属元素換算で０．０１モル以上、１モル％以下である。これより多量に添加しても特性の向上は小さいため、原料価格向上の観点から好ましくない。
【００３３】
なお、本発明の誘電体磁器組成物は、実質的に鉛を含まない。“鉛を実質的に含まない”とは、不純物レベルとは言えない量を超える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量（たとえば、誘電体磁器組成物中の含有量が１００ｐｐｍ以下）であれば含有されていてもよい趣旨である。上記誘電体磁器組成物中に、不純物レベルとは言えない量を超える鉛が含まれると、環境保護の観点から好ましくない。
【００３４】
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
【００３５】
端子電極１２，１４ 
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
【００３６】
セラミックコンデンサの製造方法 
次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。  
【００３７】
まず、主成分の原料および各副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ２  などを用いることができる。この他、たとえば水酸化物など、焼成後に酸化物やチタン化合物となる種々の化合物を用いることも可能である。
その場合、金属元素の元素数が合うように、含有量を適宜変更すればよい。
【００３８】
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
各副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各副成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
【００３９】
次いで、主成分および副成分の原料を、上記した所定の組成となるように配合し、ボールミルなどを用いて、湿式混合する。そして、得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。次いで、得られた仮焼き粉を粗粉砕し、さらに、湿式粉砕して、誘電体磁器組成物粉末とする。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１０００〜１３００℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。なお、主成分の原料と、副成分の原料と、を別々に仮焼した後、混合して誘電体磁器組成物粉末としても良いし、副成分の原料を仮焼することなく、主成分の原料と混合して、誘電体磁器組成物粉末としても良い。
上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
【００４０】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末を、バインダなどを使用して造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１２００〜１４００℃、より好ましくは１２５０〜１３５０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
【００４１】
そして、得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。
【００４２】
このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００４４】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良い。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４６】
実施例１
まず、主成分原料として、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ 、ＴｉＯ２ およびＺｒＯ２ を、それぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１、３および５に示す組成（モル％）となるように、それぞれ秤量し、溶媒として水を用いたボールミルにより湿式混合した。
なお、表１、３および５に示す各副成分の含有量は、各金属元素換算で表記している。
【００４７】
次いで、得られた混合物を乾燥した後、５重量％の水を加えて造粒し、成形した。そして、得られた成形物を、空気中、１１５０℃、２時間の条件で仮焼した。仮焼後の粉体を、らいかい機で粗粉砕してメッシュパスを通した後、さらに、湿式粉砕を行った。これを乾燥することにより、表１、３および５に示す各組成（試料番号１〜７２の各組成）を有する誘電体磁器組成物粉末を得た。
【００４８】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末：１００重量％に対して、ポリビニルアルコール水溶液：１０重量％を添加し、次いで造粒して、メッシュパスを通した後、得られた造粒粉を３ｔ／ｃｍ２  の圧力で成形することにより、直径１２ｍｍ、厚さ約１.２ｍｍの円板状のグリーン成形体を得た。
【００４９】
次いで、得られたグリーン成形体を、空気中、１３００〜１３５０℃、２時間の条件で焼成することにより、円板状の焼結体を得た。そして、得られた焼結体の主表面にＡｇ電極を塗布し、さらに空気中、６５０℃で２０分間焼付け処理を行うことによって、図１に示すような円板状のセラミックコンデンサの試料（試料番号１〜７２）を得た。得られたコンデンサ試料の誘電体層１０の厚みは約１ｍｍであった。そして、得られた各コンデンサ試料について、以下の方法により、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、容量温度特性、および交流破壊電圧をそれぞれ評価した。評価結果を表２、４および６に示す。
【００５０】
比誘電率ε 
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、８０００以上を良好とした。
【００５１】
誘電損失（ｔａｎδ） 
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では、３％以下を良好とした。
【００５２】
絶縁抵抗（ＩＲ）
絶縁抵抗（ＩＲ）は、コンデンサの試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃においてＤＣ１００Ｖを、６０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。絶縁抵抗は高いほうが好ましく、本実施例では、１×１０４ＭΩ以上を良好とした。
【００５３】
容量温度特性 
コンデンサ試料に対し、−２５〜８５℃の温度範囲で静電容量を測定し、２０℃での静電容量に対する−２５℃および８５℃での静電容量の変化率（単位は％）を算出した。本実施例では、容量変化率が＋２０％〜−５５％の範囲（ＪＩＳ規格のＥ特性）にあるものを良好とした。
【００５４】
交流破壊電圧（ＡＣＶＢ）
交流破壊電圧（ＡＣＶＢ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電圧を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電圧を交流破壊電圧として測定した。交流破壊電圧は高いほうが好ましく、本実施例では、４．０ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
【００５５】
実施例２
実施例１と同様にして各コンデンサ試料を得、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、容量温度特性、および交流破壊電圧をそれぞれ評価した。各試料の組成および評価結果を表７〜１０に示す。
【００５６】
なお、実施例１の試料１〜７２の組成（表１、３および５）では、不純物はない、すなわち純度１００％であるものと仮定して各組成を表記している。これに対し、実施例２の試料１ｓ〜８０ｓ、８２ｓ〜８８ｓの組成（表７および９）は、主成分に含まれる純度を考慮した数値としている。本実施例に用いられた誘電体磁器組成物の各主成分の純度は約９９％である。不純物は主にＮｂの化合物である。
【００５７】
【表１】
0005272754.tif 000002
【００５８】
【表２】
0005272754.tif 000003
【００５９】
【表３】
0005272754.tif 000004
【００６０】
【表４】
0005272754.tif 000005
【００６１】
【表５】
0005272754.tif 000006
【００６２】
【表６】
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【００６３】
【表７】
0005272754.tif 000008
【００６４】
【表８】
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【００６５】
【表９】
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【００６６】
【表１０】
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【００６７】
試料番号１〜５
試料番号１〜５は、Ｃａの比率であるｘの値以外は組成が等しい。試料番号１、３および４のｘの値は本発明の範囲内であり、ｘの値がより大きいほど交流破壊電圧が高い。一方、ｘの値が本発明の範囲よりも小さい試料番号２は焼結不足となり、ｘの値が本発明の範囲よりも大きい試料番号５は比誘電率８０００以上を満足していない。これより、Ｃａを含有することは焼結性の向上に効果があり、含有量が少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあり、含有量が多すぎると比誘電率が低下する傾向にあることが分かる。
【００６８】
試料番号１、６および７
試料番号１、６および７は、Ｓｒの比率であるｙの値以外は組成が等しい。試料番号１と６のｙの値は本発明の範囲内であり、ｙの値がより大きい試料番号６は、試料番号１に比べ比誘電率が高い。一方、ｙの値が本発明の範囲よりも大きい試料番号７は高温側の容量温度特性が容量変化率＋２０％〜−５５％を満足していない。これにより、Ｓｒを含有することは比誘電率の向上に効果があり、含有量が多すぎると高温側の容量温度特性が悪化する傾向にあることが分かる。
【００６９】
試料番号１、８〜１０
試料番号１、８〜１０は、Ｚｒの比率であるｚの値以外は組成が等しい。試料番号１と９は本発明の範囲内であり、ｚの値がより大きい試料番号９は、試料番号１に比べ低温側の容量温度特性が良好な値を示し、交流破壊電圧も高い。一方、ｚの値が本発明の範囲よりも小さい試料番号８は低温側の容量温度特性が容量変化率＋２０％〜−５５％を満足しておらず、ｚの値が本発明の範囲よりも大きい試料番号１０は高温側の容量温度特性が容量変化率＋２０％〜−５５％を満足していない。これによりＺｒを含有することは低温側の容量温度特性の向上に効果があり、含有量が少なすぎると低温側の容量温度特性が悪化する傾向にあり、多すぎると高温側の容量温度特性が悪化する傾向にあることが分かる。
【００７０】
試料番号１および１１〜１６
試料番号１および１１〜１６は、ｘ、ｙ、ｚの値および第１副成分、第２副成分の量が等しく、（Ｂａ１−ｘ−ｙ Ｃａｘ Ｓｒｙ ） と（Ｔｉ１−ｚ Ｚｒｚ ）Ｏ３ の比率を示すｍ以外の値のみ異なる。試料番号１および１１〜１６のうち、ｍの値が本発明の範囲内に含まれる試料番号１および１２〜１５は、比誘電率８０００以上、誘電損失３％以下、−２５℃〜８５℃の範囲での容量変化率＋２０％〜−５５％、交流破壊電圧４.０ｋＶ／ｍｍ以上を満足していることが分かる。
【００７１】
試料番号１および１７〜２０
試料番号１および１７〜２０は、第１副成分の含有量以外は組成が等しい。試料番号１、１８および１９は本発明の範囲内であり、第１副成分の含有量が多いほど比誘電率および交流破壊電圧が高い。一方、第１副成分の含有量が本発明の範囲よりも多い試料番号２０は焼結不足となり、第１副成分の含有量が少ない試料番号１７は低温側で容量変化率＋２０％〜−５５％を満足していない。これにより第１副成分を含有することは比誘電率、交流破壊電圧および低温側の容量温度特性の向上に効果があり、含有量が多すぎると焼結性が悪化する傾向にあることが分かる。
【００７２】
試料番号１および２５〜３１
試料番号１および２５〜３１は、第２副成分の含有量以外は組成が等しい。試料番号１および２６〜３０は本発明の範囲内であり、第２副成分の含有量が多いほど高温側の容量温度特性が良好な値を示す。一方、第２副成分の含有量が本発明の範囲よりも多い試料番号３１は比誘電率８０００以上を満たさず、第２副成分の含有量が本発明の範囲よりも少ない試料番号２５は焼結不足となった。これにより第２副成分を含有することは、高温側の容量温度特性および焼結性の向上に効果があり、含有量が多すぎると比誘電率が低下する傾向にあり、少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあることが分かる。
【００７３】
試料番号１および２５〜３１と試料番号３２〜３６
試料番号１および２５〜３１と試料番号３２〜３６は、第２副成分がＳｉＯ２ あるいはＡｇ２ Ｏであるという点で異なる。絶縁抵抗、高温側の容量温度特性においてはＳｉＯ２ が比較的良好な値を示し、誘電損失、低温側の容量温度特性、交流破壊電圧においてはＡｇ２ Ｏが比較的良好な値を示すことが分かる。
【００７４】
試料番号１および２１〜２４
試料番号１および２１〜２４は、第３副成分の含有量以外は組成が等しい。試料番号１、２２および２３は第３副成分を全く含有していない試料番号２１に比べ低温側の容量温度特性が良好な値を示す。一方、第３副成分の含有量が本発明の範囲よりも多い試料番号２４は高温側の容量温度特性が容量変化率＋２０％〜−５５％を満足していない。これにより第３副成分は低温側の容量温度特性の向上に効果があり、含有量が多すぎると高温側の容量温度特性が悪化する傾向にあることが分かる。
【００７５】
試料番号１と試料番号５５〜７２
試料番号１と試料番号５５〜７２は、試料番号５５〜７２は第４副成分を含有するが試料番号１は含有しないという点で異なる。試料番号１と試料番号５５〜７２を比較すると、試料番号５５〜７２の方が、比誘電率が高い傾向があり、また低温側の容量温度特性において良好な値を示している。これにより、第４副成分を含有することは、低温側の容量温度特性の向上に効果があることが分かる。
【００７６】
表１〜６より、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲内である場合には、比誘電率８０００以上、誘電損失３％以下、−２５℃〜８５℃の範囲での容量変化率＋２０％〜−５５％、交流破壊電圧４.０ｋＶ／ｍｍ以上を満足していることが分かる。
【００７７】
すなわち、主成分である誘電体酸化物の組成を、本発明の範囲内とすることにより、比誘電率および容量温度特性を良好に保ちつつ、誘電損失を低く、絶縁抵抗および交流破壊電圧を高くすることが可能となることが確認できた。
【００７８】
これに対し、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲外である場合には、比誘電率、容量温度特性、誘電損失、絶縁抵抗および交流破壊電圧の少なくとも１つが、悪化していることが確認できる。
【００７９】
試料番号６４ｓおよび７４ｓ〜８０ｓ
試料番号６４ｓおよび７４ｓ〜８０ｓは、第１副成分に含まれる希土類元素のうちよりイオン半径が大きい元素の含有量（Ｂ）以外は組成が等しい。試料番号７４ｓはＹ元素化合物（Ａ）を含有しているものの、Ｌａ元素化合物（Ｂ）を全く含有していない試料番号６４ｓに比べ交流破壊電圧が良好な値を示しており、第１副成分は２種の元素を含有することで交流破壊電圧の向上に効果があることが確認できた。
【００８０】
また、Ｙ元素化合物（Ａ）に対するＬａ元素化合物（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）は０．２〜７の場合、より好ましくは０．２〜４の場合に、比誘電率と交流破壊電圧のバランスが良いことが確認された。
【符号の説明】
【００８１】
２…  セラミックコンデンサ
４…  保護樹脂
６，８…  リード端子
１０…  誘電体層
１２，１４…  端子電極
【図１】
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