(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面に剛性の高い補強基板の表面を剥離可能な接合剤によって接合する補強基板接合工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハを該保護プレートから剥離するウエーハ剥離工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハの表面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている該補強基板の裏面側から光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該補強基板にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該補強基板の破断起点に沿って外力を付与し、該補強基板を破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。
【請求項２】
該レーザー加工工程は、該補強基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該補強基板の内部に集光点を合わせて照射することにより、該補強基板の内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する、請求項１記載の光デバイスウエーハの分割方法。
【請求項３】
該レーザー加工工程は、該補強基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、該補強基板の裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する、請求項１記載の光デバイスウエーハの分割方法。
【請求項４】
該ウエーハ分割工程を実施することにより分割された光デバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を含む、請求項１から３のいずれかに記載の光デバイスウエーハの分割方法。
【請求項５】
該ピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている該補強基板を剥離する補強基板剥離工程を実施する、請求項４記載の光デバイスウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイヤ基板等の基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等光デバイスが積層された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイヤ基板の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等光デバイスが積層された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した光デバイスウエーハは、ストリートに沿って分割する前に研削装置によって裏面が研削され、所定の厚さに加工される。近年、電気機器の軽量化、小型化を実現するために光デバイスの厚みを５０μm以下にすることが要求されている。しかるに、光デバイスウエーハを５０μm以下と薄く研削すると、割れが発生するという問題がある。
【０００４】
一方、光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。しかしながら、サファイヤ基板はモース硬度が高く難削材であるため、加工速度を遅くする必要があり、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
近年、光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することによりウエーハをストリートに沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【０００６】
また、光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、このパルスレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射することにより、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加え、ウエーハをストリートに沿って破断する方法も提案されている。例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００８−６４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、光デバイスウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝または変質層を形成し、レーザー加工溝または変質層が形成されたストリートに沿って光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割すると、個々に分割された光デバイスの側面（破断面）にレーザー加工によって生成された変質物が残存するため、光デバイスの輝度が低下するとともに抗折強度が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハの厚みを薄く形成することができ、且つ、光デバイスの輝度を低下させることがないとともに抗折強度の低下を防ぐことができる光デバイスウエーハの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面に剛性の高い補強基板の表面を剥離可能な接合剤によって接合する補強基板接合工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハを該保護プレートから剥離するウエーハ剥離工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハの表面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている該補強基板の裏面側から光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該補強基板にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該補強基板の破断起点に沿って外力を付与し、該補強基板を破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法が提供される。
【００１０】
上記レーザー加工工程は、上記補強基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を補強基板の内部に集光点を合わせて照射することにより、補強基板の内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する。
また、上記レーザー加工工程は、上記補強基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、補強基板の裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する。
上記ウエーハ分割工程を実施することにより分割された光デバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。
また、上記ピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている上記補強基板を剥離する補強基板剥離工程を実施する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する際には、光デバイスウエーハの表面が剛性の高い保護プレートに接合されているので光デバイスウエーハを薄く形成しても割れることはない。また、ウエーハ分割工程においてストリートに沿って分割される光デバイスウエーハは、補強基板がストリートに沿って形成された破断起点に沿って破断することによりストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するので、分割された光デバイスの側面（破断面）にはレーザー加工によって生成される変質部が存在しないため、光デバイスの輝度が低下することがないとともに抗折強度が低下することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明による光デバイスウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明による光デバイスウエーハの分割方法によって分割される光デバイスウエーハ２が示されている。図１に示す光デバイスウエーハ２は、例えば直径が５０mmで厚さが４２５μmのサファイヤ基板の表面２aに格子状に形成されたストリート２１によって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数の発光ダイオード等の光デバイス２２が形成されている。
【００１４】
上述した光デバイスウエーハ２をストリート２１に沿って個々の光デバイス２２に分割するには、先ず図２の(a)および(b)に示すように光デバイスウエーハ２の表面２aを剛性の高い保護プレート３の表面３aに剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程を実施する。保護プレート３は、ガラス基板等の剛性の高い材料によって円盤状に形成され、その表面３ａおよび裏面３ｂは平坦に形成されている。この保護部材３は、ガラス基板によって構成する場合には厚さが２ｍｍ程度とすることが好ましい。なお、保護部材３を構成する材料としては、ガラス基板の他にセラミックス、ステンレス鋼等の金属材料、樹脂等を用いることができる。また、剥離可能な接合剤としては、例えば７０℃の温度で溶融するワックスを用いることができる。
【００１５】
上述した保護プレート接合工程を実施したならば、保護プレート３に貼着された光デバイスウエーハ２の裏面２bを研削し、光デバイスウエーハ２をデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図示の実施形態においては粗研削工程と仕上げ研削工程によって実施する。粗研削工程は、図３に示す研削装置を用いて実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物の被加工面を粗研削する粗研削手段４２aを具備している。チャックテーブル４１は、上面に被加工物を吸引保持し図３において矢印Aで示す方向に回転せしめられる。粗研削手段４２aは、スピンドルハウジング４２１aと、該スピンドルハウジング４２１aに回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２aと、該回転スピンドル４２２aの下端に装着されたマウンター４２３aと、該マウンター４２３aの下面に取り付けられた粗研削ホイール４２４aとを具備している。この粗研削ホイール４２４aは、円板状の基台４２５aと、該基台４２５aの下面に環状に装着された粗研削砥石４２６aとからなっており、基台４２５aがマウンター４２３aの下面に締結ボルト４２７aによって取り付けられている。粗研削砥石４２６aは、図示の実施形態においては粒径がφ６０μm前後のダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結したメタルボンド砥石が用いられる。
【００１６】
上述した研削装置４を用いて粗研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に上述した保護プレート接合工程が実施された光デバイスウエーハ２の保護プレート３側を載置し、光デバイスウエーハ２を保護プレート３を介してチャックテーブ４１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル４１上に保護プレート３を介し吸引保持された光デバイスウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル４１を矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、粗研削手段４２aの粗研削ホイール４２４aを矢印Bで示す方向に例えば１０００ｒｐｍで回転せしめて光デバイスウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、粗研削ホイール４２４aを例えば０．０２５mm／分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ２の裏面２bを粗研削する。この粗研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は４リットル／分程度でよい。なお、粗研削工程における研削量は、図示の実施形態においては３４５μmに設定されている。従って、粗研削工程が実施された光デバイスウエーハ２の厚さは、図示の実施形態においては８０μmとなる。
【００１７】
上述した粗研削工程を実施したならば、仕上げ研削工程を実施する。この仕上げ研削工程は、図４に示すように上記図３に示す研削装置４と実質的に同様の研削装置４を用いて実施する。即ち、図４に示す研削装置４は、チャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を仕上げ研削する仕上げ研削手段４２bを具備している。仕上げ研削手段４２bは、スピンドルハウジング４２１bと、該スピンドルハウジング４２１bに回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２bと、該回転スピンドル４２２bの下端に装着されたマウンター４２３bと、該マウンター４２３bの下面に取り付けられた仕上げ研削ホイール４２４bとを具備している。この仕上げ研削ホイール４２４bは、円板状の基台４２５bと、該基台４２５bの下面に環状に装着された仕上げ研削砥石４２６bとからなっており、基台４２５bがマウンター４２３bの下面に締結ボルト４２７bによって取り付けられている。仕上げ研削砥石４２６bは、図示の実施形態においては粒径がφ１０μm前後のダイヤモンド砥粒をレジンボンドで焼結したレジンボンド砥石が用いられる。このように構成された仕上げ研削手段４２bは一般的に上記粗研削手段４２aと同一の研削装置に配設され、上記粗研削手段４２aによって粗研削された被加工物を保持しているチャックテーブル４１が上記仕上げ研削手段４２bの加工域に移動するように構成されている。
【００１８】
次に、上述した仕上げ研削手段４２bを用いて実施する仕上げ研削工程について、図４を参照して説明する。
上記粗研削手段４２aによって粗研工程が実施された光デバイスウエーハ２を保持しているチャックテーブル４２は、図４に示す仕上げ研削手段４２bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル４２を図４に示す加工域に移動したならば、チャックテーブル４１を矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、仕上げ研削手段４２bの仕上げ研削ホイール４２４bを矢印Bで示す方向に例えば１５００ｒｐｍで回転せしめて光デバイスウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール４２４bを例えば０．００９mm／分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ２の裏面２bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は４リットル／分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては５５μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された光デバイスウエーハ２の厚さは、図示の実施形態においては２５μmとなる。
【００１９】
以上のようにして、粗研削工程および仕上げ研削工程からなる裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハ２は厚さが２５μmと極めて薄く形成されるが、剛性の高い保護プレート３に接合されているので割れることはない。
【００２０】
上述した裏面研削工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の裏面２bに剛性の高い補強基板の表面を剥離可能な接合剤によって接合する補強基板接合工程を実施する。即ち、図５の(a)および(b)に示すように保護プレート３の表面３aに貼着されている光デバイスウエーハ２の裏面２bに剛性の高い補強基板５の表面５aを接合する。補強基板５は、サファイヤ基板等の剛性の高い材料によって円盤状に形成され、その表面５ａおよび裏面５ｂは平坦に形成されている。この保護部材３は、サファイヤ基板によって構成する場合には厚さが７０μm程度とすることが好ましい。なお、補強基板５を構成する材料としては、サファイヤ基板の他にガラス基板を用いることができる。また、剥離可能な接合剤としては、例えば１００℃の温度で溶融するワックスを用いることができる。
【００２１】
上述した補強基板接合工程を実施したならば、図６に示すように補強基板５が接合された光デバイスウエーハ２を保護プレート３から剥離するウエーハ剥離工程を実施する。このウエーハ剥離工程においては、保護プレート３を７０℃程度に加熱することにより保護プレート３と光デバイスウエーハ２とを接合しているワックスが溶融するので、補強基板５が接合された光デバイスウエーハ２を保護プレート３から容易に剥離することができる。
【００２２】
次に、補強基板５が接合された光デバイスウエーハ２の表面２aをダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程を実施する。即ち、図７に示すように環状のフレーム６の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ６０の表面６０aに補強基板５が接合された光デバイスウエーハ２の表面２aを貼着する。
【００２３】
上述したダイシングテープ貼着工程を実施したならば、ダイシングテープ６０に貼着された光デバイスウエーハ２に接合されている補強基板５の裏５b側から光デバイスウエーハ２に形成されたストリート２１に沿ってレーザー光線を照射し、補強基板５にストリート２１に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は、図８に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図８に示すレーザー加工装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２と、チャックテーブル７１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図８において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図８において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２４】
上記レーザー光線照射手段７２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング７２１を含んでいる。ケーシング７２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング７２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器７２２が装着されている。
【００２５】
上記レーザー光線照射手段７２２を構成するケーシング７２１の先端部に装着された撮像手段７３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２６】
以下、上述したレーザー加工装置７を用いて補強基板５にストリート２１に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程について説明する。
このレーザー加工工程の第１の実施形態は、補強基板５の内部に光デバイスウエーハ２に形成されたストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、図８に示すようにレーザー加工装置７のチャックテーブル７１上に補強基板５が接合された光デバイスウエーハ２のダイシングテープ６０側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル７１上に光デバイスウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル７１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２に貼着されている補強基板５の裏面５ｂが上側となる。なお、図８においてはダイシングテープ６０が装着された環状のフレーム６を省いて示しているが、環状のフレーム６はチャックテーブル７１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
【００２７】
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、補強基板５に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を補強基板５の裏面５ｂ側から光デバイスウエーハ２に形成されたストリート２１に沿って照射し、補強基板５の内部にストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、先ず光デバイスウエーハ２に接合された補強基板５を吸引保持したチャックテーブル７１は、図示しない移動機構によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段７３および図示しない制御手段によって補強基板５のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、このストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２の集光器７２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、光デバイスウエーハ２のストリート２１が形成されている表面２ａは補強基板５の下側に位置しているが、撮像手段７３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、補強基板５から透かしてストリート２１を撮像することができる。
【００２８】
以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル７１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図９の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の直下に位置付ける。そして、集光器７２２から補強基板５に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル７１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すように集光器７２２の照射位置がストリート２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル７１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光デバイスウエーハ２の厚さ方向中間部(内部)に位置付ける。この結果、補強基板５の内部にはストリート２１に沿って変質層２３が形成される。
【００２９】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：Erレーザー
波長                    ：１５６０ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：９０〜２００ｋＨｚ
平均出力                ：０．８〜１．２W
加工送り速度            ：１００〜３００ｍｍ／秒
【００３０】
以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル７１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交して延びる各ストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行する。
【００３１】
次に、補強基板５にストリート２１に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程の第２の実施形態について説明する。このレーザー加工工程の第２の実施形態は、補強基板５の裏面５ｂに光デバイスウエーハ２に形成されたストリート２１に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。なお、レーザー加工溝形成工程は、上記図８に示すレーザー加工装置７を同様なレーザー加工装置を用いて実施する。レーザー加工溝形成工程を実施するには、先ず上記変質層形成工程と同様にウエーハ保持工程およびアライメント工程を実施する。
【００３２】
アライメント工程を実施したならば、図１０の（ａ）で示すようにチャックテーブル７１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図１０の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の直下に位置付ける。そして、集光器７２２から補強基板５に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル７１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図１０の（ｂ）で示すように集光器７２２の照射位置がストリート２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル７１の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを補強基板５の裏面５ｂ（上面）付近に位置付ける。この結果、補強基板５の裏面５ｂにはストリート２１に沿ってレーザー加工溝２４が形成される。
【００３３】
上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：YAGレーザー
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：９０〜２００ｋＨｚ
平均出力                ：０．８〜１．２W
加工送り速度            ：１００〜３００ｍｍ／秒
【００３４】
以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、チャックテーブル７１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交して延びる各ストリート２１に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行する。
【００３５】
次に、上述したレーザー加工工程が実施された補強基板５の破断起点（変質層２３またはレーザー加工溝２４）に沿って外力を付与し、補強基板５を破断起点（変質層２３またはレーザー加工溝２４）に沿って破断することにより光デバイスウエーハ２をストリート２１に沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、例えば図１１の（ａ）に示すように上述したレーザー加工工程が実施された補強基板５の裏面５ｂを柔軟なゴムシート８上に載置する。従って、補強基板５の表面２ａが貼着されている光デバイスウエーハ２が上側となり、この光デバイスウエーハ２が貼着されているダイシングテープ６０が最上位となる。そして、ダイシングテープ６０の上面を押圧ローラー８０によって押圧しつつ転動することによって、図１１の（b）、（ｃ）に示すように補強基板５は変質層２３またはレーザー加工溝２４が破断起点となってストリート２１に沿って破断する。また、補強基板５が貼着されている光デバイスウエーハ２は上述したように厚さが２５μmと極めて薄く形成されているので、補強基板５のストリート２１に沿った破断に伴ってストリート２１に沿って破断し個々の光デバイス２２に分割される。このようにして分割された光デバイス２２の側面（破断面）にはレーザー加工による変質部が存在しないので、光デバイス２２の輝度が低下することがないとともに抗折強度が低下することもない。なお、個々に分割された光デバイス２２は、表面がダイシングテープ６０に貼着されているので、バラバラにはならず光デバイスウエーハ２の形態が維持されている。
【００３６】
次に、上記ウエーハ分割工程を実施することにより分割された光デバイス２２をダイシングテープ６０から剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図１２に示すピックアップ装置９を用いて実施する。図１２に示すピックアップ装置９は、上記環状のフレーム６を保持するフレーム保持手段９１と、該フレーム保持手段９１に保持された環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ６０を拡張するテープ拡張手段９２と、ピックアップコレット９３を具備している。フレーム保持手段９１は、環状のフレーム保持部材９１１と、該フレーム保持部材９１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ９１２とからなっている。フレーム保持部材９１１の上面は環状のフレーム６を載置する載置面９１１ａを形成しており、この載置面９１１ａ上に環状のフレーム６が載置される。そして、載置面９１１ａ上に載置された環状のフレーム６は、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段９１は、テープ拡張手段９２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３７】
テープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１の内側に配設される拡張ドラム９２１を具備している。この拡張ドラム９２１は、環状のフレーム６の内径より小さく該環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ６０に貼着される光デバイスウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム９２１は、下端に支持フランジ９２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１を上下方向に進退可能な支持手段９２３を具備している。この支持手段９２３は、上記支持フランジ９２２上に配設された複数のエアシリンダ９２３aからなっており、そのピストンロッド９２３bが上記環状のフレーム保持部材９１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ９２３aからなる支持手段９２３は、図１３の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材９１１を載置面９１１ａが拡張ドラム９２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１３の（ｂ）に示すように拡張ドラム９２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００３８】
以上のように構成されたピックアップ装置９を用いて実施するピックアップ工程について図１３の（ａ）乃至（c）を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ２（ストリート２１に沿って個々の光デバイス２２に分割されている）が貼着されているダイシングテープ６０が装着された環状のフレーム６を、図１３の（ａ）に示すようにフレーム保持手段９１を構成するフレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に載置し、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定する。このとき、フレーム保持部材９１１は図１３の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段９２を構成する支持手段９２３としての複数のエアシリンダ９２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材９１１を図１３の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレーム６も下降するため、図１３の（ｂ）に示すように環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ６０は拡張ドラム９２１の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに貼着されている光デバイス２２間が広がり、隙間Sが拡大される。次に、図１３の（c）に示すようにピックアップコレット９３を作動して光デバイス２２に貼着されている補強基板５を吸着し、ダイシングテープ６０から剥離してピックアップし、図示しないトレーに搬送する。上述したピックアップ工程においては、上述したように光デバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接する光デバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
【００３９】
上述したようにピックアップされた光デバイス２２に接合された補強基板５は、次工程であるダイボンディング工程を実施する前に、光デバイス２２から剥離する（補強基板剥離工程）。このとき、補強基板５を１００℃程度に加熱することにより光デバイスウエーハ２と補強基板５を接合しているワックスが溶融するので、補強基板５を光デバイスウエーハ２から容易に剥離することができる。
なお、補強基板５を光デバイスウエーハ２から剥離する補強基板剥離工程は、上記ピックアップ工程を実施する前に実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による光デバイスウエーハの分割方法よって分割される光デバイスウエーハの斜視図。
【図２】本発明による光デバイスウエーハの分割方法における保護プレート貼着工程の説明図。
【図３】本発明による光デバイスウエーハの分割方法における裏面研削工程の粗研削工程を示す説明図。
【図４】本発明による光デバイスウエーハの分割方法における裏面研削工程の仕上げ研削工程を示す説明図。
【図５】本発明による光デバイスウエーハの分割方法における補強基板貼着工程の説明図。
【図６】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるウエーハ剥離工程の説明図。
【図７】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるダイシングテープ貼着工程の説明図。
【図８】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるレーザー加工工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。
【図９】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるレーザー加工工程の変質層形成工程を示す説明図。
【図１０】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるレーザー加工工程のレーサー加工溝形成工程を示す説明図。
【図１１】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるウエーハ分割工程の説明図。
【図１２】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。
【図１３】本発明による光デバイスウエーハの分割方法におけるピックアップ工程の説明図。
【符号の説明】
【００４１】
２：光デバイスウエーハ
３：保護プレート
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２a：粗研削手段
４２４a：粗研削ホイール
４２６a：粗研削砥石
４２b：仕上げ研削手段
４２４b：仕上げ研削ホイール
４２６b：仕上げ研削砥石
５：補強基板
６：環状のフレーム
６０：ダイシングテープ
７：レーザー加工装置
７１：レーザー加工装置のチャックテーブル
７２：レーザー光線照射手段
７２２：集光器
８：ゴムシート
８０：押圧ローラー
９：ピックアップ装置
９１：フレーム保持手段
９２：テープ拡張手段
９３：ピックアップコレット
【図１】
0005155030.tif 000002
【図２】
0005155030.tif 000003
【図３】
0005155030.tif 000004
【図４】
0005155030.tif 000005
【図５】
0005155030.tif 000006
【図６】
0005155030.tif 000007
【図７】
0005155030.tif 000008
【図８】
0005155030.tif 000009
【図９】
0005155030.tif 000010
【図１０】
0005155030.tif 000011
【図１１】
0005155030.tif 000012
【図１２】
0005155030.tif 000013
【図１３】
0005155030.tif 000014