(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３端子能動デバイスと、
前記３端子能動デバイスの第１端子と第２端子との間に接続され、前記第２端子に前記第１端子の電流を制御するための電流を供給するバイアス回路と、
前記３端子能動デバイスの前記第２端子に接続され前記３端子能動デバイスへの入力を供給する共振器と、
を有する発振器であって、
前記３端子能動デバイスの前記第１端子と電源との間に接続され、かつ、前記電源と前記バイアス回路との間に接続され、発振周波数よりも低いベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示す定電流源回路を有し、
前記定電流源回路は、前記ベースバンド周波数帯域におけるノイズ信号を、前記バイアス回路を介して前記第２端子に負帰還させる、
ことを特徴とする発振器。
【請求項２】
３端子能動デバイスと、
前記３端子能動デバイスの第１端子と第２端子との間に接続され、前記第２端子に前記第１端子の電流を制御するための電流を供給するバイアス回路と、
前記３端子能動デバイスの前記第２端子に接続され前記３端子能動デバイスへの入力を供給する共振器と、
を有する発振器であって、
前記３端子能動デバイスの前記第１端子と電源との間に接続され、かつ、前記電源と前記バイアス回路との間に接続され、発振周波数よりも低いベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すチョークコイルを有し、
前記チョークコイルは、前記ベースバンド周波数帯域におけるノイズ信号を、前記バイアス回路を介して前記第２端子に負帰還させる、
ことを特徴とする発振器。
【請求項３】
請求項１記載の発振器において、
前記定電流源回路はカレントミラー回路であることを特徴とする発振器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の発振器において、
前記３端子能動デバイスはバイポーラトランジスタであり、前記３端子能動デバイスの前記第１端子と前記第２端子はそれぞれ前記バイポーラトランジスタのコレクタとベースからなることを特徴とする発振器。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の発振器において、
前記３端子能動デバイスは電界効果トランジスタであり、前記３端子能動デバイスの前記第１端子と前記第２端子はそれぞれ前記電界効果トランジスタのドレインとゲートからなることを特徴とする発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発振器に関し、特に位相雑音の低減化技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発振回路は、一般に振幅と位相にて発振条件を満足するように回路定数を設定し、かつ発振信号が発振ループ外に漏れないように抑制する。具体的には、バイポーラトランジスタを用いた発振回路では、コレクタと電源との間にＲＦチョークコイルを接続する。ＲＦチョークコイルは高周波の発振信号において高いインピーダンスを示し、発振信号を通しにくいので発振ループの形成に用いられる。一方、発振周波数より十分低いベースバンド帯域では、ＲＦチョークコイルは短絡として機能する。この際、増幅動作による不要発振を引き起こさないため、一般に電源へのインピーダンスは低く設定される。
【０００３】
発振器は主にＰＬＬ構成を採用し、発振周波数のチャネル切替及び低位相雑音を実現している。但し、ＰＬＬは一般にループ帯域内の位相雑音は低減しても、帯域外はＶＣＯの特性で決定されることになる。したがって、より効果的な低位相雑音を図るためには、ＶＣＯ自体の更なる低雑音化が要求される。ＶＣＯの低雑音化はＱ値の高い共振器を使用することで実現可能であるが、この方法では発振周波数の可変範囲が狭くなってしまう。すなわち、ＶＣＯの特性は、位相雑音と発振周波数範囲のトレードオフの関係内で制限されてしまう。このため、位相雑音と発振周波数範囲のトレードオフを生じることなく位相雑音を抑制できる、言い換えれば、発振周波数範囲を確保しつつ、位相雑音を一層低減できる技術が望まれている。
【０００４】
下記の特許文献１には、バイポーラトランジスタを用いた発振器において、コレクタとベースとの間に接続されてバイポーラトランジスタをバイアスするとともに、３端子能動デバイスで発生した位相ノイズをフィードバックして位相ノイズを低減させる回路を設けることが開示されている。
【０００５】
図６に、この従来技術の回路構成を示す。符号１２で示すトランジスタＴｒ１のコレクタに電源Ｖｃｃが接続され、エミッタがコイルＬ１を介して接地され、ベースに共振器１０からの信号が入力される。エミッタからの出力信号はキャパシタＣ５、Ｃ６、抵抗Ｒ３を介して出力端子ＯＵＴから出力される。コレクタには符号１４で示す上述のＲＦチョークコイルＲＦＣが接続され、さらに抵抗Ｒ５、トランジスタＴｒ２及び抵抗Ｒ７からなるバイアス回路が設けられる。
【０００６】
また、下記の特許文献２や特許文献３には、バイポーラトランジスタのコレクタに定電流源が接続される構成が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特表２００７−５０１５７４号公報
【特許文献２】特開平８−２８８７５２号公報
【特許文献３】特開２００６−２７９６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図６に示す従来の回路構成では、発振周波数に対して高いインピーダンスを示すＲＦチョークコイルＲＦＣがコレクタに接続されているものの、電源側のインピーダンスは未だ低く設定されているため、発振周波数より十分低いベースバンド帯域におけるノイズ信号（低周波ノイズ信号）が電源側に漏れてしまい、したがってコレクタとベースとを接続するバイアス回路が存在していても低周波ノイズ信号を負帰還させることができず、結果として低周波ノイズ信号が残存し、低周波ノイズ信号のアップコンバートにより発生する位相雑音を抑制することができない問題がある。
【０００９】
なお、特許文献２や特許文献３にはインピーダンスについて記載されているものの、低周波雑音の低減については開示されていない。
【００１０】
本発明の目的は、発振周波数範囲を確保しつつ、位相雑音を一層低減することができる発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、３端子能動デバイスと、前記３端子能動デバイスの第１端子と第２端子との間に接続され、前記３端子能動デバイスをバイアスするバイアス回路と、前記３端子能動デバイスの前記第２端子に接続され前記３端子能動デバイスへの入力を供給する共振器とを有する発振器であって、前記３端子能動デバイスの前記第１端子と電源との間に接続され、発振周波数よりも低いベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すことで前記ベースバンド周波数帯域におけるノイズ信号を前記バイアス回路を用いて負帰還させる回路を有する。
【００１２】
また、本発明は、３端子能動デバイスと、前記３端子能動デバイスの第１端子と第２端子との間に接続され、前記３端子能動デバイスをバイアスするバイアス回路と、前記３端子能動デバイスの前記第２端子に接続され前記３端子能動デバイスへの入力を供給する共振器とを有する発振器であって、前記３端子能動デバイスの前記第１端子と電源との間に接続され、発振周波数よりも低いベースバンド周波数帯域におけるノイズ信号を前記バイアス回路を用いて負帰還させるチョークコイルを有する。
【００１３】
また、本発明は、３端子能動デバイスと、前記３端子能動デバイスの第１端子と第２端子との間に接続され、前記３端子能動デバイスをバイアスするバイアス回路と、前記３端子能動デバイスの前記第２端子に接続され前記３端子能動デバイスへの入力を供給する共振器とを有する発振器であって、前記３端子能動デバイスの前記第１端子と電源との間に接続され、発振周波数よりも低いベースバンド周波数帯域におけるノイズ信号を前記バイアス回路を用いて負帰還させる定電流源回路を有する。  
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、チョークコイルや定電流源回路等の高インピーダンス素子あるいは回路をコレクタと電源との間に接続することで、ベースバンド周波数帯域のノイズ信号が電源側に漏れることを抑制し、バイアス回路を用いてノイズ信号を負帰還させることで低減させることができる。ベースバンド周波数帯域のノイズ信号を低減させることで、位相雑音を効果的に抑制することができる。本発明によれば、電源側のインピーダンスを高く設定しバイアス回路を負帰還回路として機能させることで位相雑音を低減するため、発振周波数可変範囲を狭めることなく、すなわち発振周波数可変範囲とは独立に位相雑音を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
＜第１実施形態＞
図１に、本実施形態における発振器の回路構成を示す。符号１２で示すバイポーラトランジスタＴｒ１のコレクタに電源Ｖｃｃが接続される。トランジスタＴｒ１のベースに共振器１０からの信号が入力される。具体的には、トランジスタＴｒ１のベースには抵抗Ｒ１、キャパシタＣ１、Ｃ２が直列接続されて電圧ＶＴが印加され、抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１の間の接点とアース間にダイオードＤが接続されるとともにキャパシタＣ１とキャパシタＣ２の間の接点とアース間に共振器１０が接続される。トランジスタＴｒ１のエミッタはコイルＬ１を介して接地され、エミッタとコイルＬ１との間の接点にキャパシタＣ５、抵抗Ｒ３、キャパシタＣ６がそれぞれ直列接続され、キャパシタＣ５と抵抗Ｒ３の間の接点とアース間に抵抗Ｒ２が接続されるとともに抵抗Ｒ３とキャパシタＣ６の間の接点とアース間に抵抗Ｒ４が接続され、エミッタからの出力信号が出力端子ＯＵＴから出力される。
【００１７】
トランジスタＴｒ１のコレクタには電源Ｖｃｃが接続されるが、コレクタと電源Ｖｃｃとの間に符号１４で示す発振周波数において高インピーダンスのＲＦチョークコイルＲＦＣが接続される。発振周波数は例えば１．５ＧＨｚ〜２ＧＨｚである。また、トランジスタＴｒ１のコレクタにはバイアス回路が設けられる。バイアス回路は、抵抗Ｒ５〜Ｒ８及びトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３から構成される。電源ＶｃｃとＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に直列に抵抗Ｒ５が接続され、トランジスタＴｒ２のエミッタが抵抗Ｒ５とＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に接続され、トランジスタＴｒ２のベースはトランジスタＴｒ３のベースに接続され、トランジスタＴｒ２のコレクタは抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースとキャパシタＣ２との間に接続される。トランジスタＴｒ２のコレクタとトランジスタＴｒ１のベースとの接点は、キャパシタＣ３、Ｃ４を介して接地される。キャパシタＣ３とキャパシタＣ４の間の接点はトランジスタＴｒ１のエミッタとコイルＬ１の間に接続される。また、トランジスタＴｒ３のエミッタは抵抗Ｒ６を介して電源Ｖｃｃに接続され、コレクタは抵抗Ｒ８を介して接地される。トランジスタＴｒ３のベースは上述したようにトランジスタＴｒ２のベースに接続されるとともに、トランジスタＴｒ３のコレクタに接続される。
【００１８】
このようにバイアス回路を備えた発振器において、本実施形態では抵抗Ｒ５とＲＦチョークコイルＲＦＣとの間、すなわちトランジスタＴｒ２のエミッタが接続される接点と抵抗Ｒ５との間に符号１６で示すベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続する。ベースバンドチョークコイルＢＦＣは、発振周波数よりも十分低いベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すコイルである。ベースバンド周波数帯域は例えば一般的な狭帯域通信において１ＭＨｚ以下である。
【００１９】
既述したように、図６に示す従来の回路構成ではベースバンド周波数帯域においては電源側のインピーダンスが低く設定されているためベースバンド周波数帯域のノイズ信号（低周波ノイズ信号）が電源側に漏れてしまうが、本実施形態ではベースバンドチョークコイルＢＦＣがベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すため低周波ノイズ信号の電源側への漏れを防止し、トランジスタＴｒ２及び抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースに負帰還させることができるため、低周波ノイズ信号を抑制することができる。したがって、低周波ノイズ信号がアップコンバートされて生じる位相雑音も抑制することができる。ベースバンドチョークコイルＢＦＣは、低周波ノイズ信号の負帰還量を著しく増大させ、バイアス回路を負帰還回路へと機能転化させるものといえる。
【００２０】
本実施形態では、トランジスタＴｒ１のコレクタ側にベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続し、バイアス回路を負帰還回路として機能させることで低周波ノイズ信号、ひいては位相雑音を抑制させているので、ＶＣＯの低雑音化を図るためにあえてＱ値の高い共振器を使用する必要もない。したがって、発振周波数範囲を狭めることなく、位相雑音を効果的に抑制することが可能である。ＶＣＯのＱ値に依存することなく位相雑音を低減できるといえる。
【００２１】
＜第２実施形態＞
図２に、本実施形態における発振器の回路構成を示す。図１に示す回路構成と同様に、符号１２で示すバイポーラトランジスタＴｒ１のコレクタに電源Ｖｃｃが接続される。トランジスタＴｒ１のベースに共振器１０からの信号が入力される。具体的には、トランジスタＴｒ１のベースには抵抗Ｒ１、キャパシタＣ１、Ｃ２が直列接続されて電圧ＶＴが印加され、抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１の間の接点とアース間にダイオードＤが接続されるとともにキャパシタＣ１とキャパシタＣ２の間の接点とアース間に共振器１０が接続される。トランジスタＴｒ１のエミッタはコイルＬ１を介して接地され、エミッタとコイルＬ１との間の接点にキャパシタＣ５、抵抗Ｒ３、キャパシタＣ６がそれぞれ直列接続され、キャパシタＣ５と抵抗Ｒ３の間の接点とアース間に抵抗Ｒ２が接続されるとともに抵抗Ｒ３とキャパシタＣ６の間の接点とアース間に抵抗Ｒ４が接続され、エミッタからの出力信号が出力端子ＯＵＴから出力される。また、トランジスタＴｒ１のコレクタには電源Ｖｃｃが接続されるが、コレクタと電源Ｖｃｃとの間に符号１４で示す発振周波数において高インピーダンスのＲＦチョークコイルＲＦＣが接続される。発振周波数は例えば１．５ＧＨｚ〜２ＧＨｚである。また、トランジスタＴｒ１のコレクタにはバイアス回路が設けられる。バイアス回路は、抵抗Ｒ５〜Ｒ８及びトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３から構成される。電源ＶｃｃとＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に直列に抵抗Ｒ５が接続され、トランジスタＴｒ２のエミッタが抵抗Ｒ５とＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に接続され、トランジスタＴｒ２のベースはトランジスタＴｒ３のベースに接続され、トランジスタＴｒ２のコレクタは抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースとキャパシタＣ２との間に接続される。トランジスタＴｒ２のコレクタとトランジスタＴｒ１のベースとの接点は、キャパシタＣ３、Ｃ４を介して接地される。キャパシタＣ３とキャパシタＣ４の間の接点はトランジスタＴｒ１のエミッタとコイルＬ１の間に接続される。また、トランジスタＴｒ３のエミッタは抵抗Ｒ６を介して電源Ｖｃｃに接続され、コレクタは抵抗Ｒ８を介して接地される。トランジスタＴｒ３のベースは上述したようにトランジスタＴｒ２のベースに接続されるとともに、トランジスタＴｒ３のコレクタに接続される。
【００２２】
このようにバイアス回路を備えた発振器において、電源とＲＦチョークコイルＲＦＣとの間にベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続する代わりに、定電流源としてのカレントミラー回路１８を接続する。カレントミラー回路１８は、トランジスタＴｒ４、Ｔｒ５、抵抗Ｒ５、Ｒ９、Ｒ１０及びキャパシタＣ７で構成される。トランジスタＴｒ４のエミッタは抵抗Ｒ５に接続され、コレクタはＲＦチョークコイルＲＦＣに接続され、ベースはトランジスタＴｒ５のベースに接続される。一方、トランジスタＴｒ５のエミッタは抵抗Ｒ９を介して電源Ｖｃｃに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１０を介して接地される。トランジスタＴｒ５のベースとコレクタは接続され（ダイオード接続）、キャパシタＣ７を介して電源Ｖｃｃに接続される。トランジスタＴｒ４とトランジスタＴｒ５の特性は略同一であり、トランジスタＴｒ５のエミッタ電流によりトランジスタＴｒ４に流れる電流が定常化されるため、負荷側から見れば極めて高いインピーダンスとなる。したがって、ベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続した場合と同様に、ベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すため低周波ノイズ信号の電源側への漏れを防止し、トランジスタＴｒ２及び抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースに負帰還させることができるため、低周波ノイズ信号を抑制することができる。カレントミラー回路１８は、低周波ノイズ信号の負帰還量を著しく増大させ、バイアス回路を負帰還回路へと機能転化させるものということができる。
【００２３】
本実施形態では、トランジスタＴｒ１のコレクタ側に定電流源としてのカレントミラー回路１８を接続し、バイアス回路を負帰還回路として機能させることで低周波ノイズ信号、ひいては位相雑音を抑制させているので、ＶＣＯの低雑音化を図るためにあえてＱ値の高い共振器を使用する必要もない。したがって、発振周波数範囲を狭めることなく、位相雑音を効果的に抑制することが可能である。また、カレントミラー回路１８は、ベースバンドチョークコイルＢＦＣと比べて非常に低い周波数まで高いインピーダンス特性を示すので、より低周波のノイズ信号及び位相雑音を抑制することができる。
【００２４】
＜第３実施形態＞
図３に、本実施形態における発振器の回路構成を示す。本実施形態は、第２実施形態と同様に、ベースバンドチョークコイルの代わりに定電流源としてのカレントミラー回路１９を用いる。すなわち、バイアス回路を備えた発振器において、電源ＶｃｃとＲＦチョークコイルＲＦＣとの間にベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続する代わりに、定電流源としてのカレントミラー回路１９を接続する。カレントミラー回路１９は、トランジスタＴｒ４、Ｔｒ５、抵抗Ｒ５、Ｒ９、キャパシタＣ８で構成される。トランジスタＴｒ４のエミッタは抵抗Ｒ５に接続され、コレクタはＲＦチョークコイルＲＦＣに接続され、ベースはトランジスタＴｒ５のベースに接続される。一方、トランジスタＴｒ５のエミッタは抵抗Ｒ９を介して電源Ｖｃｃに接続され、コレクタはトランジスタＴｒ３のエミッタに接続される。トランジスタＴｒ５のベースとコレクタは接続され（ダイオード接続）、キャパシタＣ８を介して電源Ｖｃｃに接続される。トランジスタＴｒ４とトランジスタＴｒ５の特性は略同一であり、トランジスタＴｒ５のエミッタ電流によりトランジスタＴｒ４に流れる電流が定常化されるため、負荷側から見れば極めて高いインピーダンスとなる。
【００２５】
図２に示す第２実施形態との主な相違点は、カレントミラー回路１９を構成する一対のトランジスタＴｒ４、Ｔｒ５のうち、トランジスタＴｒ５のコレクタが、バイアス回路を構成するトランジスタＴｒ３のエミッタに直列接続されている点である。これにより、図２に比べて回路構成を簡易化し、かつ回路素子数を削減することができる。
【００２６】
本実施形態においても、カレントミラー回路１９はベースバンド周波数帯域において高インピーダンスを示すため低周波ノイズ信号の電源側への漏れを防止し、トランジスタＴｒ２及び抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースに負帰還させることができるため、低周波ノイズ信号を抑制することができる。カレントミラー回路１９は、低周波ノイズ信号の負帰還量を著しく増大させ、バイアス回路を負帰還回路へと機能転化させるものということができる。また、トランジスタＴｒ１のコレクタ側に定電流源としてのカレントミラー回路１９を接続し、バイアス回路を負帰還回路として機能させることで低周波ノイズ信号、ひいては位相雑音を抑制させているので、発振周波数範囲を狭めることなく、位相雑音を効果的に抑制することが可能である。
【００２７】
＜第４実施形態＞
図４に、本実施形態における発振器の回路構成を示す。図２に示す第２実施形態の回路構成において、バイアス回路を抵抗Ｒ７に置換した回路である。すなわち、図２のバイアス回路は、図６における従来技術の回路構成におけるバイアス回路と同様に、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３、抵抗Ｒ５〜Ｒ８で構成されているが、これを抵抗Ｒ７で置換したものである。抵抗Ｒ７の一端は電源ＶｃｃとＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に接続され、他端はトランジスタＴｒ１のベースに接続される。抵抗Ｒ７でもバイアス回路として機能し得ることは明らかであろう。抵抗Ｒ７からなるバイアス回路をトランジスタＴｒ１のコレクタとベース間に設けるのみでは、図６に示す従来技術の回路構成と同様に低周波ノイズ信号の電源Ｖｃｃ側への漏れが生じる。しかしながら、本実施形態では電源ＶｃｃとＲＦチョークコイルＲＦＣとの間に定電流源としてのカレントミラー回路１８が接続されているので、図２に示す第２実施形態と同様に、低周波ノイズ信号の電源Ｖｃｃ側への漏れを防止し、抵抗Ｒ７を介してトランジスタＴｒ１のベースに負帰還させることができるため、低周波ノイズ信号を抑制することができる。カレントミラー回路１８は、低周波ノイズ信号の負帰還量を著しく増大させ、抵抗Ｒ７からなるバイアス回路を負帰還回路へと機能転化させるものということができる。
【００２８】
本実施形態でも、トランジスタＴｒ１のコレクタ側に定電流源としてのカレントミラー回路１８を接続し、バイアス回路を負帰還回路として機能させることで低周波ノイズ信号、ひいては位相雑音を抑制させているので、発振周波数範囲を狭めることなく、位相雑音を効果的に抑制することが可能である。また、負帰還回路は抵抗Ｒ７から構成されているので、回路構成の簡略化及び回路部品数の削減も図ることができる。
【００２９】
＜第５実施形態＞
図５に、本実施形態における発振器の回路構成を示す。図４に示す第４実施形態の回路構成におけるカレントミラー回路１８に変えて、ベースバンドチョークコイルＢＦＣ１６を接続した例である。あるいは、図１に示す第１実施形態の回路構成におけるバイアス回路を抵抗Ｒ７で構成した場合ということもできる。
【００３０】
本実施形態でも、トランジスタＴｒ１のコレクタ側にベースバンドチョークコイルＢＦＣを接続し、抵抗Ｒ７からなるバイアス回路を負帰還回路として機能させることで低周波ノイズ信号、ひいては位相雑音を抑制させているので、ＶＣＯの低雑音化を図るためにあえてＱ値の高い共振器を使用する必要がない。したがって、発振周波数範囲を狭めることなく、位相雑音を効果的に抑制することが可能である。また、負帰還回路は抵抗Ｒ７から構成されているので、回路構成の簡略化及び回路部品数の削減も図ることができる。
【００３１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の要旨は、能動素子としてのバイポーラトランジスタが増幅動作するためのＤＣバイアスを印加するバイアス回路を利用し、発振周波数に対して低いベースバンド周波数帯域において電源側を十分に高いインピーダンスに設定してベースバンド周波数帯域のノイズ信号を負帰還させることにある。したがって、ベースバンド周波数帯域のノイズ信号の漏れを防止あるいは一定値以下にまで抑制できる程度の高いインピーダンスを有する素子あるいは回路であればチョークコイルあるいは定電流源に限らず他の素子または回路でもよいことは当業者には理解されよう。また、本実施形態における「高インピーダンス」とは、正確には一定値以上のインピーダンスを有するものであると定義され得るが、ベースバンド周波数帯域で負帰還回路の開ループ利得が位相雑音の抑制に十分な値となるために必要なインピーダンスの意味であり、一般的には電源側のインピーダンスとトランジスタＴｒ１のベース側入力インピーダンスとの比が１／１０以上あれば十分雑音抑制効果を得ることができる。本実施形態では、３端子能動デバイスの例としてバイポーラトランジスタを例示したが、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることもできる。    
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態の回路構成図である。
【図２】第２実施形態の回路構成図である。
【図３】第３実施形態の回路構成図である。
【図４】第４実施形態の回路構成図である。
【図５】第５実施形態の回路構成図である。
【図６】従来技術の回路構成図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  共振器、１２  バイポーラトランジスタ、１４  ＲＦチョークコイル、１６  ベースバンドチョークコイル、１８，１９  カレントミラー回路。
【図１】
0005155672.tif 000002
【図２】
0005155672.tif 000003
【図３】
0005155672.tif 000004
【図４】
0005155672.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005155672.tif 000007