(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムから形成されその上面及び下面の側部に封止部を有するパッケージと該パッケージの封止部から導出された少なくとも１対の端子とを備え、前記パッケージの表面のうちの下面が回路基板に向くようにして前記１対の端子が該回路基板のランドそれぞれにリフロー半田付けされる電気化学デバイスにおいて、
前記パッケージの表面のうちの上面を覆うように配された熱吸収層と、該熱吸収層の上面を覆うように配された赤外線反射層と、該赤外線反射層の上面を覆うように配された断熱層とを備え、
前記断熱層は前記リフロー半田付け時に外部雰囲気から前記赤外線反射層への熱伝導を抑制するためのものであり、前記赤外線反射層は前記リフロー半田付け時に外部から放射される赤外線を反射するためのものであり、前記熱吸収層は前記リフロー半田付け時に前記赤外線反射層からパッケージへの熱伝導を抑制するためのものである、
ことを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項２】
前記断熱層は、前記熱吸収層及び前記赤外線反射層によって覆われていない前記パッケージの下面側の表面領域を覆っている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項３】
前記熱吸収層は前記パッケージの上面を含む該パッケージの表面全体を覆っており、前記赤外線反射層は該熱吸収層の表面全体を覆っており、前記断熱層は該赤外線反射層の表面全体を覆っている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムから形成されたパッケージを備える電気化学デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気化学デバイス、例えば電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等には、フィルムから形成されたパッケージと該パッケージの封止部から導出された少なくとも１対の端子とを備えたものが存在する。
【０００３】
例えば、前記に該当する電気二重層キャパシタは、正極側電極と負極側電極とをセパレータを介して順次積層して構成された蓄電素子と、蓄電素子の正極側電極に電気的に接続された正極端子の基端部と、蓄電素子の負極側電極に電気的に接続された負極端子の基端部と、電解液とを、フィルムから形成されたパッケージに封入すると共に、正極端子の先端部と負極端子の先端部を該パッケージの封止部から導出した構造を備えている。
【０００４】
パッケージには、例えばプラスチック製の保護層と金属製のバリア層とプラスチック製のシール層を順に有するラミネートフィルムが用いられており、該パッケージは、例えば所定サイズの１枚の矩形フィルムをその中央部分で折り曲げてからシール層が重なり合う３辺部分を所定幅で例えばヒートシール等によりシールして封止することにより形成されている。
【０００５】
先に例示した電気二重層キャパシタを含む電気化学デバイスの近年における小型化に伴い、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望、換言すれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応可能な電気化学デバイスの要求が高まっている。
【０００６】
しかし、従前の電気化学デバイスは鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応するものではないため、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができない。
【０００７】
即ち、従前の電気化学デバイスをリフロー炉に投入してリフロー半田付けを行うと、該電気化学デバイスのパッケージがリフロー炉内の熱源（例えば電熱ヒータ）等の外部からの赤外線の放射とリフロー炉内の雰囲気との接触とによって加熱され、加熱されたパッケージからその内側に流入した熱によって蓄電素子が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液がパッケージの封止部から漏出する等の不具合を生じ得る。
【特許文献１】特開２００２−２９８８２５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的は、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明は、フィルムから形成されたパッケージと該パッケージの封止部から導出された少なくとも１対の端子とを備えた電気化学デバイスにおいて、外部から放射される赤外線を反射するための赤外線反射層を備える。
【００１０】
この電気化学デバイスは、外部から放射される赤外線を反射するための赤外線反射層を備えているので、リフロー半田付け時に外部から放射されパッケージの上面に達する赤外線を該赤外線反射層によって反射することができる。つまり、リフロー炉内の熱源等からの赤外線の照射によってパッケージが加熱されることを抑制して、該パッケージ内に流入するトータルの熱量を低減することができる。
【００１１】
従って、パッケージの内側に流入した熱によって蓄電素子が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液がパッケージの封止部から漏出する等の不具合を生じることを防止することができる。
【００１２】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することができ、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供することができる。
【００１４】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
図１〜図５は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す。図１は電気二重層キャパシタの上面図、図２は図１のａ１−ａ１線に沿う縦断面図、図３は図１のａ２−ａ２線に沿う縦断面図、図４は図１に示したパッケージを形成するフィルムの層構成を示す部分縦断面図、図５は図１に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装した状態を示す図である。
【００１６】
まず、図１〜図４を参照して、電気二重層キャパシタ１０-1の構造について説明する。
【００１７】
この電気二重層キャパシタ１０-1は、蓄電素子１１と、１対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）と、パッケージ１４と、電解液１５と、赤外線反射層１６と、を備えている。
【００１８】
蓄電素子１１は、正極用分極性電極１１ａと該正極用分極性電極１１ａに重ねられた正極用集電体１１ｂとから成る正極側電極（符号無し）と、負極用分極性電極１１ｃと該負極用分極性電極１１ｃに重ねられた負極用集電体１１ｄとから成る負極側電極（符号無し）とを、セパレータ１１ｅを介して交互に積層して構成されている。また、各正極用集電体１１ｂの一側縁にはそれぞれ接続片１１ｂ１（図示省略）が設けられており、同様に、各負極用集電体１１ｄの一側縁にはそれぞれ接続片１１ｄ１が設けられている。
【００１９】
図面には正極側電極と負極側電極とセパレータ１１ｅとから成るユニットを実質的に３つ重ねた蓄電素子１１を示してあるが、該ユニット数は４つ以上、或いは、１つであっても良い。また、最上層及び最下層にそれぞれ集電体１１ｂ，１１ｄを配置した蓄電素子１１を示してあるが、製造プロセス等の関係から該最上層及び最下層の外側に分極性電極やセパレータが付加されても良い。また、前記端子は１対に限定されるものではなく、例えば必要によりさらに付加されていても良い。
【００２０】
正極端子１２と負極端子１３は、アルミニウム等の金属から短冊状に形成されている。正極端子１２はその基端部を蓄電素子１１の各接続片１１ｂ１に電気的に接続されており、同様に、負極端子１３はその基端部を蓄電素子１１の各接続片１１ｄ１に電気的に接続されている。また、正極端子１２はその先端部をパッケージ１４の第１の封止部１４ａから導出されており、同様に、負極端子１３はその先端部をパッケージ１４の第１の封止部１４ａから導出されている。
【００２１】
パッケージ１４は、後述のフィルムから平面視形状が略矩形状となるように形成されている。このパッケージ１４は３つの側部（図１の右側部と下側部と上側部）に所定幅の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃを連続して有している。図２及び図３から分かるように、蓄電素子１１と正極端子１２の基端部と負極端子１３の基端部は電解液１５と共にパッケージ１４に封入されている。電解液１５の封入に関しては、パッケージ１４を形成する前に蓄電素子１１に電解液１５を予め含浸させる方法の他、パッケージ１４を形成した後に該パッケージ１４に予め形成した孔を通じてその内側に電解液１５を充填してから該孔を塞ぐ方法等が採用できる。
【００２２】
パッケージ１４を形成するためのフィルムには、例えば（Ｅ１１）ナイロン等のプラスチックから成る保護層Ｌ１と、アルミニウム等の金属またはＡｌ2Ｏ3等の金属酸化物から成るバリア層Ｌ２と、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックから成る絶縁層Ｌ３と、ポリプロピレン等の高分子やそれらの前駆体，半硬化体等から成るシール層Ｌ４とを順に有するラミネートフィルム（図４参照）や、（Ｅ１２）Ｅ１１のラミネートフィルムから絶縁層Ｌ３を除外してシール層Ｌ４を十分に厚くしたラミネートフィルムや、（Ｅ１３）十分な厚さを有するシール層Ｌ４のみとした非ラミネートフィルム、等が好ましく使用できる。前記シール層Ｌ４によるシール法としては、ヒートシール，機械的圧着によるシール，電子線照射により硬化させるシール，その他各種方法を用いることができる。前記のシールをするためのエネルギーとしては、光，電磁波，熱，機械的圧縮等が挙げられる。また、前記のシールのメカニズムとしては、硬化性，可塑性，粘着性等が挙げられる。
【００２３】
因みに、Ｅ１１，Ｅ１２のラミネートフィルムにおけるバリア層Ｌ２は、パッケージ１４からの電解液１５の漏出を防止したり、パッケージ１４への水分の浸入を防止する等の役目を果たす。また、絶縁層Ｌ３は、例えばヒートシール等によってシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が蓄電素子１１に接触することを防止する役目を果たす。
【００２４】
また、パッケージ１４をＥ１１，Ｅ１２のラミネートフィルム及びＥ１３の非ラミネートフィルム等から形成する方法には、例えば（Ｅ２１）所定サイズの１枚の矩形フィルムを用意し、該矩形フィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、該矩形フィルムをその中央部分で折り曲げてからシール層が重なり合う３辺部分を例えばヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。
【００２５】
図面には３つの側部に第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃを連続して有するパッケージ１４を示してあるが、４つの側部に第１〜第４の封止部を連続して有するパッケージを該パッケージ１４の代わりに用いることも可能である。この４側部封止のパッケージをＥ１１，Ｅ１２のラミネートフィルム及びＥ１３の非ラミネートフィルム等から形成する方法には、例えば（Ｅ２２）所定サイズの２枚の矩形フィルムを用意し、第１の矩形フィルムのシール層側に蓄電素子１１等を配置した後、該矩形フィルムに第２の矩形フィルムを重ねてからシール層が重なり合う４辺部分を例えばヒートシール等によりシールして封止する方法、等が好ましく採用できる。
【００２６】
赤外線反射層１６は、パッケージ１４の上面を覆うように該上面に密着して配されている。ここで言う「パッケージ１４の上面」とは、電気二重層キャパシタ１０-1の上面図（図１参照）に現れるパッケージ１４の表面領域を意味する。この赤外線反射層１６は、パッケージ１４の上面に向けて照射される赤外線（遠赤外線を含む）を反射する機能を発揮する。
【００２７】
赤外線反射層１６を形成するための材料には、例えば（Ｅ３１）アルミニウム，亜鉛，ニッケル，チタン，インジウム，スズ，銅，金，銀，白金，ロジウム，パラジウム，ニオブ，タンタル，タングステン，モリブデン等の金属または（Ｅ３２）これらの合金、等が好ましく使用できる。
【００２８】
また、赤外線反射層１６をＥ３１，Ｅ３２等の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ４１）材料粉等を含むペーストをパッケージ１４の上面にコーティングして硬化させる方法や、（Ｅ４２）材料を予め加工して得たシートをパッケージ１４の上面に粘着材を介して貼り付ける方法や、（Ｅ４３）スパッタや蒸着等により薄膜として形成する方法、等が好ましく採用できる。
【００２９】
次に、図５を参照して、電気二重層キャパシタ１０-1を鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板に実装する方法例について説明する。
【００３０】
電気二重層キャパシタ１０-1を回路基板ＳＵに実装するに際しては、パッケージ１４を回路基板ＳＵ上に配置すると共に、正極端子１２の先端部と負極端子１３の先端部とを各々に対応したランドＬＡに半田ペーストを介してそれぞれ配置する。両端子１２，１３の先端部と各ランドＬＡとの間に高さの違いがある場合には、配置前に両端子１２，１３の先端部を適宜折り曲げて高さ調整を行っておく。
【００３１】
そして、電気二重層キャパシタ１０-1が配置された回路基板ＳＵをリフロー炉に投入する。電気二重層キャパシタ１０-1が配置された回路基板ＳＵがリフロー炉を通過する過程では、リフロー炉内の熱源（例えば電熱ヒータ）等の外部の赤外線の放射、並びに、リフロー炉内の雰囲気との接触によってその半田付け箇所（正極端子１２の先端部と負極端子１３の先端部）が所定温度（例えば２５０℃前後）に加熱され、該半田付け箇所が半田ＳＯを介して各ランドＬＡに接合される。
【００３２】
ところで、電気二重層キャパシタ１０-1が配置された回路基板ＳＵがリフロー炉を通過する過程では、リフロー炉内の熱源等からの赤外線の放射、並びに、リフロー炉内の雰囲気との接触によって半田付け箇所以外の部分も加熱されることになる。
【００３３】
しかし、電気二重層キャパシタ１０-1にあっては、パッケージ１４の上面を覆うように該上面と密着して赤外線反射層１６が配されているため、外部から放射され該パッケージ１４の上面に達する赤外線を該赤外線反射層１６によって反射することができる。つまり、リフロー炉内の熱源等からの赤外線の放射によってパッケージ１４が加熱されることを抑制して、該パッケージ内に流入するトータルの熱量を低減することができる。
【００３４】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることを防止することができる。
【００３５】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-1を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-1を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００３６】
［第２実施形態］
図６及び図７は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す。図６は電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図、図７は電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【００３７】
第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０-2が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1（図１〜図４参照）と異なるところは、赤外線反射層１６’が、パッケージ１４の全体を覆うようにその表面全体に密着して配されている点にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるので、同一符号を用いてその説明を省略する。
【００３８】
この電気二重層キャパシタ１０-2にあっては、パッケージ１４の全体を覆うようにその表面全体に密着して赤外線反射層１６’が配されているため、該パッケージ１４の表面に向けて照射される赤外線を該赤外線反射層１６’によって反射することができる。つまり、リフロー炉内の熱源等の外部からの赤外線の放射によってパッケージ１４が加熱されることを抑制して、該パッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００３９】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることをより確実に防止することができる。
【００４０】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-2を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-2を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００４１】
尚、図６には赤外線反射層１６’が両端子１２，１３に達していない態様を示したが、該赤外線反射層１６’が絶縁性を有する場合には、図８に示すように赤外線反射層１６’の端１６ａを両端子１２，１３に達するように延長した態様を採用することもできる。勿論、赤外線反射層１６’が導電性を有する場合でも、その端１６ａと両端子１２，１３との間に両者の電気的接触を遮る絶縁層を介在させれば図８と同様の態様を採用することができる。
【００４２】
［第３実施形態］
図９及び図１０は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す。図９は電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図、図１０は電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【００４３】
第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3が、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1（図１〜図４参照）と異なるところは、赤外線反射層１６の上面を覆うように該上面に密着して断熱層１７を配した点にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるので、同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４４】
断熱層１７は、外部雰囲気から赤外線反射層１６への熱伝導を抑制する機能を発揮する。この断熱層１７を形成するための材料には、例えば（Ｅ５１）アルミナ，シリカ，ゼオライト等のセラミックスや、（Ｅ５２）発砲ポリイミドや発砲ウレタン等といった多孔性プラスチック、等が好ましく使用できる。
【００４５】
また、断熱層１７をＥ５１，Ｅ５２等の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ６１）材料粉等を含むペーストを赤外線反射層１６の上面にコーティングして硬化させる方法や、（Ｅ６２）材料を予め加工して得たシートを赤外線反射層１６の上面に粘着材を介して貼り付ける方法、（Ｅ６３）金属または合金からなる赤外線反射層の表面を酸化させて断熱層となる酸化膜を形成する方法、等が好ましく採用できる。
【００４６】
この電気二重層キャパシタ１０-3にあっては、赤外線反射層１６の上面を覆うように該上面に密着して断熱層１７が配されているため、リフロー炉内の雰囲気から赤外線反射層１６への熱伝導を該断熱層１７によって抑制することができる。つまり、リフロー炉内の雰囲気との接触によって赤外線反射層１６が加熱されることを抑制して、パッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００４７】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることをより確実に防止することができる。
【００４８】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-3を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-3を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００４９】
尚、図９及び図１０には断熱層１７が赤外線反射層１６の上面以外を覆っていない態様を示したが、赤外線反射層１６の上面と該赤外線反射層１６によって覆われていないパッケージ１４の表面領域（下面側の表面領域）とを覆うような断熱層の態様を採用することもできる。この場合には、パッケージ１４の全体が断熱層によって覆われるため、リフロー炉内の雰囲気からパッケージ１４への熱伝導を該断熱層によって抑制することができ、これによりパッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００５０】
［第４実施形態］
図１１及び図１２は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す。図１１は電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図、図１２は電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【００５１】
第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4が、第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０-2（図６及び図７参照）と異なるところは、断熱層１７’が、赤外線反射層１６’の全体を覆うようにその表面全体に密着して配されている点にある。他の構成は第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０-2と同じであるので、同一符号を用いてその説明を省略する。また、断熱層１７’の材料及び形成方法等は第３実施形態欄で説明した材料及び形成方法等と同じであるのでここでの説明を省略する。
【００５２】
この電気二重層キャパシタ１０-4にあっては、赤外線反射層１６’の全体を覆うようにその表面全体に密着して断熱層１７’が配されているため、リフロー炉内の雰囲気から赤外線反射層１６’への熱伝導を該断熱層１７’によって抑制することができる。つまり、リフロー炉内の雰囲気との接触によって赤外線反射層１６’が加熱されることを抑制して、パッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００５３】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることをより確実に防止することができる。
【００５４】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-4を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-4を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００５５】
尚、図１１には赤外線反射層１６’が両端子１２，１３に達していない態様を示したが、該赤外線反射層１６’が絶縁性を有する場合には、図１３に示すように赤外線反射層１６’の端１６ａを両端子１２，１３に達するように延長した態様を採用することもできる。勿論、赤外線反射層１６’が非絶縁性を有する場合でも、その端１６ａと両端子１２，１３との間に両者の電気的接触を遮る絶縁層を介在させれば図１３と同様の態様を採用することができる。
【００５６】
［第５実施形態］
図１４及び図１５は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す。図１４は電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図、図１５は電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【００５７】
第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０-5が、第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3（図９及び図１０参照）と異なるところは、パッケージ１４と赤外線反射層１６との間に該パッケージ１４の上面と該赤外線反射層１６の下面と密着して熱吸収層１８を配した点にある。他の構成は第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3と同じであるので、同一符号を用いてその説明を省略する。
【００５８】
熱吸収層１８は、赤外線反射層１６からパッケージ１４への熱伝導を抑制する機能を発揮する。この熱吸収層１８を形成するための材料には、例えば（Ｅ７１）バルクなアルミナやシリカ等といったセラミックス材料や、（Ｅ７２）銅やアルミ等といった金属材料や、（Ｅ７３）ポリプロピレンやポリエチレン等といった融点が例えば２５０℃以下の熱可塑性を有する有機材料、等が好ましく使用できる。
【００５９】
また、熱吸収層１８をＥ７１〜Ｅ７３等の材料から形成する方法には、例えば（Ｅ８１）材料粉等を含むペーストをパッケージ１４の上面にコーティングして硬化させる方法や、（Ｅ８２）材料を予め加工して得たシートをパッケージ１４の上面に粘着材を介して貼り付ける方法、等が好ましく採用できる。
【００６０】
この電気二重層キャパシタ１０-5にあっては、パッケージ１４と赤外線反射層１６との間に該パッケージ１４の上面と該赤外線反射層１６の下面と密着して熱吸収層１８が配されているため、赤外線反射層１６からパッケージ１４への熱伝導を該熱吸収層１８によって抑制することができる。つまり、赤外線反射層１６が加熱されてその温度が上昇した場合でも該赤外線反射層１６から熱伝導によってパッケージ１４が加熱されることを抑制して、パッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００６１】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることをより確実に防止することができる。
【００６２】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-5を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-5を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００６３】
尚、図１４及び図１５には断熱層１７が赤外線反射層１６の上面以外を覆っていない態様を示したが、赤外線反射層１６の上面と熱吸収層１８によって覆われていないパッケージ１４の表面領域（下面側の表面領域）とを覆うような断熱層の態様を採用することもできる。この場合には、パッケージ１４の全体が断熱層によって覆われるため、リフロー炉内の雰囲気からパッケージ１４への熱伝導を該断熱層によって抑制することができ、これによりパッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００６４】
［第６実施形態］
図１６及び図１７は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第６実施形態を示す。図１６は電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図、図１７は電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【００６５】
第６実施形態の電気二重層キャパシタ１０-6が、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4（図１１及び図１２参照）と異なるところは、熱吸収層１８’が、パッケージ１４と赤外線反射層１６’との間に該パッケージ１４の表面全体と該赤外線反射層１６’の下面と密着して配されている点にある。他の構成は第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と同じであるので、同一符号を用いてその説明を省略する。また、熱吸収層１８’の材料及び形成方法等は第５実施形態欄で説明した材料及び形成方法等と同じであるのでここでの説明を省略する。
【００６６】
この電気二重層キャパシタ１０-6にあっては、パッケージ１４と赤外線反射層１６’との間に該パッケージ１４の表面全体と該赤外線反射層１６’の下面と密着して熱吸収層１８’が配されているため、赤外線反射層１６’からパッケージ１４への熱伝導を該熱吸収層１８’によって抑制することができる。つまり、赤外線反射層１６’が加熱されてその温度が上昇した場合でも該赤外線反射層１６’から熱伝導によってパッケージ１４が加熱されることを抑制して、パッケージ内に流入するトータルの熱量をより効果的に低減することができる。
【００６７】
従って、パッケージ１４の内側に流入した熱によって蓄電素子１１が熱劣化して電気的特性が低下したり、また、該熱によって蒸気圧上昇を生じた電解液１５がパッケージ１４の第１〜第３の封止部１４ａ〜１４ｃから漏出する等の不具合を生じることをより確実に防止することができる。
【００６８】
これにより、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-6を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-6を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けによって回路基板等に実装できるようにする要望に答えることができる。
【００６９】
尚、図１６には赤外線反射層１６’が両端子１２，１３に達していない態様を示したが、該赤外線反射層１６’が絶縁性を有する場合には、図１８に示すように赤外線反射層１６’の端１６ａを両端子１２，１３に達するように延長した態様を採用することもできる。勿論、赤外線反射層１６’が非絶縁性を有する場合でも、その端１６ａと両端子１２，１３との間に両者の電気的接触を遮る絶縁層を介在させれば図１８と同様の態様を採用することができる。
【００７０】
また、図１６には熱吸収層１８’が両端子１２，１３に達していない態様を示したが、該熱吸収層１８’が絶縁性を有する場合には、図１８に示すように熱吸収層１８’の端１８ａを両端子１２，１３に達するように延長した態様を採用することもできる。勿論、熱吸収層１８’が非絶縁性を有する場合でも、その端１８ａと両端子１２，１３との間に両者の電気的接触を遮る絶縁層を介在させれば図１８と同様の態様を採用することができる。
【００７１】
［他の実施形態］
（１）第１〜第６実施形態では、電気二重層キャパシタに本発明を適用したものを例示したが、フィルムから形成されたパッケージと該パッケージの封止部から導出された少なくとも１対の端子とを備えた他の電気化学デバイス、例えばリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等であっても本発明を適用して同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図２】図１のａ１−ａ１線に沿う縦断面図である。
【図３】図１のａ２−ａ２線に沿う縦断面図である。
【図４】図１に示したパッケージを形成するフィルムの層構成を示す部分縦断面図である。
【図５】図１に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装した状態を示す図である。
【図６】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図７】図６に示した電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【図８】図６に示した赤外線反射層の変形態様を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図９】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図１０】図９に示した電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【図１１】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図１２】図１１に示した電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【図１３】図１１に示した赤外線反射層の変形態様を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図１４】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図１５】図１４に示した電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【図１６】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第６実施形態を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【図１７】図１６に示した電気二重層キャパシタの図３に対応する縦断面図である。
【図１８】図１１に示した赤外線反射層と熱吸収層の変形態様を示す、電気二重層キャパシタの図２に対応する縦断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5，１０-6…電気二重層キャパシタ、１１…蓄電素子、１２…正極端子、１３…負極端子、１４…パッケージ、１４ａ〜１４ｃ…第１〜第３の封止部、１５…電解液、１６，１６’…赤外線反射層、１７，１７’…断熱層、１８，１８’…熱吸収層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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