(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の主面上に、複数の光電変換セルに分割された光電変換ユニットを形成する光電変換ユニット形成工程と、
前記光電変換ユニット形成工程の後に、前記主面の周縁部に形成された前記光電変換ユニットを除去して、周囲領域を形成する周囲領域形成工程と、
を具備し、
前記光電変換ユニット形成工程は、
前記透光性基板の主面上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を備え、
前記透明電極層形成工程は、
前記主面上に前記透明電極層を製膜する透明電極層製膜工程と、
製膜された前記透明電極層を、前記複数の光電変換セルの各々に対応して分割されるようにレーザーエッチングする透明電極層エッチング工程と、を備え、
前記透明電極層エッチング工程において、
発電時に電力の取り出される領域である発電領域の端部を越え、且つ、前記光電変換ユニットを除去する前の前記周囲領域の範囲内で前記透明電極層へレーザーが照射されるラインの長さが１０ｍｍ以下であり、且つ、前記ラインが前記透光性基板の端部に達しないように、レーザーを照射し、
前記周囲領域形成工程は、少なくとも２回以上の複数回の研磨工程により実施され、
前記複数回の研磨工程のうち初回の研磨工程とされ、前記周囲領域の形成予定領域のうちの前記透光性基板の端面側の一部を研磨する第１研磨工程と、
前記第１研磨工程の後に、前記第１研磨工程で研磨された領域の発電領域側である内側を研磨する第２研磨工程と、を少なくとも備え、
前記複数回の研磨工程は、前記周囲領域の全体にわたり略均一な研磨量とされるように実施されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された光電変換装置の製造方法であって、
更に、
前記光電変換ユニット形成工程の後に実施され、前記光電変換ユニットの一部を、前記透光性基板が露出するようにレーザーエッチングして、絶縁溝を形成する絶縁溝エッチング工程、
を具備し、
前記絶縁溝エッチング工程において前記光電変換ユニットにレーザーを照射するに際し、発電時に電力の取り出される領域である前記発電領域の端部を越え、且つ、前記光電変換ユニットを除去する前の前記周囲領域の範囲内でレーザーが照射されるラインの長さが、１０ｍｍ以下であり、且つ、前記ラインが前記透光性基板の端部に達しないようにレーザーを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記周囲領域形成工程において、前記周囲領域が前記透光性基板の端部から５ｍｍ以上２０ｍｍ以下の幅で形成されるように、前記光電変換ユニットを除去することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層エッチング工程及び前記絶縁溝エッチング工程の少なくとも一方は、
前記透光性基板上におけるレーザーの照射位置を示す照射位置情報を取得する工程と、
取得した前記照射位置情報に基づいて、レーザーの光路上に配置されたシャッターを開閉する工程と、を備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２又は３に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層エッチング工程及び前記絶縁溝エッチング工程の少なくとも一方において、レーザーを照射するにあたり、パルス発振により生成されたレーザーを照射し、
前記透明電極層エッチング工程及び前記絶縁溝エッチング工程の少なくとも一方は、
前記透光性基板上におけるレーザーの照射位置を示す照射位置情報を取得する工程と、
取得した前記照射位置情報に基づいて、レーザーの発振周波数を制御する工程と、を備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２又は３に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層エッチング工程及び前記絶縁溝エッチング工程の少なくとも一方は、
エッチング予定のラインの延長線上でエッチングしない領域が被覆されるように、レーザー光を遮るマスクを配置するマスク配置工程と、
前記マスク配置工程の後に、マスクの配置された基板上の前記透明電極層エッチングを実施する層、及び前記絶縁溝エッチングを実施する層の少なくとも一方にレーザーを照射する工程と、を備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかに記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層エッチング工程及び前記絶縁溝エッチング工程の少なくとも一方は、
前記透光性基板に気体を噴き付けて基板温度を制御する工程、を備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記第２研磨工程における研磨量は、前記第１研磨工程における研磨量よりも少ないことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記第１研磨工程及び前記第２研磨工程において、ブラスト研磨により研磨を行い、
前記第２研磨工程におけるブラスト噴射位置の前記透光性基板に対する相対送り速度は、前記第１研磨工程におけるブラスト噴射位置の相対送り速度よりも早いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記第１研磨工程及び前記第２研磨工程において、ブラスト研磨により研磨を行い、
前記第２研磨工程における前記透光性基板上の前記周囲領域におけるブラスト噴射圧力は、前記第１研磨工程における前記透光性基板上の前記周囲領域におけるブラスト噴射圧力よりも低いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置及びその製造方法に関し、特に、薄膜系太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に、光を受光して電力を取り出す光電変換ユニットの形成された光電変換装置として、例えば薄膜を利用した太陽電池が挙げられる。薄膜系太陽電池において、基板上に、光電変換ユニットとして太陽電池膜が形成され発電が可能となったものを、以下、太陽電池モジュールと記載する。また、太陽電池モジュールにバックシート、端子箱やフレーム等を取りつけて耐環境性を保持させたものを、太陽電池パネルと記載する。
【０００３】
図１（ａ）は、太陽電池モジュールの構造を示す平面図である。この図に示されるように、太陽電池膜１０２が、基板１０１の中央側に設けられている。基板１０１の周縁部（以下、周囲領域１０３）には、太陽電池膜１０２は設けられておらず、基板１０１が露出している。太陽電池モジュールをパネル化する際には、太陽電池膜１０２を使用環境から保護するために、バックシート等がＥＶＡ接着シートなどを使用して取りつけられる。周囲領域１０３は、バックシートを配置する際の良好な接着・シール面を確保する目的から、設けることが好ましい。周囲領域１０３は、一度、太陽電池膜１０２を基板の片面全体に製膜した後、周縁部の太陽電池膜１０２をブラストなどで研磨除去することで設けられる。こうした周囲領域に関する技術は、例えば、特許文献１、２に開示されている。
【０００４】
太陽電池膜１０２は、複数の太陽電池セル１０７（光電変換セル；以下、単にセルと記載することもある）を形成するように短冊状に分割されている。複数の太陽電池セル１０７は、電気的に直列に接続されている。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸＸ断面を示す断面図である。図１（ｂ）に示されるように、太陽電池膜１０２は、基板１０１上に設けられた透明電極層１０４と、透明電極層１０４上に設けられた光電変換層１０５と、光電変換層１０５上に設けられた裏面電極層１０６とを備えている。透明電極層１０４は、透明電極層分割溝１０９によって、各太陽電池セル１０７に対応するように分割されている。光電変換層１０５、及び裏面電極層１０６も、それぞれ、溝によって各太陽電池セル１０７に対応する様に分割されている。光電変換層１０５を分割する溝には、裏面電極層１０６が埋められている。これにより、一のセル１０７の裏面電極層１０６は、隣接するセル１０７の透明電極層１０４と電気的に接続されている。このような構成によって、複数のセル１０７が隣接するセル１０７と電気的に直列に接続されている。透明電極層分割溝１０９などの溝は、レーザーエッチングにより形成される。
【０００５】
再び図１（ａ）を参照する。太陽電池膜１０２のＹ方向側両端部近傍には、図中Ｘ方向に延びるように、絶縁溝１０８が設けられている。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＹＹ断面を示す断面図である。図１（ｃ）に示されるように、絶縁溝１０８は、太陽電池膜１０２が除去された溝である。太陽電池は、通常、屋外に設置されるので、雨や雪などに曝されることが考えられる。このとき、基板１０１の端部から水分が浸入し、太陽電池膜１０２が水分を介して外部と導通してしまうことが考えられる。太陽電池膜１０２が外部と導通してしまうと、太陽電池膜１０２の絶縁不良を生じたり劣化により発電性能が低下することがある。絶縁溝１０８は、このような導通を防止するために設けられる。この絶縁溝１０８も、レーザーエッチングにより、形成される。
【０００６】
太陽電池膜１０２の設けられた領域のうち、実際に電力が取り出されるのは、絶縁溝１０８よりも内側（基板中央側）の領域となる。本明細書中では、実際に発電時に電力が取り出される領域を、発電領域と記載することとする。また、太陽電池膜が残存している領域を、発電領域とは区別して、太陽電池膜残存領域（光電変換ユニット領域）と記載する。
【０００７】
絶縁溝に関連した技術が、特許文献３に記載されている。特許文献３には、絶縁溝を、基板の端に達しない様に設けることが記載されている。絶縁溝が基板の端にまで達している場合、基板の端から絶縁溝を伝って水分が浸入してしまうことがある。特許文献３によれば、絶縁溝を基板の端にまで延びない様に設けることで、絶縁溝部分における水分の浸入が防止される。
【０００８】
ところで、本発明者らが太陽電池モジュールを詳細に観察したところ、周囲領域１０３において、露出した基板表面に微細な痕が生じる場合のあることがわかった。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３４９３２５号  公報
【特許文献２】特開２０００−２６１０１９号  公報
【特許文献３】特開２００６−２５３４１７号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図２（ａ）、（ｂ）は、周囲領域１０３の表面粗さの測定結果を示した図である。図２（ａ）は、図１（ａ）中の線Ａに沿った太陽電池モジュール表面の表面粗さを示している。周囲領域１０３はブラストなどの研磨工程により、太陽電池膜１０２を完全に除去するにあたり、基板１０１の表層も若干削り込むことが好ましい。このとき露出した基板面は数μｍレベルの凹凸が生じる。図２（ｂ）は、図１（ａ）中の線Ｂに沿った表面の表面粗さを示している。図２（ａ）に示される結果から、周囲領域１０３において表面粗さに顕著な変化はない。すなわち、透明電極層分割溝１０９などのセルを分割する溝に平行な方向（Ｙ方向）では、表面粗さに顕著な変化は見られない。一方、図２（ｂ）に示される結果からは、僅かに表面が抉（えぐ）れている箇所が存在することがわかった。
【００１１】
また、図３は、太陽電池モジュールの角部の観察結果を概略的に示す平面図である。周囲領域１０３はブラスト等の研磨により残留が無いように形成されており、一見、一様にみえる。しかし、注意深く観察したところ、透明電極層分割溝１０９の延長線上や、絶縁溝１０８の延長線上に、周囲よりも黒く（暗く）見える痕が観察される場合があった。このような黒く見える痕の位置は、図２（ｂ）で示された抉れ部分に一致していた。従って、黒く見える痕は、図２（ｂ）で示された抉れ部分であると推定された。
【００１２】
本発明者らは、このような痕が、透明電極層分割溝１０９や絶縁溝１０８を形成する際に照射されるレーザーによるものであると考えた。既述のように、透明電極層分割溝１０９や、絶縁溝１０８は、レーザーエッチングにより形成される。通常、レーザーエッチング時には、レーザー光を照射したまま、基板１０１をＸ−Ｙテーブルなどを利用して基板１０１を相対移動させて、エッチング対象膜にエッチング処理を行うため、基板１０１を横切るような位置にレーザーが照射される。その際、溝の延長線にあたる周囲領域１０３（形成予定領域）にも、レーザーが照射されることになる。透明電極層分割溝１０９や絶縁溝１０８の形成時には、エッチングによって基板１０１の面が露出するが、レーザー照射時にエッチング対象膜に吸収され発生した熱が、基板１０１の露出面状態にも影響を与えてしまう。その結果、基板１０１の露出面にも、僅かな形状変化が生じ、場合によっては基板１０１自体がエッチングされる場合もある。このため、周囲領域１０３（形成予定領域）が形成された後においても、透明電極層分割溝１０９の延長線上や、絶縁溝１０８の延長線上に、周囲よりも黒く（暗く）見える痕、すなわち抉れ部分が観察される場合がある。
【００１３】
周囲領域１０３に形成された形状変化部分（以下、レーザー痕と記載する）が残留すると、バックシートなどを接着するＥＶＡなどの充填材によって太陽電池膜を被覆した後に、毛細管相当の空隙が生じてシール性が低下する原因となる。その結果、基板１０１の側部から、毛細管現象により予想以上に深部まで水分が浸入して、絶縁溝１０８まで容易に水分が到達し、絶縁溝１０８への浸入水分のために絶縁性が低下することが懸念される。
【００１４】
また、既述のように、周囲領域１０３を形成するに際しては、基板の周縁部に形成された太陽電池膜１０２が研磨除去される。このときに、レーザー痕がきっかけとなって基板表面に微小なクラックや欠けが発生することが懸念される。周囲領域１０３に形成された微小なクラックや欠けも、毛細管現象を引き起こす領域を拡大することになり、シール性を低下させ、基板１０１の側部からの水分浸入の要因となり得る。
【００１５】
従って、本発明の目的は、周囲領域１０３における表面状態を健全に保ち、基板端部から毛細管現象などにより水分が深部まで浸入することを防止できる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号を用いて、［課題を解決するための手段］を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１７】
本発明の光電変換装置の製造方法は、基板（１）の主面上に、複数の光電変換セル（７）に分割されるように、光電変換ユニット（２）を形成する光電変換ユニット形成工程と、その光電変換ユニット形成工程の後に、主面の周縁部に形成された光電変換ユニット（２）を除去して、周囲領域（３）を形成する周囲領域形成工程（ステップＳ５０）と、を具備する。その光電変換ユニット形成工程は、基板（１）の主面上に透明電極層（４）を形成する透明電極層形成工程（ステップＳ１０）を備える。透明電極層形成工程（Ｓ１０）は、主面上に透明電極層（４）を製膜する透明電極層製膜工程（ステップＳ１１）と、製膜された透明電極層（４）が複数の光電変換セル（７）の各々に対応して分割されるように、透明電極層（４）をレーザーエッチングする透明電極層エッチング工程（ステップＳ１２）とを備える。透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）において、レーザーを、発電時に電力の取り出される領域である発電領域を横切り、且つ、光電変換ユニットを除去する前の周囲領域（３）の範囲内で透明電極層（４）へ照射されるラインの長さが１０ｍｍ以下となるように照射することを特徴とする。
【００１８】
上述のように、透明電極層（４）をレーザーエッチングする際に、周囲領域（３）にレーザーが照射されるラインの長さを１０ｍｍ以下とすることによって、周囲領域（３）中におけるレーザー痕が発生する可能性のある領域を、小さくし、基板端より離れた位置にすることができる。これにより、ＥＶＡなどの充填材を配置する際の健全なシール・接着面を広く確保することができる。また、周囲領域形成工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとして、周囲領域（３）の基板表面に欠けスジが生じてしまうことも防止できる。その結果、外部からの毛細管現象による水分浸入を防止できる。なお、周囲領域（３）においてレーザーが照射されるラインの長さが、１０ｍｍを超えてしまうと、周囲領域（３）に生じるレーザー痕の領域が大きくなり、基板端に近づくために健全なシール・接着面が十分に確保しづらくなる。また、周囲研磨工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとしたスジや欠けが発生し、ここから毛細管現象による水分浸入が発生し易くなる。
【００１９】
既述の特許文献１では、太陽電池セル領域の周囲を、充填材に対する接着力の大きい領域で取り囲むことが記載されているが、レーザー痕に対する対策は講じられていない。これに対して、本発明によれば、レーザーエッチングによって生じるレーザー痕を最小限とすることができ、基板端部からの水分浸入を抑制することができる。
また、既述の特許文献２では、透光性基板の周辺部における、光半導体層及び金属層を、機械的又は光ビームで除去することが記載されているが、周辺部においてレーザーエッチングの照射される部分をどのようにするかについては、記載されておらず、レーザー痕の影響について考慮されていない。これに対して、本発明によれば、レーザーエッチングによって生じるレーザー痕を最小限とすることができ、基板端部からの水分浸入を抑制することができる。
また、既述の特許文献３では、発電セルの表面である裏面電極層から基板表面へ延びる溝を、基板の端に達しないように設けることが記載されている。しかし、本発明のように、レーザー痕に対する対策は講じられておらず、周囲領域内でレーザーが照射される部分については、工夫されていない。本発明では、周囲領域内でレーザーが照射される部分の長さが工夫されており、レーザー痕を原因とした水分浸入が抑制される。
【００２０】
この光電変換装置の製造方法が、更に、光電変換ユニット（２）の一部をレーザーエッチングにより透光性基板が露出するようにレーザーエッチングして除去して絶縁溝（８）を形成する絶縁溝エッチング工程（ステップＳ４０）、を具備するとき、絶縁溝エッチング工程（ステップＳ４０）において光電変換ユニット（２）にレーザーを照射するに際し、レーザーを、発電時に電力の取り出される領域である発電領域を横切るように、且つ、光電変換ユニット（２）を除去する前の周囲領域（３）の範囲内で照射されるレーザーの基板（１）上での照射ラインが周囲領域（３）と重なる部分の長さが１０ｍｍ以下となるように、照射することが好ましい。
【００２１】
また、周囲領域形成工程（Ｓ５０）において、周囲領域（３）が基板（１）の端部から５ｍｍ以上２０ｍｍの幅で形成されるように、光電変換ユニット（２）を除去することが好ましい。
【００２２】
周囲領域（３）が基板（１）の基板端部から５ｍｍ以上の幅で形成されるので光電変換層と周囲設置フレーム材（アース）状態との絶縁距離を確保することが出来る。さらにＥＶＡ材が溶融したものが基板端部よりはみ出さないためのスペースを確保しながら周囲領域（３）を少なくするには２０ｍｍの幅以下が好ましい。
【００２３】
また、透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）及び絶縁溝エッチング工程（Ｓ４０）の少なくとも一方は、基板上におけるレーザーの照射位置を示す照射位置情報を取得する工程と、取得した前記照射位置情報に基づいて、レーザーの光路上に配置されたシャッターを開閉する工程と、を備えることが好ましい。
【００２４】
このような方法によれば、レーザーの照射位置を正確にコントロールし、レーザーエッチングしない領域を制御することができる。
【００２５】
また、透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）及び絶縁溝エッチング工程（Ｓ４０）の少なくとも一方において、レーザーを照射するにあたり、パルス発振により生成したレーザーを照射する場合に、透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）及び絶縁溝エッチング工程（Ｓ４０）の少なくとも一方は、基板上におけるレーザーの照射位置を示す照射位置情報を取得する工程と、取得した照射位置情報に基づいて、レーザーの発振周波数を制御する工程と、を備えることが好ましい。
【００２６】
このように、レーザーの発振周波数を制御することによっても、レーザーの照射位置を正確にコントロールし、レーザーエッチングしない領域、もしくはほとんどエッチングしない領域を制御することができる。
【００２７】
また、透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）及び絶縁溝エッチング工程（Ｓ４０）の少なくとも一方は、エッチング予定のラインの延長線上でエッチングしない領域が被覆されるように、レーザー光を遮るマスク（１５）を配置するマスク配置工程と、そのマスク配置工程の後に、マスク（１５）の配置された基板上の前記透明電極層エッチングを実施する層、及び前記絶縁溝エッチングを実施する層の少なくとも一方にレーザーを照射する工程と、を備えることが好ましい。
【００２８】
このように、エッチングしない領域にマスクを配置した後にレーザーエッチングを行えば、簡易に、レーザーの照射される位置とレーザーエッチングしない領域をコントロールすることができる。
【００２９】
また、透明電極層エッチング工程（Ｓ１２）及び絶縁溝エッチング工程（Ｓ４０）の少なくとも一方は、基板に気体を噴き付けて基板温度を制御する工程、を備えることが好ましい。
【００３０】
レーザーが照射された部分では、エッチング対象とする層にレーザーエネルギーが吸収されて熱が発生する。発生した熱により、周囲領域（３）の基板上にレーザー痕が発生することが考えられる。上述のように、気体を噴き付けて基板温度を制御することで、レーザー照射による熱によって、周囲領域（３）の基板上にレーザー痕が発生することを防止できる。
【００３１】
また、周囲領域形成工程（Ｓ５０）が、周囲領域（３）の形成予定の領域は少なくとも２回以上の複数回の研磨工程により実施され、形成予定の領域の基板（１）端面付近のうちの一部を研磨する第１研磨工程と、その第１研磨工程の後に、第１研磨工程で研磨された領域の発電領域側である内側を研磨する第２研磨工程とを少なくとも備える場合がある。このとき、第２研磨工程における研磨量は、第１研磨工程における研磨量よりも少ないことが好ましい。
【００３２】
このように、第２研磨工程における研磨量を第１研磨工程よりも少なくすることで、周囲領域（３）の基板表面における微小クラックやカケの発生を防止することができる。
【００３３】
ここで、第１研磨工程及び前記第２研磨工程において、ブラスト研磨により研磨を行うことがある。このとき、第２研磨工程におけるブラスト照射位置の基板（１）に対する相対送り速度は、第１研磨工程におけるブラスト照射位置の相対送り速度よりも早いことが好ましい。
【００３４】
このように、第２研磨工程におけるブラスト照射位置の相対送り速度を、第１研磨工程よりも早くすることで、第２研磨工程における周囲領域（３）の研磨量を少なくすることができるので、周囲領域（３）の基板露出面における微小クラックやカケの発生を防止することができる。
【００３５】
また、第１研磨工程及び前記第２研磨工程において、ブラスト研磨により研磨を行う場合に、第２研磨工程における周囲領域（３）の基板（１）上におけるブラスト噴射圧力は、第１研磨工程における周囲領域（３）の基板（１）上におけるブラスト噴射圧力よりも低いことが好ましい。
【００３６】
このように、第２研磨工程における周囲領域（３）の基板（１）上におけるブラスト噴射圧力を、第１研磨工程よりも低くすることでも、第２研磨工程における研磨量を少なくすることができるので、周囲領域（３）の基板露出面における微小クラックやカケの発生を防止することができる。
【００３７】
本発明の参考例とされる光電変換装置は、基板（１）と、基板（１）の主面上におけるにおける光電変換ユニット領域に設けられた光電変換ユニット（２）と、光電変換ユニット領域を取囲む様に前記基板の周縁部に設けられ、基板が露出した領域である周囲領域（３）と、を具備する。光電変換ユニット（２）は、主面上に設けられた透明電極層（４）と、透明電極層（４）上に設けられた光電変換層（５）と、光電変換層（５）上に設けられた裏面電極層（６）とを備える。光電変換ユニット（２）は、光電変換ユニット領域のうちで発電時に電力の取り出される領域である発電領域において、短冊状の複数の光電変換セル（７）に分割されている。透明電極層（４）は、透明電極層分割溝（９）によって、複数の光電変換セル（７）の各々に対応するように、分割されている。透明電極層分割溝（７）の延長線上にあたる周囲領域（３）において、基板の表面に形成されたレーザー痕の長さは、発電時に電力の取り出される領域である前記発電領域の端部を越え、且つ、前記発電領域の端部から１０ｍｍ以下である。
【００３８】
また、この光電変換装置において、前記光電変換ユニット領域中には、光電変換ユニット（２）の除去された溝である絶縁溝（８）が設けられている。このとき、絶縁溝（８）の延長線上にあたる周囲領域（３）において、基板（１）の表面に形成されたレーザー痕の長さは、発電時に電力の取り出される領域である前記発電領域の端部を越え、且つ、１０ｍｍ以下である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、周囲領域における基板の表面状態を健全に保ち、基板端部から水分が毛細管現象で浸入してしまうことを防止できる技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
（第１の実施形態）
図面を参照して、本発明の第１の実施形態について説明する。本実施形態では、光電変換装置として、太陽電池を用いた場合について説明する。図４（ａ）は、本実施形態の太陽電池モジュールの構造を示す平面図である。
【００４１】
従来例（図１（ａ）〜（ｃ））と同様に、太陽電池モジュールは、基板１と、太陽電池膜２とを備えている。基板１はガラスなどの透光性基板であり、太陽電池膜２は、基板１の主面（光受光面の反対面）における、太陽電池膜残存領域に設けられている。主面の周縁部では、バックシートを接着するＥＶＡなどの接着シートなどとのシール・接着面を確保するために、太陽電池膜２が除去されており、周囲領域３となっている。
【００４２】
周囲領域３は、バックシートとの接着面を十分に確保するために、基板１の端部から５ｍｍ以上の領域に設けられていることが好ましい。また、発電領域の面積を十分に確保する観点からは、基板１の端部から２０ｍｍ以下の領域に設けられていることが好ましい。周囲領域３が基板１の基板端部から５ｍｍ以上の幅で形成されるので光電変換層と周囲設置フレーム材（アース）状態との絶縁距離を確保することが出来る。さらにバックシートが太陽電池膜残存領域より略５ｍｍ以上の十分に広い部分を覆うことが望ましく、このバックシートを接着するためのＥＶＡ材が溶融したものが基板端部よりはみ出さないことも考慮すると、１０〜１５ｍｍ以上のスペースが周囲領域３の更に追加して必要になる。一方、発電領域の面積を確保するために周囲領域３を少なくすることが望ましく、実質的に２０ｍｍの幅以下が好ましい。
【００４３】
太陽電池膜２は、複数の太陽電池セル７に分割されている。複数の太陽電池セル７の各々は、Ｙ方向を長手方向とした短冊状である。太陽電池膜２のＹ方向側両端部の近傍には、Ｘ方向に向かって延びる絶縁溝８が設けられている。
【００４４】
図４（ｂ）は、図４（ａ）のＸＸ断面を示す概略断面図である。この図に示されるように、太陽電池膜２は、透明電極層４、光電変換層５、及び裏面電極層６を備えている。透明電極層４は、基板１の主面上に形成されている。光電変換層５は、透明電極層４上に形成されている。裏面電極層６は、光電変換層５上に形成されている。従来例で説明したのと同様に、透明電極層４、光電変換層５、及び裏面電極層６は、それぞれ、透明電極層分割溝９、溝３０、及び溝３１によって、各太陽電池セル７に対応するように分割されている。また、透明電極層分割溝９には光電変換層５が埋めこまれ、溝３０には裏面電極層６が埋めこまれている。溝３０に埋められた裏面電極層６によって、複数の太陽電池セル７が、隣接するセル７と電気的に直列に接続されている。
【００４５】
また、図４（ｃ）に示されるように、絶縁溝８部分では、太陽電池膜２が除去された溝となっている。これにより、周囲領域３のシール・接着部分を経由して基板の端部から水分が徐々に浸入した場合があったとしても、絶縁溝８の内側の部分が外部と導通し絶縁不良となることは防止される。太陽電池膜残存領域のうち、実際に発電時に電力が取り出されるのは、絶縁溝８の内側である発電領域である。
【００４６】
上述のような構成を有する太陽電池モジュールは、概略以下のようにして製造される。図５は、太陽電池モジュールの製造方法の全体の流れを示すフローチャートである。太陽電池モジュールを製造するに際して、まず基板上に透明電極層４が製膜され、レーザーエッチングにより所定位置に分離溝がパターニングされる（ステップＳ１０）。続いて、光電変換層５が製膜され、パターニングされる（ステップＳ２０）。続いて、裏面電極層６が製膜され、パターニングされる（ステップＳ３０）。続いて、絶縁溝８が形成される（ステップＳ４０）。続いて、基板１の周縁部に製膜された太陽電池膜２が研磨により除去され、周囲領域３が形成される（ステップＳ５０）。これにより、太陽電池モジュールが製造される。製造された太陽電池モジュールには、後の工程にて、バックシートや端子箱、フレーム等が取りつけられ、パネル化される。
【００４７】
本実施形態においては、透明電極層４を形成する工程（Ｓ１０）、及び絶縁溝８を形成する工程（Ｓ４０）における動作が工夫されている。
【００４８】
透明電極層４を形成するステップ（Ｓ１０）では、まず、基板１の主面全体に透明電極層４が製膜される（ステップ１１）。次に、透明電極層４が各太陽電池セル７に対応して分割されるように、レーザーエッチングされて溝９が形成される（ステップＳ１２）。
【００４９】
図６は、透明電極層４のレーザーエッチング（ステップＳ１２）時の様子を示す説明図である。図中、符号９Ｌは、レーザーが照射されるライン（以下、レーザー照射ライン９Ｌ）を示している。尚、図６において周囲領域３が描かれているが、実際には、この段階（透明電極層４を分割する段階）で周囲領域３は設けられておらず、基板１の主面全体に透明電極層４が設けられている。従って、この図で描かれた周囲領域３は、周囲領域３が形成される予定の領域である。また、符号８Ｌは、絶縁溝８を形成する際にレーザーが照射される予定のライン（レーザー照射ライン８Ｌ）を示している。
【００５０】
図６に示されるように、レーザー照射ライン９Ｌは、発電領域となる領域中をＹ方向に延びている。ここで、太陽電池膜残存領域の端部からレーザー照射ライン９Ｌがはみ出した部分の長さＬ１は、１０ｍｍ以下となっている。長さＬ１は、好ましくは、７ｍｍ以下である。すなわち、レーザー照射ライン９Ｌがバックシートとの接着面となる領域（周囲領域）にはみ出す長さが、１０ｍｍ以下であり、好ましくは７ｍｍ以下である。
ここで、周囲領域３においてレーザーが照射されるラインの長さが、１０ｍｍを超えてしまうと、周囲領域３の全幅に対して、ここに生じるレーザー痕の領域が５０％以上と大きくなり、基板端に近づくために健全なシール・接着面が十分に確保しづらくなる。また、１０ｍｍを超えてしまうと、周囲研磨工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとしたスジや欠けが発生し、ここに新たに発生する毛細管現象による水分浸入が発生し易くなる。試験結果を観察すると、周囲研磨工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとしたスジや欠けが発生を確実に抑制するには７ｍｍ以下がより好ましい。
また図６には図示していないが、透明電極層４を分割するレーザー照射ライン９Ｌを形成の後に、絶縁溝予定のライン８Ｌ付近において、ライン９Ｌと直交し絶縁溝予定ライン８Ｌと平行したレーザーパターニングラインを設けて、パターニングされた短冊状の透明電極層４を基板端部にて電気的に分離しても良い。この場合はパターニングされた透明電極層４の段間抵抗を計測することで、レーザー照射ライン９Ｌによるパターニングが正常に行われて電気的に分断されている状況を確認する工程監視を行うことが出来る。
【００５１】
尚、太陽電池膜残存領域中において、実際に電力が取り出されるのは、絶縁溝８の内側の発電領域である。透明電極層分割溝９によって、発電領域中のセルが区切られていればよい。従って、レーザー照射ライン９Ｌは、発電領域の端部を超えてさえいればよく、必ずしも太陽電池膜残存領域の端部まで延びている必要はない。ただし、実際には、基板１の温度変化や位置決め精度などにともなうレーザー照射位置の誤差を考慮して、発電領域中で透明電極層を確実に分割するため、太陽電池膜残存領域の端部までレーザー照射を行うようにして管理することが多い。
【００５２】
また、絶縁溝８を形成するステップ（Ｓ４０）では、図６のレーザー照射ライン８Ｌに沿ってレーザーが照射される。ここで、レーザー照射ライン９Ｌ同様、レーザー照射ライン８Ｌが太陽電池膜残存領域（予定）の端部からはみ出した部分の長さ（Ｌ２）は、０ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、好ましくは７ｍｍ以下である。すなわち、レーザー照射ライン８Ｌがバックシートを接合するＥＶＡなどとのシール・接着面となる領域にはみ出す長さが、０ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、好ましくは７ｍｍ以下である。
【００５３】
以上説明した様に、ステップＳ１１及びＳ４０において、それぞれ、レーザー照射ライン９Ｌ、８Ｌに沿ってレーザーを照射することで、周囲領域中で、図３で示したようなレーザー痕が発生する可能性のある箇所を十分に小さくすることができる。その結果、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部から毛細管現象などで水分が浸入する連続する微小隙間を作ることなく、周囲領域３とＥＶＡなど接着シートを健全に接着することができ、端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【００５４】
また、周囲領域３を形成するために太陽電池膜２を研磨するに際しては（Ｓ５０）、周囲領域３におけるレーザー痕の発生が抑えられているので、レーザー痕をきっかけとして、基板にカケや微小クラックが発生することがなく、更に外部との毛細管現象を発生させる微小隙間を増加しないので、端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
すなわち、周囲領域３においてレーザーが照射されるラインの長さが、１０ｍｍを超えてしまうと、周囲領域３の全幅に対して、ここに生じるレーザー痕の領域が５０％以上と大きくなり、基板端に近づくために健全なシール・接着面が十分に確保しづらくなる。また、１０ｍｍを超えてしまうと、周囲研磨工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとしたスジや欠けが発生し、ここに新たに発生する毛細管現象による水分浸入が発生し易くなる。試験結果を観察すると、周囲研磨工程（Ｓ５０）において、レーザー痕をきっかけとしたスジや欠けが発生を確実に抑制するには７ｍｍ以下がより好ましい。周囲領域３においてレーザーが照射されるラインの長さが０ｍｍ以上必要なことは、発電領域の構成から言うまでもない。
【００５５】
上述のようにして製造された太陽電池モジュールに対して、実際に、周囲領域形成（Ｓ５０）の後における周囲領域３の基板端付近を顕微鏡により観察したところ、レーザー痕は見当たらなかった。また、基板カケや微小クラックなどの不良研磨面部分も確認できず、健全な表面状態が得られている事が確認された。
【００５６】
（実施例）
続いて、実施例を挙げて、より具体的に本実施形態について説明する。
【００５７】
まず、本実施例により製造される太陽電池パネルの構成について説明する。図７は、本実施例により製造される太陽電池モジュールの構成を示す概略図である。太陽電池モジュールは、シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層４、太陽電池光電変換層５、及び裏面電極層６を具備する。光電変換層５は、アモルファスシリコン太陽電池などシリコン系薄膜太陽電池である。第１セル層５１として、第２セル層５２とを備えたタンデム型太陽電池でも良い。なお、ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。
【００５８】
次に、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態について説明する。ここでは、基板１としてのガラス基板上に、太陽電池光電変換層５として、アモルファスシリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池とが積層した層を用いた、多接合型（タンデム型）太陽電池を例として説明する。図８Ａ〜Ｄは、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【００５９】
（１）図８Ａ（ａ）：
基板１としてソーダフロートガラス基板（１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：４ｍｍ）を使用する。基板端面は破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
（２）図８Ａ（ｂ）：
透明電極層４として酸化錫膜（ＳｎＯ２）を主成分とする透明電極膜を約５００ｎｍ〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層４として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。
（３）図８Ａ（ｃ）：
その後、基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を太陽電池セル７の直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板１とレーザー光を相対移動して、透明電極層分割溝９を形成するように幅約６ｍｍ〜１５ｍｍの短冊状にレーザーエッチングする。この際、図６にて既述したように、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるように、レーザーエッチングする。
（４）図８Ａ（ｄ）：
プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０〜１０００Ｐａ、基板温度：約２００℃にて光電変換層５としてのアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜（第１セル層５１）を順次製膜する。光電変換層５は、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとを主原料に、透明電極層４の上に製膜される。太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。光電変換層５は本実施形態では、ｐ層：ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主とし膜厚２００ｎｍ〜３５０ｎｍ、ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚３０ｎｍ〜５０ｎｍである。またｐ層膜とｉ層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【００６０】
次に、第１セル層５１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚにて、第２セル５２としての微結晶シリコン薄膜からなる微結晶ｐ層膜／微結晶ｉ層膜／微結晶ｎ層膜を順次製膜する。
第２セル５２は本実施形態では、微結晶ｐ層：Ｂドープした微結晶ＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍ、微結晶ｉ層：微結晶Ｓｉを主とし膜厚１．２μｍ〜３．０μｍ、微結晶ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００６１】
微結晶シリコン薄膜、特に微結晶ｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、プラズマ放電電極と基板１の表面との距離ｄは、３ｍｍ〜１０ｍｍにすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００６２】
第１セル層５１と第２セル層５２の間に接触性を改善するとともに電流整合性を取るために半反射膜となる、中間コンタクト層５３としてＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：２０ｎｍ〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。また、中間コンタクト層５３を設けない場合もある。
【００６３】
（５）図８Ａ（ｅ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層５の膜面側から入射する。パルス発振：１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層４のレーザーエッチングライン（透明電極層分割溝９）の約１００〜１５０μｍの横側を、溝３０を形成するようにレーザーエッチングする。基板１側から入射しても良く、この場合は、第１セル層５１のアモルファスシリコン薄膜に吸収されたエネルギーがで発生する高いガス蒸気圧を利用して第２セル層５２をエッチングできるので、更に安定してレーザーエッチング加工を行うことが出来る。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
【００６４】
（６）図８Ｂ（ａ）
裏面電極層６としてＡｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約１５０℃にて順次製膜する。裏面電極層６は本実施形態では、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。ｎ層と裏面電極層６との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層５と裏面電極層６との間にＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
（７）図８Ｂ（ｂ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板１側から入射する。レーザー光が光電変換層５で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層６が爆裂して除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層４のレーザーエッチングライン（透明電極層分割溝９）の約２５０〜４００μｍの横側を、溝３１を形成するようにレーザーエッチングする。
（８）図８Ｂ（ｃ）と図８Ｃ（ａ）
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板１側から入射する。レーザー光が透明電極層４と光電変換層５で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層６が爆裂して、裏面電極層６／光電変換層５／透明電極層４が除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５〜２０ｍｍの位置を、図８Ｃ（ａ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝８を形成するようにレーザーエッチングする。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。図８Ｂ（Ｃ）は、レーザー照射位置を示すために便宜上、Ｘ方向断面とＹ方向断面を混在して記載している。
この際、図６にて既述したように、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるように、レーザーエッチングする。
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【００６５】
（９）図８Ｃ（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート３３との健在な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲領域３）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図８Ｂ（ｃ）工程で設けた絶縁溝８よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝９よりも基板端側において、裏面電極層６／光電変換層５／透明電極層４を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。この時、残膜のないように研磨を行うために、基板１の露出面も若干量研磨される。研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去した。
（１０）図８Ｄ（ａ）
端子箱取付け部分はバックシート３３に開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層を設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池セル７と、他方端部の太陽電池セル７とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュールの全体を覆い、基板１からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、防水効果の高いバックシート３３を設置する。バックシート３３は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／ＡＬ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート３３までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させて密着させる。
【００６６】
（１１）図８Ｄ（ｂ）
太陽電池モジュールの裏側に端子箱３２を接着剤で取付ける。銅箔と端子箱３２の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネルが完成する。
【００６７】
（１２）図８Ｄ（ｃ）
図８（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネルについて発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１３）図８Ｄ（ｄ）
発電検査（図８Ｄ（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
【００６８】
（ｉ）絶縁検査：
ラミネートされた太陽電池パネルの出力端子と基板端面やバックシートなど導電部分との間にＤＣ：１０００Ｖ負荷を印加して抵抗値≧１００ＭΩとなることを確認する。
（ｉｉ）耐電圧検査
ラミネートされた太陽電池パネルの出力端子と基板端面やバックシートなど導電部分との間にＤＣ：３８００Ｖ（または２２００Ｖ）を１分間負荷をかけて、絶縁破壊がないことを確認する。
【００６９】
上記製造方法により、本発明を用いた製品となる太陽電池パネルが製造され、その特性が従来の工程によるものと変わりないことを確認した。
【００７０】
また、本実施例で製造された太陽電池パネルに対して、高温高湿試験（ＪＩＳＣ８９３８）を行った。すなわち、２０時間の光暴露を行い、予め性能を安定させた後に、温度：８５℃、湿度：８５％として、１０００時間後において性能（開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、及び最大出力Ｐｍａｘ）ならびに外観に変化がないことを確認した。さらにＪＩＳＣ８９３８の評価時間を越えて延長させて、独自の長期耐久性の評価時間として、１５００時間後の性能（開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、最大出力Ｐｍａｘ、及び外観観察）も測定した。
【００７１】
また、比較例として、透明電極層のレーザーエッチング時、及び絶縁溝のレーザーエッチング時に、基板の端部までレーザーエッチングを行った太陽電池パネルを用意した。そして、本実施例で製造された太陽電池パネルと同様に、高温高湿試験を行った。
【００７２】
高温高湿試験の結果が、図９に示される。尚、実施例及び比較例のそれぞれについて、３パネル分の測定を行った。Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、Ｐｍａｘについては、比較例の１０００時間経過後の値の平均値を１００％として示してある。
【００７３】
その結果、比較例においては、１５００時間経過後に、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、Ｐｍａｘの全てが、１００％よりも低い値となった。また、１５００時間経過後には、３パネル中の１パネルにおいて、微小ではあるが、基板端部からの浸水路らしき形跡が観察された。
【００７４】
一方、実施例においては、１０００時間、１５００時間経過後の何れにおいても、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、Ｐｍａｘの値は、ほぼ１００％であり、性能の経時変化が殆どない事が確認された。また、外観上も、変化は観察されなかった。このことから、実施例の太陽電池パネルは、比較例と比較して、性能変化が少なく信頼性が更に向上したことが確認された。
【００７５】
上記の実施例では、太陽電池として、トップセルとしてアモルファスシリコン系光電変換層を有し、ボトムセルとして結晶質（微結晶）シリコン系光電変換層を有するタンデム型太陽電池を用いた場合について説明したが、この例に限定されるものではない。
例えば、光電変換層としてアモルファスシリコン系光電変換層のみを有する単層アモルファスシリコン系太陽電池や、トップセルとボトムセルに加えて更に１層以上の別の光電変換層を設けた、多接合型太陽電池のような他の種類の薄膜系太陽電池にも同様に適用可能である。
【００７６】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に対して、透明電極層をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）、及び絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）が更に工夫されている。その他の点については、第１の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００７７】
図１０は、透明電極層４をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）の様子を説明するための説明図である。透明電極層４が主面全体に製膜された基板１が、Ｘ−Ｙテーブル１４上に配置される。基板１上には、発振器１０によって生成されたレーザービーム１２が照射される。レーザービーム１２の照射された部分では、透明電極層４がエッチングされる。Ｘ−Ｙテーブル１４は、駆動装置１３によって、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。レーザーの照射時には、駆動装置１３がＸ−Ｙテーブル１４をＹ方向に移動させ、レーザービーム１２の照射位置が基板１を通過した時点でＸ方向へ所定のピッチ分を移動させることで、基板１とレーザービーム１２の照射位置との相対移動が行われる。これにより、基板１上におけるレーザーの照射位置が変化し、Ｙ方向に沿って透明電極層分割溝９が形成される。
【００７８】
レーザービーム１２の光路上には、シャッター１１が設けられている。シャッター１１の開閉は、シャッター制御装置１７によって制御される。シャッター制御装置１７は、コンピュータに例示される。シャッター制御装置１７は、駆動装置１３より、Ｘ−Ｙテーブル１４の駆動量を駆動軸に取り付けたエンコーダなどにより基板位置に関する情報（照射位置情報）を取得し、取得した情報に基いてシャッター１１を開閉する。その際、シャッター制御装置１７は、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるように、シャッターを開閉する。なお、より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さが、７ｍｍ以下となる様に、シャッター１１を開閉する。
ここで、シャッターの開閉は光路上のレーザービーム１２のＯＮ／ＯＦＦを例に記載したが、光路上のレーザービーム１２を遮蔽物でＯＦＦとしなくても、光学ミラーの角度を変化させたり、集光レンズの位置を変化させてレーザービーム１２の焦点位置を変えるなど、実質的に被加工膜がエッチングされないよう行うレーザービーム１２の条件変化を総称したものである。
【００７９】
絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）においても、Ｓ１２と同様に、シャッタ制御装置１７がシャッタ１１の開閉を制御することで、レーザーの照射位置が制御される。尚、レーザーの照射時には、駆動装置１３がＸ方向にＸ−Ｙテーブル１４を移動させる。シャッタ制御装置１７は、Ｓ１２と同様に、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるように、シャッターを開閉する。なお、より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さが、７ｍｍ以下となる様に、シャッター１１を開閉する。
【００８０】
本実施形態のように、Ｘ−Ｙテーブルの駆動量に基づいてシャッタ１１の開閉を制御することで、レーザーの照射位置を正確に制御することが可能となる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部からの毛細管現象などとなる連続した微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【００８１】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、既述の実施形態に対して、透明電極層をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）、及び絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）が更に工夫されている。その他の点については、既述の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００８２】
図１１は、透明電極層４をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）の様子を説明するための説明図である。透明電極層４が主面全体に製膜された基板１が、Ｘ−Ｙテーブル１４上に配置される。基板１上には、発振器１０によって生成されたレーザービーム１２がパルス状に照射される。レーザービーム１２の照射された部分では、透明電極層４がエッチングされる。Ｘ−Ｙテーブル１４は、駆動装置１３によって、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。レーザーの照射時には、駆動装置１３がＸ−Ｙテーブル１４をＹ方向に移動させる。基板１の移動速度とレーザービーム１２のパルス発生周波数を適切に選択することで、パルス状の照射により透明電極層４がドット状に加工され、このドットの一部が重なってゆくことになる。これにより、基板１上におけるレーザーの照射位置が変化し、Ｙ方向に沿って透明電極層分割溝９が形成される。
【００８３】
発振器１０は、レーザービームをパルス発振により生成する。発振器１０には、発振制御装置１８が接続されている。発振制御装置１８は、コンピュータに例示される。発振制御装置１８は、駆動装置１３よりＸ−Ｙテーブル１４の移動量を示す情報を取得し、発振器１０のレーザー発振周波数を制御する。その際、レーザーを照射する予定の位置（第１の実施形態におけるレーザー照射ライン９Ｌ）に対しては、透明電極層４が連続的に除去されるように、比較的高い周波数（数ｋＨｚ〜数１０ｋＨｚ）でレーザーを発振させる。一方、レーザー照射ライン９Ｌの延長線上に対しては、透明電極層４が連続的に除去されない様に、レーザー発振の周波数を十分に低い周波数に変更する。レーザーの発振周波数を十分に低い周波数に変更することで、連続的なレーザー照射が行われず、非エッチング予定の領域は実質的にレーザーが照射されない状態、もしくは照射されてもドット間が広く連続した分離溝とならず、基板１への熱影響も少ない状態とすることができる。
【００８４】
このように、発振制御装置１８は、レーザーの発振周波数を制御することにより、レーザーの照射されるラインが、実質的に、発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるようにする。より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さを、７ｍｍ以下とする。
【００８５】
絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）においても、Ｓ１２と同様に、発振制御装置１８が発振器１０のレーザー発振条件を制御することで、実質的なレーザーの照射位置が制御される。発振制御装置１８は、Ｓ１２と同様に、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるように、発振条件を制御する。なお、より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さが、７ｍｍ以下となる様に、発振条件を制御する。
【００８６】
本実施形態のように、Ｘ−Ｙテーブルの駆動量に基づいてレーザーの発振周波数を制御することによっても、レーザーの照射位置を正確に制御して非エッチング予定の領域を確保することが可能となる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部との毛細管現象などとなる連続した微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【００８７】
（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、既述の実施形態に対して、透明電極層をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）、及び絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）が更に工夫されている。その他の点については、既述の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００８８】
図１２は、透明電極層４をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）の様子を説明するための説明図である。透明電極層４が主面全体に製膜された基板１が、Ｘ−Ｙテーブル１４上に配置される。
【００８９】
本実施形態では、更に、基板１上に、マスク１５が配置される。マスク１５としては、レーザー光が照射されても吸収が少なく、変形が少ないものが好ましく、レーザー光が基板１の被エッチング対象膜に到達することを遮るものである。このようなマスクとして、金属製のものが挙げられる。例えば１〜３ｍｍ厚のＡｌ系板や、表面研磨で反射率を高めたＳＵＳ板などが好適に使用できる。Ｘ−Ｙテーブル１４に、基板１をＸ−Ｙテーブル１４上に配置したときにマスク１５が自動的に基板表面付近に位置するような機構が設けられているとよい。
【００９０】
マスク１５は、非エッチング予定（レーザー照射ライン９Ｌの延長線上）の領域をカバーするように、配置される。マスク１５の配置された基板１に対して、レーザービーム１２が照射される。発電領域（予定）では、レーザーの照射により、透明電極層４がエッチングされ、透明電極層分割溝９が形成される。一方、非エッチング予定の領域では、マスク１５によって基板１が保護され、エッチングは行われない。このように、マスク１５を配置することによって、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるようにする。より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さを、７ｍｍ以下とする。
【００９１】
絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）においても、Ｓ１２と同様に、マスク１５によって、非エッチング予定の領域が保護される。そして、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下となるようにする。より好ましくは、周囲領域３となる予定の領域中でレーザーが照射されるラインの長さを、７ｍｍ以下とする。
【００９２】
本実施形態のように、マスク１５を配置することによっても、レーザーの照射されるラインが発電領域を超え、且つ、周囲領域中において１０ｍｍ以下（より好ましくは７ｍｍ以下）とすることができる。この際、基板上においてレーザーの照射される位置をモニターして、レーザー照射を制御する装置が必要ない。マスク１５を配置するという簡易的な作業によって、レーザーエッチングされる位置を確実に安価に制御することができる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部との毛細管現象などとなる連続した微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【００９３】
（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態について説明する。本実施形態は、既述の実施形態に対して、透明電極層をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）、及び絶縁溝を形成する工程（Ｓ４０）が更に工夫されている。その他の点については、既述の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００９４】
図１３は、透明電極層４をレーザーエッチングする工程（Ｓ１２）の様子を説明するための説明図である。透明電極層４が主面全体に製膜された基板１が、Ｘ−Ｙテーブル１４上に配置される。第４の実施形態と同様に、非エッチング予定の領域を保護するように、マスク１５が配置される。発振器（図１２における図示は省略されている）によって生成されたレーザービーム１２が、透明電極層４に照射される。
【００９５】
本実施形態では、レーザー照射時に、冷却用ノズル１６によって冷却用の空気を基板１上に吹き付ける。このように、空気を基板１に吹き付けることで、基板１が冷却され、レーザー照射時に発生した熱によって基板１の表面が変形してしまうことや、基板表面にある微小な溝を基点にした欠けスジの発生を防止できる。また、基板１の熱膨張も防止でき、精度よくレーザーエッチングを行う事ができる。
【００９６】
冷却用の空気は、基板１のレーザー照射面側に吹きつけることが好ましい。また、吹きつけられる空気の温度は、基板温度に近いことが微細加工の精度確保の点で好ましく、製膜処理工程や洗浄処理工程後の基板を対処にするために、約３０℃〜３５℃の予熱空気が好適である。また、冷却用の空気を吹き付けることによって、蒸発した透明電極層（ＳｎＯ２など）が残渣として再付着して、パターニングされた透明電極層４の隣接したものどうしの短絡を抑制することもできる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部との毛細管現象などとなる連続した微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【００９７】
（第６の実施形態）
続いて、第６の実施形態について説明する。本実施形態は、既述の実施形態に対して、周囲領域を研磨する工程（Ｓ５０）が更に工夫されている。その他の点については、既述の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００９８】
図１４は、周囲領域３を研磨する際に用いられるブラスト研磨装置の構成を概略的に示すブロック図である。ブラスト研磨装置２０は、コンプレッサ２１、噴射圧調整弁２２、フィーダー２３、圧力タンク２４、サイクロン２５、集塵機２６、ノズル２７、ブラストノズル駆動装置２８、及び回収ホッパ２９を備えている。研磨時には、フィーダー２３からノズル２７を介して研磨材が基板１に噴射され、基板１は除去不要部分(太陽電池膜残存領域)をマスキングを施してあるので、周囲領域３にある太陽電池膜２が除去される。このとき太陽電池膜２を残さずに除去するまで研磨を行うので、基板１の露出面までが若干研磨材で削られる。ノズル２７の位置は、ブラストノズル駆動装置２８によって移動可能となっている。これにより、基板１上の所望の位置に、研磨剤が噴射できる様になっている。噴射された研磨材は、回収ホッパー２９で回収されて、サイクロン２５に送られる。サイクロン２５では、研磨剤が塵や細かくなり再使用できない不良研磨剤と分別される。塵や不良研磨剤は集塵機に送られ、研磨剤は圧力タンク２４に送られる。圧力タンクに送られた研磨剤は、再びフィーダー２３に送られ、ノズル２７を介して基板１に噴射される。圧力タンク２４及びフィーダー２３には、噴射圧調整弁２２を介してコンプレッサ２１が接続されている。噴射圧調整弁２２を調整することによって、研磨剤の噴射圧が調整される。
【００９９】
図１５Ａは、基板１上における研磨剤の噴射位置を説明するための説明図である。本実施形態では、まず、周囲領域３を少なくとも２回以上の複数回の研磨工程により形成する。まず、周囲領域３（予定）のうち、基板端側である外側が研磨される（第１研磨工程）。次に、第１研磨工程で研磨された領域の発電領域側である内側が研磨される（第２研磨工程）。第２研磨工程では、第１研磨工程での研磨領域と部分的にラップ（例：５ｍｍ）した領域が研磨される。第２研磨工程の後に、周囲領域３の中で未研磨の領域が存在する場合には、更に、周囲領域３（予定）における第２研磨工程の主たる研磨領域の発電領域側である内側を第３研磨工程として研磨していく。更に、周囲領域３の中で未研磨の領域が存在する場合には、同様に第３、第４の研磨工程へと研磨回数を続けても良い。これにより、周囲領域３の全域を研磨する。図１５ＡではＹ方向の第１、第２研磨工程が終了してから、Ｘ方向の第１、第２研磨工程を実施するような図になっているが、Ｙ方向からＸ方向へ連続研磨するように実施しても良い。
【０１００】
ここで、第１研磨工程における基板１に対するブラストノズル２７の相対送り速度（ブラスト噴射位置の相対送り速度、例：２０ｍ／ｍｉｎ）に対して、第２研磨工程における相対送り速度を速くする（例：３０ｍ／ｍｉｎ）。図１６Ａは、単位時間あたりの研磨材の噴射量、基板１の研削深さ、及びブラストノズルの相対送り速度との関係を示したグラフである。尚、図中、ノズル送り速度は、相対値である。すなわち、ノズル相対送り速度＝１８と、ノズル相対送り速度＝３０とでは、ノズル相対送り速度＝３０の方が速いことを示している。図１６Ａに示されるように、ノズルの相対送り速度が速い場合（ノズル送り速度＝３０）、基板１表面での研削深さが小さくなる。また、単位時間あたりの研磨材噴射量を少なくすると、研削深さが小さくなる。
【０１０１】
周囲領域３を研磨する際には、完全に太陽電池膜２が除去されるように研磨が行われる。この際、太陽電池膜２のみならず、下地の基板１露出面までもが研磨される。基板１露出面の研磨量が多くなると、基板１の周囲領域３に露出した基板１露出面には、微小クラックやカケが発生し易くなる。特に周囲領域３に露出した基板１表面に残留している微小なレーザー加工による溝を基点にした欠けスジの発生になり易い。本実施形態のように、第２研磨工程における相対送り速度を速めることで、下地である基板１露出面の研磨量を減らす事ができ、基板露出面における欠けスジや微小クラックやカケの発生を防止できる。図１５Ｂに示されるように、また第１研磨工程終了時点では、第２研磨工程を実施予定領域も若干量の研磨が行われるので、第２研磨工程の研磨量を少なくすることで、第１研磨と第２研磨で実施した研磨領域が全体にわたり略均一な研磨量とすることが可能となる。
【０１０２】
また、研磨量が少なくなる事で、研磨量のばらつきも低減し、品質の監視が容易になる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部との毛細管現象などとなる連続的な微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【０１０３】
（第７の実施形態）
続いて、第７の実施形態について説明する。第６の実施形態においては、第２研磨工程においてノズル２７の相対送り速度を速めるのに対して、本実施形態では、第２研磨工程において基板１表面における研磨材の噴射圧力を低下させる。その他の点については、第６の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
図１６Ｂは、基板１表面における研磨材の噴射圧（ブラスト噴射圧力）、研磨材の噴射量、及び基板１の研削深さの関係を示したグラフである。図中、噴射量は、相対値で示してある。すなわち、噴射量＝４．２は、噴射量＝３．１よりも、単位時間あたりの研磨剤噴射量の多い条件である事を示している。図１６Ｂに示されるように、基板１表面における研磨材の噴射圧が低くなると、研削深さが小さくなる。また、研磨材の噴射量が少なくなると、研削深さが小さくなる。従って、図１５Ｂのように、第２研磨工程における基板１表面における研磨材の噴射圧力を、第１研磨工程のそれよりも少ない研磨材の噴射圧力の領域で研磨加工することで、第２研磨工程での基板１の研磨量が低減する。これにより、第６の実施形態と同様に、基板露出面での微小クラックやカケ発生を防止するとともに基板１の研磨量を最小限にする事ができる。通常、基板１表面における研磨材の噴射圧力は、ノズル２７中心付近から周囲に向けて減少する傾向があるので、第１研磨工程と第２研磨工程で重複する研磨領域を適切に選定することで、第２研磨工程は第１研磨工程と重複して研磨される領域が存在することになる。このため、基板１表面の第1研磨工程を施したノズル２７中心付近から周囲に向けた箇所において、この５０％以上の領域における第２研磨工程の基板１表面における研磨材の噴射圧力が、実質的に第１研磨工程における基板１表面における研磨材の噴射圧力よりも小さくすることができる。すなわち、図１５Ｃに示されるように、第１研磨工程終了時点では、第２研磨工程を実施予定領域も若干量の研磨が行われるので、第２研磨工程ノズル２７の位置を適切に選定して、第２研磨工程による研磨量を少なくすることで、第１研磨と第２研磨で実施した研磨領域が全体にわたり略均一な研磨量とすることが可能となる。また、研磨量が少なくなる事で、研磨量のばらつきも低減し、品質の監視が容易になる。したがって、周囲領域３とバックシートを接合するＥＶＡなど接着シートとの間に外部との毛細管現象などとなる連続した微小隙間を作ることなく、健全に接着することができ、基板端部から水分が発電領域へと浸入することを防止できる。
【０１０５】
なお、研磨材噴射圧は、噴射圧調整弁２２（図１３参照）により調整することができる。噴射圧調整弁２２は、配管途中にバンパーなどを設けることで構成でき、簡易に調整することができる。
【０１０６】
また、図１６Ａ、Ｂで示したように、単位時間あたりの研磨剤噴射量を少なくすると、研削深さが少なくなる。従って、研磨材噴射のバイパス通路を設けるなどで、第２研磨工程における研磨材噴射量を、第１研磨工程における研磨材噴射量よりも少なくすることで、基板１の研磨量を低減させることができる。この場合でも基板表面での微小クラックやカケ発生を防止する事ができる。また、研磨量が少なくなる事で、研磨量のばらつきも低減し、品質の監視が容易になる。
【０１０７】
以上、第１〜７の実施形態について説明した。尚、これらの実施形態は、それぞれ独立するものではなく、矛盾の無い範囲無いで工夫を組み合わせて用いる事もできる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】太陽電池モジュールの構成を示す図である。
【図２】周囲領域の表面粗さを示すグラフである。
【図３】周囲領域のレーザー痕を説明するための説明図である。
【図４】第１の実施形態の太陽電池モジュールの構成を示す図である。
【図５】第１の実施形態の太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図４の一部を拡大して示す拡大図である。
【図７】太陽電池パネルの構成を示す断面図である。
【図８Ａ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｂ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｃ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｄ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図９】高温高湿試験の結果を示す図である。
【図１０】第２の実施形態における透明電極層レーザーエッチング工程の様子を示す説明図である。
【図１１】第３の実施形態における透明電極層レーザーエッチング工程の様子を示す説明図である。
【図１２】第４の実施形態における透明電極層レーザーエッチング工程の様子を示す説明図である。
【図１３】第５の実施形態における透明電極層レーザーエッチング工程の様子を示す説明図である。
【図１４】ブラスト研磨装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図１５Ａ】周囲領域を研磨する工程の様子を示す説明図である。
【図１５Ｂ】周囲領域を研磨する研磨量の様子を示す説明図である。
【図１５Ｃ】周囲領域を研磨する研磨量の様子を示す説明図である。
【図１６Ａ】研磨材噴射量と研削深さとの関係を示したグラフである。
【図１６Ｂ】研磨材噴射圧力、研磨材噴射量、研削深さの関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【０１０９】
１    基板
２    太陽電池膜
３    周囲領域
４    透明電極層
５    光電変換層
６    裏面電極層
７    光電変換セル
８    絶縁溝（Ｘ方向）
９    透明電極層分割溝
１０  発振器
１１  シャッター
１２  レーザービーム
１３  駆動装置
１４  Ｘ−Ｙテーブル
１５  マスク
１６  冷却用ノズル
１７  シャッター制御装置
１８  発振制御装置
２０  ブラスト研磨装置
２１  コンプレッサ
２２  噴射圧調整弁
２３  フィーダー
２４  圧力タンク
２５  サイクロン
２６  集塵機
２７  ノズル
２８  ブラストノズル駆動装置
２９  回収ホッパ
３０  溝
３１  溝
３２  端子箱
３３  バックシート
５０  太陽電池パネル
５１  第１セル層
５２  第２セル層
５３  中間コンタクト層
１０１  基板
１０２  太陽電池膜
１０３  周囲領域
１０４  透明電極層
１０５  光電変換層
１０６  裏面電極層
１０７  太陽電池セル
１０８  絶縁溝
１０９  透明電極層分割溝
１１０  微小クラック部（レーザー痕）
【図１】
0005230153.tif 000002
【図２】
0005230153.tif 000003
【図３】
0005230153.tif 000004
【図４】
0005230153.tif 000005
【図５】
0005230153.tif 000006
【図６】
0005230153.tif 000007
【図７】
0005230153.tif 000008
【図８Ａ】
0005230153.tif 000009
【図８Ｂ】
0005230153.tif 000010
【図８Ｃ】
0005230153.tif 000011
【図８Ｄ】
0005230153.tif 000012
【図９】
0005230153.tif 000013
【図１０】
0005230153.tif 000014
【図１１】
0005230153.tif 000015
【図１２】
0005230153.tif 000016
【図１３】
0005230153.tif 000017
【図１４】
0005230153.tif 000018
【図１５Ａ】
0005230153.tif 000019
【図１５Ｂ】
0005230153.tif 000020
【図１５Ｃ】
0005230153.tif 000021
【図１６Ａ】
0005230153.tif 000022
【図１６Ｂ】
0005230153.tif 000023