(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光管内に管軸に沿って伸びるコイル状のフィラメントが配設されてなる複数のフィラメントランプが、面状光源を構成するよう配置されてなる光照射式加熱処理装置であって、
前記フィラメントランプは、シリコンウエハの外周縁部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの単位長さ当たりの実効表面積が、シリコンウエハの中央部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの単位長さ当たりの実効表面積よりも大きく、前記シリコンウエハの外周縁部のゾーンに対応して配置されたフィラメントと前記シリコンウエハの中央部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの色温度を同一にしたことを特徴とする光照射式加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置に係わり、特に、半導体ウエハなどの被処理体を加熱するために用いられるフィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体製造工程においては、成膜、酸化、窒化、膜安定化、シリサイド化、結晶化、注入イオン活性化などの様々なプロセスにおいて、加熱処理が採用されている。半導体製造工程における歩留まりや品質の向上を図るためには、急速に半導体ウエハなどの被処理体の温度を上昇させたり下降させたりする急速熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａ１  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が望ましい。 ＲＴＰにおいては、白熱ランプなどの光源からの光照射を用いた光照射式加熱処理装置（以下、単に加熱処理装置ともいう）が広く用いられている。
【０００３】
ここで、被処理体が、例えば、半導体ウエハ（シリコンウエハ）であるとき、半導体ウエハを１０５０℃以上に加熱する際、半導体ウエハに温度分布の不均一が生じると、半導体ウエハにスリップと呼ばれる現象、即ち、結晶転移の欠陥が発生し不良品となるおそれがある。そのため、光照射式加熱処理装置を用いて半導体ウエハのＲＴＰを行う場合は、半導体ウエハ全面の温度分布が均一になるように、加熱、高温保持、冷却を行う必要がある。即ち、ＲＴＰにおいては、被処理体の高精度な温度均一性が求められる。
【０００４】
このような急速熱処理を行うために、発光管の内部に互いに全長の異なる複数のコイル状のフィラメントを配置した複数のフィラメントランプを、フィラメントが被処理体の形状に対応して面状光源を構成するよう配置して構成された光照射式加熱処理装置が使用されている。
【０００５】
図１３は従来技術に係る光照射式加熱処理装置に適用されるランプユニット２００の構成を示す図である。
同図に示すように、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一になるように被処理体Ｗを加熱するため、フィラメントランプ２１０に投入される電力は、被処理体Ｗの外周縁部から熱放射が生じることを考慮して、被処理体Ｗの中央部よりも外周縁部のゾーンＺ２に対応するフィラメントランプ２１０のフィラメントＦ２に投入される電力が大きくなるように調整されている。具体的には、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ２に対応して配置されたフィラメントランプ２１０のフィラメントＦ２における定格電力密度を、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ１に対応して配置されたフィラメントランプ２１０のフィラメントＦ１における定格電力密度よりも大きくしている。
【０００６】
同時に、各フィラメントランプ２１０は、被処理体Ｗの各ゾーンＺ１，Ｚ２毎に照射される光の強度が均一になるよう、各ゾーンＺ１，Ｚ２に対応して配置されているフィラメント２２０の定格電力密度が各ゾーンＺ１，Ｚ２において同一になるよう設計されている。一例を挙げると、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ２に対応して配置されたフィラメントＦ２は、その定格電力密度が１００Ｗ／ｃｍで同一であり、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ１に対応して配置されたフィラメントＦ１は、その定格電力密度が５０Ｗ／ｃｍで同一となるよう設計されている。
【特許文献１】特開２００６−２７９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の光照射式加熱処理装置を用いて被処理体の加熱処理を行うと、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板などの被処理体の表面温度が均一になるように加熱することができないことが判明した。即ち、独立給電される各フィラメントの単位長さ当たりのフィラメントの質量と表面積が同一のとき、被処理体を均一に加熱するために、被処理体の外周縁部のゾーンに対応するフィラメントの単位長さ当たりの電力密度を、被処理体の中央部のゾーンに対応するフィラメントの単位長さ当たりの電力密度よりも高くすると、被処理体の中央部のゾーンに対応するフィラメントよりも、外周縁部のゾーンに対応するフィラメントの方が放射される光のスペクトルが短波長側に寄り、全放射エネルギに占める短波長側のエネルギ比率が大きいことが判明した。
【０００８】
図１４は総放射エネルギを同一にした場合（電力密度を同一にすることと等価）の分光放射エネルギを比較した図であり、放射される総エネルギが同一であっても色温度（即ち、フィラメントの表面温度）が異なると波長毎で見た分光放射エネルギは異なることを示している。なお、色温度とは光の色を黒体の温度で表現するものである。フィラメントの材質が同じ（本例ではタングステン）場合、フィラメントの表面温度値とフィラメントからの光の色温度値は１：１に対応しており、表面温度とその表面から放射される光の色温度の関係が予め求められるので、光の色温度を計測してそれをフィラメントの表面温度と置き換えて扱っても差し支えない。即ち、単位長さ当たりのフィラメントの質量と表面積が同一のとき、フィラメントの単位長さ当たりに給電される電力密度が高いとフィラメントの温度が上昇し、給電される電力密度が低いとフィラメントの温度が低下する。温度の上昇・低下に伴い、例えば、電力密度を高くするとフィラメントの温度が上昇することによって、図１４に示すように、そのフィラメントから放射される光の波長が短波長側にシフトするという現象が生じる。
【０００９】
図１５はシリコン（Ｓｉ），ガリウム砒素（ＧａＡｓ），ゲルマニウム（Ｇｅ）の各波長における吸光度特性（光の波長に対する透過率）を示す図であり、縦軸は光の透過率（％）、横軸は光の波長（μｍ）である。
同図に示すように、被処理体がシリコン（Ｓｉ）のときは、１μｍから１．２μｍにかけて透過率が０％から１００％に急激に変化する吸光度特性を示すことが知られている。即ち、シリコン（Ｓｉ）は１．１μｍ以下の波長の光を強く吸収し、１．１μｍを超える波長の光を殆ど透過する。
【００１０】
従って、被処理体の中央部のゾーンに対応するフィラメントが、１．１μｍを超える波長の光の放射強度が強く、被処理体の外周縁部のゾーンに対応するフィラメントが、１．１μｍ以下の波長の放射強度が強いとき、被処理体の中央部のゾーンに対応するフィラメントの単位長さ当たり電力密度と被処理体の外周縁部のゾーンに対応するフィラメントの単位長さ当たりの電力密度との比に対して、被処理体の外周縁部のゾーンと被処理体の中央部のゾーンとの加熱量の比が比例関係にならない。即ち、放射される光の波長が異なるため、被処理体の中央部のゾーンは透過される光が多くて吸収が少ないため緩やかに加熱され、被処理体の外周縁部のゾーンは透過される光が少なく吸収が多いので急激に加熱される。このため、被処理体の中央部のゾーンと外周縁部のゾーンとの間で温度差が発生するので、被処理体の表面の温度分布が均一になるように被処理体を加熱することができなかったと考えられる。
【００１１】
本発明の目的は、上記の問題点に鑑みて、被処理体全体を均一に加熱することを可能にしたフィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
第１の手段は、発光管内に管軸に沿って伸びるコイル状のフィラメントが配設されてなる複数のフィラメントランプが、面状光源を構成するよう配置されてなる光照射式加熱処理装置であって、前記フィラメントランプは、シリコンウエハの外周縁部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの単位長さ当たりの実効表面積が、シリコンウエハの中央部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの単位長さ当たりの実効表面積よりも大きく、前記シリコンウエハの外周縁部のゾーンに対応して配置されたフィラメントと前記シリコンウエハの中央部のゾーンに対応して配置されたフィラメントの色温度を同一にしたことを特徴とする光照射式加熱処理装置。
【発明の効果】
【００１３】
本願発明によれば、フィラメントの単位長さ当たりの実効表面積の小さいフィラメントからの放射量に比してフィラメントの単位長さ当たりの実効表面積の大きいフィラメントからの放射量を大きくすることができると共に、前記両フィラメントからの放射スペクトルの形状を同一にすることができるので、被処理体の全表面の温度分布が均一になるように被処理体を加熱することが可能な光照射式加熱処理装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
はじめに、本発明の第１の実施形態を図１ないし図８を用いて説明する。
図１は、第１の実施形態に係る光照射式加熱処理装置の構成を示す正面断面図である。  同図に示すように、この光照射式加熱処理装置３０は、石英窓３２によりランプユニット収容空間Ｓ１と加熱処理空間Ｓ２とに分割されたチヤンバ３１を有する。チヤンバ３１は、ステンレスなどの金属材料により構成されている。ランプユニット収容空間Ｓ１に配置されたランプユニット４０から放出される光が、石英窓３２を介して加熱処理空間Ｓ２に設置された被処理体Ｗに照射されることにより加熱処理が行われる。
【００１５】
ランプユニット４０の上方には反射鏡４１が配置されている。反射鏡４１は、例えば、無酸素銅からなる母材に金をコートした構造であり、反射断面が、円の一部、楕円の一部、放物線の一部または平板状などの形状を有する。反射鏡４１は、ランプユニット４０から上方に向けて照射された光を被処理体Ｗ側へ反射する。即ち、同装置３０においては、ランプユニット４０から放出された光は、直接または反射鏡４１で反射されて、被処理体Ｗに照射される。
【００１６】
ランプユニット収容空間Ｓ１には、冷却風ユニット４５からの冷却風がチヤンバ３１に設けられた冷却風供給ノズル４６の吹出し口４６Ａから導入される。ランプユニット収容空間Ｓ１に導入された冷却風は、ランプユニット４０における各フィラメントランプ１０に吹き付けられ、各フィラメントランプ１０を構成する発光管を冷却する。ここで、各フィラメントランプ１０の封止部は他の箇所に比して耐熱性が低い。そのため、冷却風供給ノズル４６の吹出し口４６Ａは、各フィラメントランプ１０の封止部に対向して配置し、各フィラメントランプ１０の封止部を優先的に冷却するように構成することが望ましい。
【００１７】
各フィラメントランプ１０に吹付けられ、熱交換により高温になった冷却風は、チャンバ３１に設けられた冷却風排出口４７から排出される。なお、冷却風の流れは、熱交換されて高温になった冷却風が逆に各フィラメントランプを加熱しないように考慮される。また、冷却風は、反射鏡４１も同時に冷却するように風の流れが設定される。なお、反射鏡４１が図示を省略した水冷機構により水冷されているような場合は、必ずしも反射鏡４１も同時に冷却するように風の流れを設定しなくともよい。
【００１８】
ところで、加熱される被処理体Ｗからの輻射熱により石英窓３２での蓄熱が発生すると、蓄熱された石英窓３２から２次的に放射される熱線により、被処理体Ｗは不所望な加熱作用を受けることがある。この場合、被処理体Ｗの温度制御性の冗長化（例えば、設定温度より被処理体の温度が高温になるようなオーバーシュート）や、蓄熱される石英窓３２自体の温度ばらつきに起因する被処理体Ｗにおける温度均一性の低下などの不具合が発生する。また、被処理体Ｗの降温速度の向上が難しくなる。そのため、これらの不具合を抑制するために、図１に示すように、冷却風供給ノズル４６の吹出し口４６Ａを石英窓３２の近傍にも設け、冷却風ユニット４５からの冷却風により石英窓３２を冷却するようにすることが望ましい。
【００１９】
ランプユニット４０の各フィラメントランプ１０は、一対の固定台４２Ａ，４２Ｂにより支持される。固定台４２Ａ，４２Ｂは、それぞれ導電性部材で形成された導電台４３と、セラミックスなどの絶縁部材で形成された保持台４４とからなる。保持台４４は、チャンバ３１の内壁に設けられて導電台４３を保持している。
【００２０】
チャンバ３１には、電源部３５の給電装置からの給電線が接続される一対の電源供給ポート３６Ａ，３６Ｂが設けられる。なお、図１では１組の電源供給ポート３６Ａ，３６Ｂが示されているが、フィラメントランプの個数に応じて電源供給ポート３６の個数が決められる。各電源供給ポート３６Ａ，３６Ｂは、フィラメントランプ１０の外部リードと電気的に接続された各導電台４３に電気的に接続されている。このように構成することにより、ランプユニット４０における各フィラメントランプ１０に対して電源部３５における各給電装置により給電することが可能となる。
【００２１】
加熱処理空間Ｓ２には、被処理体Ｗが固定される処理台３３が設けられている。例えば、被処理体Ｗが半導体ウエハである場合、処理台３３は、モリブデンやタングステン、タンタルのような高融点金属材料やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）などのセラミック材料、または石英、シリコン（Ｓｉ）からなる薄板の環状体であり、その円形開口部の内周部に半導体ウエハを支持する段差部が形成されているガードリング構造であることが好ましい。被処理体Ｗである半導体ウエハは、この円環状のガードリングの円形開口部に半導体ウエハを嵌め込むように配置され、上記段差部で支持される。処理台３３は、自らも光照射によって高温となり対面する半導体ウエハの外周縁部を補助的に放射加熱し、半導体ウエハの外周縁部からの熱放射を補償する。これにより、半導体ウエハの外周縁部からの熱放射などに起因する半導体ウエハ周縁部の温度低下が抑制される。
【００２２】
処理台３３に設置される被処理体Ｗの光照射面の裏面側には、温度測定部５１が被処理体Ｗに当接または近接して設けられる。温度測定部５１は、被処理体Ｗの温度分布をモニタするためのものであり、被処理体Ｗの寸法に応じて個数、配置が決定される。温度測定部５１は、例えば、熱電対や放射温度計が使用される。温度測定部５１において所定のタイミング（例えば、１秒毎に１回など）でモニタリングされた温度情報が温度計５０に送信される。温度計５０は、各温度測定部５１から送信された温度情報に基づき、各温度測定部５１の測定地点における温度を算出するとともに、算出された温度情報を温度制御部５２を介して主制御部５５に送信する。
【００２３】
主制御部５５は、温度計５０により得られた被処理体Ｗ上の各測定地点における温度情報に基づき、被処理体Ｗ上の温度が所定の温度で均一となるように指令を温度制御部５２に送信する。また、温度制御部５２は、主制御部５５の指令に基づいて、被処理体Ｗの後述する２つに分割された各ゾーンＺ１，Ｚ２の温度が均一になるようにするため、フィラメントランプ１０に供給する電力量を調整する。
【００２４】
図２は、図１に示したランプユニット４０の構成を上から見た図、図３は、図２に示したフィラメントランプ１０の構成を示す斜視図、図４は、図３に示したコイル状に巻回されて形成されたフィラメント２０のフィラメント素線を管軸を通る面で切断して見た図である。
図３に示すように、フィラメントランプ１０は、両端部に封止部２１Ａ、２１Ｂが形成された、例えば、ガラス材料よりなる発光管２２を備えており、発光管２２の内部空間には、例えば、ハロゲンガスが封入されると共に、例えば、タングステンからなるフィラメント素線がコイル状に巻回されて形成されたコイル状のフィラメント２０が、発光管２２の管軸に沿って伸びるよう配置され、その両端部はリード２３Ａ、２３Ｂ、金属箔２４Ａ、２４Ｂを介して外部リード２５Ａ、２５Ｂに接続されている。
また、フィラメント素線から放射される光は、図４（ａ）に示すように当該フィラメント素線から外部に放射されると光と、図４（ｂ）に示すように当該フィラメント素線から隣接するフィラメント素線間（当該フィラメント素線から見た角度θ１，θ２，θ３・・・）を通して放射される光の和で表される。
【００２５】
図２に示すように、ランプユニット４０は、例えば、９本の各々のフィラメントランプ１０をランプ中心軸が互いに同一平面に位置するような状態で所定の間隔（例えば、１５ｍｍ）離間して並ぶよう配設されて構成される。各フィラメントランプ１０における各フィラメント２０の中心軸方向の端部が、被処理体Ｗの外周縁部の外側の仮想円４００の円周上まで伸びるように配置されており、互いに中心軸方向の全長が異なるよう構成されている。具体的には、９本のフィラメントランプ１０が備える、互いに中心軸方向の全長が異なる９つのフィラメント２０が、同一平面に所定の間隔で離間して並ぶことにより、被処理体Ｗと同心円状の面状光源が構成されている。
【００２６】
被処理体Ｗを加熱処理するに際しては、被処理体Ｗを、例えば、外周縁部のゾーンＺ１と中央部のゾーンＺ２との２つのゾーンに分割し、各ゾーンＺ１，Ｚ２毎に所定の温度分布が得られるよう、各フィラメントランプ１０の点灯制御を行う。このような被処理体Ｗ上の温度分布制御を行うために、ランプユニット４０は、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１と中央部のゾーンＺ２とに跨って配置された複数本のフィラメントランプ１０よりなるランプグループＧ１と、ランプグループＧ１の両側に配置された、各々複数本のフィラメントランプ１０よりなるランプグループＧ２，Ｇ３とから構成される。
【００２７】
ランプグループＧ１に属する各フィラメントランプ１０の各フィラメントＦ２における単位長さ当たりの実効表面積Ｓに比して、ランプグループＧ２，Ｇ３に属する各フィラメントランプの各フィラメントＦ１における単位長さ当たりの実効表面積Ｓが大きくなるように構成されている。実効表面積Ｓは、フィラメント２０の中心軸方向における単位長さ当たりのフィラメント外部から見える表面積の値である。即ち、フィラメント２０の全表面のうち、フィラメント自体で遮られることなくフィラメント２０の外に放射される光に寄与する表面の面積である（この点については後に詳述する）。ここで、フィラメントＦ２の実効表面積に比してフィラメントＦ１の実効表面積を大きくするのは、以下の理由による。
【００２８】
前述のように、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一となるよう被処理体Ｗの急速熱処理を行うためには、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に対して照射される光の強度を、中央部のゾーンＺ２よりも大きくすることが必要である。ところが、従来においては、前述のように、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に面して配置された各フィラメントＦ１の定格電力密度を同一にすると共に、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２に面して配置された各フィラメントＦ２の定格電力密度を同一にし、さらに、各フィラメントＦ２に比して各フィラメントＦ１の定格電力密度を大きくすることによって対応していたが、ゾーンＺ１とＺ２とで温度差が発生するために、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一になるように被処理体Ｗを加熱することができないという不具合が生じた。本発明は、フィラメント２０から放射される光の放射量が、下記の数式１および数式２に示すように、定格電力密度という要因とは全く別の要因に依存して変化するという知見を得、この知見に基づいて考案されたものである。
【００２９】
即ち、フィラメントからの単位長さ当たりの放射量Ｅは、数式１に示すように、主として、フィラメントの実効表面積Ｓと、フィラメントランプを点灯駆動させた際のフィラメントの色温度Ｔという２つの要因に依存して決定される。数式１に示すεは、物質に依存する固有値から得られるものであり、σは、ステファン・ボルツマン定数（５．６６９７×１０−８Ｗ／ｍ２・Ｋ）である。従って、数式１において、フィラメントの色温度Ｔを一定とすると、フィラメントからの放射量Ｅは、フィラメントの実効表面積Ｓに比例することになる。
（数式１）
Ｅ＝Ｓ×ε×σ×Ｔ４
一方、波長毎の放射エネルギはプランク分布の式で与えられ、
（数式２）
Ｂ（λ）＝（２ｈｃ２／λ５）×（１／（ｅｈｃ／λｋＴ−１））
Ｂ（λ）は波長λにおける黒体放射強度、λは波長、ｈはプランク定数、ｃは光速、ｋはボルツマン定数である。
【００３０】
つまり、ランプユニット４０において、同一のゾーンに属する全てのフィラメント２０の温度を均一、即ち、フィラメント２０から放射される光の色温度を均一にし、かつ、各フィラメントＦ１，Ｆ２の実効表面積ＳＦ１，ＳＦ２を以下の関係１を満たすように設定することにより、各フィラメントＦ２からの放射量ＥＦ２に比して各フィラメントＦ１からの放射量ＥＦ１を大きくすることができると共に、各フィラメントＦ１における放射スペクトルの形状と各フィラメントＦ２における放射スペクトルの形状（図１４参照）を同一にすることができる。
（関係１）
・各フィラメントＦ１の実効表面積ＳＦ１＞各フィラメントＦ２の実効表面積ＳＦ２
なお、ランプユニット４０において各フィラメントＦ１の色温度と各フィラメントＦ２の色温度とを同一にするためには、上記の数式１における放射量はフィラメントに投入される定格電力密度とほぼ等価であることから、以下の関係２を満たすように各フィラメントＦ１，Ｆ２の定格電力密度を設定すればよい。
（関係２）
・各フィラメントＦ１の定格電力密度ＭＦ１＞各フィラメントＦ２の定格電力密度ＭＦ２
・ＭＦ１／ＭＦ２ ＝ＳＦ１／ＳＦ２
【００３１】
ここで、実効表面積ＳＦ１，ＳＦ２の値は、以下の数式３および数式４に基づいて決定される。
（数式３）
Ｓ＝２πＲＬ×Ｋ
Ｒはフィラメント素線の半径、Ｌはフィラメント素線の全長
（数式４）
Ｋ＝１８０°／３６０°＋（θ１＋θ２＋・・・・・＋θｎ）／１８０°
なお、θ１，θ２・・・については、図４（ｂ）を参照。
【００３２】
数式３は、フィラメント素線をコイル形状となるよう巻回することによって構成されたフィラメントの、単位長さ当たりの実効表面積を示している。フィラメントの実効表面積Ｓは、径方向の断面が円形であるフィラメント素線の表面積である２πＲＬに対し、数式４で与えられる係数Ｋを掛け合わせることによって決定される。
数式４は、径方向の断面が円形であるフィラメント素線を、その中心点を通る直線で２つに等分した場合に、フィラメントコイルの外方側に位置するフィラメント素線から放射される光の割合と、フィラメントコイルの内方側に位置するフィラメント素線から放射される光の割合との総和を示している。詳細には、数式４の前半部分が、フィラメントコイルの外方側に位置するフィラメント素線から放射される光の割合を示し、数式４の後半部分が、フィラメントコイルの内方側に位置するフィラメント素線から放射される光のうち、光進行方向に位置するフィラメント素線に遮られることなくフィラメントの外方に向けて放射される光の割合を示している。
【００３３】
図５は、図２におけるコイル状に巻回されて形成されたフィラメントＦ１，Ｆ２の管軸を通る面で切断して見た図である。
関係１で述べたように、各フィラメントＦ１の実効表面積ＳＦ１は、各フィラメントＦ２の実効表面積ＳＦ２に比して大きくなるように構成される。そのためには、図５に示すように、各フィラメントＦ２のコイル外径に比して各フィラメントＦ１のコイル外径の方が大きくなるようにする。ここで、「コイル外径」とは、同図に示すように、フィラメントをその中心軸を含む平面で切断した断面において、フィラメントの外縁を２本の平行線で挟んだときの２本の平行線間の距離を意味する。
【００３４】
具体的には、各フィラメントＦ１と各フィラメントＦ２とは、各フィラメントＦ１のコイル外径をＤＦ１とし、各フィラメントＦ２のコイル外径をＤＦ２としたとき、ＤＦ１／ＤＦ２＝１．５３〜２．４５の関係を満たすように構成されていることが好ましい。当該範囲を下回る場合には、所望の表面積が確保できず、投入電力不足となりウエハエッジ部の温度が低下するという不具合を生じる。また、当該範囲を上回る場合には、フィラメントＦ１のコイル外径ＤＦ１が大きくなり過ぎて重くなるためフィラメント素線がその重量に耐えられずにコイルが変形し、照度均一度に悪影響を及ぼす。更に極端に大きい場合は変形によりコイル間でショートを起こして断線するという不具合を生じる。
【００３５】
このように構成されたランプユニット４０を備える光照射式加熱処理装置においては、被処理体Ｗを所定の手段によって円周方向に回転させた状態で、ランプユニット４０の各フィラメントランプ１０を点灯駆動させる。被処理物Ｗを回転させるのは、被処理体ＷのゾーンＺ１のフィラメントＦ１に面する箇所の温度と、被処理体ＷのゾーンＺ１のフィラメントＦ２に面する箇所の温度とを同一にするためである。このように構成することにより、各フィラメントＦ２からの放射量ＥＦ２に比して各フィラメントＦ１からの放射量ＥＦ１を大きくすることができると共に、各フィラメントＦ１における放射スペクトルの形状と各フィラメントＦ２における放射スペクトルの形状（図１４参照）を同一にすることができるので、被処理体Ｗの全表面の温度分布が均一になるように被処理体Ｗを加熱することができる。
【００３６】
さらに、この光照射式加熱処理装置においては、下記の関係３に示すように、各フィラメントＦ１の実効表面積を等しくすると共に各フィラメントＦ２の実効表面積を等しくすることにより、各ゾーンＺ１，Ｚ２に対して放射される単位面積当たりの放射量が各ゾーンＺ１，Ｚ２毎にゾーン内で等しくなるので、被処理体Ｗの温度分布がさらに均一になるように被処理体Ｗを加熱することができる。
（関係３）
・各フィラメントＦ１の実効表面積が互いに同一である。
・各フィラメントＦ２の実効表面積が互いに同一である。
【００３７】
この光照射式加熱処理装置においては、以下の事情から、上記の関係３を満たす方がより好ましいと考えられる。即ち、この光照射式加熱処理装置において、各ゾーンに対応して配置された各々のフィラメントは、互いに全長が異なるものでありながら、各々の定格電力密度が同一となるよう、各々のコイル外径、コイルピッチ、コイルの素線径などが互いに異なるように設計されている。そのため、例えば、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２に面して配置されているフィラメントＦ２同士であっても、その実効表面積が個々に微妙に異なることにより、個々のフィラメントＦ２の色温度が微妙に異なることに伴って、個々のフィラメントＦ２から放射される放射量Ｅが微妙に異なることも想定される。この場合には、例えば、図１３に示すように、ゾーンＺ１において、微差ではあるが、局所的に被処理体Ｗの温度が相対的に高い領域Ｘと相対的に低い領域Ｙが形成され、被処理体Ｗの表面の均一な温度分布が微妙に損なわれることも想定される。
【００３８】
従って、被処理体の表面温度の均一性が厳格に要求される場合には、上記の関係３に示すように、外周縁部のゾーンＺ１に面する各フィラメントＦ１の実効表面積Ｓを均等にすると共に、中央部のゾーンＺ２に面する各フィラメントＦ２の実効表面積Ｓを均等に設定すればよい。勿論、被処理体の表面温度の均一性を厳格に要求されないのであれば、関係３を満たすことは必須ではない。
【００３９】
図６および図７は、図５に示した実施例と異なる、図３におけるコイル状に巻回されて形成されたフィラメント２０を管軸を通る面で切断して見た図で、図２におけるフィラメントＦ１とフィラメントＦ２とを比較した図である。
図６においては、各フィラメントＦ１および各フィラメントＦ２は、フィラメントＦ２のコイルピッチに比して各フィラメントＦ１のコイルピッチの方が小さく構成されている。このように構成することによっても、各フィラメントＦ２の実効表面積ＳＦ２に比して各フィラメントＦ１の実効表面積ＳＦ１を大きくすることができる。
ここで、「コイルピッチ」とは、フィラメントをその中心軸を含む平面で切断した断面において、互いに隣接するフィラメント素線の中心点同士を直線で結んだとき、当該直線間の距離を意味する。
【００４０】
具体的に、各フィラメントＦ１と各フィラメントＦ２とは、各フィラメントＦ１のコイルピッチをＰＦ１とし、各フィラメントＦ２のコイル外径をＰＦ２としたとき、ＰＦ１／ＰＦ２＝０．５〜０．８５の関係を満たすよう構成されていることが好ましい。当該範囲を下回る場合には、コイルの巻線の間隔が小さくなり過ぎてショートし断線するという不具合が起こる。当該範囲を上回る場合には、所望の表面積が確保できず、投入電力不足となりウエハエッジ部の温度が低下するという不具合が起こる。
【００４１】
図７においては、各フィラメントＦ１および各フィラメントＦ２は、フィラメントＦ２のフィラメント素線の外径に比して、フィラメントＦ１のフィラメント素線の外径が大きくなるように構成されている。このように構成することによっても、フィラメントＦ２の実効表面積に比してフィラメントＦ１の実効表面積を大きくすることができる。
ここで、「フィラメント素線の外径」とは、フィラメントをその中心軸を含む平面で切断した断面において、フィラメント素線の外縁を２本の平行線で挟んだときの、２本の平行線間の距離を意味する。
【００４２】
具体的に、各フィラメントＦ１と各フィラメントＦ２とは、各フィラメントＦ１のフィラメント素線の外径をφＦ１とし、各フィラメントＦ２のフィラメント素線の外径をφＦ２としたとき、φＦ１／φＦ２＝１．０７〜１．３０の関係を満たすよう構成されていることが好ましい。当該範囲を下回る場合には、所望の表面積が確保できず、投入電力不足となりウエハエッジ部の温度が低下するという不具合を生じる。当該範囲を上回る場合には、コイル素線間の隙間が小さくなり過ぎてショートし断線するという不具合を生じる。
【００４３】
図８は、図２に示したランプユニット４０の構成に代えて、図２に示すようなランプユニット４０を上下段に互いに井桁状に配置して構成されたランプユニット６０の構成を示す図である。
図２に示したランプユニット４０によれば、各フィラメントランプ１０の管軸が同一平面上に位置するよう複数のフィラメントランプ１０を並列に配置してなるランプユニット４０を用い、被処理体Ｗを周方向に回転させた状態で各フィラメントランプを点灯駆動することによって、被処理体Ｗの温度が均一になるよう被処理体を加熱している。それに対し、図８に示したランプユニット６０によれば、被処理体Ｗを回転させることなく、被処理体Ｗの温度を均一になるように加熱することができる。
【００４４】
即ち、図８に示すランプユニット６０においては、各フィラメントランプ１０の管軸が同一平面上に位置するよう複数のフィラメントランプ１０を並列に配置してなる第１の面状光源部６０Ａの上方側（被処理体Ｗの逆側）に、各フィラメントランプ１０’の管軸が同一平面上に位置すると共に各フィラメントランプ１０’の管軸が各フィラメントランプ１０の管軸に直交する状態で、複数のフィラメント１０’を並列に配置してなる第２の面状光源部６０Ｂが配置するように構成されている。つまり、ランプユニット６０は、複数のフィラメントランプ１０および１０’が、所謂井桁状に配置するように構成されている。また、各フィラメントランプ１０，１０’における各フィラメントの中心軸方向の端部が、被処理体Ｗの外周縁部の外側の仮想円６００の円周上まで伸びるように配置されており、互いに中心軸方向の全長が異なるよう構成されている。
【００４５】
第１の面状光源部６０Ａにおいては、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１と被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２との双方に面しているフィラメントＦ２の実効表面積ＳＦ２に比して、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１にのみ面しているフィラメントＦ１の実効表面積ＳＦ１が大きくなるように構成されている。第２の面状光源部６０Ｂにおいては、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１と被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２との双方に面しているフィラメントＦ２’の実効表面積ＳＦ２’に比して、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１のみに面しているフィラメントＦ１’の実効表面積ＳＦ１’が大きくなるように構成されている。なお、フィラメントＦ１の実効表面積ＳＦ１とフィラメントＦ１’の実効表面積ＳＦ１’は同一になるように構成されている。また、同様に、フィラメントＦ２の実効表面積ＳＦ２とフィラメントＦ２’の実効表面積ＳＦ２’は同一になるように構成されている。
【００４６】
図８に示すランプユニット６０は、上記の関係１，２を満たすよう各フィラメントの実効表面積と定格電力密度とが設定されている。このようなランプユニット６０に属する全てのフィラメントランプ１０，１０’を、各フィラメントの色温度が均等になるよう点灯駆動することにより、ゾーンＺ１に対して照射される単位面積当たりの照射量を、ゾーンＺ２に対して照射される単位面積当たりの照射量よりも大きくすることができると共に、各フィラメントにおける放射スペクトルの形状（図１４参照）を同一にすることができるので、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一になるように被処理体Ｗを加熱することができる。さらに、上記の関係３に示すように、各フィラメントＦ１，Ｆ１’の実効表面積を均等にすると共に、各フィラメントＦ２，Ｆ２’の実効表面積を均等にした場合には、各ゾーンＺ１，Ｚ２に対して放射される単位面積当たりの照射量を各ゾーンＺ１，Ｚ２毎にゾーン内で均等にすることができる。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施形態を図９および図１０を用いて説明する。
図９は、本実施形態に係わり、図１に示した光照射式加熱処理装置と同様の装置に適用され、図２に示したランプユニット４０とは異なる構成を有するランプユニット７０の構成を示す図、図１０は、図９に示したフィラメントランプ１００の構成を示す斜視図である。
【００４８】
図９に示すように、ランプユニット７０は、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１と被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２との双方に面して配置された複数本のフィラメントランプ１００よりなるランプグループＧ１と、ランプグループＧ１の両側に位置し、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１のみに面して配置された複数本のフィラメントランプ１０よりなるランプグループＧ２，Ｇ３とから構成される。ここで、各フィラメントランプ１０，１００における各フィラメント２０，１１０の中心軸方向の端部は、被処理体Ｗの外周縁部の外側の仮想円７００の円周上まで伸びるように配置されており、互いに中心軸方向の全長が異なるよう構成されている。
【００４９】
図１０に示すように、ランプグループＧ１に属する各フィラメントランプ１００は、フィラメントの構成が異なることを除けば、図３に示したフィラメントランプ１０と同様の構成を有している。即ち、フィラメントランプ１００の発光管１０２の内部に配置されたコイル状のフィラメント１１０は、発光管１０２の管軸方向において中央部に位置する中央側フィラメントＦ２”と、中央側フィラメントＦ２”の両端に連続する、中央側フィラメントＦ２”よりもコイル外径が大きくなるよう形成された一対の端部側フィラメントＦ１”とにより構成されており、中央側フィラメントＦ２”の単位長さ当たりの実効表面積ＳＦ２”に比して端部側フィラメントＦ１”の単位長さ当たりの実効表面積ＳＦ１”の方が大きくなるように構成されている。各端部側フィラメントＦ１”の端部には、それぞれ金属箔１０４Ａ、１０４Ｂに接続されるリード１０３Ａ，１０３Ｂが接続されている。フィラメント１１０は、中央側フィラメントＦ２”の両端に、各々各端部側フィラメントＦ１”の一端を溶接することにより形成され、中央側フィラメントＦ２”と各端部側フィラメントＦ１”との間には溶接部Ｍが形成され、溶接部Ｍは非発光部となる。ここで、管軸方向において中央に位置する中央側フィラメントＦ２”が低放射コイル部となり、端部に位置する端部側フィラメントＦ１”が高放射コイル部となる。
【００５０】
図９に示すように、複数のフィラメントランプ１００よりなるランプグループＧ１においては、端部側フィラメントＦ１”が被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に面して配置されると共に、中央側フィラメントＦ２”が被処理体Ｗの中央側のゾーンＺ２に面して配置されている。
【００５１】
一方、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に面しているランプグループＧ２，Ｇ３に属するフィラメントランプ１０は、図３に示すフィラメントランプと同様の構成を有している。フィラメントランプ１０が備えるフィラメントＦ１の単位長さ当たりの実効表面積ＳＦ１は、端部側フィラメントＦ１”の実効表面積ＳＦ１”と同じであって、中央側フィラメントＦ２”の単位長さ当たりの実効表面積ＳＦ２”よりも大きい。
【００５２】
このようなランプユニット７０によれば、上記の関係１，２を満たすように各フィラメントの実効表面積と定格電力密度が設定されている。その結果、ランプユニット７０に属する全てのフィラメントランプ１０，１００は、各フィラメントの色温度が均一になるよう点灯駆動される。このランプユニット７０によって被処理体Ｗを加熱すれば、被処理体Ｗを回転させる必要はない。
【００５３】
このランプユニット７０によれば、ランプユニット７０の直下においては、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２に対して照射される単位面積当たり照射量に比して、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に対して照射される単位面積当たりの照射量が大きくなると共に、各フィラメントにおける放射スペクトルの形状（図１４参照）を同一にすることができるので、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一になるよう被処理体Ｗを加熱することができる。さらに、上記の関係３に示すように、各フィラメントＦ１，Ｆ１”の実効表面積を均等にすると共に、各フィラメントＦ２”の実効表面積を均等にした場合には、各ゾーンＺ１，Ｚ２に対して放射される単位面積当たりの照射量を各ゾーンＺ１，Ｚ２毎にゾーン内で均等にすることができる。
【００５４】
次に、本発明の第３の実施形態を図１１および図１２を用いて説明する。
図１１は、本実施形態に係るフィラメントランプ１２０の構成を示す斜視図、図１２は図１に示した光照射式加熱処理装置と同様の装置に適用され、ランプユニットとして図１１に示したフィラメントランプ１２０を適用したランプユニット８０の構成を示す図である。
【００５５】
図１１に示すフィラメントランプ１２０は、発光管１１２の内部に、コイル状に形成されたフィラメント１３０と、フィラメント１３０の両端に連結された一対のリード１１２Ａ，１１２Ｂとからなる複数のフィラメント体が、各フィラメント１３０が発光管１１２の管軸に沿って順次に並ぶよう配置された構成を有している。発光管１１２の両端には、発光管１１２の内部に配置されたシール用絶縁体１１５Ａ，１１５Ｂと、発光管１１２の内表面とが、シール用絶縁体１１５Ａ，１１５Ｂの外周面に適宜の間隔で離間して管軸に沿って伸びるよう配置された、フィラメント体の２倍の個数を有する金属箔１１３Ａ，１１３Ｂを介して密着することにより、気密に封止された封止部１１１Ａ，１１１Ｂが形成されている。各金属箔１１３Ａ，１１３Ｂの一端には、各内部リード１１２Ａ，１１２Ｂが接続され、各金属箔１１３Ａ，１１３Ｂの他端には、発光管１１２の外端面から外方に伸び出ると共に不図示の給電装置に繋がる各外部リード１１４Ａ，１１４Ｂが接続され、これにより、各外部リード１１４Ａ，１１４Ｂ、各金属箔１１３Ａ，１１３Ｂ、各内部リード１１２Ａ，１１２Ｂを介して、各フィラメント体に対して各給電装置から給電が行われる。このようなフィラメントランプ１２０においては、各フィラメント１３０に対して独立して給電することができる。
このようなフィラメントランプ１２０においては、発光管１１２の管軸方向において中央に位置するフィラメントＦ２”の実効表面積に比して、管軸方向の端部に位置するフィラメントＦ１”の実効表面積が大きい。即ち、図５ないし図７に示すように、各フィラメントＦ２”のコイル外径に比して各フィラメントＦ１、Ｆ１”のコイル外径を大きくしたり、また、各フィラメントＦ２”のコイルピッチに比して、各フィラメントＦ１，Ｆ１”のコイルピッチを小さくしたり、さらには、各フィラメントＦ２”のコイル素線径に比して各フィラメントＦ１、Ｆ１”のコイル素線径を大きくする。ここで、管軸方向において中央に位置するフィラメントＦ２”が低放射フィラメントとなり、端部に位置するフィラメントＦ１”が高放射フィラメントとなる。
【００５６】
図１２に示すランプユニット８０は、図１１に示した構成を有する５本のフィラメントランプ１２０の両脇に、図３に示した構成を有するフィラメントランプ１０が２本ずつ配置されてなり、各々のフィラメントランプ１０，１２０の管軸が互いに同一平面に位置された状態で所定の間隔（例えば、１５ｍｍ）で離間して並ぶよう配設されて構成されている。具体的には、図３に示した構成を有するフィラメントランプ１０が、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に対応して配置され、発光管内に複数のフィラメントが配設された構成を有するフィラメントランプ１２０が、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１および中央部のゾーンＺ２に対応して配置される。
【００５７】
このようなランプユニット８０によれば、以下のようにして、フィラメントランプ１２０およびフィラメントランプ１０が被処理体Ｗに対して配置される。即ち、各フィラメントランプ１２０は、管軸方向において中央部に位置する各フィラメントＦ２”が被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２に対応して配置され、管軸方向においてフィラメントＦ２”の両端に位置しているフィラメントＦ１”が、被処理体ＷのゾーンＺ１に対応して配置される。フィラメントランプ１０は、フィラメント２０（フィラメントＦ１とする）が被処理体ＷのゾーンＺ１に対応して配置される。
【００５８】
各フィラメントランプ１２０の各フィラメントＦ２”は、互いに管軸方向の全長が異なっており、各々のフィラメントＦ２”の管軸方向の端部を結んで形成される仮想円８０１が、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２の外周縁と一致するよう被処理体Ｗに対して配置されている。また、各フィラメントランプ１２０の各フィラメントＦ１”と各フィラメントランプ１０の各フィラメントＦ１とは、それぞれ互いに管軸方向の全長が異なっており、各フィラメントＦ１”の一端が仮想円８０１の外周円上および他端が被処理体Ｗの外周縁部の外側に形成される仮想円８０２の外周円上に位置する共に、各フィラメントＦ１の両端が仮想円８０２の外周円上に位置するよう、被処理体Ｗに対して配置されている。
【００５９】
また、ランプユニット８０を構成するフィラメントランプ１２０のフィラメントは、図５ないし図７に示すように、各フィラメントＦ２”のコイル外径に比して各フィラメントＦ１，Ｆ１”のコイル外径を大きくしたり、また、各フィラメントＦ２”のコイルピッチに比して、各フィラメントＦ１，Ｆ１”のコイルピッチを小さくしたり、さらには、各フィラメントＦ２”のコイル素線径に比して各フィラメントＦ１，Ｆ１”のコイル素線径を大きくする。
【００６０】
このようなランプユニット８０によれば、上記の関係１，２を満たすように各フィラメントの実効表面積と定格電力密度が設定される。このようなランプユニット８０に属する全てのフィラメントラン１０，１２０は、各フィラメントの色温度が均一になるよう点灯駆動され、このランプユニット８０によって被処理体を加熱すれば、被処理体Ｗを回転させる必要はない。
【００６１】
よって、本実施形態の光照射式加熱処理装置によれば、ランプユニット８０の直下においては、被処理体Ｗの中央部のゾーンＺ２に対して照射される単位面積当たりの照射量に比して、被処理体Ｗの外周縁部のゾーンＺ１に対して照射される単位面積当たりの照射量が大きくなると共に、各フィラメントにおける放射スペクトルの形状（図１４参照）を同一にすることができるので、被処理体Ｗの表面の温度分布が均一になるよう被処理体Ｗを加熱することができる。さらに、上記した関係３に示すように、各フィラメントＦ１，Ｆ１”の実効表面積を均等にすると共に、各フィラメントＦ２”の実効表面積を均等にした場合には、各ゾーンＺ１、Ｚ２に対して放射される単位面積当たりの照射量を各ゾーンＺ１，Ｚ２毎にゾーン内で均等にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１の実施形態に係る光照射式加熱処理装置の構成を示す正面断面図である。
【図２】図１に示したランプユニット４０の構成を上から見た図である。
【図３】図２に示したフィラメントランプ１０の構成を示す斜視図である。
【図４】図３に示したコイル状に巻回されて形成されたフィラメント２０のフィラメント素線を管軸を通る面で切断して見た図である。
【図５】図２におけるコイル状に巻回されて形成されたフィラメントＦ１，Ｆ２の管軸を通る面で切断して見た図である。
【図６】図５に示した実施例と異なる、図２におけるコイル状に巻回されて形成されたフィラメントＦ１，Ｆ２を管軸を通る面で切断して見た図である。
【図７】図５に示した実施例と異なる、図２におけるコイル状に巻回されて形成されたフィラメントＦ１，Ｆ２を管軸を通る面で切断して見た図である。
【図８】図２に示したランプユニット４０の構成に代えて、図２に示すようなランプユニット４０を上下段に互いに井桁状に配置して構成されたランプユニット６０の構成を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係るランプユニット７０の構成を示す図である。
【図１０】図９に示したフィラメントランプ７０の構成を示す斜視図である。
【図１１】第３の実施形態に係るフィラメントランプ１２０の構成を示す斜視図である。
【図１２】図１に示した光照射式加熱処理装置と同様の装置に適用され、ランプユニットとして図１１に示したフィラメントランプ１２０を適用したランプユニット８０の構成を示す図である。
【図１３】従来技術に係る光照射式加熱処理装置に適用されるランプユニット２００の構成を示す図である。
【図１４】総放射エネルギを同一にした場合（電力密度を同一にすることと等価）の分光放射エネルギを比較した図である。
【図１５】シリコン（Ｓｉ），ガリウム砒素（ＧａＡｓ），ゲルマニウム（Ｇｅ）の各波長における吸光度特性（光の波長に対する透過率）を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０，１０’，１００，１２０  フィラメントランプ
２０，１１０，１３０  フィラメント
２１Ａ、２１Ｂ，１０１Ａ，１０１Ｂ，１１１Ａ，１１１Ｂ  封止部
２２，１０２，１１２  発光管
２３Ａ、２３Ｂ，１０３Ａ，１０３Ｂ  リード
２４Ａ、２４Ｂ，１０４Ａ、１０４Ｂ，１１３Ａ，１１３Ｂ  金属箔    
２５Ａ、２５Ｂ，１０５Ａ，１０５Ｂ，１１４Ａ，１１４Ｂ  外部リード
３０  光照射式加熱処理装置
３１  チヤンバ
３２  石英窓
３３  処理台
３５  電源部
３６Ａ，３６Ｂ  電源供給ポート
４０，６０，７０，８０  ランプユニット  
４１  反射鏡
４２Ａ，４２Ｂ  固定台
４３  導電台
４４  保持台
４５  冷却風ユニット
４６  冷却風供給ノズル
４６Ａ  吹出し口
４７  冷却風排出口
５０  温度計
５１  温度測定部
５２  温度制御部
５５  主制御部
６０Ａ  第１の面状光源部
６０Ｂ  第２の面状光源部
１１２Ａ，１１２Ｂ  内部リード
１１５Ａ，１１５Ｂ  シール用絶縁体
４００，６００，７００，８０１，８０２  仮想円  
Ｗ  被処理体
Ｚ１，Ｚ２  ゾーン
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３  ランプグループ
Ｓ１  ランプユニット収容空間
Ｓ２  加熱処理空間
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ１’，Ｆ２’，Ｆ１”，Ｆ２”  フィラメント
Ｓ，ＳＦ１，ＳＦ２    実効表面積
ＭＦ１，ＭＦ２  定格電力密度
ＤＦ１、ＤＦ２    コイル外径
ＥＦ１，ＥＦ２  放射量
ＰＦ１，ＰＦ２  コイルピッチ
φＦ１，φＦ２  フィラメント素線の外径              
Ｍ  溶接部
【図１】
0005267765.tif 000002
【図２】
0005267765.tif 000003
【図３】
0005267765.tif 000004
【図４】
0005267765.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005267765.tif 000007
【図７】
0005267765.tif 000008
【図８】
0005267765.tif 000009
【図９】
0005267765.tif 000010
【図１０】
0005267765.tif 000011
【図１１】
0005267765.tif 000012
【図１２】
0005267765.tif 000013
【図１３】
0005267765.tif 000014
【図１４】
0005267765.tif 000015
【図１５】
0005267765.tif 000016