(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の基材をローラに接触させて搬送する搬送工程と、
気化材料を蒸着源から吐出することにより、前記基材の所定部位に前記気化材料を蒸着する工程と、
前記気化材料を蒸着する際に、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を前記蒸着源および前記基材間に配置させる工程と、を有し、
前記遮蔽部は、前記蒸着源および前記基材間に配置されて前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源および前記基材間から退避して前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成され、
前記遮蔽部は、前記ローラと共に回転しながら、前記遮蔽位置と、前記遮蔽解除位置とに切り替えられることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で前記基材の幅方向に亘って配置されるべく、前記基材の幅寸法よりも大きく形成される請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記遮蔽部は、フリップ式遮蔽板である請求項１又は２に記載の有機ＥＬの製造方法。
【請求項４】
帯状の基材に接触するローラと、
気化材料を前記基材に蒸着すべく、前記基材の所定部位に向けて前記気化材料を吐出する蒸着源と、
前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽する遮蔽装置と、を備え、
前記遮蔽装置は、前記基材を遮蔽するための遮蔽部と、該遮蔽部を、前記蒸着源及び前記基材間に配置させて前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避させて前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能な切替機構と、を備え、
前記遮蔽部は、前記ローラとともに回転しながら、前記切替機構によって、前記遮蔽位置と、前記遮蔽解除位置とに切り替えられることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着源から気化させた気化材料を帯状の基材に蒸着させる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造方法に関し、また、その有機ＥＬ素子の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子の製造方法として、帯状の基材が所定の走行方向に沿って走行するように、基材を走行させる工程と、蒸着源から気化材料を吐出させて基材に蒸着させる工程とを備える製造方法が知られている（例えば、特許文献１）。そして、斯かる製造方法によれば、帯状のシャドーマスクを帯状の基材に面合わせで密接させると共に、シャドーマスクを基材と一体的に走行させることにより、所望のパターンで気化材料を基材に蒸着させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１８３５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に係る製造方法においては、シャドーマスクを送り出す送り出しローラや、シャドーマスクを巻き取る巻き取りローラや、シャドーマスクを支持する複数の支持ローラが設けられており、一般的に、装置が大型になるという問題を生じさせている。また、異なるパターンで気化材料を基材に蒸着させたい場合には、所定のシャドーマスクに交換（型替え）するために、複雑な作業が必要となるという問題を生じさせている。
【０００５】
よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、蒸着源からの気化材料を所望のパターンで基材に蒸着することができる有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、帯状の基材をローラに接触させて搬送する搬送工程と、気化材料を蒸着源から吐出することにより、前記基材の所定部位に前記気化材料を蒸着する工程と、前記気化材料を蒸着する際に、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を前記蒸着源および前記基材間に配置させる工程と、を有し、前記遮蔽部は、前記蒸着源および前記基材間に配置されて前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源および前記基材間から退避して前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成され、前記遮蔽部は、前記ローラと共に回転しながら、前記遮蔽位置と、前記遮蔽解除位置とに切り替えられることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、遮蔽部が蒸着源及び基材間に配置されることで、気化材料を所定部位に蒸着させる一方、所定部位を除く部位に気化材料が蒸着するのを防止できる。
【０００８】
その後、遮蔽部が蒸着源及び基材間から退避されることで、遮蔽部が基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。これにより、蒸着源から吐出される気化材料が、走行する基材に蒸着するのを阻害することなく、遮蔽部を元の位置に戻すことができる。したがって、斯かる動作を繰り返すことにより、連続して有機ＥＬ素子を製造することができる。
【０００９】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で前記基材の幅方向に亘って配置されるべく、前記基材の幅寸法よりも大きく形成されてもよい。
【００１０】
斯かる有機ＥＬ素子の製造方法によれば、気化材料が蒸着されていない部位を基材の幅方向に亘って形成することができるため、後に斯かる部位で有機ＥＬ素子を切断することができる。
【００１１】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記遮蔽部は、フリップ式遮蔽板であることが望ましい。
【００１２】
斯かる有機ＥＬ素子の製造方法によれば、遮蔽部にフリップ式遮蔽板を採用することにより、遮蔽位置と遮蔽解除位置との位置変更を確実に行うことができるようになる。
【００１３】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、帯状の基材に接触するローラと、気化材料を前記基材に蒸着すべく、前記基材の所定部位に向けて前記気化材料を吐出する蒸着源と、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽する遮蔽装置とを備え、前記遮蔽装置は、前記基材を遮蔽するための遮蔽部と、該遮蔽部を、前記蒸着源及び前記基材間に配置させて前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避させて前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能な切替機構と、を備え、前記遮蔽部は、前記ローラとともに回転しながら、前記切替機構によって、前記遮蔽位置と、前記遮蔽解除位置とに切り替えられることを特徴とする。
【００１４】
斯かる有機ＥＬ素子の製造装置によれば、遮蔽部が蒸着源及び基材間に配置されることで、遮蔽部が基材を遮蔽する遮蔽位置に位置する。これにより、気化材料を基材の所定部位に蒸着させる一方、所定部位を除く部位に気化材料が蒸着するのを防止できる。
【００１５】
その後、遮蔽部が蒸着源及び基材間から退避されることで、遮蔽部が基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。これにより、遮蔽部を元の位置に戻すことができる。したがって、斯かる動作を繰り返すことにより、連続して有機ＥＬ素子を製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上の如く、本発明によれば、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、蒸着源からの気化材料を所望のパターンで基材に蒸着することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の概要正面図を示す。
【図２】図２は、同実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部の側面図である。
【図３】図３は、同実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部の側面図である。
【図４】図４は、同実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部の側部断面図である。
【図５】図５は、同実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部の側部断面図である。
【図６】図６は、同実施形態に係る製造方法で製造された有機ＥＬ素子の要部平面図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における拡大断面図である。
【図８】図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における拡大断面図である。
【図９】図９は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部を示す側部断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部平面図を示す。
【図１１】図１１は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部平面図を示す。
【図１２】図１２は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部平面図を示す。
【図１３】図１３は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の要部平面図を示す。
【図１４】図１４は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ素子製造装置の側面断面図を示す。
【図１５】図１５は、図１４の実施形態に係る製造装置によって下部電極層が形成された基材の平面図である。
【図１６】図１６は、本発明に係る製造装置によって下部電極層及び有機層が形成された基材の平面図である。
【図１７】図１７は、有機ＥＬ素子の実施例と比較例の効果を確認するグラフである。
【図１８】図１８は、本発明による有機ＥＬ素子の実施例の部分的な平面画像である。
【図１９】図１９は、有機ＥＬ素子の比較例の部分的な平面画像である。
【図２０】図２０は、有機ＥＬ素子の断面プロファイルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置（以下、単に「製造装置」ともいう）における一実施形態について、図１〜図５を参酌して説明する。
【００１９】
本発明に係る製造装置は、内部が真空である複数の真空室１と、帯状の基材８１が真空室１の内部を通過するように、基材８１を所定の方向（以下、「走行方向」ともいう）Ｘに沿って走行させる走行装置２と、基材８１の搬送経路の中途部に設けられるととともに、この基材８１に接する複数のキャンローラ３と、基材８１に向けて気化材料を吐出する複数の蒸着源４と、キャンローラ３に一体に設けられるとともに、キャンローラ３に接する基材８１を所定の位置において蒸着源４から遮蔽する遮蔽装置５とを備える。
【００２０】
真空室１は、三つ設けられている。そして、複数の真空室１は、走行方向Ｘに沿って連設されている。また、各真空室１の内部が真空となるように、各真空室１には、真空ポンプ等の真空発生装置（図示及び採番していない）が接続されている。
【００２１】
走行装置２は、基材８１を送る送り出しローラ２１と、基材８１（詳しくは、気化材料を基材８１に蒸着して形成された有機ＥＬ素子８）を巻き取る巻き取りローラ２２と、送り出しローラ２１及び巻き取りローラ２２間に配置され、基材８１を支持する複数の支持ローラ２３を備える。そして、走行装置２は、基材８１が走行方向Ｘに沿う直線状になる部分を有するようにして、基材８１を走行させている。
【００２２】
送り出しローラ２１は、真空室１の内部で且つ上流側に配置されていると共に、巻き取りローラ２２は、真空室１の内部で且つ下流側に配置されている。また、複数の支持ローラ２３は、真空室１の内部に配置されていると共に、走行方向Ｘに並設されている。そして、複数の支持ローラ２３は、基材８１に掛け渡されていると共に、基材８１を支持している。
【００２３】
各蒸着源４は、真空室１の内部に配置されていると共に、キャンローラ３の半径方向において、基材８１と対面するように配置されている。そして、上流側及び下流側の真空室１には、蒸着源４がそれぞれ一つ設けられていると共に、中間の真空室１には、三つの蒸着源４が走行方向Ｘに沿って並設されている。また、各蒸着源４は、加熱により気化させた気化材料を、基材８１に向けて吐出している。
【００２４】
遮蔽装置５は、基材８１を遮蔽する遮蔽部５１と、遮蔽部５１を回転移動させることにより、遮蔽部５１の位置を切り替える切替機構５２を備える。切替機構５２は、遮蔽部５１が蒸着源４及び基材８１間に配置されて基材８１を遮蔽する遮蔽位置と、遮蔽部５１が蒸着源４及び基材８１間から退避して基材８１を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成されている。
【００２５】
各遮蔽部５１は、所定の蒸着源４から吐出される所定の気化材料が、有機ＥＬ素子を形成すべき所定の部位へ蒸着されることを許容するとともに、この所定の部位を除く部位に気化材料が付着しないように遮蔽するためのものである。ここで、「所定の部位を除く部位」とは、遮蔽部５１が遮蔽のために基材８１に重ねられたとき、このように重ねられた基材８１の部位をいう。この各遮蔽部５１は、帯状又は矩形状で且つ板状に形成されている。より具体的には、本実施形態において、遮蔽部５１には、いわゆるフリップ式遮蔽板が採用されている。フリップ式遮蔽板とは、特に基材８１の直近位置において、キャンローラ３のほぼ法線方向において接近・離反するように回転駆動されるタイプのものをいう。遮蔽部５１としては、このフリップ式遮蔽板の他、キャンローラ３のほぼ接線方向において移動することにより、基材８１に対して接近・離反するように回転駆動される、いわゆるスライド式遮蔽板を採用できる。そして、各遮蔽部５１は、遮蔽位置に位置した状態で基材８１の幅方向に亘って配置されるべく、長手方向の寸法が基材８１の幅寸法よりも大きく形成されている。
【００２６】
また、各遮蔽部５１は、遮蔽位置に位置した状態において、基材８１から離間されて配置される。遮蔽部５１と基材８１との離間の間隔は、例えば、１ｍｍ以下であることが望ましい。なお、各遮蔽部５１は、遮蔽位置に位置した状態において、基材８１と当接するように配置することも可能である。
【００２７】
各切替機構５２は、キャンローラ３に固定される本体部５２ａを備える。また、各切替機構５２は、キャンローラ３の駆動軸６に平行な軸で回転するように本体部５２ａに固定される第１回転体５２ｂと、第１回転体５２ｂの軸と直交する方向に沿って配置される軸で回転するように本体部５２ａに固定され、かつ、第１回転体５２ｂの駆動を受ける第２回転体５２ｃとを備える。
【００２８】
そして、各切替機構５２は、一端部が第１回転体５２ｂの軸に連結される第１リンク体５２ｄと、一端部が第２回転体５２ｃの軸に連結され且つ他端部が遮蔽部５１の端部に連結される第２リンク体５２ｅとを備える。さらに、各切替機構５２は、第１リンク体５２ｄの他端部に回転可能に取り付けられるカムフォロワ５２ｆと、カムフォロワ５２ｆに摺接されるカム５２ｇとを備える。
【００２９】
各第１回転体５２ｂ及び各第２回転体５２ｃの内部には、磁性体がそれぞれ設けられている。これにより、各第１回転体５２ｂが回転するのに伴って、各第２回転体５２ｃの磁性体が各第１回転体５２ｂの磁性体から磁力を受けるため、各第２回転体５２ｃが回転する。なお、各第１回転体５２ｂと各第２回転体５２ｃとは、離間して配置されている。
【００３０】
カム５２ｇは、円板状に構成される。カム５２ｇは、キャンローラ３を駆動するための駆動軸６と同心状に配置されている。しかしながら、カム５２ｇは、駆動軸６及びキャンローラ３とともに回転することはなく、真空室１において保持されている。
【００３１】
カム５２ｇは、遮蔽部５１を遮蔽解除位置に維持するための第１領域５２ｈと、遮蔽部５１を遮蔽解除位置から遮蔽位置に移動させるための第２領域５２ｉと、遮蔽部５１を遮蔽位置において維持するための第３領域５２ｊと、遮蔽部５１を遮蔽位置から遮蔽解除位置への移動させるための第４領域５２ｋを備える。
【００３２】
第１領域５２ｈは、円板状のカムの外周面に所定の曲率半径で側面視円弧状のカム面を有する。第２領域５２ｉは、所定の傾斜角度で傾斜する側面視直線状のカム面を有する。
この第２領域５２ｉは、その一端部が円弧状の第１領域５２ｈの一端部に繋がっている。
【００３３】
第３領域５２ｊは、所定の曲率半径による側面視円弧状のカム面を有する。第３領域５２ｊの曲率半径は、第１領域５２ｈの曲率半径よりも小さく設定されている。第３領域５２ｊは、その一端部が第２領域５２ｉの他端部に繋がっている。
【００３４】
第４領域５２ｋは、所定の傾斜角度で傾斜する側面視直線状のカム面を有する。この第４領域５２ｋの傾斜の方向は、第２領域５２ｉの傾斜の方向とは逆に設定されている。この第４領域５２ｋは、一端部が第３領域５２ｊの他端部に繋がっている。また、この第４領域５２ｋは、その他端部が第１領域５２ｈの他端部に繋がっている。
【００３５】
カムフォロア５２ｆは、カム５２ｇの第１領域５２ｈから第４領域５２ｋへと順に移動するように構成される。
【００３６】
なお、各切替機構５２においては、付勢装置（図示及び採番していない）により、カムフォロワ５２ｆがカム５２ｇの各領域（第１領域５２ｈ〜第４領域５２ｋ）に接触した状態を維持するように付勢されている。
【００３７】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置における構成については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基材８１は、送り出しローラ２１から巻き取りローラ２２に向かって搬送される。このとき、基材８１は、各真空室１内に設けられる各キャンローラ３に接して搬送される。各キャンローラ３に設けられている遮蔽装置５は、遮蔽部５１を遮蔽解除位置から遮蔽位置へと移動させ、基材８１の所定部位を蒸着源４から遮蔽する。
【００３９】
遮蔽部５１は、キャンローラ３とともにその駆動軸６回りに回転している。この遮蔽部５１は、カムフォロア５２ｆが、カム５２ｇの第１領域５２ｈから第２領域５２iへと移動したとき、遮断解除位置（図５参照）から遮蔽位置（図４参照）への移動が開始される。遮蔽装置５は、カムフォロア５２ｆを第２領域５２ｉに沿って第３領域５２ｊへと移動することで、第１リンク体５２ｄが第１回転体５２ｂの回転軸まわりに回動し、これに連動して、第１回転体５２ｂが回転する。さらに第１回転体５２ｂの回転に連動して、第２回転体５２ｃが回転する。このとき、第２回転体５２ｃの動きに連動して、第２リンク体５２ｅが第２回転体５２ｃの回転軸回りに回動する。これによって、遮蔽部５１は、遮蔽解除位置から遮蔽位置へと移動する。
【００４０】
カムフォロア５２ｆが第２領域５２ｉから第３領域５２ｊに移動し、この第３領域５２ｊに沿って移動する間、第１リンク体５２ｄは回動せず、したがって、遮蔽部５１は、遮蔽位置に位置した状態を維持している。これにより、遮蔽部５１に遮蔽された基材８１において、気化材料が蒸着される所定部位を除く部位に、気化材料が蒸着するのを防止している。
【００４１】
そして、カムフォロア５２ｆが第３領域５２ｊから第４領域５２ｋへと移動したとき、この遮蔽部５１の遮蔽位置から遮蔽解除位置への退避が開始される。カムフォロア５２ｆは、第４領域５２ｋに沿って移動することで、第１リンク体５２ｄを第１回転体５２ｃの回転軸回りに回動させる。このとき、第１リンク体５２ｄは、カムフォロア５２ｆが第２領域５２iを移動するときの回動の方向とは逆の方向に回動する。この第１リンク体５２ｄの回動に連動して、第１回転体５２ｂ、第２回転体５２ｃが回転し、さらに、第２リンク体５２ｅが回動する。これにより、遮蔽部５１は、遮蔽位置から遮蔽解除位置へと移動する。
【００４２】
その後、カムフォロア５２ｆは、第４領域５２ｋから第１領域５２ｈへと移動する。カムフォロア５２ｆが第４領域５２ｋに沿って移動する間、第１リンク体５２ｄは回動せず、したがって、遮蔽部５１は、遮蔽解除位置に位置した状態を維持している。
【００４３】
有機ＥＬ素子８は、図６〜図８に示すように、基材８１の一方側の面に蒸着源４からの気化材料が蒸着されて形成される下部電極層８２と、下部電極層８２の上から気化材料が蒸着されて形成される有機層８３と、有機層８３の上から気化材料が蒸着されて形成される上部電極層８４とを備える。そして、有機ＥＬ素子８は、基材８１の幅方向に亘って気化材料が蒸着されていない部位、即ち、各層８２，８３，８４が設けられていない部位を備えている。
【００４４】
基材８１は、導電性を有する導電層８１ａと、絶縁性を有する絶縁層８１ｂとを備える。そして、導電層８１ａは、金属基板で構成されており、例えば、ステンレス、銅、ニッケル等の金属で形成されている。また、絶縁層８１ｂは、導電層８１ａの一方側の面全体を覆うように配置され、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等の光硬化性樹脂や、薄ガラス等で形成されている。
【００４５】
下部電極層８２は、少なくとも一部が有機層８３及び上部電極層８４に覆われておらず露出するように配置されている。そして、下部電極層８２は、本実施形態において、陽極層としており、例えば、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材や、金、銀、アルミニウム等の金属で形成されている。
【００４６】
有機層８３は、下部電極層８２の上に配置される正孔注入層８３ａと、正孔注入層８３ａの上に配置される有機ＥＬ層８３ｂと、有機ＥＬ層８３ｂの上に配置される電子注入層８３ｃとを備える。そして、有機層８３は、下部電極層８２と上部電極層８４とが接触するのを防止するように、下部電極層８２及び上部電極層８４間に配置されている。
【００４７】
正孔注入層８３ａは、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４'−ビス［Ｎ−４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）等で形成されている。また、有機ＥＬ層８３ｂは、例えば、トリス（８−ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）をドープした４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾニルビフェニル（ＣＢＰ）等で形成されている。さらに、電子注入層８３ｃは、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）等で形成されている。
【００４８】
上部電極層８４は、本実施形態において、陰極層としている。そして、上部電極層８４は、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム銀の合金、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含む合金等で形成されている。
【００４９】
したがって、上流側の真空室１に配置される蒸着源４は、下部電極層８２を形成する気化材料を吐出し、中間の真空室１に配置される蒸着源４，４，４は、上流側から、正孔注入層８３ａを形成する気化材料、有機ＥＬ層８３ｂを形成する気化材料、電子注入層８３ｃを形成する気化材料をそれぞれ吐出し、さらに、下流側の真空室１に配置される蒸着源４は、上部電極層８４を形成する気化材料を吐出している。
【００５０】
以上より、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部５１が蒸着源４及び基材８１間に配置されることで、遮蔽部５１が基材８１を遮蔽する遮蔽位置に位置する。これにより、遮蔽部５１に遮蔽された基材８１において、気化材料が蒸着される所定部位を除く部位に、気化材料が蒸着するのを防止できる。
【００５１】
また、切替機構５２によって遮蔽部５１が蒸着源４及び基材８１間から退避されることで、遮蔽部５１が基材８１を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。
【００５２】
これにより、蒸着源４から吐出される気化材料が、走行する基材８１上の所定部位に蒸着するのを阻害することなく、基材８１を搬送することができる。したがって、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、所望のパターンで気化材料を基材８１に蒸着することができる。
【００５３】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部５１が基材８１の幅寸法よりも大きく形成されているため、遮蔽部５１が遮蔽位置に位置した状態において、遮蔽部５１が基材８１の幅方向に亘って配置される。これにより、気化材料が蒸着されていない部位を、基材８１の幅方向に亘って形成することができるため、後に、斯かる部位で有機ＥＬ素子８を切断することができる。
【００５４】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部は、フリップ式遮蔽板であることから、遮蔽位置と遮蔽解除位置との位置変更を確実に行うことができるようになる。
【００５５】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００５６】
例えば、図９に示すように、カム５２ｇの外周面に複数の凹凸を設け、カムフォロア５２ｆがカム５２ｇの凸部７を通過する度に、遮蔽部５１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替わるようにし、キャンローラ３が１回転することにより、複数回の蒸着による成膜を行うようにしても良い。
【００５７】
また、上記実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置においては、遮蔽部５１が帯状又は矩形状に形成される構成を説明したが、斯かる構成に限られない。
【００５８】
具体的には、遮蔽部５１は、図１０に示すように、基材８１にほぼ直交するように設けられる第１遮蔽部５１ａと、この第１遮蔽部５１ａにほぼ直交するように設けられる１つの第２遮蔽部５１ｂとを有する構成でもよい。
【００５９】
図１０に示すように、第１遮蔽部５１ａは、帯状又は矩形状に構成される。第１遮蔽部５１ａは、その一端部が切替機構５２の第２リンク体５２ｅに連結され、その他端部が第２遮蔽部５１ｂと一体に形成されている。第２遮蔽部５１ｂは、帯状又は矩形状に構成される。第２遮蔽部５１ｂは、基材８１の幅方向における一端部と重なって、基材８１の長手方向に沿って設けられている。
【００６０】
また、遮蔽部５１は、図１１に示すように、図１０の第１遮蔽部５１ａ及び第２遮蔽部５１ｂに加えて、第３遮蔽部５１ｃを有する構成でもよい。第３遮蔽部５１ｃは、帯状又は矩形状に構成される。第３遮蔽部５１ｃは、第１遮蔽部５１ａの中途部から、この第１遮蔽部５１ａとほぼ直交するように突出して形成される。第２遮蔽部５１ｂが基材８１の幅方向の一端部と重なるように設けられる一方で、第３遮蔽部５１ｃは、基材８１の幅方向における反対側の他端部と重なるように設けられる。第３遮蔽部５１ｃは、第２遮蔽部５１ｂとほぼ平行になっている。第３遮蔽部５１ｃは、基材８１の長手方向に沿って設けられる。
【００６１】
また、遮蔽部５１は、図１２に示すように、図１１の第１遮蔽部５１ａ、第２遮蔽部５１ｂ及び第３遮蔽部５１ｃに加えて、第４遮蔽部５１ｄを有する構成でもよい。第４遮蔽部５１ｄは、帯状又は矩形状に構成される。第４遮蔽部５１ｄは、第２遮蔽部５１ｂの端部と第３遮蔽部５１ｃの端部とを連結している。第４遮蔽部５１ｄは、第１遮蔽部５１ａとほぼ平行になっている。また、第４遮蔽部５１ｄは、基材８１の幅方向に沿うように設けられる。上記のような構成により、図１２に示す遮蔽部５１は、第１遮蔽部５１ａ、第２遮蔽部５１ｂ、第３遮蔽部５１ｃ、及び第４遮蔽部５１ｄによって、四角形状に構成される。また、この遮蔽部５１は、第１遮蔽部５１ａ〜第４遮蔽部５１ｄによって囲まれる１つの開口部を有する。
【００６２】
また、遮蔽部５１は、図１３に示すように、図１２の第１遮蔽部５１ａ〜第４遮蔽部５１ｄに加えて、第５遮蔽部５１ｅを有する構成でもよい。この第５遮蔽部５１ｅは、帯状に構成され、その中途部が屈曲して構成される。第５遮蔽部５１ｅは、第２遮蔽部５１ｂと第３遮蔽部５１ｃとの間に設けられる。この第５遮蔽部５１ｅは、第１遮蔽部５１ａの中途部と第４遮蔽部５１ｄの中途部とを連結する。第５遮蔽部５１ｅは、第１遮蔽部５１ａ及び第４遮蔽部５１ｄとほぼ直交するように設けられる。また、第５遮蔽部５１ｅは、基材８１の長手方向に沿うように設けられる。上記のような構成により、遮蔽部５１は、第１遮蔽部５１ａ〜第５遮蔽部５１ｅによって区切られる２つの開口部を有する。
【００６３】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置においては、切替機構５は、上記実施形態に係る構成に限られず、遮蔽部５１を遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替える構成であればよい。
【００６４】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置において、例えば、キャンローラ３の一方の面側（表面側）と他方の面側（裏面側）の両側に、遮蔽装置５Ａ、５Ｂが設けられていてもよい。例えば、図１４に示すように、製造装置は、キャンローラ３の一方側に設けられる第１遮蔽装置５Ａと、他方側に設けられる第２遮蔽装置５Ｂとを有する。第１遮蔽装置５Ａと第２遮蔽装置５Ｂは、同形に構成されている。
【００６５】
第１遮蔽装置５Ａと第２遮蔽装置５Ｂは、同じタイミングで、遮蔽位置、遮蔽解除位置に移動する。なお、第１遮蔽装置５Ａ及び第２遮蔽装置５Ｂに設けられるカム５２ｇは、軸受９を介して駆動軸６に相対回転可能に支持されている。これらのカム５２ｇは、固定部材１０を介して真空室１内に固定されている。すなわち、カム５２ｇは、駆動軸６に対して相対回転可能ではあるが、自転しないように真空室１内に固定されている。第１遮蔽装置５Ａの遮蔽部５１は、遮蔽位置（図１４において実線で描かれた位置）において、基材８１の幅方向における約半分の領域を遮蔽するように構成される。また、第２遮蔽装置５Ｂの遮蔽部５１は、第１遮蔽装置５Ａの遮蔽部５１が遮蔽していない基材の残りの約半分の領域を遮蔽するように構成される。
【００６６】
図１５は、上記の構成の製造装置によって下部電極層８２が基材８１に形成された例を示す。図１５に示すように、基材８１には、第１遮蔽装置５Ａを使用して形成される第１下部電極層８２Ａの列と、第２遮蔽装置５Ｂを使用して形成される第２下部電極層８２Ｂの列とが形成されている。
【００６７】
図１４の例による製造装置では、第１遮蔽装置５Ａと第２遮蔽装置５Ｂとによって、同じタイミングで下部電極層８２Ａ、８２Ｂを形成したが、第１遮蔽装置５Ａと第２遮蔽装置５Ｂによる遮蔽のタイミングを異ならせてもよい。さらに、第１遮蔽装置５Ａと、第２遮蔽装置５Ｂとは、キャンローラ３の回転方向において、異なる位置に配置されていてもよい。これにより、第１遮蔽装置５Ａが基材８１を遮蔽するタイミングと、第２遮蔽装置５Ｂが基材８１を遮蔽するタイミングとを異ならせることが可能になる。したがって、例えば、図１６に示すように、第１遮蔽装置５Ａによって、下部電極層８２を基材８１に形成した後、第２遮蔽装置５Ｂによって、この下部電極層８２の上に、有機層８３を形成するということが可能になる。
【実施例】
【００６８】
次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
【００６９】
以下の条件による製造装置によって、基材上に陽極層、有機ＥＬ層、および陰極層を形成し、有機ＥＬ素子を製造した。遮蔽部には、その厚さが０．１ｍｍ、材質としてＳＵＳ３０４のものを採用した。キャンローラの直径は、６００ｍｍとされる。真空室の真空度は５．０×１０-5Ｐａに設定した。基材の幅寸法は、５０ｍｍである。また、基材の搬送速度は１ｍ／ｍｉｎである。基材は、その厚さが５０μｍ、その材質がＳＵＳ３０４である。基材の素子側には、厚さ４μｍの絶縁層が形成される。
【００７０】
上記の条件で製造された有機ＥＬ素子を、鋏を用いて、基材における長手方向の隣接した有機ＥＬ素子間の中央部で基材幅方向に沿って切断することにより、各有機ＥＬ素子を切り離し、陽極層及び陰極層に電圧を印加した結果、いずれの有機ＥＬ素子についても、基材搬送方向長さ３１４ｍｍ、基材幅方向長さ３８ｍｍの領域を有する緑色の発光が認められた。また、該領域内における発光は均一であった。また、有機ＥＬ素子には、ショート等の不具合の発生は認められなかった。実施例１では、１０ユニットの有機ＥＬ素子を製造したが、その全てについて所望の発光を行うことができた。
（比較例）
【００７１】
実施例１における遮蔽装置を使用する代わりに、帯状のシャドーマスクを用いる製造装置によって、有機ＥＬ素子の比較例を製造した。帯状のシャドーマスクは、シャドーマスク繰り出しローラにそれぞれ巻き付けられており、該シャドーマスク繰り出しローラから繰り出された帯状のシャドーマスクが、キャンローラと蒸着源との間にそれぞれ供給された後、シャドーマスク巻き取りローラによってそれぞれ巻き取られるようになっている。
シャドーマスクには所定のピッチで開口部が形成されている。さらに、繰り出されたシャドーマスクは、押さえロールによって基材に密着させられる。
【００７２】
そして、このような帯状のシャドーマスクを備えた製造装置を用いて、実施例１と同様に、基材上に形成された陽極層に有機ＥＬ層と陰極層を形成したところ、シャドーマスクと基材上に形成された陽極層とが擦れて、陽極層に傷がついた。より具体的には、製造された１０ユニットの有機ＥＬ素子のうち、１つのユニットにおいて陽極層に傷がついた。また、連続した成膜の途中から、帯状のシャドーマスクの開口部と陽極層との間に位置ずれが生じたため、それ以降は所望の品質を満足するような有機ＥＬ素子を製造することができなかった。
【００７３】
本願の発明者は、上記のような実施例１と、陽極層に傷のついた比較例とに係る有機ＥＬ素子について、性能試験を行った。試験結果として、図１７を参照すると、実施例１に係る有機ＥＬ素子は、印加電圧が約７Ｖを越えてから発光輝度が徐々に増加していき、印加電圧が１２Ｖの場合に、発光輝度が４００００ｃｄ／ｍ2を越え、所望の発光輝度に到達することが確認された。これに対し、動作不良が生じた比較例に係る有機ＥＬ素子では、印加電圧が約７Ｖを越えた時点から徐々に発光輝度が増加していくが、印加電圧が１２Ｖになっても所望の発光輝度まで到達しないことが判明した。この結果から、比較例は、陽極層に傷がついたため、所望の性能を発揮できなかったものと考えられる。
【００７４】
また、図１８、図１９に示すように、実施例１と比較例について、レーザ顕微鏡（株式会社キーエンス製：ＶＫ−９７００）を使用し、基材に陽極層が形成された状態におけるその境界部の平面の画像を取得し、これらの画像の対比を行っている。また、図２０に示すように、実施例１と比較例における陽極層のパターンエッジ部分の断面プロファイルをグラフにし、対比を行っている。
【００７５】
この実施例１では、遮蔽装置の遮蔽部を、基材から離れた遮蔽位置に配置し、蒸着源からの気化材料を基材に蒸着することにより、陽極層を形成している。一方、比較例では、シャドーマスクを基材に接触させた状態で遮蔽し、蒸着源からの気化材料を基材に蒸着することにより、陽極層を形成している。
【００７６】
図２０に示すように、比較例の陽極層のエッジ部分は、その側面がほぼ鉛直方向に沿うように直線的に形成されていることが判る。これに対し、実施例１の陽極層のエッジ部分は、その側面が鉛直方向に対して傾斜して曲線状に形成されていることが判る。
【００７７】
上記の点について、さらに図１９を参照すると、比較例に係る平面画像では、上述のように、陽極層の側面がほぼ鉛直に形成されることから、基材と陽極層との境界が色線上に鮮明に写っている。これに対し、実施例１における平面画像（図１８）では、陽極層の側面が傾斜して形成されていることから、基材と陽極層との間の境界が鮮明ではなく、ややぼやけたように写っている。
【００７８】
上記のように、比較例においては、シャドーマスクが基材に接触した状態で、陽極層に係る気化材料の蒸着が行われた結果、陽極層のエッジが非常に尖鋭な状態（図１９、図２０に示す状態）になったことが判る。このような比較例においては、いわゆるエッジリークが発生しやすくなり、好ましいものではない。このことから、実施例１に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置は、基材に陽極層を形成する場合に、遮蔽部を基材から離間させて蒸着を行うことにより、エッジリークの発生を防止する点において顕著な効果を奏することが判った。
【符号の説明】
【００７９】
１…真空室、２…走行装置、３…キャンローラ、４…蒸着源、５…遮蔽装置、８…有機ＥＬ素子、５１…遮蔽部、５２…切替機構、８１…基材、８２…下部電極層、８３…有機層、８４…上部電極層、Ｘ…走行方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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