(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
入力された画像信号の１フィールドを、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化電圧を印加する初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、前記サブフィールドは、前記初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、前記初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかであり、前記画像信号の平均輝度レベルを検出し、前記平均輝度レベルが所定のしきい値未満の場合から前記所定のしきい値以上の場合に変化する際に、前記選択初期化サブフィールドを前記全セル初期化サブフィールドに切換えることで全セル初期化サブフィールドの数を増加できるように構成し、
全セル初期化サブフィールドの数を増加させるときは、全セル初期化サブフィールドの数を増加させたフィールドの直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドの前記初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドの前記初期化電圧よりも高くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
入力された画像信号の１フィールドを、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化電圧を印加する初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、前記サブフィールドは、前記初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、前記初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかであり、前記画像信号の平均輝度レベルを検出し、前記平均輝度レベルが所定のしきい値以上の場合から前記所定のしきい値未満の場合に変化する際に、前記全セル初期化サブフィールドを前記選択初期化サブフィールドに切換えることで全セル初期化サブフィールドの数を減少できるように構成し、
全セル初期化サブフィールドの数を減少させるときは、全セル初期化サブフィールドの数を減少させたフィールドの直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドの前記初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を減少させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドの前記初期化電圧よりも低くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。
【０００３】
前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。
【０００４】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００５】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。
【０００６】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。
【０００７】
書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００８】
また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた新規な駆動方法が開示されている。
【０００９】
具体的には、例えば複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間において全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電に伴う発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光、すなわち黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。
【００１１】
一方、パネルの高精細度化や大画面化に伴って放電セル数が増加し、また、動画擬似輪郭の改善等、画像表示品質を向上させるためにサブフィールド数を増加させる等、今後ますます書込み動作の高速化が要求されている。
【００１２】
ところで、全ての放電セルを初期化させる全セル初期化動作は、上述したように書込み動作に必要な壁電荷を形成するとともに、放電遅れを小さくし、書込み放電を安定して発生させるためのプライミングを発生させるという働きをも併せ持っている。したがって、高速書込み動作のためにはプライミングを増やすという方法が有効である。しかし、単純に全セル初期化動作の回数を増やすと、黒輝度が上がってコントラストが低下し、画像表示品質が低下する。
【００１３】
そこで、表示すべき画像信号の平均画像レベル（ＡＰＬ：Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ）にもとづいて、各サブフィールドの初期化期間における初期化動作を、全セル初期化または選択初期化のいずれかに決定して全セル初期化回数を増減させ、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能なパネルの駆動方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００５−２１５１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、初期化期間における初期化動作を、全セル初期化動作または選択初期化動作のいずれかに決定して全セル初期化回数を増減させると、本来一定であるべき黒輝度が不連続的に変動して画像表示品質を低下させてしまうことがある。ここで、１フィールド期間内の全セル初期化動作を行うサブフィールドの数を、以下においては「全セル初期化回数」と記す。
【００１５】
本発明はこれらの課題を解決するために行われたもので、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上することが可能なパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルの駆動方法であって、１フィールドを、放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、サブフィールドは、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかであり、全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換え可能とすることで全セル初期化サブフィールドの数を増減できるように構成し、全セル初期化サブフィールドの数を増加させるときは、全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えて、全セル初期化サブフィールドの数を減少させるときは、連続して配置された全セル初期化サブフィールドの一つを選択初期化サブフィールドに切換えることを特徴とする。この方法により、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上することが可能なパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することができる。
【００１７】
また本発明のパネルの駆動方法は、全セル初期化サブフィールドの数を増減させずに全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換えるときは、選択初期化サブフィールドの直前または直後に配置された全セル初期化サブフィールドを選択初期化に切換えるとともに全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えてもよい。
【００１８】
また本発明のパネルの駆動方法は、全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための初期化電圧を可変できるように構成し、全セル初期化サブフィールドの数を増減させるときに、初期化放電の発光輝度の変化を緩和するように初期化電圧を制御してもよい。
【００１９】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、走査電極に緩やかに上昇または下降する傾斜波形電圧を印加する走査電極駆動回路とを備え、１フィールドを、放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、サブフィールドは、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかであり、走査電極駆動回路は、全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換え可能とすることで全セル初期化サブフィールドの数を増減できるように構成するとともに、全セル初期化サブフィールドの数を増加させるときは、全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えて、全セル初期化サブフィールドの数を減少させるときは、連続して配置された全セル初期化サブフィールドの一つを選択初期化サブフィールドに切換えるように構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２８が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２４が形成され、その誘電体層２４上に保護層２５が形成されている。背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２３】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２８とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。本実施の形態においては、輝度向上のためにキセノン分圧を１０％とした放電ガスが用いられている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２８とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２４】
なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００２５】
図２は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の電極配列を示す図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。
【００２６】
図３は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生回路５５、ＡＰＬ検出回路５７および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００２７】
画像信号処理回路５１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路５２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。ＡＰＬ検出回路５７は画像信号ｓｉｇの平均輝度レベル（以下、「ＡＰＬ」と略記する）を検出する。具体的には、例えば画像信号の輝度値を１フィールド期間または１フレーム期間にわたって累積する等の一般に知られた手法を用いることによってＡＰＬを検出する。
【００２８】
タイミング発生回路５５は水平同期信号Ｈ、垂直同期信号ＶおよびＡＰＬ検出回路５７が検出したＡＰＬをもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路５３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化電圧波形を発生するための初期化波形発生回路３００を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路５４は、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。
【００２９】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置１は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００３０】
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（全セル初期化動作）と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（選択初期化動作）とがある。
【００３１】
書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を輝度倍率と呼ぶ。なお、サブフィールド構成の詳細については後述することとし、ここではサブフィールドにおける駆動電圧波形とその動作について説明する。
【００３２】
図４は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図４には、全セル初期化動作を行うサブフィールドと選択初期化動作を行うサブフィールドとを示している。
【００３３】
まず、全セル初期化動作を行うサブフィールドについて説明する。
【００３４】
初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する（以下、初期化期間の前半部において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する、緩やかに上昇する電圧の最大値を「初期化電圧Ｖｒ」として引用する）。
【００３５】
この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３６】
このときの初期化放電では、続く初期化期間の後半部において壁電圧の最適化を図ることを見越して、過剰に壁電圧を蓄えておく。こうして蓄えられる過剰な壁電圧は初期化電圧Ｖｒによって制御することができる。そして詳細は後述するが、初期化電圧Ｖｒの値は常に一定の電圧ではなく、必要に応じて変化させる。
【００３７】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「ランプ電圧」と記す）を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３８】
そしてこのときの放電は、初期化期間の前半部において蓄えられた過剰な壁電圧に依存するので、初期化電圧Ｖｒが低く初期化前半部の初期化放電が弱いと、初期化後半部の初期化放電も弱くなる。逆に初期化電圧Ｖｒが高いと、両方の初期化放電が強くなる。
【００３９】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００４０】
次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４１】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００４２】
続く維持期間では、消費電力を削減するために電力回収回路を用いて駆動を行っているが、駆動電圧波形の詳細については後述することとして、ここでは維持期間における維持動作の概要について説明する。
【００４３】
まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００４４】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４５】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４６】
そして、維持期間の最後には走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。
【００４７】
次に、選択初期化動作を行うサブフィールドの動作について説明する。
【００４８】
選択初期化を行う初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。
【００４９】
すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Ｄｋに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【００５０】
一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。
【００５１】
続く書込み期間の動作は全セル初期化を行うサブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。
【００５２】
次に、本実施の形態におけるパネルの駆動方法のサブフィールド構成について説明をする。本実施の形態においては、１フィールドを１０のサブフィールド（第１サブフィールド、第２サブフィールド、・・・、第１０サブフィールド）に分割し、各サブフィールドはそれぞれ（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つと仮定して説明するが、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。
【００５３】
図５は本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す図であり、サブフィールドのそれぞれは、初期化期間に全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と略記）か、初期化期間に選択初期化を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と略記）かのどちらかである。なお、図５、図６、図７、図１３および図１４は、パネルの駆動波形の１フィールドの概略を示すもので、詳細については、各サブフィールドの各々の期間における波形は図４に示すとおりである。
【００５４】
本実施の形態においては表示すべき画像信号のＡＰＬにもとづいてサブフィールド構成を切換えている。図５（ａ）は、ＡＰＬが６％未満の画像信号時に使用する構成であり、第１サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、第２サブフィールド〜第１０サブフィールドは選択初期化サブフィールドである。図５（ｂ）は、ＡＰＬが６％以上の画像信号時に使用する構成であり、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドは全セル初期化サブフィールド、第２サブフィールド、第３サブフィールドと第５サブフィールド〜第１０サブフィールドは選択初期化サブフィールドとなっている。すなわち、ＡＰＬがしきい値６％未満の場合は１フィールド期間内の全セル初期化動作を行うサブフィールドの数（以下、「全セル初期化回数」と略記する）は１回、しきい値６％以上の場合には全セル初期化回数が２回のサブフィールド構成となっている。以下の表１に上述のサブフィールド構成とＡＰＬとの関係を示した。
【００５５】
【表１】
0005233072.tif 000002
【００５６】
しかしながら、全セル初期化回数だけを単純に増減させると、本来一定であるべき黒表示領域の輝度、すなわち黒輝度が不連続的に変化し画像表示品質を低下させてしまう。そこで本実施の形態では、全セル初期化回数をＡＰＬに依存して増減させるときに全セル初期化回数だけを単純に増減させるのではなく、走査電極２２に印加する初期化電圧Ｖｒの値を段階的に増加あるいは減少させ、黒輝度の急激な変化を緩和しながら全セル初期化回数を増減させている。このように初期化電圧Ｖｒを制御することによって、全セル初期化回数を増減させるときに黒輝度の変化を緩和することが可能になる。
【００５７】
図６は本発明の実施の形態において初期化期間に走査電極２２へ印加する初期化電圧Ｖｒの変化を示す模式図であり、１フィールド期間に含まれる１０個のサブフィールドのうち、全セル初期化回数を含むサブフィールドを１回から２回に増加させる場合の時間的な駆動波形の変化を示すものである。図６の例では、第１サブフィールドと第４サブフィールドとにおける初期化電圧Ｖｒの変化を模式的に示す図である。ここで、電圧値ＶｒＣは全セル初期化回数を変更しないときの初期化電圧Ｖｒの設定値を示し、電圧値ＶｒＬおよび電圧値ＶｒＨは全セル初期化回数を変更するときの初期化電圧Ｖｒの最小値、および最大値をそれぞれ示している。
【００５８】
１フィールド期間の全セル初期化動作を実施する初期化期間を有するサブフィールドの数を、１回から２回に増加させるときには、図６（ａ）と図６（ｂ）に示すように、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を増加前の電圧値ＶｒＣから段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、図６（ｃ）に示すように、電圧値ＶｒＨに至らせる。
【００５９】
次に、図６（ｄ）に示すように、第１サブフィールドとともに第４サブフィールドでも全セル初期化動作を行い、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣよりも低い電圧である電圧値ＶｒＬに設定する。ここで電圧値ＶｒＨおよび電圧値ＶｒＬは、１フィールドの中で、全セル初期化動作を行うサブフィールド数が１回であり、かつ初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＨであるときの１フィールド期間の黒輝度と、全セル初期化回数が２回でありかつ初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＬであるときの１フィールド期間の黒輝度がほぼ等しくなるように設定されていることが望ましい。
【００６０】
そしてその後、図６（ｅ）に示すように、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＬから段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて定常状態の電圧値ＶｒＣに至らせる。
【００６１】
逆に、全セル初期化回数を２回から１回に減少させる時は、第１サブフィールドと第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣから段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値ＶｒＬに至らせる。
【００６２】
次に、第４サブフィールドの初期化動作を選択初期化動作に切換えるとともに、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣよりも高い電圧である電圧値ＶｒＨに設定する。そしてその後、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＨから段階的に低下させ、ある一定の時間をかけて電圧値ＶｒＣに至らせる。
【００６３】
このように、１フィールドの全セル初期化を実行する初期化期間を有するサブフィールドの数を変える場合に、全セル初期化期間の走査電極２２に印加される初期化電圧Ｖｒを制御することによって、全セル初期化回数を増減させる直前のフィールドにおける黒輝度と、全セル初期化回数を増減させた直後のフィールドにおける黒輝度とをほぼ等しくすることが可能になり、全セル初期化動作による発光輝度の変化を緩和し、黒輝度の変動を目立ち難くして画像表示品質を向上している。
【００６４】
なお、本実施の形態では、ＡＰＬに対してしきい値６％を設定し、ＡＰＬにもとづいて１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回または２回の間で変更するものとして説明したが、本発明は上述したしきい値や全セル初期化回数に限定されるものではなく、パネルの特性や表示画像等に応じて設定すればよい。
【００６５】
次にこのような例について説明する。
【００６６】
図７は、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を、２回から３回に増加させるときの初期化電圧Ｖｒの変化の一例を示す模式図である。
【００６７】
図７では、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドの全セル初期化サブフィールドに加えて第６サブフィールドも全セル初期化サブフィールドに切換えるものとして説明する。
【００６８】
１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から３回に増加させる時は、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＣに保ったまま、第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を増加前の電圧値ＶｒＣ（Ｖ）から段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、図７（ｃ）に示すように、電圧値ＶｒＨに至らせる。
【００６９】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１サブフィールド、第４サブフィールドとともに第６サブフィールドでも全セル初期化動作を行い、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＣに保ったまま、第４サブフィールドおよび第６サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣよりも低い電圧である電圧値ＶｒＬに設定する。ここで、電圧値ＶｒＨおよび電圧値ＶｒＬは、１フィールドの全セル初期化を実行する回数が２回でありかつ第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＣ、第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＨであるときの黒輝度が、全セル初期化回数が３回であり、かつ第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＣでありかつ第４サブフィールドおよび第６サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＬであるときの黒輝度と等しくなるように設定されている。
【００７０】
そしてその後、図７（ｅ）に示すように、第４サブフィールドおよび第６サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＬから段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて電圧値ＶｒＣに至らせる。
【００７１】
逆に、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を３回から２回に減少させる時は、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＣに保ったまま、第４サブフィールドおよび第６サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣから段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値ＶｒＬに至らせる。
【００７２】
次に、第６サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＣに保ったまま、第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を、電圧値ＶｒＣよりも高い電圧である電圧値ＶｒＨに設定する。その後、第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＨから段階的に低下させ、ある一定の時間をかけて電圧値ＶｒＣに至らせる。
【００７３】
このように、１フィールドの全セル初期化を実行する回数が３回以上であっても同様に制御することができる。
【００７４】
なお、上述の説明では、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒは一定値であるものとしたが、全セル初期化回数を増減させる直前と増減させた直後との黒輝度が大きく変化しないように各全セル初期化サブフィールドの初期化電圧Ｖｒが設定されていればよい。
【００７５】
すなわち、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させる直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドの初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドの初期化電圧よりも高く設定すればよい。
【００７６】
また、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドの初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を減少させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドの初期化電圧よりも低く設定すればよい。
【００７７】
また、１フィールドの全セル初期化回数を変更する動作の途中で画像信号のＡＰＬがさらに変化した場合、その動作を途中で中断させると黒輝度が不連続的に変化する可能性があるので望ましくない。したがって、上述した１フィールドの全セル初期化を実行する回数を変更する動作をいったん開始した場合は、その動作が完了するまで次の変更動作に入ることを禁止することが望ましい。
【００７８】
例えば全セル初期化回数を１回から３回に変更する必要が生じた時には、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に変更した後に、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から３回に変更すればよい。
【００７９】
次に、このようにして１フィールドの全セル初期化を実行する回数を変更する際の電圧値ＶｒＬおよび電圧値ＶｒＨの設定の方法について説明する。図８は、１フィールドの全セル初期化を実行する回数１回あたりの初期化電圧Ｖｒの値とそのときの黒輝度との関係を測定した一例を示す図である。このパネルの測定例では、初期化電圧Ｖｒが３３０（Ｖ）以下の場合には放電は発生せず、したがって黒輝度は０（ｃｄ／ｃｍ２）である。このときの初期化動作は実質的に選択初期化動作と同様になる。
【００８０】
初期化電圧Ｖｒが３３０（Ｖ）以上では、初期化電圧Ｖｒが２０（Ｖ）上昇する毎に黒輝度がほぼ０．０５（ｃｄ／ｃｍ２）の割合で増加し、初期化電圧Ｖｒが３７０（Ｖ）のとき黒輝度は０．１（ｃｄ／ｃｍ２）、初期化電圧Ｖｒが３９０（Ｖ）のとき黒輝度は０．１５（ｃｄ／ｃｍ２）、初期化電圧Ｖｒが４１０（Ｖ）のとき黒輝度は０．２（ｃｄ／ｃｍ２）、初期化電圧Ｖｒが４５０（Ｖ）のとき黒輝度は０．３（ｃｄ／ｃｍ２）である。
【００８１】
このように、初期化電圧Ｖｒが高くなるとともに黒輝度も上昇するが、初期化電圧Ｖｒが３３０（Ｖ）から３７０（Ｖ）の間では、全セル初期化動作の際に異常な放電が発生する可能性のあることが明らかになった。ある放電セルで異常な放電が発生すると、その放電セル内に異常な壁電荷が蓄積され、その後の書込み放電の有無にかかわらず維持期間において維持放電が発生するという誤放電現象（以下、「初期化異常」と略記する）が発生し、画像表示品質を著しく低下させてしまう。したがって、初期化異常の発生する可能性のある電圧に初期化電圧Ｖｒを設定することは望ましくない。
【００８２】
そして、初期化異常の発生する可能性のある電圧を避けながら、かつ黒輝度の不連続的な変動を抑制するように電圧値ＶｒＬおよび電圧値ＶｒＨを設定している。本実施の形態においては、初期化異常が発生しない電圧範囲で、初期化電圧Ｖｒ＝３９０（Ｖ）のときの黒輝度が０．１５（ｃｄ／ｃｍ２）であり、初期化電圧Ｖｒが４５０（Ｖ）のときの黒輝度がその２倍の０．３（ｃｄ／ｃｍ２）となることに注目し、電圧値ＶｒＨを４５０（Ｖ）、電圧値ＶｒＬを３９０（Ｖ）に設定した。また、定常状態における全セル初期化動作の電圧値ＶｒＣとしてはその間の４１０（Ｖ）に設定した。
【００８３】
このように設定することにより、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に変更する際に、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＨのときの黒輝度の値０．３（ｃｄ／ｃｍ２）と、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＬのときの黒輝度の値０．１５＋０．１５＝０．３（ｃｄ／ｃｍ２）とが等しくなり、１フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更時の黒輝度を連続的に変化させることができるので、黒輝度の変動が目に付き難く、画像表示品質を向上させることができる。
【００８４】
なお、本実施の形態では、定常状態での電圧値ＶｒＣを電圧値ＶｒＬと電圧値ＶｒＨとの間の値に設定したため、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に増加させる場合、第１サブフィールドの初期化電圧ＶｒをＶｒＣからＶｒＨまで上昇した後、初期化回数を２回に増やし、その後第１サブフィールドおよび第４サブフィールドの初期化電圧ＶｒをＶｒＬからＶｒＣまで上昇させた。
【００８５】
しかしながら、本発明は上述した駆動方法に限られるものではなく、１フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更時に黒輝度の急激な変化を緩和するように初期化電圧Ｖｒを制御すればよい。例えば、定常状態での初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＬ＝３９０（Ｖ）に設定した場合は、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に増加させる場合、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＬから電圧値ＶｒＨまで段階的に上昇し、その後第１サブフィールドおよび第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＬとして初期化回数を２回に増やせばよい。
【００８６】
また、定常状態での電圧値ＶｒＣを電圧値ＶｒＨ＝４５０（Ｖ）設定した場合は、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に増加させる場合、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＬのまま初期化回数を２回に増やし、その後第１サブフィールドおよび第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＬから電圧値ＶｒＨまで段階的に上昇させればよい。１フィールドの全セル初期化を実行する回数を減少させる場合も同様である。
【００８７】
また、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から３回に変更する時や、それ以上の回数に変更する時にも、初期化電圧Ｖｒを同様に制御することで黒輝度を連続的に変化させることができる。
【００８８】
このように、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させるまでの連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に上昇させ、全セル初期化サブフィールドの数を減少させた後の連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも１つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に下降させてもよい。
【００８９】
あるいは、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させた後の連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に上昇させ、全セル初期化サブフィールドの数を減少させるまでの連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも２つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に下降させてもよい。
【００９０】
なお、全セル初期化期間において走査電極２２に印加する電圧値ＶｒＬ、電圧値ＶｒＨおよび電圧値ＶｒＣは上記実施の形態に限定されるものではなく、パネルの特性に応じて最適に設定されることが望ましい。
【００９１】
ここで、本実施の形態においては、初期化電圧Ｖｒの変化の速度を２．５（Ｖ／フィールド）に設定しており、上述した１フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更動作に要する時間すなわち、全セル初期化サブフィールドの数をひとつ増加または減少させるときに初期化電圧の上昇または下降を開始させてからあらかじめ設定された電圧に至るまでの時間（以下、「変更時間」と略記する）はおよそ０．４秒である。
【００９２】
具体的には、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を１回から２回に変更する場合、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＣ＝４１０（Ｖ）から電圧値ＶｒＨ＝４５０（Ｖ）に上昇させるのに１６フィールド、およそ０．２７秒を要し、第１サブフィールドと第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを電圧値ＶｒＬ＝３９０（Ｖ）から電圧値ＶｒＣ＝４１０（Ｖ）に上昇させるために８フィールド、およそ０．１３秒を要し、合計の変更時間は０．４０秒となる。
【００９３】
変更時間は、短すぎると黒輝度の変化が目立ち、画像表示品質の劣化を招くことは上述したとおりであるが、逆に長すぎても視覚的に違和感がありあまり好ましくないことがわかった。この視覚的な違和感は全セル初期化動作に伴う発光の周期が初期化回数の変更時に不連続的に変化するために起こるものと考えられる。
【００９４】
図９は、初期化回数の変更が視覚に違和感を与える理由を説明するための図である。例えば１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から１回に変更する場合、変更の直前では第１サブフィールドおよび第４サブフィールドの初期化電圧Ｖｒは電圧値ＶｒＬ＝３９０（Ｖ）であり、１フィールド毎に２回ずつの周期で発光している。しかし人間の目にはこれらの周期的な発光が積分されて認識されるので黒輝度は連続的な一定の明るさ、０．１５ｃｄ／ｃｍ２に感じられる。
【００９５】
ところが１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から１回に変更した直後は、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒは４５０（Ｖ）となり、瞬間的な発光輝度は２倍となる。そして人間の目はこの瞬間的な発光輝度の違いを認識し、一瞬黒輝度が上昇したように見える。
【００９６】
その後の発光は１フィールドごとの発光になるので平均的には０．１５ｃｄ／ｃｍ２に戻るが、変更直後の一瞬の輝度上昇がフリッカとして認識され画像表示品質を低下させることがわかった。
【００９７】
本発明者らは、変更時間と視覚的な違和感との関係を調べた。図１０はその結果を示す図であり、変更時間に対するフリッカおよび黒輝度の変化の許容度の評価を行った結果である。
【００９８】
このように、フリッカと黒輝度の変化はトレードオフの関係にあり、変更時間が長すぎると黒輝度の変化は緩和されるもののフリッカが目に付き、逆に変更時間が短すぎるとフリッカは見え難くなるものの黒輝度の変化が目に付きやすくなる。そして表示すべき画像にも依存するが、図１０に示したように、フリッカが目に付き難くかつ黒輝度の変化もある程度抑制するためには変更時間の値を０．２秒以上、１．６秒以下に設定することが望ましいことがわかった。
【００９９】
また、変更時間の値を０．２秒以上、０．８秒以下に設定するとさらに望ましいこともわかった。本実施の形態においては、この結果にもとづき変更時間を０．４秒に設定した。
【０１００】
次に、全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｒを制御する方法について説明する。図１１は本実施の形態における走査電極駆動回路５３の回路図である。
【０１０１】
走査電極駆動回路５３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路１００、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路３００、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路４００を備えている。
【０１０２】
維持パルス発生回路１００は、走査電極２２を駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路１１０と、走査電極２２を電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｓ１と、走査電極２２を０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｓ２とを有する。また、走査パルス発生回路４００は、書込み期間において走査パルスを走査電極２２に順次印加する。なお、走査パルス発生回路４００は、初期化期間および維持期間では維持パルス発生回路１００または初期化波形発生回路３００の電圧波形をそのまま出力する。
【０１０３】
初期化波形発生回路３００は、ミラー積分回路３１０、３２０を備え、上述した初期化波形を発生させるとともに、全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｒの制御を行う。ミラー積分回路３１０は、ＦＥＴ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、所定の初期化電圧Ｖｒまでランプ状に緩やかに上昇するランプ電圧を発生し、ミラー積分回路３２０は、ＦＥＴ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに低下するランプ電圧を発生する。なお、図１１には、ミラー積分回路３１０、３２０のそれぞれの入力端子を端子ＩＮ１、端子ＩＮ２として示している。
【０１０４】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路３００として実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定するものではなく、初期化電圧Ｖｒを制御しつつランプ電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。
【０１０５】
次に、初期化波形発生回路３００の動作について説明する。図１２は、全セル初期化期間における走査電極駆動回路５３の動作を説明するためのタイミングチャートであり、図４の破線で囲った部分の詳細なタイミングチャートである。なお、ここでは、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形をＴ１〜Ｔ４で示した４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３、電圧Ｖｉ３’はすべて電圧Ｖｓに等しいものとして説明する。なお、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。
【０１０６】
（期間Ｔ１）
まず、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子Ｓ１をオンにする。するとスイッチング素子Ｓ１を介して走査電極２２に電圧Ｖｓが印加される。そして、その後スイッチング素子Ｓ１をオフにする。
【０１０７】
（期間Ｔ２）
次に、ミラー積分回路３１０の入力端子ＩＮ１を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１からコンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、ＦＥＴ１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。
【０１０８】
そしてこの電圧上昇は、入力端子ＩＮ１が「ハイレベル」の間継続する。そして、出力電圧が必要な初期化電圧Ｖｒまで上昇したら、その後、入力端子ＩＮ１を「ローレベル」にする。
【０１０９】
このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｓから放電開始電圧を超える初期化電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇するランプ電圧を走査電極２２に印加する。このとき、入力端子ＩＮ１を「ハイレベル」にする時間ｔｒを長くすると初期化電圧Ｖｒを高くすることができ、時間ｔｒを短くすると初期化電圧Ｖｒを低くすることができる。
【０１１０】
（期間Ｔ３）
次に、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子Ｓ１をオンにする。すると走査電極２２の電圧が電圧Ｖｓまで低下する。そしてその後スイッチング素子Ｓ１をオフにする。
【０１１１】
（期間Ｔ４）
次に、ミラー積分回路３２０の入力端子ＩＮ２を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ２からコンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、ＦＥＴ２のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が負の電圧Ｖｉ４に至った後、入力端子ＩＮ２を「ローレベル」とする。このようにして、電圧Ｖｓから電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を走査電極２２に印加する。
【０１１２】
以上のようにして、走査電極２２に対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える初期化電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加し、その後、電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。
【０１１３】
なお、上述したように、初期化回数の変更に伴うフリッカは、１フィールド毎に２回ずつの発光が、１フィールド毎に１回かつ１回当たり２倍の輝度の発光に変化した瞬間に、その輝度変化を認識する等して発生していると考えられる。そして本実施の形態においては、２回の全セル初期化動作は第１サブフィールドおよび第４サブフィールドで行っており、１フィールド内で発光するタイミングか時間的に離れているため、１回の発光との差が目立ちやすいと考えられる。
【０１１４】
そこで、１フィールドの全セル初期化を実行する回数を２回から１回に減少させるときは、まず２回の全セル初期化サブフィールドを例えば第１サブフィールドと第２サブフィールドとして、１フィールド内で発光するタイミングを時間的に接近させ、その後１フィールドの全セル初期化を実行する回数を減少してもよい。
【０１１５】
以下に記す（実施の形態２）は、このような考えにもとづき、１フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更を行う方法である。
【０１１６】
（実施の形態２）
本実施の形態におけるサブフィールド構成は、（実施の形態１）と同じであるものとして説明する。すなわち、ＡＰＬが６％未満では第１サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、ＡＰＬが６％以上では第１サブフィールドおよび第４サブフィールドが全セル初期化サブフィールドである。
【０１１７】
図１３は、本実施の形態において初期化期間に走査電極２２へ印加する初期化電圧Ｖｒの変化を示す模式図であり、１フィールドの全セル初期化を実行する回数（以下、全セル初期化回数と記す）を１回から２回に増加させるときの、各サブフィールドの初期化波形の変化を模式的に示す図である。本実施の形態においても電圧値ＶｒＣは全セル初期化回数を変更しないときの初期化電圧Ｖｒの設定値を示し、電圧値ＶｒＬおよび電圧値ＶｒＨは全セル初期化回数を変更するときの初期化電圧Ｖｒの最小値および最大値をそれぞれ示している。
【０１１８】
１フィールドの全セル初期化回数を１回から２回に増加させるときには、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を増加前の電圧値ＶｒＣから段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、電圧値ＶｒＨに至らせる。
【０１１９】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１サブフィールドとともに、まず第２サブフィールドで全セル初期化動作を行い、第１サブフィールドおよび第２サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣよりも低い電圧である電圧値ＶｒＬに設定する。電圧値ＶｒＨおよび電圧値ＶｒＬは、（実施の形態１）と同様に、全セル初期化回数が１回でありかつ初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＨであるときの黒輝度が、全セル初期化回数が２回でありかつ初期化電圧Ｖｒが電圧値ＶｒＬであるときの黒輝度と等しくなるように設定されている。
【０１２０】
その後、図１３（ｄ）に示すように、第２サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第３サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換え、さらにその後、図１３（ｅ）に示すように、第３サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第４サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換える。
【０１２１】
そしてその後、図１３（ｆ）に示すように、第１サブフィールドおよび第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＬから段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて定常状態の電圧値ＶｒＣに至らせる。
【０１２２】
逆に、初期化回数を２回から１回に減少させる時は、第１サブフィールドと第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＣから段階的に下降させ、電圧値ＶｒＬに至らせる。次に、第４サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第３サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換え、その後、第３サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第２サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換える。そしてその後第２サブフィールドの初期化動作を選択初期化に切換えるとともに、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＨに設定する。そしてその後、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒの値を電圧値ＶｒＨから段階的に低下させ、電圧値ＶｒＣに至らせる。
【０１２３】
このように、まず全セル初期化サブフィールドの前後に配置されたサブフィールドで全セル初期化回数の増減を行い、その後、全セル初期化動作を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するように各サブフィールドの初期化動作を順次に切換えることにより、フリッカ等を発生させることなく全セル初期化回数を変更することができる。
【０１２４】
すなわち、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させるときは、全セル初期化を実行するサブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化を実行するサブフィールドを全セル初期化を実行するサブフィールドに切換えて、全セル初期化サブフィールドの数を減少させるときは、連続して配置された全セル初期化サブフィールドの一つを選択初期化サブフィールドに切換え、さらに、全セル初期化サブフィールドの数を増減させずに全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換えて、全セル初期化動作を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するときは、選択初期化サブフィールドの直前または直後に配置された全セル初期化サブフィールドを選択初期化に切換えるとともに全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えればよい。
【０１２５】
なお、上述の説明では、全セル初期化回数を増加させる際に、第１サブフィールドの直後に配置された第２サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えた後の動作として、全セル初期化動作を行うサブフィールドを第２サブフィールドから第４サブフィールドへ移動した後、初期化電圧Ｖｒを所定の値に至らせる方法について説明した。
【０１２６】
しかし、まず初期化電圧Ｖｒを所定の値に至らせた後、全セル初期化サブフィールドを所定のサブフィールドまで移動してもよく、また、全セル初期化サブフィールドを所定のサブフィールドまで移動しながら初期化電圧Ｖｒを所定の値に至らせても、同様の効果を得ることができる。全セル初期化回数を減少させる際も同様である。
【０１２７】
また、全セル初期化回数が２回以上であって、全セル初期化回数を増減させる場合であっても、まず全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置されたサブフィールドで全セル初期化回数の増減を行い、その後、全セル初期化を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するように各サブフィールドの初期化動作を順次切換えることにより、フリッカ等を発生させることなく全セル初期化回数の変更を行うことができる。
【０１２８】
（実施の形態３）
本実施の形態におけるパネルの駆動方法は、初期化回数の変更に伴うフリッカを抑制する他の駆動方法であり、増減させる全セル初期化サブフィールドの発光輝度を小さく抑えることによりフリッカを抑える方法である。
【０１２９】
本実施の形態におけるサブフィールド構成も、（実施の形態１）と同じであるものとして説明する。すなわち、ＡＰＬが６％未満では第１サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、ＡＰＬが６％以上では第１サブフィールドおよび第４サブフィールドが全セル初期化サブフィールドである。
【０１３０】
図１４は本実施の形態において初期化期間に走査電極２２へ印加する初期化電圧Ｖｒの変化を示す模式図であり、全セル初期化回数を１回から２回に増加させるときの、各サブフィールドの初期化波形の変化を模式的に示す図である。本実施の形態においても、パネルの黒輝度と初期化電圧Ｖｒとの関係が図８に示した関係にあるものとして説明する。
【０１３１】
全セル初期化回数を１回から２回に増加させるときには、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒの値を増加前の４１０（Ｖ）から段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、４７０（Ｖ）に至らせる。次に、図１４（ｃ）に示すように、第１サブフィールドとともに、第４サブフィールドで全セル初期化動作を行う。このときの初期化電圧Ｖｒは、例えば第１サブフィールドが４３０（Ｖ）、第４サブフィールドが３７０（Ｖ）である。
【０１３２】
それぞれのサブフィールドの初期化電圧Ｖｒは、初期化回数の増加の前後の黒輝度が等しく、かつ新たに増加した全セル初期化サブフィールド、本実施の形態においては第４サブフィールドによる黒輝度が、元の全セル初期化サブフィールド、本実施の形態においては第１サブフィールドによる黒輝度よりも小さくなるように設定されている。
【０１３３】
実際、図８に示すように、初期化電圧Ｖｒが４７０（Ｖ）であるときの第１サブフィールドによる黒輝度は０．３５（ｃｄ／ｃｍ２）であり、初期化電圧Ｖｒが４３０（Ｖ）であるときの第１サブフィールドによる黒輝度０．２５（ｃｄ／ｃｍ２）と初期化電圧Ｖｒが３７０（Ｖ）であるときの第４サブフィールドによる黒輝度０．１０（ｃｄ／ｃｍ２）との和に等しい。さらに、第４サブフィールドによる黒輝度０．１０（ｃｄ／ｃｍ２）は第１サブフィールドによる黒輝度０．２５（ｃｄ／ｃｍ２）の半分以下である。
【０１３４】
その後、図１４（ｄ）に示すように、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒを４３０（Ｖ）から段階的に低下させ４１０（Ｖ）に至らせるとともに、第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒを３７０（Ｖ）から段階的に上昇させ４１０（Ｖ）に至らせる。
【０１３５】
逆に、初期化回数を２回から１回に減少させる時は、第１サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒを４１０（Ｖ）から段階的に上昇させ４３０（Ｖ）に至らせるとともに、第４サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒを４１０（Ｖ）から段階的に下降させ３７０（Ｖ）に至らせる。次に、第４サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを４７０（Ｖ）に設定する。
【０１３６】
このときの初期化電圧Ｖｒも、初期化回数の減少の前後の黒輝度が等しく、かつ新たに選択初期化に切換える直前の全セル初期化サブフィールドによる黒輝度が選択初期化に切換えない全セル初期化サブフィールドによる黒輝度よりも小さくなるように設定されている。そしてその後、第１サブフィールドの初期化電圧Ｖｒを４７０（Ｖ）から段階的に低下させ４１０（Ｖ）に至らせる。
【０１３７】
このように、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおいて、増加させた全セル初期化サブフィールドの初期化電圧は他の全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低く、全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおいて、減少させる全セル初期化サブフィールドの初期化電圧は他の全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くすることで、全セル初期化回数の変更の前後で黒輝度が等しく、かつ、全セル初期化動作と選択初期化走査とを切換えるサブフィールドによる黒輝度が、全セル初期化動作と選択初期化走査とを切換えないサブフィールドによる黒輝度よりも小さいので、フリッカが目立ち難くなる。
【０１３８】
このとき、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおいて、増加させた全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度は他の全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度の１／２よりも低く、全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおいて、減少させる全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度は他の全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度の１／２よりも低くなるように初期化電圧を制御することがさらに望ましい。
【０１３９】
なお、（実施の形態１）〜（実施の形態３）において、全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせると、黒輝度の頻繁な変動を抑制できるのでさらに画像表示品質を向上させることができる。以下に、全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせる方法について説明する。
【０１４０】
表２はＡＰＬと全セル初期化回数との関係を示す表であり、（実施の形態２）においても（実施の形態１）と同様にＡＰＬにもとづいて全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせた一例である。
【０１４１】
【表２】
0005233072.tif 000003
【０１４２】
第２が上述した表１と異なるところは、ＡＰＬの値と全セル初期化回数が必ずしも１対１に対応しているのではなく、全セル初期化回数が一意に決まらないＡＰＬの範囲を設けているところであり、ＡＰＬが５％以上７％未満では全セル初期化回数は１回か２回のいずれかである。これにより、ＡＰＬにもとづいて全セル初期化回数を増減するときにヒステリシス特性を持たせることができる。
【０１４３】
具体的には、ＡＰＬが減少し、全セル初期化回数を２回から１回に減らすときには、ＡＰＬが７％未満になったときに全セル初期化回数を減らすのではなく、ＡＰＬが５％未満になったときに２回から１回に減らす。逆に、ＡＰＬが増加し、全セル初期化回数を１回から２回に増やすときは、ＡＰＬが５％以上になったときに増やすのではなく、ＡＰＬが７％以上になったときに１回から２回に増やす。
【０１４４】
このように制御することで、例えば、時間とともにＡＰＬが、「８、６、４、６、５、３、・・・（％）」のように変化した場合、表１に示すようにヒステリシス特性を持たせないならば、ＡＰＬの変動に連動して全セル初期化回数が、「２、２、１、２、１、１、・・・（回）」と頻繁に変動し、本来一定であるべき黒輝度が頻繁に変動する結果となり画像表示品質を低下させてしまう。ところが本実施の形態においては、表２に示すように全セル初期化サブフィールドの数を変更するときにヒステリシス特性を持たせているので、全セル初期化回数が、「２、２、１、１、１、１、・・・（回）」となって、黒輝度の変化の頻度を少なくすることができる。
【０１４５】
このように、全セル初期化回数を変更するときにヒステリシス特性を持たせることにより、上記のような画像であったとしても初期化回数が頻繁に変化しなくなり、黒輝度が頻繁に変動することを防ぐことができる。
【０１４６】
なお、本実施の形態ではＡＰＬにもとづいて全セル初期化回数を変更するものとして説明したが、他のパラメータにもとづいて全セル初期化回数を変更するときにも本発明のパネルの駆動方法を適用することができる。全セル初期化回数を変更するための他のパラメータとしては、例えば、パネルの温度、あるいはパネルの使用時間等でもよい。
【０１４７】
また、本実施の形態では、放電ガスのキセノン分圧を１０％としたが、他のキセノン分圧であってもそのパネルに応じた駆動電圧に設定すればよい。
【０１４８】
さらに、本実施の形態において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は、全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上することができるので、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列を示す図
【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図４】本発明の実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図５】本発明の本実施の形態におけるサブフィールド構成を示す模式図
【図６】本発明の（実施の形態１）における初期化電圧の変化を示す模式図
【図７】本発明の（実施の形態１）における初期化電圧の変化を示す模式図
【図８】全セル初期化回数１回あたりの初期化電圧の値とそのときの黒輝度との関係を示す図
【図９】初期化回数の変更が視覚に違和感を与える理由を説明するための図
【図１０】変更時間に対するフリッカおよび黒輝度の変化の許容度の評価結果を示す図
【図１１】本発明の実施の形態における走査電極駆動回路の回路図
【図１２】同走査電極駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャート
【図１３】本発明の（実施の形態２）における初期化電圧の変化を示す模式図
【図１４】本発明の（実施の形態３）における初期化電圧の変化を示す模式図
【符号の説明】
【０１５１】
１０    パネル
２１    前面基板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４，３３    誘電体層
２５    保護層
３１    背面基板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
５１    画像信号処理回路
５２    データ電極駆動回路
５３    走査電極駆動回路
５４    維持電極駆動回路
５５    タイミング発生回路
５７    ＡＰＬ検出回路
１００    維持パルス発生回路
３００    初期化波形発生回路
３１０，３２０    ミラー積分回路
４００    走査パルス発生回路
【図１】
0005233072.tif 000004
【図２】
0005233072.tif 000005
【図３】
0005233072.tif 000006
【図４】
0005233072.tif 000007
【図５】
0005233072.tif 000008
【図６】
0005233072.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005233072.tif 000013
【図１１】
0005233072.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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