(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する収容室と、
鉛直方向に延びる触媒線と、
前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、
成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、
前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸は、前記仮想円弧の中心の鉛直方向の下方にあることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
基板を収容する収容室と、
鉛直方向に延びる触媒線と、
前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、
成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、
前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸は、前記仮想円弧の中心の前記水平方向であって、前記仮想円弧の中心よりも前記触媒線に近いことを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
基板を収容する収容室と、
鉛直方向に延びる触媒線と、
前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、
成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、
前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸の高さ位置は前記仮想円弧の中心の高さ位置よりも低く、かつ、前記回動軸の水平位置は前記仮想円弧の中心の水平位置よりも前記触媒線に近いことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項３に記載の成膜装置であって、
前記回動軸の高さ位置と前記仮想円弧の中心の高さ位置との間の距離は、前記回動軸の水平位置と前記仮想円弧の中心の水平位置との間の距離と等しいことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、
前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸を前記仮想円弧の中心よりも鉛直方向の下方に配置することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、
前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸を、前記仮想円弧の中心の前記水平方向であって、前記仮想円弧の中心よりも前記触媒線に近い位置に配置することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、
前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、
前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸の高さ位置を前記仮想円弧の中心の高さ位置よりも低くし、かつ、前記回動軸の水平位置を前記仮想円弧の中心の水平位置よりも前記触媒線に近づけることを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項７に記載の成膜方法であって、
前記回動軸の高さ位置と前記仮想円弧の中心の高さ位置との間の距離を、前記回動軸の水平位置と前記仮想円弧の中心の水平位置との間の距離と等しくすることを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造技術には、化学反応を利用して基板に薄膜を形成する化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）法が用いられている。ＣＶＤ法としては、例えば反応系にプラズマ源を利用するプラズマＣＶＤ法や基板加熱を利用する熱ＣＶＤ法が知られている。
【０００３】
プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法は、それぞれ基板をプラズマ空間に曝したり、あるいは基板を高温に加熱したりするため、基板や下地膜に電気的、熱的損傷を与え易い。また、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法では、膜厚や膜質の均一性を得るためにプラズマ密度や基板温度に高い均一性を要求されることから、基板の大型化に対応し難い。そこで、半導体装置の製造技術では、従来から、上記問題を解決するため、加熱したタングステン等の触媒線に原料ガスを接触させて原料ガスを成膜種に分解する触媒ＣＶＤ法が注目されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
触媒作用を成膜反応に利用する触媒ＣＶＤ法は、触媒線の表面が化学反応の進行を担い、基板へのプラズマ照射や基板の高温加熱を要しないことから、基板や下地膜への電気的、熱的損傷を大幅に抑制できる。また、触媒ＣＶＤ法は、触媒線を増量するだけで反応空間を拡張できるため、基板の大型化に対しても比較的容易に対応できる。
【０００５】
触媒ＣＶＤ法における触媒線と基板主面との間の距離は、基板主面へ供給する成膜種の量を規定する要素であるため、薄膜の成膜速度や膜厚均一性を大きく左右する。例えば、基板主面が触媒線に近くなると、成膜速度は速くなり、基板主面と触媒線との間の距離が均一になると、膜厚分布は均一になる。特許文献２は、これら成膜速度や膜厚均一性を向上させるため、複数の触媒線を鉛直方向に沿って張架あるいは吊下げるとともに、基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にさせる。これによれば、触媒線の熱膨張や触媒線の伸長による撓みが大幅に軽減されることから、基板主面と触媒線との間の距離を短くする場合であっても、基板主面と触媒線との間の距離の均一化を図ることができる。
【特許文献１】特許第３７８０３６４号
【特許文献２】特許２０００−３０３１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の製造装置は、一般的に、搬送機構の簡素化や搬送動作の安定化を図るため、基板主面の面方向と水平方向とを平行にして基板を搬送する。そのため、上記触媒ＣＶＤ法を利用して半導体装置を製造する場合には、成膜室に搬送した基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にするため、水平方向に延びる軸を回動中心にして基板ステージを回動させる必要がある。
【０００７】
しかしながら、基板ステージを回動させる場合には、回動する基板と触媒線との接触を避けるために、基板の回動領域の外側に触媒線が配置されることから、基板主面と触媒線との間の距離の拡大を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にする回動機構を有し、基板主面と触媒線との間の距離の拡大を抑えた成膜装
置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の成膜装置は、基板を収容する収容室と、鉛直方向に延びる触媒線と、前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸は、前記仮想円弧の中心の鉛直方向の下方にあることを要旨とする。
【００１０】
請求項１に記載の成膜装置によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸が仮想円弧の中心の鉛直方向にある分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００１１】
請求項２に記載の成膜装置は、基板を収容する収容室と、鉛直方向に延びる触媒線と、前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸は、前記仮想円弧の中心の前記水平方向であって、前記仮想円弧の中心よりも前記触媒線に近いことを要旨とする。
【００１２】
請求項２に記載の成膜装置によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸の位置が仮想円弧の中心の水平方向であって、仮想円弧の中心よりも触媒線に近い分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００１３】
請求項３に記載の成膜装置は、基板を収容する収容室と、鉛直方向に延びる触媒線と、前記収容室に設けられて前記基板を支持するステージとを有し、成膜ガスと前記触媒線とを前記収容室で接触させることによって前記収容室に収容された前記基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記ステージは、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置と、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置とに切換え、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸の高さ位置は前記仮想円弧の中心の高さ位置よりも低く、かつ、前記回動軸の水平位置は前記仮想円弧の中心の水平位置よりも前記触媒線に近いこと要旨とする。
【００１４】
請求項３に記載の成膜装置によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸の高さ位置が仮想円弧の中心の高さ位置よりも低い分だけ、また回動軸の水平位置が仮想円弧の中心の水平位置よりも触媒線に近い分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００１５】
請求項４に記載の成膜装置は、請求項３に記載の成膜装置であって、前記回動軸の高さ位置と前記仮想円弧の中心の高さ位置との間の距離は、前記回動軸の水平位置と前記仮想円弧の中心の水平位置との間の距離と等しいことを要旨とする。
【００１６】
請求項４に記載の成膜装置によれば、水平方向では基板と触媒線との間の距離を短縮でき、かつ、鉛直方向では成膜位置における基板の高さ位置を維持できる。したがって、回動軸の位置の選択によって、基板と触媒線との間の距離のみを一義的に選択できることから、成膜装置の装置設計やプロセス設計において利便性を向上できる。
【００１７】
請求項５に記載の成膜方法は、鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸を前記仮想円弧の中心よりも鉛直方向の下方に配置することを要旨とする。
【００１８】
請求項５に記載の成膜方法によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸を仮想円弧の中心の鉛直方向に配置する分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００１９】
請求項６に記載の成膜方法は、鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸を、前記仮想円弧の中心の前記水平方向であって、前記仮想円弧の中心よりも前記触媒線に近い位置に配置することを要旨とする。
【００２０】
請求項６に記載の成膜方法によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸の位置が仮想円弧の中心の水平方向であって、仮想円弧の中心よりも触媒線に近い分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００２１】
請求項７に記載の成膜方法は、鉛直方向に延びる触媒線と成膜ガスとを成膜室で接触させることによって前記成膜室に搬送された基板に薄膜を形成する成膜方法であって、前記成膜室に前記基板に搬送するとき、水平方向に延びる回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と水平方向とが平行になる搬送位置に移動させ、前記基板に薄膜を形成するとき、前記回動軸を中心に前記基板を回動することによって、前記基板の位置を、前記基板の面方向と鉛直方向とが平行になる成膜位置に移動させ、前記回動軸の軸方向から見て、前記搬送位置の前記基板を、９０°の中心角を有した仮想円弧の弦にするとき、前記回動軸の高さ位置を前記仮想円弧の中心の高さ位置よりも低くし、かつ、前記回動軸の水平位置を前記仮想円弧の中心の水平位置よりも前記触媒線に近づけることを要旨とする。
【００２２】
請求項７に記載の成膜方法によれば、仮想円弧の中心を回動中心にして基板を回動させる場合に比べて、軸方向から見た回動軸の高さ位置が仮想円弧の中心の高さ位置よりも低い分だけ、また回動軸の水平位置が仮想円弧の中心の水平位置よりも触媒線に近い分だけ、基板と触媒線との間の距離を短縮できる。
【００２３】
請求項８に記載の成膜方法は、請求項７に記載の成膜方法であって、前記回動軸の高さ
位置と前記仮想円弧の中心の高さ位置との間の距離を、前記回動軸の水平位置と前記仮想円弧の中心の水平位置との間の距離と等しくすることを要旨とする。
【００２４】
請求項８に記載の成膜方法によれば、水平方向では基板と触媒線との間の距離を短縮でき、かつ、鉛直方向では成膜位置における基板の高さ位置を維持できる。したがって、回動軸の位置の選択によって、基板と触媒線との間の距離のみを一義的に選択できることから、成膜装置の装置設計やプロセス設計において利便性を向上できる。
【発明の効果】
【００２５】
上記したように、本発明によれば、基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にする回動機構と、同鉛直方向に延びる触媒線を有し、基板主面と触媒線との間の距離の拡大を抑え、かつ、基板の回動領域の拡大を抑えた成膜装置及び成膜方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図面に従って説明する。図１は、成膜装置としての半導体装置の製造装置１０を模式的に示す平面図である。
【００２７】
（半導体装置の製造装置１０）
図１において、半導体装置の製造装置１０は、クラスター形式の製造装置であり、搬送チャンバ１１には、基板Ｓを収容する２つのロードロックチャンバ（以下単に、ＬＬチャンバ１２という。）と、基板Ｓに成膜処理を施すための複数の触媒ＣＶＤチャンバ１３とが連結されている。
【００２８】
搬送チャンバ１１は、図示しない排気ラインに連結された真空チャンバであり、その内部には基板Ｓを搬送するための搬送ロボット１４を搭載する。搬送ロボット１４は、ＬＬチャンバ１２と各触媒ＣＶＤチャンバ１３との間において、基板Ｓの主面Ｓａを水平にした状態で基板Ｓを搬送する。なお、基板Ｓの主面Ｓａとは、基板Ｓの一つの側面であって、成膜処理における下地となる側面である。以下、主面Ｓａの面方向を基板Ｓの面方向という。
【００２９】
各ＬＬチャンバ１２は、それぞれゲートバルブＧＶ１を介して搬送チャンバ１１に連結され、ゲートバルブＧＶ１が開くときに搬送チャンバ１１と連通し、ゲートバルブＧＶ１が閉じるときに搬送チャンバ１１から隔絶される。各ＬＬチャンバ１２は、それぞれ成膜処理前の基板Ｓを一旦収容し、該基板Ｓを搬送チャンバ１１へ搬入可能にする。また、各ＬＬチャンバ１２は、搬送チャンバ１１から搬出された成膜処理後の基板Ｓを一旦収容し、該基板Ｓを外部へ移載可能にする。
【００３０】
各触媒ＣＶＤチャンバ１３は、それぞれゲートバルブＧＶ１を介して搬送チャンバ１１に連通可能に連結された真空チャンバであり、触媒線を用いた成膜処理を実行する。各触媒ＣＶＤチャンバ１３は、それぞれゲートバルブＧＶ１を介して搬送チャンバ１１に連結され、ゲートバルブＧＶ１が開くときに搬送チャンバ１１と連通し、ゲートバルブＧＶ１が閉じるときに搬送チャンバ１１から隔絶される。
【００３１】
（触媒ＣＶＤチャンバ１３）
次に、触媒ＣＶＤチャンバ１３について以下に説明する。図２（ａ）は触媒ＣＶＤチャンバ１３を示す側断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、以下では、搬送チャンバ１１から触媒ＣＶＤチャンバへ向かう水平方向をＹ方向とし、鉛直方向上方をＺ方向、これらＹ方向及びＺ方向と直交する方向をＸ方向という。
【００３２】
図２（ａ）において、成膜室２１は、ターボ分子ポンプ等からなる第一排気部２２が搭載し、第一排気部２２の排気動作によって減圧される。成膜室２１の外側には、ガス供給系２３が連結され、ガス供給系２３の成膜ガス供給部２４は、所定流量の成膜ガスを成膜室２１に供給し、ガス供給系２３のクリーニングガス供給部２５は、所定流量のクリーニングガスをリモートプラズマ源２６に供給する。リモートプラズマ源２６は、クリーニングガス供給部２５からのクリーニングガスをプラズマ化し、活性化したクリーニングガスを成膜室２１に供給する。
【００３３】
成膜室２１におけるＹ方向の内側には、成膜ガス供給部２４に連結されてＸＺ平面に沿って広がる円盤状のシャワープレート２７が取付けられている。シャワープレート２７は、成膜ガス供給部２４からの成膜ガスをＸＺ方向に拡散させて成膜室２１の内部に導入する。シャワープレート２７から導入された成膜ガスは、第一排気部２２の排気動作に従って、シャワープレート２７から第一排気部２２へ、すなわち反Ｙ方向へ拡散する。
【００３４】
シャワープレート２７の中央部には、リモートプラズマ源２６に連通する円形孔（以下単に、クリーニングポート２７ａという。）が形成され、そのクリーニングポート２７ａには、クリーニングポート２７ａの反Ｙ方向を遮蔽するコマ状の遮蔽部材２７ｂが配設されている。クリーニングポート２７ａは、クリーニングガス供給部２５からのクリーニングガスを成膜室２１の内部に導入する。遮蔽部材２７ｂは、クリーニングポート２７ａから導入されるクリーニングガスのＹ方向への拡散を遮蔽し、該クリーニングガスを成膜室２１の内側壁に向けて拡散させる。
【００３５】
なお、成膜処理としてシリコン膜を成膜する場合には、成膜ガスにシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）を用いることができ、シリコン窒化膜を形成する場合には、シランとアンモニア（ＮＨ３）を用いることができる。また、シリコン酸化窒化膜を形成する場合には、成膜ガスにシランと亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を用いることができる。また、クリーニング処理としてシリコン膜を除去する場合ガスには、クリーニングガスに例えば三フッ化窒素（ＮＦ３）と窒素（Ｎ２）とアルゴン（Ａｒ）とからなる混合ガスを用いることができる。
【００３６】
成膜室２１の内部には、ステージを構成する静電チャック２８及び回動機構２９が配設されている。静電チャック２８は、搬送チャンバ１１から搬入される基板Ｓを受けて該基板Ｓを静電気的に吸着するとともに、吸着した基板Ｓの温度を室温に維持する。回動機構２９は、Ｘ方向に沿って延びる回動軸Ａを有し、静電チャック２８を回動することによって、静電チャック２８の位置を搬送位置と処理位置とに切換える。搬送位置とは、図２（ａ）における二点鎖線位置であって、基板Ｓの面方向と水平方向とを平行にする位置である。処理位置とは、図２（ａ）における実線位置であって、基板Ｓの面方向と鉛直方向とを平行にする位置である。
【００３７】
触媒ＣＶＤチャンバ１３が基板Ｓを搬入するとき、回動機構２９は、静電チャック２８を搬送位置へ回動し、基板Ｓの面方向と水平方向とを平行にした状態で基板Ｓを静電チャック２８に吸着させる。同じく、触媒ＣＶＤチャンバ１３が基板Ｓを搬出するとき、回動機構２９は、静電チャック２８を搬送位置へ回動し、基板Ｓの面方向と水平方向とを平行にした状態で基板Ｓの吸着を静電チャック２８に解除させる。
【００３８】
触媒ＣＶＤチャンバ１３が成膜処理を実行するとき、すなわち、ガス供給系２３が成膜室２１に成膜ガスを供給するとき、回動機構２９は、静電チャック２８を処理位置へ回動し、基板Ｓの面方向と鉛直方向とを平行にした状態で主面Ｓａとシャワープレート２７とを対向させる。同じく、触媒ＣＶＤチャンバ１３がクリーニング処理を実行するとき、すなわち、ガス供給系２３が成膜室２１にクリーニングガスを供給するとき、回動機構２９
は、静電チャック２８を処理位置へ回動する。
【００３９】
図２（ａ）、（ｂ）において、成膜室２１の上側面には、シャワープレート２７と静電チャック２８との間に向かって成膜室２１を貫通する貫通孔（以下単に、挿通孔２１ａという。）が、成膜室２１のＸ方向の略全幅にわたり形成されている。また、成膜室２１の上側には、この挿通孔２１ａを覆う退避室３１が連結されている。
【００４０】
退避室３１は、Ｚ方向に沿って延びる箱体状に形成され、そのＹ方向の側面には、扉３１ａが開閉可能に取付けられている。退避室３１の扉３１ａは、閉位置にあるときに退避室３１を密閉し、開位置にあるときに退避室３１の内部を開放して退避室３１の内部メンテナンスを可能にする。退避室３１は、ターボ分子ポンプ等からなる第二排気部３２を搭載し、第二排気部３２の排気動作によって減圧される。
【００４１】
退避室３１と成膜室２１との間には、ゲートバルブＧＶ２が取付けられ、ゲートバルブＧＶ２には、成膜室２１と退避室３１との間の連通路、すなわち挿通孔２１ａを開閉する弁体が備えられている。ゲートバルブＧＶ２は、弁体を開位置に移動させることによって退避室３１と成膜室２１との間を連通させ、弁体を閉位置に移動させることによって退避室３１を成膜室２１から隔絶させる。
【００４２】
退避室３１の内部には、Ｘ方向に延びるホルダ３３がＺ方向に沿って往復移動可能に収容され、ホルダ３３の下側には、反Ｚ方向に延びる複数の触媒線３５がホルダ３３のＸ方向の略全幅にわたり配列されている。各触媒線３５は、それぞれタングステン等からなる線材であり、Ｙ方向から見てＵ字状に折り曲げられている。各触媒線３５は、それぞれ挿通孔２１ａを介してホルダ３３に吊下げられ、成膜室２１と退避室３１との間を移動可能にする。各触媒線３５は、それぞれ成膜温度（例えば、１，７００℃）に昇温されることによって触媒作用を発現する。
【００４３】
ホルダ３３は昇降機構３４に連結され、昇降機構３４はホルダ３３をＺ方向に沿って昇降させる、すなわち各触媒線３５を成膜位置あるいは退避位置へ移動させる。なお、成膜位置とは、図２（ａ）における実線位置（最下位置）であって、ホルダ３３と成膜室２１の上側面とが当接する位置であり、退避位置とは、図２（ａ）における二点鎖線位置（最上位置）であって、各触媒線３５をゲートバルブＧＶ２の上方に配置させる位置である。
【００４４】
触媒ＣＶＤチャンバ１３は、成膜処理を実行するとき、静電チャック２８及び触媒線３５を、それぞれ搬送位置及び成膜位置にセットする。触媒ＣＶＤチャンバ１３は、静電チャック２８及び触媒線３５をセットすると、基板Ｓを静電チャック２８に吸着させ、その後、回動機構２９を駆動して静電チャック２８を処理位置へ回動させる。そして、触媒ＣＶＤチャンバ１３は、各触媒線３５にそれぞれ電力を供給して各触媒線３５を所定温度に昇温し、成膜ガス供給部２４を駆動して成膜室２１に成膜ガスを導入する。成膜室２１に導入された成膜ガスは、加熱された触媒線３５と接触し、触媒線３５の触媒作用を受けて成膜種に分解される。触媒線３５によって生成された成膜種の一部は、室温に保持された基板Ｓの主面Ｓａに堆積して薄膜を形成する。
【００４５】
触媒ＣＶＤチャンバ１３は、クリーニング処理を実行するとき、静電チャック２８及び触媒線３５を、それぞれ処理位置及び退避位置にセットする。触媒ＣＶＤチャンバ１３は、静電チャック２８及び触媒線３５をセットすると、ゲートバルブＧＶ２を閉じ、その後、クリーニングガス供給部２５及びリモートプラズマ源２６を駆動して成膜室２１に活性化したクリーニングガスを導入する。成膜室２１に導入されたクリーニングガスは、クリーニングポート２７ａを通過し、成膜室２１の内側面に向けて拡散する。活性化したクリーニングガスは、成膜室２１の内側面に堆積した成膜残渣と反応し、蒸発可能な反応生成
物を生成して内側面に堆積した成膜種を排気させる。
【００４６】
（回動軸Ａ）
次に、回動軸Ａの位置について以下に説明する。図３は、基板Ｓの回動する経路を模式的に示す図であって、複数の異なる回動軸Ａの各々を用いた経路を示す。図３では、搬送位置における基板Ｓ（図３の実線で示す基板Ｓ）の反Ｙ方向の端部を外側端Ｅｏとし、搬送位置における基板ＳのＹ方向の端部を内側端Ｅｉという。なお、以下では、半径Ｒの円盤状を成すウェハを基板Ｓとして用いる場合を説明する。
【００４７】
図３において、基準軸心Ａ０は、本発明の比較対象となる軸心である。基準軸心Ａ０は、Ｘ方向に沿う回動軸Ａの軸心であって、搬送位置における基板Ｓの中心を鉛直方向下方に半径Ｒだけ変位させた点を通る。この基準軸心Ａ０を中心とする円弧であって、搬送位置の基板Ｓが弦になる仮想円弧ＣＡ（図３に示す二点差線）を形成するとき、この基準軸心Ａ０は、仮想円弧ＣＡの中心角を９０°にする。
【００４８】
第一軸心Ａ１及び第二軸心Ａ２は、それぞれ本発明の軸心であり、基準軸心Ａ０を変位させた軸心である。詳述すると、第一軸心Ａ１は、基準軸心Ａ０を、Ｙ方向に第一水平距離Ｙ１、反Ｚ方向に第一鉛直距離Ｚ１だけ変位させた軸心である。また、第二軸心Ａ２は、基準軸心Ａ０を、Ｙ方向に第二水平距離Ｙ２、反Ｚ方向に第二鉛直距離Ｚ２だけ変位させた軸心である。
【００４９】
回動軸Ａを中心にして搬送位置の基板Ｓを成膜位置へ回動する場合、外側端Ｅｏは、回動軸Ａを中心にして、外側端Ｅｏと回動軸Ａとの間の距離を半径にした円弧状の経路に沿って回動する。また、内側端Ｅｉは、回動軸Ａを中心にして、内側端Ｅｉと回動軸Ａとの間の距離を半径にした円弧状の経路を移動する。
【００５０】
本実施形態では、基準軸心Ａ０、第一軸心Ａ１、第二軸心Ａ２によって得られる外側端Ｅｏの各経路を、それぞれ基準外側端経路Ｃｏ０、第一外側端経路Ｃｏ１、第二外側端経路Ｃｏ２という。また、基準軸心Ａ０、第一軸心Ａ１、第二軸心Ａ２を用いて得られる内側端Ｅｉの各経路を、それぞれ基準内側端経路Ｃｉ０、第一内側端経路Ｃｉ１、第二内側端経路Ｃｉ２という。
【００５１】
また、本実施形態では、搬送位置における基板Ｓの主面Ｓａと各外側端経路Ｃｏ０，Ｃｏ１，Ｃｏ２との間の距離の最大値を、それぞれ基準外側端距離Ｈ０、第一外側端距離Ｈ１、第二外側端距離Ｈ２と言う。また、成膜位置における基板Ｓの主面Ｓａと各内側端経路Ｃｉ０，Ｃｉ１，Ｃｉ２との間の距離の最大値を、それぞれ基準内側端距離Ｌ０、第一内側端距離Ｌ１、第二内側端距離Ｌ２と言う。また、基準軸心Ａ０、第一軸心Ａ１、第二軸心Ａ２を用いて回動した成膜位置の基板Ｓを、それぞれ基準基板Ｓ０、第一基板Ｓ１、第二基板Ｓ２と言う。
【００５２】
回動軸Ａを中心にして搬送位置と成膜位置との間で基板Ｓを回動する場合、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面は、回動軸Ａから見て、外側端経路よりも外側に位置しなければならない。また、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるため、触媒線３５は、回動軸Ａから見て、内側端経路よりも外側に位置しなければならない。
【００５３】
半径Ｒが１５０mm の基板Ｓを用い、基準軸心Ａ０を中心にして搬送位置の基板Ｓを成
膜位置へ回動する場合、基準外側端経路Ｃｏ０の半径Ｒｏ０と基準内側端経路Ｃｉ０の半径Ｒｉ０はそれぞれ式（１Ａ）によって与えられる。そして、基準外側端距離Ｈ０と基準内側端距離Ｌ０は、それぞれ式（１Ｂ）によって与えられる。
・Ｒｏ０＝Ｒｉ０＝（Ｒ２＋Ｒ２）０．５＝２１２mm ・・・（１Ａ）
・Ｈ０＝Ｌ０＝２１２mm −Ｒ＝６２mm ・・・（１Ｂ）
そこで、基準軸心Ａ０を回動軸Ａの軸心に用いる場合には、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面が、搬送位置の基板Ｓから少なくとも６２mm だけ
離れていなければならない。また、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるため、基準基板Ｓ０と触媒線３５との間には、少なくとも基準内側端距離Ｌ０（６２mm ）に相当する空
間が必要になる。言い換えると、基準基板Ｓ０は、触媒線３５との間の距離を６２mm 以
下に短縮できない。
【００５４】
一方、第一軸心Ａ１を中心にして搬送位置の基板Ｓを成膜位置へ回動する場合、第一外側端経路Ｃｏ１の半径Ｒｏ１は式（１Ａ−１）によって与えられ、第一内側端経路Ｃｉ１の半径Ｒｉ１は式（１Ａ−２）によって与えられる。そして、第一水平距離Ｙ１及び第一鉛直距離Ｚ１をそれぞれ３０mm にする場合、第一外側端距離Ｈ１と第一内側端距離Ｌ１
は、それぞれ式（１Ｂ−１）と式（１Ｂ−２）とによって与えられる。
・Ｒｏ１＝［（Ｒ＋Ｙ１）２＋（Ｒ＋Ｚ１）２］０．５＝２５５mm …（１Ａ−１）
・Ｒｉ１＝［（Ｒ−Ｙ１）２＋（Ｒ＋Ｚ１）２］０．５＝２１６mm …（１Ａ−２）
・Ｈ１＝Ｒｏ１−（Ｒ＋Ｚ１）＝２５５mm −１８０mm ＝７５mm …（１Ｂ−１）
・Ｌ１＝Ｒｉ１−（Ｒ＋Ｚ１）＝２１６mm −１８０mm ＝３６mm …（１Ｂ−２）
第一軸心Ａ１を回動軸Ａの軸心に用いる場合においても、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面が、搬送位置の基板Ｓから少なくとも７５mm だけ離
れていなければならない。一方で、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるためには、第一基板Ｓ１と触媒線３５との間が３６mm だけ離れていれば良い。言い換えれば、回動軸Ａ
の軸心を基準軸心Ａ０から第一軸心Ａ１へ移すことによって、成膜室２１の内側面を上方へ（Ｈ１−Ｈ０）＝７５−６２＝１３mm だけ拡張しなければならないが、触媒線３５と
基板Ｓとの間の距離を、｜Ｌ１−Ｌ０｜＝｜３６−６２｜＝２６mm も短縮できる。
【００５５】
しかも、第一水平距離Ｙ１と第一鉛直距離Ｚ１とが等しいことから、回動軸Ａを鉛直方向に変位させているにもかかわらず、第一基板Ｓ１は、鉛直方向において基準基板Ｓ０と同じ高さ位置を維持できる。すなわち、第一基板Ｓ１は、水平方向において触媒線３５との間の距離を短縮でき、かつ、鉛直方向において基準基板Ｓ０からの高さ位置を維持できる。
【００５６】
よって、回動軸Ａの軸心を基準軸心Ａ０から第一軸心Ａ１に移す場合に、基板Ｓと触媒線３５との間の距離のみを一義的に選択でき、基板Ｓと触媒線３５との間の距離の均一性、触媒線３５から基板Ｓへ供給される熱量の均一性等を維持できる。したがって、触媒ＣＶＤチャンバ１３の装置設計やプロセス設計における利便性を向上できる。
【００５７】
また、半径Ｒが１５０mm の基板Ｓを用い、第二軸心Ａ２を中心にして基板Ｓを搬送位
置と成膜位置との間で回動する場合、外側端経路の半径Ｒｏ２は式（２Ａ−１）によって与えられ、内側端経路の半径Ｒｉ２は式（２Ａ−２）によって与えられる。そして、第二水平距離Ｙ２及び第二鉛直距離Ｚ２をそれぞれ６０mm にする場合、第二外側端距離Ｈ２
と第二内側端距離Ｌ２は、それぞれ式（２Ｂ−１）と式（２Ｂ−２）とによって与えられる。
・Ｒｏ２＝［（Ｒ＋Ｙ２）２＋（Ｒ＋Ｚ２）２］０．５＝２９７mm …（２Ａ−１）
・Ｒｉ２＝［（Ｒ−Ｙ２）２＋（Ｒ＋Ｚ２）２］０．５＝２２８mm …（２Ａ−２）
・Ｈ２＝Ｒｏ２−Ｒ−Ｚ２＝２９７mm −２１０mm ＝８７mm …（２Ｂ−１）
・Ｌ２＝Ｒｉ２−Ｒ−Ｚ２＝２２８mm −２１０mm ＝１８mm …（２Ｂ−２）
第二軸心Ａ２を回動軸Ａの軸心に用いる場合においても、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面が、搬送位置の基板Ｓから少なくとも８７mm だけ離
れていなければならない。一方で、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるためには、第二基板Ｓ２と触媒線３５との間が１８mm だけ離れていれば良い。言い換えれば、回動軸Ａ
の軸心を基準軸心Ａ０から第二軸心Ａ２に移すことによって、成膜室２１の内側面を上方へ（Ｈ２−Ｈ０）＝８７−６２＝２５mm だけ拡張しなければならないが、触媒線３５と
基板Ｓとの間の距離を、さらに｜Ｌ２−Ｌ０｜＝｜１８−６２｜＝４４mm も短縮できる
。すなわち、第二水平距離Ｙ２と第二鉛直距離Ｚ２の拡大によって、触媒線３５と基板Ｓとの間の距離が、略０mm にまで短縮できることが分かる。
【００５８】
また、第一軸心Ａ１と同じく、第二水平距離Ｙ２と第二鉛直距離Ｚ２とを等しくし続けることによって、基板Ｓと触媒線３５との間の距離のみを一義的に選択できる。そのため、触媒ＣＶＤチャンバ１３の装置設計やプロセス設計に関わる制約を拡大させることなく、基板Ｓと触媒線３５との間の距離を短縮できる。
【００５９】
上記第一実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）第一実施形態においては、搬送位置の基板Ｓを、９０°の中心角を有した仮想円弧ＣＡの弦にする。そして、回動軸Ａの高さ位置が仮想円弧ＣＡの中心、すなわち基準軸心Ａ０の高さ位置よりも低く、かつ、回動軸Ａの水平位置が基準軸心Ａ０の水平位置よりも触媒線に近くなるように、第一軸心Ａ１あるいは第二軸心Ａ２を回動軸Ａの軸心として選択する。
【００６０】
したがって、第一軸心Ａ１あるいは第二軸心Ａ２の高さ位置が基準軸心Ａ０の高さ位置よりも低い分だけ、また第一軸心Ａ１あるいは第二軸心Ａ２の水平位置が基準軸心Ａ０の水平位置よりも触媒線３５に近い分だけ、基板Ｓと触媒線３５との間の距離を短縮できる。
【００６１】
（２）第一実施形態においては、第一水平距離Ｙ１と第一鉛直距離Ｚ１とが等しく、また第二水平距離Ｙ２と第二鉛直距離Ｚ２とが等しい。したがって、触媒ＣＶＤチャンバ１３は、第一基板Ｓ１あるいは第二基板Ｓ２における基板Ｓの高さ位置を、基準基板Ｓ０の高さ位置に維持できる。この結果、回動軸Ａの位置の選択によって、基板Ｓと触媒線３５との間の距離のみを一義的に選択できることから、製造装置１０の装置設計やプロセス設計において利便性を向上できる。
【００６２】
（第二実施形態）
次に、本発明を具体化した第二実施形態を図面に従って説明する。図３は、基板Ｓの回動する経路を模式的に示す図であって、第三軸心Ａ３を用いた経路を示す。なお、第二実施形態は、回動軸Ａの軸心の位置を第三軸心Ａ３に変更し、その他の構成を第一実施形態と同じくするため、以下では、その変更点について主に説明する。
【００６３】
図４において、第三軸心Ａ３は、基準軸心Ａ０を、Ｙ方向に第二水平距離Ｙ２だけ変位させた軸心である。図４では、第三軸心Ａ３によって得られる外側端Ｅｏの経路を第三外側端経路Ｃｏ３とし、内側端Ｅｉの経路を第三内側端経路Ｃｉ３という。また、搬送位置における基板Ｓの主面Ｓａと第三外側端経路Ｃｏ３との間の距離の最大値を、第三外側端距離Ｈ３とし、成膜位置における基板Ｓの主面Ｓａと第三内側端経路Ｃｉ３との間の距離の最大値を、第三内側端距離Ｌ３と言う。また、第三軸心Ａ３を用いて回動した成膜位置の基板Ｓを、第三基板Ｓ３と言う。
【００６４】
第三軸心Ａ３を中心にして搬送位置の基板Ｓを成膜位置へ回動する場合、第三外側端経路Ｃｏ３の半径Ｒｏ３は式（３Ａ−１）によって与えられ、第三内側端経路Ｃｉ３の半径Ｒｉ３は式（３Ａ−２）によって与えられる。そして、第一実施形態と同じく、第二水平距離Ｙ２を６０mm にする場合、第三外側端距離Ｈ３と第三内側端距離Ｌ３は、それぞれ
式（３Ｂ−１）と式（３Ｂ−２）とによって与えられる。
・Ｒｏ３＝［（Ｒ＋Ｙ２）２＋Ｒ２］０．５＝２５８mm …（３Ａ−１）
・Ｒｉ３＝［（Ｒ−Ｙ２）２＋Ｒ２］０．５＝１７５mm …（３Ａ−２）
・Ｈ３＝Ｒｏ３−Ｒ＝２５８mm −１５０mm ＝１０８mm …（３Ｂ−１）
・Ｌ３＝Ｒｉ３−Ｒ＝１７５mm −１５０mm ＝２５mm …（３Ｂ−２）
第三軸心Ａ３を回動軸Ａの軸心に用いる場合には、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面が、搬送位置の基板Ｓから１０８mm も離れていなければな
らない。一方で、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるためには、第三基板Ｓ３と触媒線３５との間が２５mm だけ離れていれば良い。言い換えれば、回動軸Ａの軸心を基準軸心
Ａ０から第三軸心Ａ３へ移すことによって、成膜室２１の内側面を上方へ（Ｈ３−Ｈ０）＝１０８−６２＝４６mm だけ拡張しなければならないが、触媒線３５と基板Ｓとの間の
距離を、｜Ｌ３−Ｌ０｜＝｜２５−６２｜＝３７mm も短縮できる。
【００６５】
したがって、第二実施形態によれば、第三軸心Ａ３の水平位置が基準軸心Ａ０の水平位置よりも触媒線３５に近い分だけ、基板Ｓと触媒線３５との間の距離を短縮できる。
なお、第二実施形態では、第一実施形態と同じ内側端距離を得る場合に、第一実施形態よりも外側端距離を大きくしなければならない。そのため、第二実施形態においては、搬送位置の基板Ｓ上の空間に関し、第一実施形態よりも大きい空間を形成する構成が好ましい。また、第二実施形態では、第二水平距離Ｙ２が大きくなるに連れて第三基板Ｓ３の高さ位置が高くなることから、触媒線３５の長さに関して、第一実施形態よりもＺ方向に伸張させる構成が好ましい。
【００６６】
（第三実施形態）
次に、本発明を具体化した第三実施形態を図面に従って説明する。図４は、基板Ｓの回動する経路を模式的に示す図であって、第四軸心Ａ４を用いた経路を示す。なお、第三実施形態は、回動軸Ａの軸心の位置を第四軸心Ａ４に変更し、その他の構成を第一実施形態と同じくするため、以下では、その変更点について主に説明する。
【００６７】
図５において、第四軸心Ａ４は、基準軸心Ａ０を、反Ｚ方向に第二鉛直距離Ｚ２だけ変位させた軸心である。図５では、第四軸心Ａ４によって得られる外側端Ｅｏの経路を第四外側端経路Ｃｏ４とし、内側端Ｅｉの経路を第四内側端経路Ｃｉ４という。また、搬送位置における基板Ｓの主面Ｓａと第四外側端経路Ｃｏ４との間の距離の最大値を、第四外側端距離Ｈ４とし、成膜位置における基板Ｓの主面Ｓａと第四内側端経路Ｃｉ４との間の距離の最大値を、第四内側端距離Ｌ４と言う。また、第四軸心Ａ４を用いて回動した成膜位置の基板Ｓを、第四基板Ｓ４と言う。
【００６８】
第四外側端経路Ｃｏ４の半径Ｒｏ４は式（４Ａ−１）によって与えられ、第四内側端経路Ｃｉ４の半径Ｒｉ４は式（４Ａ−２）によって与えられる。そして、第一実施形態と同じく、第二鉛直距離Ｚ２を６０mm にする場合、第四外側端距離Ｈ４と第四内側端距離Ｌ
４とは、それぞれ式（４Ｂ−１）と式（４Ｂ−２）とによって与えられる。
・Ｒｏ４＝［Ｒ２＋（Ｒ＋Ｚ２）２］０．５＝２５８mm …（４Ａ−１）
・Ｒｉ４＝［Ｒ２＋（Ｒ＋Ｚ２）２］０．５＝２５８mm …（４Ａ−２）
・Ｈ４＝Ｒｏ４−Ｒ−Ｚ２＝２５８mm −２１０mm ＝４８mm …（４Ｂ−１）
・Ｌ４＝Ｒｉ４−Ｒ−Ｚ２＝２５８mm −２１０mm ＝４８mm …（４Ｂ−２）
第四軸心Ａ４を回動軸Ａの軸心に用いる場合には、基板Ｓと成膜室２１との衝突を避けるため、成膜室２１の内側面が、搬送位置の基板Ｓから４８mm だけ離れていれば良い。
また、基板Ｓと触媒線３５との衝突を避けるためには、第四基板Ｓ４と触媒線３５との間が４８mm だけ離れていれば良い。言い換えれば、回動軸Ａの軸心を基準軸心Ａ０から第
四軸心Ａ４へ移すことによって、成膜室２１の内側面を下方へ（Ｈ０−Ｈ４）＝６２−４８＝１４mm も縮小させることができ、かつ、触媒線３５と基板Ｓとの間の距離を、｜Ｌ
４−Ｌ０｜＝｜４８−６２｜＝１４mm だけ短縮できる。
【００６９】
したがって、第三実施形態によれば、第四軸心Ａ４の高さ位置が基準軸心Ａ０の高さ位置よりも低い分だけ、基板Ｓと触媒線３５との間の距離を短縮でき、かつ、搬送位置の基板Ｓ上の空間を縮小できる。
【００７０】
なお、第三実施形態では、第二鉛直距離Ｚ２が大きくなるに連れて第四基板Ｓ４の高さ位置が低くなることから、触媒線３５の長さに関して、第一実施形態よりも反Ｚ方向に伸張させる構成が好ましい。
【００７１】
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態は、ステージを静電チャック２８に具体化したが、これに限らず、ステージをクランプ式のステージに具体化しても良い。すなわち、本発明におけるステージは、基板Ｓを固定して該基板Ｓの位置を搬送位置と成膜位置とに切換え可能なステージであれば良い。
【００７２】
・上記実施形態では、成膜装置を半導体装置の製造装置１０に具体化したが、これに限らず、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置の製造装置、あるいは光電変換装置の製造装置に具体化しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】半導体装置の製造装置を模式的に示す平面図。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ触媒ＣＶＤチャンバを示す側断面図、正断面図。
【図３】静電チャックの回動動作を模式的に示す側面図。
【図４】静電チャックの回動動作を模式的に示す側面図。
【図５】静電チャックの回動動作を模式的に示す側面図。
【符号の説明】
【００７４】
Ａ…回動軸、Ｓ…基板、１０…成膜装置としての半導体装置の製造装置、２１…成膜室、２８…ステージ、２９…回動機構、３１…退避室、３５…触媒線。
【図１】
0005230863.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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