(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に空間を介して形成された第２の電極および補助配線と、
前記第２の電極および前記補助配線上に、前記空間を覆うように形成された構造層と、
接続配線とを有し、
前記第２の電極および前記補助配線は、同一平面上に形成され、かつ電気的に接続され、
前記補助配線および前記接続配線は、前記構造層に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記構造層の側面にサイドウォールを有し、
前記サイドウォールは、前記開口部と前記補助配線と前記接続配線とに重なる領域を有することを特徴とするマイクロマシン。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された、第１の電極および第１の補助配線と、
前記第１の電極上に空間を介して形成された、第２の電極および第２の補助配線と、
前記第１の補助配線上に前記空間を介さず形成された、補助電極と、
前記第２の電極および前記第２の補助配線上において前記空間を覆うように形成され、且つ、前記補助電極上において前記空間を介さず形成された構造層と、
第１の接続配線と、
第２の接続配線とを有し、
前記第２の電極および前記第２の補助配線は、同一平面上に形成され、かつ電気的に接続され、
前記第２の補助配線および前記第１の接続配線は、前記構造層に設けられた第１の開口部を介して電気的に接続され、
前記補助電極および前記第２の接続配線は、前記構造層に設けられた第２の開口部を介して電気的に接続され、
前記構造層の側面にサイドウォールを有し、
前記サイドウォールは、前記第１の開口部と前記第２の補助配線と前記第１の接続配線とに重なる領域を有することを特徴とするマイクロマシン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて形成されるマイクロマシンの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を利用したＭＥＭＳスイッチ、またはこれらを備えたセンサ、共振器、通信用デバイスなどが注目されている。
【０００３】
なお、これらは、マイクロマシンとも呼ばれ、作製方法によって表面マイクロマシン技術とバルクマイクロマシン技術の２種類が挙げられる。表面マイクロマシン技術では、基板上に薄膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法で加工することによりＭＥＭＳ構造体を形成することができ、また、バルクマイクロマシン技術では、シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板自体をエッチングや研磨により加工することによりＭＥＭＳ構造体を形成することができる。
【０００４】
特に、表面マイクロマシン技術は、半導体プロセスを適用することが可能であるため、非常に重要視されているが、形成されるＭＥＭＳ構造体は、薄膜を積層して形成される立体構造であるため、膜厚の厚い層（例えば犠牲層）の段差部分に形成される接続配線の配線細りや配線の断切れが生じ易く、配線の信頼性が著しく損なわれるといった問題がある。
【０００５】
これに対して、膜厚の厚い層の段差部分に配線を形成する場合には、膜厚の厚い膜に対して任意の角度のテーパーを容易に形成すると共に、テーパー角度の加工制御性を高めた方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
しかしながら、ＭＥＭＳ構造体において、配線細りや配線の断切れを防止するためのテーパーを犠牲層に形成することは、犠牲層の膜厚が非常に厚いため、所望のテーパー形状を得るための制御が難しいのが現状である。
【特許文献１】特開平７−６６２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明では、表面マイクロマシン技術により形成されるマイクロマシン（ＭＥＭＳ構造体）において、犠牲層の段差部分での配線細りや配線の断切れを防止する構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、犠牲層上に形成され、かつ上部駆動電極と同一の導電膜で同一平面上に形成された配線（上部補助配線）が、犠牲層上において膜厚の自由度の高い新たな配線（上部接続配線）と電気的に接続される構造とする。犠牲層の膜厚により生じる段差部分は、その上にＣＶＤ膜により形成される構造層によって丸みを帯びた形状となり、新たな配線は、構造層上に形成することを特徴とする。
【０００９】
さらに、上記構造層は、被成膜面の全面に形成されることから新たな配線（上部接続配線）は全て構造層上に形成することができる。
【００１０】
マイクロマシンの具体的な構成は、絶縁表面を有する基板上に形成された第１の電極と、第１の電極上に空間を介して形成された第２の電極および補助配線と、補助配線上の接続配線とを有し、第２の電極、補助配線、および接続配線は、電気的に接続され、第１の電極は固定電極であり、第２の電極は可動電極であり、第２の電極および補助配線は、同一平面上に形成され、補助配線および接続配線は、空間の上部で電気的に接続されることを特徴とする。
【００１１】
また、絶縁表面を有する基板上に形成された第１の電極と、第１の電極上に空間を介して形成された第２の電極および補助配線と、第２の電極および補助配線上に形成された構造層と、構造層上の接続配線とを有し、第１の電極は固定電極であり、第２の電極は可動電極であり、第２の電極および補助配線は、同一平面上に形成され、かつ電気的に接続され、補助配線および接続配線は、構造層に設けられた開口部を介して電気的に接続されることを特徴とする。
【００１２】
なお、上記構成において、構造層は、ＣＶＤ法により形成された膜を用いることを特徴とする。
【００１３】
また、上記構成において、接続配線の膜厚は、２００ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは３００ｎｍ〜６００ｎｍであることを特徴とする。
【００１４】
また、上記構成において、接続配線は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）から選ばれる金属材料、または前記金属材料の金属酸化物、もしくは金属窒化物であることを特徴とする。
【００１５】
また、別の構成は、絶縁表面を有する基板上に第１の電極を形成し、第１の電極上に犠牲層を形成し、犠牲層上に互いに電気的に接続される第２の電極および補助配線を形成し、第２の電極および補助配線上に構造層を形成し、構造層の一部であって、補助配線と重なる位置に第１の開口部を形成し、構造層上に前記第１の開口部を介して補助配線と電気的に接続される接続配線を形成し、構造層の一部であって、犠牲層と重なる位置に第２の開口部を形成し、第２の開口部を介して犠牲層をエッチングにより除去することを特徴とするマイクロマシンの作製方法である。
【００１６】
なお、上記構成において、構造層は、ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
表面マイクロマシン技術により形成されるマイクロマシン（ＭＥＭＳ構造体）において、犠牲層上に形成された配線（上部補助配線）が、犠牲層上において新たな配線（上部接続配線）と電気的に接続される構造とすることにより、犠牲層上に形成された配線の犠牲層の段差部分における配線細りや配線の断切れ等を防ぐことができるので、信頼性の高いマイクロマシンを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の一態様について図面を用いて詳細に説明する。従って、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。すなわち、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、マイクロマシンであるＭＥＭＳスイッチ（微小電気機械スイッチ）の構成について説明する。
【００２０】
ＭＥＭＳスイッチは、図１に示すように絶縁表面を有する基板１０１上に下部駆動電極１０２、下部スイッチ電極１０３、および下部補助配線１０４が設けられており、下部駆動電極１０２、下部スイッチ電極１０３、および下部補助配線１０４上には、空間１０５を介して、上部駆動電極１０６、上部スイッチ電極１０７、および上部補助配線１０８が設けられている。なお、上部駆動電極１０６、上部スイッチ電極１０７、および上部補助配線１０８は、構造層１０９と一体形成されている。また、図１では、構造層１０９の一部が破線１１２の部分で断面を見せているが、これは説明を詳細にするためであり、実際は、空間１０５の上部を覆うように形成されているものとする。
【００２１】
また、下部駆動電極１０２は、基板１０１上に形成された固定電極として機能する電極である。一方、上部駆動電極１０６は、下部駆動電極１０２に対向して配置され、上部駆動電極１０６と下部駆動電極１０２との空間１０５に働く静電引力または、静電反発力により駆動する可動電極として機能する電極である。すなわち、上部駆動電極１０６が下部駆動電極１０２に引き寄せられられる場合には、下部スイッチ電極１０３と上部スイッチ電極１０７とが接触して電気的に接続され、また、上部駆動電極１０６が下部駆動電極１０２とが反発する場合には、下部スイッチ電極１０３と上部スイッチ電極１０７とが離れて電気的な接続が遮断される。
【００２２】
図１に示すＭＥＭＳスイッチは、構造層１０９の両端が基板１０１上に固定された両持ち梁構造であるが、本発明はこれに限られることなく、片側の端が基板１０１上に固定された片持ち梁構造であっても良い。また、下部スイッチ電極１０３と上部スイッチ電極１０７が１つずつ形成されるのに対して、下部駆動電極１０２と上部駆動電極１０６が、２つずつ形成される構成を示しているが、下部駆動電極１０２と上部駆動電極１０６は、１つずつ形成されていても良いし、３つ以上形成されていてもよい。
【００２３】
また、下部駆動電極１０２は、下部駆動電極１０２と同一表面上に形成された下部補助配線１０４を介して、下部接続配線１１０と電気的に接続される。
【００２４】
また、上部駆動電極１０６は、上部駆動電極１０６と同一表面上に形成された上部補助配線１０８を介して上部接続配線１１１と電気的に接続されている。なお、上部接続配線１１１は、構造層１０９上に形成されており、構造層１０９の一部であって、上部補助配線１０８と重なる位置に形成された開口部を介して、上部駆動電極１０６と同一表面上に形成された上部補助配線１０８と電気的に接続されている。
【００２５】
従って、下部接続配線１１０と上部接続配線１１１との間に電圧を印加することにより、下部駆動電極１０２と上部駆動電極１０６との間に静電引力が発生し、可動電極である上部駆動電極１０６を駆動させることができる。
【００２６】
次に、上述した構造を有するＭＥＭＳスイッチの作製方法について、図２〜図５を用いて説明する。
【００２７】
まず、図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板２０１上に下部駆動電極２０２、下部スイッチ電極２０３、および下部補助配線２０４を形成する。なお、図２（Ａ）は、図１に示したＭＥＭＳスイッチの一部を示す上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の上面図のＡ−Ａ’における断面図である。
【００２８】
基板２０１には、絶縁表面を有するガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を用いることができる。その他、金属等の導電性基板や、シリコン等の半導体性基板上に絶縁膜を形成した基板を用いることもできる。
【００２９】
また、下部駆動電極２０２、下部スイッチ電極２０３、および下部補助配線２０４は、同一の導電膜を所望の形状にパターニングして形成する。なお、ここで用いる導電膜としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、または当該金属材料の化合物（金属酸化物又は金属窒化物）等を用いることができる。また、導電膜の膜厚は、５０ｎｍ〜７００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。但し、次の工程で形成される犠牲層をエッチングする際、同時にエッチングされないような材料を選ぶ必要がある。
【００３０】
また、パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成した後、エッチング法により導電膜の一部を除去する方法を用いる。また、エッチング法としては、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。なお、ドライエッチング法の場合には、ＣＨＦ３、ＣｌＦ３、ＮＨ３、ＣＦ４等を含むエッチングガスを用いることができる。また、ウェットエッチング法の場合には、過酸化水素水を含むエッチング剤、又はバッファードフッ酸を含むエッチング剤を用いることができる。
【００３１】
次に、図２（Ｃ）（Ｄ）に示すように、基板２０１上に下部駆動電極２０２および下部スイッチ電極２０３を覆って、犠牲層２０５を所望の形状に形成する。なお、図２（Ｃ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図２（Ｄ）に該当する。
【００３２】
犠牲層２０５は、後に、ＭＥＭＳスイッチの一部に空間を設けるために形成される。従って、最終的には、エッチング法などによって除去される部分であるため、導電性の材料、または絶縁性の材料のいずれの材料であっても用いることができる。但し、先に説明したように下部駆動電極２０２、下部スイッチ電極２０３、および下部補助配線２０４、さらには、後に形成される上部駆動電極、上部スイッチ電極、上部補助配線、および補助電極を形成する導電性材料よりもエッチング時のエッチングレートの速い材料を選択する必要がある。
【００３３】
なお、犠牲層２０５に用いることのできる材料として導電性の材料を用いる場合には、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を用いることができる。また、絶縁性の材料を用いる場合には、ＭＥＭＳスイッチのスイッチ電極（下部スイッチと上部スイッチ電極）における電気的な接続に障害を与えないようにするために、エッチングによる除去がしやすい材料が好ましい。この場合の具体例としては、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料や、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、ポリイミド、レジスト材料などの有機材料、その他、シリコンなどの無機材料等を用いることができる。
【００３４】
また、犠牲層２０５の膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、２μｍ〜３μｍがより好ましい。
【００３５】
次に、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、犠牲層２０５上に上部駆動電極２０６、上部スイッチ電極２０７、および上部補助配線２０８を所望の形状に形成する。また、下部補助配線２０４上に補助電極２０９を所望の形状に形成する。なお、図３（Ａ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図３（Ｂ）に該当する。
【００３６】
上部駆動電極２０６、上部スイッチ電極２０７、上部補助配線２０８、および補助電極２０９は、同一の導電膜を所望の形状にパターニングして形成される。なお、ここで用いる導電膜としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、または当該金属材料の化合物（金属酸化物又は金属窒化物）等を用いることができる。また、導電膜の膜厚は、５０ｎｍ〜７００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。但し、犠牲層をエッチングする際、同時にエッチングされないような材料を選ぶ必要がある。具体的には、犠牲層にタングステンやモリブデンを用いる場合には、上部駆動電極および下部駆動電極にタングステンやモリブデンを用いることはできない。
【００３７】
また、パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成した後、エッチング法により導電膜の一部を除去する方法を用いる。また、エッチング法としては、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。なお、ドライエッチング法の場合には、ＣＨＦ３、ＣｌＦ３、ＮＨ３、ＣＦ４等を含むエッチングガスを用いることができる。また、ウェットエッチング法の場合には、過酸化水素水を含むエッチング剤、又はバッファードフッ酸を含むエッチング剤を用いることができる。
【００３８】
なお、上部補助配線２０８は、上部駆動電極２０６と同一平面上に形成される同一の導電膜により形成され、電気的に接続されている。従って、上部補助配線２０８の膜厚は、上部駆動電極２０６の膜厚に依存する。なお、上部駆動電極２０６は、可動電極として機能することから、膜厚を薄く形成することが好ましい。
【００３９】
上部補助配線２０８が、犠牲層２０５上にのみ形成される構造であるため、上部補助配線２０８が薄膜化されている場合であっても犠牲層２０５の膜厚により生じる段差部分での断線等を問題にすることなく上部補助配線２０８を形成することができる。
【００４０】
また、下部補助配線２０４上には、犠牲層２０５を形成することなく補助電極２０９が形成される。
【００４１】
次に、図３（Ｃ）（Ｄ）に示すように、犠牲層２０５、上部駆動電極２０６、上部スイッチ電極２０７、上部補助配線２０８、および補助電極２０９上に構造層２１０を形成する。なお、図３（Ｃ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図３（Ｄ）に該当する。
【００４２】
構造層２１０には、絶縁性の材料を用いることとする。具体的には、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。但し、後の工程で犠牲層２０５をエッチングする際、同時にエッチングされないような材料を選ぶ必要がある。また、構造層２１０の形成には、ＣＶＤ法、スパッタリング法、液滴吐出法（代表的にはインクジェット法）、スピンコーティング法を用いることができる。なお、液滴吐出法やスピンコーティング法は、出発材料が有機材料のときに用いることができる。なお、この様な構造とすることにより、先に形成した犠牲層２０５の段差部分に丸みを帯びさせることができるため、構造層２１０の形成には、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４３】
また、構造層２１０の膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、２μｍ〜３μｍがより好ましい。なお、構造層２１０の立体形状は、先に形成された犠牲層２０５を後に除去することによって形成することができるため、構造層２１０は、犠牲層２０５、および犠牲層２０５上に形成された上部駆動電極２０６、上部スイッチ電極２０７、および上部補助配線２０８を含む被成膜面の全面に形成するものとする。
【００４４】
次に、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、構造層２１０の一部であって、上部補助配線２０８と重なる位置に開口部２１１、補助電極２０９と重なる位置に開口部２１２を形成する。なお、図４（Ａ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図４（Ｂ）に該当する。
【００４５】
次に、図４（Ｃ）（Ｄ）に示すように、構造層２１０上に上部接続配線２１３および下部接続配線２１４を形成する。なお、図４（Ｃ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図４（Ｄ）に該当する。
【００４６】
上部接続配線２１３および下部接続配線２１４は、同一の導電膜を所望の形状にパターニングして形成される。なお、ここで用いる導電膜としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、または当該金属材料の化合物（金属酸化物又は金属窒化物）等を用いることができる。また、導電膜の膜厚は、２００ｎｍ〜１μｍが好ましく、３００ｎｍ〜６００ｎｍがより好ましい。但し、後の工程で犠牲層２０５をエッチングする際、同時にエッチングされないような材料を選ぶ必要がある。
【００４７】
また、パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成した後、エッチング法により導電膜の一部を除去する方法を用いる。また、エッチング法としては、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。なお、ドライエッチング法の場合には、ＣＨＦ３、ＣｌＦ３、ＮＨ３、ＣＦ４等を含むエッチングガスを用いることができる。また、ウェットエッチング法の場合には、過酸化水素水を含むエッチング剤、又はバッファードフッ酸を含むエッチング剤を用いることができる。
【００４８】
なお、上部接続配線２１３は、開口部２１１を埋めるように形成され、上部補助配線２０８と電気的に接続される。また、下部接続配線２１４は、開口部２１２を埋めるように形成され、補助電極２０９と電気的に接続される。
【００４９】
ここで、構造層２１０は、被成膜面の全面に形成されていることから、構造層２１０の膜厚により生じる段差を有しない構造である。すなわち、上部接続配線２１３および下部接続配線２１４は、全て構造層２１０上に形成されている。従って、上部接続配線２１３および下部接続配線２１４を段差部分による配線細りや断線を生じることなく形成することができる。
【００５０】
次に、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、構造層２１０の一部であって、犠牲層２０５と重なる位置に犠牲層２０５をエッチングするための開口部２１５を形成する。なお、図５（Ａ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図５（Ｂ）に該当する。
【００５１】
なお、構造層２１０は、先に説明したように被成膜面の全面に形成されていても所望の形状が得られる為、構造層２１０の加工は、エッチング処理によって犠牲層２０５上に形成される開口部２１５を形成するのみでよい。従って、ここでは、構造層２１０と犠牲層２０５を形成する材料のエッチング時における選択比のみを考慮すればよいため、エッチング剤の選択が容易となる。また、構造層２１０の加工は、開口部２１５の形成のみであるため、エッチング処理工程におけるゴミの発生を最小限に抑えることができる。
【００５２】
次に、図５（Ｃ）（Ｄ）に示すように、構造層２１０の一部に形成された開口部２１５を介して犠牲層２０５をエッチングし、空間２１６を形成する。なお、図５（Ｃ）に示す上面図のＡ−Ａ’における断面図が、図５（Ｄ）に該当する。
【００５３】
なお、犠牲層２０５のエッチングには、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法の場合には、ＣＨＦ３、ＣｌＦ３、ＮＨ３、ＣＦ４等を含むエッチングガスを用いることができる。また、ウェットエッチング法の場合には、過酸化水素水を含むエッチング剤、又はバッファードフッ酸を含むエッチング剤を用いることができる。
【００５４】
例えば、下部駆動電極２０２、下部スイッチ電極２０３、および下部補助配線２０４をタンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、または白金（Ｐｔ）のいずれかの金属材料で形成し、犠牲層２０５をタングステン（Ｗ）で形成し、上部駆動電極２０６、上部スイッチ電極２０７、および上部補助配線２０８をタンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、または白金（Ｐｔ）のいずれかの金属材料で形成し、構造層２１０を酸化シリコンで形成する場合には、アンモニア溶液（２８ｗｔ％）と過酸化水素水（３１ｗｔ％）の混合液（混合比＝１：２）によるウエットエッチング法や３フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。
【００５５】
また、上記組み合わせにおいて、犠牲層２０５にポリイミドを用いる場合には、市販のポリイミドエッチング液によるウエットエッチング法や、酸素プラズマによるドライエッチング法を用いることができる。
【００５６】
さらに、上記組み合わせにおいて、犠牲層２０５にシリコンを用い、構造層２１０に酸化シリコンを用いる場合には、リン酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化セシウムなどの水酸化物や、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液などによるウエットエッチング法を用いることができる。犠牲層２０５をエッチングする時に、エッチング剤に暴露される部分は、犠牲層２０５とのエッチングによる選択比が大きく、犠牲層２０５をエッチングする時間が長くてもエッチングされない材料を用いる必要がある。
【００５７】
また、犠牲層２０５のエッチングの際の条件を調節することにより、図５（Ｅ）に示すように構造層２１０の側面に犠牲層２０５の一部（図５（Ｅ）に示す２１７の部分）が残った構造（いわゆる、サイドウォール構造）としても良い。構造層２１０の側壁は膜の厚さが薄くなってしまうが、サイドウォール構造とすることにより、構造層２１０の側壁の弱さを補強することができる。
【００５８】
以上のように犠牲層２０５をエッチングして除去することによって、空間２１６が形成され、ＭＥＭＳスイッチを形成することができる。
【００５９】
このように、本実施の形態１で示したＭＥＭＳスイッチは、上部駆動電極２０６と電気的に接続された上部補助配線２０８が犠牲層２０５上に形成され、犠牲層２０５上において膜厚の自由度の高い接続配線と接続される構造であるため、上部駆動電極２０６が薄膜形成された場合であっても、犠牲層２０５の段差部分における上部補助配線２０８の配線細りや配線の断切れ等を防ぐことができる。従って、信頼性の高いＭＥＭＳスイッチを形成することができる。
【００６０】
なお、本実施の形態１で説明したＭＥＭＳスイッチを複数設ける、またはトランジスタやダイオードなど種類の異なる半導体素子と共に設けることで、集積化されたマイクロマシンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】ＭＥＭＳスイッチの構造を説明する図。
【図２】ＭＥＭＳスイッチの作製方法を説明する図。
【図３】ＭＥＭＳスイッチの作製方法を説明する図。
【図４】ＭＥＭＳスイッチの作製方法を説明する図。
【図５】ＭＥＭＳスイッチの作製方法を説明する図。
【符号の説明】
【００６２】
１０１    基板
１０２    下部駆動電極
１０３    下部スイッチ電極
１０４    下部補助配線
１０５    空間
１０６    上部駆動電極
１０７    上部スイッチ電極
１０８    上部補助配線
１０９    構造層
１１０    下部接続配線
１１１    上部接続配線
２０１    基板
２０２    下部駆動電極
２０３    下部スイッチ電極
２０４    下部補助配線
２０５    犠牲層
２０６    上部駆動電極
２０７    上部スイッチ電極
２０８    上部補助配線
２０９    補助電極
２１０    構造層
２１１    開口部
２１２    開口部
２１３    上部接続配線
２１４    下部接続配線
２１５    開口部
２１６    空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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