(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマー（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、シリコーンゴム（Ｄ）、および印刷用溶剤（Ｅ）を含み、前記シリコーンゴム（Ｄ）が全樹脂成分中に３０重量％以上含まれることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。
【請求項２】
固形分が４０〜９０重量％であり、チキソトロピー指数が１．５〜８．０であり、粘度（２５℃）が５〜１０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１に記載のダイボンディング用樹脂ペースト。
【請求項３】
支持基板上に請求項１または２に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを所定量塗布する工程、
塗布された前記樹脂ペーストを乾燥して、Ｂステージ化する工程、
Ｂステージ化した前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および
前記樹脂ペーストを後硬化する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
支持基板上に請求項１または２に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを所定量塗布する工程、
塗布された前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および
前記樹脂ペーストを硬化する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接合材料（ダイボンディング材）として用いられるダイボンディング用樹脂ペースト、当該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および当該製造方法により得られる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接合材料としては、従来から、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金、半田、銀ペースト等が知られている。また、本発明者らが先に提案した、特定のポリイミド樹脂を用いた接着フィルム、特定のポリイミド樹脂に導電性フィラーや無機フィラーを加えたダイボンディング用接着フィルムなども一般的に知られている（特許文献１〜３参照）。
【０００３】
しかし、上記Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が大きいために、大型チップに適用した場合に割れやすく、高価であるという難点もある。また、半田は、安価であるものの、耐熱性に劣り、その弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへの適用は難しい。また、銀ペーストは、安価で、耐湿性が高く、弾性率はこれらの中では最も低く、３５０℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性もあるので、現在もダイボンディング材として広く用いられているが、ＩＣやＬＳＩの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化していくなかでは、銀ペーストをチップ全面に広げて塗布することは困難であり、また効率的であるとはいえない。
【０００４】
一方、上記ダイボンディング用接着フィルムは、支持基板上に比較的容易にダイボンディング層を形成することができ、特に４２アロイリードフレームに対して好適に使用でき、さらには、比較的低温で接着でき、かつ良好な熱時接着力を有する。
【０００５】
しかし、この接着フィルムを支持基板へ効率的に供給・貼付しようとする場合には、これを予めチップサイズに切り出して（又は打ち抜いて）貼り付けるための貼付装置が必要となる。また、接着フィルムを打ち抜いて複数個のチップ分を一括で貼り付ける方法は、接着フィルムの無駄が生じやすい。さらに、支持基板の大部分は、基板内部に内層配線が形成されているため、接着フィルムを貼り付ける表面には凹凸が多く、接着フィルム貼付時に空隙が生じて、信頼性が低下しやすい。また、半導体素子をダイボンディング材に貼り付ける前には、基板やダイボンディング材が吸湿した水分を取り除くことで、後硬化時、ダイボンディング層にクラックやボイドが発生することを防いでいる（プリベ−ク工程）が、最近では、工程管理や組立時間の短縮の点から、このプリベーク工程を省いても後硬化時にクラックやボイドが発生しないダイボンディング材が求められている。
【０００６】
また、近年では、製造コストの低減を目的として、ダイボンディング材を量産性の高い印刷法で供給しようとする方法が注目されている。
【特許文献１】特開平０７−２２８６９７号公報
【特許文献２】特開平０６−１４５６３９号公報
【特許文献３】特開平０６−２６４０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、比較的低い温度で半導体素子を貼り付ける必要がある基板に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつ半導体素子貼付け前のプリベーク工程を省いても後硬化時にクラックやボイドが発生しないダイボンディング用樹脂ペースト、当該ダイボンディング用樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明は、以下（１）〜（５）に記載の事項をその特徴とする。
【０００９】
（１）カルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマー（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、シリコーンゴム（Ｄ）、および印刷用溶剤（Ｅ）を含み、前記シリコーンゴム（Ｄ）が全樹脂成分中に３０重量％以上含まれることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。
【００１０】
（２）固形分が４０〜９０重量％であり、チキソトロピー指数が１．５〜８．０であり、粘度（２５℃）が５〜１０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする上記（１）に記載のダイボンディング用樹脂ペースト。
【００１１】
（３）支持基板上に上記（１）または（２）に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを所定量塗布する工程、塗布された前記樹脂ペーストを乾燥して、Ｂステージ化する工程、Ｂステージ化した前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および前記樹脂ペーストを後硬化する工程、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１２】
（４）支持基板上に上記（１）または（２）に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを所定量塗布する工程、塗布された前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および前記樹脂ペーストを硬化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１３】
（５）上記（３）または（４）に記載の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、比較的低い温度で半導体素子を貼り付ける必要がある基板に対して、印刷法によって容易に供給・塗布できるダイボンディング用樹脂ペーストを提供することができる。
【００１５】
また、本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、耐熱性があり、扱いやすく、低応力性、熱時の接着力及び低温接着性に優れている。さらに、ダイボンディング材の吸湿性が低いため、半導体素子貼付け前のプリベーク工程を省いても、後硬化時にクラック・ボイドの発生はなく、半導体装置組立時の工程管理や組立時間の短縮に寄与する。
【００１６】
また、本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、有機基板などの絶縁性支持基板、銅リードフレームや４２アロイリードフレーム等の支持基板に好適に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明に係るダイボンディング用樹脂ペースト（以下、単に「樹脂ペースト」という場合もある）は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマー（Ａ）（ホモポリマー又はコポリマー）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、シリコーンゴム（Ｄ）、および印刷用溶剤（Ｅ）を含む。
【００１９】
成分（Ａ）であるカルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマーとしては、特に限定されないが、例えば、好適に使用できるものとして、主鎖にアクリロニトリルを導入した低分子量液状ポリブタジエンであり末端にカルボン酸を有する、Ｈｙｃｅｒ  ＣＴＢ−２００９×１６２、ＣＴＢＮ−１３００×３１、ＣＴＢＮ−１３００×８、ＣＴＢＮ−１３００×１３、ＣＴＢＮＸ−１３００×９（いずれも宇部興産（株）製）、商品名）や、カルボン酸基を有する低分子量液状ポリブタジエンである、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−Ｃ−２０００（日本曹達（株）製、商品名）などが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
成分（Ｂ）である熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、好ましくは、エポキシ樹脂であり、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂もしくは分子中にフェノール性水酸基を有する化合物と、硬化促進剤とを含む樹脂混合物として用いてもよい。エポキシ樹脂として、より好ましくは、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものであり、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が特に好ましい。このような樹脂として、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦもしくはハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２１】
上記エポキシ樹脂を用いる場合の配合量は、上記成分（Ａ）１００重量部に対し３００重量部を超えない程度、好ましくは２００重量部を超えない程度であることが好ましい。この配合量が３００重量部を超えると、ペーストの保管安定性が低下しやすい傾向がある。
【００２２】
また、上記フェノール樹脂は、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
また、フェノール樹脂又は分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０〜１５０重量部であることが好ましく、より好ましくは０〜１２０重量部である。この配合量が１５０重量部を超えると、硬化性が不十分となる恐れがある。
【００２４】
また、上記硬化促進剤は、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられるものであればよく、特に限定されないが、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、２種以上を併用してもよい。また、硬化促進剤の量は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０〜５０重量部であることが好ましく、より好ましくは０〜２０重量部である。この配合量が５０重量部を超えると、ペーストの保管安定性が低下する恐れがある。
【００２５】
また、熱硬化性樹脂（Ｂ）として、１分子中に少なくとも２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用することもできる。そのような化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼンが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
さらに、下記の一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるイミド化合物等を用いることも好ましい。
【化１】
0005130682.tif 000002
〔式中、ＸやＹは、Ｏ、ＣＨ２、ＣＦ２、ＳＯ２、Ｓ、ＣＯ、Ｃ（ＣＨ３）２又はＣ（Ｃ
Ｆ３）２を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し、ｍは０〜４の整数を示す。〕
【００２７】
上記一般式（Ｉ）のイミド化合物としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフェニ
ルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミド−３，
３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，
４−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、
２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４−ビスマレイミドジフェニ
ルフルオロメタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレ
イミドフェニル）プロパン等が挙げられる。
【００２８】
また、上記一般式（ＩＩ）のイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス
〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス
〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン等
が挙げられる。
【００２９】
上記イミド化合物を用いる場合の配合量は、成分（Ａ）１００重量部に対して２００重量部を超えない程度、好ましくは１００重量部を超えない程度である。この配合量が２００重量部を超えると、ペーストの保管安定性が低下しやすい。
【００３０】
また、上記イミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、例えば、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。ラジカル重合剤の使用量は、上記イミド化合物１００重量部に対して、概ね０．０１〜１．０重量部が好ましい。
【００３１】
上記成分（Ｃ）のフィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の導電性（金属）フィラー、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機物質フィラー等が挙げられる。これらフィラーのうち、銀粉、金粉、銅粉等の導電性（金属）フィラーは、接着剤に導電性、伝熱性又はチキソトロピー性を付与する目的で添加され、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機物質フィラーは、接着剤に低熱膨張性、低吸湿率、チキソトロピー性を付与する目的で添加される。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
また、上記無機物質フィラーとして、半導体装置の電気的信頼性を向上させる目的で、無機イオン交換体を用いるてもよい。無機イオン交換体としては、樹脂ペースト硬化物を熱水中で抽出したとき、水溶液中に抽出されるイオン、例えば、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、Ｆ−、ＲＣＯＯ−、Ｂｒ−等のイオン捕捉作用が認められるものが有効である。このようなイオン交換体としては、天然に産出されるゼオライト、沸石類、酸性白土、白雲石、ハイドロタルサイト類等の天然鉱物、人工的に合成された合成ゼオライトなどが挙げられる。
【００３３】
これら導電性フィラー又は無機物質フィラーは、それぞれ２種以上を混合して用いることもできる。物性を損なわない範囲で、導電性フィラーの１種以上と無機物質フィラーの１種以上とを混合して用いてもよい。
【００３４】
上記フィラーの量は、成分（Ａ）１００重量部に対して、通常、１〜１００重量部であることが好ましく、より好ましくは２〜５０重量部である。このフィラーの量は、ペーストに十分なチキソトロピー性（チキソトロピー指数：１．５以上）を付与する観点から、１重量部以上であることが好ましい。さらにこのフィラーの量は、接着性の観点から１００重量部以下であることが好ましく、これを超えて配合量が多すぎると、硬化物の弾性率が高くなり、その結果、ダイボンディング材の応力緩和能が低くなって、半導体装置の実装信頼性が低下する恐れがある。
【００３５】
また、上記フィラーの混合・混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
【００３６】
また、上記成分（Ｄ）であるシリコーンゴムは、樹脂ペーストの吸湿性を下げ、かつ低応力性を維持するために用いられる。シリコーンゴム（Ｄ）としては、耐熱性を有し、低吸湿でかつ低応力・低弾性であるゴム状フィラーであれば特に限定はないが、例えば、ジメチルシリコーンを３次元架橋させたものなどが挙げられる。より具体的には、トレフィルＥ−５００、トレフィルＥ−６００、トレフィルＥ−６０１（いずれも東レ・ダウコーニング（株）製、商品名、シリコーンエラストマー）などが挙げられ、これらは２種類以上混合して用いても良い。
【００３７】
上記シリコーンゴム（Ｄ）の配合量は、全樹脂成分（上記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）および必要に応じて添加されるその他の樹脂成分））中、３０重量％以上であることが好ましく、また、その上限は７０重量％以下であることが好ましい。シリコーンゴム（Ｄ）の配合量が３０重量％未満であると、シリコーンゴムを配合することにより得られる上記効果が得られ難く、一方、７０重量％を越えると硬化後の接着強度が低下する傾向にある。
【００３８】
また、上記成分（Ｅ）である印刷用溶剤は、フィラーを均一に混練又は分散できる溶剤のなかから選択することが好ましい。また、印刷時の溶剤の揮散防止を考えて、沸点が１００℃以上の溶剤を選ぶことが好ましい。
【００３９】
上記印刷用溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライムともいう）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライムともいう）、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、γ−ブチロラクトン、イソホロン、カルビトール、カルビトールアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、アニソール、印刷用インキの溶剤として使われる石油蒸留物を主体とした溶剤などが挙げられる。これらは２種類以上を混合して用いてもよい。
【００４０】
上記印刷用溶剤（Ｅ）の配合量は、成分（Ａ）１００重量部に対して、通常、１０〜１００重量部であることが好ましい。
【００４１】
また、本発明の樹脂ペーストの印刷中に、泡、ボイドの発生が目立つ場合は、上記印刷用溶剤（Ｅ）中に脱泡剤、破泡剤、抑泡剤等を添加することが効果的である。添加量は、抑泡効果を発揮させる観点から、溶剤（Ｅ）中に０．０１重量％以上添加することが好ましく、樹脂ペーストの粘度安定性や接着性の観点から、溶剤（Ｅ）中に１０重量％以下含まれるように添加することが好ましい。
【００４２】
また、本発明の樹脂ペーストには、接着力を向上させるため、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤等を適宜加えてもよい。
【００４３】
上記のような成分を含む本発明の樹脂ペーストは、その固形分が４０〜９０重量％であることが好ましい。樹脂ペースト乾燥後の体積減少に起因する形状変化抑制の観点から、上記固形分は４０重量％以上であることが好ましく、また、樹脂ペーストの流動性及び印刷作業性向上の観点から、上記固形分は９０重量％以下であることが好ましい。
【００４４】
また、本発明の樹脂ペーストのチキソトロピー指数は、１．５〜８．０であることが好ましい。このチキソトロピー指数が１．５以上であると、印刷法によって供給・塗布された樹脂ペーストのダレ等の発生を抑制して、印刷形状を良好に保ち易く、また、このチキソトロピー指数が８．０以下であると、印刷法によって供給・塗布された樹脂ペーストの「欠け」やカスレ等の発生を抑制し易くなる。なお、チキソトロピー指数は、Ｅ型回転粘度計で、２５℃、回転数１ｍｉｎ−１で測定したときの値と、回転数１０ｍｉｎ−１で測定したときの値との比で定義する。チキソトロピー指数の求め方については、実施例で詳しく説明する。
【００４５】
また、本発明の樹脂ペーストの粘度（２５℃）は、印刷作業性の観点から５〜１０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。また、樹脂ペーストの粘度は、印刷法の種類により適宜調整することが好ましい。例えば、スクリーンメッシュ版等のようにマスク開口部にメッシュ等が張ってある場合は、メッシュ部の抜け性を考慮して５〜１００Ｐａ・ｓの範囲に調整することが好ましく、ステンシル版などの場合は２０〜５００Ｐａ・ｓの範囲に調整することが好ましい。また、乾燥後の樹脂ペーストに残存するボイドが多く見られる場合は、１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度に調整することが有効である。なお、上記粘度は、Ｅ型回転粘度計を用いて、２５℃、回転数０．５ｍｉｎ−１で測定したときの値とする。
【００４６】
本発明の半導体装置は、本発明の樹脂ペーストを用いて半導体素子を支持基板上に搭載したものであればよく、また、その製造過程も公知の方法、条件によればよく、特に限定されないが、支持基板上への樹脂ペーストの供給、塗布は、印刷法により行うことが好ましい。具体的には、例えば、支持基板上に、本発明の樹脂ペーストを印刷法により供給、塗布し、これを乾燥半硬化（Ｂステージ化）させることで樹脂ペースト層（ダイボンディング層）を形成した後、当該樹脂ペースト層上にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子（チップ）を適当な条件で加熱加圧して貼り付け、その後、当該樹脂ペースト層を後硬化することにより製造することができる。なお、この樹脂ペースト層の後硬化は、実装組立工程での問題がない場合は、封止材の後硬化工程の際に併せて行ってもよい。
【００４７】
上記支持基板としては、特に限定されないが、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等の基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等を含む樹脂組成物を含浸・硬化させたもの（プリプレグ）、若しくはアルミナ等のセラミックス製の支持部材などが挙げられる。
【００４８】
また、本発明の樹脂ペーストは溶剤を含有しているが、その大部分は、当該樹脂ペーストのＢステージ化により揮発するため、樹脂ペースト層にボイドの少ない、良好な実装信頼性をもつ半導体装置を組み立てることができる。また、本発明の樹脂ペーストを支持基板上に供給・塗布した後、パッケージ信頼性に影響がなければ、これを乾燥半硬化（Ｂステージ化）させることなく半導体素子を加熱加圧して貼り付けてもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００５０】
＜樹脂ペーストの調製＞
（実施例１）
カルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマー（Ａ）（ベース樹脂）として、ＣＴＢＮＸ−１３００×９を１００重量部秤量し、これをらいかい機に入れた。ここに、熱硬化性樹脂（Ｂ）として予め用意していた、エポキシ樹脂（ＹＤＣＨ−７０２）２５重量部およびフェノール樹脂（Ｈ−１）１５重量部を含むカルビトールアセテート溶液（なお、溶剤であるカルビトールアセテートは６０重量部）、ならびに硬化促進剤（ＴＰＰＫ）０．５重量部を加え、混合した。
【００５１】
続いて、フィラー（Ｃ）として、シリカ微粉末であるアエロジルを８重量部、およびシリコーンゴム（Ｄ）として、トレフィルＥ−６０１を６０重量部加え、さらに粘度調整用として印刷用溶剤（Ｅ）であるカルビトールアセテートを２６重量部添加し、１時間撹拌・混練し、ダイボンディング用樹脂ペースト（樹脂ペーストＮｏ．１、固形分７０．９重量％）を得た。
【００５２】
（実施例２〜５、比較例１〜３）
ベース樹脂（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、シリコーンゴム（Ｄ）および溶剤（Ｅ）の種類や配合量を適宜変更して、実施例１と同様の工程を経て、ダイボンディング用樹脂ペーストを得た（樹脂ペーストＮｏ．２〜Ｎｏ．８）。各樹脂ペーストの配合を表１に示す。
【００５３】
【表１】
0005130682.tif 000003
※各組成の配合量の単位は全て重量部
※表１における略号は次の通りである。ＣＴＢＮＸ−１３００×９：宇部興産（株）製、商品名、カルボン酸末端液状ポリブタジエン（官能基数２．３／ｍｏｌ）、ＣＴＢＮ−１３００×３１：宇部興産（株）製、商品名、カルボン酸末端液状ポリブタジエン（官能基数１．９／ｍｏｌ）、ＣＴＢＮ−１３００×８：宇部興産（株）製、商品名、カルボン酸末端液状ポリブタジエン（官能基数１．８５／ｍｏｌ）、ＹＤＣＨ−７０２：東都化成（株）製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０）、ＥＳＣＮ−１９５：日本化薬（株）製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）、Ｈ−１：明和化成（株）製、商品名、フェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量１０６）、ＶＨ−４１７０：大日本インキ化学工業（株）製、商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂（ＯＨ当量１１８）、ＴＰＰＫ：東京化成工業（株）製、商品名、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート、２Ｐ４ＭＨＺ；四国化成工業（株）製、キュアゾール（イミダゾール化合物）、アエロジル：日本アエロジル（株）製、商品名アエロジル＃３８０（シリカの微粉末）、Ｅ−６０１：東レ・ダウコーニング（株）製、商品名、シリコーンエラストマ、ＣＡ：カルビトールアセテート、ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００５４】
＜樹脂ペーストの評価＞
（粘度およびチキソトロピー指数）
各実施例および比較例の樹脂ペーストについて、粘度およびチキソトロピー指数を以下のようにして測定した。結果を表２に示す。
・粘度：東機産業（株）製、Ｅ型粘度計で直径１９．４ｍｍ、３°コーンを用いて、２５℃での粘度を測定した（回転数０．５ｍｉｎ−１）。
・チキソトロピー指数：上記粘度計を用いて、回転数１ｍｉｎ−１および１０ｍｉｎ−１での粘度を測定し、次式により求めた。
［数１］
チキソトロピー指数＝（１ｍｉｎ−１での粘度）／（１０ｍｉｎ−１での粘度）
【００５５】
（ピール強度）
太陽インキ製造（株）製、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−５が塗布された有機基板に、各実施例および比較例の樹脂ペーストを印刷し、６０℃で１５分間、１００℃で３０分間乾燥させてこれをＢステージ化した後、当該Ｂステージ状の樹脂ペースト層に、５×５ｍｍのシリコンチップを１８０℃又は２５０℃の熱盤上で１０００ｇの荷重をかけ５秒間圧着させた。なお、シリコンチップは、４００μｍ厚のウェハを２５０μｍにハーフカットし、裏側方向に力を加えて割ることにより、端部において１５０μｍ厚の突起部を有するように準備されたものである。その後、１８０℃で１時間の条件で樹脂ペースト層を後硬化することで、半導体装置サンプルを作製した。
【００５６】
次に、上記で得た各サンプルについて、図１に示す測定装置を用い、２５０℃、２０秒間加熱時のピール強度を測定した。結果を表２に示す。なお、図１に示す測定装置は、プッシュプルゲージを改良したものであり、基板１、樹脂ペースト層（ダイボンディング材）２及びシリコンチップ３からなるサンプルを熱板１０上に配置し、支え１１及び１２で固定した状態で、シリコンチップ３の突起部に掛けられたプッシュプルゲージ１３を、図中矢印で示す方向に移動させたときの荷重を検知することにより、樹脂ペーストのチップ引き剥がし強さ（ピール強度）を測定することができる。また、一般に、この数値が高いほどリフロークラックが発生しにくくなる。
【００５７】
（クラック・ボイドの発生の有無）
厚さ０．２ｍｍの銅箔を両面剥離処理したＥ−６７９Ｆ（日立化成工業（株）製、商品名）基板上に各実施例および比較例の樹脂ペーストを、乾燥後の厚みが約４０μｍになるように７ｍｍ角の大きさに塗布した後、これを１２０℃、１００ｍｉｎ、オーブン中で乾燥した。ついで、２３℃５０％ＲＨに調湿されたクリーンルーム中に２４ｈ放置した後、樹脂ペースト層に１０ｍｍ角（厚さ：０．５ｍｍ）のガラスチップを１２０℃、７ｋｇの条件で５秒間圧着し、さらに、オーブンにて室温から１８０℃まで６０ｍｉｎで昇温、１８０℃、６０ｍｉｎで加熱硬化させ、半導体装置サンプルを作製した。その後、得られた各サンプルの樹脂ペースト層について、クラックやボイドの有無を目視にて観察した。結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
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【００５９】
表２に示されるように、Ｎｏ．１〜５の樹脂ペースト（実施例１〜５）は、チップ貼り付け温度が１８０℃でも２５０℃でも、高いピール接着力を示し、熱時接着力や耐熱性に優れることが確認された。また、Ｎｏ．１〜５の樹脂ペースト（実施例１〜５）は、シリコーンゴムを全樹脂成分中の３０重量％以上配合したため、ダイボンド前のプリベーク処理なしでも、後硬化後の樹脂ペースト層（ダイボンディング層）中にクラックやボイドは観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】ピール接着力を測定する装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  基板
２  ダイボンディング材
３  シリコンチップ
１０  熱板
１１  支え
１２  支え
１３  プッシュプルゲージ
【図１】
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