(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを保持する保持面を有し、回転可能に設けられたスピンナテーブルと、
該スピンナテーブルに保持されたワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、
前記スピンナテーブルを囲繞して洗浄室を形成する囲繞部材と、
該囲繞部材に設けられて前記洗浄室を開閉する開閉手段と、
前記洗浄室内の、前記保持面を前記開閉手段との間に挟む位置に配設され、該洗浄室内を排気する排気手段と、
前記洗浄室内に配設され、前記保持面と前記開閉手段との間の空間に対して空気を前記排気手段方向に噴出するエアブロー手段と
を少なくとも含み、
前記開閉手段が前記保持面の上方に配設され、前記排気手段が前記保持面の下方に配設され、前記エアブロー手段から噴出される空気の噴出方向が水平方向よりも下向きに設定され、かつ、前記エアブロー手段の噴出方向および前記排気手段の排気方向が、前記スピンナテーブルの回転方向に沿った方向に設定されていることを特徴とするスピンナ洗浄装置。
【請求項２】
ワークのダイシング加工、レーザ光を用いた孔あけ加工、研削加工、研磨加工、エキスパンド分割加工のうちの少なくとも１つの加工を行う加工装置であって、請求項１に記載のスピンナ洗浄装置を備えていることを特徴とする加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転させたワークに洗浄水を供給して洗浄する形式のスピンナ洗浄装置と、該洗浄装置を装備した各種加工装置に関する。本発明で対象となるワークは、例えば半導体ウェーハや電子部品の基板等の薄板状のものが挙げられる。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切削して切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やＰＣ（パーソナル・コンピュータ）等の各種電気・電子機器に広く用いられている。
【０００３】
半導体ウェーハをダイシングする装置としては、チャックテーブルに吸着して保持した半導体ウェーハに対して、高速回転させた円板状の薄い切削ブレードを切り込ませていくブレード式の切削装置が一般的である（例えば特許文献１）。ブレード式の切削装置でダイシングされた半導体ウェーハは、付着している切削屑等を除去するために洗浄する必要があることから、洗浄手段を備えた切削装置が提供されている（例えば特許文献２）。
【０００４】
半導体ウェーハの切削装置に具備される洗浄手段は、上記特許文献２に記載されるように、ワーク（半導体ウェーハ）をスピンナテーブルに吸着して保持し、スピンナテーブルを回転させて、回転するワークに向けて洗浄水供給ノズルから洗浄水を噴出して供給することにより洗浄を行う。そして、洗浄水の供給を停止し、スピンナテーブルの回転を続けることにより、遠心力で水分を除去して乾燥まで行っている。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２５２０９号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような洗浄手段は、加工後のワークを洗浄して乾燥させるまでが一連の動作で行うことができるため有効なものである。ところが、この種の洗浄手段では、スピンナテーブルを高速で回転させるため、洗浄水がワークに供給されると汚れたミストが発生する。そこで、汚れたミストが周辺に飛散することを防ぐためにスピンナテーブルをケーシングで覆うなどの対策が考えられた。しかしながら、ミストの飛散を十分におさえることが困難であったり、ケーシングの内面に付着した水滴が乾いたワークに滴下したりするなど、新たな問題が生じており、より有効なミスト飛散防止の対策が求められた。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、洗浄することによって発生するミストを確実に排出して周辺への悪影響を効果的に防止することができるスピンナ洗浄装置と、そのような洗浄装置を備えた加工装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ワークを保持する保持面を有し、回転可能に設けられたスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、スピンナテーブルを囲繞して洗浄室を形成する囲繞部材と、該囲繞部材に設けられて洗浄室を開閉する開閉手段と、洗浄室内の、保持面を開閉手段との間に挟む位置に配設され、該洗浄室内を排気する排気手段と、洗浄室内に配設され、保持面と開閉手段との間の空間に対して空気を排気手段方向に噴出するエアブロー手段とを少なくとも含み、開閉手段が保持面の上方に配設され、排気手段が保持面の下方に配設され、エアブロー手段から噴出される空気の噴出方向が水平方向よりも下向きに設定され、かつ、エアブロー手段の噴出方向および排気手段の排気方向が、スピンナテーブルの回転方向に沿った方向に設定されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば上記半導体ウェーハ等のウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、ガラス系あるいはシリコン系の基板、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。
【００１０】
本発明のスピンナ洗浄装置によれば、保持面にワークを保持したスピンナテーブルを回転させながら、回転するワークに向けて洗浄水供給ノズルから洗浄水を供給することによりワークが洗浄される。そして、スピンナテーブルの回転を継続して洗浄水の供給を停止すると、ワークに付着する洗浄水が遠心力で吹き飛ばされ、さらにワークが乾燥する。
【００１１】
洗浄水がワークに供給されることにより発生するミストは、囲繞部材によって洗浄室から外部へ漏洩して広がることが防止されるとともに、排気手段によって所定の処理設備に排出される。エアブロー手段から噴出する空気が、スピンナテーブルの保持面に保持されているワークにかぶさるようにして排気手段方向に流れ、これによりミストは開閉手段の方向へ流れることなく速やかに排気手段に導入される。その結果、発生するミストを確実に排気手段で排出することができる。そしてこのように効率的にミストが排出されるため、洗浄運転終了後に開閉手段を開いた際に、洗浄室内に残ったミストが洗浄室から外部に漏れるといったおそれがなく、ミストによる周辺への悪影響を防止することができる。
【００１２】
本発明では、スピンナテーブルのワーク保持面を挟んで該保持面の片側に開閉手段が配設され、反対側に排気手段が配設されており、この位置関係においてエアブロー手段から排気手段方向に空気を噴出するため、上記のようにミストを排気手段に向かって円滑に導入することができ、また、開閉手段を開いた際もミストが外部に漏れにくい構造となっている。このような構造は、開閉手段が保持面の上方に配設され、排気手段が保持面の下方に配設され、エアブロー手段から噴出される空気の噴出方向が水平方向よりも下向きに設定されるといった本発明の構成で得られる。
【００１３】
この形態によると、ワークから舞い上がろうとするミストを、エアブロー手段から下向きに噴出する空気でおさえ込んで速やかに排気手段に導入することができる。また、ミストが洗浄室上方の開閉手段の内面に付着することを防止することができ、このため、開閉手段の内側にミストが凝集した水滴が付着し、例えば開閉手段を開いた際などに、その水滴が洗浄後のワークに落下して汚染を招くといった不具合を防止することができる。
【００１４】
また、本発明では、エアブロー手段の噴出方向および排気手段の排気方向が、スピンナテーブルの回転方向に沿った方向に設定されている。スピンナテーブルが回転すると該スピンナテーブルの周囲には回転方向に沿った空気の流れが生じる場合があり、この空気の流れと同じ方向に空気を噴出させるとともに排気を行えば、螺旋状の空気の流れが生じるとともに、その流れを促進させることができる。ミストはその螺旋状に流れる空気に巻き込まれて流れていき、このため、ミストの舞い上がりが効果的におさえられるとともに、より一層効率的にミストを排出させることができる。
【００１５】
次に、本発明の加工装置は、上記本発明のスピンナ洗浄装置を備えていることを特徴とするものであり、上記の作用効果によって、該加工装置が具備する各種機器へのミストの悪影響が防止される。本発明の具体的な加工装置としては、ワークのダイシング加工（切削ブレードによるダイシング、またはレーザ光照射によるダイシングを含む）、レーザ光を用いた孔あけ加工、研削加工、研磨加工、エキスパンド分割加工のうちの少なくとも１つの加工を行う加工装置が挙げられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ワークを洗浄することによって発生する汚染したミストが洗浄室の外部に漏洩すること、ならびにそのミストを排気手段によって洗浄室の外部に排出することが確実かつ効率的になされ、結果としてミストの周辺への悪影響を効果的に防止することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
図１は、一実施形態のスピンナ洗浄装置１を示している。このスピンナ洗浄装置１は、半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）を加工する加工装置に具備され、加工後のウェーハを洗浄するものである。加工装置としては、ウェーハのダイシング加工（切削ブレードによるダイシング、またはレーザ光照射によるダイシングを含む）、レーザ光を用いた孔あけ加工、研削加工、研磨加工、エキスパンド分割加工などを行うものが挙げられる。スピンナ洗浄装置１は、そのような加工装置の基台上の所定位置に、支持台１０を介して支持されている。
【００１８】
支持台１０は、加工装置の基台に固定される水平なプレート１１と、このプレート１１上に立設された複数の脚部１２と、これら脚部１２の上端に固定された受け部１３とから構成されている。受け部１３は図示せぬ円形状の底板の周縁に環状の外枠１３ａが設けられたものであり、この受け部１３に、スピンナ洗浄装置１の主体をなす円筒状のケーシング（囲繞部材）２０が嵌め込まれて支持されている。
【００１９】
受け部１３に支持されているケーシング２０は軸心がほぼ鉛直方向に沿った状態となっている。このケーシング２０の内部が洗浄室２１となっており、洗浄室２１内には、図２に示すように、円板状のスピンナテーブル３０がケーシング２０と同心状に配設されている。図３に示すように、スピンナテーブル３０は、円板状の枠体３１の上面に多孔質体からなる円板状の吸着部３２が嵌合されたものである。
【００２０】
吸着部３２は枠体３１と同心状でスピンナテーブル３０の上面の大部分を占めており、吸着部３２の上面と周囲の環状の枠体３１の上面とは同一の平面であって、ウェーハを保持する平坦な保持面３０Ａとなっている。スピンナテーブル３０には空気を吸引する配管を介してバキューム装置が接続されており（いずれも図示略）、バキューム装置を運転すると吸着部３２の上方の空気が吸引され、この空気吸引作用により、スピンナテーブル３０上に載置されたウェーハが吸着部３２に吸着されて保持されるようになっている。
【００２１】
スピンナテーブル３０は、受け部１３の底板を貫通して鉛直方向に延びるポスト３５の上端に、回転自在に支持されている。ポスト３５は、例えば複数の筒状体を組み合わせたテレスコープ構造のような伸縮する構造を有しており、ケーシング２０の中心に配設されている。ポスト３５が伸びるとスピンナテーブル３０はケーシング２０よりも上方に出てウェーハの受け渡し位置まで上昇させられる。また、ポスト３５が縮むとスピンナテーブル３０は洗浄室２１内に設定された所定の洗浄位置まで下降させられる。このようにポスト３５を伸縮させてスピンナテーブル３０を昇降させるモータ等を有する昇降手段４１が、プレート１１上に固定されている。
【００２２】
また、プレート１１上には、スピンナテーブル３０を回転させるモータ４２が固定されている。スピンナテーブル３０の枠体３１には、モータ４２の回転を伝達する図示せぬ回転伝達機構が接続されており、モータ４２が運転されると枠体３１すなわちスピンナテーブル３０が回転するようになっている。スピンナテーブル３０は上記のようにポスト３５の伸縮によって昇降するが、下降して洗浄位置に位置付けられたときに回転可能であればよい。したがって、スピンナテーブル３０が洗浄位置に位置付けられたときに、該回転伝達機構がスピンナテーブル３０の枠体３１に接続されるような構成が採られる。
【００２３】
なお、スピンナテーブル３０の昇降にかかわらず常に該回転伝達機構がスピンナテーブル３０に接続する構造であっても勿論よい。スピンナテーブル３０の昇降機構や回転機構は上記実施形態に限定はされず、昇降と回転が可能な構成であればいかなる構造も選択される。
【００２４】
図４（ａ）は、スピンナ洗浄装置１で洗浄されるウェーハＷを示している。ウェーハＷはスピンナ洗浄装置１が具備されている加工装置の加工の種類に応じて、ウェーハＷのみ単体の状態で処理される場合と、図４（ｂ）に示すように環状のフレーム６１の内側に粘着テープ６２を介して支持された状態で処理される場合がある。ウェーハＷは加工された後に、いずれかの状態のままスピンナ洗浄装置１に供される。フレーム６１は、金属等の板材からなる剛性を有するものである。粘着テープ６２は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム６１とウェーハＷが貼着される。
【００２５】
スピンナテーブル３０の周囲には、フレーム６１を着脱自在に把持する複数のクランプ３４が配設されており、ウェーハＷが粘着テープ６２を介してフレーム６１に保持されている場合、フレーム６１はクランプ３４に把持されて保持されるようになっている。各クランプ３４は、スピンナテーブル３０の枠体３１に固定されている。
【００２６】
ケーシング２０の上方開口は、巻取式のフラップ（開閉手段）２５によって開閉されるようになっている。このフラップ２５は可撓性を有する材料によって帯状に形成されたもので、ケーシング２０の上方の側方に配設された巻取部２６から引き出されるとケーシング２０の上方開口が閉塞されるようになっている。フラップ２５が閉じた状態は、フラップ２５の先端部をケーシング２０に引っ掛けて係合させるなどの手段により保持されるようになっている。フラップ２５が閉じられると洗浄室２１内は密閉状態になる。なお、洗浄室２１の密閉度を高めるために、上記ポスト３５が貫通するケーシング２０の底板の孔などは密閉シールで閉塞されることが望ましい。
【００２７】
洗浄室２１内には、スピンナテーブル３０の保持面３０Ａに保持されたウェーハＷの上面に洗浄水を噴出して供給する洗浄水供給ノズル５０が、この場合２つ設けられている。洗浄水は、純水、あるいは静電気防止のためにＣＯ２入りの純水が用いられる。洗浄水供給ノズル５０は配管５１の先端に、洗浄水を下向きに噴出するように設けられている。配管５１はケーシング２０内に取り付けられた回転軸５２に水平旋回可能に支持されており、往復旋回することによって、スピンナテーブル３０に保持されて回転するウェーハＷの上面にまんべんなく洗浄水を噴出するようになっている。なお図示はしていないが、ケーシング２０の底部には、洗浄水をケーシング２０の外部に導いて所定の処理設備に排出するための排水口および該排水口に接続された排水管が設けられている。
【００２８】
ケーシング２０の下部には、洗浄室２１内の空気をケーシング２０の外部に導いて排出するための排気管（排気手段）６０の一端部が外部から接続されている。図３に示すように、排気管６０はケーシング２０に形成された排気口２０ａに対して水平に接続されているが、図２に示すように、接続された部分に近接するケーシング２０の外周面から延びる接線Ｌと平行な方向に延びている。言い換えると、排気管６０から洗浄室２１内方向へ真っ直ぐに延びる延長線が、スピンナテーブル３０とケーシング２０の内面との間に位置するように延びている。このような排気管６０の延びる方向は、スピンナテーブル３０の回転方向（図１および図２で矢印Ｒで示す）に沿った方向と言える。
【００２９】
排気管６０は図示せぬ所定の処理設備まで延びており、排気管６０の途中、あるいは該処理設備には、洗浄室２１内の空気を吸引して排気管６０に流入させる図示せぬ排気ファンが装備されている。排気管６０が接続されるケーシング２０の排気口２０ａは、スピンナテーブル３０の保持面３０Ａよりも下方位置に形成されている。
【００３０】
洗浄室２１内の上部であって保持面３０Ａよりも上方の位置には、複数（この場合４つ）のエアブロワ（エアブロー手段）７０が、周方向に等間隔をおいて配設されている。エアブロワ７０はケーシング２０の内面に近接しており、図示せぬブラケットを介してケーシング２０の内面に支持されている。エアブロワ７０には図示せぬ空気供給配管がケーシング２０を気密的に貫通して接続されており、横方向に複数配列された噴出口７１から空気が所定圧力で噴出するようになっている。
【００３１】
これらエアブロワ７０から噴出される空気の噴出方向は、横方向が、図２に示すようにスピンナテーブル３０の外周縁の接線方向であって、スピンナテーブル３０の回転方向に沿った方向に設定されている。そして上下方向は、図３に示すように斜め下方に設定されている。図３に示すように、エアブロワ７０はスピンナテーブル３０の周囲の上方に配設されており、スピンナテーブル３０上に保持されるウェーハＷの上面に向かってエアブロワ７０から空気が噴出されるようになっている。
【００３２】
図３に示すように、本実施形態においては、フラップ２５はスピンナテーブル３０の保持面３０Ａの上方に配設され、排気管６０が接続された排気口２０ａは保持面３０Ａの下方に配設されている。そしてエアブロワ７０は保持面３０Ａとフラップ２５との間に配置され、保持面３０Ａとフラップ２５との間の空間に対して空気を下方の保持面３０Ａ方向、ひいては排気口２０ａの方向に噴出するように構成されている。
【００３３】
以上が本実施形態のスピンナ洗浄装置１の構成であり、続いて該装置１の動作ならびに作用効果を述べる。
加工装置での加工工程を終えたウェーハＷは、スピンナ洗浄装置１のスピンナテーブル３０に受け渡される。スピンナテーブル３０へのウェーハの受け渡しは、フラップ２５が開いた状態から、昇降手段４１によってスピンナテーブル３０が上昇させられ、ケーシング２０の上方の受け渡し位置に位置付けられた状態で行われる。
【００３４】
スピンナテーブル３０においては予め上記バキューム装置が運転されており、ウェーハＷは加工装置が備える搬送手段によって保持面３０Ａに同心状に載置されると同時に、吸着されて保持される。ウェーハＷが図４（ｂ）に示したように粘着テープ６２を介してフレーム６１に支持されている場合には、クランプ３４でフレーム６１を保持する。また、図４（ａ）に示されるようにウェーハＷが単体で処理される場合には、ウェーハＷは吸着部３２に吸着される作用のみでスピンナテーブル３０に保持される。
【００３５】
ウェーハＷを保持したスピンナテーブル３０は、昇降手段４１によって洗浄室２１内に下降して洗浄位置に位置付けられる。続いてフラップ２５が閉じられ、さらに、エアブロワ７０から空気が噴出されるとともに上記排気ファンが運転されて洗浄室２１内の空気が排気管６０を経て外部に排出される。この状態で洗浄の準備が完了したことになり、次いでスピンナテーブル３０が、例えば８００ｒｐｍ程度の速度で回転するとともに、配管５１が往復旋回しながら洗浄水供給ノズル５０より洗浄水が噴出される。洗浄水は回転するウェーハＷの上面にまんべんなく噴出して供給され、これにより、ウェーハＷに付着している汚れ成分（例えば切削屑や研削屑）が洗浄水で洗い流される。
【００３６】
所定の洗浄時間が経過したら、洗浄水の供給を停止し、スピンナテーブル３０の回転を継続して遠心力によりウェーハＷから洗浄水を吹き飛ばし、さらに乾燥させる。この乾燥過程では、スピンナテーブル３０の回転速度を例えば３０００ｒｐｍ程度まで上昇させて速やかに乾燥するようにする。
【００３７】
なお、本実施形態では２つのノズル５０から洗浄水を供給しているが、２つのノズル５０のうちの一方のノズルからは洗浄水が噴出し、他方のノズルからは空気が噴出するように構成し、洗浄時には一方の洗浄水供給ノズルから洗浄水を噴出させ、乾燥時には切り替えて他方の空気供給ノズルから空気を噴出するように構成してもよい。また、また、２つのノズル５０の双方が、洗浄時には洗浄水が噴出し、乾燥時には空気が噴出するように構成してもよい。このように乾燥時にノズルから空気を噴出させると、ウェーハＷをより速やかに乾燥させることができるので好ましい。
【００３８】
所定の乾燥時間が経過したら、スピンナテーブル３０の回転を停止し、フラップ２５を開けてスピンナテーブル３０を受け渡し位置まで上昇させ、上記バキューム装置の運転を停止する。この後、ウェーハは加工装置が備えるロボットハンド等によってスピンナテーブル３０から取り上げられ、所定の収容手段に収容される。
【００３９】
さて、上記の洗浄および乾燥の過程では、回転するウェーハＷに洗浄水が供給されることにより、汚れ成分を含んだミストがウェーハＷから発生する。このミストはケーシング２０およびフラップ２５によって洗浄室２１の外部へ漏洩して広がることが防止されるとともに、排気管６０からの空気吸引作用によって排気口２０ａから排気管６０を経て外部に排出される。
【００４０】
ところで、ミストは粒子が細かいほど上方に舞い上がろうとして排気管６０には達しにくいものであるが、本実施形態では、スピンナテーブル３０に保持されているウェーハＷの上方のエアブロワ７０から斜め下向きに空気が噴出しており、この噴出空気によってミストはおさえ込まれて上方への舞い上がりがおさえられるとともに下方へ流動する。このため、ミストは速やかに、かつ効率よく排気口２０ａから排気管６０に導入されていく。また、ミストが十分に排気されるため、洗浄運転終了後にフラップ２５を開いた際に、洗浄室２１内に残ったミストが外部に漏れるといったおそれがない。したがって、加工装置が備える他の機器や部品へのミストによる悪影響を効果的に防止することができる。なお、エアブロワ７０から噴出される空気によるミストのおさえ効果を確実に得るために、エアブロワ７０からの噴出空気の斜め下向き角度は、スピンナテーブル３０の保持面３０Ａに保持されたウェーハＷの上面で噴出空気が跳ね返り、これによって上向きの流れが生じないよう、適度に緩やかな角度に設定される。
【００４１】
また、エアブロワ７０からの空気噴出によってミストの舞い上がりがおさえられるため、ミストがフラップ２５の内面に付着して凝集し、水滴が生成するといった現象が起こらない。フラップ２５の内面に水滴が生成すると、例えば洗浄が終了してフラップ２５を開いた際などにその水滴が洗浄後のウェーハＷに落下して汚染を招くといった不具合が生じるが、本実施形態ではそのような不具合は発生せず、洗浄後のウェーハＷを清浄な状態に保つことができる。
【００４２】
また、本実施形態では、エアブロワ７０の空気の噴出方向および排気管６０による洗浄室２１内の空気の排気方向が、スピンナテーブル３０の回転方向に沿った方向に設定されている。スピンナテーブル３０が回転すると、その周囲には回転方向に沿った空気の流れが生じる。そこでこの空気の流れと同じ方向にエアブロワ７０から空気を噴出させるとともに排気管６０から排気を行えば、螺旋状の空気の流れが生じるとともに、その流れを促進させることができる。ミストはその螺旋状に流れる空気に巻き込まれて排気管６０に流れていき、このため、ミストの舞い上がりが効果的におさえられるとともに、より一層効率的にミストを排出させることができる。
【００４３】
ところで、上記のようにフラップ２５を閉じて密閉した洗浄室２１内を排気しながらウェーハＷを洗浄すると、洗浄室２１内に空気が入りにくくなって排気効率が低下し、洗浄後にフラップ２５を開けた際に、残ったミストが外部に漏れるといった不具合を招くことが考えられる。ところが本実施形態ではエアブロワ７０から空気を洗浄室２１内に噴出するため、洗浄室２１内は十分に排気され、したがって洗浄室２１内を密閉しながらもミストを十分に排気させることができる。その結果、洗浄後にフラップ２５を開けて際に残ったミストが外部に漏れるといった不具合は起こらない。
【００４４】
図５および図６は上記一実施形態の変形例を示しており、この変形例では、上記エアブロワ７０に代わるエアブロー手段として環状のエアブロワ７５が設けられている。このエアブロワ７５はパイプ状で、洗浄室２１内の上部であってスピンナテーブル３０の保持面３０Ａよりも上方位置のケーシング２０の内面に固定されている。エアブロワ７５には、図示せぬ空気供給配管がケーシング２０を気密的に貫通して接続されている。
【００４５】
エアブロワ７５の内周部分には等間隔をおいて複数の噴出口７６が形成されている。これら噴出口７６から噴出する空気の噴出方向は、横方向が、図５に示すようにケーシング２０およびスピンナテーブル３０の径方向に沿った方向に設定されている。また上下方向は、図９に示すように斜め下方に設定されている。斜め下方への噴出角度については、上記のようにスピンナテーブル３０の保持面３０Ａで空気が跳ね返って上向きの流れが生じない角度に設定される。
【００４６】
この変形例によれば、スピンナテーブル３０に保持されるウェーハＷの中心に向かってエアブロワ７５から空気が噴出され、 その噴出空気は洗浄室２１全体を上から覆うように流動する。このため、ウェーハＷから発生するミストの舞い上がりがおさえられ、排気管６０に速やかに導入される。この変形例によっても、ミストの漏洩防止ならびに排出を十分に達成することができる。 
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係るスピンナ洗浄装置の一部切欠き斜視図である。
【図２】一実施形態のスピンナ洗浄装置の平面図である。
【図３】一実施形態のスピンナ洗浄装置の断面図である。
【図４】（ａ）は一実施形態のスピンナ洗浄装置で洗浄処理されるウェーハ（ワーク）単体の斜視図、（ｂ）はウェーハが粘着テープを介してフレームに保持された状態を示す斜視図である。
【図５】一実施形態のスピンナ洗浄装置の変形例を示す平面図である。
【図６】同変形例の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…スピンナ洗浄装置、２０…ケーシング（囲繞部材）、２１…洗浄室、２５…フラップ（開閉手段）、３０…スピンナテーブル、３０Ａ…保持面、５０…洗浄水供給ノズル、６０…排気管（排気手段）、７０，７５…エアブロワ（エアブロー手段）、Ｒ…回転方向、Ｗ…半導体ウェーハ（ワーク）
【図１】
0005180661.tif 000002
【図２】
0005180661.tif 000003
【図３】
0005180661.tif 000004
【図４】
0005180661.tif 000005
【図５】
0005180661.tif 000006
【図６】
0005180661.tif 000007