(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極リードを接続した、ＣＶ値１０万μＦ・Ｖ／ｇ以上のタンタルを主成分とする金属または合金の焼結体、またはＣＶ値１５万μＦ・Ｖ／ｇ以上のニオブを主成分とする金属または合金の焼結体から選ばれる導電体粉末の焼結体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層したコンデンサ素子を、電気的・機械的にリードフレームに接続し、上型と下型からなる成形金型内で樹脂封口することにより成形する固体電解コンデンサの製造方法において、金型内に注入する樹脂が直接コンデンサ素子に当たらない金型の側面の位置に設けたゲート口から樹脂を注入することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
陽極リードが、線、箔または板状である請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
陽極リードの材質が、タンタル、ニオブまたはこれら弁作用金属を主成分とする合金である請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
導電体粉末の焼結体が、４ｍｍ3以上の体積を有する焼結体である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法で製造された固体電解コンデンサ。
【請求項６】
請求項５に記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
【請求項７】
請求項５に記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体コンデンサ素子を成形金型内で樹脂封口する固体電解コンデンサの製造方法に関する。さらに詳しく言えば、コンデンサ素子をトランスファーマシンを使用して成形金型内で樹脂封口する際の、金型内へ樹脂を注入するゲートの配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器に使用される高容量なコンデンサの一つとして直方体形状の一面に陽極リードを植設した導電体粉末の焼結体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を外装樹脂で封口したチップ状の固体電解コンデンサがある。
【０００３】
固体電解コンデンサは、内部に微小な細孔を有するタンタル等の導電体粉の焼結体を一方の電極（導電体）として、その電極の表層に形成した誘電体層とその誘電体層上に設けた他方の電極（通常は、半導体層）及び他方の電極上に積層された電極層とから構成された固体電解コンデンサ素子をモールド樹脂で封口して作製される。同一体積の導電体では、細孔が小さく細孔量が多いほど導電体内部の表面積が大きくなるために、その導電体から作製したコンデンサの容量は大きなものとなる。一般に、高ＣＶで体積が大きな焼結体は、細孔が細かく奥行きが長いので半導体層の充填率が小さく、細孔内に半導体が未充填の部分が多数ある焼結体は、強度的に弱く封止時の溶融樹脂の注入応力によって誘電体皮膜が劣化する。このため作製した固体電解コンデンサのＬＣ値歩留まりが悪いという問題がある。
【０００４】
固体電解コンデンサ素子の樹脂封口は、成形金型内に樹脂封口する固体電解コンデンサをセットし、成形金型のゲート口から樹脂を注入して行われる。
【０００５】
図１に直方体状のチップ状コンデンサの成形金型の横断面図を示すように下部に矩形キャビティー（１ａ）を有する上型（１）と、上部に矩形キャビティー（２ａ）を有する下型（２）からなる。図２Ａ及び図２Ｂに固体電解コンデンサ素子を金型に収容した状態の横断面図と縦断面図を示す。
【０００６】
一対のリードフレームの一方の先端部（３ａ）に固体電解素子の陽極リード（４）をスポット溶接等で固定し、階段状に折り曲げた他方の先端部（３ｂ）に固体電解コンデンサ素子（６）の本体部分を裁置し銀ペースト等で固定し、上型（１）と下型（２）との間のリードフレーム溝（図示せず）にリードフレーム（３）を挟み込んで収容し、ピンで留める等して固定密封する。便宜上、図２Ａ及び図２Ｂでは金型（１，２）については矩形キャビティー部のみを示している。
【０００７】
この状態でトランスファーマシンを使用して金型の樹脂注入ゲート口（５）から樹脂を注入し、樹脂を硬化させた後、金型を外して成形体（チップ状固体電解コンデンサ）を取り出す。ゲート口（５）は本例では下型（２）の陽極リードフレーム側上部で、上型（１）と接する部分に設けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この様な構成の金型を用いて樹脂封口する場合、従来、ゲート口（５）の位置と最終固体電解コンデンサ製品のＬＣ値との関係については全く考慮されていなかった。
【０００９】
本発明者らは、特に高ＣＶの導電体粉末の焼結体コンデンサ素子は強度的に問題があり、金型のゲート口の位置と金型内の固体電解コンデンサ素子の位置関係によって、最終固体電解コンデンサ製品の初期ＬＣ（漏れ電流）値が許容範囲に入る歩留まり率が著しく変化することを確認した。
【００１０】
従って、本発明の課題は、金型のゲート口と金型内の固体電解コンデンサ素子の位置関係を適切なものとした、最終固体電解コンデンサ製品のＬＣ値が許容範囲に入る歩留まり率が向上した固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、前記課題を達成すべく鋭意検討し結果、ゲート口の位置を注入する成形樹脂が直接素子に当たらないように設けることにより、初期のＬＣ（漏れ電流）値が許容範囲に入る製品の歩留まりが著しく向上することを見出した。すなわち、コンデンサ素子をトランスファーマシンを使用して樹脂封口する場合、樹脂の注入口（ゲート口）をコンデンサ素子に影響がない場所（ゲート口の樹脂注入方向に素子が無い場所）に設けると、作製した固体電解コンデンサの初期ＬＣ歩留まりが良好になる。特にコンデンサの導電体（焼結体）のＣＶ値がタンタルでは１０万μＦ・Ｖ／ｇ以上、ニオブでは１５万μＦ・Ｖ／ｇ以上のもの、あるいは体積が４ｍｍ3以上の焼結体の場合に効果的であることを確認し、本発明を完成した。
【００１２】
なお、本発明に関連する先行技術として、特許第３０７１１１５号（特許文献１）にはモールドのゲートの対抗面のコンデンサ素子の表面に緩衝材（合成樹脂、ゴム、紙等）を装着して成形用注入樹脂の注入圧を和らげる方法が開示され、特開平４−３５７８１３号（特許文献２）には、固体電解質這い上がり防止用のワッシャーを有するコンデンサ素子を樹脂封口する際、前記ワッシャーの成形金型のゲート口側に保護樹脂を設けて漏れ電流不良率を低減させる方法が開示されているが、コンデンサ素子をトランスファーマシンを使用して樹脂封口する場合に樹脂を注入する金型ゲートの配置について注目した先行技術はこれまでない。
【００１３】
【特許文献１】特許第３０７１１１５号公報
【特許文献２】特開平４−３５７８１３号公報
【００１４】
本発明は下記の固体電解コンデンサの製造方法、その方法で得られた固体電解コンデンサ、そのコンデンサを用いた電子回路及び電子機器に関する。
【００１５】
１．陽極リードを接続した導電体粉末の焼結体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層したコンデンサ素子を成形金型内で樹脂封口する固体電解コンデンサの製造方法において、金型内に注入する樹脂が直接コンデンサ素子に当たらない位置に設けたゲート口から樹脂を注入することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
２．陽極リードが、線、箔または板状である前記１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
３．陽極リードの材質が、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、またはこれら弁作用金属を主成分とする合金である前記１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
４．導電体が、タンタル、ニオブ、チタン及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属あるいは合金、酸化ニオブ、またはこれら金属、合金及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも２種以上の混合物である前記１記載の固体電解コンデンサの製造方法。
５．導電体粉末の焼結体が、ＣＶ値１０万μＦ・Ｖ／ｇ以上のタンタルを主成分とする金属または合金の焼結体である前記１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
６．導電体粉末の焼結体が、ＣＶ値１５万μＦ・Ｖ／ｇ以上のニオブを主成分とする金属または合金の焼結体である前記１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
７．導電体粉末の焼結体が、４ｍｍ3以上の体積を有する焼結体である前記１乃至６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
８．前記１乃至７のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法で製造された固体電解コンデンサ。
９．前記８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子回路。
１０．前記８に記載の固体電解コンデンサを使用した電子機器。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、陽極リードを接続した導電体粉末の焼結体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層したコンデンサ素子を成形金型内で樹脂封口する固体電解コンデンサの製造方法において、金型内に注入する樹脂が直接コンデンサ素子に当たらない位置に設けたゲート口から樹脂を注入する固体電解コンデンサの製造方法を提供したものであり、本発明によれば、固体電解コンデンサ製品の初期ＬＣ（漏れ電流）値が許容範囲に入る歩留まり率が著しく向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法及び固体電解コンデンサの一形態を説明する。本発明の固体電解コンデンサは、例えば弁作用金属からなる導電体粉末の焼結体に、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層して作製される。
【００１８】
本発明の導電体の好ましい例として、タンタル、ニオブ、これらの金属を主成分とする合金粉、または一酸化ニオブ等の粉を成形し焼結した内部に微細な空孔が多数存在する焼結体、及び表面がエッチング処理されたアルミニウム箔を挙げることができる。なお、主成分とは５０質量％以上の成分である。
【００１９】
粒径が細かい粉を使用して焼結体を作製すると、質量あたりの比表面積が大きな焼結体が作製できる。本発明の方法は、導電体としてこのような焼結体を用いたコンデンサで効果的である。例えば、ＣＶ値（電解液で測定したときの容量と化成電圧の積）がタンタルを主成分とする金属粉では１０万μＦ・Ｖ／ｇ以上、ニオブを主成分とする金属粉または一酸化ニオブ粉では１５万μＦ・Ｖ／ｇ以上となる高ＣＶ値（高比表面積）を有するもの、あるいは大きさが４ｍｍ3以上の焼結体に利用すると、本発明の方法は特に効果的である。
【００２０】
導電体には引き出しリードを直接接続することが可能であるが、粉状の導電体を成形または成形後焼結した形状とする場合は、成形時に別途用意した引き出しリードの一部を導電体と共に成形し、引き出しリードの成形外部の箇所を、コンデンサの一方の電極の引き出しリードとすることもできる。
【００２１】
陽極リードは、線状でも、箔状でも板状でもよい。また陽極リードを成形体に植設せずに、焼結体を作製した後に接続してもよい。陽極リードの材質としては、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チタン、これら弁作用金属を主成分とする合金が使用される。また、陽極リードの一部を、炭化、燐化、ホウ化、窒化、硫化、酸化から選ばれた少なくとも１種の処理を行ってから使用してもよい。
【００２２】
陽極リードを成形体に植設する場合、陽極リードの焼結体内の深さは、好ましくは焼結体の１／３以上、より好ましくは２／３以上とすると焼結体の強度が維持できて後述するコンデンサ素子の外装封口時の熱的、物理的な封止応力に対する耐性が向上するために好ましい。
【００２３】
後記する半導体層が、陽極リードを有する導電体の場合は陽極リードの上部にまで、導電体の一部を陽極部とした場合は陽極部にまで付着してコンデンサがショートすることを防ぐために、焼結体と陽極リードまたは陽極部の境界部（陽極リードまたは陽極部側）に絶縁性樹脂を鉢巻状に付着させて絶縁を図ってもよい。
【００２４】
本発明においては、焼結体及び陽極リードの一部の表面に誘電体酸化皮膜層を形成させる。誘電体酸化皮膜層としては、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の金属酸化物から選ばれる少なくとも１つを主成分とする誘電体層が挙げられる。誘電体層は、前記陽極基体を電解液中で化成することによって得ることができる。
【００２５】
本発明の誘電体層上に有機半導体及び無機半導体から選ばれる少なくとも１種の化合物からなる半導体層が設けられる。
【００２６】
有機半導体の具体例としては、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体や共重合体などが挙げられる。中でもポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの置換誘導体（例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等）が好ましい。
【００２７】
無機半導体の具体例としては、二酸化モリブデン、二酸化タングステン、二酸化鉛、二酸化マンガン等から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。
【００２８】
上記有機半導体及び無機半導体として、電導度１０-2〜１０3Ｓ／ｃｍの範囲のものを使用すると、作製したコンデンサのＥＳＲ値がより小さくなり好ましい。
【００２９】
本発明において半導体層の導電性高分子は、電解重合法、化学重合法、気相重合法及びこれらを組み合わせた方法で作製できるが、コンデンサ製造初期のＥＳＲが良好な電解重合法が好ましい。
【００３０】
本発明では、前述した方法等で形成された半導体層の上に電極層を設ける。電極層は、例えば、導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの付着等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましい。これらは１種を用いても２種以上を用いてもよい。２種以上を用いる場合は混合してもよく、または別々の層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空気中に放置するか、または加熱して固化させる。固化後の導電ペースト層の厚さは、一層あたり通常約0.1〜約２００μｍである。
【００３１】
導電性ペーストは、通常導電粉を４０〜９７質量％含む。４０質量％未満であると作製した導電ペーストの導電性が小さく、９７質量％を超えると、導電ペーストの接着性が小さくなる。導電ペーストに前述した半導体層を形成する導電性高分子や金属酸化物の粉を混合して使用してもよい。
【００３２】
メッキとしては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、金メッキ、アルミニウムメッキ等が挙げられる。また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金等が挙げられる。
【００３３】
具体的には、例えば半導体層が形成された導電体の上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層し電極層が形成される。
このようにして電極層まで積層して陰極部を形成したコンデンサ素子が作製される。
【００３４】
以上のような構成の本発明のコンデンサ素子は、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属性の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフイルムによる外装などの外装により各種用途のコンデンサ製品とすることができる。これらの中でも、樹脂モールド外装を行ったチップ状コンデンサが、小型化と低コスト化が簡単に行えるので好ましい。
【００３５】
樹脂モールド外装に使用される樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等固体電解コンデンサの封止に使用される公知の樹脂が採用できるが、各樹脂とも一般に市販されている低応力樹脂を使用すると、封止時に起きるコンデンサ素子への封止応力の発生を緩和することができるために好ましい。また、樹脂封口するための製造機としてトランスファーマシンが好んで使用される。
【００３６】
本発明では樹脂封口する際に、金型ゲート口の位置を注入する成形樹脂が直接素子に当たらないようにする。すなわち、ゲート口より注入された樹脂の流動方向がコンデンサ素子により最初に変えられることのないようにする。このようにして、コンデンサ素子を樹脂封口する場合に、樹脂の注入口（ゲート口）をコンデンサ素子に影響がない場所（ゲート口の樹脂注入方向に素子が無い場所）に設けることにより、初期のＬＣ（漏れ電流）値が許容範囲に入る製品の歩留まりが著しく向上する。
【００３７】
本発明で製造されたコンデンサは、例えば、中央演算回路や電源回路等の高容量で低ＥＳＲのコンデンサを必要とする回路に好ましく用いることができる。これらの回路は、パソコン、サーバー、カメラ、ゲーム機、ＤＶＤ、ＡＶ機器、携帯電話等の各種デジタル機器や、各種電源等の電子機器に利用可能である。本発明で製造されたコンデンサは、高容量でＥＳＲ性能がよいことから、これを用いることにより性能が良好な電子回路及び電子機器を得ることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の具体例についてさらに詳細に説明するが、以下の例により本発明は限定されるものではない。
【００３９】
（１）コンデンサ素子の作製
タンタル焼結体コンデン素子（素子Ａ）：
ＣＶ（容量と化成電圧の積）１５万μＦ・Ｖ／ｇのタンタル粉を使用して、大きさ1.0×2.6×3.3ｍｍの焼結体を作製した（焼結温度1310℃、焼結時間２０分、質量58.0ｍｇ、焼結体密度5.9ｇ／ｃｍ３、タンタルリード線0.40ｍｍφ、焼結体の3.3ｍｍ寸法の手方向と平行にタンタルリード線の一部3.0ｍｍが埋設されていて焼結体から突き出たリード線１０ｍｍ部が陽極部となる。）。陽極となる焼結体を１％安息香酸水溶液（化成液）にリード線の一部を除いて浸漬し、陰極のタンタル板電極との間に９Ｖを印加し、６５℃で４００分化成してＴａ2Ｏ5からなる誘電体酸化皮膜層を形成した。この焼結体のリード線を除いて、２０質量％トルエンスルホン酸鉄水溶液に浸漬し引き上げ１０５℃で１５分乾燥することを５回繰り返した。引き続き焼結体を２質量％ナフタレンスルホン酸と３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマーが不溶な部分も存在するほど充分投入されている２０質量％エチレングリコールと水の混合液が入った槽（槽自身にタンタル箔が貼られていて外部電極になる）に浸漬し、焼結体のリード線を陽極に、外部電極を陰極にして９０μＡで室温１時間通電し誘電体層上に半導体層を形成した。焼結体を引き上げ水洗・アルコール洗浄・乾燥し、さらに前記化成液と同じ電解液中で６５℃、７Ｖにて１５分間再化成を行った。引き上げ、水洗。アルコール洗浄後、１５分間乾燥した。このような半導体層形成と再化成の工程を６回行ってナフタレンスルホン酸イオンを主ドーパントとするポリチオフェン誘導体からなる半導体層を形成した。続いて半導体層上にカーボンペーストを付着させ乾燥し、さらに銀ペースト層を積層した後乾燥して電極層を形成しコンデンサ素子を３８個作製した。
【００４０】
ニオブ焼結体コンデン素子（素子Ｂ）：
ニオブインゴットの水素脆性を利用して粉砕したニオブ一次粉（平均粒径0.33μｍ）を造粒し平均粒径１４０μｍのニオブ粉（微粉であるために表面が自然酸化されていて全体として酸素9600ｐｐｍを含有する。）を得た。次に４５０℃の窒素雰囲気中に放置しさらに７００℃のアルゴン雰囲気中に放置することにより、窒化量9500ｐｐｍの一部窒化したニオブ粉（ＣＶ285000μＦ・Ｖ／ｇ）とした。このニオブ粉を0.38ｍｍφのニオブ線と共に成形した後1260℃で焼結することにより、大きさ1.0×2.6×3.3ｍｍ（質量31.8ｍｇ、ニオブ線がリード線となり、焼結体内部に3.0ｍｍ、外部に１０ｍｍ存在する。）の焼結体（導電体）を３８個作製した。
【００４１】
続いて、１０％安息香酸アンモニウム水溶液（化成液）で８０℃、２０Ｖ、７時間化成することにより、焼結体表面とリード線の一部に五酸化二ニオブを主成分とする誘電体層を形成した。引き続き、焼結体を２０質量％ナフタレンスルホン酸鉄アルコール溶液に浸漬した後乾燥し、さらに１０質量％トルエンスルホン酸水溶液中８０℃、１５Ｖ、１５分間の条件で再化成することを交互に５回繰り返した。さらに、１質量％アントラキノンスルホン酸と、ピロールモノマーが不溶な部分も存在するほど充分投入されている水と３０質量％エチレングリコール混合溶液中に焼結体部分を浸漬し、リード線を陽極に溶液中に配置されたステンレス板を陰極にして３℃で１００μＡの定電流を流して電解重合を５０分行い、水溶液から引き上げ水洗浄・アルコール洗浄・乾燥を行った後、化成液と同様な電解液中で８０℃、１４Ｖ、１５分間再化成を行った。この電解重合と再化成を８回繰り返して誘電体層上にアントラキノンスルホン酸イオンを主ドーパントとするポリピロールからなる半導体層を形成した。
続いて半導体層上にカーボンペーストを積層して乾燥し、さらに銀ペーストを積層した後乾燥して電極層を形成し固体電解コンデンサ素子を複数個作製した。
【００４２】
（２）トランスファーマシン
藤和精機（株）ＴＥＰ１２−２０ＥＶ、金型：双葉電子工業（株）製のハンド金型部品を購入し、キャビティーを上下金型のパーティションで対称になるようにして、長さ6.0ｍｍ，幅3.2ｍｍ、深さ1.8ｍｍとした。また。下型にリードフレ−ムと樹脂用ランナーの各溝を設けた。ゲート口は、幅0.5ｍｍ、高さ0.1ｍｍの矩形状である。ゲート口の位置を下記のように変更した金型を７個作製した。
【００４３】
(1)金型−１：下型上部（パーティション下部），コンデンサ側面（6.0×1.8ｍｍ面）で陽極側から0.25ｍｍ（実施例１及び２で使用）、
(3)金型−３：下型上部（パーティション下部），コンデンサ側面（6.0×1.8ｍｍ面）で陽極側から3.9ｍｍ（比較例２で使用）、
(4)金型−４：下型上部（パーティション下部），コンデンサ前面（陽極側3.2×1.8ｍｍ面）で端から0.25ｍｍ（比較例３及び８で使用）、
(5)金型−５：下型上部（パーティション下部），コンデンサ前面（陽極側3.2×1.8ｍｍ面）で端から1.6ｍｍ（比較例４で使用）、
(6)金型−６：下型上部（パーティション下部），コンデンサ後面（陰極側3.2×1.8ｍｍ面）で端から0.25ｍｍ（比較例５及び９で使用）、
(7)金型−７：下型上部（パーティション下部），コンデンサ後面（陰極側3.2×1.8ｍｍ面）で端から1.6ｍｍ（比較例６で使用）。
【００４４】
［リードフレーム］
左右対称に２枚配置できるもので、日立電線（株）製銅合金フレームＣ−１５１（厚さ0.1ｍｍ、表面に下地ニッケル0.7μｍ、外側１μｍの錫無光沢メッキ）を使用した。一対の先端部（幅2.7ｍｍ、先端部間隔0.8ｍｍ）が１９個（ピッチ間隔6.5ｍｍ、２個毎に幅１ｍｍのタイバーを有す）あり、全長１３１ｍｍ、幅２５ｍｍ。
【００４５】
［樹脂］
住友ベークライト（株）製ＥＭＥ７３２０Ａの円柱状エポキシ樹脂を高周波プレヒーターで３０秒予備加熱して用いた。
【００４６】
［成形条件（封止条件）］
温度１６３℃、成形圧１０ｋｇ／ｃｍ2でトランスファー成形５分放置後、マシンから金型を取り出し、上下金型を離脱後リードフレームに連なったコンデンサを得た。
【００４７】
（３）固体電解コンデンサの作製
前述したリードフレームの一対の両先端に、焼結体側のリード線（先端の一部を切断）と電極層の銀ペースト側（2.6×3.3ｍｍ側）が載るように焼結体を置き、前者はスポット溶接で、後者は銀ペーストで電気的・機械的に接続した。このようなリードフレームを各例２枚作製した。その後、上記し表１にも示したゲート口が異なる金型に２枚のリードフレームを配置した後、リードフレームの一部を除いてエポキシ樹脂でトランスファー成形し、成形外のリードフレームの所定部を切断後外装に沿って折り曲げ加工して外部端子とした大きさ6.0×3.2×1.8ｍｍのチップ状コンデンサ素子を作製した。その後、１３５℃で４時間３Ｖでエージングし、さらに１５０℃で１２時間放置して最終的な固体電解コンデンサを各例３８個作製した。なお、成形体を6.0×3.2ｍｍ面から内部を透視した場合、各例共内部のコンデンサ素子の位置は長手方向に左右対称で、陽極リード線先端の位置は、長手方向一方の先端から0.6ｍｍの所であり、また、焼結体（陽極リード線のつけ根）の先端は、2.2ｍｍの所であった。
【００４８】
各例で作製した固体電解コンデンサのうちＬＣ値が0.05ＣＶ（定格電圧2.5Ｖと容量の積）以下の個数を数えて歩留まりを求めた。
【００４９】
0005188014.tif 000002
【００５０】
表１の結果から、金型（内容積 6.0×3.2×1.8ｍｍ）に収容したコンデンサ素子（大きさ3.3×2.6×1.0ｍｍ）に対してゲート口（幅0.5ｍｍ，高さ0.1ｍｍ）を、注入する樹脂が直接に当たらない位置に設けて樹脂を注入した実施例１及び２で固体電解コンデンサ製品の初期ＬＣ（漏れ電流）値が許容範囲に入る歩留まり率が著しく高いことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】チップ状コンデンサの成形金型の横断面図である。
【図２】Ａ及びＢは、各々固体電解コンデンサ素子を金型に収容した状態の横断面図と縦断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  金型（上型）
１ａ  キャビティー
２  金型（下型）
２ａ  キャビティー
３  リードフレーム
３ａ，３ｂ  リードフレーム先端部
４  陽極リード
５  金型ゲート
６  固体電解コンデンサ素子
【図１】
0005188014.tif 000003
【図２】
0005188014.tif 000004