(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
前記発光素子の対向電極に接続するために基板に形成された端子を露出する第一開口部、並びに前記基板の表示領域に形成された前記各表示画素の前記発光素子の画素電極を露出する第二開口部を有する絶縁膜を前記端子の周囲及び前記画素電極間に形成する工程と、
前記端子の周囲に設けられた絶縁膜を露出しないよう前記絶縁膜の前記第一開口部の開口端の上面及び側面を覆う第三開口部、並びに前記画素電極を露出し、且つ前記画素電極間に形成された絶縁膜を露出しないよう前記絶縁膜の前記第二開口部の開口端の上面及び側面を覆う第四開口部を有する隔壁層を形成する工程と、
前記基板にフッ素ガス雰囲気中でプラズマ処理を施すことにより、少なくとも前記第一乃至第四開口部を含む前記隔壁層の表面を、担体輸送性材料を含む有機溶液に対して撥液化する工程と、
前記隔壁層の前記開口部内に担体輸送性材料を含む有機溶液を塗布する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁層を形成する工程は、前記表示領域を含む前記基板の全域を被覆するように前記隔壁層が形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記表示画素は画素駆動回路を有し、
前記絶縁膜は、前記表示領域の周辺に配設される配線層上にも形成され、
前記配線層は前記画素駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、液状材料を塗布することにより形成される発光機能層を有する発光素子が複数配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の自発光素子を２次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を備えたものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した上記表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、液晶表示装置のようにバックライトや導光板等を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００３】
上述した有機ＥＬ素子は、周知のように、概略、例えばガラス基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものである。
【０００４】
ここで、有機ＥＬ層となる正孔輸送層や発光層、電子輸送層を形成する手法としては、有機材料（正孔輸送材料や発光材料、電子輸送材料）の種類等に応じて、蒸着法や塗布法等が知られている。具体的には、低分子系の有機材料を用いた有機ＥＬ素子の場合、一般に蒸着法が適用される。この手法では、発光素子形成領域や画素形成領域のアノード電極上にのみ低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのメタルマスクを用いる場合があり、当該メタルマスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きくなるうえ、フォトリソグラフィのフォトレジストマスクと比べて高精細なピッチでの加工が難しく、特に大画面パネルをメタルマスクで一括して薄膜形成しようとすると、メタルマスクの自重によって歪みが生じ均一に成膜できないという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を用いた有機ＥＬ素子の場合には、湿式成膜法（塗布法）としてインクジェット法やノズルコート法等が適用される。これらの手法では、電極上、又は、電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができるので、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで良好に有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができるという利点を有している。
また、ディップコート法等を適用し、基板上に連続的に突出して形成されたバンク（隔壁）により仕切られた区画（発光素子形成領域）に有機材料を溶解又は分散させた有機溶液を塗布、乾燥させて有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子（表示パネル）の製造方法等については、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１４０００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したような特許文献１に記載された有機ＥＬ素子（表示パネル）の製造方法においては、バンク（隔壁）により仕切られた区画（発光素子形成領域）への有機溶液の塗布に先立って、フッ化炭素ガス（ＣＦ４）プラズマ処理を行い、バンクの上面及び側面を撥液化して、隣接する区画への異なる色の発光材料の混入による発光色の混合（混色）を防止する工程が記載されている。
【０００８】
しかしながら、このようなプラズマ処理を用いた基板表面の撥液化処理においては、基板表面に形成され、バンク下層のシリコン窒化膜等からなる無機絶縁膜がフッ化炭素ガスのプラズマに晒されることによりエッチングされて、無機絶縁膜によって被覆されていた下層の配線（又は配線端子）や電極等が露出してしまう場合があった。
【０００９】
そのため、画素基板のハンドリング不良を起こした場合、露出した配線（又は配線端子）や電極が損傷して、電気的なオープンやショート等の接続不良を引き起こしたり、有機ＥＬ層上に上部電極（例えばカソード電極）を共通電極（べた電極）で形成する際にアライメントずれが発生した場合、上部電極となるカソード電極と表示領域の周辺に配設され且つ剥き出しになった引き回し配線との間で上下ショートを引き起こしたりして、表示パネルの信頼性が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、製造プロセス中の配線層或いは電極の露出を防止して接続不良の発生を抑制し、表示パネルの信頼性を向上させた表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明は、
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
前記発光素子の対向電極に接続するために基板に形成された端子を露出する第一開口部、並びに前記基板の表示領域に形成された前記各表示画素の前記発光素子の画素電極を露出する第二開口部を有する絶縁膜を前記端子の周囲及び前記画素電極間に形成する工程と、
前記端子の周囲に設けられた絶縁膜を露出しないよう前記絶縁膜の前記第一開口部の開口端の上面及び側面を覆う第三開口部、並びに前記画素電極を露出し、且つ前記画素電極間に形成された絶縁膜を露出しないよう前記絶縁膜の前記第二開口部の開口端の上面及び側面を覆う第四開口部を有する隔壁層を形成する工程と、
前記基板にフッ素ガス雰囲気中でプラズマ処理を施すことにより、少なくとも前記第一乃至第四開口部を含む前記隔壁層の表面を、担体輸送性材料を含む有機溶液に対して撥液化する工程と、
前記隔壁層の前記開口部内に担体輸送性材料を含む有機溶液を塗布する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１４】
前記隔壁層を形成する工程は、前記表示領域を含む前記基板の全域を被覆するように前記隔壁層が形成されてもよい。
前記表示画素は画素駆動回路を有し、前記絶縁膜は、前記表示領域の周辺に配設される配線層上にも形成され、前記配線層は前記画素駆動回路に接続されてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、製造プロセス中の配線層或いは電極の露出を防止して接続不良の発生を抑制し、表示パネルの信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、有機材料を塗布して形成される有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図であり、図２は、本実施形態に適用される表示パネルの画素配列状態（隔壁層下のパネル構造）の一例を示す概略平面図である。ここで、図１においては、隔壁層による絶縁性基板の被覆状態を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示す。
【００１８】
なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）の一面側（有機ＥＬ素子の形成側）から見た、各表示画素（各色のサブ画素；以下便宜的に「色画素」と記す）に設けられる画素電極及びコンタクト電極、外部接合端子の配置と各表示画素（又は発光素子）の形成領域を画定する隔壁層に設けられた開口部との配置関係のみを示し、図２に示す平面図においては、画素電極と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の発光素子（有機ＥＬ素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる画素駆動回路（後述する図３参照）内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１、図２においては、画素電極及び各配線層、隔壁層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００１９】
第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）は、例えば図１、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、複数の表示画素ＰＩＸが配列された表示領域２０と、当該表示領域の周辺の所定の位置に、後述する引き回し配線Ｌｈを介して表示領域２０の各配線に接続されたコンタクト電極（接続電極）Ｅｃや外部接合端子（接続電極）ＴＭｉが配置された周辺領域と、が設定されている。表示画素ＰＩＸは、隣接して配列された一組の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を有する各色画素（各色のサブ画素）ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂから形成され、本実施形態においては、図１に示すように、行方向（図面左右方向）に繰り返し複数配列されたＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。また、列方向（図面上下方向）には同一色の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。
【００２０】
表示パネル１０の表示領域２０においては、少なくとも、上述した各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂ相互の境界領域を含む絶縁性基板１１上の領域に隔壁層１７が設けられ、該隔壁層１７に各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの発光素子（有機ＥＬ素子）を形成する画素電極（例えばアノード電極）１４が露出するように設けられた開口部１７ａにより、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域（厳密には、各色画素のＥＬ素子形成領域）が画定される。ここで、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、例えば図２に示すように、上記画素電極１４に加え、列方向（図面上下方向）にデータライン（信号ライン）Ｌｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交する行方向（図面左右方向）に選択ラインＬｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが並行に配設されている。また、詳しくは後述するが、表示パネル１０には、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素電極１４に対して共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極（例えばカソード電極）１６が形成されている。
【００２１】
一方、表示パネル１０の表示領域２０以外の周辺領域においては、例えば図１、図２に示すように、上記表示領域２０の近傍に、対向電極１６に接続されるコンタクト電極Ｅｃが配置され、また、絶縁性基板１１の特定の端部領域（図１、図２では図面下方の端部領域）に、図示を省略したフレキシブル基板や駆動用のドライバＩＣ等と電気的に接続するための複数の外部接合端子ＴＭｉが規則的に配列されている。ここで、表示パネル１０の周辺領域においては、絶縁性基板１１上に隔壁層１７が設けられ、該隔壁層１７に上記コンタクト電極（接続電極）Ｅｃ及び外部接合端子（接続電極）ＴＭｉが露出する開口部１７ｂ、１７ｃが各々設けられている。
なお、上述した表示領域２０に配設される各種配線、及び、周辺領域に配置されたコンタクト電極Ｅｃは、周辺領域に配設された引き回し配線Ｌｈを介して、絶縁性基板１１の特定の端部領域に配列された各外部接合端子ＴＭｉに接続されている。
【００２２】
（表示画素）
図３は、本実施形態に係る表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂは、図３に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより制御される発光駆動電流が、上記画素電極１４に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤと、を備えた回路構成を有している。
【００２３】
画素駆動回路ＤＣは、具体的には、例えば図３に示すように、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。
【００２４】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）が適用されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００２５】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１４）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極）が、上述した単一の電極層により形成された対向電極１６と一体的に形成されている。対向電極１６は、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板１１上に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極）に対して、所定の低電圧（基準電圧Ｖss；例えば接地電位Ｖgnd）が共通に印加されている。
【００２６】
なお、図３に示した表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）において、選択ラインＬｓは、例えば図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択電圧Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号（データ電圧）Ｖpixが印加される。
【００２７】
また、供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（例えばアノード電極）１４に表示データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極１６に印加される基準電圧Ｖssより電位の高い、所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加されている。
【００２８】
すなわち、各表示画素ＰＩＸにおいて、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、さらに、階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素駆動回路ＤＣにより制御している。
【００２９】
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、所定の選択期間に、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号ＶpixをデータラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。
【００３０】
図３に示した回路構成を有する画素駆動回路ＤＣにおいては、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間電流（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる発光駆動電流）の電流値は、ドレイン−ソース間の電位差及びゲート−ソース間の電位差によって決定される。ここで、トランジスタＴｒ１２のドレイン端子（ドレイン電極）に印加される供給電圧Ｖddと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（カソード電極）に印加される基準電圧Ｖssは固定値であるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間の電位差は、供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssによって予め固定されている。そして、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電位差は、階調信号Ｖpixの電位によって一義的に決定されるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は、階調信号Ｖpixによって制御することができる。
【００３１】
このように、トランジスタＴｒ１２が接点Ｎ１１の電位に応じた導通状態（すなわち、階調信号Ｖpixに応じた導通状態）でオン動作して、高電位側の供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して低電位側の基準電圧Ｖss（接地電位Ｖgnd）に、所定の電流値を有する発光駆動電流が流れるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間のキャパシタＣｓに電荷が蓄積（充電）される。
【００３２】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ラインＬｓに非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、データラインＬｄと画素駆動回路ＤＣとが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持された（すなわち、ゲート−ソース間の電位差が保持された）状態となる。
【００３３】
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３４】
なお、図３においては、表示画素ＰＩＸに設けられる画素駆動回路ＤＣとして、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸ（具体的には、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のゲート端子；接点Ｎ１１）に書き込む階調信号Ｖpixの電圧値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに書き込む電流値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。
【００３５】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、絶縁性基板を介して視野側（絶縁性基板の他面側）に出射するボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。
【００３６】
図４は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１、図２に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図４においては、図３に示した画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を中心に示す。また、図５（ａ）及び図５（ｂ）は、図４に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるＶＡ−ＶＡ線（本明細書においては図５中に示したローマ数字の「５」に対応する記号として便宜的に「Ｖ」を用いる。以下同じ）に沿った断面及びＶＢ−ＶＢ線に沿った断面を示す概略断面図である。
【００３７】
図４に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒel、及び、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ間の隔壁層１７の形成領域を含む領域）Ｒpxにおいて、画素形成領域Ｒpxの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。また、上記画素形成領域Ｒpxの上下左右の縁辺領域には、四方に隣接して配列される色画素にまたがって、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、行及び列方向に延在するように隔壁層（詳しくは後述する）１７が配設されている。すなわち、ＥＬ素子形成領域Ｒel（画素電極１４）が隔壁層１７に設けられた開口部１７ａにより画定される。
【００３８】
ここで、例えば図４、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成され、その上に成膜されたゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ１を介して、信号配線層Ｌdxと一体的に形成されたトランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続されている。
【００３９】
また、選択ラインＬｓは、データラインＬｄよりも上層側に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成され、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に位置するゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ２を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続されている。
【００４０】
ここで、選択ラインＬｓは、例えば下層配線部Ｌs0と上層配線部Ｌs1を積層した配線構造を有し、また、供給電圧ラインＬａ（後述する給電配線層Ｌayを含む）も、下層配線部Ｌa0と上層配線部Ｌa1を積層した配線構造を有している。下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、いずれも、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと同層、又は、一体的に設けられ、当該ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングする工程において同時に形成される。
【００４１】
なお、下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、各々、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層と、当該遷移金属層の上に設けられているアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層と、の積層構造を有している。上層配線部Ｌs1、Ｌa1は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層により形成するものであってもよいが、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に上記低抵抗金属層が設けられた積層構造を有するものである方が好ましい。
【００４２】
そして、画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図４に示すように、図３に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓ（又はデータラインＬｄに接続され、行方向に形成された信号配線層Ｌdx）に沿って延在するように配置され、また、トランジスタＴｒ１２が供給電圧ラインＬａから列方向に突出して形成された給電配線層Ｌayに沿って延在するように配置されている。
【００４３】
ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有し、各々、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。
【００４４】
なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層ＢＬが形成され、また、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄとのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。
【００４５】
そして、図３に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられた一対のコンタクトホールＣＨ２を介して各々選択ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが信号配線層Ｌdxと一体的に形成されている。
【００４６】
また、トランジスタＴｒ１２は、図４、図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成された給電配線層Ｌayに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４に直接接続されている。
【００４７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図４、図５に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート絶縁膜１２上に設けられるとともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに直接接続されて、所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１４と、絶縁性基板１１上に形成された隔壁層１７に設けられた開口部１７ａにより画定されたＥＬ素子形成領域Ｒel（後述する有機化合物含有液の塗布領域に相当する）に形成された例えば正孔輸送層１５ａ（担体輸送層）及び電子輸送性発光層１５ｂ（担体輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１５と、絶縁性基板１１上に２次元配列された各表示画素ＰＩＸに共通に設けられた単一の電極層（べた電極）からなる対向電極１６と、が順次積層されている。
【００４８】
ここで、本実施形態に係る表示パネル１０においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極１４がＩＴＯ等の光透過特性を有する（透明な）電極材料により形成されるとともに、対向電極１６が光反射特性を有する電極材料により形成されている。なお、対向電極１６は、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１７上にも延在するように設けられている。
【００４９】
なお、上述したデバイス構造においては、データラインＬｄがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、選択ラインＬｓがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成され、各々コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を介してトランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄやゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続する場合について説明したが、これに限らず、データラインＬｄがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成され、選択ラインＬｓがゲートメタル層をパターニングすることによって形成されることでコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を介することなく、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄやゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されるようにしてもよい。
【００５０】
また、供給電圧ラインＬａ及び給電配線層Ｌayは、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓやドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層と別層により形成する場合について説明したが、ソース、ドレインメタル層をパターニングすることによりドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成されるようにしてもよい。この場合には、供給電圧ラインＬａがソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成される他の配線と電気的に絶縁していなければならない。
【００５１】
隔壁層１７は、少なくとも、表示パネル１０に２次元配列される複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）相互の境界領域を含み、特に本実施形態においては、図１に示すように、表示領域２０において、各色画素のＥＬ素子形成領域Ｒel（画素電極１４の露出領域）以外の絶縁性基板１１の全域を被覆するように設けられている。ここで、図４、図５（ａ）に示すように、上記表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）相互の境界領域のうち、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の列方向には上記トランジスタＴｒ１２が延在して形成されており、少なくとも当該トランジスタＴｒ１２を被覆し、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１４相互の層間絶縁膜としての機能を果たす絶縁膜１３ａ、１３ｂが形成されている。隔壁層１７は、少なくとも当該絶縁膜１３ａ、１３ｂを完全に被覆して開口部１７ａ内に絶縁膜１３ａ、１３ｂが露出しない平面パターンを有して、絶縁性基板１１上に樹脂層を積層することにより形成されている。これにより、隔壁層１７に設けられた開口部１７ａ内に露出する領域が表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定され、有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する際の有機化合物材料の塗布領域として規定される。ここで、隔壁層１７は、例えば感光性の樹脂材料を用いて形成されている。
【００５２】
また、本実施形態に適用される隔壁層１７は、少なくとも隔壁層１７の表面（側面及び上面）が、ＥＬ素子形成領域Ｒelに有機化合物含有液が塗布される前に、ＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布される有機化合物含有液に対して撥液性を有するように表面処理が施され、一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４の表面は、当該有機化合物含有液に対して親液性を有するように表面処理が施されている。
なお、上述した画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（画素電極１４、有機ＥＬ層１５、対向電極１６）及び隔壁層１７が形成された絶縁性基板１１の一面側には、図示を省略したメタルキャップや封止基板等を貼り合わせることにより封止されている。
【００５３】
そして、このような表示パネル１０においては、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の機能素子、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のソース−ドレイン間に流れて画素電極１４に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５４】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０、つまり、画素電極１４が光透過特性を有し、対向電極１６が光反射特性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがボトムエミッション型であることにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１５において発光した光は、光透過特性を有する画素電極１４を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１６で反射して、絶縁性基板１１を透過し、視野側である絶縁性基板１１の他面側（図５（ａ）、（ｂ）の図面下方）に出射される。
【００５５】
（表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図６乃至図９は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一実施形態を示す工程断面図である。ここでは、便宜的に、上述した図５（ａ）に示した図４のＶＡ−ＶＡ線に沿った断面を、図６乃至図９の各図の右方に配置し、図１に示した表示パネルにおけるＶＩＣ−ＶＩＣ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「６」に対応する記号として便宜的に「ＶＩ」を用いる。以下同じ）に沿ったコンタクト電極部の断面及びＶＩＤ−ＶＩＤ線に沿った外部接合端子部の断面を、図６乃至図９の各図の左方に配置して示す。
【００５６】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示領域２０内の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図３、図４参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やデータラインＬｄ、信号配線層Ｌdx、選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0等の配線層を形成するとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１４を形成する。
【００５７】
具体的には、透明な絶縁性基板１１上にゲートメタル層を成膜してから、図６（ａ）に示すように、フォトリソグラフィでゲートメタル層をパターニングすることによって表示領域２０の各画素形成領域Ｒpxに、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ及びデータラインＬｄを形成するとともに、該表示領域２０の周辺領域に図示を省略した引き回し配線Ｌｈとなる領域に下層引き回し配線、並びに、絶縁性基板１１の特定の端部領域に外部接合端子ＴＭｉの下層電極部ＴＭａ、コンタクト電極Ｅｃとなる領域に下層電極部Ｅc0を同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２、アモルファスシリコン等からなる半導体層ＳＭＣとなる半導体膜ＳＭＣ′、チャネル保護層ＢＬとなる窒化シリコン等の絶縁膜ＢＬ′を連続的に被覆形成する。
【００５８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、表示領域２０の上記絶縁膜ＢＬ′をフォトリソグラフィによって適宜パターニングしてゲート絶縁膜１２上のゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びＴｒ１２ｇに対応する領域に、チャネル保護層ＢＬを形成する。その後、不純物層ＯＨＭとなる不純物層を全面に堆積しフォトリソグラフィによって不純物層ＯＨＭをパターニングするとともに下方の半導体膜ＳＭＣ′をパターニングして、半導体層ＳＭＣ及び当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを形成する。
【００５９】
この後、下層電極部ＴＭａ上のゲート絶縁膜１２、下層電極部Ｅc0上のゲート絶縁膜１２及び引き回し配線Ｌｈとなる領域のゲート絶縁膜１２に、それぞれコンタクトホールを形成し、次いで、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium
Zinc Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料膜を堆積する。そして、フォトリソグラフィによって電極材料膜をパターニングして、図６（ｃ）に示すように、上記ゲート絶縁膜１２上であって、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxの略中央領域（図４に示した平面レイアウトにおいてトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線が配置された周辺部を除く領域）に矩形状の平面パターンを有する画素電極１４を形成するとともに、下層電極部Ｅc0上にコンタクトホールを介して第一中層電極部Ｅc1を、下層電極部ＴＭａ上にコンタクトホールを介して第一中層電極部ＴＭｂを、引き回し配線Ｌｈとなる領域の下層引き回し配線上にコンタクトホールを介して図示しない第一中層引き回し配線を、一括して形成する。この後、図４に示したように、データラインＬｄ、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇの所定の位置の上面が露出するように、ゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する。
【００６０】
そして、図６（ｄ）に示すように、画素形成領域Ｒpxにおいては、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２の半導体層ＳＭＣの両端部に上記不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するとともに、選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0、及び信号配線層Ｌdxを形成し、一方、表示領域２０の周辺領域においては、コンタクト電極Ｅｃの第一中層電極部Ｅc1上に第二中層電極部Ｅc2を、第一中層電極部ＴＭｂ上に第二中層電極部ＴＭｃを、引き回し配線Ｌｈの第一中層引き回し配線上に図示しない第二中層引き回し配線を、それぞれ形成する。
【００６１】
ここで、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdx、コンタクト電極Ｅｃの第二中層電極部Ｅc2、第二中層電極部ＴＭｃ、第二中層引き回し配線は、例えば図６（ｃ）の工程後、ソース、ドレインメタル層を絶縁性基板１１上に成膜した後、フォトリソグラフィでパターニングすることによって一括して形成される。これにより、信号配線層Ｌdxは、コンタクトホールＣＨ１を介して下方に位置するデータラインＬｄに接続され、選択ラインＬｓは、コンタクトホールＣＨ２、ＣＨ２を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に接続され、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、コンタクトホールＣＨ３を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続される。また、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの他端側は画素電極１４上にまで延在して、電気的に接続される。
【００６２】
なお、コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３を、下層電極部Ｅc0と第一中層電極部Ｅc1との間のコンタクトホール、下層電極部ＴＭａと第一中層電極部ＴＭｂとの間のコンタクトホール、引き回し配線Ｌｈの下層引き回し配線と第一中層引き回し配線との間のコンタクトホールとともに、図６（ｂ）と図６（ｃ）の間に形成してもよい。このとき、コンタクトホールＣＨ１には、データラインＬｄと信号配線層Ｌdxとの間に、画素電極１４となる上記透明な電極材料膜が介在するようにパターニング形成され、コンタクトホールＣＨ２、ＣＨ２には、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端と選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0との間に上記透明な電極材料膜が介在するようにパターニング形成され、コンタクトホールＣＨ３には、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇとトランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓとの間に、上記透明な電極材料膜が介在するようにパターニング形成されていることが好ましい。このように上記透明な電極材料膜は１回のフォトリソグラフィによって一括してパターニングされることになる。
【００６３】
また、少なくとも、上述したトランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄ、選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdx、コンタクト電極Ｅｃの第二中層電極部Ｅc2、外部接合端子ＴＭｉの第二中層電極部ＴＭｃ、並びに、引き回し配線Ｌｈの第二中層引き回し配線を形成するためのソース、ドレインメタル層は、例えば、クロム（Ｃｒ）単体又はクロム合金等からなる下層側の金属層と、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金からなる上層側の金属層と、を積層した配線構造を有している。
【００６４】
次いで、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌs0、Ｌa0を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の無機の絶縁性材料からなる保護絶縁膜を形成した後、当該保護絶縁膜をパターニングして、図７（ａ）に示すように、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄの上面、選択ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0及び画素電極１４の上面、並びに、コンタクト電極Ｅｃの第二中層電極部Ｅc2、外部接合端子ＴＭｉの第二中層電極部ＴＭｃ、並びに、引き回し配線Ｌｈの第二中層引き回し配線の上面が各々露出する開口部を有する絶縁膜１３ａを形成する。絶縁膜１３ａにおいて、第二中層電極部ＴＭｃを開口する開口部１３ａｅの開口端は第二中層電極部ＴＭｃの周縁部上に位置し、第二中層電極部Ｅc2を開口する開口部１３ａｅの開口端は第二中層電極部Ｅc2の周縁部上に位置し、画素電極１４を開口する開口部１３ａｅの開口端は画素電極１４の周縁部上に位置している。
【００６５】
次いで、絶縁膜１３ａが形成された絶縁性基板１１上に、例えばスパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層（アルミ薄膜）を成膜した後、フォトリソグラフィでパターニングすることにより、図５（ｂ）、図７（ｂ）に示すように、表示領域２０においては、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の平面パターンに対応する領域にのみ、それぞれアルミ薄膜からなる上層配線部Ｌs1、Ｌa1が形成され、一方、表示領域２０の周辺領域においては、コンタクト電極Ｅｃの第二中層電極部Ｅc2上に上層電極部Ｅc3が形成され、さらに、絶縁性基板１１の端部領域においては、外部接合端子ＴＭｉの下層電極部ＴＭａ上に上層電極部ＴＭｄが形成され、引き回し配線Ｌｈの第二中層引き回し配線上には、上層引き回し配線が形成される。上層電極部ＴＭｄは、外部ドライバと直接接触することによって電気的に接続する端子の最表面となる。
【００６６】
これにより、表示領域２０においては、上層配線部Ｌs1、Ｌa1と下層配線部Ｌs0、Ｌa0からなる積層配線構造を有する選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）が形成され、周辺領域においては、下層電極部Ｅc0、第一中層電極部Ｅc1、第二中層電極部Ｅc2及び上層電極部Ｅc3からなる積層電極構造を有するコンタクト電極Ｅｃが形成され、さらに、端部領域においては、下層電極部ＴＭａ、第一中層電極部ＴＭｂ、第二中層電極部ＴＭｃ及び上層電極部ＴＭｄからなる外部接合端子ＴＭｉが形成され、下層引き回し配線、第一中層引き回し配線、第二中層引き回し配線及び上層引き回し配線からなる引き回し配線Ｌｈが形成される。外部接合端子ＴＭｉ及び引き回し配線Ｌｈは電気的に接続するよう一体化して形成しているので、下層電極部ＴＭａと下層引き回し配線とは同じフォトリソグラフィのレジストマスクでパターニング形成でき、第一中層電極部ＴＭｂと第一中層引き回し配線とは同じフォトリソグラフィのレジストマスクでパターニング形成でき、第二中層電極部ＴＭｃと第二中層引き回し配線とは同じフォトリソグラフィのレジストマスクでパターニング形成でき、上層電極部ＴＭｄと上層引き回し配線とは同じフォトリソグラフィのレジストマスクでパターニング形成できる。
【００６７】
次いで、上記選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ、コンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉ及び引き回し配線Ｌｈを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えば窒化シリコンや酸化シリコン等の無機の絶縁性材料からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図７（ｃ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）を被覆するとともに、各表示画素ＰＩＸの画素電極１４及びコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉの各上面が露出する開口部を有する絶縁膜１３ｂを形成する。絶縁膜１３ｂは、引き回し配線Ｌｈを完全に覆っている。また、絶縁膜１３ｂにおいて、上層電極部ＴＭｄを開口する開口部１３ｂｅの開口端は上層電極部ＴＭｄの周縁部上に位置し、上層電極部Ｅc3を開口する開口部１３ｂｅの開口端は上層電極部Ｅc3の周縁部上に位置し、画素電極１４を開口する開口部１３ｂｅの開口端は画素電極１４の周縁部上に位置している。
【００６８】
次いで、図８（ａ）に示すように、表示領域２０においては、少なくとも隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された上記絶縁膜１３ｂを完全に被覆し、特に本実施形態においては、各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域に形成された画素電極１４のみが露出する開口部１７ａを有し、該表示領域２０の周辺領域においては、コンタクト電極Ｅｃのみが露出する開口部１７ｂを有し、絶縁性基板１１（表示パネル１０）の端部領域においては、外部接合端子ＴＭｉのみが露出する開口部１７ｃを有し、かつ、上記絶縁膜１３ｂ、１３ａが完全に被覆されるように、例えばポリイミド系やアクリル系等の感光性の有機樹脂材料を硬化してなる隔壁層１７を形成する。
【００６９】
隔壁層１７は、引き回し配線Ｌｈ及び引き回し配線Ｌｈ上の絶縁膜１３ｂを完全に覆っているので、引き回し配線Ｌｈ上の絶縁膜１３ｂは、後述する撥液処理に曝されることはないのでエッチングされる恐れはない。
隔壁層１７の開口部１７ａの開口端が、外部接合端子ＴＭｉを開口する絶縁膜１３ａの開口部１３ａｅの開口端及び外部接合端子ＴＭｉを開口する絶縁膜１３ｂの開口部１３ｂｅの開口端より内側に位置するため、外部接合端子ＴＭｉ近傍の絶縁膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂは隔壁層１７によって覆われているので、後述する撥液処理に曝されることはないのでエッチングされる恐れはない。
【００７０】
隔壁層１７の開口部１７ｂの開口端が、コンタクト電極Ｅｃを開口する絶縁膜１３ａの開口部１３ａｅの開口端及びコンタクト電極Ｅｃを開口する絶縁膜１３ｂの開口部１３ｂｅの開口端より内側に位置するため、コンタクト電極Ｅｃ近傍の絶縁膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂは隔壁層１７によって覆われているので、後述する撥液処理に曝されることはないのでエッチングされる恐れはない。
隔壁層１７の開口部１７ａの開口端が、画素電極１４を開口する絶縁膜１３ａの開口部１３ａｅの開口端及び画素電極１４を開口する絶縁膜１３ｂの開口部１３ｂｅの開口端より内側に位置するため、画素電極１４近傍の絶縁膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂは隔壁層１７によって覆われているので、後述する撥液処理に曝されることはないのでエッチングされる恐れはない。

【００７１】
具体的には、上記絶縁膜１３ｂを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、例えば１〜５μｍの膜厚を有して形成された感光性樹脂層に対して、露光、現像処理を施すことにより、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域に形成された画素電極１４及びコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉのみが露出し、上記絶縁膜１３ｂ、１３ａが完全に被覆された各開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成し、図１に示したような平面パターンを有する隔壁層１７を形成する。ここで、樹脂材料としては、例えば東レ株式会社製のポリイミドコーティング材「フォトニースＰＷ−１０３０」や「フォトニースＤＬ−１０００」等を良好に適用することができる。
【００７２】
これにより、表示パネル１０の行及び列方向に２次元配列された各色の表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒel（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機ＥＬ層１５の形成領域）が隔壁層１７により囲まれ、開口部１７ａにより外縁が規定された画素電極１４の上面が露出する（隔壁形成工程）。
【００７３】
次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理等を施すことにより、少なくとも、上記隔壁層１７により画定された各ＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１４の表面を、後述する担体輸送層形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液化する処理を施す（親液化工程）。画素電極１４の表面は、ここで、担体輸送層形成工程において、有機化合物含有液が接する部位となる。
【００７４】
次いで、絶縁性基板１１を例えば炭化フッ素ガス雰囲気中でプラズマ処理（炭化フッ素ガスプラズマ処理）を施すことにより、隔壁層１７の表面を上記有機化合物含有液に対して撥液化する（撥液化工程）。
外部接合端子ＴＭｉ近傍では、無機絶縁膜を含む絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂが隔壁層１７によって覆われているので上述した炭化フッ素ガスプラズマ処理によって絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂがエッチングされることはない。このため、外部接合端子ＴＭｉは外部ドライバと良好に接続できる。
引き回し配線Ｌｈ上の無機絶縁膜を含む絶縁膜１３ｂは、隔壁層１７によって覆われているので上述した炭化フッ素ガスプラズマ処理によって絶縁膜１３ｂがエッチングされることはないので、後述する対向電極１６とショートすることはない。
【００７５】
各表示画素ＰＩＸの画素形成領域では、無機絶縁膜を含む絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂが隔壁層１７によって覆われているので上述した炭化フッ素ガスプラズマ処理によって絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂがエッチングされることはない。このため、画素電極１４近傍に隙間ができ、この隙間に、後述する有機ＥＬ層１５となる材料が移動することによって画素電極１４上の有機ＥＬ層１５の厚さが不均一になったり、有機ＥＬ層１５の薄い部分で画素電極１４と対向電極１６がショートする恐れがない。
【００７６】
このような撥液性を有する隔壁層１７及び開口部１７ａにより各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）のＥＬ素子形成領域Ｒelを画定することにより、後述する担体輸送層形成工程において、有機化合物含有液をノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて塗布し、有機ＥＬ層１５の発光層（電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する場合であっても、隣接する表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、隣接画素相互の混色を抑制して、赤、緑、青色の塗り分けをすることができる。
【００７７】
また、隔壁層１７の表面が高い撥液性を有するとともに、各ＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１４の表面が高い親液性を有することにより、担体輸送層形成工程において塗布される有機化合物含有液の隔壁層１７（又は開口部１７ａ）側面への迫り上がりを抑制することができるとともに、画素電極１４の表面に十分馴染んで略均一に拡がるので、画素電極１４上の全域に略均一な膜厚を有する有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂの各層）を形成することができる。
【００７８】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が概ね５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が概ね４０°以下、好ましくは概ね１０°以下になる状態と規定する。
【００７９】
次いで、図８（ｂ）に示すように、表示領域２０の各色のＥＬ素子形成領域Ｒel（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、連続した溶液（液流）を吐出するノズルプリンティング（又はノズルコート）法、又は、互いに分離した不連続の複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層（担体輸送層）１５ａを形成する。
【００８０】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液（有機溶液）として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１４上に塗布した後、絶縁性基板１１が載置されているステージを１００℃以上の温度条件で加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、隔壁層１７に形成された開口部１７ａに露出する画素電極１４上にのみ有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１５ａを形成する。
【００８１】
ここで、開口部１７ａ内（すなわち、ＥＬ素子形成領域Ｒel）に露出する画素電極１４の上面は、上記親液化処理により正孔輸送材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、塗布された有機化合物含有液は、画素電極１４上に十分馴染んで広がる。一方、隔壁層１７は、塗布される上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の液面高さに対して十分高く形成され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８２】
次いで、図９（ａ）に示すように、各色のＥＬ素子形成領域Ｒelに対して、ノズルプリンティング法又はインクジェット法等を適用して、上記正孔輸送層１５ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層（担体輸送層）１５ｂを形成する。
【００８３】
具体的には、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液（有機溶液）として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料を、適宜水系溶媒或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解または分散した０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の溶液を、上記正孔輸送層１５ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中で上記ステージを加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、正孔輸送層１５ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１５ｂを形成する。
【００８４】
ここで、ＥＬ素子形成領域Ｒel内に形成された上記正孔輸送層１５ａの表面は、電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、隔壁層１７に設けられた開口部１７ａにより画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布された有機化合物含有液は、正孔輸送層１５ａ上に十分馴染んで広がる。一方、隔壁層１７は、塗布される上記有機化合物含有液の高さに対して十分高く設定され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
このように、画素電極１４上に正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂを順次積層形成することにより有機ＥＬ層（発光機能層）１５が形成される（担体輸送層形成工程）。
【００８５】
次いで、図９（ｂ）に示すように、上記隔壁層１７及び有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）が形成された絶縁性基板１１上の少なくとも表示領域２０及びその周辺領域に、光反射特性を有し、各ＥＬ素子形成領域Ｒelの有機ＥＬ層１５を介して各画素電極１４に対向するとともに、コンタクト電極Ｅｃに直接接続された対向電極（例えばカソード電極）１６を形成する。
【００８６】
ここで、対向電極１６は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、１〜１０ｎｍ厚のカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、インジウム（Ｉｎ）等の仕事関数の低い電子注入層（カソード電極）と、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金、又は、ＩＴＯ等の透明電極等からなる高仕事関数の薄膜（給電電極）と、を順次積層した電極構造を適用することができる。
【００８７】
また、対向電極１６は、図１、図５に示したように、各ＥＬ素子形成領域Ｒel（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）内の上記画素電極１４に対向する領域のみならず、各ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１７上、及び、表示領域２０の周辺領域の一部の領域にまで延在する単一の導電層（べた電極）として形成される（対向電極形成工程）。
【００８８】
次いで、上記対向電極１６を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層１８をＣＶＤ法等を用いて形成することにより、図５に示したような断面構造（ボトムエミッション型の発光構造）を有する複数の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素駆動回路ＤＣ）がマトリクス状に配列された表示パネル１０が完成する。なお、上記封止層１８に加えて、又は、封止層１８に替えて、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、メタルキャップ（封止蓋）やガラス等の封止基板を接合するものであってもよい。
【００８９】
このように、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法は、表示領域２０において、各表示画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機ＥＬ層１５（例えば正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）を形成するＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する開口部１７ａを有し、表示領域２０の周辺領域において、コンタクト電極Ｅｃのみが露出する開口部１７ｂを有し、さらに表示パネル１０の端部領域において、外部接合端子ＴＭｉのみが露出する開口部１７ｃを有する隔壁層１７により、画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉの縁辺部上に延在する絶縁膜１３ａ、１３ｂを完全に被覆して、上記開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ内に露出しないようにした状態で、炭化フッ素ガスプラズマ処理を行い、少なくとも隔壁層１７の上面及び開口部１７ａの側面（側壁）を撥液化することを特徴としている。
【００９０】
（作用効果の検証）
次に、上述した特徴を有する表示装置及びその製造方法に特有の作用効果について詳しく説明する。
図１０は、本実施形態の比較対象となる表示装置（表示パネル）の一例を示す概略図である。ここで、上述した実施形態と同等の構成については、同一の符号を付して示す。また、図１０においても、隔壁層による絶縁性基板の被覆状態を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示す。
【００９１】
ここでは、上述した実施形態に係る表示装置の比較対象として、図１０に示すように、ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１７が、表示画素ＰＩＸが配列される表示領域２０に対応する領域（略一致する領域）にのみ設けられ、当該隔壁層１７に設けられる開口部１７ａ内に、少なくとも画素電極１４の縁辺部上に延在する絶縁膜１３（上述した絶縁膜１３ａ、１３ｂに相当する）が露出するとともに、絶縁性基板１１（表示パネル１０′）の表示領域２０の周辺領域には隔壁層１７が設けられず、コンタクト電極Ｅｃや外部接合端子ＴＭｉ、これらを相互に絶縁する絶縁膜１３が露出した平面パターンを有するように形成された表示パネル１０′を示す。この表示パネル１０′は、上述した従来技術に示した構成に相当する。
【００９２】
このような表示パネル１０′においては、上述した実施形態と同等の製造プロセス（図６〜図９参照）を適用した場合、絶縁性基板１１上に各表示画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やキャパシタＣｓ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４を形成したのち、各表示画素ＰＩＸ間を絶縁する絶縁膜１３が絶縁性基板１１上に形成される。ここで、絶縁膜１３の一部は、画素電極１４の縁辺部上にまで延在し、この絶縁膜１３に形成された開口部において画素電極１４の上面が露出する。
【００９３】
次いで、例えば図１０に示すように、隔壁層１７が複数の表示画素ＰＩＸが配列された表示領域２０に対応する領域にのみ形成される。ここで、隔壁層１７に形成される開口部１７ａは、各表示画素ＰＩＸの画素電極１４の上面とともに、画素電極１４の縁辺部上に延在する上記絶縁膜１３の一部が露出するようにパターニングされる。そして、この後、開口部１７ａ内に画素電極１４とともに絶縁膜１３の一部が露出した状態で、炭化フッ素ガスプラズマ処理を行い、隔壁層１７の上面及び開口部１７ａの側面（側壁）を撥液化する。
【００９４】
このとき、上述した従来技術の課題の欄においても説明したように、炭化フッ素ガスプラズマ処理により、絶縁性基板１１がフッ化炭素ガスのプラズマに晒されるため、表示領域２０においては、開口部内１７ａに露出する絶縁膜１３がエッチングされて、当該絶縁膜１３の下層に形成されている配線層や電極等が露出し、一方、表示領域２０の周辺領域や絶縁性基板１１に端部領域においても絶縁膜１３がエッチングされて、下層の配線層（引き回し配線Ｌｈ；詳しくは後述する）等が露出する可能性があった。
【００９５】
そのため、絶縁性基板１１のハンドリング不良を起こした場合には、露出した配線層や電極が損傷して、電気的なオープンやショートが発生し、接続不良を引き起こしたり、アライメントずれが発生した場合には、後工程で形成される対向電極（カソード電極）１６と下層の引き回し配線Ｌｈとの間でショートを引き起こしたりするという問題を有していた。
【００９６】
これに対して、本実施形態においては、上述したように、隔壁層１７に設けられる開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ内に、画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉの縁辺部上に延在する絶縁膜１３ａ、１３ｂが露出せず隔壁層１７に完全に被覆された状態で、炭化フッ素ガスプラズマ処理を行うようにしているので、ＥＬ素子形成領域Ｒelである開口部１７ａ内、及び、表示領域２０外の周辺領域や端部領域のいずれにおいても絶縁膜１３ａ、１３ｂがエッチングされることがなく、絶縁膜１３ａ、１３ｂの下層に形成された配線層や電極等が露出して、絶縁性基板１１のハンドリング不良による配線や電極の損傷や電気的な接続不良の発生を防止することができるとともに、アライメントずれに起因する対向電極（カソード電極）１６と下層配線や電極との間のショートの発生を防止することができる。
【００９７】
なお、本実施形態においては、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の全域を被覆するように隔壁層１７が形成され、各表示画素ＰＩＸの画素電極１４、コンタクト電極Ｅｃ及び外部接合端子ＴＭｉのみが露出する各開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電極や配線層相互の電気的な接続不良等が生じないようにすることができるものであれば、絶縁性基板１１の全域に隔壁層１７を形成しないようにしたものであってもよい。
【００９８】
図１１は、第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの他の構成例を示す概略平面図である。ここで、上述した実施形態（図１乃至図５参照）と同等の構成については同一の符号を付した。また、図１１においても、隔壁層による絶縁性基板の被覆状態を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示し、さらに、引き回し配線の配設状態と、隔壁層の平面パターンとの関係を明瞭にするために、便宜的に、隔壁層（絶縁膜）の下層に配設される引き回し配線のうち、ゲート絶縁膜１２より上層の配線を太い実線で示し、ゲート絶縁膜１２より下層（すなわち絶縁性基板１１表面上）の配線を太い点線で示す。
【００９９】
具体的には、例えば図１１に示すように、上述した実施形態（図１参照）に示した構成において、絶縁性基板１１の表示領域２０の周辺領域に設けられる隔壁層１７が、引き回し配線（配線層）Ｌｈが形成された領域のみを被覆するとともに、絶縁性基板１１（表示パネル１０）の端部領域に設けられる隔壁層１７が、外部接合端子ＴＭｉが形成された領域のみを被覆する平面パターンを有して形成されている。ここで、引き回し配線Ｌｈは、表示領域２０内に配設された選択ラインＬｓや供給電圧ラインＬａ、データラインＬｄ等を外部接合端子ＴＭｉに接続する配線層や、対向電極（カソード電極）１６に接続されるコンタクト電極Ｅｃを外部接合端子ＴＭｉに接続する配線層であって、相互に電気的に絶縁されて配設されている。また、表示領域２０内に２次元配列される各表示画素ＰＩＸの画素電極１４、及び、表示領域２０の周辺領域に配置されるコンタクト電極Ｅｃ及び絶縁性基板１１の端部領域に配置される外部接合端子ＴＭｉは、上述した実施形態と同様に、隔壁層１７に設けられた各開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを介して露出するように形成されている。
【０１００】
このような平面パターンを有する隔壁層１７は、上述した実施形態と同様に、例えば、絶縁性基板１１上に画素駆動回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やキャパシタＣｓ、各種配線層、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１４、コンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉを形成し（図６（ｄ）参照）、次いで絶縁膜１３（１３ａ、１３ｂ）を形成した後（図７（ｃ）参照）、当該絶縁性基板１１上に隔壁層１７となる樹脂層を形成し、画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉが露出する開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成する際に（図８（ａ）参照）、表示領域２０の周辺領域のうち、引き回し配線Ｌｈが形成された領域、及び、外部接合端子ＴＭｉの近傍領域以外の領域の絶縁膜１３が露出するように、樹脂層（隔壁層１７）を同時に除去するものであってもよいし、あるいは、上述した実施形態の製造方法において、少なくとも、画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉが露出する開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する隔壁層１７を形成し、当該隔壁層１７の表面や開口部１７ａの側壁を炭化フッ素ガスプラズマ処理により撥液化した後に、引き回し配線Ｌｈが形成された領域、及び、外部接合端子ＴＭｉの近傍領域以外の領域の絶縁膜１３が露出するように、隔壁層１７を除去（すなわち、再度パターニング）するものであってもよい。
【０１０１】
特に、炭化フッ素ガスプラズマ処理により、表示領域２０の周辺領域や絶縁性基板１１の端部領域に露出する絶縁膜１３がエッチングされて、接続不良等の不具合を生じる可能性がある場合には、後者の製造方法が望ましく、この場合、隔壁層１７に画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃ、外部接合端子ＴＭｉが露出する開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成する際には、表示領域２０の周辺領域や絶縁性基板１１の端部領域が露出しないように、隔壁層１７により完全に被覆されている方がより望ましい。
【０１０２】
＜第２実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置の第２の実施形態について説明する。
上述した第１の実施形態においては、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelである画素電極１４、及び、表示領域２０の周辺領域に設けられたコンタクト電極Ｅｃ、絶縁性基板１１（表示パネル１０）の端部領域に設けられた外部接合端子ＴＭｉが各開口部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを介して露出するように、これらの電極及び端子部分を除く絶縁性基板１１（表示パネル１０）の全域、又は、対応する領域に隔壁層１７を形成した場合について説明したが、第２の実施形態においては、外部接合端子ＴＭｉを含む端部領域（例えば、外部接合端子ＴＭｉ間の領域や、外部接合端子ＴＭｉと絶縁性基板１１の端部との間の領域）の絶縁膜１３が露出するように、隔壁層１７が形成されている。
【０１０３】
図１２は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態を示す概略平面図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成（図１乃至図５参照）については同一の符号を付し、また、同等の製造方法については図６乃至図９を適宜参照してその説明を簡略化又は省略する。また、図１２においても、隔壁層による絶縁性基板の被覆状態を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示す。
【０１０４】
本実施形態に係る表示パネル１０は、具体的には、図１２に示すように、上述した第１の実施形態（図１参照）に示した構成において、絶縁性基板１１上に設けられる隔壁層１７が、外部接合端子ＴＭｉ及びその近傍領域で除去され、絶縁性基板１１の表面１１ａが露出する平面パターンを有して形成されている。ここで、表示領域２０内に２次元配列される各表示画素ＰＩＸの画素電極１４、及び、表示領域２０の周辺領域に配置されるコンタクト電極Ｅｃは、第１の実施形態と同様に、各々開口部１７ａ、１７ｂを介して露出するように隔壁層１７の平面パターンが設定されている。
【０１０５】
このような平面パターンを有する隔壁層１７は、上述した第１の実施形態の他の構成例に示した場合と同様に、例えば、絶縁性基板１１上に形成された画素駆動回路ＤＣを構成する各機能素子や各種配線層を被覆するとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４、コンタクト電極Ｅｃが露出する絶縁膜１３（１３ａ、１３ｂ）を形成した後、当該絶縁性基板１１上に所定の開口部１７ａ、１７ｂを有する隔壁層１７を形成する際に、外部接合端子ＴＭｉ及びその近傍領域が露出するように、隔壁層１７を除去するものであってもよいし、あるいは、第１の実施形態の製造方法において、所定の開口部１７ａ、１７ｂを有する隔壁層１７に対して炭化フッ素ガスプラズマ処理による撥液化を行った後、外部接合端子ＴＭｉ及びその近傍領域が露出するように、隔壁層１７を除去（すなわち、再度パターニング）するものであってもよい。
【０１０６】
特に、炭化フッ素ガスプラズマ処理により、外部接合端子ＴＭｉ周辺に露出する絶縁膜１３がエッチングされて、接続不良等の不具合を生じる可能性がある場合には、後者の製造方法が望ましく、この場合、隔壁層１７に画素電極１４やコンタクト電極Ｅｃが露出する開口部１７ａ、１７ｂを形成する際には、外部接合端子ＴＭｉ及びその近傍領域が露出しないように、隔壁層１７により完全に被覆されている方がより望ましい。
【０１０７】
（作用効果の検証）
次に、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法に特有の作用効果について説明する。
図１３は、本実施形態の比較対象となる表示装置（表示パネル）の一例を示す要部構成図であり、図１４は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の一例を示す要部構成図である。ここで、上述した実施形態と同等の構成については、同一の符号を付して示す。
【０１０８】
ここでは、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の比較対象として、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、外部接合端子ＴＭｉが形成される絶縁性基板１１の端部領域において、隔壁層１７に設けられた開口部１７ｃを介して外部接合端子ＴＭｉのみが露出するように形成された表示パネル１０（絶縁性基板１１）を示す。
【０１０９】
このような表示パネル１０においては、上述した第１の実施形態に示したように、隔壁層１７の膜厚が１〜５μｍ程度に比較的厚く形成されているため、図１３（ｃ）に示すように、外部接合端子ＴＭｉとフレキシブル基板３１や駆動用のドライバＩＣ等との接続を行う際に、隔壁層１７の膜厚分の段差が生じるため、相互を良好に接続することができず接合不良を生じる場合がある。
【０１１０】
そこで、本実施形態においては、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、表示パネル１０（絶縁性基板１１）において外部接合端子ＴＭｉが形成される端部領域に膜厚の大きい（すなわち、表面段差が大きくなる）隔壁層１７を形成しないようにして、外部接合端子ＴＭｉ、及び、当該外部接合端子ＴＭｉの近傍の絶縁性基板１１の表面１１ａを露出させた状態で、図１４（ｃ）に示すように、外部接合端子ＴＭｉとフレキシブル基板３１等とを例えば導電性接着剤（図示を省略）等を介して、接続させることにより、相互を良好に接続させることができ、絶縁性基板１１表面の段差に起因する接合不良の発生を抑制することができる。
【０１１１】
なお、上述した各実施形態においては、隔壁層１７の表面を撥液化する工程（撥液化工程）において炭化フッ素ガスとしてＣＦ４を適用して不活性ガスプラズマ処理を施す場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、炭化フッ素ガスとしてＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、Ｃ２Ｆ６のいずれかを適用するものであってもよく、その場合でも上述した場合と同等の構成及び製造方法を適用して同等の作用効果を得ることができる。また、上述した各実施形態においては、画素電極としてＩＴＯを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、画素電極として他の透明な電極材料を適用するものであってもよい。
【０１１２】
さらに、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層１５が正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂからなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層でもよく、また、各層の間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
【０１１３】
また、上述した各実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、画素電極１４はアルミニウムやクロム等の光反射特性を有する反射電極層と、当該反射電極層を被覆するＩＴＯ等の光透過特性を有する透明電極層とを積層した電極構造を有し、対向電極１６はＩＴＯ等の光透過特性を有する導電性材料により形成されていればよい。
【０１１４】
また、上述した各実施形態においては、画素電極１４をアノード電極としたが、これに限らずカソード電極としてもよい。このとき、有機ＥＬ層１５は、画素電極１４に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
さらに、上述した各実施形態においては、画素駆動回路ＤＣを備えたアクティブ駆動の表示パネル１０を示したが、これに限らずパッシブ駆動の表示パネルであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に適用される表示パネルの画素配列状態（隔壁層下のパネル構造）の一例を示す概略平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図５】第１の実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素における概略断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一実施形態を示す工程断面図（その１）である。
【図７】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一実施形態を示す工程断面図（その２）である。
【図８】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一実施形態を示す工程断面図（その３）である。
【図９】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一実施形態を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】第１の実施形態の比較対象となる表示装置（表示パネル）の一例を示す概略図である。
【図１１】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの他の構成例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態を示す概略平面図である。
【図１３】第２の実施形態の比較対象となる表示装置（表示パネル）の一例を示す要部構成図である。
【図１４】第２の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の一例を示す要部構成図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１０        表示パネル
１１        絶縁性基板
１３、１３ａ、１３ｂ    絶縁膜
１４        画素電極
１５        有機ＥＬ層
１５ａ      正孔輸送層
１５ｂ      電子輸送性発光層
１６        対向電極
１７        隔壁層
１７ａ〜１７ｃ    開口部
２０        表示領域
Ｌｈ      引き回し配線
ＰＩＸ      表示画素
Ｒpx        画素形成領域
Ｒel        ＥＬ素子形成領域
Ｅｃ        コンタクト電極
ＴＭｉ      外部接合端子
【図１】
0005267845.tif 000002
【図２】
0005267845.tif 000003
【図３】
0005267845.tif 000004
【図４】
0005267845.tif 000005
【図５】
0005267845.tif 000006
【図６】
0005267845.tif 000007
【図７】
0005267845.tif 000008
【図８】
0005267845.tif 000009
【図９】
0005267845.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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