(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングによって被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング装置において、
被処理物を貼付するゲルにおいて、被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させる付着装置と、
被処理物にゲルを介して貼付された冷却部材を有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記冷却部材を冷却する冷却室が、前記スパッタ室とは別に設けられ、
前記スパッタ室と前記冷却室との間で、ゲルを介して被処理物が貼付された冷却部材を移動させる移送装置が設けられていることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
被処理物から、ゲルとともに冷却部材を剥離する剥離装置を有することを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングにより被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング方法において、
被処理物を貼付するゲルにおいて、被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させ、
被処理物を、ゲルを介して冷却部材に貼付した状態で、スパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項５】
ゲルを介して冷却部材に貼付された被処理物に対して、前記スパッタ室におけるスパッタリングと、前記冷却部材を冷却する冷却室における冷却とを繰り返すことにより、多層膜を形成することを特徴とする請求項４記載のスパッタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、被処理物の表面に、スパッタリングによって、ターゲット材料の薄膜を堆積させるスパッタリング装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、ウェーハ、ガラス基板、ポリカーボネート基板などの被処理物の上に、各種の薄膜を堆積させるスパッタリング型の成膜装置（以下、「スパッタリング装置」と称する）が広く用いられている。
【０００３】
このようなスパッタリング装置は、真空容器内に設けられた所定の堆積物のターゲットを陰極にバイアスしておき、これに対して、アルゴン（Ａｒ）などの放電用ガスのイオンを衝突させることにより、ターゲットを構成する材料を、原子状、分子状あるいはクラスタ状で叩き出して、被処理物（以下、ワークと呼ぶ）に薄膜として堆積させるものである。
【０００４】
このように、スパッタリングによって薄膜を形成する場合には、ターゲット材料の分子等がワークに激しく衝突することによって、ワークが加熱される。しかし、ワークの材質や種類によっては、スパッタリング中に許容される温度の上限に達してしまう可能性があるため、できるだけ温度上昇を避ける対策を採る必要がある。
【０００５】
これに対処するため、スパッタリング装置内に、ワークを載置した台を冷却する冷却装置を設けたものが、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３０２７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のようなスパッタリング装置においては、一般的には、ワークはサセプタに載置されて搬送され、サセプタ上でスパッタリングされる。かかるサセプタは、固定された台と同様に、熱伝導率の高い金属等の平坦面によって構成されている。しかし、スパッタリングの対象となるワークは、必ずしも平坦とは限らない。例えば、車両のバックミラーを製造するために、スパッタリングにより基板に反射膜を形成する場合がある。かかる基板は、三次元の複雑な曲面形状を有する。このため、ワークを平坦面に載置しても、ワークと平坦面との間に隙間が生じて、ワークからの熱が金属に効率良く伝達されない。
【０００７】
また、光ディスク用の基板のように、平板状のワークを考えた場合であっても、個々のワークが有している微妙な反り等により、平坦面との間に隙間が生じる。さらに、スパッタリング時の入熱によっても、ワークが変形して、平坦面との間に隙間が生じる。
【０００８】
これに対処するため、サセプタにおけるワークとの接触面を、ワークの形状に合わせることが考えられるが、複雑な曲面形状に一致させることは難しい。また、反り等の場合には、個々のワークによって形状が相違するため、これに一致させる形状をあらじめ製作することは不可能である。
【０００９】
また、スパッタリング時には、ワークのズレを防止するために、ワークをサセプタに固定する必要がある。このため、サセプタに、静電チャック、バキュームチャック、メカニカル押え等の特別な吸着機構が必要となる。したがって、装置の複雑化、大型化、高コスト化につながる。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記のような目的を達成するため、請求項１の発明は、スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングによって被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング装置において、被処理物を貼付するゲルにおいて、被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させる付着装置と、被処理物にゲルを介して貼付された冷却部材を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングにより被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング方法において、被処理物を貼付するゲルにおいて、被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させ、被処理物を、ゲルを介して冷却部材に貼付した状態で、スパッタリングを行うことを特徴とする。
【００１３】
以上のような請求項１及び４の発明では、被処理物がどのような形状かにかかわらず、ゲルによって被処理物と冷却部材とを密着させることができるので、スパッタリング時の被処理物の熱を、冷却部材へ効率良く逃がすことができる。また、ゲルには粘着性があるため、冷却部材へ固定するための吸着機構等が不要となる。また、ゲルの一部の粘着性が低いため、成膜後、被処理物からゲルを容易に剥離することができる。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１のスパッタリング装置において、前記冷却部材を冷却する冷却室が、前記スパッタ室とは別に設けられ、前記スパッタ室と前記冷却室との間で、ゲルを介して被処理物が貼付された冷却部材を移送させる移送装置が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項４のスパッタリング方法において、ゲルを介して冷却部材に貼付された被処理物に対して、前記スパッタ室におけるスパッタリングと、前記冷却部材を冷却する冷却室における冷却とを繰り返すことにより、多層膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
以上のような請求項２及び５の発明では、冷却室がスパッタ室とは別に設けられているので、冷却室に要求される冷却能力が低くて済み、装置の簡素化、低コスト化が可能となる。また、スパッタ室と冷却室との間で、被処理物を移動させながら、多層膜を形成できるので、多層化のために同一スパッタ室内において連続してスパッタリングを行う場合に比べて、被処理物が高温となることを防止できる。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項１又は２のスパッタリング装置において、被処理物から、ゲルとともに冷却部材を剥離する剥離装置を有することを特徴とする。
以上のような請求項３の発明では、剥離装置によって被処理物からゲルを剥離して、次工程への移行をスムーズに行うことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、本発明の実施の形態（以下、実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
［構成］
まず、本実施形態のスパッタリング装置（以下、本装置と呼ぶ）の構成を、図１〜１８を参照して説明する。すなわち、本装置は、図１に示すように、サセプタ処理部１、搬送部２、基板処理部３、剥離部４を有している。また、本装置は、図２に示すように、サセプタＳを用いる。このサセプタＳには、ワークＷがゲルＧを介して貼り付けられる。
【００２３】
ワークＷは、被処理物である円板状の基板である。サセプタＳは、ワークＷと同様の形状を有する冷却部材である。このサセプタＳとしては、熱伝導率の高い材料で形成されている。例えば、銅や銀のような金属とすることが考えられるが、これには限定されない。ゲルＧは、ワークＷ及びサセプタＳと同様の形状を有する。このゲルＧとしては、例えば、シリコーンゲル、アクリルゲル、ウレタンゲル等を用いることができるが、これには限定されない。耐熱性からは、シリコーンゲルが望ましい。
【００２４】
サセプタ処理部１は、ターンテーブル１１、投入部１２、貼着装置１３、付着装置１４、貼付部１５を有している。ターンテーブル１１は、サセプタＳを搬送する手段である。このターンテーブル１１は、図示しない駆動源によって、投入部１２、貼着装置１３、付着装置１４、貼付部１５に対応する位置に、間欠回転するように構成されている。
【００２５】
投入部１２は、図示しない投入手段によって、サセプタＳをターンテーブル１１上に投入するポジションである。貼着装置１３は、図３に示すように、ゲルＧをサセプタＳに貼着する手段である。この貼着装置１３は、ゲルＧを保持する押圧部１３ａが、図示しない駆動機構によって、水平及び垂直方向に移動可能に設けられている。
【００２６】
付着装置１４は、サセプタＳに貼着されたゲルＧに、粘着性を低下させる材料を付着させる手段である。この付着装置１４は、図示しない駆動機構によって、水平及び垂直方向に移動可能な塗布部１４ｂを有している。塗布部１４ｂは、ブラシによって、粉末材料Ｌを塗布する手段である。この粉末材料Ｌは、例えば、ベビーパウダー等に用いられるタルクの粉末とすることが考えられる。貼付部１５は、後述する搬送部２に保持されたワークＷを、ゲルＧに貼り付けるポジションである。
【００２７】
搬送部２は、サセプタ処理部１、基板処理部２及び剥離部４の間で、サセプタＳを搬送する装置である。この搬送部２は、図５に示すように、アーム２１、保持部２２及び閉塞部２３を有している。アーム２１は、図示しない駆動機構によって、水平方向に回動可能に且つ垂直方向に移動可能に設けられている。保持部２２は、アーム２１の両端に設けられ、静電チャック等により、ワークＷを吸着保持可能に設けられている。閉塞部２３は、後述するロードロック室３２の上部を閉塞する手段である。
【００２８】
基板処理部３は、ワークＷにスパッタリングにより成膜する装置である。この基板処理部３は、図１に示すように、真空室３１、ロードロック室３２、スパッタ室３３、冷却室３４、スパッタ室３５等を備えている。なお、各部の気密を維持するためのシール構造については、Ｏリングやパッキン等、周知のあらゆる技術を適用可能であるため、説明を省略する。
【００２９】
真空室３１は、図５〜図１０に示すように、内部を真空とすることが可能な容器によって構成されている。ロードロック室３２は、図５〜８に示すように、真空室３１内の真空を維持した状態で、ワークＷの搬入及び搬出を可能にする手段である。このロードロック室３２は、その上部開口が、閉塞部２３によって密閉及び開放可能に設けられている。ロードロック室３２の下部開口は、後述する載置台３７によって、密閉及び開放可能に設けられている。このような真空室３１及びロードロック室３２は、それぞれに真空源が接続され、この真空源の作動若しくは弁の開閉に従って、真空引きが行われる。
【００３０】
スパッタ室３３，３５は、ワークＷに成膜を行う手段である。このスパッタ室３３，３５は、図１１に示すように、スパッタリングチャンバ３３ａ，３５ａ、ターゲット３３ｃ，３５ｃ、電源３３ｄ，３５ｄ等を備えている。スパッタリングチャンバ３３ａ，３５ａの下部開口は、載置台３７によって、密閉及び開放可能に設けられている。さらに、スパッタリングチャンバ３３ａ，３５ａは、プロセスガスの供給源に接続された導入路３３ｅ，３５ｅ、プロセスガスの排気路３３ｆ，３５ｆに接続されている。
【００３１】
ターゲット３３ｃ，３５ｃは、スパッタリングによってワークＷに堆積される膜材料である。なお、ターゲット３３ｃ，３５ｃを支持するバッキングプレート、磁界を生じさせる磁石ユニット等は説明を省略する。さらに、電源３３ｄ，３５ｄは、ターゲット３３ｃ，３５ｃ側の電極及びワークＷ側の電極に接続され、スパッタリング用の電圧を印加する手段である。
【００３２】
冷却室３４は、ワークＷを冷却する手段である。この冷却室３４は、図１２に示すように、冷却チャンバ３４ａ等を備えている。冷却チャンバ３４ａの下部開口は、載置台３７によって、密閉及び開放可能に設けられている。
【００３３】
なお、ロードロック室３２、スパッタ室３３、冷却室３４及びスパッタ室３５の間で、ワークＷを移送する移送装置は、次のように構成されている。すなわち、移送装置は、インデックステーブル３６、載置台３７及びプッシャ３８等を有している。インデックステーブル３６は、図示しない駆動機構によって、回転可能に設けられている。
【００３４】
載置台３７は、インデックステーブル３６におけるロードロック室３２、スパッタ室３３，３５、冷却室３４の各ポジションに対応する位置に載置されている。この載置台３７は、サセプタＳが載置され、インデックステーブル３６から分離して上昇することにより、ロードロック室３２、スパッタ室３３，３５、冷却室３４の下部開口に接して密室を構成する。
【００３５】
なお、載置台３７には、サセプタＳを支持するための支持手段が設けられている。この支持手段としては、機械式若しくは静電式のチャックを用いることが考えられるが、周知技術であるため、説明を省略する。また、載置台３７も、サセプタＳと同様に、熱伝導率の高い材料で形成され、冷却部材としても機能する。
【００３６】
剥離部４は、成膜済のワークＷから、ゲルＧとともにサセプタＳを剥離させる装置である。この剥離部４は、図１３〜１８に示すように、押え部４１、ロッド４２及び引掛具４３等を有している。押え部４１は、ワークＷの下部のゲルＧの側面に挿入される略コの字状の挿入部を有し、図示しない駆動機構によって、水平方向に移動可能に設けられている。ロッド４２は、図１５〜１７に示すように、図示しない駆動機構によって、昇降可能に且つ回動可能に設けられている。引掛具４３は、ロッド４２の先端に設けられ、ロッド４２の回転に従って、図１７に示すように、サセプタＳの下部に形成された引掛穴Ｓｈに入るように構成されている。
【００３７】
上記の各部の作動は、制御装置によって制御される。この制御装置は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって実現できる。従って、以下に説明する手順で本装置の動作を制御するためのコンピュータプログラム及びこれを記録した記録媒体も、本発明の一態様である。
【００３８】
［作用］
以上のような本装置の動作について説明する。まず、図１に示すように、サセプタＳは、ターンテーブル１１の投入部１２に投入され、ターンテーブル１１の回転によって、貼着装置１３に移動する。貼着装置１３の押圧部１３ａは、図３に示すように、ゲルＧをサセプタＳに押し付けて貼着させる。サセプタＳは、ターンテーブル１１の回転によって、付着装置１４に移動する。付着装置１４の塗布部１４ｂは、図４に示すように、回転することによって、ゲルＧの上面における全周縁に粉末材料Ｌを付着させる。
【００３９】
サセプタＳは、ターンテーブル１１の回転によって、貼付部１５に移動する。貼付部１５においては、図５及び図６に示すように、アーム２１が下降することにより、保持部２２に保持されたワークＷが、ゲルＧに貼り付けられる（図６左参照）。これに先立って、保持部２２に保持されてゲルＧに貼り付けられ、アーム２１の回転によってロードロック室３２の上部に来たワークＷは、アーム２１の下降によりゲルＧ及びサセプタＳとともに下降して、載置台３７に載る（図６右参照）。このとき、閉塞部２３によってロードロック室３２の上部が閉じられる。また、載置台３７によってロードロック室３２の下部が閉じられている。
【００４０】
この状態で、ロードロック室３２の真空引きが行われた後、図７に示すように、プッシャ３８が載置台３７とともに下降することにより、真空室３１内にサセプタＳが搬入される。そして、プッシャ３８がさらに下降して、インデックステーブル３６が回転することにより、図９に示すように、サセプタＳ上のワークＷがスパッタ室３３に対応する位置に来る。
【００４１】
その後、図８に示すように、次の載置台３７がロードロック室３２の位置に来て、プッシャ３８によって上昇することにより、ロードロック室３２の下部を閉じる。これにより、次にアーム２１が上昇して閉塞部２３がロードロック室３２の上部を開放しても、真空室３１内の真空が維持される。
【００４２】
スパッタ室３３においては、図１０及び図１１に示すように、プッシャ３８が上昇して載置台３７がスパッタリングチャンバ３３ａを密閉後、プロセスガスが導入され、電極への電圧の印加等により、載置台３７上のワークＷへのスパッタリングが行われる。これにより、ターゲット３３ｃからの膜材料が、ワークＷに堆積して成膜される。このとき、スパッタリングによって加熱されたワークＷの熱は、ゲルＧを介して、サセプタＳに移動するので、ワークＷの過熱が抑制される。
【００４３】
その後、プロセスガスの排気、載置台３７の下降によるスパッタリングチャンバ３３ａの開放が行われ、インデックステーブル３６が回転することにより、サセプタＳが冷却室３４に対応する位置に来る。そして、図１２に示すように、プッシャ３８が上昇して載置台３７が冷却チャンバ３４ａを密閉後、所定時間放置されることにより、ワークＷに残留した熱が、ゲルＧを介して、サセプタＳ及び載置台３７に移動するので、ワークＷはスパッタリング前の温度にまで冷却される。
【００４４】
次に、インデックステーブル３６の回転によって、サセプタＳがスパッタ室３５に移動する。そして、上記のスパッタ室３３におけるスパッタリングと同様の手順により、スパッタリングが行われる。これにより、ターゲット３５ｃからの膜材料が、ワークＷの成膜済の面に、さらに堆積して成膜される。このとき、スパッタリングによって加熱されたワークＷの熱は、ゲルＧを介して、サセプタＳ及び載置台３７に移動するので、ワークＷの過熱が抑制される。
【００４５】
次に、プロセスガスの排気、載置台３７の下降によるスパッタリングチャンバ３５ａの開放が行われ、インデックステーブル３６が回転することにより、サセプタＳがロードロック室３２に対応する位置に移動する。ロードロック室３２においては、閉塞部２３の下降により上部を閉じ、載置台３７の上昇により下部を閉じた後、真空引きを行う。このとき、保持部２２によって、載置台３７上のワークＷが保持される。そして、閉塞部２３の上昇によるロードロック室３２の大気開放とともに、保持部２２に保持されたワークＷ、ゲルＧ及びサセプタＳが上昇する。
【００４６】
さらに、アーム２１の回動により、保持部２２が剥離部４に対応する位置に来る。剥離部４においては、図１、図１３及び図１４に示すように、押え部４１が移動して、その挿入部が、ゲルＧの側面を押してワークＷの下部に入る。そして、図１５及び図１６に示すように、ロッド４２が上昇して引掛穴Ｓｈに引掛具４３が入る。ロッド４２が回転すると、図１６及び図１７に示すように、引掛具４３が引掛穴Ｓｈの端部に掛かる。
【００４７】
この状態で、図１８に示すように、ロッド４２が下降すると、サセプタＳとともに、ゲルＧがワークＷから剥がれる。ゲルＧのワークＷとの貼付面における周縁には、粉末材料Ｌが塗布されているので、粘着力が低下している。このため、ゲルＧは、サセプタＳ側に付着した状態で、ワークＷから剥がれる。このように、成膜済みで、ゲルＧが剥がされたワークＷは、次工程に搬出される。
【００４８】
［効果］
以上のような本実施形態によれば、ワークＷが、ゲルＧを介して熱伝導率の高いサセプタＳに貼付されているので、ワークＷがどのような形状であっても、ゲルＧが隙間なく密着して、ワークＷの熱をサセプタＳへ効率良く逃がすことができる。
【００４９】
また、ワークＷはゲルＧによってサセプタＳに固定されるために、特別な吸着機構を設けなくても、ワークＷのズレを防止できる。したがって、装置全体の簡素化、小型化、低コスト化が可能となる。特に、メカニカルチャックを用いる場合には、ワークＷの処理面に、掴みしろのようなチャックのための余分なスペースを必要とするが、本実施形態では、かかるスペースが不要となる。
【００５０】
また、冷却室３４が、高温となるスパッタ室３３，３５とは別に設けられているので、冷却室３４に要求される冷却能力が低くても、ワークＷを短時間に冷却させることができ、装置全体の簡素化、低コスト化が可能となる。
【００５１】
また、スパッタ室３３，３５と冷却室３４との間で、ワークＷを移動させながら、多層膜を形成できるので、多層化のために同一のスパッタ室内において連続してスパッタリングを行う場合に比べて、ワークＷの過熱を防止できる。
【００５２】
さらに、剥離部４によって、ワークＷからゲルＧとともに自動的にサセプタＳを剥離でき、その際、剥離開始箇所等、粘着力が低下した箇所が存在することにより、容易且つ確実に剥離を行うことが可能となる。したがって、次工程への移行をスムーズに行うことができる。
【００５３】
［他の実施形態］
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではない。例えば、冷却部材は、熱伝導率が高い材質で、被処理物を載置できるものであれば、どのような大きさ、形状であってもよい。冷却部材を固定された台として、ゲルを介して被処理物を貼付してもよい。さらに、冷却部材を屈曲可能に設ける、複数に分割可能に設ける等により、ゲルの剥離の容易化を図ってもよい。例えば、図１９及び図２０に示すように、サセプタＳに屈曲可能な屈曲部Ｆを設けることにより、ワークＷの屈曲とともにゲルＧが容易に剥離できるようにしてもよい。
【００５４】
ゲルの大きさ、形状、厚さ等も、特定のものには限定されない。例えば、図２１に示すように、ゲルＧを剥離する際に、押え部４１がワークＷの下部に入り易いように、ゲルＧの径がワークＷよりも小さく設定されていてもよい。これに限らず、図２２に示すように、ゲルＧの一部が、ワークＷの側面よりも内側に窪んでいれば、押え部４１に形成された突起等を嵌合させて、ワークＷを支持することができる。なお、ゲルに窪みを設けなくても、押え部の圧力で窪ませることも可能である。
【００５５】
ゲルの粘着性を低下させるために付着させる材料としては、タルクには限定されない。例えば、粉状の鉱物、金属、樹脂等が使用しやすいが、植物や動物等の生物由来の粉を用いてもよい。さらに、例えば、樹脂製の薄いシートや膜を付着させてもよい。また、付着位置についても、ゲルの全周縁には限定されない。例えば、図２３に示すように、内周に環状に付着させてもよい。図２４に示すように、複数箇所に散点的に付着させてもよい。さらに、全周とせずに、周縁の一部に付着させてもよい。
【００５６】
サセプタをスパッタ室と冷却室との間で移送する移送装置は、特定の構造には限定されず、周知のあらゆる技術を適用可能である。例えば、サセプタＳが載置されたターンテーブルが、各部に対応するポジションに合わせて間欠回転する構造であってもよい。アームの先端にサセプタを保持する保持部が、各部に対応するポジションに合わせて間欠回転する構造であってもよい。これらの場合に、各ポジションに用意された真空チャンバが、ターンテーブルや保持部上に昇降することにより、スパッタリングや冷却を行う構成としてもよい。
【００５７】
サセプタにゲルを貼り付ける装置、ゲルにワークを貼り付ける装置は、特定の構造には限定されず、周知のあらゆる技術を適用可能である。ローラ等によって均しながら貼り付ける構成の装置であってもよい。また、ワーク側にゲルを貼り付けた後、ゲルをサセプタに貼り付けてもよい。サセプタ等に対して、必ずしも毎回ゲルを貼り直す必要はない。押圧部、ローラ等、貼り付けのためにゲルに接する部材の表面が、粘着性の低い材料であれば、貼り付けし易い。
【００５８】
スパッタ室及び冷却室等の数、スパッタリング及び冷却の回数等は、自由である。スパッタ室と冷却室を一つずつ設けてもよい。この場合、多層膜を形成するには、スパッタ室と冷却室を往復させて、スパッタリングと冷却を繰り返すことが考えられる。スパッタ室と冷却室を交互に多数配置して、スパッタリングと冷却を繰り返す構成とすることも可能である。
【００５９】
スパッタ室と冷却室の配置も、円環状には限定されず、直線状、無端状であってもよい。スパッタ室と冷却室を、共通の真空室内に構成するのではなく、それぞれ独立したチャンバ内に構成してもよい。また、冷却室に、被処理物や冷却部材を強制的に冷却する手段を付加してもよい。例えば、図２５に示すように、サセプタＳを載置する冷却プレート３４ｂ内に、冷却媒体を循環させる循環路３４ｃを設けた構成としてもよい。また、冷却チャンバ内に、冷却ガスを導入する構成としてもよい。
【００６０】
また、剥離部の構成も、上記の実施形態で例示したものには限定されない。例えば、図２６に示すように、一対の押え部４１によって対向する位置からゲルＧを押すことにより、ワークＷを支持し、サセプタＳを引き下げることにより、ゲルＧを剥離させることができる。また、図２７に示すように、押え部４１側を引き上げることによって、ワークＷからゲルＧを剥がす構成でもよい。
【００６１】
さらに、被処理物は、スパッタリングにより成膜可能な物であれば、どのような大きさ、形状、材質の物であっても適用可能である。スパッタリング装置としても、成膜材料及び被処理物に応じて、現在又は将来において利用可能なあらゆるタイプのものが採用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態を示す簡略配置構成図である。
【図２】図１の実施形態におけるワーク、ゲル及びサセプタの貼り付け状態を示す斜視図である。
【図３】図１の実施形態における貼着装置を示す斜視図である。
【図４】図１の実施形態における付着装置を示す斜視図である。
【図５】図１の実施形態における搬送部及びロードロック室を示す簡略断面図である。
【図６】図５の搬送部の下降状態を示す簡略断面図である。
【図７】図５の載置台の下降状態を示す簡略断面図である。
【図８】図５の搬送部の上昇状態を示す簡略断面図である。
【図９】図１の実施形態におけるスパッタ室を示す簡略断面図である。
【図１０】図１の実施形態における載置台の上昇状態を示す簡略断面図である。
【図１１】図１の実施形態におけるスパッタリングチャンバを示す簡略断面図である。
【図１２】図１の実施形態における冷却チャンバを示す簡略断面図である。
【図１３】図１の実施形態における剥離部を示す簡略断面図である。
【図１４】図１３の押え部を示す平面図である。
【図１５】図１３のロッドの上昇を示す簡略断面図である。
【図１６】図１３の引掛具及び引掛穴を示す平面図である。
【図１７】図１３の引掛具を引掛穴に入れた状態を示す簡略断面図である。
【図１８】図１３のゲルの剥離状態を示す簡略断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態におけるサセプタの一例を示す簡略断面図である。
【図２０】図１９のゲルの剥離時を示す簡略断面図である。
【図２１】本発明の他の実施形態における基板とサセプタの間のゲルを示す断面図である。
【図２２】本発明の他の実施形態における窪みを有するゲルの一例を示す平面図である。
【図２３】本発明の他の実施形態におけるゲルを示す斜視図である。
【図２４】本発明の他の実施形態におけるゲルを示す斜視図である。
【図２５】本発明の他の実施形態における冷却室を示す簡略断面図である。
【図２６】本発明の他の実施形態における押え部の一例を示す平面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態における剥離部の一例を示す簡略断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…サセプタ処理部
２…搬送部
３…基板処理部
４…剥離部
１１…ターンテーブル
１２…投入部
１３…貼着装置
１３ａ…押圧部
１４…付着装置
１４ｂ…塗布部
１５…貼付部
２１…アーム
２２…保持部
２３…閉塞部
３１…真空室
３２…ロードロック室
３３，３５…スパッタ室
３３ａ，３５ａ…スパッタリングチャンバ
３３ｃ，３５ｃ…ターゲット
３３ｄ，３５ｄ…電源
３３ｅ，３５ｅ…導入路
３３ｆ，３５ｆ…排気路
３４…冷却室
３４ａ…冷却チャンバ
３４ｂ…冷却プレート
３４ｃ…循環路
３６…インデックステーブル
３７…載置台
３８…プッシャ
４１…押え部
４２…ロッド
４３…引掛具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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