(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
主面、前記主面に形成された第１電極、前記主面に形成された第２電極、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、
前記チップ搭載部を支持する複数の吊りリードと、
平面視において、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の共通リードと、
平面視において、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記複数の第１電極と前記複数の共通リードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
前記複数の第２電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２ワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記複数の第２ワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記チップ搭載部、前記複数の吊りリード、前記複数の共通リードおよび前記複数のリードは、銅を主成分とする金属から成り、
前記複数の共通リードのそれぞれは、平面視において、前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間に配置され、
前記複数の共通リードのそれぞれは、平面視において、前記チップ搭載部と前記複数のリードとの間に配置され、
前記複数の共通リードのそれぞれは、前記複数の吊りリードのそれぞれの第１部分に連結され、
前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第１部分には、スリットが形成されており、
前記複数の共通リードのそれぞれは、直線状に形成され、
前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第１部分に形成され、かつ前記複数の共通リードのそれぞれには形成されない前記スリットは、前記複数の共通リードのそれぞれの延長線上に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記チップ搭載部の平面視における外形寸法は、前記半導体チップの平面視における外形寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記第１部分よりも前記チップ搭載部に近い第２部分に形成された第１オフセット部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記複数の共通リードのうちの第１共通リードは、前記複数のリードのうちの第１リードと繋がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の共通リードのうちの第２共通リードは、前記複数のリードと繋がっていなく、
前記第２共通リードは、第２オフセット部を有していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造技術に関し、特に、リードフレームを用いて組み立てられる半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップとインナリードとの間に配置されかつ半導体チップのグランド用のパッドとワイヤボンディングによって電気的に接続されるグランド接続部を有し、前記グランド接続部がタブ吊りリードに電気的に接続されて支持されたことにより、グランド電位の安定化を図る技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体チップのサイズより小さいサイズのダイパッドを有するリードフレームを使用し、リードフレームの吊りリードとインナリード部とを絶縁性のテープで互いに接続する技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−１６８１６９号公報
【特許文献２】特開平１１−２２４９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年では、半導体装置の高性能化に伴い、例えば半導体装置と外部の電子機器との間でデータ信号のやり取りを行うための外部端子の数（ピン数）も増加する傾向にある。このような多ピンの半導体装置を実現する構成として、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array)が知られている。ＢＧＡは、配線基板の主面上に半導体チップを搭載するとともに、裏面に外部端子であるボール電極を設ける構造であるため、多ピン化に向いている。しかしながら、配線基板は多層に形成された配線層と絶縁層を有する構成であることから、材料費がリードフレームに比べて高く、ＢＧＡの製造コストも相対的に高い。そこで、近年では、ＢＧＡの製造コストを低減する手段として、１つの配線基板上に複数の半導体装置を構成する領域を設けておき、複数の領域のそれぞれに半導体チップを搭載した後に複数の領域を一括で樹脂封止する、所謂、ＭＡＰ（Multi Array Package)方式が有効とされている。
【０００５】
しかしながら、多ピン化により１つ当たりのＢＧＡの製品サイズが大きくなると、配線基板１枚当たりからの製品の取得数が４〜５個しか取れず、一括モールドタイプの多数個取り基板（ＭＡＰ用基板）を用いる分、かえって製造コストが高くなる。そこで、低コスト化を実現するためにはＱＦＰ（Quad Flat Package)等のリードフレームタイプを採用するのが有効である。
【０００６】
リードフレームを使用すれば、ＢＧＡに使用される配線基板のように、配線層や絶縁層を多層で引き回さない分、製造コストも低減できる。
【０００７】
しかしながら、ＱＦＰは、半導体チップを搭載可能なタブと、このタブの周囲に複数のリードが配置された構成である。すなわち、半導体装置の周縁部に外部端子となるリードが配置されるため、多ピン化が進めば、半導体装置の外形寸法も大きくなってしまう。
【０００８】
そこで、半導体装置の小型化を実現しながら、リードフレームタイプの半導体装置で多ピン化を図る１つの手段として、前記特許文献１（特開平１１−１６８１６９号公報）に示すような、電源やＧＮＤ（グランド）を共通化して外部に引き出す端子（外部端子）の数を減らすことが有効である。すなわち、バスバーリードもしくはバーリード等と呼ばれる共通リードを設け、このバスバーリードに電源やＧＮＤ等のワイヤを接続することでリードの共通化を図り、外部に引き出す端子の数を低減して多ピン化を図るものである。
【０００９】
しかしながら、リードフレームは金属から成るため、半導体チップを搭載するダイボンディング工程や、半導体チップとリードをワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング工程等における熱の影響で、リードフレームに膨張・収縮作用（熱歪み）が発生し易い。この膨張・収縮作用は、リードフレームが銅合金等の金属から成る場合、特に起こり易い。ワイヤボンディング工程では、リードの一部（ワイヤが接続される部分よりも外側の領域）を押さえ治具（クランパ）で固定した状態でワイヤボンディングを行えるが、半導体チップとリードを接続するワイヤが形成される領域と平面的に重なるバスバーリードは押さえ治具で押さえることはできない。そのため、リードフレームに膨張作用が働くと、バスバーリードの両端部が、タブを支持する吊りリードに固定されているため、水平方向には膨張しきれなくなり、バスバーリードが撓んでしまう。このような状態で、バスバーリードとワイヤ接続すると、押さえ治具で押さえられていない２ｎｄ側が跳ね上がり、ワイヤ不圧着が発生する。また、このワイヤ不圧着が原因で、ワイヤが剥離（断線）する恐れがある。
【００１０】
また、バスバーリードを固定する方法としては、真空吸着で固定することも考えられるが、真空吸着を行ったとしてもリードフレームの撓みを十分に抑制することは困難であり、さらには、ワイヤボンディング工程において使用するヒートステージの温度が真空引きすることでばらつき、同様にワイヤ接続不良が発生し易い。
【００１１】
また、リードと接続するワイヤは、バスバーリードを跨いでボンディングする必要があり、バスバーリードが熱歪みによって撓んでいると、ワイヤショートが発生するという問題が起こる。
【００１２】
さらに、前記特許文献１に示すように、バスバーリードを単にリング状に配置しただけではバスバーリードの熱変動に同期してタブの変動も発生することが問題となる。
【００１３】
また、多ピン化によりインナリードの本数も増えるため、インナリードの先端の形状が先細りとなり、インナリードの剛性が低くなることが問題である。
【００１４】
また、多ピン化によりインナリードの本数が増えた場合、リード間ピッチも小さくなるため、樹脂モールディング時のモールド樹脂の流動性が低下することが問題となる。
【００１５】
なお、前記特許文献１には、小タブ構造で、かつタブとインナリードの間にグランド接続部が設けられた構造についての記載があり、また、前記特許文献２（特開平１１−２２４９２９号公報）には、小タブ構造で、かつ吊りリードに折り曲げ加工が施された構造が記載されている。
【００１６】
しかしながら、前記特許文献１及び２には、リードフレームの熱の影響による膨張・収縮により撓むバスバーリードへの対策についての記載は全くない。
【００１７】
本発明の目的は、リードフレームでの多ピンの半導体装置の製造を実現することができる技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、半導体装置の低コスト化を図ることができる技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、半導体装置の品質の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２３】
すなわち、本発明は、チップ支持面の外形サイズが半導体チップの裏面より小さなチップ搭載部と、チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、チップ搭載部のチップ支持面上に搭載された半導体チップと、チップ搭載部を支持する複数の吊りリードと、チップ搭載部の外側にチップ搭載部を囲むように配置され、吊りリードと連結するバー状の共通リードとを有し、前記共通リードに第１スリットが形成されているものである。
【００２４】
また、本発明は、チップ搭載部、前記チップ搭載部とそれぞれ一体に形成され、スリットがそれぞれに設けられた複数の吊りリード、前記チップ搭載部の周囲に設けられた複数のリード、及び前記チップ搭載部と前記複数のリードとの間にそれぞれ位置し、前記複数の吊りリードとそれぞれ一体に形成された複数の共通リードを有するリードフレームを準備する工程、複数の電極が形成された主面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程、前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数の共通リードとを複数の共通リード用ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程、前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとを複数のリード用ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程、前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数の共通リード用ワイヤおよび前記複数のリード用ワイヤを樹脂で封止する工程を含むものである。
【発明の効果】
【００２５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２６】
吊りリードと連結するバー状の共通リードがチップ搭載部の外側にチップ搭載部を囲むように配置され、前記共通リードにスリットが形成されていることにより、熱の影響による膨張・収縮作用が共通リードに働いてもスリットによって膨張・収縮作用を緩和することができ、共通リードの膨張・収縮による撓み（変形）を低減することができる。
【００２７】
これによって、ワイヤ剥離の発生を防ぐことができ、共通リードへのワイヤボンディングも可能になる。その結果、リードフレームでの多ピンの半導体装置の製造を実現することができる。
【００２８】
さらに、リードフレームを用いて製造することで、半導体装置の低コスト化を図ることができる。
【００２９】
また、共通リードの膨張・収縮による撓みを低減できるため、ワイヤショートの発生を低減することができる。その結果、半導体装置の信頼性及び品質の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００３１】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３２】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
【００３３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図４は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング完了までの製造プロセスの一例を示す断面図、図５は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の製造プロセスの一例を示す断面図である。また、図６Ａは図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図６Ｂは図６Ａに示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの一部を示す部分拡大平面図、図７は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの第２オフセット部の構造の一例を示す部分平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。さらに、図９は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時のクランプ領域の一例を示す平面図、図１０は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時のクランプ構造の一例を示す断面図、図１１は図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を封止体を透過して示す部分平面図である。
【００３５】
また、図１２は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す断面図、図１３は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造を封止体を透過して示す部分平面図、図１４は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００３６】
本実施の形態の半導体装置は、リードフレームを用いて組み立てられる面実装型で、かつ多ピンのものであり、電源やＧＮＤ等が接続される共通リードを有しているものであり、その一例として、ＱＦＰ６を取り上げて説明する。
【００３７】
図１〜図３を用いて前記半導体装置（ＱＦＰ６）の構成について説明すると、半導体チップ２を支持可能なチップ支持面１ｄを有し、かつこのチップ支持面１ｄの外形サイズが半導体チップ２の裏面２ｂより小さなタブ（チップ搭載部）１ｃと、タブ１ｃの周囲に配置された複数のリードと、タブ１ｃのチップ支持面１ｄ上に搭載された半導体チップ２と、タブ１ｃを支持する複数の吊りリード１ｅとから成る。さらに、ＱＦＰ６は、タブ１ｃの外側にタブ１ｃを囲むように配置され、かつ吊りリード１ｅと連結するバー状の共通リードと、半導体チップ２のパッド（電極）２ｃと前記リードとを電気的に接続する第１のワイヤ４ａと、半導体チップ２のパッド２ｃと前記共通リードとを電気的に接続する第２のワイヤ４ｂと、半導体チップ２、第１のワイヤ４ａ及び第２のワイヤ４ｂを樹脂封止する封止体３とを有している。
【００３８】
また、図６Ａ，図６Ｂを用いて前記半導体装置（ＱＦＰ６）の構成について、別の表現で説明すると、半導体チップ２を支持可能なチップ支持面１ｄを有し、このチップ支持面１ｄの外形サイズが半導体チップ２の裏面２ｂより小さなチップ搭載部（タブ、ダイパッド）１ｃを含む。また、このチップ搭載部１ｃとそれぞれに一体に形成され、スリット（第１スリット１ｇ）がそれぞれに設けられた複数の吊りリード１ｅを含む。また、複数のパッド（電極）２ｃが形成された主面２ａを有し、このチップ搭載部１ｃ上に搭載された半導体チップ２を含む。また、この半導体チップ２の周囲に設けられた複数のリード（インナリード１ａ）を含む。また、このチップ搭載部１ｃとこの複数のリード（インナリード１ａ）との間にそれぞれ位置し、この複数の吊りリード１ｅとそれぞれ一体に形成された複数のバー状の共通リード（バスバーリード、バーリード）１ｆを含む。また、この半導体チップ２の複数の電極２ｃとこの複数のリード（インナリード１ａ）とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（第１のワイヤ４ａ、リード用ワイヤ）４を含む。また、この半導体チップ２の複数の電極２ａとこの複数のバー状の共通リード１ｆとをそれぞれ電気的に接続するワイヤ（第２のワイヤ４ｂ、共通リード用ワイヤ）４を含む。また、この半導体チップ２、チップ搭載部１ｃ、および複数のワイヤ（第１のワイヤ４ａ、第２のワイヤ４ｂ）４を封止する封止体３を含む。さらに、この複数のリード（インナリード１ａ）とそれぞれに一体に形成され、この封止体３からそれぞれ露出する複数のアウタリード１ｂを含んでいる。
【００３９】
なお、前記複数のリードのそれぞれは、封止体３の内部に埋め込まれる複数のインナリード１ａと、封止体３の外部に露出する外部端子であり、かつガルウィング状に曲げ成形された複数のアウタリード１ｂとを有しており、インナリード１ａとアウタリード１ｂは一体に繋がっている。
【００４０】
また、ＱＦＰ６では、図６Ａ，図６Ｂに示すように、タブ１ｃと複数のインナリード１ａの先端との間の領域にバー状の細長い共通リードであるバーリード１ｆが設けられている。
【００４１】
また、本実施の形態におけるスリット（貫通孔、穴）は、リードフレーム（吊りリード１ｅ）１の一部を排除した構成を指しており、これにより、リードフレーム１にかかる応力を緩和する効果がある。
【００４２】
また、本実施の形態では、バー状の共通リード（バーリード）１ｆの幅が、吊りリード１ｅの幅（第１スリット１ｇ及び第２スリット１ｎを含む総幅）よりも細く形成されている。そのため、半導体チップ２のパッド（電極）２ｃと、これに対応するインナリード１ａとを電気的に接続する第１のワイヤ４ａの長さを、共通リード１ｆの幅が吊りリード１ｅの幅よりも太い場合に比べ、短くすることができる。この結果、信号の伝搬速度を高速化することができる。また、樹脂封止工程においてワイヤ４が樹脂で流されることで生じるワイヤの短絡不良を抑制できる。
【００４３】
バーリード１ｆは、電源やＧＮＤ等の共通化を図ることができるパッド２ｃのワイヤ４を複数接続可能なリードである。また、バーリード（共通リード、バスバーリード）１ｆの両端部は、隣合う吊りリード１ｅと一体に形成されている。したがって、電気的特性の向上を目的として電源やＧＮＤ用のパッドを多数必要とする半導体チップ２においては、増加した電源やＧＮＤ等のパッドからの信号をパッケージ内で共通化することで、パッド数と比較してリード（インナリード、アウタリード）の数を低減させることができるので、パッケージサイズが大きくなるのを抑制するための手段として非常に有効である。
【００４４】
ＱＦＰ６においてバーリード１ｆは、半導体チップ２の４つの辺のそれぞれに対応して４本設けられており、各辺においてそれぞれ複数のインナリード１ａの先端の配列方向に沿って延在しているとともに、それぞれのバーリード１ｆの両端が半導体チップ２の主面２ａの対角線方向に沿って設けられた吊りリード１ｅに連結している。したがって、バーリード１ｆはタブ１ｃの周囲に、四角形の枠状に形成されている。
【００４５】
バーリード１ｆが四角形の枠状に形成されていることで、電源またはＧＮＤのワイヤ４を４方向に対して接続することができる。さらに、４方向のモールド樹脂の流動バランスをほぼ均一にすることができる。
【００４６】
また、ＱＦＰ６では、図６Ａ，図６Ｂに示すように、各バーリード１ｆに第１スリット１ｇが形成されている。すなわち、バーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇが形成されている。
【００４７】
吊りリード１ｅには応力を緩和する手段として、複数のスリット（第１スリット１ｇ、第２スリット１ｎ）が形成されているが、第１スリット１ｇについて、詳細に説明すると、以下の通りである。すなわち、図６Ｂに示すように、第１スリット１ｇは、吊りリード１ｅにおいて、共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆの端部が連結される部分にまで延在するように設けられている。言い換えれば、応力を緩和する手段であるスリット（第１スリット１ｇ）は、吊りリード１ｅにおいて、図６Ｂの２点鎖線Ｌ（仮想線）で示した共通リード１ｆの延長線上に形成されている。
【００４８】
また、本実施の形態におけるスリット（貫通孔、穴）は、吊りリード１ｅを部分的に切り取った構成である。詳細に説明すると、図３に示すように、吊りリード１ｅの主面（半導体チップ２の主面２ａと同じ側の面）から裏面（半導体チップ２の裏面２ｂと同じ側の面）に向かって貫通する貫通孔（穴）である。
【００４９】
このように、吊りリード１ｅと連結するバーリード１ｆがタブ１ｃの外側にタブ１ｃを囲むように配置され、かつバーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇが形成されていることにより、熱の影響による膨張・収縮（熱歪み）作用がバーリード１ｆに働いても第１スリット１ｇが設けられていることで膨張・収縮作用を緩和することができる。
【００５０】
簡略すれば以下のとおりである。すなわち、共通リード１ｆがワイヤボンディング工程において、加熱されたボンディングステージ１０の熱の影響により共通リードが膨張したとしても、吊りリード１ｅにおいて共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆの端部が連結される部分にスリット（第１スリット１ｇ）が形成されているため、吊りリード１ｅが変形し、吊りリード１ｅの膨張を妨げない。
【００５１】
これにより、バーリード１ｆが変形することを低減することができ、吊りリード１ｅを介して連結するタブ１ｃの変動も低減することができる。
【００５２】
また、インナリード１ａの先端のワイヤ接合領域の外側箇所に、インナリード１ａのばたつきや変形を防ぐためのリング状の薄膜のテープ材１ｑが貼り付けられている。
【００５３】
本実施の形態のＱＦＰ６は、小タブ構造（半導体チップ２の外形寸法よりも小さいタブ１ｃ）のものであり、したがって、搭載される半導体チップ２の大きさに汎用性を持たせることができるとともに、耐リフロー性を向上できる。
【００５４】
また、ＱＦＰ６の組み立ての際に、例えば、銅合金から成るリードフレーム（図６Ａ，図６Ｂ参照）１を用いて組み立てられるものである。したがって、タブ１ｃ、複数のインナリード１ａ及びアウタリード１ｂ、４本の吊りリード１ｅ及びバーリード１ｆは、銅合金から成る。さらに、複数のインナリード１ａ及び４本のバーリード１ｆのそれぞれにおいて、ワイヤ４が接続される領域には、銀めっきが施され、めっき膜（めっき層）１ｆ’が形成されている。
【００５５】
めっき膜（めっき層）１ｆ’が形成されていることで、金から成るワイヤ４と銅から成るインナリード１ａとの接続性を向上することができる。また、図示しないが、インナリード１ａの先端部（ワイヤ４）が接続される部分にも、同様に銀めっきが施され、めっき膜（めっき層）１ｆ’が形成されている。
【００５６】
また、半導体チップ２は、例えば、シリコンから成り、その主面２ａに電極となる複数のパッド２ｃが形成されている。裏面２ｂはダイボンド材を介してタブ１ｃに接合しており、半導体チップ２はタブ１ｃによって支持されている。
【００５７】
また、第１のワイヤ４ａや第２のワイヤ４ｂを含むワイヤ４は、例えば、金線である。さらに、封止体３を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂である。次にＱＦＰ６の他の特徴部分について説明する。
【００５８】
図３及び図６Ａ，図６Ｂに示すように、ＱＦＰ６においては、４本それぞれの吊りリード１ｅのバーリード１ｆとの第１連結部１ｊより内側箇所に、曲げ加工によって第１オフセット部１ｍが形成されている。
【００５９】
この第１オフセット部１ｍが形成されたことにより、バーリード１ｆの熱歪みや熱変形によるタブ１ｃのロケーション（位置）の変動を防止することができる。すなわち、バーリード１ｆにおいて熱歪みや熱変形が生じても、その影響が第１オフセット部１ｍで緩和・吸収されるためタブ１ｃには伝わらず、その結果、タブ１ｃのロケーション（位置）の変動を防止できる。
【００６０】
さらに、第１オフセット部１ｍが形成されたことにより、半導体チップ２の厚さが異なるチップ厚相違品に対して汎用性を持たせることができる。すなわち、第１オフセット部１ｍのオフセット量を調整することで、半導体チップ２の上側と下側のレジンの量を調整することができ、レジンバランスを調整することが可能になる。
【００６１】
ここで、第１オフセット部１ｍと共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆとの位置関係の詳細について、以下に説明する。図１５は、本発明の実施の形態においてオフセット無しのリードフレームを用いた場合のモールド金型による金型クランプ時の構造の一例を示す部分断面図である。
【００６２】
まず、吊りリード１ｅに第１オフセット部１ｍが形成されていないリードフレーム１を使用した場合、図１５に示すように、モールド金型１４（樹脂成形金型）における上型１４ａのキャビティ面１４ｂから半導体チップ２の主面２ａまでの間隔Ｘは、モールド金型１４（樹脂成形金型）における下型１４ｃのキャビティ面１４ｄからタブ１ｃの裏面までの間隔Ｙよりも狭くなる。
【００６３】
そのため、樹脂封止工程において、タブ１ｃの裏面側に回り込む樹脂の量が、半導体チップ２の主面２ａ上に回り込む樹脂の量よりも多くなり、レジンバランスにばらつきが生じる。このレジンバランスのばらつきにより、半導体チップ２を搭載したタブ１ｃが上方に押し上げられてしまい、ワイヤ４の一部が封止体３の上面から露出する問題、又はワイヤ４が断線する問題が発生する。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、図３及び図６Ａ，図６Ｂに示すように、吊りリード１ｅに第１オフセット部１ｍを形成している。簡略すれば、吊りリード１ｅの主面から裏面に向かって折り曲げ加工を施している。これにより、レジンバランスをほぼ均一にすることができる。
【００６５】
ここで、本実施の形態では、この第１オフセット部１ｍが、吊りリードにおいて共通リード１ｆの端部が連結されている部分よりもタブ１ｃ側に形成されている。これは、タブ１ｃと共通リード１ｆとの間に第１オフセット部１ｍが形成されていることで、共通リード１ｆにおいて熱歪みや熱変形が生じても、その影響が第１オフセット部１ｍで緩和・吸収されるためタブ１ｃには伝わり難くなる。この結果、タブ１ｃのロケーション（位置）の変動を抑制できる。
【００６６】
なお、第１オフセット部１ｍのオフセット量は、例えば、０．２４ｍｍである。
【００６７】
また、ＱＦＰ６では、図６Ａ，図６Ｂに示すように、複数のインナリード１ａのうち、バーリード１ｆに繋がる複数のインナリード１ａを有している。バーリード１ｆに繋がる複数のインナリード１ａは、第１インナリード１ｈと、この第１インナリード１ｈと隣接する第２インナリード１ｉと、バーリード１ｆ側の端部において第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉを連結する第２連結部１ｒとを有している。
【００６８】
すなわち、バーリード１ｆに繋がるインナリード１ａは、第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉと第２連結部１ｒから成り、この第２連結部１ｒは、第１インナリード１ｈ及び第２インナリード１ｉそれぞれのバーリード１ｆ側の先端とバーリード１ｆとの間に配置されている。
【００６９】
このように第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉを連結する第２連結部１ｒが、それぞれのインナリード１ａのバーリード１ｆ側の先端とバーリード１ｆとの間に配置されていることにより、ここではインナリード１ａの先端が先細りとなる領域であるため、第２連結部１ｒを設けたことで第１インナリード１ｈや第２インナリード１ｉの先端側の剛性を確保することができる。
【００７０】
また、図６Ａ，図６Ｂに示すように、第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉそれぞれの外側（アウタリード側）の端部は、互いに分岐しており、バーリード１ｆ側のように連結していない。
【００７１】
これにより、樹脂封止工程において、第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉが形成された領域と、他のインナリード１ａが形成された領域を通過するモールド樹脂の流動性（流速）をほぼ均等にすることができる。すなわち、分岐された第１インナリード１ｈと第２インナリード１ｉとの間からモールド樹脂が他のインナリード１ａの間を流れる樹脂とほぼ均一に流れ込むため、モールド樹脂の流動性をほぼ均等に確保することができ
る。これによって、ワイヤ流れ、タブ１ｃの変形、ボイドの発生等を防ぐことができる。
【００７２】
また、図３及び図６Ａ，図６Ｂに示すように、４本の吊りリード１ｅのそれぞれには、バーリード１ｆとの第１連結部１ｊより外側箇所に第２スリット１ｎが形成されている。これにより、樹脂注入時に流れ込むモールド樹脂の流速を均等にしてワイヤ流れ、タブ１ｃの変形、ボイドの発生等を防ぐことができる。
【００７３】
詳細に説明すると、４本の吊りリード１ｅはタブ１ｃを支持するために設けられている。しかしながら、本実施の形態のように、タブ１ｃの外形寸法（サイズ）が半導体チップ２の外形寸法（サイズ）よりも小さい場合（小タブ構造）、それぞれの吊りリード１ｅの長さも、タブ１ｃの外形寸法が半導体チップ２の外形寸法よりも大きい場合（大タブ構造）に比べ、長くなる。吊りリード１ｅの形状を、単に細長くした場合、樹脂封止工程において、樹脂の注入圧力により吊りリード１ｅに撓みが生じ、タブのロケーション（位置）の変動が生じる。
【００７４】
そこで、図６Ａ，図６Ｂに示すように、吊りリード１ｅの幅を太く形成することで、吊りリード１ｅの剛性を向上させている。さらに、吊りリード１ｅには、図３及び図６Ａ，図６Ｂに示すように、第２スリット（貫通孔、穴）１ｎが形成されている。この理由は、以下の通りである。
【００７５】
本実施の形態のリードフレーム１が、例えば、銅合金から成る薄板部材であり、リードフレーム１とモールド樹脂（封止体３、レジン）との密着性が、例えばシリコンから成る半導体チップ２とモールド樹脂との密着性に比べ、低い。そのため、単に吊りリード１ｅの幅を太く形成すると、樹脂封止工程により形成された封止体３とリードフレーム（特に、吊りリード１ｅ）との界面で剥離が発生し、半導体装置の信頼性が低下する。そこで、吊りリード１ｅにスリット（第２スリット１ｎ）を形成しておくことで、スリット内に形成された樹脂がアンカー効果となって、封止体３とリードフレーム（吊りリード１ｅ）１との密着性を向上することができる。また、吊りリード１ｅにスリットを設けることで、平面形状が四角形から成る半導体チップ２の各辺近傍のリードの密度と、半導体チップ２の角部近傍のリードの密度をほぼ均一にすることができる。これにより、吊りリード１ｅ付近を流れるときの樹脂の流速と、複数のリード（インナリード１ａ）付近を流れるときの樹脂の流速を、ほぼ均一にすることができるため、それぞれの流速に大きな差が生じず、レジンバランスの低下を抑制できる。
【００７６】
ここで、上記したレジンバランスの低下を抑制することにのみ着目すれば、図６Ａに示すそれぞれのスリット（第１スリット１ｇ、第２スリット１ｎ）よりも大きなスリットを１つだけ、吊りリード１ｅに形成してもよい。しかしながら、本実施の形態のように、タブ１ｃの外形寸法（サイズ）が半導体チップ２の外形寸法（サイズ）よりも小さい場合、それぞれの吊りリード１ｅの長さも、大タブ構造に比べ、長くなる。そのため、このような小タブ構造のリードフレーム１において、大きな１つのスリットを吊りリード１ｅに形成した場合、吊りリード１ｅの剛性が低下する可能性がある。そこで、図６Ａに示すように、スリットを複数個に分けて、吊りリード１ｅに形成することで、吊りリード１ｅの剛性が低下するのを抑制できる。
【００７７】
なお、スリット（第１スリット１ｇ、第２スリット１ｎ）は、このスリットにより分割された吊りリード１ｅのそれぞれの幅よりも太い幅を有している。これにより、分割された吊りリード１ｅのそれぞれの形状を、隣接するインナリード１ａの形状に合わせることができる。そのため、インナリード１ａから吊りリード１ｅ（又は、吊りリード１ｅからインナリード１ａ）に向かって流れる樹脂の流速が大きく変動するのを抑制できる。
【００７８】
また、バーリード１ｆの表面には、ワイヤ４の圧着用に銀めっきを施すことで、めっき膜（めっき層）１ｆ’が形成されているが、バーリード１ｆ全面には施さず、それぞれの一部（例えば、図６Ａ，図６Ｂのバーリード１ｆにおける外側の部分）に形成している。前記銀めっきは、モールド樹脂と密着性が低いが、図６Ａ，図６Ｂに示すように、バーリード１ｆにおいて全面ではなくワイヤ４が接続される領域にのみめっき膜１ｆ’を形成しておくことで、モールド樹脂とバーリード１ｆとの密着性を向上することができ、半導体装置の信頼性及び品質の向上を図ることができる。
【００７９】
すなわち、銀めっきとモールド樹脂の密着性は、銅合金から成るリードフレーム１とモールド樹脂との密着性よりも低いが、ワイヤ４が接続される領域にのみ形成することで、モールド樹脂とリードフレーム（共通リード１ｆ）１との密着性の低下を抑制できる。
【００８０】
図７に示すように、四角形の枠状に配置された４本のバーリード１ｆのうち、両端以外の部分でインナリード１ａの先端と繋がっていないバーリード１ｆには、図８に示すような第２オフセット部１ｐが形成されている。
【００８１】
この第２オフセット部１ｐは、ワイヤボンディング時に、クランパ１１（図４及び図１０参照）によってインナリード１ａがクランプされた際の歪み逃げである。すなわち、図９に示すように、ワイヤボンディング時にはバーリード１ｆはクランパ１１によってクランプされず、インナリード１ａのみがクランプされる。その際、インナリード１ａのクランプ時には、４本のバーリード１ｆのうち、インナリード１ａと連結されているバーリード１ｆは固定されているため、歪みの影響を受けにくく、その結果、インナリード１ａと繋がっていないバーリード１ｆに歪みが集中してバーリード１ｆが変形し、図１０に示すボンディングステージ１０からこのバーリード１ｆが浮いてしまう。
【００８２】
したがって、バーリード１ｆの浮き対策として、両端以外の部分でインナリード１ａと繋がっていないバーリード１ｆには、図８に示すようなオフセット加工を施すことにより、ワイヤボンディング時にこのバーリード１ｆをボンディングステージ１０に密着させることができる。つまり、バーリード１ｆとボンディングステージ１０の密着性を確保できる。
【００８３】
なお、オフセット加工を施す箇所の一例としては、バーリード１ｆのインナリード１ａと繋いでいない領域に第２オフセット部１ｐを形成することが好ましく、図７に示す例では、バーリード１ｆの両端付近のやや内寄りに形成されている。
【００８４】
また、本実施の形態のＱＦＰ６では、両端以外の部分でインナリード１ａの先端と繋がっていないバーリード１ｆは、４本のバーリード１ｆのうちの１本である。
【００８５】
なお、図８に示すバーリード１ｆの第２オフセット部１ｐのオフセット量（Ｔ）は、例えば、コイニングで形成可能な０．０５ｍｍ程度である。したがって、バーリード１ｆの第２オフセット部１ｐのオフセット量（０．０５ｍｍ）は、吊りリード１ｅの第１オフセット部１ｍのオフセット量（０．２４ｍｍ）よりも遥かに小さい。
【００８６】
また、ＱＦＰ６では、バーリード１ｆのインナリード１ａと繋いでいない領域のインナリード１ａは、信号用のリード群であり、この領域には外部と接続するリード群が配置されている。したがって、この領域ではバーリード１ｆとインナリード１ａの連結が困難となっている。
【００８７】
また、図２に示すようにＱＦＰ６では、隣接するインナリード１ａ、またはバーリード１ｆとインナリード１ａに接続される隣接するワイヤ４において、それらのループ高さが異なっている。すなわち、ＱＦＰ６では、バーリード１ｆを越えてインナリード１ａにワイヤ４（第１のワイヤ４ａ）を接続するため、ワイヤ長が長くなり、ワイヤタッチの不良が起こり易い。
【００８８】
したがって、隣接するワイヤ間でそのループ高さを変えることでワイヤタッチの発生を防ぐことができる。
【００８９】
次に、本実施の形態のＱＦＰ６の組み立てを、図４及び図５に示すプロセスフロー図にしたがって説明する。
【００９０】
まず、図４のステップＳ１に示すリードフレーム準備を行う。リードフレーム１は、図６Ａ，図６Ｂに示すように、小タブであるタブ１ｃの周囲に４本のバーリード（共通リード）１ｆが設けられており、それぞれ両端部で吊りリード１ｅと連結しているとともに、吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇが形成されている。
【００９１】
詳細に説明すると、図６Ａ，図６Ｂに示すように、チップ搭載部（タブ、ダイパッド）１ｃと、このチップ搭載部１ｃとそれぞれ一体に形成され、スリット（第１スリット１ｇ）がそれぞれに設けられた複数の吊りリード１ｅと、このチップ搭載部１ｃの周囲に設けられた複数のリード（インナリード１ａ）と、このチップ搭載部１ｃとこの複数のリード（インナリード１ａ）との間にそれぞれ位置し、この複数の吊りリード１ｅとそれぞれ一体に形成された複数の共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆと、を含むリードフレーム１を準備する。
【００９２】
さらに、このリードフレーム１において、応力を緩和する手段であるスリット（第１スリット１ｇ）は、この吊りリード１ｅにおいて共通リード１ｆの端部が連結される部分に設けられている。言い換えれば、応力を緩和する手段であるスリット（第１スリット１ｇ）は、吊りリード１ｅにおいて、図６Ｂの破線（仮想線）で示した共通リード１ｆの延長線上に形成されている。
【００９３】
また、各インナリード１ａ上において、それぞれのワイヤ接合部の外側の領域にリング状のテープ材１ｑが貼り付けられている。
【００９４】
また、４本のバーリード１ｆのうち、３本のバーリード１ｆについては、それぞれの端部ではなく中央付近にて、第２連結部１ｒを介して複数のインナリード１ａと連結しており、それ以外の１本のバーリード１ｆについては、その中央付近においてはインナリード１ａと連結していない。この中央付近にてインナリード１ａと連結していないバーリード１ｆには、図８に示すような第２オフセット部１ｐが形成されている。
【００９５】
また、バーリード１ｆ側の先端が第２連結部１ｒによって連結されるとともに、第２連結部１ｒを介してバーリード１ｆに連結した複数のインナリード１ａは、バーリード１ｆと反対側の先端でそれぞれ分岐している。
【００９６】
また、各吊りリード１ｅには、バーリード１ｆとの第１連結部１ｊの内側に第１オフセット部１ｍが形成されている。
【００９７】
なお、リードフレーム１は、例えば、銅合金から成る薄板部材である。
【００９８】
その後、図４のステップＳ２に示すダイボンディングを行う。まず、タブ１ｃ上にポッティングノズル７から銀ペースト５を塗布する。塗布後、吸着式のコレット８によって半導体チップ２の主面２ａを吸着保持しながら搬送してタブ１ｃ上に配置し、半導体チップ２を銀ペースト５によってタブ１ｃに固着する。各吊りリード１ｅには、図６Ａ，図６Ｂに示すように、第１オフセット部１ｍがバーリード１ｆとの第１連結部１ｊよりも内側（タブ１ｃ側）に形成されているため、相対的に大きいサイズの半導体チップ２をタブ１ｃ上に搭載する場合、半導体チップ２の外縁を保持するような角錐形状から成るコレットを使用した場合、コレットの一部が第１オフセット部１ｍと接触する恐れがある。しかしながら、本実施の形態のように、吸着式のコレット８を使用すれば、半導体チップ２の主面２ａのみの保持により搬送することができるため、半導体チップ２をタブ１ｃに搭載するためにコレット８を降下させても、コレット８の一部が第１オフセット部１ｍと接触することはない。
【００９９】
その後、ステップＳ３に示すワイヤボンディングを行う。まず、図１０に示すようにボンディングステージ１０上にリードフレーム１を載置し、続いて、半導体チップ２の裏面２ｂを吸着孔１０ａを介して真空排気し、ボンディングステージ１０上に半導体チップ２を吸着固定するとともに、リードフレーム１の上方からクランパ１１のクランプ部１１ａによってインナリード１ａのテープ材１ｑ上を押さえ付けてリードフレーム１を固定する。クランパ１１のクランプ部１１ａは、リング状のテープ材１ｑをその全周に亘って上から押さえ付ける。
【０１００】
簡略すれば、このワイヤボンディング工程では、加熱されたボンディングステージ１０上に半導体チップ２を搭載したリードフレーム１を配置し、複数のリード（インナリード１ａ）のそれぞれをクランパ１１で押さえた状態で行われる。
【０１０１】
ここで、共通リード１ｆをクランパ１１で押さえない理由は、図９及び図１０に示すように、クランパ１１の形状が、リードを押さえ付ける部分がリング状に形成されていることにある。そして、このような形状のクランパ１１で共通リード１ｆを押さえてしまうと、インナリード１ａの先端部（ワイヤ接続領域）がクランパ１１で覆われてしまい、半導体チップ２の複数のパッド（電極）２ｃと複数のインナリード１ａとをワイヤ（第１のワイヤ４ａ、リード用ワイヤ）４で接続することが困難となる。
【０１０２】
これによって全てのインナリード１ａが、ワイヤボンディング時にクランプ部１１ａによってクランプされる。その際、図９及び図１０に示すように、バーリード１ｆは４本ともクランプされない。
【０１０３】
この状態で図４に示すようにキャピラリ９を用いてワイヤボンディングを行う。ここでは、例えば、図１０に示すように半導体チップ２の信号用のパッド２ｃと信号用のインナリード１ａとを第１のワイヤ４ａによって電気的に接続し、一方、半導体チップ２の電源用（またはＧＮＤ用）のパッド２ｃとバーリード１ｆとを第２のワイヤ４ｂによって電気的に接続する。
【０１０４】
その際、隣接するインナリード１ａ、またはバーリード１ｆとインナリード１ａに接続される隣接するワイヤ４において、それらのループ高さを変えてワイヤボンディングを行う。このように隣接するワイヤ間でそのループ高さを変えることでワイヤタッチの発生を防ぐことができる。
【０１０５】
本実施の形態では、上記したワイヤタッチの発生を考慮して、半導体チップ２の電源用（またはＧＮＤ用）のパッド２ｃとバーリード１ｆとをループ高さの低いワイヤ（第２のワイヤ４ｂ、共通リード用ワイヤ）によって電気的に接続した後、半導体チップ２の信号用のパッド２ｃと信号用のインナリード１ａとをループ高さの高いワイヤ（第１のワイヤ４ａ、リード用ワイヤ）によって電気的に接続している。
【０１０６】
また、ＱＦＰ６では、４本のバーリード１ｆのうち３本は、それらの中央付近でインナリード１ａと連結している。したがって、ワイヤボンディング工程で、これらの３本のバーリード１ｆは熱歪みによる変形は起こりにくいが、中央付近でインナリード１ａと連結していないバーリード１ｆについては熱歪みが集中し易く変形し易い。しかしながら、中央付近でインナリード１ａと連結していないバーリード１ｆには、図８に示すような第２オフセット部１ｐが形成されているため、ワイヤボンディング時にバーリード１ｆをボンディングステージ１０に密着させることができる。
【０１０７】
本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ６）の組み立てでは、バーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇが形成されていることにより、ワイヤボンディング時に熱の影響による膨張・収縮（熱歪み）作用がバーリード１ｆに働いても第１スリット１ｇによって膨張・収縮作用を緩和することができる。
【０１０８】
その結果、バーリード１ｆの膨張・収縮による撓み（変形）を低減することができ、ワイヤ剥離の発生を防ぐことができる。
【０１０９】
その後、図５のステップＳ４に示す樹脂モールディングとベークを行う。ここでは、半導体チップ２、バーリード１ｆ、複数のインナリード１ａ及び複数のワイヤ４を封止用樹脂によってモールディング等で樹脂封止して図１１に示すような封止体３を形成する。
【０１１０】
その後、ステップＳ５に示す外装めっき形成を行う。ここでは封止体３から露出するアウタリード１ｂに対して外装めっき１２を形成する。
【０１１１】
その後、ステップＳ６に示す切断成形を行う。ここでは、アウタリード１ｂの切断と曲げ成形を行ってＱＦＰ６の組み立てを完了する。
【０１１２】
ここで、本実施の形態のＱＦＰ６においてバーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに形成された第１スリット１ｇの重要性について説明する。
【０１１３】
ＱＦＰ６にバーリード１ｆを適用する場合、バーリード１ｆの吊りリード１ｅとの連結部にスリットが形成されていないと、以下の点で半導体装置（ＱＦＰ６）の製造が困難であることを本願発明者は見出した。すなわち、小タブ構造を採用したことで、吊りリード１ｅの長さが長くなり、その結果、吊りリード１ｅが撓み易くなるが、この対策の１つとして、吊りリード１ｅの幅を太くして剛性を高くすることが考えられる。
【０１１４】
一方で、電気的特性の向上を目的として電源やＧＮＤ用のパッドを多数必要とする半導体チップにおいては、外部端子の数が増加し、パッケージサイズも大きくなってしまう。そこで、パッケージサイズが大きくなるのを抑制するため、バーリード１ｆが必要となってくる。この時、バーリード１ｆはワイヤボンディングの際、治具（クランパ１１）で押さえられないため、吊りリード１ｅにその両端が固定されており、これによって、バーリード１ｆの安定性を確保している。
【０１１５】
しかしながら、銅合金等の金属から成るリードフレーム１は、熱の影響により膨張し易く、そのため、バーリード自体もその両端が膨張作用により伸びるが、この時、吊りリード１ｅは剛性を向上させるために太く形成されており、バーリード１ｆが膨張により伸びようとするのを阻害してしまう。
【０１１６】
その結果、バーリード１ｆが撓むことになる。
【０１１７】
したがって、バーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇを形成しておくことで、膨張したバーリード１ｆを開放することが可能になり、バーリード１ｆが撓む（変形する）ことを防止できる。すなわち、リードフレーム１を用いた多ピンの半導体装置（ＱＦＰ６）の製造において、バーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇを形成しておくことが重要となる。
【０１１８】
このように本実施の形態のＱＦＰ６では、吊りリード１ｅと連結するバーリード１ｆがタブ１ｃの外側にタブ１ｃを囲むように配置され、かつバーリード１ｆの吊りリード１ｅとの第１連結部１ｊに第１スリット１ｇが形成されていることにより、熱の影響による膨張・収縮（熱歪み）作用がバーリード１ｆに働いても第１スリット１ｇによって膨張・収縮作用を緩和することができる。
【０１１９】
これによって、バーリード１ｆの膨張・収縮による撓み（変形）を低減することができ、ワイヤ剥離の発生を防ぐことができる。
【０１２０】
さらには、吊りリード１ｅを太く形成すると、バーリード１ｆが膨張により伸びようとするのを阻害するだけでなく、吊りリード１ｅ付近において流れる樹脂の流動性（流速）が、複数のインナリード１ａが配置されている領域と異なるため、形成される封止体３の内部にボイドが形成され易くなる。
【０１２１】
しかしながら、本実施の形態のように第１スリット１ｇを形成しておくことで、吊りリード１ｅの太さをインナリード１ａの太さとほぼ同じ太さに形成することができるため、インナリード１ａ部や吊りリード１ｅ部において流れる樹脂の流動性（流速）をほぼ均等にすることができ、ボイドの発生を抑制することができる。
【０１２２】
したがって、バーリード１ｆへのワイヤボンディングも可能になる。
【０１２３】
その結果、リードフレーム１を用いた多ピンのＱＦＰ６の製造を実現することができる。
【０１２４】
さらに、リードフレーム１を用いて製造することで、ＱＦＰ６の低コスト化を図ることができる。
【０１２５】
また、バーリード１ｆの膨張・収縮による撓みを低減できるため、ワイヤショートの発生を低減することができる。その結果、ＱＦＰ６の信頼性及び品質の向上を図ることができる。
【０１２６】
次に、図１２〜図１４に示す本実施の形態の変形例について説明する。
【０１２７】
図１４は本実施の形態の変形例の半導体装置を示しており、図１２に示すように、チップ搭載部の大きさが半導体チップ２より大きな大タブ１ｕ構造のＱＦＰ１３を示すものである。
【０１２８】
このＱＦＰ１３では、大タブ１ｕの半導体チップ２から迫り出した迫り出し部１ｗを共通リードとするものであり、この大タブ１ｕの迫り出し部１ｗに電源やＧＮＤ等のワイヤ４を接続してリードの共通化を図っている。
【０１２９】
すなわち、変形例のＱＦＰ１３は、図１〜図３に示すＱＦＰ６において、バーリード１ｆの熱歪みによる変形を完全に抑制するためにバーリード１ｆを削除したものであり、バーリード１ｆの代わりとして、大タブ（半導体チップ２の外形寸法よりも大きいタブ）１ｕを採用し、その迫り出し部１ｗを共通リードとしてこの迫り出し部１ｗに電源やＧＮＤ等のワイヤ４を接続するものである。
【０１３０】
その際、銅合金から成るリードフレーム１と封止用樹脂との密着性は、シリコンから成る半導体チップ２と封止用樹脂との密着性に比べ低く、大タブ１ｕと封止用樹脂との界面において剥離が生じ易い。そのため、大タブ１ｕだと、大タブ１ｕと封止用樹脂の接触面積が大きくなって半導体チップ２と封止用樹脂の接触面積が小タブ構造に比べ低くなるため、上記の剥離不良の問題はより顕著となる。そこで、図１２及び図１３に示すように、大タブ１ｕに、複数の貫通孔１ｖを形成してこの貫通孔１ｖに封止用樹脂を通し、半導体チップ２と封止用樹脂とが接触する領域を向上させることで、大タブ１ｕを採用したとし
ても封止用樹脂と大タブ１ｕとの界面において生じる剥離の問題を抑制するものである。
【０１３１】
また、図示していないが、大タブ１ｕにおいて、ワイヤ４が接続される領域には銀めっきが施され、めっき膜（めっき層）が形成されている。銀めっきは、モールド樹脂との密着性が相対的に低いため、タブの全面には施さないことで、モールド樹脂と大タブ１ｕとの密着性を向上することができ、半導体装置の信頼性及び品質の向上を図ることができる。
【０１３２】
変形例のＱＦＰ１３では、前記バーリード１ｆが設けられていないため、電源またはＧＮＤ用の第２のワイヤ４ｂの接続部（迫り出し部１ｗ）が撓むのを防止できる。
【０１３３】
さらに、図１３に示すように一部のインナリード１ａの先端を大タブ１ｕに連結することで、大タブ１ｕが固定されるため、大タブ１ｕが水平方向に回転することを防止できる。
【０１３４】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１３５】
例えば、前記実施の形態では、４本のバーリード１ｆのうちそれぞれの中央付近でインナリード１ａと連結するバーリード１ｆの数が３本の場合を例に挙げたが、それぞれの中央付近でインナリード１ａと連結するバーリード１ｆの数は、３本に限定されるものではなく、３本以外であってもよい。
【０１３６】
また、前記実施の形態では、吸着式のコレット８により半導体チップ２を吸着保持することについて説明したが、これに限定されるものではなく、半導体チップ２の外形寸法がバーリード１ｆから見て相対的に小さい場合には、半導体チップ２を保持する部分が角錐形状から成るコレットを使用してもよい。
【０１３７】
また、前記実施の形態では、小タブ構造の半導体装置について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆの撓みを抑制することにだけ着目すれば、図１６に示すような、半導体チップ２のチップ支持面１ｄの外形寸法（サイズ）が半導体チップ２の裏面２ｂより大きなチップ搭載部（タブ、ダイパッド）１ｃを含むリードフレーム１を使用し、図１７及び図１８に示すような半導体装置としてもよい。
【０１３８】
また、前記実施の形態では、吊りリード１ｅにおいて、共通リード１ｆの端部が連結される部分にスリット（第１スリット１ｇ）を設けることで、共通リード１ｆがボンディングステージ１０の熱の影響により撓むのを抑制することについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図１９、図２０、及び図２１に示すように、共通リード（バーリード、バスバーリード）１ｆの一部（中央部）に応力を緩和する手段であるスリット（貫通孔、穴）１ｓを設けたリードフレーム１を使用しても良い。この場合、共通リード１ｆにおいてワイヤ（第２のワイヤ４ｂ、）４を接続できる領域が、前記実施の形態に比べ小さくなる。しかしながら、半導体チップ２のパッド（電極）２ａの数が前記実施の形態よりも少ない場合には、図２２、図２３及び図２４に示すように、スリット（第３スリット１ｓ）の脇にワイヤ４を接続することで対応できる。尚、図２４では、スリット（第３スリット１ｓ）の脇にワイヤ４を接続されていることが確認しやすいように、半導体
チップ２のパッド２ａとインナリード１ａと接続されるワイヤ４の本数を省略している。
【０１３９】
また、前記実施の形態では、図６Ｂの２点鎖線Ｌ（仮想線）で示すように、スリット（第１スリット１ｇ）が、吊りリード１ｅにおいて、共通リード１ｆの延長線上に形成されることについて説明したが、これに限定されるものではない。ワイヤボンディング工程におけるボンディングステージ１０の熱が、前記実施の形態で使用する温度よりも低い場合には、共通リード１ｆの膨張が前記実施の形態に比べて起き難くなる。そのため、例えば、図２５に示すように、スリット（第１スリット１ｇ）は、吊りリード１ｅにおいて、共通リード１ｆの延長線Ｌ上よりもタブ１ｃから遠い位置に形成されていても良い。
【０１４０】
また、前記実施の形態及び変形例では、吊りリード１ｅ又は共通リード１ｆに応力を緩和する手段としてスリットを形成することについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２６に示すように、共通リード１ｆの一部、又は図２７に示すように、共通リードの両端部を蛇行形状としてもよい。このような構成でも、熱の影響で共通リード１ｆが膨張したとしても、蛇行部１ｔが縮むことから、共通リード１ｆの撓みを抑制できる。
【０１４１】
また、前記実施の形態では、複数のアウタリード１ｂが封止体３の側面から突出するＱＦＰ型の半導体装置及びその製造方法に本願発明の構成を適用する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、図２８（ａ）、図２８（ｂ）、及び図２８（ｃ）に示すように、タブ１ｃ及び共通リード１ｆが封止体３の内部に位置し、複数のリード（アウタリード１ｂ）のみ封止体３の下面（実装面、裏面）から露出するＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）１５型の半導体装置に適用してもよい。
【０１４２】
また、平面形状が四角形から成る封止体３の４辺に沿って複数のリードを配置するＱＦＰ型の半導体装置及びその製造方法に本願発明の構成を適用する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、図２９（ａ）、図２９（ｂ）、及び図２９（ｃ）に示すように、タブ１ｃ及び共通リード１ｆが封止体３の内部に位置し、封止体３の２辺に沿って複数のリードを配置するＳＯＰ（Small Outline Package)１６型、または図３０（ａ）、図３０（ｂ）、及び図３０（ｃ）に示すように、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）１７型の半導体装置に適用してもよい。
【０１４３】
さらに、これに限定されるものではなく、図３１（ａ）、図３１（ｂ）、及び図３１（ｃ）に示すように、タブ１ｃ、共通リード１ｆ及び複数のリード（アウタリード１ｂ）が封止体３の下面（実装面、裏面）から露出するＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）１８型の半導体装置に適用してもよい。また、図３２（ａ）、図３２（ｂ）、及び図３２（ｃ）に示すように、タブ１ｃ、共通リード１ｆ及び複数のリード（アウタリード１ｂ）が封止体３の下面（実装面、裏面）から露出するＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）１９型の半導体装置に適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明は、リードフレームを用いて組み立てられる電子装置及びその組み立てに好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング完了までの製造プロセスの一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の製造プロセスの一例を示す断面図である。
【図６Ａ】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの一部を示す部分拡大平面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの第２オフセット部の構造の一例を示す部分平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時のクランプ領域の一例を示す平面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時のクランプ構造の一例を示す断面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を封止体を透過して示す部分平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造を封止体を透過して示す部分平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態においてオフセット無しのリードフレームを用いた場合のモールド金型による金型クランプ時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態において大タブを採用した半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図１７】図１６に示すリードフレームを用いた半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を封止体を透過して示す部分平面図である。
【図１８】図１７に示す半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態において共通リードにスリットが設けられたリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２１】図１９に示すリードフレームにおけるスリット形成箇所の構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図２２】図１９に示すリードフレームを用いた半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を封止体を透過して示す部分平面図である。
【図２３】図２２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２４】図２２に示す構造におけるスリット形成箇所の構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態における共通リードへの応力を緩和する手段の変形例の構造を示す拡大部分平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態のリードフレームにおける共通リードへの応力を緩和する手段の変形例の構造を示す部分平面図である。
【図２７】本発明の実施の形態のリードフレームにおける共通リードへの応力を緩和する手段の変形例の構造を示す部分平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（ＱＦＮ）の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は裏面図である。
【図２９】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（ＳＯＰ）の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は裏面図である。
【図３０】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（ＳＯＮ）の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は裏面図である。
【図３１】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（ＱＦＮ）の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は裏面図である。
【図３２】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（ＳＯＮ）の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は裏面図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１  リードフレーム
１ａ  インナリード（リード）
１ｂ  アウタリード（リード）
１ｃ  タブ（チップ搭載部）
１ｄ  チップ支持面
１ｅ  吊りリード
１ｆ  バーリード（共通リード）
１ｆ'   めっき膜（めっき層）
１ｇ  第１スリット
１ｈ  第１インナリード
１ｉ  第２インナリード
１ｊ  第１連結部
１ｍ  第１オフセット部
１ｎ  第２スリット
１ｐ  第２オフセット部
１ｑ  テープ材
１ｒ  第２連結部
１ｓ  第３スリット
１ｔ  蛇行部
１ｕ  大タブ（チップ搭載部）
１ｖ  貫通孔
１ｗ  迫り出し部（共通リード）
２  半導体チップ
２ａ  主面
２ｂ  裏面
２ｃ  パッド（電極）
３  封止体
４  ワイヤ
４ａ  第１のワイヤ
４ｂ  第２のワイヤ
５  銀ペースト
６  ＱＦＰ（半導体装置）
７  ポッティングノズル
８  吸着コレット
９  キャピラリ
１０  ボンディングステージ
１０ａ  吸着孔
１１  クランパ
１１ａ  クランプ部
１２  外装めっき
１３  ＱＦＰ（半導体装置）
１４  モールド金型
１４ａ  上型
１４ｂ  キャビティ面
１４ｃ  下型
１４ｄ  キャビティ面
１５  ＱＦＮ（半導体装置）
１６  ＳＯＰ（半導体装置）
１７  ＳＯＮ（半導体装置）
１８  ＱＦＮ（半導体装置）
１９  ＳＯＮ（半導体装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
0005155644.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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