(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ1［−（ＯＡ1）a−Ｑ- ］b                   （１）
［式中、Ｒ1は炭素数４〜１０の炭化水素基、Ａ1は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｑ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＳＯ3-、−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-、Ｒ2は水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基、ａは平均値であって０〜２０、ｂは１〜６の整数、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3-の場合ａは０である。］
【請求項２】
さらに、ＳＰ値が６〜１３であり一般式（２）で示される有機溶剤（Ｄ）を含有する請求項１記載の電子材料用洗浄剤。
Ｒ3［−（ＯＡ2）c−ＯＨ］d                      （２）
［式中、Ｒ3は炭素数６〜８の炭化水素基、Ａ2は炭素数２〜４のアルキレン基、ｃは平均値であって０〜２０、ｄは１〜６の整数である。］
【請求項３】
前記アニオン性界面活性剤（Ａ）のカチオン成分が、アルカリ金属カチオン、炭素数１〜１５の脂肪族アミンにプロトンが付加した１価のカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン及び炭素数１〜１５のアルカノールアミンにプロトンが付加した１価のカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオンである請求項１または２記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項４】
一般式（１）において、Ｒ1が一般式（３）又は一般式（４）で示される炭化水素基である請求項１〜３いずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【化１】
0005155121.tif 000008
［式中、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であり、かつＲ4とＲ5の炭素数の合計は３〜８、ｅは０〜２の整数であり、Ｒ4とＲ5の炭素数の合計が８の場合ｅは０又は１である。］
【化２】
0005155121.tif 000009
［式中、ｆ個のＲ6はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基で、かつｆ個のＲ6の炭素数の合計は４以下であり、ｆは１〜４の整数である。］
【請求項５】
一般式（１）におけるａが０かつｂが１であり、前記アルカリ成分（Ｃ）が炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｃ−２）、無機アルカリ（Ｃ−３）、炭素数１〜２３のアルカノールアミン（Ｃ−４）及び炭素数４〜１０のアミジン化合物（Ｃ−５）からなる群から選ばれる１種以上のアルカリ成分である請求項１〜４のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項６】
電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、前記（Ａ）の含有量が０．５〜８０重量％、前記（Ｂ）の含有量が１〜９０重量％及び前記（Ｃ）の含有量が１〜５５重量％である請求項１〜５のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項７】
洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５重量％における、ガラスに対する洗浄剤の接触角が１０°以下である請求項１〜６のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項８】
洗浄剤を用いて洗浄したガラスに対する水の接触角が２０°以下である請求項１〜７のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項９】
前記電子材料が、ガラス製の電子材料基板である請求項１〜８のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項１０】
前記電子材料が、フラットパネルディスプレイ、フォトマスク、ハードディスク又は半導体の基板である請求項１〜９のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか記載の洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法。
【請求項１２】
前記電子材料がガラス製の電子材料基板である請求項１１記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子材料用洗浄剤及び洗浄方法に関する。更に詳しくはフラットパネルディスプレイ、フォトマスク、ハードディスク又は半導体の基板用として好適な洗浄剤及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料の洗浄技術において、製造時における基板上に残存する微量の有機物汚れやガラスカレット及び砥粒等の不純物が電子材料の性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象となる不純物がより微粒子（パーティクル）化してきており、今まで以上に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。このため、これらのパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献−１〜４参照）。
【０００３】
しかし、フラットパネルディスプレイ用、フォトマスク用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において、マザーガラスから必要に応じて適切な大きさにガラス基板を切断する際に発生するガラスの切粉（通称ガラスカレット）や、クリーンルーム内に飛散している粉塵や加工油等の有機物汚れ、基板表面をテクスチャリングする工程の際に使用する研磨剤や研磨屑等が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
これらのガラスカレットや有機物汚れ、研磨剤及び研磨屑に代表されるパーティクルは、基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板又は研磨剤表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。しかし、特許文献−１で提案されている洗浄剤は、アルキルグルコシド、グリセリルエーテル及び炭化水素を含有する洗浄剤であり、有機汚れに対する除去性は期待できるが、ガラスカレットの除去性が不十分であり、更にアルカリ剤を含有することによりエッチングによるパーティクル除去が期待できるが、洗浄後の基板表面が荒れるという問題がある。また、特許文献−２では、特定の非イオン性界面活性剤、特定のグリコールエーテル化合物及び炭化水素を含有する洗浄剤と、炭化水素、特定のグリコールエーテル、アニオン性界面活性剤及びジメチルスルホキシドを含有する洗浄剤が提案されているが、前者の洗浄剤は、パーティクル除去の性能を向上させるために非イオン性界面活性剤を使用しており、界面活性剤成分が電子材料表面に残りやすいためリンス性が悪く、歩留り率が低下するという問題があり、また、後者の洗浄剤は、浸透性向上を目的として平均炭素数１０〜２０のスルホコハク酸型アニオン性界面活性剤等を含有しており、パーティクルの除去性に改善は見られるものの、起泡性が非常に高く、また泡切れ性に乏しいため、ハンドリング性に問題がある。また、特許文献−３で提案されている洗浄剤はフッ化水素及びオゾンを溶存した洗浄剤であり、基板表面に強固に付着したパーティクルをエッチングにより除去する効果は期待できるが、フッ素イオンを含むため排水処理に多大なコストがかかること、強いエッチング性を制御できないため、洗浄時に基板の平坦性を損ねるという問題がある。また、特許文献−４で提案されている洗浄剤はアニオン性界面活性剤を用いることで、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるもののエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が十分でないという問題がある。
【特許文献−１】特開２００７−３９６２７号公報
【特許文献−２】特開２００４−２６９１号公報
【特許文献−３】特開２００１−２７６７５９号公報
【特許文献−４】特開２００２−２１２５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に至った。
すなわち本発明は、アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤及び該洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法である。
Ｒ1［−（ＯＡ1）a−Ｑ- ］b                   （１）
［式中、Ｒ1は炭素数４〜１０の炭化水素基、Ａ1は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｑ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＳＯ3-、−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-、Ｒ2は水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基、ａは平均値であって０〜２０、ｂは１〜６の整数、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3-の場合ａは０である。］
さらに、ＳＰ値が６〜１３であり一般式（２）で示される有機溶剤（Ｄ）を含有する請求項１記載の電子材料用洗浄剤である。
Ｒ3［−（ＯＡ2）c−ＯＨ］d                      （２）
［式中、Ｒ3は炭素数６〜８の炭化水素基、Ａ2は炭素数２〜４のアルキレン基、ｃは平均値であって０〜２０、ｄは１〜６の整数である。］
【発明の効果】
【０００６】
本発明の電子材料用洗浄剤は、フラットパネルディスプレイ用、フォトマスク用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において基板表面の平坦性を損ねることなく、適度にコントロールされたエッチング性を付与することで、強固に付着した微小なパーティクルを基板表面から脱離させ、更に脱離したパーティクルを洗浄剤中に安定に分散させることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）は、アニオン成分及びカチオン成分からなり、アニオン成分は、前記一般式（１）で示される。
【０００８】
一般式（１）におけるＲ1は炭素数４〜１０の炭化水素基であり、Ｒ1としては、例えば、炭素数４〜１０の直鎖の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜１０の分岐の脂肪族炭化水素基及び炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
炭素数４〜１０の直鎖の脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基及びｎ−デシル基並びに炭素数２〜１０のアルキレングリコール、グリセリン及びソルビトール等から水酸基を除いた残基等が挙げられる。
炭素数４〜１０の分岐の脂肪族炭化水素基としては、イソ又はｔｅｒｔ−ブチル基、イソ又はネオペンチル基、イソヘキシル基、イソヘプチル基、イソオクチル基、イソ又はｓｅｃ−ノニル基、イソ又はｓｅｃ−デシル基、１−エチルオクチル基及び一般式（３）で示される炭化水素基が挙げられる。
【０００９】
【化１】
0005155121.tif 000002
［式中、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であり、かつＲ4とＲ5の炭素数の合計は３〜８、ｅは０〜２の整数であり、Ｒ4とＲ5の炭素数の合計が８の場合ｅは０又は１である。］
【００１０】
一般式（３）におけるＲ4及びＲ5の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−又はイソプロピル基、イソ又はｎ−ブチル基、ｓｅｃ−、イソ−又はｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１，１−ジメチル−２−メチルプロピル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基及び１−エチル−２−メチルプロピル基が挙げられる。
【００１１】
炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、一般式（４）で示される炭化水素基が挙げられる。
【化２】
0005155121.tif 000003
［式中、ｆ個のＲ6はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基で、かつｆ個のＲ6の炭素数の合計は４以下であり、ｆは１〜４の整数である。］
一般式（４）におけるＲ6としては、前記一般式（３）におけるＲ4及びＲ5として例示したアルキル基の内の炭素数１〜４のものが挙げられる。
【００１２】
これらのＲ1の内、パーティクル除去性及び低起泡性の観点から好ましいのは、一般式（３）又は（４）で示される炭化水素基である。
【００１３】
一般式（１）におけるＡ1は炭素数２〜４のアルキレン基であり、Ａ1としては、エチレン基、１，２−又は１，３−プロピレン基及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレン基が挙げられる。これらの内、経時安定性及び低起泡性の観点から好ましいのはエチレン基及び１，２−プロピレン基であり、Ａ1は１種のアルキレン基の単独使用又は２種以上のアルキレン基の併用であってもよい。
（Ａ1Ｏ）は、後述の通り、アルキレンオキサイド（以下、ＡＯと略記）のアルキレンがＡ1であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってａは平均値で表され、通常０〜２０であり、経時安定性の観点から好ましくは０〜１０、更に好ましくは０〜５、特に好ましくは０である。
尚、（Ａ1Ｏ）の形成に当たり、２種以上のＡＯを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０ ％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。
上記及び以下において特に規定しない限り、％は重量％を表す。
【００１４】
一般式（１）におけるＱ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＳＯ3-、−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-であり、洗浄剤リンス性の観点から、−ＯＳＯ3-及び−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-が好ましい。
尚、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3-の場合は、前記ａは０である。
Ｒ2は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、炭素数１〜１０の炭化水素基としては、一般式（１）におけるＲ1で例示したものと同様のものが挙げられ、パーティクルの分散安定性の観点から好ましいのは、炭素数４〜１０の炭化水素基であり、更に好ましいのは一般式（３）又は（４）で示される炭化水素基である。
一般式（１）におけるｂは１〜６の整数であって、洗浄後の表面平坦性の観点から、１〜３が好ましく、更に好ましくは１である。
【００１５】
アニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するアニオン成分の具体例としては、１−、２−又はｔｅｒｔ−ブタノール、１−、２−又は３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、１−、２−又は３−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、３−メチル−２−ペンタノール、１−、２−、３−又は４−ヘプタノール、２，４−ジメチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ヘキサノール、５−メチル−２−ヘキサノール、１−、２−、３−又は４−オクタノ−ル、６−メチル−２−ヘプタノール、２，２−ジメチル−３−ヘキサノール、２，５−ジメチル−３−ヘキサノール、２−エチル−１−ヘキサノール、５−メチル−２−ヘプタノール、５−メチル−３−ヘプタノール、６−メチル−３−ヘプタノール、２，２−ジメチル−３−ヘプタノール、１−、２−、３−、４−又は５−ノナノール、２−メチル−３−オクタノール、１−、２−、３−、４−又は５−デカノール、３，７−ジメチル−１−オクタノール、エチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオール、グリセリン及びソルビトール等のアルコール並びにこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物（付加モル数１〜２０）の硫酸エステル又はリン酸エステルからプロトンを除いたアニオン；２−メチルプロパン酸、２，２−ジメチルプロパン酸、ブタン酸、２−メチル又は３−メチルブタン酸、２−エチルブタン酸、２，３−ジメチル又は３，３−ジメチルブタン酸、２−エチル−３−メチルブタン酸、ペンタン酸、２−、３−又は４−メチルペンタン酸、２−又は３−エチルペンタン酸、２−ｎ−プロピル又はイソプロピルペンタン酸、２，４−ジメチルペンタン酸、２，４，４−又は３，４，４−トリメチルペンタン酸、ヘキサン酸、２−、３−、４−又は５−メチルヘキサン酸、２−、３−又は４−エチルヘキサン酸、２−又は３−ｎ−プロピルヘキサン酸、２−又は３−イソプロピルヘキサン酸、２，５−又は３，５−ジメチルヘキサン酸、２，５，５−又は３，５，５−トリメチルヘキサン酸、ヘプタン酸、２−、３−、４−、５−又は６−メチルへプタン酸、２−、３−、４−又は５−エチルヘプタン酸、２−、３−又は４−ｎ−プロピルヘプタン酸、２−、−３又は４−イソプロピルヘプタン酸、２，６−又は３，６−ジメチルヘプタン酸、２，６，６−、２，４，６−又は３，６，６−トリメチルヘプタン酸、オクタン酸、２−、３−、４−、５−、６−又は７−メチルオクタン酸、２−、３−、４−、５−又は６−エチルオクタン酸、２，７−又は３，７−ジメチルオクタン酸、ノナン酸及び２−、３−、４−、５−、６−、７−又は８−メチルノナン酸からプロトンを除いたアニオン；１−メチルプロパンスルホン酸、１−メチルペンタンスルホン酸及び１−エチルブタンスルホン酸からプロトンを除いたアニオン；上記アルコール又はそれらの炭素数２〜４のＡＯ付加物（付加モル数１〜２０）と２−クロロ酢酸塩（カリウム塩又はナトリウム塩）との反応により得られるアルキルエーテルカルボン酸塩におけるアニオン；ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、クメンスルホン酸及び安息香酸からプロトンを除いたアニオン等が挙げられる。
【００１６】
これらのアニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するアニオン成分の内、パーティクル除去性及び低起泡性の観点から好ましいのは、１−ブタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、３−メチル−１−ヘキサノール、３，７−ジメチル−１−オクタノール及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物（付加モル数１〜２０）の硫酸エステル又はリン酸エステルからプロトンを除いたアニオン並びに２−エチルペンタン酸、２−ｎ−プロピルペンタン酸、２−イソプロピルペンタン酸、２，４，４−又は３，４，４−トリメチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、２−ｎ−プロピルヘキサン酸、２−イソプロピルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２−エチルヘプタン酸、２−メチルオクタン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸及びキシレンスルホン酸からプロトンを除いたアニオンであり、更に好ましいのは、２−エチル−１−ヘキサノール、３−メチル−１−ヘキサノール及び３，７−ジメチル−１−オクタノールの硫酸エステル又はリン酸エステルからプロトンを除いたアニオン並びに２−ｎ−プロピルペンタン酸、２−イソプロピルペンタン酸、２，４，４−又は３，４，４−トリメチルペンタン酸、２−エチルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、パラトルエンスルホン酸、オルトトルエンスルホン酸、メタキシレンスルホン酸及びパラキシレンスルホン酸からプロトンを除いたアニオンであり、特に好ましいのは、２−エチル−１−ヘキサノールの硫酸エステル又はリン酸エステルからプロトンを除いたアニオン並びにオクタン酸、パラトルエンスルホン酸及びメタキシレンスルホン酸からプロトンを除いたアニオンであり、最も好ましいのは、２−エチル−１−ヘキサノールの硫酸エステル、パラトルエンスルホン酸及びメタキシレンスルホン酸からプロトンを除いたアニオンである。
【００１７】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するカチオン成分としては、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
アルカリ金属カチオンとしては、ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等が挙げられる。
アルカリ土類金属カチオンとしては、カルシウムカチオン及びマグネシウムカチオン等が挙げられる。
【００１９】
炭素数０〜２５のアンモニウムカチオンとしては、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチルビニルアンモニウム、トリメチルフェニルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルテトラデシルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウム及びオクタデシルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。
【００２０】
炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数１〜３６の脂肪族アミンとしては、炭素数１〜１２のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルキレンジアミン、炭素数３〜７の環状アミン、ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミン及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等）並びに炭素数２〜１２のジアルキルアミン（ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びジヘキシルアミン等）等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、１，２−又は１，３−プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
炭素数３〜７の環状アミンとしては、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピペラジン、キヌクリジン、２−ピリジンアミン、ｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジヘキシレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン及びヘキサエチレンヘプタミン等が挙げられる。
【００２１】
炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンにおける炭素数４〜１０のアミジン化合物としては、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、２−メチルイミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾール及び２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等が挙げられる。
【００２２】
炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数１〜２３のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
【００２３】
炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンとしては、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、メチレンジアニリン、ジフェニルエーテルジアミン、ナフタレンジアミン、アントラセンジアミン、ベンジルアミン、キシリレンジアミン及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
【００２４】
これらのカチオン成分の内、パーティクル除去性の観点から、アルカリ金属カチオン、炭素数１〜１５の脂肪族アミンにプロトンが付加した１価のカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン及び炭素数１〜１５のアルカノールアミンにプロトンが付加した１価のカチオンが好ましく、更に好ましいのは、ナトリウムカチオン、カリウムカチオン並びにトリメチルアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮ及びジエタノールアミンにプロトンが付加したカチオン、特に好ましいのは、ナトリウムカチオン、カリウムカチオン、ＤＢＵにプロトンが付加したカチオン及びジエタノールアミンにプロトンが付加したカチオンである。
【００２５】
アニオン性界面活性剤（Ａ）は、一般式（１）においてＱ-が−ＣＯＯ-、−ＳＯ3-、−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-の場合、例えばアニオン成分とプロトンとからなる酸と、前記アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン若しくは炭素数０〜２５のアンモニウムカチオンと水酸基アニオンからなるアルカリ性化合物又は前記炭素数１〜１５のアミン若しくは炭素数２〜３６の多価（２〜７価）アミンとの中和反応により製造することができる。中和反応の温度は通常１０〜６０℃、時間は通常３０〜２００分である。中和度は通常９５〜１００％であり、中和物のｐＨ（中和物の５％水溶液）は通常７〜１２である。
【００２６】
一般式（１）においてＱ-が−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、例えば以下の（１）及び（２）の反応により製造できる。
（１）ＡＯの付加反応
一般式（１）におけるＲ1に水酸基が置換した化合物の水酸基に炭素数２〜４のＡＯを通常の方法で付加させる。具体的には、上記水酸基含有化合物を加圧反応容器に仕込み、無触媒又は触媒の存在下（特にＡＯ付加の後半の段階で）にＡＯを吹き込み、常圧又は加圧下に１段階又は多段階で反応を行なう。触媒としては、アルカリ触媒、例えばアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム及びセシウム等）の水酸化物；酸［過ハロゲン酸（過塩素酸、過臭素酸及び過ヨウ素酸）、硫酸、燐酸及び硝酸等（好ましくは過塩素酸）］並びにこれらの塩［好ましくは ２価又は３価の金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＡｌ等）の塩］が挙げられる。
反応温度は通常５０〜１５０℃、反応時間は通常２〜２０時間である。
ＡＯ付加反応終了後は、必要により触媒を中和し吸着剤で処理して触媒を除去・精製することができる。
【００２７】
（２）硫酸エステル化反応又はリン酸エステル化反応
一般式（１）におけるＲ1に水酸基が置換した化合物又は上記の（１）で得られたＡＯ付加物の末端水酸基を硫酸エステル化又はリン酸エステル化することによって硫酸エステル化物又はリン酸エステル化物が得られる。
エステル化の方法としては、例えば（ｉ）クロロスルホン酸を用いる方法、（ｉｉ）サルファンを用いる方法、（ｉｉｉ）スルファミン酸を用いる方法、（ｉｖ）硫酸を用いる方法、（ｖ）リン酸を用いる方法等が挙げられる。（ｉｉ）のサルファンについては、乾燥窒素等で希釈して用いる。
反応温度は、（ｉ）及び（ｉｉ）の場合は、通常−１０〜７０℃、好ましくは−５〜４０℃である。（ｉｉｉ）、（ｉｖ）及び（ｖ）の場合は、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。
エステル化反応の終点は、５６１００／（エステル化合物の分子量）で表される酸価（ＡＶ）が、理論値の７０〜１１０％となる点であり、好ましくは８０〜１０５％となる点である。
【００２８】
一般式（１）においてＱ-が−ＳＯ3-の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、例えばハロゲン化アルキル又はアルキル硫酸塩と亜硫酸アルカリを反応させる方法、発煙硫酸を用いて炭化水素を直接スルホン化する方法及び紫外線照射下で炭化水素に二酸化硫黄と塩素を反応させる方法等により製造することができる。
【００２９】
一般式（１）においてＱ-が−ＣＯＯ-の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、例えば高圧分解法（８〜５０気圧）又はトイッチェル分解法（トイッチェル分解剤及び少量の硫酸を添加して脂肪酸ピッチを除去する）による天然油脂の加水分解によって製造することができる。
【００３０】
一般式（１）においてＱ-が−ＯＣＨ2ＣＯＯ-の場合、アニオン性界面活性剤（Ａ）は、例えば一般式（１）におけるＲ1に水酸基が置換した化合物又は上記の（１）で得られたＡＯ付加物とモノクロロ酢酸塩（ナトリウム塩及びカリウム塩等）とをアルカリ（水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）の存在下でカルボキシメチル化することにより製造できる。
【００３１】
本発明におけるアルケン（Ｂ）としては、炭素数６〜１８のアルケンが挙げられる。
【００３２】
炭素数６〜１８のアルケンとしては、炭素数６〜１８の直鎖又は分岐のアルケンが挙げられ、具体的には、１−ヘキセン、２−ヘプテン、３−オクテン、４-ノネン、５−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー等が挙げられる。
【００３３】
一般式（２）におけるＲ3は有機物汚れ除去性能の観点から水素又は炭素数６〜８の炭化水素基が好ましい。
炭素数６〜８の炭化水素基としては、前記一般式（１）におけるＲ1として例示した炭化水素基のうちの炭素数６〜８の炭化水素基が挙げられる。
【００３４】
一般式（２）におけるＡ2は炭素数２〜４のアルキレン基（エチレン基、１，２−又は１，３−プロピレン基及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレン基等）であって、経時安定性及び低起泡性の観点から好ましいのはエチレン基及び１，２−プロピレン基であり、Ａ2は１種のアルキレン基の単独使用又は２種以上のアルキレン基の併用であってもよい。
（Ａ2Ｏ）は、一般式（１）における（Ａ1Ｏ）と同様に形成されるため、その付加モル数は分布を有している。従ってｃは平均値で表され、通常０〜２０であり、経時安定性の観点から好ましくは０〜１０である。
【００３５】
一般式（２）におけるｄは１〜６の整数であって、洗浄後のリンス性の観点から、好ましくは１〜３、更に好ましくは１である。
【００３６】
一般式（２）で示される有機溶剤の具体例としては、２−エチルヘキサノール、ヘキシルカルビトール等が挙げられる。
【００３７】
有機溶剤（Ｂ）の内、パーティクル除去性の観点から好ましいものは、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、イソブチレントリマー、プロピ
レンテトラマー、プロピレンペンタマー、２−エチルヘキサノール、ヘキシルカルビトールであり、更に好ましいものは１−ドデセン、イソブチレントリマー、プロピレンテトラマー、プロピレンペンタマー、ヘキシルカルビトールである。
【００３８】
炭素数６〜１８のアルケン（Ｂ）及び一般式（２）で示される有機溶剤（Ｄ）の内の１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
有機溶剤（Ｄ）のＳＰ値は、通常６〜１３であり、好ましくは７〜１２、更に好ましくは８〜１１である。ＳＰ値が６未満又は１３を超えると有機汚れ除去性が悪くなる。
尚、ＳＰ値は、「Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．２，ｐ１４７〜１５４（１９７４）」に記載のＦｅｄｏｒｓ法によって計算される値である。
【００４０】
アルカリ成分（Ｃ）としては、アンモニア、ヒドロキシルアミン、第４級アンモニウムハイドロキサイド（Ｃ−１）、炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｃ−２）、無機アルカリ（Ｃ−３）、炭素数１〜２３のアルカノールアミン（Ｃ−４）、炭素数４〜１０のアミジン化合物（Ｃ−５）及びこれらの混合物が挙げられる。
【００４１】
（Ｃ−１）としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。
【００４２】
（Ｃ−２）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するカチオン成分の記載において例示した炭素数１〜３６の脂肪族アミンと同様のものが挙げられる。
【００４３】
（Ｃ−３）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム及び水酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００４４】
（Ｃ−４）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するカチオン成分の記載において例示した炭素数１〜２３のアルカノールアミンと同様のものが挙げられる。
【００４５】
（Ｃ−５）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ａ）を構成するカチオン成分の記載において例示した炭素数４〜１０のアミジン化合物と同様のものが挙げられる。
【００４６】
（Ｃ）の内、エッチング性及び洗浄後の水の接触角（リンス性）の観点から、（Ｃ−２）、（Ｃ−３）、（Ｃ−４）、（Ｃ−５）及びこれらの混合物が好ましく、更に好ましいのは水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ＤＢＵ、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミンエチレンオキサイド（２モル）付加物、シクロヘキシルアミンプロピレンオキサイド（２モル）付加物、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンエチレンオキサイド（５モル）付加物、トリエタノールアミンプロピレンオキサイド（５モル）付加物、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンエチレンオキサイド（３モル）付加物、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンエチレンオキサイド（３モル）付加物及びこれらの混合物である。
【００４７】
本発明の電子材料用洗浄剤は、更に以下の高分子型分散剤（Ｄ）及びキレート剤（Ｅ）からなる群から選ばれる１種以上を含有することができる。
【００４８】
本発明の電子材料用洗浄剤は、高分子型分散剤（Ｄ）を含有することにより、パーティクルの分散性及び再汚染防止性が更に向上する。
【００４９】
（Ｄ）としては、重量平均分子量（以下、Ｍwと略記）が２，５００〜８００，０００であるスルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−２）、リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−３）、ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−４）、カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−５）並びに多糖類及びその誘導体（Ｄ−６）等が挙げらる。
（Ｄ）の具体例としては以下のものが挙げられる。
【００５０】
スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−１）：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ［２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸］、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５１】
硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−２）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル］、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］の硫酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩；
【００５２】
リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−３）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル］、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のリン酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等並びにこれらの塩；
【００５３】
ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−４）：
ポリ［（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸］、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５４】
カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−５）：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５５】
多糖類及びその誘導体（Ｄ−６）：
ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等、ポバール並びにリン酸エステル［フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸及びトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等］等；
等が挙げられる。
【００５６】
（Ｄ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、例えばアルカリ金属塩（ナトリウム塩及びカリウム塩等）、アンモニウム塩、１級アミン塩（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）、２級アミン塩（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）、３級アミン塩（トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮ並びにＤＡＢＣＯ等）並びに第４級アンモニウム塩（テトラアルキルアンモニウム塩等）が挙げられる。
【００５７】
（Ｄ）の内、パーティクルの分散性の観点から（Ｄ−１）及び（Ｄ−５）が好ましく、更に好ましいのは、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体並びにこれらの塩、特に好ましいのは、ポリ（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体並びにこれらの塩である。
【００５８】
（Ｄ）Ｍｗは、パーティクルの再付着防止性及び低起泡性の観点等から、３，０００〜４００，０００が好ましく、更にに好ましくは４，０００〜８０，０００、特に好ましくは５，０００〜４０，０００である。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキシドを基準物質として４０℃で測定される［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー株式会社社製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
【００５９】
本発明の電子材料用洗浄剤は、キレート剤（Ｅ）を含有することにより、基板のエッチング性を更にコントロールしやすくなり、パーティクルの分散安定性も更に向上する。
【００６０】
（Ｅ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｅ−１）［例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）（ＴＴＨＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸（塩）（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）］；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｅ−２）［例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）］；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｅ−３）［例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート]；
その他カルボン酸（塩）（Ｅ−４）［例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）］；
ホスホン酸（塩）（Ｅ−５）［例えば、メタンジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）］；
縮合リン酸（塩）（Ｅ−６）［例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）］；
等が挙げられる。
尚、（Ｅ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述の高分子型分散剤（Ｄ）で例示したものが挙げられる。またこれらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６１】
（Ｅ）の内で基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能の観点から好ましいのは、（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｅ−４）、（Ｅ−５）及び（Ｅ−６）であり、更に好ましいのは（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｅ−５）及び（Ｅ−６）、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、クエン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、とりわけ好ましいのはクエン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００６２】
尚、本願発明のアニオン性界面活性剤（Ａ）の内のシクロカルボン酸（塩）［例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）］もキレート剤としての効果を有する。
【００６３】
本発明の電子材料用洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更にその他の添加剤（Ｆ）を含有してもよい。（Ｆ）としては、還元剤、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
【００６４】
還元剤としては、炭素数６〜７０のレダクトン類［例えば、Ｌ−アスコルビン酸（塩）、イソアスコルビン酸（塩）、５，６−アルキリデン−Ｌ−アスコルビン酸｛５，６−イソプロピリデン−Ｌ−アスコルビン酸、５，６−（ブタン−２−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸及び５，６−（ペンタン−３−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸等｝（塩）、Ｌ−アスコルビン酸−６−カルボン酸エステル（Ｌ−アスコルビン酸−６−酢酸エステル及びＬ−アスコルビン酸−６−プロパン酸エステル等）（塩）、アスコルビン酸硫酸エステル（塩）、アスコルビン酸リン酸エステル（塩）、アスコルビン酸グルコシド（塩）、アスコルビン酸イソパルミチン酸エステル（塩）、エリソルビン酸（塩）、エリソルビン酸リン酸エステル（塩）、エリソルビン酸パルミチン酸エステル（塩）及びテトライソパルミチン酸エリソビル（塩）］；炭素数６〜９の芳香族アミン（ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等）；炭素数６〜３０のフェノール化合物［一価フェノール化合物｛３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール）等｝及びポリフェノール（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等）等］；リン系還元剤 （トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）；アルデヒド（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド等）；ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）；チオール系還元剤（Ｌ−システイン及びアミノエタンチオール等）；ヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）；無機還元剤［亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、ジチオン酸（塩）、ポリチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）、次亜リン酸（塩）、硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム及び水酸化ホウ素ナトリウム等］；等が挙げられる。
【００６５】
還元剤が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述の高分子型分散剤（Ｄ）で例示したものと同様のものが使用できる。還元剤は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。尚、前述のアルカリ成分（Ｃ）として例示した（Ｃ−２）、（Ｃ−４）及び（Ｃ−５）も還元剤としての効果を有する。
【００６６】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等）、アミン系酸化防止剤（モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等）、硫黄系化合物［フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等］並びにリン系酸化防止剤［ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等］等が挙げられる。
【００６７】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等）、有機酸（クエン酸、シュウ酸及び乳酸等）並びに上記で例示したアルカリ成分（Ｃ）等が挙げられ、これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６９】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する炭素数１〜１０の有機酸（酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等）、無機酸（リン酸及びホウ酸等）及びこれらの塩が挙げられる。尚、緩衝剤が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述の高分子型分散剤（Ｄ）で例示したものと同様のものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７０】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤（ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等）等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
防腐剤としては、トリアジン誘導体［ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等］、イソチアゾリン誘導体（１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン及び５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等）、ピリジン誘導体［ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等］、モルホリン誘導体［４−（２−ニトロブチル）モルホリン及び４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等］、ベンズイミダゾール誘導体［２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等］、ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート及び２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７２】
ハイドロトロープ剤としては、レゾルシン及びサリチル酸（塩）等が挙げられる。尚、ハイドロトロープ剤が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述の（Ｄ）で例示したものと同様のものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。尚、アニオン性界面活性剤（Ａ）として例示したトルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）、クメンスルホン酸（塩）及び安息香酸（塩）もハイドロトロープ剤としての効果を有する。
【００７３】
本発明の電子材料用洗浄剤は、上述の通り、アニオン性界面活性剤（Ａ）、アルケン（Ｂ）並びに必要により、アルカリ成分（Ｃ）、高分子型分散剤（Ｄ）、キレート剤（Ｅ）及びその他の添加剤（Ｆ）を含有するが、更に水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・cm以上）を含有してもよい。
本発明において有効成分とは水以外の成分を言う。
【００７４】
（Ａ）の含有量は、パーティクル除去性及び低起泡性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０．５〜８０％、更に好ましくは１〜７０％、特に好ましくは２〜６０％、最も好ましくは５〜５０％である。
【００７５】
（Ｂ）の含有量は、パーティクル除去性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８０％、特に好ましくは５〜７０％、最も好ましくは１０〜６０％である。
【００７６】
（Ｃ）の含有量は、エッチング性及びリンス性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは１〜５５％、更に好ましくは２〜５０％、特に好ましくは５〜４５％、最も好ましくは１０〜４０％である。
【００７７】
（Ｄ）の含有量は、パーティクルの分散性及び再汚染防止性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０〜２５％、更に好ましくは０．１〜２０％、特に好ましくは０．５〜１５％、最も好ましくは１〜１０％である。
【００７８】
（Ｅ）の含有量は、基板のエッチング性コントロール及び分散安定性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０〜１０％、更に好ましくは０．０１〜７％、特に好ましくは０．０５〜５％、最も好ましくは０．１〜３％である。
【００７９】
（Ｆ）におけるそれぞれの添加剤の含有量は、還元剤、酸化防止剤、防錆剤、緩衝剤及びハイドロトロープ剤が、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは０〜２０％、更に好ましくは０．１〜１５％、特に好ましくは０．５〜１０％、最も好ましくは１〜５％である。また消泡剤の含有量は、好ましくは０〜２％、更に好ましくは０．０１〜１．５％、特に好ましくは０．０２〜１％、最も好ましくは０．０５〜０．５％である。
（Ｆ）の合計の含有量は、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０〜２５％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１５％、最も好ましくは２〜１０％である。
【００８０】
尚、上記の任意成分（Ｄ）〜（Ｆ）の間で、組成が同一で重複する場合の含有量は、それぞれの任意成分の含有量を単純に合計したものではなく、それぞれ他の任意成分としての効果も同時に奏することを考慮して、使用目的に応じて調整する。
【００８１】
本発明の電子材料用洗浄剤の有効成分濃度は、運搬効率の観点からは、１〜１００％であることが好ましく、更に好ましくは２〜９０％、特に好ましくは５〜７０％、最も好ましくは１０〜５０％である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．１〜１５％、特に０．５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
上記水で希釈した場合で、有機溶剤（Ｂ）として炭素数６〜１８のアルケンを使用するときは、洗浄剤中で前記アルケンが分散状態で存在することが、有機物汚れに対する除去性の観点から好ましい。
【００８２】
本発明の電子材料用洗浄剤を水で希釈した場合の有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃での洗浄剤のｐＨは、エッチング性及びリンス性の観点から、通常１０〜１４、好ましくは、１１〜１３である。
尚、本発明におけるｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定される。
また、この場合の洗浄剤のガラスに対する接触角は、基板への濡れ広がり性の観点から１０°以下が好ましく、更に好ましくは８°以下、特に好ましくは５°以下、最も好ましくは１°以下である。
本発明において接触角は、ガラスに対して接触角計により測定される［装置本体：ＰＤ−Ｗ（協和界面化学社製）、ガラス板：ガラス板＃１７３７（コーニング社製）、検出条件：自動検出、測定条件：着滴から１０秒後の接触角を測定］。
【００８３】
本発明の電子材料用洗浄剤は、例えばアニオン性界面活性剤（Ａ）、アルケン（Ｂ）、アルカリ成分（Ｃ）並びに必要により任意成分（Ｄ）〜（Ｆ）及び水を１０〜４０℃で３０〜３００分混合溶解させることにより製造できる。
混合溶解用の装置は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置が使用できる。
【００８４】
電子材料用洗浄剤を水で希釈する方法は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置等を用いて、電子材料用洗浄剤と水とを１０〜４０℃で３０〜３００分間混合溶解する方法が挙げられる。
【００８５】
本発明の電子材料の洗浄方法は、上記の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する方法である。
洗浄温度は、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜６０℃、特に好ましくは２０〜５０℃である。
【００８６】
本発明の洗浄方法で洗浄した後のガラス表面の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは１．０ｎｍ以下、更に好ましくは０．７５ｎｍ、特に好ましくは０．５ｎｍ以下である。Ｒａが１．０ｎｍ以下であると、その後の工程においてスパッタ等により膜を形成する場合に均一な膜が形成できるため、歩留まり率が向上する。
尚、Ｒａは、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、Ｅ−ｓｗｅｅｐを用いて下記の条件により測定される。
測定モード    ：ＤＦＭ（タッピングモード）
スキャンエリア：１０μｍ×１０μｍ
走査線数      ：２５６本（Ｙ方向スキャン）
補正          ：Ｘ，Ｙ方向のフラット補正あり
【００８７】
本発明における電子材料用洗浄剤を用いて洗浄したガラスに対する水の接触角は、好ましくは２０°以下であり、更に好ましくは１５°以下である。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。尚、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００８９】
[製造例１] 
攪拌装置及び温度制御装置付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２５６部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸２２９部を３時間かけて滴下し、硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液２５２部及びイオン交換水５８３部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和して、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１）１２４８部を得た。
【００９０】
[製造例２]
攪拌装置及び温度制御装置付きのガラス製反応装置にｎ−ブタノール１４８部を仕込み、攪拌下で７０℃に温調し、系内温度を７０℃に保ちながらリン酸９８部を２時間かけて滴下後、更に７０℃で４時間攪拌を継続してリン酸エステルを得た。更に、系内を３０℃まで冷却し、３０％水酸化ナトリウム水溶液１３３部及びイオン交換水２０１部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）５８０部を得た。
【００９１】
[製造例３] 
２−エチルヘキサノールを３，７−ジメチル−１−オクタノールに、クロロスルホン酸の部数を１８９部に、４８％水酸化カリウム水溶液２５３部をＤＢＵ２７１部に、イオン交換水の部数を９１２部に代える以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−３）１５６８部を得た。
【００９２】
[製造例４]
２−エチルヘキサン酸１４４部及びイオン交換水３９５部をビーカーに仕込み、２０℃で１５分攪拌して均一混合した後、Ｎ−メチルジエタノールアミン１１９部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−４）６５８部を得た。
【００９３】
[製造例５]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに１−オクタノール１３０部及び２８％ナトリウムメチラートメタノール溶液８部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、その後減圧下（ゲージ圧：−０．００２５ＭＰａ）、１２０℃、２時間で脱メタノールを行った後、次いで減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）、反応温度１２０℃でエチレンオキサイド８８部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させて１−オクタノールのエチレンオキサイド２モル付加物２１８部を得た。攪拌及び温度制御装置付のガラス製反応装置に上記１−オクタノールのエチレンオキサイド２モル付加物１６４部、モノクロロ酢酸ナトリウム９６部及びトルエン２００部を仕込み、温度を５０℃に保ちながら徐々に減圧度を高め−０．０１ＭＰａとした後、減圧脱水しながら顆粒状の水酸化ナトリウム３８部を２時間かけて仕込み、更に熟成を６時間行った後、イオン交換水３００部を加え、塩酸で酸性にして、静置、分液による脱塩を行った後、脱トルエンを行い、構造式がＣ8Ｈ17Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2ＣＨ2ＣＯＯＨで表されるエーテルカルボン酸を得た。攪拌及び温度制御装置付のガラス製反応装置に水３２３部を仕込み、顆粒状の水酸化ナトリウム３０部を徐々に加えて溶解し、６０℃で上記のエーテルカルボン酸２０８部を加え、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−５）５６１部を得た。
【００９４】
[製造例６] 
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに２−エチルヘキサノール１１３部及び水酸化カリウム３部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度１２０℃でエチレンオキサイド３８４部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させて２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物４９７部を得た。
２−エチルヘキサノール２５６部を上記２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物４９７部に、クロロスルホン酸の部数を１０２部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を１１２部に、イオン交換水の部数を８３３部に代える以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−６）１５１２部を得た。
【００９５】
[製造例７]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブにシクロヘキシルアミン２９７部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度１００℃でエチレンオキサイド２６４部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させてシクロヘキシルアミンエチレンオキサイド（２モル）付加物５６１部を得た。
【００９６】
[実施例１〜２５及び比較例１〜５]
表１及び表２に記載の各成分を、表１及び表２に記載の配合部数で、ビーカーを用いて２０℃で均一混合して実施例１〜２５及び比較例１〜５の洗浄剤を作製した。但し、表１及び表２に記載の（Ａ）〜（Ｆ）の部数は有効成分の部数であり、超純水の部数は（Ａ−１）〜（Ａ−６）及び後述の（Ｄ）のＰＡＮａ中の水を含む。
尚、表１及び表２中の成分の略号は下記の通りである。
・ＭｅＸＳＮａ：メタキシレンスルホン酸ナトリウム塩（北星興業株式会社製）
・ＳＤＳ：ラウリル硫酸ナトリウム塩（ナカライテスク株式会社製：比較用のアニオン界面活性剤）
・ＰＥＬＳＮａ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム塩（サンデットＥＮ、三洋化成工業株式会社製：比較用のアニオン界面活性剤）
・Ｄ２ｅｈＮａ：スルホコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナトリウム塩（東京化成工業株式会社製：比較用のアニオン界面活性剤）
・ＨＣ：ヘキシルカルビトール（ＳＰ値１０．２）
・ＰＰ−１５：プロピレンペンタマー（ＳＰ値７．６）
・ＴＥＧ−Ｍ：トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＳＰ値１０．８）
・ＦＡ：ホルムアミド（ＳＰ値１９．２：比較用の溶剤）
・ＫＯＨ：水酸化カリウム
・ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]−７−ウンデセン［サンアプロ株式会社製］
・ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
・ＣＨＮＥＧ：上記製造例７で得られたシクロヘキシルアミンエチレンオキサイド（２モル）付加物
・ＰＡＮａ：ポリアクリル酸ナトリウム塩[キャリボンＬ−４００、４３％水溶液、三洋化成工業株式会社製］
・ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸
・Ｃｙｓ：Ｌ−システイン
【００９７】
実施例１〜２５及び比較例１〜５の洗浄剤を用いて、ｐＨ、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、エッチング性、洗浄後の水の接触角、洗浄剤の接触角、表面粗さ、起泡性及び経時安定性を測定又は評価した結果を表３及び表４に示す。
【００９８】
尚、ｐＨ、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、エッチング性、洗浄後の水の接触角、洗浄剤の接触角、表面粗さ、起泡性及び経時安定性の測定又は評価は以下の方法で行った。
【００９９】
＜ｐＨの測定＞
ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定した。
【０１００】
＜洗浄性−１＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）にモデル汚染物質としてｎ−トリアコンタン（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを７０℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１分間融着させることにより、汚染基板を作製した。洗浄剤１０００ｇを２０００ｍｌのガラス製ビーカーに採り、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価点に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【０１０１】
＜洗浄性−２＞
モデル汚染物質としてジオクチルフタレート（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを塗布した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０２】
＜洗浄性評価−３＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）上にガラス板を切断（破断）した際のガラス粉５ｍｇを散布し、１０５℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１時間加熱して、汚染基板を作製した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０３】
＜洗浄性−４＞
研磨剤としての市販のコロイダルシリカスラリー（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０４】
＜洗浄性評価−５＞
研磨剤としての市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０５】
＜エッチング性評価＞
５０ｍｌのポリプロピレン製容器に洗浄剤１０ｇを採り、５０℃に温調した後、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７）を縦２ｃｍ×横２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、５０℃で２４時間浸漬・静置後、洗浄剤を採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄剤中のＳｉ含量を測定した。尚、予め試験前の洗浄剤についても同様にＳｉ含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したＳｉ含量（ｐｐｂ）を求めた。この溶出したＳｉ含量が多いほど、エッチング性が高い。
【０１０６】
＜洗浄後の水の接触角＞
上記洗浄性−１を評価した直後の基板を全自動接触角計［協和界面科学株式会社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
【０１０７】
＜洗浄剤の接触角＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を超純水で十分にリンスした後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した直後の基板を全自動接触角計［協和界面科学株式会社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、洗浄剤に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
【０１０８】
＜表面粗さ＞
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄剤を１０ｇ採り、５０℃に温調した後、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７）を縦２ｃｍ×横２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、５０℃で５時間浸漬・静置後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄剤を除去した後、２５℃で、窒素でブローして基板を乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定した。Ｒａが小さいほど表面平坦性に優れる。
【０１０９】
＜起泡性＞
１００ｍｌのガラス製有栓メスシリンダー（ＪＩＳ  Ｒ３５０４「化学用体積計ガラス素材」の有栓メスシリンダーとして寸法が規定されたもの）に洗浄剤２０ｍｌを入れ、恒温水槽中で２５℃に温調した後、有栓メスシリンダーの蓋を閉め、３０秒間で６０回上下に激しく振とうし、振とう直後と１分後の泡の量（ｍｌ）を測定した。振とう直後の泡の量が少ないほど起泡性が低く、１分後の泡の量が少ないほど消泡性が高い。
【０１１０】
＜経時安定性＞
５０ｍｌのガラス容器に洗浄剤４５ｍｌを採り、５℃及び５０℃の条件下で６ヶ月静置保存し、下記の評価点に従い、経時安定性を評価した。
◎：５℃、５０℃いずれも外観変化なし。
○：５℃又は５０℃のいずれかでわずかに分離するが、軽く振ると均一になる。
△：５℃又は５０℃いずれかでかなり分離するが、軽く振ると均一になる。
×：５℃、５０℃いずれも分離し、軽く振っても均一にならない。
【０１１１】
【表１】
0005155121.tif 000004
【０１１２】
【表１】
0005155121.tif 000005
【０１１３】
【表３】
0005155121.tif 000006
【０１１４】
【表２】
0005155121.tif 000007
【０１１５】
表３及び表４に記載の結果から、本発明の電子材料用洗浄剤は基板表面の平坦性を損ねることなく、適度にコントロールされたエッチング性を有し、有機物汚れ、ガラスカレット及び研磨剤等のパーティクルの除去性及び再汚染防止性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明の電子材料用洗浄剤は、油分、人体からの汚れ（指紋等）、樹脂、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物並びに無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉及び金属粉等）等を洗浄対象とする洗浄に好適に用いられる。
従って、本発明の電子材料用洗浄剤は、各種の電子材料［例えばフラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機ＥＬ用基板等）、フォトマスク用基板、ハードディスク用基板（アルミ基板、ＮｉＰ基板、ガラス基板、磁気ディスク及び磁気ヘッド等）、半導体用基板（半導体素子及びシリコンウェハ等）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ、太陽電池用基板及び水晶振動子］の製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。
また、本発明の電子材料の洗浄方法は、特に電子材料が、フラットパネルディスプレイ用基板、フォトマスク用基板、ハードディスク用基板又は半導体用基板である場合に好適である。