(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザインターフェイス装置と、パーティクル発生要因判別装置とを備え、パーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別システムであって、
前記パーティクル発生要因判別装置は、複数のパーティクル発生要因の各々についての可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを格納する格納部と、前記格納されたプログラムに基づいて少なくとも基板の表面におけるパーティクル分布から前記点数を各前記パーティクル発生要因について算出する算出部とを有し、
前記ユーザインターフェイス装置は各前記パーティクル発生要因について算出された前記点数を表示し、
前記複数のパーティクル発生要因は、前記基板の周縁部における局所的な接触、前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ、前記基板を囲む部材からの発塵、ガス穴転写、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、析出ゴミ、水−ハロゲン系ガスの反応、及び前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とするパーティクル発生要因判別システム。
【請求項２】
前記算出部は、さらに前記パーティクルの材質、形状及びサイズの少なくとも１つから前記点数を算出することを特徴とする請求項１及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項３】
前記算出部は、前記格納されたプログラムに基づき、前記基板処理システムの種類に応じて前記点数を算出するか否かを判別することを特徴とする請求項１、２及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項４】
前記格納部は、新規のパーティクル発生要因の可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを格納することができることを特徴とする請求項１乃至３及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項５】
前記基板の周縁部における局所的な接触の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板における他の部材と接触する部分の表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項６】
前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ又は前記基板を囲む部材からの発塵の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の周縁部表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項７】
前記ガス穴転写の可能性を点数で算出する算出方法では、基板処理システムが備えるプロセスモジュールにおいて処理ガスを供給するシャワーヘッドの複数のガス穴の配置位置と、前記基板の表面におけるパーティクル分布位置とのずれに基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項８】
前記ＣＯＰの可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の中心部表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項９】
前記析出ゴミの可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の中心部表面において分布する前記パーティクルの数及び前記基板の周縁部表面において分布する前記パーティクルの数に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項１０】
前記水−ハロゲン系ガスの反応の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の表面における前記パーティクルの二次曲線状分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項１１】
前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の表面における前記パーティクルの螺旋状分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項１２】
前記ユーザインターフェイス装置は前記基板の表面におけるパーティクル分布を表示し、さらに、前記パーティクル分布において各前記パーティクル発生要因に関連する前記パーティクルを、他の前記パーティクル発生要因に関連する前記パーティクルとは色、形、大きさ、明るさや表示形式（点滅、不点滅）を変えて表示することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項１３】
前記ユーザインターフェイス装置は各前記パーティクル発生要因について対策方法を表示することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システム。
【請求項１４】
パーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別方法であって、
複数のパーティクル発生要因の各々についての可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを読み出す読み出しステップと、
前記読み出されたプログラムに基づいて少なくとも基板の表面におけるパーティクル分布から前記点数を各前記パーティクル発生要因について算出する算出ステップと、
各前記パーティクル発生要因について算出された前記点数を表示する表示ステップとを有し、
前記複数のパーティクル発生要因は、前記基板の周縁部における局所的な接触、前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ、前記基板を囲む部材からの発塵、ガス穴転写、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、析出ゴミ、水−ハロゲン系ガスの反応、及び前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とするパーティクル発生要因判別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーティクル発生要因判別システム及びパーティクル発生要因判別方法に関し、特に、基板に所定の処理を施す基板処理システムにおいて発生したパーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、基板処理システムは、プラズマを用いて基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）にプラズマ処理を施すプロセスモジュールと、該プロセスモジュール及びウエハを収容する容器であるフープの間においてウエハを搬送するトランスファモジュールやローダーモジュールとを備える。この基板処理システムでは、ウエハにプラズマ処理を施す際やウエハを搬送する際にパーティクルが付着することがある。付着したパーティクルはウエハから製造される半導体デバイスの欠陥の原因となるため、ウエハにパーティクルが付着するのを防止する必要がある。
【０００３】
パーティクルは、ウエハと構成部品の機械的な接触や、処理ガスと他の物質との化学的な反応等の様々な要因で発生するが、基板処理システムでは、多数のウエハにプラズマ処理を施して大量の半導体デバイスを量産するため、パーティクルの発生要因が解消されないと半導体デバイスの歩留まりが極度に低下する。したがって、基板処理システムにおいて、パーティクルの発生要因を判別し、該発生要因を根絶することが非常に重要である。
【０００４】
そこで、従来より、ウエハに付着したパーティクルを詳細に検査して検査結果からパーティクルの発生要因を判別する方法が種々提案されている。具体的には、ウエハにおけるパーティクルの分布状況を異物マップとして入手し、該異物マップにおけるパーティクルを自動的に分類することによってパーティクルの発生要因の判別を容易化する方法が提唱されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−１８９８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した方法が実行されて異物マップにおいてパーティクルの分類結果が示されても、該分類結果からパーティクルの発生要因を判別するには、パーティクルの発生要因に精通する技術者、例えば、基板処理システムを製造した製造業者の技術者の知識が必要である。
【０００６】
また、基板処理システムは該基板処理システムの製造業者の工場ではなく該基板処理システムを購入した顧客の工場に設置されるため、基板処理システムの近傍に製造業者の技術者が常に待機している訳ではない。したがって、ウエハにパーティクルが付着するようになっても、最初にパーティクルの発生要因を判別するのは顧客の技術者である。
【０００７】
通常、該顧客の技術者はパーティクルの発生要因に関する詳細な知識を殆ど有していないことが多いため、例え、パーティクルの分類結果を示されても、パーティクルの発生要因を正確に判別することができないという問題がある。そのために、製造業者の技術者が顧客の工場に着くまで基板処理システムが停止され、該基板処理システムの稼働率が低下する等の不都合が生じている。
【０００８】
本発明の目的は、パーティクルの発生要因に関する知識を殆ど有していない者であってもパーティクルの発生要因を正確に判別することができるパーティクル発生要因判別システム及びパーティクル発生要因判別方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムは、ユーザインターフェイス装置と、パーティクル発生要因判別装置とを備え、パーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別システムであって、前記パーティクル発生要因判別装置は、複数のパーティクル発生要因の各々についての可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを格納する格納部と、前記格納されたプログラムに基づいて少なくとも基板の表面におけるパーティクル分布から前記点数を各前記パーティクル発生要因について算出する算出部とを有し、前記ユーザインターフェイス装置は各前記パーティクル発生要因について算出された前記点数を表示し、前記複数のパーティクル発生要因は、前記基板の周縁部における局所的な接触、前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ、前記基板を囲む部材からの発塵、ガス穴転写、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、析出ゴミ、水−ハロゲン系ガスの反応、及び前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記算出部は、さらに前記パーティクルの材質、形状及びサイズの少なくとも１つから前記点数を算出することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１、２及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記算出部は、前記格納されたプログラムに基づき、前記基板処理システムの種類に応じて前記点数を算出するか否かを判別することを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１乃至３及び５乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記格納部は、新規のパーティクル発生要因の可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを格納することができることを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記基板の周縁部における局所的な接触の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板における他の部材と接触する部分の表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ又は前記基板を囲む部材からの発塵の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の周縁部表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記ガス穴転写の可能性を点数で算出する算出方法では、基板処理システムが備えるプロセスモジュールにおいて処理ガスを供給するシャワーヘッドの複数のガス穴の配置位置と、前記基板の表面におけるパーティクル分布位置とのずれに基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記ＣＯＰの可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の中心部表面におけるパーティクル分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記析出ゴミの可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の中心部表面において分布する前記パーティクルの数及び前記基板の周縁部表面において分布する前記パーティクルの数に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００１９】
請求項１０記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記水−ハロゲン系ガスの反応の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の表面における前記パーティクルの二次曲線状分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００２０】
請求項１１記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の可能性を点数で算出する算出方法では、前記基板の表面における前記パーティクルの螺旋状分布に基づいて前記点数を算出することを特徴とする。
【００２１】
請求項１２記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記ユーザインターフェイス装置は前記基板の表面におけるパーティクル分布を表示し、さらに、前記パーティクル分布において各前記パーティクル発生要因に関連する前記パーティクルを、他の前記パーティクル発生要因に関連する前記パーティクルとは色、形、大きさ、明るさや表示形式（点滅、不点滅）を変えて表示することを特徴とする。
【００２２】
請求項１３記載のパーティクル発生要因判別システムは、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のパーティクル発生要因判別システムにおいて、前記ユーザインターフェイス装置は各前記パーティクル発生要因について対策方法を表示することを特徴とする。
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項１４記載のパーティクル発生要因判別方法は、パーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別方法であって、複数のパーティクル発生要因の各々についての可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを読み出す読み出しステップと、前記読み出されたプログラムに基づいて少なくとも基板の表面におけるパーティクル分布から前記点数を各前記パーティクル発生要因について算出する算出ステップと、各前記パーティクル発生要因について算出された前記点数を表示する表示ステップとを有し、前記複数のパーティクル発生要因は、前記基板の周縁部における局所的な接触、前記基板及び該基板を囲む部材のこすれ、前記基板を囲む部材からの発塵、ガス穴転写、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、析出ゴミ、水−ハロゲン系ガスの反応、及び前記基板の回転機構を有する測定器における発塵の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１記載のパーティクル発生要因判別システム及び請求項１４記載のパーティクル発生要因判別方法によれば、複数のパーティクル発生要因の各々についての可能性を点数で算出する算出方法のプログラムに基づいて少なくとも基板の表面におけるパーティクル分布から点数が各パーティクル発生要因について算出され、該算出された点数が表示され、複数のパーティクル発生要因は、基板の周縁部における局所的な接触、基板及び該基板を囲む部材のこすれ、基板を囲む部材からの発塵、ガス穴転写、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、析出ゴミ、水−ハロゲン系ガスの反応、及び基板の回転機構を有する測定器における発塵の少なくともいずれか１つを含むので、パーティクルの発生要因に関する知識を殆ど有していない者であっても、表示された点数を参照することによって具体的なパーティクルの発生要因を正確に判別することができる。
【００２６】
請求項２記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、さらにパーティクルの材質、形状及びサイズの少なくとも１つから点数が算出されるので、各パーティクル発生要因の可能性の点数をさらに正確に算出することができる。
【００２７】
請求項３記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、各格納されたプログラムに基づき、基板処理システムの種類に応じて各パーティクル発生要因の可能性の点数が算出されるか否かが判別されるので、あり得ないパーティクル発生要因について可能性の点数が算出されることはなく、これにより、パーティクルの発生要因を正確に判別することができる。
【００２８】
請求項４記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、新規のパーティクル発生要因の可能性を点数で算出する算出方法のプログラムを格納することができるので、最新のパーティクルの発生要因に関する情報に基づいてパーティクルの発生要因を判別することができる。
【００２９】
請求項５記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板における他の部材と接触する部分の表面におけるパーティクル分布に基づいて点数が算出される。基板の周縁部における局所的な接触によって発生するパーティクルは基板における他の部材、例えば、テーパパッドと接触する部分に主として付着する。したがって、基板の周縁部における局所的な接触がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３０】
請求項６記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板の周縁部表面におけるパーティクル分布に基づいて点数が算出される。基板及び該基板を囲む部材のこすれ又は基板を囲む部材からの発塵によって発生するパーティクルは基板の周縁部に主として付着する。したがって、基板及び該基板を囲む部材のこすれ又は基板を囲む部材からの発塵がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３１】
請求項７記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、シャワーヘッドの複数のガス穴の配置位置と、基板の表面におけるパーティクル分布位置とのずれに基づいて点数が算出される。ガス穴転写によって発生するパーティクルはシャワーヘッドの複数のガス穴の配置位置に対応するように基板に付着する。したがって、ガス穴転写がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３２】
請求項８記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板の中心部表面におけるパーティクル分布に基づいて点数が算出される。ＣＯＰに起因するパーティクルは基板の中心部に主として発生する。したがって、ＣＯＰがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３３】
請求項９記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板の中心部表面において分布するパーティクルの数及び基板の周縁部表面において分布するパーティクルの数に基づいて点数が算出される。析出ゴミは基板の特定の位置に付着せず、基板の中心部及び周縁部に満遍なく付着する。したがって、析出ゴミがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３４】
請求項１０記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板の表面におけるパーティクルの二次曲線状分布に基づいて点数が算出される。水−ハロゲン系ガスの反応によって発生するパーティクルは基板へ二次曲線状に付着する。したがって、水−ハロゲン系ガスの反応がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３５】
請求項１１記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、基板の表面におけるパーティクルの螺旋状分布に基づいて点数が算出される。基板の回転機構を有する測定器、例えば、メトロロジーユニットでは基板の測定中、該基板が回転するため、メトロロジーユニットにおいて発塵したパーティクルは螺旋状に付着する。したがって、基板の回転機構を有する測定器における発塵がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００３６】
請求項１２記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、パーティクル分布において各パーティクル発生要因に関連するパーティクルが、他のパーティクル発生要因に関連するパーティクルとは色、形、大きさ、明るさや表示形式（点滅、不点滅）を変えて表示されるので、算出された点数の確かさを目視で確認することができる。
【００３７】
請求項１３記載のパーティクル発生要因判別システムによれば、各パーティクル発生要因について対策方法が表示されるので、直ちに対策を行うことができ、これにより、基板処理システムが停止する時間を短縮することができ、もって、基板処理システムの稼働率が低下するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３９】
図１は、本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別システムによって発生要因が判別されるパーティクルが付着した基板を処理した基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【００４０】
図１において、基板処理システム１０は、平面視六角形のトランスファモジュール１１と、該トランスファモジュール１１の周囲において放射状に配置された４つのプロセスモジュール１２〜１５と、矩形状の共通搬送室としてのローダーモジュール１６とを備える。
【００４１】
各プロセスモジュール１２〜１５は、半導体デバイス用の基板（以下、「ウエハ」という。）Ｗに所定の処理を施す基板処理装置である。例えば、プロセスモジュール１２はウエハＷにプラズマを用いてエッチング処理を施すエッチング処理装置である。
【００４２】
基板処理システム１０では、トランスファモジュール１１及び各プロセスモジュール１２〜１５は内部の圧力が真空に維持され、ローダーモジュール１６の内部圧力が大気圧に維持される。
【００４３】
トランスファモジュール１１はその内部に屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの基板搬送ユニット１７を有し、基板搬送ユニット１７は、水平方向に伸縮自在且つ回転自在なアーム１８と、該アーム１８の先端部に接続されてウエハＷを支持する二股状の搬送フォーク１９とを有する。基板搬送ユニット１７は、各プロセスモジュール１２〜１５の間においてウエハＷを搬送する。また、搬送フォーク１９は支持するウエハＷの周縁に当接し、該ウエハＷを安定させる突起状の複数のテーパパッド２０（他の部材）を有する。
【００４４】
ローダーモジュール１６には、２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）２１がそれぞれ載置される３つのフープ載置台２２と、フープ２１から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ２３と、エッチング処理が施されたウエハＷの表面を測定するメトロロジーユニット２４（測定器）とが接続されている。該メトロロジーユニット２４はウエハＷを載置する回転台２５（回転機構）と、該回転台２５に載置されたウエハＷの表面を操作するスキャナ（図示しない）とを有する。ローダーモジュール１６は、内部に配置され且つウエハＷを搬送する基板搬送ユニット２６を有し、該基板搬送ユニット２６によってウエハＷを所望の位置に搬送する。
【００４５】
図２は、図１におけるプロセスモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【００４６】
図２において、プロセスモジュール１２は、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容するチャンバ２７を有し、該チャンバ２７内にはウエハＷを載置する円柱状のサセプタ２８が配置されている。また、チャンバ２７には排気管２９が接続されている。
【００４７】
排気管２９にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）（ともに図示しない）が接続され、これらのポンプはチャンバ２７内を真空引きして減圧する。
【００４８】
チャンバ２７内のサセプタ２８には下部高周波電源３０が接続されており、該下部高周波電源３０は所定の高周波電力をサセプタ２８に供給する。サセプタ２８の上部には、静電電極板３１を内部に有する台状の静電チャック３２が配置されている。静電チャック３２では、静電電極板３１に直流電源３３が電気的に接続されている。静電電極板３１に正の直流電圧が印加されると、クーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハＷが静電チャック３２の上面に吸着保持される。
【００４９】
また、静電チャック３２には、吸着保持されたウエハＷを囲うように、円環状のフォーカスリング３４（基板を囲む部材）が載置される。フォーカスリング３４は、導電性部材、例えば、シリコンからなり、チャンバ２７内のプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、エッチング処理の効率を向上させる。
【００５０】
チャンバ２７の天井部には、サセプタ２８と対向するようにシャワーヘッド３５が配置されている。シャワーヘッド３５には上部高周波電源３６が接続されており、上部高周波電源３６は所定の高周波電力をシャワーヘッド３５に供給する。シャワーヘッド３５は、多数のガス穴３７を有する円板状の天井電極板３８と、該天井電極板３８を釣支するクーリングプレート３９と、該クーリングプレート３９を覆う蓋体４０とを有する。また、該クーリングプレート３９の内部にはバッファ室４１が設けられ、このバッファ室４１には処理ガス導入管４２が接続されている。シャワーヘッド３５は、処理ガス導入管４２からバッファ室４１へ供給された処理ガス、例えば、ＣＦ系ガスを含む混合ガスを、ガス穴３７を介してチャンバ２７内へ供給する。天井電極板３８では、チャンバ２７内へ面する下面において多数のガス穴３７が規則的に、例えば、放射状若しくは同心円状に配置されている。
【００５１】
このプロセスモジュール１２では、処理ガスをチャンバ２７内へ供給するとともに、サセプタ２８やシャワーヘッド３５によってチャンバ２７内へ高周波電圧を印加して処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施す。
【００５２】
次に、本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別システムについて説明する。
【００５３】
図３は、本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別システムの構成を概略的に示す図である。
【００５４】
図３において、パーティクル発生要因判別システム４３は、ウエハＷの表面を撮影し、又はウエハＷの表面からの反射光を受光してウエハＷ表面の画像データ（図４（Ａ））を取り込むウエハ表面検査装置４４と、走査型分析電子顕微鏡４５（ＳＥＭ−ＥＤＸ）を有し、ウエハＷの表面における各パーティクルの大きさや形状（図４（Ｂ））をＳＥＭ画像データとして取得し、さらに該パーティクルの材質を分析するパーティクル材質分析装置４６と、ユーザインターフェイス装置としてのクライアントＰＣ４７と、パーティクル発生要因判別装置としてのホストサーバ４８と、ウエハ表面検査装置４４、パーティクル材質分析装置４６、クライアントＰＣ４７及びホストサーバ４８を互いに通信可能に接続するケーブル４９とを備える。
【００５５】
クライアントＰＣ４７は、顧客の技術者の入力を受け付けるキーボード５０と、後述する各パーティクル発生要因に関する確度を表示するディスプレイ５１とを有する。ホストサーバ４８は、メモリ（格納部）及びＣＰＵ（算出部）（いずれも図示しない）を有する。
【００５６】
ホストサーバ４８のメモリは、ウエハＷの表面にパーティクルが付着した場合、そのパーティクルはどのパーティクル発生要因によって発生したのかについての確からしさ（可能性）の点数（以下、「確度」という。）を算出する確度算出方法のプログラムを、後述する複数のパーティクル発生要因に関して格納する。また、該メモリは各パーティクル発生要因によって発生するパーティクルの代表的な材質（ナトリウム、硫黄、アルミ、弗素、炭素等）、形状（球状度、房状度、フィルム度、針状度、四角錐度、ウォーターマーク度、花びら度、フレーク度等）及びサイズのデータを予め格納している。
【００５７】
ホストサーバ４８のＣＰＵは、ウエハ表面検査装置４４から送信されたウエハＷ表面の画像データを、ウエハＷの諸元値（ウエハＷの外周円や内周円の大きさ）に基づいて２値変換等により、ウエハＷの表面におけるパーティクルの分布状況を示すデータであるパーティクルマップに変換し、さらに、メモリから各パーティクル発生要因に関する確度算出方法のプログラムを読み出し、パーティクルマップやパーティクル材質分析装置４６から送信された各パーティクルの材質、形状及びサイズのデータから、読み出した確度算出方法のプログラムに基づいて各パーティクル発生要因に関する確度を算出する。このとき、本実施の形態では、直径３００ｍｍのウエハＷ表面の画像データが直径６００ｍｍのパーティクルマップに変換される。
【００５８】
本実施の形態では、ホストサーバ４８のメモリが、テーパパッドとの接触（基板の周縁部における局所的な接触）、フォーカスリングとのこすれ（基板及び該基板を囲む部材のこすれ）、フォーカスリングの肩やられ（Attacked Shoulder）（基板を囲む部材からの発塵）、ガス穴転写、周縁偏り、ＣＯＰ、析出ゴミ、水−ＣＦ系ガスの反応（水−ハロゲン系ガスの反応）、及びメトロロジーユニットにおける発塵（基板の回転機構を有する測定器における発塵）のそれぞれに対応する確度算出方法のプログラムを格納する。各パーティクル発生要因については後述する。なお、該メモリは上述した全ての確度算出方法のプログラムを格納する必要はなく、また、上述した確度算出方法のプログラムの他の確度算出方法のプログラムを格納してもよい。さらに、メモリは、確度算出方法のプログラムの削除、追加が自在であり、例えば、新しいパーティクル発生要因が発見されたときには、該パーティクル発生要因に対応する新規の確度算出方法のプログラムを追加可能である。該新規の確度算出方法のプログラムは記憶媒体やネットワークを介してメモリに供給される。
【００５９】
なお、パーティクル発生要因判別システム４３は、ウエハ表面検査装置４４及びパーティクル材質分析装置４６を備えなくてもよい。この場合、パーティクルマップや各パーティクルの材質、形状及びサイズのデータはクライアントＰＣ４７を介して入力される。
【００６０】
図５は、本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別方法としてのパーティクル発生要因判別処理を示すフローチャートである。本処理は、クライアントＰＣ４７を介した顧客の技術者の入力に応じてホストサーバ４８のＣＰＵが実行する。
【００６１】
図５において、まず、ウエハ表面検査装置４４から送信されたウエハＷ表面の画像データを変換してパーティクルマップを取得し（ステップＳ５０１）、顧客の技術者がクライアントＰＣ４７で入力した基板処理システム１０やプロセスモジュール１２の名称を該クライアントＰＣ４７から取得し（ステップＳ５０２）、さらに、パーティクル材質分析装置４６から各パーティクルの材質、形状及びサイズのデータを取得する（ステップＳ５０３）。
【００６２】
次いで、メモリからパーティクル発生要因としてのテーパパッドとの接触に関する確度算出方法のプログラムを読み出し、パーティクルマップや各パーティクルの材質、形状及びサイズのデータから、読み出されたテーパパッドとの接触に関する確度算出方法のプログラムに基づいてテーパパッドとの接触に関する確度を算出する（ステップＳ５０４）。以下、同様に、フォーカスリングとのこすれに関する確度を算出し（ステップＳ５０５）、フォーカスリングの肩やられに関する確度を算出し（ステップＳ５０６）、ガス穴転写に関する確度を算出し（ステップＳ５０７）、周縁偏りに関する確度を算出し（ステップＳ５０８）、ＣＯＰに関する確度を算出し（ステップＳ５０９）、析出ゴミに関する確度を算出し（ステップＳ５１０）、水−ＣＦ系ガスの反応に関する確度を算出し（ステップＳ５１１）、及びメトロロジーユニットにおける発塵に関する確度を算出する（ステップＳ５１２）。
【００６３】
次いで、算出された各パーティクル発生要因に関する確度をディスプレイ５１に表示し（ステップＳ５１３）、その後、本処理を終了する。
【００６４】
図６は、図５のステップＳ５１３におけるクライアントＰＣのディスプレイの表示内容を示す図である。
【００６５】
図６において、ディスプレイ５１は、各パーティクル発生要因に関する確度を示す確度リスト５２と、パーティクルマップ５３とを表示する。確度リスト５２では、確度の高い順にパーティクル発生要因が並べられ、各パーティクル発生要因についてその確度が表示される。パーティクルマップ５３はウエハＷの表面における所定の大きさ以上の全てのパーティクルの分布状況を示すが、確度リスト５２における或るパーティクル発生要因をポインティングデバイス等によって指し示すと、パーティクルマップ５３において、指し示されたパーティクル発生要因に関連するパーティクルが、他のパーティクル発生要因に関連するパーティクルと色、形、大きさ、明るさや表示形式（点滅、不点滅）等が変更されて表示される。
【００６６】
また、確度リスト５２における或るパーティクル発生要因をポインティングデバイス等によってダブルクリックして選択すると、該選択されたパーティクル発生要因についての対策方法(例えば、フォーカスリング３４の交換やシャワーヘッド３５のクリーニング)がテキストで表示される。
【００６７】
図６の処理によれば、複数のパーティクル発生要因の各々に関する確度が表示されるので、顧客の技術者であっても、表示された確度を参照することによってパーティクルの発生要因を正確に判別することができる。
【００６８】
また、図６の処理では、パーティクルマップや各パーティクルの材質、形状及びサイズに基づいて確度が算出されるので、各パーティクル発生要因に関する確度をさらに正確に算出することができる。なお、パーティクルマップ、並びに各パーティクルの材質、形状及びサイズの全てに基づいて各パーティクル発生要因に関する確度を算出する必要はなく、パーティクルマップ、並びに各パーティクルの材質、形状及びサイズのいずれかのデータが欠けている場合、欠けていないデータのみに基づいて各パーティクル発生要因に関する確度を算出してもよい。
【００６９】
上述したパーティクル発生要因判別システム４３では、ホストサーバ４８のメモリが新しいパーティクル発生要因に対応する新規の確度算出方法のプログラムを格納することができるので、顧客の技術者は最新のパーティクルの発生要因に関する情報に基づいてパーティクルの発生要因を判別することができる。
【００７０】
また、クライアントＰＣ４７のディスプレイ５１では、パーティクルマップ５３において各パーティクル発生要因に関連するパーティクルが、他のパーティクル発生要因に関連するパーティクルとは色、形、大きさ、明るさや表示形式（点滅、不点滅）等が変更されて表示されるので、算出された各パーティクル発生要因に関連する確度の確かさを目視で確認することができる。
【００７１】
さらに、クライアントＰＣ４７のディスプレイ５１では、選択されたパーティクル発生要因について対策方法が表示されるので、直ちに対策を行うことができ、これにより、基板処理システム１０が停止する時間を短縮することができ、もって、基板処理システム１０の稼働率が低下するのを防止することができる。
【００７２】
上述したパーティクル発生要因判別システム４３では、クライアントＰＣ４７とホストサーバ４８が別体で構成されたが、クライアントＰＣ及びホストサーバを一体化してもよく、さらに、一体化されたクライアントＰＣ及びホストサーバを基板処理システム１０に付してもよい。
【００７３】
次に、図５のステップＳ５０４〜Ｓ５１２における確度算出について詳述する。
【００７４】
図７は、図５のステップＳ５０４における、テーパパッドとの接触に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。テーパパッド２０及びウエハＷの接触によって発生するパーティクルはウエハＷにおけるテーパパッド２０と接触する部位に主として付着する。したがって、図７の処理では、ウエハＷにおけるテーパパッド２０と接触する部位のパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出される。
【００７５】
図７において、まず、基板処理システム１０やプロセスモジュール１２の種類によって搬送フォーク１９の形状や該搬送フォーク１９上のテーパパッド２０の配置位置、数が異なるため、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてテーパパッド２０のタイプ（配置位置、数）を特定する（ステップＳ７０１）。
【００７６】
次いで、特定されたテーパパッド２０の配置位置や数からウエハＷにおけるテーパパッド２０との接触部位を特定し、パーティクルマップにおいて該特定された接触部位に対応する領域をテーパパッド対応領域５４として設定し、該テーパパッド対応領域５４にパーティクルが存在するか否かを判別する（ステップＳ７０２）。
【００７７】
テーパパッド対応領域５４は、図８（Ａ）において斜線部で示すように、各テーパパッド２０との接触部位からパーティクルマップの中心を回転中心とする場合の回転角度で±５°、パーティクルマップの周縁から内側へ３０ｍｍに亘る領域である。なお、図８（Ａ）は搬送フォーク１９が８つのテーパパッド２０を有する場合に該当する。
【００７８】
ステップＳ７０２の判別の結果、テーパパッド対応領域５４にパーティクルが存在する場合、パーティクルマップからテーパパッド対応領域内割合、テーパパッド周辺領域内割合、及びテーパパッド対応領域内集中度を算出する。テーパパッド周辺領域５５は、各テーパパッド対応領域５４を囲う領域であり、各テーパパッド２０との接触部位からパーティクルマップの中心を回転中心とする場合の回転角度で±１０°、パーティクルマップの周縁から内側へ５０ｍｍに亘る領域であって、該領域からテーパパッド対応領域５４を除外した領域である（図８（Ｂ））。
【００７９】
テーパパッド対応領域内割合、テーパパッド周辺領域内割合、及びテーパパッド対応領域内集中度はそれぞれ下記式で示される。
テーパパッド対応領域内割合  ＝  テーパパッド対応領域５４内におけるパーティクル分布密度／パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ〜３００ｍｍの間（外側）におけるパーティクル分布密度
テーパパッド周辺領域内割合  ＝  テーパパッド周辺領域５５内におけるパーティクル分布密度／パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ〜３００ｍｍの間（外側）におけるパーティクル分布密度
テーパパッド対応領域内集中度  ＝  テーパパッド対応領域５４内のパーティクル数／（テーパパッド対応領域５４内のパーティクル数＋テーパパッド周辺領域５５内のパーティクル数）×１００
さらに、確度を下記式から算出し（ステップＳ７０３）、ステップＳ７０５に進む。
確度  ＝  テーパパッド対応領域内割合＋テーパパッド周辺領域内割合×テーパパッド対応領域内集中度
続くステップＳ７０５では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、該確度にパーティクルの材質、形状及びサイズから算出された確度を加算し（ステップＳ７０６）、本処理を終了する。
【００８０】
ステップＳ７０６では、メモリに格納された、テーパパッドとの接触によって発生するパーティクルの代表的な材質、形状及びサイズのデータと、パーティクル材質分析装置４６から取得した各パーティクルの材質、形状及びサイズのデータとを比較する。材質の類似度や形状及びサイズの一致度がある閾値以上であれば、テーパパッドとの接触がパーティクル発生要因である可能性が高いとし、確度として５を算出する。なお、確度は材質、形状及びサイズのそれぞれについて算出される。
【００８１】
ステップＳ７０２の判別の結果、テーパパッド対応領域５４にパーティクルが存在しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ７０４）、本処理を終了する。
【００８２】
図７の処理によれば、ウエハＷにおけるテーパパッド２０と接触する部位のパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出されるので、パーティクルがテーパパッド２０及びウエハＷの接触によって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、テーパパッドとの接触がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００８３】
図９は、図５のステップＳ５０５における、フォーカスリングとのこすれに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。フォーカスリング３４及びウエハＷのこすれによって発生するパーティクルは、ウエハＷの周縁部に主として付着する。また、こすれとはウエハＷがフォーカスリング３４と局所的に接触する現象であるため、パーティクルはウエハＷの周縁部において局所的且つ比較的内側に分布する。したがって、図９の処理では、ウエハＷの周縁部におけるパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出される。
【００８４】
基板処理システム１０やプロセスモジュール１２の種類によってフォーカスリング３４の種類が異なり、基板処理システム１０の種類によってはフォーカスリング３４及びウエハＷのこすれが発生しないことがある。そこで、図９において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてフォーカスリングとのこすれがパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ９０１）。
【００８５】
ステップＳ９０１の判別の結果、フォーカスリングとのこすれがパーティクル発生要因に該当する場合、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下であるか否かを判別する（ステップＳ９０２）。
【００８６】
ステップＳ９０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ９０３）、ステップＳ９０５に進む。
確度  ＝  安定度×１００
ここで、安定度は下記式から算出される。
安定度  ＝  ベクトル平均／スカラー平均
但し、ベクトル平均は、パーティクルマップの中心を原点とした場合のパーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域に存在する全てのパーティクルの位置ベクトルのｘ成分及びｙ成分をそれぞれの平均した平均ｘ成分及び平均ｙ成分に対応するポイントの座標の原点からの距離であり、スカラー平均は、パーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域に存在する全てのパーティクルのパーティクルマップの中心からの距離の平均値である。
【００８７】
ステップＳ９０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ９０４）、ステップＳ９０５に進む。
確度  ＝  テーパパッド対応領域を除外した場合の安定度×１００
テーパパッド対応領域を除外した場合の安定度は、パーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域であって、テーパパッド対応領域が除外された領域に存在する全てのパーティクルに関する安定度である。この安定度も上記式から算出される。
【００８８】
次いで、ウエハＷの周縁部におけるピークの数が１か否かを判別する（ステップＳ９０５）。ここでは、パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ以上の領域を週方向に１０等分した場合（図１０（Ａ））における各領域（１，２，３．．．）に存在するパーティクルの数をグラフ（図１０（Ｂ））にプロットしたとき、該グラフにおいて、或る領域のパーティクルの数と、隣接する他の領域のパーティクルの数との差が全領域におけるパーティクルの数の標準偏差より大きい場合、当該或る領域を上記ピークとする（図１０（Ｂ）では領域９がピークに該当する。）。  
【００８９】
ステップＳ９０５の判別の結果、ピークの数が１である場合、確度に２０を加算して（ステップＳ９０６）ステップＳ９０７に進み、ピークの数が１でない場合はそのままステップＳ９０７に進む。
【００９０】
次いで、エッジ領域の角度が４５°以下であるか否かを判別し（ステップＳ９０７）、エッジ領域の角度が４５°以下である場合、ステップＳ９１１に進み、エッジ領域の角度が４５°より大きい場合、ステップＳ９０８に進む。
【００９１】
ここで、エッジ領域は、図１０（Ｂ）におけるピーク（領域９）を挟む２つの谷（領域７，領域４）に挟まれた領域のうち、該領域に存在する全パーティクルの９０％以上が分布する領域（図１０（Ｃ）における濃色部分が該当する。）である。
【００９２】
続く、ステップＳ９０８では、エッジ領域の角度が９０°以下であるか否かを判別し、エッジ領域の角度が９０°以下である場合、さらに、パーティクルマップの中心からパーティクルマップにおける半径２００ｍｍ以上の領域に存在する全パーティクルまでの距離の平均（以下、「パーティクル平均距離」という。）が２７０ｍｍより小さいか否かを判別し（ステップＳ９０９）、パーティクル平均距離が２７０ｍｍよりも小さい場合、ステップＳ９１１に進む。
【００９３】
ステップＳ９０８の判別の結果、エッジ領域の角度が９０°より大きい場合、及びステップＳ９０９の判別の結果、パーティクル平均距離が２７０ｍｍ以上である場合、確度を３で除算し（ステップＳ９１０）、ステップＳ９１１に進む。
【００９４】
続くステップＳ９１１では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ９１３）、本処理を終了する。
【００９５】
また、ステップＳ９０１の判別の結果、フォーカスリングとのこすれがパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ９１２）、本処理を終了する。
【００９６】
図９の処理によれば、ウエハＷの周縁部におけるパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出されるので、パーティクルがフォーカスリング３４及びウエハＷとのこすれによって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、フォーカスリングとのこすれがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【００９７】
図１１は、図５のステップＳ５０６における、フォーカスリングの肩やられに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。ウエハＷによるフォーカスリング３４の肩やられによって発生するパーティクルは、ウエハＷの周縁部に主として付着する。また、肩やられとはプラズマ中のイオン等によってフォーカスリングの肩部がスパッタリングにより削れる現象であるため、パーティクルはウエハＷの周縁部において広範囲且つ比較的外側に分布する。したがって、図１１の処理では、ウエハＷの周縁部におけるパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出される。
【００９８】
ここで、基板処理システム１０の種類によってはウエハＷによるフォーカスリング３４の肩やられが発生しないことがある。そこで、図１１において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてフォーカスリングの肩やられがパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１１０１）。
【００９９】
ステップＳ１１０１の判別の結果、フォーカスリングの肩やられがパーティクル発生要因に該当する場合、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下であるか否かを判別する（ステップＳ１１０２）。
【０１００】
ステップＳ１１０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１１０３）、ステップＳ１１０５に進む。ここでの安定度は、図９の処理における安定度と同じである。
確度  ＝  安定度×１００
ステップＳ１１０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１１０４）、ステップＳ１１０５に進む。
確度  ＝  テーパパッド対応領域を除外した場合の安定度×１００
ここでのテーパパッド対応領域を除外した場合の安定度も、図９の処理におけるテーパパッド対応領域を除外した場合の安定度と同じである。
【０１０１】
次いで、ウエハＷの周縁部におけるピークの数が１か否かを判別する（ステップＳ１１０５）。ここでのピークも図９の処理におけるピークと同じである。
【０１０２】
ステップＳ１１０５の判別の結果、ピークの数が１である場合、確度に２０を加算して（ステップＳ１１０６）ステップＳ１１０７に進み、ピークの数が１でない場合はそのままステップＳ１１０７に進む。
【０１０３】
次いで、エッジ領域の角度が９０°以上であるか否かを判別し（ステップＳ１１０７）、エッジ領域の角度が９０°以上である場合、ステップＳ１１１１に進み、エッジ領域の角度が９０°より小さい場合、ステップＳ１１０８に進む。ここでのエッジ領域も図９の処理におけるエッジ領域と同じである。
【０１０４】
続く、ステップＳ１１０８では、エッジ領域の角度が４５°以上であるか否かを判別し、エッジ領域の角度が４５°以上である場合、さらに、上述したパーティクル平均距離が２７０ｍｍ以上であるか否かを判別し（ステップＳ１１０９）、パーティクル平均距離が２７０ｍｍ以上である場合、ステップＳ１１１１に進む。
【０１０５】
ステップＳ１１０８の判別の結果、エッジ領域の角度が４５°より小さい場合、及びステップＳ１１０９の判別の結果、パーティクル平均距離が２７０ｍｍより小さいである場合、確度を３で除算し（ステップＳ１１１０）、ステップＳ１１１１に進む。
【０１０６】
続くステップＳ１１１１では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１１１３）、本処理を終了する。
【０１０７】
また、ステップＳ１１０１の判別の結果、フォーカスリングの肩やられがパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１１１２）、本処理を終了する。
【０１０８】
図１１の処理によれば、ウエハＷの周縁部におけるパーティクルの分布密度に基づいて確度が算出されるので、パーティクルがウエハＷによるフォーカスリング３４の肩やられによって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、フォーカスリングの肩やられがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１０９】
図１２は、図５のステップＳ５０７における、ガス穴転写に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。ガス穴転写とは、チャンバ１１内の上部で発生したパーティクルがシャワーヘッド３５の各ガス穴３７から噴出される処理ガスの粘性流によってウエハＷの表面まで運ばれ、該パーティクルがウエハＷの表面に付着する現象である。そのため、ガス穴転写によって発生するパーティクルは、シャワーヘッド３５における複数のガス穴３７の配置位置に対応するように、例えば、放射状や同心円状にウエハＷへ付着する。したがって、図１２の処理では、シャワーヘッド３５の複数のガス穴３７の配置位置と、ウエハＷの表面におけるパーティクル分布位置とのずれに基づいて確度が算出される。
【０１１０】
ここで、基板処理システム１０の種類によってはガス穴転写が発生しないことがある。そこで、図１２において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてガス穴転写がパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１２０１）。
【０１１１】
ステップＳ１２０１の判別の結果、ガス穴転写がパーティクル発生要因に該当する場合、さらに、基板処理システム１０等の名称に基づいてシャワーヘッド３５における複数のガス穴３７の配置位置が放射状か同心円状かを判別する（ステップＳ１２０２）。
【０１１２】
ステップＳ１２０２の判別の結果、複数のガス穴３７の配置位置が放射状である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１２０３）、ステップＳ１２０５に進む。
確度  ＝  ガス穴格子ラインへのパーティクル集中度×（パーティクル数／１００００）
ここで、ガス穴格子ラインへのパーティクル集中度は下記式から算出される。
ガス穴格子ラインへのパーティクル集中度  ＝  ２５００−（（ガス穴格子ラインからの距離）２の標準偏差）
ここで、ガス穴格子ラインからの距離とは、パーティクルマップに一辺が２０ｍｍ〜４０ｍｍのいずれかの大きさのメッシュからなる格子を重ね、該格子をずらしたときの各メッシュにおける該メッシュに含まれる各パーティクルから当該メッシュの各辺（ライン）までの距離の平均値の最小値である。なお、各パーティクルからメッシュの各辺までの距離は、該メッシュの各辺の長さを１００としたときの相対値である。
【０１１３】
ステップＳ１２０２の判別の結果、複数のガス穴３７の配置位置が同心円状である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１２０４）、ステップＳ１２０５に進む。
確度  ＝  パーティクルマップの周縁部における所定周波数成分の割合×１０
ここで、パーティクルマップの周縁部における所定周波数成分の割合とは、パーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域を、該パーティクルマップの中心を回転中心として１°毎に分割した各領域（図１３）に含まれるパーティクルの数からなる数列からバンドパスフィルタによって得た１３０〜１５０周波数の成分の割合である。
【０１１４】
続くステップＳ１２０５では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１２０７）、本処理を終了する。
【０１１５】
また、ステップＳ１２０１の判別の結果、ガス穴転写がパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１２０６）、本処理を終了する。
【０１１６】
図１２の処理によれば、シャワーヘッド３５の複数のガス穴３７の配置位置と、ウエハＷの表面におけるパーティクル分布位置とのずれに基づいて確度が算出されるので、パーティクルがガス穴転写によって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、ガス穴転写がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１１７】
図１４は、図５のステップＳ５０８における、周縁偏りに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。周縁偏りとは、パーティクルがウエハＷの周縁部に数多く分布する状況である。したがって、図１４の処理では、ウエハＷの周縁部に存在するパーティクルの割合に基づいて確度が算出される。
【０１１８】
ここで、基板処理システム１０の種類によっては周縁偏りが発生しないことがある。そこで、図１４において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいて周縁偏りがパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１４０１）。
【０１１９】
ステップＳ１４０１の判別の結果、周縁偏りがパーティクル発生要因に該当する場合、さらに、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きいか否か、又はフォーカスリングとのこすれに関する確度が５０より大きいか否かを判別する（ステップＳ１４０２）。
【０１２０】
ステップＳ１４０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下であり、且つフォーカスリングとのこすれに関する確度が５０以下である場合、図１０（Ａ）のテーパパッド対応領域を除外することなく、下記式から外側パーティクルの割合を算出する（ステップＳ１４０３）。
外側パーティクルの割合  ＝  パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ以上の領域における単位面積あたりのパーティクル数／パーティクルマップの全領域における単位面積あたりのパーティクル数×１００
次いで、外側パーティクルの割合が５０より大きいか否かを判別し（ステップＳ１４０４）、外側パーティクルの割合が５０より大きい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１４０５）、ステップＳ１４０７に進む。
確度  ＝  （外側パーティクルの割合−５０）×１．５＋２５
ステップＳ１４０４の判別の結果、外側パーティクルの割合が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１４０６）、ステップＳ１４０７に進む。
確度  ＝  外側パーティクルの割合／２
次いで、パーティクル分布の均一性が０．２以上であるか否かを判別する（ステップＳ１４０７）。ここで、パーティクル分布の均一性とは、パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ以上の領域を円周方向に６等分した場合（図１５）の各領域が含むパーティクル数の最小値を各領域が含むパーティクル数の最大値で除算したものである。
【０１２１】
ステップＳ１４０７の判別の結果、パーティクル分布の均一性が０．２以上である場合、そのままステップＳ１４１５に進み、パーティクル分布の均一性が０．２より小さい場合、確度を２で除算し（ステップＳ１４０８）、ステップＳ１４１５に進む。
【０１２２】
ステップＳ１４０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きく、又はフォーカスリングとのこすれに関する確度が５０より大きい場合、図１０（Ａ）のテーパパッド対応領域を除外して、外側パーティクルの割合を算出する（ステップＳ１４０９）。
【０１２３】
次いで、外側パーティクルの割合が５０より大きいか否かを判別し（ステップＳ１４１０）、外側パーティクルの割合が５０より大きい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１４１１）、ステップＳ１４１３に進む。
確度  ＝  （外側パーティクルの割合−５０）×１．５＋２５
ステップＳ１４１０の判別の結果、外側パーティクルの割合が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１４１２）、ステップＳ１４１３に進む。
確度  ＝  外側パーティクルの割合／２
次いで、パーティクル分布の均一性が０．１以上であるか否かを判別する（ステップＳ１４１３）。
【０１２４】
ステップＳ１４１３の判別の結果、パーティクル分布の均一性が０．１以上である場合、そのままステップＳ１４１５に進み、パーティクル分布の均一性が０．１より小さい場合、確度を２で除算し（ステップＳ１４１４）、ステップＳ１４１５に進む。
【０１２５】
続くステップＳ１４１５では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１４１７）、本処理を終了する。
【０１２６】
また、ステップＳ１４０１の判別の結果、周縁偏りがパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１４１６）、本処理を終了する。
【０１２７】
図１４の処理によれば、ウエハＷの周縁部に存在するパーティクルの割合（外側パーティクルの割合）に基づいて確度が算出されるので、パーティクルが周縁偏りによって発生したか否かの確度を正確に算出することができる。
【０１２８】
図１６は、図５のステップＳ５０９における、ＣＯＰに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。ＣＯＰとは、ウエハＷの結晶欠陥から生じるパーティクルであり、ウエハＷの外部から付着するパーティクルではない。また、結晶欠陥はウエハを切り出すシリコンのインゴットを製造する際に該インゴットの中心部に多く生じ、その結果、ウエハＷの中心においてＣＯＰに起因するパーティクルが発生しやすい。したがって、図１６の処理では、ウエハＷの中心部表面におけるパーティクル分布密度に基づいて確度が算出される。
【０１２９】
ここで、ウエハの種類によってはＣＯＰが発生しないことがある。そして、用いるウエハは基板処理システム１０の種類によってほぼ決まる。そこで、図１６において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてＣＯＰがパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１６０１）。
【０１３０】
ステップＳ１６０１の判別の結果、ＣＯＰがパーティクル発生要因に該当する場合、さらに、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きいか否か、又は周縁偏りに関する確度が５０より大きいか否かを判別する（ステップＳ１６０２）。
【０１３１】
ステップＳ１６０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下であり、且つ周縁偏りに関する確度が５０以下である場合、図１０（Ａ）のテーパパッド対応領域を除外することなく、下記式から内側パーティクルの割合を算出する（ステップＳ１６０３）。
内側パーティクルの割合  ＝  パーティクルマップにおける半径２００ｍｍ以下の領域における単位面積あたりのパーティクル数／パーティクルマップの全領域における単位面積あたりのパーティクル数×１００
ステップＳ１６０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０より大きく、又は周縁偏りに関する確度が５０より大きい場合、図１０（Ａ）のテーパパッド対応領域を除外して内側パーティクルの割合を算出する（ステップＳ１６０４）。
【０１３２】
次いで、内側パーティクルの割合が５０より大きいか否かを判別し（ステップＳ１６０５）、内側パーティクルの割合が５０より大きい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１６０６）、ステップＳ１６０８に進む。
確度  ＝  （内側パーティクルの割合−５０）×１．５＋２５
ステップＳ１６０５の判別の結果、内側パーティクルの割合が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１６０７）、ステップＳ１６０８に進む。
確度  ＝  内側パーティクルの割合／２
次いで、パーティクル分布密度がパーティクルマップの中心部ほど高いか否かを判別する（ステップＳ１６０８）。具体的には、図１７に示すように、パーティクルマップにおいて半径３０ｍｍ未満の領域（領域Ａ）、半径３０ｍｍ以上且つ１００ｍｍ未満の領域（領域Ｂ）、及び半径２００ｍｍ以上の領域（領域Ｃ）のそれぞれにおける単位面積あたりのパーティクル数を算出し、単位面積あたりのパーティクル数が領域Ａ≧領域Ｂ≧領域Ｃを満たすか否かを判別する。
【０１３３】
ステップＳ１６０８の判別の結果、パーティクル分布密度がパーティクルマップの中心部ほど高い場合、確度に３０を加算し（ステップＳ１６０９）、パーティクル分布密度がパーティクルマップの中心部ほど高くはなっていない場合、確度から３０だけ減算する（ステップＳ１６１０）。
【０１３４】
次いで、パーティクル分布の均一性が０．１より大きいか否かを判別する（ステップＳ１６１１）。ここでのパーティクル分布の均一性は、図１４の処理におけるパーティクル分布の均一性と同じである。
【０１３５】
ステップＳ１６１１の判別の結果、パーティクル分布の均一性が０．１より大きい場合、そのままステップＳ１６１３に進み、パーティクル分布の均一性が０．１以下の場合、確度を２で除算し（ステップＳ１６１２）、ステップＳ１６１３に進む。
【０１３６】
続くステップＳ１６１３では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１６１５）、本処理を終了する。
【０１３７】
また、ステップＳ１６０１の判別の結果、ＣＯＰがパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１６１４）、本処理を終了する。
【０１３８】
図１６の処理によれば、ウエハＷの中心部表面におけるパーティクル分布密度に基づいて確度が算出されるので、パーティクルがＣＯＰによって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、ＣＯＰがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１３９】
図１８は、図５のステップＳ５１０における、析出ゴミに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。析出ゴミとは、ウエハＷの表面上に析出した微小なゴミであり、該ゴミはウエハＷが大気中に放置されると成長してパーティクルとなる。また、ウエハＷの表面において微小なゴミはウエハＷの表面の全面亘ってランダム的に析出する。したがって、図１８の処理では、ウエハＷの表面におけるパーティクルの全体的な分布状態、具体的には、内側パーティクルの割合及び外側パーティクルの割合に基づいて確度が算出される。
【０１４０】
ここで、基板処理システム１０の種類によっては析出ゴミが発生しないことがある。そこで、図１８において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいて析出ゴミがパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１８０１）。
【０１４１】
ステップＳ１８０１の判別の結果、析出ゴミがパーティクル発生要因に該当する場合、内側パーティクルの割合及び外側パーティクルの割合を算出する（ステップＳ１８０２）。ここでの内側パーティクルの割合及び外側パーティクルの割合は、図１４及び図１６の処理における内側パーティクルの割合及び外側パーティクルの割合と同じである。
【０１４２】
次いで、確度を下記式から算出する（ステップＳ１８０３）。
確度  ＝  １００−ＡＢＳ（外側パーティクルの割合−内側パーティクルの割合）×２
ここで、ＡＢＳは絶対値を示す。
【０１４３】
次いで、ガス穴転写に関する確度が５０より小さいか否かを判別し（ステップＳ１８０４）、ガス穴転写に関する確度が５０より小さい場合は、さらに、周縁偏りに関する確度が５０より小さいか否かを判別し（ステップＳ１８０５）、周縁偏りに関する確度が５０より小さい場合、そのままステップＳ１８０７に進む。
【０１４４】
ステップＳ１８０４の判別の結果、ガス穴転写に関する確度が５０以上である場合、及びステップＳ１８０５の判別の結果、周縁偏りに関する確度が５０以上である場合、確度を２で除算してステップＳ１８０７に進む。
【０１４５】
続くステップＳ１８０７では、算出された確度が０より大きいか否かを判別し、算出された確度が０である場合、本処理を終了し、算出された確度が０より大きい場合、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１８０９）、本処理を終了する。
【０１４６】
また、ステップＳ１８０１の判別の結果、析出ゴミがパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１８０８）、本処理を終了する。
【０１４７】
図１８の処理によれば、内側パーティクルの割合及び外側パーティクルの割合に基づいて確度が算出されるので、パーティクルが析出ゴミによって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、析出ゴミがパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１４８】
図１９は、図５のステップＳ５１１における、水−ＣＦ系ガスの反応に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。処理ガス中のＣＦ系ガスがチャンバ１１内に残留し、水分と反応すると反応生成物が生じ、該反応生成物がパーティクルとしてウエハＷの表面に付着する。このとき、付着したパーティクルはウエハＷの表面上において二次曲線状に分布する。したがって、図１９の処理では、ウエハＷの表面におけるパーティクルの二次曲線状分布に基づいて確度が算出される。
【０１４９】
ここで、基板処理システム１０の種類によっては水−ＣＦ系ガスの反応が発生しないことがある。そこで、図１９において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいて水−ＣＦ系ガスの反応がパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ１９０１）。
【０１５０】
ステップＳ１９０１の判別の結果、水−ＣＦ系ガスの反応がパーティクル発生要因に該当する場合、パーティクルマップにおいてＶ字状二次曲線を特定する（ステップＳ１９０２）。
【０１５１】
図２０は、ステップＳ１９０２におけるＶ字状二次曲線の特定について説明するための図である。
【０１５２】
図２０（Ａ）において、パーティクルマップ上に濃色で示すパーティクル群５６ａ〜５６ｅが存在している。これらのパーティクル群５６ａ〜５６ｅから、外縁部に存在しているパーティクル群（パーティクルマップにおける半径２７５ｍｍ以上の領域に存在するパーティクル群）、パーティクルマップにおける面積が所定値より小さいパーティクル群、及びパーティクルマップの中心を原点とした座標系において各パーティクル群を通過するＶ字状二次曲線を近似的に算出し、該Ｖ字状二次曲線を中心線とする幅４０ｍｍの帯に全てのパーティクルが含まれないパーティクル群を除外する。
【０１５３】
さらに、図２０（Ｂ）に示す、除外されなかったパーティクル群５６ａ，５６ｂ，５６ｃを通過するＶ字状二次曲線５７ａ，５７ｂを近似的に算出してパーティクルマップ上にプロットする。このとき、算出されるＶ字状二次曲線が接近する複数のパーティクル群同士（例えば、パーティクル群５６ａ，５６ｂ）については各パーティクル群を通過する１つのＶ字状二次曲線５７ａを算出する。
【０１５４】
次いで、確度を下記式から算出し（ステップＳ１９０３）、ステップＳ１９０４に進む。
確度  ＝  Ｖ字状二次曲線へのパーティクル集中度
ここで、Ｖ字状二次曲線へのパーティクル集中度は下記式から算出される。
Ｖ字状二次曲線へのパーティクル集中度  ＝  パーティクル群におけるＶ字状二次曲線からの距離が１５ｍｍ以内のパーティクルの数／パーティクル群におけるＶ字状二次曲線からの距離が３０ｍｍ以内のパーティクルの数×１００
次いで、確度が３０より大きく且つ７０より小さいか否かを判別し(ステップＳ１９０４)、確度が３０以下であるか、又は７０以上である場合、そのままステップＳ１９０６に進み、確度が３０より大きく且つ７０より小さい場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ１９０５）、ステップＳ１９０６に進む。
確度  ＝  Ｖ字状二次曲線におけるパーティクル占有率
ここで、Ｖ字状二次曲線におけるパーティクル占有率は、Ｖ字状二次曲線においてパーティクル群におけるパーティクルが存在する部分の長さのＶ字状二次曲線の全長に対する割合である。
【０１５５】
次いで、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ１９０６）、本処理を終了する。
【０１５６】
また、ステップＳ１９０１の判別の結果、水−ＣＦ系ガスの反応がパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ１９０７）、本処理を終了する。
【０１５７】
図１９の処理によれば、ウエハＷの表面におけるパーティクルの二次曲線状分布に基づいて確度が算出されるので、パーティクルが水−ＣＦ系ガスの反応によって発生したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、水−ＣＦ系ガスの反応がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１５８】
図２１は、図５のステップＳ５１２における、メトロロジーユニットにおける発塵に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。ウエハＷが帯電していると、メトロロジーユニット２４内において発塵して浮遊するパーティクルがウエハＷの表面に引き寄せられて付着することがある。また、メトロロジーユニット２４では、ウエハＷの表面の検査の際、ウエハＷが回転台２５に載置されて回転されるため、ウエハＷの表面に付着するパーティクルは螺旋状に分布する。したがって、図２１の処理では、ウエハＷの表面におけるパーティクルの螺旋状分布に基づいて確度が算出される。
【０１５９】
ここで、基板処理システム１０の種類によってはメトロロジーユニット２４を備えないものがある。そこで、図２１において、まず、クライアントＰＣ４７から取得した基板処理システム１０等の名称に基づいてメトロロジーユニットにおける発塵がパーティクル発生要因に該当するか否かを判別する（ステップＳ２１０１）。
【０１６０】
ステップＳ２１０１の判別の結果、メトロロジーユニットにおける発塵がパーティクル発生要因に該当する場合、パーティクルマップにおいて螺旋状分布を特定する（ステップＳ２１０２）。
【０１６１】
図２２は、ステップＳ２１０２における螺旋状分布の特定について説明するための図である。
【０１６２】
図２２（Ａ）において、パーティクルマップ上に濃色で示すパーティクルの螺旋状分布５８ａ〜５８ｃが存在している。これらの螺旋状分布５８ａ〜５８ｃから、外縁部に存在しているパーティクル（パーティクルマップにおける半径２７５ｍｍ以上の領域に存在するパーティクル）及び中心部に存在しているパーティクル（パーティクルマップにおける半径３５ｍｍ以下の領域に存在するパーティクル）を除外する。
【０１６３】
また、パーティクルマップを、格子を用いて半径方向が３ｍｍ且つパーティクルマップの中心を回転中心とする場合の回転角度が１°であるメッシュに分解し（図２２（Ａ））、各メッシュを、ｘ軸がパーティクルマップの中心からの距離であり且つｙ軸がパーティクルの中心を回転中心とする場合の回転角度である座標系（以下、「変換座標系」という。）に変換配置する（図２２（Ｂ）、但し、図中各メッシュの枠線は省略する。）。さらに、変換座標系をｘ＝３００ｍｍの線に関して対称に複写する。そして、変換座標系と複写された変換座標系を並べた座標系（以下、「拡大座標系」という。）において各螺旋状分布５８ａ〜５８ｃを通過する二次曲線５９ａ〜５９ｃを近似的に算出する。このとき、二次曲線においてパーティクルが存在するメッシュ（螺旋状分布に対応するメッシュ）が占有する長さが二次曲線の全長の５０％以下である螺旋状分布やｘ軸方向の長さが２０ｍｍ以下の螺旋状分布を拡大座標系から除去する。また、互いに近接する複数の螺旋状分布を一定の条件下で結合する。
【０１６４】
次いで、確度を下記式から算出し（ステップＳ２１０３）、ステップＳ２１０４に進む。
確度  ＝  二次曲線におけるパーティクル占有率×螺旋状分布長さ／螺旋状分布構成パーティクル数
ここで、二次曲線におけるパーティクル占有率は、拡大座標系における、二次曲線の全長に対する二次曲線においてパーティクルが存在するメッシュ（螺旋状分布に対応するメッシュ）が占有する長さの割合である。
【０１６５】
次いで、確度が０より大きいか否かを判別し（ステップＳ２１０４）、確度が０である場合、本処理を終了し、確度が０より大きい場合、拡大座標系における螺旋状分布から回帰直線を求め、該回帰直線の傾きを確度に加算する（ステップＳ２１０５）。
【０１６６】
次いで、ステップＳ７０６と同様に、確度に、パーティクルの材質、形状及びサイズから算出されたパーティクル発生要因に関する確度を加算し（ステップＳ２１０６）、本処理を終了する。
【０１６７】
また、ステップＳ２１０１の判別の結果、メトロロジーユニットにおける発塵がパーティクル発生要因に該当しない場合、確度を０に設定し（ステップＳ２１０７）、本処理を終了する。
【０１６８】
図２１の処理によれば、ウエハＷの表面におけるパーティクルの螺旋状分布に基づいて確度が算出されるので、パーティクルがメトロロジーユニットにおいて発塵したか否かの確度を正確に算出することができ、もって、メトロロジーユニットにおける発塵がパーティクルの発生要因である可能性を正確に判別することができる。
【０１６９】
また、上述した図９のフォーカスリングとのこすれに関する確度算出処理、図１１のフォーカスリングの肩やられに関する確度算出処理、図１２のガス穴転写に関する確度算出処理、図１４の周縁偏りに関する確度算出処理、図１６のＣＯＰに関する確度算出処理、図１８の析出ゴミに関する確度算出処理、図１９の水−ＣＦ系ガスの反応に関する確度算出処理及び図２１のメトロロジーユニットにおける発塵に関する確度算出処理では、基板処理システム１０等の名称に基づいて各パーティクル発生要因に関する確度が算出されるか否かが判別される（ステップＳ９０１、ステップＳ１１０１、ステップＳ１２０１、ステップＳ１４０１、ステップＳ１６０１、ステップＳ１８０１、ステップＳ１９０１、及びステップＳ２１０１）ので、対象となる基板処理システム１０では起こり得ないパーティクル発生要因について確度が算出されることはなく、これにより、パーティクルの発生要因を正確に判別することができる。
【０１７０】
なお、上述した本実施の形態では、エッチング処理が施される基板が半導体ウエハＷであったが、エッチング処理が施される基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【０１７１】
また、本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録した記憶媒体を、コンピュータに供給し、コンピュータのＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。
【０１７２】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラム自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、プログラム及びそのプログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１７３】
また、プログラムを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。
【０１７４】
また、コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１７５】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１７６】
上記プログラムの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１７７】
【図１】本発明の実施の形態に係るパーティクル発生要因判別システムによって発生要因が判別されるパーティクルが付着した基板を処理した基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１におけるプロセスモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【図３】本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別システムの構成を概略的に示す図である。
【図４】図３のパーティクル発生要因判別システムが用いるデータを示す図であり、図４（Ａ）はウエハ表面の画像データであり、図４（Ｂ）はパーティクルの大きさや形状のＳＥＭ画像データである。
【図５】本実施の形態に係るパーティクル発生要因判別方法としてのパーティクル発生要因判別処理を示すフローチャートである。
【図６】図５のステップＳ５１３におけるクライアントＰＣのディスプレイの表示内容を示す図である。
【図７】テーパパッドとの接触に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図８】パーティクルマップにおけるテーパパッド対応領域及びテーパパッド周辺領域を示す図であり、図８（Ａ）はパーティクルマップにおける各テーパパッド対応領域の位置を示す平面図であり、図８（Ｂ）はパーティクルマップにおけるテーパパッド対応領域及びテーパパッド周辺領域を示す拡大平面図である。
【図９】フォーカスリングとのこすれに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１０】フォーカスリングとのこすれに関する確度算出に用いるデータを説明するための図であり、図１０（Ａ）はパーティクルマップの周縁部において１０等分された各領域を示す平面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の各領域におけるパーティクル数をプロットしたグラフであり、図１０（Ｃ）はエッジ領域を示す平面図である。
【図１１】フォーカスリングの肩やられに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１２】ガス穴転写に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１３】パーティクルマップの周縁部における所定周波数成分の割合の算出に用いられる各領域を示す平面図である。
【図１４】周縁偏りに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１５】パーティクルマップの周縁部において１０等分された各領域を示す平面図である。
【図１６】ＣＯＰに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１７】パーティクルマップにおいて中心から分割された各領域を示す平面図である。
【図１８】析出ゴミに関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図１９】水−ＣＦ系ガスの反応に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図２０】ステップＳ１９０２におけるＶ字状二次曲線の特定について説明するための図であり、図２０(Ａ)はパーティクルマップにおける各パーティクル群を示す平面図であり、図２０（Ｂ）は各パーティクル群に関して近似的に算出されたＶ字状二次曲線を示す平面図である。
【図２１】メトロロジーユニットにおける発塵に関する確度算出の処理を示すフローチャートである。
【図２２】ステップＳ２１０２における螺旋状分布の特定について説明するための図であり、図２２（Ａ）はパーティクルマップにおける各螺旋状分布を示す平面図であり、図２２（Ｂ）はｘ軸がパーティクルマップの中心からの距離であり且つｙ軸がパーティクルの中心を回転中心とする場合の回転角度である座標系を示す図である。
【符号の説明】
【０１７８】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理システム
１２  プロセスモジュール
２０  テーパパッド
２４  メトロロジーユニット
３４  フォーカスリング
３５  シャワーヘッド
３７  ガス穴
４３  パーティクル発生要因判別システム
４７  クライアントＰＣ
４８  ホストサーバ
５１  ディスプレイ
５２  確度リスト
５３  パーティクルマップ
【図１】
0005155698.tif 000002
【図２】
0005155698.tif 000003
【図３】
0005155698.tif 000004
【図４】
0005155698.tif 000005
【図５】
0005155698.tif 000006
【図６】
0005155698.tif 000007
【図７】
0005155698.tif 000008
【図８】
0005155698.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005155698.tif 000011
【図１１】
0005155698.tif 000012
【図１２】
0005155698.tif 000013
【図１３】
0005155698.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
0005155698.tif 000019
【図１９】
0005155698.tif 000020
【図２０】
0005155698.tif 000021
【図２１】
0005155698.tif 000022
【図２２】
0005155698.tif 000023