(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層とｐ型半導体層がこの順に積層され、前記ｎ型半導体層上に設けられる負電極と前記ｐ型半導体層上に設けられる正電極とを同一面側に有しており、前記ｎ型半導体層は前記ｐ型半導体層からストライプ状に露出されており、前記正電極は前記ｐ型半導体層の全面に設けられており前記負電極より平面積の大きい発光素子と、前記正電極の表面に分配して設けられた共晶材料の導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと溶融接合しており、前記正電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きく、前記導電膜は内部に空隙を有する発光装置。
【請求項２】
前記正電極と前記負電極は、ストライプ状に交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記導電膜の膜厚は、前記発光素子の平面積の平方根の０．１％〜０．５％であることを特徴とする請求項１乃至２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記導電膜は、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｉ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＢｉＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉ、ＰｂＳｎ、Ｉｎからなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１乃至３に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の導通接続が最適化された発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的として、同一面側に正電極と負電極とを有する発光素子を、配線パターンが形成された支持基板上にフリップチップで接合した構造を有する発光装置が開発されている。
【０００３】
例えば、特開２００３−３０４００３号公報に記載の発光装置は、絶縁基板上に形成された一対の電極の所定の位置にＡｕ−Ｓｎ半田を塗布し、Ａｕバンプ付きＬＥＤ素子をフリップチップ実装して接合した後、リフローすることにより半田溶融して電気的導通をとっている。また、ＬＥＤ素子を保護する目的として、ＬＥＤ素子およびバンプの周辺を透光性の封止樹脂で封止している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３０４００３号公報。
【０００５】
上記発光装置は、ＬＥＤ素子と配線パターンとがある程度の高さを有するＡｕバンプにて接合されていることから、接合強度が強く、優れた信頼性を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、Ａｕバンプの高さのため、ＬＥＤ素子と配線パターンとの間に多くの封止樹脂が介在しており、この介在部の樹脂が熱ストレスを受けると、配線パターン側からＬＥＤ素子側へ応力が発生する。この応力は、前記介在部の樹脂量が多い場合、または、上記発光装置を厳しい温度変化を伴う環境下にて使用する場合、ＬＥＤ素子と封止樹脂との密着性やＬＥＤ素子と配線パターンとの接合性に悪影響を与えるほど大きくなり、水分の吸収による信頼性の低下やＬＥＤ素子の接合不良の発生による不灯が生じる場合がある。
【０００７】
そこで本発明は、上記課題を解決し、使用環境に左右されない優れた信頼性を有する発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とする。
【０００９】
また、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることが好ましい。
【００１０】
また、前記導電膜の膜厚は、前記発光素子の平面積の平方根の０．１％〜０．５％であることが好ましい。
【００１１】
また、前記導電膜は、内部に空隙を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光装置によれば、発光素子の電極と配線パターンとの接合を、複数の支点で膜厚の薄い導電膜にて行い、かつ、その導電膜と各部材との接合面積の割合を特定することにより、信頼性の高い薄型発光装置を実現している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置を例示するものであって、本発明は半導体装置を以下に限定するものではない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
【００１４】
実施の形態１．
図１は、本発明に係る実施の形態１の発光装置１００の模式的平面図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線における模式的断面図である。本実施の形態１の発光装置１００は、同一面側に正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂを有する発光素子１１０と、表面に正極の導電配線１３１ａと負極の導電配線１３１ｂとからなる配線パターンを有するサブマウント基板１３０と、を有し、前記発光素子１００が前記サブマウント基板１３０上に導電膜１２０ａ，１２０ｂを介してフリップチップ実装され、透光性樹脂１４０にて封止されている。
【００１５】
［発光素子１１０］
本発明に用いられる発光素子１１０は、特に限定されないが、ここでは発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップという）について説明する。ＬＥＤチップを構成する半導体発光素子としては、ＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
【００１６】
窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等のバッファ層を形成し、その上にｐｎ接合を有する窒化物半導体を形成させる。
【００１７】
窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する発光素子の例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などが挙げられる。
【００１８】
窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。
【００１９】
［正電極１１１ａ、負電極１１１ｂ］
本実施の形態に用いられる発光素子１１０は、同一面側に正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂを有している。具体的には、エッチング等の方法により、ｐ型半導体層側からｎ型半導体層の一部を露出した後、ｐ型半導体層上および露出されたｎ型半導体層上にそれぞれ正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂを蒸着法やスパッタリング法により形成している。本実施の形態では、ｎ型半導体層を互いに平行なストライプ状となるように露出させて負電極１１１ｂを形成し、正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂとの間を流れる電流が均一になるように構成されている。
【００２０】
また、正電極１１１ａの表面積は、負電極１１１ｂの表面積より大きく構成されている。具体的には、正電極１１１ａと負電極１１１ｂは、ストライプ状に交互に配置されており、正電極１１１ａの幅は負電極１１１ｂの幅より広い。このように、発光素子１１０の発光に寄与しないｎ型半導体の露出領域を減らし、ｐ型半導体の領域および正電極１１１ａの領域を相対的に増やすことで発光素子１１０の出力を向上させることができる。
【００２１】
正電極１１１ａは、発光素子１１０の出光を発光素子１１０の透光性基板方向へ反射させる材料にて形成することが好ましく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｒｈ／Ｉｒが挙げられる。その他、ｐ型半導体層の全面にＩＴＯ（インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）の複合酸化物）、ＺｎＯのような酸化物導電膜や、Ｎｉ／Ａｕ等の金属薄膜を透光性の拡散電極として形成させることができる。なお、本明細書中において、記号「Ａ／Ｂ」は、金属Ａおよび金属Ｂが順にスパッタリングあるいは蒸着のような方法により積層されることを示す。また、ｎ型窒化物半導体層の露出面に形成するｎ電極には、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎｉ−ＡｕあるいはＷ−Ａｌ−Ｗ−Ｐｔ−Ａｕの多層電極を用いることができる。ｎ電極の厚さは、０．１〜１．５μｍが好ましい。また、ｎ電極以外の露出面を覆うように、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の絶縁性の保護膜を設けることが好ましい。
【００２２】
なお、本発明に用いられる発光素子は、窒化物半導体素子の一方の主面に正電極が、他方の主面に負電極が形成されていてもよい。それらの電極の大きさや形状は特に限定されないが、両電極が窒化物半導体層の積層方向から見て、互いに重ならないように対向配置されていることが好ましい。これにより、発光した光を電極により遮られることなく効率良く取出すことができる。例えば、正電極をｐ型窒化物半導体層の概ね全面に形成した場合、負電極をｎ型窒化物半導体層の隅部の２つ又は４つに形成しても良く、格子状に全面に形成しても良く、さらには、隅部に格子状に形成することもできる。
【００２３】
［支持体１３０］
本形態における支持体１３０とは、少なくとも半導体素子の電極と対向する面に配線パターン１３１ａ，１３１ｂが施されており、発光素子１１０を固定・支持するための部材である。
【００２４】
支持体１３０の材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＢＮ、Ｃ（ダイヤモンド）、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｓｉなどが使用される。特に、発光素子１１０と熱膨張係数差が小さい材料を用いることが好ましく、製造時や使用時に支持体１３０と発光素子１１０との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。例えば、窒化物半導体発光素子を用いる場合、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を有する材料にて構成することが好ましい。また、静電保護素子の機能を備えたものを用いることもでき、安価でもあるＳｉ（シリコン）を有する材料が好適に用いられる。特にＳｉＣは、高い熱伝導率を有していることから、発光に伴う発光素子からの発熱を効率よく回路基板などの実装基板側へ逃がすことができ、好ましい。
【００２５】
［配線パターン１３１ａ，１３１ｂ］
支持体１３０表面には、正極の導電配線１３１ａと負極の導電配線１３１ｂとがパターン形成されている。これらの材料は、導電性を有しているものであれば特に限定されず、Ａｕや銀白色の金属、特に、反射率の高いＡｇ、Ａｌなどとされる。反射率の高い銀白色の金属とすることにより、発光素子１１０からの光が支持基板と反対側の方向に反射され、発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。ここで、導体配線の材料とする金属は、金属相互間の接着性の良さ、いわゆる濡れ性等を考慮して選択されることが好ましい。導体配線は、支持体表面上に、配線を形成しない領域にホトレジストパターンを形成し、電子ビーム蒸着、あるいはスパッタ、あるいは鍍金などの方法により、例えば厚さ１０ｎｍのＴｉ層、厚さ１０００ｎｍ（１μｍ）のＡｕ層を堆積する。その後、レジストパターンを除去し、その上に堆積した金属層をリフトオフする。配線層は、Ｔｉ／Ａｕの他、Ｎｉ／Ａｕ，Ａｌ／Ａｕ等を用いることもできる。
【００２６】
また、支持体１３０の厚さ方向に少なくとも一つ以上の貫通孔を設け、前記貫通孔の内壁面に前記配線パターン１３１ａ，１３１ｂを延在させると、放熱性機能を高めることができ、好ましい。特に、支持体の表面に形成された配線パターン１３１ａ，１３１ｂを、前記貫通孔の内壁面および前記表面との対向面にまで延材させると、支持体を前記対向面側にて回路基板などの実装基板に電気的および機械的に接合することが可能な発光装置が得られる。
【００２７】
［導電膜１２０ａ，１２０ｂ］
本発明の発光装置は、発光素子１１０と支持体１３０上の配線パターン１３１ａ，１３１ｂとが、導電膜１２０ａ，１２０ｂを介してフリップチップ実装されている。本実施の形態の発光装置は、発光素子１１０の正電極１１１ａの表面に分配して設けられた導電膜１２０ａを有し、正電極１１１ａと前記導電膜１２０ａとの接合面積は、前記導電膜１２０ａと前記配線パターン１３１ａとの接合面積より大きいことを特徴とする。このように、導電膜１２０ａ，１２０ｂと各接合部材との接合面積の割合を特定することにより、導電膜１２０ａ，１２０ｂの膜厚が薄くとも高い接合強度を得ることができる。これにより、リークや電気接合部のオープンが生じない安定した導電性を有する発光装置が得られる。また、本発明の発光装置は、前記発光素子１１０と前記支持体１３０との間に、樹脂など熱ストレスにより膨張する部材が介在したとしても、その介在部の厚みは薄いことから、熱ストレスを瞬時に支持体１３０側へ逃がすことができる。このように本発明の発光装置は、発光装置の一体性を損なうほどの応力が発生することがなく、使用環境に左右されない高い信頼性を有している。
【００２８】
本実施の形態の発光素子１１０は、同一面側に正電極１１１ａと負電極１１１ｂを有しており、前記正電極１１１ａの平面積は前記負電極１１１ｂの平面積より大きい。このような発光素子１１０の正電極１１１ａおよび負電極１１１ｂの各全面に形成された導電膜と、配線パターンとを、溶融接合すると、平面積の小さい負電極１１１ｂ側の導電膜と配線パターンとの接合に不良が生じる場合がある。これは、平面積の大きい電極全面に設けられた導電膜が、溶融した際に中央側へ凝集し、平面積の小さい電極全面に設けられた導電膜より最大膜厚が高くなるからだと考えられる。そこで本発明は、平面積の大きい電極側に設ける導電膜を分配することにより、導電膜の凝集による最大膜厚の変化を抑制し、両電極の接合性を高めている。ここで、本明細書において、平面積とは、発光素子を電極形成面側からみた平面積を示す。
【００２９】
本発明の導電膜は、導電性を有していれば特に限定されず、導電ペースト、ハンダ材料、焼結性Ａｇ粒子ペースト、異方導電性ペースト、などが挙げられる。特に、発光素子１１０の各電極および支持体の配線パターンとの濡れ性および密着性を考慮すると、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｉ、ＳｎＡｇＢｉ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＢｉＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉ、ＰｂＳｎ、Ｉｎからなる群から選択される少なくとも１種を含む共晶材料を用いることが好ましい。また、導電膜１２０ａ，１２０ｂの膜厚は前記発光素子１１０の平面積の平方根の０．１％〜０．５％とであることが好ましく、これにより、経済的で安定した接合が得られる。この範囲より膜厚が少なすぎると接合不良が発生し、安定した導電性および強度が得られない。この範囲より膜厚が厚い場合は、導電膜１２０ａ，１２０ｂが隣接する電極に接触する可能性が高まり、リークによる不良原因となる。また、成膜コストが上昇する、リフトオフが困難になる等の理由により経済的でない。また、前記導電膜１２０ａ，１２０ｂは、内部に空隙を有することが好ましく、これにより導電膜１２０ａ，１２０ｂに対する熱応力が緩和され、導電膜１２０ａ，１２０ｂ自体へのクラックの発生を抑制し、また発生したクラックの進展を抑制することができる。
【００３０】
また、発光素子１１０の発光に寄与する半導体層上に形成される正電極１１１ａと導電膜１２０ａとの間に、正電極側から密着層やバリア層を設けることが好ましい。密着層は、正電極との間に高い密着性を確保する層であり、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかの金属が好ましい。また、バリア層は、導電膜１２０ａを構成する金属が発光素子１１０側へ拡散するのを防止する層であり、ＰｔあるいはＷが好ましい。さらに、導電膜１２０ａの金属が発光素子１１０側へ拡散するのをさらに防止するため、バリア層と導電膜１２０ａとの間に、Ａｕ膜を形成しても良い。また、導電膜１２０ａと支持体１３０上の配線パターン１３１ａとの間に、熱応力緩衝層を設けても良く、具体的には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｉｎ膜を形成することができ、苛酷なヒートサイクル試験にも耐えうる良好な密着性をもっためっきを実現することができる。
【００３１】
［封止部材１４０］
本実施の形態の発光装置において、発光素子１１０は、外部環境からの外力、塵芥や水分などから保護するために封止部材１４０にて被覆されている。特に、本形態における封止部材１４０は、発光素子１１０と支持体１３０との間にも介在している。その介在部と支持体１３０との接触面積は、発光素子１１０との接触面積より大きい。このような構成により、介在部が受けた熱ストレスは、支持体１３０側へ効率よく逃がすことが可能となることから、厳しい使用環境下においても発光装置の一体性を保持することができる。
【００３２】
本実施の形態の封止部材１４０は、発光素子１１０の外周から封止部材１４０の外周の距離をほぼ等しくすることで、発光面を小さくでき、かつ均一な発光が得られる。封止部材の形状はこれに限定されず、目的に合わせて種々の形状とすることができる。即ち、封止部材の形状を凸レンズ形状、凹レンズ形状とすることによってレンズ効果をもたすことができる。そのため、所望に応じて、ドーム型、発光観測面側から見て楕円状、立方体、三角柱など種々の形状を選択することができる。
【００３３】
具体的な封止部材１４０の材料として、耐光性、透光性に優れたエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂などの有機物や硝子など無機物があげられる。また、封止部材１４０に発光素子１１０からの光を拡散させる目的で酸化アルミニウム、酸化バリウム、チタン酸バリウム、酸化珪素などを含有させることもできる。同様に外来光や発光素子１１０からの不要な波長をカットするフィルター効果を持たすために各種着色剤を添加させることもできる。さらに、発光素子１１０からの発光波長によって励起され蛍光を発する蛍光物質を含有さ、色変換部材とすることもできる。また、封止樹脂の内部応力を緩和させる各種フィラーを含有させることもできる。
【００３４】
発光素子１１０からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体やＣａ２Ｓｉ５Ｎ８蛍光体が好適に用いられる。特に、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、その含有量によってＬＥＤチップからの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な発光ダイオードを、比較的簡単に形成することができる。これらのＹＡＧ系蛍光体および窒化物系蛍光体は、混合して封止部材中に含有させてもよいし、複数の層から構成される波長変換部材中に別々に含有させてもよい。
【００３５】
以下、本発明に係る実施例を本発明の製造方法にそって詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
【実施例１】
【００３６】
実施例１として、図１および図２に示す発光装置を製造する。
（第一の工程）
【００３７】
以下、本発明に係る一実施例について詳述する。なお、本発明は、以下に示す発光装置の実施例のみに限定されることなく、受光装置など他の半導体装置に適用できることは言うまでもない。
【００３８】
図１は、本実施例における発光装置の模式的な平面図を示す。また、図２は、本実施例における発光装置の模式的な断面図を示す。なお、図２は、図１のＸ−Ｘ線における断面図である。本実施例における発光装置は、２つの半導体発光素子１１０が同一の支持体（本実施例では、「サブマウント」と呼ぶこととする。）にフリップチップ実装され、封止部材にて被覆されてなる。
【００３９】
発光素子１１０として、平面形状が１ｍｍ角の略直方体からなり、上面に正および負の電極をそれぞれ２対有する発光ダイオードを用いる。前記発光素子１１０は、青色系に発光する窒化物系半導体からなり、前記正および負電極の表面高さは、略平行となるように調整されている。
【００４０】
発光素子１１０の電極形成面側に、各正電極表面には平面視が略楕円形状となるよう３つに分離されたＡｕ−Ｓｎ膜を、各負電極表面には分離されていない楕円形状のＡｕ−Ｓｎ膜を形成することが可能となるように開口パターンを有するマスクを載置し、Ａｕ−Ｓｎ膜を２μｍの厚みでスパッタ形成する。
【００４１】
次に、ＡｌＮからなる支持基板１３０上に形成された配線パターン１３１ａ，１３１ｂ上に、フラックスを塗布する。ここで、フラックスの厚みは、前記導電膜１２０ａ，１２０ｂの厚みより厚く塗布することが好ましい。このようにフラックスが形成された支持基板１３０上に発光素子１１０の電極形成面側を対向させ、前記フラックス中に前記Ａｕ−Ｓｎ膜を埋没させて仮固定する。
【００４２】
次に、上記支持基板と、３４０℃のリフロー炉に通しＡｕ−Ｓｎ膜１２０ａ，１２０ｂの表面を溶融し、それぞれ配線パターン１３０ａ，１３０ｂの表面に接着融接合させる。
【００４３】
その後、グリコールエーテルにてフラックスを洗浄する。
【００４４】
次に、発光素子１００を封止するようにシリコーン樹脂をスクリーン印刷し、封止部材１４０を形成する。
【００４５】
このようにして得られた発光装置は、熱による各部材間の結合の破壊や変形が生じない、優れた信頼性を有している。
【実施例２】
【００４６】
封止部材１４０として、中心粒径が８μｍである（Ｙ０．９９５Ｇｄ０．００５）２．７５０Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．２５０蛍光物質が２０ｗｔ％含有されたシリコーン樹脂を用いる以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成すると、実施例１と同様の効果が得られる。
【実施例３】
【００４７】
図３に示すように、正電極１２０ａ上に形成する導電膜１２１ａの形状を、複数の溝部によって平面視が略四角形に分離された形状とする以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成すると、実施例１より導電安定性の高い発光装置が得られる。
【実施例４】
【００４８】
図４に示すように、正電極１２０ａ上に形成する導電膜１２１ａの形状を、  平面視が略楕円形状となるよう１４個に分離されたＡｕ−Ｓｎ膜を形状とする以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成すると、さらに信頼性の高い発光装置が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明にかかる発光装置は、封止部材の熱変形に伴う機能劣化がなく、信頼性の高い半導体装置として、高出力かつ高信頼性発光が求められる車両用灯具などに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の一実施例における発光装置を示す模式的な平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施例における発光装置を示す模式的な断面図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施例における導電膜が形成された発光素子を示す模式的な上面図である。
【図４】図４は、本発明の他の実施例における導電膜が形成された発光素子を示す模式的な上面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００・・・発光装置
１１０・・・発光素子
１１１ａ・・・正電極
１１１ｂ・・・負電極
１２０a，１２０ｂ・・・導電膜
１３０・・・支持体
１３１・・・配線パターン
１３１ａ・・・正極の導電配線
１３１ｂ・・・負極の導電配線
１４０・・・封止部材
【図１】
0005272287.tif 000002
【図２】
0005272287.tif 000003
【図３】
0005272287.tif 000004
【図４】
0005272287.tif 000005