(57)【要約】 【課題】  実際に塗布、現像装置にて基板を処理することなく、塗布ユニットでのレジストの塗布処理が終了してから次工程の第１の加熱ユニットにて加熱処理が開始されるまでの第１の時間（ＰＣＤ時間）時間等を演算して、回路線幅等のバラツキを予測すること。【解決手段】  オペレータが搬送レシピを作成したときに、この搬送レシピに基づいて、前記ＰＣＤ時間や、前記第１の加熱ユニットにて第１の加熱処理が終了してから次工程の露光装置で露光処理が開始されるまでの第２の時間（ＰＡＤ時間）、前記露光装置で露光処理が終了してから次工程の第２の加熱ユニットで第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間（ＰＥＤ時間）を予測演算して表示する。実際に塗布、現像装置にて基板を処理することなく、前記ＰＣＤ時間等を把握でき、これにより回路線幅等のバラツキを予測できる。【選択図】  図１
2005294460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対してレジスト液を塗布する塗布ユニットと、レジストが塗布された基板に対して第１の加熱処理を行うための第１の加熱ユニットと、レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、を含む、モジュール群の間で基板搬送手段により基板の搬送を行う塗布、現像装置において、
オペレータが前記モジュール群の各モジュールに対して基板の搬送の順番を指定して搬送レシピを作成する手段と、この搬送レシピに基づいて、前記塗布ユニットにて行われるレジスト液の塗布処理が終了してから、第１の加熱ユニットにて第１の加熱処理が開始されるまでの第１の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記第１の加熱ユニットにて行われる第１の加熱処理が終了してから、露光装置にて露光処理が開始されるまでの第２の時間を予測演算する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記露光装置にて行われる露光処理が終了してから、前記第２の加熱ユニットにて第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間を予測演算する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
基板に対してレジスト液を塗布する塗布ユニットと、レジストが塗布された基板に対して第１の加熱処理を行うための第１の加熱ユニットと、レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、を含む、モジュール群の間で基板搬送手段により基板の搬送を行う塗布、現像装置において、
オペレータが前記モジュール群の各モジュールに対して基板の搬送の順番を指定して搬送レシピを作成する手段と、この搬送レシピに基づいて、前記第１の加熱ユニットにて行われる第１の加熱処理が終了してから、露光装置にて露光処理が開始されるまでの第２の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項５】
前記露光装置にて行われる露光処理が終了してから、前記第２の加熱ユニットにて第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間を予測演算する手段をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
基板に対してレジスト液を塗布する塗布ユニットと、レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、露光された基板に対して第２の加熱処理を行うための第２の加熱ユニットと、を含む、モジュール群の間で基板搬送手段により基板の搬送を行う塗布、現像装置において、
オペレータが前記モジュール群の各モジュールに対して基板の搬送の順番を指定して搬送レシピを作成する手段と、この搬送レシピに基づいて、露光装置にて行われる露光処理が終了してから、前記第２の加熱ユニットにて第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板の表面に所定の基板処理、例えばレジスト液の塗布や露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。前記塗布、現像装置は、高いスループットを確保しつつ装置占有面積の小容量化を図るために、塗布処理、現像処理、加熱・冷却処理など基板に対して複数の異なる処理を行う処理装置を各々ユニット化し、これらの各処理毎に必要な数のユニットが組み込まれて構成されており、さらに各処理ユニットに基板を搬入出するための搬送手段が設けられている。
【０００４】
このような塗布、現像装置の一例について図１３を用いて説明すると、図中１Ａは例えばウエハＷを２５枚収納したキャリアＣが搬出入されるキャリアステージであり、このキャリアステージ１Ａには、処理ブロック１Ｂ、インターフェイスブロック１Ｃ、露光装置１Ｄがこの順序で接続されている。前記処理ブロック１Ｂは、中央に搬送手段１２を備えると共に、この周りにウエハにレジスト液を塗布するための塗布ユニットや、露光後のウエハに現像処理を行うための現像ユニット等を多段に配置した液処理ユニット群、塗布ユニットや現像ユニットの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理を行なうための加熱ユニットや、疎水化処理を行うための疎水化処理ユニット、受け渡しユニット等を備えた棚ユニット１３（１３ａ〜１３ｃ）が設けられている。
【０００５】
この装置では、キャリアステージ１ＡのキャリアＣ内のウエハは受け渡しアーム１１により取り出されて、棚ユニット１３ａの受け渡しユニットを介して処理ブロック１Ｂに搬送され、例えば疎水化処理ユニットにてウエハ表面を疎水化してレジストの密着性を高め、次いで塗布ユニットにてレジストをウエハＷ上に塗布した後、プリベーク処理を行う加熱ユニットにてウエハＷを加熱してレジスト成分中のシンナーを揮発させる。
【０００６】
続いてインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送され、ここでレジストに回路パターンマスクを介して光を照射して、光が当たった部分のレジストのみ感光させる。この後、ウエハＷは再び処理ブロック１Ｂに搬送されて、ポストエクスポージャーベーキング処理を行う加熱ユニットにてウエハＷを加熱してレジストパターンのフリンジを緩和してから、現像ユニットにて感光した部分のレジストをリンスで反応させて除去し、さらにポストベーク処理を行う加熱ユニットにてウエハＷを加熱して現像時の残留リンス液を蒸発させて除去するか、またはレジストを硬化させる処理が行われる。
【０００７】
ところで近年、半導体の微細化に伴い、上記の各プロセスで高い処理精度が要求されるようになりつつあり、また、回路線幅の微細化が進み、プロセス間の搬送時間が異なって、前工程のプロセス終了時点から次工程のプロセス開始時点までの時間にバラツキが発生すると、例えば回路線幅等にバラツキが生じる等、プロセスに悪影響を与える場合がある。
【０００８】
ここで前記プロセスに悪影響を与えている要因が全てのプロセス間のウエハＷの搬送時間とは限らず、影響があるのは、塗布ユニットにてレジストの塗布処理が終了してから、次工程の加熱ユニット（ＰＡＢ）にてプリベーク処理が開始されるまでのＰＣＤ時間、加熱ユニット（ＰＡＢ）にてプリベーク処理が終了してから、次工程の露光装置にて露光処理が開始されるまでのＰＡＤ時間、露光装置にて露光処理が終了してから、次工程の加熱ユニット（ＰＥＢ）にてポストエクスポージャーベーキング処理が開始されるまでのＰＥＤ時間であると考えられている。
【０００９】
ところでウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、オペレータが処理に用いる処理ユニットの種類や順序を指定することにより搬送レシピを作成し、この搬送レシピに基づいて、全てのウエハＷを連続処理する場合におけるロットの全てのウエハＷにおいて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定める搬送スケジュールが作成され、ウエハＷはこの搬送スケジュールに従って搬送される。
【００１０】
そして実際の処理を行う前に、予め回路線幅等のバラツキが少ないなどのプロセスに悪影響を与えないＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＢ時間の各時間幅を求めておき、前記ＰＣＤ時間等がこれらの時間幅内に収まるように搬送スケジュールを作成している。ここで塗布、現像装置において、ウエハをキャリア（カセット）から取り出して順次処理ユニットに搬送することについては例えば特許文献１に記載されている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−３５１８４８（段落０００３、段落００９３〜００９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来では、前記塗布、現像装置にて、前記搬送スケジュールに基づいて、実際に製品ウエハを処理するか、あるいはテストウエハを流すことにより、前記ＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間を求めていた。そして求めたＰＣＤ時間等が適切であれば、そのままウエハＷに対して処理を実施し、不適切であれば搬送レシピを作成し直して、処理ユニットの使用数や順序の修正を行ない、再び新たな搬送スケジュールに基づいて、製品ウエハを処理するか、あるいはテストウエハを流して、前記ＰＣＤ時間等を求め直していた。
【００１３】
しかしながら実際に製品ウエハＷやテストウエハＷを流すことによりＰＣＤ時間等を得るという手法は手間や時間がかかって面倒であり、ＰＣＤ時間が不適切である場合には製品ウエハＷが使用できないものになったり、テストウエハＷが無駄になってしまう。
【００１４】
また各プロセス間のウエハの搬送時間を全て同一にするというサイクルタイムコントロールを行うことでウエハ毎の搬送時間のバラツキを抑制するという手法も考えられる。この手法によるとＰＣＤ時間、ＰＥＤ時間は各ウエハ間で一定になるものの、ＰＣＤ時間等の時間自体は実際にウエハＷを流さないと分からず、さらにこのサイクルタイムコントロールを行ってもＰＡＤ時間は一定にならない。さらにまたこの手法では、律速となるプロセスに合わせて搬送時間が制御されるため、スループットが低下してしまう場合がある。
【００１５】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、オペレータが搬送レシピを作成したときに、前記ＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間のいずれか又は全部を予測演算して表示することで、実際に基板を処理することなく、回路線幅等のバラツキを予測することができる塗布、現像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このため本発明の塗布、現像装置は、基板に対してレジスト液を塗布する塗布ユニットと、レジストが塗布された基板に対して第１の加熱処理を行うための第１の加熱ユニットと、レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、を含む、モジュール群の間で基板搬送手段により基板の搬送を行う塗布、現像装置において、
オペレータが前記モジュール群の各モジュールに対して基板の搬送の順番を指定して搬送レシピを作成する手段と、この搬送レシピに基づいて、前記塗布ユニットにて行われるレジスト液の塗布処理が終了してから、第１の加熱ユニットにて第１の加熱処理が開始されるまでの第１の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
また本発明の塗布、現像装置では、搬送レシピに基づいて、前記第１の加熱ユニットにて行われる第１の加熱処理が終了してから、露光装置にて露光処理が開始されるまでの第２の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
さらに本発明の塗布、現像装置では、この搬送レシピに基づいて、前記露光装置にて行われる露光処理が終了してから、前記
第２の加熱ユニットにて第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間を予測演算する手段と、予測演算された予測時間を表示する手段と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
ここで本発明の塗布、現像装置では、前記第１の時間と、第２の時間と、第３
の時間のいずれか一つ又はいずれか二つを予測演算してもよいし、全てを予測演算して、予測時間を表示するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、オペレータが搬送レシピを作成したときに、前記塗布ユニットでのレジストの塗布処理が終了してから次工程の第１の加熱ユニットにて加熱処理が開始されるまでの第１の時間（ＰＣＤ時間）、前記第１の加熱ユニットにて第１の加熱処理が終了してから次工程の露光装置で露光処理が開始されるまでの第２の時間（ＰＡＤ時間）、前記露光装置で露光処理が終了してから次工程の第２の加熱ユニットで第２の加熱処理が開始されるまでの第３の時間（ＰＥＤ時間）のいずれか一つ又はいずれか二つ又は全部を予測演算して、予測時間を表示している。このため実際に塗布、現像装置に基板を流すことなく、前記ＰＣＤ時間等を把握することができ、このＰＣＤ時間等のバラツキと回路線幅等のバラツキとには相関関係があるので、手間や時間をかけずに前記回路線幅等のバラツキを予測できる。また前記第１の時間、第２の時間、第３の時間のいずれか２つ又は全部を予測演算して、予測時間を表示した場合には、第１の時間、第２の時間、第３の時間のトータルのバラツキが最も少なくなるように、搬送レシピを調整することにより、回路線幅等のバラツキをより低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態である塗布、現像装置と露光装置とを接続して構成したレジストパターン形成装置の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。図中Ｂ１は基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリアＣを複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すためのトランスファーアーム２３とが設けられている。
【００２２】
キャリア載置部Ｂ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＢ２が接続されており、この処理ブロックＢ２には手前側から奥側に向かって順に加熱・冷却系のユニットを多段化した３個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、後述するその他の各種モジュールを含む各モジュール間のウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段であるメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及びメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハＷは処理ブロックＢ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。
【００２３】
またメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）は、キャリア載置部Ｂ１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区間壁２６により囲まれる空間内に置かれている。さらにメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）のキャリア載置部Ｂ１から見て左側には、例えば疎水化ユニットや加熱ユニット等を多段化した棚ユニットＵ６，Ｕ７が夫々配置されている。
【００２４】
図３はメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）の一部を分解して示す図である。１０１は支柱であり、実際には図３における右側にも支柱が設けられていて、これら支柱１０１の間に昇降バー１０２が設けられている。この昇降バー１０２には基体１０３が固定され、この基体１０３にはアーム機構１０４が鉛直軸回りに回転自在（θ回転自在）に取り付けられている。アーム機構１０４は独立して進退自在な３本のアーム１０５〜１０７を備えており、従ってメイン搬送機構２５Ａ（２５Ｂ）は進退及び昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ６及び液処理ユニットＵ４（棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ７及び液処理ユニットＵ５）の各ユニットの間でウエハＷを搬送することができる。このようなメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）は、後述する制御部からの指令に基づいてコントローラにより駆動が制御される。図中２７，２８は各モジュールで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
【００２５】
液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように反射防止膜用の薬液、レジスト液や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部２９の上に、例えば反射防止膜の塗布ユニット（ＢＡＲＣ）、レジストの塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）を複数段例えば５段に積層した構成とされている。なお用語を簡略化するために反射防止膜の塗布ユニットを反射防止膜ユニット、レジストの塗布ユニットを塗布ユニットと呼ぶことにする。
【００２６】
また既述の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ６，Ｕ７は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３では１０段、棚ユニットＵ６，Ｕ７では５段に積層した構成とされている。なお作図の便宜上図３では棚ユニットＵ６，Ｕ７の図示を省略している。
【００２７】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、受け渡しユニット（ＴＲＳ１〜６）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ１，２）、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット（ＣＰＬ１〜９）、レジスト液の塗布前にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＢＡＫＥ１〜５）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている第１の加熱ユニット（ＰＡＢ１〜５）、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている第２の加熱ユニット（ＰＥＢ１〜５）、現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１〜３）、ウエハＷの加熱処理を行うためのホットプレートと呼ばれている加熱ユニット（ＬＨＰ１，２）等が含まれている。図４はこれらユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、実際の装置では各ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
【００２８】
処理ブロックＢ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイス部Ｂ３を介して露光装置Ｂ４が接続されている。インターフェイス部Ｂ３は処理ブロックＢ２と露光装置Ｂ４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ、第２の搬送室３Ｂにて構成されており、夫々に第２の搬送手段をなす主搬送部３１Ａ及び補助搬送部３１Ｂが設けられている。主搬送部３１Ａは、図４に示すように、昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在な基体３２と、この基体３２に設けられる進退自在なアーム３３とで構成されている。
【００２９】
第１の搬送室３Ａの棚ユニットＵ８は、例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）と、複数例えば２５枚のウエハＷを一時的に収容する２つのバッファカセット（ＳＢＵ１，２）とを備えており、棚ユニットＵ９は受け渡しユニット（ＴＲＳ７）と、各々例えば冷却プレートを有する２つの高精度温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）とを備えている。前記第２の搬送手段３１（３１Ａ，３１Ｂ）は後述する制御部からの指令に基づき、駆動制御される。図中３４、３５は、夫々露光装置Ｂ４へウエハＷを受け渡すためのインステージと、露光装置Ｂ４からウエハＷを搬出するためのアウトステージであり、これらインステージ３４とアウトステージ３５とには前記補助搬送部３１Ｂがアクセスするようになっている。
【００３０】
ここで塗布ユニット（ＣＯＴ）と加熱ユニット（ＰＡＢ，ＰＥＢ）の構成について簡単に説明する。先ず塗布ユニット（ＣＯＴ）の一例について図５を参照しながら説明すると、図中２００はウエハの搬出入口２０１を備えた処理容器、２０２は搬出入口２０１を開閉するためのシャッタ、２０３は鉛直軸まわりに回転でき、且つ昇降できるように構成され、ウエハＷを真空吸着により略水平に保持するためのスピンチャック２０３、２０４はウエハＷからスピンチャック２０３に跨る側方部分を囲い、且つ下方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ２０４、２０５は例えばウエハＷのほぼ回転中心位置に塗布液であるレジスト液を供給するための供給ノズル、２０６はウエハＷの裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンであり、この昇降ピン２０６と例えばメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）との協同作用によりスピンチャック２０３へのウエハＷの受け渡しができるように構成されている。
【００３１】
このような塗布ユニット（ＣＯＴ）では、スピンチャック２０３上のウエハＷの表面に供給ノズル２０５からレジスト液を滴下すると共に、予め設定された回転数でスピンチャック２０３を回転させると、レジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広がってウエハ表面にレジスト液の液膜が形成されるようになっている。
【００３２】
続いて図６を用いて前記加熱ユニット（ＰＡＢ，ＰＥＢ）の構造について簡単に述べておくと、図中３０１は筐体、３０２はステージ、３０３はステージの上方において図６中左右に移動可能な、スリット３００を備えた冷却プレート、３０４は加熱プレート、３０５，３０６はウエハＷの搬入出口、３０７，３０８は搬入出口３０５，３０６を夫々開閉するシャッタ、３０９，３１０は各々３本で１セットを構成する昇降ピンである。
【００３３】
棚ユニットＵ２に設けられた加熱ユニット（ＰＡＢ１〜５）では、メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂから筐体３０１内にアクセスし、棚ユニットＵ３に設けられた加熱ユニット（ＰＥＢ１〜５）では、メイン搬送機構２５Ｂ、主搬送部３１Ａから筐体３０１内にアクセスできるようになっている。
【００３４】
このような加熱ユニット（ＰＡＢ，ＰＥＢ）では、メイン搬送機構２５Ａ（主搬送部３１Ａ）が搬入出口３０５（３０６）を介して進入すると、昇降ピン３０９を介してメイン搬送機構２５Ａ（主搬送部３１Ａ）上のウエハＷが冷却プレート３０３に受け渡される。そして冷却プレート３０３の移動と昇降ピン３１０の昇降により冷却プレート３０３と加熱プレート３０４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。そして加熱プレート３０４により加熱処理がされたウエハＷは、加熱プレート３０４から再び冷却プレート３０３に受け渡され、ここで粗冷却された後、メイン搬送機構２５Ｂに受け取られて、次工程に搬送される。
【００３５】
ここでウエハＷが載置される各モジュールは、ウエハＷの搬入出を行うための開口部と、この開口部を開閉するシャッタ、モジュール内にウエハＷを載置するためにトランスファーアーム２３、及びメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂ等の搬送機構との間でウエハＷの受け渡しをするための昇降ピンを備えている。
【００３６】
また加熱ユニットの内、ベークユニット（ＢＡＫＥ）やポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）は、図示しないが、例えばウエハＷを載置し、ウエハに対し、所定温度で加熱処理を施す加熱プレートを有している。さらに温調ユニット（ＣＰＬ）は、図示しないが、例えばウエハＷを載置し、各加熱処理が施されたウエハに対し、所定温度で温度調節処理を施す温調プレートを有している。さらに棚ユニットＵ３の温調ユニット（ＣＰＬ７〜９）、受け渡しユニット（ＴＲＳ５，６）は、加熱ユニット（ＰＥＢ１〜５）と同様に、メイン搬送機構２５Ｂ、主搬送部３１Ａの双方からアクセスできるように構成されている。さらに受け渡しユニット（ＴＲＳ）は、ウエハの受け渡しを行うと共に、メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂや主搬送部３１Ａ等の搬送機構との間でウエハＷの受け渡しをするための昇降ピンが設けられた受け渡し台を備えている。
【００３７】
ここで上記塗布、現像装置では、塗布ユニット（ＣＯＴ）、現像ユニット（ＤＥＶ）、反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、加熱ユニット（ＢＡＫＥ，ＰＡＢ，ＰＥＢ，ＬＨＰ）、温調ユニット（ＣＰＬ）、受け渡しユニット（ＴＲＳ）、周縁露光装置（ＢＷＥＥ）等が、各々ウエハＷが載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群に相当し、前記モジュール群に対して、後述する搬送スケジュールに従って、トランスファーアーム２３及びメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）、第２の搬送手段３１は、搬入されたキャリアＣ内からウエハＷを１枚取り出し、一つ順番が後のモジュールのウエハＷを受け取ってから当該後のモジュールに先のウエハＷを受け渡し、こうして例えばキャリアＣからスタートして順次ウエハＷを一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールにウエハＷが順次搬送されるようになっている。
【００３８】
ここでウエハＷの搬送経路は、後述するように、オペレータが作成する搬送レシピにより決定されるが、その一例を示すと、キャリア載置部Ｂ１に載置されたキャリアＣ内の処理前のウエハＷはトランスファーアーム２３により受け渡しユニットＴＲＳ１に搬送され、続いて受け渡しユニット（ＴＲＳ１）上のウエハＷはメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂにより、温調ユニット（ＣＰＬ）→反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→加熱ユニット（ＢＡＫＥ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）→棚ユニットＵ３の温調ユニット（ＣＰＬ）の順序で搬送されて、この温調ユニット（ＣＰＬ）のウエハＷはインターフェイス部Ｂ３の第２の搬送手段３１（３１Ａ，３１Ｂ）により周縁露光装置（ＷＥＥ）→バッファカセット（ＳＢＵ）→温調ユニット（ＣＰＬ）の順で搬送された後、露光装置Ｂ４に送られて所定の露光処理が行われる。
【００３９】
露光処理後のウエハＷは第２の搬送手段３１（３１Ａ，３１Ｂ）により、処理ブロックＢ２の第２の加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬送され、続いて当該ユニット（ＰＥＢ）内に載置されたウエハＷはメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂにより温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット（ＤＥＶ）→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）→温調ユニット（ＣＰＬ）の順で搬送される。そして温調ユニットのウエハＷは棚ユニット１の受け渡しユニット（ＴＲＳ）を介してトランスファーアーム２３によりキャリア載置部Ｂ１のキャリアＣに戻される。
【００４０】
ここで塗布ユニット（ＣＯＴ）にレジスト液の塗布処理を行った後、そのまま次工程の第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）にウエハＷを搬送するようにしてもよいし、受け渡しユニット（ＴＲＳ）を介して、塗布ユニット（ＣＯＴ）にアクセスするメイン搬送機構２５Ａとは異なるメイン搬送機構２５Ｂがアクセスする棚ユニットに搭載された第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）に搬送するようにしてもよく、これらの搬送経路は、オペレータが作成する搬送レシピにて選択される。
【００４１】
さらに前記レジストパターン形成装置は、既述のようにメイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）及び第２の搬送手段３１（３１Ａ，３１Ｂ）の駆動制御やその他各モジュールの制御を行う制御部４を備えている。図７はこの制御部４の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、ここでは構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。
【００４２】
図７中４００はバスであり、このバス４００にレシピ格納部４０、レシピ選択部４１、搬送レシピ作成部４２、スケジュール作成プログラム４３、実施可能性検証部４４、予測時間演算部４５、予測時間表示部４６、第１の搬送制御部４７、第２の搬送制御部４８、第３の搬送制御部４９が接続されている。レシピ格納部４０は、例えばウエハＷの搬送経路が記録されている搬送レシピや、この搬送レシピに基づき、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容のスケジュール、例えばウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールや、ウエハＷに対して行う処理条件などが記録された複数のプロセスレシピや、各モジュールにて行われる処理の時間や搬送時間等のデータが記録されたレシピ等が格納されている。レシピ選択部４１はレシピ格納部４０に格納されたレシピから適当なものを選択する部位であり、例えばウエハの処理枚数やレジストの種類などの入力もできるようになっている。
【００４３】
搬送レシピ作成部４２は、オペレータが新たな搬送レシピを作成する手段であり、スケジュール作成プログラム４３は、オペレータが入力した搬送レシピに従って搬送スケジュールを自動的に作成する手段である。実施可能性検証部４４は作成された搬送レシピの実施可能性について検証する手段であり、予測時間演算部４５は、実施可能な搬送スケジュールについてＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間のいずれか一つ又はいずれか二つ又は全部を予測演算する手段、予測時間表示部は、予測演算されたＰＣＤ時間等を表示する手段である。こうして作成された搬送レシピと搬送スケジュールは、レシピ格納部４０に格納される。
【００４４】
第１の搬送制御部４７、第２の搬送制御部４８、第３の搬送制御部４９は、搬送スケジュールを参照し、ウエハＷを対応するモジュールに搬送するように、夫々トランスファーアーム２３、メイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）、第２の搬送手段３１を制御し、これにより搬送サイクルを実行する部位である。
【００４５】
本実施の形態の作用説明をＰＣＤ時間の予測演算を行う場合を例にして図８〜図１０を用いて行う。ここでＰＣＤ時間（第１の時間）とは、塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるレジスト液の塗布処理が終了してから、次工程の第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）にて第１の加熱処理（プリベーキング処理）を開始するまでの時間をいう。ここで前記塗布処理が終了する時点とは、塗布ユニット（ＣＯＴ）における塗布処理が終了し、スピンチャック２０３上にて昇降ピン２０６による持ち上げを待つ時点をいい、第１の加熱処理を開始する時点とは、加熱ユニット（ＰＡＢ）の冷却プレート３０３上にウエハＷが受け渡され、筐体３０１のシャッタ３０７，３０８が閉じられた時点をいう。
【００４６】
先ず基板であるウエハＷに対する処理を開始するのに先立ち、オペレータが搬送レシピを作成する（ステップＳ１１）。つまり図９に示す搬送レシピ作成画面を用いて、当該画面上にて、塗布、現像装置に搭載されているモジュールから使用するモジュールを選択し、ステップ１は受け渡しユニット（ＴＲＳ２）、ステップ２は温調ユニット（ＣＰＬ１）、ステップ３は２個の反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）というように、使用するモジュールを、使用する順番で、使用する個数分、入力することにより行われる。
【００４７】
こうして作成された搬送レシピは、実施可能性検証部４４にて、レシピ格納部４０に格納されている、各モジュールにて行われる処理の時間や搬送時間等を記録したレシピを参照して、実施可能性を検証し（ステップＳ１２）、実施が不可能である場合にはその旨が例えば搬送レシピ作成画面上に表示され、再度オペレータによる搬送レシピの作成、例えば使用するモジュールの種類や、数、順序の変更が行われる。一方実施が可能である場合には、予測時間演算部４５によりＰＣＤ時間等を予測し（ステップＳ１３）、その演算結果が例えば搬送レシピ情報画面として表示されるようになっている（ステップＳ１４）。そしてこの予測表示されたＰＣＤ時間が、予め設定された時間内であるときには、例えばオペレータにより搬送レシピが確定したものとされてレシピ格納部４０に格納され、一方予測表示されたＰＣＤ時間等が前記設定された時間外であるときには、再度オペレータによる搬送レシピの作成、例えば使用するモジュールの種類や数、順序の変更が行われる。
【００４８】
そして図８（ｂ）に示すように、ロットの処理を開始するときには、オペレータが指定した搬送レシピを読み込み（ステップＳ１５）、これに基づいてスケジュール作成プログラム４３により搬送スケジュールが自動的に作成される（ステップＳ１６）。そしてこの搬送スケジュールに基づいてウエハＷがトランスファーアーム２３、メイン搬送機構２５（２５Ａ，２５Ｂ）、第２の搬送手段３１（３１Ａ，３１Ｂ）により所定のモジュールへスケジュール搬送され（ステップＳ１７）、こうして所定のロットの処理を行なわれる。
【００４９】
続いて前記ＰＣＤ時間の計算過程について図１０を用いて具体的に説明する。先ず指定された搬送レシピを読み込み（ステップＳ２０）、搬送レシピの各ステップをステップ１から順に塗布ユニット（ＣＯＴ）を検索していき、初めに見つけた塗布ユニット（ＣＯＴ）を第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）とする（ステップＳ２１）。次いで第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）の次工程のステップが第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）であるか、受け渡しユニット（ＴＲＳ）であるか、第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）及び受け渡しユニット（ＴＲＳ）以外のモジュールであるかを確認し（ステップＳ２２）、第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）である場合にはステップＳ２３に、受け渡しユニット（ＴＲＳ）である場合にはステップＳ２４に、それ以外のモジュールである場合にはステップＳ２５に、夫々進む。
【００５０】
そして受け渡しユニット（ＴＲＳ）である場合には、当該受け渡しユニット（ＴＲＳ）の次工程のステップが第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）であるか、第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）以外のモジュールであるかを確認し（ステップＳ２６）、第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）である場合にはステップＳ２７に、それ以外のモジュールである場合にはステップＳ２８に、夫々進む。
【００５１】
そしてステップＳ２３では、以下のようにＰＣＤ時間を演算するが、この場合には、ＰＣＤ時間は次の１〜５の合計時間となる。
１．  塗布ユニット（ＣＯＴ１）の後待機時間：後待機時間は、塗布ユニット（ＣＯＴ１）における処理が終了してから、当該ユニット（ＣＯＴ１）からウエハＷ１が搬出されるまでの時間をいい、サイクルタイムコントロールがある場合にはその設定時間であり、ない場合には０秒となる。ここでサイクルタイムコントロールとは、既述のように、各モジュール間のウエハの搬送時間を全て同一にするというものである。
２．  塗布ユニット（ＣＯＴ１）からのウエハＷ１の搬出時間：次の時間の合計時間であり、全て設計時間を用いて計算される。
【００５２】
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）のシャッタ２０２のオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの一方のアームを塗布ユニット（ＣＯＴ１）内に進入させる時間
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）内のウエハＷ１を昇降ピン２０６により持ち上げる時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの一方のアームにて塗布ユニット（ＣＯＴ１）内のウエハＷ１を保持して退出させることにより当該塗布ユニット（ＣＯＴ１）内からウエハＷ１を搬出し、同時にウエハＷ２を保持した他方のアームを進入させる時間
・前記他方のアーム上のウエハＷ２を昇降ピン２０６上に置く時間
・前記他方のアームを塗布ユニット（ＣＯＴ１）内から退出させる時間
３．  塗布ユニット（ＣＯＴ１）から次工程の第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）までのメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの移動時間（設計値）
４．  加熱ユニット（ＰＡＢ）へウエハＷ１を搬入する時間（設計値）：次の時間の合計時間であり、全て設計時間を用いて計算される。
【００５３】
・加熱ユニット（ＰＡＢ）のシャッタ３０７（３０８）のオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５ＢのウエハＷ１を保持した一方のアームを加熱ユニット（ＰＡＢ）内に進入させる時間
・前記一方のアーム上のウエハＷ１を加熱ユニット（ＰＡＢ）の冷却プレート３０３に置く時間
・前記一方のアームを加熱ユニット（ＰＡＢ）から退出させる時間
・  プロセス前準備動作時間
５．  加熱ユニット（ＰＡＢ）の前待機時間：前待機時間は、加熱ユニット（ＰＡＢ）にウエハＷ１を搬入してから、加熱ユニット（ＰＡＢ）にて処理が開始されるまでの時間をいい、サイクルタイムコントロールがある場合には、その設定時間であり、ない場合には０秒となる。
【００５４】
そして第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）の次工程が受け渡しユニット（ＴＲＳ）であり、受け渡しユニット（ＴＲＳ）の次工程が加熱ユニット（ＰＡＢ）である場合には、ステップＳ２７においてＰＣＤ時間を計算する。この場合には、ＰＣＤ時間は次の１〜９の合計時間となる。
１．  第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）の後待機時間：サイクルタイムコントロールがある場合には、その設定時間であり、ない場合には０秒となる。
２．  第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）からのウエハＷ１の搬出時間：次の時間の合計時間であり、全て設計時間を用いて計算される。
【００５５】
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）のシャッタ２０２のオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの一方のアームを塗布ユニット（ＣＯＴ１）内に進入させる時間
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）内のウエハＷ１を昇降ピン２０６により持ち上げる時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの一方のアームにウエハＷ１を保持させて塗布ユニット（ＣＯＴ１）内から退出させ、同時にウエハＷ２を保持する他方のアームを進入させる時間
・前記他方のアーム上のウエハＷ２を昇降ピン２０６に置く時間
・  前記他方のアームを塗布ユニット（ＣＯＴ１）内から退出させる時間
３．  第１の塗布ユニット（ＣＯＴ１）の次工程の受け渡しユニット（ＴＲＳ）までのメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの移動時間（設計値）
４．  受け渡しユニット（ＴＲＳ）へウエハＷ１を搬入する時間（設計値）：次の時間の合計時間であり、全て設計時間を用いて計算される。
【００５６】
・受け渡しユニット（ＴＲＳ）のシャッタのオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５ＢのウエハＷ１を保持する一方のアームを受け渡しユニット（ＴＲＳ）内に進入させる時間
・前記一方のアーム上のウエハＷ１を受け渡しユニット（ＴＲＳ）の受け渡し台に置く時間
・前記一方のアームを受け渡しユニット（ＴＲＳ）内から退出させる時間
５．受け渡しユニット（ＴＲＳ）での滞在時間：この滞在時間は、「滞在時間＝（サイクルタイム）ー（ＡＯＴ）」により算出される。ここでサイクルタイムとは、後述するレジストパターン形成装置のサイクルタイムであり、ＡＯＴとは、塗布ユニット（ＣＯＴ１）と受け渡しユニット（ＴＲＳ）までのウエハの搬送時間であって、このＡＯＴは以下の合計時間である。
【００５７】
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）の前工程のモジュールからウエハＷ１を搬出する時間（設計値）
・前記前工程のモジュールから塗布ユニット（ＣＯＴ１）までのメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの移動時間（設計値）
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）でのウエハの入れ替え動作時間（設計値）
・塗布ユニット（ＣＯＴ１）から次工程の受け渡しユニット（ＴＲＳ）までのメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの移動時間（設計値）
・  受け渡しユニット（ＴＲＳ）へのウエハＷ１の搬入時間（設計値）
６．受け渡しユニット（ＴＲＳ）からのウエハＷ１の搬出時間（設計値）：次の時間の合計時間であり、全て設計時間を用いて計算される。
【００５８】
・受け渡しユニット（ＴＲＳ）のシャッタのオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの一方のアームを受け渡しユニット（ＴＲＳ）内に進入させる時間
・受け渡しユニット（ＴＲＳ）の昇降ピンを上昇させて、ウエハＷ１を持ち上げる時間
・  前記一方のアームにウエハＷ１を保持させて、受け渡しユニット（ＴＲＳ）内から退出させる時間
７．  受け渡しユニット（ＴＲＳ）から次工程の加熱ユニット（ＰＡＢ）までの搬送アーム移動時間（設計時間）
８．  前記加熱ユニット（ＰＡＢ）へウエハを搬入する時間：以下の動作の合計時間であり、全て設計値上の時間を使用して計算される。
【００５９】
・加熱ユニット（ＰＡＢ）のシャッタのオープン時間
・メイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂのウエハを保持していない他方のアームを加熱ユニット（ＰＡＢ）内に進入させる時間
・加熱ユニット（ＰＡＢ）内のウエハＷ２を持ち上げる時間
・前記他方のアームにより前記ウエハＷ２を受け取って、当該アームを退出させ、同時にウエハＷ１を保持している前記一方のアームを進入させる時間
・前記一方のアーム上のウエハＷ１を加熱ユニット（ＰＡＢ）の冷却プレート３０３に載置する時間    
・  前記一方のアームを加熱ユニット（ＰＡＢ）内から退出させる時間
・  プロセス前準備動作時間
９．加熱ユニット（ＰＡＢ）の前待機時間：サイクルタイムコントロールがある場合には、その設定時間であり、ない場合には０秒となる。
【００６０】
ここで上述の図９に示す搬送レシピでは、ウエハＷを、受け渡しユニット（ＴＲＳ２）→温調ユニット（ＣＰＬ１）→反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→加熱ユニット（ＢＡＫＥ１〜４）→温調ユニット（ＣＰＬ２）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→受け渡しユニット（ＴＲＳ３）→加熱ユニット（ＰＡＢ１〜５）→棚ユニットＵ３の温調ユニット（ＣＰＬ７）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→バッファカセット（ＳＢＵ１，２）→温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）→露光装置Ｂ４のインステージ３４、アウトステージ３５→受け渡しユニット（ＴＲＳ７）→加熱ユニット（ＰＨＢ１〜５）→温調ユニット（ＣＰＬ４）→現像ユニット（ＤＥＶ）→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１〜３）→温調ユニット（ＣＰＬ５，６）→受け渡しユニット（ＴＲＳ１）の経路で搬送するように作成されている。
【００６１】
従ってこの搬送レシピにより予測演算されるＰＣＤ時間は、ウエハＷを、既述の塗布ユニット（ＣＯＴ１）から受け渡しユニット（ＴＲＳ）を介して加熱ユニット（ＰＡＢ）に搬送するタイプに基づいて演算され、
１．塗布ユニット（ＣＯＴ１）後待機時間：サイクルタイムコントロールがない場合を想定して０秒
２．塗布ユニット（ＣＯＴ１）からのウエハＷ１の搬出時間：２．５秒
３．塗布ユニット（ＣＯＴ１）から受け渡しユニット（ＴＲＳ）までのメイン搬送機構２５Ａ，２５Ｂの移動時間：１．０秒
４．受け渡しユニット（ＴＲＳ）へのウエハＷ１の搬入時間：１．５秒
５．受け渡しユニット（ＴＲＳ）での滞在時間：「滞在時間＝（サイクルタイム）ー（ＡＯＴ）＝３０．５−[ＡＯＴ＝（２．５＋３．５＋２．５）]＝２２．０秒
６．受け渡しユニット（ＴＲＳ）からのウエハＷ１の搬出時間：１．５秒 
７．受け渡しユニット（ＴＲＳ）から次工程の加熱ユニット（ＰＡＢ）までの搬送アーム移動時間：１．０秒
８．前記加熱ユニット（ＰＡＢ）へのウエハＷ１の搬入時間：３．５秒
９．加熱ユニット（ＰＡＢ）の前待機時間：サイクルタイムコントロールがない場合を想定して０秒
であるので、これらより、ＰＣＤ時間は、０．０＋２．５＋１．０＋１．５＋０．０＋２２．０＋１．５＋１．０＋３．５＋０．０＝３３．０秒となる
このようにして計算されたＰＣＤ時間は、例えば図１１に示すように、搬送レシピ情報画面に表示される（ステップＳ２９）。図１１は、前記レジストパターン形成装置のサイクルタイム（図では第１のサイクルタイムとする）、塗布・現像装置のサイクルタイム（図では第２のサイクルタイムとする）、露光装置Ｂ４のサイクルタイム（図では第３のサイクルタイムとする）と、ＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間が同じ画面に表示される例である。ここでサイクルタイムとは、搬送レシピとプロセスレシピとを参照して演算された、夫々の装置内において１枚のウエハＷが全てのモジュールに搬送されて、一連の処理を行うときに必要な時間である。従って前記第２のサイクルタイムが律速である場合には、第１のサイクルタイムは第２のサイクルタイムと同じ値になり、前記第３のサイクルタイムが律速である場合には、第１のサイクルタイムは第３のサイクルタイムと同じ値になる。
【００６２】
このようにＰＣＤ時間を予測演算することにより、回路線幅や膜質の状態を予測できる。つまりレジスト塗布後から加熱ユニット（ＰＡＢ）にてプリべーク処理を行うまでの間、ウエハＷ上のレジスト膜中の薬液と装置雰囲気中のアミン等とが反応し、これによりレジスト膜の膜質が変化したり、この膜質の変化が線幅に影響を与える。またウエハＷ上のレジスト膜中の溶剤は揮発するが、この揮発現象の速度が回路線幅に影響を与えている。このようにレジスト塗布後からプリべーク処理を行うまでのＰＣＤ時間と、回路線幅や膜質との間には相関関係があるので、前記ＰＣＤ時間を予測演算することにより、回路線幅や膜質の状態等のプロセスへの影響度が予測できる。
【００６３】
続いて前記ＰＥＤ時間の計算過程について図１２を用いて説明する。ここでＰＥＤ時間（第３の時間）とは、露光装置Ｂ４における露光処理が終了してから、次工程の加熱ユニット（ＰＥＢ）にて第２の加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング処理）を開始するまでの時間をいう。前記露光処理が終了する時点とは、露光装置Ｂ４のアウトステージ３５に露光処理後のウエハＷが置かれた時点をいい、第２の加熱処理を開始する時点とは、第２の加熱ユニット（ＰＥＢ）の冷却プレート３０３上にウエハＷが受け渡され、筐体３０１のシャッタ３０７，３０８が閉じられた時点をいう。この場合も指定された搬送レシピを読み込み（ステップＳ３１）、この搬送レシピに従ってＰＥＤ時間が計算される（ステップＳ３２）。
【００６４】
既述の図９に示す搬送レシピでは、ウエハＷは、露光装置のアウトステージ３５→補助搬送部３１Ｂ→受け渡しユニットＴＲＳ７→主搬送部３１Ａ→第２の加熱ユニット（ＰＥＢ）の経路で搬送されるので、この場合のＰＥＤ時間の最大時間と最小時間とを計算する。
【００６５】
前記ＰＥＤ時間の最大時間は、次の１〜４の合計時間となる。
１．露光装置Ｂ４からウエハＷ１を搬出できる状態になってから、実際に補助搬送部３１ＢがウエハＷを搬出するまでの遅れ時間（第１の遅れ時間）：この時間は、露光装置Ｂ４のアウトステージ３５からウエハＷ１が搬出できる状態になった時点で、補助搬送部３１Ｂが他の搬送（温調ユニット（ＣＰＬ１０）から露光装置Ｂ４のインステージ３４へのウエハＷ２の搬送）をしようとしていて、待たされる時間をいう。この時間は、次の設計値の合計時間により算出される。
・  露光装置Ｂ４から温調ユニット（ＣＰＬ１０）までの補助搬送部３１Ｂの移動時間（設計値）
・  補助搬送部３１Ｂで温調ユニット（ＣＰＬ１０）内のウエハＷ２を搬出する時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ１０）から露光装置Ｂ４までの補助搬送部３１Ｂの移動時間（設計値）
・  補助搬送部３１Ｂにて露光装置Ｂ４にウエハＷ２を搬入する時間（設計値）
２．  露光装置Ｂ４からウエハＷ１を搬出して、受け渡しユニット（ＴＲＳ７）に搬入を完了するまでの時間：この時間は、露光装置Ｂ４のアウトステージ３５から受け渡しユニット（ＴＲＳ７）へのウエハＷ１の搬送に要する時間の設計値であり、１の工程と同じ動作を行うので、同じ時間になる。
３．  受け渡しユニット（ＴＲＳ７）からウエハＷ１を搬出できる状態になってから、実際に主搬送部３１ＡがウエハＷ１を搬出するまでの遅れ時間（第２の遅れ時間）：この時間は、受け渡しユニット（ＴＲＳ７）からウエハＷ１が搬出できる状態になった時点で、主搬送部３１Ａが他の搬送をしようとしていて、待たされる時間であり、主搬送部３１Ａが他の搬送を行うための所要時間に相当する。
【００６６】
他の搬送の搬送パターンとしては、以下のパターンがある。
【００６７】
（ａ）受け渡しユニット（ＴＲＳ７）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→バッファカセット（ＳＢＵ１，２）
（ｂ）受け渡しユニット（ＴＲＳ７）→周縁露光装置（ＷＥＥ）
（ｃ）周縁露光装置（ＷＥＥ）→バッファカセット（ＳＢＵ１，２）
（ｄ）受け渡しユニット（ＴＲＳ７）→バッファカセット（ＳＢＵ１，２）
（ｅ）バッファカセット（ＳＢＵ１，２）→温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）
これらの中で最も時間を要するのが（ａ）の搬送であり、この時間が第２の遅れ時間となる。この時間も設計値より算出し、以下の時間の合計時間となる。
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から最も遠いポイントから受け渡しユニット（ＴＲＳ７）までの主搬送部３１Ａの移動時間
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から主搬送部３１ＡがウエハＷ２を搬出する時間
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から周縁露光装置（ＷＥＥ）までの主搬送部３１Ａの移動時間
・周縁露光装置（ＷＥＥ）へ主搬送部３１ＡのウエハＷ２を搬入する時間
・周縁露光装置（ＷＥＥ）から主搬送部３１ＡがウエハＷ２を搬出する時間
・周縁露光装置（ＷＥＥ）からバッファカセット（ＳＢＵ１，２）までの主搬送部３１Ａの移動時間
４．  受け渡しユニット（ＴＲＳ７）からウエハＷ１を搬出して第２の加熱ユニット（ＰＥＢ）へ搬入を完了するまでの時間：この時間は、受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から加熱ユニット（ＰＥＢ）への搬送に要する時間であり、以下の時間（設計値）の合計時間である。
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から最も遠いポイントから受け渡しユニット（ＴＲＳ７）までの主搬送部３１Ａの移動時間
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から主搬送部３１ＡがウエハＷ１を搬出する時間
・受け渡しユニット（ＴＲＳ７）から加熱ユニット（ＰＥＢ）までの主搬送部３１Ａの移動時間
・加熱ユニット（ＰＥＢ）へ主搬送部３１ＡのウエハＷ１を搬入する時間
以上により、上述の場合には、上記１〜４の合計時間がＰＥＤ時間の予測時間最大時間として演算され、
１．第１の遅れ時間の設計値＝７．０秒、
２．露光装置Ｂ４からウエハＷを搬出して、受け渡しユニット（ＴＲＳ７）に搬入を完了するまでの時間の設計値＝７．０秒
３．第２の遅れ時間の設計値＝１１．８秒
４．加熱ユニット（ＰＥＢ）へ搬入完了するまでの時間の設計値＝６．０秒
であるので、これらより、ＰＥＤ時間の最大時間は、７．０＋７．０＋１１．８＋６．０＝３１．８秒となる。
【００６８】
一方、ＰＥＤ時間の最小時間は、第１の遅れ時間と第２の遅れ時間とが発生しない場合であるので、受け渡しユニット（ＴＲＳ７）に搬入を完了するまでの時間と、加熱ユニット（ＰＥＢ）へ搬入完了するまでの時間と、を考慮すればよく、既述の設計値より、ＰＥＤ時間の最小時間は、７．０＋６．０＝１３．０秒となる。こうして演算されたＰＥＤ時間の最大時間と最小時間とは、例えば図１１に示す搬送レシピ情報画面に表示される（ステップＳ３３）。
【００６９】
このようにＰＥＤ時間は、最大時間と最小時間とを演算して表示することが好ましい。この理由は、ＰＥＤ時間のばらつきは、ＰＣＤ時間やＰＡＤ時間に比べて回路線幅のばらつきとより密接に関連しており、ＰＥＤ時間が例えば±２秒の範囲でばらつくと、回路線幅も例えば±１０ｎｍの範囲と、許容範囲外のばらつきになってしまうからである。
【００７０】
従ってＰＥＤ時間の最大時間と最小時間とを表示することにより、この場合の回路線幅のバラツキが把握でき、このバラツキを許容するか、つまり、露光装置Ｂ４から加熱ユニット（ＰＥＢ）への搬送時間の調整を行って、スループットを低下させてもバラツキの程度を小さくするかといった対策をとることができる。
【００７１】
このように本実施の形態では、オペレータが搬送レシピを作成した時点で、ＰＣＤ時間や、ＰＥＤ時間を予測演算して表示しているので、実際に製品ウエハやテストウエハＷをレジストパターン形成装置に流すことなくＰＣＤ時間等を把握でき、ＰＣＤ時間等の予測を、手間や時間をかけずに、作業効率よく行うことができる。そして予測演算したＰＣＤ時間等が設定範囲ではない場合には、再びオペレータがコンピュータの画面上で搬送レシピを修正すればよいので、所定のＰＣＤ時間等を確保できる搬送レシピの作成が手間や時間をかけずに、容易に行うことができる。
【００７２】
ここでＰＣＤ時間やＰＥＤ時間等は回路線幅や膜質の状態と相関関係を有しているので、ＰＣＤ時間を予測演算して表示することにより、回路線幅や膜質の状態を予測でき、ＰＥＤ時間を予測演算して表示することにより、回路線幅のバラツキの程度を把握することができる。この際、ＰＣＤ時間、ＰＥＤ時間が所望の範囲である搬送レシピを作成することにより、自動的に搬送スケジュールが作成され、これに基づいて処理が行われるので、このようなレジストパターン形成装置では、所望の回路線幅や膜質を備えたレジストパターンの形成を行うことができる。
【００７３】
以上において、本発明ではＰＡＤ時間もＰＣＤ時間、ＰＥＤ時間と同様に求められる。ＰＡＤ時間とは、第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）におけるプリベーキング処理が終了してから、露光装置Ｂ４にて露光処理が開始されるまでの時間をいう。ここでプリベーキング処理が終了する時点とは、冷却プレート３０３上で昇降ピン３０９による持ち上げを待つ状態をいい、露光装置Ｂ４にて露光処理が開始される時点とは、露光装置Ｂ４のインステージ３４にウエハＷが受け渡された時点をいう。ＰＡＤ時間は次の１〜４の工程の合計時間により算出される。
１．  加熱ユニット（ＰＡＢ）から露光装置Ｂ４のインステージ３４までに通過するモジュールのウエハの搬出入動作の時間（設計値）の合計時間：以下の時間の合計である。
・  加熱ユニット（ＰＡＢ）の入れ替え動作時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ７）へのウエハ搬入動作時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ７）へのウエハ搬出動作時間
・  周縁露光装置（ＷＥＥ）の入れ替え動作時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）へのウエハ搬入動作時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）からのウエハ搬出動作時間
・  露光装置Ｂ４へのウエハ搬入動作時間
２．  加熱ユニット（ＰＡＢ）から露光装置Ｂ４までに通過するモジュール間の搬送手段の移動時間（設計値）の合計時間：以下の時間の合計である。
・  加熱ユニット（ＰＡＢ）から温調ユニット（ＣＰＬ７）への移動時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ７）から周縁露光装置（ＷＥＥ）への移動時間
・  周縁露光装置（ＷＥＥ）から温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）への移動時間
・  温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）から露光装置への移動時間
３．  温調ユニット（ＣＰＬ７）、周縁露光装置（ＷＥＥ）、温調ユニット（ＣＰＬ１０，１１）でのプロセス時間と周縁露光装置（ＷＥＥ）のオーバーヘッド時間の合計時間
４．  アーム移動遅延時間は、温調ユニット（ＣＰＬ７）から露光装置Ｂ４までの、主搬送部３１Ａ、補助搬送部３１Ｂによるウエハ搬送時に考慮する。
・主搬送部３１Ａの移動最大遅延時間
・補助搬送部３１Ｂの移動最大遅延時間
以上の時間の合計がＰＡＤ時間となる。但し、露光装置Ｂ４と、塗布、現像装置とのサイクルタイムの差を吸収するため、バッファカセット（ＳＢＵ）内でウエハＷが待機されるので、その滞在時間を露光装置Ｂ４に応じて求め、この時間も計算に含める必要がある。
【００７４】
このＰＡＤ時間もプロセス影響度を持つので、回路線幅や膜質の状態に影響を与えており、ＰＡＤ時間と、回路線幅や膜質との間には相関関係がある。これにより前記ＰＡＤ時間を演算することにより、回路線幅や膜質の状態等のプロセスへの影響度が予測できる。
【００７５】
以上において、本発明では、指定されたＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間が所定のバラツキ範囲内に収まる推奨搬送ルートを表示するようにしてもよい。つまり例えばＰＣＤ時間の場合、塗布ユニット（ＣＯＴ）から第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）に直接搬送する場合と、受け渡しユニット（ＴＲＳ）を経由して第１の加熱ユニット（ＰＡＢ）に搬送する搬送ルートが考えられる。加熱ユニット（ＰＡＢ）に直接搬送する場合は、加熱ユニット（ＰＡＢ）に搬送するまでに途中のモジュールに滞在することがないので、バラツキの発生はほとんどない。これに対し、受け渡しユニット（ＴＲＳ）経由の場合、加熱ユニット（ＰＡＢ）に搬送するまでに受け渡しユニット（ＴＲＳ）に滞在する。この滞在時間は、各搬送サイクルの時間によって変わってくるので、結果としてＰＣＤ時間もばらついてしまう。
【００７６】
以上のように、例えば「ＣＯＴ→ＴＲＳ→ＰＡＢ」といった搬送レシピを作成した場合、「ＣＯＴ→ＰＡＢ」とした方が、ばらつきが少ないといった情報を表示する。また「ＰＡＢ→ＣＰＬ→ＴＲＳ→ＷＥＥ→ＳＢＵ→インターフェース部Ｂ３のＣＰＬ→露光装置Ｂ４」といった搬送レシピを作成した場合、「ＰＡＢ→ＣＰＬ→ＷＥＥ→ＳＢＵ→インターフェース部Ｂ３のＣＰＬ→露光装置」とした方がばらつきが少ないという情報を表示する。このようにバラツキが少ない搬送経路を提案することにより、プロセス技術者の搬送レシピ作成作業を低減することができる。
【００７７】
以上において、本発明では、棚ユニットＵ１〜Ｕ９に配置されるモジュールの種類や個数、レイアウト等を変えることにより、搬送レシピに応じてＰＣＤ時間やＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間等が変わってくるので、搬送レシピを作成することにおりＰＣＤ時間等を予測演算することは、回路線幅等のプロセスに悪影響を与えない搬送レシピの確保のためには有効である。
【００７８】
また本発明では、ＰＣＤ時間、ＰＡＤ時間、ＰＥＤ時間のいずれか一つ、又はいずれか二つのパラメータを予測演算するようにしてもよいし、全てのパラメータを予測演算するようにしてもよい。二つ以上のパラメータを予測演算して表示する場合には、それぞれの演算結果を見て、搬送レシピを調整し、例えば回路線幅のバラツキが最も少ない等の最もプロセスに悪影響を与えない搬送レシピを得ることが可能となる。
【００７９】
以上において、本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置における搬送手段を示す斜視図である。
【図４】前記塗布、現像装置における棚ユニットを示す側面図である。
【図５】前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す縦断断面図である。
【図６】前記塗布、現像装置における加熱ユニットを示す縦断断面図と平面図である。
【図７】前記塗布、現像装置における制御部の一例を示す構成図である。
【図８】前記塗布、現像装置の作用を説明するための工程図である。
【図９】搬送レシピの作成画面の一例を示す説明図である。
【図１０】前記塗布、現像装置にてＰＣＤ時間を予測演算するときの工程図である。
【図１１】ＰＣＤ時間等の演算結果の表示例を示す説明図である。
【図１２】前記塗布、現像装置にてＰＥＤ時間を予測演算するときの工程図である。
【図１３】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｗ          半導体ウエハ
Ｃ          キャリア
Ｂ１        キャリア載置部
Ｂ２        処理ブロック
Ｂ３        インターフェイス部
Ｂ４        露光装置
２３        トランファーアーム
２５（２５Ａ、２５Ｂ）    メイン搬送機構
３１（３１Ａ、３１Ｂ）    第２の搬送手段（主搬送部、補助搬送部）
４          制御部
４２        搬送レシピ作成部
４３        スケジュール作成プログラム
４４        実施可能性演算部
４５        予測時間演算部
４６        予測時間表示部
ＣＯＴ      塗布ユニット
ＰＡＢ      第１の加熱ユニット
ＰＥＢ      第２の加熱ユニット
ＴＲＳ      受け渡しユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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