(57)【要約】【課題】出力ラインに重畳されるノイズを抑制し、誤った回転情報の検出を防止できる回転情報検出装置を提案する。【解決手段】被回転体の回転に伴ない周期的な変化磁界を検出素子に与えて、回転情報を検出する。信号処理回路は、被回転体の回転に伴ない、高レベルと低レベルの間で変化する２値の出力信号を発生する出力回路を含む。この出力回路は出力信号を出力する出力ラインに接続された出力トランジスタを含み、この出力トランジスタに対する電源端子と衆力ラインとの間にノイズ抑制回路が接続される。このノイズ抑制回路は、ダイオードと電流制限抵抗を含む。【選択図】図４
2005345377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出体の回転に伴ない周期的な変化磁界を発生し、この変化磁界に基づき前記被検出体の回転情報を検出する回転情報検出装置であって、前記被検出体の回転に伴ない高レベルと低レベルとの間で変化する２値の出力信号を発生する信号処理回路を備え、前記信号処理回路は、前記出力信号を出力する出力ラインに接続された出力トランジスタを有し、また前記出力トランジスタに対する電源端子と前記出力ラインとの間には、前記出力ラインに重畳されるノイズを前記電源端子へ逃がすノイズ抑制回路が接続されたことを特徴とする回転情報検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の回転情報検出装置であって、前記ノイズ抑制回路は、ダイオードと電流制限抵抗を含み、前記ノイズにより、前記出力ラインの電位が前記電源端子の電源電圧よりも大きくなったときに、前記ダイオードがオンとなり、前記ノイズを前記電源端子へ逃がすことを特徴とする回転情報検出回路。
【請求項３】
請求項２記載の回転情報検出装置であって、前記出力ラインと前記電源端子との間には、前記ノイズ抑制回路と並列に出力抵抗が接続されたことを特徴とする回転情報検出装置。
【請求項４】
請求項１記載の回転情報検出装置であって、前記変化磁界を受けて検出信号を発生する検出素子を備え、前記信号処理回路は前記検出信号を受け、この検出信号に基づき前記出力信号を発生することを特徴とする回転情報検出装置。
【請求項５】
請求項４記載の回転情報検出装置であって、前記信号処理回路は、さらに前記検出信号を増幅する差動増幅回路と、この差動増幅回路の出力に交流結合回路を介して接続された比較回路とを有し、この比較回路の出力が前記出力トランジスタに供給されることを特徴とする回転情報検出装置。
【請求項６】
請求項４記載の回転情報検出装置であって、前記検出素子として磁気抵抗素子が用いられ、この磁気抵抗素子は前記変化磁界を受けてその電気抵抗値が変化することにより、前記検出信号を発生することを特徴とする回転情報検出装置。
【請求項７】
請求項４記載の回転情報検出装置であって、前記検出素子としてホール素子が用いられ、このホール素子は前記変化磁界を受けて前記検出信号を発生することを特徴とする回転情報検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被検出体の回転に伴ない周期的な変化磁界を発生し、この変化磁界に基づき前記被検出体の回転情報を検出する回転情報検出装置に関するものであって、例えば被検出体を内燃機関とし、この内燃機関の回転角度情報を発生する用途などに応用される。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開平１１−３０４４１６号公報（先行技術という）には、磁気抵抗素子（ＭＲ素子という）を検出素子とする第１の種類の検出装置が開示されている。このＭＲ素子は、強磁性体薄膜における電流方向と交叉する磁束の方向変化に応じて電気抵抗値が変化するものであり、被回転体の回転に応じて、強磁性体薄膜に対する磁束の方向変化を与えることにより、この磁束の方向変化に応じた検出信号を発生する。
【０００３】
また、前記先行技術には、ホール素子を検出素子とする第２の種類の検出装置も開示されている。このホール素子は、それに与えられる磁束の強度変化に応じて検出信号を発生する。
【０００４】
前記先行技術に開示された第１および第２の種類の検出装置は、検出素子に発生する検出信号を、高レベルと低レベルとの間で変化する２値の出力信号に変換する信号処理回路を備えている。この信号処理回路は、出力トランジスタを含み、この出力トランジスタは出力ラインに接続され、この出力ラインに前記出力信号を発生する。この出力信号は、被検出体とともに回転する回転板の周面に形成された凹部と凸部との間で変化磁界を受け、高レベルと低レベルとの間を変化するものであり、変化磁界の変化がない状態では、高レベルまたは低レベルを維持する。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３０４４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前記先行技術に開示された第１および第２の種類の検出装置では、出力ラインが高レベルを維持しているときに、出力ラインにノイズが重畳されると、このノイズにより、出力ラインの電位が高レベルから低レベルに誤って変化する問題がある。この誤った出力ラインの電位変化は、検出する回転情報に誤差を与え、誤った回転情報を検出する不都合をもたらす。
【０００７】
この発明は、このようなノイズによる出力ラインの不要な変動を防止し、回転情報を、より正確に検出することができる改善された回転情報検出装置を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明による回転情報検出装置は、被検出体の回転に伴ない周期的な変化磁界を発生し、この変化磁界に基づき前記被検出体の回転情報を検出する回転情報検出装置であって、前記被検出体の回転に伴ない高レベルと低レベルとの間で変化する２値の出力信号を発生する信号処理回路を備え、前記信号処理回路は、前記出力信号を出力する出力ラインに接続された出力トランジスタを有し、また前記出力トランジスタに対する電源端子と前記出力ラインとの間には、前記出力ラインに重畳されるノイズを前記電源端子へ逃がすノイズ抑制回路が接続されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明による回転情報検出装置では、出力トランジスタに対する電源端子と出力ラインとの間に、出力ラインに重畳されるノイズを電源端子へ逃がすノイズ抑制回路が接続された結果、出力ラインに重畳されるノイズはノイズ抑制回路を通じて電源端子に逃がされるので、例えば高レベルにある出力ラインが、ノイズのために低レベルに変化することが防止され、ノイズによる誤った回転情報の検出を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下この発明のいくつかの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１１】
実施の形態１．
まず、この発明による回転情報検出装置の実施の形態１について説明する。図１は実施の形態１の回転情報検出装置の全体を示す側面図、図２はその内部を示す側断面図である。
【００１２】
実施の形態１の回転情報検出装置は、内燃機関に取付けられ、内燃機関の回転角度情報を検出する。言い換えれば、この実施の形態１では、被検出体は内燃機関であり、この被検出体の回転角度情報を検出する。この実施の形態１の回転情報検出装置は、筒状のケース１０と、回転板２０を有する。回転板２０は、被検出体、すなわち内燃機関により駆動され、内燃機関とともに回転する。
【００１３】
筒状のケース１０は合成樹脂で作られ、図１に示すように、その右端部に検出部１１が、また左端部には端子部１２が形成される。検出部１１は、回転板２０の外周面２０ａに間隙Gを介して対向している。端子部１２には検出装置の出力信号Ｓ６が出力される。この端子部１２には、図示しないコンピュータユニットが接続され、出力信号Ｓ６はこのコンピュータユニットに送られ、このコンピュータユニットにおいて内燃機関の回転角度が検出される。
【００１４】
図２に示すように、この筒状のケース１０は軸線Ａ−Ａに沿って延びており、このケース１０内には、電気回路基板１３、永久磁石１４、および検出素子１５が配置されている。電気回路基板１３には、半導体集積回路素子、抵抗素子、コンデンサ素子が載置され、実施の形態１における信号処理回路１００が搭載される。永久磁石１４は検出部１１に検出素子１５とともに配置される。
【００１５】
永久磁石１４は、筒状のケース１０の軸線Ａ−Ａの方向に着磁され、この永久磁石１４の外側端面に検出素子１５が配置される。回転板２０は、鉄板などの磁性体で作られ、その回転に伴ない検出素子１５に変化磁界を与えるように、その外周面２０ａには、凹部２１ａと凸部２１ｂが外周面２０ａに沿って交互に形成される。複数の凹部２１ａおよび複数の凸部２１ｂが回転板２０の外周面２０ａに形成される。これらの凹部２１ａと凸部２１ｂは、それぞれ回転板２０の外周面２０ａに、所定の角度ピッチで交互に形成される。
【００１６】
検出素子１５は磁気検出素子である。回転板２０の回転に伴ない、永久磁石１４からの磁束が周期的に変化する変化磁界とされ、この変化磁界が検出素子１５に与えられる。検出素子１５は、この変化磁界を受けて検出信号を発生する。実施の形態１では、検出素子１５として、変化磁界により電気抵抗値が変化する一対の磁気抵抗素子が使用される。
【００１７】
磁気抵抗素子はＭＲ素子と呼ばれる。このＭＲ素子は、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、ニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）などからなる強磁性体薄膜を有し、この強磁性体薄膜における電流方向と磁化方向との角度に応じてその電気抵抗値が変化する素子である。検出素子１５としてこのＭＲ素子が使用される場合、強磁性体薄膜には、所定方向に一定の電流が流され、この電流の方向と交叉するように、永久磁石１４からの磁束が与えられる。この永久磁石１４からの磁束は、回転板２０の回転により変化磁界とされるが、この変化磁界は磁束の方向変化と強度変化とを含み、この磁束の方向変化が、強磁性体薄膜に対し、その電流の方向と交叉する磁化方向を変化させる。
【００１８】
具体的には、回転板２０の凸部２１ｂは永久磁石１４からの磁束を吸引するように働き、この凸部２１ｂが回転板２０とともに回転する。この凸部２１ｂは検出素子１５に回転板２０の回転に伴ない検出素子１５に接近し、またその後に検出素子１５から遠ざかる。この凸部２１ｂが検出素子１５に接近し、また検出素子１５から遠ざかることにより、磁束の方向変化と磁束の強度変化を持った変化磁界が検出素子１５に与えられる。ＭＲ素子は、この変化磁界の中の磁束の方向変化に基づき、強磁性体薄膜における電流方向と磁化方向との角度が変化し、この角度の変化に応じて、電気抵抗値が変化する。
【００１９】
図３は、図１、図２に示した実施の形態１の回転情報検出装置における磁気回路を示す模式図である。この図３の模式図は、永久磁石１４と検出素子１５と回転板２０との関係を示す。図３（ａ）はそれらの側面図、図３（ｂ）はそれらの斜視図、図３（ｃ）はそれらの一部分の上面図である。検出素子１５には、一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂが使用される。
【００２０】
この一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂは、図３（ｂ）に示すように回転板２０の回転方向Ｂに沿って並べて配置される。一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂが、回転板２０の回転方向Ｂに沿って並べて配置される結果、ＭＲ素子１５ＡはＭＲ素子１５Ｂよりも先行して、変化磁界を受け、ＭＲ素子１５ＢはこのＭＲ素子１５Ａに遅れて変化磁界を受ける。このように一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂには、変化磁界が時間的にずれて与えられるので、ＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂの抵抗値の変化も互いに時間的にずれたタイミングで起こる。
【００２１】
回転板２０は、図３（ａ）に示す軸線Ｃ−Ｃを中心として内燃機関とともに回転する。この図３（ａ）では、永久磁石１４は、回転板２０の半径方向に着磁されている。この永久磁石１４の回転板２０側の端面に、一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂが配置されている。
【００２２】
図４は実施の形態１の回転情報検出装置における信号処理回路１００を示す。この信号処理回路１００は、図２に示す電気回路基板１３に搭載され、検出回路３０と、差動増幅回路４０と、交流結合回路５０と、比較回路６０と、出力回路７０を有する。
【００２３】
検出回路３０は、直流電源端子ＶＣＣと、一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂを含んでいる。一対の検出素子１５Ａ、１５Ｂは、直流電源端子ＶＣＣとグランドなどの基準電位点との間に、互いに直列に接続され、ブリッジ回路を構成している。一対のＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂは接続点３１において互いに接続される。この接続点３１は検出回路３０の出力端子となり、この接続点３１から検出信号Ｓ１が出力される。
【００２４】
回転板２０の外周面２０ａに形成された凸部２１ｂが、ＭＲ素子１５Ａ、１５Ｂに接近するときには、先に検出素子１５Ａの抵抗値が減少し、その後に検出素子１５Ｂの抵抗値が減少する。検出信号Ｓ１は、ＭＲ素子１５Ａの抵抗値が減少したときに増大し、それに遅れてＭＲ素子１５Ｂの抵抗値が減少したときに低下する。
【００２５】
差動増幅回路４０は、増幅器４１と、抵抗４２、４３、４４、４５、４６、４７を有する。増幅器４１はプラス入力ａとマイナス入力ｂと出力ｃを有する。抵抗４２、４３、４４、４５は、直流電源端子ＶＣＣとグランドなどの基準電位点との間に接続され、プラス入力ａに一定の電位を与える。抵抗４６はマイナス入力ｂと、検出回路３０の接続点３１との間に接続され、マイナス入力ｂに検出信号Ｓ１を供給する。抵抗４７は、マイナス入力ｂと出力ｃとの間の帰還抵抗である。この差動増幅回路４０の増幅器４１は検出信号Ｓ１を増幅して、出力ｃに増幅信号Ｓ２を出力する。
【００２６】
比較回路６０は、比較器６１と、抵抗６２、６３、６４、６５を有する。比較器６１はプラス入力ａと、マイナス入力ｂと、出力ｃを有する。抵抗６２、６３は直流電源端子ＶＣＣと基準電位点の間に直列に接続され、プラス入力ａにＶＣＣ／２の比較電位を与える。抵抗６４は直流電源端子ＶＣＣと出力ｃとの間に接続される。抵抗６５は出力ｃとプラス入力ａとの間に接続された帰還抵抗である。
【００２７】
差動増幅回路４０の増幅器４１の出力ｃは、交流結合回路５０を介して比較回路６０に接続される。この交流結合回路５０は、結合コンデンサ５１と抵抗５２を含んでいる。結合コンデンサ５１は増幅器４１の出力ｃと比較器６１のマイナス入力ｂとの間に接続され、抵抗５２は、結合コンデンサ５１の比較器６１側の端子と比較器６１のプラス入力ａとの間に接続される。
【００２８】
増幅信号Ｓ２は、検出信号Ｓ１を増幅した交流成分とともに直流成分を含んでいる。交流結合回路５０の結合コンデンサ５１は、この直流成分をカットし、検出信号Ｓ１を増幅した交流信号Ｓ３を発生する。この交流信号Ｓ３は比較器６１のマイナス入力ｂに供給される。比較器６１のプラス入力ａには、比較信号Ｓ４が供給される。比較器６１の出力ｃとプラス入力ａとの間に帰還抵抗６５が接続されているので、比較信号Ｓ４は比較出力Ｓ５が出力される度に、ＶＣＣ／２の比較電位から上下に反転する。比較出力Ｓ５は比較器６１の出力ｃから出力される。この比較出力Ｓ５は、交流信号Ｓ３が比較信号Ｓ４を上回ったときにレベルが低下し、また交流信号Ｓ３が比較信号Ｓ４を下回ったときにレベルが上昇する。
【００２９】
出力回路７０は、出力トランジスタ７１と、出力抵抗７２と、出力ライン７３と、出力端子７４と、ノイズ抑制回路７５を含んでいる。出力トランジスタ７１はＮＰＮ型バイポーラトランジスタである。この出力トランジスタ７１のベースは、比較回路６０の比較器６１の出力ｃに直接接続され、そのコレクタは出力抵抗７２を介して直流電源端子ＶＣＣに接続され、そのエミッタは直接基準電位点に接続される。出力ライン７３は出力トランジスタ７１のコレクタを出力端子７４に接続する。
【００３０】
出力回路７０は、比較出力Ｓ５に基づき、出力トランジスタ７１のコレクタ、すなわち出力ライン７３に、出力信号Ｓ６を発生する。この出力信号Ｓ６は、図１に示す端子部１１に送られ、図示しないコンピュータユニットに送られる。出力信号Ｓ６は、高レベルＨＩＧＨと低レベルＬＯＷとの間を変化する２値信号である。
【００３１】
ノイズ抑制回路７５は出力ライン７３と直流電源端子ＶＣＣとの間に接続される。このノイズ抑制回路７５は、ダイオード７６と、電流制限抵抗７７を有する。ダイオード７６のアノードは出力ライン７３に接続され、ダイオード７６のカソードは電流制限抵抗７７を介して直流電源端子ＶＣＣに接続される。
【００３２】
図５は図４に示す信号処理回路１００について、ノイズが重畳されない場合の動作を示す。図５（ａ）は回転板２０の外周面２０ａにおける凹部２１ａと凸部２１ｂの展開図であり、図５（ｂ）から（ｆ）は、図５（ａ）に対応して、信号処理回路１００の各部の信号波形を示す。図５（ｂ）は検出回路３０から出力される検出信号Ｓ１の波形を示す。図５（ｃ）は差動増幅回路４０の増幅器４１の出力ｃに得られる増幅信号Ｓ２の波形を示す。図５（ｄ）は比較回路６０の比較器６１のマイナス入力ｂに与えられる交流信号Ｓ３の波形と、そのプラス入力ａに与えられる比較信号Ｓ４の波形を示す。図５（ｅ）は比較器７１に出力ｃに得られる比較出力Ｓ５を示し、また図５（ｆ）は出力回路７０の出力ライン７３に得られる出力信号Ｓ６の波形を示す。
【００３３】
検出回路３０から出力される検出信号Ｓ１は、図５（ｂ）に示すように基準レベルＳ０よりも上昇した第１変化信号Ｓ１１と、基準レベルＳ０よりも低下した第２変化信号Ｓ１２を含んでいる。第１変化信号Ｓ１１は検出素子１５に凸部２１ｂが接近するときに発生し、第２変化信号Ｓ１２は検出素子１５から凸部２１ｂが離れるときに発生する。凸部２１ｂが検出素子１５に接近するときには、先にＭＲ素子１５Ａに接近するので、このときに第１変化信号Ｓ１１が上昇し、またそれに遅れて凸部２１ｂがＭＲ素子１５Ｂに接近するときに第１変化信号Ｓ１１が低下する。凸部２１ｂが検出素子１５から遠ざかるときには、先にＭＲ素子１５Ａから遠ざかるので、このときに第２変化信号Ｓ１２が低下する。その後にＭＲ素子１５Ｂから遠ざかるときに、第２変化信号Ｓ１２が上昇する。これらの第１、第２変化信号Ｓ１１、Ｓ１２は、いずれも凸部２１ｂの移動に伴なう変化磁界の方向変化に比例した大きさを持つ信号である。
【００３４】
差動増幅回路４０の増幅器４１の出力ｃには、図５（ｃ）に示すように検出信号Ｓ１を増幅した増幅信号Ｓ２が発生する。交流結合回路５０の結合コンデンサ５１は、増幅信号Ｓ２に含まれる直流成分を除去し、図５（ｄ）に示す交流信号Ｓ３を発生し、この交流信号Ｓ３が比較器６１のマイナス入力ｂに供給される。比較器６１のプラス入力ａには、図５（ｄ）に示す比較信号Ｓ４が与えられるので、比較器６１はこれらの交流信号Ｓ３と比較信号Ｓ４とを比較し、図５（ｅ）に示す比較出力Ｓ５を発生する。この比較出力Ｓ５は、出力トランジスタ７１のベースに供給され、出力ライン７３には図５（ｆ）に示す出力信号Ｓ６が発生する。
【００３５】
図６はノイズ抑制回路７５によるノイズの抑制動作を示す。図６（ａ）は、出力ライン７３における出力信号Ｓ６を示し、図６（ｂ）はそれに対応する比較出力Ｓ５を示す。内燃機関では、例えばその点火時期に点火のために高圧の点火パルスが発生するので、この点火パルスなどにより、出力ライン７３にノイズＮが誘起されることがある。
【００３６】
出力トランジスタ７１がオフ状態にあり、出力ライン７３が高レベルＨＩＧＨに維持されているときに、図６に点線で示すノイズＮが重畳されると、このノイズＮは、出力トランジスタ７１のコレクタとベース間の浮遊コンデンサを介して出力トランジスタ７１のベースに供給される比較出力Ｓ５に、ノイズｎが重畳される危険がある。このノイズｎは出力トランジスタ７１を誤ってオンとし、出力ライン７３の出力信号Ｓ６を寸断する。この出力信号Ｓ６の寸断は、内燃機関の回転角度の検出を誤らせる結果になる。
【００３７】
ノイズ抑制回路７５のダイオード７６は、出力ライン７３の電位がノイズＮにより、電源端子ＶＣＣの電位以上に大きくなったときにオンとなって、ノイズＮを電源端子ＶＣＣへ逃がし、ノイズＮを図６に実線で示すように、クランプする。このダイオード７６によるノイズＮのクランプに基づき、出力トランジスタ７１にノイズｎが重畳されるのが防止され、出力信号Ｓ６の寸断が回避される。
【００３８】
以上のように、実施の形態１では、出力ライン７３に重畳されるノイズＮを電源端子ＶＣＣへ逃がすノイズ抑制回路７５が、出力ライン７３と電源端子ＶＣＣとの間に接続されているので、ノイズＮによる誤った回転情報の検出を回避できる効果がある。
【００３９】
実施の形態２．
図７はこの発明による回転情報検出装置の実施の形態２における信号処理回路１００Ａを示す。この実施の形態２の信号処理回路１００Ａは、図４に示す実施の形態１における信号処理回路１００に比べて、出力回路７０の出力抵抗７２が削除されている。その他の構成は実施の形態１と同じである。
【００４０】
実施の形態１では、出力回路７０が出力抵抗７２を持っているため、出力ライン７３に重畳されたノイズＮは、ノイズ抑制回路７５以外に、この出力抵抗７２を通って電源端子ＶＣＣにある程度逃げることができるが、実施の形態２では出力抵抗７２が削除された結果、ノイズＮはこのノイズ抑制回路７５を通って電源端子ＶＣＣに逃げる他には、逃げる通路がない。したがって、この実施の形態２では、ノイズＮはこのノイズ抑制回路７５により、より効果的に抑制される。
【００４１】
実施の形態３．
図８はこの発明による回転情報検出装置の実施の形態３における信号処理回路１００Ｂを示す。図９はこの信号処理回路１００Ｂによる信号処理動作を示す。
【００４２】
この実施の形態３は、検出回路３０の検出素子１５として、ホール素子１５Ｃを使用するものであり、その他は実施の形態１と同じに構成される。このホール素子１５Ｃは、それに与えられる変化磁界の磁束の強度変化に比例した大きさを持った検出信号Ｓ１ａを発生する。回転板２０の回転に伴ない、検出素子１５に凸部２１ａが対向するときには、大きな磁束の強度が与えられ、検出素子１５Ｃに凹部２１ａが対向するときには、小さな磁束強度が与えられる。ホール素子１５Ｃはこの磁束強度の変化に応じて、その磁束強度に比例した検出信号Ｓ１ａを発生する。
【００４３】
図９（ｂ）から（ｆ）は、図９（ａ）に示す回転板２０の外周面２０ａにおける凹部２１ａと凸部２１ｂに対応して、実施の形態３における信号処理回路１００Ｂの各部の信号波形を示す。
図９（ｂ）は検出回路３０から出力される検出信号Ｓ１ａの波形を示す。図９（ｃ）は差動増幅回路４０の増幅器４１の出力ｃに得られる増幅信号Ｓ２ａの波形を示す。図９（ｄ）は比較回路６０の比較器６１のマイナス入力ｂに与えられる交流信号Ｓ３ａの波形と、そのプラス入力ａに与えられる比較信号Ｓ４の波形を示す。図９（ｅ）は比較器７１に出力ｃに得られる比較出力Ｓ５を示し、また図９（ｆ）は出力回路７０の出力ライン７３に得られる出力信号Ｓ６の波形を示す。
【００４４】
検出回路３０から出力される検出信号Ｓ１ａは、図９（ｂ）に示すように基準レベルＳ０よりも上昇した第１変化信号Ｓ１３と、基準レベルＳ０よりも低下した第２変化信号Ｓ１４を含んでいる。第１変化信号Ｓ１３は検出素子１５に凸部２１ｂが対向するときに発生し、第２変化信号Ｓ１４は検出素子１５に凹部２１ａが対向するときに発生する。
【００４５】
差動増幅回路４０の増幅器４１の出力ｃには、図９（ｃ）に示すように検出信号Ｓ１ａを増幅した増幅信号Ｓ２ａが発生する。交流結合回路５０の結合コンデンサ５１は、増幅信号Ｓ２ａに含まれる直流成分を除去し、図９（ｄ）に示す交流信号Ｓ３ａを発生し、この交流信号Ｓ３ａが比較器６１のマイナス入力ｂに供給される。比較器６１のプラス入力ａには、図９（ｄ）に示す比較信号Ｓ４が与えられ、比較器６１は図９（ｅ）に示す比較出力Ｓ５を発生する。この比較出力Ｓ５は、出力トランジスタ７１のベースに供給され、出力ライン７３には図５（ｆ）に示す出力信号Ｓ６が発生する。比較信号Ｓ４、比較出力Ｓ５、出力信号Ｓ６は、それぞれ図５（ｄ）に示す比較信号Ｓ４、図５（ｅ）に示す比較出力Ｓ５、図５（ｆ）に示す出力信号Ｓ６と実質的に同じ波形である。
【００４６】
図９（ｆ）には、併せて図８の信号処理回路１００Ｂにおけるノイズ抑制回路７５によるノイズの抑制動作を示す。このノイズ抑制動作は、図６に示したノイズ抑制動作と同じである。このように、実施の形態３においても、出力ライン７３と電源端子ＶＣＣとの間に、ダイオード７６と電流制限抵抗７７を含むノイズ抑制回路７５を接続することにより、実施の形態１と同じ効果が得られる。
【００４７】
なお、実施の形態３におけるホール素子１５Ｃに代わって、それと同様な性能を持った半導体磁気抵抗素子を用いることもできる。この半導体磁気抵抗素子は、ホール素子１５Ｃと同様に、与えられる磁束の強度変化に比例した検出信号を発生する。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
この発明による回転情報検出装置は、被検出体から角度情報などの回転情報を検出する用途に広く適用できる。被検出体には、例えば内燃機関を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１はこの発明による回転情報検出装置の実施の形態１における検出装置の側面図。
【図２】図２は実施の形態１における検出装置に側断面図。
【図３】図３は実施の形態１における磁気回路の模式図。
【図４】図４は実施の形態１における信号処理回路を示す電気回路図。
【図５】図５は実施の形態１における信号処理回路の動作を示し、図５（ａ）に示す凸部と凹部に位置に対応する各部の信号波形を図５（ｂ）から図５（ｆ）に示す。
【図６】図６（ａ）（ｂ）は実施の形態１のノイズ抑制回路の動作を示す信号波形図。
【図７】図７はこの発明による回転情報検出装置の実施の形態２における信号処理回路を示す電気回路図。
【図８】図８はこの発明による回転情報検出装置の実施の形態３における信号処理回路を示す電気回路図。
【図９】図９は実施の形態１における信号処理回路の動作を示し、図９（ａ）に示す凸部と凹部に位置に対応する各部の信号波形を図９（ｂ）から図９（ｆ）に示す。
【符号の説明】
【００５０】
１０：ケース、１１：検出部、１２：端子部、１３：電気回路基板、１４：永久磁石、
１５：検出素子、１５Ａ、１５Ｂ：磁気抵抗素子、１５Ｃ：ホール素子、
２０：回転板、２０ａ：外周面、２１ａ：凹部、２１ｂ：凸部、
３０：検出回路、４０：差動増幅回路、５０：交流結合回路、６０：比較回路、
７０：出力回路、７１：出力トランジスタ、７２：出力抵抗、７３：出力ライン、
７４：出力端子、７５：ノイズ抑制回路、７６：ダイオード、７７：電流制限抵抗、
１００、１００Ａ、１００Ｂ：信号処理回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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