(57)【要約】  【課題】  レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうことに起因する、設計時と作製後のレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することのできるレチクルの作製方法等を提供する。  【解決手段】  まず、ＳＯＩウェハ１０２を作製する（Ａ）。次に、シリコン層１０１の図中下面にレジスト１０５を塗布し、このレジスト１０５にパターニングを行う（Ｂ）。そして、ＩＣＰドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層１０１のエッチングを行う（Ｃ）。次に、フッ酸を用いてストラット間凹部４６内の酸化シリコン層１０３を除去する。その後、レジスト１０５を除去する（Ｄ）。その次に、ストラット間凹部４６の側の面にＥＢレジスト１０７を、レジスト噴霧塗布装置により塗布する（Ｅ）。そして、マーク１０８を用いて位置合わせを行いながら、このＥＢレジスト１０７にＥＢ直接描画機を用いてパターンを形成する（Ｆ）。その後、ＥＢレジスト１０７のパターンをシリコンメンブレン４１に転写してステンシルパターンを形成し、ＥＢレジスト１０７を除去する（Ｇ）。【選択図】  図１
2005045137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、
を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、
前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とするレチクルの作製方法。
【請求項２】
デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、
を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、
（ａ）  シリコンメンブレン層、二酸化シリコン層及びシリコン層が順に積層されたＳＯＩウェハを作製する工程と、
（ｂ）  前記ＳＯＩウェハのシリコン層側の面にフォトレジストを塗布して、該レジスト上にストラットのパターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記レジストパターンをエッチングマスクとし、前記二酸化シリコン層をエッチングストップ層として、前記シリコン層をエッチングして、ストラットを作製する工程と、
（ｄ）  前記ストラットに囲まれた凹部の前記二酸化シリコン層をエッチングにより除去して、前記ストラット間凹部にシリコンメンブレンを形成する工程と、
（ｅ）  前記ストラット間凹部が形成されている側の面に、レジスト噴霧塗布装置を用いてＥＢレジストを塗布する工程と、
（ｆ）  前記ＥＢレジスト上に、ＥＢ直接描画機を用いてレチクルパターンを描画する工程と、
（ｇ）  前記ＥＢレジスト上のレチクルパターンをシリコンメンブレン上に転写して、ステンシルパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするレチクルの作製方法。
【請求項３】
デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、
を備え、
前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面側からパターン形成が行われていることを特徴とするレチクル。
【請求項４】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンを小領域（サブフィールド）に分割してレチクル上に形成し、
該レチクルを前記サブフィールド毎にエネルギー線で照明し、
該サブフィールドを通過したエネルギー線を前記感応基板上のしかるべき位置に投影結像させ、
該感応基板上では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、
前記レチクルが、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部とを有しており、
前記メンブレン部にパターンを形成する際に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体リソグラフィに用いられるレチクルの作製方法等に関する。特には、レチクルパターンを高精度に形成することのできるレチクルの作製方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化・高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった、光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線縮小投影露光方法（ＥＰＬ、Electron Beam Projection Lithography）は、高いスループットを達成し得るものであり、メモリ増産にも対応できるため、特に注目されている。
【０００３】
電子線露光においては、所望のパターンを拡大したパターンをレチクルパターン（原版パターン）として、このレチクルパターンをウェハ上に電子線で縮小投影露光し、ウェハ上にデバイスパターンを形成する。電子線露光には、レチクルを用いた縮小転写方法や、大口径ビームの照射が可能なＥＢ光学系が採用されている。これらの技術を用いることにより、露光作業のスループットを向上させることができる。また、レチクル上にパターンを複数の小領域（サブフィールド）に分割して形成し、サブフィールド毎に一括して露光する方式（分割転写方式）が提案されている。
【０００４】
このような方式の露光装置に用いられるレチクルの一種に、散乱ステンシル型レチクルがある。
図３は、散乱ステンシル型レチクルの一例を示す図である。図３（Ａ）は、全体の平面図であり、図３（Ｂ）は、一部の斜視図であり、図３（Ｃ）は、一つの小メンブレン領域の平面図である。
図３に示すレチクル１０には、デバイスパターンが分割して形成されている。図３（Ａ）に示す多数の正方形４１は、各々１つのサブフィールドに対応したデバイスパターンを含む小メンブレン領域である。この小メンブレン領域４１は、シリコンメンブレンで、一例で厚さがおよそ２μｍである。
【０００５】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す小メンブレン領域４１の周囲の格子状の部分は、マイナーストラット４５である。マイナーストラット４５は、レチクル１０の機械強度を保つための梁（一例で厚さ０．５〜１ｍｍ、幅０．１ｍｍ）である。また、マイナーストラット４５は、熱伝導性を有し、電子線の照射によりシリコンメンブレンに生じた熱を逃がす役割を果たす。なお、小メンブレン領域４１は、ストラット４５に囲まれた凹状になっており、この凹状の部分４６をストラット間凹部という。
【０００６】
図３（Ａ）に示すように、図のＸ方向に多数の小メンブレン領域４１が並んで、１つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）を形成している。そして、エレクトリカルストライプ４４が、図のＹ方向に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は、光学系の偏向によってカバー可能な視野の広さによって制限される。
【０００７】
メカニカルストライプ４９は、図のＸ方向に複数（図３の例では２つ）並んでいる。隣り合うメカニカルストライプ４９の間の部分は、メジャーストラット４７である。メジャーストラット４７は、マイナーストラット４５よりもやや太い梁であって、レチクル１０のたわみを低減する。メジャーストラット４７とマイナーストラット４５とは一体となっている。以下の説明では、マイナーストラット４５、メジャーストラット４７及び周辺部５０をまとめて支持基板部という。
【０００８】
図３（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央のサブフィールド４２と、その周囲を額縁状に囲むスカート４３とからなる。
サブフィールド４２は、一例で１辺が０．５〜５ｍｍ程度の正方形である。投影の際の縮小率を１／５とすると、ウェハ上に投影されるサブフィールド４２の像は、１辺が０．１〜１ｍｍの正方形となる。サブフィールド４２には、ウェハ上に転写すべきパターンの個別要素図形の形状に対応したパターン開口（ステンシル）が形成される。なお、１ショットで露光できるサブフィールドの大きさは、一例でウェハ上で０．２５ｍｍ角程度である。
スカート４３は、パターンが形成されていない額縁状（一例で幅が０．０５ｍｍ）の部分であり、照明ビームの縁が当たる。
【０００９】
なお、１つのエレクトリカルストライプ４４内において、隣り合うサブフィールドの間に、スカートやマイナーストラット等のような非パターン領域を設けない方式も検討されている。
【００１０】
上記のような散乱ステンシル型レチクル１０に電子線を照射すると、電子線はサブフィールド４２に形成されているパターン開口（ステンシル）を、散乱されずに通過するが、非パターン部（電子散乱体）では電子線は散乱される。電子線散乱体で散乱された電子は、露光装置（図２参照）内のコントラストアパーチャ（図２の開口１８）でカットされ、ウェハ面上にはレチクルパターンの開口を透過した電子のみが届く。そして、ウェハ上に電子線を結像させて、パターンのコントラストを得る。
【００１１】
電子線露光装置内においては、レチクル１０はマイナーストラット４５が電子線の入射側（通常の場合、上方）に向けて設置される。ここで、もし、マイナーストラット４５が電子線の出射側（通常の場合、下方）に向くように設置したとすると、メンブレンを散乱されながら透過した電子の一部が、マイナーストラット４５に当たって熱が発生する。このため、レチクル１０が熱膨張することによって、パターンの歪みを引き起こすおそれがある。このような問題を回避するために、露光装置内では、マイナーストラット４５を電子線の入射側に向けてレチクル１０を設置し、マイナーストラット４５に当たらないように整形された電子線束をレチクル１０の小メンブレン領域４１に照射する。
【００１２】
次に、上記のようなレチクルの作製方法について説明する。
図４は、レチクルの作製プロセスを示す断面図である。
まず、図４（Ａ）に示すように、シリコン（Ｓｉ）支持基板３０１の一面（図中上面）に、貼り付け基板３０６を貼り付ける。この貼り付け基板３０６は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層３０３とシリコン層３０１′とからなっており、酸化シリコン層３０３の側の面がシリコン基板３０１の一面に貼り付けられる。
【００１３】
次に、貼り付け基板３０６の図中上面のシリコン層３０１′を所望の厚さに研削する。この次に、このシリコン層３０１′にリン（Ｐ）を適当量ドープして、基板全体の残留応力を調整する。これにより、酸化シリコン層３０３の上に、リンがドープされ、低応力（一例で約５ＭＰａ）となったシリコンメンブレン３０４が形成される。そして、図４（Ｂ）に示すような、シリコン層３０１、酸化シリコン層３０３及びシリコンメンブレン３０４からなるＳＯＩ（  Silicon on Insulator  ）構造を有するＳＯＩウェハ３０２が作製される。
【００１４】
次に、図４（Ｃ）に示すように、ＳＯＩウェハ３０２のシリコン層３０１の図中下面にレジスト３０５を塗布し、このレジスト３０５にフォトリソグラフィを施してパターニングを行う。
そして、パターニングされたレジスト３０５をマスクとし、酸化シリコン層３０３をエッチングストップ層として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズマ）ドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層３０１のエッチングを行う。これにより、図３を用いて説明したような、井桁状のストラット４５、４７及びストラット間凹部４６が形成される（図４（Ｄ））。なお、図４にはストラット間凹部４６を２個のみに簡略化して示してある。
【００１５】
次に、図４（Ｅ）に示すように、フッ酸（ＨＦ）を用いてストラット間凹部４６内の酸化シリコン層３０３を除去して、シリコンメンブレン４１を完成させる。その後、レジスト３０５を除去する。この状態のもの（シリコンメンブレン４１にパターニングがなされていないもの）をレチクルブランクスという。
【００１６】
その次に、図４（Ｆ）に示すように、このレチクルブランクス３１０の図中上面にＥＢレジスト３０７を、スピンコーティング法により塗布し、このＥＢレジスト３０７にＥＢ直接描画機を用いてパターンを形成する。
そして、図４（Ｇ）に示すように、ドライエッチングにより、ＥＢレジスト３０７のパターンをシリコンメンブレン４１に転写してステンシルパターンを形成し、ＥＢレジスト３０７を除去する。こうしてレチクル３００が完成する。
【００１７】
【非特許文献１】片倉  則浩、外４名、「イーピーエル・レチクル・テクノロジー（EPL reticle technology）、「プロシーディングス・オブ・エスピーアイイー（Proceedings of SPIE）」、（米国）、国際光工学会（The International Society for Optical Engineering）、２００２年３月、第４５６２巻、ｐ．８９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上述のように、電子線露光装置内においては、レチクルはマイナーストラットが電子線の入射側（上方）に向けて設置されるが、ＥＢ描画機によるレチクルのパターン作製は、マイナーストラットを下方に向け、メンブレン面が上に向いた状態で行われる。このように、レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうため、レチクルの自重及びチャックされる面が異なってしまい、歪み具合が異なるので、設計時と作製後とでレチクル上のパターンに歪みが生じてしまうという問題がある。
上記の点に鑑み、本発明は、レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうことに起因する、設計時と作製後のレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することのできるレチクルの作製方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のレチクルの作製方法は、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする。
【００２０】
本発明の他のレチクルの作製方法は、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、  （ａ）  シリコンメンブレン層、二酸化シリコン層及びシリコン層が順に積層されたＳＯＩウェハを作製する工程と、  （ｂ）  前記ＳＯＩウェハのシリコン層側の面にフォトレジストを塗布して、該レジスト上にストラットのパターンを形成する工程と、  （ｃ）  前記レジストパターンをエッチングマスクとし、前記二酸化シリコン層をエッチングストップ層として、前記シリコン層をエッチングして、ストラットを作製する工程と、  （ｄ）  前記ストラットに囲まれた凹部の前記二酸化シリコン層をエッチングにより除去して、前記ストラット間凹部にシリコンメンブレンを形成する工程と、  （ｅ）  前記ストラット間凹部が形成されている側の面に、レジスト噴霧塗布装置を用いてＥＢレジストを塗布する工程と、  （ｆ）  前記ＥＢレジスト上に、ＥＢ直接描画機を用いてレチクルパターンを描画する工程と、  （ｇ）  前記ＥＢレジスト上のレチクルパターンをシリコンメンブレン上に転写して、ステンシルパターンを形成する工程と、を具備することを特徴とする。
本発明においては、レチクルパターン形成の際のレジストの塗布を、レジスト噴霧塗布装置を用いて行い、レチクルパターンの描画をストラット間凹部側のステンシル面に行うことで、レチクルパターン形成時と作製後の使用時とにおいてレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することを実現した。
【００２１】
本発明のレチクルは、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部と、を備え、前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面側からパターン形成が行われていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の露光方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンを小領域（サブフィールド）に分割してレチクル上に形成し、該レチクルを前記サブフィールド毎にエネルギー線で照明し、該サブフィールドを通過したエネルギー線を前記感応基板上のしかるべき位置に投影結像させ、該感応基板上では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、前記レチクルが、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）を含む支持基板部とを有しており、前記メンブレン部にパターンを形成する際に、前記ストラットに囲まれて凹部（ストラット間凹部）となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、レチクルパターンを形成するときのレチクルの設置姿勢が、露光装置内におけるレチクル使用時のレチクルの設置姿勢と合致している。この結果、レチクルの自重や、レチクルのチャックされる面の違いによるレチクルパターンの歪みを低減でき、パターンの位置精度の高いレチクルを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明の一実施例に係るレチクルの作製方法を示す断面図である。
まず、図１（Ａ）に示すような、シリコン層１０１、酸化シリコン層１０３及びシリコン層１０４からなるＳＯＩ（  Silicon on Insulator  ）構造を有するＳＯＩウェハ１０２を作製する。このＳＯＩウェハ１０２のシリコン層１０４には、リン（Ｐ）が適当量ドープされており、基板全体の残留応力が低応力（一例で約５ＭＰａ）になるように調整されている。
【００２６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、ＳＯＩウェハ１０２のシリコン層１０１の図中下面にレジスト１０５を塗布し、このレジスト１０５にフォトリソグラフィを施してパターニングを行う。
そして、パターニングされたレジスト１０５をマスクとし、酸化シリコン層１０３をエッチングストップ層として、ＩＣＰドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層１０１のエッチングを行う。これにより、図３を用いて説明したような、井桁状のストラット４５、４７及びストラット間凹部４６が形成される（図１（Ｃ））。なお、図１では、ストラット間凹部４６を２個のみに簡略化して示してある。
【００２７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、フッ酸を用いてストラット間凹部４６内の酸化シリコン層１０３を除去して、シリコンメンブレン４１を完成させる。その後、レジスト１０５を除去する。この状態のもの（シリコンメンブレン４１にパターニングがなされていないもの）をレチクルブランクスという。そして、レチクルブランクス１１０の周辺部５０の図中下面にマーク１０８を形成する（簡単のため、図中にはマークが１つだけ図示されている）。
【００２８】
その次に、図１（Ｅ）に示すように、このレチクルブランクス１１０のストラット間凹部４６の側の面にＥＢレジスト１０７を、レジスト噴霧塗布装置（例えば、ＥＶ  Ｇｒｏｕｐ社製のAutomated Resist Processing SystemやOmnispray等）により塗布する。そして、マーク１０８を用いて位置合わせを行いながら、このＥＢレジスト１０７にＥＢ直接描画機を用いてパターンを形成する（図１（Ｆ））。
その後、図１（Ｇ）に示すように、ドライエッチングにより、ＥＢレジスト１０７のパターンをシリコンメンブレン４１に転写してステンシルパターンを形成し、ＥＢレジスト１０７を除去する。こうしてレチクル１０が完成する。
【００２９】
なお、現状では、レチクルパターンをリソグラフィによって形成する際には、上述の実施例のように、ＥＢ直接描画機を用いるのが望ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、ストラット間凹部４６内のシリコンメンブレンの表面に露光が可能な装置であればよく、光露光等を用いてもよい。但し、レジスト噴霧塗布装置で塗布するレジストについては、レチクルパターンをリソグラフィの方法に応じて、適切な種類を選択して使用する。
【実施例２】
【００３０】
図２は、分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
光学系の最上流（図の上方）には、電子銃１が配置されている。この電子銃１は、図の下方に向けて電子線を照射する。電子銃１の下方には、２段のコンデンサレンズ２、３が備えられている。電子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束され、ブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００３１】
コンデンサレンズ３の下方には、照明ビーム成形開口４が配置されている。この開口４の像は、レンズ９によって、レチクル１０に結像される。
【００３２】
照明ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。この偏向器５は、必要に応じて照明ビームを偏向させ、ブランキング開口７の非開口部に当てて、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
【００３３】
ブランキング開口７の下方には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、照明ビームをＸ軸方向に順次走査して、光学系の視野内にあるレチクル１０の各サブフィールドの照明を行う。
偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、レチクル１０上に照明ビームを結像させる。
【００３４】
レチクル１０は、光軸に垂直な平面（Ｘ−Ｙ平面）に広がっており、多数のサブフィールドを有する（図３参照）。レチクル１０上には、全体として１つの半導体チップをなすデバイスパターンが形成されている。なお、１つのチップをなすデバイスパターンを複数のレチクル上に分割、形成してもよい。
レチクル１０は、移動可能なレチクルステージ１１のチャック１３に吸着・保持されている。このレチクルステージ１１をＸ−Ｙ方向に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広範囲に広がる、レチクル１０上の各サブフィールドを照明することができる。このレチクルステージ１１には、位置検出器（干渉計）１２が付属しており、レチクルステージ１１のＸＹＺ方向の位置を正確に把握することができる。
【００３５】
レチクル１０の下方には、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６が設けられている。レチクル１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６によって、ウェハ２３上の所望の位置に結像される。
【００３６】
ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されている。このレジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル１０上のデバイスパターンが縮小、転写される。
【００３７】
レチクル１０とウェハ２３との間を縮小率比で内分する位置には、クロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、この位置に、コントラスト開口１８が設けられている。この開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００３８】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されていない。）を介して、Ｘ軸及びＹ軸方向に移動可能なウェハステージ２４上に配置されている。上記のレチクルステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆方向に同期移動させることにより、光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンを順次露光、転写することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上記のレチクルステージ１１と同様、位置検出器２５が付属している。
【００３９】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の露光面やウェハステージ２４上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、マークによって反射される電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３の相対的位置関係を知ることができる。
【００４０】
上記の各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、それぞれに対応するコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介して、コントローラ３１により制御される。また、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、それぞれに対応するステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。
【００４１】
ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様に、インターフェイス２２ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。
【００４２】
コントローラ３１は、ステージの位置合わせ誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、レチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールドの像がつなぎ合わされて、レチクル１０上のデバイスパターン全体がウェハ上に転写される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施例に係るレチクルの作製方法を示す断面図である。
【図２】分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【図３】散乱ステンシル型レチクルの一例を示す図である。  （Ａ）  全体の平面図である。  （Ｂ）  一部の斜視図である。  （Ｃ）  一つのメンブレン領域の平面図である。
【図４】レチクルの作製プロセスを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０２：ＳＯＩウェハ
１０１、１０４：シリコン層
１０３：酸化シリコン層
１０５：レジスト
１０７：ＥＢレジスト
１０８：マーク
１１０：レチクルブランクス
１０：レチクル
１：電子銃
２、３：コンデンサレンズ
４：照明ビーム成形開口
５：ブランキング偏向器
７：ブランキング開口
８：照明ビーム偏向器
９：照明レンズ
１１：レチクルステージ
１２、２５：位置検出器
１５、１９：投影レンズ
１６：偏向器
１８：コントラスト開口
２２：反射電子検出器
２３：ウェハ
２４：ウェハステージ
２ａ、３ａ、５ａ、８ａ、９ａ、１５ａ、１６ａ、１９ａ：コイル電源制御部
３１：コントローラ
【図１】
2005045137.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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