(57)【要約】【課題】  主表面に温度センスダイオードを有する縦型パワー素子の表裏の主面に金属体を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、半導体素子の主表面側と金属体とを接合する導電性接合部材にクラックが発生しても、温度センスダイオードの動作不良を極力防止する。【解決手段】  主表面側に複数個のセルブロックを有する半導体チップ１０の両主面には、それぞれ第１〜第３の導電性接合部材５１、５２、５３を介して、第１、第２、第３の金属体２０、３０、４０が接合され、これらが樹脂８０でモールドされてなる半導体装置Ｓ１において、半導体チップ１０の主表面に設けられた温度センスダイオード１１は、半導体チップ１０の主表面の中央部に配置されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに前記主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する半導体素子（１０）と、
前記半導体素子（１０）の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材（５１）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体（２０）と、
前記半導体素子（１０）の主表面の主電極に第２の導電性接合部材（５２）を介して接合された第２の金属体（４０）と、
前記第２の金属体（４０）における前記半導体素子（１０）側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材（５３）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第３の金属体（３０）と、を備え、
装置のほぼ全体が樹脂（８０）でモールドされてなる半導体装置において、
前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子（１０）は矩形板状をなすものであり、
前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子（１０）の主表面の中心点から前記半導体素子の縦の辺の長さの１／２以内且つ横の辺の長さの１／２以内の範囲に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の１／４の面積にて囲まれる領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子（１０）は、その主表面に複数個のセルブロック（Ｔｒ）が一列に配列されたものであり、
これら複数個のセルブロック（Ｔｒ）は偶数個であり、
前記温度センスダイオード（１１）は、複数個のセルブロック（Ｔｒ）のうちの中央の２個のものの間に配置されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子（１０）は、その主表面に複数個のセルブロック（Ｔｒ）が一列に配列されたものであり、
これら複数個のセルブロック（Ｔｒ）は奇数個であり、
前記温度センスダイオード（１１）は、複数個のセルブロック（Ｔｒ）のうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の導電性接合部材（５１）、前記第２の導電性接合部材（５２）および前記第３の導電性接合部材（５３）は、Ｓｎ系はんだであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子（１０）の主表面において、前記温度センスダイオード（１１）および前記温度センスダイオード（１１）から引き出されている配線（１１ａ）は、ポリイミドからなる厚さ２μｍ以上の保護膜（１３）により被覆されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主表面側および主裏面側に主電極を有する半導体素子の主裏面側に第１の金属体、主表面側に第２の金属体および第３の金属体を接合するとともに、半導体素子の主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを備え、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、この種の半導体装置の一般的な概略構成を示す図であって（ａ）は各部の平面的な配置を示す図、（ｂ）は、（ａ）に示される半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【０００３】
この図４に示されるような半導体装置としては、たとえば、特許文献１に記載されているような半導体装置が提案されている。
【０００４】
図４において、半導体素子１０は、たとえばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）などの縦型パワー素子であり、上面側が素子形成面である主表面、下面側が主裏面である。
【０００５】
ここで、半導体素子１０の主表面には、温度センスダイオード１１が設けられている。この温度センスダイオード１１は、一般的に設けられているもので、半導体製造技術を用いて形成されたポリシリコン等からなるダイオード素子である。
【０００６】
この温度センスダイオード１１は温度によって電圧が変化するので、半導体素子１０の温度を検出するのに用いられている。
【０００７】
この半導体素子１０の主裏面側には、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体２０が、はんだなどの第１の導電性接合部材５１を介して電気的・熱的に接合されている。また、半導体素子１０の主表面側には、第２の金属体４０が、はんだなどの第２の導電性接合部材５２を介して電気的・熱的に接合されている。
【０００８】
さらに、第２の金属体４０における半導体素子１０側の面とは反対側の面には、電極と放熱体とを兼ねる第３の金属体３０が、はんだなどの第３の導電性接合部材５３を介して電気的・熱的に接合されている。
【０００９】
また、半導体素子１０の周囲には、各種の信号端子６０が設けられており、半導体素子１０の主表面と信号端子６０とは、ボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されている。そして、装置のほぼ全体が樹脂８０によりモールドされ封止されている。
【００１０】
ここで、図４（ａ）中の５本の信号端子６０のうち、右側の２本が温度センスダイオード１１用の端子すなわち温度検出用端子であり、残りは半導体素子１０の信号電極と導通する端子や基準端子となるものである。
【特許文献１】特開２００３−１１００６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、この種の半導体装置においては、装置の小型化にともなって、半導体素子１０の実装密度が大きくなるなどにより、半導体素子１０の発熱密度も大きくなってくる。
【００１２】
このようなことから、上記図４において、半導体素子１０と第２の金属体４０との間を接合する第２の導電性接合部材５２にてクラックが発生しやすくなる。このクラックは、通常、第２の導電性接合部材５２の外周側から発生する。つまり、半導体素子１０の最外周部分にて、第２の導電性接合部材５２が剥離する。
【００１３】
ここにおいて、従来では、図４に示されるように、半導体素子１０の主表面において、温度センスダイオード１１は、半導体素子１０の外周部に配置されている。
【００１４】
そのため、上記したようなクラックの発生によって、半導体素子１０の最外周部分にて、第２の導電性接合部材５２が剥離すると、温度センスダイオード１１の動作不良を生じさせる。
【００１５】
これは、半導体素子１０の外周部に温度センスダイオード１１が位置するため、発生したクラックの応力が温度センスダイオード１１に集中して印加され、温度センスダイオード１１を破壊することが一つの原因である。
【００１６】
また、半導体素子１０の外周部にて発生するクラックによって第２の導電性接合部材５２が剥離すると、その剥離部分の放熱経路が遮断される。すると、この放熱経路が遮断された部分に温度センスダイオード１１が位置するため、温度センスダイオード１１の部分の温度が上昇し、作動特性不良に至ることも原因の一つである。
【００１７】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、主表面側および主裏面側に主電極を有する半導体素子の主裏面側に第１の金属体、主表面側に第２の金属体および第３の金属体を接合するとともに、半導体素子の主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを備え、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置において、半導体素子の主表面側と第２の金属体とを接合する導電性接合部材にクラックが発生しても、温度センスダイオードの動作不良を極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する半導体素子（１０）と、半導体素子（１０）の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材（５１）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体（２０）と、半導体素子（１０）の主表面の主電極に第２の導電性接合部材（５２）を介して接合された第２の金属体（４０）と、第２の金属体（４０）における半導体素子（１０）側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材（５３）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第３の金属体（３０）と、を備え、装置のほぼ全体が樹脂（８０）でモールドされてなる半導体装置において、温度センスダイオード（１１）は、半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されていることを特徴としている。
【００１９】
それによれば、第２の導電性接合部材（５２）の外周部にクラックが発生しても、温度センスダイオード（１１）は半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されており、そのクラックの発生部以外の部位に位置するため、クラックの影響を受けにくくすることができる。
【００２０】
よって、本発明によれば、半導体素子（１０）の主表面側と第２の金属体（４０）とを接合する第２の導電性接合部材（５２）にクラックが発生しても、温度センスダイオード（１１）の動作不良を極力防止することができる。
【００２１】
ここで、温度センスダイオード（１１）が配置される半導体素子（１０）の主表面の中央部としては、請求項２や請求項３に記載の発明のような範囲や領域として定義することができる。
【００２２】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体素子（１０）は矩形板状をなすものであり、温度センスダイオード（１１）は、半導体素子（１０）の主表面の中心点から半導体素子の縦の辺の長さの１／２以内且つ横の辺の長さの１／２以内の範囲に配置されていることを特徴としている。
【００２３】
請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、温度センスダイオード（１１）は、半導体素子の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の１／４の面積にて囲まれる領域に配置されていることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項４に記載の発明のように、請求項２または請求項３に記載の半導体装置において、半導体素子（１０）が、その主表面に複数個のセルブロック（Ｔｒ）が一列に配列されたものであり、これら複数個のセルブロック（Ｔｒ）は偶数個である場合、温度センスダイオード（１１）は、複数個のセルブロック（Ｔｒ）のうちの中央の２個のものの間に配置されているものにできる。
【００２５】
さらに、請求項５に記載の発明のように、請求項２または請求項３に記載の半導体装置において、半導体素子（１０）が、その主表面に複数個のセルブロック（Ｔｒ）が一列に配列されたものであり、これら複数個のセルブロック（Ｔｒ）が奇数個である場合、温度センスダイオード（１１）は、複数個のセルブロック（Ｔｒ）のうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されているものにできる。
【００２６】
また、請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項５に記載の半導体装置において、第１の導電性接合部材（５１）、第２の導電性接合部材（５２）および第３の導電性接合部材（５３）は、Ｓｎ系はんだであることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項６に記載の半導体装置において、半導体素子（１０）の主表面において、温度センスダイオード（１１）および温度センスダイオード（１１）から引き出されている配線（１１ａ）は、ポリイミドからなる厚さ２μｍ以上の保護膜（１３）により被覆されていることを特徴としている。
【００２８】
それによれば、温度センスダイオード（１１）および温度センスダイオード（１１）から引き出されている配線（１１ａ）の保護および電気的な絶縁を適切に実現することができ、好ましい。
【００２９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３１】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体装置Ｓ１の一般的な概略構成を示す図であり、（ａ）は各部の平面的な配置を示す図、（ｂ）は概略断面構成を示す図である。
【００３２】
また、図２（ａ）は、図１中の半導体素子１０をその主表面側から見たときの構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ一点鎖線に沿った概略断面図である。
【００３３】
図１および図２に示されるように、本実施形態における半導体装置Ｓ１は、半導体素子としての第１の半導体チップ１０と、第１の金属体としての下側ヒートシンク２０と、第３の金属体としての上側ヒートシンク３０と、第２の金属体としてのヒートシンクブロック４０と、これらの間に介在する各導電性接合部材５１、５２、５３と、第１の半導体チップ１０に設けられた温度センスダイオード１１と、モールド樹脂８０とを備えて構成されている。
【００３４】
ここで、本実施形態では、図１に示されるように、第１の半導体チップ１０と並列に第２の半導体チップ１８が設けられている。
【００３５】
この構成の場合、両半導体チップ１０、１８の下面と下側ヒートシンク２０の上面との間は、第１の導電性接合部材５１によって接合されている。
【００３６】
また、両半導体チップ１０、１８の上面とヒートシンクブロック４０の下面との間は、第２の導電性接合部材５２によって接合されている。
【００３７】
さらに、ヒートシンクブロック４０の上面と上側ヒートシンク３０の下面との間は、第３の導電性接合部材５３によって接合されている。
【００３８】
ここで、これら第１、第２、第３の導電性接合部材５１、５２、５３としては、はんだや導電性接着剤等を採用することができる。本例の半導体装置においては、これら第１、第２、第３の導電性接合部材５１、５２、５３として、Ｓｎ（すず）系はんだを用いている。
【００３９】
これにより、上記した構成においては、第１および第２の半導体チップ１０、１８の上面では、第２の導電性接合部材５２、ヒートシンクブロック４０、第３の導電性接合部材５３および上側ヒートシンク３０を介して放熱が行われ、第１および第２の半導体チップ１０、１８の下面では、第１の導電性接合部材５１から下側ヒートシンク２０を介して放熱が行われる構成となっている。
【００４０】
ここで、半導体素子１０すなわち第１の半導体チップ１０としては、特に限定されるものではないが、本実施形態において半導体素子として用いられている上記第１の半導体チップ１０は、たとえばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やサイリスタ等のパワー半導体素子から構成することができる。
【００４１】
また、第２の半導体チップ１８は、たとえば、ＦＷＤ（フリーホイールダイオード）等からなるものにできる。
【００４２】
具体的には、上記第１の半導体チップ１０の形状は、たとえば矩形状の薄板状とすることができる。そして、図１（ｂ）において、第１の半導体チップ１０の上面側が素子形成面である主表面、下面側が主裏面である。
【００４３】
また、本実施形態の第１の半導体チップ１０の主表面には、図２に示されるように、複数個のセルブロックＴｒが配列された形となっている。図示例では７個のセルブロックＴｒが配列している。個々のセルブロックＴｒは、たとえば複数個のトランジスタ等の素子の集合体として構成されている。
【００４４】
そして、図示しないが、各セルブロックＴｒの上には、主表面側における主電極が形成されている。また、図示しないが、第１の半導体チップ１０の主裏面側にも主電極が形成されている。
【００４５】
ここで、第１の半導体チップ１０の主電極としては、たとえば主表面側の主電極がエミッタ電極、主裏面側の主電極がコレクタ電極とすることができる。
【００４６】
また、図２に示されるように、第１の半導体チップ１０の主表面には、温度センスダイオード１１が設けられている。
【００４７】
この温度センスダイオード１１は、上述したように、一般的に設けられているもので、半導体製造技術を用いて形成されたポリシリコン等からなるダイオード素子であり、温度によって電圧が変化するので、第１の半導体チップ１０の温度を検出するのに用いられている。
【００４８】
ここで、図２に示されるように、第１の半導体チップ１０の主表面において、温度センスダイオード１１からは２本の配線１１ａが引き出されており、各配線１１ａは、第１の半導体チップ１０の外周部に設けられたパッド１２と導通している。
【００４９】
また、図２に示されるように、温度センスダイオード１１は、第１の半導体チップ１０の主表面の中央部に配置されている。
【００５０】
具体的には、本例のように第１の半導体チップ１０が矩形板状をなすものである場合においては、温度センスダイオード１１は、図２（ａ）中の破線で示す四角形で囲まれた範囲Ｋ１、すなわち、第１の半導体チップ１０の主表面の中心点から第１の半導体チップ１０の縦の辺の長さＨの１／２以内且つ横の辺Ｗの長さの１／２以内の範囲Ｋ１に配置されている。
【００５１】
つまり、図２（ａ）中の破線で示す四角形の範囲Ｋ１は、縦辺の長さがＨ／２、横辺の長さがＷ／２の四角形の領域であり、温度センスダイオード１１は、この領域内に配置されている。
【００５２】
また、上記した第１の半導体チップ１０の各辺の長さと四角形状の範囲Ｋ１の各辺の長さとの関係から、温度センスダイオード１１は、第１の半導体チップ１０の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の１／４の面積にて囲まれる領域に配置されているとも言える。
【００５３】
なお、第１の半導体チップ１０が矩形板状でない場合であっても、温度センスダイオード１１を第１の半導体チップ１０の主表面の中央部に配置するにあたっては、第１の半導体チップ１０の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の１／４の面積にて囲まれる領域に配置するようにすればよい。
【００５４】
また、図２に示されるように、本実施形態では、第１の半導体チップ１０は、その主表面に複数個のセルブロックＴｒが一列に配列されたものであるが、本例では、セルブロックＴｒは７個すなわち奇数個である。
【００５５】
この場合、温度センスダイオード１１は、７個のセルブロックＴｒのうちの中央のセルブロックＴｒの両脇の一方に配置されることが好ましい。それによって、温度センスダイオード１１を、第１の半導体チップ１０の主表面の中央部に適切に配置することが実現できる。
【００５６】
なお、図２（ａ）では、温度センスダイオード１１は、７個のセルブロックＴｒのうちの中央のセルブロックＴｒの左側に配置されているが、右側であってもよく、さらには、両側に配置されていてもよい。
【００５７】
また、図２（ｂ）に示されるように、第１の半導体チップ１０の主表面において、温度センスダイオード１１および温度センスダイオード１１から引き出されている配線１１ａは、ポリイミドからなる厚さ２μｍ以上の保護膜１３により被覆されている。
【００５８】
このように、本実施形態においては、第１の半導体チップ１０の主裏面側の主電極は、第１の金属体である下側ヒートシンク２０に対して、第１の導電性接合部材５１を介して電気的に接続され、第１の半導体チップ１０の主表面側の主電極は、第２の導電性接合部材５２を介して第２の金属体であるヒートシンクブロック４０に対して、電気的に接続されている。
【００５９】
さらに、ヒートシンクブロック４０における半導体チップ１０、１８側の面とは反対側の面にて、第３の導電性接合部材５３を介して第３の金属体である上側ヒートシンク３０とヒートシンクブロック４０とが電気的に接続されている。
【００６０】
ここで、下側ヒートシンク２０、上側ヒートシンク３０およびヒートシンクブロック４０は、たとえば、銅合金もしくはアルミ合金等の熱伝導性および電気伝導性の良い金属で構成されている。また、ヒートシンクブロック４０としては、一般的な鉄合金を用いてもよい。
【００６１】
また、下側ヒートシンク２０は、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材とすることができる。また、この下側ヒートシンク２０には、端子部２１が突設されているが、この端子部２１は、半導体チップ１０の主裏面側の主電極であるたとえばコレクタ電極の取り出し電極となっている。
【００６２】
また、ヒートシンクブロック４０は、たとえば、半導体チップ１０よりも１回り小さい程度の大きさの矩形状の板材とすることができる。
【００６３】
このヒートシンクブロック４０は、半導体チップ１０、１８と上側ヒートシンク３０との間に介在し、それぞれの半導体チップ１０、１８と上側ヒートシンク３０とを熱的および電気的に接続するとともに、第１の半導体チップ１０から後述するボンディングワイヤ７０を引き出す際の当該ワイヤの高さを確保する等のために、第１の半導体チップ１０と上側ヒートシンク３０との間の高さを確保する役割を有している。
【００６４】
さらに、上側ヒートシンク３０も、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材で構成することができる。また、この上側ヒートシンク３０にも、端子部３１が突設されているが、この端子部３１は、半導体チップ１０の主表面側の主電極であるたとえばエミッタ電極の取り出し電極となっている。
【００６５】
ここで、下側ヒートシンク２０の端子部２１および上側ヒートシンク３０の端子部３１は、それぞれ上述したように、半導体チップ１０の主電極の取り出し電極であり、これら端子部２１、３１は、半導体装置Ｓ１において外部配線部材等との接続を行うために設けられているものである。
【００６６】
このように、下側ヒートシンク２０および上側ヒートシンク３０は、それぞれ、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体および第３の金属体として構成されており、半導体装置Ｓ１において半導体チップ１０、１８からの放熱を行う機能を有するとともに半導体チップ１０の電極としての機能も有する。
【００６７】
また、第１の半導体チップ１０の周囲には、リードフレーム等からなる信号端子６０が設けられている。この信号端子６０は、第１の半導体チップ１０の主表面に設けられている信号電極（たとえばゲート電極）や上記した温度センスダイオード１１などと導通する端子や基準端子となるものである。
【００６８】
たとえば、図１に示されるように、各信号端子６０は、第１の半導体チップ１０の外周部に設けられた各パッド１２とワイヤ７０によって結線され、電気的に接続されている。このワイヤ７０はワイヤボンディング等により形成され、金やアルミ等からなるものである。
【００６９】
ここで、各パッド１２は、温度センスダイオード１１と導通するものや、第１の半導体チップ１０の信号電極と導通するものである。
【００７０】
そして、図１（ａ）中の５本の信号端子６０はそれぞれ各パッド１２とワイヤ７０を介して導通しているが、これら５本の信号端子６０のうち、たとえば、下側の２本が温度センスダイオード１１用の端子すなわち温度検出用端子であり、残りは半導体チップ１０の信号電極と導通する端子や基準端子となっている。
【００７１】
さらに、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、装置Ｓ１のほぼ全体が樹脂８０によりモールドされ封止されている。具体的には、図１に示されるように、一対のヒートシンク２０、３０の隙間、並びに、半導体チップ１０、１８およびヒートシンクブロック４０の周囲部分には、樹脂８０が充填封止されている。
【００７２】
この樹脂８０は、たとえばエポキシ樹脂等の通常のモールド材料を採用することができる。また、ヒートシンク２０、３０等を樹脂８０でモールドするにあたっては、上下型からなる成形型（図示しない）を使用し、トランスファーモールド法によって容易に行うことができる。
【００７３】
このように、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、基本的には、縦型パワー素子である第１の半導体チップ１０の表裏の主面に金属体２０、３０、４０を導電性接着剤５１〜５３を介して電気的・熱的に接続してなるとともに、第１の半導体チップ１０はその主表面に温度センスダイオード１１を備えたものである樹脂モールドタイプの半導体装置として構成されている。
【００７４】
次に、上記した構成の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図１を参照して、簡単に説明する。まず、下側ヒートシンク２０の上面に、両半導体チップ１０、１８とヒートシンクブロック４０をはんだ付けする工程を実行する。
【００７５】
この場合、下側ヒートシンク２０の上面に、たとえばＳｎ系はんだからなるはんだ箔を介して両半導体チップ１０、１８を積層するとともに、これら両半導体チップ１０、１８の上に、同じはんだ箔を介して、それぞれヒートシンクブロック４０を積層する。
【００７６】
この後、加熱装置（リフロー装置）によって、はんだの融点以上に昇温することにより、上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。
【００７７】
続いて、第１の半導体チップ１０と信号端子６０とをワイヤボンディングする工程を実行する。これにより、ワイヤ７０によって第１の半導体チップ１０と信号端子６０とが結線され電気的に接続される。
【００７８】
次いで、各ヒートシンクブロック４０の上に上側ヒートシンク３０をはんだ付けする工程を実行する。この場合、ヒートシンクブロック４０の上にはんだ箔を介して上側ヒートシンク３０を載せる。そして、加熱装置によって上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。
【００７９】
こうして、溶融した各々のはんだ箔が硬化すれば、硬化したはんだが、第１、第２、第３の導電性接合部材５１、５２、５３として構成されることになる。
【００８０】
そして、これら導電性接合部材５１〜５３を介して、下側ヒートシンク２０、両半導体チップ１０、１８、ヒートシンクブロック４０、上側ヒートシンク３０間の接合および電気的・熱的接続を実現することができる。
【００８１】
なお、第１、第２および第３の導電性接合部材５１、５２、５３として導電性接着剤を用いた場合にも、上記工程において、はんだを導電性接着剤に置き換え、導電性接着剤の塗布や硬化を行うことにより、下側ヒートシンク２０、両半導体チップ１０、１８、ヒートシンクブロック４０、上側ヒートシンク３０間の接合および電気的・熱的接続を実現することができる。
【００８２】
しかる後、図示しない成形型を使用して、ヒートシンク２０、３０の隙間及び外周部等に樹脂８０を充填する工程を実行する。これにより、図１に示されるように、ヒートシンク２０、３０の隙間及び外周部等に、樹脂８０が充填封止される。
【００８３】
そして、樹脂８０が硬化した後、成形型内から半導体装置Ｓ１を取り出せば、半導体装置Ｓ１が完成する。
【００８４】
なお、半導体装置Ｓ１においては、上記構成の場合、下側ヒートシンク２０の下面および上側ヒートシンク３０の上面が、それぞれ露出するように樹脂モールドされている。これにより、ヒートシンク２０、３０の放熱性が高められている。
【００８５】
ところで、本実施形態によれば、主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオード１１を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材５１を介して接合された下側ヒートシンク２０と、半導体チップ１０の主表面の主電極に第２の導電性接合部材５２を介して接合されたヒートシンクブロック４０と、ヒートシンクブロック４０における半導体チップ１０側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材５３を介して接合された上側ヒートシンク３０と、を備え、装置のほぼ全体が樹脂８０でモールドされてなる半導体装置において、温度センスダイオード１１は、半導体チップ１０の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置Ｓ１が提供される。
【００８６】
それによれば、第２の導電性接合部材５２の外周部にクラックが発生しても、温度センスダイオード１１は第１の半導体チップ１０の主表面の中央部に配置されて、そのクラックの発生部以外の部位に位置することになる。
【００８７】
そのため、上記したようなクラックの影響、すなわち、クラックの応力の温度センスダイオード１１への集中や、第２の導電性接合部材５２の剥離による放熱経路の遮断といった影響を、温度センスダイオード１１が受けにくくすることができる。
【００８８】
よって、本実施形態によれば、第１の半導体チップ１０の主表面側と第２の金属体としてのヒートシンクブロック４０とを接合する第２の導電性接合部材５２にクラックが発生しても、温度センスダイオード１１の動作不良を極力防止することができる。
【００８９】
その結果、第１の半導体チップ１０における的確な最高温度の検出ができるようになるため、安定した温度保護制御が可能となる。
【００９０】
ここで、温度センスダイオード１１が配置される第１の半導体チップ１０の主表面の中央部とは、具体的に、上記図２（ａ）に示したような範囲であることが好ましい。
【００９１】
すなわち、第１の半導体チップ１０が矩形板状をなすものである場合、温度センスダイオード１１は、第１の半導体チップ１０において、その主表面の中心点から縦辺の長さＨの１／２以内且つ横辺の長さＷの１／２以内の範囲に配置することが好ましい。
【００９２】
また、第１の半導体チップ１０の形状に関わらず、温度センスダイオード１１は、第１の半導体チップ１０の主表面の中心点を基点として当該主表面の全面積の１／４の面積にて囲まれる領域Ｋ１に配置されていることが好ましい。
【００９３】
また、図２（ａ）に示したように、第１の半導体チップ１０の主表面に複数個のセルブロックＴｒが一列に配列されており、これら複数個のセルブロックＴｒが奇数個である場合、温度センスダイオード１１は、複数個のセルブロックＴｒのうちの中央のものの両脇の少なくとも一方に配置されていることが好ましい。
【００９４】
また、上記図２（ｂ）に示したように、第１の半導体チップ１０の主表面において、温度センスダイオード１１および温度センスダイオード１１から引き出されている配線１１ａは、ポリイミドからなる厚さ２μｍ以上の保護膜１３により被覆されている。
【００９５】
それによれば、温度センスダイオード１１および温度センスダイオード１１から引き出されている配線１１ａの保護および電気的な絶縁を適切に実現することができるため、好ましい。
【００９６】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る半導体素子としての第１の半導体チップ１０の主表面側から見たときの平面構成を模式的に示す平面図である。
【００９７】
上記第１実施形態では、上記図２（ａ）に示したように、第１の半導体チップ１０の主表面に複数個のセルブロックＴｒが一列に配列されており、これら複数個のセルブロックＴｒが奇数個であった。
【００９８】
本実施形態では、図３に示されるように、第１の半導体チップ１０は、その主表面に複数個のセルブロックＴｒが一列に配列されたものであるが、上記第１実施形態との相違点として、これら複数個のセルブロックＴｒは偶数個である。図３では、８個のセルブロックＴｒが配列している。
【００９９】
この場合、図３に示されるように、温度センスダイオード１１は、複数個のセルブロックＴｒのうちの中央の２個のセルブロックＴｒの間に配置されている。それにより、温度センスダイオード１１を、第１の半導体チップ１０の主表面の中央部に適切に配置することが実現できる。
【０１００】
そして、この相違点以外のところについては、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の作用効果を奏する半導体装置が提供されることはもちろんである。
【０１０１】
（他の実施形態）
なお、半導体素子としては、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やサイリスタ等のパワー半導体素子に限定されるものではなく、主表面側および主裏面側に主電極を有するものであればよい。
【０１０２】
要するに、本発明は、主表面側および主裏面側に主電極を有するとともに主表面側に温度検出用の温度センスダイオードを有する半導体素子の主裏面側に第１の金属体、主表面側に第２の金属体および第３の金属体を接合し、これらを樹脂でモールドしてなる半導体装置において、温度センスダイオードを半導体素子の主表面の中央部に配置したことを要部とするものである。そして、その他の細部については適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の一般的な概略構成を示す図であり、（ａ）は各部の平面的な配置を示す図、（ｂ）は概略断面構成を示す図である。
【図２】（ａ）は、図１中の半導体素子をその主表面側から見たときの構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体素子をその主表面側から見たときの平面構成を模式的に示す平面図である。
【図４】従来の半導体装置の一般的な概略構成を示す図であり、（ａ）は各部の平面的な配置を示す図、（ｂ）は（ａ）に示される半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…半導体素子としての半導体チップ、１１…温度センスダイオード、
１１ａ…温度センスダイオードから引き出されている配線、１３…保護膜、
２０…第１の金属体としての下側ヒートシンク、
３０…第２の金属体としての上側ヒートシンク、
４０…第３の金属体としてのヒートシンクブロック、５１…第１の導電性接着剤、
５２…第２の導電性接着剤、５３…第３の導電性接着剤、８０…樹脂、
Ｔｒ…セルブロック。
【図１】
2005167075.tif 000003
【図２】
2005167075.tif 000004
【図３】
2005167075.tif 000005
【図４】
2005167075.tif 000006