(57)【要約】【課題】  回路基板の開口部側面において塵が発生することを防止する。【解決手段】  受光素子１の表面を露出させるための開口部５は印刷処理により形成し、開口部５を形成する際に、金型やルーター等の切削装置は利用しない。これにより、開口部５の側面において塵が発生することを防止し、光半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、回路基板である樹脂層３に受光素子１がフリップチップ接続により接続される構造を有し、電極引出し部１０と素子収納部１１は、受光素子１の実装高さ以上の厚さを有する基材部４の同一面内に形成されている。これにより、光半導体装置のさらなる小型化及び薄型化を実現することが可能となる。【選択図】  図１
2005045051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ接続により回路基板に接続された光半導体素子を有する光半導体装置であって、
上記回路基板は、上記光半導体素子の表面を露出させるための開口部を有し、
上記開口部は印刷処理により形成されること
を特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置であって、
上記回路基板に接着された基材部を有し、
上記基材部は、上記光半導体素子の実装高さ以上の厚さを有し、上記光半導体素子を収容する素子収納部、及び外部電極を引出すための電極引出し部を備えること
を特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
フリップチップ接続により回路基板に接続された光半導体素子を有する光半導体装置の製造方法であって、
上記光半導体素子の表面を露出させるための開口部を印刷処理により上記回路基板に形成する工程を有すること
を特徴とする光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子や発光素子等の光半導体素子を有する光半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、素子表面を露出させるために回路基板に形成する開口部を印刷処理により形成することにより、回路基板の開口部側面から塵が発生することを防止し、光半導体装置の信頼性を向上させる技術に関わる。
【背景技術】
【０００２】
従来より、受光素子や発光素子等の光半導体素子を有する光半導体装置では、素子と接続する回路基板に開口部を形成することにより、素子表面を露出させ、光半導体装置の高性能化及び短波長化を実現している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９９６５１号公報（図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来までの光半導体装置の製造方法では、有機材料から成る回路基板に対して、金型やルーター等の切削装置を利用して開口部を形成するために、回路基板の開口部側面において塵が発生し、発生した塵が素子表面に付着することにより光半導体装置の信頼性が低下することがある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、回路基板の開口部側面において塵が発生することを防止可能な、光半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光半導体装置の特徴は、フリップチップ接続により回路基板に接続された光半導体素子を有する光半導体装置であって、回路基板は、光半導体素子の表面を露出させるための開口部を有し、開口部は印刷処理により形成されることにある。
【０００７】
また、本発明に係る光半導体装置の製造方法の特徴は、フリップチップ接続により回路基板に接続された光半導体素子を有する光半導体装置の製造方法であって、光半導体素子の表面を露出させるための開口部を印刷処理により上記回路基板に形成する工程を有することにある。
【発明の効果】
【０００８】
すなわち、本発明によれば、光半導体素子の表面を露出させるための回路基板側の開口部は印刷処理により形成され、金型やルーター等の切削装置は利用されないので、回路基板の開口部側面において塵が発生することを防止し、光半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００１０】
〔光半導体装置の構成〕
始めに、図１を参照して、本発明の一実施形態となる光半導体装置の構成について説明する。
【００１１】
本発明の一実施形態となる光半導体装置は、図１に示すように、フォトダイオード等の受光素子１を備えた受光装置であり、フローレス接着剤等の接着層２により張り合わされた樹脂層３と基材部４を主な構成要素として備える。
【００１２】
上記樹脂層３は、エポキシ系樹脂等の樹脂材料により構成され、受光素子１の表面に光が直接入射されるように、受光素子１の配置位置と対応する位置に開口部５を有する。また、樹脂層３には、銅等の金属材料から成る配線層６が形成され、樹脂層３は回路基板の機能を有する。なお、配線層６には、金属メッキ層７を介して基材部４側に収容されるはんだボール８が接続されると共に、金属メッキ層７及びバンプ９を介して受光素子１がフリップチップ接続される。
【００１３】
上記基材部４は、受光素子１の実装高さ以上の厚さを有し、はんだボール８を収容する電極引出し部１０と、受光素子１を収容する素子収納部１１を有する。また、受光素子１上に形成されたバンプ９と金属メッキ層７との接合部分には、接合強度を補強するための封止樹脂１２が形成されている。
【００１４】
以上の説明から明らかなように、本発明の一実施形態となる光半導体装置は、回路基板である樹脂層３に受光素子１がフリップチップ接続により接続される構造を有し、電極引出し部１０と素子収納部１１は、受光素子１の実装高さ以上の厚さを有する基材部４の同一面内に形成されている。このような光半導体装置の構成によれば、光半導体装置のさらなる小型化及び薄型化を実現することが可能となる。
【００１５】
〔基材部の製造方法〕
次に、図２を参照して、上記基材部４の製造方法について説明する。
【００１６】
上記基材部４を製造する際は、始めに、図２（ａ）に示す基材部４の表面上に接着層２を形成する（図２（ｂ））。そして、接着層２の形成が完了すると、金型やルーター等の切削装置を利用して、はんだボール８及び受光素子１を収容する位置にそれぞれ電極引出し部１０及び素子収容部１１を形成する（図２（ｃ））。これにより、基材部４の製造工程は完了する。
【００１７】
〔光半導体装置の製造方法〕
次に、図３を参照して、上記光半導体装置を製造する際の処理の流れについて説明する。
【００１８】
上記光半導体装置を製造する際は、始めに、剥離層１３を介して銅等の金属材料から成るキャリア層１４に接着された配線層６（図３（ａ）参照）に対してパターニング処理を施すことにより、配線層６を配線パターン形状に加工する（図３（ｂ））。
【００１９】
次に、印刷処理により開口部５に対応する位置以外に樹脂層３を形成した後（図３（ｃ））、配線層６が露出するまで樹脂層３を研磨することにより、配線層６を平坦にする（図３（ｄ））。そして、配線層６の平坦化が完了すると、樹脂層３及び配線層６に対し、図３（ｅ）に示すように、接着層２を介して基材部４を接着する。
【００２０】
基材部４の接着が完了すると、次に、配線層６表面にメッキ処理を施すことにより金属メッキ層７を形成した後（図３（ｆ））、受光素子１と金属メッキ層７が接合する領域に封止樹脂１２を形成する（図３（ｇ））。そして、封止樹脂１２の形成が完了すると、図３（ｈ）に示すように、受光素子１に形成されたバンプ９を介して受光素子１を金属メッキ層７に熱圧着することにより、受光素子１を回路基板である樹脂層３にフリップチップ接続する。
【００２１】
受光素子１のフリップチップ接続が完了すると、次に、電極引出し部１０における金属メッキ層７にはんだボール８を接合する。そして最後に、樹脂層３と配線層６に接着された剥離層１３とキャリア層１４を剥がすことにより、一連の光半導体装置の製造工程は完了する。
【００２２】
以上の説明から明らかなように、本発明の一実施形態となる光半導体装置及びその製造方法によれば、受光素子１の表面を露出させるための開口部５は印刷処理により形成することにより形成され、開口部５を形成する際に金型やルーター等の切削装置は利用されないので、開口部５の側面において塵が発生することを防止し、光半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２３】
〔その他の実施形態〕
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。例えば、上記の実施形態では、光半導体装置の製造工程の最後に、剥離層１３とキャリア層１４を全て剥がしたが、図４に示すように、開口部５と対応する位置のみの剥離層１３とキャリア層１４を剥がすようにしてもよい。このような構成によれば、受光素子１の表面が光半導体装置表面からより深い位置に位置することになるので、受光素子１に物が接触し、受光素子１の性能に影響を与えることを防止することができる。さらに、キャリア層１４に銅等の金属材料を使用し、キャリア層１４を配線層６の接地点と接続させるようにすれば、光半導体装置の静電耐量を向上させることもできる。このように、この実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明は、受光素子や発光素子を露出させるための開口部を有する光半導体装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態となる光半導体装置の構成を示す上面図、断面図、及び下面図である。
【図２】図１に示す基材部を製造する際の工程を示す断面工程図である。
【図３】図１に示す光半導体装置を製造する際の工程を示す断面工程図である。
【図４】図１に示す光半導体装置の応用例の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００２６】
１：受光素子
２：接着層
３：樹脂層
４：基材部
５：開口部
６：配線層
７：金属メッキ層
８：はんだボール
９：バンプ
１０：電極引出し部
１１：素子収納部
１２：封止樹脂
１３：剥離層
１４：キャリア層
【図１】
2005045051.tif 000003
【図２】
2005045051.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005045051.tif 000006