(57)【要約】【課題】  無接点型のスイッチを使用し、信頼性を向上させることが可能な（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器を提供する。【解決手段】  Ｎ個の無接点切替器と、（Ｎ＋１）個の無接点切替器の中の任意のＮ個の無接点切替器から出力される出力電力を合成する電力合成器と、前記（Ｎ＋１）個の無接点切替器と前記電力合成器との間に接続される、電気長がλo／２の伝送線路とを具備し、前記各無接点切替器は、シールドケースと、前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有する入力端子と、前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有し、前記伝送線路に接続される出力端子とを備え、前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部はそれぞれ結合孔を有し、前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部に形成された各結合孔に挿入される円筒状の誘電体と、前記円筒状の誘電体の内部に配置されるとともに、円筒状の誘電体の長さ方向に移動可能とされる結合導体とを有する。【選択図】        図４
2005236500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎを２以上の整数、λｇを伝送される高周波信号の中心周波数の管内波長とするとき、（Ｎ＋１）個の無接点切替器と、
前記（Ｎ＋１）個の無接点切替器の中の任意のＮ個の無接点切替器から出力される出力電力を合成する電力合成器と、
前記（Ｎ＋１）個の無接点切替器と前記電力合成器との間に接続される、電気長がλｇ／２の伝送線路とを具備する（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器であって、
前記各無接点切替器は、シールドケースと、
前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有する入力端子と、
前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有し、前記伝送線路に接続される出力端子とを備え、
前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部はそれぞれ結合孔を有し、
前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部に形成された各結合孔に挿入される円筒状の誘電体と、
前記円筒状の誘電体の内部に配置されるとともに、円筒状の誘電体の長さ方向に移動可能とされる結合導体とを有し、
前記結合導体を、第１の位置に移動することにより、前記使用中心周波数において前記入力端子の内部導体と前記出力端子の内部導体とを導通状態とし、あるいは、前記結合導体を第２の位置に移動することにより、前記使用中心周波数において前記入力端子の内部導体と前記出力端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器。
【請求項２】
前記各無接点切替器は、前記シールドケース内に配置され、前記結合導体を第１の位置に移動させたときに、前記結合導体を所定の位置で停止させる絶縁性のストッパと、
前記シールドケース内に配置され、前記結合導体を第２の位置に移動させたときに、前記結合導体を所定の位置で停止させる導電性のストッパとを有することを特徴とする請求項１に記載の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器に係わり、特に、移動通信、地上波デジタルテレビ等における電力増幅器の並列運転時に、信号を停止することなく現用系と予備系とを切り替える（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン放送の送信機では、大きな出力電力（送信電力）が必要とされる場合がある。このような場合には、複数の電力増幅器を並列運転して目的を達成するようにしている。
さらに、電力増幅器の一部に故障などが生じる場合を想定し、現用系と予備系との２つを備えるのが一般的である。
図１４は、従来のテレビジョン放送の送信機側の構成を示すブロック図である。図１４は、電力増幅器（ＰＡ）が２台で構成される場合を図示している。
同図に示すように、従来のテレビジョン放送の送信機側では、現用系、予備系とも、送信電力を分配器（Ｄ１，Ｄ２）で２分配し、当該分配された送信電力を２台の電力増幅器（ＰＡ１−１，ＰＡ１−２，ＰＡ２−１，ＰＡ２−２）で増幅した後、電力合成器（ＣＰ１，ＣＰ２）で合成して出力している。
そして、実際の運用にあたっては、高周波スイッチ（ＳＷ１−１，ＳＷ１−２）により、現用系あるいは予備系に切り替えて運用する。
一方、本願発明者は、小型で、かつ、信頼性を向上させることが可能な無接点切替器を提案している（下記、特許文献１参照）。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特願２００３−３３２６４８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したように、従来のテレビジョン放送の送信機では、実際に運用される電力増幅器の台数をＮとするとき、２Ｎ台の電力増幅器が必要となり、コスト高になるという問題がある。
この問題点を解決するために、（Ｎ＋１）台の電力増幅器を使用し、（Ｎ＋１）台の電力増幅器の中のＮ台を現用系として使用し、残りの１台を予備系として使用する手法が提案されている。
以下、この手法を、（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式と称する。
図１５は、この（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式を説明するための図である。
同図に示すように、（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式では、送信電力を分配器（Ｄ１）で（Ｎ＋１）分配し、当該分配された送信電力を（Ｎ＋１）台の電力増幅器（ＰＡ１〜ＰＡ（ｎ＋１））で増幅する。
そして、高周波スイッチ（ＳＷ１〜ＳＷ（ｎ＋１））の中の任意のｎ個をオンとして、各電力増幅器（ＰＡ１〜ＰＡｎ）の中のＮ個の出力を選択し、電力合成器（ＣＰ１）で合成して出力する。
図１５では、ＰＡ１〜ＰＡｎの電力増幅器の出力が選択されている場合を図示しており、したがって、図１５では、ＰＡ１〜ＰＡｎの電力増幅器が現用系、ＰＡ（ｎ＋１）の電力増幅器が予備系となる。
【０００５】
図１５に示す高周波スイッチ（ＳＷ１〜ＳＷ（ｎ＋１））としては、接点型のスイッチが使用されるが、電力増幅器の動作中に、切り替え操作を実行すると、接点型のスイッチの場合は火花放電が発生し、スイッチの電極の溶解、あるいは電極の劣化が生じ、信頼性が低く、装置の故障の原因になるという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、無接点型のスイッチを使用し、信頼性を向上させることが可能な（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、（Ｎ＋１；Ｎ≧２）個の無接点切替器と、（Ｎ＋１）個の無接点切替器の中の任意のＮ個の無接点切替器から出力される出力電力を合成する電力合成器と、前記（Ｎ＋１）個の無接点切替器と前記電力合成器との間に接続される、電気長がλｇ／２（λｇは伝送される高周波信号の中心周波数の管内波長）の伝送線路とを具備する（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器であって、前記各無接点切替器は、シールドケースと、前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有する入力端子と、前記シールドケースの内部まで延長される先端部を有し、前記伝送線路に接続される出力端子とを備え、前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部はそれぞれ結合孔を有し、前記入力端子および出力端子の内部導体の先端部に形成された各結合孔に挿入される円筒状の誘電体と、前記円筒状の誘電体の内部に配置されるとともに、円筒状の誘電体の長さ方向に移動可能とされる結合導体とを有し、前記結合導体を、第１の位置に移動することにより、前記使用中心周波数において前記入力端子の内部導体と前記出力端子の内部導体とを導通状態とし、あるいは、前記結合導体を第２の位置に移動することにより、前記使用中心周波数において前記入力端子の内部導体と前記出力端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器によれば、、無停波の状態を満たしながら、（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式において、現用系と予備系とを切り替えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［本発明において使用される無接点切替器の原理］
図１は、本発明に使用される無接点切替器の原理を説明するための図である。
図１に示すように、高周波信号の伝送経路に、第１のインダクタンス素子（Ｌ１）と、可変容量素子（Ｃｖ）と、第２のインダクタンス素子（Ｌ２）からなるハイパスフィルタ回路（以下、ＨＰＦという。）３０を挿入する。
ここで、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第１の容量値の時に、ＨＰＦ３０の減衰特性が、図２の（イ）に示す減衰特性になるように、また、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第２の容量値の時に、ＨＰＦ３０の減衰特性が、図２の（ロ）に示す減衰特性になるように、第１のインダクタンス素子（Ｌ１）と第２のインダクタンス素子（Ｌ２）のインダクタンス値を設定する。なお、この図２において、ｆｏは、伝送される高周波信号の中心周波数である。
図２に示すように、ＨＰＦ３０の減衰特性を設定することにより、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第１の容量値の時には、周波数がｆｏの高周波信号はＨＰＦ３０の通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号（周波数がｆｏの高周波信号）はＨＰＦ３０を通過する。即ち、無接点切替器がオン状態となる。
しかしながら、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第２の容量値の時には、周波数がｆｏの高周波信号はＨＰＦ３０の減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦ３０を流れない。即ち、切替器がオフ状態となる。
【０００９】
［本実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器の原理］
図３は、本実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器を使用する（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式の概略構成を示すブロック図である。
図３に示す（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式は、図１５に示す高周波スイッチ（ＳＷ１〜ＳＷ（ｎ＋１））と電力合成器（ＣＰ１）に代えて、（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器（ＳＣＰ１）を使用する点で、図１５に示す（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式と相違する。
図４は、本実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器の等価回路を示す回路図である。
図４において、５０は、Ｑ変成器型の電力合成器であり、このＱ変成器型の電力合成器５０と、各入力端子（Ｔ１〜Ｔ（Ｎ＋１））との間に、図１に示すＨＰＦ３０が挿入される。
但し、本実施例では、図１に示すＨＰＦ３０の第２のインダクタンス素子（Ｌ２）は、Ｑ変成器型の電力合成器５０側に設けられ、図１に示すＨＰＦ３０の第２のインダクタンス素子（Ｌ２）と、図１に示すＨＰＦ３０の可変容量素子（Ｃｖ）との間は、電気長がλｇ／２の同軸ケーブル５１で接続される。ここで、λｇは、高周波信号（ｆｏ）の中心周波数が同軸ケーブル５１を伝搬するときの管内波長（または、伝搬波長）である。
本実施例では、Ｑ変成器型の電力合成器５０と、各入力端子（Ｔ１〜Ｔ（Ｎ＋１））との間に接続されたＨＰＦ３０の可変容量素子（Ｃｖ）の容量値を、前述した第１の容量値、あるいは、第２の容量値に切り替えることにより、各電力増幅器（ＰＡ１〜ＰＡｎ）の中のＮ個の出力を選択し、電力合成器（ＣＰ１）で合成して出力することができる。
【００１０】
図４に示すインダクタンス素子（Ｌ０）は、図１に示すＨＰＦ３０の第２のインダクタンス素子（Ｌ２）をＮ個並列にしたものを合成したものであり、したがって、図４に示すインダクタンス素子（Ｌ０〜Ｌ（Ｎ＋１））のインダクタンス値をそれぞれ、Ｍ０〜Ｍ（Ｎ＋１）とするとき、Ｍ０〜Ｍ（Ｎ＋１）の間には、下記（１）式の関係がある。
［数１］
Ｍ１＝Ｍ２＝Ｍ３・・・ＭＮ＝Ｍ（Ｎ＋１）
Ｍ０＝Ｍｋ／Ｎ                              ・・・・・・・・・・・  （１）
したがって、図４において、Ｑ変成器型の電力合成器５０と、導通状態にある入力端子との間の等価回路は図５に示す通りとなる。
なお、図５に示す等価回路は、図４に示す等価回路において、点Ｂから各入力端子側を見たときの回路図である。
この図５において、Ｘは可変容量素子（ＣＶ）の規準化インピーダンス、Ｙはインダクタンス素子（Ｌ１，Ｌ２）の規準化アドミッタンスである。
図５では、可変容量素子（ＣＶ１）の規準化インピーダンスＸが、Ｘ＝１．１、また、ンダクタンス素子（Ｌ１，Ｌ２）の規準化アドミッタンスＹが、Ｙ＝０．９である。
図５に示す等価回路の｛Ｆ｝マトリクスは、下記（２）式で表される。
【００１１】
【数２】
2005236500.tif 000003
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （２）
【００１２】
前述の（２）式を用いて、入力インピーダンス（Ｚｉｎ）を求めると、下記（３）式のようになり、その（３）式を用いて伝送特性（Ｌ）を求めると下記（４）式のようになる。
この（４）式によれば、Ｌ＝０ｄＢとなり、図５に示す等価回路は整合状態にあることが分かる。
【００１３】
【数３】
2005236500.tif 000004
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （３）
2005236500.tif 000005
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （４）
【００１４】
また、図４において、Ｑ変成器型の電力合成器５０と、非導通状態にある入力端子との間の等価回路は図６に示す通りとなる。
なお、図６に示す等価回路は、図４に示す等価回路において、点Ｂから各入力端子側を見たときの回路図である。
この図６では、可変容量素子（ＣＶ１）の規準化インピーダンスＸが、Ｘ＝１０となる。
図６に示す等価回路の｛Ｆ｝マトリクスは、下記（５）式で表される。
【００１５】
【数４】
2005236500.tif 000006
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （５）
【００１６】
前述の（５）式を用いて、入力インピーダンス（Ｚｉｎ）を求めると、下記（６）式のようになり、その（６）式を用いて伝送特性（Ｌ）を求めると下記（７）式のようになる。
この（７）式によれば、Ｌ＝１６．２３ｄＢとなり、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値を小さくすることにより、入力端子を切り離すことができる。
【００１７】
【数５】
2005236500.tif 000007
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （６）
2005236500.tif 000008
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （７）
【００１８】
図７は、図４に示す無接点切替器の一例の概略構成を示す図であり、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は正面図である。
図８、図９は、図４に示す無接点切替器の一例の断面構造を示す要部断面図であり、この図８、図９は、図７（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す図である。
なお、図８は、端子Ｔｋが、端子ＴＣと結合状態にあり、前述の図５に示す等価回路の場合の断面図である。
図９は、端子Ｔｋと、端子ＴＣと非結合状態にある場合の断面図であり、前述の図６に示す等価回路の場合の断面図である。
図７〜図９において、端子Ｔｋは、図４に示す入力端子（Ｔ１〜Ｔ（Ｎ＋１））のいずれかの端子であり、端子ＴＣは、図４に示す同軸ケーブル５１が接続される端子である。
図７〜図９において、１はシールドケース、２１，２２は、端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体、３１，３２は、端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の外部導体、７は絶縁体のスペーサ、１０は結合導体、１１は絶縁体の案内棒、１２は誘電体、１３は、図４に示すインダクタンス素子（Ｌ１）を構成する導電体である。
図８、図９に示すように、端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体（２１,２２）は、先端部がシールドケース１内まで延長される。
【００１９】
図１０は、図８、図９に示す端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体（２１,２２）の先端部の形状を示す図であり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。
図９に示すように、端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体（２１,２２）の先端部には、４角柱部６が形成され、この４角柱部６には、結合穴（９１,９２）が形成される。
なお、端子（Ｔｋ）の内部導体（２１）の先端部における４角柱部を、図４に示すインダクタンス素子（Ｌ１）として機能させてもよく、この場合には、導電体１３は必要ない。
前述の各結合穴（９１，９２）には、一本の円筒状の誘電体１２が挿入される。
この円筒状の誘電体１２としては、機械的強度が強く、かつ、誘電率が高く、さらに、高周波損の少ない材料（例えば、アルミナなど）が使用される。
さらに、この円筒状の誘電体１２の内部には、結合導体１０が配置され、この結合導体の両側に案内棒１１が取り付けられる。
ここで、結合導体１０の長さ（Ｌ）は、端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体（２１,２２）の先端部に形成される各結合孔９の長さを、それぞれＬ１、Ｌ２、端子Ｔｋの内部導体２１の先端部と、共通端子ＴＣの内部導体２２の先端部との間の間隔をＬａとするとき、下記（８）式を満足するように設定される。
［数６］
Ｌ≧（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌａ）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （８）
【００２０】
図７〜図９に示す無接点切替器では、案内棒１１を、図８の矢印Ａの方向に移動することにより、円筒状の誘電体１２の内部の結合導体１０が移動可能とされ、例えば、図８に示すように、結合導体１０が、端子Ｔｋの内部導体２１の先端部と、端子ＴＣの内部導体２２の先端部との間に位置するようにした状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ１）のインピーダンスが小さくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（Ｌ２）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦの通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過する。即ち、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間が導通状態となる。
なお、この案内棒１１は、電磁ソレノイド、あるいはモータにより移動可能とされる。
また、図９に示すように、結合導体１０が、端子Ｔｋの内部導体２１の先端部に位置し、端子ＴＣの内部導体２２の先端部に位置しないようにした状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ２）のインピーダンスが大きくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（Ｌ２）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦの減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過しない。即ち、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる。
【００２１】
図１１、図１２は、図４に示す無接点切替器の変形例の断面構造を示す要部断面図であり、前述の図８、図９に示す断面図と同一箇所の断面構造を示す図である。
なお、図１１は、端子Ｔｋが、端子ＴＣと結合状態にあり、前述の図５に示す等価回路の場合の断面図である。
図１２は、端子Ｔｋと、端子ＴＣと非結合状態にある場合の断面図であり、前述の図６に示す等価回路の場合の断面図である。
図１１、図１２に示す無接点切替器は、絶縁性のストッパ２０と、導電性のストッパ２１とを有する点で、図７〜図９に示す無接点切替器と相違する。
図１１、図１２に示す無接点切替器では、結合導体１０を、常時、絶縁性のストッパ２０上に位置決めしておき、即ち、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間を導通状態としておく。
そして、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）とを切り離すときには、案内紐２２を、例えば、モータ、電磁ソレノイドで引っ張り、結合導体１０を、導電性のストッパ２１上に位置決めする。
これにより、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間を非導通状態とする。この場合に、端子（Ｔｋ）に入力される高周波信号は、導電性のストッパ２１を介してシールドケース１に流れるので、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間を確実に非導通状態とすることができる。
また、結合導体１０を、常時バネ性部材２３で引っ張っておき、案内紐２２を緩めたときに、結合導体１０が絶縁性のストッパ２０上に位置するようにして、端子（Ｔｋ）と端子（ＴＣ）との間を速やかに導通状態になすようにしている。
【００２２】
図１３は、図４に示すＱ変成器型の電力合成器５０の一例の概略構成を示す要部断面図である。
図１３において、端子Ｔｏｕｔは、出力端子、端子ＴＣｋは、図４に示す同軸ケーブル５１が接続される端子である。
図１３において、１はシールドケース、２１，２２は、端子（Ｔｏｕｔ，Ｔｃｋ）の内部導体、３１，３２は、端子（Ｔｏｕｔ，Ｔｃｋ）の外部導体である。
ここで、Ｑ変成器型の電力合成器５０の特性インピーダンス（Ｚ）は、Ｚ＝Ｚｏ／√Ｎ（但し、Ｚｏは同軸ケーブル５１の特性インピーダンス）であり、また、端子（Ｔｏｕｔ）の内部導体における、端子（Ｔｃｋ）から端子部までの長さ（図１３に２５で示す部分の長さ）は、λｇ／４とされる。なお、λｇは、管内波長である。
Ｑ変成器型の電力合成器５０の｛Ｓ｝マトリクスは、下記（９）式で表される。また、この（９）式において、ｎ＝２の場合の｛Ｓ｝マトリクスは、下記（１０）式で表される。
【００２３】
【数７】
2005236500.tif 000009
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （９）
2005236500.tif 000010
・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１０）
【００２４】
図３に示す（ＰＡ１〜ＰＡ（ｎ＋１））の電力増幅器の出力電力をＰ（Ｗ）とし、特性インピーダンスをＺｏ（但し、Ｚｏ＝１）をすれば、電力増幅器の出力電圧（Ｅ）は、下記（１１）式で求めることができる。
［数８］
Ｅ＝√（Ｐ・Ｚｏ）２
＝√（Ｐ）
・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１１）
ｎ＝２の場合における、Ｑ変成器型の電力合成器５０の合成電圧を求めると、下記（１２）式のようになる。
【００２５】
【数９】
2005236500.tif 000011
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１２）
【００２６】
ここで、Ｑ変成器型の電力合成器５０の出力電力（Ｐｏ）は、Ｐｏ＝（Ｅｏ）２であるから、前述の（１２）式より、Ｑ変成器型の電力合成器５０の出力電力（Ｐｏ）は、下記（１３）式のようになり、電力が合成されていることが分かる。
［数１０］
Ｐ０＝｜−ｊ√２√Ｐ｜２
＝｜２Ｐ｜
・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１３）
以上説明したように、本実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器によれば、無停波の状態を満たしながら、（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式において、現用系と予備系とを切り替えることが可能となる。
ＯＦＤＭ変調波を用いたデジタルテレビにおいては、複数の電力増幅器を用い、（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式により、ＴＶ放送を行うことが想定されている。本発明の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器はこのような用途に最適である。
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の無接点切替器の原理を説明するための図である。
【図２】図１に示すハイパスフィルタの減衰特性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器を使用する（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式の概略構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施例の（Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器の等価回路を示す回路図である。
【図５】図４において、Ｑ変成器型の電力合成器と、導通状態にある入力端子との間の等価回路を示す回路図である。
【図６】図４において、Ｑ変成器型の電力合成器と、非導通状態にある入力端子との間の等価回路を示す回路図である。
【図７】図４に示す無接点切替器の一例の概略構成を示す図である。
【図８】図４に示す無接点切替器の一例の断面構造を示す要部断面図である。
【図９】図４に示す無接点切替器の一例の断面構造を示す要部断面図である。
【図１０】図８、図９に示す端子（Ｔｋ，Ｔｃ）の内部導体の先端部の形状を示す図である。
【図１１】図４に示す無接点切替器の変形例の断面構造を示す要部断面図である。
【図１２】図４に示す無接点切替器の変形例の断面構造を示す要部断面図である。
【図１３】図４に示すＱ変成器型の電力合成器の一例の概略構成を示す要部断面図である。
【図１４】従来のテレビジョン放送の送信機側の構成を示すブロック図である。
【図１５】（Ｎ＋１）現用系・予備系切り替え方式を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  シールドケース
２１，２２  内部導体
３１，３２  外部導体
６  ４角柱部、
７  絶縁性のスペーサ
９１，９２  結合孔
１０  結合導体
１１  案内棒
１２  誘電体
１３  インダクタンス素子を構成する導電体
３０  ハイパスフィルタ回路（ＨＰＦ）
２０  絶縁性のストッパ
２１  導電性のストッパ
２２  案内紐
２３  バネ性部材
５０  Ｑ変成器型の電力合成器
５１  同軸ケーブル
Ｄ１，Ｄ２  分配器
ＣＰ１，ＣＰ２  電力合成器
ＳＣＰ１  （Ｎ＋１）無接点切替器付き電力合成器
ＰＡ１−１，ＰＡ１−２，ＰＡ２−１，ＰＡ２−２、ＰＡ１〜ＰＡ（ｎ＋１）  電力増幅器
ＳＷ１−１，ＳＷ１−２，ＳＷ１〜ＳＷ（ｎ＋１）  スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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