(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）支持体上に基材を、
２層以上の層を有する中央部分（Ａ）と外周部分（Ｂ）とからなる仮固定材であって、前記外周部分（Ｂ）が前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接しており、且つ前記中央部分（Ａ）が前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接している仮固定材
を介して、仮固定することにより、
中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた積層体を得る工程；
（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；
（３）前記仮固定材の少なくとも外周部分（Ｂ）を溶剤で溶解させる工程；ならびに
（４）前記仮固定材の残部を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程
をこの順で有する基材の処理方法であり、
工程（２）の加工工程においてプロセス溶剤を用い、かつ、工程（２）の加工工程で使用される前記プロセス溶剤に対する前記外周部分（Ｂ）の溶解度（２３℃）が１ｇ／１００ｇ以下である、基材の処理方法。
【請求項２】
前記中央部分（Ａ）が、基材と接する層として、前記外周部分（Ｂ）および前記中央部分（Ａ）各層の中で、溶融温度が最も高い層を有する、請求項１の基材の処理方法。
【請求項３】
前記中央部分（Ａ）における支持体と接する層の構成樹脂と、前記外周部分（Ｂ）の構成樹脂とが、同一である、請求項１または２の基材の処理方法。
【請求項４】
前記工程（１）が、
（１ａ）前記支持体における基材側の全面に、前記プロセス溶剤に対する溶解度（２３℃）が１ｇ／１００ｇ以下である仮固定材層（ｂ）を形成する工程、
（１ｂ）前記基材における支持体側の面の中央部に、前記仮固定材層（ｂ）よりも
溶融温度の高い仮固定材層（ａ）を形成する工程、ならびに
（１ｃ）前記基材と前記支持体とを、仮固定材層（ｂ）および仮固定材層（ａ）が向かい合うように対向配置し、前記仮固定材層（ｂ）を加熱しながら仮固定材層（ｂ）と仮固定材層（ａ）とを貼り合わせることにより、仮固定材層（ｂ）の一部からなる外周部分（Ｂ）と、仮固定材層（ｂ）の残部および仮固定材層（ａ）からなる中央部分（Ａ）とを形成する工程
を有する、請求項３の基材の処理方法。
【請求項５】
仮固定材を介して、支持体上に基材が仮固定された積層体であり、
前記仮固定材が、前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接した外周部分（Ｂ）と、前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接した、２層以上の層を有する中央部分（Ａ）とからなり、且つ、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われ、基材を加工する工程で使用されるプロセス溶剤に対する前記外周部分（Ｂ）の溶解度（２３℃）が１ｇ／１００ｇ以下である積層体。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項の基材の処理方法により得られる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材を支持体上に仮固定するための仮固定材を用いた基材の処理方法、前記仮固定材を有する積層体、および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション）や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材などを用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および／または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。従来、基材の仮固定に使用可能と考えられる接着剤がいくつか提案されている（下記特許文献１〜２参照）。
【０００３】
特許文献１には、シクロオレフィン樹脂などを溶剤に溶解あるいは分散させてなる組成物から形成された接合用組成物層を介して、第１の基板と第２の基板とを接合して積層体を得て、続いて、前記接合層を軟化させるのに充分な温度に曝露することにより、第１の基板と第２の基板とを分離する、ウエハの接合（分離）方法が開示されている。ここでの接合層は１層からなる。
【０００４】
特許文献２には、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板のそれぞれの周縁部を接合する接着剤層と、前記接着剤層により形成された中心空間に充填された充填材料からなる剥離層とを有する積層体を経由する、第１の基板および第２の基板の仮止め方法が開示されている。
【０００５】
近年のフォトファブリケーションなどでは、基材が高温環境下に曝されることがある。例えば積層チップの製造における実装工程では、ウエハやチップを支持体に仮固定して、ウエハやチップの加工（例：貫通孔形成、バンプ形成、再配線、ウエハの薄膜化、ウエハのダイシング）や、チップの積層（例：メッキをメルトフローさせ、チップ間を電気的に接続する）を行った後、チップを支持体から剥離している。
【０００６】
この場合、基材の加工時には、例えば半導体チップの破損やバンプの破損を防ぐため、高温環境下でも溶融せずに基材を保護可能な、すなわち耐熱性に優れる仮固定材が求められる。
【０００７】
しかしながら一方で、このような仮固定材を形成する場合、溶融温度が高い樹脂を用いる必要があるが、通常、前記樹脂は極性の高い溶剤に溶けやすい。このため、チップの加工時等で使用されるプロセス溶剤として極性の高い溶剤を用いる場合、仮固定材の形成樹脂として、当該溶剤に対して高い耐性を有する樹脂のみが使用可能であり、樹脂選択性に乏しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１０−５０６４０６号公報
【特許文献２】米国公開特許公報２００９／０２１８５６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、仮固定材の中でも、基材のバンプ等が形成された部分と接する層の樹脂選択性に富んだ基材の処理方法、ならびに前記基材の処理方法に関連した積層体、仮固定用組成物および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［６］に関する。
【００１１】
［１］（１）支持体上に基材を、２層以上の層を有する中央部分（Ａ）と溶剤耐性に優れる外周部分（Ｂ）とからなる仮固定材であって、前記外周部分（Ｂ）が前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接しており、且つ前記中央部分（Ａ）が前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接している仮固定材を介して、仮固定することにより、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた積層体を得る工程；（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；（３）前記仮固定材の少なくとも外周部分（Ｂ）を溶剤で溶解させる工程；ならびに（４）前記仮固定材の残部を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。
【００１２】
［２］前記中央部分（Ａ）が、基材と接する層として、前記外周部分（Ｂ）および前記中央部分（Ａ）各層の中で、溶融温度が最も高い層を有する、前記［１］の基材の処理方法。
【００１３】
［３］前記中央部分（Ａ）における支持体と接する層の構成樹脂と、前記外周部分（Ｂ）の構成樹脂とが、同一である、前記［１］または［２］の基材の処理方法。
［４］前記工程（１）が、（１ａ）前記支持体における基材側の全面に、溶剤耐性に優れる仮固定材層（ｂ）を形成する工程、（１ｂ）前記基材における支持体側の面の中央部に、前記仮固定材層（ｂ）よりも溶融温度の高い仮固定材層（ａ）を形成する工程、ならびに（１ｃ）前記基材と前記支持体とを、仮固定材層（ｂ）および仮固定材層（ａ）が向かい合うように対向配置し、前記仮固定材層（ｂ）を加熱しながら仮固定材層（ｂ）と仮固定材層（ａ）とを貼り合わせることにより、仮固定材層（ｂ）の一部からなる外周部分（Ｂ）と、仮固定材層（ｂ）の残部および仮固定材層（ａ）からなる中央部分（Ａ）とを形成する工程を有する、前記［３］の基材の処理方法。
【００１４】
［５］仮固定材を介して、支持体上に基材が仮固定された積層体であり、前記仮固定材が、前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接した、溶剤耐性に優れる外周部分（Ｂ）と、前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接した、２層以上の層を有する中央部分（Ａ）とからなり、且つ、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた積層体。
【００１５】
［６］前記［１］〜［４］のいずれかの基材の処理方法により得られる半導体装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、仮固定材の中でも、基材のバンプ等が形成された部分と接する層の樹脂選択性に富んだ基材の処理方法、ならびに前記基材の処理方法に関連した積層体、仮固定用組成物および半導体装置を提供することができる。
【００１７】
本発明では、仮固定材のプロセス溶剤に接触する部分（外周部分（Ｂ））を溶剤耐性に優れた層とすることで、中央部分（Ａ）の基材（特にバンプ）と接する層において、樹脂選択性が広がる。一例を挙げれば、従来のように仮固定材が１層のみからなる場合、プロセス溶剤がＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）の場合、溶融温度が高く且つＮＭＰに対して耐性のあるシクロオレフィン樹脂しか使えなかったが、本発明では、溶融温度は高いもののＮＭＰに対して耐性のない、ポリイミドやポリエーテルスルホンなども基材と接する層の構成樹脂として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は積層体の断面図の一例を示し、（ｂ）は支持体の斜視図である。
【図２】基材の処理方法の一実施態様の説明図（断面図）。
【図３】実施例における基材の処理方法の一実施態様の説明図（断面図）。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の基材の処理方法、前記基材の処理方法に関連した積層体および仮固定用組成物、ならびに前記基材の処理方法によって得られる半導体装置について説明する。
本発明において仮固定材とは、半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション（例：レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、ＲＩＥなどによる加工））や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材のことである。
【００２０】
〔基材の処理方法〕
本発明の基材の処理方法は、
（１）支持体上に基材を、中央部分（Ａ）と外周部分（Ｂ）とからなる仮固定材を介して仮固定することにより、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた積層体を得る工程；
（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；
（３）前記仮固定材の少なくとも外周部分（Ｂ）を溶剤で溶解させる工程；ならびに
（４）前記仮固定材の残部を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程
をこの順で有する。
【００２１】
以下、上記各工程をそれぞれ、工程（１）〜工程（４）ともいう。
ここで、外周部分（Ｂ）は、工程（１）の積層体において、支持体における基材側の面の外周部と、基材における支持体側の面の外周部とに接する、溶剤耐性に優れる部分である。中央部分（Ａ）は、工程（１）の積層体において、支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接する、２層以上の層を有する部分である。
【００２２】
このように本発明では、中央部分（Ａ）と、前記中央部分（Ａ）の径方向（積層体の積層方向と垂直な方向を指す）の外方に存在する外周部分（Ｂ）とからなる仮固定材により、支持体と基材とが仮固定されている。したがって、得られる積層体は、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた構造を有する。外周部分（Ｂ）は溶剤耐性に優れているので、耐熱性には優れるが溶剤耐性に乏しい樹脂を中央部分（Ａ），すなわち基材のバンプ等を保護する部分に用いることができ、したがって中央部分（Ａ）に用いる樹脂の選択肢が広がる。
【００２３】
［工程（１）］
工程（１）では、支持体上に基材を、中央部分（Ａ）と外周部分（Ｂ）とを有する仮固定材を介して仮固定することにより、支持体／仮固定材／基材という構成を有する積層体を得る。仮固定材において、中央部分（Ａ）の径方向の外方に、外周部分（Ｂ）が存在することになる。
【００２４】
図１（ａ）に、上記積層体の一実施態様である、仮固定材を介して、支持体１０上に、バンプ２１を有する基材２０が仮固定された積層体を示す。前記仮固定材は、支持体１０の外周部および基材２０の外周部に接した、溶剤耐性に優れる外周部分４０と、支持体１０の中央部に接した支持体側層３２および基材２０の中央部に接した基材側層３１を有する中央部分３０とからなる。中央部分３０は、支持体１０、外周部分４０および基材２０で覆われている。
【００２５】
基材および支持体の、外周部および中央部について、図１（ｂ）を参照して説明する。図１（ｂ）に、支持体１０の斜視図を示す。支持体１０における基材２０側の面は、中央部１１と外周部１２とからなる。このように外周部とは、基材および支持体の各面の周囲から径方向に一定距離内側までを占める領域であり、中央部とは、基材および支持体の各面の外周部を除いた領域である。
【００２６】
〈基材および支持体〉
加工（移動）対象物である基材としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。支持体としては、例えば、ガラスやシリコンなどの取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものが挙げられる。
【００２７】
仮固定材層を基材上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。
【００２８】
表面処理剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのカップリング剤が挙げられる。
【００２９】
〈外周部分（Ｂ）〉
上記積層体において、仮固定材の外周部分（Ｂ）は、支持体における基材側の面の外周部と、基材における支持体側の面の外周部とを仮固定する。外周部分（Ｂ）は、溶剤耐性に優れる部分である。外周部分（Ｂ）が、基材処理時に使用されるプロセス溶剤に対して、中央部分（Ａ）の特に基材と接する層を保護する。
【００３０】
基材を加工する工程で使用されうるプロセス溶剤に対する外周部分（Ｂ）の溶解度（２３℃）は、１ｇ／１００ｇ以下であることが好ましい。この場合、外周部分（Ｂ）は、プロセス溶剤に対する溶剤耐性に優れる。プロセス溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが挙げられる。
【００３１】
外周部分（Ｂ）は、例えば、後述の熱可塑性樹脂（Ｈ）と熱可塑性樹脂（Ｌ）とを含有する仮固定用組成物を用いて形成することができる。具体的には、外周部分（Ｂ）の形成には、後述の仮固定用組成物（ｂｂ）を用いることができる。
【００３２】
〈中央部分（Ａ）〉
上記積層体において、仮固定材の中央部分（Ａ）は、支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とを仮固定する。中央部分（Ａ）は、２層以上の層を有する部分である。
【００３３】
中央部分（Ａ）は、基材と接する層（基材側最外層）として、外周部分（Ｂ）および中央部分（Ａ）各層の中で、溶融温度が最も高い層を有することが好ましい。例えば、中央部分（Ａ）が２層からなる場合、溶融温度が最も高い層を中央部分（Ａ）の基材側最外層とする。この場合、基材の加工時等に高温環境下（例：２２５〜３００℃）に曝された場合であっても、基材側最外層が溶融することなく、良好に基材のバンプ等を保護することができる。それと同時に、本発明では、高温環境下でも、基材の処理時に付加される剪断力に対して基材を保持しうる保持力を維持できる。保持力は、例えば剪断接着力で評価される。
【００３４】
また、中央部分（Ａ）では、基材と接する層（基材側最外層）の溶融温度よりも、支持体と接する層（支持体側最外層）の溶融温度が低いことが好ましい。この場合、基材の剥離時に、相応の加熱処理を行うことにより、基材を支持体から剥離することができる。なお、剥離後にも、基材上に中央部分（Ａ）の一部が残存することがあるが、この場合には、溶剤洗浄によって容易に基材上から中央部分（Ａ）の残部を除去することができる。
【００３５】
上記積層体において中央部分（Ａ）の層数は、２層以上であるが、２〜５層とすることが好ましく、歩留まり向上の観点から、２層とすることがより好ましい。中央部分（Ａ）が２層からなる場合とは、中央部分（Ａ）が、溶融温度が高い層（以下「高溶融温度層」ともいう。）と溶融温度がこの高溶融温度層よりも低い層（以下「低溶融温度層」ともいう。）とからなる場合である。この場合、後述する積層体の好ましい形成方法では、高溶融温度層が仮固定材層（ａ）となり、低溶融温度層が仮固定材層（ｂ）となる。
【００３６】
基材側最外層または高溶融温度層における溶融温度は、通常１５０〜３５０℃である。支持体側最外層または低溶融温度層における溶融温度は、通常４０〜２５０℃であり、基材側最外層または高溶融温度層における溶融温度よりも小さいことが好ましい。各層がこのような溶融温度に設定されている場合、耐熱性および低温剥離性の向上が顕著となる。
【００３７】
本発明において中央部分（Ａ）の各層の溶融温度は、以下の手法にて測定される：シリコンウエハ上に仮固定材の対応する層を形成または転写し、レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１，０００Ｐａ・ｓとなる温度を、形成された仮固定材の対応する層の溶融温度とする。
【００３８】
各層は、例えば、後述の熱可塑性樹脂（Ｈ）と必要に応じて熱可塑性樹脂（Ｌ）とを含有する仮固定用組成物を用いて形成することができる。具体的には、基材側最外層または高溶融温度層の形成には、後述の仮固定用組成物（ａａ）を用いることができ、支持体側最外層または低溶融温度層の形成には、後述の仮固定用組成物（ｂｂ）を用いることができる。
【００３９】
仮固定材の全厚みは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理などで要求される密着性の程度に応じて任意に選択することができる。仮固定材の全厚さは、通常０．０１μｍ〜２ｍｍ、好ましくは０．０５μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは０．１μｍ〜０．５ｍｍである。また、中央部分（Ａ）の各層の厚さは、通常０．１〜２００μｍ、好ましくは０．５〜１５０μｍである。仮固定材の全厚さや中央部分（Ａ）の各層の厚さが前記範囲にあると、保持力が充分であり、仮固定面からの基材の剥がれが生じることもない。
【００４０】
〈積層体の好ましい形成方法〉
上記積層体は、例えば、（１ａ）支持体における基材側の全面に、溶剤耐性に優れる仮固定材層（ｂ）を形成する工程、（１ｂ）基材における支持体側の面の中央部に、仮固定材層（ｂ）よりも溶融温度の高い仮固定材層（ａ）を形成する工程、ならびに（１ｃ）基材と支持体とを、仮固定材層（ｂ）および仮固定材層（ａ）が向かい合うように対向配置し、仮固定材層（ｂ）を加熱しながら仮固定材層（ｂ）と仮固定材層（ａ）とを貼り合わせることにより、仮固定材層（ｂ）の一部からなる外周部分（Ｂ）と、仮固定材層（ｂ）の残部および仮固定材層（ａ）からなる中央部分（Ａ）とを形成する工程を行うことにより、形成することが好ましい（図２参照）。
【００４１】
以下、上記各工程をそれぞれ工程（１ａ）〜工程（１ｃ）ともいう。
なお、工程（１ａ）および（１ｂ）の順序は特に限定されない。
《工程（１ａ）および（１ｂ）》
仮固定材層（ｂ）または仮固定材層（ａ）の形成方法としては、例えば、（ｉ）仮固定用組成物からなる仮固定材層を、支持体上および／または基材上に直接形成する方法、（ii）仮固定用組成物を用いて、離型処理が施されたＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルム上に一定膜厚で成膜した後、得られた膜を、支持体および／または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、上記（ｉ）の方法が好ましい（図２（１ａ）および（１ｂ）参照）。
【００４２】
仮固定用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。スピンコート法では、例えば、回転速度が３００〜３，５００ｒｐｍ（好ましくは５００〜１，５００ｒｐｍ）、加速度が５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０〜３００秒という条件のもと、仮固定用組成物をスピンコーティングする方法が挙げられる。
【００４３】
仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート等でベークして、溶剤を蒸発させることができる。ベーキングの条件は、例えば、温度が通常１５０〜２７５℃、好ましくは１５０〜２６０℃であり、時間が２〜１５分、より好ましくは３〜１０分である。
【００４４】
工程（１ｂ）では、２層以上の仮固定材層（ａ）を形成してもよい。
工程（１ｂ）では、例えば、基材における支持体側の全面に仮固定材層を形成し、ＥＢＲ（Edge Bead Removal）により基材における支持体側の面の外周部上の部分（仮固定材層の外周部分）を除去することにより、基材の中央部に仮固定材層（ａ）を形成することができる（図２（１ｂ）参照）。径方向における外周部（ＥＢＲ部分）の幅は、通常０．０１〜１０ｍｍ、好ましくは０．１〜５ｍｍである。
【００４５】
工程（１ａ）および（１ｂ）で用いられる仮固定用組成物としては、例えば、溶融温度が高い熱可塑性樹脂（以下「熱可塑性樹脂（Ｈ）」ともいう。）と、必要に応じて溶融温度が低い熱可塑性樹脂（以下「熱可塑性樹脂（Ｌ）」ともいう。）を含有する組成物が挙げられ、含有成分の配合比を適宜調整すればよい。これらの樹脂の詳細は後述する。
【００４６】
例えば、熱可塑性樹脂（Ｈ）をベースとし、熱可塑性樹脂（Ｌ）の配合量を適宜調整することにより、仮固定用組成物の溶融温度を調整できる（一例として、熱可塑性樹脂（Ｌ）を多く配合すると、仮固定用組成物の溶融温度を下げることができる）。
【００４７】
本発明において、仮固定用組成物の溶融温度は、以下の手法にて測定される：シリコンウエハ上に仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層）を形成し、レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１，０００Ｐａ・ｓとなる温度を、仮固定用組成物の溶融温度とする。
【００４８】
溶融温度の高い仮固定材層（ａ）の形成には、例えば、少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｈ）と必要に応じて少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｌ）とを含有し、溶融温度が１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３５０℃である仮固定用組成物（ａａ）を用いることができる。
【００４９】
溶剤耐性の高い仮固定材層（ｂ）の形成には、例えば、少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｈ）と少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｌ）とを含有し、溶融温度が４０〜３００℃、好ましくは５０〜２５０℃であって、且つ前記仮固定用組成物（ａａ）の溶融温度未満である仮固定用組成物（ｂｂ）を用いることができる。ただし、この場合、熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、基材処理におけるプロセス溶剤に対して高い溶剤耐性を有する樹脂を用いることが好ましい。プロセス溶剤がＮ−メチル−２−ピロリドンの場合、熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、例えば、シクロオレフィン樹脂が好ましい。
【００５０】
仮固定用組成物（ａａ）において、溶融温度が上記範囲となる限りにおいて、熱可塑性樹脂（Ｌ）を用いてもよい。この場合、熱可塑性樹脂（Ｌ）は、熱可塑性樹脂（Ｈ）１００質量部に対して、通常８０質量部以下、好ましくは５０質量部以下用いられる。
【００５１】
また、仮固定用組成物（ｂｂ）において、溶融温度が上記範囲となるように熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）の含有量は適宜調整されるが、熱可塑性樹脂（Ｌ）は、熱可塑性樹脂（Ｈ）１００質量部に対して、通常１〜２００質量部、好ましくは５〜１００質量部用いられる。
【００５２】
仮固定用組成物の調製には、熱可塑性樹脂の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いることができる。
【００５３】
仮固定用組成物の調製には、当該組成物の粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いることが好ましい。溶剤は、熱可塑性樹脂の種類に応じて適宜選択することができ、１種または２種以上用いることができる。
【００５４】
溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【００５５】
仮固定用組成物が溶剤を含有することにより、その粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体上に仮固定剤層を形成するのが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物の溶剤以外の全成分濃度（固形分濃度）が通常５〜８０質量％となる割合で用いることができる。
【００５６】
また、仮固定用組成物は、必要に応じて密着助剤；酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物粒子；ポリスチレン架橋粒子などを含有してもよい。
【００５７】
《工程（１ｃ）》
仮固定材層（ｂ）の加熱温度は、各仮固定用組成物の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択されるが、通常５０〜３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃である。圧着は、例えば、前記温度で０．５〜１５分間、０．０１〜１ＭＰａの力を付加することにより行えばよい。これにより、基材上の仮固定材層（ａ）の除去された空間部分（ＥＢＲ部分）を、仮固定材層（ｂ）の一部が占めることになる（図２（１ｃ）参照）。
【００５８】
このようにして、基材が支持体上に強固に保持された積層体が得られる。前記積層体では、中央部分（Ａ）における支持体と接する層の構成樹脂と、外周部分（Ｂ）の構成樹脂とが、同一となる。
【００５９】
《熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）について》
以下、熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）について説明する。
〈熱可塑性樹脂（Ｈ）〉
溶融温度の高い熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、例えば、シクロオレフィン樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、およびこれらの２種以上の混合樹脂が挙げられる。中央部分（Ａ）の構成樹脂（例えば仮固定材層（ａ）を形成する仮固定用組成物（ａａ）の含有樹脂）としては、これらの樹脂を任意に用いることができ、樹脂選択性に優れている。外周部分（Ｂ）の構成樹脂（例えば仮固定材層（ｂ）を形成する仮固定用組成物（ｂｂ）の含有樹脂）としては、基材処理で使用されるプロセス溶剤に応じて、溶剤耐性の高い樹脂を選択する必要があり、この点でシクロオレフィン樹脂が好ましい。
【００６０】
熱可塑性樹脂（Ｈ）の溶融温度は、通常１００℃以上、好ましくは１５０〜３５０℃、更に好ましくは２００〜３５０℃である。溶融温度が前記範囲にある熱可塑性樹脂（Ｈ）を用いることにより、形成される層の溶融温度を高く設定することができる。
【００６１】
《シクロオレフィン樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるシクロオレフィン樹脂としては、例えば、環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体、１種または２種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン樹脂の合成方法は従来公知である。
【００６２】
環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、アルキリデン基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキリデン基）、アラルキル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１８のアラルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合などによる置換誘導体が挙げられる。
【００６３】
環状オレフィンの好ましい例として、式（１）で表される化合物が挙げられる。
【００６４】
【化１】
0005360260.tif 000002
式（１）中の置換基は以下のとおりである：Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素またはアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）である。Ｒ3はそれぞれ独立に水素、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８のアリール基）、アラルキル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１８のアラルキル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基）、アルデヒド基、アセチル基、ニトリル基である。
【００６５】
また、２つのＲ3が相互に結合して単環または多環を形成していてもよい。このような場合の環状オレフィンとしては、例えば、式（２）〜（７）で表される化合物が挙げられる。
【００６６】
【化２】
0005360260.tif 000003
式（２）〜（７）中の置換基は以下のとおりである：Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素またはアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）である。Ｒ4はそれぞれ独立に水素、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８のアリール基）、アラルキル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１８のアラルキル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基）、アルデヒド基、アセチル基、ニトリル基である。
【００６７】
非環状オレフィンとしては、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブチレンであり、特に好ましくはエチレンである。
【００６８】
付加共重合体
環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体は、例えば、式（Ｉ）で表される構成単位と、非環状オレフィンに由来する構成単位（非環状オレフィンの重合性二重結合の反応に基づく構成単位）とを有する重合体である。
【００６９】
【化３】
0005360260.tif 000004
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ3は式（１）中のＲ1〜Ｒ3とそれぞれ同義である。
【００７０】
付加共重合体の市販品としては、例えば、ＴＯＰＡＳ  ＡＤＶＡＮＣＥＤ  ＰＯＬＹＭＥＲＳ社製の「ＴＯＰＡＳ（トパス）」、三井化学（株）製の「ＡＰＥＬ（アペル）」が挙げられる。
【００７１】
開環メタセシス重合体およびその水添体
１種または２種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体は、例えば、式（II）で表される構成単位を有する重合体であり、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体は、例えば、式（III）で表される構成単位を有する重合体である。
【００７２】
【化４】
0005360260.tif 000005
【００７３】
【化５】
0005360260.tif 000006
式（II）および（III）中のＲ1〜Ｒ3は式（１）中のＲ1〜Ｒ3とそれぞれ同義である。
【００７４】
開環メタセシス重合体の市販品としては、例えば、日本ゼオン（株）製の「ＺＥＯＮＯＲ（ゼオノア）」や「ＺＥＯＮＥＸ（ゼオネックス）」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ（アートン）」が挙げられる。
【００７５】
シクロオレフィン樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１００００〜１０００００、好ましくは３００００〜１０００００である。シクロオレフィン樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常２〜４、好ましくは３〜４である。
【００７６】
《ポリエーテルスルホン》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリエーテルスルホンは、金属やガラスなどの基材との密着性や接着性に優れ、また、耐熱性、耐薬品性、化学的安定性、機械強度および難燃性に優れる。
【００７７】
ポリエーテルスルホンとしては、例えば、特開２００６−８９５９５号公報、特開２００４−３５２９２０号公報、特開２００２−３３８６８８号公報、特開平０７−９７４４７号公報および特開平０４−２０５３０号公報に記載のポリエーテルスルホンが挙げられる。
【００７８】
ポリエーテルスルホンの中でもポリマー中にアレーン構造を有するポリエーテルスルホンを用いることにより、仮固定材の結晶性が上昇し、ある一定温度以上の高温環境下においても基材の処理時に付加される剪断力に対して基材を保持しうる剪断接着力を維持することが可能な仮固定材が得られやすい。当該アレーン構造を有するポリエーテルスルホンとしては、例えば、式（IV）で表される構成単位を有するポリエーテルスルホンが挙げられる。
【００７９】
【化６】
0005360260.tif 000007
式（IV）中、Ｒ1〜Ｒ3は、アレーン構造を有する２価の有機基であって、ただし式（IV）中の結合手はＲ1〜Ｒ3中のアレーン構造に直結している（すなわち、式（IV）中の−Ｏ−Ｒ1−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ2−ＳＯ2−および−ＳＯ2−Ｒ3−Ｏ−における−Ｏ−および−ＳＯ2−はＲ1〜Ｒ3中のアレーン構造に直結している）。Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ同一であっても異なってもよい。
【００８０】
上記２価の有機基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基およびピレンジイル基等のアリーレン基；−Ｃ6Ｈ4−Ｃ6Ｈ4−等の２つのアリーレン基が直接結合してなる基；式（IV−１）〜（IV−３）で示される２つのアリーレン基の間に２価の炭化水素基を有する基などが挙げられる。
【００８１】
【化７】
0005360260.tif 000008
式（IV−１）〜（IV−３）中、＊は結合手を示す。
【００８２】
ポリエーテルスルホンとしては、市販品を用いることもできる。ポリエーテルスルホン（Ａ）の市販品としては、例えば、ＢＡＳＦ社製の「ウルトラゾーンＥシリーズ」、ソルベイアドバンストポリマー社製の「レーデルＡシリーズ」、住友化学社製の「スミカエクセルシリーズ」が挙げられる。「スミカエクセルシリーズ」としては、例えば、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ３６００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００ＭＰ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４８００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５２００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５４００Ｐが挙げられる。
【００８３】
ポリエーテルスルホンのＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００である。ポリエーテルスルホンのＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常１〜５、好ましくは１〜３．５である。
【００８４】
《ポリカーボネート》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、１，２−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリブチレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、α，β−ポリイソブチレンカーボネート、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキセンカーボネート、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネート、ポリ（１，３−シクロヘキシレンカーボネート）、およびこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
【００８５】
ポリカーボネートのＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常５０００〜１０００００、好ましくは１００００〜１０００００である。ポリカーボネートのＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常２〜４、好ましくは２．５〜４である。
【００８６】
《ポリイミド》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリイミドとしては、例えば、式（Ｖ）で表される構成単位（好ましくは式（Ｖ’）で表される構成単位）を有するポリイミド、式（VI）で表される構成単位を有するポリイミドが挙げられる。
【００８７】
【化８】
0005360260.tif 000009
式（Ｖ）中、Ｘは炭素数１〜５０の四価の有機基を示す。
【００８８】
式（Ｖ）中、Ｙは炭素数１〜５０の二価の有機基を示す。
式（Ｖ’）中、Ｘ’は−Ｏ−Ｒ1−Ｏ−、−Ｃ（ＣＦ3）2−または−ＳＯ2−で表される基であり、ここでＲ1は炭素数１〜６のアルキル置換または非置換フェニレン基、−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−または−Ｐｈ−Ｓ−Ｐｈ−で表される基（Ｐｈは１，４−フェニレン基を表す）である。
【００８９】
式（Ｖ’）中、Ｙ’はフェニルスルホン、炭素数が好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜３０、更に好ましくは６〜２４の芳香族化合物、炭素数が好ましくは２〜１５、より好ましくは２〜１０、更に好ましくは２〜６の脂肪族化合物、および炭素数が好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜２０、更に好ましくは４〜１２の脂環式化合物からなる群から選択される化合物に由来する二価の基である。
【００９０】
【化９】
0005360260.tif 000010
式（VI）中、Ｚは炭素数１〜５０の有機基であり、好ましくはシロキサン結合を有する有機基またはエーテル結合を有する有機基である。
【００９１】
シロキサン結合を有する有機基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【００９２】
【化１０】
0005360260.tif 000011
式中、複数あるＲ1はそれぞれ独立に水素、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜２のアルキル基）またはフェニル基であり；複数あるＲ2はそれぞれ独立にアルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜２のアルキレン基）またはフェニレン基であり；ｍは１〜６の整数であり；ｎは１〜５０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０の整数である。
【００９３】
エーテル結合を有する有機基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【００９４】
【化１１】
0005360260.tif 000012
ポリイミドは、炭化水素基、芳香族モノアミン、脂肪族モノアミン、脂環式モノアミンおよび無水フタル酸から選ばれる少なくとも１種の化合物に由来する末端封止基を有することが好ましい。
【００９５】
〈熱可塑性樹脂（Ｌ）〉
溶融温度が低い熱可塑性樹脂（Ｌ）としては、例えば、石油樹脂、ノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性樹脂（Ｈ）との相溶性をコントロールするのが容易なため、石油樹脂およびフェノールアラルキル樹脂が好ましい。また、スチレン・ブタジエンゴム、イソプレン・ブタジエンゴムおよびこれらの水素添加物、ならびにエチレン・プロピレンゴム等の液状ゴム；プロセスオイル等を用いることもできる。
【００９６】
熱可塑性樹脂（Ｌ）の溶融温度は、通常２００℃以下、好ましくは３０〜１５０℃、更に好ましくは５０〜１００℃である。溶融温度が前記範囲にある熱可塑性樹脂（Ｌ）を適宜配合することにより、形成される層の溶融温度を低く設定することができる。
【００９７】
《石油樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例である石油樹脂としては、例えば、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が好ましい。Ｃ５系石油樹脂としては脂肪族系樹脂が好ましく、Ｃ９系石油樹脂としては脂環族系樹脂が好ましい。これらの中でも、Ｃ９系石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が特に好ましい。
【００９８】
石油樹脂のＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２００００以下、好ましくは１００〜２００００、さらに好ましくは２００〜１００００、特に好ましくは３００〜５０００である。
【００９９】
《ノボラック樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例であるノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒（例：シュウ酸）の存在下で縮合させることにより得ることができる。
【０１００】
フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトールが挙げられる。
【０１０１】
アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドなどが挙げられる。
ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。
【０１０２】
ノボラック樹脂のＧＰＣにより測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２０００以上、好ましくは２０００〜２００００である。ノボラック樹脂のＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常１〜１０、好ましくは１．５〜５である。
【０１０３】
《フェノールアラルキル樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例であるフェノールアラルキル樹脂としては、特に限定されず、従来公知の樹脂を用いることができる。
【０１０４】
［工程（２）］
工程（２）は、上記のように支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または積層体を移動する工程である。移動工程は、基材（例：半導体ウエハ）をある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。また、上記のようにして支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化（例：裏面研削）；エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション；ならびにダイシングが挙げられる。
【０１０５】
工程（２）では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。本発明では、仮固定材が、前記プロセス溶剤に対して耐性を有する外周部分（Ｂ）を有しているため、中央部分（Ａ）が保護されている。したがって、前記プロセス溶剤による制限を受けることなく、中央部分（Ａ）の樹脂選択性が大きく広がっている。
【０１０６】
また、フォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理などに対する耐性（耐熱性）が必要である。上述のとおり、本発明の構成を有する仮固定材を用いた基材の処理方法は、従来の基材の処理方法に比べ、耐熱性の点で優れている。
【０１０７】
基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。本発明では、上記仮固定材層が、低温および高温環境下においても加工処理時に基材を保持（若しくは保護）しうる保持力を有している。
【０１０８】
以下では、基材の加工処理として、積層チップの製造の際に行われる加工処理を一例として説明する。積層チップの製造では、半導体ウエハの表面に対して垂直方向に延びる貫通電極を形成し、その貫通電極の端部や配線上に、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。このようにして形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体チップ相互間を接続する。
【０１０９】
（ｉ）工程（１）で仮固定材を介して支持体上に仮固定された半導体ウエハからなる基材上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。例えば、円形状のレジストパターンを基材上に複数形成すればよい。
【０１１０】
（ii）レジスト層をマスクとして、基材の所定形状にパターニングされた部分をエッチングし、開口部（ホール）を形成する。その後、レジスト層を剥離液あるいはアッシング（例：Ｏ2アッシング）などにより剥離する。エッチングにはドライエッチングやウェットエッチングを使用することができる。
【０１１１】
（iii）基材の開口部を形成した面上に、ＳｉＯ2などからなる絶縁層を形成する。
（iv）絶縁層への導体の拡散を防ぐ目的で、ＴｉＷおよびＴｉＮなどからなるバリア層をスパッタにより形成する。次に、銅などからなるシード層をスパッタにより形成する。
【０１１２】
（ｖ）基材の開口部を形成した面上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、基材の開口部に対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する。次に、メッキ処理（Ｓｎ／Ｃｕメッキなど）を施して、基材の開口部に導体を充填し、貫通電極を形成する。その後、レジスト層を除去し、バリア層およびシード層をドライエッチングにより除去する。
【０１１３】
（vi）このようにして加工処理がなされた基材の貫通電極上に、リフローにより、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。次に、形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体チップ相互間を接続することができる。
【０１１４】
［工程（３）］
基材の加工処理または積層体の移動後は、上記積層体において、仮固定材の少なくとも外周部分（Ｂ）を溶剤で溶解させ、除去する（図２（３）参照）。ここで使用される溶剤としては、溶剤耐性の高い外周部分（Ｂ）を溶解させることのできる溶剤であれば特に限定されないが、例えば、前記仮固定用組成物の調製に用いた溶剤が挙げられ、１種または２種以上用いることができる。
【０１１５】
外周部分（Ｂ）の構成樹脂としてシクロオレフィン樹脂を用いた場合は、溶剤として、メシチレン、リモネン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類を用いることが好ましい。
【０１１６】
溶解除去方法としては、例えば、上記積層体を溶剤に浸漬する方法、上記積層体に溶剤をスプレーする方法、および上記積層体を溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。上記積層体を溶剤に浸漬する場合、浸漬時間は、通常０．５〜３０分である。
【０１１７】
［工程（４）］
仮固定材の外周部分（Ｂ）の溶解除去後は、仮固定材の残部（通常、中央部分（Ａ）である）を加熱することにより、支持体から基材を剥離する（図２（４）参照）。このように、加熱処理により、中央部分（Ａ）の各層のうち少なくとも支持体側最外層の接着力を低減させながら、支持体と基材とをその仮固定面（支持体の表面）に対して略水平方向にずらすなどの剪断処理（通常０．０１〜５Ｎ／ｃｍ2、好ましくは０．０２〜０．５Ｎ／ｃｍ2）により、支持体から基材を剥離すればよく、あるいは、支持体の表面に対して垂直方向に基材を剥離すればよい。
【０１１８】
例えば、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する。なお、本発明において「剪断」とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。
【０１１９】
加熱処理における温度条件は、仮固定材の支持体側最外層の溶融温度（本段落で「Ｔｍ」という。）以上、好ましくはＴｍ以上Ｔｍ＋２００℃以下、より好ましくはＴｍ以上Ｔｍ＋１００℃以下である。
【０１２０】
なお、剥離後の基材に仮固定材が残存している場合は、上述の仮固定用組成物を調製する際に使用されうる１種または２種以上の溶剤で洗浄して除去することができる（図２（５）参照）。洗浄方法としては、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。
【０１２１】
溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【０１２２】
〔積層体〕
本発明の積層体は、例えば、上述の基材の処理方法の過程で形成される。
本発明の積層体は、仮固定材を介して、支持体上に基材が仮固定された積層体であり、仮固定材が、支持体における基材側の面の外周部と、基材における支持体側の面の外周部とに接した、溶剤耐性に優れる外周部分（Ｂ）と、支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接した、２層以上の層を有する中央部分（Ａ）とからなり、且つ、中央部分（Ａ）が支持体、外周部分（Ｂ）および基材で覆われた構造を有する。
【０１２３】
本発明では、例えば３００℃以下という温度で基材を仮固定できるとともに、高温環境下（例：２２５℃以上、具体的には２２５〜３００℃）でも、基材の処理時に基材を保持（若しくは保護）しうる保持力を維持できる。保持力は、例えば剪断接着力で評価される。このように本発明の積層体は、基材の処理（加工および／または移動等）時に付加される剪断力に対して充分な保持力（剪断接着力）を有する。本発明では、２５℃近辺で用いられる基材の薄膜化、フォトファブリケーション（例えば、２５〜３００℃での温度範囲で用いられるエッチング加工やスパッタ膜の形成、２２５〜３００℃での温度範囲で用いられるメッキ処理やメッキリフロー処理）などにおいても、基材を支持体上に保持することができる。
【０１２４】
さらに、本発明では、中央部分（Ａ）において支持体側最外層の溶融温度付近あるいはそれ以上の温度で剪断接着力が低下する（ただし、上述のように基材の処理時に付加される程度の剪断力に対しては基材を保持しうる。）ので、相応の加熱処理および剪断処理を行うことにより、例えば支持体側最外層内において剥離現象が生じ、基材を容易に支持体から剥離することができる。
【０１２５】
本発明の積層体を構成する仮固定材は、上記特性（例えば３００℃以下での仮固定性、耐熱性、易剥離性）を有するとともに、エッチング時のラジカル耐性、絶縁膜形成時やリフロー時における耐熱性、およびスパッタリング時における耐真空性を有する。
【０１２６】
本発明の積層体は、このような特性を有することから、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理（例：各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬）等に好適である。
【０１２７】
〔半導体装置〕
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。上述の仮固定材は半導体素子等の半導体装置の剥離時に容易に除去されるため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。
【実施例】
【０１２８】
以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。
１．仮固定材の準備
１−１．仮固定用組成物
仮固定材を形成するための組成物として、下記仮固定用組成物を用いた。
【０１２９】
［調製例１］仮固定用組成物１の調製
１００質量部のポリエーテルスルホン（商品名「スミカエクセルＰＥＳ５００３Ｐ」、住友化学社製）と、２５質量部のフェノールアラルキル樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−３Ｌ」、三井化学（株）製）と、５００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンとを混合することにより、仮固定用組成物１を調製した。
【０１３０】
［調製例２］仮固定用組成物２の調製
５０質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「Ｚｅｏｎｅｘ  ４８０Ｒ」、日本ゼオン（株）製）と、５０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、４００質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物２を調製した。
【０１３１】
１−２．仮固定用組成物および仮固定材各層の溶融温度の測定
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物１を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層１）を形成した。レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製）振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１，０００Ｐａ・ｓとなる温度（溶融温度）を測定したところ、２５０〜２８０℃であった。
【０１３２】
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物２を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層２）を形成した。上記と同様にして粘度が１，０００Ｐａ・ｓとなる温度（溶融温度）を測定したところ、２００〜２１０℃であった。
【０１３３】
１−３．仮固定材の溶剤耐性
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物１を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、４０μｍの膜（仮固定材層）を形成した。これを、溶剤（ＮＭＰ）にディップ（２３℃、０．５時間）した。その結果、仮固定材層はＮＭＰに溶けてなくなった。
【０１３４】
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物２を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、４０μｍの膜（仮固定材層）を形成した。これを、溶剤（ＮＭＰ）にディップ（２３℃、０．５時間）した。その結果、仮固定材層はＮＭＰに溶けることなく、仮固定用組成物２から形成した仮固定材層は、溶剤耐性を有していることが確認できた。
【０１３５】
２．評価
［実験例１］（図３参照）
仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径４インチのシリコンウエハ５１上に塗布し、ホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、シリコンウエハ５１と、厚さ４０μｍでＥＢＲ幅１ｍｍの塗膜５２（仮固定材層１）とを有する基板５０を得た。
【０１３６】
次いで、仮固定用組成物２を、スピンコート法で、直径４インチのガラス基板６１上に塗布し、ホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、ガラス基板６１と、ガラス基板６１の全面に形成された厚さ６０μｍの塗膜６２（仮固定材層２）とを有する基板６０を得た。
【０１３７】
基板５０と基板６０とを、仮固定材層１と仮固定材層２とが接するようにして貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて、２５０℃で５０Ｎの力を９０秒間加え、シリコンウエハ５１とガラス基板６１とが仮固定材を介して積層された、図３（ｃ）に示す実験例１の積層体７０を得た。
【０１３８】
この積層体を溶剤（ＮＭＰ）にディップ（２３℃、０．５時間）した。
ディップ後の積層体を、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板およびシリコンウエハに、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ2）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることが確認できた。
【０１３９】
上記剪断力を付加した後の積層体を溶剤（メシチレン）にディップ（２３℃、０．５時間）することにより、外周部分を溶解除去した。
溶解除去後の積層体を、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板およびシリコンウエハに、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２５０℃で１Ｎ／ｃｍ2以下）を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
【０１４０】
剥離後のシリコンウエハを、メシチレンに２３℃で１０分間ディップし、ついで、ＮＭＰに２３℃で０．５時間ディップした。ディップ後のシリコンウエハに仮固定材層１および仮固定材層２が残っているか確認したところ、仮固定材層１および仮固定材層２は残っていないことが確認された。
【符号の説明】
【０１４１】
１０…支持体、１１…中央部、１２…外周部、２０…基材、２１…バンプ、３０…中央部分（Ａ）、３１…基材側層、３２…支持体側層、４０…外周部分（Ｂ）、５０…基板、５１…シリコンウエハ、５２…塗膜、６０…基板、６１…ガラス基板、６２…塗膜、７０…積層体、ｗ…ＥＢＲの幅
【図１】
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【図３】
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【図２】
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