(57)【要約】【課題】  効率的に被刻印物の刻印及び分析を行うことができると共に、被刻印物に不要な跡を残すことなく分析を行うことができるレーザ刻印装置、刻印方法及び刻印付き電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】  レーザ刻印装置１は、レーザ光Ｌを照射して被刻印物２に所定の文字、図形又は記号等を刻印可能なレーザ部３と、レーザ光照射によって被刻印物２から発生した粉塵を分析する分析部４と、制御部１０とを備えている。このレーザ刻印装置１では、レーザ部３が、被刻印物２に不要な跡が残らない程度にレーザ光を照射した際又は刻印内容に関する所定の情報に基づいて被刻印物２に刻印した際に発生した粉塵を分析部４によって分析するようになっている。また、レーザ刻印装置１は、制御部１０の制御により、刻印によって発生した粉塵の分析結果を示す刻印を被刻印物２に施すことが可能となっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被刻印物にレーザ光を照射して粉塵を発生させるレーザ部と、
前記粉塵を分析する分析部とを有し、
前記レーザ部は、前記分析結果に関する刻印を前記被刻印物に施すことを特徴とするレーザ刻印装置。
【請求項２】
刻印内容に関する所定の情報に基づいて被刻印物にレーザ光で刻印するレーザ部と、
前記レーザ部で刻印された際に前記被刻印物から発生する粉塵を分析する分析部とを有することを特徴とするレーザ刻印装置。
【請求項３】
前記レーザ部は、さらに前記分析部での分析結果に関する刻印を前記被刻印物に施すことを特徴とする請求項２記載のレーザ刻印装置。
【請求項４】
前記粉塵は、キャリアガスにより前記レーザ部から前記分析部に搬送されることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項記載のレーザ刻印装置。
【請求項５】
前記レーザ部は、前記被刻印物が収容されると共に、前記被刻印物にレーザ光を照射する際に前記被刻印物の周囲を前記キャリアガスでパージするための刻印部を有することを特徴とする請求項４記載のレーザ刻印装置。
【請求項６】
前記レーザ部と前記分析部とを連通し、前記キャリアガスが流通する管を有することを特徴とする請求項４又は５記載のレーザ刻印装置。
【請求項７】
前記分析部は、ＩＣＰ質量分析、ＩＣＰ発光分析又は原子吸光分析のいずれか一つによって前記粉塵を分析することを特徴とする請求項１〜６いずれか一項記載のレーザ刻印装置。
【請求項８】
被刻印物にレーザ光を照射して粉塵を発生させ、該粉塵を分析し、その分析した結果に関する刻印を前記被刻印物に施すことを特徴とする刻印方法。
【請求項９】
刻印内容に関する所定の情報に基づいて被刻印物にレーザ光で刻印し、前記刻印によって前記被刻印物から発生する粉塵を分析することを特徴とする刻印方法。
【請求項１０】
さらに、前記粉塵を分析した結果に関する刻印を前記被刻印物に施すことを特徴とする請求項９記載の刻印方法。
【請求項１１】
前記粉塵を、ＩＣＰ質量分析、ＩＣＰ発光分析又は原子吸光分析のいずれか一つによって分析することを特徴とする請求項８〜１０いずれか一項記載の刻印方法。
【請求項１２】
電子部品にレーザ光を照射して粉塵を発生させる粉塵発生工程と、
前記粉塵発生工程において前記電子部品から発生した粉塵を分析する分析工程とを含むことを特徴とする刻印付き電子部品の製造方法。
【請求項１３】
刻印内容に関する所定の情報に基づいて電子部品にレーザ光で刻印する刻印工程と、
前記刻印工程において前記電子部品から発生した粉塵を分析する分析工程とを含むことを特徴とする刻印付き電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記分析工程において分析された結果に関する刻印を前記電子部品に施す工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２又は１３記載の刻印付き電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品やパッケージ等の被刻印物にレーザ光を用いて刻印すると共に、被刻印物の分析を行うレーザ刻印装置、刻印方法及び刻印付き電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子部品等の製造に際しては、製造番号等を刻印した後、その製造物が合格品であるか否か（基準を満たしているか否か）を判定するために構成成分等の分析が行われていた。電子部品等に刻印（印字）するものとしては、下記特許文献１に記載されているような、レーザ印字法により印字するレーザ印字装置が知られている。また、電子部品等を分析するものとしては、下記特許文献２に記載されているように、レーザアブレーションを用いたＩＣＰ質量分析装置やＩＣＰ発光分析装置が知られている。
【特許文献１】特開平９−２２０６８６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７０２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、刻印及び分析の各工程は、上記特許文献１，２に記載されたような刻印装置及び分析装置による別々の工程となるため、被刻印物を装置間で移動させなければならず、非効率的であった。また、レーザアブレーションを用いた分析装置により分析を行うと、製造物（被刻印物）の表面にレーザアブレーションによる不要な跡（削られた跡）が残ってしまうため、その製造物がたとえ合格品であったとしても製品にならなくなる場合があった。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の有する問題に鑑みてなされたものであり、効率的に被刻印物の刻印及び分析を行うことができると共に、被刻印物に不要な跡を残すことなく分析を行うことができるレーザ刻印装置、刻印方法及び刻印付き電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のレーザ刻印装置は、被刻印物にレーザ光を照射して粉塵を発生させるレーザ部と、粉塵を分析する分析部とを有し、レーザ部は、分析結果に関する刻印を被刻印物に施すことを特徴とするものである。
【０００６】
本発明によれば、被刻印物に製品として問題とならない程度にレーザ光を照射することによって、被刻印物に不要な跡を残すことなく、被刻印物について刻印と分析との両方を連続して効率的に行うことが可能となる。そのため、連続的に搬送される複数の被刻印物を刻印する場合に特に有効となる。
【０００７】
本発明のレーザ刻印装置は、刻印内容に関する所定の情報に基づいて被刻印物にレーザ光で刻印するレーザ部と、レーザ部で刻印された際に被刻印物から発生する粉塵を分析する分析部とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明によれば、被刻印物について刻印と分析の両方を連続して行うことが可能となるため、効率的に刻印と分析を行うことができる。そのため、連続的に搬送される複数の被刻印物を刻印する場合に特に有効となる。また、被刻印物に刻印した際に発生した粉塵を用いて被刻印物の分析を行うため、被刻印物に不要な跡を残すことなく分析を行うことができる。
【０００９】
レーザ部は、さらに分析部での分析結果に関する刻印を被刻印物に施すことが好ましい。これにより、例えば、被刻印物に製品番号等を刻印した直後に、合格品又は不合格品などといったことを示す刻印を施すことができる。この場合、分析の結果不合格品と判定された被刻印物を取り除くことによって、被刻印物の製品番号等を連続する番号とすることができる。
【００１０】
この場合、粉塵は、キャリアガスにより前記レーザ部から前記分析部に搬送されることが好ましい。これにより、被刻印物から発生した粉塵をレーザ部から分析部へスムースに導入させることができる。
【００１１】
レーザ部は、被刻印物が収容されると共に、被刻印物にレーザ光を照射する際に被刻印物の周囲をキャリアガスでパージするための刻印部を有することが好ましい。これにより、大気中に含まれる窒素、酸素、炭素等の成分が分析部に導入されることを防止でき、大気中の窒素、酸素、炭素等やそれらの化合物がバックグラウンドとなって分析精度が低下してしまう事態を防ぐことができる。
【００１２】
また、レーザ部と分析部とを連通し、キャリアガスが流通する管を有することが好ましい。これにより、レーザ部と分析部とが別体であっても、被刻印物から発生した粉塵をレーザ部から分析部へ確実に導入させることができる。
【００１３】
また、分析部は、ＩＣＰ質量分析、ＩＣＰ発光分析又は原子吸光分析のいずれか一つによって粉塵を分析することが好ましい。これにより、より高精度な分析を行うことができる。
【００１４】
本発明の刻印方法は、被刻印物にレーザ光を照射して粉塵を発生させ、該粉塵を分析し、その分析した結果に関する刻印を被刻印物に施すことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明によれば、被刻印物に製品として問題とならない程度にレーザ光を照射することによって、被刻印物に不要な跡を残すことなく、被刻印物について刻印と分析との両方を効率的に行うことが可能となる。そのため、連続的に搬送される複数の被刻印物を刻印する場合に特に有効となる。
【００１６】
本発明の刻印方法は、刻印内容に関する所定の情報に基づいて被刻印物にレーザ光で刻印し、刻印によって被刻印物から発生する粉塵を分析することを特徴とするものである。
【００１７】
本発明によれば、被刻印物について刻印及び分析の両方を連続して行うことが可能となるため効率的であると共に、被刻印物に不要な跡を残すことなく分析を行うことができる。
【００１８】
この場合、さらに、粉塵を分析した結果に関する刻印を被刻印物に施すことが好ましい。これにより、被刻印物に分析結果を直ちにフィードバックして刻印することができる。
【００１９】
また、粉塵を、ＩＣＰ質量分析、ＩＣＰ発光分析又は原子吸光分析のいずれか一つによって分析することが好ましい。これにより、より高精度な分析を行うことができる。
【００２０】
本発明の刻印付き電子部品の製造方法は、電子部品にレーザ光を照射して粉塵を発生させる粉塵発生工程と、粉塵発生工程において電子部品から発生した粉塵を分析する分析工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２１】
本発明によれば、被刻印物に製品として問題とならない程度にレーザ光を照射することによって、被刻印物に不要な跡を残すことなく、電子部品に分析と刻印の両方を連続して行うことが可能となるため、刻印付き電子部品の製造効率を向上することができる。そのため、連続的に搬送される複数の電子部品を刻印する場合に特に有効となる。
【００２２】
本発明の刻印付き電子部品の製造方法は、刻印内容に関する所定の情報に基づいて電子部品にレーザ光で刻印する刻印工程と、刻印工程において電子部品から発生した粉塵を分析する分析工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２３】
本発明によれば、電子部品に刻印と分析の両方を連続して行うことが可能となるため、刻印付き電子部品の製造効率を向上することができる。そのため、連続的に搬送される複数の電子部品を刻印する場合に特に有効となる。また、電子部品に刻印した際に発生した粉塵を用いて電子部品の分析を行うため、製品としての品質を損なうことなく分析を行うことができる。
【００２４】
この場合、分析工程において分析された結果に関する刻印を電子部品に施す工程をさらに含むことが好ましい。これにより、例えば、電子部品に製品番号等を刻印した直後に、合格品又は不合格品であることを示す刻印を施すことができるため、不合格品を取り除くことによって、電子部品に付される製品番号等を連続したものとすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、被刻印物に刻印を施した際に発生する粉塵を分析するようにしたので、効率的に被刻印物の刻印及び分析を行うことができると共に、被刻印物に不要な跡を残すことなく分析を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係るレーザ刻印装置１を概略的に示す図である。同装置１は、レーザ光Ｌを照射して被刻印物２に文字、図形又は記号を刻印するレーザ部３と、刻印によって被刻印物２から発生した粉塵を分析する分析部４と、制御部１０とを備えている。なお、本実施形態では、分析部４として、ＩＣＰ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）を例として説明する。このＩＣＰ−ＭＳは、レーザ部３から導入された上記粉塵をプラズマでイオン化して質量分析を行うものである。また、被刻印物２としては、電子部品であるチップコンデンサを例として説明する。
【００２８】
レーザ部３は、刻印室５と、レーザ光Ｌを発生するレーザ発振器６と、該レーザ発振器６からのレーザ光Ｌを受けてこれを走査するレーザヘッド７を主として備えている。
【００２９】
図２は、刻印室５を示す拡大斜視図である。刻印室５は、本発明の刻印部のことであり、図１、２に示すように、壁部に一対の開口５ａ，５ｂを有し、この開口５ａ，５ｂにおいて被刻印物２が搬送される搬送路６を跨ぐように設置されている。搬送路６は所定の速度で被刻印物２を図の矢印の方向に搬送するようになっている。そして搬送路６を搬送される被刻印物２は、刻印室５に一方の開口５ａから入室し他方の開口５ｂから退室するようになっている。
【００３０】
また、開口５ａ，５ｂには、それぞれシャッタ８，８が取り付けられている。このシャッタ８，８は、一個の被刻印物２が刻印室５内に搬入されたとき稼動して（図１，２では下降する。）開口５ａ，５ｂを塞ぐようになっている。これにより刻印室５が密閉状態となり、この状態で被刻印物２に刻印が施される。なお、被刻印物２への刻印時には、搬送路６は停止している。
【００３１】
さらに、刻印室５には、アルゴンガス等のキャリアガス（図１中矢印Ｇ）を刻印室５内に導入する導入管１９と、刻印室５外に導出する導出管２０とが接続されている。これら導入管１９及び導出管２０としては、例えばタイゴンチューブなどが用いられる。なお、導入管１９及び導出管２０は、図２では省略している。
【００３２】
一端が刻印室５に接続された導出管２０は、他端が分析部４における後述するプラズマトーチ２１の後端部に接続されている。そして、導入管１９によって刻印室５内へ導入されたキャリアガスは、レーザ光Ｌの照射によって被刻印物２から発生した粉塵を導出管２０を通って分析部４へと向かうように搬送する。これにより、粉塵を刻印室５から分析部４へとスムースかつ確実に搬送することができる。なお、ここでいう粉塵には、微粉体化されたものの他にガス化されたものも含まれる。
【００３３】
制御部１０は、図示しない、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）やＲＯＭ(Read  Only  Memory)、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）などを有している。そして、制御部１０は、ＲＯＭに格納されたプログラムにしたがい、刻印内容に関する所定の情報に基づいて文字、図形又は記号が被刻印物２の表面にレーザ光Ｌで刻印されるように、レーザ発振器６及びレーザヘッド７の制御を行う。刻印内容に関する情報としては、例えば、製品番号や種別等の製品情報が挙げられる。また、ＲＡＭには、後述する分析部４の分析結果に関する情報が一時的に記憶される。
【００３４】
ここで、図１を参照しながら、分析部４について説明する。
【００３５】
分析部４は、導入管２２からキャリアガスと共に導入された粉塵をイオン化するプラズマＰを発生させるプラズマトーチ２１と、このプラズマトーチ２１の先端部近傍に位置するイオン導入部２３を有する質量分析部２４とを備えている。
【００３６】
プラズマトーチ２１は、例えば３重管構造となっており、導入管２２からキャリアガスが導入され、管２６からプラズマＰ形成用のプラズマガスが導入され、管２７からプラズマトーチ２１の壁面を冷却するためのクーラントガスが導入されるようになっている。キャリアガス、プラズマガス及びクーラントガスとしては、例えば、アルゴンガスなどを用いる。
【００３７】
そして、プラズマトーチ２１には、図示しない高周波電源に接続された高周波コイル２８が先端側に備えられており、この高周波コイル２８に印加電圧が加えられることにより、プラズマトーチ２１の先端側の内部にプラズマＰが形成される。
【００３８】
質量分析部２４のイオン導入部２３は、プラズマトーチ２１の先端に対向する導入孔２９を有している。そして、この導入孔２９を介して、プラズマＰからの光やイオンを筐体３０内に導入する。なお、導入孔２９の直径は、例えば１ｍｍ程度である。
【００３９】
筐体３０内は、真空ポンプ３１，３２によって、イオン導入部２３側（図１の左側）が低真空室、その奥（図１の右側）が高真空室というように、真空度が異なる２つの部屋に分かれている。そして、質量分析部２４は、筐体３０内において、プラズマＰからの光とイオンとをイオンレンズ３３で分離してイオンのみを通過させ、質量多重極部３４で特定のイオンのみを取り出して検出器３５で検出するようになっている。そして、検出器３５の検出結果が測定部１１に送信され、被刻印物２の定量分析が行われることになる。尚、ここでは、分析部４としてＩＣＰ質量分析を例に説明したが、ＩＣＰ発光分析及び原子吸光分析を適用してもよく、その場合においても同様の効果を得ることができる。
【００４０】
分析部４における定量分析の結果に関する情報は、制御部１０に送信され、制御部１０内のＲＡＭに一時的に記憶される。これにより、制御部１０は、レーザ発振器６及びレーザヘッド７を制御して、ＲＡＭに記憶された情報に関するマーク（文字、図形又は記号）を被刻印物２に刻印できるようになっている。
【００４１】
次に、上述したレーザ刻印装置１によって刻印されたチップコンデンサ（刻印付き電子部品）の製造方法の一例を説明する。なお、チップコンデンサは、本実施形態に係る刻印付き電子部品の一例であって、これに何ら限定されるものではない。
【００４２】
図３は、チップコンデンサ５０を示す断面図である。チップコンデンサ５０は、粉体加工物の一つであり、複数のセラミックス層５１ａ〜５１ｅと、これらの間に配されたニッケル、銀、又はパラジウム等からなる内部電極５２ａ〜５２ｄと、セラミックス層５１ａ〜５１ｅの積層体の両端部に取り付けられた一対の端子電極５３ａ，５３ｂとから主として構成されている。このようなチップコンデンサ５０において、各セラミックス層５１ａ〜５１ｅは粉末が加工されてなるものである。
【００４３】
図４は、チップコンデンサ５０の製造過程を示すフローチャートである。まず、ステップ１０１（以下、ステップを「Ｓ」と略す）において、原料の準備をする。次に、Ｓ１０２に進み、原料を混合し、それを粉砕する。次いで、仮焼成を施し（Ｓ１０３）、次いでこれを粉砕してスラリーを得る（Ｓ１０４）。そして、このスラリーからグリーンシートを作製する（Ｓ１０５）。
【００４４】
グリーンシートを作製した後、内部電極の印刷工程（Ｓ１０６）、各シートの積層工程（Ｓ１０７）、脱脂工程（Ｓ１０８）、焼成工程（Ｓ１０９）、端子電極の取付工程（Ｓ１１０）という公知のステップを経ることにより、未刻印状態のチップコンデンサ５０が完成する。
【００４５】
続いて、未刻印の複数のチップコンデンサ５０を、上記搬送路６上に載せ、レーザ刻印装置１へと搬送させる。レーザ刻印装置１は、一つのチップコンデンサ５０が刻印室５内へ搬入されると、シャッタ８，８によって開口５ａ，５ｂを閉ざし、刻印室５を密閉状態にする。このとき、搬送路６は停止している。次いで、導入管１９からキャリアガスを導入して刻印室５内の外気をキャリアガスでパージする。そして、制御部１０の指示により、レーザ発振器６がレーザ光Ｌを発光し、該レーザ光Ｌをレーザヘッド７が走査して、製品番号等の所定のマークをチップコンデンサ５０の表面に刻印する（ステップ１１１）。
【００４６】
次に、刻印によってチップコンデンサ５０から発生した粉塵を、キャリアガスで搬送して導出管２０から分析部４へと導き、定量分析を行う（ステップ１１２）。ここでは、例えば、チップコンデンサ５０に含有する有害金属等を定量分析する。そして、定量分析した結果を制御部１０に送信する。制御部１０では、定量分析した結果を受けて、例えば、有害金属等の含有量が基準を満たしているか否かを判定する。そして、制御部１０は、再びレーザ発振器６及びレーザヘッド７に指示して、定量分析した結果に関するマーク（文字、図形及び記号）をチップコンデンサ５０の表面に刻印する（ステップ１１３）。
【００４７】
図５は、表面に刻印が施されたチップコンデンサ５０を示す図である。図５に示すように、チップコンデンサ５０は、ステップ１１１において製品番号（図５のＮで示されたマーク）を刻印され、ステップ１１３において定量分析の結果（図５のＭで示されたマーク）を刻印される。例えば、定量分析の結果、基準を満たした合格品である場合は、図５（ａ）に示すように、「ＯＫ」と刻印され、基準を満たさない不合格品である場合は、図５（ｂ）に示すように、「ＮＧ」と刻印される。以上により、刻印付きチップコンデンサ５０が完成する。
【００４８】
この場合、分析結果に基づいて、例えば、高値で出荷できる高品質な優良品を示すＡランク、出荷可能なレベルの品質を示すＢランク、修正が必要な品質を示すＣランクなどと分類して刻印するようにしてもよい。そして、刻印後、Ａ，Ｂランクについては出荷工程に搬送し、Ｃランクについては修正工程に搬送する。このように、本実施形態に係るレーザ刻印装置１では、製品（被刻印物）を出荷態様に合わせてより細かく分類して量産化する場合であっても、分析結果を直ちに刻印して分類することが可能であるため、効率的に製造することができる。
【００４９】
以上、本実施形態に係る、電子部品等の被刻印物２に刻印する工程について説明したが、従来では刻印と分析を異なる装置にて別の工程により行っていた。また、分析に際しては、刻印を施された被刻印物の中から任意の被刻印物を抜き出し、例えば、蛍光Ｘ線分析や酸で分解することにより分析が行われていた。このため、分析に数分から数時間かかってしまい非常に効率が悪いと共に、例えば連続した製品番号を被刻印物に刻印した場合、その後の分析の結果、不合格となった被刻印物を取り除いてしまうと、刻印した製品番号の連続性が失われ、製品管理が複雑になってしまうという事態が生じていた。
【００５０】
上述した本実施形態に係るレーザ刻印装置１では、搬送される被刻印物２に刻印と分析とを連続して行うことができると共に、さらに被刻印物２に対し、分析結果をフィードバックして刻印することができる。また、本実施形態では、ＩＣＰ質量分析によって粉塵の分析を行っている。したがって、本実施形態に係るレーザ刻印装置１によれば、刻印と分析との両方を非常に短時間で行うことができると共に、例えば、不合格品と判定された被刻印物を取り出したとしても、製品番号等の刻印について連続性を持たせることができる。
【００５１】
また、レーザアブレーションを用いて分析を行った場合、レーザアブレーションの対象物が破壊してしまったり、該対象物にレーザアブレーションの痕跡が残ってしまう。しかし、本実施形態に係るレーザ刻印装置１では、被刻印物２に刻印した際に発生した粉塵を用いて被刻印物２の分析を行うため、被刻印物２に不要な跡を残すことなく分析を行うことができる。これにより、被刻印物２の品質が維持されるため、分析を行っても製品として出荷することが可能となる。
【００５２】
このように、本実施形態に係るレーザ刻印装置１によれば、短時間で、搬送される電子部品等の被刻印物のすべてについて分析を行うことが可能となる。これにより、例えば、有害金属の含有量が基準値を満たしてるか否かを全被刻印物について分析可能となるため、環境問題に対応した製品作りに大いに貢献することが期待できる。
【００５３】
ところで、本実施形態に係るレーザ刻印装置１は、分析部４による分析前に何らかの刻印を要せず分析結果のみを刻印する場合にも適用可能である。すなわち、まず始めに、レーザ部３によって製品として問題ない程度の痕跡となるように被刻印物２にレーザ光を照射して粉塵を発生させ（粉塵発生工程）、その粉塵を分析部４に導入して分析を行う。そして、その分析結果を被刻印物２に刻印する。これにより、被刻印物２に対し、分析結果のみの刻印を施す場合であっても、刻印と分析との両方を連続して効率的に行うことができる。
【００５４】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、被刻印物２を電子部品としているが、パッケージやシート等にも適用可能である。また、電子部品としては、コンデンサの他に、インダクタやバリスタ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施形態に係るレーザ刻印装置を概略的に示す図である。
【図２】図１に示す刻印室を示す拡大斜視図である。
【図３】本実施形態に係る被刻印物の一例であるチップコンデンサを示す断面図である。
【図４】図３に示すチップコンデンサの製造過程を示すフローチャートである。
【図５】表面に刻印が施されたチップコンデンサを示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…レーザ刻印装置、２…被刻印物、３…レーザ部、４…分析部、５…刻印室（刻印部）、６…レーザ発振器、６…搬送路、７…レーザヘッド、８…シャッタ、１０…制御部、１１…測定部、１９…導入管、２０…導出管（管）、５０…チップコンデンサ、Ｇ…キャリアガス、Ｌ…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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