(57)【要約】  【課題】樹脂封止工程における樹脂充填性を向上することができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】少なくとも半導体装置(7)の周囲に樹脂を注入して封止した樹脂封止領域(3)と、樹脂封止領域(3)内に複数の半導体装置(7)が存在する半導体装置形成領域(4)とを備えた樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止領域(3)内であって半導体装置形成領域(3)の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部(11)が形成されている。樹脂封止領域内であって半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに樹脂の流入を鈍らせるための流量調整部(11)を形成することで、半導体形成領域とその周辺部の樹脂の注入速度がほぼ均等になる。このため、半導体形成領域の周辺部からの樹脂の回りこみを防ぐことができ、樹脂充填性が改善される。【選択図】  図２
2005167022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体装置の周囲に樹脂を注入して封止した樹脂封止領域と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が存在する半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置において、
前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置形成領域は、前記樹脂封止領域の中央部に形成され、前記樹脂封止領域の周辺部に流量調整部が形成されている請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記流量調整部は、前記樹脂封止領域の外側４辺、又は前記樹脂注入口が存在する側の１辺を除く３方向に流量調整部が形成されている請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置形成領域は、前記樹脂注入口が存在する側を挟んで両側の２方向に流量調整部が形成されている請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記流量調整部の少なくとも一部は、リードフレームに樹脂ブロック又はシリコンチップ片を貼り付けて形成される請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
前記流量調整部の少なくとも一部は、前記リードフレームを半切断加工して形成される突起部からなる請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置形成領域には複数のリードを有する矩形状の構成パターンが複数個、２次元的に配列されており、前記リードは樹脂の注入方向には設けない請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、
前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部を形成する工程と、
キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに半切断加工による突起部からなる流量調整部を形成する工程と、
前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、
キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに半切断加工による突起部を形成して前記突起部上に少なくとも1つ以上の流量調整部を搭載する工程と、
前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、
キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部の前記リードフレームに半切断加工による突起部を形成し前記突起形成部を除く領域に少なくとも1つ以上の流量調整部を搭載する工程と、
前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、
キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
リードフレームの前記半導体装置形成領域内に複数のリードを有する矩形状の構成パターンを複数個、２次元的に配列して形成する工程と、
前記半導体装置形成領域を前記リードとともにリード厚分だけ樹脂封止する工程と、
前記リード厚分だけ樹脂封止された前記リードフレーム上に、前記構成パターン間に配列された枠状のリブ部を一括で樹脂封止して形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体装置を一括で片面封止する製造方法を有する小型で薄型の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するため、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それに伴って、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また、小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下に、複数の半導体装置を一括で片面封止する場合の樹脂封止の手順について、図５Ａ−Ｂ、図６Ａ−Ｄを参照しながら説明する。図５Ａは複数の半導体装置を一括で片面封止する場合に用いられるリードフレームを概略的に示す図であり、図５Ｂは図５Ａの一つの半導体装置を示している。図５Ａ−Ｂに示すように、リードフレーム１はフレーム枠部２と、その内に少なくとも１つ以上の一括で樹脂封止する樹脂封止領域３を有し、その領域内に複数の半導体装置を形成する半導体装置形成領域４を有しており、半導体装置形成領域４はその周囲を複数のリード部６で囲まれた矩形状の構成パターンが複数個、左右、上下に連結するように構成されている。図６Ａ−Ｄは樹脂封止時における封止金型内の状態を示す断面図である。図６Ａ−Ｂに示すように、多数の半導体素子７を搭載したリードフレーム１をキャビティ１２ａを有する上金型１２と下金型１３でクランプし、ゲート１６から封止樹脂１４を注入してキャビティ１２ａ内の複数の半導体装置を一括で樹脂封止する。
【０００４】
図６Ｃ−Ｄは固体撮像装置に用いられる内部空間を有する半導体装置の成形方法を示す図であり、撮像素子を搭載する前のリードフレーム１を、内部空間を形成するための突起部１２ｂを有する上金型１２と下金型１３でクランプし、ゲート１６から封止樹脂１４を注入してキャビティ１２ａ内の基板部１４ａとリブ部１４ｂを一括で樹脂封止する（下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の成形法では、樹脂封止領域３の占有面積は半導体装置によらない固定量であり、半導体形成領域４の占有面積は半導体装置の大きさと一括で封止する半導体装置の個数により決まる可変量である。このため、樹脂封止領域３と半導体形成領域４間の隙間領域５が広くなる。この隙間領域５は半導体素子、リード、上金型の突起等の流量調整部が存在しないため隙間領域５の樹脂注入速度は比較的速くなり、封止樹脂１４は隙間領域５から半導体形成領域４に回り込むように充填され、半導体形成領域４内でエアーの巻き込み等の不具合が生じる。又、固体撮像装置に用いられる内部空間を有する半導体装置の場合、リブ部１４ｂは流量調整部がなく厚いのに対し、基板部１４ａは薄くリードが流量調整部となるため、リード間やリードの裏側部分への樹脂充填性が悪化し、ボイド等の不具合を生じる。
【０００６】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、樹脂封止工程における樹脂充填性を向上することができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、少なくとも半導体装置の周囲に樹脂を注入して封止した樹脂封止領域と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が存在する半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第１番目の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部を形成する工程と、キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２番目の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに半切断加工による突起部からなる流量調整部を形成する工程と、前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３番目の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに半切断加工による突起部を形成して前記突起部上に少なくとも1つ以上の流量調整部を搭載する工程と、前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４番目の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記樹脂封止領域内であって前記半導体装置形成領域の周辺部の前記リードフレームに半切断加工による突起部を形成し前記突起形成部を除く領域に少なくとも1つ以上の流量調整部を搭載する工程と、前記半導体装置形成領域内に複数の半導体素子を搭載する工程と、キャビティを有する封止金型を用いて前記樹脂封止領域の周辺部をクランプして前記樹脂注入口からキャビティ内に樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５番目の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂注入口から樹脂を注入して樹脂封止を行なう樹脂封止領域を有するフレーム枠と、前記樹脂封止領域内に複数の半導体装置が形成される半導体装置形成領域とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、リードフレームの前記半導体装置形成領域内に複数のリードを有する矩形状の構成パターンを複数個、２次元的に配列して形成する工程と、前記半導体装置形成領域を前記リードとともにリード厚分だけ樹脂封止する工程と、前記リード厚分だけ樹脂封止された前記リードフレーム上に、前記構成パターン間に配列された枠状のリブ部を一括で樹脂封止して形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による樹脂封止型半導体装置及びその製造方法により、一括封止成形による封止工程における樹脂充填性が改善され、半導体装置の信頼性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、樹脂封止領域内であって半導体装置形成領域の周辺部に樹脂注入時の樹脂の流量を調節する流量調整部が形成されている。前記半導体装置形成領域は、樹脂封止領域の中央部に形成され、樹脂封止領域の周辺部に形成されている。流量調整部は、樹脂封止領域の四方に流量調整部が形成されていてもよい。また、前記半導体装置形成領域は、樹脂注入口が存在する側の１辺を除く３方向に流量調整部が形成されていてもよい。また、前記半導体装置形成領域は、樹脂注入口が存在する側を挟んで両側の２方向に流量調整部が形成されていてもよい。
【００１５】
本発明によれば、樹脂封止領域内であって半導体装置形成領域の周辺部のリードフレームに樹脂の流入を鈍らせるための流量調整部を形成することで、半導体形成領域とその周辺部の樹脂の注入速度がほぼ均等になる。このため、半導体形成領域の周辺部からの樹脂の回りこみを防ぐことができ、樹脂充填性が改善される。流量調整部の好ましい大きさは、樹脂注入方向を縦としたとき、縦０．５〜１０ｍｍ、横０．５〜１０ｍｍ、高さ（厚さ）０．１〜１．０ｍｍ（搭載する半導体素子と同等程度の大きさ）の範囲が好ましい。
【００１６】
流量調整部の少なくとも一部は、リードフレームに樹脂ブロックあるいはシリコンチップ片を貼り付けて形成されていてもよい。流量調整部として、樹脂封止材料と同等の材料あるいは搭載される半導体素子と同等の材料を使用することで、封止特性を従来通りの設計とすることができる。
【００１７】
流量調整部の少なくとも一部は、リードフレームを半切断加工して形成される突起部を有していてもよい。半切断加工による突起部が流量調整部となり、樹脂充填性が改善される。なお、突起部を半切断加工により形成することにより、樹脂封止の際にリードフレームの熱応力を緩和する効果があり、リードフレームの変形防止にも効果がある。
【００１８】
半導体装置形成領域には複数のリードを有する矩形状の構成パターンが複数個、２次元的に配列されており、リードは樹脂の注入方向には設けないようにしてもよい。樹脂の注入方向にリードが配置されないため、樹脂の注入がリードで妨げられにくくなり、リード間やリードの裏側部分への樹脂充填性を改善することができる。
【００１９】
本発明の製造方法によれば、樹脂封止領域内であって半導体装置形成領域の周辺部に樹脂の流入を鈍らせるための流量調整部を形成することで、半導体形成領域とその周辺部の注入速度をほぼ均等にすることができる。このため、半導体形成領域の周辺部からの樹脂の回りこみを防ぐことができ、樹脂充填性が改善される。
【００２０】
また、樹脂封止領域内であって半導体装置形成領域の周辺部に少なくとも１つ以上の半切断加工による突起部を有することで、樹脂の流入を鈍らせて樹脂の充填性を改善するとともに、樹脂封止の際にリードフレームの熱応力を緩和する効果があり、リードフレームの変形防止にも効果がある。
【００２１】
また、リードの厚み分だけ先に樹脂封止し、後でリブ部を樹脂封止することで、基板部とリブ部の樹脂注入速度の差が問題にならなくなり、基板部とリブ部それぞれで均等な樹脂注入ができ、樹脂充填性を改善することができる。
【００２２】
本発明の半導体装置及びその製造方法の一実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（実施形態１）
図１Ａ−Ｃは本発明の第１の実施形態の半導体装置に用いられる基板の構成を示す図である。図１Ａ−Ｂに示すように、基板１は、フレーム枠部２とフレーム枠部２内に少なくとも１つ以上の樹脂封止領域３を有し、各々の樹脂封止領域３は、複数の半導体装置を一括で形成する半導体装置形成領域４と、樹脂封止領域３内であって半導体装置形成領域４の周辺部のリードフレームに少なくとも１つ以上の流量調整部（以下、ダムと呼ぶ）を形成するためのダム形成領域５で構成される。
【００２４】
半導体装置形成領域４には、複数のリード部６と、半導体素子７を搭載するためのダイパッド部９を必要に応じて有する矩形状の構成パターンが複数個、２次元的に連続して配列されている。ダム形成領域５は半導体装置形成領域４の周辺部に設けられた平らな領域、もしくは樹脂封止の際の熱応力を緩和し、リードフレームの変形を防止するための複数個の開口部８を有する領域である。
【００２５】
図１Ａ−Ｂに示すように、樹脂封止領域３の中央部に半導体装置形成領域４を設けその四方にダム形成領域５を設けてもよいし、図１Ｃに示すように、半導体装置形成領域４を樹脂注入口と隣接させ、残る３方向にダム形成領域５を設けてもよいし、図１Ｄに示すように、ダム形成領域５を半導体装置形成領域４の横側、樹脂注入方向に沿う方向等の２方向にのみに設けてもよい。
【００２６】
例えば、基板１のサイズは長さ５０ｍｍ〜３００ｍｍ、幅２０ｍｍ〜８０ｍｍ、厚み０.０５ｍｍ〜１.０ｍｍ程度であり、材質はエポキシ系樹脂からなる樹脂基板や、Ｃｕ、Ｆｅ−Ｎｉ材から成るリードフレームが用いられる。また、リードフレームの表面には、ダイパッド部９、リード部６にＡｇメッキ、外部端子にはＳｎ−Ｂiメッキあるいはリードフレーム１全面にＮｉ−Ｐｄ−Ａｕメッキを施したものなどが使用されている。
【００２７】
また、基板１にリードフレームを用いる場合、ダム形成領域５に複数個の半切断加工による突起部８を設けることで、突起部８が樹脂封止の際に樹脂の流入を鈍らせ、かつ熱応力を緩和し、リードフレームの変形を防止する。
【００２８】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。まず、前述の半導体装置に用いられる基板の少なくとも樹脂封止領域３の底面に、必要に応じて、樹脂回り込み防止テープを貼り付ける（図示せず）。樹脂回り込み防止テープの貼付は、樹脂封止工程の前であればいつ行ってもよいし、樹脂基板などで基板に開口部を有さない場合や封止金型で樹脂回り込みを抑制できる場合は省くことができる。
【００２９】
次に、図２Ａ−Ｃに示すように、基板の半導体装置形成領域４に配列された矩形状の構成パターンの中央部に各々半導体素子７を搭載しリード部６と電気的に接続する。例えば、基板のダイパッド部９上に半導体素子７をＡｇペースト等の接着剤（図示せず）を用いて固着し、Ａｕ等からなる金属細線１０で半導体素子７上に形成された電極パッド（図示せず）とリード部６とワイヤボンディングする等の手段を用いる。
【００３０】
ここで、接着剤は絶縁性でも良く、一般的にはエポキシ系などの樹脂母材が多く、１００℃〜２５０℃で熱硬化されるものが多い。金属細線１０は一般的に直径φ１８〜３０μｍのＡuワイヤーが用いられ、接続方法には超音波熱圧着法が用いられる。また電極パッド表面にはＡｌで被膜されており、リード部６の表面はＡｇやＮｉ-Ｐｄ-Ａｕメッキ等が施される。なお、固体撮像装置に用いられる内部空間を有する半導体装置では、内部空間の基板部上に撮像素子の搭載と撮像素子とリードとの電気的接続は樹脂封止工程後に行う。又、ダイパッド部９は必ずしも必要ではなく、無くても構わない。
【００３１】
次に、ダム形成領域５に、例えば樹脂ブロックやシリコンチップ片よりなる１辺が０.５〜１０.０ｍｍ、高さ０．１〜１．０ｍｍ程度の複数個の流量調整材１１を接着剤等を用いて貼り付ける。この流量調整材１１により、樹脂注入の際にダム形成領域内で樹脂の流入速度を鈍らせ、半導体形成領域とダム形成領域の樹脂の注入速度がほぼ均等になるため、半導体形成領域の周辺部からの樹脂の回りこみを防ぐことができ、樹脂充填性が改善される。
【００３２】
また、基板として、ダム形成領域内に複数の半切断加工による突起部（図示せず）を有するリードフレームを用いる場合、流量調整材１１をリードフレームの突起部上に搭載してもよいし、突起部間に搭載してもよいし、複数の突起部上にまたがって搭載してもよい。なお、流量調整材１１の貼付は樹脂封止工程の前であればいつ行ってもよい。また、リードフレームの突起部だけでも、樹脂の流入を鈍らせる効果があるため、流量調整材１１と同等の機能を果たすことも可能である。
【００３３】
次に、樹脂封止工程において、基板１をキャビティ１２ａを有する上金型１２と下金型１３との間に挟み、樹脂封止領域３の周辺部を封止金型でクランプし、キャビティ１２ａ内に封止樹脂１４を充填する。封止樹脂１４はエポキシ樹脂等の熱硬化性又は可塑性樹脂からなり、１８０℃近辺で溶融し液体状になった封止樹脂１４は、キャビティー内のリード部６、半導体素子７や流量調整材１１等から抵抗を受けて、基板上面領域を樹脂注入方向から均一に包括され、数十秒間で固化して固体化する。
【００３４】
次に、樹脂回り込み防止テープを貼付けている場合は、樹脂回り込み防止テープを除去し、例えば、回転ブレード（図示せず）による切削等の手段を用いて、半導体装置の各ユニットに分離する。ここで、回転ブレードの幅は３０μｍ〜１００μｍであり、切削水を切削部にかけながら、２００００ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍで高速回転させ１０ｍｍ／ｓ〜１００ｍｍ／ｓのスピードで切断する。また、回転ブレードの材質はダイヤモンドの粒をボンド材で固めたものが使用される。また、このようにして製造される半導体装置のサイズは２.０ｍｍ×２.０ｍｍ〜１５.０ｍｍ×１５.０ｍｍで厚みは０.２〜２.０ｍｍ程度となる。
【００３５】
（実施形態２）
図３Ａ−Ｂは本発明の第２の実施形態の半導体装置に用いられるリードフレームを示す図である。図３Ａ−Ｂに示すリードフレーム１は、フレーム枠２とフレーム枠２内に周囲を複数のリード部６で囲まれた矩形状の構成パターンが複数個、左右、上下に連結され、複数の半導体装置を形成する半導体装置形成領域４を有しており、連結部１５はハーフエッチにより肉薄になっており、リード部６は樹脂の注入方向の連結部１５ａから分岐されている。又、樹脂の注入方向を横切る方向の連結部１５ｂは設けてもよいし、無くてもよいし、間欠的に設けてもよい。本実施例のリードフレームによれば、樹脂封止の際、樹脂の注入を妨げる方向に配置されるリードが少なくなるため、リード間やリードの裏側部分への樹脂充填性を改善することができる。
【００３６】
（実施形態３）
図４Ａ−Ｂは本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。固体撮像装置に用いられる内部空間を有する半導体装置の封止工程において、まず図４Ａに示すように、複数本のリード部６の下面をハーフエッチにより肉薄にした連結部１５で連結したリードフレーム１を平坦な上金型１２と下金型１３の間に挟み、リード部６を埋め込んでリードフレーム１の厚み分だけ樹脂封止し、基板部１４ａを形成する。
【００３７】
次に、図４Ｂに示すように、固体撮像装置に用いられる内部空間部に位置する突起１２ｂを有する上金型１２と下金型１３の間に、前述の基板部１４ａを形成したリードフレーム１を挟みリブ部１４ｂを樹脂封止する。樹脂封止工程を基板部１４ａとリブ部１４ｂの２度に分けて封止することで、基板部１４ａとリブ部１４ｂの樹脂注入速度の差が問題にならなくなり、基板部１４ａとリブ部１４ｂそれぞれで均等な樹脂注入ができ、樹脂充填性を改善することができる。このようにして、内部空間を有する半導体装置の筐体が形成される。ここで、リブ部１４ｂの高さは、例えば０.１〜１.０ｍｍの範囲、リブ部１４ｂの幅は、例えば０.１〜１.０ｍｍである。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の半導体装置に用いられる基板及び半導体装置の製造方法は、携帯などに搭載される半導体装置やビデオカメラやスチルカメラ等に用いられる固体撮像装置の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】Ａ−Ｄは本発明の一実施形態にかかる半導体装置に用いられる基板を示す模式図。
【図２】Ａ−Ｃは本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図３】Ａ−Ｂは本発明の一実施形態にかかる半導体装置に用いられるリードフレーム示す図。
【図４】Ａ−Ｂは本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図５】Ａ−Ｂは従来の半導体装置半導体装置に用いられるリードフレーム示す図。
【図６】Ａ−Ｄは従来の半導体装置の製造方法を示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１  基板（樹脂基板、リードフレーム）
２  フレーム枠部
３  樹脂封止領域
４  半導体装置形成領域
５  ダム形成領域（隙間領域）
６  リード部
７  半導体素子
８  開口部（突起部）
９  ダイパッド部
１０  金属細線
１１  流量調整材
１２，１２ｂ  上金型
１２ａ  キャビティ
１３  下金型
１４，１４ａ  封止樹脂
１５  連結部
１６  ゲート
【図１】
2005167022.tif 000003
【図２】
2005167022.tif 000004
【図３】
2005167022.tif 000005
【図４】
2005167022.tif 000006
【図５】
2005167022.tif 000007
【図６】
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