(57)【要約】  【課題】  複数の半導体チップを絶縁基板上に一体に構成した高周波回路装置では、何らかの原因で半導体チップが破損したり、特性が悪化したような場合、どの半導体チップが悪いのかを見分けることができない。  【解決手段】  絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けるように構成される。【選択図】  図１
2005236826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けたことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項２】
基板上に入出力端子と、上記入出力端子間に配設された複数の半導体チップと、上記複数の半導体チップの間に配設された高周波回路部とを配置した高周波回路装置において、上記高周波回路部を絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けた構造としたことを特徴とする高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法に関し、特に、絶縁基板上に搭載された複数の半導体チップの特性測定が容易に行える高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報の高度化、大容量化に伴いこれら情報を伝送する信号周波数も高速化され、例えば、テレビジョン映像を中継伝送するＦＰＵ（Field Pick-up Unit）や各種無線機が使用される移動通信分野では、高周波（マイクロ波）帯の高周波回路装置が使用される。また、高周波回路装置の小型、軽量、薄型化のためにセラミック基板等の誘電率の高い絶縁基板が使用される。
【０００３】
図４は、従来の高周波回路装置の一例を示す図である。また、図５は、図４で示す高周波回路装置の線分５−５での断面図を示す。図４において、４０１は、高周波回路装置のパッケージを示している。パッケージは、例えば、図５に示すように凹型の形状をしており、５０１は、絶縁性のセラミック基板、５０２は、例えば、銅（Ｃｕ）ブロックで構成されている。銅ブロック５０２は、アース電極と半導体チップから発熱する熱を放熱するヒートシンクを兼ねている。
【０００４】
パッケージ４０１の凹部には、増幅器等を構成する半導体チップ４０２−１、４０２−２、４０２−３およびマイクロストリップ線を構成する誘電体基板４０３−１、４０３−２、４０３−３、４０３−４が載置され、固定されている。なお、半導体チップ４０２−１、４０２−２、４０２−３を総称する場合は、半導体チップ４０２と称する。同様に、誘電体基板４０３−１、４０３−２、４０３−３、４０３−４を総称する場合は、誘電体基板４０３と称する。誘電体基板４０３には、マイクロストリップ線４０４−１、４０４−２、４０４−３、４０４−４が設けられている。なお、マイクロストリップ線を総称する場合は、マイクロストリップ線４０４と称する。誘電体基板４０３の裏面には、例えば、銅のアース電極が設けられ、マイクロストリップ線４０４とこのアース電極とで、高周波の伝送路を構成している。４０６および４０７は、それぞれ入力端子および出力端子である。そして入力端子４０６、マイクロストリップ線４０４、半導体チップ４０２および出力端子４０７は、それぞれボンディングワイヤ４０５で結線されている。このようにして高周波回路装置のパッケージが構成されている。なお、このパッケージは、上部を絶縁性のセラミック板や樹脂板で封止したり、あるいは絶縁樹脂でモールドして高周波回路装置のパッケージとしているのが普通である。４０８は、機器のシャーシ等に取りつけるネジ穴である。
【０００５】
この高周波回路装置は、入力端子４０６から入力された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−１を介して半導体チップ４０２−１に入力され、増幅される。増幅された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−２、ボンディングワイヤ４０５を介して半導体チップ４０２−２に入力され、増幅される。同様に、半導体チップ４０２−２で増幅された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−３を介して半導体チップ４０２−３に入力され、増幅され、更に、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−４、ボンディングワイヤ４０５を経由して出力端子４０７から出力される。
【０００６】
このように複数の半導体チップ４０２を一体に構成した高周波回路装置では、何らかの原因で半導体チップ４０２が破損したり、特性が悪化したような場合、出力端子での出力信号を計測しても、どの半導体チップ４０２が悪いのかを見分けることができない。結果として、高周波回路装置全体を交換して正常な高周波回路装置とするしか方法がなく、破損したり、特性が悪化した半導体チップ４０２だけを交換することができなかった。
【０００７】
また、高周波回路装置（例えば、特許文献１参照）には、信号周波数に適合して常に所要の機能を確実に呈する高周波回路装置とするために、高周波回路配線であるマイクロストリップ線の長さをλ／２ｎとする技術が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平６−１３８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
複数の半導体チップを絶縁基板上に順次配置して構成された高周波回路装置では、何らかの原因で半導体チップが破損したり、特性が悪化したような場合、どの半導体チップが悪いのかを見分けることができない。
【００１０】
本発明の目的は、高周波回路の開放および短絡を容易に行える高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、高周波回路装置に設けられた個々の回路装置の伝送特性を容易に測定できる高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の高周波回路装置は、絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けるように構成される。
【００１３】
また、本発明は、基板上に入出力端子と、上記入出力端子間に配設された複数の半導体チップと、上記複数の半導体チップの間に配設された高周波回路部とを配置した高周波回路装置において、上記高周波回路部を絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けた構造とするものである。
【００１４】
更に、本発明の高周波回路装置の測定方法は、絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けた高周波回路装置において、少なくとも上記第２および第３のマイクロストリップ線のいずれか一方の上記端子部と上記アース電極との間を導体で接続し、上記第２および第３のマイクロストリップ線の他方の上記端子部から上記高周波の信号を測定するように構成される。
【００１５】
また、本発明の高周波回路装置の測定方法は、基板上に入出力端子と、上記入出力端子間に配設された複数の半導体チップと、上記複数の半導体チップの間に配設された高周波回路部とを配置した高周波回路装置であって、上記高周波回路部を絶縁体基板と、上記絶縁体基板上に形成された高周波を伝播する第１のマイクロストリップ線と、上記第１のマイクロストリップ線にほぼ直角に少なくとも第２および第３のマイクロストリップ線を具え、上記第２および第３のマイクロストリップ線の長さをλｇ／２（ここで、λｇは、上記第１のマイクロストリップ線を伝播する高周波の波長である。）とし、上記第２および第３のマイクロストリップ線を上記第１のマイクロストリップ線上でλｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。）離して設けられ、上記第２および第３のマイクロストリップ線の端子部近傍にアース電極を設けた構造とした高周波回路装置において、上記高周波回路部の上記第３のマイクロストリップ線の上記端子部と上記アース電極との間を導体で接続し、上記第２のマイクロストリップ線の端子部から上記高周波回路装置の入力側に位置されている上記半導体チップの特性を測定するように構成される。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、高周波回路の開放および短絡を容易に行える高周波回路装置を実現できるため、高周波プローブによる測定が容易となり、また、複数の半導体チップ間に伝送信号を計測できる高周波回路装置を配置することで、高周波信号の伝送路としても、また、半導体チップの特性の劣化等を容易に計測できる高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法を実現でき、高周波回路装置の製品化の歩留まり向上に極めて有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施例について詳細に説明する。図１は、本発明を適用した高周波回路装置の一実施例を示す図である。図１において、１０１−１、１０１−２は、本発明を適応した高周波回路装置を示す。その詳細は、図２で説明する。なお、図１において、図４と同じものには、同じ符号が付されている。図１に示す高周波回路装置において、入力端子４０６から入力された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−１を介して半導体チップ４０２−１に入力され、増幅される。増幅された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線１０２−１、ボンディングワイヤ４０５を介して半導体チップ４０２−２に入力され、増幅される。同様に、半導体チップ４０２−２で増幅された高周波信号は、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線１０２−２、ボンディングワイヤ４０５を介して半導体チップ４０２−３に入力され、増幅され、更に、ボンディングワイヤ４０５、マイクロストリップ線４０４−４、ボンディングワイヤ４０５を経由して出力端子４０７から出力される。
【００１８】
さて、上述した高周波回路装置において、本発明を適応した高周波回路装置１０１−１、１０１−２の詳細な構成を図２を用いて説明する。なお、高周波回路装置１０１−１、１０１−２は、図１に示す高周波回路装置に対して高周波回路部とも言う。また、高周波回路装置１０１−１、１０１−２を総称する場合は、高周波回路装置１０１と称する。図２において、１０１−１は、高周波回路の開放および短絡作用を有する高周波回路装置（または、高周波回路部）である。なお、高周波回路装置（または、高周波回路部）１０１−２も同様に構成されているので、ここでは、高周波回路装置１０１として説明する。高周波回路装置１０１は、例えば、誘電体のセラミック基板２０１上にマイクロストリップ線２０２、２０３および２０４が形成されている。図３は、図２で示す高周波回路装置の線分３−３における断面図を示す。図３において、３０１は、アース電極で、このアース電極３０１は、図５に示す銅ブロック５０２上に接続、固定されている。２０５−１、２０５−２および２０６−１、２０６−２は、電極端子を構成し、電極端子２０６−１、２０６−２は、例えば、図３で示すようにセラミック基板２０１に設けられたスルーホールを介してアース電極３０１に接続されている。また、マイクロストリップ線２０２、２０３および２０４の線幅は、例えば、０．２４１ｍｍの銅配線で構成されている。なお、銅配線は、金メッキ等をしたものを使用する場合もある。また、電極端子２０６−１、２０６−２とアース電極３０１との接続は、金、または銅等の金属でスルーホール３０２、３０３を埋めることで接続される。
【００１９】
而して、図２に示す高周波回路装置では、この高周波回路装置が開放および短絡作用を有するためには、マイクロストリップ線２０３および２０４の長さおよび位置関係が極めて重要になる。従って、マイクロストリップ線２０３および２０４の長さを図２に示すようにそれぞれλｇ／２とし、また、マイクロストリップ線２０３および２０４の間隔をλｇ／４に設定する必要がある。以下これについて説明する。
【００２０】
高周波回路装置においては、一般的に線路、例えば、同軸線路を伝播する高周波の波長をλとすると、λは、数１で示される。
【００２１】
【数１】
2005236826.tif 000003
ここで、Ｃは、光速、ｆは、マイクロストリップ線を伝播する高周波の周波数、εrは、比誘電率（真空中での誘電率ε０に対する比率）である。なお、空気中の場合は、比誘電率は、ほぼ1である。
【００２２】
しかしながら図２のようにセラミック基板２０１上に形成されたマイクロストリップ線上を高周波信号が伝播する場合、その波長λｇは、数２で示される。
【００２３】
【数２】
2005236826.tif 000004
ここで、εreffは、比誘電率の異なる材質に挟まれた構造のマイクロストリップ線の実効的な比誘電率を表す。従って、セラミック基板２０１に形成されたマイクロストリップ線上を高周波信号が伝播する場合の周波数ｆと波長λｇとの関係は、表１のようになる。
【００２４】
【表１】
2005236826.tif 000005
【００２５】
而して、図２に示す高周波回路装置１０１に、例えば、１０ＧＨｚの高周波信号が入力端子２０９（図１におけるボンディングワイヤ４０５に対応）に供給され、この信号がマイクロストリップ線２０２上を伝播し、出力端子２１０（図１におけるボンディングワイヤ４０５に対応）に到達するとすると、１０ＧＨｚの高周波信号の波長λｇは、表１から１１．５０ｍｍであるので、マイクロストリップ線２０３および２０４の長さＬは、λｇ／２、即ち、約５．７５ｍｍに形成される。また、マイクロストリップ線２０３および２０４の間隔Ｗは、λｇ／４、即ち、約２．８８ｍｍに形成される。なお、マイクロストリップ線２０３および２０４の間隔Ｗは、一般には、λｇ（２ｎー１）／４（ここで、ｎは、正の整数である。また、図２は、ｎ＝１の場合を示している。）が成立する間隔だけ離される。更に、マイクロストリップ線２０３および２０４のそれぞれの先端部に、電極端子２０５および２０６、即ち、グランドパッドがマイクロストリップ線に対して０．５ｍｍ間隔で配置し、形成されている。これによって端子部２０７および２０８が構成される。なお、上述した高周波回路装置では、マイクロストリップ線２０３および２０４は、マイクロストリップ線２０２の両側にほぼ直角に設けているが、これに限定されることはなく、配置が可能であれば、片方に設けることも可能である。しかし、インピータンスマッチングを考えると、対象に配置するほうが伝送線路の特性としては優れていることは言うまでもない。
【００２６】
このようにして構成された高周波回路装置１０１の動作を以下に説明する。端子部２０７は、マイクロストリップ線２０３とグランドパッド２０５−１と２０５−２とを導体、例えば、銅線で短絡（図示せず。）すると、マイクロストリップ線２０３の端子部２０７は、アース電位となる。銅線で短絡しない場合は、開放となる。同様に、マイクロストリップ線２０４とグランドパッド２０６−１と２０６−２とを導体、例えば、銅線で短絡（図示せず。）すると、マイクロストリップ線２０４の端子部２０８は、アース電位となる。銅線で短絡しない場合は、開放となる。
【００２７】
而して、端子部２０７および端子部２０８を導体で接続せず、電気的に開放とした場合、マイクロストリップ線２０４とマイクロストリップ線２０３の先端からλｇ／２離れた位置にあるマイクロストリップ線２０２との接続点は、電気的に開放となる。従って、それぞれの接続点からマイクロストリップ線２０４およびマイクロストリップ線２０３を見たインピーダンスは、非常に高くなるので、マイクロストリップ線２０４およびマイクロストリップ線２０３の影響は、無視できるほど小さくなる。従って、入力端子２０９から入力された高周波信号は、マイクロストリップ線２０２を伝送し、出力端子２１０に到達するのに何等の障害にもならない。
【００２８】
一方、マイクロストリップ線２０３の端子部２０７を導体でグランドパッド２０５−１と２０５−２に電気的に接続すると、マイクロストリップ線２０３の端子部２０７は、接地され、アース電位となる。従って、マイクロストリップ線２０３の端子部２０７からλｇ／２離れた位置にあるマイクロストリップ線２０２との接続点も電気的に接地となる。しかし、λｇ／４離れた位置にあるマイクロストリップ線２０４の端子部２０８をグランドパッド２０６−１と２０６−２とは、接続しない、所謂、開放状態にしておくと、マイクロストリップ線２０４とマイクロストリップ線２０２との接続点は、電気的に開放となる。従って、マイクロストリップ線２０４とマイクロストリップ線２０２の接続点からマイクロストリップ線２０２の出力端子２１０を見たインピーダンスは、非常に高くなる。このため、入力端子２０９から入力された高周波信号は、出力端子２１０では得られず、マイクロストリップ線２０４の端子部２０８で得られるようになる。その結果、例えば、端子部２０８に高周波信号測定用のプローブをこの端子部２０８に接続すると、端子部２０８から入力端子２０９に入力される高周波信号を計測することができる。
【００２９】
図６は、高周波信号測定用のプローブの一例を示すもので、６０１は、同軸ケーブルで、高周波信号測定機器（図示せず。）に接続される。６０２は、同軸ケーブル６０１の中心導体に接続された接触子、６０３および６０４は、同軸ケーブル６０１の周辺導体に接続された接触子を示す。このプローブは、例えば、マイクロストリップ線２０４の端子部２０８に接触させる。即ち、プローブの接触子６０２をマイクロストリップ線２０４に、また、接触子６０３および６０４をグランドパッド２０６−１と２０６−２に接触させることにより入力端子２０９に入力される高周波信号の特性を計測することができる。なお、マイクロストリップ線２０４とグランドパッド２０６−１と２０６−２との間隔を０．５ｍｍとしたのは、一般に市販されている高周波信号測定用のプローブの接触子の構成が図６に示すような構成であるため、０．５ｍｍとしたものであり、特にこの寸法に限定されるものではない。
【００３０】
次に、図１に示す高周波回路装置についてその動作を説明する。先に説明したように入力端子４０６に供給された高周波信号は、マイクロストリップ線４０４−１、半導体チップ４０２−１、マイクロストリップ線１０２−１、半導体チップ４０２−２、マイクロストリップ線１０２−２、半導体チップ４０２−３、マイクロストリップ線４０４−４を経由して出力端子４０７に得られる。ここで、半導体チップ４０２−１、４０２−２および４０２−３が正常に動作している場合、高周波回路装置１０１−１および１０１−２における端子部２０７および２０８（図２に示す。）に対応するそれぞれの端子部は、開放状態であるため、前述したように高周波回路装置１０１−１および１０１−２の各マイクロストリップ線１０２−１および１０２−２に直角に設けてあるマイクロストリップ線２０３および２０４は、高インピーダンスとなり、伝送する高周波信号に対したなんらの作用もなく、入力端子４０６に入力された高周波信号は、それぞれ増幅され、出力端子４０７に得られる。
【００３１】
しかしながら、もし出力端子４０７に出力信号が得られなかったり、あるいは、所定の出力信号が得られない場合、半導体チップ４０２−１、４０２−２、４０２−３のいずれかの半導体チップが破損しているか、特性が劣化している場合が考えられる。このような場合、図１に示す回路では、どの半導体チップが破損、あるいは特性が劣化しているかを検査することができる。即ち、まず、半導体チップ４０２−１を検査するには、高周波回路装置１０１−１のマイクロストリップ線２０３の端子部２０７を導体でグランドパッド２０５−１と２０５−２と接続し、アース電位にする。その結果、マイクロストリップ線２０４の端子部２０８に半導体チップ４０２−１の出力が得られるので、この端子部２０８に図６に示す高周波測定用プローブの接触子を接触させることにより半導体チップ４０２−１の出力が正常化否かを検出することができる。同様に、半導体チップ４０２−２を検査するには、高周波回路装置１０１−２のマイクロストリップ線２０３の端子部２０７を導体でグランドパッド２０５−１と２０５−２と接続し、アース電位にする。その結果、マイクロストリップ線２０４の端子部２０８に半導体チップ４０２−１および半導体チップ４０２−２の出力が得られるので、この端子部２０８に図６に示す高周波測定用プローブの接触子を接触させることにより半導体チップ４０２−１および半導体チップ４０２−２の出力が正常化否かを検出することができる。この検出で、万一、特性不良が検出された場合、先の検出では、半導体チップ４０２−１は、正常であったため、半導体チップ４０２−２が不良であることが分かる。最後の半導体チップ４０２−３は、出力端子４０７の出力から正常化否かを検出することができる。
【００３２】
以上説明したように、例えば、複数の半導体チップを実装された高周波回路装置において、出力信号の異常が検出された場合、従来の高周波回路装置では、どの半導体チップが不良な半導体チップかを簡単に検出できず、全ての部品を分解し、再度検査するか、さもなければ高周波回路装置を破棄し、新しい高周波回路装置と交換するしかなく、保守、点検はもとより、その費用も高額にならざるを得なかった。しかしながら本発明の高周波回路装置では、容易に個々の部品の不良の部分が検査できるため、その部品を交換すれば正常に動作する高周波回路装置となるため、保守、点検は容易となり、また、価格の面でも極めて優れた高周波回路装置を提供することが可能となる。
【００３３】
以上、本発明について詳細に説明したが、本発明は、ここに記載された高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法の実施例に限定されるものではなく、上記以外の高周波回路装置および高周波回路装置の測定方法に広く適応することが出来ることは、言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施例を説明するための概略構成図を示す図である。
【図２】本発明の原理を説明するための高周波回路装置の一実施例を示す図である。
【図３】図２に示す高周波回路装置の線分３−３の切断面を示す図である。
【図４】従来の高周波回路装置の一例を示す図である。
【図５】図４に示す高周波回路装置の線分５−５の切断面を示す図である。
【図６】高周波測定装置のプローブの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０１、４０３：高周波回路装置、２０１：誘電体基板、２０２、２０３、２０４、４０４：マイクロストリップ線、２０５、２０６：グランドパッド、２０７、２０８：端子部、２０９：入力端子、２１０：出力端子、３０１、５０２：アース電極、３０２：スルーホール、４０１：高周波回路装置のパッケージ、４０２：半導体チップ、４０５：ボンディングワイヤ、４０６：入力端子、４０７：出力端子、４０８：ネジ穴、５０１：絶縁基板。
【図１】
2005236826.tif 000006
【図２】
2005236826.tif 000007
【図３】
2005236826.tif 000008
【図４】
2005236826.tif 000009
【図５】
2005236826.tif 000010
【図６】
2005236826.tif 000011