(57)【要約】【課題】  基本波光源である半導体レーザの発振光と非線形光学結晶からなる導波路の結合効率を高くする。【解決手段】  半導体レーザの活性層と波長変換素子の導波路が少なくともその一部において上下に配置され、その間にグレーティングが形成された積層構造を有する波長変換光源。【選択図】  図１
2005345949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、半導体レーザ光を第２高調波光に変換する波長変換素子とを有する波長変換光源であって、前記半導体レーザの活性層と前記波長変換素子の導波路が少なくともその一部において上下に配置され、その間にグレーティングが形成された積層構造を有することを特徴とする波長変換光源。
【請求項２】
前記半導体レーザと、半導体レーザ光を第２高調波光に変換する波長変換素子とを有する波長変換光源であって、前記グレーティングを含む積層構造は、前記半導体レーザの一方の端面と前記波長変換素子の一方の端面との間で、レーザ共振器を形成するための光結合を起こすことを特徴とする請求項１に記載の波長変換光源。
【請求項３】
前記半導体レーザのレーザ共振器に寄与する方の端面には、半導体レーザ波長に対して高反射性となるように成膜がなされていて、前記半導体レーザのレーザ共振器に寄与しない方の端面には、半導体レーザ波長に対して低反射性となるように成膜ないし斜め切断がなされていることを特徴とする請求項２に記載の波長変換光源。
【請求項４】
前記波長変換素子のレーザ共振器に寄与する方の端面には、半導体レーザ波長に対して高反射性かつ第２高調波波長に対して低反射性となるように成膜がなされていて、前記波長変換素子のレーザ共振器に寄与しない方の端面には、第２高調波波長に対して高反射性となるように成膜がなされていることを特徴とする請求項２に記載の波長変換光源。
【請求項５】
前記グレーティングを含む積層構造であって、前記半導体レーザの活性層と前記波長変換素子の導波路との間において、前記半導体レーザの発光は結合するが、前記波長変換素子により発生する第２高調波光は結合しないように、前記グレーティングを含む積層構造の結合波長が調整されていることを特徴とする請求項１あるいは２のいずれかに記載の波長変換光源。
【請求項６】
前記グレーティングを含む積層構造は、その結合波長をシフトさせることで、前記波長変換素子の第２高調波発生の波長許容幅に入るように、前記半導体レーザの発振波長を変化させることを特徴とする請求項２に記載の波長変換光源。
【請求項７】
前記波長変換光源であって、前記半導体レーザは利得領域と波長制御領域とに分割されていて、前記利得領域への注入電流制御により光出力の制御を行い、前記波長制御領域の電極への電流制御により発振波長の制御を行うことを特徴とする請求項１あるいは２のいずれかに記載の波長変換光源。
【請求項８】
前記グレーティングを含む積層構造には、加熱用電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の波長変換光源。
【請求項９】
前記半導体レーザは、その成膜基板が除去されて半導体成膜層が前記波長変換素子上部に配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の波長変換光源。
【請求項１０】
前記グレーティングは、前記半導体レーザないし前記波長変換素子のいずれか側にレリーフ状に形成され、屈折率の異なる材料で埋め込まれてなることを特徴とする請求項１に記載の波長変換光源。
【請求項１１】
前記波長変換素子の導波路には、少なくとも、前記グレーティング形成領域から第２高調波出射側の端面にかけて、周期的分極反転が施されていることを特徴とする請求項１に記載の波長変換光源。
【請求項１２】
請求項１乃至７のいずれかに記載の波長変換光源を駆動させる波長変換光源の駆動方法であって、前記半導体レーザの出射光強度を検出することで前記半導体レーザの利得領域への注入電流を制御し、前記波長変換素子により変換された第２高調波の出射光強度を検出することで前記半導体レーザの波長制御領域の電極への電流を制御して、安定な第２高調波出力を得ることを特徴とする波長変換光源の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）光の第２高調波発生を利用して波長変換を行う波長変換光源に関するものである。特に詳細には、レーザディスプレイのような画像表示装置用の光源、光記録、光計測用の光源、さらには電子写真方式の画像形成装置用の光源や記録媒体への書き込み読み出し用光源、あるいは通信用の光源などとして利用でき、高速変調駆動が可能で、レーザ光を出射する波長変換光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは小型で高速変調可能であるが、現在、可視波長域において、信頼性を含め実用化しているものは、発振波長630 nm以上の赤色、および発振波長460 nm以下の青色や紫色に限られている。これは、半導体レーザを構成する化合物半導体の材料開発が未解決であることに起因する。現状では、青色と赤色の中間波長領域、即ち、青緑色、緑色、黄緑色、黄色、橙色の半導体レーザは実用レベルまで達するのに多くの課題がある。
【０００３】
そこで、例えば、非特許文献１に解説されるように、半導体レーザを基本波光源として、その出射光を周期分極反転導波路の形成された非線形光学結晶に導入して、直接第２高調波発生を行う構成が開発されている。上記構成では、半導体レーザ波長に合わせて分極反転周期を設計することで、非線形光学定数テンソルの最大成分を利用することができるため、また、導波路を使うことで基本波光密度を上げることができるため、基本波から第２高調波への波長変換効率の向上がなされる。そのために、半導体レーザの出射光を収光レンズ、結合レンズ等を用いて、非線形光学結晶の導波路に結合している。あるいは、特許文献１では、図４に示すように、半導体レーザと導波路とをサブマウント上で近接させて結合する構成と手段が開示されている。さらには、特許文献２では、図５に示すように、波長選択素子を半導体レーザと非線形光学結晶の間に挿入して、半導体レーザの発振波長を非線形光学結晶の位相整合波長に一致するように波長ロックを行う構成について開示している。
【非特許文献１】オプトロニクス2000年１月号89頁から93頁
【特許文献１】特開平９−１９７４５７号公報
【特許文献２】特開平７−１５２０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例のうち、レンズ光学系を必要とする構成では、レンズの位置合わせ作業、固定手段の煩雑さ、装置全体の大型化が課題である。また、半導体レーザと導波路を近接させる構成では、半導体レーザ出射光を効率よく導波路内へ結合することが難しく、精密な位置合わせ調整作業を必要とし、さらに、安定に固定するためには接着剤および接着工程の厳密な管理を必要とする。さらに、外部に構成した波長選択素子を用いる波長ロック手段では、構成が大型化し、反射損失や回折損失が生じる。また、機械的調整手段を必要とすれば、さらに大型化する。
【０００５】
本出願に係る第1の発明の目的は、基本波光源である半導体レーザの発振光と非線形光学結晶からなる導波路の結合効率を高くすることにある。本出願に係る第２の発明の目的は、基本波光源である半導体レーザと非線形光学結晶からなる導波路の光結合を長期安定化させることにある。本出願に係る第３の発明の目的は、半導体レーザの発振波長を非線形光学結晶の位相整合波長の許容幅内に入るように制御することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の波長変換光源は、半導体レーザと、半導体レーザ光を第２高調波光に変換する波長変換素子とを有する波長変換光源であって、前記半導体レーザの活性層と前記波長変換素子の導波路が少なくともその一部において上下に配置され、その間にグレーティングが形成された積層構造を有することを特徴とする。
【０００７】
また、上記課題を解決するために、前記半導体レーザと、半導体レーザ光を第２高調波光に変換する波長変換素子とを有する波長変換光源であって、前記グレーティングを含む積層構造は、前記半導体レーザの一方の端面と前記波長変換素子の一方の端面との間で、レーザ共振器を形成するための光結合を起こすことを特徴とする。
【０００８】
また、上記課題を解決するために、前記半導体レーザのレーザ共振器に寄与する方の端面には、半導体レーザ波長に対して高反射性となるように成膜がなされていて、前記半導体レーザのレーザ共振器に寄与しない方の端面には、半導体レーザ波長に対して低反射性となるように成膜ないし斜め切断がなされていることを特徴とする。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、前記波長変換素子のレーザ共振器に寄与する方の端面には、半導体レーザ波長に対して高反射性かつ第２高調波波長に対して低反射性となるように成膜がなされていて、前記波長変換素子のレーザ共振器に寄与しない方の端面には、第２高調波波長に対して高反射性となるように成膜がなされていることを特徴とする。
【００１０】
また、上記課題を解決するために、前記グレーティングを含む積層構造であって、前記半導体レーザの活性層と前記波長変換素子の導波路との間において、前記半導体レーザの発光は結合するが、前記波長変換素子により発生する第２高調波光は結合しないように、前記グレーティングを含む積層構造の結合波長が調整されていることを特徴とする。
【００１１】
また、上記課題を解決するために、前記グレーティングを含む積層構造は、その結合波長をシフトさせることで、前記波長変換素子の第２高調波発生の波長許容幅に入るように、前記半導体レーザの発振波長を変化させることを特徴とする。
【００１２】
また、上記課題を解決するために、前記波長変換光源であって、前記半導体レーザは利得領域と波長制御領域とに分割されていて、前記利得領域への注入電流制御により光出力の制御を行い、前記波長制御領域の電極への電流制御により発振波長の制御を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、上記課題を解決するために、前記グレーティングを含む積層構造には、加熱用電極が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、上記課題を解決するために、前記半導体レーザは、その成膜基板が除去されて半導体成膜層が前記波長変換素子上部に配置されてなることを特徴とする。
【００１５】
また、上記課題を解決するために、前記グレーティングは、前記半導体レーザないし前記波長変換素子のいずれか側にレリーフ状に形成され、屈折率の異なる材料で埋め込まれてなることを特徴とする。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、前記波長変換素子の導波路には、少なくとも、前記グレーティング形成領域から第２高調波出射側の端面にかけて、周期的分極反転が施されていることを特徴とする。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、前記波長変換光源であって、前記半導体レーザの出射光強度を検出することで前記半導体レーザの利得領域への注入電流を制御し、前記波長変換素子により変換された第２高調波の出射光強度を検出することで前記半導体レーザの波長制御領域の電極への電流を制御して、安定な第２高調波出力を得ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本出願に係る波長変換光源によれば、半導体レーザと波長変換素子とを導波モード間結合させるため、半導体レーザの出射光を波長変換素子の導波路に入射させるための精密な調整が要らず、且つ、高い効率で光を結合させることができる。また、半導体レーザと波長変換素子とが集積化されるため、機械的に安定し、長期の使用にも結合効率が変動することはなく、安定な動作が得られる。また、レーザ共振器内に波長変換素子を含むため、高い光エネルギー密度を波長変換素子中に生成することができ、波長変換効率が極めて高くなる。さらに、基本波である半導体レーザの発振波長を制御できるため、温度変化による波長変換素子の波長シフトに対しても最適の基本波波長を常に維持することができ、変換効率が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る波長変換光源の模式的な構成図である。
【００２０】
図１において、本実施形態に係る波長変換光源は、波長変換素子１０１の上部に半導体レーザ１０２が積層された構成となっている。波長変換素子１０１は例えばＬｉＮｂＯ３結晶、ＫＴｉＯＰＯ４結晶、ＬｉＴａＯ３結晶、ＫＮｂＯ３結晶などの強誘電体結晶、あるいは有機非線形結晶などからなる。波長変換素子１０１には導波路１０３が形成されている。半導体レーザ１０２は活性層１０４を有する。半導体レーザの活性層１０４と波長変換素子の導波路１０３とは、互いの伝播モードが重なるくらいの距離（典型的には波長と同程度）におかれ、その間にグレーティング１０５が形成されていることを特徴とする。半導体レーザを波長変換素子に安定に固定するため、段差の付いた治具１２１が設けられている。
【００２１】
活性層１０４と導波路１０３がグレーティング１０５にて結合される領域１０６（後述する波長制御領域）において、活性層１０４にピーク振幅を有する伝播モード１と導波路１０３にピーク振幅を有する伝播モード２の関係が、式（１）および式（２）になるように、半導体レーザ、波長変換素子、グレーティングを含む積層構成が設定される。設定されるパラメータは、各層の屈折率および層厚、そしてグレーティング周期Λである。即ち、半導体レーザの波長λLDにおいては、伝播モード１および伝播モード２間で位相整合がとれるように式（１）を満たし、かつ、第２高調波の波長λSHにおいては、伝播モード１および伝播モード２間の位相整合が成り立たないように設定する。
【００２２】
【数１】
2005345949.tif 000003
【００２３】
ここで、n1(λLD)、n２(λLD)は各々、半導体レーザ波長における伝播モード１および伝播モード２の等価屈折率であり、n1(λSH)、n２(λSH)は各々、第２高調波波長における伝播モード１および伝播モード２の等価屈折率である。
【００２４】
上記したグレーティングを介在させる積層導波路間モード結合の動作原理は、例えば、D. Marcuse、Journal of Lightwave Technology、 Vol. 5、 pp.268-273、 1987に詳しい。本実施例では、非線形光学結晶導波路を半導体レーザ活性層と波長選択的に結合させ、半導体レーザの外部共振器を構成させるところに特徴を有する。外部共振器内部では、半導体レーザの光エネルギーが極めて高くなるので、効率よく第２高調波光を発生させることができる。
【００２５】
半導体レーザは、利得領域１０７と波長制御領域１０６に二分され、利得領域１０７ではキャリア注入により発光が生じ、波長制御領域１０６ではグレーティングを含んだ積層構造があるため結合波長が制御される。
【００２６】
半導体レーザの利得領域の端面１０８には半導体レーザの波長で高反射率となるように誘電体多層膜による高反射膜１０９が形成されている。波長制御領域側の端面１１０は半導体レーザの波長で反射が生じないように誘電体多層膜による反射防止膜１１１が施されている。あるいは、斜めに切断されて反射光が活性層に戻らないようになっている。
【００２７】
波長変換素子の第２高調波光出射側の端面１１２には半導体レーザの波長で高反射率となり、第２高調波の波長で低反射率となるように誘電体多層膜１１３が形成されている。第２高調波光の出射側ではない端面１１４には第２高調波の波長に対して高反射率となるような誘電体多層膜１１５が形成されている。
【００２８】
半導体レーザの利得領域１０７に形成されている電極１１９および電極１２０間に流される電流により、半導体レーザの活性層中にキャリアが注入されることで発光が生じる。発生した光は、半導体レーザの一方の端面１０８からは帰還するが、他方の端面１１０には反射防止膜１１１が施されているため、光は帰還しない。半導体レーザで発生した光１１６はグレーティング１０５で結合され、波長変換素子の導波路１０３へ進む。半導体レーザからの光１１６は導波路端面１１２で反射され、再びグレーティング１０５を介して半導体レーザの活性層１０４に帰還される。このようにして、半導体レーザは波長変換素子の導波路端面１１２を外部ミラーとする。半導体レーザは、外部共振器で規定される縦モードのうち、グレーティングで結合される波長帯域と重なる波長でレーザ発振を生じることになる。このとき、グレーティングを直下に有する波長制御領域１０６に形成されている電極１１７への電流を制御することで電極がヒーターとなり熱発生から屈折率が変化し、グレーティング１０５で結合される波長が変化する。すなわち、電流制御で発振波長の制御が行われる。
【００２９】
波長変換素子を伝播する半導体レーザ光１１６は導波路中で第２高調波１１８を発生し、導波路端面１１２より出射される。導波路端面１１２で反射された半導体レーザ光で生じる逆方向の第２高調波光は、グレーティングでは結合せずに、導波路端面１１４で一旦反射されて導波路端面１１２から出射される。
【００３０】
非線形光学結晶から構成される波長変換素子は第２高調波に変換できる波長許容幅が狭く、さらには温度に依存してその変換できる中心波長が変化するため、電極１１７への電流を制御して半導体レーザ発振波長を波長変換素子の第２高調波発生の波長許容幅に入るように制御する。
【００３１】
以上のようにして、半導体レーザは波長変換素子の導波路端面を外部ミラーとして発振し、半導体レーザ光は外部共振器内の波長変換素子中で第２高調波に変換されて出射する。出射端面には半導体レーザ波長に対して高反射率となる誘電体多層膜ミラーが形成されているが、さらに半導体レーザ光を除去するためには、半導体レーザ波長は吸収ないし反射し、第２高調波波長を透過するダイクロイックミラーを別個配置（不図示）して、第２高調波光のみを取り出すこともできる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る波長変換光源は、非線形光学結晶中に周期的に分極を反転させた構造を有することを特徴とする。分極反転構造の繰り返し周期を調整することで、半導体レーザの波長に合わせて非線形光学定数が最大となるように疑似位相整合が設定され、高効率の波長変換が行われる。
【００３３】
本実施の形態に係る波長変換光源を図２に示す。波長変換素子２０１は、ＬｉＮｂＯ３からなり、符号２０２は櫛形電極を用いた電界印加により形成した周期分極反転構造、符号２０３はプロトン交換で作製した導波路である。導波路端面１１４には、誘電体多層膜１１５が施され、第２高調波波長に対して高反射率で、半導体レーザ波長に対して低反射率の反射特性を有する。導波路端面１１２には、誘電体多層膜１１３が施され、第２高調波波長に対して低反射率、半導体レーザ波長に対して高反射率の反射特性を有する。ここでいう反射率は、限定的なものではないが、低反射率においては１％以下、好ましくは０．２％以下である。また、高反射率においては８０％以上、好ましくは９０％以上である。
【００３４】
一方、半導体レーザ２０４は、ｎ−ＧａＡｓ基板（不図示）上にバッファ層（不図示）を介して、ｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２０５、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２０６、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層２０７、２０８、アンドープＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層２０９、アンドープＧａＡｓバリア層２１０、２１１、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２１２、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１３を成長したものからなる。半導体レーザ２０４は、利得領域１０７と波長制御領域１０６とに分かれ、利得領域側端面１０８に成膜された誘電体多層膜１０９は半導体レーザ波長に対して高反射率であり、波長制御領域側端面１１０に成膜された誘電体多層膜１１１は半導体レーザ波長に対して低反射率である。波長制御領域１０６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１３が選択エッチングで除去され、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２１２もおよそ１μｍほどを残してエッチングされる。残されたｐ−ＡｌＡＧａＡｓクラッド層にはレリーフ状グレーティング２１４が形成される。利得領域１０７にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１３上に電極２１５が形成される。
【００３５】
一方、波長変換素子２０１の導波路上に透明接着剤２１６が塗布され、半導体レーザ２０４をグレーティング２１４が透明接着剤２１６に埋まるようにして、波長変換素子２０１と接着される。半導体レーザの利得領域１０７には接着剤は及ばない。波長変換素子への接着後、半導体レーザの基板（不図示）およびバッファ層（不図示）は除去され、ｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２０５が露出される。利得領域１０７においてはコンタクト層２０５上にキャリア注入用のｎ側電極２１７が成膜され、波長制御領域１０６においてはコンタクト層２０５上に絶縁膜２１８および加熱用電極２１９が成膜される。波長制御領域の絶縁膜は加熱電極の電流が半導体レーザ中に流れることを防止するためである。
【００３６】
利得領域１０７のｐ側電極２１５とｎ側電極２１７の間に電流を流すことで発光が生じる。また、波長制御領域１０６の電極２１９中に電流を流すことで熱が発生し、波長制御領域１０６の活性層（本実施例では量子井戸層およびバリア層を指す）およびガイド層の屈折率が変化する。式（１）で明らかなように等価屈折率n1が変化するとグレーティング２１４で位相整合される半導体レーザ波長λLDが変化する。本実施形態の半導体レーザは発振波長が１０６０ｎｍから１０７０ｎｍにわたって可変である。発振波長は電極２１９に流す電流を制御することで所望の波長、すなわち、波長変換素子の第２高調波発生のための許容波長内に制御される。半導体レーザ光は活性層端面と導波路端面の間で共振されるため、共振器内部は極めて強い光エネルギー密度となり、波長変換素子の周期分極反転を形成した導波路２０３中で第２高調波に変換される。第２高調波波長は半導体レーザ波長の半分となるため、本実施形態では５３０ｎｍから５３５ｎｍの範囲の波長が生じる。第２高調波発生のための許容波長はＬｉＮｂＯ３導波路の温度により変化するが、その温度係数は０．０７ｎｍ／℃程度であり、温度変化がたとえば５０℃生じたとしても３．５ｎｍ程度であるため、半導体レーザの波長可変幅で十分に制御可能な範囲である。発生した第２高調波のうち、グレーティング２１４から導波路端面１１２方向へ発生した光はそのまま導波路端面１１２から出射し、導波路端面１１２からグレーティング２１４方向へ発生した光は一旦導波路端面１１４で反射された後、導波路端面１１２から出射される。利得領域１０７へ信号電流を注入することで、半導体レーザの光強度が増減し、第２高調波の光出力変調が行われる。
【００３７】
波長変換素子の端面を透過した半導体レーザ光は、赤外波長カットフィルタ２２０で吸収ないし反射され、その結果、５３０〜５３５ｎｍを中心波長とする緑色の第２高調波光のみが得られる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
図３は本実施形態に係る波長変換光源を示す模式図（斜視断面図）である。第２高調波光の安定化制御についても合わせて説明する。半導体レーザおよび波長変換素子の材料構成は第２の実施の形態と同じである。符号３０１のグレーティングは半導体レーザ３０２の波長制御領域３０３のクラッド層をレリーフ状に加工することで形成されている。波長変換素子３０４上には、半導体レーザの利得領域３０５の電極３０６が当たる部分に電極３０７が成膜されている。電極３０７の部分を除いて波長変換素子３０４上には透明樹脂３０８が塗布され、半導体レーザのグレーティング３０１部分が波長変換素子３０４の周期分極反転導波路３０９を覆うように接着される。同時に、半導体レーザの電極３０６と波長変換素子の電極３０７とが圧着され電気的に導通する。この場合、半導体レーザの利得領域３０５の高さと波長制御領域３０３の高さが異なる場合は利得領域３０５に相当する波長変換素子の表面上部をエッチングして高さを合わせた後に電極３０６を成膜すればよい。半導体レーザ３０２を波長変換素子３０４上に接着後、半導体レーザの基板（不図示）を選択エッチングにより除去し、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層３１０を露出させる。その後、半導体層をリッジ状に加工し、リッジ側面をポリイミド３１７で埋め込みを行い、半導体レーザの横モード制御構造を形成する。利得領域３０５においてはコンタクト層３１０上に電極３１１が成膜され、波長制御領域３０３においては、コンタクト層３１０上に絶縁膜３１８および電極３１２が成膜される。利得領域３０５においては、電流は波長変換素子に成膜された電極３０７を通してｐ側電極３０６から、表面のｎ側電極３１１へ流れる。波長制御領域３０３においては、電極３１２はその両端から引き出した電極パッド間に電流を流すことで、電極自体が加熱用電極となり、下部の半導体層を加熱することで屈折率が変化し、グレーティング３０１で結合される波長がシフトする。
【００３９】
さらに第２高調波光の安定制御について説明する。波長変換素子から出射した光３１３は、ダイクロイックミラー３１４で第２高調波光３１５と半導体レーザ光３１６に分離される。それぞれに設けられたホトディテクタ（不指示）で、半導体レーザ光３１６の強度の増減に応じて、半導体レーザの利得領域３０５への注入電流を増減し、第２高調波光３１５の強度の増減に合わせて、波長制御領域の電極３１２の電流を増減する。即ち、２つの電極への電流制御により、安定に第２高調波の出力を得ることができる。第２高調波光の出力変動は半導体レーザの出力変化、波長変化、そして、波長変換素子の温度変化によって生じるもので、それほど頻繁に変化するものではない、そのため、この制御はある程度間隔をあけても問題は生じない。例えば、第２高調波光の変調を行う場合、ある一定間隔でこの２つの電流制御を行っておけば、安定に光変調が行える。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態の波長変換光源の模式図である。
【図２】本発明の実施形態の波長変換光源の模式図である。
【図３】本発明の実施形態の波長変換光源の模式図である。
【図４】従来の波長変換光源の模式的な構成図である。
【図５】従来の波長変換光源の模式的な構成図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０１，２０１，３０４  波長変換素子
１０２，２０４，３０２  半導体レーザ
１０３，２０３，３０９  導波路
１０４  活性層
１０５，２１４，３０１  グレーティング
１０６，３０３  波長制御領域
１０７，３０５  利得領域
１０８，１１０，１１２，１１４  端面
１０９，１１１，１１３，１１５  誘電体多層膜
１１６，３１６  半導体レーザ光
１１７，１１９，１２０，２１５，２１７，２１９，３０６，３０７，３１１，３１２  電極
１２１  治具
１１８，３１５  第２高調波光
２０２  周期分極反転構造
２０５，２１３，３１０  コンタクト層
２０６，２１２  クラッド層
２０７，２０８  ガイド層
２０９  量子井戸層
２１０，２１１  バリア層
２１６  透明接着剤
２１８，３１８  絶縁膜
２０  赤外波長カットフィルタ
３０８  透明樹脂
３１７  ポリイミド
３１３  出射光
３１４  ダイクロイックミラー
【図１】
2005345949.tif 000004
【図２】
2005345949.tif 000005
【図３】
2005345949.tif 000006
【図４】
2005345949.tif 000007
【図５】
2005345949.tif 000008