(57)【要約】【課題】  金属充填装置の溶融金属槽に貯留される溶融金属の量を減少させる。【解決手段】  排気して内部の圧力を調節することのできるチャンバと、チャンバ内に配置され、被加工物に溶融金属を充填し得る金属充填エリアを備える、相互に交換可能な第１及び第２の溶融金属槽とを有し、第１の溶融金属槽の金属充填エリアと第２の溶融金属槽の金属充填エリアとが異なる大きさをもつ金属充填装置を提供する。【選択図】      図１
2005131657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気して内部の圧力を調節することのできるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、被加工物に溶融金属を充填し得る金属充填エリアを備える、相互に交換可能な第１及び第２の溶融金属槽と
を有し、
前記第１の溶融金属槽の金属充填エリアと前記第２の溶融金属槽の金属充填エリアとが異なる大きさをもつ金属充填装置。
【請求項２】
前記第１の溶融金属槽と前記第２の溶融金属槽の大きさが等しい請求項１に記載の金属充填装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の溶融金属槽の金属充填エリアの周辺部に、前記金属充填エリアよりも深さの浅い領域が形成されている請求項１または２に記載の金属充填装置。
【請求項４】
更に、前記第１または第２の溶融金属槽の液量を測定し得る液量測定装置を有し、前記第１及び第２の溶融金属槽は液量を測定し得る液量測定エリアを備え、前記第１の溶融金属槽の液量測定エリアにおける液量測定位置と、前記第２の溶融金属槽の液量測定エリアにおける液量測定位置とが等しい請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属充填装置。
【請求項５】
更に、溶融金属表面に形成される酸化膜を除去する酸化膜除去装置を有し、前記第１及び第２の溶融金属槽は前記酸化膜を除去し得る酸化膜除去エリアを備え、前記第１の溶融金属槽の酸化膜除去エリアと、前記第２の溶融金属槽の酸化膜除去エリアとが等しい大きさをもつ請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属充填装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気圧差を利用し、穴を有する被加工物の穴に金属を充填する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板に貫通配線を形成するための技術として、真空による気圧差を利用して一度に多数の貫通孔に溶融金属を充填する方法（溶融金属吸引法、Ｍｏｌｔｅｎ  Ｍｅｔａｌ  Ｓｕｃｔｉｏｎｅｄ  Ｍｅｔｈｏｄ，ＭＭＳＭ）が知られている。（たとえば、特許文献１参照。）溶融金属吸引法は、穴を有する被加工物、ことにアスペクト比の大きい貫通孔や、貫通しない深細孔に金属を充填するのに適した方法である。
【０００３】
図４は、溶融金属吸引法を用いて、多数の微細孔が形成された被加工物（ワーク）の微細孔に金属を充填するための金属充填装置の一部を示す概略図である。真空ポンプ５４ｂを用いバルブを備えた排気管５４ａから排気して、チャンバ内を真空にすることのできる（内部の圧力を調整することのできる）真空チャンバ１１の内部に、溶融金属槽１２が配置されている。溶融金属槽１２の外面部には、ヒータ１５が設けられている。ヒータ１５は、溶融金属槽１２内の金属ブロックを加熱し、溶融させることができる。金属ブロックを加熱、溶融することにより得られた溶融金属１３は溶融金属槽１２に貯留される。
【０００４】
真空チャンバ１１には、ワーク固定用アーム５１が取り付けられる。ワーク固定用アーム５１は、軸部５２及びワーククランプ５３を有する。ワーク固定用アーム５１は、軸部５２が真空チャンバ１１の上部を貫通するように、真空チャンバ１１に取り付けられる。ワーククランプ５３は、ワーク、たとえば多数の微細孔が形成されたシリコン基板５０を支持することができる。ワーク固定用アーム５１を用いて、ワーククランプ５３に支持されたシリコン基板５０を溶融金属槽１２中の溶融金属１３に浸すことができる。
【０００５】
真空チャンバ１１には、バルブを備えた給気管５５が設けられている。給気管５５を通して、真空チャンバ１１内に所定の気体、たとえば窒素ガスを導入することができる。
【０００６】
溶融金属１３には、たとえばインジウム、錫などが用いられる。これらの金属は溶融状態において酸化されやすく、溶融金属１３の表面には酸化膜が形成されやすい。酸化膜除去機構５６は、溶融金属１３の表面に形成され得る酸化膜を除去することのできる酸化膜除去器５６ａ、及び、たとえば酸化膜除去器５６ａの作動を制御すること等のできる制御装置５６ｂを含んで構成される。
【０００７】
金属充填装置には、レーザ変位計５７が備えられている。レーザ変位計５７は、溶融金属表面におけるレーザビームの反射を利用して、溶融金属槽１２内に貯留されている溶融金属の液面高さ（貯留されている溶融金属の液量）を計測することができる。
【０００８】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、金属充填装置を用いて、シリコン基板５０の微細孔に金属を充填する方法を示す概略図である。
【０００９】
図５（Ａ）を参照する。微細孔を有するシリコン基板５０をワーク固定用アーム５１のワーククランプ５３で支持し、真空ポンプ５４ｂを用いて、排気管５４ａから真空チャンバ１１内を排気し、真空圧１０−２〜１０−３Ｐａ程度まで減圧する。微細孔内も真空となる。
【００１０】
酸化膜除去機構５６を用いて、溶融金属１３の表面に形成された酸化膜を除去する。
【００１１】
図５（Ｂ）を参照する。溶融金属１３中に、シリコン基板５０を挿入する。挿入後シリコン基板５０が、溶融金属１３と同じ温度に達するのを待つ。この状態では、微細孔内は溶融金属で封じられていればよく、充填される必要はない。続いて、給気管５５から真空チャンバ１１内に窒素ガスを導入して、真空チャンバ１１内を２×１０５〜５×１０５Ｐａ程度まで加圧する。加圧された真空チャンバ１１内の圧力により、溶融金属で封じられているシリコン基板５０の微細孔に、溶融金属槽１２中の溶融金属１３が充填される。充填される金属（溶融金属１３）は、たとえばインジウム、錫等である。
【００１２】
図５（Ｃ）を参照する。シリコン基板５０を溶融金属槽１２から引き上げ、真空チャンバ１１の外部に取り出して、室温まで冷却する。微細孔内に充填された溶融金属は固化する。
【００１３】
図６は、溶融金属槽１２の概略を示す斜視図である。溶融金属槽１２は、たとえば底面と、底面から垂直に立ち上がる側壁とを有する、直方体状の収容部を有する箱形容器である。溶融金属槽１２の内部の深さは一定である。溶融金属槽１２は、たとえばチタン、ＳＵＳ等の材料で形成される。
【００１４】
真空チャンバ１１内に配置される溶融金属槽１２のサイズや形状は、ワーク、たとえばシリコン基板５０のサイズ等により変更される。サイズや形状の異なる溶融金属槽１２を真空チャンバ１１内に配置する場合、たとえばレーザ変位計５７の取り付け位置や、制御装置５６ｂによる酸化膜除去器５６ａの作動範囲等を変更する必要がある。また、異なるサイズまたは形状の溶融金属槽１２を取り付け位置に固定するため、治具が必要となる。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１５８１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、気圧差を利用し、穴を有する被加工物の穴に金属を充填する金属充填装置であって、溶融金属槽に貯留される溶融金属の量を減少させることのできる金属充填装置を提供することである。また、溶融金属槽交換時の取り扱い性が良好な金属充填装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一観点によれば、排気して内部の圧力を調節することのできるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、被加工物に溶融金属を充填し得る金属充填エリアを備える、相互に交換可能な第１及び第２の溶融金属槽とを有し、前記第１の溶融金属槽の金属充填エリアと前記第２の溶融金属槽の金属充填エリアとが異なる大きさをもつ金属充填装置が提供される。
【００１８】
この金属充填装置を用いて金属充填作業を行う際、金属を充填させようとする穴を有する被加工物のサイズや、被加工物を溶融金属に浸す態様によって、複数の溶融金属槽から選択された１つの溶融金属槽をチャンバ内に配置する。金属充填エリアの大きさが異なる溶融金属槽を用いることで、貯留する溶融金属の量（溶融する金属塊の量）を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、気圧差を利用し、穴を有する被加工物の穴に金属を充填する金属充填装置であって、溶融金属槽に貯留される溶融金属の量を減少させることのできる金属充填装置を提供することができる。また、溶融金属槽交換時の取り扱い性が良好な金属充填装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、金属充填装置及び金属充填方法の周辺技術を説明するための概略的な図である。現在、デバイスの小型化、高機能化のために、たとえば複数枚の半導体チップを厚さ方向に積層することによる、システムの３次元高密度実装が試みられている。半導体チップに良好な貫通配線を形成することによって３次元高密度実装を実現することができれば、単位面積当たりの集積度の向上が可能になることに加え、配線長を短くできるなどのメリットがある。
【００２１】
図７（Ａ）には、複数枚（３枚）の半導体チップ６１，６２，６３を模式的に示した。半導体チップ６１，６２，６３の厚さは、たとえば５００μｍである。半導体チップ６１，６２，６３の対応する位置には、穴径が約１０μｍの貫通孔６１ａ，６２ａ，６３ａが、それぞれチップの厚さ方向に開けられている。
【００２２】
図７（Ｂ）及び（Ｃ）を参照して、たとえばｎ型のシリコン基板６１ｂに、光アシスト電解エッチング法（Ｐｈｏｔｏ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ，ＰＡＥＣＥ）を用いて、貫通孔６１ａを形成する方法を説明する。
【００２３】
図７（Ｂ）を参照する。ｎ型の（１００）シリコン基板６１ｂの一主面に、異方性エッチングで（１１１）面が露出したエッチピット６１ｃを形成する。次に、エッチピット６１ｃの形成された主面をフッ酸水溶液に接触させる。フッ酸水溶液中には、白金板６５が配置されている。シリコン基板６１ｂを陽極、白金板６５を陰極としてその間に電圧を印加する。シリコン基板６１ｂのエッチピット６１ｃが形成されていない主面にたとえばキセノンランプで光を照射すると、正孔が発生する。発生した正孔は、シリコン基板６１ｂと白金板６５との間の印加電圧による電界から力を受け、エッチピット６１ｃの形成されている主面に向かって移動する。エッチピット６１ｃの鋭角部には強い電界が生じるため、正孔はエッチピット６１ｃに集中する。エッチピット６１ｃでは、以下の式（１）に示す化学反応が起こる。
【００２４】
Ｓｉ＋６ＨＦ＋２ｈｏｌｅ（＋）→Ｈ２ＳｉＦ６＋Ｈ２＋２Ｈ＋  ・・（１）
この化学反応の結果、エッチピット６１ｃ部分のみがエッチングされる。
【００２５】
図７（Ｃ）を参照する。エッチピット６１ｃがエッチングされると、その先端に更に電界が集中するため、式（１）の化学反応が続いて起こり、エッチングが進行して、シリコン基板６１ｂを貫通する貫通孔６１ａが形成される。
【００２６】
上述のようにして、複数枚のシリコン基板（半導体チップ６１，６２，６３）のそれぞれに、対応する貫通孔６１ａ，６２ａ，６３ａを開ける。導体配線は対応する貫通孔６１ａ，６２ａ，６３ａを貫いて形成される。配線は、たとえば前述のように、溶融金属吸引法（ＭＭＳＭ）を用いて貫通孔６１ａ，６２ａ，６３ａに金属を充填することにより形成される。
【００２７】
図１（Ａ）〜（Ｈ）は、第１の実施例による金属充填装置の真空チャンバ内に配置される交換可能な溶融金属槽の４例を示す概略的な平面図及び断面図である。図に示す４種類の溶融金属槽はすべて槽の内部に深さの異なる領域を備えている。これらの溶融金属槽は、たとえば金属を充填するワーク(シリコン基板５０)のサイズやワーク（シリコン基板５０）を溶融金属槽１２に貯留されている溶融金属に浸す態様によって、そのうちの１つが選択され、真空チャンバ１１内に配置される。なお、たとえば４種類の溶融金属槽の外形サイズはすべて等しい。たとえば４つの溶融金属槽は、合同な長方形の底面、及び、その４辺から垂直に立ち上がり、対向する面が相互に合同な４つの長方形の側面（側壁）を有する。
【００２８】
図１（Ａ）は、第１の溶融金属槽８１の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。第１の溶融金属槽８１は、たとえば大型のシリコン基板５０を縦置きに溶融金属１３に浸して金属を充填する場合に選択され、真空チャンバ１１内に配置される。
【００２９】
図１（Ａ）を参照する。平面視した第１の溶融金属槽８１の中央部に、金属充填エリアＳが形成されている。金属充填エリアＳは、ワーク（シリコン基板５０）を浸し、溶融金属１３を充填させる作業が行われる溶融金属槽内の３次元領域である。
【００３０】
点線で示した範囲が酸化膜除去器作動エリアＴである。平面視において金属充填エリアを含むより広い範囲、平面視した第１の溶融金属槽８１内部のほぼ全域に酸化膜除去器作動エリアＴが形成されている。酸化膜除去器作動エリアＴは、酸化膜除去器５６ａが制御装置５６ｂの制御により作動し、溶融金属表面に形成され得る酸化膜を除去することのできる溶融金属槽内の領域である。
【００３１】
２点鎖線で示した範囲が液量測定エリアＵである。平面視した第１の溶融金属槽８１内部の一部（金属充填エリアＳとは共通部分をもたない領域）に液量測定エリアＵが形成されている。液量測定エリアＵは、液量測定手段、たとえばレーザ変位計５７により、溶融金属の液量が測定され得る溶融金属槽内の領域である。
【００３２】
図１（Ｂ）を参照する。金属充填エリアＳは、大型のシリコン基板５０が縦置きの状態で浸かる深さｈ１を備えた３次元領域、たとえば直方体の収容部である。また深さｈ１は、たとえば第１の溶融金属槽８１に貯留される溶融金属の槽底面（金属充填エリアＳ底面）からの液面高さがｈ１未満になると、金属充填エリアＳにおいて、大型のシリコン基板５０が縦置きの状態で十分には浸からない値に設定される。金属充填エリアＳ以外の部分は、金属充填エリアＳよりも浅く形成されている。槽内の中央部に深い領域（金属充填エリアＳ）が形成され、その周辺部に浅い領域が形成されている。なお、第１の金属溶融槽８１の場合は、金属充填エリアＳ以外の部分の深さは均一（金属充填エリアＳの底面からの高さがｈ１となる深さ）である。
【００３３】
液量測定エリアＵの底面は、金属充填エリアＳの底面からｈ１の高さに形成されている。したがってワーク（シリコン基板５０）への金属充填により溶融金属が減少し、液量測定エリアＵの底面が露出すると、金属充填エリアＳにおいてワーク（シリコン基板５０）が十分には溶融金属に浸からないことになる。液量測定エリアＵの底面が露出する前に、溶融金属を補充することが望ましい。なお、溶融金属の表面が、液量測定エリアＵの底面より上にあるとき、レーザ変位計５７により液面高さを測定することができる。
【００３４】
酸化膜除去器作動エリアＴにおいては、溶融金属がその表面から酸化膜除去器５６ａが可動するのに必要な高さ以上に貯留されているとき、表面の酸化膜を除去することが可能である。
【００３５】
図１（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）は、それぞれ第２の溶融金属槽８２、第３の溶融金属槽８３、第４の溶融金属槽８４の平面図であり、図１（Ｄ）、（Ｆ）、（Ｈ）は、それぞれ図１（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）の１Ｄ−１Ｄ線、１Ｆ−１Ｆ線、１Ｈ−１Ｈ線に沿った断面図である。第２の溶融金属槽８２、第３の溶融金属槽８３、第４の溶融金属槽８４は、それぞれたとえば小型のシリコン基板５０を縦置きに溶融金属１３に浸して金属を充填する場合、大型のシリコン基板５０を横置きに溶融金属１３に浸して金属を充填する場合、小型のシリコン基板５０を横置きに溶融金属１３に浸して金属を充填する場合に選択され、真空チャンバ１１内に配置される。
【００３６】
第２の溶融金属槽８２〜第４の溶融金属槽８４においても、平面視した各溶融金属槽中央部に、金属充填エリアＳが形成されている。第１の溶融金属槽８１〜第４の溶融金属槽８４の４つの溶融金属槽における金属充填エリアＳの３次元寸法（大きさ）は、たとえばすべて異なる。たとえば各溶融金属槽の深さは、それぞれｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４である。
【００３７】
ワーク（シリコン基板５０）の大きさや溶融金属に浸す態様によって、３次元寸法（大きさ）の異なる金属充填エリアＳを有する第１の溶融金属槽８１〜第４の溶融金属槽８４のうちから、真空チャンバ１１内に配置する溶融金属槽を適切に選択することにより、貯留する溶融金属の量（溶融する金属塊の量）を少なくすることができる。
【００３８】
点線で示した酸化膜除去器作動エリアＴは、第２の溶融金属槽８２〜第４の溶融金属槽８４においても、第１の溶融金属槽８１と同様に、各溶融金属槽を平面視したときに、金属充填エリアＳを含むより広い範囲、各槽内部のほぼ全域に形成されている。４つの溶融金属槽の酸化膜除去器作動エリアＴの大きさは、たとえばすべて等しい。
【００３９】
２点鎖線で示した液量測定エリアＵは、第２の溶融金属槽８２〜第４の溶融金属槽８４においても、第１の溶融金属槽８１と同様に、各溶融金属槽を平面視したときに各槽内部の一部（金属充填エリアＳとは共通部分をもたない領域）、たとえば第１の溶融金属槽８１における液量測定エリアＵと同一位置に形成されている。
【００４０】
第２の溶融金属槽８２、第３の溶融金属槽８３、及び第４の溶融金属槽８４において中央部に形成される金属充填エリアＳは、それぞれ小型のシリコン基板５０が縦置きの状態で、大型のシリコン基板５０が横置きの状態で、小型のシリコン基板５０が横置きの状態で収容できる平面視形状と、深さｈ２、ｈ３、ｈ４を備えた３次元領域、たとえば直方体の収容部である。また、深さｈ２、ｈ３、ｈ４は、金属充填エリアＳ底面からの液面高さがそれ未満になると、シリコン基板５０が十分には浸からない値に設定される。それ以外の部分（周辺部）は、第１の溶融金属槽８１と同様に、金属充填エリアＳよりも浅く、たとえば均一の深さ（金属充填エリアＳ底面からの高さがそれぞれｈ１、ｈ２、ｈ３となる深さ）に形成されている。
【００４１】
第２の溶融金属槽８２〜第４の溶融金属槽８４においても、液量測定エリアＵの底面は、金属充填エリアＳの底面からそれぞれｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４の高さに形成されている。第１の溶融金属槽８１の場合と同様に、液量測定エリアＵの底面が露出する前に、溶融金属を補充することが望ましい。なお、第１の溶融金属槽８１〜第４の溶融金属槽８４のすべてにおいて、たとえば液量測定エリアＵの底面は、各溶融金属槽の底面（真空チャンバ１１内の溶融金属槽設置面）から高さｈ０の位置に形成される。
【００４２】
第２の溶融金属槽８２〜第４の溶融金属槽８４の場合も、酸化膜除去器作動エリアＴにおいては、溶融金属がその表面から酸化膜除去器５６ａが可動するのに必要な高さ以上に貯留されているとき、表面の酸化膜を除去することが可能である。
【００４３】
図１に示した４つの溶融金属槽は、槽の内部において金属充填エリアのみが深く形成されており、その大きさはすべて異なる。このため、図６に示したような深さが均一である従来の溶融金属槽を使用する場合に比べて、貯留する溶融金属の量（溶融する金属塊の量）を少なくすることができる。
【００４４】
また、４つの溶融金属槽は、液量測定エリアＵが同一の位置に形成されている。このためワーク（シリコン基板５０）の大きさやワーク（シリコン基板５０）を溶融金属に浸す態様によって、真空チャンバ１１内に配置される溶融金属槽を交換しても、レーザ変位計５７の取り付け位置等に変更を加える必要がない。また、相互に交換可能な４つの溶融金属槽を備える金属充填装置においては、溶融金属槽を交換した場合も、液量測定エリアＵにおける液量測定位置が等しい。
【００４５】
更に、４つの溶融金属槽は、酸化膜除去器作動エリアＴが同じ大きさに形成されているため、溶融金属槽を交換しても、酸化膜除去器５６ａ及び制御装置５６ｂによる酸化膜除去機構５６の作動範囲の制御に変更を加える必要もない。
【００４６】
また４つの溶融金属槽の外形サイズが等しいので、溶融金属槽を交換する際、取り付け治具の変更が不必要であり、真空チャンバ１１への取り付けが容易である。
【００４７】
このため、図１に示した４つの交換可能な溶融金属槽を備えた金属充填装置は、溶融金属槽交換時の取り扱い性が良好な金属充填装置であるということができる。
【００４８】
更に、溶融金属槽の内部に深さの異なる領域（浅い部分）を形成することで、とりわけ深い部分を槽の中央部に形成し、浅い部分を周辺部に形成することで、溶融金属槽の強度を強くすることができる。これにより、金属を溶融するための加熱及び冷却に伴う溶融金属槽の変形を抑えることができ、安定した温度制御が可能となる。
【００４９】
図２（Ａ）〜（Ｈ）は、図１（Ａ）〜（Ｈ）に示した４つの溶融金属槽の変形例を示す平面図及び断面図である。図２（Ａ）、図２（Ｃ）、図２（Ｅ）及び図２（Ｇ）は、それぞれ第５の溶融金属槽８５、第６の溶融金属槽８６、第７の溶融金属槽８７及び第８の溶融金属槽８８の概略的な平面図であり、図２（Ｂ）、図２（Ｄ）、図２（Ｆ）及び図２（Ｈ）は、それぞれ上記図中の２Ｂ−２Ｂ線、２Ｄ−２Ｄ線、２Ｆ−２Ｆ線、及び２Ｈ−２Ｈ線に沿った断面図である。第５の溶融金属槽８５〜第８の溶融金属槽８８は、それぞれ順に第１の溶融金属槽８１〜第４の溶融金属槽８４の変形例である。第５の溶融金属槽８５〜第８の溶融金属槽８８はそれぞれ対応する第１の溶融金属槽８１〜第４の溶融金属槽８４と比較して、液量測定エリアＵの形成位置及びその構造が異なっている。その他の点については等しい。
【００５０】
図２（Ａ）〜（Ｈ）に示す４つの変形例は、それぞれ図１の対応する溶融金属槽における液量測定エリアの一部を深くして金属充填エリアＳと繋げ、深くした部分を新たに液量測定エリアＵとしている。液量測定エリアＵの底面は、たとえばそれぞれの溶融金属槽の金属充填エリアＳの深さと等しい。たとえば、平面視において、第５の溶融金属槽８５〜第８の溶融金属槽８８の液量測定エリアＵは等しい位置に形成される。
【００５１】
液量測定エリアＵの底面を深くする（たとえば金属充填エリアＳの底面と同一深さにする）ことで、溶融金属の液面高さが、槽の底面からｈ１未満の高さになった場合も、金属充填エリアＳにおける溶融金属の液面高さを計測することができる。
【００５２】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ第１の溶融金属槽８１及び第５の溶融金属槽８５の変形例を示す概略的な断面図である。図３に示す２つの溶融金属槽はそれぞれ対応する金属溶融槽と比較して、酸化膜除去器作動エリアＴのうち、金属充填エリアＳ及び液量測定エリアＵを除く部分の底面位置が異なっている。たとえばその部分の底面位置は、金属充填エリアＳの底面からの高さがｈ５（＞ｈ１）となる位置である。
【００５３】
なお、実施例においては、金属充填エリアＳが直方体状である場合を説明したが、シリコン基板５０（ウエハ）は通常円盤形状である。縦置きの場合は底面を半円筒状または一対の斜面としてもよい。横置きの場合は側面を円筒状としてもよい。
【００５４】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（Ａ）〜（Ｈ）は、第１の実施例による金属充填装置の真空チャンバ内に配置される交換可能な溶融金属槽の４例を示す概略的な平面図及び断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｈ）は、図１（Ａ）〜（Ｈ）に示した４つの溶融金属槽の変形例を示す平面図及び断面図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ第１の溶融金属槽及び第５の溶融金属槽の変形例を示す概略的な断面図である。
【図４】溶融金属吸引法を用いて、多数の微細孔が形成された被加工物（ワーク）の微細孔に金属を充填するための金属充填装置の一部を示す概略図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、金属充填装置を用いて、シリコン基板の微細孔に金属を充填する方法を示す概略図である。
【図６】溶融金属槽の概略を示す斜視図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、金属充填装置及び金属充填方法の周辺技術を説明するための概略的な図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  真空チャンバ
１２  溶融金属槽
１３  溶融金属
１５  ヒータ
５０  シリコン基板
５１  ワーク固定用アーム
５２  軸部
５３  ワーククランプ
５４ａ  排気管
５４ｂ  真空ポンプ
５５  給気管
５６  酸化膜除去機構
５６ａ  酸化膜除去器
５６ｂ  制御装置
５７  レーザ変位計
６１，６２，６３  半導体チップ
６１ａ，６２ａ，６３ａ  貫通孔
６１ｂ  シリコン基板
６１ｃ  エッチピット
６５  白金板
８１  第１の溶融金属槽
８２  第２の溶融金属槽
８３  第３の溶融金属槽
８４  第４の溶融金属槽
８５  第５の溶融金属槽
８６  第６の溶融金属槽
８７  第７の溶融金属槽
８８  第８の溶融金属槽
Ｓ  金属充填エリア
Ｔ  酸化膜除去器作動エリア
Ｕ  液量測定エリア
【図１】
2005131657.tif 000003
【図２】
2005131657.tif 000004
【図３】
2005131657.tif 000005
【図４】
2005131657.tif 000006
【図５】
2005131657.tif 000007
【図６】
2005131657.tif 000008
【図７】
2005131657.tif 000009