(57)【要約】【課題】  レーザダイオードから発生する熱を迅速に放出させるとともに，全部品数と作業工程数を増加させることなく，ヒートシンクがステムから分離されてしまうなどの弊害を効果的に防止する。【解決手段】  レーザダイオードを搭載するレーザダイオードパッケージ用ステムにおいて，ステム１０上に形成され，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝１５と，結合溝に挿着固定され，レーザダイオード１２を固定するヒートシンク１１とを備える。ヒートシンクは，結合溝１５に挿入された銅製の棒部材１１ａの上端突出部を，所定形状の溝が形成された金型で連続打撃することにより，棒部材が結合溝内で膨張して緊密に固定されるとともに，棒部材の頭部は前記金型の溝状に成形されステム上に突出するように構成する。【選択図】    図４
2005223302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードを搭載するレーザダイオードパッケージ用ステムにおいて，
前記ステム上に形成され，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝と，
前記結合溝に挿着固定され，レーザダイオードを固定するヒートシンクとを備え，
前記ヒートシンクは，前記結合溝に挿入された銅製の棒部材の上端突出部を，所定形状の溝が形成された金型で連続打撃することにより，前記棒部材が前記結合溝内で膨張して緊密に固定されるとともに，前記棒部材の頭部は前記金型の溝状に成形され前記ステム上に突出してなることを特徴とするレーザダイオードパッケージ用ステム。
【請求項２】
前記ヒートシンクの頭部は，半円形の円筒状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードパッケージ用ステム。
【請求項３】
前記結合溝の内測壁の傾斜角（α）は，垂直方向に対して５°〜３０°であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザダイオードパッケージ用ステム。
【請求項４】
半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造方法であって，
前記ステムを構成する金属板材をプレス加工して外形を成形しつつ，端子ピンの挿入孔を形成する段階と，
前記金属板材上に，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝を形成する段階と，
前記金属板材に形成された結合溝に，銅製の棒部材をその上部が金属板材の上部に突出するように挿入する段階と，
前記棒部材が挿入された前記金属板材を平らな下部金型上に戴置して，プレス装置に装着され所定形状の溝が形成された上部金型を下降させて，前記金属板材の上部に突出した前記棒部材を連続的に打撃して加圧することにより，前記棒部材が圧縮されるとともに前記結合溝内で膨張して緊密に固定されるとともに，前記棒部材の頭部は前記上部金型の溝状に成形され，前記金属板材の上部に突出した銅製のヒートシンクを形成する段階と，
を有することを特徴とする半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体レーザダイオードパッケージ用ステムおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，半導体レーザダイオードパッケージは，主に光通信装置やコンパクトディスクプレーヤ（ＣＤＰ）などに用いられるレーザビーム照射用半導体素子の一種であり，現在幅広く用いられる電子部品の一つである。
【０００３】
この中で記録再生装置の一つであるＤＶＤ（digital versatile disc）は，マルチメディア革命を引き起こしたものであって，高画質の映像がデジタル化されて保存され，大容量の情報が収録される。よって，ＤＶＤのような大容量の情報を読み取るためには，高熱を発生する高出力のレーザダイオードを使用する必要がある。このため，このような半導体レーザダイオードを実装する半導体レーザダイオードパッケージ用ステムについても，レーザビームの照射によって発生する熱を素早く放出できる高品質のものが所望されている。
【０００４】
このようなレーザダイオードパッケージ用ステムとしては，例えば図１ａ，図１ｂに示すようなものが提案されている。このレーザダイオードパッケージ用ステムは，図１ａ，図１ｂに示すように，金属ステム１０を備え，この金属ステム１０に形成された結合溝１５に銅製の棒部材１１ａを挿入し，突出した棒部材１１ａの頭部を金型で加圧すると，棒部材１１ａが圧縮されながら結合溝１５内で膨張して緊密に固定される。棒部材１１ａの頭部１１ｂは特定形状に成形されてステム１０の上部に突出してヒートシンク１１を形成する。このようなヒートシンク１１によれば，熱伝導性に優れた銅で構成され，熱を素早く放出する効果が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，このようなパッケージ用ステムを備える半導体レーザダイオードについては，例えば半導体レーザダイオードの製品出荷前に実施する熱衝撃テストで−４０℃〜＋１２５℃の温度差を反復的に与える条件で実験を行った場合，それぞれ銅（Ｃｕ）製のヒートシンク１１と鉄（Ｆｅ）製のステム１０とが有する熱膨張係数の差が原因で，約１６５℃の温度差を乗り越えることができずに，結局ヒートシンク１１がステム１０の結合溝１５から分離されてしまうなどの弊害があった。
【０００６】
したがって，このような問題点を勘案して，結合溝１５の内部に溶接素材５０と銅製の棒部材１１ａを共に挿入し，棒部材１１ａを結合溝１５内部に緊密に固定した後，瞬間高熱を加え，溶接素材５０を溶融して溶接する方法が主に使用されている。
【０００７】
ところが，上述の如く別途の溶接素材５０を用いて棒部材１１ａを溶接した場合は，ステム１０を構成する全部品数と作業工程数の増加を招き，生産性を高めることができないという問題があった。これでは，結局対外競争力のある高品質の製品を提供することは困難である。
【０００８】
そこで，本発明は，上記問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，レーザダイオードから発生する熱を迅速に放出させることができるとともに，全部品数と作業工程数を増加させることなく，ヒートシンクがステムから分離されてしまうなどの弊害を効果的に防止することができる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，レーザダイオードを搭載するレーザダイオードパッケージ用ステムにおいて，前記ステム上に形成され，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝と，前記結合溝に挿着固定され，レーザダイオードを固定するヒートシンクとを備え，前記ヒートシンクは，前記結合溝に挿入された銅製の棒部材の上端突出部を，所定形状の溝が形成された金型で連続打撃することにより，前記棒部材が前記結合溝内で膨張して緊密に固定されるとともに，前記棒部材の頭部は前記金型の溝状に成形され前記ステム上に突出してなることを特徴とするレーザダイオードパッケージ用ステムが提供される。
【００１０】
このような本発明によれば，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝内に銅製のヒートシンクが膨張して緊密に固定されるため，結合溝の内部で膨張した棒部材が結合溝の小径の入口から離脱できないように構成することができる。このようにヒートシンクを結合溝に極めて強固に結合することができるので，例えば熱衝撃テストで激しい温度差を付与した場合にも，緊密に膨張した棒部材が結合溝から分離されることを効果的に防止することができる。このため，別途の溶接素材を用いてヒートシンクを溶接するなどの従来の諸般問題点を完璧に解消することができ，しかも，全部品数と作業工程数を増加させることなく，ステム上部に簡単にヒートシンクを挿着することができるので，半導体レーザダイオードパッケージの対外競争力を最大限高めることができる。
【００１１】
また，上記ヒートシンクは，熱伝導性に優れた銅で構成し，レーザダイオードから発生する高熱を素早くステムに伝達して放熱することができるので，半導体の全体的な放熱効果が上昇し，放熱特性を向上させることができる。これに加えて，半導体の寿命をより一層延ばすことができるなど，機能性が向上した高品質の半導体レーザダイオードパッケージを提供することができる。
【００１２】
また，上記ヒートシンクの頭部は，半円形の円筒状であることが好ましい。これにより，レーザダイオードからヒートシンクに伝達された高熱をヒートシンクの半円形の円周面に沿ってより迅速に放出することができる。また，上記結合溝の内測壁の傾斜角（α）は，垂直方向に対して５°〜３０°であることが好ましい。
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造方法であって，前記ステムを構成する金属板材をプレス加工して外形を成形しつつ，端子ピンの挿入孔を形成する段階と，前記金属板材上に，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝を形成する段階と，前記金属板材に形成された結合溝に，銅製の棒部材をその上部が金属板材の上部に突出するように挿入する段階と，前記棒部材が挿入された前記金属板材を平らな下部金型上に戴置して，プレス装置に装着され所定形状の溝が形成された上部金型を下降させて，前記金属板材の上部に突出した前記棒部材を連続的に打撃して加圧することにより，前記棒部材が圧縮されるとともに前記結合溝内で膨張して緊密に固定されるとともに，前記棒部材の頭部は前記上部金型の溝状に成形され，前記金属板材の上部に突出した銅製のヒートシンクを形成する段階とを有することを特徴とする半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造方法が提供される。このような製造方法によれば，上述したような優れた効果を奏する半導体レーザダイオードパッケージ用ステムを製造することができる。
【００１４】
なお，上記ステムは例えば金属製であり，その上部にはレンズ付きの円筒状のキャップを挿着してもよい。また上記ステムには挿入孔を穿孔してもよく，この挿入孔に端子ピンを絶縁体と共に挿入固定してもよい。
【００１５】
さらに，上記ステム上に形成する挿入溝は，例えば支持管に垂直に挿入されパンチの下部中央に切欠溝が形成されるパンチ工具により形成してもよい。この場合，パンチを用いて金属板材を垂直に打撃すると，支持管に挿入されていたパンチが支持管の下部に突出するとともに，パンチの下部の切欠溝が狭幅の状態から弾力的に拡開される。これにより上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の傾斜を有し，下部が閉鎖された結合溝が形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，ステム上部に突設されるヒートシンクを熱伝導性に優れた素材で構成するとともに，ヒートシンクの頭部を所定形状に形成することにより，レーザダイオードから発生する熱を迅速に放出させることができる。また，ヒートシンクをステムに強固に結合することができるので，熱膨張係数の差が原因でヒートシンクがステムから分離されてしまうなどの弊害を効果的に防止することができる。しかも，全部品数と作業工程数を増加させることなく，ステム上部に簡単にヒートシンクを挿着することができるので，半導体レーザダイオードパッケージの対外競争力を最大限高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
先ず，本発明の実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムを適用可能なレーザダイオードパッケージの構成を図面を参照しながら説明する。図２，図３はレーザダイオードパッケージの構成を示す斜視図である。図４は，同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージの分解断面図である。
【００１９】
図２，図３に示すように，レーザダイオードパッケージ１は，例えば金属板材を丸い円板状に成形したステム１０上にレーザダイオード１２を含む部品を搭載し，このステム１０の上部に円筒状のキャップ２０を結合して構成される。キャップ２０の上部中央にはレーザビーム透過用のレンズ２１が備えられている。
【００２０】
ステム１０には結合溝１５が形成され，この結合溝１５には銅製のヒートシンク１１が挿入固定される。ヒートシンク１１にはレーザビームを照射するレーザダイオード１２が固定される。レーザダイオード１２付近の傾斜溝１６にはレーザダイオード１２からのビームを感知するフォトダイオード１３が固定される。
【００２１】
なお，本実施形態では，フォトダイオード１３とレーザダイオード１２は別体で構成しているが，これらを一体で形成してもよい。フォトダイオード１３とレーザダイオード１２を一体で構成した場合には，フォトダイオード１３および傾斜溝１６などを形成する必要がなくなり，またフォトダイオード１３の種類によって傾斜溝１６の代わりに水平溝を形成することもできる。このように，本発明はフォトダイオード１３の種類と傾斜溝１６の形成構造に限定されるものではない。
【００２２】
ステム１０には，レーザダイオード１２およびフォトダイオード１３との接続および接地のための２つの端子ピン１４が，金属ステム１０に穿孔された挿入孔１７を貫通した状態で絶縁体１４ａによってそれぞれ固定されている。端子ピン１４は絶縁体１４ａによって金属ステム１０と絶縁される。
【００２３】
このような構成の半導体レーザダイオード１２は，外部回路でそれぞれの端子ピン１４を介して，フォトダイオード１３とレーザダイオード１２にベースの電圧が印加されると，レーザダイオード１２からレーザビームが照射される。同時にフォトダイオード１３はそれを感知する。
【００２４】
そして，フォトダイオード１３によって感知された信号は，レーザダイオード１２に印加される電圧を一定に維持させるフィードバック信号およびレーザダイオード１２の特性を検査する信号として使用される。
【００２５】
また，レーザダイオード１２から出射されたレーザビームは，カバー２０のレンズ２１を通して照射され，レーザダイオード１２の作動とともに発生する高熱は，ヒートシンク１１を介して金属ステム１０へ伝導放熱される。
【００２６】
ところで，本発明は，上述したような構成のレーザダイオードパッケージ１に用いられるステム１０に形成する結合溝１５を，例えば図４，図８に示すように上から下へ向かうほど幅が広くなる上狭下広のテーパ状に形成することにより，結合溝１５に挿入されたヒートシンク１１が熱膨張係数の差が原因で分離されてしまうことを防止することができるという特徴を有する。すなわち，ステム１０に形成された結合溝１５は，入口から下部へ行くほど幅が広くなる上狭下広になっていて，結合溝１５の断面形状は上部が狭く下部が広い等辺台形になる。
【００２７】
図８に示すように，結合溝１５の下部は閉鎖されており，結合溝１５の入口内径Ｌ１は閉鎖された底面の内径Ｌ２より小さくなっている。下に行くほど広くなる結合溝１５の内測壁の傾斜角（α）は，垂直方向に対して結合溝１５の内側に５°〜３０°にすることが好ましい。
【００２８】
図４に示すように，結合溝１５には，銅製のヒートシンク１１が挿着されている。このヒートシンク１１は，熱伝導性が良好な銅製の棒部材１１ａをその上部がステム１０の上部に突出すように結合溝１５に挿入し，結合溝１５から突出した棒部材１１ａの上部を所定形状の溝３０ａが形成された金型で連続的に打撃することにより形成される。棒部材１１ａの上部を金型で連続的に打撃すると，延性と展性に優れた銅製の棒部材１１ａが圧縮され結合溝１５の内部で膨張して緊密に固定される。また，棒部材１１ａの頭部１１ｂは，金型３０の溝３０ａ状，例えば半円形の円筒状に成形されステム１０の上部に突出し，突出した頭部１１ｂと棒部材１１ａによって，銅製のヒートシンク１１の役割を果たすようになっている。そして，レーザダイオード１２はヒートシンク１１の頭部１１ｂに固定される。
【００２９】
このような構成の半導体レーザダイオードパッケージ用ステムによれば，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝１５の内部に，銅製のヒートシンク１１が膨張しながら緊密に固定されたもので，結合溝１５の内部で膨張した棒部材１１ａが結合溝１５の小径の入口から離脱するのを防止できるようになっているので，ヒートシンク１１が結合溝１５に非常に強固に固定される。
【００３０】
したがって，例えば熱衝撃テストで−４０〜＋１２５℃の温度差を反復的に与える条件実験を行った場合には，銅（Ｃｕ）製のヒートシンク１１と鉄（Ｆｅ）製のステム１０とが有するそれぞれの熱膨張係数の差が原因で結合溝１５と銅製の棒部材１１ａ間に温度差が発生するとしても，緊密に膨張した棒部材１１ａが小径の入口から分離できないので，極めて強固に結合することができる。さらに，別途の溶接素材を用いてヒートシンク１１を溶接しなくても，ヒートシンク１１の結合溝１５からの分離などの弊害を効果的に防止することができる。
【００３１】
上記のように構成される本実施形態にかかるヒートシンク１１は，例えば熱伝導性に極めて優れた高純度（９９．８％）の銅により構成する。これによれば，レーザダイオード１２から発生した高熱を迅速に金属ステム１０に伝達して放熱できるので，このようなヒートシンク１１を用いることにより，全体的な半導体の放熱効果が上昇して放熱特性を向上させることができ，さらに半導体の寿命をより一層延ばすことができるなど，機能性が向上した高品質の半導体レーザダイオードパッケージを提供することができる。
【００３２】
なお，上記ヒートシンク１１は銅製の他の金属を少量添加した銅合金で構成してもよい。また，半導体の種類によって金属の強度，延性および展性などを適切に調節することができ，本発明のヒートシンク１１は必ずしも銅に限定されるものではない。
【００３３】
また，ヒートシンク１１の頭部１１ｂは，例えば図２に示すように，半円形の円筒にすることが好ましい。この際には，ヒートシンク１１に伝達された高熱が半円形の円周面に沿って迅速に放出されるので，放熱効果を最大限高めることができるという利点がある。
【００３４】
次に，上述した半導体レーザダイオードパッケージ用ステム１０の製造方法を図面を参照しながら説明する。図５ａ〜図５ｄは，ステム１０の加工工程を示す図であり，図５ｅ〜図５ｉはヒートシンクの形成工程を示す図である。図７ａ〜図７ｄは，ステム１０にヒートシンクを挿入する結合溝を形成する工程を示す図である。
【００３５】
先ず，一定厚さの金属板材１０ａをプレスでパンチして図５ａに示すような円板状の外形に成形し，図５ｂに示すように，成形した金属板材１０ａに端子ピン１４の挿入孔１７，フォトダイオード１３の固定用傾斜溝１６をそれぞれ形成する。
【００３６】
金属板材１０ａをパンチして外形を成形する工程と，挿入孔１７および傾斜溝１６などを成形する工程とは，プレスで１回の工程で同時に形成することもでき，連続工程によって段階的に形成することもできる。このように，本発明は金属板材１０ａを加工する工程の数に限定されるものではない。
【００３７】
また，上述したように，フォトダイオード１３はレーザダイオード１２に一体に形成することもできる。この場合には，傾斜溝１６などを形成する必要がなくなる。また，フォトダイオード１３の種類によって傾斜溝１６の代わりに水平溝を形成することもできる。このように，本発明はフォトダイオード１３の種類と傾斜溝１６の形成構造に限定されるものではない。
【００３８】
次いで，図５ｃに示すように，パンチ工具４０で金属板材１０ａをパンチして結合溝１５を形成する。この結合溝１５を形成する工程の具体例は，図７ａ〜図７ｄに示す。
【００３９】
図５ｃに示すようなパンチ工具４０は，パンチ４１の外部に挿入された支持管４２がスプリング４３によって弾性支持され，パンチ４１の下部中央に切欠溝４１ａが形成されて，切欠溝４１ａ両側の弾性片４１ｂがその弾性付勢力によって外側に拡開できるようになっている。
【００４０】
図７ａ〜図７ｄに示すように，パンチ工具４０で金属板材１０ａを垂直に打撃すると，スプリング４３によって支持される支持管４２は金属板材１０ａの上面に接触され，支持管４２に挿入されていたパンチ４１は支持管４２の下部に突出し，これにより金属板材１０ａに結合溝１５が形成される。
【００４１】
この際，突出するパンチ４１の下部切欠溝４１ａが狭い幅の状態から弾力的に拡開され，同時に切欠溝４１ａの両側の弾性片４１ｂが金属板材１０ａに進入しながら次第に拡開されて，これにより上狭下広の傾斜した結合溝１５が形成される。結合溝１５の下部は閉鎖される。すなわち，結合溝１５は金属板材１０ａを貫通せず，結合溝１５の底面は略平らになる。
【００４２】
こうして，図５ｄに示すように，上から下へ向かうほど幅が広くなるテーパ状の結合溝１５が形成される。その後，パンチ４１が上昇するときは，切欠溝４１ａの幅が狭くなり，図７ｄに示すようにパンチ４１が支持管４２の内部へ進入しながら上昇するので，結合溝１５を損傷せずに，パンチ４１が結合溝１５から上昇する。
【００４３】
次いで，図５ｅに示すようにヒートシンク１１を形成するための棒部材１１ａを結合溝１５に挿入する。図６ａ，図６ｂは棒部材１１ａの挿入工程を示す図である。この工程をより具体的に説明すると，図５ｅに示すように金属板材１０ａの結合溝１５に銅製の棒部材１１ａを挿入し，棒部材１１ａの上部が金属板材の上部に突出するようにし，金属板材１０ａを平らな下部金型３１上に載置する。下部金型３１はプレスの定盤に固定され，下部金型３１の上部面は平坦面になっている。
【００４４】
次に，図５ｆに示すように，結合溝１５に挿入した棒部材１１ａの頭部をプレスしてヒートシンク１１を形成する。この工程をより具体的に説明すると，図５ｆに示すように，プレスに装着された上部金型３０を下降させ，金属板材１０ａの上部に突出した棒部材１１ａを５〜６回打撃して棒部材１１ａを圧縮させる。上部金型３０はプレスのスライド部に装着されて昇降し，上部金型３０に特定形状の溝３０ａが形成される。
【００４５】
このように上部金型３０が連続して下降して棒部材１１ａの突出部が金型によって加圧されると，図５ｇに示すように，棒部材１１ａが圧縮されながら結合溝１５の内部に膨張して緊密に密着し，棒部材１１ａが結合溝１５の内部に強固に固定される。
【００４６】
こうして，図５ｈ，図６ｃに示すように，突出した棒部材１０ａの頭部１１ｂは上部金型３０の溝３０ａ状に成形されて，銅製のヒートシンク１１が金属板材１０ａの結合溝１５に強固に結合し，ステム１０の製造が全体的に完了する。
【００４７】
また，図５ｉ，図６ｄに示すように，銅製のヒートシンク１１の頭部１１ｂにはレーザダイオード１２を，傾斜溝１６にはフォトダイオード１３をそれぞれ固定し，ステム１０の挿入孔１７に端子ピン１４をそれぞれ挿入して絶縁体１４ａで固定し，端子ピン１４とフォトダイオード１３およびレーザダイオード１２をワイヤで連結し，ステム１０の上面に円筒状のキャップ２０を固定することで，半導体レーザダイオードパッケージが完成する。
【００４８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は，半導体レーザダイオードパッケージ用ステムおよびその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１ａ】従来の半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの組立工程の一部を示す断面図である。
【図１ｂ】従来の半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの組立工程の一部を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムを適用可能なレーザダイオードパッケージの分解斜視図である。
【図３】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードの外観を示す斜視図である。
【図４】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードの分解断面図である。
【図５ａ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムの加工工程を示す図である。
【図５ｂ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムの加工工程を示す図である。
【図５ｃ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムの加工工程を示す図である。
【図５ｄ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムの加工工程を示す図である。
【図５ｅ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図５ｆ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図５ｇ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図５ｈ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図５ｉ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図６ａ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す斜視図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図６ｂ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す斜視図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図６ｃ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す斜視図であって，ヒートシンクの形成工程を示す図である。
【図６ｄ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す斜視図であって，完成したステムを示す図である。
【図７ａ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムにヒートシンクを挿入する結合溝を形成する工程を示す図である。
【図７ｂ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムにヒートシンクを挿入する結合溝を形成する工程を示す図である。
【図７ｃ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムにヒートシンクを挿入する結合溝を形成する工程を示す図である。
【図７ｄ】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムの製造工程を示す断面図であって，ステムにヒートシンクを挿入する結合溝を形成する工程を示す図である。
【図８】同実施形態にかかる半導体レーザダイオードパッケージ用ステムを形成するための金属板材に結合溝が形成された状態を例示した拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      レーザダイオードパッケージ
１０      ステム
１０ａ    金属板材
１１      ヒートシンク
１１ａ    棒部材
１１ｂ    頭部
１２      レーザダイオード
１３      フォトダイオード
１４      端子ピン
１４ａ    絶縁体
１５      結合溝
１６      傾斜溝
１７      挿入孔
２０      キャップ
２１      レンズ
３０      上部金型
３１      下部金型
４０      パンチ工具
４１      パンチ
４１ａ    切欠溝
４１ｂ    弾性片
４２      支持管
４３      スプリング
５０      溶接素材
【図１ａ】
2005223302.tif 000003
【図１ｂ】
2005223302.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図５ｇ】
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【図５ｈ】
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【図５ｉ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図８】
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