(57)【要約】      （修正有）【課題】リニア特性に優れるとともに、サーミスタが温度を検知する精度を向上させた表面実装型温度検出素子を提供する。【解決手段】表面実装型温度検出素子１ａは、ガラスエポキシ基板２の辺部に形成される第１の端子電極３及び第２の端子電極４と、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が抵抗６ａを介して第２の端子電極４に接続されるサーミスタ７ａを有する。また、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が抵抗６ｃを介して第２の端子電極４に接続されるサーミスタ７ｂとを有する。また、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が第２の端子電極４に接続される抵抗６ｂを有する。ガラスエポキシ基板２は樹脂によってモールドされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配置される第１及び第２のサーミスタと、第１から第３の抵抗を有する表面実装型温度検出素子において、
前記基板の辺部に形成される第１の端子電極及び第２の端子電極と、
一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第１の抵抗を介して前記第２の端子電極に接続される第１のサーミスタと、
一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第２の抵抗を介して前記第２の端子電極に接続される第２のサーミスタと、
一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第２の端子電極に接続される第３の抵抗と、
前記基板を覆ってモールドされる樹脂と、
を有することを特徴とする表面実装型温度検出素子。
【請求項２】
前記基板の辺部に形成される前記第１の端子電極及び前記第２の端子電極とは電気的に絶縁された熱的結合端子を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表面実装型温度検出素子。
【請求項３】
前記基板の裏面上であって、前記第１及び第２のサーミスタが配置される領域に対応した領域に少なくとも形成され、前記熱的結合端子に接続される熱伝導膜を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の表面実装型温度検出素子。
【請求項４】
前記第１の端子電極と前記第１のサーミスタ間の接続部の幅、及び、前記第２の端子電極と前記第２のサーミスタ間の接続部の幅が、前記熱的結合端子と前記熱伝導膜間の接続部の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の表面実装型温度検出素子。
【請求項５】
前記第１のサーミスタと前記第２のサーミスタの向きを同一方向、かつ、前記基板の辺部からの距離を等しくなるように前記基板上に配置したことを特徴とする請求項１から４のいずれかの項に記載の表面実装型温度検出素子。
【請求項６】
前記樹脂に熱伝導性の高いフィラーを含ませてモールドしたことを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の表面実装型温度検出素子。
【請求項７】
基板上にサーミスタと抵抗を配置することにより構成される表面実装型温度検出素子において、
前記基板の辺部に形成される第１の端子電極及び第２の端子電極と、
前記抵抗と前記サーミスタを直列に接続することにより構成される少なくとも２つの直列回路と、
前記少なくとも２つの直列回路を、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極に対してそれぞれ並列に接続することにより構成される並列回路と、
前記基板を覆ってモールドされる樹脂と、
を有することを特徴とする表面実装型温度検出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーミスタと抵抗を複合化した表面実装型温度検出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型化、１チップ化を図るために、チップ状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体の両端面に形成される端子電極と、サーミスタ素体の側面に形成される抵抗体層とを備え、第１の端子電極、抵抗体層、サーミスタ素体、及び他方の端子電極をこれらの順で直列に接続した複合素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、このような構成の複合素子にあっては、サーミスタ特性のリニア化を実現するものではなく、また、別途抵抗が必要になるという問題があった。
また、サーミスタ素体に対して熱が伝わりやすくなるような構成を設けていないため、サーミスタが温度を検知する精度の信頼性に問題があった。
【特許文献１】特開平１０−２９４２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、リニア特性に優れるとともに、サーミスタが温度を検知する精度を向上させた表面実装型温度検出素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、基板に配置される第１及び第２のサーミスタと、第１から第３の抵抗を有する表面実装型温度検出素子において、前記基板の辺部に形成される第１の端子電極及び第２の端子電極と、一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第１の抵抗を介して前記第２の端子電極に接続される第１のサーミスタと、一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第２の抵抗を介して前記第２の端子電極に接続される第２のサーミスタと、一方の端子が前記第１の端子電極に接続されるとともに、他方の端子が前記第２の端子電極に接続される第３の抵抗と、前記基板を覆ってモールドされる樹脂とを有することを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明であって、前記基板の辺部に形成される前記第１の端子電極及び前記第２の端子電極とは電気的に絶縁された熱的結合端子を更に有することを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明であって、前記基板の裏面上であって、前記第１及び第２のサーミスタが配置される領域に対応した領域に少なくとも形成され、前記熱的結合端子に接続される熱伝導膜を更に有することを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかの項に記載の発明であって、前記第１の端子電極と前記第１のサーミスタ間の接続部の幅、及び、前記第２の端子電極と前記第２のサーミスタ間の接続部の幅が、前記熱的結合端子と前記熱伝導膜間の接続部の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかの項に記載の発明であって、前記第１のサーミスタと前記第２のサーミスタの向きを同一方向、かつ、前記基板の辺部からの距離を等しくなるように前記基板上に配置したことを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれかの項に記載の発明であって、前記樹脂に熱伝導性の高いフィラーを含ませてモールドしたことを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、基板上にサーミスタと抵抗を配置することにより構成される表面実装型温度検出素子において、前記基板の辺部に形成される第１の端子電極及び第２の端子電極と、前記抵抗と前記サーミスタを直列に接続することにより構成される少なくとも２つの直列回路と、前記少なくとも２つの直列回路を、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極に対してそれぞれ並列に接続することにより構成される並列回路と、前記基板を覆ってモールドされる樹脂とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、広い温度範囲でリニアな抵抗特性を有する表面実装型温度検出素子を提供することができる。また、基板上を樹脂でモールドしてあるため、取り扱いが容易な表面実装型温度検出素子を提供することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、第１の端子電極、第２の端子電極とは電気的に絶縁された熱的結合端子を更に形成したので、表面実装型温度検出素子に熱を効率的に伝えることができる。また、熱的結合端子を固定用端子として使用することにより、表面実装型温度検出素子をより確実に固定することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、少なくとも第１及び第２のサーミスタが配置される領域であって、基板の裏面上の対応する領域に、熱的結合端子に接続される熱伝導膜を更に設けたので、第１及び第２のサーミスタにより効率的に熱を伝えることができ、温度の検出精度を向上させることができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、第１の端子電極と第１のサーミスタ間の接続部の幅、及び、第２の端子電極と第２のサーミスタ間の接続部の幅が、熱的結合端子と熱伝導膜間の接続部の幅よりも狭く形成されているので、第１、第２のサーミスタの一方あるいは両方から熱伝導により外部に流出する熱を少なくすることができ、表面実装型温度検出素子の温度の検出精度を向上させることができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、第１のサーミスタと第２のサーミスタの向きを同一方向、かつ、基板の辺部からの距離を等しくなるように基板上に配置したので、基板の辺部から伝わる熱を第１及び第２のサーミスタに等しく伝えることができ、素子内の温度分布に起因するリニア特性のずれを抑制でき、よりリニア特性に優れる表面実装型温度検出素子を提供することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、樹脂に熱伝導性の高いフィラーを含ませてモールドしたため、表面実装型温度検出素子の周囲の熱を効率的に第１及び第２のサーミスタに伝えることができ、温度の検出精度を向上させることができる。
【００１８】
請求項７に記載の発明によれば、サーミスタと抵抗を直列接続した回路を少なくとも２つ以上、第１の端子電極と第２の端子電極に対して、それぞれ並列に接続するようにしたので、より広い温度範囲で抵抗特性のリニア化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態による表面実装型温度検出素子１ａの回路構成を示す平面図である。
ガラスエポキシ基板２には、第１の端子電極３、第２の端子電極４が形成されている。また、ガラスエポキシ基板２上には、抵抗６（６ａ、６ｂ、６ｃ）、サーミスタ７（７ａ、７ｂ）、が配置されている。
なお、本実施形態では基板としてガラスエポキシ基板２を用いているが、これに限定されるものではなく、セラミック基板などその他の基板を用いることもできる。
サーミスタ７ａの一方の端子は、導体パターン８ａを介して第１の端子電極３に接続される。サーミスタ７ａの他方の端子は、導体パターン８ｂを介して抵抗６ａの一方の端子と接続される。また、抵抗６ａの他方の端子は、導体パターン８ｃを介して第２の端子電極４に接続される。
【００２０】
抵抗６ｂの一方の端子は、導体パターン８ａを介して第１の端子電極３に接続される。また、抵抗６ｂの他方の端子は、導体パターン８ｃを介して第２の端子電極４に接続される。
抵抗６ｃの一方の端子は、導体パターン８ａを介して第１の端子電極３に接続される。また、抵抗６ｃの他方の端子は、導体パターン８ｄを介してサーミスタ７ｂの一方の端子と接続される。また、サーミスタ７ｂの他方の端子は、導体パターン８ｃを介して第２の端子電極４に接続される。
【００２１】
なお、図１（Ａ）に示すように、サーミスタ７ａとサーミスタ７ｂの向きをガラスエポキシ基板２上に同一方向に配置することが好ましい。図１（Ａ）ではサーミスタ７ａ及び７ｂはともに縦長の方向に配置されている。
また、サーミスタ７ａ及び７ｂとガラスエポキシ基板２の辺部からの距離をそれぞれ等しくなるように配置することが好ましい。図１（Ａ）では、第１の端子電極３とサーミスタ７ａとの距離、第２の端子電極４とサーミスタ７ｂとの距離がそれぞれ等しくなるようにガラスエポキシ基板２上に配置されている。
このように表面実装型温度検出素子１ａを構成することにより、ガラスエポキシ基板２の辺部からサーミスタ７ａ及び７ｂにそれぞれ熱伝導により伝わる熱を等しくすることが可能になり、素子内の温度分布に起因するリニア特性のずれを抑制し、温度検出の精度を向上させることができる。
【００２２】
本実施形態では、抵抗６ａとして９．３１ｋΩ、抵抗６ｂとして１３．３ｋΩ、抵抗６ｃとして５３．６ｋΩの抵抗を用いた。また、サーミスタ７ａとして１０ｋΩ、サーミスタ７ｂとして１００ｋΩの特性を有するＮＴＣ（Negative Tempareture Coefficient）サーミスタを用いた。
ガラスエポキシ基板２上に回路を構成する方法としては、抵抗６及びサーミスタ７の各素子をガラスエポキシ基板２上に実装する方法を用いても良いし、抵抗６及びサーミスタ７をガラスエポキシ基板２上に印刷形成する方法を用いても良い。
【００２３】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａのガラスエポキシ基板２上の回路の等価回路図である。
すなわち、図１（Ａ）に示す電気回路は、抵抗６ａとサーミスタ７ａが直列に接続された回路と、抵抗６ｃとサーミスタ７ｂが直列に接続された回路と、抵抗６ｂとが、それぞれ第１の端子電極３と第２の端子電極４に対して並列に接続された電気回路と等価である。
【００２４】
図２（Ａ）は、本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａの外観を示す斜視図である。
図１（Ａ）で示した回路をガラスエポキシ基板２上に構成した後、ガラスエポキシ基板２上を樹脂９でモールドして封止する。その後、図１（Ａ）の範囲Ａ１をダイシングソーにより切断してワンチップ化することにより、表面実装型温度検出素子１ａが得られる。
ガラスエポキシ基板２上を樹脂９でモールドして封止することにより、抵抗６やサーミスタ７により構成された回路を保護することができるとともに、取り扱いの利便性が向上する。
【００２５】
表面実装型温度検出素子１ａの前面には、端子１３ａ及び１３ｂが現れている。本実施形態において、端子１３ａと１３ｂは表面実装型温度検出素子１ａの内部で電気的に接続されており、第１の端子電極３として機能する。
また、表面実装型温度検出素子１ａの背面には、端子１３ｃ及び１３ｄが現れている。本実施形態において、端子１３ｃと１３ｄは表面実装型温度検出素子１ａの内部で電気的に接続されており、第２の端子電極４として機能する。
表面実装型温度検出素子１ａのサイズは、例えば、Ｌ＝４．５±０．２（ｍｍ）、Ｗ＝３．２±０．２（ｍｍ）、Ｔ＝２．０（ｍｍ）のように構成することができる。
【００２６】
ガラスエポキシ基板２をモールドする樹脂９として、樹脂９の中に熱伝導率の高いフィラーを含ませたものを使用することができる。このように樹脂９を構成することにより、熱伝導性に優れたフィラーを介してサーミスタ７ａ及び７ｂに熱が伝わり易くなり、サーミスタ７ａ及び７ｂの温度を検知する感度を向上させることができる。
また、他の封止方法として、熱を検知するサーミスタ７ａ及び７ｂの周辺部を熱伝導率の高い材料を用いて封止した後で、ガラスエポキシ基板２の全体を、外部から保護するための衝撃に強い材料によりモールドするようにしても構わない。このようにガラスエポキシ基板２上をモールドすることにより、サーミスタ７ａ及び７ｂに対しては熱が伝わりやすくなるとともに、外部からの衝撃に強い表面実装型温度検出素子１を得ることができる。
【００２７】
図２（Ｂ）は、本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａを下方から見た場合の裏面図である。ガラスエポキシ基板２の両端には、第１の端子電極３と第２の端子電極４の端子がそれぞれ形成されている。端子１３ａ及び端子１３ｂは第１の端子電極３として機能する。また、端子１３ｃ及び１３ｄは第２の端子電極４として機能する。
【００２８】
図３は、本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａを用いた場合の効果を示すグラフである。表面実装型温度検出素子１ａが検知する温度Ｔに従って、表面実装型温度検出素子１ａが示す抵抗値Ｒは変化する。図３のグラフは、横軸に温度Ｔ（度）の値を取り、縦軸に表面実装型温度検出素子１ａが示す抵抗値Ｒ（ｋΩ）を取って、温度Ｔと抵抗Ｒの両者の関係をプロットしたものである。
温度Ｔが上昇するに伴って抵抗値Ｒが直線的に減少しており、非常にリニアな温度特性を示している。本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａは、温度が２５度の場合において、１０ｋΩの抵抗値を示しており、温度係数は−５０（Ω／度）である。
また、抵抗温度特性は以下の（１）で与えられる。
【００２９】
Ｒ（Ｔ）＝−０．０５×（Ｔ−２５）＋１０  ・・・（１）
【００３０】
本実施形態によれば、広い温度範囲でリニア特性に優れるとともに、（１）式で示した温度特性に対して誤差が±２度の温度精度を実現することが可能な表面実装型温度検出素子１ａを得ることができる。また、表面実装型の温度検出素子なので、表面実装型温度検出素子１ａを装着する電子機器等の小型化を図ることができるとともに、取り扱いの利便性を向上させることができる。
【００３１】
図４は、本発明の第２の実施形態による表面実装型温度検出素子検出素子１ｂの構造を示す平面図である。第１の実施形態と同様の構成を取る部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
第１の実施形態による表面実装型温度検出素子１ａでは、第１の端子電極３、第２の端子電極４の２端子により構成されていた。しかし、第２の実施形態による表面実装型温度検出素子１ｂでは、端子として熱的結合端子１０が更に設けられている点で相違する。熱的結合端子１０は、第１の端子電極３、第２の端子電極４、抵抗６、サーミスタ７とは電気的に絶縁されている。熱的結合端子１０は、表面実装型温度検出素子１ｂが温度を測定しようとしている電子機器等の熱を、表面実装型温度検出素子１ｂに効率良く伝えるために使用される。
図４（Ａ）で示したガラスエポキシ基板２上に、樹脂９をモールドして封止することにより、表面実装型温度検出素子１ｂを得ることができる。
【００３２】
本実施形態による表面実装型温度検出素子１ｂの外観は図２（Ａ）と同じである。しかし、端子１３ａが電気的に絶縁されるとともに、熱を表面実装型温度検出素子１ｂ内に伝える役割を果たす熱的結合端子１０として機能する。また、端子１３ｂは、第１の端子電極３として機能する。また、端子１３ｃ及び１３ｄは、第２の端子電極４として機能する。
【００３３】
図４（Ｂ）は、本実施形態によるの表面実装型温度検出素子１ｂの裏面図である。
ガラスエポキシ基板２におけるサーミスタ７（７ａ、７ｂ）が配置される領域に対応する領域であって、ガラスエポキシ基板２の裏面上の領域には、熱伝導膜１４が形成されている。熱伝導膜１４は、熱的結合端子１０に接続されている。表面実装型温度検出素子１ｂのガラスエポキシ基板２の裏面上の一部領域上には、ガラスエポキシ基板２と熱伝導膜１４を覆ってレジスト膜１１が形成されている。
【００３４】
このような構成にすれば、熱伝導膜１４の面積が大きく形成されているとともに、サーミスタ７（７ａ、７ｂ）に、ガラスエポキシ基板２を介して、熱伝導膜１４が近接して配置されるため、熱的結合端子１０から流入する熱をサーミスタ７（７ａ、７ｂ）に効率良く伝えることができる。よって、サーミスタ７（７ａ、７ｂ）の熱に対する感度を向上させることができる。
また、熱的結合端子１０を表面実装型温度検出素子１ｂを固定するために用いることで、より確実に表面実装型温度検出素子１ｂを電子機器等の基板に固定することが可能となる。
また、ガラスエポキシ基板２の裏面上に形成される熱伝導膜１４を覆って、レジスト膜１１を形成することにより、表面実装型温度検出素子１ｂを実装する際にはんだに起因するショートモードなどの問題が生じるのを防ぐことができる。
なお、上記説明では、熱的結合端子１０を第１の端子電極３側に形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ガラスエポキシ基板２の第２の端子電極４側の辺部やその他の辺部に形成するようにしても良い。
【００３５】
図５は、本発明の第３の実施形態による表面実装型温度検出素子１ｃの構造を示す平面図である。第１及び第２の実施形態と同様の構成を取る部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
第２の実施形態による表面実装型温度検出素子１ｂとは、導体パターン８ａ及び８ｃ（図１（Ａ）参照）の形状が相違している。すなわち、導体パターン８ｅ及び８ｆ（図５）の導体の幅の一部が、熱的結合端子１０と熱伝導膜１４とを接続する導体の幅よりも狭く形成されている。導体パターン８ｅ及び８ｆの導体の幅の一部が狭くなっているため、この部分で熱が伝わりにくくなっており、サーミスタ７ａ及び７ｂから導体パターン８ｅ及び８ｆを介して逃げる熱を減少させることができる。よって、サーミスタ７ａ及び７ｂがより多くの熱を蓄えることが可能になり、サーミスタ７ａ及び７ｂの熱に対する感度を向上させることができる。
【００３６】
なお、第１から第３の実施形態による表面実装型温度検出素子１（１ａ、１ｂ、１ｃ）をそれぞれ別々に説明したが、各実施形態で説明した内容をそれぞれ組み合わせて表面実装型温度検出素子１を形成することもできる。
【００３７】
なお、第１から第３の実施形態では、図１（Ｂ）の等価回路で示されるように、ガラスエポキシ基板２上に、抵抗６ａ、６ｂ、６ｃとサーミスタ７ａ、７ｂの各素子を用いて電気回路を構成する場合について説明した。しかし、ガラスエポキシ基板２上に構成する回路はこれに限定されるものではない。
例えば、図６に示す等価回路で構成される電気回路を、ガラスエポキシ基板２上に構成することもできる。すなわち、抵抗６ｄとサーミスタ７ｃを直列に接続した回路と、抵抗６ｅとサーミスタ７ｄを直列に接続した回路と、サーミスタ７ｅと、抵抗６ｆとをそれぞれ第１の端子電極３と第２の端子電極４に対して並列に接続するように電気回路を構成することもできる。このような構成にすることにより、より広い温度範囲でリニアな抵抗特性を有する表面実装型温度検出素子を得ることができる。
【００３８】
なお、上記説明では、抵抗とサーミスタが直列に接続された回路が２つ含まれるとともに、この２つの直列回路を第１の端子電極３と第２の端子電極４に対して、それぞれ並列に接続する場合について説明したが、これに限定されるものではない。つまり、抵抗とサーミスタが直列に接続された回路を、第１の端子電極３と第２の端子電極４に対して並列に接続する数を３つ以上に増やしてもかまわない。このような構成にすることにより、更により広い温度範囲でリニアな抵抗特性を有する表面実装型温度検出素子１を得ることができる。
【００３９】
なお、上記説明ではガラスエポキシ基板２上に抵抗６やサーミスタ７の各素子を独立に配置して電気回路を構成する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、抵抗６とサーミスタ７が複合化されてワンチップ化された複合素子を用いて電気回路を構成することもできる。このようにすれば、ガラスエポキシ基板２上に配置する素子数を少なくすることができ、表面実装型温度検出素子１をより小型化することができる。
【００４０】
以上、実施形態に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
各種センサの温度補償や、各種電子機器の温度検知、温度補償用として利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態による表面実装型温度検出素子１ａの回路構成を説明するための図である。
【図２】本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａの形状を説明するための図である。
【図３】本実施形態による表面実装型温度検出素子１ａの効果を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施形態による表面実装型温度検出素子１ｂを説明するための図である。
【図５】本発明の第３の実施形態による表面実装型温度検出素子１ｃを説明するための平面図である。
【図６】本発明の実施形態による表面実装型温度検出素子１のガラスエポキシ基板２上に形成する他の電気回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ａ、１ｂ、１ｃ・・・表面実装型温度検出素子
２・・・ガラスエポキシ基板
３・・・第１の端子電極
４・・・第２の端子電極
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆ・・・抵抗
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ・・・サーミスタ
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ・・・導体パターン
９・・・樹脂
１０・・・熱的結合端子
１１・・・レジスト膜
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ・・・端子
１４・・・熱伝導膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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