(57)【要約】【課題】  半導体基板に形成した深いトレンチを清浄化する。【解決手段】  トレンチエッチング後のＳｉウエハ１をそのトレンチ１ａ形成面が重力方向を向くようにしてチャンバ１１内にセットし、そこにＨＦ溶液を流通させて薬液洗浄を行う。それにより、トレンチ１ａ内に浸入してエッチング生成物を溶解した後のＨＦ溶液は、チャンバ１１内のＨＦ溶液の流れと重力の作用によってトレンチ１ａ外に排出され、また、たとえトレンチ１ａ内に溶解しきれなかったエッチング生成物があっても、それもＨＦ溶液と共にトレンチ１ａ外に排出されるため、トレンチ１ａを効果的に清浄化することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板にトレンチを形成した後に、前記トレンチの形成面を重力方向に向けた状態で、薬液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う薬液洗浄工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記薬液洗浄工程の後に、前記トレンチの形成面を重力方向に向けた状態で、純水を用いて前記半導体基板の洗浄を行う純水洗浄工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記薬液洗浄工程と前記純水洗浄工程とを、前記半導体基板を大気から遮断した状態で、連続して行うことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記純水洗浄工程の後に、前記トレンチの形成面を重力方向に向けた状態で、前記半導体基板の乾燥を行う基板乾燥工程を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記薬液洗浄工程と前記純水洗浄工程と前記基板乾燥工程とを、前記半導体基板を大気から遮断した状態で、連続して行うことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にトレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等のデバイスにはトレンチを形成したシリコン（Ｓｉ）ウエハ等が広く利用されている。近年では、デバイスの高耐圧化等の要求から、より高アスペクト比のトレンチの高精度な形成も必要になってきている。
【０００３】
トレンチは、通常、半導体基板を反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching，ＲＩＥ）等のドライエッチングでエッチングして形成される。このようなドライエッチングで半導体基板にトレンチ形成を行う場合、形成されるトレンチの内壁には、エッチングによる生成物（エッチング生成物）やその他の不純物が付着して残る。そのため、従来は、トレンチエッチング後にその半導体基板をフッ化水素（ＨＦ）溶液等の薬液に浸漬するなどして、トレンチに浸入した薬液によってそのようなエッチング生成物を溶解して除去する方法が一般的に用いられている。このような薬液洗浄後の半導体基板は、その後、純水で洗浄され、スピンドライヤ等で乾燥される。
【０００４】
図７は半導体基板の従来の洗浄方法の説明図である。
この図７に示すように、薬液洗浄の際、トレンチエッチング後の半導体基板１００は、その面を略垂直に立てた状態で洗浄槽１０１内のキャリア１０２に収納される。薬液は、洗浄槽１０１の下部に設けられた供給ノズル１０３から槽内に導入され、整流板１０４を通って半導体基板１００側に供給され、余剰分が洗浄槽１０１の上部から槽外に排出される。このように、薬液を洗浄槽１０１の下部から上部へと継続的に流し、その間に半導体基板を洗浄する。
【０００５】
純水洗浄のときもこれと同様にして、薬液洗浄後の半導体基板を純水洗浄槽に移した後に、純水洗浄槽内にその下部から上部に向かって継続的に純水を流し、それによって半導体基板を洗浄する。
【０００６】
半導体基板を薬液や純水などの洗浄液によって洗浄する方法については、特に半導体基板に形成されているトレンチを効果的に洗浄することを目的として、これまでにいくつかの提案がなされている。
【０００７】
例えば、図７に示したのと同様にしてトレンチエッチング後の半導体基板をその面を略垂直にして配置し、洗浄槽下部から上部に向かって洗浄液を流す際、その洗浄液を減圧沸騰させ、これを用いて洗浄槽内の半導体基板を洗浄する方法が提案されている（特許文献１参照）。さらに、トレンチエッチング後の半導体基板を減圧した洗浄槽内に配置し、ここにあらかじめ脱気しておいた洗浄液を供給し、これを用いて洗浄槽内の半導体基板を洗浄する方法も提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
このほか、半導体基板を配置した洗浄槽内に洗浄液を横方向に流す水平流通式の洗浄装置について、その洗浄槽内の全液深で均一な流速を得るために、半導体基板の上流側に通水抵抗の異なる２つの整流板を用いたものが提案されている（特許文献３参照）。そして、これを用いて洗浄を行う際には、洗浄槽内に半導体基板をその面を略水平にして配置するとともに、これを洗浄液の上流側に向かって移動させながら洗浄を行う。
【特許文献１】特開２００１−２６９６３４号公報（段落番号〔００１４〕〜〔００１８〕、図２）
【特許文献２】特開平１１−９７４０１号公報（段落番号〔００１６〕、図１）
【特許文献３】特開平１１−７６９５６号公報（段落番号〔００２９〕、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、近年の要求に伴って半導体基板に形成されるトレンチが深くなり、そのアスペクト比が高くなると、従来のような方法では洗浄液をトレンチに浸入させにくく、また、その内壁から除去されたエッチング生成物等をトレンチの外へ排出できず十分な清浄化を図れない場合があった。
【００１０】
図８はトレンチエッチング後の半導体基板の断面模式図である。
この図８は、Ｓｉウエハ等の半導体基板２００に対し、例えば深さ５μｍで幅１μｍといった比較的高いアスペクト比のトレンチを形成した後に、ＨＦ溶液等を用いて薬液洗浄を行い、さらに別槽で純水洗浄して、スピンドライヤ等で乾燥させたときのトレンチ２００ａの長手方向の断面を模式的に示したものである。
【００１１】
トレンチ２００ａが高アスペクト比で形成されるようになると、例えばこの図８に示したように、ＨＦ溶液等で完全に溶解されずトレンチ内壁から剥離して洗浄しきれなかった粒状の残渣２００ｂが、トレンチ、特にその終端部分に残ってしまうといった状況が発生する場合がある。
【００１２】
このような残渣が発生する原因のひとつとして、洗浄の際、Ｓｉウエハはその面が洗浄液流通方向と略平行になるよう、通常は洗浄槽内に略垂直あるいは略水平に配置されるが、Ｓｉウエハにトレンチが形成されている場合に、洗浄中のそのトレンチ形成面の向きまでは考慮されていなかったということが挙げられる。
【００１３】
すなわち、そのトレンチ形成面が重力方向に対して横向きあるいは逆向きになるようなＳｉウエハの配置になっていると、トレンチ内の洗浄液の入れ替わり（循環）が良くなく、完全に溶解されなかった遊離のエッチング生成物がトレンチ内に発生した場合には、それがトレンチ外へ排出されずにそのまま中に留まり、粒状の残渣として残ってしまうようになる。
【００１４】
粒状の残渣は、洗浄後のＳｉウエハをスピンドライヤで乾燥すると、そのときに加わる遠心力によってトレンチ終端部分に集まってしまうことがある。トレンチ終端部分に残渣が集中すると、特にトレンチゲート構造を用いたパワーデバイス等では、その耐圧が極端に低下してしまい、不良率が高くなるといった問題を引き起こす。
【００１５】
また、トレンチの清浄化を妨げる別の要因として、製造過程でトレンチ内に形成されてしまう酸化物の影響が挙げられる。
例えば、ＳｉウエハをＨＦ溶液の入った洗浄槽（ＨＦ槽）から取り出して純水の入った別の洗浄槽（水洗槽）に移す間や、水洗槽から取り出してスピンドライヤ等に移す間は、Ｓｉウエハが完全に乾燥されていない、いわゆる生乾きの状態になっている。このようにＳｉとこれに付着している水分、そして大気中の酸素の３者が揃った生乾きの状態では、Ｓｉウエハ表面が酸化されやすく、特にトレンチには水分が溜まりやすいため酸化物が生成されやすい。
【００１６】
このようにして生成された酸化物は、純粋なＳｉＯ2ではなく、大気中の不純物を含んだＳｉＯxである場合が多い。そのため、一旦生成されてしまうとその除去が困難であり、それによってデバイスの耐圧低下等の問題が引き起こされることもある。
【００１７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体基板に深いトレンチがあってもこれを十分に清浄化することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明では上記問題を解決するために、トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法において、前記半導体基板にトレンチを形成した後に、前記トレンチ形成面を重力方向に向けた状態で、薬液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う薬液洗浄工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１９】
このような半導体装置の製造方法によれば、薬液洗浄を行う半導体基板のトレンチ形成面が重力方向に向いているので、薬液の流れと重力の作用により、トレンチ内に浸入した薬液は、トレンチ形成面が重力方向に対して横向きや逆向きになっている場合に比べてトレンチの外に流れ出やすくなる。そのため、トレンチ内に浸入してエッチング生成物を溶解した後の薬液は、トレンチ内の薬液が入れ替わる際にトレンチ外に排出される。さらに、たとえトレンチ内に溶解しきれなかった遊離のエッチング生成物が存在していても、同じく薬液の流れと重力の作用により、そのエッチング生成物は、トレンチ内の薬液が入れ替わる際に薬液と共にトレンチ外に排出される。
【００２０】
また、薬液洗浄工程後に純水を用いて半導体基板を洗浄する純水洗浄工程や、純水洗浄工程後に行われる基板乾燥工程においても、このようにトレンチ形成面を重力方向に向けた状態で洗浄あるいは乾燥するようにすることで、トレンチ内に入った液体や気体あるいはトレンチ内に残る残渣がその外に排出されやすくなり、トレンチの清浄化が図られるようになる。
【００２１】
さらに、薬液洗浄工程と純水洗浄工程、純水洗浄工程と基板乾燥工程、あるいは薬液洗浄工程、純水洗浄工程および基板乾燥工程を、半導体基板を大気から遮断して連続して行うようにすれば、連続する工程間で半導体基板に酸化物を生成させることなくその清浄化が図られるようになる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ形成後の薬液洗浄工程あるいはその後の純水洗浄工程や基板乾燥工程の際に、トレンチ形成面を重力方向に向けた状態で半導体基板を配置して、それぞれの工程の処理を行うようにしたので、トレンチを十分に清浄化することができる。それにより、半導体装置の高品質化を図ることができ、特にトレンチゲート構造を有する半導体装置にあっては、その耐圧低下を抑え、高品質・高信頼性の半導体装置を高歩留まりで製造することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１および図２は第１の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図１は洗浄装置の要部側面図、図２は洗浄装置の要部平面図である。
【００２４】
この図１および図２に示す洗浄装置１０は、密閉された中にＳｉウエハ１をセットできるチャンバ１１を有しており、Ｓｉウエハ１は、ウエハガイド１２に固定されてチャンバ１１内に配置されるようになっている。チャンバ１１には、回転軸１３が設けられており、この回転軸１３を回転させることによってチャンバ１１が回転し、チャンバ１１内にセットされたＳｉウエハ１の面の向きが重力方向に対して可動になっている。そして、この回転軸１３には、その一方の側にはチャンバ１１内にＨＦ溶液や純水などの液体または窒素（Ｎ2）などの気体を供給する供給口１４が、また他方の側にはチャンバ１１内に供給された液体または気体をポンプ等を用いて排出する排出口１５が、それぞれ設けられている。チャンバ１１内には、供給口１４とＳｉウエハ１の間に整流板１６が設けられていて、供給口１４から供給される液体または気体のチャンバ１１内での流速分布の偏りが発生するのを抑制している。また、チャンバ１１は、支持台１７に取り付けられている。
【００２５】
ウエハ１の洗浄に当たり、チャンバ１１は、図１に示したように、Ｓｉウエハ１表面に形成されているトレンチ１ａが重力方向（図１中、下方向）に向いた状態となるよう、回転軸１３を中心にしてあらかじめ回転され、洗浄時にはＳｉウエハ１のトレンチ１ａの形成面が重力方向に向いた所で固定される。
【００２６】
このような構成を有する洗浄装置１０を用いてＳｉウエハ１の薬液洗浄を行う際には、まず、Ｓｉウエハ１にドライエッチングによってトレンチ１ａを形成した後、そのＳｉウエハ１を洗浄装置１０のチャンバ１１内にセットする。そして、真空ポンプで排出口１５からガス引きを行い、チャンバ１１内を減圧する。その上で、供給口１４から薬液として例えば０．５％ＨＦ溶液を供給しＳｉウエハ１をＨＦ溶液に浸漬し、引き続きＨＦ溶液を供給しながら余剰分を排出口１５から排出して、ＨＦ溶液をチャンバ１１内に一定量満たした状態で流通させる。薬液洗浄後は、ＨＦ溶液の供給を停止し、通常はチャンバ１１内の処理後のＨＦ溶液をほぼ全量排出する。
【００２７】
Ｓｉウエハ１は、ＨＦ溶液に浸漬されてＨＦ溶液がトレンチ１ａ内に浸入することで、そのトレンチ１ａからエッチング生成物が溶解あるいは剥離されて除去される。ＨＦ溶液中に溶解したエッチング生成物は、チャンバ１１内のＨＦ溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ１ａ内のＨＦ溶液が入れ替わる際にトレンチ１ａ外に排出されていく。また、トレンチ１ａ内にＨＦ溶液で完全には溶解されなかった遊離のエッチング生成物があったとしても、そのエッチング生成物は、同じくチャンバ１１内のＨＦ溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ１ａ内のＨＦ溶液が入れ替わる際にＨＦ溶液と共にトレンチ１ａ外に排出される。
【００２８】
このように、チャンバ１１内にＳｉウエハ１をセットしてＨＦ溶液を流通させ、その際トレンチ１ａ形成面が重力方向に向くようにしてＳｉウエハ１を配置することにより、ＨＦ溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ１ａ内のエッチング生成物をトレンチ１ａ外に効果的に排出することができ、トレンチ１ａを清浄化することができるようになる。
【００２９】
薬液洗浄後は、純水を用いたＳｉウエハ１の洗浄が行われる。
純水洗浄は、上記の薬液洗浄の際に用いたＨＦ溶液を純水に代えて行うことを除き、薬液洗浄の場合と同様の手順で行われる。すなわち、Ｓｉウエハ１をそのトレンチ１ａ形成面を重力方向に向けてチャンバ１１内に配置し、供給口１４から純水を供給しながら排出口１５から処理後の液を排出していく。純水洗浄後は、純水の供給を停止し、チャンバ１１内の処理後の液をほぼ全量排出する。
【００３０】
この純水洗浄においても、Ｓｉウエハ１のトレンチ１ａ形成面が重力方向を向いていることで、チャンバ１１内の純水の流れと重力の作用によって、薬液洗浄後のＳｉウエハ１表面に残るＨＦ溶液、特にトレンチ１ａ内に残るＨＦ溶液が純水で置換され、トレンチ１ａが効果的に洗浄される。また、このときなおトレンチ１ａ内に残っている残渣が洗浄される場合もある。
【００３１】
なお、上記の薬液洗浄からこの純水洗浄に移行する際には、薬液洗浄後、その処理後のＨＦ溶液をチャンバ１１に大気を流入させないようにして排出した後、そのままＳｉウエハ１を大気にさらすことなくチャンバ１１に純水を供給するようにすることが望ましい。例えば、ＨＦ溶液の供給停止後に、チャンバ１１にＮ2やアルゴン（Ａｒ）などのＳｉウエハ１を酸化させないようなガスを供給しながら処理後のＨＦ溶液を抜き出すようにする。あるいは、薬液洗浄後の液を排出せずにそのまま純水を供給し、チャンバ１１内のＨＦ濃度を徐々に薄めていくようにすることもできる。
【００３２】
このように薬液洗浄から純水洗浄に移行する際にＳｉウエハ１を大気から遮断することにより、トレンチ１ａに大気中の不純物を含んだＳｉＯx等の酸化物が生成されるのを防止することができ、いっそうの清浄化が図れる。
【００３３】
純水洗浄後は、Ｎ2を用いたＳｉウエハ１の乾燥が行われる。
乾燥にはドライＮ2を用い、Ｓｉウエハ１をそのトレンチ１ａ形成面を重力方向に向けた状態で、チャンバ１１内に供給口１４からドライＮ2を供給し、排出口１５から排出する。このようにチャンバ１１内にドライＮ2を流通させることによって中のＳｉウエハ１を乾燥させる。
【００３４】
このような基板乾燥の際、ドライＮ2の温度は常温でも効果があるが、高温にすれば乾燥時間を短縮することができる。さらに、ドライＮ2をチャンバ１１内に供給する際、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の揮発性溶液の蒸気を同時に供給するようにすれば、いっそう乾燥時間を短縮することができるようになる。また、このようなドライＮ2やＩＰＡ等を用いた乾燥時に、チャンバ１１を回転させてＳｉウエハ１に残っている液滴を振り切るようにしてもよい。
【００３５】
なお、上記の純水洗浄からこの基板乾燥に移行する際には、前述の薬液洗浄から純水洗浄に移行する場合におけるのと同様に、純水洗浄後、その処理後の液をチャンバ１１に大気を流入させないようにして排出した後、そのままＳｉウエハ１を大気にさらすことなくチャンバ１１内にドライＮ2等を供給するようにすることが望ましい。それにより、純水洗浄から基板乾燥に移行する際に、トレンチ１ａにＳｉＯx等が生成されるのを防止することができる。
【００３６】
Ｓｉウエハ１のトレンチ１ａ形成面を重力方向に向けて行う上記の薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥をすべて、Ｓｉウエハ１を大気から遮断した状態で連続して行い、それによって得られたＳｉウエハ１を用いてパワーデバイスを形成したところ、耐圧不良率を約５％低下させることができた。
【００３７】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図３および図４は第２の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図３はＳｉウエハのトレンチ形成面を重力方向に対して垂直向きに配置したときの図、図４はＳｉウエハのトレンチ形成面を重力方向に向けて配置したときの図である。ただし、図３および図４では、図１および図２に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【００３８】
この第２の実施の形態では、洗浄装置１０のチャンバ１１にＳｉウエハ１をセットした後、薬液洗浄前に、まず図３に示すようにＳｉウエハ１をそのトレンチ１ａ形成面が重力方向に対して垂直向きになるようにチャンバ１１を回転させる。そして、この状態でチャンバ１１内に純水を供給し、中を純水で満たす。その際、トレンチ１ａ形成面が重力方向に対して垂直向きになっているので、純水供給時にトレンチ１ａ内にも純水が行き渡り、トレンチ１ａ内に気泡等をほとんど発生させることなく、トレンチ１ａ内を液体で満たすことができる。
【００３９】
このようにチャンバ１１内を純水で満たした後は、第１の実施の形態と同様、図４に示すようにＳｉウエハ１をそのトレンチ１ａ形成面が重力方向を向くようにチャンバ１１を回転させる。そして、チャンバ１１内の純水を抜き出さずにそのまま供給口１４から０．５％ＨＦ溶液を供給し、薬液洗浄を開始する。この薬液洗浄とこれに続く純水洗浄および基板乾燥の各処理は、上記第１の実施の形態と同様に行われる。
【００４０】
この方法を用い、かつ、薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥をすべて、Ｓｉウエハ１を大気から遮断して連続して行い、それによって得られたＳｉウエハ１を用いてパワーデバイスを形成したところ、耐圧不良率を約５％低下させることができた。
【００４１】
次に、第３の実施の形態について説明する。
以上の説明では、Ｓｉウエハ１を１枚ずつ処理する場合を例にして述べたが、勿論、複数枚のＳｉウエハ１を１バッチで同時に処理するようにしても構わない。
【００４２】
図５および図６は第３の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図５は複数枚処理が可能な洗浄装置の要部側面図、図６は複数枚処理が可能な洗浄装置の要部平面図である。ただし、図５および図６では、図１および図２に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【００４３】
この図５および図６に示す洗浄装置２０は、密閉された中に複数枚のＳｉウエハ１をその面同士を向かい合わせて並列にセットできるチャンバ２１を有しており、各Ｓｉウエハ１がウエハガイド２２に固定されてチャンバ２１内に配置されるようになっている点で第１の実施の形態の洗浄装置１０と相違している。その他の構成は第１の実施の形態の洗浄装置１０と同じである。ただし、この洗浄装置２０において複数枚のＳｉウエハ１をチャンバ２１内にセットする際には、各Ｓｉウエハ１のトレンチ１ａ形成面を一方向に揃えて配置する。
【００４４】
このような構成を有する洗浄装置２０を用いて複数枚のＳｉウエハ１の薬液洗浄を行う際には、例えば上記第１の実施の形態で述べたように、回転軸１３によってＳｉウエハ１のトレンチ１ａ形成面を重力方向に向け、チャンバ２１内にＨＦ溶液を流通させて薬液洗浄を行う。そして、その後は、同じくトレンチ１ａ形成面を重力方向に向けた状態で、純水洗浄および基板乾燥を行う。薬液洗浄と純水洗浄の間、純水洗浄と基板乾燥の間は、Ｓｉウエハ１を大気から遮断して各処理を連続して行ってもよく、また、基板乾燥の際には、チャンバ２１を回転させるようにしてもよい。
【００４５】
また、洗浄装置２０を用い、上記第２の実施の形態で述べたように、薬液洗浄に先立って、Ｓｉウエハ１のトレンチ１ａ形成面を重力方向に対して略垂直に向け、チャンバ２１内を純水で満たした後に、薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥を行うようにすることもできる。この場合にも、薬液洗浄と純水洗浄の間、純水洗浄と基板乾燥の間は、Ｓｉウエハ１を大気から遮断して各処理を連続して行ってもよく、また、基板乾燥の際には、チャンバ２１を回転させるようにしてもよい。
【００４６】
このように複数枚のＳｉウエハ１を同時に処理可能な洗浄装置２０を用いることにより、トレンチエッチング後の洗浄とそれに伴う各工程、さらにそのようなＳｉウエハ１を用いる半導体装置の製造工程におけるスループットを大幅に向上させることが可能になる。
【００４７】
以上説明したように、トレンチ１ａを有するＳｉウエハ１の薬液洗浄を行う際、あるいはその後の純水洗浄や基板乾燥を行う際に、トレンチ１ａ形成面を重力方向に向けた状態でチャンバ１１，２１内にＳｉウエハ１を配置する。これにより、チャンバ１１，２１内のＨＦ溶液の流れと重力の作用を利用してエッチング生成物を効果的に除去し、トレンチを清浄化することができる。このようにして清浄化されたＳｉウエハ１を用いてデバイスを形成することにより、その高品質化を図ることができ、特にトレンチゲート構造を有するデバイスにあっては、その耐圧低下を抑え、高品質・高信頼性の半導体装置を高歩留まりで製造することが可能になる。
【００４８】
なお、以上の説明においては、トレンチ１ａ内のエッチング生成物を除去するために用いる薬液としてＨＦ溶液を用いたが、ＨＦを含んでいれば薬液の種類はこれに限定されない。例えば、バッファドフッ化水素（ＢＨＦ）や界面活性剤を含有したＨＦ溶液であっても同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】洗浄装置の要部側面図である。
【図２】洗浄装置の要部平面図である。
【図３】Ｓｉウエハのトレンチ形成面を重力方向に対して垂直向きに配置したときの図である。
【図４】Ｓｉウエハのトレンチ形成面を重力方向に向けて配置したときの図である。
【図５】複数枚処理が可能な洗浄装置の要部側面図である。
【図６】複数枚処理が可能な洗浄装置の要部平面図である。
【図７】半導体基板の従来の洗浄方法の説明図である。
【図８】トレンチエッチング後の半導体基板の断面模式図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  Ｓｉウエハ
１ａ  トレンチ
１０，２０  洗浄装置
１１，２１  チャンバ
１２，２２  ウエハガイド
１３  回転軸
１４  供給口
１５  排出口
１６  整流板
１７  支持台
【図１】
2005303131.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005303131.tif 000005
【図４】
2005303131.tif 000006
【図５】
2005303131.tif 000007
【図６】
2005303131.tif 000008
【図７】
2005303131.tif 000009
【図８】
2005303131.tif 000010