(57)【要約】【課題】  補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下を抑制する。【解決手段】  中間電極層１８３の表面は誘電体層１８５によって覆われている。データ線１３と画素電極１６との間隙には二端子型非線形素子１４が配置されている。二端子型非線形素子１４の第２導電層１４２には、誘電体層１８５を挟んで中間電極層１８３に対向することによって第１補助容量１８ａを構成する第１電極部１８１が連結されている。補助容量線１７は第１層１７１と第２層１７２とを有する。第１層１７１は、誘電体層１８５と同一の材料により略同一の膜厚に形成された絶縁層１７５によって覆われている。第２層１７２は、第１層１７１よりも抵抗率が低い材料からなり、絶縁層１７５のコンタクトホールＣＨ1を介して第１層１７１と導通する。第２層１７２の第２電極部１８２は、誘電体層１８５を挟んで中間電極層１８３に対向して第２補助容量１８ｂを構成する。【選択図】        図５
2005345612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する方向に延在する走査線およびデータ線と、
前記走査線および前記データ線のうち一方の配線に一端が接続された非線形素子と、
前記非線形素子の他端に接続され、前記走査線および前記データ線のうち他方の配線に電気光学物質を挟んで対向する画素電極と、
表面が誘電体層によって覆われた中間電極層と、
前記画素電極に接続され、前記誘電体層を挟んで前記中間電極層に対向して第１補助容量を構成する第１電極部と、
前記誘電体層を挟んで前記中間電極層に対向して第２補助容量を構成する第２電極部と
を具備する電気光学装置。
【請求項２】
絶縁層によって部分的に覆われた第１層と、前記第１層のうち前記絶縁層によって覆われていない部分に接触する第２層とを有し、前記第２層が前記第２電極部を含む補助容量線
を具備する請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記中間電極層と前記第１層とは同一の材料からなり、
前記第１層は、各々の端部が前記中間電極層を挟んで向かい合うように形成された複数の部分を含み、前記第２層は、前記複数の部分の各々を連結するように形成される
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記非線形素子は、第１導電層と、層間絶縁層と、前記第１導電層よりも抵抗率の低い導電性材料からなる第２導電層とを含み、
前記中間電極層および前記第１層の少なくとも一方は、前記非線形素子の第１導電層と同一の材料からなる
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記非線形素子は、第１導電層と、層間絶縁層と、前記第１導電層よりも抵抗率の低い導電性材料からなる第２導電層とを含み、
前記第１電極部および前記第２層の少なくとも一方は、前記非線形素子の第２導電層と同一の材料からなる
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１電極部は、前記非線形素子の第２導電層と一体に形成されている
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記非線形素子は、第１導電層と、層間絶縁層と、前記第１導電層よりも抵抗率の低い導電性材料からなる第２導電層とを含み、
前記誘電体層および前記絶縁層は前記非線形素子の層間絶縁層と同一の材料からなる
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記誘電体層および前記絶縁層の膜厚は前記非線形素子の層間絶縁層の膜厚よりも大きい
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１０】
相互に交差する方向に延在する走査線およびデータ線のうち一方の配線に一端が接続された非線形素子と、この非線形素子の他端に接続されて前記走査線および前記データ線のうち他方の配線に対向する画素電極とを具備する電気光学装置を製造する方法であって、
第１の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって中間電極層と補助容量線の第１層とを形成する第１工程と、
前記中間電極層を覆う誘電体層と前記第１層を部分的に覆う絶縁層とを同一の材料によって略同一の膜厚に形成する第２工程と、
前記誘電体層を挟んで前記中間電極層に対向するとともに前記画素電極に導通する第１電極部と、前記誘電体層を挟んで前記中間電極層に対向する第２電極部を有し、前記第１層のうち前記絶縁層によって覆われていない部分に接触する第２層とを、前記第１の導電性材料よりも抵抗率が低い第２の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって形成する第３工程と
を有する電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程は、前記第１層の表面全体を覆うように形成された絶縁層の一部を除去する工程を含む
請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記非線形素子は、第１導電層と層間絶縁層と第２導電層とを含み、
前記第１工程は、前記第１の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって前記中間電極層と前記第１層と前記第１導電層とを一括して形成する工程であり、
前記第３工程は、前記第２の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって前記第２電極部と前記第２層と前記第２導電層とを一括して形成する工程である
請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２工程は、前記中間電極層と前記第１層と前記第１導電層とを陽極酸化することにより前記誘電体層と前記絶縁層と前記層間絶縁層とを形成する絶縁層形成工程を含む
請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１工程は、前記中間電極層または前記第１層と連続するように前記第１導電層を形成する工程であり、
前記絶縁層形成工程は、前記中間電極層と前記第１層と前記第１導電層とを一括して陽極酸化する第１酸化工程と、前記中間電極層と前記第１層とを陽極酸化する第２酸化工程と、前記第１導電層を前記中間電極層または前記第１層から切り離す切離工程とを含む
請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記切離工程は、前記第１酸化工程と前記第２酸化工程との間に実施される
請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形素子を利用して液晶などの電気光学物質の光学的な特性を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学物質の挙動を制御するための非線形素子として例えばＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などの二端子型非線形素子を利用したアクティブマトリクス型の電気光学装置が従来から提案されている。この種の電気光学装置においては、電極間に電気光学物質を介挿してなる容量（以下「画素容量」という）と二端子型非線形素子とが走査線とデータ線との間に直列に接続されるのが一般的である。この構成のもと、走査線とデータ線とに印加された電圧に応じて二端子型非線形素子の抵抗値が変化し、この抵抗値に応じた電荷が画素容量に蓄積されることによって電気光学物質の光学的な特性（例えば透過率）が制御される。
【０００３】
この構成においては、走査線とデータ線とに印加された電圧が、二端子型非線形素子に付随する容量と画素容量とによって容量分割される。したがって、二端子型非線形素子の容量が画素容量に比較して充分に小さければ（すなわち画素容量と二端子型非線形素子の容量との比が充分に大きければ）、走査線とデータ線との電圧の大部分が二端子型非線形素子に印加されるから、二端子型非線形素子の抵抗値を迅速かつ確実に低下させて画素容量に充分な電荷を蓄積することができる。しかしながら、二端子型非線形素子の容量の低下または画素容量の増大によって画素容量と二端子型非線形素子の容量との比（以下では単に「容量比」という場合がある）を増加させるには限界がある。すなわち、第１に、二端子型非線形素子の容量を低下させるためには二端子型非線形素子の小型化が必要となるが、このような小型化には製造技術上の制約が伴ない、第２に、画素容量を増大させるためには画素面積の増加が必要となるものの、この面積の増大は表示画像の高精細化の要求に反する結果を招きかねないからである。そして、容量比を充分に確保できない場合には二端子型非線形素子に所期の電圧が印加されないから、二端子型非線形素子を適切に動作させることができず、ひいては表示品位の低下を招くといった問題がある。この問題を解決するために、例えば特許文献１には、画素容量と並列に補助容量を配置した構成が提案されている。この補助容量は、画素容量を構成する画素電極と補助容量線とを絶縁層を挟んで対向させることによって形成される。
【特許文献１】特開平５−１９３０２号公報（段落００２５および図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成のもとでは、補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下が問題となる。すなわち、補助容量線のうち電圧が印加される部分から各補助容量までの抵抗が相違するため、仮に総ての画素に同じ階調を表示させようとしても、各補助容量に印加される電圧が画素ごとに相違し、ひいては各二端子型非線形素子に印加される電圧がばらつくことになる。この結果、各画素によって実際に表示される階調と本来の階調との誤差が画素ごとに相違することになって表示品位の低下を招くのである。特に、特許文献１に記載されているように、抵抗値が高いタンタル（Ｔａ）などの導電性材料によって補助容量線を形成した場合には、各補助容量に印加される電圧のばらつきが顕著になるから、表示品位の低下はいっそう深刻となる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、互いに交差する方向に延在する走査線およびデータ線と、走査線およびデータ線のうち一方の配線に一端が接続された非線形素子と、非線形素子の他端に接続され、走査線およびデータ線のうち他方の配線に電気光学物質を挟んで対向する画素電極と、表面が誘電体層によって覆われた中間電極層と、画素電極に接続され、誘電体層を挟んで中間電極層に対向して第１補助容量を構成する第１電極部と、誘電体層を挟んで中間電極層に対向して第２補助容量を構成する第２電極部とを具備する。この電気光学装置は、種々の電子機器の表示装置として利用される。
【０００６】
本発明の望ましい態様においては、絶縁層によって部分的に覆われた第１層と、第１層のうち絶縁層によって覆われていない部分に接触する第２層とを有する補助容量線が設けられる。第２層と第２電極部とは相互に連続する部分とされ得る。例えば、第２層と第２電極部とは単一の導電膜を選択的に除去することによって一体に形成される。また、第１層を覆う絶縁層と中間電極層を覆う誘電体層とを同一の材料によって略同一の膜厚に形成すれば、これらを異なる材料によって別個の工程にて形成する場合と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【０００７】
この態様においては、補助容量線が第１層だけではなく当該第１層よりも抵抗率が低い第２層を含んで構成されているから、補助容量線が第１層のみからなる特許文献１の構成と比較して補助容量線の抵抗が低減される。したがって、補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下（特に表示階調のばらつき）が抑制される。ところで、絶縁層によって覆われた第１層に第２層を接触（導通）させるためには、この絶縁層を選択的に除去して第１層を露出させる必要がある。しかしながら、絶縁層の膜厚が大きい場合には、このうち第１層と第２層とが導通すべき部分を完全に除去することが困難となる。したがって、第１層と第２層との導通を確保するという観点からすると絶縁層は薄いことが望ましい。ここで、非線形素子への印加電圧を充分に確保するための構成としては、補助容量線の第１層とこれに絶縁層を挟んで対向する導電層とを各電極とする補助容量を配置した構成が考えられる（図１２参照）。しかしながら、この構成（以下「対比例」という）において第１層と第２層との導通の確保という観点から絶縁層を薄くするとすれば、補助容量の誘電体としての絶縁層が薄くなって抵抗が低下する結果として各電極間で電流のリークが発生するという問題がある。このように、対比例の構成のもとでは、第１層と第２層との導通の確保とリーク電流の低減とを両立することが困難である。これに対し、本発明によれば、画素電極と補助容量線との間に第１補助容量および第２補助容量という複数の補助容量が介挿されているから、第１層と第２層との導通を確保するために誘電体層および絶縁層を薄くしたとしてもリーク電流を抑制することができる。例えば、絶縁層および誘電体層の膜厚を対比例の半分にしたとしても、画素電極から補助容量線までの抵抗自体は変わらない。このように、本発明によれば、第１層と第２層との導通の確保とリーク電流の低減とを両立することができる。
【０００８】
本発明における電気光学物質とは、電気的なエネルギを光学的な作用に変換する物質である。このような物質の典型例は印加電圧に応じて透過率が変化する液晶であるが、本発明が適用される範囲は液晶装置に限定されない。また、本発明における非線形素子とは、２つの端子間に印加された電圧の変化に対して当該端子間を流れる電流が非線形に変化する（すなわち電圧の変化に対して抵抗値が非線形に変化する）素子である。非線形素子の典型的な例はＴＦＤ素子などの二端子型非線形素子であるが、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子などの三端子型非線形素子を用いた電気光学装置にも本発明は適用され得る。
【０００９】
なお、本発明においては第１補助容量および第２補助容量という２つの補助容量が構成要素とされているが、これ以外の補助容量がさらに形成された構成も本発明の範囲に含まれる。この構成においては、複数の補助容量のうちのひとつが本発明における第１補助容量に相当し、他のひとつの補助容量が本発明における第２補助容量に相当することになる。電気的にみて直列に接続された補助容量の個数が多いほど、リーク電流を抑制しつつ誘電体層の膜厚を低減できるという本発明の効果は顕著となる。
【００１０】
本発明の望ましい態様において、中間電極層と第１層とは同一の材料からなり、第１層は、各々の端部が中間電極層を挟んで向かい合うように形成された複数の部分を含み、第２層は、複数の部分の各々を連結するように形成される。この構成によれば、第１層の各部分と第２層とが直線状に延在する一方、この第２層のうちの第２電極部が中間電極層と重なり合うことによって第２補助容量が構成される。したがって、平面的にみて補助容量線とは別個の位置に（補助容量線が延在する直線と重ならないように）中間電極層が形成された構成と比較して各構成要素の配置に要するスペースが低減される。
【００１１】
本発明における非線形素子は、典型的には、第１導電層と、層間絶縁層と、第１導電層よりも抵抗率の低い導電性材料からなる第２導電層とを含む。例えば、本発明における非線形素子は、第１導電層と層間絶縁層と第２導電層とを積層してなる二端子型非線形素子（いわゆるＴＦＤ素子）である。この構成において、中間電極層および第１層の少なくとも一方を非線形素子の第２導電層と同一の材料によって形成すれば、中間電極層または第１層を第２導電層と共通の工程において形成することができるから、これらの各層が別個の材料によって形成された構成（すなわち各層が別個の工程にて形成される構成）と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。また、第１電極部および第２層の少なくとも一方が非線形素子の第２導電層と同一の材料によって形成された構成によっても同様の効果が奏される。さらにこの構成のもとで、第１電極部と非線形素子の第２導電層とを一体に形成すれば、製造工程の簡素化や製造コストの低減といった効果はいっそう顕著となる。
【００１２】
さらに、誘電体層および絶縁層が非線形素子の層間絶縁層と同一の材料によって形成された構成としてもよい。ただし、誘電体層および絶縁層の膜厚が層間絶縁層の膜厚と等しいとすれば、誘電体層を挟んで対向する中間電極層および第１電極部と、同じく誘電体層を挟んで対向する中間電極層および第２電極部とが非線形素子として作用し、この結果として第１補助容量および第２補助容量における電流のリークが顕著となり得る。また、絶縁層を挟んで第１層と対向するように配線（例えば走査線およびデータ線のうち一方の配線）を形成したとすれば第１層と配線とが対向する部分が非線形素子として機能するから、この場合にも電流のリークが問題となる。そこで、本発明の望ましい態様においては、誘電体層および絶縁層の膜厚が非線形素子の層間絶縁層の膜厚よりも大とされる。この態様によれば、誘電体層および絶縁層を介した電流のリークが抑制される。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、第１の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって中間電極層と補助容量線の第１層とを形成する第１工程と、中間電極層を覆う誘電体層と第１層を部分的に覆う絶縁層とを同一の材料によって略同一の膜厚に形成する第２工程と、誘電体層を挟んで中間電極層に対向するとともに画素電極に導通する第１電極部と、誘電体層を挟んで中間電極層に対向する第２電極部を有し、第１層のうち絶縁層によって覆われていない部分に接触する第２層とを、第１の導電性材料よりも抵抗率が低い第２の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって形成する第３工程とを経て製造される。この製造方法によれば、中間電極層と補助容量線の第１層、誘電体層と絶縁層、および第１電極部と補助容量線の第２層がそれぞれ共通の工程において形成されるから、これらの各層を別個の工程にて形成する方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００１４】
この製造方法の具体的な態様において、第２工程は、第１層の表面全体を覆うように形成された絶縁層の一部を除去する工程を含む。上述したように本発明の電気光学装置の構成によれば絶縁層の膜厚を低減することができるから、第２工程において絶縁層の所期の部分を精度よく除去することができる。
【００１５】
第１工程や第３工程においては、非線形素子を形成する各層も一括的に形成され得る。すなわち、本発明の望ましい態様において、第１工程は、第１の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって中間電極層と第１層と第１導電層とを一括して形成する工程であり、第３工程は、第２の導電性材料からなる導電膜を選択的に除去することによって第１電極部と第２層と第２導電層とを一括して形成する工程である。この態様によれば、非線形素子と他の各部とが別個の工程にて形成される方法と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【００１６】
本発明の他の態様において、第２工程は、中間電極層と第１層と第１導電層とを陽極酸化することにより誘電体層と絶縁層と層間絶縁層とを形成する絶縁層形成工程を含む。より具体的には、第１工程は、中間電極層または第１層と連続するように第１導電層を形成する工程であり、絶縁層形成工程は、中間電極層と第１層と第１導電層とを一括して陽極酸化する第１酸化工程と、中間電極層と第１層とを陽極酸化する第２酸化工程と、第１導電層を中間電極層または第１層から切り離す切離工程とを含む。この態様によれば、第１導電層に陽極酸化を施して層間絶縁層を形成する工程と、中間電極層および第１層に陽極酸化を施して誘電体層および絶縁層を形成する工程とを別個に実施する場合と比較して、各絶縁層の形成に要する時間を短縮することができる。
【００１７】
なお、この態様において、第１酸化工程と第２酸化工程と切離工程とが実施される順序は任意に選定され得る。例えば、最初に第２酸化工程において中間電極層と第１層とを陽極酸化し、次いで第１酸化工程において中間電極層と第１層と第１導電層とを陽極酸化し、その後に切離工程を実施する態様が採用され得る。あるいは、最初に第１酸化工程において中間電極層と第１層と第１導電層とを陽極酸化し、次いで第２酸化工程において中間電極層と第１層とを陽極酸化し、その後に切離工程を実施する態様も採用され得る。ただし、これらの態様のように切離工程に先立って第２酸化工程が実施される場合には、第２酸化工程に際して第１導電層が陽極酸化されないように何らかの方策を採る必要がある。例えば、レジストなどの保護層によって第１導電層を被覆したうえで第２酸化工程を実施するといった具合である。しかしながら、この場合には保護層を形成する工程が必要となるから、その分だけ製造コストが増加することになる。これに対し、第２酸化工程に先立って切離工程が実施される態様によれば、保護層によって第１導電層を被覆しなくても第２酸化工程にて第１導電層が陽極酸化されることはない。したがって、切離工程は第１酸化工程と第２酸化工程との間に実施されることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜Ａ：液晶装置＞
まず、液晶を採用した電気光学物質として液晶装置に本発明が適用された形態を説明する。以下に示す各図においては、各要素の寸法や縮尺を実際のものとは便宜的に異ならせてある。
【００１９】
＜Ａ−１：液晶装置の構成＞
図１は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。この液晶装置Ｄは、液晶に印加される電圧を制御するための非線形素子として二端子型非線形素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置であり、同図に示されるように、Ｘ方向に延在する複数の走査線２１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在してデータ線駆動回路３３に接続された複数のデータ線１３とを有する。複数の走査線２１のうち図１における上方から数えて偶数行目の走査線２１は左側の走査線駆動回路３１に接続される一方、図１における上方から数えて奇数行目の走査線２１は右側の走査線駆動回路３１に接続される。さらに、本実施形態に係る液晶装置Ｄは、各走査線２１と対をなす複数（走査線２１と同本数）の補助容量線１７を有する。これらの補助容量線１７の各々は、各走査線２１と同様にＸ方向に延在する配線であり、走査線２１に対して電気的に接続されている。したがって、各補助容量線１７はこれに対応する走査線２１と略同電位となる。
【００２０】
走査線２１とデータ線１３とが交差する各位置には画素Ｐが配置されている。したがって、これらの画素ＰはＸ方向およびＹ方向にわたって表示領域Ａd内にマトリクス状に配列する。各画素Ｐは、二端子型非線形素子１４と、画素容量（液晶容量）Ｇと、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂとを含む。このうち二端子型非線形素子１４は、両端間に印加された電圧に応じて抵抗値が非線形に変化する素子であり、一端がデータ線１３に接続されている。画素容量Ｇは、走査線２１と画素Ｐごとに形成された画素電極との間に液晶を介在させた容量であり、二端子型非線形素子１４の他端と走査線２１との間に介挿されている。一方、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂは、相互に直列に接続された状態で画素容量Ｇに並列に接続されている。すなわち、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂは、二端子型非線形素子１４および画素容量Ｇの接続点Ｎと補助容量線１７との間に介在する。第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂは静電容量が略等しい。
【００２１】
図２は各画素Ｐの電気的な等価回路図である。同図に示されるように、各画素Ｐは、容量Ｃtfdおよび可変抵抗Ｒtfdを並列に接続してなる二端子型非線形素子１４と、容量Ｃlcdおよび抵抗Ｒlcdを並列に接続してなる画素容量Ｇとがデータ線１３および走査線２１の間に直列に接続され、さらに第１補助容量１８ａ（容量Ｃs1）と第２補助容量１８ｂ（容量Ｃs2（＝Ｃs1））とが画素容量Ｇに対して並列に接続された回路として把握される。この構成においては、走査線２１とデータ線１３との間に印加される電圧が各容量によって容量分割されるから、二端子型非線形素子１４に充分な電圧を印加するためには、接続点Ｎからみて走査線２１側の容量Ｃと二端子型非線形素子１４の容量Ｃtfdとの容量比α（＝Ｃ／Ｃtfd）を大きく確保することが必要となる。本実施形態のように画素要領Ｇと並列に第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂを配置した構成によれば、容量Ｃが、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの合成容量Ｃs（＝Ｃs1／２＝Ｃs2／２）と、容量Ｃlcdとの加算値（Ｃlcd＋Ｃs）となるから、これらを設けない場合の容量比α（＝Ｃlcd／Ｃtfd）と比較して、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの分だけ容量比α（＝（Ｃlcd＋Ｃs）／Ｃtfd）が大きくなる。この結果として二端子型非線形素子１４に充分な電圧が印加されることになるため、二端子型非線形素子１４を迅速かつ確実にオン状態に変化させて画素容量Ｇに所期の電圧を精度よく蓄積することができ、ひいては表示品位（特にコントラスト）を高い水準に維持することができる。
【００２２】
次に、図３は、液晶装置Ｄの構成を示す平面図であり、図４は、液晶装置Ｄのうち表示領域Ａdの構成を示す断面図である。これらの図に示されるように、液晶装置Ｄは、枠状のシール材３５（図３においてハッチングが施された部分）を介して相互に対向するように貼り合わされた第１基板１０と第２基板２０とを有する。第１基板１０および第２基板２０は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する板状部材である。図４に示されるように、両基板とシール材３５とによって囲まれた空間には液晶３６が封止されている。各走査線２１は第２基板２０のうち液晶３６と対向する表面上に形成されている。これらの走査線２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する導電性材料からなる帯状の電極である。一方、各データ線１３は第１基板１０のうち液晶３６と対向する表面上に形成されている。なお、実際には、第１基板１０または第２基板２０の表面に複数色のカラーフィルタや各画素Ｐの間隙を遮光するブラックマトリクスが形成され、さらに第１基板１０および第２基板２０の表面には液晶３６の配向方向を規定する配向膜が形成されるが、図４や以下に示す各図においてはこれらの要素の図示が省略されている。
【００２３】
図３に示されるように、第１基板１０は第２基板２０よりも外形の寸法が大きい。第１基板１０のうち第２基板２０の縁辺から張り出した領域（以下「張出領域」という）１０ａには、走査線駆動回路３１とデータ線駆動回路３３とがＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。各データ線１３のうち張出領域１０ａに引き出された端部はデータ線駆動回路３３に接続されている。
【００２４】
図５は、第１基板１０のうち液晶３６に対向する表面上に形成された要素の構成を示す平面図である。なお、同図においてはひとつの画素Ｐに関わる要素のみが図示されているが、その他の画素Ｐも同様の構成となっている。図３ないし図５に示されるように、第１基板１０の表示領域Ａdには、Ｘ方向およびＹ方向にわたって複数の画素電極１６がマトリクス状に配列されている。各画素電極１６は、走査線２１と同様にＩＴＯなどの導電性材料によって形成された略矩形状の電極である。第２基板２０上の各走査線２１（図５においては外形が二点鎖線によって示されている）はＸ方向に並ぶ１行分の画素電極１６に液晶３６を挟んで対向する。図１に示される画素容量Ｇは、画素電極１６と、これに対向する走査線２１と、両者の間隙に挟まれた液晶３６とによって構成される。一方、データ線１３は各画素電極１６の間隙においてＹ方向に延在する。図５に示されるように、各画素電極１６とこれに隣接するデータ線１３との間隙には二端子型非線形素子１４が配置されている。
【００２５】
図６は、図５におけるVI−VI線からみた断面図であり、図７は、図５におけるVII−VII線からみた断面図である。図５から図７に示されるように、二端子型非線形素子１４は、Ｘ方向を長手方向としてデータ線１３に交差する長尺状の第１導電層１４１と、この第１導電層１４１の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁層（以下「層間絶縁層」という）１４５と、層間絶縁層１４５の表面に相互に離間して形成された第２導電層１３１および１４２とを有する。このうち第１導電層１４１は、例えばタンタル（Ｔａ）などの単体金属やタンタルを主成分としてタングステン（Ｗ）などの金属を含む合金といった各種の導電性材料によって形成されている。第１導電層１４１をタンタルによって形成した場合、これを陽極酸化して得られる層間絶縁層１４５は酸化タンタル（ＴａＯｘ）からなる。
【００２６】
第２導電層１３１はデータ線１３のうち層間絶縁層１４５を挟んで第１導電層１４１と重なり合う部分に相当する。一方、第２導電層１４２は、層間絶縁層１４５を挟んで第１導電層１４１と重なり合うようにＹ方向に延在する。図５に示されるように、この第２導電層１４２の端部は、画素電極１６に向けてＹ方向に延在する部分（以下「接続部」という）１４３に連結されている。上述した画素電極１６は接続部１４３の先端部と重なり合うように形成され、この接続部１４３を介して第２導電層１４２と電気的に接続される。さらに、接続部１４３の基端部にはＸ方向に延在する部分（以下「第１電極部」という）１８１が連結されている。この第１電極部１８１は、第１補助容量１８ａの一方の電極として機能する部分である。第２導電層１４２と接続部１４３と第１電極部１８１とは、単一の導電膜を選択的に除去することによって一体に形成されている。さらに、第２導電層１３１を含むデータ線１３と、第２導電層１４２（さらには接続部１４３および第１電極部１８１）とは、第１導電層１４１よりも抵抗率が低い導電性材料によって形成される。このような導電性材料としては、クロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）などの単体金属やこれらを主成分とする合金などがある。
【００２７】
図１に示した二端子型非線形素子１４は、第１素子１４ａと第２素子１４ｂとから構成される。すなわち、図７に示されるように、第１素子１４ａは、第２導電層１３１（データ線１３）と層間絶縁層１４５と第１導電層１４１とがデータ線１３側からみてこの順番に積層された構成となっている。このように第１素子１４ａは金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造となっているため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を呈する。一方、第２素子１４ｂは、第１導電層１４１と層間絶縁層１４５と第２導電層１４２とが第１基板１０側からみてこの順番に積層された構成となっている。したがって、第２素子１４ｂは第１素子１４ａとは反対のダイオードスイッチング特性を呈する。このように、二端子型非線形素子１４は、２つのダイオードを互いに逆向きとなるように直列に接続した構成となっているため、ひとつのダイオード（第１素子１４ａおよび第２素子１４ｂの何れか一方のみ）を用いた場合と比較して、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化される。この構成のもと、走査信号の供給によって走査線２１が選択されているとき（水平走査期間）に所望の階調に応じたデータ信号をデータ線１３に供給することによって二端子型非線形素子１４がオン状態になると、このデータ信号に応じた電荷が画素容量Ｇに蓄積されて液晶３６の配向方向が変化する。このように液晶３６の挙動を画素Ｐごとに制御することによって所望の画像が表示される。したがって、画素容量Ｇは表示画像の最小単位となる要素として把握される。一方、電荷が蓄積された後には二端子型非線形素子１４がオフ状態となるから、画素容量Ｇによる電荷は保持される。
【００２８】
図５に示されるように、第１基板１０のうち液晶３６に対向する表面上には、各画素電極１６の間隙においてＸ方向に延在する補助容量線１７が形成されている。ここで、図８は、図５におけるVIII−VIII線からみた断面図である。図５および図８に示されるように、補助容量線１７は、第１層１７１と第２層１７２とを有する。このうち第１層１７１は、画素電極１６の横幅（Ｘ方向の幅）と略同一の間隔をあけてＸ方向に配列された複数の部分からなる。図５および図８に示されるように、各データ線１３は補助容量線１７の第１層１７１を跨ぐようにＹ方向に延在する。
【００２９】
第１層１７１は、二端子型非線形素子１４の第１導電層１４１と共通の工程において同一の材料により形成された膜体である。このため、図６および図８に示されるように、第１層１７１は、その表面の陽極酸化により形成された絶縁層１７５によって覆われている。ただし、絶縁層１７５の膜厚Ｄ2は二端子型非線形素子１４の層間絶縁層１４５の膜厚Ｄ1よりも大きい。ここで、図５および図８に示されるように、補助容量線１７の第１層１７１とデータ線１３とが交差する部分は、二端子型非線形素子１４と同様に金属／絶縁体／金属という積層構造が形成されることになる。しかしながら、第１層１７１を覆う絶縁層１７５は層間絶縁層１４５よりも厚いため、この部分は非線形素子として機能せず、したがって補助容量線１７とデータ線１３との電気的な絶縁は確保される。
【００３０】
一方、補助容量線１７の第２層１７２は、第１層１７１の各部分を電気的に導通させるために画素Ｐごとに形成された膜体であり、図５に示されるように、第１層１７１のうち相互に隣接する各部分を連結するようにＸ方向に延在する。さらに詳述すると、第２層１７２は、データ線１３から僅かに画素電極１６側に離れた位置から当該データ線１３に隣接するデータ線１３の近傍に至るまでの部分にわたって延在し、その両端部が絶縁層１７５を挟んで第１層１７１の各部分の端部１７１ａに対向する。図５および図８に示されるように、絶縁層１７５のうち第１層１７１の各部分の端部１７１ａを覆う箇所にはコンタクトホールＣＨ1が形成されている。このコンタクトホールＣＨ1は絶縁層１７５が部分的に除去されることによって形成された孔である。第１層１７１はコンタクトホールＣＨ1を介して絶縁層１７５から露出する。絶縁層１７５を覆う第２層１７２は、その両端部がコンタクトホールＣＨ1に入り込んで第１層１７１と接触する。このように第１層１７１の各部分が第２層１７２によって電気的に接続されることによって補助容量線１７が構成される。
【００３１】
第２層１７２は、データ線１３および第２導電層１４２と共通の工程において同一の材料により形成される。したがって、第２層１７２は、第１層１７１よりも抵抗率が低い導電性材料からなる。このように抵抗率の低い材料が補助容量線１７の一部として利用されることにより、補助容量線１７が第１層１７１のみからなる構成（例えば特許文献１に記載された構成）と比較して補助容量線１７の抵抗値が低減される。
【００３２】
図５に示されるように、互いに隣接する各データ線１３の間隙には画素Ｐごとに中間電極層１８３が形成されている。この中間電極層１８３は、第１基板１０の表面に垂直な方向からみて第１電極部１８１と補助容量線１７の第２層１７２と重なり合う略矩形状の膜体であり、二端子型非線形素子１４の第１導電層１４１と共通の工程において同一の材料（例えばタンタル）によって形成される。ここで、図９は、図５におけるIX−IX線からみた断面図である。図８および図９に示されるように、中間電極層１８３は、その表面を陽極酸化して形成された絶縁層（以下「誘電体層」という）１８５によって覆われている。この誘電体層１８５の膜厚Ｄ3は、絶縁層１７５の膜厚Ｄ2と略同一であり、したがって二端子型非線形素子１４の層間絶縁層１４５よりも厚い。
【００３３】
図５および図９に示されるように、第１電極部１８１は、誘電体層１８５を挟んで中間電極層１８３と重なり合う。このように第１電極部１８１と中間電極層１８３とが誘電体としての誘電体層１８５を挟んで対向することによって第１補助容量１８ａが構成される。一方、補助容量線１７の第１層１７１は、相互に隣接する部分の端部１７１ａ同士が中間電極層１８３をＸ方向に挟んで向かい合う。したがって、これらの部分を連結するように形成された第２層１７２は、誘電体層１８５を挟んで中間電極層１８３と重なり合う部分（以下「第２電極部」という）１８２を有する。この第２電極部１８２が誘電体としての誘電体層１８５を挟んで対向することによって第２補助容量１８ｂが構成される。
【００３４】
次に、補助容量線１７と走査線２１とを電気的に接続するための構成について説明する。図１０は走査線２１の端部の近傍（図３において破線で囲まれた領域Ａ）を拡大して示す平面図であり、図１１は図１０におけるXI−XI線からみた断面図である。なお、図１０および図１１においては特に偶数行目の走査線２１の近傍のみが図示されているが、奇数行目の走査線２１も同様の構成となっている。
【００３５】
図１０および図１１に示されるように、補助容量線１７の第１層１７１は、第１基板１０のうちシール材３５によって覆われた領域（以下「シール被覆領域」という）に至るように引き廻されている。このシール被覆領域に至った端部１７ｂは補助容量線１７の他の部分と比較して幅広となっている。端部１７ｂには、第１層１７１とこれを覆う絶縁層１７５とを貫通するように多数のコンタクトホールＣＨ2が形成されている。一方、図３、図１０および図１１に示される配線（以下「引き廻し配線」という）４１は、特に図３に示されるように、シール被覆領域内に位置する端部４１１からシール材３５の内側の領域内においてシール材３５の一辺に沿うようにＹ方向に延在し、張出領域１０ａに到達した端部が走査線駆動回路３１の出力端に接続されている。この引き廻し配線４１は、データ線１３や第２導電層１４２と共通の工程において同一の材料により形成された配線である。図１０に示されるように、引き廻し配線４１の端部４１１は、第１基板１０の板面に垂直な方向からみて補助容量線１７の端部１７ｂと重なり合うように形成されており、図１１に示されるように、この端部１７ｂに設けられたコンタクトホールＣＨ2に入り込んで第１層１７１の内周面と接触する。この構成によって補助容量線１７と引き廻し配線４１との導通が図られている。さらに、図１１に示されるように引き廻し配線４１の端部４１１は導電層４３によって覆われている。この導電層４３は画素電極１６と共通の工程において同一の材料により形成された膜体である。なお、図１０においては図面が煩雑になるのを防ぐために導電層４３の図示が省略されている。
【００３６】
一方、図１０および図１１に示されるように、第２基板２０上においてシール被覆領域に至った走査線２１の端部は引き廻し配線４１の端部４１１と対向する。図１１に示されるように、走査線２１の端部と引き廻し配線４１の端部４１１（より厳密には導電層４３）との間隙には導電性粒子３５１が介在する。この導電性粒子３５１はシール材３５に分散された導電性の粒子であり、第１基板１０と第２基板２０との間隙（すなわちセルギャップ）を一定に維持するスペーサとして機能するほか、走査線２１の端部と導電層４３とに接触することによって走査線２１と引き廻し配線４１とを導通させる役割も担っている。以上の構成により、走査線２１および補助容量線１７の双方が引き廻し配線４１を介して走査線駆動回路３１に接続され（図１参照）、この結果として補助容量線１７は走査線２１と略同電位となる。
【００３７】
以上に説明したように、本実施形態においては、補助容量線１７が第１層１７１だけではなく当該第１層１７１よりも抵抗率が低い第２層１７２を含んで構成されているから、補助容量線１７の抵抗に起因した表示品位の低下が抑制される。加えて、本実施形態においては、ひとつの中間電極層１８３に対向するように第１電極部１８１と第２電極部１８２とが形成されることによって第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂとが構成されるから、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂにおける電流のリークを抑制しつつ誘電体層１８５や絶縁層１７５の膜厚を低減することができるという利点がある。この効果について詳述すると以下の通りである。
【００３８】
ここで、画素電極１６と補助容量線１７との間に補助容量を介在させるための構成としては、図１２に示される構成（以下「対比例」という）も考えられる。この構成においては、絶縁層１７５によって覆われた第１層１７１が、１行分の画素Ｐにわたって直線状に連なった部分（以下「直線部」という）７１ａとこの部分から画素Ｐごとに分岐した部分（以下「容量線側電極部」という）７１ｂとを有する。また、二端子型非線形素子１４の第２導電層１４２には、絶縁層１７５を挟んで容量線側電極部７１ｂに対向する部分（以下「画素容量側電極部」という）１４２ａが連結されている。このように容量線側電極部７１ｂと画素容量側電極部１４２ａとが誘電体たる絶縁層１７５を挟んで対向することによって補助容量１８が構成される。一方、第１層１７１の直線部７１ａを覆う絶縁層１７５にはコンタクトホールＣＨが形成されており、この直線部７１ａを覆うようにＸ方向に延在する第２層１７２がコンタクトホールＣＨを介して第１層１７１に導通する。この構成によっても、第２層１７２を抵抗率の低い導電性材料によって形成することにより補助容量線１７の抵抗が低減され、かつ二端子型非線形素子１４に印加される電圧を補助容量１８によって充分に確保することができる。
【００３９】
この構成においては、第１層１７１を覆う絶縁層１７５をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって選択的に除去することによってコンタクトホールＣＨが形成される。ここで、絶縁層１７５の膜厚が大きいと、コンタクトホールＣＨの形成に際し、エッチングによって絶縁層１７５を完全に除去することができない場合や、絶縁層１７５を覆うレジストがエッチングに際して破損して本来ならば除去されるべきでない部分まで除去されてしまう場合などが生じ得る。このような場合には第１層１７１と第２層１７２との導通が阻害されたり第１層１７１が断線するといった不具合が生じ、ひいては歩留まりの低下を招く要因となり得る。また、補助容量線１７の端部１７ｂ（図１０参照）に形成されたコンタクトホールＣＨ2についても同様の事情が妥当する。このような不具合を防止するという観点からすれば、エッチングによって容易に除去されるように絶縁層１７５の膜厚はできるだけ小さいことが望ましい。
【００４０】
しかしながら、補助容量１８の誘電体として機能する絶縁層１７５と第１層１７１を覆う絶縁層１７５とは略同一の膜厚であるから、絶縁層１７５の膜厚を低減した場合には、容量線側電極部７１ｂと画素容量側電極部１４２ａとの間隙が低減されて補助容量１８における電流のリークが発生しやすくなるという問題が生じ得る。ここで、図１３は、対比例の構成において絶縁層１７５の抵抗成分を考慮した画素Ｐの等価回路図である。同図に示されるように、補助容量１８は容量Ｃsと抵抗Ｒsとが並列に接続された要素として把握される。絶縁層１７５の膜厚を低減した場合にはこの抵抗Ｒsが減少するため、補助容量１８における電流のリークが特に顕著となるのである。このように、対比例の構成のもとでは、絶縁層１７５を除去する精度の向上と補助容量１８におけるリーク電流の低減とを両立することが困難である。
【００４１】
これに対し、本実施形態においては、ひとつの中間電極層１８３に対向するように第１電極部１８１と第２電極部１８２とが配置されることによって第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂが構成される。図１４は、本実施形態の構成において絶縁層１７５の抵抗成分を考慮した画素Ｐの等価回路図である。同図に示されるように、第１補助容量１８ａは容量Ｃs1と抵抗Ｒs1とが並列に接続された要素として把握され、第２補助容量１８ｂは容量Ｃs2と抵抗Ｒs2とが並列に接続された要素として把握される。このような構成のもとで、絶縁層１７５を除去する精度を向上させるという観点から誘電体層１８５および絶縁層１７５の膜厚を例えば対比例の半分にした場合を想定する。この場合には、抵抗Ｒs1および抵抗Ｒs2の双方が図１３に示した抵抗Ｒsと比較して低減される。ここで、実際の抵抗Ｒs1および抵抗Ｒs2は誘電体層１８５の膜厚の対数値に略比例することになるが、これを極めて簡略化して説明すると、抵抗Ｒs1および抵抗Ｒs2の各々の抵抗値は抵抗Ｒsの略半分となる。しかしながら、接続点Ｎから補助容量線１７までの経路に介挿された合計の抵抗値は（Ｒs1＋Ｒs2）となって抵抗Ｒsと略等しくなる。したがって、電流がリークする程度は対比例の構成と同等に維持される。このように、本実施形態によれば、リーク電流の発生を抑制しながら、誘電体層１８５の膜厚を低減することによってコンタクトホールＣＨ1やＣＨ2を製造する精度を向上させることができるのである。
【００４２】
ところで、本実施形態においては第１補助容量１８ａと第２補助容量１８ｂとが直列に接続されているから、誘電体層１８５の膜厚が図１２の絶縁層１７５の膜厚と略同一であると仮定すれば、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの何れか一方のみを配置した構成と比べて、接続点Ｎから補助容量線１７までの容量は低減される。しかしながら、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの誘電体たる誘電体層１８５の膜厚が低減されることを考慮すれば、第１補助容量１８ａと第２補助容量１８ｂとが直列に接続されているとは言っても全体としての容量が大幅に減少することはない。この点について詳述すると以下の通りである。
【００４３】
まず、図１３に例示したように、接続点Ｎと補助容量線１７との間にひとつの補助容量１８が介挿された対比例の構成を想定する。いま、この補助容量１８の各電極の面積を「Ｓ」、電極間の距離を「ｄ」、誘電体（絶縁層１７５）の誘電率を「ε」とすれば、容量値Ｃsは「ε・Ｓ／ｄ」と表現される。次に、図１４に示される本実施形態の構成について、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの面積を「Ｓ」、誘電体層１８５の誘電率を「ε」とし、電極間の距離を「ｄ」の半分の「ｄ／２」とすれば、第１補助容量１８ａの容量値Ｃs1および第２補助容量１８ｂの容量値Ｃs2は、それぞれ「２ε・Ｓ／ｄ」となる。本実施形態においては第１補助容量１８ａと第２補助容量１８ｂとが直列に接続されているから、その合成容量は「Ｃs1／２＝Ｃs2／２」すなわち「ε・Ｓ／ｄ」となって結局のところ図１３に示した補助容量１８の容量値Ｃsと等しくなるのである。このように、本実施形態によれば、画素容量Ｇに並列に接続された容量を低減させることなく、リーク電流の抑制および誘電体層１８５の薄型化が図られるという利点がある。
【００４４】
＜Ａ−２：製造方法＞
次に、各画素Ｐの製造工程に注目して液晶装置Ｄの製造方法を説明する。図１５（ａ）から図１５（ｄ）は、各工程における画素Ｐの様子を示す平面図である。
【００４５】
まず、図１５（ａ）に示されるように、第１基板１０の表面上に導電膜６１が形成される。より具体的には、スパッタリングなどの成膜技術によって第１基板１０の表面に形成されたタンタルの薄膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることによって導電膜６１が形成される。この導電膜６１は、Ｘ方向に延在する補助容量線１７の第１層１７１と中間電極層１８３とが部分６１１を介して連結されるとともに、補助容量線１７の第１層１７１と二端子型非線形素子１４の第１導電層１４１とが部分６１２を介して連結された外形となっている。図１５（ａ）においてハッチングが施された部分６１１および部分６１２は後の工程において除去される部分である。さらに、図１６に示されるように、この工程において形成される導電膜６１は、Ｙ方向に延在して総ての補助容量線１７の第１層１７１が連結された連結部６２を含んでいる。なお、導電膜６１の形成前に、第１基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などからなる絶縁膜を形成してもよい。この絶縁膜を下地として導電膜６１を形成すれば、この導電膜６１と第１基板１０との密着性を向上させるとともに第１基板１０から導電膜６１への不純物の拡散を抑制することができる。
【００４６】
次いで、導電膜６１の表面に第１回目の陽極酸化が施される。より具体的には、第１基板１０を電解液中に浸漬したうえで、この電解液と連結部６２との間に所定の電圧を印加することにより、第１導電層１４１と第１層１７１と中間電極層１８３とを含む導電膜６１全体の表面を酸化させる。この工程において第１導電層１４１の表面に形成された酸化膜は二端子型非線形素子１４の層間絶縁層１４５となる。この後、図１５（ｂ）に示されるように、第１層１７１と第１導電層１４１とを連結する部分６１２がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去される。これにより、二端子型非線形素子１４を構成する第１導電層１４１とその表面に形成された層間絶縁層１４５とが補助容量線１７から離間することになる。図１７に示されるように、この段階では総ての補助容量線１７の第１層１７１と中間電極層１８３とは連結部６２に連なったままである。
【００４７】
次に、第１回目の陽極酸化と同様の手順により、導電膜６１の表面に第２回目の陽極酸化が施される。この陽極酸化により、第１層１７１および中間電極層１８３の表面の酸化がさらに進行して酸化膜の膜厚が増加する。これに対し、導電膜６１から切り離された第１導電層１４１の酸化は進行しない。この工程によって、第１層１７１を覆う絶縁層１７５と中間電極層１８３を覆う誘電体層１８５と（この段階では双方の絶縁層は一体となっている）が略同一の膜厚であって層間絶縁層１４５よりも大きい膜厚となる。
【００４８】
この後、図１５（ｃ）に示されるように、第１層１７１と中間電極層１８３とを連結する各部分６１１がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去されて第１層１７１と中間電極層１８３とが切り離される。また、この工程においては、図１８に示されるように、連結部６２が除去されることによって各行の補助容量線１７の第１層１７１が切り離されるとともに、第１層１７１を覆う誘電体層１８５のうち各第１層１７１の端部１７１ａに位置する部分と端部１７ｂに位置する部分とが選択的に除去されることによってコンタクトホールＣＨ1およびＣＨ2が形成される（図１５（ｃ）参照）。上述したように本実施形態によれば誘電体層１８５および絶縁層１７５の膜厚が対比例と比較して低減されるから、これらの絶縁層を精度よく除去することができる。
【００４９】
次いで、図１５（ｄ）に示されるように、データ線１３および第２導電層１４２とともに第１電極部１８１と補助容量線１７の第２層１７２とが形成される。より具体的には、スパッタリングなどの成膜技術によって第１基板１０の表面に形成されたクロムの薄膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることによってこれらの要素が形成される。この工程においてデータ線１３および第２導電層１４２とが第１導電層１４１および層間絶縁層１４５を覆うように形成されることにより、第１素子１４ａと第２素子１４ｂとが直列に接続された二端子型非線形素子１４が得られる。さらに、第１電極部１８１と第２層１７２の第２電極部１８２とが中間電極層１８３および絶縁層１７５を覆うように形成されることによって、相互に直列に接続された第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂが形成される。この後、スパッタリングなどの成膜技術によって形成されたＩＴＯの薄膜がパターニングされることによって、図５に示した画素電極１６が形成される。
【００５０】
以上に説明したように、本実施形態においては、補助容量線１７の各層および中間電極層１８３の各層とが二端子型非線形素子１４の各層と共通の工程において同一の材料によって形成されるから、補助容量線１７と二端子型非線形素子１４とを別個の工程において形成する方法と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。さらに、第１回目の陽極酸化によって導電膜６１の表面全体が酸化され、その後に実施される第２回目の陽極酸化によって第１層１７１および中間電極層１８３の酸化を進行させることによって誘電体層１８５および絶縁層１７５が形成されるから、誘電体層１８５および絶縁層１７５を層間絶縁層１４５とは別個に形成する方法と比較して、これらの絶縁層の形成に要する時間が短縮される。
【００５１】
＜Ｂ：変形例＞
上記実施形態には種々の変形が加えられ得る。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５２】
（１）上記実施形態においては、二端子型非線形素子１４がデータ線１３に接続されるとともに画素容量Ｇが走査線２１に接続された構成を例示したが、図１９に示されるように、画素容量Ｇがデータ線１３に接続されるとともに二端子型非線形素子１４が走査線２１に接続された構成も採用され得る。この場合には、第１層１７１と第２層１７２とからなる補助容量線１７がデータ線１３に接続され、さらに第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂが接続点Ｎと補助容量線１７との間に介挿されることになる。また、上記実施形態においては、第１素子１４ａと第２素子１４ｂとを直列に接続してなる二端子型非線形素子１４を例示したが、ひとつの素子のみからなる二端子型非線形素子１４も採用され得る。
【００５３】
（２）上記実施形態においては、補助容量線１７および中間電極層１８３の各層が二端子型非線形素子１４の各層と共通の工程にて形成された構成を例示したが、これらの各要素は別個の工程において互いに相違する材料によって形成されてもよい。また、第１補助容量１８ａおよび第２補助容量１８ｂの具体的な形態は不問である。例えば、上記実施形態においては第１電極部１８１が第２導電層１４２と一体に形成された構成を例示したが、これらの各部が別個の部材とされた構成としてもよい。
【００５４】
（３）上記実施形態においては、補助容量線１７の第１層１７１を覆う絶縁層１７５にコンタクトホールＣＨ1を形成して第１層１７１と第２層１７２とを導通させる構成を例示したが、第１層１７１と第２層１７２とを導通させるための構成はこれに限られない。例えば、図２０（図８に相当する断面図）に示されるように、第１層１７１の縁端面１７１ｂを覆う絶縁層１７５を除去し、この部分から露出する縁端面１７１ｂと接触するように第２層１７２が形成された構成も採用され得る。
【００５５】
（４）二端子型非線形素子１４の層間絶縁層１４５の膜厚と誘電体層１８５および絶縁層１７５の膜厚とを相違させるための方法は任意である。例えば、図１５（ａ）の工程において第１導電層１４１を第１層１７１または中間電極層１８３から離間して形成し、第１導電層１４１と第１層１７１および中間電極層１８３とを異なる条件のもとで別個に陽極酸化することによって、各絶縁層の膜厚を相違させる方法も採用され得る。また、上記実施形態における第１回目の陽極酸化の後に、第１導電層１４１をレジストによって被覆したうえで第２回目の陽極酸化を実施し、その後に第１導電層１４１を第１層１７１から切り離す工程としてもよい。この場合には、レジストによって覆われた第１導電層１４１の酸化が第２回目の陽極酸化に際して進行しないから、上記第１実施形態と同様に層間絶縁層１４５の膜厚と誘電体層１８５および絶縁層１７５の膜厚とを相違させることができる。なお、上記実施形態においては、図１５（ａ）に示したように、第１導電層１４１が第１層１７１に連結された構成を例示したが、第１導電層１４１が中間電極層１８３に連結された構成も採用され得る。
【００５６】
（５）上記実施形態においては二端子型非線形素子１４を例示したが、これに代えて、ＴＦＴ素子などの三端子型非線形素子も採用され得る。ＴＦＴ素子を利用したアクティブマトリクス方式の液晶装置においては、基板（以下「素子基板」という）の表面上に複数の走査線と複数のデータ線とが相互に交差するように形成され、走査線とデータ線との各交差にＴＦＴ素子が形成されるとともに各ＴＦＴ素子に略矩形状の画素電極が接続される。さらに、液晶を挟んで素子基板と対向する基板（以下「対向基板」という）のうち画素電極と対向する表面にはその略全面にわたって対向電極が形成される。表示画像の最小単位となる画素容量は、各画素電極と対向電極と各電極に挟まれた液晶とによって構成される。そして、走査線に供給される走査信号がアクティブレベルになると当該走査線に接続されたＴＦＴ素子が一斉にオン状態となり、このときに各データ線に印加されている電圧がＴＦＴ素子を介して画素電極に印加されることによって画素容量に所期の階調に応じた電荷が蓄積される。
【００５７】
図２１は、この液晶装置のうち素子基板に形成された要素の構成を示す断面図である。なお、同図においては、ひとつの画素に関わる要素のみが図示されているが、その他の画素も同様の構成となっている。図２１に示されるＴＦＴ素子５４は、いわゆるボトムゲート構造の非線形素子であり、素子基板１１上に形成された第１導電層（ゲート電極）５４１と、第１導電層５４１を覆う層間絶縁層（ゲート絶縁層）５４５と、層間絶縁層５４５を挟んで第１導電層５４１と対向する半導体層５４３とを有する。このうち第１導電層５４１は、走査線から分岐した部分であり、タンタルやその合金といった導電性材料によって形成される。また、層間絶縁層５４５は、素子基板１１の略全面を覆うように形成された膜体であり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）といった絶縁性材料によって形成される。一方、半導体層５４３は、例えばアモルファスシリコンやポリシリコンといった半導体材料によって形成される。
【００５８】
半導体層５４３の表面上には、相互に離間するように第２導電層（ドレイン電極）５４２ａおよび第２導電層（ソース電極）５４２ｂが形成されている。このうち第２導電層５４２ａはデータ線から分岐した部分である。一方、第２導電層５４２ｂはＴＦＴ素子５４から離間する方向に延在するように形成されている。第２導電層５４２ａおよび５４２ｂは、第１導電層５４１よりも抵抗率の低い導電性材料（例えばクロムやアルミニウム）によって形成される。第２導電層５４２ａおよび５４２ｂの各々と半導体層５４３との間隙には、ｎ＋形アモルファスシリコン層５４４が介在している。
【００５９】
一方、素子基板１１の表面上には中間電極層５８３（上記実施形態における中間電極層１８３に相当する）が形成されている。この中間電極層５８３は、第１導電層５４１と共通の工程において同一の材料（例えばタンタル）によって形成された膜体である。上述した層間絶縁層５４５は、中間電極層５８３を覆う部分（上記実施形態における誘電体層１８５に相当する部分である。以下「誘電体層」という）５８５を有する。さらに、第２導電層５４２ｂは、誘電体層５８５を挟んで中間電極層５８３と重なり合う部分（以下「第１電極部」という）５８１を有する。このように中間電極層５８３と第１電極部５８１とが誘電体たる誘電体層５８５を挟んで対向することによって第１補助容量５８ａが構成される。また、図２１に示される第２電極部５８２は、第２導電層５４２ｂ（第１電極部５８１を含む）やデータ線（第２導電層５４２ａを含む）と共通の工程において同一の材料によって形成された膜体であり、誘電体層５８５を挟んで中間電極層５８３と重なり合う。このように第２電極部５８２と中間電極層５８３とが誘電体たる誘電体層５８５を挟んで対向することによって第２補助容量５８ｂが構成される。第２電極部５８２は、例えば対向基板上の対向電極や電源線（特に接地線）と導通する。
【００６０】
これらの要素が形成された素子基板１１の表面は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンといった絶縁性材料からなる絶縁層５４７によって覆われている。画素容量を構成する画素電極５６は絶縁層５４７の表面上に設けられ、この絶縁層５４７のコンタクトホールＣＨ3を介して第２導電層５４２ｂ（ここでは第１電極部５８１）と導通する。以上の構成により、ＴＦＴ素子５４のうちゲート電極たる第１導電層５４１は走査線に接続され、ドレイン電極たる第２導電層５４２ａはデータ線に接続され、ソース電極たる第２導電層５４２ｂは画素電極５６に接続されることになる。図２１の構成においても、上記実施形態と同様に、相互に直列に接続された第１補助容量５８ａと第２補助容量５８ｂとが画素容量に対して並列に配置されることになる。したがって、第１補助容量５８ａおよび第２補助容量５８ｂにおける電流のリークを抑制しつつ誘電体層５８５の膜厚を低減することができるという効果が得られる。なお、ここではボトムゲート構造のＴＦＴ素子５４を例示したが、トップゲート構造のＴＦＴ素子を利用した液晶装置にも本発明は同様に適用される。
【００６１】
（６）上記実施形態においては液晶装置Ｄを例示したが、液晶以外の電気光学物質を用いた装置にも本発明は適用される。電気光学物質とは、電気信号（電流信号または電圧信号）の供給によって透過率や輝度といった光学的特性が変化する物質である。例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）発光ポリマーなどのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子を電気光学物質として用いた表示装置や、黒色の微粒子と白色の微粒子とが分散された液体を封止してなるマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイ、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイ、あるいはネオンやキセノンなどの不活性ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置に対しても上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【００６２】
＜Ｃ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備える電子機器について説明する。図２２は、上記実施形態に係る液晶装置Ｄを有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の操作ボタン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および他の端末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示する液晶装置Ｄを有する。
【００６３】
なお、本発明に係る液晶装置が利用され得る電子機器としては、図２２に示される携帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図２】同液晶装置のうちひとつの画素に注目した等価回路図である。
【図３】同液晶装置の全体の構成を示す平面図である。
【図４】同液晶装置のうち表示領域の構成を示す断面図である。
【図５】ひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】図５におけるVII−VII線からみた断面図である。
【図８】図５におけるVIII−VIII線からみた断面図である。
【図９】図５におけるIX−IX線からみた断面図である。
【図１０】図３における部分Ａを拡大して示す平面図である。
【図１１】図１０におけるXI−XI線からみた断面図である。
【図１２】対比例におけるひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図１３】対比例におけるひとつの画素に着目した等価回路図である。
【図１４】同液晶装置のうちひとつの画素に着目した等価回路図である。
【図１５（ａ）】導電膜が形成された様子を示す平面図である。
【図１５（ｂ）】導電膜のうち第１導電層が切り離された様子を示す平面図である。
【図１５（ｃ）】第１層と中間電極層とが切り離された様子を示す平面図である。
【図１５（ｄ）】第２導電層や補助容量線の第２層が形成された様子を示す平面図である。
【図１６】導電膜が形成された様子を示す平面図である。
【図１７】導電膜のうち第１導電層が切り離された様子を示す平面図である。
【図１８】各補助容量線の第１層が切り離された様子を示す平面図である。
【図１９】変形例に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図２０】変形例に係る液晶装置のうち第１層と第２層とを接続するための構成を示す断面図である。
【図２１】変形例に係る液晶装置のうちひとつの画素の構成を示す断面図である。
【図２２】本発明に係る電子機器の一例である携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
Ｄ……液晶装置、Ｐ……画素、１０……第１基板、１１……素子基板、１３……データ線、１３１……第２導電層、１４……二端子型非線形素子（非線形素子）、１４ａ……第１素子、１４ｂ……第２素子、１４１，５４１……第１導電層、１４５，５４５……層間絶縁層、１４２，５４２ａ，５４２ｂ……第２導電層、１４３……接続部、１６，５６……画素電極、１７……補助容量線、１７１……第１層、１７１ａ……端部、１７２……第２層、１７５……絶縁層、１８ａ，５８ａ……第１補助容量、１８ｂ，５８ｂ……第２補助容量、１８１，５８１……第１電極部、１８２，５８２……第２電極部、１８３，５８３……中間電極層、１８５，５８５……誘電体層、Ｇ……画素容量、２０……第２基板、２１……走査線、３１……走査線駆動回路、３３……データ線駆動回路、３５……シール材、３５１……導電性粒子、３６……液晶、４１……引き廻し配線，５４……ＴＦＴ素子（非線形素子），５４３……半導体層、５４７……絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５（ａ）】
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【図１５（ｂ）】
2005345612.tif 000018
【図１５（ｃ）】
2005345612.tif 000019
【図１５（ｄ）】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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