(57)【要約】      （修正有）【課題】下部電極の損傷なしに下部電極の分離を単純に行うことができ、補助膜を用いる場合に発生するシングルビットフェイルを基本的に遮断できる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上部にキャパシタの下部電極２９Ａを画成するための複数のオープン部２８を有する絶縁膜２７を形成する工程と、前記オープン部２８の形状によって前記前記絶縁膜２７上に導電膜２９を形成する工程と、前記オープン部２８の内部より前記オープン部２８の外部で前記導電膜２９を速くエッチングし(垂直に入射し物理的エッチングを行う第１ガスと前記導電膜とプラズマ状態から化学的に反応がよく現われ、化学的エッチングを行う第２ガスの混合ガス用い、オープン部内部ボトム部分での物理的エッチングが最小化されるようにバイアスパワーを低く)下部電極２９Ａの分離を行う工程を含むことによって、工程費用を画期的に減少させることができる。【選択図】図２Ｂ
2005294841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上部にキャパシタの下部電極を画成するための複数のオープン部を有する絶縁膜を形成する工程と、
該オープン部の形状によって前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記オープン部の内部より前記オープン部の外部から前記導電膜を速くエッチングし、下部電極の分離を遂行する工程と
を含んでなる半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記下部電極の分離を行う工程が、垂直に入射し、物理的エッチングを行う第１ガスと、前記導電膜とプラズマ状態から化学的に反応がよく起こり、化学的エッチングを行う第２ガスとの混合ガスを用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記混合ガスにおいて、前記第１ガスと前記第２ガスとの含有量を同一にするか又は前記第１ガスに対する前記第２ガスの含有量をより小さくしてエッチングを行う
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記混合ガスにおいて、前記第２ガスの含有量を１％〜５０％にする
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記混合ガスに、Ｏ2またはＮ2を単独で添加するか、またはＯ2とＮ2とを混合して添加する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記下部電極の分離を行う工程において、前記オープン部の外部より前記オプン部の内部ボトム部分で物理的エッチングが最小化されるようにバイアスパワーを調節して行う
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記バイアスパワーを３０Ｗ〜３００Ｗの範囲に調節して行う
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記下部電極の分離を行う工程は、
垂直に入射し、物理的エッチングを行う第１ガスと前記導電膜とプラズマ状態で化学的に反応がよく起きて化学的エッチングを行う第２ガスとの混合ガスを用い、前記オープン部の外部より前記オプン部の内部ボトム部分での物理的エッチングの方が最小化されるようにバイアスパワーを調節して行う
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記混合ガスにおいて、前記第１ガスと前記第２ガスとの含有量を同一にするか又は前記第１ガスに対する前記第２ガスの含有量をより小さくしてエッチングを行う
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記混合ガスにおいて、前記第２ガスの含有量を１％〜５０％にする
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記混合ガスに、Ｏ2またはＮ2を単独で添加するか、またはＯ2とＮ2とを混合して添加する
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記バイアスパワーを３０Ｗ〜３００Ｗの範囲に調節する
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記導電膜をチタニウムナイトライドで形成し、前記第１ガスに不活性ガスを用い、前記第２ガスにＣｌ系ガスを用いる
ことを特徴とする請求項２または請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｃｌ系ガスが、Ｃｌ2、ＨＣｌまたはＣＣｌ4の中から選択されるか、または、前記Ｃｌ2、ＨＣｌまたはＣＣｌ4の中から少なくとも２つのガスを混合して用いる
ことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記導電膜をシリコン膜系列で形成し、前記第２ガスとしてフッ素系ガス、塩素系ガスまたはブローム系ガスの中から選択された単独のまたは混合ガスを用い、前記第１ガスとして不活性ガスを用いる
ことを特徴とする請求項２または請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記フッ素系ガスは、ＳＦ6、ＮＦ3または、ＣＦ4であり、前記塩素系ガスはＣ１2であり、前記ブローム系ガスは、ＨＢｒである
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記導電膜をタングステン膜で形成し、前記第２ガスとしてフッ素系ガスを用い、前記第１ガスとして不活性ガスを用いる
ことを特徴とする請求項２または請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記フッ素系ガスは、ＳＦ6、ＮＦ3、またはＣＦ4を単独でまたは混合して用いる
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記導電膜を貴金属系の金属膜で形成し、前記第２ガスとしてＯ2またはＣ１2を単独でまたは混合して用い、前記第２ガスとして不活性ガスを用いる
ことを特徴とする請求項２または請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記下部電極の分離を行う工程は、プラズマ全面エッチングで行う
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体製造技術、特に、キャパシタを備えた半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の最小線幅が減少し、集積度が増加するに連れて、キャパシタが形成される面積も次第に狭くなっている。このようにキャパシタが形成される面積が狭くなっても、セル内のキャパシタは、最小限セル当り２５ｆＦ以上のキャパシタンスを確保しなければならない。同様に、狭い面積上に高いキャパシタンスを有するキャパシタを形成するために、シリコン酸化膜（ε＝３．８）、窒化膜（ε＝７）に代えて、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3またはＨＦＯ2のような高い誘電率を有する物質を誘電体膜として利用する方法、下部電極の面積を効果的に増大させるために下部電極をシリンダ(cylinder)形、凹(concave)形等で立体化したり、下部電極の表面にＭＰＳ(Meta stable-Poly Silicon)を成長させて下部電極の有効表面積を１．７〜２倍程度増加させる方法などが提案された。
【０００３】
前記のシリンダ形または凹形キャパシタの製造時に、下部電極の分離(Bottom isolation)工程が必ず必要であるが、一般的に化学的機械的研磨（ＣＭＰ）またはプラズマ全面エッチング法(Plasma blanket etch)を用いている。
【０００４】
図１Ａないし図１Ｄは、従来の技術に係るプラズマ全面エッチング法を用いた下部電極の分離方法を示す工程断面図である。
【０００５】
図１Ａに示されたように、半導体基板１１にトランジスタのソース／ドレインのような接合領域１２を形成する。ここで、図示していないが、接合領域１２の形成前には、周知の如く、素子間分離のためのフィールド酸化膜が形成され、半導体基板１１の上部にはゲート電極が形成される。
【０００６】
次に、半導体基板１１の上部に層間絶縁膜１３を蒸着する。図示していないが、層間絶縁膜１３の形成前には、ゲート電極を覆う層間絶縁膜工程、ビットライン工程が行われ、したがって、層間絶縁膜１３は、多層構造の層間絶縁膜である。
【０００７】
次に、層間絶縁膜１３をエッチングして、接合領域１２を露出させるストレージノードコンタクトホール１４を形成した後、該ストレージノードコンタクトホール１４にストレージノードコンタクトプラグ１５を埋め込む。ここで、ストレージノードコンタクトホール１４に埋め込まれるストレージノードコンタクトプラグ１５は、キャパシタとトランジスタとの間で信号処理を可能にするためのプラグである。
【０００８】
次に、ストレージノードコンタクトプラグ１５を含んだ層間絶縁膜１３上にエッチングバリア膜１６とキャパシタ構造形成用絶縁膜１７を順に蒸着した後、キャパシタ構造形成用絶縁膜１７とエッチングバリア膜１６を順次的にエッチングして、ストレージノードコンタクトプラグ１５の表面を露出させるホール１８を形成する。
【０００９】
次に、ホール１８を含むキャパシタ構造形成用絶縁膜１７上に下部電極として用いる導電膜、例えば、ポリシリコン膜１９を蒸着する。以後、下部電極分離(Bottom electrode isolation)工程を行うが、下部電極分離の補助膜として感光膜２０を塗布する。
【００１０】
次いで、図１Ｂに示されたように、感光膜２０をプラズマ全面エッチングにより一部除去して、ホール１８内部にだけ感光膜２０を残留させる。
【００１１】
図１Ｃに示されたように、ホール１８の内部に残留する感光膜２０を残した状態でプラズマ全面エッチングを行ってキャパシタ構造形成用絶縁膜１７上部のポリシリコン膜１９を除去して、ホール１８の内部にだけシリンダー形下部電極１９Ａを形成させる。
【００１２】
図１Ｄに示されたように、感光膜２０を除去するための酸素プラズマを用いたストリップ工程を行った後、キャパシタ構造形成用絶縁膜１７を除去してシリンダ型下部電極１９Ａだけを露出させる。
【００１３】
以上のように、従来の技術は、下部電極の分離工程時に、キャパシタ内部の損傷防止及び下部電極の表面積を増加させる後続工程進行にともなう汚染問題を防止するために下部電極分離の補助膜として感光膜(photoresist)を用いている。前記の感光膜は、下部電極に損傷を与えないで、酸素プラズマを利用して除去が容易な特性を有する。
【００１４】
しかし、従来の技術のように、下部電極の分離工程時に、プラズマ全面エッチング法を利用する場合には、下部電極分離補助膜の蒸着、補助膜の部分的除去、補助膜の完全除去及び洗浄工程など、最小限４つの追加工程が必要となるだけでなく、１００ｎｍ以下のナノテク技術においては、補助膜を完壁に除去することが容易でない。例えば、感光膜を補助膜として用いる場合、全面エッチングが終わった後、補助膜を除去する工程において補助膜である感光膜がウェーハ上の任意の部分に完壁に除去されずに残留して、シングルビットフェイル(single bit fail)を誘発する。このような問題点は、下部電極として用いる導電膜にＴｉＮ、Ｒｕなどの金属膜を適用する場合にも発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
この発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、下部電極の損傷なしに下部電極の分離を単純に行うことができるだけではなく、補助膜を用いる場合に発生するシングルビットフェイルを基本的に遮断できる半導体素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、この発明による半導体素子の製造方法は、半導体基板上部にキャパシタの下部電極を画成するための複数のオープン部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記オープン部の形状によって前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、前記オープン部の内部よりも前記オープン部の外部の方から前記導電膜をより速くエッチングして、下部電極の分離を遂行する工程を含むことを特徴とし、前記下部電極の分離を遂行する工程は、垂直に入射して物理的エッチングを行う第１ガスと前記導電膜とプラズマ状態から化学的に反応がよく現われ、化学的エッチングを行う第２ガスの混合ガスを用いることを特徴とし、前記下部電極の分離を遂行する工程から前記オープン部の内部のボトム部分で物理的エッチングが最小化されるようにバイアスパワーを調節して行うことを特徴とし、前記下部電極の分離を行う工程は、垂直に入射し、物理的エッチングを行う第１ガスと前記導電膜とプラズマ状態から化学的に反応がよく現われ、化学的エッチングを行う第２ガスの混合ガスを用いて、前記オープン部の内部ボトム部分での物理的エッチングが最小化されるようにバイアスパワーを調節して行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
上述したこの発明は、補助膜を導入しないながらも、下部電極を分離することができるため、補助膜の導入に係る工程を単純化させることによって工程費用を画期的に減少させることができる効果がある。
【００１８】
また、補助膜除去の不良のために発生するシングルビットフェイルを基本的に除去することによって、不良率を最小化して収率を増大させることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者がこの発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、この発明の最も好ましい実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
後述するこの発明の実施の形態は、下部電極の分離工程時に、下部電極の内部及び底部のエッチング損失を防止するために感光膜のような補助膜を用いることに伴う複雑な工程を減らすために、補助膜を使用せず下部電極がプラズマにそのまま露出された状態でも、プラズマエッチングによるエッチング損傷なく、下部電極を分離しようとする。
【００２１】
図２Ａないし図２Ｄは、この発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【００２２】
図２Ａに示すように、半導体基板２１にトランジスタのソース／ドレインのような接合領域２２を形成する。ここで、図示していないが、接合領域２２の形成前には、周知の如く、素子間分離のためのフィールド酸化膜が形成され、半導体基板２１の上部にはゲート電極が形成される。
【００２３】
次いで、半導体基板２１の上部に層間絶縁膜２３を蒸着する。図示していないが、層間絶縁膜２３の形成前には、ゲート電極を覆う層間絶縁膜工程、ビットライン工程が行われ、したがって、層間絶縁膜２３は、多層構造の層間絶縁膜である。
【００２４】
次いで、層間絶縁膜２３をエッチングして接合領域２２を露出させるストレージノードコンタクトホール２４を形成した後、このストレージノードコンタクトホール２４にストレージノードコンタクトプラグ２５を埋め込む。ここで、ストレージノードコンタクトホール２４に埋め込まれるストレージノードコンタクトプラグ２５は、キャパシタとトランジスタとの間の信号処理を可能にするためのプラグである。
【００２５】
次いで、ストレージノードコンタクトプラグ２５を含む層間絶縁膜２３上にエッチングバリア膜２６とキャパシタ構造形成用絶縁膜２７を順に蒸着した後、キャパシタ構造形成用絶縁膜２７とエッチングバリア膜２６を順次にエッチングして、ストレージノードコンタクトプラグ２５の表面を露出させる下部電極が形成される領域を定義するオープン部２８を形成する。
【００２６】
次いで、オープン部２８の現象によってキャパシタ構造の形成用絶縁膜２７の上に下部電極として用いる導電膜２９を蒸着する。ここで、下部電極として用いる導電膜２９は、ドープドポリシリコン(doped polysilicon)、アンドープドポリシリコン／ドープドポリシリコン(undoped polysilicon/doped polysilicon)積層、タングステン（Ｗ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）または白金（Ｐｔ）の中から選択される。
【００２７】
以後、図２Ｂに示すように、下部電極分離(Bottom electrode isolation)工程を行うが、下部電極分離の補助膜である感光膜を塗布しないで、直接プラズマ全面エッチングを行って導電膜からなるシリンダ形態の下部電極を形成する。ここで、下部電極として用いる導電膜２９の種類によってエッチング条件が異なる。
【００２８】
以下、下部電極として用いる導電膜２９がチタンナイトライド（ＴｉＮ）の場合のプラズマ全面エッチングについて説明する。
【００２９】
通常のプラズマエッチング装置は、チャンバー(Chamber)、トップ電極(Top electrode)、ボトム電極(Bottom electrode)で構成されて、ボトム電極の上部には、エッチングされる物質が形成されたウェーハが位置する。ここで、トップ電極は、プラズマを発生させるためのソースパワー(source power)を印加するための電極であり、ボトム電極は、プラズマ内のイオン及びラジカルをウェーハ側に引き寄せるためのバイアスパワー(Bias power)を印加するための電極であり、トップ電極とボトム電極が分離されているため、ウェーハに入射するイオン及びラジカルのエネルギを独立に調節することができる。
【００３０】
上のようなプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチングは、物理的エッチング(Physical etching)、化学的エッチング(Chemical etching)、物理化学的エッチング(physico-chemical etching)に分類することができる。
【００３１】
まず、物理的エッチングは、Ａｒ、Ｈe、Ｘｅなどのような不活性ガス(Inert gas)を利用してプラズマを発生させ、そのプラズマ内の陽イオン(Positive ion）をウェーハでに垂直に入射させて純粋に被エッチング層を物理的にエッチングする方法であり、化学的エッチングは、被エッチング層とプラズマ状態から化学的に反応がよく起きるガスを選択してプラズマを発生させ、そのプラズマ内のアクティブになった中性のラジカル(radical)を用いて純粋に化学的にエッチングする方法であり、物理化学的エッチングは、プラズマ内の陽イオンをウェーハに入射させてイオンの強力な衝突エネルギを利用するとともに、被エッチング層と化学的反応がよく起きるラジカルを利用することによって、エッチング速度を一桁程度増加させることができるようにシナジー効果を得る方法である。
【００３２】
以上のような原理によって、この発明は、下部電極分離の工程時に、物理化学的エッチングを用いて全面エッチングを行う。
【００３３】
下部電極用導電膜２９がチタンナイトライド（ＴｉＮ）と仮定すると、チタンナイトライド（ＴｉＮ）の物理化学的エッチングを誘導するために、ＡｒガスとＣ１2ガスを用いる。ここで、Ａｒガスは、チタンナイトライド（ＴｉＮ）の物理的エッチングのためのガスであり、Ｃ１2ガスは、化学的エッチングのためのもので、チタンナイトライド（ＴｉＮ）とよく化学反応するガスである。
【００３４】
もし、下部電極を形成するために感光膜のような補助膜なしでチタンナイトライド（ＴｉＮ）をプラズマ全面エッチングすることにおいて、Ａｒを用いた物理的エッチングだけを用いると、オープン部２８の外部に形成されたチタンナイトライド（ＴｉＮ）だけでなく、オープン部２８の内部に形成されたチタンナイトライド（ＴｉＮ）もエッチングされ、また物理的エッチングされ、跳ねてきたＴｉＮ原子がエッチングチャンバーのチャンバー壁に持続的に蒸着されることによって、パワーの伝達効率の減少とともに最終的には多くのパーティクルを誘発するようになる。
【００３５】
そして、下部電極を形成するために補助膜なしでＣ１2を用いた化学的エッチングだけを用いれば、化学的エッチングは、方向性のない等方性エッチングが起きるので、オープン部２８の外部及び内部の相当な深さのＴｉＮまでもエッチングされて下部電極の高さが顕著に減少するだけでなく、ＴｉＮの結晶粒(grain)に沿ってＣ１2が拡散しながらエッチングされて、下部電極のパターンが悪くなり、各ＴｉＮの結晶粒が小さな衝撃にも落ちて欠陥を誘発させることになる。さらに、縦横比(Aspect ratio)が小さい場合、オープン部２８の内部ボトム部分に形成されたＴｉＮまでも完全にエッチングされて、下部電極自体が全部エッチングされることになり得る。
【００３６】
したがって、この発明の補助膜なしにプラズマ全面エッチングだけで下部電極を好ましく分離するためには、オープン部の外部に形成されたＴｉＮは、物理的エッチング及び化学的エッチングが同時に行われるようにして速い速度でエッチングする反面、ホール２８の内部（オープン部の側壁及びボトム部分）に形成されたＴｉＮは、化学的エッチングだけ起きるようにし、非常に遅い速度でエッチングできるようにエッチングガス及びエッチング条件を調節する。
【００３７】
一般的にポリシリコンや金属をエッチングする場合、イオンの直進性のため、オープン部２８の内部側壁は、物理的エッチングが殆ど起こらない反面、オープン部２８の内部ボトム部分は、物理的エッチングが起こる。この発明の場合のように、オープン部２８の内部ボトム部分から物理的エッチングを最小化するためには、オープン部２８内部の圧力を高め、垂直に入射して入ってくるイオンがオープン部２８上部を通過し、オープン部２８の内部ボトム部分まで下りてくるまでオープン部２８内部の数多くの粒子と衝突し、そのエネルギを失うようにすればよい。このようにオープン部２８内部の圧力を高める方法は、オープン部２８内部の下部電極物質と化学的エッチングを起こすことができるエッチングガスを用いてプラズマエッチングを行えばよい。この時、オープン部２８内部の下部電極物質と化学的エッチングによって発生するエッチング副産物が十分に多くなる場合、オープン部２８内部の圧力を十分に増加させることができ、これによってオープン部２８内部に入射し入ってきたイオンは、数多くのエッチング副産物と衝突し、そのエネルギを失うようになり、結局オープン部２８の内部ボトム部分に到達しても、そのエネルギが急激に減少し物理的エッチングを起こすことができなくなる。
【００３８】
そして、オープン部２８の内部ボトム部分の物理的エッチングを最小化、ないしはその影響を無くすためには、オープン部２８内部の圧力の増加だけでなく、オープン部２８に入ってくる入射イオンのエネルギ減少が必要である。換言すれば、オープン部２８内部の圧力が高いとしても、入射イオンのエネルギが非常に高いならば、オープン部２８の内部ボトム部分に到達したイオンのエネルギが物理的エッチングを起こすことができる。したがって、オープン部２８の内部ボトム部分に到達するイオンのエネルギは、エッチング副産物によるオープン部２８内部の圧力及び入射イオンのエネルギを決定するバイアスパワーの組合せによって決定される。
【００３９】
結局、エッチング副産物によるオープン部２８内部の圧力の調節、すなわち、化学的エッチングによるエッチング副産物の量の調節には、化学的エッチングを起こし得るエッチングガスの選択は、もちろん、物理的エッチングのためのエッチングガスと化学的エッチングのためのエッチングガスとの含有量比の調節が重要であり、オープン部２８の内部ボトム部分に到達するイオンのエネルギを最小化するためには、入射イオンのエネルギをできるだけ減少させることが好ましい。しかし、物理的エッチングを最小化するために、非常に低いバイアスパワーを用いると、オープン部２８の外部に形成されたＴｉＮさえも物理的エッチングが起こらない可能性があるため、適切なバイアスパワーを必要とする。
【００４０】
総合してみれば、補助膜なしに行うプラズマ全面エッチング工程は、オープン部２８の外部に形成された下部電極物質は、物理的エッチング及び化学的エッチングが同時に起こらなければならない反面、オープン部２８の内部側壁及びボトム部分の下部電極物質は、化学的エッチングだけが起きることができるようにエッチングガスの組合せ及び適切なエッチング条件が要求される。
【００４１】
例えば、チタニウムナイトライド（ＴｉＮ）の場合、オープン部２８の外部では、物理化学的エッチングが起こるようにＡｒ／Ｃｌ2の混合ガスを用いて、オープン部２８の内部ボトム部分で物理的エッチングを最小化するためにバイアスパワーを３０Ｗ〜３００Ｗに低く調節し、Ｃｌ2による化学的エッチングの程度を適切に調節するために、Ｃｌ2とＡｒとの混合ガスでＣｌ2含有量を１％〜５０％に調節する。
【００４２】
併せて、エッチングチャンバの圧力は、物理的エッチング及び化学的エッチングが適切に起きるようにするために、１ｍｔｏｒｒ〜５０ｍｔｏｒｒに調節する。
【００４３】
最後に、プラズマ全面エッチング時に、トップ電極のパワーやチャンバの圧力、そしてトップ電極の温度及びチャンバの温度は、大きく影響を与えないが、各条件に合うように調節して用いる。
【００４４】
前記のような限界条件でプラズマ全面エッチングを行う場合、オープン部２８の外部に形成されたチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）は、エッチング速度が非常に速くエッチングされる反面、オープン部２８の内部側壁に形成されたチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）は、化学的エッチングが遅く起きるように調整されたエッチング条件（Ｃｌ2とＡｒとの混合ガスでＣｌ2の含有量を１％〜５０％に調節）下でエッチングが行われるため、非常に微小な程度にエッチングされる。そして、オープン部２８の内部側壁のＴｉＮとラジカルとの反応により生じた反応副産物が、オープン部２８の内部を満たすようになりながらオープン部２８内部の圧力が増加され、バイアスパワーを３０Ｗ〜３００Ｗに低く調節することによって、プラズマからオープン部２８の内部ボトム部分に入射する陽イオン及び拡散し入ってくるラジカルの流れを抑制することによって、オープン部２８の内部ボトム部分に形成されたＴｉＮは、微小な程度にだけエッチングが行われる。
【００４５】
結局、全体的に見ると、オープン部２８の外部に形成されたチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）は、物理化学的エッチングによって速くエッチングされ、オープン部２８の内部側壁やオープン部２８の内部ボトム部分に形成されたチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）は、オープン部２８の外部に比べ、相対的に非常に遅くエッチングされるため、傾斜エッチングではない垂直方向へのバリヤレスプラズマ全面エッチングをしても、下部電極の好ましいエッチングパターンを良好に作ることができる。
【００４６】
上述したＴｉＮに対する全面エッチングの際に、オープン部２８の外部でのエッチング速度に対するオープン部２８の内部側壁及びボトム部分でのエッチング速度が１％〜７０％になるように調節する。そして、オープン部２８の内部側壁でのエッチング速度とボトム部分でのエッチング速度は、殆ど同じレベルに調節する。
【００４７】
このため、処理工程条件は、１０ｍｔｏｒｒ、３００Ｗ(Ｓ)、１００Ｗ(Ｂ)、１０Ｃｌ2：１９０Ａｒ、４０℃、ＥＯＰ＝１６”±１”、ＯＥ＝１０”とする。ここで、３００Ｗ(Ｓ)は、ソースパワーであり、１００Ｗ(Ｂ)は、バイアスパワーであり、ＥＯＰ(End of Point)は、終末点であり、ＯＥ(Over Etch）は、過度エッチングを意味する。
【００４８】
前記の処理工程条件で行う場合、ＴｉＮの厚さ３００Å基準とすると、オープン部２８の外部でのエッチング速度は、１１２０Å／分であり、オープン部２８の内部側壁及びボトム部分では、エッチング速度は、オープン部２８の外部に比べて顕著に低くなり、１０Å／分に測定された。ここで、オープン部２８の外部でのＴｉＮエッチング速度は、エッチング条件により異なるが、概略５００Å／分〜２０００Å／分であり、したがって、オープン部２８の内部でのＴｉＮエッチング速度は、５Å／分〜１４０Å／分（２０００Å／分の７％レベル）である。
【００４９】
そして、Ｃｌ2／Ａｒの含有量調節にともなうエッチング速度の変化は、Ｃｌ2／Ａｒの含有量が非常に低い場合、５００Å／分以上であり、Ｃｌ2／Ａｒの含有量が非常に高い場合、３０００Å／分程度に変化させることができる。すなわち、Ｃｌ2／Ａｒの含有量の調整により、エッチング速度は、５００Å／分〜３０００Å／分の範囲で変化させることができる。しかし、下部電極の厚さが薄いので、スループットは、大きな問題にならず、エッチングプロフィールや過度エッチング(Over Etch)（ＯＥ）のコントロールのために、エッチング速度を比較的遅くする方向にエッチング条件を調節する。
【００５０】
実質的に好ましいプラズマ全面エッチング条件は、圧力が５ｍｔｏｒｒ〜２０ｍｔｏｒｒ、ソースパワーが３００Ｗ〜８００Ｗ、バイアスパワーが３０Ｗ〜３００Ｗ、Ｃｌ2＋Ａｒ混合ガス中のＣｌ2ガスの割合が１％〜５０％、電極温度が１０℃〜４０℃である。
【００５１】
前記の実施の形態において、ＴｉＮのプラズマ全面エッチング時に、化学的エッチングを伴うエッチングガスとしては、Ｃｌ2以外にＨＣｌまたはＣＣｌ4のようなＣｌ系ガスを単独または混合して用いることができ、ＡｒとＣｌ系エッチングガスの混合ガス以外にプラズマ安定化、流量調節、エッチングガス希釈のためにＡｒ、Ｘｅ、Ｈｅなどを単独でまたは混合して添加することができ、化学的エッチングが優勢に起きて下部電極が損傷されることを防止する保護(Passivation)または反応抑制剤(inhibitor）としてＯ2、Ｎ2などを単独または混合して添加することができる。
【００５２】
前記の実施の形態では、ＴｉＮを下部電極として用いる場合について説明したが、この発明は、下部電極として用いる導電膜の種類によってエッチング条件が異なる。
【００５３】
まず、下部電極用の導電膜としてシリコンＳｉ系列を用いる場合には、プラズマ全面エッチング時、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＦ4のようなフッ素系、Ｃ１2のような塩素系、ＨＢrのようなブロム(Bromine)系ガスを化学的エッチングガスとして単独でまたは混合して用いる。
【００５４】
そして、下部電極用の導電膜としてタングステン（Ｗ）を用いる場合、プラズマ全面エッチング時に、エッチングガスとしてＳＦ6、ＮＦ3またはＣＦ4のようなフッ素系ガスを化学的エッチングガスとして単独または混合して用いる。
【００５５】
そして、下部電極用の導電膜としてルテニウム（Ｒｕ）または白金（Ｐｔ）のような貴金属系金属膜を用いる場合には、プラズマ全面エッチング時に、Ｏ2、Ｃ１2を化学的エッチングガスとして単独でまたは混合して用いる。
【００５６】
以上のように、シリコン系列、タングステン、貴金属系金属膜を用いる場合のプラズマ全面エッチング時に、化学的エッチングガス以外に物理的エッチングガスとしては不活性ガスを用い、またプラズマ安定化、流量調節、メインエッチングガス希釈のためにＡｒ、Ｘｅ、Ｈeなどの不活性ガスを単独でまたは混合して添加することができる。そして、化学的エッチングガスに係よる化学的エッチング特性が最も優勢に起きる場合は、これを抑制するための保護(Passivation)または反応抑制剤(inhibitor)の目的でＯ2、Ｎ2などを単独でまたは混合して添加する。
【００５７】
前記のようなプラズマ全面エッチングのためのプラズマエッチング装置では、ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)、マイクロウエーブ(Microwave)、ＣＣＰ(Capacitively Coupled Plasma)などを用い、下部電極分離時に、オープン部の外部のエッチング形状を調節する目的でエッチングガスの比率、ソースパワー、バイアスパワー、圧力、トップ電極及びボトム電極の温度などの諸条件を調節する。
【００５８】
図２Ｂのような下部電極分離工程が完了した後には、図２Ｃに示すように、シリンダ形態の下部電極２９Ａが形成される。
【００５９】
図２Ｄに示されたように、下部電極２９Ａの形成後に湿式ディップアウト工程によりキャパシタ構造形成用絶縁膜２７を除去してシリンダ形下部電極２９Ａだけを露出させる。
【００６０】
上記の実施形態のようにプラズマエッチングを行う場合は、既存のプラズマエッチング装置をそのまま使用しながらエッチングガスを含むエッチング条件を調節するため、設備装置構成を変える必要がなくて設備装置の投資に対する費用負担がなく、垂直に入射する特性を有する物理的エッチングと等方性エッチング特性を有する化学的エッチングとを同時に行うことによって、全体的にエッチングの均一度が良好となるという付加的な効果が得られる。
【００６１】
また、感光膜のような補助膜なしにプラズマ全面エッチングを行っても、下部電極の分離が可能であり、また下部電極下部にパンチ(Punch)が発生しない効果が得られる。
【００６２】
なお、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で、様々な変更が可能であり、それらはこの発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１Ａ】従来の技術に係るプラズマ全面エッチング法を用いた下部電極の分離方法を示す工程断面図である。
【図１Ｂ】従来の技術に係るプラズマ全面エッチング法を用いた下部電極の分離方法を示す工程断面図である。
【図１Ｃ】従来の技術に係るプラズマ全面エッチング法を用いた下部電極の分離方法を示す工程断面図である。
【図１Ｄ】従来の技術に係るプラズマ全面エッチング法を用いた下部電極の分離方法を示す工程断面図である。
【図２Ａ】この発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｂ】この発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｃ】この発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｄ】この発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
２１…半導体基板、２２…接合領域、２３…層間絶縁膜、２５…ストレージノードコンタクトプラグ、２６…エッチングバリア膜、２７…キャパシタ構造形成用絶縁膜、２８…ホール、２９Ａ…下部電極。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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