(57)【要約】【課題】配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の２軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。【解決手段】配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。また、配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。
【請求項２】
配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。
【請求項３】
酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の温度が、５００℃〜８００℃である請求項１または請求項２に記載の酸化物薄膜の製造方法。
【請求項４】
酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の時間が、２分間以上である請求項１〜請求項３のいずれかに記載の酸化物薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明には、配向金属基板に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高温超電導体の発見以来、ケーブル、限流器、マグネットなどの電力機器への応用を目指した高温超電導線材の開発が活発に行なわれている。現在の代表的な高温超電導体は、ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ（ＲＥは希土類元素を示す。以下同じ。）などの酸化物であるため、優れた高温超電導線材を得るためには、前記の酸化物について配向性の高い薄膜を形成する必要がある。
【０００３】
このため、Ｎｉなどの金属基板の上に、酸化物薄膜として１層以上の中間層、および超電導層を形成することにより高温超電導線材を製造することが提案されている（たとえば、非特許文献１〜非特許文献４参照。）。ここでは、金属基板として基板を構成する金属原子が２軸配向した配向金属基板を用いて、前記配向金属基板の上に中間層をエピタキシャル成長させることにより配向金属基板と同じ２軸配向性を有する中間層を形成し、前記中間層の上にさらに超電導層をエピタキシャル成長させることにより中間層と同じ２軸配向性を有する超電導層を形成する。かかる製造方法により、超電導に適した２軸配向性を有する超電導層を有する高温超電導線材の製造が容易になる。
【０００４】
しかし、上記の配向金属基板を用いても、配向金属基板表面が酸化されて酸化層が形成されると配向金属基板の上記２軸配向性が損なわれ、中間層として形成されるＣｅＯ２などの酸化物薄膜は独自の配向（＜１１１＞軸が基板面に対して垂直方向に配向した１軸配向）を採りやすく、配向金属基板にエピタキシャルな中間層を形成することが困難となり、超電導に適した配向を有する超電導層を形成することが困難となる。したがって、如何にして配向金属基板表面の酸化層を除去し、かつ配向金属基板の２軸配向性を維持するかが問題であった。
【０００５】
【非特許文献１】
Ｊ．Ｈ．Ｊｅ、他７名，“Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｏｆ  ＲＥ２Ｏ３  ｌａｙｅｒｓ  ｏｎ  ｃｕｂｅ  ｔｅｘｔｕｒｅｄ  Ｎｉ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｐｈｙｓｉｃａ  Ｃ，（２００３），３８４，ｐ．５４−６０
【０００６】
【非特許文献２】
Ｂ．Ｗ．Ｋａｎｇ、他５名、“Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ  ｓｔｕｄｙ  ｏｆ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ  ｏｆ  ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ  ｏｎ  （１００）ＳｒＴｉＯ３  ａｎｄ  ｏｎ  ｒｏｌｌｉｎｇ−ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｔｅｘｔｕｒｅｄ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．，Ｊｕｌ．  ２００２，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．７，ｐ．１７５０−１７５７
【０００７】
【非特許文献３】
Ｄ．Ｅｙｉｄｉ、他２名，“Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  ＣｅＯ２  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｏｎ  ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｔｅｘｔｕｒｅｄ  ｎｉｃｋｅｌ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．，Ｊａｎ．  ２００３，Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．１，ｐ．１４−２６
【０００８】
【非特許文献４】
藤野、他６名，「ＩＳＤ法による高温超電導薄膜線材の開発」，ＳＥＩテクニカルレビュー，１９９９年９月、第１５５号、ｐ．１３１−１３５
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するため、配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の２軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる酸化物薄膜の製造方法は、配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する。また、本発明にかかる酸化物薄膜の製造方法は、配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する。
【００１１】
また、本発明にかかる酸化物薄膜の製造方法において、酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の温度を５００℃〜８００℃とすること、および酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の時間を２分間以上とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる酸化物薄膜の一の製造方法は、図１を参照して、配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、図１（ｂ）に示すような酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板１を還元雰囲気下で熱処理（直前熱処理１２）する工程を有する。かかる熱処理によって、配向金属基板の表面に形成する酸化層１ｂを確実に除去し、酸化物薄膜が形成されるまで配向金属基板の２軸配向性を維持することができる。
【００１３】
ここで、本発明に用いられる配向金属基板とは、基板を構成する金属原子が２軸配向している金属基板をいい、完全な２軸配向基板のみならず、結晶軸のずれ角が２５°以下の基板が含まれる。また、配向の方向は、＜１００＞軸が基板面に垂直な方向に、＜０１０＞軸が基板の長さ方向に配向していることが好ましい。配向金属基板としては、前記のような２軸配向を有する基板であれば特に制限はないが、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらのうち２以上の金属からなる合金が好ましく用いられる。また、前記の金属または合金の単体だけでなく、前記の金属または合金を他の金属または合金と積層することもできる。たとえば、高強度材料であるＳＵＳに配向Ｎｉ薄膜層を設けて配向金属基板とすることもできる。
【００１４】
酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を熱処理するとは、酸化物薄膜形成工程の開始にできるだけ近いタイミングで配向金属基板の熱処理工程が終了することを意味する。理想的には、配向金属基板の熱処理工程が終了するとともに酸化物薄膜形成工程が開始することが望ましい。
【００１５】
還元雰囲気下で熱処理するとは、配向金属基板の表面に形成された酸化層を除去するに十分な還元性雰囲気で熱処理することをいい、たとえば、Ｈ２ガスなどの還元性ガスの存在下を意味する。熱処理雰囲気ガス中のＨ２ガスのモル％は大きいほど還元性が高くなるので好ましく、たとえば、還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとを併用する場合は、Ｈ２ガスは１モル％以上が好ましく、より好ましくは３モル％以上である。
【００１６】
酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の温度は、配向金属基板の融点未満であれば特に制限はないが、５００℃〜８００℃であることが好ましい。熱処理温度が５００℃未満であると配向金属基板表面に形成される酸化層の除去が不十分となり、８００℃を超えると配向金属基板の配向性を低下させる場合がある。上記観点から、熱処理温度は、６００℃〜７００℃がより好ましい。
【００１７】
酸化物薄膜形成の直前における配向金属基板の還元雰囲気下での熱処理の時間は、特に制限はないが、２分間以上であることが好ましい。熱処理時間が２分間未満であると配向金属基板表面に形成される酸化層の除去が不十分となる。
【００１８】
次に、酸化物薄膜の形成方法について説明する。ここで、図１を参照して、酸化物薄膜には、配向金属基板上に形成される１層以上の中間層２、中間層上に形成される超電導層３などが含まれる。
【００１９】
上記熱処理の後、図１（ｄ）に示すように配向金属基板１の上に中間層２を形成する。かかる中間層のうち配向基板に隣接する第１中間層としては、パイロクロア型、螢石型、岩塩型またはペロブスカイト型の結晶構造をもつ、１種以上の金属元素を有する金属酸化物が好ましく用いられる。具体的には、ＣｅＯ２などの希土類元素酸化物、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＢＺＯ（ＢａＺｒＯ３）、ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ３）、Ａｌ２Ｏ３、ＹＡｌＯ３、ＭｇＯ、Ｌｎ−Ｍ−Ｏ系化合物（Ｌｎは１種以上のランタノイド元素、ＭはＳｒ、ＺｒおよびＧａの中から選ばれる１種以上の元素、Ｏは酸素）などが挙げられる。かかる酸化物は、結晶定数、結晶配向の観点から配向金属基板および超電導層の差を緩和するとともに配向金属基板から超電導層への金属原子の流出を防止する役割を果たす。中間層となる酸化物薄膜の形成方法としては、本発明の目的に反さない限り特に制限はなく、スパッタ法、ＥＢＤ（電子線ビーム蒸着；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＬＤ（パルスレーザー蒸着；Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱蒸着法などの方法が好ましく用いられる。なお、金属原子の流出が少ない配向金属基板、たとえば配向Ａｇ基板などにおいては、上記中間層を設けずに、配向Ａｇ基板の上に直接超電導層を形成させることもできる。
【００２０】
上記熱処理直後の配向金属基板１、たとえば、＜１００＞軸が基板面に垂直な方向に、＜０１０＞軸が基板の長さ方向に、２軸配向している配向Ｎｉ基板上に、中間層２たる酸化物薄膜としてＣｅＯ２薄膜をエピタキシャルに成長させると、＜１００＞軸が基板面に垂直な方向に、＜０１１＞軸が基板の長さ方向に配向したＣｅＯ２薄膜が形成され、２軸配向性の高いＣｅＯ２薄膜が得られる。
【００２１】
さらに、図１（ｅ）に示すように中間層２の上に超電導層３を形成する。超電導層としては、特に制限はないが、ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δなどが好ましく用いられる。超電導層となる酸化物薄膜の形成方法としては、本発明の目的に反さない限り特に制限はなく、ＰＬＤ法、ＭＯＤ（有機金属成膜；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの方法が好ましく用いられる。
【００２２】
さらに、超電導層３を保護するため、必要に応じて、図１（ｆ）に示すように超電導層３の上に保護層４を形成することもできる。保護層としては、電導性の高いものであれば特に制限はないが、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌまたはこれらの合金などが好ましく用いられる。保護層の形成方法としては、特に制限はないが、スパッタ法、ＥＢＤ法、ＰＬＤ法、熱蒸着法、ＭＯＤ法、ＭＯＣＶＤ法、めっき法などの方法が好ましく用いられる。
【００２３】
また、本発明にかかる酸化物薄膜の別の製造方法は、図１を参照して、配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、図１（ａ）に示すように予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理（事前熱処理１１）する工程、および、図１（ｂ）に示すように酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理（直前熱処理１２）する工程を有する。配向金属基板１の表面に形成された酸化層１ｂが厚い場合は、直前熱処理１２に先だって事前熱処理１１によって前記酸化層１ｂを薄くしたり除去しておくことが、直前熱処理１２の際に酸化層１ｂの除去を確実にするために好ましい。その後の酸化物薄膜の形成方法については、上記のとおりである。
【００２４】
ここで、事前熱処理の条件としては、配向金属基板が融解しない条件であれば特に制限はないが、熱処理温度は４００℃〜８００℃、熱処理時間は２分間以上が好ましい。熱処理温度が４００℃未満で熱処理時間が２分未満であると配向金属基板表面に形成される酸化層の除去が不十分となる。熱処理温度が８００℃を超えると配向金属基板の配向性を低下させる場合がある。
【００２５】
次に、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板の熱処理を行なう、換言すれば、配向金属基板の熱処理の直後に酸化物薄膜形成を行なうためには、配向金属基板の熱処理工程と酸化物薄膜の形成工程とを連続的に行なうことが好ましい。以下、その具体的形態について説明する。
【００２６】
（実施形態１）
配向金属基板の熱処理と酸化物薄膜の形成とを連続的を行なうための一の装置を図２に示す。図２の装置は、連結された供給室２１、成膜室２３および巻き取り室２４の３室を有し、供給室２１には供給ロール３１が、巻き取り室２４には巻き取りロール３４が設けられている。ここで、成膜室２３には、少なくともヒータ４３、酸化物薄膜形成材料ターゲット５３、還元性ガス供給装置６２およびガス排気装置６３が設けられている。
【００２７】
供給ロール３１から供給された配向金属基板１は、成膜室２３において、まず還元性ガス供給装置６２から供給される還元性ガス（たとえば、３モル％のＨ２ガスと９７モル％のＡｒガスとの混合ガス）雰囲気下でヒータ４３から供給される熱によって熱処理される（熱処理工程）。次に、同じ成膜室２３において、酸化物薄膜形成材料ターゲット５３から放出される酸化物薄膜形成材料によって、熱処理された直後の配向金属基板１上に中間層２が形成される（酸化物薄膜形成工程）。このようにして形成された中間層２の部分だけ巻き取り室２４の方に移動することにより、その部分に相当する配向金属基板１が供給室２１から成膜室２３に供給される。上記の熱処理工程および酸化物薄膜形成工程を交互に繰り返すことにより、供給ロール３１から供給された配向金属基板１が熱処理され、その直後に中間層２が形成されて巻き取りロール３４に巻き取られる。また、成膜室２３と巻き取り室２４との間にさらに別の成膜室（図示せず）を設け、この別の成膜室において中間層２の上に続けて超電導層を形成することもできる。このようにして、配向金属基板の熱処理の直後に中間層および超電導層となる酸化物薄膜を連続的に形成することができる。
【００２８】
（実施形態２）
配向金属基板の熱処理と酸化物薄膜の形成とを連続的に行なうための別の装置を図３に示す。図３の装置は、連結された供給室２１、熱処理室２２、成膜室２３および巻き取り室２４の４室を有し、供給室２１には供給ロール３１が、巻き取り室２４には巻き取りロール３４が設けられている。ここで、熱処理室２２には、少なくともヒータ４２および還元性ガス供給装置６２が設けられている。また、成膜室２３には、少なくともヒータ４３、酸化物薄膜形成材料ターゲット５３およびガス排気装置６３が設けられている。
【００２９】
供給ロール３１から供給された配向金属基板１は、熱処理室２２において、還元性ガス供給装置６２から供給される還元性ガス（たとえば、３モル％のＨ２ガスと９７モル％のＡｒガスとの混合ガス）雰囲気下でヒータ４２から供給される熱によって熱処理される（熱処理工程）。次に、熱処理された配向金属基板１は成膜室２３に移動し、成膜室２３において、酸化物薄膜形成材料ターゲット５３から放出される酸化物薄膜形成材料によって、熱処理された直後の配向金属基板１に中間層２が形成される（酸化物薄膜形成工程）。上記熱処理工程と酸化物薄膜形成工程を同調させることにより、連続的に、供給ロール３１から供給された配向金属基板１が熱処理され、その直後に中間層２が形成されて巻き取りロール３４に巻き取られる。また、成膜室２３と巻き取り室２４との間にさらに別の成膜室（図示せず）を設け、この別の成膜室において中間層２の上に続けて超電導層を形成することもできる。このようにして、配向金属基板の熱処理の直後に中間層および超電導層となる酸化物薄膜を連続的に形成することができる。
【００３０】
【実施例】
ここで、直前熱処理および事前熱処理をすることにより中間層としての酸化物薄膜の２軸配向性の向上について、具体的に説明する。
【００３１】
（実施例１〜実施例８）
図２に示す成膜室内２３において、長さ４０ｃｍ×幅１０ｍｍ×厚さ１００μｍのＮｉ−Ｆｅ合金（組成：Ｎｉ５０モル％、Ｆｅ５０モル％）の２軸配向金属基板（＜１００＞軸が基板面に垂直な方向に、＜０１０＞軸が基板の長さ方向に２軸配向したもの。結晶軸のずれ角は１０°以下）上に、還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとの混合ガス（組成：Ｈ２ガス３モル％、Ａｒガス９７モル％）を用いて、圧力１．３３Ｐａ雰囲気下で、表１に示す処理温度、処理時間の熱処理（直前熱処理）を行なった。その直後に、スパッタ法により、還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとの混合ガス（組成：Ｈ２ガス３モル％、Ａｒガス９７モル％）を用いて、圧力１．３３Ｐａ雰囲気下、基板温度６５０℃で、上記配向金属基板上に中間層たる酸化物薄膜としてＣｅＯ２薄膜を、０．１μｍ形成した。
【００３２】
得られたＣｅＯ２薄膜の（２００）面および（１１１）面からのＸ線回折ピーク強度（Ｉ（２００）およびＩ（１１１））を測定し、ＣｅＯ２薄膜の２軸配向性をＩ（２００）／（Ｉ（２００）＋Ｉ（１１１））の数値により評価した。かかる数値が大きいほど、中間層たるＣｅＯ２薄膜の２軸配向性が高く、好ましい。その結果を表１にまとめる。なお、ここで、（２００）面からのＸ線回折ピーク強度は、＜１００＞軸が基板面に垂直な方向に、＜０１１＞軸が基板の長さ方向に２軸配向している結晶量を、（１１１）面からのＸ線回折ピーク強度は、＜１１１＞軸が基板面に垂直な方向に１軸配向している結晶量を示す。
【００３３】
（比較例１）
上記配向金属基板の熱処理を行なわずに、上記実施例１と同様にしてＣｅＯ２薄膜を形成し、その２軸配向性を評価した。その結果を表１にまとめる。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
（実施例９〜実施例１６）
図２に示す成膜室２３において、上記実施例と同じ配向金属基板を予め還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとの混合ガス（組成：Ｈ２ガス３モル％、Ａｒガス９７モル％）を用いて、圧力１．３３Ｐａ雰囲気下５００℃で５分間熱処理（事前熱処理）を行なった。その後、成膜室２３内で２４時間放置した後、再び成膜室２３において還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとの混合ガス（組成：Ｈ２ガス３モル％、Ａｒガス９７モル％）を用いて、圧力１．３３Ｐａ雰囲気下で、表１に示す処理温度、処理時間の熱処理（直前熱処理）を行なった。その直後に上記実施例１と同様にしてＣｅＯ２薄膜を形成し、その２軸配向性を評価した。その結果を表２にまとめる。
【００３６】
【表２】
2005001935.tif 000004
【００３７】
（実施例１７〜実施例２３）
図２に示す成膜質２３において、実施例９と同様の事前熱処理および成膜室２３内放置を行なった後、再び成膜室２３において還元性ガスとしてＨ２ガスとＡｒガスとの混合ガス（組成：Ｈ２ガス３モル％、Ａｒガス９７モル％）を用いて、圧力１．３３Ｐａ雰囲気下で、表３に示す処理温度、処理時間の熱処理（直前熱処理）を行なった。その直後に上記実施例１と同様にしてＣｅＯ２薄膜を形成し、その２軸配向性を評価した。その結果を表３にまとめる。
【００３８】
【表３】
2005001935.tif 000005
【００３９】
表１の実施例１〜実施例８に示すように、直前熱処理を行なうことにより、酸化物薄膜であるＣｅＯ２薄膜の２軸配向性が向上した。さらに、表２の実施例９〜実施例１６に示すように、直前熱処理に加えて事前熱処理を行なうことにより、酸化物薄膜であるＣｅＯ２薄膜の２軸配向性がさらに向上することがわかった。また、これらの実施例から、直前熱処理の処理温度は、５００℃〜８００℃が好ましく、６００℃〜７００℃がより好ましいことがわかる。さらに、表３の実施例１７〜実施例２３から、直前熱処理の処理時間は、２分間以上とすることが好ましいことがわかる。
【００４０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００４１】
【発明の効果】
上記のように、本発明によれば、少なくとも酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理することにより、配向金属基板上に酸化物薄膜をエピタキシャルに形成させて、２軸配向性の高い酸化物薄膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる酸化物薄膜の製造方法を説明する図である。
【図２】配向金属基板の熱処理と酸化物薄膜の形成とを連続的に行なうための一の装置を示す図である。
【図３】配向金属基板の熱処理と酸化物薄膜の形成とを連続的に行なうための別の装置を示す図である。
【符号の説明】
１  配向金属基板、１ａ  金属層、１ｂ  酸化層、２  中間層、３  超電導層、４  保護層、１１  事前熱処理、１２  直前熱処理、２１  供給室、２２  熱処理室、２３  成膜室、２４  巻き取り室、３１  供給ロール、３４  巻き取りロール、４２，４３  ヒータ、５３  酸化物薄膜形成材料ターゲット、６２  還元性ガス供給装置、６３  ガス排気装置。
【図１】
2005001935.tif 000006
【図２】
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【図３】
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