(57)【要約】【課題】  有機発光ダイオード装置及びその製造方法の提供。【解決手段】  基板、基板上に設けられ、所定パターンを呈するブラックマトリクスパターン層、該基板と該ブラックマトリクスパターン層上を被覆する保護層、該保護層上に設けられて所定パターンを呈する陽極パターン層、該陽極パターン層の上に設けられた発光層構造、及び陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する絶縁領域を包含する。そのうち、該ブラックマトリクスパターン層は低反射率を有し、且つ該ブラックマトリクスパターン層は該絶縁領域と相互に対応する第１マトリクスパターンを具えるか、或いは更に陽極パターン層と対応する第２マトリクスパターンを具えている。【選択図】        図２
2005340203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード装置において、
基板と、
該基板上に設けられ、所定パターンを呈し低反射率を有する少なくとも一つのブラックマトリクスパターン層と、
該基板と該ブラックマトリクスパターン層の上を被覆する保護層と、
該保護層の上に設けられて所定パターンを呈する少なくとも一つの陽極パターン層と、  該陽極パターン層の上に設けられた発光層構造と、
該陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する絶縁領域と、
を包含し、そのうち、該ブラックマトリクスパターン層は該絶縁領域と相互に対応する少なくとも一つの第１マトリクスパターンを具えたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項２】
請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、保護層の上表面に酸化シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ）或いはシリコン酸窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）膜のいずれか一方が成長させられたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項３】
請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、ブラックマトリクスパターン層が少なくとも一つの第２マトリクスパターンを包含し、該第２マトリクスパターンが第１マトリクスパターンと離間するよう設置され並びに陽極パターン層に対応することを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項４】
請求項３記載の有機発光ダイオード装置において、第２マトリクスパターンが塊状及び少なくとも二つの隔板状のいずれかに形成されることを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項５】
請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、陽極パターン層の周囲に少なくとも一つの金属マトリクスパターンが設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項６】
請求項５記載の有機発光ダイオード装置において、金属マトリクスパターンが陽極パターン層の辺縁、上方、側端及びその組合せのいずれかに形成されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項７】
請求項５記載の有機発光ダイオード装置において、ブラックマトリクスパターン層と保護層が不設置とされて、陽極パターン層、発光層構造及び絶縁領域が基板の上表面に設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項８】
請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、発光層構造が単色光源及びマルチカラー光源のいずれかとされたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項９】
有機発光ダイオード装置の製造方法において、
（ａ）基板を提供し並びにブラックマトリクス薄膜を成長させる工程、
（ｂ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、基板の上表面に少なくとも一つのブラックマトリクスパターンを形成する工程、
（ｃ）得られた構造の上に保護層を成長させる工程、
（ｄ）保護層の上に陽極薄膜を成長させる工程、
（ｅ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、該保護層の上表面に少なくとも一つの陽極パターンを形成する工程、
（ｆ）ホトレジスト材料をコーティングし、並びにリソグラフィー工程を利用して少なくとも一つの絶縁領域を形成する工程、
（ｇ）陽極パターンと絶縁領域の一部上表面に少なくとも一つの発光層構造を形成する工程、
を包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の有機発光ダイオード装置の製造方法において、ブラックマトリクスパターンが絶縁領域と相互に対応する少なくとも一つの第１マトリクスパターンと、第１マトリクスパターンと離間するように設置された少なくとも一つの第２マトリクスパターンを包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置の製造方法。
【請求項１１】
有機発光ダイオード装置において、
基板と、
該基板の上に設けられて所定のパターンを呈する少なくとも一つの陽極パターン層と、  該陽極パターン層の周囲に設置された少なくとも一つの金属マトリクスパターンと、
該陽極パターン層の上に設けられた少なくとも一つの発光層構造と、
該陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する少なくとも一つの絶縁領域と、
を包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の有機発光ダイオード装置において、金属マトリクスパターンが陽極パターン層の辺縁、上方、側端及びその組合せのいずれかに設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の有機発光ダイオード装置において、陽極パターン層がテーパ状の下側部分を具え、金属マトリクスパターンが該下側部分の上表面に設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）に係り、特に、画素の発光領域を画定し、発光効率と光源コントラスト効果を増強する有機発光ダイオード装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は周知の有機発光ダイオード装置１０の断面図であり、該有機発光ダイオード装置１０は基板１００、該基板１００上に形成された所定パターンの陽極パターン層１２０、陽極パターン層１２０の上に位置する発光層構造１４０、発光層構造１４０の上に位置する陰極層１２２、及び該陽極パターン層１２０中に位置して隔離用とされる絶縁領域１６０を包含する。そのうち、該発光層構造１４０は下から上に順に正孔輸送層（ＨＴＬ）１４２、発光材料層（ＥＭＬ）１４４及び電子輸送層（ＥＴＬ）１４６を包含する。該陽極パターン層１２０及び陰極層１２２に電流を通入後、電子と正孔がそれぞれ電子輸送層（ＥＴＬ）１４６及び正孔輸送層（ＨＴＬ）１４２を通り発光材料層（ＥＭＬ）１４４で結合し発光する。画素面積を定義し各画素（該陽極パターン層１２０により画定）の間の短絡問題を防止するため、陽極パターン層１２０の間に絶縁領域１６０が形成される。
【０００３】
周知の有機発光ダイオード装置１０の製造方法は以下の工程を包含し、即ち、基板１００を提供し並びに表面活性剤（洗剤等化学薬品）と脱イオン水を使用し該基板１００を洗浄する工程、スパッタを利用してＩＴＯ薄膜１２０を成長させて陽極となす工程、リソグラフィーエッチング工程を利用してＩＴＯ薄膜１２０にパターンを形成する工程、ポリイミド等のホトレジストをコーティングし更にリソグラフィー工程を利用して絶縁領域１６０を形成する工程、蒸着工程を利用し、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４２、発光材料層（ＥＭＬ）１４４、電子輸送層（ＥＴＬ）１４６及び陰極層１２２を形成する工程。
【０００４】
しかし、上述の周知の技術では、異なる発光材料層（ＥＭＬ）が発射する光線或いは外界光線が該周知の有機発光ダイオード装置１０内に進入する時、相互に影響しやすく、解析能力を高められず、画素の発光領域の画定と異なる色の発光材料層（ＥＭＬ）の間の相互干渉の減少を同時に達成することはできない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ゆえに本発明は上述の欠点に対して、合理的な設計で且つ有効に上述の欠点を改善するために提供される。
【０００６】
本発明の主要な目的は、一種の有機発光ダイオード装置及びその製造方法を提供することにあり、それは、画素の発光領域を画定でき、外在光源の干渉を減らし、発光効率を高め、グレーレベルコントラスト効果が高く、これにより解析能力が高く、余分に偏光膜を増すためのコストを削減できるものとする。
【０００７】
上述の目的を達成するため、本発明は一種の有機発光ダイオード装置を提供し、それは、基板、基板上に設けられ、所定パターンを呈するブラックマトリクスパターン層、該基板と該ブラックマトリクスパターン層上を被覆する保護層、該保護層上に設けられて所定パターンを呈する陽極パターン層、該陽極パターン層の上に設けられた発光層構造、及び陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する絶縁領域を包含する。そのうち、該ブラックマトリクスパターン層は低反射率を有し、且つ該ブラックマトリクスパターン層は該絶縁領域と相互に対応する第１マトリクスパターンを具えている。
【０００８】
さらに上述の目的を達成するため、本発明は一種の有機発光ダイオード装置の製造方法を提供し、それは、（ａ）基板を提供し並びにブラックマトリクス薄膜を成長させる工程、（ｂ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、ブラックマトリクスパターンを形成する工程、（ｃ）得られた構造の上に保護層を成長させる工程、（ｄ）保護層の上に陽極薄膜を成長させる工程、（ｅ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、陽極パターンを形成する工程、（ｆ）ホトレジスト材料をコーティングし、並びにリソグラフィー工程を利用して絶縁領域を形成する工程、及び、（ｇ）発光層構造を形成する工程、を包含する。ゆえにブラックマトリクスパターンを利用して画素の発光領域を画定でき、外在光源の干渉を減らし、解析能力を高めることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、有機発光ダイオード装置において、
基板と、
該基板上に設けられ、所定パターンを呈し低反射率を有する少なくとも一つのブラックマトリクスパターン層と、
該基板と該ブラックマトリクスパターン層の上を被覆する保護層と、
該保護層の上に設けられて所定パターンを呈する少なくとも一つの陽極パターン層と、  該陽極パターン層の上に設けられた発光層構造と、
該陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する絶縁領域と、
を包含し、そのうち、該ブラックマトリクスパターン層は該絶縁領域と相互に対応する少なくとも一つの第１マトリクスパターンを具えたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、保護層の上表面に酸化シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ）或いはシリコン酸窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）膜のいずれか一方が成長させられたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、ブラックマトリクスパターン層が少なくとも一つの第２マトリクスパターンを包含し、該第２マトリクスパターンが第１マトリクスパターンと離間するよう設置され並びに陽極パターン層に対応することを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項４の発明は、請求項３記載の有機発光ダイオード装置において、第２マトリクスパターンが塊状及び少なくとも二つの隔板状のいずれかに形成されることを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、陽極パターン層の周囲に少なくとも一つの金属マトリクスパターンが設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項６の発明は、請求項５記載の有機発光ダイオード装置において、金属マトリクスパターンが陽極パターン層の辺縁、上方、側端及びその組合せのいずれかに形成されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項７の発明は、請求項５記載の有機発光ダイオード装置において、ブラックマトリクスパターン層と保護層が不設置とされて、陽極パターン層、発光層構造及び絶縁領域が基板の上表面に設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項８の発明は、請求項１記載の有機発光ダイオード装置において、発光層構造が単色光源及びマルチカラー光源のいずれかとされたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項９の発明は、有機発光ダイオード装置の製造方法において、
（ａ）基板を提供し並びにブラックマトリクス薄膜を成長させる工程、
（ｂ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、基板の上表面に少なくとも一つのブラックマトリクスパターンを形成する工程、
（ｃ）得られた構造の上に保護層を成長させる工程、
（ｄ）保護層の上に陽極薄膜を成長させる工程、
（ｅ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、該保護層の上表面に少なくとも一つの陽極パターンを形成する工程、
（ｆ）ホトレジスト材料をコーティングし、並びにリソグラフィー工程を利用して少なくとも一つの絶縁領域を形成する工程、
（ｇ）陽極パターンと絶縁領域の一部上表面に少なくとも一つの発光層構造を形成する工程、
を包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項９記載の有機発光ダイオード装置の製造方法において、ブラックマトリクスパターンが絶縁領域と相互に対応する少なくとも一つの第１マトリクスパターンと、第１マトリクスパターンと離間するように設置された少なくとも一つの第２マトリクスパターンを包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項１１の発明は、有機発光ダイオード装置において、
基板と、
該基板の上に設けられて所定のパターンを呈する少なくとも一つの陽極パターン層と、  該陽極パターン層の周囲に設置された少なくとも一つの金属マトリクスパターンと、
該陽極パターン層の上に設けられた少なくとも一つの発光層構造と、
該陽極パターン層の間に位置して隔離を形成する少なくとも一つの絶縁領域と、
を包含することを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の有機発光ダイオード装置において、金属マトリクスパターンが陽極パターン層の辺縁、上方、側端及びその組合せのいずれかに設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
請求項１３の発明は、請求項１１記載の有機発光ダイオード装置において、陽極パターン層がテーパ状の下側部分を具え、金属マトリクスパターンが該下側部分の上表面に設置されたことを特徴とする、有機発光ダイオード装置としている。
【発明の効果】
【００１０】
総合すると本発明の有機発光ダイオード装置は以下の長所を有している。
１．ブラックマトリクスパターンが有機光源の四周の非表示領域に射出されるのを防止して外在光源の有機発光ダイオード装置に対する反射干渉を減らすことができ、ゆえに光源色彩純化とグレーレベル効率を増し、並びに視角の明晰程度を増すことができ、これにより解析能力と発光効率を高めることができ、並びに余分に偏光膜を増すコストを免除できる。
２．ブラックマトリクスパターンが有機発光ダイオード装置の表示面画素発光領域を画定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図２は本発明の有機発光ダイオード装置（ＯＬＥＤ）２０の第１実施例を示す。それは基板２００、基板２００上に設けられ、所定パターンを呈するブラックマトリクスパターン層３００、該基板２００と該ブラックマトリクスパターン層３００上を被覆する保護層３２０、該保護層３２０上に設けられて所定パターンを呈する陽極パターン層２２０、該陽極パターン層２２０の上に設けられた発光層構造３５０、及び陽極パターン層２２０の間に位置して隔離を形成する絶縁領域２６０を包含する。そのうち、該ブラックマトリクスパターン層３００は低反射率を有し、且つ該ブラックマトリクスパターン層３００は該絶縁領域２６０と相互に対応する第１マトリクスパターン３０２を具えている。そのうち、発光層構造２４０は下から上に順に正孔輸送層（ＨＴＬ）２４２、発光層構造２４４及び電子輸送層２４６を包含する。該陽極パターン層２２０及び陰極層２２２に電流通入後、電子と正孔はそれぞれ電子輸送層２４６と正孔輸送層（ＨＴＬ）２４２を通り発光層構造２４４で結合し発光する。そのうち該発光層構造２４０は単色或いはマルチカラーとされうる。画素面積を定義し各画素（陽極パターン層２２０により画定）の間の短絡を防止するため、陽極パターン層２２０の間に絶縁領域２６０が形成される。そのうち、第１マトリクスパターン３０２は可視画素の発光領域を定義するのに用いられ、その機能は有機光源が周囲の非表示領域に向けて投射されるのを防止することにあり、更に画素周囲に分布する該第１マトリクスパターン３０２により外在光源の有機発光ダイオード装置２０に対する反射を減らす。
【００１２】
そのうち、該ブラックマトリクスパターン層３００は酸化クロム等金属酸化物、ポリイミド、感光性アクリレート、無電解電気メッキニッケル、或いはグラファイト等の材料で形成される。該保護層３２０の材料は、一般には樹脂或いはエポキシ樹脂を基材とするか、ポリイミド或いはアクリレートを基材とするか、或いは先にポリイミド或いはアクリレートをコーティングし、更にこれら基材の上に酸化シリコン或いはケイ酸化窒素膜を成長させる。
【００１３】
また、該発光層構造２４０は異なる色光を発射できる構造層を選択でき、三原色独立発光構造（Ｓｉｄｅ  ｂｙ  Ｓｉｄｅ）の有機発光ダイオード装置２０と成すことができる。例えば、該発光層構造２４０は、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を発射できる第１発光構造層、第２発光構造層、第３発光構造層を選択することができ、並びに各色光の組合せにより該有機発光ダイオード装置２０がフルカラー化表示の目的を達成するものとされる。
【００１４】
図３及び図４は本発明の第２実施例を示し、該有機発光ダイオード装置２０は、更に陽極パターン層２２０の周囲に設置された金属マトリクスパターン３４０を包含し、これにより画素周囲のこの金属マトリクスパターン３４０により可視画素の発光領域が画定される。この実施例により、異なるＥＬ色の発光相互干渉を防止でき、外界光線のこの有機平面発光ディスプレイ内への進入防止効果を強化できる。図３に示されるように、該金属マトリクスパターン３４０は陽極パターン層２２０の辺縁上方に位置するか、或いは金属マトリクスパターン３４０は陽極パターン層２２０の側縁（図示せず）に位置する。該金属マトリクスパターン３４０は陽極パターン層２２０の辺縁に位置し、並びに陽極パターン層２２０の上端及び側端を被覆する（図５参照）。該金属マトリクスパターン３４０は導電係数と反射率が高い材料、例えば、金、銀、アルミニウム、銅とクロム等の材料を使用して形成できる。
【００１５】
図６から図９に示されるように、該ブラックマトリクスパターン層３００は更に第２マトリクスパターン３０４を包含する。該第２マトリクスパターン３０４は第１マトリクスパターン３０２と離間するように該基板２００上に設置される。且つ該第２マトリクスパターン３０４は更に光の周囲に向けての散乱を防止し、外在光源の有機発光ダイオード装置２０に対する反射干渉を減らし、ゆえに該第２マトリクスパターン３０４は該有機発光ダイオード装置２０に比較的高い解析能力を提供する。図６及び図７に示されるように、該第２マトリクスパターン３０４は塊状とされ、発光表示領域を二等分するか、或いは図８及び図９に示されるように、該第２マトリクスパターン３０４は少なくとも二つの隔板状を呈して発光表示領域を少なくとも複数等分に分け、外在光源が該有機発光ダイオード装置２０に進入し反射されることによる影響を減らす。
【００１６】
図１０から図１８は本発明の第２実施例の製造工程を示す。それは以下の工程を包含し、即ち、（ａ）基板２００を提供し並びに洗剤等化学薬品と脱イオン水を使用して該基板２００を洗浄し、続いてスパッタ機を利用して酸化クロム等のブラックマトリクス薄膜３００を成長させる工程、（ｂ）リソグラフィーエッチング工程を利用してブラックマトリクスパターン３００を形成する工程、（ｃ）得られた構造上に先にポリイミド或いはアクリレートをコーティングし、更に化学気相成長法を利用し酸化シリコン或いはシリコン酸窒化膜の保護層３２０を成長させる工程、（ｄ）該保護層３２０の上にＩＴＯ薄膜２２０を成長させて陽極となす工程、（ｅ）スパッタ或いは電気めっき機械を利用し金属薄膜３４０を成長させる工程、（ｆ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、金属マトリクスパターン３４０を形成する工程、（ｇ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、陽極パターン２２０を形成する工程、（ｈ）ホトレジストをコーティングし並びにリソグラフィー工程を利用して絶縁領域２６０を形成する工程、及び（ｉ）蒸着工程を利用し、それぞれ正孔輸送層（ＨＴＬ）２４２、発光材料層（ＥＭＬ）２４４、電子輸送層（ＥＴＬ）２４６及び陰極層２２２を形成する工程。
【００１７】
図１９から図２７は本発明の第３実施例の製造工程を示す。それは以下の工程を包含し、即ち、（ａ）基板２００を提供し並びに洗剤等化学薬品と脱イオン水を使用して該基板２００を洗浄し、続いてスパッタ機を利用して酸化クロム等のブラックマトリクス薄膜３００を成長させる工程、（ｂ）リソグラフィーエッチング工程を利用してブラックマトリクスパターン３００を形成する工程、（ｃ）得られた構造上に先にポリイミド或いはアクリレートをコーティングし、更に化学気相成長法を利用し酸化シリコン或いはシリコン酸窒化膜の保護層３２０を成長させる工程、（ｄ）該保護層３２０の上にＩＴＯ薄膜２２０を成長させて陽極となす工程、（ｅ）リソグラフィーエッチング工程を利用し陽極パターン２２０を形成する工程、（ｆ）スパッタ或いは電気めっき機械を利用し、金属薄膜３４０を成長させる工程、（ｇ）リソグラフィーエッチング工程を利用し、金属マトリクスパターン３４０を形成する工程、（ｈ）ホトレジストをコーティングし並びにリソグラフィー工程を利用し、絶縁領域２６０を形成する工程、（ｉ）蒸着工程を利用し、それぞれ正孔輸送層（ＨＴＬ）２４２、発光材料層（ＥＭＬ）２４４、電子輸送層（ＥＴＬ）２４６及び陰極層２２２を成長させる工程。
【００１８】
このほか、本発明はまた図２８、図２９に示される別の実施例に応用される。この有機発光ダイオード装置４０は、基板４００の上表面の一部に所定パターンの陽極パターン層４２０が設置され、該陽極パターン層４２０の上に位置する発光層構造４４０及び陽極パターン層４２０の間に位置して隔離を形成する絶縁領域４６０が設けられ、並びに陽極パターン層４２０の周囲に金属マトリクスパターン５４０が設置される。図２８に示されるように、該金属マトリクスパターン５４０は陽極パターン層４２０の側端に位置するか、或いは該金属マトリクスパターン５４０は陽極パターン層４２０の辺縁上方に位置する（図示せず）。該金属マトリクスパターン５４０は陽極パターン層４２０の側端に位置する。該金属マトリクスパターンは導電係数と反射率が高い材料を使用して形成され、例えば、金、銀、アルミニウム、銅或いはクロム等が使用される。
【００１９】
また、図２９では陽極パターン層４２０がテーパ状の下側部分４３０を具え、且つ該金属マトリクスパターン５４０は陽極パターン層４２０の下側部分４３０の上表面に位置する。該金属マトリクスパターン５４０には導電係数と反射率が高い材料を使用して形成され、例えば、金、銀、アルミニウム、銅或いはクロム等が使用される。そぬち、該金属マトリクスパターン５４０の設置は有効に外在光源の有機発光ダイオード装置に対する反射干渉を減らすことができ、このほか、可視画素発光領域を画定できる。異なるＥＬ色の発光相互干渉を防止できる（例えばフルカラーＲＧＢ  Ｓｉｄｅ  ｂｙ  Ｓｉｄｅ工程を使用する時にその異なる色の相互干渉を防止できる）。
【００２０】
総合すると、本発明は確実に予期された目的と効果を達成する。なお、以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】周知の有機発光ダイオード装置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の断面図である。
【図３】本発明の第２実施例の断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の平面図である。
【図５】本発明の第３実施例の断面図である。
【図６】本発明の第４実施例の断面図である。
【図７】本発明の第４実施例の平面図である。
【図８】本発明の第５実施例の断面図である。
【図９】本発明の第５実施例の平面図である。
【図１０】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１１】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１２】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１３】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１４】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１５】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１６】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１７】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１８】本発明の第２実施例の製造工程表示図である。
【図１９】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２０】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２１】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２２】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２３】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２４】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２５】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２６】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２７】本発明の第３実施例の製造工程表示図である。
【図２８】本発明の第６実施例の断面図である。
【図２９】本発明の第６実施例の断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  有機発光ダイオード装置
１００  基板
１２０  陽極パターン層
１２２  陰極層
１４０  発光層構造
１４２  電子輸送層
１４４  発光材料層
１４６  電子輸送層１
１６０  絶縁領域
２０  有機発光ダイオード装置
２００  基板
２２０  陽極パターン層（又はＩＴＯ薄膜或いは陽極パターン）
２２２  陰極層
２４０  発光層構造
２４２  正孔輸送層
２４４  発光材料層
２４６  電子輸送層
２６０  絶縁領域
３００  ブラックマトリクスパターン層（又はブラックマトリクス薄膜或いはブラックマトリクスパターン）
３０２  第１マトリクスパターン
３０４  第２マトリクスパターン
３２０  保護層
３４０  金属マトリクスパターン（又は金属薄膜）
４０  有機発光ダイオード装置
４００  基板
４２０  陽極パターン層
４３０  下側部分
４４０  発光層構造
４６０  絶縁領域
５４０  金属マトリクスパターン
【図１】
2005340203.tif 000003
【図２】
2005340203.tif 000004
【図３】
2005340203.tif 000005
【図４】
2005340203.tif 000006
【図５】
2005340203.tif 000007
【図６】
2005340203.tif 000008
【図７】
2005340203.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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