(57)【要約】【課題】半導体装置の製造方法における、イオン注入工程のイオン注入量の制御方法について、モニター基板に注入したイオンの拡散層のシート抵抗を用いて制御する手法が簡便な管理方法として用いられてきたが、イオン注入時のイオンビームの条件および状態によっては所望の精度が得られない場合があり、結果として集積回路の電気特性ばらつきの増大を招き、歩留りが低下するという問題があった。【解決手段】モニター基板へのイオン注入は、製品用の半導体基板へのイオン注入のためのビーム調整実施後に行い、さらにモニター基板へのイオン注入は注入時間のみを変化させることにより実注入量を変化させ、拡散層厚に応じて四探針法で安定して計測可能なシート抵抗値以下に制御し、測定結果から得られた補正係数を用いて製品用の半導体装置へのイオンの実イオン注入処理時間を補正する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品用の半導体基板と同一の基板を有するモニター基板を用いて、該モニター基板へイオン注入する第１のイオン注入工程と、製品用の半導体基板へイオン注入する第２のイオン注入工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記第１のイオン注入工程の前に前記イオン注入装置のイオンビーム調整を実施するイオンビーム調整工程と、前記第１のイオン注入工程の後に前記モニター基板のシート抵抗を測定するシート抵抗測定工程と、前記シート抵抗測定工程から得られる結果に基づいてイオン注入の注入時間を決める補正係数算出工程と、を有し、
前記第２のイオン注入工程は、前記補正係数算出工程から得られる情報によりイオン注入量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のイオン注入工程のイオン注入量と前記第２のイオン注入工程のイオン注入量とは、異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シート抵抗を測定する工程は、四探針法によることを特徴とする請求項１から２のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは半導体装置に不純物領域を作成するイオン注入工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製品特性は、これを構成する各種半導体素子の電気的特性によって大きく左右される。半導体素子の電気特性は、トランジスタや抵抗素子などの半導体素子を構成する不純物領域の不純物濃度で決まる。例えば、トランジスタのしきい値電圧調整のための不純物濃度や抵抗素子中の不純物濃度などである。
一般的に半導体基板への不純物導入は、イオン注入装置によって行われるが、電気的特性は不純物量、すなわちイオン注入装置によるイオン注入量で大きく変化することから、半導体装置の歩留りを決定する上でイオン注入量の制御や管理はきわめて重要である。なかでもイオン注入装置の制御は特に重要であり、その理由は、イオン注入装置によるイオン注入量がばらつくためである。
【０００３】
詳しく説明する。イオン注入装置では、イオンビームがイオン注入される面に到達するイオンビーム電流量を計測し、この電流量と注入時間とによってイオン注入量を制御している。イオンビーム電流は、イオンビームを捕獲するファラデーカップに接続された電流計で計測される。
イオン注入装置のばらつき要因としては、注入室の真空度変化に伴うイオンの中性化率の変化やイオンビーム電流計測系の測定誤差等が挙げられる。中性化したイオンは電荷を持たないため電流計測ができないが、中性化率の変化については真空度の変化として計測可能であり、独立して管理することができる。よって、ばらつきの主たる要因はイオンビーム電流計測系の測定誤差である。
イオンビーム電流計測系の誤差要因としては、イオンビームを捕獲する過程において発生するものが多いと言われており、例えば、ファラデーカップ表面の汚れによる帯電や電流リークなどが挙げられる。
これら誤差要因は、イオン注入装置の装置上の問題であるから、イオン注入装置を用いて半導体装置を製造する際においては、常に考慮しなければならないものである。
【０００４】
イオン注入装置のイオン注入量の制御を行うためには、半導体基板に対するイオン注入量を調べればよい。半導体基板へ導入された不純物の量（イオン注入量）を測定する手法は、従来からさまざまな提案がなされている。代表的な手法として、半導体基板へ導入された不純物を抵抗値として計測する手法がある。
この手法は、イオン注入した半導体基板を熱処理し、不純物の拡散層を形成して、この拡散層のシート抵抗を測定するものである。測定したそのシート抵抗から不純物量との相関を取得している参照図に照らし合わせ、イオン注入量を知るのである。
【０００５】
シート抵抗を測定する方法はいくつかあるが、そのうち現在最も広く用いられている方法に四探針法という方法がある。四探針法について図５を用いて説明する。
図５は、四探針法によるシート抵抗の測定概要を示したものである。１１は半導体基板、１２は探針、１３は電源、１４は電圧計、１５は電流計、Ｓは探針１２同士の間隔である。
被測定用の半導体基板１１に等しい間隔Ｓをあけて４本の探針１２を接触させる。外側の２本の探針１２に電源１３と電流計１５とを接続し、直流電流を流す。内側２本の探針１２には電圧計１４を接続し、電圧を測定する。電流計１５および電圧計１４の値から抵抗値を導く。四探針法によるシート抵抗の測定は、その測定方法が簡便で大掛かりな設備
が必要ないことから、広く一般的に用いられているものである。平均的なシート抵抗の値は次式で与えられる。
【０００６】
【数１】
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【０００７】
実測したシート抵抗などの測定結果から算出した管理値を元にして、イオン注入装置を管理する方法は多くの提案がなされている。例えば、製品用の半導体基板と同一の半導体基板を用いたモニター基板を用いてこれにイオン注入し、シート抵抗を測定し、その結果を用いて定期管理モニタにフィードバックするという工程管理の方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
[従来技術の説明：図６]
特許文献１に示す従来技術を説明する。図６は、特許文献１に示す従来の管理方法を示すフローチャートである。
まずモニター基板に所望のイオンについて所定のイオン注入量を注入（Ｓ１）し、次にイオン注入されたモニター基板上の拡散層のシート抵抗を測定（Ｓ２）し、定期管理モニタに入力して管理図に記録（Ｓ３）し、抵抗値が規格内か否かを判定（Ｓ４）し、必要に応じてイオン注入量を補正するための補正係数を算出（Ｓ５）し、この補正係数を利用してイオン注入量を補正し製品用の半導体基板の処理を行う。
【０００９】
特許文献１に示す従来技術は、モニター基板に１度イオン注入し、その結果から製品用
の半導体基板へのイオン注入量を決定する方法を採用している。モニター基板のシート抵抗を測定し、この結果を定期管理モニタに入力する。このため、イオン注入装置の経時的変化（例えば、ファラデーカップ表面の汚れによる帯電など）の状態をフィードバック管理できるために、イオン注入装置のイオン注入量を補正することができる。すなわち、イオン注入装置によるばらつきを低減することができるという利点がある。
【００１０】
【特許文献１】特開平１５−１５１９１３号公報（第３項、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に示す従来技術は、イオン注入の失敗が少なく、イオン注入装置の経時的ばらつきを管理できるという利点があるものの、モニター基板上へのイオン注入と製品用の半導体基板へのイオン注入とが異なるイオン注入条件で実施される場合の対策は何らなされていない。
【００１２】
通常、モニター基板上へのイオン注入と製品用の半導体基板へのイオン注入とは同一のイオン注入条件で行うが、異なるイオン注入条件で実施するときがある。それは、シート抵抗の測定に四探針法を用いるときで、かつ、半導体基板にイオン注入量が少なく不純物濃度の低い領域（高抵抗な領域）を形成する場合である。
【００１３】
すでに説明したとおり、四探針法は、広く用いられているシート抵抗測定の方法である。四探針法が広く用いられている理由は、安定して測定ができることに加え、測定に要するコストが安いという利点があるからである。しかし、高い抵抗値を測定することができないという欠点もある。
四探針法は、探針間のインピーダンスが高くなるにつれ、測定誤差が大きくなる傾向があり、５ＭΩ／ｃｍ２を超えるシート抵抗は測定することができない。イオン注入の深さが浅い場合はさらに深刻であって、例えば、イオン半径の大きい不純物元素を低エネルギーでイオン注入すると、不純物濃度のプロファイルのピークは、表面あるいは表面近傍となる。この場合、拡散層の断面積は小さくなって高抵抗化するために、測定限界は５ＭΩ／ｃｍ２よりもはるかに小さくなる。
【００１４】
一方、半導体装置においては、低い不純物濃度の領域が必要な場合や高い抵抗が必要な場合が多い。半導体装置は、その素子構造上と素子による回路構成上との双方の理由により、それらが必要なのである。前者は、例えば、ＭＯＳトランジスタのしきい値調整のためのイオン注入である。この場合、比較的拡散深さが浅く低濃度不純物の拡散層形成が必要だからである。後者においては、例えば、定電圧回路の基準電流源に用いる基準抵抗は、数ＭΩという高抵抗が必要だからである。
【００１５】
四探針法によるシート抵抗の測定は、その利点から欠かすことはできない。しかしその欠点を解決しない限り、半導体装置において、低い不純物濃度の領域が必要な場合や高い抵抗が必要な場合に用いることはできない。そこで、この欠点を補うために、モニター基板へのイオン注入量と製品用の半導体基板へのイオン注入量とを変えて、モニター基板へは、四探針法でのシート抵抗が測定可能なまでイオン注入量を増加させるなどしてイオン注入し、製品用の半導体装置へは、測定したモニター基板のシート抵抗から正規なイオン注入量を外挿してイオン注入を行う方法が一般に用いられている。
【００１６】
このように、低抵抗のシート抵抗を得るために、実際の製品用の半導体装置にイオン注入するためのイオン注入条件とは異なるイオン注入条件で、モニター基板へイオン注入を実施する際には、イオン注入量の変更にイオンビーム電流値を変えることが一般に用いられている。
ところが、このイオンビーム電流値を変えると、イオン密度分布が変わってしまい、製品用の半導体装置へのイオン注入が正確ではなくなってしまうという問題があった。
このため、現在広く用いられている四探針法を用いてのシート抵抗測定を前提としたイオン注入の方法や、イオン注入量の管理や制御方法が強く望まれている。
【００１７】
本発明が解決しようとする課題は、モニター基板上へのイオン注入と製品用の半導体基板へのイオン注入とが異なるイオン注入条件で実施されるイオン注入の場合に、イオン注入量を高精度に制御することができないという点である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、次のような方法を採用する。
【００１９】
製品用の半導体基板と同一の基板を有するモニター基板を用いて、モニター基板へイオン注入する第１のイオン注入工程と、製品用の半導体基板へイオン注入する第２のイオン注入工程とを有する半導体装置の製造方法において、
第１のイオン注入工程の前にイオン注入装置のイオンビーム調整を実施するイオンビーム調整工程と、第１のイオン注入工程の後にモニター基板のシート抵抗を測定するシート抵抗測定工程と、シート抵抗測定工程から得られる結果に基づいてイオン注入の注入時間を決める補正係数算出工程と、を有し、
第２のイオン注入工程は、補正係数算出工程から得られる情報によりイオン注入量を制御することを特徴とする。
【００２０】
第１のイオン注入工程のイオン注入量と第２のイオン注入工程のイオン注入量とは、異なることを特徴とする。
【００２１】
シート抵抗を測定する工程は、四探針法によることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の特徴は、半導体基板へのイオン注入量の制御方法に関する半導体装置の製造方法において、四探針法で安定してシート抵抗を測定可能で、かつ製品用の半導体基板へのイオン注入量を高精度に制御することができるという点である。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、モニター基板と製品用の半導体基板のイオンビーム電流値が同一であるので、ファラデーカップの汚れ等に起因する帯電や電流リークの影響を正確に反映することができる。また、製品用の半導体基板を処理するために調整されたイオンビームでモニター基板を処理するため、イオンビームの電流密度やビームスキャンの均一性、すなわちイオン密度分布に起因する誤差をも忠実にモニター基板に反映するため高精度な制御が可能となる効果がある。
【００２３】
したがって、本発明の半導体装置の製造方法は、安価かつ簡便な四短針法を用いて、低いイオン注入量や低エネルギーのイオン注入工程の管理を安価なモニター基板によって高精度に実現できるという従来にはない優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を用いて本発明の半導体装置の製造方法を説明する。本発明の実施形態においては、イオン注入工程を説明する。なお、以下に示す本発明の実施形態については、半導体層として半導体基板の素子領域に設けるしきい値拡散層の形成工程をイオンビーム走査型のイオン注入装置を用いて形成する場合を例に説明する。
【００２５】
[本発明のイオン注入量の制御の説明]
まず、図１を用いて本発明のイオン注入工程を説明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。各製造工程の関連を理解しやすくするためにフロー図で表している。図２は、イオン注入量とシート抵抗値の相関図である。横軸はシート抵抗の値を示し、縦軸は補正係数を示している。図３は、機械走査と静電走査を各軸方向に備えた、平行イオンビームを注入可能なハイブリッド走査型イオン注入装置の概念図である。さらに図４は、イオン注入装置のイオン注入室の概略図である。
【００２６】
図１において、１〜９はイオン注入を行うための工程である。イオンビーム調整を実施する工程２の後に第１のイオン注入工程４があり、シート抵抗を測定する工程５の後にイオン注入の注入時間を決める補正係数算出工程７があり、その後に第２のイオン注入工程８がある。
図３において、４１はイオン発生部、４２は引き出し電極、４３は質量分析部、４４はイオン加速部、４５ａと４５ｂとは磁場レンズ、４６は電極、４７は平行化電磁石、４８はイオン注入室である。図４において、４８はイオン注入室、５１はイオンビーム、６１と６１ａと６２とはファラデーカップ、６１ｂは待避位置、６３は電流計、６４はファラデー切り替え部、７１は基板である。基板７１は、モニター基板や製品用の半導体基板を指すものである。図４（ａ）はイオン注入室４８のイオンビーム進行方向の上面図、図４（ｂ）はイオン注入室４８のイオンビーム進行方向の正面図、図４（ｃ）はイオン注入室４８のイオンビーム進行方向の側面図である。図３と図４とで同一の構成には同一の番号を付与している。図１から図４を相互に参照しながら説明する。
【００２７】
まず、製品のイオン注入条件の設定を行う、実処理のイオン注入条件設定工程１を説明する。
イオン注入条件は、所望のイオン注入量と加速電圧において基板上の均一性が良好となり、かつ生産性の高いイオンビーム電流値となるように設定する。ここではＰ型電界効果型トランジスタのしきい値調整のために、８インチ基板に対してＢ（ボロン）の１価イオンを２．０Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の注入量で５ｋｅＶの加速電圧を用いて注入する設定を行う。
【００２８】
つづいてイオンビーム調整を行う、イオンビーム調整工程２を説明する。上記設定に基づきイオン発生部から注入室までが高真空に保持されたイオン注入装置にて所望のイオンビームを発生させる。ここではイオン注入装置内のイオン発生部４１にＢＦ３（３フッ化ホウ素）ガスを導入し、イオン発生部内の電極から熱電子を発生させてイオン化し、マイナスに帯電した引き出し電極４２を用いてイオンを取り出し、質量分析部４３によってＢ（ボロン）の一価イオンのみを抽出し、さらに電磁石を用いたイオン加速部４４にて５ｋｅＶに加速し、指向性を持ったイオンビームを生成する。イオンビームはイオンビームを各軸方向に所望のビーム径に形成する磁場レンズ４５ａ、４５ｂと定期的に偏向を与える電極４６を通過し、一定周期で走査を行うイオンビーム５１となる。
さらにその後、各走査位置でイオンビームの注入角度が変わらないように平行化電磁石４７を用いて平行化し、さらに平行化電磁石４７内で走査速度を等速化するよう調整し、イオン注入室４８に到達する。
【００２９】
イオン注入室４８でのイオンビームの調整について、図４を用いて詳細に説明する。図４は、イオン注入室４８をイオンビーム５１の進行方向から見て正面と上面と側面とに分けて表した図である。図４に示すように、イオン注入室４８内では基板７１に相当する部位にファラデーカップ６１ａが配置され、ファラデーカップ６１ａによってイオンビームを捕獲し、捕獲したイオンビームの電流値を電流計６３によって計測する。このイオンビーム電流が設定値となるよう、図３に示すイオン発生部４１内のガス流量や熱電子等を調整し、所望の電流値、ここでは２０μＡを得る。
【００３０】
次に、実処理のイオン注入時間を決める、実処理の注入時間設定工程３を説明する。得られたイオンビーム電流値に基づき所望の注入量、２．０Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２が得られるような注入時間を計算する。注入時間は次に示すイオン注入の式によって導かれる。ここでは走査する注入面積を６２５ｃｍ２として注入時間１０秒が導かれる。
【００３１】
【数２】
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【００３２】
その後ファラデー切り替え部６４にて電流計の接続を切り替え、走査端部に配したファラデーカップ６２でもイオンビーム電流を計測し、基板領域のファラデーカップ６１ａとの電流比を取得する。実際の注入時には実注入領域のイオンビーム電流を計測するファラデーカップ６１ａはイオンビームの流路から待避位置６１ｂに移動させ、イオンビームは基板位置へ到達する。注入は走査端部のファラデーカップ６２のみを用いて、取得した比率に基づきイオン注入が行われることになる。
【００３３】
しかしながら、これまでの工程においても基板領域の各走査位置におけるイオンビーム電流のばらつきが基板７１内のイオン注入量のばらつきとして発生する。また、各ファラデーカップの絶縁不良など電流計６３へ至るまでの経路での電流リークやファラデーカップ表面の帯電がイオン電流計測の誤差として発生し、これらが実イオン注入量の変動を招く恐れがある。
【００３４】
さらに、間接的に基板７１へ注入されたイオンビーム電流を計測する走査型イオン注入装置の場合、旧来用いられてきた、基板７１上のイオンビーム電流を直接計測する機構では発生し得ない誤差が現れる。
図４を用いて詳しく説明する。近年半導体基板への多方向注入等の要求から、半導体基板支持部の構造が複雑化し、支持部へのイオンビーム電流計の接続が困難となり、半導体基板へ注入されたイオンビーム電流を直接計測できないことから、上述のような間接的なイオンビーム電流計測方式が採用されている。
このような構成で、ファラデーカップ６１内において、基板７１内と基板７１周囲の各
イオンビーム走査位置とのビーム電流値にばらつきが生じている場合は、ファラデーカップ６１で計測したイオンビーム電流値とは異なるイオンビーム電流値で基板７１にイオン注入してしまうという問題が発生する。また、基板７１とファラデーカップ６１との位置間で電流密度が変化している場合も然りである。こうした事象はイオンビーム形成毎に変化するため、モニター基板へのイオン注入と製品用の半導体基板へのイオン注入とが連続して行われない場合には、注入誤差を検出することができないのである。
【００３５】
本発明は、まさにこの誤差要因をも解決すべくなされたものであり、以下に示す工程がさらに特徴的なものである。
【００３６】
注入時間を調整してモニター基板にイオン注入する、第１のイオン注入工程４を説明する。抵抗率が１０Ω・ｃｍのＮ型シリコン基板をモニター基板として、注入均一性ならびに実イオン注入量の確認を行う。イオン注入装置のイオン注入室４８の内（基板７１の位置）にモニター基板を配し、四探針法で安定した計測ができるシート抵抗となる濃度を得るために、イオン注入量を４．０Ｅ１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２とすべく、実処理の注入時間設定工程３で得られた注入時間を２０倍の２００秒にしてイオン注入を行う。このときイオンビームの調整は行わないものとする。
【００３７】
シート抵抗を測定するシート抵抗測定工程５を説明する。イオン注入を行ったモニター基板にはすみやかに急速加熱装置（図示しない）によって摂氏１０５０度にて１０秒の熱処理を施し、イオン注入による損傷層の回復とＢ（ボロン）の活性化を行い拡散層が形成される。さらにその拡散層のシート抵抗値は、四探針抵抗測定装置（図示しない）を用いて四探針法にて測定する。ここでは上記条件で１．２ｋΩ／ｃｍ２のシート抵抗値が得られた。
【００３８】
次に規格判定工程６を説明する。モニター基板のシート抵抗値は、あらかじめ電気特性との相関を取得した管理図の管理値と比較し、イオン注入実行の可否判定を行う。このときシート抵抗値が管理値から外れている場合は、イオン注入を中止しイオン注入装置の保全工程である、注入機保全工程９を行う。また、シート抵抗が管理値内にあってもモニター基板内の均一性が管理値から外れている場合は、イオンビーム調整工程２に戻り抵抗値の分布を参照して走査速度を再調整する。
【００３９】
イオン注入に関する補正係数算出工程７と、補正後の注入時間での実イオン注入処理を行う第２のイオン注入工程８とを説明する。
規格判定工程６での判定において、シート抵抗値が管理値内の場合は、図２に示すあらかじめ取得しているイオン注入量とシート抵抗値の相関図から補正係数を導出する。そして、この補正した注入時間にて製品用の半導体基板に対して実イオン注入処理を行う。
【００４０】
以上の説明で明らかなように、本発明の半導体装置の製造方法は、モニター基板を用いた処理を上記の工程で行うことにより、従来技術では不明確であったイオンビーム走査位置におけるイオンビーム電流のばらつきや微小な電流リークなど装置に起因するばらつきを正確に把握し、それらを補正して製品の半導体基板のイオン注入にフィードバックさせることができるようになった。このため、トランジスタのしきい値ばらつきが抑制され、しきい値ばらつきに起因する半導体素子の不良が著しく低減し、半導体装置の歩留りを向上させることができた。
【００４１】
本発明の半導体装置の製造方法の特徴的な部分は、イオン注入におけるビーム電流値および走査均一性を調整した後にモニター基板を処理してシート抵抗の測定を実施し、一連のイオンビーム調整条件は変えずに、イオン注入時間を補正してイオン注入量を制御し製品の処理を行うところである。このような製造方法とすることによって、イオン注入装置
に起因するばらつきを相殺し、従来にはないイオン注入量の高精度な制御が可能となった。
【００４２】
また、生産性を向上させるために、シート抵抗の確認をイオン注入処理と同時、あるいは事後に行い、製品の合否判定を行うようにしても、歩留まりが半導体装置の製造過程であらかじめ予測できる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、四探針法を用いてシート抵抗を測定する低不純物領域を含む半導体装置の製造方法に関するものである。本発明の半導体装置の製造方法は、低コストで半導体装置を製造することができるために、量産される電子機器に搭載する半導体装置の製造に用いることができる。
近年、携帯用電子機器や小型情報機器は低消費電力化が求められ、その方策として半導体装置を構成するＭＯＳトランジスタのしきい値の低電圧化が進められている。本発明の半導体装置の製造方法は、これらの半導体装置の製造に採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法における補正係数の参照図である。
【図３】イオンビーム走査型イオン注入装置のシステム概念図である。
【図４】イオン注入装置のイオン注入室の概略図である。
【図５】四探針測定法を説明する図である。
【図６】従来技術におけるイオン注入装置の管理方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  実処理のイオン注入条件設定工程
２  イオンビーム調整工程
３  実処理の注入時間設定工程
４  第１のイオン注入工程
５  シート抵抗測定工程
６  規格判定工程
７  補正係数算出工程
８  第２のイオン注入工程
９  注入機保全工程
１１  半導体基板
１２  探針
１３  直流電源
１４  電圧計
１５  電流計
４１  イオン発生部
４２  引き出し電極
４３  質量分析部
４４  加速器
４５ａ  磁場レンズ
４５ｂ  磁場レンズ
４６  偏向電極部
４７  平行化電磁石
４８  イオン注入室
５１  走査イオンビーム
６１  イオン注入領域のファラデーカップ
６１ａ  イオンビーム流路上にあるイオン注入領域のファラデーカップ
６１ｂ  イオン注入のため退避位置にあるイオン注入領域のファラデーカップ
６２  走査端のファラデーカップ
６３  電流計
６４  ファラデー切り替え部
７１  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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