(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、外部端子の部分的な補強を容易に行うことにある。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、（ａ）樹脂を含むペースト２６を、半導体基板１６と電気的に接続された電気的接続部１５上に設けること、（ｂ）ろう材２８を、電気的接続部１５の上方に、ペースト２６に接触するように設けること、（ｃ）ろう材２８及びペースト２６を溶融させることによって、ろう材２８から外部端子３０を形成し、ペースト２６から補強部３２を形成すること、を含む。補強部３２は、外部端子３０の一部を露出させ、かつ、外部端子３０の電気的接続部１５に接続された基端部の周囲を被覆する。【選択図】      図４
2005340449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）樹脂を含むペーストを、半導体基板と電気的に接続された電気的接続部上に設けること、
（ｂ）ろう材を、前記電気的接続部の上方に、前記ペーストに接触するように設けること、
（ｃ）前記ろう材及び前記ペーストを溶融させることによって、前記ろう材から外部端子を形成し、前記ペーストから補強部を形成すること、
を含み、
前記補強部を、前記外部端子の一部を露出させ、かつ、前記外部端子の前記電気的接続部に接続された基端部の周囲を被覆するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、前記電気的接続部の全体を覆うように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、複数の前記電気的接続部のぞれぞれの上に、隣同士が非接触になるように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、複数の前記電気的接続部上に一体的に設ける半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記ろう材を、前記電気的接続部と非接触になるように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）ろう材に、樹脂を含むペーストを付着させること、
（ｂ）前記ろう材を、半導体基板と電気的に接続された電気的接続部に前記ペーストが接触するように設けること、
（ｃ）前記ろう材及び前記ペーストを溶融させることによって、前記ろう材から外部端子を形成し、前記ペーストから補強部を形成すること、
を含み、
前記補強部を、前記外部端子の一部を露出させ、かつ、前記外部端子の前記電気的接続部に接続された基端部の周囲を被覆するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記電気的接続部は、前記半導体基板が搭載されたインターポーザの一部である半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記電気的接続部は、前記半導体基板に形成された樹脂層上に延びる配線層の一部である半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ペーストは、フラックスを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ペーストは、ろう材を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の外部端子に加えられる応力を効果的に緩和することが重要であるが、従来の方法によれば、複数の外部端子を形成した後に、それぞれの外部端子の周囲に補強部を形成していたので、外部端子の部分的な補強が難しかった。
【０００３】
本発明の目的は、外部端子の部分的な補強を容易に行うことにある。
【特許文献１】特開平６−１３５４１号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
（ａ）樹脂を含むペーストを、半導体基板と電気的に接続された電気的接続部上に設けること、
（ｂ）ろう材を、前記電気的接続部の上方に、前記ペーストに接触するように設けること、
（ｃ）前記ろう材及び前記ペーストを溶融させることによって、前記ろう材から外部端子を形成し、前記ペーストから補強部を形成すること、
を含み、
前記補強部を、前記外部端子の一部を露出させ、かつ、前記外部端子の前記電気的接続部に接続された基端部の周囲を被覆するように形成する。本発明によれば、補強部を、外部端子の電気的接続部に接続される基端部の周囲を被覆するように形成するので、熱膨張又は収縮などに起因する外部端子の応力を効果的に緩和することができる。また、ペーストを電気的接続部上に設けた後に、電気的接続部の上方にろう材を設ければよいので、外部端子の部分的な補強を容易に行うことができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、前記電気的接続部の全体を覆うように設けてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、複数の前記電気的接続部のぞれぞれの上に、隣同士が非接触になるように設けてもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記ペーストを、複数の前記電気的接続部上に一体的に設けてもよい。これによれば、ペーストをそれぞれの電気的接続部ごとに設けなくて済むので、ペーストの形成工程が容易である。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記ろう材を、前記電気的接続部と非接触になるように設けてもよい。
（６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
（ａ）ろう材に、樹脂を含むペーストを付着させること、
（ｂ）前記ろう材を、半導体基板と電気的に接続された電気的接続部に前記ペーストが接触するように設けること、
（ｃ）前記ろう材及び前記ペーストを溶融させることによって、前記ろう材から外部端子を形成し、前記ペーストから補強部を形成すること、
を含み、
前記補強部を、前記外部端子の一部を露出させ、かつ、前記外部端子の前記電気的接続部に接続された基端部の周囲を被覆するように形成する。本発明によれば、補強部を、外部端子の電気的接続部に接続される基端部の周囲を被覆するように形成するので、熱膨張又は収縮などに起因する外部端子の応力を効果的に緩和することができる。また、ペースト付きのろう材を搭載するので、電気的接続部への位置合わせの工程が少なく、製造工程が簡単である。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記電気的接続部は、前記半導体基板が搭載されたインターポーザの一部であってもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記電気的接続部は、前記半導体基板に形成された樹脂層上に延びる配線層の一部であってもよい。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記ペーストは、フラックスを含んでもよい。これによれば、ろう材の濡れ性を高めて、外部端子と電気的接続部との電気的接続を良好に行うことができる。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記ペーストは、ろう材を含んでもよい。これによれば、外部端子と電気的接続部との電気的接続を確実に達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。図２は、図１のII−II線断面図である。本実施の形態では、パッケージ１０を用意する。
【０００７】
パッケージ１０は、インターポーザ１２を有する。インターポーザ１２は、基板であって、プレートであってもよい。インターポーザ１２は矩形をなしていてもよい。インターポーザ１２は、ポリイミド樹脂などの樹脂で形成されていてもよいし、樹脂などの有機材料及び無機材料の混合材料で形成されてもよいし、金属基板やセラミック基板であってもよい。インターポーザ１２には、配線パターン１４が形成されている。配線パターン１４は、複数点を電気的に接続する配線と、他の部品との電気的接続部１５を有していてもよい。電気的接続部１５はランドであってもよい。インターポーザ１２には、電気的接続部１５の少なくとも一部を避けて、配線パターン１４を覆う絶縁層（図示しない）が形成されていてもよい。配線パターン１４は、図示しないスルーホールを通して電気的に接続されるように、インターポーザ１２の両面に形成してもよい。電気的接続部１５は、半導体チップ１６が搭載される面とは反対側に形成されていてもよい。インターポーザ１２は、多層基板やビルドアップ型基板であってもよい。
【０００８】
パッケージ１０は、半導体チップ（半導体基板）１６を有する。半導体チップ１６には、集積回路１８が形成されている。半導体チップ１６は、インターポーザ１２に搭載され、配線パターン１４に電気的に接続されている。半導体チップ１６は、図示しない接着剤を介して、インターポーザ１２に接着されていてもよい。図２に示すように、半導体チップ１６をインターポーザ１２にフェースアップボンディングしてもよい。その場合、半導体チップ１６のパッド２０及び配線パターン１４にワイヤ２２をボンディングしてもよい。
【０００９】
パッケージ１０は、封止部２４を有する。封止部２４は、半導体チップ１６を封止しており、ワイヤ２２を封止する。封止部２４は、インターポーザ１２に設けられている。封止部２４は、複数の電気的接続部１５とオーバーラップするように形成されてもよい。封止部２４は、樹脂（例えばモールド樹脂）で形成してもよい。封止部２４は、インターポーザ１２よりも熱膨張率が小さくてもよい。
【００１０】
このようなパッケージ１０の電気的接続部１５上に、樹脂（例えば熱硬化性樹脂）を含むペースト２６を設ける。ペースト２６は、接着剤であってもよい。ペースト２６は、フラックス又はろう材を含んでいてもよい。ペースト２６として、アンダーフィルフラックス又はアンダーフィルペーストと呼ばれるものを使用してもよい。ペースト２６は、樹脂、フラックス及びろう材の全部が混合していてもよい。あるいは、ペースト２６は、樹脂及びフラックス、あるいは樹脂及びろう材の組み合わせが混合していてもよい。ペースト２６に含有されるろう材は、後述の外部端子を形成するためのろう材２８と同一材料であってもよい。
【００１１】
図１に示す例では、ペースト２６を複数の電気的接続部１５のそれぞれの上に、隣同士が非接触になるように設ける。隣同士の電気的接続部１５の間の領域からインターポーザ１２が露出していてもよい。これによれば、インターポーザ１２の露出面積を広くすることができ、水蒸気などが逃げやすくなる。ペースト２６は、電気的接続部１５の全体を覆うように設けてもよい。インターポーザ１２に電気的接続部１５の一部（例えば中央部の周囲の端部）を覆う絶縁層が形成されている場合、電気的接続部１５の露出部の全体を覆うように、ペースト２６を設けてもよい。あるいは、ペースト２６は、電気的接続部１５の露出部の一部のみを覆うように設けてもよい。ペースト２６を設ける方法は、印刷方式（例えばスクリーン印刷）、ピンなどによる転写方式、ディスペンサによる塗布方式、又は液滴吐出方式（例えばインクジェット方式）などのいずれを適用してもよい。なお、ペースト２６がろう材（導電材料）を含んでいても、ろう材は電気的接続部に留まるので、隣同士の電気的接続部１５の電気的ショートは回避することができる。
【００１２】
次に、ろう材２８を、電気的接続部１５の上方に、ペースト２６に接触するように設ける。ろう材２８は、ボール状（固形状）をなしていてもよい。軟ろう（soft solder）又は硬ろう（hard solder）のいずれで形成してもよい。軟ろうとして、鉛を含まないハンダ（以下、鉛フリーハンダという。）を使用してもよい。鉛フリーハンダとして、スズ−銀（Ｓｎ−Ａｇ）系、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系、スズ−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系、あるいはスズ−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の合金を使用してもよいし、これらの合金に、さらに銀、ビスマス、亜鉛、銅のうち少なくとも１つを添加してもよい。ろう材２８は、いわゆるハンダボールであってもよい。
【００１３】
ろう材２８は、電気的接続部１５と非接触になるように設けてもよい。その場合、ろう材２８と電気的接続部１５との間には、ペースト２６が介在する。あるいは、ろう材２８は、電気的接続部１５と接触して設けてもよい。ろう材２８は、ペースト２６に接着させてもよい。１つの電気的接続部１５に、１つのろう材２８を設ける。また、必要があれば、ろう材２８にフラックスを付着させ、フラックス付のろう材２８をペースト２６に接触させてもよい。その場合、ペースト２６は、フラックスを含んでいなくてもよい。
【００１４】
その後、ペースト２６及びろう材２８を溶融させる。加熱工程を行うことによって、ペースト２６及びろう材２８を溶融させてもよい。加熱工程は、ろう材２８のリフロー工程のための加熱処理（例えば２４０℃程度の加熱処理）であってもよい。ペースト２６が熱硬化性樹脂を含む場合、ろう材２８が溶融し始める前に、ペースト２６は硬化しないほうが好ましい。加熱工程は、リフロー工程後の、樹脂の硬化工程のための加熱処理（リフロー工程よりも低温かつ長時間の加熱処理）を含んでもよい。
【００１５】
こうして、図４に示すように、ろう材２８から外部端子３０を形成し、ペースト２６から補強部３２を形成する。外部端子３０は、その基端部が電気的接続部１５（インターポーザ１２の一部）に接続されている。外部端子３０は、断面形状の最も大きい中間部を有し、電気的接続部１５に接続される基端部はその中間部よりも断面形状が小さくなっている。外部端子３０は、ほぼ球体の一部をなしていてもよい。
【００１６】
補強部３２は、それぞれの外部端子３０の一部（先端部を含む部分）を露出させ、かつ、それぞれの外部端子３０の電気的接続部１５に接続された基端部の周囲を被覆している。外部端子３０のうち補強部３２からの露出部は、外部端子３０の基端部と反対の先端部（のみ）であってもよいし、外部端子３０の中間部から先端部に連続する部分（片側半分以上）であってもよい。補強部３２は、外部端子３０の電気的接続部１５に接続された基端部の全周を被覆してもよい。補強部３２は、電気的接続部１５の端部に載せられた絶縁層上に広がっていてもよい。
【００１７】
補強部３２は、それぞれの電気的接続部１５ごとに、隣同士が非接触になるように設けられている。補強部３２は、隣同士の外部端子３０の間を避けていてもよい。隣同士の外部端子３０の間の領域からインターポーザ１２が露出していてもよい。
【００１８】
補強部３２（ペースト２６）が接着剤であれば、外部端子３０の周囲を接着補強することができる。補強部３２（ペースト２６）がフラックスを含む場合には、外部端子３０の材料であるろう材２８の濡れ性を高めて、外部端子３０と電気的接続部１５との電気的接続を良好に行うことができる。補強部３２（ペースト２６）がろう材を含む場合には、外部端子３０と電気的接続部１５との電気的接続を確実に達成することができる。
【００１９】
本実施の形態によれば、補強部３２を、外部端子３０の電気的接続部１５に接続される基端部の周囲を被覆するように形成するので、熱膨張又は収縮などに起因する外部端子３０の応力を効果的に緩和することができる。また、補強部３２となるペースト２６を電気的接続部１５上に設けた後に、電気的接続部１５の上方に外部端子３０となるろう材２８を設ければよいので、外部端子３０の部分的な補強を容易に行うことができる。
【００２０】
図５は、本実施の形態の変形例を説明する図である。本変形例では、ろう材２８に、あらかじめペースト２６を付着させる。例えば、ペースト２６を含む溶液に、ボール状をなす複数のろう材２６を浸漬させることによって、ろう材２８にペースト２６を付着させてもよい。ペースト２６は、ろう材２８の一部に付着させてもよい。その後、ペースト２６付きのろう材２８を、ペースト２６が電気的接続部１５に接触するように、電気的接続部１５に設ける。そして、ペースト２６及びろう材２８を溶融させることによって、ろう材２８から外部端子を形成し、ペースト２６から補強部を形成する（図４参照）。これによれば、ペースト２６付きのろう材２８を搭載するので、電気的接続部１５への位置合わせの工程が少なく、製造工程が簡単である。
【００２１】
図６は、本実施の形態の変形例を説明する図である。本変形例では、ペースト２６を複数の電気的接続部１５上に一体的に設ける。１つのインターポーザ１２に形成された複数の電気的接続部１５のうちの、全部又は一部（２以上）の電気的接続部１５上に一体的に設ける。ペースト２６は、インターポーザ１２の一部（図６では中央部）を避けて設けてもよいし、インターポーザ１２の全面に設けてもよい。これによれば、ペースト２６をそれぞれの電気的接続部１５ごとに設けなくて済むので、ペースト２６の形成工程が容易である。
【００２２】
なお、上述の変形例のその他の詳細は、上述の実施の形態で説明した内容から導き出すことができる内容を含む。
【００２３】
（第２の実施の形態）
図７〜図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。図７では半導体装置を構成する一部（配線層など）が省略されている。図８は、図７のVIII−VIII線断面図である。本実施の形態では、半導体ウエハ（半導体基板）４０を用意する。図７では、半導体ウエハ４０の一部（詳しくは半導体チップに相当する領域）が示されている。変形例として、半導体ウエハ４０を個片切断して得られる半導体チップに対して、これから説明する製造方法を適用してもよい。
【００２４】
半導体ウエハ４０には、複数の集積回路（図示しない）が形成され、それぞれの集積回路に対応して複数の電極４２が形成されている。電極４２は、半導体ウエハ４０の集積回路の形成された面側に形成されている。半導体ウエハ４０には、電極４２の一部を避けて、パッシベーション膜４４が形成されていてもよい。
【００２５】
半導体ウエハ４０には、樹脂層４６が形成されている。樹脂層４６は、応力緩和機能を有し、半導体ウエハ４０の電極４２を避けて形成されている。樹脂層４６は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）などで形成することができる。フォトリソグラフィ技術を適用して、樹脂層４６をパターニングしてもよい。樹脂層４６は、隣同士の間を避けて、複数領域に形成してもよい。
【００２６】
半導体ウエハ４０には、電極４２に電気的に接続している配線層４８が形成されている。配線層４８は、樹脂層４６上に延びて、樹脂層４６上に電気的接続部５０を有する。電気的接続部５０は、配線層４８の一部である。電気的接続部５０は、ランドであってもよい。複数の電気的接続部５０が樹脂層４６の平面領域内で、複数行複数列に配列されていてもよい。なお、半導体ウエハ４０には、電気的接続部５０の一部（例えば中央部）を避けて、配線層４８を覆う絶縁層５２が形成されている。絶縁層５２は、ろう材からのレジスト（例えばソルダレジスト）であってもよい。
【００２７】
このような半導体ウエハ４０の電気的接続部５０上に、ペースト２６を設ける。ペースト２６を複数の電気的接続部５０のそれぞれの上に、隣同士が非接触になるように設けてもよい。あるいは、第１の実施の形態の変形例で説明したように、複数の電気的接続部５０上に一体的に設けてもよい。ペースト２６上にろう材２８を設け、それらを溶融させることによって、外部端子６０及び補強部６２を形成する。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容から導くことができる内容を含む。
【００２８】
（その他の実施の形態）
図１１〜図１４は、本発明のその他の実施の形態を説明する図である。詳しくは、第１の実施の形態を適用して製造された半導体装置の例を示す図である。これらの半導体装置では、インターポーザ１２の一部（電気的接続部１５）に、外部端子３０及び補強部３２を形成する。
【００２９】
図１１に示すように、インターポーザ１２上に複数の半導体チップ１６，７０をスタックしてもよい。詳しくは、インターポ−ザ１２上に半導体チップ１６をフェースアップボンディングし、さらに、半導体チップ１６上に半導体チップ７０をフェースアップボンディングしてもよい。半導体チップ７０には集積回路７２及び電極となるパッド７４が形成され、パッド７４と配線パターン１４とはワイヤ７６によってボンディングされている。半導体チップ７０の詳細は、上述の半導体チップ１６について説明した内容が該当する。封止部２４は、複数の半導体チップ１６，７０を封止している。そして、このようなパッケージの電気的接続部１５に、外部端子３０及び補強部３２を形成してもよい。
【００３０】
図１２に示すように、インターポーザ１２上に、半導体チップ８０をフェースダウンボンディングしてもよい。半導体チップ８０は、接着剤８６を介して、インターポーザ１２に接着されている。接着剤８６は、エネルギー硬化性（熱硬化性又は紫外線硬化性など）であってもよい。接着剤８６は、電気的に絶縁性であってもよい。半導体チップ８０には集積回路８２及び電極となるバンプ８４が形成され、バンプ８４と配線パターン１４とを対向させて、両者を電気的に接続してもよい。接着剤８６が異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペースト等）であれば、導電粒子によって電気的な接続を図ることができる。接着剤８６が絶縁性接着剤であれば、その収縮力を利用してバンプ８４と配線パターン１４とを圧接させてもよい。あるいは、バンプ８４と配線パターン１４とは金属接合されていてもよい。配線パターン１４の一部である電気的接続部１５は、半導体チップ８０が搭載される面とは反対側に形成されている。このようなパッケージの電気的接続部１５に、外部端子３０及び補強部３２を形成してもよい。こうして、半導体装置（パッケージ１００）を製造することができる。
【００３１】
図１３に示すように、インターポーザ１２の両面に半導体チップ８０，９０を搭載してもよい。半導体チップ９０は、集積回路９２及び電極となるバンプ９４が形成されていてもよく、バンプ９４と配線パターン１４とを対向させて、両者を電気的に接続してもよい。半導体チップ９０を、接着剤９６を介してインターポーザ１２に接着してもよい。接着剤９６の詳細は、上述の接着剤８６の内容が該当する。配線パターン１４の一部である電気的接続部１５は、インターポーザ１２のいずれかの面に形成されている。このようなパッケージの電気的接続部１５に、外部端子３０及び補強部３２を形成してもよい。
【００３２】
図１４に示すように、上述のパッケージ１０，１００をスタックさせてもよい。パッケージ１０とパッケージ１００との間は、外部端子３０が介在しており、外部端子３０は補強部３２によって補強されている。これによれば、パッケージ１０，１００間において、外部端子３０の一部が補強部３２から露出しているので、水蒸気などを逃がす空間が形成され、水蒸気などの残留による第１及び第２のパッケージ１０，３０の剥離を防止することができる。したがって、外部端子３０に加えられる応力を緩和することができる。なお、最も外側に配置されているインターポーザの外側を向く面に電気的接続部１５が形成されており、その電気的接続部１５にも外部端子３０及び補強部３２を形成してもよい。
【００３３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、図１のII−II線断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、図７のVIII−VIII線断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明のその他の実施の形態に係る方法によって製造された半導体装置を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明のその他の実施の形態に係る方法によって製造された半導体装置を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明のその他の実施の形態に係る方法によって製造された半導体装置を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明のその他の実施の形態に係る方法によって製造された半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０…パッケージ  １２…インターポーザ  １４…配線パターン  １５…電気的接続部
１６…半導体チップ  １８…集積回路  ２２…ワイヤ  ２４…封止部  ２６…ペースト
３０…外部端子  ３２…補強部  ４０…半導体ウエハ  ４２…電極  ４６…樹脂層
４８…配線層  ５０…電気的接続部  ５２…絶縁層  ６２…補強部
７０…半導体チップ  ８０…半導体チップ  ９０…半導体チップ  １００…パッケージ
【図１】
2005340449.tif 000003
【図２】
2005340449.tif 000004
【図３】
2005340449.tif 000005
【図４】
2005340449.tif 000006
【図５】
2005340449.tif 000007
【図６】
2005340449.tif 000008
【図７】
2005340449.tif 000009
【図８】
2005340449.tif 000010
【図９】
2005340449.tif 000011
【図１０】
2005340449.tif 000012
【図１１】
2005340449.tif 000013
【図１２】
2005340449.tif 000014
【図１３】
2005340449.tif 000015
【図１４】
2005340449.tif 000016