(57)【要約】【課題】比較的低エネルギーの光を用いて、撥水性親水性パターンを有する薄膜を容易に形成できる撥水性組成物を提供する。【解決手段】酸により分解して撥水性が低下する撥水性化合物Ａ（たとえば、Ｒｆ２ＯＣＯＲ３Ｓｉ（Ｒ４）３−ｍＸ２ｍ、ただし、Ｒｆ２：１価ポリフルオロアルキル基、Ｒ３：アルキレン基、Ｒ４：メチル基、Ｘ：加水分解性基、ｍ：１〜３の整数。）、２００ｎｍ以上の光により分解して酸を発生する化合物Ｂを含む撥水性組成物。それを用いて形成した薄膜に、光を照射することにより形成した撥水性親水性パターンを有する薄膜。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２００ｎｍ以上の光の照射により分解して酸を発生する化合物Ｂおよび該化合物から発生した酸により分解して撥水性が低下する撥水性化合物Ａを含む撥水性組成物。
【請求項２】
前記撥水性化合物Ａが、下式１〜４で表される含フッ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物および／またはその部分加水分解物である、請求項１に記載の撥水性組成物。
Ｒｆ１ＣＯＯＲ１Ｓｉ（Ｒ２）３−ｎＸ１ｎ・・・式１
Ｒｆ２ＯＣＯＲ３Ｓｉ（Ｒ４）３−ｍＸ２ｍ・・・式２
Ｒｆ３ＯＳｉ（Ｒ５）３−ｐＸ３ｐ・・・式３
Ｒｆ４（Ｒ６）２ＳｉＯＲ７Ｓｉ（Ｒ８）３−ｑＸ４ｑ・・・式４
ただし、式１〜４における記号は以下の意味を示す。
Ｒｆ１、Ｒｆ２、Ｒｆ３、Ｒｆ４：それぞれ独立して、１価含フッ素有機基。
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ７：それぞれ独立して、２価有機基。
Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８：それぞれ独立して、１価有機基。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４：それぞれ独立して、加水分解性基。
ｎ、ｍ、ｐ、ｑ：それぞれ独立して、１〜３の整数。
【請求項３】
請求項１または２に記載の撥水性組成物を基板上に塗布して形成されてなる撥水性薄膜。
【請求項４】
請求項３に記載の撥水性薄膜に、パターンを有するフォトマスクを介して２００ｎｍ以上の光を照射し、次いで該薄膜の表面を洗浄して形成されてなる撥水性親水性パターンを有する薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撥水性組成物、該組成物から形成された撥水性薄膜、および該薄膜から形成された撥水性親水性パターンを有する薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイスの製造方法としては、真空蒸着、スパッタリング等によって基板上に機能性材料の薄膜を形成させ、該薄膜をフォトリソグラフィによってパターニングする方法が用いられている。フォトリソグラフィは、一般に以下の（１）〜（３）の工程からなる。
【０００３】
（１）パターニングを行う材料の薄膜を基板上に形成する。（２）薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液により現像して、フォトレジストパターンを形成する。（３）フォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、不要な部分を除去して所望のパターン形状を有する薄膜を得る。フォトリソグラフィーは工程が複雑で、クリーンルーム内で実施する必要があることから、エネルギー、材料等の利用効率が低く、設備が高価となる問題があった。
【０００４】
最近、基板上に、表面特性の異なるパターンを形成し、その表面特性の違いを利用して微細デバイスを作製する方法が提案されている。たとえば、紫外線を用いるパターニング方法は、フォトマスクを用いて大面積の基板を一度に処理することができるため、製造面において好ましい。しかし、これまで紫外線として主に２００ｎｍ未満の高エネルギー線が用いられるため、例えば酸化ケイ素膜を設けたシリコンウェハ基板の場合には基板のＳｉ−Ｏ結合まで分解してしまう問題があった（特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３４４８０４号公報
【特許文献２】特開２０００−２８２２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、従来技術が有する前述の欠点を解消することにあり、２００ｎｍ以上の光を照射することにより、基板上に撥水性親水性パターニングを形成できる撥水性組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、２００ｎｍ以上の光の照射により分解して酸を発生する化合物Ｂおよび該化合物から発生した酸により分解して撥水性が低下する撥水性化合物Ａを含む撥水性組成物を提供する。
また本発明は、上記撥水性組成物を基板上に塗布して形成されてなる撥水性薄膜を提供する。
また本発明は、上記撥水性薄膜に、パターンを有するフォトマスクを介して２００ｎｍ以上の光を照射し、次いで該薄膜の表面を洗浄して形成されてなる撥水性親水性パターンを有する薄膜を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の撥水性組成物は、基板上に撥水性に優れる薄膜を形成できる。該薄膜は、比較的低エネルギーである２００ｎｍ以上の光を照射することにより、薄膜表面の撥水性が低下する。この特性を用いて、パターンを有するフォトマスクを通して光を照射することにより、基板上に容易に撥水性親水性パターンを有する薄膜を形成できる。本発明の撥水性組成物を用いることにより、フォトリソグラフィー法に比較して、安価な装置を用い、少ない工程で撥水性親水性パターンを有する薄膜を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明における撥水性化合物Ａは、酸により分解して撥水性が低下する。撥水性化合物Ａとしては、含フッ素有機基を有し、酸により分解し、該含フッ素有機基を放出する結合基を有する化合物が好ましい。該結合基としては、エステル基、シリルエーテル基、シリルアミノ基等が好ましい。
【００１０】
撥水性化合物Ａとしては、下式１〜４で表される含フッ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物および／または部分加水分解物であることが好ましい。
Ｒｆ１ＣＯＯＲ１Ｓｉ（Ｒ２）３−ｎＸ１ｎ・・・式１
Ｒｆ２ＯＣＯＲ３Ｓｉ（Ｒ４）３−ｍＸ２ｍ・・・式２
Ｒｆ３ＯＳｉ（Ｒ５）３−ｐＸ３ｐ・・・式３
Ｒｆ４（Ｒ６）２ＳｉＯＲ７Ｓｉ（Ｒ８）３−ｑＸ４ｑ・・・式４
ただし、式１〜４における記号は以下の意味を示す。
Ｒｆ１、Ｒｆ２、Ｒｆ３、Ｒｆ４：それぞれ独立して、１価含フッ素有機基。
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ７：それぞれ独立して、２価有機基。
Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８：それぞれ独立して、１価有機基。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４：それぞれ独立して、加水分解性基。
ｎ、ｍ、ｐ、ｑ：それぞれ独立して、１〜３の整数。
【００１１】
式１で表される化合物（以下、化合物１とも記す。式２〜４についても同様に記す。）において、Ｒｆ１としてはペルフルオロアルキル基またはエーテル性の酸素原子を有するペルフルオロアルキル基が好ましい。ペルフルオロアルキル基の炭素原子数としては１〜１６が好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜８が最も好ましい。ペルフルオロアルキル基としては、直鎖構造、分岐構造または環状構造が挙げられるが、直鎖構造が好ましい。分岐構造である場合には、分岐部分が末端に存在し、かつ分岐部分が炭素数１〜４程度の短鎖であるのが好ましい。
【００１２】
Ｒ１としては炭素原子数１〜１０のアルキレン基が好ましく、炭素原子数２〜５のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数３〜４のアルキレン基が最も好ましい。Ｒ２は炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。Ｘ１としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アセトキシ基、ケトオキシム基が好ましく、ハロゲン原子、アルコキシ基がより好ましく、Ｃｌ−、ＣＨ３Ｏ−、Ｃ２Ｈ５Ｏ−が最も好ましい。ｎは２〜３が好ましく、３がより好ましい。ｎが３であると撥水性組成物が基材への密着性に優れる。
【００１３】
化合物１としては、以下の化合物等が挙げられる。
Ｆ（ＣＦ２）８ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＯＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）７ＣＯＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＯＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
Ｆ（ＣＦ２）４ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＯＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
【００１４】
化合物１としては、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３が好ましい。
【００１５】
化合物２、化合物３、化合物４において、Ｒｆ２、Ｒｆ３、Ｒｆ４は上記Ｒｆ１と同様の基が好ましく、Ｒ３、Ｒ７は前記Ｒ１と同様の基が好ましく、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８は前記Ｒ２と同様の基が好ましく、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は前記Ｘ１と同様の基が好ましく、ｍ、ｐ、ｑは前記ｎと同様の整数が好ましい。
【００１６】
化合物２としては、以下の化合物等が挙げられる。
Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）７ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
【００１７】
化合物２としては、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３が好ましい。
【００１８】
化合物３としては以下の化合物等が挙げられる。
Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）７ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３。
【００１９】
化合物３としては、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３が好ましい。
【００２０】
化合物４としては、以下の化合物が好ましく挙げられる。
Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＯ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
【００２１】
化合物４としては、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３が好ましい。
【００２２】
光の照射により分解して酸を発生する化合物Ｂとしては、最大吸収波長（λｍａｘ）が２００ｎｍ以上のものが好ましく、２５０ｎｍ以上のものがより好ましく、３００ｎｍ以上のものが最も好ましい。最大吸収波長が該範囲であると、高圧水銀灯等の簡便な装置を用いて撥水性親水性パターンを有する薄膜を形成できる。
【００２３】
化合物Ｂとしては、２００ｎｍ以上の光により分解して酸を発生する化合物すなわちｐｈｏｔｏ  ａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ（略してＰＡＧと記す。）であれば特に限定なく用いることができる。化合物Ｂの具体例としては、以下の化合物等が挙げられる。
【００２４】
【化１】
2005345897.tif 000002
【００２５】
発生する酸は撥水性化合物Ａを分解できる酸であればよく、塩酸が好ましい。塩酸が発生する機構は必ずしも明確ではないが、化合物Ｂにおける−ＣＣｌ３から塩素ラジカルが発生し、化合物Ｂ中の水素原子を引き抜いて塩酸が発生すると考えられる。
【００２６】
撥水性組成物における撥水性化合物Ａと化合物Ｂの質量比は、９５／５〜９９．９９／０．０１が好ましく、９９／１〜９９．９／０．１がより好ましく、９９．８／０．２〜９９．５／０．５が最も好ましい。該範囲であると、光の照射により撥水性薄膜の表面の撥水性が効率よく低下する。
【００２７】
本発明の撥水性薄膜は、撥水性組成物を基板上に塗布して形成されてなる。撥水性薄膜の水との接触角は９５度以上が好ましく、１００度以上がより好ましい。前記薄膜は２００ｎｍ以上の光を照射後、水との接触角が７０度以下となることが好ましく、５０度以下がより好ましく、３０度以下が最も好ましい。光を照射する前後の薄膜の水に対する接触角の差は３０度以上が好ましく、５０度以上がより好ましく、７０度以上が最も好ましい。
【００２８】
本発明の撥水性組成物は、有機溶剤を含むことが好ましい。
有機溶剤としては、特に限定されず、アルコール類、ケトン類、芳香族炭化水素類、パラフィン系炭化水素類が好ましく、エチルアルコール、２−プロピルアルコール等の低級アルコール類またはパラフィン系炭化水素類がより好ましい。有機溶剤は、１種を用いてもよく、２種以上を混合して用いて、溶解性、蒸発速度を調節してもよい。
【００２９】
撥水性組成物において、撥水性化合物Ａと有機溶剤の質量比は１／１０００〜１／１０が好ましく、１／２００〜１／２０がより好ましい。該範囲であると、均一な薄膜が形成され、撥水性に優れる。
【００３０】
本発明の撥水性薄膜の厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましく、１〜５ｎｍが最も好ましい。撥水性薄膜の厚さは、自己組織化膜（ＳＭＡともいう。）の厚さが最も好ましい。該範囲にあると、良好な撥水性親水性パターンが得られる。
【００３１】
撥水性組成物を塗布する方法としては、はけ塗り、流し塗り、回転塗布、浸漬塗布、スキージ塗布、スプレー塗布、手塗り等の各種公知の方法が挙げられる。撥水性組成物は、表面に塗布した後、大気中、窒素気流中等で乾燥する。該乾燥は室温で行うのが好ましく、加熱によって乾燥する場合には、基材の耐熱性を加味して加熱の温度、時間を設定する。温度としては、０〜８０℃が好ましく、１０〜４０℃がより好ましい。時間としては、１〜６０分間が好ましく、５〜３０分間がより好ましい。
【００３２】
本発明の撥水性親水性パターンを有する薄膜は、前記撥水性薄膜に光を照射し、薄膜表面を洗浄して形成されてなる。
【００３３】
照射する光の波長は２００〜８００ｎｍが好ましく、２５０〜６００ｎｍがより好ましく、３００〜４００ｎｍが最も好ましい。
照射する光は紫外線がより好ましい。波長が該範囲にあると、基板を構成する材料自体を分解しない。光の光源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、ナトリウムランプ、窒素等の気体レーザー、有機色素溶液の液体レーザー、無機単結晶に希土類イオンを含有させた固体レーザー等が挙げられる。また、単色光が得られるレーザー以外の光源としては、広帯域の線スペクトル、連続スペクトルをバンドパスフィルター、カットオフフィルター等の光学フィルターを使用して取出した特定波長の光を使用してもよい。一度に大きな面積を照射することができることから、光源としては高圧水銀ランプまたは超高圧水銀ランプが好ましい。
【００３４】
照射方法としては、所定のパターンを有するフォトマスクを介して光を照射する方法、レーザー光を用いる方法等が挙げられる。一度に大きな面積を照射できることから、フォトマスクを介して光を照射する方法が好ましい。
【００３５】
光を照射した後の薄膜表面の洗浄には、含フッ素有機基を溶解する溶剤を用いることが好ましい。溶剤としては、ジクロロペンタフルオロプロパン（以下、Ｒ−２２５と記す。）、ペルフルオロヘキサン等のペルフルオロカーボン類、（ペルフルオロブトキシ）メタン等のハイドロフルオロエーテル、デカフルオロペンタン等のハイドロフルオロカーボン等が挙げられる。
【００３６】
本発明の撥水性薄膜において、光を照射した部分は撥水性が低下し、光が照射されなかった部分は撥水性を維持するので、光の照射により撥水性親水性パターンを有する薄膜が形成される。本発明においては、撥水性組成物の塗布による薄膜形成と、その後の一度の光の照射によって、親水性と撥水性のパターンを有する薄膜を容易に得ることができる。
【００３７】
本発明において、撥水性薄膜が光の照射により撥水性が低下する機構は次のように考えられる。含フッ素化合物Ａから形成された薄膜中の結合基は、酸により分解し、含フッ素有機基を放出し、水酸基、カルボキシル基、シラノール基、アミノ基等が形成されるため、撥水性が低下するものと考えられる。
【００３８】
本発明に用いる基板は特に限定されず、ガラス、石英ガラス、シリコンウェハ、プラスチック、金属等が好ましく挙げられる。また、これらの基板上に、金属薄膜が形成された基板を用いてもよい。
【実施例】
【００３９】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。実施例においては、Ｒ−２２５としては、旭硝子社製商品名ＡＫ−２２５を用いた。また、ガラス基板としては、１０ｃｍ四方の厚さ２ｍｍソーダライム系ガラス基板の表面を、酸化セリウム系微粒子を含む研磨剤で研磨洗浄し、純水ですすいで風乾したガラスを用いた。水に対する接触角は、静滴法を用い基板に水滴を３ケ所乗せ、測定された３点の接触角の平均値として求めた。
【００４０】
［例１］
３００ｍＬのガラス製容器に、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３の１質量部、２−プロパノールの１００質量部および０．１モル／Ｌ濃度の塩酸の０．５質量部を入れて、室温で１２時間加水分解反応を行い加水分解物１を得た。得られた加水分解物１に、原料のＦ（ＣＦ２）８ＣＯＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３に対して５モル％となる量の２−［２−（フラン−２−イル）ビニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン（以下、化合物ｂと記す。）を添加して撥水性組成物１を得た。
【００４１】
得られた撥水性組成物１の２ｍＬをガラス基板に滴下し、３０００回転で２０秒間スピンコートした後、風乾してサンプル１−１を作製した。形成された薄膜の厚さは３ｎｍであった。
【００４２】
得られたサンプル１−１の水に対する接触角は１０５度であり、未処理のガラス基板の水に対する接触角は１０度以下であった。高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射しＲ−２２５で洗浄し風乾してサンプル１−２を作製した。照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２の場合のサンプル１−２の水に対する接触角は６１度であった。
【００４３】
［例２］
３００ｍＬのガラス製容器に、Ｆ（ＣＦ２）８Ｃ２Ｈ４ＯＣＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３の１質量部、２−プロパノールの１００質量部および０．１モル／Ｌの塩酸の０．５質量部を入れて、室温で１２時間加水分解反応を行い加水分解物２を得た。得られた加水分解物２に、原料のＦ（ＣＦ２）８Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３に対して５モル％となる量の化合物ｂを添加して撥水性組成物２を得た。
【００４４】
得られた撥水性組成物２の２ｍＬをガラス基板に滴下し、３０００回転で２０秒間スピンコートした後、風乾してサンプル２−１を作製した。形成された薄膜の厚さは３ｎｍであった。
【００４５】
得られたサンプル２−１の水に対する接触角は１０４度であった。高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射しＲ−２２５で洗浄し風乾してサンプル２−２を作製した。照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２の場合の水に対する接触角は４２度であった。
【００４６】
［例３］
３００ｍＬのガラス製容器に、Ｆ（ＣＦ２）８Ｃ２Ｈ４ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３の１質量部、２−プロパノールの１００質量部および０．１モル／Ｌの塩酸の０．５質量部を入れて、室温で１２時間加水分解反応を行い加水分解物３を得た。得られた加水分解物３に、原料のＦ（ＣＦ２）８Ｃ２Ｈ４ＯＳｉ（ＯＣＨ３）３に対して５モル％となる量の化合物ｂを添加して撥水性組成物３を得た。
【００４７】
得られた撥水性組成物３の２ｍＬをガラス基板に滴下し、３０００回転で２０秒間スピンコートした後、風乾してサンプル３−１を作製した。形成された薄膜の厚さは２ｎｍであった。
【００４８】
得られたサンプル３−１の水に対する接触角は１０６度であった。高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射しＲ−２２５で洗浄し風乾してサンプル３−２を作製した。照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２の場合の水に対する接触角は２２度であった。
【００４９】
［例４］
３００ｍＬのガラス製容器に、Ｆ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３の１質量部、２−プロパノールの１００質量部および０．１モル／Ｌの塩酸の０．５質量部を入れて、室温で１２時間加水分解反応を行い、加水分解物４を得た。得られた加水分解物４に、原料のＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３に対して５モル％となる量の化合物ｂを添加して撥水性組成物４を得た。
【００５０】
得られた撥水性組成物４の２ｍＬをガラス基板に滴下し、３０００回転で２０秒間スピンコートした後、風乾してサンプル４−１を作製した。形成された薄膜の厚さは３ｎｍであった。
【００５１】
得られたサンプル４−１の水に対する接触角は１０５度であった。高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射しＲ−２２５で洗浄し風乾してサンプル４−２を作製した。照射量が７５０ｍＪ／ｃｍ２の場合の水に対する接触角は６０度であった。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の撥水性親水性パターンを有する薄膜は、機能性パターンの形成に使用できる。たとえば、インクジェットプリンティングにより機能性材料を該薄膜の親水性領域に噴射することにより、鮮明な機能性材料のパターンが容易に形成される。撥水性親水性パターンを有する薄膜は、親水性領域に機能性インクを含ませ、別の基材に転写することにより、マイクロコンタクトプリンティング用のスタンプとしての用途を有する。