(57)【要約】【課題】複数の層を成膜する場合であっても、所望する特性を有した層形成が可能な高性能の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を提供すること。【解決手段】基体２及び発熱体４を収容する真空容器１内に第１原料ガスを供給するとともに、該第１原料ガスを発熱体４の発する熱によって分解し、その分解成分を基体２上に堆積させて第１層を形成する第１の工程と、前記第１原料ガスの供給を中断し、しかる後、発熱体４に付着した第１原料ガスの残留成分を発熱体４の発する熱によって除去する第２の工程と、真空容器１内に第２原料ガスを供給するとともに、該第２原料ガスを発熱体４の発する熱によって分解し、その分解成分を堆積させて第２層を形成する第３の工程と、を経て成膜を行う。【選択図】図１
2005133161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体及び発熱体を収容する真空容器内に第１原料ガスを供給するとともに、該第１原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を基体上に堆積させて第１層を形成する第１の工程と、
前記第１原料ガスの供給を中断するとともに、前記発熱体に付着した第１原料ガスの残留成分を前記発熱体の発する熱によって除去する第２の工程と、
前記真空容器内に第２原料ガスを供給するとともに、該第２原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を堆積させて第２層を形成する第３の工程と、を備えたことを特徴とする発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項２】
前記第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間、前記発熱体を連続的に発熱させ続けることを特徴とする請求項１に記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記発熱体の発熱温度を第１層の構成材料の蒸気圧温度以上、発熱体の蒸気圧温度以下としたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項４】
前記第１層がａ−Ｓｉ系材料により、前記第２層がａ−ＳｉＣ系材料により、それぞれ形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料ガスを発熱体の発する熱で分解することにより、分解成分を基体上に堆積させて成膜を行う発熱体ＣＶＤ法による成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体デバイスの成膜には、ＣＶＤ法が多く用いられている。ＣＶＤ法にはプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、発熱体ＣＶＤ法がある。このうち、発熱体ＣＶＤ法は原料ガスを発熱体の熱によって分解し、これを基体上に成膜するという成膜方法であり、熱ＣＶＤ法に比べて成膜中の基体の温度を低くできるため、基体材料の使用範囲を広くすることができる上に、プラズマＣＶＤ法のように基体上の膜がプラズマによってダメージを受けることもないことから、種々の基体上に良質の膜を得ることができる成膜方法として注目されている。
【０００３】
かかる従来の発熱体ＣＶＤ装置は、例えば図９に示す如く、基体２２及び基体保持手段２３とを収容する真空容器２１と、該真空容器２１内に原料ガスを供給するガス供給手段２７と、該ガス供給手段２７より供給される原料ガスに接触するように真空容器２１内に配置された発熱体２４と、を備えた構造のものが知られている。
【０００４】
この発熱体ＣＶＤ装置を用いて、例えば、基体上にａ−Ｓｉ層とａ−ＳｉＣ層とを順次積層させる場合、下記の工程を経て成膜される。
【０００５】
（１）真空ポンプを用いて真空容器２１内を真空状態に保持した状態で、ａ−Ｓｉ層を形成するための第１原料ガスをガス供給手段２７を用いて真空容器２１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを発熱体２４に接触させつつ発熱体２４を１２００℃〜２５００℃で加熱し、その熱によって第１原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉを基体２２上に堆積させることにより、基体２２上にａ−Ｓｉ層を堆積させる。なお、第１原料ガスとしては、例えばＳｉＨ４が使用され、その希釈ガスとしてＨ２が使用される。また、ＳｉＨ４とＨ２との混合比はガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【０００６】
（２）次に、第１原料ガスの供給を一旦中断し、ａ−ＳｉＣ層を形成するための第２原料ガスを真空容器２１内に供給するための準備をする。第２原料ガスは、ＳｉＨ４とＣ２Ｈ２とが混合されたガスが好適に使用され、また希釈ガスとしてＨ２が使用される。ガスの混合比は、ガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【０００７】
（３）最後に、真空ポンプを用いて真空容器２１内を真空状態に保持した状態で、上述の第２原料ガスをガス供給手段２７を用いて真空容器２１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを発熱体２４に接触させつつ発熱体２４を１２００℃〜２５００℃で加熱し、その熱によって第２原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉＣをａ−Ｓｉ層上に堆積させることにより、ａ−ＳｉＣ層を形成する。
【０００８】
なお、第１原料ガスの供給を中断し、第２原料ガスの供給を開始するまでの間、消費電力を小さく抑えるため、発熱体２４に対する通電を行わず、発熱体２４を発熱させない状態とするのが一般的であった。
【特許文献１】特許第３１４５５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法においては、ａ−Ｓｉ層の形成膜中に、第１原料ガスの分解成分であるＳｉ等が発熱体２４の表面に付着することが多い。このような状態でａ−ＳｉＣ層を形成すべく、第２原料ガスを導入しながら発熱体２４を発熱させると、発熱体２４の表面に付着したＳｉがａ−ＳｉＣ層内に取り込まれてしまい、所望の特性を有したａ−ＳｉＣ層を得ることが困難となる課題があった。
【００１０】
このような課題は、発熱体の発熱温度が第１層の形成時よりも第２層の形成時の方が高い場合、第２層の形成時に発熱体２４の発する熱によって発熱体表面の付着物が層中に取り込まれやすいため、特に発生しやすい。
【００１１】
本発明は上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は複数の層を成膜する場合であっても、所望する特性を有した層形成が可能な高性能の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、基体及び発熱体を収容する真空容器内に第１原料ガスを供給するとともに、該第１原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を基体上に堆積させて第１層を形成する第１の工程と、前記第１原料ガスの供給を中断するとともに、前記発熱体に付着した第１原料ガスの残留成分を前記発熱体の発する熱によって除去する第２の工程と、前記真空容器内に第２原料ガスを供給するとともに、該第２原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を堆積させて第２層を形成する第３の工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間、前記発熱体を連続的に発熱させ続けることを特徴とする。
【００１４】
更に本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、前記第２の工程において、前記発熱体の発熱温度を第１層の構成材料の蒸気圧温度以上、発熱体の蒸気圧温度以下としたことを特徴とする。
【００１５】
また更に本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１層がａ−Ｓｉ系材料により、前記第２層がａ−ＳｉＣ系材料により、それぞれ形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、発熱体ＣＶＤ法によって成膜するにあたり、第１層の原料である第１原料ガスの供給を中断した後、第２層の原料である第２原料ガスの供給を開始するまでの間、真空容器内の発熱体を発熱させるようにしたことから、第１層の形成時に発熱体に付着した第１原料ガスの分解成分が発熱体の熱によって蒸発し、発熱体の表面から上記分解成分を取り除くことができる。従って、第１層の形成後に真空容器内に導入される第２原料ガスを発熱体の熱で分解して第２層を成膜したとしても、第１原料ガスの分解成分が第２層に混入する量を小さくすることができ、所望の層特性を得ることが容易になる。
【００１７】
なお、発熱体の発熱温度は、発熱体表面に付着した分解成分を良好に取り除くために、第１層の構成材料の蒸気圧温度以上とすることが好ましい。また発熱によって発熱体が急激に劣化することを防止すべく、発熱温度を発熱体の蒸気圧温度以下とすることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明を実施する際に用いられる発熱体ＣＶＤ装置内の側面図、図２は図１の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図であり、同図に示す発熱体ＣＶＤ装置は、大略的に、基体２を収容する真空容器１と、該真空容器１内に原料ガスを供給するガス供給手段７と、該ガス供給手段７より供給される原料ガスに接触するように配置された発熱体４と、を備えた構造を有している。
【００１９】
真空容器１は、その内部に基体２や基体支持体３、発熱体４、ガス供給手段７、を収容すべく中空状態に形成されており、基体２の出し入れができるように容器の一部、例えば上蓋が開閉可能に形成される。また真空容器１はガス供給手段７によって導入された原料ガスを排気する際に用いられるガス排気口６を有している。
【００２０】
真空容器１内に収容される基体２としては、円筒状もしくは平板状のものなど、種々の形状のものが使用可能であり（図１では円筒状）、円筒状基体を用いる場合、その内部に円筒状を成す基体支持体を挿入することで真空容器１内にセットされる。また平板状基体を用いる場合、複数個の基体２を略円筒状あるいは多面体状になるように基体支持体上に配置することで真空容器１内にセットされる。
【００２１】
基体２の材質としては、導電性、または絶縁性、あるいは絶縁性基体の表面に導電層を形成したものが使用される。導電性基体としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属またはこれらの合金が挙げられる。絶縁性基体としては、ホウ珪酸ガラスやソーダガラス、パイレックス（Ｒ）ガラス等のガラスやセラミックス、石英、サファイアなどの無機絶縁物、あるいはフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、マイラー等の合成樹脂絶縁物が挙げられる。また絶縁性基体上に導電層を形成する場合、導電層の材料としてはＩＴＯ（インジウム、錫、酸化物）や参加錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅やＡｌ、Ｎｉ、金（Ａｕ）等が挙げられ、かかる導電層は従来周知の薄膜形成技術、例えば、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーティング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、塗布法、浸漬法などで形成される。なお、基体２をＡｌにより円筒状に形成する場合、従来周知の押出加工法を採用することにより製作される。
【００２２】
また上述の基体２を支持する基体支持体３は、円筒状基体を支持する場合には外形が円筒状に形成され、平板状基体を支持する場合には外形が平板状もしくは多角柱状に形成される（図１では円筒状）。この基体支持体３は、成膜時、回転モーター等の動力によって中心軸を中心に基体２と共に回転させることが好ましく、これによって発熱体４によって分解された原料ガスの分解成分を基体表面の全体にわたり被着させることができ、略一様な膜厚分布を得ることができる。なお、基体支持体３の回転速度としては、１ｒｐｍ〜１０ｒｐｍが好ましい。
【００２３】
また基体支持体３は、その内部に加熱手段や冷却手段、温度検出手段を有しており、温度検出手段で基体支持体３の温度を検出するとともに、該検出した温度をモニタリングしながら、図示しない温度調節器を用いて加熱手段と冷却手段を制御することによって、基体温度を所望の温度に維持している。なお、成膜中の基体温度はａ−Ｓｉ系、あるいはａ−ＳｉＣ系の材料を堆積させる場合、１００〜５００℃、好適には２００〜３５０℃の一定温度に制御される。また加熱手段としては、ニクロム線やシーズヒーター、カートリッジヒーターなどの電気的なものや、油などの熱媒体が使用され、冷却手段としては空気や窒素ガス等の気体や水、油などからなる冷却媒体が使用され、これらが基体支持体３の内部を循環するように流動させることが好ましい。温度検出手段としては、サーミスタや熱電対などが用いられる。
【００２４】
一方、真空容器１の内部には、上述の基体２に対して略平行に配される発熱体４がガス供給手段から供給される原料ガスに接触するように配設され、更に発熱体４の両端には電極５が電気的に接続されている。
【００２５】
この発熱体４は、抵抗材料から成っており、両端に接続される電極５を介して電力が供給されると、ジュール発熱を起こし、接触する原料ガスを分解するのに必要な温度（例えば１２００℃〜２５００℃）となる。
【００２６】
発熱体４の抵抗材料としては、原料ガスと触媒反応あるいは熱分解反応を起こして、その反応生成物を堆積種とし、且つ発熱体自身が昇華や蒸発により堆積される膜中に混入しにくいものが用いられ、例えば、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎやそれらの合金などが好適に使用される。また発熱体４の抵抗材料は比較的融点が大きいことが好ましく、例えば融点が２６００℃〜３４００℃の抵抗材料が好ましい。
【００２７】
また発熱体４の形状としては、図１に示すような線状や、あるいは、図３、図４に示すように、円筒状基体２よりもひと周り大きな径を有する筒状が挙げられる。線状に成す場合、上述の電気抵抗材料で製作されたワイヤやフィラメント、リボン等を１本単体で構成したり、複数本を束ねて構成したりすることが考えられる。また筒状を成す場合、上述の抵抗材料で製作されたワイヤやフィラメント、リボン等を格子状、網目状に組み合わせて筒状としたり、筒状板体に円形や三角形、正方形、長方形、菱形、六角形など種々の形状の通気孔をパンチングや電気鋳造法などを用いて多数設けたものなどが考えられる。
【００２８】
発熱体４の配設位置は、発熱体４の発熱によって生成された堆積種（分解成分）を基体に向けて効率的に輸送するため、あるいは、発熱体４からの輻射熱による基体や膜への損傷を防止するため、基体２に対して３〜１００ｍｍ、好適には５〜５０ｍｍ、更に好適には１０〜４０ｍｍの間隔を空けた箇所に設定される。また発熱体４が筒状を成す場合、基体２と発熱体４が略等しい距離の間隔を空けるように両者の中心軸が略一致するように配置される。
【００２９】
また発熱体４の両端に接続される電極５は、外部からの電源電力を発熱体４に供給するための給電配線として機能するものであり、例えばＡｌやＣｕ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料により形成される。このような電極５と発熱体４との電気的接続は、例えば、両者を圧着端子を介して接続することが考えられる。
【００３０】
一方、原料ガスを真空容器１内に供給するガス供給手段７は、供給される原料ガスが発熱体４の表面に接触するように配置されており、例えば、発熱体４が基体２とガス供給手段７との間に位置するように配置される。
【００３１】
ガス供給手段７は、中空構造を有する筐体に多数のガス吹き出し孔８を形成した構造を有しており、その一部が図示しないガス導入管を介して複数のガスタンクに接続されている。これらのガスタンクにはＳｉＨ４やＨ２、Ｃ２Ｈ２など各種のガスが貯蔵されており、これらのガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いることでガス供給手段７に導入されるガス成分が調整される。そして、ガス供給手段７に導入された原料ガスは、ガス吹き出し孔８を介して真空容器１内に供給され、該供給された原料ガスが発熱体４に接触する。原料ガスの発熱体４に対する接触を容易にするためには、ガス吹き出し孔８は筐体の発熱体側表面に設けることが好ましい。なお、ガス吹き出し孔８の形状としては、円形や三角形、正方形、長方形、菱形、六角形、スリット形状など、種々の形状が考えられる。
【００３２】
ガス供給手段７の筐体は、筒状や線状（長尺状）など種々の形状が考えられ、真空容器１と別体としても良いし、少なくとも一部一体化させても良いが、一体化させた方が装置の部品点数を少なくすることができるため、発熱体ＣＶＤ装置の構成を簡素化できる点でメリットがある。ガス供給手段７の筐体と真空容器１とを別体化する場合、真空容器１の内壁と、該内壁よりも内側に内周面を設け、該内周面と内壁とで筐体を構成するようにしても良いし、ガス供給手段７の筐体を真空容器１の内壁に嵌め合わせるようにしても良く、前者の例として図４のガス供給手段７が考えられる。なお、ガス供給手段７が線状（長尺状）とする場合、例として図１のガス供給手段７が考えられ、この場合、原料ガスを効率的に発熱体４に接触させるため、発熱体４を線状にすることが好ましい。
【００３３】
このようなガス供給手段７より供給される原料ガスは、成膜対象が電子写真用感光体に使用されるａ−Ｓｉ系の膜である場合、ＳｉとＨとからなる化合物やシリコンと水素以外のハロゲン元素とからなる化合物が用いられ、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ２Ｈ２等が用いられる。また原料ガスとともに供給される希釈用ガスとしては、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等が用いられる。原料ガスとともに供給される価電子制御ガス（膜中の価電子数を制御するガス）には、Ｐ型不純物として元素周期律表第III族Ｂの元素（Ｂ，Ａｌ，Ｇａなど）を含む化合物、例えばＢ２Ｈ６．Ｂ（ＣＨ３）３、Ａｌ（ＣＨ３）３，Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３、Ｇａ（ＣＨ３）３などが用いられる。Ｎ型不純物としては元素周期律表第Ｖ族Ｂの元素（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなど）を含む化合物、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＡｓＨ３、ＳｂＨ３などが用いられる。またバンドギャップ調整用ガスとしては、バンドギャップを拡大する元素であるＣ、Ｎ、Ｏを含む化合物、例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等やバンドギャップを狭める元素であるＧｅ，Ｓｎを含む化合物、例えばＧｅＨ４、ＳｎＨ４、Ｓｎ（ＣＨ３）３等が用いられる。
【００３４】
また成膜対象が電子写真用感光体に使用されるａ−ＳｉＣ系の膜である場合、原料ガスとしてはａ−Ｓｉ系の膜を形成するのと同様のガスに加え、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、ＣＯ、ＣＯ２など、Ｃを含んだ化合物が使用される。希釈ガスとしては、ａ−Ｓｉ系の膜と同様のガスが用いられる。またバンドギャップ調整用ガスとしては、バンドギャップを拡大する元素であるＣ、Ｎ、Ｏを含む化合物、例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等が用いられる。
【００３５】
なお、上述した原料ガスや価電子制御ガス、バンドギャップ調整用ガスの流量やこれらのガスの混合比は、減圧弁やマスフローコントローラー等を用いることにより所望の値に調整される。また成膜時のガス圧力は、供給された原料ガスが発熱体の熱によって効率的に分解されるとともに、反応生成物同士の２次反応を抑制するために、０．１〜３００Ｐａ，好適には２〜６Ｐａに設定される。なお、良質の膜を得る為には、成膜開始に先立って、基体２がセットされた真空容器１内を一旦１×１０−２Ｐａ程度まで高真空に排気することで真空容器１内の水分や残留ガスを除去しておくことが好ましい。
【００３６】
かくして上述の発熱体ＣＶＤ装置は、ガス供給手段７から真空容器１内に供給される原料ガスを発熱体４に接触させつつ発熱体４を発熱させるとともに、その熱によって原料ガスを分解し、該分解された原料ガス成分を基体２上に堆積させることによって成膜を行うことにより発熱体ＣＶＤ装置として機能する。
【００３７】
次に、本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を、上述の発熱体ＣＶＤ装置を用いて円筒状基体上に第１層であるａ−Ｓｉ層及び第２層であるａ−ＳｉＣ層を順次積層する場合を例に説明する。
【００３８】
工程（１）：真空ポンプを用いてガス排気口６から真空容器１内のガスを排気して真空容器１内を真空状態に保持した状態で、ａ−Ｓｉ層を形成するための第１原料ガスや希釈ガス等をガス供給手段７を用いて真空容器１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを発熱体４に接触させつつ発熱体４を高温で加熱し、その熱によって第１原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉを基体２上に堆積させることにより、基体２上にａ−Ｓｉ層を堆積させる。
【００３９】
第１原料ガスとしては例えばＳｉＨ４が、希釈ガスとしてはＨ２が用いられる。また、ＳｉＨ４とＨ２との混合比は、上述した如く、ガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。また価電子制御ガスやバンドギャップ調整ガスなどを混入しても良い。
【００４０】
また発熱体４の発熱温度としては、１２００℃〜２５００℃の範囲に設定することが好ましい。
【００４１】
工程（２）：次に、第１原料ガスなどの供給を一旦中断し、ａ−ＳｉＣ層を形成するための第２原料ガスや希釈ガスなどを真空容器１内に供給するための準備をする。
【００４２】
ここで、最も重要なことは、第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間に、発熱体４を発熱させることであり、これによって発熱体４の表面に付着する第１原料ガスの分解成分を蒸発される。従って、第１層であるａ−Ｓｉ層の形成後に真空容器１内に導入される第２原料ガスを発熱体４の熱で分解して第２層であるａ−ＳｉＣ層を成膜したとしても、発熱体４に付着した第１原料ガスの分解成分がａ−ＳｉＣ層に混入する量を小さくすることができ、所望の特性を有したａ−ＳｉＣ層を得ることが容易になる。
【００４３】
なお、発熱体４の熱によって蒸発させた第１原料ガスの分解成分は、真空ポンプを用いて真空容器内に設けられたガス排気口６より排気される。
【００４４】
第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間における発熱体４の発熱温度は、発熱体表面に付着した分解成分を良好に取り除くために、第１層の構成材料の蒸気圧温度以上とすることが好ましい。また発熱によって発熱体４が急激に劣化することを防止すべく、発熱温度を発熱体４の蒸気圧温度以下とすることが好ましい。例えば、本実施形態の場合、第１層の構成材料がＳｉであるので、発熱体４の発熱温度の下限値はＳｉの蒸気圧温度以上、すなわち、１３００℃以上に設定することが好ましい。また発熱体４がタンタルからなる場合、発熱体４の発熱温度の上限値は、タンタルの蒸気圧温度以下、すなわち、３２５０℃以下に設定することが好ましい。
【００４５】
また発熱体４は、第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間に連続的に発熱させ続けても良いし、あるいは、間欠的に発熱させても良いが、発熱体４の表面に付着した第１原料ガスの分解成分を良好に取り除くためには、発熱体４を第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間中、連続的に発熱させ続けることが好ましい。発熱体４の総発熱時間は、好適には１０分以上、より好適には２０分以上である。
【００４６】
第２原料ガスは、ＳｉＨ４とＣ２Ｈ２とを所定の混合比で混合したものが使用される。また希釈ガスとしてはＨ２が使用される。これらに上述の価電子制御ガスやバンドギャップ調整ガスを所定量混合しても良い。またガスの混合比は、第１原料ガスと同様にガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【００４７】
工程（３）：最後に、真空ポンプを用いて真空容器１内を真空状態に保持した状態で、上述の第２原料ガスや希釈ガスなどをガス供給手段７を用いて真空容器１内に供給するとともに、該供給された第２原料ガスを発熱体４に接触させつつ発熱体４を加熱し、その熱によって第２原料ガスを分解し、その分解成分であるＳｉＣをａ−Ｓｉ層上に堆積させることにより、ａ−ＳｉＣ層を形成する。
【００４８】
発熱体４の発熱温度は、例えば１２００℃〜２５００℃に設定され、好適にはａ−Ｓｉ層を形成する際よりも発熱温度を高くする。この場合に、発熱体４の表面に多量に第１原料ガスの分解成分が付着していると、該分解成分が発熱体４の熱によって第２層であるａ−ＳｉＣ層内に取り込まれるものの、本実施形態においては、工程（２）で発熱体４に付着した第１原料ガスの分解成分が発熱体４の熱によって良好に取り除かれているため、第１原料ガスの分解成分が第２層であるａ−ＳｉＣ層に混入する量が小さくなる。従って、所望の特性を有したａ−ＳｉＣ層を得ることが容易になる。
【００４９】
なお、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良が可能である。例えば上述の実施形態においては、ａ−Ｓｉ層とａ−ＳｉＣ層とを順次積層する場合について説明したが、異なる組成を有する複数の層を成膜する場合であれば、あらゆる場合に適用可能であることはいうまでもない。
【００５０】
また上述の実施形態においては、主として基体支持体３、基体２ともに円筒状の場合について説明したが、基体支持体３、基体２ともに平板状の場合にも適用可能であり、この場合、例えば、図５のように発熱体ＣＶＤ装置を構成する。
【００５１】
更に上述の実施形態においては、第１層及び第２層を単一の基体２に積層する場合について説明したが、基体２上に第１層を形成した後、発熱体４を発熱させて発熱体表面の残留成分を蒸発させた後、基体２とは別の基体を真空容器１内に設置し、この基体上に第２層を形成する場合についても適用可能である。
【実施例】
【００５２】
次に上述した作用効果を具体的な実施例で確かめる。この実施例は本発明の範囲を限定するものではない。本実施例は、図６に示すようなＡｌ基体９の上面にキャリア注入阻止層１０、光導電層１１、表面保護層１２からなる感光層を形成したａ−Ｓｉ感光体を、本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法（実施例１）と、従来の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法（比較例１）を用いてそれぞれ作製し、作製したａ−Ｓｉ感光体の感光層の帯電特性を評価するというものである。
【００５３】
発熱体ＣＶＤ法によるａ―Ｓｉ感光体の作製は、実施例、比較例ともに、図１の構成に相当する発熱体ＣＶＤ装置が用いられた。この発熱体ＣＶＤ装置においては、径が０．５ｍｍで純度９９．９％のタンタルワイヤー１本を用いて発熱体を線状に構成し、発熱体と基体との距離を３０ｍｍ、発熱体とガス供給手段との距離を３０ｍｍとした。また基体の加熱手段にはカートリッジヒーターを用いた。このＣＶＤ装置の真空容器内に表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍの円筒状Ａｌ基体を１本セットし、基体温度を２５０℃に保持しながら真空容器内の真空度を１×１０−２Ｐａに設定した。次に表１の条件のもとで基体９上にキャリア注入阻止層１０、光導電層１１、表面保護層１２を順次積層し、ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【表１】
2005133161.tif 000003
【００５４】
また実施例１では、光導電層１１を形成した後、表面保護層１２を形成するまでの間、発熱体を２２００℃の温度で２０分間発熱させ続けた。一方、比較例１では上記の間、発熱体は発熱させていない。
【００５５】
帯電特性の評価では、作製したａ−Ｓｉ感光体１３の周囲に、感光体１３の表面を帯電させるコロナ帯電器１４と、感光体１３の表面電位を測定する表面電位測定器１５と、感光体１３の表面を除電する除電手段としてのイレースＬＥＤ１６とを、図７に示すように配置させ、コロナ帯電器１４によって感光体１３に与える表面電荷量Ｑ（μＣ／ｃｍ２）を段階的に上昇させた場合における感光体１３の表面電位を測定し、該測定値によって帯電能力を調べた。
【００５６】
なお、感光体１３の帯電能力を測定する際の感光体１３の周速度は０．０９４ｍ／ｓｅｃ、イレースＬＥＤ１６の波長は６５０ｎｍ、光量は４．０μＪ／ｃｍ２にそれぞれ設定した。表面電位の測定は、各表面電荷量Ｑについて、感光体の２回転目で行った。
【００５７】
以上の実施結果を図８に示す。同図において、横軸はコロナ帯電によって感光体に与えた表面電荷量Ｑ（μＣ／ｃｍ２）を表し、縦軸は感光体の表面電位（Ｖを表す。図７より明らかなように、比較例１に比べて実施例１は同じ表面電荷量に対してより高い表面電位を示しており、高い帯電能力が得られた。このように本発明は従来技術と比べて有利な効果があることを確認した。実施例１では、光導電層１１を形成した後、表面保護層１２を形成するまでの間、発熱体を発熱させたため、その熱によって発熱体の表面に付着したＳｉ等の成分が蒸発し、表面保護層１２に混入してしまうのが抑制されたことが原因と推測される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明を実施する際に用いられる発熱体ＣＶＤ装置内の側面図である。
【図２】図１の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図である。
【図３】本発明を実施する際に用いられる他の発熱体ＣＶＤ装置内の側面図である。
【図４】本発明を実施する際に用いられる他の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図である。
【図５】本発明を実施する際に用いられる他の発熱体ＣＶＤ装置内の側面図である。
【図６】実施例、比較例において作製したａ−Ｓｉ感光体の断面図である。
【図７】実施例、比較例において帯電能力を測定する方法を説明するための図である。
【図８】実施例、比較例において作製したａ−Ｓｉ感光体の表面電荷量と表面電位との関係を示す線図である。
【図９】従来の発熱体ＣＶＤ装置内の側面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・真空容器
２・・・基体
３・・・基体支持体
４・・・発熱体
５・・・電極
６・・・ガス排気口
７・・・ガス供給手段
８・・・ガス吹き出し孔
９・・・Ａｌ基体
１０・・・キャリア注入阻止層
１１・・・光導電層
１２・・・表面保護層
１３・・・感光体
１４・・・コロナ帯電器
１５・・・表面電位測定器
１６・・・イレースＬＥＤ
【図１】
2005133161.tif 000004
【図２】
2005133161.tif 000005
【図３】
2005133161.tif 000006
【図４】
2005133161.tif 000007
【図５】
2005133161.tif 000008
【図６】
2005133161.tif 000009
【図７】
2005133161.tif 000010
【図８】
2005133161.tif 000011
【図９】
2005133161.tif 000012