(57)【要約】    【課題】  液晶配向膜の配向処理に際して塵埃が生じ難く、煩雑な洗浄工程及び乾燥工程を省略することができるだけでなく、配向膜の厚みむらや配向むらが生じ難く、大型化に適した工程を備える液晶表示素子の製造方法を提供する。    【解決手段】  対向し合う一対の基板間に液晶が充填されている構造を有する液晶表示素子の製造方法であって、少なくとも一方の基板３の液晶が配置される側の面に、液晶配向膜材料を塗布し、液晶配向膜材料を塗布した後に乾燥し、乾燥工程後に、液晶配向膜材料を焼成し、液晶配向膜４を形成し、該焼成工程及び焼成工程後の少なくとも一方において、液晶配向膜４の表面に５ｍ／秒以上の流速の加熱されたガスを吹き付け、配向処理を行う、液晶表示素子の製造方法。【選択図】      図１
2005345818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向し合う一対の基板間に液晶が充填されている構造を有する液晶表示素子の製造方法であって、
少なくとも一方の基板の液晶が配置される側の面に、液晶配向膜材料を塗布する工程と、
前記液晶配向膜材料を塗布した後に、乾燥させる工程と、
前記乾燥工程後に、前記液晶配向膜材料を焼成する工程とを備え、
前記液晶配向膜材料を焼成する工程及び該焼成工程後の少なくとも一方において、前記液晶配向膜表面に５ｍ／秒以上の流速の加熱されたガスを吹き付け、配向処理を行うことを特徴とする、液晶表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記加熱されたガスの温度が、前記液晶配向膜の焼成温度以上とされていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記ガスとして極性ガスを用いる、請求項１または２に記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばディスプレイや携帯型電子機器等に用いられている液晶表示素子の製造方法に関し、より詳細には、液晶分子を配向させるための配向膜が基板表面に形成されている構造を有する液晶表面素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、テレビジョン受像機、パーソナルコンピューター及び携帯電子機器等のディスプレイに広く用いられている。液晶表示素子の製造に際しては、先ず、液晶を封入するための一対の基板を用意する。次に、基板表面を洗浄し、ポリイミド系樹脂材料からなる配向膜材料を塗布し、該配向膜材料を焼成する。このようにして、配向膜を形成した後、配向膜表面を、回転ローラーに巻き付けられたバフ布により一定方向にこすり、多数の直線状の傷をつける。この処理をラビング処理といい、配向膜に配向性を付与するために行われている。上記ラビング処理により、配向膜表面には、ミクロンオーダーの幅の微細な直線状の溝が多数形成され、かつ配向膜を構成しているポリマーの主鎖がラビング方向に異方化される。従って、ラビング処理が施された配向膜を有する基板表面に液晶が配置されると、液晶分子がラビング方向に沿うように配向される。
【０００３】
しかしながら、上記ラビング処理では、バフ布により配向膜表面をこすり、傷をつけていたため、多量の塵埃が発生しがちであった。従って、ラビング処理後に、塵埃を洗い流さなければならず、かつ洗い流した後に乾燥しなければならなかった。よって、工程が複雑となり、かつ製造に長時間を要していた。加えて、液晶表示素子の歩留りが低下するおそれもあった。
【０００４】
特に、近年、液晶表示素子の大型化が進んでおり、そのため、ラビング処理や上記洗浄等に必要な装置も大型化しなければならなかった。従って、工程が複雑である場合、大型の種々の装置を必要とし、コストがより一層高くつかざるを得なかった。
【０００５】
他方、下記の特許文献１には、基板表面に配向膜材料を塗布した後、気体の流動中において熱処理し、配向膜の焼成及び配向処理を施す方法が開示されている。この方法によれば、バフ布などを用いたラビング処理を必要としないため、大量の塵埃が発生しない。従って、塵埃を除去するための洗浄操作や洗浄後の乾燥操作を省略することができ、工程全体の簡略化を図ることができる。
【特許文献１】特開平３−３９７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記先行技術に記載の方法では、配向膜材料を液体の状態で塗布し、そのまま気体の流動中において熱処理を施すため、配向膜材料が硬化する前に、流動している気体に液状の配向膜が曝される。従って、気流により、配向膜に膜厚むらが生じ易かった。また、配向むらが生じ易かった。従って、大型の基板における配向膜の配向処理に適用することは難しく、液晶表示素子の大型化に対応することが困難であった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、配向膜の配向処理に際し、煩雑な洗浄操作及び乾燥操作を要することなく、比較的簡単な工程で処理を行うことができ、しかも液晶表示素子の大型化に容易に対応することができる液晶表示素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、対向し合う一対の基板間に液晶が充填されている構造を有する液晶表示素子の製造方法であって、少なくとも一方の基板の液晶が配置される側の面に、液晶配向膜材料を塗布する工程と、前記液晶配向膜材料を塗布した後に、乾燥させる工程と、前記乾燥工程後に、前記液晶配向膜材料を焼成する工程とを備え、前記液晶配向膜材料を焼成する工程及び該焼成工程後の少なくとも一方において、前記液晶配向膜表面に５ｍ／秒以上の流速の加熱されたガスを吹き付け、配向処理を行うことを特徴とする。
【０００９】
上記加熱されたガスの温度は、好ましくは、液晶配向膜の焼成温度以上とされる。
【００１０】
また、本発明においては、好ましくは、上記ガスとして極性ガスが用いられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る液晶表示素子の製造方法では、基板に液晶配向膜材料を塗布し、乾燥させ、焼成する各工程を備える製造方法において、配向膜材料の焼成工程及び焼成工程後の工程の少なくとも一方において、液晶配向膜表面に５ｍ／秒以上の流速の加熱されたガスを吹き付けて配向処理が行われる。すなわち、液晶配向膜を焼成する工程及び／または焼成工程後に加熱されたガスを吹き付けることにより、該加熱されたガス流によって液晶配向膜表面が配向処理される。加熱されたガスを吹き付け、ガス流により液晶配向膜表面を配向処理するため、バフ布などの機械的な研磨材料を用いたラビング処理の場合と異なり、塵埃が発生し難い。従って、煩雑な洗浄操作や洗浄後の乾燥操作を必要とせず、工程を簡略化することができる。
【００１２】
加えて、本発明の製造方法では、液晶配向膜材料を乾燥させた後の焼成工程及び焼成工程後の工程において上記加熱されたガスが吹き付けられて配向処理が行われる。従って、配向膜が塗布され、乾燥され、膜厚が一定に固定化された後に、配向処理が行われるため、配向膜の膜厚むらが生じ難い。よって、大型の液晶表示素子に適用した場合であっても、膜厚むらや配向処理のむらが生じ難いため、膜厚のばらつきが少なく、均一に配向処理が施された大型の配向膜を提供することができ、本発明の製造方法は、大型の液晶表示素子の製造方法に好適に用いることができる。
【００１３】
加熱されたガスの温度が、液晶配向膜の焼成温度以上とされている場合には、ガスの吹き付けにより液晶配向膜表面をより効果的に配向処理することができる。
【００１４】
ガスとして極性ガスを用いた場合には、液晶配向膜表面をより効果的に配向処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１６】
本発明の一実施形態の液晶表示素子の製造方法では、まず、基板の液晶が配置される側の面に、液晶配向膜材料を塗布する。この場合の基板としては、液晶が封入される一対の基板の内少なくとも一方が用いられる。
【００１７】
上記基板は、従来より液晶表示素子に対向基板として用いられている適宜の材料からなる基板、例えばガラス基板などが用いられる。もっとも、ガラス基板に代えて、透光性を有する合成樹脂基板を用いてもよい。
【００１８】
基板の表面に塗布される液晶配向膜材料としては、公知の液晶配向膜を構成する有機高
分子系材料が用いられる。このような有機高分子系材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、セルロース、エポキシアクリレート、シラノールオリゴマー、ポリアクリロニトリル、フェノール樹脂、ポリオキサゾール、環状ポリイソプレンなどを用いることができる。特に、液晶表示素子に一般的に用いられているポリイミドが入手容易であり、広く使用されているため、望ましい。
【００１９】
上記液晶配向膜材料を塗布するに際しては、上記液晶配向膜材料を溶解する溶媒に液晶配向膜材料を溶解し、液晶配向膜材料溶液の状態で塗布が行われる。このような溶媒としては、液晶配向膜を構成する有機高分子系材料を溶解する適宜の溶媒が用いられる。
【００２０】
液晶配向材料を塗布する方法は、特に限定されず、印刷法、スピンコート法またはインクジェット法などが挙げられる。いずれの方法においても、液晶配向膜材料は基板表面に溶液の状態で塗布される。そして、次に、液晶配向膜材料を乾燥させる。乾燥は、溶媒を蒸発させ、液晶配向膜材料からなる薄膜を形成するために行われる。例えば、液晶配向膜がポリイミドからなる場合、ポリアミック酸の有機溶媒溶液が塗布されるが、この場合には、例えば８０℃程度の温度で１０〜２０分程度加熱することにより溶媒を乾燥により除去することができる。なお、上記加熱乾燥条件は、用いられる液晶配向膜材料を溶解する溶媒の種類、溶液の液晶配向膜材料濃度及び塗布厚み等によって変化するため、上記範囲に限定されず、適宜調整すればよい。
【００２１】
乾燥工程後に、液晶配向膜材料を焼成する。この焼成は、液晶配向膜を化学的及び物理的に反応させて、安定な構造体とする工程である。例えば、ポリイミドからなる配向膜を構成するために、ポリアミック酸を焼成する場合には、焼成温度及び焼成時間は、２００℃で１時間程度とされ、ポリビニルアルコールからなる液晶配向膜を形成する場合には、１５０℃程度の温度で１時間加熱すればよい。
【００２２】
上記のように、焼成工程における焼成温度及び時間は、使用する液晶配向膜材料の種類及び塗布厚み等によって変化するため、使用する液晶配向膜材料の種類や塗布厚みに応じて選択すればよい。
【００２３】
本実施形態の特徴は、上記焼成工程において、及び／または焼成工程後の工程において、液晶配向膜表面に５ｍ／秒以上の流速の加熱されたガスを吹き付けて配向処理を行うことにある。図１は、この配向処理を行う工程を説明するための模式的部分切欠断面図である。
【００２４】
図１において、排気口１ａを有する加熱炉１内に、ステージ２が配置されている。ステージ２上に、基板３が載置されている。基板３の上面３ａ上には、上記のようにして液晶配向膜４が形成されている。ここでは、液晶配向膜４の表面は、ラビング処理されていない。
【００２５】
本実施形態では、加熱炉１内において、液晶配向膜４の上方に、ガス供給ノズル５が配置されている。
【００２６】
図２にガス供給ノズルの底面図を示す。図２から明らかなように、ガス供給ノズル５は複数の吹き出し口５ａを有する。吹き出し口５ａは、細長い直線状、すなわちスリット状の形状を有している。多数の直線状の吹き出し口５ａは、図２に示すように互いに平行に配置されている。吹き出し口５ａ間の間隔はできるだけ小さいことが好ましく、１０ｍｍピッチ以下であることが望ましい。
【００２７】
細長い直線状の形状の各吹き出し口５ａから矢印Ａ方向（図１参照）に加熱されたガス
が吹き出され、液晶配向膜４に吹き付けられる。従って、液晶配向膜４の表面においては、斜め方向にガスが吹き付けられ、このガスの吹き付ける方向に沿って、ポリマーの主鎖が配向する。このように、加熱されたガスの吹き付けにより、吹き付け方向にポリマーの主鎖が延びるようにポリマーの主鎖が異方化される。
【００２８】
なお、直線状の吹き出し口５ａは多数設けられているのは、直線状の吹き出し口の該直線の延びる方向と直交する方向すなわちガスの吹き付け方向において、広い範囲に渡り液晶配向膜の配向処理を行うためである。
【００２９】
なお、斜め方向にガスを吹き付けるように構成することにより、液晶配向膜４の表面における液晶分子のプレチルト角の制御も行うことができる。すなわち、上記傾斜角度を変更することにより、異方化の程度及び上記プレチルト角の調整を行うことができ、目的とする配向処理が施された液晶配向膜４をより確実に得ることができる。
【００３０】
上記のように、加熱されたガスを液晶配向膜４の面方向に対して斜め方向に吹き付けることにより、液晶配向膜４の配向処理をより効果的に実施することができる。もっとも、吹き出し口５ａから吹き付けられるガスの吹き付け方向は矢印Ａ方向に限定されるものではない。
【００３１】
上記ガス供給ノズル５を構成する材料については特に限定されないが、加熱されたガスが供給されるため、好ましくは、ステンレス鋼やアルミニウムなどの金属からなるものが好適に用いられる。
【００３２】
ガス供給ノズル５の上面には、ヒーター６が連結されている。ヒーター６は、ガス供給ノズル５を加熱し、ひいてはガス供給ノズル５から供給されるガスを加熱するために設けられている。また、ガス供給ノズル５には、ガスを供給するために、導管７を介して、ガスボンベ８が接続されている。ガスボンベ８には、圧縮されたガスが収容されている。
【００３３】
ガス供給ノズル５にガスボンベ８からガスを供給するに際しては、レギュレーター９によりガスの圧力を低減した後、マスフロー１０を用いて流量を制御し、導管７を介してガス供給ノズル５に加熱されたガスを供給する。この場合、流速は、加熱炉２ないに配置された流速センサー１１により測定され、測定された流速に応じてマスフロー１０による流量を制御すればよい。
【００３４】
また、上記導管７の一部にヒーター７ａを取り付けたり、ガス供給ノズル５の上面に取り付けられているヒーター６により、供給されるガスの温度を制御すればよい。このようなガスの温度は、上述したように、液晶配向膜４の表面に配向処理を施し得る限り、常温、すなわち２５℃程度の温度よりも高温の適宜の温度とされ、前述したように、液晶配向膜４の焼成温度以上とすることが望ましい。
【００３５】
また、加熱炉１内においては、ガス供給ノズル５の吹き出し口５ａの近傍に、流速センサー１１が配置されている。流速センサー１１は、気体の流速を検出し得る適宜のセンサーにより構成され、流速センサー１１は、加熱炉１外に設けられた表示装置（図示せず）に接続されており、該表示装置において流速が表示される。
【００３６】
本実施形態では、図１に示した加熱炉１内において、上記のようにして加熱されたガスが吹き付けられて配向処理が施されるが、このガスとしては、特に限定されず、室温よりも加熱された状態で気体である適宜のガスが用いられる。このようなガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、酸素、二酸化炭素などが挙げられる。使用されるガスは１種でもよく、２種以上のガスを混合して用いてもよい。
【００３７】
特に、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの不活性ガスを用いた場合、配向処理効率は低下するものの、取り扱いにさほど注意を払わずともよい。
【００３８】
より好ましくは、極性ガスが用いられ、極性ガスを用いた場合には、液晶配向膜４の表面における配向処理効率を高め、かつ液晶配向膜の分子の異方化をより効果的に進めることができる。これは、本発明における液晶配向膜の配向処理は、ガスの分子を液晶配向膜４の表面に衝突させ、衝突エネルギーにより、液晶配向膜４を構成している高分子の異方化が生じるためと考えられる。従って、高分子の異方化を促進するには、高分子の分子鎖が動きやすい状態とすることが望ましく、そのため、加熱されたガスが用いられている。
【００３９】
すなわち、極性ガスを用いた場合には、高分子の主鎖の異方化をより一層進めることができ、かつより低い温度に加熱した場合であっても、配向処理を効果的に行うことができる。このような極性ガスとしては、水蒸気、アンモニア、三弗化窒素、メタノール、エタノール、アセトン、イソプロパノールなどが挙げられる。特に、液晶配向膜４の表面洗浄効果に優れており、取り扱いが容易であるため、水蒸気を用いることがより一層望ましい。
【００４０】
また、より好ましくは、加熱されたガスの温度は、焼成温度以上の温度であることが望ましく、それによって、上記高分子の主鎖がより一層動きやすくなり、異方化をより効果的に促進することができる。
【００４１】
なお、常温で液体であり、加熱された場合に気体となるガスを用いる場合には、図３に示すように、導管７の一部に液体マスフロー１２を接続し、それによって流量を制御すればよい。
【００４２】
なお、直線状の吹き出し口５ａに代えて、多数の小さな丸孔もしくは角孔が直線を構成するように並べられ、該直線状に並べられた孔が複数列設けられていてもよい。
【００４３】
なお、本発明に係る液晶表示素子の製造方法においては、ガス雰囲気を容易に制御し得るため上記配向処理を行う工程は、加熱炉１のような閉空間を構成する装置を用いることが望ましい。この場合、加熱炉１のように、排気口１ａを有し、外部にガスを排気する構造とされていることが望ましい。
【００４４】
なお、本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、上記のように、基板上に配向膜材料を塗布し、乾燥し、焼成することにより得られた液晶配向膜に、上記焼成工程及び焼成工程後の工程において加熱されたガスを吹き付けて配向処理を行うこと特徴とするものであり、その他の工程については、従来より公知の一般的な液晶表示素子の製造方法に従って行われ得る。すなわち、配向処理が行われた後に、液晶配向膜が形成されている一対の基板をスペーサーなどを介して対向させ、一対の基板間に液晶を注入し、封止することにより、液晶表示素子を製造することができるが、これらの各工程については、従来より周知の液晶表示素子の製造方法に用いられている方法を適宜採用することができる。
【００４５】
そして、本発明によれば、液晶配向膜が上記のようにして加熱されたガスを吹き付けることにより配向処理されているため、配向処理に際して多量の塵埃が発生しない。従って、余分な洗浄工程や乾燥工程を必要としない。さらに、上記のように加熱されたガスを吹き付けて配向処理を行うため、配向処理が効果的に行われ、液晶配向膜を構成している高分子の異方化を効率よく進めることができ、さらに液晶配向膜が乾燥されて膜厚が一定化された後に、上記加熱されたガスの吹き付けによる配向処理が行われるため、膜厚のむらが生じ難く、かつ配向処理のむらも生じ難い。よって、液晶表示素子の大型化にも対応す
ることができる。
【００４６】
次に、具体的な実施例につき説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものでなはい。
【００４７】
（実施例１）
ガラス基板の表面に、液晶配向膜材料として、ポリアミック酸溶液〔（日産化学社製、ポリアミック酸：ＳＥ７４９２）を、３重量％濃度のＮ−メチル−２−ピロリドン  １６％、ブチルセロソルブ  １２％、γ−ブチロラクトン  ７２％混合溶液としたもの〕をスピンコート法により、１５００ｒｐｍ及び３０秒の条件で塗布した。次に、８０℃及び１５分の条件で加熱し、上記液晶配向膜材料溶液の溶媒を蒸発させた。しかる後、加熱炉内にガラス基板１を配置し、２００℃で１時間焼成処理を行った。
【００４８】
実施例１においては、この焼成工程において、２００℃に加熱された窒素ガスを１０ｍ／秒の流速で液晶配向膜に吹き付け、配向処理を行った。なお、窒素ガスは、焼成工程の最初から最後まで液晶配向膜に向かって吹き付けた。
【００４９】
（実施例２）
上記加熱されたガスを吹き付ける処理を、焼成工程後に行ったことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜の配向処理を行った。なお、ガスを吹き付けた時間は、実施例１と同様に６０分とした。
【００５０】
（実施例３）
使用したガスを水蒸気とし、温度を１００℃としたことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜の配向処理を行った。
【００５１】
（実施例４）
実施例１と同様にして、焼成工程において加熱された窒素ガスを吹き付けて配向処理を行い、さらに焼成工程終了後にも、６０分間にわたり、２００℃に加熱された窒素ガスを１０ｍ／秒の流速で流し続け、配向処理を行ったことを除いては、実施例１と同様とした。
【００５２】
（実施例５）
窒素ガスの流速を５ｍ／秒としたことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜の配向処理を行った。
【００５３】
（実施例６）
２００℃に加熱された水蒸気を用いたことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜処理を行った。
【００５４】
（比較例１）
液晶配向膜を焼成する工程の前に、６０分間、２００℃の温度の窒素ガスを１０ｍ／秒の流速で吹き付け、焼成工程及び焼成工程後には加熱されたガスを吹き付けなかったことを除いては、実施例１と同様にして、液晶配向膜を形成した。
【００５５】
（比較例２）
窒素ガスの流速を２ｍ／秒としたことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜の配向処理を行った。
【００５６】
（比較例３）
窒素ガスの温度を２５℃としたことを除いては、実施例１と同様にして液晶配向膜の配向処理を行った。
【００５７】
（比較例４）
焼成工程に先立ち、１００℃の温度の水蒸気を６０分間にわたり、１０ｍ／秒の流速で吹き付け、焼成工程及び焼成工程後には、加熱されたガスを吹き付けずに、液晶配向膜の配向処理を行った。
【００５８】
（実施例及び比較例の評価）
上記のようにして配向処理された液晶配向膜が形成されているガラス基板を２枚用意し、２枚のガラス基板の内面に液晶配向膜が位置するように対向させ、スペーサー（積水化学工業社製、品番：ミクロパールＳＥ：粒子径５μｍ）を介して接合した。そして、一対のガラス基板の液晶配向膜が対向している空間に液晶（チッソ石油化学社製ＪＣ−５００７ＸＸ）を注入し、封止し、液晶表示素子を作製した。得られた液晶表示素子内の液晶の配向状態を、偏光顕微鏡を用いて観察した。
【００５９】
以下の基準により配向状態を評価した。結果を下記の表２に示す。
【００６０】
◎…基板の全面にわたり、液晶分子がほぼ完全に配向していた。
【００６１】
〇…基板の全面にわたり、液晶分子がほぼ均一に配向していた。
【００６２】
×…均一に配向している部分はほとんど認められなかった。
【００６３】
【表１】
2005345818.tif 000003
【００６４】
【表２】
2005345818.tif 000004
実施例１及び実施例２の結果を比較すれば、焼成工程中及び焼成工程後のいずれの工程において加熱ガスを吹き付けた場合においても、液晶配向膜を効果的に配向処理し得ることがわかる。また、実施例４の結果から明らかなように、焼成中及び焼成工程後の双方の工程において加熱ガスを吹き付けた場合においても、液晶配向膜を確実に配向処理し得ることがわかる。
【００６５】
比較例１では、焼成工程前に加熱されたガスを吹き付けたが、この場合には、液晶配向膜が十分に異方化されないことがわかる。これは、焼成前に加熱されたガスを吹き付け、液晶配向膜の異方化を引き起こしたとしても、その後の焼成工程において高温下に曝されるため、高分子主鎖の異方化性能が緩和され、ランダムな状態に戻るためと考えられる。
【００６６】
実施例１、実施例５及び比較例２の結果を比較すれば、ガスの流速を５ｍ／秒以上とすることにより、配向処理を効果的に行い得ることがわかる。これは、ガスの分子の液晶配向膜表面への衝突エネルギーがある程度の大きさ以上とされた場合に、液晶配向膜の表面を異方化し得るためと考えられる。
【００６７】
実施例１及び比較例３の比較から、ガスの温度が低い場合には、すなわち加熱されていないガスを用いた場合、液晶配向膜の高分子主鎖か移動し難いためと考えられる。
【００６８】
さらに、実施例１、実施例３及び実施例６の結果から、窒素に比べて極性を有する水蒸気を用いた場合には、ガスの温度が低温であった場合でも、配向処理を確実に行い得ることがわかる。これは、極性ガスを用いた場合に、液晶配向膜表面の異方化をより小さなエネルギーを付与して行うことができることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示素子の製造方法において、液晶配向膜の配向処理を行うための装置を説明するための概略構成図。
【図２】図１に示されている装置に用いられているガス供給ノズルの下面を示す平面図。
【図３】液体のガスを供給した場合の供給路を説明するためのガス供給路の模式図。
【符号の説明】
【００７０】
１…加熱炉
１ａ…排気口
２…ステージ
３…ガラス基板
４…液体配向膜
５…ガス供給ノズル
５ａ…吹き出し口
６…ヒーター
７…導管
８…ガスボンベ
９…レギュレーター
１０…マスフロー
１１…流量センサー
１２…液体マスフロー
【図１】
2005345818.tif 000005
【図２】
2005345818.tif 000006
【図３】
2005345818.tif 000007