(57)【要約】【課題】  製造コストが低く、磁気ディスク用基板の作製時、研削性を維持しつつ、ＮｉＰメッキ膜表面の欠陥の発生を抑えることができる磁気ディスク用アルミニウム合金板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  Ｓｉ：０．００５〜０．０５質量％、Ｆｅ：０．００５〜０．０５質量％、Ｃｒ：０．０５〜０．３質量％、Ｍｇ：３．０〜５．０質量％を含有すると共に、Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｚｎ：０．５質量％以下のうち少なくとも１種以上を含有し、かつ（Ｚｎ＋３×Ｃｕ）が０．１質量％以上であり、残部をＡｌおよび不可避的不純物とするアルミニウム合金からなるアルミニウム合金板であって、前記アルミニウム合金板のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ（μｍ）が前記Ｓｉ含有量（質量％）に対して、  〔Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物最大サイズ≦Ｓｉ含有量×１００〕の関係を有する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ：０．００５〜０．０５質量％、Ｆｅ：０．００５〜０．０５質量％、Ｃｒ：０．０５〜０．３質量％、Ｍｇ：３．０〜５．０質量％を含有すると共に、
Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｚｎ：０．５質量％以下のうち少なくとも１種以上を含有し、かつ（Ｚｎ含有量＋３×Ｃｕ含有量）が０．１質量％以上であり、残部をＡｌおよび不可避的不純物とするアルミニウム合金からなるアルミニウム合金板であって、
前記アルミニウム合金板のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ（μｍ）が前記Ｓｉ含有量（質量％）に対して、
〔Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ≦Ｓｉ含有量×１００〕
の関係を有することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項２】
Ｓｉ：０．００５〜０．０５質量％、Ｆｅ：０．００５〜０．０５質量％、Ｃｒ：０．０５〜０．３質量％、Ｍｇ：３．０〜５．０質量％を含有すると共に、
Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｚｎ：０．５質量％以下のうち少なくとも１種以上を含有し、かつ（Ｚｎ含有量＋３×Ｃｕ含有量）が０．１質量％以上であり、残部をＡｌおよび不可避的不純物とするアルミニウム合金を溶解、鋳造し、鋳塊を作製する第１工程と、
前記鋳塊を均質化熱処理する第２工程と、
前記均質化熱処理された鋳塊を熱間圧延し、圧延板を作製する第３工程と、
前記圧延板を少なくとも１回以上冷間圧延し、アルミニウム合金板を作製する第４工程とを含むアルミニウム合金板の製造方法であって、
前記第４工程が、前記熱間圧延から前記冷間圧延の最終冷間圧延までの間に、到達温度５００℃以上で加熱し、到達温度５００℃以上に達した後に冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で４００℃以下に冷却する熱処理工程を含むことを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金板に関し、特に、不純物を多く含む地金（純度の低い地金）を原料として使用した磁気ディスク用アルミニウム合金板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、外部記録装置の一つである磁気ディスク装置（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）は、情報を記録（保存）するための磁気ディスクと、磁気ディスクに情報を書き込みまたは再生するための磁気ヘッドとを備えている。
【０００３】
近時、このような磁気ディスクおよび磁気ヘッドの性能は大幅に向上し、近い将来には、面記録密度２００Ｇｂ／ｉｎ2が達成されようとしている。
【０００４】
そして、磁気ディスクの記録密度を高めるためには、磁気ヘッドを低浮上量で安定浮上させる必要があるが、そのためには、磁気ディスク用基板の高平滑性が求められる。従来、磁気ディスク用基板としては、軽量及び非磁性であると共に、加工性が優れたアルミニウム合金板が使用されているが、アルミニウム合金板単独では磁気ディスク用基板の高平滑性が得難いといった問題点がある。
【０００５】
このため一般的には、アルミニウム合金板の表面にＮｉＰメッキ膜を約１０μｍの厚さに形成したものが、磁気ディスク用基板として使用されている。このような磁気ディスク用基板は、次のようにして作製されている。
【０００６】
先ず、溶解、鋳造および圧延により所望の合金種、調質および板厚に調整されたアルミニウム合金板を打抜きプレスにより所定の円輪状基板に打抜く。次に、円輪状基板内の加工残留応力除去および平坦度の向上のために、打抜かれた複数枚の円輪状基板を高平坦度のスペーサ間に積み付けし、全体を加圧しながら焼鈍する（加圧焼鈍）。一般に、この焼鈍後のものをブランクという。その後、ブランクの内周縁および外周縁の端面に対し、所定の端面加工を施す。
【０００７】
その後、端面加工が施されたブランクを、両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内にセットし、砥石により目標の板厚になるまで研削加工する。しかし、この状態でも磁気ディスク用基板としての要求仕様（高平滑性）を満足することはできず、その後、さらに、研削加工されたブランクの表面にＮｉＰメッキ膜を形成し、表面を研磨することにより、磁気ディスク用基板となる。
【０００８】
一般的な磁気ディスクでは、前記磁気ディスク用基板の無電解メッキ処理により形成されたＮｉＰメッキ膜上に、磁気特性を高めるための下地膜、Ｃｏ基合金からなる磁性膜、および磁性膜を保護するためのＣからなる保護膜をスパッタリングにより形成する。
【０００９】
このように、磁気ディスク用のアルミニウム合金板には、その研削性と共に、そのアルミニウム合金板表面に形成されるＮｉＰメッキ膜表面の平滑性の維持が要求されている。
【００１０】
そして、アルミニウム合金板の研削工程においては、不可避的不純物であるＳｉ含有量が低く、Ｆｅ含有量が高いアルミニウム合金ほど研削加工し易いことが知られている。そのため、従来、アルミニウム合金板の研削性を向上させるために、Ｓｉ含有量を低く抑えた、高価な高純度アルミニウム地金がアルミニウム合金板の原料として使用されている。
【００１１】
また、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性を阻害するピットやフクレの発生原因の１つとして、アルミニウム合金中に形成されるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物（Ｍｇ2Ｓｉ）が関連していることが知られている。そのため、ＮｉＰメッキ膜表面の平滑性を維持するために、このようなＭｇ2Ｓｉを少なくする必要があり、このためにも高純度アルミニウム地金が使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−１４０５７７号公報（請求項３、請求項４および段落番号〔００１４〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、高純度アルミニウム地金の使用は、磁気ディスク用基板の作製時、研削性の向上やＮｉＰメッキ膜表面のピットやフクレ等の欠陥を抑制するメリットがあるものの、一方で製造コスト高になるといった問題がある。このため、低コストな低純度アルミニウム地金を使用した場合であっても研削性を向上させる技術や、ＮｉＰメッキ膜表面の欠陥を抑制できる技術が望まれている。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、製造コストが低く、磁気ディスク用基板の作製時、研削性を維持しつつ、ＮｉＰメッキ膜表面の欠陥の発生を抑えることができる磁気ディスク用アルミニウム合金板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、Ｓｉ：０．００５〜０．０５質量％、Ｆｅ：０．００５〜０．０５質量％、Ｃｒ：０．０５〜０．３質量％、Ｍｇ：３．０〜５．０質量％を含有すると共に、Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｚｎ：０．５質量％以下のうち少なくとも１種以上を含有し、かつ（Ｚｎ含有量＋３×Ｃｕ含有量）が０．１質量％以上であり、残部をＡｌおよび不可避的不純物とするアルミニウム合金からなるアルミニウム合金板であって、前記アルミニウム合金板のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ（μｍ）が前記Ｓｉ含有量（質量％）に対して、〔Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ≦Ｓｉ含有量×１００〕の関係を有する磁気ディスク用アルミニウム合金板として構成したものである。
【００１６】
前記構成によれば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎの組成を所定範囲に限定すると共に、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズをＳｉ含有量に対応した範囲に限定することにより、使用するアルミニウム地金が低純度となる。また、アルミニウム合金中に析出する金属間化合物のサイズ、個数が適正なものとなり、特に、アルミニウム合金板の研削性を向上させるＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物と、研削性を低下させるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数が適正なものとなる。また、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程において、析出した金属間化合物（Ａｌ−Ｆｅ系、Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｃｒ系等）の脱落または溶解が少なくなり、また、脱落または溶解してもその痕のサイズが極めて小さく、個数も少ないものとなる。さらに、ＮｉＰメッキ膜に存在するＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズが小さく、個数も少なくなる。
【００１７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のアルミニウム合金を溶解、鋳造し、鋳塊を作製する第１工程と、前記鋳塊を均質化熱処理する第２工程と、前記均質化熱処理された鋳塊を熱間圧延し、圧延板を作製する第３工程と、前記圧延板を少なくとも１回以上冷間圧延し、アルミニウム合金板を作製する第４工程とを含むアルミニウム合金板の製造方法であって、前記第４工程が、前記熱間圧延から前記冷間圧延の最終冷間圧延までの間に、到達温度５００℃以上で加熱し、到達温度が５００℃以上に達した後に冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で４００℃以下に冷却する熱処理工程を含む磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法として構成したものである。
【００１８】
前記構成によれば、５００℃以上の温度で熱処理することにより、熱間圧延によって析出、成長したＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物がアルミニウム合金中に固溶する。また、１０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却することにより、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が析出する温度域（４００℃を超え５００℃未満）を圧延板が通過する時間が短縮され、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の析出が抑制され、サイズが小さくなり、個数も少なくなる。
【発明の効果】
【００１９】
このような磁気ディスク用アルミニウム合金板およびその製造方法によれば、低純度アルミニウム地金の使用により製造コストを低下させることが可能となる。また、金属間化合物のサイズ、個数が適正化されることにより、低純度アルミニウム地金を使用しても、磁気ディスク用基板の作製の際、アルミニウム合金板の研削性を維持しつつ、アルミニウム合金板の表面に形成されるＮｉＰメッキ膜表面のピットやフクレ等の欠陥の発生を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明者らは、アルミニウム合金組成およびその金属間化合物と、アルミニウム合金板の研削性、アルミニウム合金板の表面に形成されるＮｉＰメッキ膜表面に発生する欠陥との関係について鋭意研究を進めた。その結果、析出したＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数が影響し、含有されるＳｉ量が多くなってもＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物がアルミニウム合金中に固溶していれば研削性を阻害せず、ＮｉＰメッキ膜表面に発生するピットおよびフクレ等の欠陥を抑制することを見出した。
【００２１】
また、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物は、主に鋳造時に析出し、その後、５００℃以上で均質化熱処理を施すことでアルミニウム合金中に固溶する。しかし、熱間圧延工程において４００℃を超え５００℃未満の温度域を通過することにより再度析出、成長する。
本発明者らは、この点に注目し、熱間圧延工程から最終冷間圧延工程までの間において行う熱処理がＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物に及ぼす影響について検討した。その結果、熱処理の到達温度、冷却速度を所定範囲にすることにより、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が再度固溶し、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数が減少することを見出した。
【００２２】
本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金板は、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎの組成、およびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズを所定範囲に限定したものである。以下に限定理由を述べる。
（１）Ｓｉ：０．００５〜０．０５質量％
Ｓｉは、アルミニウム地金中に含まれる不純物であり、鋳造工程等において後記するＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を生じさせる。Ｓｉを０．００５質量％未満にするには、高純度アルミニウム地金が必要であり製造コスト高になる。一方、Ｓｉが０．０５質量％を超えると、後記するＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズを小さく、また、個数も減少させることができず、アルミニウム合金板の研削性が低下する。また、アルミニウム合金板の表面に形成されるＮｉＰメッキ膜表面のピットやフクレ等の発生にもつながる。
【００２３】
（２）Ｆｅ：０．００５〜０．０５質量％
Ｆｅもアルミニウム地金中に含まれる不純物であり、鋳造工程等においてＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物を生じさせる。このＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物はアルミニウム合金板の研削性を向上させる作用がある。Ｆｅを０．００５質量％未満にするためには、高純度アルミニウム地金が必要であり製造コスト高になる。また、研削性の低下にもつながる。一方、Ｆｅが０．０５質量％を超えるとＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物のサイズが大きくなると共に、個数も増加し、アルミニウム合金板の研削工程、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程において、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物が脱落または溶解して、ＮｉＰメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じ易くなる。
【００２４】
（３）Ｃｒ：０．０５〜０．３質量％
Ｃｒは結晶粒の微細化に寄与する元素で、Ｃｒが０．０５質量％未満であると、最大長が１００μｍを超えるような粗大な結晶粒が生成し易くなる。このような不均一な結晶粒組織は、ＮｉＰメッキ膜を形成する際に一般的に行なわれるジンケート処理（亜鉛置換処理。例えば、特開平６−１３１６５９号参照）において、Ｚｎの析出が不均一となり易い。その結果、ＮｉＰメッキ膜表面に欠陥（メッキ膜表面の粗さやうねりを悪化させる）が発生し易い。
【００２５】
また、Ｃｒが０．３質量％を超えると、粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物、例えば、ＣｒＡｌ7が生成し易く、アルミニウム合金板の研削工程、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程において、Ａｌ−Ｃｒ系金属間化合物が脱落または溶解して、ＮｉＰメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じ易くなる。
【００２６】
（４）Ｍｇ：３．０〜５．０質量％
Ｍｇは強度向上に有効な元素で、Ｍｇが３．０質量％未満であるとアルミニウム合金板の強度が磁気ディスク用として不十分であり、また、Ｍｇが５．０質量％を超えると熱間圧延性が悪く生産性の低下を招く。
【００２７】
（５）Ｃｕ：０．１質量％以下、Ｚｎ：０．５質量％以下のうち少なくとも１種以上を含有し、かつ（Ｚｎ含有量＋３×Ｃｕ含有量）が０．１質量％以上
ＣｕおよびＺｎは、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程（ジンケート処理）において、ジンケート皮膜を均一に析出させる効果がある。この際、ＣｕおよびＺｎは単独でも、組み合わせても効果がある。
【００２８】
０．１質量％を超えるＣｕ、および０．５質量％を超えるＺｎのうち少なくとも１種以上を含有する場合には、夫々により形成されるＡｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｚｎ系金属間化合物のサイズが大きくなり、アルミニウム合金板の研削工程、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程において、金属間化合物が脱落また溶解して、ＮｉＰメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じ易くなる。また、（Ｚｎ含有量＋３×Ｃｕ含有量）が０．１質量％未満である場合には、ジンケート皮膜を均一に析出させる効果が小さい。その結果、ＮｉＰメッキ膜表面に欠陥（メッキ膜表面の粗さやうねりを悪化させる）が発生し易い。
【００２９】
（５）Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ：
Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数は、Ｓｉ含有量に比例して増加するが、均質化熱処理条件や熱間圧延によっても変化する。通常、均質化熱処理によってＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物はアルミニウム合金中に固溶する。そして、均質化熱処理後に熱間圧延を行うと、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物がアルミニウム合金板中に再度析出し成長する。
【００３０】
このＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数が増加すると、アルミニウム合金板の研削工程において研削性が疎外される。また、アルミニウム合金板の研削工程、無電解ＮｉＰメッキ処理の前処理工程において、金属間化合物が脱落または溶解して、ＮｉＰメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じ易くなる。さらに、ＮｉＰメッキ膜内にサイズの大きいＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が存在すると、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物表面からはＮｉＰメッキ膜が成長せず、その周囲から成長したＮｉＰメッキ膜でＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が覆われる。このため，ＮｉＰメッキ膜とアルミニウム合金板との界面にメッキ液などが残存した空孔が形成され、無電解ＮｉＰメッキ処理後に行われる磁性膜のスパッタリング時の加熱などにより、ＮｉＰメッキ膜表面にフクレのような欠陥が生じ易くなる。
【００３１】
そのため、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズを、Ｓｉ含有量に対応した範囲に限定する必要がある。すなわち、〔Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ（μｍ）≦Ｓｉ含有量（％）×１００〕を満足する必要がある。これにより、Ｓｉが所定範囲内（０．００５〜０．０５質量％）のいずれの含有量であっても、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズが小さいものとなり、結果的に、アルミニウム合金板中に形成されるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の分布が、サイズの小さい、および個数の少ない方向に移行する。図１はアルミニウム合金板中のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の分布を示すグラフ図であり、Ｓｉ含有量が同一の本発明のアルミニウム合金板と従来のアルミニウム合金板を示した。図１より、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズを［Ｓｉ含有量（％）×１００］μｍ以下にすることにより、本発明のアルミニウム合金板が、従来に比べて、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズが小さく、個数も少なくなることがわかる。
【００３２】
（６）不可避的不純物
不可避的不純物としては、例えばＺｒ、Ｔｉ、Ｍｎ等が挙げられるが、これらは、ＮｉＰメッキ膜の形成時にピット又はノジュールの発生原因となるため、夫々０．０５質量％以下にすることが好ましく、更には、夫々０．０２質量％以下にすることがより好ましい。
【００３３】
次に、本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法は、アルミニウム合金を溶解、鋳造し、鋳塊を作製する第１工程と、前記鋳塊を均質化熱処理する第２工程と、前記均質化熱処理された鋳塊を熱間圧延し、圧延板を作製する第３工程と、前記圧延板を少なくとも１回以上冷間圧延すると共に、熱間圧延から最終冷間圧延までの間に熱処理を行ってアルミニウム合金板を作製する第４工程とを含むものである。以下、各工程について述べる。
【００３４】
（Ａ）第１工程
溶解、鋳造は常法にしたがって行う。また、溶解時に、アルミニウム地金に各種元素を添加することにより、磁気ディスク用として所望の組成のアルミニウム合金とする。
【００３５】
（Ｂ）第２工程
均質化熱処理は常法にしたがって行い、５００℃以上で行うことが好ましい。鋳塊を５００℃以上で加熱することで、鋳造時に析出したＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物がアルミニウム合金中に固溶する。その結果、鋳塊中に析出したＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物のサイズ、個数が減少する。
【００３６】
（Ｃ）第３工程
熱間圧延は常法にしたがって行う。熱間圧延によりＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が再度析出、成長する。
【００３７】
（Ｄ）第４工程
冷間圧延は常法にしたがって少なくとも１回以上行う。熱処理は、到達温度５００℃以上で加熱、冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で４００℃以下に冷却する。そして、熱処理は、熱間圧延から最終冷間圧延までの間に行う、すなわち、熱間圧延直後、または複数回の冷間圧延の途中で行う。また、熱処理前後の冷間圧延率は、アルミニウム合金板の結晶粒の粗大化を防止する上で、２５％以上とすることが好ましい。さらに、複数回の冷間圧延の途中で、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が析出しない３５０℃程度の焼鈍を行ってもよい。この焼鈍により、アルミニウム合金板の組織の均一性などの特性が向上する。
以下に熱処理条件の限定理由について述べる。
【００３８】
（到達温度：５００℃以上）
前記（Ｃ）第３工程で熱間圧延された圧延板、またはその圧延板を冷間圧延した圧延板を５００℃未満で加熱すると、熱間圧延において再度析出、成長したＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物がアルミニウム合金中に固溶せず、アルミニウム合金板表面にサイズの大きいＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が析出する。その結果、磁気ディスク用基板の作製の際、アルミニウム合金板の研削性が低下すると共に、アルミニウム合金板の表面に形成されるＮｉＰメッキ膜表面にピットやフクレが発生し易くなる。
【００３９】
（冷却速度：１０℃／ｍｉｎ以上）
圧延板を１０℃／ｍｉｎ未満の冷却速度で冷却すると、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の析出が起こる温度域（４００℃を超え５００℃未満）を圧延板が通過する時間が長くなり、アルミニウム合金板表面にＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が再度析出、成長する。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明の特許請求の範囲を満たす実施例の効果について、特許請求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
表１に示す組成を有するアルミニウム合金を溶解し、鋳造により板厚５０ｍｍの鋳塊を作製し、その鋳塊を面削した後、５４０℃で８時間加熱して均質化熱処理した。その後、表２に示す製造工程により、熱間圧延および冷間圧延し、板厚１．２７ｍｍのアルミニウム合金板を作製した。
さらに、そのアルミニウム合金板を、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍの円輪状に打抜き、所定枚数を積み付け、３４０℃で加圧焼鈍した後に端面加工を行ない、３．５インチサイズのブランクを作製した。
【００４１】
【表１】
2005133134.tif 000002
【００４２】
【表２】
2005133134.tif 000003
【００４３】
得られたアルミニウム合金板およびブランクについて、以下の評価を行い、結果を表３および表４に示した。
【００４４】
（１）引張強さ
冷間圧延後のアルミニウム合金板を３４０℃にてＯ材化処理した後、引張方向が圧延方向と平行になるようにＪＩＳ５号による引張試験片を作製した。
その後、ＪＩＳ  Ｚ２２４１にて引張試験を実施し、引張強さを求めた。
なお、引張強さは、高いほど好ましいが２００Ｎ／ｍｍ2以上あれば磁気ディスク用基板として問題なく使用することができる。
【００４５】
（２）研削速度
３．５インチサイズに打抜かれた各ブランクについて、両面研削機（スピードファム社製−１８Ｂ）を使用し、ドレッシングを行った後に研削を行った。なお、研削速度は、２次圧での研削時間を測定し、１分間当りの研削量として求めた。
【００４６】
（３）Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズ
ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）にて、前記（２）の研削後のブランク表面を観察し、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物の最大サイズを求めた。観察は、倍率１０００倍で組成像を２０視野観察し、黒く写った粒子（アルミより軽元素、大半がＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物）の最大サイズを測定した。なお、測定精度は１μｍであった。
【００４７】
（４）ジンケート表面の状態
研削後のブランクについて、以下の（ａ）〜（ｋ）に示す処理工程を行った後、処理後のブランク表面におけるＺｎの析出状態およびピットの発生状況をＳＥＭにより観察した。その際、Ｚｎの析出状態が、結晶粒毎のＺｎの析出状態が同じで，均一なものを○、粒状に析出し不均一なものを×とした。また、ピットの発生状況については、数が少なく小さかったものを○、数が多く大きかったものを×とした。
【００４８】
（処理工程）
（ａ）アルカリ脱脂工程：６０℃×２分間
（ｂ）水洗工程
（ｃ）酸エッチング：６５℃×２分間
（ｄ）水洗工程
（ｅ）硝酸デスマット工程：室温×１分間
（ｆ）水洗工程
（ｇ）１次ジンケート工程
（ｈ）水洗工程
（ｉ）２次ジンケート工程
（ｊ）水洗工程
（ｋ）乾燥工程
【００４９】
【表３】
2005133134.tif 000004
【００５０】
【表４】
2005133134.tif 000005
【００５１】
表３、表４の結果から、実施例１〜実施例５はいずれも、引張強さ、研削速度、ジンケート表面の状態のいずれにおいても良好であった。
【００５２】
比較例１は、組成においてＳｉが上限値を超え、金属間化合物Ｍｇ2Ｓｉの最大サイズが上限値を超えるため、研削速度が実施例１〜実施例５に比べて遅く、研削性が劣っていた。また、ジンケート表面にピットが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面のピットにつながるものであった。
【００５３】
比較例２は、引張強さ、研削速度、ジンケート表面の状態のいずれにおいても良好であったが、組成においてＳｉが下限値未満で高純度アルミニウム地金が必要であるため製造コストが高いものであった。
【００５４】
比較例３は、組成においてＦｅが上限値を超えるため、ジンケート表面にピットが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面のピットにつながるものであった。比較例４は、組成においてＦｅが下限値未満であるため、研削速度が実施例１〜実施例５に比べて遅く、研削性が劣り、また、高純度アルミニウム地金が必要であるため製造コストが高いものであった。
【００５５】
比較例５は、組成においてＭｇが下限値未満であるため、引張強さが低く、磁気ディスク基板として強度不足であり使用できないものであった。比較例６は引張強さ、研削速度、ジンケート表面の状態のいずれにおいても良好であったが、組成においてＭｇが上限値を超えるため、熱間圧延性が悪く生産性が劣るものであった。
【００５６】
比較例７は、組成においてＣｒが下限値未満であるため、結晶粒が粗大となり、ジンケート表面のＺｎの析出状態が不均一であった。その結果、ＮｉＰメッキ膜表面の欠陥につながるものであった。
【００５７】
比較例８は組成においてＣｒが上限値を超え、比較例９は組成においてＣｕが上限値を超え、比較例１０は組成においてＺｎが上限値を超えるため、いずれもジンケート表面にピットが発生し、ＮｉＰメッキ膜表面のピットにつながるものであった。
【００５８】
比較例１１は組成においてＣｕおよびＺｎを含有し、比較例１２は組成においてＣｕのみ含有し、比較例１３は組成においてＺｎのみを含有し、いずれも（Ｚｎ＋３×Ｃｕ）が下限値未満であるため、ジンケート表面のＺｎの析出状態が不均一であり、ＮｉＰメッキ膜表面の欠陥につながるものであった。
【００５９】
比較例１４、比較例１５は、夫々、冷却速度、熱処理到達温度が下限値未満であるため、また、比較例１６は熱間圧延から最終冷間圧延までの間に熱処理が行われないため、いずれもＭｇ2Ｓｉの最大サイズが大きく、研削速度が実施例１〜実施例５に比べて遅く、ジンケート表面にピットが発生した。その結果、研削性に劣り、ＮｉＰメッキ膜表面のピットにつながるものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】アルミニウム合金板中のＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の分布を示すグラフ図である。
【図１】
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