(57)【要約】【課題】  装置の導電部を利用して外来磁場（磁気）が装置内部に入り込むのを抑制することが可能となる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】  磁気記憶装置１は、ダイパッド３上に搭載されたシリコン基板５と、該シリコン基板５の主表面上に形成され磁気記憶素子を含む素子形成部６と、シリコン基板５を取り囲むモールドパッケージ２と、モールドパッケージ２に装着され磁場シールド機能を有する材料で少なくとも一部が構成されたリード４とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主表面上に形成され、磁気記憶素子を含む素子形成部と、
前記基板を取り囲む外装材と、
前記外装材に装着され、磁場シールド機能を有する材料で少なくとも一部が構成された導体部と、
を備えた、磁気記憶装置。
【請求項２】
前記導体部は、前記素子形成部と電気的に接続され前記外装材の内部から外部に延出するリードを含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記導体部は、前記基板を実装するダイパッドを含む、請求項１または請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記導体部は、前記素子形成部で発生した熱を外部に放散するヒートシンクを含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記導体部の少なくとも一部を、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む金属材料で構成した、請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板の主表面上に形成され、磁気記憶素子を含む素子形成部と、
前記基板の内部に形成され、磁場シールド機能を有する材料を含む導電性の磁場シールド部と、
を備えた、磁気記憶装置。
【請求項７】
前記素子形成部は、磁気記憶素子が形成されるセルアレイ部と、前記磁気記憶素子の動作制御を行う周辺回路が形成される周辺回路部とを含み、
前記セルアレイ部直下に位置する前記基板内に前記磁場シールド部を形成する一方で、前記周辺回路部直下に位置する前記基板内には前記磁場シールド部を形成しないようにした、請求項６に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記磁場シールド部は、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む、請求項６または請求項７に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板の主表面上に形成され、磁気記憶素子と配線とを含む素子形成部とを備え、
磁場シールド機能を有する材料で前記配線を構成するとともに、前記磁気記憶素子の形成領域全体を覆うように前記配線を配置した、磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記配線を、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む金属材料で構成した、請求項９に記載の磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記憶装置に関し、より特定的には、チップを外来磁場から保護する磁場（磁気）シールド機能を有する要素を備えた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、磁気記憶素子を含む集積回路装置は知られており、該集積回路装置に対して磁気シールドを行うために様々な工夫がなされている。たとえば、米国特許第６４５２２５３号には、チップの少なくとも一部に接触する磁場（磁気）シールド材を備えた集積回路パッケージが記載されている。より詳しくは、米国特許第６４５２２５３号には、チップを覆うように磁場（磁気）シールド材を設けることが記載されている。
【０００３】
また、特開２００２−２９９５７４号公報には、配線に磁気シールド材を付与することが記載され、特開平７−５８４８５号公報には、プリント配線板の表裏面に磁界・電磁波シールド層を設けることが記載され、特開平７−８６７８４号公報には、プリント配線板の表裏面に磁性塗膜を設けることが記載され、特開２００３−３０９１９６号公報には、磁気不揮発性メモリ素子が、軟磁性材料を用いて形成された磁気シールド部材で囲まれて密閉状態で配置されることが記載されている。
【特許文献１】米国特許第６４５２２５３号明細書
【特許文献２】特開２００２−２９９５７４号公報
【特許文献３】特開平７−５８４８５号公報
【特許文献４】特開平７−８６７８４号公報
【特許文献５】特開２００３−３０９１９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
米国特許第６４５２２５３号に記載の集積回路パッケージでは、上述のようにチップを覆うように磁場シールド材を設けているが、パッケージ内部から外部に延出するリードあるいはその近傍から磁場（磁気）がパッケージ内部に入り込むのを効果的に抑制することができない。つまり、集積回路パッケージの導電部を利用して外来磁場（磁気）がパッケージ内部に入り込むのを効果的に抑制することができないという問題がある。
【０００５】
特開２００２−２９９５７４号公報に記載の磁気記憶装置では、配線に磁気シールド材を付与しているので配線が形成されている部分では磁場シールド効果は得られるが、配線が形成されていない箇所では磁場シールド効果が得られない。そのため、当該磁気記憶装置の場合も、装置の導電部を利用して外来磁場が装置内部に入り込むのを効果的に抑制することができないという問題がある。
【０００６】
特開平７−５８４８５号公報や特開平７−８６７８４号公報に記載の発明では、プリント配線板に対し工夫を施しているが、プリント配線板に実装される磁気記憶装置の導体部に磁場シールド機能を付与するという思想は両文献には全く記載されていない。よって、この場合も、磁気記憶装置の導電部を利用して外来磁場（磁気）が装置内部に入り込むのを抑制することができないという問題がある。
【０００７】
特開２００３−３０９１９６号公報に記載の磁気シールドパッケージでは、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）素子を中空の磁気シールド材で囲んでいるが、米国特許第６４５２２５３号の場合と同様にリードフレームに対しては磁場シールド機能を付与しておらず、磁気記憶装置の導電部を利用して外来磁場が装置内部に入り込むのを抑制することができないという問題がある。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、装置の導電部または導体部を利用して外来磁場（磁気）が装置内部に入り込むのを効果的に抑制することが可能となる磁気記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る磁気記憶装置は、基板と、基板の主表面上に形成され磁気記憶素子を含む素子形成部と、基板を取り囲む外装材と、外装材に装着され磁場（磁気）シールド機能を有する材料で少なくとも一部が構成された導体部（導電部）とを備える。つまり、本発明では、磁気記憶装置において導電性を有する所定の部分の少なくとも一部を、磁場シールド機能を有する材料で構成する。なお、本願明細書において「磁場（磁気）シールド機能」とは、磁場（磁気）を所望の程度にまで減衰させて磁気記憶装置を保護することが可能となる機能のことを称し、必ずしも完全に磁場（磁気）をシールドする機能のことを意味するものではない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、磁気記憶装置において導電性を有する所定の部分の少なくとも一部を、磁場シールド機能を有する材料で構成しているので、磁気記憶装置の導電部における外来磁場（磁気）の減衰効果を高めることができ、外来磁場が導電部から装置内部に入り込むのを効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図１〜図１０を用いて、本発明の実施の形態について説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における磁気記憶装置を示す断面図である。図１に示す磁気記憶装置（ＭＲＡＭ）１は、ＭＴＪ（Magnet Tunnel Junction）素子あるいはＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistive）素子などの磁気記憶素子を利用した不揮発性メモリである。
【００１３】
図１に示すように、磁気記憶装置１は、モールドパッケージ２と、ダイパッド３と、リード４と、シリコン基板５で主に構成されるチップと、ワイヤ８とを備える。
【００１４】
モールドパッケージ２は、典型的には樹脂で構成され、図１の例ではシリコン基板５を含むチップを封止する。しかし、チップを取り囲む外装材として機能するものであればモールドパッケージ２以外のものを採用可能である。
【００１５】
ダイパッド３は、金属で構成され、シリコン基板５を実装する。図１の例では、図示しない接合材を介してダイパッド３上にシリコン基板５を実装する。リード４も、金属で構成される。リード４は、後述するシリコン基板５上の素子形成部６と電気的に接続（素子形成部６内の所定の要素と電気的に接続）され、モールドパッケージ２の内部から外部に延出する。
【００１６】
本実施の形態１では、磁場（磁気）シールド機能を有する材料でリード４の少なくとも一部を構成する。磁場シールド機能を有する材料としては、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどを挙げることができるが、これ以外の材料であっても磁場を所望の程度にまで減衰させて磁気記憶装置を保護することが可能な材料であれば使用可能である。本実施の形態１では、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む金属材料でリード４の少なくとも一部を構成する。具体的には、７１Ｎｉ−５Ｆｅ−１０Ｃｕ−１２Ｍｎ、８０Ｎｉ−５Ｍｏ−１４Ｆｅ、７７Ｎｉ−４．２Ｍｏ−１３．５Ｆｅ−５Ｃｕなどでリード４を構成することができる。
【００１７】
なお、上記の材料と、これ以外の金属材料を組み合わせてリード４を形成することも可能である。たとえばベースとなる金属材料の表面上に、該金属材料にＭｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を添加した、磁場シールド機能の高い金属材料層を形成したり、従来からリードフレーム用材料として一般に知られているＮｉ合金やＣｕ合金の表面上に、該Ｎｉ合金やＣｕ合金に新たにＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどの磁場シールド材を添加したり、この磁場シールド材の含有量を増大させるなどして磁場シールド機能を高めた金属材料層を形成することなども考えられる。
【００１８】
また、磁場シールド機能の優れた材料をベース材とし、このベース材の表面上に、磁場シールド機能がベース材よりも低い金属材料層を形成してもよい。ベース材となる金属材料の表面上に形成する金属材料層は、ベース材の表面全面を覆うように形成されることが好ましいが、必ずしもベース材の表面全面を覆う必要はなく、ベース材の一部表面を覆うように形成されてもよい。
【００１９】
上記のように磁場シールド機能を有する材料でリード４の少なくとも一部を構成することにより、リード４における外来磁場（磁気）の減衰効果を高めることができ、外来磁場がリード４を通じて横方向（リード４の延在方向）から装置内部に入り込むのを効果的に抑制することができる。
【００２０】
なお、外装材であるモールドパッケージ２に装着される導体部または導電部であれば、リード４以外の導体部または導電部の少なくとも一部を、上記のような磁場シールド機能を有する材料で構成してもよい。この場合にも、上記の場合と同様に、外来磁場が導体部または導電部から装置内部に入り込むのを抑制することができる。
【００２１】
ここで、本願明細書において「外装材に装着する」という概念には、接合材などを介して所定の要素を外装材の表面に接合したり、外装材の表面に露出するように外装材に所定の要素が保持される場合のみならず、外装材以外の要素に主として接合（保持あるいは支持）されているが外装材と接触する部分を有する場合も含まれるものと定義する。
【００２２】
シリコン基板５の主表面上には、磁気記憶素子（ＭＲＡＭセル：メモリセル）を含む素子形成部６を形成する。より詳しくは、素子形成部６は、磁気記憶素子、各種配線、各種回路素子、各素子や配線間の絶縁膜などの様々な要素を含む。
【００２３】
図１の例では、基板としてシリコン基板５を使用しているが、磁気記憶素子を含む各種素子を形成可能な基板であれば、シリコン基板５以外の半導体基板や、半導体基板以外の任意の基板を採用可能である。
【００２４】
素子形成部６上にボンディングパッド７を形成する。典型的には、素子形成部６上に絶縁膜を介してボンディングパッド７を形成する。ボンディングパッド７は、素子形成部６内の所定の要素と電気的に接続される。また、ボンディングパッド７は、Ａｕなどで構成されるワイヤ８を介してリード４と接続される。
【００２５】
（実施の形態２）
次に、図２および図３を用いて、本発明の実施の形態２およびその変形例について説明する。
【００２６】
本実施の形態２では、磁気記憶装置の基板の内部に、磁場シールド機能を有する材料を含む導電性の磁場シールド部を形成している。図２に示すように、磁場シールド部９は、シリコン基板５（チップ）内の一部に形成されるが、たとえば素子形成部６の直下に該素子形成部６全体に沿って形成してもよい。このように磁場シールド部９を形成することにより、シリコン基板５の下方からの外来磁場を磁場シールド部９によって効果的に減衰させることができる。
【００２７】
上記の磁場シールド部９は、たとえばＭｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料をシリコン基板５内に導入することにより形成することができる。Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどの磁場シールド機能を有する材料をシリコン基板５内に導入する手法としては、イオン注入法を採用可能である。注入量や注入エネルギーを適切に調節することにより、シリコン基板５内の所望の箇所に所望の量の磁場シールド材をドーピングすることができる。
【００２８】
シリコン基板５内には、通常はボロンなどのｐ型不純物や、リンなどのｎ型不純物が導入されており、これらの不純物が導入された箇所では導電性を有すると言える。したがって、本実施の形態２では、このように導電性を有する部分に、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどの磁場シールド機能を有する材料を導入することで、導電性の磁場シールド部を形成することとなる。上記以外の構成については、実施の形態１の場合と基本的に同様である。
【００２９】
次に、図３を用いて、本実施の形態２の変形例について説明する。図３に示すように、素子形成部６には、たとえば磁気記憶素子が形成されるセルアレイ部６ａと、磁気記憶素子の動作制御を行う周辺回路が形成される周辺回路部６ｂとが形成される。この場合、セルアレイ部６ａ直下に位置するシリコン基板５内に磁場シールド部９を形成する一方で、周辺回路部６ｂ直下に位置するシリコン基板５内には磁場シールド部９を形成しないようにすることが好ましい。
【００３０】
上述のような磁場シールド部９を形成した場合、その上に形成されるトランジスタの特性が変化することが考えられる。そこで、上記のように周辺回路部６ｂ直下に位置するシリコン基板５内には磁場シールド部９を形成しないようにすることにより、周辺回路部６ｂ内に形成されるトランジスタの特性が変化するのを回避することができる。
【００３１】
なお、セルアレイ部６ａ直下に位置するシリコン基板５内にのみ磁場シールド部９を形成するには、セルアレイ部６ａ内の素子を形成する際に使用するマスクを用いてイオン注入により磁場シールド機能を有する材料をシリコン基板５内に導入すればよい。それにより、別途マスクを作製する必要がなくなり、製造コストの増大を回避することができる。
【００３２】
（実施の形態３）
次に、図４〜図６を用いて、本発明の実施の形態３およびその変形例について説明する。
【００３３】
本実施の形態３では、磁気記憶装置の素子形成部内の所定の配線を、磁場シールド機能を有する材料で構成するとともに、少なくとも磁気記憶素子の形成領域（セルアレイ部）全体を覆うように配置する。たとえば、上記の配線を、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む金属材料で構成することができる。
【００３４】
図４および図５の例では、第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄを格子状に配置し、第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄでセルアレイ部を覆うようにする。より詳しくは、第１配線１０ａ上に該第１配線１０ａと直交する方向に延びる第２配線１０ｂを形成し、第２配線１０ｂ上に該第２配線１０ｂと直交する方向（第１配線１０ａの長手方向と平行な方向）に延びる第３配線１０ｃを形成し、第３配線１０ｃ上に該第３配線１０ｃと直交する方向（第２配線１０ｂの長手方向と平行な方向）に延びる第４配線１０ｄを形成する。このとき、図４および図５に示すように、同じ方向に延びる第１配線１０ａと第３配線１０ｃとをこれらの幅方向にずらせて配置し、同様に第２配線１０ｂと第４配線１０ｄとをこれらの幅方向にずらせて配置する。
【００３５】
第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどの磁場シールド機能を有する材料を添加したアルミニウム合金で構成することができる。かかる第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄは、たとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成することができ、第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄの抵抗値は磁場シールド材を添加しない場合とほぼ同等のものとなる。
【００３６】
なお、上記の第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄ下には、図５に示すように、ワード線１１と、ビット線１３と、これらの間に挟まれたＴＭＲセル１２が形成される。
【００３７】
上記のような第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄを形成することにより、ＴＭＲセル１２を含むセルアレイ部の上方にほぼ隙間なく配線を形成することができる。それにより、少なくともセルアレイ部を上記の各配線で覆うことができ、シリコン基板５（チップ）の上方からの外来磁場を第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄによって減衰することができる。
【００３８】
なお、図４および図５の例では、４層の配線を用いてセルアレイ部を覆う場合について説明したが、１層の配線を用いてセルアレイ部を覆うことも可能であり、２層、３層あるいは５層以上の配線を用いてセルアレイ部を覆うことも可能である。ただし、２層や３層の配線では、４層以上の配線を用いる場合と比較して配線間に若干の隙間ができるが、セルアレイ部を覆うことを意図してセルアレイ部上の全体にわたって上記の配線を形成することにより、セルアレイ部を覆うことを意図しない場合と比較すると、効果的に外来磁場を減衰させることができる。
【００３９】
上記の第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄは、たとえば電源線により構成することができるが、電源線以外の配線で第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄを構成してもよい。第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄが互いに異なる機能を有する場合には、これらの間に図示しない層間絶縁膜を形成することが必要となる。
【００４０】
１層の配線を用いてセルアレイ部を覆う場合には、たとえば図６に示すように、プレート状の配線１０を形成し、該配線１０を第１〜第４配線１０ａ〜１０ｄと同じ材質で構成すればよい。この場合も、プレート状の配線１０によってセルアレイ部全体を覆うことができ、シリコン基板５（チップ）の上方からの外来磁場を効果的に減衰させることができる。また、平板状の配線と帯状の配線とを適宜組合せ、配線間の隙間を減じることも可能である。さらに、配線の長手方向の幅を局所的に変化させるなどして配線間の隙間を減じることも可能である。
【００４１】
セルアレイ部を覆うように形成する配線の材質の具体例としては、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ａｌ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ、Ａｌ−Ｍｎなどのアルミニウム合金や、Ｃｕ、Ｃｕ合金などを挙げることができる。上記以外の構成については、実施の形態１，２の場合と基本的に同様である。
【００４２】
（実施の形態４）
次に、図７を用いて、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態４では、磁気記憶装置の外装材の内部に装着された導体部に磁場シールド機能を付与している。
【００４３】
図７の例では、基板を実装するダイパッド３ａの少なくとも一部を、磁場シールド機能を有する材料で構成する。より詳しくは、ダイパッド３ａを、透磁率の低い金属材料、たとえば外来磁場の強度を５０％以下（好ましくは１０％以下）程度に減衰可能な金属材料で構成することができる。このようなダイパッド３ａは、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を所定量含む金属材料を用いて作製することができる。具体的には、７１Ｎｉ−５Ｆｅ−１０Ｃｕ−１２Ｍｎ、８０Ｎｉ−５Ｍｏ−１４Ｆｅ、７７Ｎｉ−４．２Ｍｏ−１３．５Ｆｅ−５Ｃｕなどでダイパッド３ａを構成することができる。
【００４４】
また、実施の形態１におけるリード４の場合と同様に、上記のような磁場シールド機能を有する材料と、これ以外の金属材料を組み合わせてダイパッド３ａを形成することも可能である。たとえばベースとなる金属材料の表面上に、該金属材料にＭｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を添加した磁場シールド機能の高い金属材料層を形成したり、従来からダイパッド用材料として一般に知られているＮｉ合金やＣｕ合金の表面上に、該Ｎｉ合金やＣｕ合金に新たにＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕなどの磁場シールド材を添加したり、この磁場シールド材の含有量を増大させるなどして磁場シールド機能を高めた金属材料層を形成することなどが考えられる。
【００４５】
さらに、磁場シールド機能の高い材料をベース材とし、このベース材の表面上に、磁場シールド機能がベース材よりも低い金属材料層を形成してもよい。ベース材となる金属材料の表面上に形成する金属材料層は、ベース材の表面全面を覆うように形成されることが好ましいが、必ずしもベース材の表面全面を覆う必要はなく、ベース材の一部表面を覆うように形成されてもよい。
【００４６】
上記のように磁場シールド機能を有する材料でダイパッド３ａを構成することにより、シリコン基板５（チップ）の下方からの外来磁場を効果的に減衰させることができる。
【００４７】
上記以外の構成は、実施の形態１の場合と基本的に同様であり、磁気記憶装置１は、モールドパッケージ２と、リード４と、シリコン基板５で主に構成されるチップと、ワイヤ８とを備える。これらの各要素の材質などについては実施の形態１の場合と同様である。
【００４８】
ただし、本実施の形態４では、磁場シールド機能を有する材料でリード４の少なくとも一部を構成する必要は必ずしもなく、実施の形態１の場合とは異なる材料でリード４を構成してもよい。また、本実施の形態４では、ダイパッド３ａ上にシリコン基板５を実装するための接合層１４を図示している。
【００４９】
（実施の形態５）
次に、図８を用いて、本発明の実施の形態５について説明する。本実施の形態５では、磁気記憶装置の外装材に装着され、その一部表面が外装材の表面に露出する導体部に、磁場シールド機能を付与している。本実施の形態５における導体部は、典型的には、基板における素子形成部の近傍に配置され、素子形成部で発生した熱を外部に放散する放熱部材（ヒートシンク）として使用することができる。
【００５０】
図８の例では、磁気記憶装置１は、シリコン基板５の下にヒートシンク１５を備え、該ヒートシンク１５の少なくとも一部を、磁場シールド機能を有する材料で構成している。ヒートシンク１５は、接合層１４を介してシリコン基板５の裏面に接合され、ヒートシンク１５の一部表面はモールドパッケージ２の表面に露出する。ヒートシンク１５は、上記のようにシリコン基板５の裏面に接合されているが、ヒートシンク１５の外周面がモールドパッケージ２と接していることから、ヒートシンク１５は外装材であるモールドパッケージ２に装着されていると言える。
【００５１】
上記のヒートシンク１５も、ダイパッド３ａの場合と同様に、透磁率の低い金属材料、たとえば外来磁場の強度を５０％以下（好ましくは１０％以下）程度に減衰可能な金属材料で構成することが好ましい。このようなヒートシンク１５は、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む金属材料を用いて作製することができる。具体的には、７１Ｎｉ−５Ｆｅ−１０Ｃｕ−１２Ｍｎ、８０Ｎｉ−５Ｍｏ−１４Ｆｅ、７７Ｎｉ−４．２Ｍｏ−１３．５Ｆｅ−５Ｃｕなどでヒートシンク１５を構成することができる。また、本実施の形態５におけるヒートシンク１５も、上記のダイパッド３ａの場合と同様に、磁場シールド機能を有する材料と、これ以外の金属材料を組み合わせて作製してもよい。
【００５２】
このように磁場シールド機能を有する材料でヒートシンク１５を構成することにより、シリコン基板５（チップ）の下方からの外来磁場を効果的に減衰させることができる。これ以外の構成は、実施の形態４とほぼ同様である。
【００５３】
（実施の形態６）
次に、図９を用いて、本発明の実施の形態６について説明する。本実施の形態６では、磁気記憶装置は、基板（チップ）を間に挟むように外装材に装着された複数の導体部を有し、各導体部に磁場シールド機能を付与している。
【００５４】
図９の例では、シリコン基板５の上下にヒートシンク１５とダイパッド３ａとを配置している。ヒートシンク１５は、図示しない接合層を介してシリコン基板５の上面に接合され、ダイパッド３ａは、接合層１４を介してシリコン基板５の下面に接合される。このヒートシンク１５およびダイパッド３ａの材質は、実施の形態４，５の場合と同様である。
【００５５】
上記のように、磁場シールド機能が付与されたヒートシンク１５とダイパッド３ａとをシリコン基板５の上下に配置することにより、シリコン基板５（チップ）の上下からの外来磁場を効果的に減衰させることができる。これ以外の構成は、実施の形態４，５とほぼ同様である。
【００５６】
（実施の形態７）
次に、図１０を用いて、本発明の実施の形態７について説明する。本実施の形態７では、磁気記憶装置は、外装材の表面上に装着された導体部を有し、該導体部に磁場シールド機能を付与している。本実施の形態７の導体部も、典型的には、素子形成部で発生した熱を外部に放散する放熱部材（ヒートシンク）として使用することができる。
【００５７】
図７の例では、接着剤などを用いてモールドパッケージ２の上面上にヒートシンク１５を装着し、実施の形態５，６の場合と同様に、ヒートシンク１５の少なくとも一部を、磁場シールド機能を有する材料で構成している。それにより、シリコン基板５（チップ）の上方からの外来磁場を効果的に減衰させることができる。これ以外の構成は、上述の各実施の形態の場合と基本的に同様である。
【００５８】
本実施の形態７における磁気記憶装置によれば、従来の磁気記憶装置の製造工程をそのまま採用することができるので製造工程への負荷がないばかりでなく、磁気記憶装置を搭載する電子基板上において外来磁場の強度に応じて透磁率の異なるヒートシンクを選択的に使用できるという利点もある。また、実施の形態１〜６の磁気記憶装置に本実施の形態７のヒートシンク１５を搭載することで、さらに効果的に外来磁場を減衰させることができる。
【００５９】
以上のように、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上述の各実施の形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００６０】
また、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１における磁気記憶装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２における磁気記憶装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における磁気記憶装置の変形例の部分断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における磁気記憶装置の配線構造例を示す平面図である。
【図５】図４に示す配線構造と同じタイプの配線構造の斜視図である。
【図６】図４に示す配線構造例の変形例の斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態４における磁気記憶装置の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態５における磁気記憶装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６における磁気記憶装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態７における磁気記憶装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  磁気記憶装置、２  モールドパッケージ、３，３ａ  ダイパッド、４  リード、５  シリコン基板、６  素子形成部、６ａ  セルアレイ部、６ｂ  周辺回路部、７  ボンディングパッド、８  ワイヤ、９  磁場シールド部、１０  配線、１０ａ  第１配線、１０ｂ  第２配線、１０ｃ  第３配線、１０ｄ  第４配線、１１  ワード線、１２  ＴＭＲセル、１３  ビット線、１４  接合層、１５  ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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