(57)【要約】【課題】高い光電変換特性を有した光電変換装置を得ることを課題とする。【解決手段】透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置において、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下であり、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする光電変換装置。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置において、
ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下であり、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置における発電膜のうち、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下となる製膜条件を特定する、製膜中又は製膜後の結晶性Ｓｉ薄膜を評価する方法であり、  
前記結晶性Ｓｉ薄膜のうち少なくともｉ層の方位<１１０>に、前記Ｓｉ薄膜主面に対する入射Ｘ線の入射角をθとしたとき、入射角θが０＜θ＜（２×Ｂｒａｇｇ角）で回折強度のピーク値を持つか否かにより結晶性Ｓｉ薄膜の良否を判断することを特徴とする結晶性Ｓｉ薄膜の評価方法を用い、Ｓｉ（２２０）面回折線を測定した場合に、ｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層のＳｉ（２２０）面回折線の示す曲線が、方位<１１０>に極大値をもち、半値幅４０°よりも小さく、Ｓｉ（２２０）面のＢｒａｇｇ角において方位<１１０>に対応する単一ピークをもち、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
請求項２記載の特性を有するｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層が１個以上であり、かつｐｉｎ接合を２個以上有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置における発電膜のうち、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下となる製膜条件を特定する、製膜中又は製膜後の結晶性Ｓｉ薄膜を評価する方法であり、  
前記結晶性Ｓｉ薄膜のうち少なくともｉ層の方位<１１０>に、前記Ｓｉ薄膜主面に対する入射Ｘ線の入射角をθとしたとき、入射角θが０＜θ＜（２×Ｂｒａｇｇ角）で回折強度のピーク値を持つか否かにより結晶性Ｓｉ薄膜の良否を判断することを特徴とする結晶性Ｓｉ薄膜の評価方法を用いて結晶性Ｓｉ薄膜のＳｉ（２２０）面を測定した場合に、ｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層の示すＸ線回折特性において方位<１１０>にピークを持たない場合は、その半値幅２０°よりも大きく、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項５】
請求項４記載の特性を有するｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層が１個以上であり、かつｐｉｎ接合を２個以上有することを特徴とする光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶性Ｓｉ薄膜を用いた光電変換装置に関する。なお、本願明細書において、「結晶性」及び「多結晶」の用語は、少なくとも結晶Ｓｉを含み、部分的に非晶質を含む場合をも意味する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜型シリコン（Ｓｉ）光電変換装置としては、例えば図１に示すものが知られている。図１は、基板側から光が入射する形式である。  
図中の付番１は、ガラス基板を示す。この基板１上には、ＩＴＯ，ＳｎＯ２等からなる透明導電膜２を介して結晶性Ｓｉ薄膜（発電膜）３が形成されている。ここで、結晶性Ｓｉ薄膜３は、ｐ型の結晶性Ｓｉ膜３ａと、ｉ型の結晶性Ｓｉ発電膜３ｂと、ｎ型の結晶性Ｓｉ膜３ｃとから構成されている。前記結晶性Ｓｉ薄膜３上には、通常、図示しないが透明導電膜、金属電極膜が順次形成される。
【０００３】
こうした構成の太陽電池において、太陽光はガラス基板１側から入射して透明導電膜２を透過して各発電膜に入射する。太陽光は、発電膜３ｂに吸収されて、ｐ型の結晶性Ｓｉ膜３ａと、ｎ型の結晶性Ｓｉ膜３ｃとの間に起電力が発生し、電力を外部に取り出すことができる。ところで、こうした太陽電池において、発電膜３の製膜には一般にプラズマＣＶＤが用いられているが、装置依存性が大きいため、製膜後の膜質の評価を以てプラズマＣＶＤにおける製膜条件を設定するのが妥当である。
【０００４】
従来、結晶性Ｓｉ薄膜を有したＳｉ太陽電池の膜質の指標として、Ｘ線回折のθ−２θ法による（２２０），（１１１）面回折強度比を用いていた。しかし、同じθ-２θ法の強度比であっても発電特性のばらつきを抑えることが困難であり、強度比を制御して光電変換装置を製造しても発電特性の向上とばらつきの抑制が出来ないという問題があった。
【０００５】
下記特許文献１は、特定の面（２２０）に優先的に配向した薄膜多結晶シリコンや、このシリコンからなる結晶核下地層を有するシリコン系光電変換素子などを開示している。
【特許文献１】特開２００１−２３７４４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下とすることにより、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有して、高い光電変換特性を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明は、透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置において、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下であり、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする光電変換装置である。
【０００８】
（２）また、本発明は、透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置における発電膜のうち、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下となる製膜条件を特定する、製膜中又は製膜後の結晶性Ｓｉ薄膜を評価する方法であり、前記結晶性Ｓｉ薄膜のうち少なくともｉ層の方位<１１０>に、前記Ｓｉ薄膜主面に対する入射Ｘ線の入射角をθとしたとき、入射角θが０＜θ＜（２×Ｂｒａｇｇ角）で回折強度のピーク値を持つか否かにより結晶性Ｓｉ薄膜の良否を判断することを特徴とする結晶性Ｓｉ薄膜の評価方法を用い、Ｓｉ（２２０）面回折線を測定した場合に、ｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層のＳｉ（２２０）面回折線の示す曲線が、方位<１１０>に極大値をもち、半値幅４０°よりも小さく、Ｓｉ（２２０）面のＢｒａｇｇ角において方位<１１０>に対応する単一ピークをもち、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする前記（１）記載の光電変換装置である。
【０００９】
（３）更に、本発明は、透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、ｐ層，ｉ層及びｎ層からなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置における発電膜のうち、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下となる製膜条件を特定する、製膜中又は製膜後の結晶性Ｓｉ薄膜を評価する方法であり、前記結晶性Ｓｉ薄膜のうち少なくともｉ層の方位<１１０>に、前記Ｓｉ薄膜主面に対する入射Ｘ線の入射角をθとしたとき、入射角θが０＜θ＜（２×Ｂｒａｇｇ角）で回折強度のピーク値を持つか否かにより結晶性Ｓｉ薄膜の良否を判断することを特徴とする結晶性Ｓｉ薄膜の評価方法を用いて結晶性Ｓｉ薄膜のＳｉ（２２０）面を測定した場合に、ｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層の示すＸ線回折特性において方位<１１０>にピークを持たない場合は、その半値幅２０°よりも大きく、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有することを特徴とする前記（１）記載の光電変換装置である。
【００１０】
本発明の光電変換装置において、前記（２）あるいは（４）記載の特性を有するｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層が１個以上であり、かつｐｉｎ接合を２個以上有する場合が挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべてあるいは少なくともｉ層は結晶性Ｓｉ薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下とすることにより、結晶性Ｓｉ薄膜で隣接する結晶粒の結晶粒界を構成する２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度が小さい粒界を有して、高い光電変換特性を有する光電変換装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明において、前記透光性基板としては例えばガラス基板が挙げられ、前記不透光性基板としては例えば金属、樹脂が挙げられる。また、「製膜中又は製膜後の結晶性Ｓｉ薄膜」とは、Ｓｉ薄膜のｐ層，ｉ層又はｎ層のいずれか、あるいは各層を形成したＳｉ薄膜、あるいは更に電極層まで形成した後のＳｉ薄膜を示し、電極層まで形成した場合はＳｉ薄膜からの回折Ｘ線のみが観察できるＢｒａｇｇ角を選択することになる。
【００１３】
一般に、製膜条件（例えばプラズマＣＶＤ装置における、基板温度、圧力、高周波の周波数、電力等）が異なると結晶性Ｓｉ薄膜中の結晶成長の様式が変化するために膜質が異なるが、θ-２θ法を用いた場合には異なる製膜条件の下で作製した試料が同じ結果を示すことがある。従って、本発明において、上記の結晶粒配向範囲をもつ結晶性Ｓｉ薄膜を得るには、試験過程で用いる評価法として、入射Ｘ線と回折Ｘ線とのなす角度である２θ角はＢｒａｇｇ角の２倍に固定しながら、入射Ｘ線と結晶性Ｓｉ薄膜を形成した基板の角度を変化させるＸ線回折測定法を用いて行うことが好ましい。これは一般にθスキャン、またはＦｉｅｌｄ−Ｍｅｒｃｈａｎｔ法とも呼ばれ、この測定法の詳述は下記のとおりである。同じ目的の観察には、Ｓｃｈｕｌｚ法によるχ−φ成分スキャンを用いれば薄膜中の結晶粒分布を完全に把握できるが、薄膜結晶系Ｓｉのようにごく薄い薄膜ではＸ線回折強度が元々弱いため、十分な情報を得るためにはスキャン時間をかなりかけねばならない。また、薄膜結晶性Ｓｉは結晶粒径が小さく急峻な配向を示さないため、回折Ｘ線のχ成分はχ＝０を中心に同心円状の分布（繊維分布）を示す。
【００１４】
従って、Ｓｃｈｕｌｚ法によるχ−φ成分スキャンで全てのφ成分をスキャンする必要はない。このため、あるφの値で固定してχ成分のスキャンのみを行えば十分である。また、Ｓｃｈｕｌｚ法によるχ−φ成分スキャンでは専用アタッチメントを要するため、通常行なわれているθ−２θ法と併用する場合は多くの手間を必要とする。そこで、薄膜結晶系Ｓｉを簡便に計測するために検討した結果、θ−２θ法のアタッチメントのままでχ成分のスキャンのみを行っても同等の結果を得られることを見出した。ここで、薄膜が既知材料であれば薄膜を通過するＸ線減衰量を評価できるため、基板のＸ線応答特性を考慮して補正を行うと精度を高められるため、結晶性Ｓｉ薄膜の薄い場合は基板の影響を除いておく。以上の改善された手法を用いて、本発明でのＸ線回折測定を行う。
【００１５】
本発明における結晶性Ｓｉ薄膜を作製する上で用いる評価法では、方位<１１０>におけるｉ層の回折強度がＨのとき、Ｈ／２に対応した入射角の範囲で半値幅をもつことが好ましい。図２は、本発明中で用いるＸ線回折測定法で得られたＳｉ（２２０）面回折線の入射角の角度分布（スペクトル）において、方位＜１１０＞に単一ピークをもつガウス関数に似た対称形状を示し、かつその半値幅の小さいスペクトルを示す。この場合、結晶面（１１０）の法線が基板に垂直となっている、方位<１１０>に配向した結晶粒の密度が、他の方位に配向した結晶粒の密度よりも極めて大きいことを意味している。また、立方晶であるＳｉの結晶構造から、方位<１１０>に配向した結晶粒はその粒界部分において隣接する結晶粒との格子整合が取りやすく粒界のダングリングボンド密度が減少し、粒界における欠陥が減少し電気伝導特性が改善されるからである。
【００１６】
薄膜内部に存在する各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布において、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下である特徴を満たす場合に対応して、図２において、高い<１１０>ピーク強度Ｈに対し、Ｈ／２に対応した入射角を夫々θ１、θ２としたとき、半値幅Ｔｗは（θ２−θ１）＝４０°、望ましくは３０°以下の狭い半値幅であることが好ましい。
【００１７】
これは、結晶粒の集団が特定方位に配向した場合、隣接する結晶粒の間に形成される粒界は基板に対し垂直になり、粒界の種類が特定のものに限られるためである。ここで、粒界は、これを構成する２結晶粒から規定される２種の面方位の結晶面で記述できる。そこで粒界の特性値として、２種の面方位から計算されるダングリングボンド密度の差を導入すると、この値が小さいほど粒界として望ましいものになる。特に方位<１１０>に配向した場合はダングリングボンド密度が小さく、良好な粒界になることが知られている。
【実施例】
【００１８】
以下、本発明の実施例に係る結晶性Ｓｉ薄膜光電変換装置について説明する。  まず、図１に示すようにガラス基板１上に透明導電膜２を介して結晶性Ｓｉ薄膜を代表的製膜条件で形成し、試料４を準備する。そして試料４を、結晶性Ｓｉ薄膜側をＸ線入射側に向けて図３に示すようにセットする。ここで、入射Ｘ線と回折Ｘ線とのなす２θ角はＢｒａｇｇ角（θＢｒａｇｇ）の２倍に固定しながら、試料４は回転できるようにセットするとともに、入射Ｘ線の試料４に対する入射角θは可変できるようにしたＸ線回折測定法を用いた。
【００１９】
このようにして、試料４の結晶性Ｓｉ薄膜面側にＸ線を入射させ、上述したように２×（θＢｒａｇｇ）に固定しながら、入射角θを可変しながらθスキャンすることにより、スペクトル特性を描く。その結果、上述した前記結晶性Ｓｉ薄膜のうち少なくともｉ層の方位<１１０>に、前記Ｓｉ薄膜主面に対する入射角をθとしたとき、入射角θが０＜θ＜（２×θＢｒａｇｇ）で回折強度が高いピーク値を持つか否かを判断する。ここで、薄膜が既知材料であれば薄膜を通過する膜厚に対し指数関数的に減少するＸ線減衰量を評価できる。基板のＸ線応答特性を考慮して測定結果からの除去を行うと精度を高められるため、結晶性Ｓｉ薄膜の薄い場合は基板の影響を除いておく。
【００２０】
その結果、上述した図２に示すように（θ２−θ１）の狭い半値幅の領域で方位<１１０>で回折強度のピーク値をもてば、結晶性Ｓｉ薄膜の膜質が良質であり、太陽電池は高効率セルを有する。一方、図４に示すように、広い半値幅で方位<１１０>で低い回折強度をもつか、あるいは方位<１１０>以外のピークの存在が認められれば、結晶性Ｓｉ薄膜の膜質が良質でなく、太陽電池は低効率セルを有する。このようにして良質と判断される結晶性Ｓｉ薄膜を作製する製膜条件を特定し、プラズマＣＶＤ装置個々の特性に合わせた製膜条件を絞込み決定する。
【００２１】
事実、以上の製膜条件絞込みを行った結果、結晶性Ｓｉ薄膜が図２に示すようなスペクトルを有する太陽電池(イ)、及び結晶性Ｓｉ薄膜が図４に示すようなスペクトルを有する太陽電池（ロ）について半値幅と発電効率との関係を調べたところ、図５〜図７に示すような結果が得られた。図５〜図７は、夫々太陽電池の特性値である、発電効率、短絡電流、形状因子と半値幅の関係を示したものである。本発明で用いるＸ線回折測定法においては、Ｂｒａｇｇ角を軸として対称に信号が現れるため、図５〜図７中の単峰ピークは方位<１１０>にピークをもつ太陽電池（イ）からの信号を意味し、双峰ピークは方位<１１０>以外にピークをもつ太陽電池（ロ）からの信号を意味する。
【００２２】
図５は発電効率と半値幅の関係を示したものであり、単峰ピークを示す太陽電池（イ）では半値幅の低下とともに発電効率が上昇しているが、双峰ピークを示す太陽電池（ロ）では約３０°までは半値幅の低下とともに発電効率が上昇するものの、約３０°以下の半値幅では半値幅の低下とともに発電効率が低下する。これはスペクトルに現れるピークの半値幅が結晶粒の配向の集中度を意味し、半値幅が小さいほど結晶粒の配向方位が揃っていることを意味することから、結晶粒の配向が揃うことで粒界の構成種が絞られて粒界の性質が改善されるものの、結晶粒が揃った後は粒界を構成する結晶粒の方位により粒界の性質が決まり、これ以上の変化がないためである。
【００２３】
図６は短絡電流と半値幅の関係を示したものであり、単峰ピークを示す太陽電池（イ）では半値幅の低下とともに短絡電流が上昇し、双峰ピークを示す太陽電池（ロ）では約３０°以下の半値幅で若干低下するものの飽和傾向を示している。半値幅が小さいほど結晶粒の配向方位が揃っており、配向方位に当たる結晶粒が膜厚方向に長く成長したために、膜厚方向の電流経路内の粒界が少なくなっているためである。
【００２４】
図７は形状因子と半値幅の関係を示したものであり、発電効率と似た傾向を示している。これも発電効率と同じ理由で説明できる。これにより、太陽電池（イ）、（ロ）における結晶性Ｓｉ薄膜に対する評価が正しかったことが明らかである。
【００２５】
以上は、前述したように、ｐ層，ｉ層及びｎ層すべて、あるいは少なくともｉ層の結晶性Ｓｉを構成する各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<１１０>に極大値をもち、方位<１１０>から１５°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<１１０>における体積の半分以下である特徴をもつ結晶性Ｓｉ薄膜であることが望ましいことを示している。
【００２６】
これを本発明記載の測定法で表現すると、結晶性薄膜Ｓｉの太陽電池において、Ｓｉ（２２０）面の回折線を観察して得た、本発明で用いるＸ線回折スペクトルで、Ｓｉ（２２０）面のＢｒａｇｇ角に単一ピークをもつこと、つまり方位<１１０>にピークをもつ場合に、その半値幅が４０°以下、望ましくは３０°以下であることが、太陽電池として望ましい。これは、スペクトルに現れるピークの半値幅が３０〜４０°以上の場合、結晶粒配向が揃うことにより、粒界を構成する面方位の種類が絞られるためであるが、半値幅が３０〜４０°以下の場合、絞られた粒界種自体の性質に支配されるためである。
【００２７】
また、方位<１１０>にピークを持たない結晶性Ｓｉ薄膜においては、半値幅が２０度以上であることが性能上望ましい。これは製膜条件に対する装置上の制約のため、方位<１１０>にピークをもつ薄膜が作製できない場合に適用される。
【００２８】
なお、上記実施例では、ガラス基板上に透明導電膜を介して結晶性Ｓｉ薄膜を形成した試料にＸ線を入射してＳｉ薄膜の評価を行なう場合について述べたが、これに限らず、少なくとも、結晶性Ｓｉ薄膜のうちｉ層を形成した状態の試料にＸ線を入射してＳｉ薄膜の評価を行なえばよい。また、上記試料はｐｉｎ型発電膜の場合について述べたが、これに限らず、ｎｉｐ型発電膜の試料の場合についても同様に適用できる。
【００２９】
また、上記ｐｉｎ層あるいは少なくともｉ層が１個以上であり、かつｐｉｎ接合を２個以上有するＳｉ薄膜太陽電池セルにおいても同様の効果が得られることも明らかである。
【００３０】
その他、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】結晶性Ｓｉ薄膜を有した太陽電池の断面図。
【図２】本発明の一実施例に係る太陽電池における結晶性Ｓｉ薄膜に対する入射角と回折強度との関係を示す特性図。
【図３】本発明で用いるＸ線回折の測定法に関する説明図。
【図４】従来の太陽電池における結晶性Ｓｉ薄膜に対する入射角と回折強度との関係を示す特性図。
【図５】異なるスペクトル特性を有する太陽電池における半値幅と発電効率との関係を示す特性図。
【図６】異なるスペクトル特性を有する太陽電池における半値幅と短絡電流との関係を示す特性図。
【図７】異なるスペクトル特性を有する太陽電池における半値幅と形状因子との関係を示す特性図。
【符号の説明】
【００３２】
１…ガラス基板、２…透明導電膜、３…結晶性Ｓｉ薄膜（発電膜）、３ａ，３ｂ，３ｃ…結晶性Ｓｉ発電膜、４…試料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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