(57)【要約】【課題】  ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させることが可能な電解コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】  ＰＴＣ機能を有するシート状のＰＴＣ層３０（導電性粒子３１，高分子３２）を陰極１４に接続させる際に、そのＰＴＣ層３０の下面Ｍ１にプラズマ処理などの表面処理を施し、具体的には導電性粒子３１に沿って高分子３２を部分的に除去することによりその導電性粒子３１を露出させたのち、その処理済みのＰＴＣ層３０を下面Ｍ１において陰極１４に接続させる。ＰＴＣ層３０において導電性粒子３１が露出することに基づき、そのＰＴＣ層３０（導電性粒子３１）と陰極１４との間の接触面積（電気的な接続面積）が増加するため、ＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗が低下する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層と、誘電体層と、固体電解質層と、第２の電極層と、がこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子と、
前記コンデンサ素子のうちの前記第２の電極層に接続され、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状構造を有すると共に前記第２の電極層に近い側の第１の面および遠い側の第２の面のうちの少なくとも一方に前記導電性粒子を露出させるための表面処理が施されており、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する抵抗制御層と、
前記抵抗制御層に接続された電極リードと
を備えたことを特徴とする電解コンデンサ。
【請求項２】
前記抵抗制御層の前記第１の面および前記第２の面のうちの少なくとも一方に、前記表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種が施されている
ことを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ。
【請求項３】
前記抵抗制御層が、前記第１の面において第１の導電性接着剤を介して前記第２の電極層に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電解コンデンサ。
【請求項４】
前記抵抗制御層が、前記第２の面において第２の導電性接着剤を介して前記電極リードに電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電解コンデンサ。
【請求項５】
前記第１の電極層が弁作用金属を含んで構成されており、
前記誘電体層が、前記第１の電極層の表層が陽極酸化されることにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電解コンデンサ。
【請求項６】
第１の電極層、誘電体層、固体電解質層および第２の電極層がこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子のうちの前記第２の電極層に、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状構造を有すると共に所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する抵抗制御層を接続させる工程と、
前記抵抗制御層に、電極リードを接続させる工程と、を含み、
前記抵抗制御層を前記第２の電極層および前記電極リードに接続させる工程が、
前記抵抗制御層の前記第２の電極層に対向することとなる第１の面およびその第１の面と反対側の第２の面のうちの少なくとも一方に、前記導電性粒子を露出させるための表面処理を施す第１の工程と、
前記抵抗制御層を前記第１の面において前記第２の電極層に接続させる第２の工程と、
前記抵抗制御層を前記第２の面において前記電極リードに接続させる第３の工程と、を含む
ことを特徴とする電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記抵抗制御層の前記第１の面および前記第２の面のうちの少なくとも一方に、前記表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種を施す
ことを特徴とする請求項６記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、第１の導電性接着剤を使用して前記抵抗制御層を前記第１の面において前記第２の電極層に電気的に接続させる
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記第３の工程において、第２の導電性接着剤を使用して前記抵抗制御層を前記第２の面において前記電極リードに電気的に接続させる
ことを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解質層を備えた電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波用途に適した電子部品のうちの１つとして、多様な電子機器に電解コンデンサが搭載されている。この電解コンデンサに関しては、例えば、電子機器のデジタル化、小型化および高速化が加速的に進行している情勢下において、大容量化や低インピーダンス化が要望されていると共に、動作安定性や動作信頼性の確保、ならびに高寿命化も併せて要望されている。
【０００３】
電解コンデンサの主要部（コンデンサ素子）は、例えば、弁作用金属により構成された陽極と、この陽極の表層が陽極酸化されることにより形成された酸化皮膜（誘電体層）と、電解質層と、陰極とがこの順に積層された積層構造を有している。
【０００４】
この電解コンデンサは、主に、電解質層の種類に応じて２種類に大別される。すなわち、液体材料により構成された電解質層（電解液）を含んでコンデンサ素子が構成され、主にイオン伝導性を利用した導電機構を有する液体電解コンデンサと、錯塩や導電性高分子などの固体材料により構成された電解質層（固体電解質層）を含んでコンデンサ素子が構成され、主に電子伝導性を利用した導電機構を有する固体電解コンデンサである。これらの２種類の電解コンデンサを作動特性の安定性の観点において比較すると、例えば、液体電解コンデンサでは電解液の漏洩や蒸発に起因して作動特性が経時劣化し得るのに対して、この電解液の漏洩や蒸発に起因する作動特性の経時劣化は固体電解コンデンサでは起こり得ないため、今後主流になり得る電解コンデンサとして、最近では液体電解コンデンサに代えて固体電解コンデンサに関する研究開発が活発に進められている。この固体電解コンデンサに関する研究過程では、例えば、漏れ電流特性、インピーダンス特性ならびに耐熱特性などの一連の作動特性を考慮して、固体電解質層の主要部が二酸化マンガンや錯塩から共役系の導電性高分子に急速に移行しつつある。
【０００５】
この固体電解コンデンサに関しては、特に、以下で説明する技術的背景に基づき、短絡時の発熱に起因して破壊されること（発火や燃焼を含む）を防止するために、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する機能（いわゆるＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）機能）が要望されている。
【０００６】
すなわち、固体電解コンデンサは、上記したように多様な電子機器（電子回路）に搭載されており、一般に故障率が低い点において利点を有している。ところが、例えば、電子回路上のトラブルに起因して固体電解コンデンサに過電圧（定格電圧よりも大きい電圧）や逆電圧（正負が逆の電圧）が印加された場合に、それらの過電圧や逆電圧に起因して誘電体層が部分的に破損すると、陽極と固体電解質層および陰極とが意図せずに導通するため、固体電解コンデンサが短絡してしまう。この短絡が発生した場合に、固体電解コンデンサに過電流（短絡電流）が流れると、その固体電解コンデンサが発熱し、場合によっては発熱に起因して発火または燃焼することにより破壊されてしまう。
【０００７】
この固体電解コンデンサの短絡時の発熱に起因する破壊を防止すると共に、固体電解コンデンサと共に電子回路に搭載されている回路部品の破壊も併せて防止する対策としては、例えば、固体電解コンデンサにヒューズを搭載する技術が考えられる。このヒューズを搭載した固体電解コンデンサとしては、例えば、陰極と陰極リード（通電用のリード）とがヒューズを介して電気的に接続された構成を有するものが知られている。この種の固体電解コンデンサでは、短絡時の発熱に起因してヒューズが溶解切断されることにより回路機構が遮断され、すなわち過電流の電流経路が遮断されるため、固体電解コンデンサの破壊が防止される。ところが、ヒューズを利用した固体電解コンデンサでは、そのヒューズの構造的および機構的要因に起因していくつかの問題がある。第１に、固体電解コンデンサにヒューズを搭載すると、その固体電解コンデンサの構造が複雑化かつ大型化してしまう。第２に、ヒューズは機械的強度が弱く、すなわちヒューズは取り扱いが困難なため、固体電解コンデンサの製造工程が複雑化すると共に製造歩留まりが低下してしまう。第３に、ヒューズを搭載した固体電解コンデンサでは、場合によっては信頼性の観点において不安がある。具体的には、例えば、ヒューズの周囲がモールド樹脂で強固に覆われている場合には、短絡時の発熱に起因してヒューズが溶解したとしても、そのヒューズがモールド樹脂の存在に起因して完全に切断されない可能性があるため、依然として回路機構が遮断されない場合に固体電解コンデンサが破壊されるおそれがある。したがって、固体電解コンデンサの破壊防止に関する信頼性を高めるために、ヒューズに代わる安全機構が模索されており、その安全機構としてＰＴＣ機能が要望されているのである。
【０００８】
このＰＴＣ機能を有する電解コンデンサとしては、既にいくつかの態様を有するものが提案されている。具体的には、例えば、ＰＴＣサーミスタがコンデンサ素子に対向配置され、それらのＰＴＣサーミスタおよびコンデンサ素子がモールド樹脂で覆われた構成を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。なお、この電解コンデンサでは、ヒューズに代わる安全機構としてＰＴＣサーミスタが設けられているわけではない。また、例えば、コンデンサ素子の陽極（内部端子）と陽極リード（外部端子）とがＰＴＣサーミスタ（半導体セラミック層）を介して電気的に接続された構成を有するものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。さらに、例えば、コンデンサ素子の一方の電極（外部電極）と電極リード（金属端子）とがＰＴＣサーミスタ（ＰＴＣ機能を有する過電流・過熱保護素子）を介して電気的に接続された構成を有するものが知られている（例えば、特許文献３参照。）。一般に、ＰＴＣサーミスタは、例えば、コンデンサ素子に熱圧着されたり、あるいは導電性接着剤を介してコンデンサ素子に接着されることにより電気的に接続されている。
【特許文献１】実開平０５−００６８２６号公報
【特許文献２】実開平０５−０２３５２９号公報
【特許文献３】特開平１１−１７６６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ＰＴＣ機能を有する固体電解コンデンサの高性能化を図るためには、その固体電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させる必要がある。しかしながら、従来の電解コンデンサの製造方法では、ＰＴＣサーミスタに基づくＰＴＣ機能を利用することにより、短絡時の発熱に起因する電解コンデンサの破壊は防止されるが、例えば、電解コンデンサにＰＴＣ機能を付与するために、コンデンサ素子にＰＴＣサーミスタを接続させた場合には、ＰＴＣサーミスタの抵抗分と共に、そのＰＴＣサーミスタとコンデンサ素子との間の接触抵抗分だけ電解コンデンサの抵抗特性が上昇し、場合によっては固体電解コンデンサの作動性能に悪影響を与える程度まで抵抗特性が上昇し得るという問題があった。なお、電解コンデンサにＰＴＣ機能を付与するために、導電性接着剤を使用してＰＴＣサーミスタをコンデンサ素子に接着させた場合には、ＰＴＣサーミスタをコンデンサ素子に熱圧着させた場合と比較して抵抗特性の上昇量が低くなる場合が多いため、電解コンデンサの抵抗特性が上昇することを防止する上では導電性接着剤を使用した接着手法を使用するのが好ましいが、電解コンデンサの高性能化に関して今後益々要望が高まることを考慮すれば、単に導電性接着剤を使用した場合に得られる電解コンデンサの抵抗特性は未だ十分であるとは言えない。したがって、ＰＴＣ機能を利用して短絡時の発熱に起因する破壊を防止しつつ、固体電解コンデンサの高性能化を図るためには、そのＰＴＣ機能を有する固体電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させることが可能な技術の確立が急務である。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させることが可能な電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の第２の目的は、可能な限り低抵抗でＰＴＣ機能が確保された電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電解コンデンサは、第１の電極層と、誘電体層と、固体電解質層と、第２の電極層とがこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子と、コンデンサ素子のうちの第２の電極層に接続され、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状構造を有すると共に第２の電極層に近い側の第１の面および遠い側の第２の面のうちの少なくとも一方に導電性粒子を露出させるための表面処理が施されており、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する抵抗制御層と、抵抗制御層に接続された電極リードとを備えたものである。
【００１３】
本発明に係る電解コンデンサでは、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する機能（いわゆるＰＴＣ機能）が抵抗制御層において確保されつつ、その抵抗制御層と第２の電極層または電極リードとの間の接触抵抗が低下する。
【００１４】
本発明に係る電解コンデンサの製造方法は、第１の電極層、誘電体層、固体電解質層および第２の電極層がこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子のうちの第２の電極層に、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状構造を有すると共に所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する抵抗制御層を接続させる工程と、抵抗制御層に、電極リードを接続させる工程とを含み、抵抗制御層を第２の電極層および電極リードに接続させる工程が、抵抗制御層の第２の電極層に対向することとなる第１の面およびその第１の面と反対側の第２の面のうちの少なくとも一方に導電性粒子を露出させるための表面処理を施す第１の工程と、抵抗制御層を第１の面において第２の電極層に接続させる第２の工程と、抵抗制御層を第２の面において電極リードに接続させる第３の工程とを含むようにしたものである。
【００１５】
本発明に係る電解コンデンサの製造方法では、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する機能（いわゆるＰＴＣ機能）を有するシート状の抵抗制御層（高分子，導電性粒子）が第２の電極層および電極リードに接続される際に、その抵抗制御層の第１の面および第２の面のうちの少なくとも一方に導電性粒子を露出させるための表面処理が施されたのち、その処理済みの抵抗制御層が第１の面において第２の電極層に接続されると共に第２の面において電極リードに接続される。抵抗制御層において導電性粒子が露出することに基づき、その抵抗制御層（導電性粒子）と第２の電極層または電極リードとの間の接触面積（電気的な接続面積）が増加するため、抵抗制御層と第２の電極層または電極リードとの間の接触抵抗が低下する。
【００１６】
特に、本発明に係る電解コンデンサでは、抵抗制御層の第１の面および第２の面のうちの少なくとも一方に、表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種が施されているのが好ましい。また、抵抗制御層が第１の面において第１の導電性接着剤を介して前記第２の電極層に電気的に接続されていると共に、その抵抗制御層が第２の面において第２の導電性接着剤を介して電極リードに電気的に接続されていてもよい。なお、第１の電極層が弁作用金属を含んで構成されており、誘電体層が第１の電極層の表層が陽極酸化されることにより形成されたものであってもよい。
【００１７】
また、本発明に係る電解コンデンサの製造方法では、第１の工程において、抵抗制御層の第１の面および第２の面のうちの少なくとも一方に、表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種を施すのが好ましい。また、第２の工程において、第１の導電性接着剤を使用して抵抗制御層を第１の面において前記第２の電極層に電気的に接続させると共に、第３の工程において、第２の導電性接着剤を使用して抵抗制御層を第２の面において電極リードに電気的に接続させるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る電解コンデンサによれば、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する機能（いわゆるＰＴＣ機能）が抵抗制御層において確保されつつ、その抵抗制御層と第２の電極層または電極リードとの間の接触抵抗が低下するため、可能な限り低抵抗でＰＴＣ機能を確保することができる。
【００１９】
本発明に係る電解コンデンサの製造方法によれば、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇する機能（いわゆるＰＴＣ機能）を有するシート状の抵抗制御層（高分子，導電性粒子）が第２の電極層および電極リードに接続される際に、その抵抗制御層の第１の面および第２の面のうちの少なくとも一方に導電性粒子を露出させるための表面処理が施されたのち、その処理済みの抵抗制御層が第１の面において第２の電極層に接続されると共に第２の面において電極リードに接続されることに基づき、その抵抗制御層と第２の電極層または電極リードとの間の接触抵抗が低下するため、ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
まず、図１および図２を参照して、本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの構成について簡単に説明する。図１および図２は電解コンデンサの構成を表しており、図１は外観構成を示し、図２は図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成を拡大して示している。
【００２１】
この電解コンデンサは、例えば、図１および図２に示した、コンデンサ素子１０に陽極リード２１および陰極リード２２が接続され、それらの陽極リード２１および陰極リード２２の双方が部分的に露出するようにコンデンサ素子１０がモールド樹脂（図示せず）により周囲を覆われた構造を有するものである。コンデンサ素子１０は、電解コンデンサの主要部として電気的反応を生じるものであり、例えば、陽極１１と、この陽極１１の周囲（一端部）を部分的に覆うように配設された誘電体層１２と、この誘電体層１２を覆うように配設された固体電解質層１３と、この固体電解質層１３を覆うように配設された陰極１４とを含み、すなわち陽極１１、誘電体層１２、固体電解質層１３および陰極１４がこの順に積層された積層構造を有している。この電解コンデンサでは、例えば、陰極１４に導電性接着剤４１を介してＰＴＣ層３０が接続されており、そのＰＴＣ層３０に導電性接着剤４２を介して陰極リード２２が接続されている。
【００２２】
陽極１１は、拡面化（または粗面化）された表面凹凸構造を有する第１の電極層であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）またはニオブ（Ｎｂ）などの弁作用金属を含んで構成されている。具体的には、陽極１１は、例えば、アルミニウムまたはチタンなどの金属箔や、タンタルまたはニオブなどの金属焼結体である。なお、拡面化された陽極１１の表面凹凸構造の詳細に関しては後述する（図３参照）。
【００２３】
誘電体層１２は、例えば、弁作用金属により構成された陽極１１の表層が陽極酸化されることにより形成された酸化皮膜である。この誘電体層１２は、例えば、陽極１１がアルミニウムより構成されている場合には、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）により構成されている。
【００２４】
固体電解質層１３は、例えば、導電性高分子と、この導電性高分子の導電率を制御するためのドーパントとを含み、すなわち導電性高分子にドーパントが含有（ドープ）された構成を有している。導電性高分子は、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフランおよびこれらの誘導体を含む群のうちの少なくとも１種により構成されており、具体的な一例を挙げれば、ポリチオフェンの誘導体であるポリエチレンジオキシチオフェンなどにより構成されている。また、ドーパントは、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸およびその塩、アルキルナフタレンスルホン酸およびその塩、ならびにリン酸を含む群のうちの少なくとも１種により構成されており、具体的な一例を挙げれば、パラトルエンスルホン酸鉄またはイソピロピルナフタレンスルホン酸鉄などにより構成されている。この固体電解質層１３を含んでコンデンサ素子１０が構成されている電解コンデンサは、いわゆる固体電解コンデンサである。
【００２５】
陰極１４は、誘電体層１２および固体電解質層１３を挟んで陽極１１に対向配置された第２の電極層である。この陰極１４は、例えば、導電性を確保するための主電極層１４Ｂと、その主電極層１４Ｂと固体電解質層１３との間に配設され、主電極層１４Ｂを固体電解質層１３に電気的に接合させるための副電極層１４Ａとを含み、すなわち副電極層１４Ａおよび主電極層１４Ｂがこの順に積層された２層構造を有している。特に、副電極層１４Ａは、上記したように主電極層１４Ｂを固体電解質層１３に電気的に接合させる機能の他に、例えば、主電極層１４Ｂを固体電解質層１３に直接的に接触させた場合に、高温高湿環境中において主電極層１４Ｂ中の特定成分（例えば銀（Ａｇ））のマイグレーションを防止する機能も有している。副電極層１４Ａは、例えば、カーボンを含んで構成されており、主電極層１４Ｂは、例えば、金属（例えば銀（Ａｇ））を含んで構成されている。ただし、陽極１４は必ずしも２層構造を有している必要はなく、例えば、３層以上の積層構造を有していてもよいし、あるいは単層構造を有していてもよい。
【００２６】
ＰＴＣ層３０は、所定の温度範囲内において温度の上昇に応じて抵抗が上昇し、より具体的には抵抗が指数関数的に上昇する機能（いわゆるＰＴＣ機能）を有する抵抗制御層である。具体的には、ＰＴＣ層３０は、例えば、約６０℃以上１５０℃以下の温度範囲内において抵抗が（常温の抵抗と比較して）約１０００倍以上上昇するものである。このＰＴＣ層３０は、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状構造を有しており、いわゆるポリマーＰＴＣ（Ｐ（Polymer ）−ＰＴＣ）層である。このＰＴＣ層３０を構成する高分子は、例えば、熱硬化性高分子や熱可塑性高分子などである。具体的には、熱硬化性高分子としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、フェノール樹脂、あるいはシリコーン樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、オレフィン系ポリマー（例えばポリエチレン、エチレン−酢酸ビニルコポリマーまたはポリアルキルアクリレートなど）、ハロゲン系ポリマー（例えばフッ素系ポリマー（ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレンまたはこれらのコポリマー等）または塩素系ポリマー（塩素化ポリエチレン等）など）、ポリアミド、ポリスチレン、ポリアルキレンオキサイド、あるいは熱可塑性ポリエステルなどが挙げられる。また、導電性粒子は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）などの金属粒子、炭化タングステン（ＷＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、ホウ化チタン（ＴｉＢ2 ）、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）およびホウ化タンタル（ＴａＢ2 ）などの導電性セラミック粒子、ならびにカーボンブラック（Ｃ）などのカーボン粒子を含む群のうちの少なくとも１種である。
【００２７】
特に、シート状構造を有するＰＴＣ層３０は、陰極１４に近い側の下面Ｍ１（第１の面）および遠い側（陰極リード２２に近い側）の上面Ｍ２（第２の面）を有しており、このＰＴＣ層３０の下面Ｍ１および上面Ｍ２のうちの少なくとも一方には、導電性粒子を露出させるための表面処理が施されている。このＰＴＣ層３０では、例えば、下面Ｍ１のみに表面処理が施されている。この表面処理とは、例えば、プラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種である。このＰＴＣ層３０は、上記したように、下面Ｍ１において導電性接着剤４１を介して陰極１４に電気的に接続されていると共に、上面Ｍ２において導電性接着剤４２を介して陰極リード２２に電気的に接続されている。なお、表面処理が施されたＰＴＣ層３０の下面Ｍ１の表面構造の詳細に関しては後述する（図４参照）。
【００２８】
導電性接着剤４１は、ＰＴＣ層３０を陰極１４に電気的に接続させるための第１の導電性接着剤であり、例えば、金属（例えば銀（Ａｇ））を含むペースト状の接着剤である。また、導電性接着剤４２は、ＰＴＣ層３０を陰極リード２２に電気的に接続させるための第２の導電性接着剤であり、例えば、導電性接着剤３１と同様の接着剤である。
【００２９】
陽極リード２１および陰極リード２２は、いずれもコンデンサ素子１０を通電させるための電極リードである。これらの陽極リード２１および陰極リード２２は、例えば、いずれも鉄（Ｆｅ）または銅（Ｃｕ）などの金属や、これらの金属にめっき処理（例えば錫（Ｓｎ）めっきまたは錫鉛（ＳｎＰｂ）めっき）が施されためっき処理金属により構成されており、それぞれコンデンサ素子１０のうちの陽極１１および陰極１４に接続されている。
【００３０】
なお、参考までに、モールド樹脂は、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂により構成されている。
【００３１】
次に、図３を参照して、コンデンサ素子１０の詳細な構成について説明する。図３は、図２に示したコンデンサ素子１０の断面構成を部分的に拡大して表している。なお、図３では、図２に示した陰極リード２２、ＰＴＣ層３０および導電性接着剤４１，４２の図示を省略している。
【００３２】
コンデンサ素子１０では、例えば、図３に示したように、陽極１１を覆うように誘電体層１２、固体電解質層１３および陰極１４（副電極層１４Ａ，主電極層１４Ｂ）がこの順に積層されている。このコンデンサ素子１０では、陽極１１の表面積を増大させることにより高容量化を実現するために、上記したように、その陽極１１に拡面化処理（または粗面化処理）が施されており、すなわち陽極１１が微細な表面凹凸構造を有している。この陽極１１の表面凹凸構造を反映して、その陽極１１を覆うように配設されている誘電体層１２は微細な凹凸構造を有しており、この微細な凹凸構造を有する誘電体層１２を覆うように固体電解質層１３および陰極１４（副電極層１４Ａ，主電極層１４Ｂ）が配設されている。特に、誘電体層１２は、凹凸構造のうちの凹部として複数の細孔１２Ｈを構成しており、固体電解質層１３は、誘電体層１２により構成された複数の細孔１２Ｈに部分的に入り込んでいる。
【００３３】
次に、図４を参照して、電解コンデンサの詳細な構成について説明する。図４は、図２に示した電解コンデンサの断面構成を部分的に拡大して表している。
【００３４】
ＰＴＣ層３０では、上記したように、導電性粒子を露出させるための表面処理が下面Ｍ１に施されている。具体的には、例えば、図４に示したように、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１では、下面Ｍ１近傍に分布する導電性粒子３１の周辺において、その導電性粒子３１に沿って高分子３２が部分的に除去されており、その高分子３２が部分的に除去された領域として窪み３０Ｋが形成されている。この導電性粒子３１は、高分子３２中において略線状に連結されており、すなわち電流経路としてのチェーン（いわゆる導電パス）を構築している。特に、ＰＴＣ層３０では、例えば、導電性粒子３１と導電性接着剤４１との間の接触面積（電気的な接続面積）を増加させることにより、そのＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗を低下させるために、除去深さＤが導電性粒子３１の粒径（平均粒径）Ｓの約１／３以上に達するまで高分子３２が部分的に除去されることにより窪み３０Ｋが形成されている。なお、図４では、高分子３２中に保持されている導電性粒子３１のうち、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１近傍に分布している導電性粒子３１のみを示している。
【００３５】
図１〜図４に示した電解コンデンサでは、陽極リード２１および陰極リード２２を通じてコンデンサ素子１０が通電されることにより、そのコンデンサ素子１０において電荷が蓄えられる。この際、ＰＴＣ機能を有するＰＴＣ層３０を利用して、短絡時の発熱に起因する電解コンデンサの破壊が防止される。すなわち、例えば、電解コンデンサに過電圧や逆電圧が印加された場合に、誘電体層１２が部分的に破損して短絡したことに起因して陽極１１と固体電解質層１３および陰極１４との間に過電流が流れて発熱すると、その短絡時の発熱に基づいてＰＴＣ層３０の温度が上昇することにより抵抗が指数関数的に上昇する結果、コンデンサ素子１０中を流れる過電流が抑制されるため、その過電流に起因してコンデンサ素子１０が破壊されにくくなる。なお、ＰＴＣ層３０の温度が上昇する要因としては、例えば、上記した短絡時の発熱の他に、過電流に起因するジュール熱も含まれる。こののち、ＰＴＣ層３０の温度が低下すると、その温度低下に応じてＰＴＣ層３０の抵抗が低下するため、コンデンサ素子１０が通電可能な状態に復帰する。
【００３６】
なお、ＰＴＣ層３０がＰＴＣ機能を有する原理は、以下の通りである。すなわち、図４を参照して説明すると、温度上昇前の段階では、上記したように、ＰＴＣ層３０を構成している高分子３２中において導電性粒子３１がチェーンを構築しており、そのチェーンが高分子３２により安定に保持されているため、そのチェーンの存在に基づいてＰＴＣ層３０が低抵抗状態にある。しかしながら、ＰＴＣ層３０の温度が上昇すると、高分子３２の膨張現象に起因してチェーンが切断されるため、ＰＴＣ層３０が高抵抗状態になる。もちろん、ＰＴＣ層３０の温度が低下すると、高分子３２の収縮現象に基づいてチェーンが再構築されるため、ＰＴＣ層３０が再び低抵抗状態となる。したがって、上記したチェーンの構築・切断・再構築メカニズムを利用してＰＴＣ層３０の抵抗状態が可逆的に変化可能なため、そのＰＴＣ層３０がＰＴＣ機能を有するのである。
【００３７】
次に、図１〜図５を参照して、本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの製造方法として、図１〜図４に示した電解コンデンサの製造方法について説明する。図５は、電解コンデンサの製造方法に関する製造工程の流れを説明するためのものである。なお、以下では、電解コンデンサを構成する各構成要素の材質に関しては既に詳細に説明したので、その説明を随時省略するものとする。
【００３８】
電解コンデンサを製造する際には、まず、図１〜図３に示したコンデンサ素子１０を形成する。すなわち、まず、陽極１１として、例えば、拡面化処理が施された処理済みの弁作用金属箔（例えばアルミニウム箔やチタン箔）、すなわち微細な表面凹凸構造を有する陽極１１を準備する（図５；ステップＳ１０１）。この陽極１１としては、例えば、上記した拡面化処理済みの弁作用金属箔に代えて、タンタルまたはニオブなどの弁作用金属焼結体も使用可能である。なお、陽極１１を準備する際には、例えば、上記したように拡面化処理済みの弁作用金属箔を使用する代わりに、未処理の弁作用金属箔を使用し、化学的または電気化学的エッチングを使用して弁作用金属箔に拡面化処理を施すことにより陽極１１を形成してもよい。
【００３９】
続いて、陽極１１の表層を陽極酸化することにより、その陽極１１の周囲を部分的に覆うように酸化皮膜よりなる誘電体層１２を形成する（図５；ステップＳ１０２）。この誘電体層１２としては、例えば、陽極１１の形成材料としてアルミニウム箔を使用した場合には、酸化アルミニウムの皮膜により構成されるように誘電体層１２を形成可能である。この誘電体層１２を形成する際には、例えば、陽極１１を化成溶液に浸漬させたのち、その陽極１２に電圧を印加することにより陽極酸化反応を進行させるようにする。この化成溶液としては、例えば、ホウ酸アンモニウム、リン酸アンモニウムまたは有機酸アンモニウムなどを含む緩衝溶液を使用し、具体的にはアジピン酸アンモニウム水溶液などを使用する。なお、陽極１１に印加する電圧は、例えば、誘電体層１２の形成厚さに応じて数Ｖ〜数百Ｖの範囲内で自由に設定可能である。
【００４０】
続いて、誘電体層１２を覆うように、ドーパントがドープされた導電性高分子を生成することにより、その導電性高分子を含むように固体電解質層１３を形成する（図５；ステップＳ１０３）。この固体電解質層１３を形成する際には、例えば、単量体、ドーパントおよび酸化剤を溶媒に分散させた溶液（単量体溶液）を調製し、その単量体溶液を誘電体層１２の表面に塗布したのち、単量体溶液を加熱し、その単量体溶液中の酸化剤を使用して単量体を酸化重合させることにより、導電性高分子を生成する。なお、導電性高分子を生成したのちには、例えば、水、アルコール、アセトンまたはヘキサンなどを使用して導電性高分子を洗浄することにより、導電性高分子に含まれている未重合の単量体、導電性高分子にドープされなかった過剰なドーパント、ならびに使用済みの酸化剤などを洗い流して除去するのが好ましい。単量体溶液の加熱温度および加熱時間は、例えば、単量体の反応性（重合性）や酸化剤の反応性（酸化力）等を考慮して適宜設定可能である。
【００４１】
なお、単量体溶液を調整する際には、単量体として、例えば、アニリン、ピロール、チオフェン、フラン、チオフェンビニレン、イソチアナフテン、アセチレン、ｐ−フェニレン、フェニレンビニレン、メトキシビニレン、メトキシフェニレン、フェニレンスルファイド、フェニレンオキシド、アントラセン、ナフタレン、ピレン、アズレン、セレノフェン、テルロフェンおよびこれらの誘導体を含む群のうちの少なくとも１種を使用し、具体的には３，４−エチレンジオキシチオフェンなどを使用する。
【００４２】
また、ドーパントとして、例えば、ドナー型またはアクセプター型のいずれのドーパントも使用可能であり、下記の一連の材料を含む群のうちの少なくとも１種を使用する。ドナー型のドーパントとしては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）またはカリウム（Ｋ）などのアルカリ金属や、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属等が挙げられる。一方、アクセプター型のドーパントとしては、例えば、塩素（Ｃｌ2 ）、臭素（Ｂｒ2 ）またはヨウ素（Ｉ2 ）などのハロゲンや、フッ化リン（ＰＦ3 ）、フッ化ヒ素（ＡｓＦ5 ）またはフッ化ホウ素（ＢＦ3 ）などのルイス酸や、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ3 ）、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）、リン酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）または過塩素酸（ＨＣｌＯ4 ）などのプロトン酸や、アルキルベンゼンスルホン酸（例えばパラトルエンスルホン酸）、アルキルナフタレンスルホン酸またはこれらの塩（例えばパラトルエンスルホン酸ナトリウムまたはアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム）や、塩化鉄（ＦｅＣｌ3 ）、過塩素酸鉄（ＦｅＯＣｌ2 ）、塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）または塩化タングステン（ＷＣｌ3 ）などの遷移金属化合物や、塩素イオン（Ｃｌ- ）、臭素イオン（Ｂｒ- ）、ヨウ素イオン（Ｉ- ）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ4-）、フッ化リンイオン（ＰＦ3-）、フッ化ホウ素イオン（ＢＦ3-）またはフッ化ヒ素イオン（ＡｓＦ3-）などの電解質アニオン等が挙げられる。
【００４３】
さらに、酸化剤として、例えば、ヨウ素または臭素などのハロゲンや、五フッ化ケイ素（ＳｉＦ5 ）などの金属ハロゲン化物や、硫酸などのプロトン酸や、三酸化硫黄（ＳＯ3 ）などの酸素化合物や、硫酸セリウム（Ｃｅ（ＳＯ4 ）2 ）などの硫酸塩や、過硫酸ナトリウム（Ｎａ2 Ｓ2 Ｏ8 ）などの過硫酸塩や、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）などの過酸化物や、アルキルベンゼンスルホン酸塩（例えばパラトルエンスルホン酸鉄）などを使用する。
【００４４】
なお、溶媒として、例えば、水や、ブタノールなどの有機溶媒等を使用する。
【００４５】
上記した酸化重合反応を経て生成される導電性高分子は、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリチオフェンビニレン、ポリイソチアナフテン、ポリアセチレン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリメトキシビニレン、ポリメトキシフェニレン、ポリフェニレンスルファイド、ポリフェニレンオキシド、ポリアントラセン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、ポリセレノフェン、ポリテルロフェンおよびこれらの誘導体を含む群のうちの少なくとも１種であり、具体的にはポリエチレンジオキシチオフェンである。この導電性高分子としては、例えば、高分子骨格中に一次元的連鎖を有し、かつ電子供与性機能または電子受容性機能（いわゆるドーパミン機能）を有する共役系高分子が好ましい。
【００４６】
引き続き、電解コンデンサの製造工程について説明する。陽極１１、誘電体層１２および固体電解質層１３がこの順に積層された積層構造を形成したのち、その固体電解質層１３の周囲を覆うように、陰極１４を形成する（図５；ステップＳ１０４）。この陰極１４を形成する際には、例えば、固体電解質層１３の周囲にカーボンペーストを塗布して乾燥させることにより副電極層１４Ａを形成したのち、その副電極層１４Ａ上にさらに銀ペーストを塗布して乾燥させることにより主電極層１４Ｂを形成し、これらの副電極層１４Ａと主電極層１４Ｂとがこの順に積層された積層構造を有するように陰極１４を形成する。これにより、陽極１１、誘電体層１２、固体電解質層１３および陰極１４がこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子１０が完成する（図１〜図３参照）。
【００４７】
コンデンサ素子１０を形成したのち、そのコンデンサ素子１０（陰極１４）に、ＰＴＣ機能を有するＰＴＣ層３０を接続させる（図５；ステップＳ１０５）。
【００４８】
このＰＴＣ層３０の接続手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、導電性粒子を含む高分子をシート状に成形することにより、シート状構造を有するＰＴＣ層３０を準備する（ステップＳ１０５１）。続いて、ＰＴＣ層３０のうちの陰極１４に対向することとなる下面Ｍ１およびその下面Ｍ１の反対側の上面Ｍ２のうちの少なくとも一方に、導電性粒子を露出させるための表面処理を施す（ステップＳ１０５２）。この表面処理を施す際には、例えば、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１のみに表面処理を施すようにし、その表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種を施すようにする。具体的には、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に表面処理を施すことにより、例えば、図４に示したように、導電性粒子３１に沿って高分子３２を部分的に除去し、その高分子３２が部分的に除去された領域として窪み３０Ｋを形成する。この場合には、特に、例えば、導電性粒子３１と導電性接着剤４１との間の接触面積（電気的な接続面積）を増加させることにより、ＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗を低下させるために、除去深さＤが導電性粒子３１の粒径（平均粒径）Ｓの約１／３以上に達するまで高分子３２を部分的に除去するのが好ましい。最後に、表面処理が施された下面Ｍ１において、導電性接着剤４１を使用してＰＴＣ層３０を陰極１４に接着させる（ステップＳ１０５３）。これにより、ＰＴＣ層３０が導電性接着剤４１を介して陰極１４に電気的に接続される。
【００４９】
なお、表面処理の手順は、例えば、以下の通りである。
【００５０】
第１に、表面処理としてプラズマ処理を使用する場合には、例えば、真空槽内に放電用ガスを導入してプラズマを発生させることにより、そのプラズマのイオン衝撃や、プラズマ中で生成される活性酸化性ガスを使用して、高分子３２を部分的に除去することが可能である。この放電用ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスや、酸素（Ｏ2 ）などの酸化性ガス、あるいはこれらの混合ガスを使用可能である。このプラズマ処理としては、具体的には、例えば、放電用ガスとして酸化性ガスを使用した反応性イオンエッチング処理や、放電ガスとして不活性ガスを使用した逆スパッタ処理などが挙げられる。
【００５１】
第２に、表面処理として紫外線処理を使用する場合には、例えば、紫外線を照射して高分子３２中の原子間結合を切断することにより、その高分子３２を部分的に除去することが可能である。この場合には、例えば、紫外線の照射処理を酸化性雰囲気中で行うことにより、高分子３２を除去した際に生じる分解物を酸化性ガスで酸化除去することが可能である。また、例えば、紫外線の照射処理を不活性ガス雰囲気中で行ったのち、処理後の高分子３２を水洗したり、あるいはエッチングすることによっても、その高分子２３を除去した際に生じる分解物を除去することが可能である。
【００５２】
第３に、表面処理としてオゾン処理を使用する場合には、例えば、オゾン雰囲気中に高分子３２を暴露して直接的に反応させることにより、その強力な酸化力を有するオゾンの酸化反応性を使用して高分子３２を部分的に除去することが可能である。なお、例えば、紫外線処理およびオゾン処理をそれぞれ単独で使用するだけに限らず、それらの紫外線処理およびオゾン処理の双方を併用することも可能である。
【００５３】
第４に、表面処理としてレーザ処理を使用する場合には、例えば、レーザ光を照射し、そのレーザ光の強力な光化学的励起反応性を使用して高分子３２中の分子間結合を切断することにより、その高分子３２を部分的に除去することが可能である。このレーザ処理は、一般に、レーザアブレーション法として知られており、光分解除去加工の一種である。
【００５４】
なお、上記した一連の表面処理を実施するために使用する装置や処理条件などは、自由に設定可能である。
【００５５】
引き続き、電解コンデンサの製造工程について説明する。コンデンサ素子１０にＰＴＣ層３０を接続させたのち、このＰＴＣ層３０が接続されたコンデンサ素子１０を使用して電解コンデンサを組み立てる。すなわち、例えば、コンデンサ素子１０のうちの陽極１１に陽極リード２１を接続させると共に、導電性接着剤４２を使用してＰＴＣ層３０に陰極リード２２を接着させることにより、その導電性接着剤４２を介して陰極リード２２をＰＴＣ層３０に接続させたのち（図５；ステップＳ１０６）、陽極リード２１および陰極リード２２の双方が部分的に露出するようにコンデンサ素子１０の周囲をモールド樹脂で被覆する（図５；ステップＳ１０７）。これにより、コンデンサ素子１０に陽極リード２１および陰極リード２２が接続され、それらの陽極リード２１および陰極リード２２の双方が部分的に露出するようにコンデンサ素子１０がモールド樹脂により周囲を覆われた構造を有する電解コンデンサが完成する。なお、コンデンサ素子１０に陽極リード２１を接続させる際には、例えば、溶接処理またはかしめ加工を使用して直接的に接続させるようにしてもよいし、あるいは導電性接着剤を使用して間接的に接続させるようにしてもよい。
【００５６】
本実施の形態に係る電解コンデンサの製造方法では、ＰＴＣ機能を有するＰＴＣ層３０を陰極１４に接続させるようにしたので、上記したＰＴＣ機能の原理に基づき、ＰＴＣ層３０により電解コンデンサにＰＴＣ機能が付与される。この場合には、特に、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に導電性粒子を露出させるための表面処理を施したのち、その表面処理が施された下面Ｍ１においてＰＴＣ層３０を陰極１４に接続させたことにより、図４に示したように、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１において導電性粒子３１が露出するため、図６に示したように、下面Ｍ１に表面処理を施さずにＰＴＣ層３０を陰極１４に接続させた場合、すなわちＰＴＣ層３０の下面Ｍ１において導電性粒子３１が露出していない場合と比較して、ＰＴＣ層３０（導電性粒子３１）と陰極１４との間の接触面積（電気的な接続面積）が増加するため、そのＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗が低下する。これにより、ＰＴＣ機能を利用して短絡時の発熱に起因する電解コンデンサの破壊を防止しつつ、その電解コンデンサの抵抗特性を低下させることが可能となる。したがって、ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性を可能な限り低下させることができる。
【００５７】
特に、本実施の形態では、導電性接着剤４１を使用してＰＴＣ層３０を下面Ｍ１において陰極１４に接着させるようにしたので、図４に示したように、表面処理が施されることによりＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に形成された窪み３０Ｋに導電性接着剤４１が十分に入り込む。この場合には、例えば、表面処理が施されたＰＴＣ層３０を下面Ｍ１において陰極１４に熱圧着させた場合と比較して、導電性粒子３１と導電性接着４１との間の接触面積がより増加する結果、その導電性粒子３１と陰極１４との間の電気的な接続面積がより増加するため、ＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗が著しく低下する。したがって、ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性をより低下させることができる。
【００５８】
また、本実施の形態では、図４に示したように、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に表面処理を施すことにより高分子３２を部分的に除去する際に、除去深さＤが導電性粒子３１の粒径（平均粒径）Ｓの１／３以上に達するまで高分子３２を部分的に除去するようにしたので、下面Ｍ１近傍に分布している特定の導電性粒子３１が窪み３０Ｋにおいて十分に露出し、すなわちＰＴＣ層３０と陰極１４との間で主たる電気的な接続経路を構成する導電性粒子３１の露出面積が確保される。したがって、この観点においても導電性粒子３１と陰極１４との間の電気的な接続面積が増加するため、ＰＴＣ機能を有する電解コンデンサの抵抗特性をより低下させることができる。
【００５９】
また、上記した他、本実施の形態に係る電解コンデンサでは、ＰＴＣ機能がＰＴＣ層３０において確保されつつ、そのＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗が低下する。したがって、可能な限り低抵抗でＰＴＣ機能を確保することができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１のみに表面処理を施すようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図７および図８に示したように、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１および上面Ｍ２の双方に表面処理を施すようにしてもよい。図７は電解コンデンサの製造方法に関する変形例を説明するためのものであり、図５に対応する製造工程の流れを示している。また、図８は電解コンデンサの断面構成を部分的に拡大して表しており、図４に対応する断面構成を示している。この電解コンデンサの製造方法では、図１〜図３、図７および図８に示したように、陽極１１を準備し（ステップＳ２０１）、その陽極１１上に誘電体層１２、固体電解質層１３および陰極１４を形成したのち（ステップＳ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４）、その固体電解質層１３に、導電性接着剤４１を使用して下面Ｍ１および上面Ｍ２の双方に表面処理が施されたＰＴＣ層３０を接続させる（ステップＳ２０５）。具体的には、まず、高分子中に導電性粒子が保持されたシート状のＰＴＣ層３０を準備する（ステップＳ２０５１）。続いて、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１および上面Ｍ２の双方に表面処理を施すことにより（ステップＳ２０５２）、図８に示したように、下面Ｍ１および上面Ｍ２の双方において高分子３２を部分的に除去して窪み３０Ｋを形成することにより、導電性粒子３１を露出させる。なお、表面処理として使用する処理の種類ならびに表面処理の手順は、例えば、上記実施の形態の場合と同様である。最後に、表面処理が施された下面Ｍ１において、導電性接着剤４１を使用してＰＴＣ層３０を陰極１４に接着させる（ステップＳ２０５３）。これにより、ＰＴＣ層３０が導電性接着剤４１を介して陰極１４に電気的に接続される。こののち、コンデンサ素子１０のうちの陽極１１に陽極リード２１を接続させると共に、導電性接着剤４２を使用してＰＴＣ層３０に陰極リード２２を接着させることにより、その導電性接着剤４２を介して陰極リード２２をＰＴＣ層３０に接続させたのち（ステップＳ２０６）、陽極リード２１および陰極リード２２の双方が部分的に露出するようにコンデンサ素子１０の周囲をモールド樹脂で被覆することにより（ステップＳ２０７）、電解コンデンサが完成する。この場合には、上記実施の形態において説明した表面処理に基づく作用により、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１において導電性粒子３１が露出するため、そのＰＴＣ層３０と陰極１４との間の接触抵抗が低下すると共に、上面Ｍ２においても導電性粒子３１が露出するため、ＰＴＣ層３０と陰極リード２２との間の接触抵抗も低下する。したがって、ＰＴＣ層３０と陰極１４との間、ならびにＰＴＣ層３０と陰極リード２２との間の双方において接触抵抗が低下するため、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１のみに表面処理を施した上記実施の形態の場合と比較して、電解コンデンサの抵抗特性をより低下させることができる。なお、図７に示した電解コンデンサの製造方法に関する上記した以外の手順、ならびに図８に示した電解コンデンサの構成に関する上記した以外の特徴は、例えば、それぞれ図５および図４に示した場合と同様である。
【００６１】
もちろん、本実施の形態では、図９に示したように、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に表面処理を施さず、上面Ｍ２のみに表面処理を施すようにしてもよい。この場合においても、ＰＴＣ層３０と陰極リード２２との間の接触抵抗が低下することに基づき、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図９に示した電解コンデンサの構成に関する上記した以外の特徴は、下面Ｍ１に表面処理が施されていない点を除き、例えば、図４に示した場合と同様である。また、図９に示した電解コンデンサの製造方法は、例えば、ＰＴＣ層３０の下面Ｍ１に代えて上面Ｍ２に表面処理を施す点を除き、図５に示した場合と同様である。
【００６２】
また、本実施の形態では、ＰＴＣ層３０を陰極１４に接続させる際に、導電性接着剤４１を使用してＰＴＣ層３０を陰極１４に接着させるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、導電性接着剤４１を使用する代わりに熱圧着などの接合手法を使用してＰＴＣ層３０を陰極１４に接合させるようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態とほぼ同様の効果を得ることができる。ただし、ＰＴＣ層３０を陰極１４に接合させる場合には、例えば、接合時にコンデンサ素子１０に過度な外力が加わると、その外力に起因して薄い誘電体層１２が破損しやすいため、留意する必要がある。
【実施例】
【００６３】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００６４】
上記実施の形態において説明した電解コンデンサの製造方法を使用して、電解コンデンサを製造した。すなわち、まず、陽極として処理済み（拡面化処理済み）のアルミニウム箔を準備したのち、化成溶液中においてアルミニウム箔に電圧（＝２３Ｖ）を印加し、陽極酸化反応を進行させて酸化アルミニウム皮膜を形成することにより、誘電体層を形成した。この誘電体層の形成後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で容量を測定したところ、理論容量は約１００μＦであった。続いて、単量体、ドーパントおよび酸化剤を溶媒に分散させた単量体溶液を準備し、誘電体層を形成済みの陽極を単量体溶液に３０秒間に渡って浸漬させることにより、その誘電体層の表面に単量体溶液を付着させたのち、陽極を０．５ｍｍ／秒で引き上げて室温乾燥させた。続いて、単量体溶液に浸漬済みの陽極を乾燥器に投入して加熱し、その単量体溶液に含まれている酸化剤を使用して単量体を酸化重合させることにより、ドーパントがドープされた導電性高分子を含むように固体電解質層を形成した。続いて、固体電解質層の表面にカーボンペーストを塗布して乾燥させることにより副電極層を形成し、引き続き副電極層の表面に銀ペーストを塗布して乾燥させることにより主電極層を形成し、これらの副電極層および主電極層を含む２層構造を有するように陰極を形成した。これにより、陽極、誘電体層、固体電解質層および陰極（副電極層，主電極層）がこの順に積層された積層構造を有するコンデンサ素子が形成された。続いて、導電性粒子を含む高分子をシート状に成形することによりシート状構造を有するＰＴＣ層を準備し、そのＰＴＣ層の下面（陰極に対向するととなる面）に導電性粒子を露出させるための表面処理を施したのち、導電性接着剤を使用してＰＴＣ層を下面において陰極に接着させることにより、その導電性接着剤を介してＰＴＣ層を陰極に接続させた。続いて、導電性接着剤を使用してコンデンサ素子のうちの陽極に銅製の陽極リードを接続させると共に、同様に導電性接着剤を使用してＰＴＣ層に銅製の陰極リードを接着させることにより接続させた。最後に、モールド樹脂としてエポキシ樹脂で陽極リードおよび陰極リードが部分的に露出するようにコンデンサ素子の周囲を覆うことにより、電解コンデンサが完成した。上記した導電性接着剤としては、藤倉化成株式会社製の導電性接着剤  ドータイトＸＡ−８７４を使用した。
【００６５】
なお、固体電解質層の形成手順は、以下の通りである。すなわち、まず、単量体として３，４−エチレンジオキシチオフェン（バイエル株式会社製Baytron M （商品名））、ならびにドーパント兼酸化剤としてパラトルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）５０％ブタノール溶液（バイエル株式会社製Baytron C （商品名））を氷水で十分に冷却したのち、これらの単量体およびドーパント兼酸化剤をそれぞれ０．８６７ｇ，１０．４ｇ秤量し、氷水で冷却しながらマグネチックスターラーで混合・攪拌することにより単量体溶液を調製した。続いて、誘電体層を形成済みの陽極を上記した浸漬条件で単量体溶液に浸漬させることにより、その誘電体層の表面に単量体溶液を付着させた。続いて、単量体溶液が付着された誘電体層を室温下において１時間程度放置したのち、その単量体溶液を加熱して単量体を酸化重合させることにより、誘電体層を覆うように導電性高分子としてポリエチレンジオキシチオフェンを生成した。この際、加熱条件は加熱温度＝１００℃、加熱時間＝１５分間とした。最後に、蒸留水を使用して導電性高分子を十分に洗浄することにより、未重合の単量体、過剰なドーパント、ならびに使用済みの酸化剤などを洗い流したのち、その導電性高分子を乾燥させた。なお、導電性高分子を形成する際には、上記した導電性高分子の生成手順を３回繰り返し、特に、酸化重合反応の完了時ごとに蒸留水やエタノールを使用して導電性高分子を洗浄することにより、未重合の単量体、余剰なドーパントならびに使用済みの酸化剤を随時除去した。これにより、導電性高分子を含む固体電解質層が形成された。
【００６６】
上記した電解コンデンサの製造方法を使用して、ＰＴＣ機能を有するＰＴＣ層の構成を以下のように変化させながら本発明の電解コンデンサ（実施例１〜５）を製造したのち、各電解コンデンサの諸特性を調べた。なお、本発明の電解コンデンサの諸特性を調べる際には、その性能を比較評価するために、ＰＴＣ層の構成を以下のように変化させながら比較例の電解コンデンサ（比較例１〜４）を製造すると共に、参考までにＰＴＣ層を備えないように電解コンデンサ（比較例５）を製造し、各電解コンデンサの諸特性も併せて調べた。
【００６７】
（実施例１）
以下の手順を経てＰＴＣ層を形成すると共にそのＰＴＣ層に表面処理を施すことにより、電解コンデンサを製造した。すなわち、ＰＴＣ層の準備手順として、高分子として大日本インキ化学工業株式会社製のエポキシ樹脂  ＥＰＩＣＬＯＮ８５０（エポキシ当量＝１９０ｇ／ｅｑ）と旭電化工業株式会社製のエポキシ樹脂  ＥＰ４００５（エポキシ当量＝５１０ｇ／ｅｑ）との混合物（配合重量比（ＥＰＩＣＬＯＮ８５０：ＥＰ４００５）＝７５：２５）を使用すると共に、導電性粒子として金属粒子、具体的にはINCO Limited社製のフィラメント状ニッケルパウダ（Ｎｉ）  Ｔｙｐｅ２５５（Ｎｉα；平均粒径＝２．２μｍ〜２．８μｍ，見かけ密度＝０．５０ｇ／ｃｍ3 〜０．６５ｇ／ｃｍ3 ，比表面積＝０．６８ｍ2 ／ｇ，添加重量比（高分子：導電性粒子）＝４０：６０）を使用し、高分子および導電性粒子を混合攪拌してＰＥＴ（polyethylene terephthalate）フィルムの表面に塗布したのち、その塗布物を窒素雰囲気下において１３０℃で加熱硬化させることにより、０．２ｍｍの厚さとなるようにシート状のＰＴＣ層を形成した。なお、ＰＴＣ層の形成材料としては、上記した高分子および導電性粒子と共に、硬化補助剤として、大日本インキ化学工業株式会社製の硬化剤  Ｂ５７０（酸無水物当量＝１６８ｇ／ｅｑ，液状高分子に対して当量比＝１：１）と、味の素ファインテクノ株式会社製の硬化促進剤  ＰＮ−４０Ｊ（添加量＝液状高分子の重量に対して１重量％）とを含むものを使用した。また、ＰＴＣ層に表面処理としてオゾン処理を施し、具体的には株式会社オーク製作所製のＵＶオゾンクリーナ  ＶＵＭ−３０７３−１３−００を使用し、オゾン雰囲気中においてＰＴＣ層の下面に３分間に渡って紫外線を照射することにより、除去深さが約５μｍとなるように高分子を部分的に除去して窪みを形成した。
【００６８】
（実施例２）
ＰＴＣ層に表面処理としてオゾン処理に代えてプラズマ処理を使用した点を除き、実施例１と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。具体的には、放電用ガスとして酸素（Ｏ2 ）を用いた反応性イオンエッチング型アッシング装置を使用し、圧力＝２０Ｐａ，電力密度＝０．２５Ｗ／ｃｍ３，処理時間＝１分間の条件でＰＴＣ層の下面をエッチングした。
【００６９】
（実施例３）
高分子としてAtofina Chemicals 社製のポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）  Ｋｙｎａｒ７２０１（融点＝１２２℃〜１２６℃，比重＝１．８８）を使用すると共に、導電性粒子として導電性セラミック粒子、具体的には日本新金属株式会社製の炭化タングステン（ＷＣ）  ＷＣ−Ｆ（粒径＝０．６２μｍ，添加容量比（液状高分子：導電性粒子）＝７０：３０）を使用し、アセトンおよびトルエンの混合溶媒に溶解させた高分子中において導電性粒子をボールミル攪拌することにより調製したペーストをＰＥＴフィルムの表面に塗布したのち、その塗布物を１００℃で真空乾燥させることにより、０．２ｍｍの厚さとなるようにシート状のＰＴＣ層を形成すると共に、紫外線の照射時間＝５分間，除去深さ＝２μｍの条件で高分子を部分的に除去した点を除き、実施例１と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７０】
（実施例４）
高分子として日本ポリエチレン株式会社製の直鎖状低密度ポリエチレン（Ｌ−ＬＤＰＥ；Linear Low Dnsity Polyethylene）  ＵＪ９６０（融点＝１２７℃，比重＝０．９２１）を使用すると共に、導電性粒子として金属粒子、具体的にはINCO Limited社製のフィラメント状ニッケルパウダ（Ｎｉ）  Ｔｙｐｅ２１０（Ｎｉβ；平均粒径＝０．５μｍ〜１．０μｍ，見かけ密度＝０．８０ｇ／ｃｍ3 ，比表面積＝１．５０ｍ2 ／ｇ〜２．００ｍ2 ／ｇ，添加容量比（高分子：導電性粒子）＝６５：３５）を使用し、１５０℃の混練ミル中で高分子および導電性粒子を加熱溶融して混練させたのち、その混練物を熱プレスすると共に１００ｋＧｙ（グレイ）の線量で電子線架橋させることにより、０．２ｍｍの厚さとなるようにシート状のＰＴＣ層を形成すると共に、紫外線の照射時間＝３分間，除去深さ＝３μｍの条件で高分子を部分的に除去した点を除き、実施例１と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７１】
（実施例５）
高分子として日本ポリエチレン株式会社製の高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ；High Density Polyethylene ）  ＨＹ５４０（融点＝１３５℃，比重＝０．９６１）を使用すると共に、導電性粒子としてカーボン粒子、具体的には東海カーボン株式会社製のカーボンブラック（ＣＢ；Carbon Black）  ＃４５００  トーカブラック（粒径＝４０ｎｍ，ＤＢＰ給油量＝１６８ｃｃ／１００ｇ，比表面積＝５８ｍ2 ／ｇ，添加容量比（高分子：導電性粒子）＝６８：３２）を使用し、１５０℃の混練ミル中で高分子および導電性粒子を加熱溶融して混練させたのち、その混練物を熱プレスすると共に１００ｋＧｙ（グレイ）の線量で電子線架橋させることにより、０．２ｍｍの厚さとなるようにシート状のＰＴＣ層を形成すると共に、紫外線の照射時間＝１分間，除去深さ＝１μｍの条件で高分子を部分的に除去した点を除き、実施例１と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７２】
（比較例１）
ＰＴＣ層の下面に表面処理を施さないことを除き、実施例１，２と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７３】
（比較例２）
ＰＴＣ層の下面に表面処理を施さないことを除き、実施例３と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７４】
（比較例３）
ＰＴＣ層の下面に表面処理を施さないことを除き、実施例４と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７５】
（比較例４）
ＰＴＣ層の下面に表面処理を施さないことを除き、実施例５と同様の手順を経ることにより電解コンデンサを製造した。
【００７６】
（比較例５）
参考までに、ＰＴＣ層を備えず、すなわちＰＴＣ機能を有しないように電解コンデンサを製造した。
【００７７】
これらの実施例１〜５および比較例１〜５の電解コンデンサの諸特性を調べたところ、表１〜表４に示した結果が得られた。表１〜表４は電解コンデンサの諸特性を表しており、その諸特性として「ＥＳＲ（Equivalent Series Resistance；等価直列抵抗，ｍΩ）」、「漏れ電流（μＡ）」および「逆電圧試験」を示している。表１〜表４のうち、表１には実施例１，２および比較例１の電解コンデンサの諸特性を示し、表２には実施３および比較例２の電解コンデンサの諸特性を示し、表３には実施例４および比較例３の電解コンデンサの諸特性を示し、表４には実施例５および比較例４の電解コンデンサの諸特性を示している。なお、参考までに、表１〜表４の全てに、比較例５の電解コンデンサの諸特性も併せて示している。「ＥＳＲ」としては、インピーダンスアナライザを使用して測定した各電解コンデンサの１００ｋＨｚのＥＳＲ値を示している。「漏れ電流」としては、各電解コンデンサに電圧（＝６．３Ｖ）を５分間に渡って印加したのちに測定した漏れ電流値を示している。「逆電圧試験」としては、各電解コンデンサに逆電圧（＝６０Ｖ）を印加した際に不具合（例えば発火または発煙等）が観察されたものを「ＮＧ」と示し、不具合が観察されなかったものを「ＯＫ」と示している。なお、表１〜表４には、参考までに、ＰＴＣ層の材料構成（高分子，導電性粒子）と共に、ＰＴＣ機能の有無、ＰＴＣ層の形成手法、ならびに表面処理の内容を併せて示している。
【００７８】
【表１】
2005294507.tif 000003
【００７９】
【表２】
2005294507.tif 000004
【００８０】
【表３】
2005294507.tif 000005
【００８１】
【表４】
2005294507.tif 000006
【００８２】
表１に示した結果から判るように、ＰＴＣ層に表面処理が施された実施例１，２の電解コンデンサとＰＴＣ層に表面処理が施されていない比較例１の電解コンデンサとの間で諸特性を比較したところ、ＰＴＣ機能を有するＰＴＣ層を備えていることに基づき、実施例１，２の電解コンデンサおよび比較例１の電解コンデンサの双方において発火や発煙等の不具合が生じなかった。また、漏れ電流は、実施例１，２の電解コンデンサと比較例１の電解コンデンサとの間でほぼ同程度であった。しかしながら、ＥＳＲは、比較例１の電解コンデンサよりも実施例１，２の電解コンデンサにおいて低くなった。すなわち、実施例１，２の電解コンデンサでは、ＰＴＣ層の下面に表面処理が施されることにより導電性粒子が露出しているため、ＰＴＣ層と陰極との間の接触抵抗が低下することに基づいてＥＳＲが低下した。このことから、実施例１，２の電解コンデンサでは、ＥＳＲおよび漏れ電流の双方が抑制されると共に発火や発煙などの不具合の発生が防止され、特に、それらの電解コンデンサの抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。なお、参考までにＰＴＣ層を備えた実施例１，２の電解コンデンサとＰＴＣ層を備えていない比較例５の電解コンデンサとの間で諸特性を調べたところ、比較例５の電解コンデンサでは、ＥＳＲおよび漏れ電流の双方に関しては実施例１，２の電解コンデンサとほぼ同程度であったが、実施例１，２の電解コンデンサとは異なり、ＰＴＣ機能を有していないために逆電圧試験で発煙が生じた。
【００８３】
また、表２に示した結果から判るように、ＰＴＣ層に表面処理が施された実施例３の電解コンデンサとＰＴＣ層に表面処理が施されていない比較例２の電解コンデンサとの間で諸特性を比較したところ、この場合においても表１に示した結果と同様に、漏れ電流および逆電圧試験の結果は実施例３の電解コンデンサと比較例２の電解コンデンサとの間でほぼ同程度であったが、ＥＳＲは比較例２の電解コンデンサよりも実施例３の電解コンデンサにおいて低くなった。このことから、実施例３の電解コンデンサにおいても、ＥＳＲおよび漏れ電流の双方が抑制されると共に発火や発煙などの不具合の発生が防止される結果、抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。
【００８４】
さらに、表３に示した結果から判るように、ＰＴＣ層に表面処理が施された実施例４の電解コンデンサとＰＴＣ層に表面処理が施されていない比較例３の電解コンデンサとの間で諸特性を比較したところ、この場合においても表１に示した結果と同様に、漏れ電流および逆電圧試験の結果は実施例４の電解コンデンサと比較例３の電解コンデンサとの間でほぼ同程度であったが、ＥＳＲは比較例３の電解コンデンサよりも実施例４の電解コンデンサにおいて低くなった。このことから、実施例４の電解コンデンサにおいても、ＥＳＲおよび漏れ電流の双方が抑制されると共に発火や発煙などの不具合の発生が防止される結果、抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。
【００８５】
最後に、表４に示した結果から判るように、ＰＴＣ層に表面処理が施された実施例５の電解コンデンサとＰＴＣ層に表面処理が施されていない比較例４の電解コンデンサとの間で諸特性を比較したところ、この場合においても表１に示した結果と同様に、漏れ電流および逆電圧試験の結果は実施例５の電解コンデンサと比較例４の電解コンデンサとの間でほぼ同程度であったが、ＥＳＲは比較例４の電解コンデンサよりも実施例５の電解コンデンサにおいて低くなった。このことから、実施例５の電解コンデンサにおいても、ＥＳＲおよび漏れ電流の双方が抑制されると共に発火や発煙などの不具合の発生が防止される結果、抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。
【００８６】
以上説明したように、本発明（実施例１〜５）の電解コンデンサでは、いずれの場合においても抵抗特性を低下させることが可能であった。特に、本発明の電解コンデンサ間でＥＳＲを比較したところ、導電性粒子としてカーボン粒子を使用した実施例５の電解コンデンサよりも、導電性粒子として金属粒子または導電性セラミック粒子を使用した実施例１〜４の電解コンデンサにおいてＥＳＲを低下させることが可能であることが確認された。
【００８７】
なお、具体的にデータを示した上で説明しないが、ＰＴＣ層の下面に表面処理としてプラズマ処理およびオゾン処理に代えて紫外線処理およびレーザ処理を施して電解コンデンサを製造することにより同様に諸特性を調べたところ、いずれの電解コンデンサにおいても実施例１〜５の電解コンデンサに関して得られた結果と同様の結果が得られた。このことから、表面処理の処理内容にかかわらず、ＰＴＣ層の下面に導電性粒子を露出させるための表面処理を施すことにより、電解コンデンサの抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。
【００８８】
また、同様に具体的にデータを示した上で説明しないが、ＰＴＣ層の下面のみに表面処理が施された電解コンデンサに代えて、ＰＴＣ層の上面のみに表面処理が施された電解コンデンサ、ならびにＰＴＣ層の上面および下面の双方に表面処理が施された電解コンデンサを製造することにより同様に諸特性を調べたところ、やはりいずれの電解コンデンサにおいても実施例１〜５の電解コンデンサに関して得られた結果と同様の結果が得られた。このことから、ＰＴＣ層に表面処理を施すことにより、電解コンデンサの抵抗特性を低下させることが可能であることが確認された。
【００８９】
参考までに、実施例１〜５および比較例１〜４のＰＴＣ層に関してＰＴＣ特性を調べたところ、表５に示した結果が得られた。表５はＰＴＣ層のＰＴＣ特性を表しており、そのＰＴＣ特性として「室温抵抗（ｍΩ）」、「動作開始温度（℃）」および「抵抗変化率（桁数）」を示している。この「動作開始温度」は、２５℃で示した抵抗値と比較して、その抵抗値の５倍の抵抗値を示した温度である。また、「抵抗変化率」は、抵抗の上昇桁数を表しており、すなわち室温抵抗Ｒ１とＰＴＣ機能に基づいて上昇した抵抗Ｒ２との間にＲ２＝１０x ×Ｒ１の関係が成立している場合の桁数ｘを表している。ＰＴＣ特性を調べる際には、実施例１〜３および比較例１，２に関しては、ＰＴＣの形成材料（導電性粒子を含む高分子）を２枚の電解ニッケル箔電極（２５μｍ厚）間において０．２ｍｍの厚さとなるように膜化することにより電極付きＰＴＣシートを作製し、直径１０ｍｍの円盤状に打ち抜いたのち、その電極付きＰＴＣシートを恒温槽中に投入し、２５℃〜１６０℃の範囲内において２℃／分で昇温させながら４端子法で２℃ごとに抵抗を測定した。また、実施例４，５および比較例３，４に関しては、２枚の電解ニッケル箔電極間にＰＴＣ層を熱圧着した点を除いて実施例１〜３および実施例１，２の場合と同様の手順を経ることにより電極付きＰＴＣシートを作製し、その電極付きＰＴＣシートの抵抗を同条件で測定した。
【００９０】
【表５】
2005294507.tif 000007
【００９１】
表５に示した結果から判るように、実施例１〜５および比較例１〜４のＰＴＣ層では、いずれの場合においても３桁以上の抵抗変化率が得られ、すなわち抵抗が１０００倍以上に上昇した。このことから、実施例１〜５および比較例１〜４のＰＴＣ層は、ＰＴＣ機能を発揮し得るだけの十分な抵抗変化率を有していることが確認された。なお、具体的にデータを示した上で説明しないが、確認までに、ＰＴＣ機能を有していないカーボンブラックペースト（実施例１〜５および比較例１〜４の副電極層）および同様にＰＴＣ機能を有していない銀ペースト（実施例１〜５および比較例１〜４の主電極層）の抵抗特性を調べ、具体的には、ディップ法を使用して３０ｍｍ×３０ｍｍ寸法のガラス板上に各ペーストを成膜（加熱・乾燥を含む）したのち、金属クリップで挟んで各ペーストの室温抵抗を測定すると共に、１５０℃の恒温槽中で同様に各ペーストの抵抗を測定したところ、各ペーストの抵抗の上昇率は２０％以内に留まり、ＰＴＣ機能を発揮し得るだけの十分な抵抗変化率が得られなかった。
【００９２】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態や実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、上記実施の形態および実施例では、ＰＴＣ層に施す表面処理、すなわち導電性粒子を露出させるための表面処理としてプラズマ処理、紫外線処理、オゾン処理およびレーザ処理のうちの少なくとも１種を施すようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、上記したように、導電性粒子を露出させることによりＰＴＣ層と陰極または陰極リード２２との間の接触抵抗を低下させることが可能な限り、表面処理としては上記した一連の処理以外の他の処理を使用してもよい。この「他の処理」としては、例えば、表面凹凸構造を有する金属箔の表面にシート状構造を有するＰＴＣ層を貼り付けたのち、そのＰＴＣ層を金属箔から剥がすことにより、その金属箔の表面凹凸構造を利用してＰＴＣ層の表面を荒らす（導電性粒子が露出するように高分子を部分的に除去する）手法が挙げられる。この他の処理を使用して表面処理を行った場合においても、上記実施の形態および実施例と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明に係る電解コンデンサおよびその製造方法は、電気的反応を生じる主要部（コンデンサ素子）が固体材料（導電性高分子）を含んで構成された固体電解コンデンサおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの外観構成を表す外観図である。
【図２】図１に示した電解コンデンサのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成を拡大して表す断面図である。
【図３】図２に示したコンデンサ素子の断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図４】図２に示した電解コンデンサの断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの製造方法に関する製造工程の流れを説明するための流れ図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサに対する比較例の電解コンデンサの断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの製造方法に関する変形例を説明するための流れ図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの構成に関する変形例を表す断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る電解コンデンサの構成に関する他の変形例を表す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０…コンデンサ素子、１１…陽極、１２…誘電体層、１２Ｈ…細孔、１３…固体電解質層、１４…陰極、１４Ａ…副電極層、１４Ｂ…主電極層、２１…陽極リード、２２…陰極リード、３０…ＰＴＣ層、３１…導電性粒子、３２…高分子、４１，４２…導電性接着剤、Ｄ…除去深さ、Ｍ１…下面、Ｍ２…上面、Ｓ…粒径。
【図１】
2005294507.tif 000008
【図２】
2005294507.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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