(57)【要約】【課題】  駆動用ＩＣの樹脂突起と表示体装置の基板上に形成された電極端子との接続信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置の実装方法、回路基板、電気光学装置並びに電子機器を提供する。【解決手段】  電極２と、電極２よりも突出し、かつ樹脂により形成された凸部４と、電極２に電気的に接続され、かつ凸部４の上面に到る導電部５と、を備えた半導体装置１０を、接合材を介して所定の基板に実装する半導体装置の実装方法であって、樹脂のガラス転移温度を含む温度範囲内で加熱加圧処理を施すことにより半導体装置１０を実装することを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により形成された凸部と、前記電極に電気的に接続され、かつ前記凸部の上面に到る導電部と、を備えた半導体装置を、接合材を介して基板に実装する半導体装置の実装方法であって、
前記樹脂のガラス転移温度を含む温度範囲内で加熱加圧処理を施すことにより前記半導体装置を実装することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記半導体装置を実装する際の温度が、前記樹脂の弾性率が低下を開始する温度以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記樹脂としてポリイミドを用い、前記半導体装置を実装する際の温度が、２００℃以上かつ２６０℃以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記樹脂が、アクリル系樹脂又はフェノール系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極にわたって連続して前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電部を形成し、前記導電部と前記電極と電気的に接続することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項６】
前記導電部を形成する工程において、
スパッタ法により導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記電極に接続され
、かつ前記凸部の上面に到る第１導電層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項
５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電部を形成する工程において、
前記導電層上にメッキ法により第２導電層を形成し、前記第２導電層に覆われていない導電層を除去して第１導電層を形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合材が非導電性接合材であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の実装方法により製造された半導体装置を備えることを特徴とする回路基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装方法、回路基板、電気光学装置並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示体装置の基板上に駆動用ＩＣを実装するための接続方法としては、例えばＣＯＧ（Chip On Glass）接続が知られている。このＣＯＧ接続では、例えばＡｕメッキバンプを駆動用ＩＣに形成し、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）の導電性の接合材を用いて、駆動用ＩＣに形成されたバンプと表示体装置の基板上に形成された電極端子とを電気的に接続し、駆動用ＩＣを実装するといった方法が採られている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００３】
しかしながら、駆動用ＩＣの電極の微細化（狭ピッチ化）にともない、上述したＡＣＦ、ＡＣＰといった導電性の接着剤中の導電性微粒子の寸法が、上記電極ギャップ寸法に近づいている。そのため、駆動用ＩＣの電極間でショートを引き起こしてしまう場合があり、導電性の接合材を使用して駆動用ＩＣを実装することが困難となった。
そこで、駆動用ＩＣの電極の狭ピッチ化にともない、ＡＣＰ、ＡＣＦ等の導電性の接合材に代わる接合材として、導電粒子を含有しない非導電性膜（ＮＣＦ）等が広く利用されている。また、上記駆動用ＩＣに形成されるバンプには、耐熱性に優れたポリイミドをコアとする樹脂が使用されている（例えば、特許文献３）。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【特許文献２】特開平３−９６９２１号公報
【特許文献３】特開平６−３０２６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ポリイミドからなる樹脂突起では、駆動用ＩＣの実装温度状態（高温）においても弾性率が高く、実装時に樹脂の変形が起こらず、接続信頼性が低下するといった問題が生じた。詳細には、ＣＯＧ実装には、ＮＣＰを用いて駆動用ＩＣの電極と表示体装置の基板上の電極端子とを電気的に接続し、さらに、この状態を固定、保持する。しかし、駆動用ＩＣの電極を構成するポリイミドからなる樹脂突起は、加熱加圧により樹脂が硬化収縮し、樹脂突起の頂部の周縁部が隆起する。これにより、樹脂突起の頂部の中央部が周縁部と比較して窪んでしまう。そのため、ＣＯＧ実装時に、ＮＣＦが樹脂突起の頂部の窪んだ部分に残留してしまい、係る部分においては導通不良が生じる場合がある。この結果、装置全体としても導通不良による接続信頼性の低下を招くおそれがある。
そこで、この問題を解決するために、シリコーンを主成分とする弾性率が低い樹脂をバンプに用いることにより、実装時に樹脂を変形させて樹脂突起の周縁部の隆起を回避させ、駆動用ＩＣの外部電極と表示体装置の電極端子との接続信頼性の向上を図ることが考えられる。しかしながら、上記弾性率が低い樹脂は、一般的には、シリコーンを代表として樹脂の種類が限定されてしまうという問題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、駆動用ＩＣの樹脂突起と表示体装置の基板上に形成された電極端子との接続信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置の実装方法、回路基板、電気光学装置並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により形成された凸部と、前記電極に電気的に接続され、かつ前記凸部の上面に到る導電部と、を備えた半導体装置を、接合材を介して基板に実装する半導体装置の実装方法であって、前記樹脂のガラス転移温度を含む温度範囲内で加熱加圧処理を施すことにより前記半導体装置を実装することを特徴とする。
【０００６】
このような構成によれば、樹脂のガラス転移温度を含む温度範囲内で加熱加圧処理を施すため、半導体装置を基板に実装する温度で、樹脂からなる凸部の弾性率が低下する。これにより、実装時の加熱加圧処理により、半導体装置の凸部からなる外部電極が変形し、基板の電極端子と確実に接続することができる。その結果、導通不良を解消し、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、ＮＣＰ方式により接続することができるため、異方性導電粒子を含有する接合材を使用する必要がなく、低コスト化を図ることが可能となる。また、常温での弾性率が高い樹脂を用いて凸部を製造することが可能となる。その結果、樹脂の選択肢が増えるため、安価な樹脂を使用することができ、低コスト化を図ることが可能となる。さらに、上述したような樹脂を凸部に使用することにより、実装時に樹脂の弾性率が低下するため、低荷重での実装が可能となる。これにより、スイッチング素子等が存在する領域上への凸部の形成が可能となり、半導体装置上であればスイッチング素子が存在する領域であるか否かにかかわらず電極を形成することが可能となる。さらには、スイッチング素子等が存在する領域上に上記凸部を形成する場合には、従来、凸部を形成していた領域を削減することができ、この結果、半導体装置を全体的に小型化することが可能となる。
【０００７】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記半導体装置を実装する際の温度が、前記樹脂の弾性率が低下を開始する温度以上であることを特徴とする。
このような構成によれば、半導体装置を基板に実装する際に、樹脂の弾性率が低下を開始する温度以上であるため、半導体装置を基板に実装する際の加熱加圧時に、樹脂が変形することになる。この結果、半導体装置の凸部と導電部から構成される外部電極と、基板の電極とを確実に接続することが可能となり、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【０００８】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記樹脂としてポリイミドを用い、前記半導体装置を実装する際の温度が、２００℃以上かつ２６０℃以下であることも好ましい。
実装温度を２００℃以上かつ２６０℃以下とする理由は、実装温度が２００℃未満の場合には、ポリイミドからなる凸部の弾性率が高いため、半導体装置を基板に実装する際に凸部が変形せず、半導体装置と基板との導通不良が発生し、接続信頼性の向上を図ることができないからである。一方、実装温度が２６０℃超の場合には、半導体装置を基板に実装して固定、保持するために用いる接合材が、凸部の変形が開始する前に硬化が完了してしまうからである。従って、実装温度が２００℃以上かつ２６０℃以下とすれば、凸部が変形しかつ接合材が硬化する前の温度であるため、半導体装置の凸部と導電部から構成される外部電極と、基板の電極とを確実に接続することができ、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【０００９】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記樹脂が、アクリル系樹脂又はフェノール系樹脂であることも好ましい。
このような構成によれば、アクリル系樹脂又はフェノール系樹脂は、ガラス転移温度が低いため、接合材が硬化する前に、凸部の変形が開始する。この結果、半導体装置の電極と凸部から構成される外部電極と、基板の電極とを確実に接続することができ、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００１０】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極にわたって連続して前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電部を形成し、前記導電部と前記電極と電気的に接続することを特徴とするも好ましい。
このような構成によれば、凸部を個々の電極に対して独立して形成する必要がなく、製造時間の短縮化を図ることが可能となる。
【００１１】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記導電部を形成する工程において、スパッタ法により導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記電極に接続され、かつ前記凸部の上面に到る第１導電層を形成することも好ましい。
このような構成によれば、スパッタ法により形成した導電層を所定形状にパターニングすることにより、電極と凸部上面に形成される第１導電層とを電気的に接続することが可能となる。ここで、本発明において「導電層」とは、パターニングして所定形状の導電部（第１導電層，第２導電層）を形成する前の基板上に成膜した導電材料を意味している。
【００１２】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記導電部を形成する工程において、前記導電層上にメッキ法により第２導電層を形成し、前記第２導電層に覆われていない導電層を除去して第１導電層を形成することも好ましい。
このような構成によれば、電極から凸部の上面まで引き廻す導電部を第１導電層と第２導電層との２層構造とすることができる。そのため、導電部の膜厚が厚くなり、導電部の膜強度が向上する。これにより、実装時の加熱加圧による凸部の変形に対しても、導電部が凸部の変形に追従することができ、加熱加圧による導電部の断線、短絡等を回避することができる。
【００１３】
また本発明の半導体装置の実装方法は、前記接合材が非導電性接合材であることも好ましい。
このような構成によれば、実装の際に、半導体装置に形成される複数の電極間でのショートを防止することが可能となる。この結果、半導体装置の電極と凸部から構成される外部電極と、基板の電極とを確実に接続することができ、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００１４】
また本発明は、上記半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備える回路基板である。このような構成によれば、上記効果をともなった回路基板を提供することができる。また、本発明は、上記回路基板を備えることを特徴とする電気光学装置である。これにより、上記効果をともなった電気光学装置を提供することができる。さらに、本発明は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器である。これにより、上記効果をともなった電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各層や各部材等を認識可能な大きさとするため、各層や各部材毎の縮尺を適宜変更している。
【００１６】
（半導体装置）
図１（ａ）は、本発明に係る半導体装置としての、半導体素子を形成した基板の部分拡大平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、本実施の形態における基板としては、多数の半導体チップを形成した状態のシリコンウエハ等の半導体基板であってもよく、また、個々の半導体チップからなるものであってもよい。また、半導体チップの場合には、一般的には直方体（立方体を含む）であるが、その形状は限定されず球状であってもよい。また、図１（ａ）において保護膜３は容易に図を理解するために省略している。
【００１７】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置は、半導体素子を形成した基板１（半導体装置としての半導体基板）上に、電気信号の入出力を行うために設けられた電極２と、基板１の能動面を保護するために設けられた保護膜３（パッシベーション膜）と、感光性絶縁樹脂で形成され電極２と略同一ピッチに配置された突起体４（凸部）と、電極２及び突起体４の表面（頂面）を覆うように形成された第１導電層５である。
【００１８】
電極２は、図１（ｃ）に示すように、電極パッドとこの電極パッドに接続された配線とから構成されている。この配線は、後述するように基板１の能動面に搭載される半導体素子と電気的に接続される。このような電極２が基板１の端縁近傍に所定のピッチで複数形成されいる。なお、この電極２は、本実施の形態ではＡｌ(アルミニウム)で形成されているものとするが、Ａｌ以外にも、例えばＴｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）層、及びＴｉＮ層（キャップ層）を順に積層した構造であってもよい。さらに、電極２は、上記構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更してもよい。
【００１９】
保護膜３は、電極２の周辺部を覆い、その開口内に電極２の電極パッドを露出させたもので、ＳｉＯ２（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等の絶縁膜によって形成されている。この保護膜３の膜厚としては、例えば１μｍ程度である。また、保護膜３は、所定の形状、例えば矩形形状にパターニングされ、隣接する電極２を覆う保護膜３とは互いに離間して形成されている。ここで、電極２を露出させる開口については、従来の半導体装置における開口より十分小さくしてもよく、具体的には１辺を５〜１０μｍ程度とする正方形（または矩形）とすることができる。このように開口を小さくすることにより、通常の電極形成部分の面積に後述する外部電極８を十分な大きさで形成することができるようになる。なお、その場合に電極２の大きさについては、従来通りの大きさにしておいてもよく、また保護膜３の開口に合わせて小さくしてもよい。なお、保護膜３は、隣接する電極２間にわたって連続して形成することも好ましい。
【００２０】
突起体４は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１の能動面側の保護膜３の上面に、略截頭角錐状に形成されている。この突起体４は、電極２より、例えば１０〜２０μｍ程度突出する高さに形成されており、平面視したときの直径が２０〜５０μｍ程度である。そして、突起体４は、電極２と略同一ピッチに配置されている。
また、これら突起体４は、感光性絶縁樹脂によって形成されたもので、具体的にはアクリル樹脂により形成されている。このアクリル樹脂のガラス転移温度は２２０℃付近である。アクリル樹脂を使用して露光条件を調節することによって、突起体４の形状制御が可能となる。なお、上記突起体４には、アクリル樹脂以外の感光性樹脂材料を適用することも可能であり、例えば、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂等によっても形成することが可能である。これらの樹脂のガラス転移温度は、樹脂の設計により変化し、例えば、フェノール樹脂の場合には、約１００℃〜２００数十℃であり、エポキシ樹脂の場合には、約１４０℃〜２００数十℃である。
【００２１】
第１導電層５は、図１（ｃ）に示すように、上記保護膜３に設けられた開口部を含んだ保護膜３上から突起体４の上面を覆うように連続して形成され、電極２と電気的に接続されている。そして、突起体４とこの突起体４の上面を覆うようにして形成された第１導電層５とが外部電極８を構成している。また、第１導電層５は、上記突起体４の底面の短辺方向の長さと等しくなるように、所定の形状にパターニングされている。第１導電層５としては、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ、鉛フリーハンダ等の金属を使用することができる。なお、第１導電層５（積層構造の場合、少なくとも１層）は、電極よりも耐腐食性の高い材料、例えばＣｕ、ＴｉＷ、Ｃｒを用いて形成することが好ましい。これにより、電極の腐食を阻止して、電気的不良の発生を防止することが可能になるからである。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の半導体装置の製造し、製造した半導体装置を配線基板に実装する方法について図面を参照して詳細に説明する。なお、図２〜図９は、図１（ｃ）に対応した断面図、すなわち図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図に対応する断面図である。
【００２３】
まず、図２に示すように、基板１の能動面上の所定位置に複数の電極２を配置した状態に形成し、さらに、これらの電極２を露出させた状態にして保護膜３を形成する。この保護膜３の形成は、まず電極２を含む基板１上にＳｉＯ２（酸化珪素）やＳｉＮ（窒化珪素）等を成膜する。続けて、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によりＳｉＯ２上にレジスト層を形成し、所定のパターンが形成されたマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理（フォトリソグラフィー処理）を施す。その後、この所定形状にパターニングしたレジストパターンをマスクとして上記成膜したＳｉＯ２のエッチングを行う。このエッチング処理により、電極２を露出させる開口を形成し、保護膜３を得る。ここで、エッチングにはドライエッチングを用いるのが好ましく、ドライエッチングとしては反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）が好適に用いられる。ただし、エッチングとしてウエットエッチングを用いることもできる。なお、このようにして開口を形成した後には、剥離液等を用いてレジストパターンを除去する。
【００２４】
次に、図３に示すように、保護膜３上に突起体４を構成する樹脂、すなわちポジ型レジストとなるアクリル樹脂を、例えば１０〜２０μｍ程度に塗布し、さらにプリベークすることによって樹脂層４ａを形成する。そして、図４に示すように、樹脂層４ａ上に、マスク９を所定位置に位置決めしてこれを配置する。マスク９としては、例えばＣｒ等の遮光膜を形成したガラス板からなるもので、形成する半球状の突起体４の平面形状に対応した円形の開口９ａを有したものが用いられる。なお、マスク９の位置決めについては、その開口９ａが上記突起体４の形成箇所に位置するように行う。
【００２５】
次いで、このマスク９上に紫外光を照射し、開口９ａ内に露出する上記樹脂層４ａを露光する。ただし、この露光に際しては、その露光条件を調整することにより、現像後に得られる樹脂層４ａからなるパターンを、その上面が凸形状の曲面となるパターンにする。
具体的には、樹脂層４ａの材質や厚さに対して、標準的な露光量より十分に少ない量で露光する、いわゆるアンダー露光を行う。なお、実際に行う露光（アンダー露光）としては、例えば標準的な露光量の半分程度で行う。
【００２６】
このようにして、露光を行うと、マスク９の開口９ａ内に露出する樹脂層４ａでは、開口９ａの中心から周辺部に行くに連れて漸次露光量が少なくなる。従って、このようにして露光処理を行った後、現像処理を行うと、開口９ａ内に露出した樹脂層４ａにおいても、露光量が少なくなったことで生じた未露光部分が現像され、除去される。すなわち、樹脂層４ａは開口９ａの中心から周辺部に行くに連れてその表層側の露光の度合いが漸次少なくなることから、この露光の度合いが少なくなって未露光部分となった樹脂が現像・除去される。その結果、図５に示すように、樹脂層４ａは上面が凸形状の曲面となるパターン、つまり略截頭角錐状の突起体４となるのである。
【００２７】
このようにして、樹脂層４ａの未露光部分を除去して、突起体４を形成した後、図６に示すように、保護膜３の開口部に露出して形成される電極２及び突起体４の上面を含む基板１の表面全面に、スパッタリング（スパッタ法）によってＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ、鉛フリーハンダ等の金属からなる導電材料（パターニングすることにより第１導電層となる）を成膜する。この導電材料層６（導電層）の厚さとしては、例えば２００ｎｍ程度である。
【００２８】
次いで、導電材料層６上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、形成する第１導電層５の平面形状（平面パターン）に対応したマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、これを所定形状にパターニングする。これにより、図７に示すように、形成する第１導電層５のパターン形状に対応したレジストパターン１４を形成する。
【００２９】
次いで、上記導電材料層６のレジストパターン１４に覆われない部分をエッチングによって除去する。これにより、図８に示すように、保護膜３に形成された開口部を含んだ保護膜３上から突起体４の上面を覆うようにして電極２と電気的に接続される第１導電層５が形成される。なお、ここでのエッチングとしては、例えばプラズマを用いたドライエッチングや、薬液を用いるウエットエッチングなど、任意の手法を採用することができる。
最後に、図９に示すように、レジストパターン１４を除去し、さらに必要に応じてダイシングによって個片化することにより、本発明の半導体装置１０を得ることができる。
【００３０】
［第２実施形態］
以下に本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態では、半導体装置の形成方法において、電極２から突起体４の上面まで引き廻される導電部を、第１導電層５の一層により形成していた。これに対し、本実施形態では、電極２から突起体４の上面まで引き廻される導電部を、第１導電層５と第２導電層７との２層から形成する点において異なる。なお、その他の半導体装置の形成方法は、上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３１】
まず、上記第１実施形態の図２から図６に示す製造工程により、基板１上に電極２と、電極２よりも突出した樹脂からなる突起体４と、電極２に電気的に接続され、かつ突起体４上面を覆う導電材料層６（後述において第１導電層となる層）を形成する。
【００３２】
次いで、図１０に示すように、導電材料層６上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、第２導電層７の平面形状（平面パターン）に対応したマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理（フォトリソグラフィー処理）を施し、レジスト層を所定形状にパターニングする。これにより、図１０に示すように、形成する第２導電層７のパターンに対応する開口形状を有したレジストパターン１１を形成する。
【００３３】
次いで、図１１に示すように、導電材料層６のレジストパターン１１に覆われない部分、すなわち露出した導電材料層６をシード層として、電解メッキ処理を施す。電解メッキ処理により、導電材料層６上にＡｕ，Ｃｕ等のメッキ層を堆積させ、第２導電層７を形成する。このとき、第２導電層７の膜厚は、第１導電層５よりも厚く、例えば１〜２μｍ程度に形成する。第２導電層７の膜厚を１μｍ未満とした場合には、層強度が弱くなり、実装時の加熱加圧処理によって突起体４が変形した際に第１導電層５及び第２導電層７が追従できず、断線等が生じてしまうからである。一方、第２導電層７の膜厚を２μｍ超とした場合には、層厚が厚くなり膜強度は向上するが、メッキ処理の時間が長くなるとともに、狭ピッチ化が困難となるからである。
【００３４】
次に、図１２に示すように、導電材料層６上に残留したレジストパターン１１を除去する。次に、第２導電層７に覆われていない導電材料層６、すなわち非導電部となる部分をエッチング処理により除去する。エッチング処理は、第２導電層７をマスクにして、第２導電層７に覆われない導電材料層６を選択的に除去する。エッチング処理の方法としては、ドライエッチング、又はウエットエッチングのいずれも採用可能である。これにより、第２導電層７と略同形状にパターニングされた第１導電層５が形成される。このようにして、電極２上から突起体４の頂部にまで延びて形成された第１導電層５と第２導電層７との積層構造からなる導電部とを形成する。なお、本実施形態では、突起体４と突起体４上に積層される第１導電層５及び第２導電層７とで外部電極８を形成している。その後、必要に応じてダイシングによって個片化することにより、本発明の半導体装置１０を得る。
【００３５】
<電気光学装置>
続いて、上記製造方法により製造された半導体装置１０を、例えば、液晶表示装置（電気光学装置）の配線基板上に実装して液晶表示装置を製造する方法について図面を参照して説明する。この実装方法として、ＣＯＧ（Chip On Glass）接続が好適に用いられる。
【００３６】
図１３は、ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示した図である。図１３に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置５０は、金属板から成る枠状のシールドケース６８と、電気光学パネルとしての液晶パネル５２と、液晶駆動用ＬＳＩ５８と、液晶パネル５２と液晶駆動用ＬＳＩ５８の能動面に形成されたバンプとをＣＯＧ実装方式によって互いに電気的に接続するためのＡＣＦ（不図示）と、全体の強度を保つための保持部材１７２とを備えている。
【００３７】
さらに、液晶パネル５２は、配線基板２０と、この基板に対向して配置された対向基板５３と備えている。配線基板２０は、ガラス基板等から構成され、配線基板２０上には、マトリクス状に形成された複数の走査線及びデータ線と、これらに接続されたスイッチング素子（図示省略）と、このスイッチング素子に接続された画素電極（図示省略）と、上記半導体装置１０の複数の外部電極８の配置に対応して形成された複数の電極端子２２とを備えている。
【００３８】
図１４は、上記半導体装置１０を配線基板２０にＣＯＧ実装した部分を拡大した断面図である。まず、半導体装置１０に形成された外部電極８と配線基板２０に形成された電極端子２２とを接続させるための接合材２４を配線基板２０に配置する。この接合材２４は、半導体装置１０に配置しても良いし、半導体装置１０と配線基板２０との両方に配置しても良い。また、本実施の形態においては、半導体装置１０の外部電極８と配線基板２０の電極端子２２とを接続する方法として、ＮＣＰ（Non Conductive Paste）方式を採用している。従って、接合材２４としては、絶縁性樹脂であるＮＣＦが用いられる。このＮＣＦは熱硬化性のエポキシ樹脂から構成され、ガラス転移温度としては２２０℃付近である。
【００３９】
次に、接合材２４であるＮＣＰを配置した配線基板２０上に、半導体装置１０を実装する。半導体装置１０の実装は、半導体装置１０の外部電極８と配線基板２０の電極端子２２との位置を合わせを行い、フリップチップボンダにより２００℃から２６０℃の範囲内において半導体基板１と配線基板２０とを加熱加圧する。実装温度を上記範囲内とする理由は、実装温度が２００℃未満の場合には、半導体装置１０の外部電極８を構成する樹脂の弾性力が低下せず、樹脂の形状が変形しないからである。一方、２６０℃超の場合には、外部電極８を構成する樹脂の弾性力が低下し、樹脂が変形する前に、接合材２４であるＮＣＰが硬化してしまい、接続不良が発生してしまうからである。従って、本実施の形態においては、半導体装置１０の外部電極８を構成する樹脂のガラス転移温度が上記実装範囲内である約２２０℃のものを使用して、樹脂の弾性力の低下時に実装が行えるようにしている。
【００４０】
図１５は、突起体４を構成する樹脂にアクリル樹脂を使用した場合の樹脂の弾性率と実装温度との関係を示した図である。図中のグラフの横軸は実装温度（℃）の変化を示し、縦軸は樹脂の弾性力（Ｐａ）の変化を対数で示している。また、上記測定温度は３０℃から開始し、３００℃で終了した。なお、昇温速度としては４℃／minである。図１５に示すように、実装温度が約１７０℃付近において、アクリル樹脂の弾性率が低下を開始する。そして、実装温度の上昇とともに、樹脂の弾性率が低下し続けている。実装温度が２００℃から２６０℃の範囲内においては、アクリル樹脂のガラス転移温度が約２２０℃付近であるため、アクリル樹脂の弾性率が低下している。従って、フリップチップボンダによる加圧に対して、接合材２４であるＮＣＰが硬化する前、すなわち実装温度が２６０℃に達する前に、アクリル樹脂からなる突起体４が変形することになる。
【００４１】
加熱加圧処理は例えば５〜１０秒行い、樹脂からなる突起体４を変形させて半導体装置１０の外部電極８と配線基板２０の電極端子２２とを電気的に接続する。そして、上記接合材２４であるＮＣＰを硬化させて、この状態を固定、保持させる。このようにして、図１３及び１４に示すように、半導体装置１０を配線基板２０にＣＯＧ実装させる。
【００４２】
このような構成によれば、樹脂のガラス転移温度を含む温度範囲内で加熱加圧処理を施すため、半導体装置１０を基板１に実装する温度で、樹脂からなる突起体４の弾性率が低下する。これにより、実装時の加熱加圧処理により、半導体装置１０の突起体４からなる外部電極８が変形し、基板１の電極端子２２と確実に接続することができる。その結果、導通不良を解消し、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、ＮＣＰ方式により接続することができるため、異方性導電粒子を含有する接合材を使用する必要がなく、低コスト化を図ることが可能となる。また、常温での弾性率が高い樹脂を用いて突起体４を製造することが可能となる。その結果、樹脂の選択肢が増えるため、安価な樹脂を使用することができ、低コスト化を図ることが可能となる。さらに、上述したような樹脂を突起体４に使用することにより、実装時に樹脂の弾性率が低下するため、低荷重での実装が可能となる。これにより、半導体装置１０のスイッチング素子等が存在する領域上への突起体４の形成が可能となり、半導体装置１０上であればスイッチング素子が存在する領域であるか否かにかかわらず形成することが可能となる。さらには、スイッチング素子等が存在する領域上に上記突起体４を形成する場合には、従来、突起体４を形成していた領域を削減することができ、この結果、半導体装置の小型化を図ることが可能となる。
【００４３】
図１６は、上述した液晶表示装置とは、別の構成により製造した液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。図１６に示す液晶表示装置は、電気光学パネルとしてのカラーの液晶パネル５１と、この液晶パネル５１に接続されたＣＯＦ（Chip On Film）式の回路基板１００とを備えて構成されたものであり、回路基板１００は、前記半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置１０１を備えて構成されたものである。このような構成のもとに、回路基板１００は本発明の回路基板の一実施形態となっており、また液晶表示装置は本発明の電気光学装置の一実施形態となっている。なお、前記液晶表示装置においては、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、必要に応じて液晶パネル５１に付設されるようになっている。また、回路基板１００としては、ＣＯＦ式のものに限定されることなく、ＣＯＢ（Chip On Board）のものを用いることもできる。
また、本発明は、前記ＣＯＦ式のものやＣＯＢ式のもの以外にも、表示体パネル（液晶パネル）上に直接ドライバーＩＣ等を実装するＣＯＧ（Chip On Glass）式の電気光学装置にも適用可能である。
【００４４】
なお、電気光学装置としては、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ表示装置に用いることができる。図１７は、本発明による電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置に設けられる有機ＥＬパネルの断面図である。有機ＥＬパネル（電気光学パネル）３０は、基板３１上にマトリクス状にＴＦＴ（Thin Film Transistor）３２を形成し、さらにその上に複数の積層体３３を形成して概略構成されたものである。ＴＦＴ３２は、ソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極を有したもので、ゲート電極及びソース電極は、例えば図１に示した外部電極８と電気的に接続されている。前記積層体３３は、陽極層３４、正孔注入層３５、発光層３６、及び陰極層３７を含んで構成されたものである。前記陽極層３４は、ＴＦＴ３２のドレイン電極と接続されており、ＴＦＴ３２がオン状態にあるときに電流が、ＴＦＴ３２のソース電極及びドレイン電極を介して陽極層３４に供給されるようになっている。
【００４５】
以上の構成の有機ＥＬパネル３０において、陽極層３４から正孔注入層３５を介して発光層３６に注入された正孔（ホール）と、陰極層３７から発光層３６に注入された電子とが発光層３６内において再結合して生ずる光は、基板３１側から射出される。
【００４６】
次に、本実施の形態の電気光学装置が搭載される電子機器について説明する。以上に説明した電気光学装置としての液晶表示装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１８に示すノート型のパーソナルコンピュータ６０（電子機器）が製造される。
図１８は、本発明の一実施の形態による電子機器としてのノート型コンピュータを示す外観図である。図１８において６１は筐体であり、６２は液晶表示装置（電気光学装置）であり、６３はキーボードである。なお、図１８においては、液晶表示装置を備えるノート形コンピュータを示しているが、液晶表示装置に代えて有機ＥＬ表示装置を備えていても良い。
【００４７】
また、上記実施の形態では、電子機器としてノート型コンピュータを例に挙げて説明したが、これらに限らず、携帯電話、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００４８】
以上、本発明の実施の形態による半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器について説明したが、本発明は上記実施の形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。
例えば前述した実施の形態の「半導体素子」を「電子素子」に置き換えて、電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は第１実施形態に係る半導体装置の概略構成図、（ｂ）は半導体装置のＡ−Ａに沿った断面図、（ｃ）は半導体装置のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図８】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図９】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図１０】第２実施形態の半導体装置の製造工程図である。
【図１１】第２実施形態の半導体装置の製造工程図である。
【図１２】第２実施形態の半導体装置の製造工程図である。
【図１３】ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図１４】ＣＯＧ式液晶表示装置の一部の部分拡大図である。
【図１５】実装温度とアクリル樹脂の弾性力との関係を示す図である。
【図１６】ＣＯＦ式液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１８】本発明の電子機器を示す外観図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…基板、  ２…電極、  ３…保護膜、  ４…突起体(凸部)、  ４ａ…樹脂層、  ５…第１導電層（導電部）、  ６…導電材料層（導電層）、  ７…第２導電層（導電部）、
８…外部電極、  １０…半導体装置、  ２０…配線基板、  ２２…電極端子、  ２４…接合材、  ６２…液晶表示装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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