(57)【要約】      （修正有）【課題】アクティブマトリクス方式を用いた横電界方式の液晶表示装置において十分な画素容量を確保して表示品質を向上する。【解決手段】一対の基板間に液晶を挟持し、その一方の基板に、第１の電極群と、第１の電極群と絶縁層を介して交差する第２の電極群と、第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、第１の電極群と対向し前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極とが形成されている。これにより、画素電極は第１の電極群と対向して配置されて、第１の電極群と画素電極に通電することにより、基板平面に略平行な方向に横方向電界が発生し液晶の配向が制御される。第１の電極群の少なくとも一部及び画素電極の少なくとも一部は、基板又は絶縁層内において相互に対向しており、これら電極が対向した部分に画素容量が形成されて表示品質の向上が可能となる。【選択図】    図２
2005345998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一方の基板は、
透明基板と、
前記透明基板上に形成された第１の電極群と、
前記第１の電極群と絶縁層を介して交差する第２の電極群と、
前記第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、
前記第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極と、を備え、
前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記透明基板内において相互に対向していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記透明基板は複数の凹部を有し、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は前記凹部内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一方の基板は、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第１の電極群と、
前記第１の電極群と第２の絶縁層を介して交差する第２の電極群と、
前記第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、
前記第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極と、を備え、
前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記第１の絶縁層内において相互に対向していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁層は複数の凹部を有し、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は前記凹部内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記凹部内全体に配置されていることを特徴とする請求項２又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記凹部の底面及び壁面上に形成された所定厚さの膜であることを特徴とする請求項２又は４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、
透明基板に複数の第１の凹部及び第２の凹部を形成する第１工程と、
前記第１の凹部内に電極を形成し、酸化する第２工程と、
前記電極の一部を分離し、第１の電極群及びスイッチング素子を形成する第３工程と、
前記第１の電極群上に絶縁層を形成する第４工程と、
前記第１の電極群と前記絶縁層を介して交差するとともに前記スイッチング素子の一端と接続された第２の電極群、及び、前記第１の電極群と対向するとともに前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極を前記第２の凹部内に形成する第５工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、
透明基板上に、複数の第１の凹部及び第２の凹部を有する第１の絶縁層を形成する第１工程と、
前記第１の凹部内に電極を形成し、酸化する第２工程と、
前記電極の一部を分離し、第１の電極群及びスイッチング素子を形成する第３工程と、
前記第１の電極群上に第２の絶縁層を形成する第４工程と、
前記第１の電極群と前記第２の絶縁層を介して交差するとともに前記スイッチング素子の一端と接続された第２の電極群、及び、前記第１の電極群と対向するとともに前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極を前記第２の凹部内に形成する第５工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置などの電気光学装置に係り、特にいわゆる横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶表示装置は、２枚の透明基板間に液晶を封入し、各基板に設けられた透明電極により基板に垂直な方向に電界を印加することにより液晶分子の配向を制御する。これに対し、近年では、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする方式が知られている（例えば特許文献１を参照）。これらは、横電界方式、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式などと呼ばれている。
【０００３】
横電界方式を採用した液晶表示装置では、液晶分子長軸を基板に平行な状態に維持したままスイッチングするため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ないという利点がある。しかし、液晶へ書き込まれた画像信号がリークなどにより減少し、表示画像のコントラストが変化してしまうという問題がある。このため、横電界方式を採用したアクティブマトリクス駆動の液晶表示装置において、各画素に保持容量を付加する手法が提案されている（例えば特許文献２を参照）。しかし、近年はデバイス素子を微細化して開口率を向上させることが重要視されており、電極幅や配線幅が微細になるに従って十分な保持容量を確保することが困難となっている。また、アクティブマトリクス方式のスイッチ素子としてＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子などを用いる場合には、原理的に画素（補助）容量を大きくする必要がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１６２６０２号公報
【特許文献２】特開平９−２１１４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、アクティブマトリクス方式を用いた横電界方式の液晶表示装置において、十分な画素容量（保持容量）を確保して表示品質を向上することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの観点では、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、前記基板の一方は、透明基板と、前記透明基板上に形成された第１の電極群と、前記第１の電極群と絶縁層を介して交差する第２の電極群と、前記第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、前記第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極と、を備え、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記透明基板内において相互に対向している。
【０００７】
上記の電気光学装置は、例えば一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持した液晶表示装置とすることができる。一対の基板のうちの一方は、電極基板として構成され、透明基板上に、第１の電極群と、第１の電極群と絶縁層を介して交差する第２の電極群と、第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極とが形成されている。この構成により、スイッチング素子の一端には第２の電極群が接続され、スイッチング素子の他端には画素電極が接続される。また、画素電極は第１の電極群と対向して配置される。よって、第１の電極群と画素電極に通電することにより、基板平面に略平行な方向にいわゆる横方向電界が発生し、その横方向電界により液晶などの電気光学物質の配向が制御される。
【０００８】
また、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、透明基板内において相互に対向している。即ち、第１の電極群の一部と画素電極の一部は透明基板内で基板面と略垂直な方向に延在し、相互に対向している。これら電極が対向した部分に容量が形成されるので、表示品質の向上が可能となる。また、基板の厚さ方向に電極を形成するので、基板の平面形状を変更する必要がなく、微細な素子や配線のパターンの設計に影響を与えることなく画素容量の確保が可能となる。
【０００９】
上記の電気光学装置の一態様では、前記透明基板は複数の凹部を有し、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は前記凹部内に配置されている。この態様では、透明基板に凹部を設けておくことにより、第１の電極群の一部と画素電極の一部とを容易に対向配置することができる。
【００１０】
本発明の他の観点では、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法は、透明基板に複数の第１の凹部及び第２の凹部を形成する第１工程と、前記第１の凹部内に電極を形成し、酸化する第２工程と、前記電極の一部を分離し、第１の電極群及びスイッチング素子を形成する第３工程と、前記第１の電極群上に絶縁層を形成する第４工程と、前記第１の電極群と前記絶縁層を介して交差するとともに前記スイッチング素子の一端と接続された第２の電極群、及び、前記第１の電極群と対向するとともに前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極を前記第２の凹部内に形成する第５工程と、を有する。この製造方法により、上記の電気光学装置を製造することができる。
【００１１】
本発明の他の観点では、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一方の基板は、第１の絶縁層と、第１の電極群と、前記第１の電極群と第２の絶縁層を介して交差する第２の電極群と、前記第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、前記第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極と、を備え、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記絶縁層内において相互に対向している。
【００１２】
上記の電気光学装置は、例えば一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持した液晶表示装置とすることができる。一対の基板のうちの一方は、電極基板として構成され、その上に、第１の絶縁層と、第１の電極群と、第１の電極群と第２の絶縁層を介して交差する第２の電極群と、第２の電極群と一端において接続されたスイッチング素子と、第１の電極群と対向し、かつ、前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極とが形成されている。この構成により、スイッチング素子の一端には第２の電極群が接続され、スイッチング素子の他端には画素電極が接続される。また、画素電極は第１の電極群と対向して配置される。よって、第１の電極群と画素電極に通電することにより、基板平面に略平行な方向にいわゆる横方向電界が発生し、その横方向電界により液晶などの電気光学物質の配向が制御される。
【００１３】
また、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記第１の絶縁層内において相互に対向している。即ち、第１の電極群の一部と画素電極の一部は第１の絶縁層内で基板面と略垂直な方向に延在し、相互に対向している。これら電極が対向した部分に容量が形成されるので、表示品質の向上が可能となる。また、基板の厚さ方向に電極を形成するので、基板の平面形状を変更する必要がなく、微細な素子や配線のパターンの設計に影響を与えることなく画素容量の確保が可能となる。
【００１４】
上記の電気光学装置の一態様では、前記第１の絶縁層は複数の凹部を有し、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は前記凹部内に配置されている。この態様では、第１の絶縁層に凹部を設けておくことにより、第１の電極群の一部と画素電極の一部とを容易に対向配置することができる。
【００１５】
本発明の他の観点では、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法は、透明基板上に、複数の第１の凹部及び第２の凹部を有する第１の絶縁層を形成する第１工程と、前記第１の凹部内に電極を形成し、酸化する第２工程と、前記電極の一部を分離し、第１の電極群及びスイッチング素子を形成する第３工程と、前記第１の電極群上に第２の絶縁層を形成する第４工程と、前記第１の電極群と前記絶縁層を介して交差するとともに前記スイッチング素子の一端と接続された第２の電極群、及び、前記第１の電極群と対向するとともに前記スイッチング素子の他端と接続された画素電極を前記第２の凹部内に形成する第５工程と、を有する。
【００１６】
上記の電気光学装置の好適な例では、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記凹部内全体に配置されている。これにより、凹部の箇所に電極を埋め込み形成することにより、容易に画素容量を確保することができる。
また、上記の電気光学装置の他の好適な例では、前記第１の電極群の少なくとも一部及び前記画素電極の少なくとも一部は、前記凹部の底面及び壁面上に形成された所定厚さの膜とする。これにより、凹部内に入り込んだ液晶の配向が安定化するため、表示におけるスイッチングの応答速度が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
［液晶表示装置の全体構造］
図１に本発明を適用した液晶表示装置の概略構造を示す。液晶表示装置１００は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式のいわゆる横電界方式の液晶表示装置である。従来の垂直駆動型の液晶表示装置は、２枚の透明基板間に挟持された液晶に対して、透明基板面に垂直な方向に駆動電界を与えて液晶の配向を駆動している。これに対し、横電界方式の液晶表示装置では、電極構造が形成された基板側において、透明基板面に略平行な方向に駆動電界を発生させて液晶分子の配向を制御する。
【００１９】
図１において、液晶表示装置１００は、シール材３を介して貼着された下側基板１０と上側基板２０との間に液晶を封入して構成される。なお、下側基板１０は、後述する横電界方式の電極構造が形成されるため、「電極基板」とも呼ばれる。
【００２０】
図１において、下側基板１０は、ガラス基板などの透明基板１１を備え、その透明基板１１の内面側（図中上側）には、後述する横電界方式の各種の電極構造１が形成される。また、電極構造１上には配向膜１３が形成される。一方、上側基板２０は同じくガラスなどの透明基板２１を備え、その内面側（図中下側）には、カラーフィルタ２２が形成され、さらにその下側に配向膜２３が形成される。電極構造１により、矢印に示すように横方向の電界Ｅが形成され、その電界Ｅにより液晶層内の液晶分子の配向が制御される。なお、以下の実施形態では、電極構造１をＴＦＤ構造により形成するものとする。
【００２１】
以下、電極構造１の好適な実施形態について詳しく説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
図２に、第１実施形態に係る電極構造１の構成を示す。図２（ａ）は第１実施形態の電極構造１の一部（２画素分）の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における切断線Ｘ２−Ｘ２’に沿った断面図である。図２（ａ）において、電極構造１は、図示しない透明基板１１上に形成された信号電極１１０と、その上に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２を介して信号電極１１０と略直交するように形成された共通電極１１３と、共通電極１１３に一端が接続されたＴＦＤ素子部１１１と、ＴＦＤ素子部１１１の他端に接続された画素電極１１４とを備える。図示のように、画素電極１１４は、略コの字型に形成された信号電極１１０（図２（ａ）では絶縁層１１２により覆われている）の内部に配置されている。
【００２３】
図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＸ２−Ｘ２’断面を示す。図示のように、信号電極１１０及び画素電極１１４は、その一部が透明基板１１の内部に埋め込まれるように形成されている。よって、信号電極１１０と画素電極１１４とは、透明基板１１内に埋め込まれた状態で透明基板１１の厚さ方向に延在し、かつ、相互に対向している。このような構造としたのは、微細な配線などにより構成される基板面上の平面形状を維持したまま、透明基板の厚さ方向の構造により画素容量（保持容量）を増加させるためであるが、その詳細については後述する。
【００２４】
図３は、第１実施形態の電極構造の一部分の製造工程を示す平面図であり、図４及び図５はその部分断面図である。なお、図３は、縦方向に並んだ２画素分の領域を示しており、透明基板１１は図示を省略している。また、図４は図３におけるＸ１−Ｘ１’断面図であり、図５は図３におけるＸ２−Ｘ２’断面図である。
【００２５】
電極構造１の製造方法は、図５に示すように、まず、工程Ｐ０として、透明基板１１に凹部１１ａ及び１１ｂを形成する。透明基板１１はガラスなどにより構成されており、例えばフッ酸を用いたエッチングなどにより凹部１１ａ及び１１ｂを形成する。凹部１１ａは信号電極１１０を埋め込み形成するための凹部であり、凹部１１ｂは画素電極１１４を埋め込み形成するための凹部である。なお、本例では、凹部１１ａは図５（ａ）に示すように信号電極１１０及び画素電極１１４のうち１つの表示画素を構成する画素領域Ｇ（図３参照）のみに形成し、図４（ａ）に示すようにＴＦＤ素子部１１１を含む領域には形成していない。
【００２６】
次に、工程Ｐ１として、透明基板１１上、特に画素領域Ｇにおいては凹部１１ａ内にタンタル（Ｔａ）などにより信号電極１１０を形成する。具体的には、タンタルをガラスの透明基板１１上にスパッタリングにより形成し、それをフォトリソグラフィーにより図示のような形状とする。さらに、これを陽極酸化などにより酸化して表面に酸化膜（ＴａＯｘ）を形成する。
【００２７】
次に、工程Ｐ２で、形成した信号電極１１０の一部を分離してＴＦＤ素子部１１１を形成する。次に、工程Ｐ３として、ＴＦＤ素子部１１１以外の信号電極１１０のみをさらに酸化して絶縁層１１２としての酸化膜（ＴａＯｘ）を形成する。そして、工程Ｐ４として、図示のように、ＴＦＤ素子部１１１上に画素電極１１４を形成するとともに、ＴＦＤ素子部１１１及び信号電極１１０上に共通電極１１３を形成する。なお、図５（ｅ）に示すように、画素領域Ｇ内では凹部１１ｂ内に画素電極１１４を埋め込み形成する。これら画素電極１１４及び共通電極１１３は例えばクロム（Ｃｒ）などにより形成される。具体的には、例えばクロムの薄膜をスパッタリングにより形成し、それをフォトリソグラフィーにより図示のような形状にする。こうして、ＴＦＤ素子部分１１５が形成され、電極構造１が完成する。
【００２８】
信号電極１１０に走査電圧を印加し、さらに共通電極１１３に駆動電圧を印加すると、図５（ｅ）に示すように、画素電極１１４と信号電極１１０との間に横方向電界Ｅが発生する。この横方向電界Ｅにより、液晶層内の液晶分子の配向が制御される。
【００２９】
なお、本実施形態では、図２に示すように、各画素領域内において信号電極１１０及び画素電極１１４は略「く」の字型に形成されているが、これは１つの画素を、図２の上方側から見た場合と下方側から見た場合の見え方を同等とし、視野角を改善するためであり、本発明において必須の構成ではない。即ち、信号電極１１０及び画素電極１１４を図２における縦方向に直線的に形成してもかまわない。
【００３０】
次に、上記の第１実施形態の構成における画素容量の向上について説明する。図６（ａ）及び（ｂ）に第１実施形態と同様に透明基板１１に信号電極１１０及び画素電極１１４を埋め込み形成した例を示す。なお、単純化のため、信号電極１１０及び画素電極１１４を図６（ａ）に示すように直線的に形成したものとする。透明基板１１内に信号電極１１０及び画素電極１１４を深さｔ（＝２５０μｍ）だけ埋め込み形成したとすると、信号電極１１０と画素電極１１４は、それぞれ面積Ｓ（＝長さＬ×深さｔ）の領域が透明基板１１内で相互に対向することになる。この場合、相互に対向する信号電極１１０と画素電極１１４の間の画素容量Ｃは、
Ｃ＝ε・Ｓ／ｄ
で与えられる。ここで、透明基板１１を構成するガラスの誘電率ε＝５×８８５４ｆＦ／ｍとし、信号電極１１０と画素電極１１４との間隔（電極間間隔）ｄ＝７μｍとすると、画素容量Ｃは、
Ｃ＝ε・Ｓ／ｄ＝ε・２Ｌ・ｔ／ｄ
＝５×８８５４ｆＦｍ×２×７５μｍ×２５０μｍ／７μｍ＝約２４０ｆＦ
となる。これは、一般的なＴＦＤ素子の寄生容量（約３０ｆＦ程度）の約８倍であり、十分な値である。一般的にガラスは液晶と比較して絶縁性が高いので、その点でも良好な値の容量を確保することができる。
【００３１】
図７に比較例を示す。図７（ａ）は比較例の電極構造の平面構造を示し、図６（ａ）に示す第１実施形態の平面構造と同一である。図７（ｂ）は比較例の断面構造を示し、信号電極１１０及び画素電極１１４は埋め込み形成せず、透明基板１１上に薄膜として形成されている。信号電極１１０及び画素電極１１４の薄膜の厚さｔ＝０．１μｍとする。この場合、画素間間隔及び信号電極１１０と画素電極１１４の間の誘電体の誘電率にもよるが、信号電極１１０と画素電極１１４の平行パターンの容量は約３０〜５０ｆＦ／ｍほどなので、比較例における画素容量Ｃ’は、
Ｃ’＝２×７５μｍ×３０〜５０ｐＦ／ｍ＝４．５〜７．５ｆＦ
程度しか得られないことになる。
【００３２】
ＴＦＤ素子の寄生容量は一般的に３０ｆＦ程度あるので、画素容量（保持容量がある場合はそれとの合計）は好ましくはその８倍前後、少なくとも２倍以上は必要である。このため、比較例ではかなり大きな保持容量を別途形成する必要がある。例えば図７（ａ）に示す領域１１４ｘのように画素電極１１４を拡大して保持容量を付加した場合、その分開口率が低下するという欠点がある。
【００３３】
この点、上述のように、第１実施形態の電極構造では、信号電極１１０及び画素電極１１４を透明基板１１の内部に埋め込み形成しているので、平面形状を変更することなく、画素容量を増大させることができる。平面形状を変更しなくて良いということは、微細に設計された配線幅や素子幅などを変更する必要なく画素容量を確保できるという点で非常に有効である。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る電極構造について説明する。第２実施形態の電極構造は、平面形状は図６（ａ）に示すように第１実施形態と同様であるが、断面構造は図６（ｃ）に示すように凹部内に薄膜状に電極を形成している点で第１実施形態と異なる。図６（ｃ）に示すように、第２実施形態の信号電極１１０ａは凹部１１ａの底面及び壁面のみに所定厚さの薄膜状に形成される。同様に、画素電極１１４ａも凹部１１ｂの底面及び壁面のみに所定厚さの薄膜状に形成される。よって、凹部１１ａ及び１１ｂ内には電極によって埋められていない空間ＳＰが残る。図１に示すように、電極構造１上には液晶が配置されるので、この空間ＳＰ内に液晶が入り込むこととなる。
【００３５】
図６（ｂ）に示す第１実施形態の構造の場合、信号電極１１０及び画素電極１１４近傍の液晶は電界Ｅの影響を受けて配向が不安定になっており、スイッチングに対する応答が遅くなる傾向がある。これに対し、第２実施形態の構造において、空間ＳＰ内に入った液晶は、その空間を構成する信号電極１１０ａ又は画素電極１１４ａにより外部の電界Ｅから電気的にシールドされて安定しているので、スイッチングに対する応答が早くなる。この点が第１実施形態との相違であり、他の点は基本的に第１実施形態と同様である。よって、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、電極構造の深さ方向に電極を形成することにより、平面形状に影響を与えることなく、即ち開口率などを低下させることなく、画素容量を確保することができる。
【００３６】
なお、第２実施例における信号電極１１０ａ及び画素電極１１４ａの製造方法としては、透明電極１１に形成された凹部１１ａ及び１１ｂ内にタンタル又はクロムを所定厚さの薄膜状にスパッタリングする方法、又は、スパッタリング後に必要に応じて一部を除去して所定厚さとする方法などがある。
【００３７】
［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る電極構造について説明する。第１及び第２実施形態の電極構造は、図６に示すように、ガラスなどの透明基板１１内に信号電極１１０及び画素電極１１４を埋め込み形成した。これに対し、第３実施形態の電極構造は、透明基板１１上に樹脂などの誘電体により絶縁層を形成し、その絶縁層内に信号電極１１０及び画素電極１１４を埋め込み形成する。
【００３８】
図８（ａ）に第３実施形態による電極構造の平面図を示し、図８（ｂ）にその断面図を示す。図示のように、透明電極１１上に樹脂などにより絶縁層１１９を形成し、絶縁層１１９に凹部を形成し、その凹部に信号電極１１０及び画素電極１１４を埋め込み形成する。信号電極１１０と画素電極１１４との間はガラスではなく絶縁層となり、画素容量は絶縁層の誘電率により決定されることとなるが、それ以外の点は、第１実施形態と同様である。よって、第１実施形態と同様に、電極構造の深さ方向に電極を形成することにより、平面形状に影響を与えることなく、即ち開口率などを低下させることなく、画素容量を確保することができる。
【００３９】
また、第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、絶縁層１１９の凹部内に信号電極１１０及び画素電極１１４を薄膜状に形成することとしてもよい（図６（ｃ）参照）。
【００４０】
なお、上記の各実施形態では電極構造の深さ方向に電極を形成して画素容量を確保しているが、これは保持容量を形成する既知の手法との併用も可能である。即ち、本発明の方法を用いることにより、既知の手法による保持容量部分を減らすことができるので、その分開口率の低下を防止することが可能となる。
【００４１】
［変形例］
以下、本発明の電極構造の各種の変形例について説明する。
【００４２】
（第１変形例）
まず、第１変形例について説明する。第１変形例の第１実施例による電極構造１の平面図を図９（ａ）に示し、そのＸ４−Ｘ４’における断面図を図９（ｂ）に示す。第１変形例の第１実施例の電極構造は基本的に第１実施形態のものと同様である。但し、第２変形例では、図９（ａ）に示されるように、信号電極１１０上にもクロムの電極１１６又は１１７を形成して、信号電極１１０を低低抗化している。第１実施形態で説明したように、工程Ｐ３では、信号電極１１０を陽極酸化することにより、信号電極１１０の表面上に絶縁層１１２として酸化膜が形成される。その結果、信号電極１１０はその酸化膜１１２の分だけ膜厚が減少し、抵抗が大きくなる。そこで、第１変形例では、信号電極１１０上にさらにクロムの電極１１６又は１１７を形成して、信号電極１１０を低低抗化している。
【００４３】
なお、電極１１６は信号電極１１０の一部にのみクロムの電極を形成した例であり、電極１１７は信号電極１１０のほぼ全域（画素電極を挟む領域）に形成した例である。なお、実際には、電極構造１の全領域について、電極１１６又は１１７のいずれか一方を形成してもよいし、両者を組み合わせて形成してもよい。
【００４４】
電極１１６又は１１７が形成された部分では、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、タンタルの信号電極１１０上にタンタル酸化物の絶縁層１１２が形成され、その上にさらにクロムの電極１１６又は１１７が形成されることになる。このように、信号電極１１０上にクロムの電極１１６又は１１７を形成することにより、信号電極部分を低低抗化することができる。なお、クロムの電極１１６又は１１７の形成は、第１実施形態においてクロムの画素電極１１４及び共通電極１１３を形成する工程Ｐ４で同時に行うことができる。即ち、工程Ｐ４ａとして、クロムをスパッタリングにより形成した後、フォトリソグラフィーにより、画素電極１１４、共通電極１１３及び電極１１６（又は１１７）をパターニングすればよい。クロムの電極１１６、１１７を形成するために新たな工程を追加する必要はないので、工程数を増加させることなく、信号電極１１０の低抵抗化が可能となる。
【００４５】
上記の例では、図９（ｂ）に示すように、タンタルの信号電極１１０とクロムの電極１１６との間にタンタル酸化物の絶縁層１１２が介在する。よって、信号電極に与えられる駆動電圧のうち、高周波成分については信号電極１１０とクロムの電極１１６とは高周波的に短絡状態となり低抵抗化が図れるが、低周波及び直流成分についてはタンタル酸化物の絶縁層１１２が介在するため低抵抗化が不十分となりうる。
【００４６】
そこで、以下に述べる第１変形例の第２実施例では、図１０（ａ）に示すように、クロムの電極１１６を形成する領域では、信号電極１１０上のタンタル酸化物の絶縁層１１２を除去し、信号電極１１０上に直接クロムの電極１１６を形成する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、信号電極１１０の部分では、タンタルの信号電極１１０上に絶縁層を介さずにクロムの電極１１６が形成されることになり、高周波成分のみならず、低周波成分及び直流成分に対しても低低抗化が実現される。
【００４７】
この場合の製造方法は、工程Ｐ３までは第１変形例のものと同様である。工程Ｐ３で絶縁層１１２が形成された後、工程Ｐ４ｂにおいて、クロムの電極１１６を形成する領域の絶縁層１１２を除去し、その上にクロムの電極１１６を形成すればよい。もちろん、画素電極１１４及び共通電極１１３も同じ工程Ｐ４ｂにおいて形成される。
【００４８】
なお、これらはクロムの電極１１７についても同様である。同様に信号電極を低低抗化するために、工程Ｐ１に先だって、タンタルの信号電極１１０の下にクロムなどの下地電極を形成することとしてもよい。
【００４９】
以上のように第１変形例では、画素電極１１４及び共通電極１１３の形成工程において、さらに信号電極１１０上に電極１１６又は１１７を形成することにより、信号電極を低抵抗化することができる。
【００５０】
（第２変形例）
次に、第２変形例について説明する。第１変形例は信号電極を低低抗化するものであったが、第２変形例は共通電極１１３を低抵抗化するものである。図１１に、第２変形例における電極構造の製造工程を平面図により示す。図３と比較すると理解されるように、第２変形例では、共通電極１１３が形成される領域に、予めタンタルの下地電極１１８を形成しておく。これにより、共通電極１１３の部分は、タンタルの下地電極１１８上にクロムの共通電極１１３が形成された層構造となる。これは、第１変形例の図１０に示した例と同様であり、間に絶縁層が介在しないので直流成分から高周波成分に至るまで低低抗化が可能となる。
【００５１】
製造工程は、タンタルの下地電極１１８を形成する以外は、第１実施形態と基本的に同一である。即ち、図１１に示すように、工程Ｐ１１においてタンタルの信号電極１１０及び下地電極１１８を形成する。次に、工程Ｐ１２において、信号電極１１０の一部を分離してＴＦＤ素子部１１１を形成し、工程Ｐ１３において信号電極１１０上に陽極酸化などによりタンタル酸化物の絶縁層１１２を形成する。そして、工程Ｐ１４において、クロムなどの画素電極１１４及び共通電極１１３を形成する。このとき、共通電極１１３は工程Ｐ１１で形成された下地電極１１８上に形成されるので、共通電極部分の低抵抗化が可能となる。
【００５２】
なお、工程Ｐ１１において、タンタルの信号電極１１０を形成した後、陽極酸化を行った場合は、第１変形例のうち図９に示したものと同様に、タンタルの下地電極１１８とクロムの共通電極１１３との間にタンタル酸化物の絶縁層が介在することになるので、直流及び低周波成分に対する低抵抗化の効果は低下することが予想される。これに対し、工程Ｐ１１において信号電極１１０及び下地電極１１８を陽極酸化しないこととすれば、下地電極１１８と共通電極１１３との間にタンタル酸化物の絶縁層が介在しないので、直流から高周波成分に至るまで、低抵抗化が可能となる。
【００５３】
なお、第２変形例による共通電極の低低抗化は、第１変形例による信号電極の低抵抗化と同時に適用することができる。
【００５４】
（第３変形例）
次に、第３変形例について説明する。上述の第１及び第２変形例においては、信号電極１１０と共通電極１１３とを絶縁するために、タンタルなどの信号電極１１０を陽極酸化し、タンタル酸化物の絶縁層１１２を形成している。これに対し、第３変形例では、タンタル酸化物の絶縁層１１２を形成する代わりに、信号電極１１０上にアクリルなどの樹脂により絶縁層を形成し、信号電極１１０と共通電極１１３とを絶縁する。
【００５５】
図１２に、第３変形例の第１実施例による電極構造の製造工程を平面図により示す。まず、工程Ｐ２１においてガラスなどの透明基板１１上にタンタルなどの信号電極１１０を形成して酸化し、工程Ｐ２２においてその一部を分離してＴＦＤ素子部１１１を形成する。ここまでは、第１実施形態における工程Ｐ１及びＰ２と同様である。
【００５６】
次に、工程Ｐ２３において、信号電極１１０を覆うように、アクリルなど透明樹脂の絶縁層１２０を形成する。これは例えばアクリル樹脂を信号電極１１０上に塗布することにより行うことができる。次に、工程Ｐ２４において、信号電極１１０と共通電極１１３とが交差する領域１２１以外の領域において、形成した絶縁層１２０を除去する。これにより、図１２に示すように、信号電極１１０のうち、共通電極１１３と交差する領域１２１のみに樹脂絶縁層が残ることになる。
【００５７】
そして、工程Ｐ２５において、第１実施形態などと同様に、クロムなどの画素電極１１４及び共通電極１１３を形成する。このとき、領域１２１においては、工程Ｐ２３及びＰ２４において樹脂絶縁層が形成された上に共通電極１１３が形成される。よって、信号電極１１０と共通電極１１３との間に樹脂絶縁層が介在することにより、両電極は電気的に絶縁される。
【００５８】
次に、第３変形例の第２実施例について説明する。図１２に示した第１実施例では、工程Ｐ２３において信号電極全体を覆うようにアクリルなどの絶縁層１２０を形成した後、工程Ｐ２４において信号電極１１０と共通電極１１３が交差する領域１２１のみ絶縁層１２０を残し、他の領域の絶縁層１２０を除去した。その結果、最終的には、信号電極１１０と共通電極１１３とが交差する領域１２１のみに樹脂の絶縁層が残った構造となっている。これに対し、図１３に示す第２実施例では、共通電極１１３とＴＦＤ素子部１１１とが導通する領域１２３のみ樹脂絶縁層を除去する。よって、信号電極１１０と共通電極１１３とが交差する領域１２１を含む、他の領域には樹脂絶縁層が残った構造となる。
【００５９】
基本的な電極構造としては、信号電極１１０と共通電極１１３が交差する部分では両電極を絶縁することが必要であり、かつ、画素電極１１４及び共通電極１１３はＴＦＤ素子部１１１と導通する必要がある。よって、図１２の例では、信号電極１１０と共通電極１１３とが交差する部分のみに樹脂絶縁層を残し、ＴＦＤ素子１１１の部分では樹脂絶縁層を除去している。これに対し、図１３の例では、信号電極１１０と共通電極１１３とが交差する部分を含む全体領域に樹脂絶縁層を残し、ＴＦＤ素子部１１１の領域１２３のみ樹脂絶縁層を除去して、ＴＦＤ素子１１１と画素電極１１４及び共通電極１１３との導通を可能としている。
【００６０】
図１３に、第３変形例の第２実施例の電極構造の製造工程を平面図により示す。まず、工程Ｐ３１で信号電極１１０を形成して酸化し、工程Ｐ３２でその一部を分離してＴＦＤ素子部１１１を形成する。次に、信号電極１１０及びＴＦＤ素子部１１１を覆うように、アクリルなどの透明樹脂により絶縁層１２０を形成する。ここまでは、図１２に示した例の工程Ｐ２１〜Ｐ２３と同様である。
【００６１】
次に、工程Ｐ３４で、ＴＦＤ素子部１１１の領域１２３のみにおいて、アクリルの絶縁層１２０を除去する。そして、絶縁層１２０上にクロムなどの画素電極１１４及び共通電極１１３を形成する。ＴＦＤ素子部１１１の領域１２３では、工程Ｐ３４で樹脂絶縁層が除去されているので、ＴＦＤ素子１１１と画素電極１１４及び共通電極１１３との導通が確保される。
【００６２】
また、ＴＦＤ素子１１１の領域１２３以外の領域にはアクリルの絶縁層が残っているので、信号電極１１０と共通電極１１３との間にはアクリルの絶縁層が介在しており、信号電極１１０と共通電極１１３との絶縁も確保される。
【００６３】
図１４に、第３変形例の応用例を示す。図１３に示した例では、ＴＦＤ素子部１１１の領域１２３以外にアクリルの絶縁層１２０が残っているが、図１４に示す応用例では、このアクリルの絶縁層１２０をカラーフィルタ層とする。図１４は、ＲＧＢのサブピクセルから構成される縦方向の２画素分の電極構造を示している。各サブピクセル内の電極構造は図１３に示したものと同様であり、ＴＦＤ素子部１１１の領域１２３以外の領域にＲＧＢ各色のカラーフィルタと兼用のアクリル絶縁層が形成されている。このアクリル絶縁層は、図１４の左側から、赤色カラーフィルタとしても機能するアクリル絶縁層１２０Ｒ、緑色カラーフィルタとしても機能するアクリル絶縁層１２０Ｇ、及び、青色カラーフィルタとしても機能するアクリル絶縁層１２０Ｂにより構成されている。これら３つのサブピクセルにより、カラー１画素が構成される。
【００６４】
カラーフィルタと兼用のアクリル絶縁層１２０Ｒ〜１２０Ｂは、例えば各色の顔料を分散したアクリル樹脂のレジストを塗布し、露光、現像及び必要なエッチングを行うことにより形成することができる。このように、アクリルの絶縁層をカラーフィルタ層と兼用とすることにより、図１に示す上側基板２０側のカラーフィルタ層２２を省略することができ、製造工程の簡略化が可能となる。
【００６５】
（第４変形例）
次に、第４変形例について説明する。第４変形例は、電極構造１における各電極の形状の変形に関する。図１５に第４変形例による電極構造１の例を示す。上記の第１〜第３変形例では、信号電極１１０及び画素電極１１４を略「く」の字型に形成したが、図１５に示す第４変形例では、信号電極１１０及び画素電極１１４を略「へ」の字型に形成している。なお、各電極の製造方法は基本的に第１実施形態と同様である。即ち、ガラスなどの透明基板１１上にまずタンタルの信号電極１１０を形成し、必要に応じて陽極酸化した後、その一部を分離してＴＦＤ素子部１１１を形成する。次に、信号電極１１０を陽極酸化して、信号電極１１０上にタンタル酸化物により絶縁層１１２を形成し、さらにクロムなどにより画素電極１１４及び共通電極１１３を形成する。
【００６６】
なお、本実施形態の電極構造においても、第１実施形態と同様に、上述の第１〜第３変形例を適用することが可能である。
【００６７】
（第５変形例）
次に、第５変形例について説明する。第５変形例は、電極構造１における各電極の配列の応用に関する。上述の第１〜第４変形例では、画素電極の両側に信号電極を形成し、横方向電界を発生させているが、第５変形例では、１本の信号電極の両側にＴＦＤ素子及び画素電極を略対称に形成し、これにより１画素（１サブピクセル）を形成する。
【００６８】
図１６に、第５変形例に係る電極構造の第１実施例を示す。図示のように、絶縁層１１２により覆われた１本の信号電極１１０の両側にＴＦＤ素子部１１１を形成し、各々に導通するように一対の画素電極１１４を形成する。また、信号電極１１０と略直交するように共通電極１１３を形成する。１本の信号電極１１０と一対の画素電極１１４を含む領域１３０が１つのサブピクセルを形成する。この電極構造によれば、例えば図２に示す第１実施形態の電極構造と比較すると、一対の画素電極１１４により１本の信号電極１１０を共用している分、１サブピクセル当たりの開口率を向上させることができる。また、一対のＴＦＤ素子１１１及び画素電極１１４により１つのサブピクセルを構成しているので、一方のＴＦＤ素子１１１が不良となった場合でも、他方のＴＦＤ素子１１１が正常に動作していれば、そのサブピクセル自体が表示不能となることが避けられるという利点もある。
【００６９】
さらには、信号電極１１０と、その両側に形成された画素電極１１４との距離、即ち電極間隔Ｄを１つのサブピクセル内で異ならせることにより、視野角の改善が可能となる。具体的には、図１６に示すように、信号電極１１０と左側の画素電極１１４との電極間隔をＤ１、信号電極１１０と右側の画素電極１１４との電極間隔をＤ２とし、Ｄ１とＤ２とを異ならせる。これにより、信号電極１１０の両側において、画素電極１１４との間に発生する横方向電界の強度を異ならせることができる。よって、１つのサブピクセル１３０内の左右の領域で、駆動特性（液晶に対して印加する駆動電圧と、それに対する液晶層の透過率との関係を示す特性）を異ならせることができる。よって、電極間隔Ｄ１及びＤ２を適切に設定し、駆動特性を調整することにより、駆動電圧が変化しても、１サブピクセル全体として所定の透過率が得られるようにし、視野角を改善することが可能となる。さらに、電極間隔Ｄ１及びＤ２を調整することにより、１サブピクセル１３０内の左右の領域で駆動特性を異ならせ、一方を透過領域、他方を反射領域とすることもできる。
【００７０】
図１７に、第５変形例に係る電極構造の第２実施例を示す。図示のように、第２実施例は、略直交するように形成された信号電極１１０と共通電極１１３の上下左右の周辺４領域にそれぞれＴＦＤ素子部１１１及び画素電極１１４を形成し、それら４領域により１つのサブピクセルを形成する。これにより、４領域のうち３領域においてＴＦＤ素子部１１１に不良が生じても、残る１領域により表示が可能となる。また、第１実施例と同様に、各領域における電極間距離を異ならせることにより、各領域を透過領域又は反射領域として使用したり、視野角を改善することができる。
【００７１】
図１８に、第５変形例に係る電極構造の第３実施例を示す。この例では、図１７に示す第２実施例と同様に、略直交して形成された信号電極１１０と共通電極１１３とにより形成される周辺４領域にそれぞれＴＦＤ素子部１１１及び画素電極１１４を形成する。さらに、図１８の第３実施例では、ＴＦＤ素子部１１１の大きさをそれぞれ異ならせている。ＴＦＤ素子部１１１の大きさを異ならせると、スイッチング素子であるＴＦＤ素子の駆動特性が異なることとなり、印加される駆動電圧に対する液晶層の透過率の特性を各領域毎に異ならせることができる。よって、先に述べた電極間距離Ｄを調整するのと同様に、各領域を透過領域又は反射領域として使用したり、各領域で異なる特性を実現して１つのサブピクセル全体としての視野角を改善することができる。
【００７２】
（第６変形例）
次に、第６変形例について説明する。第６変形例は１画素内に透過領域と反射領域を形成する例である。
【００７３】
図１９に第６変形例の電極構造の平面図を示す。ガラス基板などの透明基板１１上にタンタルなどにより信号電極３１０を形成するとともに、信号電極３１０に囲まれた領域の一部（図１９の例では下側半分）に反射層３４１を形成する。なお、反射層３４１は絶縁性物質で形成するか、または、信号電極３１０とは絶縁させて形成する。信号電極３１０及び反射層３４１の上にアクリル樹脂などにより透明絶縁層３２０を形成し、ＴＦＤ素子部３１１に対応する領域３２２のみ透明絶縁層３２０を除去し、クロムなどにより画素電極３１４及び共通電極３１３を形成する。これにより、反射層３４１が形成された領域が反射領域として機能し、反射層３４１が形成されていない領域が透過領域として機能することとなり、半透過反射型表示が可能となる。
【００７４】
なお、図１９の例では反射層３４１を表示領域の下側半分に形成しているが、代わりに上側半分に形成することも可能である。
【００７５】
（第７変形例）
次に、第７変形例について説明する。第７変形例は電界強度の調整に関する。前述のように、１つの画素領域内において、部分的に反射層を形成することにより、半透過反射型の表示が可能となるのであるが、透過光は液晶層を１回しか通過しないのに対して、反射光は液晶層を２回通過するので、透過光と反射光では液晶層の通過により与えられる複屈折量が相違することとなる。そこで、信号電極と画素電極との電極間距離を調整することにより、電界強度を調整し、透過光と反射光の複屈折量を調整する。
【００７６】
図２０に、第７変形例による電極構造例を示す。既に説明したＩＰＳ方式の電極構造において、上側の領域を透過領域１５１とし、下側の領域を反射領域１５２とする。反射領域１５２の電極間隔Ｄ４を透過領域１５１の電極間隔Ｄ３の約２倍とすることにより、反射領域１５２における電界強度を透過領域１５１における電界強度の１／２とすることができる。これにより、透過領域１５１を１回のみ通過する透過光と、反射領域１５２を２回通過する反射光の複屈折量を同等とすることができる。
【００７７】
このように構成すると、図２０から理解されるように、透過領域１５１より反射領域１５２の方が、電極が占める面積が広くなる。よって、本実施形態による電極構造を透明基板１１上に配列する際には、図２１に示すように、隣接する画素における透過領域１５１と反射領域１５２とが隣接する組み合わせで各画素を形成すれば、透明基板１１上におけるスペース消費の無駄を低減することが可能となる。
【００７８】
（その他の変形）
上記の実施形態及びその変形例では、本発明をＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に適用しているが、本発明の適用はこれには限られず、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置にも適用可能である。例えば、図２においてＴＦＤ素子１１５の代わりに、ＴＦＴ素子を設け、このＴＦＴ素子のソース、ドレイン端子をそれぞれ共通電極１１３、画素電極１１４と接続し、ゲート端子は別途設けられるゲート制御線(図示せず)と接続すればよい。そして、ＴＦＴ素子を用いたパネルにおいては、一般に図２の共通電極１１３をソース電極として用い、信号電極１１２群を総て同電位とした対向電極として用いる。このような構成となっているのでＴＦＴ素子のオフ時のリーク電流によって生じる画素電圧(図２でいう画素電極１１４と信号電極１１２間の電位差)の変動が抑えられ、高品位な画質が得られる。また、本発明は、上述のように、微細に形成された素子及び配線形状を維持したまま、基板の深さ方向に電極を形成して画素容量を確保するものであるので、液晶装置として開口率が重視される用途に特に好適に適用することができる。
【００７９】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【００８０】
図２２は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００を構成する液晶表示パネル４００と、これを制御する制御手段４１０を有する。ここでは、液晶表示パネル４００を、パネル構造体４００Ａと、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４００Ｂとに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【００８１】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【００８２】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４００Ｂへ供給する。駆動回路４００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８３】
次に、本発明に係る液晶表示パネルを適用可能な電子機器の具体例について図２３を参照して説明する。
【００８４】
まず、本発明に係る液晶表示パネルを、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図２３（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【００８５】
続いて、本発明に係る液晶表示パネルを、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図２３（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７２４を備える。
【００８６】
なお、本発明に係る液晶表示パネルを適用可能な電子機器としては、図２３（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図２３（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【００８７】
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールド・エミッション・ディスプレイ（電界放出表示装置）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の概略構成を示す。
【図２】第１実施形態の電極構造を示す平面図及び断面図である。
【図３】第１実施形態の電極構造の製造工程を示す平面図である。
【図４】第１実施形態の電極構造の製造工程を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の電極構造の製造工程を示す断面図である。
【図６】第１及び第２実施形態の電極構造の容量を説明する図である。
【図７】比較例の電極構造の容量を説明する図である。
【図８】第３実施形態の電極構造の容量を説明する図である。
【図９】第１変形例の第１実施例の電極構造を示す図である。
【図１０】第１変形例の第２実施例の電極構造を示す図である。
【図１１】第２変形例の電極構造の製造工程を示す平面図である。
【図１２】第３変形例の第１実施例の電極構造の製造工程を示す平面図である。
【図１３】第３変形例の第２実施例の電極構造の製造工程を示す平面図である。
【図１４】第３変形例の応用例の平面図である。
【図１５】第４変形例の電極構造の平面図である。
【図１６】第５変形例の第１実施例の電極構造の平面図である。
【図１７】第５変形例の第２実施例の電極構造の平面図である。
【図１８】第５変形例の第３実施例の電極構造の平面図である。
【図１９】第６変形例の電極構造の平面図である。
【図２０】第７変形例の電極構造の平面図である。
【図２１】第７変形例の電極構造の配列例を示す平面図である。
【図２２】本発明を適用した電子機器の回路構成を示す概略ブロック図である。
【図２３】本発明を適用した電子機器の例を示す。
【符号の説明】
【００８９】
１  電極構造、  １０  下側基板、  １１  透明基板、１３、２３  配向膜、
２０  上側基板、  ２１  透明基板、  ２２  カラーフィルタ、
１１０、２１０、３１０  信号電極、  １１１  ＴＦＤ素子部、  １１２  絶縁層、
１１３、２１３  共通電極、  １１４、２１４  画素電極、  １２０  樹脂絶縁層
【図１】
2005345998.tif 000003
【図２】
2005345998.tif 000004
【図３】
2005345998.tif 000005
【図４】
2005345998.tif 000006
【図５】
2005345998.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005345998.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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