(57)【要約】【課題】封口体の実装性に優れ、信頼性に優れた電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔をセパレータとともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させてなるコンデンサ素子１１を有底筒状の金属ケース１２に内蔵し、この金属ケース１２の開口部を封口体１３により密閉して前記夫々のリードを封口体１３の外表面に沿って折り曲げたチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、前記封口体１３が不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗ以上で、かつ半田リフロー温度における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上を有する構成としたチップ型アルミ電解コンデンサ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔をセパレータとともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させてなるコンデンサ素子を有底筒状の金属ケースに内蔵し、この金属ケースの開口部を封口体により密閉して前記夫々のリードを封口体の外表面に沿って折り曲げたチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、前記封口体が不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗ以上で、かつ半田リフロー温度における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上を有するチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項２】
封口体がフェノール類及びその誘導体のいずれか１つ以上を含有したものである請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項３】
駆動用電解液がエチレングリコール、γ−ブチロラクトン、水、スルホランの１つ以上から選ばれる溶媒を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩のいずれか１つ以上から選ばれる電解質塩を加えたものにより構成されたものである請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項４】
コンデンサ素子に導電性高分子からなる導電性高分子層を形成したものである請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項５】
陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔をセパレータとともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させたコンデンサ素子を有底筒状の金属ケースに挿入し、この金属ケースの開口部を封口体により密閉して前記夫々のリードを封口体の外表面に沿って折り曲げるチップ型アルミ電解コンデンサの製造方法であって、前記封口体を不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムと、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋剤と、前記ブチルゴムに対して等量以上の補強剤とを含んだものを混練し、その後、真空中で成型加工し、さらに真空中でアニール処理することにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さを９０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ2以上になるようにしたチップ型アルミ電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器に使用されるチップ型アルミ電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般のアルミ電解コンデンサの構成を図２に示す。同図は部分断面斜視図であり、アルミニウム箔をエッチング処理によって実効表面積を拡大させた表面に化成処理により誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔２１とアルミニウム箔をエッチング処理した陰極箔２２とをセパレータ２３を介して巻回することによりコンデンサ素子２９を形成する。このコンデンサ素子２９は陽極箔２１および陰極箔２２にそれぞれ陽極リード２５、陰極リード２６を接続し、駆動用電解液２４を含浸させるとともに、このコンデンサ素子２９をアルミニウムケースなどの金属ケース２８内に挿入してゴム等の封口体２７で封止することにより得ることができる。
【０００３】
前記駆動用電解液２４は、エチレングリコールやγ−ブチルラクトンなどの有機溶媒と、硼酸もしくは硼酸アンモニウムなどを溶質としたものが用いられている。また、溶質としてアゼライン酸、ブチルオクタン二酸、５，６−デカンジカルボン酸、１，７−オクタンジカルボン酸等を用いたものは、駆動用電解液２４中の水分を低減できるため、１００℃以上の環境下においても水分の内圧上昇によるアルミ電解コンデンサの開弁を抑制することができるとされている。
【０００４】
また、前記封口体２７は、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−プロピレンの共重合体ゴム（ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエンの三元共重合体ゴム（ＥＰＤＭ）、イソブチレン−イソプレンの共重合体ゴム（ＩＩＲ）等が用いられ、前記駆動用電解液２４の組成により選択されるが、前記封口体２７は金属ケース２８の開口部をカーリングして封止することから、封口体２７の弾性特性が重要となっている。
【０００５】
一方、近年、電子機器の小型化、高信頼性化に伴い、アルミ電解コンデンサの小型化に伴う面実装タイプのアルミ電解コンデンサがある。
【０００６】
この面実装タイプのアルミ電解コンデンサの構成を図３に示す。同図は断面図であり、３１はコンデンサ素子、３２はこのコンデンサ素子３１を図示しない駆動用電解液と共に収納する金属ケース、３３はこの金属ケース３２の開口部を封止する弾性を有した封口体、３４と３５は上記コンデンサ素子３１から夫々引き出された陽極リード線と陰極リード線、３６は絶縁座板である。
【０００７】
前記面実装タイプのアルミ電解コンデンサは半田リフローによりプリント基板に実装されるので、そのリフロー温度に対しては絶縁座板３６により保護されるので、その封口体３３は国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが７０〜８５Ｈｗで、半田リフロー温度による弾性率が１〜３Ｎ／ｍｍ2以下のものが多く使用されている。
【０００８】
また、特許文献２のように、陽極リード線と陰極リード線を封口体の外表面に沿って折り曲げ、絶縁座板を用いない構成のものも提案されている。
【０００９】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１及び特許文献２が知られている。
【特許文献１】特公平４−１９６９５号公報
【特許文献２】特開平４−１２５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら前記従来の面実装タイプのアルミ電解コンデンサは、アルミ電解コンデンサを一旦完成させた後、絶縁座板３６を金属ケース３２のカーリング封口された開放端面に当接するように配設し、そして陽極リード線３４と陰極リード線３５を板状に加工し、さらにこの板状に加工された夫々のリード線が絶縁座板３６の外表面に設けた凹部内に収まるように前記夫々のリード線を折り曲げるという作業を必要とするため、その製造法は非常に煩雑であるとともに組立工数も多くなってコスト的にも高くなり、また全長寸法的に見た場合でも、ディスクリートタイプに絶縁座板３６の厚みが付加される等の課題があった。
【００１１】
これに対して、特許文献２のような構成にすることにより、前記の課題を解決することはできるが、これに用いられる封口体は前記面実装タイプのアルミ電解コンデンサと同じなものを用いていることから、封口体の弾性特性に優れるものの、封口体の耐熱性が低く半田リフロー温度に耐えるものではなく、硬度も封口性能を重視した柔軟性のある数値であることから、面実装した場合、封口体が変形し実装不良になってしまうことから実現されていない。
【００１２】
本発明はこのような従来の課題を解決し、半田リフロー温度に耐えて、かつ面実装性に優れた低コストのチップ型アルミ電解コンデンサを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔をセパレータとともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させてなるコンデンサ素子を有底筒状の金属ケースに内蔵し、この金属ケースの開口部を封口体により密閉して前記夫々のリードを封口体の外表面に沿って折り曲げたチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、前記封口体が不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗ以上で、かつ半田リフロー温度における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上を有する構成とするものであり、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムは無数の網目構造を有し、補強剤を増量してもブチルゴムとしての特性を保持しつつ、硬度を高くすることができ、また、補強剤をブチルゴムの等量以上含有することにより耐熱性を向上させることができるので、絶縁座板を用いない封口体単独での面実装タイプを構成しても、封口体の変形がなく、実装性に優れたチップ型アルミ電解コンデンサを実現することができるという作用を有する。
【００１４】
なお、不飽和度１．２ｍｏｌ％未満では架橋性が低くなり、補強剤の増量により封口体の硬度を高くすることが可能であるが、架橋性が低下して封口体の物性を保持することができない。不飽和度２．５ｍｏｌ％を越えると金属ケースの開口部の密閉を維持することが難しくなる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、特に、フェノール類及びその誘導体のいずれか１つ以上を含有するものである。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、駆動用電解液がエチレングリコール、γ−ブチロラクトン、水、スルホランの１つ以上から選ばれる溶液を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩のいずれか１つ以上から選ばれる電解質塩を加えたものにより構成されたものであり、これにより、封口体との組み合わせによる悪影響を少なくすることができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、特に、コンデンサ素子に導電性高分子からなる導電性高分子層を形成したものであり、これにより、封口体への悪影響が少なくなる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔をセパレータとともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させたコンデンサ素子を有底筒状の金属ケースに挿入し、この金属ケースの開口部を封口体により密閉して前記夫々のリードを封口体の外表面に沿って折り曲げるチップ型アルミ電解コンデンサの製造方法であって、前記封口体を不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムと、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋剤と、前記ブチルゴムに対して等量以上の補強剤とを含んだものを混練し、その後、真空中で成型加工し、さらに真空中でアニール処理することにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さを９０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ2以上になるようにした製造方法とするものであり、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムは無数の網目構造を有し、補強剤を増量してもブチルゴムとしての特性を保持しつつ、硬度を高くすることができ、また、補強剤をブチルゴムの等量以上含有することにより耐熱性を向上させることができ、さらには成型加工及びアニール処理を真空中で行うことにより、架橋性を向上させることができるので、絶縁座板を用いない封口体単独での面実装タイプを構成しても、封口体の変形がなく、実装性に優れたチップ型アルミ電解コンデンサを実現することができるという作用を有する。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように本発明によるチップ型アルミ電解コンデンサは、封口体が不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗ以上で、かつ半田リフロー温度における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上のものを用いた構成とすることにより、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムは無数の網目構造を有し、補強剤を増量してもブチルゴムとしての特性を保持しつつ、硬度を高くすることができ、また、補強剤をブチルゴムの等量以上含有することにより耐熱性を向上させることができるので、封口体単独での面実装型を構成しても、封口体の変形がなく、実装性に優れたチップ型アルミ電解コンデンサを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は本発明の一実施の形態によるチップ型アルミ電解コンデンサの構成を示した断面図である。同図において、１１はコンデンサ素子であり、このコンデンサ素子１１は、表面を粗面化した後に化成処理により誘電体酸化皮膜が形成されたアルミニウム電極箔を陽極箔とし、この陽極箔と陰極箔をその間にセパレータを介在させて巻回することにより構成されている。１２は前記コンデンサ素子１１を図示しない駆動用電解液とともに収納する金属ケース、１３は前記金属ケース１２の開口部を封止する弾性を有し面実装できる機能を有する形状の封口体、１４と１５は前記コンデンサ素子１１の陽極箔及び陰極箔から夫々引き出された陽極リードと陰極リードであり、前記封口体１３には陽極リード１４と陰極リード１５が貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔に両リード１４，１５を貫通させて封口体１３を金属ケース１２の開口部に挿入した後、金属ケース１２の開口部を内側に折り曲げて封口体１３を押圧し、更に、金属ケース１２の周面を絞り加工することにより封口体１３の有する弾性を利用することにより封止しているものである。
【００２２】
前記封口体１３は、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とするものであり、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋することにより、架橋反応を速めて架橋性を高めることができるので、補強剤をブチルゴムの等量以上含有してもブチルゴムとして無数の網目構造を保持しつつ、硬度を国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さを９０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ2以上にすることができ、その結果、封口体１３の外表面に陽極リード１４と陰極リード１５を直接配置しても、半田リフロー温度に耐えることができる。
【００２３】
なお、半田リフロー温度における弾性率はリフロー温度のピーク値での値であり、そのリフロー温度のピーク値は２６０℃とした。また、弾性率の測定はＪＩＳ  Ｋ  ６２５４に準じた。
【００２４】
前記封口体１３は、ブチルゴムに架橋剤、架橋助剤、補強剤または充填剤、劣化防止剤等を添加して混練し、その後真空中で成形加工し、さらに真空中で二次架橋させるアニール処理して封口体１３を得ることができる。
【００２５】
また、前記封口体１３にフェノール類及びその誘導体のいずれか１つ以上を含有することにより、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制することができるので、引っ張り強度、硬さ等の機械的性質を向上させることができる。
【００２６】
なお、前記フェノール類とは、フェノールのｏ，ｍ，ｐ位にアルキル基、水酸基、スルフヒドリル基を有するもので、およびその誘導体は上記フェノール類が炭素または硫黄またはアルキル基等により２量化、３量化したもので、例えば、２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン、２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等である。
【００２７】
また、ブチルゴムの特性を損なわない程度にブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−プロピレンの共重合体ゴム（ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエンの三元共重合体ゴム（ＥＰＤＭ）、ウレタンゴム（Ｕ）、シリコーンゴム（Ｑ）、クロロスルホン化ポリエチレンゴム（ＣＳＭ）を併用しても構わない。
【００２８】
前記駆動用電解液としては、エチレングリコール、γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、スルホラン、水の１種以上から選ばれる溶液を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩およびイミダゾリニウム塩及びこれらの誘導体のいずれか１種以上から選ばれる電解質塩を含むものを用いることができる。
【００２９】
前記有機酸または無機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、安息香酸、ブチルオクタニン酸、蟻酸、デカンジカルボン酸などの有機酸、ホウ酸、リン酸などの無機酸が挙げられ、また、これらの第１級〜第４級アンモニウム塩を用いることができる。
【００３０】
また前記イミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩及びこれらの誘導体としては、炭素数１〜１１のアルキル基またはアリールアルキル基で４級化されたイミダゾリン化合物、イミダゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、脂環式ピリミジン化合物が挙げられ、具体的には、電導度が高く、低損失のアルミ電解コンデンサを提供することができる１−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５、１，２，３−トリメチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−エチル−イミダゾリニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリニウム、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジウム、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１，３−ジメチルベンゾイミダゾリウムが好ましい。
【００３１】
また、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子を電解重合または化学重合によりコンデンサ素子に導電性高分子層を形成させ、前記駆動用電解液とともに用いることにより、低ＥＳＲで、半田リフロー温度に対しても安定したチップ型アルミ電解コンデンサを得ることができる。
【００３２】
また、前記駆動用電解液を用いず、導電性高分子層だけのコンデンサ素子を用いたものはさらに低ＥＳＲ化を図ることができる。
【００３３】
以下、具体的な実施例について説明する。
【００３４】
（実施例１）
陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔との間にマニラ繊維のセパレータを介在させて巻回することにより構成した巻回形のコンデンサ素子に、駆動用電解液としてγ−ブチロラクトンを溶媒とし、モノ（トリエチルアミン）−フタル酸塩、ｐ−ニトロ安息香酸、モノブチル燐酸エステルとから構成したものを含浸させた。そして、このコンデンサ素子を封口体とともに有底円筒状のアルミ製の金属ケース内に封入した後、金属ケースの開口部をカーリング処理により封止し、前記夫々のリードを封口体の外表面に沿って折り曲げることにより、定格電圧３５Ｖ、静電容量２２００μＦのチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００３５】
前記封口体は、不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー６０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノンを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９１Ｈｗ、２６０℃における弾性率が４．２Ｎ／ｍｍ2のものを用いた。
【００３６】
（実施例２）
前記実施例１において、封口体で用いたイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの不飽和度を２．０ｍｏｌ％にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００３７】
なお、封口体の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは９３Ｈｗ、２６０℃における弾性率は４．３Ｎ／ｍｍ2であった。
【００３８】
（実施例３）
前記実施例１において、封口体で用いたイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの不飽和度を２．５ｍｏｌ％にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００３９】
なお、封口体の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは９７Ｈｗ、２６０℃における弾性率は４．５Ｎ／ｍｍ2であった。
【００４０】
（実施例４）
前記実施例１において、封口体で用いたイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの不飽和度を１．０ｍｏｌ％にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４１】
なお、封口体の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは８５Ｈｗ、２６０℃における弾性率は３．６Ｎ／ｍｍ2であった。
【００４２】
（実施例５）
前記実施例１において、封口体を不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー１２０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９９Ｈｗで、２６０℃における弾性率が５Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４３】
（実施例６）
前記実施例１において、駆動用電解液としてエチレングリコールを溶媒とし、アゼライン酸アンモニウム、硼酸アンモニウムの溶質、添加剤としてリン酸アンモニウムから構成されたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４４】
（実施例７）
前記実施例１において、コンデンサ素子をピロール（濃度０．５重量％）と過硫酸アンモニウム（濃度３重量％）と有機酸化合物である１−ナフタレンスルホン酸（濃度５重量％）を含有する水溶液に浸漬して引き上げることにより、その表面に過硫酸アンモニウムの酸化作用を利用した化学酸化重合によるポリピロールの導電性高分子層を形成したものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４５】
（実施例８）
前記実施例１において、封口体を不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー８０重量部、エチレン−プロピレン−ジエンの三元共重合体ゴム２０重量部、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー１２０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９２Ｈｗで、２６０℃における弾性率が４．３Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４６】
（比較例１）
前記実施例１において、封口体を不飽和度０．７ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー４０重量部、架橋剤として酸化亜鉛３重量部、ステアリン酸１重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノンを２重量部を配合して混練し、常圧化で成型加工して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが７８Ｈｗで、２６０℃における弾性率が２．５Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４７】
以上の実施例１〜８と比較例１のチップ型アルミ電解コンデンサについての実装確認試験を行った結果を（表１）に示す。なお、実装確認試験はチップ型アルミ電解コンデンサをプリント基板に装着し、そのプリント基板を２６０℃で半田リフローした結果である。また、試料数はｎ＝３０個で行った。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
（表１）から明らかなように、比較例１に対して実施例１〜３のチップ型アルミ電解コンデンサは、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋性を高め、補強剤をブチルゴムの等量以上含有させたことにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗで、かつ２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上にした封口体を用いることにより、封口体の外表面に陽極リードと陰極リードを直接配置しても、封口体が膨張することもなく、半田リフロー温度に耐えることができる。
【００５０】
これに対して実施例４のチップ型アルミ電解コンデンサは、ポリマーの不飽和度が１．２ｍｏｌ％未満であるので、２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2未満になってしまい、半田リフロー試験で実装不良が３個発生した。
【００５１】
また、実施例６〜８のように、封口体の補強剤を増加したもの、駆動用電解液の組成が違うもの、コンデンサ素子に導電性高分子層を形成したチップ型アルミ電解コンデンサは、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９０Ｈｗ以上で、かつ２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上にした封口体を用いても全く問題がない。
【００５２】
このように本実施の形態によるチップ型アルミ電解コンデンサは、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムは無数の網目構造を有し、補強剤を増量してもブチルゴムとしての特性を保持しつつ、硬度を高くすることができ、また、補強剤をブチルゴムの等量以上含有することにより耐熱性を向上させることができるので、絶縁座板を用いない封口体単独での面実装タイプを構成しても、封口体の変形がなく、実装性に優れた低コストのチップ型アルミ電解コンデンサを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明によるチップ型アルミ電解コンデンサは、面実装機能を有する封口体を用いた構成とすることにより、封口体が変形し実装不良を抑制して実装性を有し、各種電子機器の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施の形態のチップ型アルミ電解コンデンサの構成を示す断面図
【図２】従来のアルミ電解コンデンサの構成を示す部分断面斜視図
【図３】従来のチップ型アルミ電解コンデンサの構成を示す断面図
【符号の説明】
【００５５】
１１  コンデンサ素子
１２  金属ケース
１３  封口体
１４  陽極リード線
１５  陰極リード線
【図１】
2005223122.tif 000004
【図２】
2005223122.tif 000005
【図３】
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