(57)【要約】【課題】  高解像度且つ迅速にリソグラフィ・マージンを測定できるレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法を提供すること。【解決手段】  露光されたレジスト・パターンの評価を行う方法は、ウェーハ１１にマトリックス状に配列された複数のダイに対して、ドーズと焦点条件を２次元的マトリックス的に変化させて露光を行ってウェーハ１１を準備するステップと、複数のダイ１２、１３、１４のそれぞれについて、予め決められた場所での線幅を測定するステップと、線幅が正常なダイについてのみ欠陥検査を行うステップと、欠陥を有するダイについて、当該欠陥がリソグラフィに起因する欠陥か否かを判断するステップと、リソグラフィに起因する欠陥の発生分布からリソグラフィマージンを評価するステップと、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線直接描画装置やエキシマレーザ・ステッパ等の露光装置によって形成されたレジスト・パターン又はその後の仕上がりウェーハの評価を行う評価方法であって、
ウェーハにマトリックス状に配列された複数のダイに対して、一軸方向にはドーズをステップ的に変化させ、他軸方向には焦点条件をステップ的に変化させることによりドーズと焦点条件を２次元的マトリックス的に変化させて露光を行ったウェーハを準備するステップと、
前記複数のダイについて、予め決められた場所での線幅を各ダイ当たり予め決められた数だけ測定するステップと、
前記の測定により、線幅が予め決められた範囲内に入っているダイと入っていないダイとを決定するステップと、
線幅が上記範囲内に入っている前記ダイについて欠陥検査を行うステップと、
前記ステップで得られた、欠陥の発生からリソグラフィマージンを評価するステップと、
を備えることを特徴とする評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の評価方法であって、欠陥検査を行う前記ステップが、
前記ウェーハ上で、複数のピクセルからなる領域に電子ビームを照射するステップと、
前記ウェーハ上の上記領域から放出された二次電子又は反射電子を光学系で拡大して二次元画像を得るステップと、
を備えることを特徴とする評価方法。
【請求項３】
請求項１に記載の評価方法であって、前記検出された欠陥がリソグラフィに起因する欠陥か否かを判断することを特徴とする評価方法。
【請求項４】
請求項１記載の評価方法であって、前記のリソグラフィに起因する欠陥は近接効果の補正の過剰又は不足による欠陥であることを特徴とする評価方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の評価方法であって、欠陥検査を行う前記ステップが、前記ウェーハを一軸方向に連続移動させながら電子ビームを該一軸方向と直角な方向に走査して前記ダイの欠陥検出を行うステップを備えることを特徴とする評価方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の評価方法を用いることを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置により描画されたレジスト・パターンやＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザ・ステッパで露光されたレジスト・パターンのリソグラフィ・マージンを高精度で且つ迅速に評価することが可能なレジスト・パターン又はその後の仕上がりウェーハの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー・マージンの評価や、光近接効果補正が適切に行われているか等の評価は、従来は、光を用いた欠陥検査装置により行われていた。しかし、リソグラフィ装置が電子ビーム直描型の描画装置やＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザ・ステッパになると、検出しなければいけない欠陥の寸法が１００ｎｍあるいはそれ以下の寸法となるため、光を用いた欠陥検査装置では解像力が不足するという問題点があった。
【０００３】
そこで、光ではなく電子線を用いて解像度を上げた欠陥検査装置が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１７５２３号公報
【特許文献２】特開平７−２４９３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記の課題を解決するために提案されたものであり、１００ｎｍ以下の欠陥検出最小寸法を有する欠陥検査装置を用いてリソグラフィ・マージンを高解像度で短時間に測定することができるレジスト・パターン又はその後の仕上がりウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明は、
電子線直接描画装置やエキシマレーザ・ステッパ等の露光装置によって形成されたレジスト・パターン又はその後の仕上がりウェーハの評価を行う評価方法であって、
ウェーハにマトリックス状に配列された複数のダイに対して、行方向にはドーズをステップ的に変化させ、列方向には焦点条件をステップ的に変化させることでドーズと焦点条件を２次元的マトリックス的に変化させて露光を行ったウェーハを準備するステップと、
上記複数のダイについて、予め決められた場所での線幅を各ダイ当たり予め決められた数だけ測定するステップと、
前記測定により、線幅が予め決められた範囲内に入っているダイと入っていないダイとを決定するステップと、
線幅が上記範囲内に入っている前記ダイについて欠陥検査を行うステップと、
前記ステップで得られた、欠陥の発生分布からリソグラフィマージンを評価するステップと、
を備えることを特徴とする評価方法、
を提供する。
【０００７】
請求項２の発明は、欠陥検査を行う前記ステップが、
前記ウェーハ上で、複数のピクセルからなる領域に電子ビームを照射するステップと、
前記ウェーハ上の前記領域から放出された二次電子又は反射電子を光学系で拡大して二次元画像を得るステップと、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、前記検出された欠陥がリソグラフィに起因する欠陥か否かを判断することを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、前記のリソグラフィに起因する欠陥が近接効果の補正の過剰又は不足による欠陥であることを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、欠陥検査を行う前記ステップが、前記ウェーハを一軸方向に連続移動させながら電子ビームを該一軸方向と直角な方向に走査して前記ダイの欠陥検出を行うステップを備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれか一つの発明を半導体デバイス製造方法に用いることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図１〜図４を用いて、本発明に係るレジスト・パターン又はその後の仕上がりウェーハの評価方法の実施の形態を説明する。
【００１３】
本発明においては、電子線直接描画装置あるいはエキシマレーザ・ステッパ等の露光装置でウェーハ上に形成されたパターンの評価を行うために、まず、ウェーハに行列方向に並んだダイに対して、行方向にはドーズをステップ的に変化させ、列方向には焦点条件をステップ的に変化させて、ドーズと焦点条件とをウェーハ上で２次元マトリックス的に変化させ、ダイの露光及び現像を行ったウェーハを準備する。
【００１４】
即ち、図１は、上記のようにドーズとフォーカスの条件を２次元マトリックス的に変化させて電子ビーム描画装置（図示せず）によって作成された１２インチ・ウェーハの一例を示している。例えば、ウェーハ１には、電子ビーム描画装置によって行方向にはドーズを０．９、０．９５、１．００、１．０５、１．１０、１．１５（×１０−６クローン／ｃｍ２）と変化させ、列方向には０．７μｍだけオーバーフォーカスした状態から順に０．１μｍ刻みで０．６μｍアンダーフォーカスの状態まで変化させて形成した２０ｍｍ×４０ｍｍのサイズの多数のダイが形成される。
【００１５】
例えば、図１のウェーハ１１の一番上の列に配列されたダイ１２は、ドーズが０．９０（×１０−６クローン／ｃｍ２）であり、焦点条件は図の左側のダイから右側のダイへ順に−０．４μｍから＋０．３μｍまで０．１μｍずつ対物レンズ電流を変化させて変化させられている。同様に、ウェーハ１１の上から二番目の列に配列されたダイは、ドーズが０．９５（×１０−６クローン／ｃｍ２）であり、焦点条件は図の左側のダイから右側のダイへ順に−０．６μｍから＋０．５μｍまで０．１μｍずつ変化させられている。
【００１６】
こうして作成されたウェーハ１１において、各ダイについて、あらかじめ決められた場所での線幅をダイ当たり所定の数だけ、ＣＤ測定器で線幅を測定する。即ち、ウェーハ１１を露光、現像した後、例えばＣＤＳＥＭによって、全ダイの予め決められたパターンの線幅について、それぞれのダイにおいて５個所ずつ測定を行う。その結果、右下がりの斜線で示すダイ１２は設計寸法１００ｎｍである筈の線幅（露光部幅）が９０ｎｍ未満しかなく、設計仕様を満たしていないことが判明したとする。また、右上がりの斜線で示すダイ１３は設計寸法１００ｎｍである筈の線幅（露光部幅）が１１０ｎｍ以上もあり、設計仕様を満たしていないことが判明したとする。その結果、ハッチングが施されていないダイについては、そのような線幅不良は測定されず、欠陥検査を行う価値のあるダイであることが決まる。そこで、このようなダイについて次に示す欠陥検査を行い、欠陥を検出する。
【００１７】
リソグラフィ・マージンの評価にあったっては、メモリ・セル２２と周辺パターン部２３との境界付近で最も近接効果が問題となる。これらの領域を電子線で検査することが効率的である。本発明では、それぞれのダイ２１は、図２に示すように、中央のメモリ・セル２２とそれに隣接する周辺パターン部２３とを有しているので、こうしたパターン密度が変化している境界の領域を欠陥検査装置によって優先的に検査するのが効率的である。当該境界領域を含む細長い走査領域２４、２５がメモリ・セル２３の両側に設定される。各走査領域２４、２５は、一つのストライプの半分はメモリ・セル部２２、他の半分は周辺パターン部２３となるよう設定される。
【００１８】
実際には、欠陥検査のため、それぞれのダイ２１を、走査領域２４、２５を含み且つこれら走査領域に相当する幅の複数のストライプに分け、各ストライプ毎に走査が行われる。図２に示すように、それぞれの走査領域２４、２５の長さ方向をｙ方向とし、このｙ方向に直角な方向をｘ方向とすると、ウェーハ１１の欠陥検査を行うために、欠陥検査装置は、矩形断面の電子ビームをｘ方向に１ストライプの幅に相当する長さだけ照射しながらウェーハ１１をｙ方向に連続移動させることによって、１つのストライプについての走査を終了し、次いで、その隣のストライプについて同様の走査を行う。これを反復することによって、各走査領域２４、２５の走査を完了し、欠陥の有無を検査する。
【００１９】
図３は、上記の評価を行うために本発明のレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法で用いることができる欠陥検査装置の一例の構造を示している。ＬａＢ６カソードを有する電子銃３１から放出された一次ビーム３２をコンデンサ・レンズ３３で収束し、ＮＡ開口３５上にクロスオーバを形成する。このとき、コンデンサ・レンズ３３の直下に設けられた長方形のビーム成形開口３４によって、視野外の電子線は除去される。コンデンサ・レンズ３３を通過した一次ビーム３２は、照射レンズ３６によって、ウェーハＷのダブレット型対物レンズ３９、４０による共役面４１に長方形ビームを形成する。
【００２０】
この長方形ビームはＥ×Ｂ分離器３８でウェーハＷの法線方向へ曲げられ、対物レンズ３９、４０でウェーハＷの面に合焦される。このとき、一次ビームの軌道４２は、二次ビーム４３の軌道とは離れた場所を通るので、一次ビーム３２の持つ空間電荷の影響によって二次ビーム４３のボケが増加することはない。
【００２１】
こうして一次電子光学系で成形された一次ビーム３２は、ウェーハＷの面上の例えば５１．２μｍ×２５．６μｍの領域よりも１０μｍ程度広い領域を照射する。一次ビーム３２は８極の静電偏向器３７によって紙面に直角の方向で長方形の短辺方向に例えば２０５μの幅で走査され、同時に、ウェーハＷを載置する台（図示せず）はこれと直角の方向に連続的に移動される。
【００２２】
ウェーハＷには−４ｋＶが印加されている。そのため、ウェーハＷの走査された面から放出された二次ビーム４３はウェーハＷの法線方向に加速され、収束されて対物レンズ４０、３９を通過し、Ｅ×Ｂ分離器３８の偏向支点に拡大像を作る。対物レンズ３９、４０は対称ダブレットに近い形に設計されているので、歪と倍率色収差は低減されて小さい。Ｅ×Ｂ分離器３８で曲げられることなく通過した二次ビーム４３は拡大レンズ４５、４６、４８で拡大され、ＭＣＰ（マルチチャンネル・プレート）４９の前面にウェーハＷの拡大像を作る。
【００２３】
この二次電子光学系においては、一次ビーム３２の走査に同期して、偏向器４４によって、二次ビーム４３が拡大レンズ４５の中心近くを通るように二次ビーム４３の経路の補正が行われ、さらに、偏向器４７よって収差が小さくなるよう偏向補正が行われる。このため、二次ビーム４３に生じる収差はほとんどが最初の二段のレンズ３９、４０による収差に制限されるので、二次電子光学系は低収差にされる。
【００２４】
二次ビーム４３は、ＭＣＰ４９により、その像の各ピクセルでの電子数が１０４倍程度に増倍された後、シンチレータ板５０で光の像に変えられる。このとき、ＭＣＰ４９の後面とシンチレータ板５０との間には加速電圧が印加されるが、ＭＣＰ４９の後面とシンチレータ板５０の前面との間には５００μｍ程度のギャップが設けられるため、デルタ関数的な電子数分布を持つ二次ビームがＭＣＰ４９の前面に入射したときでも、シンチレータ５０の前面では３０μ程度にビームが広がってしまう。したがって、二次電子光学系の倍率を、ウェーハＷの面上で例えば１００ｎｍのピクセルがシンチレータ板５０の前面において６０μｍ以上に拡大されるような倍率、即ち６００倍以上に選定することが好ましい。
【００２５】
シンチレータ板５０で形成された光の像は光のリレー・レンズ５１でＴＤＩカメラ５２の受光面に合焦される。なお、ＴＤＩカメラ５２のピクセルとシンチレータ板５０のピクセルとの寸法の相違も、リレー・レンズ５１の倍率を適切に選ぶことによって一致させることができる。
【００２６】
次に、図４を用いて、本発明に係るレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法に従ってウェーハの欠陥検査を行うためのステップについて説明する。図２について説明したとおり、１個のダイ６１の走査は、ｘ方向の幅が１００〜２００μｍの複数のストライプ６２のそれぞれに対して行われる。図３に示す欠陥検査装置によって形成される電子ビームの断面形状６３は、ウェーハ１１の面上においてほぼ矩形である。この断面形状６３のうちｙ方向の辺６４とｘ方向の辺６５とで囲まれる矩形の照射域６６の中では、一次電子ビームは十分に一様な強度を持つ。図４は、この照射域６６の中に複数のピクセル６７、６８、６９、７０、・・・が含まれることを示している。
【００２７】
欠陥検査装置は、ウェーハ１１を＋ｙ方向に連続的に移動させながら、電子ビームを＋ｘ方向に１個のストライプ６２の一端から１個のピクセルの幅ずつ移動させていき、他端に達するると元の端までフライバックさせる。具体的には、照射域６６の図に向かって右側の辺７１が１個のストライプ６２の左端に達すると、欠陥検査装置は二次電子の検出を開始する。この開始時点からストライプ上の１ピクセル分だけ右へ電子ビームが、したがって照射域６６が移動すると、ＴＤＩカメラ５２（図３）の第１の画素列に、ストライプ６２の一番左側にｙ方向に並ぶピクセルのうち照射域６６内に入るピクセルから検出された二次電子を表す二次電子信号が入力される。
【００２８】
更に電子ビームがストライプ６２上を１ピクセル分だけ右へ進むと、ＴＤＩカメラ５２の第１の画素列に保持されていた二次電子信号は左へ転送され、第１の画素列には、ストライプ６２の一番左側にｙ方向に並ぶピクセルのうち照射域６６内に入るピクセルから検出された二次電子を表す二次電子信号が入力され、第２の画素列には、ストライプ６２の左から２番目にｙ方向に並ぶピクセルのうち照射域６６内に入るピクセルからの二次電子信号が入力される。
【００２９】
こうして電子ビームを１ピクセルに相当する幅ずつストライプ６２上を右へ移動させていく毎に、ストライプ６２の一番左側にｙ方向に並んだピクセルのうち照射域６６内に入るピクセルからの二次電子信号は、ＴＤＩカメラ５２において左へ転送されて加算されていく。そして、矩形６６の左端の辺６４がストライプ６２の一番左側にｙ方向に並ぶピクセルを通過すると、ＴＤＩカメラ５２の画素から、ストライプ６２の一番左側に並ぶ画素からの二次電子信号に相当する信号が出力される。
【００３０】
以下、同様の動作が繰り返され、照射域６６の左側の辺６４がストライプ６２の右端７２を通過すると、ストライプ６２の一番右側にｙ方向に並ぶピクセルのうち照射域６６内に入るピクセルからの二次電子信号が出力されて１回の＋ｘ方向の走査が終了する。一走査が終了すると、欠陥検査装置は電子ビームをストライプ６２の左端にフライバックさせる。ステージはｙ方向に連続移動しているので、ダイ６１は＋ｙ方向に辺６４の長さに相当する距離だけ移動している。この後、上に述べたのと同様の走査が始まる。
【００３１】
実際には、各回の走査の期間においてウェーハ１１したがってダイ６１は＋ｙ方向に連続的に移動させられているので、電子ビームはダイ６１の＋ｙ方向の移動速度を補正するように−ｙ方向にも走査されることになる。しかし、電子ビームの断面形状６３は縦横に配列された所定数のピクセルを余裕を持ってカバーするに足るサイズの照射域６６を有するので、あまり高精度な走査を行う必要は無い。ウェーハ１１の振動やｙ方向の移動速度の速度ムラが検出されると、ストライプ上の被測定位置がＭＣＰ４９に正しく像を作るよう、二次電子光学系において位置補正が行われる。
【００３２】
図４において、１個のダイ６１について走査が完了すると、続いて走査はダイ６１にｙ方向に隣接するダイ７３に対して行われ、こうして１個のストライプ６２をウェーハ１１の＋ｙ方向の端のダイまで走査が終了すると、今度は欠陥検査装置はウェーハ１１を−ｙ方向に機械的に移動させながら、ストライプ６２に隣接するストライプ７４の走査を行う。
【００３３】
こうして検出された欠陥がリソグラフィに起因する欠陥かゴミ等のそのほかの欠陥かを判断し、その結果としてゴミ等のリソグラフィ条件とは無関係な欠陥は除去され、過剰な近接効果補正によるパターン異常や不足の近接効果補正によるパターン異常等の、リソグラフィに関係する欠陥のみを選別し、リソグラフィに起因する欠陥の発生分布を調べてリソグラフィ・マージンを評価する。この結果、○印を付したダイ１４はリソグラフィに起因する欠陥がなかったダイである。
【００３４】
こうした場合、以上の評価から、リソグラフィ・マージンは、０．１μｍオーバフォーカスから０．２μｍアンダーフォーカスの間であり、且つ、ドーズが１．０〜１．１０μｃ／ｍ２の範囲であると言える。
【実施例】
【００３５】
本発明に係るレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法は、例えば図５及び図６に示す半導体デバイス製造方法において実施すると有効である。図５に示す製造方法は次の各主工程を含む。なお、各主工程は幾つかのサブ工程からなる。
【００３６】
（１）ウェーハＰ１２を製造する（又はウエハを準備する）工程Ｐ１１、
（２）露光に使用するマスク（レチクル）Ｐ２２を製造するマスク製造工程（又は、マスクを準備するマスク準備工程）Ｐ２１、
（３）必要な加工処理をウェーハＰ１２に対して行うウェーハ・プロセッシング工程Ｐ１３、
（４）ウェーハＰ１２に形成されたチップＰ１５を１個ずつ切り出して動作可能にするチップ組み立て工程Ｐ１４、
（５）チップ組み立て工程Ｐ１４で作られたチップＰ１５を検査し、検査に合格したチップを製品Ｐ１７とするチップ検査工程Ｐ１６。
【００３７】
これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程が、ウェーハ・プロセッシング工程Ｐ１３である。この工程は、設計された回路パターンをウエーハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。ウェーハ・プロセッシング工程Ｐ１３は次の工程を含む。
【００３８】
（イ）絶縁層となる誘電体薄膜や、配線部又は電極部を形成する金属薄膜を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）、
（ロ）薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工程、
（ハ）薄膜層やウェーハ基板等を選択的に加工するためのマスク（レチクル）Ｐ２２を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程Ｐ２３、
（ニ）イオン・不純物注入・拡散工程、
（ホ）レジスト剥離工程、
（ヘ）さらに加工されたウェーハを検査する検査工程。
なお、ウェーハ・プロセッシング工程Ｐ１３は必要な層数だけ繰り返し実施され、設計どおり動作する製品（半導体デバイス）Ｐ１７が製造される。
【００３９】
図５のウェーハ・プロセシング工程Ｐ１３の中核をなすのはリソグラフィー工程Ｐ２３であり、図６はリソグラフィー工程Ｐ２３で実施される工程を示している。すなわち、リソグラフィー工程Ｐ２３は、
（ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ上にレジストをコーティングするレジスト塗布工程Ｐ３１、
（ｂ）レジストを露光する露光工程Ｐ３２、
（ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程Ｐ３３、
（ｄ）現像されたレジスト・パターンを安定化させるためのアニール工程Ｐ３４、
を含む。
【００４０】
以上説明した半導体デバイス製造工程、ウェーハ・プロセッシング工程Ｐ１３、リソグラフィー工程Ｐ２３は周知のものであり、それらの工程についての詳細な説明は省略する。
【００４１】
本発明に係るレジスト・パターン評価方法をチップ検査工程Ｐ１６に対して用いて欠陥検査を行うと、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、スループット良く検査を行うことができ、全数検査が可能となるばかりでなく、製品の歩留まりを向上させ、欠陥製品の出荷を防止することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上説明したところから理解されるように、光では０．１μｍ以上の解像度しか得られないのに対して、電子線では０．１μｍ以下の解像度も実現可能であるので、従来の光方式の欠陥検査に比べて、本発明は高解像度でリソグラフィ・マージンを測定することができるという格別の効果を奏する。また、本発明は、全部のダイについて欠陥検査を行うのではなく、線幅が正常なダイのみについて欠陥検査を行うので、欠陥検査の時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係るレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法の一つの実施の形態を説明するための図である。
【図２】図１における１個のダイの構成と優先的に検査を行う領域を説明するための図である。
【図３】本発明に係るレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法で用いることができる欠陥検査装置の一例の構造を概略的に示す図である。
【図４】図３に示す欠陥検査装置が行う走査を説明するための図である。
【図５】本発明に係るレジスト・パターン又は仕上がりウェーハの評価方法を適用することができる半導体製造方法の工程を示すフロー図である。
【図６】図５のチップ検査工程を構成する工程を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１：ウェーハ、  １２：線幅が細く形成されたダイ、  １３：線幅が太すぎるダイ、  １４：リソグラフィに起因する欠陥が無いダイ、  ２１：ダイ、  ２２：周辺回路部、  ２３：メモリ・セル部、  ２４、２５：走査領域、  ３１：電子銃、  ３２：一次電子ビーム  ３３：コンデンサレンズ、  ３４：ビーム成形開口、  ３５：ＮＡ開口、  ３６：照射レンズ、  ３７：走査偏向器、  ３８：Ｅ×Ｂ分離器、  ３９、４０：ダブレット型対物レンズ、  ４２、４３：軌道、  ４４、４７：偏向器、  ４５、４６、４８：拡大レンズ、  ４９：ＭＣＰ、  ５０：シンチレータ板、  ５１：リレー・レンズ、  ５２：ＴＤＩカメラ、  Ｗ：ウェーハ、  ６１：ダイ、  ６２：ストライプ、  ６３：電子ビームの断面形状、  ６６：照射域、  ６７〜７０：ピクセル、  ７１：画像形成に使われる電子ビームの端、  ７２：ストライプの端、  ７３：隣のダイ、  ７４：隣のストライプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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