(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の高周波素子間の信号干渉を低減させることができる高周波集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線パターン１３，１４が形成された基板１０と、基板１０の表面に実装された複数の高周波素子１１ａ、１１ｂと、高周波素子１１ａ、１１ｂを封止する絶縁性樹脂１２とを有し、絶縁性樹脂１２において、複数の高周波素子１１ａ、１１ｂ間の少なくとも一部に分離溝１６が設けられている高周波集積回路装置１とする。これにより、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションが確保され、高周波素子１１ａ，１１ｂ間の信号干渉を低減させることができる。【選択図】図１
2005340656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有する高周波集積回路装置であって、
前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝が設けられていることを特徴とする高周波集積回路装置。
【請求項２】
前記分離溝の幅方向の断面形状は、Ｖ字型又はＵ字型に形成されている請求項１に記載の高周波集積回路装置。
【請求項３】
前記分離溝で区分された前記高周波素子間を電気的に接続する前記配線パターンは、前記基板の内部に形成されている請求項１に記載の高周波集積回路装置。
【請求項４】
前記分離溝の内壁に金属薄膜を更に備えている請求項１に記載の高周波集積回路装置。
【請求項５】
前記分離溝の内壁に金属薄膜を更に備え、
前記金属薄膜と、前記基板の表面に形成された前記配線パターンの少なくとも一部とは、電気的に接続されている請求項１に記載の高周波集積回路装置
【請求項６】
前記絶縁性樹脂の表面全体に金属薄膜を更に備えている請求項１に記載の高周波集積回路装置。
【請求項７】
配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有する高周波集積回路装置であって、
前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に貫通孔が設けられていることを特徴とする高周波集積回路装置。
【請求項８】
前記貫通孔の内壁に金属薄膜を更に備えている請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項９】
前記貫通孔の内壁に金属薄膜を更に備え、
前記金属薄膜と、前記基板の表面に形成された前記配線パターンの少なくとも一部とは、電気的に接続されている請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１０】
前記絶縁性樹脂の表面全体に金属薄膜を更に備えている請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１１】
前記高周波素子は、送信電力増幅素子及びスイッチ素子を含み、
前記高周波集積回路装置は、前記送信電力増幅素子と前記スイッチ素子との間に前記分離溝又は前記貫通孔が設けられている請求項１又は請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１２】
前記高周波素子は、送信用素子及び受信用素子を含み、
前記高周波集積回路装置は、前記送信用素子と前記受信用素子との間に前記分離溝又は前記貫通孔が設けられている請求項１又は請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１３】
前記分離溝又は前記貫通孔は、複数箇所に設けられている請求項１又は請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１４】
前記高周波素子は、送信用素子、受信用素子及びスイッチ素子を含み、
前記高周波集積回路装置は、前記送信用素子と前記受信用素子との間、前記受信用素子と前記スイッチ素子との間及び前記スイッチ素子と前記送信用素子との間に前記分離溝又は前記貫通孔が設けられている請求項１又は請求項７に記載の高周波集積回路装置。
【請求項１５】
配線パターンが形成された基板を準備し、
前記基板の表面に複数の高周波素子を実装し、
絶縁性樹脂を用いて前記高周波素子を封止し、
前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝を形成する高周波集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
前記分離溝は、前記絶縁性樹脂の一部を機械的に研削して形成する請求項１５に記載の高周波集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
前記分離溝は、前記絶縁性樹脂の一部をレーザ加工して形成する請求項１５に記載の高周波集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
前記分離溝は、前記絶縁性樹脂の一部を金型により圧縮加工して形成する請求項１５に記載の高周波集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
配線パターンが形成された基板を準備し、
前記基板の表面に複数の高周波素子を実装し、
絶縁性樹脂を用いて前記高周波素子を封止し、
前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に貫通孔を形成する高周波集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
前記貫通孔は、前記絶縁性樹脂の一部をレーザ加工して形成する請求項１９に記載の高周波集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波集積回路装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信の果たす役割が極めて大きくなってきており、これに伴い移動通信システムに対する需要が急速に高まってきている。こうした状況の中で、携帯電話やコードレス電話においては、システムの小型化、多機能化及びサービスの向上（デュアルバンド化、トリプルバンド化等）に対する要求から、高周波回路ブロックの縮小化が求められており、それらを構成する各デバイスの小型化及び集積化が極めて重要となっている。従来から、携帯電話に使用される高周波回路ブロックの機器の一つである高周波電力増幅器は、誘電体多層基板を用いてモジュール化され小型化されていた。また、アンテナスイッチ素子についても、チップサイズのシュリンクやChip Size Package（ＣＳＰ）を用いて小型化されていた。また、最近では、デバイスの更なる小型化及び集積化のため、複数の高周波素子を一つのパッケージに集積化した高周波集積回路装置が開発されている（例えば、特許文献１等）。
【特許文献１】特開平１０―３７１０６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、高周波素子を集積化させると、高周波素子間の距離の狭小化により、高周波素子の封止に用いる絶縁性樹脂を通じて、高周波領域において容量結合が発生しやすくなる。その結果、高周波素子間の信号干渉により、高周波特性の劣化を引き起こしたり、クロスモジュレーションや受信帯域での雑音等の問題が顕著になったりする。
【０００４】
本発明は、複数の高周波素子間の信号干渉を低減させることができる高周波集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の高周波集積回路装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝が設けられていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の第２の高周波集積回路装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に貫通孔が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の高周波集積回路装置の第１の製造方法は、配線パターンが形成された基板を準備し、前記基板の表面に複数の高周波素子を実装し、絶縁性樹脂を用いて前記高周波素子を封止し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝を形成する。
【０００８】
本発明の高周波集積回路装置の第２の製造方法は、配線パターンが形成された基板を準備し、前記基板の表面に複数の高周波素子を実装し、絶縁性樹脂を用いて前記高周波素子を封止し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に貫通孔を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の高周波集積回路装置は、絶縁性樹脂において、複数の高周波素子間の少なくとも一部に分離溝又は貫通孔が設けられているため、アイソレーションが確保され、高周波素子間の信号干渉を防止することができる。
【００１０】
本発明の高周波集積回路装置の製造方法は、絶縁性樹脂を用いて高周波素子を封止した後に、分離溝又は貫通孔を形成するため、本発明の高周波集積回路装置を容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の第１の高周波集積回路装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有する。前記基板は、例えば樹脂基板、セラミック基板等の汎用基板やリードフレーム等を使用することができる。前記配線パターンは公知の方法で形成することができ、例えば、前記基板表面に熱プレス等により設けた金属箔を、公知のフォトリゾグラフィー法等によりエッチングすることで形成できる。前記高周波素子としては、例えば、送信電力増幅素子、送信用素子、受信用素子、スイッチ素子等が好適に使用できる。前記高周波素子の前記基板への実装方法は、公知の方法を用いることができ、例えば、ワイヤーボンディング接合等により実装することができる。前記絶縁性樹脂は特に限定されないが、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。
【００１２】
そして、本発明の第１の高周波集積回路装置は、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝が設けられている。これにより、複数の高周波素子間のアイソレーションが確保され、高周波素子間の信号干渉を防止することができる。
【００１３】
また、前記分離溝の幅方向の断面形状は、加工性の観点からＶ字型又はＵ字型に形成されていることが好ましい。また、前記分離溝で区分された前記高周波素子間を電気的に接続する前記配線パターンは、前記基板の内部に形成されていることが好ましい。これにより、分離溝の加工が容易となる。なお、前記基板の内部に前記配線パターンを設ける方法は、例えば、配線パターンが形成された樹脂基板上に、別の樹脂基板を載置し、熱プレスにより圧縮して基板間を接着させればよい。
【００１４】
また、本発明の第１の高周波集積回路装置は、前記分離溝の内壁に金属薄膜を更に備えていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保がより容易となる。なお、金属薄膜は、例えば、金、銀、銅、ニッケル等の金属を前記分離溝の内壁面にめっきすることにより形成できる。また、本発明の第１の高周波集積回路装置は、前記構成において、前記金属薄膜と、前記基板の表面に形成された前記配線パターンの少なくとも一部（例えば、グランドパターン）とが、電気的に接続されていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保が更に容易となる。また、本発明の第１の高周波集積回路装置は、前記絶縁性樹脂の表面全体に金属薄膜を更に備えていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保がより容易となる上、金属薄膜のシールド効果により、他の高周波回路への電磁波の影響を緩和させることができる。更に、前記構成によれば、高周波集積回路装置の放熱性を向上させることもできる。
【００１５】
本発明の第２の高周波集積回路装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板の表面に実装された複数の高周波素子と、前記高周波素子を封止する絶縁性樹脂とを有し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に貫通孔が設けられている。これにより、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置と同様に、複数の高周波素子間のアイソレーションが確保され、高周波素子間の信号干渉を防止することができる。なお、各構成要素の材料等は、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置と同様である。
【００１６】
また、本発明の第２の高周波集積回路装置は、前記貫通孔の内壁に金属薄膜を更に備えていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保がより容易となる。なお、金属薄膜は、例えば、金、銀、銅、ニッケル等の金属を前記貫通孔の内壁面にめっきすることにより形成できる。また、本発明の第２の高周波集積回路装置は、前記構成において、前記金属薄膜と、前記基板の表面に形成された前記配線パターンの少なくとも一部（例えば、グランドパターン）とが、電気的に接続されていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保が更に容易となる。また、本発明の第２の高周波集積回路装置は、前記絶縁性樹脂の表面全体に金属薄膜を更に備えていることが好ましい。これにより、アイソレーションの確保がより容易となる上、金属薄膜のシールド効果により、他の高周波回路への電磁波の影響を緩和させることができる。更に、前記構成によれば、高周波集積回路装置の放熱性を向上させることもできる。
【００１７】
また、本発明の第１及び第２の高周波集積回路装置にそれぞれ設けられる前記分離溝及び前記貫通孔は、全ての高周波素子間に設ける必要はなく、アイソレーションの確保が必要な箇所に設ければよい。例えば、送信電力増幅素子とスイッチ素子との間、送信用素子と受信用素子との間、受信用素子とスイッチ素子との間、スイッチ素子と送信用素子との間等に１つ以上設ければよい。
【００１８】
本発明の高周波集積回路装置の製造方法は、配線パターンが形成された基板を準備し、前記基板の表面に複数の高周波素子を実装し、絶縁性樹脂を用いて前記高周波素子を封止し、前記絶縁性樹脂において、複数の前記高周波素子間の少なくとも一部に分離溝（第１の製造方法）又は貫通孔（第２の製造方法）を形成する。本製造方法によれば、絶縁性樹脂を用いて高周波素子を封止した後に、分離溝又は貫通孔を形成するため、本発明の高周波集積回路装置を容易に形成することができる。
【００１９】
また、前記第１の製造方法において、前記分離溝を形成する際は、機械的に研削して形成する方法、レーザ加工して形成する方法及び金型により圧縮加工して形成する方法のうちいずれかの方法を採用することにより、容易に形成することができる。また、前記第２の製造方法において、前記貫通孔を形成する際は、レーザ加工して形成する方法を採用することにより、容易に形成することができる。以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態について図面を参照して説明する。参照する図１は、第１実施形態に係る高周波集積回路装置の説明図であり、図１Ａは概略斜視図、図１Ｂは断面図である。なお、第１実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００２１】
図１Ａに示すように、第１実施形態に係る高周波集積回路装置１は、基板１０と、基板１０の表面に実装された高周波素子１１ａ，１１ｂと、高周波素子１１ａ，１１ｂを封止する絶縁性樹脂１２とを備えている。また、図１Ｂに示すように、基板１０は、表面及び内部に配線パターン１３，１４を備え、更に、高周波素子１１ａ，１１ｂと配線パターン１４とを電気的に接続するビア導体１５が設けられている。そして、絶縁性樹脂１２において、高周波素子１１ａ，１１ｂ間に、有底溝からなる分離溝１６が設けられている。このように、高周波集積回路装置１は、分離溝１６が設けられることによって空気層１６ａが形成され、この空気層１６ａの比誘電率が、絶縁性樹脂１２の比誘電率より小さいため、高周波素子１１ａ，１１ｂ間の電界による容量結合を抑制することができる。これにより、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションが確保され、高周波素子１１ａ，１１ｂ間の信号干渉を防止することができる。なお、分離溝１６の幅は、０．２〜１０ｍｍが望ましい。０．２ｍｍ未満であればアイソレーションの確保が困難となり、１０ｍｍを超えると小型化が困難となる。また、分離溝１６の底部１６ｂの厚みは、アイソレーションをより容易に確保するためには、０．１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
また、分離溝１６の形成方法は、絶縁性樹脂１２を用いて高周波素子１１ａ，１１ｂを封止した後で、機械的に研削して形成する方法、レーザ加工して形成する方法又は金型により圧縮加工して形成する方法を採用することが好ましい。これにより、高周波集積回路装置１を容易に形成することができる上、製造コストを低減させることができる。
【００２３】
次に、本発明の高周波集積回路装置と従来の高周波集積回路装置との信号漏洩レベルの比較について述べる。図２は、第１実施形態に係る高周波集積回路装置１と従来の分離溝が設けられていない高周波集積回路装置について、周波数と信号漏洩レベルとの関係を示すグラフである。図２に示すように、２ＧＨｚの周波数において、本実施形態の高周波集積回路装置１（実線）は、従来（破線）に比べ信号漏洩レベルが１０ｄＢ以上改善されている。なお、この比較の際、高周波集積回路装置１の分離溝１６の幅は、０．２ｍｍとした。
【００２４】
以上、本発明の第１実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図３に示すように、幅方向の断面形状がＶ字型に形成された分離溝１７や、図４に示すように、幅方向の断面形状がＵ字型に形成された分離溝１８を設けてもよい。これにより、容易に分離溝を加工することができる。また、図５に示すように、貫通溝からなる分離溝１９を設けてもよい。これにより、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションをより容易に確保することができる。
【００２５】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について図面を参照して説明する。参照する図６は、第２実施形態に係る高周波集積回路装置の概略斜視図である。なお、図１Ａと同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第２実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００２６】
図６に示すように、第２実施形態に係る高周波集積回路装置２０は、基板１０の表面に、高周波素子１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆが実装されている。そして、絶縁性樹脂１２において、高周波素子１１ｃ，１１ｄ間、高周波素子１１ｅ，１１ｆ間及び高周波素子１１ｃ，１１ｅ間に、それぞれ貫通溝からなる分離溝２１，２２，２３が設けられている。その他の構成は、前述した第１実施形態に係る高周波集積回路装置１と同様である。このように、高周波集積回路装置２０では、アイソレーションの確保が必要な箇所にのみ分離溝が設けられている。
【００２７】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について図面を参照して説明する。参照する図７は、第３実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。なお、図１Ｂと同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第３実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００２８】
図７に示すように、第３実施形態に係る高周波集積回路装置３０は、絶縁性樹脂１２において、高周波素子１１ａ，１１ｂ間に、断面形状がＶ字型で貫通溝からなる分離溝３１が設けられている。また、高周波集積回路装置３０は、分離溝３１の内壁３１ａに金属薄膜３２を更に備え、この金属薄膜３２が、基板１０の表面に形成されたグランドパターン３３と電気的に接続されている。その他の構成は、前述した第１実施形態に係る高周波集積回路装置１と同様である。これにより、高周波集積回路装置３０は、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションをより容易に確保することができる。なお、金属薄膜３２は、例えば、金、銀、銅、ニッケル等の金属を分離溝３１の内壁３１ａの表面にめっきすることにより形成できる。この際、高周波集積回路装置３０においては、分離溝３１の断面形状がＶ字型であるため、容易にめっきすることができる。
【００２９】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について図面を参照して説明する。参照する図８は、第４実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。なお、図７と同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第４実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第１の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００３０】
図８に示すように、第４実施形態に係る高周波集積回路装置４０は、分離溝３１の内壁３１ａを含む絶縁性樹脂１２の表面全体に金属薄膜３２を備えている。その他の構成は、前述した第３実施形態に係る高周波集積回路装置３０と同様である。これにより、高周波集積回路装置４０は、高周波集積回路装置３０が奏する効果に加え、金属薄膜３２のシールド効果により、他の高周波回路（図示せず）への電磁波の影響を緩和させることができる。更に、第３実施形態に係る高周波集積回路装置３０に対し、放熱性を向上させることもできる。
【００３１】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態について図面を参照して説明する。参照する図９は、第５実施形態に係る高周波集積回路装置の説明図であり、図５Ａは概略斜視図、図５Ｂは断面図である。なお、図１Ａ，Ｂと同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第５実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第２の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００３２】
図９Ａ，Ｂに示すように、第５実施形態に係る高周波集積回路装置５０は、第１実施形態に係る高周波集積回路装置１（図１Ａ，Ｂ参照）において、分離溝１６の代わりに、高周波素子１１ａ，１１ｂ間の一部に複数の貫通孔５１が設けられている。その他の構成は、前述した第１実施形態に係る高周波集積回路装置１と同様である。これにより、高周波集積回路装置５０は、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションを容易に確保することができる。例えば、貫通孔５１の径Ｄ（図９Ｂ参照）を０．４ｍｍとし、貫通孔５１のピッチを０．４ｍｍとすることで、従来の高周波集積回路装置と比較して信号漏洩レベルで７ｄＢ程度改善された。なお、貫通孔５１の径Ｄをできるだけ大きくし、貫通孔５１のピッチをできるだけ狭くすることにより、アイソレーションの確保がより容易となることは言うまでもない。また、貫通孔５１は、例えば、絶縁性樹脂１２を用いて高周波素子１１ａ，１１ｂを封止した後で、レーザ加工等により形成することができる。この際、分離溝を形成する場合に比べ、加工が容易となり、加工時間も短縮できる。
【００３３】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態について図面を参照して説明する。参照する図１０は、第６実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。なお、図９Ｂと同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第６実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第２の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００３４】
図１０に示すように、第６実施形態に係る高周波集積回路装置６０は、第５実施形態に係る高周波集積回路装置５０（図９Ａ，Ｂ参照）の構成に加え、貫通孔５１の内壁５１ａに金属薄膜６１を更に備え、金属薄膜６１と、基板１０の表面に形成されたグランドパターン３３とが電気的に接続されている。これにより、高周波集積回路装置５０は、高周波素子１１ａ，１１ｂ間のアイソレーションをより容易に確保することができる。なお、金属薄膜６１は、例えば、金、銀、銅、ニッケル等の金属を貫通孔５１の内壁５１ａの表面にめっきすることにより形成できる。この際、めっきをより容易に行うために、貫通孔５１の径Ｄ（図９Ｂ参照）を０．２ｍｍ以上に形成しておくことが好ましい。
【００３５】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態について図面を参照して説明する。参照する図１１は、第７実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。なお、図１０と同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、第７実施形態に係る高周波集積回路装置は、前述した本発明の第２の高周波集積回路装置の一実施形態である。
【００３６】
図１１に示すように、第７実施形態に係る高周波集積回路装置７０は、貫通孔５１の内壁５１ａを含む絶縁性樹脂１２の表面全体に金属薄膜６１を備えている。その他の構成は、前述した第６実施形態に係る高周波集積回路装置６０と同様である。これにより、高周波集積回路装置７０は、高周波集積回路装置６０が奏する効果に加え、金属薄膜６１のシールド効果により、他の高周波回路（図示せず）への電磁波の影響を緩和させることができる。更に、第６実施形態に係る高周波集積回路装置６０に対し、放熱性を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波集積回路装置の説明図であり、Ａは概略斜視図、Ｂは断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る高周波集積回路装置と従来の分離溝が設けられていない高周波集積回路装置について、周波数と信号漏洩レベルとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第１実施形態に係る高周波集積回路装置の変形例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る高周波集積回路装置の変形例を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る高周波集積回路装置の変形例を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る高周波集積回路装置の概略斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る高周波集積回路装置の説明図であり、Ａは概略斜視図、Ｂは断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。
【図１１】本発明の第７実施形態に係る高周波集積回路装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１，２０，３０，４０，５０，６０，７０  高周波集積回路装置
１０    基板
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ  高周波素子
１２    絶縁性樹脂
１３，１４  配線パターン
１６，１７，１８，１９，２１，２２，２３，３１  分離溝
３１ａ，５１ａ  内壁
３２，６１  金属薄膜
３３    グランドパターン
５１    貫通孔
【図１】
2005340656.tif 000003
【図２】
2005340656.tif 000004
【図３】
2005340656.tif 000005
【図４】
2005340656.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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