(57)【要約】【課題】ヒータを用いたバーンイン装置の保護を行うために簡易にバーンイン装置の状態診断を行うこと。【解決手段】バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種のＤＵＴ３２に対してそれぞれヒータ６２およびＰＴセンサ６３を接触させ、ヒータ６２の消費電力を制御してＤＵＴ３２の温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、ＤＵＴ３２とヒータ６２およびＰＴセンサ６３とが非接触状態のとき、ヒータ６２およびＰＴセンサ６３が配置されるとともに冷却液が接触する温度制御ブロック６１の温度をＰＴセンサ６３によって検出し、この検出結果をもとにＰＴセンサ６３が正常か否かを診断するようにしている。【選択図】        図１
2005345437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、
前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが非接触状態のとき、該ヒータおよび温度センサが配置される温度制御ブロックの温度を前記温度センサによって検出し、この検出結果をもとに前記温度センサが正常か否かを診断することを特徴とするバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項２】
前記温度センサの検出結果をもとに前記温度センサの精度を診断することを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項３】
バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、
前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが非接触状態のときであって、前記ヒータへの通電オフ時の温度と前記ヒータに所定電力を与えた時の温度との温度差をもとに、前記ヒータの電源から前記ヒータまでの配線あるいは回路の障害の有無を診断することを特徴とするバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項４】
バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、
前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが接触状態のときに、前記被測定デバイスに印加されているフォース電圧とセンス電圧との電圧差を検出するとともに電圧が印加されるデバイス部分の電流値を検出し、前記電圧差を前記電流値で除算した値が所定の抵抗値を超えているか否かを判断し、超えている場合に、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間の配線あるいは回路に障害が発生していると診断することを特徴とするバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項５】
前記電流値を参照して前記デバイス部分に電流が流れている場合であって、前記フォース電圧と前記センス電圧との電圧差がない場合、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間に設けられてセンス電圧を流すセンス線が未接続状態であると診断することを特徴とするバーンイン装置の状態診断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、  バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスは、高速化、大容量化、多ビット化が進んでいるとともに多種多様化が一層進んでいる。この半導体デバイスに対しては、温度による加速試験であるバーンイン（burn-in）試験が行われる。バーンイン試験の特徴は、半導体デバイスなどの被測定デバイス（ＤＵＴ：device under test）に通電して高温にし、たとえばＬＳＩチップ内の不完全な金属接合部における高抵抗による局所的発熱を検出し、ＤＵＴの信頼性などを判定している。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２０６１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ヒータを用いた従来のバーンイン装置は、ヒータを用いてＤＵＴ周辺の雰囲気温度を調整していたため、消費電力が大幅に異なる複数のＤＵＴを同時に試験することができないという問題点があった。
【０００５】
そこで、各ＤＵＴにヒータを接触させて各ＤＵＴの温度調整を行うことが考えられるが、この場合、ヒータには大電流が流れ、バーンイン試験時にコネクタ等の接触不良があると、この部分が発熱し、焼損してしまうという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ヒータを用いたバーンイン装置の保護を行うために簡易にバーンイン装置の状態診断を行うことができるバーンイン装置の状態診断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１にかかるバーンイン装置の状態診断方法は、バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが非接触状態のとき、該ヒータおよび温度センサが配置される温度制御ブロックの温度を前記温度センサによって検出し、この検出結果をもとに前記温度センサが正常か否かを診断することを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２にかかるバーンイン装置の状態診断方法は、上記の発明において、前記温度センサの検出結果をもとに前記温度センサの精度を診断することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３にかかるバーンイン装置の状態診断方法は、バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが非接触状態のときであって、前記ヒータへの通電オフ時の温度と前記ヒータに所定電力を与えた時の温度との温度差をもとに、前記ヒータの電源から前記ヒータまでの配線あるいは回路の障害の有無を診断することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項４にかかるバーンイン装置の状態診断方法は、バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断方法において、前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが接触状態のときに、前記被測定デバイスに印加されているフォース電圧とセンス電圧との電圧差を検出するとともに電圧が印加されるデバイス部分の電流値を検出し、前記電圧差を前記電流値で除算した値が所定の抵抗値を超えているか否かを判断し、超えている場合に、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間の配線あるいは回路に障害が発生していると診断することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５にかかるバーンイン装置の状態診断方法は、上記の発明において、前記電流値を参照して前記デバイス部分に電流が流れている場合であって、前記フォース電圧と前記センス電圧との電圧差がない場合、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間に設けられてセンス電圧を流すセンス線が未接続状態であると診断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明にかかるバーンイン装置の状態診断方法では、バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置を前提とし、前記各種の被測定デバイスと各ヒータおよび温度センサとが非接触状態のとき、該ヒータおよび温度センサが配置されるとともに一定温度流体が接触する温度制御ブロックの温度を前記温度センサによって検出し、この検出結果をもとに前記温度センサが正常か否かを診断するなどの状態診断を行うようにしており、被測定デバイスとヒータおよび温度センサとの接触状態あるいは非接触状態を利用し、バーンイン装置の状態診断を容易に行うことができ、バーンイン装置の故障を未然に防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明を実施するための最良の形態であるバーンイン装置について説明する。
【００１４】
（実施の形態）
図１は、この発明の実施の形態にかかるバーンイン装置の全体概要構成を示すブロック図である。ＤＡ変換器の構成を示すブロック図である。図１において、このバーンイン装置１は、大きくは、バーンイン試験の全体を制御する試験制御部１０、この試験制御部１０に接続されＤＵＴ３２に対して電源電圧の出力および測定などを行うデバイス電源ユニット２０、試験制御部１０に接続されバーンイン試験時の温度調整を行う温度調整ユニット４０、デバイス電源ユニット２０に接続されＤＵＴ３２が配置される測定部３０、温度調整ユニット４０に接続される電源５０、および温度調整ユニット４０の制御のもとに温度制御を行う温度制御部６０を有する。
【００１５】
測定部３０は、測定ボード３１およびＤＵＴ３２を有し、ＤＵＴ３２は、測定ボード３１上に配置される。ＤＵＴ３２は、測定ボード３１上の配線およびコネクタ３３を介してデバイス電源ユニット２０に接続される。デバイス電源ユニット２０は、デバイス電源２１およびオン／オフ制御部２２を有し、試験制御部１０の制御のもとに、オン／オフ制御部２２が、デバイス電源２１からＤＵＴ３２に対する電源電圧Ｖdd，Ｖssの印加を行う。デバイス電源ユニット２０は、さらに電流測定部２３，電圧設定部２４、電圧測定部２５、および過電圧／過電流検出値設定部２６を有する。電流測定部２３および電圧測定部２５が測定した値をもとに試験制御部１０は、加速試験時のＤＵＴ３２の状態を知ることができる。電源電圧Ｖdd，Ｖssなどの値は、試験制御部１０によって可変設定でき、その値は、電圧設定部２４に保持される。過電圧／過電流検出値設定部２６は、電流測定部２３および電圧測定部２５の測定結果をもとに過電圧状態あるいは過電流状態であるかを判断する閾値を保持する。オン／オフ制御部２２は、この閾値を越えた場合、過電圧状態あるいは過電流状態であるとして、デバイス電源２１による電源電圧の出力低下あるいは遮断を行う。この閾値は、試験制御部１０によって可変設定される。
【００１６】
温度制御部６０は、温度制御ブロック６１にヒータ６２、ＰＴ（白金抵抗）センサ６３、および冷却部６４が設けられている。ＰＴセンサ６３は、その出力値を温度調整ユニット４０側に出力し、ヒータ６２は、温度調整ユニット４０によって温度上昇時に通電される制御がなされる。冷却部６２は、ＤＵＴ３２の周囲を冷却する冷却液が通る。ＤＵＴ３２の温度調整を行う場合、ヒータ６２とＰＴセンサ６３とは、ＤＵＴ３２に接触し、ＤＵＴ３２は直接、温度調整されることになる。ＤＵＴ３２の温度調整を行わない場合、ヒータ６２とＰＴセンサ６３とは、ＤＵＴ３２から物理的に離隔し、温度制御ブロック６１のみに接触した状態となる。これによって、ＰＴセンサ６３は、ヒータ６２あるいは冷却液の温度を検出することができる。
【００１７】
温度調整ユニット４０は、ＰＴセンサ６３からの出力値をもとにＰＴセンサ６３周囲の温度を測定する温度測定部４１、電源５０からの電力をヒータ６２に出力するヒータ回路４２、およびＤＵＴ３２の消費電力に応じたヒータ電力を個別制御するヒータ電力制限部４４を有する。
【００１８】
このバーンイン装置１では、試験制御部１０の全体制御のもとに、デバイス電源ユニット２０からＤＵＴ３２に対して電源電圧が印加されるとともに、温度調整ユニット４０によってヒータ６２を発熱させる電力が供給され、ＤＵＴ３２に対してヒータ６２が接触してＤＵＴ３２のバーンイン試験時の温度調整が行われる。このとき試験制御部１０は、デバイス電源ユニット２１を介してバーンイン試験結果を取得するとともに、温度調整ユニット４０を介した温度調整を行う。
【００１９】
ここで、ヒータ回路４２について詳細に説明する。図２は、電源５０およびヒータ６２を加えたヒータ回路の詳細構成を示す回路図である。図２において、ｐチャンネルのパワーＦＥＴであるＦＥＴ７２は、ＤＣ４８Ｖの電源５０に接続され、このＦＥＴ７２がスイッチングされることによって、ＤＣ４８Ｖのパルス電圧がヒータ６２側に印加される。ＦＥＴ７２のゲートと、抵抗Ｒ２を介したアースとの間に、トランジスタ７１が接続され、このトランジスタ７１がヒータ制御回路４３から出力されるＰＷＭ信号などの時間分散電圧指示信号にしたがってスイッチングされ、結果としてＦＥＴ７２がスイッチングされる。定電圧を維持するツェナーダイオードＤ１を備え、このツェナーダイオードＤ１のアノード側は、トランジスタ７１のコレクタと抵抗Ｒ２との間に接続され、カソード側は、抵抗Ｒ１を介してトランジスタ７１のエミッタとＦＥＴ７２のゲートとの間に接続されるとともに、ＦＥＴ７２のドレイン側に直接接続される。トランジスタ７１がオフのときは、電源５０のＤＣ４８Ｖがゲートに印加され、ＦＥＴ７２はオフ状態となり、トランジスタがオンのときは、ツェナーダイオードＤ１の電圧降下分、ゲートにかかる電圧が減少し、ＦＥＴ７２がオン状態となる。
【００２０】
上述したＦＥＴ７２を含むスイッチング回路とヒータ６２との間には、電圧平滑回路７３が設けられる。電圧平滑回路７３は、並列接続されたダイオードＤ２，コンデンサＣと直列接続されたインダクタＬとを有する。スイッチング回路側からはＤＣ４８Ｖのパルス電圧が印加されるが、電圧平滑回路７３によってパルス電圧が平滑されたアナログ電圧に変換される。ヒータ６２は、このアナログ電圧の振幅値にしたがった電力を発することになる。
【００２１】
コンパレータ７４は、ヒータ６２に加えられるアナログ電圧の値とヒータ制御回路４３から指示される電圧指示信号の値とを比較し、この比較結果をヒータ制御回路４３に出力する。電圧指示信号は、デジタルデータであるため、ＤＡコンバータ７５によってアナログ信号に変換された後、コンパレータ７４に入力される。ヒータ制御回路４３は、この比較結果をもとに、比較値が零となるように制御する。ここで、電圧指示信号は、目標の電圧値を示す信号であり、時間分散電圧指示信号は、目標の電圧値に到達するまでの変化量を所定電圧値以内に抑えて時間分散した電圧指示信号であり、直接スイッチング回路に与えられる。なお、ＤＡコンバータ７５によって電圧指示信号をアナログ信号に変換していたが、これに限らず、ＤＡコンバータ７５の代わりにアナログ電圧信号をデジタルデータに変換するＡＤコンバータを設け、コンパレータ７４がデジタル処理して比較するようにしてもよい。
【００２２】
ここで、上述したヒータ回路４２は、スイッチング回路が生成するパルス電圧によってノイズが電圧信号して生成されるが、この実施の形態では、スイッチング回路とヒータ６２との間に電圧平滑回路７３を設け、パルス電圧を、平滑されたアナログ電圧に変換しているのでヒータ６２側へのノイズ伝達が抑制される。特に、バーンイン試験時には、ヒータとＤＵＴ３２とが接触し、ＤＵＴ３２にノイズが電圧するとＤＵＴ３２に対する精度の高い試験を行えなくなるが、この実施の形態では、ヒータ６２からのノイズ発生がほとんどないため、精度の高いバーンイン試験を行うことができる。
【００２３】
さらに、ヒータ制御回路４３は、図３に示すように、時間分散電圧指示信号を生成してＦＥＴ７２のスイッチングを行い、急激な電圧変化による過電流発生を抑え、ツェナーダイオードＤ１による電流制限時におけるＦＥＴ７２の不完全スイッチングによるＦＥＴ７２の電力ロスを低減している。
【００２４】
図３に示すように、まず試験制御部１０は、試験開始時あるいは試験中に、温度測定部４１から通知された温度をもとに図３（ａ）に示す目標電圧値である電圧指示値をヒータ制御回路４３に出力する。ヒータ制御回路４３は、この電圧指示値をもとに図３（ｂ）に示す時間分散電圧指示値を生成し、この電圧指示値に対応する図３（ｃ）に示す時間分散電圧信号を生成し、トランジスタ７１に印加し、結果としてＦＥＴ７２をスイッチングする。
【００２５】
ここで、電圧指示値が図３（ａ）に示すように「０Ｖ→２４Ｖ」である場合、所定時間当たりの電圧増減値が５Ｖ以内になる時間分散電圧指示値を生成し、これをもとにパルス信号である時間分散指示信号を生成している。このような場合、電圧指示値に対応する時間分散電圧指示値の並びをあらかじめテーブル４３ａに格納しておき、電圧指示値に対応した時間分散電圧指示値を取り出して時間分散電圧指示信号を生成するようにしてもよい。なお、時間分散電圧指示信号は、所定時間当たりの電圧増減値が所定値以内であればよく、たとえば時間分散電圧指示信号の始めの部分は低い電圧値に設定し、その後徐々に所定値内で電圧値を増大させるようにしてもよい。すなわち現在電圧値から目標電圧値までの電圧増減値は、所定値以内であれば、その途中の電圧増減値は任意であり、関数的に変化させてもよいし、プログラム的に変化させるようにしてもよい。
【００２６】
この時間分散電圧信号がＦＥＴ７２に印加されると、電圧平滑回路７３によって図３（ｄ）に示すような平滑されたアナログ電圧信号に変換され、このアナログ電圧信号に対応した電力がヒータ６２から生成される。
【００２７】
一方、コンパレータ７４は、アナログ電圧信号の値と電圧指示値とを比較し、その結果をヒータ制御回路４３に出力する。ヒータ制御回路４３は、図３（ｅ）に示すように、コンパレータ出力がハイレベルのときにそのまま電圧値を増大させる時間分散電圧指示信号を出力するようにし、ローレベルになったとき、現電圧値を維持させる制御を行う。
【００２８】
なお、上述した時間分散電圧指示信号は、所定時間毎にパルス幅が一定のパルスの数を増減するものであったが、これに限らず、所定時間毎のパルス幅を変化させるＰＷＭ信号であってもよい。なお、電圧値の急上昇をさけるためには、所定時間毎にパルス幅が一定のパルスの数を増減するようにするのが、時間分散上、好ましい。
【００２９】
この実施の形態では、上述した時間分散電圧指示信号がＦＥＴ７２に印加されることによって急激に電圧値が大きくならず、その結果としてコンデンサＣに急激な電流が蓄積することがないため、ＦＥＴ７２に対する電流制限機能が働いてＦＥＴ７２が不完全スイッチングとならず、不完全スイッチング時の電力ロス発生をなくすことができる。この結果、ヒータ６２に対する電力消費以外の不要な電力消費を極力なくすことができ、省電力化されたバーンイン装置を実現できる。
【００３０】
ところで、バーンイン装置１による加速試験は、ＤＵＴ３２にかかる温度を制御するものであり、ＤＵＴ３２自体に印加される電源電圧による消費電力の大きなデバイスと消費電力の小さなデバイスとがある。この結果、図４に示すように、試験開始時に、ヒータ６２の電力をＤＵＴ３２の消費電力とは無関係に１００％の電力供給を行うと、ＤＵＴ３２であるデバイスの消費電力の大小に左右されて、ＤＵＴ３２の温度の時間変化が異なり、デバイスの消費電力が大きい場合には、速やかに目標温度に達し、デバイスの消費電力が小さい場合には緩やかに目標温度に達することになる。
【００３１】
しかし、多種多様のＤＵＴ３２に対する試験を同時に行う場合、緩やかに目標温度に達するものを基準に試験が終了することになるとともに、バーンイン装置１全体としての消費電力を考慮する必要がある。
【００３２】
そこで、この実施の形態では、ＤＵＴ３２の消費電力とヒータ６２の消費電力とのトータル電力が一定になるようにヒータ６２の消費電力を制御するようにしている。この消費電力の制御は、ヒータ電力制限部４４が行う。
【００３３】
図５は、この実施の形態によるヒータ電力制御と従来のヒータ電力制御とを比較した図である。図５において、ヒータ電力制限部４４は、たとえば最小の消費電力をもつデバイスであるＤＵＴに対しては、ヒータ６２がもつ最大の消費電力となるように制御し、最小の消費電力をもつＤＵＴの消費電力を超えるＤＵＴに対するヒータ６２の消費電力は、最小の消費電力をもつＤＵＴの消費電力とヒータ６２がもつ最大の消費電力とのトータル電力Ｐ２を超えない最大の消費電力となるように制御する。
【００３４】
このため、ヒータ電力制限部４４は、ＤＵＴ３２の消費電力とそのときのヒータ６２の最大消費電力との関係を予め求めておき、各ＤＵＴに対応したヒータ６２の最大消費電力を制限する制御を行う。なお、ＤＵＴ３２の消費電力が未知の場合、デバイス電源ユニット２０を介して電力測定を行い、この電力測定の結果をもとに、ヒータ電力制限部４４が、各ＤＵＴの消費電力に対応したヒータ６２の消費電力の制限を決定するようにしてもよい。
【００３５】
この結果、ＤＵＴの消費電力の大小にかかわらず、ＤＵＴの消費電力とヒータ６２の消費電力とのトータル電力が、トータル電力Ｐ２一定となり、ＤＵＴの温度の立ち上がりは、最小の消費電力をもつＤＵＴとほぼ同じになる。
【００３６】
ここで、従来のバーンイン装置のヒータの消費電力容量は、最大の消費電力をもつＤＵＴの消費電力とヒータの最大の消費電力とのトータル電力Ｐ１を備えなければならなかったが、この実施の形態では、バーンイン装置１のトータル電力Ｐ２の電力容量をもてばよく、小型軽量化を促進することができるとともに、省電力化を図ることができる。
【００３７】
なお、上述した実施の形態では、各ＤＵＴの消費電力の大小にかかわらず、トータル電力がトータル電力Ｐ２となるように制御していたが、これに限らず、たとえば中間の消費電力をもつＤＵＴの消費電力とヒータ６２の１００％消費電力とのトータル電力Ｐ３となる電力制限を行うようにしてもよい。この場合でも、従来のバーンイン装置に比して小型軽量化と省電力化を図ることができる。
【００３８】
ところで、上述したバーンイン装置は、各ＤＵＴに対して個別にヒータを設け、直接温度調節を行うものであるが、温度制御部６０のヒータ６２およびＰＴセンサ６３は、バーンイン試験時、ＤＵＴ３２に接触しているが、バーンイン試験時でないとき、ヒータ６２およびＰＴセンサ６３はＤＵＴ３２に非接触である。
【００３９】
したがって、ヒータ６２およびＰＴセンサ６３とＤＵＴとが非接触状態の時、つぎのような検査を行うことができる。まず、この状態では、温度制御ブロック６１とヒータ６２とＰＴセンサ６３と冷却液とが接触しており、ＰＴセンサ６３によって冷却液の温度を測定することによって、ＰＴセンサ６３の故障や精度の検証を行うことができる。これは冷却液の温度が一定であり、その温度が温度制御ブロック６１の温度と同じになっているからである。
【００４０】
また、ＰＴセンサ６３によって、ヒータ６２への通電をオフしたときと、一定の消費電力を供給したときとの温度差を測定し、この温度差をもとに、ヒータ６２の断線やヒータ回路４２の故障などを検出することができる。たとえば、ヒータ６２への通電をオフしているときに、ＰＴセンサ６３が冷却液の温度よりも高い温度を測定した場合、電源５０に対するオフ制御が行われていないことを検知でき、この場合、ヒータ回路４２によって電源５０からの電力供給を遮断する対処を行うことができる。
【００４１】
一方、ヒータ６２およびＰＴセンサ６３とＤＵＴとが接触状態の時には、ヒータ６２に対して一定電力を供給し、このときの単位時間あたりの温度変化をＰＴセンサ６３によって測定し、これによって温度制御ブロック６１側とＤＵＴ３２との間の熱接触抵抗を求めることができる。なお、熱接触抵抗が大きい場合、ＰＴセンサ６３が検出する単位時間あたりの温度変化は小さくなる。
【００４２】
さらに、この実施の形態では、デバイス電源２１とＤＵＴ３２との間のコネクタ３３や接続線などの不良を検出することができる。たとえば、デバイス電源２１側の各フォース電圧Ｆ＋，Ｆ−と各センス電圧Ｓ＋，Ｓ−との間の電圧差、さらには電流測定部２３が測定する電流値を測定し、次式、すなわち
（フォース電圧−センス電圧）／電流値＞所定の抵抗値
を満足する場合には、コネクタ３３が接触不良であると検出する。また、電流が流れているのに、フォース電圧とセンス電圧とに差がない場合には、ＤＵＴ３２とデバイス電源２１との間のセンス線が未接続状態であることを検出する。これらの異常を検出した場合、試験制御部１０は、デバイス電源２１をオフする制御を行う。これによって、ＤＵＴに大電流を流すバーンイン試験時にコネクタなどの接触不良による発熱や焼損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の実施の形態にかかるバーンイン装置の全体概要構成を示すブロックである。
【図２】図１に示したヒータ回路の詳細構成を示す回路図である。
【図３】ヒータ制御回路による時間分散電圧指示信号の生成とこの時間分散電圧指示信号によるヒータ制御を説明するタイムチャートである。
【図４】ＤＵＴ消費電力の大小によるＤＵＴの温度立ち上がり特性を示す図である。
【図５】ヒータ電力制限部によるヒータ電力制限制御を行った場合と従来のヒータ電力制御を行った場合とのトータル電力を比較する図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  バーンイン装置
１０  試験制御部
２０  デバイス電源ユニット
２１  デバイス電源
２２  オン／オフ制御部
２３  電流測定部
２４  電圧設定部
２５  電圧測定部
２６  過電圧／過電流検出値設定部
３０  測定部
３１  測定ボード
３２  ＤＵＴ
３３  コネクタ
４０  温度調整ユニット
４１  温度測定部
４２  ヒータ回路
４３  ヒータ制御回路
４３ａ  テーブル
４４  ヒータ電力制限部
５０  電源
６０  温度制御部
６１  温度制御ブロック
６２  ヒータ
６３  ＰＴセンサ
６４  冷却部
７１  トランジスタ
７２  ＦＥＴ
７３  電圧平滑回路
７４  コンパレータ
７５  ＤＡコンバータ
Ｄ１  ツェナーダイオード
Ｄ２  ダイオード
Ｒ１，Ｒ２  抵抗
Ｌ  インダクタ
Ｃ  コンデンサ
【図１】
2005345437.tif 000003
【図２】
2005345437.tif 000004
【図３】
2005345437.tif 000005
【図４】
2005345437.tif 000006
【図５】
2005345437.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンイン試験時に、該バーンイン試験を行う各種の被測定デバイスに対してそれぞれヒータおよび温度センサを接触させ、該ヒータの消費電力を制御して前記被測定デバイスの温度調整を行いつつ前記バーンイン試験を行うバーンイン装置の状態診断を該バーンイン装置の稼働状態中に行うバーンイン装置の状態診断方法において、
前記各種の被測定デバイスに接触する各ヒータおよび温度センサを有した温度制御ブロックにおける前記温度センサの検出結果と前記ヒータの消費電力と前記各種の被測定デバイスへの印加電圧とをもとに、当該バーンイン装置の状態診断を行うことを特徴とするバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項２】
前記温度制御ブロックが前記各種の被測定デバイスに接触しない状態での前記温度センサの検出結果をもとに前記温度センサの精度を診断することを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項３】
前記温度制御ブロックが前記各種の被測定デバイスに接触しない状態のときに、前記ヒータへの通電オフ時の温度と前記ヒータに所定電力を与えた時の温度との温度差をもとに、前記ヒータの電源から前記ヒータまでの配線あるいは回路の障害の有無を診断することを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項４】
前記温度制御ブロックが前記各種の被測定デバイスに接触した状態のときに、前記被測定デバイスに印加されているフォース電圧とセンス電圧との電圧差を検出するとともに電圧が印加されるデバイス部分の電流値を検出し、前記電圧差を前記電流値で除算した値が所定の抵抗値を超えているか否かを判断し、超えている場合に、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間の配線あるいは回路に障害が発生していると診断することを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置の状態診断方法。
【請求項５】
前記温度制御ブロックが前記各種の被測定デバイスに接触した状態のときに、前記被測定デバイスに印加されているフォース電圧とセンス電圧との電圧差を検出するとともに電圧が印加されるデバイス部分の電流値を検出し、前記電流値を参照して前記デバイス部分に電流が流れている場合であって、前記フォース電圧と前記センス電圧との電圧差がない場合、前記電圧源と前記被測定デバイスとの間に設けられてセンス電圧を流すセンス線が未接続状態であると診断することを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置の状態診断方法。