(57)【要約】【課題】  保護素子から発生する熱を良好に放熱するとともに平面サイズが大きくなることを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１０は、ポリシリコンダイオード２４とボンディングパッド２７と接続導体３２とを備えている。ポリシリコンダイオード２４は、半導体基板１１の上面に第１の絶縁膜２３を介して形成されている。ボンディングパッド２７は、第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成され、ポリシリコンダイオード２４に電気的に接続されている。接続導体３２は、ボンディングパッド２７とドレイン電極２９とを電気的に接続し、ドレイン電極２９とポリシリコンダイオード２４とを電気的に接続する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の主電極を備える半導体素子が形成された半導体基板の一方の主面に絶縁膜を介して形成された保護素子と、
前記保護素子に電気的に接続された電極パッドと、
前記電極パッドと前記半導体素子の一方の主電極とを電気的に接続し、当該電極と前記保護素子とを電気的に接続する接続導体と、を備え、
前記電極パッドは、絶縁膜を介して前記保護素子の上面を覆うように形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電極パッドは、前記保護素子の上面の少なくとも６０％を覆うように形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、制御用電極をさらに備え、
前記保護素子は、一方の端部側に前記電極パッドが接続され、他方の端部側に前記制御用電極が電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接続導体は、ボンディングワイヤである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記保護素子は、ポリシリコンダイオードから構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記保護素子に電気的に接続された一方の主電極は、導電性の支持基板に電気的に接続され、
前記接続導体は、前記電極パッドと前記支持基板とを電気的に接続し、当該電極と前記保護素子とを電気的に接続する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、詳しくは、保護素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、その動作時における熱破壊を防止するために、例えば、ポリシリコンダイオードのような保護素子を備えるものがある。このような半導体装置としては、例えば、ゲート・ドレイン間に接続されたポリシリコンダイオードを内蔵した絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）がある。
【０００３】
図４にポリシリコンダイオードを内蔵した半導体装置の断面図を示す。図４に示すように、半導体装置５０は、ｎ＋型半導体領域からなるドレイン領域５１と、ドレイン領域５１の上面に形成されたｎ型半導体領域からなるドリフト領域５２と、ドリフト領域５２の表面に形成されたｐ型半導体領域からなるベース領域５３と、ベース領域５３の表面に形成されたｎ＋型半導体領域からなるソース領域５４と、ドリフト領域５２の表面に形成されたｐ型半導体領域からなるＰウエル領域５５とを有する半導体基板５６を備えている。
【０００４】
ベース領域５３は、ドリフト領域５２内に複数形成されている。Ｐウエル領域５５は、複数のベース領域５３を包囲するように、環状に形成されている。ソース領域５４とドリフト領域５２とに挟まれたベース領域５３の上面には、ゲート絶縁膜５７を介してゲート電極５８が形成されている。このため、ソース領域５４とドリフト領域５２とに挟まれたベース領域５３は、チャネル領域として機能する。
【０００５】
また、Ｐウエル領域５５の上面には、第１の絶縁膜５９を介して多結晶シリコン（ポリシリコン）からなるダイオード（ポリシリコンダイオード）６０が形成されている。ポリシリコンダイオード６０は、ｎ型領域とｐ型領域とが交互に配置された構成となっており、Ｐウエル領域５５の幅方向に延伸するように配置されている。
【０００６】
ポリシリコンダイオード６０の上面には、第２の絶縁膜６１が形成されている。第２の絶縁膜６１には、両端に配置されたｎ型領域の上面に対応する位置に２つの開孔６１ａ，６１ｂが形成されている。この一方の開孔６１ａを通じてポリシリコンダイオード６０の一方の端部側にゲート・ダイオード間接続配線６２が接続されている。これによりポリシリコンダイオード６０の一方の端部はゲート電極５８に電気的に接続されている。また、他方の開孔６１ｂを通じてポリシリコンダイオード６０の他方の端部側にはボンディングパッド６３が接続されている。
【０００７】
ゲート・ダイオード間接続配線６２及び第２の絶縁膜６１の上面には第３の絶縁膜６４が形成されている。この第３の絶縁膜６４のうち、ボンディングパッド６３の上面に対応する部分には開孔６４ａが設けられている。この開孔６４ａを通じてボンディングパッド６３上に、例えば、ボンディングワイヤからなる接続導体６５が接続されている。この接続導体６５は、導電性接着剤６６を介してドレイン電極６７が電気的に接続された金属製支持基板６８に接続されている。従って、ポリシリコンダイオード６０の一方の端部はゲート電極５８に接続され、他方の端部はドレイン電極６７に接続されている。ベース領域５３に対向する部分の第２の絶縁膜６１及び第３の絶縁膜６４には開孔６１ｃ，６４ｂが形成されている。この開孔６１ｃ，６４ｂを通じてベース領域５３及びソース領域５４にソース電極６９が電気的に接続されている。
【０００８】
このように、ポリシリコンダイオード６０とドレイン電極６７とを接続導体６５（ボンディングワイヤ）で電気的に接続された半導体装置５０によれば、支持基板６８とポリシリコンダイオード６０間に接続導体６５をワイヤボンディングする前においては、ポリシリコンダイオード６０と半導体装置５０（ＭＯＳＦＥＴ）とが電気的に独立している。このため、接続導体６５をワイヤボンディングする前にポリシリコンダイオード６０と半導体装置５０との電気的特性を個別に測定し、その後にポリシリコンダイオード６０とドレイン電極６７とを電気的に接続することができる。このような半導体装置５０は、例えば、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−９４１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図４に示すような半導体装置５０では、接続導体６５を接続するためのボンディングパッド６３を形成することが必要になる。しかし、ボンディングパッド６３を形成することにより、チップの平面サイズが大きくなってしまうという問題がある。例えば、ドリフト領域の表面側に形成したｎ＋半導体領域にポリシリコンダイオードを接続してポリシリコンダイオードとドレイン電極とを電気的に接続したＭＯＳＦＥＴに比較すると、図４に示すような半導体装置５０は、その平面サイズがかなり大きくなってしまう。
【００１０】
また、ポリシリコンダイオード６０に流れる電流が大きくなると、ダイオードから発生する熱を良好に放出できるように放熱性を高める必要があるが、図４に示す半導体装置５０では放熱について何ら考慮されておらず、温度上昇による熱破壊を起こすおそれがある。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、保護素子から発生する熱を良好に放熱するとともに平面サイズが大きくなることを抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、
少なくとも一対の主電極を備える半導体素子が形成された半導体基板の一方の主面に絶縁膜を介して形成された保護素子と、
前記保護素子に電気的に接続された電極パッドと、
前記電極パッドと前記半導体素子の一方の主電極とを電気的に接続し、当該電極と前記保護素子とを電気的に接続する接続導体と、を備え、
前記電極パッドは、絶縁膜を介して前記保護素子の上面を覆うように形成されている、ことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、電極パッドが絶縁膜を介して前記保護素子の上面を覆うように形成されているので、保護素子に比較的大きな電流を流しても保護素子から発生する熱が電極パッドを通じて良好に放熱される。また、電極パッドを形成してもチップの平面サイズが大きくなることを抑制する。
【００１４】
前記電極パッドは、前記保護素子の上面の少なくとも６０％を覆うように形成されていることが好ましい。
【００１５】
前記半導体素子は、制御用電極をさらに備えていてもよい。この場合、前記保護素子は、一方の端部側に前記電極パッドが接続され、他方の端部側に前記制御用電極が電気的に接続される。
【００１６】
前記接続導体としては、例えば、ボンディングワイヤがある。前記保護素子は、例えば、ポリシリコンダイオードから構成されている。
【００１７】
前記保護素子に電気的に接続された一方の主電極は、導電性の支持基板に電気的に接続されていてもよい。この場合、前記接続導体は、前記電極パッドと前記支持基板とを電気的に接続し、当該電極と前記保護素子とを電気的に接続する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、保護素子から発生する熱を良好に放熱するとともに平面サイズが大きくなることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の半導体装置について、保護素子としてのポリシリコンダイオードを内蔵した絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える半導体装置の場合を例に説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の断面図である。
【００２０】
図１に示すように、半導体装置１０は、半導体基板１１と、ゲート絶縁膜２１と、制御用電極としてのゲート電極２２と、第１の絶縁膜２３と、保護素子としてのポリシリコンダイオード２４と、第２の絶縁膜２５と、ゲート・ダイオード間接続配線２６と、電極パッドとしてのボンディングパッド２７と、第３の絶縁膜２８と、一対の主電極としてのドレイン電極２９及びソース電極３０と、支持基板３１と、を備えている。
【００２１】
半導体基板１１は、ドレイン領域１２と、ドリフト領域１３と、ベース領域１４と、ソース領域１５と、Ｐウエル領域１６とを備えている。
【００２２】
ドレイン領域１２は、ドリフト領域１３よりも相対的に不純物濃度の高い、Ｎ+型半導体領域から構成されている。ドリフト領域１３は、ドレイン領域１２の上面に形成されている。ドリフト領域１３は、ドレイン領域１２よりも相対的に不純物濃度の低いＮ型半導体領域から構成されている。図２に本実施の形態の半導体基板１１の平面図を示す。
【００２３】
図２に示すように、ベース領域１４は、半導体基板１１の表面でドリフト領域１３が網目状に露出するように、ドリフト領域１３内に表面領域に島状に分散形成されている。ベース領域１４は、ｐ型半導体領域から構成されている。
【００２４】
ソース領域１５は、ベース領域１４の表面領域に形成され、ベース領域１４の外周縁に沿って環状に形成されている。このため、ソース領域１５の外周側には、ベース領域１４が環状に露出する。ソース領域１５は、ドリフト領域１３よりも不純物濃度の高いｎ＋型半導体領域から構成されている。
【００２５】
Ｐウエル領域１６は、ドリフト領域１３の表面領域に形成され、ベース領域１４を包囲するように、半導体基板１１の外周側に環状に形成されている。Ｐウエル領域１６は、ｐ型半導体領域から構成されている。Ｐウエル領域１６は、主として、ポリシリコンダイオード２４の下面に配置された第１の絶縁膜２３の絶縁耐圧を向上させる機能を有する。なお、ベース領域１４とＰウエル領域１６とは同一の拡散工程で形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜２１は、ソース領域１５とドリフト領域１３とに挟まれたベース領域１４（環状に露出するベース領域１４）の上面に形成されている。ゲート絶縁膜２１は、例えば、シリコン酸化膜から形成されている。この環状に露出するベース領域１４は、チャネル領域として機能する。
【００２７】
ゲート電極２２は、ゲート絶縁膜２１の上面に形成されている。ゲート電極２２は、例えば、ポリシリコン、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属からなる導体膜から構成され、ＣＶＤ等により形成されている。ゲート電極２２に所定の電圧（ゲート電圧）が印加されると、環状に露出するベース領域１４の表面近傍にチャネルが形成される。
【００２８】
第１の絶縁膜２３は、Ｐウエル領域１６の上面に形成されている。第１の絶縁膜２３は、例えば、シリコン酸化膜から形成されている。
【００２９】
ポリシリコンダイオード２４は、第１の絶縁膜２３の上面に形成されている。図３に、ポリシリコンダイオード２４付近の平面図を示す。なお、図３では、ポリシリコンダイオード２４とボンディングパッド２７との位置関係をわかりやすく示すために、第１の絶縁膜２３等の絶縁膜を図示していない。
【００３０】
図３に示すように、ポリシリコンダイオード２４は、Ｐウエル領域１６の一部を横切るように、Ｐウエル領域１６の幅方向に延伸している。すなわち、ポリシリコンダイオード２４は、Ｐウエル領域１６の素子中央側から帯状に形成されている。ポリシリコンダイオード２４が形成されていない領域では、第１の絶縁膜２３の上面が露出している。
【００３１】
ポリシリコンダイオード２４は、多結晶シリコン（ポリシリコン）からなるダイオードから構成されている。ポリシリコンダイオード２４は、一方の端部と他方の端部にＮ型領域２４ａ，２４ｂが配置され、このＮ型領域内に、所定数のＰ型領域とＮ型領域とが交互に配置されている。なお、図１及び図３では、ポリシリコンダイオード２４のＮ型領域とＰ型領域とを明確にするためにＰ型領域を黒く塗りつぶしている。Ｐ型領域とＮ型領域との界面にはＰＮ接合が形成されており、ポリシリコンダイオード２４は、双方向のＰＮ接合ダイオードを構成している。
【００３２】
第２の絶縁膜２５は、ポリシリコンダイオード２４の上面、ポリシリコンダイオード２４が形成されていない第１の絶縁膜２３の上面、ゲート電極２２の上面、ゲート電極２２が形成されていないゲート絶縁膜２１の上面等に形成されている。第２の絶縁膜２５は、例えば、シリコン酸化膜から形成されている。
【００３３】
第２の絶縁膜２５は、ポリシリコンダイオード２４の両端に配置されたＮ型領域２４ａ，２４ｂの上面に対応する位置に、開孔２５ａ，２５ｂが形成されている。このため、ポリシリコンダイオード２４の上面に第２の絶縁膜２５が形成された状態で、一方の開孔２５ａからポリシリコンダイオード２４の一方の端部に配置されたＮ型領域２４ａの上面が露出し、他方の開孔２５ｂからポリシリコンダイオード２４の他方の端部に配置されたＮ型領域２４ｂの上面が露出する。また、第２の絶縁膜２５は、ゲート電極２２の上面に対応する位置に開孔２５ｃが形成され、ベース領域１４及びソース領域１５の上面に対応する位置に開孔２５ｄが形成されている。このため、ゲート電極２２の上面に第２の絶縁膜２５が形成された状態で、開孔２５ｃからゲート電極２２の上面が露出し、開孔２５ｄからベース領域１４及びソース領域１５の上面が露出する。
【００３４】
ゲート・ダイオード間接続配線２６は、ポリシリコンダイオード２４とゲート電極２２とを電気的に接続するように形成されている。すなわち、ゲート・ダイオード間接続配線２６は、その一端が開孔２５ａから露出するポリシリコンダイオード２４の一方のＮ型領域２４ａの上面に接続され、他端が開孔２５ｃから露出するゲート電極２２の上面に接続されている。このため、ゲート・ダイオード間接続配線２６を介して、ポリシリコンダイオード２４とゲート電極２２とが電気的に接続される。
【００３５】
ボンディングパッド２７は、ポリシリコンダイオード２４の上面に形成された第２の絶縁膜２５の上面に形成されている。また、ボンディングパッド２７は、その端部が開孔２５ｂから露出するポリシリコンダイオード２４の他方のＮ型領域２４ｂの上面に接続されている。このため、ボンディングパッド２７の上面において第２の絶縁膜２５の上方に位置する領域が接続導体３２（例えば、ボンディングワイヤ）の接続領域（ボンディング領域）として機能する。接続導体３２は、ボンディングパッド２７にワイヤボンディングされる。
【００３６】
ここで、ボンディングパッド２７は、ポリシリコンダイオード２４の上面に形成された第２の絶縁膜２５の上面に形成されている。このため、ボンディングパッド２７を形成しても、その平面サイズが大きくならない。従って、半導体装置１０の平面サイズが大きくなることを抑制することができる。
【００３７】
また、ボンディングパッド２７は、比較的平坦な第２の絶縁膜２５の上方に形成されているので、その上面の平坦性に優れている。このため、接続導体３２をボンディングパッド２７に良好にかつ強固に接続することができる。ボンディングパッド２７への接続導体３２の接続は、例えば、周知のワイヤボンディング方法によって行うことができる。
【００３８】
さらに、ボンディングパッド２７とポリシリコンダイオード２４との間に第２の絶縁膜２５が形成されているので、ポリシリコンダイオード２４を構成するＰ型領域とＮ型領域との界面に形成されたＰＮ接合がボンディングパッド２７によって電気的に短絡されるおそれがなくなる。
【００３９】
ボンディングパッド２７は、第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４と対向するように、ポリシリコンダイオード２４の他方の端部側（Ｎ型領域２４ｂ側）からポリシリコンダイオード２４の一方の端部側（Ｎ型領域２４ａ側）に向かって延伸するように配置されている。この結果、ボンディングパッド２７は、ポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成されている。このため、ポリシリコンダイオード２４に比較的大きな電流を流しても、ポリシリコンダイオード２４から発生する熱をボンディングパッド２７を通じて良好に放熱させることができる。このように、ボンディングパッド２７は、接続導体３２のボンディング領域として機能するとともに、ポリシリコンダイオード２４の放熱体としても機能する。
【００４０】
ここで、ボンディングパッド２７は、ポリシリコンダイオード２４の上面を少なくとも６０％覆うように形成することが好ましく、少なくとも７０％覆うように形成することがさらに好ましい。ポリシリコンダイオード２４の上面を少なくとも６０％覆うことにより、ポリシリコンダイオード２４から発生した熱を特に良好に放熱することができるためである。例えば、図３に示すように、ボンディングパッド２７及びポリシリコンダイオード２４の上面の形状がほぼ長方形の場合、ポリシリコンダイオード２４の一方の端部から他方の端部に向かう長さを（Ｌ）としたときに、ボンディングパッド２７の一方の端部から他方の端部に向かう長さが、（Ｌ）の７０％（０．７Ｌ）以上となるように形成することが好ましく、（Ｌ）の８０％（０．８Ｌ）以上となるように形成することがさらに好ましい。本実施の形態では、図３に示すように、ボンディングパッド２７の長さを０．８Ｌとし、その面積をポリシリコンダイオード２４の７２％とした。
【００４１】
第３の絶縁膜２８は、ゲート・ダイオード間接続配線２６の上面、第２の絶縁膜２５の上面及びボンディングパッド２７の周縁部等に形成されている。また、第３の絶縁膜２８は、ベース領域１４及びソース領域１５の上面に対応する位置に開孔２８ａが形成されている。このため、開孔２８ａからベース領域１４及びソース領域１５の上面が露出する。第３の絶縁膜２８は、例えば、シリコン酸化膜から形成されている。
【００４２】
ドレイン電極２９は、ドレイン領域１２の下面に形成されている。ドレイン電極２９は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属から構成されている。ソース電極３０は、開孔２５ｄ及び開孔２８ａから露出するベース領域１４及びソース領域１５の上面に形成され、ベース領域１４及びソース領域１５と電気的に接続する。ソース電極３０は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属から構成されている。ドレイン電極２９とソース電極３０とが半導体装置１０の一対の主電極を構成する。
【００４３】
支持基板３１は、導電性接着剤３３を介してドレイン電極２９の下面に配置されいる。支持基板３１は、金属製の支持基板から構成され、導電性接着剤３３を介してドレイン電極２９に電気的に接続されている。また、支持基板３１には、ボンディングパッド２７に接続された接続導体３２が接続されている。従って、ポリシリコンダイオード２４の一方の端部側（２４ａ側）はゲート電極２２に電気的に接続され、他方の端部側（２４ｂ側）はドレイン電極２９に接続されている。
【００４４】
このように構成された半導体装置１０では、ボンディングパッド２７がポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成されているので、ポリシリコンダイオード２４に比較的大きな電流を流しても、ポリシリコンダイオード２４から発生する熱をボンディングパッド２７を通じて良好に放熱させることができる。また、ボンディングパッド２７を形成しても、半導体装置１０の平面サイズが大きくなることを抑制することができる。
【００４５】
また、このように構成された半導体装置１０では、ボンディングパッド２７が半導体装置１０の主電極と直接接続されておらず、接続導体３２を介して主電極（ドレイン電極２９）に接続されている。このため、半導体装置１０全体で発生する熱が主電極を通じてボンディングパッド２７に伝わらず、ボンディングパッド２７がポリシリコンダイオード２４用の放熱体として良好に機能する。これは、ボンディングパッドをソース電極等の主電極に直接接続した場合には、半導体装置全体で発生する熱が主電極を介してボンディングパッドに伝わるため、ボンディングパッドによるポリシリコンダイオードの放熱機能を損なうおそれがあるからである。
【００４６】
さらに、このように構成された半導体装置１０では、支持基板３１とポリシリコンダイオード２４との間に接続導体３２をワイヤボンディングするまで、ポリシリコンダイオード２４とＭＯＳＦＥＴとがそれぞれ電気的に独立している。このため、接続導体３２をワイヤボンディングする前に、ポリシリコンダイオード２４とＭＯＳＦＥＴとの電気的特性を個別に測定し、その後にポリシリコンダイオード２４とドレイン電極２９とを電気的に接続することができる。
【００４７】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ボンディングパッド２７が第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成しているので、ポリシリコンダイオード２４から発生した熱を良好に放熱することができる。本実施の形態では、ボンディングパッド２７をポリシリコンダイオード２４の上面の７２％を覆うように形成しているので、ポリシリコンダイオード２４から発生した熱を特に良好に放熱することができる。
【００４８】
本実施の形態によれば、ボンディングパッド２７がポリシリコンダイオード２４の上面側に形成しているので、ボンディングパッド２７を形成しても、半導体装置１０の平面サイズが大きくなることを抑制することができる。
【００４９】
本実施の形態によれば、ボンディングパッド２７が平坦な第２の絶縁膜２５の上方に形成されているので、接続導体３２をボンディングパッド２７に良好にかつ強固に接続することができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、ボンディングパッド２７が半導体装置１０の主電極と直接接続されていないので、ボンディングパッド２７がポリシリコンダイオード２４用の放熱体として良好に機能する。
【００５１】
本実施の形態によれば、接続導体３２をワイヤボンディングするまで、ポリシリコンダイオード２４とＭＯＳＦＥＴとがそれぞれ電気的に独立しているので、ワイヤボンディングする前に、ポリシリコンダイオード２４とＭＯＳＦＥＴとの電気的特性を個別に測定することができる。
【００５２】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００５３】
上記実施の形態では、ボンディングパッド２７をポリシリコンダイオード２４の上面の７２％を覆うように形成している場合を例に本発明を説明したが、ボンディングパッド２７はポリシリコンダイオード２４の上面の６０％未満、例えば、５０％を覆うように形成してもよい。この場合にも、ポリシリコンダイオード２４から発生した熱を良好に放熱することができる。
【００５４】
上記実施の形態では、保護素子としてポリシリコンダイオード２４を用いた場合を例に本発明を説明したが、本発明はポリシリコンダイオードに限定されるものではなく、半導体素子の熱破壊防止や静電破壊防止等の所望の機能に応じた素子であればよい。また、上記実施の形態では、ボンディングパッド２７に接続導体３２を接続した場合を例に本発明を説明したが、電極パッドと半導体素子の主電極（ドレイン電極２９）とを電気的に接続できるものであればよい。
【００５５】
上記実施の形態では、ボンディングパッド２７と導電性の支持基板３１とを接続導体３２で接続することにより、ポリシリコンダイオード２４とドレイン電極２９とを電気的に接続した場合を例に本発明を説明したが、例えば、支持基板３１及び導電性接着剤３３を用いることなく、ポリシリコンダイオード２４とドレイン電極２９とを電気的に接続してもよい。
【００５６】
上記実施の形態では、ドレイン領域１２及びドリフト領域１３がＮ型半導体領域の場合を例に本発明を説明したが、ドレイン領域１２及びドリフト領域１３をＰ型半導体領域とし、対応する各部材の導電型を反転してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図２】本実施の形態の半導体基板の平面図である。
【図３】本実施の形態のポリシリコンダイオード付近の平面図である。
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  半導体装置
１１  半導体基板
１２  ドレイン領域
１３  ドリフト領域
１４  ベース領域
１５  ソース領域
１６  Ｐウエル領域
２１  ゲート絶縁膜
２２  ゲート電極
２３  第１の絶縁膜
２４  ポリシリコンダイオード
２５  第２の絶縁膜
２６  ゲート・ダイオード間接続配線
２７  ボンディングパッド
２８  第３の絶縁膜
２９  ドレイン電極
３０  ソース電極
３１  支持基板
３２  接続導体
【図１】
2005236224.tif 000003
【図２】
2005236224.tif 000004
【図３】
2005236224.tif 000005
【図４】
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