(57)【要約】【課題】  フリップチップ型ＭＣＭパッケージにおいて、隣接する半導体チップの封止樹脂どうしが接触すると、接続信頼性が低下するため、半導体チップ間の間隔を狭くできず、パッケージ内の半導体チップの実装密度を上げられない等の課題があった。【解決手段】  配線基板６の半導体チップＡ１の搭載領域の基板厚さ１８および半導体チップＢ２の搭載領域の基板厚さ１９を、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０よりも厚くすることで、半導体チップＡ１の搭載領域および半導体チップＢ２の搭載領域の表面高さを、半導体チップを搭載しない領域２１の表面高さよりも高くしている。半導体チップＡ１と半導体チップＢ２からはみだした樹脂８が、搭載領域よりも低い半導体チップを搭載しない領域２１上に流出し、熱衝撃試験で突起電極４に加わる熱応力の増大による接続不良を無くすことができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一表面に第１の配線電極が形成された第１の半導体チップ搭載領域と第２の配線電極が形成された第２の半導体チップ搭載領域とを間隔をあけて有する配線基板の前記第１の配線電極と第１の半導体チップの電極とが第１の突起電極を介して電気的に接続され、前記配線基板の前記第２の配線電極と第２の半導体チップの電極とが第２の突起電極を介して電気的に接続され、前記配線基板と前記第１の半導体チップとの間に第１の樹脂が充填され、前記配線基板と前記第２の半導体チップとの間に第２の樹脂が充填された半導体装置であって、
前記配線基板の前記一表面側における前記第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、前記第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一表面に凹部が形成され、前記凹部の底面中央部に配線電極が形成された半導体チップ搭載領域を有する配線基板の前記配線電極と半導体チップの電極とが突起電極を介して電気的に接続され、前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂が充填され、前記配線基板の前記凹部の底面を囲む凸部の先端面に前記配線電極と電気的に接続された入出力端子が形成された半導体装置であって、
前記一表面側における前記配線基板の前記凹部の底面中央部の前記半導体チップ搭載領域の表面高さを、前記半導体チップ搭載領域を除く前記凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
一表面に第１の配線電極が形成された第１の半導体チップ搭載領域と第２の配線電極が形成された第２の半導体チップ搭載領域とを間隔をあけて有し、前記一表面側における前記第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、前記第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くした配線基板を用意する工程と、
前記配線基板の前記第１の配線電極と第１の半導体チップの電極とを第１の突起電極を介して電気的に接続し、前記配線基板の前記第２の配線電極と第２の半導体チップの電極とを第２の突起電極を介して電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記第１の半導体チップとの間に第１の樹脂を注入し、前記配線基板と前記第２の半導体チップとの間に第２の樹脂を注入する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
一表面に凹部が形成され、前記凹部の底面中央部に配線電極が形成された半導体チップ搭載領域を有し、前記凹部の底面を囲む凸部の先端面に前記配線電極と電気的に接続された入出力端子が形成され、前記一表面側における前記配線基板の前記凹部の底面中央部の前記半導体チップ搭載領域の表面高さを、前記半導体チップ搭載領域を除く前記凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くした配線基板を用意する工程と、
前記配線基板の前記配線電極と半導体チップの電極とを突起電極を介して電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂を注入する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電子機器のサイズダウンが加速し、１つのパッケージ内に複数の半導体チップや電子部品を搭載した、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、およびキャビティ構造パッケージの需要が高まっている。
【０００３】
従来のＭＣＭの一般的な製造方法を、図７から図８を用いて説明する。
【０００４】
図７（ａ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２それぞれの外部電極３に突起電極４を形成する。
【０００５】
図７（ｂ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２それぞれの突起電極４に導電性接着剤５を塗布する。
【０００６】
図７（ｃ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２を、突起電極４と配線基板６上の配線パターン７を位置合わせして接着する。
【０００７】
図８（ａ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２の側面から樹脂８を注入し、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２と配線基板６との隙間に充填し、充填後の樹脂８を熱硬化させ、ＭＣＭの組立が完了する。このとき、半導体チップＡ１からはみだした樹脂長さ９および、半導体チップＢ２からはみだした樹脂長さ１０の合計長さを、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１を超えないようにする必要がある。半導体チップＡ１からはみだした樹脂長さ９および、半導体チップＢ２からはみだした樹脂長さ１０は、通常約０．５ｍｍである。そのため、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１は、１．０ｍｍ以上にしなければならない。
【０００８】
理由は、図８（ｂ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１が１．０ｍｍより狭くなったときに、信頼性上の不具合が発生するためである。すなわち、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１が小さくなり、半導体チップＡ１からはみだした樹脂長さ９および、半導体チップＢ２からはみだした樹脂長さ１０の合計長さが、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１を超えた場合、半導体チップＡ１からはみだした樹脂８および半導体チップＢ２からはみだした樹脂８が互いにつながる。その場合、熱衝撃試験において突起電極４に加わる熱応力が増大し、接続不良が発生することが、実験および応力シミュレーションにより判っているためである。
【０００９】
次に、従来のキャビティ構造パッケージの一般的な製造方法を、図９から図１１を用いて説明する。
【００１０】
図９（ａ）のように、半導体チップ１２の外部電極３に突起電極４を形成する。
【００１１】
図９（ｂ）のように、半導体チップ１２の突起電極４に導電性接着剤５を塗布する。
【００１２】
図９（ｃ）のように、半導体チップ１２を、突起電極４と、凹型のキャビティ１３を有する配線基板６の配線パターン７を位置合わせして接着する。
【００１３】
図１０（ａ）のように、半導体チップ１２の側面から樹脂８を注入し、半導体チップ１２と凹型のキャビティ１３の底面との隙間に充填し、充填後の樹脂８を熱硬化させる。このとき、半導体チップ１２からはみだした樹脂長さ１４を、半導体チップ１２と凹型のキャビティ１３の側壁間の距離１５を超えないように、キャビティ寸法を大きく設定する必要がある。半導体チップ１２からはみだした樹脂長さ１４は、通常約０．５ｍｍである。そのため、半導体チップ１２とキャビティ１３の側壁間の距離１５は、０．５ｍｍ以上必要となる。
【００１４】
理由は、図１０（ｂ）のように、半導体チップ１２からはみだした樹脂８とキャビティ１３の側壁１６とがつながった場合、熱衝撃試験において突起電極４に加わる熱応力が増大し、接続不良が発生するためである。
【００１５】
続いて、図１１のように、配線基板６のキャビティ１３の反対面に電子部品１７を接続して、キャビティ構造パッケージの組立が完了する。電子部品１７を配線基板６に接続する方法は、はんだ付け、フリップチップなどである。
【００１６】
このように組立てたキャビティ構造パッケージは、入出力端子２３を、マザーボードにはんだ付けなどにより実装した状態で、電子機器として用いられる。
【特許文献１】特開平０８−３３５５９３号公報
【特許文献２】特許第３０６１０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上記従来のＭＣＭ構造では、図８（ｂ）のように隣接する半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１を短くすると、熱衝撃試験において不具合が出るため、パッケージ（半導体装置）の小型化ができない、あるいは、１つのパッケージ内の半導体チップの搭載密度を高められないという課題があった。
【００１８】
また、従来の凹型のキャビティ１３を有するパッケージ構造では、図１０（ｂ）のように半導体チップ１２とキャビティ１３の側壁間の距離１５を短くすると、熱衝撃試験において不具合が出るため、パッケージ（半導体装置）の小型化ができないという課題があった。
【００１９】
本発明の目的は、ＭＣＭ構造や凹型のキャビティを有するパッケージ構造において、小型化が可能あるいは半導体チップの搭載密度を高められる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の第１の半導体装置は、一表面に第１の配線電極が形成された第１の半導体チップ搭載領域と第２の配線電極が形成された第２の半導体チップ搭載領域とを間隔をあけて有する配線基板の第１の配線電極と第１の半導体チップの電極とが第１の突起電極を介して電気的に接続され、配線基板の第２の配線電極と第２の半導体チップの電極とが第２の突起電極を介して電気的に接続され、配線基板と第１の半導体チップとの間に第１の樹脂が充填され、配線基板と第２の半導体チップとの間に第２の樹脂が充填された半導体装置であって、配線基板の一表面側における第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くしたことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第２の半導体装置は、一表面に凹部が形成され、凹部の底面中央部に配線電極が形成された半導体チップ搭載領域を有する配線基板の配線電極と半導体チップの電極とが突起電極を介して電気的に接続され、配線基板と半導体チップとの間に樹脂が充填され、配線基板の凹部の底面を囲む凸部の先端面に配線電極と電気的に接続された入出力端子が形成された半導体装置であって、一表面側における配線基板の凹部の底面中央部の半導体チップ搭載領域の表面高さを、半導体チップ搭載領域を除く凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くしたことを特徴とする。
【００２２】
本発明の第３の半導体装置の製造方法は、一表面に第１の配線電極が形成された第１の半導体チップ搭載領域と第２の配線電極が形成された第２の半導体チップ搭載領域とを間隔をあけて有し、一表面側における第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くした配線基板を用意する工程と、配線基板の第１の配線電極と第１の半導体チップの電極とを第１の突起電極を介して電気的に接続し、配線基板の第２の配線電極と第２の半導体チップの電極とを第２の突起電極を介して電気的に接続する工程と、配線基板と第１の半導体チップとの間に第１の樹脂を注入し、配線基板と第２の半導体チップとの間に第２の樹脂を注入する工程とを含むものである。
【００２３】
本発明の第４の半導体装置の製造方法は、一表面に凹部が形成され、凹部の底面中央部に配線電極が形成された半導体チップ搭載領域を有し、凹部の底面を囲む凸部の先端面に配線電極と電気的に接続された入出力端子が形成され、一表面側における配線基板の凹部の底面中央部の半導体チップ搭載領域の表面高さを、半導体チップ搭載領域を除く凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くした配線基板を用意する工程と、配線基板の配線電極と半導体チップの電極とを突起電極を介して電気的に接続する工程と、配線基板と半導体チップとの間に樹脂を注入する工程とを含むものである。
【００２４】
第１の半導体装置および第３の半導体装置の製造方法によれば、配線基板の一表面側に第１と第２の半導体チップを搭載するＭＣＭ構造において、配線基板の一表面側における第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くしていることによって、第１の半導体チップ搭載領域と第２の半導体チップ搭載領域との間隔を狭くしても、配線基板と第１の半導体チップとの間に充填される第１の樹脂の注入時、および配線基板と第２の半導体チップとの間に充填される第２の樹脂の注入時に、それぞれ第１の半導体チップ搭載領域、第２の半導体チップ搭載領域からはみだした樹脂は、配線基板上でそれらの領域より低い領域に流出し、はみだした第１の樹脂と第２の樹脂とが第１、第２の半導体チップ搭載領域の表面より上側でつながることはなく、熱衝撃試験において、第１の突起電極および第２の突起電極に加わる熱応力は増大せず、熱応力増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、第１と第２の半導体チップの間隔を狭くしても熱衝撃試験において不具合が発生せず、半導体装置の小型化が可能となり、または半導体チップの搭載密度を高めることができる。
【００２５】
第２の半導体装置および第４の半導体装置の製造方法によれば、配線基板の一表面に凹部が形成され、凹部の底面中央部に半導体チップを搭載する凹型キャビティを有するパッケージ構造において、一表面側における配線基板の凹部の底面中央部の半導体チップ搭載領域の表面高さを、半導体チップ搭載領域を除く凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くしていることによって、半導体チップ搭載領域と凹部の底面を囲む凸部との間隔を狭くしても、配線基板と半導体チップとの間に充填される樹脂の注入時に、半導体チップ搭載領域からはみだした樹脂は、半導体チップ搭載領域よりも高さの低い凹部の底面周辺部領域に流出し、はみだした樹脂が凸部の側壁と、半導体チップ搭載領域の表面より上側でつながることはなく、熱衝撃試験において、突起電極に加わる熱応力は増大せず、熱応力増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、半導体チップと凸部の間隔を狭くしても熱衝撃試験において不具合が発生せず、半導体装置の小型化が可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように本発明によれば、配線基板の一表面側に第１と第２の半導体チップを搭載するＭＣＭ構造において、配線基板の一表面側における第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域の表面高さを、第１の半導体チップ搭載領域および第２の半導体チップ搭載領域を除く領域の表面高さよりも高くしていることによって、第１の半導体チップ搭載領域と第２の半導体チップ搭載領域との間隔を狭くしても、配線基板と第１の半導体チップとの間に充填される第１の樹脂の注入時、および配線基板と第２の半導体チップとの間に充填される第２の樹脂の注入時に、それぞれ第１の半導体チップ搭載領域、第２の半導体チップ搭載領域からはみだした樹脂は、配線基板上でそれらの領域より低い領域に流出し、はみだした第１の樹脂と第２の樹脂とが第１、第２の半導体チップ搭載領域の表面より上側でつながることはなく、熱衝撃試験において、第１の突起電極および第２の突起電極に加わる熱応力は増大せず、熱応力増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、第１と第２の半導体チップの間隔を狭くしても熱衝撃試験において不具合が発生せず、半導体装置の小型化が可能となり、または半導体チップの搭載密度を高めることができる。
【００２７】
また、本発明によれば、配線基板の一表面に凹部が形成され、凹部の底面中央部に半導体チップを搭載する凹型キャビティを有するパッケージ構造において、一表面側における配線基板の凹部の底面中央部の半導体チップ搭載領域の表面高さを、半導体チップ搭載領域を除く凹部の底面周辺部の表面高さよりも高くしていることによって、半導体チップ搭載領域と凹部の底面を囲む凸部との間隔を狭くしても、配線基板と半導体チップとの間に充填される樹脂の注入時に、半導体チップ搭載領域からはみだした樹脂は、半導体チップ搭載領域よりも高さの低い凹部の底面周辺部領域に流出し、はみだした樹脂が凸部の側壁と、半導体チップ搭載領域の表面より上側でつながることはなく、熱衝撃試験において、突起電極に加わる熱応力は増大せず、熱応力増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、半導体チップと凸部の間隔を狭くしても熱衝撃試験において不具合が発生せず、半導体装置の小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を、図面を用いて説明する。本実施形態における半導体装置はＭＣＭ構造であり、図２の断面図で示される。
【００２９】
本実施形態における従来例のＭＣＭ構造との相違点は、半導体チップＡ１を搭載する領域および半導体チップＢ２を搭載する領域の表面高さを、半導体チップを搭載しない領域２１の表面高さよりも高くした配線基板６を用いていることである。そのために、半導体チップＡ１を搭載する領域の基板厚さ１８および半導体チップＢ２を搭載する領域の基板厚さ１９を、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０よりも厚くしている。
【００３０】
本実施形態の半導体装置の製造方法を、図１、図２を用いて説明する。
【００３１】
図１（ａ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２それぞれの外部電極３に突起電極４を形成する。例えば外部電極３がアルミパッドで、そのアルミパッド上に突起電極４として金バンプを形成する代表的な方法として、ＳＢＢ（スタッドバンプ）方式がある。
【００３２】
次に図１（ｂ）のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２の突起電極４に導電性接着剤５を塗布する。このとき、突起電極４の形成面が下方になるように半導体チップＡ１および半導体チップＢ２を反転し、導電性ペースト槽に突起電極４の先端部分を浸漬し、導電性接着材５を転写するという方法を、通常用いる。
【００３３】
次に図１（ｃ）のように、配線基板６と半導体チップＡ１および半導体チップＢ２を向かい合わせ、突起電極４を、配線基板６上の配線パターン７に接着する。このとき、半導体チップＡ１を搭載する領域の基板厚さ１８と、半導体チップＢ２を搭載する領域の基板厚さ１９は、半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ２０よりも厚くなっている。配線基板６には、通常セラミック多層基板を用いる。セラミック多層基板を構成する層の最小厚さは、通常０．１ｍｍである。したがって、半導体チップＡ１を搭載する領域の基板厚さ１８と、半導体チップＢ２を搭載する領域の基板厚さ１９は、半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ２０よりも、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍのように、０．１ｍｍの倍数だけ厚くすることが出来る。
【００３４】
次に図２のように、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２の側面から樹脂８を注入し、半導体チップＡ１と配線基板６の隙間、および半導体チップＢ２と配線基板６の隙間に樹脂８が充填完了後、樹脂８を熱硬化させる。このとき、半導体チップＡ１を搭載する領域の基板厚さ１８が、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０より厚いため、半導体チップＡ１からはみだした樹脂８は、半導体チップを搭載しない領域２１上に流出する。同様に、半導体チップＢ２を搭載する領域の基板厚さ１９が、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０より厚いため、半導体チップＢ２からはみだした樹脂８は、半導体チップを搭載しない領域２１上に流出する。そのため、図８（ｂ）のように半導体チップＡ１からはみ出した樹脂長さ９および半導体チップＢ２からはみ出した樹脂長さ１０の合計長さより、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１を短くしても、本実施形態では、半導体チップＡ１からはみだした樹脂８と半導体チップＢ２からはみだした樹脂８とが、配線基板６の半導体チップ搭載領域の表面より上側で、つながることはない。そのため熱衝撃試験においても、突起電極４に加わる熱応力は増大せず、接続不良は発生しない。
【００３５】
従来のＭＣＭ構造では、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１は、１．０ｍｍ以上必要であった。これに対し、本実施形態では、半導体チップＡ１を搭載する領域の基板厚さ１８と半導体チップＢ２を搭載する領域の基板厚さ１９を、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０より、０．１ｍｍの倍数分だけ厚くすることによって、半導体チップＡ１および半導体チップＢ２間の距離１１は、約０．４ｍｍにまで、接近させることができる。この０．４ｍｍは、セラミック多層基板の層張り合わせ位置精度が約０．２ｍｍであるため、隣接する２つの半導体チップを搭載するセラミック基板層の位置精度を合計したものである。
【００３６】
以上のように本実施形態によれば、ＭＣＭ構造において、隣接する半導体チップＡ１と半導体チップＢ２との間隔が狭くても、熱衝撃試験において突起電極４に加わる熱応力の増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、パッケージの小型化が可能となり、または１つのパッケージ内の半導体チップの搭載密度を高めることができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、配線基板６上に２つの半導体チップを搭載した例について説明したが、３つ以上でもよく、複数の半導体チップを搭載する場合に本発明の効果を得ることができる。
【００３８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態を、図面を用いて説明する。本実施形態における半導体装置は凹型キャビティを有するパッケージ構造であり、例えば図４の断面図で示される。
【００３９】
本実施形態における従来例の凹型キャビティを有するパッケージ構造との相違点は、凹型のキャビティ１３の底面において、半導体チップ１２を搭載する領域の表面高さを、その周囲の半導体チップを搭載しない領域２１の表面高さよりも高くした配線基板６を用いていることである。そのために、半導体チップ１２を搭載する領域の基板厚さ２２を、半導体チップを搭載しない領域２１の基板厚さ２０よりも厚くしている。
【００４０】
本実施形態の半導体装置の製造方法を、図３から図６を用いて説明する。
【００４１】
図３（ａ）のように、半導体チップ１２の外部電極３に突起電極４を形成する。
【００４２】
次に図３（ｂ）のように、半導体チップ１２の突起電極４に導電性接着剤５を塗布する。
【００４３】
次に図３（ｃ）のように、配線基板６の凹型のキャビティ１３と半導体チップ１２を向かい合わせ、突起電極４を配線パターン７に接着する。キャビティ１３内において、半導体チップ１２を搭載する領域の基板厚さ２２は、半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ２０より厚くなっている。配線基板６は、通常セラミック多層基板を用いる。
【００４４】
次に図４のように、半導体チップ１２の側面から樹脂８を注入し、半導体チップ１２とキャビティ１３の底面との隙間に充填し、充填後の樹脂８を熱硬化させる。このとき、キャビティ１３において、半導体チップを搭載する領域の基板厚さ２２が半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ２０より厚いため、半導体チップ１２からはみだした樹脂８は、半導体チップを搭載しない領域２１上に流出する。そのため、半導体チップ１２とキャビティの側壁１６との距離１５が短い距離であっても、半導体チップ１２からはみだした樹脂８がキャビティの側壁１６と、配線基板６の半導体チップ搭載領域の表面より上側で、つながることはない。そのため熱衝撃試験においても、突起電極４に加わる熱応力は増大せず、接続不良は発生しない。
【００４５】
従来のキャビティ構造パッケージでは、半導体チップとキャビティの側壁間距離１５は、０．５ｍｍ以上必要であった。これに対し、本実施形態では、半導体チップを搭載する領域の基板厚さ２２を、半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ２０より、０．１ｍｍの倍数分だけ厚くすることによって、半導体チップとキャビティの側壁間の距離１５は、約０．２ｍｍにまで、接近させることができる。この０．２ｍｍは、セラミック多層基板の層張り合わせ位置精度が約０．２ｍｍであることによる。
【００４６】
次に図５のように、配線基板６のキャビティ１３とは反対面に形成された配線パターン７に電子部品１７を接続して、キャビティ構造パッケージの組立が完了する。電子部品１７を配線基板６に接続する方法は、はんだ付け、フリップチップなどである。キャビティ１３の外周凸部には、入出力端子２３が形成されており、半導体チップ１２の外部電極３の一部と、電子部品１７の一部とが、配線基板６内で電気的につながり、入出力端子２３に引き出されている。半導体チップとキャビティの側壁間距離１５を、約０．２５ｍｍにまで、接近させた場合、キャビティ１３の外周凸部（側壁）が邪魔になって、半導体チップ１２の側面に樹脂８を注入できないという課題が発生するが、これについては、キャビティ１３の外周凸部を半導体チップ１２の四方ではなく、例えば三方にのみ設置した構造とすることで解決する。
【００４７】
さらに図６のように、上述の工程で組立てたキャビティ構造パッケージは、入出力端子２３を、マザーボード２４にはんだ付けなどにより実装した状態で、電子機器として用いられる。
【００４８】
以上のように本実施形態によれば、凹型のキャビティを有するパッケージ構造において、半導体チップとキャビティの側壁間距離１５を狭くしても、熱衝撃試験において突起電極４に加わる熱応力の増大による接続不良をなくすことが可能となる。したがって、パッケージの小型化が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、ＭＣＭ構造あるいは凹型のキャビティを有するパッケージ構造の半導体装置およびその製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図２】本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図３】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図４】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図５】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図６】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造工程断面図
【図７】従来のＭＣＭ構造の半導体装置の製造工程断面図
【図８】従来のＭＣＭ構造の半導体装置の製造工程断面図
【図９】従来のキャビティ構造パッケージの半導体装置の製造工程断面図
【図１０】従来のキャビティ構造パッケージの半導体装置の製造工程断面図
【図１１】従来のキャビティ構造パッケージの半導体装置の製造工程断面図
【符号の説明】
【００５１】
１  半導体チップＡ
２  半導体チップＢ
３  外部電極
４  突起電極
５  導電性接着剤
６  配線基板
７  配線パターン
８  樹脂
９  半導体チップＡからはみだした樹脂長さ
１０  半導体チップＢからはみだした樹脂長さ
１１  半導体チップＡおよび半導体チップＢ間の距離
１２  半導体チップ
１３  キャビティ
１４  半導体チップからはみだした樹脂長さ
１５  半導体チップとキャビティの側壁間距離
１６  キャビティの側壁
１７  電子部品
１８  半導体チップＡを搭載する領域の基板厚さ
１９  半導体チップＢを搭載する領域の基板厚さ
２０  半導体チップを搭載しない領域の基板厚さ
２１  半導体チップを搭載しない領域
２２  半導体チップを搭載する領域の基板厚さ
２３  入出力端子
２４  マザーボード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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