(57)【要約】【課題】  例えば発光表示パネルの画素に欠陥が発生した場合に、早急にユーザに対して報知することができる自発光表示モジュールを提供すること。【解決手段】  発光表示パネル１に配列された各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して定電流を供給する定電流源Ｉ1 〜Ｉn の出力端子電位が、検査線ＴL1〜ＴLnを介して引き出され、選択スイッチＳＷ１により選択される。選択された電位は、比較基準電位が異なる第１と第２のコンパレータＣP1，ＣP2に供給され、その比較結果がラッチ回路ＬＣ1 ，ＬＣ2 によってそれぞれラッチされ、記憶手段としてのデータレジスタ６に格納される。データレジスタ６に格納されたデータにより、各ＥＬ素子および各ドライバ２，３を含む一部の箇所に欠陥が発生しているか否かが判定される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線とデータ線の交点位置に自発光素子を含む画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させる駆動手段からなる自発光表示ユニットと、
前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するための不具合検知手段と、
前記不具合検知手段による検知結果を格納する記憶手段と、
を備えた自発光表示モジュールであって、
前記不具合検知手段は、前記自発光素子に対して定電流を供給する定電流源の出力端子電位を、予め設定された基準電位と比較することで、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するように構成されていることを特徴とする自発光表示モジュール。
【請求項２】
前記駆動手段には、第１電源と、前記第１電源よりも電位が低い第２電源と、前記第２電源よりもさらに電位が低い第３電源が具備され、
前記第１電源は、前記データ線を介して各自発光素子に点灯駆動電流を供給する定電流源の動作電源として機能し、前記第２および第３電源は、切り換え手段を介して前記走査線に供給されることで、当該走査線の電位を選択的に変更させるように機能することを特徴とする請求項１に記載の自発光表示モジュール。
【請求項３】
前記駆動手段は、発光駆動モードと検知モードとに切り換え可能に構成され、前記検知モードにおいては前記定電流源の出力端子電位が、前記自発光素子の発光閾値電圧以上で、かつ不具合のない前記自発光素子に対する定電流駆動においては前記第２の電源の電位を超えない電位になされることを特徴とする請求項２に記載の自発光表示モジュール。
【請求項４】
前記駆動手段が発光駆動動作のままで、前記不具合検知手段による不具合の検知動作が実行されることを特徴とする請求項２に記載の自発光表示モジュール。
【請求項５】
前記不具合検知手段には、１つの電圧比較手段が具備され、前記電圧比較手段の一方の電圧入力端子には、前記定電流源の出力端子電位のいずれかが選択的に供給されるように構成され、前記電圧比較手段の他方の電圧入力端子には、基準電位が供給されるように構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の自発光表示モジュール。
【請求項６】
前記電圧比較手段の他方の電圧入力端子に供給される基準電位の電圧値が変更可能に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の自発光表示モジュール。
【請求項７】
前記不具合検知手段には、少なくても２つの電圧比較手段が具備され、各電圧比較手段の一方の電圧入力端子には、前記定電流源の出力端子電位のいずれかが選択的に供給されるように構成され、前記各電圧比較手段の他方の電圧入力端子には、それぞれ異なる基準電位が供給されるように構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の自発光表示モジュール。
【請求項８】
前記各電圧比較手段の他方の電圧入力端子にそれぞれ供給される基準電位の一つは、前記第２電源の電位と等しく、また基準電位の他の一つは、前記自発光素子の発光閾値電圧よりも低く、かつ前記第３電源の電位よりも高い関係に設定されていることを特徴とする請求項７に記載の自発光表示モジュール。
【請求項９】
前記不具合検知手段には、前記定電流源の出力端子電位を順次選択して前記各電圧比較手段に供給する選択スイッチ手段が具備されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の自発光表示モジュール。
【請求項１０】
前記不具合検知手段による検知動作は、前記発光表示パネルにおける各画素に対応した各データ線と各走査線との全ての組み合わせにおいてそれぞれ実行され、検知動作に基づく検知結果が前記記憶手段に格納されるように構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の自発光表示モジュール。
【請求項１１】
前記発光表示パネルに配列された自発光素子が、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の自発光表示モジュール。
【請求項１２】
前記請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の自発光表示モジュールが搭載された電子機器。
【請求項１３】
走査線とデータ線の交点位置に自発光素子を含む画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させる駆動手段からなる自発光表示ユニットと、
前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するための不具合検知手段と、
前記不具合検知手段による検知結果を格納する記憶手段と、
を備えた自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法であって、
前記不具合検知手段に備えられた電圧比較手段を利用して、前記自発光素子に対して定電流を供給する定電流源の出力端子電位を、予め設定された基準電位と比較することで、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知する不具合検知ステップと、
前記不具合検知ステップにおいて検知した検知結果を前記記憶手段に格納する検知結果格納ステップとを、
前記各画素に対応した各データ線と各走査線との全ての組み合わせにおいてそれぞれ実行することを特徴とする自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光素子として例えば有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素子を画素に用いた発光表示パネルと、これを点灯駆動させる駆動手段とを備えた自発光表示モジュールに関するものであり、特に前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動手段、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動手段との接続部等の欠陥状態を検証することができる機能を備えた自発光表示モジュールおよび同モジュールにおける欠陥状態の検証方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現状において提供されている電子機器等の多くにおいてディスプレイが付帯されており、このディスプレイは情報化社会を支える機器のマンマシーンインターフェースとして必要不可欠なものとなっている。前記したディスプレイは、例えば医療機器や航空機の計器などのように、表示の不具合が人命に及ぼす可能性がある分野において使用する場合においては、携帯電話機やカーオーディオなどのコンシュマー機器に採用されるディスプレイよりも、その表示に厳しい信頼性が要求される。
【０００３】
例えば、医薬品の注入機器などにおいては、注入量を示す数字表示部分で、明リーク現象が走査線方向に発生した場合、表示されている数字が“０”なのか“８”なのか判別ができなくなるという問題が発生し得る。また、小数点を表示する部分の画素が不点灯となり数字の桁が誤って表示され、これに気付かずに数値が読まれるなどの問題も発生し得る。このように不具合の状態にある表示をユーザが正常であると認識して前記した機器を使い続けることはきわめて危険であり、重大な問題に発展することは言うに及ばない。
【０００４】
そこで、前記したような電子機器に用いられるディスプレイにおいては、製品出荷前の半製品の状態において表示パネルに配列された各画素の欠陥状態を検査し、その欠陥の程度が当該ディスプレイを搭載する製品の基準を満足するものであるか否かについて、判定するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３４３７１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記した特許文献１に開示された発明は、製品出荷前の半製品の状態において、表示パネルの各画素の評価を実行しようとするものであり、有機ＥＬディスプレイの検査用駆動回路を利用し、信頼性の高い評価結果を得ることができる評価装置を提供することを課題としているものである。
【０００６】
前記した特許文献１に開示された評価装置を利用した場合には、製品の初期不良を発見し、欠陥を有する表示パネルがユーザに渡る前に対応することができるという効果を享受することができるものの、この種のディスプレイにおいては、製品の出荷後における表示ユニットの稼働中において、表示パネルに配列された画素に新たに欠陥が発生するという問題を抱えている。また、表示パネルに配列された画素に新たに欠陥が発生するのみならず、表示パネルに配列された各画素を点灯駆動するデータドライバや走査ドライバを含む駆動手段、または表示パネルと前記駆動手段との接続部等においても新たに欠陥が発生するという問題を抱えている。
【０００７】
したがって、この様な欠陥が発生する程度を最小限にとどめ、信頼性を確保するための種々の対策が取り入れられている。しかしながら、ディスプレイの稼働中などにおいて発生する画素の欠陥や、その他前記した駆動手段等に欠陥が発生する問題を克服には、きわめて多くの技術的な課題が存在し、製品の出荷後において前記した欠陥が発生することのない表示モジュールを提供することは、困難であると言わざるを得ない。
【０００８】
この発明は前記した現実的な問題点に着目してなされたものであり、前記した表示パネルもしくは駆動手段等に発生する欠陥の有無を検証することができる検知手段を自発光表示モジュール内に具備し、画素の欠陥等が発生した場合においては、この状態をユーザに対して報知することにより、誤った表示情報をユーザに伝えるのを防止できるようにした自発光表示モジュールおよび同モジュールにおける欠陥状態の検証方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる自発光表示モジュールは、請求項１に記載のとおり、走査線とデータ線の交点位置に自発光素子を含む画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させる駆動手段からなる自発光表示ユニットと、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するための不具合検知手段と、前記不具合検知手段による検知結果を格納する記憶手段とを備えた自発光表示モジュールであって、前記不具合検知手段は、前記自発光素子に対して定電流を供給する定電流源の出力端子電位を、予め設定された基準電位と比較することで、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するように構成されている点に特徴を有する。
【００１０】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法は、請求項１０に記載のとおり、走査線とデータ線の交点位置に自発光素子を含む画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させる駆動手段からなる自発光表示ユニットと、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するための不具合検知手段と、前記不具合検知手段による検知結果を格納する記憶手段とを備えた自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法であって、前記不具合検知手段に備えられた電圧比較手段を利用して、前記自発光素子に対して定電流を供給する定電流源の出力端子電位を、予め設定された基準電位と比較することで、前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知する不具合検知ステップと、前記不具合検知ステップにおいて検知した検知結果を前記記憶手段に格納する検知結果格納ステップとを、前記各画素に対応した各データ線と各走査線との全ての組み合わせにおいてそれぞれ実行する点に特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明にかかる自発光表示モジュールについて、図に示す実施の形態に基づいて説明する。なお、この発明にかかる自発光表示モジュールには、自発光素子を画素としてマトリクス状に多数配列してなる発光表示パネルと、この発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための駆動手段からなる自発光表示ユニットに、さらに自発光表示ユニットの不具合を検知するための不具合検知手段と、その検知結果を格納する記憶手段とが具備されている。そして、以下に説明する実施の形態においては、自発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子を採用した例を示す。
【００１２】
前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であるということができる。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が順方向に印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を越えると、一方の電極（ダイオード成分の陽極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【００１３】
一方、有機ＥＬ素子は電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対して、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること、また、有機ＥＬ素子は過電流を受けた場合に劣化が激しく、発光寿命を短縮させるなどの理由により、一般的には定電流駆動がなされる。かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子をマトリクス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列した各ＥＬ素子をＴＦＴ（Thin Film Transistor）により個々に点灯駆動するアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。
【００１４】
図１はこの発明にかかる自発光モジュールの第１の実施の形態を示したものであり、これはパッシブマトリクス型表示パネルを用いた例で示している。このパッシブマトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示された構成は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｎ本のデータ線としての陽極線Ａ1 〜Ａn が縦方向（列方向）に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｋ1 〜Ｋm が横方向（行方向）に配列され、各々の交差した位置（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが配置されて、表示パネル１を構成している。
【００１５】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、縦方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と横方向に沿う陰極線Ｋ1 〜Ｋm との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陽極端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陰極端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ1 〜Ａn は点灯駆動手段を構成するデータドライバとしての陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm は同じく点灯駆動手段を構成する走査ドライバとしての陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【００１６】
前記陽極線ドライブ回路２には、例えばＤＣ−ＤＣコンバータによる昇圧回路（図示せず）よりもたらされる駆動電圧ＶH （これを第１電源ともいう。）を利用して動作する定電流源Ｉ1 〜Ｉn およびドライブスイッチＳa1〜Ｓanが備えられており、ドライブスイッチＳa1〜Ｓanが、前記定電流源Ｉ1 〜Ｉn 側に接続されることにより、定電流源Ｉ1 〜Ｉn からの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して供給されるように作用する。また、この実施の形態においては前記ドライブスイッチＳa1〜Ｓanは、定電流源Ｉ1 〜Ｉn からの電流を個々のＥＬ素子に供給しない場合には、前記各陽極線をグランド電位ＧＮＤ（これを第３電源ともいう。）に接続できるように構成されている。
【００１７】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm に対応して切り換え手段としての走査スイッチＳk1〜Ｓkmが備えられ、クロストーク発光を防止するための逆バイアス電圧ＶM （これを第２電源ともいう。）または基準電位点としての前記したグランド電位ＧＮＤのうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。これにより、陰極線を所定の周期で基準電位点（グランド電位）に設定しながら、所望の陽極線Ａ1 〜Ａn に定電流源Ｉ1 〜Ｉn を接続することにより、前記各ＥＬ素子は選択的に発光されるように作用する。
【００１８】
なお、前記した陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、ＣＰＵを含むコントローラＩＣ４よりコントロールバスが接続されている。そして、コントローラＩＣ４に供給される表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳk1〜ＳkmおよびドライブスイッチＳa1〜Ｓanが切り換え操作される。これにより、映像信号に基づいて陰極走査線を所定の周期でグランド電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉ1 〜Ｉn が接続される。したがって、前記各発光素子は選択的に発光し、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００１９】
なお、図１に示す状態は、第２の陰極線Ｋ2 がグランド電位に設定されて走査状態になされ、この時、非走査状態の陰極線Ｋ1 ，Ｋ3 〜Ｋm には、前記した逆バイアス電位ＶM が印加される。ここで、走査発光状態におけるＥＬ素子の順方向電圧をＶF とした時、〔（順方向電圧ＶF ）−（逆バイアス電圧ＶM ）〕＜（発光閾値電圧Ｖth）の関係となるように各電位設定（これらの電位設定の具体例は後述する。）がなされている。これにより、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子には、素子の発光閾値電圧Ｖth以下の電圧が印加され、ＥＬ素子がクロストーク発光するのが防止されるように作用する。
【００２０】
以上説明した発光表示パネル１と、駆動手段としての陽極線ドライブ回路２、陰極線走査回路３、およびコントローラＩＣ４とにより、自発光表示ユニットを構成している。この図１に示す自発光表示モジュールにおいては、これに加えて前記自発光表示ユニットにおける不具合を検知するための不具合検知手段と、この不具合検知手段による検知結果を格納する記憶手段とが備えられている。
【００２１】
以下、図１に示す実施の形態に基づいて前記した不具合検知手段と記憶手段の構成について説明する。すなわち、陽極線ドライブ回路２における各定電流源Ｉ1 〜Ｉn の出力端子からは、それぞれ検査線ＴL1〜ＴLnが引き出されて、選択スイッチＳＷ１に供給されるように構成されている。この選択スイッチＳＷ１は各検査線ＴL1〜ＴLnを介して得られる各定電流源Ｉ1 〜Ｉn の出力端子電位を択一的に取り出すように機能するものであり、選択スイッチＳＷ１により選択された電位は、第１と第２の電圧比較手段としてのコンパレータＣP1，ＣP2にそれぞれ供給されるように構成されている。
【００２２】
すなわち、前記選択スイッチＳＷ１により選択された電位は、第１のコンパレータＣP1における非反転入力端子に供給され、また第２のコンパレータＣP2における反転入力端子にそれぞれ供給されるようになされる。一方、前記第１のコンパレータＣP1における反転入力端子には、前記した逆バイアス電位ＶM （第２電源）が供給されている。また前記第２のコンパレータＣP2における非反転入力端子には、ロジック動作電位ＶDDが供給されている。
【００２３】
ここで、図１に示す構成における各部の電位、およびＥＬ素子の電位特性を例示すると、定電流源Ｉ1 〜Ｉn を駆動する駆動電位（第１電源）ＶH ＝１６Ｖ，逆バイアス電圧（第２電源）ＶM ＝１０Ｖ，ＥＬ素子の順方向電圧ＶF ＝８Ｖ，ＥＬ素子の発光閾値電圧Ｖth＝７Ｖ，ロジック動作電位ＶDD＝３Ｖ，グランド電位（第３電源）ＶDD＝０Ｖになされる。なお、前記したＥＬ素子の順方向電圧については、各発光色によって、また同じ発光色の素子においても多少のばらつきが存在するものであり、したがって正常な状態におけるＥＬ素子の順方向電圧を、以下においてはＶF 狙い値（＝８Ｖ）と表現することもある。
【００２４】
前記した電位関係によると、選択スイッチＳＷ１により選択されるＶF 狙い値は、ＶF ＝８Ｖであり、この電位が第１のコンパレータＣP1の非反転入力端子および第２のコンパレータＣP2の反転入力端子に供給されることになる。前記第１のコンパレータＣP1の反転入力端子にはＶM ＝１０Ｖが供給されており、したがって、発光表示パネル１および陽極線ドライブ回路２、陰極線走査回路３が正常に動作している時には、第１のコンパレータＣP1の出力には“−”（マイナス）が発生する。また、前記第２のコンパレータＣP2の非反転入力端子にはＶDD＝３Ｖが供給されており、したがって、発光表示パネル１および陽極線ドライブ回路２、陰極線走査回路３が正常に動作している時には、第２のコンパレータＣP2の出力も同様に“−”（マイナス）になされる。
【００２５】
前記した第１および第２のコンパレータＣP1，ＣP2による各出力は、それぞれ第１ラッチ回路ＬＣ１および第２ラッチ回路ＬＣ２に供給され、これら第１および第２ラッチ回路ＬＣ１，ＬＣ２に供給されるラッチパルスＬP によって、各コンパレータＣP1，ＣP2の出力がラッチされる。そして、各第１および第２ラッチ回路ＬＣ１，ＬＣ２による各ラッチ出力ＡおよびＢは、記憶手段を構成するデータレジスタ６にそれぞれ供給され、当該データレジスタ６に格納される。
【００２６】
前記した構成の自発光表示モジュールは、発光駆動モードと検知モードとに切り換え可能に構成されており、これは例えば動作電源が投入された時、もしくは動作電源が投入されている状態において定期的に、または外部操作により任意の時間に前記検知モードに切り換えられる。そして、検知モードになされた場合には、例えば１フレーム（または１サブフレーム）期間における予め設定されたタイミングにおいて、１走査線に対応する各ＥＬ素子を全て点灯制御するようになされる。図１に示す状態においては第２の走査線Ｋ2 が走査状態になされ、この第２の走査線に対応する各ＥＬ素子Ｅ12，Ｅ22，Ｅ32〜Ｅn2に対して各定電流源Ｉ1 〜Ｉn からの電流がドライブスイッチＳa1〜Ｓanをそれぞれ介して供給されている。
【００２７】
この状態において、前記した選択スイッチＳＷ１は、各検査線ＴL1〜ＴLnを介して得られる各定電流源Ｉ1 〜Ｉn の出力端子電位を、順次第１と第２のコンパレータＣP1，ＣP2にそれぞれ供給されるように動作する。この場合、選択スイッチＳＷ１をまず検査線ＴL1に接続し、第１および第２ラッチ回路ＬＣ１，ＬＣ２にラッチパルスＬP をそれぞれ供給することで、第１および第２のコンパレータＣP1，ＣP2の出力Ａ，Ｂをデータレジスタ６に供給することができる。そして、データレジスタ６は、この時の出力Ａ，Ｂを格納するようになされる。
【００２８】
続いて、選択スイッチＳＷ１を検査線ＴL2に接続し、同様にデータレジスタ６に対して第１および第２のコンパレータＣP1，ＣP2の出力Ａ，Ｂを格納するようになされる。このようにして各定電流源Ｉ1 〜Ｉn に対応した全ての検査線ＴL1〜ＴLnを介した電位を同様にして検証し、データレジスタ６に対して出力Ａ，Ｂを格納するようになされる。
【００２９】
以上の説明は、前記した検知モードにおいて第２の走査線Ｋ2 を走査状態にした場合の動作であり、例えば次の１フレーム（または１サブフレーム）期間における検知モードにおいては、例えば次の第３の走査線Ｋ3 を走査状態にし、全ての検査線ＴL1〜ＴLnを介した電位を同様にして検証して、データレジスタ６に対して出力Ａ，Ｂを格納するようになされる。これはさらに次の１フレーム（または１サブフレーム）においても同様になされ、全ての各走査線を走査状態にして、それぞれにおける前記した出力Ａ，Ｂをそれぞれデータレジスタ６に格納する。
【００３０】
すなわち、前記した検証（検知動作）は、発光表示パネル１における各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対応した各走査線と各データ線との全ての組み合わせにおいてそれぞれ実行され、検知動作に基づく検知結果、すなわち出力Ａ，Ｂの組み合わせが記憶手段であるデータレジスタ６に格納されるようになされる。これにより、発光表示パネル１と、駆動手段としての陽極線ドライブ回路２、陰極線走査回路３を含む自発光表示ユニットの一連の検証が完了する。なお、前記した一連の検証は、再度にわたり定期的に実行され、また外部操作により任意の時間においても実行することができる。
【００３１】
図２は、前記のようにしてデータレジスタ６に格納された各検証結果、すなわち前記出力Ａ，Ｂの組み合わせデータを利用して、不具合（欠陥）が存在する場所を特定し、これに応じて欠陥報知手段を働かすことができる構成を示している。すなわち、図２に示す符号６は、図１に示したデータレジスタを示しており、このデータレジスタ６に格納された出力Ａ，Ｂの組み合わせからなるデータは、符号７で示す欠陥場所判定手段において利用され、発光表示パネル１と、駆動手段としての陽極線ドライブ回路２、陰極線走査回路３を含む自発光表示ユニットにおける欠陥場所を判定（特定）するようになされる。そして、欠陥場所判定手段７において判定された欠陥場所に応じて欠陥報知手段８が駆動されるようになされる。
【００３２】
図３は、図２に示した欠陥場所判定手段においてなされる判定手法を説明するものである。この図３に示した判定手法は、図１に示すように第２の走査線Ｋ2 がグランドに接続されて走査状態になされ、それ以外の走査線Ｋ1 ，Ｋ3 〜Ｋm には逆バイアス電圧ＶM が印加され、かつ選択スイッチＳＷ１が検査線ＴL1を選択している場合を例にしている。そして、図３に示す出力Ａ、および出力Ｂはすでに説明した記憶手段としてのデータレジスタ６に格納された第１および第２のコンパレータＣP1，ＣP2の各出力状態を示すものである。
【００３３】
なお、図３において場所記号として示すもののうち、例えばＥ11，Ｅ12等は図１に示したＥＬ素子を示している。また、Ｃ1 ，Ｃ2 で示すものは図１において×印を付けた第１および第２の陰極配線部分を示しており、以下同様に図１に×印と共に場所記号を付している。すなわち、図３に示した判定手法を利用することで、以下に例示するように場所記号と共に×印を付けた部分が不具合であると判定することができる。
【００３４】
図３に例えばＮｏ．０として示すように、出力Ａ，Ｂが“−”，“−”で正常の判定がなされ、しかも第２の走査線Ｋ2 の前後である走査線Ｋ1 およびＫ3 の走査時においても出力Ａ，Ｂに異常が見られない場合には、状態の欄に示すように「故障なし」と判定される。一方、Ｎｏ．１として示すように、出力Ａ，Ｂが“−”，“−”で正常の判定がなされるものの、備考欄に示すように走査線Ｋ1 の走査時において異常が発生する場合には、場所記号および状態の欄に示すように、「ＥＬ素子Ｅ11が破壊され、素子が絶縁状態になされている」と判定される。
【００３５】
さらに、Ｎｏ．３として示すように、出力Ａ，Ｂが“＋”，“−”の組み合わせとなり異常の判定がなされる場合には、場所記号および状態の欄に示すように、「ＥＬ素子Ｅ12が破壊され、素子が絶縁状態になされている」と判定される。また、例えばＮｏ．９として示すように、出力Ａ，Ｂが“−”，“−”で正常の判定がなされるものの、備考欄に示すように走査線Ｋ1 の走査時において異常が発生する場合には、場所記号および状態の欄に示すように、「Ｃ1 の箇所で陰極線配線が切断されている」と判定される。
【００３６】
前記した説明は、図３に示された全体の判定手法のうちの一部ではあるが、少なくても隣接する３本の走査線の走査結果による前記した出力Ａ，Ｂのデータを基礎にして、図３に示されたＮｏ．０〜Ｎｏ．２０に示す場所記号および状態の組み合わせを判別することができる。そして、同様にして他の走査線を対象として同様の検知と、これに基づく判定動作が実行される。
【００３７】
以上のように、図１に示した不具合検知手段と、図２に示した欠陥場所判定手段との組み合わせにより、表示パネルに形成されたＥＬ素子による全ての画素の発光不具合を検知することができ、不具合なＥＬ素子の場所（座標値）も検出することができる。また、ＥＬ素子のみならず、図１に×印と共に場所記号を付したとおり、表示パネルの駆動手段と、これらの各接続箇所における不具合も個々に判別することができる。
【００３８】
前記した欠陥場所判定手段７において判定された欠陥場所に応じて、欠陥報知手段８が駆動されることになるが、この場合、たとえば画素に欠陥が生じていることが判明しても、その欠陥場所が表示を見誤る可能性が少ない位置であれば、欠陥報知手段８を働かせず、そのまま使用するような運用を図ることができる。また、画素の欠陥位置が例えば小数点を表示する位置であるような場合には、欠陥の画素数が僅かであっても、欠陥報知手段８を働かせる必要が生ずる。このような選択は、この自発光表示モジュールが搭載される機器に応じて、適宜設定することが望まれる。
【００３９】
前記欠陥報知手段８は、例えばブザーのような聴覚的に報知するような手段を採用してもよく、また表示パネル１に故障が発生したことを知らせるメッセージを表示するようにしてもよい。もしくは表示パネル１の表示を消すことで、故障していることが明らかであるようにすることもできる。この場合、例えば航空機に使用されるメータなどのように表示を消すことが許されないような場合においては、表示位置を適宜変更させるような手段を採用することも考えられる。
【００４０】
図４はこの発明にかかる自発光モジュールの第２の実施の形態を示したものであり、これも同様にパッシブマトリクス型表示パネルを用いた例で示している。なお、この図４においては図１に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。
【００４１】
この図４に示す実施の形態においては、選択スイッチＳＷ１により選択された各定電流源Ｉ1 〜Ｉn の出力端子電位は、電圧比較手段を構成する１つのコンパレータＣP1における非反転入力端子に供給されるように構成されている。このコンパレータＣP1における反転入力端子には、電圧値が変更可能に構成された基準電位発生手段５が接続されている。この基準電位発生手段５は、デジタルデータの入力によりこれに対応したアナログ電圧値が出力されるように機能する。
【００４２】
そして、この図４に示す実施の形態においては、図１に示した第１および第２のコンパレータＣP1，ＣP2にそれぞれ基準電位として入力される逆バイアス電位ＶM およびロジック動作電位ＶDDが、前記基準電位発生手段５より交互に出力されるようにプログラミングされている。これにより、前記選択スイッチＳＷ１により選択された１つの定電流源による出力端子電位ＶF は、まず、基準電位発生手段５から供給される逆バイアス電位ＶM に相当する電位との比較がなされ、その比較出力がラッチ回路ＬＣ１供給され、ラッチパルスＬP の到来により、その出力がラッチされる。そしてラッチ回路ＬＣ１によるラッチ出力は、記憶手段を構成するデータレジスタ６に格納される。
【００４３】
これに続いて、前記１つの定電流源による出力端子電位ＶF は、次に基準電位発生手段５から供給されるロジック動作電位ＶDDに相当する電位との比較がなされ、その比較出力がラッチ回路ＬＣ１供給され、同じくラッチパルスＬP の到来により、その出力がラッチされる。そしてラッチ回路ＬＣ１によるラッチ出力は、記憶手段を構成するデータレジスタ６に格納される。
【００４４】
前記した動作により前記ラッチ回路ＬＣ１より、前記逆バイアス電位ＶM を基準電位とした比較出力（すなわち、図１に示す出力Ａに相当する。）、および前記ロジック動作電位ＶDDを基準電位とした比較出力（すなわち、図１に示す出力Ｂに相当する。）が前後して出力され、これがデータレジスタ６に格納される。したがって、図４に示すデータレジスタ６に、前後して格納される前記ＡおよびＢに相当する出力を利用することにより、図３に基づいて説明した例と同様の判定手法を利用して、自発光表示ユニットにおける不具合の発生状態を把握することができる。
【００４５】
なお、図４に示すコンパレータＣP1には、基準電位発生手段５より常に一定の基準電位が供給されるように構成することで、簡易型の欠陥状態の検証手段を構築させることもできる。この場合においては、前記したＶF 狙い値（＝８Ｖ）よりも、若干電位が低い例えば６Ｖ程度の基準電位を、前記基準電位発生手段５よりコンパレータＣP1に供給するようになされる。
【００４６】
この構成によると、選択スイッチＳＷ１により選択された電位ＶF が、ＶF 狙い値（＝８Ｖ）に達している場合には、コンパレータＣP1の出力は“＋”になり、この状態は一応正常であると見なすことができる。一方、コンパレータＣP1の出力が“−”になった場合には、選択スイッチＳＷ１により選択された定電流源に接続され、かつ走査状態になされたＥＬ素子が、短絡状態の不良に陥っていると見なすことができる。
【００４７】
したがって、表示パネルに配列されたＥＬ素子の前記した不具合のみを検証しようとする場合においては、１つのコンパレータＣP1に常に一定の基準電位を供給する前記した構成も好適に採用することができる。
【００４８】
なお、図４に示した実施の形態においても、図１に示した実施の形態と同様に、発光駆動モードと検知モードとに切り換え可能に構成され、検知モードになされた状態で前記したような表示ユニットにおける不具合の発生状態を検知するようになされる。しかしながら、図１および図４に示した実施の形態においは、前記検知モードに移行せずに、駆動手段が発光駆動動作のままで、前記不具合検知手段による不具合の検知動作を実行するように構成することもできる。
【００４９】
すなわち、図１および図４に示すコントローラＩＣ４は、入力映像信号を処理する際に、表示パネル１に配列された各ＥＬ素子の点灯制御の状態を前もって把握することができる。したがって、点灯制御がなされるＥＬ素子を対象として、選択スイッチＳＷ１の選択操作、およびラッチパルスの出力タイミング、さらにデータレジスタ６への書き込みアドレスを指定することで、それぞれのＥＬ素子の点灯タイミングに合わせて、検証データ（前記出力Ａ，Ｂ）を取得することができる。そして、データレジスタ６へのデータが蓄積され、例えば図３に示す判定手法による判定が可能となった状態で、図２に示す欠陥場所判定手段７を動作させるように構成することができる。
【００５０】
以上説明した実施の形態においては、自発光素子として有機ＥＬ素子を用いているが、これは有機ＥＬ素子に限らず、電流駆動される他の自発光素子を用いることができる。また、前記した不具合検知手段を含む自発光表示モジュールは、すでに説明したような医療機器や航空機の計器を含む電子機器への採用のみならず、発光表示パネルを備えた他の電子機器に採用することによっても、すでに説明した作用効果をそのまま享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】この発明にかかる自発光表示モジュールの第１の実施の形態を示した回路構成図である。
【図２】図１示すデータレジスタに格納されたデータを利用する欠陥場所判定手段および欠陥報知手段の接続構成例を示したブロック図である。
【図３】図２に示す欠陥場所判定手段においてなされる判定手法を示す説明図である。
【図４】この発明にかかる自発光表示モジュールの第２の実施の形態を示した回路構成図である。
【符号の説明】
【００５２】
１              発光表示パネル
２              データドライバ（陽極線ドライブ回路）
３              走査ドライバ（陰極線走査回路）
４              コントローラＩＣ
５              基準電位発生手段
６              記憶手段（データレジスタ）
７              欠陥場所判定手段
８              欠陥報知手段
Ａ1 〜Ａn       データ線（陽極線）
ＣP1，ＣP2      コンパレータ
Ｅ11〜Ｅnm      自発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉ1 〜Ｉn       定電流源
Ｋ1 〜Ｋm       走査線（陰極線）
ＬＣ1 ，ＬＣ2   ラッチ回路
Ｓa1〜Ｓan      ドライブスイッチ
Ｓk1〜Ｓkm      走査スイッチ
ＳＷ１          選択スイッチ
ＴL1〜ＴLn      検査線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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