(57)【要約】【課題】 本発明は表面粗度を制御して比表面積を増加させることによって電子放出性能を向上させることができるＭｇＯ保護膜を含むプラズマディスプレイパネルに関する。【解決手段】本発明は任意の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板；第１基板上に形成される複数のアドレス電極、アドレス電極を覆いながら第１基板に形成される第１誘電層、第１誘電層と所定の高さで提供され、第１基板と第２基板の間空間に配置されて所定間隔で区画された放電空間を形成する複数の隔壁、放電空間内に形成される蛍光層、前記第１基板に対向する第２基板の一面に前記アドレス電極と直交状態で配置される複数の放電維持電極、放電維持電極を覆いながら第２基板に形成される第２誘電層、及び第２誘電層を覆って形成され、表面粗度が６０乃至２５０ÅであるＭｇＯ保護膜を含むプラズマディスプレイパネルを提供する。【選択図】   図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板；
前記第１基板上に形成される複数のアドレス電極；
前記アドレス電極を覆いながら第１基板に形成される第１誘電層；
前記第１誘電層と所定の高さで提供され、第１基板と第２基板の間空間に配置されて所定間隔に区画された放電空間を形成する複数の隔壁；
前記放電空間内に形成される蛍光層；
前記第１基板に対向する第２基板の一面に前記アドレス電極と直交状態に配置される複数の放電維持電極；
前記放電維持電極を覆いながら前記第２基板に形成される第２誘電層；及び
前記第２誘電層を覆って形成され、表面粗度が６０乃至２５０ÅＲｍｓであるＭｇＯ保護膜
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ＭｇＯ保護膜の透過率が９０％以上であり、６４０ｎｍでの屈折率が１．４５乃至１．７４であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記ＭｇＯ保護膜の表面グレイン大きさが７０乃至３５０ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記ＭｇＯ保護膜の厚さが５００乃至９０００ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記ＭｇＯ保護膜が電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、スパッタ、イオンビーム支援堆積法、化学気相蒸着の中で選択された加熱蒸着法で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記ＭｇＯ保護膜の表面粗度は２００乃至３５０℃の温度範囲に調節されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記ＭｇＯ保護膜の表面粗度はガス分圧８×１０-７乃至３×１０-６ｔｏｒｒの範囲に調節されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記ガス分圧は水素ガス分圧であることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルに関し、より詳しくは、表面粗度を制御して比表面積を増加させることによって電子放出性能を向上させることができるＭｇＯ保護膜を含むプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は放電セル内で起こる気体放電による真空紫外線で蛍光体を励起させて画像を実現する表示装置であって、高解像度の大画面構成が可能であり次世代薄形表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は気体放電時に生じるプラズマから出る光を用いて文字またはグラフィックを表示する装置であって、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設置した二つの電極に所定の電圧を印加してこれらの間でプラズマ放電が起こるようにし、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって所定のパターンに形成された蛍光体層を励起させて画像を形成する。
【０００４】
このようなプラズマディスプレイは交流型（ＡＣ ｔｙｐｅ）、直流型（ＤＣ ｔｙｐｅ）及び混合型（Ｈｙｂｒｉｄ ｔｙｐｅ）に大別され、その中で交流型が一番一般に使用されている。図７は一般的な交流型プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。図６を参照すると、プラズマディスプレイパネル１００は下部基板１１１、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５、このアドレス電極１１５が形成された下部基板１１１の上に形成された第１誘電層１１９、この第１誘電層１１９の上部に形成されて放電距離を維持させてセル間のクロストークを防止する複数の隔壁１２３と隔壁１２３の表面に形成された蛍光体層１２５を含む。
【０００５】
複数の放電維持電極１１７は上部基板１１３の下方に形成され、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５と所定間隔をおいて離隔して直交している。そして、第２誘電層１２１及び保護膜１２７が順次に放電維持電極１１７を覆っている。特に、保護膜１２７としては可視光線がよく透過できるように透明であり、のみならず誘電層の保護及び２次電子放出性能に優れたＭｇＯを主に使用しており、最近は異なる材料を用いた保護膜の研究も行われている。
【０００６】
前記ＭｇＯ保護膜は、プラズマディスプレイパネル動作のうちの放電時の放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和させることができる耐スパッタリング特性を有しイオン衝突から誘電体層を保護し、２次電子の放出によって放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜であって、６０００〜８０００Åの厚さで誘電体層を覆って形成する。このような各種の機能は、保護膜の表面状態、特に膜表面に現れる結晶面（結晶配向面）の状態に影響されると考えられる。
【０００７】
ＭｇＯ保護膜はスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、ＩＢＡＤ（イオンビーム支援堆積法）、ＣＶＤ（化学気相蒸着法）及びゾル-ゲル法などを用いて形成しており、最近はイオンプレーティング方式が開発されて用いられている。
【０００８】
ここで、電子ビーム蒸着法は電場と磁場で加速された電子ビームをＭｇＯ蒸着材料に衝突させて蒸着材料を加熱及び蒸発させることによってＭｇＯ保護膜を形成する方法である。スパッタリング法の場合、電子ビーム蒸着法に比べて保護膜が緻密で結晶配向に有利な特性を有する長所があるが、製造工程経費が高額になる問題点がある。ゾル-ゲル法の場合、液相でＭｇＯ保護膜を製造する。
【０００９】
前記様々なＭｇＯ保護膜の形成方式に対する代案としてイオンプレーティング法が最近試みられているが、イオンプレーティング法では蒸発する粒子をイオン化して成膜させる。イオンプレーティング法はＭｇＯ保護膜の密着性と結晶性に対してスパッタリング法と類似の特性を有するが、蒸着を８ｎｍ/ｓの高速で行うことができる長所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は前記従来の問題点を解消するためのものであって、その目的は、ＭｇＯ保護膜の表面粗度を特定範囲に調節することによって電子放出特性を向上させ、放電開始電圧と放電有機電圧を低くする効果があり、耐スパッタ性能が優れていて表示品質を改善することができるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）保護膜のＭｇＯ薄膜形成時に表面粗度制御によって点灯されなければならない各セルが点灯しないなどの特定セルにおける放電不能状態を制御し表示品質を改善するプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために本発明は、任意の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板；前記第１基板上に形成される複数のアドレス電極；前記アドレス電極を覆いながら第１基板に形成される第１誘電層；前記第１誘電層と所定の高さで提供され、第１基板と第２基板の間空間に配置されて所定間隔に区画された放電空間を形成する複数の隔壁；前記放電空間内に形成される蛍光層；前記第１基板に対向する第２基板の一面に前記アドレス電極と直交状態に配置される複数の放電維持電極；前記放電維持電極を覆いながら前記第２基板に形成される第２誘電層；及び前記第２誘電層を覆って形成され、表面粗度（Ｒｍｓ）が６０乃至２５０ÅであるＭｇＯ保護膜を含むプラズマディスプレイパネルを提供する。
［発明の効果］
【００１３】
本発明のプラズマディスプレイパネルはＭｇＯ保護膜形成時に特定範囲に表面粗度を調節することにより耐スパッタ性能及び電子放出特性を向上させて表示品質の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】
本発明はＰＤＰ保護膜形成時、加熱蒸着方式による柱状結晶構造を有する膜の表面粗度を特定範囲に制御するによって表示品位を向上させることができるＭｇＯ保護膜に関する。
【００１６】
表面粗度が増加すれば比表面積が増加するようになって電子放出性能が向上する。また、プラズマディスプレイ表示装置の表示品位と安定性を向上させるために、高い電子放出性を有する耐スパッタ性能に優れた保護膜を適用することが注目されている。
【００１７】
従って、本発明は特定表面粗度範囲で従来の耐スパッタ性能を維持しながら電子放出性能を向上させることができる保護膜を含むプラズマディスプレイパネルを提供することを特徴とする。
【００１８】
本発明は従来と表面粗度が異なるように製造したＭｇＯ保護膜での放電特性をアドレス（ａｄｄｒｅｓｓ）放電遅延特性で比較した結果、表面粗度（Ｒｍｓ）が６０〜２５０Åの範囲で高い電子放出性を有し耐スパッタ性能が向上することを確認した。特に、本発明によれば保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）が１５０〜２００Åの間で最も優れた特性を有する。
【００１９】
このように、本発明は柱状結晶構造を有する電子放出性の薄い膜を形成する時に前記範囲内で表面粗度を調節し、従来に比べて表面粗度が増加することに伴って比表面積が増加して電子放出性能が向上し、放電開始電圧と放電維持電圧を低める効果を期待することができる。この時、表面粗度が過度に増加した場合、局部的な電流集中を招く不作用があり、それに伴う局部的な膜損失を誘導して特定部位でのスパッタリング増加による寿命低下を招くようになる。
【００２０】
前記ＭｇＯ保護膜は加熱蒸着方式による電子放出特性を有する薄い膜であって、本発明でＭｇＯ保護膜を形成する方法は電子ビーム蒸着（ＥＢ）、イオンプレーティング（ｉｏｎ ｐｌａｔｉｎｇ）、スパッタ、イオンビーム支援堆積法（ＩＢＡＤ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）の中で選択された加熱蒸着法を使用することができるが、好ましくは、イオンプレーティング（Ｉｏｎ  Ｐｌａｔｉｎｇ）方法を使用する。
【００２１】
特に、本発明で表面粗度を制御する方法はその温度、反応速度、ガス分圧などの条件を特定して前記範囲に調節する。本発明は前記表面粗度を制御する時、その温度は２００乃至３５０℃、好ましくは２５０乃至３００℃に調節する。また、前記反応速度は前記ＭｇＯ保護膜形成方法によって条件が変わることがあり、その条件が特に限定されない。前記表面粗度制御時にガス分圧、好ましくは、水分圧（つまり、水素分圧）は８×１０-７乃至３×１０-６ｔｏｒｒ、より好ましくは１×１０-６乃至２×１０-６ｔｏｒｒ範囲に調節するのが好ましい。
【００２２】
前記で得られた本発明のＭｇＯ保護膜の厚さは５００ｎｍ乃至９０００ｎｍである。また、本発明の電子放出性の薄い膜で形成されたＭｇＯ保護膜の透過率は９０％以上であり、６４０ｎｍで１．４５〜１．７４の屈折率を有する。
【００２３】
また、本発明のＭｇＯ保護膜は混晶膜（ａ  ｇｒｏｗ  ｔｈｅｄ  ｆｉｌｍ  ｗｈｉｃｈ  ｍｉｘｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）である。
【００２４】
前記保護膜の表面グレイン大きさ（Ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）は７０乃至３５０ｎｍである。
【００２５】
以下、添付した図面を参考にして前記保護膜を有する本発明のプラズマディスプレイパネルの好ましい一実施例をより詳細に説明する。
【００２６】
図１Ａは本発明の一実施例による前記保護膜を含むプラズマディスプレイパネルの上部基板部分のみを別に離して示したものである。
【００２７】
図１Ａを参照すれば、上部基板１３上に複数の放電維持電極１７、第２誘電層２１、及び本発明の６０乃至２５０Åの表面粗度（Ｒｍｓ）を有する保護膜２７が順次に形成されている。図１Ａでは便宜上理解のために本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの上部基板を１８０度ひっくり返して示す。
【００２８】
本発明はプラズマディスプレイパネルの上部基板とは別途に上部基板１３に対応する下部基板には前記複数の放電維持電極１７と垂直に交差する複数の他の電極を形成し、その上に誘電層を覆った後、隔壁を形成した後、隔壁の間に蛍光体層を塗布して、プラズマディスプレイパネルの下部基板を製造する。
【００２９】
つまり、再び説明すれば、本発明のプラズマディスプレイパネルは任意の間隔をおいて実質的に平行に対向配置される第１基板及び第２基板（以下、第１基板及び第２基板を便宜上各々“下部基板”及び“上部基板”という）を含む。
【００３０】
また、前記下部基板上の対向面には互いに交差するように配列される複数のアドレス電極が形成される。また、前記下部基板には複数のアドレス基板を各々覆いながら第１誘電層が形成されている。前記第１誘電層上には前記第１誘電層と所定の高さで提供され、下部基板と上部基板の間空間に配置されて所定間隔で区画された放電空間を形成する複数の隔壁が形成され、前記放電空間内の誘電層上部と隔壁側面には蛍光層が形成されている。１Ｂは本発明の図１Ａの第２基板を含むプラズマディスプレイパネル１０の分解斜視図である。図１Ｂに示されているように、本発明のプラズマディスプレイパネル１０は上部基板１３に対応する下部基板１１、前記下部基板１１の上に形成された複数のアドレス電極１５、このアドレス電極１５が形成された下部基板１１の上に形成された第１誘電層１９、この第１誘電層１９の上部に形成されて放電距離を維持させセル間のクロストーク（cross talk）を防止する複数の隔壁２３、隔壁２３の間に蛍光体層を塗布して隔壁の表面に形成された蛍光層２５を含む。 
【００３１】
また、前記下部基板に対向する上部基板の一面には前記アドレス電極と互いに直交状態で配置される複数の放電維持電極が形成され、前記放電維持電極を覆いながら前記上部基板には第２誘電層が形成されている。そして、前記第２誘電層上にはその上を覆いながら表面粗度が６０乃至２５０ÅＲｍｓである本発明のＭｇＯ保護膜が形成されている。
【００３２】
このように製造したプラズマディスプレイパネル上部基板及び下部基板の周縁をフリットで塗布して両基板を逢着して、ＮｅとかＸｅなどの放電ガスを注入することによってプラズマディスプレイパネルを製造する。
【００３３】
このように製造した本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは、電極から駆動電圧の印加を受けてこれら電極の間にアドレス放電を起こして誘電層に壁電荷を形成し、アドレス放電によって選択された複数の放電セルで上部基板に形成した一対の電極に攪拌的に供給される交流信号によってこれら電極間にサステイン放電を起こす。このために放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起されて遷移されながら紫外線を発生させ、紫外線による蛍光体の励起で可視光線を発生させながら画像を実現する。
【００３４】
また、図１Ａに図示したように、本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは保護膜形成領域内側に複数の電極が互いに交差してピクセルからなってこれらが集まって表示領域を形成して、その周辺部には非表示領域を形成する。基板１３上に形成された複数の電極１７はＦＰＣ（連想回路基板）（図示せず）と連結されるようにその端子部が誘電層２１の左右に引き出されている。
【００３５】
前述の構造を有する本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は当該分野に広く知られており、当該分野に従事する者には十分に理解できる内容であるので、本明細書で詳細な説明は省略する。ただし、本発明の主要特徴であるＭｇＯ保護膜の形成工程についてのみ下記で詳細に説明する。
【００３６】
前記保護膜はプラズマディスプレイパネルで誘電体層の表面を覆って放電期間のうちの放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。
【００３７】
前述の保護膜は基本材料として耐スパッタリング特性及び大きい２次放出係数を有するＭｇＯを使用する。
【００３８】
ＭｇＯ材料は単結晶または焼結体形態のものを使用することができるが、ＭｇＯ単結晶材料の場合、蒸着のための溶融時冷却速度による固溶限界の差によって特定ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）の定量制御が難しいという問題点があり、好ましくは焼結体ＭｇＯ材料製造時に特定ドーパントを定量的に添加したＭｇＯ焼結体材料を使用してイオンプレーティング方式でＭｇＯ保護膜を製造することができる。
【００３９】
ＭｇＯ保護膜蒸着材料はペレット形態で成形した後に焼結したものが使用されており、ペレットの大きさ及び形態によってペレットの分解速度が異なるため保護膜蒸着速度などいろいろな面で大きい差があるので、ペレットの大きさ及び形態を最適化して製造するのが好ましい。
【００４０】
また、ＭｇＯ保護膜は放電ガスに接触されるので保護膜を構成する成分と膜特性は放電特性に大きく影響を与えることができる。この時、ＭｇＯ保護膜特性は成分と蒸着時の成膜条件に大きく依存する。従って、目的とする膜特性向上に符合するように最適の成分を使用するのが良い。
【００４１】
この時、本発明は前記ようにＭｇＯ保護膜は表面粗度が６０乃至２５０ÅＲｍｓになるようにスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、ＩＢＡＤ（イオンビーム支援堆積法）、ＣＶＤ（化学気相蒸着法）などの加熱蒸着法を使用して形成することができ、最も好ましくはイオンプレーティング（ｉｏｎ ｐｌａｔｉｎｇ）方法を用いることができる。
【００４２】
以下、本発明の好ましい実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は本発明の好ましい一実施例にすぎず、本発明が下記の実施例によって限られるわけではない。
【００４３】
（実施例１）
ソーダ石灰ガラスで製造された上部基板上にインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）導電体材料を利用して放電維持電極を通常の方法でストライプ状で形成した。
【００４４】
次に、鉛系ガラスのペーストを前記放電維持電極が形成された上部基板の全面にかけてコーティングして焼成して第２誘電層を形成した。
【００４５】
以降、前記第２誘電層上にイオンプレーティング方法を利用して表面粗度（Ｒｍｓ）が６０ÅであるＭｇＯ保護膜を形成した。表面粗度は温度、搬送速度及びガス分圧などを制御して調節し、測定方法はＡＦＭで分析した。
【００４６】
（実施例２）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は８８Åになるようにした。
【００４７】
（実施例３）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は１５０Åになるようにした。
【００４８】
（実施例４）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、下記表１に示したようにＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は１８５Åになるようにした。
【００４９】
（実施例５）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は２００Åになるようにした。
【００５０】
（実施例６）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は２５０Åになるようにした。
【００５１】
（実施例７）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は１８６Åになるようにした。
【００５２】
（比較例１）
一般的な蒸着方式によって、表面粗度の制御無しに、ＭｇＯ保護膜の厚さは６００ｎｍであり表面粗度（Ｒｍｓ）は２０ÅであるＭｇＯ保護膜を形成した。これは一般的な蒸着方式によるものであって放電遅延時間の増加によって高精細ＰＤＰの表示品位を低下させた。
【００５３】
（比較例２）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は５０Åになるようにした。これは過度に制御された状態であり、この時の表示品位も放電遅延時間の増加でＰＤＰの表示品位を低下させる同一な現象が観察された。
【００５４】
（比較例３）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は５５Åになるようにした。これは過度に制御された状態であり、この時の表示品位も放電遅延時間の増加でＰＤＰの表示品位を低下させる同一な現象が観察された。
【００５５】
（比較例４）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は２６５Åになるようにした。これは過度に制御された状態であり、この時の表示品位も放電遅延時間の増加でＰＤＰの表示品位を低下させる同一な現象が観察された。
【００５６】
（比較例５）
前記実施例１と同様な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の表面粗度（Ｒｍｓ）は２８０Åになるようにした。これは過度に制御された状態であり、この時の表示品位も放電遅延時間の増加でＰＤＰの表示品位を低下させる同一な現象が観察された。
【００５７】
（比較例６）
前記実施例１と同一な方法で実施するが、ＭｇＯ保護膜の厚さは７００ｎｍであり、表面粗度（Ｒｍｓ）は３００ÅであるＭｇＯ保護膜を形成した。これは制御されすぎた状態であり、この時の表示品位も放電遅延時間の増加でＰＤＰの表示品位を低下させる同一な現象が観察された。
【００５８】
（実験例１）
前記実施例２、４、及び７によって製造したＭｇＯ保護膜のＳＥＭ（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、走査電子顕微鏡）写真を測定し、その結果は図２Ａ、図３Ａ、及び図４Ａに示した。また、前記実施例２、４、及び７の保護膜の表面粗度を示す斜視図を図２Ｂ、図３Ｂ、及び図４Ｂに示し、表面粗度の領域分析結果を図２Ｃ、図３Ｃ、及び図４Ｃに示した。
【００５９】
（実験例２）
また、前記実施例１乃至２及び比較例１、２の保護膜に対し電子放出特性（放電特性比較資料）及び内スパッタ性能を通常の方法で測定して、その結果を図５に示した。
【００６０】
図５の結果から見れば、本発明の実施例１、２の場合、ＭｇＯ保護膜形成時に表面粗度が制御されて比較例１、２に比べて二次電子放出特性が優れていることが分かる。
【００６１】
（実験例３）
前記実施例１乃至６及び比較例２乃至６に対し、１５０ｅＶ（加速電圧）でのガンマ特性を実験した。前記加速電圧で表面粗度に対するガンマ係数（二次電子放出係数）を測定してその結果を下記表１及び図６に示した。
【表１】
2005340214.tif 000003
【００６２】
前記表１及び図６から見れば、本発明による実施例１乃至６の場合ガンマ係数が比較例に比べて非常に優れており、特に１５０Å〜２００Åである場合最も優れていた。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１Ａ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの上部基板の斜視図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの部分分解斜視図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真である。
【図２Ｂ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度を示す斜視図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度の領域分析結果である。
【図３Ａ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度を示す斜視図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度の領域分析結果である。
【図４Ａ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真である。
【図４Ｂ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度を示す斜視図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜表面を示したものであって、ＭｇＯ保護膜の表面粗度の領域分析結果である。
【図５】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜と従来のプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜に対する耐スパッタ性能を比較して示したものである。
【図６】本発明の実施例による１５０ｅＶの加速電圧での表面粗度に対するガンマ係数（二次電子放出係数）を測定して示したグラフである。
【図７】一般的な交流型プラズマディスプレイパネルの部分分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  プラズマディスプレイパネル
１１  下部基板
１３  上部基板
１５  アドレス電極
１７  複数の放電維持電極
１９  第１誘電層
２１  第２誘電層
２３  隔壁
２５  蛍光体層
２７  保護膜
【図１Ａ】
2005340214.tif 000004
【図１Ｂ】
2005340214.tif 000005
【図２Ａ】
2005340214.tif 000006
【図２Ｂ】
2005340214.tif 000007
【図２Ｃ】
2005340214.tif 000008
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2005340214.tif 000010
【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
2005340214.tif 000012
【図４Ｂ】
2005340214.tif 000013
【図４Ｃ】
2005340214.tif 000014
【図５】
2005340214.tif 000015
【図６】
2005340214.tif 000016
【図７】
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