(57)【要約】【課題】スクライブＰＣＭに配置した容量素子は、プローブ間の寄生容量が大きいと、プローブを測定端子に接触させる際に接触抵抗が生じることにより、測定された合成容量は誤差が大きくなるので、正確な容量測定ができない。【解決手段】スクライブＰＣＭに配置した容量測定パターンの測定端子間距離を最隣接測定端子間の４倍以上に当たる８００μｍ以上に離すことにより、測定端子間の寄生容量は測定すべき容量と比較して十分に小さくなるので、プローブと測定端子の間に接触抵抗が生じていても、スクライブＰＣＭに配置した容量素子の容量値を高精度に測定することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブＰＣＭに配置した容量素子の容量測定方法において、
前記容量素子の測定端子間距離を最隣接測定端子間の４倍以上に離すことを特徴とする容量測定方法。
【請求項２】
前記測定端子間距離は８００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の容量測定方法。
【請求項３】
前記測定端子間には他の素子の測定端子が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の容量測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は容量測定方法に関し、特に、スクライブＰＣＭにおけるレイアウトおよび測定方法の改善による高精度な容量測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や無線ＬＡＮなどの需要増加に伴い高周波のアナログ回路に搭載する容量素子が必要とされている。高周波アナログ回路においては、回路の安定動作のために容量値のばらつきを小さくすることが求められている。
【０００３】
一般に、半導体集積回路に用いる素子の特性評価はＰＣＭ測定パターンを用いて行われるが、ウェハ上の面積を有効に利用してチップの取れ数を最大にするため、ＰＣＭ測定パターンをスクライブレーンに配置する技術（スクライブＰＣＭ）が用いられている。
【０００４】
しかしながら、スクライブＰＣＭでは測定時の寄生容量が大きくなり、測定誤差を生じてしまうという短所を有している。スクライブＰＣＭの測定に用いるプローブは一直線状に並んでいるため、隣接しているプローブ間の距離が小さくなり、寄生容量が大きくなることが要因となっている。
【０００５】
そこで、プローブの寄生容量を除くために、容量素子の測定前にプローブをウェハの測定端子から離して接触させずにプローブの寄生容量を測定しておいて、後からプローブを測定端子（パッド）に接触させて測定した結果から差し引く方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
以下、従来例の容量測定方法について、図面を参照しながら説明する。
【０００７】
図５〜図８は、容量Ｃを測定するときと寄生容量Ｃａの測定を行う際の様子を示した図である。なお、図５のＰ１〜Ｐ７はスクライブＰＣＭの測定端子を示している。ここで、容量Ｃに着目すると、図５に示すように、隣り合った測定端子に接続されていることが分かる。図６はプローブを測定端子に接触させて容量測定を行う様子を示している。例えば、容量Ｃでは測定端子Ｐ１，Ｐ２にプローブ１，２を接触させて容量値を測定することになる。しかし、図７に示すように、プローブ１−２間に寄生容量Ｃａが付くことによって、測定誤差を生じる。
【０００８】
この測定誤差を除去するため、通常、図８（ａ）に示すように、プローブ１，２を測定端子１，２から離した状態で１回目の容量測定を行う。これにより、プローブ間の寄生容量Ｃａが測定される。その後、図８（ｂ）に示すように、プローブ１，２をそれぞれ測定端子１，２に接触させて２回目の容量値を測定する。この時に、寄生容量Ｃａを含んだ合成容量のＣ＋Ｃａが測定され、予め測定した寄生容量Ｃａを差し引くことによって、測定したい真の容量Ｃが求められる。
【特許文献１】特開２００１−２４４３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、測定すべき容量Ｃに対して寄生容量Ｃａが小さくない場合、プローブを測定端子から離してプローブの寄生容量を測定して差し引く方法では、正確な測定値が得られないという問題点がある。
【００１０】
この理由は、図８（ｂ）に示すように、プローブを測定端子に接触させる際に接触抵抗が生じると、測定された合成容量はＣ＋Ｃａから外れた値となる。この差は、寄生容量Ｃａが真の容量Ｃと比較して小さい場合（Ｃ＞Ｃａ）には問題にならないが、ＣａがＣに近い大きな値となる場合には大きくなる。典型的なＭＯＳ型可変容量の場合、容量Ｃは２ｐＦであり、寄生容量Ｃａは４ｐＦであるから大きな誤差を生じる。
【００１１】
本発明は、上記の課題を鑑み、容量測定方法において正確な容量Ｃを求める方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明に係る容量測定方法は、スクライブＰＣＭに配置した容量素子の容量測定方法において、容量素子の測定端子間距離を最隣接測定端子間の４倍以上に離すことを特徴とする。
【００１３】
この構成によると、測定端子間の寄生容量は測定すべき容量と比較して十分に小さくなるので、プローブと測定端子の間に接触抵抗が生じていても、スクライブＰＣＭに配置した容量素子の容量値を高精度に測定することができる。
【００１４】
上記の容量測定方法において、測定端子間距離は８００μｍ以上であることが好ましい。
【００１５】
上記の容量測定方法において、測定端子間には他の素子の測定端子が配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の容量測定方法によると、スクライブＰＣＭに配置した容量素子の容量値を高精度に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る容量測定方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、図１に示すように、容量Ｃを離れた測定端子Ｐ１、Ｐ７に接続する。図２は、このように接続した容量Ｃの測定を行っている様子である。この場合も図３に示すように、寄生容量Ｃｂが付くが、その大きさは、隣同士のプローブの場合よりも十分に小さな値になる。Ｃｂが小さいので、事前の寄生容量測定を行って差し引く方法により、寄生容量を除いて正確な容量値を得ることが可能となる。
【００１９】
図４は、測定するプローブ間の距離を変えた場合の寄生容量値の変化を示している。ただし、距離の単位は、隣同士の測定端子の場合を１としている。なお、典型的な隣同士の測定端子間の距離は２００μｍである。測定端子間の距離が１の場合に４ｐＦ程度あった寄生容量が、４の場合には１．７ｐＦ、６の場合には１．４ｐＦまで減少していることが分かる。
【００２０】
また、図１に示すように、容量Ｃの測定端子Ｐ１、Ｐ７間には、他の素子として素子Ｂの測定端子Ｐ３、Ｐ４や素子Ｃの測定端子Ｐ５、Ｐ６を配置している。こうすると、測定端子Ｐ１、Ｐ７間のスペースを有効に利用できる。
【００２１】
以上のように、本実施形態によると、寄生容量Ｃｂは１ｐＦ程度と十分に小さいので、プローブと測定端子の間に接触抵抗が生じていても、容量Ｃを高精度に測定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
以上説明したように、本発明は、スクライブＰＣＭの高精度な容量測定等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態による容量測定方法を示すレイアウト図
【図２】本発明の実施形態による容量測定方法を示す模式図
【図３】本発明の実施形態による容量測定方法を示す模式図
【図４】測定端子間距離とプローブの寄生容量の相関を示す図
【図５】従来例の容量測定方法を示すレイアウト図
【図６】従来例の容量測定方法を示す模式図
【図７】従来例の容量測定方法を示す模式図
【図８】従来例の容量測定方法を示す模式図
【符号の説明】
【００２４】
１０１  容量Ｃ
１０２  測定端子１
１０３  測定端子２
１１０  測定端子７
２０１  容量Ｃ
２０２  測定端子１
２０４  プローブ１
２０５  プローブ２
２０６  容量測定器
２１０  測定端子７
３０１  容量Ｃ
３０２  測定端子１
３０４  プローブ１
３０６  容量測定器
３０８  接触抵抗１
３１０  測定端子７
３１１  接触抵抗７
３１２  寄生容量Ｃｂ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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