(57)【要約】【課題】  半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを簡単に確認できるようにすることにより、ウェハ乾燥装置の動作条件の良否を確認しやすくする。【解決手段】  水洗後の半導体ウェハの表面を、ウェハ乾燥装置を用いて乾燥する工程（Ｓ６）と、ウェハ乾燥後の半導体ウェハの表面を熱酸化する工程（Ｓ８）と、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、該半導体ウェハ表面に水が残留しているか否かを判断する工程（Ｓ１０及び１２）とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水洗後の半導体ウェハの表面を、ウェハ乾燥装置を用いて乾燥する工程と、
乾燥後の半導体ウェハの表面を熱酸化する工程と、
熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、該半導体ウェハ表面に水が残留しているか否かを判断する工程と
を具備するウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハの表面を熱酸化する工程において、水が残留していない部分における熱酸化膜の厚さを６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にする請求項１に記載のウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項３】
前記ウェハ乾燥装置はスピンドライヤー、ＩＰＡ蒸気乾燥装置、またはスピンエッチャーである請求項１または２に記載のウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハを乾燥する工程の前に、ＨＦ含有エッチング液を用いて半導体ウェハの表面から自然酸化膜を除去し、その後半導体ウェハを水洗する工程を更に具備する請求項１〜３のいずれかに記載のウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項５】
水が残留しているか否かを判断する工程は、金属顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面の色のコントラストを確認する工程を含む請求項１〜４のいずれかに記載のウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項６】
水洗後の半導体ウェハの表面を、ウェハ乾燥装置を用いて乾燥する工程と、
乾燥後の半導体ウェハの表面を熱酸化する工程と、
熱酸化膜の厚さのばらつきに基づいて、前記半導体ウェハ表面に水が残留しているか否かを判断する工程と
を具備するウェハ乾燥装置の動作確認方法。
【請求項７】
ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を変更することにより、該ウェハ乾燥装置の動作条件を設定する工程と、
動作条件が設定された前記ウェハ乾燥装置を用いて、製品用半導体ウェハを乾燥する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
製品用半導体ウェハをウェットエッチングし、その後水洗する工程と、
ウェハ乾燥装置を用いて水洗後の製品用半導体ウェハの表面を乾燥する工程と
を具備し、
前記ウェハ乾燥装置は、
該ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を調整することにより管理されている、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
レジスト剥離液を用いて製品用の半導体ウェハからレジスト膜を除去し、その後水洗する工程と、
ウェハ乾燥装置を用いて水洗後の製品用半導体ウェハの表面を乾燥する工程と
を具備し、
前記ウェハ乾燥装置は、
該ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を調整することにより管理されている、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ乾燥装置の動作確認方法及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを簡単に確認できるようにすることにより、ウェハ乾燥装置の動作条件の良否を確認しやすくしたウェハ乾燥装置の動作確認方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、半導体装置の製造方法の一工程を示すフローチャートである。本工程は、ウェットエッチングによりシリコンウェハ上の薄膜をエッチングする工程、またはレジスト剥離液を用いてフォトレジスト膜を剥離する工程である。
まず半導体ウェハを薬液に浸漬し、半導体ウェハを処理する（Ｓ１０２）。ここでの処理がウェットエッチングの場合、薬液としてＨＦ含有エッチング液が用いられ、レジスト剥離を行う場合は薬液としてジレスト剥離液が用いられる。次いで半導体ウェハを水洗する（Ｓ１０４）。次いでウェハ乾燥装置を用いて半導体ウェハの表面を乾燥する（Ｓ１０６）。このような工程は、例えば非特許文献１に開示されている。
ここで用いられるウェハ乾燥装置は、例えばスピンドライヤーまたはＩＰＡ蒸気乾燥装置である。また半導体ウェハを処理する工程や水洗する工程においてスピンエッチャーが用いられる場合は、スピンエッチャーがウェハ乾燥装置として用いられる。これらのウェハ乾燥装置は筐体内に配置されているが、この筐体の内部はスピンドライヤーやＩＰＡ蒸気乾燥装置においては排気されており、減圧状態になっている。
【非特許文献１】麻蒔立男著「超微細加工の基礎」日刊工業新聞社、１９９３年３月２５日、Ｐ．６７（図４．５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えばＬＯＣＯＳ法により素子分離膜を形成した後に半導体ウェハの表面に水が残留していると、その後の工程で形成されるゲート酸化膜の膜厚に異常が生じる。このためウェハ乾燥装置を、十分に強く動作するように設定する必要がある（例えば半導体基板の回転速度を上げたり、筐体内の排気を強くする等）。しかし必要以上に動作を強くしたり動作時間を長くするとコストが高くなり、また処理に時間がかかるようになる。また筐体内の排気を必要以上に強くすると外部から筐体内に異物が進入し、この異物が半導体基板に付着する場合がある。
このためウェハ乾燥装置の動作強度や動作時間に大きなマージンを設定することは難しい。
【０００４】
そこでウェハ乾燥後の半導体基板に水が残留しているか否かを例えばメンテナンス時に確認し、ウェハ乾燥装置の動作条件を確認する必要がある。従来は、半導体基板上に形成されているパターンを欠陥検査装置に認識させ、認識したパターンと標準パターンとの差を欠陥検査装置に検出させることにより、水残留に起因した酸化異常を検出していた。
しかし欠陥検査装置を用いた方法では、半導体基板一枚につき１時間ほど時間がかかっていた。またパターン認識で検出される異常には、酸化異常の他に、異物付着やパターン欠如も含まれる。このため再度金属顕微鏡で検査を行い、検出された異常が酸化異常であるか否かを判断する必要があった。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体基板の表面に水が残留しているか否かを簡単に確認できるようにすることにより、ウェハ乾燥装置の動作条件の良否を確認しやすくしたウェハ乾燥装置の動作確認方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明にかかるウェハ乾燥装置の動作確認方法は、
水洗後の半導体ウェハの表面を、ウェハ乾燥装置を用いて乾燥する工程と、
乾燥後の半導体ウェハの表面を熱酸化する工程と、
熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、該半導体ウェハ表面に水が残留しているか否かを判断する工程と
を具備する。
【０００７】
半導体ウェハの表面に水が残留している状態で熱酸化を行うと、水が残留していた領域における熱酸化膜の厚さは他の領域と比べて薄くなる。このため半導体ウェハの表面に水が残留している場合、半導体ウェハ表面に色のコントラストが生じる。従って、熱酸化を行った後、半導体ウェハ表面の色のコントラストを確認することにより、ウェハ乾燥装置によって十分に乾燥されたか否かを判断することができる。
【０００８】
半導体ウェハの表面を熱酸化する工程において、水が残留していない部分における熱酸化膜の厚さを６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのが好ましい。ウェハ乾燥装置は、例えばスピンドライヤー、ＩＰＡ蒸気乾燥装置、またはスピンエッチャーである。
ウェハを乾燥する工程の前に、ＨＦ含有エッチング液を用いて半導体ウェハの表面から自然酸化膜を除去し、その後半導体ウェハを水洗する工程を更に具備してもよい。この場合、自然酸化膜が半導体ウェハ表面の色のコントラストに与える影響を取り除くことができる。
水が残留しているか否かを判断する工程は、金属顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面の色のコントラストを確認する工程を含んでいてもよい。
【０００９】
本発明に係る他のウェハ乾燥装置の動作確認方法は、
水洗後の半導体ウェハの表面を、ウェハ乾燥装置を用いて乾燥する工程と、
乾燥後の半導体ウェハの表面を熱酸化する工程と、
熱酸化膜の厚さのばらつきに基づいて、前記半導体ウェハ表面に水が残留しているか否かを判断する工程と
を具備する。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を変更することにより、該ウェハ乾燥装置の動作条件を設定する工程と、
動作条件が設定された前記ウェハ乾燥装置を用いて、製品用半導体ウェハを乾燥する工程と
を具備する。
【００１１】
この半導体製造装置の製造方法によれば、ウェハ乾燥装置の立ち上げやメンテナンスにおいて、処理後の半導体ウェハの表面に水が残留しないように、ウェハ乾燥装置の動作条件を簡単に設定することができる。従ってウェハ乾燥装置の立ち上げやメンテナンスを容易に行える。
【００１２】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
製品用半導体ウェハをウェットエッチングし、その後水洗する工程と、
ウェハ乾燥装置を用いて水洗後の製品用半導体ウェハの表面を乾燥する工程と
を具備し、
前記ウェハ乾燥装置は、
該ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を調整することにより管理されている。
【００１３】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
レジスト剥離液を用いて製品用の半導体ウェハからレジスト膜を除去し、その後水洗する工程と、
ウェハ乾燥装置を用いて水洗後の製品用半導体ウェハの表面から乾燥する工程と
を具備し、
前記ウェハ乾燥装置は、
該ウェハ乾燥装置が乾燥した未処理の半導体ウェハの表面を熱酸化し、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じる半導体ウェハ表面の色のコントラストに基づいて、前記未処理の半導体ウェハの表面に水が残留しているか否かを判断し、水が残留していると判断された場合に、該ウェハ乾燥装置の動作条件を調整することにより管理されている。
【００１４】
これら半導体装置の製造方法において、ウェハ乾燥装置の動作を上述した方法により確認している。このため従来と比べて高い頻度でメンテナンスを行い、ウェハ乾燥装置の動作条件を確認することができるようになる。従って製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は第1の実施形態に係るウェハ乾燥装置の動作確認方法を示すフローチャートである。本方法で動作が確認されるウェハ乾燥装置は、例えばスピンドライヤー、ＩＰＡ蒸気乾燥装置または枚葉式のスピンエッチャーであり、半導体の製造工程において、ウェットエッチング後水洗されたシリコンウェハの表面を乾燥する際に用いられる。またジレスト剥離液を用いてレジスト膜が除去された後水洗されたシリコンウェハの表面を乾燥する際にも用いられる。図１に示す方法は、例えばウェハ乾燥装置を立ち上げるときや、ウェハ乾燥装置をメンテナンスするときなどに行われる。
【００１６】
まず未処理のシリコンウェハを準備し、このシリコンウェハの表面をＨＦ含有エッチング液で洗浄することにより、シリコンウェハ表面に存在する自然酸化膜を除去する（Ｓ２）。次いでシリコンウェハの表面を水洗し、ＨＦ含有エッチング液を除去する（Ｓ４）。そしてウェハ乾燥装置を用いて水洗後のシリコンウェハの表面を乾燥する（Ｓ６）。
【００１７】
ここでウェハ乾燥装置の例であるスピンドライヤー、スピンエッチャー、及びＩＰＡ蒸気乾燥装置の構成について説明する。
図２はスピンドライヤーの構成を示す概念図である。スピンドライヤーには回転軸１２を中心に回転するステージ１１が設けられており、ステージ１１にはロータ１４が固定されている。ロータ１４にはグレードル１６が保持されており、グレードル１６には複数のシリコンウェハ１が格納されている。またスピンドライヤーの本体は筐体１７に収容されている。筐体１７には排気管１８が繋がっており、排気管１８は排気機構(図示せず)に接続している。スピンドライヤーは、ステージ１１を回転させることにより、シリコンウェハ１の表面にある水を遠心力によりシリコンウェハ１の縁から外に飛び出させ、シリコンウェハ１の表面を乾燥させる。スピンドライヤーの本体が動作している間、筐体１７の内部は排気されており、減圧状態になっている。
【００１８】
図３は、スピンエッチャーの構成を示す概念図である。スピンエッチャーには回転軸２２を中心に回転するウェハチャック２４が設けられている。ウェハチャック２４の上方には、シリコンウェハ１の表面に薬液を供給する薬液供給口２６が設けられている。スピンエッチャーにおいて、ウェハチャック２４及びシリコンウェハ１が回転している状態での薬液供給口２６からエッチング液が供給されることによりシリコンウェハ１のエッチングが行われる。その後シリコンウェハ１が回転している状態においてシリコンウェハ1の表面に洗浄水が供給されることにより、シリコンウェハ１表面の洗浄が行われる。そして洗浄後にウェハチャック２４及びシリコンウェハ１を継続して回転させることにより、シリコンウェハ１の表面にある水分が遠心力によりシリコンウェハ１の縁から外に飛び出る。このようにしてスピンエッチャーは、シリコンウェハ１の表面を乾燥させる。
【００１９】
図４は、ＩＰＡ蒸気乾燥装置の構成を示す概念図である。ＩＰＡ蒸気乾燥装置の底部には、ＩＰＡ(イソプロピルアルコール)を収容しているＩＰＡ収容容器３２及びＩＰＡ収容容器３２を加熱してＩＰＡの蒸気を発生させるヒータ３４が設けられている。ＩＰＡ収容容器３２の上方には、シリコンウェハ１が鉛直に配置されており、シリコンウェハ１とＩＰＡ収容容器３２の間には排液受け３６及び排液受け３６が受けた排液を外部に排出する配管３６ａが設けられている。またＩＰＡ蒸気乾燥装置の本体は筐体３７に収容されている。筐体３７の下部には排気機構(図示せず)に接続している排気管が繋がっている。
ＩＰＡ蒸気乾燥装置において、気化したＩＰＡはシリコンウェハ１の表面で結露し、水分と結合する。そして一部は蒸発し、残りは排液受け３６に落下する。このようにしてＩＰＡ蒸気乾燥装置はシリコンウェハ１の表面を乾燥させる。ＩＰＡ蒸気乾燥装置の本体が動作している間、筐体３７の内部は排気されており、減圧状態になっている。
【００２０】
上記したＳ２〜Ｓ６の工程は、ＨＦ含有エッチング液を用いたウェットエッチング装置にウェハ乾燥装置が組み込まれている場合、このウェットエッチング装置で行われる。またＨＦ含有エッチング液を用いたウェットエッチング装置にウェハ乾燥装置が組み込まれていない場合には、Ｓ２及びＳ４までの工程がウェットエッチング装置によって行われ、Ｓ６に示した工程がウェハ乾燥装置によって行われる。
【００２１】
次いで図１に示すように、シリコンウェハを熱酸化し、表面に熱酸化膜を形成する（Ｓ８）。ここで熱酸化膜の厚さが６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下になるように熱酸化条件を調整するが、好ましくは熱酸化膜の厚さが８０ｎｍ前後となるように熱酸化条件を調整する。
【００２２】
ここで図５を用いてシリコンウェハの熱酸化膜について説明する。図５（Ａ）は、熱酸化前のシリコンウェハ１の断面図であり、図５（Ｂ）は熱酸化後のシリコンウェハ１の断面図である。図５（Ａ）に示すように熱酸化前のシリコンウェハ１の表面の一部に水１０が存在している場合、図５（Ｂ）に示すように水１０があった部分は他の部分と比べて熱酸化膜２が薄くなるため、凹部２ａが形成される。凹部２ａの深さは、例えば３ｎｍ以上８ｎｍ以下である。
なお水１０が存在する場合として、当初から付着していた水を乾燥し切れなかった場合と、ウェハ乾燥装置の動作が停止した後水が再付着する場合がある。
【００２３】
次いで熱酸化膜が形成されたシリコンウェハの表面を、目視でまず検査し、その後金属顕微鏡で検査する（Ｓ１０）。シリコンウェハの表面に図２に示した凹部２ａが形成されている場合、その部分は他の部分と比べて熱酸化膜が薄いため、他の部分と異なった色に見える。特に通常部分の熱酸化膜の厚さが８０ｎｍ前後である場合、この色差は顕著になる。
このため、シリコンウェハ表面の色のコントラストを確認することにより、乾燥後のシリコンウェハの表面に水が存在していたか否かを容易に確認することができる。
【００２４】
上記したようにスピンドライヤー、ＩＰＡ蒸気乾燥装置及びスピンエッチャー等のウェハ乾燥装置において、水はシリコンウェハの表面を伝ってシリコンウェハの縁から外に飛び出る。水が残留する場合においてもその水はシリコンウェハの表面を伝う。このため当初から付着していた水を乾燥し切れなかった場合、シリコンウェハ表面の水は平面形状が真円とは全く異なる形状になる。これに対し水が再付着する場合、シリコンウェハ表面の水は平面形状が真円に近い形になる。
これらのことから、図２に示した凹部２ａの形状を調べることにより、当初から付着していた水を乾燥し切れなかったのか、ウェハ乾燥装置の動作停止後に水が再付着したのかを推定することができる。
【００２５】
そして水が残っていると判断した場合（Ｓ１２）、ウェハ乾燥装置の動作条件を再度調整し（Ｓ１４）、水が残らないようになるまで上記した工程を繰り返す。具体的には、ウェハ乾燥装置がスピンドライヤーの場合は、シリコンウェハの回転速度を上げて水が残留しないようにするか、図２に示す筐体１７内部からの排気量を多くして水が再付着しないようにする。ウェハ乾燥装置がスピンエッチャーの場合はシリコンウェハの回転速度を上げる。ウェハ乾燥装置がＩＰＡ蒸気乾燥装置の場合は、ＩＰＡの単位時間あたり蒸発量を多くして水が残留しないようにするか、図４に示す筐体３７内部からの排気量を多くして水が再付着しないようにする。
【００２６】
以上のように本実施形態によれば、熱酸化膜の厚さのばらつきに起因して生じるシリコンウェハ表面の色のコントラストに基づいて、ウェハ乾燥装置により処理した後のシリコンウェハの表面に水が残留しているか否かを容易に判断することができる。従ってウェハ乾燥装置の動作条件が適切か否かを容易に判断することができる。このため従来と比べて高い頻度でウェハ乾燥装置の動作条件を確認することができるようになる。
【００２７】
図６は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。まず第１の実施形態で示した方法を行うことによりウェハ乾燥装置の動作条件を調整し、シリコンウェハの表面が十分に乾燥するようにする（Ｓ２０）。ウェハ乾燥装置の具体例は第１の実施形態と同じである。
次いで半導体装置の製造を行う（Ｓ２２）。
【００２８】
図７の各図は、図６のＳ２２の詳細を説明するためのシリコンウェハ１の断面図である。まず図７（Ａ）に示すように、ＬＯＣＯＳ法によりシリコンウェハ１の表面に素子分離膜１０２を形成する。このとき素子領域１０１にも薄い酸化膜１０１ａが形成される。
次いで図７（Ｂ）に示すように、素子分離膜１０２をレジストパターン１０６で覆った後、ウェットエッチングを行うことにより素子領域１０１から酸化膜１０１ａを除去する。
【００２９】
次いで図７（Ｃ）に示すように、レジストパターン１０６をアッシングした後シリコンウェハ１をジレスト剥離液に浸漬することにより、シリコンウェハ１の表面からレジストパターン１０６を除去する。そしてシリコンウェハ１を水洗した後、ウェハ乾燥装置を用いてシリコンウェハ１の表面を乾燥する。上述したＳ２０においてウェハ乾燥装置の動作条件を調整しているため、シリコンウェハ１の表面には水１０が残留しない。
次いで図７（Ｄ）に示すようにシリコンウェハ１の表面を熱酸化し、ゲート酸化膜１０３を形成する。このときシリコンウェハ１の表面に水１０が残留していないため、ゲート酸化膜１０３は均一に形成される。
【００３０】
次いで図７（Ｅ）に示すように素子分離膜１０２及びゲート酸化膜１０３を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることによりゲート酸化膜１０３上にゲート電極１０４を形成する。次いで素子分離膜１０２及びゲート電極１０４をマスクとしてシリコンウェハ１に不純物イオンを注入することによりソース及びドレインとなる拡散層１０５を形成する。
このようにして製造される半導体装置は、ゲート酸化膜１０３を形成するときにシリコンウェハ１の表面に水が残留していないため、ゲート酸化膜１０３に膜厚の薄い部分が形成されにくくなる。従って製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００３１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えばウェハ乾燥装置は上述した例に限定されるものではない。
例えばゲート酸化膜上のポリシリコン膜にＰをドープして抵抗値を調節し、その後レジスト膜を用いてポリシリコン膜をパターニングする場合がある。この場合パターニング後にレジスト膜を剥離するが、レジスト膜剥離後に水が残るとゲート電極の抵抗値が調製値からずれることがある。また層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する場合や層間絶縁膜上にＡｌ合金配線を形成する場合にもレジスト膜を用いるが、このレジスト膜を剥離した後に水が残るとコンタクト部分の腐食,異常酸化による抵抗異常、Ａｌ合金配線本体又はＡｌ合金配線のホール底部分の腐食等が生じることがある。
これらの場合において、レジスト剥離後のウェハ乾燥に用いられるウェハ乾燥装置に本発明を適用すると、上記した問題点が生じにくくなる。
また上述した実施形態ではシリコンウェハ表面の色のコントラストに基づいて熱酸化膜の厚さの有無を判断していたが、他の方法によって熱酸化膜の厚さのばらつきの有無を判断しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施形態に係るウェハ乾燥装置の動作確認方法を示すフローチャート。
【図２】ウェハ乾燥装置の一例であるスピンドライヤーの構成を示す図。
【図３】ウェハ乾燥装置の他の例であるスピンエッチャーの構成を示す図。
【図４】ウェハ乾燥装置の他の例であるＩＰＡ蒸気乾燥装置の構成を示す図。
【図５】（Ａ）は、熱酸化前のシリコンウェハ１の断面図、（Ｂ）は熱酸化後のシリコンウェハ１の断面図。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】（Ａ）は図６のＳ２２の詳細を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次工程を説明する断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次工程を説明する断面図、（Ｄ）は（Ｃ）の次工程を説明する断面図、（Ｅ）は（Ｄ）の次工程を説明する断面図。
【図８】半導体装置の製造方法の一工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００３３】
１…シリコンウェハ、２…熱酸化膜、２a…凹部、１０…水、１１…ステージ、１２…回転軸、１４…ロータ、１６…グレードル、１７、３７…筐体、１８、３６ａ…排気管、２２…回転軸、２４…ウェハチャック、２６…薬液供給口、３２…ＩＰＡ収容容器、３４…ヒータ、３６…排液受け、１０１…素子領域、１０１ａ…酸化膜、１０２…素子分離膜、１０３…ゲート酸化膜、１０４…ゲート電極、１０５…拡散層、１０６…レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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