(57)【要約】【課題】ＳＥＭＩ規格の平坦度データを用いて簡単かつ正確にウェーハの厚さ形状を判定できる形状判定方法及び形状判定装置を提供する。【解決手段】少なくともＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒのデータを組み合わせて、半導体ウェーハの厚さ形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかに判定する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒのデータを組み合わせて、半導体ウェーハ厚みの全体形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかに判定することを特徴とする半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項２】
判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲにより当該半導体ウェーハがフラット形状であるか否かを判定したのち、フラット形状でない場合は、半導体ウェーハの（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲおよび（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲにより当該半導体ウェーハがテーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかであることを判定することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項３】
判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ以下であるときはフラット形状であると判定する請求項１または２に記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項４】
判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３超、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるときはテーパ形状であると判定する請求項１〜３の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項５】
判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３以下、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるときは中凹形状又は中凸形状であると判定する請求項１〜４の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項６】
判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２超であるときは鞍型形状であると判定する請求項１〜５の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項７】
（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３以下であるときは第１の鞍型形状であると判定し、（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３超であるときは第２の鞍型形状であると判定する請求項６記載の半導体ウェーハの形状判定方法。
【請求項８】
判定対象の半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段と、前記厚さ測定手段により測定された測定データに基づいて少なくともＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒを求める演算手段と、求められたＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒのデータを組み合わせて、半導体ウェーハの全体形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかに判定する判定手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項９】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲにより当該半導体ウェーハがフラット形状であるか否かを判定したのち、フラット形状でない場合は、半導体ウェーハ表面の（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲおよび（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲにより当該半導体ウェーハがテーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかであることを判定することを特徴とする請求項８記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項１０】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ以下であるときはフラット形状であると判定する請求項８または９に記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項１１】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３超、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるときはテーパ形状であると判定する請求項８〜１０の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項１２】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３以下、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるときは中凹形状又は中凸形状であると判定する請求項８〜１１の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項１３】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた判定対象の半導体ウェーハのＧＢＩＲが１．０μｍ超、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２超であるときは鞍型形状であると判定する請求項８〜１２の何れかに記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【請求項１４】
前記判定手段は、前記演算手段により求められた（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３以下であるときは第１の鞍型形状であると判定し、（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３超であるときは第２の鞍型形状であると判定する請求項１３記載の半導体ウェーハの形状判定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの厚み形状の判定方法及び判定装置に関し、半導体ウェーハ製造工程の品質管理等に適用して好ましい半導体ウェーハの形状判定方法及び形状判定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なシリコンウェーハの製造工程では、ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶インゴッドをスライスし、得られたシリコンウェーハの外周部を面取りしたのち、ラップ盤を用いてウェーハ両面にラップ加工を施し、このラップドウェーハをアルカリや混酸などのエッチング液に浸漬することで面取りやラップ加工による歪を除去し、さらに研磨定盤及び研磨布を用いてウェーハの表面を鏡面研磨する。
【０００３】
こうして得られたシリコンウェーハは、検査工程に送られて平坦度などの各種検査が行われるが、この平坦度検査は、静電容量型非接触式センサを用いてウェーハ全面の厚さを測定し、この厚さデータに基づいて演算により平坦度が求められる。そして、得られた厚さデータを基に等高線図や三次元画像データを作成し、このような画像データを参照することで、シリコンウェーハの形状判定が行われていた。
【０００４】
ところが、この種の画像データは１枚のウェーハに付きメガバイトオーダのデータ量となることから、検査により得られた全てのデータを保存しておくには大容量の記憶装置が必要となる。
【発明の開示】
【０００５】
本発明は、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格の平坦度データを用いて簡単かつ正確にウェーハの厚み形状を判定できる形状判定方法及び形状判定装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点によれば、少なくともＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒのデータを組み合わせて、半導体ウェーハ厚みの全体形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかに判定することを特徴とする半導体ウェーハの形状判定方法が提供される。
【０００６】
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の観点によれば、判定対象の半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段と、前記厚さ測定手段により測定された測定データに基づいて少なくともＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒを求める演算手段と、求められたＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒのデータを組み合わせて、半導体ウェーハ厚みの全体形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の何れかに判定する判定手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの形状判定装置が提供される。
【０００７】
本発明者は、グローバル平坦度を指標するＳＥＭＩ規格の幾つかを組み合わせて用いると、半導体ウェーハ厚みの全体形状（グローバルな形状）とより相関が強いことを見出し、簡易かつ正確に厚み形状を判定できる本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、ＳＥＭＩ規格により定義されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲ及びＧＦ３Ｒは、それぞれ単独で用いてもウェーハ表面の全体形状を特定することはできるが、（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲと（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲなる指標を用いることで、ウェーハ厚みの全体形状を、フラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状といった形状の何れかに、正確に判定することができる。このようにウェーハ厚みの全体形状を判定することで、露光時の焦点ずれが生じやすいウェーハを選別することができる。
【発明の実施の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。  
まず、ＳＥＭＩ規格により定義される平坦度について説明する。ＳＥＭＩ規格においては、半導体ウェーハの平坦度(Flatness)を指標する規格として、大きくグローバル平坦度とサイト平坦度が規定されている。
【００１０】
このうちサイト平坦度とは、図１に示すようにデバイスプロセスの露光工程における露光単位となる部分（サイト）の平坦度を指標するもので、この種のサイト平坦度は露光時のピントずれに影響するので、サイト平坦度を指標としてピントずれの調整に用いられる。サイト平坦度には、その目的に応じて、ＳＦ３Ｒ，ＳＦ３Ｄ，ＳＦＬＲ，ＳＦＬＤ，ＳＦＱＲ，ＳＦＱＤ，ＳＢＩＲ，ＳＢＩＤがある。たとえばＳＢＩＲ（いわゆるＬＴＶ）は、図２に示すようにウェーハを裏面基準にして、すなわちウェーハの裏面を平面に矯正した状態において、一つのサイトの中心を基準面にしたときの表面高さの最大値と最小値の差（μｍ）と定義される。露光工程における露光時には、図３に示すようにレーザー光をサイトに照射し、その反射光のずれ量に基づいてサイトの高さを測定する。したがって、ウェーハのＳＢＩＲは、露光時のピントずれに強い相関を示す指標である。
【００１１】
ところで、露光工程の露光時に、３点基準により半導体ウェーハをグローバルチルトしてから露光することが行われることがある。この３点基準によるグローバルチルトとは、各サイトの露光を行う前に、ウェーハの３点基準を通る平面が水平になるようにウェーハ全体を傾けてから各サイトを露光する補正方法であり、ウェーハ表面の平坦度に応じて露光時のピントずれを修正するものである。
【００１２】
しかしながら、３点グローバルチルトによる平坦度の修正は、ウェーハ全体の平坦度、すなわちグローバル平坦度に拠るものであるのに対し、上述したＳＢＩＲなどのサイト平坦度はウェーハ全体の平坦度とは異なる性質の指標、すなわち各サイトの平坦度である。したがって、３点グローバルチルトでウェーハの傾きを補正したのち露光時のピントを補正すると、ピントのずれ量とＳＢＩＲとが相関しないこともある。
【００１３】
このような事態を回避するため、本実施形態では、ウェーハ表面の全体形状を、３点グローバルチルトを実施することを想定した形状に分類し、各サイトでピント合わせをした場合にＳＢＩＲと強い相関を示すウェーハを選別する。具体的には、半導体ウェーハ表面の全体形状を、図４に示すフラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状の４つに分類する。
【００１４】
フラット形状とは、ウェーハを裏面基準にしたときの表面の３点基準面が水平又はほぼ水平となっている形状であり、この場合には３点グローバルチルトを実施しても殆どその傾斜角は変化しないので、露光時の焦点ずれ量とＳＢＩＲは強い相関を示すことになる。したがって、ＳＢＩＲのデータを把握しておけばピントずれの不具合の解析に有意義である。
【００１５】
テーパ形状とは、ウェーハを裏面基準にしたときの表面の３点基準面がテーパ面に平行又はほぼ平行となっている形状であり、この場合には３点グローバルチルトを実施するとウェーハ表面は水平又はほぼ水平になるので、露光時の焦点ずれ量はＳＢＩＲよりも小さくなる。したがって、ＳＢＩＲのデータを把握しておけばピントずれの不具合の解析に有意義である。
【００１６】
中凹形状とは、ウェーハを裏面基準にしたときの表面の３点基準面が水平又はほぼ水平となっている形状であってそれ以外のウェーハ中心部分が凹んだ形状であり、この場合には３点グローバルチルトを実施しても殆どその傾斜角は変化しないので、露光時の焦点ずれ量とＳＢＩＲは強い相関を示すことになる。したがって、ＳＢＩＲのデータを把握しておけばピントずれの不具合の解析に有意義である。
【００１７】
また、中凸形状とは、中凹形状と同様にウェーハを裏面基準にしたときの表面の３点基準面が水平又はほぼ水平となっている形状であってそれ以外のウェーハ中心部分が凸となった形状であり、この場合には３点グローバルチルトを実施しても殆どその傾斜角は変化しないので、露光時の焦点ずれ量とＳＢＩＲは強い相関を示すことになる。したがって、ＳＢＩＲのデータを把握しておけばピントずれの不具合の解析に有意義である。
【００１８】
鞍型形状とは、ウェーハを裏面基準にしたときの表面の３点基準面が大きく傾いた形状であり、この場合には３点グローバルチルトを実施すると、露光時の焦点ずれ量はＳＢＩＲよりも大きくなる。したがって、露光時の焦点ずれ量とＳＢＩＲは相関しない結果となる。このように本実施形態では、３点グローバルチルトを実施したのちピント合わせを行った場合に、ＳＢＩＲの指標よりもピントのずれ量が大きくなる鞍型形状のウェーハを選別し、このような鞍型形状のウェーハが製造されないようにウェーハ製造工程にフィードバックしたり、そのような鞍型形状のウェーハを不良品として処理したりすることに利用する。
【００１９】
本実施形態において、半導体ウェーハ表面の全体形状を、上述した４つの形状、すなわちフラット形状、テーパ形状、中凹形状又は中凸形状及び鞍型形状に分類するには、図５に示すステップＳ１〜Ｓ１１を実行する。
【００２０】
同図に示す手順を説明する前に、本実施形態において用いられるグローバル平坦度について説明すると、ＧＢＩＲ規格は、図６に示すようにウェーハを裏面基準にして、表面高さの最大値と最小値との差（μｍ）と定義される。また、ＧＦＬＲ規格は、同図に示すように最小自乗法を用いてウェーハ表面の各ポイントに対するベストフィット平面を演算し、このベストフィット平面における表面高さの最大値と最小値との差（μｍ）と定義される。ＧＦ３Ｒ規格は、同図に示すようにウェーハのノッチを時計の６時としたときの４時、８時及び１２時の外周から３ｍｍの３点を通る基準平面を演算し、この基準平面における表面高さの最大値と最小値との差（μｍ）と定義される。
【００２１】
図５に戻り、半導体ウェーハの形状判定を行うにあたり最初にウェーハの厚さを実測し、この厚さデータに基づいてＳＥＭＩ規格のＧＢＩＲ，ＧＦＬＲおよびＧＦ３Ｒを演算により求める（ステップＳ１およびステップＳ２）。図７は本実施形態で用いられるウェーハの厚さ測定装置の一例を示す構造図であり、図８は図７に示す厚さ測定装置にて取得された厚さデータに基づいて、裏面を理想的に平面に矯正するよう吸着ウェーハの表面形状を求めるときの方法を示す概念図である。
【００２２】
図７に示す厚さ測定装置は、測定すべき半導体ウェーハＷを挟んで上下の同軸線上に設けられた一対の静電容量型距離センサ１，２を有し、各距離センサ１，２は非接触で距離ｄupperとｄlowerを測定する。
【００２３】
本例では、一対の距離センサ１、２間の距離ｄtotalは既知であることから、半導体ウェーハＷのその測定点における厚さｔは、ｄtotal−（ｄupper＋ｄlower）を演算することにより得られる。この厚さｔは、図８に示すように裏面を同一平面上に揃えたとき、すなわち半導体ウェーハＷの裏面が完全吸着されたと仮定したときの表面の高さを示すデータであることから、この全ての厚さデータｔを用いて図６に示されるＧＢＩＲ、ＧＦＬＲおよびＧＦ３Ｒを求める。
【００２４】
すなわち、平坦度ＧＢＩＲは半導体ウェーハＷの裏面を上述したように同一平面上に揃えたときの表面の高さデータそのものから求められる。これに対して、平坦度ＧＦＬＲは、図６に示されるグローバルベストフィット平面を演算したのち、この平面からの変位として求められる。また、平坦度ＧＦ３Ｒの場合は所定の３点における表面高さデータを用いて図６に示される３点基準平面を演算したのち、この平面からの変位として求められる。
【００２５】
ここで、任意に抽出された半導体ウェーハＷを１２枚用意し、上述したステップＳ１およびステップＳ２を実行するとともに、得られた裏面基準による厚さデータに基づいて半導体ウェーハの三次元画像を求めた。そして、各半導体ウェーハの平坦度ＧＢＩＲを比較したところ、ＧＢＩＲが０．１μｍ以下であるときは、三次元画像観察によりフラット形状とそれ以外のテーパ形状、中凹又は中凸形状、鞍型形状とを識別することができることが判明した。したがって、本例では半導体ウェーハの表面形状を、フラット形状かそれ以外の形状かを判定するための指標として、ＢＧＩＲが０．１μｍ以下かどうかで行うこととした（ステップＳ３）。ただし、本発明においてはこの０．１μｍという具体的数値は完全同一に限定されるものではなく、実質的に均等な閾値を含む趣旨である。
【００２６】
次に、用意された半導体ウェーハのうちステップＳ３でフラット形状以外の形状であると判定されたものについて、ステップＳ２で演算された平坦度ＧＢＩＲ，ＧＦＬＲおよびＧＦ３Ｒを用いて、（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲなる指標と、（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲなる指標を演算により求め、横軸を（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲ、縦軸を（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲにして各半導体ウェーハのデータをプロットした。この結果を図９に示すが、各半導体ウェーハの表面形状の三次元画像と比較すると、横軸の（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲなる指標は、テーパ形状であるかどうかと相関が強く、縦軸の（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲなる指標は、鞍型形状であるかどうかと相関が強いことが判明した。すなわち、同図に示す結果によれば、横軸の（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが大きくなるとテーパ形状が強く表れるウェーハとなり、縦軸の（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが大きくなれば鞍型形状が強く表れるウェーハとなる。
【００２７】
そして、フラット形状ではないが、テーパ形状および鞍型形状でもない、すなわち（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが小さく、かつ（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲも小さいウェーハを三次元画像で観察すると、ウェーハの中央が凹又は凸となった中凹形状又は中凸形状のウェーハであり、また、横軸の（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲも大きく、かつ縦軸の（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲも大きいウェーハを三次元画像で観察すると、鞍型形状でありしかも表面全体が傾斜したテーパ形状でもあることが判明した。
【００２８】
そこで本例では、この２つの新たな指標（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲおよび（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲにより、中凹形状（又は中凸形状）、テーパ形状、鞍型形状を判定することとした。なお、図９に示す領域IVの半導体ウェーハは基本的には鞍型形状であり、露光工程にて３点グローバルシフトを実行するとピントのずれ量とサイト平坦度ＳＢＩＲとが相関しない性質のウェーハであることから、本発明に係る第２の鞍型形状として分類した。
【００２９】
図５のステップＳ３からグローバル平坦度ＧＢＩＲが０．１μｍを超えると判定されたウェーハについては、ステップＳ５にて（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３を超えるものはステップＳ６に進み、次にそれらウェーハの（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるかどうかを判定する。このステップＳ６で０．１２以下であると判定された半導体ウェーハは、ステップＳ７にてテーパ形状であると判定される（図９に示す領域III）。これに対して、ステップＳ６で０．１２を超えると判定された半導体ウェーハは、ステップＳ８にて第２の鞍型形状（鞍型形状でテーパ形状でもある。）であると判定される（図９に示す領域IV）。
【００３０】
ステップＳ５にて（ＧＢＩＲ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．３以下であるものはステップＳ９に進み、次にそれらウェーハの（ＧＦ３Ｒ−ＧＦＬＲ）／ＧＦＬＲが０．１２以下であるかどうかを判定する。このステップＳ９で０．１２以下であると判定された半導体ウェーハは、ステップＳ１０にて中凹形状又は中凸形状であると判定される（図９に示す領域I）。これに対して、ステップＳ９で０．１２を超えると判定された半導体ウェーハは、ステップＳ１１にて鞍型形状であると判定される（図９に示す領域II）。
【００３１】
このようにして判定された結果、鞍型形状又は第２の鞍型形状であるとされた半導体ウェーハは、不良品として処理したり或いはそのウェーハの製造工程へフィードバックすることで工程条件の見直しに供される。
【００３２】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】サイト平坦度を説明するための半導体ウェーハの平面図である。
【図２】サイト平坦度を説明するための、半導体ウェーハの平面図および断面図である。
【図３】各サイトにおける露光焦点合わせを説明するための、半導体ウェーハと高さセンサを示す概念図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体ウェーハの厚さ形状の分類を示す三次元画像である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体ウェーハの厚さ形状の判定方法を示すフローチャートである。
【図６】ＳＥＭＩ規格の平坦度ＧＢＩＲ、ＧＦＬＲおよびＧＦ３Ｒの定義を説明するための半導体ウェーハの断面図および平面図である。
【図７】本発明の実施形態で用いた厚さ測定装置の測定原理を説明するための概念図である。
【図８】図７に示す厚さ測定装置で得られるシグナルから厚さ分布を求める方法を説明するための半導体ウェーハの断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半導体ウェーハの厚さ形状と指標との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３４】
Ｗ…半導体ウェーハ
【図１】
2005294745.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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