(57)【要約】【課題】電気的界面層に伴われる抵抗が比較的低い薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体及びＴＦＲ構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】薄膜抵抗体、  前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び  前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。【選択図】図１
2005167255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜抵抗体、
前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び
前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、
を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。
【請求項２】
薄膜抵抗体を形成し、
前記薄膜抵抗体の上に誘電体層を形成し、
前記薄膜抵抗体の第一端部の上の誘電体層中に第一薄膜抵抗体バイアを形成し、前記薄膜抵抗体の第二端部の上の誘電体層に第二薄膜抵抗体バイアを形成し、
前記第一及び第二薄膜抵抗体バイアの上にチタン（Ｔｉ）の層を形成し、そして
前記（Ｔｉ）層の上に窒化チタン（ＴｉＮ）の層を形成し、然も、前記Ｔｉ層とＴｉＮ層とが、前記薄膜抵抗体の第一端部に対する第一電気的界面部分、及び前記薄膜抵抗体の第二端部に対する第二電気的界面部分を形成しているようにする、
ことを含む、薄膜抵抗体構造体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜抵抗体(thinfilm rsistor)構造体及び薄膜抵抗体構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜抵抗体は、高精度アナログ及び混合信号用途のための非常に魅力的な部品である。低い熱抵抗係数及び低い抵抗電圧係数の他に、薄膜抵抗体は、熱応力の下で良好な抵抗体整合性及び良好な安定性を与える。熱応力下で良好な安定性を達成するためには、薄膜抵抗体の本体の抵抗を制御するのみならず、薄膜抵抗体に対する電気的界面層の抵抗を制御することが必須である。理想的には、電気的界面層の抵抗は、薄膜抵抗体の抵抗に寄与すべきではない。
【０００３】
薄膜抵抗体の製造方法は、薄膜抵抗体層に対する電気的界面層として、チタンタングステン（ＴｉＷ）を使用するのが典型的である。薄膜抵抗体層に対する電気的界面層としてチタンタングステン（ＴｉＷ）を用いることに伴われる欠点は、チタンタングステン（ＴｉＷ）が、薄膜抵抗体層に伴われる全抵抗の一部になることである。換言すれば、薄膜抵抗体の抵抗率は、チタンタングステン（ＴｉＷ）電気的界面層によっては充分制御されず、熱応力を増大し、薄膜抵抗体の熱抵抗係数（ＴＣＲ）を増大する一因になる。電気的界面層としてチタンタングステン（ＴｉＷ）を使用することに伴われる別の欠点は、粒状物含有量(particulate level)が高く、その粒状物含有量が高いことに伴われる保守問題である。
【０００４】
本発明は、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体及びＴＦＲ構造体を製造する方法に関する。ＴＦＲ構造体は、チタン（Ｔｉ）層と、窒化チタン（ＴｉＮ）層との組合せである電気的界面層又はヘッド層を含む。Ｔｉ層とＴｉＮ層との組合せは、ＴＦＲ構造体に、電気的界面層に伴われる比較的低い抵抗を与える。
【０００５】
本発明の一つの態様として、ＴＦＲを含むＴＦＲ構造体を与える。第一電気的界面部分は、ＴＦＲの第一端部に結合し、第二電気的界面部分は、ＴＦＲの第二端部に結合する。第一電気的界面部分と第二電気的界面部分とは、チタン（Ｔｉ）の層と、窒化チタン（ＴｉＮ）の層とから形成される。
【０００６】
本発明の別の態様は、ＴＦＲ構造体を製造する方法に関する。ＴＦＲ構造体を形成する方法は、ＴＦＲ材料層を形成することと、そのＴＦＲ材料層の上に酸化物層を形成することを含む。ＴＦＲは、ホトレジスト・エッチング法を用いて製造する必要がある。第一ＴＦＲバイアは、ＴＦＲの第一端部の上の酸化物層中に形成し、第二ＴＦＲバイアは、ＴＦＲの第二端部の上の酸化物層中に形成する。ＴＦＲバイアは、湿式又は乾式化学又はそれら両方の組合せを用いて酸化物層をエッチングして形成する。ホトレジスト層は、バイアエッチング工程の後で剥がす。希フッ化水素酸溶液を用いる湿式フッ素化エッチング工程を、ＴＦＲ材料層の表面を奇麗にし、残留酸化物を全て除去するために用いる。次にスパッター・エッチング法を適用して、ＴＦＲ材料層上に蓄積していた自然的酸化物を除去する。チタン（Ｔｉ）層を、第一及び第二ＴＦＲバイアの上に形成し、窒化チタン（ＴｉＮ）層を、その（Ｔｉ）層の上に形成する。チタン（Ｔｉ）層と窒化チタン（ＴｉＮ）層とは、ＴＦＲ層の第一端部に結合した第一電気的界面部分及びＴＦＲ層の第二端部に結合した電気的界面部分を定める開口を形成するようにエッチングすることができる。
【０００７】
本発明の前記特徴及び他の特徴は、図面を参照した次の記述を読むことにより、本発明に関与する当業者には明らかになるであろう。
【０００８】
詳細な説明
本発明は、薄膜抵抗体構造体及び薄膜抵抗体構造体を製造する方法に関する。薄膜抵抗体構造体は、チタン（Ｔｉ）層と窒化チタン（ＴｉＮ）層との組合せである電気的界面層又はヘッド層を含む。Ｔｉ層とＴｉＮ層との組合せは、電気的界面に伴われる抵抗を軽減する。更に、Ｔｉ層を使用することにより、電気的界面層に伴われる固有抵抗値を一層再現性のよいものにする。更に、Ｔｉ層は、薄膜抵抗体材料へのＴｉＮの接着を促進する接着剤層として働く。
【０００９】
図１は、本発明の一つの態様に従う薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体の断面図を例示している。図２は、図１に例示した得られる構造体の線Ａ−Ａに沿った断面図を例示している。金属配線層１２は、誘電体層１０の上に乗っている。誘電体層１０は、半導体基体のような半導体構造体及び／又は半導体基体の上のどのような数の介在層でも、それらの上に形成することができる。誘電体層１０の下にある層は、どのような数の、ＭＯＳ及び／又はバイポーラトランジスタを含めた能動素子のみならず、どのような数の金属配線レベルでも、含むことができる。金属配線層１２の上には、中間レベル誘電体層１４が乗っている。中間レベル誘電体層１４は、化学蒸着を含めたどのような適当な方法でも、それを用いて形成した酸化珪素を含むことができる。中間レベル誘電体層１４の上には、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）１６が乗っている。
【００１０】
ＴＦＲ構造体は、第一電気的界面部分２５に結合された第一接点３４及び第二電気的界面部分２７に結合された第二接点３６を有する。第一接点３４は、第一接点部分２８及び第一伝導性部分３０を有する。第二接点３６は、第二接点部分２９及び第二伝導性部分３２を有する。第一及び第二接点部分２８及び２９は、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、又はタングステン合金の少なくとも一種類から形成することができる。第一及び第二伝導性部分３０及び３２は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン、タングステン合金、又は主要なアルミニウムと、少量のチタン及び窒化チタンとの複合体、の少なくとも一種類から形成することができる。
【００１１】
第一電気的界面部分２５及び第二電気的界面部分２７は、第一接点３４及び第二接点３６を、ＴＦＲ材料層１６の、夫々、第一端部及び第二端部へ結合している。誘電体層２４は、第一電気的界面部分２５と、電気的界面部分２７との間の電気的絶縁を与える。更に、誘電体層２４は、第一接触部分２８と第二接触部分２９との間にある第一及び第二界面層の上に横たわっている。誘電体層２６は、第一と第二の伝導性部分、３０と３２との間の誘電体層２４の上に横たわっている。
【００１２】
第一及び第二電気的界面部分２５及び２７は、ＴＦＲ層１６の上のチタン（Ｔｉ）界面層２０及びその（Ｔｉ）層の上に堆積した窒化チタン（ＴｉＮ）界面層２２から形成されている。第一及び第二電気的界面部分２５及び２７は、ＴＦ（薄膜）ヘッド、拡散層、障壁層、又はキャッピング(capping)層としても知られている。第一及び第二電気的界面部分２５及び２７の機能は、薄膜抵抗体層１６への電気的接続を与え、薄膜抵抗体層を後のパターン化及びエッチング処理から保護することにある。第一及び第二電気的界面部分２５及び２７の成分としてＴｉ層２０と、Ｔｉ層２０の上のＴｉＮ層２２との組合せを用いることにより、ＴＦヘッドに伴われる抵抗を軽減する。
【００１３】
Ｔｉ層２０は、ＴｉＮだけの界面層の場合と比較して、界面層２０及び２２に伴われる抵抗値を一層再現性のあるものにする機能を果たす。Ｔｉ層２０の更に別の機能は、界面層２０及び２２の抵抗を低下することにある。Ｔｉ：ＴｉＮ界面層は、サブミクロン金属化処理と両立することができ、ＴＦＲに対する界面に良好な熱安定性を与え、それが、一層低い熱抵抗係数（ＴＣＲ）、再現性のある抵抗値、及び低い粒状物含有量を与える結果になる。
【００１４】
図３〜１８は、本発明の一つの態様に従う図１〜２に示したＴＦＲ構造体の製造方法を例示する。図３は、基体５０の上に載っている金属配線５２（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン、タングステン合金）の上に形成された中間レベル誘電体層５４を例示している。基体５０は、半導体装置又は回路を含むことができる。別法として、中間レベル誘電体層５４は、半導体基体及びどのような数の介在層でも、それらの上に直接形成することができる。
【００１５】
中間レベル誘電体層５４は、化学蒸着、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、スパッター又は高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰＣＶＤ）を含めた適当な方法を用いて形成された酸化珪素を含むことができる。本発明の一つの態様として、中間レベル誘電体層５４は、ＴＥＯＳ珪素酸化物、ＰＥＣＶＤ珪素酸化物、珪素窒化物、珪素オキシ窒化物、珪素炭化物、回転被覆ガラス（ＳＯＧ）、例えば、シルセスキオキサン及びシロキサン、キセロゲル、又は他の適当な材料の少なくとも一種類を用いて形成する。
【００１６】
本発明の別の態様として、中間レベル誘電体層５４の厚さは、約３０００Å〜約８０００Åの範囲にあり、金属配線５２の厚さは、約３０００Å〜約５０００Åの範囲にある。中間レベル誘電体層５４は、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により平面化することができる。
【００１７】
図４は、抵抗体材料層５６を、中間レベル誘電体層５４の上に堆積した後の構造を例示している。抵抗体材料層５６は、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）合金、珪素クロム（ＳｉＣｒ）、珪素クロム（ＳｉＣｒ）合金、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、又はタングステン（Ｗ）を含めた適当な薄膜抵抗体材料から作ることができる。抵抗体材料は、その抵抗体材料に伴われる抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を含めた希望の抵抗及び安定性に基づいて選択することができる。
【００１８】
ＴＦＲを形成するのに適当な厚さまで抵抗体材料層５６を形成するために、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、スパッター又は高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰＣＶＤ）技術のようなどのような適当な技術でも、用いることができる。しかし、本発明は、他の堆積技術〔例えば、物理的蒸着（ＰＶＤ）、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、パルス化レーザー堆積（ＰＬＤ）〕及びフイルム成長技術のような他の型の薄膜形成にも適用することができることは認められるべきである。
【００１９】
本発明の一つの態様として、ＴＦＲ材料層５６の厚さは、約３０Å〜約４００Åの範囲にあり、本発明の別の態様として、その厚さは、約１００Å〜約１５０Åの範囲にある。
【００２０】
パターン化されたホトレジスト層５９を、ＴＦＲ材料層５６の上に堆積する。図５は、層５６のエッチング１００を受けている構造体を例示している。エッチング１００中にＴＦＲ材料層５６中の開口を定めるため、パターン化ホトレジスト層５９を用いる。ホトレジスト層５９は、約１０，０００Å〜約２０，０００Åの厚さを有することができる。しかし、その厚さは、本発明を実施するのに適したどのような大きさのものにしてもよいことは認められるべきである。
【００２１】
本発明の一つの態様として、エッチング工程１００は、湿式又は乾式化学又はそれらの両方の組合せを用いる。ホトレジスト層５９は、エッチング工程が実質的に完了した後に、ＴＦＲ材料５６から剥がす。
【００２２】
図６は、誘電体層５８が堆積され、それから二つのＴＦＲバイアを形成されていることを例示している。図７では、誘電体層５８の表面の上にパターン化ホトレジスト層６０を適用する。エッチング工程２００を適用して、誘電体層５８に二つのＴＦＲバイアを形成する。ＴＦＲバイアは、湿式又は乾式化学又はそれら両方の組合せを用いてエッチングし形成する。ホトレジスト６０を剥がして、形成されたＴＦＲバイア６２、６３を露出する（図８）。ホトレジスト層６０を剥がした後、付加的希フッ化水素酸（ＨＦ）湿式エッチング３００を行い（図９）、ＴＦＲ材料層５６の上の約１００Å厚の僅かな酸化物層を除去する。
【００２３】
図１０は、ホトレジスト層を存在させずに構造体の全表面に真空環境中で適用したスパッターエッチング処理４００を例示している。スパッターエッチング処理４００は、ＴＦＲ材料層５６の上に、前の処理中に雰囲気にそれが曝された時に蓄積した自然的酸化物を除去するのに有利である。第一ＴＦＲバイア６２、６３は、ＴＦＲ材料層５６の上の接点パッドを形成する。
【００２４】
スパッターエッチング処理４００が完了した後、ＴＦＲ材料層５６の上及び誘電体層５８の残りの部分の上の第一ＴＦＲバイア６２、６３の中にチタン（Ｔｉ）層６４を堆積する（図１１）。窒化チタン（ＴｉＮ）の層６６を、Ｔｉ層６４の上に堆積する。Ｔｉ層６４及びＴｉＮ層６６は、一緒になって界面層（例えば、ＴＦヘッド又は障壁／拡散層）を構成する。Ｔｉ層６４とＴｉＮ層６６の両方は、物理的蒸着（ＰＶＤ）を用いて堆積することができる。Ｔｉ層６４の厚さは、約１００〜約３００Å（例えば、２００Å）の範囲にすることができる。ＴｉＮ層６６の厚さは、約８００〜約３０００Åの範囲内（例えば、２４００Å）にすることができる。
【００２５】
スパッターエッチング処理４００の効果は、界面層の抵抗を低下し、界面層抵抗の値を一層再現性のあるものにすることにある。このように、界面層の抵抗は、界面層のＴｉ層６４成分を適用する前に、スパッターエッチング処理４００を適用して、ＴＦＲ材料層５６の上の自然的酸化物を除去し、同様に界面層として特別にＴｉ：ＴｉＮを用いることにより低下させる。
【００２６】
図１２は、Ｔｉ：ＴｉＮ層６４及び６６のエッチング５００を受けている構造体を例示している。エッチング５００中、パターン化ホトレジスト層６８を用いて、Ｔｉ：ＴｉＮ層６４及び６６を通り、第一電気的界面部分６５及び第二電気的界面部分６７中へ伸びる開口６９（図１３）を形成し、酸化物層５８の一部分を露出し、Ｔｉ：ＴｉＮ層６４と６６を分離し、電気的に絶縁する。残りのパターン化ホトレジスト６８を除去した後に得られた構造体を図１３に例示する。界面層６４及び６６は、磁気促進反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、又は慣用的反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いた塩素又はフッ素化学によりエッチングすることができる。その化学は、下の酸化物層５８の上のＴｉ：ＴｉＮ層６４及び６６及び上に横たわるパターン化ホトレジスト６８に対し高度に選択性であるべきである。
【００２７】
残りのＴｉ：ＴｉＮ界面層６４及び６６のみならず、酸化物層５８の上の開口６９中に、中間レベル誘電体層７０を堆積する（図１４）。中間レベル誘電体層７０の上に、パターン化ホトレジスト層７２を形成する（図１５）。エッチング６００中、パターン化ホトレジスト層７２を用いて、中間レベル誘電体層７０を通って伸びる第二ＴＦＲバイア７４及び７５（図１２）を定め、界面層６４及び６６の一部分を露出する。第二ＴＦＲバイア７４及び７５は、第一電気的界面部分６５及び第二電気的界面部分６７への接点開口を与える。エッチング６００は、どのような適当な湿式又は乾式エッチング処理でもよい。残りのパターン化ホトレジスト７２を除去した後に得られた構造体を、図１６に例示する。
【００２８】
図１７は、残りの誘電体層７０の上及び露出した第一及び第二電気的界面部分６５及び６７の上の第二ＴＦＲバイア７４、７５中に堆積した接点材料層７６を例示している。接点材料層７６は、慣用的金属堆積技術を用いて堆積する。接点材料層７６は、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、又はタングステン合金の一種類から形成することができる。接点材料層７６は、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により、誘電体層７０の上の接点材料を除去し、第二ＴＦＲバイア７４及び７５中に堆積した接点材料を残し、第一及び第二電気的界面部分に接続した第一接点部分７８及び第二接点部分７９を形成することにより平面化する。得られた構造体を、図１８に例示する。
【００２９】
図１９は、残りの誘電体層７０の上の金属配線８４の堆積を例示し、第二ＴＦＲバイア７８及び７９の中では、慣用的金属堆積技術を用いて金属配線層８４が堆積されている。金属配線層８４は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン又はタングステン合金、又は主要なアルミニウムと少量のチタン及び窒化チタンとの複合体にすることができる。
【００３０】
図２０は、配線を形成するための金属配線層８４の上のパターン化したホトレジスト層９０を例示している。化学と共に時間制御エッチング７００を用いて、伝導性材料又は金属化層８４をエッチング除去し、下の誘電体層７０に到達させることができる。伝導性材料層８４の時間制御エッチング７００は、ＴＦＲへの電気的接続を与える伝導性部分８３及び８５を形成するために行い、伝導性材料８４の伝導性部分８３及び８５は、接点部分７８及び７９の連続部分を形成する。
【００３１】
時間制御エッチング７００を行なった後に得られる構造体を、図２１に例示する。時間制御エッチング７００に続き、ＴＦＲを炉ベーキング処理（例えば、４００℃）にかけ、ＴＦＲを安定化して定められた層にする。次に、図２１に例示した得られた構造体の上に、どのような数の介在層を形成してもよい。
【００３２】
上に記載したことには、本発明の実施例及び実施方法が含まれている。本発明を記載する目的で成分、回路、又は方法の考え得るあらゆる組合せを記述することは不可能なので、本発明の更に別の多くの組合せ及び置き換えが可能であることを当業者は認めるであろう。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲の本質及び範囲内に入るそのような変更、修正、及び変化の全てを包含するものである。
【００３３】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）  薄膜抵抗体、
前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び
前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、
を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。
（２）  薄膜抵抗体が、珪素クロム（ＳｉＣｒ）合金、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）合金、窒化タンタル、窒化チタン、及びタングステンの一種類から形成されている、第（１）項記載の薄膜抵抗体構造体。
（３）  Ｔｉ層が、約１００Å〜約３００Åの範囲の厚さを有する、第（１）項又は第（２）項に記載の薄膜抵抗体構造体。
（４）  ＴｉＮ層が、約８００Å〜約３０００Åの範囲の厚さを有する、第（１）項〜第（３）項のいずれかに記載の薄膜抵抗体構造体。
（５）  薄膜抵抗体が、約５０Å〜約４００Åの範囲の厚さを有する、第（１）項〜第（４）項のいずれかに記載の薄膜抵抗体構造体。
（６）  更に、第一電気的界面部分から誘電体を通って伸びる第一接点、第二電気的界面部分から誘電体を通って伸びる第二接点を具え、然も、前記誘電体が、前記第一電気的界面部分を前記第二電気的界面部分から電気的に絶縁し、前記第一接点を前記第二接点から電気的に絶縁する働きをしている、第（１）項〜第（５）項のいずれかに記載の薄膜抵抗体構造体。
（７）  第一接点及び第二接点の各々が、夫々電気的界面部分から夫々の伝導性部分へ伸びる伝導性部分及び接点部分を有し、前記接点部分が、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、及びタングステン合金の少なくとも一種類から形成されており、前記伝導性部分が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン、タングステン合金、及びアルミニウムとチタン及び窒化チタンとの複合体、の少なくとも一種類から形成されている、第（６）項記載の薄膜抵抗体構造体。
（８）  更に、第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分の両方の部分の下にある酸化物層で、ＴＦＲの第一及び第二端部への電気的接点を与える定められた開口を有する酸化物層を有する、第（１）項〜第（７）項のいずれかに記載のＴＦＲ構造体。
（９）  薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体を製造する方法において、
薄膜抵抗体を形成し、
前記薄膜抵抗体の上に誘電体層を形成し、
前記薄膜抵抗体の第一端部の上の誘電体層中に第一薄膜抵抗体バイアを形成し、前記薄膜抵抗体の第二端部の上の誘電体層に第二薄膜抵抗体バイアを形成し、
前記第一及び第二薄膜抵抗体バイアの上にチタン（Ｔｉ）の層を形成し、そして
前記（Ｔｉ）層の上に窒化チタン（ＴｉＮ）の層を形成し、然も、前記Ｔｉ層とＴｉＮ層とが、前記薄膜抵抗体の第一端部に対する第一電気的界面部分、及び前記薄膜抵抗体の第二端部に対する第二電気的界面部分を形成しているようにする、
ことを含む、薄膜抵抗体構造体製造方法。
（１０）  薄膜抵抗体の第一端部の上の誘電体層に第一薄膜抵抗体バイアを形成し、前記薄膜抵抗体の第二端部の上の誘電体層に第二薄膜抵抗体バイアを形成することが、前記誘電体にエッチング処理を行なって、前記第一及び第二薄膜抵抗体バイアを形成することを含む、第（９）項記載の方法。
（１１）  誘電体層を、ＴＥＯＳ珪素酸化物及びＰＥＶＣＤ珪素酸化物からなる群から選択された材料から形成し、薄膜抵抗体を、珪素クロム（ＳｉＣｒ）合金、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）合金、窒化タンタル、窒化チタン、及びタングステンの一種類から形成する、第（９）項又は第（１０）項のいずれかに記載の方法。
（１２）  薄膜抵抗体が、約９０Å〜約４００Åの範囲の厚さを有する、第（９）項〜第（１１）項のいずれかに記載の方法。
（１３）  Ｔｉ層が、約１００Å〜約３００Åの範囲の厚さを有し、ＴｉＮ層が、約８００Å〜約３０００Åの範囲の厚さを有する、第（９）項〜第（１２）項のいずれかに記載の方法。
（１４）  更に、
第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分の上に誘電体材料層を形成し、
前記第一電気的界面部分へ伸びる第一接点バイア、及び前記第二電気的界面部分へ伸びる第二接点バイアを形成し、
前記第一接点バイア及び前記第二接点バイアを接点材料で満たし、そして
前記接点材料に化学機械的研磨を行なって、第一接点部分及び第二接点部分を形成する、
ことを含む、第（９）項〜第（１３）項のいずれかに記載の方法。
（１５）  薄膜抵抗体構造体、及び薄膜抵抗体構造体を製造する方法を提供する。薄膜抵抗体構造体は、チタン（Ｔｉ）層（２０）及び窒化チタン（ＴｉＮ）層（２２）の組合せである電気的界面層又はヘッド層（２５、２７）を含む。Ｔｉ層及びＴｉＮ層の組合せは、電気的界面層に伴われる抵抗を軽減する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の方法に従って得られたＴＦＲ構造体の模式的断面図である。
【図２】図２は、図１に例示した、得られた構造体の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の一つの態様に従う、金属配線層の上に形成した誘電体層の模式的断面図である。
【図４】図４は、本発明の一つの態様に従って、ＴＦＲ材料層を堆積した後の、図３の構造体の模式的断面図である。
【図５】図５は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程を受けている、図４の構造体の模式的断面図である。
【図６】図６は、本発明の一つの態様に従って、誘電体層を堆積した後の、図５の構造体の模式的断面図である。
【図７】図７は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程を受けている、図６の構造体の模式的断面図である。
【図８】図８は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程が実質的に完了した後の、図７の構造体の模式的断面図である。
【図９】図９は、本発明の一つの態様に従って、付加的エッチング工程を受けている、図８の構造体の模式的断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一つの態様に従って、付加的エッチング工程を受けている、図９の構造体の模式的断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一つの態様に従って、界面層を堆積した後の、図１０の構造体の模式的断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程を受けている、図１１の構造体の模式的断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程が実質的に完了した後の、図１２の構造体の模式的断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一つの態様に従って、誘電体層を堆積した後の、図１３の構造体の模式的断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程を受けている、図１４の構造体の模式的断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程が実質的に完了した後の、図１５の構造体の模式的断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の一つの態様に従って、接点材料層を堆積した後の、図１６の構造体の模式的断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の一つの態様に従って、化学機械的研磨を受けた後の、図１７の構造体の模式的断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の一つの態様に従って、金属配線層を堆積した後の、図１８の構造体の模式的断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程を受けている、図１９の構造体の模式的断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の一つの態様に従って、エッチング工程が実質的に完了した後に得られた構造体の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  誘電体層
１２  配線層
１４  中間レベル誘電体層
１６  ＴＦＲ材料層
１８  Ｔｉ層
２０  Ｔｉ層
２２  ＴｉＮ界面層
２４  誘電体層
２５  第一電気的界面部分
２７  第二電気的界面部分
２８  第一接点部分
２９  第二接点部分
３０  第一伝導性部分
３２  第二伝導性部分
３４  第一接点
３６  第二接点
５０  基体
５２  金属配線
５４  誘電体層
５６  抵抗体材料層
５９  パターン化ホトレジスト層
６２  バイア
６３  バイア
６４  Ｔｉ層
６５  第一電気的界面
６６  ＴｉＮ層
６７  第二電気的界面
６８  パターン化ホトレジスト層
６９  開口
７０  中間レベル誘電体層
７２  パターン化ホトレジスト層
７４  第二ＴＦＲバイア
７５  第二ＴＦＲバイア
７６  接点材料層
７８  第一接点部分（第二ＴＦＲバイア）
７９  第二接点部分（第二ＴＦＲバイア）
８３  伝導性部分
８４  配線層
８５  伝導性部分
９０  ホトレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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