(57)【要約】【課題】磁気抵抗素子に対する磁気ベクトルの開き角度のずれを抑制することのできる回転検出装置及び回転検出装置の製造方法を提供する。【解決手段】回転検出装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を有するセンサチップ１０ａ及び信号処理チップ１０ｂと、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石１８とがリードフレーム１６の表裏にそれぞれ組み付けられた状態でモールド部材１３により一体に樹脂モールドされて構成されている。上記リードフレーム１６の中央部には上記バイアス磁石１８よりも小さい四角形状の孔１７が形成されており、この孔１７を介して上記バイアス磁石１８の一部がリードフレーム１６の上記センサチップ１０ａが組み付けられる面に露出している。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子を有するセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とがリードフレームの表裏にそれぞれ組み付けられた状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記バイアス磁石は、その一部が前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される態様で、同リードフレームと一体に形成されてなる
ことを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記バイアス磁石は、前記リードフレームに形成された孔を介して、その一部が前記センサチップの組み付けられる面に露出されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
前記バイアス磁石は、前記リードフレームに形成された切り欠きを介して、その一部が前記センサチップの組み付けられる面に露出されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項４】
前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される前記バイアス磁石の露出面には基準位置を示すアライメントマークが形成されてなる
請求項１〜３のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項５】
前記アライメントマークが、前記バイアス磁石の露出面の前記センサチップと対向する辺の両端近傍に設けられた凹部及び凸部のいずれかからなる
請求項４に記載の回転検出装置。
【請求項６】
磁気抵抗素子を有するセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とがリードフレームの表裏にそれぞれ組み付けられた状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置の製造方法であって、
前記バイアス磁石を、その一部が前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される態様で同リードフレームと一体形成する工程と、前記バイアス磁石の前記露出された面を基準として前記リードフレームに前記センサチップを組み付ける工程とを備える
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成が、バイアス磁石成形用の金型間に同バイアス磁石との接合部分に孔を有するリードフレームを介在させた状態で磁石材料を流し込み、これを固化させることで行われる
請求項６に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成が、バイアス磁石成形用の金型間に同バイアス磁石との接合部分に切り欠きを有するリードフレームを介在させた状態で磁石材料を流し込み、これを固化させることで行われる
請求項６に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の回転検出装置の製造方法において、
前記バイアス磁石の前記露出される面に基準位置を示すアライメントマークを形成する工程をさらに備え、前記リードフレームへの前記センサチップの組み付けは、この形成されたアライメントマークを基準として行われる
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アライメントマークの形成は、前記バイアス磁石の前記露出される面に対応する金型に予め形成された凸部及び凹部のいずれかを通じて、前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成と同時に行われる
請求項９に記載の回転検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子を用いてロータの回転態様を検出する回転検出装置及び回転検出装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回転検出装置としては、例えば特許文献１に記載の態様でロータの回転態様を検出するものが知られている。そして、このような態様でロータの回転態様を検出する回転検出装置の構造としては、図６及び図７に示すようなものが一般的に知られている。
【０００３】
図６は、上記回転検出装置の内部構造についてその一例を示したものであり、図６（ａ）にその断面構造を、図６（ｂ）にその平面構造をそれぞれ示す。この回転検出装置は、センサチップ１０ａ及び処理回路チップ１０ｂと、バイアス磁界を発生するバイアス磁石１１とがリードフレーム１２の表裏にそれぞれ組み付けられて構成されている。
【０００４】
上記センサチップ１０ａは、磁気ベクトルの変化を抵抗値の変化として感知する磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えて構成されている。これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１及びＭＲＥ２からなるハーフブリッジ回路と、磁気抵抗素子ＭＲＥ３及びＭＲＥ４からなるハーフブリッジ回路との２組のハーフブリッジ回路を形成している。
【０００５】
また、上記処理回路チップ１０ｂは、上記センサチップ１０ａと配線１４ａを介して電気的に接続されており、センサチップ１０ａから出力される電気信号の差動増幅、２値化等の信号処理を行うものである。また、この処理回路チップ１０ｂは、モールド部材１３から導出される端子１５ａ及び１５ｂ（給電端子と出力端子とを兼ねる）と配線１４ｂを介して接続されている。
【０００６】
また、上記バイアス磁石１１は、例えば直方体形状からなり、上記センサチップ１０ａの磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に対してバイアス磁界を付与するものである。なお、このバイアス磁石１１はセンサチップ１０ａに近い側がＮ極、その反対側がＳ極に着磁されている。
【０００７】
図７は、上記センサチップ１０ａとバイアス磁石１１との関係を模式的に示したものである。この図７に示すように、上記回転検出装置により回転態様が検出されるロータＲＴとしては一般に、その周縁部がＮ極とＳ極とに交互に着磁された着磁ロータが使用される。
【０００８】
そして、このような回転検出装置にあっては、上記センサチップ１０ａの近傍にて上記ロータＲＴが回転するとき、バイアス磁石１１による磁気ベクトル、及びロータＲＴによる磁気ベクトルの合成ベクトルＶが変化し、この合成ベクトルＶの変化が磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値変化として感知されて、その対応する電気信号が上記処理回路チップ１０ｂ（図７）に出力される。すなわちここでは、それぞれハーフブリッジ回路を形成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２と磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４とにおける各中点電位の変化が処理回路チップ１０ｂに与えられ、該処理回路チップ１０ｂにおいて差動増幅や２値化などの処理が施された後、その２値化された信号が端子１５ａおよび１５ｂから取り出される。
【０００９】
ここで、上記回転検出装置の一般的な製造方法について、図８を参照して説明する。
同回転検出装置の製造に際してはまず、図８（ａ）に示されるように、予め所定の形状に形成されたリードフレーム１２の片面側に上記センサチップ１０ａおよび処理回路チップ１０ｂを例えば接着剤により組み付ける。なお、これらセンサチップ１０ａ及び処理回路チップ１０ｂは、リードフレーム１２に形成されたチップマウントに組み付けられる。次に、図８（ｂ）に示されるように、上記センサチップ１０ａと処理回路チップ１０ｂ、および処理回路チップ１０ｂと上記端子１５ａ及び１５ｂとをそれぞれ配線１４ａ及び１４ｂにより電気的に接続する（ワイヤボンディング）。そして、図８（ｃ）に示されるように、上記リードフレーム１２のうち、上記センサチップ１０ａおよび処理回路チップ１０ｂが組み付けられたチップ組付け面１２ａと反対側の面に形成されたマウント部に、上記バイアス磁石１１を例えば接着剤により組み付ける。その後、上記センサチップ１０ａ、処理回路チップ１０ｂ、およびバイアス磁石１１が組み付けられたリードフレーム１２を先の図６に例示した態様でモールド部材１３により一体に樹脂モールドする。これによって、上述した回転検出装置が製造される。
【特許文献１】特開２００２−３５７４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上述の回転検出装置では、上記センサチップ１０ａおよびバイアス磁石１１がリードフレーム１２の表裏に各々独立した工程により組み付けられる。このため、上記センサチップ１０ａおよびバイアス磁石１１のそれぞれがリードフレーム１２に対して公差のある状態で組み付けられることとなり、それらセンサチップ１０ａおよびバイアス磁石１１に発生する公差の態様によっては、バイアス磁石１１とセンサチップ１０ａとの位置関係が設計基準の許容範囲からずれることがある。そしてその結果、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に対するバイアス磁石１１の磁気ベクトルの開き角度にずれが生じることがあり、それにより回転検出装置としてのギャップ性能の低下を招いてしまうおそれがあった。
【００１１】
本発明は、上記実情に鑑みなされたものであって、その目的は、磁気抵抗素子に対する磁気ベクトルの開き角度のずれを好適に抑制することのできる回転検出装置および回転検出装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、磁気抵抗素子を有するセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とがリードフレームの表裏にそれぞれ組み付けられた状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置として、前記バイアス磁石を、その一部が前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される態様で、同リードフレームに一体に形成する構成とした。
【００１３】
こうした構成によれば、上記リードフレームの上記センサチップが組み付けられる面に露出するバイアス磁石を基準として上記センサチップをリードフレームに組み付けることが可能となる。すなわちこの場合、上記バイアス磁石は、リードフレームに対して基本的に公差のない状態で組み付けられることとなる。そしてここでは、この基本的に公差のないバイアス磁石の露出面を基準として上記センサチップを組み付けることができることから、それらバイアス磁石との間の位置的な公差についてもこれを最小限に抑えることが可能となる。すなわち、上記磁気抵抗素子に付与される磁気ベクトルのこれらセンサチップとバイアス磁石との位置関係に起因する開き角度のずれについてはこれを好適に抑制することができるようになる。また、上記バイアス磁石が、上記リードフレームのセンサチップが組み付けられる面に露出される構成であるため、少なくともリードフレームの厚さ分だけ従来の回転検出装置に比べてバイアス磁石をセンサチップに近づけることが可能となる。このため、従来の回転検出装置に比べて、より小型のバイアス磁石で回転検出装置として必要な磁力を確保することができるようになり、回転検出装置のさらなる小型化を図ることができるようにもなる。
【００１４】
なお、上記バイアス磁石の露出態様としては、上記リードフレームの上記センサチップが組み付けられる面とほぼ同一の面位置をもって露出されるもの、あるいは上記リードフレームの上記センサチップが組み付けられる面から突出する態様で露出されるもの等々、センサチップに対する後のワイヤボンディング等を阻害しない範囲で任意である。
【００１５】
また、上記バイアス磁石をリードフレームの上記センサチップが組み付けられる面に露出させる態様としては、例えば請求項２に記載の発明によるように、
（イ）前記バイアス磁石が、前記リードフレームに形成された孔を介して、その一部が前記センサチップの組み付けられる面に露出される態様。  
あるいは請求項３に記載の発明によるように、  
（ロ）前記バイアス磁石が、前記リードフレームに形成された切り欠きを介して、その一部が前記センサチップの組み付けられる面に露出される態様。  
等々を採用することができる。これらいずれの態様であれ、バイアス磁石の上記露出される面を基準としたセンサチップの高い精度での組み付けが可能となる。
【００１６】
また、これら請求項１〜３のいずれかに記載の回転検出装置においては、さらに請求項４に記載の発明によるように、前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される前記バイアス磁石の露出面に、基準位置を示すアライメントマークを形成することとすれば、このアライメントマークを基準として上記センサチップをリードフレームに組み付けることが可能となる。すなわち、単に磁石の露出面（もしくはその一部）を基準としてセンサチップを組み付ける場合に比べて、その組み付け精度を大幅に向上させることができるようになる。
【００１７】
なお、上記アライメントマークとしては、請求項５に記載の発明によるように、前記バイアス磁石の露出面の前記センサチップと対向する辺の両端近傍に設けられた凹部及び凸部のいずれかのマークを採用することができる。特に、画像認識に基づいて上記センサチップの組み付けを行う場合、これらいずれのマークも、その認識性を高める上で有効である。
【００１８】
一方、請求項６に記載の発明では、磁気抵抗素子を有するセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とがリードフレームの表裏にそれぞれ組み付けられた状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置の製造方法として、前記バイアス磁石を、その一部が前記リードフレームの前記センサチップが組み付けられる面に露出される態様で同リードフレームと一体形成する工程と、前記バイアス磁石の前記露出された面を基準として前記リードフレームに前記センサチップを組み付ける工程とを備えることとした。
【００１９】
こうした製造方法によれば、リードフレームの上記センサチップが組み付けられる面に一部が露出する態様で同リードフレームと一体形成された、すなわちリードフレームとの公差が基本的に排除された上記バイアス磁石の一部を基準として上記センサチップが組み付けられるため、それらバイアス磁石とセンサチップとの間の位置的な公差が最小限に抑えられるかたちでセンサチップがリードフレームに組み付けられるようになる。したがって、センサチップが有する上記磁気抵抗素子と上記バイアス磁石との位置関係も自ずと高い精度にて設定されることとなり、上記磁気抵抗素子に対する磁気ベクトルの開き角度のずれ等も好適に抑制されるようになる。
【００２０】
そして、このような回転検出装置の製造方法において、請求項７に記載の発明では、前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成が、バイアス磁石成形用の金型間に同バイアス磁石との接合部分に孔を有するリードフレームを介在させた状態で磁石材料を流し込み、これを固化させることで行われることとした。
【００２１】
また同様に、請求項８に記載の発明では、前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成が、バイアス磁石成形用の金型間に同バイアス磁石との接合部分に切り欠きを有するリードフレームを介在させた状態で磁石材料を流し込み、これを固化させることで行われることとした。
【００２２】
これらいずれの製造方法であれ、上記バイアス磁石の上記リードフレームへの一体形成を効率的に、しかも高い精度にて行うことができるようになる。
また、これら請求項７あるいは請求項８に記載の回転検出装置の製造方法において、請求項９に記載の発明によるように、前記バイアス磁石の前記露出される面に基準位置を示すアライメントマークを形成する工程をさらに備えるとともに、前記リードフレームへの前記センサチップの組み付けは、この形成されたアライメントマークを基準として行われることとすれば、単にバイアス磁石の露出する面（もしくはその一部）を基準として上記センサチップを組み付ける場合に比べてその基準となる位置の認識性を高めることができ、より精度良く上記センサチップをリードフレームに組み付けることができるようになる。
【００２３】
そして、こうしたアライメントマークの形成が、請求項１０に記載の発明によるように、前記バイアス磁石の前記露出される面に対応する金型に予め形成された凸部及び凹部のいずれかを通じて、前記バイアス磁石の前記リードフレームへの一体形成と同時に行われることとすれば、同アライメントマークを形成するための工程を別途に設けることなく、上記バイアス磁石の成形とともに上記アライメントマークを容易かつ的確に形成することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明にかかる回転検出装置を具体化した一実施の形態について図１及び図２を参照して説明する。なお、基本的には先に述べた図６に示す回転検出装置と同様の構成からなるため、同じ構成部分については同じ番号を付すとともに、その詳細な説明を割愛する。また、回転検出装置の動作に関しても同様であるため、ここではその動作の説明も割愛する。
【００２５】
図１は、上記回転検出装置の内部構造についてその一例を示したものであり、図１（ａ）にその断面構造を、図１（ｂ）にその平面構造をそれぞれ示す。この図１に示すように、本実施の形態の回転検出装置は、センサチップ１０ａ及び処理回路チップ１０ｂとバイアス磁石１８とをリードフレーム１６の表裏にそれぞれ備え、それらがモールド部材１３により一体に樹脂モールドされて構成されている。上記センサチップ１０ａと処理回路チップ１０ｂとは配線１４ａを介して接続され、処理回路チップ１０ｂと端子１５ａ及び１５ｂとは配線１４ｂを介して接続されている。
【００２６】
上記リードフレーム１６の中央部には、上記バイアス磁石１８よりも小さい四角形状の孔１７が形成されており、この孔１７を介して、上記バイアス磁石１８がリードフレーム１６の上記センサチップ１０ａが組み付けられる面（チップ組付け面１６ａ）に露出している。また、この実施の形態において、上記バイアス磁石１８は、その露出する面（露出面１８ａ）が上記チップ組付け面１６ａとほぼ同一面となる態様で上記リードフレーム１６に組み付けられている。
【００２７】
次に、上述した構成からなる回転検出装置の製造方法について図２を参照して説明する。
こうした回転検出装置の製造にあたってはまず、バイアス磁石１８を上記リードフレーム１６に一体に形成する。すなわち、図２（ａ）に示すように、上記バイアス磁石１８の形状に対応したキャビティ２１を上型２０ａと下型２０ｂとの間に有するバイアス磁石成形用金型２０に上記リードフレーム１６をセットする。この際、上記キャビティ２１に、バイアス磁石１８との接合部分となる上記孔１７を対応させて上記リードフレーム１６をバイアス磁石成形用金型２０にセットする。そして、磁石材料、例えばフェライト磁石粉、ネオジム磁石粉等の磁石粉末とナイロン系樹脂、ゴム等を混合したものをキャビティ２１内に流し込み、これを固化させる。これにより、図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、上記リードフレーム１６の孔１７を介してチップ組付け面１６ａに露出するかたちでバイアス磁石１８が成形される。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示される態様でチップ組付け面１６ａに露出する上記バイアス磁石１８を基準として、センサチップ１０ａをリードフレーム１６に組み付ける。詳しくは、バイアス磁石１８の露出面１８ａのうち、組み付けるセンサチップ１０ａと対向する辺側の２つの角部１８ｂ（図２（ｃ）参照）を例えば画像認識により基準位置として認識して、センサチップ１０ａをリードフレーム１６に組み付ける。なお、このセンサチップ１０ａは、リードフレーム１６に形成された図示しないマウント部に対して例えば接着剤により組み付けられる。また、こうしてセンサチップ１０ａを組み付けた後、上記処理回路チップ１０ｂを同じくリードフレーム１６に形成された図示しないマウント部に対して例えば接着剤により組み付ける。これにより、図２（ｄ）に示される態様で上記センサチップ１０ａ及び処理回路チップ１０ｂがリードフレーム１６に組み付けられることとなる。
【００２９】
その後、図２（ｅ）に示すように、ワイヤボンディング工程として、センサチップ１０ａと処理回路チップ１０ｂとを配線１４ａにより接続するとともに、処理回路チップ１０ｂと上記端子１５ａ及び１５ｂとを配線１４ｂにより接続する。こうしてワイヤボンディングによる配線が終了した後は、上記センサチップ１０ａ、処理回路チップ１０ｂ、バイアス磁石１１等を先の図１に示した態様でモールド部材１３により一体に樹脂モールドする。これにより、本実施の形態の回転検出装置が製造されることとなる。
【００３０】
以上説明した実施の形態によれば、以下に列記する効果が得られるようになる。
（１）バイアス磁石１８がリードフレーム１６に一体形成され、そのバイアス磁石１８の一部が上記孔１７を介してチップ組付け面１６ａに露出する構成とした。この構成によれば、上記バイアス磁石１８は、リードフレーム１６に対して基本的に公差のない状態で組み付けられることとなる。そして、このようにしてリードフレーム１６との公差が基本的に排除された上記バイアス磁石１８の一部を基準として上述のごとく上記センサチップ１０ａが組み付けられるため、それらバイアス磁石１８とセンサチップ１０ａとの間の位置的な公差が最小限に抑えられるかたちでセンサチップ１０ａがリードフレーム１６に組み付けられるようになる。したがって、センサチップ１０ａが有する上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４と上記バイアス磁石１８との位置関係も自ずと高い精度にて設定されることとなり、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に対する磁気ベクトルの開き角度のずれ等も好適に抑制されるようになる。また、上記バイアス磁石１８がリードフレーム１６に形成された孔１７を介して上記チップ組付け面１６ａに露出するため、リードフレーム１６の厚さ分だけ従来の回転検出装置に比べてバイアス磁石１８をセンサチップ１０ａに近づけることが可能となる。このため、従来の回転検出装置に比べてより小型のバイアス磁石１８で必要な磁力を確保することができるようにもなる。すなわち、回転検出装置としてのさらなる小型化を図ることができるようにもなる。
【００３１】
（２）上記バイアス磁石成形用金型２０を用いてバイアス磁石１８をリードフレーム１６と一体に成形することとした。このため、上記バイアス磁石１８の上記リードフレーム１６への一体形成を効率的に、しかも高い精度にて行うことができるようになる。
【００３２】
なお、上記実施の形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記実施の形態では、上記バイアス磁石１８の角部１８ｂを基準としてセンサチップ１０ａをリードフレーム１６に組み付けることとしたが、バイアス磁石１８の露出面１８ａに基準位置を示すアライメントマークを設け、そのアライメントマークを基準としてセンサチップ１０ａをリードフレーム１６に組み付けるようにしてもよい。これにより、単に磁石の露出面を基準としてセンサチップを組み付ける場合に比べて、その組み付け精度を大幅に向上させることができるようになる。なお、上記アライメントマークとしては、例えば図３（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すように、上記センサチップ１０ａと対向する辺側の両端部近傍に各々設けた矩形状の凹部３０やＬ字状の凹部３１などを採用することができる。さらに、これらアライメントマークとしては、凹部を形成するものに限らず凸部を形成するものを採用することもできる。特に、画像認識に基づいて上記センサチップ１０ａの組み付けを行う場合、これら凹部からなるアライメントマークであれ、凸部からなるアライメントマークであれ、その十分な認識性を確保することができる。なお、これらアライメントマークは、上記バイアス磁石１８の露出面１８ａに対応する上記バイアス磁石成形用金型２０の上型２０ａに予め上記形状に対応する凸部、あるいは凹部を設けておくことにより、上記バイアス磁石１８の上記リードフレーム１６への一体形成と同時に形成することができる。
【００３３】
・上記実施の形態では、リードフレーム１６として孔１７の形成されたものを用いて上記バイアス磁石１８の一部を上記チップ組付け面１６ａに露出させることとしたが、上記孔１７に代えて切り欠きの形成されたものを用いてもよい。すなわちこの場合、図４に例示するように、上記リードフレーム１６の両端辺にそれぞれ切り欠き３２を有するリードフレーム１６を用いることとなる。これによっても、上記切り欠き３２を介して露出する上記バイアス磁石１８（露出面１８ａ）を基準としてセンサチップ１０ａを組み付けることが可能となり、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、この場合であれ、センサチップ１０ａの組み付け精度を高く確保するためには、バイアス磁石１８の露出面１８ａに、上述のようなアライメントマークを設けておくことが有効である。
【００３４】
・上記実施の形態では、バイアス磁石１８の露出面１８ａが上記チップ組付け面１６ａとほぼ同一となる態様で露出する場合について示したが、上記バイアス磁石１８が上記チップ組付け面１６ａから突出する態様で露出する構成としてもよい。なおこの場合、上記センサチップ１０ａと上記処理回路チップ１０ｂとを配線１４ａにより接続する際（ワイヤボンディング）の妨げにならない程度に上記バイアス磁石１８を突出させることも可能である。この構成により、上記センサチップ１０ａに対して上記バイアス磁石１８をさらに近づけることが可能となるため、バイアス磁石１８のさらなる小型化を図ることができ、ひいては回転検出装置全体のさらなる小型化を図ることもできるようになる。
【００３５】
・また、バイアス磁石１８を上記チップ組付け面１６ａから突出させる場合、例えば図５に示されるような形状からなるキャビティ２１を有するバイアス磁石成形用金型２０を用いることも有効である。すなわち、この図５に示されるバイアス磁石成形用金型２０を用いることで、単に上記バイアス磁石１８の一部が上記チップ組付け面１６ａから突出するだけでなく、その突出する部分がリードフレーム１６から離脱されることのない態様で、バイアス磁石１８がリードフレーム１６に一体形成されることとなるため、リードフレーム１６に対してバイアス磁石１８がより堅固に固定されることとなる。すなわち、上記バイアス磁石１８をリードフレーム１６に一体形成した後の上記センサチップ１０ａの組み付け工程やモールド部材１３によるモールド工程等において、バイアス磁石１８がリードフレーム１６から外れ落ちるといったようなこともなくなる。
【００３６】
・上記実施の形態では、バイアス磁石１８を上記リードフレーム１６に一体形成するにあたって、バイアス磁石成形用金型２０によるバイアス磁石１８の成形そのものをリードフレーム１６を用いて行うこととしたが、予め上記孔１７に嵌合する部分を有する形状のバイアス磁石１８を形成しておき、その部分を上記孔１７に嵌合させることによって同バイアス磁石１８をリードフレーム１６に一体形成するようにしてもよい。この場合であれ、上記バイアス磁石１８の上記リードフレーム１６への組み付けにかかる自由度は制限されるため、結果として、これらリードフレーム１６とバイアス磁石１８との公差は排除されるようになる。
【００３７】
・上記実施の形態では、四角形状の孔１７を有するリードフレーム１６について示したが、多角形状等、基本的にバイアス磁石１８の回転を規制できる形状であれば、種々の形状の孔を採用することができる。
【００３８】
・上記ロータＲＴは、その周縁部にＮ極とＳ極とが交互に着磁された着磁ロータでなく、いわゆる磁性体からなるギヤロータであってもよい。
・上記実施の形態では、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を有するセンサチップ１０ａ、及びそのセンサチップ１０ａからの信号を処理する処理回路チップ１０ｂの２つのチップを有する回転検出装置について示したが、これらが１チップで構成される回転検出装置についても本発明は同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は、この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態についてその内部構造を示す側面図。（ｂ）は、同実施の形態の回転検出装置の内部構造についてその平面構造を示す平面図。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態の回転検出装置についてその製造工程を示す断面図および一部平面図。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、同実施の形態の変形例についてバイアス磁石及びセンサチップの周辺部分を拡大して示す平面図。
【図４】同実施の形態の他の変形例についてリードフレーム及びそのリードフレームを介して露出するバイアス磁石を示す平面図。
【図５】同実施の形態のさらに他の変形例についてバイアス磁石を成形するためのバイアス磁石成形用金型の例を示す断面図。
【図６】（ａ）は、従来の回転検出装置の内部構造を示す側面図。（ｂ）は、従来の回転検出装置の内部構造を示す平面図。
【図７】磁気抵抗素子に付与される合成ベクトルの例を示す平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、従来の回転検出装置についてその製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００４０】
ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４…磁気抵抗素子、１０ａ…センサチップ、１０ｂ…処理回路チップ、１３…モールド部材、１４ａ，１４ｂ…配線、１５ａ，１５ｂ…端子、１６…リードフレーム、１７…孔、１８…バイアス磁石、１８ａ…露出面、１８ｂ…角部、２０…金型、２０ａ…上型、２０ｂ…下型、２１…キャビティ、３０，３１…凹部、３２…切り欠き。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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