(57)【要約】【課題】  本発明は、半導体製造装置の処理室の内壁暴露部を保護するために処理室内に設けられるインナーライナーを、鋸刃状の凸部を溶着開始領域として溶着することで、信頼性を高め、コスト低減可能なインナーライナー及びその成形方法を提供する。【解決手段】  略円筒形に湾曲されたライナー素材４０の両反端部４１，４２は、径方向に対して角度θで傾斜された互いに相補的な傾斜面４３，４４に形成されており、重ね合わせることで全板厚Ｔに対して溶着される。少なくとも一方の傾斜面４３には深さ方向の加工によって凸部４５が軸方向に離間して形成されて、鋸刃状となっている。凸部４５は溶着開始領域となり、溶着継手部加工が製作しやすくなって、コスト低減が図られる。円筒したときの直径を処理室内壁に緊密に合わせるために、溶着継手部に溶着作業時の位置決めのため、ピンや段差を設けることもできる。【選択図】        図１
2005340505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護する目的で前記処理室内に配置される円筒形状の半導体製造装置用インナーライナーにおいて、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の径方向に対して傾斜した相補的な傾斜面が形成された両端部を、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面にて溶着したことから成る半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項２】
前記凸部は鋸の目立て状に形成される規則的な鋸刃状凸部であることから成る請求項１に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項３】
前記鋸刃状凸部は、前記円筒形状の周方向に沿って真っ直ぐ又は傾斜していることから成る請求項２に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項４】
前記両端部は、前記傾斜面を正しい位置で溶着するため、互いの位置を決める位置決め手段を備えていることから成る請求項１に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項５】
前記位置決め手段は、前記傾斜面に整合位置にて開口する状態で前記両端部に形成されるピン孔に挿入される位置決めピンであることから成る請求項４に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項６】
前記位置決め手段は、前記傾斜面の一部に形成される段差部であることから成る請求項４に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項７】
前記ライナー素材は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の樹脂素材であることから成る請求項１の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項８】
半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護するインナーライナーを円筒形状に成形する成形方法において、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の両端部に径方向に傾斜した相補的な傾斜面を形成し、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を形成し、前記凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面を溶着することから成る半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項９】
前記凸部は鋸の目立て状に形成される規則的な鋸刃状凸部であることから成る請求項８に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項１０】
前記鋸刃状凸部は、前記円筒形状の周方向に沿って真っ直ぐ又は傾斜していることから成る請求項９に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項１１】
前記両端部の互いの位置を位置決め手段によって位置決めすることにより、前記傾斜面を正しい位置で溶着することから成る請求項８に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項１２】
前記位置決め手段は、前記傾斜面に整合位置にて開口する状態で前記両端部に形成されるピン孔に挿入される位置決めピンであることから成る請求項１１に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項１３】
前記位置決め手段は、前記傾斜面の一部に形成される段差部であることから成る請求項１１に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項１４】
前記ライナー素材は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の樹脂素材であることから成る請求項８の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置の処理室の内壁暴露部を保護するために処理室内に設けられる円筒形状のインナーライナー及びその成形方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、処理室内に導入したプロセスガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、プラズマ化したガスを半導体ウエハ表面で反応させて微細加工する半導体製造装置が知られている。こうした半導体ウエハの表面処理は、ドライエッチングとしてのプラズマエッチングと称されている。このような半導体製造装置の処理室内には、処理室内壁暴露部をプラズマから保護する目的でインナーライナーが設置されている。インナーライナーは、通常、耐プラズマ性の特性を備える必要から、ポリイミドや、ポリエーテルイミド等のエンジニアリングプラスチックス材料で製作されている。これらのエンジニアリングプラスチックス材料は、一般に高価であり、しかも他の合成樹脂と比較して硬度が高く、接着剤による接着がしづらい等、非常に取り扱いが難しい。仮に接着ができても、インナーライナーとしては処理室中に不純物を持ち込むことになるため、接着剤の使用は敬遠されている。
【０００３】
処理室は通常円筒壁の内壁で定められているので、インナーライナーを処理室側壁に沿って装着するためには、インナーライナーを円筒構造に形成する必要がある。インナーライナーは、現実的には、押出し成型、機械加工による削り出しや溶着等で円筒構造に製作されている。このような製作方法では、金型の製作や機械加工に費用がかかり、消耗部品でありながら非常に高額になっている。また、溶着による方法も、全板厚に対して十分な強度を確保することが困難である。単純に帯状板を円筒状に曲げて板端部を突き合わせ、板端部を溶着せずにそのままの状態で処理室内で使用することも考えられるが、この場合には、突き合わせた板端部が処理室内壁に密着せずに浮き上がることになるので、その突き合わせ部分においてプラズマにより温度上昇し、ライナー材料の消耗が極端に早くなり、ランニングコスト上昇につながるという問題がある。
【０００４】
図７は、半導体製造装置の処理室内に設けられるインナーライナーの装着例を示す横断面図である。図７に示す半導体製造装置の構成は公知のものであり、側壁１は、内部に処理室を形成するため熱伝導性のよいアルミニウムなどの非磁性金属材料から成る。側壁１の内側には、内部に温度制御用の熱媒体が供給されるジャケットが形成された交換可能な側壁インンナーユニット２が設置されている。半導体製造装置の稼働時に処理室１５内はプラズマ発生環境下にあるので、処理室内壁暴露部である側壁インナーユニット２の内壁をプラズマから保護する目的で、側壁インナーユニット２の内側にインナーライナー３が配置されている。インナーライナー３は、側壁インナーユニット２に対して、寸法的にぴったり張り付くように作られており、側壁インナーユニット２とインナーライナー３との間の隙間は、可能な限り狭くなるよう（あるいは、隙間がないように）考慮されている。インナーライナー３は、プラズマに暴露されることによって厚みが次第に薄くなっていくので、消耗品として補給する必要がある。
【０００５】
図７に示す半導体製造装置において、電磁波放射用のアンテナ５は、誘電体プレート７、プレート１２を含み、真空容器の一部としてのハウジング４に保持されている。プラズマに接するプレート１２の外周には、リング６が設置される。アンテナ５と下部電極１０は、平行して対向する形で設置されている。例えばシリコン酸化膜のエッチングを行う場合、処理の対象物であるウエハＷは、下部電極１０の上に載置・吸着される。必要に応じて下部電極１０の高さが調整されて上部に設けられるプラズマ発生手段との間が所定のギャップに設定される。次いで、処理室１５内は真空排気系（図示せず）により真空排気される。一方、試料Ｗのエッチング処理に必要な処理ガス、例えばＣ４Ｆ８とＡｒが、ガス供給手段１１から、所定の流量と混合比でアンテナ５のプレート１２に設けられた多数の孔を通して所定の分布に制御されて処理室１５に供給される。同時に、処理室１５は真空排気系により排気され所定の処理圧力、例えば１Ｐａになるように調整される。他方、側壁１の外側に配置される磁場形成手段（電磁コイルやヨークから成る。図示せず）により、所定の分布と強度の磁場が形成される。アンテナ電源８によりアンテナ５からＵＨＦ帯の電磁波が放射され、磁場との相互作用により処理室１５内にプラズマが生成される。このプラズマにより、処理ガスを解離させてイオン・ラジカルを発生させ、更にバイアス電源９を制御して、ウェハＷｅにエッチング等の処理を行う。エッチング処理の終了にともない、電力および処理ガスの供給を停止してエッチングを終了する。
【０００６】
図８は、従来のインナーライナーが有する形状の一例を示す斜視概略図である。インナーライナー３は、円筒状に構成されており、側壁インナーユニット２のプラズマ暴露部を被う幅を有すると共に、側壁インナーユニット２の内径に合う直径Ｄを有している。インナーライナー３は、帯状板を筒状に湾曲させてその両端部を合わせて溶着し、溶着継手１３を形成することにより円筒形に形成される。溶着継手１３は、図示の例では円周１箇所に形成されているが、複数箇所設けることもできる。
【０００７】
図９及び図１０は、インナーライナーの板端部に施される従来の溶着継手構造を示す部分図である。図９は、インナーライナーについて従来の溶着継手構造の一例を示す側面図である。ポリイミドのようなエンジニアリングプラスチックス材料から成るライナー素材は、一般に、超音波振動による摩擦溶融で溶着される。図９に示すインナーライナー３Ａにおいては、ライナー素材である帯状板の両端部２１，２２が溶着幅Ｂｗ相当の範囲で板厚の半分の段差に削られて相補的な形状に形成されている。インナーライナー３Ａは板厚の中央近辺に合わせ面２３，２４を持ち、両端部２１，２２を互いに噛み合わせた状態で筒状の内外から溶着幅Ｂｗで矢印方向に軸方向幅Ｗ（図８）の全幅にわたり加圧し超音波振動を与えることにより、合わせ面２３，２４が摩擦溶融されて溶着される。この溶着継手１３Ａは、板厚Ｔに対して直角面２５，２６になる部分が相手側の端面との間で未溶着部として残り、切欠き２７，２８が生じる。切欠き２７，２８を持つ溶着継手１３Ａは強度的に不安定であり、円筒状にしたとき応力集中が生じて割れるおそれがある。また、インナーライナー３Ａが消耗に伴って次第に薄くなるとき、全板厚Ｔの半分まで消耗すると両端部２１，２２が分離して真円筒形を保つことができないので、インナーライナー３Ａの寿命はこの時点止まりとなり、不経済であるという問題点がある。
【０００８】
図１０は、インナーライナーについて従来の溶着継手構造の別の例を示す側面図である。図１０に示す溶着継手１３Ｂにおいては、合わせ面２９，３０が、インナーライナー３Ｂの径方向に対して互いに相補的に傾斜して形成されている。即ち、合わせ面２９，３０は、インナーライナー３Ｂの内外筒面の母線を含む平面であるが、径方向に角度θで傾斜した傾斜面に形成されている。この例では合わせ面２９，３０は全板厚Ｔにわたって溶着されるので、板厚Ｔの半分までしか使用できなかった図９に示す例と比較してインナーライナー３Ｂを経済的に使用することができる。溶着幅Ｂｗ内において、全板厚Ｔの１箇所又は複数個所（本例では１箇所）にインナーライナー３Ｂの軸方向幅Ｗ（図８）の全幅にわたって突起３１を設けている。そのため、超音波振動による摩擦溶融の際に、最初に溶融を始める部分が突起３１に特定され、合わせ面２９，３０が溶融しやすいという長所がある。しかしながら、軸方向幅Ｗ全体に均一な高さで且つ均一な形状の突起３１を形成することは、傾斜した合わせ面２９，３０内とはいえ溶着幅Ｂｗは狭く且つ全板厚Ｔが薄いことと相まって、加工に非常に時間がかかりコストアップになるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、合わせ面をインナーライナーの径方向に対して互いに相補的に傾斜して形成して消耗するまで全板厚を利用するとともに溶着開始させやすいという利点を維持しつつ、溶着開始を容易にする構造を簡単にする点で解決すべき課題がある。
【００１０】
この発明の目的は、帯状のライナー素材の端部の合わせ面を相補的な傾斜面とし、その合わせ面で溶着することで、押出し成型、機械加工による削り出し等で製作した場合より、金型や機械加工を不要としてインナーライナーの製作コストを低減すること、及び、板厚が薄いライナー素材でも突起状の溶着開始領域の加工をしやすくして、成形コストを低減しつつ溶着に対する信頼性を向上させることができる半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、この発明による半導体製造装置用インナーライナーは、半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護する目的で前記処理室内に配置される円筒形状の半導体製造装置用インナーライナーであって、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の径方向に対して傾斜した相補的な傾斜面が形成された両端部を、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面にて溶着したことから成っている。
【００１２】
この半導体製造装置用インナーライナーによれば、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の両端部には、径方向に傾斜した相補的な傾斜面が形成されるので、傾斜面を合わせ面として互いに溶着させたときには、全板厚に対して溶着することができる。したがって、両端部を溶着で繋げることで、消耗までに全厚みを利用することが可能な円筒形状のインナーライナーを得ることができる。また、少なくとも一方の傾斜面に深さ方向に加工を施すことで円筒形状の軸幅方向に残される複数の凸部を溶着開始領域として、両傾斜面を溶着するので、溶着開始領域が離散的に得られ、その周りに溶着が広がることで、ライナー素材の両端部を軸幅方向の全幅に渡って且つ合わせ面の全溶着幅に渡って確実に溶着させることができる。
【００１３】
また、この発明による半導体製造装置用インナーライナーの成形方法は、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の両端部に径方向に傾斜した相補的な傾斜面を形成し、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を形成し、前記凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面を溶着することにより、半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護するインナーライナーを円筒形状に成形している。
【００１４】
この半導体製造装置用インナーライナーの成形方法によれば、傾斜面に深さ方向に加工をすることによって円筒形状の軸幅方向に複数の凸部が残され、そうした複数の凸部を溶着開始領域として両傾斜面が溶着されるので、傾斜面によって幾分は幅広くなった合わせ面であっても細かな加工は依然として困難であるところ、凸部を軸幅方向に複数形成することで溶着継手部の溶着開始領域の加工が容易になり、インナーライナーの成形コストの低減につなげることができる。
【００１５】
この半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法において、前記凸部を鋸の目立て状に形成した規則的な鋸刃状凸部とすることが好ましい。溶着開始領域としての凸部を規則的な鋸刃状凸部とすることで、溶着開始領域が等間隔に規則正しく並んだ幅狭い凸部となり、溶着を合わせ面の全領域において均等に且つ確実に行うことができる。また成形の点からも溶着開始領域となる鋸刃状凸部の加工を鋸の目立てを行うのと同様に機械的に容易に且つ均一に行うことができる。鋸刃状凸部の形成方向としては、円筒形状の周方向に沿って真っ直ぐ又は傾斜して形成することができる。
【００１６】
この半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法において、前記両端部には、前記傾斜面を正しい位置で溶着するため、互いの位置を決める位置決め手段を備えることができる。ライナー素材の両端部に互いの位置を決める位置決め手段を備えることにより、溶着時に両傾斜面が正しい位置で溶着され、製作されたインナーライナーにおいては、正しく円筒形状に製作されたインナーライナーとなる。また、成形方法としても、ライナー素材の両端部の互いの位置を位置決め手段によって位置決めすることで、傾斜面同士を正しい位置で溶着することができる。また、前記位置決め手段については、前記傾斜面に整合位置にて開口する状態で前記両端部に形成されるピン孔に挿入される位置決めピンとすることや、前記傾斜面の一部に形成される段差部とすることができ、いずれも、簡単な構造でライナー素材の両端部を位置決めすることができる。
【００１７】
この半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法において、ライナー素材は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の樹脂素材とすることができる。ライナー素材として用いるこのようなエンジニアリングプラスチックは、一般に硬度が高く成形しづらい材料であるが、溶着開始領域を以て溶着することで、円筒形状にも成形することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明による半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法によれば、ライナー素材の両端部に形成された傾斜面を重ね合わせて溶着することで、全板厚に対して溶着でき、押出し成型、機械加工による削り出し等で製作した場合より、金型や機械加工を不要とることでコストを低減できる。また、両端部を溶着にて繋ぐ継手構造として、少なくとも一方の端部の傾斜面に深さ方向に加工を施すことで鋸刃状のような円筒形状の軸幅方向に複数の凸部が残され、板厚が薄い材料でも溶着開始領域となる突起の加工が容易になると共にコスト低減につながり、かつ、信頼性のある溶着継手構造を提供することができる。更に、溶着継手部に溶着作業時のインナーライナー円周長さの位置決めのため、ピンや段差を設けることにより、帯状のライナー素材の両端部を溶着して円筒形状にしたときの直径を半導体製造装置の処理室内壁にぴったり合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面に基づいて、この発明による半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法の実施の形態を説明する。図１は本発明による半導体製造装置用インナーライナーの両端部を接続する溶着継手構造の一実施形態を示す側面図、図２は図１に示すインナーライナーの一方の端部を示す拡大図である。
【００２０】
図１〜図３に示すように、インナーライナーを製作するに際して、先ず、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の耐熱性の優れた樹脂素材から成る帯状のライナー素材４０が用意される。ライナー素材４０の繋ぎ合わせるべき両端部４１，４２において、溶着すべき合わせ面として、径方向に対して角度θで傾斜した相補的な傾斜面４３，４４が形成される。次に、両端部４１，４２が傾斜面４３，４４に成形された帯状のライナー素材４０が、円筒形状に湾曲される。傾斜面４３，４４を相補的に形成することによって、両端部４１，４２を重ね合わせて溶着したときに円筒形状の内外面が凹凸のない滑らかに形成され、半導体製造装置にインナーライナーとして適用された場合、プラズマに曝されても局所的な高温化や異常な消耗を防ぐことができる。また、傾斜面４３，４４を相補的に形成することによって、インナーライナーは傾斜面４３，４４を全板厚Ｔにわたって溶着される。したがって、インナーライナーは、厚さの途中で消耗限界となることがなく、消耗までに全板厚Ｔが利用可能な円筒形状のインナーライナーを得ることができる。
【００２１】
図２にも示されているように、一方の端部４１の傾斜面４３には、軸方向幅Ｗ全体にわたって離散的な位置で深さ方向の加工を行うことにより、複数の凸部４５が突起状に残されて鋸刃４６の形で形成されている。深さ方向の加工としては、例えば鋸刃の目立ての加工を適用することができ、そうした加工方法を採ることにより、鋸刃４６は、溶着幅Ｂｗに相当する長さで均一な高さと均一な形状を持ち、且つ軸方向幅Ｗの方向に均一なピッチで加工される。また、目立ての加工によれば、軸方向幅Ｗが長くなっても容易に且つ簡単に加工作業を行うことができる。複数の凸部４５を溶着開始領域として両傾斜面４３，４４を溶着するので、溶着開始領域が離散的に得られ、溶着作業の進行に従って溶着が溶着開始領域の周りに広がることで、ライナー素材４０の両端部を軸方向幅Ｗの全幅に渡って且つ合わせ面の全溶着幅Ｂｗに渡って確実に溶着させることができる。
【００２２】
図示の溶着継手構造の例では、ライナー素材４０の一方の傾斜面４３にのみ鋸刃４６を形成したが、両方の傾斜面４３，４４にも鋸刃４６と同様の鋸刃を形成することができる。この場合には、鋸刃同士の互いのずれを防止するため、後述するような位置決め手段を用いるのが好ましい。
【００２３】
図３の斜視図に示すように、複数の凸部４５を溶着開始領域として両傾斜面４３，４４が溶着され、インナーライナー４７が成形される。ポリイミドのような素材は色が付いているが透明に近いので、溶着開始領域がその後の溶着領域と目視にて区別して確認することができる。
【００２４】
図４には、継手構造の別の例が側面図として示されている。図４に示すように、複数の凸部４７から成る鋸刃４８は、凸部４７が延びる方向が周方向Ｓに対してφだけ傾斜して形成されている。このような凸部４７も鋸刃の目立てを用いて簡単に得ることができる。
【００２５】
図１〜図３に示すような溶着によるライナー素材端部の結合に加えて、両端部４１，４２の傾斜面４３，４４を正しい位置で溶着するため、両端部４１，４２の互いの位置を決める位置決め手段を備えることができる。位置決め手段の一つとして、図５に示すように、傾斜面４３，４４に整合位置にて開口する状態で両端部４１，４２にピン孔４９，５０を形成し、ピン孔４９，５０に跨がって位置決めピン５１を挿入することが挙げられる。ライナー素材４０の両端部４１，４２の位置を位置決めピン５１で決めることにより、溶着時に両傾斜面４３，４４が正しい位置で溶着され、溶着作業時のインナーライナー円周長さの誤差を最小にすることができる。傾斜面４３，４４の溶着時、位置決めピン５１もピン孔４９，５０内において溶着される。その結果、製作されたインナーライナーは、円筒にしたときの直径が側壁インナーユニット２の内壁の径に一致し、側壁２内にぴったりと合わせることができる。
【００２６】
別の位置決め手段として、図６に示すように、傾斜面４３，４４の一部に形成される段差部とすることができる。即ち、傾斜面４３においては、内側の縁部分を傾斜させずに周方向に面する段差面５２とし、傾斜面４４においても、段差面５２に応じて、内側の縁部分を傾斜させずに周方向に面する相補的な段差面５３として、段差面５２と段差面５３とを互いに突き合わせることによって、両端部４１，４２の互いの位置を決めることができる。このように、簡単な構造でライナー素材４０の両端部を位置決めして、溶着に対して信頼性のある溶着継手を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
この発明のよるインナーライナー及びその成形方法について、半導体製造装置としてプラズマエッチング装置に用いられるインナーライナーを例に取って説明したが、本発明はエッチング装置に限定されるものではなく、例えば、ＣＶＤ装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の１実施形態であるインナーライナーの装着例を示す横断面図。
【図２】インナーライナーの外形図の１例。
【図３】従来技術の１例を示す溶着継手側面図。
【図４】従来技術の１例を示す溶着継手側面図。
【図５】本発明の１実施形態である溶着継手側面図。
【図６】本発明の１実施形態である溶着継手平面図。
【図７】本発明の１実施形態である溶着継手側面図。
【図８】本発明の１実施形態である溶着継手側面図。
【図９】インナーライナーに施される従来の溶着継手構造の一例を示す側面図。
【図１０】インナーライナーに施される従来の溶着継手構造の別の例を示す側面図。
【符号の説明】
【００２９】
１…側壁
２…側壁インンナーユニット
３…インナーライナー
４…ハウジング
５…アンテナ
６…リング
７…誘電体プレート
８…アンテナ電源
９…バイアス電源
１０…下部電極
１１…ガス供給手段
１２…プレート
１３，１３Ａ，１３Ｂ…溶着継手
１５…処理室
２１，２２…両端部
２３，２４…合わせ面
２５，２６…直角面
２７，２８…切欠き
２９，３０…合わせ面
３１…突起
４０…ライナー素材
４１，４２…両端部
４３，４４…傾斜面
４５…凸部
４６…インナーライナー
４７…凸部
４８…鋸刃
４９，５０…ピン孔
５１…位置決めピン
５２，５３…段差面
Ｗｅ…ウエハ
Ｄ…直径
Ｔ…全板厚
Ｗ…軸方向幅
Ｂｗ…溶着幅
θ…角度
【図１】
2005340505.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005340505.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005340505.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005340505.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005340505.tif 000011
【図１０】
2005340505.tif 000012