(57)【要約】【課題】電子放出領域内の輝度の均一性と、電子放出領域間の輝度の均一性とを同時に達成することができる冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルを提供する。【解決手段】カソードパネルにおいては、カソード電極１１、分離領域３１によってカソード電極１１と離間して設けられた導体領域３２、絶縁層１２、ゲート電極１３、開口部１４、並びに、電子放出部１５から成る電子放出領域ＥＡが２次元マトリクス状に配列されており、少なくとも、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に形成され、カソード電極１１と導体領域３２とを電気的に接続する第１抵抗体層４１、並びに、少なくとも導体領域３２上に形成され、導体領域３２と電子放出部１５とを電気的に接続する第２抵抗体層４２を更に備えている。【選択図】  図２
2005294133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（Ｂ）支持体上に形成され、分離領域によってカソード電極と離間して設けられた導体領域、
（Ｃ）支持体、カソード電極及び導体領域を覆う絶縁層、
（Ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（Ｅ）導体領域とゲート電極との重複領域に位置するゲート電極の部分及び絶縁層の部分に設けられた複数の開口部、並びに、
（Ｆ）複数の開口部のそれぞれの底部に位置する導体領域の部分の上に形成された電子放出部、
から成る電子放出領域が２次元マトリクス状に配列された冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルであって、
（Ｇ）支持体上であって、少なくとも、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に形成され、カソード電極と導体領域とを電気的に接続する第１抵抗体層、並びに、
（Ｈ）少なくとも導体領域上に形成され、導体領域と電子放出部とを電気的に接続する第２抵抗体層、
を更に備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項２】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項３】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項４】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項５】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項６】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域を囲むカソード電極の部分の下に形成されており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項７】
導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域を囲むカソード電極の部分の下に形成されており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項８】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項９】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項１０】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項１１】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項１２】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域に隣接したカソード電極の部分の下に形成されており、
第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項１３】
導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており、
第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域に隣接したカソード電極の部分の下に形成されており、
第２抵抗体層は、導体領域を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル。
【請求項１４】
（Ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（Ｂ）支持体上に形成され、分離領域によってカソード電極と離間して設けられた導体領域、
（Ｃ）支持体、カソード電極及び導体領域を覆う絶縁層、
（Ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（Ｅ）導体領域とゲート電極との重複領域に位置するゲート電極の部分及び絶縁層の部分に設けられた複数の開口部、並びに、
（Ｆ）複数の開口部のそれぞれの底部に位置する導体領域の部分の上に形成された電子放出部、
から成る電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されたカソードパネルであって、
（Ｇ）支持体上であって、少なくとも、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に形成され、カソード電極と導体領域とを電気的に接続する第１抵抗体層、並びに、
（Ｈ）少なくとも導体領域上に形成され、導体領域と電子放出部とを電気的に接続する第２抵抗体層、
を更に備えているカソードパネルと、基板上に形成された蛍光体領域及びアノード電極から成るアノードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル及び冷陰極電界電子放出表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、熱的励起によらず固体から真空中に電子を放出することが可能な冷陰極電界電子放出表示装置、所謂フィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）も提案されており、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有する冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル（以下、カソードパネルと略称する場合がある）と、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルとが、真空層を介して対向配置された構成を有する。カソードパネルにおいて、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが１サブピクセルを構成する電子放出領域には、通常、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。尚、電界放出素子として、スピント型、エッジ型、扁平型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を適用した従来の表示装置の概念的な一部端面図を図２２に示す。かかる表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、第２開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。カソード電極１１は、第１の方向（図２２の紙面と平行な方向）に延びるストライプ状であり、ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図２２の紙面と垂直な方向）に延びるストライプ状である。ストライプ状のカソード電極１１とストライプ状のゲート電極１３とが重複する重複領域が電子放出領域ＥＡに相当する。
【０００５】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色を発光する蛍光体領域、緑色を発光する蛍光体領域、及び、青色を発光する蛍光体領域）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図２２中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号２５はスペーサを表し、参照番号２６はスペーサ保持部を表す。
【０００６】
カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加すると、その結果生じた電界によって電子放出部１５の先端部から量子トンネル効果に基づき電子が放出される。そして、電子は、アノードパネルＡＰに設けられたアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４と基板２０との間に形成された蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。電界放出素子の動作は、基本的に、ゲート電極１３とカソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【０００７】
電子放出部１５、特にその尖端部を均一に製造することは、一般に、困難である。そして、電子放出部１５の尖端部の形状が各電子放出部１５においてばらついていると、放出される電子、即ち、電流（放出電子電流）の値が１電子放出領域ＥＡ内で不均一になる結果、アノードパネルＡＰにおける輝点が不均一なものとなり、画像品質が劣化する。
【０００８】
また、電子放出領域ＥＡ間の輝度の不均一性も問題となる。即ち、電子放出領域ＥＡ間において、電子を放出している電界放出素子の数が大きくばらついている場合、電子放出領域ＥＡ間における輝度が不均一なものとなる。特に、カットオフ電圧近くにおいて、このような現象が顕著に生じる。
【０００９】
更には、ゲート電極１３と電子放出部１５との間、あるいは、ゲート電極１３とカソード電極１１との間に短絡が発生する場合がある。カソードパネルＣＰにおいては、通常、複数の電子放出領域が１次元的（ストライプ状）に配列された電子放出領域列が複数並置されているので、このような短絡が発生すると、かかる短絡箇所を含むストライプ状の電子放出領域列の一列全体の完全なる表示が出来なくなる場合もある。
【００１０】
【特許文献１】米国特許第４，９４０，９１６号
【特許文献２】米国特許第５，１９４，７８０号
【特許文献３】特開平７−１５３３６９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した問題点を回避するため、縦型抵抗層として機能する抵抗体層１００を備えた電界放出素子が米国特許４，９４０，９１６号に提案されている。この電界放出素子の模式的な一部端面図を図２３の（Ａ）に示し、等価回路図を図２３の（Ｂ）に示す。この電界放出素子においては、カソード電極１１の上に抵抗体層１００が形成されている点が、図２２に示した従来の電界放出素子と異なっている。
【００１２】
米国特許４，９４０，９１６号に提案された電界放出素子にあっては、電子放出領域ＥＡ内の輝度の不均一性の解決を図ることはできる。しかしながら、ゲート電極１３と電子放出部１５との間に短絡が発生した場合、電子放出部１５とカソード電極１１との間に存在する抵抗体層１００の耐圧を左程高くできないが故に、表示装置において、係る短絡によって表示ができなくなるといった問題を解決することは困難である。
【００１３】
また、上述した問題点を回避するため、横型抵抗層として機能する抵抗体層１０１を備えた電界放出素子が米国特許第５，１９４，７８０号に提案されている。この電界放出素子の模式的な一部端面図を図２４の（Ａ）に示し、等価回路図を図２４の（Ｂ）に示す。この電界放出素子においては、電子放出部１５が抵抗体層１０１上に形成され、電子放出部１５とは離れた位置に設けられたカソード電極１１と電子放出部１５とは、抵抗体層１０１によって電気的に接続されている。
【００１４】
米国特許５，１９４，７８０号に提案された電界放出素子にあっては、ゲート電極１３と電子放出部１５との間に短絡が発生した場合であっても、電子放出部１５とカソード電極１１との間に存在する抵抗体層１０１の耐圧を十分に高くすれば、表示装置において、係る短絡によって表示ができなくなるといった問題を解決することが可能である。しかしながら、１つの電子放出領域ＥＡにおいて、電子放出部１５とカソード電極１１との間の距離が一定ではないが故に（電子放出領域ＥＡの中央部に位置する電子放出部１５からカソード電極１１までの距離が最も長い）、電子放出領域ＥＡの中央部に位置する電子放出部１５からの電子の放出が、電子放出領域ＥＡの周辺部に位置する電子放出部１５からの電子の放出よりも少なくなり、１つの電子放出領域ＥＡ内において輝度のばらつきが生じるといった問題を有する。
【００１５】
更には、上述した問題点を回避するため、縦型抵抗層及び横型抵抗層として機能する抵抗体層１０２を備えた電界放出素子が特開平７−１５３３６９号に提案されている。この電界放出素子の模式的な一部端面図を図２５の（Ａ）に示し、等価回路図を図２５の（Ｂ）に示す。この電界放出素子においては、電子放出部１５が抵抗体層１０２上に形成され、電子放出部１５とは離れた位置に設けられたカソード電極１１と電子放出部１５とは、抵抗体層１０２によって電気的に接続されており、電子放出部１５が形成された領域においては、抵抗体層１０２の下にカソード導体１１１が設けられている。
【００１６】
この特許公開公報に提案された電界放出素子にあっては、ゲート電極１３と電子放出部１５との間での短絡に起因して、表示装置において表示ができなくなるといった問題を解決することが可能である。また、電子放出領域ＥＡ内の輝度の不均一性の解決を図ることができる。しかしながら、同一の抵抗体層１０２を縦型抵抗層及び横型抵抗層として機能させているが故に、縦型抵抗層としての抵抗値、及び、横型抵抗層としての抵抗値の双方を最適化することができない。特に、横型抵抗層としての抵抗値の最適化を図れない場合、各電子放出領域ＥＡを流れる電流の値の均一化を充分に図ることができなくなり、電子放出領域ＥＡ間の輝度の不均一性を招くことになる。特に、カットオフ電圧付近にあっては１電子放出領域において電子を放出している電子放出部１５の数が少なくなる結果、電子放出領域ＥＡ間の輝度の不均一性が顕著となるという問題点を有する。
【００１７】
従って、本発明の目的は、電子放出領域内の輝度の均一性と、電子放出領域間の輝度の均一性とを同時に達成することができ、しかも、ゲート電極と電子放出部との間での短絡に起因して冷陰極電界電子放出表示装置において表示ができなくなるといった問題が発生し難い構造を有する冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル、及び、係るカソードパネルを組み込んだ冷陰極電界電子放出表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の目的を達成するための本発明の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルは、
（Ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（Ｂ）支持体上に形成され、分離領域によってカソード電極と離間して設けられた導体領域、
（Ｃ）支持体、カソード電極及び導体領域を覆う絶縁層、
（Ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（Ｅ）導体領域とゲート電極との重複領域に位置するゲート電極の部分及び絶縁層の部分に設けられた複数の開口部、並びに、
（Ｆ）複数の開口部のそれぞれの底部に位置する導体領域の部分の上に形成された電子放出部、
から成る電子放出領域が２次元マトリクス状に配列された冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルであって、
（Ｇ）支持体上であって、少なくとも、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に形成され、カソード電極と導体領域とを電気的に接続する第１抵抗体層、並びに、
（Ｈ）少なくとも導体領域上に形成され、導体領域と電子放出部とを電気的に接続する第２抵抗体層、
を更に備えていることを特徴とする。
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明の冷陰極電界電子放出表示装置は、
（Ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（Ｂ）支持体上に形成され、分離領域によってカソード電極と離間して設けられた導体領域、
（Ｃ）支持体、カソード電極及び導体領域を覆う絶縁層、
（Ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（Ｅ）導体領域とゲート電極との重複領域に位置するゲート電極の部分及び絶縁層の部分に設けられた複数の開口部、並びに、
（Ｆ）複数の開口部のそれぞれの底部に位置する導体領域の部分の上に形成された電子放出部、
から成る電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されたカソードパネルであって、
（Ｇ）支持体上であって、少なくとも、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に形成され、カソード電極と導体領域とを電気的に接続する第１抵抗体層、並びに、
（Ｈ）少なくとも導体領域上に形成され、導体領域と電子放出部とを電気的に接続する第２抵抗体層、
を更に備えているカソードパネルと、基板上に形成された蛍光体領域及びアノード電極から成るアノードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルあるいは本発明の冷陰極電界電子放出表示装置（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域（表示部分として機能する領域）を被覆しており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−１の構造と呼ぶ。
【００２１】
尚、この第１−１の構成、あるいは、後述する第１−２の構成、第２−１の構成、第２−２の構成にあっては、第１抵抗体層はカソードパネルの有効領域を被覆しているが、第１抵抗体層は、所謂ベタパターンを有していてもよいし（即ち、カソードパネルの有効領域を切れ目無く覆っていてもよいし）、場合によっては、或る大きさ（例えば、１ピクセルに相当する大きさ、複数のピクセルに相当する大きさ等）に区画されていてもよいし、複数のカソード電極を跨って第１の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよいし、第２の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよいし、複数のゲート電極を跨って第２の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよい。
【００２２】
また、この第１−１の構成、あるいは、後述する第１−３の構成、第１−５の構成、第２−１の構成、第２−３の構成、第２−５の構成にあっては、第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆しているが、第２抵抗体層は、所謂ベタパターンを有していてもよいし（即ち、カソードパネルの有効領域を切れ目無く覆っていてもよいし）、場合によっては、或る大きさ（例えば、１サブピクセルをカバーする大きさ、１ピクセルに相当する大きさ、複数のピクセルに相当する大きさ等）に区画されていてもよいし、第１の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよいし、複数のカソード電極を跨って第１の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよいし、第２の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよいし、複数のゲート電極を跨って第２の方向に延びるストライプ状の形状を有していてもよい。
【００２３】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−２の構造と呼ぶ。
【００２４】
尚、この第１−２の構成、あるいは、後述する第１−４の構成、第１−６の構成、第２−２の構成、第２−４の構成、第２−６の構成にあっては、第２抵抗体層は導体領域を被覆しているが、第２抵抗体層は、導体領域のみを被覆していてもよいし、導体領域からはみ出し、分離領域の一部まで被覆していてもよい。但し、これらの場合にあっては、第２抵抗体層は、カソード電極とは接してはおらず、１サブピクセルをカバーする大きさである。また、第２−２の構成、第２−４の構成、第２−６の構成にあっては、１列に配列された導体領域を跨るように、第２抵抗体層をストライプ状に形成してもよい。但し、これらの場合にあっては、第２抵抗体層はカソード電極とは接していない。以上の構造を採用することで、第１抵抗体層の抵抗値と第２抵抗体層の抵抗値とを、完全に独立して設計することができるが故に、第１抵抗体層及び第２抵抗体層の設計がより容易になる。
【００２５】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−３の構造と呼ぶ。
【００２６】
尚、この第１−３の構成、あるいは、後述する第１−４の構成、第２−３の構成、第２−４の構成にあっては、第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されているが、第１抵抗体層は、第１の方向に沿って、且つ、１列の電子放出領域において連続してストライプ状に形成されていてもよいし、第１の方向に沿って、且つ、１列の電子放出領域において複数の電子放出領域に跨って、但し、部分的に不連続な状態にて、ストライプ状に形成されていてもよい。
【００２７】
この第１−３の構成、あるいは、後述する第１−４の構成、第１−５の構造、第１−６の構造、第２−３の構成、第２−４の構成、第２−５の構造、第２−６の構造にあっては、カソード電極が相互に電気的に独立しているので、即ち、カソード電極を跨って第１抵抗体層が設けられているのではないが故に、第１抵抗体層の設計が容易になる。また、カソード電極相互における電気的クロストークの発生を防止することができる。
【００２８】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−４の構造と呼ぶ。
【００２９】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域を囲むカソード電極の部分の下に形成されており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−５の構造と呼ぶ。
【００３０】
尚、この第１−５の構成、あるいは、後述する第１−６の構成、第２−５の構成、第２−６の構成にあっては、第１抵抗体層の大きさは、１サブピクセルをカバーする大きさである。
【００３１】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してカソード電極によって囲まれており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域を囲むカソード電極の部分の下に形成されており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第１−６の構造と呼ぶ。
【００３２】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−１の構造と呼ぶ。
【００３３】
第２−１の構造、あるいは後述する第２−２の構造、第２−３の構造、第２−４の構造、第２−５の構造、第２−６の構造を採用することによって、カソード電極とゲート電極とが短絡することを確実に防止することができる。
【００３４】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、カソードパネルの有効領域を被覆しており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−２の構造と呼ぶ。
【００３５】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−３の構造と呼ぶ。
【００３６】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、カソード電極の下に、ストライプ状に形成されており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−４の構造と呼ぶ。
【００３７】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域に隣接したカソード電極の部分の下に形成されており；第２抵抗体層は、少なくとも、導体領域、分離領域、及び、カソード電極を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−５の構造と呼ぶ。
【００３８】
あるいは又、本発明にあっては、導体領域は、分離領域を介してストライプのカソード電極に沿って形成されており；第１抵抗体層は、導体領域の下、分離領域、及び、導体領域に隣接したカソード電極の部分の下に形成されており；第２抵抗体層は、導体領域を被覆している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第２−６の構造と呼ぶ。
【００３９】
本発明において、第１抵抗体層及び第２抵抗体層を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；アモルファスシリコン等の半導体材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。第１抵抗体層や第２抵抗体層の形成方法として、スパッタリング法や真空蒸着法に例示されるＰＶＤ法（物理的気相成長法）、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）や、スクリーン印刷法を挙げることができる。第１抵抗体層を構成する材料と第２抵抗体層を構成する材料とは、同一材料であってもよいし、同種の材料であってもよいし、異種の材料であってもよい。
【００４０】
本発明において、カソード電極及び導体領域の下に位置する第１抵抗体層の部分の厚さの平均値は、限定するものではないが、１×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ、好ましくは１×１０-7ｍ乃至５×１０-7ｍとすることが望ましい。また、導体領域の上に位置する第２抵抗体層の部分の厚さの平均値は、限定するものではないが、１×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ、好ましくは１×１０-7ｍ乃至１×１０-6ｍとすることが望ましい。
【００４１】
更には、導体領域とカソード電極との間の抵抗値、及び、分離領域の幅は、カソード電極と導体領域との間を流れる電流の値を最適化することができる値とすればよく、具体的には、限定するものではないが、導体領域とカソード電極との間の抵抗値は、１×１０1Ω乃至１×１０7Ω、好ましくは１×１０5Ω乃至１×１０6Ωとすることが望ましく、分離領域の幅は、１×１０-6ｍ乃至１×１０-5ｍ、好ましくは１×１０-6ｍ乃至５×１０-6ｍとすることが望ましい。一方、導体領域上の第２抵抗体層の抵抗値は、各電子放出部に流れる電流（放出電子電流）の値を最適化することができる値とすればよく、具体的には、限定するものではないが、電子放出部１つあたり、１×１０9Ω乃至１×１０11Ω、好ましくは１×１０10Ω乃至５×１０10Ωとすることが望ましい。更には、（第１抵抗体層を構成する材料の体積抵抗率）／（第２抵抗体層を構成する材料の体積抵抗率）の値は、限定するものではないが、１×１０1乃至１×１０5、好ましくは１×１０2乃至１×１０4とすることが望ましい。
【００４２】
本発明において、導体領域とゲート電極との重複領域に位置する１つの電子放出領域は、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）から構成されている。ここで、１つの電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（ｂ）支持体上に形成され、分離領域によってカソード電極と離間して設けられた導体領域、
（ｃ）支持体、カソード電極及び導体領域を覆う絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（ｅ）導体領域とゲート電極との重複領域に位置するゲート電極の部分及び絶縁層の部分に設けられた開口部、並びに、
（ｆ）開口部の底部に位置する導体領域の部分の上に形成された電子放出部、
から構成されている。
【００４３】
電界放出素子の型式は、特に限定されず、スピント型電界放出素子、扁平型電界放出素子、クラウン型電界放出素子のいずれであってもよい。尚、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。
【００４４】
第１−１の構造〜第１−６の構造にあっては、限定するものではないが、ストライプ状のゲート電極の射影像の縁部は、分離領域の射影像の内部に位置することが、ゲート電極とカソード電極との間の短絡発生を確実に防止するといった観点から好ましい。また、本発明にあっては、導体領域の射影像は、ゲート電極の射影像の内部に位置していることが、１電子放出領域において出来るだけ多くの電子放出部を設けるといった観点から好ましい。
【００４５】
更には、電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接サブピクセル間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルトのオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧が印加される。収束電極は、必ずしも各電界放出素子毎に設けられている必要はなく、例えば、電界放出素子の所定の配列方向に沿って延在させることにより、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。
【００４６】
カソード電極、導体領域、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極や導体領域の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のこれらの電極を形成することが可能である。
【００４７】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４８】
ゲート電極や絶縁層に設けられた開口部の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。開口部の形成は、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、ゲート電極に開口部を直接形成することもできる。絶縁層や層間絶縁層における開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００４９】
支持体や基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。
【００５０】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置において、アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体膜によって電気的に接続されている必要がある。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料を挙げることができる。抵抗体膜のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｎ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｎ列としたとき、Ｎ＝ｎとし、あるいは、ｎ＝α・Ｎ（αは２以上の整数であり、好ましくは１０≦α≦１００、一層好ましくは２０≦α≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサ（後述する）の数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
【００５１】
冷陰極電界電子放出表示装置がカラー表示の場合、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。更には、アノード電極ユニットにおける１サブピクセルに相当する大きさとは、１つの蛍光体領域を囲むアノード電極ユニットの大きさを意味する。
【００５２】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体膜も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体膜を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体膜をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体膜のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体膜を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１．５×１０-7ｍ（１５０ｎｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至１×１０-7ｍ（１００ｎｍ）を例示することができる。
【００５３】
アノード電極の構成材料は、冷陰極電界電子放出表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透過型（アノードパネルが表示面に相当する）であって、且つ、基板上にアノード電極と蛍光体領域がこの順に積層されている場合には、基板は元より、アノード電極自身も透明である必要があり、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いる。一方、冷陰極電界電子放出表示装置が反射型（カソードパネルが表示面に相当する）である場合、及び、透過型であっても基板上に蛍光体領域とアノード電極とがこの順に積層されている場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体膜を形成する場合、抵抗体膜の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体膜をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００５４】
アノード電極と蛍光体領域の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００５５】
アノードパネルには、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された二次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するための隔壁が、複数、設けられている構成とすることもできる。
【００５６】
隔壁の平面形状として、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形（ドット状）の蛍光体領域の四方を取り囲む形状を挙げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ状の蛍光体領域の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あるいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格子形状とする場合、１つの蛍光体領域の領域の四方を連続的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な形状としてもよい。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁の頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５７】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、かかる隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用の材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成を行う方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。
【００５８】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。また、蛍光体領域の配列様式は、ドット状であっても、ストライプ状であってもよい。尚、ドット状やストライプ状の配列様式においては、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００５９】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子（例えば、粒径５〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。
【００６０】
発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。赤色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）、（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｅｕ）、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｅｕ）、（Ｚｎ3（ＰＯ4）2：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）、（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）を用いることが好ましい。また、緑色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（ＺｎＳｉＯ2：Ｍｎ）、（Ｓｒ4Ｓｉ3Ｏ8Ｃｌ4：Ｅｕ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ）、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ）、［Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｔｂ］、（ＺｎＢａＯ4：Ｍｎ）、（ＧｂＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｓｒ6ＳｉＯ3Ｃｌ3：Ｅｕ）、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｍｎ）、（ＳｃＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）、（ＺｎＯ：Ｚｎ）、（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）、（ＺｎＧａ2Ｏ4：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ）、［Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｔｂ］、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ）を用いることが好ましい。更には、青色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ）、（ＣａＷＯ4：Ｐｂ）、ＣａＷＯ4、ＹＰ0.85Ｖ0.15Ｏ4、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ）、ＺｎＭｇＯ、ＺｎＧａＯ4を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ａｇ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）を用いることが好ましい。
【００６１】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９９％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００６２】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００６３】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間が真空状態となっているが故に、アノードパネルとカソードパネルとの間にスペーサを配しておかないと、大気圧によって冷陰極電界電子放出表示装置が損傷を受けてしまう虞がある。係るスペーサは、例えばセラミックスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサの表面に、金属や合金から成る導電材料層を形成し、あるいは又、高抵抗層を形成し、あるいは又、二次電子放出係数の低い材料から成る薄層を形成してもよい。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部とスペーサ保持部との間に挟み込んで固定すればよい。
【００６４】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６５】
基板と支持体と枠体の三者を接合する場合、三者同時接合を行ってもよいし、あるいは、第１段階で基板又は支持体のいずれか一方と枠体とを先に接合し、第２段階で基板又は支持体の他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、基板と支持体と枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、基板と支持体と枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００６６】
接合後に排気を行う場合、排気は、基板及び／又は支持体に予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、基板及び／又は支持体の無効領域（即ち、有効領域以外の領域）に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００６７】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１０キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ（但し、０．５ｍｍ≦ｄ≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは５以上１０以下を満足することが望ましい。
【００６８】
冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用した場合、
（１）カソード電極に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧ＶGも変化させる方式がある。
【発明の効果】
【００６９】
本発明にあっては、第１抵抗体層が横型抵抗層として機能し、第２抵抗体層が縦型抵抗層として機能する。即ち、カソード電極と導体領域とを電気的に接続する第１抵抗体層が存在するが故に、ゲート電極と電子放出部との間に短絡が発生した場合であっても、表示装置において、係る短絡によって表示ができなくなるといった問題が生じることを防止し得る。しかも、導体領域の上方に電子放出部が設けられ、且つ、導体領域と電子放出部とを電気的に接続する第２抵抗体層が存在するが故に、電子放出領域内の輝度の不均一性の解決を図ることができる。更には、特開平７−１５３３６９号に提案されている冷陰極電界電子放出素子と異なり、抵抗体層を第１抵抗体層と第２抵抗体層の２層から構成するが故に、カソード電極と導体領域との間を流れる電流の値、及び、各電子放出部を流れる電流（放出電子電流）の値を、個別に最適化することができる。特に、第１抵抗体層の抵抗値及び分離領域の幅の最適化によって、カソード電極と各電子放出領域との間を流れる電流の値の均一化を確実に図ることができる結果、電子放出領域間の輝度の均一化を図ることができる。特に、カットオフ電圧付近での電子放出領域からの電子放出の均一化を図ることが可能となる。そして、以上の結果として、製造歩留りが高く、寿命が長く、信頼性が高く、画像のユニフォミティが著しく改善され、均一性に優れた冷陰極電界電子放出表示装置を提供することができる。
【００７０】
尚、冷陰極電界電子放出表示装置の動作時、アノード電極から電子放出部、第２抵抗体層、導体領域、第１抵抗体層を介してカソード電極へと電流が流れる。具体的には、アノード電極から、電子放出部及び第２抵抗体層を介して、導体領域へと電流（放出電子電流ＩEM）が流れる。そして、各導体領域からは、各電子放出部における放出電子電流ＩEMの総和の電流ＩSUMが、主に第１抵抗体層を介して、カソード電極へと流れる。通常、総和の電流ＩSUMは、放出電子電流ＩEMの１０3倍程度、あるいはそれ以上の値を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７１】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００７２】
実施例１は、本発明の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル（以下、単に、カソードパネルと呼ぶ場合がある）及び冷陰極電界電子放出表示装置（以下、単に、表示装置と呼ぶ場合がある）に関し、より具体的には、第１−１の構造に関する。
【００７３】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルＣＰにおけるカソード電極等の等価回路図を図１に示す。また、実施例１におけるカソード電極、分離領域、導体領域、及び、ゲート電極の配置を示す模式図を図２の（Ａ）に示し、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図２の（Ｂ）に示し、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図２の（Ｃ）に示す。更には、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図を図３に示し、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルの模式的な一部斜視図を図４に示す。また、蛍光体領域等の配列を、模式的な部分的平面図として、図１３〜図１８に例示する。尚、図３に示すアノードパネルＡＰの模式的な一部端面図における蛍光体領域等の配列を、図１４あるいは図１６に示す構成としている。ここで、図１３〜図１８においてはアノード電極の図示を省略している。
【００７４】
ここで、実施例１の表示装置は、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとがそれらの周縁部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間は真空状態とされている。そして、カソードパネルＣＰは、支持体１０、及び、この支持体１０上に２次元マトリクス状に配置、配列された電子放出領域ＥＡから構成されている。一方、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体領域２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、蛍光体領域２２を覆うアノード電極２４から構成されている。
【００７５】
具体的には、実施例１の表示装置におけるカソードパネルＣＰにおいては、
（Ａ）支持体１０上に形成され、第１の方向（例えば、図３の紙面と平行な方向）に延びるストライプ状のカソード電極１１、
（Ｂ）支持体１０上に形成され、分離領域３１によってカソード電極１１と離間して（空間的に分離して）設けられた導体領域３２、
（Ｃ）支持体１０、カソード電極１１及び導体領域３２を覆う絶縁層１２、
（Ｄ）絶縁層１２上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、図３の紙面と垂直な方向）に延びるストライプ状のゲート電極１３、
（Ｅ）導体領域３２とゲート電極１３との重複領域に位置するゲート電極１３の部分及び絶縁層１２の部分に設けられた複数の開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（Ｆ）複数の開口部１４のそれぞれの底部に位置する導体領域３２の部分の上に形成された電子放出部１５、
から成る電子放出領域ＥＡが２次元マトリクス状に配列されている。ここで、１つの電子放出領域ＥＡが、１つのサブピクセルに相当する。
【００７６】
そして、
（Ｇ）支持体１０上であって、少なくとも、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に形成され、カソード電極１１と導体領域３２とを電気的に接続する第１抵抗体層４１、並びに、
（Ｈ）少なくとも導体領域３２上に形成され、導体領域３２と電子放出部１５とを電気的に接続する第２抵抗体層４２、
を更に備えている。
【００７７】
より具体的には、導体領域３２は、その周りを、分離領域３１を介してカソード電極１１によって囲まれている。また、第１抵抗体層４１は、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆しており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。より具体的には、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２は、所謂ベタパターンを有する。具体的には、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２は、カソードパネルＣＰの有効領域を切れ目無く覆っている。
【００７８】
カソード電極１１及び導体領域３２の下に位置する第１抵抗体層４１の部分の厚さの平均値は、０．５μｍである。また、導体領域３２の上に位置する第２抵抗体層４２の部分の厚さの平均値は、０．５μｍである。第１抵抗体層４１を構成する材料はＳｉＣＮあるいはアモルファスシリコンであり、第２抵抗体層４２を構成する材料はＳｉＣＮあるいはアモルファスシリコンである。導体領域３２とカソード電極１１との間の抵抗値、及び、分離領域３１の幅は、カソード電極１１と導体領域３２との間を流れる電流の値を最適化することができる値であり、具体的には、導体領域３２とカソード電極１１との間の抵抗値は１ＭΩであり、分離領域３１の幅は５μｍである。一方、導体領域３２上の第２抵抗体層４２の抵抗値は、各電子放出部１５を流れる電流（放出電子電流）の値を最適化することができる値であり、具体的には、１つの電子放出部あたり５０ＧΩである。更には、（第１抵抗体層を構成する材料の体積抵抗率）／（第２抵抗体層を構成する材料の体積抵抗率）の値は、１×１０3である。
【００７９】
導体領域３２とゲート電極１３との重複領域に位置する１つの電子放出領域ＥＡは、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）から構成されている。ここで、１つの電界放出素子は、
（ａ）支持体１０上に形成され、第１の方向（例えば、図３の紙面と平行な方向）に延びるストライプ状のカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０上に形成され、分離領域３１によってカソード電極１１と離間して（空間的に分離して）設けられた導体領域３２、
（ｃ）支持体１０、カソード電極１１及び導体領域３２を覆う絶縁層１２、
（ｄ）絶縁層１２上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、図３の紙面と垂直な方向）に延びるストライプ状のゲート電極１３、
（ｅ）導体領域３２とゲート電極１３との重複領域に位置するゲート電極１３の部分及び絶縁層１２の部分に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｆ）開口部１４の底部に位置する導体領域３２の部分の上に形成された電子放出部１５、
から構成されている。
【００８０】
尚、電子放出部１５は円錐形の電子放出部から構成されており、電界放出素子はスピント型電界放出素子である。以下の実施例においても同様である。
【００８１】
ここで、カソード電極１１の射影像とゲート電極１３の射影像とは直交している。即ち、第１の方向と第２の方向とは直交している。導体領域３２とストライプ状のゲート電極１３とが重複する重複領域が電子放出領域ＥＡに相当する。１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、この電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域には、かかる画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【００８２】
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９にあっては、ストライプ状のゲート電極１３の射影像の縁部（ゲート電極１３の縁部を、図２の（Ａ）及び図９の（Ａ）においては、点線で示す）は、分離領域３１の射影像の内部に位置している。また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１８にあっては、導体領域３２の射影像は、ゲート電極１３の射影像の内部に位置している。尚、ストライプ状のゲート電極１３の射影像の縁部は、分離領域３１の射影像の外部に位置していてもよく、この場合のゲート電極１３の縁部を、図２の（Ａ）及び図９の（Ａ）においては、一点鎖線で示す。
【００８３】
アノードパネルＡＰは、より具体的には、基板２０、基板２０上に形成された隔壁２１と隔壁２１との間の基板２０上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体領域２２（赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、蛍光体領域２２上に形成されたアノード電極２４を備えている。アノード電極２４は、有効領域を覆う薄い１枚のシート状であり、アノード電極制御回路５２に接続されている。アノード電極２４は、厚さ約７０ｎｍのアルミニウムから成り、隔壁２１及び蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間であって、隔壁２１と基板２０との間には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。
【００８４】
隔壁２１とスペーサ２５と蛍光体領域２２の配置状態の一例を模式的に図１３〜図１８に示す。隔壁２１の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域２２の四方を取り囲む形状（図１３、図１４、図１５、図１６参照）、あるいは、略矩形の（あるいはストライプ状の）蛍光体領域２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状（ストライプ形状）を挙げることができる（図１７及び図１８参照）。尚、図１７に示す蛍光体領域２２にあっては、蛍光体領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、図１７の上下方向に延びるストライプ状とすることもできる。隔壁２１の一部は、スペーサ２５を保持するためのスペーサ保持部２６としても機能する。
【００８５】
実施例１の表示装置において、図３に示すように、カソード電極１１はカソード電極制御回路５０に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路５１に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路５２に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１０キロボルトとすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。
【００８６】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路５０から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路５１から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路５２から印加される。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路５０から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路５１からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路５０からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路５１から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及びカソード電極１１を通じて電子放出部１５に印加される電圧によって制御される。
【００８７】
以下、実施例１のスピント型電界放出素子及び表示装置の製造方法を、カソードパネルＣＰを構成する支持体１０等の模式的な一部端面図である図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び図２０の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００８８】
このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、第１開口部１４Ａの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、第２開口部１４Ｂの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層１６を予め形成しておく方法について説明する。尚、電界放出素子の製造方法を説明するための図面においては、１つの電子放出部のみを図示した。また、後述する実施例２〜実施例１８における電界放出素子も、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２のパターニングを除き、実質的に、以下に説明する方法にて製造することができる。
【００８９】
［工程−１００］
先ず、例えばガラス基板から成る支持体１０の全面に、スパッタリング法にて第１抵抗体層４１を形成した後、第１抵抗体層４１上に、例えば、カソード電極用導電材料層（例えば、ＭｏＷ／Ａｌの積層構造）をスパッタリング法にて成膜し、次いで、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、ストライプ状のカソード電極１１、及び、分離領域３１によってカソード電極１１と離間して（空間的に分離して）設けられた導体領域３２を支持体１０上に形成する。その後、全面にスパッタリング法にて第２抵抗体層４２を形成し、更に、第２抵抗体層４２上にＳｉＯ2から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。
【００９０】
［工程−１１０］
次に、絶縁層１２上に、ゲート電極用導電材料層（例えば、ＭｏＷ／Ａｌの積層構造）をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、ストライプ状のゲート電極１３を得ることができる。ストライプ状のカソード電極１１は、図面の紙面と平行な方向に延び、ストライプ状のゲート電極１３は、図面の紙面と垂直な方向に延びている。
【００９１】
ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成することが可能である。
【００９２】
［工程−１２０］
その後、再びレジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層に第２開口部１４Ｂを形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図１９の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００９３】
［工程−１３０］
次に、支持体１０を回転させながらゲート電極１３上を含む絶縁層１２上にニッケル（Ｎｉ）を斜め真空蒸着することにより、剥離層１６を形成する（図１９の（Ｂ）参照）。このとき、支持体１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、第２開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に剥離層１６を形成することができる。剥離層１６は、第１開口部１４Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって第１開口部１４Ａが実質的に縮径される。
【００９４】
［工程−１４０］
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０度）。このとき、図２０の（Ａ）に示すように、剥離層１６上でオーバーハング形状を有する導電材料層１７が成長するに伴い、第１開口部１４Ａの実質的な直径が次第に縮小されるので、第２開口部１４Ｂの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第１開口部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第２開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５となる。
【００９５】
［工程−１５０］
その後、図２０の（Ｂ）に示すように、リフトオフ法にて剥離層１６をゲート電極１３及び絶縁層１２の表面から剥離し、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上方の導電材料層１７を選択的に除去する。次いで、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが、ゲート電極１３の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）混合液を用いることができる。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成されたカソードパネルＣＰを得ることができる。
【００９６】
［工程−１６０］
一方、蛍光体領域２２、アノード電極２４等が形成されたアノードパネルＡＰを準備する。そして、表示装置の組み立てを行う。具体的には、例えば、アノードパネルＡＰの有効領域に設けられたスペーサ保持部２６にスペーサ２５を取り付け、蛍光体領域２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、基板２０と支持体１０）とを、セラミックスやガラスから作製された枠体（図示せず）を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、枠体とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とフリットガラス（図示せず）とによって囲まれた空間を貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とに囲まれた空間を真空にすることができる。あるいは又、例えば、枠体とアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの貼り合わせを高真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみによってアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。
【００９７】
実施例１にあっては、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２を設けることで、ゲート電極１３と電子放出部１５との間に短絡が発生した場合であっても、表示装置において、係る短絡によって表示ができなくなるといった問題が生じることはない。しかも、導体領域３２の上方に電子放出部１５が設けられ、且つ、導体領域３２と電子放出部１５とを電気的に接続する第２抵抗体層４２が存在するが故に、電子放出領域ＥＡ内の輝度の不均一性の解決を図ることができる。更には、抵抗体層を第１抵抗体層４１と第２抵抗体層４２の２層から構成するが故に、カソード電極１１と導体領域３２との間を流れる電流の値、及び、各電子放出部１５を流れる電流（放出電子電流）の値を、個別に最適化することができ、特に、第１抵抗体層４１の最適化によって、電子放出領域ＥＡ間の輝度の均一化を図ることができる。以下に説明する実施例２〜実施例１８によっても、以上に説明した作用、効果を、同様に達成することができる。
【００９８】
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２、実施例３、実施例１０〜実施例１２において、第１抵抗体層４１を所謂ベタパターンとすれば、第１抵抗体層４１のパターニングは不要となり、第１抵抗体層４１を容易に形成することができる。更には、第２抵抗体層４２も所謂ベタパターンとすれば、第２抵抗体層４２のパターニングも不要であり、第２抵抗体層４２を容易に形成することができる。
【実施例２】
【００９９】
実施例２は、実施例１の変形であり、第１−１の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例２のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図５の（Ａ）あるいは図５の（Ｂ）に示す。尚、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例２のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図２の（Ｃ）と同じである。
【０１００】
実施例２、及び、後述する実施例３〜実施例９においては、実施例１と同様に、導体領域３２は、分離領域３１を介してカソード電極１１によって囲まれている。
【０１０１】
そして、実施例２にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１と同様に、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆しており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、図５の（Ａ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を覆うストライプ状の形状を有し、図５の（Ｂ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１の一部分を覆うストライプ状の形状を有する。以上の点を除き、実施例２のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例３】
【０１０２】
実施例３は、実施例１の変形であり、第１−２の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例３のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図５の（Ｃ）に示す。尚、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例３のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図５の（Ｂ）と同じである。
【０１０３】
実施例３にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１と同様に、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆している。一方、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。但し、第２抵抗体層４２は、カソード電極１１と接してはおらず、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例３のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
実施例３、あるいは、後述する実施例６、実施例９、実施例１１、実施例１２、実施例１４、実施例１５、実施例１７、実施例１８にあっては、第１抵抗体層４１の抵抗値と第２抵抗体層４２の抵抗値とを、完全に独立して設計することができるが故に、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２の設計がより容易になる。
【実施例４】
【０１０５】
実施例４も、実施例１の変形であり、第１−３の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例４のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図６の（Ａ）に示し、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例４のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図６の（Ｂ）に示す。
【０１０６】
実施例４にあっては、第１抵抗体層４１は、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に、ストライプ状に形成されている。また、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１は、第１の方向に沿って、且つ、１列の電子放出領域ＥＡにおいて連続してストライプ状に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は所謂ベタパターンを有する。以上の点を除き、実施例４のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１０７】
実施例４、あるいは、後述する実施例５〜実施例９、実施例１３〜実施例１８にあっては、カソード電極１１が相互に電気的に独立しているので、即ち、カソード電極１１を跨って第１抵抗体層４１が設けられているのではないが故に、第１抵抗体層４１の設計が容易になる。
【実施例５】
【０１０８】
実施例５は、実施例４の変形であり、第１−３の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例５のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図７の（Ａ）及び図７の（Ｂ）に示す。尚、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例５のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図６の（Ｂ）と同じである。
【０１０９】
実施例５にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例４と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に形成されており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、図７の（Ａ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を覆うストライプ状の形状を有し、図７の（Ｂ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１の一部分を覆うストライプ状の形状を有する。以上の点を除き、実施例５のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例６】
【０１１０】
実施例６も、実施例１の変形であり、第１−４の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例６のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図７の（Ｃ）に示す。尚、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例６のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図７の（Ｂ）と同じである。
【０１１１】
実施例６にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例４と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に、ストライプ状に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。但し、第２抵抗体層４２は、カソード電極１１と接してはおらず、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例６のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例７】
【０１１２】
実施例７は、実施例１の変形であり、第１−５の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例７のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図８の（Ａ）に示し、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例７のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図８の（Ｂ）に示す。
【０１１３】
実施例７にあっては、第１抵抗体層４１は、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２を囲むカソード電極１１の部分の下に形成されており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１は矩形の平面形状を有し、第１抵抗体層４１の大きさは１サブピクセルをカバーする大きさである。一方、第２抵抗体層４２は所謂ベタパターンを有する。以上の点を除き、実施例７のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例８】
【０１１４】
実施例８は、実施例７の変形であり、第１−５の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例８のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図７の（Ａ）あるいは図７の（Ｂ）と同じである。また、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例８のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図８の（Ｂ）と同じである。
【０１１５】
実施例８にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例７と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２を囲むカソード電極１１の部分の下に形成されており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、図７の（Ａ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を覆うストライプ状の形状を有し、図７の（Ｂ）に示す例においては、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１の一部分を覆うストライプ状の形状を有する。以上の点を除き、実施例８のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例９】
【０１１６】
実施例９も、実施例１の変形であり、第１−６の構造に関する。図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例９のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図８の（Ｃ）に示す。尚、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例９のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図７の（Ｂ）と同じである。
【０１１７】
実施例９にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例７と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２を囲むカソード電極１１の部分の下に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。より具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。但し、第２抵抗体層４２は、カソード電極１１と接してはおらず、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例９のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１０】
【０１１８】
実施例１０も、実施例１の変形であり、第２−１の構造に関する。実施例１０におけるカソード電極１１、分離領域３１、導体領域３２、及び、ゲート電極１３の配置を示す模式図を図９の（Ａ）に示す。また、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１０のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図９の（Ｂ）に示し、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１０のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図９の（Ｃ）に示す。
【０１１９】
実施例１〜実施例９においては、導体領域３２は、分離領域３１を介してカソード電極１１によって囲まれている。一方、実施例１０、及び、後述する実施例１１〜実施例１８においては、導体領域３２は、分離領域３１を介してストライプのカソード電極１１に沿って形成されている。このような構造を採用することによって、カソード電極１１とゲート電極１３とが短絡することを確実に防止することができる。
【０１２０】
そして、実施例１０にあっては、第１抵抗体層４１は、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆しており、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２は、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１及び第２抵抗体層４２は、所謂ベタパターンを有する。
【０１２１】
このように、導体領域３２が分離領域３１を介してストライプのカソード電極１１に沿って形成されている点を除き、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１１】
【０１２２】
実施例１１は、実施例１０の変形であり、第２−２の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１１のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１０の（Ａ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１１のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図９の（Ｃ）と同じである。
【０１２３】
実施例１１にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１０と同様に、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆しており、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、１列に配列された複数の導体領域３２を跨るように、ストライプ状に形成されている。第２抵抗体層４２はカソード電極１１と接していない。以上の点を除き、実施例１１のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１２】
【０１２４】
実施例１２は、実施例１１の変形であり、第２−２の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１２のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１０の（Ｂ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１２のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１０の（Ａ）と同じである。
【０１２５】
実施例１２にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１１と同様に、カソードパネルＣＰの有効領域を被覆しており、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。第２抵抗体層４２は、カソード電極１１とは接していない。但し、第２抵抗体層４２は、実施例１１と異なり、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例１２のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１３】
【０１２６】
実施例１３も、実施例１０の変形であり、第２−３の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１３のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１１の（Ａ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１３のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図９の（Ｃ）と同じである。
【０１２７】
実施例１３にあっては、第１抵抗体層４１は、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に、ストライプ状に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１は、第１の方向に沿って、且つ、１列の電子放出領域ＥＡにおいて連続してストライプ状に形成されている。一方、第２抵抗体層４２はカソードパネルＣＰの有効領域を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、所謂ベタパターンを有する。以上の点を除き、実施例１３のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１４】
【０１２８】
実施例１４も、実施例１０の変形であり、第２−４の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１４のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１１の（Ｂ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１４のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図９の（Ｃ）と同じである。
【０１２９】
実施例１４にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１３と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に、ストライプ状に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、１列に配列された複数の導体領域３２を跨るように、ストライプ状に形成されている。第２抵抗体層４２はカソード電極１１と接していない。以上の点を除き、実施例１４のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１５】
【０１３０】
実施例１５は、実施例１４の変形であり、第２−４の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１５のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１１の（Ｂ）と同じであり、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１５のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１０の（Ｂ）と同じである。
【０１３１】
実施例１５にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１４と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、カソード電極１１の下に、ストライプ状に形成されており、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。第２抵抗体層４２は、カソード電極１１とは接していない。但し、第２抵抗体層４２は、実施例１４と異なり、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例１５のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１６】
【０１３２】
実施例１６も、実施例１０の変形であり、第２−５の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１６のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１２の（Ａ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１６のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１１の（Ａ）と同じである。
【０１３３】
実施例１６にあっては、第１抵抗体層４１は、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２に隣接したカソード電極１１の部分の下に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、少なくとも、導体領域３２、分離領域３１、及び、カソード電極１１を被覆している。具体的には、第１抵抗体層４１は矩形の平面形状を有し、１サブピクセルをカバーする大きさである。一方、第２抵抗体層４２は、所謂ベタパターンを有する。以上の点を除き、実施例１６のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１７】
【０１３４】
実施例１７も、実施例１０の変形であり、第２−６の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１７のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１１の（Ｂ）と同じであり、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１７のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１２の（Ａ）と同じである。
【０１３５】
実施例１７にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１６と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２に隣接したカソード電極１１の部分の下に形成されている。一方、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、１列に配列された複数の導体領域３２を跨るように、ストライプ状に形成されている。第２抵抗体層４２はカソード電極１１と接していない。以上の点を除き、実施例１７のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１８】
【０１３６】
実施例１８は、実施例１７の変形であり、第２−６の構造に関する。図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１８のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図を図１２の（Ｂ）に示す。尚、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１８のカソードパネルＣＰの模式的な一部端面図は、図１１の（Ｂ）と同じである。
【０１３７】
実施例１８にあっては、第１抵抗体層４１は、実施例１７と同様に、導体領域３２の下、分離領域３１、及び、導体領域３２に隣接したカソード電極１１の部分の下に形成されており、第２抵抗体層４２は、導体領域３２を被覆している。具体的には、第２抵抗体層４２は、導体領域３２からはみ出し、分離領域３１の一部まで被覆している。第２抵抗体層４２は、カソード電極１１とは接していない。但し、第２抵抗体層４２は、実施例１７と異なり、１サブピクセルをカバーする大きさであり、矩形の平面形状を有する。以上の点を除き、実施例１８のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造は、実施例１０のカソードパネルＣＰや電界放出素子、表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１３８】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明したカソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【０１３９】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第１開口部に連通した複数の第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１４０】
電界放出素子において、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に更に層間絶縁層６２を設け、層間絶縁層６２上に収束電極６３を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を図２１に示す。層間絶縁層６２には、第１開口部１４Ａに連通した第３開口部６４が設けられている。収束電極６３の形成は、例えば、［工程−１２０］において、絶縁層１２上にストライプ状のゲート電極１３を形成した後、層間絶縁層６２を形成し、次いで、層間絶縁層６２上にパターニングされた収束電極６３を形成した後、収束電極６３、層間絶縁層６２に第３開口部６４を設け、更に、ゲート電極１３に第１開口部１４Ａを設ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることもできる。尚、図２１においては、スピント型電界放出素子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもできることは云うまでもない。
【０１４１】
本発明における冷陰極電界電子放出表示装置において、電界放出素子は如何なる形態の電界放出素子とすることもでき、例えば、実施例にて説明したように、電界放出素子を、
（１）円錐形の電子放出部が開口部の底部に位置する第２抵抗体層上に設けられたスピント型電界放出素子
とするだけでなく、電界放出素子を、
（２）略平面状の電子放出部が開口部の底部に位置する第２抵抗体層上に設けられた扁平型電界放出素子
（３）王冠状の電子放出部が開口部の底部に位置する第２抵抗体層上に設けられ、電子放出部の王冠状の部分から電子を放出するクラウン型電界放出素子
とすることもできる。
【０１４２】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、実施例にて説明したモリブデン以外にも、タングステン、タングステン合金、モリブデン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【０１４３】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソード電極を構成する代表的な材料として、タングステン（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅＶ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９ｅＶ）を例示することができる。電子放出部は、これらの材料よりも小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる材料として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４ｅＶ）、ＬａＢ6（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、ＢａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２５〜１．６ｅＶ）、Ｙ2Ｏ3（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成することが、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【０１４４】
あるいは又、扁平型電界放出素子において、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤモンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）等の化合物の中から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【０１４５】
扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。電子放出部をこれらから構成する場合、５×１０7Ｖ／ｍ以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、アモルファスダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各電子放出部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、冷陰極電界電子放出表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、冷陰極電界電子放出表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。
【０１４６】
カーボン・ナノチューブ構造体として、具体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的には、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成してもよいし、グラファイト・ナノファイバーから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとグラファイト・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成してもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、周知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ法によって製造、形成することができる。
【０１４７】
扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体や上記の各種ウィスカー（以下、これらを総称して、カーボン・ナノチューブ構造体等と呼ぶ）をバインダー材料に分散させたものを第２抵抗体層の所望の領域に例えば塗布した後、バインダー材料の焼成あるいは硬化を行う方法（より具体的には、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダー材料や水ガラス等の無機系バインダー材料にカーボン・ナノチューブ構造体等を分散したものを、第２抵抗体層の所望の領域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダー材料の焼成・硬化を行う方法）によって製造することもできる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン印刷法を例示することができる。
【０１４８】
あるいは又、扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液を第２抵抗体層上に塗布した後、金属化合物を焼成する方法によって製造することもでき、これによって、金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックスにてカーボン・ナノチューブ構造体等が第２抵抗体層の表面に固定される。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第２の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン・ナノチューブ構造体等の一部分がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナノチューブ構造体等の全体がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗率は、１×１０-9Ω・ｍ乃至５×１０-6Ω・ｍであることが望ましい。
【０１４９】
金属化合物溶液を構成する金属化合物として、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又は、金属塩（例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩）を挙げることができる。有機酸金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を酸（例えば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸）に溶解し、これを有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）で希釈したものを挙げることができる。また、有機金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）に溶解したものを例示することができる。金属化合物溶液を１００重量部としたとき、カーボン・ナノチューブ構造体等が０．００１〜２０重量部、金属化合物が０．１〜１０重量部、含まれた組成とすることが好ましい。金属化合物溶液には、分散剤や界面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよい。また、場合によっては、有機溶媒の代わりに水を溶媒として用いることもできる。
【０１５０】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液を第２抵抗体層上に塗布する方法として、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示することができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布の容易性といった観点から好ましい。
【０１５１】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液を第２抵抗体層上に塗布した後、金属化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次いで、第２抵抗体層上の金属化合物層の不要部分を除去した後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼成した後、第２抵抗体層上の不要部分を除去してもよいし、第２抵抗体層の所望の領域上にのみ金属化合物溶液を塗布してもよい。
【０１５２】
金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックス（例えば、導電性を有する金属酸化物）が形成できる温度であればよく、例えば、３００゜Ｃ以上とすることが好ましい。焼成温度の上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。
【０１５３】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理（洗浄処理）を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率の一層の向上といった観点から好ましい。このような処理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプラズマ処理を挙げることができる。
【０１５４】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部は、開口部の底部に位置する第２抵抗体層の部分の表面に形成されていればよく、開口部の底部に位置する第２抵抗体層の部分から開口部の底部以外の第２抵抗体層の部分の表面に延在するように形成されていてもよい。また、電子放出部は、開口部の底部に位置する第２抵抗体層の部分の表面の全面に形成されていても、部分的に形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】図１は、本発明の冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおけるカソード電極等の等価回路図である。
【図２】図２の（Ａ）は、実施例１におけるカソード電極、分離領域、導体領域、及び、ゲート電極の配置を示す模式図であり、図２の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図２の（Ｃ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１及び実施例２のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図３】図３は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図４】図４は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルの模式的な一部斜視図である。
【図５】図５の（Ａ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例２のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図５の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例２及び実施例３のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図５の（Ｃ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例３のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例４のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図６の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例４及び実施例５のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図７】図７の（Ａ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例５及び実施例８のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図７の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例５、実施例６、実施例８及び実施例９のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図７の（Ｃ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例６のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図８】図８の（Ａ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例７のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図８の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例７及び実施例８のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図８の（Ｃ）は、図２の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例９のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図９】図９の（Ａ）は、実施例１０におけるカソード電極、分離領域、導体領域、及び、ゲート電極の配置を示す模式図であり、図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１０のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図９の（Ｃ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１０、実施例１１、実施例１３及び実施例１４のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１１及び実施例１２のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図１０の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１２及び実施例１５のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１３及び実施例１６のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図１１の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｂ−Ｂと同様の矢印に沿った実施例１４、実施例１５、実施例１７及び実施例１８のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１６及び実施例１７のカソードパネルの模式的な一部端面図であり、図１２の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の矢印Ｃ−Ｃと同様の矢印に沿った実施例１８のカソードパネルの模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１４】図１４は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１５】図１５は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１６】図１６は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１７】図１７は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１８】図１８は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１９の（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１は、収束電極を有するスピント型冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２２は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を適用した従来の冷陰極電界電子放出表示装置の概念的な一部端面図である。
【図２３】図２３の（Ａ）は、米国特許４，９４０，９１６号に開示された冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図であり、図２３の（Ｂ）は、その等価回路図である。
【図２４】図２４の（Ａ）は、米国特許５，１９４，７８０号に開示された冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図であり、図２４の（Ｂ）は、その等価回路図である。
【図２５】図２５の（Ａ）は、特開平７−１５３３６９号に開示された冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図であり、図２５の（Ｂ）は、その等価回路図である。
【符号の説明】
【０１５６】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ，６４・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・剥離層、１７・・・導電材料層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・ブラックマトリックス、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ、２６・・・スペーサ保持部、３１・・・分離領域、３２・・・導体領域、４１・・・第１抵抗体層、４２・・・第２抵抗体層、５０・・・カソード電極制御回路、５１・・・ゲート電極制御回路、５２・・・アノード電極制御回路、６２・・・層間絶縁層、６３・・・収束電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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