(57)【要約】【課題】  高集積化が可能な半導体装置及びこの半導体装置の製造方法並びに高集積度で多様な機能を持った半導体装置を提供する。【解決手段】  複数の半導体チップ２、３を積層した構造を持つ半導体装置１であって、複数の半導体チップ２、３の間の隙間に複数のボールチップ５が挟み込まれているものである。またボールチップ５に、電子回路が形成されているものである。さらに半導体チップ２、３に曲面状の凹部４が形成され、該凹部４にボールチップ５が嵌め込まれているもの若しくは半導体チップ２、３にパット１０を設け、該パット１０にボールチップ５が嵌め込まれているものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを積層した構造を持つ半導体装置であって、
複数の半導体チップの間の隙間に複数のボールチップが挟み込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ボールチップに、電子回路が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップに曲面状の凹部が形成され、該凹部に前記ボールチップが嵌め込まれていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップがシリコンから形成されており、前記凹部がウェットエッチングによって形成されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップにパットを設け、該パットに前記ボールチップが嵌め込まれていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方に前記パットが形成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方に前記パットが形成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記パットは、銅メッキにより形成されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
１つのパットが複数の分割部から構成されていることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ボールチップの直径を変化させることにより、前記半導体チップの間の隙間の間隔が制御されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体チップにハーフパイプが形成され、該ハーフパイプに沿って前記ボールチップが移動可能となっていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項１４】
複数の半導体チップを積層した構造を持ち、複数のボールチップを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップに曲面状の凹部を複数形成する工程と、前記凹部にボールチップを嵌め込む工程と、前記ボールチップの搭載された半導体チップに別の半導体チップを積層して半導体チップの間の隙間に前記ボールチップを挟み込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
複数の半導体チップを積層した構造を持ち、複数のボールチップを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップにパットを複数形成する工程と、前記パットにボールチップを嵌め込む工程と、前記ボールチップの搭載された半導体チップに別の半導体チップを積層して半導体チップの間の隙間に前記ボールチップを挟み込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に高集積化が可能で、多様な機能を持った半導体装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の球状半導体装置では、表面に１つ以上の電極を有する球状半導体素子の電極部分に複数の球状バンプを形成するようにして、外部との電気的接続を容易かつ的確に行えるようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また従来の粒状半導体装置では、複数の入出力接続窓を設けた粒状半導体装置を、フレキシブルプリント基板によってプリント回路基板に取付けることにより、入出力接続窓等の各接続部に生じるストレスをフレキシブルプリント基板の弛みで緩和して、入出力接続窓等の接続部分の信頼性を向上させていた（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
さらに従来の半導体装置では、容器状の絶縁樹脂の内部に球状半導体素子を入れ、微細接続用端子を球状半導体素子に接続して基板や他の部品に接続することにより、接続信頼性を向上させていた（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１１８９号公報（図１、図２）
【特許文献２】特開２００１−２３０２７１号公報（図１、図５）
【特許文献３】特開２００２−２２２８３７号公報（図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来の球状半導体装置では（例えば、特許文献１参照）、平板状の回路基板等に球状半導体素子を球状バンプを介して載せるため、無駄な隙間が多くなり半導体装置全体として集積度を上げることが困難であるという問題点があった。また球状バンプには回路が形成されておらず、高集積化に寄与していないという問題点もあった。
【０００６】
また従来の粒状半導体装置などでも（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）、半導体装置の接続信頼性を向上させることはできるものの、半導体装置全体の高集積化を図ることは困難であるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、高集積化が可能な半導体装置及びこの半導体装置の製造方法並びに高集積度で多様な機能を持った半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、複数の半導体チップを積層した構造を持つ半導体装置であって、複数の半導体チップの間の隙間に複数のボールチップが挟み込まれているものである。
従来の３次元的な積層構造を持った半導体装置では、半導体チップに形成された貫通電極（ビアホール）を、接続端子を介して接続するようになっており、半導体チップの間に接続端子分の隙間がある。この隙間に複数のボールチップを挟み込むことにより、高集積化を実現することができる。
【０００９】
また本発明に係る半導体装置は、上記のボールチップに、電子回路が形成されているものである。
半導体チップの間の隙間に挟み込むボールチップ自体に電子回路が形成されているため、より集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【００１０】
また本発明に係る半導体装置は、半導体チップに曲面状の凹部が形成され、該凹部にボールチップが嵌め込まれているものである。
半導体チップに曲面状の凹部が形成され、該凹部にボールチップが嵌め込まれているため、ボールチップが安定した状態で半導体チップの間の隙間に挟み込まれ、接続信頼性が向上する。
【００１１】
また本発明に係る半導体装置は、上記の複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方に凹部が形成されているものである。
特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方に凹部が形成されているため、ボールチップがさらに安定し、接続信頼性が向上する。
【００１２】
また本発明に係る半導体装置は、上記の複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方に凹部が形成されているものである。
特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方に凹部が形成されているため、ボールチップが安定し、また製造工程が容易となる。
【００１３】
また本発明に係る半導体装置は、半導体チップがシリコンから形成されており、凹部がウェットエッチングによって形成されているものである。
シリコンからなる半導体チップをウェットエッチングによって加工すれば、容易に凹部を形成することができる。
【００１４】
また本発明に係る半導体装置は、半導体チップにパットを設け、該パットにボールチップが嵌め込まれているものである。
半導体チップにパットを設け、該パットにボールチップが嵌め込まれているため、ボールチップが安定した状態で半導体チップの間の隙間に挟み込まれ、接続信頼性が向上する。
【００１５】
また本発明に係る半導体装置は、上記の複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方にパットが形成されているものである。
特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップの両方に凹部が形成されているため、ボールチップがさらに安定し、接続信頼性が向上する。
【００１６】
また本発明に係る半導体装置は、上記の複数のボールチップのうち、特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方にパットが形成されているものである。
特定のボールチップを挟む２枚の半導体チップのどちらか一方に凹部が形成されているため、ボールチップが安定し、また製造工程が容易となる。
【００１７】
また本発明に係る半導体装置は、上記のパットが、銅メッキにより形成されているものである。
パットを銅メッキで形成することにより、半導体チップに導電性のパットを容易に形成することができる。
【００１８】
また本発明に係る半導体装置は、１つのパットが複数の分割部から構成されているものである。
１つのパットが複数の分割部から構成されているため、例えば分割部ごとに配線を設けることにより、複数の入出力端子との接続が可能となる。
【００１９】
また本発明に係る半導体装置は、上記のボールチップの直径を変化させることにより、半導体チップの間の隙間の間隔が制御されるものである。
ボールチップの直径を変化させることにより、半導体チップの間の隙間の間隔が制御されるため、例えば、半導体チップの接続端子同士が直接接触するのを防止することができる。
【００２０】
また本発明に係る半導体装置は、半導体チップにハーフパイプが形成され、該ハーフパイプに沿ってボールチップが移動可能となっているものである。
ハーフパイプに沿ってボールチップが移動可能となっているため、例えばボールチップが接続端子等に接触したときにスイッチングされるようにすれば、衝突センサや傾きセンサとして利用することができる。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを積層した構造を持ち、複数のボールチップを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップに曲面状の凹部を複数形成する工程と、凹部にボールチップを嵌め込む工程と、ボールチップの搭載された半導体チップに別の半導体チップを積層して半導体チップの間の隙間にボールチップを挟み込む工程とを有するものである。
半導体チップに凹部を形成し、ボールチップを凹部に嵌め込んで、別の半導体チップを積層して半導体チップの隙間にボールチップを挟み込むため、高集積化を実現することができ、接続信頼性も向上させることができる。
【００２２】
また本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを積層した構造を持ち、複数のボールチップを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップにパットを複数形成する工程と、パットにボールチップを嵌め込む工程と、ボールチップの搭載された半導体チップに別の半導体チップを積層して半導体チップの間の隙間にボールチップを挟み込む工程とを有するものである。
半導体チップにパットを形成し、ボールチップをパットに嵌め込んで、別の半導体チップを積層して半導体チップの隙間にボールチップを挟み込むため、高集積化を実現することができ、接続信頼性も向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
実施形態１．
図１は、本発明の実施形態１に係る半導体装置を示した縦断面模式図である。なお図１では、半導体装置の構成要素である半導体チップが２枚のものを示しているが、半導体チップを３枚以上有する半導体装置にも同様に適用できるものである。また本実施形態１に係る半導体装置は、２枚の半導体チップの間の隙間に複数のボールチップが挟み込まれた構造となっている。
【００２４】
本実施形態１に係る半導体装置１は、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３を積層した構造となっている。ここで第１の半導体チップ２の、第２の半導体チップ３に対向する側の面には複数の曲面状の凹部４が形成されており、この凹部４に球状のボールチップ５が嵌め込まれている。ボールチップ５は、例えばシリコンからなり、その表面や内部に不純物拡散等によってトランジスタなどの電子回路が形成されている。またボールチップ５の直径は、凹部４の深さよりも大きくなっており、少なくとも凹部４からボールチップ５の一部が出るようになっている。
【００２５】
なおボールチップ５は完全な球形である必要はなく、碁石状や楕円球状であってもよい。また本実施形態１では、ボールチップ５に電子回路を形成するようにしているが、例えばボールチップ５を金属等で作成して、単なる接続端子として使用してもよい。
【００２６】
第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３は、接続端子６によって電気的に接続されている。なおこの接続端子６を形成するときは、第１の半導体チップ２側に形成しても第２の半導体チップ３側に形成してもよく、また第１の半導体チップ２側と第２の半導体チップ３側の両方に形成して、接続端子６同士をハンダ付けするようにしてもよい。この接続端子６は、例えば第１の半導体チップ２及び第２の半導体チップ３に形成されているビアホール（電気的導電性を持った貫通穴、図１において図示せず）と電気的に接続されており、第１の半導体チップ２に形成されている電子回路と第２の半導体チップ３に形成されている電子回路を導通するようになっている。
【００２７】
本実施形態１に係る半導体装置１は、第１の半導体チップ２に凹部４が形成されている点と、ボールチップ５が凹部４に嵌め込まれて第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３の間の隙間に挟み込まれている点が、従来の一般的な積層構造を持つ半導体装置と異なっている。また以下に示すように、ボールチップ５と第１の半導体チップ２や第２の半導体チップ３の電子回路を導通する配線（図１において図示せず）を設ける点も異なっている。
【００２８】
図２は、図１に示す半導体装置１の分解斜視模式図である。なお図２では、ボールチップ５を除いた状態を示している。また図２では、接続端子６が第１の半導体チップ２側に形成されている。
図２に示すように本実施形態１に係る半導体装置１は、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３を構成要素とし、第１の半導体チップ２の第２の半導体チップ３と対向する側の面には、複数の曲面状の凹部４が設けられている。またこの面には、複数の接続端子６が設けられており、上述のように第１の半導体チップ２及び第２の半導体チップ３のビアホール（図２において図示せず）と電気的に接続されている。
【００２９】
本実施形態１に係る半導体装置１は、図２に示す凹部４に図１に示すボールチップ５が嵌め込まれる。また凹部４にボールチップ５が嵌め込まれた第１の半導体チップ２に、第２の半導体チップ３が積層されることにより、第１の半導体チップ２及び第２の半導体チップ３の間の隙間に複数のボールチップ５が挟み込まれる。
なお図１及び図２には図示していないが、第１の半導体チップ２の凹部４が形成されている面には配線が形成されており、ボールチップ５と接続端子６を電気的に接続したり、ボールチップ５と半導体装置１の外部の機器と導通できるようになっている。この配線は、１つのボールチップ５に対して複数形成することもでき、これにより電子回路の形成されたボールチップ５に多くの機能を持たせることができる。
【００３０】
本実施形態１に係る半導体装置１では、第１の半導体チップ２の電子回路が形成されている面（いわゆる能動面）がボールチップ５と反対側の面（図２において下面）で、第２の半導体チップ３の能動面がボールチップ５と反対側の面（図２において上面）とするが、例えば第１の半導体チップ２の能動面をボールチップ５側の面（図２において上面）にするようにしてもよい。なお、配線によりボールチップ５と接続端子６が電気的に接続されている場合には、ボールチップ５の電子回路、第１の半導体チップ２の電子回路及び第２の半導体チップ３の電子回路は互いに電気的に接続されることとなる。
【００３１】
図３は、第１の半導体チップ２の凹部４の部分を示した拡大図である。なお図３（ａ）は凹部４の拡大縦断面図であり、図３（ｂ）は凹部４の拡大上面図である。また図３では、ボールチップ５を除いた状態を示している。
図３に示すように半導体チップ２には銅等からなる配線７が形成されており、その一部は凹部４の内部まで延びている。なお図３では、１つの凹部４に４つの配線が形成される例を示しているが、この配線の数は異なっていてもよい。また配線７は、ボールチップ５と電気的に接続されるような条件であれば、必ずしも凹部４の内部まで設ける必要はない。この配線７の他端（図３において図示せず）は、例えば接続端子６と接続されるようになっている。
このように凹部４の部分に配線７を形成することにより、ボールチップ５と接続端子６等を電気的に接続することができる。なおボールチップ５は、凹部４にハンダ付け等により固定してもよい。
【００３２】
本実施形態１では、複数の半導体チップの間の隙間に電子回路の形成されたボールチップ５が挟み込まれているため、従来の３次元的な積層構造を持った半導体装置において接続端子６分の隙間があった部分を有効利用することができ、高集積化を実現することができる。
また第１の半導体チップ２に曲面状の凹部４が形成され、該凹部４にボールチップ５が嵌め込まれているため、ボールチップ５が安定した状態で第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ２の間の隙間に挟み込まれ、接続信頼性が向上する。
【００３３】
本実施形態１では、凹部４を第１の半導体チップ２のみに形成した例を示したが、第２の半導体チップ３のボールチップ５側の面（図２において下面）にも同様に凹部を形成して、ボールチップ５を２つの凹部に嵌め込むようにしてもよい。このようにすることにより、ボールチップ５がさらに安定し、接続信頼性が向上する。
なお凹部４や第２の半導体チップ３に形成する凹部は、第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ３がシリコンからなる場合には、エッチングマスク等を使用したウェットエッチングにより形成することができる。例えば、等方性ウェットエッチングによってシリコンを加工すれば、容易に曲面状の凹部４等を形成することができる。
【００３４】
実施形態２．
図４は、本発明の実施形態２に係る半導体装置のボールチップの周辺部を示した縦断面模式図である。なお本実施形態２に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２に凹部４の代わりにパット１０が形成されている点を除いて、実施形態１に係る半導体装置１と同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。また図４では、半導体装置の構成要素である半導体チップが２枚のものを示しているが、実施形態１と同様に、半導体チップを３枚以上有する半導体装置にも同様に適用できるものである。
【００３５】
本実施形態２に係る半導体装置１には、実施形態１の凹部４の代わりに、第１の半導体チップ２に導電性のパット１０が形成されており、ボールチップ５はパット１０に嵌め込まれた状態となっている。このパット１０は、例えば銅メッキにより形成されており、ボールチップ５は、実施形態１と同様に第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の隙間に挟み込まれている。またパット１０には配線７が接続されており、接続端子６（図４において図示せず）等とボールチップ５を電気的に接続するようになっている。
【００３６】
図５は、実施形態２に係る半導体装置の他の例を示した模式図である。なお図５（ａ）はボールチップ５の周辺部を示した縦断面模式図であり、図５（ｂ）はボールチップ５の周辺部を示した上面図である。また図５では、第２の半導体チップ３を除いた状態を示している。
【００３７】
図５に示す半導体装置では、１つのパット１０が４つの分割部１０ａから形成されており、それぞれの分割部１０に配線７が接続されている。これにより実施形態１の図３に示すものと同様に、電子回路の形成されたボールチップ５に多くの機能を持たせることができる。
【００３８】
本実施形態２では、第１の半導体チップ２にパット１０が形成され、該パット１０にボールチップ５が嵌め込まれているため、ボールチップ５が安定した状態で第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ２の間の隙間に挟み込まれ、接続信頼性が向上する。
なおその他の効果については、実施形態１の半導体装置１と同様である。
【００３９】
本実施形態２では、パット１０を第１の半導体チップ２のみに形成した例を示したが、第２の半導体チップ３のボールチップ５側の面（図２において下面）にも同様にパットを形成して、ボールチップ５を２つのパット１０に嵌め込むようにしてもよい。このようにすることにより、ボールチップ５がさらに安定し、接続信頼性が向上する。
また実施形態１及び実施形態２において、ボールチップ５の直径を変化させることにより、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３の間の隙間の間隔を制御することもできる。これは例えば図２において、ボールチップ５の直径を大きめにして、接続端子６が第２の半導体チップ３に直接接触しないようにすることで、接続端子６と第２の半導体チップ３をハンダ付けする際にハンダが垂れるのを防止するような場合に有効である。
【００４０】
実施形態３．
図６は、本発明の実施形態３に係る半導体装置を示した分解斜視模式図である。なお本実施形態３に係る半導体装置は、実施形態１の図１及び図２に示す半導体装置１の凹部４の代わりに、第１の半導体チップ２にハーフパイプ１２が形成されている点を除いて、実施形態１に係る半導体装置１とほぼ同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００４１】
本実施形態３に係る半導体装置１は、第１の半導体チップ２の、第２の半導体チップ３に対向する面に細長い溝状のハーフパイプ１２が設けられている。ボールチップ５は、ハーフパイプ１２に嵌め込まれて、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３の間の隙間に挟み込まれている。そしてボールチップ５は、例えば半導体装置１に衝撃が加わったり傾いたりしたときに、ハーフパイプ１２の長手方向に沿って移動可能となっている。なおボールチップ５は、ハーフパイプ１２に沿って移動する際に転がるようにしてもよいし、滑るようにしてもよい。またボールチップ５には、電子回路を形成してもよいし、形成しないようにしてもよい。
【００４２】
図７は、本実施形態３の半導体装置１の機能を説明するための縦断面模式図である。なお図７では、１つの接続端子６の周辺部のみを示している。
例えば、半導体装置１に衝撃が加わる事等により、ボールチップ５がハーフパイプ１２に沿って移動し、１つの接続端子６に接触する。するとこの接続端子６に流れていた電流がボールチップ５に分流し、例えばハーフパイプ１２の内部に形成された電極（図７において図示せず）に流れる。この分流された電流を検知することにより、本実施形態３の半導体装置１を衝突センサや傾きセンサとして利用することができる。
【００４３】
なお本実施形態３においても、実施形態１及び実施形態２と同様に、第１の半導体チップ２だけでなく第２の半導体チップ３にもハーフパイプを形成して、ボールチップ５が２つのハーフパイプに嵌め込まれるようにしてもよい。
【００４４】
実施形態４．
図８及び図９は、本発明の実施形態４に係る半導体装置の製造工程を示す斜視模式図である。なお本実施形態４では、例として実施形態１に係る半導体装置１を製造する工程を説明する。
まず、例えば表面を鏡面研磨したシリコンウェハ２ａを準備し、シリコンウェハ２ａの一方の面に不純物拡散等により電子回路を形成する（図８（ａ））。なお本実施形態４では、電子回路の形成される面は凹部４の形成される面と反対側の面（図８（ａ）において下面）である。そして、このシリコンウェハ２ａにビアホールとなる貫通穴１５を形成する（図８（ｂ））。なお貫通穴１５は、例えばエッチングマスクを利用した異方性ウェットエッチングによって形成することができる。その後、貫通穴１５内にメッキ等により金属を充填し、ビアホールを形成する。
【００４５】
それから、シリコンウェハ２ａの凹部４の形成される面（電子回路の形成されていない面）を研削等してシリコンウェハ２ａを薄板化することにより、貫通穴１５内に充填された金属の一部を露出させて接続端子６とする。そして、シリコンウェハ２ａの同じ面に、複数の凹部４を形成する（図９（ｃ））。なお凹部４は、例えばエッチングマスクを利用した等方性ウェットエッチングによって形成することができる。
次に、シリコンウェハ２ａに実施形態１の図３に示すような配線（図９（ｃ）において図示せず）を形成する。
【００４６】
それから、図９（ｃ）までの工程が終わったシリコンウェハ２ａを、ダイシングにより個片に分割して第１の半導体チップ２を形成する（図９（ｄ））。
その後、マウント装置２０を用いて不純物拡散等により電子回路の形成されたボールチップ５を第１の半導体チップ２の凹部４に嵌め込む（図９（ｅ））。なおこのとき、ボールチップ５をハンダ付け等により凹部４に固定するようにしてもよい。
【００４７】
最後に、不純物拡散等により電子回路の形成された第２の半導体チップを、図９（ｅ）までの工程の終わった第１の半導体チップ２に積層装置２１によって積層して、実施形態１の図１及び図２に示す半導体装置１が完成する（図９（ｆ））。このとき、例えば接続端子６と第２の半導体チップ３をハンダ付けするようにする。またボールチップ５と第２の半導体チップ３もハンダ付けするようにしてもよい。
【００４８】
本実施形態４では、第１の半導体チップ２となるシリコンウェハ２ａに凹部４を形成し、ボールチップ５を凹部４に嵌め込んで、第２の半導体チップ３を積層して２枚の半導体チップの隙間にボールチップ５を挟み込むため、高集積化を実現することができ、接続信頼性も向上させることができる。
【００４９】
なお実施形態２に示す半導体装置１を製造する場合には、図９（ｃ）の工程においてウェットエッチングによって凹部４を形成する代わりに、銅メッキによってパット１０を形成するようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体装置を示した縦断面模式図。
【図２】図１に示す半導体装置の分解斜視模式図。
【図３】第１の半導体チップの凹部の部分を示した拡大図。
【図４】実施形態２に係る半導体装置のボールチップの周辺部を示した縦断面模式図。
【図５】実施形態２に係る半導体装置の他の例を示した模式図。
【図６】本発明の実施形態３に係る半導体装置を示した分解斜視模式図。
【図７】本実施形態３の半導体装置の機能を説明するための縦断面模式図。
【図８】本発明の実施形態４に係る半導体装置の製造工程を示す斜視模式図。
【図９】図８の続きの製造工程を示す斜視模式図。
【符号の説明】
【００５１】
１  半導体装置、２  第１の半導体チップ、３  第２の半導体チップ、４  凹部、５  ボールチップ、６  接続端子、７  配線、１０  パット、１２  ハーフパイプ、１５  貫通穴、２０  マウント装置、２１  積層装置。
【図１】
2005340660.tif 000003
【図２】
2005340660.tif 000004
【図３】
2005340660.tif 000005
【図４】
2005340660.tif 000006
【図５】
2005340660.tif 000007
【図６】
2005340660.tif 000008
【図７】
2005340660.tif 000009
【図８】
2005340660.tif 000010
【図９】
2005340660.tif 000011