(57)【要約】【課題】水平駆動回路と垂直駆動回路が既に形成されている場合にも、特定領域にのみ逆バイアス電圧を印加し、滅点ピクセルの修復を可能とする。【解決手段】発光装置を、陽極と、陰極と、陽極および陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、一方の信号端子が信号線に接続される修復用スイッチング素子と、修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線とで構成する。【選択図】図２
2005340149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、前記発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置の修復方法であって、
前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の前記陽極と前記陰極との間に逆バイアス電圧を印加する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域は、特定の走査ラインである
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域は、特定の走査ライン上の部分領域である
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域は、特定の発光色である
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域は、特定のサブピクセルである
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域は、特定のピクセルである
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項７】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記特定領域に印加する修復信号の電位を任意に可変する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項８】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記逆バイアス電圧を交流的に印加する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置の修復方法において、
前記逆バイアス電圧を１００〜６００〔Hz〕で印加する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の発光装置の修復方法において、
前記逆バイアス電圧の印加に際し、前記特定領域の温度を３５℃〜７５℃に加温する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置の修復方法において、
前記逆バイアス電圧を交流的に印加する
ことを特徴とする発光装置の修復方法。
【請求項１２】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、前記発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置の作成方法であって、
前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の前記陽極と前記陰極との間に逆バイアス電圧を印加する
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１３】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、
前記駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、
前記発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、
前記発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、
一方の信号端子が前記信号線に接続される修復用スイッチング素子と、
前記修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、
前記修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、
前記駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、
前記有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線と
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、
前記駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、
前記発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、
前記発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、
一方の信号端子が前記信号線に接続される修復用スイッチング素子と、
前記修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、
前記修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、
前記駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、
前記有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線と
を有する発光装置の修復時、
前記選択線に選択信号を供給し、
前記選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、
前記電源供給線と前記陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を供給する
ことを特徴とする発光装置の修復装置。
【請求項１５】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、
前記駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、
前記発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、
前記発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、
一方の信号端子が前記信号線に接続される修復用スイッチング素子と、
前記修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、
前記修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、
前記駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、
前記有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線と
を有する発光装置の作成時、前記陰極を形成した後、
前記選択線に選択信号を供給し、
前記選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、
前記電源供給線と前記陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を供給する
ことを特徴とする発光装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
１つの発明は、有機発光素子を含む発光装置に関する。また１つの発明は、発光装置の修復方法に関する。また１つの発明は、発光装置の製造方法に関する。また１つの発明は、発光装置の修復装置に関する。また１つの発明は、発光装置の製造装置に関する。
【０００２】
ここで、発光装置は、基板上に形成された有機発光素子を基板と保護部材との間に封入した有機発光ディスプレイの他、有機発光ディスプレイを表示デバイスに使用する電子機器を総称する。
【背景技術】
【０００３】
有機ＥＬ（electro
luminescence）ディスプレイの駆動方式には、アクティブ・マトリックス駆動方式と単純マトリクス駆動方式がある。
アクティブ・マトリックス駆動方式は、マトリクス状に配列されたピクセルの点灯と消灯を、各ピクセルに対応するスイッチング素子で制御する方式をいう。
一方、単純マトリクス駆動方式は、マトリクス状に配列されたピクセルの点灯と消灯を、選択線と信号線の交点部分に印加される電圧で制御する方式をいう。
【０００４】
このため、アクティブ・マトリックス駆動方式の有機ＥＬディスプレイは、各ピクセルを、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの一方の信号端子に接続される陽極と、陽極上に形成される有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の上面に形成される陰極とで構成される。
【０００５】
ここで、陽極と、陰極と、これらで挟まれた有機ＥＬ層（有機化合物層）とで有機ＥＬ素子が構成される。なお、薄膜トランジスタの他方の信号端子は信号線と接続され、制御端子は選択線に接続される。
【０００６】
一方、単純マトリックス駆動方式の有機発光ディスプレイは、各ピクセルを、信号線と選択線で挟まれた有機ＥＬ層で構成する。この場合、スイッチング素子としての薄膜トランジスタは、信号線と選択線のそれぞれに配置される。
【０００７】
なお、１つのピクセルが、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３つのサブピクセル、又は、これらに（白）を加えた４つのサブピクセルで構成される場合、前述した各ピクセルの構成は、各単色色に対応するサブピクセルについて適用される。以下、特に断らない限り、最小表示単位をピクセルとして説明する。
【０００８】
ところで、多数のピクセルを形成する過程では、微小なパーティクルその他により、薄い有機ＥＬ層にピンホール等が形成されることがある。
ピンホール等により、有機ＥＬ層を挟む２つの層（陽極と陰極）の間に電気的なショート回路が形成されると、有機ＥＬ層に流れるべき電流の全部又はその一部がショート回路に流れてしまう。
【０００９】
この結果、有機ＥＬ層が発光しない又は暗くなる現象が発生する。この現象が発生したピクセルを、滅点ピクセルと呼ぶ。
例えば、有機ＥＬ層の膜厚が数ｎｍ〜数１０ｎｍと非常に薄い場合（例えば、上面発光型の有機ＥＬディスプレイの場合）、１μｍ程度の異物もその影響が非常に大きくなる。
【００１０】
因みに、滅点ピクセルに対する対策としては、欠陥部分に逆バイアス電圧を印加して電流を流し、その電流によって生じる発熱現象により、欠陥部分を高抵抗化または絶縁化する技術が特許文献１に提案されている。
【特許文献１】特開２００３−５１３８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１に、特許文献１に開示されたピクセル部分の回路構成を示す。各ピクセルは、スイッチング用ＴＦＴ１と、駆動用ＴＦＴ２と、有機発光素子３と、コンデンサ４で構成されている。
【００１２】
ここで、スイッチング用ＴＦＴ１のゲート電極は、ゲート信号線Ｇｉに接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１のソース領域はソース信号線Ｓｉに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ２のゲート電極に接続されている。
【００１３】
また、駆動用ＴＦＴ２のソース領域は電源供給線Ｖｉに、ドレイン領域は有機発光素子３の一方の電極に接続されている。なお、有機発光素子３の他方の電極は対向電源５に接続されている。またコンデンサ４は、電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとに接続されるように形成されている。
【００１４】
通常動作時における電位関係は、電源供給線Ｖｉの方が対向電源５よりも高く設定される。
一方、修復時における電位関係は、その反対に、対向電源５の方が電源供給線Ｖｉよりも高く設定される。この電位関係が逆バイアスである。逆バイアスが印加された状態で、駆動用ＴＦＴ２をオン状態に制御することにより、有機発光素子３に寄生するショート回路に逆バイアス電流を流すことができる。
【００１５】
ところが、特許文献１に開示された修復技術は、限られた構造の有機ＥＬディスプレイにしか適用することができない。すなわち、ピクセルと同じ基体上に水平駆動回路や垂直駆動回路が形成されている場合には、十分な効果を発揮することができない。
【００１６】
これは、水平駆動回路や垂直駆動回路が形成されている場合、特定位置のピクセルだけを、継続的にオン状態に制御できないためである。すなわち、水平駆動回路や垂直駆動回路は、駆動パルスをスキャンする構造となっており、特定位置だけに駆動パルスを印加し続けることができないためである。
【００１７】
一方、特許文献１は、修復期間中、修復対象とするピクセルに対応するソース信号線Ｓｉとゲート信号線Ｇｉに駆動パルスを常時印加し、スイッチング用ＴＦＴ１と駆動用ＴＦＴ２を継続的にオン状態に維持することを前提とする。
【００１８】
加えて、特許文献１に示す回路構成では、逆バイアス電流を流すために、スイッチング用ＴＦＴ１と駆動用ＴＦＴ２が同時にオンすることを必要とする。
しかし、水平駆動回路と垂直駆動回路で駆動されるスイッチング用ＴＦＴ１は、前述の通り継続的にオン状態に制御することはできない。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者は、かかる認識に基づき、以下の修復技術を提案する。
すなわち、有機発光素子とその駆動回路と、有機発光素子に対応する発光用スイッチング素子と、発光用スイッチング素子に信号データを供給する水平駆動回路とを同一基体上に有する発光装置について、前記水平駆動回路を停止させた状態のまま、特定領域内の発光用スイッチング素子にのみ修復信号を印加すると共に、当該発光用スイッチング素子に対応する有機発光素子の陽極と陰極との間に逆バイアス電圧を印加する技術を提案する。
【００２０】
このため、発光装置に次の構成を設ける。
すなわち、(a) 陽極と、陰極と、陽極および陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子と、(b)
有機発光素子の陽極に一方の信号端子が接続される駆動用能動素子と、(c) 駆動用能動素子の制御端子に一方の信号端子が接続される発光用スイッチング素子と、(d) 発光用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される信号線と、(e)
発光用スイッチング素子の制御端子に接続される選択線と、(f) 一方の信号端子が信号線に接続される修復用スイッチング素子と、(g) 修復用スイッチング素子の他方の信号端子に接続される修復用信号線と、(h)
修復用スイッチング素子の制御端子に接続される修復素子選択線と、(i) 駆動用能動素子の一方の信号端子に接続される電源供給線と、(j)
有機発光素子の陰極に接続される陰極電圧供給線とを有する発光装置を提案する。
【００２１】
また、その修復装置又は製造装置として、陰極の形成後、(a) 選択線に選択信号を供給し、（b） 選択信号に同期して、修復対象とする有機発光素子に対応する修復素子選択線に対してのみ選択パルスを供給し、(c)
修復対象とする有機発光素子に対応する修復用信号線に修復信号を供給し、(d) 電源供給線と陰極電圧供給線との間に、逆バイアス電圧を供給するものを提案する。
【００２２】
すなわち、修復又は製造動作の際、修復用信号線、修復用スイッチング素子及び信号線を順に経由して特定の有機発光素子に修復信号（逆バイアス電圧）を印加する修復装置又は製造装置を提案する。ここで、修復信号の印加は、修復用スイッチング素子が閉制御されている間継続される。
ところで、この修復装置又は製造装置の場合、修復又は製造動作の際に水平駆動回路を動作させる必要がない。従って、水平駆動回路が有機発光素子と同一の基体上に形成されている場合でも、１つ又は複数の特定の有機発光素子に修復信号を継続的に印加することが可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
かかる技術の採用により、発光装置を構成する有機発光素子のうちの特定領域のみを選択的に修復することができる。すなわち、有機化合物層の微小な欠陥を原因とする滅点ピクセルを正常に発光させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、発明に係る発光装置の実施形態例を説明する。なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００２５】
（１）ディスプレイパネルの構成
図２に、有機ＥＬディスプレイのシステム構成を概念的に示す。図２では、最小発光単位に対応する回路をピクセル回路１１として表す。なお、カラー表示用の有機ＥＬディスプレイのように、１つのピクセルが複数のサブピクセルで構成される場合には、ピクセル回路１１をサブピクセル回路と読み替えるものとする。
【００２６】
この実施形態の場合、ピクセル回路１１は、基体となるガラス基板上に形成される。ピクセル回路１１は、有機ＥＬディスプレイの解像度に応じ、発光領域内にマトリクス状に配置される。ピクセル回路１１の構成は後述する。
【００２７】
基体上には、ピクセル回路１１の他、通常動作用の配線パターンおよび駆動回路と、修復用の配線パターンおよび制御回路とが形成される。これらのパターンおよび回路は、例えば低温ポリシリコンプロセスを用いて形成される。
【００２８】
図２のうち既存の構成部分は、選択線１３と、信号線１５と、水平駆動回路１７と、垂直駆動回路１９の部分である。ここで、選択線１３は、マトリクス状に配列された複数のピクセル回路１１を行単位で選択するのに用いられる。各行は、走査ラインに対応する。選択線１３は、一般に、水平方向に延長するように形成される。
【００２９】
信号線１５は、選択線１３で選択されたピクセル回路１１に信号データを供給するのに用いられる。信号線１５は、選択線１３と直交するように形成される。信号線１５は、一般に、垂直方向に延長するように形成される。
【００３０】
水平駆動回路１７は、信号線１５に供給する信号データを発生するのに用いられる。水平駆動回路１７は、通常動作時に使用される。
この水平駆動回路１７は、カラー表示を行う場合、有機ＥＬディスプレイパネルを構成する発光色の配列に応じた信号データの並び替えを行う。すなわち、水平駆動回路１７は、ピクセルを構成するサブピクセルの配列に応じて信号データの並び替えを行う。
【００３１】
なお、水平駆動回路１７には、デジタル映像信号に対応するアナログ電圧信号が入力される。このアナログ電圧信号は、不図示の信号ドライバ回路から入力される。アナログ電圧信号は、信号ドライバ回路のデジタル／アナログ変換処理によって生成される。
【００３２】
垂直駆動回路１９は、選択線１３に供給する選択信号を発生するのに用いられる。垂直駆動回路１９は、通常動作時だけでなく、修復動作時にも使用される。
【００３３】
図２のうち修復用の構成部分は、電源供給線２１と、陰極電圧供給線２３と、修復素子選択回路２５、修復素子選択線２７と、修復用信号線２９の部分である。
ここで、電源供給線２１は、有機ＥＬ素子の陽極側に接続される。電源供給線２１を通じて供給される電圧を電源電圧Ｖｃｃという。一方、陰極電圧供給線２３は、有機ＥＬ素子の陰極側に接続される。陰極電圧供給線２３を通じて供給される電圧を陰極線電圧Ｖcat という。
【００３４】
因みに、電源電圧Ｖｃｃと陰極線電圧Ｖcat はそれぞれ、外部電圧源から供給される。電源供給線２１と陰極電圧供給線２３を通じて、通常動作または修復動作に必要なバイアス電圧が供給される。
【００３５】
すなわち、通常動作時には、これら供給線を通じて順バイアス電圧（Ｖcc＞Ｖcat ）が供給される。一方、修復動作時には、これら供給線を通じて逆バイアス電圧（Ｖcc＜Ｖcat ）が供給される。
【００３６】
修復素子選択回路２５は、修復動作の際、複数の信号線１５のうち修復領域に対応する信号線１５に修復用の信号データ（修復信号）を供給するのに用いられる。
修復素子選択回路２５は、各信号線１５に対応する複数のスイッチ２５Ａでなる。スイッチ２５Ａには、薄膜トランジスタを使用する。
【００３７】
修復動作時、修復素子選択回路２５は、修復領域に対応する信号線１５のスイッチ２５Ａを閉じ、信号線１５と修復用信号線２９を接続する。なお、修復素子選択回路２５は、非修復領域に対応する信号線１５のスイッチ２５Ａを開き、信号線１５と修復用信号線２９を非接続の状態にする。
【００３８】
これに対し、通常動作時、修復素子選択回路２５は、全てのスイッチ２５Ａを開き、信号線１５と修復用信号線２９を非接続の状態にする。
【００３９】
なお、スイッチ２５Ａが開くことにより、信号線１５の修復素子選択回路２５側の端部がハイインピーダンスとなる。この結果、水平駆動回路１７から信号線１５に印加された電圧がピクセル回路１１に供給される。
【００４０】
この実施例では、修復素子選択回路２５を構成する個々のスイッチ２５Ａの開閉制御は、修復素子選択線２７を通じて供給される選択信号により実現する。図２は、１本の修復素子選択線２７で全てのスイッチ２５Ａを制御する場合について表している。
【００４１】
もっとも、図３に示すように、修復素子選択線２７を個々の信号線１５に対して１対１の関係で配置しても良い。また、複数本の信号線１５を一組として、各組に対して１対１の関係で修復素子選択線２７を配置しても良い。
【００４２】
例えば、有機ＥＬディスプレイを左右２つの領域に分割し、各領域に対応して２本の修復素子選択線を配置しても良い。また例えば、１つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一組として、各組に対応して修復素子選択線２７を配置しても良い。これらの場合、ピクセルまたは組単位での修復が可能となる。
【００４３】
修復用信号線２９は、修復動作の際、外部接続された修復装置から修復に必要な信号データ（アナログ電圧）を印加するのに用いられる。
図２は、１本の修復用信号線２９を修復素子選択回路２５に接続する場合について表している。すなわち、行単位で同じ信号データを印加する場合について表している。もっとも、修復用信号線２９は、個々の信号線１５に対して１対１の関係で配置しても良い。
【００４４】
また、複数本の信号線１５を一組として、各組に対して１対１の関係で修復用信号線２９を配置しても良い。例えば、有機ＥＬディスプレイがカラー表示に対応する場合（１ピクセルが複数のサブピクセルで構成される場合）、ピクセル単位で修復用信号線２９を配置しても良い。
【００４５】
また例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応して３本の修復用信号線２９を配置しても良い。すなわち、色別に共通の修復用信号線２９を配置しても良い。この場合、色単位で修復信号の印加が可能となる。回路例を図４に示す。
【００４６】
なお図４は、１つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一つの修復素子選択線２７で制御する場合である。図４の場合、修復素子選択線２７をピクセル毎に配置することにより、各色に応じた修復信号の印加がピクセル単位で可能となる。また図４の場合、修復素子選択線２７を一組のピクセル毎に配置することにより、各色に応じた修復信号の印加が一組のピクセル単位で可能となる。
【００４７】
修復用信号線２９に印加する信号電圧は、例えば直流電圧で良い。直流電圧を印加する場合、ディスプレイ全体に一定の修復信号（電圧）を印加できる。また例えば、垂直駆動回路１９と同期させたパルス状の修復信号（電圧）を印加しても良い。この場合、特定の走査ライン（１つの選択線）のみに一定の修復信号（電圧）を印加できる。
【００４８】
以上説明した修復素子選択回路２５と修復素子選択線２７の組み合わせを適切に選択することにより、特定の領域に対してのみ修復条件を満たす電位を印加することが可能になる。すなわち、滅点ピクセル以外のピクセルに対するダメージを低減できる。
【００４９】
（２）ピクセル回路
図５に、ピクセル回路１１の等価回路構成を示す。ピクセル回路１１は、スイッチング用の薄膜トランジスタ３１と、容量３３と、駆動用の薄膜トランジスタ３５と、有機ＥＬ素子３７とを基本構成とする。
【００５０】
この実施例の場合、薄膜トランジスタ３１には、Ｎチャネル型のＴＦＴトランジスタを使用する。薄膜トランジスタ３１のゲート端子は選択線１３に接続され、ソース端子は信号線１５に接続されている。
【００５１】
薄膜トランジスタ３１は、選択線１３を通じてゲート端子に高電位が印加されることで選択状態となる。例えば、通常動作時には７．０〔Ｖ〕が印加され、修復動作時には１７〔Ｖ〕が印加される。この場合、薄膜トランジスタ３１は、閉状態のスイッチとして機能する。
【００５２】
従って、信号線１５を通じてソース端子に印加された電圧が、ドレイン端子側に出力される。因みに、通常動作時、信号線１５には黒レベル用に５〔Ｖ〕、白レベル用に１．５〔Ｖ〕が印加される。また、修復動作時、信号線１５には黒レベル用（非修復用）に１７〔Ｖ〕、白レベル用（修復用）に０〔Ｖ〕が印加される。
【００５３】
一方、薄膜トランジスタ３１は、選択線１３を通じてゲート端子に低電位が印加されるとき、非選択状態となる。例えば、通常動作時には−８．０〔Ｖ〕が印加され、修復動作時には−３〔Ｖ〕が印加される。
この場合、薄膜トランジスタ３１は、開状態のスイッチとして作用する。従って、信号線１５を通じてソース端子に印加された電圧は、ドレイン端子に出力されない。
【００５４】
容量３３は、薄膜トランジスタ３１を通じて印加された電位を、次の選択期間まで（ゲート端子に高電位が印加されるまで）保持するのに用いられる。
なお、容量３３の一方の電極は、薄膜トランジスタ３１のドレイン端子と薄膜トランジスタ３５のゲート端子との中点に接続される。容量３３の他方の電極は、電源供給線２１に接続される。
【００５５】
薄膜トランジスタ３５は、有機ＥＬ素子３７を駆動するためのトランジスタである。この実施例の場合、Ｐチャネル型のＴＦＴトランジスタを使用する。
薄膜トランジスタ３５のゲート端子はスイッチング用の薄膜トランジスタ３１のドレイン端子に接続される。また、薄膜トランジスタ３５のソース端子は電源供給線２１に接続され、ドレイン端子は有機ＥＬ素子３７の陽極に接続される。
【００５６】
薄膜トランジスタ３５は、ゲート端子に印加される電位が低電位のときオン動作し、電源供給線２１の電位を有機ＥＬ素子３７の陽極に印加する。
一方、薄膜トランジスタ３５は、ゲート端子に印加される電位が高電位のときオフ動作する。すなわち、薄膜トランジスタ３５は開状態のスイッチとして作用する。従って、電源供給線２１と有機ＥＬ素子３７との接続は遮断される。
【００５７】
有機ＥＬ素子３７は、陽極と、陰極と、これらに挟まれた有機化合物層でなる。有機化合物層には、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的には、有機ＥＬ素子３７は、陽極、有機化合物層、陰極が順に積層されてなる。
【００５８】
ただし、有機ＥＬ素子３７として、陽極、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極を順に積層した積層構造やこれらの積層構造を複数積層した構造（SOLED：transparent
Stacked OLED）もある。なお、陰極は、陰極電圧供給線２３に接続される。
【００５９】
（３）修復装置（作成装置）
図６に、修復装置４１の実施例を示す。修復装置４１は、滅点ピクセルの修復時に、有機ＥＬディスプレイに接続して使用する。この修復作業は、正常動作する有機ＥＬディスプレイを製造するという意味で有機発光素子を有する発光装置の作成装置または製造装置としても動作する。
【００６０】
なお、この実施例では、修復対象とする有機ＥＬディスプレイは、製造工程内の半製品状態にあるものとする。すなわち、信号線ドライバＩＣ等が接続される前の状態とする。
因みに、有機ＥＬディスプレイ上には、水平駆動回路１７と垂直駆動回路１９が、発光領域と同時に形成されているものとする。
【００６１】
この実施例の場合、修復装置４１を、垂直駆動条件発生回路４３と、バイアス電圧発生回路４５と、バイアス電圧駆動回路４７と、修復素子選択制御回路４９と、修復信号電位発生回路５１とで構成する。
【００６２】
垂直駆動条件発生回路４３は、修復時に必要な駆動条件を満たす２種類の選択信号電位とクロック信号を発生するのに用いられる。
一方の選択信号電位は、ピクセル回路１１を選択状態に制御するのに使用する信号電位である。すなわち、高電位である。この実施例では、１７〔Ｖ〕とする。
他方の選択信号電位は、ピクセル回路１１を非選択状態に制御するのに使用する信号電位である。すなわち、低電位である。この実施例では、−３〔Ｖ〕とする。
【００６３】
これら２種類の選択信号電位は、垂直駆動回路１９を通じて選択線１３に印加される。また、選択信号電位と共に発生されるクロック信号は、垂直駆動回路１９のスキャン動作のために発生される。
クロック信号は、正常動作時に用いられるものと同じもので良い。もっとも、修復動作専用に、特定の選択線を長く選択状態に制御できるクロック信号を発生しても良い。
【００６４】
バイアス電圧発生回路４５は、電源電圧Ｖｃｃと陰極線電圧Ｖcat に印加するバイアス電位を発生するのに使用される。この実施例では、電源電圧Ｖｃｃとして、５〔Ｖ〕の電位を発生する。また、陰極線電圧Ｖcat
として、０〔Ｖ〕と１０〔Ｖ〕の２種類の電位を発生する。
【００６５】
ここで、２種類の電位を発生するのは、順バイアス電圧と逆バイアス電圧を交流的に印加するためである。従って、逆バイアス電圧を直流的に印加する場合には、陰極線電圧Ｖcat として１０〔Ｖ〕だけを発生する。電源供給線２１に５〔Ｖ〕、陰極電圧供給線２３に１０〔Ｖ〕を印加することで、有機ＥＬ素子３７には５〔Ｖ〕の逆バイアス電圧を印加することができる。
【００６６】
バイアス電圧駆動回路４７は、陰極電圧供給線２３に０〔Ｖ〕と１０〔Ｖ〕を交流的に印加するのに使用される。すなわち、有機ＥＬ素子３７に対して、順バイアス電圧と逆バイアス電圧を交互に印加するのに使用される。
陰極線電圧Ｖcat を交流駆動するのは、有機ＥＬ素子３７に寄生する容量成分を充電し、滅点の原因であるショート回路に電流が流れ易くするためである。
【００６７】
修復素子選択制御回路４９は、修復素子選択回路２５を構成するスイッチ２５Ａの開閉を制御するのに使用される。すなわち、滅点箇所または滅点箇所を含む特定部分のピクセルのみに逆バイアス電圧を印加するのに使用される。
ここでの制御信号は、修復素子選択線２７に対応する数だけ発生される。
【００６８】
修復信号電位発生回路５１は、修復素子選択回路２５で選択された信号線１５に印加する修復用の信号電位を発生するのに用いられる。
この実施例の場合、黒レベルとして１７〔Ｖ〕を発生し、白レベルとして０〔Ｖ〕を発生するのに使用される。ここでの信号電位は、修復用信号線２９に対応する数だけ発生される。
【００６９】
なお、前述した修復装置４１は、修復箇所の検査用としても使用できる。この場合、修復装置４１は、通常動作に必要な電位を発生する。
例えば、垂直駆動条件発生回路４３は、高電位として７．０〔Ｖ〕を発生し、低電位として−８．０〔Ｖ〕を発生する。
また例えば、バイアス電圧発生回路４５は、電源電圧Ｖｃｃとして５〔Ｖ〕を発生し、陰極線電圧Ｖcat として−８．０〔Ｖ〕を固定的に発生する。
【００７０】
また、修復装置４１は、水平駆動回路１７の駆動用として、水平駆動条件発生回路を有することが望ましい。
すなわち、水平駆動回路１７の駆動に必要な信号電位とクロック信号を発生する水平駆動条件発生回路を有することが望ましい。
発生する信号電位は、５〔Ｖ〕と１．５〔Ｖ〕が望ましい。もっとも、同条件の信号電圧を修復用信号線２９を通じて供給することもできる。
【００７１】
（４）駆動動作
続いて、有機ＥＬディスプレイの駆動動作および駆動条件について説明する。ここでは、通常動作時と修復動作時のそれぞれについて説明する。なお、通常動作時には順バイアス電圧が印加され、修復動作時には逆バイアス電圧が印加される。
【００７２】
（４−１）通常動作
通常動作時、水平駆動回路１７には、デジタル映像信号に対応するアナログ電圧信号が入力される。このアナログ電圧信号は、黒レベルを５〔Ｖ〕、白レベルを１．５〔Ｖ〕とする。
水平駆動回路１７は、有機ＥＬディスプレイのピクセル配列に合わせて、信号データを切り替え、対応するピクセルに信号データを印加する。すなわち、対応する信号線１５に信号データを印加する。
【００７３】
一方、垂直駆動回路１９は、信号データの書き込み対象である選択線１３に７．０〔Ｖ〕を印加する。
このとき、選択された選択線１３に接続された薄膜トランジスタ３１がオン状態に制御される。これにより、駆動用の薄膜トランジスタ３５のゲート端子に信号データが印加される。
【００７４】
またこの際、信号データは容量３３に保持される。信号データは、薄膜トランジスタ３１がオフ状態に切り替わった後も容量３３に保持される。
この結果、薄膜トランジスタ３５には、ゲート・ソース間電圧Ｖgsに応じたドレイン電流Ｉd が継続的に流れる。このドレイン電流Ｉd が有機ＥＬ素子３７に供給される。この結果、有機ＥＬ素子３７が継続的に発光する。
【００７５】
図７に、この動作状態を示す。この際、電源電圧Ｖccは５〔Ｖ〕であり、陰極線電圧Ｖcat は−８．０〔Ｖ〕である。
図８に、有機ＥＬ素子３７が正常に発光する場合の等価回路例を示す。図８に示すように、有機ＥＬ素子３７は、ダイオード接続された薄膜トランジスタ５３と寄生容量成分５５として表すことができる。
【００７６】
ところで、現実には正常に発光しない有機ＥＬ素子３７が存在することがある。
図９に、有機ＥＬ素子３７が正常に発光しない場合の等価回路例を示す。図９に示すように、有機ＥＬ素子３７は、ダイオード接続された薄膜トランジスタ５３と、寄生容量成分５５と、抵抗成分５７として表すことができる。
【００７７】
かかる等価回路が形成されている場合、ドレイン電流Ｉdsは抵抗成分５７に流れ、薄膜トランジスタ５３には流れない又は非常に小さくなる。すなわち、発光層にドレイン電流Ｉdsが供給されず、発光現象が生じない。これが滅点ピクセルの発生原理である。
【００７８】
（４−２）直流逆バイアス駆動による修復動作
かかる滅点ピクセルを無くすには、抵抗成分５７へのリーク電流を無くせば良い。すなわち、ショート回路を構成する抵抗成分５７に物理的及び化学的な外力を作用させ、これを破壊（絶縁化）または高抵抗化すれば良い。
【００７９】
ここでは、図１０に示すように、逆バイアス電圧を印加して抵抗成分５７だけに逆方向電流Ｉd を流すことを考える。
ここでは、有機ＥＬ素子３７が有するダイオード特性を利用する。すなわち、逆バイアス電圧の印加時、逆方向電流Ｉd は抵抗成分５７に流れる性質を利用する。逆方向電流Ｉd を抵抗成分５７に流すことで、欠陥部分の温度を上昇させることができる。
【００８０】
温度上昇の結果、欠陥部分には焼き切れ、気化その他による蒸発、酸化または炭化が生じる。この結果、欠陥部分に、絶縁化などの物理的又は化学的な変化が生じる。すなわち、組成の変質による、抵抗成分５７の高抵抗化が生じる。
これにより、順バイアス電圧の印加時における抵抗成分５７へのリーク電流が減少し、有機ＥＬ素子３７への電流が増加する。すなわち、有機ＥＬ素子３７を正常な状態に修復することができる。
【００８１】
この修復動作のため、有機ＥＬディスプレイに修復装置４１を接続し、電源電圧Ｖｃｃと陰極線電圧Ｖcat との間に逆バイアス電圧を印加する。すなわち、陰極電圧供給線２３に１０〔Ｖ〕を印加し、電源供給線２１に５〔Ｖ〕を印加する。
【００８２】
また、修復するピクセルを含む走査ラインに対応する選択線１３に対し、高電位（１７〔Ｖ〕）を印加する。これにより、走査ライン上の薄膜トランジスタ３１がオン状態となる。なおその他の走査ラインに対しては、低電位（−３〔Ｖ〕）を印加する。
【００８３】
また、修復対象とするピクセルに接続される信号線１５に対しては、低電位（０〔Ｖ〕）を印加する。なおその他の信号線には、高電位（１７〔Ｖ〕）を印加する。この結果、修復対象とするピクセルに対応する薄膜トランジスタ３５のみがオン状態に制御される。
【００８４】
ところで、この修復動作の場合も、信号データは容量３３に保持される。信号データは、薄膜トランジスタ３１がオフ状態に切り替わった後も容量３３に保持される。
この結果、薄膜トランジスタ３５は、ゲート・ソース間電圧Ｖgsに応じた逆方向電流Ｉd が継続的に流すことが可能な状態に制御される。
【００８５】
かくして、抵抗成分５７に逆方向電流Ｉd が流れ続け、抵抗成分５７を破壊（絶縁化）または高抵抗化できる。すなわち、有機ＥＬ素子３７を修復できる。
なお、修復時の駆動条件は、正常動作中のピクセル回路１１に影響を及ぼさない範囲で効果が最大になるものを選択するのが望ましい。
【００８６】
また、修復用信号線２９を通じて薄膜トランジスタ３５に印加する信号データは、欠陥の状態に応じて最適な電位に調整するのが望ましい。
すなわち、薄膜トランジスタ３５のゲート・ソース間電圧Ｖgsを調整し、抵抗成分５７に流れる逆方向電流Ｉd の電流量を調整するのが望ましい。これにより、他の正常なピクセル回路１１への影響を最小限にできる。
【００８７】
同様に、信号データとして印加する電位は、滅点ピクセルを構成する有機層の膜圧を考慮して定めることもできる。
このようにしても、他の正常なピクセル回路１１への影響を最小限に抑えつつ、修復の効果を最大化できる。
【００８８】
（４−３）交流逆バイアス駆動による修復動作
図１０に示したように、有機ＥＬ素子３７を等価回路として考察すると、容量成分５５の存在も無視し得ない。容量成分５５の大きさによっては、逆方向電流Ｉd を抵抗成分５７に効率的に流すことができない。
【００８９】
そこで、逆バイアス電圧を交流駆動する場合について説明する。
図１１に、この実施例の駆動条件を示す。すなわち、電源電圧Ｖｃｃを５〔Ｖ〕に固定する一方で、陰極線電圧Ｖcat を０〔Ｖ〕と１０〔Ｖ〕の間で交流的に切り替える方法を提案する。
【００９０】
ここで、陰極線電圧Ｖcat に０〔Ｖ〕が印加されるとき、有機ＥＬ素子３７に５〔Ｖ〕の順バイアス電圧が印加される。
一方、陰極線電圧Ｖcat に１０〔Ｖ〕が印加されるとき、有機ＥＬ素子３７に５〔Ｖ〕の逆バイアス電圧が印加される。このバイアス電圧値は、発光層を含む有機層の膜厚の耐圧を考慮した値である。なお、実施例では膜厚を
100〜 200〔ｎｍ〕として考えている。
【００９１】
次に、駆動周期を考察する。発明者は、以下の条件で良好な結果を得ることができた。すなわち、容量成分５５を２〔ｐＦ〕とする。また、印加するバイアス電圧を前述のように５〔Ｖ〕とする。また、逆バイアス電圧の印加時に流れる逆方向電流Ｉd を６〔μＡ〕とする。
【００９２】
この場合、容量成分５５を充電するのに必要な時間Ｔは、次式により求めることができる。
Ｔ＝（ 2 × 10-12 ）× 5 ／ ( 6 × 10-9 ）
＝1.6  〔ｍｓ〕
【００９３】
すなわち、半周期が1.6 〔ｍｓ〕（１周期が3.2〔ｍｓ〕）の交流であれば良いことが分かる。従って、逆バイアス電圧を、約 312〔Ｈｚ〕程度で交流駆動すれば、抵抗成分５７に流れる逆方向電流Ｉd
を最大化することができる。
【００９４】
実際には、容量値、逆方向電流値、バイアス電圧の大きさに応じて最適な条件を選択することになる。なお、実験の結果、陰極線電圧Ｖcat を 100〜 600〔Ｈｚ〕、好ましくは 300〜 400〔Ｈｚ〕で交流駆動するのが望ましい。因みに、交流駆動は 5〜30〔分〕継続すれば良い。
【００９５】
図１２に、交流駆動中に印加するバイアス電圧と信号データの電位の組み合わせ例を示す。図１２は、陰極線電圧Ｖcat が採り得る２種類の電位を横軸に表し、信号データが採り得る２種類の電位を縦軸に表す。すなわち、４種類の組み合わせについて表している。
【００９６】
図中、左上段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ３５がオン状態に制御されている場合にあって、陰極線電圧Ｖcat が１０〔Ｖ〕の場合について表している。この場合、５〔Ｖ〕の逆バイアス電圧が有機ＥＬ素子３７に印加され、逆方向電流Ｉd が流れることが分かる。
【００９７】
図中、右上段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ３５がオン状態に制御されている場合にあって、陰極線電圧Ｖcat が０〔Ｖ〕の場合について表している。
この場合、５〔Ｖ〕の順バイアス電圧が有機ＥＬ素子３７に印加され、ドレイン電流Ｉdsが流れることが分かる。
このとき、有機ＥＬ素子３７が正常な状態であれば発光する。従って、修復動作中に、欠陥の修復は、滅点ピクセルが発光し始めることで分かる。
【００９８】
図中、下段に示す動作状態は、駆動用の薄膜トランジスタ３５がオフ状態に制御されている場合について表している。なお、下段左側は、陰極線電圧Ｖcat が１０〔Ｖ〕の場合について表している。
この場合、薄膜トランジスタ３５がオフ状態であるため、修復用の逆バイアス電圧が印加されることはない。すなわち、修復対象以外のピクセル回路１１には、何らの影響を与えないことが分かる。
【００９９】
図１３及び図１４に実験結果を示す。図１３は、逆バイアス電圧の駆動周波数を変化させた場合に修復率（％）がどのように変化したかを複数のサンプルについて求めた図表である。図１４は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。
【０１００】
因みに、実験には、３色塗り分けの有機ＥＬディスプレイパネルを使用した。図１３及び図１４は、緑（Ｇ）色部分についての修復結果である。勿論、他の色についても同様に修復が可能である。
また、修復率は、次式で与えるものとする。
修復率（％）＝（修復された数／修復前の滅点数）×１００
【０１０１】
いずれのサンプルの場合も、駆動周波数を１００〔Hz〕から３００〔Hz〕まで変化させると、周波数の増加に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれのサンプルの場合も、駆動周波数を３００〔Hz〕から５００〔Hz〕まで変化させると、周波数の増加に伴って修復率が低下することが確認された。
【０１０２】
すなわち、駆動周波数が３００〔Hz〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、逆バイアス電圧の駆動周波数は、２００〔Hz〕〜５００〔Hz〕であるのが好ましいことが分かる。
もっとも、逆バイアス電圧の駆動周波数を２５０〔Hz〕〜４００〔Hz〕に定めるのが更に好ましい。また、逆バイアス電圧の駆動周波数を２５０〔Hz〕〜３５０〔Hz〕に定めるのが更に好ましい。
【０１０３】
実験には、図１５に示す構造の有機ＥＬ素子を有するサンプルを使用した。サンプルの違いは、有機ＥＬ素子を構成する各層の組成の違いである。
なお、この有機ＥＬ素子は、陽極６１の上面に、正孔注入層６３、正孔輸送層６５、発光層６７、電子輸送層６９、陰極７１を順に積層した構成を有する。
【０１０４】
因みに、正孔注入層６３は、エッチング加工により絶縁膜７３から露出した陽極６１の上面に形成されている。また、陽極６１と絶縁膜７３の下地には平坦化膜７５が形成され、さらに下層にはポリシリコン層７７が形成されている。ポリシリコン層７７に駆動トランジスタが形成される。図１５の場合、基体は、ガラス基板７９である。また、各ＥＬ素子はバッファ層８１で被覆され、その表面はガラス封止層８３で覆われている。
【０１０５】
（４−４）温度の印加による修正動作
次に、滅点部分を加温しながら逆バイアス電圧を印加する場合について説明する。ここでは、逆バイアス電圧を直流電圧とする。
【０１０６】
図１６に、この修正動作に使用する装置構成を示す。図１６は、有機ＥＬディスプレイ９１を、ホットプレート（加温装置）９３の加温面に設置した状態を表している。ホットプレート９３には、熱源と、温度を設定温度に制御する温度制御装置とが設けられている。
【０１０７】
なお、設定温度は、半導体メモリその他の記憶装置に格納されている。また、設定温度は、作業者が任意の値を設定できる他、出荷時点で用意された複数の設定温度の一つを選択的に使用することができる。
また、逆バイアス電圧は、ホットプレート９３に接続された修正装置４１から供給される。修正装置４１の内部構成（図６）は、前述の通りである。
【０１０８】
図１７及び図１８に、加温状態で逆バイアス電圧を与えた場合の実験結果を示す。なお、加温時間は２０〔分〕である。図１７は、温度を変化させた場合に修復率（％）がどのように変化したかを複数のサンプルについて求めた図表である。図１８は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。
なお、実験は、有機ＥＬ素子の温度がホットプレート９３の設定温度に一致した状態で行った。
また、各サンプルには、有機ＥＬ素子を構成する各層の組成を異にするものを使用した。
【０１０９】
図１７及び図１８に示すように、いずれのサンプルの場合も、設定温度を２５〔℃〕（室温）から６０〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれのサンプルの場合も、設定温度を６０〔℃〕から８０〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が低下することが確認された。
【０１１０】
すなわち、温度が６０〔℃〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、温度は、４０〔℃〕〜７５〔℃〕であるのが好ましいことが分かる。
もっとも、温度は、４０〔℃〕〜６５〔℃〕に定めるのが更に好ましい。また、温度は、５０〔℃〕〜６５〔℃〕に定めるのが更に好ましい。
なお、熱拡散等による後発的な滅点の発生を防止する観点からは、修正効果の認められるできるだけ低温域を用いるのが好ましい。もっとも、最適な温度条件は、有機ＥＬ素子の組成によっても異なる。
【０１１１】
（４−５）温度の印加と交流逆バイアス駆動との組み合わせによる修正動作
ここでは、加温した状態で逆バイアス電圧を交流的に印加する場合について説明する。逆バイアス電圧と、交流駆動と、加温の３つを組み合わせることでより効果的な修復動作が可能となる。
【０１１２】
図１９及び図２０に、この条件下での実験結果を示す。なお、図１９は、１つのサンプルについて、温度と逆バイアス電圧の駆動周波数を変化させた場合の図表である。図２０は、この関係を折れ線グラフとして表した図である。
なお、他のサンプルについても修復率こそ異なるものの、同様の実験結果が得られることが確認された。
【０１１３】
いずれの駆動周波数の場合も、設定温度を２５〔℃〕（室温）から６０〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が改善することが確認された。また、いずれの駆動周波数の場合も、設定温度を６０〔℃〕から８０〔℃〕まで変化させると、温度の上昇に伴って修復率が低下することが確認された。
【０１１４】
すなわち、温度が６０〔℃〕付近の場合にもっとも効率よく滅点部分を修復することができた。
図より、駆動周波数は２００〔Hz〕〜４００〔Hz〕が好ましく、温度は４０〔℃〕〜８０〔℃〕であるのが好ましいことが分かる。もっとも、駆動周波数は２５０〔Hz〕〜４００〔Hz〕が好ましく、温度は５０〔℃〕〜６５〔℃〕に定めるのが好ましい。この場合、修復率は２０〔％〕台となる。
【０１１５】
（４−６）修復の効果
以上のように、前述した修復方法を適用することにより、それぞれ以下のような効果が期待できる。
前述した修復方法は、有機ＥＬディスプレイの表面が外部と完全に遮断（封止）されている場合にも効果的である。これは、外部からレーザー光を照射する必要がなく、電流や温度を通じて内部的に欠陥を修復するためである。
【０１１６】
なお、レーザー光を用いる方法の場合、有機ＥＬディスプレイの表面を遮断するガラスやシール材の影響で欠陥箇所を十分修復することができない。また、レーザー光を用いる方法は、有機ＥＬディスプレイの表面にカラーフィルタ等が配置されている場合にフィルターを損傷させる可能性がある。
【０１１７】
これに対し、本明細書で提案する修復方法には、これらの欠点がない。また、本明細書で提案する修復方法では、走査線選択回路やデータ線回路の一部又は全てが有機ＥＬ素子と同じパネル上に形成されている場合でも、特定の領域にのみ逆バイアス電圧を印加することができる。こんため、効率的に滅点箇所を修復できる。
【０１１８】
また、滅点部分に逆バイアス電圧を交流的に印加することにより、励起子を活性化させて、滅点部分をの修復を実現できる。また、温度の印加により分子の運動エネルギーを抑制でき、逆バイアス電圧による有機ＥＬ層に対する負荷を緩和させることができる。これにより、滅点部分だけを選択的に修復することができる。すなわち、修復時に、他の正常領域を破壊せずに済む。
【０１１９】
（５）発光装置
前述した有機ＥＬディスプレイを搭載する発光装置（電子機器）の例を説明する。かかる発光装置としては、例えばビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型のコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（携帯型のコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、電子書籍等）、時計、画像再生装置、モニタ、テレビジョン受像器が考えられる。
【０１２０】
なおいずれの発光装置の場合にも、筐体と、有機ＥＬディスプレイと、信号処理回路と、入力ポートを有する。例えば、テレビジョン受像器であれば、前述の構成に加え、スピーカやチューナが搭載される。また、ノート型のコンピュータや携帯情報端末は、前述の構成に加え、操作キーや操作ボタンを有する。
【０１２１】
また、ビデオカメラやデジタルカメラであれば、前述の構成に加え、撮像カメラや撮像された映像データを記憶媒体に保存するための書き込み回路を有する。
また、携帯電話機その他の通信機能を有する電子機器であれば、前述の構成に加え、送受信回路や必要に応じてアンテナを有する。
【０１２２】
（６）他の実施形態
上述の実施形態においては、有機ＥＬディスプレイをガラス基板上に形成する場合について説明したが、基体としてプラスチックフィルム基板を用いる場合にも適用できる。
【０１２３】
上述の実施形態では、カラー表示用の有機ＥＬディスプレイとして、各色に対応する発光層を用いる場合について説明したが、発光層は白色のみとし、これにカラーフィルタを組み合わせてカラー表示を実現しても良い。
または、発光層は一色のみとし、これに色変換層を組み合わせてカラー表示を実現しても良い。
【０１２４】
上述の実施形態では、基本的に滅点部分だけに逆バイアス電圧を印加する場合について説明したが、滅点部分を含む広い領域に逆バイアス電圧を印加しても良い。この印加手法の採用により、修復動作に要する時間を短縮できる。これは、有機ＥＬディスプレイの大量生産時に効果的ある。
この場合、正常部分にも逆バイアス電圧が印加されることになるが、印加条件を適切に制御することにより、修復率の改善効果だけを享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】ピクセル回路の従来例を示す図である。
【図２】有機ＥＬディスプレイの構成例を示す図である。
【図３】修復用の信号データをピクセル別に与える場合の接続例を示す図である。
【図４】修復用の信号データを色別に与える場合の接続例を示す図である。
【図５】ピクセル回路の等価回路例を示す図である。
【図６】修復装置の実施例を示す図である。
【図７】正常動作時の動作を説明する図である。
【図８】正常ピクセルでのドレイン電流の流路を示す図である。
【図９】滅点ピクセルでのドレイン電流の流路を示す図である。
【図１０】修復用に流す逆方向電流の流路を示す図である。
【図１１】交流駆動時における陰極線電圧Ｖcat と電源電圧Ｖccとの電位関係を示す図である。
【図１２】陰極線電圧を交流駆動する際に印加される電位の関係を示す図である。
【図１３】逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図表である。
【図１４】逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図である。
【図１５】有機ＥＬ素子の構造例を示す図である。
【図１６】逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の修復装置例を示す図である。
【図１７】逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の実験結果を示す図表である。
【図１８】逆バイアス電圧を加温状態で印加する場合の実験結果を示す図である。
【図１９】加温状態で逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図表である。
【図２０】加温状態で逆バイアス電圧を交流駆動した場合の実験結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１１          ピクセル回路
１７          水平駆動回路
１９          垂直駆動回路
２１          電源供給線
２３          陰極電圧供給線
２５          修復素子選択回路
２７          修復素子選択線
２９          修復用信号線
３７          有機ＥＬ素子
４１          修復装置
４３          垂直駆動条件発生回路
４５          バイアス電圧発生回路
４７          バイアス電圧駆動回路
４９          修復素子選択制御回路
５１          修復信号電位発生回路
【図１】
2005340149.tif 000003
【図２】
2005340149.tif 000004
【図３】
2005340149.tif 000005
【図４】
2005340149.tif 000006
【図５】
2005340149.tif 000007
【図６】
2005340149.tif 000008
【図７】
2005340149.tif 000009
【図８】
2005340149.tif 000010
【図９】
2005340149.tif 000011
【図１０】
2005340149.tif 000012
【図１１】
2005340149.tif 000013
【図１２】
2005340149.tif 000014
【図１３】
2005340149.tif 000015
【図１４】
2005340149.tif 000016
【図１５】
2005340149.tif 000017
【図１６】
2005340149.tif 000018
【図１７】
2005340149.tif 000019
【図１８】
2005340149.tif 000020
【図１９】
2005340149.tif 000021
【図２０】
2005340149.tif 000022