(57)【要約】【課題】  本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、半導体層上に設けられた配線層と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、配線層は、第１の電極の端部を覆う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、
前記半導体層上に設けられた配線層と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記配線層は、前記第１の電極の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられた配線、及び第１の電極と、
前記配線上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記配線層は、前記第１の電極の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、
前記半導体層上に設けられた配線層と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記第１の電極は前記配線層の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられた配線層、及び第１の電極と、
前記配線層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記第１の電極は前記配線層の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、光触媒機能を有する物質は酸化チタンであることを特徴とする発光表示装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、
前記導電層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、
前記半導体層上に設けられた配線層と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記配線層は、前記第１の電極の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、
前記導電層上に設けられた配線層、及び第１の電極と、
前記配線層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記配線層は、前記第１の電極の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、
前記導電層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、
前記半導体層上に設けられた配線層と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記第１の電極は前記配線層の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、
前記導電層上に設けられた配線層、及び第１の電極と、
前記配線層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、
前記第１の電極上に電界発光層と、
前記電界発光層上に第２の電極とを有し、
前記第１の電極は前記配線層の端部を覆うことを特徴とする発光表示装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記高融点金属は、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｏ（コバルト）又はＲｈ（ロジウム）であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記配線層は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物からなることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記半導体層が、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含むセミアモルファス半導体であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項の発光表示装置で、表示画面を構成したことを特徴とするテレビ受像器。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により第１の電極を形成し、
前記絶縁表面を有する基板上に前記光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記絶縁表面を有する基板上に前記光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一項において、光触媒機能を有する物質として酸化チタンを用いることを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２０】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法により第１の電極を形成し、
前記導電層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２２】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法により配線層を形成し、
前記導電層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一項において、前記高融点金属は、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｏ（コバルト）又はＲｈ（ロジウム）であることを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至２３のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記配線層を、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を用いて形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１４乃至２４のいずれか一項において、前記半導体層を、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含むセミアモルファス半導体を用いて形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出法を用いた発光表示装置及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という。）及びそれを用いた電子回路は、半導体、絶縁体及び導電体などの各種薄膜を基板上に積層し、適宜フォトリソグラフィ技術により所定のパターンを形成して製造されている。フォトリソグラフィ技術とは、フォトマスクと呼ばれる透明な平板面上に光を通さない材料で形成した回路等のパターンを、光を利用して目的とする基板上に転写する技術であり、半導体集積回路等の製造工程において広く用いられている。
【０００３】
従来のフォトリソグラフィ技術を用いた製造工程では、フォトレジストと呼ばれる感光性の有機樹脂材料を用いて形成されるマスクパターンの取り扱いだけでも、露光、現像、焼成、剥離といった多段階の工程が必要になる。従って、フォトリソグラフィ工程の回数が増える程、製造コストは必然的に上がってしまうことになる。このような問題点を改善するために、フォトリソグラフィ工程を削減してＴＦＴを製造することが試みられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかし、上記特許文献１に記載された技術は、ＴＦＴの製造工程で複数回行われるフォトリソグラフィ工程の一部を印刷法で置き替えただけのものであり、抜本的に工程数の削減に寄与できるものではない。また、フォトリソグラフィ技術においてマスクマスクパターンを転写するために用いる露光装置は、等倍投影露光若しくは縮小投影露光により、数ミクロンから１ミクロン以下のパターンを転写するものであり、原理的にみて、一辺が１メートルを越えるような大面積基板を一括で露光することは技術的に困難である。
【特許文献１】特開平１１−２５１２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される発光表示装置の製造工程においてフォトリソグラフィ工程の回数を削減し、或いはその工程自体を無くすことで製造工程を簡略化し、一辺が１メートルを越えるような大面積の基板にも、低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においては以下の手段を講じる。
【０００７】
本発明は、配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など表示パネルを作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、発光表示装置を作製することを特徴とするものである。選択的にパターンを形成可能な方法として、導電層や絶縁層など形成し、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出して所定のパターンを形成することが可能な、液滴吐出法（その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。）を用いる。また、パターンが転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）なども用いることができる。
【０００８】
本発明は、エレクトロルミネセンス（以下「ＥＬ」ともいう。）と呼ばれる発光を発現する有機物、若しくは有機物と無機物の混合物を含む媒体を、電極間に介在させた発光素子とＴＦＴとが接続された発光表示装置であって、このような発光表示装置を液滴吐出法を用いて作製する。
【０００９】
また、本発明は、液滴吐出法によりパターンを形成するに際し、その形成する領域に密着性を向上させる手段（下地前処理）を行い、発光表示装置の信頼性を向上させる。
【００１０】
本発明は、光触媒機能を有する物質（以下、単に光触媒物質と表記する）の光触媒活性を利用して、配線、その他半導体膜、絶縁膜、マスク等発光表示装置を構成する物質を形成することを特徴とする。工程において、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する際、その密着性を高めるために下地として光触媒機能を有する物質を形成し、その光触媒活性を利用する。具体的には、光触媒物質上又はその両端に、塗布法等により、溶媒に混入された配線材料（配線材料（導電性材料）を溶媒に溶解又は分散させたものを含む）を形成し、配線を形成することを特徴とする。例えば、光触媒物質上に、液滴吐出法により、溶媒に混入された導電体を吐出する。液滴吐出法以外に、スピンコーティング法、ディップ法、その他の塗布法、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）により、光触媒物質上に、溶媒に混入された導電体を形成してもよい。
【００１１】
光触媒物質は、酸化チタン（ＴｉＯX）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）等が好ましい。これら光触媒物質に紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせてもよい。
【００１２】
光触媒物質は、ゾルゲル法のディップコーティング法、スピンコーティング法、液滴吐出法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、CVD法、スパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、プラズマ溶射法、プラズマスプレー法、又は陽極酸化法により形成することができる。また物質は、その形成方法により膜としての連続性を有さなくても良い。複数の金属を含む酸化物半導体からなる光触媒物質の場合、構成元素の塩を混合、融解して形成することができる。ディップコーティング法、スピンコーティング法等の塗布法により光触媒物質を形成する場合、溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥すればよい。具体的には、所定の温度（例えば、３００℃以上）で加熱すればよく、好ましくは酸素を有する雰囲気で行う。例えば、導電ペーストとしてＡｇを用い、酸素及び窒素を有する雰囲気で焼成を行うと、熱硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まないＡｇを得ることができる。その結果、Ａｇ表面の平坦性を高めることができる。
【００１３】
この加熱処理により、光触媒物質は所定の結晶構造を有することができる。例えば、アナターゼ型やルチル−アナターゼ混合型を有する。低温相ではアナターゼ型が優先的に形成される。そのため光触媒物質が所定の結晶構造を有していない場合も加熱すればよい。また塗布法により形成する場合、所定の膜厚を得るために複数回にわたって光触媒物質を形成することもできる。
【００１４】
例えば、ＴｉＯXに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性がない状態、つまり撥油性となる。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりうる。
【００１５】
なお親水性とは、水に濡れやすい状態を指し、接触角が３０度以下、特に接触角が５度以下を超親水性という。一方撥水性とは、水に濡れにくい状態を指し、接触角が９０度以上のものを指す。同様に親油性とは、油に濡れやすい状態を指し、撥油性とは油に濡れにくい状態を指す。なお接触角とは、滴下したドットのふちにおける、形成面と液滴の接線がなす角度のことを指す。
【００１６】
すなわち、光照射を行った領域（以下、照射領域と表記する）は、親水性領域、又は超親水性（合わせて単に親水性と表記する）となる。このとき、照射領域の幅を所望の配線幅となるように光照射を行う。その後、液滴吐出法により、照射領域上から又は照射領域にむかって、水系の溶媒に導電体が混入したドットを吐出する。すると、単に液滴吐出法により吐出されたドットの径より小さな、つまり幅の狭い配線を形成することができる。これは所望の配線幅となるように照射領域が形成されるため、吐出されたドットが形成表面で広がることを抑制できるからである。更に、ドットが多少ずれて吐出された場合であっても、照射領域に沿って配線を形成することができ、配線形成の正確な位置制御が可能となる。
【００１７】
なお水系の溶媒を用いる場合、インクジェットのノズルからスムーズに吐出できるように界面活性剤を添加すると好ましい。
【００１８】
また、油（アルコール）系の溶媒に混入された組成物（導電体）を吐出する場合、光照射が行われない領域（以下、非照射領域と表記する）に組成物（導電体）を吐出し、非照射領域上から又は非照射領域にむかってドットを吐出することにより、同様に配線を形成することができる。すなわち、パターン（配線）を形成したい領域の両端、つまり配線を形成したい領域を囲むような周囲に光照射を行い、照射領域を形成してもよい。このとき照射領域は撥油性を有するため、油（アルコール）系の溶媒に混入された導電体を有するドットは、選択的に非照射領域に形成されるからである。すなわち、非照射領域の幅を所望の配線幅となるように光照射を行ってもよい。
【００１９】
なお、油（アルコール）系の溶媒は、非極性溶剤又は低極性溶剤を用いることができる。例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、又はシクロオクタンを用いることができる。
【００２０】
更に光触媒物質へ遷移金属（Pd、Pt、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。遷移金属は、広いバンドギャップを持つ活性な光触媒の禁制帯内に新しい準位を形成し、可視光領域まで光の吸収範囲を拡大しうるからである。例えば、ＣｒやＮｉのアクセプター型、ＶやＭｎのドナー型、Ｆｅ等の両性型、その他Ｃｅ、Ｍｏ、Ｗ等をドーピングすることができる。このように光の波長は光触媒物質によって決定することができるため、光照射とは光触媒物質の光触媒活性化させる波長の光を照射することを指す。
【００２１】
また光触媒物質を真空中又は水素環流中で加熱し還元させると、結晶中に酸素欠陥が発生する。このように遷移元素をドーピングしなくても、酸素欠陥は電子ドナーと同等の役割を果たす。特に、ゾルゲル法により形成する場合、酸素欠陥が最初から存在するため、還元しなくともよい。またＮ2等のガスをドープすることにより、酸素欠陥を形成することができる。
【００２２】
また、光触媒物質の他に、高融点金属からなる導電層を形成してもよい。前記高融点金属とは、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｏ（コバルト）又はＲｈ（ロジウム）の材料で形成すればよい。また、前記導電層は、スパッタリング法、蒸着法、イオン注入法、ＣＶＤ法、ディップ法、スピンコート法等の公知の方法で形成することを特徴とし、好適には、スパッタリング法、ディップ法又はスピンコート法で形成することを特徴とする。また、後に導電層を絶縁化する場合には、導電層を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成し、自然酸化で絶縁化すると簡便であり好ましい。
【００２３】
また、他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【００２４】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。材料としては、感光性または非感光性の有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど）、低誘電率であるＬｏｗ  ｋ材料などの一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。作製法としては、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）を用いることもできる。塗布法で得られるＴＯＦ膜やＳＯＧ膜なども用いることができる。
【００２５】
上記、液滴吐出法を用いて形成される導電体の領域に、下地前処理として密着性向上や、表面改質のために行われる工程は、液滴吐出法を用いて形成したパターンの上に、さらに導電体を形成する場合行っても良い。
【００２６】
導電体（導電層）を形成するため、液滴吐出法により吐出口から吐出する組成物は、導電性材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いる。導電性材料とは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ等の金属、Ｃｄ、Ｚｎの金属硫化物、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂａなどの酸化物、ハロゲン化銀の微粒子又は分散性ナノ粒子に相当する。また、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物と酸化珪素からなるＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタン等に相当する。但し、吐出口から吐出する組成物は、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。但し、銀、銅を用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。バリア膜としては、窒化珪素膜やニッケルボロン（ＮｉＢ）を用いるとことができる。
【００２７】
また、導電性材料の周りに他の導電性材料がコーティングされ、複数の層になっている粒子でも良い。例えば、銅の周りにニッケルボロン（ＮｉＢ）がコーティングされ、その周囲に銀がコーティングされている３層構造の粒子などを用いても良い。溶媒は、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセトン等の有機溶剤等を用いる。組成物の粘度は５０ｍＰａ・ｓ（ｃｐｓ）以下が好適であり、これは、乾燥が起こることを防止したり、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにしたりするためである。また、組成物の表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下が好適である。但し、用いる溶媒や、用途に合わせて、組成物の粘度等は適宜調整するとよい。一例として、ＩＴＯや、有機インジウム、有機スズを溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜５０ｍＰａ・ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・ｓに設定するとよい。
【００２８】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、半導体層上に設けられた配線層と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、配線層は、第１の電極の端部を覆っている。
【００２９】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられた配線層、及び第１の電極と、配線層上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、配線層は、第１の電極の端部を覆っている。
【００３０】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、半導体層上に設けられた配線層と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、第１の電極は配線層の端部を覆っている。
【００３１】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して設けられた配線層、及び第１の電極と、配線層上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、第１の電極は配線層の端部を覆っている。
【００３２】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、導電層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、半導体層上に設けられた配線層と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、配線層は、第１の電極の端部を覆っている。
【００３３】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、導電層上に設けられた配線層、及び第１の電極と、配線層上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、配線層は、第１の電極の端部を覆っている。
【００３４】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、導電層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた半導体層及び第１の電極と、半導体層上に設けられた配線層と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、第１の電極は配線層の端部を覆っている。
【００３５】
本発明の発光表示装置の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層と、導電層上に設けられた配線層、及び第１の電極と、配線層上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、第１の電極の端部、及び配線層を覆う隔壁と、第１の電極上に電界発光層と、電界発光層上に第２の電極とを有し、第１の電極は配線層の端部を覆っている。
【００３６】
上記構成において、半導体層が、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含むセミアモルファス半導体であってもよい。また上記構成の発光表示装置で、表示画面を構成したことを特徴とするテレビ受像器を作製することができる。
【００３７】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、半導体層上に、液滴吐出法により第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００３８】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により第１の電極を形成し、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、配線層上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００３９】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４０】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により配線層を形成し、絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、配線層上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４１】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、半導体層上に、液滴吐出法により第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４２】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、導電層上に液滴吐出法により第１の電極を形成し、導電層上に、液滴吐出法により第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、配線層上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４３】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４４】
本発明の発光表示装置の作製方法の一は、絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、導電層上に液滴吐出法により配線層を形成し、導電層上に、液滴吐出法により配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、配線層上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成する。
【００４５】
ゲート絶縁層は、第１の窒化珪素膜、酸化珪素膜及び第２の窒化珪素膜を順次積層して形成することで、ゲート電極の酸化を防止出来、かつ、ゲート絶縁層の上層側に形成する半導体層と良好な界面を形成することが出来る。
【００４６】
したように、本発明は、ゲート電極層や配線層、及びパターニングの時に利用するマスク層を形成する際に液滴吐出法により行うことを特徴としているが、発光表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、発光表示装置を製造することでその目的は達成される。
【００４７】
また、隔壁は、有機材料、無機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成してもよい。有機材料は、その平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがなく、好適である。また、有機材料は、誘電率が低い。そのため、複数の配線の層間絶縁体として用いると、配線容量が低減し、多層配線を形成することが可能となり、高性能化及び高機能化が実現される。
【００４８】
一方、珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料としては、シロキサン系ポリマーが代表例として挙げられ、詳しくは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され置換基に少なくとも水素を含む材料、又は、置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料である。この材料も平坦性に優れており、また透明性や耐熱性をも有し、シロキサンポリマーからなる絶縁体を形成後に３００度〜６００度程度以下の温度で加熱処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、液滴吐出法により、配線層やマスク層のパターニングを直接行うことができるので、材料の利用効率を向上させて、かつ、作製工程を簡略化したＴＦＴ及びそれを用いた信頼性の高い発光表示装置を得ることができる
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００５１】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図１〜図２を用いて説明する。より詳しくは、本発明を適用した発光表示装置の作製方法について説明する。まず、ゲート電極とソース・ドレイン配線の作製に本発明を適用した、チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する発光表示装置の作製方法について、図１、図２を用いて説明する。
【００５２】
基板１００の上に、下地前処理として密着性を向上させる下地膜１０１を形成する。基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板、ステンレス基板又は本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いる。また、基板１００の表面が平坦化されるようにＣＭＰ法などによって、研磨しても良い。なお、基板１００上に、絶縁層を形成してもよい。絶縁層は、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法等の公知の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物材料を用いて、単層又は積層して形成される。この絶縁層は、形成しなくても良いが、基板１００からの汚染物質などを遮断する効果がある。ガラス基板よりの汚染を防ぐための下地層を形成する場合は、その上に液滴吐出法によって形成する導電層１０２、１０３の下地前処理として下地膜１０１を形成する。
【００５３】
パターンの形成に用いる液滴吐出装置の一態様は図２２に示されている。液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５は制御手段１４０７に接続され、それがコンピュータ１４１０で制御することにより予めプログラミングされたパターンを描画することができる。描画するタイミングは、例えば、基板１４００上に形成されたマーカー１４１１を基準に行えば良い。或いは、基板１４００の縁を基準にして基準点を確定させても良い。これをＣＣＤなどの撮像手段１４０４で検出し、画像処理手段１４０９にてデジタル信号に変換したものをコンピュータ１４１０で認識して制御信号を発生させて制御手段１４０７に送る。勿論、基板１４００上に形成されるべきパターンの情報は記憶媒体１４０８に格納されたものであり、この情報を基にして制御手段１４０７に制御信号を送り、液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５を個別に制御することができる。吐出する材料は、材料供給源１４１３、材料供給源１４１４より配管を通してヘッド１４０５、ヘッド１４１２にそれぞれ供給される。
【００５４】
ヘッド１４０５内部は、点線１４０６が示すように液状の材料を充填する空間と、吐出口であるノズルを有する構造となっている。図示しないが、ヘッド１４１２もヘッド１４０５と同様な内部構造を有する。一つのヘッドで、導電材料や有機、無機材料などをそれぞれ吐出し、描画することができ、層間膜のような広領域に描画する場合は、スループットを向上させるため複数のノズルより同材料を同時に吐出し、描画することができる。大型基板を用いる場合、ヘッド１４０５は基板上を、自在に走査し、描画する領域を自由に設定することができ、同じパターンを一枚の基板に複数描画することができる。
【００５５】
本実施の形態では、密着性を向上させる機能を有する下地膜として、光触媒の機構を有する物質を用いる。光触媒物質は、ゾルゲル法のディップコーティング法、スピンコーティング法、液滴吐出法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、CVD法、スパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、プラズマ溶射法、プラズマスプレー法、又は陽極酸化法により形成することができる。また物質は、その形成方法により膜としての連続性を有さなくても良い。複数の金属を含む酸化物半導体からなる光触媒物質の場合、構成元素の塩を混合、融解して形成することができる。ディップコーティング法、スピンコーティング法等の塗布法により光触媒物質を形成する場合、溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥すればよい。具体的には、所定の温度（例えば、３００℃以上）で加熱すればよく、好ましくは酸素を有する雰囲気で行う。例えば、導電ペーストとしてＡｇを用い、酸素及び窒素を有する雰囲気で焼成を行うと、熱硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まないＡｇを得ることができる。その結果、Ａｇ表面の平坦性を高めることができる。
【００５６】
この加熱処理により、光触媒物質は所定の結晶構造を有することができる。例えば、アナターゼ型やルチル−アナターゼ混合型を有する。低温相ではアナターゼ型が優先的に形成される。そのため光触媒物質が所定の結晶構造を有していない場合も加熱すればよい。また塗布法により形成する場合、所定の膜厚を得るために複数回にわたって光触媒物質を形成することもできる。
【００５７】
本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX（代表としてはＴｉＯ2）結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【００５８】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【００５９】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜１０１を形成することが好ましい。
【００６０】
下地膜１０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ゲート電極層となる導電層１０２、１０３を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【００６１】
第一の方法としては、導電層１０２、１０３と重ならない下地膜１０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、導電層１０２、１０３と重ならない下地膜１０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜１０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【００６２】
第２の方法としては、導電層１０２、１０３をマスクとして、下地膜１０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜１０１の厚さに制約はない。
【００６３】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【００６４】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【００６５】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、後にゲート電極として機能する導電層１０２、１０３を形成する。この導電層１０２、１０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。
【００６６】
この導電層１０２、１０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。液滴吐出手段とは、組成物の吐出口を有するノズルや、１つ又は複数のノズルを具備したヘッド等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。液滴吐出手段が具備するノズルの径は、０．０２〜１００μｍ（好適には３０μｍ以下）に設定し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００１ｐｌ〜１００ｐｌ（好適には１０ｐｌ以下）に設定する。吐出量は、ノズルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物とノズルの吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適には０．１〜３ｍｍ（好適には１ｍｍ以下）程度に設定する。
【００６７】
吐出口から吐出する組成物は、導電性材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いる。導電性材料とは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ等の金属、Ｃｄ、Ｚｎの金属硫化物、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂａなどの酸化物、ハロゲン化銀の微粒子又は分散性ナノ粒子に相当する。また、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物と酸化珪素からなるＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタン等に相当する。但し、吐出口から吐出する組成物は、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。但し、銀、銅を用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。バリア膜としては、窒化珪素膜やニッケルボロン（ＮｉＢ）を用いるとことができる。
【００６８】
また、導電性材料の周りに他の導電性材料がコーティングされ、複数の層になっている粒子でも良い。例えば、銅の周りにニッケルボロン（ＮｉＢ）がコーティングされ、その周囲に銀がコーティングされている３層構造の粒子などを用いても良い。溶媒は、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセトン等の有機溶剤等を用いる。組成物の粘度は５０ｍＰａ・Ｓ（ｃｐｓ）以下が好適であり、これは、乾燥が起こることを防止したり、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにしたりするためである。また、組成物の表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下が好適である。但し、用いる溶媒や、用途に合わせて、組成物の粘度等は適宜調整するとよい。一例として、ＩＴＯや、有機インジウム、有機スズを溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜５０ｍＰａ・Ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・Ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・Ｓに設定するとよい。
【００６９】
また、導電層は、複数の導電性材料を積層しても良い。また、始めに導電性材料として銀を用いて、液滴吐出法で導電層を形成した後、銅などでめっきを行ってもよい。めっきは電気めっきや化学（無電界）めっき法で行えばよい。めっきは、めっきの材料を有する溶液を満たした容器に基板表面を浸してもよいが、基板を斜め（または垂直）に立てて設置し、めっきする材料を有する溶液を、基板表面に流すように塗布してもよい。基板を立てて溶液を塗布するようにめっきを行うと、工程装置が小型化する利点がある。
【００７０】
各ノズルの径や所望のパターン形状などに依存するが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のため、導電体の粒子の径はなるべく小さい方が好ましく、好適には粒径０．１μｍ以下が好ましい。組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知の方法で形成されるものであり、その粒子サイズは、一般的に約０．０１〜１０μｍである。但し、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護されたナノ分子は約７ｎｍと微細であり、またこのナノ粒子は、被覆剤を用いて各粒子の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す。従って、被覆剤を用いることが好ましい。
【００７１】
組成物を吐出する工程は、減圧下で行うと、組成物を吐出して被処理物に着弾するまでの間に、該組成物の溶媒が揮発し、後の乾燥と焼成の工程を省略することができる。また、減圧下で行うと、導電体の表面に酸化膜などが形成されないため好ましい。また、組成物を吐出後、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、例えば、乾燥は１００度で３分間、焼成は２００〜３５０度で１５分間〜３０分間で行うもので、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥の工程、焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などにより行う。なお、この加熱処理を行うタイミングは特に限定されない。乾燥と焼成の工程を良好に行うためには、基板を加熱しておいてもよく、そのときの温度は、基板等の材質に依存するが、一般的には１００〜８００度（好ましくは２００〜３５０度）とする。本工程により、組成物中の溶媒の揮発、又は化学的に分散剤を除去するとともに、周囲の樹脂が硬化収縮することで、ナノ粒子間を接触させ、融合と融着を加速する。
【００７２】
レーザ光の照射は、連続発振またはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いれば良い。前者の気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられ、後者の固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ等がドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4等の結晶を使ったレーザ等が挙げられる。なお、レーザ光の吸収率の関係から、連続発振のレーザを用いることが好ましい。また、パルス発振と連続発振を組み合わせた所謂ハイブリッドのレーザ照射方法を用いてもよい。但し、基板１００の耐熱性に依っては、レーザ光の照射による加熱処理は、該基板１００が破壊しないように、数マイクロ秒から数十秒の間で瞬間的に行うとよい。瞬間熱アニール（ＲＴＡ）は、不活性ガスの雰囲気下で、紫外光乃至赤外光を照射する赤外ランプやハロゲンランプなどを用いて、急激に温度を上昇させ、数分〜数マイクロ秒の間で瞬間的に熱を加えて行う。この処理は瞬間的に行うために、実質的に最表面の薄膜のみを加熱することができ、下層の膜には影響を与えない。つまり、プラスチック基板等の耐熱性が弱い基板にも影響を与えない。
【００７３】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜１０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層を形成した後にも行っても良い。
【００７４】
次に、導電層１０２、１０３の上にゲート絶縁膜を形成する（図１（Ａ）参照）。ゲート絶縁膜としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。例えば、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜３層の積層でも、またそれらや、酸化窒化珪素膜の単層、２層からなる積層でも良い。本実施の形態では、絶縁層１０４に窒化珪素膜をゲート絶縁層１０５に窒化酸化珪素膜を用いる。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。また、液滴吐出法で形成される導電層に銀や銅などを用いる場合、その上にバリア膜として窒化珪素膜やＮｉＢ膜を形成すると、不純物の拡散を防ぎ、表面を平坦化する効果がある。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流に少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。
【００７５】
続いて、ゲート絶縁膜上に選択的に、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）１０６を形成する（図１（Ｂ）参照。）。導電層１０６は、基板１００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。
【００７６】
また、好ましくは、スパッタリング法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで形成する。より好ましくは、ＩＴＯに酸化珪素が２〜１０重量％含まれたターゲットを用いてスパッタリング法で酸化珪素を含む酸化インジウムスズを用いる。この他、酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化物導電性材料を用いても良い。スパッタリング法で導電層（第１の電極）１０６を形成した後は、液滴吐出法を用いてマスク層を形成しエッチングにより、所望のパターンに形成すれば良い。本実施の形態では、導電層１０６は、透光性を有する導電性材料により液滴吐出法を用いて形成し、具体的には、インジウム錫酸化物、ＩＴＯと酸化珪素から構成されるＩＴＳＯを用いて形成する。図示しないが、導電層１０６を形成する領域に導電層１０２、１０３を形成する時と同様に、光触媒物質を形成してもよい。光触媒物質によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層１０６を形成する事ができる。この導電層１０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【００７７】
本実施の形態では、ゲート絶縁層は窒化珪素からなる窒化珪素膜／酸化窒化珪素膜（酸化珪素膜）／窒化珪素膜の３層の例を前述した。好ましい構成として、酸化珪素を含む酸化インジウムスズで形成される導電層（第１の電極）１０６は、ゲート絶縁層１０５に含まれる窒化珪素からなる絶縁層と密接して形成され、それにより電界発光層で発光した光が外部に放射される割合を高めることが出来るという効果を発現させることができる。
【００７８】
また、発光した光を基板１００側とは反対側に放射させる構造とする場合には、反射型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜若しくは光反射性の導電膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチング加工を組み合わせて第１の電極層を形成しても良い。
【００７９】
導電層（第１の電極）１０６は、その表面が平坦化されるように、ＣＭＰ法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またＣＭＰ法を用いた研磨後に、導電層（第１の電極）１０６の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
【００８０】
半導体層は公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体層の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００８１】
半導体層は、アモルファス半導体（代表的には水素化アモルファスシリコン）、結晶性半導体（代表的にはポリシリコン）を素材として用いている。ポリシリコンには、８００℃以上のプロセス温度を経て形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させた結晶シリコンなどを含んでいる。
【００８２】
また、他の物質として、セミアモルファス半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。セミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体であり、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものである。典型的にはシリコンを主成分として含み、格子歪みを伴って、ラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている半導体層である。また、未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ここでは、このような半導体をセミアモルファス半導体（以下「ＳＡＳ」と呼ぶ。）と呼ぶ。このＳＡＳは所謂微結晶（マイクロクリスタル）半導体（代表的には微結晶シリコン）とも呼ばれている。
【００８３】
このＳＡＳは珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。また、GeF4、Ｆ2を混合してもよい。この珪化物気体を水素、若しくは水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。珪化物気体に対する水素の希釈率は、例えば流量比で２倍〜１０００倍とすることが好ましい。勿論、グロー放電分解によるＳＡＳの形成は、減圧下で行うことが好ましいが、大気圧における放電を利用しても形成することができる。代表的には、０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの圧力範囲で行えば良い。グロー放電を形成するための電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。高周波電力は適宜設定すれば良い。基板加熱温度は３００℃以下が好ましく、１００〜２００℃の基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は１×１０20ｃｍ-3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０19ｃｍ-3以下、好ましくは１×１０19ｃｍ-3以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。また半導体層としてフッ素系ガスより形成されるＳＡＳ層に水素系ガスより形成されるＳＡＳ層を積層してもよい。
【００８４】
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、公知の方法（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると膜が破壊されてしまうからである。
【００８５】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体層の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【００８６】
また、非晶質半導体層の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【００８７】
半導体として、有機材料を用いる有機半導体を用いてもよい。有機半導体としては、低分子材料、高分子材料などが用いられ、有機色素、導電性高分子材料などの材料も用いることが出来る。
【００８８】
本実施の形態では、半導体として、非晶質半導体を用いる。非晶質半導体層である半導体層１０７を形成し、チャネル保護膜１０９、１１０を形成するため、例えば、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、所望の領域に、所望の形状となるようにパターニングする。このとき、ゲート電極をマスクとして基板の裏面から露光することにより、チャネル保護膜１０９、１１０を形成することができる。またチャネル保護膜は、液滴吐出法を用いてポリイミド又はポリビニルアルコール等を滴下してもよい。その結果、露光工程を省略することができる。その後、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体層、例えばＮ型非晶質半導体層を用いてＮ型半導体層１０８を形成する。（図１（Ｃ）参照）。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。
【００８９】
チャネル保護膜としては、無機材料（酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など）、感光性または非感光性の有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど）、低誘電率であるＬｏｗ  ｋ材料などの一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。作製法としては、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）を用いることもできる。塗布法で得られるＴＯＦ膜やＳＯＧ膜なども用いることができる。
【００９０】
続いて、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層１１１、１１２を形成し、該マスク層１１１、１１２を用いて、半導体層１０７、Ｎ型半導体層１０８を同時にパターン加工する。
【００９１】
次に、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層１１３、１１４を液滴吐出法を用いて形成する（図１（Ｄ）参照。）。そのマスク層１１３、１１４を用いて、エッチング加工によりゲート絶縁層１０５、１０４の一部に貫通孔１１８を形成して、その下層側に配置されているゲート電極層として機能する導電層１０３の一部を露出させる。エッチング加工はプラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ4、ＮＦ3、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、などのフッ素系又は塩素系のガスを用い、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【００９２】
マスク層１１３、１１４を除去した後、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層１１５、１１６、１１７を形成し、該導電層１１５、１１６、１１７をマスクとして、Ｎ型半導体層をパターン加工して、Ｎ型半導体層を形成する（図２（Ｅ）参照）。導電層１１５、１１６、１１７は配線層として機能する。なお、図示しないが、導電層１１５、１１６、１１７を形成する前に、導電層１１５、１１６、１１７がゲート絶縁層１０５と接す部分に選択的に光触媒物質などを形成する、前述の下地前処理工程を行っても良い。そうすると、導電層は密着性よく形成できる。
【００９３】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜を形成する工程を行い、かつ、この処理工程は、導電層を形成した後にも行っても良い。この工程により、層間の密着性が向上するため、発光表示装置の信頼性も向上することができる。
【００９４】
導電層１１７は、ソース、ドレイン配線層として機能し、前に形成された第１の電極に電気的に接続するように形成される。また、ゲート絶縁層１０５に形成した貫通孔１１８において、ソース及びドレイン配線層である導電層１１６とゲート電極層である導電層１０３とを電気的に接続させる。この配線層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。また、透光性を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物と酸化珪素からなるＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを組み合わせても良い。
【００９５】
ゲート絶縁層１０５、１０４の一部に貫通孔１１８を形成する工程を、導電層１１５、１１６、１１７形成後に、該導電層１１５、１１６、１１７をマスクとして用いて貫通孔１１８を形成してもよい。そして貫通孔１１８に導電層を形成し導電層１１６とゲート電極層である導電層１０３を電気的に接続する。この場合、工程が簡略化する利点がある。
【００９６】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層（絶縁層ともいう）１２０を形成する。また、図示しないが、絶縁層１２０の下に薄膜トランジスタを覆うように全面に窒化珪素若しくは窒化酸化珪素の保護層を形成してもよい。絶縁層１２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図２（Ｆ）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層１２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。液滴吐出法を用いて、絶縁層１２０など広領域に形成する場合、液滴吐出装置の複数のノズル吐出口から組成物を吐出し、複数の線が重なるように描画し形成すると、スループットが向上する。
【００９７】
絶縁層１２０は、第１の電極である導電層１０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。この絶縁層１２０は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド(polyimide)、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール(polybenzimidazole)などの耐熱性高分子、又はシロキサン系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサン、珪素上の水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサン系の絶縁材料で形成することができる。アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材料を用いて形成すると、その側面は曲率半径が連続的に変化する形状となり、上層の薄膜が段切れせずに形成されるため好ましい。
【００９８】
以上の工程により、基板１００上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のチャネル保護型ＴＦＴと第１の電極（第１電極層）が接続されたＥＬ表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【００９９】
電界発光層１２１を形成する前に、大気圧中で２００℃の熱処理を行い絶縁層１２０中若しくはその表面に吸着している水分を除去する。また、減圧下で２００〜４００℃、好ましくは２５０〜３５０℃に熱処理を行い、そのまま大気に晒さずに電界発光層１２１を真空蒸着法や、減圧下の液滴吐出法で形成することが好ましい。
【０１００】
電界発光層１２１として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料はカラーフィルタ同様、液滴吐出法により形成することもでき（低分子または高分子材料など）、この場合マスクを用いずとも、ＲＧＢの塗り分けを行うことができるため好ましい。電界発光層１２１上に第２の電極である導電層１２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図２（Ｆ）参照）。
【０１０１】
図示しないが、第２の電極を覆うようにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮX）を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。例えば窒素含有炭素膜（ＣＮX）＼窒化珪素（ＳｉＮ）のような積層、また有機材料を用いることも出来、スチレンポリマーなど高分子の積層でもよい。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１０２】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤＬＣ膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い電界発光層の上方にも容易に成膜することができる。ＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法など）、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス（例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6など）とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、ＣＮ膜は反応ガスとしてＣ2Ｈ4ガスとＮ2ガスとを用いて形成すればよい。ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、電界発光層の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に電界発光層が酸化するといった問題を防止できる。
【０１０３】
本実施の形態の発光表示装置の画素部上面図を図１６（Ａ）に、回路図を（B）に示す。１６０１は、１６０２はＴFT、１６０３は発光素子、１６０４は容量、１６０５はソース線、１６０６はゲート線、１６０７は電源線である。ＴＦＴ１６０１は信号線との接続状態を制御するトランジスタ（以下「スイッチング用トランジスタ」又は「スイッチング用ＴＦＴ」ともいう。）であり、ＴＦＴ１６０２は発光素子へ流れる電流を制御するトランジスタ（以下「駆動用トランジスタ」又は「駆動用ＴＦＴ」ともいう。）であり、駆動用TFTが発光素子と直列に接続されている。容量１６０４は駆動用ＴＦＴであるＴＦＴ１６０２のソース、ゲート間の電圧を保持する。
【０１０４】
本実施例の発光表示装置の詳細な図を図１３に示す。スイッチング用ＴＦＴ１６０１と、発光素子１６０３に接続する駆動用ＴＦＴであるＴＦＴ１６０２を有する基板１００は、シール材１５１によって封止基板１５０と固着されている。基板１００上に形成された各回路に供給される各種信号は、端子部で供給される。
【０１０５】
端子部には、導電層１０２、１０３と同工程でゲート配線層１６０が形成される。勿論、ゲート配線層１６０の形成領域にも、導電層１０２、１０３と同様、光触媒物質が形成されており、液滴吐出法によって形成する際、ゲート配線層１６０の下地の形成領域との密着性を向上させることができる。ゲート配線層１６０を剥き出しにするエッチングは、ゲート絶縁層１０５に貫通孔１１８を形成する際、同時に行うことができる。ゲート配線層１６０に、異方性導電層１６１によってフレキシブル配線基板（FPC）１６２を接続することができる。
【０１０６】
なお、上記発光表示装置では、ガラス基板で発光素子１６０３を封止した場合を示すが、封止の処理とは、発光素子を水分から保護するための処理であり、カバー材で機械的に封入する方法、熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂で封入する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法のいずれかを用いる。カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等のシール材を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。この吸湿材は、シール材の上に接して設けても良いし、発光素子よりの光を妨げないような、隔壁の上や周辺部に設けても良い。さらに、カバー材と発光素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
【０１０７】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０１０８】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。
【０１０９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態について、図５〜図６を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１において、薄膜トランジスタとしてチャネルエッチ型の薄膜トランジスタを用いるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０１１０】
基板５００の上に、密着性を向上させる機能を有する下地膜５０１を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、基板５００上に、絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は下地膜として用い、形成しなくても良いが、基板５００からの汚染物質などを遮断する効果がある。ガラス基板よりの汚染を防ぐための下地層を形成する場合は、その上に液滴吐出法によって形成する導電層５０２、５０３の形成領域に下地膜として下地膜５０１を形成する。
【０１１１】
本実施の形態では、密着性を向上させる機能を有する下地膜として、光触媒の機構を有する物質を用いる。
【０１１２】
本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０１１３】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０１１４】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜５０１を形成することが好ましい。下地膜１０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ゲート電極層となる導電層５０２、５０３を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０１１５】
第一の方法としては、導電層５０２、５０３と重ならない下地膜５０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、導電層５０２、５０３と重ならない下地膜５０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜５０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０１１６】
第２の方法としては、導電層５０２、５０３をマスクとして、下地膜５０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜５０１の厚さに制約はない。
【０１１７】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０１１８】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１１９】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、後にゲート電極として機能する導電層５０２、５０３を形成する。この導電層５０２、５０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。  本実施の形態では、導電性材料として銀を用いるが、銀と銅などの積層体としても良い。また銅単層でもよい。
【０１２０】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜５０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層を形成した後にも行っても良い。
【０１２１】
次に、導電層５０２、５０３の上にゲート絶縁膜を形成する（図５（Ａ）参照）。ゲート絶縁膜としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。
【０１２２】
続いて、ゲート絶縁膜上に選択的に、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）５０６を形成する（図２（Ｂ）参照）。導電層５０６は、基板５００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。図示しないが、導電層５０６を形成する領域に導電層５０２、５０３を形成する時と同様に、光触媒物質を形成してもよい。光触媒物質によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層５０６を形成する事ができる。この導電層５０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０１２３】
半導体層は公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体層の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０１２４】
半導体層は、アモルファス半導体（代表的には水素化アモルファスシリコン）、セミアモルファス半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体、結晶性半導体（代表的にはポリシリコン）、有機半導体を用いることができる。
【０１２５】
本実施の形態では、半導体として、非晶質半導体を用いる。半導体層５０７を形成し、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体層、例えばＮ型半導体層５０８を形成する。（図５（Ｃ）参照）。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。
【０１２６】
続いて、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層５１１、５１２を形成し、該マスク層５１１、５１２を用いて、半導体層５０７、Ｎ型半導体層５０８を同時にパターン加工する。
【０１２７】
次に、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層５１３、５１４を液滴吐出法を用いて形成する（図５（Ｄ）参照。）。そのマスク層５１３、５１４を用いて、エッチング加工によりゲート絶縁層５０５、５０４の一部に貫通孔５１８を形成して、その下層側に配置されているゲート電極層として機能する導電層５０３の一部を露出させる。
【０１２８】
マスク層５１３、５１４を除去した後、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層５１５、５１６、５１７を形成し、該導電層５１５、５１６、５１７をマスクとして、Ｎ型半導体層をパターン加工して、Ｎ型半導体層を形成する（図６（Ｅ）参照）。なお、図示しないが、導電層５１５、５１６、５１７を形成する前に、導電層５１５、５１６、５１７がゲート絶縁層５０５と接す部分に選択的に光触媒物質を形成しても良い。そうすると、導電層は密着性よく形成できる。
【０１２９】
導電層５１７は、ソース、ドレイン配線層として機能し、前に形成された第１の電極である導電層５０６に電気的に接続するように形成される。また、ゲート絶縁層５０５に形成した貫通孔５１８において、ソース及びドレイン配線層である導電層５１６とゲート電極層である導電層５０３とを電気的に接続させる。
【０１３０】
ゲート絶縁層５０５、５０４の一部に貫通孔５１８を形成する工程を、導電層５１５、５１６、５１７形成後に、該配線層となる導電層５１５、５１６、５１７をマスクとして用いて貫通孔５１８を形成してもよい。そして貫通孔５１８に導電層を形成し配線層である導電層５１６とゲート電極層である導電層５０３を電気的に接続する。この場合、工程が簡略化する利点がある。
【０１３１】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層５２０を形成する。絶縁層５２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図６（Ｆ）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層５２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。
【０１３２】
絶縁層５２０は、第１の電極である導電層５０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０１３３】
以上の工程により、基板５００上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のチャネルエッチ型ＴＦＴと第１の電極である導電層５０６が接続されたＴＦＴ基板が完成する。
【０１３４】
第１の電極である導電層５０６上に、電界発光層５２１、に導電層５２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図６（Ｆ）参照）。
【０１３５】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０１３６】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。
【０１３７】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態について、図９〜図１０を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１において、薄膜トランジスタとしてトップゲート（順スタガともいう）型の薄膜トランジスタを用いるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０１３８】
基板９００の上に、密着性を向上させる機能を有する下地膜９０１を形成する（図９（Ａ）参照）。なお、基板９００上に、絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は形成しなくても良いが、基板９００からの汚染物質などを遮断する効果がある。特に本実施の形態のように順スタガ型の薄膜トランジスタであると、半導体層が基板に直接接することになるので、下地層は必要である。ガラス基板よりの汚染を防ぐための下地層を形成する場合は、その上に液滴吐出法によって形成する導電層９１５、９１６、９１７の形成領域に下地膜として下地膜９０１を形成する。
【０１３９】
本実施の形態では、密着性を向上させる機能を有する下地膜９０１として、光触媒の機構を有する物質を用いる。
【０１４０】
本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０１４１】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０１４２】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜１０１を形成することが好ましい。下地膜１０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ソースドレイン配線層として機能する導電層９１５、９１６、９１７を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０１４３】
第一の方法としては、ソースドレイン配線層として機能する導電層９１５、９１６、９１７と重ならない下地膜９０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、ソースドレイン配線層として機能する導電層９１５、９１６、９１７と重ならない下地膜９０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜９０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０１４４】
第２の方法としては、ソースドレイン配線層として機能する導電層９１５、９１６、９１７をマスクとして、下地膜９０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜９０１の厚さに制約はない。
【０１４５】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０１４６】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１４７】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、ソースドレイン配線層として機能する導電層９１５、９１６、９１７を形成する。この導電層９１５、９１６、９１７の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。
【０１４８】
導電層９１５、９１６、９１７層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。特に、ソース及びドレイン配線層は、低抵抗化することが好ましのいで、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【０１４９】
続いて、選択的に導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）９０６を形成する（図９（A）参照）。導電層９０６は、基板９００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。図示しないが、導電層９０６を形成する領域に導電層９１５、９１６、９１７を形成する時と同様に、光触媒物質を形成してもよい。光触媒物質によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層９０６を形成する事ができる。この導電層９０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０１５０】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜９０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層９１５、９１６、９１７を形成した後にも行っても良い。例えば、図示しないが、酸化チタン膜を形成し、その上にＮ型の半導体層を形成すると、導電層とＮ型の半導体層との密着性が向上する。
【０１５１】
導電層９１５、９１６、９１７上にＮ型の半導体層を全面に形成した後、導電層９１５と導電層９１６の間、導電層９１６と導電層９１７の間にあるＮ型の半導体層を、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層９１１、９１２、９１９を用いてエッチングして除去する。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。そして、ＡＳ若しくはＳＡＳからなる半導体層９０７を気相成長法若しくはスパッタリング法で形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、ＡＳは半導体材料ガスであるＳｉＨ4若しくはＳｉＨ4とＨ2の混合気体を用いて形成する。ＳＡＳは、ＳｉＨ4をＨ2で３倍〜１０００倍に希釈して混合気体で形成する。このガス種でＳＡＳを形成する場合には、半導体層の表面側の方が結晶性が良好であり、ゲート電極を半導体層の上層に形成するトップゲート型のＴＦＴとの組み合わせは適している。
【０１５２】
次に、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁層９０５を単層又は積層構造で形成する。特に好ましい形態としては、窒化珪素からなる絶縁層、酸化珪素からなる絶縁層、窒化珪素からなる絶縁層の３層の積層体をゲート絶縁膜として構成させる。
【０１５３】
次に、ゲート電極層９０２、９０３を液滴吐出法で形成する。この層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。
【０１５４】
、
半導体層９０７及びゲート絶縁層９０５は、液滴吐出法により形成したマスク層９１３、９１４を使って、ソース及びドレイン配線層（導電層９１５、９１６、９１７）に対応する位置に形成する。すなわち、導電層９１５と導電層９１６とを跨るように半導体層を形成する。
【０１５５】
次に、導電層９３０、９３１を液滴吐出法で形成し、導電層９１６とゲート電極層９０３を、導電層９１７と第１の電極である導電層９０６とを電気的に接続する。
【０１５６】
ドレインまたはソース配線層とゲート電極層間を、導電層９３０を用いずにゲート電極層によって、直接接続してもよい。その場合、ゲート電極層９０２、９０３を形成する前に、ゲート絶縁層９０５に貫通孔を形成し、ソース及びドレイン配線である導電層９１６、９１７の一部を露出させた後、ゲート電極層９０２、９０３、導電層９３１を液滴吐出法で形成する。このときゲート電極層９０３は導電層９３０を兼ねた配線となり、導電層９１６と接続する。エッチングはドライエッチングでもウェットエッチングでもよいが、ドライエッチングであるプラズマエッチングが好ましい。
【０１５７】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層９２０を形成する。また、図示しないが、絶縁層９２０の下に薄膜トランジスタを覆うように全面に窒化珪素若しくは窒化酸化珪素の保護層を形成してもよい。絶縁層９２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図１０（E）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層９２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。液滴吐出法を用いて、絶縁層９２０など広領域に形成する場合、液滴吐出装置の複数のノズル吐出口から組成物を吐出し、複数の線が重なるように描画し形成すると、スループットが向上する。
【０１５８】
絶縁層９２０は、第１の電極である導電層９０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０１５９】
以上の工程により、基板９００上にトップゲート型（逆スタガ型ともいう。）ＴＦＴと第１の電極層である導電層９０６が接続されたＴＦＴ基板が完成する。
【０１６０】
電界発光層９２１を形成する前に、大気圧中で２００℃の熱処理を行い絶縁層９２０中若しくはその表面に吸着している水分を除去する。また、減圧下で２００〜４００℃、好ましくは２５０〜３５０℃に熱処理を行い、そのまま大気に晒さずに電界発光層９２１を真空蒸着法や、減圧下の液滴吐出法で形成することが好ましい。
【０１６１】
第１の電極である導電層９０６上に、電界発光層９２１、に導電層９２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図１０（E）参照。）。
【０１６２】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０１６３】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。
【０１６４】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態について、図３〜図４を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１において、薄膜トランジスタと第１の電極との接続構造が異なるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０１６５】
基板３００の上に、下地前処理として密着性を向上させる下地膜３０１を形成する。本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０１６６】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０１６７】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜３０１を形成することが好ましい。下地膜３０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ゲート電極層となる導電層３０２、３０３を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０１６８】
第一の方法としては、導電層３０２、３０３と重ならない下地膜３０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、導電層３０２、３０３と重ならない下地膜３０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜３０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０１６９】
第２の方法としては、導電層３０２、３０３をマスクとして、下地膜１０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜３０１の厚さに制約はない。
【０１７０】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０１７１】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１７２】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、後にゲート電極として機能する導電層３０２、３０３を形成する。この導電層３０２、３０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。  本実施の形態では、導電性材料として銀を用いるが、銀と銅などの積層体としても良い。また銅単層でもよい。
【０１７３】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜３０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層を形成した後にも行っても良い。
【０１７４】
次に、導電層３０２、３０３の上にゲート絶縁膜を形成する（図３（Ａ）参照）。ゲート絶縁膜としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。
【０１７５】
半導体層は公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体層の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０１７６】
半導体層は、アモルファス半導体（代表的には水素化アモルファスシリコン）、セミアモルファス半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体、結晶性半導体（代表的にはポリシリコン）、有機半導体を用いることができる。
【０１７７】
本実施の形態では、半導体として、非晶質半導体を用いる。半導体層３０７を形成し、チャネル保護膜３０９、３１０を形成するため、例えば、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、所望の領域に、所望の形状となるようにパターニングする。またチャネル保護膜は、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）を用いてポリイミド又はポリビニルアルコール等を形成してもよい。その後、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体層、例えばＮ型半導体層３０８を形成する。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。
【０１７８】
続いて、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層３１１、３１２を形成し、該マスク層３１１、３１２を用いて、半導体層３０７、Ｎ型半導体層３０８を同時にパターン加工する。
【０１７９】
次に、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層３１３、３１４を液滴吐出法を用いて形成する（図３（Ｃ）参照。）。そのマスク層３１３、３１４を用いて、エッチング加工によりゲート絶縁層３０５、３０４の一部に貫通孔３１８を形成して、その下層側に配置されているゲート電極層として機能する導電層３０３の一部を露出させる。エッチング加工はプラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０１８０】
マスク層３１３、３１４を除去した後、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層３１５、３１６、３１７を形成し、該導電層３１５、３１６、３１７をマスクとして、Ｎ型半導体層をパターン加工する（図３（Ｄ）参照）。なお、図示しないが、導電層３１５、３１６、３１７を形成する前に、導電層３１５、３１６、３１７がゲート絶縁層３０５と接する部分に選択的に光触媒物質などを形成する、前述の下地前処理工程を行っても良い。また形成後にもその表面に下地前処理を行っても良い。この工程により、導電層は積層する上下の層と密着性よく形成できる。
【０１８１】
また、配線層である導電層３１５、３１６、３１７は、図３（Ｄ）にように、Ｎ型半導体層、半導体層を覆うように形成される。半導体層はエッチングによりパターニングされているので、急激な段差のあるところで配線層が覆いきれず断線するおそれがある。よって、段差を軽減するために、絶縁層３４１、３４２、３４３を形成し、段差をなだらかにしてもよい。絶縁層３４１、３４２、３４３は液滴吐出法を用いると選択的にマスク等なしで形成することができる。この絶縁層３４１、３４２、３４３により、段差は軽減され、その上を覆う配線層も断切れ等の不良なく、カバレッジよく形成することが出来る。この絶縁層３４１、３４２、３４３は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド(polyimide)、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール(polybenzimidazole)などの耐熱性高分子、又はシロキサン系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサン、珪素上の水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサン系の絶縁材料で形成することができる。
【０１８２】
続いて、ゲート絶縁膜上に選択的に、ソース、ドレイン配線層として機能する導電層３１７と接するように導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）３０６を形成する（図４（Ｅ）参照）。導電層３０６は、基板３００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。図示しないが、導電層３０６を形成する領域に導電層３０２、３０３を形成する時と同様に、光触媒物質など形成等の下地前処理を行ってもよい。下地前処理によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層３０６を形成する事ができる。この導電層３０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０１８３】
また、ゲート絶縁層３０５に形成した貫通孔３１８において、ソース及びドレイン配線層である導電層３１６とゲート電極層である導電層３０３とを電気的に接続させる。この配線層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。また、透光性を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物と酸化珪素からなるＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを組み合わせても良い。
【０１８４】
ゲート絶縁層３０５、３０４の一部に貫通孔３１８を形成する工程を、導電層３１５、３１６、３１７、３０６形成後に、導電層３１５、３１６、３１７、３０６をマスクとして用いて貫通孔３１８を形成してもよい。そして貫通孔３１８に導電層を形成し導電層３１６とゲート電極層である導電層３０３を電気的に接続する。
【０１８５】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層３２０を形成する。また、図示しないが、絶縁層３２０の下に薄膜トランジスタを覆うように全面に窒化珪素若しくは窒化酸化珪素の保護層を形成してもよい。絶縁層３２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図４（Ｆ）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層３２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。液滴吐出法を用いて、絶縁層３２０など広領域に形成する場合、液滴吐出装置の複数のノズル吐出口から組成物を吐出し、複数の線が重なるように描画し形成すると、スループットが向上する。
【０１８６】
絶縁層３２０は、第１の電極である導電層３０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０１８７】
以上の工程により、基板３００上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のチャネル保護型ＴＦＴと導電層（第１の電極層）３０６が接続されたＥＬ表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１８８】
第１の電極である導電層３０６上に、電界発光層３２１、に導電層３２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図４（Ｆ）参照）。
【０１８９】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０１９０】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。
【０１９１】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態について、図７〜図８を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態２において、薄膜トランジスタと第１の電極との接続構造が異なるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０１９２】
基板７００の上に、下地前処理として密着性を向上させる下地膜７０１を形成する。本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０１９３】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０１９４】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜７０１を形成することが好ましい。下地膜７０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ゲート電極層となる導電層７０２、７０３を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０１９５】
第一の方法としては、導電層７０２、７０３と重ならない下地膜７０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、導電層７０２、７０３と重ならない下地膜７０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜７０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地膜７０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０１９６】
第２の方法としては、導電層７０２、７０３をマスクとして、下地膜７０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜１０１の厚さに制約はない。
【０１９７】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０１９８】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１９９】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、後にゲート電極として機能する導電層７０２、７０３を形成する。この導電層７０２、７０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。本実施の形態では、導電性材料として銀を用いるが、銀と銅などの積層体としても良い。また銅単層でもよい。
【０２００】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜７０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層を形成した後にも行っても良い。
【０２０１】
次に、導電層７０２、７０３の上にゲート絶縁膜を形成する（図７（Ａ）参照）。ゲート絶縁膜としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。
【０２０２】
半導体層は公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体層の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０２０３】
半導体層は、アモルファス半導体（代表的には水素化アモルファスシリコン）、セミアモルファス半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体、結晶性半導体（代表的にはポリシリコン）、有機半導体を用いることができる。
【０２０４】
本実施の形態では、半導体として、非晶質半導体を用いる。半導体層７０７を形成し、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体層、例えばＮ型半導体層７０８を形成する。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。
【０２０５】
続いて、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層７１１、７１２を形成し、該マスク層７１１、７１２を用いて、半導体層７０７、Ｎ型半導体層７０８を同時にパターン加工する（図７（Ｂ）参照）。
【０２０６】
次に、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層７１３、７１４を液滴吐出法を用いて形成する（図７（Ｃ）参照。）。そのマスク層７１３、７１４を用いて、エッチング加工によりゲート絶縁層７０５、７０４の一部に貫通孔７１８を形成して、その下層側に配置されているゲート電極層として機能する導電層７０３の一部を露出させる。エッチング加工はプラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０２０７】
マスク層７１３、７１４を除去した後、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層７１５、７１６、７１７を形成し、導電層７１５、７１６、７１７をマスクとして、Ｎ型半導体層をパターン加工する（図７（Ｄ）参照）。なお、図示しないが、導電層７１５、７１６、７１７を形成する前に、導電層７１５、７１６、７１７がゲート絶縁層７０５と接する部分に選択的に光触媒物質などを形成する、前述の下地前処理工程を行っても良い。また形成後にもその表面に下地前処理を行っても良い。この工程により、導電層は積層する上下の層と密着性よく形成できる。
【０２０８】
続いて、ゲート絶縁膜上に選択的に、ソース、ドレイン配線層として機能する導電層７１７と接するように導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）７０６を形成する（図８（Ｅ）参照）。導電層７０６は、基板７００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。図示しないが、導電層７０６を形成する領域に導電層７０２、７０３を形成する時と同様に、光触媒物質など形成等の下地前処理を行ってもよい。下地前処理によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層７０６を形成する事ができる。この導電層７０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０２０９】
また、ゲート絶縁層７０５に形成した貫通孔７１８において、ソース及びドレイン配線層である導電層７１６とゲート電極層である導電層７０３とを電気的に接続させる。この導電層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。また、透光性を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物と酸化珪素からなるＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを組み合わせても良い。
【０２１０】
ゲート絶縁層７０５、７０４の一部に貫通孔７１８を形成する工程を、導電層７１５、７１６、７１７、７０６形成後に、導電層７１５、７１６、７１７、７０６をマスクとして用いて貫通孔７１８を形成してもよい。そして貫通孔７１８に導電層を形成し導電層７１６とゲート電極層である導電層７０３を電気的に接続する。
【０２１１】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層７２０を形成する。また、図示しないが、絶縁層７２０の下に薄膜トランジスタを覆うように全面に窒化珪素若しくは窒化酸化珪素の保護層を形成してもよい。絶縁層７２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図８（Ｆ）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層７２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。液滴吐出法を用いて、絶縁層７２０など広領域に形成する場合、液滴吐出装置の複数のノズル吐出口から組成物を吐出し、複数の線が重なるように描画し形成すると、スループットが向上する。
【０２１２】
絶縁層７２０は、第１の電極である導電層７０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０２１３】
以上の工程により、基板７００上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のチャネルエッチ型ＴＦＴと第１の電極（第１電極層）７０６が接続されたＥＬ表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０２１４】
第１の電極である導電層７０６上に、電界発光層７２１、に導電層７２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図８（Ｆ）参照。）。
【０２１５】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０２１６】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる
【０２１７】
（実施の形態６）
本発明の実施の形態について、図１１〜図１２を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態３において、薄膜トランジスタと第１の電極との接続構造が異なるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０２１８】
基板２００の上に、密着性を向上させる機能を有する下地膜２０１を形成する（図１１（Ａ）参照）。なお、基板２００上に、絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は形成しなくても良いが、基板２００からの汚染物質などを遮断する効果がある。特に本実施の形態のように順スタガ型の薄膜トランジスタであると、半導体層が基板に直接接することになるので、下地層は効果的である。ガラス基板よりの汚染を防ぐための下地層を形成する場合は、その上に液滴吐出法によって形成する導電層２０２、２０３の形成領域に下地膜として下地膜２０１を形成する。
【０２１９】
本実施の形態では、密着性を向上させる機能を有する下地膜２０１として、光触媒の機構を有する物質を用いる。
【０２２０】
本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０２２１】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０２２２】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜２０１を形成することが好ましい。下地膜２０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ソースドレイン配線層として機能する導電層２１５、２１６、２１７を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０２２３】
第一の方法としては、ソースドレイン配線層として機能する導電層２１５、２１６、２１７と重ならない下地膜２０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、ソースドレイン配線層として機能する導電層２１５、２１６、２１７と重ならない下地膜２０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜２０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０２２４】
第２の方法としては、ソースドレイン配線層として機能する導電層２１５、２１６、２１７をマスクとして、下地膜２０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜２０１の厚さに制約はない。
【０２２５】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０２２６】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０２２７】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、ソースドレイン配線層として機能する導電層２１５、２１６、２１７を形成する。この導電層２１５、２１６、２１７の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。
【０２２８】
導電層２１５、２１６、２１７層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。特に、ソース及びドレイン配線層は、低抵抗化することが好ましのいで、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。また、導電性材料の周りに他の導電性材料がコーティングされ、複数の層になっている粒子でも良い。例えば、銅の周りにニッケルボロン（ＮｉＢ）がコーティングされ、その周囲に銀がコーティングされている３層構造の粒子などを用いても良い。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【０２２９】
また、液滴吐出法を用いて形成する導電層の下地前処理として、前述した下地膜２０１を形成する工程を行ったが、この処理工程は、導電層２１５、２１６、２１７を形成した後にも行っても良い。例えば、図示しないが、酸化チタン膜を形成し、その上にＮ型の半導体層を形成すると、導電層とＮ型の半導体層との密着性が向上する。
【０２３０】
導電層２１５、２１６、２１７上にＮ型の半導体層を全面に形成した後、導電層２１５と２１６の間、導電層２１６と２１７の間にあるＮ型の半導体層を、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層２１１、２１２、２１９を用いてエッチングして除去する。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。そして、ＡＳ若しくはＳＡＳからなる半導体層２０７を気相成長法若しくはスパッタリング法で形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、ＡＳは半導体材料ガスであるＳｉＨ4若しくはＳｉＨ4とＨ2の混合気体を用いて形成する。ＳＡＳは、ＳｉＨ4をＨ2で３倍〜１０００倍に希釈して混合気体で形成する。このガス種でＳＡＳを形成する場合には、半導体層の表面側の方が結晶性が良好であり、ゲート電極を半導体層の上層に形成するトップゲート型のＴＦＴとの組み合わせは適している。
【０２３１】
次に、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁層２０５を単層又は積層構造で形成する（図１１（Ｂ）参照。）。特に好ましい形態としては、窒化珪素からなる絶縁層、酸化珪素からなる絶縁層、窒化珪素からなる絶縁層の３層の積層体をゲート絶縁膜として構成させる。
【０２３２】
次に、ゲート電極層である導電層２０２、２０３を液滴吐出法で形成する（図１１（Ｃ）参照）。この層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。
【０２３３】
、
半導体層２０７及びゲート絶縁層２０５は、液滴吐出法により形成したマスク層２１３、２１４を使って、ソース及びドレイン配線層（導電層２１５、２１６、２１７）に対応する位置に形成する。すなわち、ソース及びドレイン配線層である導電層２１５と２１６とを跨るように半導体層を形成する。
【０２３４】
次に、導電層２３０、２３１を液滴吐出法で形成し、導電層２１６導電層２０３とを電気的に接続する。
【０２３５】
続いて、選択的に、導電層２３１と接するように、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）２０６を形成する。また、導電層２０６は、導電層２１７と直接接する構造でも良い。導電層２０６は、基板２００側から光を放射する場合、または透過型のＥＬ表示パネルを作製する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物により所定のパターンを形成し、焼成によって形成しても良い。図示しないが、導電層２０６を形成する領域に導電層２１５、２１６、２１７を形成する時と同様に、光触媒物質を形成してもよい。光触媒物質によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層２０６を形成する事ができる。この導電層２０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０２３６】
ドレインまたはソース配線層とゲート電極層間を、導電層２３０を用いずにゲート電極層によって、直接接続してもよい。その場合、ゲート電極層である導電層２０２、２０３を形成する前に、ゲート絶縁層２０５に貫通孔を形成し、ソース及びドレイン配線である導電層２１６、２１７の一部を露出させた後、ゲート電極層である導電層２０２、２０３、導電層２３１を液滴吐出法で形成する。このとき導電層２０３は導電層２３０を兼ねた配線となり、導電層２１６と接続する。エッチングはドライエッチングでもウェットエッチングでもよいが、ドライエッチングであるプラズマエッチングが好ましい。
【０２３７】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層２２０を形成する。また、図示しないが、絶縁層２２０の下に薄膜トランジスタを覆うように全面に窒化珪素若しくは窒化酸化珪素の保護層を形成してもよい。絶縁層２２０は、スピンコート法やディップ法により全面に絶縁層を形成した後、エッチング加工によって図１２（E）に示すように開孔を形成する。また、液滴吐出法により絶縁層２２０を形成すれば、エッチング加工は必ずしも必要ない。液滴吐出法を用いて、絶縁層２２０など広領域に形成する場合、液滴吐出装置の複数のノズル吐出口から組成物を吐出し、複数の線が重なるように描画し形成すると、スループットが向上する。
【０２３８】
絶縁層２２０は、第１の電極である導電層２０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０２３９】
以上の工程により、基板２００上にトップゲート型（順スタガ型ともいう。）ＴＦＴと導電層（第１の電極層）２０６が接続されたＴＦＴ基板が完成する。
【０２４０】
電界発光層２２１を形成する前に、大気圧中で２００℃の熱処理を行い絶縁層２２０中若しくはその表面に吸着している水分を除去する。また、減圧下で２００〜４００℃、好ましくは２５０〜３５０℃に熱処理を行い、そのまま大気に晒さずに電界発光層２２１を真空蒸着法や、減圧下の液滴吐出法で形成することが好ましい。
【０２４１】
第１の電極である導電層２０６上に、電界発光層２２１、に導電層２２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図１２（E）参照。）。
【０２４２】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０２４３】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。        
【０２４４】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態について、図１４、図１５を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１において、ゲート絶縁層１０５を貫通し、配線層である導電層１１６とゲート電極層である導電層１０３との接続の方法が異なるものである。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０２４５】
基板１００の上に、密着性を向上させる下地膜１０１を形成する（図１４（Ａ）参照。）。なお、基板１００上に、絶縁層を形成してもよい。
【０２４６】
本実施の形態では、密着性を向上させる機能を有する下地膜１０１として、光触媒の機構を有する物質を用いる。
【０２４７】
本実施の形態では、光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯX結晶を形成する場合を説明する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯXを形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯXを形成すると好ましい。
【０２４８】
このように形成されるＴｉＯXは非常に薄膜であっても光触媒機能を有する。
【０２４９】
また他の下地前処理として、スパッタリング法や蒸着法などの方法により、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属材料若しくはその酸化物で形成される下地膜１０１を形成することが好ましい。下地膜１０１は０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成すれば良いが、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良い。下地膜として、高融点金属材料を用いる場合、ゲート電極層となる導電層１０２、１０３を形成した後、表面に露出している下地膜を下記の２つの工程のうちどちらかの工程を行って処理することが望ましい。
【０２５０】
第一の方法としては、導電層１０２、１０３と重ならない下地膜１０１を絶縁化して、絶縁層を形成する工程である。つまり、導電層１０２、１０３と重ならない下地膜１０１を酸化して絶縁化する。このように、下地膜１０１を酸化して絶縁化する場合には、当該下地層０１を０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成しておくことが好適であり、そうすると容易に酸化させることができる。なお、酸化する方法としては、酸素雰囲気下に晒す方法を用いてもよいし、熱処理を行う方法を用いてもよい。
【０２５１】
第２の方法としては、導電層１０２、１０３をマスクとして、下地膜１０１をエッチングして除去する工程である。この工程を用いる場合には下地膜１０１の厚さに制約はない。
【０２５２】
また、下地前処理の他の方法として、形成領域（被形成面）に対してプラズマ処理を行う方法がある。プラズマ処理の条件は、空気、酸素又は窒素を処理ガスとして用い、圧力を数十Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、好ましくは１００（１３３００Ｐａ）〜１０００Ｔｏｒｒ（１３３０００Ｐａ）、より好ましくは７００Ｔｏｒｒ（９３１００Ｐａ）〜８００Ｔｏｒｒ（１０６４００Ｐａ）、つまり大気圧又は大気圧近傍の圧力となる状態で、パルス電圧を印加する。このとき、プラズマ密度は、1×１０10〜１×１０14ｍ-3、所謂コロナ放電やグロー放電の状態となるようにする。空気、酸素又は窒素の処理ガスを用いプラズマ処理を用いることにより、材質依存性なく、表面改質を行うことができる。その結果、あらゆる材料に対して表面改質を行うことができる。
【０２５３】
また、他の方法として、液滴吐出法によるパターンのその形成領域との密着性を上げるために、接着材として機能するような有機材料系の物質を形成してもよい。有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル）やシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０２５４】
次に、導電性材料を含む組成物を吐出して、後にゲート電極として機能する導電層１０２、１０３を形成する。この導電層１０２、１０３の形成は、液滴吐出手段を用いて行う。
【０２５５】
導電層１０３を形成した後、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体１４０を形成する。この導電体１４０は、吐出された組成物を堆積して円柱状に形成することが好適であり、これは、円柱状の導電体１４０を用いると、下層のパターンと上層のパターンとのコンタクトがとりやすいためである。導電体１４０は、導電層１０３と同じ材料を用いても、異なる材料を用いてもよく、組成物を重ねて吐出し形成してもよい。
【０２５６】
また、導電層１０３を形成したのち、再度密着性を高めるため、導電層１０３上に、前述した下地前処理を行っても良い。また、ピラーとなる導電体１４０を形成した後にも同様に下地膜処理を行うことが好ましい。ＴｉＯXなどの光触媒物質の形成等、下地前処理を行うと、膜層間を密着性よく形成することができる。
【０２５７】
次に、導電層１０２、１０３の上にゲート絶縁膜を形成する（図１４（Ａ）参照。）。
【０２５８】
続いて、ゲート絶縁膜上に選択的に、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層（第１の電極ともいう）１０６を形成する（図１４（Ｂ）参照。）。図示しないが、導電層１０６を形成する領域に導電層１０２、１０３を形成する時と同様に、光触媒物質を形成してもよい。光触媒物質によって、密着性が向上し、所望なパターンに細線化して導電層１０６を形成する事ができる。この導電層１０６は画素電極として機能する第１の電極となる。
【０２５９】
本実施の形態では、半導体として、非晶質半導体を用いる。非晶質半導体層である半導体層１０７を形成し、チャネル保護膜１０９、１１０を形成するため、例えば、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、所望の領域に、所望の形状となるようにパターニングする。このとき、ゲート電極をマスクとして基板の裏面から露光することにより、チャネル保護膜１０９、１１０を形成することができる。またチャネル保護膜は、液滴吐出法を用いてポリイミド又はポリビニルアルコール等を滴下してもよい。その結果、露光工程を省略することができる。その後、プラズマＣＶＤ法等により一導電型を有する半導体層、例えばＮ型非晶質半導体層を用いてＮ型半導体層１０８を形成する。（図１４（Ｃ）参照。）。一導電型を有する半導体層は必要に応じて形成すればよい。
【０２６０】
続いて、レジストやポリイミド等の絶縁体からなるマスク層１１１、１１２を形成し、該マスク層１１１、１１２を用いて、半導体層１０７、Ｎ型半導体層１０８を同時にパターン加工する。
【０２６１】
本実施の形態では、ピラーとして機能する導電体１４０によって既にゲート電極層である導電層１０３と接続される導電体が、ゲート絶縁層１０５を貫通して、ゲート絶縁層１０５上に存在する。よって、ゲート絶縁層に貫通孔をあける工程を省く事ができる。
【０２６２】
導電性材料を含む組成物を吐出して、導電層１１５、１１６、１１７を形成し、該導電層１１５、１１６、１１７をマスクとして、Ｎ型半導体層をパターン加工する。なお、図示しないが、導電層１１５、１１６、１１７を形成する前に、導電層１１５、１１６、１１７がゲート絶縁層１０５と接す部分に選択的に光触媒物質を形成しても良い。そうすると、導電層は密着性よく形成できる。
【０２６３】
導電層１１７は、ソース、ドレイン配線層として機能し、前に形成された第１の電極に電気的に接続するように形成される。ソース及びドレイン配線層である導電層１１６は導電体１４０を通して、ゲート電極層である導電層１０３とを電気的に接続することができる（図１５（Ｅ）参照。）。また、ピラーとして機能する導電体１４０上に、絶縁層などが残ってしまった場合は、エッチング等で除去すればよい。
【０２６４】
続いて、土手（隔壁ともよばれる）となる絶縁層１２０を形成する。
【０２６５】
絶縁層１２０は、第１の電極である導電層１０６に対応して画素が形成される位置に合わせて貫通孔の開口部を備えて形成される。
【０２６６】
以上の工程により、基板１００上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のチャネル保護型ＴＦＴと第１の電極（第１電極層）が接続されたＥＬ表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０２６７】
第１の電極である導電層１０６上に、電界発光層１２１、に導電層１２２を積層形成して、発光素子を用いた表示機能を有する発光表示装置が完成する（図１５（Ｆ）参照。）。
【０２６８】
以上示したように、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いないことにより、工程を省略することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易にＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０２６９】
また、密着性、耐剥離性が向上した信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。本実施の形態の貫通孔にピラーを用いる接続方法は、上記実施の形態と自由に組み合わせる事ができる。
【実施例１】
【０２７０】
本発明を適用して薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを用いて発光表示装置を形成することができるが、表示素子として発光素子を用いて、なおかつ、該発光素子を駆動するトランジスタとしてＮ型トランジスタを用いた場合、該発光素子から発せられる光は、下面出射、上面出射、両面出射のいずれかを行う。ここでは、いずれの場合に応じた発光素子の積層構造について、図１７を用いて説明する。
【０２７１】
また、本実施例では、本発明を適用し、本実施の形態１で形成されるチャネル保護型の薄膜トランジスタであるトランジスタ４５１を用いる。
【０２７２】
まず、光が基板４５０側に出射する場合、つまり下面出射を行う場合について、図１７（Ａ）を用いて説明する。この場合、トランジスタ４５１に電気的に接続するように、ソース・ドレイン配線４５２、４５３、第１の電極４５４、電界発光層４５５、第２の電極４５６が順に積層される。次に、光が基板４５０と反対側に出射する場合、つまり上面出射を行う場合について、図１７（Ｂ）を用いて説明する。トランジスタ４５１に電気的に接続するソース・ドレイン配線４６１、４６２、第１の電極４６３、電界発光層４６４、第２の電極４６５が順に積層される。上記構成により、第１の電極４６３において光が透過しても、該光は配線４６２において反射され、基板４５０と反対側に出射する。なお、本構成では、第１の電極４６３には透光性を有する材料を用いる必要はない。最後に、光が基板４５０側とその反対側の両側に出射する場合、つまり両面出射を行う場合について、図１７（Ｃ）を用いて説明する。トランジスタ４５１に電気的に接続するソース・ドレイン配線４７０、４７１、第１の電極４７２、電界発光層４７３、第２の電極４７４が順に積層される。このとき、第１の電極４７２と第２の電極４７４のどちらも透光性を有する材料、又は光を透過できる厚さで形成すると、両面出射が実現する。
【０２７３】
発光素子は、電界発光層を第１の電極と第２の電極で挟んだ構成になっている。  第１の電極及び第２の電極は仕事関数を考慮して材料を選択する必要があり、そして第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。本実施の形態では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため、第１の電極を陰極、第２の電極を陽極とすると好ましい。また駆動用ＴＦＴの極性がｐチャネル型である場合、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。
【０２７４】
また第１の電極が陽極であった場合、電界発光層は、陽極側から、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層するのが好ましい。また、第１の電極が陰極である場合はその逆にのとなり、陰極側からＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極である陽極の順に積層するのが好ましい。なお電界発光層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることがでる。
【０２７５】
また、電界発光層として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料はカラーフィルタ同様、液滴吐出法により形成することもでき（低分子または高分子材料など）、この場合マスクを用いずとも、ＲＧＢの塗り分けを行うことができるため好ましい。
【０２７６】
具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとしてＢＣＰやＡｌｑ3、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ2をそれぞれ用いる。また例えばＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇの場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ3を用いればよい。
【０２７７】
なお、電界発光層は上記材料に限定されない。例えば、ＣｕＰｃやＰＥＤＯＴの代わりに酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物とα−ＮＰＤやルブレンを共蒸着して形成し、ホール注入性を向上させることもできる。また電界発光層の材料は、有機材料（低分子又は高分子を含む）、又は有機材料と無機材料の複合材料として用いることができる。
【０２７８】
また、図１７には図示していないが、基板４５０の対向基板にカラーフィルタを形成してもよい。カラーフィルタは液滴吐出法によって形成することができ、その場合、前述の下地前処理として光プラズマ処理などを適用することができる。本発明の下地膜により、所望なパターンに密着性よくカラーフィルタを形成することができる。カラーフィルターを用いると、高精細な表示を行うこともできる。カラーフィルターにより、各ＲＧＢの発光スペクトルにおいてブロードなピークを鋭くなるように補正できるからである。
【０２７９】
以上、各ＲＧＢの発光を示す材料を形成する場合を説明したが、単色の発光を示す材料を形成し、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うことができる。例えば、白色又は橙色の発光を示す電界発光層を形成する場合、カラーフィルター、又はカラーフィルター、色変換層、カラーフィルターと色変換層とを組み合わせたものを別途設けることによってフルカラー表示ができる。カラーフィルターや色変換層は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ張り合わせればよい。また上述したように、単色の発光を示す材料、カラーフィルター、及び色変換層のいずれも液滴吐出法により形成することができる。
【０２８０】
もちろん単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光を用いてエリアカラータイプの発光表示装置を形成してもよい。エリアカラータイプは、パッシブマトリクス型の表示部が適しており、主に文字や記号を表示することができる。
【０２８１】
上記構成において、陰極としては、仕事関数が小さい材料を用いることが可能で、例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等が望ましい。電界発光層は、単層型、積層型、また層の界面がない混合型のいずれでもよく、またシングレット材料、トリプレット材料、又はそれらを組み合わせた材料や、低分子材料、高分子材料及び中分子材料を含む有機材料、電子注入性に優れる酸化モリブデン等に代表される無機材料、有機材料と無機材料の複合材料のいずれを用いてもよい。第１の電極４５４、４６３、４７２は光を透過する透明導電膜を用いて形成し、例えばＩＴＯ、ＩＴＳＯの他、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。なお、第１の電極４５４、４６３、４７２形成前に、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や真空雰囲気下での加熱処理を行うとよい。隔壁（土手ともいう）は、珪素を含む材料、有機材料及び化合物材料を用いて形成する。また、多孔質膜を用いても良い。但し、アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材料を用いて形成すると、その側面は曲率半径が連続的に変化する形状となり、上層の薄膜が段切れせずに形成されるため好ましい。本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることが可能である。
【実施例２】
【０２８２】
本発明が適用された発光表示装置の一形態であるパネルの外観について、図２０を用いて説明する。
【０２８３】
図２０で示すパネルは、画素部７５１の周辺に駆動回路が形成されたドライバＩＣをＣＯＧ(Chip On Glass)方式で実装している。勿論、ドライバＩＣは、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式で実装しても良い。
【０２８４】
基板７５０は対向基板７５３とシール材７５２によって固着されている。画素部７５１は、ＥＬ素子を表示媒体として利用するものであっても良い。ドライバＩＣ７５５ａ、７５５ｂ及びドライバＩＣ７５７ａ、７５７ｂ、７５７ｃは、単結晶の半導体を用いて形成した集積回路の他に、多結晶の半導体を用いたＴＦＴで同様なものを形成しても良い。ドライバＩＣ７５５ａ、７５５ｂ及びドライバＩＣ７５７ａ、７５７ｂ、７５７ｃには、ＦＰＣ７５４ａ、７５４ｂ、７５４ｃまたはＦＰＣ７５６ａ、７５６ｂを介して信号や電源が供給される。
【実施例３】
【０２８５】
表示機能を有する本発明の発光表示装置の構成について、図２３を用いて説明する。図２３は、発光表示装置の概略を説明する上面図であり、基板６１００上に、画素部（表示部）６１０２、保護回路６１０３、６１０４が設けられ、引き回し配線を介して、信号線側のドライバＩＣ６１０７、走査線側のドライバＩＣ６１０４と接続される。画素部６１０２を構成する素子として、非晶質半導体又は微結晶半導体を用いる場合、図示するように、ＣＯＧ方式やＴＡＢ方式等の公知の方式によりドライバＩＣ６１０７、６１０８を実装し、これらのドライバＩＣを駆動回路として用いるとよい。なお、画素部６１０２を構成する素子として、微結晶質半導体を用いる場合、走査線側の駆動回路を該微結晶半導体で構成し、信号線側にドライバＩＣ６１０７を実装してもよい。上記とは別の構成として、走査側及び信号線側の駆動回路の一部を同一基板上に作り込み、一部をドライバＩＣで代用した構成でもよい。つまり、ドライバＩＣを実装するにあたり、その構成は様々であり、本発明はいずれの構成を用いてもよい。
【０２８６】
次に、表示機能を有する本発明の発光表示装置の画素回路について、図２４を用いて説明する。図２４（Ａ）は、画素６１０１の等価回路図を示したものであり、該画素６１０１は、信号線６１１４、電源線６１１５、６１１７、走査線６１１６の各配線で囲まれた領域に、画素６１０１に対するビデオ信号の入力を制御するＴＦＴ６１１０、発光素子６１１３の両電極間に流れる電流値を制御するＴＦＴ６１１１、該ＴＦＴ６１１１のゲート・ソース間電圧を保持する容量素子６１１２を有する。なお、図２４（Ｂ）では、容量素子６１１２を図示したが、ＴＦＴ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
【０２８７】
図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）に示した画素６１０１に、ＴＦＴ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた構成の画素回路である。ＴＦＴ６１１８の配置により、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができる。従って、デューティ比が向上して、動画の表示は特に良好に行うことができる。
【０２８８】
図２４（Ｃ）は、図２４（Ｂ）に示した画素６１０１のＴＦＴ６１１１を削除して、新たに、ＴＦＴ６１２５、６１２６と、配線６１２７を設けた画素回路である。本構成では、ＴＦＴ６１２５のゲート電極を一定の電位に保持した配線６１２７に接続することにより、このゲート電極の電位を固定にし、なおかつ飽和領域で動作させる。また、ＴＦＴ６１２５と直列に接続させ、線形領域で動作するＴＦＴ６１２６のゲート電極には、ＴＦＴ６１１０を介して、画素の点灯又は非点灯の情報を伝えるビデオ信号を入力する。線形領域で動作するＴＦＴ６１２６のソース・ドレイン間電圧の値は小さいため、ＴＦＴ６１２６のゲート・ソース間電圧の僅かな変動は、発光素子６１１３に流れる電流値には影響を及ぼさない。従って、発光素子６１１３に流れる電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ６１２５により決定される。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴ６１２５の特性バラツキに起因した発光素子６１１３の輝度ムラを改善して画質を高めることができる。なお、ＴＦＴ６１２５のチャネル長Ｌ1、チャネル幅Ｗ1、ＴＦＴ６１２６のチャネル長Ｌ2、チャネル幅Ｗ2は、Ｌ1／Ｗ1：Ｌ2／Ｗ2＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。また、両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。さらに、ＴＦＴ６１２５には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。
【０２８９】
図１６は、上記構成の画素回路の上面図を示したものであり、図１６（Ａ）（Ｂ）において、信号線６７０３、電源線６７０４、走査線６７０５、電源線６７０６で囲まれた領域に、ＴＦＴ６７００、６７０１、６７０２、容量素子６７０８を有し、ＴＦＴ６７０１のソース又はドレインに画素電極６７０７が接続される。
【０２９０】
なお、表示機能を有する本発明の発光表示装置には、アナログのビデオ信号、ディジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。但し、ディジタルのビデオ信号を用いる場合、そのビデオ信号が電圧を用いているのか、電流を用いているのかで異なる。つまり、発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがある。ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の発光表示装置及びその駆動方法には、電圧のビデオ信号、電流のビデオ信号のどちらを用いてもよく、また定電圧駆動、定電流駆動のどちらを用いてもよい。本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【０２９１】
本発明の発光表示装置に具備される保護回路の一例について説明する。保護回路は、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗素子及び容量素子等から選択された１つ又は複数の素子によって構成されるものであり、以下にはいくつかの保護回路の構成とその動作について説明する。まず、外部回路と内部回路の間に配置される保護回路であって、１つの入力端子に対応した保護回路の等価回路図の構成について、図２５を用いて説明する。図２５（Ａ）に示す保護回路は、Ｐ型ＴＦＴ７２２０、７２３０、容量素子７２１０、７２４０、抵抗素子７２５０を有する。抵抗素子７２５０は２端子の抵抗であり、一端には入力電圧Ｖｉｎ（以下、Ｖｉｎと表記）が、他端には低電位電圧ＶＳＳ（以下、ＶＳＳと表記）が与えられる。抵抗素子７２５０は、入力端子にＶｉｎが与えられなくなったときに、配線の電位をＶＳＳにおとすために設けられており、その抵抗値は配線の配線抵抗よりも十分に大きく設定する。
【０２９２】
Ｖｉｎが高電位電圧ＶＤＤ（以下、ＶＤＤと称する）よりも高い場合、そのゲート・ソース間電圧の関係から、ＴＦＴ７１２２はオン、ＴＦＴ７１２３はオフとなる。そうすると、ＶＤＤがＴＦＴ７１２２を介して、配線に与えられる。従って、雑音等により、ＶｉｎがＶＤＤよりも高くなっても、配線に与えられる電圧は、ＶＤＤよりも高くなることはない。一方、ＶｉｎがＶＳＳよりも低い場合、そのゲート・ソース間電圧の関係から、ＴＦＴ７１２２はオフ、ＴＦＴ７１２３はオンとなる。そうすると、ＶＳＳが配線に与えられる。従って、雑音等により、ＶｉｎがＶＳＳよりも低くなっても、配線に与えられる電圧は、ＶＤＤよりも高くなることはない。さらに、容量素子７１２１、７１２４により、入力端子からの電圧にパルス状の雑音を鈍らせることができ、雑音による電圧の急峻な変化をある程度小さくすることができる。
【０２９３】
上記構成の保護回路の配置により、配線の電圧は、ＶＳＳからＶＤＤ間の範囲に保たれ、この範囲外の異常に高いまたは低い電圧の印加から保護される。さらに、信号が入力される入力端子に保護回路を設けることで、信号が入力されていないときに、信号が与えられる全ての配線の電圧を、一定（ここではＶＳＳ）の高さに保つことができる。つまり信号が入力されていないときは、配線同士をショートした状態にすることができるショートリングとしての機能も有する。そのため、配線間での電圧差に起因する静電破壊を防ぐことができる。また、信号を入力しているときは、抵抗１２５の抵抗値が十分に大きいので、配線に与えられる信号がＶＳＳに引っ張られることがない。
【０２９４】
図２５（Ｂ）に示す保護回路は、Ｐ型ＴＦＴ７１２２、７１２３を、整流性を有するダイオード７１２６、７１２７で代用した等価回路図である。図２５（Ｃ）に示す保護回路は、Ｐ型ＴＦＴ７１２２、７１２３を、ＴＦＴ７３５０、７３６０、７３７０、７３８０で代用した等価回路図である。また、上記とは別の構成の保護回路として、図２５（Ｄ）に示す保護回路は、抵抗７１２８、７１２９と、トランジスタ７１３０を有する。図２５（Ｅ）に示す保護回路は、抵抗７２８０、７２９０、Ｐ型ＴＦＴ７３１０及びＮ型ＴＦＴ７３２０を有する。図２５（Ｄ）（Ｅ）の両構成とも、端子７３３０には配線などが接続され、この配線などの電位が急激に変化した場合に、Ｎ型ＴＦＴ７３００、又はＰ型ＴＦＴ７３１０及びＮ型ＴＦＴ７３２０がオンすることで、電流を端子７３３０から７３４０の方向に流す。そうすると、端子７３３０に接続された電位の急激な変動を緩和し、素子の損傷又は破壊を防止することができる。なお、上記保護回路を構成する素子は、耐圧に優れた非晶質半導体により構成することが好ましい。本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることが可能である。
【実施例５】
【０２９５】
本発明によって形成される発光表示装置によって、ＥＬテレビ受像機（テレビジョン装置）を完成させることができる。図２１はＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図を示している。ＥＬ表示パネルには、図２０で示すような構成として画素部７５１とその周辺に走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とがＣＯＧ方式により実装される場合と、画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とがＴＡＢ方式により実装される場合と、ＳＡＳでＴＦＴを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバＩＣとして実装する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
【０２９６】
その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナ８０４で受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路８０５と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路８０７などからなっている。コントロール回路８０７は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路８０８を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。
【０２９７】
チューナ８０４で受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路８０９に送られ、その出力は音声信号処理回路８１０を経てスピーカ８１３に供給される。制御回路８１１は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部８１２から受け、チューナ８０４や音声信号処理回路８１０に信号を送出する。
【０２９８】
このような外部回路を組みこんで、ＥＬモジュールを、図１９に示すように、筐体２００１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬ表示モジュールにより表示画面８２１が形成され、その他付属設備としてスピーカ８２２、操作スイッチ８２４などが備えられている。このように、本発明によりテレビ受像機を完成させることができる。
【０２９９】
また、波長板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。波長板としてはλ／４、λ／２を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順に、TFT素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、波長板（λ／４  ＼λ／２）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この波長板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の発光表示装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。
【０３００】
筐体２００１にＥＬ素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビ受像器の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン装置２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０３０１】
また、テレビ受像器にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。主画面２００３及びサブ画面２００８をＥＬ表示用パネルで形成しても良いし、この構成において、主画面２００３を視野角の優れたＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面を低消費電力で表示可能な液晶表示用パネルで形成しても良い。また、低消費電力化を優先させるためには、主画面２００３を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面をＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。本発明を用いると、このような大型基板を用いて、多くのＴＦＴや電子部品を用いても、信頼性の高い発光表示装置とすることができる。
【０３０２】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【実施例６】
【０３０３】
本発明を適用して、様々な発光表示装置を作製することができる。即ち、それら発光表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
【０３０４】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Versatile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの例を図１８に示す。
【０３０５】
図１８（Ａ）は、ノート型パーソナルコンピュータであり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、キーボード２１０４、外部接続ポート２１０５、ポインティングマウス２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０３の作製に適用される。本発明を用いると、小型化し、配線等が精密化しても、信頼性の高い高画質な画像を表示することができる。
【０３０６】
図１８（Ｂ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２２０５、操作キー２２０６、スピーカー部２２０７等を含む。表示部Ａ２２０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２２０４は主として文字情報を表示するが、本発明は、これら表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４の作製に適用される。本発明を用いると、小型化し、配線等が精密化しても、信頼性の高い高画質な画像を表示することができる。
【０３０７】
図１８（Ｃ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示部２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６等を含む。本発明により作製される発光表示装置を表示部２３０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化する携帯電話であっても、信頼性の高い高画質な画像を表示できる。
【０３０８】
図２６（Ａ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示部２４０２、筐体２４０３、外部接続ポート２４０４、リモコン受信部２４０５、受像部２４０６、バッテリー２４０７、音声入力部２４０８、操作キー２４０９等を含む。本発明は、表示部２４０２に適用することができ、両面放射型の発光表示装置である。図２６（Ｂ）、（Ｃ）に表示部２４０２が表示する画像を示す。図２６（Ｂ）が撮影されている画像であり、図２６（Ｃ）が撮影されている車両から見える画像である。本発明の発光表示装置は、透過型であり、両面に画像を表示することができるので、被写体側からも撮影されている画像を見ることが出来る。よって、自分自身を撮影するのにも便利である。また、ビデオカメラの他にデジタルビデオカメラ等でも本発明は適用でき、同様の効果が言える。本発明により作製される発光表示装置を表示部２３０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化するビデオカメラであっても、信頼性の高い高画質な画像を表示できる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例７】
【０３０９】
本発明の下地前処理による密着性向上の効果を実験によって評価した。
【０３１０】
ＴｉＯXをスプレーすることによって形成し、銀を導電性材料とした組成物を吐出し、２３０度で焼成し、銀配線を長さ１ｃｍ、幅２００〜３００μｍ、高さ４０００〜５０００Åで１６本形成した。形成された銀配線に対してカプトンテープで引っ張り試験を行った結果、銀配線は剥がれなかった。また、０．５ｗｔ％のＨＦ液に一分間に浸漬し、流水洗浄を行った結果、銀配線は１６本とも剥がれなかった。よって、光触媒効果を有するＴｉＯX膜を形成するという下地前処理によって、密着性は向上することが確認できた。
【０３１１】
Ｔｉ薄膜をスパッタリング法によって１０〜５０Å形成し、２３０度で焼成して形成されたＴｉＯX薄膜の上に、同様に銀を導電性材料とした組成物を吐出し、再度２３０度で焼成し銀配線を長さ１ｃｍ、幅２００〜３００μｍ、高さ４０００〜５０００Åで１６本形成した。形成したＴｉＯX薄膜は、シート抵抗が１×１０6（Ω／□）以上であり絶縁性であることが確認できた。形成された銀配線に対してカプトンテープで引っ張り試験を行った結果、銀配線は剥がれなかった。また、０．５ｗｔ％のＨＦ液に一分間に浸漬し、流水洗浄を行った結果、銀配線は１６本とも剥がれなかった。よって、本発明のＴｉＯX膜を形成するという下地前処理によって、密着性は向上することが確認できた。
【０３１２】
比較例として、このような下地前処理を行わなかった領域に形成された銀配線に対して上記ＨＦ処理液行った結果、銀配線は剥がれてしまい、数本程度しか残らなかった。
【０３１３】
よって、本発明の下地前処理によって密着性は向上し、信頼性の高い発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０３１４】
【図１】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図８】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図９】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１０】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１２】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１３】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１４】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１５】本発明の発光表示装置の作製方法を説明する図。
【図１６】本発明の発光表示装置の画素回路の上面図。
【図１７】本発明の発光表示装置を説明する図。
【図１８】本発明が適用される電子機器を示す図。
【図１９】本発明が適用される電子機器を示す図。
【図２０】本発明が適用された半導体装置の一形態であるパネルの上面図
【図２１】本発明の電子機器の主要な構成を示すブロック図。
【図２２】本発明に適用することのできる液滴吐出装置の構成を説明する図。
【図２３】本発明が適用された発光表示装置を示す図。
【図２４】本発明が適用された発光表示装置の画素回路を示す図。
【図２５】本発明の発光表示装置に具備される保護回路を示す図。
【図２６】本発明が適用される電子機器を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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