(57)【要約】  【課題】    金属バンプを層間接続手段とする配線基板の金属バンプの頂面と、それに接続される配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高め、更に、配線層間或いは配線基板間の絶縁部を改良して電気的特性を改良する。  【解決手段】金属バンプ２８の頂面とそれに接続される配線膜１０（１６）とは、金属どうしの直接金属接合、例えば銅・銅接合により接続する。  また、層間絶縁膜として空気を、或いは空気を含んだ発泡性樹脂１２を用いる。  【効果】  金属バンプの頂面と配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高めることができる。  空気或いは発泡性樹脂により層間絶縁がした場合、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板やそれを用いた電子回路に寄生する容量を小さくし、回路特性、性能を高めることができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの金属層からなり、少なくとも一部に一方の表面に突出する金属バンプを有する配線膜と、上記金属層とは別の金属層からなり、少なくとも一部が上記金属バンプの頂面に接続された配線膜とを少なくとも有する配線基板であって、
上記金属バンプの頂面とそれに接続された配線膜とは、金属どうしの直接金属接合により接続されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
一つの金属層と、一方の表面の所定箇所に金属バンプが形成された別の金属層とを用意し、
上記金属バンプの頂面と、上記一つの金属層の一方の表面とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより上記二つの金属層を積層し、
その後、上記二つの金属層間に樹脂を形成し、
しかる後、上記二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記二つの金属層間に形成する樹脂が発泡性樹脂である
ことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
一つの金属層と、一方の表面の所定箇所に金属バンプが形成された別の金属層とを用意し、
上記金属バンプの頂面と、上記一つの金属層の一方の表面とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより上記二つの金属層を積層し、
その後、上記金属層間に樹脂を形成し、
上記二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成し、
しかる後、上記金属層間の樹脂を除去する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、
該コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプと、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、該コア基板の両面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプを有する配線基板の製造方法であって、
バンプ形成用の金属層の一方の表面にキャリア層を接着し、該金属層を選択的にエッチングすることにより金属バンプを形成した２個のバンプ配設体を用意し、
上記２個のバンプ配設体を、上記コア基板の各面に、上記金属バンプが形成された側の面が対向するように配置し、
上記各金属バンプの頂面と、上記コア基板の各面の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続し、
その後、上記キャリア層を剥離して除去する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板の少なくとも一部の配線膜の表面に金属バンプを突出形成したベース配線板と、
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有し、一方の面の上記配線膜が上記ベース配線板の一方の面の配線膜に上記金属バンプを介して接続されて上記ベース配線板の両面に積層された２個の積層コア基板と、
からなり、
上記金属バンプの頂面と、上記積層コア基板の配線膜との接続が、金属どうしの直接金属接合により為されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
前記ベース配線板と、前記各積層コア基板との間が空気により絶縁されてなる
ことを特徴とする請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、
該コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプを介して接続された配線膜と、
を有し、
上記金属バンプの頂面と上記配線膜とが金属どうしの直接金属接合により接続されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、
絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体と、
を有し、
上記コア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間が上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して接続されて上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体が一体化され、
上記層間接続用金属バンプの頂面及び底面の上記コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合による
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体を用意し、
上記二つのコア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との互いに接続されるべきものどうしの間が上記層間接続用金属バンプにより接続されるように位置合せして介在させ、
一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間を、上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して金属どうしの直接金属接合により接続し、以て、上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体を一体化する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体とが、上記コア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間が上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して接続されて上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体が一体化されたものが母体とされ、
上記母体の少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板が該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプが層間接続手段となるように積層されてなる積層体が一又は複数個、バンプ貫設体の金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜との接続により一体化され、
上記層間接続用金属バンプの各頂面及び底面と上記各コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合により為されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体を用意し、
上記二つのコア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との互いに接続されるべきものどうしの間が上記層間接続用金属バンプにより接続されるように位置合せして介在させ、
一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間を、上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して金属どうしの直接金属接合により接続し、以て、上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体を一体化し、
上記一体化したものを母体とし、
上記母体の少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板を、該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより層間接続手段となるように積層することを一乃至複数回繰り返す
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなる一つのバンプ貫設体の一方又は両方の側に、上記絶縁層とは別の絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と上記バンプ貫設体とは別のバンプ貫設体との組を一乃至複数組配置し、
上記各バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプとそれに接続されるべき上記各コア基板の配線膜どうしが位置整合するように重ね合わせ、
上記各バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプとそれに接続されるべき上記各コア基板の配線膜どうしを、金属どうしの直接金属接合により接続することにより、上記一つのバンプ貫設体と、その一方又は療法の側のコア基板及び別のバンプ貫設体の一又は複数の組み合わせとの一体化をする
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
周縁部にて閉塞されて内部空間が密閉されてなる
ことを特徴とする請求項８、９、１０、１２記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、特に、金属バンプを層間接続手段として用いる配線基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願出願人会社は、銅等の金属からなるバンプを層間接続手段として用いた多層の配線基板及びその製造方法について例えば特願平１１−２８９２７７号（：特開２００１−１１１１８９号公報）、特願２００３−１３２７９３号等によって種々の提案をした。
その技術の多くは、バンプ（突起）形成用の例えば銅からなる金属層（厚さ例えば１００μｍ）の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば1μｍ）を設け、更に、該エッチングバリア層の表面（反バンプ形成用金属層側の表面）に配線膜形成用の例えば銅からなる金属層（厚さ例えば１８μｍ）を設けた三層構造の金属板を用いている。
【０００３】
そして、上記バンプ形成用金属層を選択的にエッチングすることにより金属バンプを形成し、その後、その金属バンプをマスクとして上記エッチングバリア層を除去し、その後、その金属板のバンプ形成側の面に、層間絶縁膜形成用樹脂フィルム及び保護シートをあてがい、加圧及び加熱によりその樹脂フィルム及び保護シートを積層し、しかる後、その積層した表面を、上記金属バンプの頂面が露出するまで研磨する。
その研磨後、上記保護シートを剥離した上で、その研磨した側の表面に配線膜形成用の例えば銅からなる金属層（厚さ例えば１８μｍ）を加圧、加熱することにより積層し、以て上記各金属バンプの頂面をその金属層に接続する。
【０００４】
その後、上記各配線膜形成用金属層（三層構造の金属板を構成していた配線膜形成用金属層と、積層された配線膜形成用金属層）を選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する。これにより、上記樹脂フィルムによって層間絶縁され、金属バンプによって配線膜どうしを層間接続された２層の配線基板ができる。
この配線基板は単独でＩＣ等の実装に用いられる場合もあれば、他の配線基板と積層されてより多層化されてＩＣ等の実装に用いられるされる場合もある。
【特許文献１】特願平１１−２８９２７７号（：特開２００１−１１１１８９号公報）
【特許文献２】特願２００３−１３２７９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の技術には、金属バンプと、それの頂面に接する配線膜形成用金属層との接続の信頼度を充分に高くすることが難しいという問題があった。
というのは、金属バンプが形成された三層構造の金属板の金属バンプ形成側の面に層間絶縁膜形成用樹脂フィルム及び保護シートを積層し、その後、その積層した側の面を研磨することにより上記金属バンプを露出させることが必要なので、金属バンプの頂面に樹脂フィルムや保護シートの有機物の残渣が残る場合があり、それにより接続性が負荷試験による信頼性に満たない不良が皆無ではないからである。
【０００６】
特に、研磨により、金属バンプの頂面に研磨粒による微細な傷（溝）ができ、その傷の特に底の部分に樹脂フィルムや保護シートの残渣が入り込んで金属バンプ頂面に残り、それが接続の信頼性を悪化させる要因になる。このようなバンプ接続性不良は１００万バンプ当り例えば５０バンプの割合（５０ＰＰＭ）程度発生する場合がある。
しかし、一つの配線基板ユニツトが例えば１万個バンプを有する場合を例にすると、１個の配線基板には金属バンプ不良が１個あってもその配線基板が不良となるので、歩留まりは配線基板ユニットとしては最悪の場合５０％ということになる。即ち、１００万バンプ当り５０バンプが不良という低不良率であっても配線基板の製品歩留まりは計算上最悪の場合５０％と非常に悪いことになる。勿論、それ以外の不良も発生し得るので、総合的な歩留まりは５０％よりも低くなる場合も生ずることになる。勿論、その残渣を除去するための工程を設けることにより、改善することは可能である。その工程の具体例として、プラズマ洗浄、強力な酸化剤を使うデスミア工程等が挙げられる。しかし、これらの工程は、絶縁樹脂に悪影響を与え、かつ生産性の悪い工程であり、製品の低価格化を阻む大きな原因になる。
【０００７】
従って、金属バンプの接続性不良率を低めることが配線基板の歩留まりを良くする上で不可欠であるが、上記従来技術によれば金属バンプの接続性不良率を低めることには制約があり、配線基板の歩留まりを高めることが難しかったのである。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、金属バンプを層間接続手段とする配線基板のその金属バンプの頂面と、それに接続される配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高めることを目的とし、更には、層間の接続信頼性を高めること、層間絶縁膜の誘電率を低め、電気的特性、例えば高周波特性等を良くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の配線基板は、一つの金属層からなり、少なくとも一部に一方の表面に突出する金属バンプを有する配線膜と、上記金属層とは別の金属層からなり、少なくとも一部が上記金属バンプの頂面に接続された配線膜とを少なくとも有する配線基板であって、上記金属バンプの頂面とそれに接続された配線膜とは、金属どうしの直接金属接合により接続されてなることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の配線基板の製造方法は、一つの金属層と、一方の表面の所定箇所に金属バンプが形成された別の金属層とを用意し、上記金属バンプの頂面と、上記一つの金属層の一方の表面とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより上記二つの金属層を積層し、その後、該二つの金属層間に樹脂を形成し、しかる後、該二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成することを特徴とする。
請求項３の配線基板の製造方法は、請求項２記載の配線基板の製造方法において、前記二つの金属層間に形成する樹脂が発泡性樹脂であることを特徴とする。
【００１０】
請求項４の配線基板の製造方法は、一つの金属層と、一方の表面の所定箇所に金属バンプが形成された別の金属層とを用意し、該金属バンプの頂面と、上記一つの金属層の一方の表面とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより上記二つの金属層を積層し、その後、上記金属層間に樹脂を形成し、上記二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成し、しかる後、上記金属層間の樹脂を除去することを特徴とする。
請求項５の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、該コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプと、を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項６の配線基板の製造方法は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、該コア基板の両面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプを有する配線基板の製造方法であって、バンプ形成用の金属層の一方の表面にキャリア層を接着し、該金属層を選択的にエッチングすることにより金属バンプを形成した２個のバンプ配設体を用意し、上記２個のバンプ配設体を、上記コア基板の各面に、上記金属バンプが形成された側の面が対向するように配置し、上記各金属バンプの頂面と、上記コア基板の各面の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続し、その後、上記キャリア層を剥離して除去することを特徴とする。
【００１２】
請求項７の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板の少なくとも一部の配線膜の表面に金属バンプを突出形成したベース配線板と、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有し、一方の面の上記配線膜が上記ベース配線板の一方の面の配線膜に上記金属バンプを介して接続されて上記ベース配線板の両面に積層された２個の積層コア基板と、からなり、上記金属バンプの頂面と、上記積層コア基板の配線膜との接続が、金属どうしの直接金属接合により為されてなることを特徴とする。
【００１３】
請求項８の配線基板は、請求項７記載の配線基板において、前記ベース配線板と、前記各積層コア基板との間が空気により絶縁されてなることを特徴とする。
請求項９の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、該コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプを介して接続された配線膜と、を有し、上記金属バンプの頂面と上記配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続してなることを特徴とする。
【００１４】
請求項１０の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体と、を有し、上記コア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間が上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して接続されて上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体が一体化され、上記層間接続用金属バンプの頂面及び底面の上記コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合によることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１の配線基板の製造方法は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板の間に、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体を、コア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との互いに接続されるべきものどうしの間が上記層間接続用金属バンプにより接続されるように位置合せして介在させ一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間を、上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して金属どうしの直接金属接合により接続し、以て、上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体を積層一体化することを特徴とする。
【００１６】
請求項１２の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体とが、上記コア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間が上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して接続されて上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体が一体化されたものが母体とされ、該母体の少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板が該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプが層間接続手段となるように積層されてなる積層体が一又は複数個、バンプ貫設体の金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜との接続により一体化され、上記層間接続用金属バンプの各頂面及び底面と上記各コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合により為されてなることを特徴とする。
【００１７】
請求項１３の配線基板は、絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有する二つのコア基板と、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなるバンプ貫設体を用意し、上記二つのコア基板のうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との互いに接続されるべきものどうしの間が上記層間接続用金属バンプにより接続されるように位置合せして介在させ、上記一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間を、上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して金属どうしの直接金属接合により接続し、以て、上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体を一体化し、その上記一体化したものを母体とし、該母体の少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板を、該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより層間接続手段となるように積層することを一乃至複数回繰り返すことを特徴とする。
【００１８】
請求項１４の配線基板の製造方法は、絶縁層に層間接続用金属バンプが貫設されてなる一つのバンプ貫設体の一方又は両方の側に、上記絶縁層とは別の絶縁層の両面に配線膜が形成され、その絶縁層にその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と上記バンプ貫設体とは別のバンプ貫設体との組を一乃至複数組配置し、上記各バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプとそれに接続されるべき上記各コア基板の配線膜どうしが位置整合するように重ね合わせ、上記各バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプとそれに接続されるべき上記各コア基板の配線膜どうしを、金属どうしの直接金属接合により接続することにより、上記一つのバンプ貫設体と、その一方又は療法の側のコア基板及び別のバンプ貫設体の一又は複数の組み合わせとの一体化をすることを特徴とする。
請求項１５の配線基板は、請求項８、９、１０又は１２記載の配線基板において、周縁部にて閉塞されて内部空間が密閉されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の配線基板によれば、金属バンプの頂面とそれに接続された配線膜とは、金属どうしの直接金属接合により接続されているので、背景技術の項で述べたような従来の技術において生じていたところの、発明が解決しようとする課題の項において述べたような、金属バンプ頂面と配線膜との間に層間絶縁膜形成用樹脂フィルムや保護フィルムが残渣として介在し、接続性不良が生じるという危惧は、発生する余地が無くなる。
従って、金属バンプの頂面と、それに接続される配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高めることができる。 
【００２０】
請求項２の配線基板の製造方法によれば、一つの金属層の金属バンプの頂面と別の金属層とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより二つの金属層を積層し、その二つの金属層間に発泡性樹脂を形成し、その後、上記二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングするので、請求項１の配線基板の金属層間を発泡性樹脂で層間絶縁した配線基板を得ることができる。
そして、樹脂で層間絶縁することにより、層間に異物（金属粉等のゴミ等）が侵入し、配線膜間に絶縁不良やショート不良等が生じるおそれはない。
更に、その層間絶縁する樹脂が発泡性樹脂であり、空気を多く含むので、普通の樹脂フィルムを用いた場合よりも、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を従来よりも小さくし、回路特性、例えば高周波特性等を従来よりも高めることができる。
【００２１】
請求項３の配線基板の製造方法によれば、一つの金属層の金属バンプの頂面と別の金属層とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより二つの金属層を積層し、その後、その二つの金属層間に発泡性樹脂を形成し、その後、上記二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成するので、金属層間を発泡性樹脂により絶縁することができる請求項１記載の配線基板を得ることができる。
【００２２】
請求項４の配線基板によれば、一つの金属層と、一方の表面の所定箇所に金属バンプが形成された別の金属層とを用意し、該金属バンプの頂面と、上記一つの金属層の一方の表面とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより上記二つの金属層を積層し、その後、上記金属層間に樹脂を形成し、該二つの金属層を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成し、しかる後上記金属層間の樹脂を除去するので、層間が空気により絶縁された請求項１記載の配線基板を得ることができる。
請求項５の配線基板によれば、両面に配線膜が形成された絶縁層のその両面の配線膜間を接続する層間接続部を有するコア基板と、該コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプとを有するので、そのコア基板の両面各々にその金属バンプを層間接続手段とする別の配線基板を積層してより多層化した配線基板の母体（出発部材）とすることができる。
【００２３】
請求項６の配線基板の製造方法によれば、各金属バンプの頂面と、上記コア基板の各面の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続し、その後、上記キャリア層を剥離して除去するので、請求項５の配線基板を得ることができる。
請求項７の配線基板によれば、ベース配線板の金属バンプの頂面と、２個の積層コア基板の配線膜との接続が、金属どうしの直接金属接合により為されてなるので、より多層化され、且つ層間接続の信頼性が高く、歩留まりの高い配線基板を得ることができる。
請求項８の配線基板によれば、請求項７の配線基板において、前記ベース配線板と、前記各積層コア基板との間が空気により絶縁されているので、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を小さくし、回路特性、例えば高周波特性等を高めることができる。
【００２４】
請求項９の配線基板によれば、コア基板の各面の少なくとも一部の配線膜の表面に突出形成された金属バンプを介して接続された配線膜を有し、該金属バンプの頂面と上記配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続してなるので、コア基板の両側にその配線膜と上記金属バンプを介して接続された配線膜を有するより多層化され、且つ層間接続の信頼性が高く、歩留まりの高い配線基板を得ることができる。
請求項１０の配線基板によれば、一つのコア基板の一方の面の配線膜と、他のコア基板の一方の配線膜との間がバンプ貫設体に貫設された層間接続用金属バンプを介して接続されて上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体が一体化され、上記層間接続用金属バンプの頂面及び底面の上記コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合によるので、より多層化され、且つ層間接続の信頼性が高く、歩留まりの高い配線基板を得ることができる。
【００２５】
請求項１１の配線基板の製造方法によれば、二つのコア基板の間に、バンプ貫設体を、そのうちの一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との互いに接続されるべきものどうしの間が上記層間接続用金属バンプにより接続されるように位置合せして介在させ、一方のコア基板の一方の面の配線膜と、他方のコア基板の一方の配線膜との間を、上記バンプ貫設体の上記層間接続用金属バンプを介して金属どうしの直接金属接合により接続し、以て、上記二つのコア基板及び上記バンプ貫設体を積層一体化するので、請求項１０記載の配線基板を得ることができる。
【００２６】
請求項１２の配線基板によれば、請求項１０の配線基板を母体とし、その少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板が該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプが層間接続手段となるように積層されてなる積層体が一又は複数個、バンプ貫設体の金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜との接続により一体化したので、請求項１０の配線基板よりも層数の多いより多層化された配線基板を提供できる。
そして、上記各層間接続用金属バンプの各頂面及び底面と上記各コア基板の配線膜との接続が金属どうしの直接金属接合により為されているので、層間接続の信頼性が高く、歩留まりの高い配線基板を得ることができる。
【００２７】
請求項１３の配線基板の製造方法によれば、請求項１１の配線基板の製造方法を終えた後、それによりできたものを母体として、その母体の少なくとも一方のコア基板側に、別のバンプ貫設体を介して別のコア基板を、該バンプ貫設体の層間接続用金属バンプの頂面、底面とコア基板の配線膜とを金属どうしの直接金属接合により接続することにより層間接続手段となるように積層することを一乃至複数回繰り返すので、請求項１２のより多層化された配線基板を提供することができる。
請求項１４の配線基板の製造方法によれば、請求項１２の配線基板に必要な部材、即ちバンプ貫設体と、その一方の側又は両側にバンプ貫設体とコア基板との組を一又は複数用意し、位置合わせ後、各バンプ貫設体の各金属バンプと、それに接続されるべきコア基板の配線膜との接続を、金属どうしの直接金属接合により行うことにより上記各部材を一度に積層一体化するので、請求項１０の配線基板よりも層数の多いより多層化された配線基板を低工程数で提供できる。
請求項１５の配線基板によれば、空気を絶縁手段として用いた場合に生じる層間の異物による短絡、絶縁性低下、放電のおそれを完全に回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明は、基本的には、層間接続を金属バンプにより為すタイプの各種の配線基板において、金属バンプとその頂面に接続される配線膜との接続を、金属どうしの直接金属接合により為すこととするものである。そして、層間絶縁は普通の樹脂により行っても良いが、層間絶縁を空気により、或いは、空気を含んだ発泡性樹脂により行うと良い。
というのは、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を小さくし、回路特性、性能を高めることができるからである。この効果は、空気により層間絶縁した場合の方が、発泡性樹脂により層間絶縁した場合より大きいが、発泡性樹脂を用いても普通の樹脂を用いた場合よりも寄生容量を小さくし、回路特性、例えば高周波特性等を顕著に高めることができるからである。また、空気を含んだ発泡性樹脂を層間絶縁に用いた場合には、その樹脂を、配線膜の支持体としても機能させることができる。尤も、対向する配線膜間が空気の場合、即ち空気で層間絶縁する場合には、配線膜の支持体を配線膜の外側に設ける必要があるといえる。
【００２９】
尚、発泡性樹脂で層間絶縁をした場合には、層間に異物（ゴミ等）が侵入する可能性がほとんど無いが、空気で層間絶縁をした場合には、層間に異物（ゴミ等）ないし水分が侵入するおそれが僅かながらではあるが存在するのである。そこで、そのように空気で層間絶縁する場合には、個々の配線基板の周縁部を閉塞すると、外部から異物が侵入するおそれを完全になくすことができる。また層間接続の金属バンプとは別に対向する配線膜同士を物理的に形状を保持させるために、周辺ないし適当な箇所に補強バンプを配置することも効果的である。
【実施例１】
【００３０】
以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図１（Ａ）に示すように、例えば銅からなる金属バンプ８、８、・・・が形成された金属板２と、例えば銅からなる配線層形成用金属層１０を用意し、該金属板２の金属バンプ８形成側の面に金属層１０を臨ませる。
金属板２は、金属バンプ８、８、・・・を形成するための銅層の一方の面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層６形成用金属層を介して配線層形成用金属層１０を積層した三層構造の金属板のその金属バンプ８形成用の銅層の選択的エッチングにより金属バンプ８、８、・・・を形成し、その後、その金属バンプ８、８、・・・をマスクとしてエッチングバリア層６形成用金属層を選択的にエッチングすることによりエッチングバリア層６、６、・・・を形成するという方法で製造される。
【００３１】
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、真空プレスを用いて真空雰囲気下で、熱盤及び加熱、加圧により、金属板２の各金属バンプ８頂面に上記配線層形成用金属層１０を圧接し、バンプを若干押しつぶすことにより、直接に銅・銅接合させ、金属板２への配線層形成用金属層１０の積層を行う。
この積層時には、配線層形成用金属層４・１０間には減圧されたわずかな空気が介在するだけで、層間絶縁用の樹脂は全く介在しない。
（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、上記配線層形成用金属層４・１０の外側を丈夫な型で押さえた状態で、絶縁性樹脂を１２を注入する。
【００３２】
尚、層間絶縁膜となる樹脂としては、エポキシ、ＰＰＳ、ウレタン、シリコーン、フッ素、ポリイミド等を用いることができる。しかし、絶縁性樹脂としては例えば自己発泡性のあるウレタン樹脂を用いることが簡便であり、最適である。というのは、発泡性のない普通の樹脂フィルムを用いた場合よりも、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を従来よりも小さくし、回路特性、性能を従来よりも高めることができるからである。
【００３３】
ウレタン樹脂は硬化反応とともに配線膜間の空間部の隅々まで充満させることは容易である。
また、その気泡は通気性のない独立気泡にさせることが、配線基板にとっては湿気を浸透させないので好ましいと一応は言える。しかし、回路基板の周辺部をシールするようにすれば連続気泡体構造としてもよく、そのようにした場合、柔軟性のある層間絶縁層を得ることができるという利点がある。
また、発砲性樹脂としてはウレタン樹脂に限らず発泡剤を混練したエボキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、不飽和ボリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂またPEEK樹脂,PEI樹脂,PES樹脂,PPS樹脂などの熱可塑性樹脂でも適用できる。
【００３４】
（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、上記配線層形成用金属層４・１０の選択的エッチングにより配線膜１４、１４、・・・、１６、１６、・・・を形成する。これにより一つの配線基板１８ができる。
図１（Ｄ）に示す配線基板１８は、金属バンプ８の頂面とそれに接続された配線膜１０とは、金属どうしの直接金属接合により接続されているので、背景技術の項で述べたような従来の技術に於いて生じていたところの発明が解決すべき課題の項で述べた問題、即ち、金属バンプ頂面と配線膜との間に層間絶縁膜形成用樹脂フィルムや保護フィルムなどの有機物の残り、接続性不良が生じるというおそれがあるという問題は、発生する余地が無くなる。
従って、金属バンプの頂面と、それに接続される配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高めることができる。
【００３５】
そして、発泡性樹脂１２により層間絶縁が為すこととした場合には、その樹脂が空気を含むので、層間絶縁手段として発泡性のない普通の樹脂フィルムを用いた場合よりも、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板やそれを用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を従来よりも小さくし、回路特性、性能を従来よりも高めることができる。
尚、この第１の実施例において、配線層形成用金属層４・１０の選択的エッチングにより配線膜１４、１６を形成した後、外側に配線膜の支持体も兼用するカバーレイ層を設けるようにしてからその樹脂１２を除去し、空気により配線膜１４、１４、・・・と配線膜１６、１６、・・・との間を層間接絶縁するようにすると良い。この場合は金属膜のエッチング液に耐え、かつ比較的除去が簡便な物質としては、パラフィン、ポリエチレンなどがあげられ、低温度で溶融除去させることができる。
【００３６】
そのようにすれば、空気により層間絶縁が為されるので、層間絶縁手段として普通の樹脂フィルムを用いた場合よりも、更には発泡性樹脂を用いた場合よりも、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を従来よりも小さくし、回路特性、例えば高周波特性等、性能を従来よりも高めることができるのである。
尚、その場合、低分子化合物ないし樹脂１２は単なるキャリアに過ぎず、最終的には取り除かれるので、特に発泡性樹脂であることには意味はない。
【実施例２】
【００３７】
図２（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第２の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図２（Ａ）に示すように、例えば銅からなるバンプ形成用金属層２２の一方の表面に接着剤２４により例えば樹脂からなるキャリアフィルム２６を接着した積層体２０を用意する。
【００３８】
（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、上記バンプ形成用金属層２２を選択的エッチングすることにより金属バンプ２８、２８、・・・を形成する。３０、３０は金属バンプ２８、２８、・・・が形成されたバンプ配設体である。
（Ｃ）次に、図２（Ｃ）に示すように、図１（Ｄ）に示した配線基板１８の両側に、図２（Ｂ）に示したバンプ配設体３０、３０を、その各金属バンプ２８、２８、・・・が配線基板１８側を向く向きで一個づつ配置し、真空雰囲気下及び加熱、加圧により、各金属バンプ２８、２８、・・・の頂面を、上記配線基板１８の配線膜に、直接の銅・銅接合により接続する。
【００３９】
（Ｄ）その後、図２（Ｄ）に示すように、各バンプ配設体３０、３０のキャリアフィルム２６を除去する。これにより、配線基板１８の両面の配線膜に金属バンプ２８、２８、・・・の頂面が接続された配線基板３２ができる。
この配線基板３２は次に述べる実施例３のより多層化された配線基板に、コア基板として用いられる。
【実施例３】
【００４０】
図３（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図２（Ｄ）に示すように、コア基板としての配線基板３２と、それに積層される両面配線基板としての配線基板１８、１８を用意し、該配線基板３２の両面にその配線基板１８、１８を位置決めして対置させる。
（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、減圧、加圧により、配線基板３２の両面に配線基板１８、１８を、配線基板３２の前記金属バンプ２８、２８、・・・が配線基板３２の配線膜１４、１４、・・・、１６、１６、・・・と両面配線基板１８、１８の配線膜１４、１４、・・・、１６、１６、・・・との間を、銅・銅接合により直接接続されるように層間接続することにより配線基板３２と配線基板１８、１８とを積層して一体化する。４０はその一体化により構成された４層の配線基板である。
【００４１】
図３（Ｂ）に示す配線基板４０はそのまま、空気を配線基板３２と、両面配線基板１８、１８との間の絶縁手段とする配線基板となる。
このような配線基板４０は、前記金属バンプ２８、２８、・・・と、両面配線基板１８、１８の配線膜１４、１４、・・・、１６、１６、・・・との間の接続が、直接の銅・銅接合により為されているので、従来の技術において生じていた金属バンプ頂面と配線膜との間に層間絶縁膜形成用樹脂フィルムや保護フィルムが残渣として介在し、接続性不良が生じるというおそれは、発生する余地が無くなる。
【００４２】
従って、金属バンプの頂面と、それに接続される配線層との接続の信頼性を高め、配線基板の歩留まりを高めることができる。
また、配線基板３２と配線基板１８、１８との間が空気により絶縁されているので、層間絶縁部の誘電率を小さくして配線基板を用いた電子機器類の電子回路に寄生する寄生容量を小さくし、回路特性、性能を高めることができる。
【実施例４】
【００４３】
図４は本発明の第４の実施例を示す断面図である。
本実施例４４は、図３に示した配線基板４０の周縁部を例えば樹脂等からなる密閉材４２により閉塞し、以て、配線基板３２と配線基板１８、１８との間に外部からゴミ、湿気等の異物が侵入しないようにしたものである。また閉塞の方法としては周縁部を型でおさえ加圧する方法によっても達成できる。
このような配線基板４４によれば、空気を絶縁手段として用いた場合に生じる層間の異物による短絡、絶縁性低下のおそれを完全に回避することができる。
このように、配線基板の周縁部を例えば樹脂等からなる密閉材４２により閉塞して外部からゴミ、湿気等のの異物が混入しないようにする技術は、互いに積層された配線基板間或いは配線基板の配線層間を空気により絶縁したタイプの配線基板全般に適用することができる。
【実施例５】
【００４４】
図５は本発明の第５の実施例を示す断面図である。
本実施例４８は、図３に示したコア基板を成す配線基板４０の前記金属バンプ２８、２８、・・・と、その両面に積層される配線基板１８、１８のとの間に絶縁性樹脂、例えば発泡性樹脂１２を注入し、加熱などの手段により、発泡させたものである。
尚、層間絶縁膜となる樹脂としては、ウレタン、エポキシ、ＰＰＳ、ウレタン、シリコーン、フッ素、ポリイミド樹脂等を用いることができるが、例えばウレタンからなる発泡性樹脂４６を形成するようにするのが簡易であること、第１の実施例の場合と同じである。
【実施例６】
【００４５】
図６（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第６の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図６（Ａ）に示すように、例えば銅からなるバンプ形成用金属層２２の一方の表面に例えばエツチングバリア層を介して例えば銅からなる配線膜形成用金属層５０を接着した積層体６０を用意する。
（Ｂ）次に、図６（Ｂ）に示すように、上記バンプ形成用金属層５０を選択的エッチングすることにより金属バンプ２８、２８、・・・を形成する。６５は金属バンプ２８、２８、・・・が形成されたバンプ配設金属層である。
（Ｃ）次に、図６（Ｃ）に示すように、図１（Ｄ）に示した配線基板１８の両側に、図２（Ｂ）に示したバンプ配設金属層６５をその金属バンプ２８が配線基板２８側を向く向きで一個づつ配置し、減圧及び加熱により、各金属バンプ２８、２８・・・の頂面を上記配線基板６０の配線膜１６、１６、・・・に直接に銅・銅接合により接続する。
【００４６】
（Ｄ）次いで、融点が例えば８０℃程度のパラフィン６８を上記バンプ形成用金属層５０・５０間の空間部に注入し、該パラフィン６８が固化後、図６（Ｄ）に示すように、上記各積層体６０、６０の配線層形成用金属層５０、５０の選択的エッチングにより配線膜５２、５２、・・・を形成する。
（Ｅ）その後、図６（Ｅ）に示すように、配線膜５２、５２が形成された両表面を例えば所定位置が開口（７２はこの開口を示す）されたところの、例えば接着剤付ポリイミドからなるカバーレイ７０を圧着する。
（Ｆ）次いで、図６（Ｆ）に示すように加温して、パラフィンを溶解させて、除去することにより、配線基板８０を完成させる。
【実施例７】
【００４７】
図７（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第７の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図７（Ａ）に示すように、 図１（Ｄ）に示す配線基板（コア基板）１８を２個、バンプ貫設体９０を１個用意し、２個の配線基板１８、１８を対向配置し、その間にバンプ貫設体９０を介在させ、一方の配線基板１８の一方の表面の配線膜１４、１４、・・・と、他方の配線基板１８の一方の表面の配線膜１６、１６、・・・との互いに接続すべきものどうしの間に各々金属バンプ９４、９４、・・・が介在するように２個の配線基板１８、１８及びバンプ貫設体９０を位置合せする。
バンプ貫設体９０は絶縁層９２に金属バンプ９４、９４、・・・を貫設したものであり、例えば図１０（Ａ）〜（Ｅ）に示す工程で製造することができる。この製造方法については、後で詳述する。
【００４８】
（Ｂ）次に、減圧及び加熱により、図７（Ｂ）に示すように、各金属バンプ９４、９４・・・の頂面を上側の配線基板１８の配線膜１４、１４、・・・に、該各金属バンプ９４、９４・・・の底面を下側の配線基板１８の配線膜１６、１６、・・・に、それぞれ、直接に銅・銅接合により接続することにより、２個の配線基板１８、１８とその間に介在するバンプ貫設体９０を積層一体化して配線基板９６が出来上がる。
この場合、配線基板１８、１８とバンプ貫設体９０との間は空気により絶縁されることになる。その場合、図４に示した第４の実施例におけると同様に、周縁部を閉塞するようにしても良い。
尚、図８に示すように、配線基板１８、１８とバンプ貫設体９０との間に樹脂９８を介在させるようにしても良い。そして、樹脂９８として発泡性樹脂を用いることとしても良い。これらの効果は既に述べたので、その説明は省略する。
【実施例８】
【００４９】
図９（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。本実施例は、図７（Ｂ）に示す配線基板９６を母体として、その両面にそれぞれバンプ貫設体９０、９０を介してコア基板である配線基板１８、１８を積層したものである。
（Ａ） 図７（Ｂ）に示す配線基板９６を１個、バンプ貫設体９０を２個、図１（Ｄ）に示す配線基板１８を２個用意し、上記配線基板９６の各面に各々バンプ貫設体９０を介して配線基板１８を対向配置し、上記配線基板９６の各配線膜とそれに電気的に接続されるべき、配線基板１８の配線膜１４、１６との間に上記バンプ貫設体９０の各金属バンプ９４が位置するように配線基板９６、バンプ貫設体９０、９０及び配線基板１８、１８の間における位置合せをする。図９（Ａ）はその位置合せをした状態を示す。
【００５０】
（Ｂ）次に、図９（Ｂ）に示すように、真空プレスを用いて真空雰囲気下で、熱盤及び加熱、加圧により、配線基板９６の両面の配線膜と、各バンプ貫設体９０、９０の各金属バンプ９４、９４、・・・の底面とを、該各金属バンプ９４の頂面と、配線基板１８、１８の配線膜１４、１４、・・・、１６、１６、・・・とを、それぞれ金属どうしの直接金属接合により各金属バンプ９４の頂部、底部が若干押し潰れるように程度に圧接して一体化する。この一体化された配線基板のバンプ貫設体９０と配線基板１８とからなる部分が請求項１２でいう積層体に該当する。
この一体化にあたっては、金属バンプ９４の頂面及び底面と配線膜間には減圧されたわずかな空気が介在するだけで、層間絶縁用の樹脂は全く介在しないこと第１〜第７の実施例の場合と同じである。
【００５１】
ところで、図９（Ｂ）に示した配線基板は、一つの配線基板９６を母体とし、その両側に、バンプ貫設体９０と配線基板１８の組を、１組ずつ配置したものであるが、片側のみにバンプ貫設体９０と配線基板１８の組を、１組配置するようにしても良いし、片側又は両側に、バンプ貫設体９０と配線基板１８の組を、複数組ずつ配置し、より多層化を図るようにしても良い。
そして、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように先ず一つの配線基板９６を形成した後、それを母体としてその両側にバンプ貫設体９０と配線基板１８の組を一組ずつ配置し、積層するようにしても良いが、そうではなく、一つのバンプ貫設体９０と、その片側又は両側に配置されるバンプ貫設体９０と配線基板１８の組を一又は複数組配置し、各金属バンプ９４と各配線膜との金属どうしの直接の銅・銅接合により接続するようにしても良い。このようにすれば、一度の工程で一斉に一体化ができ、工数の低減を図ることができる。
【００５２】
尚、本実施例の各態様においても、配線基板１８、１８とバンプ貫設体９０、９０との間及び配線基板９６とバンプ貫設体９０、９０との間は空気により絶縁されることになる。その場合、図４に示した第４の実施例におけると同様に、周縁部を閉塞するようにしても良い。
また、図８に示す配線基板９６と同様に、配線基板１８、１８とバンプ貫設体９０との間及び配線基板９６とバンプ貫設体９０との間に樹脂９８を介在させるようにしても良く、樹脂９８として発泡性樹脂を用いることとしても良いのである。
【００５３】
図１０（Ａ）〜（Ｅ）は上記バンプ貫設体９０の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）バンプ貫設体９０の製造には、図１０（Ａ）に示すバンプ貫設体製造用型１４８を用いる。この型１４８は、少なくとも上側の主表面が平坦な型基板１５０の表面に、層間接続用バンプ形成用のマスク膜１５２を固定したものであり、１５４、１５４、・・・は層間接続用バンプ（９４、９４、・・・）がメッキにより生成される層間接続用バンプ形成用孔である。
【００５４】
型基板１５０は電解メッキが可能なように、例えばステンレス等の金属で形成すると良い。そして、金属を用いた場合、その表面をクロメート処理（ＣｒＯ３による処理）すると良い。
また、マスク膜１５２は有機物であっても無機物であっても良いが、精度良く形成できるという加工性、多数回（半永久的に）繰り返し使用できるように型基板１５０に対する強固固定性、容易に摩耗、破壊されない硬さ等が必要なので、金属が好ましいと言える。そして、メッキが為される銅との離型性を得るために、表面にはテフロン（登録商標）等をコーティングしておくことが好ましい。
【００５５】
（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、型基板１５０のマスク膜１５２形成側の表面に電気メッキにより層間接続用バンプ９４、９４、・・・を形成する。この場合、該層間接続用バンプ９４、９４、・・・は、マスク膜１５２の表面から形成すべきバンプ貫設体９０の層間絶縁膜９２の厚さ以上突出する高さに形成することが必要である。
（Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、形成すべきバンプ貫設体９０の層間絶縁膜となる絶縁シート１５６を上記型基板１５０上に臨ませる。
（Ｄ）次に、図１０（Ｄ）に示すように、型基板１５０上に上記絶縁シート１２２を、上記層間接続用バンプ９４、９４、・・・に貫通されるように積層する。これにより、型１４８上にバンプ貫設体９０が形成された状態になる。
【００５６】
（Ｅ）その後、図１０（Ｅ）に示すように、バンプ貫設体９０を型１４８から分離する。
本例によれば、図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示された型１４８が貫設体９０の製造に繰り返し使用される。
従って、本例によれば、一つの上記型を繰り返し使用して簡単にバンプ貫設体を順次製造することができ、製造コストの顕著な低減を図ることができる。
尚、本例においては、できるバンプ貫設体９０は層間接続用バンプ９４、９４、・・・が層間絶縁膜９２の下面から突出した構造になるが、上側については上面から突出した態様もあれば、面一（ツライチ）の態様もあり得るし、凹むという態様もあり得る。尚、バンプ貫設体及びその製造方法については、特願２００４−９３６９３により、多層配線基板製造用層間部材とその製造方法として提案済みである。
このように、本発明は種々の態様で実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、金属バンプを層間接続手段として用いる配線基板とその製造方法一般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第２の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例を示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第６の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第７の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】図７（Ｂ）に示した工程の終了後樹脂を充填して製造した配線基板の断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施例を示すところの配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｅ）は図７に示した第７の実施例において用いるバンプ貫設体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
２・・・金属板、４・・・配線膜形成用金属層（銅）、
６・・・エッチングバリア層（ニッケル）、８・・・金属バンプ（銅）、
１０・・・配線膜形成用金属層（銅）、１２・・・層間絶縁膜（発泡性樹脂）、
１８・・・配線基板（コア基板）、２０・・・部材、
２２・・・金属バンプ形成用金属層、２４・・・接着層、
２６・・・キャリア層（キャリア）、２８・・・金属バンプ（銅）、
３０・・・バンプ配設体、３２・・・配線基板、４０・・・配線基板、
４２・・・閉塞材、４４・・・配線基板、
４６・・・層間絶縁膜（発泡性樹脂）、６５・・・バンプ配設金属層、
６８・・・発泡性樹脂、７０・・・カバーレイ、８０・・・配線基板、
９０・・・バンプ貫設体、９２・・・絶縁層、９４・・・金属バンプ。
【図１】
2005303133.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005303133.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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