(57)【要約】【課題】本質的にシリコンに対して不純物とならず、加熱時に安定な窒化ケイ素質多孔体にリン分を添加して拡散源とすることにより、薄い形状でも変形等を生じず、再酸化工程も不要であり、さらにリサイクル使用も可能なリン拡散源を提供する。【解決手段】リンを無水リン酸に換算して７〜３０質量％含む窒化ケイ素質多孔体からなることを特徴とする半導体製造用リン拡散源である。また、本発明は、窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加し、これを加熱、脱水することを特徴とする上記半導体製造用リン拡散源の製造方法である。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンを無水リン酸に換算して７〜３０質量％含む窒化ケイ素質多孔体からなることを特徴とする半導体製造用リン拡散源。
【請求項２】
窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加し、これを加熱、脱水することを特徴とする請求項１記載の半導体製造用リン拡散源の製造方法。
【請求項３】
窒化ケイ素質多孔体へのリン酸の添加方法が、窒化ケイ素質多孔体をリン酸溶液に浸漬させる工程を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体製造用リン拡散源の製造方法。
【請求項４】
窒化ケイ素質多孔体が、気孔率２０〜５０％、曲げ強度３０〜３５０ＭＰａであることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体製造用リン拡散源の製造方法。
【請求項５】
リン酸溶液に浸漬させる窒化ケイ素質多孔体が、リン酸含有の窒化ケイ素含有多孔体のリン酸の一部又は全部を失わせたものであることを特徴とする請求項３記載の半導体製造用リン拡散源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてシリコン系のｎ型半導体及び半導体層形成の際に用いるリン拡散源及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン中にリンやヒ素等の不純物を拡散させて形成するｎ型半導体において、不純物はイオン注入や熱拡散によって導入される。６インチ以下の比較的小口径シリコンウェハーにおいては、リンの熱拡散が最も良く用いられている。リンを含むガラス層いわゆるＰＳＧ膜をシリコン表面に形成し、これを加熱してリンをシリコンへ拡散させる方法である。具体的には、単結晶シリコンとリンの発生源をスライスして管状の拡散炉内に交互に並べ、加熱しながらキャリアガスを流して発生源からシリコンの表面へリンを移送するものである。この時のリンの発生源を拡散源と称する。
【０００３】
拡散源としては、リンを含むガラスが用いられている。８００〜１２００℃に加熱すると、リンの酸化物を気相中に揮発し、キャリアガスで運ばれてシリコン表面に析出する。当然ながら、あまりリンを含まないガラスは拡散源としての能力は低いが、リンを多量に含むガラスは軟化点が低いため、反りや歪み、変形等を生じてしまう。これを改良するため、ケイ酸以外にアルミナ、時にはカルシア、マグネシア等を大量に加え、更に、結晶化して用いられる。
【０００４】
しかしながら、改良は十分とは言えない。ｐ型半導体を作る際のホウ素拡散源となる窒化ホウ素系のウェハーでは、３〜６インチ径に対して、通常１〜２ｍｍの厚さで使用可能であるのに対し、上述のガラス系のリン源材料は２．５〜３．５ｍｍ程度の厚さを必要とする。そのため、拡散炉内にセットする枚数が減り、生産効率が悪くなる。変形を防ぐため、添加物の量を増やせば、リンの含有量が相対的に低くなり、寿命が短くなる。すなわち、リン含有量を多くするとリン拡散源としての性能が低下し、少なくするとウェハー形状の保持が難しくなるという二律背反が生じて、この材料の改善を阻んでいる。
【０００５】
これに対し、従来からリンの拡散源として、他の物質を用いる各種の技術提案も行われてきた。例えば、二酸化珪素をバインダーとして、ＳｉＰ２Ｏ７を含有した円盤状拡散源を用いる方法（特許文献１）や、リンを含む有機ケイ素化合物をスピン塗布して拡散源とする方法（特開昭６１−２４０６４９号公報）、Ｐ２Ｏ５を２−メトキシエタノールにとかし、フォトレジストと混合して得られたポリマーをリン拡散源とする方法（特許文献２）、セリウムペンタホスフェート組成物を拡散源とする方法（特許文献３）などである。
【特許文献１】特開昭６０−２０５１０号公報
【特許文献２】特開昭６３−７８５２０号公報
【特許文献３】特開平４−２６５３００号公報
【０００６】
しかしながら、いずれの方法も、簡便かつ安定的なリン拡散源としては、不十分であった。例えば、ＳｉＰ２Ｏ７を多量に含有した円盤状拡散源は、２ｍｍ以下の薄い板で使用すると前述の変形の問題を生じ易い。また、有機ホスフェートやポリマーをシリコン表面に塗布する場合は、均一な薄い層を作ることが難しい等の問題点もあったので、工業的に普及した方法とはならなかった。
【０００７】
一方、現状使用されているガラス系材料は再生できないので、ある程度リンを消費すると交換し、廃棄している。通常、板ガラス等では、廃棄物を粉砕して、カレットと称し、再びガラスを溶融する際の原料に加えて再利用しているが、この場合は、特殊な材料であるため、再利用できない。廃棄物に対する規制が世界的に厳しくなりつつあり、特にリン酸は、腐食性物質として、労働安全衛生法はじめ、海洋汚染防止法、船舶安全法、航空法など各種の規制を受けているため、今後、益々重要な問題となることが予想される。
【０００８】
以上のように、従来技術のリン拡散源では、薄い形状での使用が難しい上、再生利用が出来ない等の問題を抱えており、半導体産業の今後の発展に支障を来す恐れがあるので、早急なる改善が望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、本質的にシリコンに対して不純物とならず、加熱時に安定な窒化ケイ素系材料にリン分を添加して拡散源とすることにより、薄い形状でも変形等を生じず、再酸化工程も不要であり、さらにリサイクル使用も可能なリン拡散源を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち、本発明は、リンを無水リン酸に換算して７〜３０質量％含む窒化ケイ素質多孔体からなることを特徴とする半導体製造用リン拡散源である。また、本発明は、窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加し、これを加熱、脱水することを特徴とする上記半導体製造用リン拡散源の製造方法である。この製造方法において、窒化ケイ素質多孔体へのリン酸の添加方法が、窒化ケイ素質多孔体をリン酸溶液に浸漬させる工程を含むことが好ましい。また、窒化ケイ素質多孔体が、気孔率２０〜５０％、曲げ強度３０〜３５０MＰａであることが好ましい。更には、リン酸溶液に浸漬させる窒化ケイ素質多孔体が、リン酸含有の窒化ケイ素含有多孔体のリン酸の一部又は全部を失わせたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、再酸化工程なしで長寿命の半導体製造用リン拡散源とその製造方法が提供される。本発明の拡散源は、１〜２ｍｍの薄さで使用することができるので、拡散炉への投入量すなわち生産性は確保される。しかも、再生して再使用することができるので、リン化合物の廃棄を削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１３】
本発明は、基本的に拡散源を、（１）形状を保持する材料（窒化ケイ素質焼結体）と（２）リンの供給源となる材料（リン酸）とに分けて考える。すなわち、従来技術においては、両者を区別なく考えていたので、形状を精密に保持するためには、リン分を低減しなければならないが、リン分を低減すると拡散源としての機能も低下するという二律背反に直面していた。本発明においては、（１）に優れた多孔体を選択し、必要なだけリン分を添加することにより、（１）の性能に影響することなく、（２）の能力を与えることが出来る。
【００１４】
リンの酸化物にはいろいろな形態があるが、多くは加熱していくと水を失って無水となり、更に加熱すると溶融する。融点は、リンをシリコンに拡散させる温度より低温であるので、リン酸系材料を拡散源に用いると拡散時には融液で存在することになる。従って、拡散源の内部に多量に存在すると形状を精密に保てなくなり、表面では、厚い層として坦持させることは出来ない。本発明においては、保持材（坦体）として、窒化ケイ素質多孔体を用いることでこれを解決した。この多孔体を採用することで、大きな表面積を持たせ、薄い層であっても多量のリン酸を含有させることが出来る、シリコンに対して本質的に不純物とならない、熱的に安定な材料で、拡散処理を行う８００〜１２００℃の非酸化雰囲気で長時間使用しても、クリープなどの変形を生じ、あるいは化学的に反応することが非常に少ない、などの利点がある。
【００１５】
窒化ケイ素質多孔体を製造する窒化ケイ素粉末は、通常の焼結用原料で十分であるが、半導体の拡散源としての使用であるので、高純度であることが望ましい。具体的には、加熱時に不純物の揮発が少なくなるように、塩素やフッ素等のハロゲンやアルカリ金属の合計が０．１質量％以下、特に０．０１質量％以下であることが好ましい。また、窒化ケイ素の焼結の際にしばしば用いられる焼結助剤は、本発明においても使用することが可能であるが、加熱時に揮発分となるものは好ましくない。好ましい助剤の一例を挙げると、希土類元素の酸化物、アルミナ、二酸化ケイ素等であり、これらは８００〜１２００℃の加熱では、殆ど揮発しない。
【００１６】
本発明における好ましい窒化ケイ素質多孔体は、窒化ケイ素の一部または全部を反応焼結によって製造されたものである。すなわち、窒化ケイ素粉末、金属シリコン粉末を均一に混合後成形し、必要に応じて添加された溶媒や有機バインダーを乾燥・脱バインダーして後、アンモニアや窒素等の窒化性ガスを含む雰囲気下、１４００℃以上に加熱して製造された窒化ケイ素質多孔体である。このものは、高密度の焼結体にはなりにくいが、相対密度９０%以下の多孔体となりやすく、しかも焼結助剤を添加しなくてもよい利点がある。  反応焼結による窒化ケイ素質多孔体は、続いてホットプレスで追加的な焼結、いわゆるポストシンターを行うこともできる。
【００１７】
本発明における窒化ケイ素質多孔体は、窒化ケイ素１００質量％の多孔体であってもよく、また窒化ケイ素の一部が、シリコンオキシナイトライド及び／又はサイアロン等の酸窒化物によって最大４０質量％が置換されたものであってもよい。置換率は、Ｘ線回折線の強度比から簡易的に求めることができる。なお、シリコンオキシナイトライドは、酸素の多い窒化ケイ素粉末を用い、必要に応じて二酸化ケイ素を添加し、酸素を含む雰囲気中で加熱することによって生成し、サイアロンは、シリコンオキシナイトライドにアルミナ成分を加え加熱すると生成する。
【００１８】
本発明における窒化ケイ素質多孔体の気孔率は２０〜５０％であることが好ましい。特に好ましくは２５〜４８％であり、更に好ましくは３０〜４５％である。気孔率が２０％よりも著しく小さいと、リン酸の保持量が少なくなり、また５０％よりも著しく大きいと、拡散源として加熱したときに液状のリン酸が不均一に染み出してしまう。また、気孔は開気孔でなければならないが、通常、気孔率が高くなるに従って開気孔が増加し、気孔率２０％以上では開気孔が主体となる。また、気孔は、リン酸を均一に保持することが出来れば、分布等特に制限するものではないが、大きな穴、いわゆるボイドの発生は避けなくてはならない。とくに、１ｍｍ以上の大きな気孔径の存在は、リン酸を不均一に保持させることになり、不均一な拡散の原因となる。好ましい気孔径は０．５mm以下であり、特に好ましくは０．１mm以下である。
【００１９】
気孔率は、焼結前の成形体の密度、いわゆるグリーン密度（生密度）によって決まるが、窒化ケイ素分を反応焼結で得る場合には、反応しない窒化ケイ素すなわち骨材の添加比率によって調節することも出来る。すなわち、骨材／金属シリコンの比を大きくすると低密度になって気孔率が低くなり、骨材／金属シリコンの比を小さくすると高密度になって気孔率は高くなり易い。これは金属シリコンが窒化ケイ素になる際に、窒化増量が生じるのに対して骨材として窒化ケイ素を加えるとその分重量増加が生じなくなることによるものである。本発明においては、骨材／金属シリコンの質量比は、０．３〜３であることが好ましい。
【００２０】
本発明においては、薄い拡散源とした時に、あまり強度が低いとハンドリングし難く、逆に高強度にしようとすると気孔率が低くなりすぎるため、窒化ケイ素質多孔体の曲げ強度は３０〜３５０ＭＰａであることが好ましい。特に好ましくは５０〜３００ＭＰａであり、更に好ましくは１００〜２５０ＭＰａである。
【００２１】
本発明においては、窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加する。リン酸は、窒化ケイ素質多孔体の中に均一に含ませれば、その方法は、特にこれを制限するものではないが、一般的にはリン酸やその水和物を液相や気相にして含浸させる。以下その一例を挙げる。リン酸やその水和物を液相にする最も容易な方法は、溶液にすることである。リン酸とは、Ｐ２Ｏ３が水と反応して生じる一連の酸Ｐ２Ｏ５・ｎＨ２Ｏの総称であり、オルトリン酸やメタリン酸、二リン酸（ピロリン酸）を始めとしたポリリン酸など多くのものが知られている。これらの溶液をつくるための原料としては、無水リン酸やオルトリン酸、ピロリン酸等を用いることも出来るが、亜リン酸、次亜リン酸、リン酸アンモニウム等を使用しても良い。いずれも水に対する溶解度は比較的大きく、５０％程度の溶液を作ることは可能である。加温すると更に効率がよい。また、溶媒にアルコール等の溶剤を用いることも出来る。粘度が高い場合には、微細な気孔に均一に含浸させるため、加圧することが好ましい。リン酸の添加は、拡散源の形状に加工前、途中、加工後のいずれであっても構わないが、湿式加工する場合は、リン酸分が加工中に溶出する恐れがあるので、加工後が好ましい。
【００２２】
窒化ケイ素質多孔体に含ませたリン酸は、乾燥・加熱によって脱水、脱媒、安定化される。とくに、リン酸溶液を含浸させる場合、乾燥によって溶媒を揮発させると、多孔体内にリン酸が析出する。高濃度のリン酸を析出させるために、これを繰り返すこともできる。含浸と乾燥は、同時に行うこともでき、多孔体を加熱しながら含浸させると、含浸と溶媒の飛散、リン酸の析出が同時に進行する。加熱は、雰囲気加熱やホットプレート上での加熱も可能であるが、マイクロ波加熱は、溶媒の揮発を効率的に行うことが出来る。乾燥温度は、リン酸を含浸させた状態や拡散源の大きさによって異なるが、概ね８０〜２００℃程度が適温である。また、安定化温度も乾燥後の状態によって適温が異なるが、水分が残留するとシリコン中の拡散に悪影響が生じることがあるので、５００℃以上に加熱することが好ましい。十分な加熱により、リン酸は無水物となって窒化ケイ素質多孔体に坦持される。
【００２３】
リン拡散源は、加熱によりリン酸を揮発して供給するものであるから、リン酸の含有量が少ないと、寿命が短くなる。しかし、あまり多量に含有すると、加熱時にリン酸が拡散源の表面に染み出し液滴を形成して不均一な層を形成するなどの問題も発生する。本発明においては、リン酸含有率は、無水リン酸に換算して７〜３０質量％、好ましくは１０〜２５質量％である。
【００２４】
本発明において窒化ケイ素質多孔体は、新たに製造するだけではなく、拡散源としてリン分の一部または全部を消費した後にこれを再利用することも出来る。拡散は、拡散炉内８００〜１２００℃で行われるが、この温度範囲では、窒化ケイ素質多孔体は、損傷をあまり受けないため、拡散源として使用した後であっても使用することができる。すなわち、再び、リン酸を含浸させて補填し、乾燥・安定化すれば、拡散源となる。この再使用により、コスト的なメリット以外に、環境面での社会的な要求に応えることも出来る。すなわち、殆どの半導体製造メーカーが、ＩＳＯ  １４００１を取得している現在では、腐食性材料であるリン酸を含む使用済み拡散源を大量に廃棄し続けることには、対応策が要求される。本発明の拡散源は、使用済み品を再生出来ることから、廃棄量の大幅な削減が可能となる。
【００２５】
本発明の半導体製造用リン拡散源の形状については、特にこれを制限するものではなく、現在、使用されているものとほぼ同じ形状で構わない。基本的にリン酸を添加する前の窒化ケイ素質多孔体は、窒化ケイ素を主成分とした焼結体を用いているので、加熱時の反り、変形、ふくれ等の不具合は発生し難く、ガラス系の拡散源に比べて薄い形状で使用可能である。汎用品の一例を示せば、拡散させるシリコンウェハーと同寸法か、又は１〜４ｍｍ程度大きいサイズで、厚さは３〜６インチ径で、１〜２ｍｍ程度のものである。
【実施例】
【００２６】
原料として、市販の高純度シリコン（純度＞９９．９％、４５μｍ以下）、及び試薬特級の二酸化ケイ素（純度＞９９．９％）、アルミナ（純度＞９９％）イットリア（純度＞９９．９％）、窒化ケイ素（電気化学工業社製「デンカ窒化けい素ＮＰ−６００」）を用いた。窒化ケイ素製のボールを使って表１に示す所定の割合で１２ｈｒｓ混合したのち、取り出して少量のエタノールを加え、２０ＭＰａの圧力で１２０ｍｍ径の円筒状に金型プレス成形した。
【００２７】
【表１】
2005045104.tif 000002
【００２８】
各成形体は、８０℃で１晩乾燥後、表２に示す条件で焼成して焼結体を得、アルキメデス法で密度を測定し、相対密度を算出して、１００％から差し引いて気孔率とした。また、試験片を切り出し、ＪＩＳ  Ｒ１４０４に準じて３点曲げ強度を測定した。次に、切り出した焼結体の一部をアルミナ乳鉢で粉砕し、粉末X線回折で生成相を調べ、主回折線の強度比から生成比を求めた。なお、ガラス相の生成比は、各試料に非晶質二酸化ケイ素を１０、２０、３０質量％外添加した際の主回折線強度比の変化を外挿して求めた。それらの結果を表２に示す。その後、これらの焼結体を、１１０ｍｍ径、厚さ１．２ｍｍの円盤に加工し、窒化ケイ素質多孔体とした。  
【００２９】
【表２】
2005045104.tif 000003
【００３０】
次に、オルソリン酸を溶解して調整した５０質量％リン酸水溶液に、各々の窒化ケイ素質多孔体を浸漬してリン水溶液を染み込ませた後、乾燥機中１８０℃で一晩乾燥後、窒素気流中７００℃で４ｈｒｓ加熱脱水した。この、浸漬・乾燥・脱水の操作を３回繰り返して拡散源とした。最終的な質量を測定し、侵漬前との増加分をリン酸として、拡散源に含まれるリン酸の質量比率を無水リン酸に換算して求めた。それらの結果を表３に示す。
【００３１】
各々の拡散源を用いて、以下の拡散試験を行った。市販の固体リン拡散源を１．２ｍｍの厚さに研削加工したものを比較例に加えた。単結晶シリコンウェハーは市販の４インチ径のものを用い、石英管を備えた拡散炉内に拡散源、シリコンウェハー、拡散源の順にセットし、３００℃で窒素ガスを流し、出口の酸素濃度が２ｐｐｍ以下になるまで保持した。次に、５℃／ｍｉｎで８００℃まで昇温して１０ｈｒｓ保持して安定化し、更に１１００℃まで２．５℃／ｍｉｎで昇温して、１ｈｒｓ拡散させ、室温まで冷却してリン酸を析出させたシリコンウェハーを取り出した。
【００３２】
このシリコンウェハーを１０％フッ化水素溶液に浸漬してリンガラスを除去し、十分に純水洗浄、真空乾燥後に四端子法でシート抵抗を測定した。次に、各々の拡散源を拡散炉に入れて、窒素気流中、１０００℃で１０ｈｒｓ保持後、１１００℃に加熱してリン酸を揮発させ、２０ｈｒｓ毎に冷却、取り出し、質量を測定して拡散能力の継続を確認した。１ｈｒ当たりの質量減少が、２０〜４０ｈｒｓのそれの半分以下になった時を寿命として、各々の拡散源の寿命を測定した。それらの結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
2005045104.tif 000004
【００３４】
最後に、寿命に達した拡散源１、４を用い、再びリン酸を含浸して乾燥・安定化を３回繰り返して行って拡散源を再生し、上記と同じ条件でシート抵抗の測定と寿命試験を行った。それらの結果を表４に示す。  
【００３５】
【表４】
2005045104.tif 000005
【００３６】
表３、４から明らかなように、本発明の拡散源は、安定したシート抵抗を示し、再酸化工程なしに、長時間の使用が可能であった。また、使用済み品の再使用も可能であった。一方、市販の固体リン拡散源を用いた１３やケイ酸ガラスを主体とする多孔体８を用いると、この厚さでは、初期の加熱時に大きな反りを発生して、シリコンウェハーに接触し、拡散試験が出来なくなった。気孔率や曲げ強度が高過ぎる窒化ケイ素質多孔体９、１２では、固定化されるリン酸量が不十分で短寿命であった。また、気孔率の高過ぎる窒化ケイ素質多孔体１０では、使用中に反りが大きくなり、２０ｈｒｓ後に使用出来なくなった。強度不足の窒化ケイ素質多孔体１１では、ハンドリング中に損傷し、端部に欠けを生じてシート抵抗値に異常が認められた。  
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、再酸化工程なしで長寿命の半導体製造用リン拡散源とその製造方法が提供される。本発明の拡散源は、１〜２ｍｍの薄さで使用することができるので、拡散炉への投入量すなわち生産性は確保される。しかも、再生して再使用することができるので、リン化合物の廃棄を削減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明においては、窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加する。リン酸は、窒化ケイ素質多孔体の中に均一に含ませれば、その方法は、特にこれを制限するものではないが、一般的にはリン酸やその水和物を液相や気相にして含浸させる。以下その一例を挙げる。リン酸やその水和物を液相にする最も容易な方法は、溶液にすることである。リン酸とは、Ｐ２Ｏ５が水と反応して生じる一連の酸Ｐ２Ｏ５・ｎＨ２Ｏの総称であり、オルトリン酸やメタリン酸、二リン酸（ピロリン酸）を始めとしたポリリン酸など多くのものが知られている。これらの溶液をつくるための原料としては、無水リン酸やオルトリン酸、ピロリン酸等を用いることも出来るが、亜リン酸、次亜リン酸、リン酸アンモニウム等を使用しても良い。いずれも水に対する溶解度は比較的大きく、５０％程度の溶液を作ることは可能である。加温すると更に効率がよい。また、溶媒にアルコール等の溶剤を用いることも出来る。粘度が高い場合には、微細な気孔に均一に含浸させるため、加圧することが好ましい。リン酸の添加は、拡散源の形状に加工前、途中、加工後のいずれであっても構わないが、湿式加工する場合は、リン酸分が加工中に溶出する恐れがあるので、加工後が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
各成形体は、８０℃で１晩乾燥後、表２に示す条件で焼成して焼結体を得、アルキメデス法で密度を測定し、相対密度を算出して、１００％から差し引いて気孔率とした。また、試験片を切り出し、ＪＩＳ  Ｒ１６０１に準じて３点曲げ強度を測定した。次に、切り出した焼結体の一部をアルミナ乳鉢で粉砕し、粉末X線回折で生成相を調べ、主回折線の強度比から生成比を求めた。なお、ガラス相の生成比は、各試料に非晶質二酸化ケイ素を１０、２０、３０質量％外添加した際の主回折線強度比の変化を外挿して求めた。それらの結果を表２に示す。その後、これらの焼結体を、１１０ｍｍ径、厚さ１．２ｍｍの円盤に加工し、窒化ケイ素質多孔体とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
このシリコンウェハーを１０％フッ化水素溶液に浸漬してリンガラスを除去し、十分に純水洗浄、真空乾燥後に四深針法でシート抵抗を測定した。次に、各々の拡散源を拡散炉に入れて、窒素気流中、１０００℃で１０ｈｒｓ保持後、１１００℃に加熱してリン酸を揮発させ、２０ｈｒｓ毎に冷却、取り出し、質量を測定して拡散能力の継続を確認した。１ｈｒ当たりの質量減少が、２０〜４０ｈｒｓのそれの半分以下になった時を寿命として、各々の拡散源の寿命を測定した。それらの結果を表３に示す。