(57)【要約】【課題】ＦＰＤを用いたＸ線撮像装置を救急医療への発展が可能となり、医療現場の更なる効率化を図ることができる光電変換装置を提供すること。【解決手段】波長変換体を有し、波長変換体から放出される光を電気信号へ変換する光電変換手段と光電変換手段に蓄積された電荷を転送する手段を２次元的に配して成る光電変換装置において、撮影毎に、前回の撮影履歴によって発生する残像を消去する動作を行うことを特徴とする。【選択図】図１
2005303586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長変換体を有し、波長変換体から放出される光を電気信号へ変換する光電変換手段と光電変換手段に蓄積された電荷を転送する手段を２次元的に配して成る光電変換装置において、
撮影毎に、前回の撮影履歴によって発生する残像を消去する動作を行うことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
光電変換手段として金属−絶縁層−半導体層から構成されるMetal-Insulator-Semiconductor 型光センサーとＭＩＳ型光センサーに蓄積した電荷を転送する手段として薄膜トランジスタを用いた請求項１記載の光電変換装置であって、
前回の撮影履歴によって発生する残像を無くす動作として、センサーバイアスを撮影間にセンサーのフラットバンド電圧以下にすること動作を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
波長変換体は、電離放射線を可視光に変換する蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
【請求項４】
ＭＩＳ型光センサーは、絶縁性の基板上に、アルミニウムやクロム等の金属で形成された第１の電極とその上に、窒化アモルファスシリコンで形成された絶縁層と、水素化アモルファスシリコン層から成る光電変換層、前記光電変換層とアルミニウムやクロム等の金属から成る第２の電極層とオーミックコンタクトを取り、且つ、正の電荷に対してブロッキング層として働く、導電性を示す水素化アモルファスシリコン層から成り、スイッチング素子は、光電変換手段の第１の電極層と同様に金属で形成されるゲート電極層と窒化アモルファスシリコンで形成されるゲート絶縁層、水素化アモルファスシリコンで形成されるチャネル層、前記光電変換層とアルミニウムやクロム等の金属から成るソース電極層及びドレイン電極層とオーミックコンタクトを取るための負の導電性を示す水素化アモルファスシリコン層と、前記ＭＩＳ型光センサーの第１の電極層と接続されるドレイン電極層と、信号を転送するための信号線と接続されるソース電極から成る薄膜トランジスタを１画素とし、マトリックス状に配置して成る平面センサーであることを特長とする請求項２又は３記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換体を有し、波長変換体から放出される光を電気信号へ変換する光電変換手段と光電変換手段に蓄積された電荷を転送する手段を２次元的に配して成る光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体技術の進歩によりフラットパネルディテクター（ＦＰＤ）と呼ばれる光電変換装置を用いたＸ線撮像装置が実用化し普及し始めている。ＦＰＤを用いたＸ線撮像装置の利点は、フィルムより優れた感度や画質を有するために診断精度の向上や、フィルムに比べて短時間に画像が得れる即時性、画像のディジタル化による画像管理の簡便さやネットワークを利用した診断等、医療現場の効率化等が挙げられる。
【０００３】
ＦＰＤは、図２に示すように、蛍光体２０１で人体を透過したＸ線を可視光に変換し、その画像を、ガラス基板上にアモルファスシリコンプロセスを用いて作られるセンサー基板２０３によって等倍で読み取る。センサー基板２０３はフォトセンサーとフォトセンサーからの信号の出力をＯＮ／ＯＦＦするためのスイッチング素子から成る画素が２次元状に配置されたものであり、読み取られたＸ線画像は、電気信号としてセンサー基板から出力される。
【０００４】
更に、出力された電気信号は、信号増幅回路２０４で増幅された後、中継基板２２３を介して制御基板２２４へ送られ、アナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）２０６でデジタル信号へ変換される。中継基板は、制御基板から出力される制御信号を信号増幅器に伝達する他、センサー基板、垂直駆動回路、信号増幅回路で必要な電源の作ることができる。
【０００５】
デジタル信号へ変換された画像データは、画像処理装置２０９によって動画像に処理されてモニター２１８へ表示される。Ｘ線動画像撮影装置は、コントロールＰＣ２１１によって全てが制御され、Ｘ線源２１９との同期や画像の保存、画像の印刷、病院内ネットワークとの接続等もこのコントロールＰＣで行うことができる。
【０００６】
図３にＦＰＤの１画素を示す。１画素は、ＭＩＳ（金属−絶縁体−半導体）型フォトセンサーとスイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）から成る。
【０００７】
画素はガラス基板上３０８に形成され、ＴＦＴは、クロム又はアルミニウムから成るゲート電極３０１、アモルファスシリコン窒化膜で形成される絶縁膜３０２、水素化アモルファスシリコンによって形成されるチャネル層３０３、チャネル層と金属電極とをオーミックコンタクトを取るためのＮ＋アモルファスシリコン層３０４、クロムやアルミニウム等の金属によって形成されるソース電極３０５、ドレイン電極３０６から構成される。フォトセンサー部はＭＩＳ型アモルファスシリコンフォトセンサーであり。クロム又はアルミニウム等の金属によって形成されるセンサー下部電極３０９、ＭＩＳ型フォトセンサーの絶縁層となる窒化シリコン薄膜から成る絶縁層３１０、水素化アモルファスシリコンによって形成される光電変換層（Ｉ層）３１１、光電変換層と電極とをオーミックコンタクトを取り且つ光電変換層で発生した正孔をブロッキングするためのＮ＋型アモルファスシリコン層３１２、ＭＩＳ型フォトセンサーに電圧を供給するためのアルミニウムやクロム又はＩＴＯ等の透明電極材料で形成されるセンサーバイアス線３１３から構成される。
【０００８】
更に、フォトセンサーとＴＦＴを湿度や異物から保護するための保護層３１７、放射線を可視光に変換する蛍光体３１５と蛍光体を接着するための接着層３１６、蛍光体を湿度から保護するための蛍光体保護層３１４から成る。
【０００９】
ＦＰＤにアモルファスシリコンプロセスが用いられる理由は、大面積を均一に成膜でき、ディテクターの特性を均一にできるためである。
【００１０】
ＭＩＳ型フォトセンサーの動作原理を図４のＭＩＳ型フォトセンサーのエネルギーバンド図を用いて説明する。
【００１１】
図４（ａ）の状態は、ＭＩＳ型センサーの蓄積動作時（光電変換モード）を示している。ＭＩＳ型フォトセンサーのセンサーバイアス線側に正の電圧を印加すると、光電変換層内で光電効果によって発生した正孔は、絶縁層と光電変換層の界面に、電子はＮ＋アモルファスシリコン層側へと移動する。正孔は絶縁層を抜けて移動することができないため、光電変換層−絶縁層界面に蓄積することになる。よって、光の照射量や時間に比例した電圧がＭＩＳ型光センサーに発生する。
【００１２】
しかしながら、或る一定量の正孔を蓄積すると、図４（ｂ）に示すように、光電変換層−絶縁層界面に蓄積した正孔に起因する電圧と、ＭＩＳ型フォトセンサーに印加している電圧が等しくなり、光電変換層に電界が発生しなくなる。この状態では光電変換層で発生した正孔は、光電変換層−絶縁層界面に移動できず消滅してしまうため、光の照射量や時間に比例した電圧が発生しなくなる。この状態を飽和状態と呼ぶ。
【００１３】
飽和状態になったＭＩＳ型フォトセンサーに再び光の照射量や時間に比例した電圧が発生する状態にするためには、センサーバイアス線の電圧を図４（ａ）及び図４（ｂ）の状態より低い電圧にして光電変換層−絶縁層界面に蓄積した正孔を掃き出せば良い。この動作をリフレッシュ動作と言う。このときのセンサーバイアスを低い電圧にすることで、センサーのダイナミックレンジを大きく確保することができるが、低い電圧にすることで注入される電子が多くなり、再び蓄積バイアスにした際大きな暗電流が発生する。このため、リフレッシュ動作と光電変換モードのセンサーバイアスの差は、センサーダイナミックレンジが確保でき且つ暗電流が十分小さくなるように設定されている。
【００１４】
よって、ＭＩＳ型フォトセンサーが光照射量や時間に比例した出力を出すためには、蓄積動作→光照射→信号読み出し→リフレッシュ動作という一連の動作を繰り返す必要がある。
【００１５】
【特許文献１】特許第３０６６９４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ＦＰＤでは、撮影間隔を短くすると、1 枚前の撮影画像が残像として見える問題がある。
【００１７】
この原因はアモルファスシリコンやアモルファスシリコン窒化膜中や界面に深い局在順位が存在し光電効果で発生した電荷の一部がこの局在順位にトラップされるためである。局在準位にトラップされた電荷は、リフレッシュ動作によって吐き出すことができず、更に長い時定数を持っているため、光照射後も界面や膜中に電荷が存在し続ける。局在準位に電荷が居続けることで光照射後のＭＩＳ型光センサーは、光照射後もトラップされた電荷分の出力を発生することとなり、前回の撮影像が残像として見えるのである。
【００１８】
特に強い光が当たった部分、つまり、被写体の無い巣抜けの部分等は大きな残像が残ることとなり、１人の患者で撮影する部位を幾つも変えて撮影する際等は、撮影間隔を十分空けなければならない。
【００１９】
このように、撮影間隔が長いと１日の撮影数が多い大病院では大きな時間的ロスとなるし、撮影時間が長いことは患者に負担を掛けることになるため好ましくない。更に、即時性が最も求められる、救急患者の撮影においては十分な撮影間隔が得られない可能性があり実用上の問題となる。
【００２０】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、ＦＰＤを用いたＸ線撮像装置を救急医療への発展が可能となり、医療現場の更なる効率化を図ることができる光電変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
残像を無くし撮影間隔を短くするためには、アモルファスシリコンやアモルファス窒化シリコン内の局在順位を減らすことが必要であるが、アモルファスシリコンより局在順位の少ないポリシリコンや結晶シリコンによってアモルファスシリコンと同等の均一性でＦＰＤを作ることは技術的に困難である。
【００２２】
残像を減らすためには、局在準位にトラップされた電荷と反対の極性を持つ電荷を注入し、再結合させて消滅することで残像を減らすことが可能である。この場合、ＭＩＳ型センサーに印加する電圧をコントロールするだけで良いので簡便である。
【００２３】
以上から、撮影間に残像の原因となるＭＩＳ型光センサーの局在準位にトラップされた電荷を消滅できる電圧制御機構及び動作をＦＰＤに組み込むことで撮影間隔の問題を解決できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ＦＰＤで発生する残像を抑制し、ＦＰＤを用いたＸ線撮像装置の撮影間隔を短くすることができる。これにより、ＦＰＤを用いたＸ線撮像装置を救急医療への発展が可能となり、医療現場の更なる効率化が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２６】
＜実施の形態１＞
図４を用いて本発明の原理について説明する。
【００２７】
図４（ａ）は光照射後のＭＩＳ型光センサーのバンドダイアグラムを示している。
【００２８】
ＭＩＳ型光センサーでは、光電効果によって発生した正孔と電子はセンサーバイアス線に印加された電圧によって、電子はセンサーバイアス線へ、正孔は光電変換層と絶縁層の界面へとドリフトする。このとき、正孔の一部は光電変換層と絶縁層の界面や、光電変換層にある結晶欠陥や、不純物に由来する比較的深い局在準位にトラップされる。
【００２９】
この局在準位にトラップされた正孔は、リフレッシュ動作によって局在準位から放出することができないため、電子との再結合による消滅や熱的励起による放出によって減っていく。その時定数は数１０秒である。よって、局在準位の正孔が完全に消滅していない状態で撮影を行うとトラップされた正孔分のオフセットを持った電気信号をセンサーは出力し、十分な撮影間隔を空けなかった場合、前に撮影した画像が残像として見えてしまう。
【００３０】
本発明では、上記の局在準位にトラップされた正孔を消去する方法として、図４（ｂ）に示すように、センサーバイアスをセンサーのフラットバンド電圧以下になるようにして電子を光電変換層に注入することで、局在準位にトラップされている正孔を注入した電子を再結合させ消滅させる。この動作をリセット動作と呼ぶ。
【００３１】
リセット動作を行う時間は、電子と正孔が再結合できる十分な時間行う必要がある。しかし、一部の電子は、正孔と同様に局在準位にトラップされて、リセット動作後に大きな過渡電流に寄与するため、リセット動作の時間やリセット動作時のセンサーバイアスは残像消去の効果とリセット動作後の過渡電流を抑えるよう最適化された値を用いる。
【００３２】
以上のリセット動作を撮影と撮影の間に行うことで局在準位にトラップされた正孔に起因する残像が消去でき、撮影間隔を短くすることができる。
【００３３】
図５は本発明の実施形態である光電変換装置の回路図であり、３×３のマトリックス状のものを示している。ＴＦＴ（ＴＦＴ１１〜ＴＦＴ３３）と図３に記載のＭＩＳ型センサー（ｓ１１〜ｓ３３）、ゲート線（Ｖｇ１〜Ｖｇ３）、ＭＩＳ型センサーからの電気信号を転送するための信号線（Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３）から成るセンサー基板５００と、ゲート線を制御するための垂直駆動回路５０１、各画素からの信号を増幅転送するための信号増幅回路５０５、センサーに光電変換に必要な電圧を印加するためのセンサーバイアス源５０２によって構成されている。信号増幅回路５０５は、画素からの電気信号を数１０倍に増幅する初段ＡＭＰ５０６及び初段ＡＭＰの電荷蓄積用コンデンサーをリセットするためのリセットＳＷ５０４、初段ＡＭＰ５０６の出力を保持するための、サンプルホールド用コンデンサー５０３、サンプルホールドした信号をシリアル信号に変換するマルチプレキサー部５０８、図５には図示していない外部回路へ出力するための出力段ＡＭＰ５０７から成る。
【００３４】
センサーのフラットバンド電圧は、センサーバイアス線やセンサーの下部電極に用いる電極材料や、光電変換層と絶縁層の界面の局在準位によって決まるため、図５に図示したように、リセット電圧はマイナス電源である必要はない。
【００３５】
図６に本実施形態における、図６で示した光電変換装置駆動タイミングを示す。図６は１枚の画像を撮影する動作を示したものであり、１枚の撮影では都合２枚の画像を得る。１枚は、Ｘ線画像撮影で得れるＸ線画像であり、もう１枚は、Ｘ線を曝謝せずに撮影するＦＰＮ（Fixed-Pattern-Noise ）撮影で得られるＦＰＮ画像である。Ｘ線画像撮影では人体を透過し、人体の情報を担ったＸ線が蛍光体で光に変換され、その光をＭＩＳ型光センサーによって電気信号へと変換された人体情報を読み取るものである。ＦＰＮ撮影は、センサーのオフセットばらつきや信号増幅回路のノイズやオフセットを補正するために撮影されるものであり、Ｘ線を照射しない状態でＸ線画像撮影と同様の駆動を行い撮影されるものである。
【００３６】
このとき、局在準位にトラップされた正孔による、オフセットが発生するがその量はセンサーに照射された光に比例したオフセットになるが、画像には残像として表れない。
【００３７】
撮影はリフレッシュ動作、蓄積動作、読み出し動作の３つの動作を順に行う。
【００３８】
リフレッシュ動作は、センサーバイアス源の電圧をリフレッシュバイアスにした後、Ｖｇ１，Ｖｇ２，Ｖｇ３を順次Ｈｉにし、ＴＦＴ１１〜１３、ＴＦＴ２１〜２３、ＴＦＴ３１〜３３を順次ＯＮさせる。これにより、ＭＩＳ型光センサーに蓄積されている電荷を排出する。このとき、初段ＡＭＰのリセットＳＷを閉じ、信号線とセンサー下部電極を初段ＡＭＰの基準電圧にリセットする。
【００３９】
全ての画素のＴＦＴがＯＮ／ＯＦＦの動作を終了した後、センサーバイアス源の電圧を蓄積バイアスにして、センサーを光電変換モードにする。
【００４０】
このとき、センサーバイアスの電位変動によって、ＭＩＳ型センサーに電流が流れ、全センサー下部電極の電位が上昇してしまうため、ＴＦＴをＯＮし、信号線とセンサー下部電極を初段ＡＭＰの基準電圧に再度リセットする。ここまでがリセット動作であり、リフレッシュ動作が終了した直後Ｘ線が曝射される。このとき、全てのＴＦＴはＯＦＦされ、センサーバイアスは蓄積バイアスとなっている。
【００４１】
所望の時間Ｘ線を曝射した後、センサーに蓄積された電荷を読み出す読み出し動作を行う。読み出しは図５において横１ライン毎、つまり、ゲート電極を共有している画素単位に読み出される。
【００４２】
読み出し動作は、先ず、蓄積動作時に変動した全ての信号線やＣｆ容量の電位を、ＲＣをＨｉにしてＡＭＰの基準電圧へとリセットする。その後、Ｖｇ１をＨｉにして、ＴＦＴ１１〜ＴＦＴ１３をＯＮさせ、センサーＳ１１〜Ｓ１３に蓄積された電荷を信号線を介して各信号線に接続されている初段ＡＭＰのＣｆへ転送する。電荷の転送に十分な時間、各ＴＦＴをＯＮした後、ＴＦＴをＯＦＦし、ＳＨをＨｉにして初段ＡＭＰの出力をサンプルホールド用コンデンサーへ転送する。ＳＨをＯＦＦし、１ラインの読み出し動作が終了する。
【００４３】
サンプルホールド用コンデンサーに蓄積された電荷は、マルチプレキサによって時系列的に出力段ＡＭＰへと転送され、図５では図示されていないが、図１におけるＡ／Ｄへと主力段ＡＭＰによって転送される。
【００４４】
上記の動作を次々と繰り返すことで全ての画素の電気信号を読み出すことができる。
【００４５】
以上によって人体を透過して人体の情報を担ったＸ線信号を電気信号として読み出すことができる。
【００４６】
ＦＰＮ画像撮影における駆動方法は前述のＸ線画像撮影における動作とＸ線の曝射がない点を除けば全く同じである。当然のことながら、Ｘ線画像撮影とＦＰＮ画像撮影での蓄積動作を行っている時間は同じである。
【００４７】
Ｘ線が画像撮影とＦＰＮ画像撮影を行った後、センサーバイアス源の電圧は、リセット電圧にしてＭＩＳ型センサーの局在準位にトラップされた正孔を消去して残像を消す。
【００４８】
以上の動作によって１枚のＸ線画像が得られる。
【００４９】
リセット動作後は直ちにＸ線画像撮影に移ることができる。又、リセット動作直後に撮影が行われない場合、撮影要求が来るまでＦＰＮ撮影の駆動を繰り返すアイドリング駆動を行っても良い。
【００５０】
又、リセット動作終了後直ちにＸ線画像撮影する際にも、ＦＰＮ撮影動作を、画像を得るときよりも速い周期で１〜数回行うことで、リセット動作直後に発生するセンサーの過渡電流を抑えて画質を安定させることができる。これに掛かる時間は、〜１秒程度なので、患者を待たせることはない。
【００５１】
ここで、蓄積バイアスやリフレッシュバイアスは、センサーに十分なダイナミックレンジを確保できるよう最適な電圧値を用いる。
【００５２】
又、本実施形態では、３×３画素の光電変換装置について説明したが、本発明はこれによらない。例えば、１画素１６０μｍ×１６０μｍで、胸部撮影に必要な４０ｃｍ×４０ｃｍの光電変換装置では２５００×２５００画素となる。
【００５３】
図７に１画素を形成するときのプロセスフローを示す。
【００５４】
ガラスのような少なくとも絶縁性の基板にアルミニウム等の金属をスパッターによって堆積した後、リソグラフィーでパターニングしゲート電極及びセンサー下部電極を形成する。更に、アモルファスシリコン窒化膜、水素化アモルファスシリコン層、Ｎ＋アモルファスシリコン層を化学気相成長法（ＣＶＤ法）又はプラズマＣＶＤ法によって同一順次堆積する。ＴＦＴのドレイン電極とＭＩＳ型光センサーの下部電極層とを接続する部分としてコンタクトホールを開けた後、アルミニウム等の金属をスパッタ−により堆積する。更に、リソグラフィーによって各ＴＦＴ、ＭＩＳ型光センサーの各素子を分離し、電極を図７のように形成する。このとき、ゲート電極上にコンタクトホールを開ける。
【００５５】
アモルファスシリコン窒化膜、水素化アモルファスシリコン層、Ｎ＋アモルファスシリコン層は、同一チャンバー内で連続成膜することが望ましいが、本実施形態ではその限りではない。
【００５６】
又、本実施形態では、ＭＩＳ型光センサーとＴＦＴの膜構成、膜厚は同じものであり、ＭＩＳ型光センサーの感度とＴＦＴの特性の両方を十分満たすような膜厚と材料を用いる。
【００５７】
この方法の特長はプロセス工数やマスク枚数が少なくて済み、製造コストを下げつつ歩留まりを高くすることができる。
【００５８】
しかしながら、ＴＦＴ特性が十分なものが得られない場合、ＴＦＴのチャネル層の厚みを薄くするプロセスを導入しても良い。
【００５９】
図８に本実施形態における１画素の構成を示す。
【００６０】
図８において、センサーバイアス線は感度の観点より、なるべく細いことが望ましい。このとき、センサーへの電圧供給はＮ＋アモルファスシリコン層があるため問題とならない。更に、Ｎ＋アモルファスシリコン層の抵抗率が高いときはＮ＋アモルファスシリコン層上にＩＴＯ電極を用いていも良い。
【００６１】
更に、図８では、ＴＦＴはソース電極１本、ドレイン電極２本の構成で示しているが、本実施形態ではこれによらずソース電極１本、ドレイン電極１本であっても構わない。
【００６２】
更に、信号線の容量や抵抗は光電変換装置のＳ／Ｎ比を左右するため、容量と抵抗は小さいことが望ましく、図８に示すようにゲート電極との交差部分や小さくなるようにしてある。更に、電極材料として図７等で示しているが抵抗率が小さいアルミニウムを用いている。更に、抵抗を小さくする手段として図７で図示していないが、スパッタ工程を複数回繰り返し、アルミニウム層を厚く積んでも構わない。
【００６３】
＜実施の形態２＞
図９は光電変換装置の実施形態２における形態を示したものである。図９は放射線が入射した側から見た模式図であり、説明のため蛍光体等は図示していない。図９では、２５００×２５００画素の光電変換装置の模式図を示しており、センサー基板の上下に図５で図示した信号増幅回路を内包するＴＣＰチップと垂直駆動回路を内包するＴＣＰチップが接続され、更に各ＴＣＰチップはプリント基板である中継ボードに接続されている。
【００６４】
ここで、センサー基板とＴＣＰとの接続は異方導電性接着剤で接続され、中継基板とは半田によって接続される。
【００６５】
図９では上下に信号増幅回路が接続され、都合２つの光電変換装置を張り合わせたものと等価である。上の信号増幅は上から１〜１２５０ラインの読み出しを担当し、下の信号増幅回路回路は１２５１〜２５００ラインの読み出しを担当する。
【００６６】
このような構造にすることで読み出しに要する時間を短縮することができる。仮に１ラインの読み出しを２００μｓｅｃであるとすると、１フレームに２５０ｍｓｅｃで済む。
【００６７】
又、図９では垂直駆動回路が左右に接続されている。左右の垂直駆動回路はゲート線を共有しており、ゲート線の配線抵抗に起因するノイズを低減やプロセス不良によるゲート配線の開放の影響をなくし、生産性が高く高性能な光電変換装置を実現する。
【００６８】
図１０に撮影時のタイムチャートを示す。
【００６９】
Ｘ線撮影は、技師又は医師が患者をＸ線防護の備わったＸ線室内にある撮像装置に異動させ、撮影の準備を行う。このとき、光電変換装置は前述したアイドリング駆動を行い待機している。準備が整いＸ線曝射ボタンを押されると光電変換装置はＸ線画像撮影動作に入り、Ｘ線発生装置は光電変換装置の動作と同期してＸ線を照射する。
【００７０】
Ｘ線画像撮影動作の後、ＦＰＮ撮影動作、リセット動作を行う。このとき、患者は移動して構わないため、次の撮影の準備をする。
【００７１】
ＦＰＮ撮影が終了した後、固定パターンノイズを除去や画像の補正等の画像処理を行いモニターにPreView 画像を表示する。ＦＰＮ撮影終了からPreView 画像表示までは約３秒程度である。この間、光電変換装置はアイドリング駆動を行う。
【００７２】
PreView 画像を医師や技師が確認後、次の撮影に移ることができる。本発明を用いない場合、ＦＰＮ撮影後数１０秒から１分ほど次の撮影に移れない。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】フラットパネルディテクター（ＦＰＤ）を用いたＸ線撮像装置の構造図である。
【図２】１画素の断面図である。
【図３】ＭＩＳ型光センサーの原理説明図である。
【図４】第１の実施形態の原理説明図である。
【図５】光電変換装置の回路図である。
【図６】撮影時の駆動タイミングを示すタイングチャートである。
【図７】１画素のプロセスフローを示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１における1 画素のパターン図である。
【図９】本発明の実施の形態２における光電変換装置の模式図である。
【図１０】撮影タイムチャートである。
【符号の説明】
【００７４】
１０１  蛍光体
１０２  可視光
１０３  センサー基板
１０４  信号増幅回路
１０５  垂直駆動回路
１０６  Ａ／Ｄ変換器
１０７  電源
１０８  制御用コンピュータ
１０９  画像処理装置
１１０  プログラム／制御ボード
１１１  コントロールＰＣ
１１２  ＦＰＤ
１１３  センサー制御卓
１１４  電源
１１５  Ｘ線源制御卓
１１６  プリンタ
１１７  外部記憶装置
１１８  モニター
１１９  Ｘ線源
１２０  Ｘ線
１２１  人体
１２２  記憶装置
１２３  中継基板
１２４  制御基板
【図１】
2005303586.tif 000003
【図２】
2005303586.tif 000004
【図３】
2005303586.tif 000005
【図４】
2005303586.tif 000006
【図５】
2005303586.tif 000007
【図６】
2005303586.tif 000008
【図７】
2005303586.tif 000009
【図８】
2005303586.tif 000010
【図９】
2005303586.tif 000011
【図１０】
2005303586.tif 000012