(57)【要約】【課題】絶縁セラミック材料を外部から遮断して規格抵抗値を一定に維持できるような蒸着工程装置用サセプタを提供する。【解決手段】本発明による蒸着工程装置用サセプタは、外部に露出されたリードラインと、リードラインに接続されたヒーティングワイヤーと、ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシースと、シース内部に充填されたセラミック材料と、シースの端部に形成された遮断層とを含むヒーターを具備する。【選択図】図５
2005133216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着工程装置用サセプタであって、前記サセプタを加熱するヒーターを具備しており、前記ヒーターは、
外部に露出されたリードラインと；
前記リードラインに接続されたヒーティングワイヤーと；
前記ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシースと；
前記シース内部に充填された絶縁材料；及び
前記シースの端部に形成された遮断層を含む蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項２】
前記絶縁材料はセラミック材料からなることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項３】
前記遮断層は前記リードラインが露出されているシースの端部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項４】
前記セラミック材料はＭｇＯベースの材料からなることを特徴とする請求項２に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項５】
前記遮断層により前記セラミック材料は外部から遮断されることを特徴とする請求項２に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項６】
前記セラミック材料の抵抗値は２０ＭΩ以上であることを特徴とする請求項２に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項７】
前記遮断層は酸化重金属で構成されることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項８】
前記酸化重金属は鉛成分とガラス成分が混合された材料で構成されることを特徴とする請求項７に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項９】
前記酸化重金属は３０重量％ないし７０重量％の鉛成分を含むことを特徴とする請求項８に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１０】
前記遮断層は５ｇ／ｃｍ３以上の内部密度を有することを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１１】
前記遮断層は５〜１５ｍｍ程度の厚さを有するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１２】
前記ヒーターが複数個具備されることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１３】
前記複数のヒーターは重ならないように配置されることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１４】
前記ヒーターは基板を全体的に均一に加熱するように基板下面の全面に形成されることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１５】
前記遮断層は所定組成比を有する前記鉛成分とガラス成分を１００℃〜５５０℃の範囲の温度に加熱して形成されることを特徴とする請求項１に記載の蒸着工程装置用サセプタ。
【請求項１６】
反応チャンバー及びチャンバー蓋と；
前記反応チャンバー及びチャンバー蓋により形成される反応空間と；
前記反応空間内に具備された移送手段により上下移送が可能であって電気的に接地されたサセプタであって、前記サセプタ上に、蒸着が遂行されるターゲット基板が配置される、サセプタとを具備する蒸着装置において、
前記サセプタは前記ターゲット基板を加熱するヒーターが具備し、
前記ヒーターは、外部に露出されたリードラインと；前記リードラインに接続されたヒーティングワイヤーと；前記ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシースと；前記シース内部に充填された絶縁材料と；前記シースの端部に形成された遮断層とを含むことを特徴とする蒸着装置。
【請求項１７】
前記絶縁材料はセラミック材料からなることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項１８】
前記遮断層は、前記リードラインが露出されているシースの端部に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項１９】
前記セラミック材料はＭｇＯベースの材料からなることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着装置。
【請求項２０】
前記遮断層により前記セラミック材料は外部から遮断されることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着装置。
【請求項２１】
前記セラミック材料の抵抗値は２０ＭΩ以上であることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着装置。
【請求項２２】
前記遮断層は酸化重金属で構成されることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項２３】
前記酸化重金属は鉛成分とガラス成分が混合された材料からなることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着装置。
【請求項２４】
前記酸化重金属は３０重量％ないし７０重量％の鉛成分を含むことを特徴とする請求項２３に記載の蒸着装置。
【請求項２５】
前記遮断層は５ｇ／ｃｍ３以上の内部密度を有することを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項２６】
前記遮断層は５〜１５ｍｍ程度の厚さを有するように形成されることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項２７】
前記ヒーターが複数個具備されることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項２８】
前記複数のヒーターは重ならないように配置されることを特徴とする請求項２７に記載の蒸着装置。
【請求項２９】
前記ヒーターは基板を全体的に均一に加熱するように基板下面の全面に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の蒸着装置。
【請求項３０】
前記遮断層は所定組成比を有する前記鉛成分とガラス成分を１００℃〜５５０℃の範囲の温度に加熱して形成されることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項３１】
シース内にヒーティングワイヤーを配置する段階と；
前記シース内に絶縁材料を充填する段階と；
前記ヒーティングワイヤーの端部にリードラインを接続する段階と；
前記シースの端部に遮断層を形成する段階とを含むことを特徴とする蒸着工程装置用サセプタの製造方法。
【請求項３２】
前記遮断層は、所定組成比を有する前記鉛成分とガラス成分を１００℃〜５５０℃の範囲の温度に加熱して形成されることを特徴とする請求項３１に記載の蒸着工程装置用サセプタの製造方法。
【請求項３３】
前記絶縁材料はセラミック材料からなることを特徴とする請求項３１に記載の蒸着工程装置用サセプタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着工程装置に係り、特に絶縁セラミック材料の抵抗特性を一定に維持できる蒸着工程装置用サセプタに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、蒸着工程装置の発達に伴い、大面積基板上に所望する素子（例えば、液晶表示装置）を形成することができるようになってきている。この場合、大面積基板上に均一な薄膜を蒸着することが非常に重要である。
【０００３】
このように均一な薄膜が蒸着されてこそ、高精細かつ高精密な素子を製造することができる。しかしながら、実際に大面積基板上に均一な薄膜を蒸着することは非常に難しいのが現実である。
【０００４】
通常、均一な薄膜を蒸着させるための蒸着工程装置であって、シャワーヘッド（ｓｈｏｗｅｒｈｅａｄ）型平板電極を具備したプラズマ化学気相蒸着（又は、プラズマ気相化学成長）（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下ＰＥＣＶＤと称する）装置が広く使われている。
【０００５】
特に、液晶表示装置は、透明絶縁基板上に複数のゲートバスラインとデータバスラインが垂直で交差配列されて数多くの単位画素領域が形成され、それぞれの単位画素領域にはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明金属を有する画素電極とスイッチング動作をするＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がそれぞれ配置されているアレイ基板と、該単位画素領域に対応する数多くのＲＧＢカラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板とが、液晶分子を間に置いて合着されるように構成される。
【０００６】
この場合、前記アレイ基板には複数のマスク工程を介して絶縁基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質シリコン膜などを順に塗布及びエッチングしてゲートバスライン、データバスライン、ＴＦＴのチャネル層及びソース／ドレイン電極が形成されるようになる。
【０００７】
このような液晶表示装置を製造する過程では、基板上に一定の温度と圧力を維持した状態で絶縁膜を蒸着する工程が必要である。このような場合、通常ＰＥＣＶＤ装置が使用される。
【０００８】
また、一般的な蒸着工程でウエーハ上に絶縁膜を蒸着する場合にも化学気相成長（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やＰＥＣＶＤ装置が使用され得る。
【０００９】
前記ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ装置を介して基板またはウエーハ上に絶縁膜を均一に形成するためには前記基板またはウエーハに安定的な温度が提供されなければならない。すなわち、安定的な温度が提供されなければ均一な絶縁膜が形成できなくなる。
【００１０】
図１は、従来技術による、ヒーターが結合されたサセプタを示した平面図である。
【００１１】
図１において、ＰＥＣＶＤ装置またはＣＶＤ装置に具備されたサセプタ１００に、蒸着のためのターゲット基板（図示せず）が受容される。前記サセプタ１００は、平坦な矩形形状を有する基板１５０と、前記基板１５０を支持するためのシャフト（ｓｈａｆｔ、図示せず）と、加熱手段であるヒーター１１０とを含む。
【００１２】
この時、前記基板１５０と平行の方向にヒーター１１０が所定の間隔で３〜４個程度サセプタ１００に結合している。ヒーター１１０はヒーティングワイヤー（図２の１０７）を囲んでいるシース（ｓｈｅａｔｈ）１０３と、ヒーティングワイヤー１０７に接続されて電流が印加されるリードライン（ｌｅａｄ  ｌｉｎｅ）１０５から構成され得る。
【００１３】
図２は、従来技術によるヒーターの構造を示した断面図である。図２に示したように、ヒーター１１０は熱を発生させるヒーティングワイヤー１０７と、ヒーティングワイヤー１０７の上下に接続されて電流を印加するリードライン１０５と、ヒーティングワイヤー１０７から一定間隔離れて配置され、ヒーティングワイヤー１０７を囲むように形成されたシース１０３と、ヒーティングワイヤー１０７とシース１０３間に充填された絶縁セラミック材料１０８を具備する。
【００１４】
すなわち、前記リードライン１０５及びこれに接続されたヒーティングワイヤー１０７はシース１０３内部に具備されて、前記シース１０３内部には絶縁セラミック材料１０８が充填されるようになる。
【００１５】
絶縁セラミック材料１０８は抵抗値が高く、熱伝導率が高い材質からなり得る。これにより、ヒーティングワイヤー１０７で発生した熱が迅速にシース１０３に伝えられて、シース１０３に接触している基板１５０が加熱されるようになる。これにより、ターゲット基板に形成される蒸着膜の成長に要求される加熱温度で加熱されるようになる。この場合、絶縁セラミック材料１０８としてはＭｇ０ベースの粉末材料が主に利用されている。
【００１６】
しかし、従来技術では、サセプタ１００に結合されたヒーター１１０にＭｇＯベースの絶縁セラミック材料１０８が使用される場合、シース１０３の上下部で絶縁セラミック材料１０８が周囲の空気に露出されるようになる。
【００１７】
このように絶縁セラミック材料１０８が外部大気と接触することによって、外部大気中に存在する湿気が絶縁セラミック材料１０８により吸収される。このような場合、絶縁セラミック材料１０８の抵抗値は低くなるという問題点があった。
【００１８】
通常絶縁セラミック材料１０８の規格抵抗値は２−２０ＭΩの範囲を維持しなければならない。しかし、シース１０３の上下部に充填された絶縁セラミック材料１０８が外部に露出されることによって外部大気中に存在する湿気を吸収するようになって、抵抗値が規格抵抗値以下に落ちることにより、ヒーティングワイヤー１０７が断線される可能性が存在する。
【００１９】
このようにヒーティングワイヤーの断線は、蒸着の結果得られる製品の不良を発生させる主原因である。また、このように、絶縁セラミック材料の抵抗値が落ちる場合には、前記ヒーターのリードラインを通じて印加される電流の値が増加することによって、前記リードラインと接続されたヒーティングワイヤー間にショートが発生する可能性が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は絶縁セラミック材料を外部と遮断させて規格抵抗値を一定に維持できる蒸着工程装置用サセプタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記目的を達成するための本発明の望ましい一実施形態によれば、蒸着工程装置用サセプタは、外部に露出されたリードライン；該リードラインに接続されたヒーティングワイヤー；該ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシース；該シース内部に充填されたセラミック材料；及び該シースの両端に形成された遮断層を含むヒーターを具備する。
【００２２】
したがって、該遮断層により該セラミック材料が外部から遮断されることによって、該セラミック材料が外部の大気中に存在する水分を吸収して抵抗値が低くなることを、基本的に防止できる。
【００２３】
該遮断層は鉛成分とガラス成分が混合された材料からなる酸化重金属で構成され得る。したがって、このような酸化重金属により該遮断層は５ｇ／ｃｍ３以上の内部密度を有するようになり、完全な遮断特性を有するようになる。
【００２４】
該遮断層は５〜１５ｍｍ程度の厚さを有するように形成され得る。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、蒸着工程装置に使用されるサセプタを加熱するためのヒーターの内部に、絶縁セラミック材料を外部と遮断するための遮断層を封入形成することによって、絶縁セラミック材料の抵抗値を一定に維持できてヒーティングワイヤーの断線やヒーティングワイヤー間のショートなどを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明する。
【００２７】
図３は、本発明に適用されるＰＥＣＶＤ装置の構成を概略的に示した図である。
【００２８】
図３を参照すると、ＰＥＣＶＤ装置は下部の反応チャンバー１１と上部のチャンバー蓋１２とを含み、これらにより外部と完全に遮断された反応空間が形成される。この時、反応空間の効率的な密閉のために反応チャンバー１１とチャンバー蓋１２間の接着面にはＯリング（Ｏ−ｒｉｎｇ）が挿入され得る。このようなＯリングにより外部の空気は完壁に遮断されて前記反応空間に流入されなくなる。反応空間内には移送手段７により上下移送が可能であって電気的に接地されたサセプタ（Ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）６が具備される。この場合、サセプタ６上には蒸着が遂行されるターゲット基板５、例えば液晶表示装置のアレイ基板が安着できる。また、図示しないが、移送手段７内部にはターゲット基板５を加熱するための加熱手段が具備される。
【００２９】
サセプタ６と対応する反応空間の上部には外部ＲＦ電源供給部１と接続されたシャワーヘッド型プラズマ電極３が具備される。プラズマ電極３は内部が空いていて、上面にプラズマ放電のためのガスを注入するためのガス注入管２が一体に形成されている。したがって、ガス注入管２を介して注入されたガスはプラズマ電極３の内部に伝えられる。
【００３０】
また、プラズマ電極３の下面には数ｍｍの直径を有する複数の噴射孔３ａが数ｃｍの間隔で形成されている。これにより、ガス注入管２によりプラズマ電極３の内部に注入されたガスは複数の噴射孔３ａそれぞれを介して反応空間に噴射されるようになる。それゆえ、プラズマ電極３とサセプタ６間にかかる電位差により反応空間にプラズマが放電される。
【００３１】
このようなプラズマ放電により、サセプタ６上に安着されたターゲット基板５上に蒸着されるようになる。蒸着後、残留ガスはガス排気管（図示せず）を通じて排気される。
【００３２】
通常、プラズマ電極３はステンレスまたはアルミニウムなどの金属材質で構成される。この時、プラズマによるアーク（ａｒｃ）発生を防止するため、プラズマ電極３の表面は陽極処理（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）される。
【００３３】
反応チャンバー１１の側壁には、ターゲット基板５のローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）を行う手段であるロードロック（ｌｏａｄ  ｒｏｃｋ）部（図示せず）とロードロック部のローディングのための開閉手段であるスロットバルブ（ｓｌｏｔ  ｖａｌｖｅ）８が具備される。これにより、スロットバルブ８を開放した次に、ロードロック部を反応空間内に移動させることによって、サセプタ上にターゲット基板５が安着できる。結局、ターゲット基板５はロードラック部に安着されるようになり、蒸着工程のために先に説明した動作により前記サセプタ６上に安着させることができる。
【００３４】
前述のような構造を有するＰＥＣＶＤ装置はサセプタ６とプラズマ電極３との間にかかった電位差によって反応空間のガスをプラズマ状態に作って前記基板５上に蒸着膜（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を形成する。この時、サセプタ６上にターゲット基板５がローディングされると、反応空間内の圧力はターゲット基板５上に蒸着される蒸着膜に要求された圧力に調整されて、サセプタ６内に具備された加熱手段に電源を印加することによって、ターゲット基板５上に形成される蒸着膜成長に要求された温度に加熱されるようになる。
【００３５】
このように、ターゲット基板５上に蒸着膜を安定的に成長するためには所定の加熱温度が要求されるようになる。この時、加熱温度が最適化されなくなれば、蒸着膜が均一に成長されにくい。
【００３６】
図４は、本発明によるＰＥＣＶＤ装置用サセプタを示した断面図である。
【００３７】
図４に示したように、ＰＥＣＶＤ装置またはＣＶＤ装置に具備されたサセプタ２００には蒸着のためのターゲット基板が安着されるようになる。サセプタ２００は、平坦な矩形形状を有する基板２５０と、基板２５０を支持するためのシャフト（ｓｈａｆｔ）２０２と、加熱手段であるヒーター２１０とを含む。
【００３８】
基板２５０のローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）またはアンローディングによってシャフト２０２は上下に動くようになる。
【００３９】
ヒーター２１０は、蒸着工程の間、基板２５０を加熱して所定の温度に維持するようにする。ヒーター２１０は基板２５０下側に具備されるようになる。すなわち、ヒーター２１０は基板２５０の中心領域では基板２５０の下部に具備されたシャフト２０２内部に具備されて、基板２５０の中心領域から周辺端部（外廓部）までは基板２５０と平行するように配置されている。基板２５０の中心領域から周辺端部までは基板２５０とシャフト２０２間に配置されている。シャフト２０２は基板２５０の中心領域から周辺端部に沿って折り曲げられている。
【００４０】
したがって、ヒーター２１０は基板２５０の中心領域の下部ではシャフト２０２内部に具備されて、基板２５０の中心領域から周辺端部までは基板２５０とシャフトとの間に配置される。
【００４１】
図５は、図４のサセプタに結合されたヒーターのＡ部分を拡大した断面図である。
【００４２】
図５で、ヒーター２１０は電流を供給するために端部が露出したリードライン２０５と、リードライン２０５と接続されて熱を発生させるヒーティングワイヤー２０４と、ヒーティングワイヤー２０４を囲むように形成されたシース２０３と、シース２０３内部に充填されたヒーティングワイヤー２０４間の電気的絶縁のための絶縁セラミック材料２０８と、絶縁セラミック材料２０８の露出を遮断するために、外部に露出されたリードライン２０５の周辺を封入（ｓｅａｌｉｎｇ）するための、シース２０３の端部において形成された遮断層２２０を具備する。
【００４３】
リードライン２０５はヒーティングワイヤー２０４に電流を印加するための入出力端子であって、一部分がシース２０３から外部に露出されるようになる。
【００４４】
ヒーティングワイヤー２０４はリードライン２０５の端部に接続されてリードライン２０５を介して入力された電流により熱を発生させる。
【００４５】
この時、ヒーティングワイヤー２０４とリードライン２０５はシース２０３の内部に具備されるようになる。このような場合、ヒーティングワイヤー２０４間での絶縁がなされないと、ヒーティングワイヤー２０４がショートし得る。このため、ヒーティングワイヤー２０４間の絶縁を確保するためにシース２０３内部にはＭｇＯベースの絶縁セラミック材料２０８が充填される。ここで、ＭｇＯベースの材料は抵抗値が高く、熱伝導度が高いものであり、絶縁セラミック材料２０８として広く使用されている。
【００４６】
このような絶縁セラミック材料２０８は外部に露出されてはならない。すなわち、絶縁セラミック材料２０８が外部に露出されると、外部大気中に存在する湿気などが絶縁セラミック材料２０８により吸収され、絶縁セラミック材料２０８の抵抗値が規格抵抗値（２−２０ＭΩの範囲）より顕著に低くなるようになる。それゆえ、絶縁セラミック材料２０８が絶縁特性を持つことができなくなり、ヒーティングワイヤー２０４にさらに高い電流が流れて断線が発生したり、また、ヒーティングワイヤー間にショートが発生したりする可能性が高い。
【００４７】
このような問題点を解決するために本発明では絶縁セラミック材料２０８が外部に露出されることを遮断するために絶縁セラミック材料２０８が充填されたシース２０３の一端または両端に遮断層２２０を封入して形成する。このようにシース２０３の一端または両端に遮断層２２０を形成することによって、シース２０３内部に充填された絶縁セラミック材料２０８が外部と接触されることを基本的に防止することができる。
【００４８】
遮断層２２０は鉛成分及びガラス成分を混合した材料を１００℃〜５５０℃に加熱した後、シース２０３の一端または両端に封入して形成され得る。この時、鉛成分とガラス成分の組成比を適切に調節して遮断層２２０を形成することができる。
【００４９】
混合した鉛ガラス材料には３０重量％ないし７０重量％の鉛成分が含まれ得るが、このような３０重量％ないし７０重量％の鉛成分により遮断層２２０の内部密度が５ｇ／ｃｍ３以上まで増える。これにより、外部大気からセラミック材料２０８への水分浸透をより完全に遮断させることができて、セラミック材料２０８の規準抵抗値２０ＭΩ以上の値を維持できるようになる。
【００５０】
また、遮断層２２０は、シース２０３の端部からシース２０３内部に５〜１５ｍｍ程度の厚さを有するように封入して形成されることによって、セラミック材料２０８が大気に露出することを防ぐ。
【００５１】
このように、本発明では絶縁セラミック材料として用いられるＭｇＯベースの材料が外部大気に存在する水分をよく吸収して抵抗値が低くなることを防止することができるように、ヒーター２１０に遮断層２２０を配置している。
【００５２】
図６Ａないし図６Ｃは、多様なヒーターの形状を示す平面図であって、基板２５０下部にヒーター２１０が基板２５０を全体的に均一に温度を高めることのできるような形状で具備されている。
【００５３】
このように、ヒーター２１０は格子形状（ｇｒｉｄ  ｓｈａｐｅ）で形成されたり（図６Ａ）、蝶形状（ｂｕｔｔｅｒｆｌｙ  ｓｈａｐｅ）で形成されたり（図６Ｂ）、複数の格子形状で形成されることができる。（図６Ｃ）
【００５４】
遮断層２２０に含まれた相当量の酸化重金属により内部密度が高くなって、これにより外部との遮断性能を強化できるため、特に大型製品のヒーター製作で有用である。
【００５５】
なぜなら、ヒーティングワイヤーの断面積が大きくなるに従ってヒーティングワイヤーとシースとの間の距離ｒが狭くなるが、絶縁セラミック材料の抵抗値を一定に維持できるならば、無理にシース直径を広げる必要がないためである。したがって、本発明はヒーターの大きさを大きくしなくても高い温度を発生させることができるＰＥＣＶＤチャンバーまたはＣＶＤチャンバーに適用できる。
【００５６】
本発明は上述の実施形態に限られず、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を外れることなく、本発明が属する分野で通常の知識を有する者ならば誰でも多様な変更実施が可能であろう。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
蒸着工程装置に使用されるサセプタを加熱するためのヒーターの内部に充填された絶縁セラミック材料を外部から遮断するための遮断層を封入形成することにより、絶縁セラミック材料の抵抗値を一定に維持でき、ヒーティングワイヤーの断線やヒーティングワイヤー間のショートなどを防止することができるという産業上利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】従来技術によるヒーターが結合されたサセプタを示した平面図である。
【図２】従来技術によるヒーターの構造を示した断面図である。
【図３】本発明によるＰＥＣＶＤ装置の構成を概略的に示した図である。
【図４】本発明によるＰＥＣＶＤ装置用サセプタを図示した断面図である。
【図５】図４のサセプタに結合されたヒーターのＡ部分を拡大した断面図である。
【図６Ａ】多様なヒーターの形状を示す平面図である。
【図６Ｂ】多様なヒーターの形状を示す平面図である。
【図６Ｃ】多様なヒーターの形状を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１：外部ＲＦ電源供給部
２：ガス注入管
３：プラズマ電極
３ａ：噴射孔
５：ターゲット基板
６：サセプタ
７：移送手段
８：スロットバルブ
１０：ＰＥＣＶＤ装置
１１：反応チャンバー
１２：チャンバー蓋
１００：サセプタ
１０３：シース
１０５：リードライン
１０７：ヒーティングワイヤー
１０８：絶縁セラミック材料
１１０：ヒーター
１５０：基板
２００：サセプタ
２０２：シャフト
２０３：シース
２０４：ヒーティングワイヤー
２０５：リードライン
２１０：ヒーター
２２０：遮断層
２５０：基板
【図１】
2005133216.tif 000003
【図２】
2005133216.tif 000004
【図３】
2005133216.tif 000005
【図４】
2005133216.tif 000006
【図５】
2005133216.tif 000007
【図６Ａ】
2005133216.tif 000008
【図６Ｂ】
2005133216.tif 000009
【図６Ｃ】
2005133216.tif 000010