(57)【要約】【課題】イメージセンサーを構成するベースに、ＣＣＤ基板を位置決め配設するに当たり、ＣＣＤ基板自体を高精度に加工し、かつ、高い平面度と位置精度を保つようにしなければならないという問題があった。【解決手段】  レンズアレイを配設した長尺のカバーと、レンズアレイと対向し、複数の受光素子が実装された長尺のＣＣＤ基板を配設した長尺のベースとを有するイメージセンサーにおいて、ＣＣＤ基板が、樹脂からなるベースと一体的に成形した。【選択図】  図６
2005236473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズアレイが配設された長尺のカバーと、
複数の受光素子が実装されたＣＣＤ基板が、配設された長尺のベースとを有し、
前記カバーが、前記レンズアレイと前記ＣＣＤ基板が対向するように前記ベースに固定されたイメージセンサーにおいて、
前記ベースは樹脂からなり、
前記ＣＣＤ基板が、前記ベースと一体的に成形されていることを特徴とするイメージセンサー。
【請求項２】
前記ベースは、さらに、前記ＣＣＤ基板に長尺の剛体を一体的に成形したことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
【請求項３】
前記剛体は、金属であることを特徴とする請求項２記載のイメージセンサー。
【請求項４】
前記剛体は、前記ＣＣＤ基板と接触されていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のイメージセンサー。
【請求項５】
長尺のＣＣＤ基板とベースとを一体的に成形し、
該ベースの端面を基準として、ＣＣＤ基板に複数の受光素子を配設し、
レンズアレイを配設した長尺のカバーを、前記端面を基準として、前記ベースに配設したことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。
【請求項６】
前記ベースは、前記ＣＣＤ基板と、該ＣＣＤ基板に接する長尺の剛体を一体的に成形したことを特徴とする請求項５記載のイメージセンサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式の複写機やＦＡＸ等に使用されるイメージセンサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、複数の受光素子が略直線状に配設された長尺のＣＣＤ基板を、長尺のアルミニウム製等のベースに配設したイメージセンサーが使用されている。イメージセンサーは、原稿等（例えば、紙、フィルム等）に光を当て、反射光を受光素子（例えば、ＣＣＤアレイチップ等）で読み取って電気信号に変換するものである。したがって、イメージセンサーは、光源等の発光体から照射された光を原稿等に照射し、その原稿等から反射してくる光をレンズアレイを用いて収束させて複数の受光素子に結像させる必要があるため、受光素子が実装されたＣＣＤ基板を前記ベースに接着剤、ネジ等を用いて固定するに当たり、高い平面度および真直度が要求される。ここで、ＣＣＤとは、フォトダイオードを用い、光信号を電気信号に変換する電子デバイスのことをいう。
【０００３】
一般にイメージセンサーは、機械加工したアルミニウムからなる金属シャーシに、受光素子を実装した基板を取り付けたベースと、レンズアレイをプラスチックからなる筐体に貼り付けたカバーとを合わせて接着等して固定しているのが一般的である。
このため、前記ＣＣＤ基板は、受光素子を実装した後、ベースに位置決めして配設されるため、基板端面を基準に受光素子を位置決めして配設し、かつ、基板端面を基準にしてベースに位置決めして配設しなければならず、基板端面を高精度に加工する必要がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平０９−２８４４７０号公報
【特許文献２】特開平１０−０５１５８７号公報
【特許文献３】特開平１０−１２６５７２号公報
【特許文献４】特開平１０−３０４１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記したように、ＣＣＤ基板をベースに位置決めして配設するに当たり、ＣＣＤ基板を高精度に加工し、かつ、高い平面度と位置精度を保つようにベースに配設しなければならないという問題があった。
【０００６】
また、前記したＣＣＤ基板の配設には、ＣＣＤ基板と受光素子の位置測定、ベースへのＣＣＤ基板の配設等に用いる各種測定器、装置等が必要であるため、製造に多くの工数と設備費用を要し、イメージセンサーのコストを高くするという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、前記したＣＣＤ基板の高精度な加工や、ＣＣＤ基板の位置決め配設を不要にし、製造工程を簡略化して安価なイメージセンサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載のイメージセンサーは、レンズアレイが配設された長尺のカバーと、複数の受光素子が実装されたＣＣＤ基板が配設された長尺のベースとを有し、前記カバーが、前記レンズアレイと前記ＣＣＤ基板が対向するように前記ベースに固定されたイメージセンサーにおいて、前記ベースは樹脂からなり、ＣＣＤ基板が、前記ベースと一体的に成形されているため、ベースに対してＣＣＤ基板を位置決めして固定する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。
【０００９】
請求項２に記載のイメージセンサーは、ベースが、さらに、ＣＣＤ基板に長尺の剛体を一体的に成形されているため、ベース及びＣＣＤ基板の平面度及び真直度が、成形収縮による影響を受けにくいというだけではなく、ＣＣＤ基板の放熱効果を向上させることができる。
【００１０】
請求項３に記載のイメージセンサーは、前記長尺の剛体を金属にしたことにより、前記ＣＣＤ基板の放熱効果をさらに向上させることができる。
【００１１】
請求項４に記載のイメージセンサーは、前記長尺の剛体を前記ＣＣＤ基板に接触したので、前記ＣＣＤ基板の放熱効果をさらに向上させることができる。また、剛体が導電性材料で構成される場合は、ＣＣＤ基板の裏面の電源グランドパタ−ンと剛体を接触させることで、該長尺の剛体に電流が流れ導通状態が安定になりグランド電位を安定させることができる。
【００１２】
請求項５に記載のイメージセンサーの製造方法は、長尺のＣＣＤ基板とベースとを一体的に成形し、ベースの端面を基準として、ＣＣＤ基板に複数の受光素子を配設し、レンズアレイを配設した長尺のカバーを、端面を基準として、ベースに配設したため、ベースに対してＣＣＤ基板を位置決めして固定する必要がなく、製造工程を簡略化してイメージセンサーを製造することができる。
【００１３】
請求項６に記載のイメージセンサーの製造方法は、ベースが、ＣＣＤ基板と、ＣＣＤ基板に接する長尺の剛体を一体的に成形したため、ベース及びＣＣＤ基板の平面度及び真直度が、成形収縮による影響を受けにくいというだけではなく、ＣＣＤ基板の放熱効果を向上させたイメージセンサーを製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、ＣＣＤ基板の高精度な加工や、ＣＣＤ基板の位置決め配設を不要にし、製造工程を簡略化して安価なイメージセンサーを提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明を以下に詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１〜図３に、本発明に係るイメージセンサーの一実施例を示す。図１はイメージセンサーの側面図であり、図２はベース部１の平面図、図３は図２における断面ＡＡを示した断面図である。
【００１７】
図１に示すように、イメージセンサー７は、ベース部１の上に、複数のロッドレンズを有するレンズアレイ８を固定するカバー９が載せられ、接着剤等で固定されている。前記ベース部１は、図２及び図３に示すように、樹脂からなるベース４と、複数の受光素子３が実装されたＣＣＤ基板２が一体的に成形されている。
【００１８】
このベース部１は、以下のようにして製造することができる。
まず、金型キャビティ内に受光素子３が実装されていないＣＣＤ基板２（ベアボード）をセットし、該ＣＣＤ基板２と金型キャビティが接する面に設けた金型キャビティの複数箇所からバキューム装置にて吸引吸着する。こうすることにより、長尺のＣＣＤ基板は、金型キャビティ内で高い真直度及び平面度を出すことができる。
【００１９】
その後、金型を閉じて溶融樹脂を射出し、該溶融樹脂を硬化させることにより、ＣＣＤ基板２とベース４の一体成形が完了する。このＣＣＤ基板２に受光素子３を実装するに当たり、ベース４の端面６を基準にすることにより、ベース４とＣＣＤ基板２が一体成形されたベース部１を製造することができる。
【００２０】
このようにして製造されたベース部１は、図３に示すように、ＣＣＤ基板２の上面にも一部の樹脂５が存在するため、成形後にＣＣＤ基板２の剥がれ等がないように構成されている。
【００２１】
また、ベース部１は、受光素子３が端面６を基準に位置決めされ、実装されているため、同じ端面６を基準にしてカバー９を取り付ければ、受光素子３とレンズアレイ８を所定の位置に合わせることができる。したがって、受光素子が実装済みのＣＣＤ基板をベースに位置決めして固定する必要がないため、製造工程を簡略化することができるだけではなく、受光素子とレンズアレイの位置決め誤差を少なくすることができる。
【実施例２】
【００２２】
図４〜図６に本発明に係る他の実施例を示す。尚、実施例１に係るイメージセンサーと同一の部分については、同一の符号を付して説明を省略し、実施例１との相違点についてのみ詳細に説明する。
【００２３】
図４はイメージセンサー７を構成するベース部１１の平面図であり、図５はベース１１の側面図であり、図６は図５における断面ＢＢを示した断面図である。
図４〜図６に示すように、実施例１との相違点は、ベース４に、さらに剛体１０が一体成形されている点である。
【００２４】
剛体１０は、ＣＣＤ基板２の長さよりも長く、耐熱性があり、かつ熱伝導性の良い材料が望ましい。例えば、安価に入手できる金属シャフト等である。この剛体１０を図６に示すように、ＣＣＤ基板２の裏面に接触させた状態で、ベース４と一体的に成形することにより、ソリの少ないベース部１１を得ることができる。また、発熱するＣＣＤ基板からの熱を剛体１０を介して放熱させることができる。
【００２５】
剛体１０を導通性の高い材料にした場合、ＣＣＤ基板２の裏面を電源グランドパタ−ンと該剛体１０を接触させることにより、該剛体１０に電流が流れ導通状態が安定になる。したがってグランド電位を安定させることができる。
【００２６】
ベース部１１は、実施例１に示したベース部１と同様にして製造することができる。すなわち、金型キャビティ内において、ＣＣＤ基板２を、金型キャビティ面にバキュームして固定し、ＣＣＤ基板２の裏面に接触又は押し付けるようにして剛体１０を固定する。その後、溶融樹脂を金型キャビティ内に射出して、樹脂を硬化させることにより、ＣＣＤ基板２と剛体１０とベース４が一体的に成形されたベース部１１を製造することができる。
尚、本実施例においても、実施例１と同様、ベース部１の上に、複数のロッドレンズを有するレンズアレイ８を固定したカバー９を載せ、接着剤等で固定することにより、イメージセンサーを構成することができる。
【実施例３】
【００２７】
図７〜図９に本発明に係る他の実施例を示す。尚、実施例２に係るイメージセンサーと同一の部分については、同一の符号を付して説明を省略し、実施例２との主な相違点についてのみ詳細に説明する。
【００２８】
本実施例３に係るイメージセンサーは、図７の断面図に示すように、実施例２における剛体１０の形状を多角形にした点のみが異なる。図７に示すように剛体１３を多角形にすることにより、ベース部１２の成形後の樹脂の収縮による剛体の回転を防止することができる。剛体１３の回転を防止できれば、ＣＣＤ基板２及びベース４のひねりを防止することができ、ＣＣＤ基板２及びベース４の真直度及びＣＣＤ基板２の平面度を高精度に保つことができる。
【００２９】
また、剛体１３を多角形にすることにより、ＣＣＤ基板２の裏面と剛体１３の接触面積を大きくすることができるため、剛体１３による放熱効果をさらに高めることができる。
【００３０】
尚、本実施例においても、実施例１および実施例２と同様、ベース上に、複数のロッドレンズを有するレンズアレイを固定したカバーを載せ、接着剤等で固定することにより、イメージセンサーを構成することができる。
【実施例４】
【００３１】
図１０及び図１１に本発明に係る他の実施例を示す。尚、実施例２に係るイメージセンサーと同一の部分については、同一の符号を付して説明を省略し、実施例２との主な相違点についてのみ詳細に説明する。
【００３２】
図１０はイメージセンサーを構成するベース３０の平面図であり、図１１はベース３０の側面図である。図１０及び図１１に示すように、実施例２との相違点は、樹脂４１からなるベース３０に切り欠き４２を設けたことである。
【００３３】
この切り欠き４２は、図１１に示すように、一定の長さＣごとに長さＤで設けられている。このような構成をとることにより、ＣＣＤ基板２、剛体１０及びベース３０の収縮率の相違によるソリの影響を少なくすることができるだけでなく、ＣＣＤ基板２及び剛体１０の露出により、放熱効果をさらに向上させることができる。なおベース部３０の上には複数のロッドレンズを有するレンズアレイ８を固定するカバー９を載せられ接着剤で固定されている。
【００３４】
前記した実施例は、説明のために例示したものであって、本発明としてはそれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記載から当業者が認識することができる本発明の技術的思想に反しない限り、変更および付加が可能である。
【００３５】
例えば、図１２に示すように、実施例１における剛体１０の一部にＤ面取りを設けることにより、剛体１０の回転を防止することもできる。また剛体１０はヒラメ、アヤメ等のローレット加工が施されて有ってもかまわない。
【００３６】
また、図８および図９に示すように、実施例２における剛体１３を「Ｈ」形状にしても良い。かかる形状にすることにより、ＣＣＤ基板２の電源グランドパタ−ン５１と、該電源グランドパタ−ン５１以外のパタ−ン５２を持つＣＣＤ基板２を使用することができる。
【００３７】
さらに、図１３及び図１４に示すように、実施例４における図１０〜図１１に示す切り欠き４２部分の樹脂４１の結合部分４３を無くす構造を採用し、剛体１０をさらに露出させてもよい。
【００３８】
また、剛体１０等の中心部分を空洞（中空）にすることもできる。この場合は、該空洞部分に送風又は冷却水を送ることにより、ＣＣＤ基板の放熱効果を更に向上させることができる。
【００３９】
また、剛体として、防食効果の高いＳＵＳを使用することにより、剛体の表面の腐食を防ぐことができる。鉄を主成分とする材料の場合は、ニッケル鍍金などの表面処理を施す事で腐食の問題は解決される。
【００４０】
また、剛体に曲げ強度等を要求する場合、アルミニウムや銅だけでは不足する場合強度の高いもの、例えば、ＳＵＳと鉄又は銅との合金とのサンドイッチ構造や、２層構造等に代表される様な複合化をしてもよい。
【００４１】
また、本発明では、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が共に使用可能である。熱硬化性樹脂は耐熱温度が高いこと、後述の熱可塑性樹脂に比べて、幾分かは剛性が高いことなどが特色で、一方熱可塑性樹脂は射出成形加工などに代表される様に大量生産に向く特色がある。
【００４２】
本発明で使用する熱硬化性樹脂は、一般的に成形に用いられている熱硬化性樹脂であれば種類を問わない。例示すれば、エポキシ樹脂ジアリルフタレートプレポリマー、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂が挙げられる。
【００４３】
本発明で使用する熱可塑性樹脂は、一般的に成形に用いられている熱可塑性樹脂であれば種類を問わない。例示すれば、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、ハイイパクトポリスチレン樹脂（ＨＩＰＳ）、スチレン-マレイン酸共重合樹脂、ブタジエン-スチレン共重合樹脂、アクリルニトリロ・スチレン共重合樹脂（ＡＳ）、アクリルニトリロ・ブタジエン・スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ）、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、及び変性ポリフェニレンオキサイド樹脂｛ＰＰ０（Ｅ）｝等に代表されるスチレン系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、塩素化ポリエチレン、エチエン-αーオレフィン共重合樹脂、変性ポリオレフィン、透明ポリオレフィン等に代表されるオレフィン系樹脂、６-ナイロン（ＰＡ６）、６，６-ナイロン（ＰＡ６６）、強化ポリアミド、ＰＡ-ＭＣＸ、アモルファスポリアミド、芳香族ポリアミド（アラミド）等に代表されるアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等に代表されるポリエステル系樹脂、塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリ酢酸ビニル樹脂（ＰＶＡｃ）、アクリル変性ポリ塩化ビニル等に代表されるビニル系樹脂、酢酸セルロース（ＣＡ）、酢酪酸セルロース（ＣＡＢ）、エチルセルロース、セルロイドセロファン等に代表されるセルロース系樹脂（セルロース誘導体）、その他ポリメタクリレート（ＰＭＭＡ，アクリル樹脂，メタクリル樹脂）、ポリ塩化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＣ）、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレンポリテトラフロロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）等に代表されるフッ素樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、アイオノマー（ＩＯ）、変性ポリカーボネート、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡＲ，Ｕポリマー）、ポリスルフォン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリチオエーテルスルフォン（ＰＴＥＳ）、塩素化ポリエーテル、熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）、ポリアミノビスマレイミド（ＰＡＢＭ）、ポリケトン、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、熱可塑性ポリウレタン（ＰＵＲ）、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリエーテルニトリル（ＰＥＣＮ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、アリル樹脂、エチレン-酢ビー塩ビ共重合樹脂、エチレン-塩化ビニル共重合樹脂、フラン樹脂、メタクリル-スチレン共重合樹脂、ニトリル樹脂、キシレン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリアリルスルホン（ＰＡＳＦ）、ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリブタジエン樹脂、ポリブチレン、芳香族ポリエステル、オレフィンビニルアルコール共重合樹脂、石油樹脂、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、液晶ポリエステル（ＬＣＰ）、スチレン−ブタジエン系（ＳＢＣ）、ポレオレフィン系（ＴＰＯ）、ウレタン系（ＴＰＵ）、ポリエステル系（ＴＰＥＥ）、ポリアミド系（ＴＰＡＥ）、１，２−ポリブタジエン（ＰＢ）、ポリ塩化ビニル系（ＴＰＶＣ）、１，２−ポリブタジエン、トランス１，４−ポリイソプレン���塩素化ポリエチレン等に代表されるエラストマー類、上記樹脂をブレンド、共重合、グラフト重合等を行ってして性質の改質したり、或いは変性したりした、ＰＰＥ／ＰＳ、ＰＰＥ／ＨＩＰＳ、ＰＰＥ／ＰＡ、ＰＣ／ＡＢＳ、ＰＣ／ＨＩＰＳ、ＰＰＥ／ＰＡ、ＰＥＳ／ＬＣＰ等のポリマーアロイ（ブレンドポリマー）、硝子繊維、炭素繊維、タルク等の充填剤、補強剤によって強化された複合材料等が挙げられる。
【００４４】
前記スチレン系樹脂とは、重合体中にスチレン系単量体を少なくとも２５重量％以上含有する樹脂であり、スチレン系単量体の単独重合体又は該スチレン系単量体の二種以上の共重合体、該スチレン系単量体と該スチレン系単量体と共重合可能な他の単量体の一種又は二種以上との共重合体、前記ジエン系ゴムに前記スチレン系単量体の単独もしくは二種以上をグラフト重合せしめたグラフト共重合体、前記スチレン系樹脂と前記ジエン系ゴムとのミクロブレンド或いはポリマーブレンド等が包含される。
【００４５】
前記スチレン系樹脂の代表的なものとしては、スチレン単独重合体であるポリスチレン（ＰＳ）、前記ジエン系ゴム、アクリル系ゴム、オレフィン系ゴムにスチレンをグラフト重合したゴム状重合体とポリスチレンとのブレンドポリマーである耐衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ）は、樹脂に機械的物性を付与する目的で添加したゴム材料がブタジエンゴム、又はブタジエンゴムを主成分としたモノ），ＨIＰＳ（、樹脂に機械的物性を付与する目的で添加したゴム材料がオレフィン系ゴム及び又はアクリル系ゴム、又はこれらの飽和のゴムを主成分としたモノ）、アクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ）、スチレン・ブタジエン共重合体、スチレン・α―メチルスチレン共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、スチレン・メチルメタクリレート共重合体、スチレン・エチレン共重合体、スチレン・エチレン・プロピレン・ブタジエン共重合体に、ジエン系ゴム、アクリル系ゴム、オレフィン系ゴムにアクリロニトリル系モノマーとスチレン系モノマーとをグラフト重合したグラフトゴム重合体とアクリロニトリル・スチレン共重合体とのブレンドポリマー、塩素化ポリエチレンとアクリロニトリル・スチレン共重合体との混合樹脂であるＡＣＳ、オレフィン系ゴムにアクリロニトリルとスチレンとをグラフト重合したオレフィン系ゴム含有のアクリロニトリルとスチレンとの３元共重合体とアクリロニトリル・スチレン共重合体との混合樹脂であるＡＥＳ（ＡＢＳ）、アクリル系ゴムにアクリロニトリルとスチレンとをグラフト重合したアクリル系ゴム含有のアクリロニトリルとスチレンとの３元共重合体とアクリロニトリル・スチレン共重合体との混合樹脂であるＡＡＳ（ＡＡＳ，ＡＢＳ）、アクリロニトリル・ジメチルシロキサン・スチレン共重合体とアクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂との混合樹脂であるＡＳＩＳ等がある。此処でＡＢＳは、樹脂に機械的物性を付与する目的で添加したゴム材料がブタジエンゴム、又はブタジエンゴムを主成分としたもので、ＡＢＳは樹脂に機械的物性を付与する目的で添加したゴム材料がオレフィン系ゴム及びアクリル系ゴム、又はこれらの飽和のゴムを主成分としたものをいう。
【００４６】
前記ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）系樹脂の代表的なものとしては、２，６−キシレノールを銅触媒で酸化重合して得られるポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）があるが、更に２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテルと２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテルとの共重合体、２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合体等がある。又前記ＰＰＥ系樹脂にスチレン系樹脂及び／又はアミド系樹脂等で変性したものも本発明の変性ＰＰＥ系，変性ＰＰｅ系樹脂に含まれる。
変性ＰＰＥとは、前記ＨＩＰＳ及びＡＢＳとＰＰＥとのポリマーアロイ・ポリマーブレンド、変性ＰＰＥとは前記ＨＩＰＳ及びＡＢＳとＰＰＥとのポリマーアロイ・ポリマーブレンドをいう。
【００４７】
前記ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）は成形（型）用熱可塑性樹脂として単独に使用される事もできるが、主として前記スチレン系樹脂やＰＰＥ系樹脂等と混合してポリマーアロイ・ポリマーブレンドとする材料として使用される。芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導されたポリ炭酸エステルであれば特に制限はない。
【００４８】
前記芳香族ジヒドロキシ化合物として例示すると、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡとも云う）、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラブロムルビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４'−ジヒドロキシジフェニル等を使用する事が出来るが、通常はビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン系ジヒドロキシ化合物が選択され、特にビスフェノールＡ、又はビスフェノールＡと他の芳香族ジヒドロキシ化合物との組み合わせが好ましい。
【００４９】
前記ポリオレフィン系樹脂とは、α−オレフィンの一種又は二種以上をラジカル開始剤、金属酸化物系触媒、チグラー・ナッタ触媒、カミンスキー触媒等を使用して重合する事によって得られる樹脂であり、前記樹脂は二種以上混合させても良い。
【００５０】
前記ポリオレフィン系樹脂には、α−オレフィンと共重合可能な他の単量体が共重合されていても良い。代表的なものは、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体等である。単独又は二種以上の混合物の状態で成形材料として使用されるが、更に前記スチレン系樹脂、例えばＰＳ、ＨＩＰＳ、ＡＳ、ＡＢＳ樹脂、ＰＰＥ系樹脂等の他の熱可塑性樹脂と混合されても良い。
【００５１】
前記α−オレフィンはα位に重合性の二重結合を有する直鎖状・分岐状或いは環状オレフィンであって、通常炭素数２〜８のものが選ばれる。α−オレフィンの具体例としてエチレン及びプロピレンがある。
【００５２】
前記ポリアリレートは、ビスフェノール系化合物とテレフタル酸及びイソフタル酸に代表されるフタル酸化合物との宿重合によって得られる耐熱性が高く、難燃性を持った樹脂で、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡとも云う）、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラブロムルビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４'−ジヒドロキシジフェニル等を使用する事が出来るが、通常はビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン系ジヒドロキシ化合物が選択され、特にビスフェノールＡ、又はビスフェノールＡと他の芳香族ジヒドロキシ化合物との組み合わせが好ましい。
【００５３】
前記ビスフェノールの代表的な例として、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ）ジフェニルメタン、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシ）ジフェニルメタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）ジフェニルメタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ケトンなどが挙げられる。中でも最も好ましいビスフェノールとしてはビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトンなどが挙げられる。また、前記ビスフエノールのうち、ハロゲンが置換したビスフエノールを用いたポリアリレートは難燃性にも優れたものとなる。
【００５４】
その特性を実質的に損なわない範囲で、ビスフェノールの一部をその他のビスフェノール類で置き換えてもよい。このようなビスフェノール類としてはハイドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシビフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシフェニル）ケトンおよびこれらの核ハロゲン化物が挙げられる。
【００５５】
テレフタル酸及びイソフタル酸の残基の比は特に制限はなく、目的に応じてその構成成分をそれぞれ単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。その場合テレフタル酸残基が多いほど高い耐熱性を有するポリアリレートが得られる。
【００５６】
また、イソフタル酸の残基を１０モル％超える量含むポリアリレートは、靭性が向上する。したがって、エンジニアリングプラスチックとして用いる場合、要求特性に応じてテレフタル酸およびイソフタル酸の残基の比を決めることが好ましい。
【００５７】
前記ポリアリレートにおいてはその特性を実質的に損なわない範囲でテレフタル酸及びイソフタル酸の一部をその他のジカルボン酸に置き換えてもよい。かかるジカルボン酸としてはナフタレンジカルボン酸、ビス（ｐ−カルボキシフェニル）アルカン、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテルなどの芳香族ジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、グルタル酸などの脂環式あるいは脂肪族ジカルボン酸およびこれらのハロゲン化物などが挙げられる。
【００５８】
前記テレフタル酸及びイソフタル酸の酸ハロゲン化物としてはテレフタル酸クロライド、テレフタル酸ブロマイド、イソフタル酸クロライド、イソフタル酸ブロマイドなどが挙げられ、テレフタル酸及びイソフタル酸の酸ハロゲン化物を溶解するために用いられる疎水性有機溶媒としては、水と相溶せず、生成するポリアリレートを溶解するものが好ましい。しかし、場合によっては生成するポリアリレートを溶解しない有機溶媒を用いることもでき、この場合にはポリアリレートが一定以上の分子量になると系外に析出する。
【００５９】
ポリアリレートにはその特性を大きく損なわない限りにおいて顔料、熱安定剤、酸化防止剤、耐候剤、難燃剤、可塑剤、離型剤、強化材などを添加することも可能である。これらの添加剤は重合時に加えてもよいし、ポリアリレートは単離後に加えてもよい。前記熱安定剤や酸化防止剤としてはヒンダードフェノール類、リン化合物、ヒンダードアミン、イオウ化合物、銅化合物あるいはこれらの混合体が挙げられ、特にリン化合物が最も効果的である。かかるリン化合物としては亜リン酸、亜リン酸エステル、正リン酸、正リン酸エステルなどが挙げられる。また、強化材としては、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛、ワラストナイト、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、ケイ酸カルシウム、アスベスト、アルミン酸ナトリウム、アルミン酸カルシウム、アルミノ珪酸ナトリウム、珪酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、硫酸バリウム、カリウム明バン、ナトリウム明バン、鉄明バン、ガラスバルーン、カーボンブラック、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、ほう酸、ほう砂、ほう酸亜鉛、ゼオライト、ハイドロタルサイド、金属繊維、金属ウイスカー、セラミックウイスカー、チタン酸カリ、チッカホウ素、マイカ、グラファイト、ガラス繊維などが挙げられる。
【００６０】
さらに、必要に応じて他の重合体をポリアリレートに配合することも可能である。重合体としては、例えば、ポリブタジエン、ブチレン−スチレン共重合体、アクリルゴム、エチレン−プロピレン共重合体、ＥＰＤＭ、天然ゴム、塩素化ブチルゴム、塩素化ポリエチレンなどのゴム状共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、ブタジエン−スチレンラジアルテレブロック共重合体などのエラストマー、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−フェニルマレイミド共重合体、ナイロン６やナイロン６６、ナイロン４６、ナイロン１２、ナイロン６１０などのポリアミド、ポリプロピレン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ＰＥＴ、ＰＢＴ、ポリアセタール、ポリフッ化ビニリデン、ポリスルホン、ＰＰＳ、ポリエーテルスルホン、フェノキシ樹脂、ＰＰＯ、ＰＭＭＡ、ポリエーテルケトン、ポリカーボネートなどが挙げられる。
【００６１】
以上、本発明で使用可能な樹脂について詳細な説明をおこなったが、前記熱可塑性樹脂は二種以上を混合してポリマーブレンド或いはポリマーアロイとされても良い。
【００６２】
前記ポリマーブレンド或いはポリマーアロイは、たとえば押出成形機におけるスクリュー混練等によって製造される。
【００６３】
更に前記熱可塑性樹脂には、耐衝撃性を改良する為に、前記ジエン系ゴム、オレフィン系ゴム、アクリル系ゴム等例えば、ＮＲ、ＢＲ、ＳＢＲ、ＳＴＲ、ＩＲ、ＣＲ、ＣＢＲ、ＩＢＲ、ＩＢＢＲ、ＩＩＲ、アクリルゴム、多硫化ゴム、ウレタンゴム、ポリエーテルゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロブチルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素系ゴム等のゴム類やエチレン−酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体、塩化ビニル等で代表されるビニル系樹脂、ポリノルボリネン等の他の熱可塑性樹脂が混合されても良い。
【００６４】
更に前記熱可塑性樹脂の耐衝撃性を改良する為には、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）を添加しても良い。該熱可塑性エラストマーとは常温で加硫ゴムの性質を有するが熱可塑性で熱成形可能なものであり、ハードセグメントとソフトセグメントとによって構成されるものである。
【００６５】
該ＴＰＥとしては、ウレタン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ビニル系エラストマー、エステル系エラストマー等がある。
【００６６】
イメージセンサーの場合、光源であるＣＣＤの受光によって発熱するので、必要に応じて市販の難燃剤の添加によって難燃する。
【００６７】
前記熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂は難燃剤を添加する事で難燃される。熱可塑性樹脂であるＡＢＳとＡＢＳ、ＨＩＰＳの難燃化には、ＰＰＥ系樹脂及びポリカーボネート樹脂とのポリマーアロイとする事に加え難燃剤（材）の添加によって難燃化が可能である。ポリアリレートは元々難燃性を持つ樹脂であるので、難燃剤の添加によって難燃化が容易である。
【００６８】
難燃剤の代表的な物を例示すると、三酸化アンチモン、アンチモン系難燃剤、五酸化アンチモン、アンチモン酸ソーダ、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、硼酸亜鉛、グァニジン系難燃剤としてスルファミン酸グァニジン、燐酸グァニジン、燐酸グァニール尿素、ジルコニウム系難燃剤、錫化合物、モリブデン化合物、赤燐等、燐酸エステル、及び燐化合物として、トリス（クロロエチル）ホスフェート、トリス（モノクロロプロピル）ホスフェート、トリス・β−クロロプロピルホスフェート、トリス（ジブロモフェニル）ホスフェート、トリス（トリブロモネオペンチル）ホスフェート、ジメチルメチルホスフェート、トリス（ジクロロプロピル）ホスフェート、トリアリルホスフェート、トリス（３−ヒドリシキプロピル）ホスフィンオキシド、トリス（トリブロモフェニル）ホスフェート、テトラキス（２−クロルエチル）エチレン・ジホスフェート、グリシジル−α−メチル−β−ジ（ブトキシ）ホスフェニル・プロピオネート、ジブチルヒドロオキシメチルホスフォネート、ジ（ブトキシ）ホスフィニル・プロピルアニド、ジメチルメチルホスフォネート、トリス（２−クロロエチル）オルト燐酸エステル、芳香族縮合燐酸エステル、含ハロゲン縮合有機燐酸エステル、エチレン・ビス・トリス（２−シアノエチル）ホスフォニウム・ブロミド、ジー（ポリオキシエチレン）−ヒドロキシメチル・ホスフォネート、燐・塩素含有オリゴマー、ポリ燐酸アンモニウム、β−クロロエチルアシッドホスフェート、β−クロロプロピルホスフェート、ブチルピロホスフェート、ブチルアシッドホスフェート、ブトキシエチルアシッドホスフェート、２−エチルヘキシルアシッドホスフェート、メラミン燐酸塩、燐−塩素系、有機燐系、ホスフェート系、赤燐系難燃剤等がある。
【００６９】
塩素系難燃剤の代表的なものは、塩素化パラフィン、塩素化ポリオレフィン、塩素化ポリエチレン、パークロロシクロペンタデカン、塩素化パラフィンと三酸化アンモチンの混合品等がある。
【００７０】
臭素系難燃剤の代表的な物は、臭素化エポキシ、臭素化ポリカーボネート、ヘキサブロモベンゼン、デカブロモジフォニルオキシド、ポリジブロモフェニレンオキシド、ビス（トリブロモフェノキシ）エタン、エチレンビス・ジブロモノルボルナンジカルボキシイミド、エチレンビス・テトラブロモフタルイミド、ジブロモエチル・ジブロモシクロヘキサン、ジプロモネオペンチルグリコール、２，４，６−トリブロムフェノール、トリブロモフェノールアリルエーテル、テトラブロモ・ビスフェノールＡ、及びテトラブロモ・ビスフェノールＡ誘導体、テトラブロモ・ビスフェノールＳ、テトラデカブロム・ジフェニキシベンゼン、トリス−（２，３−ジブロモプロピル−１）−イソサヌレート、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、ポリ（ペンタブロモベンジル・アクリレート）、トリブロモスチレン、ペンタブロモフェノール、臭素化ポリエチレン、ジブロモネオペンチルグリコールテトラカルボナート、ビス（トリブロモフェニル）フマルアニド、Ｎ−メチルヘキサブロモジフェニルアミン、含ハロゲンポリホスフェ−ト、芳香族臭素化合物臭素化エポキシ樹脂、臭素化ポリスチレン、臭素系難燃剤（商品名：スイス、サンド
Ｓａｎｄｏｆｌａｍ５０７１ 等）ペンタブロモトルエン、ペンタブロモフェニルオキシド、ペンタブロモフェニルオキシドと燐酸エステル、安定剤の混合物、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサブロモフェニルエーテル、ヘキサブロモフェニルエーテル、ヘキサブロモジフェニルエーテル、オクタブロモジフェニルオキシド、マグネシウムヒドロキシド等がある。
【００７１】
反応型難燃剤の代表的な物は、無水クレインド酸、テトラブロモ無水フタル酸、テトラブロモ・ビスフェノールＡ、ジエトキシ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）−アミノエチル・ホスフェート、ジブロモ・クレジル・グリシジルエーテル、ジブロモフェノール、ジブロモクレゾール、トリブロモフェノール、フェニル・ホスフォン酸、フェニル・ホスフォン酸ジクロリド、ジエチルフェニル・ホスフォネート、ジアリル＝クロレンデート、反応難燃ポリオール、ジ（イソプロピル）Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノメチル・ホスフォネート、ジブチルビス（２−ヒドロキシプロピル）ピロホスフェート、ジエチルフェニル・ホスフォネート及びジメチルフェニル・ホスフォネート等がある。その他、シリコン樹脂、シリコンオイル、フッ素樹脂、フッ素系のオイル等がある。
【００７２】
また難燃化安定剤としての代表的なものとして、エポキシ系安定剤（アデカ・アーガス化学の製品：Ｍａｒｋ  ＥＰ−１３、ＥＰ−１７、ＥＰ−２２、Ｍａｒｋ２７３）、組成不明の難燃化安定剤（アデカ・アーガス化学の製品：Ｍａｒｋ−ＺＳ−６６、ＺＳ−５０６）、ＡＢＳ−ＰＶＣ系ポリマーブレンド用安定剤（三共有機合成の製品：ＳｔａｎＢＭ（Ｎ）、−ＲＣ−２００Ｓ）、ＡＢＳ、ＰＳ系難燃剤添加型安定剤）等がある。
【００７３】
難燃化用安定剤としては、エポキシ系の安定剤、例えば旭電化の製品、商品名、及びグレード；アデカ・サイザーＥＰー１３，アデカ・サイザーＥＰー１７，アデカ・サイザーＥＰー２２、組成不明の難燃化用安定剤としては、例えば旭電化の製品、商品名、及びグレード；アデカ・スタブＺＳ−６６，アデカ・スタブＺＳ−５０６、ＡＢＳ−ＰＶＣ系ポリマーブレンド用安定剤としては、ブチル・錫・マレート系、オクチル・錫・マレート系、ブチル・錫・含硫黄系、オクチル・錫・含硫黄系、例えば三共有機合成の製品、商品名、及びグレード；Ｓｔａｎ
ＢＭ（Ｎ），Ｓｔａｎ ＯＭＦ，Ｓｔａｎ ＪＦ−９Ｂ，Ｓｔａｎ ＪＦ−９５Ｂ，Ｓｔａｎ ＢＫー１１００Ｌ，Ｓｔａｎ ＪＦ−９５Ｂ，Ｓｔａｎ ＢＫ−１１００Ｌ，Ｓｔａｎ
ＯＮＺ−２０，Ｓｔａｎ ＯＮＺ−２２，Ｓｔａｎ ＯＮＺ−２２Ｐ，ＳｔａｎＭＭＳ、ＭＣ、その他の難燃化用安定剤としては、協和化学の製品、商品名、及びグレード；ＤＨＴ−４Ａ−２等がある。
【００７４】
上記熱硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂には、ガラス繊維、ガラスビーズ、カーボン繊維、セラミック繊維、金属繊維、マイカ、タルク、炭酸カルシウム、珪酸アルミニウム、カオリン、シリカ、メタ珪酸カルシウム、瀝青質微粉末、ゼオライト、珪藻土、ケイ砂、軽石粉、スレート粉、アルミナ、酸化鉄、硫酸アルミニウム、硫酸バリウム、リトポン、硫酸カルシウム、酸化マグネシウム、二硫化モリブデン、ゴム粉末、エボナイト粉末、セラック、木粉、ココナット椰子殻粉、コルク粉末、セルロースパウダー、木材パルプ、紙、布や、雲母粉、グラファイト、硝子球（ＧＢ）、火山硝子中空体、炭素中空球、無煙炭粉末、人造水晶石、シリコーン樹脂微粉末、シリカ球状微粒子等の充填剤や、その他可塑剤、老化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤等が添加されてもよい。
【００７５】
熱硬化性樹脂の成形加工は、圧縮成形法、トランスファー成形、射出成形法、射出圧縮成形、が一般的で、熱可塑性樹脂の場合には、射出成形が一般的には適用され、公知の中実成形法（ソリッド成形法）や、射出圧縮成形法、日本の旭化成工業（株）のＡＧＩ，ＧＰＩ，ＣＧＭ、出光石油化学（株）のＧＩＭ、新日鉄化学（株）のＰＦＰ、英国のシンプレス社、米国のＧＡＩＮ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  独国のエアーモールド，コンツールなどに代表されるガスアシスト成形法（中空射出成形法）、及び米国のＵＣＣ法、ＵＳＭ法、或いは、東芝機械と旭ダウとが開発したＴＡＦ法、ＥＸ−ＣＥＬＬ-Ｏ社法、ヘッティンガーの発泡成形や、Ｎｅｗ−ＳＦ、ＧＣＰ法、アライドケミカル社の技法等、更に超臨界状態の気態（体）を用いた米国  トレクセル社のＭｕＣｅｌｌ（ミューセル）や旭化成工業（株）のＡＭＯＴＥＣに代表される発泡成形法（発泡射出成形法）や、発泡成形法と前記ガスアシスト成形法と融合された方法、更には（株）住友化学のＳＰモールド、射出圧縮成形法との前記ガスアシスト成形法及び／又は発泡成形法とを融合させた方法にも適用される。
場合によっては真空成形、或いは圧空成形、キャタリスト（注型）によっても可能である。
【００７６】
発泡性樹脂を製造するに当たり発泡の方法は、物理的な方法と化学的な方法とに大別され、物理的な発泡の方法の例としては、機械的な撹拌によって発泡させたり、溶融樹脂中に揮発性の溶剤を注入し、加熱することで気化させて発泡させる方法で、一方化学的な発泡の例は、化学反応を起こさせ、発生してくるガスを利用する方法などがある。一般的には、取り扱いやすさの観点から、発泡剤を用いる場合が多い。
【００７７】
発泡剤は、物理発泡剤と化学発泡剤とに分類され、前者の物理発泡剤の例としては、上述した超臨界状態の炭酸ガスや、気体の炭酸ガス、窒素ガス、空気、水蒸気、水などに代表される無機系の液体や気体、ジクロルエタン、メチレンクロライド、フロンガスなどのハロゲン化炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、オクタン、ガソリンなどの炭化水素、エタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール類、エチルエーテル、メチルエチルエーテル等のエーテル類などの代表されるの低沸点溶剤、あるいは上記低沸点溶剤を熱可塑性樹脂シェル内に封入した発泡性カプセルなど有機系の液体や気体がある。
【００７８】
後者の化学発泡剤の例としては、重炭酸ナトリウム、重炭酸アンモニウムなどに代表される重炭酸塩、炭酸アンモニウムなどに代表される炭酸塩、亜硝酸アンモニウムなどに代表される亜硝酸塩、Ｃａ（Ｎ３）２などに代表されるアジド化合物、ホウ水素化ナトリウムなどに代表される水素化合物、Ｍｇ，Ａｌなどの軽金属に水や酸、アルカリを作用させて水素ガスを発生させる組み合わせなどは、無機系化合物の発泡剤である。
【００７９】
一方、有機化合物の発泡剤としては、アゾジカルボンアミド、アゾビスイソブチロニトリル、バリウムアゾジカルボシキレート、ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｐ、Ｐ’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジッド）、パラトルエンスルホニルヒドラジッド、ジアゾアミノベンゼン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルＮ、Ｎ’−ジニトロソテレフタルアミド、ニトロウレア、アセトン−Ｐ−トルエンスルホニルヒドラゾン、Ｐ−トルエンスルホニルアジド、２，４−トルエンスルホニルヒドラジド、Ｐ−メチルウレタンベンゼンスルホニルヒドラジド、トリニトロソメチレントリアミン、Ｐ−トルエンスルホニルセミカルバジド、オキザリルヒドラジド、ニトログアニジン、ヒドラジカルボンアミド、トリヒドラジノトリアジンなど、アゾ化合物、ヒドラジン誘導体、セミカルバジド化合物、アジ化物、ニトロソ化物、トリアゾール化合物などが例示される。
【００８０】
射出成形での発泡成形には、発泡剤を熱分解等をさせて起泡させることで、溶融樹脂の圧力が高くなってくること、また溶融樹脂内に発泡ガスを加圧溶解させること、即ち高背圧で可塑化する必要がある。特に超臨界のガスを溶解させる場合、圧力と温度によって超臨界状態を作り出す場合などには、成形機加熱筒先端のノズル部から溶融樹脂が漏れるので、これを防止する目的で、シャットオフノズルをもちいる方が良い。
【００８１】
シャットオフノズルは、油圧作動式のシャットオフノズル、空気圧作動式のシャットオフノズル、油圧作動式のロータリーノズル、空気圧作動式のロータリーノズル、バネ方式のシャットオフノズルや、油圧作動式のホットランナーバルブゲート、空気圧作動式のホットランナーバルブゲート、バネ方式のホットランナーバルブゲートなどが使用可能である。
【００８２】
他の単量体としてはアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アリールマレイン酸イミド、アルキルマレイン酸イミド等のα−β不飽和有機酸又はその誘導体；酢酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステル；スチレン、メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物；ビニルトリメチルメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシランがあり、更に１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−４−メチル−１，４−ヘキサジエン、ジシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン（４−エチリデン−２−ノンボルネン）等の非共役ジエンを少量共重合させても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
ＣＣＤ基板とレンズアレイの位置決め精度の高いイメージセンサーを安価に製造することができるため、高精度の画像形成装置を安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明に係るイメージセンサーの側面図である。（実施例１）
【図２】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの平面図である。（実施例１）
【図３】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。（実施例１）
【図４】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの平面図である。（実施例２）
【図５】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの側面図である。（実施例２）
【図６】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。（実施例２）
【図７】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。（実施例３）
【図８】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの平面図である。（実施例３）
【図９】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの側面図である。（実施例３）
【図１０】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。（実施例４）
【図１１】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの平面図である。（実施例４）
【図１２】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの側面図である。
【図１３】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。
【図１４】本発明に係るイメージセンサーを構成するベースの断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  ベース
２  ＣＣＤ基板
３  受光素子
６  端面
７  イメージセンサー
８  レンズアレイ
９  カバー
１０  剛体
【図２】
2005236473.tif 000003
【図３】
2005236473.tif 000004
【図４】
2005236473.tif 000005
【図５】
2005236473.tif 000006
【図６】
2005236473.tif 000007
【図７】
2005236473.tif 000008
【図８】
2005236473.tif 000009
【図９】
2005236473.tif 000010
【図１０】
2005236473.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１】
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