(57)【要約】【課題】  パネル基板の表面平坦性を高めて、表示パネルの表示性能低下を解消する。【解決手段】  パネル基板は、基板部材１と、この基板部材１の上面又は上方に湿式成膜された表面研磨膜２と、この表面研磨膜２の表面に形成された研磨面２Ａとを備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材と、該基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜された表面研磨膜と、該表面研磨膜の表面に形成された研磨面とを備えることを特徴とするパネル基板。
【請求項２】
前記成膜は、湿式成膜により行うことを特徴とする請求項１に記載されたパネル基板
【請求項３】
前記表面研磨膜は複数回の成膜によって形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載されたパネル基板。
【請求項４】
前記表面研磨膜は前記基板部材表面の凹部を埋める厚さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載されたパネル基板。
【請求項５】
前記基板部材はガラス基板であり、前記表面研磨膜はＳｉＯ２又はＴｉＮからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のパネル基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載されたパネル基板を備えた表示パネル。
【請求項７】
有機発光機能層を一対の電極で挟持してなる有機ＥＬ素子をパネル基板上に形成した有機ＥＬパネルにおいて、
前記パネル基板は、基板部材と、該基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜された表面研磨膜と、該表面研磨膜の表面に形成された研磨面とを備え、該研磨面上に前記有機ＥＬ素子を形成したことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項８】
前記成膜は、湿式成膜により行うことを特徴とする請求項７に記載された有機ＥＬパネル。
【請求項９】
前記基板部材はガラス基板であり、前記表面研磨膜はＳｉＯ２又はＴｉＮからなることを特徴とする請求項７又は８に記載された有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
有機発光機能層を一対の電極で挟持してなる有機ＥＬ素子をパネル基板上に形成した有機ＥＬパネルの製造方法において、
基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜によって表面研磨膜を形成する工程と、該表面研磨膜の表面を研磨して平坦な研磨面を形成する工程とにより前記パネル基板を形成し、該パネル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記表面研磨膜を形成する工程は複数回の成膜工程を有し、２回目以降の成膜による成膜厚さの合計は１回目の成膜による成膜厚さの設定よりも大きく設定され、
前記表面研磨膜を研磨する厚さは、少なくとも前記２回目以降の成膜による成膜厚さの合計よりも厚い量が設定されることを特徴とする請求項１０に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パネル基板、表示パネル、有機ＥＬパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイは、一般にパネル基板上に表示素子を形成するものであり、このパネル基板表面の平坦性がディスプレイの表示性能に大きく影響することが指摘されている。特に、有機ＥＬ（Electroluminescence）パネルにおいては、パネル基板表面に凹凸があると、その上に積層される各層の層厚に不均一が生じて、表示性能の低下を招くという問題がある。
【０００３】
図１は、従来の有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面構造を示したものである。パネル基板１１上に形成される有機ＥＬ素子１０は、一対の電極間に有機発光機能層を含む有機層２０が挟持された層構造を有しており、更に詳しくは、パネル基板１１上に形成された下部電極１２の周囲に絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３によって区画された下部電極１２上の領域が発光領域Ｓになっている。そして、この発光領域Ｓでは、下部電極１２上に有機層２０が積層されており、その上に上部電極１４が形成されている。
【０００４】
有機層２０としては、ここでは、下部電極１２側を陽極、上部電極１４側を陰極として、正孔輸送層２１、発光層２２、電子輸送層２３の３層構造の例を示している。それ以外にも、正孔輸送層２１と電子輸送層２３の何れか一方又は両方を除いた構造、前記の各層の少なくとも一層を複数層で形成する構造、或いは正孔輸送層２１の陽極側に正孔注入層を形成するもの、電子輸送層２３の陰極側に電子注入層を形成するものなどが考えられている。また、下部電極１２，上部電極１４に対して、陽極と陰極を逆にして、前述の構造を上下逆転する構造であってもよい。
【０００５】
このような有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子は、下部電極１２と上部電極１４との間に電圧を印加することによって、陽極側から正孔が陰極側から電子が有機層２０内に注入・輸送され、それらが再結合することで発光が得られる。この際に、正孔と電子の再結合によって陰・陽極間には電流が流れることになるが、発光領域Ｓ内でパネル基板１１の表面に凹凸があると、その上に形成される下部電極１２の表面にも凹凸が形成されてしまい、これによって発光領域Ｓにおける有機層２０に局部的な薄層部が形成される虞がある。このような局部的な薄層部が形成されると、その箇所で前述した再結合によって流れる電流とは異なるリーク電流が発生し、発光不良や消費電力の増大といった不具合を引き起こすことになる。
【０００６】
下記特許文献１においては、このような不具合を解消するために、有機ＥＬ素子をパネル基板上に形成する前に、パネル基板表面を機械研磨法又は化学機械研磨法により研磨してパネル基板表面の平坦性を高めることが示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１９１４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述した従来技術のようにパネル基板表面を研磨する方法では、表面の凸部を削ることは容易に可能であるが、引っ掻き傷のような深い凹部がある場合には、表面からかなりの厚さ分を削り取らなければ凹部を取り除くことはできない。実際上はどの程度の深さの凹部が存在するかが判らないので、表面に凹部が部分的に残ってしまうことが多い。
【０００９】
また、フラットパネルディスプレイのパネル基板として一般に用いられるガラス基板には、アルカリ成分を含有するもの（「青板」と呼ばれるもの）と含有しないもの（「白板」とよばれるもの）があるが、安価なアルカリ成分を含有するものを使用する場合には、パネル基板内のアルカリ成分が表示素子に悪影響を及ぼさないように、パネル基板表面をスパッタリングによるＳｉＯ２膜で覆うことが一般になされている。
【００１０】
しかしながら、前述したように表面に凹部が残っているパネル基板の表面に対して、スパッタリングによってＳｉＯ２膜を形成したとしても、スパッタリングでは膜の応力制御の必要性から膜を厚くできないので、パネル基板表面の凹部を埋めることはできない。また、そればかりか、凹部の箇所にＳｉＯ２薄膜のピンホールが形成されてしまうことがあり、ＳｉＯ２膜を形成してもパネル基板のアルカリ成分を遮断する機能が得られないという問題も生じる。
【００１１】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、パネル基板の表面平坦性を高めて、表示パネルの表示性能低下を解消すること、特に、有機ＥＬパネルにおいては、有機ＥＬ素子のリーク電流発生を防いで、発光不良，消費電力の増大等の不具合を解消すること、また、引っ掻き傷等の深い凹部があるパネル基板に対しても表面の高い平滑性が得られること、安価なアルカリ成分を含有するガラス基板を用いる場合に、確実なアルカリ成分遮断機能が得られること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１３】
［請求項１］基板部材と、該基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜された表面研磨膜と、該表面研磨膜の表面に形成された研磨面とを備えることを特徴とするパネル基板。
【００１４】
［請求項７］有機発光機能層を一対の電極で挟持してなる有機ＥＬ素子をパネル基板上に形成した有機ＥＬパネルにおいて、前記パネル基板は、基板部材と、該基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜された表面研磨膜と、該表面研磨膜の表面に形成された研磨面とを備え、該研磨面上に前記有機ＥＬ素子を形成したことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１５】
［請求項１０］有機発光機能層を一対の電極で挟持してなる有機ＥＬ素子をパネル基板上に形成した有機ＥＬパネルの製造方法において、基板部材上面又は上方に少なくとも１層以上成膜によって表面研磨膜を形成する工程と、該表面研磨膜の表面を研磨して平坦な研磨面を形成する工程とにより前記パネル基板を形成し、該パネル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する（なお、従来技術と同一の部分には図１と同一の番号を付して重複した説明は一部省略する。）。
【００１７】
図２は、本発明の一実施形態に係るパネル基板の形成工程及び構造を示す説明図である。パネル基板の形成には、基板部材１が用意され（図２（ａ））、この基板部材１の上面又は上方に、蒸着，スパッタリングを含む乾式成膜、特に好ましくはディップコーティング，スピンコーティング，塗布法を含む湿式成膜によって表面研磨膜２が形成される（図２（ｂ））。この際、加工された基板部材１上にそのまま表面研磨膜２を形成するようにしても良いし、加工された基板部材１に対して表面をある程度研磨した後に、その研磨面上に表面研磨膜２を形成するようにしても良い。また、基板部材１上に他の機能を有する薄膜を施した上に表面研磨膜２を形成しても良い。また、乾式成膜と湿式成膜の両方を施しても構わない。
【００１８】
湿式成膜の一つであるディップコーティングの一般的な製法について、図３を参照して説明すると、図３（ａ）に示すように、基板部材１をディップ槽３０内に溜められたコーティング液（表面研磨膜材料）３１中に垂直状態で浸して、図３（ｂ）に示すように、コーティング液層２Ｌが付着した基板部材１を引き上げる。そして、基板部材１の片面に付着したコーティング液を除去した後に、空気中に曝し、所定の条件で焼成することによって、図２（ｂ）に示すような所定厚さの表面研磨膜２が基板部材１の一面に形成される。
【００１９】
その後に、形成された表面研磨膜２の表面を研磨して平坦な研磨面２Ａを形成する（図２（ｃ））。この研磨工程では、図４に示すような公知の研磨方法（又は研磨装置）を採用することができる。これによると、基板キャリヤ４１によって基板部材１を表面研磨膜２が形成された面と逆の面側から支持し、支持された基板部材１の表面研磨膜２に対して研磨部材４０を押圧させた状態で、基板キャリヤ４１及び研磨部材４０を相互に逆方向に回転させて、表面研磨膜２の表面を研磨する。この際、必要に応じて表面研磨膜２と研磨部材４０との間に研磨剤を入れるようにしても良い。研磨方法としては、図示の例に限らず他の公知技術を採用することができる。
【００２０】
このように形成された本発明の実施形態に係るパネル基板は、基板部材１と、この基板部材１の上面又は上方に湿式成膜された表面研磨膜２と、この表面研磨膜２の表面に形成された研磨面２Ａとを備えるものであるが、これによると、基板部材１の表面に深い凹部が存在する場合であっても、表面研磨膜２を湿式成膜することで、凹部を埋めることができる厚さの表面研磨膜２を形成することが可能になり、その後に形成される研磨面２Ａによって、表面の平坦性が高いパネル基板を形成することができる。なお、本発明では、表面研磨膜２の形成前に基板部材１の表面を研磨しても良く、また、平坦な研磨面２Ａを形成後に複数回表面研磨膜を形成しても構わない。
【００２１】
また、図５に示すように、表面研磨膜２を複数回の成膜によって形成した後に、研磨するようにしても良い。この場合には、例えば、前述の実施形態と同様に基板部材１が用意され（図５（ａ））、この支持基板１の上面又は上方に前述したような湿式成膜が複数回の工程でなされる。
【００２２】
ここで、同図（ｂ）に示すように、１回目の成膜で、支持基板１の上面又は上方に表面研磨膜２ａを形成する際に、成膜工程の途中で表面に異物が付着するなどして部分的な成膜欠陥Ｐ１が形成される場合がある。このような場合には、その上に研磨面を形成しても成膜欠陥Ｐ１の凹部が残ってしまうので、研磨面を形成する前に更に２回目以降の湿式成膜を行い、この成膜欠陥Ｐ１を埋めるように表面研磨膜２ｂを成膜する（同図（ｃ））。この際、成膜欠陥Ｐ１を完全に埋めるには、表面研磨膜２ａの設定成膜厚さｔ１に対して更に厚い設定成膜厚さｔ２（ｔ２＞ｔ１）で表面研磨膜２ｂを成膜すればよい。また、表面研磨膜２ｂを形成する際にも同様に成膜欠陥Ｐ２が形成される可能性はあるが、１回目の成膜時に形成される成膜欠陥Ｐ１と２回目以降に形成される成膜欠陥Ｐ２が重なることは無いといえるので、２回目以降の成膜で確実に成膜欠陥Ｐ１を埋めることができる。
【００２３】
そして、複数回の成膜工程で形成された表面研磨膜２ａ，２ｂの表面を研磨して平坦な研磨面２Ａを形成する（同図（ｄ））。この際の研磨する厚さｔ３は、少なくとも２回目以降の成膜による成膜厚さの合計ｔ２よりも厚い量（ｔ３＞ｔ２）が設定されることになる。これによって、成膜欠陥Ｐ１の形成とは無関係に、平坦な研磨面２Ａを形成することができる。
【００２４】
また、基板部材１上に形成される表面研磨膜２を、基板部材１表面の凹部を埋める厚さを有するように形成することで、この表面研磨膜２に形成された研磨面２Ａを全て表面研磨膜２の材料からなる均一な面にすることができる。これによって、この研磨面２Ａ上に形成される表示素子の機能を均一化することが可能になる。更には、基板部材１の表面が完全に表面研磨膜２によって覆われることになるので、基板部材１が表示素子に対する悪影響成分（アルカリ成分等）を含むものであっても、これを完全に遮断して研磨面２Ａ上に形成される表示素子を良質に保つことができる。
【００２５】
また、表面研磨膜２を湿式成膜により成膜することで、塗り残しのない均一な被膜を短時間に形成することが可能になる。更に、成膜時に内部応力が少ないので歪みによる膜クラックが発生し難く、結果として厚めの膜を形成できる。
【００２６】
また、基板部材１をガラス基板として、表面研磨膜２をＳｉＯ２又はＴｉＮからなる膜にすることで、高い平坦性を有する透明なパネル基板を形成することができ、また、安価なアルカリ成分含有ガラス（「青板」）を用いる場合にも、アルカリ成分の析出を完全に防ぐことができるので、安価で高品質の透明パネル基板を得ることができる。
【００２７】
そして、このようなパネル基板を備えた表示パネルによると、パネル基板表面の凹凸に起因する表示性能低下を解消することができ、高品質且つ歩留まりの高い表示パネルを得ることが可能になる。
【００２８】
以下に、前述のパネル基板を採用した有機ＥＬパネルについて説明するが、本発明の実施形態に係る表示パネルは、これに限定されるものではなく、表面の平坦性が必要なパネル基板を構成要素とする全ての表示パネルを含むものである。
【００２９】
図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子を説明する説明図である。有機ＥＬ素子１０の構成自体は、パネル基板を除いては図１の従来技術と変わりがない。すなわち、有機ＥＬ素子１０は、一対の電極（下部電極１２と上部電極１４）間に有機発光機能層（例えば、正孔輸送層２１、発光層２２、電子輸送層２３）を含む有機層２０が挟持された層構造を有しており、この有機ＥＬ素子１０が前述したパネル基板における研磨面２Ａ上に形成されている。
【００３０】
この有機ＥＬパネルの製造方法を説明すると、基板部材１上にディップコーティングを含む湿式成膜によって表面研磨膜２を形成する工程と、この表面研磨膜２の表面を研磨して平坦な研磨面２Ａを形成する工程とにより前述したパネル基板が形成され、このパネル基板の研磨面２Ａ上に下部電極１２が形成され、絶縁膜１３によって区画された下部電極１２上に有機層２０が順次積層され、その上に上部電極１４が形成されることになる。
【００３１】
このような有機ＥＬパネルによると、高い平坦性を有する研磨面２Ａ上に下部電極１２が形成されるので、下部電極１２の表面も同様に高い平坦性を有するようになる。したがって、その上に積層される有機層２０は均一な厚さを備えるものとなり、その上に形成される上部電極１４と下部電極１２との間に均一な層厚が形成されることになる。
【００３２】
これにより、発光領域における有機層２０には局部的な薄層部が形成されることがなくなり、局部的な薄層部によるリーク電流の発生を未然に防止することができる。よって、リーク電流発生に伴う発光不良や消費電力増大の問題を解消し、高品質で歩留まりの高い有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００３３】
以下、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの各構成要素について更に具体的に説明する。
【００３４】
ａ．基板部材；
パネル基板の基板部材１としては、ガラス，プラスチック，石英，金属等を採用することができる。基板部材１側から光を取り出す方式（ボトムエミッション方式）としては、透明性を有する平板状，フィルム状のもので、材質としては、ガラス又はプラスチック等を用いることが好ましい。本発明の実施形態に係るパネル基板は表面に表面研磨膜２を形成するものであるから、この表面研磨膜２の材質を適正に選択することで、基板部材１として採用できる材質のバリエーションを広げることが可能になる。
【００３５】
ｂ．電極；
下部電極１２，上部電極１４は、一方が陰極側、他方が陽極側に設定される。陽極側は陰極側より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極側は陽極側より仕事関数の低い材料で構成され、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。また、下部電極１２，上部電極１４ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にすることもできる。
【００３６】
ｃ．有機層；
有機層２０は、少なくとも有機発光機能層を有する単層又は多層の有機化合物材料層からなるが、層構成はどのように形成されていても良い。一般には、図１に示すように、陽極側から陰極側に向けて、正孔輸送層２１、発光層２２、電子輸送層２３を積層させたものを用いることができるが、発光層２２、正孔輸送層２１、電子輸送層２３はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層２１、電子輸送層２３についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層、電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層２１、発光層２２、電子輸送層２３は従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択して採用できる。
【００３７】
また、発光層２２を形成する発光材料においては、１重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と３重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）のどちらを採用しても良い。
【００３８】
ｄ．封止部材、封止膜；
本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルは、金属製、ガラス製、プラスチック製等による封止部材により有機ＥＬ素子１０が封止されているもの、或いは封止膜により有機ＥＬ素子１０が封止されているものを含む。
【００３９】
封止部材は、ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、ブラスト処理等の加工によって封止凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したもの、或いは、平板ガラスを使用し、ガラス（プラスチックでも良い）製のスペーサにより支持基板と封止空間を形成するもの等が採用される。
【００４０】
封止膜は、単層膜または複数の保護膜を積層することにより形成することができる。使用材料としては無機物、有機物等のどちらでもよい。無機物としては、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ等の窒化物、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＧｅＯ等の酸化物、ＳｉＯＮ等の酸化窒化物、ＳｉＣＮ等の炭化窒化物、金属フッ素化合物、金属膜、等を挙げることができる。有機物としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシレン、パーフルオロオレフィン、パーフルオロエーテル等のフッ素系高分子、ＣＨ３ＯＭ、Ｃ２Ｈ５ＯＭ等の金属アルコキシド、ポリイミド前駆体、ペリレン系化合物、等を挙げることができる。積層や材料の選択は有機ＥＬ素子の設計により適宜選択する。
【００４１】
ｅ．パネルの各種方式；
本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルは、パッシブマトリクス型の表示パネルを形成することもできるし、或いは、アクティブマトリクス型の表示パネルを形成することもできる。また、単色表示であっても、多色表示であってもよいが、カラー表示パネルを形成するためには、塗り分け方式、白色や青色等の単色の有機ＥＬ素子にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）等により、フルカラー有機ＥＬパネル、又はマルチカラー有機ＥＬパネルを形成することができる。また、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルとしては、パネル基板側から光を取り出すボトムエミッション方式にすることもできるし、或いは、パネル基板とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式にすることもできる。
【実施例】
【００４２】
このような有機ＥＬパネル及びその製造法の具体的実施例を以下に示す（符号は図２〜６を参照）。
［第１実施例］
ガラス基板からなる基板部材１をディップ槽３０に溜めたＳｉＯ２成分のコーティング液３１に浸し、その後ディップ槽３０から徐々に引き上げる。ガラス基板表面のコーティング液層２Ｌを加水分解し、乾燥工程、焼成工程を施し、ＳｉＯ２膜（表面研磨膜２）を５０〜２００ｎｍ（好ましくは８０ｎｍ）成膜する。
【００４３】
次いで、研磨剤にアルミナ、ダイヤモンドパウダ等を使用し、研磨装置（例えば図４参照）にて表面研磨膜２を２０〜１００ｎｍの厚さまで研磨し、パネル基板の表面に研磨面２Ａを形成する。
【００４４】
そして、研磨面２Ａ上に下部電極１２としてのＩＴＯをスパッタリングにより１５０ｎｍ成膜し、ストライプ状のレジストパターンをＩＴＯ膜上に形成する。次に、パネル基板を塩化第二水溶液と塩酸の混合液に浸漬し、レジストに覆われていないＩＴＯをエッチングして、その後パネル基板をアセトン中に含浸させてレジストを除去し、所定のＩＴＯパターンを有するパネル基板を作成する。
【００４５】
次いで、ＩＴＯ付きパネル基板を、真空蒸着装置に搬入し、有機層２０の蒸着を行う。有機層２０は、例えば、銅フタロシアニンからなる正孔注入層、ＴＤＰ等からなる正孔輸送層、Ａｌｑ３等からなる発光層または電子輸送層、ＬｉＦからなる電子注入層等によって形成され、その有機層２０の上にＡｌ等からなる陰極を形成する上部電極１４が積層される。
【００４６】
次に、平板ガラスにエッチング処理を施して一段掘り込みの封止凹部を形成し、その封止凹部内にＢａＯを主成分とする乾燥剤をシート状にした乾燥手段を貼り付けて封止部材を形成する。そして、基板１１の有機ＥＬ素子１０が形成された側の表面と封止部材の封止凹部が形成された側の表面間に封止空間を形成するように両者を貼り合わせて有機ＥＬパネルを得る。この貼り合わせに際しては、紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤に１〜１００μｍの粒径のプラスチックスペーサを０．１〜０．５重量％ほど適量混合し、基板１１又は封止部材の接着部にディスペンサ等を用いて塗布し、貼り合わせ後に紫外線を照射して接着剤を硬化させる。
［第２実施例］
ガラス基板からなる基板部材１をＳｉＯ２成分のコーティング液で満たされたディップ槽３０に浸し、その後ディップ槽３０から徐々に引き上げる。ガラス基板表面のコーティング液を加水分解し、乾燥工程、焼成工程を施し、ＳｉＯ２膜（表面研磨膜２ａ）を１４０ｎｍ成膜する。その後、表面研磨膜２ａと同様にして、表面研磨膜２ｂを１７０ｎｍ成膜する。
【００４７】
次いで、研磨剤にアルミナ、ダイヤモンドパウダ等を使用し、研磨装置にて表面研磨膜（表面研磨膜２ａ＋表面研磨膜２ｂ）を２００ｎｍの設定厚さ分だけ表面研磨する。これによって１１０ｎｍの設定厚さの表面研磨膜２を形成し、その上面に平坦な研磨面２Ａを形成することができる。
【００４８】
そして、ガラス基板の研磨面２Ａ上に下部電極１２としてのＩＴＯをスパッタリングにより１５０ｎｍ成膜し、レジストをこのＩＴＯ膜上にストライプ状にパターン形成する。次いで、ガラス基板を、塩化第二水溶液と塩酸の混合液に浸漬しレジストに覆われていないＩＴＯをエッチングして、その後アセトン中に含浸させてレジストを除去し、所定のＩＴＯパターンを有する基板を作成する。
【００４９】
次いで、ＩＴＯ付きガラス基板を、真空蒸着装置に搬入し、有機層２０の蒸着を行う。ここで、有機層２０は、例えば、銅フタロシアニンからなる正孔注入層、ＴＤＰ等からなる正孔輸送層、Ａｌｑ３等からなる発光層または電子輸送層、ＬｉＦからなる電子注入層等によって形成され、その有機層２０の上にＡｌ等からなる陰極が形成する上部電極１４が積層される。
【００５０】
次に、平板ガラスにエッチング処理を施して一段掘り込みの封止凹部を形成し、その封止凹部内にＢａＯを主成分とする乾燥剤をシート状にした乾燥手段を貼り付けて封止部材を形成する。そして、基板１１の有機ＥＬ素子１０が形成された側の表面と封止部材の封止凹部が形成された側の表面間に封止空間を形成するように両者を貼り合わせて有機ＥＬパネルを得る。この貼り合わせに際しては、紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤に１〜１００μｍの粒径のプラスチックスペーサを０．１〜０．５重量％ほど適量混合し、基板１１又は封止部材の接着部にディスペンサ等を用いて塗布し、貼り合わせ後に紫外線を照射して接着剤を硬化させる。
【００５１】
本発明の各実施例は、このように構成されるので、次に記載する効果が得られる。
（１）パネル基板表面の平坦性を高めることによりリーク電流の発生を防止でき、リーク電流に起因する有機ＥＬ素子の発光不良や消費電力増大を解消できる。
（２）ガラス基板の輸送、工場搬入、機械的要素により傷が生じた場合でも良品として扱うことができ歩留まり向上できる。
（３）ディップコーティング法等による湿式成膜を用いた場合には、ＳｉＯ２膜（表面研磨膜）の膜厚を厚く形成しやすくなり、その後の研磨工程の研磨量の調整を容易に行うことができる。これによって、パネル基板厚さの調整により、発光層から得られる光のスペクトルに合わせて出射光波長のピーク波長を設定することが可能になり、有機ＥＬパネルの光学的な設計がし易くなる。
（４）白板、青板に限らず有機ＥＬパネル用ガラス基板の表面平坦化を行うことができる。また、青板のアルカリ成分析出を防止できるので、安価な基板部材で高品質のパネル基板を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るパネル基板の形成工程及び構造を示す説明図である。
【図３】湿式成膜の一つであるディップコーティングの説明図である。
【図４】研磨方法又は研磨装置の説明図である。
【図５】研磨方法又は研磨装置の説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    基板部材
２，２ａ，２ｂ    表面研磨膜
２Ａ    研磨面
１０    有機ＥＬ素子
１２    下部電極
１３    絶縁膜
１４    上部電極
２０    有機層
２１    正孔輸送層
２２    発光層
２３    電子輸送層
３０    ディップ槽
３１    コーティング液
４０    研磨部材
４１    基板キャリヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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