(57)【要約】  【課題】処理液供給時における処理液の飛び跳ねを抑制し、基板の端面に対向していない開口部への処理液の飛入を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。  【解決手段】ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に処理液としての第１薬液、第２薬液および純水を供給するための移動ノズル２とが備えられている。移動ノズル２は、第１薬液吐出口、第２薬吐出口および純水吐出口から、それぞれ第１薬液、第２薬液および純水をウエハＷの表面に対してほぼ垂直な方向に吐出する。移動ノズル２からウエハＷへの処理液の供給時には、移動ノズル２がウエハＷの回転軸線上に移動される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して、その基板を回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段によって回転される基板の回転軸線上の位置と、その回転軸線上から外れた退避位置との間で移動可能に設けられ、当該基板の表面に対してほぼ垂直な方向に処理液を吐出する移動ノズルと、
この移動ノズルを上記回転軸線上の位置と上記退避位置との間で移動させるためのノズル移動手段と、
上記基板回転手段を取り囲む環状にそれぞれ形成され、上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対して選択的に対向して、その対向する状態で当該基板から飛散する処理液を受け入れる複数段の開口部を有する回収カップと、
上記基板回転手段と上記回収カップとを相対的に移動させて、上記複数段の開口部を上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対して選択的に対向させるための移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記移動ノズルからの処理液の吐出および停止を切り替えるためのバルブと、
上記ノズル移動手段を制御して、上記移動ノズルを上記回転軸線上の位置に移動させた後、上記バルブを制御して、上記移動ノズルからの処理液の吐出を開始させるノズル制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記ノズル制御手段は、上記バルブを制御して、基板表面の回転中心に対して処理液が吐出されている状態において、上記移動ノズルからの処理液の吐出を停止させた後、上記ノズル移動手段を制御して、上記移動ノズルを上記回転軸線上の位置から上記退避位置に移動させることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記基板回転手段によって回転される基板の表面に近接する遮断板近接位置と、当該基板の表面から離間した遮断板離間位置とに移動可能に設けられ、上記遮断板近接位置において、当該基板の表面が接する雰囲気を周囲の雰囲気から遮断するための遮断板をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記遮断板を上記遮断板近接位置と上記遮断板離間位置とに移動させるための遮断板移動手段と、
上記遮断板移動手段を制御して、少なくとも上記移動ノズルから基板の表面への処理液の供給が行われている期間、上記遮断板を上記遮断板離間位置に位置させる遮断板制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記移動ノズルは、上記基板回転手段によって回転される基板に向けて、互いに異なる種類の処理液をそれぞれ吐出するための複数の吐出口を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記複数の吐出口は、上記移動ノズルが上記回転軸線上の位置と上記退避位置との間で移動するときに描く移動軌跡に沿って一列に並べて配置されていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記回転軸上の位置は、上記複数の吐出口がそれぞれ上記回転軸線上に位置する複数の位置を含み、
上記複数の吐出口のうちの１つの吐出口が上記回転軸線上に位置している状態で、当該吐出口からの処理液の吐出終了後、当該吐出口とは別の吐出口からの処理液の吐出開始前に、上記ノズル移動手段を制御して、当該別の吐出口が上記回転軸線上に位置するように上記移動ノズルを移動させるノズル微小移動制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記移動ノズルを、上記回転軸線に沿って、上記基板回転手段によって回転される基板の表面に対して近接および離間させるノズル接離手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記移動ノズルが上記基板回転手段によって回転される基板の表面に近接した状態において、上記移動ノズルの吐出口から上記基板の表面までの距離は、上記基板の端面に対向する上記開口部の上記基板の表面側の端縁と上記基板の表面との間の距離以下であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
上記基板回転手段によって回転される基板の裏面の回転中心に対して近接して対向配置され、当該基板の裏面に対してほぼ垂直な方向に処理液を吐出する裏面ノズルをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板回転手段によって処理対象の基板を回転させる基板回転工程と、
上記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受け入れるための複数段の開口部を有する回収カップと上記基板回転手段とを相対的に移動させて、上記複数段の開口部のうちの１つを上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対向させる開口部対向工程と、
上記基板回転工程中に、処理対象の基板の表面に対してほぼ垂直な方向に処理液を供給するための移動ノズルを、当該基板の回転軸線上に移動させるノズル移動工程と、
このノズル移動工程および上記開口部対向工程の後に、上記移動ノズルから回転中の基板の表面の回転中心に向けて当該基板の表面にほぼ垂直な方向に処理液を供給する処理液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
上記処理液供給工程の終了後に、上記移動ノズルを上記回転軸線上から退避させるノズル退避工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
上記移動ノズルは、上記基板回転手段によって回転される基板に向けて、互いに異なる種類の処理液をそれぞれ吐出するための複数の吐出口を備えており、
上記ノズル移動工程は、上記複数の吐出口のうちの１つの吐出口を上記回転軸線上に移動させる第１の移動工程と、当該１つの吐出口から処理液を吐出させることによる上記処理液供給工程の終了後に、当該１つの吐出口とは別の吐出口を上記回転軸線上に移動させる第２の移動工程とを含むことを特徴とする請求項１２または１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
上記ノズル移動工程の後、上記処理液供給工程の開始前に、上記移動ノズルを上記基板回転手段によって回転される基板の表面に対して近接させるノズル近接工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液を以降の処理に再利用できるように構成されたものがある。
【０００３】
処理液を再利用可能な構成の基板処理装置は、たとえば、複数本のチャックピンによって基板をほぼ水平な姿勢で挟持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に対して、互いに種類の異なる処理液を供給するための第１ノズルおよび第２ノズルと、基板から飛散する処理液を受け取って回収するための多段回収カップとを備えている。
【０００４】
第１ノズルおよび第２ノズルは、多段回収カップの外側において、スピンチャックの斜め上方の位置に、処理液の吐出口をスピンチャックに保持された基板の表面中央付近に向けた状態で配置されている。そのため、第１ノズルおよび第２ノズルから吐出される処理液は、スピンチャックに保持された基板の表面に対して斜め上方から入射する。
多段回収カップは、たとえば、スピンチャックの周囲を取り囲む環状の開口部を上下２段に有している。また、多段回収カップは、スピンチャックに対して昇降可能に構成されており、その昇降によって、各段の開口部をスピンチャックに保持された基板の端面に対して選択的に対向させることができる。
【０００５】
このような構成の基板処理装置では、基板の表面に第１ノズルからの処理液（第１処理液）による処理および第２ノズルからの処理液（第２処理液）による処理を施すことができ、また、処理に用いた各処理液を分別して回収することができる。
すなわち、スピンチャックによって基板を回転させつつ、第１ノズルから基板の表面に第１処理液を供給することにより、基板の表面に第１処理液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第１処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散する。したがって、このとき、多段回収カップの上段の開口部を基板の端面に対向させておけば、基板の周縁から飛散する第１処理液が上段の開口部に飛入し、その上段の開口部から回収ラインを通して、第１処理液用の回収設備に第１処理液を回収することができる。
【０００６】
また、スピンチャックによって基板を回転させつつ、第２ノズルから基板の表面に第２処理液を供給することにより、基板の表面に第２処理液による処理を施すことができる。そして、このとき、多段回収カップの下段の開口部を基板の端面に対向させておけば、基板の周縁から遠心力によって飛散する第２処理液が上段の開口部に飛入し、その下段の開口部から回収ラインを通して、第２処理液用の回収設備に第２処理液を回収することができる。
【特許文献１】特開平２−５１２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
多段回収カップの外に配置された第１ノズルおよび第２ノズルは、スピンチャックに保持された基板から離れているので、基板の表面中央付近に処理液を入射させるために、処理液を比較的大きな流速で吐出する必要がある。しかし、基板の表面に入射する処理液の流速が大きいと、その入射時に処理液の飛び跳ね（１次の飛び跳ね）が発生する。そして、処理液の飛沫が、このとき基板の端面に対向していない上段または下段の開口部に飛入し、その開口部によって回収すべき他の種類の処理液に混入するおそれがあることがわかった。
【０００８】
また、基板の表面に対して斜め上方から入射する処理液は、基板の表面に沿う方向の速度成分を有しているため、基板の表面中央部で楕円状に拡がり、その後、遠心力によって、基板の周縁に向けて拡がる。このとき、楕円状の短軸側から遠心力によって拡がる処理液が長軸側に向かう速度成分を有し、その結果、基板の表面上に拡がる処理液の膜に、基板の回軸中心付近から周縁へと向かう渦状に処理液が厚く盛り上がることによる帯が形成される。このような帯が形成されると、その帯を形成する処理液がチャックピンで跳ねられて、処理液の飛び跳ね（２次の飛び跳ね）が発生する。そして、処理液の飛沫が、このとき基板の端面に対向していない上段または下段の開口部に飛入しその開口部によって回収すべき他の種類の処理液に混入するおそれがあることがわかった。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、処理液供給時における処理液の飛び跳ねを抑制し、基板の端面に対向していない開口部への処理液の飛入を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して、その基板を回転させる基板回転手段（１）と、この基板回転手段によって回転される基板の回転軸線上の位置と、その回転軸線上から外れた退避位置との間で移動可能に設けられ、当該基板の表面に対してほぼ垂直な方向に処理液を吐出する移動ノズル（２）と、この移動ノズルを上記回転軸線上の位置と上記退避位置との間で移動させるためのノズル移動手段（１６）と、上記基板回転手段を取り囲む環状にそれぞれ形成され、上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対して選択的に対向して、その対向する状態で当該基板から飛散する処理液を受け入れる複数段の開口部（５１，５２，５３，５４）を有する回収カップ（３３）と、上記基板回転手段と上記回収カップとを相対的に移動させて、上記複数段の開口部を上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対して選択的に対向させるための移動手段（５５）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、移動ノズルは基板の表面に対してほぼ垂直な方向に処理液を吐出するので、移動ノズルを基板の回転軸線上に位置させておけば、移動ノズルから吐出される処理液の流速を遅くしても（流量を少なくしても）、基板の表面の回転中心に処理液を入射させることができる。そして、移動ノズルから吐出される処理液の流速を遅くすることにより、基板の表面に対する処理液の入射時に、処理液の飛び跳ね（１次の飛び跳ね）が発生するのを防止できる。
【００１２】
また、移動ノズルからの処理液は、基板の表面に対してほぼ垂直に入射し、基板の表面に沿う方向の速度成分を有していない。したがって、基板の表面の回転中心に処理液を入射させれば、その入射した処理液は、基板の表面の中央部で円形状に拡がり、その後、基板の回転による遠心力によって、基板の表面上をほぼ一様な厚みを有する膜の状態で同心円状に拡がる。したがって、処理液を基板の表面に対して斜めに入射させる従来構成とは異なり、基板の表面上に処理液が厚く盛り上がることによる帯が形成されるのを防止することができ、そのような帯に起因する処理液の飛び跳ね（２次の飛び跳ね）の発生を抑制することができる。
【００１３】
このようにして、処理液の１次および２次の飛び跳ねの発生を抑制することができ、これにより、基板の端面に対向していない開口部に、その開口部から回収すべき処理液と異なる種類の処理液が飛入することを防止できる。
請求項２記載の発明は、上記移動ノズルからの処理液の吐出および停止を切り替えるためのバルブ（２１，２２，２３）と、上記ノズル移動手段を制御して、上記移動ノズルを上記回転軸線上の位置に移動させた後、上記バルブを制御して、上記移動ノズルからの処理液の吐出を開始させるノズル制御手段（５９）とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１４】
この発明によれば、ノズル制御手段の制御によって、移動ノズルを基板の回転軸線上に位置させた後に、移動ノズルから基板の表面への処理液の供給を開始させることにより、移動ノズルからの処理液を、基板の表面の回転中心に対してほぼ垂直な方向から入射させることができる。
なお、請求項３に記載のように、上記ノズル制御手段は、上記バルブを制御して、基板表面の回転中心に対して処理液が吐出されている状態において、上記移動ノズルからの処理液の吐出を停止させた後、上記ノズル移動手段を制御して、上記移動ノズルを上記回転軸線上の位置から上記退避位置に移動させるものであってもよい。
【００１５】
この発明によれば、基板表面の回転中心の近傍のみに処理液が供給されることになるので、基板表面の回転中心以外の位置にも処理液が供給される場合に比べて、さらに上記帯に起因する処理液の飛び跳ね（２次の飛び跳ね）の発生を抑制することができる。
また、請求項４に記載のように、上記基板処理装置は、上記基板回転手段によって回転される基板の表面に近接する遮断板近接位置と、当該基板の表面から離間した遮断板離間位置とに移動可能に設けられ、上記遮断板近接位置において、当該基板の表面が接する雰囲気を周囲の雰囲気から遮断するための遮断板（２４）をさらに備えていてもよい。
【００１６】
この場合、請求項５に記載のように、上記基板処理装置は、上記遮断板を上記遮断板近接位置と上記遮断板離間位置とに移動させるための遮断板移動手段（３１）と、上記遮断板移動手段を制御して、少なくとも上記移動ノズルから基板の表面への処理液の供給が行われている期間、上記遮断板を上記遮断板離間位置に位置させる遮断板制御手段（５９）とをさらに含むことが好ましい。移動ノズルから基板の表面への処理液の供給が行われている期間、遮断板を遮断板離間位置に位置させておくことにより、遮断板に処理液が付着するのを防止でき、処理液の付着によって遮断板が汚染されたり、処理液が遮断板に付着した分だけ処理液の回収量が減ったりすることを防止できる。
【００１７】
請求項６記載の発明は、上記移動ノズルは、上記基板回転手段によって回転される基板に向けて、互いに異なる種類の処理液をそれぞれ吐出するための複数の吐出口（５６，５７，５８）を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、移動ノズルから基板に複数種の処理液を供給することができ、その複数種の処理液の供給時における処理液の飛び跳ねを防止することができる。また、移動ノズルが複数の吐出口を備えているため、複数種の処理液の切替えの度に移動ノズルが基板外方に退避する必要がなく、したがって処理時間を短くすることができる。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明は、上記複数の吐出口は、上記移動ノズルが上記回転軸線上の位置と上記退避位置との間で移動するときに描く移動軌跡に沿って一列に並べて配置されていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。
この発明によれば、移動ノズルを移動させることにより、各吐出口を基板の回転軸上に位置させることができる。そして、各吐出口を選択時に基板の回転軸線上に位置させ、その位置で吐出口から処理液を吐出させることにより、基板の回転中心に対してほぼ垂直な方向から処理液を供給することができ、また、移動軌跡上に複数の吐出口が配置されているため、複数種の処理液の切替えをさらに迅速に行うことが可能となる。
【００１９】
このような移動ノズルの移動制御は、請求項８に記載の発明によって達成することができる。すなわち、請求項８記載の発明は、上記回転軸上の位置は、上記複数の吐出口がそれぞれ上記回転軸線上に位置する複数の位置を含み、上記複数の吐出口のうちの１つの吐出口が上記回転軸線上に位置している状態で、当該吐出口からの処理液の吐出終了後、当該吐出口とは別の吐出口からの処理液の吐出開始前に、上記ノズル移動手段を制御して、当該別の吐出口が上記回転軸線上に位置するように上記移動ノズルを移動させるノズル微小移動制御手段（５９）をさらに含むことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置である。
【００２０】
請求項９記載の発明は、上記移動ノズルを、上記回転軸線に沿って、上記基板回転手段によって回転される基板の表面に対して近接および離間させるノズル接離手段（１７）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板の表面に対して移動ノズルを近接および離間させることができる。そのため、移動ノズルを基板の表面に対して近接させた状態で、移動ノズルから基板の表面への処理液の供給を行うことができ、そうすることによって、基板の表面に処理液が入射するときの処理液の飛び跳ね（１次の飛び跳ね）を一層防止することができる。
【００２１】
なお、このように１次の飛び跳ねを一層防止して、基板の端面に対向していない開口部への処理液の飛入を確実に防止するために、請求項１０に記載のように、上記移動ノズルが上記基板回転手段によって回転される基板の表面に近接した状態において、上記移動ノズルの吐出口から上記基板の表面までの距離（Ｌ）（以下、「近接距離」という。）は、上記基板の端面に対向する上記開口部の上記基板の表面側の端縁と上記基板の表面との間の距離（Ｌ１）以下であることが好ましい。さらに、上記近接距離は、１ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２２】
請求項１１記載の発明は、上記基板回転手段によって回転される基板の裏面の回転中心に対して近接して対向配置され、当該基板の裏面に対してほぼ垂直な方向に処理液を吐出する裏面ノズル（１１）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、裏面ノズルから基板の裏面に処理液を供給することができ、基板の裏面に対して処理液による処理を施すことができる。このとき、裏面ノズルが基板の裏面に近接配置され、その裏面ノズルからの処理液は、基板の裏面の回転中心に対してほぼ垂直な方向から入射する。そのため、基板の裏面への処理液の供給時における処理液の１次および２次の飛び跳ねを抑制することができ、裏面ノズルからの処理液が基板の端面に対向していない開口部に飛入するのを防止することができる。
【００２３】
請求項１２に記載の発明は、基板回転手段（１）によって処理対象の基板を回転させる基板回転工程（Ｓ１，Ｓ８，Ｓ１４，Ｓ２０）と、上記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受け入れるための複数段の開口部（５１，５２，５３）を有する回収カップ（３３）と上記基板回転手段とを相対的に移動させて、上記複数段の開口部のうちの１つを上記基板回転手段によって回転される基板の端面に対向させる開口部対向工程（Ｓ２，Ｓ１３，Ｓ１９）と、上記基板回転工程中に、処理対象の基板の表面に対してほぼ垂直な方向に処理液を供給するための移動ノズルを、当該基板の回転軸線上に移動させるノズル移動工程と（Ｓ３，Ｓ９，Ｓ１５，Ｓ２１）、このノズル移動工程および上記開口部対向工程の後に、上記移動ノズルから回転中の基板の表面の回転中心に向けて当該基板の表面にほぼ垂直な方向に処理液を供給する処理液供給工程（Ｓ４，Ｓ１０，Ｓ１６，Ｓ２２）とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００２４】
この方法によれば、請求項１および２に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。すなわち、処理液の１次および２次の飛び跳ねの発生を抑制することができ、これにより、基板の端面に対向していない開口部に、その開口部から回収すべき処理液と異なる種類の処理液が飛入することを防止しつつ、基板の表面に対して処理液による処理を施すことができる。
【００２５】
請求項１３に記載の発明は、上記処理液供給工程の終了後に、上記移動ノズルを上記回転軸線上から退避させるノズル退避工程（Ｓ２３）をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法である。
この請求項１３に記載のように、処理液供給工程の終了後は、移動ノズルを基板の回転軸線上から退避させるようにしてもよい。
【００２６】
請求項１４に記載の発明は、上記移動ノズルは、上記基板回転手段によって回転される基板に向けて、互いに異なる種類の処理液をそれぞれ吐出するための複数の吐出口（５６，５７，５８）を備えており、上記ノズル移動工程は、上記複数の吐出口のうちの１つの吐出口を上記回転軸線上に移動させる第１の移動工程（Ｓ３；Ｓ９；Ｓ１５）と、当該１つの吐出口から処理液を吐出させることによる上記処理液供給工程の終了後に、当該１つの吐出口とは別の吐出口を上記回転軸線上に移動させる第２の移動工程（Ｓ９；Ｓ１５；Ｓ２１）とを含むことを特徴とする請求項１２または１３に記載の基板処理方法である。
【００２７】
この方法によれば、請求項６ないし８に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項１５に記載の発明は、上記ノズル移動工程の後、上記処理液供給工程の開始前に、上記移動ノズルを上記基板回転手段によって回転される基板の表面に対して近接させるノズル近接工程（Ｓ３）をさらに含むことを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法である。
【００２８】
この方法によれば、請求項９に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷの表面に処理液としての第１薬液、第２薬液および純水（脱イオン化された純水）を順次に供給して、そのウエハＷに洗浄処理を施すための装置であって、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液、第２薬液および純水を供給するための移動ノズル２とを備えている。
【００３０】
スピンチャック１は、ほぼ鉛直に延びたスピン軸３と、スピン軸３の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベース４と、このスピンベース４の上面に立設された複数個の挟持部材５とを備えている。複数個の挟持部材５は、スピン軸３の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されており、ウエハＷの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することによって、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢で保持することができる。
【００３１】
スピン軸３には、モータなどの駆動源を含むチャック回転駆動機構６が結合されている。複数個の挟持部材５によってウエハＷを保持した状態で、チャック回転駆動機構６からスピン軸３に回転力を入力し、スピン軸３をその中心軸線まわりに回転させることにより、そのウエハＷをスピンベース４とともにスピン軸３の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００３２】
また、スピン軸３は、中空軸となっていて、このスピン軸３の内部には、裏面処理液供給管７が挿通されている。この裏面処理液供給管７には、第１薬液供給源から第１薬液下バルブ８を介して第１薬液を供給することができ、第２薬液供給源から第２薬液下バルブ９を介して第２薬液を供給することができ、給水供給源から純水下バルブ１０を介して純水を供給することができるようになっている。また、裏面処理液供給管７は、スピンチャック１（複数個の挟持部材５）に保持されたウエハＷの裏面（下面）中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、裏面処理液供給管７に選択的に供給される第１薬液、第２薬液および純水（処理液）を吐出する裏面ノズル１１が設けられている。裏面ノズル１１は、処理液をほぼ鉛直上向きに吐出し、裏面ノズル１１から吐出された処理液は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの裏面中央に対してほぼ垂直をなして入射する。
【００３３】
移動ノズル２は、スピンチャック１の上方に設けられたアーム１２に取り付けられている。アーム１２は、スピンチャック１の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸１３に支持されており、このアーム支持軸１３の上端部からほぼ水平に延びた水平部１４と、この水平部１４の先端部からほぼ鉛直下方に向けて延びた垂下部１５とを有している。移動ノズル２は、垂下部１５の下端部に取り付けられている。
【００３４】
アーム支持軸１３には、支持軸回転駆動機構１６から駆動力が入力されるようになっている。この支持軸回転駆動機構１６の駆動力によって、アーム支持軸１３を回動させて、アーム１２を所定角度範囲内で揺動させることができ、そのアーム１２の揺動に伴って、移動ノズル２を、ウエハＷの上方のウエハＷの回転軸線（スピン軸３の中心軸線）上の位置とウエハＷの外方の退避位置との間で、スピンチャック１の回転軸線に交差する円弧状軌跡に沿ってほぼ水平に移動させることができる。また、アーム支持軸１３には、支持軸昇降駆動機構１７から駆動力が入力されるようになっており、その駆動力によって、アーム支持軸１３をアーム１２とともに昇降させることができ、これに伴って、移動ノズル２をウエハＷの表面に対して近接および離間させることができる。
【００３５】
移動ノズル２には、第１薬液供給源から第１薬液が供給される第１薬液供給管１８と、第２薬液供給源から第２薬液が供給される第２薬液供給管１９と、純水供給源から純水が供給される純水供給管２０とが接続されている。
第１薬液供給管１８には、第１薬液上バルブ２１が介装されており、この第１薬液上バルブ２１を開くと、第１薬液供給管１８から移動ノズル２に第１薬液が供給されて、その供給された第１薬液が移動ノズル２から吐出され、第１薬液上バルブ２１を閉じると、移動ノズル２からの第１薬液の吐出が停止される。
【００３６】
第２薬液供給管１９には、第２薬液上バルブ２２が介装されており、この第２薬液上バルブ２２を開くと、第２薬液供給管１９から移動ノズル２に第２薬液が供給されて、その供給された第２薬液が移動ノズル２から吐出され、第２薬液上バルブ２２を閉じると、移動ノズル２からの第２薬液の吐出が停止される。
純水供給管２０には、純水上バルブ２３が介装されており、この純水上バルブ２３を開くと、純水供給管２０から移動ノズル２に純水が供給されて、その供給された純水が移動ノズル２から吐出され、純水上バルブ２３を閉じると、移動ノズル２からの純水の吐出が停止される。
【００３７】
スピンチャック１の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有し、その表面のほぼ全域を覆うことができる円板状の遮断板２４が設けられている。遮断板２４の上面には、スピンチャック１のスピン軸３と共通の軸線に沿う回転軸２５が固定されている。この回転軸２５は、中空軸であり、その内部には、ウエハＷの表面に純水を供給するための遮断板純水ノズル２６が挿通されている。遮断板純水ノズル２６には、純水供給源から遮断板純水バルブ２７を介して純水が供給されるようになっている。また、回転軸２５の内壁面と遮断板純水ノズル２６の外壁面との間は、ウエハＷの中央に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路２８を形成している。この窒素ガス流通路２８には、窒素ガスバルブ２９を介して窒素ガスが供給されるようになっている。
【００３８】
回転軸２５は、ほぼ水平な方向に沿って設けられたアーム３０の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。アーム３０に関連して、このアーム３０を昇降させることにより、遮断板２４をスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に近接した遮断板近接位置と、スピンチャック１の上方に大きく退避した遮断板退避位置との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構３１が設けられている。さらに、アーム３０に関連して、遮断板２４をスピンチャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構３２が設けられている。
【００３９】
また、スピンチャック１の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用いられた後の処理液を捕集して回収または廃液するための多段回収カップ３３が設けられている。多段回収カップ３３は、スピンチャック１に対して固定配置された下カップ３４と、この下カップ３４に対して昇降可能に設けられた上カップ３５とを備えている。
下カップ３４は、有底容器状に形成されており、スピンチャック１を収容している。下カップ３４の底部には、スピンチャック１の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用いられた後の処理液を廃液するための廃液溝３６が形成されており、さらに、この廃液溝３６を取り囲むように、ウエハＷの処理のために用いられた後の処理液を回収するための回収溝３７，３８，３９が３重に形成されている。
【００４０】
廃液溝３６と最も内側の回収溝３７とは、それらの間に形成された筒状の仕切壁４０によって区画されている。また、回収溝３７とその外側の回収溝３８とは、それらの間に形成された筒状の仕切壁４１によって区画され、回収溝３８と最も外側の回収溝３９とは、それらの間に形成された仕切壁４２によって区画されている。廃液溝３６には、図外の廃液処理設備へと処理液を導くための廃液ライン４３が接続されており、回収溝３７，３８，３９には、それぞれ図外の回収処理設備へと処理液を導くための回収ライン４４，４５，４６が接続されている。
【００４１】
上カップ３５は、互いに大きさが異なる４つの傘状部材４７，４８，４９，５０を重ねて構成されている。上カップ３５には、たとえば、ボールねじ機構などを含むカップ昇降駆動機構５５が結合されており、このカップ昇降駆動機構５５によって、上カップ３５を下カップ３４に対して昇降（上下動）させることができる。
傘状部材４７〜５０は、それぞれ、スピンチャック１の回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有し、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とするほぼ円筒状の円筒面４７Ａ，４８Ａ，４９Ａ，５０Ａと、これらの円筒面４７Ａ〜５０Ａの各上端縁からウエハＷの回転軸線に近づくように斜め上方に傾斜した傾斜面４７Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂ，５０Ｂとを備えている。
【００４２】
円筒面４７Ａ〜５０Ａは、互いに内径が異なり、スピンチャック１の回転軸線を中心とする同軸円筒状に配置されている。円筒面４７Ａは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、下端縁が仕切壁４０の上端縁の近傍で回収溝３７内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、それぞれの下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒面４８Ａは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、下端縁が仕切壁４１の上端縁の近傍で回収溝３８内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、その下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。さらに、円筒面４９Ａ，５０Ａは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、それぞれ下端縁が仕切壁４２と下カップ３４の側面の上端縁の近傍で回収溝３９内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、その下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。
【００４３】
傾斜面４７Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂ，５０Ｂの上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上において、そのウエハＷの回転軸線に沿う方向に間隔を空けて位置している。これにより、傾斜面４７Ｂの上端縁と傾斜面４８Ｂの上端縁との間には、ウエハＷから飛散する処理液を傾斜面４７Ｂと傾斜面４８Ｂとの間に進入させるための第１回収開口部５１が形成され、傾斜面４８Ｂの上端縁と傾斜面４９Ｂの上端縁との間には、ウエハＷから飛散する処理液を傾斜面４８Ｂと傾斜面４９Ｂとの間に進入させるための第２回収開口部５２が形成され、傾斜面４９Ｂの上端縁と傾斜面５０Ｂの上端縁との間には、ウエハＷから飛散する処理液を傾斜面４９Ｂと傾斜面５０Ｂとの間に進入させるための第３回収開口部５３が形成されている。また、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、傾斜面４７Ｂと下カップ３４の底面との間には、ウエハＷから飛散する処理液を傾斜面４７Ｂと下カップ３４の底面との間に飛入させるための廃液開口部５４が形成される。
【００４４】
さらにまた、傾斜面４７Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂには、それぞれ円筒面４７Ａ〜５０Ａと同軸円筒状の円筒面４７Ｃ，４８Ｃ，４９Ｃが垂れ下がった状態に設けられている。円筒面４７Ｃは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が仕切壁４０の上端縁の近傍で廃液溝３６内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、その下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒面４８Ｃは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が仕切壁４１の上端縁の近傍で回収溝３７内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、その下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。さらに、円筒面４９Ｃは、上カップ３５が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が仕切壁４２の上端縁の近傍で回収溝３８内に位置し、上カップ３５が最下方位置に下降したときに、その下端縁が下カップ３４の底面に接触しないような長さを有している。
【００４５】
なお、上カップ３５が最下方位置に下降しても、傾斜面４７Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂは、それぞれ仕切壁４０，４１，４２に接触しない。
図２は、移動ノズル２の底面図である。移動ノズル２は、ほぼ直方体形状に形成されており、スピンチャック１に保持されたウエハＷと対向する底面には、第１薬液吐出口５６、第２薬吐出口５７および純水吐出口５８が、アーム１２の揺動によって移動する移動ノズル２が描く円弧状軌跡に沿って、所定の間隔を空けて配置されている。第１薬液吐出口５６は、第１薬液供給管１８から供給される第１薬液を、ウエハＷの表面に対してほぼ垂直な方向に吐出する。また、第２薬液水吐出口５７は、第２薬液供給管１９から供給される第２薬液を、ウエハＷの表面に対してほぼ垂直な方向に吐出する。さらに、純水吐出口５８は、純水供給管２０から供給される純水を、ウエハＷの表面に対してほぼ垂直な方向に吐出する。
【００４６】
図３は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５９を備えている。
制御装置５９には、チャック回転駆動機構６、支持軸回転駆動機構１６、支持軸昇降駆動機構１７、遮断板昇降駆動機構３１、遮断板回転駆動機構３２、カップ昇降駆動機構５５、第１薬液下バルブ８、第２薬液下バルブ９、純水下バルブ１０、第１薬液上バルブ２１、第２薬液下バルブ２２、純水下バルブ２３、遮断板純水バルブ２７および窒素ガスバルブ２９などが制御対象として接続されている。制御装置５９は、予め定められたプログラムに従って、チャック回転駆動機構６、支持軸回転駆動機構１６、支持軸昇降駆動機構１７、遮断板昇降駆動機構３１、遮断板回転駆動機構３２およびカップ昇降駆動機構５５の動作を制御し、また、第１薬液下バルブ８、第２薬液下バルブ９、純水下バルブ１０、第１薬液上バルブ２１、第２薬液上バルブ２２、純水上バルブ２３、遮断板純水バルブ２７および窒素ガスバルブ２９の開閉を制御する。
【００４７】
図４は、この基板処理装置の洗浄処理時における動作を説明するための図である。処理対象のウエハＷの搬入前は、その搬入の妨げにならないように、上カップ３５が最下方位置に下げられることによって、上カップ３５の傾斜面５０Ｂがスピンチャック１によるウエハＷの保持位置の下方に位置している。また、遮断板２４は、スピンチャック１の上方の遮断板退避位置にあり、移動ノズル２は、スピンチャック１の側方の退避位置にある。
【００４８】
処理対象のウエハＷは、表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック１に保持される。ウエハＷがスピンチャック１に保持されると、まず、チャック回転駆動機構６が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１）。このときのウエハＷの回転速度は、たとえば、８００〜１０００ｒｐｍに設定される。また、カップ昇降駆動機構５５が制御されて、上カップ３５が、スピンチャック１によって回転されているウエハＷの端面に第１回収開口部５１を対向させる位置まで上昇される（ステップＳ２）。
【００４９】
次に、支持軸回転駆動機構１６および支持軸昇降駆動機構１７が制御されて、移動ノズル２が、退避位置からウエハＷの上方において第１薬液吐出口５６がウエハＷの回転中心に対向する位置に移動され、さらに、その第１薬液吐出口５６がウエハＷの表面に対して所定の近接距離Ｌ（図５参照）を隔てて近接する位置まで下降される（ステップＳ３）。
所定の近接距離Ｌは、図５に示すように、第１薬液吐出口５６（ノズル２の下面）からウエハＷの表面までの鉛直方向の距離であり、この実施形態では、１ｍｍ以上、かつ、このときウエハＷの端面に対向する第１回収開口部５１の上端縁（傾斜面４８Ｂの上端縁）とウエハＷの表面を含む平面との鉛直方向の間の距離Ｌ１以下に設定されている。
【００５０】
その後、第１薬液上バルブ２１が開成されて、第１薬液吐出口５６からウエハＷの表面の回転中心に第１薬液が供給される（ステップＳ４）。また、第１薬液下バルブ８が開成されて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面の回転中心に第１薬液が供給される（ステップＳ４）。ウエハＷの表面および裏面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方へ飛散し、このときウエハＷの端面に対向している第１回収開口部５１に飛入する。第１回収開口部５１に飛入した第１薬液は、回収溝３７に集められて、この回収溝３７に接続された回収ライン４４を通して、第１薬液を再利用可能に処理する回収処理設備に回収される。
【００５１】
第１薬液吐出口５６および裏面ノズル１１は、それぞれウエハＷの表面および裏面に対してほぼ垂直な方向に第１薬液を吐出するので、第１薬液吐出口５６および裏面ノズル１１から吐出される第１薬液の流速を遅くしても、第１薬液をウエハＷの表面および裏面の回転中心に入射させることができる。そして、第１薬液吐出口５６および裏面ノズル１１から吐出される第１薬液の流速を遅くすることにより、ウエハＷの表面および裏面に対する第１薬液の入射時に、第１薬液の飛び跳ね（１次の飛び跳ね）が発生するのを防止できる。第１薬液の入射時における飛び跳ねを防止するためには、第１薬液吐出口５６および裏面ノズル１１から吐出される第１薬液の流速を４ｍ／ｓｅｃ以下に設定するのが好ましい。
【００５２】
また、第１薬液吐出口５６および裏面ノズル１１からの第１薬液は、それぞれウエハＷの表面および裏面に対してほぼ垂直に入射し、ウエハＷの表裏面に沿う方向の速度成分を有していない。したがって、ウエハＷの表面および裏面の回転中心に供給された第１薬液は、それぞれ表面および裏面の中央部で円形状に拡がり、その後、ウエハＷの回転による遠心力によって、それぞれウエハＷの表面上および裏面上をほぼ一様な厚みを有する膜の状態で同心円状に拡がる。そのため、処理液をウエハＷの表面に対して斜めに入射させる従来構成とは異なり、ウエハＷの表面上および裏面上に第１薬液が厚く盛り上がることによる帯が形成されないので、そのような帯が挟持部材５で跳ねられることによる第１薬液の飛び跳ね（２次の飛び跳ね）を生じない。
【００５３】
このように、第１薬液の１次の飛び跳ねおよび２次の飛び跳ねを生じないので、このときウエハＷの端面に対向していない第２回収開口部５２および第３回収開口部５３に飛入するおそれがなく、それらの第２回収開口部５２および第３回収開口部５３によって回収される処理液への第１薬液の混入を生じるおそれがない。
第１薬液の供給が所定の第１薬液供給時間（たとえば、３０ｓｅｃ）にわたって続けられると、第１薬液上バルブ２１および第１薬液下バルブ８が閉じられる。その後、スピンチャック１によるウエハＷの回転が所定の振り切り時間（たとえば、２ｓｅｃ）だけ続けられる（ステップＳ５）。そして、ウエハＷの回転が一旦停止された後（ステップＳ６）、カップ昇降駆動機構５５が制御されて、上カップ３５が、スピンチャック１によって回転されているウエハＷの端面に廃液開口部５４が対向する位置まで下降される（ステップＳ７）。
【００５４】
その後、チャック回転駆動機構６が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が再開される（ステップＳ８）。また、支持軸回転駆動機構１６が制御されて、移動ノズル２が、純水吐出口５８をウエハＷの回転中心に対向させる位置に移動される（ステップＳ９）。そして、純水上バルブ２３が開成されて、純水吐出口５８からウエハＷの表面の回転中心に純水が供給される（ステップＳ１０）。また、純水下バルブ１０が開成されて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面の回転中心に純水が供給される（ステップＳ１０）。ウエハＷの表面および裏面に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。これにより、ウエハＷの表面および裏面に付着している第１薬液が純水によって洗い流される。ウエハＷの周縁から飛散する純水（ウエハＷから洗い流された第１薬液を含む。）は、このときウエハＷの端面に対向している開口部５４に飛入し、廃液溝３６に集められて、この廃液溝３６に接続された廃液ライン４３を通して廃液される。
【００５５】
この純水供給時においても、第１薬液供給時と同様に、純水の１次の飛び跳ねおよび２次の飛び跳ねを生じないので、このときウエハＷの端面に対向していない第１回収開口部５１、第２回収開口部５２および第３回収開口部５３への純水の飛入がなく、それらの第１回収開口部５１、第２回収開口部５２および第３回収開口部５３によって回収される処理液への純水の混入を生じるおそれがない。
【００５６】
純水の供給が所定の第１純水供給時間（たとえば、１０ｓｅｃ）にわたって続けられると、純水上バルブ２３および純水下バルブ１０が閉じられる。その後、スピンチャック１によるウエハＷの回転が所定の振り切り時間（たとえば、２ｓｅｃ）だけ続けられる（ステップＳ１１）。そして、ウエハＷの回転が一旦停止された後（ステップＳ１２）、カップ昇降駆動機構５５が制御されて、上カップ３５が、スピンチャック１によって回転されているウエハＷの端面に第２回収開口部５２を対向させる位置まで上昇される（ステップＳ１３）。
【００５７】
その後、チャック回転駆動機構６が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が再開される（ステップＳ１４）。また、支持軸回転駆動機構１６が制御されて、移動ノズル２が、第２薬液吐出口５７をウエハＷの回転中心に対向させる位置に移動される（ステップＳ１５）。そして、第２薬液上バルブ２２が開成されて、第２薬液吐出口５７からウエハＷの表面の回転中心に第２薬液が供給される（ステップＳ１６）。また、第２薬液下バルブ９が開成されて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面の回転中心に第２薬液が供給される（ステップＳ１６）。ウエハＷの表面および裏面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方へ飛散し、このときウエハＷの端面に対向している第２回収開口部５２に飛入する。第２回収開口部５２に飛入した第２薬液は、回収溝３８に集められて、この回収溝３８に接続された回収ライン４５を通して、第２薬液を再利用可能に処理する回収処理設備に回収される。
【００５８】
この第２薬液供給時においても、第１薬液供給時と同様に、第２薬液の１次の飛び跳ねおよび２次の飛び跳ねを生じないので、このときウエハＷの端面に対向していない第１回収開口部５１および第３回収開口部５３への第２薬液の飛入がなく、それらの第１回収開口部５１および第３回収開口部５３によって回収される処理液への第２薬液の混入を生じるおそれがない。
【００５９】
第２薬液の供給が所定の第２薬液供給時間（たとえば、３０ｓｅｃ）にわたって続けられると、第２薬液上バルブ２２および第２薬液下バルブ９が閉じられる。その後、スピンチャック１によるウエハＷの回転が所定の振り切り時間（たとえば、２ｓｅｃ）だけ続けられる（ステップＳ１７）。そして、ウエハＷの回転が一旦停止された後（ステップＳ１８）、カップ昇降駆動機構５１が制御されて、上カップ３５が、スピンチャック１によって回転されているウエハＷの端面に廃液開口部５４が対向する位置まで下降される（ステップＳ１９）。
【００６０】
その後、チャック回転駆動機構６が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が再開される（ステップＳ２０）。また、支持軸回転駆動機構１６が制御されて、移動ノズル２が、純水吐出口５８をウエハＷの回転中心に対向させる位置に移動される（ステップＳ２１）。そして、純水上バルブ２３が開成されて、純水吐出口５８からウエハＷの表面の回転中心に純水が供給される（ステップＳ２２）。また、純水下バルブ１０が開成されて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面の回転中心に純水が供給される（ステップＳ２３）。ウエハＷの表面および裏面に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。これにより、ウエハＷの表面および裏面に付着している第２薬液が純水によって洗い流される。ウエハＷの周縁から飛散する純水（ウエハＷから洗い流された第２薬液を含む。）は、このときウエハＷの端面に対向している開口部５４に飛入し、廃液溝３６に集められて、この廃液溝３６に接続された廃液ライン４３を通して廃液される。
【００６１】
純水の供給が所定の第２純水供給時間（たとえば、５ｓｅｃ）にわたって続けられ、ウエハＷの表面および裏面から第２薬液がある程度洗い流されると、純水上バルブ２３および純水下バルブ１０が閉じられる。そして、支持軸回転駆動機構１６および支持軸昇降駆動機構１７が制御されて、移動ノズル２が、ウエハＷの表面に近接する位置からウエハＷの上方に離れた位置に移動され、さらに、そのウエハＷの上方の位置から退避位置に移動される（ステップＳ２３）。この間、スピンチャック１によるウエハＷの回転は続けられている。
【００６２】
移動ノズル２が退避位置に移動されると、遮断板昇降駆動機構３１が制御されて、遮断板２４がウエハＷの表面に近接する遮断板近接位置まで下降される（ステップＳ２４）。また、遮断板回転駆動機構３２が制御されて、遮断板２４がウエハＷとほぼ同じ回転速度で回転される（ステップＳ２５）。このときのウエハＷの回転速度（遮断板２４の回転速度）は、たとえば、２００〜１０００ｒｐｍに設定されている。その後、遮断板純水バルブ２７が開かれて、遮断板純水ノズル２６から回転中のウエハＷの表面に純水が供給される（ステップＳ２６）。また、純水下バルブ１０が開成されて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面の回転中心に純水が供給される（ステップＳ２６）。さらに、窒素ガスバルブ２９が開かれて、窒素ガス流通路２８から遮断板２４とウエハＷとの間に窒素ガスが供給される（ステップＳ２７）。これにより、ウエハＷの表面が、窒素ガス雰囲気下において、遮断板純水ノズル２６からの純水によって水洗処理され、また、ウエハＷの裏面が、裏面ノズル１１からの純水によって水洗処理される。
【００６３】
純水の供給が所定の水洗処理時間（たとえば、３０ｓｅｃ）にわたって続けられると、遮断板純水バルブ２７および純水下バルブ１０が閉じられて、ウエハＷへの純水の供給が停止される。そして、チャック回転駆動機構６が制御されて、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、２５００ｒｐｍ）に上げられて、水洗処理後のウエハＷの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ２８）。この間、遮断板２４がウエハＷの表面に近接配置され、窒素ガス流通路２８から遮断板２４とウエハＷとの間に窒素ガスが供給し続けられている。これにより、ウエハＷの表面にウォーターマーク（乾燥跡）が発生するのを防止できる。スピンドライ処理が所定のスピンドライ処理時間にわたって行われると、チャック回転駆動機構６が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が停止される（ステップＳ２９）。また、窒素ガスバルブ２９が閉じられて、窒素ガス流通路２８からの窒素ガスの供給が停止される。そして、遮断板回転駆動機構３２が制御されて、遮断板２４の回転が停止され（ステップＳ３０）、その後、遮断板昇降駆動機構３１が制御されて、遮断板２４がウエハＷの上方の遮断板退避位置に上昇される（ステップＳ３１）。その後、処理済みのウエハＷがスピンチャック１から搬出されていく。
【００６４】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷに対する処理液（第１薬液、第２薬液および純水）の供給時に、処理液の１次および２次の飛び跳ねを生じないので、第１回収開口部５１および第２回収開口部５２にそれぞれ回収されるべき処理液に、その処理液と異なる種類の処理液が混入するおそれがない。よって、第１回収開口部５１および第２回収開口部５２を介して回収した処理液を再利用して、ウエハＷの表面および裏面に対して良好な洗浄処理を施すことができる。
【００６５】
なお、移動ノズル２に純水吐出口５８を設けずに、上述のステップＳ１０，Ｓ２２において、ウエハＷの表面に遮断板２４を近接させて、その遮断板２４に設けられた遮断板純水ノズル２６からウエハＷの表面に純水を供給することも考えられるが、そうした場合、ウエハＷの表面から洗い流される第１薬液または第２薬液が遮断板２４に付着し、遮断板２４の汚染を招くおそれがある。この実施形態では、上述のステップＳ１０，Ｓ２２において、移動ノズル２に設けられた純水吐出口５８からウエハＷの表面に純水が供給され、このとき遮断板２４は遮断板退避位置に退避しているので、純水によって洗い流される第１薬液または第２薬液による遮断板２４の汚染を招くおそれがない。
【００６６】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、第１薬液、第２薬液および純水を用いてウエハＷの表面および裏面を洗浄する場合の構成を例にとったが、第１薬液および第２薬液とは種類の異なる第３薬液をさらに追加して用いて、ウエハＷの表面および裏面を洗浄してもよい。この場合、移動ノズル２に第３薬液吐出口を設けて、ウエハＷに対する第３薬液の供給時には、その第３薬液吐出口をウエハＷの回転軸線上に配置し、第３薬液吐出口からウエハＷの表面の回転中心に対してほぼ垂直に第３薬液を供給することにより、第３薬液の１次および２次の飛び跳ねを防止することができる。また、ウエハＷの端面に第３回収開口部５３を対向させておくことにより、ウエハＷの周縁から側方に飛散する第３薬液を第３回収開口部５３によって回収することができる。
【００６７】
また、４種以上の薬液を用いてウエハＷの表面および裏面を洗浄してもよく、その場合、回収溝および傘状部材を追加して、その洗浄に用いた４種の薬液を分別して回収可能な構成にしてもよい。
さらにまた、上記の実施形態では、スピンチャック１に対して上カップ３５を昇降させることにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対して、第１回収開口部５１、第２回収開口部５２、第３回収開口部５３および廃液開口部５４を選択的に対向させる構成を例にとったが、上カップ３５に対してスピンチャック１を昇降させることにより、第１回収開口部５１、第２回収開口部５２、第３回収開口部５３および廃液開口部５４を選択的に対向させるようにしてもよい。
【００６８】
また、第１薬液吐出口５６、第２薬吐出口５７および純水吐出口５８は、アーム１２の揺動によって移動する移動ノズル２が描く円弧状軌跡に沿って配置されているとしたが、その円弧状軌跡に接する接線に沿って配置されていてもよい。
さらに、ウエハＷに対して洗浄処理を行う装置を例にとったが、この発明は、洗浄処理に限らず、たとえば、ウエハＷの表面から不要な薄膜をエッチング液を用いて除去するエッチング処理装置、ウエハＷの表面から不要なポリマー残渣をポリマー除去液を用いて除去するポリマー除去装置、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置、あるいはウエハＷの表面に現像液を供給してレジスト膜を現像する現像装置などに適用することもできる。
【００６９】
さらにまた、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図２】移動ノズルの底面図である。
【図３】この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】この基板処理装置の洗浄処理時における動作を説明するための図である。
【図５】基板の表面とこの基板の表面に近接した移動ノズルの吐出口との間の距離について説明するための図解図である。
【符号の説明】
【００７１】
１      スピンチャック
２      移動ノズル
１６    支持軸回転駆動機構
１７    支持軸昇降駆動機構
２４    遮断板
３３    多段回収カップ
３４    下カップ
３５    上カップ
５１    第１回収開口部
５２    第２回収開口部
５３    第３回収開口部
５４    廃液開口部
５５    カップ昇降駆動機構
５６    第１薬液吐出口
５７    第２薬液水吐出口
５８    純水吐出口
５９    制御装置
Ｗ      ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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