(57)【要約】【課題】  本発明は、支持基板から分離した集積回路等を含む層を容易に回収することができる処理用器具について提供することを課題とする。また、本発明は、処理に係る原料使用量を低減することのできるエッチング装置を提供することを課題とする。【解決手段】  本発明の処理用器具は、基部と、受止部とを有する。前記受止部は、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記処理用器具内部に設置されている。本発明のエッチング装置は、筐体と、前記筐体内に備えられた複数の処理用器具を有する。前記処理用器具は、基部と蓋部と受止部とを有し、前記受止部は、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている。そして、前記処理用器具ごとに原料を独立しての供給する制御手段を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、蓋部と、受止部とを有し、
前記受止部は、
被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項２】
基部と、蓋部と、受止部とを有し、
前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において、
前記受止部は、
被処理物を処理するときに、前記被処理物と前記受止部とが対向するように設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項３】
支持部が設けられた基部と、
蓋部と、
前記支持部に設置され、一部が前記基部の側板部に囲まれた内側に落ち込んだ受止部とを有し、
被処理物を処理するときに、前記被処理物は前記支持部上に、前記受止部と対向するように載置される
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項４】
複数の孔が設けられた前記受止部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の処理用器具。
【請求項５】
筐体内に設置された複数の処理用器具と
前記処理用器具ごとに原料を独立して供給する制御手段とを含み、
前記処理用器具は、
基部と、
蓋部と、
被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている受止部と
を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
筐体内に設置された複数の処理用器具と
前記処理用器具ごとに原料を独立して供給する制御手段とを含み、
前記処理用器具は、
基部と、
蓋部と、
被処理物を処理するときに前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において前記被処理物と対向するように設置されている受止部と
を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項７】
基部と、受止部と、固定部とを有し、
前記受止部は、
前記基部と前記固定部との間に被処理物の一部を挟むことによって前記被処理物を固定したときに、
被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項８】
基部と、受止部と、固定部とを有し、
前記受止部は、
前記基部と前記固定部との間に被処理物の一部を挟むことによって前記被処理物を固定したときに、
前記基部と前記被処理物とに囲まれた内部において、
被処理物を処理するときに、前記被処理物と前記受止部とが対向するように設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路等を含む層を支持基板から分離するために用いることのできる処理用器具とエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板上に形成された集積回路を利用したＩＣチップ製造技術の開発が進んでいる。このような技術においてガラス基板上に形成された集積回路は、形成後、支持基板であるガラス基板上から分離する必要がある。
【０００３】
そこで、支持基板上に集積回路を形成した後、その集積回路を支持基板から分離する技術が開発されている。例えば、特許文献１では、基板と集積回路との間に珪素等で形成された剥離層を設け、当該剥離層をフッ化ハロゲンを含む気体を用いてエッチングすることによって、集積回路を支持基板から剥離する技術について開示されている。
【０００４】
ところで、フッ化ハロゲンのうち、特に三フッ化塩素（ＣｌＦ3）は、ＣＶＤ装置のクリーニング用ガスとしてよく用いられている。しかし、ＣｌＦ3は非常に高価である。その為、例えば特許文献２では、反応室内に堆積した膜をＣｌＦ3によって除去するときにエッチング終点を検出することでクリーニング時間の最適化を図り、これによってＣｌＦ3の使用量を低減できるような半導体製造装置について開示されている。
【０００５】
このようなフッ化ハロゲン等の高価なガスの使用量を低減する技術の開発は、前述のような集積回路を支持基板から剥離する技術分野においても重要であり、これを実現するためのプロセス、処理装置等の開発が求められる。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２５４６８６号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、支持基板から分離した集積回路等を含む層を容易に回収することができる処理用器具について提供することを課題とする。また、本発明は、処理に係る原料使用量を低減することのできるエッチング装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の処理用器具は、基部と、受止部とを有する。前記受止部は、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記処理用器具内部に設置されている。
【０００９】
本発明の処理用器具は、基部と、蓋部と、受止部とを有する。前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において、前記受止部は、被処理物を処理するときに、前記被処理物と前記受止部とが対向するように設置されている。
【００１０】
本発明の処理用器具は、支持部が設けられた基部と、蓋部と、前記支持部に設置され、一部が前記基部の側板部に囲まれた内側に落ち込んだ受止部とを有する。そして、被処理物を処理するときに、前記被処理物は、前記支持部上に、前記受止部と対向するように載置される。
【００１１】
本発明の処理用器具は、基部と、被処理物とに囲まれた空間において、前記被処理物を処理することを特徴としている。
【００１２】
前記空間には、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、受止部が設置されていてもよい。
【００１３】
本発明の処理用器具は、基部と、被処理物を固定するための固定部とを有し、前記基部と前記固定部との間に前記被処理物を挟むように前記被処理物を固定したときに、前記基部と前記被処理物とによって密閉された空間が形成されるものである。
【００１４】
前記空間には、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、受止部が設置されていてもよい。
【００１５】
本発明のエッチング装置は、筐体と、前記筐体内に備えられた複数の処理用器具を有する。前記処理用器具は、基部と蓋部と受止部とを有し、前記受止部は、被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている。そして、前記処理用器具ごとに原料を独立しての供給する制御手段を備えている。
【００１６】
本発明のエッチング装置は、筐体と、前記筐体内に備えられた複数の処理用器具を有する。前記処理用器具は、基部と、蓋部と、受止部とを有する。前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において、前記受止部は、被処理物を処理するときに、前記被処理物と前記受止部とが対向するように設置されている。そして、前記処理用器具ごとに原料を独立しての供給する制御手段を備えている。
【００１７】
本発明のエッチング装置は、筐体と、前記筐体内に備えられた複数の処理用器具を有する。前記処理用器具は、支持部が設けられた基部と、蓋部と、前記支持部に設置され、一部が前記基部に囲まれた内側に落ち込んだ受止部とを有する。そして、被処理物を処理するときに、前記被処理物は、前記支持部上に、前記受止部と対向するように載置される。そして、前記処理用器具ごとに原料を独立しての供給する制御手段を備えている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によって、支持基板から分離した集積回路等を含む層を容易に回収できる処理用器具を得ることができ、例えばＩＣチップ等の製造工程における歩留まりを向上することができる。また、このような処理用器具を利用することによって、原料の使用量を抑制し、支持基板からの集積回路等の分離を効率よくすることができるエッチング装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の処理用器具の一態様について、図１を用いて説明する。
【００２１】
図１（Ａ）は、本発明のエッチング装置に備えられた処理用器具の上面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した処理用器具の切断線Ａ−Ａ’における断面図である。
【００２２】
処理用器具は、基部１０１と蓋部１０２とで構成されている。基部１０１は底板部とその外周部に沿って設けられた側板部とで構成されている。図１（Ｂ）に示すように、蓋部１０２は、側板部の頂部で嵌合する。本形態の処理用器具は、蓋部１０２と基部１０１の底板部と側板部によって囲まれる空間に受止部１０３が収納できる構造となっている。基部１０１の側板部には、凸状の爪若しくは段差構造が形成されており、そこに受止部１０３の端部が掛かることによって、基部１０１に受止部１０３を固定できるようになっている。受止部１０３はこの段差部で固定されることで、基部１０１の底板部には触れずに処理用器具の中に収納できる。なお、図１（Ａ）においては、他の部分の構成を示すために蓋部１０２の記載を省略している。
【００２３】
このように本形態では、基部１０１の一部を利用して、凸状の爪若しくは段差構造から成る支持部が設けられているが、これに限らず、基部１０１とは別に支持部を取り付けてもよい。
【００２４】
また、基部１０１に設けられた支持部上には、被処理物１１０を載置することができる。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）において被処理物１１０は破線で表されている。本形態では、受止部１０３を間に挟んで当該支持部上に被処理物１１０が載置される。また、本形態に示す処理用器具においては受止部１０３の一部は出張っており、当該出張った部分が基台１０１の内側に落ち込んでいる。これによって、被処理物１１０を載置したときに被処理物１１０の一部が受止部１０３と接することを防止できる。なお、本形態においては、受止部１０３の一部に凹部を設けているが、これに限らず、例えば、受止部１０３と被処理物１１０との間にスペーサとして機能する部材を設けることによって集積回路等形成部と受止部１０３との接触を防止してもよい。
【００２５】
被処理物１１０後を載置後、被処理物１１０の面側上方を覆うように、蓋部１０２が基部１０１に取り付けられる。
【００２６】
また、基部１０１には、原料を導入するための導入口１０４と、処理後不要になった原料を排出するための排出口１０５とが備えられている。
【００２７】
基部１０１と蓋部１０２とで構成される処理室内に、受止部１０３が設置され、さらに被処理物１１０が載置された後、導入口１０４から処理用器具内に原料が導入される。なお、受止部１０３には複数の孔が設けられており、導入された原料は当該複数の孔を通って処理用器具内に充填し、反応する。反応後、不要になった原料は、排出口１０５から放出される。なお、本形態では、複数の孔はメッシュ状に設けられている。
【００２８】
なお、本形態では、導入口１０４と排出口１０５とはそれぞれ３箇所ずつ設けられているが、これに限らず、１箇所若しくは２箇所、または４箇所以上設けられていてもよい。また、導入口１０４と排出口１０５の個数は必ずしも同じでなくてもよい。また、導入口１０４や排出口１０５の位置についても、図１（Ａ）、（Ｂ）に示したものには限定されず、適宜調節すればよい。
【００２９】
本発明の処理用器具には、原料の他、不活性気体等を導入してもよく、その為の導入口等が設けられていてもよい。また、この他の導入口または排出口が適宜設けられていてもよい。
【００３０】
以上のような処理用器具を用いることで、集積回路等を含む層を支持基板から分離することができる。また、分離したときに被処理物１１０から集積回路等が形成された層が落下しても、受止部１０３によって受け止め、その後処理用器具内から容易に回収することができる。なお、受止部１０３は、処理装置内に搬出入できる。従って、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ等の製造工程における歩留まりを向上することができる。
【００３１】
（実施の形態２）
図２は、図１に示した処理用器具が備えられた本発明のエッチング装置について説明する図である。実施の形態１で説明した本発明の処理用器具２０２ａ〜２０２ｅは筐体２０１内に複数収められている。そして、処理用器具２０２ａ〜２０２ｅには、原料を供給また排出するための配管が接続されている。
【００３２】
以上のような構成を有する本発明のエッチング装置に、原料供給手段２０３から原料が供給される。供給された原料は、エッチング装置内に設けられた処理用器具２０２ａ〜２０２ｅのそれぞれに分配され、供給される。そして、処理後、処理用器具２０２ａ〜２０２ｅから排出された原料は、精製機２０４に回収される。なお、各処理用器具の導入口手前にはバルブが設けられており、処理用器具ごとに独立して原料の供給が制御される。従って、供給する必要のない処理用器具には原料が供給されないようにバルブを閉じて、無駄に原料が使用されるのを防止することができ、効率よく処理できる。
【００３３】
なお、処理用器具２０２ａ〜２０２ｅと原料供給手段２０３、処理用器具２０２ａ〜２０２ｅと精製機２０４との間には、フィルターや流速計等が設けられていてもよい。また、処理用器具２０２ａ〜２０２ｅの各々に対し、減圧するための装置若しくは処理用器具内の温度を調節するための装置、又は不活性気体等の供給手段が接続されていてもよい。
【００３４】
精製機２０４に回収された原料は、精製後、再び本発明のエッチング装置に供給された後、各処理用器具に分配され、処理に利用される。この時、精製後の原料と未使用の原料とを混合してもよい。  このように、本形態では、原料を再利用できるシステムを備えているが、このようなシステムは任意に設ければいよい。また、原料の再利用をするための手段は本形態に示したような手段に限定されるものではない。また、必ずしも再利用した原料を用いなくても構わない。しかし、原料を再利用することによって、処理に係る原料費を低減でき、また資源の有効活用にも寄与することができる。
【００３５】
（実施の形態３）
本形態では、本発明のエッチング装置を利用して、集積回路を含む層を支持基板から分離してＩＣカード等の半導体装置を製造する製造方法の一態様について、図３（Ａ）、（Ｂ）、図４を用いて説明する。
【００３６】
図３（Ａ）、（Ｂ）は、被処理物の断面図である。図３（Ａ）に示すように、支持基板３０１上には剥離層３０２を有し、さらに剥離層３０２上には集積回路等を含む複数の層３０３ａ〜３０３ｅを有する。ここで層３０３ａ〜３０３ｅはそれぞれ独立して設けられており、それぞれの層の間からは剥離層３０２が露出している。層３０３ａ〜３０３ｅは、図３（Ｂ）に示すように、トランジスタ３１１や配線、その他の回路素子を有し、トランジスタ３１１を間に挟むように絶縁層３１３と絶縁層３１２とが設けられた構成となっている。また、剥離層３０２とトランジスタ３１１との間には絶縁層３１０が設けられている。
【００３７】
以上のような構成を有する被処理物を図１（Ａ）、（Ｂ）のような本発明の処理用器具内に載置する。このとき、図４に示すように、支持基板３０１にうち層３０３ａ〜３０３ｅが設けられている側の面（処理面）が受止部３３０と対向するようにする。なお受止部３３０は図１（Ａ）、（Ｂ）に記載の受止部１０３に対応する。
【００３８】
このように被処理物が載置された処理用器具を、図２に示すようにエッチング装置内の所定の位置に設置した後、原料供給手段からＣｌＦ3をエッチング装置に供給する。供給されたＣｌＦ3は処理用器具内に拡散して剥離層３０２と接し、珪素と反応する。ＣｌＦ3との反応によって珪素はエッチングされる。このようにして層３０３ａ〜３０３ｅを支持基板３０１から分離することができる。
【００３９】
集積回路等を含む分離された層３０３ａ〜３０３ｅは、支持基板から分離されたときに受止部３３０によって受け止められ、容易に回収することができる。また、本発明のエッチング装置を用いて処理しているため、原料であるＣｌＦ3の供給量も低減され、低コストである。
【００４０】
以上のように、本形態では、ＣｌＦ3を用いて剥離層３０２をエッチングすることによって、支持基板３０１から集積回路等を含む層３０３ａ〜３０３ｅを分離しているが、この他の気体または液体を用いても構わない。例えば特許文献１に記載されているような三フッ化臭素（ＢｒＦ3）若しくは一フッ化ヨウ素（ＩＦ）等の気体、又はＴＭＡＨ（Tetramethyl ammonium hydroxide）等の液体を用いても構わない。また、剥離層３０２についても、珪素に限定されるものではなく、その他の物質からなる層であってもよい。
【００４１】
また、集積回路等を含む層３０３ａ〜３０３ｅの構成についても特に限定はなく、トランジスタの３１１の他、記憶素子や、容量等の回路素子を適宜設けた構成とすればよい。また、トランジスタ３１１等の構造についても特に限定はない。
【００４２】
なお、処理用器具を構成する材料について特に限定はないが、本形態のように、ＣｌＦ3等の腐食性の強い原料を用いる場合、耐腐食性の高いステンレス鋼を用いたり表面を石英等でコーティングしたりすることが好ましい。
【００４３】
以上のようにして支持基板から分離された集積回路等を含む層３０３ａ〜３０３ｅは、ＩＣカード等に実装され、用いられる。そして、本発明を適用することによって、歩留まりが良く、低コストで製造された集積回路等を含む層を実装して得られたＩＣカード等の半導体装置は、製造に係るコストが低くなる。
【００４４】
（実施の形態４）
本形態では、図１（Ｂ）に示したものと異なる構成を有する本発明の処理用器具について、図５を用いて説明する。
【００４５】
図５に示した処理用器具には、図１（Ｂ）に示した処理用器具に備えられた受止部とは異なり、凸部（図５において破線４０６で囲まれている。）が設けられた受止部４０３が備えられている。その他、導入口４０４及び排出口４０５を有する基部４０１、蓋部４０２等は図１に示した導入口１０４及び排出口１０５を有する基部１０１、蓋部１０２と同様である。なお、本形態で説明する処理用器具の上面図は、図１（Ａ）と同様であるので記載を省略する。
【００４６】
凸部は被処理物４１０と対向する側に設けられており、支持基板から分離した集積回路等を含む層が複数あるときに受止部４０３上に落下した各層が混合することを防止できるように仕切るための機能を有する。そのため、集積回路等を含む層の回収がより容易になる。
【００４７】
（実施の形態５）
本形態では、図１（Ｂ）に示したものと異なる構成を有する本発明の処理用器具について、図６を用いて説明する。
【００４８】
図６に示した処理用器具は、基部５０１と固定部５０２と受止部５０３とを有し、基部５０１と固定部５０２との間に被処理物５１０を挟むようにして被処理物５１０を固定し、処理する装置である。
【００４９】
被処理物５１０を固定したときに、被処理物５１０と基部５０１とに囲まれた空間は密閉された領域となる。また、基部５０１には原料を導入する為の導入口５０４と処理後の原料を排出するための排出口５０５とが設けられている。
【００５０】
受止部５０３には複数の孔が設けられており、導入された原料は当該複数の孔を通って、被処理物５１０と基部５０１とに囲まれた空間を充填し、反応する。反応後、不要になった原料は、排出口５０５から放出される。なお、本形態では、複数の孔はメッシュ状に設けられている。
【００５１】
なお、基部５０１において、導入口５０４と排出口５０５とは、それぞれ複数設けられていてもよい。また、導入口５０４と排出口５０５の個数は必ずしも同じでなくてもよい。また、導入口５０４や排出口５０５の取付位置についても、適宜調節すればよい。
【００５２】
本発明の処理用器具には、原料の他、不活性気体等を導入してもよく、その為の導入口等が設けられていてもよい。また、この他の導入口または排出口が適宜設けられていてもよい。
【００５３】
以上のような処理用器具を用いることで、集積回路等を含む層を支持基板から分離することができる。また、分離したときに被処理物５１０から集積回路等が形成された層が落下しても、受止部５０３によって受け止め、その後処理用器具内から容易に回収することができる。従って、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ等の製造工程における歩留まりを向上することができる。
【００５４】
（実施の形態６）
本形態では、図１（Ｂ）に示したものと異なる構成を有する本発明の処理用器具について、図７を用いて説明する。
【００５５】
図７に示した処理用器具は、基部６０１の側壁の一部に、受取具６０３および被処理物６１０を基部６０１内へ搬出入するための搬出入口を備えている。さらに基部６０１には、処理に用いる原料を導入するための導入口６０４と、処理後に原料を排出するための排出口６０５が設けられている。本形態の処理用器具は、蓋部６０２と基部６０１の底板部と側板部によって囲まれる空間に受止部６０３が収納できる構造となっている。基部６０１の側板部には、凸状の爪若しくは段差構造が形成されており、そこに受止部６０３の端部が掛かることによって、基部６０１に受止部６０３を固定できるようになっている。受止部６０３はこの段差部で固定されることで、基部６０１の底板部には触れずに処理用器具の中に収納できる。なお、受止部６０３は、実施の形態１に示したものと同様であり、複数の孔がメッシュ状に設けられている。
【００５６】
基部６０１において、導入口６０４と排出口６０５とは、それぞれ複数設けられていてもよい。また、導入口６０４と排出口６０５の個数は必ずしも同じでなくてもよい。また、導入口６０４や排出口６０５の取付位置についても、適宜調節すればよい。
【００５７】
本発明の処理用器具には、原料の他、不活性気体等を導入してもよく、その為の導入口等が設けられていてもよい。また、この他の導入口または排出口が適宜設けられていてもよい。
【００５８】
以上のような処理用器具を用いることで、集積回路等を含む層を支持基板から分離することができる。また、分離したときに被処理物６１０から集積回路等が形成された層が落下しても、受止部６０３によって受け止め、その後処理用器具内から容易に回収することができる。従って、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ等の製造工程における歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の処理用器具について説明する図。
【図２】本発明のエッチング装置について説明する図。
【図３】本発明のエッチング装置によって処理される被処理物について説明する図。
【図４】本発明のエッチング装置を用いた処理工程について説明する図。
【図５】本発明の処理用器具について説明する図。
【図６】本発明の処理用器具について説明する図。
【図７】本発明の処理用器具について説明する図。
【符号の説明】
【００６０】
１０１  基部
１０２  蓋部
１０３  受止部
１０４  導入口
１０５  排出口
１１０  被処理物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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