(57)【要約】【課題】  限られた小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成でき、所望の大きさ及び位相の漏話補償成分を容易に形成して、広周波数帯域にわたってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるモジュラコネクタを提供する。【解決手段】  複数の導体層を有したプリント基板５と、コンタクトピン６と端子板８をプリント基板５の導体層上で電気的に接続する接続導体９とを備え、接続導体９が部分的に平行近接して誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、該平行近接部分を形成する接続導体に少なくとも平行又は垂直のいずれか一方に、且つ該平行近接部分の一部に隣接してプリント基板５よりも高透磁率の磁性体６を配置したモジュラコネクタ。【選択図】図１
2005340137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、
前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、
前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体を第１の導体層面において部分的に近接させて配置し、第１の導体層とは異なる第２の導体層において第１の接続導体面及び第２の接続導体面と平行、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするモジュラコネクタ。
【請求項２】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、
前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、
前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体を異なる導体層面において部分的に近接させて配置し、第１の接続導体面及び第２の接続導体面と垂直、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするモジュラコネクタ。
【請求項３】
前記高透磁率の磁性体は、前記近接部分において前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体の周囲に発生する磁束に沿う方向に配置したことを特徴とする請求項１または請求項２記載のモジュラコネクタ。
【請求項４】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、
前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、
第１の接続導体及び第２の接続導体が存在する導体層とは異なる導体層において第１の接続導体面及び第２の接続導体面と平行に配置するとともに、該第１の接続導体面及び該第２の接続導体面と垂直にも配置し、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするモジュラコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として情報通信に使用する高速伝送用のモジュラコネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報通信に使用する高周波伝送用のモジュラコネクタ１として、例えば図１２に示すようなものがある。このモジュラコネクタ１は、モジュラプラグの接触子に弾接する８本のコンタクトピン６と、モジュラプラグ（図示せず）が挿入されるプラグ挿入口２が設けられたハウジング３と、ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４と、端子台４の下部に配設されたプリント基板５と、備え、コンタクトピン６はプリント基板５に接続されている。ここで、コンタクトピン６はプラグ挿入口２内部の奥における下部に載置されたプリント基板５から下向きに延び前方へ曲がってプラグ挿入口２の下部を通過して上向きにＵ字状に曲がりプラグ挿入口２内部の入り口付近からプラグ挿入口２の奥に向かって上向きに互いに平行に延びた構造である。
【０００３】
モジュラコネクタ１と組み合わせて使用するモジュラプラグは複数の伝送線路が互いに接近して平行に並べられている（以降、伝送対と呼称）という構造上、回線間の静電容量不平衡（以降、容量性結合と呼称）及び相互誘導（以降、誘導性結合と呼称）によって回線を伝送する信号中に漏話成分が発生しやすい。そこで、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話補償成分をモジュラコネクタにおいて意図的に発生させることが考えられる。具体的には、伝送線路間に容量性結合又は誘導性結合を発生させる構成をモジュラコネクタに組込むという手法が採用されている。ここで漏話成分は大きさと位相で定義される電気信号成分であり、その特性は周波数に依存する。漏話成分には信号の伝播方向に現れる遠端漏話成分（以降、FEXTと略称）と、その反対方向に現れる近端漏話成分（以降、NEXTと略称）とがある。
【０００４】
また、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話補償成分を意図的に発生させているモジュラコネクタとして、特開２００３−０８６３０５号公報に記載するものがある（特許文献１）。このものは、導電路間に誘導性結合及び容量性結合を発生させて特定の導電路間の漏話を減少させることができるようにしたものである。
【特許文献１】特開２００３−０８６３０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した導電路間に設けられる誘導性結合及び容量性結合は、限られた面積のプリント基板上で行うために、モジュラプラグの漏話特性に対して所定の周波数帯域の大きさと位相を十分にコントロールできない場合がある。
【０００６】
本発明は、かかる事由に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、限られた小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成でき、所望の大きさ及び位相の漏話補償成分を容易に形成して、広周波数帯域にわたってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるモジュラコネクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載のモジュラコネクタは、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体を第１の導体層面において部分的に近接させて配置し、第１の導体層とは異なる第２の導体層において第１の接続導体面及び第２の接続導体面と平行、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項２記載のモジュラコネクタは、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体を異なる導体層面において部分的に近接させて配置し、第１の接続導体面及び第２の接続導体面と垂直、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項３記載のモジュラコネクタは、請求項１及び請求項２記載のモジュラコネクタクにおいて、前記高透磁率の磁性体は、前記近接部分において前記第１の伝送対の第１の接続導体と前記第２の伝送対の第１の接続導体の周囲に発生する磁束に沿う方向に配置したことを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項４記載のモジュラコネクタは、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、複数の導体層を有したプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板をプリント基板の導体層上で電気的に接続する接続導体とを備え、前記接続導体は、チップ導体側に接続される接続導体とリング導体側に接続される接続導体との２本で１対の伝送対を複数有し、第１の伝送対の一方の接続導体と該第１の伝送対とは異なる第２の伝送対の一方の接続導体とを平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、第１の接続導体及び第２の接続導体が存在する導体層とは異なる導体層において第１の接続導体面及び第２の接続導体面と平行に配置するとともに、該第１の接続導体面及び該第２の接続導体面と垂直にも配置し、且つ該近接部分の一部に隣接して前記プリント基板よりも高透磁率の磁性体を配置したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本願発明のモジュラコネクタにおいては、限られた小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成でき、所望の大きさ及び位相の漏話補償成分を容易に形成して、広周波数帯域にわたってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１実施形態）
第１の実施形態を図１乃至図７に基づいて説明する。
【００１３】
このモジュラコネクタ１は８極８心用であって、図１又は図２に示すようにモジュラプラグ（図示せず）を挿入するプラグ挿入口２が開口するハウジング３を備えている。ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４が設けられていて、端子台４の下部にはプリント基板５が配設されている。
【００１４】
プラグ挿入口２の内部には、モジュラプラグの接触子（図示せず）に弾接する４対のコンタクトピン６を備えている。コンタクトピン６は、図２乃至図３に示すようにプラグ挿入口２の背面側のプリント基板５上に設けられたコンタクトピン支持部７に支持されている。端子台４にはコンタクトピン６と１対１対応した８個の端子板８が立設されている。
【００１５】
プリント基板５は、図７に示すように４層の導体層からなり、プリント基板の表面１０及び裏面１３とプリント基板の内部に設けられた内層面１１、１２とからなる。そして、プリント基板５には、図５に示すように、各コンタクトピン６と電気的に接続された第１のビアホール１４と、各端子板８と電気的に接続された第２のビアホール１５とが設けられている。また、プリント基板５は、第１のビアホール１４と対応する第２のビアホール１５とを電気的に接続する接続導体９が導体パターンによって形成されている。そして、プリント基板５は、望ましくない誘導性結合の発生を抑制するため接続導体９は内層面１１と内層面１２とに分けて形成されている。
【００１６】
以下において、コンタクトピン６、接続導体９、第１のビアホール１４、第２のビアホール１５の電気的に接続されたものについてはそれぞれ同じ符号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈを番号の後に付すものとする。ここで、番号の後に付した符号においては、ａとｂ、ｃとｆ、ｄとｅ、ｇとｈが夫々伝送対を構成している。
【００１７】
コンタクトピン６は、図１乃至図４に示すように、コンタクトピン６のうちチップ導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇは支持部７に支持され支持部７から２mm程度後方において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール１４ａ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｇに固定され、支持部７より開口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。また、コンタクトピン６のうちリング導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ｂ、６ｄ、６ｆ、６ｈはコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇより低い位置で支持部７に支持され支持部７近傍において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール１４ｂ、１４ｄ、１４ｆ、１４ｈに固定され、支持部７より開口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。従って、ビアホール１４はプリント基板表面及び裏面から見て千鳥状の配置になっており、チップ導体に対応するビアホール１４ａ、１４ｃ、１４ｅ、１４ｇとリング導体に対応するビアホール１４ｂ、１４ｄ、１４ｆ、１４ｈとが前後に離されている。
次に、漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｃ、９ｆのうちの９ｆを第１の伝送対の第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｈを第２の伝送対の第１の接続導体として、この関係を基に説明する。ここで、図５は、第１実施形態に用いるプリント基板５の内層面１１を表面１０側から透視した場合の平面図である。図６は、第１実施形態に用いるプリント基板５の内層面１２を表面１０側から透視した場合の平面図である。図７は、第１実施形態に用いるプリント基板５をＡ−Ａで切断した場合の断面図である。
【００１８】
接続導体９ｆ、９ｈは、コンタクトピン６ｆ、６ｈを介してモジュラプラグのリング導体側に接続されている。接続導体９ｃ、９ｇは、コンタクトピン６ｃ、６ｇを介してモジュラプラグのチップ導体側に接続されている
接続導体９ｆは、図５に示すように、内層面１１においてビアホール１４ｆからビアホール１４ｅと１４ｇの間を通ってビアホール１５ｆに接続されている。接続導体９ｈは、図５に示すように、内層面１１においてビアホール１４ｈからビアホール１４ｇの近傍を通って、その後折り返されてビアホール１５ｄ、１５ｇの近傍を通ってビアホール１５ｈに接続されている。
【００１９】
このように接続導体９ｆ、９ｈを配置すれば、図５に示すように互いに平行して近接している部分おいて誘導性結合（漏話補償成分）を生じさせることができ、接続導体９ｆと接続導体９ｇに対応するモジュラプラグにおける接触子で発生した漏話成分を補償することができる。なお、接続導体９ｆ、９ｈが平行している距離や隣接間距離を変えることによって、多少、誘導性結合の量を変化させることが可能である。
【００２０】
さらに、本実施形態のモジュラコネクタのプリント基板５においては、接続導体９ｆ、９ｈの平行して近接している部分に隣接して、且つ該近接部分を覆うようにプリント基板５の透磁率よりも高い透磁率を有する磁性体１６（図５、図７の斜線で示されている部分）を設けている。この磁性体１６は、例えば純鉄、珪素鋼、パーマロイ、アモルファス、フェライト等からなり、図７に示すように、プリント基板５の表面に形成されて接続導体９ｆの導体面、９ｈの導体面と平行に配置される。ここで、導体面とは接続導体９の導体層面に沿った面のことをいう。また、磁性体１６は接続導体９ｆ、９ｈの導体面を覆う形状となっている。ここで、磁性体１６は、プリント基板５の表面１０に磁性材料の層を作成したり、磁性材料を塗布する等で実現することができる。なお、磁性体１６は接続導体９ｆ、９ｈが平行して近接している部分の全部に必ずしも設ける必要はなく、平行して近接している部分を覆う面積や磁性特性（透磁率等）を変えることによって誘導性結合の量を変化させることが可能である。
【００２１】
従って、接続導体９ｆ、９ｈが平行している距離や隣接間距離を変えるのみならず、接続導体９ｆ、９ｈが平行している部分を高い透磁率を有する磁性体１６で覆うことによって、限られた小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成でき、所望の大きさ及び位相の漏話補償成分を容易に形成して、広周波数帯域にわたってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができる。
【００２２】
また、磁性体１６は、必ずしも接続導体９ｆと接続導体９ｈの平行近接部分の一部を覆う必要はなく、該平行近接部分の周囲において発生する磁束の流れに沿うように配置すれば、誘導性結合の量を効果的に増加させることができる。さらに、例えば磁性体１６が、接続導体９ｆと接続導体９ｈの中心を通る面に対して対称になるように、内層面１２上にもう１つ磁性体１６を設けるようにしてもよい。
（第２実施形態）
第２実施形態のモジュラコネクタを図８〜図１０に基づいて説明する。ここで、図８は、第２実施形態に用いるプリント基板５の内層面１１を表面１０側から透視した場合の平面図である。図９は、第２実施形態に用いるプリント基板５の内層面１２を表面１０側から透視した場合の平面図である。図１０は、第２実施形態に用いるプリント基板５をＢ−Ｂで切断した場合の断面図である。
【００２３】
この実施形態のものは、前述した第１実施形態とは磁性体１６の配置のみを代えたものであり、それら以外の構成要素は第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００２４】
漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｃ、９ｆのうちの９ｃを第１の伝送対の第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｅを第２の伝送対の第１の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００２５】
接続導体９ｃは、図８に示すように、内層面１１においてビアホール１４ｃからビアホール１５ｃに接続されており、接続導体９ｅは、図９に示すように、ビアホール１４ｅからのビアホール１５ｅに接続されている。
【００２６】
また、接続導体９ｃ、９ｅは、図１０に示すように内層面１１と内層面１２において、導体層面と垂直な方向に重なるとともに、導体層に沿って平行して近接に配置されており、この近接部分において誘導性結合を生成している。これにより、接続導体９ｃと接続導体９ｄに対応するモジュラプラグにおける接触子で発生した漏話成分を補償することができる。なお、接続導体９ｃ、９ｅが平行している距離や隣接間距離を変えることによって、多少、誘導性結合の量を変化させることが可能である。
【００２７】
さらに、本実施形態のモジュラコネクタのプリント基板５においては、接続導体９ｃ、９ｅの平行して近接している部分を接続導体の側面から覆うように、プリント基板５の透磁率よりも高い透磁率を有する磁性体１６（図８〜図１０の斜線で示されている部分）を設けている。ここで、接続導体の側面とは、接続導体の導体面に対して垂直な接続導体の面をいう。
【００２８】
この磁性体１６は、図１０に示すように、プリント基板５の内部に形成されて接続導体９ｃ、９ｅの導体面と垂直に、且つ接続導体９ｃ、９ｅの端部に近接して配置される。また、磁性体１６は接続導体９ｃ、９ｅの端部を覆う形状となっている。ここで、磁性体１６は、プリント基板５内部に空隙を空けてその中に磁性材料を埋設する等で実現することができる。なお、磁性体１６は接続導体９ｃ、９ｅの平行して近接している部分の全部に必ずしも設ける必要はなく、平行して近接している部分を覆う面積や磁性特性（透磁率等）を変えることによって誘導性結合の量を変化させることが可能である。
【００２９】
従って、接続導体９ｃ、９ｅが平行している距離や隣接間距離を変えるのみならず、接続導体９ｃ、９ｅが平行している部分を高い透磁率を有する磁性体１６で覆うことによって、限られた小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成でき、所望の大きさ及び位相の漏話補償成分を容易に形成して、広周波数帯域にわたってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができる。
また、磁性体１６は、必ずしも接続導体９ｃと接続導体９ｅの平行近接部分の一部を覆う必要はなく、該平行近接部分の周囲において発生する磁束の流れに沿うように配置すれば、誘導性結合の量を効果的に増加させることができる。さらに、例えば磁性体１６が、接続導体９ｃと接続導体９ｅの中心を通る面に対して対称になるように、プリント基板５内部にもう１つ磁性体１６を設けるようにしてもよい。
【００３０】
なお、図１１に示すように、第１実施形態の導体層面に平行な磁性体１６と、第２実施形態の導体層面に垂直な磁性体１６を組み合わせて、プリント基板５に設けてもよい。これにより、更に小さな空間であっても大きな漏話補償成分が形成することが可能となる。ここでは、同一の導体層上にある接続導体９ｆと接続導体９ｈを例にあげているが、異なる導体層上の接続導体９ｃと接続導体９ｅにも適用可能である。また、接続導体９ｆと接続導体９ｈの平行近接部分の周囲において発生する磁束の流れに沿うように配置すれば、さらに誘導性結合の量を効果的に増加させることができる。ここで、平行近接部分を形成する接続導体９は、第２実施形態のように導体層面と垂直な方向に重なるものであってもよい。
【００３１】
また、上述した実施形態においては、４層の導体層からなるプリント基板５について説明したが、例えば表裏の２層の導体層からなるプリント基板５においても、表裏導体面の接続導体９の上に、磁性材料の層あるいは磁性材料の粉末を塗布することで、同様の効果を持たせることが可能である。
【００３２】
また、上述した実施形態において、誘導性結合を生じさせる第１の伝送対の第１の接続導体と第２の伝送対の第１の接続導体の組み合わせは、現に第１実施形態や第２実施形態に記載した組み合わせでなくてもよく、モジュラプラグの特性と従来の漏話補償とを組み合わせて漏話補償が最適になるように適宜決めればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態を示す一部破断した平面図である。
【図２】同上の側面断面図である。
【図３】同上の要部の側面図である。
【図４】同上の要部の平面図である。
【図５】同上に用いるプリント基板の内層面をプリント基板表面側から透視した平面図である。
【図６】同上に用いるプリント基板の別の内層面をプリント基板表面側から透視した平面図である。
【図７】同上に用いるプリント基板をＡ−Ａ断面で切断した場合の断面図である。
【図８】第２実施形態に用いるプリント基板の内層面をプリント基板表面側から透視した平面図である。
【図９】同上に用いるプリント基板の別の内層面をプリント基板表面側から透視した平面図である。
【図１０】同上に用いるプリント基板をＢ−Ｂ断面で切断した場合の断面図である。
【図１１】第１実施形態及び第２実施形態の組み合わせ例を示すプリント基板の断面図である。
【図１２】従来例の側面断面図である
【符号の説明】
【００３４】
１      モジュラコネクタ
２      プラグ挿入口
３      ハウジング
４      端子台
５      プリント基板
６      コンタクトピン
７      支持部
８      端子板
９      接続導体
１６    磁性体
【図１】
2005340137.tif 000003
【図２】
2005340137.tif 000004
【図３】
2005340137.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005340137.tif 000007
【図６】
2005340137.tif 000008
【図７】
2005340137.tif 000009
【図８】
2005340137.tif 000010
【図９】
2005340137.tif 000011
【図１０】
2005340137.tif 000012
【図１１】
2005340137.tif 000013
【図１２】
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