(57)【要約】  【課題】  電流集中によるリードフレーム内のめっき厚ばらつきの小さい半導体装置の外装めっき方法を提供する。  【解決手段】  リードフレーム９内に格子状に配置されている複数の半導体装置１２の外装めっき方法において、前記半導体装置１２が露出する開口部３を有する絶縁物２が前記リードフレーム９の両面に形成されており、前記開口部３の面積がリードフレーム９内の半導体装置１２の配置位置によって異なる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム内に格子状に配置されている複数の半導体装置の外装めっき方法において、前記半導体装置が露出する開口部を有する絶縁物が前記リードフレームの両面に形成されており、前記開口部の面積がリードフレーム内の半導体装置の配置位置によって異なることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記リードフレームが短冊状であることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記リードフレームがフープ状であることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記絶縁物が液体の感光性レジストの光硬化反応によって形成されていることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記絶縁物がフィルム状の感光性レジストシートの光硬化反応によって形成されていることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記絶縁物が熱硬化性樹脂の熱硬化反応によって形成されていることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記絶縁物が熱可塑性樹脂によって形成されていることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法において、前記絶縁物が樹脂フィルムであり、粘着剤を介してリードフレーム上に形成されていることを特徴とする半導体装置の外装めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリードフレーム内に格子状に配置されている複数の半導体装置の外装めっき方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な半導体装置は、図４に示すように、リードフレーム９上に半導体チップ８を載置し、半導体チップ８の電極パッド（図示せず）とインナーリード１０とを金属細線１１で接続される。その後、樹脂モールド５での封止、外部リード４の外装めっきがリードフレーム単位で行われた後、捺印、リード加工、特性検査等を経て製品化される。
【０００３】
図５に外装めっき前リードフレーム１を示す。外装めっきは、複数の半導体装置１２が格子状に配置されたリードフレームを陰極とし、所望する金属電極を陽極として電解めっきによって実施される。
【０００４】
しかし、この方法は、本来外装めっきが必要な外部リード４以外のリードフレーム９にも外装めっきの金属が析出するため、高価な金属を含む外装めっきの場合には、製造原価を上げる原因となる。また、電解めっきでは、流れた電流と当量のめっきが析出するため、電流集中の起こりやすいリードフレームの四隅においてめっき厚が大きく、リードフレームの内部でめっき厚が小さくなり、リードフレーム内のめっき厚ばらつきが大きいと言う問題があった。
【０００５】
これに対し、内装めっきの例ではあるが、感光性レジストを用いてリードフレームを被覆し、その感光性レジストに設けた開口部に貴金属めっきを行う部分めっき方法（特許文献１参照）が開示されている。
【特許文献１】特開平９−６４２６４号公報（第２〜５頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の部分めっき方法は、めっきの必要でない部分に金属が析出する問題は解決されるが、リードフレームの四隅への電流集中によるリードフレーム内のめっき厚ばらつきに関しては解決されていない。このため、複数の半導体装置を短冊状のリードフレームに配置、又はフープ状のリードフレームに配置する際に、その配置数を増やして原価低減を図ることが困難であった。
【０００７】
本発明の課題は、電流集中によるリードフレーム内のめっき厚ばらつきの小さい半導体装置の外装めっき方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１記載の半導体装置の外装めっき方法は、リードフレーム内に格子状に配置されている複数の半導体装置の外装めっき方法において、前記半導体装置が露出する開口部を有する絶縁物が前記リードフレームの両面に形成されており、前記開口部の面積がリードフレーム内の半導体装置の配置位置によって異なる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置の外装めっき方法によれば、半導体装置が露出する開口部を有する絶縁物が前記リードフレームの両面に形成されており、前記開口部の面積が前記リードフレーム内の半導体装置の配置位置によって異なるため、電流集中によるリードフレーム内のめっき厚ばらつきが小さいという優れた産業上の効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照し、従来例と同一物には同一の符号を用いて説明する。
【００１１】
本発明の実施形態である半導体装置の外装めっき方法は、図１及びそのＸ−Ｘ要部断面図である図２に示すように、半導体装置１２が露出する開口部３を有する絶縁物２が前記リードフレーム９の両面に形成されており、前記開口部３の面積がリードフレーム９内の半導体装置１２の配置位置によって異なる。
【００１２】
図１の例では、最も電流集中の起こりやすいリードフレーム９の四隅に位置する半導体装置（記号Ａで表示）の露出する絶縁物２の開口部３が最も大きい面積で、次に電流集中の起こりやすいリードフレーム９の辺に位置する半導体装置（記号Ｂで表示）の露出する前記開口部３が次に大きい面積で、最後に最も電流集中の起こりにくいリードフレーム９の内部に位置する半導体装置（記号Ｃで表示）の露出する前記開口部３が最も小さい面積で開口している。
【００１３】
この外装めっき前リードフレームを陰極とし所望する金属電極を陽極として、従来技術を用いて外装めっきを実施すると、電流集中の起こり易さを開口部の面積によって補うため電流密度をほぼ一定にすることができ、リードフレーム内のめっき厚ばらつきを小さくできる。
【００１４】
上記例では開口部面積を３段階に区分しているがそれに限られるものではなく、リードフレームを半導体素子サイズ以下のメッシュに分割し、各メッシュ内の電流値シミュレーションで得られためっき厚と、許容されるめっき厚ばらつきとを比較して区分数を決定する。
【００１５】
開口部３は必ずしも矩形である必要はなく、図３に記号Ｙで示したリードフレームの四隅に配置された半導体装置（記号Ａ’で表示）の露出する開口部３の頂点が斜めに突出した形状でも良く、また、図示しないが、電流集中の起こりやすい部分に任意形状の突出開口部や島状の開口部を設けても良い。
【００１６】
また、上記例は短冊状のリードフレームの例を用いて説明したが、フープ状のリードフレームであっても良く、その場合はリードフレームの幅方向について開口部面積の区分を行うことで同様の効果が得られる。
【００１７】
前記絶縁物は、液体又はフィルム状の感光性レジストの光硬化反応によって形成すると複雑なパターンにも容易に対応が可能である。また、マスクを用いて局部的に熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を形成する方法は、コスト的に有利な方法である。さらに、樹脂フィルムを粘着剤を介して貼り付ける方法は、耐薬品性に優れたポリイミドや液晶ポリマ等を自由に選定できる利点があるため、強酸、強アルカリのめっき浴にも適用可能である。
【００１８】
外装めっきは、半田めっき、ニッケルめっき、錫めっき、ＳｎＢｉ等の鉛フリーめっきに適用可能であるがそれに限られるものではなく、電解めっきであればめっき電流に比例して当量のめっき金属が析出するため本発明が適用可能である。
【００１９】
本発明によれば、半導体装置が露出する開口部を有する絶縁物がリードフレームの両面に形成されており、前記開口部の面積が前記リードフレーム内の半導体装置の配置位置によって異なるため、電流集中によるリードフレーム内のめっき厚ばらつきを小さくできる。
【００２０】
尚、本発明の半導体装置の外装めっき方法は、上記の実施例に限定されるものではなく、半導体装置が露出する開口部を有する絶縁物がリードフレームの両面に形成されており、前記開口部の面積が前記リードフレーム内の半導体装置の配置位置によって異なるものであれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態を示す平面図。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面を示す要部断面図。
【図３】本発明の別の実施形態を示す平面図。
【図４】半導体装置の製造方法を説明する平面図。
【図５】従来の実施形態を示す平面図。
【符号の説明】
【００２２】
１  外装めっき前リードフレーム
２  絶縁物
３  開口部
４  外部リード
５  樹脂モールド
６  位置決め穴
７  送り穴
８  半導体チップ
９  リードフレーム
１０  内部リード
１１  金属細線
１２  半導体装置
Ａ  リードフレームの四隅に位置する半導体装置
Ａ’  リードフレームの四隅に位置する半導体装置
Ｂ  リードフレームの辺に位置する半導体装置
Ｃ  リードフレームの内部に位置する半導体装置
Ｙ  リードフレーム四隅の開口部の突出した形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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