(57)【要約】【課題】多層に設けられた導電層間のビアホール用孔部の形成および導通化処理のプロセスを簡略化し、製造コストの低減、配線の高密度化、テープキャリアの薄型化を可能とする。【解決手段】少なくとも３層の導電層を有するテープ材に対して、その外側の導電層から絶縁層を貫通して内側の導電層へ達する有底のビアホール用孔部をテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成し、それらの各孔部の内周面及び底面に、上記外側と内側の導電層間を互いに電気的に接続する導通化めっきをテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して少なくとも３層の導電層が積層されたテープ材に対して、その外側の導電層から上記絶縁層を貫通して内側の導電層へ達する有底のビアホール用孔部がテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成され、それらの各孔部の内周面及び底面に上記外側と内側の導電層を互いに電気的に接続する導通化めっき層が表裏両面からそれぞれ同時に形成されたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
表裏両側の外側の導電層から内側の導電層の表裏の同位置へ向けて上記有底のビアホール用孔部が形成されたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアをさらに複数枚積層したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
絶縁層を介して少なくとも３層の導電層が積層されたテープ材を作製する工程と、
上記テープ材に対して、その外側の導電層から絶縁層を貫通して内側の導電層へ達する有底のビアホール用孔部をテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成する工程と、
それらの各孔部の内周面及び底面に、上記外側と内側の導電層間を互いに電気的に接続する導通化めっき層を表裏両面からそれぞれ同時に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記テープ材の作製工程において上記外側の導電層を導電性の薄膜として形成し、上記導通化めっき層を形成する工程において当該めっきにより導電層として必要な厚さに形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法に係り、特に、３層もしくはそれ以上の導電層を有する多層ＴＡＢテープ等の半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子実装技術の１つにＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式がある。この方式は、絶縁性のフィルムから成るテープ上に銅配線パターンを形成したテープキャリアのリードと半導体素子の電極を直接的に接続する方法であり、ワイヤボンディング方式に比べて狭ピッチ接続やＩＣパッケージの小型・薄型化に最適であるため、今日広く用いられている。
【０００３】
この種の半導体装置用テープキャリアにおいて、３層以上の導電層（配線層）を有するものの製造は、従来多くのプロセスを必要とし、コスト高になる等の問題があった。
【０００４】
即ち、従来のプリント配線板において導電層を３層有するものの回路形成方法は、例えば図３に示す如く、絶縁層３を間にして片面に第１導電層１を、他面に第２導電層２’を持つ積層基板Ａに、片面の第２導電層２’と絶縁層３とを貫通するが、他面の第１導電層１を貫通しない有底のビアホール用孔部４を形成し（図３の（ａ））、次に孔部４の内面と第２導電層２’面上にだけめっきをした後、第２導電層２’と上面のめっき膜５、および第１導電層１を各々エッチングして、両面に各々回路６、７をもつプリント配線板を形成する（図３の（ｂ））。次いで、上記の如くして作製したプリント配線板上に、第２絶縁層８と第３導電層９を積層し、上記と同様の有底の第２の孔部１０を形成し、第３導電層９側だけにめっきを施した後にエッチングをして、新たな回路１２を形成する（図３の（ｃ））。このようにして３層の導電層１、２’、９を有するプリント配線板を作製する従来の回路形成方法は、下記特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平９−４６０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
導電層を３層設ける製造方法における前記従来技術の問題点は、第１に、層間導通用孔部の形成方法が、第１導電層と第２導電層とを導電するための孔部を設けるプロセスと、第２導電層と第３導電層とを導電するための孔部を設けるプロセスとを各々別々に行わければならないことである。
【０００６】
また第２には、第１導電層と第３導電層の導電化を図ろうとする場合、厚さ方向に重ねてビアホール用孔部を設けることが不可能であるため、配線の高密度化に不利となることである。また、これを解消する手段として、第１導電層と第３導電層を直接導通させる導電層間導電用孔部を設けることも不可能では無いが、第１の問題をさらに複雑化する。
【０００７】
本発明の目的は、上記問題点を改善すること、即ち、多層に設けられた導電層間の導電用孔部の形成および導通化処理のプロセスを簡略化し、製造コストの低減化を図ると共に、配線の高密度化およびテープキャリアの薄型化が可能な半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００９】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、絶縁層を介して少なくとも３層の導電層が積層されたテープ材に対して、その外側の導電層から上記絶縁層を貫通して内側の導電層へ達する有底のビアホール用孔部がテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成され、それらの各孔部の内周面及び底面に上記外側と内側の導電層を互いに電気的に接続する導通化めっき層が表裏両面からそれぞれ同時に形成されたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、表裏両側の外側の導電層から内側の導電層の表裏の同位置へ向けて上記有底のビアホール用孔部が形成されたことを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアをさらに複数枚積層したことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁層を介して少なくとも３層の導電層が積層されたテープ材を作製する工程と、上記テープ材に対して、その外側の導電層から絶縁層を貫通して内側の導電層へ達する有底のビアホール用孔部をテープ材の表裏両面からそれぞれ同時に形成する工程と、それらの各孔部の内周面及び底面に、上記外側と内側の導電層間を互いに電気的に接続する導通化めっき層を表裏両面からそれぞれ同時に形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記テープ材の作製工程において上記外側の導電層を導電性の薄膜として形成し、上記導通化めっき層を形成する工程において当該めっきにより導電層として必要な厚さに形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア、並びに、請求項４に記載の当該テープキャリアの製造方法によれば、導電層間導電用孔部（ビアホール用孔部）を第２導電層に対して、第１導電層側からと第３導電層側から同時に設けることにより、導電層間導電用孔部を設けるプロセスを簡略化することができる。また、上記外側と内側の導電層を互いに電気的に接続するための導通化めっき処理も表裏両面から同時に行うことにより、プロセスの一層の簡略化を図ることができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、第２導電層の同位置を挟むように導電層間導電用孔部を設けるため、第１導電層と第３導電層の導電化を最短距離で行うことができ、回路の高密度化が可能となり、多層ＴＡＢテープ等のテープキャリアおよびそれを用いた半導体装置の低コスト化および薄型化が可能となる。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアをさらに複数枚積層することによって、より複雑な回路構成が可能となる。
【００１７】
請求項５に記載の発明の製造方法によれば、外側の導電層を、当初のテープ材の作製工程においては導電性薄膜として形成しておき、上記導通化めっき層を形成する工程において導電層として必要な厚さに形成するものであるから、導通化めっき層の形成によって導電層が不必要に厚くなり過ぎることがなく、薄型化と回路の高密度化が可能となる。
【００１８】
＜発明の要点＞
本発明の要点は、導電層間導電用孔部を第２配線層に対して、第１導電層側からと第３導電層側から設けることにより、導電層間導電用孔部を設けるプロセスを簡略化したことにある。また第２配線層の同位置を挟むように導電層間導電用孔部を設けることにより、第１導電層と第３導電層の導電化を最短距離で行うようにしたことにある。さらに導電層の薄厚化を図ることにより、低コスト化に優れ、且つ薄型の機器に適した半導体装置用テープキャリアとその製造方法を提供可能としたことにある。
【００１９】
導電層ないし配線層間に用いる絶縁材料としては、たとえば第１導電層と第２導電層間の第１絶縁層がポリイミドであれば、積層に使用する第２絶縁層はポリイミドの前躯体であり、２００℃以下で溶融粘度が１×１０4Ｐａ・ｓ以下となる積層材料が積層に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法の望ましい実施形態について、図１〜図２を参照しつつ具体的に説明する。
【００２１】
本発明の望ましい実施形態においては、先ず、図１の（ａ）に示す如く、第１絶縁層３の両面に第１導電層１および第２導電層を形成し、第２導電層をパターンエッチングすることにより、第２配線層回路７を有する第２配線層２を形成する。次に、図１の（ｂ）に示す如く、第１導電層１、第２配線層２および第３導電層９の３層が、第１絶縁層３および第２絶縁層８を間に挟んだ状態で積層されて成るテープ材を作製する。
【００２２】
次いで、図１の（ｃ）に示す如く、外側の第１導電層１および第３導電層９のビアホール用孔部を形成すべき部分１ａ、９ａをエッチングにより除去したのち、同（ｄ）に示す如く、テープ材の表裏両面からレーザー加工により第１絶縁層３および第２絶縁層８を穿孔加工し、内側の第２配線層２へ達する有底のビアホール用孔部４、４’、１０を形成する。
【００２３】
次いで、テープ材の表裏両面を同時にめっきすることによって、図１の（ｅ）に示す如く、外側の第１導電層１および第３導電層９の表面から、ビアホール用孔部４、４’、１０の内周面を通じて底面（内側の第２配線層２）に達する銅めっき５、５’を形成し、当該銅めっき５、５’によって、上記外側の第１導電層１，第３導電層９と内側の導電層とを互いに電気的に導通させる。
【００２４】
然るのち、常法により外側の第１導電層１、第３導電層９のパターニング等の諸工程を実施し、最終的に図２の（ｈ）に示すような半導体装置用テープキャリアを完成する。
【００２５】
その場合において、図１の（ｄ）に示す如く、表裏両側の外側の第１導電層１、第３導電層９から第１絶縁層３、第２絶縁層８を貫通して内側の第２配線層２へ達する有底のビアホール用孔部４、４’を形成する際に、図中のビアホール用孔部４、４’のように、内側の配線層２の表裏同位置へ向けてこれらの孔部４、４’を形成することが好ましい。そうすることにより、第１導電層１と第３導電層９の導電化を最短距離で行うことができる。
【００２６】
このようにして作製された半導体装置用テープキャリアを複数枚積層することによって、さらに複雑な回路構成のテープキャリアを作製することもできる。
【００２７】
また、図１の（ｂ）に示すような３層の第１導電層１、第２導電層、第３導電層９を有するテープ材の作製段階においては、外側の第１導電層１、第３導電層９が導電性の薄膜から成るものを用い、上記導通化銅めっき５、５’を形成する工程において当該めっきにより導電層として必要な厚さに形成するように構成することが推奨される。そうすることにより、外側の導電層が不必要に厚くなり過ぎるのを防止でき、テープキャリアの薄型化と回路の高密度化が可能となる。
【実施例】
【００２８】
［実施例１］
図１〜図２に、本発明の半導体装置用テープキャリアの製造プロセスの一実施例を示す。以下、同図中に示す（ａ）〜（ｈ）の各段階に沿って説明する。
【００２９】
（ａ）第１絶縁層３を形成する厚さ２５μｍのポリイミドフィルムの両面に、第１導電層１および図示しない第２導電層として厚さ１２μｍの銅箔を設けた両面銅張り板を用意し、その第２導電層のパターニングを行う。これにより第２配線層回路７を備えた第２配線層２を形成する。
【００３０】
（ｂ）次いで、第２配線層２の表面に樹脂付き銅箔（ＲＣＣ：Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ）を真空ラミネートすることにより、第２絶縁層８と第３導電層９を積層する。即ち、第２絶縁層８と第３導電層９があらかじめ貼り合わせられた樹脂付き銅箔材料を、真空下で第２配線層２の表面にラミネートする。第２絶縁層８は、前記第１絶縁層３の前躯体であるポリイミド材料から成る厚さ３０μｍのテープ部材であり、当該材料は、ラミネート時には接着性を持ち、ラミネートおよびその後のキュアで硬化される。
【００３１】
（ｃ）次に、第１導電層１および第３導電層９の一部１ａ、９ａをビアエッチングして除去する。
【００３２】
（ｄ）その次に、第１導電層１と第２配線層２、および第２配線層２と第３導電層９を導通化させるために、両面露光、両面エッチングおよび両面レーザー加工により第１絶縁層３と第２絶縁層８に穿孔して、ビアホール用孔部４、４’および１０を同時に形成する。ポリイミドから成る第１絶縁層３および第２絶縁層８をレーザー加工すると、スミアと呼ばれるレーザーによる焼き焦げカスが残るため、これを除去するデスミア処理を行う。
【００３３】
（ｅ）つづいて銅めっき５，５’を両面から同時に行い、各層間の導通化を図る。
【００３４】
（ｆ）さらに両面プロセスにて銅めっき５と第１導電層１を、銅めっき５’と第３導電層９をパターニングして、夫々第１配線層回路６を備えた第１導電層１と第３配線層回路１１を備えた第３導電層９を形成する。
【００３５】
（ｇ）ＰＳＲ（感光性ソルダーレジスト）を印刷塗布し、露光、現像することにより、両面に配線保護膜１２、１２’を形成する。
【００３６】
（ｈ）最後に、配線保護膜１２、１２’から露出している銅めっき５、５’の接続部分に、半導体装置接続用金メッキ１３、１３’を設ける。
【００３７】
上記の如き本発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造プロセスは、従来のプロセスに比べて大幅に簡略化されている。
【００３８】
即ち、従来の方式で３層の導電層の導通加工を行う場合は、まず第１導電層／第２導電層間の導通工程が必要で、その後さらに第２導電層／第３導電層間の導通工程が必要となる。このような従来方式の一連の工程を記載すると以下の通りである。
【００３９】
第２導電層２’をビアエッチングし、第１絶縁層３をレーザーにより孔開けすることによりビア１０を形成し、デスミア後、ビア１０の面に対して銅めっき５をし、これをパターンエッチングし、このパターン面に対して第３導電層９をラミネートし、第３導電層９をビアエッチングし、第２絶縁層８をレーザーにより孔開けすることによりビア１０を形成し、デスミア後、ビア１０の面に対して銅めっき５’をし、これをパターンエッチングする。
【００４０】
これに対して、本発明では、レーザー加工工程および導電めっき工程を夫々１回で済ませることが可能である。また、配線形成プロセス（露光、現像、エッチング）は両面同時加工が可能であるが、従来方式では第１導電層１、第３導電層９の配線形成のみ両面同時加工になっている。
［実施例２］
前記実施例１において使用する両面銅張り板の第１導電層１、およびラミネートされた第３導電層９の表面に、無電解銅めっきやスパッタリングによるＮｉ／Ｃｒ合金などの電解めっきへのシード層となる薄膜を０．３μｍ程度予め設けておき、層間導通用銅めっきを設ける際に同時に１０μｍ程度めっきを設けた。これにより、薄型化に有利な多層ＴＡＢテープ等の半導体装置用テープキャリアが製作できた。
【００４１】
なお、上記の説明では、導電層が３層設けられた実施例について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、より多層の導電層を有する半導体装置用テープキャリアについても適用し得るものである。
【００４２】
以上より明らかな如く、本発明においては、導電層間導電用孔部を第２配線層２に対して、第１導電層側からと第３導電層側から設けることにより、導電層間導電用孔部を設けるプロセスを簡略化することが可能となり、また第２配線層２の同位置を挟むように導電層間導電用孔部を設けることにより第１導電層と第３導電層の導電化を最短距離で行うことができる等の利点があり、従って本発明によるときは、多層テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置の低コスト化および薄型化が可能となり、多大の産業上の利用性が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造プロセスの前半を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造プロセスの後半を示す説明図である。
【図３】従来の製造プロセスの説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  第１導電層
２  第２配線層
２’  第２導電層
３  第１絶縁層
４，４’  ビアホール用孔部
５，５’  導通化銅めっき
６  第１配線層回路
７  第２配線層回路
８  第２絶縁層
９  第３導電層
１０  ビアホール用孔部
１１  第３配線層回路
１２  配線保護膜
１３  接続用金めっき
Ａ  積層板
Ｂ  プリント配線基板
【図１】
2005236129.tif 000003
【図２】
2005236129.tif 000004
【図３】
2005236129.tif 000005