(57)【要約】【課題】  磁性膜メッキ装置に関し、メッキ装置を構成する要素の配置に関する問題点を軽減することを目的とする。【解決手段】  磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 印加磁界３の方向或いは磁性膜を成膜する基板１の方向の少なくとも一方を任意に変更可能な位置調整機構を備える。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性膜形成パターン形状或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 印加磁界の方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
【請求項２】
磁性膜形成パターン形状或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 磁性膜を成膜する基板の方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
【請求項３】
磁性膜を成膜する基板の方向と印加磁界の方向を保持した状態で、 攪拌手段による攪拌方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
【請求項４】
上記攪拌手段の攪拌動作が、上記磁性膜を成膜する基板の主面に平行な面上における並進動作であることを特徴とする請求項３記載の磁性膜メッキ装置。
【請求項５】
上記磁性膜形成パターン形状或いは磁区形状の少なくとも一方の形状と、少なくとも上記磁界印加方向及び攪拌方向による磁性膜の膜厚と組成分布との相関を予めシミュレーションしたデータベースを備え、前記磁性膜の磁性膜形成パターン形状或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて前記磁界印加方向及び攪拌方向を自動的に設定する位置調整機構を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁性膜メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性膜メッキ装置に関するものであり、特に、磁気ヘッドや磁気記録媒体等の製造プロセスに使用するメッキ装置を構成する要素の配置に関する問題点を軽減するための構成に特徴のある磁性膜メッキ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の磁気記録装置の高密度記録化、高速化等の進展に伴って、薄膜磁気ヘッド或いは磁気記録媒体等に用いられる磁性膜への各種の要求は高まっているが、そのなかでも、最終的な要求として、高周波領域での透磁率の向上が挙げられる。
【０００３】
従来、このような磁性膜は、蒸着法やスパッタ法、電解メッキ法或いはこれらを組み合わせた積層膜により形成されているが、誘導型ライトヘッドの下部磁極或いは上部磁極は比較的安価に良質の厚膜を形成できる電解メッキ法によって成膜されているので、ここで、図１１を参照して、従来の磁性膜メッキ装置を説明する。
【０００４】
図１１参照  
図１１は、従来の磁性膜メッキ装置の概略的構成図であり、上図は投影的平面図であり、下図は断面図である。
磁性膜メッキ装置は、メッキ液５１を収容してメッキ処理を行うメッキ槽４１、メッキ槽４１から溢れ出したメッキ液５１を受け入れるオーバーフロー槽４２、所定の方向に印加磁界を発生させるための一対の永久磁石４３，４４、アノード４５、基板、即ち、カソード４６、カソード４６を固定保持する基板固定治具４７、カソード４６に均一に電流を流すための補助極４８、及び、攪拌子４９を一端において支持固定するとともに並進運動させるための攪拌アーム５０から構成されている。
なお、オーバーフロー槽４２に溢れ出したメッキ液５１は、図示しない還流手段を介して異物等を除去したのちメッキ槽４１の下部から注入される。
【０００５】
メッキ工程においては、一つの永久磁石４３，４４との間で発生させた磁界をメッキ液５１に印加した状態で、アノード４５とカソード４６との間に電圧を印加して電流を流し、攪拌子４９を並進運動させてメッキ液５１を攪拌させてカソード４６の表面に常に新しいメッキ液５１を供給した状態でカソード４６上にパーマロイ等の磁性膜を堆積させている。
【０００６】
この様にして成膜した磁性膜の機能評価指標となるパラメータから製造工程におけるパラメータまでブレイクダウンしていくと、磁性膜の保磁力、磁気異方性、磁束密度、或いは、磁歪等から、磁性膜自体の組成、膜厚等へ行き着き、これらの条件は複雑に絡み合ってはいるが、つきつめると、メッキの析出速度を被メッキ品の表面で一定にできれば組成、膜厚のバラツキを最少に抑制できるということになる。
【０００７】
しかしながら、近年の高記録密度化に伴って被メッキパターンは微細になるとともに被処理基板は大きくなる傾向にあり、一枚の被処理基板内での磁性膜の組成や膜厚のバラツキ、ロット間でのバラツキ、さらには、多品種製品間でのバラツキは大きくなる一方である。
【０００８】
そのため、印加磁場方向に被メッキ処理品を一定角度回転させ、停止した状態で通電する方法（例えば、特許文献１参照）や、カソードと磁場発生機能を一体化させ、磁場印加方向を固定した状態で被メッキ処理品を回転させながら、メッキ処理を行う工夫（例えば、特許文献２参照）がなされている。     
【特許文献１】特開平０５−０１７８９８号公報
【特許文献２】特開平０５−２８３２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電解メッキ法によって成膜した磁性膜の組成や膜厚のバラツキ原因は様々であるが、上述のように、電流密度の変化、基板表面の凹凸部のイオン濃度差や劣化等によるメッキ効率の変化によって生じるメッキ析出速度が不均一になるという問題があり、これらの直接的な影響により、磁性膜の組成や膜厚のバラツキが起こることになる。
【００１０】
即ち、一般に電解メッキ槽内部には、アノード、カソード、攪拌子、メッキ液供給口等が配置され、電解メッキ槽の外周には永久磁石又は電磁石等が配置固定されているが、これらの要素の配置次第では、メッキ液の流れや攪拌、アノードとカソード間の通電時における液の淀みや電流分布の不均一化に影響し、メッキ膜の析出速度が不均一になり、析出する磁性膜の組成や膜厚のバラツキの原因となる。
【００１１】
また、従来の磁性膜メッキ装置においては、磁界方向が固定されているため、被処理基板の形状、例えば、オリエンテーションフラット（オリフラ）の位置やパターンデザイン、例えば、ライトポールの方向と、攪拌方向との調整ができず、磁性膜の膜厚や組成の分布が磁場方向（磁区形状）に制限を受けている。
【００１２】
また、上述のように、被処理基板となるカソード板を回転させると被処理基板中心部と外周部で攪拌速度が異なるため、パーマロイの場合、Ｆｅ含有量に被処理基板中心と外周部とで差を増加させることになる。
【００１３】
したがって、本発明は、メッキ装置を構成する要素の配置に関する問題点を軽減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、磁性膜メッキ装置において、磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 印加磁界３の方向或いは磁性膜を成膜する基板１の方向の少なくとも一方を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、磁性膜メッキ装置において、磁性膜を成膜する基板１の方向と印加磁界３の方向を保持した状態で、 攪拌手段６による攪拌方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする。
なお、この場合の攪拌手段６の攪拌動作は、磁性膜を成膜する基板１の主面に平行な面上における並進動作である。
【００１６】
このように、印加磁界３の方向と磁性膜を成膜する基板１、基板１と攪拌方向との位置調整機構を付加することで、印加磁界３の方向と基板１の向きを微調整後に、位置関係を保持した状態で、メッキ槽１０内での磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の向き、即ち、位置関係の調整が可能になり、それによって、成膜した磁性膜の膜厚、組成バラツキを低減できる。 
【００１７】
即ち、磁気ヘッドの磁性膜を形成する上で、対象となる基板１はウェハが主流であり、一枚のウェハ内であっても、オリフラ側の膜厚、組成の傾向が異なる場合が多々発生するが、これらをメッキ成膜途中でウェハ方向を変えることで液流によるウェハ内での膜厚、組成バラツキを低減できる。 
【００１８】
また、磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状と、少なくとも磁界印加方向及び攪拌方向による磁性膜の膜厚と組成分布との相関を予めシミュレーションしたデータベースを備え、磁性膜の磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて磁界印加方向及び攪拌方向を自動的に設定する位置調整機構を備えるようにしても良い。
【００１９】
即ち、電解メッキ工程における磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状と、磁界印加方向及び攪拌方向による磁性膜の膜厚と組成分布との相関を予めシミュレーションにより取得しておき、データベースとして格納しておくことによって、成膜するべき磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状を入力することによって、膜厚及び組成比のバラツキの少ない磁界印加方向及び攪拌方向等の条件を自動的に設定することができる。
【００２０】
また、磁界を印加する機構は、カソードを回転可能に保持する回転軸７、回転軸７を回転自在に保持するとともにロック機構が備えられた軸受け８、軸受け８に回転軸７の直交方向に接続された回転アーム９、及び、回転アーム９の先端に固定された磁石４，５からなり、軸受け８がロックした時のみに回転運動が回転アーム９に伝達されるように構成すれば良い。
【００２１】
このような構成により、基板１を中心に線対称に配置しやすい一般的な円筒形状や立方体をベースとした槽に、アノード、カソード、基板固定治具をメッキ槽１０と同心円上に配置し、基板１と印加磁界３の方向、基板１と攪拌方向、基板１と印加磁界３の方向を保持した状態で攪拌方向を任意に位置調整可能にすることができる。
【００２２】
例えば、メッキ槽１０内のアノード、カソード、基板固定治具、補助極板は、円筒形メッキ槽１０の同心円上に配置され、槽壁からそれぞれまでの距離を一定に保つことが可能であることを前提に、槽内配置が槽中心を通る直線の線対称で表現できる。
これは、液流や基板パターンデザインの影響を無視した場合の電流分布／等電位線が最も良好な状態になり得る。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明した様に、円筒形状のメッキ装置をベースにメッキ槽内のアノード、カソード、基板固定治具、補助極板は、メッキ槽の同心円上にあり、磁界を発生する永久磁石又は電磁石が円弧形状であるため、槽内配置が槽中心を通る直線の線対称となり、電流分布／等電位線が最も良好な状態になる。
【００２４】
また、位置調整可能な磁界発生源により、ウェハの向きやメッキ膜を形成するパターン形状の向きに対して最適な磁界方向、攪拌方向を設定することが可能となり、処理品種による専用のメッキ装置や、基板固定治具を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の磁性膜メッキ装置は、処理基板を中心に線対称に配置しやすい一般的な円筒形状や立方体をベースとした槽に、アノード、カソード、即ち、基板、基板固定治具をメッキ槽と同心円上に配置し、基板と印加磁界の方向、基板と攪拌方向、基板と印加磁界の方向を保持した状態で攪拌方向を任意に位置調整可能な機構を付加したものである。
【実施例１】
【００２６】
ここで、図２を参照して、本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を説明する。
図２参照  
図２は、従来の磁性膜メッキ装置の概略的構成図であり、上図は投影的平面図であり、下図は断面図である。
磁性膜メッキ装置は、メッキ液２６を収容する円筒状のメッキ槽１１、メッキ槽１１から溢れ出したメッキ液２６を受け入れる円環状のオーバーフロー槽１２、所定の方向に印加磁界を発生させるための一対の永久磁石１３，１４、アノード１５、カソード、即ち、基板１６、基板１６を固定保持する基板固定治具１７、基板１６に均一に電流を流すための補助極１８、及び、攪拌子１９を一端において支持固定するとともに並進運動させるための攪拌アーム２０から構成されている。
なお、オーバーフロー槽１２に溢れ出したメッキ液２６は、図示しない還流手段を介してメッキ槽１１の下部から注入され、また、基板固定治具１７とメッキ槽１１との間にはメッキ液２６の漏れ出しを防止するシール部材が設けられている。
【００２７】
また、一対の永久磁石１３，１４は、基板１６を回転可能に保持する回転軸２１を回転自在に保持するとともにロック機構が備えた軸受け２２から突出した回転アーム２３の先端に固定されている。
なお、図の一対の永久磁石１３，１４においては、互いに対向する磁極のみを示している。
【００２８】
また、回転軸２１はプーリー及びゴムベルトからなる回転伝達機構２４を介してモータ２５と結合されており、軸受け２２がロックした時のみに回転運動が回転アーム２３に伝達されるように構成されている。
【００２９】
即ち、基板１６を磁界の方向、即ち、回転アーク２３の延在方向に対して所定の位置関係になるように基板固定治具１７にセットしたのち、ロック機構をロックさせた状態でモータ２５を駆動することによって、印加磁界と基板１６の方向を所定の角度に関係に保持した状態で攪拌子１９の並進運動の方向に対して所定の角度になるように設定する。
【００３０】
なお、軸受け２２のロック機構を解除した状態でモータ２５を駆動することによって、基板固定治具１７のみを回転させることができ、基板１６の方向を永久磁石１３，１４から発生する磁界の方向に対して微調整することができる。
【００３１】
メッキ工程においては、一つの永久磁石１３，１４との間で発生させた磁界をメッキ液２６に印加した状態で、アノード１５と基板１６との間に電圧を印加して電流を流し、攪拌子１９を並進運動させてメッキ液２６を攪拌させて基板１６の表面に常に新しいメッキ液２６を供給した状態で基板１６上に磁性膜を堆積させている。
【００３２】
このような位置関係をメッキ成膜途中において、モータ２５を駆動して基板方向を攪拌方向に対して変えることで液流によるウェハ内での膜厚、組成バラツキを低減するものである。
この場合、ロック機構を解除して回転運動を与えれば、基板のみの位置方向の調整ができ、また、ロック機構をオンにした状態で回転運動を与えれば、印加磁界と基板の方向を所定の角度に関係に保持した状態で基板の位置方向の調整ができる。
【００３３】
次に、図３乃至図８を参照して、本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いたメッキ工程を説明する。
図３参照  
図３は、オリフラの方向と上部磁極の長軸方向を一致させた基板１６のオリフラの方向が印加磁界の方向と一致するように基板固定治具に保持するとともに、基板１６のオリフラの方向が攪拌子１９の並進方向と一致するように位置関係を設定した状態でメッキを行う場合を示したものであり、従来のメッキ工程に相当する。
【００３４】
図４参照  
図４は、オリフラの方向と上部磁極の長軸方向を一致させた基板１６のオリフラの方向が印加磁界の方向と一致するように基板固定治具に保持するとともに、基板１６のオリフラの方向と攪拌子１９の並進方向との角度が１５°になるように位置関係を設定した状態でメッキを行う場合を示したものである。
【００３５】
図５参照  
図５は、まず、オリフラの方向と上部磁極の長軸方向を一致させた基板１６のオリフラの方向が印加磁界の方向と一致するように基板固定治具に保持するとともに、基板１６のオリフラの方向と攪拌子１９の並進方向との角度が１０°になるように位置関係を設定したのち、軸受け２２のロック機構を解除して基板１６のみを更に５°回転させて基板１６のオリフラの方向と攪拌子１９の並進方向との角度が１５°になるように位置関係を設定した状態でメッキを行う場合を示したものである。
【００３６】
図６参照  
図６は、まず、オリフラの方向と上部磁極の長軸方向を直交させた基板２７のオリフラの方向が印加磁界の方向と一致するように基板固定治具に保持するとともに、基板２７のオリフラの方向が攪拌子１９の並進方向と直交する位置関係に設定した状態でメッキを行う場合を示したものである。
【００３７】
図７参照  
図７は、本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いて上記の図４の状態に近い最適条件で電解メッキを行った場合の効果の説明図であり、この場合のメッキ条件としては
基板電流                ０．４７Ａ
攪拌子並進速度          １８００ｃｍ／分
攪拌子−基板間間隔          ２５ｍｍ
メッキ液注入量            ２．５リットル／分
補助電極電流            １．２９Ａ
メッキ時間                  １６分
メッキ液温度            ３７．５℃
の条件で行った。
なお、図７におけるヨーク部とは上部磁極におけるライトコイルを覆う大面積部を意味し、磁極部とは、上部磁極の先端部の小面積のライトポールを意味する。
【００３８】
また、図７には、図３に示した従来の状態における結果の合わせて示しているが、この場合のメッキ条件としては、
基板電流                ０．４７Ａ
攪拌子並進速度          １６８０ｃｍ／分
攪拌子−基板間間隔          ２５ｍｍ
メッキ液注入量            ２．５リットル／分
補助電極電流            ２．０４Ａ
メッキ時間                  １６分
メッキ液温度            ３７．０℃
の条件で行った。
【００３９】
図７に示したように、磁極部の膜厚のＲ値（＝最大値−最小値）は、従来の１．４９μｍに対して０．６８μｍとなり、Ｒ値／平均膜厚で従来の４３％程度に抑えることができた。
また、磁極部の膜厚のバラツキσは、従来の０．４４μｍに対して０．２２μｍとなり、σ／平均膜厚で従来の５０％程度に抑えることができる。
【００４０】
このように、本発明により基板の表面に凹凸がある場合にも、本発明の磁性膜メッキ装置を用いて最適条件を選択することによって、磁性膜の膜厚のバラツキを大幅に抑制することが可能になる。
【００４１】
図８参照  
図８の上図は従来法における電解メッキにおける同一ウェハ上の７つの位置のチップにおける磁極部の膜厚とＮｉ組成比の関係を示す図であり、下図は、本発明の磁性膜メッキ装置を用いて最適条件を選択した場合の従来例と同じ位置の７つのチップにおける磁極部の膜厚とＮｉ組成比の関係を示す図である。
【００４２】
上図と下図の比較から明らかになるように、本発明においては、膜厚のバラツキが小さくなるとともに、Ｎｉ組成比のバラツキも大幅に小さくなっており、得られる磁気ヘッドの特性のバラツキを小さくすることができる。
【実施例２】
【００４３】
次に、図１０及び図１１を参照して、本発明の実施例２の磁性膜メッキ装置を説明するが、この磁性膜メッキ装置は成膜する磁性膜の形状に応じて基板方向と磁界印加方向を攪拌方向に対して自動設定する機能を備えたものである。
なお、メッキ装置自体のハードの構成は上記の実施例１の磁性膜メッキ装置と全く同じであるので装置構成の図示は省略する。
【００４４】
即ち、本発明の実施例２においては、成膜する磁性膜の形状に対する基板方向と磁界印加方向の攪拌方向に対する最適条件を予めシミュレーションにより求め、そのデータを制御用端末内に格納しておくものであり、それにより、成膜する品種に応じて最適条件を自動的に設定できるので、スループットが向上するとともに、高品質の製品を再現性良く製造することができる。
【００４５】
図１０及び図１１参照  
図１０及び図１１は、所定の磁性膜形成パターンに対してシミュレーションを行った結果のデータベースの一例を示す図であり、図１０は上述の図５に示した基板方向と磁界印加方向と攪拌方向の位置関係において各種条件をふった場合のデータベースであり、図１１は図６に示した基板方向と磁界印加方向と攪拌方向の位置関係において各種条件をふった場合のデータベースである。
【００４６】
この様なデータベースを、種々の基板方向と磁界印加方向と攪拌方向の位置関係に対して求めるとともに、このようなデータベースを各種の磁性膜形成パターンに対して求めて制御用端末内に格納しておけば良い。
なお、成膜すべき磁性膜の形状と同じ形状の磁性膜形成パターンがデータベース内にない場合には、最も類似したパターンを検索して、そのパターン形状の差から最適メッキ位置関係を補間法等により求めれば良い。
【００４７】
以上、本発明の各実施例を説明したが、本発明は各実施例に記載された構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施例においては誘導型ライトヘッドの上部磁極層のメッキ工程として説明しているが、上部磁極層に限られるものではなく、下部磁極層のメッキ工程にも適用されるものである。
【００４８】
また、図２に示した永久磁石の形状は円弧状であるが、円弧状に限られるものではなく、矩形状の永久磁石を用いても良いものである。
また、磁石は永久磁石に限られるものではなく、電磁石を用いても良いものである。
【００４９】
また、上記の実施例においては、回転軸をプーリ及びゴムベルトからなる回転伝達機構を用いて駆動しているが、回転軸をモータによって直接回転駆動させるように構成しても良いものである。
【００５０】
また、本発明は、誘導型ライトヘッドの磁極層のメッキ工程に限られるものではなく、磁気記録媒体等の他の磁気素子或いは磁気装置における磁性膜のメッキ工程に適用されるものである。
【００５１】
また、本発明は、必ずしも磁性膜用のメッキ装置に限られるものではなく、Ｃｕ−Ｚｎ等の非磁性合金層の電解メッキ工程に適用しても良いものであり、特に、基板の表面に凹凸がある場合に、組成変動の少なく且つ膜厚のバラツキの少ない合金層を再現性良く形成することができる。
【００５２】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 印加磁界３の方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
（付記２）  磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて、 磁性膜を成膜する基板１の方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
（付記３）  磁性膜を成膜する基板１の方向と印加磁界３の方向を保持した状態で、 攪拌手段６による攪拌方向を任意に変更可能な位置調整機構を備えたことを特徴とする磁性膜メッキ装置。
（付記４）  上記攪拌手段６の攪拌動作が、上記磁性膜を成膜する基板１の主面に平行な面上における並進動作であることを特徴とする付記３記載の磁性膜メッキ装置。
（付記５）  上記磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状と、少なくとも上記磁界印加方向及び攪拌方向による磁性膜の膜厚と組成分布との相関を予めシミュレーションしたデータベースを備え、前記磁性膜の磁性膜形成パターン形状２或いは磁区形状の少なくとも一方の形状に応じて前記磁界印加方向及び攪拌方向を自動的に設定する位置調整機構を備えたことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の磁性膜メッキ装置。
（付記６）  上記磁界を印加する機構が、カソードを回転可能に保持する回転軸７、前記回転軸７を回転自在に保持するとともにロック機構が備えられた軸受け８、前記軸受け８に前記回転軸７の直交方向に接続された回転アーム９、及び、前記回転アーム９の先端に固定された磁石４，５からなり、前記軸受け８がロックした時のみに回転運動が前記回転アーム９に伝達されることを特徴とする付記１乃至５記載の磁性膜メッキ装置。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の活用例としては、誘導型ライトヘッドの上部磁極層のメッキ工程が典型的なものであるが、下部磁極層の成膜工程或いは他の磁性膜のメッキ工程にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置の概略的構成図である。
【図３】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いたメッキ工程における位置関係の一例を示す配置図である。
【図４】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いたメッキ工程における位置関係の他の例を示す配置図である。
【図５】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いたメッキ工程における位置関係のさらに他の例を示す配置図である。
【図６】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いたメッキ工程における位置関係のさらに別の例を示す配置図である。
【図７】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いた場合の効果の説明図である。
【図８】本発明の実施例１の磁性膜メッキ装置を用いた場合のＮｉ組成比バラツキ改善効果の説明図である。
【図９】本発明の実施例２の磁性膜メッキ装置に格納するデータベースの一例の説明図である。
【図１０】本発明の実施例２の磁性膜メッキ装置に格納するデータベースの他の例の説明図である。
【図１１】従来の磁性膜メッキ装置の概略的構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
２  磁性膜形成パターン形状
３  印加磁界
４  磁石
５  磁石
６  攪拌手段
７  回転軸
８  軸受け
９  回転アーム
１０  メッキ槽
１１  メッキ槽
１２  オーバーフロー槽
１３  永久磁石
１４  永久磁石
１５  アノード
１６  基板
１７  基板固定治具
１８  補助極
１９  攪拌子
２０  攪拌アーム
２１  回転軸
２２  軸受け
２３  回転アーム
２４  回転伝達機構
２５  モータ
２６  メッキ液
２７  基板
４１  メッキ槽
４２  オーバーフロー槽
４３  永久磁石
４４  永久磁石
４５  アノード
４６  カソード
４７  基板固定治具
４８  補助極
４９  攪拌子
５０  攪拌アーム
５１  メッキ液
【図１】
2005281797.tif 000003
【図２】
2005281797.tif 000004
【図３】
2005281797.tif 000005
【図４】
2005281797.tif 000006
【図５】
2005281797.tif 000007
【図６】
2005281797.tif 000008
【図７】
2005281797.tif 000009
【図８】
2005281797.tif 000010
【図９】
2005281797.tif 000011
【図１０】
2005281797.tif 000012
【図１１】
2005281797.tif 000013