(57)【要約】  【課題】  ミュートオフ時にオーディオ信号にクランプがかからないようにしたミュートスイッチ回路を提供する。  【解決手段】  オーディオ信号ラインと接地間にシリーズとなるようソースおよびバックゲートを共通接続したｎＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２と、そのトランジスタＱ１，Ｑ２の共通接続ゲートとＶＤＤ端子間に接続されゲートがミュート制御端子１に接続されたｎＭＯＳトランジスタＱ３と、トランジスタＱ１，Ｑ２の共通接続ゲートと共通接続ソースとの間に接続されゲートがインバータを介してミュート制御端子１に接続されたｎＭＯＳトランジスタＱ４とから構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートを共通接続した第１の導電型の第１および第２のＭＯＳトランジスタのソースおよびバックゲートを共通接続してシリーズ接続した回路を、オーディオ信号ラインと接地間に接続してなるミュートスイッチ回路において、
前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのゲートと高電位電源端子との間に前記第１の導電型の第３のＭＯＳトランジスタを接続し、
前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのゲートと前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのソースとの間に、ゲートにインバータが付加された前記第１の導電型の第４のＭＯＳトランジスタを接続し、
前記第３のトランジスタのゲートおよび前記インバータの入力側をミュート制御端子に接続したことを特徴とするミュートスイッチ回路。
【請求項２】
請求項１に記載のミュートスイッチ回路において、
前記第４のＭＯＳトランジスタを前記第１の導電型と反対の第２の導電型でインバータ無しの第５のＭＯＳトランジスタに置き換え、該第５のＭＯＳトランジスタのゲートを前記ミュート制御端子に接続したことを特徴とするミュートスイッチ回路。
【請求項３】
請求項１に記載のミュートスイッチ回路において、
前記第３および第４のＭＯＳトランジスタを、前記第１の導電型と反対の第２の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換えたことを特徴とするミュートスイッチ回路。
【請求項４】
請求項２に記載のミュートスイッチ回路において、
前記第３のＭＯＳトランジスタを、前記第１の導電型と反対の第２の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換え、前記第５のＭＯＳトランジスタを前記第１の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換えたことを特徴とするミュートスイッチ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーディオ信号を遮断して無音状態を発生させるためのミュートスイッチ回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ディジタルオーディオ機器、テレビジョン、ＶＴＲ等内のオーディオ信号処理回路では、電源スイッチの投入時のポップ音を消したり、動作中に意識的に無音状態を発生させるためのミュートスイッチ回路が設けられている。
【０００３】
図５はミュート制御信号によって制御される従来のミュートスイッチ回路を示す図である。このミュートスイッチ回路は、ゲートをミュート制御端子１に、ドレインをオーディオ信号端子２に、ソースを接地端子３にそれぞれ接続されたｎＭＯＳトランジスタＱ１からなり、そのオーディオ信号端子２をオーディオ信号ライン４のカップリングコンデンサＣ１の出力側に、接地端子３を接地（ＧＮＤ）に接続したものである（類似の例として特許文献１の図４参照。ただしここではＰＮＰとＮＰＮのトランジスタを並列接続）。
【０００４】
このミュートスイッチ回路では、ミュート制御端子１を高レベル電圧（ＶＤＤ）にすればトランジスタＱ１が導通してオーディオ信号ライン４が接地され、オーディオ信号が遮断されてミュートオンとなる。また、ミュート制御端子１を低レベル電圧（ＧＮＤ）にすればトランジスタＱ１が遮断し、ミュートオフとなる。
【０００５】
ところが、この図５のミュートスイッチ回路では、ミュート制御端子１が低レベルでミュートオフのときであっても、オーディオ信号ライン４の電圧が接地電位よりも負の方向に振れたときに、トランジスタＱ１のソースとドレインが反転するので、その負電位がトランジスタＱ１の閾値を超えると接地端子３からバックゲートに電流が流入しそのトランジスタＱ１が導通して、オーディオ信号にクランプがかかる問題がある。
【０００６】
そこで、バックゲートからの電流の流入を防止するために、図６に示すように、トランジスタＱ１に対して新たにｎＭＯＳトランジスタＱ２をソースおよびバックゲートを共通にしてシリーズ接続するとともにゲートも共通接続し、それらのバックゲートをフローティングにさせたミュートスイッチ回路が提案されている（類似の例として例えば特許文献１の図１参照。ただしここではＮＰＮのトランジスタをシリーズ接続）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２４４７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、この図６の構成のミュートスイッチ回路でも、ミュート制御端子１が低レベルでミュートオフのとき、オーディオ信号ライン４の電圧が接地電位よりも負の方向に振れたときに、図５の回路と同様にトランジスタＱ１のソースとドレインが反転し、さらにトランジスタＱ２がダイオード接続状態となるので、その負電位がトランジスタＱ１の閾値とダイオード接続のトランジスタＱ２の閾値を加算した値を超えると、やはり接地端子３から電流が流入し、両トランジスタＱ１，Ｑ２が導通して、オーディオ信号にクランプがかかり歪率を悪化させる。
【０００９】
本発明の目的は、上記した問題を解決し、ミュートオフ時に、オーディオ信号にクランプがかからないようにしたミュートスイッチ回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１にかかる発明は、ゲートを共通接続した第１の導電型の第１および第２のＭＯＳトランジスタのソースおよびバックゲートを共通接続してシリーズ接続した回路をオーディオ信号ラインと接地間に接続してなるミュートスイッチ回路において、前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのゲートと高電位電源端子との間に前記第１の導電型の第３のＭＯＳトランジスタを接続し、前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのゲートと前記第１および第２のＭＯＳトランジスタのソースとの間に、ゲートにインバータが付加された前記第１の導電型の第４のＭＯＳトランジスタを接続し、前記第３のトランジスタのゲートおよび前記インバータの入力側をミュート制御端子に接続したことを特徴とする。
【００１１】
請求項２にかかる発明は、請求項１に記載のミュートスイッチ回路において、前記第４のＭＯＳトランジスタを前記第１の導電型と反対の第２の導電型でインバータ無しの第５のＭＯＳトランジスタに置き換え、該第５のＭＯＳトランジスタのゲートを前記ミュート制御端子に接続したことを特徴とする。
【００１２】
請求項３にかかる発明は、請求項１に記載のミュートスイッチ回路において、前記第３および第４のＭＯＳトランジスタを、前記第１の導電型と反対の第２の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項４にかかる発明は、請求項２に記載のミュートスイッチ回路において、前記第３のＭＯＳトランジスタを、前記第１の導電型と反対の第２の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換え、前記第５のＭＯＳトランジスタを前記第１の導電型のＭＯＳトランジスタに置き換えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ミュートオフ時には、シリーズ接続された２個のＭＯＳトランジスタは、そのゲート・ソース間が短絡されるので、たとえオーディオ信号が負方向に大きく振れる場合でも導通することはなく、よってオーディオ信号がクランプされることはなく、歪の問題は起こらない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明の実施例のミュートスイッチ回路を示す回路図である。Ｑ１，Ｑ２は前述したようにソース（およびバックゲート）が共通となるようにシリーズ接続されたｎＭＯＳトランジスタである。Ｑ３はドレインが電源端子（ＶＤＤ）に、ソースがトランジスタＱ１，Ｑ２のゲートに、ゲートがミュート制御端子１に、それぞれに接続されたｎＭＯＳトランジスタである。また、Ｑ４はドレインがトランジスタＱ１，Ｑ２のゲートに、ソースがトランジスタＱ１，Ｑ２のソース（およびバックゲート）に、ゲートがインバータを介してミュート制御端子１に、それぞれ接続されたｎＭＯＳトランジスタである。
【００１６】
図１のミュートスイッチ回路では、ミュートオン時には、ミュート制御端子１に高レベル電圧（ＶＤＤ）を印加する。これにより、トランジスタＱ３が導通、トランジスタＱ４が遮断となり、その等価回路は図３に示すようになり、トランジスタＱ１，Ｑ２の導通抵抗により、オーディオ信号端子２に印加されるオーディオ信号がミュートされる。
【００１７】
一方、ミュートオフ時は、ミュート制御端子１に低レベル電圧（ＧＮＤ）を印加する。これにより、トランジスタＱ３が遮断、トランジスタＱ４が導通となり、その等価回路は図４に示すようになり、トランジスタＱ１，Ｑ２のゲート・ソース間が短絡され、それぞれはＶｇｓ＝０Ｖとなり、たとえオーディオ信号端子２の電圧が負方向に大きく振れたときでも、そのトランジスタＱ１，Ｑ２が導通することはなく、オーディオ信号にクランプがかかることが防止され、歪率を悪化させることはない。
【００１８】
なお、図１のミュートスイッチ回路ではゲートにインバータが付加されたｎＭＯＳトランジスタＱ４を使用したが、図２に示すように、これに代えてｐＭＯＳトランジスタＱ５を使用しても、同様に動作する。また、以上ではミュートオン時にはミュート制御端子１を高レベル（ＶＤＤ）電圧に、ミュートオフ時には低レベル（ＧＮＤ）電圧に制御するミュートスイッチ回路について説明したが、その反対に、ミュートオン時にはミュート制御端子１を低レベル電圧に、ミュートオフ時には高レベル電圧に制御するミュートスイッチ回路を実現するには、トランジスタＱ３〜Ｑ５の導電型を反対の導電型すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例のミュートスイッチ回路の回路図である。
【図２】別の実施例のミュートスイッチ回路の回路図である。
【図３】図１，２のミュートスイッチ回路のミュートオン時の等価回路の回路図である。
【図４】図１，２のミュートスイッチ回路のミュートオフ時の等価回路の回路図である。
【図５】従来のミュートスイッチ回路の回路図である。
【図６】従来の別のミュートスイッチ回路の回路図である。
【符号の説明】
【００２０】
１：ミュート制御端子
２：オーディオ信号端子
３：接地端子
４：オーディオ信号ライン
Ｑ１〜Ｑ３：ｎＭＯＳトランジスタ
Ｑ４：ゲートにインバータを付加したｎＭＯＳトランジスタ
Ｑ５：ｐＭＯＳトランジスタ
Ｃ１：カップリングコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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