(57)【要約】【課題】  光通信の分野において、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子のバイアス電圧を受信信号の光強度に応じて変更することにより、光強度が異なる光信号を確実に受信できるようにした光信号受信方法、光信号受信装置、光通信装置、及び光通信システムの提供を目的とする。【解決手段】  光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化するＡＰＤ２３で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出部２６と、この受信光強度検出部２６による検出結果に応じてＡＰＤ２３に印加すべきバイアス電圧を変化させるＡＰＤバイアス電圧制御回路２２とを備えており、送信許可信号に応じて各ＯＮＵ２が送信するタイミングに合わせてＡＰＤ２３に印加するバイアス電圧を変化させる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光信号受信方法において、
受信した光信号の光強度に対応して前記光電変換素子に印加するバイアス電圧を変化させることを特徴とする光信号受信方法。
【請求項２】
前記光電変換素子に印加するバイアス電圧を複数段階に変化させることを特徴とする請求項１に記載の光信号受信方法。
【請求項３】
前記光電変換素子に印加するバイアス電圧を２段階に変化させることを特徴とする請求項１に記載の光信号受信方法。
【請求項４】
光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光信号受信装置において、
受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、
前記受信光強度検出手段による検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段と
を備えたことを特徴とする光信号受信装置。
【請求項５】
前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項４に記載の光信号受信装置。
【請求項６】
前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項４に記載の光信号受信装置。
【請求項７】
複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光通信装置において、
受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、
光信号を受信した場合に、前記光信号を送信した端末装置と前記受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶する記憶手段と、
前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段と、
送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定する手段と
を備えたことを特徴とする光通信装置。
【請求項８】
前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項７に記載の光通信装置。
【請求項９】
前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項７に記載の光通信装置。
【請求項１０】
前記受信光強度検出手段による光強度の検出及び該検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた前記記憶手段への記憶を行なった後に、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定するようにしてあることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の光通信装置。
【請求項１１】
送信許可が与えられた場合に光信号を送信する複数の端末装置と、これらの端末装置それぞれに対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光通信装置とを含む光信号システムにおいて、
前記光通信装置は、
受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、
光信号を受信した場合に、前記光信号を送信した端末装置と前記受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶する記憶手段と、
前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段と、
送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定する手段と
を備え、
前記受信光強度検出手段による光強度の検出及び該検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた前記記憶手段への記憶を行なった後に、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定することにより、各端末装置が送信した光信号を受信するようにしてあることを特徴とする光通信システム。
【請求項１２】
前記光通信装置は、
前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項１１に記載の光通信システム。
【請求項１３】
前記光通信装置は、
前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、
前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあること
を特徴とする請求項１１に記載の光通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号受信方法、光信号受信装置、光通信装置、及び光通信システム、具体的には光ファイバを介して受信した光信号を、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子、具体的にはＡＰＤ（Avalanche Photo Diode:アバランシェフォトダイオード）で電気信号に変換する光信号受信方法、光信号受信装置、光通信装置、及び光通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信の分野においては、光信号を電気信号に、また逆に電気信号を光信号に変換する装置が必要である。この内、光信号を電気信号に変換するための光電変換素子としてＡＰＤが使用されることが多い。たとえば、光ファイバで構成される光伝送路の途中に増幅機能のようなアクティブ機能を有していない受動部品である光カプラを使用して光ファイバを分岐させるＰＤＳ（Passive Double Star)と称される方式を適用したＥＰＯＮ（Ethernet Passive Network System)用の光信号受信装置にもＡＰＤが利用されている。
【０００３】
ＥＰＯＮシステムはEthernet（登録商標）に準拠した光通信システムであり、ＯＬＴ（Optical Line Terminal:主端局) から個々のＯＮＵ（Optical Network Unit：宅内装置) へ光信号を送信し、また個々のＯＮＵから送信された光信号をＯＬＴが受信することにより、ブロードバンドサービスを実現する。ＯＬＴとＯＮＵとの間の伝送路は一心の光ファイバが利用され、下り方向（ＯＬＴ側から各ＯＮＵ側への通信方向）の信号と、上り方向（各ＯＮＵ側からＯＬＴ側への通信方向）の信号とは波長多重（ＷＤＭ）方式による全二重双方向通信で送受信される。
【０００４】
なお、ＯＬＴから個々のＯＮＵへの下り方向信号は宛先のＯＮＵを指定したブロードキャスト方式で送信され、個々のＯＮＵが自身宛の信号を選択的に受信する。逆に、個々のＯＮＵからＯＬＴへの上り方向の信号は、信号の衝突を防ぐために、ＯＬＴから送信を許可されたＯＮＵが時分割多重方式により送信を行なうことにより、それぞれのＯＮＵからの送信タイミングを調整している。
【０００５】
ところで、ＯＬＴと個々のＯＮＵとの間を接続する光ファイバは、光信号を分岐する分岐装置により順次的に分岐され、分岐された光ファイバの末端に個々のＯＮＵが接続される状態になる。従って、ＯＬＴ側でＯＮＵから送信された光信号を受信する場合、個々のＯＮＵ毎に、ＯＬＴとの間に介在する分岐装置の数，光ファイバの距離等が異なるため、受信信号の光強度が異なるという問題があった。以下、具体的に説明する。
【０００６】
図６は本発明の光通信システムの適用対象であるＥＰＯＮシステムのＯＬＴとＯＮＵとの接続状態の一例を示す模式図である。この例では、ＯＬＴ１から延出された光ファイバ11-0は最初の光分岐装置3-1 で二分岐され、光ファイバ11-1を介してその一方は光分岐装置3-2 と、他方は光ファイバ11-2を介して光分岐装置3-3 と接続されている。一方の光分岐装置3-2 には３個のＯＮＵ2-1, 2-2, 2-3 がそれぞれ光ファイバ11-3, 11-4, 11-5を介して接続されており、他方の光分岐装置3-3 には２個のＯＮＵ2-4, 2-5と１個の光分岐装置３-4がそれぞれ光ファイバ11-6, 11-7, 11-8を介して接続されている。更に、光分岐装置３-4には２個のＯＮＵ2-6, 2-7がそれぞれ光ファイバ11-9, 11-10 を介して接続されている。
【０００７】
上述の各光分岐装置３-1, ３-2…（以下、総称して光分岐装置３という）はＥＰＯＮでは受動型が使用されるため、それぞれの光分岐装置３において信号強度の増幅等は行なわれない。従って、個々のＯＮＵ２-1, ２-2…（以下、総称してＯＮＵ２という）とＯＬＴ１との間は、介在する光分岐装置３の数が異なり、また光ファイバの総延長距離も異なるので、いわゆる連結損失が異なる状態になっている。このため、ＯＬＴ１側で個々のＯＮＵ２から受信する光信号の光強度は両者間に介在する光分岐装置の数及び光ファイバの総延長距離（伝送距離）に応じて異なることになる。換言すれば、全てのＯＮＵ２が同一の光強度の光信号をＯＬＴ１へ送信したとしても、それらがＯＬＴ１に到達した時点での光強度、換言すればＯＬＴ１による受信信号の光強度は異なることになる。
【０００８】
図７はＯＬＴ１が個々のＯＮＵ２から受信した光信号の光強度を例示するグラフである。なお、図７の左側には図６に示したＯＮＵ２-1からの、中央には図６に示したＯＮＵ２-7からの、右側には図６に示したＯＮＵ２-2からの受信信号の光強度をそれぞれ例示してある。なお、ＯＬＴ１における受信信号の光強度は現実には、光分岐装置の数，光ファイバの距離のみならず、たとえば光ファイバの接続部の有無及び数、周囲環境等の影響も受けることは周知の事実である。
【０００９】
この図７に示す例では、図６に示したＯＮＵ2-1 から受信した光信号の光強度が最も大きく、ＯＮＵ2-7 から受信した光信号の光強度が最も小さく、ＯＮＵ2-2 から受信した光信号の光強度がＯＮＵ2-1 からのそれに比してやや小さい。
【００１０】
ＯＮＵ2-7 は図６に示したように、ＯＬＴ１との間に３個の光分岐装置3-1, 3-3, 3-4 が介在し、また伝送距離も他のＯＮＵに比して最も長いため、連結損失が最も大きく、従ってＯＬＴ１側で受信する光信号の光強度は最も小さくなる。これに対して、ＯＮＵ2-1 は図６に示したように、ＯＬＴ１との間に２個の光分岐装置3-1, 3-2が介在するのみであり、また伝送距離も他のＯＮＵに比して最も短いため、連結損失も最も小さく、従ってＯＬＴ１側で受信する光信号の光強度は最も大きくなる。更に、ＯＮＵ2-2 は図６に示したように、ＯＬＴ１との間にＯＮＵ2-1 と同様に２個の光分岐装置3-1, 3-2が介在するのみであり、また伝送距離はＯＮＵ2-1 よりも若干長いのみであるため、連結損失もＯＮＵ2-1 に比して若干小さいのみであり、従ってＯＬＴ１側で受信する光信号の光強度はＯＮＵ2-1 のそれよりも若干小さくなるのみである。
【００１１】
このように、ＯＬＴ１では個々のＯＮＵ２からの光強度が異なる光信号を受信するが、このような問題に対する従来の最も簡単な対応策は、広いダイナミックレンジを有するＡＰＤを使用することであった。しかし、広いダイナミックレンジを有するＡＰＤを使用した場合には、光強度が大幅に異なる光信号を受信して電気信号に変換することができるものの、最も光強度が小さい光信号に合わせて判定しきい値（デジタルデータの「１」、「０」を判定するためのしきい値）を設定する必要が生じ、より光強度が大きい光信号の判定に関する信頼性の面で問題があった。
【００１２】
これに対して、図７に太線で示すように、判定しきい値をそれぞれのＯＮＵ２からの受信信号の光強度に応じて適宜に設定することにより、受信信号の異なる光強度に対応することも考えられる。しかしこの場合には、個々のＯＮＵから信号を受信する都度、そのピークを検出し、この検出結果に最適化させたしきい値を設定する必要があり、処理が複雑になるという問題があった。
【００１３】
これとは別に、ＡＰＤの電流増倍率を変化させるためのバイアス電圧を変更する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。また、ＡＰＤのバイアス電圧を調整することにより、ＡＰＤからの出力信号が被測定光の光強度に対して直線性を示すようにした光検出装置の技術も知られている（たとえば、特許文献２参照）。しかし、光通信の分野において、光信号を電気信号に変換するためにＯ／Ｅ変換素子（光電変換素子）として使用されているＡＰＤの電流増倍率を切り換えるためのバイアス電圧を受信光信号の光強度に応じて調整する技術は従来は知られていない。
【特許文献１】特開２００２−８４２３５号公報
【特許文献２】特開平９−１６２４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、光通信の分野において、受信信号の光強度に応じて、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子のバイアス電圧を変更することにより、受信信号の光強度の差に対応可能な光信号受信方法、光信号受信装置の提供を主たる目的とする。
【００１５】
また本発明は更に、受信信号の光強度に応じて、換言すれば受信信号の送信元の端末装置に応じて光電変換素子のバイアス電圧を変更することにより、複数の端末装置から送信されてくる光強度が異なる光信号を確実に受信できるようにした光通信装置、及びそのような光通信装置を主端局とした光通信システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る光信号受信方法は、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光信号受信方法において、受信した光信号の光強度に対応して光電変換素子に印加するバイアス電圧を変化させることを特徴とする。
【００１７】
このような本発明の光信号受信方法では、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する場合に、受信した光信号の光強度に対応して前記光電変換素子に印加するバイアス電圧が変化し、これに応じて光電変換素子の電流増倍率も変化する。
【００１８】
また本発明に係る光信号受信方法は上述の発明において、前記光電変換素子に印加するバイアス電圧を複数段階に変化させることを特徴とする。
【００１９】
このような本発明の光信号受信方法では上述の発明において、光電変換素子に印加されるバイアス電圧が複数段階に変化し、これに応じて光電変換素子の電流増倍率も複数段階に変化する。
【００２０】
更に本発明に係る光信号受信方法は前述の発明において、前記光電変換素子に印加するバイアス電圧を２段階に変化させることを特徴とする。
【００２１】
このような本発明の光信号受信方法では前述の発明において、光電変換素子に印加されるバイアス電圧が２段階に変化し、これに応じて光電変換素子の電流増倍率も２段階に変化する。
【００２２】
また更に本発明に係る光信号受信装置は、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光信号受信装置において、受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、前記受信光強度検出手段による検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２３】
このような本発明の光信号受信装置では、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を受信光強度検出手段が検出し、この検出結果に応じてバイアス電圧制御手段により光電変換素子に印加されるバイアス電圧が変化する。
【００２４】
また本発明に係る光信号受信装置は上述の発明において、前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００２５】
このような本発明の光信号受信装置では上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００２６】
更に本発明に係る光信号受信装置は前述の発明において、前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００２７】
このような本発明の光信号受信装置では上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させる。
【００２８】
また更に本発明に係る光通信装置は、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光通信装置において、受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、光信号を受信した場合に、前記光信号を送信した端末装置と前記受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶する記憶手段と、前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段と、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定する手段とを備えたことを特徴とする。
【００２９】
このような本発明の光通信装置では、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を受信光強度検出手段が検出し、光信号を受信した場合に、光信号を送信した端末装置と受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶手段が記憶している。そして、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段に設定され、この設定されたバイアス電圧で光信号を受信して光電変換する。
【００３０】
また本発明に係る光通信装置は上述の発明において、前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００３１】
このような本発明の光通信装置では上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００３２】
更に本発明に係る光通信装置は上述の発明において、前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００３３】
このような本発明の光通信装置では前述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を２段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００３４】
また更に本発明に係る光通信装置は上述の各発明において、前記受信光強度検出手段による光強度の検出及び該検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた前記記憶手段への記憶を行なった後に、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定するようにしてあることを特徴とする。
【００３５】
このような本発明の光通信装置では上述の各発明において、受信光強度検出手段による光強度の検出及びこの検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた記憶手段への記憶が初期設定として行なわれる。このようにして初期設定が行なわれた後、複数の端末装置に対して送信許可が与えられ、送信許可が与えられた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可が与えられた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段に設定される。
【００３６】
更にまた本発明に係る光通信システムは、送信許可が与えられた場合に光信号を送信する複数の端末装置と、これらの端末装置それぞれに対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する光通信装置とを含む光信号システムにおいて、前記光通信装置は、受信した光信号の光強度を検出する受信光強度検出手段と、光信号を受信した場合に、前記光信号を送信した端末装置と前記受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶する記憶手段と、前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を変化させるバイアス電圧制御手段と、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定する手段とを備え、前記受信光強度検出手段による光強度の検出及び該検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた前記記憶手段への記憶を行なった後に、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、前記送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を前記バイアス電圧制御手段に設定することにより、各端末装置が送信した光信号を受信するようにしてあることを特徴とする。
【００３７】
このような本発明の光通信システムでは、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を受信光強度検出手段が検出し、光信号を受信した場合に、光信号を送信した端末装置と受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けた記憶手段への記憶が初期設定として行なわれる。このようにして初期設定が行なわれた後、複数の端末装置に対して送信許可が与えられ、送信許可が与えられた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可が与えられた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段に設定され、各端末装置が送信した光信号が受信される。
【００３８】
また本発明に係る光通信システムは上述の発明において、前記光通信装置は、前記受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００３９】
このような本発明の光通信システムでは上述の発明において、光通信装置に備えられている受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を段階的に変化させる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００４０】
更に本発明に係る光通信システムは上述の発明において、前記光通信装置は、前記受信光強度検出手段による検出結果を所定のしきい値で２段階に分級する手段を更に備え、前記バイアス電圧制御手段は分級結果の２段階に応じて前記光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００４１】
このような本発明の光通信システムでは前述の発明において、光通信装置に備えられている受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧を２段階に変化させる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を２段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【発明の効果】
【００４２】
以上のような本発明に係る光信号受信方法によれば、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する場合に、受信した光信号の光強度に対応して光電変換素子に印加するバイアス電圧が変化し、これに応じて光電変換素子の電流増倍率も変化するので、受信信号の光強度が異なる場合にもほぼ一定のレベルの信号を結果的に受信することが可能になる。
【００４３】
また本発明の光信号受信方法によれば上述の発明において、光電変換素子に印加されるバイアス電圧を複数段階に変化させるので、比較的簡易に実施することが可能になる。
【００４４】
更に本発明の光信号受信方法によれば前述の発明において、光電変換素子に印加されるバイアス電圧を２段階に変化させるので、非常に簡易に実施することが可能になる。
【００４５】
また更に本発明の光信号受信装置によれば、光強度が異なる光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を受信光強度検出手段が検出し、この検出結果に応じてバイアス電圧制御手段が光電変換素子に印加するバイアス電圧を変化させるので、受信信号の光強度が異なる場合にもほぼ一定のレベルの信号を結果的に受信することが可能になる。
【００４６】
また本発明の光信号受信装置によれば上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を段階的に変化させるので、比較的簡易な構成とすることが可能になる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００４７】
また本発明の光信号受信装置によれば上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を２段階に変化させるので、非常に簡易な構成とすることが可能になる。特に、このように受信信号の光強度を２段階に分級する場合は受信光強度検出手段をたとえばピークホールド回路とコンパレータのみの簡単な構成で実現できる。
【００４８】
更にまた本発明の光通信装置によれば、複数の端末装置に対して送信許可を与え、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信し、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子で電気信号に変換する際に、受信した光信号の光強度を受信光強度検出手段が検出し、光信号を受信した場合に、光信号を送信した端末装置と受信光強度検出手段による検出結果とを対応付けて記憶手段が記憶している。そして、送信許可を与えた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可を与えた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段に設定され、この設定されたバイアス電圧で光信号を受信して光電変換する。従って、受信信号の光強度が異なる場合にもほぼ一定のレベルの信号を結果的に受信することが可能になる。
【００４９】
また本発明の光通信装置によれば上述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を段階的に変化させるので、比較的簡易な構成とすることが可能になる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００５０】
また本発明の光通信装置によれば前述の発明において、受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を２段階に変化させるので、非常に簡易な構成とすることが可能になる。特に、このように受信信号の光強度を２段階に分級する場合は受信光強度検出手段をたとえばピークホールド回路とコンパレータのみの簡単な構成で実現できる。
【００５１】
また更に本発明の光通信装置によれば上述の各発明において、受信光強度検出手段による光強度の検出及びこの検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた記憶手段への記憶が初期設定として行なわれる。このようにして初期設定が行なわれた後、複数の端末装置に対して送信許可が与えられ、送信許可が与えられた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可が与えられた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段により最適な電圧値に設定される。従って、たとえば新たな端末装置が追加接続されたような場合にも初期設定を再実行するのみにて自動的に光電変換素子の最適なバイアス電圧の再設定が行なわれ、また定期的に初期設定を行うことにより、光分岐装置，端末装置の発光素子（レーザダイオード等）の経年変化による伝送損失に対応することが容易に可能である。
【００５２】
また本発明の光通信システムによれば、システムを構成する光通信装置が備える受信光強度検出手段による光強度の検出及びこの検出結果と光信号を送信した端末装置とを対応付けた記憶手段への記憶が初期設定として行なわれる。このようにして初期設定が行なわれた後、複数の端末装置に対して送信許可が与えられ、送信許可が与えられた端末装置から光信号を受信する期間に、送信許可が与えられた端末装置に対応付けて記憶手段が記憶している検出結果に応じて光電変換素子に印加すべきバイアス電圧がバイアス電圧制御手段により最適な電圧値に設定される。従って、たとえば新たな端末装置が追加接続されたような場合にも初期設定を再実行するのみにて自動的に光電変換素子の最適なバイアス電圧の再設定が行なわれ、また定期的に初期設定を行うことにより、光分岐装置，端末装置の発光素子（レーザダイオード等）の経年変化による伝送損失に対応することが容易に可能である。
【００５３】
また本発明の光通信システムによれば上述の発明において、システムを構成する光通信装置が備える受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が複数段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による複数段階の分級それぞれに応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を段階的に変化させるので、比較的簡易な構成とすることが可能になる。なお、受信光強度検出手段による検出結果を複数段階に分級する手段としては、受信光強度検出手段そのものでもよいし、別途適宜の手段、たとえば演算手段等を設けてもよい。
【００５４】
また本発明の光通信システムによれば前述の発明において、システムを構成する光通信装置が備える受信光強度検出手段が受信した光信号の光強度の検出結果が所定のしきい値で２段階に分級され、バイアス電圧制御手段も受信光強度検出手段による２段階の分級に応じて光電変換素子に印加するバイアス電圧を２段階に変化させるので、非常に簡易な構成とすることが可能になる。特に、このように受信信号の光強度を２段階に分級する場合は受信光強度検出手段をたとえばピークホールド回路とコンパレータのみの簡単な構成で実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述するが、まず最初に本発明方法の原理について図１を参照して説明する。また本発明方法の実施対象としての本発明の光通信システムは、便宜上、図６に示されたＥＰＯＮシステムと同一であるとする。
【００５６】
図１(a) は前述の図７と同一のＯＬＴ１が個々のＯＮＵ２から受信した光信号の光強度を例示するグラフであり、左側には図６に示したＯＮＵ２-1からの、中央には図６に示したＯＮＵ２-7からの、右側には図６に示したＯＮＵ２-2からの受信信号の光強度をそれぞれ例示してある。
【００５７】
この図１(a) に示す例では、図６に示したＯＮＵ2-1 から受信した光信号の光強度が最も大きく、ＯＮＵ2-7 から受信した光信号の光強度が最も小さく、ＯＮＵ2-2 から受信した光信号の光強度がＯＮＵ2-1 からのそれに比してやや小さい。その理由については前述したので、ここでは省略する。
【００５８】
図６に示したＥＰＯＮシステムのＯＬＴ１では個々のＯＮＵ２からの光強度が異なる光信号を受信するが、図１(b) に示すように、それぞれのＯＮＵ２からの受信信号の光強度に応じた、より具体的には逆比例させたバイアス電圧を、具体的には光強度が大である場合には図１(b) の両側に示すようにローレベルのバイアス電圧を、逆に光強度が小である場合には図１(b) の中央に示すようにハイレベルのバイアス電圧を、印加されるバイアス電圧に応じて電流増倍率が変化する光電変換素子、具体的にはＡＰＤ（Avalanche Photo Diode:アバランシェフォトダイオード）に印加すれば、ＡＰＤから出力される信号の電流値は図１(c) に示すように大きなバラツキはなくなるので、実線にて示すような一定の判定しきい値でデジタルデータとして取り込むことが可能になる。
【００５９】
なお、図１に示した例では、ＡＰＤに印加するバイアス電圧を、受信信号の光強度に応じて２段階に変化させるようにしているが、より多数の段階に変化させるようにしてもよいし、また受信信号の光強度に完全に逆比例させて連続的に変化させてもよいことはいうまでもない。
【００６０】
以上が本発明方法の基本的な原理であるが、以下、実際のＯＬＴに適用した場合の実施の形態について説明する。
【００６１】
図２は本発明に係る光信号受信装置をその構成要素として含む光信号送受信装置の構成例を示すブロック図であり、図６に示す光通信システムを構成する本発明の光通信装置としてのＯＬＴ１内に内蔵されている。
【００６２】
光信号送受信装置１０の内部構成は大きくは、本発明に係る光信号受信装置としての上り方向の信号に関与する部分、即ち個々のＯＮＵ２から送信された光信号を受信して処理する部分と、下り方向の信号に関与する部分、即ち個々のＯＮＵ２へ光信号をブロードキャストする部分とに分かれている。また、光信号送受信装置１０のＯＮＵ２と接続している側の逆側には、ＯＬＴ１内の他の回路と電気信号で接続するための部分が構成されている。
【００６３】
光信号送受信装置１０はＯＬＴ１内の他の回路とはフレームバッファ４３を介して接続されており、フレームバッファ４３と光信号送受信装置１０との間は物理層のインタフェイス（ＰＨＹ）４２を介して接続されている。なお、フレームバッファ４３及びＰＨＹ４２はＭＰＵ４１が所定のソフトウェアに従って制御する。
【００６４】
光信号送受信装置１０がＯＬＴ１内の他の回路から受信した信号は一旦フレームバッファ４３にバッファリングされ、ＰＨＹ４２で符号化されてＥＰＯＮ用のフォーマットの信号に変換され、Ｅ／Ｏ変換素子（電光変換素子）３１へ送られる。Ｅ／Ｏ変換素子３１は入力された電気信号に応じてＬＤ（レーザダイオード）３２に光信号を発生させる。このようにしてＬＤ３２が発生した光信号はＷＤＭ（波長多重）カプラ１２から光ファイバ11-0へ出力され、図６に示されているように、各ＯＮＵ２へブロードキャストされる。
【００６５】
一方、各ＯＮＵ２からの上り方向の光信号は最終的には光ファイバ11-0を介してＷＤＭカプラ１２へ入力され、ＡＰＤ（Avalanche Photo Diode:アバランシェフォトダイオード）２３で電流信号に変換され、プリアンプ２４でデジタルデータの「１」、「０」に対応する電圧信号に変換される。プリアンプ２４から出力される電圧信号はＡＧＣ（自動ゲイン制御）機能を有するポストアンプ２５で増幅されてＰＨＹ４２で他の回路との通信のために逆符号化（復号化）される。逆符号化された信号は一旦フレームバッファ４３でバッファリングされ、ＭＰＵ４１によりタイミング調整されて外部へ出力される。
【００６６】
なお、プリアンプ２４が出力する電圧信号は上述のポストアンプ２５へ入力される他、受信光強度検出部２６へも入力される。この受信光強度検出部２６はＡＰＤ２３が受信した光信号の光強度をプリアンプ２４から入力される電圧信号に基づいて検出し、その検出結果をＭＰＵ４１に与える。ＭＰＵ４１はこの受信光強度検出部２６から与えられる光信号の光強度の検出結果それぞれがいずれのＯＮＵ２からの受信信号のものであるかを対応付けて内部メモリ４Ｍに記憶する。なお、個々の受信信号の光強度の検出結果とその信号を送信したＯＮＵ２とを対応させる方法に関しては後述する。
【００６７】
ところで、ＡＰＤ２３には電流増倍率を切り換えるためのバイアス電圧（厳密には逆バイアス電圧）を印加する必要があるが、高電圧発生回路２１が発生した高電圧がＡＰＤバイアス電圧制御回路２２で制御されてＡＰＤ２３にバイアス電圧として印加される。なお、ＡＰＤバイアス電圧制御回路２２は後述するようにＭＰＵ４１により制御されて、ＡＰＤ２３に印加するバイアス電圧を変化させるが、このＭＰＵ４１によるＡＰＤバイアス電圧制御回路２２の制御の方法に関しても後述する。
【００６８】
次に、上述のような図２に示した構成の本発明の光信号受信装置をその一部として含む光信号送受信装置、及びこれを含む光通信装置であるＯＬＴ１の動作について説明する。まず、第１の実施の形態について、ＯＬＴ１全体の動作手順を示す図３のフローチャートを参照して説明する。
【００６９】
ＯＬＴ１が何らかの事情で初期化された場合、または遮断されていた電源が投入された場合（ステップＳ１１）、全てのＯＮＵ２から所定の信号をＯＬＴ１へ送信させる指示信号を、ＭＰＵ４１がフレームバッファ４３，ＰＨＹ４２を制御して全てのＯＮＵ２へブロードキャストする（ステップＳ１２）。
【００７０】
このブロードキャスト信号を受信した各ＯＮＵ２は予めたとえばそれぞれに設定されているＩＤ番号（具体的には、ＬＬＩＤ：Logical link ID)等に応じて時分割多重アクセス方式で順次的に所定の信号をＯＬＴ１へ送信する（ステップＳ１３）。このようにして各ＯＮＵ２から時分割多重アクセス方式で順次的に送信された所定の信号はＯＬＴ１に受信されるので、受信光強度検出部２６がそれぞれの信号の光強度を検出し（ステップＳ１４）、ＭＰＵ４１は受信光強度検出部２６が検出した光強度とそれぞれの信号を送信したＯＮＵ２とを対応付けて内部メモリ４Ｍに記憶する（ステップＳ１５）。この際の個々のＯＮＵ２を特定する情報としては前述のＩＤ番号が利用可能である。
【００７１】
なお、この第１の実施の形態では、受信光強度検出部２６による受信信号の光強度の検出は、プリアンプ２４から出力された電圧信号の絶対値を検出するものとし、この際にＡＰＤ２３に印加されるバイアス電圧は所定の値が予め設定されているものとする。
【００７２】
次に、ＭＰＵ４１は全てのＯＮＵ２からの受信信号の光強度の検出結果が得られると、全ＯＮＵ２について受信光強度検出部２６による検出結果、換言すれば受信信号の光強度、に対応してＡＰＤ２３からの出力信号の電流値がほぼ一定となるようなＡＰＤ２３に印加すべきバイアス電圧を設定し、それぞれのＯＮＵ２に対応付けて内部メモリ４Ｍに記憶する (ステップＳ１６）。
【００７３】
以上のようにして全ＯＮＵ２についてのバイアス電圧の設定が行なわれた後に、実際の通信が可能になる。即ち、ＭＰＵ４１は各ＯＮＵ２に所定順序で送信を許可する信号をブロードキャストし（ステップＳ１７）、各ＯＮＵ２からの送信信号の受信期間に合わせて、それぞれのＯＮＵ２に設定されているバイアス電圧を内部メモリ４Ｍから読み出してＡＰＤバイアス電圧制御回路２２に指示する (ステップＳ１８）。
【００７４】
以上により、ＡＰＤ２３は、ＯＬＴ１からブロードキャストされた送信許可信号に応じて各ＯＮＵ２からそれぞれ送信された信号を受信する期間において、それぞれのＯＮＵ２からの受信信号の光強度に対応させて予め設定されているバイアス電圧をＡＰＤバイアス電圧制御回路２２から印加されることになるので、ＡＰＤ２３からはいずれのＯＮＵ２からの信号を受信した場合にもほぼ一定の電流値の信号が出力される。
【００７５】
次に、前述のような図２に示した構成の本発明の光信号受信装置をその一部として含む光信号送受信装置の動作の第２の実施の形態について、本発明の光通信システム全体の動作手順を示す図４，図５のフローチャートを参照して説明する。
【００７６】
なお、本第２の実施の形態では、各ＯＮＵ２からの受信信号の光強度をある程度の限られた段階に分級し、ＡＰＤ２３に印加されるバイアス電圧もこの段階と対応させて段階的にする。但し、図４，図５に示す実際の実施の形態においては、各ＯＮＵ２からの受信信号の光強度を２段階に分級し、ＡＰＤ２３に印加されるバイアス電圧も２段階としている。また、図４のステップＳ３１乃至Ｓ３４までの動作手順は前述の第１の実施の形態の図３のステップＳ１１乃至Ｓ１４と同一であるので、説明を省略する。
【００７７】
但し、本実施の形態では、ステップＳ３４での受信光強度検出部２６による検出は、プリアンプ２４から出力された電圧信号を所定のしきい値で「強」と「弱」との２段階に分級して検出するようにしている。このような構成を採る場合には、受信光強度検出部２６をたとえばピークホールド回路とコンパレータとのみの簡単な構成で実現できる。
【００７８】
なお、ステップＳ３４においては、前述の第１の実施の形態の場合と同様に、受信光強度検出部２６がプリアンプ２４から出力された電圧信号の絶対値を検出するようにしてもよい。この場合は、その後にＭＰＵ４１が受信信号の光強度が所定値以上であるかまたは所定未満であるか（または所定値を越えるか所定以下であるか）に応じて「強」と「弱」との２段階に分級すればよい。
【００７９】
このようにして各ＯＮＵ２からの受信信号の光強度が２段階に分級されると、ＭＰＵ４１はそれぞれの信号を送信したＯＮＵ２とを対応付けて内部メモリ４Ｍに記憶する（ステップＳ３５）。なおこの際の個々のＯＮＵ２を特定する情報としては前述のＩＤ番号が利用可能である。
【００８０】
次に、ＭＰＵ４１は全てのＯＮＵ２からの受信信号の光強度の分級結果が得られると、全ＯＮＵ２をＨグループとＬグループとに２分類する（ステップＳ３６）。ここで、ＨグループのＯＮＵ２は受信信号が所定値以上である（または所定値を越える）グループであり、このＨグループのＯＮＵ２からＯＬＴ１が信号を受信する場合にはＭＰＵ４１からの指示によりＡＰＤバイアス電圧制御回路２２がＡＰＤ２４のバイアス値をローレベルに設定する。一方、ＬグループのＯＮＵ２は受信信号が所定値未満である（または所定値以下である）グループであり、このＬグループのＯＮＵ２からＯＬＴ１が信号を受信する場合にはＭＰＵ４１からの指示によりＡＰＤバイアス電圧制御回路２２がＡＰＤ２４のバイアス値をハイレベルに設定する。
【００８１】
以上のようにして全ＯＮＵ２の分類が行なわれた後に、実際の通信が可能になる。即ち、ＭＰＵ４１はまずＨグループのＯＮＵ２に送信許可を与える信号をブロードキャストし（ステップＳ３７）、ＡＰＤ２３にローレベルのバイアス電圧を印加するようにＡＰＤバイアス電圧制御回路２２に指示を与える（ステップＳ３８）。これによりＡＰＤ２３にはローレベルのバイアス電圧が印加された状態になり（ステップＳ３９）、この状態においてＯＮＵ２からの信号を受信する（ステップＳ４０）。但し、先のステップＳ３７においてＨグループのＯＮＵ２に送信許可を与える信号がブロードキャストされているので、ステップＳ４０においてＯＬＴ１が受信する信号はＨグループのＯＮＵ２からの信号のみになる。
【００８２】
このような状態においては、ＯＬＴ１が受信する信号はローレベルのバイアス電圧時のＡＰＤ２３に対応した光強度の信号であるので、全ての受信信号を問題なしに受信することが可能である。
【００８３】
このようにしてＨグループの全てのＯＮＵ２からの信号を受信した場合には、ＭＰＵ４１は次にＬグループの全てのＯＮＵ２に送信許可を与える信号をブロードキャストし（ステップＳ４１）、ＡＰＤ２３にハイレベルのバイアス電圧を印加するようにＡＰＤバイアス電圧制御回路２２に指示を与える（ステップＳ４２）。これによりＡＰＤ２３にはハイレベルのバイアス電圧が印加された状態になり（ステップＳ４３）、この状態においてＯＮＵ２からの信号を受信する（ステップＳ４４）。但し、先のステップＳ４１においてＬグループのＯＮＵ２に送信許可を与える信号がブロードキャストされているので、ステップＳ４４においてＯＬＴ１が受信する信号はＬグループのＯＮＵ２からの信号のみになる。
【００８４】
このような状態においては、ＯＬＴ１が受信する信号はハイレベルのバイアス電圧時のＡＰＤ２３に対応した光強度の信号であるので、全ての受信信号を問題なしに受信することが可能である。
【００８５】
なお、上述の実施の形態においては、各ＯＮＵ２をそのＯＬＴ１での受信信号の光強度に応じて２分類したが、これに限定する必要はなく、３段階以上に受信信号の光強度を分級し、それぞれの受信信号の光強度に応して各ＯＮＵ２を複数のグループに分類し、それぞれのグループに応じた段階的なバイアス電圧をＡＰＤバイアス電圧制御回路２２がＡＰＤ２３に設定するようにしてもよいことは言うまでもない。
【００８６】
なお、新たなＯＮＵがＯＬＴ１に追加接続されたような場合、または光ファイバ，光分岐装置等の経年変化による影響を較正するような場合にはステップＳ１１乃至Ｓ１６、またはステップＳ３１乃至Ｓ３６のような初期化を行なえばよい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明方法の原理を説明するための説明図である。
【図２】本発明に係る光通信装置であるＯＬＴに内蔵されている本発明の光信号受信装置の構成例を示すブロック図である。
【図３】本発明の光信号受信装置、及びこれを含む光通信装置であるＯＬＴの第１の実施の形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の光信号受信装置、及びこれを含む光通信装置であるＯＬＴの第２の実施の形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の光信号受信装置、及びこれを含む光通信装置であるＯＬＴの第２の実施の形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明方法の適用対象である光通信システムとしてのＥＰＯＮシステムのＯＬＴとＯＮＵとの接続状態の一例を示す模式図である。
【図７】図６のＥＰＯＮシステムにおいてＯＬＴが個々のＯＮＵから受信した光信号の光強度を例示するグラフである。
【符号の説明】
【００８８】
１    ＯＬＴ（Optical Line Terminal:主端局) 
２    ＯＮＵ（Optical Network Unit：宅内装置) 
１０  光信号送受信装置
１１  光ファイバ
１２  ＷＤＭカプラ
２２  ＡＰＤバイアス電圧制御回路
２３  ＡＰＤ（Avalanche photo Diode:アバランシェフォトダイオード）
２４  プリアンプ
２５  ポストアンプ
４１  ＭＰＵ
４Ｍ  メモリ
【図１】
2005045560.tif 000003
【図２】
2005045560.tif 000004
【図３】
2005045560.tif 000005
【図４】
2005045560.tif 000006
【図５】
2005045560.tif 000007
【図６】
2005045560.tif 000008
【図７】
2005045560.tif 000009