(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法。【解決手段】半導体チップ１０の中央部領域の線上に配置される信号パッドである第１列のボンディングパッドは一本のボンディングワイヤ１２によってボンディングフィンガー１１中の一つと電気的に連結され、信号パッドより大きいサイズを有するパワーまたはグラウンドパッドである第２列のボンディングパッドは少なくとも二本のボンディングワイヤによって多数のボンディングフィンガー中の一つと電気的に連結される。または前記第１列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第２列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短い。【選択図】図５
2005167222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの半導体チップと、
第１領域に配置される第１列のボンディングパッドと、
第２領域に配置される第２列のボンディングパッドと、
前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、
前記第１列及び前記第２列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第１列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーのうちの一つと電気的に連結され、前記第２列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーのうちの一つと電気的に連結されることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【請求項２】
前記第２列のボンディングパッドは、
前記多数のボンディングフィンガーと前記第１列のボンディングパッドとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項３】
前記第１列のボンディングパッドは、
信号パッドであることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項４】
前記第２列のボンディングパッドは、
パワーまたはグラウンドパッドであることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項５】
前記第１列のボンディングパッドまたは前記第２列のボンディングパッドは、
再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項６】
前記第２列のボンディングパッドは、
前記第１列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項７】
前記第２列のボンディングパッドは、
その中で２個以上のパッドが、前記第１列のボンディングパッドと前記多数のボンディングフィンガーとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項８】
前記第１列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第２列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項９】
前記第２列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、一本のボンディングフィンガーに全て連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１０】
前記第２列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、相異なるボンディングフィンガーに分けられて連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１１】
少なくとも一つの半導体チップと、
第１領域に配置される第１列のボンディングパッドと、
第２領域に配置される第２列のボンディングパッドと、
前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、
前記第１列及び前記第２列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第１列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第２列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする半導体チップパッケージ。
【請求項１２】
前記第２列のボンディングパッドは、
前記多数のボンディングフィンガーと前記第１列のボンディングパッドとの間に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１３】
前記第１列のボンディングパッドは、
信号パッドであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１４】
前記第２列のボンディングパッドは、
パワーまたはグラウンドパッドであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１５】
前記第１列のボンディングパッドまたは前記第２列のボンディングパッドは、
再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１６】
前記第２列のボンディングパッドは、
前記第１列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１７】
前記第２列のボンディングパッドは、
その中で２個以上のパッドが、前記第１列のボンディングパッドと前記多数のボンディングフィンガーとの間に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１８】
前記第１列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第２列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１９】
前記第２列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、一本のボンディングフィンガーに全て連結されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２０】
前記第２列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、相異なるボンディングフィンガーに分けられて連結されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項２１】
請求項１に記載の半導体チップパッケージを少なくとも２個以上含むことを特徴とする多重チップの半導体チップパッケージ。
【請求項２２】
請求項１１に記載の半導体チップパッケージを少なくとも２個以上含むことを特徴とする多重チップの半導体チップパッケージ。
【請求項２３】
第１領域に第１列のボンディングパッドを配置し、第２領域に第２列のボンディングパッドを配置する段階と、
基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、
前記第１列のボンディングパッドそれぞれを一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第２列のボンディングパッドそれぞれを少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、
を具備することを特徴とする基板と半導体チップとの連結方法。
【請求項２４】
第１領域に第１列のボンディングパッドを配置し、第２領域に第２列のボンディングパッドを配置する段階と、
基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、
前記第１列のボンディングパッドそれぞれを長いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第２列のボンディングパッドそれぞれを長いか短いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、
を具備することを特徴とする基板と半導体チップとの連結方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法によって製造される半導体チップパッケージ。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法によって製造される半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法に係り、特に半導体チップパッケージのボンディングパッドレイアウト及びワイヤボンディングに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体メモリ回路などのような半導体装置は、ますます高速化、高容量化されている。このような半導体装置の性能にパッケージ構造が及ぼす影響もますます重要になっている。特に、パッドを効果的に配置してラウティングする技術は、半導体装置の性能に大きな影響を及ぼす。従来に中央部領域のパッド構造を有する半導体チップを高容量化するために、二つ以上のチップを一つのパッケージに積み上げるマルチチップパッケージング方式には二つがある。すなわち、その一つは、各々の中央部領域パッドをＰＣＢ(Printed Circuit Board)基板にあるボンディングフィンガーと一対一に長くワイヤボンディングする方式である。他の一つは、再配線して中央部領域パッドをチップ端に移動させ、再配線された各パッドをＰＣＢ基板にあるボンディングフィンガーと一対一に短くワイヤボンディングする方式である。このような従来の半導体チップパッケージについては、特許文献１によく記載されている。
【０００３】
図１は、中央部領域パッド１５を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。図２は、図１の半導体チップパッケージの断面図である。図１及び図２を参照すれば、中央部領域パッド構造を有する半導体チップ１０を高容量化するため、二つ以上のチップ１０を一つのパッケージに積み上げてマルチチップパッケージングする場合に、ボンディングワイヤ１２のみを利用して中央部領域パッド１５とボンディングフィンガー１１とが電気的に相互連結された様子が示されている。このようなパッケージ構造では、中央部領域パッドは、信号パッド、パワー(電源)パッド、またはグラウンド(接地)パッドなどに対する区分なしにボンディングフィンガー１１までボンディングワイヤ１２のみでラウティングされる。しかし、このようなパッケージ構造で、パワーパッド及びグラウンドパッドとボンディングフィンガー１１とを連結する細長いワイヤ１２が無視できないインダクタンス成分を有するので、半導体装置の動作性能を低下させる問題点がある。さらに、中央部領域パッドの面積が限定されているので、パワーパッド及びグラウンドパッドでボンディングしうるワイヤ数が、チップ上にあるパワーパッド及びグラウンドパッド個数ほどに制限されるという問題点がある。
【０００４】
図３は、再配線されたパッド１６を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。図４は、図３の半導体チップパッケージの断面図である。図３及び図４を参照すれば、再配線を利用して中央部領域パッドが全てチップ周辺部に移動された再配線パッド１６とボンディングフィンガー１１とが短く電気的に相互連結された様子が示されている。このようなパッケージ構造では、中央部領域パッドの中でパワーパッド及びグラウンドパッドは、再配線によってパッドサイズが大きくなり、ワイヤも短くなるので、そのインダクタンス成分を小さくしうる。しかし、ボンディングワイヤ１２間の空間が生じて、この空間にクロストークなどの防止策に使われるパワーボンディングワイヤやグラウンドボンディングワイヤを追加させられない。さらに、図３のように再配線する場合に、再配線が有する構造的な特性のため、特に信号線において再配線されたパッドと半導体下層との間の薄い絶縁層により、等しい寸法を有するボンディングワイヤに比べて寄生キャパシタンスを増加させる要因になる。このように増加されたキャパシタンスを減らすために単純に再配線パッドの幅を縮めれば、そのインダクタンス成分が大きくなる。従って、図３の構造で、パワー線及びグラウンド線の電気的特性は図１の構造に比べて有利であるが、信号線の電気的特性は図１の構造に比べてむしろ良くない。
【特許文献１】米国特許第６,５３１,７８４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする技術的課題は、信号線に対しては中央部領域パッドからワイヤボンディングする技術を適用して再配線が有するインダクタンス及びキャパシタンスの脆弱性を補い、パワー線及びグラウンド線に対しては再配線されたパッドからワイヤボンディングする技術を適用してパワー及びグラウンド線幅とパッド個数とを増大させてインダクタンス成分を低減することで、半導体装置の電気的特性を向上させる半導体チップパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の技術的課題を解決するための本発明の一実施例による半導体チップパッケージは、少なくとも一つの半導体チップと、第１領域に配置される第１列のボンディングパッドと、第２領域に配置される第２列のボンディングパッドと、前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、前記第１列及び前記第２列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、前記第１列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第２列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする。
【０００７】
前記の技術的課題を解決するための本発明の他の一実施例による基板と半導体チップとの連結方法は、第１領域に第１列のボンディングパッドを配置し、第２領域に第２列のボンディングパッドを配置する段階と、基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、前記第１列のボンディングパッドそれぞれを一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第２列のボンディングパッドそれぞれを少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記第１列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第２列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする。
【０００９】
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による半導体チップパッケージは、少なくとも一つの半導体チップと、第１領域に配置される第１列のボンディングパッドと、第２領域に配置される第２列のボンディングパッドと、前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、前記第１列及び前記第２列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、前記第１列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第２列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする。
【００１０】
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による基板と半導体チップとの連結方法は、第１領域に第１列のボンディングパッドを配置し、第２領域に第２列のボンディングパッドを配置する段階と、基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、前記第１列のボンディングパッドそれぞれを長いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第２列のボンディングパッドそれぞれを長いか短いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
ここで、前記第１列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第２列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする。
【００１２】
前記第１列のボンディングパッドまたは前記第２列のボンディングパッドは、再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする。前記第２列のボンディングパッドは、前記第１列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする。
【００１３】
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による多重チップの半導体チップパッケージは、前記のような半導体チップパッケージを少なくとも２個以上含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による半導体チップパッケージは、信号線に対しては、中央部領域パッドからワイヤボンディングする技術を適用して再配線が有するインダクタンス及びキャパシタンスの脆弱性を補う。さらに、パワー線及びグラウンド線に対しては、再配線されたパッドからワイヤボンディングする技術を適用してパワー及びグラウンド線幅とパッド個数とを増大させてインダクタンス成分を低減する。したがって、半導体装置の電気的特性を向上させうる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を充分に理解するためには、本発明の望ましい実施例を例示する添付図面及び図面に記載した内容を参照しなければならない。
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【００１７】
半導体装置に具備される半導体チップ上には、多くのボンディングパッドがある。命令入力信号、データリード及びデータライト動作のための信号のような電気的信号は、ボンディングパッドを通じて半導体チップに入力されるかまたは出力される。
【００１８】
図５は、本発明の一実施例による半導体チップパッケージの平面図である。図５を参照すれば、本発明の一実施例による半導体チップパッケージは、第１列のボンディングパッド(信号パッド)、第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)、多数のボンディングフィンガー１１、及び多数のボンディングワイヤ１２を具備する。
【００１９】
ＰＣＢ １４上に具備される前記ボンディングフィンガー１１は、中央部領域に配置される第１列のボンディングパッド(信号パッド)の周辺すなわち、左側、右側、上側または下側に配置される。前記ボンディングフィンガー１１及び前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の間に前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)が配置される。
【００２０】
前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)は、半導体チップ１０の中央部領域で同じ線上に配置される前記半導体チップ１０パッドの中の他の一部パッドである。前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、それぞれが前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の中で他よりも大きいサイズを有する前記半導体チップ１０パッドの中の他の一部パッドである。
【００２１】
特に、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の中で一部パッドに電気的に接触させた導電物質で再配線したパッドであり、前記再配線によって前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー１１との間に配置される。
【００２２】
前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の中の一部パッドを選択して再配線する方法は、周知のように、先ず、半導体チップ１０の中央部領域に露出されているパッドの上に酸化膜またはポリマーのような所定の絶縁膜を塗布する。次に、絶縁膜が塗布された状態で１次フォトマスキング工程と絶縁膜食刻工程とを通じて中央部領域に露出されていたパッドを再び露出させる。前記中央部領域パッドが再び露出されれば、前記中央部領域パッドが露出されている前記半導体チップ１０上にメタルのような導電物質を塗布する。次に、前記塗布された導電物質に対する２次フォトマスキング工程とメタル食刻工程とを進行し、この時に食刻されていない導電物質は前記中央部領域パッドの中で一部パッドと電気的に接触されるようにする。この時、食刻されずに残っている導電物質が、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)にあたる。また、前記中央部領域パッドの中で前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)で再配線されない他の一部パッドは、２次フォトマスキング工程とメタル食刻工程とで再び露出され、このパッドは前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)にあたる。このように再配線されてパッドサイズが大きくなった前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を利用すれば、当該のボンディングフィンガー１１と連結されるボンディングワイヤ１２の長さを短縮でき、同じパッドに連結されるボンディングワイヤ１２の数も増加させうる。
【００２３】
一方、前記ボンディングフィンガー１１は前記半導体チップ１０を固定させるＰＣＢのような所定基板１４上の周辺部に配置され、前記ボンディングフィンガー１１のそれぞれはＰＣＢ内の導電物質によって外部ピン１３(例えば、ソルダボールまたはソルダバンプ)と電気的に連結される。前記ボンディングワイヤ１２は、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)及び前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれと前記ボンディングフィンガー１１とを電気的に連結させる。
【００２４】
図５に図示されたように、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは、一本の長いボンディングワイヤによって当該ボンディングフィンガーと電気的に連結される。しかし、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の中でいずれよりも大きいサイズを有するので、長いか短い二本以上のボンディングワイヤ１２それぞれにより、当該のボンディングフィンガーと電気的に何回も連結されうる。すなわち、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ１２は、一本のボンディングフィンガーに連結されうる。
【００２５】
また、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ１２は、相異なるボンディングフィンガーに連結されうる。このように、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を二本以上のボンディングワイヤ１２によって並列にボンディングフィンガー１１と連結させれば、パワーまたはグラウンドを伝達するボンディングワイヤ１２のインダクタンス成分が減り、これによって安定的にパワーまたはグラウンドが伝達されうる。
【００２６】
また、図５のように、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、その中の２個以上のパッドが前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー１１との間に配置されることが望ましい。例えば、図５で、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で、パワーパッドとグラウンドパッドとが一つずつ前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー１１との間に配置されれば、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と連結されるボンディングワイヤ１２の間でパワー及びグラウンドパッドと連結されるボンディングワイヤ１２が全て存在するだけでなく、この時にボンディングワイヤ１２の下方にパワー及びグラウンド面が形成されるので、前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と連結されるボンディングワイヤ１２によって伝達される信号のクロストークのような電気的特性を改善しうる。
【００２７】
図５で、前記第２列のボンディングパッドのサイズは２次元的に前記第１列のボンディングパッドよりも大きいが、ただ１次元的にのみ大きいものでもありうる。例えば、前記第２列のボンディングパッドの横または縦の幅が、前記第１列のボンディングパッドとほぼ同じでありうる。
【００２８】
また、図５には図示されていないが、前記第１列のボンディングパッドまたは前記第２列のボンディングパッドの中でいずれか一列のパッドまたはすべての列に属するパッドが、再配線したパッドであるか、再配線したパッドに連結されうる。
【００２９】
本発明による半導体チップパッケージは、図６のように、２個の半導体チップ１０をパッケージングしたマルチチップパッケージに適用するのが望ましい。その他にも、３個以上の半導体チップをパッケージングしたマルチチップパッケージにも適用されうる。この時、パッド数が多くてさらに多いボンディングワイヤ１２が存在するので、信号パッドと連結されるボンディングワイヤ１２によって伝達される信号のクロストークと、パワーまたはグラウンドを伝達するボンディングワイヤ１２のインダクタンス成分とを画期的に減らせうるからである。
【００３０】
図６のように、２個の半導体チップ１０をパッケージングしたマルチチップパッケージ構造で、半導体チップ１０それぞれを第１及び第２半導体チップであるとし、半導体チップ１０それぞれのパッドを図５のように配置するとする。この時、上述したように、前記第１半導体チップは、そのパッドの中で同じ線上に配置される一部第１列のボンディングパッド(信号パッド)、及び前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、各々が前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)の中のいずれよりも大きいサイズを有する他の一部第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を具備する。同様に、前記第２半導体チップは、そのパッドの中で同じ線上に配置される一部第３列のボンディングパッド(信号パッド)、及び前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、各々が前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)の中のいずれよりも大きいサイズを有する他の一部第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を具備する。前記第１列及び前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)は図５の第１列のボンディングパッド(信号パッド)と同じく信号パッドであり、前記第２列及び前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は図５の第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)と同じくパワーまたはグラウンドパッドである。また、前記第２列及び前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは、前記第１列及び前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)の中で一部パッドに各々電気的に接触させた導電物質で再配線したパッドである。
【００３１】
すなわち、図６のように、上下に配置された第１及び第２半導体チップの各々のパッドが図５のように配置される時、ＰＣＢ１４上に具備される前記ボンディングフィンガー１１は前記第１列または前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)の左側、右側、上側、及び下側に配置され、前記ボンディングフィンガー１１と前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)との間、及び前記ボンディングフィンガー１１と前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)との間それぞれに前記第２列及び第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)が配置される。特に、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で２個以上のパッドが前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー１１との間に配置され、前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で２個以上のパッドが前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー１１との間に配置されうる。前記第１列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは一本のボンディングワイヤによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結され、前記第２列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは二本以上のボンディングワイヤ１２それぞれによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結されうる。同じく、前記第３列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは一本のボンディングワイヤによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結され、前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは二本以上のボンディングワイヤ１２それぞれによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結されうる。この時、前記第２列及び前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ１２は、一本のボンディングフィンガーに何回も連結されうる。または、前記第２列及び前記第４列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ１２は、相異なるボンディングフィンガーに連結されうる。
【００３２】
上述したように、本発明による半導体チップパッケージで、信号パッドは、中央部領域のような線上に配置されてボンディングされるので、再配線の短所を補える。さらに、パワーまたはグラウンドパッドは、前記信号パッドよりも大きいサイズを有して前記信号パッドが配置される線とは異なる線上に配置されるように再配線された後にボンディングされるので、ワイヤボンディング数を増加でき、電気的特性を改善しうる。
【００３３】
以上のように図面と明細書とで最適実施例が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これはただ本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求範囲に記載した本発明の範囲を制限するために使われたものではない。本技術分野の当業者ならこれから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることを理解するだろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的思想によって決まらなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明による半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法は、メモリ集積回路などからなる半導体チップのパッケージングに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】中央部領域パッド構造を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。
【図２】図１の半導体チップパッケージの断面図である。
【図３】再配線されたパッド構造を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。
【図４】図３の半導体チップパッケージの断面図である。
【図５】本発明の一実施例による半導体チップパッケージの平面図である。
【図６】図５の半導体チップパッケージの断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  半導体チップ
１１  ボンディングフィンガー
１２  ボンディングワイヤ
１４  ＰＣＢ
【図１】
2005167222.tif 000003
【図２】
2005167222.tif 000004
【図３】
2005167222.tif 000005
【図４】
2005167222.tif 000006
【図５】
2005167222.tif 000007
【図６】
2005167222.tif 000008