(57)【要約】  【課題】  タッチパネルの対向電極として用いられる透明導電性基材において、外光の反射を低減することができ、且つ、表面抵抗値を所望の値に設定することができるようにする。  【解決手段】  透明導電性基材１は、透明性を有する基材１１と、基材１１の一主面上に順次積層された、ハードコート層１２、第１の透明導電膜１３、低屈折率膜１４および第２の透明導電膜１５と、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５とを電気的に導通する導通手段３１とを備える。低屈折率膜１４は、第１の透明導電膜１３を構成する材料よりも屈折率の低い材料からなる。第１の透明導電膜１３の膜厚を光学的に影響の少ないように薄くでき、且つ所望の表面抵抗値を満たすことができる。第１の透明導電膜１３と低屈折率膜１４との反射光を光学的に干渉させて反射光を減らすことができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性を有する基材と、
上記基材の一主面上に順次積層された第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜と、
上記第１の透明導電膜と上記第２の透明導電膜とを電気的に導通する導通手段とを備え、
上記低屈折率膜の屈折率が、上記第１の透明導電膜の屈折率より低いことを特徴とする透明導電性基材。
【請求項２】
上記導通手段が、上記基材の一主面に成形された突起であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性基材。
【請求項３】
上記基材の一主面における最大表面粗さＲｍａｘが、０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の透明導電性基材。
【請求項４】
上記突起が、０．１ｍｍ2辺りに１０個以上形成されていることを特徴とする特徴とする請求項３記載の透明導電性基材。
【請求項５】
上記低屈折率膜の膜厚が６８ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性基材。
【請求項６】
第１の透明導電膜の膜厚が１０ｎｍ以上３３ｎｍ以下であり、第２の透明導電膜の膜厚が４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性基材。
【請求項７】
上記基材が、少なくとも一方の面にハードコート処理が施されている２枚の透明プラスチックフィルムを透明な粘着剤層を介して接着積層してなることを特徴とする請求項１〜６記載の透明導電性基材。
【請求項８】
第１の透明導電性基材と第２の透明導電性基材とがスペーサを介して対向された構成を有するタッチパネルにおいて、
第１の透明導電性基材が、
透明性を有する第１の基材と、
第２の透明導電性基材と対向する側の面に順次積層された第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜と、
上記第１の透明導電膜と上記第２の透明導電膜とを電気的に導通する導通手段とを備え、
第２の透明導電性基材が、
透明性を有する第２の基材と、
第１の透明導電性基材と対向する側の面に形成された透明導電膜と
を備え、
上記低屈折率膜の屈折率が、上記第１の透明導電膜の屈折率より低いことを特徴とするタッチパネル。
【請求項９】
上記導通手段が、上記基材の一主面上に形成された突起であることを特徴とする請求項８記載のタッチパネル。
【請求項１０】
上記第１の基材の一主面における最大表面粗さＲｍａｘが、０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの関係を満たすことを特徴とする請求項９記載のタッチパネル。
【請求項１１】
上記突起が、０．１ｍｍ2辺りに１０個以上形成されていることを特徴とする特徴とする請求項１０記載のタッチパネル。
【請求項１２】
上記低屈折率膜の膜厚が６８ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８記載のタッチパネル。
【請求項１３】
第１の透明導電膜の膜厚が１０ｎｍ以上３３ｎｍ以下であり、第２の透明導電膜の膜厚が４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８記載のタッチパネル。
【請求項１４】
上記基材が、少なくとも一方の面にハードコート処理が施されている２枚の透明プラスチックフィルムを透明な粘着剤層を介して接着積層してなることを特徴とする請求項８〜１３記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、透明導電膜が基材上に積層されてなる透明導電性基材およびこの透明導電性基材を備えたタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器や携帯電話等のディスプレイ上には、情報を入力するためのアナログ抵抗膜式タッチパネルが設けられるようになっている。図１０に、従来のアナログ抵抗膜式タッチパネルの構成を示す。このタッチパネル１１０は、図１０に示すように、第１の透明導電性基材１０１と第２の透明導電性基材１０２とがスペーサ１０３を介して対向された構成を有する。第１の透明導電性基材１０１は、透明性を有する第１の基材１１１と、この第１の基材１１１の第２の透明導電性基材１０２と対向する側の面に形成された透明導電膜１１２とを備える。一方、第２の透明導電性基材１０２は、透明性を有する第２の基材１２１と、この第２の基材１２１の第１の透明導電性基材１０１と対向する側の面に形成された透明導電膜１２２とを備える。
【０００３】
第１の基材１１１としては、軽量性、耐久性、透明性を考慮して、高分子フィルムが用いられている。また、透明導電膜１１２の材料としては、ｎ型の導電性を有するＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）が用いられている。この透明導電膜１１２の形成方法としては、スパッタリング法または蒸着法が広く用いられている。このような構成を有するタッチパネル１１０は、図１０に示すように、液晶表示素子などの表示装置１０４上に配置されている。
【０００４】
ところが、上述の構成を有するタッチパネル１１０では、第１の基材１１１と透明導電膜１１２との界面における外光の反射によって表示装置１０４の表示品質が劣化する、という問題がある。これは、透明導電膜１１２を構成するＩＴＯなどの透明導電性材料は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光域では１．８〜２．２の屈折率を有するため、すなわち、空気に比べて高い屈折率を有するためである。
【０００５】
そこで、上述の問題を解決すべく、第１の基材１１１と透明導電膜１１２との間に反射防止膜を設けることが提案されている（特許文献１参照）。図１１に、反射防止膜を備えたタッチパネルの構成を示す。図１１に示すように、第１の透明導電性基材１０１は、第１の基材１１１上に、反射防止膜１１５、透明導電膜１１２を順次積層して形成されている。反射防止膜１１５は、第１の基材１１１上に、高屈折率誘電体膜１１３、低屈折率誘電体膜１１４を順次積層して形成されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１３６６２５号公報
【０００７】
さらに、透明導電膜１１２と低屈折率誘電体膜１１４との界面における外光の反射を低減するために、透明導電膜１１２の膜厚を薄くすることが提案されている。これは、透明導電膜１１２の材料（例えばＩＴＯ、ＡＺＯ、ＳＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2、ＧＺＯ）が一般的に高屈折率材であり、透明導電膜１１２の膜厚が厚くなると反射光が増加してしまうためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、アナログ抵抗膜式タッチパネルのタッチ側電極として用いられる透明導電性基材１０１では、３００Ω／□〜１０００Ω／□の範囲に表面抵抗値を制御することが要求されるため、透明導電膜１１２の膜厚を薄くするには限界がある。例えば、透明導電膜１１２の材料として、約１．０×１０-3Ω・ｃｍの比抵抗を有するＩＴＯを用いる場合、上述の数値範囲の表面抵抗値を得るためには、１０ｎｍ〜３３ｎｍの膜厚が必要となる。
【０００９】
したがって、この発明の目的は、外光の反射を低減することができ、且つ、表面抵抗値を所望の値に設定することができる透明導電性基材およびこの透明導電性基材を備えたタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１の発明は、透明性を有する基材と、
基材の一主面上に順次積層された第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜と、
第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とを電気的に導通する導通手段とを備え、
低屈折率膜の屈折率が、第１の透明導電膜の屈折率より低いことを特徴とする透明導電性基材である。
【００１１】
第２の発明は、第１の透明導電性基材と第２の透明導電性基材とがスペーサを介して対向された構成を有するタッチパネルにおいて、
第１の透明導電性基材が、
透明性を有する第１の基材と、
第２の透明導電性基材と対向する側の面に順次積層された第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜と、
第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とを電気的に導通する導通手段とを備え、
第２の導電性基材が、
透明性を有する第２の基材と、
第１の透明導電性基材と対向する側の面に形成された透明導電膜と
を備え、
低屈折率膜の屈折率が、第１の透明導電膜の屈折率より低いことを特徴とするタッチパネルである。
【００１２】
この発明によれば、基材上に、第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜が順次積層され、導通手段により第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが電気的に導通され、低屈折率膜の屈折率が第１の透明導電膜の屈折率より低いため、表面抵抗値の上昇を招くことなく、第２の透明導電膜の膜厚を薄くできる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、この発明によれば、基材上に、第１の透明導電膜、低屈折率膜および第２の透明導電膜が順次積層され、導通手段により第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが電気的に導通され、低屈折率膜の屈折率が第１の透明導電膜の屈折率より低いため、表面抵抗値の上昇を招くことなく、第１の透明導電膜の膜厚を薄くできる。これにより、透明導電性基材における外光の反射を低減することができ、且つ、表面抵抗値を所望の値に設定することができる、という効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１５】
図１に、この発明の一実施形態による透明導電性基材およびこの透明導電性基材を用いたタッチパネルの構成の一例を示す。図１に示すように、この一実施形態によるタッチパネル１０は、第１の透明導電性基材１と第２の透明導電性基材２とがスペーサ３を介して対向された構成を有する。第１の透明導電性基材１は、透明性を有する第１の基材１１と、この第１の基材１１の第２の透明導電性基材２と対向する側の面上に順次積層されたハードコート層１２、第１の透明導電膜１３、低屈折率膜１４および第２の透明導電膜１５とを備える。一方、第２の透明導電性基材２は、透明性を有する第２の基材２１と、この第２の基材２１の第１の透明導電性基材１と対向する側の面に形成された透明導電膜２２とを備える。ここでは、一例として、タッチパネル１０が、図１に示すように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置４上に配置されている場合を例について示す。
【００１６】
図２に、この発明の一実施形態による第１の透明導電性基材１の構成の一例を示す。図３に、この発明の一実施形態による第１の透明導電性基材１の構成の他の例を示す。図２および図３に示すように、この第１の基材１１の第２の透明導電性基材２と対向する側の面には、第２の透明導電膜１５に向けて突起した突起３１が備えられている。この突起３１の形状としては、例えば円錐状、半球状、切頭円錐状、円柱状などが挙げられる。第１の透明導電膜１３には、この突起３１の形状に応じて第２の透明導電膜１２に向けて突出した突出部３２が形成されている。
【００１７】
また、第１の基材１１の表面粗さ（突起３１の高さ）は、突起３１の形状に応じて盛り上がった突出部３２により第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５とが電気的に導通するように選ばれる。すなわち、第１の基材１１の表面粗さは、突出部３２が低屈折率膜１４を貫通するように選ばれる。したがって、第１の基材１１の最大表面粗さＲｍａｘは、突出部３２の突出幅が低屈折率膜１４の膜厚以上になるように選ぶことが好ましく、０.０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの範囲に選ぶことがより好ましい。最大表面粗さＲｍａｘが０．０５μｍ未満である場合には、突出部３２の盛り上がり幅が小さいため、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５との接触部が減少する。最大表面粗さＲｍａｘが１μｍより大きい場合には、例えばスパッタリング法などにより突起３１上に第１の透明導電膜１３を形成することが困難になるために、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５との接触部が減少する。また、突起３１が、０．１ｍｍ2辺りに１０個以上形成されていることが好ましい。突起の数が０．１ｍｍ2辺りに１０個未満になると、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５との導通が悪化し、所望の表面抵抗値が得られなくなる。
【００１８】
また、第１の基材１１は、透明性を有するフィルムまたは基板であり、軽量性、耐久性および透明性を考慮すると、高分子フィルムであることが好ましい。この第１の基材１１の材料は、透明性、耐薬品性および機械的特性などを考慮して選ばれ、例えば、透明性を有する高分子材料からなる。具体的には、第１の基材１１の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルやポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリエーテルスルフォンなどが挙げられる。
【００１９】
第１の基材１１としては、特許第２６６７６８０号公報に開示されているような、２枚の透明プラスチックを透明な粘着剤層を介して接着積層したものも、好ましく利用することができる。このような積層フィルムを用いることで、第２の透明導電膜の耐摩耗性を向上させることができる。
【００２０】
また、この第１の基材１１の厚さは、タッチパネル１０として使用することを考慮すると、好ましくは２０μｍ〜３００μｍの範囲であり、より好ましくは９０μｍ〜２００μｍの範囲であり、例えば１８８μｍである。第１の基材１１の厚さが２０μｍ未満であると、機械的強度が不足し、実用に供するのに十分な耐久性を得ることができない。一方、第１の基材１１の厚さが３００μｍより大きいと、タッチパネル１０の上部電極としての柔軟性が損なわれてしまう。
【００２１】
ハードコート層１２の材料としては、例えばアクリル系樹脂、シリコン系樹脂などの硬化型樹脂が挙げられる。また、ハードコート層１２の厚さは、１μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ましく、２μｍ〜５μｍの範囲であることがより好ましい。なお、このハードコート層１２を省略した構成とすることも可能であるが、耐久性を考慮すると、このハードコート層１２を第１の基材１１上に備えることが好ましい。
【００２２】
第１および第３の透明導電膜１３，１５の材料として、例えばＩＴＯ、ＡＺＯ、ＳＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2、ＧＺＯ,ＩＺＯなどが挙げられる。なお、第１の基材１１として高分子フィルムを用いる場合には、第１および第２の透明導電膜１３，１５を低温で成膜する必要があるので、低温成膜によりある程度の低比抵抗を有する膜を形成できる材料を選ぶことが好ましい。低温成膜によりある程度の低比抵抗を有する第１および第２の透明導電膜１３，１５を形成することを考慮すると、上述の材料の中では約１．０×１０-3Ω・ｃｍの比抵抗を有するＩＴＯが好ましい。
【００２３】
第１の透明導電膜１３の膜厚は、第２の透明導電膜１５の表面抵抗値を考慮して選ばれている。例えば、第１の透明導電膜１３の膜厚は、第２の透明導電膜１５の表面抵抗値を３００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲とすることを考慮すると、１０ｎｍ〜３３ｎｍの範囲であることが好ましく、１５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることがより好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、第２の透明導電膜１５の表面抵抗値が１０００Ω/□より大きくなってしまう。一方、膜厚が３３ｎｍより大きいと、第２の透明導電膜１５の表面抵抗が３００Ω/□より小さくなってしまう。
【００２４】
第２の透明導電膜１５の表面抵抗値は、第１の透明導電性基材１をタッチパネル１０の電極として用いることを考慮すると、３００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲であることが好ましい。また、第２の透明導電膜１５の膜厚は、所望の表面抵抗を考慮して選ばれる。例えば、第２の透明導電膜１５の膜厚は、表面抵抗を３００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲にすることを考慮すると、４ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であることが好ましい。膜厚が４ｎｍ未満であると、表面抵抗が１０００Ω/□より大きくなってしまう。一方、膜厚が１０ｎｍより大きいと、表面抵抗が３００Ω/□より小さくなってしまう。また、第２の透明導電膜１５の表面での反射光の増加により、タッチパネル１０の下方に設けられた表示装置４の表示品質も劣化してしまう。この一実施形態による第１の透明導電性基材１では、第２の透明導電膜１５と第１の透明導電膜１３層とが電気的に導通されるため、第２の透明導電膜１５の膜厚を光学的に影響のない程度に薄くし、且つ第１の透明導電性基材１の表面抵抗値をタッチパネル１０に適用するために好ましい範囲（例えば、３００Ω/□〜１０００Ω/□）にすることができる。
【００２５】
低屈折率膜１４は、第１の透明導電膜１３および第２の透明導電膜１５を構成する材料より低屈折率の材料からなり、例えば誘電体からなる。低屈折率膜１４を構成する誘電体としては、例えば、ＭｇＦ2、ＳｉＯ2、ＬｉＦ、ＬａＦ2、ＮｄＦ3、ＮａＦ、ＴｈＦ4などが挙げられる。また、低屈折率膜１４の膜厚は、この低屈折率膜１４と第１の透明導電膜１３との反射光が干渉して弱めあうように選ばれている。具体的には、低屈折率膜１４の膜厚をｄ、可視光域の波長をλ（４００ｎｍ≦λ≦７００ｎｍ）、低屈折率膜１４の屈折率をｎとした場合、
ｄ＝λ／４ｎ・・・（１）
を満たすように低屈折率膜１４の膜厚ｄが選ばれている。
【００２６】
例えば、低屈折率膜１４が波長５５０ｎｍを有する光に対して約１．４６の屈折率を有するＳｉＯ2からなる場合には、低屈折率膜１４の膜厚は、上述の式（１）を用いて６８ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲に選ばれている。これにより、第１の透明導電膜１３と低屈折率膜１４との反射光を干渉させて弱め合わせることができる。
【００２７】
第２の基材２１は、透明性を有するシートまたは基板である。この第２の基材２１の材料は、透明性、耐薬品性および機械的特性などを考慮して選ばれ、例えば、透明性を有する高分子材料からなる透明高分子フィルムである。具体的には、第２の基材２１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルやポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリエーテルスルフォンなどが挙げられる。また、基材２１の厚さは、例えば５０μｍ〜３００μｍの範囲であることが好ましい。
【００２８】
透明導電膜２２の材料は、上述した第１の透明導電膜１３と同様であるので説明を省略する。透明導電膜２２の表面抵抗値は、第２の透明導電性基材２をタッチパネル１０の下部透明電極として用いることを考慮すると、３００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲であることが好ましい。また、透明導電膜２２の膜厚は、所望の表面抵抗値を考慮して選ばれる。例えば、透明導電膜２２の膜厚は、表面抵抗を３００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲にすることを考慮すると、４ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００２９】
スペーサ３は、例えば数１０μｍ程度の高さを持った半球状、円錐状、または円柱状の透明体であり、透明導電膜２２上に一定の間隔をあけて形成されている。スペーサ３の材料としては、例えばアクリル系樹脂などの透明性を有する絶縁材料が挙げられる。このスペーサ３により、長期にわたる安定したスイッチ動作の維持および情報入力時における高精度な位置検出が可能となる。また、図示を省略するが、第１の透明導電性基材１と第２の透明導電性基材２とは、周辺部において接着されている。この周辺部の接着には、例えば両面テープ、粘着剤、熱溶融部材が用いられる。
【００３０】
次に、この発明の一実施形態による透明導電性基材およびこの透明導電性基材を用いたタッチパネルの製造方法について説明する。
まず、一主面に突起３１を有する第１の基材１１を作製する。次に、例えばプラズマボンバード処理、コロナ放電処理、グロー放電処理などを第１の基材１１の一表面に対して施す。これにより、第１の基材１１と第１の透明導電膜１３との密着性を高めることができ、タッチパネル１０として使用するのに好適な第１の透明導電性基材１を作製することができる。また、例えばスパッタリング法または蒸着法により第１の基材１１の表面に無機金属物などからなる薄膜を形成するようにしてもよい。この薄膜の膜厚は、５Å〜１００Åの範囲であることが好ましい。
【００３１】
次に、ハードコート層１２を第１の基材１の突起３１が形成された面に形成する。ハードコート層１２の形成方法としては、例えば蒸着法およびディッピング法が挙げられる。
【００３２】
次に、突起３１の形状に応じて突出した突出部３２がハードコート層１２上に形成されるように、ハードコート層１２上に第１の透明導電膜１３を形成する。第１の透明導電膜１３の形成方法としては、物理的方法および化学的方法が挙げられる。具体的には、物理的方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオン蒸着法およびスプレー熱分解法などが挙げられ、化学的方法としては、例えば、化学めっき、電気めっきおよび化学気相法などが挙げられる。これらの形成方法の中でも、スパッタリング法または蒸着法が、大面積に均一に薄膜を形成でき、且つ比較的容易に薄膜を形成できる点から好ましい。
【００３３】
以下に、成膜方法としてスパッタリング法を用いた場合のプロセスにおける成膜条件の一例を示す。
ガス種：酸素を１．０〜１．５％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：１．７〜３．２×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：０．５〜２Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００３４】
次に、突出部３２により低屈折率膜１４が貫通されるように、第１の透明導電膜１３上に低屈折率膜１４を形成する。この低屈折率膜１４の形成方法としては、例えばスパッタリング法および蒸着法などが挙げられる。これらの形成方法の中でも、スパッタリング法が、大面積に均一に薄膜を形成できる点から好ましい。また、スパッタリング法により低屈折率膜１４を形成する場合には、取り扱いが容易である点から、材料としてＳｉＯ2を用いることが好ましい。
【００３５】
以下に、成膜方法としてスパッタリング法を用いた場合の成膜条件の一例を示す。
ガス種：酸素を１０〜２０％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：１．７〜３．２×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：４〜１０Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００３６】
次に、低屈折率膜１４上に第２の透明導電膜１５を形成する。この第２の透明導電膜１５の形成方法としては、上述の第１の透明導電膜１３の形成方法と同様のものが挙げられる。
【００３７】
以下に、成膜方法としてスパッタリング法を用いた場合の成膜条件の一例を示す。
ガス種：酸素を１．０〜１．５％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：１．７〜３．２×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：０．５〜２Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００３８】
次に、第２の基材２１を作製し、この第２の基材２１上に透明導電膜２２を形成する。この透明導電膜２２の形成方法としては、上述の第１の透明導電膜と同様のものを挙げることができる。以下に、成膜方法としてスパッタリング法を用いた場合の成膜条件の一例を示す。
ガス種：酸素を１．０〜１．５％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：１．７〜３．２×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：０．５〜２Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００３９】
次に、例えばスクリーン印刷などの印刷法により所定間隔および所定高さのスペーサ３を透明導電膜２２上に形成する。次に、透明導電膜２２と第２透明導電膜１５とが対向するように、第２の透明導電性基材２と第１の透明導電性基材１とを重ね合わせ、周辺部において接着する。この接着には、例えば両面テープ、粘着剤または熱溶融部材などの絶縁物が用いられる。両面テープまたは粘着剤を接着に用いる場合には、第２の透明導電性基材２と第１の透明導電性基材１とを重ね合わせた後、第１の透明導電性基材１の周辺部を加圧して接着する。熱溶融剤を接着に用いる場合には、第２の透明導電性基材２と第１の透明導電性基材１とを重ね合わせた後、第１の透明導電性基材１の周辺部を加熱して接着する。
【００４０】
この発明の一実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
第１の透明導電膜１３、低屈折率膜１４、第２の透明導電膜１５を第１の基材１１上に積層した３層構造を有し、第２の透明導電膜１５が第１の透明導電膜１３と電気的に導通するため、第２の透明導電膜１５の膜厚を光学的に影響の少ないように薄くして透過率を向上させることができ、且つ表面抵抗値を所望の値とすることができる。また、低屈折率膜１４の材料として第１の透明導電膜１３より屈折率の低い材料を用い、且つ低屈折率膜１４の膜厚ｄをｄ＝λ／４ｎ（ｎ；低屈折率膜１４の屈折率、λ；波長（４００ｎｍ≦λ≦７００ｎｍ））とすることにより、第１の透明導電膜１３と低屈折率膜１４との反射光を光学的に干渉させて反射光を低減することができる。以上により、低反射で、且つ透明性に優れた第１の透明導電性基材１およびタッチパネル１０を提供することができる。
【００４１】
また、第２の透明導電膜１５の膜厚を薄くすることができるため、例えばＩＴＯ、ＡＺＯ、ＳＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ2、ＧＺＯ，ＩＺＯなどの高屈折率材により第２の透明導電膜１５を形成した場合にも、第２の透明導電膜１５における反射光量を低減することができる。
【実施例】
【００４２】
次に、第１の透明導電性基材１の実施例について説明する。図４は、実施例の構成を示す断面図である。図５は、従来例の構成を示す断面図である。図６は、比較例の構成を示す断面図である。なお、以下の実施例、従来例および比較例の作製に先立って、スパッタリングプロセスにおける酸素ガス量などをコントロールして比抵抗および透過率が最適となるガス流量を予め求めた。以下に示した成膜条件は、この結果に基づくものである。
【００４３】
実施例１
まず、一主面に突起を有する、ＰＥＴからなる高分子フィルム１１を形成した。突起の個数は、０．１ｍｍ2辺りに１５個であった。次に、ウェット法によりアクリル系樹脂からなる、５μｍの厚さを有するハードコート層１２を高分子フィルム１１上に形成した。
【００４４】
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、２０ｎｍの膜厚を有する、ＩＴＯからなる第１の透明導電膜１３をハードコート層１２上に形成した。以下に、スパッタリングプロセスにおける成膜条件を示す。
ターゲット：ＩＴＯターゲット
ガス種：酸素を１.３％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：２.５×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：１.３Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００４５】
次に、ＡＣマグネトロンスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚を有する、ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４を第１の透明導電膜１３上に形成した。以下に、スパッタリングプロセスにおける成膜条件を示す。
ターゲット：Ｓｉターゲット
ガス種：酸素を１０％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：３.２×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：４Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００４６】
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、７ｎｍの膜厚を有する、ＩＴＯからなる第２の透明導電膜１５を低屈折率膜１４上に形成した。以下に、スパッタリングプロセスにおける成膜条件を示す。
ターゲット：ＩＴＯターゲット
ガス種：酸素を１.３％含むＡｒガス
真空槽内におけるガスの圧力：２.５×１０-1Ｐａ
投入印加電力密度：１.３Ｗ／ｃｍ2
温度：常温
【００４７】
実施例２
第２の透明導電膜１５の膜厚を１０ｎｍにする以外のことは、上述の実施例１と同様にして実施例２を作製した。
【００４８】
従来例
まず、ＰＥＴからなる高分子フィルム４２を作製した。次に、アクリル系樹脂からなる、５μｍの厚さを有するハードコート層４３を高分子フィルム４２上に形成した。次に、３０ｎｍの膜厚を有する、Ｓｉ3Ｎ4からなる高屈折率誘電体膜４４をハードコート層４３上に形成した。次に、５５ｎｍの膜厚を有する、ＳｉＯ2からなる低屈折率誘電体膜４４を高屈折率誘電体膜４４上に形成した。次に、２０ｎｍの膜厚を有する、ＩＴＯからなる透明導電膜４６を低屈折率誘電体膜４５上に形成した。
【００４９】
比較例
まず、ＰＥＴからなるフィルム５１を作製した。次に、２０ｎｍの膜厚を有する、ＩＴＯからなる透明導電膜５２を形成した。
【００５０】
次に、実施例１、実施例２、従来例および比較例の分光透過率を可視分光光度計（日本分光（株）製）を用いて測定した。また、実施例１および実施例２の表面抵抗値を４探針法表面抵抗値測定器（ＮＡＰＳＯＮ（株）製）を用いて測定した。
【００５１】
図７は、実施例１、実施例２、従来例および比較例における透過率の測定結果を示すグラフである。なお、このグラフにおいて、横軸は入射光の波長を示し、縦軸は入射光の透過率を示す。表１は、実施例１、実施例２の表面抵抗値の測定結果を示す。
【００５２】
【表１】
2005028821.tif 000003
【００５３】
図７から、実施例１，２では、４００ｎｍ〜４８０ｎｍの波長帯域において光透過率が単調に増加し、４８０ｎｍ以上では波長帯域において光透過率が約９１％に安定することが分かる。これに対して、従来例では、４００ｎｍ〜４８０ｎｍの波長帯域においては実施例１，２と同様に光透過率が単調に増加するが、４８０ｎｍ以上の波長帯域では、光透過率が安定せずに、波長が長くなるにつれて徐々に減少することが分かる。また、比較例では、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長帯域において光透過率が約８９％に至るまで単調に増加することが分かる。また、比較例では、この波長帯域において、実施例１，２に比して低い透過率しか得られないことが分かる。すなわち、図７から、実施例１，２では、広い波長帯域において安定した高透過率を実現できることが分かる。
【００５４】
また、表１より、第２の透明導電膜１５の膜厚を４ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にすることにより、第２の透明導電膜１５の表面抵抗値を４００Ω/□〜１０００Ω/□の範囲に制御できることが分かる。
【００５５】
実施例３
まず、高分子フィルム１１の最大表面粗さを３００ｎｍ、第１の透明導電膜１３の膜厚を１０ｎｍ、低屈折率膜１４の膜厚を７０ｎｍ、第２の透明導電膜１５の膜厚を２０ｎｍとする以外は、上述の実施例１と同様にして実施例３を作製した。
【００５６】
実施例４〜１１
高分子フィルム１１の最大表面粗さを０.０２μｍ、０.０５μｍ、０.１μｍ、０.５μｍ、０.８μｍ、１.０μｍ、１.５μｍとする以外は、上述した実施例３と同様にして実施例４〜１１を作製した。
【００５７】
実施例１２
ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４の膜厚を１００ｎｍとする以外のことは、上述した実施例３と略同様にして実施例１２を作製した。
【００５８】
実施例１３〜１９
高分子フィルム１１の最大表面粗さを０.０２μｍ、０.０５μｍ、０.１μｍ、０.５μｍ、０.８μｍ、１.０μｍ、１.５μｍとする以外は、上述した実施例１２と同様にして実施例１３〜１９を作製した。
【００５９】
次に、実施例３〜１９の表面抵抗値を４探針法表面抵抗値測定器（ＮＡＰＳＯＮ（株）製）を用いて測定した。図８は、実施例３〜１９の高分子フィルムの最大表面粗さと表面抵抗値との関係を示すグラフである。ＩＴＯの比抵抗は１．０×１０-3Ω・ｃｍであるため、低屈折率膜１４の膜厚が１０ｎｍである場合、導電性フィルム１の表面抵抗値は約１０００Ω/□となる。したがって、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５とが導通している場合、第１の透明導電性基材１の表面抵抗値は１０００Ω/□未満となる。
【００６０】
図８から、ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４の膜厚が７０ｎｍのときには、高分子フィルム１１の最大表面粗さＲｍａｘが０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの範囲にある場合、導電性フィルム１の表面抵抗値が１０００Ω/□未満となることが分かる。すなわち、ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４の膜厚が７０ｎｍのときには、最大表面粗さＲｍａｘが０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの範囲にある場合、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５とが接触していることが分かる。
【００６１】
また、図８から、ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４の膜厚が１００ｎｍのときには、高分子フィルム１１の最大表面粗さＲｍａｘが、０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの範囲にある場合、導電性フィルム１の表面抵抗値が１０００Ω/□未満となることが分かる。すなわち、ＳｉＯ2からなる低屈折率膜１４の膜厚が１００ｎｍの場合、最大表面粗さＲｍａｘが０．０５μｍ≦Ｒｍａｘ≦１．０μｍの範囲にあるときには、第１の透明導電膜１３と第２の透明導電膜１５とが分かる。
【００６２】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００６３】
例えば、上述の一実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００６４】
また、上述した一実施形態では、この発明をタッチパネル１０の第１の透明導電性基材１に適用した例について示したが、タッチパネル１０以外の導電性基材に対しても適用可能であることは言うまでもない。
【００６５】
また、上述した一実施形態では、突出部３２の先端により第１の透明導電膜１３と第２透明導電膜１５とが接触する例に示したが、図９に示すように、突出部３２の先端部ではなく、突出部３２の先端付近から枝分かれした部分により第１の透明導電膜１３と第２透明導電膜１５とが接触するようにしてもよい。
【００６６】
また、上述した一実施形態では、第１の基材１１の一主面に突起３１を形成する例について示したが、ハードコート層１２または第１の透明導電膜１３に突起を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】この発明の一実施形態によるタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による第１の基材の構成の一例を示す断面図である。
【図３】この発明の一実施形態による第１の基材の構成の他の例を示す断面図である。
【図４】実施例の構成を示す断面図である。
【図５】従来例の構成の一例を示す断面図である。
【図６】比較例の構成の一例を示す断面図である。
【図７】実施例１、実施例２、従来例および比較例における透過率の測定結果を示すグラフである。
【図８】実施例３〜１９の高分子フィルムの最大表面粗さと表面抵抗値との関係を示すグラフである。
【図９】変形例による第１の透明導電性基材の構成の一例を示す断面図である。
【図１０】従来のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図１１】従来のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・第１の導電性基材、２・・・第２の導電性基材、３・・・スペーサ、４・・・表示装置、１０・・・タッチパネル、１１・・・第１の基材、１２・・・ハードコート層、１３・・・第１の透明導電膜、１４・・・低屈折率膜、１５・・・第２の透明導電膜、２１・・・第２の基材、２２・・・透明導電膜
【図１】
2005028821.tif 000004
【図２】
2005028821.tif 000005
【図３】
2005028821.tif 000006
【図４】
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【図５】
2005028821.tif 000008
【図６】
2005028821.tif 000009
【図７】
2005028821.tif 000010
【図８】
2005028821.tif 000011
【図９】
2005028821.tif 000012
【図１０】
2005028821.tif 000013
【図１１】
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