(57)【要約】【課題】  ビア導体の露出が無く、電気的なショートの無い配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の配線基板は、ビア導体２が設けられたセラミック基板１と、ビア導体２に導通された状態で、セラミック基板１上に形成された配線パターン５とを備え、ビア導体２は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、セラミック基板１上には、セラミック基板１の表面から露出するビア導体２の全端面２ａを覆い、且つ、銀を含まない金属からなるパッド３が設けられると共に、銀を含まない金属からなる配線パターン５がパッド３に導通した状態で形成されたため、ビア導体２の端面２ａは、パッド３によって塞がれてセラミック基板１の表面から露出することが無く、従って、ビア導体２のマイグレーションによる配線パターン間でのショートが無くなる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビア導体が設けられたセラミック基板と、前記ビア導体に導通された状態で、前記セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、前記ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、前記セラミック基板上には、前記セラミック基板の表面から露出する前記ビア導体の全端面を覆い、且つ、銀を含まない金属からなるパッドが設けられると共に、銀を含まない金属からなる前記配線パターンが前記パッドに導通した状態で前記セラミック基板上に形成されたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記パッドは、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成されると共に、前記配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成されたことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
ビア導体が設けられたセラミック基板と、前記ビア導体に導通された状態で、前記セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、前記ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、前記セラミック基板上には、前記セラミック基板の表面から露出する前記ビア導体の全端面を覆う金属製のパッドが設けられると共に、前記パッドの全外表面には、銀を含まない金属からなる被覆部が設けられ、銀を含まない金属からなる前記配線パターンが前記被覆部に導通した状態で前記セラミック基板上に形成されたことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記パッドは、銅系、或いは銀系の金属で形成されると共に、前記被覆部は、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成され、前記配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成されたことを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１、又は２記載の配線基板を有し、前記セラミック基板には、前記ビア導体と、このビア導体の全端面を覆う前記パッドが設けられた状態で、前記セラミック基板が焼成された後、前記配線パターンが前記パッドに導通した状態で前記セラミック基板上に形成されたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記パッドが厚膜によって形成されると共に、前記配線パターンが薄膜で形成されたことを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項３、又は４記載の配線基板を有し、前記セラミック基板には、前記ビア導体と、このビア導体の全端面を覆う前記パッドが設けられた状態で、前記セラミック基板が焼成された後、前記パッド部の全外表面には前記被覆部が設けられ、しかる後、前記配線パターンが前記被覆部に導通した状態で前記セラミック基板上に形成されたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記被覆部がメッキによって形成されたことを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記パッドが厚膜によって形成されると共に、前記配線パターンが薄膜で形成されたことを特徴とする請求項７，又は８記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子回路ユニット等に使用される配線基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板の図面を説明すると、図８は従来の配線基板の概要を示す断面図、図９は従来の配線基板の要部の拡大断面図、図１０は従来の配線基板に係り、配線パターンの第１の状態を示す要部の拡大平面図、図１１は従来の配線基板に係り、配線パターンの第２の状態を示す要部の拡大平面図である。
【０００３】
次に、従来の配線基板の構成を図８〜図１１に基づいて説明すると、複数枚が積層され、低温焼成によって形成されたセラミック基板５１には、銀や銀を含む金属からなる複数のビア導体５２が設けられている。
【０００４】
銀を含まない金属からなる配線パターン５３は、セラミック基板５１の表面から露出したビア導体５２の端面５２ａに接続されるランド部５３ａと、このランド部５３ａから引き出される配線部５３ｂとで形成されている。
そして、この配線パターン５３は、セラミック基板５１が焼成された後、セラミック基板５１上に形成されて、ランド部５３ａがビア導体５２の端面５２ａに接続されるようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００５】
一般に、配線パターン５３の高密度化を図って、配線基板の小型化を行うために、配線パターン５３のランド部５３ａは、ビア導体５２の端面５２ａよりやや大きめの面積となっている。
【０００６】
その結果、従来の配線基板のように、配線パターン５３のランド部５３ａがビア導体５２の端面５２ａに接続されるものにあっては、セラミック基板５１が焼成によって収縮するため、図１０に示すように、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａで覆われたものや、図１１に示すように、ビア導体５２とランド部５３との間で位置ずれを起こし、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａから露出するものがある。
【０００７】
そして、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａから露出した配線基板を使用すると、高密度化によって配線パターン５３間が狭くなっているため、銀や銀を含む金属からなるビア導体５２の銀の移行（マイグレーション）が生じて、配線パターン５３間でショートを起こす事態があった。
【０００８】
次に、従来の配線基板の製造方法を説明すると、先ず、複数枚のセラミックのグリーンシートを積層すると共に、このグリーンシートにビア導体５２を形成し、次に、この状態で、グリーンシートをビア導体５２と共に焼成すると、焼成されたセラミック基板５１が形成される。
この時、グリーンシートは焼成によって収縮するため、ビア導体５２の位置にバラツキが生じる。
【０００９】
次に、セラミック基板５１が外形を基準として位置決めされた状態で、セラミック基板５１の表面には、配線パターン５３が印刷等によって形成され、これによって、ランド部５３ａがビア導体５２の端面５２ａに接続されるようになって、配線基板の製造が完了する。
その結果、図１０に示すように、ビア導体５２の端面５２がランド部５３ａで覆われたものや、図１１に示すように、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａから露出するものがある。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３６８４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来の配線基板、及びその製造方法は、配線パターン５３のランド部５３ａがビア導体５２の端面５２ａに接続されるため、セラミック基板５１が焼成によって収縮して、ビア導体５２とランド部５３との間で位置ずれを起こし、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａから露出するという問題がある。
【００１２】
そして、ビア導体５２の端面５２ａがランド部５３ａから露出した配線基板を使用すると、高密度化によって配線パターン５３間が狭くなっているため、銀や銀を含む金属からなるビア導体５２の銀の移行（マイグレーション）が生じて、配線パターン５３間でショートを起こすものであった。
【００１３】
そこで、本発明はビア導体の露出が無く、電気的なショートの無い配線基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、ビア導体が設けられたセラミック基板と、前記ビア導体に導通された状態で、前記セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、前記ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、前記セラミック基板上には、前記セラミック基板の表面から露出する前記ビア導体の全端面を覆い、且つ、銀を含まない金属からなるパッドが設けられると共に、銀を含まない金属からなる前記配線パターンが前記パッドに導通した状態で前記セラミック基板上に形成された構成とした。
【００１５】
また、第２の解決手段として、前記パッドは、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成されると共に、前記配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成された構成とした。
【００１６】
また、第３の解決手段として、ビア導体が設けられたセラミック基板と、前記ビア導体に導通された状態で、前記セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、前記ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、前記セラミック基板上には、前記セラミック基板の表面から露出する前記ビア導体の全端面を覆う金属製のパッドが設けられると共に、前記パッドの全外表面には、銀を含まない金属からなる被覆部が設けられ、銀を含まない金属からなる前記配線パターンが前記被覆部に導通した状態で前記セラミック基板上に形成された構成とした。
【００１７】
また、第４の解決手段として、前記パッドは、銅系、或いは銀系の金属で形成されると共に、前記被覆部は、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成され、前記配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成された構成とした。
【００１８】
また、第５の解決手段として、請求項１、又は２記載の配線基板を有し、前記セラミック基板には、前記ビア導体と、このビア導体の全端面を覆う前記パッドが設けられた状態で、前記セラミック基板が焼成された後、前記配線パターンが前記パッドに導通した状態で前記セラミック基板上に形成された製造方法とした。
また、第６の解決手段として、前記パッドが厚膜によって形成されると共に、前記配線パターンが薄膜で形成された製造方法とした。
【００１９】
また、第７の解決手段として、請求項３、又は４記載の配線基板を有し、前記セラミック基板には、前記ビア導体と、このビア導体の全端面を覆う前記パッドが設けられた状態で、前記セラミック基板が焼成された後、前記パッド部の全外表面には前記被覆部が設けられ、しかる後、前記配線パターンが前記被覆部に導通した状態で前記セラミック基板上に形成された製造方法とした。
【００２０】
また、第８の解決手段として、前記被覆部がメッキによって形成された製造方法とした。
また、第９の解決手段として、前記パッドが厚膜によって形成されると共に、前記配線パターンが薄膜で形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の配線基板は、ビア導体が設けられたセラミック基板と、ビア導体に導通された状態で、セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、セラミック基板上には、セラミック基板の表面から露出するビア導体の全端面を覆い、且つ、銀を含まない金属からなるパッドが設けられると共に、銀を含まない金属からなる配線パターンがパッドに導通した状態でセラミック基板上に形成されたため、ビア導体の端面は、パッドによって塞がれてセラミック基板の表面から露出することが無く、従って、ビア導体のマイグレーションによる配線パターン間でのショートが無くなる。
また、焼成によってビア導体の位置ずれが生じても、配線パターンは、ビア導体の端面を塞ぐパッドに確実に接触させることができて、精度の良い配線が得られる。
【００２２】
また、パッドは、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成されると共に、配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成されたため、パッドによって銀のマイグレーションを確実に防止できると共に、配線パターンの形成の容易なものが得られる。
【００２３】
また、ビア導体が設けられたセラミック基板と、ビア導体に導通された状態で、セラミック基板上に形成された配線パターンとを備え、ビア導体は、銀、或いは銀を含む金属で形成され、セラミック基板上には、セラミック基板の表面から露出するビア導体の全端面を覆う金属製のパッドが設けられると共に、パッドの全外表面には、銀を含まない金属からなる被覆部が設けられ、銀を含まない金属からなる配線パターンが被覆部に導通した状態でセラミック基板上に形成されたため、ビア導体の端面は、パッドによって塞がれてセラミック基板の表面から露出することが無く、且つ、ビア導体とパッドのマイグレーションは、被覆部によって防止されるようになって、配線パターン間でのショートが無くなる。
また、焼成によってビア導体の位置ずれが生じても、配線パターンは、パッドの表面に設けられた被覆部に確実に接触させることができて、精度の良い配線が得られる。
【００２４】
また、パッドは、銅系、或いは銀系の金属で形成されると共に、被覆部は、ニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属で形成され、配線パターンは、銅系、或いはニッケルの金属で形成されたため、被覆部によって銀のマイグレーションを確実に防止できると共に、配線パターンの形成の容易なものが得られる。
【００２５】
また、請求項１、又は２記載の配線基板を有し、セラミック基板には、ビア導体と、このビア導体の全端面を覆うパッドが設けられた状態で、セラミック基板が焼成された後、配線パターンがパッドに導通した状態でセラミック基板上に形成されたため、セラミック基板が焼成されて収縮しても、パッドはビア導体の端面を覆った状態が維持できて、ビア導体のマイグレーションによる配線パターン間でのショートが無くなる。
また、焼成によってビア導体の位置ずれが生じても、配線パターンは、ビア導体の端面を塞ぐパッドに確実に接触させることができて、精度の良い配線が得られる。
【００２６】
また、パッドが厚膜によって形成されると共に、配線パターンが薄膜で形成されたため、パッドと配線パターンの製造の容易なものが得られる。
【００２７】
また、請求項３、又は４記載の配線基板を有し、セラミック基板には、ビア導体と、このビア導体の全端面を覆うパッドが設けられた状態で、セラミック基板が焼成された後、パッド部の全外表面には被覆部が設けられ、しかる後、配線パターンが被覆部に導通した状態でセラミック基板上に形成されたため、セラミック基板が焼成されて収縮しても、パッドはビア導体の端面を覆った状態が維持できると共に、ビア導体とパッドのマイグレーションは、被覆部によって防止されるようになって、配線パターン間でのショートが無くなる。
また、焼成によってビア導体の位置ずれが生じても、配線パターンは、ビア導体の端面を塞ぐパッドに確実に接触させることができて、精度の良い配線が得られる。
【００２８】
また、被覆部がメッキによって形成されたため、被覆部の形成が容易で、生産性の良好なものが得られる。
【００２９】
また、パッドが厚膜によって形成されると共に、配線パターンが薄膜で形成されたため、パッドと配線パターンの製造の容易なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明の配線基板、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の配線基板の概要を示す断面図、図２は本発明の配線基板の要部の拡大断面図、図３は本発明の配線基板に係り、配線パターンの第１の状態を示す要部の拡大平面図、図４は本発明の配線基板に係り、配線パターンの第２の状態を示す要部の拡大平面図である。
【００３１】
また、図５は本発明の配線基板の製造方法に係る第１工程を示す説明図、図６は本発明の配線基板の製造方法に係る第２工程を示す説明図、図７は本発明の配線基板の製造方法に係る第３工程を示す説明図である。
【００３２】
次に、本発明の配線基板の構成を図１〜図４に基づいて説明すると、複数枚が積層され、低温焼成によって形成されたセラミック基板１には、銀や銀を含む金属からなる複数のビア導体２が設けられて、その端面２ａがセラミック基板１の表面から露出している。
【００３３】
銅系、或いは銀系の金属からなるパッド３は、ビア導体２の全端面２ａを覆った状態で、セラミック基板１の表面に厚膜等によって形成されると共に、このパッド３の全外表面には、銀を含まないニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属からなる被覆部４が形成され、この被覆部４は、無電解メッキによって形成されている。
【００３４】
銀を含まない銅系、或いはニッケルからなる配線パターン５は、被覆部４に接続された状態で、厚膜や薄膜によってセラミック基板１の表面に形成されている。  そして、この配線パターン５は、セラミック基板１が焼成された後、セラミック基板１上に形成されて、パッド３上の被覆部４に接続されるようになっている。
【００３５】
一般に、配線パターン５の高密度化を図って、配線基板の小型化を行うために、パッド３は、ビア導体２の端面２ａよりやや大きめの面積となっているが、本発明の配線基板にあっては、パッド３がビア導体２の端面２ａを塞いだ状態で形成されると共に、このパッド３の外表面には、銀のマイグレーションを防止する被覆部４が設けられいる。
【００３６】
そして、セラミック基板１が焼成によって収縮した場合、図３に示すように、配線パターン５がビア導体２の中央部に位置したり、或いは、図４に示すように、配線パターン５がビア導体２の外周に位置したりするが、ビア導体２の端面２ａがパッド３によって塞がれ、且つ、パッド３に被覆された被覆部４によって、ビア導体２とパッド３の銀のマイグレーションが防止されると共に、配線パターン５は、被覆部４に確実に接続することができる。
【００３７】
なお、上記実施例では、被覆部４を設けたもので説明したが、被覆部４を無くしてパッド３のみでも良く、この場合のパッド３は、銀を含まないニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属が使用されるようになっている。
【００３８】
次に、本発明の配線基板の製造方法を図５〜図７に基づいて説明すると、先ず、図５に示すように、積層されたセラミック基板１を形成するために、複数枚のセラミックのグリーンシートを積層すると共に、このグリーンシートには、ビア導体２を形成し、且つ、ビア導体２の端面２ａを覆った状態で、厚膜によってパッド３を形成する。
【００３９】
次に、この状態で、グリーンシートがビア導体２、パッド３と共に焼成されると、焼成されたセラミック基板１が形成される。
この時、グリーンシートは焼成によって収縮して、ビア導体２の位置にバラツキが生じるが、ビア導体２の端面２ａは、パッド３によって塞がれた状態が維持されるようになる。
【００４０】
次に、図６に示すように無電解メッキによって、被覆部４がパッド３の外表面に形成された後、図７に示すように、セラミック基板１が外形を基準として位置決めされた状態で、セラミック基板１の表面には、配線パターン５が印刷等にる厚膜やスパッタ等による薄膜によって形成され、これによって、配線パターン５が被覆部４に接続されるようになって、配線基板の製造が完了する。
【００４１】
その結果、図３に示すように、配線パターン５がビア導体２の中央部に位置したり、或いは、図４に示すように、配線パターン５がビア導体２の外周に位置したりするが、ビア導体２の端面２ａがパッド３によって塞がれ、且つ、パッド３に被覆された被覆部４によって、ビア導体２とパッド３の銀のマイグレーションが防止される。
【００４２】
なお、上記実施例では、被覆部４を設けたもので説明したが、被覆部４を無くしてパッド３のみでも良く、この場合のパッド３は、銀を含まないニッケル、チタン、金系、或いは銅系の金属が使用されると共に、グリーンシートがビア導体２、パッド３と共に焼成された後、配線パターン５の形成が行われて、配線パターン５がパッド３に接続されるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の配線基板の概要を示す断面図。
【図２】本発明の配線基板の要部の拡大断面図。
【図３】本発明の配線基板に係り、配線パターンの第１の状態を示す要部の拡大平面図。
【図４】本発明の配線基板に係り、配線パターンの第２の状態を示す要部の拡大平面図。
【図５】本発明の配線基板の製造方法に係る第１工程を示す説明図。
【図６】本発明の配線基板の製造方法に係る第２工程を示す説明図。
【図７】本発明の配線基板の製造方法に係る第３工程を示す説明図。
【図８】従来の配線基板の概要を示す断面図。
【図９】従来の配線基板の要部の拡大断面図。
【図１０】従来の配線基板に係り、配線パターンの第１の状態を示す要部の拡大平面図。
【図１１】従来の配線基板に係り、配線パターンの第２の状態を示す要部の拡大平面図。
【符号の説明】
【００４４】
１：セラミック基板
２：ビア導体
２ａ：端面
３：パッド
４：被覆部
５：配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005340257.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005340257.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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