(57)【要約】      （修正有）【課題】光取り出し効率の高い光半導体装置を提供すること。【解決手段】光半導体素子１の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層５を有し、第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層６で第１樹脂層が封止されてなる。又は、光半導体素子１の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層５を有し、第１樹脂より屈折率が小さい樹脂からなる複数の樹脂層６，７で第１樹脂層が封止されてなり、かつ複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって、順次小さいことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層で第１樹脂層が封止されてなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
第１樹脂層の厚みが３００μｍ以下である請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
第１樹脂の屈折率が１．６以上である請求項１又は２記載の光半導体装置。
【請求項４】
光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい樹脂からなる複数の樹脂層で第１樹脂層が封止されてなり、かつ前記複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって、順次小さいことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
第１樹脂の屈折率が１．６以上である請求項４記載の光半導体装置。
【請求項６】
最外の樹脂層の屈折率が１．６以下である請求項４又は５記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置の光取り出し効率の向上させるために、複数の樹脂層で光半導体素子が封止され、樹脂層の屈折率を光半導体素子側から最外層に向けて順次小さくした光半導体装置が知られている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開平１０−６５２２０号公報（請求項１）
【特許文献２】特開２０００−４９３８７号公報（請求項１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記光半導体装置においても、第１の封止樹脂と第２の封止樹脂の屈折率差により、その界面において光が全反射して外部に取り出せない光が依然多く存在する。
【０００４】
本発明の目的は、光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、
（１）  光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層で第１樹脂層が封止されてなることを特徴とする光半導体装置、並びに
（２）  光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい樹脂からなる複数の樹脂層で第１樹脂層が封止されてなり、かつ前記複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって、順次小さいことを特徴とする光半導体装置
に関する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の光半導体装置は、最も内部の封止樹脂層中に光散乱粒子が含有されているために、光取り出し効率が極めて高いという優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の光半導体装置は、以下の態様を有する。
第１の態様：  光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層で第１樹脂層が封止されてなることを特徴とする光半導体装置
第２の態様：  光半導体素子の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層を有し、該第１樹脂より屈折率が小さい樹脂からなる複数の樹脂層で第１樹脂層が封止されてなり、かつ前記複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって、順次小さいことを特徴とする光半導体装置
【０００８】
いずれの態様においても、本発明では、光半導体素子を封止する第１樹脂層に光散乱粒子が含有されているため、第１樹脂層と第２樹脂層（第２の態様においても、第１樹脂層を封止する樹脂層を第２樹脂層という）との界面での全反射を低減することができ、光取り出し効率を格段に向上させることができる。
【０００９】
光散乱粒子としては、ポリスチレン等の樹脂粒子、シリカ等の無機粒子等が挙げられるが、これらの中でも、屈折率が１．５４〜２．５０の、高屈折率を有する無機粒子が好ましい。かかる無機粒子としては、チタン、ジルコニウム、インジウム、亜鉛、錫、アンチモン等の酸化物等が挙げられる。
【００１０】
光散乱粒子の平均粒径は、散乱効果を効率的に得、透過率を低減させないようにするためには、１００ｎｍ〜２μｍが好ましい。
【００１１】
光散乱粒子の含有量は、第１樹脂層中、５〜７５体積％が好ましく、１０〜３０体積％がより好ましい。
【００１２】
光半導体素子は、通常、光半導体装置に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ、屈折率：２．５）、ガリウムリン（ＧａＰ、屈折率：２．９）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ、屈折率：３．５）等が挙げられ、これらの中では、青色発光し、蛍光体を介して白色ＬＥＤの製造ができるという観点から、ＧａＮが好ましい。
【００１３】
光半導体素子を封止する第１樹脂層と第２樹脂層に含有される樹脂は、その屈折率を考慮して、第２樹脂が第１樹脂よりも屈折率が小さくなるように、第２の態様においては、さらに第１樹脂層を封止する複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって順次小さくなるように、選択されていれば特に限定されないが、第１樹脂の屈折率は、光半導体素子からの光取り出し効率を高める観点から、１．６以上が好ましく、１．７〜２．１がより好ましい。
【００１４】
一方、第２の態様において、最外の樹脂層の樹脂の屈折率は、樹脂層界面での光取り出し効率を高くするためには、１．６以下が好ましく、１．３８〜１．５４がより好ましい。
【００１５】
第１樹脂と第２樹脂の比屈折率差〔（第１樹脂の屈折率−第２樹脂の屈折率）／第１樹脂の屈折率×１００〕は、樹脂層界面での光取り出し効率を高くするためには、５〜３５％が好ましい。第２の態様において、第２樹脂層から最外の樹脂層までを、順次、第３樹脂層、第４樹脂層、・・・とし、それぞれの樹脂層の樹脂を、第３樹脂、第４樹脂、・・・とする場合はさらに、互いに接する樹脂層の樹脂の比屈折率差〔（第ｎ樹脂の屈折率−第（ｎ＋１）樹脂の屈折率）／第ｎ樹脂の屈折率×１００（ｎは２以上の整数を示す）〕も同様に、５〜３５％が好ましい。
【００１６】
光半導体素子を封止する樹脂としては、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリカルボジイミド、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１７】
これらの中で、第１樹脂としては、低温、低圧での加工が容易であるという観点から、ポリカルボジイミドが好ましく、式（１）：
【００１８】
【化１】
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【００１９】
（式中、Ｒはジイソシアネート残基を、Ｒ1 はモノイソシアネート残基を表し、ｎは１〜１００の整数である）
で表されるポリカルボジイミドがより好ましい。
【００２０】
本発明において、前記式（１）で表されるポリカルボジイミドは、１種若しくは２種以上のジイソシアネートを縮合反応させ、モノイソシアネートで末端封鎖することにより得られる。
【００２１】
前記式（１）中、Ｒは、原料として用いられるジイソシアネートの残基を、Ｒ1 は、同様に原料として用いられるモノイソシアネートの残基を表す。また、ｎは１〜１００の整数である。
【００２２】
原料であるジイソシアネート及びモノイソシアネートは芳香族系又は脂肪族系のいずれであってもよく、それぞれ芳香族系又は脂肪族系のものを単独で若しくは両者を共に用いることができる。本発明においては、ポリカルボジイミドの屈折率をより高くする観点からは、芳香族系のものが好適に使用される。即ち、ジイソシアネート及びモノイソシアネートの少なくとも一方が芳香族系のものを含むか若しくは芳香族系であるか、又はいずれも芳香族系のものであるのが好ましい。中でも、ジイソシアネートが脂肪族系及び芳香族系のものであり、かつモノイソシアネートが芳香族系のものであるのがより好ましく、ジイソシアネート及びモノイソシアネートのいずれもが芳香族系のものであるのが特に好ましい。
【００２３】
本発明において用いられるジイソシアネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート、リジンジイソシアネート、メチルシクロヘキサン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１−メトキシフェニル−２，４−ジイソシアネート、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］プロパンなどが挙げられる。
【００２４】
中でも、高屈折率の発現とその制御の容易性の観点から、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート及びナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びドデカメチレンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種が好適に使用され、ナフタレンジイソシアネートがより好適に使用される。
【００２５】
これらのジイソシアネートは単独で若しくは２種以上を混合して用いることができるが、耐熱性の観点からは、２〜３種を混合して用いることが好ましい。
【００２６】
原料であるジイソシアネートとしては、用いられる全ジイソシアネート中、芳香族ジイソシアネートが、好ましくは１０モル％以上（上限は１００モル％）含まれるものが好適である。当該ジイソシアネートとしては、前記好適なものを用いるのが望ましい。
【００２７】
本発明において用いられるモノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、フェニルイソシアネート、ｐ−ニトロフェニルイソシアネート、ｐ−及びｍ−トリルイソシアネート、ｐ−ホルミルフェニルイソシアネート、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート、１−ナフチルイソシアネートなどが挙げられる。
【００２８】
モノイソシアネートとしては、モノイソシアネート同士間での反応が生じず、かつ効率よくポリカルボジイミドの末端封鎖が進行するという観点から、芳香族モノイソシアネートが好適に使用され、１−ナフチルイソシアネートがより好適に使用される。
【００２９】
これらのモノイソシアネートは単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。
【００３０】
末端封鎖に使用されるモノイソシアネートは、保存安定性の観点から、使用するジイソシアネート成分１００モルに対して１〜１０モルの範囲で用いるのが好ましい。
【００３１】
本発明のポリカルボジイミドの製造は、所定の溶媒中、カルボジイミド化触媒の存在下、原料としてのジイソシアネートを縮合反応によりカルボジイミド化させ、モノイソシアネートにより末端封鎖することにより行う。
【００３２】
ジイソシアネートの縮合反応の反応温度としては、通常、０〜１５０℃であり、好ましくは１０〜１２０℃である。
【００３３】
原料のジイソシアネートに脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとを併用する場合は低温で反応させるのが好ましい。反応温度としては、０〜５０℃が好ましく、１０〜４０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとの縮合反応が充分に進行するので好ましい。
【００３４】
脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとからなるポリカルボジイミドに対し、反応溶液中に過剰に存在する芳香族ジイソシアネートを、さらに反応させることを所望する場合、反応温度は４０〜１５０℃が好ましく、５０〜１２０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、任意の溶媒を用いて反応を円滑に進行させることができるので好ましい。
【００３５】
反応溶液中のジイソシアネート濃度は５〜８０重量％であるのが好適である。ジイソシアネート濃度がかかる範囲内にあれば、カルボジイミド化が充分に進行し、また、反応の制御が容易であるので好ましい。
【００３６】
モノイソシアネートによる末端封鎖は、ジイソシアネートのカルボジイミド化の初期、中期、末期又は全般にわたり、モノイソシアネートを反応溶液中に加えることにより行うことができる。当該モノイソシアネートとしては芳香族モノイソシアネートが好ましい。
【００３７】
カルボジイミド化触媒としては、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられる。例えば、１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシド、或いはこれらの３−ホスホレン異性体などのホスホレンオキシドが挙げられる。
【００３８】
ポリカルボジイミドの製造に用いられる溶媒（有機溶媒）としては、公知のものが使用される。具体的には、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。これらの溶媒は単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。また、これらの溶媒は、得られたポリカルボジイミドを溶解する場合にも用いられる。
【００３９】
なお、反応の終点は、赤外分光分析（ＩＲ測定）によるカルボジイミド構造（Ｎ＝Ｃ＝Ｎ）由来の吸収（２１４０ｃｍ-1）の観測及びイソシアネート由来の吸収（２２８０ｃｍ-1）の消失により確認することができる。
【００４０】
カルボジイミド化反応の終了後、通常、ポリカルボジイミドは溶液として得られるが、さらにメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサンなどの貧溶媒に得られた溶液を投入し、ポリカルボジイミドを沈澱として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。
【００４１】
また、一旦、沈澱として回収されたポリカルボジイミドの溶液を調製するには、当該沈澱を所定の操作により洗浄し、乾燥を行い、再度有機溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、ポリカルボジイミド溶液中に副生成物が含まれる場合には、例えば、適当な吸着剤を用い、副生成物を吸着除去して、精製してもよい。吸着剤としては、例えば、アルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボンなどが挙げられ、それらの吸着剤は単独で若しくは２種以上を併用することができる。
【００４３】
以上より、本発明におけるポリカルボジイミドが得られる。第１樹脂層を構成するポリカルボジイミドとしては、屈折率をより高くする観点から、主鎖構造が芳香族及び脂肪族ジイソシアネートから構成され、かつ末端封鎖が芳香族モノイソシアネートよりなるものが好適であり、主鎖構造が芳香族ジイソシアネートから構成され、かつ末端封鎖が芳香族モノイソシアネートよりなるものがさらに好適である。
【００４４】
具体的には、ポリカルボジイミドとしては、前記式（１）のＲで表されるジイソシアネート残基中、１０モル％以上（上限は１００モル％）が芳香族ジイソシアネート残基であるものが好ましく、前記式（１）のＲ1 で表されるモノイソシアネート残基が芳香族モノイソシアネート残基であるものが好ましい。また、ジイソシアネート残基としては、トリレンジイソシアネート残基、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート残基、ナフタレンジイソシアネート残基、ヘキサメチレンジイソシアネート残基及びドデカメチレンジイソシアネート残基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナフタレンジイソシアネート残基がより好ましく、該芳香族モノイソシアネート残基としては、１−ナフチルイソシアネート残基が好ましい。
【００４５】
一方、第２樹脂層以降の樹脂層の樹脂としては、成型の容易性及び低コストの観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００４６】
第１樹脂層による光半導体素子の封止は、光散乱粒子を層中に含有させる以外は、通常の方法と同様に、浸漬法、ディスペンサ法、スピンコート法等により行うことができる。
【００４７】
具体的には、例えば、第１樹脂及び光散乱粒子を有機溶媒と混合し、光散乱粒子が分散した樹脂溶液を調製し、上記方法により、光半導体素子の表面を樹脂溶液で被覆した後、加熱乾燥することにより封止する方法が挙げられる。
【００４８】
有機溶媒としては、トルエン、シクロヘキサノン等の樹脂を溶融可能な溶剤を適宜選択することができる。
【００４９】
光散乱粒子が分散した樹脂溶液の粘度は、０．０１〜１Ｐａ・ｓ程度が好ましい。
【００５０】
第１樹脂層の厚みは、光半導体素子の１辺の長さにかかわらず、発光波長に依存するため一概には決定できないが、光透過時の光の減衰を防止する観点から、３００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下が特に好ましい。一方、下限値は、高い光取り出し効率を得るためには、１００ｎｍ以上が好ましい。
【００５１】
第２樹脂層以降の樹脂層による封止は、射出成型法、キャスティング法、トランスファー成型法、浸漬法、ディスペンサ等によるポッティング法等の公知に方法を適宜選択し、行うことができる。
【００５２】
第２の態様の光半導体装置の最外樹脂層には、耐傷性の観点から、シリカ粒子が含有されていることが好ましい。
【００５３】
シリカ粒子の平均粒子径は、１〜１００ｎｍが好ましく、５〜３０ｎｍがより好ましい。
【００５４】
シリカ粒子の含有量は、最外樹脂層中、５〜３５体積％が好ましく、１５〜２５体積％がより好ましい。
【００５５】
本発明の光半導体装置は、光半導体素子が、前記のように屈折率が調整された樹脂層により封止されたものであれば、それ以外の構成は特に限定されず、公知の光半導体装置を同様の構成を有していればよい。従って、装置の形態も特に限定されず、例えば、ランプ型や表面実装型の装置が挙げられる。
【００５６】
ランプ型又は表面実装型を有する本発明の第２の態様の光半導体装置の一実施態様の断面図を、図１、２に示す。
【００５７】
図１に示すランプ型の光半導体装置において、光半導体素子１はリードフレーム２ａ上の搭載され、ワイヤ３によりリードフレーム２ａと結線されている。光半導体素子１は、光散乱粒子４を含有した第１樹脂層５により封止され、第１樹脂層５はワイヤ３を内包するように第２樹脂層６により封止され、さらに装置全体を保護するように、最外層の第３樹脂層７により封止されている。
【００５８】
一方、図２に示す表面実装型の光半導体装置においては、光半導体素子１は、基板２ｂ上に形成された導電層２ｃ上に搭載され、ワイヤ３により導電層２ｃと結線されている。光半導体素子１は、光散乱粒子４を含有した第１樹脂層５により封止され、第１樹脂層５はワイヤ３を内包するように第２樹脂層６により封止され、第２樹脂層６はさらに最外層の第３樹脂層７により封止されている。
【実施例】
【００５９】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は当該実施例のみに限定されるものではない。
【００６０】
なお、以下において、合成反応は全て窒素気流下で行った。ＩＲ測定は、ＦＴ／ＩＲ−２３０（日本分光社製）を用いて行った。
【００６１】
ポリカルボジイミドの製造例
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコにトリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製Ｔ−８０）を２９．８９ｇ（１７１．６ｍｍｏｌ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを９４．４８ｇ（３７７．５２ｍｍｏｌ）、ナフタレンジイソシアネートを６４．９２ｇ（３０８．８８ｍｍｏｌ）、トルエンを１８４．５９ｇ入れ、混合した。
【００６２】
さらに、１−ナフチルイソシアネートを８．７１ｇ（５１．４８ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドを０．８２ｇ（４．２９ｍｍｏｌ）添加し、攪拌しながら１００℃に昇温し、２時間保持した。
【００６３】
ＩＲ測定にて反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することにより、ポリカルボジイミド溶液を得た。なお、ポリカルボジイミドのジイソシアネート残基の１００モル％が芳香族ジイソシアネート残基であった。また、前記式（１）におけるｎは１５〜７７で分布していた。
【００６４】
ポリカルボジイミド１５０℃で１時間硬化させて、厚さ３０μｍのシート状に成形し、多波長アッベ屈折率計（ＡＴＡＧＯ社製ＤＲ−Ｍ４）を用い、波長５８９ｎｍ、温度２５℃で測定したポリカルボジイミドの屈折率は、１．７４８であった。
【００６５】
実施例１
上記製造例で得たポリカルボジイミド溶液とシリカスラリー（シクロヘキサノン分散液：シリカ３０重量％、シリカの平均粒子径：１μｍ、アドマテックス社製）を、硬化後シリカ粒子の含有量が２５体積％となるように、混合し、シリカ粒子を分散させた。さらに、得られた分散液を、固形分が９重量％となるまでシクロヘキサノンにより希釈し（粘度１０Ｐａ・ｓ以下）、第１樹脂溶液を得た。
【００６６】
リードフレームに実装した光半導体素子（ＧａＮ、０．３５ｍｍ×０．３５ｍｍ×０．０８ｍｍ）を、第１樹脂溶液中に５秒間浸漬して引き上げ、１２０℃の乾燥炉中で３０分間乾燥させて、光半導体素子を、屈折率が１．７４８のポリカルボジイミドからなる、厚み５μｍの第１樹脂層により封止した。
【００６７】
次に、砲弾型金型を使用し、トランスファー成型により、第１樹脂層の外側に、屈折率が１．５４のエポキシ樹脂（日東電工製ＮＴ−８００２）からなる第２樹脂層を形成し、ランプ型の光半導体装置を得た。
【００６８】
実施例２
熱架橋性含フッ素ポリマー（屈折率：１．４２）の６重量％メチルエチルケトン溶液（ＪＮ−７２２８、ＪＳＲ（株）製）において、メチルエチルケトンを、メチルイソブチルケトン８５重量％、２−ブタノール１５重量％からなる混合溶媒に、溶媒置換した。
【００６９】
得られたポリマー溶液７０重量部に、シリカゾルのメチルエチルケトン分散液（ＭＥＫ−ＳＴ、日産化学（株）製、シリカ粒子の平均粒子径：１０〜２０ｎｍ、固形分濃度：３０重量％）１０重量部、メチルイソブチルケトン４２重量部及びシクロヘキサノン２８重量部を添加、攪拌して第３樹脂溶液を調製した。
【００７０】
実施例１の方法により得られた光半導体装置を、第３樹脂溶液中に５秒間浸漬し、１２０℃の乾燥炉にて８分間乾燥し、第２樹脂層の外側に、屈折率が１．４２の熱架橋性含フッ素ポリマーからなる第３樹脂層を形成し、光半導体装置を得た。
【００７１】
比較例１
光散乱粒子を使用しなかった以外は、実施例１と同様にして光半導体装置を製造した。
【００７２】
比較例２
砲弾型金型を使用し、トランスファー成型により、リードフレームに実装した光半導体素子（ＧａＮ）をエポキシ樹脂（日東電工製ＮＴ−８００２、屈折率：１．５４）により封止して、光半導体装置を得た。
【００７３】
試験例
実施例及び比較例で製造した光半導体装置に通電し、発光量を測定した。発光量の測定は、積分球を使用し、全天発光量をＭＣＰＤ−３０００（大塚電子（株）製）により測定して行なった。結果を表１に示す。
【００７４】
【表１】
2005167091.tif 000004
【００７５】
以上の結果より、光半導体素子を封止する第１樹脂層に光散乱粒子が含有されている実施例で得られた光半導体装置は、比較例の光半導体装置と対比して、発光量の増加が認められることから、光取り出し効率が高いことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の光半導体装置は、ディスプレイ、信号機等に用いられるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】ランプ型を有する本発明の光半導体装置の一実施態様の断面図である。
【図２】表面実装型を有する本発明の光半導体装置の一実施態様の断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    光半導体素子
２ａ  リードフレーム
２ｂ  基板
２ｃ  導電層
３    ワイヤ
４    光散乱粒子
５    第１樹脂層
６    第２樹脂層
７    第３樹脂層
【図１】
2005167091.tif 000005
【図２】
2005167091.tif 000006