(57)【要約】【課題】  ２個のインライン型ＣＣＤセンサを正常に検査できるとともに、検査用装置のコストアップを生じない密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法を提供する。【解決手段】  開示される密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法は、フォトダイオード列と、第１のトランスファゲート列と、メモリ列と、第２のトランスファゲート列と、ＣＣＤシフトレジスタと、複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなる密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサをウエハ上に複数個配置する際に、同一構成を有する２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂを、それぞれのフォトダイオード列１ａ，１ｂが向かい合うように配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のフォトダイオードからなるフォトダイオード列と、前記各フォトダイオードに蓄積された電荷を伝送する複数個のトランスファゲートからなる第１のトランスファゲート列と、前記第１のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を蓄積する複数個のメモリからなるメモリ列と、前記各メモリに蓄積された電荷を伝送する複数のトランスファゲートからなる第２のトランスファゲート列と、前記第２のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を対応する段に読み込む複数段からなるＣＣＤシフトレジスタと、外部回路との接続点となる複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなる密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサ（以下、単にインライン型ＣＣＤセンサと略す）をウエハ上に複数個配置する際に、同一構成を有するインライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、それぞれのフォトダイオード列が向かい合うように配置することを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法。
【請求項２】
請求項１記載のインライン型ＣＣＤセンサを配置したウエハから１個ごとに切り離された複数個のインライン型ＣＣＤセンサによって密着センサを形成する際に、ウエハ上に向かい合って配置されていた２個のインライン型ＣＣＤセンサの一方はそのままの向きで、他方は１８０°回転して、それぞれのフォトダイオード列が密着センサの水平走査線上に配列されるように配置することを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法。
【請求項３】
請求項１記載のウエハ上のインライン型ＣＣＤセンサを検査する際に、ウエハ上に置かれたプローブカードの窓から前記フォトダイオード列が向かい合わせに配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサの全面に上方から光が照射された状態で、前記プローブカードに設けられた窓の電極列側の内側からそれぞれ近い側の電極列の左右対称に配置されている各電極にそれぞれプローブ針を同時に接触させることが可能なように構成されているプローブカードを用いて検査を行うことを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法。
【請求項４】
複数個のフォトダイオードからなるフォトダイオード列と、前記各フォトダイオードに蓄積された電荷を伝送する複数個のトランスファゲートからなる第１のトランスファゲート列と、前記第１のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を蓄積する複数個のメモリからなるメモリ列と、前記各メモリに蓄積された電荷を伝送する複数のトランスファゲートからなる第２のトランスファゲート列と、前記第２のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を対応する段に読み込む複数段からなるＣＣＤシフトレジスタと、外部回路との接続点となる複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなるインライン型ＣＣＤセンサをウエハ上に複数個配置する際に、左右対称の構成を有するインライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、それぞれのフォトダイオード列が向かい合うように配置することを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法。
【請求項５】
請求項４記載のインライン型ＣＣＤセンサを配置したウエハから１個ごとに切り離された複数個のインライン型ＣＣＤセンサによって密着センサを形成する際に、ウエハ上に向かい合って配置されていた２個のインライン型ＣＣＤセンサをそれぞれそのままの向きで、それぞれのフォトダイオード列が密着センサの水平走査線上に配列されるように配置することを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法。
【請求項６】
請求項４記載のウエハ上のインライン型ＣＣＤセンサを検査する際に、ウエハ上に置かれたプローブカードの窓から前記フォトダイオード列が向かい合わせに配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサの全面に上方から光が照射された状態で、前記プローブカードに設けられた窓の電極列側の内側からそれぞれ近い側の電極列の同一向きに配置されている各電極にそれぞれプローブ針を同時に接触させることが可能なように構成されているプローブカードを用いて検査を行うことを特徴とする密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法及び検査方法に係り、詳しくは、２個のインライン型ＣＣＤセンサをまとめて検査する際の、インライン型ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）センサの配置方法及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、プリンタは、印刷機能のみを利用するだけでなく、スキャナやＦＡＸ（Facsimile ）機能を結合した、複合機へと発展している。そして、このような複合機においては、画像入力を取り込んで電気信号に変換するための光学系として、安価であるとともに光学系としての調整が不要な密着センサを用いる場合が多くなっている。
密着センサは、従来、インライン型ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）センサと、制御ＩＣ（Integrated Circuit），ＬＥＤ（Light Emitting Diode）及びレンズアレイで構成されたものが一般的であったが、近年における、読み取り線密度の向上や、読み取り速度の高速化に伴って、インライン型ＣＭＯＳセンサからインライン型ＣＣＤセンサに置き換わりつつある。
【０００３】
図７は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサチップ（以下、チップを省略して表示する）の構成例を示したものでる。実際の装置、例えばプリンタに用いられる密着センサでは、例えば、縦位置のＡ４用紙の短辺を一度に読み込むためには、基板上に、このようなインライン型ＣＣＤセンサが水平走査線に沿って、横方向に６〜８個、配列される。
【０００４】
図７においては、フォトダイオード列１ａと、第１トランスファゲート列２ａと、メモリ列３ａと、第２トランスファゲート列４ａと、ＣＣＤシフトレジスタ５ａと、電極６ａ１〜６ａ７と、アンプ回路７ａとからなる概略構成を有する、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサ８ａが示されている。
フォトダイオード列１ａは、横方向に一列に配列された複数個のフォトダイオードからなっている。第１トランスファゲート列２ａは、横方向に一列に配列されたフォトダイオード列１ａと同数のトランスファゲートからなっている。メモリ列３ａは、横方向に一列に配列された第１トランスファゲート列２ａと同数のメモリからなっている。第２トランスファゲート列４ａは、横方向に一列に配列されたメモリ列３ａと同数のトランスファゲートからなっている。ＣＣＤシフトレジスタ５ａは、横方向に順次接続された第２トランスファゲート列４ａと同じ段数を有している。電極（パッド）６ａ１〜６ａ７には、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの動作に必要な各種入力が接続されるとともに、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの出力信号が取り出される。電極６ａ１〜６ａ７は、電極列６ａを構成する。アンプ回路７ａは、ＣＣＤシフトレジスタ５ａの出力を増幅する増幅回路からなっている。
インライン型ＣＣＤセンサは、横方向に多数の素子を配列するため、一般に、その形状は、横方向が長辺となり、縦方向が短辺となる四角形状をなしている。
【０００５】
図８は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサにおける、各素子の配置と接続を説明するものであって、インライン型ＣＣＤセンサ８ａにおいて、１ａ１，１ａ２，１ａ３，…，１ａｎはフォトダイオード列１ａを構成するフォトダイオード、２ａ１，２ａ２，２ａ３，…，２ａｎは第１トランスファゲート列１ａを構成するトランスファゲート、３ａ１，３ａ２，３ａ３，…，３ａｎはメモリ列３ａを構成するメモリ、４ａ１，４ａ２，４ａ３，…，４ａｎは第２トランスファゲート列４ａを構成するトランスファゲート、５ａ１，５ａ２，５ａ３，…，５ａｎはＣＣＤシフトレジスタ５ａの各段（ビット）を示している。
【０００６】
図９は、ＣＣＤシフトレジスタの構成を説明するための図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図をそれぞれ示す。
図９においては、ＣＣＤシフトレジスタ５ａの出力端に近い部分のみを示している。φ２電極５ａ（ｎ−３），φ１電極５ａ（ｎ−２），φ２電極５ａ（ｎ−１），φ１電極５ａｎは、ｎ型領域２１上に形成された、それぞれ太線で示す下側の電極と、細線で示す上側の電極とからなり、それぞれ、ｎ型領域に設けられた不純物領域ｎ＋との間で電荷を蓄積する機能と、記憶している電荷を隣接する段に転送する機能とを果たすものであって、下側の電極は、それぞれ第２トランスファゲート列４ａの対応するトランスファゲート４ａ（ｎ−３），４ａ（ｎ−２），４ａ（ｎ−１），４ａｎに接続されている。さらにｎ型領域２１上には、出力ゲート電極２２，フローティングゲート２３，リセットゲート２４，リセットドレイン２５が設けられている。
【０００７】
以下、図７，図８，図９を参照して、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの動作を概略説明する。
図８に示されるように、図７に示すインライン型ＣＣＤセンサ８ａを構成するフォトダイオード列１ａ，第一トランスファゲート列２ａ，メモリ列３ａ，第２トランスファゲート列４ａ，ＣＣＤシフトレジスタ５ａにおける、対応する順番のそれぞれの要素は、縦方向に順次接続されている。
フォトダイオード列１ａを構成するｎ個のフォトダイオード１ａ１，１ａ２，１ａ３，…，１ａｎは、画像を構成する水平方向の１走査線に沿って配列されていて、それぞれのフォトダイオードごとに入射する光の強度に比例した光電効果による光電流が流れることによって、所定時間内に入射光強度に比例した電荷を蓄積する。各フォトダイオードに発生した電荷は、第１トランスファゲート列２ａに所定電圧が印加されて各トランスファゲートがオンしたとき、メモリ列３ａにおける対応するメモリに蓄積される。
各メモリに蓄積された電荷は、次に第２トランスファゲート列４ａに所定電圧が印加されて各トランスファゲートがオンしたとき、ＣＣＤシフトレジスタ５ａにおける対応する段に転送される。
【０００８】
ＣＣＤシフトレジスタ５ａにおいて、例えばφ２電極５ａ（ｎ−３）下のｎ＋領域に蓄積された電荷は、φ１パルスがハイになったとき、隣接するφ１電極５ａ（ｎ−２）下のｎ＋領域に転送され、φ１電極５ａ（ｎ−２）下のｎ＋領域に蓄積された電荷は、φ２パルスがハイになったとき、隣接するφ２電極５ａ（ｎ−１）に転送されるというように、φ１パルス，φ２パルスが交互にハイになることによって、順次、図示の右向き方向に転送される。最終のφ１電極５ａｎ下のｎ＋領域に転送された電荷は、φ１パルスがロウレベルのとき、中間レベルに保たれている出力ゲート電極２２領域を経て、よりハイレベルに保持されているフローティングゲート２３へ転送される。
フローティングゲート２３は、コンデンサを形成し、フローティングゲート２３下の電荷量に応じて、次式に従って出力電圧Ｖを発生する。
Ｖ＝Ｑ（フローティングゲート下の電荷）／Ｃ（フローティングゲートの容量）
アンプ回路７ａは、フローティングゲート２３の出力電圧Ｖを増幅して出力を発生する。  アンプ回路７ａに対する出力終了時、リセットゲート２４にハイレベルのリセットパルスを印加してオンすることによって、フローティングゲート２３の電位は、リセットドレイン２５を経て基準電位にリセットされる。
【０００９】
図７に示された電極６ａ１〜６ａ７は、インライン型ＣＣＤセンサを装置に組み込んだとき、インライン型ＣＣＤセンサと外部回路とを接続するための接続点となるものであるが、インライン型ＣＣＤセンサ単体の検査時には、インライン型ＣＣＤセンサ８ａを検査用テスタに接続して、インライン型ＣＣＤセンサ８ａを動作状態にするとともに、その動作状態を検査するためも用いられる。
図７においては、電極は７個だけ示されているが、実際には、さらに多数の電極が設けられていて、電極列９ａを構成している。これら各電極においてチェックされる信号は、例えば、アンプ回路７ａの信号出力電圧、各部を動作させるための電源電圧（５Ｖ）、接地（ＧＮＤ）電位（０Ｖ）、リセットパルス電圧、第１トランスファゲート電圧、第２トランスファゲート電圧、φ１パルス電圧、φ２パルス電圧等である。
【００１０】
このようなインライン型ＣＣＤセンサは、製造工程では、同一構成のものが同じ向きで複数個、ウエハ上に配列されて製作される。例えば、縦方向に１００〜３００個、横方向に３〜４列形成され、検査終了後、１個ずつに切り離されるようになっている。
【００１１】
従来、このようなインライン型ＣＣＤセンサの検査を行う際には、図１０に示すように、プローブカード１０と検査用テスタ１１とを用いて、ウエハ上のインライン型ＣＣＤセンサ８ａを１個ごとに検査する方法がとられていた。
インライン型ＣＣＤセンサの検査時には、プローブカード１０を被検体であるインライン型ＣＣＤセンサ８ａの上に置き、プローブカード１０に設けられた窓１２を経て上方からインライン型ＣＣＤセンサ８ａに光を当てた状態で、プローブ針９ａ１〜９ａ７をインライン型ＣＣＤセンサ８ａの電極６ａ１〜６ａ７に接触させることによって、検査テスタ１１からインライン型ＣＣＤセンサ８ａの動作に必要な各種入力を供給するとともに、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの出力信号を検査テスタ１１に取り出すことによって、所要のチェックを行い、出力が所定範囲内であることを確認することによって、インライン型ＣＣＤセンサが正常であるか、又は異常であるかの判定を行う。
【００１２】
そのため、プローブカード１０の窓１２の内側には、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの各電極６ａ１〜６ａ７に対応する位置に、プローブ針９ａ１〜９ａ７が設けられている。
プローブ針９ａ１〜９ａ７は、それがフォトダイオード列１ａの上部を横切る状態になると、フォトダイオード上に光が照射されない影の部分が生じて、正常な測定を行うことができない。そこで、プローブ針９ａ１〜９ａ７は、このような状態にならないようにするために、電極６ａ１〜６ａ７からなる電極列の側に設けられている。
【００１３】
しかしながら、検査すべきインライン型ＣＣＤセンサの数は前述のように非常に多い。そのため、インライン型ＣＣＤセンサの出荷検査時には、検査時間を短縮するため、個々のインライン型ＣＣＤセンサの測定時間を短縮することが望ましいが、インライン型ＣＣＤセンサを安定した状態で測定するためには、必要以上に測定時間を短縮することはできない。
そこで、複数個のインライン型ＣＣＤセンサに同時にプローブ針を接触させるようにして、インライン型ＣＣＤセンサにプローブ針を当てる回数を減少させることによって、ウエハの移動と測定に必要な時間を短縮して、検査能率を向上させることが考えられる。
【００１４】
図１１は、同一構成の２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂが縦方向（短辺方向）に並んだ状態で、２組のプローブ針を同時に接触させて、２個ごとにインライン型ＣＣＤセンサの検査を行おうとする場合のプローブカード１０の例を示したものであって、プローブカード１０の窓１２の両内側に、プローブ針９ａ１〜９ａ７，９ｂ１〜９ｂ７が設けられている。
この場合は、下側のインライン型ＣＣＤセンサ８ａに対しては、プローブ針９ａ１〜９ａ７によって、影を生じないので正常に測定を行うことができるが、上側のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂに対しては、プローブ針９ａ１〜９ａ７がインライン型ＣＣＤセンサ８ｂのフォトダイオード列１ｂ上を横切るため、影を生じて正常な測定を行うことができない。
この場合、プローブ針９ａ１〜９ａ７がフォトダイオード列１ｂ上を横切らないように配置すればよいが、プローブカード１０上に配置されている、信号配線パターンの関係から、プローブ針は、プローブカード側で一定の間隔（約４ｍｍ）をもって配置されるとともに、フォトダイオード列１ａ，１ｂの間隔（約０．４ｍｍ）内に、径０．２ｍｍのプローブ針を、互いに接触しないようにしながら、３〜４本通さねばならず、物理的に不可能である。
従って、図１１に示されたような方法では、２個のインライン型ＣＣＤセンサに同時にプローブ針を接触させることはできない。
【００１５】
図１２は、２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂが横方向（長辺方向）に並んだ状態で、同時にプローブ針を接触させることができるようにした場合のプローブカードの例を示している。
この場合は、左右のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂのフォトダイオード列１ａ，１ｂ上を、プローブ針９ａ１〜９ａ７と９ｂ１〜９ｂ７が横切らないので、正常に測定できるように思われる。
しかしながら、通常の光照射範囲は、インライン型ＣＣＤセンサ１個分の長辺をカバーする範囲（通常、一辺４ｃｍの正方形）しかないため、右側のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂには光が当たらない。
この場合、光の照射範囲を拡げて２個のインライン型ＣＣＤセンサに同時に光が当たるようにすればよいが、図１２の場合は、インライン型ＣＣＤセンサの横方向（長辺方向）を２倍にするため、２個のインライン型ＣＣＤセンサを照射するために必要な光照射範囲が著しく大きくなる。
光学装置の光照射範囲を拡げるためには、光学装置の再設計が必要となるが、図１２に示されたプローブカードの場合は、光照射範囲が広いので光学装置の再設計のために高額な費用が発生して実用的ではない。
【００１６】
これに対して、類似技術として、特許文献１においては、四角形の半導体チップの少なくとも一辺にはチェック用電極がないような形状にし、一方のチップを１８０°回転させて電極がない辺が隣り合わせになるように組み合わせた状態で測定を行うことによって、半導体チップを２個ずつまとめて測定できるようにして、チェック処理数を増加させることができるようにした半導体装置が記載されている。
また、特許文献２においては、ウエハ上に同一パターン形状の半導体集積回路チップを複数個配列する際に、チップ２個ごとに、相互に回転した関係にすることによって、２チップに対して同時にプローブ検査を行えるようにする半導体装置の製造方法が記載されている。
【００１７】
また、特許文献３においては、半導体チップの連続する２辺又は３辺にのみ、ボンディングパッドを設けることによって、２辺にパッドを有する場合は、４個のチップを田の字状に組み合わせて配置し、３辺にパッドを有する場合は、２個のチップを隣接して配置することによって、組み合わせられた状態で、周辺にのみパッドが配置されるようにして、４個又は２個のパッドを同時に試験できるようにした半導体集積回路が記載されている。
また、特許文献４においては、電極パターンを対称に形成したマイクロ集積回路を対にして、対応する電極パターンがダイシングラインを挟んで対向するように配置し、１つの小型のプローブチップによってまとめて試験を行えるようにすることによって、高効率でウエハテストを行えるようにしたマイクロ波集積回路が記載されている。
【特許文献１】特開昭５８−１５９３４１号公報
【特許文献２】特開昭６１−１８４８４０号公報
【特許文献３】特開平５−１６６８９５号公報
【特許文献４】特開平６−２１１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
密着センサに用いられるインライン型ＣＣＤセンサの数は非常に多いため、２個のインライン型ＣＣＤセンサをまとめて検査できるようにすることが求められているが、従来、検査装置のコストアップを伴わずに、このような試験を可能にする密着センサ用ＣＣＤセンサの配置方法及び試験方法は知られていなかった。
【００１９】
この発明は上述の事情に鑑みてなされたものであって、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサを２個ごとにまとめて検査することができるとともに、検査装置のコストアップを招くことがない、密着センサ用ＣＣＤセンサの配置方法及び検査方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法に係り、複数個のフォトダイオードからなるフォトダイオード列と、上記各フォトダイオードに蓄積された電荷を伝送する複数個のトランスファゲートからなる第１のトランスファゲート列と、上記第１のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を蓄積する複数個のメモリからなるメモリ列と、上記各メモリに蓄積された電荷を伝送する複数のトランスファゲートからなる第２のトランスファゲート列と、上記第２のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を対応する段に読み込む複数段からなるＣＣＤシフトレジスタと、外部回路との接続点となる複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなる密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサ（以下、単にインライン型ＣＣＤセンサと略す）をウエハ上に複数個配置する際に、同一構成を有するインライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、それぞれのフォトダイオード列が向かい合うように配置することを特徴としている。
【００２１】
また、請求項２記載の発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法に係り、請求項１記載のインライン型ＣＣＤセンサを配置したウエハから１個ごとに切り離された複数個のインライン型ＣＣＤセンサによって密着センサを形成する際に、ウエハ上に向かい合って配置されていた２個のインライン型ＣＣＤセンサの一方はそのままの向きで、他方は１８０°回転して、それぞれのフォトダイオード列が密着センサの水平走査線上に配列されるように配置することを特徴としている。
【００２２】
また、請求項３記載の発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法に係り、請求項１記載のウエハ上のインライン型ＣＣＤセンサを検査する際に、ウエハ上に置かれたプローブカードの窓から上記フォトダイオード列が向かい合わせに配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサの全面に上方から光が照射された状態で、上記プローブカードに設けられた窓の電極列側の内側からそれぞれ近い側の電極列の左右対称に配置されている各電極にそれぞれプローブ針を同時に接触させることが可能なように構成されているプローブカードを用いて検査を行うことを特徴としている。
【００２３】
また、請求項４記載の発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法に係り、複数個のフォトダイオードからなるフォトダイオード列と、上記各フォトダイオードに蓄積された電荷を伝送する複数個のトランスファゲートからなる第１のトランスファゲート列と、上記第１のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を蓄積する複数個のメモリからなるメモリ列と、上記各メモリに蓄積された電荷を伝送する複数のトランスファゲートからなる第２のトランスファゲート列と、上記第２のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を対応する段に読み込む複数段からなるＣＣＤシフトレジスタと、外部回路との接続点となる複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなるインライン型ＣＣＤセンサをウエハ上に複数個配置する際に、左右対称の構成を有するインライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、それぞれのフォトダイオード列が向かい合うように配置することを特徴としている。
【００２４】
また、請求項５記載の発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法に係り、請求項４記載のインライン型ＣＣＤセンサを配置したウエハから１個ごとに切り離された複数個のインライン型ＣＣＤセンサによって密着センサを形成する際に、ウエハ上に向かい合って配置されていた２個のインライン型ＣＣＤセンサをそれぞれそのままの向きで、それぞれのフォトダイオード列が密着センサの水平走査線上に配列されるように配置することを特徴としている。
【００２５】
また、請求項６記載の発明は、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法に係り、請求項４記載のウエハ上のインライン型ＣＣＤセンサを検査する際に、ウエハ上に置かれたプローブカードの窓から上記フォトダイオード列が向かい合わせに配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサの全面に上方から光が照射された状態で、上記プローブカードに設けられた窓の電極列側の内側からそれぞれ近い側の電極列の同一向きに配置されている各電極にそれぞれプローブ針を同時に接触させることが可能なように構成されているプローブカードを用いて検査を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法及び検査方法によれば、密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、正常に検査することができるので、検査時間を大幅に短縮することができるとともに、検査装置の変更に伴うコストアップが生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
複数個のフォトダイオードからなるフォトダイオード列と、上記各フォトダイオードに蓄積された電荷を伝送する複数個のトランスファゲートからなる第１のトランスファゲート列と、上記第１のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を蓄積する複数個のメモリからなるメモリ列と、上記各メモリに蓄積された電荷を伝送する複数のトランスファゲートからなる第２のトランスファゲート列と、上記第２のトランスファゲート列の各トランスファゲートから伝送された電荷を対応する段に読み込む複数段からなるＣＣＤシフトレジスタと、外部回路との接続点となる複数個の電極からなる電極列とを順次配列してなる密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサをウエハ上に複数個配置する際に、同一構成を有する２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂを、それぞれのフォトダイオード列１ａ，１ｂが向かい合うように配置する。
【実施例１】
【００２８】
図１は、本発明の第１実施例である密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサのウエハ上の配置方法を示す図、図２は、本実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法を説明するための図、図３は、本実施例で示したウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの基板上の配置方法を示す図である。
なお、本発明における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの動作は、図７，図８，図９に示された従来例の場合と同様なので、以下においては詳細な説明を省略する。
【００２９】
本実施例の場合、各インライン型ＣＣＤセンサの構造は同一であって、ウエハ上において、図１に示すように、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサセンサ８ａに対して、偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂを１８０°回転させて、それぞれのフォトダイオード列１ａ，１ｂが向かい合うように配置する。
これによって、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａでは、図示のように、下方向に向かって、順次、フォトダイオード列１ａ，第１トランスファゲート列２ａ，メモリ列３ａ，第２トランスファゲート列４ａ，ＣＣＤシフトレジスタ５ａ，アンプ回路７ａおよび電極６ａ１〜６ａ７からなる電極列６ａが配列され、偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８b では、図示のように、上方向に向かって、順次、フォトダイオード列１ｂ，第１トランスファゲート列２ｂ，メモリ列３ｂ，第２トランスファゲート列４ｂ，ＣＣＤシフトレジスタ５ｂ，アンプ回路７ｂおよび電極６ｂ１〜６ｂ７からなる電極列６ｂが配列される。
【００３０】
この場合、ＣＣＤシフトレジスタ５ａ，５ｂにおける、電荷の転送方向は、互いに逆方向となり、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａでは右向き方向に転送され、偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂでは左向き方向に転送される。また、アンプ回路７ａ，７ｂの位置と、電極６ａ１〜６ａ７，６ｂ１〜６ｂ７の位置および並び順も、互いに逆になり、左右対称の関係に配置されている。
【００３１】
図２においては、図１に示すように配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂをまとめて検査するための、プローブカード１０の構成が示されている。
プローブカード１０には、窓１２が設けられていて、検査時、インライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの全体に光が当たるようにするために、図２中に破線で示す、窓１２より大きい光照射範囲に対して、上方から照明が行われるようになっている。
また、プローブカード１０の窓１２の内側には、検査用テスタ１１と各インライン型ＣＣＤセンサとを接続するために、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの電極６ａ１〜６ａ７に対応してプローブ針９ａ１〜９ａ７が設けられ、インライン型ＣＣＤセンサ８ｂの電極６ｂ１〜６ｂ７に対応してプローブ針９ｂ１〜９ｂ７が設けられている。
【００３２】
本実施例の場合、プローブカード１０のプローブ針９ａ１〜９ａ７および９ｂ１〜９ｂ７は、窓１２の電極列側の内側から、それぞれインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの外側に存在する電極６ａ１〜６ａ７および６ｂ１〜６ｂ７に接触できるように設けられているので、プローブ針９ａ１〜９ａ７および９ｂ１〜９ｂ７が、インライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂのフォトダイオード列１ａ，１ｂを横切ることがなく、従って、フォトダイオード列１ａ，１ｂ上のどのフォトダイオードに対しても、光の照射を妨げることがないので、それぞれのインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの検査を正常に行うことができる。
【００３３】
図３は、本実施例の場合における、検査を終了して１個ごとに切り離されたインライン型ＣＣＤセンサの、基板上における配置方法を示したものであって、フォトダイオード列と電極群のみを示し、ウエハ上の向きのままの奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａと、図１に示されたウエハ上の向きから１８０°回転させた偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂとを交互に、それぞれのフォトダイオード列が、同一の水平走査線上に、横方向一列に配列されるように配置することが示されている。
本実施例の場合は、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａと偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂとは同一形状に作られているので、図６に示すように同じ向きに配置した状態で、各インライン型ＣＣＤセンサの電荷転送方向が右向き方向に統一されることになる。
【００３４】
このように、本実施例の場合、インライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに、正常に検査することができるので、ウエハを移動させるために必要な時間が従来の１／２となり、検査時間を大幅に短縮できるようになる。例えば１回のウエハ移動に約１秒かかるとした場合、１枚のウエハの検査に必要なウエハ移動回数が従来７００回であったものが３５０回になるので、３５０秒の検査時間の削減が見込めることになる。
さらに、本実施例の場合における、プローブカードの光照射範囲は、図１０に示された従来例の場合と比較して、インライン型ＣＣＤセンサの短辺方向の大きさが２倍になるだけであって、インライン型ＣＣＤセンサの長辺方向の大きさは変わらないので、従来のインライン型ＣＣＤセンサ１個を検査する場合の光照射範囲で十分であり、従ってプローブカードに対する照明設備のコストアップがなくて済む利点がある。
【実施例２】
【００３５】
図４は、本発明の第２実施例である密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサのウエハ上の配置方法を示す図、図５は、本実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法を説明するための図、図６は、本実施例で示したウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの基板上の配置方法を示す図である。
【００３６】
本実施例の場合、インライン型ＣＣＤセンサには、左右対称に構成された２種類の構造のものがあって、ウエハ上において、図４に示すように、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサセンサ８ａに対して、偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂを１８０°回転させて、それぞれのフォトダイオード列１ａ，１ｂが向かい合うように配置する。
これによって、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａでは、図示のように、下方向に向かって、順次、フォトダイオード列１ａ，第１トランスファゲート列２ａ，メモリ列３ａ，第２トランスファゲート列４ａ，ＣＣＤシフトレジスタ５ａ，アンプ回路７ａおよび電極列６ａを構成する電極６ａ１〜６ａ７が配列され、偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８b では、図示のように、上方向に向かって、順次、フォトダイオード列１ｂ，第１トランスファゲート列２ｂ，メモリ列３ｂ，第２トランスファゲート列４ｂ，ＣＣＤシフトレジスタ５ｂ，アンプ回路７ｂおよび電極列６ｂを構成する電極６ｂ１〜６ｂ７が配列される。
【００３７】
この場合、ＣＣＤシフトレジスタ５ａ，５ｂにおける電荷の転送方向は同じであって、インライン型ＣＣＤセンサ８ａもインライン型ＣＣＤセンサ８ｂも、ともに右向き方向に転送する。
従って、インライン型ＣＣＤセンサ８ａのアンプ回路７ａと、インライン型ＣＣＤセンサ８ｂのアンプ回路７ｂは、ともに右側に配置されている。また、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの電極６ａ１〜６ａ７と、インライン型ＣＣＤセンサ８ｂの電極６ｂ１〜６ｂ７とは、上下方向に同じ位置に配置されている。
【００３８】
図５においては、図１に示すように配置された２個のインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂをまとめて検査するための、プローブカード１０の構成が示されている。
プローブカード１０には、窓１２が設けられていて、検査時、インライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの全体に光が当たるようにするために、図５中に破線で示す、窓１２より大きい光照射範囲に対して、上方から照明が行われるようになっている。
また、プローブカード１０には、検査用テスタ１１と各インライン型ＣＣＤセンサとを接続するために、インライン型ＣＣＤセンサ８ａの電極６ａ１〜６ａ７に対応してプローブ針９ａ１〜９ａ７が設けられ、インライン型ＣＣＤセンサ８ｂの電極６ｂ１〜６ｂ７に対応してプローブ針９ｂ１〜９ｂ７が設けられている。
【００３９】
本実施例の場合、プローブカード１０のプローブ針９ａ１〜９ａ７および９ｂ１〜９ｂ７は、窓１２の電極列側の内側から、それぞれインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの外側に存在する電極６ａ１〜６ａ７および６ｂ１〜６ｂ７に接触できるように設けられているので、プローブ針９ａ１〜９ａ７および９ｂ１〜９ｂ７が、インライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂのフォトダイオード列１ａ，１ｂを横切ることがなく、従って、フォトダイオード列１ａ，１ｂ上のどのフォトダイオードに対しても、光の照射を妨げることがないので、それぞれのインライン型ＣＣＤセンサ８ａ，８ｂの検査を正常に行うことができる。
【００４０】
図６は、本実施例の場合における、検査を終了して１個ごとに切り離されたインライン型ＣＣＤセンサの、基板上における配置方法を示したものであって、フォトダイオード列と電極群のみを示し、図４に示されたウエハ上の向きのままに、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａと偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂとを交互に、それぞれのフォトダイオード列が、同一の水平走査線上に、横方向一列に配列されるように配置することが示されている。
本実施例の場合は、奇数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ａと偶数番目のインライン型ＣＣＤセンサ８ｂとは左右対称に作られているので、図６に示すように、ウエハ上の向きと同じ向きで千鳥型に配置した状態で、各インライン型ＣＣＤセンサの電荷転送方向が右向き方向に統一されることになる。
【００４１】
このように、本実施例の場合、インライン型ＣＣＤセンサを２個ごとに正常に検査することができるので、インライン型ＣＣＤセンサの検査時間が１／２になり、検査時間を大幅に短縮することができるようになる。さらに、本実施例の場合における、プローブカードの光照射範囲は、図１０に示された従来例の場合と比較して、インライン型ＣＣＤセンサの短辺方向の大きさが２倍になるだけであって、インライン型ＣＣＤセンサの長辺方向の大きさは変わらないので、第１実施例の場合と同様に、プローブカードに対する照明設備のコストアップが生じない利点がある。
【００４２】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、本発明のインライン型ＣＣＤセンサを製作する際の、ウエハ上に配置するインライン型ＣＣＤセンサの数は任意であり、また密着センサ上における、本発明のインライン型ＣＣＤセンサの数も任意である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
この発明の密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの配置方法及び検査方法は、スキャナやＦＡＸ機能を結合した複合機の光学系に限らず、密着センサによって光学的に画像検出を行う各種機器、例えば単体のスキャナやＦＡＸ装置、並びに複写機等に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施例である密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサのウエハ上の配置方法を示す図である。
【図２】同実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法を説明するための図である。
【図３】同実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの基板上の配置方法を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例である密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサのウエハ上の配置方法を示す図である。
【図５】同実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの検査方法を説明するための図である。
【図６】同実施例のウエハ上の配置方法の場合における密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサの基板上の配置方法を示す図である。
【図７】密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサチップの構成例を示す図である。
【図８】密着センサ用インライン型ＣＣＤセンサにおける、各素子の配置と接続を説明するための図である。
【図９】ＣＣＤシフトレジスタの構成を説明するための図である。
【図１０】従来の１個のインライン型ＣＣＤセンサに対する検査方法を説明するための図である。
【図１１】従来の２個のインライン型ＣＣＤセンサに対する検査方法を説明するための仮想的な図である。
【図１２】従来の２個のインライン型ＣＣＤセンサに対する他の検査方法を説明するための仮想的な図である。
【符号の説明】
【００４５】
１ａ，１ｂ    フォトダイオード列
２ａ，２ｂ    第１トランスファゲート列
３ａ，３ｂ    メモリ列
４ａ，４ｂ    第２トランスファゲート列
５ａ，５ｂ    ＣＣＤシフトレジスタ
６ａ，６ｂ    電極列
６ａ１，６ａ２，６ａ３，６ａ４，６ａ５，６ａ，６ａ７，６ｂ１，６ｂ２，６ｂ３，６ｂ４，６ｂ５，６ｂ，６ｂ７    電極
７ａ，７ｂ    アンプ回路
８ａ  ８ｂ    インライン型ＣＣＤセンサ
９ａ１，９ａ２，９ａ３，９ａ４，９ａ５，９ａ６，９ａ７，９ｂ１，９ｂ２，９ｂ３，９ｂ４，９ｂ５，９ｂ６，９ｂ７    プローブ針
１０    プローブカード
１１    検査用テスタ
１２    窓
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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