(57)【要約】【課題】待ち工程での保管中に半導体ウエハに付着する水分・有機物等の汚染を簡便な構成で防止する半導体装置の保管方法及び製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハを収納した半導体装置用収納カセット１０１をポッド１０２内に収納し、さらにポッド１０２を保管庫１０５内で保管する。ポッド１０２内は高純度Ｎ2ガス雰囲気で２Ｐａの圧力に保たれており、保管庫１０５内はケミカルフィルタ１０８とパーティクル除去フィルタ１０９を通して導入された高純度Ｎ2ガス雰囲気で内部の圧力はポッド内圧力より高い３Ｐａ〜１０Ｐａの範囲内に保たれている。【選択図】図１
2005340332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着脱可能な蓋と一面が開放面を有する筐体とを密着もしくは嵌合させたポッド内に前記基板を収納する工程と、
第１の不活性ガスを導入して前記ポッド内を前記不活性ガス雰囲気にする工程と、
前記不純物ガスよりも高純度に精製された第２の不活性ガス雰囲気に保たれた保管庫内に前記ポッドを収納して保管する工程を備えた半導体装置の保管方法。
【請求項２】
前記第１の不活性ガスと前記第２の不活性ガスは同じ種類のガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の保管方法。
【請求項３】
前記ポッドは、ＢＯＵＰもしくはＦＯＵＰであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の保管方法。
【請求項４】
前記保管庫内の圧力は、前記ポッド内の圧力および前記保管庫外部の圧力より高いことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体装置の保管方法。
【請求項５】
前記保管庫内の圧力は、前記ポッド内の圧力の１．５倍〜５倍であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の保管方法。
【請求項６】
前記ポッド内の圧力は、前記保管庫外部の圧力より高いことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の保管方法。
【請求項７】
前記保管庫は、パーティクルフィルタもしくはケミカルフィルタのいずれかの少なくとも１つを有し、前記不活性ガスは前記パーティクルフィルタもしくはケミカルフィルタのいずれかの少なくとも１つを通して前記保管庫内に導入されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の保管方法。
【請求項８】
前記保管庫内および前記ポッドの湿度は２．０％以下に保たれていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の保管方法。
【請求項９】
前記保管工程において、前記基板上に付着する有機物の総量が約１ｎｇ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の保管方法。
【請求項１０】
第１の基板処理工程と、
着脱可能な蓋と一面が開放面を有する筐体とを密着もしくは嵌合させたポッド内に前記基板を収納する工程と、
第１の不活性ガスを導入して前記ポッド内を前記不活性ガス雰囲気にする工程と、
前記不純物ガスよりも高純度に精製された第２の不活性ガス雰囲気に保たれた保管庫内に前記ポッドを収納して保管する工程を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の不活性ガスと前記第２の不活性ガスは同じ種類のガスであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記保管工程の後に、第２の基板処理工程をさらに備えた請求項１０または１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の基板処理工程及び第２の基板処理工程は、銅配線形成工程、ゲート形成工程、ＨＳＧ電極形成工程のいずれかの一部をなしていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造保管方法および半導体装置の製造方法に関し、特に不活性ガスで置換したポッドの保管方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体装置は、半導体基板やガラス基板等にエッチングや膜堆積、イオン注入等の多数の工程を施して製造される。しかし、製造工程の種類によって製造設備の処理能力が異なるため、処理能力の低い製造設備で処理待ちの基板が滞留してしまう。
【０００３】
半導体装置をそのままの状態で放置すると、クリーンルーム内のパーティクルや化学汚染物質が半導体装置表面に付着する。また、処理待ちの待機中に空気中の酸素などで、半導体装置表面に自然酸化膜が形成され、電気的特性に悪影響を与える場合もある。
【０００４】
このような不具合を避けるために、従来から製造工程内で滞留した半導体装置は、カセットキャリアへ収納してキャリアボックスに入れて、保管庫（クリーンストッカー）へ収納していた。
【０００５】
現在は、微細化が進み、キャリアボックスを保管庫で収納するだけではクリーン度の確保が困難となり、さらに基板の大口径化に伴い、ポッド、例えばＢＯＵＰ（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）やＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）を用いた保管方法に移行してきている。
【０００６】
ポッドは従来のキャリアボックスと比較して気密性とクリーン度維持に優れている。このことにより、保管庫自体には高いクリーン度を要求されることがなくなってきた。また、保管庫に収納する工程自体が少なくなっていた。
【０００７】
しかし、半導体装置の製造工程には、通常よりもさらに高いクリーン度を要求される工程、例えばゲート酸化膜成膜工程や配線形成工程がある。
【０００８】
これらの高クリーン度が要求される工程に対し、ポッド内部を不活性ガスで置換して保管する方法や、ポッドに不活性ガスの供給口と排出口を設け一定量の不活性ガスを流して循環させる方法が用いられている。
【０００９】
特許文献１には、底面にはガス供給口とガス吸引口とを有し、ドア面にはガス流入口を有したＦＯＵＰを用いた半導体装置の保管方法が開示されている。
【００１０】
不活性ガスを供給するガス供給手段と排気手段を有したロードポート装置にＦＯＵＰを載置し、ＦＯＵＰ内を排気手段によって強制的に排気し陰圧にした後、ガス供給手段から不活性ガスをＦＯＵＰ内に供給する。この際、ＦＯＵＰ内は外部よりも圧力の低い陰圧状態を維持するようにする。
【００１１】
次に、不活性ガスの強制流をフローさせた保管庫内へ前記ＦＯＵＰを収納し、保管庫内の台部に備え付けたガス吸引口と前記底面のガス吸引口とを接合して、ＦＯＵＰ内のガスを吸引して強制的に陰圧にし、保管装置内の圧力よりも低くすることで、保管装置内の清浄な不活性ガスをポッド内へ流入させている。
【特許文献１】特開２００３−９２３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、これらの方法は、ポッドあるいは保管庫に減圧状態を維持する機能と不活性ガスを充填する機能を備える必要があり、ポッド等の構造が複雑になるとともに大幅なコスト上昇を伴うものである。
【００１３】
また、ＦＯＵＰ等のポッドは高機能プラスチックで成型されており、プラスチック自体に水分を透過させる性質がある。
【００１４】
さらに、ポッド自体や気密性を保つために使用されるシール材（パッキン）から有機物を含むガスが発生し、有機物がポッド内に拡散する。
【００１５】
ポッド内に拡散する有機物には、例えば、フタル酸ジ−２−エチルヘキシルやフタル酸ジ−ｎ−ブチルの様な高沸点有機物と、トルエン／酢酸ブチル系に表される低融点有機物とがある。これら２種類の有機物のうち、高融点有機物は直接的に半導体装置に悪影響を与えるし、低融点有機物はそれ自体で半導体装置に影響を与えないが、雰囲気中に水分が存在すると高融点有機物へと変化する場合もあり、やはり悪影響を与える。
【００１６】
ポッドは構造上、複数のパーツで組み立てられているため完全な気密状態を維持することが不可能である。発明者等の評価によれば、数時間で酸素濃度が向上することが判明している。
【００１７】
したがって、ポッドに不活性ガスを入れて外気より高圧状態で保管しても、不活性ガスがポッド外へ拡散してしまい、ポッド周辺の保管環境の影響を受けることになる。その結果、半導体装置は、水分による酸化や自然酸化膜の成長、低融点有機物と水分が反応して形成されたものも含めた高融点有機物汚染が発生する。
【００１８】
また、ポッドにガス供給口、ガス流入口およびガス吸引口を設け、さらに保管庫側にもガス導入とガス排気システムを設けて、常時、不活性ガスを導入する方法がある。
【００１９】
これらは、ポッドや保管庫の改造が必要で、構成部品点数の増加による故障率、パーティクル、コストの増加になっている。
【００２０】
この方法は、ポッドを常に不活性ガスで充填できるため、高融点有機物、低融点有機物の影響を受けにくいが、ポッド内に気流が発生するためパーティクルが多く、水分の影響も受ける。
【００２１】
さらに、上記したように特許文献１に開示された方法も構成部品点数の増加と不活性ガスの大量使用によりコスト高になる。
【００２２】
この方法の場合、ポッド内は減圧になっているため、有機物や水分の悪影響を受けにくいが、ポッド内に不規則な気流が発生するため、パーティクルが多い。また常時、陰圧状態を保つため、ポッドに機械的なストレスがかかり、寿命も短くなる。
【００２３】
そこで、本発明の目的は、ポッド内部及び保管庫内の圧力差に利用して、ポッドや保管庫の構成パーツを増やすことなく、簡便かつ低コストの半導体装置の製造保管方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の保管方法は、着脱可能な蓋と一面が開放面を有する筐体とを密着もしくは嵌合させたポッド内に前記基板を収納する工程と、第１の不活性ガスを導入して前記ポッド内を前記不活性ガス雰囲気にする工程と、前記不純物ガスよりも高純度に精製された第２の不活性ガス雰囲気に保たれた保管庫内に前記ポッドを収納して保管する工程を備えている。
【００２５】
前記第１の不活性ガスと前記第２の不活性ガスは同じ種類のガスであることが好ましい。
【００２６】
前記ポッドは、ＢＯＵＰもしくはＦＯＵＰであることが好ましい。
【００２７】
前記保管庫内の圧力は、前記ポッド内の圧力および前記保管庫外部の圧力より高いことが好ましい。
【００２８】
前記保管庫内の圧力は、前記ポッド内の圧力の１．５倍〜５倍であることがより好ましい。
【００２９】
前記ポッド内の圧力は、前記保管庫外部の圧力より高いことがより好ましい。
【００３０】
前記保管庫は、パーティクルフィルタもしくはケミカルフィルタのいずれかの少なくとも１つを有し、前記不活性ガスは前記パーティクルフィルタもしくはケミカルフィルタのいずれかの少なくとも１つを通して前記保管庫内に導入されることが好ましい。
【００３１】
前記保管庫内および前記ポッドの湿度は２．０％以下に保たれていることがより好ましい。
【００３２】
前記保管工程において、前記基板上に付着する有機物の総量が約１ｎｇ以下であることがより好ましい。
【００３３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の基板処理工程と、着脱可能な蓋と一面が開放面を有する筐体とを密着もしくは嵌合させたポッド内に前記基板を収納する工程と、第１の不活性ガスを導入して前記ポッド内を前記不活性ガス雰囲気にする工程と、前記不純物ガスよりも高純度に精製された第２の不活性ガス雰囲気に保たれた保管庫内に前記ポッドを収納して保管する工程を備えている。
【００３４】
前記第１の不活性ガスと前記第２の不活性ガスは同じ種類のガスであることが好ましい。
【００３５】
前記保管工程の後に、第２の基板処理工程をさらに備えていてもよい。
【００３６】
前記第１の基板処理工程及び第２の基板処理工程は、銅配線形成工程、ゲート形成工程、ＨＳＧ電極形成工程のいずれかの一部をなしていることが好ましい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の半導体装置の保管方法によれば、ポッド内と保管庫内の圧力を最適な圧力差、つまりポッド内の圧力に対し保管庫内の圧力を１．５倍〜５．０倍に制御することで、クリーン度の高い不活性ガスをポッド内へ自然に拡散させることができるため、ポッド内に不規則な気流が発生することがなく、ポッドから半導体装置へ異物の巻き上げによる付着が発生しない。
【００３８】
また、保管庫内及びポッド内の水分濃度を２．０％以下にすることで、高機能プラスチックからの有機物汚染や自然酸化膜の成長を未然に防ぐことが出来る。
【００３９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置表面の有機物汚染や自然酸化膜の成長を簡便な構成で防止することができ、製造コストの低減、製造歩留まりの大幅な向上及び半導体装置の品質向上が同時に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の保管方法及び製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の保管方法の概略構成を示したものである。
【００４２】
図１に示すように、複数枚の半導体装置１００、例えば２５枚の８インチ半導体装置１００を段々に収納した半導体装置用収納カセット１０１を収納するポッド１０２があって、ポッド１０２は、着脱可能な蓋１０３と、一面に開放面を有する筐体１０４とを密着もしくは嵌合させたものからなる。
【００４３】
さらにポッド１０２を収納するための密閉性に優れクリーン度の高い保管庫１０５があって、保管庫１０５の前面にはポッド１０２を搬入・搬出させるための扉１０６と、保管庫１０５の上部に保管庫１０５内の雰囲気を置換するための不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１１２、不活性ガス供給バルブ１０７と、ケミカルフィルタ１０８と、パーティクル除去フィルタ１０９と、保管庫１０５の下部に当該保管庫１０５内の雰囲気を排気するための不活性ガス排気バルブ１１０と不活性ガス排気ライン１１３とポッド１０２を載置する台部１１１とを備えている。
【００４４】
台部１１１は、ポッド１０２の着脱可能な蓋１０３と、一面に開放面を有する筐体１０４との隙間が覆わないような形状および寸法で、面は格子状になっている。
【００４５】
保管庫１０５内は、保管庫１０５の上部の不活性ガス供給ライン１１２から不活性ガスを導入し、不活性ガス供給バルブ１０７で不活性ガスの流量をコントロールして、ケミカルフィルタ１０８と、パーティクル除去フィルタ１０９を通して保管庫内に供給する。
【００４６】
保管庫１０５の下部の不活性ガス排気バルブ１１０によって、ガス供給流量より若干少なめの流量で不活性ガス排気ライン１１３を通じて保管庫１０５外へ不活性ガスを排出する。
【００４７】
発明者等はポッド内と保管庫内の圧力の関係と半導体装置上のクリーン度との相関について詳細な検討を行った。
【００４８】
ポッドを常時、強制的に減圧状態にすれば、保管庫から不活性ガスが常に導入されるが、ポッド内では構成部品の組み合わせ箇所や僅かな隙間、不活性ガス導入口から不規則な気流が発生しており、これが、半導体装置へのパーティクル付着等を助長していることを発明者等は見い出した。
【００４９】
本発明はこの不規則な気流に着目し、ポッドと保管庫内の圧力関係を規定することにより不規則な気流の発生を抑制し、パーティクルの付着等を低減するものである。
【００５０】
すなわち、保管庫内の圧力をポッド内圧力よりも陽圧にして、保管庫内の雰囲気をポッド内の雰囲気よりも高純度になるように規定する。この結果、保管庫内は非常に高い清浄度を保つとともに、ポッド内に異物を移動させる気流が発生しない。
【００５１】
一方、不活性ガスの自然拡散で圧力が平均化されポッドと保管庫が同圧状態になる。保管中は、ポッドと保管庫内で同圧状態にして保管するため気流が発生しないため、半導体装置へパーティクルが付着しない。
【００５２】
本実施の形態では、ポッド１０２としてＢＯＵＰを用い、ＢＯＵＰ内の不活性ガス圧力を２Ｐａに固定し、保管庫１０５の不活性ガス圧力を２Ｐａ〜１０Ｐａの範囲内とした。不活性ガスとして高純度窒素ガス（以下ＰＮ2）を用いた。本実施の形態では、露点が−９０℃以下で、清浄度が５個／ｃｆ（０．１μｍ）のＰＮ2を用いた。
【００５３】
保管庫内の圧力は導入するＰＮ2流量で調節しており、１０ｌ／ｍｉｎ〜１２０ｌ／ｍｉｎの範囲内で制御した。
【００５４】
保管庫内のクリーン度は０．１２μｍ以上の異物が２（個／ｆｔ3）である。
【００５５】
（パーティクルの低減効果）
図２は、本発明の実施の形態１における保管庫内の圧力とパーティクルの付着比率との相関を示した図である。なお、ＢＯＵＰ内のＰＮ2圧力は２Ｐａに固定し、評価モニターとして、ＲＣＡ洗浄したシリコンウエハを用いた。
【００５６】
シリコンウエハはカセットの最下段にセットした。圧力はＢＯＵＰに組み込まれているフィルタ部に差圧計を導入し測定した。各条件における放置時間は２時間である。放置前後に０．１２μｍ以上のパーティクル数をレーザー式検査装置により測定した。
【００５７】
なお、パーティクルの付着比率は保管庫内が真空状態（＝０Ｐａ）の場合のパーティクル付着数を１とした場合の各圧力での付着数との比である。
【００５８】
図２からわかるように、保管庫内圧力が３Ｐａから１０Ｐａまでの範囲で付着比率が真空状態のときと比べて低減している。この圧力範囲内で、ポッド内に発生する不規則な気流の発生が抑制されたためと推測される。
【００５９】
この圧力範囲内よりも保管庫内の圧力が低ければ、ポッドから保管庫へ流れるガスの気流によりパーティクルがまきあがって付着比率が上昇し、また、この圧力範囲内よりも保管庫内の圧力が高ければ、逆に保管庫内からポッド内に拡散するガスの流量が大きすぎてパーティクルのまきあがりが起こると推測される。
【００６０】
本実施の形態では、ポッド内の圧力を２Ｐａに固定したが、上述したようにポッド内に発生する気流は保管庫内の圧力とポッド内の圧力の差によって生じる。よって、図２に示した結果から保管庫内の圧力はポッド内圧力の１．５倍〜５倍であればパーティクルの付着比率を低減できるといえる。
【００６１】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパーティクル付着数の保管方法依存性を示した図である。
【００６２】
評価モニターは上述したＲＣＡ洗浄したシリコンウエハを用いており、１２時間保管後に、レーザー式検査装置を用いて０．１２μｍ以上のパーティクルを測定した。
【００６３】
パーティクル数は、従来のＮ2ガスでパージしたのみのポッドで保管した場合を１として比較している。
【００６４】
図３からわかるように、パーティクル数はＮ2ガスをポッド内に導入して流し続けるＮ2導入式で従来と比べて５％減少、本発明の保管方法においては４３％も減少している。
【００６５】
これは、ポッド内のみに強制的にＮ2を導入しても十分な効果が得られない事を示唆しており、本発明の保存方法は、異物の付着防止においても非常に高い効果を有するものである。
【００６６】
（自然酸化膜の成長抑制について）
図４は、本発明の実施の形態１における保管庫内の水分濃度と自然酸化膜の成長量との相関を示した図である。評価モニターとして、ＲＣＡ洗浄後に希フッ酸洗浄（ＨＦ：Ｈ2Ｏ=１００：１で３分間洗浄）したシリコンウエハを用いた。ウエハはＰＮ2を充填したポッド内に置かれ、４時間保管した後の自然酸化膜量を分光エリプソメトリ方式により測定した。
【００６７】
水分濃度は保管庫の開放時間により調整し、解放後はＰＮ2ガスを導入していない。水分濃度は、保管庫内にワイヤレスの水分測定器を設置して測定した。
【００６８】
図４からわかるように、保管庫内の水分濃度が２．０％以下であれば、自然酸化膜の成長量を０．４ｎｍ以下つまり酸化膜を構成するシリコンの原子量を１原子以下に制御できることがわかった。
【００６９】
図５は、本発明の実施の形態１における自然酸化膜の成長量の保管方法依存性を示した図である。評価モニターは上述したＲＣＡ洗浄後に希フッ酸洗浄したシリコンウエハを用いており、８時間保管後に自然酸化膜の成長量を分光エリプソメトリ方式により測定した。測定はウエハ面内４９点で行い、その平均値で比較した。
【００７０】
自然酸化膜の成長量は、従来のＮ2ガスでパージしたのみのポッドで保管した場合を１として比較している。
【００７１】
図５からわかるように、Ｎ2ガスをポッド内に導入して流し続けるＮ2導入式で従来と比べて自然酸化膜の成長を３８％抑制しているのに対し、本発明の保管方法においては８５．６％も抑制できていることがわかった。これは、ポッド内のみの水分濃度を制御しても十分な効果が得られない事を示唆しており、ポッドを保管する保管庫の雰囲気制御が重要であることを証明するものである。
【００７２】
（有機物付着の低減について）
図６は、本発明の実施の形態１における有機物付着量の保管方法依存性を示した図である。ポッド内でウエハを１２時間保管し、有機物の付着量は、ウエハを加熱後にガスクロマトロ質量分析法により測定した。
【００７３】
有機物付着量は、従来のＮ2ガスでパージしたのみのポッドで保管した場合を１として比較している。
【００７４】
図６からわかるように、Ｎ2ガスをポッド内に導入して流し続けるＮ2導入式で従来と比べて有機物の付着を３８％抑制しているのに対し、本発明の保管方法においては４１％抑制できていることがわかった。本発明の保管方法は有機物の付着防止効果も高いと言える。
【００７５】
以上、本発明によれば、半導体装置への有機物汚染、パーティクル付着、自然酸化膜成長の抑制について極めて高い効果がある。
【００７６】
（変形例１）
図７は、本発明の実施の形態１における半導体装置の保管方法の変形例を示した図である。図７において、保管庫１０５内に仕切り板１１４を備え付けてポッド１０２を収納する空間を個々に分け、横方向に複数個並べて保管している。
【００７７】
以上の構成によれば、ポッド１０２の搬入・搬出時における不活性ガスの漏出を最小限にできるため、不活性ガスの流量を抑えつつ保管庫内の雰囲気を高重度に保つことが容易であり、よりコストの低減が図れる。
【００７８】
（変形例２）
図８は、本発明の実施の形態１における半導体装置の保管方法の別の変形例を示した図である。図８において、排気バルブ１１０から排出された不活性ガスは、不活性ガス排気ライン１１３を通り、不活性ガスミキシングボックス１１５に導入される。次いで、水分除去装置１１６で不活性ガス中の水分除去をした後に、不活性ガス供給バルブ１０７からケミカルフィルタ１０８とパーティクル除去フィルタ１０９を通して、前記保管庫１０５内へ流入させる。
【００７９】
以上の構成によれば、不活性ガスを循環して使用できるため、ガスの使用料を低減でき、よりコストの低減が図れる。
【００８０】
なお、本実施の形態の構成は、上記変形例１の構成に適用しても同様の効果が得られる。
【００８１】
（実施の形態２）
図９、図１０は、本発明の実施の形態２における半導体装置のゲート形成工程説明図である。
【００８２】
素子分離層やウエル層等（図示せず）が形成されたシリコンウエハ２０１を洗浄装置２０２内でＲＣＡ洗浄した後、さらに純水で数百倍に希釈された希フッ酸洗浄し、ウエハ２０１のシリコンが露出された面に形成された自然酸化膜を除去する（図９（ａ））。
【００８３】
次に、シリコンウエハ２０１上にゲート酸化膜を形成するまでの待ち工程において、ウエハ２０１を半導体装置用収納カセット１０１に収納し、さらにポッド１０２に格納した後、保管庫１０５内に収納して保管する（図９（ｂ））。なお、この工程でのウエハ保管方法として、実施の形態１に示した本発明の保管方法を使用している。
【００８４】
次に、枚葉式ゲート酸化膜形成装置２０３を用いて、シリコンウエハ２０１上にゲート酸化膜２０４を形成する（図９（ｃ））。
【００８５】
ゲート酸化膜２０４が形成されたシリコンウエハ２０１上にポリシリコン膜を待ち工程において、ウエハ２０１を半導体装置用収納カセット１０１に収納し、さらにポッド１０２に格納した後、保管庫１０５内に収納して保管する（図９（ｄ））。なお、この工程でのウエハ保管方法として、実施の形態１に示した本発明の保管方法を使用している。
【００８６】
次に、ポリシリコン成長装置２０５を用いて、シリコンウエハ２０１上にポリシリコン膜２０６を形成する（図１０（ｅ））。なお、ＲＣＡ洗浄からポリシリコン膜形成まではなるべく時間を置かずに連続的に処理することが好ましい。
【００８７】
ポリシリコン膜２０６に不純物を導入した後、熱処理を行い、さらに公知のフォトリソグラフィーとドライエッチングによりパターニングしてゲート電極２０７を得る（図１０（ｆ））。さらにＳｉＯ2膜あるいはＳｉＮ膜等をゲート電極２０７上に堆積させた後、これらの膜をエッチバックしてゲート電極２０７の側面にサイドウォール２０８を形成する（図１０（ｇ））。
【００８８】
以上のように本実施の形態によれば、ゲート酸化膜形成前の待ち工程において、本発明の保管方法を用いることにより、自然酸化膜の成長を抑制することができ、ゲート酸化膜の薄膜化が可能となる。さらに自然酸化膜の成長に伴うシリコン／ＳｉＯ2界面の不完全性を低減でき、ゲート酸化膜の信頼性を格段に向上できる。また、簡便な構成で上記の効果が得られるため、製造設備の価格を抑えられコストの低減が図れる。
【００８９】
また、ゲート電極用ポリシリコン膜形成前の待ち工程において、本発明の保管方法を用いることにより、ゲート酸化膜上の有機物付着を低減でき、ゲート酸化膜の信頼性を格段に向上できる。なお、有機物付着量の低減によるゲート酸化膜の信頼性向上効果は、ゲート酸化膜形成前の待ち工程に本発明の保管方法を用いる場合により顕著に見られるものである。
【００９０】
さらにゲート酸化膜形成前の待ち工程およびゲート電極用ポリシリコン膜形成前の待ち工程において、本発明の保管方法を用いることにより、パーティクルの付着量を大幅に低減できるため、製造歩留まりの向上、それに伴うコストの低減を図ることができる。
【００９１】
なお、本実施の形態ではゲート絶縁膜に酸化膜を、ゲート電極にポリシリコン膜を用いたが、ゲート絶縁膜、ゲート電極は別の材料、例えば、ゲート絶縁膜としてＨｆＯ2膜等やゲート電極としてタングステンやアルミ等を用いても良い。
【００９２】
また、実施の形態１および実施の形態２に示したようにポッドや保管庫に導入するガスはＰＮ2がコスト面で有利であるが、他の不活性ガスであっても良い。
【００９３】
また、実施の形態２ではゲート形成工程を例にとって示したが、銅配線形成工程やＤＲＡＭの下部電極として用いられるポリシリコン電極表面に半球状の凹凸を形成したＨＳＧ（Ｈｅｍｉ−Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ｇｒａｉｎ）電極形成工程に本発明の方法を適用しても歩留まり、信頼性向上等に格段の効果を奏するものである。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明の半導体装置の保管方法及び製造方法は、簡便な構成で、半導体装置を安定した状態で保管し、また製造する方法であって、ＬＳＩや液晶基板等の製造において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の保管方法を示す概略図
【図２】本発明の実施の形態１における保管庫内の圧力とパーティクルの付着比率との相関を示した図
【図３】本発明の実施の形態１におけるパーティクル付着数の保管方法依存性を示した図
【図４】本発明の実施の形態１における保管庫内の水分濃度と自然酸化膜の成長量との相関を示した図
【図５】本発明の実施の形態１における自然酸化膜の成長量の保管方法依存性を示した図
【図６】本発明の実施の形態１における有機物付着量の保管方法依存性を示した図
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置の保管方法の変形例を示した図
【図８】本発明の実施の形態１における半導体装置の保管方法の別の変形例を示した図
【図９】本発明の実施の形態２における半導体装置のゲート形成工程説明図
【図１０】本発明の実施の形態２における半導体装置のゲート形成工程説明図
【符号の説明】
【００９６】
１００  半導体装置
１０１  半導体装置用収納カセット
１０２  ポッド（ＢＯＵＰ）
１０３  蓋
１０４  筐体
１０５  保管庫
１０６  扉
１０７  不活性ガス供給バルブ
１０８  ケミカルフィルタ
１０９  パーティクル除去フィルタ
１１０  不活性ガス排気バルブ
１１１  台部
１１２  不活性ガス供給ライン
１１３  不活性ガス排気ライン
１１４  仕切り板
１１５  不活性ガスミキシングボックス
１１６  水分除去装置
２０１  シリコンウエハ
２０２  洗浄装置
２０３  枚葉式ゲート酸化膜形成装置
２０４  ゲート酸化膜
２０５  ポリシリコン成長装置
２０６  ポリシリコン膜
２０７  ゲート電極
２０８  サイドウォール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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