(57)【要約】【課題】実質的に溶液を用いることなく樹脂から成る成形体に水に対する充分な濡れ性を付与できる親水性処理方法を提供する。【解決手段】樹脂から成るポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施し、ポリイミドフィルムの一面側に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、噴霧した水が付着しているポリイミドフィルムの一面側に施すことを特徴とする。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂から成る成形体にプラズマ処理を施し、前記成形体に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中で施すことを特徴とする親水性処理方法。
【請求項２】
プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した成形体に施す請求項１記載の親水性処理方法。
【請求項３】
コロナ処理を、大気圧下で施す請求項２記載の親水性処理方法。
【請求項４】
プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施す請求項１〜３のいずれか一項記載の親水性処理方法。
【請求項５】
プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した成形体に施す請求項１〜４のいずれか一項記載の親水性処理方法。
【請求項６】
プラズマ処理を、大気圧下で施す請求項１〜５のいずれか一項記載の親水性処理方法。
【請求項７】
成形体として、フィルム状又は板状の成形体を用い、前記フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側にプラズマ処理を施す請求項１〜６のいずれか一項記載の親水性処理方法。
【請求項８】
樹脂基板の少なくとも一面側の全面に形成した金属膜上に、樹脂から成るマスク層を形成した後、前記マスク層にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に前記金属膜が露出する溝部を形成し、
次いで、前記金属膜を給電層とする電解めっきによって、前記溝部に金属を充填して配線パターンを形成する際に、
該溝部を形成した樹脂基板の一面側に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施した後、
前記金属膜を給電層とする電解めっきを施すことを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項９】
プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した樹脂基板に施す請求項８記載の配線パターンの形成方法。
【請求項１０】
コロナ処理を、大気圧下で施す請求項９記載の親水性処理方法。
【請求項１１】
プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施す請求項８〜１０のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
【請求項１２】
プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した樹脂基板に施す請求項８〜１１のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
【請求項１３】
プラズマ処理を、大気圧下で施す請求項８〜１２のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は親水性処理方法及び配線パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板を製造する際には、先ず、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面に形成した金属膜１２上に、樹脂から成るマスク層１４を形成した後、マスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成する。
次いで、図１（ｂ）に示す様に、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填して配線パターン１８，１８・・を形成する。
その後、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した金属膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・を形成できる。
【０００３】
しかし、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填する際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着することがある。かかる気泡が付着した状態で電解めっきを施すと、図２（ａ）に示す如く、気泡１００，１００・・が付着した状態で溝部１６内に金属が充填される。このため、最終的に形成された配線パターン１８は、図２（ｂ）に示す如く、穴１０２，１０２・・が形成されたものとなる。
この様に、気泡１００，１００・・の付着に起因する穴１０２，１０２・・が形成された配線パターン１８は、形成する配線パターン１８が微細となるほど形成され易い。
しかも、微細な配線パターン１８ほど、気泡１００，１００・・の付着に起因して形成された穴１０２，１０２・・の配線パターン１８内に占める割合も大きくなって、その強度が低下する。このため、その後の工程で配線パターン１８に加えられた応力によって断線するおそれがあり、断線しなくとも配線パターン１８のインピーダンス等の電気特性が設計値と異なるものとなる。
【０００４】
ところで、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填する際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着する原因の一つには、マスク層１４のパターニング等によって、溝部１６の内周面が汚れていることにある。
かかる汚れは、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬して脱脂処理を施すことによって除去可能であるが、この脱脂処理を施すと、マスク層１４が剥離され易くなる。
このため、下記特許文献１に提案されている様に、電解めっきを施す樹脂基板１０に対してプラズマ処理を施すことが検討されている。
【特許文献１】特開２０００−１２７４０７号公報（実施例２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に提案されている様に、電解めっきを施す樹脂基板１０に対してプラズマ処理を施すことにより、マスク層１４のパターニング等に因る、溝部１６の内周面の汚れを除去できると共に、電解めっきの際に、マスク層１４と金属膜１２との接着力を高めることができる。
しかし、金属膜１２を給電層とする電解めっきの際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着する現象は減少したものの、依然として発生することが判明した。
かかる現象について本発明者が検討したところによれば、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性が充分でなく、電解めっき液に混在した気泡１００，１００・・が溝部１６の内側面に付着すると、気泡１００，１００・・が付着した状態で電解めっきが続行される。
このため、プラズマ処理によって、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性の向上が求められている。
尚、この電解めっき液に対する濡れ性の向上は、電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
【０００６】
また、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側の全面に形成された金属膜１２は、無電解めっきによって形成することが経済的であるが、無電解めっきによって金属膜１２を形成する際には、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬して脱脂処理を施し、無電解めっき液との濡れ性を向上する必要がある。
しかし、かかる脱脂処理を施した溶液の処理等が問題となるため、実質的に溶液を用いることなく樹脂基板１０と無電解めっき液との濡れ性の向上も求められている。この無電解めっき液に対する濡れ性の向上も、無電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
そこで、本発明の課題は、実質的に溶液を用いることなく樹脂から成る成形体に水に対する充分な濡れ性を付与できる親水性処理方法、及び樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、実質的に溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性をプラズマ処理によって付与できる配線パターンの形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、水を噴霧した樹脂基板に大気圧プラズマ処理を施したところ、水を噴霧することなく乾燥状態で大気圧プラズマ処理を施した樹脂基板に比較して、水の濡れ性を向上できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、樹脂から成る成形体にプラズマ処理を施し、前記成形体に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中で施すことを特徴とする親水性処理方法にある。
かかる本発明において、成形体として、フィルム状又は板状の成形体を用い、前記フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側にプラズマ処理を施すことによって、フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側に充分な水に対する濡れ性を付与できる。
また、本発明は、樹脂基板の少なくとも一面側の全面に形成した金属膜上に、樹脂から成るマスク層を形成した後、前記マスク層にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に前記金属膜が露出する溝部を形成し、次いで、前記金属膜を給電層とする電解めっきによって、前記溝部に金属を充填して配線パターンを形成する際に、該溝部を形成した樹脂基板の一面側に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施した後、前記金属膜を給電層とする電解めっきを施すことを特徴とする配線パターンの形成方法にある。
【０００８】
これらの本発明において、プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した成形体又は樹脂基板に施すことによって、プラズマ処理をのみを施した場合よりも、成形体又は樹脂基板の水に対する濡れ性を向上できる。このコロナ放電処理を大気圧下で施すことにより、コロナ放電処理設備を簡易化できる。
また、プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施すことが好ましく、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した成形体又は樹脂基板にプラズマ処理を施すことによって、プラズマ処理する雰囲気中に親水基を有する親水性ガスを容易に含有させることができる。
更に、プラズマ処理を、大気圧下で施すことによって、プラズマ処理設備を簡易なものにできる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施した場合に比較して、成形体の水に対する濡れ性を向上できる結果、実質的に溶液を用いることなく成形体と無電解めっき液等の液体との濡れ性の向上を図ることができ、脱脂処理等に用いた溶液の処理等を省略できる。
また、本発明によれば、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施した場合に比較して、樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、マスク層を剥離する溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性を付与できる結果、微細な配線パターンを電解めっきで形成する際に、気泡が付着した状態で電解めっきが進行することを防止できる。
この様に、本発明によれは、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施す場合に比較して、成形体又は樹脂基板に充分な濡れ性を付与できる理由は次のように考えられる。
つまり、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でのプラズマ処理では、親水基を有する親水性ガスは、プラズマによって親水基がイオン化或いはラジカル化され、成形体又は樹脂基板を形成する樹脂の分子鎖に水素結合等によって結合し、成形体又は樹脂基板の表面を親水性とする。
かかる成形体又は樹脂基板の表面が親水性に改質されると共に、成形体又は樹脂基板の表面に付着した汚れがプラズマ処理によって除去されることと相俟って、成形体又は樹脂基板の表面の水に対する濡れ性を向上できる。
また、プラズマによってイオン化又はラジカル化された親水基は、樹脂基板の一面側に形成された溝部の内側面を形成するマスク層にも到達し、この内側面の親水性を向上して水に対する濡れ性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明においては、樹脂から成る成形体に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施すことが必要である。
かかる樹脂から成る成形体としては、疎水性樹脂或いは親水性樹脂から成るフィルム又は板板であっても用いることができる。
ここで、親水性樹脂とは、その分子鎖中に親水基を有する樹脂であって、例えばポリアミド樹脂やポリイミド樹脂が該当する。
但し、かかる親水性樹脂から成る成形体であっても、電解めっき液や無電解めっき液に対する濡れ性は不充分であり、更に改善することが必要である。
【００１１】
また、親水基を有する親水性ガスとは、分子中に−ＯＨ、−ＣＯＯＨや−ＣＯ−を有する気体状の化合物を好適に用いることができる。かかる気体状の化合物は、単独でも用いることができ、２種以上を混合して用いてもよい。
気体状の化合物を含有する雰囲気を形成するには、気体状の親水性の化合物を、プラズマ処理を施す雰囲気中に他のガスと共に注入してもよいが、親水性の化合物を含有する液体を付着した成形体にプラズマ処理を施すことによっても、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施すことができる。
かかる親水性の化合物としては、常温で液体であって、プラズマ処理によって容易にガス化され得る、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物を好適に用いることができる。カルボン酸基を有する有機物としては、酢酸を好適に用いることができる。
【００１２】
プラズマ処理としては、例えば特許文献１に用いられている減圧下でのプラズマ処理であってもよいが、大気圧下でプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理を好適に採用できる。
かかる大気圧プラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置の一例を図３に示す。図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、キャリアガスボンベ２０からのキャリアガスと反応ガスボンベ２２からの反応ガスとは、流量計２４ａ，２４ｂによる流量が所定量となるようにバルブ２５ａ，２５ｂによって調整され、混合器２６により混合されて、高周波電源２８に接続されている反応器３０内に供給される。
反応器３０内に供給されたキャリアガスと反応ガスとは、反応器３０内でプラズマ化されて反応器３０からプラズマジェット３２として噴出し、矢印方向に移動するコンベアベルト３４に載置された樹脂から成る成形体３６に噴射される。
かかるプラズマジェット３２が成形体３６に向けて噴射される雰囲気を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気とするには、プラズマジェット３２を成形体３６に向けて噴射すると共に、成形体３６に向けて水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスをを噴き付けることによって可能である。特に、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した成形体３６をプラズマ処理に供することが好ましい。成形体３６に付着した液体は、プラズマジェット３２によってガス化して成形体３６の周囲を親水性の雰囲気とすることができる。
【００１３】
図３に示す大気圧プラズマ処理装置で用いるキャリアガスとしては、窒素ガス又はヘリウムガスを用いることができ、反応ガスとしては、酸素ガスを用いることができる。
かかるプラズマ処理を施す成形体３６には、予めコロナ放電処理を施しておくことが、プラズマ処理のみを施した成形体３６に比較して、プラズマ処理後の成形体３６の水に対する濡れ性を向上できる。
また、図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、コンベアベルト３４に載置された成形体３６を移動させつつプラズマ処理を施すことができるため、成形体３６としては、フィルム状又は板状の成形体を載置して、その一面側にプラズマ処理を連続して施すことができる。
尚、コロナ放電処理は、大気圧下で施すことにより、コロナ放電処理設備を簡易化でき好ましい。
【００１４】
かかるプラズマ処理を施した成形体３６の表面は、水に対する濡れ性が向上されているため、めっき液に対する濡れ性も向上される。このため、成形体３６を無電解めっき液に浸漬して無電解めっき施すことによって、成形体３６の表面に均一にめっき層を形成できる。
但し、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態は、プラズマ処理された成形体３６を大気中に放置すると１日程度で消失するため、成形体３６に対するめっき等の処理を迅速に行なうことが必要である。
また、プラズマ処理された成形体３６に対するめっき等の処理が遅れる場合には、プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことが好ましい。プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことによって、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態を、大気中に放置した場合に比較して延長できるからである。
【００１５】
以上、述べてきた成形体の表面を親水性とするプラズマ処理は、半導体装置に用いる配線基板に対して好適に施すことができる。特に、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面を覆う金属膜１２上に形成した、樹脂から成るマスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成した状態で、金属膜１２を給電層とする電解めっきを樹脂基板１０の一面側に施す前処理として、樹脂基板１０の一面側を親水性とするプラズマ処理を好適に採用できる。
すなわち、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に電解めっきを施す前処理として、樹脂基板１０の一面側に付着した汚れを除去することが必要であるが、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬する脱脂処理では、マスク層１４が剥離され易くなるからである。
【００１６】
この点、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置によってプラズマ処理することにより、樹脂基板１０の一面側を脱脂処理できる。
しかも、マスク層１４によって形成される溝部１６，１６・・の内側面も、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気下でのプラズマ処理によって、水に対する濡れ性を向上できる。このため、樹脂基板１０を電解めっき液に浸漬して施す電解めっきの際に、溝部１６，１６・・の内側面に付着した気泡に起因する穴が配線パターンに形成される事態を防止できる。
図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側へのプラズマ処理を図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて施す際には、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した樹脂基板１０の一面側に、プラズマジェット３２を噴射することが好ましい。
この場合でも、樹脂基板１０の一面側にコロナ放電処理を施した後、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用い、親水性ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理することによって、プラズマ処理のみを施した場合よりも、樹脂基板１０の一面側に水に対する濡れ性を向上できる。
【００１７】
また、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に、親水性ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を施した後、図１（ｂ）に示す様に、配線パターン１８，１８・・を形成すべく、金属膜１２を給電層とする電解めっきを迅速に行なうことが好ましい。プラズマ処理後の樹脂基板１０を大気中に放置すると、水に対する濡れ性の向上効果が１日程度で消滅するからである。
プラズマ処理後の樹脂基板１０に施す電解めっきが遅れる場合には、プラズマ処理後の樹脂基板１０をアルミ箔等で包むことによって、水に対する濡れ性の向上効果の消滅速度を遅くできる。
【実施例１】
【００１８】
厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの一面側に、大気下で出力２００Ｗのコロナ放電処理を施した。このコロナ放電処理は、ポリイミドフィルムを載置したコンベアの移動速度を２ｍ／分に調整しつつ、ポリイミドフィルムの一面側に二回行なった。
次いで、かかるコロナ放電処理を施したポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を終了したポリイミドフィルムの一面側の濡れ性を、液滴法によって測定した接触角αは３５．２°であった。
一方、コロナ放電処理及びプラズマ処理を施す前のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．８°であった。
尚、液滴法は、図４に示す様に、ポリイミドフィルムの表面４０に落とした水滴４２の接触角αを測定するものであって、接触角αが小さい程、表面４０の水に対する濡れ性が向上されていることを示す。
【比較例１】
【００１９】
実施例１において、ポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは３８．８°であって、実施例１で施したプラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αよりも大きい。
このことから、５％エタノール水溶液を噴霧したポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
【実施例２】
【００２０】
実施例１において、コロナ放電を施さなかった他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは５９．４°であった。
これに対し、実施例１において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．７°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
【実施例３】
【００２１】
実施例１において、プラズマ処理を、出力１５０Ｗであって、キャリアガスとしてヘリウムガスを用い、反応ガスとしての酸素ガスの濃度を１２３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは２４．５°であった。
【実施例４】
【００２２】
実施例３において、コロナ放電処理を施さなかったポリイミドフィルムをプラズマ処理に供した他は、実施例３と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは２８．７°であった。
これに対し、実施例３において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例３と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは３５．３°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
【実施例５】
【００２３】
厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを樹脂基板１０として用い、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面に無電解めっきによって形成した金属膜としての銅膜１２上に、めっきレジストから成るマスク層１４を形成した後、マスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成した。この溝部１６，１６・・の間隔は１０μｍであった。
かかる樹脂基板１０の一面側に、大気下で出力２００Ｗのコロナ放電処理を施した。このコロナ放電処理は、樹脂基板１０を載置したコンベアの移動速度を２ｍ／分に調整しつつ、樹脂基板１０の一面側に二回行なった。
次いで、かかるコロナ放電処理を施した樹脂基板１０の一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を施した樹脂基板１０の一面側に、図１（ｂ）に示す様に、銅膜１２を給電層とする電解銅めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に銅を充填して配線パターン１８，１８・・を形成した。
更に、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した銅膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・が形成された配線基板を得ることができた。
形成された配線パターン１８，１８・・を顕微鏡で観察したところ、形成した配線パターン１８，１８・・には、図２（ｂ）に示す穴１０２等が形成されておらず、良好な形状のものであった。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】配線基板の製造方法の一例を説明する工程図である。
【図２】図１に示す製造方法における問題点を説明する説明図である。
【図３】大気圧プラズマ処理装置の一例を説明する概略図である。
【図４】液滴法による接触角を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０  樹脂基板
１２  金属膜（銅膜）
１２  樹脂基板
１４  マスク層
１６  溝部
１８  配線パターン
２０  キャリアガスボンベ
２２  反応ガスボンベ
２６  混合器
２８  高周波電源
３０  反応器
３２  プラズマジェット
３４  コンベアベルト
３６  成形体
４０  表面
４２  水滴
２４ａ  流量計
２５ａ  バルブ
α  接触角                                           
【図１】
2005223167.tif 000002
【図２】
2005223167.tif 000003
【図３】
2005223167.tif 000004
【図４】
2005223167.tif 000005