(57)【要約】【課題】  導波管を入出力部とし、機能回路部を平面伝送線路を用いて構成する単純な構造で低損失な高周波モジュールを提供する。【解決手段】  高周波モジュールは、上導体板１の溝１０と下導体板２の溝２０とが誘電体板３を介して対向し、上下導体板１，２が誘電体板３の上下面電極３０ａ，３０ｂとスルーホールとで導通されてなる導波管と、該導波管内に誘電体板３のストリップ導体５０の一方端５０ａが挿入されてなる線路変換部と、ストリップ導体５０が形成された誘電体板３に形成された回路、形成または実装された部品から成る機能回路とから構成される。機能回路部および線路変換部では、ストリップ導体５０が形成されている誘電体基板３の上下面電極３０ａ，３０ｂはスルーホールにより導通されることで、ストリップ導体５０と上下導体板１，２とでサスペンデッドラインが形成される。【選択図】  図４
2005151439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する位置に溝が形成された上下導体板の前記溝部を所定伝送信号の伝送路とする導波管において、
少なくとも前記上下導体板の前記溝部以外で挟まれた部分に誘電体板が配置されており、
該誘電体板の両面に電極を設けるとともに、該両面の電極を導通する複数の導体路が少なくとも前記伝送信号の波長の１／２の長さより短い間隔で前記誘電体板に形成されていることを特徴とする導波管。
【請求項２】
前記誘電体板は前記上下導体板の前記溝部に挟まれた部分にも形成されている請求項１に記載の導波管。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の導波管と、
前記誘電体板上の前記導波管部分以外の位置に形成された所定幅の平板電極を線路導体とした平面伝送線路とを備え、
前記線路導体の一方端が前記導波管に対して該導波管のＨ面に略垂直な方向に挿入されたことを特徴とする線路変換器。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の導波管と、請求項３に記載の線路変換器と、
前記誘電体板上に形成された所定機能を有する機能回路とを備え、
該機能回路に入出力される信号を前記導波管、前記線路変換器、および前記平面伝送線路で伝送することを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波信号を伝送する導波管、該導波管とマイクロストリップ線路等の平面伝送線路との間の信号変換を行う線路変換器、およびこれらとともに機能回路を備えた高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ミリ波を伝送する伝送線路やミリ波で使用する機能回路の伝送線路には、導波管、フィンライン、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、サスペンデッド線路、ＮＲＤ等の複数の種類の伝送線路があり、それぞれの構造及び特性に応じた用途で使い分けられている。例えば、導波管は伝送効率や外部からの遮蔽に優れる点から信号の伝送に用いられることが多い、その一方で、構造上、増幅素子や回路素子等の機能回路を構成する部品を設置することが困難である。一方マイクロストリップ線路やコプレーナ線路等の平面伝送線路は通常誘電体基板上に形成されており、伝送効率や外部からの遮蔽については導波管よりも劣るものの、増幅素子や回路素子を形成したり実装することが容易であり、機能回路を構成しやすい。
【０００３】
このため、機能回路部を平面伝送線路が形成された誘電体基板に形成し、この機能回路に入出力する信号の伝送を導波管とする高周波モジュールが多く利用されている。このような平面伝送線路と導波管とを用いた高周波モジュールではこれら伝送線路間の線路変換を行う線路変換部を設けなければならない。このような高周波モジュールの線路変換部は、導波管内の所定位置に平面伝送線路の線路導体を挿入することで、導波管を伝送された信号と線路導体とを結合させ、この結合された伝送信号を平面伝送線路に伝送する（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照。）。
【０００４】
このような導波管と平面伝送線路とを備えた高周波モジュールとしては、一般に特許文献１の図３に示すような構造が用いられている。
【０００５】
従来の高周波モジュールは、筐体内部の底面に設置された回路基板と、内底面から底面にかけて筐体１の底部を部分的に内底面（底面）に垂直な方向を軸方向として貫通する内部導波管と、筐体の底面に設置され内部導波管に接続する外部導波管と、回路基板に接続するとともにその線路導体の一部が筐体内の内部導波管の端部に設置された導波管・平面線路変換基板とを備える。そして、導波管・平面線路変換基板を内部導波管一端部から所定距離（伝送信号の管内波長の１／４の長さ）離した位置に設置することで、導波管から入力された信号を導波管・平面線路変換基板の線路導体に結合させて回路基板の線路導体に伝送させる。
【特許文献１】特開平６−１１２７０８号公報
【特許文献２】特開２０００−１５１２２２公報
【特許文献３】特開２０００−２４４２１１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来の高周波モジュールでは、前述のように導波管を平面回路が設置された筐体に固定しなければならない。このような固定には半田や接着剤等を用いるが、導波管を筐体に固定する位置は高い精度が必要であるが、前記方法では高精度に導波管を固定することは難しい。また、このような接続（接合）工程を必要とするので、製造工程が増加してコスト上昇の要因となる。また、いくら正確に接続しても経時変化により接合強度が劣化して筐体と導波管との位置関係がずれる可能性があり、このような位置関係のずれから伝送特性が劣化する可能性がある。ここで、このような問題を解決するためには接着剤の接合信頼性をよくすればよいが、接合信頼性に優れる接着剤は価格が高く、結果的に高周波モジュールのコストが上昇してしまう。
【０００７】
また、他の導波管・平面線路交換器の構造としては、導波管の壁に穴を設け、該穴から導波管内に線路導体を挿入し、この線路導体が形成された誘電体板と導波管とを接合するものもある。しかしながら、このような導波管・平面線路交換器においても導波管と誘電体板とを正確な位置で接合しなければならないので、前述のような問題が発生する。
【０００８】
この発明の目的は、導波管を入出力部とする単純な構造で低損失な高周波モジュールを容易に実現するための導波管、線路変換器、およびこれらにより構成される高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、互いに対向する位置に溝が形成された上下導体板の溝部を所定伝送信号の伝送路とする導波管において、少なくとも上下導体板の溝部以外で挟まれた部分に誘電体板が配置されており、該誘電体板の両面に導体層を設けるとともに、該両面の導体層を導通する複数の導体路が少なくとも伝送信号の波長の１／２の長さより短い間隔で誘電体板に形成されていることを特徴としている。
また、この発明の導波管は誘電体板を上下に対向して形成された溝部に挟まれた部分にも形成していることを特徴としている。
【００１０】
この構成では、導波管の上下の導体板で誘電体板を挟み込むことで、後述するような導波管・平面線路の線路変換器を導波管内に形成しやすい。すなわち、誘電体板に回路電極を形成しておくことで、平面回路の線路導体を導波管内まで挿入する構造が容易に得られる。ここで、誘電体板の上下面に形成された電極間が導波管を伝送する信号の波長の１／２の長さよりも短い間隔でスルーホール等の導体路により導通されていることにより、導波管を伝送する信号はスルーホールにより遮断され、誘電体板内には漏洩しない。
【００１１】
また、この発明の線路変換器は、前記導波管と、誘電体板上の導波管の伝送路部分以外の位置に形成された所定幅の平板電極を線路導体とした平面伝送線路とを備え、線路導体の一方端が導波管に対して該導波管のＨ面に略垂直な方向に挿入されていることを特徴としている。
【００１２】
この構成では、予め所定形状の平面回路が形成された誘電体板を、対向する溝を伝送路とする上下の導波管の間に設置することで、この導波管の伝送路内に配置された平面伝送線路に、導波管を伝送した信号が結合し、誘電体基板上に形成された平面伝送線路に信号が伝送されるとともに、平面伝送線路を伝送した信号が導波管に結合し、導波管モードに変換された信号が導波管に伝送される。
【００１３】
また、この発明の高周波モジュールは、前記導波管と、前記線路変換器と、誘電体板上に形成された所定機能回路とを備え、この機能回路に入出力される信号を導波管、線路変換器、および平面伝送線路で伝送することを特徴としている。
【００１４】
この構成では、誘電体基板上の機能回路が誘電体基板上の平面伝送線路、線路変換器を介して導波管に電気的に接続することで、この機能回路が伝送信号に対して所定作用を施し、導波管を入力部、出力部、または入出力部とする高周波モジュールが形成される。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、誘電体板の上下面に形成された電極を導通させるスルーホール等の導体路を伝送信号の波長の１／２未満の間隔で形成することで、誘電体板を挟み込んで形成された上下導体板からなる導波管を伝送する信号が誘電体板内に漏洩しない。さらに、予め誘電体板が導波管内に配置されているので、この誘電体板上に線路導体を形成することで導波管−平面伝送線路変換器の形成が容易となる。
【００１６】
また、この発明によれば、前記線路変換器とともに誘電体基板に機能回路を備えることで、高周波信号に対して所定の機能を作用し、導波管を入出力部とする低損失な高周波モジュールを小型で単純な構造で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の第１の実施形態に係る導波管について図１〜図３を参照して説明する。
図１（ａ）は本実施形態に係る導波管の構造を示す分解斜視図であり、図１（ｂ）は（ａ）に示す導波管を伝送信号の伝送方向に垂直な面で切断した断面図である。
図１に示すように、本実施形態の導波管は、上導体板１および下導体板２と、これら導体板１，２間に設置された誘電体板３とを備える。
上導体板１には所定方向に延びる断面方形状の溝１０が形成されており、この溝１０が形成されている面を誘電体板３の上面側に当接させている。
下導体板２にも上導体板１と同様に断面方形状の溝２０が形成されており、この溝２０が形成されている面を誘電体板３の下面側に当接させている。ここで、上導体板１と下導体板２とは、それぞれの溝１０，２０が誘電体板３を介して互いに対向する位置となるように配置される。
【００１８】
誘電体板３の上導体板１側の面には上導体板１と接する部分にのみ上面電極３０ａが形成されており、下導体板２側の面には下導体板２と接する部分にのみ下面電極３０ｂが形成されている。また、誘電体板３の上面電極３０ａと下面電極３０ｂとに挟まれる部分には、これら上面電極３０ａ、下面電極３０ｂを導通するスルーホール３００が溝１０，２０に沿って複数形成されている。このような構成とすることで、上導体板１、下導体板２が誘電体板３に形成された上面電極３０ａ、下面電極３０ｂ、およびスルーホール３００により導通されるので、溝１０，２０およびこれらに挟まれた誘電体板３からなる断面方形状の領域を信号伝送路とする導波管を構成することができる。
【００１９】
ここで、複数のスルーホール３００を導波管を伝送する信号（以下、単に「伝送信号」と称す。）の波長の１／２未満の長さの間隔で形成する。これにより、伝送信号が溝１０，２０に沿って形成された複数のスルーホール３００により遮断されるので、伝送信号は伝送路部分以外の誘電体板３内をほとんど伝送することがない。すなわち導波管モード遮断状態になる。これにより、伝送信号は溝１０，２０およびこの間の誘電体３からなる伝送路のみを伝送する。
【００２０】
この実施形態では、溝１０，２０に挟まれる部分にも誘電体板３が配置されているが、図２に示すような溝１０，２０に挟まれる部分に誘電体板３が無い構造を用いてもよい。
【００２１】
図２（ａ）は本実施形態に係る導波管の他の構造を示す分解斜視図であり、図２（ｂ）は（ａ）に示す導波管を伝送信号の伝送方向に垂直な面で切断した断面図である。
図２に示す導波管は、図１に示す導波管の誘電体板３を上導体板１、下導体板２に挟まれる部分にのみ配置したものである。
このような構成とすることで、溝１０，２０のみからなる断面方形状の伝送路を備える導波管を形成することができる。
【００２２】
なお、図１、図２に示す導波管の溝部１０，２０のそれぞれに、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、所定誘電率を有する誘電体部材４ａ，４ｂを配置する構造にし、誘電体装荷導波管を形成してもよい。
図３（ａ）は図１に示した導波管の溝１０，２０のそれぞれに誘電体部材４ａ，４ｂを配置した導波管の分解斜視図であり、図３（ｂ）は図２に示した導波管の溝１０，２０のそれぞれに誘電体板４ａ，４ｂを配置した導波管の分解斜視図である。なお、図３（ｂ）に示す構造の場合、誘電体部材を４ａ，４ｂに分離せず一体形成したものを用いてもよい。
【００２３】
次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて図４を参照して説明する。
図４は本実施形態に係る高周波モジュールの構造を示す分解斜視図である。
図４に示すように、本実施形態の高周波モジュールは、上導体板１および下導体板２と、これら導体板１，２間に設置された誘電体板３とを備える。
【００２４】
上導体板１には所定方向に延びる断面方形状の溝１０が形成されており、この溝１０に接続するように多岐に分岐した形状の溝１１が形成されている。溝１１の形状は後述する誘電体板３の上面に形成されたストリップ導体による回路およびこの回路に実装される回路素子の形状に対応している。そして、上導体板１は溝１０，１１が形成されている面を誘電体板３に当接されて配置されている。ここで、溝１１は上記構造であるので、上導体板１を誘電体板３の上面に当接させても誘電体板３上面のストリップ導体および回路素子が上導体板１に接触しない。
【００２５】
下導体板２にも所定方向に延びる断面方形状の溝２０が形成されており、この溝２０に接続するように多岐に分岐した形状の溝２１が形成されている。溝２１の形状は後述する誘電体板３の下面に設けられた電極非形成部の形状に対応している。そして、下導体板２はこれら溝２０，２１が形成されている面を誘電体板３の下面側に当接させて配置されている。
【００２６】
また、上導体板１と下導体板２とは、それぞれに形成された溝１０，２０が誘電体板３を介して対称位置になるように、そして溝１１、２１も誘電体板３を介して対称位置になるように誘電体板３の上下面に当接されている。
【００２７】
誘電体板３の上導体板１側の面（図４における上面）には上導体板１と当接する部分に上面電極３０ａが形成されており、接地されている。また、誘電体板３の上導体板１側の面には、上導体板１の溝１０に対応する部分の所定位置を一方端５０ａとして、上面電極３０ａから離間され、溝１０の延びる方向に垂直な方向で且つこの面に平行な方向、すなわち、上導体板１、下導体板２からなる導波管のＨ面に略垂直な方向に伸びる所定長のストリップ導体５０が形成されている。このストリップ導体５０が本発明の「平板電極」に相当する。
【００２８】
このストリップ導体５０は、一方端５０ａから所定距離で増幅素子１０１を実装する位置と、増幅素子１０２を実装する位置とに、所定ギャップで分離された分離点５２，５４が設けられている。また、ストリップ導体５０の一方端５０ａと分離点５２との間には、一方端５０ａ側から順に所定位置に整合用スタブ５１と駆動電源供給用ストリップ導体５０ｃとが形成されている。さらに、ストリップ導体５０の分離点５２と分離点５４との間には、分離点５２側から順に所定位置に、バイアス供給用ストリップ導体５０ｄ、整合用スタブ５３、コンデンサ５８が形成されている。ここで、コンデンサ５８はストリップ導体５０を所定長さに亘り幅方向に分離するとともに、該分離されたストリップ導体５０の一方の導体の分離点５２側端部の導体を除去し、他方の導体の分離点５４側端部の導体を除去することにより形成される。また、ストリップ導体５０の分離点５４と他方端５０ｂとの間には、バイアス供給用ストリップ導体５０ｅが形成されている。ここで、駆動電源供給用ストリップ導体５０ｃ、バイアス供給用ストリップ導体５０ｄ、バイアス供給用ストリップ導体５０ｅはそれぞれストリップ導体５０の延びる方向に対して垂直な方向を軸方向に形成されており、それぞれにスタブ５５，５６，５７が形成されている。
【００２９】
一方、誘電体板３の下導体板２側の面（図４における下面）には下導体板２と当接する部分に上面電極３０ｂが形成され、接地されている。ここで、誘電体板３の下導体板２側の面における上導体板１側の面に形成されたストリップ導体と対向する位置には電極が形成されていない。すなわち電極非形成部が設けられている。
【００３０】
また、誘電体板３の上面電極３０ａと下面電極３０ｂとが形成された部分には、第１の実施形態に示したように複数のスルーホール（図示せず）が形成されており、このスルーホールを介して上面電極３０ａと下面電極３０ｂとが導通し、さらには、上導体板１と下導体板２とが導通する。
【００３１】
ここで、複数のスルーホールは第１の実施形態と同様に伝送信号の波長の１／２未満の間隔で形成されている。また、ストリップ導体５０を形成するために誘電体板３の上面電極３０ａ、下面電極３０ｂに形成された溝（電極非形成部）の幅を伝送信号の波長の１／２の長さと比較して極小さくする。
【００３２】
このような構成とすることで、上面電極３０ａ、下面電極３０ｂに誘電体板３が挟まれた領域では、前記間隔で形成されたスルーホールにより導波管の伝送モードの信号は伝送されず、さらに、溝の幅を前記のように小さくすることにより、ストリップ導体５０が形成された溝部にも導波管の伝送モードの信号は伝送されない（漏洩しない）。すなわち、上導体板１の溝１０を備える部分と下導体板２の溝２０を備える部分とこれらには挟まれた誘電体板３とからなる領域のみが断面方形状の導波管として機能する。
【００３３】
また、上導体板１、下導体板２とが接地されているので、上導体板１と、下導体板２と、上面に形成されたストリップ導体５０を含む上記各ストリップ導体およびスタブを備えた誘電体板３とは、サスペンデッド線路による機能回路となる。ここで、このサスペンデッド線路が本発明の「平面伝送線路」に相当する。
【００３４】
次に、この高周波モジュールの動作の一例について説明する。なお、以下の説明では、各ストリップ導体により伝送される信号は実際には上下導体板を含むサスペンデッド線路で伝送されるが、このサスペンデッド線路の説明については、各サスペンデッド線路を代表してこの部分に用いられるストリップ導体の記号を用いて説明する。
バイアス供給用ストリップ導体５０ｅを介して外部から所定のバイアス電圧信号が入力されると、誘電体共振器１０３と増幅素子１０２との間で誘電体共振器１０３の共振周波数の信号が反射し発振する。この際、誘電体共振器１０３の上下に配置された上導体板１および下導体板２は誘電体共振器１０３のキャビティとして機能する。この際、バイアス供給用ストリップ導体５０ｅの所定位置にはスタブ５７が形成されているので、誘電体共振器１０３と増幅素子１０２との間を伝送する発振信号はスタブ５７により減衰され、バイアス供給側の外部回路には伝送されない。このように、誘電体共振器１０３、能動素子１０２、およびこれらを接続するストリップ導体により帯域反射型発振回路が形成される。
【００３５】
次に、能動素子１０２から出力された発振信号は、コンデンサ５８を介して能動素子１０１に入力される。また、能動素子１０２の出力側と能動素子１０１の入力側との間にはスタブ５３が形成されている。このスタブ５３は能動素子１０２の出力側と能動素子１０１の入力側とがインピーダンス整合されるように形成されており、このスタブ５３により両素子間が整合されるので、発振信号は能動素子１０２から能動素子１０１に低損失に伝送される。また、能動素子１０１にバイアスを与えるバイアス供給用ストリップ導体５０ｄにはスタブ５６が形成されている。このスタブ５６は発振信号を減衰するように形成されており、このスタブ５６により発振信号はバイアス供給側の外部回路には伝送されない。
【００３６】
能動素子１０１はバイアス供給用ストリップ導体５０ｄから入力されたバイアス電圧信号と駆動電源供給用ストリップ導体５０ｃから入力された駆動電圧信号とに応じて入力された発振信号を増幅してストリップ導体５０の一方端５０ａ側に出力する。ここで、能動素子１０１の出力側とストリップ導体５０の一方端５０ａとの間にはスタブ５１が形成されており、このスタブ５１は、能動素子１０１の出力側と後述するストリップ導体５０の一方端５０ａと導波管とで信号モードを変換して伝送する線路変換部とがインピーダンス整合されるように形成されている。これにより、能動素子１０１から出力される増幅された発振信号は、ストリップ導体５０の一方端５０ａに低損失で伝送される。また、駆動電源供給用ストリップ導体５０ｃにはスタブ５５が形成されており、このスタブ５５は能動素子１０１からの出力信号を減衰させるように形成されている。これにより、能動素子１０１から出力される増幅された発振信号は駆動電源側の外部回路には伝送されない。このように能動素子１０１を含み発振信号の増幅回路が形成される。
【００３７】
能動素子１０１から出力された発振信号はストリップ導体５０を伝送し、一方端５０ａに伝送される。ストリップ導体５０は、上述のように上導体板１、下導体板２、および誘電体３からなる導波管のＨ面から内部に挿入され、その先端５０ａが溝１０，２０からなる伝送路（導波管内）に配置される。これにより、一方端５０ａに到達した発振信号により導波管のＨ面に平行な磁界が発生し、これに垂直な電界が発生して、発振信号が導波管モードの信号に変換される。この信号は導波管内を伝送されて外部に出力される。この際、ストリップ導体５０の一方端５０ａの配置位置を導波管の端末（図４における右奥側の側壁部）から伝送信号の波長の１／４にすることで、ストリップ導体５０、上下導体板１，２からなるサスペンデッド線路と、上下導体板１，２と誘電体板３とからなる導波管とが整合し、低損失で信号が変換されて伝送される。この導波管とストリップ導体５０の一方端５０ａからなる部分が本発明の「線路変換部」に相当する。
【００３８】
このような構成とすることで、ストリップ導体を用いた機能回路、ストリップ導体を用いた平面伝送線路と導波管との線路変換部、および導波管が上下導体板とこれに挟まれる誘電体板で形成されるので、単純な構造の高周波モジュールを形成することができる。
【００３９】
また、導波管の軸方向が平面伝送線路のストリップ導体が形成されている面に対して垂直でなく、この面に対して平行であるので、これら二つの伝送線路を１平面に形成でき、高周波モジュールの構造が小型で単純となる。また、導波管を別途形成して平面伝送線路が形成された筐体に接続する方法を用いずとも線路変換器を備える高周波モジュールを形成することができる。すなわち導波管の接続工程が削除されて製造コストを抑制することができるとともに、接続に用いる接着剤が不必要となり部品コストが抑制される。また、導波管が一体形成であるので、接着剤を用いた場合のように経時変化による特性劣化が生じることがない。
【００４０】
また、発振信号の出力回路を導波管で形成することで、この出力回路を平面伝送線路で形成する場合より電気長が短くなり、伝送損失を低減させることができる。
【００４１】
なお、前述の実施形態では、高周波モジュールを一枚の誘電体板を用いて構成したが、高周波モジュールの各部に異なる誘電体板を用いて形成してもよい。例えば、線路変換器の部分と、増幅回路の部分と、発振回路の部分とを異なる誘電体板で形成してもよい。この際、各誘電体板の厚みは同じにする。このような構成とすることで、必要とする特性を得るための回路構成を容易に選択・設定することができる。また、導波管部分との整合回路を容易に変更して最適な整合回路を組み合わせることができる。なお、このように導波管部分と整合回路の部分とを別に形成しても、導波管がＨ面の中心で二つの導体に分かれているので、導波管部分と整合回路部分とが極少し離間していても、この離間部から伝送信号は殆ど漏れない。
【００４２】
また、前述の実施形態では、サスペンデッド線路−導波管接続の高周波モジュールを構成したが、図５に示すように下導体板２の溝２１を形成せず、誘電体板３の下導体板２側の全面に下面電極３０ｂを形成することで、マイクロストリップライン−導波管接続の高周波モジュールを構成することができる。なお、図５は高周波モジュールの線路変換部を拡大した分解斜視図である。
【００４３】
また、前述の実施形態では、上下導体板１，２の溝１０，２０に挟まれる部分（伝送路）全体に誘電体板３０が形成されているが、図２に示した導波管構造を用い、ストリップ導体５０が形成されている部分にのみ誘電体板３を形成してもよい。この場合、誘電体板３の誘電損失が大きくなっても、図１に示すような伝送路全体に誘電体板３が形成された構造よりも、この誘電損失の悪化の影響を受けにくくすることができる。これにより、比較的誘電損失が大きい低価格の誘電体板を用いることができ、高周波モジュールを安価に形成することができる。また、このような誘電体板を部分的に削除する作業は、ルータで切り落としたり、金型で切り落とすなど容易な方法で行うことができるので、製造コストの上昇を抑制することができ、製造コストの上昇がほとんどなく安価に高周波モジュールを形成することができる。
【００４４】
また、前述の実施形態では導波管内が空気層であるが、図３に示す構造を用い、誘電体部材を導波管内に設置して、誘電体装荷導波管構造を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１の実施形態に係る導波管の構造を示す分解斜視図およびその断面図
【図２】第１の実施形態に係る導波管の他の構造を示す分解斜視図およびその断面図
【図３】第１の実施形態に係る導波管の他の構造を示す分解斜視図
【図４】第２の実施形態に係る高周波モジュールの構造を示す分解斜視図
【図５】第２の実施形態に係る高周波モジュールの他の構造を示す部分分解斜視図
【符号の説明】
【００４６】
１−上導体板
１０，１１−上導体板１に形成された溝
２−下導体板
２０，２１−下導体板２に形成された溝
３−誘電体板
３０ａ−誘電体板３の上面電極
３０ｂ−誘電体板３の下面電極
３００−スルーホール
４ａ，４ｂ−誘電体部材
５０−ストリップ導体
５０ａ，５０ｂ−ストリップ導体の端部
５１，５３，５５，５６．５７−整合用スタブ
５２，５４−ストリップ導体５０の分離点
５０ｃ−駆動電源供給用ストリップ導体
５０ｄ，５０ｅ−バイアス供給用ストリップ導体
１０１，１０２−増幅素子
１０３−誘電体共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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