(57)【要約】【課題】  本発明は、支持基板が貼り合わされて成る半導体装置の切削工程において、切削面に汚れを極力固着させない半導体装置の製造方法、及びその製造方法を実施するためのダイシング装置を提供する。【解決手段】  本発明のダイシング装置１００を用いた半導体装置の製造方法は、以下に示す切削工程を有する。最初に、制御手段５０は、ダイシング装置１００による切削を開始すると共に、給水手段６０からの冷却水及び洗浄水の給水を開始して（ステップ８０）、給水を継続する（ステップ８１）。ここで、監視手段７０により異常が検出された場合、制御手段５０は切削を中断すると共に、冷却水及び洗浄水の給水を一時停止する（ステップ８２）。そして、所定時間が経過した後、制御手段５０は、冷却水及び洗浄水のうち、少なくとも洗浄水の給水を再開する（ステップ８３）。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板が貼り合わされた半導体ウェハを、載置テーブル上に載置して、前記支持基板の表面側から、ダイシングソーを用いて、少なくとも前記支持基板を切削する切削工程を含む半導体装置の製造方法において、
前記切削工程は、
前記切削を開始すると共に、前記支持基板の表面上に前記切削時の切削屑を除去する洗浄水を噴射するステップと、
前記切削を停止する信号に応じて前記切削を中断すると共に、前記洗浄水の噴射を一時停止するステップと、
所定時間の経過後、前記洗浄水の噴射を自動的に再開するステップと、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄水の噴射を自動的に再開するステップは、
前記洗浄水が前記支持基板の表面上に略一様に行きわたるように前記載置テーブルを所定の方向に移動させながら行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の配線が形成された半導体ウェハの表面に樹脂を介して第１の支持基板を貼り合わせると共に、前記半導体ウェハの裏面に樹脂を介して第２の支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを、載置テーブル上に、前記第２の支持基板の表面を上面にして載置して、前記第１の支持基板の一部、前記樹脂の一部、前記第１の配線の一部、及び前記第２の支持基板の一部を、ダイシングソーを用いて、前記第２の支持基板の表面側から切削して、前記第１の配線の一部を露出する溝を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する工程は、
前記切削を開始すると共に、前記第２の支持基板の表面上に前記切削時の切削屑を除去する洗浄水を噴射するステップと、
前記切削を停止する信号に応じて前記切削を中断すると共に、前記洗浄水の噴射を一時停止するステップと、
所定時間の経過後、前記洗浄水の噴射を自動的に再開するステップと、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の配線の一部を露出する溝を形成する工程の後に、さらに、前記半導体ウェハを、前記ダイシングソーを用いて、前記第２の支持基板の表面側から切削して、複数の半導体チップに分割する工程と、を含み、
前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する工程は、
前記切削を開始すると共に、前記第２の支持基板の表面上に前記切削時の切削屑を除去する洗浄水を噴射するステップと、
前記切削を停止する信号に応じて前記切削を中断すると共に、前記洗浄水の噴射を一時停止するステップと、
所定時間の経過後、前記洗浄水の噴射を自動的に再開するステップと、を少なくとも有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記洗浄水の噴射を自動的に再開するステップは、
前記洗浄水が前記支持基板の表面上に略一様に行きわたるように前記載置テーブルを所定の方向に移動させながら行われることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２の支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項４，５，６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄水は、前記ダイシングソーの切削方向の前方に配置された洗浄水噴射装置から噴射されていることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
支持基板が貼り合わされた半導体ウェハが載置される載置テーブルと、
前記支持基板が貼り合わされた半導体ウェハを、前記支持基板の表面側から切削するダイシングソーと、前記ダイシングソーが装着され、かつ当該ダイシングソーを駆動する駆動手段と、前記駆動手段に装着され、かつ前記支持基板の表面の切削屑を除去するための洗浄水を噴射する洗浄水噴射装置と、を少なくとも具備した切削手段と、
前記洗浄水噴射装置に前記洗浄水を供給し得る給水手段と、
前記切削手段、及び前記給水手段の各動作を制御し得る制御手段と、
前記制御手段により制御される前記切削手段、及び前記給水手段の各動作を監視し得る監視手段と、を有し、
前記制御手段は、
前記監視手段から発せられるエラー検出信号もしくは手動で入力される手動停止信号に応じて、前記切削手段が行う切削を停止させると共に、
前記給水手段が行う前記洗浄水の供給を所定時間にわたって一時停止させた後、前記洗浄水の供給を自動的に再開することを特徴とするダイシング装置。
【請求項１０】
前記載置テーブルに接続され、かつ当該載置テーブルを所定の方向に移動もしくは回転させ得るテーブル駆動手段を有し、
前記テーブル駆動手段は、前記載置テーブルを所定の方向に移動もしくは回転させるように、前記制御手段により制御され得ることを特徴とする請求項９記載のダイシング装置。
【請求項１１】
前記支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のダイシング装置。
【請求項１２】
前記洗浄水噴射装置は、前記ダイシングソーの切削方向の前方に配置されていることを特徴とする請求項９，１０，１１のいずれかに記載のダイシング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びダイシング装置に関し、特に、ガラス基板等の支持基板を貼り合わせて成る半導体装置の製造方法、及びその製造方法を実施するためのダイシング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、三次元実装技術として、また、新たなパッケージ技術として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。ＣＳＰとは、半導体チップ（半導体素子）の外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。
【０００３】
このようなＣＳＰは、例えば携帯電話機に内蔵されるＣＣＤカメラのイメージセンサチップに採用されている。
【０００４】
図１０は、ＣＳＰとして構成された従来例に係る半導体装置の一例の概略構成を示す図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、それぞれ、上記従来例に係る半導体装置の表面側の斜視図、及び上記従来例に係る半導体装置の裏面側の斜視図である。
【０００５】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示しように、上記半導体装置１０では、第１及び第２の支持基板１４、１５（例えばガラス基板）の間に、半導体チップ１６が、樹脂１７ａ，１７ｂ（例えばエポキシ樹脂）を介して封止されている。第２の支持基板１５の一主面上、即ち半導体装置１０の裏面上には、導電端子２１が格子状に複数配置されている。この導電端子２１は、第２の配線１９を介して半導体チップ１６へと接続される。複数の第２の配線１９には、それぞれ半導体チップ１６の内部から引き出されたアルミニウム配線が接続されており、各導電端子２１と半導体チップ１６との電気的接続が為されている。
【０００６】
ここで、上記半導体装置１０がＣＣＤカメラ等のイメージセンサチップである場合、その半導体装置１０は受光面を有するため、少なくとも第1の支持基板１４は、光学的に透明なガラス基板等であると共に、樹脂１７ａは、光学的な透明性を有するエポキシ樹脂等が用いられる。
【０００７】
なお、関連した技術文献として、例えば以下の特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特許公表２００２−５１２４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したような半導体装置１０の製造工程は、半導体ウェハ（複数の半導体チップが配列されて成る）に貼り合わされた第２の支持基板１５を、その一方の端から他方の端まで、ダイシング装置のダイシングソーにより切削する切削工程を含む。
【０００９】
この切削工程中、切削される第２の支持基板１５の表面には、切削による切削屑（第２の支持基板１５を構成するガラス細片や半導体ウェハの細片など）が溜まる。この第２の支持基板１５の表面の切削屑は、その切削屑を洗浄する洗浄水によって除去される。上記洗浄水は、ダイシング装置に装着された洗浄水噴射装置より、第２の支持基板１５の表面に向けて噴射される。
【００１０】
しかしながら、従来例に係るダイシング装置では、上記切削工程中に検出された異常（例えば切削エラー）に応じてダイシング装置の制御手段により自動的に切削が中断される場合、もしくはオペレータの手動停止により切削が中断される場合、洗浄水噴射装置への洗浄水の給水は、上記切削の中断が解除されて再開されるまでの間、停止されたままであった。
【００１１】
これにより、第２の支持基板１５への洗浄水の噴射が行われなくなるため、切削工程が中断される以前に噴射された洗浄水等と上記切削屑とが混じり合った汚濁水が乾燥して、第２の支持基板１５（もしくは切削により形成された溝内及び第２の支持基板１５）の表面上に切削屑が固着して汚れとなっていた。特に、第２の支持基板１５がガラス基板である場合、その表面上に切削屑が固着して汚れとなった後、その固着した切削屑を別工程の洗浄作業で除去することは困難であった。
【００１２】
そこで本発明は、支持基板が貼り合わされて成る半導体ウェハの切削工程において、切削面、即ち支持基板の表面上に汚れを極力固着させない半導体装置の製造方法、及びその製造方法を実施するためのダイシング装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、上述の課題に鑑みて為されたものであり、支持基板が貼り合わされた半導体ウェハを、載置テーブル上に載置して、支持基板の表面側から、ダイシングソーを用いて、少なくとも支持基板を切削する切削工程を含む半導体装置の製造方法において、上記切削工程は、切削を開始すると共に支持基板の表面上に切削時の切削屑を除去する洗浄水を噴射するステップと、切削を停止する信号に応じて切削を中断すると共に洗浄水の噴射を一時停止するステップと、所定時間の経過後、洗浄水の噴射を自動的に再開するステップと、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明のダイシング装置は、支持基板が貼り合わされた半導体ウェハを支持基板の表面側から切削するダイシングソーと支持基板の表面の切削屑を除去するための洗浄水を噴射する洗浄水噴射装置とを少なくとも具備した切削手段と、洗浄水噴射装置に前記洗浄水を供給し得る給水手段と、切削手段及び給水手段の各動作を制御し得る制御手段と、切削手段及び給水手段の各動作を監視し得る監視手段と、を有し、上記制御手段は、監視手段から発せられるエラー検出信号もしくは手動で入力される手動停止信号に応じて、切削手段が行う切削を停止させると共に、給水手段が行う洗浄水の供給を所定時間にわたって一時停止させた後、洗浄水の供給を自動的に再開することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のダイシング装置及びその装置を用いた半導体装置の製造方法では、洗浄水（切削屑の除去に用いる）の供給を伴う切削工程が中断されている期間においても、洗浄水を上記支持基板上に極力継続的に供給することが可能となる。これにより、切削屑を含む汚濁水（切削工程の中断以前に噴射された洗浄水等と切削屑との混合水）の乾燥を極力抑止することが可能となる。従って、切削屑が、上記汚濁水の乾燥により支持基板上（もしくは切削により形成された溝内及び支持基板上）に固着して汚れとなることを極力抑止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態に係るダイシング装置について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係るダイシング装置の構成を説明する図である。ここで、図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るダイシング装置の全体を示す正面図である。図１（ｂ）は、上記ダイシング装置の概略上面図である。なお、図１（ｂ）では、上記ダイシング装置の構成要素のうち、後述する切削手段のダイシングソー、洗浄水噴射装置のみを示している。また、図２は、図１に示したダイシング装置の構成を説明するブロック機能図である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係るダイシング装置１００は切削手段３０、載置テーブル４０、テーブル駆動手段４１、制御手段５０（時間の経過をカウントし得る不図示のタイマーを内蔵する）、給水手段６０、及び監視手段７０から構成されている。次に、ダイシング装置１００について、さらに詳しく説明する。
【００１８】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、載置テーブル４０上には、第１の支持基板１４及び第２の支持基板１５が貼り合わされた半導体ウェハ１１から成る積層体１０ｗが、第２の支持基板１５を上面にして載置されている。
【００１９】
ここで、上記積層体１０ｗは、図１０に示した従来例に係る半導体装置１０と同様の積層構造を有しているものとするが、本発明は、これに限定されない。即ち、上記積層体１０ｗは、半導体ウェハ１１の少なくとも一方の主面上に、第１の支持基板１４もしくは第２の支持基板１５が貼り合わされたものであってもよい。その場合の積層体１０ｗは、貼り合わされている第１の支持基板１４もしくは第２の支持基板１５を上面にして、載置テーブル４０上に載置される。
【００２０】
なお、載置テーブル４０には、当該載置テーブル４０を所定の方向に移動もしくは回転させ得るテーブル駆動手段４１（図２参照）が接続されている。
【００２１】
そして、載置テーブル４０上に載置された積層体１０ｗの上方には、積層体１０ｗと対向して切削手段３０が配置されている。この切削手段３０は、当該ダイシング装置１００の動作を制御し得る制御手段５０（図２参照）と接続されている。
【００２２】
上記切削手段３０は、積層体１０ｗを切削するダイシングソー３１が装着された駆動手段３０ｄを有している。駆動手段３０ｄは、ダイシングソー３１を所定の回転方向に回転させると共に、対向して配置された積層体１０ｗの表面に対して垂直もしくは水平方向に移動し得る。駆動手段３０ｄは、水平方向へ移動する際には、切削方向に直交する方向に移動し得る。なお、切削が開始される場合、駆動手段３０ｄは、上記水平方向に移動した後、ダイシングソー３１を積層体１０ｗの表面に圧着するように、上記垂直方向に移動する。このとき、載置テーブル４０が、テーブル駆動手段４１によって、切削方向とは逆向きの方向に移動させられることにより切削が行われる。
【００２３】
また、駆動手段３０ｄには、ダイシングソー３１に冷却水（例えば純水）を噴射する第１の冷却水噴射装置３２ａ、及び１対の第２の冷却水噴射装置３２ｂが装着されている。ここで、第１の冷却水噴射装置３２ａは、ダイシングソー３１の切削方向の前方に配置され、第２の支持基板１５表面の切削部位、及び上記切削部位と接触するダイシングソー３１の接触部位近傍に冷却水が噴射されるように、その噴射角度が調整されている。また、１対の第２の冷却水噴射装置３２ｂは、その長手方向が第２の支持基板１５の表面と平行し、かつダイシングソー３１の表面と平行するように、ダイシングソー３１側面を挟むようにして装着されている。そして、１対の第２の冷却水噴射装置３２ｂは、第２の支持基板１５表面の切削部位、及び上記切削部位と接触するダイシングソー３１の接触部位近傍に冷却水が噴射されるように、その噴射角度が調整されている。
【００２４】
また、切削手段３０の駆動手段３０ｄの両側部には、切削により生じる切削屑を除去するための洗浄水（例えば純水）を噴射する１対の第１の洗浄水噴射装置３３ａが装着されている。この1対の第１の洗浄水噴射装置３３ａは、第１の冷却水噴射装置３２ａよりもさらに切削方向の前方に装着されている。
【００２５】
洗浄水噴射装置３１の洗浄水の噴射角度は、切削工程中、第２の支持基板１５の表面のうちダイシングソー３１との接触部位の周辺の被洗浄領域１５ｃに、常に洗浄水が到達するように、所定の噴射角度に調整されている。ここで、第２の支持基板１５の表面の上面から洗浄水をみると、図１（ｂ）に示すように、洗浄水は、平面的には扇状に噴射され、第２の支持基板１５表面のうち、ダイシングソー３１との接触部位の周辺の被洗浄領域１５ｃに到達する。被洗浄領域１５ｃに到達した洗浄水は、所定の勢いを有して流動するため、当該領域の切削屑を除去することができる。
【００２６】
さらに、切削手段３０の駆動手段３０ｄには、上記洗浄水を積層体１０ｗに向けて噴射する第２の洗浄水噴射装置３３ｂが、第１の洗浄水噴射装置３３ａよりも、さらに切削方向の前方に装着されている。ここで、第２の洗浄水噴射装置３３ｂは、その長手方向が、積層体１０ｗの直径より長く形成されており、積層体１０ｗの表面に対して水平となり、かつ切削方向に対して直交するようにして装着されている。また、第２の洗浄水噴射装置３３ｂは、第２の支持基板１５の表面上に洗浄水が到達するように、所定の噴射角度に調整されている。
【００２７】
この第２の洗浄水噴射装置３３ｂから噴射される洗浄水は、第２の支持基板１５の表面上において、切削方向に直交する線上に沿って一様に噴射される。これにより第１の洗浄水噴射装置３３ａから噴射された洗浄水による切削屑の除去が、より確実に行われる。
【００２８】
上述した第１及び第２の冷却水噴射装置３２ａ，３２ｂ、及び第１及び第２の洗浄水噴射装置３３ａ，３３ｂには、給水手段６０が接続されている。給水手段６０は、冷却水を所定の勢いを有して第１及び第２の冷却水噴射装置に給水すると共に、洗浄水を所定の勢いを有して第１及び第２の洗浄水噴射装置３３ａ，３３ｂに給水する。この給水手段６０は、その動作を制御し得る制御手段５０に接続されている。即ち、給水手段６０による上記冷却水及び洗浄水の給水は、制御手段５０によって、開始もしくは停止され得る。
【００２９】
また、切削手段３０及び載置テーブル４０を共に見下ろすことが可能な位置には、切削手段３０及び載置テーブル４０等の動作をモニタする監視手段７０が配置されている。監視手段７０は、例えばＣＣＤカメラのようなイメージセンサ等を有しており、切削手段３０及び載置テーブル４０等の動作に関して異常な動作（例えば切削エラーなど）を検出した場合、異常検出信号を制御手段５０に出力する。
【００３０】
なお、監視手段７０による異常な動作の検出の有無に関わらず、ダイシング装置１００の操作者もしくは監視者であるオペレータの判断によって、ダイシング装置１００の切削を停止させる必要がある場合（例えばオペレータの休憩等のため切削を中断する場合など）、上記制御手段５０には、オペレータによって、切削を停止するための手動停止信号がマニュアル入力され得る。
【００３１】
次に、上述したダイシング装置１００の動作、即ちダイシング装置１００を用いた切削工程について、その工程フローを示す流れ図を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における切削工程を説明する流れ図である。
【００３２】
最初に、図３のステップ８０では、制御手段５０から切削手段３０に発せられる切削開始信号に応じて切削を開始する。そして、切削の開始と同時に、制御手段５０から給水手段６０に発せられる給水開始信号により、第１及び第２の冷却水噴射装置３２ａ，３２ｂへの冷却水の給水、及び第１及び第２の洗浄水噴射装置３３ａ，３３ｂへの洗浄水の給水が開始される。これにより、冷却水及び洗浄水が、第２の支持基板１５表面上の各所定の位置に噴射される。
【００３３】
上記切削が行われている間、監視手段７０がダイシング装置１００の諸動作（例えば切削手段３０が行う切削など）をモニタしている。ここで、監視手段７０によって上記動作に異常（例えば切削エラーなど）が検出されず、かつオペレータが手動により切削を停止するための手動停止信号をマニュアル入力していない場合、ステップ８１が実行される。即ち、上記切削が継続されると共に、給水手段６０による冷却水及び洗浄水の給水（即ち冷却水及び洗浄水の噴射）が継続される。
【００３４】
一方、監視手段によって上記ダイシング装置１００の諸動作に異常が検出されて、異常検出信号が制御手段５０へ出力された場合、もしくは、手動により切削を停止するための手動停止信号がオペレータによって制御手段５０にマニュアル入力された場合、ステップ８２が実行される。即ち、異常検出信号もしくは手動停止信号を受けた制御手段５０から発せられた切削停止信号によって、切削手段３０が所定の動作を経て自動的に停止して、切削が中断されると共に、制御手段５０が発する給水停止信号によって、給水手段６０による冷却水及び洗浄水の給水（即ち冷却水及び洗浄水の噴射）が、所定の動作を経て自動的に一時停止する。上記切削手段３０を停止する所定の動作は、例えば、切削手段３０が切削していたスクライブライン上の切削を完了させた後に、切削を停止するものである。
【００３５】
そして、所定時間が経過した後にステップ８３が実行される。即ち、制御手段から給水開始信号が再び出力されて、冷却水及び洗浄水の給水（即ち冷却水及び洗浄水の噴射）のうち、少なくとも洗浄水の給水（即ち洗浄水の噴射）が再開される。上記所定時間とは、上記給水の再開に至るまでに行われる制御手段５０の各種演算処理等に要する待ち時間を超える時間長であり、かつ第２の支持基板１５の表面上に既に存在している水分（給水停止以前に噴射された冷却水もしくは洗浄水）が乾燥状態に至る時間を超えない時間長である。ここで、上記所定時間の経過は、制御手段５０に内蔵されたタイマーによってカウントされる。そして、図示しないが、上記切削の中断が解除された後は、再びステップ８０から続くステップを実行する。
【００３６】
ここで、洗浄水（もしくは冷却水及び洗浄水）の給水を再び行いながら、制御手段５０はテーブル駆動手段４１に駆動信号を発して、噴射された洗浄水（もしくは冷却水及び洗浄水）を第２の支持基板１５表面上において略一様に行きわたらせるように、載置テーブル４０を所定の方向（例えば切削方向もしくはその逆方向）に移動させる制御を行うことが好ましい。もしくは、制御手段５０は、噴射された洗浄水（もしくは冷却水及び洗浄水）を第２の支持基板１５表面上において略一様に行きわたらせるように、載置テーブル４０を所定の角度にわたって回転させる制御を行ってもよい。もしくは、制御手段５０は、噴射された洗浄水（もしくは冷却水及び洗浄水）を第２の支持基板１５表面上において略一様に行きわたらせるように、載置テーブル４０及び切削手段３０を、あるいは切削手段３０のみを移動させる制御を行ってもよい。
【００３７】
このステップ８３、即ち冷却水及び洗浄水の給水の再開により、切削が中断している期間中においても、第２に支持基板１５の表面上に、冷却水もしくは洗浄水が噴射されるため、第２に支持基板１５の表面上の乾燥を極力抑止することができる。従って、冷却水及び洗浄水の乾燥によって第２の支持基板１５表面上（もしくは切削により形成された溝内及び支持板上）に切削屑が固着して汚れとなることを極力抑止できる。
【００３８】
上述した本実施形態のダイシング装置１００及びその装置を用いた上記切削工程は、例えば以下に示す半導体装置の製造方法に対して適用され得る。次に、本実施形態のダイシング装置１００及びそのダイシング装置１００を用いた上記切削工程が適用され得る半導体装置１０の製造方法について、図面を参照して説明する。図４乃至９は、本実施形態に係る上記製造方法を説明する図である。
【００３９】
最初に、図４に示すように、不図示の複数の半導体チップ（半導体素子）１６が形成された半導体ウェハ１１の表面に、互いに隣接する半導体チップ１６の境界Ｓを跨ぐように絶縁膜１２を介して第1の配線１３を形成する。この第１の配線１３は、絶縁膜１２に形成される不図示のコンタクトホールを介して、半導体チップ１６の不図示の回路と電気的に接続される。
【００４０】
次に、図５に示すように、半導体ウェハ１１の表面に、ガラス基板等の第１の支持基板１４を、樹脂１７ａを介して貼り合わせる。そして、半導体ウェハ１１を、境界Ｓ、即ち境界Ｓ上に延びるスクライブラインに沿って、半導体ウェハ１１の裏面側からエッチングして、第1の配線１３を一旦露出させた後、半導体ウェハ１１の裏面に、ガラス基板等の第２の支持基板１５を、樹脂１７ｂを介して貼り合わせる。さらに第２の支持基板１５上に、緩衝部材１８を形成する。この緩衝部材１８は、導電端子２１に加わる応力を和らげるクッションの働きを有する。
【００４１】
次に、図６に示すように、半導体ウェハ１１上の境界Ｓ上に延びるスクライブラインに沿って、第２の支持基板１５側からダイシング装置１００のダイシングソー３１により、Ｖ字型の溝ＶＧを形成し、第1の配線１３の一部を溝ＶＧの側面に露出させる。即ち、この溝ＶＧを形成する工程において、上述した本実施形態のダイシング装置１００及びその装置を用いた上記切削工程が適用される。
【００４２】
次に、図７に示すように、緩衝部材１８上を含む第２の支持基板１５上及び溝ＶＧの内面に、第２の配線１９を形成する。さらに、図８に示すように、第２の配線１９上に保護層２０及び導電端子２１を形成する。
【００４３】
そして、図９に示すように、半導体ウェハ１１をスクライブラインに沿って分断することにより、個々の半導体パッケージ、即ちＣＳＰである半導体装置１０が完成する。
【００４４】
なお、本実施形態のダイシング装置１００及びその装置を用いた上記切削工程は、上述したように、図１０に示した半導体装置１０の製造方法に対して適されるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、支持基板が貼り合わされた半導体ウェハから成る半導体装置であれば、半導体装置１０以外の構造を有した半導体装置の製造方法に対して適用されてもよい。
【００４５】
また、本実施形態のダイシング装置１００及びその装置を用いた上記切削工程では、載置テーブル４０が、テーブル駆動手段４１によって、切削方向とは逆向きの方向に移動されることにより切削が行われるが、本発明はこれに限定されない。即ち、切削手段３０の駆動手段３０ｄが切削方向に向って移動することにより、切削が行われるものであってもよい。
【００４６】
また、本実施形態に用いられる冷却水及び洗浄水は、純水であるとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、冷却水もしくは洗浄水は、切削により形成された溝ＶＧ内に露出する第１の配線１３等を腐食させず、かつ上記切削工程を実施し得るものであれば、純水以外の液体を用いてよい。例えば、逆浸透膜を用いて濾過した浄化水などを、冷却水もしくは洗浄水に用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係るダイシング装置の構成を説明する図である。
【図２】本発明の実施形態に係るダイシング装置の構成を説明するブロック機能図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の切削工程を説明する流れ図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置の概略構成を説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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