(57)【要約】【課題】  絶縁フィルムの片面に配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面にも半導体チップおよび受動部品を実装可能な電子部品実装用プリント配線基板を得るに際して、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙に錫メッキ液のようなメッキ液等が浸入することのない電子部品実装用プリント配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】  フィルドビア４の一方の露出端部を配線パターンと接続するとともに、他方の露出端部において少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界にメッキレジスト７を形成し、メッキレジスト７で囲まれた内側に露出したフィルドビア４の端部に端子メッキ５を行った後、メッキレジスト７を除去する。【選択図】  図５
2005167154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの片面に導電性金属からなる配線パターンが形成された電子部品実装用プリント配線基板であって、
絶縁フィルムと配線パターンとを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビアが形成され、
前記フィルドビアの一方の露出端部は配線パターンと接続され、他方の露出端部の中央部に端子メッキ層が形成されていることを特徴とする電子部品実装用プリント配線基板。
【請求項２】
前記端子メッキ層が、前記フィルドビアの露出端部における中央部に形成された被せメッキ層の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装用プリント配線基板。
【請求項３】
前記フィルドビアの配線パターン側の露出端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンとの境界を覆うように被せメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装用プリント配線基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体チップおよび／または受動部品が、配線パターンが形成された面とは反対側の面に実装されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップおよび／または受動部品が接合された前記フィルドビアの端部における、前記端子メッキ層が形成された中央部の外周側が、少なくとも該フィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように半田で被覆されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁フィルムの片面に導電性金属からなる配線パターンが形成された電子部品実装用プリント配線基板の製造方法であって、
絶縁フィルムと、配線パターンもしくは該配線パターンを形成するための導電性金属層とを穿孔するとともにインプラント用導電材を充填してフィルドビアを形成する工程と、
前記フィルドビアの前記配線パターンもしくは導電性金属層が形成された側とは反対側の露出端部において、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界にメッキレジストを形成する工程と、
前記メッキレジストが形成されたフィルドビアの露出端部に端子メッキを行う工程と、
前記メッキレジストを除去する工程とを含むことを特徴とする電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記フィルドビアの配線パターン側もしくは導電性金属層側の露出端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンもしくは導電性金属層との境界を覆う被せメッキを行うことを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップと、コンデンサー、レジスターなどの受動部品とを１つのプリント配線基板の両面上に実装することができる電子部品実装用プリント配線基板（例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ＣＯＦ（Chip On Film）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）のような電子部品実装用フィルムキャリアテープ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）およびリジッドな基板を用いたＰＷＢ（Printed Wiring Board）など）およびその製造方法、ならびに該電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品をパーソナルコンピュータや携帯電話の液晶装置、プリンタ用などに実装する際に各種のプリント配線基板が使用されている。これらのプリント配線基板は、ポリイミドフィルムのようなフレキシブルな、あるいはガラスエポキシのようなリジッドな絶縁フィルムの少なくとも一方の面に導電性金属層を形成し、次いでこの導電性金属層上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を感光することにより所望のパターンを形成し、この感光された感光樹脂をマスキング材として導電性金属層をエッチングすることにより、導電性金属からなる配線パターンを形成し、次いで、実装する電子部品と接触する端子（インナーリード）部分およびこの端子と接続し、外部と接続するための端子（アウターリード）部分を残して配線パターン上にソルダーレジストを塗布、硬化し、インナーリードおよびアウターリードに錫などのメッキを施すことにより製造されている。
【０００３】
こうして製造された電子部品実装用プリント配線基板のインナーリードに、半導体チップに形成されたバンプ電極が当接するように載置し、ボンディングツールなどを用いてバンプ電極とインナーリードとを電気的に接続することにより、プリント配線基板に電子部品を実装する。
【０００４】
最近では、プリント配線基板上にＩＣ、ＬＳＩのような半導体チップとともに、コンデンサー、レジスターのような受動部品などを１つのプリント配線基板上に実装した半導体装置が使用されている（例えば特許文献１を参照）。
【０００５】
電子機器の小型化、軽量化に伴って電子部品の実装密度の向上が要望されているが、このような半導体装置では、実装密度を上げようとすると実装部品間の配線が交差してしまうため結線できない。こうした問題点を解決するために、例えば絶縁フィルムの両面に配線パターンを形成し、両面のパターンをビアを通じて結線して立体交差するようにした、いわゆる２メタルＴＡＢテープ、２メタルＦＰＣのような両面プリント配線基板が使用されている。
【特許文献１】特開２００３−１２４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、両面プリント配線基板では、その製造工程において片面ずつ配線パターンを形成するためコストが増加する。このため、配線パターンを絶縁フィルムの片面側だけに形成し、結線の交差が避けられない実装部品については、ビアを通じて配線パターンを形成した面とは反対側の面に実装して実装密度を上げるという方法が考えられる。
【０００７】
ところが、配線パターン形成のためのエッチング処理工程において、あるいは錫メッキ、金メッキなどのメッキ処理工程において、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッ
チング液やメッキ液あるいはこれらの洗浄液が浸入し、後工程においてこの間隙から酸性のメッキ液等が滲み出したり、半導体チップのボンディングなどにおいて熱が加わるとこれらの残留液が気化膨張して小爆発が起きるといった問題が生じてしまう。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術における問題点を解決するために為されたものであり、絶縁フィルムの片面に配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面にも電子部品を実装可能な電子部品実装用プリント配線基板を得るに際して、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッチング液やメッキ液等の湿式処理液が浸入することのない電子部品実装用プリント配線基板およびその製造方法ならびに該プリント配線基板を用いて形成された半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するために、本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、絶縁フィルムの片面に導電性金属からなる配線パターンが形成された電子部品実装用プリント配線基板であって、
絶縁フィルムと配線パターンとを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビアが形成され、
前記フィルドビアの一方の露出端部は配線パターンと接続され、他方の露出端部の中央部に端子メッキ層が形成されていることを特徴としている。前記端子メッキ層は、前記フィルドビアの露出端部における中央部に形成された被せメッキ層の表面に形成されていてもよい。
【００１０】
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記フィルドビアの配線パターン側の露出端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンとの境界を覆うように被せメッキ層が形成されていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の半導体装置は、上記の電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成されていることを特徴としている。この半導体装置には、半導体チップおよび／または受動部品を、配線パターンが形成された面とは反対側の面にも実装することができる。
【００１２】
本発明の半導体装置は、前記半導体チップおよび／または受動部品が接合された前記フィルドビアの端部における、前記端子メッキ層が形成された中央部の外周側が、少なくとも該フィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように半田で被覆されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルムの片面に導電性金属からなる配線パターンが形成された電子部品実装用プリント配線基板の製造方法であって、
絶縁フィルムと、配線パターンもしくは該配線パターンを形成するための導電性金属層とを穿孔するとともにインプラント用導電材を充填してフィルドビアを形成する工程と、
前記フィルドビアの前記配線パターンもしくは導電性金属層が形成された側とは反対側の露出端部において、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界にメッキレジストを形成する工程と、
前記メッキレジストが形成されたフィルドビアの露出端部に端子メッキを行う工程と、
前記メッキレジストを除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記フィルドビアの配線パターン側もしくは導電性金属層側の露出端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンもしくは導電性金属層との境界を覆う被せメッキを行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッチング液やメッキ液等の湿式処理液およびそれらの洗浄水が浸入することを防止することができるため、品質の良い半導体装置を歩留まり良く得ることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、片面にのみ配線パターンが形成され、かつ両面に電子部品を実装できるため、低コストで製造可能であるとともに実装密度が高い。また、半導体チップと接続されたフィルドビアの露出端部の周縁部と絶縁フィルムとを半田で被覆することにより、インプラント材がビアから抜き出ないように補強される。
【００１７】
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法によれば、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッチング液やメッキ液等の湿式処理液およびそれらの洗浄水が浸入することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の方法により得られる電子部品実装用プリント配線基板は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ＣＯＦ（Chip On Film）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）などの電子部品実装用フィルムキャリアテープ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）およびリジッドな基板を用いたＰＷＢ（Printed Wiring Board）を含み、主に、１つのプリント配線基板上にＩＣ、ＬＳＩのような半導体チップとともにコンデンサー、レジスターのような受動部品などを実装するためのものであり、長尺状、シート状あるいは板状の絶縁フィルムの片面に、導電性金属からなる配線パターンが絶縁フィルムの長手方向にあるいは幅方向にも複数形成されている。
【００１９】
図１は本発明の電子部品実装用プリント配線基板の一部を示した断面図である。このように、半導体チップ、受動部品などが実装される絶縁フィルム２の片面には配線パターン３が形成されている。電子部品実装用プリント配線基板１の所定位置には、絶縁フィルム２と配線パターン３とを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビア４が形成され、このフィルドビア４を通じて配線パターン３が形成された面とは反対側の面にも電子部品が実装される。６は、少なくともフィルドビア４と配線パターン３との境界を覆うように導電性金属をメッキした被せメッキ層、８はソルダーレジスト層である。
【００２０】
フィルドビア４の一方の露出端部は配線パターン３と電気的に接続されている。その他方の露出端部の中央部には、例えば錫メッキなどの端子メッキが施された端子メッキ層５が形成されている。この部分に半導体チップなどの端子が接続される。
【００２１】
本発明で使用される絶縁フィルム２は、エッチングする際に酸などと接触することから、こうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱によっても変質しないような耐熱性を有していることが望ましい。この絶縁フィルム２を形成する素材の例としては、ガラスエポキシ、ビスマレイミド−トリアジン、ポリエステル、液晶ポリマー、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明では、ポリイミドからなる可撓性のフィルムを用いることが好ましい。
【００２２】
このポリイミド樹脂の例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。本発明で使用可能な絶縁フィルム２の厚さは、通常は１２．５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μｍである。
【００２３】
このような絶縁フィルム２には、フィルムキャリアテープの場合、スプロケットホール、スリットなどの必要な貫通孔をパンチング装置などにより形成することができる。
【００２４】
配線パターン３は、絶縁フィルム２の一方の表面に積層した導電性金属層に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を感光することにより所望のパターンを形成し、この感光された感光樹脂をマスキング材として、導電性金属層をエッチングすることにより形成される。マスキング材はアルカリ洗浄などにより除去される。また、セミアディティブ法等によってパターンを形成することもできる。このような配線パターン形成はビアに導電性金属をインプラントする前に行ってもよいし、あるいは後述するメッキレジストを形成して被せメッキを施した後に行ってもよい。
【００２５】
配線パターン３は、導電性を有する金属からなり、その例としては、銅、アルミニウムなどを挙げることができる。上記の導電性金属層は、例えば電解銅箔または圧延銅箔を貼着するか、あるいは粗面化処理した絶縁フィルムの表面にスパッタリングなどにより金属蒸着層を形成した後、電解銅メッキなどにより銅を厚付けして得ることができる。配線パターン形成後には、導電性の配線の酸化防止等を目的として、配線パターン前面に無電解錫メッキを施してもよい。
【００２６】
フィルドビア４は、例えば、ポンチが形成された上型と、このポンチに対応する位置にダイス孔が形成された下型とを備えた金型を用いてプレスにより形成することができる（特許第３２５０９８８号明細書を参照）。すなわち、図２に示したように、配線パターン３が形成された絶縁フィルム２上に（導電性金属層が絶縁フィルム２上に積層されたパターン形成前の積層体であってもよい）、銅などのインプラント用導電材からなる導電性金属シート１１を重ね合わせて下型１２に供給し（図２（ａ））、次いで上型１３を下降させてポンチ１３ａによって導電性金属シート１１と絶縁フィルム２とを打ち抜く（図２（ｂ））。
【００２７】
この際、上型１３のストロークはポンチ１３ａの下端が導電性金属シート１１の下面とほぼ一致するまで下降し、それ以上は下降しないで導電性シート１１のみを貫通するように制御される。これにより、絶縁フィルム２はポンチ１３ａによって下方に押された導電性シート１１の小片によって打ち抜かれ、打ち抜き孔が形成されると同時にこの小片が打ち抜き孔に位置し、フィルドビア４が形成される。次いで上型１３を上昇させ、導電性金属シート１１が取り外される。なお、絶縁フィルム２と配線パターン３（導電性金属層）を事前にポンチで打ち抜いておき、次いで導電性シート１１を重ね合わせ、その空いたビアに導電性シート１１の小片をポンチで打ち抜き充填することもできる。
【００２８】
フィルドビア４は、上記のような金型で絶縁フィルム２を打ち抜いて貫通孔を形成し、次いで、この貫通孔に対応する開口部を有するメタルマスクとスキージとを用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストを貫通孔に押し込むことによっても形成することができる。また、銅箔面上に形成した円錐状等の突起を絶縁フィルム２に貫通させることによっても形成することができる。
【００２９】
このようなフィルドビア４の断面方向の幅は、通常は２０〜２０００μｍ、好ましくは７０〜１０００μｍであり、さらに好ましくは８０〜２００μｍである。また、フィルドビアの水平方向の断面形状は任意であり、例えば丸、楕円、四角および六角等の角形状などのいずれであってもよい。
【００３０】
フィルドビアにおける配線パターンもしくは導電性金属層が形成された側とは反対側の露出端部には、錫メッキ、金メッキなどの端子メッキが施されるが、この際に使用される錫メッキ液、金メッキ液などのメッキ液がフィルドビアと絶縁フィルムとの間隙に浸入し
たり、あるいはエッチング液などの他の酸性の湿式処理液が浸入することを防止するために、図３〜５に示したようにフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界にメッキレジスト７を形成する。
【００３１】
メッキレジスト７は、スクリーン印刷などの方法により所定位置に塗布され、メッキ液などがフィルドビア４と絶縁フィルム２との間隙に浸入することを防止するために、少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を覆うように、且つ端子メッキのためにフィルドビア４の端部表面を一部残すように任意の形状に形成される。通常は、メッキレジスト７で囲われた内側に端子メッキのためのフィルドビア端部が露出するように形成される。例えばフィルドビア４の断面が円状である場合にはメッキレジスト７はドーナツ型に形成される。
【００３２】
メッキレジストとしては、例えばスクリーン印刷が可能な市販の各種のレジストが使用できるが、メッキ液やエッチング液等の酸性の湿式処理液およびそれらの洗浄水による処理時などに溶解しないものを選択する必要がある。メッキレジストは湿式工程が終了した後、例えば端子メッキした後に除去される。
【００３３】
被せメッキ層６は、配線パターン３と同種の導電性金属、例えば銅を電解メッキもしくは無電解メッキにより配線パターン３上もしくは導電性金属層の表面に形成したものであり、これによりフィルドビア４と配線パターン３もしくは導電性金属層との境界を確実に封止する。この被せメッキ層６の厚さは、通常は０．１〜２０μｍ、好ましくは１〜６μｍである。被せメッキ層６の厚さを均一にするためには、被せメッキ層６を形成後に配線パターン３を形成する手順の製造方法がよい。
【００３４】
以下、本発明における電子部品実装用配線基板の製造方法の一例について工程順に説明する。最初に、前述した方法によって、絶縁フィルム２と、エッチングにより配線パターン３を形成するための導電性金属層３’とを穿孔するとともにインプラント用導電材を充填してフィルドビア４を形成する（図３）。この際、図２に示した導電性金属シート１１を用いた方法によりフィルドビア４を形成する場合には、図６（ａ）に示したように、複数形成された各フィルドビアに対応する位置にポンチが設けられた、かしめ用ポンチ１４をフィルドビア４の導電性金属層３’側の端部に打ち込むことによりこの端部を外方に押し広げるか、あるいは、図６（ｂ）に示したように、貫通孔からやや突出したインプラント用導電材をかしめて端部にかしめ部１５を形成することによって、フィルドビア４と導電性金属層３’との接続を確実にするとともに、これらの境界に錫メッキ液、金メッキ液などの湿式処理液が浸入することを防止することが好ましい。
【００３５】
次いで、図３に示したように、フィルドビア４に対応する位置に孔部が形成されたメタルマスクを絶縁フィルムの上方に配置し、メタルマスク上にスキージを移動させてレジスト塗布液をフィルドビア４上に押し出す方法などによって、フィルドビア４の導電性金属層３’が形成された側とは反対側の端部に、フィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を覆うように、且つその内側に端子メッキのためのフィルドビア端部が露出するようにメッキレジスト７を形成する。
【００３６】
メッキレジスト７を形成した後、導電性金属層３’の表面に電解銅メッキもしくは無電解銅メッキを施して被せメッキ層６を形成する。この時、配線パターン面とは反対側にあるフィルドビア端部のインプラント材露出端部にも銅がメッキされる。次いで、導電性金属層３’から配線パターンをフォトリソグラフ法により形成し、必要に応じて配線パターン全面に無電解錫メッキにより錫メッキを施す。
【００３７】
なお、端子メッキ処理前には一般に、配線パターン保護のため、端子部を除いてソルダ
ーレジストが塗布、硬化される。図４に、配線パターン３上に被せメッキ層６が形成されるとともにその上にソルダーレジスト層８が形成された状態を示す。
【００３８】
次いで、図５に示したように、配線パターン３上のソルダーレジスト層８で覆われていない所定位置と、メッキレジスト７で囲われた内側に露出したフィルドビア４の端部表面にある被せメッキ層６上に、リード部分と半導体チップなどの端子との間で共晶物を形成するなどして安定した接合性を与える目的で、錫メッキなどの端子メッキ層５を形成する。
【００３９】
ここで形成する端子メッキ層５は、この後のボンディング工程に対応するように種々選択することができる。例えばここで形成可能なメッキの例としては、錫メッキ、金メッキ、鉛フリー半田メッキ、ニッケルメッキ、および、これらの複合メッキ層を挙げることができる。メッキ処理には、条件に応じて電解メッキ、無電解メッキのいずれを選択してもよい。ここで形成されるメッキ層の厚さは、通常は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜７μｍである。必要に応じて、錫メッキ層の表面に金バンプを形成してもよい。
【００４０】
端子メッキ層５を形成した後、メッキレジスト７をアルカリ洗浄などにより除去することにより、本発明の電子部品実装用プリント配線基板が製造される。次いで配線パターン３上に半導体チップと受動部品を実装し、配線パターン３が形成された面とは反対側の面においてもメッキ処理部に半導体チップおよび受動部品の端子を接続して実装され、こうして半導体装置が製造される。
【００４１】
なお、図７に示したように、半導体チップ９が接合されたフィルドビア４の端部における、端子メッキ層５が形成された中央部の外周側を少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を覆うように半田１０、好ましくは鉛フリー半田で被覆することによって、インプラント材がビアから抜き出ないように補強することができる。
【００４２】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４３】
厚さ３８μｍのポリイミドフィルムにスパッタリング法でＮｉ合金のシード層を設け、その上に厚さ８μｍの銅をメッキ法により積層した二層タイプのＣＯＦ基材を、図２に示した金型を用いて、銅シートをインプラント導電材として、一方の端部がポリイミドフィルム表面の銅層と接続されるようにフィルドビア（断面幅２００μｍ）を５０箇所に形成した。
【００４４】
レジストとして熱乾燥型メッキレジスト（商品名、ＭＡ−８３０、太陽インキ製造株式会社製）を用い、スクリーン印刷法によって、配線パターン面側とは反対側のフィルドビア上にその周囲のポリイミドフィルムとの境界に沿って、フィルドビアとポリイミドフィルムとの間隙を封止するように塗布し、乾燥してメッキレジストを形成した。次いで、電解銅メッキにより、フィルドビアと配線パターンとの境界を覆うように、インプラント材が埋め込まれた導電金属層（銅層）表面全面に被せ銅メッキを施すと同時に、その反対面にあるメッキレジストで囲われた内側に露出したフィルドビアの端部表面に被せ銅メッキを施した。
【００４５】
次いでこの被せ銅メッキされた導電金属層上にフォトレジストを塗布、乾燥し、パターンを形成したフォトマスクで露光し現像した後、酸性塩化銅水溶液を用いてエッチングして配線パターンを形成した。
【００４６】
得られた配線パターンの端子部分を除いた領域にソルダーレジストを塗布、硬化した後、ホウフッ化錫、アルカンスルホン酸、次亜燐酸等を含有する無電解メッキ浴により配線パターン上の端子部およびメッキレジストで囲まれた内側のフィルドビア端部の被せ銅メッキ表面に錫メッキを施した。次いで、形成された錫メッキの周囲のメッキレジストを除去した。
【００４７】
このようにして製造した電子部品実装用フィルムキャリアテープをリールに巻回した状態で常温にて５日間放置した後、配線パターン形成面とは反対側の端子部分を外観検査したが、腐食痕などの異常は検出されなかった。その後、このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、これらを順次３００℃に加熱したホットプレートの上に１０秒間載置したが、これらのフィルムキャリアについて特に異常は検出されなかった。
【００４８】
このように製造されたフィルムキャリアの配線パターンが形成された面側にはコンデンサーとレジスターとを実装し、それとは反対面側にある錫メッキを施したフィルドビア部にはＩＣチップのバンプを接続し、樹脂封止して半導体装置を製造した。
【実施例２】
【００４９】
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムに厚さ１２μｍの電解銅箔を積層した基材フィルム上にフォトレジストを塗布、乾燥し、次いでパターンを形成したフォトマスクで露光し現像した後、酸性塩化銅水溶液を用いてエッチングして配線パターンを形成した。図２に示した金型を用いて、銅シートをインプラント導電材として、一方の端部が配線パターンと接続されるようにフィルドビア（断面幅２００μｍ）を形成した。
【００５０】
実施例１で使用したのと同じレジストを用い、スクリーン印刷法によって、配線パターン面側とは反対側のフィルドビア上にその周囲のポリイミドフィルムとの境界に沿って、フィルドビアとポリイミドフィルムとの間隙を封止するように塗布し、乾燥してメッキレジストを形成した。次いで、電解銅メッキにより、配線パターンの表面に被せ銅メッキを施した。
【００５１】
次いで、配線パターンの端子部分を除いた領域にソルダーレジストを塗布、硬化した後、実施例１と同様に無電解メッキにより配線パターン上の端子部およびメッキレジストで囲まれた内側のフィルドビア端部表面に錫メッキを施した。
【００５２】
このようにして製造した電子部品実装用フィルムキャリアテープをリールに巻回した状態で常温にて５日間放置した後、配線パターン形成面とは反対側の端子部分を外観検査したが、腐食痕などの異常は検出されなかった。その後、このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、これらを順次３００℃に加熱したホットプレートの上に１０秒間載置したが、これらのフィルムキャリアについて特に異常は検出されなかった。
【００５３】
このように製造されたフィルムキャリアの配線パターンが形成された面側にはコンデンサーとレジスターとを実装し、それとは反対面側の錫メッキを施したフィルドビア部にはＩＣチップのバンプを接続し、樹脂封止して半導体装置を製造した。
[比較例１]
メッキレジストを形成せずに錫メッキをした以外は実施例１と同様にして電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造した。このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、実施例１と同様に外観検査を行ったところ、１００個のうち４個に腐食痕が認められた。次いで、残りの９６個を実施例１と同様にしてホットプレートの上に順次載置したところ、１０個が水蒸気爆発と考えられる小爆発を起こした。
[比較例２]
メッキレジストを形成せずに錫メッキをした以外は実施例２と同様にして電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造した。このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、実施例２と同様に外観検査を行ったところ、１００個のうち２個に腐食痕が認められた。次いで、残りの９８個を実施例２と同様にしてホットプレートの上に順次載置したところ、１０個が水蒸気爆発と考えられる小爆発を起こした。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による電子部品実装用プリント配線板の一部を示した断面図である。
【図２】図２は、金型を用いてフィルドビアを形成する工程を説明する図であり、図２（ａ）はポンチによるインプラント用導電材の充填前、図２（ｂ）は充填後の状態を示している。
【図３】図３は、絶縁フィルムおよび導電性金属層を貫通して形成したフィルドビアの  絶縁フィルム側の端部にメッキレジストを形成した状態を示した断面図である。
【図４】図４は、図３の状態からさらに被せメッキを形成するとともに配線パターンを形成し、ソルダーレジストを塗布、硬化した状態を示した断面図である。
【図５】図５は、フィルドビア端部におけるメッキレジストの内側に端子メッキを形成した状態を示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、かしめ用ポンチをフィルドビアの配線パターン側の端部に打ち込んだ状態を示した図、図５（ｂ）は、フィルドビアの配線パターン側の端部にかしめ部１５を形成した状態を示した図である。
【図７】図７は、半導体チップが接合されたフィルドビアの端部に半田を被覆した状態を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１    電子部品実装用プリント配線基板
２    絶縁フィルム
３    配線パターン
３’  導電性金属層
４    フィルドビア
５    端子メッキ層
６    被せメッキ層
７    メッキレジスト
８    ソルダーレジスト層
９    半導体チップ
１０    半田
１１    導電性金属シート
１２    下型
１３    上型
１３ａ  ポンチ
１４    かしめ用ポンチ
１５    かしめ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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