(57)【要約】【課題】  多層配線構造の半導体装置において、配線間の絶縁性能に優れた半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】  半導体基板３と、半導体基板３上に設けられた第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７とを備えた半導体装置１。第２再配線層７の一部は第１再配線層５に重なる位置に形成され、第１絶縁樹脂層４上に、第１再配線層５の側方に配されるダミー配線８、９が形成され、ダミー配線８、９の側縁部８ａ、９ａの少なくとも一部と、これに対向する第１再配線層５の側縁部５ａ、５ｂとが互いに沿うように配されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、
前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、
前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、
該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とは、互いに沿うように配されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凸部と第１導電部との距離は、第１導電部の厚さに対して１５倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凸部と第１導電部との距離は、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記第１導電部と同じ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凸部は、前記第１導電部にほぼ等しい高さか、または前記第１導電部より高くなるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凸部は、前記第１導電部と第２導電部との最小離間距離が、第１導電部が形成されていない位置における第１絶縁層と第２導電部との離間距離に対し、５０％以上となるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とが互いに沿うように配されている半導体装置を製造する方法であって、
前記第１導電部および凸部が形成される位置以外の領域にレジストを形成し、レジストが形成されていない位置に、メッキ法により前記第１導電部および凸部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とが互いに沿うように配されている半導体装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器に関し、特に、ウエハレベル（ＷＬ）のＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）等の半導体装置に好適に用いられる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ、例えばデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）では、側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流である。この半導体パッケージでは、端子数が増加するとサイズが大きくなるという問題がある。
これに対し、チップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＣＳＰ：Chip Size/Scale Package）、特に、「ウエハレベル（ＷＬ）ＣＳＰ」と称される半導体パッケージでは、その占有面積を狭くすることができ、高密度実装が可能である（例えば、特許文献１、２参照）。
ＷＬＣＳＰは、半導体基板上に、絶縁層、再配線層、封止層等を形成し、再配線層上にはんだバンプを形成し、これを所定の寸法に切断することにより、パッケージ構造の半導体チップとしたものである。
【特許文献１】特開２００３−１２４２４４号公報
【特許文献２】国際公開第００／７７８４３号パンフレット
【０００３】
ＷＬＣＳＰとしては、一層配線構造のものに限らず、より小型化が可能となる多層配線構造のものがある。
図７および図８は、２層配線構造のＷＬＣＳＰの一例を示す断面図である。
このＷＬＣＳＰ７１は、半導体ウエハ３と、第１絶縁樹脂層４と、第１再配線層５と、第２絶縁樹脂層６と、第２再配線層７とを備えている。
第２再配線層７は、第１再配線層５に交差するように形成されている。
ＷＬＣＳＰ７１は、第２再配線層７上に、はんだバンプ（図示略）が設けられ、このはんだバンプを介して外部の回路基板と接合するようになっている。
絶縁樹脂層４、６の形成方法としては、均一な層を形成できることから、通常、スピンコート法が採用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＷＬＣＳＰ７１では、第１絶縁樹脂層４上に、スピンコート法などにより第２絶縁樹脂層６を形成すると、第２絶縁樹脂層６は、第１再配線層５に相当する部分が上方に突出した形状となる。
このため、第２絶縁樹脂層６は、突出部分の側縁部に相当する部分、すなわち第１再配線層５の角部５ｃ付近において薄くなってしまい、この部分で第１再配線層５と第２再配線層７との間の絶縁が不十分となることがあった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、多層配線構造の半導体装置において、配線間の絶縁性能に優れた半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とは、互いに沿うように配されていることを特徴とする。
この半導体装置は、凸部の側縁部が、第１導電部の側縁部に沿うように形成されているので、第１導電部の長さ方向の十分な範囲において、第２絶縁層は、第１導電部上に相当する部分だけでなくその側方部分も含めて突出した形状となる。
このため、第２絶縁層は、第１導電部の角部付近において薄くなることがない。
【０００６】
前記凸部と第１導電部との距離は、第１導電部の厚さに対して１５倍以下であることが好ましい。
前記凸部と第１導電部との距離は、１００μｍ以下であることが好ましい。
【０００７】
前記凸部は、前記第１導電部と同じ材料からなる構成とすることによって、第１導電部を形成する際に併せて形成することができ、製造が容易となる。
【０００８】
前記凸部は、前記第１導電部にほぼ等しい高さか、または前記第１導電部より高くなるように形成することによって、第２絶縁層が第１導電部上で薄く形成されるのを確実に防ぐことができ、十分な絶縁性を得ることができる。
【０００９】
前記凸部は、前記第１導電部と第２導電部との最小離間距離が、第１導電部が形成されていない位置における第１絶縁層と第２導電部との離間距離に対し、５０％以上となるように形成されていることが望ましい。
これによって、第１導電部と第２導電部との間で十分な絶縁性を得ることができる。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とが互いに沿うように配された半導体装置を製造する方法であって、前記第１導電部および凸部が形成される位置以外の領域にレジストを形成し、レジストが形成されていない位置に、メッキ法により前記第１導電部および凸部を形成することを特徴とする。
この製造方法では、凸部を、第１導電部を形成する際に併せて形成することができる。
【００１１】
本発明の電子機器は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部とを備え、前記第２導電部の一部が前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層上に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第１導電部の側縁部とは、互いに沿うように配された半導体装置を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、第１導電部の側方に配される凸部を備え、該凸部の側縁部が、第１導電部の側縁部に沿うように形成されているので、第１導電部の長さ方向の十分な範囲において、第２絶縁層は、第１導電部上に相当する部分だけでなくその側方部分も含めて突出した形状となる。
このため、第２絶縁層が第１導電部の角部付近において薄くなることがない。よって、第１導電部と第２導電部との間において十分な絶縁が可能となる。
従って、実装状態における信頼性を高めることができる。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１導電部および凸部が形成される位置以外の領域にレジストを形成し、レジストが形成されていない位置に、メッキ法により前記第１導電部および凸部を形成するので、凸部を、第１導電部を形成する際に併せて形成することができる。
従って、凸部を容易に形成することができ、製造コスト低減が可能となる。
【００１４】
本発明の電子機器によれば、前記半導体装置を備えているので、第１導電部と第２導電部との間において十分な絶縁が可能となる。
従って、実装状態における信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の半導体装置の第１の例であるウエハレベル・チップ・サイズ／スケール・パッケージ１（ＷＬＣＳＰ）を示す正断面図である。図２は、このＷＬＣＳＰ１の要部を示す平面図である。
ＷＬＣＳＰ１は、半導体ウエハ３（半導体基板）と、半導体ウエハ３上に設けられた第１絶縁樹脂層４（第１絶縁層）と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５（第１導電部）と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６（第２絶縁層）と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７（第２導電部）とを備えている。
ＷＬＣＳＰ１では、第２再配線層７上に、はんだバンプ（図示略）を設け、このはんだバンプを介して外部の回路基板と接合するようになっている。
ＷＬＣＳＰ１では、半導体ウエハ３上にアルミニウムや銅からなる電極が設けられ、この電極と第１再配線層５とが接続された構成が可能である。
【００１６】
半導体ウエハ３としては、シリコンウエハが使用できる。
第１および第２再配線層５、７は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等が好適に用いられ、その厚みは５〜５０μｍが好ましい。
【００１７】
第２再配線層７は、一部が第１再配線層５に重なる位置に形成されている。
図示例では、第２再配線層７が、第１再配線層５にほぼ垂直に交差するように形成されている。
第１再配線層５は、断面矩形状に形成することができる。
なお、第２再配線層７と第１再配線層５とが重なるとは、絶縁樹脂層４、６の面内における再配線層５、７の位置が互いにほぼ一致することを意味する。
第１再配線層５と第２再配線層７とは、図示せぬ接続位置で接続することができる。
【００１８】
第１絶縁樹脂層４は、半導体ウエハ３上に形成された絶縁性の樹脂層であり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）により構成され、その厚みは、５〜５０μｍが好ましい。
【００１９】
第１絶縁樹脂層４上には、第２再配線層７に重なる位置Ｄの第１再配線層５の両側方に、それぞれダミー配線８、９が設けられている。ダミー配線８、９は、第１絶縁樹脂層４から上方に突出した凸部であり、直線状に形成された突条である。
ダミー配線８、９は、第１再配線層５にほぼ等しい高さか、または第１再配線層５より高く形成するのが好ましい。
図示例では、ダミー配線８、９は、高さが第１再配線層５にほぼ等しくなるように形成されている。
【００２０】
ダミー配線８、９は、第１再配線層５に電気的に接続されていない配線層とすることができる。
ダミー配線８、９は、第１再配線層５と同じ材料（例えばＣｕ）で構成すると、第１再配線層５を形成する際に併せて形成することができ、製造が容易となるため好ましい。
なお、ダミー配線８、９は、第１再配線層５とは異なる材料で構成してもよい。例えば、合成樹脂、セラミック、金属などを用いることができる。
【００２１】
ダミー配線８、９は、第２再配線層７に重なる部分の側縁部８ａ、９ａが、これに対向する第１再配線層５の側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成されている。
すなわち、側縁部８ａ、９ａと、側縁部５ａ、５ｂとは対向する位置にあり、互いに沿うように配されている。図示例では、側縁部８ａ、９ａと、側縁部５ａ、５ｂとは、互いにほぼ平行に配されている。
なお、ダミー配線８、９は、側縁部８ａ、９ａが全長にわたって側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成されていなくてもよく、側縁部８ａ、９ａの少なくとも一部が側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成されていればよい。
【００２２】
図１に示すように、ダミー配線８、９と第１再配線層５との距離、すなわち側縁部８ａ、９ａと側縁部５ａ、５ｂとの距離Ａは、第１再配線層５の厚さに対して１５倍以下（好ましくは１０倍以下）とするのが好ましい。
ダミー配線８、９と第１再配線層５との距離Ａは、１００μｍ以下、（好ましくは５０μｍ以下）とすることができる。距離Ａは、例えば３０〜１００μｍ（好ましくは３０〜５０μｍ）とすることができる。
距離Ａをこの範囲とすることによって、第１再配線層５と第２再配線層７との間で十分な絶縁性を得ることができる。
【００２３】
ダミー配線８、９は、第１再配線層５と第２再配線層７との最小離間距離Ｂが、第１再配線層５が形成されていない位置における第１絶縁樹脂層４と第２再配線層７との離間距離Ｃに対し、５０％以上（好ましくは７０％以上）となるように形成されていることが好ましい。
最小離間距離Ｂが上記範囲となるようにダミー配線８、９を形成することによって、第１再配線層５と第２再配線層７との間で十分な絶縁性を得ることができる。
ダミー配線８、９は、一部が第２再配線層７に重なるように形成されている。
【００２４】
第２絶縁樹脂層６は、絶縁性の樹脂層であり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）などにより構成され、その厚みは、５〜５０μｍが好ましい。
【００２５】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の一例を説明する。
スピンコート法、キャスティング法、印刷法（スクリーン印刷法等）などにより、半導体ウエハ３全面にポリイミド系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４を得る。
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法、蒸着法等によりシード層を形成する。シード層は、密着層上に給電層を有する２層構造とすることができる。密着層の厚さは１０〜１００ｎｍが好ましく、給電層の厚さは１００〜５００ｎｍが好ましい。
密着層には、クロム、ニッケル、チタン、チタン−タングステン合金等を用いるのが好ましい。給電層には、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等を用いるのが好ましい。
次いで、シード層上にレジストを形成する。レジストは、第１再配線層５およびダミー配線８、９を形成するべき位置以外の領域に形成する。
【００２６】
次いで、メッキ法によって、レジストが形成されていない位置に第１再配線層５およびダミー配線８、９を形成する。メッキ法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法を採用できる。
次いで、レジストを除去するとともに、第１再配線層５およびダミー配線８、９以外の領域に形成されたシード層をエッチングにより除去し、第１絶縁樹脂層４を露出させる。
次いで、第１絶縁樹脂層４、第１再配線層５、ダミー配線８、９の上に第２絶縁樹脂層６を形成する。第２絶縁樹脂層６は、第１再配線層５と第２再配線層７とが接続される箇所を除いて形成する。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第２再配線層７を形成するべき位置以外の領域にレジストを形成し、メッキ法によって第２再配線層７を形成する。
次いで、レジストおよびシード層を除去した後、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７の上に、電極パッド（図示略）を除く領域に封止樹脂層（図示略）を形成する。
次いで、はんだペースト印刷法によって、はんだペーストを電極パッド上に載せ、リフロー処理で溶融させ、はんだバンプ（図示略）とする。
なお、はんだバンプを形成するには、はんだボール搭載法を採用することもできる。
以上の過程を経て、図１に示すＷＬＣＳＰ１を得る。
【００２７】
ＷＬＣＳＰ１では、次に示す効果を奏する。
（１）図７に示す従来のＷＬＣＳＰ７１では、第１再配線層５に相当する部分の第２絶縁樹脂層６が上方に突出した形状となり、突出部分の側縁部に相当する部分、すなわち第１再配線層５の角部付近において第２絶縁樹脂層６が薄くなることがある。
これに対し、ＷＬＣＳＰ１では、第１再配線層５の側方に配されるダミー配線８、９を備え、ダミー配線８、９の側縁部８ａ、９ａが、第１再配線層５の側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成されている。
このため、再配線層５、７の重なり位置Ｄを含む、再配線層５の長さ方向の十分な範囲において、第２絶縁樹脂層６は、第１再配線層５上に相当する部分だけでなくその側方部分も含めて突出した形状となる。
このため、第２絶縁樹脂層６が第１再配線層５の角部５ｃ付近において薄くなることがない。
よって、第１再配線層５と第２再配線層７との離間距離を大きくし、十分な絶縁が可能となる。従って、実装状態における信頼性を高めることができる。
（２）ダミー配線８、９を、第１再配線層５と同じ材料（例えばＣｕ）で構成することによって、ダミー配線８、９を第１再配線層５を形成する際に併せて形成することができる。
従って、ダミー配線８、９を容易に形成することができる。
（３）ダミー配線８、９を、第１再配線層５にほぼ等しい高さか、第１再配線層５より高く形成することによって、ダミー配線８、９上に相当する部分を十分に高い位置に形成することができる。
従って、第２絶縁樹脂層６が第１再配線層５上で薄く形成されるのを確実に防ぐことができ、十分な絶縁性を得ることができる。
【００２８】
上記ＷＬＣＳＰ１の製造方法では、第１再配線層５およびダミー配線８、９が形成される位置以外の領域にレジストを形成し、レジストが形成されていない位置に、メッキ法により第１再配線層５およびダミー配線８、９を形成する。
このため、ダミー配線８、９を、第１再配線層５を形成する際に併せて形成することができる。従って、ダミー配線８、９を容易に形成することができ、製造コスト低減が可能となる。
【００２９】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の第２の例を説明する。
第１の例の製造方法では、レジストを用いてメッキ法により再配線層５、７およびダミー配線８、９を形成したが、これらをレジストを用いずに形成することもできる。
すなわち、絶縁樹脂層４、６上にシード層を形成した後、再配線層５、７およびダミー配線８、９を形成するべき位置以外の領域のシード層をレーザ光の照射により酸化したのち、メッキを行う。
レーザ光の照射には、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザを用いることができる。
レーザ光により酸化された領域にはメッキによる金属付着が起こらないため、メッキによって、レーザ光が照射されなかった位置に再配線層５、７およびダミー配線８、９が形成される。
【００３０】
次に、本発明の半導体装置の他の例を説明する。
ダミー配線は、直線状に限定されず、第１再配線層５の形状に即した形状とすることができる。
図３に示すＷＬＣＳＰ３１では、第１再配線層５が、直線配線１０と屈曲配線１１とを備えている。
屈曲配線１１は、直線配線１０に平行な平行部分１２と、平行部分１２の下端から平行部分１２に対し傾斜して延びる傾斜部分１３とを備えている。傾斜部分１３は、図３における下方に向けて徐々に直線配線１０から離れる方向に傾斜して形成されている。
ＷＬＣＳＰ３１では、図３における直線配線１０の左方に直線状の第１ダミー配線１４が形成されている。直線配線１０の右方、すなわち直線配線１０と傾斜部分１３との間には、三角形状の第２ダミー配線１５が形成されている。屈曲配線１１の傾斜部分１３の右方には、直線状の第３ダミー配線１６が形成されている。
第１ダミー配線１４の側縁部１４ａは、直線配線１０の一方の側縁部１０ａに対向する位置にあり、この側縁部１０ａに沿うように形成されている。
第２ダミー配線１５の第１側縁部１５ａは、直線配線１０の他方の側縁部１０ｂに対向する位置にあり、この側縁部１０ｂに沿うように形成されている。
第２ダミー配線１５の第２側縁部１５ｂは、傾斜部分１３の一方の側縁部１３ａに対向する位置にあり、この側縁部１３ａに沿うように形成されている。
第３ダミー配線１６の側縁部１６ａは、傾斜部分１３の他方の側縁部１３ｂに対向する位置にあり、この側縁部１３ｂに沿うように形成されている。
ダミー配線１４〜１６は、一部が第２再配線層７に重なるように形成されている。
第２再配線層７は、第１ダミー配線１４上から第２ダミー配線１５上を経て第３ダミー配線１６上に至るように形成されている。
【００３１】
図４に示すＷＬＣＳＰ４１では、第１再配線層５の両側方に、それぞれ矩形状のダミー配線１８、１９が設けられている。ダミー配線１８、１９の側縁部１８ａ、１９ａは、これに対向する第１再配線層５の側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成されている。
【００３２】
図５に示すＷＬＣＳＰ５１では、それぞれ略半円状のダミー配線２１、２２が設けられている。ダミー配線２１、２２は、内側の側縁部２１ａ、２２ａが、これに対向する第１再配線層５の側縁部５ａ、５ｂに沿うように形成され、外側の側縁部２１ｂ、２２ｂが略円弧状に形成されている。
このＷＬＣＳＰ５１では、ダミー配線２１、２２が略半円状に形成されているので、図４に示すＷＬＣＳＰ４１に比べ、ダミー配線２１、２２の面積を小さくできる。このため、ダミー配線２１、２２を短時間で形成することができ、製造が容易となる。
また、ダミー配線２１、２２が略半円状に形成されているので、第１再配線層５およびダミー配線２１、２２以外の領域に形成されたシード層をエッチングにより除去する際に、エッチング液を容易に前記領域全体に行き渡らせることができる。従って、前記領域のシード層を確実に除去することができる。
【００３３】
図６に示すＷＬＣＳＰ６１では、ダミー配線２３、２４の高さが第１再配線層５の高さより高いこと以外は、図１に示すＷＬＣＳＰ１と同様の構成である。
ダミー配線２３、２４の高さは、第１再配線層５の高さに対し、例えば１．５倍以上（好ましくは２倍以上）とすることができる。
このＷＬＣＳＰ６１では、第２絶縁樹脂層６が第１再配線層５上で薄く形成されるのを確実に防ぐことができ、十分な絶縁性を得ることができる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図１に示すＷＬＣＳＰ１を次のようにして製造した。
２ｍｍ×３ｍｍの半導体チップを有する６インチの半導体ウエハ３上に、スピンコート法によりポリイミド系樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法によりシード層を形成した。
シード層は、Ｃｒからなる密着層（厚さ３０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性材料からなるレジストを、第１再配線層５およびダミー配線８、９を形成するべき位置以外の領域のシード層に、スピンコート法により形成し、電解メッキ法によってＣｕからなる第１再配線層５（厚さ１５±１μｍ、幅５０±１μｍ）およびダミー配線８、９（厚さ１５±１μｍ、幅５０±１μｍ）を形成した。
ダミー配線８、９と第１再配線層５との距離Ａは３０±１μｍとした。
レジストを除去し、第１再配線層５およびダミー配線８、９を除く領域に形成されたシード層をエッチングにより除去した後、第１絶縁樹脂層４および第１再配線層５上に第２絶縁樹脂層６を形成した（厚さ１５±１μｍ）。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第１再配線層５と同様にレジストを形成した後、メッキ法によってＣｕからなる第２再配線層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７上に、電極パッド（直径２８０±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層１０（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだペースト印刷法によって、鉛を含まないはんだペーストを電極パッド上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプとし、ＷＬＣＳＰ１を得た。
このＷＬＣＳＰ１では、第１再配線層５と第２再配線層７との最小離間距離は、図７に示す従来のＷＬＣＳＰ７１に比べて約５０％大きいことが確認された。
【００３５】
（実施例２）
図１に示すＷＬＣＳＰ１を次のようにして製造した。
１．３ｍｍ×２ｍｍの半導体チップを有する８インチの半導体ウエハ３上に、スクリーン印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法によりシード層を形成した。
シード層は、ＴｉＷからなる密着層（厚さ５０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性材料からなるレジストを、第１再配線層５およびダミー配線８、９を形成するべき位置以外の領域のシード層に、スピンコート法により形成し、電解メッキ法によってＣｕからなる第１再配線層５（厚さ１５±１μｍ、幅５０±１μｍ）およびダミー配線８、９（厚さ１５±１μｍ、幅５０±１μｍ）を形成した。
ダミー配線８、９と第１再配線層５との距離Ａは３０±１μｍとした。
レジストを除去し、第１再配線層５およびダミー配線８、９を除く領域に形成されたシード層をエッチングにより除去した後、第１絶縁樹脂層４および第１再配線層５上に第２絶縁樹脂層６を形成した（厚さ１５±１μｍ）。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第１再配線層５と同様にレジストを形成した後、メッキ法によってＣｕからなる第２再配線層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７上に、電極パッド（直径２５０±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層１０（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだボール搭載法によって、共晶タイプのはんだを電極パッド上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプとし、ＷＬＣＳＰ１を得た。
第１再配線層５と第２再配線層７との最小離間距離は、図７に示す従来のＷＬＣＳＰ７１に比べて約５０％大きいことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の半導体装置は、各種フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circit）などの回路基板に歩留まりよく実装できる。
このため、本願発明の半導体装置は、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、光送受信機器などのように、半導体装置が実装された回路基板を備えた各種電子機器に有利に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の半導体装置の第１の例を示す正断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の要部を示す平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第２の例の要部を示す平面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第３の例の要部を示す平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第４の例の要部を示す平面図である。
【図６】本発明の半導体装置の第５の例を示す正断面図である。
【図７】従来の半導体装置の例を示す正断面図である。
【図８】図７に示す半導体装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ＷＬＣＳＰ（半導体装置）、３…半導体ウエハ（半導体基板）、４…第１絶縁樹脂層（第１絶縁層）、５…第１再配線層（第１導電部）、６…第２絶縁樹脂層（第２絶縁層）、７…第２再配線層（第２導電部）、８、９、１４、１５、１６、１８、１９、２１、２２、２３、２４…ダミー配線（凸部）、Ａ…ダミー配線（凸部）と第１再配線層（第１導電部）との距離、Ｂ…第１再配線層（第１導電部）と第２再配線層（第２導電部）との最小離間距離、Ｃ…第１再配線層（第１導電部）が形成されていない位置における第１絶縁樹脂層（第１絶縁層）と第２再配線層（第２導電部）との離間距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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