(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電源から電力が供給される電子機器における複数の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から前記電子機器を保護する保護装置であって、
前記複数の監視箇所にそれぞれ配置され、前記電子機器の温度、電圧又は電流を検出して電気信号を出力する検出素子と、
所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成する発振回路と、
前記複数の監視箇所における各検出素子に印加する電気信号を生成する保護制御回路と、
前記複数の監視箇所の検出素子に生じた前記電気信号を検出する検出回路と、
前記検出回路から出力される出力信号に基づいて前記電子機器への電力の供給を遮断する電力遮断手段とを備え、
前記保護制御回路から検出素子に印加される前記電気信号は、前記クロック信号を分周した信号であり、
前記検出素子は、Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数。）個の検出箇所にそれぞれ配置され、
前記保護制御回路は、前記クロック信号に同期したＮ個の異なる位相によって前記各検出素子を順次駆動する保護装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記保護制御回路は、前記クロック信号を少なくともＮ分周する分周回路を含む保護装置。
【請求項３】
外部電源から電力が供給される電子機器における複数の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から前記電子機器を保護する保護装置であって、
前記複数の監視箇所にそれぞれ配置され、前記電子機器の温度、電圧又は電流を検出して電気信号を出力する検出素子と、
所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成する発振回路と、
前記複数の監視箇所における各検出素子に印加する電気信号を生成する保護制御回路と、
前記複数の監視箇所の検出素子に生じた前記電気信号を検出する検出回路と、
前記検出回路から出力される出力信号に基づいて前記電子機器への電力の供給を遮断する電力遮断手段とを備え、
前記保護制御回路から検出素子に印加される前記電気信号は、前記クロック信号を分周した信号である保護装置の電気量検出方法であって、
前記保護装置は、
前記監視箇所に配置され、前記監視箇所の温度、電圧又は電流の値を検出する検出素子と、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成して出力するクロック生成回路と、前記クロック信号のオン時間に信号電流を出力する電流源とを有し、
前記検出素子に前記信号電流を印加するステップ（ａ）と、
前記信号電流が印加されることにより、前記検出素子から生じた電気量を検出するステップ（ｂ）とを備えている保護装置の電気量検出方法において、
前記電子機器には、前記監視箇所が複数設けられ、
前記検出素子は前記複数の監視箇所に対応して複数配置され、
前記ステップ（ａ）において、前記複数の検出素子は、前記電流源からの信号電流が順次印加され、
前記ステップ（ｂ）において、前記信号電流が順次印加されることにより、前記各検出素子から生じた電気量を順次検出する保護装置の電気量検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の異常温度や異常電流等を検出し、電子機器への供給電力を遮断するなどして保護する保護装置、その保護方法、その信号処理方法及びその電気量検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話に代表される電子機器は、電池やＡＣ（alternatig current）アダプタのような外部電源から電力を供給されて動作する。このような電子機器の保護装置においては、電子機器の内部の異常状態を検出すると、外部電源からの電力の供給を遮断するのが一般的である。
【０００３】
このような従来の保護装置は、例えば特許文献１に記載されている。図１２は特許文献１に記載されている保護装置を一般化して示している。特許文献１に係る保護装置は、外部電源にリチウムイオン電池８０を用い、該リチウムイオン電池８０の放電電流を制御するＮＭＯＳ（n-type metal-oxide-semiconductor）トランジスタ８１と、充電電流を制御するＮＭＯＳトランジスタ８２とが設けられている。
【０００４】
制御回路８３は、リチウムイオン電池８０からの放電電流を制御するために、ＮＭＯＳトランジスタ８１を制御する信号Ｖ１を出力し、リチウムイオン電池８０への充電電流を制御するために、ＮＭＯＳトランジスタ８２を制御する信号Ｖ２を出力する。温度検出回路８４は、ＮＭＯＳトランジスタ８１の周囲温度を検出し、温度検出回路８５はＮＭＯＳトランジスタ８２の周囲温度を検出する。温度検出回路８４及び８５は、検出温度が所定値、例えば１００℃以上になると、「Ｈ（ハイ）」レベルの信号を出力する。
【０００５】
ＮＭＯＳトランジスタ８１のゲートソース間に接続されたＮＭＯＳトランジスタ８６は、温度検出回路８４の出力が「Ｌ（ロー）」レベルのとき、ＮＭＯＳトランジスタ８６はオフ状態となって、ＮＭＯＳトランジスタ８１のゲートに信号Ｖ１を印加する。逆に、温度検出回路８４の出力が「Ｈ」レベルのときは、ＮＭＯＳトランジスタ８６はオン状態となって、ＮＭＯＳトランジスタ８１のゲートを接地してオフ状態とする。すなわち、ＮＭＯＳトランジスタ８１の周囲温度が所定値を超えると異常状態であると判断し、リチウムイオン電池８０からの放電電流を遮断する。
【０００６】
ＮＭＯＳトランジスタ８２のゲートソース間に接続されたＮＭＯＳトランジスタ８７は、温度検出回路８５の出力が「Ｌ」レベルのとき、ＮＭＯＳトランジスタ８７はオフ状態となって、ＮＭＯＳトランジスタ８２のゲートに信号Ｖ２を印加する。逆に、温度検出回路８５の出力が「Ｈ」レベルのときは、ＮＭＯＳトランジスタ８７はオン状態となって、ＮＭＯＳトランジスタ８２のゲートを接地してオフ状態にする。すなわち、ＮＭＯＳトランジスタ８２の周囲温度が所定値を超えると異常状態であると判断し、リチウムイオン電池８０への充電電流を遮断する。
【０００７】
電源端子８８、８９により、ＮＭＯＳトランジスタ８１及びＮＭＯＳトランジスタ８２がオン状態のときに、リチウムイオン電池８０の電圧を電子機器に供給する。
【特許文献１】特開平１１−２８９６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の保護装置は、温度検出を行なうのは電源供給をオンオフするスイッチ素子の周囲温度だけである。携帯電話に代表される近年の電子機器は多機能化及び高消費電力化が進み、温度、電流又は電圧を監視すべき部位も多くなってきている。このため、複数部位の温度又は電気量の検出に消費電力が増大するという問題がある。
【０００９】
本発明は、前記従来の問題を解決し、複数の温度検出回路又は電気量検出回路を設けたとしても消費電力を低減可能な保護装置を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、保護装置を、オンオフ状態を所定周期で繰り返すクロック信号に同期して検出動作を行なわせる構成とする。
【００１１】
具体的に、本発明に係る第１の保護装置は、外部電源から電力が供給される電子機器における所定の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から電子機器を保護する保護装置を対象とし、監視箇所に配置され、電子機器の温度、電圧又は電流を検出して電気信号を出力する検出素子と、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成する発振回路と、クロック信号のオン時間に、検出素子に生じた電気信号を検出する検出回路とを備え、検出回路から出力される出力信号に基づいて電子機器への電力の供給を遮断する。
【００１２】
第１の保護装置によると、クロック信号と同期した所定の周期内のオン時間でのみ検出動作を行なうため、連続的に検出動作を行なう従来の保護装置と比べて消費電力を低減することができる。このため、電子機器の複数の監視箇所に対して検出動作を行なったとしても、消費電力の増大を抑えることが可能となる。
【００１３】
第１の保護装置は、外部電源と電子機器との間の電力供給線に設けられ、電子機器への電力の供給を制御するスイッチ回路をさらに備え、検出素子は、スイッチ回路の温度を検出し、検出した温度に応じた電気信号を出力する温度検出素子であり、スイッチ回路は、検出回路の出力信号により遮断されることが好ましい。
【００１４】
また、第１の保護装置は、外部電源と電子機器との間の電力供給線に設けられ、電子機器への電力の供給を制御するスイッチ回路をさらに備え、検出素子は、電子機器を構成する素子の温度を検出し、検出した温度に応じた電気信号を出力する温度検出素子であり、スイッチ回路は、検出回路の出力信号により遮断されることが好ましい。
【００１５】
また、第１の保護装置は、外部電源と電子機器との間の電力供給線に設けられ、電子機器への電力の供給を制御するスイッチ回路をさらに備え、検出素子は、電力供給線と接続されて電力供給線の電圧を検出し、検出した電圧に応じた電気信号を出力する電圧検出素子であり、スイッチ回路は、検出回路の出力信号により遮断されることが好ましい。
【００１６】
また、第１の保護装置は、外部電源と電子機器との間の電力供給線に設けられ、電子機器への電力の供給を制御するスイッチ回路をさらに備え、検出素子は、電力供給線と接続されて外部電源の出力電流に応答した電流を検出し、検出した電流に応じた電気信号を出力する電流検出素子であり、スイッチ回路は、検出回路の出力信号により遮断されることが好ましい。
【００１７】
第１の保護装置は、クロック信号のオン時間に、検出素子に印加される電気信号を生成する保護制御回路をさらに備え、検出素子は、Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数。）個の検出箇所にそれぞれ配置され、保護制御回路は、クロック信号に同期したＮ個の異なる位相によって各検出素子を駆動することが好ましい。
【００１８】
この場合に、保護制御回路は、クロック信号を少なくともＮ分周する分周回路を含むことが好ましい。
このようにすると、クロック信号をＮ分周したＮ通りの周期に従ってＮ箇所の検出動作を順次行なうことができるため、消費電力を低減しながら複数箇所に対して検出動作を確実に行なうことができる。
【００１９】
第１の保護装置は、検出回路の出力信号と、基準となる基準信号とを比較した比較結果を出力する比較回路を含み、且つ該比較回路の出力信号を計数してその計数結果が所定の回数を超えた場合に、電子機器への電力の供給を遮断する判定回路をさらに備えていることが好ましい。
【００２０】
このようにすると、外来ノイズ等による保護装置の誤作動を防止することができる。
【００２１】
この場合に、判定回路は、クロック信号を所定の時間だけ遅延させた信号を出力する遅延回路と、クロック信号に応じて検出素子に電流を断続的に供給し、検出素子に発生した信号を出力する検出回路と、比較回路の出力信号と遅延回路からの出力信号とを論理積演算する論理回路と、論理回路の出力信号をリセット端子に印加し、比較回路の出力信号をクロック入力端子に印加してカウント動作するカウンタ回路とをさらに有し、カウンタ回路の出力信号により電子機器への電力の供給が遮断されることが好ましい。
【００２２】
第１の保護装置は、電子機器への電力の供給が遮断されるときの温度、電圧又は電流を記録する記録手段をさらに備えていることが好ましい。
【００２３】
このようにすると、電子機器がどのような動作環境で使用されていたかを解析することが可能となる。
【００２４】
この場合に、記録手段は、検出回路が検出した一のデータと、記録手段に記録された他のデータのうち大きい方のデータを記録することが好ましい。
【００２５】
また、この場合に、第１の保護装置は中央演算処理装置をさらに備え、記録手段は中央演算処理装置から与えられる信号によって動作することが好ましい。
【００２６】
このようにすると、異常発生時のデータ収集が容易となる。
【００２７】
この場合に、中央演算処理装置が保持する内部信号を外部に伝達する伝達手段をさらに備えていることが好ましい。
【００２８】
また、この場合に、中央演算処理装置は、脱着可能に設けられた第１の電源と接続され、記録手段は、第１の電源と独立に設けられた第２の電源と接続されていることが好ましい。
【００２９】
本発明に係る第２の保護装置は、第１の電子機器及び第２の電子機器における所定の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から電子機器を保護する保護装置を対象とし、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成する発振回路と、クロック信号のオン時間に監視箇所の温度、電圧又は電流を検出する検出回路と、検出回路の出力信号により電子機器への電力の供給を遮断するスイッチ回路とを備え、発振回路及び検出回路は集積化されて集積回路を構成し、集積回路及び第１の電子機器は第１基板に実装され、第２の電子機器は第２基板に実装され、第１基板は第１基板用外部電源により電力が供給され、第２基板は第２基板用外部電源により電力が供給され、集積回路、第１の電子機器、第２の電子機器、第１基板用外部電源及び第２基板用外部電源のうちの少なくとも１つを監視箇所とする
第２の保護装置によると、検出素子、例えばサーミスタを除く保護装置を集積化により小型化（１チップ化）し、且つ電子機器が複数の基板に実装されていても、電子機器の複数の監視箇所の温度を確実に検出することができる。
【００３０】
本発明に係る保護装置の保護方法は、電子機器における所定の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から前記電子機器を保護する保護装置の保護方法を対象とし、保護装置は、監視箇所に配置され、監視箇所の温度、電圧又は電流値を検出する検出素子と、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成して出力するクロック生成回路と、クロック信号のオン時間に信号電流を出力する電流源とを有し、検出素子に信号電流を印加して生成した電気量を収集するステップと、収集した電気量に基づいて電子機器を保護するステップとを備えている。
【００３１】
本発明の保護装置の保護方法によると、クロック信号と同期した所定の周期内のオン時間でのみ間欠的に検出動作を行なうため、連続的に検出動作を行なう従来の保護装置と比べて消費電力を低減することができる。このため、電子機器の複数の監視箇所に対して検出動作を行なっても、消費電力の増大を抑えることが可能となる。
【００３２】
本発明に係る保護装置の信号処理方法は、電子機器における所定の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から電子機器を保護する保護装置の信号処理方法を対象とし、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成するステップと、クロック信号のオン時間に、監視箇所の温度、電圧又は電流を検出するステップと、検出回路の出力信号に基づいて電子機器への電力の供給を遮断するステップと、検出回路の出力信号に基づいて電力の供給が遮断されたときの温度、電圧又は電流検出手段からの出力データを記録するステップとを備えている。
【００３３】
本発明の保護装置の信号処理方法によると、電子機器の複数の監視箇所に対して検出動作を行なったとしても、消費電力の増大を抑えることが可能となり、その上、電子機器がどのような動作環境で使用されていたかを解析することが可能となる。
【００３４】
本発明の保護装置の信号処理方法において、出力データを外部に配置された中央演算処理装置に転送するステップをさらに備えていることが好ましい。
【００３５】
本発明に係る保護装置の電気量検出方法は、電子機器における所定の監視箇所の温度、電圧又は電流を検出し、過度な温度、電圧又は電流から電子機器を保護する保護装置の電気量検出方法を対象とし、保護装置は、監視箇所に配置され、監視箇所の温度、電圧又は電流の値を検出する検出素子と、所定の周期及びオン時間を有するクロック信号を生成して出力するクロック生成回路と、クロック信号のオン時間に信号電流を出力する電流源とを有し、検出素子に信号電流を印加するステップ（ａ）と、信号電流が印加されることにより、検出素子から生じた電気量を検出するステップ（ｂ）とを備えている。
【００３６】
本発明の保護装置の電気量検出方法によると、電子機器の複数の監視箇所に対して検出動作を行なったとしても、消費電力の増大を抑えることが可能となる。
【００３７】
本発明の保護装置の電気量検出方法において、電子機器には監視箇所が複数設けられ、検出素子は複数の監視箇所に対応して複数配置されており、ステップ（ａ）において、複数の検出素子は、電流源からの信号電流が順次印加され、ステップ（ｂ）において、信号電流が順次印加されることにより、各検出素子から生じた電気量を順次検出することが好ましい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明に係る保護装置及びその駆動方法によると、クロック信号に同期させて検出動作を行なうため、異常の検出に要する電力、すなわち消費電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
（第１の実施形態）
本発明に係る第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図１は本発明の第１の実施形態に係る保護装置の回路構成を示している。図１に示すように、第１の実施形態に係る保護装置は、第１の電源端子１に外部電源である電池１０の正極が接続され、第２の電源端子２に第１のＮＭＯＳトランジスタ１１及び第２のＮＭＯＳトランジスタを介して電池１０の接地された負極が接続された電子機器３に対して保護動作を行なう。
【００４１】
第１のＮＭＯＳトランジスタ１１は電池１０の放電電流を制御し、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２は電池１０の充電電流を制御する。第１のＮＭＯＳトランジスタ１１のゲートには、電池１０の正極と接続された制御回路１３から第１のＮＭＯＳトランジスタ１１を制御する第１の信号Ｖ１を受け、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲートには、制御回路１３から第２のＮＭＯＳトランジスタ１２を制御する第２の信号Ｖ２を受ける。
【００４２】
保護装置は、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１のゲートソース間に接続された第３のＮＭＯＳトランジスタ１８と、第１のサーミスタ１４０を含む第１の温度検出回路１４と、第１の温度検出回路１４に定電流を流すと共に、第１のサーミスタ１４０の電圧降下を基準電圧と比較して、比較結果に応じて第３のＮＭＯＳトランジスタ１８をオンオフする第１の比較回路１５と、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲートソース間に接続された第４のＮＭＯＳトランジスタ１９と、第２のサーミスタ１６０を含む第２の温度検出回路１６と、第２の温度検出回路１６に定電流を流すと共に、第２のサーミスタ１６０の電圧降下を基準電圧と比較して、比較結果に応じて第４のＮＭＯＳトランジスタ１９をオンオフする第２の比較回路１７と、第１の温度検出回路１４及び第２の温度検出回路１６に周期Ｔｓでハイ及びローを繰り返すクロック信号Ｖｃｋを生成して出力する発振回路２０とにより構成されている。ここで、クロック信号Ｖｃｋにおける「Ｈ」レベルの時間をオン時間Ｔｏｎとする。
【００４３】
具体的には、第１の温度検出回路１４は、一端が接地された第１のサーミスタ１４０と、ソースが第１のサーミスタ１４０の他端と接続され、ゲートが第１の駆動抵抗器１４２を介してクロック信号Ｖｃｋを受け、ドレインが第１の比較回路１５からの定電流を受ける第５のＮＭＯＳトランジスタ１４１とから構成される。第１のサーミスタ１４０は、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１の周囲温度を検出するため、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１の近傍に配置され、第５のＮＭＯＳトランジスタ１４１を介して電流が流される。
【００４４】
第１の比較回路１５は、正相端子に第１の基準電圧源１５１からの基準電圧を受け、逆相端子に第１の定電流源１５２が接続された第１の比較器１５０から構成される。第１の定電流源１５２は、第１の温度検出回路１４における第５のＮＭＯＳトランジスタ１４１を介して第１のサーミスタ１４０に定電流を流し、第１のサーミスタ１４０の電圧降下を第１の基準電圧源１５１の基準電圧と比較する。
【００４５】
同様に、第２の温度検出回路１６は、一端が接地された第２のサーミスタ１６０と、ソースが第２のサーミスタ１６０の他端と接続され、ゲートが第２の駆動抵抗器１６２を介してクロック信号Ｖｃｋを受け、ドレインが第２の比較回路１７からの定電流を受ける第６のＮＭＯＳトランジスタ１６１とから構成される。第２のサーミスタ１６０は、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２の周囲温度を検出するため、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２の近傍に配置され、第６のＮＭＯＳトランジスタ１６１を介して電流が流される。
【００４６】
第２の比較回路１７は、正相端子に第２の基準電圧源１７１からの基準電圧を受け、逆相端子に第２の定電流源１７２が接続された第２の比較器１７０から構成される。第２の定電流源１７２は、第２の温度検出回路１６における第６のＮＭＯＳトランジスタ１６１を介して第２のサーミスタ１６０に定電流を流し、第２のサーミスタ１６０の電圧降下を第２の基準電圧源１７１の基準電圧と比較する。
【００４７】
以下、前記のように構成された本発明の第１の実施形態に係る保護装置の動作を説明する。
【００４８】
まず、クロック信号Ｖｃｋが「Ｌ」レベルのときには、第１の温度検出回路１４における第５のＮＭＯＳトランジスタ１４１及び第２の温度検出回路１６における第６のＮＭＯＳトランジスタ１６１は共にオフ状態であるため、第１のサーミスタ１４０及び第２のサーミスタ１６０には電流が流れない。従って、第１の比較回路１５及び第２の比較回路１７は検出電流が０となることにより、これら第１の比較回路１５及び第２の比較回路１７から第３のＮＭＯＳトランジスタ１８及び第４のＮＭＯＳトランジスタ１９の各ゲートに「Ｌ」レベルの信号が出力される。このため、第３のＮＭＯＳトランジスタ１８及び第４のＮＭＯＳトランジスタ１９は共にオフ状態となるので、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１のゲートには制御回路１３からの信号Ｖ１が印加され、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲートには制御回路１３からの信号Ｖ２が印加される。
【００４９】
次に、クロック信号Ｖｃｋが「Ｈ」レベルのときには、第１の温度検出回路１４における第５のＮＭＯＳトランジスタ１４１及び第２の温度検出回路１６における第６のＮＭＯＳトランジスタ１６１は共にオン状態となるため、第１のサーミスタ１４０及び第２のサーミスタ１６０に電流が流れる。第１のサーミスタ１４０及び第２のサーミスタ１６０は、その抵抗値が温度の上昇と共に低下する特性（負の抵抗温度係数）を有するとすると、第１のサーミスタ１４０及び第２のサーミスタ１６０の電圧降下は温度の上昇と共に低下する。すなわち、クロック信号Ｖｃｋが「Ｈ」レベルのとき、第１の比較回路１５及び第２の比較回路１７の検出電圧は、温度の上昇と共に低下する。
【００５０】
第１の比較回路１５は、この検出電圧を第１の基準電圧源１５１の基準電圧（例えば、第１のサーミスタ１４０の温度が１００℃に相当する場合の抵抗値で決まる電圧降下量）と比較して、その比較結果を第３のＮＭＯＳトランジスタ１８のゲートに出力する。第２の比較回路１７においても同様である。第１の比較回路１５の出力信号が「Ｌ」レベルのとき、第３のＮＭＯＳトランジスタ１８はオフ状態となるため、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１のゲートには制御回路１３から信号Ｖ１が印加される。これに対し、第１の比較回路１５からの出力信号が「Ｈ」レベルのときには、第３のＮＭＯＳトランジスタ１８はオン状態となって、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１はオフ状態となる。すなわち、保護装置は、第１のＮＭＯＳトランジスタ１１の周囲温度が所定値である１００℃を超えると異常状態であると判断して、電池１０からの放電電流を遮断する。
【００５１】
同様に、第２の比較回路１７の出力信号が「Ｌ」レベルのとき、第４のＮＭＯＳトランジスタ１９はオフ状態となるため、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲートには制御回路１３から信号Ｖ２が印加される。これに対し、第２の比較回路１７からの出力信号が「Ｈ」レベルのときには、第４のＮＭＯＳトランジスタ１９はオン状態となって、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２はオフ状態となる。すなわち、保護装置は、第２のＮＭＯＳトランジスタ１２の周囲温度が所定値である１００℃を超えると異常状態であると判断し、電池１０への充電電流を遮断する。
【００５２】
以上説明したように、第１の実施形態によると、第１の温度検出回路１４及び第２の温度検出回路１６に電流が流れて検出電圧が発生するのは、クロック信号Ｖｃｋのオン時間Ｔｏｎのみである。このオン時間以外では検出はされないが、何らかの原因でトランジスタでの消費電力が異常に増大したとしても、トランジスタが破損に至る危険なレベルの温度に上昇するまでにはある程度の時間を要する。温度検出されるトランジスタの過渡熱抵抗にもよるが、クロック信号Ｖｃｋが「Ｌ」レベルであるオフ時間は数ミリ秒から数秒間に設定可能であり、また、検出時間であるオン時間Ｔｏｎは数マイクロ秒もあれば充分である。従って、電流を常時流す従来の構成と比べると、検出に要する消費電流をＴｏｎ／Ｔｓ（＜１／１０００）にすることができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
以下、本発明に係る第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５４】
図１に示した第１の実施形態においては、電池１０の負極と電子機器３の電源端子２を結ぶグランドラインとに接続された第１のＮＭＯＳトランジスタ１１及び第２のＮＭＯＳトランジスタ１２が電池１０の放電電流及び充電電流をそれぞれ遮断する保護装置を説明した。
【００５５】
本発明に係る保護装置は、第１の実施形態以外にも適用可能である。例えば、図２（ａ）に示す第２の実施形態に係る保護装置は、電池１０と電子機器３とはグランドラインを共有し、且つ、電源ラインに直列に接続された第１のＰＭＯＳトランジスタ２１が電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する保護装置である。
【００５６】
図２（ａ）に示すように、第２の実施形態に係る保護装置は、第１の電源端子１に第１のＰＭＯＳトランジスタ２１を介して外部電源である電池１０の正極が接続され、第２の電源端子２に電池１０の接地された負極が接続された電子機器３に対して保護動作を行なう。
【００５７】
第１のＰＭＯＳトランジスタ２１は電池１０から電子機器３への電力の供給を制御する。第１のＰＭＯＳトランジスタ２１のゲートには、電池１０の負極と接続された制御回路２２から第１のＰＭＯＳトランジスタ２１を制御する信号Ｖ１を受ける。
【００５８】
保護装置は、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１のゲートソース間に接続された第２のＰＭＯＳトランジスタ２５と、第１のサーミスタ２３１、第２のサーミスタ２３２、第２のサーミスタ２３３及び第４のサーミスタ２３４を含む温度検出回路２３と、温度検出回路２３に定電流を流すと共に、各サーミスタ２３１〜２３４の電圧降下を基準電圧とそれぞれ比較して、比較結果に応じて第２のＰＭＯＳトランジスタ２５をオンオフする比較回路２４と、周期Ｔｓでハイ及びローを繰り返すクロック信号Ｖｃｋを生成して出力する発振回路２６と、クロック信号Ｖｃｋを少なくとも４分周して制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４を生成し、温度検出回路２３に出力する保護制御回路としての分周回路２７とにより構成されている。ここで、クロック信号Ｖｃｋにおける「Ｈ」レベルの時間をオン時間Ｔｏｎとする。図２（ｂ）にクロック信号Ｖｃｋと制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４とのタイミングチャートを示す。
【００５９】
具体的には、温度検出回路２３は、一端が接地された第１のサーミスタ２３１と、ソースが第１のサーミスタ２３１の他端と接続され、ゲートが制御信号Ｖｇ１を受け、ドレインが比較回路２４からの定電流を受ける第１のＮＭＯＳトランジスタ２３５と、一端が接地された第２のサーミスタ２３２と、ソースが第２のサーミスタ２３２の他端と接続され、ゲートが制御信号Ｖｇ２を受け、ドレインが比較回路２４からの定電流を受ける第２のＮＭＯＳトランジスタ２３６と、一端が接地された第３のサーミスタ２３３と、ソースが第３のサーミスタ２３３の他端と接続され、ゲートが制御信号Ｖｇ３を受け、ドレインが比較回路２４からの定電流を受ける第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７と、一端が接地された第４のサーミスタ２３４と、ソースが第４のサーミスタ２３４の他端と接続され、ゲートが制御信号Ｖｇ４を受け、ドレインが比較回路２４からの定電流を受ける第４のＮＭＯＳトランジスタ２３８とから構成される。ここで、例えば、第１のサーミスタ２３１は、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１の周囲温度を検出するため、第１のＰＭＯＳトランジスタ１１の近傍に配置され、また、第２のサーミスタ２３２〜第４のサーミスタ２３４はそれぞれ電子機器３における所定の各監視箇所に配置される。
【００６０】
図３に、一例として、第２のサーミスタ２３２及び第３のサーミスタ２３３の配置と、主要部である比較回路２４、発振回路２６、分周回路２７及び温度検出回路２３の各ＮＭＯＳトランジスタ２３５〜２３８が集積化（１チップ化）された保護装置１０１Ａとの実装の様子を示す。図３に示すように、電子機器３を構成し且つ監視対象である第１のＩＣチップ１２１及び第２のＩＣチップ１２２と、これらを過熱から保護する保護装置１０１Ａとは、実装用基板３００上に実装され、例えば、第２のサーミスタ２３２は第１のＩＣチップ１２１の側面の近傍に配置され、第３のサーミスタ２３３は第２のＩＣチップ１２２の側面の近傍に配置されている。ここで、保護装置１０１Ａは、配線１０２を介して各サーミスタ２３２、２３３と電気的に接続されている。なお、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１を保護装置１０１Ａに集積化することも可能である。
【００６１】
比較回路２４は、図示は省略しているが、図１で示した第１の比較回路１５と同様の比較器１５０、基準電圧源１５１及び定電流源１５２からなる構成を４組分有しており、各比較器からの出力信号の否定論理和（ＮＯＲ）を出力する。比較回路２４は、第１の検出端子Ｉ１、第２の検出端子Ｉ２、第３の検出端子Ｉ３及び第４の検出端子Ｉ４と出力端子Ｏｕｔとを有している。第１の検出端子Ｉ１からは、温度検出回路２３における第１のＮＭＯＳトランジスタ２３５を介して第１のサーミスタ２３１に定電流を流し、第１のサーミスタ２３１における電圧降下を検知して基準電圧と比較する。同様に、第２の検出端子Ｉ２〜第４の検出端子Ｉ４からは、第２のＮＭＯＳトランジスタ２３６〜第４のＮＭＯＳトランジスタ２３８を介して第２のサーミスタ２３２〜第４のサーミスタ２３４に定電流を流し、各サーミスタ２３２〜２３４における電圧降下を検知して基準電圧とそれぞれ比較する。
【００６２】
以下、前記のように構成された本発明の第２の実施形態に係る保護装置の動作を説明する。
【００６３】
まず、クロック信号Ｖｃｋが「Ｌ」レベルのときには、温度検出回路２３における第１のＮＭＯＳトランジスタ２３５〜第４のＮＭＯＳトランジスタ２３８はいずれもオフ状態であるため、第１のサーミスタ２３１〜第２のサーミスタ２３４には電流が流れない。従って、比較回路２４は検出電流が０となることにより、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５のゲートに「Ｈ」レベルの信号が出力される。このため、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５はオフ状態となり、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１のゲートには制御回路２２からの信号Ｖ１が印加される。
【００６４】
次に、クロック信号Ｖｃｋが「Ｈ」レベルのときには、分周回路２７によって制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４のいずれか１つが「Ｈ」レベルとなる。例えば、制御信号Ｖｇ１が「Ｈ」レベルのときには、第１のＮＭＯＳトランジスタ２３５はオン状態となるため、第１のサーミスタ２３１に電流が流れる。第１のサーミスタ２３１は、その抵抗値が温度の上昇とともに低下する特性を有するとすると、第１のサーミスタ２３１の電圧降下は温度の上昇と共に低下する。すなわち、制御信号Ｖｇ１が「Ｈ」レベルのとき、比較回路２４における第１の検出端子Ｉ１の電圧は、温度の上昇と共に低下する。比較回路２４は第１の検出端子Ｉ１の電圧を基準電圧（例えば、第１のサーミスタ２３１の温度が１００℃に相当する場合の抵抗値で決まる電圧降下量）と比較して、その比較結果を出力端子Ｏｕｔから第２のＰＭＯＳトランジスタ２５のゲートに出力する。比較回路２４の出力端子Ｏｕｔが「Ｈ」レベルのとき、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５はオフ状態となって第１のＰＭＯＳトランジスタ２１のゲートに制御回路２２から信号Ｖ１が印加される。これに対し、比較回路２４の出力端子Ｏｕｔが「Ｌ」レベルのときには、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５はオン状態となって、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１がオフ状態となる。すなわち、保護装置は、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１の周囲温度が所定値である１００℃を超えると異常状態であると判断して、電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する。
【００６５】
同様に、制御信号Ｖｇ２が「Ｈ」レベルのときには、温度検出回路２３の第２のＮＭＯＳトランジスタ２３６はオン状態となるため、第２のサーミスタ２３２に電流が流れる。第２のサーミスタ２３２は、その抵抗値が温度の上昇と共に低下する特性を有するとすると、第２のサーミスタ２３２の電圧降下は温度の上昇と共に低下する。すなわち、制御信号Ｖｇ２が「Ｈ」レベルのときには、比較回路２４における第２の検出端子Ｉ２の電圧は、温度の上昇と共に低下する。比較回路２４は、第２の検出端子Ｉ２の電圧を基準電圧（例えば、第２のサーミスタ２３２の温度が１００℃に相当する場合の抵抗値で決まる電圧降下量）と比較して、その比較結果を出力端子Ｏｕｔから第２のＰＭＯＳトランジスタ２５のゲートに出力する。すなわち、保護装置は、電子機器３の内部の所定の監視箇所に配置された第２のサーミスタ２３２の温度が所定値を超えると異常状態であると判断して、電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する。
【００６６】
制御信号Ｖｇ３又はＶｇ４が「Ｈ」レベルのときにも、上記と同様の動作が順次行なわれ、電子機器３の内部の他の監視箇所にそれぞれ配置された第３のサーミスタ２３３又は第４のサーミスタ２３４の温度が所定値を超えている場合には、保護装置は異常状態であると判断して、電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する。
【００６７】
以上説明したように、第２の実施形態によると、温度検出回路２３から比較回路２４の各検出端子Ｉ１〜Ｉ４に電流が流れるのは、クロック信号Ｖｃｋを分周した各制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４が「Ｈ」レベルとなるオン時間Ｔｏｎのみである。このオン時間以外では検出はされないが、各監視箇所における消費電力が異常に増大し、破損に至る危険なレベルの温度に上昇するまでにはある程度の時間を要する。従って、検出電流を常時流す場合と比べると、検出に要する消費電流をＴｏｎ／（４Ｔｓ）と少なくすることができる。もちろん温度の監視箇所は４箇所に限定されず、４箇所未満又は４箇所を超える複数の監視箇所に適用できることはいうまでもない。
【００６８】
また、第２の実施形態に係る保護装置は、複数の温度検出手段（サーミスタ）が時分割により検出を動作を順次行なうため、検出電流がある時刻に集中することなく分散される。これにより、検出動作時に生じるノイズが低減されて誤作動が防止される。その上、異常状態の検出箇所を特定することも容易となる。
【００６９】
（第３の実施形態）
以下、本発明に係る第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００７０】
図４は本発明の第３の実施形態に係る保護装置の回路構成を示している。図４において、図２に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７１】
第３の実施形態に係る保護装置が第２の実施形態に係る保護装置と異なる点は、判定回路２８を設けている点である。なお、図４においては、電子機器３と温度検出回路２３との詳細な構成は第２の実施形態と同様であるため省略している。
【００７２】
図４に示すように、分周回路２７における制御信号Ｖｇ１のオン時間に検出される温度検出回路２３からの出力信号は判定回路２８の第１の検出端子Ｉ１に接続され、制御信号Ｖｇ２のオン時間に検出される温度検出回路２３からの出力信号は判定回路２８の第２の検出端子Ｉ２に接続される。同様に、制御信号Ｖｇ３により検出される温度検出回路２３からの出力信号は判定回路２８の第３の検出端子Ｉ３に接続され、制御信号Ｖｇにより検出される温度検出回路２３からの出力信号は判定回路２８の第４の検出端子Ｉ４に接続される。
【００７３】
判定回路２８は、第１の検出端子Ｉ１と接続された第１の比較回路２８ａと、制御信号Ｖｇ１を所定時間遅延して出力する遅延回路２８３と、一方の入力端子に遅延回路からの遅延信号を受け、他方の入力端子にインバータ２８４を介して比較回路２８ａの出力信号を受けるＡＮＤ回路２８５と、クロック入力端子ＣＬＫに比較回路２８ａの出力信号を受け、リセット端子ＲにＡＮＤ回路２８５の出力信号を受けるカウンタ回路２８６と、一の入力端子がカウンタ回路２８６の出力端子Ｑと接続され、出力端子Ｏｕｔが第２のＰＭＯＳトランジスタ２５のゲートと接続されたＮＯＲ回路２８７とを含む。
【００７４】
第１の比較回路２８ａは、正相端子に基準電圧源２８１からの基準電圧を受け、逆相端子に定電流源２８２及び第１の検出端子Ｉ１が接続された比較器２８０から構成される。比較器２８０は、第１の検出端子Ｉ１に入力される温度検出回路２３からの検出電圧を基準電圧源２８１の基準電圧と比較する。このとき、第１の検出端子Ｉ１からは温度検出回路２３に対して定電流源２８２から所定の電流を流す。このように、比較器２８０、基準電圧源２８１及び定電流源２８２は、図２に示す比較回路と同様の構成であり、図示はしていないが、第２の検出端子Ｉ２〜第４の検出端子Ｉ４においても同様の比較回路２８ａが設けられている。
【００７５】
カウンタ回路２８６は、リセット端子Ｒに「Ｈ」レベルが入力されるとカウント数を０にリセットし、クロック入力端子ＣＬＫに入力される「Ｈ」レベルの信号をカウントし、カウント数が所定値に達すると出力端子Ｑを「Ｈ」レベルの出力信号を出力する。
【００７６】
遅延回路２８３、インバータ２８４、ＡＮＤ回路２８５及びＮＯＲ回路は、制御信号Ｖｇ２〜Ｖｇ４にもそれぞれ設けられている。
【００７７】
以下、前記のように構成された本発明の第３の実施形態に係る保護装置の動作を説明する。ここで、クロック信号Ｖｃｋを分周した各制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４に同期して、電子機器（図示せず）の内部の各監視箇所における検出信号が温度検出回路２３からそれぞれ出力される。出力された各検出信号が第１の検出端子Ｉ１〜第４の検出端子Ｉ４とそれぞれ接続された第１の比較回路２８ａ等に出力され、比較回路２８ａ等において基準電圧とそれぞれ比較される構成は第２の実施形態と同様である。
【００７８】
ここでは、制御信号Ｖｇ１と第１の検出端子Ｉ１に入力される検出信号とを用いて、遅延回路２８３、インバータ２８４、ＡＮＤ回路２８５、カウンタ回路２８６及びＮＯＲ回路２８７の動作を説明する。
【００７９】
遅延回路２８３の遅延時間は、制御信号Ｖｇ１の立ち上がりからインバータ２８４が比較器２８０からの出力信号の反転信号を出力するまでの所要時間以上に設定される。ここで、分周回路２７とＡＮＤ回路２８５の制御信号Ｖｇ１を受ける端子との間に遅延回路２８３を設けているのは、比較器２８０が第１の検出端子Ｉ１に入力される検出信号から異常を検出して、その出力信号を「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに切り換える場合に、遅延回路２８３を設けなければ、制御信号Ｖｇ１の立ち上がり時にインバータ２８４の出力は「Ｈ」レベルとなってしまい、カウンタ回路２８６は毎周期にリセットされてしまうからである。また、遅延回路２８３は制御信号Ｖｇ１の立ち上がりのみを遅延させ、立ち下がりは遅延せずに伝達する。従って、ＡＮＤ回路２８５が「Ｈ」レベルを出力する場合は、制御信号Ｖｇ１のオン時間内に比較器２８０の出力信号が「Ｌ」レベルとなる場合であり、これは異常を検出しない通常動作の場合である。
【００８０】
次に、比較器２８０が第１の検出端子Ｉ１に入力される検出信号から異常を検出して、その出力信号を「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに切り換えると、その後、遅延回路２８３の出力信号の立ち上がりはＡＮＤ回路２８５で無視され、カウンタ回路２８６は比較器２８０の「Ｈ」レベルの出力信号をカウントする。この異常検出が何らかの誤作動であった場合は、比較器２８０からの出力信号はやがて「Ｌ」レベルとなるため、遅延回路２８３からの出力信号の立ち上がり時にＡＮＤ回路２８５の出力信号は「Ｈ」レベルとなるので、カウンタ回路２８６の計数値はリセットされる。しかしながら、異常状態が続くと、カウンタ回路２８６はカウントアップを続け、計数値が所定値に達すると出力端子Ｑに「Ｈ」レベルを出力する。すなわち、制御信号Ｖｇ１に同期して出力される異常検出信号が所定回数にまで連続して発生すると、カウンタ回路２８６は「Ｈ」レベルを出力し、ＮＯＲ回路２８７の出力は「Ｌ」レベルとなって、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５がオン状態となる。このため、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１はゲートソース間を短絡されてオフ状態となるので、電池１０から電子機器への供給電流が遮断される。なお、他の監視箇所における異常検出に対する動作も同様である。
【００８１】
以上説明したように、第３の実施形態によると、異常検出信号が所定回数にまで連続して発生する場合に、初めて異常状態であると判定して保護動作を行なうことによって、外来ノイズ等による保護装置の誤作動を防止することができる。
【００８２】
（第４の実施形態）
以下、本発明に係る第４の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００８３】
図５は本発明の第４の実施形態に係る保護装置の回路構成を示している。図５において、図２に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８４】
図５に示すように、第４の実施形態に係る保護装置が第２の実施形態に係る保護装置と異なる点は、保護装置に、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１とカレントミラーを構成する電流検出回路２９を設け、さらに、検出回路２３Ａに、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１の温度検出用の第１のサーミスタ２３１に代えて第１の検出抵抗器２３９を設け、第１のＮＭＯＳトランジスタ２４０を介して電流検出回路２９の出力電流を第１の検出抵抗器２３９に流すことにより、該第１の検出抵抗器２３９の電圧降下量を比較回路２４Ａの第１の検出端子Ｉ５で検出する構成としている。さらに、温度検出用の第２のサーミスタ２３２に代えて第２の検出抵抗器２４７を設け、第２のＮＭＯＳトランジスタ２４８を介して電圧検出回路であるツェナーダイオード２４９の出力電流を第２の検出抵抗器２４７に流すことにより、該第２の検出抵抗器２４７の電圧降下量を比較回路２４Ａの第２の検出端子Ｉ６で検出する構成としている点である。
【００８５】
以下、前記のように構成された本発明の第４の実施形態に係る保護装置の動作、特に第２の実施形態と異なる電流検出に関する動作及び電圧検出に関する動作について説明する。
【００８６】
まず、電流検出に関する動作について説明する。
【００８７】
保護装置は、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１に流れる電流を電流検出回路２９によって検出し、比較回路２４Ａは、制御信号Ｖｇ１が「Ｈ」レベルのときに、第１の検出端子Ｉ５の検出値を基準電圧と比較し、その比較結果を出力端子Ｏｕｔから出力する。詳細は図示していないが、第１の検出抵抗器２３９を流れる電流量が増大して、比較回路２４Ａにおける第１の検出端子Ｉ５の検出値が基準電圧を超えると、比較回路２４Ａは出力端子Ｏｕｔを「Ｌ」レベルに遷移させるように構成されている。従って、比較回路２４Ａの出力端子Ｏｕｔが「Ｈ」レベルのときには、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１のゲートに通常時の信号Ｖ１が印加され、逆に、比較回路２４Ａの出力端子Ｏｕｔが「Ｌ」レベルのときには、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１をオフ状態にする。すなわち、保護装置は、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１の電流が所定値を超えると異常状態であると判断し、電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する。
【００８８】
次に、電圧検出に関する動作について説明する。
【００８９】
第４の実施形態に係る保護装置においては、ツェナーダイオード２４９と第２の検出抵抗器２４７とが第２のＮＭＯＳトランジスタ２４８を介して電池１０の両端子に直列に接続されている。電池１０の電圧をＶｂとし、ツェナーダイオード２４９のツェナー電圧をＶｚとすると、第２のＮＭＯＳトランジスタ２４８がオン状態のとき、第２の検出抵抗器２４７には（Ｖｂ−Ｖｚ）の電圧が発生し、発生した電圧（Ｖｂ−Ｖｚ）は比較回路２４Ａの第２の検出端子Ｉ６に印加される。比較回路２４Ａでは、第１の検出端子Ｉ５と同様に、第２の検出端子Ｉ６の検出値が基準電圧を超えると、比較回路２４Ａは出力端子Ｏｕｔを「Ｌ」レベルに遷移させるように構成されている。従って、比較回路２４Ａの出力端子Ｏｕｔが「Ｌ」レベルのときには、第１のＰＭＯＳトランジスタ２１をオフ状態にする。すなわち、保護装置は、電池１０の電圧Ｖｂが所定値を超えると、規定外の電池が接続された誤接続又は過充電等の異常状態であると判断し、電池１０から電子機器３への供給電流を遮断する。
【００９０】
以上説明したように、本発明に係る保護装置は、電子機器３の温度検出にのみ限定されることはなく、電流検出又は電圧検出による保護動作にも適用可能である。さらには、第３の実施形態のように、連続して所定回数の異常状態を検出することにより保護動作を行なう誤検出防止機能をも同様に適用可能である。
【００９１】
（第５の実施形態）
以下、本発明に係る第５の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００９２】
図６は本発明の第５の実施形態に係る保護装置の回路構成を示している。図６において、図２に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００９３】
図６に示すように、第５の実施形態に係る保護装置が第２の実施形態に係る保護装置と異なる点は、比較回路２４Ｂの構成と、ＡＤ（アナログ・デジタル）コンバータ３１、３１ａ、レジスタ３２、３２ａ及び中央演算処理装置（ＣＰＵ：central processing unit）３３を設けている点である。なお、図６において、電子機器３は第１の電子機器３ａと第２の電子機器３ｂとに分かれている。また、符号１０１Ｂで囲まれた構成要素は、本実施形態に係る保護装置が集積回路として集積化可能な要素を示している。また、ＣＰＵ３３には、図示はしていないが、脱着可能な電源と接続されている。
【００９４】
第５の実施形態に係る比較回路２４Ｂは、カレントミラーを構成する第３のＰＭＯＳトランジスタ２４１及び第４のＰＭＯＳトランジスタ２４２と、一端が第４のＰＭＯＳトランジスタ２４２のドレインと接続され、他端が接地された第１の抵抗器２４３と、逆相端子が基準電圧源２４５と接続され、正相端子が第１の抵抗器２４３の一端と接続された第１の比較器２４４と、一の入力端子が第１の比較器２４４の出力端子と接続され、出力端子Ｏｕｔが第２のＰＭＯＳトランジスタ２５のゲートと接続されたＮＯＲ回路２４６とを含む。同様に、カレントミラーを構成する第５のＰＭＯＳトランジスタ２５１及び第６のＰＭＯＳトランジスタ２５２と、第６のＰＭＯＳトランジスタ２５２と接続される第２の抵抗器２５３及び第２の比較器２５４とを有している。
【００９５】
第３のＰＭＯＳトランジスタ２４１は、比較回路２４Ｂの第３の検出端子Ｉ３から温度検出回路２３の第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７を介して第３のサーミスタ２３３に電流を流す。このとき、第４のＰＭＯＳトランジスタ２４２から出力される電流は第１の抵抗器２４３に流れ、該第１の抵抗器２４３に生じる電圧Ｖｓが検出値として第１の比較器２４４により基準電圧源２４５の基準電圧と比較される。
【００９６】
これと同様に、第５のＰＭＯＳトランジスタ２５１は比較回路２４Ｂの第４の検出端子Ｉ４から温度検出回路２３の第４のＮＭＯＳトランジスタ２３８を介して第４のサーミスタ２３４に電流を流す。このとき、第６のＰＭＯＳトランジスタ２５２から出力される電流は第２の抵抗器２５３に流れ、該第２の抵抗器２５３に生じる電圧Ｖｓが検出値として第２の比較器２５３により基準電圧源２４５の基準電圧と比較される。
【００９７】
なお、図示はしていないが、比較回路２４Ｂは、温度検出回路２３の他のＮＭＯＳトランジスタ及びサーミスタに対しても同様のカレントミラーと比較器とが対をなす構成を有し、他の比較器からの出力信号はＮＯＲ回路２４６の他の入力端子にそれぞれ入力される。
【００９８】
第５の実施形態においては、ＡＤコンバータ３１、３１ａは各抵抗器２４３、２５３にそれぞれ生じる検出電圧Ｖｓを受け、レジスタ３２、３２ａは各ＡＤコンバータ３１、３１ａからの出力信号及びＮＯＲ回路２４６の出力端子Ｏｕｔからの出力信号を受け、ＣＰＵ３３は、少なくともレジスタ３２、３２ａからの出力信号を受ける。
【００９９】
具体的には、各抵抗器２４３、２５３により検出される検出電圧Ｖｓの電圧値はＡＤコンバータ３１、３１ａによってそれぞれデジタルデータに変換され、レジスタ３２、３２ａにそれぞれ出力される。各レジスタ３２、３２ａには、比較回路２４Ｂの出力端子Ｏｕｔの信号が取り込み信号として入力される。ＣＰＵ３３は各レジスタ３２、３２ａからのデータを読み込む。図示はしていないが、比較回路２４Ｂの他の検出電圧値も同様にＡＤコンバータ３１によってデジタルデータに変換されてレジスタ（図示せず）に送出され、ＣＰＵ３３にそれぞれ読み込まれる。
【０１００】
以下、前記のように構成された本発明の第５の実施形態に係る保護装置の動作を説明する。ここで、クロック信号Ｖｃｋを分周した制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４に同期して、電子機器（図示せず）の内部の各監視箇所における検出信号が温度検出回路２３からそれぞれ接続された比較回路２４Ｂに入力される構成は第２の実施形態と同様である。
【０１０１】
ここでは、制御信号Ｖｇ３と第３の検出端子Ｉ３の信号とを用いて、比較回路２４Ｂの動作を説明する。
【０１０２】
第３のＰＭＯＳトランジスタ２４１は、ゲートとドレインとが短絡されて第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７のドレインに接続される。第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７のゲートに印加される制御信号Ｖｇ３の「Ｈ」レベルは一定の電圧であるとする。このとき、第３のサーミスタ２３３に流れる電流Ｉは、第３のサーミスタ２３３の抵抗値をＲ３とすると、以下の式（１）で表わされる。
【０１０３】
Ｉ＝（Ｖｇ３−Ｖｔ）／Ｒ３  …（１）
ここで、Ｖｔは第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７のゲートソース間の閾値電圧を表わす。式（１）で表わされる電流Ｉが第３のＰＭＯＳトランジスタ２４１を流れ、該第３のＰＭＯＳトランジスタ２４１とカレントミラーを構成する第４のＰＭＯＳトランジスタ２４２にもミラー比に応じた電流が流れる。例えばミラー比を１とし、第１の抵抗器２４３の抵抗値をＲｓとすると、検出電圧Ｖｓは以下の式（２）で表わされる。
【０１０４】
Ｖｓ＝Ｒｓ×Ｉ＝Ｒｓ（Ｖｇ３−Ｖｔ）／Ｒ３  …（２）
すなわち、第３のサーミスタ２３３の温度が上昇してその抵抗値Ｒ３が低下すると、検出電圧Ｖｓは上昇する。第１の比較器２４４は、検出電圧Ｖｓを基準電圧（例えば、サーミスタの温度が１００℃に相当する場合の抵抗値で決まる電圧降下量）と比較し、その比較結果を出力端子Ｏｕｔから出力する。このように、比較回路２４Ｂは、第２の実施形態に示した構成に限られず、サーミスタの特性等をも考慮しながら温度と検出電圧Ｖｓとの関係を設定することができる。
【０１０５】
さらに、検出電圧Ｖｓは、ＡＤコンバータ３１によってデジタルデータに変換され、レジスタ３２に出力される。前述したように、レジスタ３２には比較回路２４Ｂの出力端子Ｏｕｔからの出力信号が取り込み信号として入力され、ＣＰＵ３３は取り込み信号に従ってレジスタ３２からのデータを読み込む。従って、いずれかの監視箇所において異常が検出されて、比較回路２４Ｂの出力端子Ｏｕｔからの出力電圧が「Ｌ」レベルとなったときに、ＣＰＵ３３は各レジスタ３２等からデータを読み込む。これにより、電子機器における異常検出時の複数箇所の内部温度が記録されるため、異常時の動作解析に役立つ。
【０１０６】
なお、図示は省略するが、レジスタ３２の取り込み信号として、比較回路２４Ｂの出力端子Ｏｕｔからの出力信号に代えて、第３のＮＭＯＳトランジスタ２３７への制御信号Ｖｇ３を用いる構成でもよい。この場合には、他の監視箇所における検出電圧においても、各制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２及びＶｇ４によって各検出データがレジスタ３２ａ等に取り込まれ、ＣＰＵ３３にそれぞれのデータが読み込まれる構成とする。このような構成とすると、ＣＰＵ３３には電子機器の各監視箇所の検出データが常時読み込まれるようになる。従って、例えば、ＣＰＵ３３において検出データの最大値を更新しながら記録しておくことによって、異常検出の有無に関わらず、電子機器３がどのような動作環境で使用されていたのかを解析することが可能となる。特に携帯機器では、高温といえるレベルには達していなくても、長時間にわたって使用する利用者から通知される異常事態の発生に対処しなくてはならない場合が起こり得る。そのような場合に、電子機器の各部位の最高温度が記録されていると解析に役立てることができる。
【０１０７】
さらには、レジスタ３２等の取り込み信号はＣＰＵ３３が必要に応じて行なってもよい。この場合には、前述した制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４を検出データの取り込み信号として、常時データを取り込む場合と比べて、消費電力を低減できることは明らかである。
【０１０８】
以上説明したように、第５の実施形態によると、クロック信号Ｖｃｋを分周して得られる各制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４に同期した検出信号を生成するため、検出値をアナログ−デジタル変換して処理し易いという特徴をも有している。従って、異常が生じた電子機器の不具合箇所を、電子機器３を破壊することなく確認することが可能となる。
【０１０９】
なお、第３の実施形態のように、異常の検出が所定回数を連続した場合に保護動作を行なう構成として、誤検出を防止することも可能である。
【０１１０】
（第５の実施形態の第１変形例）
図７に第５の実施形態の第１変形例に係る保護装置の回路構成を示す。図７に示すように、第１変形例に係る保護装置は、該保護装置の要部を含む集積回路１０１Ｃに、ＡＤコンバータ３１ｂ及びレジスタ３２ｂを含む構成としている。本変形例では、図６に示したＡＤコンバータ３１、３１ａをＡＤコンバータ３１Ａとし、レジスタ３２、３２ａをレジスタ３２Ａとしている。
【０１１１】
本変形例においては、保護装置と接続されたＣＰＵ３３は、任意のタイミング又は異常発生による動作の停止時にＡＤコンバータ３１Ａを動作させて、レジスタ３２Ａに記録された検出データを取り込む。ＣＰＵ３３に取り込まれた検出データは、コネクタ等のインタフェース装置３４を介してパーソナルコンピュータ（ＰＣ）３５に取り込まれて解析される。
【０１１２】
このようにすると、保護装置自体に複数のＡＤコンバータ及び複数のレジスタを取り込んで集積化することによる保護装置の小型化を図ることができる。その上、外部のＰＣからの指令により、検出された異常状態の発生履歴を蓄積可能なレジスタを内蔵することにより、記録機能の高機能化を図ることができる。
【０１１３】
（第５の実施形態の第２変形例）
図８は本発明の第５の実施形態の第２変形例であって、電子機器への保護装置の実装例を示している。図８に示すように、第２変形例においては、第１の実装用基板３０１の上に、電子機器３ａを構成する第１のＩＣチップ１２１及び第２のＩＣチップ１２２と本発明に係る要部が集積化された保護装置１０１Ｄとが実装され、第２の実装用基板３０２の上に、電子機器３ｂを構成する第３のＩＣチップ１２３及び第４のＩＣチップ１２４が実装され、第３の実装用基板３０３の上に、電子機器３ｃを構成する第５のＩＣチップ１２５が実装されている。
【０１１４】
第１の実装用基板３０１及び第２の実装用基板３０２には、第１の電池１０Ａが電源電圧を供給し、第３の実装用基板３０３には、第２の電池１０Ｂが電源電圧を供給する。また、第１の実装用基板３０１の上には、保護装置１０１Ｄが保持する検出データのバックアップ用電源として第３の電池１０Ｃが配置されている。
【０１１５】
これまで説明した実施形態及びその変形例においては、電池１０が本発明に係る保護装置の入力電源として機能する構成を示した。本変形例においては、集積化された保護装置１０１Ｄの電源である第１の電池１０Ａ自体の温度検出だけでなく、さらに保護装置１０１Ｄと独立した第２の電池１０Ｂの温度検出が可能である。
【０１１６】
図８に示すように、一例として、温度検出用の第１のサーミスタ２３１は、第１の実装用基板３０１に実装された第１のＩＣチップ１２１の上面に直接に配置され、第２のサーミスタ２３２は、第２の実装用基板３０２に実装された第３のＩＣチップ１２３の一方の側面の近傍に配置され、第３のサーミスタ２３３及び第４のサーミスタ２３４は、第１の実装用基板３０１に実装された第２のＩＣチップ１２２の互いに対向する両側面の近傍にそれぞれ配置されている。また、例えば、第５のサーミスタ２３４ａは第１の電池１０Ａの側面上に配置され、第６のサーミスタ２３４ｂは第２の電池１０Ｂの側面上に配置されている。
【０１１７】
第１のＩＣチップ１２１の上面に直接に配置された第１のサーミスタ２３１は、対象チップの温度を直接に測定可能ではあるが、ワイヤ等の配線１０２Ａによる結線が必要となる。これに対し、第３のＩＣチップ１２３の側面の近傍に配置される第２のサーミスタ２３２等の場合は、例えば第２の実装用基板３０２の上に形成される配線パターン１０２Ｂによる接続が可能となる。
【０１１８】
このように、第２変形例によると、監視対象である第２のＩＣチップ１２２に複数のサーミスタ２３３、２３４を配置した場合には、２つのサーミスタ２３３、２３４のうちの１つが異常を検出する場合と、両方のサーミスタ２３３、２３４が異常を検出する場合等の複数の検出条件を与えて監視することが可能となる。その結果、異常の発生状態の特定が容易となる。さらには、監視対象チップのサイズが大きく、発熱箇所が一箇所に特定できない場合も有効である。
【０１１９】
また、第２変形例においては、バックアップ用の第３の電池１０Ｃを設けていることから、異常により第１の電池１０Ａからの電力の供給が途絶えた場合でも、保護装置１０１Ｄが検出した検出データを保持することが可能となる。
【０１２０】
（第６の実施形態）
以下、本発明に係る第６の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１２１】
図９は本発明の第６の実施形態に係る保護装置の回路構成を示している。図９において、図２に示した第２の実施形態に係る保護装置の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１２２】
図９に示す第６の実施形態に係る保護装置は、ＡＣアダプタ又は車載アダプタ等からの電力を充電装置５を介して電池１０に充電する電子機器の構成に本発明を適用した場合の例である。
【０１２３】
図９に示すように、電池１０を充電可能する構成として、外部電源４が出力する電圧は、第３のＰＭＯＳトランジスタ２１ａを介して充電装置５に供給される。第２の制御回路２２ａは、第３のＰＭＯＳトランジスタ２１ａのゲートに信号Ｖ２を印加して外部電源４からの電流を制御する。第４のＰＭＯＳトランジスタ２５ａは第３のＰＭＯＳトランジスタ２１ａのゲート−ソース間に接続されている。
【０１２４】
第２の実施形態との相違点は、第２のサーミスタ２３２が充電装置５に着装又はその近傍に配置されることにより、該充電装置の温度を検出している点と、第３のＰＭＯＳトランジスタ２１ａのゲート−ソース間に接続された第４のＰＭＯＳトランジスタ２５ａが、第２のＰＭＯＳトランジスタ２５と共に比較回路２４によってオン又はオフされる構成を有している点である。
【０１２５】
このような構成により、充電装置５をも含む各監視箇所に対する温度検出の結果、いずれか１つの監視箇所で異常な温度が検出されると、電池１０から電子機器３への供給電流が遮断されると共に、第４のＰＭＯＳトランジスタ２５ａがオン状態となって、第３のＰＭＯＳトランジスタ２１ａがオフ状態に遷移することにより、外部電源４からの充電装置５への供給電流をも同時に遮断される。
【０１２６】
すなわち、第６の実施形態においては、電源の遮断箇所は単一の電源供給路の場合に限られず、複数の遮断用スイッチ回路を設けることにより、複数の電源を備える電子機器の場合であっても保護機能の対応が可能である。
【０１２７】
（第７の実施形態）
以下、本発明に係る第７の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１２８】
図１０は本発明の第７の実施形態に係る保護装置のブロック構成を示している。図１０に示すように、第７の実施形態に係る保護装置は、要部を集積化した集積回路４００と、例えば温度検出用の５つのサーミスタ４１０とから構成されている。
【０１２９】
集積回路４００には、ＡＣアダプタ等の外部電源４２０、電池４３０、外部電源４２０から出力される電流により電池４３０を充電する充電装置４４０、外部電源４２０と充電装置４４０との間に設けられ、例えばＮＭＯＳトランジスタからなる第１のスイッチ４５０、充電装置４４０と電池４３０との間に設けられ、ＮＭＯＳトランジスタからなる第２のスイッチ４６０、及び電池４３０と第２のスイッチ４６０との間に設けられた電流検出用の抵抗器４７０とが接続されている。
【０１３０】
さらに、集積回路４００には、該集積回路４００が検出した、例えば電流及び温度の検出データをアナログ−デジタル変換するＡＤコンバータ４８１と、該ＡＤコンバータ４８１によってデジタル変換された検出データを記録し且つ処理するＣＰＵ４８２とを有する外部装置４８０が接続される。
【０１３１】
集積回路４００は、電圧検出保護回路４０１と、電流検出保護回路４０２と、温度検出保護回路４０３と、保護制御回路４０４と、アナログ出力回路４０５とから構成されている。
【０１３２】
電圧検出保護回路４０１は、外部電源４２０の出力電圧を検出し、過電圧を検出したときに第１のスイッチ４５０を遮断する。
【０１３３】
電流検出保護回路４０２は、抵抗器４７０の電圧降下から電池４３０の充電電流又は放電電流を検出し、過電流を検出したときに第２のスイッチ４６０を遮断する。
【０１３４】
温度検出保護回路４０３は、各サーミスタ４１０に所定の電流を流すと共にその電圧降下量から各サーミスタ４１０が配置された周辺温度を検出し、過熱状態を検出したときに第２のスイッチ４６０を遮断する。
【０１３５】
保護制御回路４０４は、電圧検出保護回路４０１、電流検出保護回路４０２及び温度検出保護回路４０３をそれぞれ制御する。
【０１３６】
アナログ出力回路４０５は、電流検出保護回路４０２及び温度検出保護回路４０３が検出した検出データを出力する。
【０１３７】
図１０において、保護装置を構成する保護制御回路４０４は、本発明に係る電気量検出方法を実現する。具体的には、保護制御回路４０４は、例えば１ｍｓ周期で１０μｓのパルスを有するクロック信号を発生するクロック発生器を有し、発生したクロック信号を分周して各検出回路４０２及び４０３を順次駆動する。第７の実施形態においては、電流検出箇所が抵抗器４７０の１箇所と、温度検出箇所が５つのサーミスタ４１０の５箇所である。このため、各検出箇所は６ｍｓ周期で１０μｓの検出期間に動作するので、その消費電力は常時検出の場合と比べて大幅に低減される。
【０１３８】
電流検出保護回路４０２及び温度検出保護回路４０３が検出した各検出データは、アナログ出力回路５５０によって、保護装置を構成する集積回路４００から外部装置４８０に出力される。外部装置４８０に取り込まれた各検出データは、デジタルデータとして記録され、適当な処理が施される。
【０１３９】
なお、第７の実施形態においても、図７に示した第５の実施形態の第１変形例のように、保護装置を構成する集積回路４００に、ＡＤコンバータ及びレジスト等を集積化してもよい。
【０１４０】
図１１（ａ）に、保護装置の電流検出保護回路４０２から出力され、外部装置４８０に記録された電流検出データに基づいて作成したグラフの一例を示す。図１１（ａ）からは、電流検出保護回路４０２が、時刻ｔ５において上限（閾値）を超えた過電流を検出して第２のスイッチ４６０を遮断し、一旦は電流値が０に減じた後、再起動によって電流が増加し、時刻ｔ１０に至って再度過電流を検出して第２のスイッチ４６０を遮断したという履歴が分かる。
【０１４１】
同様に、図１１（ｂ）に、保護装置の温度検出保護回路４０３から出力され、外部装置４８０に記録された温度検出データに基づいて作成したグラフの一例を示す。温度検出保護回路４０３は、例えば各サーミスタ４１０の抵抗値を６ｍｓ周期で１０μｓだけ電流を流して発生する電圧値に基づいて各監視箇所の温度を検出する。図１１（ｂ）からは、温度検出保護回路４０３が、時刻ｔ２５において上限（閾値）を超えた温度を検出して第２のスイッチ４６０を遮断し、電力供給を断たれた監視箇所の温度が冷えることによって、該監視箇所の温度が低下した後、再起動によって温度が上昇し、時刻ｔ３０に至って再度過熱状態を検出して第２のスイッチ４６０を遮断したという履歴が分かる。
【０１４２】
以上のように、第７の実施形態に係る保護装置を含む集積回路４００を用いることにより、電子機器の保護機能を低消費電力で行なうことができ。その上、動作履歴を記録しておけるため、電子機器を破壊することなく、故障解析等を確実に行なうことができる。
【０１４３】
なお、本発明の各実施形態に係る保護装置において、保護動作として、異常検出時に電源供給を遮断するという動作を説明した。しかしながら、保護装置は、通常、遮断後に動作が停止することによって例えば温度が低下して異常状態から脱しても電源供給の遮断を継続する必要がある。本発明の特徴ではないことから説明を省略したが、保護装置は、電池又は外部電源装置から直接に電力が供給され、保護動作を維持するためにラッチ回路を設ける等の構成は自明である。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明に係る保護装置及びその駆動方法は、クロック信号に同期させて検出動作を行なうことから、異常の検出に要する消費電力を低減することができ、電子機器の異常温度や異常電流等を検出して該電子機器を保護する保護装置等に有用である。特に、長時間使用する携帯機器及び車載機器の保護装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る保護装置を駆動するクロック信号Ｖｃｋ及び制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇ４を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る保護装置の実装例を示す斜視図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。
【図６】本発明の第５の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。
【図７】本発明の第５の実施形態の第１変形例に係る保護装置を示す回路図である。
【図８】本発明の第５の実施形態に係る保護装置の実装例を示す斜視図である。
【図９】本発明の第６の実施形態に係る保護装置を示す回路図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態に係る保護装置を示すブロック図である。
【図１１】（ａ）は本発明の第７の実施形態に係る保護装置が出力した電流検出データを示すグラフの一例である。（ｂ）は本発明の第７の実施形態に係る保護装置が出力した温度検出データを示すグラフの一例である。
【図１２】従来の保護装置を示す回路図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１        第１の電源端子
２        第２の電源端子
３        電子機器
３ａ      電子機器
３ｂ      電子機器
３ｃ      電子機器
４        外部電源
５        充電装置
１０      電池
１０Ａ    第１の電池
１０Ｂ    第２の電池
１０Ｃ    第３の電池
１１      第１のＮＭＯＳトランジスタ
１２      第２のＮＭＯＳトランジスタ
１３      制御回路
１４      第１の温度検出回路
１４０    第１のサーミスタ
１４１    第５のＮＭＯＳトランジスタ
１４２    第１の駆動抵抗器
１５      第１の比較回路
１５０    第１の比較器
１５１    第１の基準電圧源
１５２    定電流源
１６      第２の温度検出回路
１６０    第２のサーミスタ
１６１    第６のＮＭＯＳトランジスタ
１６２    第２の駆動抵抗器
１７      第２の比較回路
１７０    第２の比較器
１７１    第２の基準電圧源
１７２    定電流源
１８      第３のＮＭＯＳトランジスタ
１９      第４のＮＭＯＳトランジスタ
２０      発振回路
２１      第１のＰＭＯＳトランジスタ
２１ａ    第３のＰＭＯＳトランジスタ
２２      制御回路
２２ａ    第２の制御回路
２３      温度検出回路
２３Ａ    検出回路
２３１    第１のサーミスタ
２３２    第２のサーミスタ
２３３    第３のサーミスタ
２３４    第４のサーミスタ
２３４ａ  第５ののサーミスタ
２３４ｂ  第６のサーミスタ
２３５    第１のＮＭＯＳトランジスタ
２３６    第２のＮＭＯＳトランジスタ
２３７    第３のＮＭＯＳトランジスタ
２３８    第４のＮＭＯＳトランジスタ
２３９    第１の検出抵抗器
２４      比較回路
２４Ａ    比較回路
２４Ｂ    比較回路
２４０    第１のＮＭＯＳトランジスタ
２４１    第３のＰＭＯＳトランジスタ
２４２    第４のＰＭＯＳトランジスタ
２４３    第１の抵抗器
２４４    第１の比較器
２４５    基準電圧源
２４６    ＮＯＲ回路
２４７    第２の検出抵抗器
２４８    第２のＮＭＯＳトランジスタ
２４９    ツェナーダイオード
２５      第２のＰＭＯＳトランジスタ
２５ａ    第４のＰＭＯＳトランジスタ
２５１    第５のＰＭＯＳトランジスタ
２５２    第６のＰＭＯＳトランジスタ
２５３    第２の抵抗器
２５４    第２の比較器
２６      発振回路
２７      分周回路（保護制御回路）
２８      判定回路
２８ａ    第１の比較回路
２８０    比較器
２８１    基準電圧源
２８２    定電流源
２８３    遅延回路
２８４    インバータ
２８５    ＡＮＤ回路
２８６    カウンタ回路
２８７    ＮＯＲ回路
２９      電流検出回路（電気量検出回路）
３１      ＡＤコンバータ
３１ａ    ＡＤコンバータ
３１Ａ    ＡＤコンバータ
３２      レジスタ
３２ａ    レジスタ
３３      ＣＰＵ
３４      インタフェース装置
３５      パーソナルコンピュータ
１０１Ａ  保護装置（集積回路）
１０１Ｂ  保護装置（集積回路）
１０１Ｃ  保護装置（集積回路）
１０１Ｄ  保護装置（集積回路）
１０２    配線
１０２Ａ  配線
１０２Ｂ  配線パターン
１２１    第１のＩＣチップ
１２２    第２のＩＣチップ
１２３    第３のＩＣチップ
１２４    第４のＩＣチップ
１２５    第５のＩＣチップ
３００    実装用基板
３０１    第１の実装用基板
３０２    第２の実装用基板
３０３    第３の実装用基板
４００    集積回路（保護装置）
４０１    電圧検出保護回路
４０２    電流検出保護回路
４０３    温度検出保護回路
４０４    保護制御回路
４０５    アナログ出力回路
４１０    サーミスタ
４２０    外部電源
４３０    電池
４４０    充電装置
４５０    第１のスイッチ
４６０    第２のスイッチ
４７０    抵抗器
４８０    外部装置
４８１    ＡＤコンバータ
４８２    ＣＰＵ
【図１】
0005362996.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005362996.tif 000008
【図８】
0005362996.tif 000009
【図９】
0005362996.tif 000010
【図１０】
0005362996.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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