(57)【要約】【課題】  電磁弁の作動制御期間終了により出力トランジスタをオフさせた時から電磁弁が非作動状態となるまでの所要時間の短縮化とばらつきの抑制を低コストで実現する。【解決手段】  過励時通電期間Ｋ１の間に電磁弁のコイルへ継続的に電流を流すことにより電磁弁を開弁させ、その後開弁状態保持期間Ｋ２の間は保持デューティ信号によって電磁弁を開弁状態に保持させるような電磁弁制御において、保持デューティ信号の出力開始タイミングｔhsを、開弁状態保持期間Ｋ２の終了タイミングｔheから保持デューティ信号の周期ＴＨの自然数倍だけ前のタイミングとする。これにより、保持デューティ信号がローレベルからハイレベルに立ち上がるタイミング（コイル電流が変動幅Ｉppの最小値ＩpLとなるタイミング）で開弁状態保持期間Ｋ２が終了することとなるため、電磁弁の閉弁所要時間ＴcLを短くでき、且つそのばらつきを抑えることができる。【選択図】  図２
2005340921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源から電磁弁のコイルへの通電経路上に設けられ、供給される駆動信号に応じてオンすることで前記コイルに電流を流す出力トランジスタと、
前記出力トランジスタがオフされたときの前記コイルのフライバックエネルギーを消弧させる消弧手段と、
前記電磁弁の制御期間の開始タイミングから所定の作動開始期間の間、前記出力トランジスタへの駆動信号をアクティブレベルにして該出力トランジスタをオンすることにより、前記電磁弁を非作動状態から作動状態に移行させ、前記作動開始期間の終了時から前記制御期間が終了するまでの作動状態保持期間の間は、前記出力トランジスタへの駆動信号を所定デューティ比のデューティ信号にして該出力トランジスタをオン／オフさせることにより、前記コイルに前記デューティ比に応じた電流を流して前記電磁弁を作動状態に保持し、更に、前記制御期間の終了時には、前記駆動信号をインアクティブレベルにして前記出力トランジスタをオフさせることにより、前記コイルに流れる電流を減少させて前記電磁弁を非動作状態にする制御手段と、
を備えた電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、前記制御期間終了時の前記コイルの電流値が所定値以下となるように、前記デューティ信号の出力開始タイミングを設定する
ことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、前記制御期間が終了する直前の前記駆動信号の位相が、前記デューティ信号におけるインアクティブレベルからアクティブレベルに変化するタイミングの近傍となるように、前記デューティ信号の出力開始タイミングを設定する
ことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電磁弁制御装置であって、
前記デューティ信号の周波数は、予め設定された一定周波数であり、
前記制御手段は、前記制御期間の終了タイミングから前記デューティ信号の周期の自然数倍の時間だけ前のタイミングを、前記デューティ信号の出力開始タイミングに設定する
ことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項４】
請求項３記載の電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、
前記作動状態保持期間の長さである保持期間長を算出する保持期間長演算手段と、
前記保持期間長演算手段により算出された保持期間長を前記デューティ信号の周期で除算し、その除算結果から小数部分を切り捨てた整数部分を前記デューティ信号の周期数として取得する周期数演算手段と、
前記周期数演算手段により取得された前記周期数と前記デューティ信号の周期とを乗算することにより該デューティ信号の出力時間を算出し、前記制御期間の終了タイミングから前記算出した出力時間だけ前のタイミングを、前記デューティ信号の出力開始タイミングに設定する開始タイミング設定手段と、
を備えていることを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、前記作動開始期間の終了タイミングから当該制御手段が設定した前記デューティ信号の出力開始タイミングまでの時間が、予め設定した制御移行下限時間より短い場合は、前記作動開始期間の終了後も、引き続き、前記デューティ信号の出力開始タイミングまで前記駆動信号をアクティブレベルに保持する
ことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項６】
請求項１〜３いずれかに記載の電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、前記作動開始期間の終了によって前記駆動信号をインアクティブレベルにした後、前記コイルに流れる電流が所定の電流収束範囲内に低下したときに前記デューティ信号の出力を開始するよう、該デューティ信号の出力開始タイミングを設定する
ことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項７】
請求項３に従属する請求項６記載の電磁弁制御装置であって、
前記制御手段は、
前記作動状態保持期間の長さである保持期間長を算出する保持期間長演算手段と、
前記作動開始期間の終了タイミングで前記駆動信号をインアクティブレベルにした時から前記コイルに流れる電流が所定の収束目標値に低下するまでの時間を演算する収束時間演算手段と、
前記作動開始期間の終了タイミングから前記収束時間演算手段により演算された時間が経過した後のタイミングを電流収束タイミングとして設定する収束タイミング設定手段と、
前記収束タイミング設定手段により設定された電流収束タイミングから前記制御期間の終了タイミングまでの時間を前記デューティ信号の周期で除算し、その剰余を切り上げた数を前記デューティ信号の周期数として取得する周期数演算手段と、
前記周期数演算手段により取得された前記周期数と前記デューティ信号の周期とを乗算することにより該デューティ信号の出力時間を算出し、前記制御期間の終了タイミングから前記算出した出力時間だけ前のタイミングを、前記デューティ信号の出力開始タイミングに設定する開始タイミング設定手段と、
を備えていることを特徴とする電磁弁制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁弁を制御する電磁弁制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば車両の自動変速機制御装置などにおいては、油圧を調節する電磁弁（所謂ソレノイドバルブ）の開弁時間を「開弁→開弁状態保持→閉弁」といったシーケンスで制御して、変速制御を実施している。
【０００３】
そして、こうした電磁弁制御用の駆動回路として、電磁弁のコイルのフライバックエネルギーを消弧させる際の消弧電圧を、大小に切り替え可能なものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような駆動回路を用いれば、電磁弁の制御期間の終了時に、消弧電圧を開弁状態保持期間よりも大きくして、コイルに流れる電流を急速に減少させることにより、電磁弁を速やかに閉弁させることができる。
【０００４】
ここで、上記技術が適用された電磁弁制御装置の具体的な構成例について、図１及び図８を用いて説明する。
まず図１に例示する電磁弁制御装置では、ハイサイド駆動形態であるため、電磁弁のコイルＬの一端が接地電位（ＧＮＤ＝０Ｖ）に接続されている。
【０００５】
そして、この電磁弁制御装置は、電磁弁を制御するための各種処理を行うマイクロコンピュータ（以下「マイコン」という）１１と、そのマイコン１１からの信号Ｓ１，Ｓ２に応じて電磁弁を駆動する駆動回路１２とを備えている。
【０００６】
また、駆動回路１２は、ドレインがコイルＬの接地電位側とは反対側の端部に接続され、ソースが電源電圧ＶＢに接続された出力トランジスタ（この例ではＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ１と、マイコン１１からの２つの信号Ｓ１，Ｓ２が入力されるナンド回路１５と、ナンド回路１５の出力端子と出力トランジスタＴｒ１のゲートとの間に接続された抵抗１７と、エミッタが電源電圧ＶＢに接続されたＰＮＰ型バイポーラトランジスタＴｒ２と、マイコン１１からの信号Ｓ２がハイレベルの時に上記トランジスタＴｒ２をオンさせる反転回路（インバータ）１９と、接地電位にドレインが接続されたＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴｒ３と、そのトランジスタＴｒ３のソースにアノードが接続され、カソードが出力トランジスタＴｒ１のドレインに接続されたダイオードＤ１と、トランジスタＴｒ３のソースとゲートとの間に接続された抵抗２３と、接地電位にアノードが接続されたダイオードＤ２と、アノードがトランジスタＴｒ３のゲートに接続され、カソードがダイオードＤ２のカソードに接続されたツェナーダイオードＺＤと、トランジスタＴｒ３のゲートとトランジスタＴｒ２のコレクタとの間に接続された抵抗２１とから構成されている。
【０００７】
そして、この駆動回路１２では、マイコン１１からの信号Ｓ１がハイレベルで且つマイコン１１からの信号Ｓ２がハイレベルのときに、ナンド回路１５から出力トランジスタＴｒ１のゲートへの駆動信号がアクティブレベルとしてのローレベルになって出力トランジスタＴｒ１がオンし、その出力トランジスタＴｒ１からコイルＬに電流を流す。つまり、この例では、マイコン１１からの信号Ｓ２がハイレベルであるときに、そのマイコン１１から出力されるハイアクティブの信号Ｓ１がナンド回路１５によりレベル反転されて、出力トランジスタＴｒ１のゲートへローアクティブの駆動信号として供給される。
【０００８】
また、マイコン１１からの信号Ｓ２がハイレベルのときには、トランジスタＴｒ２がオンし、そのトランジスタＴｒ２のオンにより、トランジスタＴｒ３もオンする。
そして、この電磁弁制御装置では、図８に示すように、マイコン１１が、周期的に行われる電磁弁開閉制御の一周期の期間Ｋｓ内における、電磁弁を作動させようとする開弁制御期間Ｋ０の間、開弁時間指令信号としての信号Ｓ２をハイレベルにすると共に、その開弁制御期間Ｋ０の開始タイミングから一定時間の間（Ｋ１の期間）、電磁弁を開弁状態に移行させるための過励磁信号としての信号Ｓ１をハイレベルにする。また、マイコン１１は、少なくとも上記一定時間の終了時から開弁制御期間Ｋ０が終了する時刻ｔiHまでの開弁状態保持期間Ｋ２の間は、一定の周波数で且つコイルＬに流したい電流に応じたデューティ比の信号（即ち、電磁弁を開弁状態に保持するための保持デューティ信号）としての信号Ｓ１を継続して出力している。
【０００９】
尚、上記一定時間は、出力トランジスタＴｒ１をオンさせてコイルＬへの通電を開始してから電磁弁が確実に開弁すると見なされる時間に設定されており、この一定時間の期間Ｋ１は、過励磁通電期間とも呼ばれる。また、図８において、Ｖ１の段（３段目）は、出力トランジスタＴｒ１のドレイン電圧（換言すれば、コイルＬの端子電圧）を表しており、Ｉ３の段（４段目）は、コイルＬに流れる電流を表している。
【００１０】
このため、まず、開弁制御期間の開始時から上記一定時間が経過するまでの過励磁通電期間Ｋ１では、マイコン１１からのハイレベルの信号Ｓ１が、ナンド回路１５を介して出力トランジスタＴｒ１のゲートへローレベルの駆動信号として供給される。そのため、出力トランジスタＴｒ１が継続的にオンし、コイルＬに流れる電流（コイル電流）Ｉ３が徐々に増加して、電磁弁が閉弁状態から開弁状態に移行する。尚、出力トランジスタＴｒ１のオン中は、その出力トランジスタＴｒ１に流れる電流Ｉ１が、コイル電流Ｉ３となる。
【００１１】
そして、過励磁通電期間Ｋ１の終了時（即ち、信号Ｓ１がローレベルに戻った時点）から開弁制御期間Ｋ０が終了するまでの開弁状態保持期間Ｋ２の間は、マイコン１１からの保持デューティ信号としての信号Ｓ１が、ナンド回路１５によりレベル反転されて出力トランジスタＴｒ１のゲートへ駆動信号として供給されるため、出力トランジスタＴｒ１は、その信号Ｓ１に応じてオン／オフされることとなる。つまり、出力トランジスタＴｒ１は、信号Ｓ１がハイレベルの時にオンされ、信号Ｓ１がローレベルの時にはオフされる。
【００１２】
また、この開弁状態保持期間Ｋ２では、トランジスタＴｒ３がトランジスタＴｒ２によって完全にオンされているため、出力トランジスタＴｒ１がオフされた時に発生するコイルＬのフライバックエネルギーは、接地電位からトランジスタＴｒ３及びダイオードＤ１を通してコイルＬに電流Ｉ２が流れることにより消弧（放電）される。よって、図８におけるＶ１の段に示すように、この開弁状態保持期間Ｋ２においては、出力トランジスタＴｒ１のオフ時の消弧電圧Ｖｓが、ダイオードＤ１の順方向降下電圧（約０．７Ｖ）程度の小さい値であり、出力トランジスタＴｒ１がオフされても、コイル電流Ｉ３は緩やかに減少することとなる。
【００１３】
このため、開弁状態保持期間Ｋ２では、出力トランジスタＴｒ１への駆動信号のデューティ比（信号Ｓ１のデューティ比）に応じた電流がコイルＬに平均的に流れることとなり、この電流により電磁弁が開弁状態に維持される。尚、図８におけるＩ３の段（４段目）に示したＩppは、開弁状態保持期間Ｋ２において脈動するコイル電流Ｉ３の変動幅を示している。
【００１４】
そして、開弁制御期間Ｋ０の終了時（時刻ｔiH；開弁状態保持期間Ｋ２の終了時でもある）には、マイコン１１からの信号Ｓ２がローレベルになるため、ナンド回路１５から出力トランジスタＴｒ１のゲートへの駆動信号は、他の信号Ｓ１に拘わらずインアクティブレベルとしてのハイレベルになり、出力トランジスタＴｒ１はオフされる。そして更に、マイコン１１からの信号Ｓ２がローレベルになると、トランジスタＴｒ２もオフされる。
【００１５】
すると、この時には、コイルＬのフライバックエネルギーが、以下の様な電流経路で消弧される。
即ち、トランジスタＴｒ３のスレッシュホールド電圧（トランジスタＴｒ３がオンするゲート・ソース間電圧）をＶｔｈとし、ダイオードＤ１の順方向降下電圧をＶｆ１とし、ダイオードＤ２の順方向降下電圧をＶｆ２とし、ツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧をＶｚとすると、コイルＬの逆起電力によって、トランジスタＴｒ３のソース電圧（ダイオードＤ１のアノードの電圧）が、接地電位よりも「Ｖｔｈ＋Ｖｚ＋Ｖｆ２」だけ低くなると、トランジスタＴｒ３がオン状態になり、そのオン状態となったトランジスタＴｒ３とダイオードＤ１とを通してコイルＬにフライバック電流が流れ消弧が行われることとなる。
【００１６】
このため、図８におけるＶ１の段に示すように、開弁制御期間Ｋ０の終了時における消弧電圧ＶＨは、「Ｖｔｈ＋Ｖｚ＋Ｖｆ２＋Ｖｆ１」という大きな値になる。よって、開弁制御期間Ｋ０の終了時には、コイルＬに蓄えられたエネルギーが急速に消費されて、コイル電流Ｉ３も急速に減少し、その結果、電磁弁は速やかに閉弁状態になる。
【００１７】
尚、このように消弧電圧を開弁状態保持期間Ｋ２よりも大きくして電磁弁を速やかに閉弁させることは、"早切り消弧"と呼ばれている。そして、この"早切り消弧"は、コイルＬの残留磁気エネルギーを短時間に消滅させて電磁弁の閉弁所要時間（即ち、開弁制御期間Ｋ０が終了する時刻ｔiHである閉弁指令時点から電磁弁が実際に閉弁するまでの所要時間）の短縮及びそのばらつきを小さくするために行われる。
【特許文献１】特許第２８１５７４４号公報（段落［００１４］〜［００１９］、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
ところで、上記のような電磁弁制御装置においては、制御精度を高くするためには、閉弁所要時間ができるだけ短く、しかも、制御周期（電磁弁開閉制御期間Ｋｓ）ごとの閉弁所要時間のばらつきができるだけ小さい方が好ましい。この閉弁所要時間は、開弁制御期間終了時（時刻ｔiH）におけるコイルＬの電流Ｉ３（以下「閉弁開始電流」という）によって変わる。
【００１９】
即ち、図８に示す如く、出力トランジスタＴｒ１がデューティ駆動する開弁状態保持期間Ｋ２においては、その出力トランジスタＴｒ１のオン／オフに応じてコイルＬの電流Ｉ３がＩppの変動幅をもって脈動する。そして、開弁制御期間Ｋ０の終了時刻がｔiHの場合、その終了時のコイルＬの電流Ｉ３は、変動幅Ｉppの最大値ＩpHとなり、その場合の閉弁所要時間はＴcHとなる。一方、開弁制御期間Ｋ０の終了時刻が仮にｔiLであったならば、その終了時のコイルＬの電流Ｉ３は、変動幅Ｉppの最小値ＩpLとなり、その場合の閉弁所要時間はＴcLとなって上記ＴcHより短くなる。
【００２０】
そのため、閉弁所要時間をより短くするためには、コイルＬの電流Ｉ３が変動幅Ｉppの最小値ＩpLとなったとき、即ち、保持デューティ信号としての信号Ｓ１がローレベルからハイレベルに変化するタイミングで開弁制御期間Ｋ０が終了するのが最も好ましい。
【００２１】
しかしながら、従来の電磁弁制御装置では、保持デューティ信号とは非同期で、マイコン１１からの信号Ｓ２がローレベルとなって開弁制御期間Ｋ０が終了するため、電磁弁開閉制御期間Ｋｓの各周期ごとに閉弁開始電流が毎回変化してしまう。そのため、閉弁所要時間にばらつきが生じてしまうのである。開弁状態保持期間Ｋ２におけるコイル電流Ｉ３の変動幅Ｉppが大きいほど、閉弁開始電流がその時々で大きく変わることとなり、閉弁所要時間がより大きくばらつくこととなる。
【００２２】
このような閉弁所要時間のばらつきの幅は、上記説明した早切り消弧によって、ある程度は改善される。即ち、図１の電磁弁制御装置において、仮に、ツェナーダイオードＺＤを取り除くことによって早切り消弧の機能をなくした場合、閉弁所要時間（ｔcH，ｔcL）は、図８に示したものより長くなってしまう。つまり、コイルＬの電流Ｉ３が最大値ＩpHのときに開弁制御期間Ｋ０が終了した場合の閉弁所要時間ＴcHと、コイルＬの電流Ｉ３が最小値ＩpLのときに開弁制御期間Ｋ０が終了した場合の閉弁所要時間ＴcLとの差が、早切り消弧の機能を備えた図１（および図８）の場合よりも長くなってしまうのである。そのため、この早切り消弧の機能を備えることで、ばらつき自体は存在するものの、そのばらつきの幅をある程度は抑制できるのである。
【００２３】
ところが、この早切り消弧の機能を実現するためには、ツェナーダイオードＺＤなどの必要な素子等を組み込む必要があるため、当然ながら駆動回路１２の大型化、高コスト化を引き起こしてしまう。また、早切り消弧の際の消弧電圧ＶＨを大きくすればするほど閉弁所要時間のばらつき幅も小さくできるが、その分、トランジスタＴｒ３の素子も高耐圧のものが必要となり、よりコスト高となってしまう。そのため、望ましくは、早切り消弧の機能を持たなくとも上記ばらつきの幅を抑え、延いてはばらつきの発生自体を抑制できるのがよい。
【００２４】
また一方、早切り消弧の機能を設けて電磁弁の制御時間範囲をより広くする必要がある場合、閉弁所要時間をより短くするために早切り消弧の際の消弧電圧ＶＨをより大きくする必要が生じるため、高耐圧化によるコスト高が避けられなくなる。そのため、早切り消弧機能を必要とする場合においては、できる限り消弧電圧ＶＨを小さくするのが望ましい。
【００２５】
尚、以上の説明では、制御対象の電磁弁が、コイルへの通電によって開弁するノーマルクローズタイプのものである場合を例に挙げたが、上記問題は、電磁弁がコイルへの通電によって閉弁するノーマルオープンタイプのものである場合についても同様である。
【００２６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電磁弁の制御期間終了により出力トランジスタをオフさせた時から電磁弁が非作動状態となるまでの所要時間（上記例では閉弁所要時間）の短縮化とばらつきの抑制を低コストで実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記課題を解決するためになされた請求項１記載の電磁弁制御装置は、直流電源から電磁弁のコイルへの通電経路上に設けられ、供給される駆動信号に応じてオンすることでコイルに電流を流す出力トランジスタと、その出力トランジスタがオフされたときのコイルのフライバックエネルギーを消弧させる消弧手段と、制御手段とを備えている。
【００２８】
そして、制御手段は、電磁弁の制御期間の開始タイミングから所定の作動開始期間の間、出力トランジスタへの駆動信号をアクティブレベルにして該出力トランジスタをオンすることにより、電磁弁を非作動状態から作動状態に移行させ、上記作動開始期間の終了時から制御期間が終了するまでの作動状態保持期間の間は、出力トランジスタへの駆動信号を所定デューティ比のデューティ信号にして該出力トランジスタをオン／オフさせることにより、コイルに上記デューティ比に応じた電流を流して電磁弁を作動状態に保持し、更に、制御期間の終了時には、駆動信号をインアクティブレベルにして出力トランジスタをオフさせることにより、コイルに流れる電流を減少させて電磁弁を非動作状態にする。
【００２９】
尚、電磁弁が作動状態になるとは、その電磁弁がノーマルクローズタイプであれば、開弁状態になることを意味し、逆に、その電磁弁がノーマルオープンタイプであれば、閉弁状態になることを意味している。また、デューティ信号の出力開始とは、デューティ信号がアクティブレベルから開始することを意味している。さらに、所定の作動開始期間の長さは、電磁弁を作動状態に移行させるために必要十分な時間を適宜設定することができる。
【００３０】
そして特に、この請求項１記載の電磁弁制御装置では、制御手段が、上記制御期間終了時のコイルの電流値が所定値以下となるように、デューティ信号の出力開始タイミングを設定するよう構成されている。
【００３１】
制御期間終了までは、出力トランジスタのオン／オフの繰り返しに伴ってコイルに流れる電流も増減を繰り返しながら変動し、これにより電磁弁が作動状態に保持されている。そのため、上記所定値は、例えば、作動状態保持期間中の電流の変動幅における中間レベルに設定してもよいし、或いは、上記変動幅の最小値により近い値に設定してもよい。制御期間終了時のコイルの電流値が小さいほど、その制御期間終了時から電磁弁が非作動状態となるまでの所要時間（以下「非作動所要時間」ともいう）が短くなる。そのため、上記所定値は上記変動幅の最小値により近い方が好ましい。
【００３２】
そして、コイルに流れる電流はデューティ信号のレベル変化に応じて変動するものである。そのため、デューティ信号の周期やデューティ比が予めわかっていれば、どのタイミングでデューティ信号を出力開始すれば制御期間終了時のコイルの電流を上記所定値以下にできるかを得ることができる。
【００３３】
従って、請求項１記載の電磁弁制御装置によれば、制御期間終了時のコイルに流れる電流を所定値以下に抑えることができる（換言すれば、コイルの電流値が所定値以下のときに制御期間が終了するようにできる）ため、消弧手段として例えば従来例で説明した早切り消弧機能を持たない構成のものを用いても、非作動所要時間を十分に短縮化でき且つそのばらつきを抑えることができる。また、早切り消弧の機能を設けて電磁弁を高精度に制御する必要がある場合は、早切り消弧時の消弧電圧を小さく抑えることができ、消弧手段の構成部材（各種電子部品等）として耐圧性能の低いものを用いることができる。そのため、制御期間終了時における電磁弁の非作動所要時間の短縮化およびその非作動所要時間のばらつきの抑制を、低コストで実現することが可能となる。
【００３４】
そして、制御期間終了時のコイルの電流値が所定値以下となるようにするためには、具体的には、例えば請求項２に記載のように、制御手段が、制御期間が終了する直前の駆動信号の位相が、デューティ信号におけるインアクティブレベルからアクティブレベルに変化するタイミングの近傍となるように、デューティ信号の出力開始タイミングを設定するものとして構成するとよい。
【００３５】
デューティ信号によってコイルへの通電が行われている間は、出力トランジスタのオン／オフの繰り返しに伴ってコイルに流れる電流も所定の変動幅にて増減を繰り返すが、電流値が最小となるのは、デューティ信号がインアクティブレベルからアクティブレベルに変化するタイミングである。
【００３６】
そこで、制御期間終了時の直前のデューティ信号の位相が、インアクティブレベルからアクティブレベルに変化するタイミングの近傍の位相（例えば、その変化タイミングを中心とする、デューティ信号半周期或いはそれより短い間）となるようにすれば、その制御期間終了時のコイルの電流値を低く（所定値以下に）抑えることができ、延いては、非作動所要時間の短縮化およびばらつき低減を低コストで実現することが可能となるのである。
【００３７】
次に、請求項３記載の電磁弁制御装置は、請求項１又は２記載の電磁弁制御装置であって、デューティ信号の周波数は、予め設定された一定周波数である。そして、制御手段は、制御期間の終了タイミングからデューティ信号の周期の自然数倍の時間だけ前のタイミングを、そのデューティ信号の出力開始タイミングに設定する。
【００３８】
つまり、デューティ信号の出力開始タイミングから制御期間の終了タイミングまでの時間が、デューティ信号の周期（一定周期）の自然数倍となるように、その出力開始タイミングを設定するのである。これにより、デューティ信号がインアクティブレベルからアクティブレベルに変化するタイミング、即ち、コイルの電流値が上記変動幅の最小値となるタイミングで制御期間が終了することになる。
【００３９】
そのため、非作動所要時間をより短く（最短に）、しかもその非作動所要時間のばらつきをより小さく（最小に）することが可能となる。
そして、上記請求項３記載の電磁弁制御装置は、具体的には、例えば請求項４のように構成することができる。即ち、請求項４記載の電磁弁制御装置は、請求項３記載の電磁弁制御装置であって、保持期間長演算手段と、周期数演算手段と、開始タイミング設定手段と、を備えている。
【００４０】
保持期間長演算手段は、作動状態保持期間の長さである保持期間長を算出する。周期数演算手段は、その算出された保持期間長をデューティ信号の周期で除算し、その除算結果から小数部分を切り捨てた整数部分をデューティ信号の周期数として取得する。周期数とはつまり、デューティ信号を何周期分出力するかを表す数である。尚、保持期間長演算手段による保持期間長の算出は、例えば、制御期間全体の長さから作動開始期間の長さを減ずることにより得ることができる。換言すれば、制御期間の終了時刻から作動開始期間の終了時刻を減じて得ることができる。
【００４１】
そして、開始タイミング設定手段は、周期数演算手段により取得された周期数とデューティ信号の周期とを乗算することにより該デューティ信号の出力時間を算出し、制御期間の終了タイミングからその算出した出力時間だけ前のタイミングを、デューティ信号の出力開始タイミングに設定する。
【００４２】
この構成によれば、デューティ信号の出力開始タイミングから制御期間の終了タイミングまでの時間がデューティ信号の周期（一定周期）の自然数倍となるように、その出力開始タイミングを設定することができるため、請求項３と同様の効果が得られる。
【００４３】
次に、請求項５記載の電磁弁制御装置は、請求項１〜４いずれかに記載の電磁弁制御装置であって、制御手段は、作動開始期間の終了タイミングから当該制御手段が設定したデューティ信号の出力開始タイミングまでの時間が、予め設定した制御移行下限時間より短い場合は、作動開始期間の終了後も、引き続き、デューティ信号の出力開始タイミングまで駆動信号をアクティブレベルに保持する。
【００４４】
制御移行下限時間は、例えば、デューティ信号の１周期分の時間の１／４に設定したり、さらにそれより短い時間に設定するなど、作動開始期間の終了時からデューティ信号出力開始までの時間がその時間より短くなると制御精度が悪化する可能性がある、といような時間に適宜設定すればよい。つまり、デューティ信号の出力開始タイミングを設定した結果、その設定した出力開始タイミングが、作動開始期間の終了後からごく短時間（制御移行下限時間より短い）ならば、デューティ信号の出力開始までそのまま出力トランジスタをオンに維持するのである。
【００４５】
このように構成された電磁弁制御装置によれば、作動開始期間の終了により駆動信号をインアクティブレベルにした後、制御移行下限時間より短いわずかな時間が経過しただけで再びアクティブレベルにしなければならないということがなくなるため、制御プログラムの複雑化や制御精度の悪化を抑制することが可能となる。
【００４６】
ところで、作動状態保持期間に移行した直後は、コイルの電流値はまだ高いレベルにあり、そこから、徐々に低下していって最終的にデューティ信号のデューティ比に応じたレベル（定常レベル）に収束し、以後、そのレベルの電流にて電磁弁の作動状態が保持されることになる。尚、この状態において実際にはコイルに流れる電流がデューティ信号に応じて変動することは、既に述べた通りである。
【００４７】
そのため、仮に、定常レベルに収束していく途中の段階で制御期間が終了し、駆動信号がインアクティブレベルになると、閉弁所要時間も当然ながら長くなってしまう。制御期間が短いほど、つまり作動状態保持期間が短いほど、この問題が生じる可能性が高くなる。
【００４８】
そこで、制御期間終了時にコイルに流れる電流が上記定常レベルとなるようにするためには、例えば請求項６に記載のようにしてデューティ信号の出力タイミングを設定するとよい。即ち、請求項６記載の電磁弁制御装置は、請求項１〜３いずれかに記載の電磁弁制御装置であって、制御手段は、作動開始期間の終了後、コイルに流れる電流が所定の電流収束範囲内に低下したときにデューティ信号の出力が開始されるよう、該デューティ信号の出力開始タイミングを設定する。
【００４９】
電流収束範囲は、例えば、作動状態保持のために最低限必要な電流値以上であって、且つ、デューティ信号の出力開始後短時間でコイルの電流が定常レベルに収束しうるような値以下の範囲内で適宜設定すればよい。また、作動開始期間の終了時からデューティ信号の出力開始までの間は、駆動信号をインアクティブレベルに維持し続けるのが好ましいが、これに限らず、例えば、上記デューティ信号のデューティ比より小さいデューティ信号によって通電を継続しつつ、定常レベルに収束させるようにしてもよい。但し、より早く収束させるためには前者（インアクティブレベルに維持）の方が好ましい。
【００５０】
このように構成された電磁弁制御装置によれば、作動開始期間の終了後、短時間でコイルの電流を定常レベルにまで低下（収束）させることができるため、制御期間をより短く設定することも可能となり、電磁弁の制御の幅が広がる。
【００５１】
そして、上記請求項６記載の電磁弁制御装置のうち、特にデューティ信号の周波数が一定の場合は、例えば請求項７のように構成することができる。即ち、請求項７記載の電磁弁制御装置は、請求項３に従属する請求項６記載の電磁弁制御装置であって、制御手段は、保持期間長演算手段と、収束時間演算手段と、収束タイミング設定手段と、周期数演算手段と、開始タイミング設定手段とを備えている。
【００５２】
保持期間長演算手段は、作動状態保持期間の長さである保持期間長を算出し、収束時間演算手段は、作動開始期間の終了タイミングで駆動信号をインアクティブレベルにした時からコイルに流れる電流が所定の収束目標値に低下するまでの時間を演算する。
【００５３】
この収束目標値は、少なくとも電磁弁を作動状態に保持するために最低限必要な値以上であって、最終的に開始タイミング設定手段により設定される出力開始タイミングにおけるコイルの電流値が上記電流収束範囲内となるような値である限り任意に設定でき、例えば、上記電流収束範囲内における最小値とすることができる。そして、収束目標値に低下するまでの時間は、例えば直流電源の電圧値や通電経路・消弧手段の電気的特性などの各種条件に基づいて実際に所定の演算を行って得るようにしてもよいし、また例えば、「電源電圧が○Ｖの場合は○ｍsec.」というふうに、各種条件の違いに応じた時間を予め複数種類設定（テーブル化等）しておいて、その中からその時々の条件に対応した時間を取得するようにしてもよい。
【００５４】
収束タイミング設定手段は、作動開始期間の終了タイミングから収束時間演算手段により演算された時間が経過した後のタイミングを電流収束タイミングとして設定し、周期数演算手段は、その電流収束タイミングから制御期間の終了タイミングまでの時間をデューティ信号の周期で除算し、その剰余を切り上げた数をデューティ信号の周期数として取得する。
【００５５】
そして、開始タイミング設定手段が、周期数演算手段により取得された周期数とデューティ信号の周期とを乗算することにより該デューティ信号の出力時間を算出し、制御期間の終了タイミングからその算出した出力時間だけ前のタイミングを、デューティ信号の出力開始タイミングに設定する。
【００５６】
この構成によれば、作動開始期間の終了後、コイルの電流値が電流収束範囲内に収束するまでの間は駆動信号がインアクティブ状態となり、コイルの電流値が定常レベルへ迅速に低下（収束）する。そのため、請求項６と同様の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下に、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
［第１実施形態］
図１は、本実施形態の電磁弁制御装置の構成を示す構成図である。本実施形態の電磁弁制御装置は、ハード構成だけをみれば、従来の電磁弁制御装置と全く同じものである。そのため、図１の電磁弁制御装置についての詳細説明はここでは省略する。
【００５８】
また、図２は、本実施形態の電磁弁制御装置の動作を説明するためのタイムチャートである。本図２において、従来の電磁弁制御装置の動作を表す図８と同様の信号、電圧、電流、および期間などについては、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５９】
次に、本実施形態の電磁弁制御装置の動作について、従来の電磁弁制御装置の動作とは異なる点を中心に、図２に基づいて説明する。本実施形態の電磁弁制御装置の動作が従来装置の動作（図８）と大きく異なる点は、開弁状態保持期間Ｋ２における保持デューティ信号（信号Ｓ１）の出力開始タイミングを、後述する演算処理によって設定するようにしていることである。
【００６０】
具体的には、開弁制御期間Ｋ０が終了するタイミングｔheでのコイルＬの電流値が、開弁状態保持期間Ｋ２の期間中における変動幅Ｉppの電流（以下「保持電流」ともいう）の最小値となるように、言い換えれば、開弁制御期間Ｋ０が終了するタイミングｔheにおける保持デューティ信号（信号Ｓ１）の位相が、インアクティブレベルとしてのローレベルからアクティブレベルとしてのハイレベルに変化する位置となるように、保持デューティ信号の出力開始タイミングｔhsを演算する。
【００６１】
本実施形態の電磁弁制御装置においては、電磁弁開閉制御の周期である電磁弁開閉制御期間Ｋｓの長さは予め設定されており、この電磁弁開閉制御期間Ｋｓの開始タイミング、即ち各開弁制御期間Ｋ０の開始タイミングｔksも予め設定されている。また、開弁状態保持期間Ｋ２の間に出力される（詳しくは後述する保持デューティ通電期間Ｋ２Ｄの間に出力される）保持デューティ信号の周期は、予め設定された一定の周期ＴＨである。
【００６２】
そこで、開弁制御期間Ｋ０に入る前に、まず開弁制御期間Ｋ０の長さである開弁制御時間Ｔ０と過励磁通電期間Ｋ１の長さである過励磁通電時間Ｔ１とを算出することにより、開弁状態保持期間Ｋ２の長さである開弁保持通電時間Ｔ２を算出する。そして、この開弁状態保持期間Ｋ２の終了タイミングｔheから保持デューティ信号の周期ＴＨの自然数倍だけ前の（遡った）タイミングを保持デューティ信号の出力タイミングｔhsとして設定するのである。
【００６３】
このタイミングｔhsから開弁制御期間Ｋ０の終了タイミングｔheまでの期間Ｋ２Ｄが、保持デューティ信号を出力してコイルＬに保持電流を流す保持デューティ通電期間であり、この期間Ｋ２Ｄの長さである保持デューティ通電時間Ｔ２Ｄは、保持デューティ信号の周期ＴＨの自然数倍となる。
【００６４】
そのため、開弁制御期間Ｋ０の終了タイミングｔheと、保持デューティ信号がローレベルからハイレベルに立ち上がるタイミングとが一致する。これにより、開弁制御期間Ｋ０の終了タイミングｔheにおけるコイルＬの電流（即ち閉弁開始電流）は、保持電流の変動幅ＩPPの最小値であるＩpLとなり、短い閉弁所要時間ＴcLで電磁弁が閉弁することとなる。
【００６５】
次に、電磁弁を上記説明したように動作させるためにマイコン１１が実行する電磁弁開閉制御処理について、図３に基づいて説明する。図３は、マイコン１１にて実行される電磁弁開閉制御処理を表すフローチャートである。
【００６６】
この処理が開始されると、まずステップ（以下「Ｓ」と略す）１１０にて、これから行おうとする電磁弁開閉制御における開弁時間要求値としての開弁制御時間Ｔ０を算出する。これは、マイコン１１に入力される各種信号等に基づいて算出されるものであり、例えば自動車の自動変速機制御装置における油圧を制御するための電磁弁の開閉制御においては、車速やエンジン回転数、アクセル開度、油温などの各種センサやスイッチ等の信号に基づいて算出される。
【００６７】
続くＳ１２０では、開弁制御期間Ｋ０の開始タイミングである開弁開始時刻ｔksを取得する。この開弁開始時刻ｔksは、既述の通り電磁弁開閉制御期間Ｋｓの各周期ごとに予め設定されているものである。
【００６８】
そしてＳ１３０にて、開弁状態保持期間Ｋ２の終了タイミングである保持デューティ信号終了タイミングｔheを算出する。これは、開弁開始時刻ｔksに、開弁制御時間Ｔ０を加算することにより得られる。そして、Ｓ１４０で過励磁通電時間Ｔ１を設定する。これは、例えば上述の自動変速機制御装置の例においては、油温や電源電圧ＶＢの大きさなどに基づいて、電磁弁を確実に開弁させるのに必要な時間を設定することとなる。
【００６９】
Ｓ１５０では、開弁制御時間Ｔ０から過励磁通電時間Ｔ１を減ずることにより、開弁保持通電時間Ｔ２を算出する。そしてＳ１６０にて、Ｓ１５０で算出された開弁保持通電時間Ｔ２を保持デューティ信号の周期ＴＨで除算してその端数（剰余）を切り捨てた結果を、保持デューティ通電回数Ｎとする。この保持デューティ通電回数Ｎは、開弁状態保持期間Ｋ２の間で出力可能な保持デューティ信号の最大周期数を表すものである。
【００７０】
そしてＳ１７０で、この保持デューティ通電回数Ｎに周期ＴＨを乗じて保持デューティ通電時間Ｔ２Ｄを算出し、保持デューティ信号終了タイミングｔheからその算出した保持デューティ通電時間Ｔ２Ｄを減じた（つまりＴ２Ｄだけ遡った）時間を、保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsとして算出する。これにより、過励磁通電期間Ｋ１の終了後にどのタイミングで保持デューティ信号を出力開始すればよいかが算出されたことになる。
【００７１】
このようにして保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsが得られた後は、Ｓ１８０に進み、過励磁通電期間Ｋ１の間に過励磁通電を行う。そして、過励磁通電期間Ｋ１の終了後にＳ１９０へ進み、Ｓ１７０で得られた保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsから、開弁状態保持期間Ｋ２の終了タイミングである保持デューティ信号終了タイミングｔheまでの間（Ｋ２Ｄ）、マイコン１１からの信号Ｓ１として保持デューティ信号を出力する。
【００７２】
そして、保持デューティ信号終了タイミングｔheになったとき、Ｓ２００にて保持デューティ信号の出力を終了し、再びＳ１１０以下の処理を繰り返す。
よって、本実施形態の電磁弁制御装置によれば、保持電流が変動幅Ｉppの最小値ＩpLとなるタイミングである、保持デューティ信号（信号Ｓ１）がローレベルからハイレベルに立ち上がるタイミングで、開弁状態保持期間Ｋ２が終了するように保持デューティ信号の出力開始タイミング（保持デューティＯＮ開始タイミングｔhs）を設定しているため、閉弁所要時間をより最短のＴcLとすることができ、且つ、各電磁弁開閉制御期間Ｋｓごとの閉弁所要時間のばらつきをほぼ抑えることが可能となる。
【００７３】
そのため、電磁弁の制御に高い精度が求められているようなシステムであっても、早切り消弧時の消弧電圧ＶＨを低く抑えることができ、消弧用の回路を構成するトランジスタＴｒ３等の部品として耐圧性能の低いものを使用することができる。なお、消弧用の回路とは、ダイオードＤ１，Ｄ２、ツェナーダイオードＺＤ、トランジスタＴｒ２，Ｔｒ３、抵抗２１，２３、及び反転回路１９からなる回路であり、本発明の消弧手段に相当するものである。
【００７４】
また、電磁弁の制御に高い精度が求められていないシステムにおいては、早切り消弧の機能を省くことも可能となる。具体的には、ツェナーダイオードＺＤを省略できると共に、トランジスタＴｒ３を耐圧性能の低いものにすることができる。
【００７５】
つまり、閉弁所要時間の短縮化とそのばらつきの低減を低コストで実現することが可能となり、延いては、電磁弁制御装置を低コストで構成することが可能となる。
ここで、本実施形態の構成要素と本発明の構成要素の対応関係を明らかにする。本実施形態において、開弁制御期間Ｋ０は本発明の制御期間に相当し、過励磁通電期間Ｋ１は本発明の作動開始期間に相当し、開弁状態保持期間Ｋ２は本発明の作動状態保持期間に相当し、マイコン１１及びナンド回路１５により本発明の制御手段が構成される。また、開弁状態保持期間Ｋ２の長さである開弁保持通電時間Ｔ２は本発明の保持期間長に相当し、保持デューティ通電期間Ｋ２Ｄの長さである保持デューティ通電時間Ｔ２Ｄは本発明（請求項４）のデューティ信号の出力時間に相当する。
【００７６】
また、図３の電磁弁開閉制御処理において、Ｓ１５０の処理は本発明の保持期間長演算手段が実行する処理に相当し、Ｓ１６０の処理は本発明の周期数演算手段が実行する処理に相当し、Ｓ１７０は本発明の開始タイミング設定手段が実行する処理に相当する。
【００７７】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態の電磁弁制御装置について説明する。本実施形態の電磁弁制御装置も、そのハード構成自体は図１の電磁弁制御装置と全く同じであり、その動作内容、即ちマイコン１１による制御内容が、上記第１実施形態と異なる。そこで、以下の説明では、本実施形態の電磁弁制御装置の動作について、第１実施形態の電磁弁制御装置の動作とは異なる点を中心に、図４に基づいて説明する。なお、図４において、第１実施形態の電磁弁制御装置の動作を表す図２と同様の信号、電圧、電流、および期間などについては、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
本実施形態の電磁弁制御装置において、開弁制御期間Ｋ０の終了タイミングである保持デューティ信号終了タイミングｔheから保持デューティ信号の周期ＴＨの自然数倍遡った時間をその保持デューティ信号の出力開始タイミング（ＯＮ開始タイミング）ｔhsとすることについては、第１実施形態と同じである。つまり、保持デューティ信号を出力する時間は、その周期ＴＨの自然数倍とするのである。
【００７９】
そして、本実施形態の電磁弁制御装置の動作が第１実施形態と大きく異なる点は、過励時通電期間Ｋ１の終了（時刻ｔke）によってマイコン１１からの信号Ｓ１をローレベルに戻した後、コイルＬに流れる電流が保持電流の定常レベル或いはその近傍のレベルにまで減少した後に、保持デューティ信号の出力を開始することである。
【００８０】
既に述べた通り、過励時通電期間Ｋ１の終了後、コイルＬの電流は徐々に低下してき、最終的には変動幅Ｉppをもって脈動しながら保持デューティ信号のデューティ比に応じた平均的な電流が流れる。この変動幅Ｉppの範囲が、上記保持電流の定常レベルである。
【００８１】
次に、本実施形態の電磁弁制御装置においてマイコン１１が実行する電磁弁開閉制御処理を、図４のタイムチャートを参照しつつ、図５に基づいて説明する。図５は、マイコン１１にて実行される電磁弁開閉制御処理を表すフローチャートである。この電磁弁開閉制御処理のうち、Ｓ１１０〜Ｓ１５０までの処理及びＳ１７０以降の処理は、図３で説明した第１実施形態の電磁弁開閉制御処理と同じである。そのため、これら各処理については図３と同じ符号を付し、その詳細説明を省略する。
【００８２】
そして、本実施形態では、Ｓ１５０の処理の後、図３のＳ１６０に代わって、Ｓ１５２〜Ｓ１５８の処理（破線で囲んだ部分）を行うようにしている。即ち、Ｓ１５０にて開弁保持通電時間Ｔ２を算出すると、Ｓ１５２に移行し、電流収束時間Ｔcon を算出する。本実施形態では、保持デューティ信号の出力開始タイミングｔhsでのコイルＬの電流が所定の電流収束範囲内のレベルとなるようにしている。この電流収束範囲は、本例ではＩcL（≒ＩpL）〜ＩcHの間である。
【００８３】
そこでまず、過励時通電期間Ｋ１の終了後、コイルＬの電流値が電流収束範囲内における所定の収束目標値（本例では最小値であるＩcL）に低下するまでの時間を、電流収束時間Ｔcon として算出するのである。過励時通電期間Ｋ１の終了時点での電流値は、過励時通電時間Ｔ１や電源電圧ＶＢ、更にはコイルＬのインダクタンス分などに基づいて予め算出できる。そして、その電流値が上記収束目標値ＩcLに低下するまでの電流収束時間Ｔcon は、過励時通電期間Ｋ１終了時の電流値と、消弧用の回路の回路定数などに基づいて算出できる。また、実際に演算を行うことによって電流収束時間Ｔcon を算出する方法以外に、例えば、上記各種条件（電源電圧ＶＢ、過励磁通電時間Ｔ１、回路定数など）の違い毎にそれぞれ対応する電流収束時間Ｔcon を予め設定（テーブル化）しておき、その中から、Ｓ１５２の処理時の条件に対応した電流収束時間Ｔcon を選択するようにしてもよい。
【００８４】
このようにして電流収束時間Ｔcon を算出したら、Ｓ１５４にて、過励時通電期間Ｋ１の終了時からこの電流収束時間Ｔcon が経過したタイミングである電流収束時刻ｔｃを算出する。具体的には、過励時通電期間Ｋ１の開始タイミングｔksから、過励時通電時間Ｔ１と電流収束時間Ｔcon とを加算した時間だけ経過したタイミングとなる。
【００８５】
そしてＳ１５６にて、電流収束時刻ｔｃから開弁制御期間Ｋ０の終了時刻ｔheまでの時間を保持デューティ最小所要時間Ｔmin として算出し、続くＳ１５８にて、Ｓ１５６で算出された保持デューティ最小所要時間Ｔmin を保持デューティ信号の周期ＴＨで除算してその端数（剰余）を切り上げた結果を、保持デューティ通電回数Ｎとする。そして、Ｓ１７０にて保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsを算出し、Ｓ１８０以降の処理に進む。
【００８６】
このように構成された本実施形態の電磁弁制御装置では、過励時通電期間Ｋ１の終了後、信号Ｓ１を継続的にローレベルに保持することにより、コイルＬの電流値を短時間で定常レベル或いはその近傍のレベル（ＩcL〜ＩcH）にまで低下させ、その低下したタイミングで保持デューティ信号の出力を開始するようにしている。しかもその出力開始タイミングは、第１実施形態と同様、保持デューティ信号（信号Ｓ１）がローレベルからハイレベルに立ち上がるタイミングで開弁状態保持期間Ｋ２が終了するように設定される。
【００８７】
このため、本実施形態の電磁弁制御装置によれば、開弁制御期間Ｋ０の長さ（開弁制御時間Ｔ０）をより短く設定することが可能となり、電磁弁の制御の幅が広がる。つまり、開弁制御時間Ｔ０が短い場合であっても、閉弁所要時間の短縮化およびそのばらつきの抑制が可能となる。
【００８８】
尚、本実施形態において、電流収束時刻ｔｃは本発明の電流収束タイミングに相当し、保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsが本発明（請求項７）の出力時間に相当する。
また、図５の電磁弁開閉制御処理において、Ｓ１５２の処理は本発明の収束時間演算手段が実行する処理に相当し、Ｓ１５４の処理は本発明の収束タイミング設定手段が実行する処理に相当し、Ｓ１５８の処理は本発明の周期数演算手段が実行する処理に相当する。
【００８９】
［変形例］
尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００９０】
例えば、上記第１実施形態では、過励時通電期間Ｋ１の終了時刻ｔkeにて信号Ｓ１をローレベルに戻すことにより出力トランジスタＴｒ１を一旦必ずオフし、その後、時刻ｔhsから保持デューティ信号の出力を開始するようにしたが、この両時刻間（ｔke〜ｔhs）が短い場合は、この間も引き続き信号Ｓ１をハイレベルに維持して出力トランジスタＴｒ１をオン状態に保持するようにしてもよい。
【００９１】
即ち、信号Ｓ１をローレベルにしてから再びハイレベルにするまでの時間が非常に短いと、マイコン１１におけるソフト処理所要時間の関係で処理時間に誤差が生じやすくなる。そのため、その誤差をなくすためにソフト的に何らかの工夫を加えるなどの対策を施す必要が生じる。また、上記時間が極短時間だと誤差を抑えきれない場合もある。
【００９２】
そこで、電磁弁開閉制御処理（図３）のＳ１７０にて保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsを設定した結果、過励時通電期間Ｋ１の終了時刻ｔkeとの差が非常に短い場合は、過励時通電期間Ｋ１の終了後、保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsまでの間も引き続き信号Ｓ１をハイレベルに保持するのである。その場合の電磁弁開閉制御処理の一例を図６のフローチャートに示す。
【００９３】
図６の電磁弁開閉制御処理において、Ｓ１１０〜Ｓ１７０までの処理、および、Ｓ１８０以降の処理は、いずれも図３と全く同様である。そして、図３と異なるのは、Ｓ１７０の後にＳ１７３の判定処理を追加すると共に、その判定処理で肯定判定された場合にＳ１７５の処理を行ってからＳ１８０に進むようにしたことである。
【００９４】
即ち、まずＳ１７３では、過励時通電期間Ｋ１の終了タイミングｔkeから保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsまでの時間が、保持デューティ信号の周期の半分であるＴＨ／２より短いか否かが判断される。そして、ＴＨ／２以上の場合はＳ１８０以降の処理を行うが、ＴＨ／２より短い場合はＳ１７５に進み、開弁制御処理の開始時刻ｔksから保持デューティＯＮ開始タイミングｔhsまでの全期間で過励時通電を行うようにする。
【００９５】
このようにすることで、保持デューティ信号の周期ＴＨよりもごく短時間の間に信号Ｓ１をローレベル→ハイレベル→ローレベルと変化させるようなことが無くなるため、制御プログラムの複雑化や制御精度の悪化（誤差発生）を抑止することが可能となる。なお、Ｓ１７３の処理における判定基準時間であるＴＨ／２が本発明の制御移行下限時間に相当するものである。また、図６ではその判定基準時間をＴＨ／２としたが、これはあくまでも一例であって、例えば周期ＴＨの１／２より短い時間の範囲内で適宜設定することができる。
【００９６】
また、上記各実施形態の電磁弁制御装置はハイサイド駆動形態であったが、本発明は、ローサイド駆動形態の装置に対しても同様に適用することができる。そして、ローサイド駆動形態の場合の駆動回路部分の一例を挙げると、図７のようになる。
【００９７】
尚、図７において、図１と同じ役割を果たす素子については、同一の符号を付しているが、出力トランジスタＴｒ１は、ローサイド駆動形態であるため、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとなっている。また、この図７の構成例において、早切り消弧を行う際には、ダイオードＤ２及びツェナーダイオードＺＤを通してコイルＬにフライバック電流が環流されることとなる。
【００９８】
また、制御対象の電磁弁は、コイルＬへの通電により開弁するノーマルクローズタイプに限らず、コイルＬへの通電により閉弁するノーマルオープンタイプであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】従来および第１実施形態の電磁弁制御装置のハード構成を示す構成図である。
【図２】第１実施形態の電磁弁制御装置の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図３】第１実施形態の電磁弁制御装置のマイコンが実行する電磁弁開閉制御処理を表すフローチャートである。
【図４】第２実施形態の電磁弁制御装置の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図５】第２実施形態の電磁弁制御装置のマイコンが実行する電磁弁開閉制御処理を表すフローチャートである。
【図６】電磁弁開閉制御処理の変形例を表すフローチャートである。
【図７】電磁弁制御装置の変形例を示す説明図である。
【図８】従来の電磁弁制御装置の動作を説明するためのタイムチャートである。
【符号の説明】
【０１００】
１１・・・マイコン、１２・・・駆動回路、１５・・・ナンド回路、１７，２１，２３・・・抵抗、１９・・・反転回路、Ｄ１，Ｄ２・・・ダイオード、Ｌ・・・コイル、ＺＤ・・・ツェナーダイオード、Ｔｒ１・・・出力トランジスタ、Ｔｒ２・・・ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ、Ｔｒ３・・・Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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