(57)【要約】      （修正有）【課題】貫通孔の内周壁に薄膜蒸着等により金属層を形成してもアンカー効果により金属層の接着性が高く、金属層形成後に貫通孔が分割されて形成される凹部に付設されるリード端子電極との接着不良を防止できるセラミックス基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】複数の貫通孔２を有するセラミックス基板１であって、貫通孔２の内周壁２ａに縦方向の筋４を有し、貫通孔２内周壁２ａの最大高さＲzが５〜２０μｍであることを特徴とするセラミックス基板である。【選択図】図２
2005303149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通孔を有するセラミックス基板であって、前記貫通孔の内周壁に縦方向の筋を有し、該貫通孔内周壁の最大高さＲzが５〜２０μｍであることを特徴とするセラミックス基板。
【請求項２】
少なくとも上面に前記貫通孔の略中心を通るように分割溝が形成されたことを特徴とする請求項１記載のセラミックス基板。
【請求項３】
前記貫通孔が長径０．８〜２．０mm、短径０．５〜１．２５mmの略楕円の横断面形状となるように形成されるとともに、前記分割溝が該貫通孔の長径方向に沿って形成されたことを特徴とする請求項２記載のセラミックス基板。
【請求項４】
金型に設けられたピンを未焼成のセラミックグリーンシートに押し当てて該セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程と、該貫通孔の形成されたセラミックグリーンシートを焼成する工程とを含むセラミックス基板の製造方法であって、前記ピンは側面に長手軸方向の筋を有し、該側面の最大高さＲｚが６〜２２μｍであることを特徴とするセラミックス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ピンの側面に、ロール状砥石を回転させながら長手軸方向に摺動させて研削することにより前記筋を形成することを特徴とする請求項４記載のセラミックス基板の製造方法。
【請求項６】
セラミック板の対向する一対の側面に、縦方向の筋を有し最大高さＲｚが５〜２０μｍである凹部を具備し、該凹部及び上面に金属層が形成され、前記凹部にリード端子電極が付設されてなる電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属層を薄膜形成した後、リード端子電極を付設するための貫通孔を有するセラミックス基板及びその製造方法、およびこれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックス基板の貫通孔の形成方法は、未焼成のグリーンシートの段階で孔加工し焼成する方法と、焼成後のセラミックス基板にレーザにより孔加工する方法がある。    
グリーンシートへ孔加工する方法は、図９に示すように、グリーンシート１１に金型１２１に備えられたピン１２２を押し当てて貫通孔１０２を形成するものであり、レーザ加工による方法は図１０に示すように、ＣＯ２レーザなど高出力のレーザビーム１３２をセラミックス基板１０１に照射し貫通孔１０２を形成するものである。    
これらの貫通孔１０２は、表裏の導通をとる目的またはリード端子を嵌挿し導体と接続する目的で形成されるが、このうち薄膜セラミックス基板のリード端子電極が付設される場合においては、従来の方法で形成された貫通孔１０２では種々の課題があった。
【０００３】
まず、グリーンシート１１にピン１２２で貫通孔１０２を形成した場合には、（以下不図示）貫通孔１０２の内周壁が平滑に形成されるためにスパッタリング等により抵抗膜、導体膜を薄膜形成しハンダ等によりリード端子を接着させても、周方向の応力により抵抗膜と導体膜間の接着強度が弱くこの間で導体膜が剥離するという課題があった。
【０００４】
この課題を解決するために、貫通孔１０２の内周壁を粗化させる方法が知られていて、図１１に示すように、セラミックス基板１０１の表面１０１ａおよび貫通孔１０２の内周壁１０２ａを粗化するために、加熱した燐酸液にセラミックス基板１０１を浸す方法がある（特許文献１）。また、同様な方法で加熱した燐酸液に浸すことによって、セラミックス基板１０１の表面１０１ａの粗化レベルをアルミナ９６質量％において最大高さＲｚが４μｍに、また、アルミナ９９質量％において最大高さＲｚが１０μｍに形成出来、そのバラツキも±１μｍ以内に抑える方法もある（特許文献２）。
【０００５】
一方、焼成後のセラミックス基板１０１にレーザ加工する方法は、（以下不図示）レーザーの熱エネルギーを用いて貫通孔１０２を形成するため、セラミックの一部が、溶融した後、冷却固化されることにより、セラミック特有の、再結晶化状態ではなく、ガラス質のような固化した状態で貫通孔１０２内部に残存してしまう。すなわち、貫通孔１０２の内周壁に熱溶融後固化した変質層が生じ、そして、この変質層には熱ストレスによる無数のクラックが存在するので、このような貫通孔１０２の内周壁にメタライズした場合、その膜が剥離しやすいという欠点を有していた。この問題を解決するためにセラミックス基板１０１にレーザーで貫通孔１０２を形成した後、この貫通孔１０２にサンドブラスト処理を行うことによって、レーザー加工に伴う熱溶融後固化した変質層を除去する方法も周知である。
【０００６】
その方法として、まず図１２（ａ）に示すように、予めセラミックス基板１０１上に保護層１３５を貼り付けてからレーザービーム１３２を照射し貫通孔１０２を形成し、その際に貫通孔１０２の内周壁１０２ａに形成された変質層１３３を、図１２（ｂ）に示すように、保護層１３５を貼り付けた状態で砥粒１３６を吹き付けることにより除去するものである。上記変質層１３３を完全に除去するためには、セラミックス基板１０１の表面に対し傾斜して吹きつけ、セラミックス基板１０１を回転させればよい（特許文献３）。
【０００７】
しかし、上記の方法はセラミックス基板１０１の表面に保護層１３５を被覆させるなど工程が複雑であることから、その解決策としてサンドブラストの砥粒１３６を略球形状研削材とする方法がある。この方法によりサンドブラスト処理をおこなえば、貫通孔１０２の強度の劣る変質層１３３のみを除去し、正常なその他のセラミックスへ影響を与えないために保護層１３５を不要とし、かつ、貫通孔１０２の変質層１３３を完全に除去できる（特許文献４）。
【特許文献１】特開平１−１１２７９４号公報
【特許文献２】特公平７−８７２６４号公報
【特許文献３】特開２００１−１１１１９７号公報
【特許文献４】特開２００４−２２６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１、２で紹介された、貫通孔１０２の内周壁１０２ａを燐酸液へ浸して粗化する方法は、セラミックス基板１０１の表面１０１ａも同時に粗化するものであり、セラミックス基板１０１の表面１０１aに薄膜の精細なパターンを形成するものにおいては、膜厚が不均一になり抵抗値ばらつきが大きくなる、あるいはパターン断線が発生するという課題があった。そのために、セラミックス基板１０１の表面１０１ａの平滑性を確保する必要がある用途においては、セラミックス基板１０１の表面１０１ａに耐化学薬品の保護層を形成しておく必要があり工程が複雑化する上に、貫通孔１０２の開口部周縁は曲面状をなしているから保護層で確実にカバーできないという課題と、このような燐酸液は残留したときに後工程で形成される金属層の密着性や腐食性には影響ないものの、有毒であり皮膚が爛れるなど安全上の課題もあった。
【０００９】
また、特許文献３，４で紹介されるレーザで加工された貫通孔１０２の変質層１３３をサンドブラスト処理により除去する方法は、変質層１３３の厚みtそのものに均一性がなく、従って、変質層１３３を完全に除去するためには、貫通孔１０２の正常な領域まで除去する必要があり、その処理には長時間を要するだけでなく、セラミックス基板１０１の表面１０１ａも荒れるという課題があった。これに対し、特許文献３では保護層１３５を被せることにより、セラミックス基板１０１の表面１０１ａへの影響を防ぐものであるが、保護層１３５の貼り付けと除去するという工程が追加されるため工程が複雑化するだけでなく、保護層１３５の径よりもさらに拡がった貫通孔１０２の変質層１３３の除去は不可能であり実質変質層１３３が残存するという課題があった。
【００１０】
さらに、上記保護層１３５を不要とした特許文献４の方法では、貫通孔１０２の変質層１３３を完全に除去できたとしてもセラミックス基板１０１の表面１０１ａが５μｍ以上の深さに亘り研削され、平滑性が要求される薄膜回路形成用のセラミックス基板としては、使用出来ないという課題があった。
【００１１】
また、レーザにより形成された貫通孔１０２は、図１３に示すように、レーザビーム入射側から出口側に向かってテーパ状を呈し、出口側には周方向に無数のチッピング１３４が存在する。これは、セラミックスの溶融したヒュームがバリとなって出口側に形成されその後セラミックス基板１０１同士の摺り合わせ等の接触により、または強制的な処理により除去されチッピング１３４となるものである。
【００１２】
このような、貫通孔１０２を有するセラミックス基板１０１の該貫通孔１０２の中心を通る分割溝により分割し、リード端子電極を付設すると、リード端子電極が貫通孔１０２の上部と下部で均一な接触が得られず、リード端子電極の接着不良となるという課題があった。
【００１３】
さらに、貫通孔１０２に複層の導体膜を薄膜形成し、その上に上記リード端子電極を付設する方法が良く用いられているが、これは、金などの高価な金属の膜形成を薄くさせるために中間層としてニッケルなどを用いるものや、また中間層の役割を応力緩衝層とする目的のものなどあるが、いずれの場合においても、貫通孔１０２の内周壁１０２ａが用途に応じて適度に粗化されている必要があり、前述した化学薬品による方法、レーザ加工による方法のいずれも貫通孔１０２の内周壁１０２ａの最大高さＲｚの制御は困難であった。
【００１４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、貫通孔の内周壁に薄膜蒸着等により金属層を形成してもアンカー効果により金属層の接着性が高く、金属層形成後に貫通孔が分割されて形成される凹部に付設されるリード端子電極との接着不良を防止できるセラミックス基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、複数の貫通孔を有するセラミックス基板であって、前記貫通孔の内周壁に縦方向の筋を有し、該貫通孔内周壁の最大高さＲzが５〜２０μｍであることを特徴とするセラミックス基板である。ここで、少なくとも上面に前記貫通孔の略中心を通るように分割溝が形成されているのが好ましい。また、前記貫通孔が長径０．８〜２．０mm、短径０．５〜１．２５mmの略楕円の横断面形状となるように形成されるとともに、前記分割溝が該貫通孔の長径方向に沿って形成されているのが好ましい。
【００１６】
また本発明は、金型に設けられたピンを未焼成のセラミックグリーンシートに押し当てて該セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程と、該貫通孔の形成されたセラミックグリーンシートを焼成する工程とを含むセラミックス基板の製造方法であって、前記ピンは側面に長手軸方向の筋を有し、該側面の最大高さＲｚが６〜２２μｍであることを特徴とするセラミックス基板の製造方法である。ここで、前記ピンの側面に、ロール状砥石を回転させながら長手軸方向に摺動させて研削することにより前記筋を形成するのが好ましい。
【００１７】
また本発明は、セラミック板の対向する一対の側面に、縦方向の筋を有し最大高さＲｚが５〜２０μｍである凹部を具備し、該凹部及び上面に金属層が形成され、前記凹部にリード端子電極が付設されてなる電子部品である。
【００１８】
尚、本発明にいうピン側面の筋とは、ロール状砥石を用いて形成された無数の凹条または凸条のことを意味し、セラミックス基板の貫通孔の内周壁に形成される縦方向の筋とは、ピンを用いて形成された無数の凸条または凹条のことを意味する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のセラミックス基板によれば、貫通孔の内周壁に縦方向の筋を有し、内周壁の最大高さＲzを５〜２０μｍとしたことにより、貫通孔の内周壁に薄膜蒸着等により金属層を形成してもアンカー効果により金属層の接着性が高く、また貫通孔の周方向への熱応力に対する耐性が強くなる。
【００２０】
また本発明のセラミックス基板は、貫通孔の中心を通るように基板ブレーク用の分割溝が形成され、貫通孔が長径０．８〜２．０mm、短径０．５〜１．２５mmの略楕円の横断面形状となるように形成されるとともに、前記分割溝が該貫通孔の長径方向に沿って形成されることから、貫通孔が分割されてなる半楕円状の凹部にリード端子電極（直径０．３〜１．０ｍｍ）を付設する際、半楕円状凹部のエッジ部に点接触してしまうのを防止できる。
【００２１】
また本発明のセラミックス基板の製造方法によれば、金型に備えたピンをセラミックグリーンシートに押し当てて貫通孔を形成し、得られたセラミックグリーンシートを焼成する工程を含むセラミックス基板の製造方法において、ピンの側面に長手軸方向の筋を有し、ピンの側面の最大高さＲｚを６〜２２μｍとしたことから、化学薬品を使用したときのようにセラミックス基板の表面が荒れることもなく、有毒な化学薬品を使用しないので安全上の問題も発生しない。また、レーザによる貫通孔の形成において生じていたようなセラミックスの溶融固化した変質層が形成されるということもないため、その除去工程を必要としない。さらに、従来のいずれの方法においても貫通孔の内周壁に縦方向に筋を形成できるものではなく、また粗化レベルを所望の値に制御はすることができなかったが、本発明の方法では、その最大高さRｚまで狙い通りに作製することができる。そして、本発明のセラミックス基板の製造方法は、ロール状砥石を回転させながらピンの長手軸方向に摺動させてピンの側面を研削し、長手軸方向の筋をピンに形成することから、例えば、角柱状或いは円柱状の棒体に縦状の筋を形成し、かつ所望の径にすることができる。
【００２２】
さらに、本発明のセラミックス基板を分割することにより得られる電子部品は、上記の貫通孔が分割されて凹部となり、該凹部にリード端子電極が付設されてなるから、最外の金属層に付設したリード端子電極の接着強度も高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。    
図１は、本発明のセラミックス基板１の一例を示す平面図で、セラミックス基板１には略楕円状の貫通孔２が４個ずつ２列に形成されるとともに、この貫通孔２の略中心を通り貫通孔２の長径方向に沿ってセラミックス基板１上に分割溝３が形成されている。また、セラミックス基板１上には、２列を分割するための分割溝３も形成されており、後述のように、その上面１ａならびに貫通孔２に金属層が形成された後、分割溝３に沿って分割することにより各々単体の電子部品（図１に示すセラミックス基板１では６個の電子部品）となるものである。
【００２４】
このような形状のセラミックス基板１は、分割溝３を形成するための刃（不図示）及び図５に示す貫通孔２を形成するためのピン２２を備えた金型を未焼成のセラミックグリーンシート１１に押し当てることにより所望の形状に形成した後、焼成することにより得られる。尚、分割溝３は上面１ａのみならず下面に形成されていてもよいが、上面１ａと貫通孔２に金属層を形成後に分割したとき、金属層の分割面に生じるバリの発生が少ないという効果を有するため、少なくとも上面１ａに形成されるのが好ましい。また、分割溝３は焼成後にレーザにより形成してもよいが、金属層の形成後にレーザで分割溝を形成すると、その溶融したヒュームが上面１ａあるいは貫通孔に形成された金属層に飛着してしまう虞があるので、上記方法によりセラミックス基板１上に分割溝３が形成されているのが好ましい。
【００２５】
貫通孔２は、セラミックス基板１の上面から下面にかけて形成されており、図２に示すように、貫通孔２の内周壁２ａには、縦方向に筋４が形成されている。この筋４は、図５に示すように、側面に長手軸方向の筋を設けたピン２２を用いて形成された無数の凹条または凸条であり、これにより内周壁２ａの最大高さＲzが５〜２０μｍとなっている。5μｍ未満であると、図４に示すような後に形成される金属層８がセラミックス基板１から剥離してしまう虞があり、２０μｍを超えると、金属層８の形成された表面の凹凸を少なくすることができず、リード端子電極１２を接着するのに十分な接着強度を確保できない虞がある。ここで、この筋４としての凹条または凸条は、横断面が例えばのこぎり状に尖っていてもよく、丸みを帯びた凹みが連続してもよく、所定間隔をおいてＶ字溝が形成された歯車状のものでもよい。そして、このような内周壁２ａの最大高さＲｚ５〜２０μｍとするために、ピン２２の側面の最大高さＲｚは６〜２２μｍに形成されており、このピン２２を未焼成のセラミックグリーンシート１１に押し当てて貫通孔２を形成した後、セラミックグリーンシート１１を焼成することにより、内周壁２ａの最大高さＲzが５〜２０μmのセラミックス基板１となる。
【００２６】
また、貫通孔２は分割溝３の形成方向に長径が位置するような楕円状に形成され、長径が０．８〜２．０ｍｍ、短径が０．５〜１．２５ｍｍであるのが好ましい。このような形状により、一般に直径が０．３〜１．０ｍｍのリード端子電極１２を、分割後の半楕円状となった凹部９に形成された金属層８に当接させたとき、確実にハンダ付けすることができ、凹部９のエッジ部９ａの金属層８のみで当接されることがないので、リード端子電極１２の十分な接着強度を確保できる。尚、貫通孔２の横断面形状は略楕円に形成されているのが好ましいが、円形等を採用してもよく、このような横断面形状は、ピンの横断面形状を適宜変化させることにより得られる。
【００２７】
そして、セラミックス基板１は、図３（ａ）（ｂ）に示すように、その上面１ａおよび貫通孔２に金属層８が複層形成された後、分割溝３に沿って分割される。このとき、貫通孔２は２分割され、この貫通孔２が分割されることにより形成された半楕円状の凹部に、図４に示すように、リード端子電極１２が付設されて、電子部品となる。この電子部品は、図８（ｂ）に示すように、セラミック板１０の対向する一対の側面に凹部９を有し、この凹部９及び上面に金属層が形成されるとともに、金属層の形成された凹部９にリード端子電極が付設されてなるものであり（不図示）、金属層形成前の凹部９表面は縦方向の筋を有し、最大高さＲｚが５〜２０μｍである。ここで、セラミックス基板１の内周壁２aにニクロム抵抗体等からなる第一金属層５を含む金属層８を形成したものに熱応力が働くと、貫通孔２においては周方向の熱応力が開放されないために第一金属層５部分からこの第一金属層５を含む金属層８がセラミックス基板１から剥離しやすいが、本発明では貫通孔２の内周壁２ａに縦方向の筋４があるとともにその最大高さＲｚが５μｍ以上であることから、筋４がアンカー効果の役割を果たし金属層８がセラミックス基板１から剥離するのを防止できる。そして、貫通孔２の内周壁２aには、金属層８として金やニッケル等からなる第二、第三金属層６，７またはそれ以上に層形成がされる場合があるが、このような場合においても金属層８内の熱応力による剥離を防止できる。また、最大高さＲzが２０μm以下であることから、最外側に形成される金属層８の凹凸を少なくできる。これにより、図４に示すように、金属層８を形成後に分割溝３で分割し、最外層の金属層８で囲まれる半楕円状の凹部９に、リード端子電極１２をハンダ１３等により付設したとき、リード端子電極１２がより広い面で最外側の金属層８と当接するために、十分な接着強度を確保できる。
【００２８】
尚、金属層８の厚みならびに重層数により上記内周壁２aの最大高さＲzは、５〜２０μmの範囲内において適宜選択すればよい。また、セラミックス基板１の材質は、上面１ａに薄膜回路形成する場合においては、アルミナ純度９９質量％以上のものが好ましいが、この限りではない。
【００２９】
本発明のセラミックス基板１の製造方法は、図５（ａ）に示すように、金型に備えたピン２２を図５（ｂ）（ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート１１に押し当てて、図５（ｄ）に示すように、貫通孔２を形成し、得られたセラミックグリーンシート１１を焼成する工程を含んでいる。
【００３０】
そして上記の製造方法において、図６に示すように、ピン２２は略楕円の横断面形状を有するとともに、側面２２aに長手軸方向の筋２３を有し、このピン２２の側面２２aの最大高さＲzを６〜２２μmとしている。このように、ピン２２の側面に長手軸方向の筋２３があるので、これを用いてセラミックグリーンシート１１に貫通孔２を形成すると縦方向の筋４が貫通孔２の内周壁２aに形成される。この筋２３は無数の凹条または凸条であり、横断面がのこぎり状に尖っていてもよく、波形状に丸みを帯びていてもよい。そして、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚを６〜２２μｍの範囲内としているので、上記の成型されたセラミックグリーンシート１１を焼成すると、その貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚを好ましい範囲である５〜２０μｍとすることができる。
【００３１】
ここで、ピン２２の側面２２ａへの筋２３の形成方法としては、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、ピン２２となる円柱状あるいは角柱状の母材２５を所望の寸法径に研磨した後、ロール状砥石２４で母材の表面に長手軸方向の筋２３を形成するか、もしくは、ロール状砥石２４で母材２５を所望の寸法径に研磨しながら長手軸方向の筋２３を形成するなどの方法が挙げられる。この形成方法により、所望の最大高さＲｚとなるようにピンの側面に長手軸方向の筋を形成することができる。尚、ピン２２（母材２５）の材質はＷＣ材またはＷＣ−Ｃｏ材などの超硬合金が好ましい。
【００３２】
また、ロール状砥石２４の番手は１７０番〜２００番であることが好ましく、より好ましくは１８０番〜１９０番である。ここで、ロール状砥石２４の番手が粗いと、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚのバラツキが大きく、従って、作製するセラミックス基板１の貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚを所望の値に制御できにくくなる傾向があり、ロール状砥石２４の番手が細かすぎると、ピン２２の加工に長時間を要しコスト高となる傾向があるからである。尚、ロール状砥石２４の材質はダイヤモンド等からなるものを用いることが望ましい。
【００３３】
尚、本発明は、貫通孔に金属層を薄膜形成し、リード端子電極が付設されるセラミックス基板に利用でき、具体的にはエアバッグ用イグナイターなど高い信頼性が要求されるものに好適である。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例について説明する。    
（実施例１）    
図８（ａ）に示すように、本発明実施例および比較例のセラミックス基板１，１０１をつぎのように作製した。まず、アルミナ含有量９９．６質量％のセラミックスからなる未焼成のグリーンシートを用いて、焼成後の寸法が厚み＝０．６３５ｍｍ，Ｌ＝１５ｍｍ、Ｄ＝１２ｍｍの中に６単体を有する多数個取りのセラミックス基板１、１０１を作製した。
【００３５】
本発明のセラミックス基板１は、金型にピン２２と分割溝３を形成するための刃を備えセラミックグリーンシート１１に金型を押し当てることにより、貫通孔２および分割溝３を形成すると同時に外辺を切断するものである。ここで用いたピン２２の側面２２ａには長手軸方向の筋２３を有していて、最大高さＲｚが異なる５水準のピン２２を使用した。上記ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが５μｍのものを用いて貫通孔２を形成したセラミックス基板１を試料番号１、上記ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが６μｍのものを用いたものを試料番号２、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが１４μｍのものを用いたものを試料番号３、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが２２μｍのものを用いたものを試料番号４、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが２３μｍのものを用いたものを試料番号５とし、成型されたセラミックグリーンシート１１を最高温度約１６００℃で焼成することによりそれぞれの試料を得た。尚、ピン２２の径は長径が１．３３ｍｍ、短径が１．０１ｍｍの楕円柱で材質はＷＣ超硬合金である。
【００３６】
つぎに、試料番号６として、まず、ＣＯ２レーザパルス発振方式により、レーザー発振の条件をパルス周期８００μＳｅｃ、加工スピード１００００ｍｍ／ｍｉｎ、レーザビーム１３２のピッチ０．１ｍｍにてセラミックス基板１０１に貫通孔１０２を形成した。尚、貫通孔１０２以外については、本実施例の比較対照項目でないために、前述の金型により加工した。レーザ加工後に、サンドブラスト処理により貫通孔１０２に形成された変質層１３３の除去をおこなった。その条件は、球状ガラスビーズ４００番で平均粒径４０μｍ、実質的な粒度分布が２０〜６０μｍ範囲の砥粒１３６を用い、吐圧約０．４ＭＰａで１０分間セラミックス基板１０１の表面１０１ａに吹き付けた。その砥粒１３６の吹きつけはセラミックス基板１の表面１ａに対し、傾斜角約７５度で揺動させ、かつ、セラミックス基板１０１は約１ｒｐｍで回転させた。尚、セラミックス基板１０１の表面１０１ａにはサンドブラストによる面荒れを防ぐための保護層１３５は本実施例の確認事項でないため使用していない。    
尚、本発明実施例、比較例のいずれの貫通孔２，１０２も、長径ｘ＝１．１ｍｍ、短径ｙ＝０．８ｍｍである。
【００３７】
上記の本発明実施例、比較例の各試料について、貫通孔２，１０２の内周壁２ａ，１０２ａの最大高さＲｚの測定をレーザ顕微鏡を用いて測定（測定条件は（株）キーエンス製型式ＶＦ７５００レーザ顕微鏡、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光、波長６３３ｎｍ）した。また、比較例については、貫通孔１０２の任意の箇所を破断しＳＥＭ分析（走査型電子顕微鏡による分析）により、変質層１３３の除去の程度の確認をした。その方法は上記の分割面にカーボンを蒸着しＳＥＭにて倍率７５倍で確認する方法である。いずれも１シート計８個の貫通孔２，１０２について測定をおこない、その平均値を表１に示す。
【表１】
2005303149.tif 000003
【００３８】
表１の結果からわかるように、本発明の製造方法であるピン２２の側面２２ａに縦方向の筋２３を形成したもので、その最大高さＲｚを６μｍとしたピン２２を用い作製された試料番号２の貫通孔２の内周壁２ａには縦方向の筋４が形成され、最大高さＲｚは５μｍであった。また、最大高さＲｚが２２μｍのピン２２により作製された試料番号４の貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚは２０μｍであり、ピン２２の側面２２ａの最大高さＲｚが６〜２２μｍであれば、それを用いて作製されるセラミックス基板１の貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚは５〜２０μｍで縦方向の筋４が形成されることがわかる。
【００３９】
比較例のレーザ加工後サンドブラスト処理した試料番号６の貫通孔１０２には、部分的に変質層１３３が残存しており、変質層１３３の除去された内周壁１０２ａの最大高さＲｚは２μｍであった。比較例の貫通孔１０２の内周壁１０２ａには勿論縦方向の筋４はなく、変質層１３３は約１／５の面積比で残存し、変質層１３３の部分を除く内周壁１０２ａ部の最大高さＲｚは２μｍであって、十分に粗化されたものでなかった。
【００４０】
（実施例２）    
実施例１の条件で作製したセラミックス基板１，１０１の貫通孔２，１０２に、図４に示すように、第一金属層５としてニクロムをスパッタ法により０．２μｍの厚みに形成し、その上に第二金属層６として金をメッキ法により１．０μｍの厚みに形成し、またその上に第三金属層７としてニッケルをメッキ法により２μｍ厚みに形成し、さらに最外の金属層（不図示）に金をメッキ法で１μｍの厚みに形成した。ここで、最外の金属層の金メッキはリード端子電極１２をハンダ１３で付けるときの拡散材である。このセラミックス基板を１５０℃の恒温層（気槽）内に１５時間放置した後、金属層８の膨らみ（ブク）の発生の有無を確認した。その確認方法は１０倍の拡大鏡を用い、セラミックス基板１シートから得られる８個の貫通孔２，１０２について全て確認した。さらに、この確認後、金属層８の膨れ（ブク）が発生しなかった試料（後述の試料番号２’〜５’）につき、セラミックス基板１，１０１を分割溝３に沿って分割し、分割された貫通孔２，１０２にリード端子電極を付設し、6個の電子部品を作製した後、この電子部品を１５０℃の恒温層（気槽）内に１５時間放置し、このときのリード端子電極の接着不良の発生の有無を確認した。その結果を表２に示す。
【００４１】
尚、セラミックス基板１の貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚが５μｍのセラミックス基板１を用いたものを試料番号１’、最大高さＲｚが６μｍのものを用いたを試料番号２’、最大高さＲｚが１２μｍのものを用いたものを試料番号３’、最大高さＲｚが２０μｍのものを用いたものを試料番号４’、最大高さＲｚが２１μｍのものを用いたものを試料番号５’とし、レーザ加工により貫通孔１０２を形成したセラミックス基板１０１を用いたものを試料番号６’とした。
【表２】
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【００４２】
表２の結果からわかるように、試料番号２’〜５’には金属層８の膨れ（ブク）の発生は無かった。しかし、本発明実施例の貫通孔２の内周壁２ａの最大高さＲｚが範囲外の試料番号１’ならびに比較例の試料番号６’には、いずれも８個中２個に金属層８の膨れ（ブク）が発生した。また、リード端子電極の接着具合については、試料番号５’については最大高さＲｚに起因する金属層とリード端子電極との間の接着不良が６個中１個発生した。
【００４３】
以上の結果から、複層の金属層が形成される貫通孔２の内周壁２ａに縦方向の筋４があって、その最大高さＲｚが５〜２０μｍであれば、相当の熱応力が加えられても、その貫通孔２の内周壁２ａのアンカー効果により金属層８の剥がれが防止できる。さらに、上記の金属層８を形成後、分割溝３により分割し、分割した凹部９の最外の金属層８にリード端子電極１２をハンダ１３等により付設すると、高い接着強度で接着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のセラミックス基板の一例を示す平面図である。
【図２】本発明のセラミックス基板の要部の斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明のセラミックス基板を用いた一例の要部の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図４】本発明のセラミックス基板を用いた一例の要部の平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明のセラミックス基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明のセラミックス基板の製造方法に用いるピンの斜視図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）はピンの形成方法を示す斜視図である。
【図８】（ａ）は実施例のセラミックス基板の平面図、（ｂ）はその単体の平面図である。
【図９】従来のセラミックス基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】従来のセラミックス基板の製造方法を示す断面図である
【図１１】従来のセラミックス基板の要部の斜視図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は従来のセラミックス基板の製造方法を示す要部の断面図である。
【図１３】従来のセラミックス基板の要部の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１，１０１：セラミックス基板
１ａ，１０１ａ：上面
２，１０２：貫通孔
２ａ，１０２ａ：内周壁
３：分割溝
４：筋
５：第一金属層
６：第二金属層
７：第三金属層
８：金属層
９：凹部
１１：セラミックグリーンシート
１２：リード端子電極
１３：ハンダ
１０：セラミック板
２２，１２２：ピン
２２ａ：側面
２３：筋
２４：ロール状砥石
２５：母材
２５ａ：側面
１３１：レーザ
１３２：レーザビーム
１３３：変質層
１３４：チッピング
１３５：保護層
１３６：砥粒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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