(57)【要約】【課題】  被検光学系の収差を高精度に測定する測定装置及び測定方法とともに高解像度の露光を行える露光装置及び露光方法を提供する。【解決手段】  光束を分割する光学素子を利用して被検光学系の光学性能を測定する第１の測定手段と、前記光学素子の光学性能を測定する第２の測定手段とを有する測定装置を提供する。【選択図】  図１
2005294404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光束を分割する光学素子を利用して被検光学系の光学性能を測定する第１の測定手段と、
前記光学素子の光学性能を測定する第２の測定手段とを有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記第２の測定手段の測定結果に基づいて前記第１の測定手段が測定した前記被検光学系の前記光学性能を補正する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記第１の測定手段は、前記光束を無収差にする第１のピンホールを含み、前記無収差光を前記被検光学系に導光するための第１のマスクと、
前記被検光学系を経て前記光学素子によって分割された前記光束の像を検出する検出部とを有することを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項４】
前記第２の測定手段は、前記光束を無収差にする第２のピンホールを含み、前記無収差光を前記光学素子に導光するための第２のマスクと、
前記光学素子を経て分割された前記光束の像を検出する検出部とを有することを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項５】
前記第２のマスクを光路上へ配置及び退避させる駆動部を更に有することを特徴とする請求項４記載の測定装置。
【請求項６】
前記光学素子は、ハルトマン板であることを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項７】
前記光学素子は、二次元回折格子であることを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項８】
光束を分割する光学素子を利用して被検光学系の光学性能を測定する第１の測定ステップと、
前記光学素子の光学性能を測定する第２の測定ステップと、
前記第２の測定ステップの測定結果に基づいて前記第１の測定ステップが測定した前記被検光学系の前記光学性能を補正するステップとを有することを特徴とする測定方法。
【請求項９】
請求項１乃至７記載の測定装置を利用して投影光学系の光学性能を算出するステップと、
前記算出された前記投影光学系の前記光学性能に基づいて前記投影光学系を調節するステップと、
前記調節された前記投影光学系を有する前記露光装置を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
光源からの光を利用して被露光体にマスク上のパターンを転写するための投影光学系と、
当該投影光学系の光学性能を測定するための請求項１記載の測定装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記光は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的には、光学素子の性能を測定する装置及び方法に係り、特に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮影デバイス、液晶パネル等の表示デバイス等のデバイス製造用のステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式等の露光装置に用いる光学系の収差を計測する測定装置、測定方法及びそれを搭載した露光装置及び露光方法、それを利用したデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の微細加工の要求から、投影露光装置には解像力の向上がますます要求されている。解像力の向上には、投影光学系の開口数（ＮＡ）を高めることが有効であり、そのため投影露光装置では、マスク上のパターンを所定の倍率（縮小率）で正確にウェハ上に転写することが要求される。この要求に応えるためには、結像性能のよい、収差を抑えた投影光学系を用いることが重要となる。投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、波長を短くすればするほど解像度が高くなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光は、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））からＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）、更には、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度のＥＵＶ光と短波長化が進んでいる。こうした状況の中、露光装置の投影光学系収差を高精度に求めるための測定装置が要望されている。
【０００３】
測定装置１０００は、図９に示すように、ピンホールを有する専用マスク１０１０と、被検光学系１０２０と、ビームスプリッタ作用をする光学素子１０３０と、ＣＣＤ１０４０とを有している（例えば、特許文献１参照）。ここで、図９は、従来の収差測定装置を示す構成図である。図示しない光源から出た光線は、専用マスク１０１０によって無収差の球面波を有し、被検光学系１０２０へ入射する。被検光学系１０２０に入射した光は、被検光学系１０２０の収差をもって射出され、光学素子１０３０で波面ごとに分割されて、画像検出器（ＣＣＤ）１０４０へ入射する。光学素子１０３０は、ハルトマン板や二次元回折格子等であり、回折格子の回折次数に対応した複数の波面に分割し、横ずらしして重ね合わせられて、干渉縞として画像検出器１０４０へ射出する。この干渉縞は被検光学系の収差の情報を含んでおり、積分操作を行うことによって被検光学系１０２０の透過波面形状を算出することができる。
【特許文献１】特開２０００−９７６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、投影光学系のＮＡが高くなると、測定装置１０００の測定精度も今まで以上に高精度なものが要求される。そのため、今までは特に問題とされていなかった光学素子１０３０の製造誤差等が問題となってくる。その理由として、測定装置１０００は、専用マスク１０１０と画像検出器１０４０との間に被検光学系１０２０と光学素子１０３０が配置されているので、光学素子１０３０が製造誤差を有していると、被検光学系１０２０の収差と共に光学素子１０３０の製造誤差も画像検出器１０４０へ入射してしまう。そのため、被検光学系１０２０のみの誤差を高精度に測定することが困難であった。それにより、被検光学系１０２０の精密な収差の測定が困難となり、高精度な測定装置１０００を提供することが難しかった。また、測定装置１０００を使用した露光装置は、投影光学系に収差が発生するため高解像度の露光が行えなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、被検光学系の収差を高精度に測定する測定装置及び測定方法とともに高解像度の露光を行える露光装置及び露光方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面としての測定装置は、光束を分割する光学素子を利用して被検光学系の光学性能を測定する第１の測定手段と、前記光学素子の光学性能を測定する第２の測定手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、被検光学系の収差を高精度に測定する測定装置及び測定方法とともに高解像度の露光を行える露光装置及び露光方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態の測定装置１００について説明する。ここで、図１（ａ）は、専用マスク１３０が光路上に配置されているときの測定装置１００を示す構成図であり、図１（ｂ）は、専用マスク１３０が光路上から退避しているときの測定装置１００を示す概略図である。
【００１０】
測定装置１００は、専用マスク１３０と、光学素子１４０と、検出器１５０と、制御部１６０とを有し、被検光学系（本実施形態では、投影光学系２３０とする）の光学性能（例えば、波面収差、像面湾曲及び歪曲成分等）を測定する。測定装置１００では、ＥＵＶ光を用いた投影光学系２３０の光路中に光学素子１４０と、収差測定用の専用マスク１３０を設けて、光学素子１４０から発生する収差を測定している。
【００１１】
専用マスク１３０は、無収差の理想球面波を射出し、ピンホール１３１を有する。専用マスク１３０は、着脱可能に投影光学系２３０と光学素子１４０との間に配置されている。ピンホール１３１は、露光領域に対応する領域内に任意の数、任意の位置のマスク１３０面に配置されている。専用マスク１３０は、光軸１０と垂直に専用マスク１３０を駆動させる駆動部１７０によって駆動可能に保持されている。ピンホール１３１と光学素子１４０で用いる後述するホール１４１はサイズが異なる。ピンホール１３１は投影光学系の照明ＮＡによって集光するエアリーディスク径以下のピンホール１３１であり、ホール１４１よりは、はるかに小さい。これによって透過光は、照明系のＮＡ相当の拡がり角で回折する。このようなピンホール１３１から回折された光は、無収差になることが良く知られている。
【００１２】
光学素子１４０は、光束を分割する機能を有する。また、光学素子１４０は、本実施例ではハルトマン板であり、図２に示すように、複数のホール１４１を有する。ここで、図２（ａ）、（ｂ）は、光学素子１４０に適用可能なハルトマン板１４０Ａ及び１４０Ｂの平面図である。ハルトマン板１４０Ａ及び１４０Ｂは、例えば、円板形状である。また、ハルトマン板１４０Ａは、図２（ａ）に示すように中心から４５度間隔で放射状に７つのホールを有して配置されている。ホール１４１Ａの間隔は、予め設計された配置に従っており、光束を分割する機能を損なわない程度の配置変更は可能である。ハルトマン板１４０Ｂは、図２（ｂ）のように縦横に均等な距離を保ってホール１４１Ｂが配置されている。ホール１４１Ａ及び１４１Ｂの配置は、予め設計された条件（例えば、光束を分割する機能を損なわない）を満足することが出来れば、計測の目的によって配列を決めれば良く、特に限定されたものではない。ホール１４１Ａ及び１４１Ｂの形状は、上述同様に予め設計された条件を満足することが出来れば、円形状でなくても楕円形状又は矩形状であってもよい。更に、光学素子１４０は、二次元回折格子であってもよい。光学素子１４０は、専用マスク１３０と検出器１５０との間に挿脱可能に配置されている。
【００１３】
検出器１５０は、光学素子１４０を経て、分割された光束の像を検出する。検出器として、本実施形態では、ＣＣＤを使用する。検出器１５０は、光学素子１４０を経て分割された光束又は、光学素子１４０を経て分割された光束を用いた投影光学系２３０の像を検出することが可能であれば、ＣＣＤでなくても変更可能である。
【００１４】
制御部１６０は、専用マスク１３０を駆動する駆動部１７０を制御する。また、制御部１６０は、光学素子１４０を経て分割された光束の像の測定結果に基づいて、光学素子１４０を経て分割された光束を用いた投影光学系２３０の像の光学性能を補正する。
【００１５】
以下、図３を参照して、本発明の別の実施形態としての測定装置１００Ａを説明する。ここで、図３は、別の実施形態としての測定装置１００Ａを示す構成図である。測定装置１００Ａは、測定装置１００と構成は同一であるが、光学素子１４０Ａと検出部１５０Ａの配置が異なる。本実施形態は、専用マスクとしてマスク２１３を使用しているため、光学素子１４０Ａのための専用マスクが必要ない。そのため、測定装置１００Ａは、部材点数を抑えることが可能である。また、マスクの枚数を最小限に抑えることで、光学系の反射損失の影響を最小限にして光学素子１４０Ａの校正を行うことができる。但し、この場合の算出は、光学素子１４０Ａが、マスク２１３側のＮＡiと検出部１５０側のＮＡoは角倍率γだけ異なる（ＮＡi＝γＮＡo）ため、光学素子１４０Ａ及び検出器１５０Ａの位置は、マスク２１３と光学素子１４０Ａ間の距離をＡ、マスク２１３と検出器１５０Ａ間の距離をＢとすると、マスク２１３側と光学素子１４０Ａの距離をγＡ、マスク２１３と検出器１５０Ａの距離をγＢとすることができる。それによって、測定装置１００Ａは、光学素子１４０Ａの校正を行っている。
【００１６】
以下、図４を参照して、本発明の測定装置１００を使用した測定方法を説明する。ここで、図４は、測定装置１００を使用した測定方法を示すフローチャートである。光束を分割する光学素子１４０を利用して被検光学系（本実施形態では投影光学系２３０とする）の光学性能を測定する（ステップ８０１）。このとき、測定装置１００は、図１（ｂ）に示すように駆動装置１７０によって光学素子１４０と検出器１５０を投影光学系２３０から射出された光束上に挿入する。そして、検出器１５０が投影光学系２３０と光学素子１４０の画像を取得し、制御部１６０に伝達する。この画像情報は、光学素子１４０の配置誤差と投影光学系２３０の配列誤差のみを含んだ情報となる。そして、この情報を図示しないコンピュータのメモリに記憶させておく。光学素子１４０の光学性能を測定する（ステップ８０３）。このとき、測定装置１００は、駆動装置１７０によって専用マスク１３０を投影光学系２３０と光学素子との間の光束上に挿入する。そして、検出器１５０が光学素子１４０の画像を取得し、制御部１６０に伝達する。この画像情報は、光学素子１４０のみを含んだ情報となる。そして、この情報を図示しないコンピュータのメモリに記憶させておく。これら２つの測定によって測定した結果によって収差を求める（ステップ８０５）。ステップ８０１で求めた測定値とステップ８０３で求めた測定値を減算すると投影光学系２３０のみの収差が算出される。これにより、被検光学系の精密な収差の測定ができるので高精度な測定装置１００を提供することが可能となる。従って、測定装置１００を使用した露光装置２００は、高精度な露光を行うことができる。
【００１７】
以下、図５を参照して、本発明の測定装置１００を適用した例示的な露光装置２００について説明する。ここで、図５は、本発明の例示的な露光装置２００の概略構成図である。
【００１８】
本発明の露光装置２００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク２２０に形成された回路パターンを被処理体２４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００１９】
図５を参照するに、露光装置２００は、照明装置２１０と、マスク２２０と、マスク２２０を載置するマスクステージ２２５と、投影光学系２３０と、被処理体２４０と、被処理体２４０を載置するウェハステージ２４５と、アライメント検出機構２５０と、フォーカス位置検出機構２６０とを有する。
【００２０】
また、図５に示すように、ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス（高分子有機ガスなど）成分との反応によりコンタミを生成してしまうため、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路中（即ち、光学系全体）は真空雰囲気ＣＡとなっている。
【００２１】
照明装置２１０は、投影光学系２３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりマスク２２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源２１２と、照明光学系２１４とを有する。
【００２２】
ＥＵＶ光源２１２は、例えば、レーザープラズマ光源が用いられる。これは、真空容器中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される、例えば、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属膜、ガスジェット、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００２３】
照明光学系２１４は、集光ミラー２１４ａ、オプティカルインテグレーター２１４ｂから構成される。集光ミラー２１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター２１４ｂは、マスク２２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照明光学系２１４は、マスク２２０と共役な位置に、マスク２２０の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ２１４ｃが設けられている。かかる照明光学系２１４を構成する光学部材である集光ミラー２１４ａ及びオプティカルインテグレーター２１４ｂに本発明の測定装置１００によって測定した被検光学系を適用することができる。
【００２４】
マスク２２０は、反射型マスクで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、マスクステージに支持及び駆動されている。マスク２２０から発せられた回折光は、投影光学系２３０で反射されて被処理体２４０上に投影される。マスク２２０と被処理体２４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置２００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、マスク２２０と被処理体２４０を走査することによりマスク２２０のパターンを被処理体２４０上に縮小投影する。
【００２５】
マスクステージ２２５は、マスク２２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ２２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にマスクステージ２２５を駆動することでマスク２２０を移動することができる。露光装置２００は、マスク２２０と被処理体２４０を同期した状態で走査する。ここで、マスク２２０又は被処理体２４０面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、マスク２２０又は被処理体２４０面内に垂直な方向をＺとする。
【００２６】
投影光学系２３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）２３０ａを用いて、マスク２２０面上のパターンを像面である被処理体２４０上に縮小投影する。複数のミラー２３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、マスク２２０と被処理体２４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系２３０の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程である。かかる投影光学系２３０を構成する光学部材であるミラー２３０ａに本発明の測定装置１００によって測定した被検光学系を適用することができる。また、投影光学系の収差を測定するときは、マスク２２０と第４ミラー２３０ａとの間の光路中で露光光が重ならない位置に複数の開口部を有したハルトマン板を挿入して測定してもよい。
【００２７】
被処理体２４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体２４０には、フォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００２８】
ウェハステージ２４５は、ウェハチャック２４５ａによって被処理体２４５を支持する。ウェハステージ２４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体２４０を移動する。マスク２２０と被処理体２４０は、同期して走査される。また、マスクステージ２２５の位置とウェハステージ２４５との位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００２９】
アライメント検出機構２５０は、マスク２２０の位置と投影光学系２３０の光軸との位置関係、及び、被処理体２４０の位置と投影光学系２３０の光軸との位置関係を計測し、マスク２２０の投影像が被処理体２４０の所定の位置に一致するようにマスクステージ２２５及びウェハステージ２４５の位置と角度を設定する。
【００３０】
フォーカス位置検出機構２６０は、被処理体２４０面でＺ方向のフォーカス位置を計測し、ウェハステージ２４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体２４０面を投影光学系２３０による結像位置に保つ。
【００３１】
本実施形態は、ＥＵＶ光に限らず非ＥＵＶ光でも同様に実施することができる。ＥＵＶ露光光学系は完全反射光学系であり、色収差が発生しないため、他の波長の光によっても計測可能である。
【００３２】
但し、ＥＵＶの反射ミラーは表面がＭｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）を積層した多層膜よりなっており、ＥＵＶ光と非ＥＵＶ光とでは、反射時に位相変化に差異を生じるため、非ＥＵＶ光によって収差を計測する際は、ＥＵＶ光で計測値との相関を予め調べておくことが必要となる。
【００３３】
以下、図６を参照して露光方法を説明する。ここで、図６は本発明の測定装置１００を使用した露光装置２００の露光方法を示すフローチャートである。上述の測定方法８００（ステップ９０１）での測定結果に収差があるかを判断する（ステップ９０３）。収差があると判断すると収差補正を行う（ステップ９０５）。そして、再度、ステップ９０１の工程を行う。また、収差がないと判断した場合は、露光を行う（ステップ９０７）。露光装置２００は投影光学系２３０を構成する図示しない複数の光学素子が光軸方向及び／又は光軸直交方向へ移動可能になっており、不図示の収差調節用の駆動系により、本実施形態により得られる収差情報にもとづいて、一又は複数の光学素子を駆動することにより、投影光学系の一又は複数値の収差（特に、ザイデルの５収差）を補正したり、最適化したりすることができる。また、投影光学系２３０の収差を調整する手段としては、可動レンズ以外に、可動ミラー（光学系がカタディオプトリック系やミラー系のとき）や、傾動できる平行平面板や、圧力制御可能な空間、アクチュエータによる面補正などさまざまな公知の系を用いるものが適用できる。
【００３４】
このように、露光装置２００は、測定装置１００を使用し投影光学系２３０の面精度や光学系調整などの較正を行い、収差の少ない投影光学系２３０を形成することができる。更に、測定装置１００を露光装置２００に搭載することによって、投影光学系２３０を取り外すことなく（オンマシンで）その光学性能を測定することができる。
【００３５】
露光において、照明装置２１０から射出されたＥＵＶ光はマスク２２０を照明し、本発明の測定装置１００を使用した投影光学系２３０を通過しマスク２２０面上のパターンを被処理体５４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、マスク２２０と被処理体２４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、マスク２２０の全面を露光する。
【００３６】
次に、図７及び図８を参照して、上述の露光装置２００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００３７】
図８は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置２００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００３８】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の測定装置を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す測定装置に使用される光学素子を示す概略平面図である。
【図３】図１に示す別の実施形態としての測定装置を示す概略構成図である。
【図４】図１に示す測定装置を使用した測定方法を示すフローチャートである。
【図５】図１に示す本発明の収差測定装置を使用したＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図６】図５に示す露光装置の露光方法を示すフローチャートである。
【図７】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図９】従来の収差測定装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００          測定装置
１３０          専用マスク
１３１          ピンホール
１４０          光学素子
１４０Ａ        光学素子
１４１          ホール
１５０          検出器
１５０Ａ        検出器
１６０          制御部
１７０          駆動部
２１３          マスク
２３０          投影光学系
【図１】
2005294404.tif 000003
【図２】
2005294404.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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