(57)【要約】【課題】高耐電圧を有する光結合素子およびこの光結合素子を備えた電子機器、ならびに光結合素子の製造方法を提供する。【解決手段】光結合素子１は、電気信号を光に変換する発光側回路１１と、光を電気信号に変換する受光側回路１３とを組み合わせた構造となっている。この光結合素子１は、電子機器に備えられるものである。発光側回路１１は、発光素子１２を有する発光部から構成されている。また、受光側回路１３は、受光素子（符号１４、１５参照）を有する受光部が２つ直列接続された構成からなっている。これら２つの受光部（受光素子１４、１５）は１つの発光部に対して設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの発光素子を少なくとも有する発光部と、１つの受光素子を少なくとも有する受光部とから構成される光結合素子において、
１つの前記発光部に対して複数個の前記受光部が設けられ、これら複数個の受光部が直列接続されたことを特徴とする光結合素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光結合素子において、
前記各受光部に印加される電圧を調節する補正回路が設けられたことを特徴とする光結合素子。
【請求項３】
請求項２に記載の光結合素子において、
前記補正回路は、抵抗が前記各受光部にそれぞれ並列接続されて構成されることを特徴とする光結合素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光結合素子において、
前記受光部は、１つの駆動素子が１つの前記受光素子に接続されてなることを特徴とする光結合素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光結合素子が備えられたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
１つの発光素子を少なくとも有する発光部と、１つの受光素子を少なくとも有する受光部とから構成される光結合素子の製造方法において、
１つの前記発光部に対応する前記受光部の個数を決定する決定工程と、
前記決定工程の後に、前記発光部および前記受光部を1次モールドする１次モールド工程と、
前記１次モールド工程の後に、前記発光部および前記受光部の特性を検出する検出工程と、
前記検出工程における前記特性の結果に基づいて、前記各受光部に印加される電圧を調節する補正回路の前記受光部への接続の有無及び、その補正回路を接続する場合その補正値を決定する接続工程と、
前記接続工程の後に、前記発光部および前記受光部を２次モールドする２次モールド工程と、を有することを特徴とする光結合素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光結合素子およびこの光結合素子を備えた電子機器、ならびに光結合素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光結合素子は、電気信号を光に変換する発光部と、光を電気信号に変換する受光部とを組み合わせた構造となっている。この光結合素子では、発光部に入力電流が印加されると、その発光部からの光を受けて受光部に電流が流れる（例えば、特許文献１、２ご参照）。
【０００３】
例えば、下記する特許文献１、２に記載の光結合素子には、フォトカプラが用いられている。この従来のフォトカプラは、図６に示すように、電気信号を光に変換する１つの発光素子９１を有する発光部と、光を電気信号に変換する１つの受光素子９２を有する受光部とから構成され、発光素子９１から発する光を受光素子９２で受ける。ここで用いる発光素子９１は、主にガリウム砒素ＬＥＤやガリウムアルミニウム砒素ＬＥＤからなる。また、受光素子９２は、主にフォトトランジスタからなる。
【０００４】
また、現在用いられているフォトカプラ以外の光発光素子として、ソリッドステートリレーがある。
このソリッドステートリレーは、図７に示すように、電気信号を光に変換する１つの発光素子９３を有する発光部と、光を電気信号に変換する１つの受光素子９４およびこの受光素子９４に接続された駆動素子９５を有する受光部とから構成される。ここで用いる発光素子９３は、主にガリウム砒素ＬＥＤやガリウムアルミニウム砒素ＬＥＤからなる。また、受光素子９４は、主にフォトトライアックからなる。また、駆動素子９５は、主にトライアックからなる。
このソリッドステートリレーでは、発光素子９３に入力電流が印加されると、発光素子９３から受光素子９４に向けて光を発する。発光素子９３から光を受けることで受光素子９４がオンとなり、その受光素子９４が駆動素子９５を点弧することにより、駆動素子９５のオン状態へと移行する。
【０００５】
ところで、上記したフォトカプラやソリッドステートリレー等の光結合素子における出力端子間の耐電圧は、出力側に搭載された素子（図６、７では受光部）の耐電圧によって決まる。
【０００６】
例えば、一般的な高耐圧型タイプのフォトカプラでは、３５０Ｖの定格値を有している。また、高耐圧型タイプのソリッドステートリレーでは、６００〜８００Ｖの定格値を有している。
【特許文献１】特開平０６−２６８７６４号公報
【特許文献２】特開平０７−４６１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、近年、フォトカプラを３５０V以上の高電圧が印加される箇所で用いる場合がある。また、フォトカプラだけでなく、ソリッドステートリレーを８００Ｖ以上の高電圧が印加される箇所で用いる場合がある。
【０００８】
例えば、近年、電源電圧の高い海外地域またはＦＡ用途においてフォトカプラやソリッドステートリレーを備えた電子機器を用いる頻度が増えている。
そのため、ＡＣ半波の電圧が印加される箇所でフォトカプラを用いて負荷の制御を行う場合、そのAC電圧が２８０Ｖであれば、フォトカプラに印加される電圧のピーク値は２８０×√２＝３９６Ｖとなり、耐電圧の定格値を超える。
【０００９】
また、ＡＣ全波の電圧が印加される箇所でソリッドステートリレーを用いて負荷の制御を行うとき、特に負荷が誘導性負荷などの場合、ソリッドステートリレーのオフ時に電源電圧の２倍もの電圧が印加されることがある。そのため、ＦＡ用途などでＡＣ電圧が４８０Vの場合、約９６０Vもの電圧が印加されることとなり、耐電圧の定格値を超える。
【００１０】
このように、近年、電子機器の電源の高圧化・高性能化が求められており、それに伴って、電子機器に備えられる光結合素子の高耐電圧化も求められている。
【００１１】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、高耐電圧を有する光結合素子およびこの光結合素子を備えた電子機器、ならびに光結合素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明に係る光結合素子は、１つの発光素子を少なくとも有する発光部と、１つの受光素子を少なくとも有する受光部とから構成される光結合素子において、１つの前記発光部に対して複数個の前記受光部が設けられ、これら複数個の受光部が直列接続されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、１つの発光部に対して複数個の受光部が設けられ、これら複数個の受光部が直列接続されているので、複数個の受光部により出力側に搭載された受光部（受光素子）の耐電圧の定格値をあげることが可能となる。すなわち、本発明にかかる光結合素子によれば、高耐電圧を有することが可能となる。
【００１４】
上記構成において、上記各受光部に印加される電圧を調節する補正回路が設けられてもよい。また、この補正回路は、抵抗が上記各受光部にそれぞれ並列接続されて構成されていることが好適な一例である。
【００１５】
本発明は、複数個の受光部の抵抗値に差がある時に好適である。すなわち、補正回路は抵抗を各受光部にそれぞれ並列接続されて構成されるので、複数個の受光部の抵抗値に差がある場合であっても、容易に各受光部に印加される電圧を調節して複数個の受光部全体での耐電圧の定格値をあげることが可能となる。
【００１６】
具体的に、上記構成において、上記受光部は、１つの受光素子から構成されてもよい。例えば、本発明にかかる光結合素子が、フォトカプラであってもよい。また、上記構成において、上記受光部は、１つの駆動素子が１つの上記受光素子に接続されてなってもよい。例えば、本発明にかかる光結合素子が、ソリッドステートリレーであってもよい。
【００１７】
また、上記の目的を達成するため、本発明に係る電子機器は、上記した光結合素子が備えられたことを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、上記した光結合素子が備えられているので、上記した光結合素子による効果と同一の効果を有することが可能となる。
【００１９】
また、上記の目的を達成するため、本発明に係る光結合素子を製造する製造方法は、１つの発光素子を少なくとも有する発光部と、１つの受光素子を少なくとも有する受光部とから構成される光結合素子の製造方法において、１つの前記発光部に対応する前記受光部の個数を決定する決定工程と、前記決定工程の後に、前記発光部および前記受光部を1次モールドする１次モールド工程と、前記１次モールド工程の後に、前記発光部および前記受光部の特性を検出する検出工程と、前記検出工程における前記特性の結果に基づいて、前記各受光部に印加される電圧を調節する補正回路の前記受光部への接続の有無及びその補正回路を接続する場合その補正値を決定する接続工程と、前記接続工程の後に、前記発光部および前記受光部を２次モールドする２次モールド工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、上記した光結合素子を製造する製造方法であって、決定工程と、１次モールド工程と、検出工程と、接続工程と、２次モールドする工程とを有するので、発光部と受光部との特性に基づいて補正回路の接続の有無、及びその補正回路を接続する場合その補正値を決定することが可能となる。そのため、複数個の受光部の抵抗値にバラツキがあったとしてもその抵抗値のバラツキを抑えることが可能となる。その結果、上記した高耐電圧を有する光結合素子を製造することが可能となり、その上さらに、製造工程における省エネ化を図ることも可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明にかかる光結合素子およびこの光結合素子を備えた電子機器、ならびに光結合素子の製造方法によれば、光結合素子の高耐電圧化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２３】
本実施例１にかかる光結合素子１は、図１に示すように、電気信号を光に変換する発光側（入力端子側）回路１１と、光を電気信号に変換する受光側（出力端子側）回路１３とを組み合わせた構造となっている。この光結合素子は、電子機器（図示省略）に備えられるものである。なお、本実施例１にかかる光結合素子１は、フォトカプラである。また、ここでいう電子機器として、例えばＦＡ機器、家電機器、データ通信機器などがあげらえる。
【００２４】
この光結合素子１の発光側回路１１は、図１に示すように、１つの発光素子１２を有する発光部から構成されている。
【００２５】
また、この光結合素子１の受光側回路１３は、図１に示すように、１つの受光素子（符号１４、１５参照）を有する受光部が２つ直列接続された構成からなっている。これら２つの受光部（受光素子１４、１５）が１つの発光部に対して設けられている。
【００２６】
たとえば、図１に示すように、光結合素子１の出力端子間に印加される電圧をＶ、受光素子１４、１５の等価的な抵抗をそれぞれＲ１、Ｒ２、受光素子１４、１５に印加される電圧をそれぞれＶ１、Ｖ２とする。
【００２７】
この時、受光側回路１３では、以下に示す数式が成り立つ。
【００２８】
＜数１＞
Ｖ１＝Ｖ・（Ｒ１／(Ｒ１＋Ｒ２)）
【００２９】
＜数２＞
Ｖ２＝Ｖ・（Ｒ２／(Ｒ１＋Ｒ２)）
【００３０】
ここで、各受光素子１４、１５の耐電圧Ｖａ、Ｖｂが、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たせば、光結合素子１としての耐電圧は、Ｖ１＋Ｖ２以上となる。
そこで、例えば、Ｖ＝５００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝３５０Ｖ、Ｒ１＝Ｒ２とした場合、Ｖ１＝５００・（１／２）=２５０Ｖ 、Ｖ２＝５００・（１／２）＝２５０Ｖとなり、 Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たす。すなわち、光結合素子１の耐電圧はＶ＝Ｖ１＋Ｖ２＝５００Ｖ以上となり、２個の受光素子１４、１５を直列接続することにより、光結合素子１の高耐圧化が可能となる。
【００３１】
上記したように、本実施例１にかかる光結合素子１によれば、１つの発光部（発光素子１２）に対して２つの受光部（受光素子１４、１５）が設けられ、これら２つの受光部が直列接続されているので、２つの受光部により出力側に搭載された受光回路１３に印加される耐電圧の定格値をあげることができる。すなわち、本実施例１にかかる光結合素子１によれば、高耐電圧を有することができる。
【００３２】
また、本実施例１にかかる光結合素子１を電子機器に備えることで、この電子機器は光結合素子１による効果と同一の効果を有することができる。
【００３３】
なお、本実施例１では、発光部は1つの発光素子１２だけを有しているが、1つの発光素子１２を少なくとも有していればこれに限定されるものではなく、他の構成部材を有していてもよい。
【００３４】
また、本実施例１では、２つの受光部それぞれは、1つの受光素子１４もしくは受光素子１５だけを有しているが、1つの受光素子１４もしくは受光素子１５を少なくとも有していればこれに限定されるものではなく、複数個の受光素子や他の構成部材を有していてもよい。
【００３５】
また、本実施例１では、受光部が２つ直列接続された構成からなっているが、これに限定されるものではなく、３つ以上の受光部が直列接続された構成からなってもよい。
【００３６】
また、本実施例１では、受光素子１４、１５の等価的な抵抗値の関係をＲ１＝Ｒ２とした場合としたが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｒ１＝２・Ｒ２としてもよい。
【００３７】
次に、本実施例１による効果を有する本実施例１とは異なる実施例を以下に示す。
【実施例２】
【００３８】
本実施例２にかかる光結合素子は、上記した実施例１にかかる光結合素子１と、受光側回路の点で異なるだけで他の構成は同一の構成からなる。そのため、この実施例２では、この異なる受光側回路の点について説明し、同一の構成については、その説明を省略する。また、この実施例２では実施例１とは異なる作用効果について説明し、同一の作用効果についてはその説明を省略する。
【００３９】
上記した実施例１にかかる光結合素子１と異なる構成である本実施例２にかかる光結合素子２の受光側回路２１は、図２に示すように、１つのフォトトランジスタからなる受光素子（符号２２、２３参照）を有する受光部が２つ直列接続された構成からなっている。これら２つの受光部（受光素子２２、２３）が１つの発光部に対して設けられている。
【００４０】
また、これら受光部には、各受光部（受光素子２２、２３）に印加される電圧を調節する補正回路２４、２５がそれぞれ受光部ごとに設けられてもよい。また、これら補正回路２４、２５は、抵抗Ｒ３、Ｒ４が各受光部にそれぞれ並列接続されて構成される。
【００４１】
ここで、図２に示すように、光結合素子２の出力端子間に印加される電圧をＶ、受光素子２２、２３の等価的な抵抗をそれぞれＲ１、Ｒ２、各受光素子２２、２３にそれぞれ並列接続された抵抗の抵抗値をＲ３、Ｒ4、受光素子２２、２３に印加される電圧をそれぞれＶ１、Ｖ２とする。
【００４２】
この時、図２に示す回路構成から、Ｖ１、Ｖ２は、Ｖに対する[(Ｒ１・Ｒ３)／(Ｒ１＋Ｒ３)]と[(Ｒ２・Ｒ４)／(Ｒ２＋Ｒ４)]との比によって決まる。
【００４３】
ここで、Ｒ３＜＜Ｒ１、Ｒ４＜＜Ｒ２とすると、Ｒ１＋Ｒ３≒Ｒ１、Ｒ２＋Ｒ４≒Ｒ２とみなすことができる。その結果、Ｖ１、Ｖ２はＶに対するＲ３とＲ４の比によって決まる。
【００４４】
すなわち、各受光素子２２、２３の耐電圧Ｖａ、Ｖｂが、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たすようにＲ３、Ｒ４を設定することで、光結合素子２としての耐電圧は、Ｖ１＋Ｖ２以上となる。
具体的に、上記した実施例１と異なり、Ｒ１＝Ｒ２ではなく、Ｒ１＝９・Ｒ２とする。Ｖ＝５００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝３５０Ｖ、Ｒ１＝９×１０10Ω、Ｒ２＝１０10Ω、Ｒ３＝Ｒ4＝１０7Ωとした場合、Ｖ１＝５００・（１／２）＝２５０Ｖ 、Ｖ２＝５００・（１／２）＝２５０Ｖとなり、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たす。すなわち、光結合素子２の耐電圧はＶ＝Ｖ１＋Ｖ２＝５００Ｖ以上となり、高耐圧化ができる。
【００４５】
本実施例２にかかる光結合素子２によれば、上記した実施例１による効果を有するだけでなく、次に示す効果も有する。
【００４６】
この本実施例２にかかる光結合素子２は、上記したように、２つの受光部の抵抗Ｒ１、Ｒ２の値に差がある時にその効果が顕著に現れる。
【００４７】
すなわち、上記したように、本実施例２によれば、補正回路２４、２５が抵抗Ｒ３、Ｒ４を各受光部（受光素子２２、２３）にそれぞれ並列接続されて構成されるので、２つの受光部の抵抗Ｒ１、Ｒ２の値に差がある場合であっても、容易に各受光部に印加される電圧を調節して２つの受光部全体での耐電圧の定格値をあげることができる。
【００４８】
例えば、上記した実施例１に本実施例２の条件（Ｒ１＝９・Ｒ２）の抵抗Ｒ１、Ｒ２を適用した場合、Ｒ１とＲ２の値が大きく異なる程、Ｖ１、Ｖ２に印加される電圧もどちらかに偏り、高耐圧化が難しくなる。また、通常、受光素子２２、２３の漏れ電流のばらつきは比較的大きく、場合によっては指数オーダーになることもある。具体的に、上記した実施例１で用いた光結合素子１の場合、図１に示すように、Ｖ＝５００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝３５０Ｖとした場合、Ｖ１＝５００・（９／１０）＝４５０Ｖ 、Ｖ２＝５００・（１／１０）＝５０Ｖとなり、Ｖａ≧Ｖ１ａを満たさなくなり、その結果、光結合素子１の耐電圧として５００Ｖを満足しない。
なお、本実施例２では、受光素子２２、２３の等価的な抵抗Ｒ１、Ｒ２の値の関係をＲ１＝９・Ｒ２とした場合としたが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｒ１＝１４・Ｒ２としてもよい。
【００４９】
次に、上記した実施例１による効果を有する本実施例２とは異なる実施例を以下に示す。
【実施例３】
【００５０】
本実施例３にかかる光結合素子は、上記した実施例１にかかる光結合素子１と、受光側回路の点で異なるだけで他の構成は同一の構成からなる。そのため、この実施例３では、この異なる受光側回路の点について説明し、同一の構成については、その説明を省略する。また、この実施例３では実施例１とは異なる作用効果について説明し、同一の作用効果についてはその説明を省略する。
【００５１】
上記した実施例１にかかる光結合素子１と異なる構成である本実施例３にかかる光結合素子３の受光側回路３１は、図３に示すように、１つの受光素子（フォトトライアック）（符号３２、３３参照）を有する受光部が２つ直列接続された構成からなっている。これら２つの受光部（受光素子３２、３３）が１つの発光部に対して設けられている。また、これら受光素子３２、３３には、それぞれ駆動素子（トライアック）３４、３５が接続されている。すなわち、この光結合素子３は、ソリッドステートリレーである。
【００５２】
たとえば、図３に示すように、光結合素子３の出力端子間に印加される電圧をＶ、各受光部（受光素子３２と駆動素子３４のペア、受光素子３３及び駆動素子３５のペア）の等価的な抵抗をそれぞれＲ１、Ｒ２、各受光部に印加される電圧をそれぞれＶ１、Ｖ２とする。この時、受光側回路３１では、上記した実施例１の数式１、２が成り立つ。
【００５３】
ここで、各受光部の耐電圧Ｖａ、Ｖｂが、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たせば、光結合素子３としての耐電圧は（Ｖ１＋Ｖ２）以上となる。
そこで、例えば、Ｖ＝１０００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝６００Ｖ、Ｒ１＝Ｒ２とした場合、Ｖ１＝１０００・（１／２）＝５００Ｖ 、Ｖ２＝１０００・（１／２）＝５００Ｖとなり、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たす。すなわち、光結合素子３の耐電圧はＶ１＋Ｖ２＝１０００Ｖ以上となり、受光素子３２、３３と駆動素子３４、３５からなる２つの受光部を直列接続することにより、光結合素子３の高耐圧化ができる。
なお、本実施例３では、各受光部の等価的な抵抗値の関係をＲ１＝Ｒ２とした場合としたが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｒ１＝１.５・Ｒ２としてもよい。
【００５４】
次に、本実施例３による効果を有する他の実施例を以下に示す。
【実施例４】
【００５５】
本実施例４にかかる光結合素子は、上記した実施例３にかかる光結合素子３と、受光側回路の点で異なるだけで他の構成は同一の構成からなる。そのため、この実施例４では、この異なる受光側回路の点について説明し、同一の構成については、その説明を省略する。また、この実施例４では実施例３とは異なる作用効果について説明し、同一の作用効果についてはその説明を省略する。
【００５６】
上記した実施例３にかかる光結合素子３と異なる構成である本実施例４にかかる光結合素子４の受光側回路４１は、図４に示すように、１つの受光素子（フォトトライアック）（符号４２、４３参照）を有する受光部が２つ直列接続された構成からなっている。これら２つの受光部（受光素子４２、４３）が１つの発光部に対して設けられている。また、これら受光素子４２、４３には、それぞれ駆動素子（トライアック）４４、４５が接続されている。すなわち、この光結合素子４は、ソリッドステートリレーである。
【００５７】
また、受光側回路４１には、図４に示すように、各受光部（受光素子４２、４３及び駆動素子４４、４５）に印加される電圧を調節する補正回路４６、４７がそれぞれ設けられている。また、この補正回路４６、４７は、抵抗Ｒ３、Ｒ４が各受光部にそれぞれ並列接続されて構成される。
【００５８】
ここで、図４に示すように、光結合素子４の出力端子間に印加される電圧をＶ、各受光部（受光素子４２と駆動素子４４のペア、受光素子４３及び駆動素子４５のペア）の等価的な抵抗をそれぞれＲ１、Ｒ２、各受光部にそれぞれ並列接続された抵抗の抵抗値をＲ３、Ｒ４、各受光部に印加される電圧をそれぞれＶ１、Ｖ２とする。
【００５９】
この時、図４に示す回路構成から、Ｖ１、Ｖ２は、Ｖに対する[(Ｒ１・Ｒ３)／(Ｒ１＋Ｒ３)]と[(Ｒ２・Ｒ４)／(Ｒ２＋Ｒ４)]との比によって決まる。
【００６０】
ここで、Ｒ３＜＜Ｒ１、Ｒ４＜＜Ｒ２とすると、Ｒ１＋Ｒ３≒Ｒ１、Ｒ２＋Ｒ４≒Ｒ２とみなすことができる。その結果、Ｖ１、Ｖ２はＶに対するＲ３とＲ４の比によって決まる。
【００６１】
すなわち、各受光部の耐電圧Ｖａ、Ｖｂが、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たすようにＲ３、Ｒ4を設定することで、光結合素子４としての耐電圧は（Ｖ１＋Ｖ２）以上となる。
具体的に、Ｖ＝１０００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝６００Ｖ、Ｒ１＝９×１０10Ω、Ｒ２＝１０10Ω、Ｒ３＝Ｒ４＝１０7Ωとした場合、Ｖ１＝１０００・（１／２）＝５００Ｖ 、Ｖ２＝１０００・（１／２）＝５００Ｖとなり、Ｖａ≧Ｖ１ かつ Ｖｂ≧Ｖ２を満たす。すなわち、光結合素子４の耐電圧はＶ１＋Ｖ２＝１０００Ｖ以上となり、高耐圧化ができる。
【００６２】
上記したように、本実施例４にかかる光結合素子４によれば、上記した実施例３による効果を有するだけでなく、次に示す効果も有する。
【００６３】
この本実施例４にかかる光結合素子４は、上記したように、２つの受光部の抵抗Ｒ１、Ｒ２の値に差がある時にその効果が顕著に現れる。
【００６４】
すなわち、上記したように、本実施例４によれば、補正回路４６、４７が抵抗Ｒ３、Ｒ４を各受光部（受光素子４２と駆動素子４４のペア、受光素子４３及び駆動素子４５のペア）にそれぞれ並列接続されて構成されるので、２つの受光部の抵抗Ｒ１、Ｒ２の値に差がある場合であっても、容易に各受光部に印加される電圧を調節して２つの受光部全体での耐電圧の定格値をあげることができる。
【００６５】
例えば、上記した実施例３に本実施例２の条件（Ｒ１＝９・Ｒ２）の抵抗Ｒ１、Ｒ２を適用した場合、Ｒ１とＲ２の値が大きく異なる程、Ｖ１、Ｖ２に印加される電圧もどちらかに偏り、高耐圧化が難しくなる。また、通常、各受光部の漏れ電流のばらつきは比較的大きく、場合によっては指数オーダーになることもある。具体的に、上記した実施例３で用いた光結合素子３の場合、図３に示すように、Ｖ＝１０００Ｖ、Ｖａ＝Ｖｂ＝６００Ｖとした場合、Ｖ１＝１０００・（９／１０）＝９００Ｖ 、Ｖ２＝１０００・（１／１０）＝１００Ｖとなり、Ｖａ≧Ｖ１を満たさなくなり、光結合素子１の耐電圧として１０００Ｖを満足しない。
【００６６】
なお、本実施例４では、各受光部の等価的な抵抗Ｒ１、Ｒ２の値の関係をＲ１＝９・Ｒ２とした場合としたが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｒ１＝１４・Ｒ２としてもよい。
【００６７】
次に、上記した実施例１〜４にかかる光結合素子１〜４の製造方法について、図５を用いて説明する。なお、この説明では、実施例４にかかる光結合素子４を例にする。
【００６８】
まず、１つの発光部（発光素子１２）に対応する受光部（受光素子４２、４３及び駆動素子４４、４５）の個数を決定する（ステップＳ１、本発明でいう決定工程）。実施例４では、受光部を２つに決定している。
【００６９】
ステップＳ１の後に、２つの受光部と１つの発光部のダイボンド・ワイヤボンドを行ない、1次モールドする（ステップＳ２、本発明でいう１次モールド工程）。
【００７０】
ステップＳ２の後に、外乱光の影響を受けない環境にて、発光部および受光部の特性を検出する（ステップＳ３、本発明でいう検出工程）。なお、この実施例４でいう特性の検出とは、漏れ電流の検査を行なう。
【００７１】
そして、ステップＳ３における検査から判明する結果に基づいて、補正回路４６、４７（抵抗Ｒ３、Ｒ４）の接続の有無を決定する（ステップＳ４、本発明でいう接続工程）。なお、ここでいう受光部への特性結果に応じた抵抗の接続の有無には、単なる抵抗を接続するか否かだけでなく、受光部の抵抗値の選定も含まれる。実施例４では、抵抗Ｒ３、Ｒ４の接続を行なう。なお、例えば、実施例１においては、抵抗Ｒ３、Ｒ４の接続を行なわない。
【００７２】
ステップＳ４の後に、発光部および受光部を２次モールドして（ステップＳ５、本発明でいう２次モールド工程）、光結合素子４の形状を形成し（ステップＳ６）光結合素子４を製造する。
【００７３】
なお、この製造方法により製造された光結合素子４の抵抗Ｒ３、Ｒ４については、機器の小型化・セット組み立て時の工数削減のため、電子機器に内蔵するものとする。
【００７４】
上記したように、本実施例４にかかる光結合素子４の製造方法によれば、決定工程と、１次モールド工程と、検出工程と、接続工程と、２次モールドする工程とを有するので、発光部と受光部との特性に基づいて抵抗Ｒ３、Ｒ４の接続の有無、及び抵抗Ｒ３、Ｒ４を接続する場合その抵抗値を決定することができる。そのため、本実施例４にかかる光結合素子４に示すように、２個の受光部の抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗値にバラツキがあったとしてもその抵抗値のバラツキを抑えることができる。その結果、高耐電圧を有する光結合素子４を製造することができるとともに、光結合素子４の製造工程における省エネ化を図ることができる。なお、実施例１〜３にかかる光結合素子１〜３に関しても、同様の効果を有することができる。
【００７５】
また、実施例２、４に示すように、抵抗Ｒ３、Ｒ４の値は小さくなる程、抵抗Ｒ１、Ｒ２のばらつきの影響を受けにくくなり電子機器の高耐圧化に有利となる。
【００７６】
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、フォトカプラやソリッドステートリレーまたはトライアック等の光結合素子において、高耐電圧を有するデバイスを実現するものである。特に、本発明にかかる光結合素子をＦＡ機器、家電機器、データ通信機器などの電子機器に用いることに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本実施例１にかかる光結合素子の概略構成回路を示す図である。
【図２】本実施例２にかかる光結合素子の概略構成回路を示す図である。
【図３】本実施例３にかかる光結合素子の概略構成回路を示す図である。
【図４】本実施例４にかかる光結合素子の概略構成回路を示す図である。
【図５】本実施例４にかかる光結合素子の製造工程を示す概略フローチャート図である。
【図６】従来の光結合素子（フォトカプラ）の概略構成回路を示す図である。
【図７】従来の光結合素子（ソリッドステートリレー）の概略構成回路を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１、２、３、４  光結合素子
１１  発光側回路
１２  発光素子
１３、２１、３１、４１  受光側回路
１４、１５、２２、２３、３２、３３、４２、４３  受光素子
２４、２５、４６、４７補正回路
３４、３５、４４、４５駆動素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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