(57)【要約】【課題】  薄型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】  外周にリング３ｂが貼り付けられたテープ３ａを半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハ１Ｗの裏面を研削および研磨し、半導体ウエハ１Ｗを薄くする。その後、そのリング３ｂ付きのテープ３ａを剥がすことなく半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ１Ｗをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ１Ｗの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ１Ｗを半導体チップに分割する。ダイシング処理の切断処理中または切断処理間に、ダイシングブレード８の研削部に目立て用砥石ユニット９を接触させてダイシングブレード８の研削部に対して目立て処理を施す。【選択図】  図１６
2005340431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの主面の切断領域におけるパターンを認識する工程、
（ｆ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記（ｅ）工程の後、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にダイシング装置の回転するダイシング刃を当てて前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後の半導体チップを取り出す工程を有し、
前記（ｆ）工程の切断処理中または切断処理間に、前記ダイシング装置に設けられた目立て手段に前記ダイシング刃を接触させることにより前記ダイシング刃の目立て処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記目立て手段を前記ダイシング刃の側部に設け、前記ダイシング刃の目立て処理を行いながら前記半導体ウエハを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、さらに前記（ｆ）工程前に、前記テープの前記半導体ウエハが貼り付けられた面であって、前記半導体ウエハよりも外側で、かつ、前記枠体よりも内側の前記ダイシング刃の通過領域に、前記ダイシング刃の目立てを行う目立て部材を貼り付け、
前記（ｆ）工程において、前記目立て部材に前記ダイシング刃を接触させることにより、前記ダイシング刃の目立て処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、さらに前記（ｄ）工程後に、前記目立て部材を貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後の前記半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの主面の切断領域におけるパターンを認識する工程、
（ｆ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記（ｅ）工程の後、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にダイシング装置の回転するダイシング刃を当てて前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後の半導体チップを取り出す工程を有し、
前記（ｅ）工程後、前記（ｆ）工程前に、前記半導体ウエハの裏面に前記ダイシング刃の目立てを行う目立て部材を貼り付け、
前記（ｆ）工程の前記半導体ウエハの切断処理中に前記目立て部材を前記ダイシング刃で切断することにより前記ダイシング刃の目立て処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記目立て部材の厚さが、前記（ｄ）工程後の前記半導体ウエハの厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記目立て部材が半導体ウエハであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後の前記半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記目立て部材がダイアタッチフィルムであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイアタッチフィルムには砥粒が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの主面の切断領域におけるパターンを認識する工程、
（ｆ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記（ｅ）工程の後、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にダイシング装置の回転するダイシング刃を当てて前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後の半導体チップを取り出す工程を有し、
前記（ｆ）工程の切断処理中または切断処理間に、発生するダイシング刃の熱を冷却する第１の水と、前記ダイシング刃の目立て処理を行う第２の水とをそれぞれダイシング刃に噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の水の圧力は、前記第１の水の圧力よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の水は薬液を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後の前記半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の水の二酸化炭素濃度は、前記第１の水の二酸化炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に薄型の半導体装置の製造工程におけるブレードダイシング技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程におけるブレードダイシング工程は、半導体ウエハをダイシングテープに貼り付けた後、高速回転するブレードを半導体ウエハの主面の切断領域に沿って押し当てながら半導体ウエハを切断し、個々の半導体チップに分割する工程である。ダイシング処理においては、ブレードを構成する砥粒が半導体ウエハを削りながら自然に脱落し、切削工程の進行とともに新しい砥粒が表出する、いわゆる自生発刃をすることにより、切削性を保ち良好な切断処理が行われるようになっている。ダイシング処理によりブレードが摩耗し切削加工に不適切な状態になったら新しいブレードに交換する。ブレードを交換した場合、ブレードの表面を切削加工に適した状態にする、いわゆるドレッシングと呼ばれるブレードの目立て処理を行う必要がある。ブレードの目立て処理は、ブレードを交換した場合だけでなく、切削加工中にブレードの表面が切削加工に不適切な状態になった時も随時行われる。ブレードの目立ては、例えばダイシングエリアの横に、半導体ウエハの代わりにダミーの半導体ウエハを設置し、そのダミーの半導体ウエハをブレードにより切削することにより行われる。
【０００３】
このダイシングブレードの目立てに関する技術については、例えば特開平７−３０７３１３号公報に記載があり、加工途中のドレッシング動作に要する時間の短縮及びダミー部材のコスト削減を目的として、ダイシング処理に先立ってウエハが貼り付けられたダイシング装置用接着シート内にダイシング装置の砥石刃の目立てを行うためのドレス材を含む構成が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、例えば特開平１０−２７５７８６号公報には、ウエハの構造、材料の変化により、ダイシングにて使用するブレードの目つぶれを防ぎ、目立て作業を排除することを目的として、ダイシングブレードの切削面にドレスボードを常設し、ワークの切削とドレスとを同期させる技術が開示されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平７−３０７３１３号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体装置は、携帯電話やデジタルカメラ等のような小型の電子装置に使用される他、メモリカードやＩＣ（Integrated circuit）カード等のようなさらに薄型の電子装置に組み込まれたり、さらには各種商品に添付されて品質管理に利用されたり、紙幣等のような有価証券に内蔵されて偽造防止用に使用されたりすること等から、益々薄型化が要求されている。また、ＳＩＰ（System In Package）と称する半導体装置では、複数枚の半導体チップを多段に積み重ねてシステムを構成することから半導体チップの薄型化が益々要求されている。
【０００６】
ところで、このような半導体装置の薄型化に伴い半導体装置の製造時の基板材料として、例えば厚さ１００μｍ以下まで薄くした極薄の半導体ウエハが使用されるようになってきている。しかし、半導体ウエハが薄くなるにつれてダイシング処理時に以下のような新たな問題が生じることを本発明者は見出した。
【０００７】
すなわち、半導体ウエハの厚さが２００μｍ程度あるいはそれより厚いときは、半導体基板の厚さが充分にあるのでダイシング中にブレードの自生発刃が良好に行われるが、半導体ウエハの厚さが１００μｍあるいはそれより薄くなってくると半導体基板の厚さが極僅かしかないので自生発刃が生じ難くなるとともに、それに起因してダイシングテープの切り屑等によるブレードの砥粒間の目詰まりが生じ易くなり、半導体ウエハの切断ラインのエッジ、特に半導体ウエハのダイシングテープに接する裏面側において、欠け（チッピング）が急増する問題が生じる。半導体チップの薄型化に伴い、今まで気にならなかった小さなチッピングでも半導体チップの抗折強度の低下を招き、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下を招くので、薄型の、特にその厚さが１００μｍ以下である極薄の半導体ウエハを用いたブレードダイシング処理では、ブレードの目立て処理は不可欠であり、如何にして最適な頻度およびタイミングでブレードの目立て処理を行うかが重要な課題となる。
【０００８】
本発明の目的は、薄型の半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、薄型の半導体ウエハの歩留まりを向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
すなわち、本発明は、枠体部を持つテープを半導体ウエハの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハの裏面を研削および研磨した後、前記テープを貼り付けた状態で前記半導体ウエハをダイシング装置のダイシング刃により切断し半導体チップに分割する切断処理または切断処理間に、前記ダイシング装置に設けられた目立て手段により前記ダイシング刃の目立て処理を行う工程を有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、枠体部を持つテープを半導体ウエハの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハの裏面を研削および研磨した後、前記テープを貼り付けた状態で前記半導体ウエハをダイシング装置のダイシング刃により切断し半導体チップに分割する切断処理または切断処理間に、前記ダイシング装置に設けられた目立て手段により前記ダイシング刃の目立て処理を行うことにより、ダイシング刃の自生発刃が困難な薄型の半導体ウエハでも最適な目立て処理ができる。このため、ダイシング刃の目詰まりを低減または防止でき、良好なダイシング性を確保できるので、薄型の半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
また、ダイシング刃の目詰まりを低減または防止でき、良好なダイシング性を確保できるので、極薄の半導体ウエハでも欠けの問題を抑制できるため、薄型の半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置の製造方法を図１のフロー図に沿って図２〜図２８により説明する。
【００１８】
まず、前工程１００では、例えば直径３００ｍｍ程度の平面略円形状の半導体ウエハ（以下、単にウエハという）を用意し、その主面に複数の半導体チップ（以下、単にチップという）を形成する。前工程１００は、ウエハプロセス、拡散工程またはウエハファブリケーションとも呼ばれ、ウエハの主面にチップ（素子や回路）を形成し、プローブ等により電気的試験を行える状態にするまでの工程である。前工程には、成膜工程、不純物導入（拡散またはイオン注入）工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、メタライズ工程、洗浄工程および各工程間の検査工程等がある。図２は前工程１００後のウエハ１Ｗの主面の全体平面図、図３は図２のＸ１−Ｘ１線の断面図をそれぞれ示している。ウエハ１Ｗの主面には、例えば平面四角形状の複数のチップ１Ｃが、その各々の周囲に切断領域ＣＲを介して配置されている。ウエハ１Ｗの半導体基板（以下、単に基板という）１Ｓは、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には素子および配線層１Ｌが形成されている。この段階のウエハ１Ｗの厚さ（基板１Ｓの厚さと配線層１Ｌの厚さとの総和）は、例えば７７５μｍ程度である。符号のＮはノッチを示している。
【００１９】
図４は図２のウエハ１Ｗの一例の要部拡大平面図、図５は図４のＸ２−Ｘ２線の断面図をそれぞれ示している。配線層１Ｌには、層間絶縁膜１Ｌｉ、配線１Ｌ１，１Ｌ２、ボンディングパッド（外部端子；以下、単にパッドという）１ＬＢ、テスト用のパッド１ＬＢｔおよび保護膜１ＬＰが形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2等）のような無機系の絶縁膜により形成されている。配線１Ｌ１，１Ｌ２およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔは、例えばアルミニウム等のような金属膜で形成されている。最上の配線１Ｌ２およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔを覆う保護膜１ＬＰは、例えば酸化シリコンのような無機系の絶縁膜とポリイミド樹脂のような有機系の絶縁膜との積層膜からなる。この保護膜１ＬＰの有機系の絶縁膜は、ウエハ１Ｗの主面最上面に露出された状態で堆積されている。この保護膜１ＬＰの一部には、開口部２が形成されており、そこからパッド１ＬＢ，１ＬＢｔの一部が露出されている。パッド１ＬＢは、チップ１Ｃの外周に沿って並んで配置されている。テスト用のパッド１ＬＢｔは、チップ１Ｃの切断領域ＣＲに配置されている。
【００２０】
図６は図２のウエハ１Ｗの他の例の要部拡大平面図、図７は図６のＸ３−Ｘ３線の断面図をそれぞれ示している。この例では、パッド１ＬＢ上に下地金属ＵＢＭを介してバンプ電極ＢＭＰが形成されている。バンプ電極ＢＭＰは、例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）または金（Ａｕ）等のような半田材料からなる。また、バンプ電極は鉛フリー（Ｓｎ−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅））組成の半田材料からなっても良い。
【００２１】
次に、図１のテスト工程１０１では、ウエハ１Ｗの各チップ１Ｃのパッド１ＬＢおよび切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔにプローブを当てて各種の電気的特性検査を行う。このテスト工程は、Ｇ／Ｗ（Good chip/Wafer）チェック工程とも呼ばれ、ウエハ１Ｗに形成された各チップ１Ｃの良否を電気的に判定する試験工程である。
【００２２】
続く図１の後工程１０２は、上記テスト工程１０１後の工程であって、チップ１Ｃを封止体（パッケージ）に収納し完成するまでの工程であり、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃを有している。
【００２３】
まず、裏面加工工程１０２Ａでは、ウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にテープを貼り付ける（工程１０２Ａ１）。図８はウエハ１Ｗが貼り付けられた治具３の全体平面図、図９は図８のＸ４−Ｘ４線の断面図、図１０は図８の他の例のＸ４−Ｘ４線の断面図をそれぞれ示している。図８ではウエハ１Ｗの主面のチップ１Ｃを破線で示している。治具３は、テープ３ａとリング（枠体）３ｂとを有している。テープ３ａのテープベース３ａ１は、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層３ａ２が形成されている。テープ３ａは、その接着層３ａ２によりウエハ１Ｗの主面にしっかりと貼り付けられている。テープ３ａの厚さ（テープベース３ａ１の厚さと接着層３ａ２の厚さとの総和）は、あまり厚いとその後の工程でのハンドリングやテープ３ａの剥離が難しくなるので、例えば１３０〜２１０μｍ程度の薄いものが使用されている。このテープ３ａとして、例えばＵＶテープを使用することも好ましい。ＵＶテープは、接着層３ａ２の材料として紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂が使用された粘着テープであり、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると接着層３ａ２の粘着力が急激に弱くなる性質を有している。
【００２４】
本実施の形態１では、このテープ３ａの外周に剛性を持つリング３ｂが貼り付けられている。リング３ｂは、テープ３ａが撓まないように支える機能を有する補強部材である。この補強の観点からリング３ｂは、例えばステンレス等のような金属により形成することが好ましいが、金属と同程度の硬度を持つように厚さを設定したプラスチック材料により形成しても良い。リング３ｂの外周には、切り欠き部３ｂ１，３ｂ２が形成されている。この切り欠き部３ｂ１，３ｂ２は、治具３のハンドリング時や治具３と治具３を載置する製造装置との位置合わせ時に使用する他、製造装置に治具３を固定する際の引っかかり部として使用される。本実施の形態１においては、後述のようにダイシング時にも治具３を使用するので、治具３の各部（切り欠き部３ｂ１，３ｂ２も含む）の寸法や形状が裏面加工とダイシングとで共用可能なように設定されている。図９ではリング３ｂがテープ３ａの主面（ウエハ貼付面）に貼り付けられている場合を示し、図１０ではリング３ｂがテープ３ａの裏面（ウエハ貼付面とは反対側の面）に貼り付けられている場合を示している。リング３ｂは、テープ３ａにウエハ１Ｗを貼り付ける前に貼り付けても良いし、テープ３ａにウエハ１Ｗを貼り付けた後に貼り付けても良い。
【００２５】
続いて、テープ３ａにリング３ｂを貼り付けてサポート強度を向上させた状態で、ウエハ１Ｗの厚さを測定する（工程１０２Ａ２）。図１１はウエハ１Ｗの厚さ測定の一例の様子を示す断面図、図１２は図１１のウエハ１Ｗの厚さ測定時の要部拡大平面図をそれぞれ示している。ここでは、ウエハ１Ｗを保持した治具３を、裏面加工装置の吸着ステージ４上に載せ真空吸着により固定した状態で、赤外線（Infra red：以下、ＩＲカメラという）カメラ５ａを用いてウエハ１Ｗの裏面の高さＨ１と、テープ３ａの主面の高さＨ２とを測定する。これにより、ウエハ１Ｗの実際の厚さと、テープ３ａの厚さのばらつき（±７〜８μｍ程度）とを測定でき、正確な研削量および研磨量を決めることができる。
【００２６】
その後、図１３に示すように、研削研磨工具６および吸着ステージ４を回転させて、上記研削量および研磨量に基づいてウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理を順に施す（工程１０２Ａ３，１０２Ａ４）。これにより、図１４に示すように、ウエハ１Ｗの厚さを、例えば１００μｍ以下（ここでは、例えば９０μｍ程度）の極めて薄い厚さにする。この時の研磨処理は、チップの厚さが薄くなり１００μｍ以下になってくると上記研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスが原因でチップの抗折強度が低下しチップを実装する時の圧力でチップがわれてしまう不具合が生じ易くなってくるので、そのような不具合が生じないようにウエハ１Ｗの裏面の損傷やストレスを無くす上で重要な処理となっている。研磨処理としては、研磨パッドとシリカとを用いて研磨する方法や化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法の他、例えば硝酸とフッ酸とを用いたエッチング法を用いても良い。
【００２７】
以上のような裏面加工工程後、吸着ステージ４の真空吸引状態を解除し、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具３を裏面加工装置から取り出す。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極薄とされていてもリング３ｂによりテープ３ａをしっかりと支えることができるので、極薄のウエハ１Ｗのハンドリングや搬送を容易にすることができる。また、そのハンドリングや搬送時にウエハ１Ｗが割れたり反ったりすることを防止することができる。したがって、ウエハ１Ｗの品質を確保することができるようになっている。このため、本実施の形態１では、この裏面加工後の段階で極薄のウエハ１Ｗを治具３に保持させたままの状態で他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、裏面加工後のダイシングおよび組立を依頼しても良い。
【００２８】
次に、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。ここでは、まず、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具３をそのままダイシング装置に搬送し、図１５に示すように、ダイシング装置の吸着ステージ７に載置する。すなわち、通常は、裏面加工時にウエハ１Ｗの主面に貼り付けたテープを剥がして、ウエハ１Ｗの裏面にダイシングテープを貼り付ける（ウエハマウント）工程が必要とされているが、本実施の形態１では、そのウエハマウント工程を削減できるので、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。したがって、半導体装置の製造時間を短縮できる。また、ダイシングテープを不要とすることができるので、材料費を低減でき、半導体装置のコストを低減できる。
【００２９】
続いて、本実施の形態１ではウエハ１Ｗの主面にテープ３ａが貼り付いた状態でダイシングするため、治具３を真空吸引した状態でウエハ１Ｗの裏面からＩＲカメラ５ｂによりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲの金属パターン）を認識する（工程１０２Ｂ１）。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極めて薄いのでウエハ１Ｗの主面のパターンの様子を充分に観測できる。その後、ＩＲカメラ５ｂで得られたパターン情報に基づいてダイシングライン（切断領域ＣＲ）の位置合わせ（位置補正）を実施し、ブレードダイシングを行う（工程１０２Ｂ２）。
【００３０】
図１６はダイシング中のウエハ１Ｗの様子、図１７は図１６のダイシングブレード（ダイシング刃：以下、単にブレードという）８を上から見た様子、図１８はダイシング後のウエハ１Ｗの様子をそれぞれ示している。図１６の矢印Ａはブレード８の移動方向、矢印Ｂはブレード８の回転方向をそれぞれ示している。ダイシング処理では、図１６に示すように、高速回転するブレード８をウエハ１Ｗの裏面から切断領域ＣＲに押し当ててウエハ１Ｗを切断し、図１８に示すように、個々のチップ１Ｃに分割する。ここで本実施の形態１においては、ダイシング装置のブレード８の研削面の側部に目立て用砥石ユニットが矢印Ｃに示すように移動可能な状態で設置されており、１枚のウエハ１Ｗの切断処理中または切断処理間に、上記目立て用砥石ユニット９をブレード８の研削面に接触させて目立て処理を行うことが可能となっている。これにより、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下という極薄のものであっても、ブレード８の研削面を適切に目立てすることができるので、自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できる。このため、良好な切削性を保つことができるので、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できる。したがって、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができるので、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、ウエハ１Ｗが薄くなると、ブレード８の表面を切削加工に適切な状態にするために頻繁に目立て処理が必要になるので、ダイシングエリアの横にダミーウエハを設置し、そのダミーウエハをブレードにより切削することでブレードの目立てを行う方法であると、目立て処理に時間がかかりダイシング処理時間が長くなる。これに対して、本実施の形態１では、切断処理中または切断処理間に目立て用砥石ユニット９により目立てが可能なので、目立て処理時間を短縮を大幅に短縮できる。したがって、ダイシング時間を短縮できるので、半導体装置の製造時間を短縮できる。
【００３１】
ウエハ１Ｗの切断処理中のブレード８の目立ては、切断処理中に連続的に行っても良いが、切断処理中の適切な時に間欠的に行っても良い。これにより、ブレード８の適切な目立てができる上、ブレード８の寿命を向上させることもできる。また、ウエハ１Ｗの切断処理間に行うブレード８の目立て処理として、切断処理の直前または直後あるいはその両方、すなわち、各切断線の始点、終点またはその両方において、目立て用砥石ユニット９をブレード８の研削面に接触させてブレード８の目立て処理を行うことを例示できる。また、各切断線の長さに応じて目立ての回数（時期）を変えても良い。例えば相対的に長い切断線での目立て処理回数の方が、相対的に短い切断線の目立て処理回数よりも多くなるようにしても良い。これにより、ブレード８の適切な目立てができる上、ブレード８の寿命を向上させることもできる。このように本実施の形態１ではダイシング装置に目立て用砥石ユニット９が設置されており、その動作（すなわち、目立て処理）を制御することができるので、各種の状況に合わせてブレード８の目立て処理が可能となっている。
【００３２】
目立て用砥石ユニット９の研削部（切れ刃）は、多数の砥粒を結合材で結合した砥石により構成されている。目立て用砥石ユニット９の研削部は、砥石で構成する他に、例えば不純物導入処理の施されていない単結晶シリコン（Ｓｉ）または多結晶シリコンで構成しても良い。目立て用砥石ユニット９の研削部の材料をウエハ１Ｗと同一とすることにより不純物の問題を回避できる。また、単結晶シリコンよりも安価な多結晶シリコンを用いることによりランニングコストを低減できる。
【００３３】
ブレード８は、例えばダイヤモンドとニッケルとを電着製法により固着することで形成されている。また、ブレード８は、有機材からなる円盤状のベース基板にダイヤモンド粒子を埋め込むことで形成しても良い。ブレード８の厚さは、例えば３０〜３５μｍ程度である。このブレード８が、例えば数万回転／ｍｉｎで回転し、例えば４０〜２００ｍｍ／秒の速度でウエハ１Ｗを切断する。ウエハ１Ｗの切断速度は、ウエハ１Ｗの厚さや切断品質などを考慮して決められている。ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理中や切断処理間においては、ダイシング時に発生する残渣を除去するためやブレード８がウエハ１Ｗを切断する時の熱を冷却する等の目的でブレード８の研削部に超純水を高圧噴射する。この超純水は、ウエハ１Ｗに形成された回路が静電気等により破壊されないように比抵抗値を適切な値に設定することが重要であり、そのために超純水中に微量の二酸化炭素（ＣＯ2）が含まれている。
【００３４】
ここで、本実施の形態１では、上記のようなダイシング後の段階で極薄の複数のチップ１Ｃを治具３に保持させたままの状態で他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、ダイシング工程後の組立を依頼しても良い。
【００３５】
次に、組立工程１０２Ｃに移行する。ここでは、複数のチップ１Ｃを保持した治具３をピックアップ装置に搬送する。ここでは、まず、図１９に示すように、治具３を載置台１０に載せた状態で、リング３ｂを矢印Ｅに示す方向に押し下げテープ３ａを矢印Ｆに示す方向に引き伸ばし、互いに隣接するチップ１Ｃの間隔を広げる。この段階のピックアップ装置の治具３およびウエハ１Ｗの要部拡大断面図を図２０に示す。テープ３ａの裏面側には押上ピン１１が上下動可能な状態で設置されている。また、チップ１Ｃの裏面上方には、コレット１２が上下左右に移動可能な状態で設置されている。コレット１２として平コレットを用いたが角錐コレットを用いても良い。このピックアップ工程では、図２１に示すように、テープ３ａの裏面を真空吸引した状態で、押上ピン１１によりテープ３ａの裏面からチップ１Ｃを押し上げる。この時、テープ３ａとして上記ＵＶテープを使用した場合にはテープ３ａの接着層３ａ２に紫外線を照射することにより接着層３ａ２を硬化させ接着力を弱める。この状態で半導体チップ１Ｃをコレット１２により真空吸引することにより、図２２に示すように、チップ１Ｃをピックアップする（工程１０２Ｃ１）。
【００３６】
しかし、チップ１Ｃが薄くなるとＵＶテープを使用したとしても押上ピン１１の押圧力によりチップ１Ｃが割れやピックアップミスを引き起こす場合がある。そのような場合には、次のようにしても良い。図２３はピックアップ装置に載置された治具３の要部拡大断面図を示している。ここではテープ３ａの裏面側に多突起吸着駒１３が設置されている。この場合、図２４に示すように、多突起吸着駒１３の吸引孔を通じてテープ３ａをその裏面側から真空吸引することにより、チップ１Ｃの主面とテープ３ａの主面との接触状態を面接触から点接触に変える。これにより、チップ１Ｃとテープ３ａとの接触面積を低減できる。この状態で、図２５に示すように、チップ１Ｃをコレット１２によりピックアップする（工程１０２Ｃ１）。これにより、極薄のチップ１Ｃでも割れ等を生じさせることなくピックアップすることができる。この場合は、テープ３ａとしてＵＶテープを使用しないでもチップ１Ｃのピックアップを容易にできるが、ＵＶテープを使用し、ピックアップ時にテープ３ａの接着層３ａ２に紫外線を照射し接着性を低下させることでさらにチップ１Ｃのピックアップを容易にすることができる。
【００３７】
続いて、上記のようにしてピックアップしたチップ１Ｃを既存の反転ユニットによりチップ１Ｃの主面が上を向くように反転させた後、図２６に示すように、コレット１２により、例えばプリント配線基板１５のチップ実装領域まで移送する。プリント配線基板１５のチップ実装領域には、例えば銀（Ａｇ）ペースト等のような接着材１６がマトリクス状に点在した状態で塗布されている。プリント配線基板１５に代えてリードフレームのダイパッド（チップ搭載部）上にチップ１Ｃを実装する場合もある。また、ピックアップしたチップ１Ｃを搬送トレイに収容して他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、この工程後の組立を依頼しても良い（工程１０３Ａ）。続いて、図２７に示すように、チップ１Ｃの裏面をプリント配線基板１５のチップ実装領域に向けた状態でチップ１Ｃをチップ実装領域に載せ、適切な方向にスクラブし、かつ、チップ１Ｃを適度に押し付けて接着材１６をチップ１Ｃの裏面全体に広げる。その後、接着材１６を硬化させてチップ１Ｃをプリント配線基板１５上に固着する（工程１０２Ｃ２）。その後、図２８に示すように、チップ１Ｃの主面のパッド１ＬＢとプリント配線基板１５の電極とをボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）１７により接続する（工程１０２Ｃ３）。その後、トランスファモールド法を用いてエポキシ樹脂等のようなプラスチック材料からなる封止体によりチップ１Ｃを封止する（工程１０２Ｃ４）。前記図６および図７に示したようにチップ１Ｃがバンプ電極ＢＭＰを持つ場合は、上記ピックアップ工程１０２Ｃ１においてチップ１Ｃをその主面が下を向いた状態でプリント配線基板１５のチップ実装領域に移送し、チップ１Ｃのバンプ電極ＢＭＰとチップ実装領域の電極とをペースト材を用いて仮固定した後、リフロ処理（熱硬化処理）することでチップ１Ｃのバンプ電極ＢＭＰとプリント配線基板１５の電極とを固着する（フリップチップボンディング）。その後、チップ１Ｃとプリント配線基板１５との対向面間にアンダーフィルを充填した後、チップ１Ｃを上記と同様に封止する（工程１０２Ｃ４）。
【００３８】
図２９は、本実施の形態１の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置２０の断面図の一例を示している。この半導体装置２０は、１つのパッケージ内に所望の機能のシステムが構築されたＳＩＰ（System In Package）構成とされている。この半導体装置２０を構成するプリント配線基板１５の裏面には、複数のバンプ電極２１がマトリックス状に配置されている。また、プリント配線基板１５の主面上には、複数の薄型のチップ１Ｃ１，１Ｃ２（１Ｃ）が積層されている。最下層のチップ１Ｃ１は、その主面のバンプ電極ＢＭＰを介してプリント配線基板１５の主面上に実装されている。このチップ１Ｃ１の主面には、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）またはフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されている。チップ１Ｃ１の主面とプリント配線基板１５の主面との間には、例えば非導電性フィルムＮＣＦが介在されている。また、このチップ１Ｃ１の裏面上には、ダイアタッチフィルム２２を介してチップ１Ｃ２が実装されている。チップ１Ｃ２は、その主面を上にした状態で実装されている。このチップ１Ｃ２の主面には、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＤＳＰ（Digital Signal Processor）等のような論理回路が形成されている。このチップ１Ｃ２の主面のパッド１ＬＢは、ワイヤ１７を介してプリント配線基板１５の主面の電極と電気的に接続されている。このようなチップ１Ｃ１，１Ｃ２およびワイヤ１７は、例えばエポキシ樹脂からなる封止体２４により封止されている。上記の本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、図２９のようなチップ１Ｃ１，１Ｃ２のような多段積層ができ、ＳＩＰ構成を有する半導体装置２０の薄型化を実現することができる。また、ＳＩＰ構成を有する半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
（実施の形態２）
本実施の形態２においては、ダイシング用のテープに目立て用砥石を貼り付けてからダイシング処理を行う場合の一例について説明する。
【００４０】
図３０は、本実施の形態２の場合のウエハ１Ｗを収めた状態の治具３の全体平面図であって、ダイシング工程時のダイシング領域の平面図を示している。ウエハ１Ｗは、前記実施の形態１と同様に、ウエハ１Ｗの主面が治具３のテープ３ａに貼り付けられた状態で治具３に収容されている。このウエハ１Ｗが貼り付けられたテープ３ａの主面であって、ウエハ１Ｗの外周とリング３ｂの内周との間には、平面帯状の目立て用砥石２７が貼り付けられている。ダイシング処理においては、ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理の直前または直後にブレード８を目立て砥石２７に接触させることにより、ブレード８の目立て処理が可能となっている。これにより、前記実施の形態１と同様に、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下の薄いものであっても、ブレード８の研削面を適切に目立てすることができるので、自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できる。このため、良好な切削性を保つことができ、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できるので、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができ、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態２の場合、ダイシング装置の変更が不要であり今までのダイシング装置をそのまま使用できる。すなわち、新たな投資や装置変更に伴う時間を不要とすることができるので、比較的低コストで短期間のうちに薄型のウエハ１Ｗのダイシング処理に対応できる。
【００４１】
また、本実施の形態２では、図３０に示すように、上記の目立て用砥石２７は、図１のダイシング工程１０２Ｂ２の前に貼り付けるが、裏面加工工程１０２Ａの前に貼り付けると裏面加工（裏面研削工程１０２Ａ３や裏面研磨工程１０２Ａ４）の妨げになる虞があるので、図１の裏面研磨工程１０２Ａ４の後に貼り付けることが好ましい。なお、符号ＣＬは、ブレード８による切断線を示している。
【００４２】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、前記実施の形態２の変形例を説明する。
【００４３】
図３１は、本実施の形態３の場合のウエハ１Ｗを収めた状態の治具３の全体平面図であって、ダイシング工程時のダイシング領域の平面図を示している。本実施の形態３では、目立て用砥石２７が、ウエハ１Ｗの外周を取り囲むように平面リング状に形成されている。
【００４４】
本実施の形態３では、ブレード８の移動長さを調節することにより、切断線ＣＬの始点と終点との片方（切断処理の直前または直後）でも両方（切断処理の直前および直後）でもブレード８の目立て処理が可能である。また、ウエハ１Ｗの外周のどの箇所でもウエハ１Ｗの外周から目立て用砥石２７までの距離がほぼ等しいので、ウエハ１Ｗの外側に位置する切断線ＣＬの長さ（切断線ＣＬの全長）を前記実施の形態２の場合よりも短くできる。このため、ウエハ１Ｗの外側に位置する切断線ＣＬを切断する時のブレード８の移動距離を前記実施の形態２の場合よりも短くすることができる。また、目立て用砥石２７が１つなのでテープ３ａへの貼り付けが容易である。
【００４５】
（実施の形態４）
本実施の形態４においては、ウエハの裏面加工後にウエハの裏面に目立て部材を貼り付けてからダイシング処理を行う場合の一例について説明する。
【００４６】
本実施の形態４においては、図３２に示すように、裏面加工工程１０２Ａの後のウエハ１Ｗの裏面にダミーウエハ２８を貼り付けた後、図３３に示すように、高速回転するブレード８により、製品用のウエハ１Ｗとダミーウエハ２８とを重ねたまま切断する。すなわち、ダイシング処理中にダミーウエハ２８を切断することによりブレード８の研削面を適切に目立てする。これにより、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下の薄いものであっても、ダミーウエハ１Ｗを切断することでブレード８の自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できるので、良好な切削性を保つことができ、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できる。このため、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができ、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態４の場合も、ダイシング装置の変更が不要であり今までのダイシング装置をそのまま使用できるので、新たな投資や装置変更に伴う時間を不要とすることができ、比較的低コストで短期間のうちに薄型のウエハ１Ｗのダイシング処理に対応できる。
【００４７】
ダミーウエハ２８は、例えば不純物導入処理が施されていない単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる。ダミーウエハ２８の材料をウエハ１Ｗの材料と同一とすることにより、不純物の問題を回避できる。ダミーウエハ２８の厚さは、ブレード８の目立ての観点からダミーウエハ２８と製品用のウエハ１Ｗとの総厚が２００μｍ程度またはそれより厚くなるように設定することが好ましい。本実施の形態４では、ウエハ１Ｗの厚さが９０μｍ程度なので、ダミーウエハ２８の厚さはウエハ１Ｗの厚さよりも厚く、例えば１１０μｍ程度またはそれ以上とされている。ただし、ダミーウエハ２８の厚さがあまり厚いとブレード８の寿命が低下してしまう虞があるので、ダミーウエハ２８の材料によっても変わり一概には言えないが、ダミーウエハ２８がシリコンの場合において、ダミーウエハ２８と製品用のウエハ１Ｗとの総厚が２８０〜３００μｍ程度またはそれより薄くなるようにダミーウエハ２８の厚さを設定することが好ましい。
【００４８】
ダミーウエハ２８は、単結晶シリコンに代えて、単結晶シリコンよりも安価な多結晶シリコンを用いても良い。これによりランニングコストを低減できる。また、ダミーウエハ２８に代えて石英等のようなガラス基板を用いても良い。なお、ダイシング処理後のチップ１Ｃの裏面に貼り付けられたダミーウエハ２８の基板部分は、ダイボンディング工程１０２Ｃ２の前に剥離される。
【００４９】
（実施の形態５）
本実施の形態５においては、ウエハの裏面にダイアタッチフィルムを貼り付ける場合のダイシング処理について説明する。図３４〜図３６は本実施の形態５の半導体装置の製造工程中のウエハ１Ｗの断面図を示している。
【００５０】
まず、図３４に示すように、ウエハ１Ｗの裏面加工工程１０２Ａの後のウエハ１Ｗの裏面にダイアタッチフィルム２２を貼り付ける。このダイアタッチフィルム２２は、例えば接着機能を持つエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などのような樹脂材料に導電性フィラーを充填したもので、チップをリードフレームや配線基板に固定するための接着材である。また、本実施の形態５においては、このダイアタッチフィルム２２中に、例えばホワイトアランダムまたはグリーンカーボネート等からなるドレス用の微細な粒子が複数分散させた状態で含まれている。また、ダイアタッチフィルム２２を、上記の微細な粒子が複数集まって形成されたドレス層と、ドレス層を挟み込むようにドレス層の上下に形成された樹脂材料層（導電性フィラーを含む）との３層構成としても良い。また、テープ３ｂ中に上記ドレス用の微細な粒子を複数分散させた状態で含ませておいても良い。
【００５１】
続いて、図３５に示すように、前記実施の形態１と同様にブレード８を用いたダイシング処理により、ウエハ１Ｗを切断し、図３６に示すように個々のチップ１Ｃに分割する。このダイシング処理において、本実施の形態５においては、高速回転するブレード８によりウエハ１Ｗを切断する時に同時にダイアタッチフィルム２２を切断することにより、ブレード８の研削面をダイアタッチフィルム２２中の上記ドレス用の微細な粒子により目立てすることが可能となっている。また、ブレード８によりテープ３ａの主面一部も削られるので、その際に、ブレード８研削面をテープ３ａ中の上記ドレス用の微細な粒子により目立てすることが可能となっている。これにより、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下の薄いものであっても、上記ドレス用の微細な粒子によりブレード８の自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できるので、良好な切削性を保つことができ、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できる。このため、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができ、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
【００５２】
このようにして、裏面にダイアタッチフィルム２２が貼り付けられたチップ１Ｃを用意する。
【００５３】
（実施の形態６）
本実施の形態６においては、ダイシング処理中にブレードに対して噴射する超純水によりブレードの目立てを行う場合の一例について説明する。
【００５４】
図３７はブレード８およびブレードクーラ配管３０の側面図、図３８は図３７の矢印Ｇの方向から見たときのブレード８およびブレードクーラ配管３０の要部正面図を示している。図３７の破線で示す矢印Ｈは、ブレードクーラ配管３０中の超純水の流れる方向を示している。図３８の矢印Ｊはブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部への超純水ＷＡの噴射方向を示している。ブレードクーラ配線３０は、ブレード８の両側面の下部（研削部）を挟むように、ブレード８の側面から所望の距離を隔てて配置されている。
【００５５】
ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理中または切断処理間においては、前記実施の形態１においても説明したように、ダイシング時に発生する残渣を除去するためやブレード８がウエハ１Ｗを切断する時の熱を冷却する等の目的で、このブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部に第１条件（圧力、流速、流量等）で超純水（第１の水）を噴射する。
【００５６】
また、本実施の形態６では、ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理中または切断処理間に、上記の目的の他に、上記ブレード８の研削部の目立て処理を目的として、このブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部に第２条件（圧力、流速、流量等）で超純水（第２の水）を噴射する。すなわち、ブレードクーラ配管３０からブレード８に対して噴射する超純水の噴射条件（圧力、流速、流量等）を調節することにより、ブレード８の研削部の目立て処理を行うようになっている。この場合、上記第２条件の圧力、流速および流量等の値は、上記第１条件の圧力、流速および流量等の値よりも大きくする。この超純水は、前記実施の形態１と同様に、ウエハ１Ｗに形成された回路が静電気等により破壊されないように比抵抗値を適切な値に設定することが重要であり、そのために超純水中に微量の二酸化炭素（ＣＯ2）が含まれている。
【００５７】
このような本実施の形態６によれば、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下の薄いものであっても、上記超純水の噴射によりブレード８の自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できるので、良好な切削性を保つことができ、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できる。このため、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができ、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態６においては、砥石の交換作業を削減できる。また、ランニングコストを低減できる。
【００５８】
（実施の形態７）
本実施の形態７は、前記実施の形態６の変形例を説明する。
【００５９】
本実施の形態７では、ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理中または切断処理間に、ダイシング時に発生する残渣を除去するためやブレード８がウエハ１Ｗを切断する時の熱を冷却する等の目的で、図３７のブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部に超純水を第１条件（圧力、流速、流量等）で噴射する第１の水の他に、上記ブレード８の研削部の目立て処理を目的として、上記第１条件での超純水（第１の水）の二酸化炭素の濃度よりも高い二酸化炭素濃度の超純水（第２の水）をブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部に噴射する。すなわち、ブレードクーラ配管３０からブレード８に対して噴射される超純水の二酸化炭素濃度を調節することにより、ブレード８の研削部の目立て処理を行うようになっている。これにより、ウエハ１Ｗが１００μｍ以下の薄いものであっても、上記超純水によりブレード８の自生発刃を促すことができ、ブレード８の目詰まりを低減または防止できるので、良好な切削性を保つことができ、ウエハ１Ｗの切断面のエッジでの上記チッピングの発生を低減または防止できる。このため、薄型のチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができ、薄型のチップ１Ｃを有する半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態７においても、砥石の交換作業を削減でき、ランニングコストを低減できる。二酸化炭素に代えて薬液を超純水中に含ませて目立て処理を行っても良い。本実施の形態７の場合は、前記実施の形態１等と同様にダイシング処理においてウエハ１Ｗの主面がテープ３ａにより覆われ保護されているので、高濃度の二酸化炭素や薬液を含む超純水を用いても、ウエハ１Ｗの主面に影響が無いようにすることができる。しかし、ウエハ１Ｗへの影響が大きくなってしまうかその虞がある場合は、ウエハ１Ｗから離れたウエハ１Ｗの外周で目立て処理を行った方が好ましい。すなわち、切断処理間に目立て処理を行うことが好ましい。例えばウエハ１Ｗの外周領域で高濃度の二酸化炭素や薬液を含む超純水によりブレード８の目立て処理を行った後、超純水でブレード８を洗浄する。続いて、ウエハ１Ｗの１つの切断線に沿って切断を行う。その１つの切断線の切断終了後、ウエハ１Ｗの外周領域で上記と同様のブレード８の目立て処理を行い、洗浄処理を行い、ウエハ１Ｗの別の切断線に沿って切断を行う。このような処理を切断線毎に繰り返す。
【００６０】
（実施の形態８）
図３９は本実施の形態８のブレード８およびブレードクーラ配管３０の側面図を示している。図３９の矢印Ｋから見た要部の様子は図３８と同じである。
【００６１】
本実施の形態８では、ブレード８の研削部の目立て用の超純水を供給するための専用配管３１がダイシング装置に設けられている。すなわち、本実施の形態８においては、ブレード８によるウエハ１Ｗの切断処理中または切断処理間に、ダイシング時に発生する残渣を除去するためやブレード８がウエハ１Ｗを切断する時の熱を冷却する等の目的で、図３７のブレードクーラ配管３０からブレード８の研削部に超純水を第１条件（圧力、流速、流量等）で噴射する他に、上記ブレード８の研削部の目立て処理を目的として、専用配管３１からブレード８の研削部に超純水を第３条件（圧力、流速、流量等）で噴射する。ブレード８の目立ての方法は、目立て処理用の超純水（高濃度の二酸化炭素や薬液を含む超純水）を専用配管３１から噴射する以外は、前記実施の形態６，７のブレード８の目立て方法と同じである。
【００６２】
（実施の形態９）
本実施の形態９では、前記実施の形態１の目立て用砥石ユニットの変形例を説明する。図４０および図４１は、本実施の形態９の目立て用砥石ユニット９の説明図である。図４０はベベル型のブレード８の目立てに用いる目立て用砥石ユニット９を示し、図４１はステップ型のブレード８の目立てに用いる目立て用砥石ユニット９を示している。いずれの場合も目立て用砥石ユニット９の砥石９ａが２つに分かれている。目立て処理においては、２つの砥石９ａを矢印Ｍに示す方向に移動することでブレード８の研削部を挟み込むようにして目立て処理を行うようになっている。
【００６３】
本実施の形態９によれば、ブレード８の研削部の形状に合わせて砥石９ａを用意することにより、そのブレード８に対して適切な目立て処理を行うことができる。
【００６４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６５】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えば液晶装置の製造方法（特にガラス基板の切断方法）やマイクロマシンの製造方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体装置の製造業に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程のフロー図である。
【図２】図１の前工程後の半導体ウエハの主面の全体平面図である。
【図３】図２のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図４】図２の半導体ウエハの一例の要部拡大平面図である。
【図５】図４のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
【図６】図２の半導体ウエハの他の例の要部拡大平面図である。
【図７】図６のＸ３−Ｘ３線の断面図である。
【図８】半導体ウエハが貼り付けられた治具の全体平面図である。
【図９】図８のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１０】図８の他の例のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１１】半導体ウエハの厚さ測定の一例の様子を示す断面図である。
【図１２】図１１の半導体ウエハの厚さ測定時の要部拡大平面図である。
【図１３】半導体ウエハの裏面加工工程の説明図である。
【図１４】図１３に続く半導体ウエハの裏面加工工程の説明図である。
【図１５】半導体ウエハの主面のパターン認識工程の説明図である。
【図１６】半導体ウエハのダイシング工程の説明図である。
【図１７】図１６のダイシングブレードを上から見た様子を示す説明図である。
【図１８】図１６のダイシング工程後の半導体チップの断面図である。
【図１９】半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２０】図１９の段階の半導体チップの要部を拡大して示したピックアップ工程の説明図である。
【図２１】図２０に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２２】図２１に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２３】半導体チップのピックアップ工程の他の例の説明図である。
【図２４】図２３に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２５】図２４に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２６】半導体チップのダイボンディング工程の説明図である。
【図２７】図２６に続く半導体チップのダイボンディング工程の説明図である。
【図２８】図２７のダイボンディング工程に続くワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の一例の断面図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング工程時のダイシング領域の平面図である。
【図３１】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング工程時のダイシング領域の平面図である。
【図３２】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング処理前の半導体ウエハの断面図である。
【図３３】図３２に続く半導体装置のダイシング処理中の半導体ウエハの断面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング処理前の半導体ウエハの断面図である。
【図３５】図３４に続く半導体装置のダイシング処理中の半導体ウエハの断面図である。
【図３６】図３５に続く半導体装置のダイシング処理後の半導体チップの断面図である。
【図３７】ダイシングブレードおよびブレードクーラ配管の側面図である。
【図３８】図３７の矢印Ｇの方向から見たダイシングブレードおよびブレードクーラ配管の要部正面図である。
【図３９】ダイシングブレードおよびブレードクーラ配管の他の例の側面図である。
【図４０】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング処理で使用する目立て手段の説明図である。
【図４１】本発明の他の実施の形態である半導体装置のダイシング処理で使用する目立て手段の他の例の説明図である。
【符号の説明】
【００６８】
１Ｗ  半導体ウエハ
１Ｃ  半導体チップ
１Ｓ  半導体基板
１Ｌ  配線層
１Ｌｉ  層間絶縁膜
１Ｌ１，１Ｌ２  配線
１ＬＢ  ボンディングパッド
１ＬＢｔ  テスト用のボンディングパッド
１ＬＰ  保護膜
２  開口部
３  治具
３ａ  テープ
３ａ１  テープベース
３ａ２  接着層
３ｂ  リング（枠体）
３ｂ１，３ｂ２  切り欠き部
４  吸着ステージ
５ａ，５ｂ  赤外線カメラ
６  研削研磨工具
７  吸着ステージ
８  ダイシングブレード（ダイシング刃）
９  目立て用砥石ユニット（目立て手段）
９ａ  砥石
１０  載置台
１１  押上ピン
１２  コレット
１３  多突起吸着駒
１５  プリント配線基板
１６  接着材
１７  ボンディングワイヤ
２０  半導体装置
２１  バンプ電極
２２  ダイアタッチフィルム
２４  封止体
２７  目立て用砥石（目立て部材）
２８  ダミーウエハ（目立て部材）
３０  ブレードクーラ配管
３１  専用配管
Ｎ  ノッチ
ＵＢＭ  下地金属
ＢＭＰ  バンプ電極
ＮＣＦ  非導電性フィルム
ＣＬ  切断線
【図１】
2005340431.tif 000003
【図２】
2005340431.tif 000004
【図３】
2005340431.tif 000005
【図４】
2005340431.tif 000006
【図５】
2005340431.tif 000007
【図６】
2005340431.tif 000008
【図７】
2005340431.tif 000009
【図８】
2005340431.tif 000010
【図９】
2005340431.tif 000011
【図１０】
2005340431.tif 000012
【図１１】
2005340431.tif 000013
【図１２】
2005340431.tif 000014
【図１３】
2005340431.tif 000015
【図１４】
2005340431.tif 000016
【図１５】
2005340431.tif 000017
【図１６】
2005340431.tif 000018
【図１７】
2005340431.tif 000019
【図１８】
2005340431.tif 000020
【図１９】
2005340431.tif 000021
【図２０】
2005340431.tif 000022
【図２１】
2005340431.tif 000023
【図２２】
2005340431.tif 000024
【図２３】
2005340431.tif 000025
【図２４】
2005340431.tif 000026
【図２５】
2005340431.tif 000027
【図２６】
2005340431.tif 000028
【図２７】
2005340431.tif 000029
【図２８】
2005340431.tif 000030
【図２９】
2005340431.tif 000031
【図３０】
2005340431.tif 000032
【図３１】
2005340431.tif 000033
【図３２】
2005340431.tif 000034
【図３３】
2005340431.tif 000035
【図３４】
2005340431.tif 000036
【図３５】
2005340431.tif 000037
【図３６】
2005340431.tif 000038
【図３７】
2005340431.tif 000039
【図３８】
2005340431.tif 000040
【図３９】
2005340431.tif 000041
【図４０】
2005340431.tif 000042
【図４１】
2005340431.tif 000043