(57)【要約】【課題】  チップ型サーミスタの抵抗値やＢ定数といった電気的特性を容易に微調整できるようにする。【解決手段】  セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体２上に形成される端子電極３，４を、下導電体層１０、調整用抵抗体層１１および上導電体層１２によって構成し、下導電体層１０を形成することによって、サーミスタ素体２の初期の電気的特性を把握し、その上に調整用抵抗体層１１を形成することによって、電気的特性を微調整する。調整用抵抗体層１１上に形成される上導電体層１２は、端子電極３，４の半田濡れ性を向上させるように作用する。【選択図】  図１
2005223039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体の外表面上の互いに異なる位置にそれぞれ形成される２個の端子電極とを備える、チップ型サーミスタであって、
少なくとも一方の前記端子電極は、前記サーミスタ素体上に形成される下導電体層と、電気的特性を調整するため、前記下導電体層上に形成される調整用抵抗体層と、前記調整用抵抗体層上に形成される上導電体層とを備える、チップ型サーミスタ。
【請求項２】
前記調整用抵抗体層は、ＲｕＯ2 、またはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡｌおよびＣｕの少なくとも３種の元素を含む酸化物を含有する、請求項１に記載のチップ型サーミスタ。
【請求項３】
セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体の外表面上の互いに異なる位置にそれぞれ形成される２個の端子電極とを備える、チップ型サーミスタの特性調整方法であって、
前記サーミスタ素体を用意する工程と、
前記サーミスタ素体の外表面上の、２個の前記端子電極がそれぞれ形成されるべき位置に、下導電体層を形成する工程と、
前記下導電体層を測定用端子として、前記サーミスタ素体の電気的特性を測定する工程と、
測定された電気的特性を目的の電気的特性に近づけるように、少なくとも一方の前記下導電体層上に調整用抵抗体層を形成する工程と、
前記調整用抵抗体層上に、上導電体層を形成する工程と
を備える、チップ型サーミスタの特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、チップ型サーミスタおよびその特性調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表面実装可能なチップ型サーミスタは、一般的に、セラミック焼結体をもって構成される直方体状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体の互いに対向する端面上にそれぞれ形成される２個の端子電極とを備えている。
【０００３】
このようなチップ型サーミスタの製造の歩留まりを向上させるためには、チップ型サーミスタの電気的特性、たとえば抵抗値を、製造後において調整できることが望まれる。
【０００４】
従来の抵抗調整方法としては、代表的には、サーミスタ素体とともにサーミスタ素体に関連して設けられた内部電極を削ったり、サーミスタ素体上に設けられた抵抗体を削ったりするトリミングによる抵抗調整方法（たとえば、特許文献１および２参照）、あるいは端子電極間の間隔を変更することによる抵抗調整方法（たとえば、特許文献３参照）がある。
【特許文献１】特開平９−４５５０５号公報
【特許文献２】特開平９−６９４１８号公報
【特許文献３】特開平１０−１０６８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の抵抗調整方法には、解決されるべき課題がある。
【０００６】
前者のトリミングによる抵抗調整方法では、トリミングによって、サーミスタ素体の一部が削り取られるため、サーミスタ素体の抗折強度が低下するという課題がある。
【０００７】
他方、後者の端子電極間の間隔の変更による抵抗調整方法では、サーミスタ素体の寸法が小さい場合、端子電極の間隔を変え得る範囲が狭く限定される。なぜなら、端子電極間の間隔を狭くするように調整すると、端子電極間で短絡しやすくなる傾向があり、他方、端子電極間の間隔を広くするように調整すると、チップ型サーミスタを実装するためのリフロー半田付け時においてツームストーン現象が起きやすい傾向があるためである。その結果、抵抗調整を十分な範囲で行なうことができないという課題がある。
【０００８】
また、負の抵抗温度係数を有する負特性サーミスタにおいて、たとえばＢ定数の異なる多品種のサーミスタが必要な場合、サーミスタ素体を構成するセラミックの材料系および組成比を、その都度変えて製造することが行なわれている。しかしながら、このように、必要な品種に応じて、セラミックの材料系および組成比を異ならせてサーミスタを製造することは、非常に手間とコストがかかり、実用上、能率的な方法とは言えない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、上述のような課題を解決し得る、チップ型サーミスタおよびその特性調整方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体の外表面上の互いに異なる位置にそれぞれ形成される２個の端子電極とを備える、チップ型サーミスタにまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、少なくとも一方の端子電極が、サーミスタ素体上に形成される下導電体層と、電気的特性を調整するため、下導電体層上に形成される調整用抵抗体層と、調整用抵抗体層上に形成される上導電体層とを備えることを特徴としている。
【００１１】
この発明に係るチップ型サーミスタにおいて、調整用抵抗体層は、好ましくは、ＲｕＯ2 、またはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡｌおよびＣｕの少なくとも３種の元素を含む酸化物を含有している。
【００１２】
この発明は、また、セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体の外表面上の互いに異なる位置にそれぞれ形成される２個の端子電極とを備える、チップ型サーミスタの特性調整方法にも向けられる。
【００１３】
この発明に係るチップ型サーミスタの特性調整方法は、サーミスタ素体を用意する工程と、サーミスタ素体の外表面上の、２個の端子電極がそれぞれ形成されるべき位置に、下導電体層を形成する工程と、下導電体層を測定用端子として、サーミスタ素体の電気的特性を測定する工程と、測定された電気的特性を目的の電気的特性に近づけるように、少なくとも一方の下導電体層上に調整用抵抗体層を形成する工程と、調整用抵抗体層上に、上導電体層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係るチップ型サーミスタにおいて、端子電極に備える下導電層は、当該サーミスタの初期の電気的特性を把握するための端子として機能し、調整用抵抗体層は、これを構成する抵抗体材料の種類や組成比や添加量を変えることにより、抵抗値やＢ定数といった電気的特性を微調整するように機能する。また、上導電体層は、半田に対する濡れ性を向上させるように機能する。
【００１５】
したがって、この発明によれば、サーミスタ素体の外表面上に下導電体層を形成した後で、調整用抵抗体層を形成することによって、抵抗値やＢ定数といった電気的特性を容易に微調整することができる。
【００１６】
上述のような特性調整方法では、サーミスタ素体等を削り取ることを行なわないため、サーミスタ素体の抗折強度が低下することがない。また、端子電極間の間隔を変える必要がないため、サーミスタ素体の寸法が小さくなっても、抵抗値等の電気的特性の十分な調整が可能である。
【００１７】
また、この発明では、下導電体層を形成したサーミスタ素体を作製した後で、調整用抵抗体層を適宜形成するだけで、電気的特性を所望のごとく微調整することができるので、様々な電気的特性が組み合わされたチップ型サーミスタを容易に製造することができる。したがって、チップ型サーミスタの製造に際して、低コスト化、省エネルギー化および省資源化に大いに寄与させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、この発明の一実施形態によるチップ型サーミスタ１を図解的に示す断面図である。図示したチップ型サーミスタ１は、たとえば温度補償用として用いられる表面実装型の負特性サーミスタである。
【００１９】
チップ型サーミスタ１は、セラミック焼結体をもって構成されるチップ状のサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の外表面上の互いに異なる位置、たとえば、この実施形態では、互いに対向する各端面上にそれぞれ形成される２個の端子電極３および４とを備えている。
【００２０】
この実施形態では、サーミスタ素体２は、複数のセラミック層５と複数の内部電極６および７とを交互に積層した積層構造を有している。一方の内部電極６は、一方の端子電極３に電気的に接続され、他方の内部電極７は、他方の端子電極４に電気的に接続され、これら内部電極６と内部電極７とは、積層方向に関して交互に配置されている。
【００２１】
上述のように、内部電極６および７が、それぞれ端子電極３および４に電気的に接続されている限り、内部電極６および７に関するパターンは任意に変更することができる。また、この実施形態では、内部電極６および７の各々と同じセラミック層５間の界面に沿って、ダミー電極８および９がそれぞれ形成されているが、これらダミー電極８および９は、特に形成されなくてもよい。
【００２２】
端子電極３および４は、それぞれ、サーミスタ素体２上に形成される下導電体層１０と、電気的特性を調整するため、下導電体層１０上に形成される調整用抵抗体層１１と、調整用抵抗体層１１上に形成される上導電体層１２とを備えている。
【００２３】
下導電体層１０は、内部電極６および７の各々に電気的に直接接続されるものであり、サーミスタ素体２が有する電気的特性を引き出すためのものである。下導電体層１０には、たとえばＡｇ−Ｐｄ合金のような良電導体が用いられる。
【００２４】
調整用抵抗体層１１は、たとえば、抵抗値およびＢ定数の双方または抵抗値のみといった電気的特性を調整するためのもので、これを構成する抵抗体材料の種類や組成比や添加量を変えることによって、チップ型サーミスタ１全体としての電気的特性を微調整することができる。調整用抵抗体層１１を構成する抵抗体材料としては、たとえば、ＲｕＯ2 、またはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡｌおよびＣｕの少なくとも３種の元素をそれぞれ含む酸化物が用いられる。
【００２５】
なお、調整用抵抗体層１１を構成する抵抗体材料の種類や組成比や添加量を変えることによって電気的特性を調整する方法のほか、調整用抵抗体層１１の厚みを変えることによって電気的特性を調整する方法を採用することもできる。
【００２６】
上導電体層１２は、端子電極３および４の半田濡れ性を向上させるためのもので、たとえばＡｇ−Ｐｄ合金のような良電導体が用いられる。
【００２７】
次に、この発明による効果を実証するために実施した実験例について説明する。
【００２８】
１．実験例１（調整用抵抗体層において、ＲｕＯ2 を用いた場合）
次のようにして、試料となるチップ型サーミスタを作製した。
【００２９】
（１）サーミスタ素体の作製
Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＣｏ3 Ｏ4 の各原料をポットにて２４時間湿式混合粉砕した。得られたスラリーを、乾燥後、８５０℃の温度で仮焼することによって、仮焼粉末を得た。次に、仮焼粉末に、アクリルバインダおよび分散剤などを添加し、再び、ポットにて湿式混合粉砕し、得られたスラリーを、ドクターブレードによってシート状に成形した。
【００３０】
次に、得られたシートを所定のサイズに打ち抜いた後、シート上に内部電極を形成するため、Ａｇを３０重量％、Ｐｄを７０重量％含むＡｇ−Ｐｄ合金を導電成分とする導電性ペーストを印刷した。次に、これら内部電極が印刷されたシートを含む複数のシートを積層し、圧着し、所定のサイズにカットした後、１２５０℃を最高温度とする条件にて焼成することによって、焼結したサーミスタ素体を得た。
【００３１】
（２）下導電体層の形成
次に、Ａｇを９５重量％、Ｐｄを５重量％含むＡｇ−Ｐｄ合金を導電成分とする導電性ペーストを用意し、この導電性ペーストを、上述のようにして得られたサーミスタ素体の両端面上に塗布し、８５０℃の温度でこれを焼き付けることによって、下導電体層を形成した。
【００３２】
このように、下導電体層を形成した後のサーミスタ素体について、抵抗値を測定した。ここで、上記（１）の工程で作製された複数個のサーミスタ素体は、種々の抵抗値のものを得るため、各々の内部電極のパターンが互いに異ならされていたものであり、したがって、上述のように測定された抵抗値に応じて、複数個のサーミスタ素体をグループ分けした。すなわち、表１の「下導電体層形成後の抵抗値」の欄に示す値をそれぞれ平均値とする試料１〜６の６つのグループに分けた。
【００３３】
また、試料１〜６の６つのグループの各々について、Ｂ定数を求めた。そのＢ定数の平均値が表１の「下導電体層形成後のＢ定数」の欄に示されている。
【００３４】
（３）調整用抵抗体層の形成
次に、ＲｕＯ2 粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用意し、この抵抗体ペーストを、試料１を除いて、２０〜２３μｍの厚みで下導電体層上に塗布し、８５０℃の温度で焼き付けることによって、下導電体層上に調整用抵抗体層を形成した。
【００３５】
ここで、抵抗体ペーストとしては、表１の「ＲｕＯ2 量」の欄に示すような重量％をもってＲｕＯ2 を含有させた、それゆえ異なる抵抗値を与え得る、複数種類の抵抗体ペーストを用意した。そして、表１に示すように、これら「ＲｕＯ2 量」の異なる抵抗体ペーストを、「下導電体層形成後の抵抗値」が互いに異なる試料２〜６において使い分けた。
【００３６】
（４）上導電体層の形成
次に、Ａｇを９５重量％、Ｐｄを５重量％含むＡｇ−Ｐｄ合金を導電成分とする導電性ペーストを、試料１の場合には、下導電体層上に、試料２〜６の場合には、調整用抵抗体層上に塗布し、８５０℃の温度で焼き付けることによって、上導電体層を形成した。
【００３７】
そして、上導電体層形成後の抵抗値およびＢ定数をそれぞれ求めた。これらの平均値が表１の「上導電体層形成後の抵抗値」および「上導電体層形成後のＢ定数」の各欄に示されている。
【００３８】
【表１】
2005223039.tif 000003
【００３９】
（５）評価
表１における試料２〜６からわかるように、調整用抵抗体層においてＲｕＯ2 を用いると、「上導電体層形成後の抵抗値」が「下導電体層形成後の抵抗値」より大きくなり、他方、「上導電体層形成後のＢ定数」は「下導電体層形成後のＢ定数」より小さくなっている。そして、調整用抵抗体層中のＲｕＯ2 量がより多くなるほど、これら抵抗値およびＢ定数の変化の度合いが大きくなっている。
【００４０】
したがって、このような調整用抵抗体層の作用を利用すれば、表１に示すように、「下導電体層形成後の抵抗値」にあっては、６３５８〜１００２４Ωの範囲で比較的大きくばらついていたものを、「上導電体層形成後の抵抗値」では、９８７９〜１０１３１Ωというように、ほぼ１００００Ωであって、比較的小さいばらつきとすることができる。
【００４１】
他方、Ｂ定数については、「下導電体層形成後のＢ定数」がほぼ３０００Ｋであって実質的に一定であったのに対し、「上導電体層形成後のＢ定数」は、２７１７〜３００１Ｋという比較的広い範囲で異ならせることができる。
【００４２】
２．実験例２（調整用抵抗体層において、サーミスタ素体と同じＢ定数の抵抗体材料を用いた場合）
次のようにして、試料となるチップ型サーミスタを作製した。
【００４３】
（１）サーミスタ素体の作製
実験例１の場合と同様の方法によって、サーミスタ素体を作製した。
【００４４】
（２）下導電体層の形成
次に、実験例１の場合と同様の方法によって、下導電体層を形成した。
【００４５】
このように、下導電体層を形成した後の複数個のサーミスタ素体について、抵抗値を測定し、求められた抵抗値に応じて、グループ分けした。すなわち、表２、表３および表４の各々の「下導電体層形成後の抵抗値」の欄に示す値をそれぞれ平均値とする試料７〜１２の６つのグループ、試料１３〜１８の６つのグループおよび試料１９〜２４の６つのグループに分けた。
【００４６】
また、試料７〜１２の６つのグループの各々、試料１３〜１８の６つのグループの各々および試料１９〜２４の６つのグループの各々について、Ｂ定数を求めた。そのＢ定数の平均値が表２、表３および表４の各々の「下導電体層形成後のＢ定数」の欄に示されている。
【００４７】
（３）調整用抵抗体層の形成
次に、用いた抵抗体ペーストの組成については実験例１の場合と異なるが、実験例１の場合と同様の操作を経て、表２の試料７、表３の試料１３および表４の試料１９を除いて、下導電体層上に調整用抵抗体層を形成した。
【００４８】
ここで、表２の試料８〜１２に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＣｏ3 Ｏ4 の各粉末を、それぞれ、５０重量％、２０重量％および３０重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ｃｏ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。このような抵抗体ペーストとして、表２の「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｃｏ量」の欄に示すような酸化物換算された重量％をもってＭｎ／Ｎｉ／Ｃｏ混合粉末を含有させた、それゆえ異なる抵抗値を与え得る、複数種類の抵抗体ペーストを用意した。そして、表２に示すように、これら「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｃｏ量」の異なる抵抗体ペーストを、「下導電体層形成後の抵抗値」の互いに異なる試料８〜１２において使い分けた。
【００４９】
同様に、表３の試料１４〜１８に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の各粉末を、それぞれ、７９重量％、２０重量％および１重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ａｌ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。表３の「Ｍｎ／Ｎｉ／Ａｌ量」には、抵抗体ペースト中のＭｎ／Ｎｉ／Ａｌ混合粉末の含有率が示されている。
【００５０】
同様に、表４の試料２０〜２４に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＦｅ2 Ｏ3 の各粉末を、それぞれ、５０重量％、４０重量％および１０重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ｆｅ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。表４の「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｆｅ量」は、抵抗体ペースト中のＭｎ／Ｎｉ／Ｆｅ混合粉末の含有率を示している。
【００５１】
（４）上導電体層の形成
次に、実験例１の場合と同様の方法によって、試料７、１３および１９については、下導電体層上に上導電体層を形成し、試料８〜１２、１４〜１８および２０〜２４については、調整用抵抗体層上に上導電体層を形成した。
【００５２】
そして、上導電体層形成後の抵抗値およびＢ定数をそれぞれ求めた。これらの平均値が表２ないし表４の各々の「上導電体層形成後の抵抗値」および「上導電体層形成後のＢ定数」の各欄に示されている。
【００５３】
【表２】
2005223039.tif 000004
【００５４】
【表３】
2005223039.tif 000005
【００５５】
【表４】
2005223039.tif 000006
【００５６】
（５）評価
実験例２において形成した調整用抵抗体層は、いずれも、Ｂ定数が３０００Ｋとなるように設定されたものであり、サーミスタ素体のＢ定数と実質的に同じである。
【００５７】
このように、サーミスタ素体と調整用抵抗体層との各々のＢ定数が互いに実質的に同じである場合、調整用抵抗体層を形成することによって、表２の試料８〜１２、表３の試料１４〜１８および表４の試料２０〜２４からわかるように、「上導電体層形成後の抵抗値」が「下導電体層形成後の抵抗値」より大きくなり、その変化の度合いについては、調整用抵抗体層中の金属元素の量が多くなるほど大きくなるが、「上導電体層形成後のＢ定数」については「下導電体層形成後のＢ定数」と実質的に変わらないようにすることができる。
【００５８】
したがって、このような調整用抵抗体層の作用を利用すれば、「下導電体層形成後の抵抗値」がばらついていても、表２、表３および表４に示すように、「上導電体層形成後の抵抗値」を実質的に一定とすることができ、また、Ｂ定数についても、実質的に一定にすることができる。
【００５９】
３．実験例３（調整用抵抗体層において、サーミスタ素体とは異なるＢ定数を有する抵抗体材料を用いた場合）
次のようにして、試料となるチップ型サーミスタを作製した。
【００６０】
（１）サーミスタ素体の作製
実験例１の場合と同様の方法によって、サーミスタ素体を作製した。
【００６１】
（２）下導電体層の形成
次に、実験例１の場合と同様の方法によって、下導電体層を形成した。
【００６２】
このように、下導電体層を形成した後の複数個のサーミスタ素体について、抵抗値を測定し、表５、表６および表７の各々の「下導電体層形成後の抵抗値」の欄に示すように、１００３４Ωを平均値とするグループのみを、この実験例３での試料とした。
【００６３】
また、上述のように、１００３４Ωを「下導電体層形成後の抵抗値」の平均値とする試料のＢ定数は、表５、表６および表７の各々の「下導電体層形成後のＢ定数」の欄に示すように、３００３Ｋであった。
【００６４】
（３）調整用抵抗体層の形成
次に、用いた抵抗体ペーストの組成については実験例１の場合と異なるが、実験例１の場合と同様の操作を経て、表５の試料２６〜３０、表６の試料３２〜３６および表７の試料３８〜４２について、調整用抵抗体層を形成した。
【００６５】
ここで、表５の試料２６〜３０に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 およびＣｕＯの各粉末を、それぞれ、４８重量％、１９重量％、２８重量％および５重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ｃｕ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。このような抵抗体ペーストとして、表５の「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ｃｕ量」の欄に示すような酸化物換算された重量％をもってＭｎ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ｃｕ混合粉末を含有させた、それゆえ異なる抵抗値を与え得る、複数種類の抵抗体ペーストを用意した。そして、表５に示すように、これら「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ｃｕ量」の異なる抵抗体ペーストを、試料２６〜３０において使い分けた。
【００６６】
同様に、表６の試料３２〜３６に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の各粉末を、それぞれ、７６重量％、１９重量％および５重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ａｌ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。表６において、「Ｍｎ／Ｎｉ／Ａｌ量」は、Ｍｎ／Ｎｉ／Ａｌ混合粉末の抵抗体ペースト中の含有率を示している。
【００６７】
同様に、表７の試料３８〜４２に関しては、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよびＦｅ2 Ｏ3 の各粉末を、それぞれ、７２重量％、１８重量％および５重量％の割合で混合したＭｎ／Ｎｉ／Ｆｅ混合粉末を有機溶剤中に分散させた抵抗体ペーストを用いた。表７において、「Ｍｎ／Ｎｉ／Ｆｅ量」は、Ｍｎ／Ｎｉ／Ｆｅ混合粉末の抵抗体ペースト中の含有率を示している。
【００６８】
（４）上導電体層の形成
次に、実験例１の場合と同様の方法によって、試料２５、３１および３７については、下導電体層上に上導電体層を形成し、試料２６〜３０、３２〜３６および３８〜４２については、調整用抵抗体層上に導電体層を形成した。
【００６９】
そして、上導電体層形成後の抵抗値およびＢ定数をそれぞれ求めた。これらの平均値が表５ないし表７の各々の「上導電体層形成後の抵抗値」および「上導電体層形成後のＢ定数」の各欄に示されている。
【００７０】
【表５】
2005223039.tif 000007
【００７１】
【表６】
2005223039.tif 000008
【００７２】
【表７】
2005223039.tif 000009
【００７３】
（５）評価
表５に示した試料２６〜３０において用いた調整用抵抗体層のＢ定数は２５００Ｋとなるように設定されたものであり、サーミスタ素体のＢ定数である３０００Ｋより小さい。そのため、調整用抵抗体層を形成することにより、抵抗値が大きくなる傾向があるが、Ｂ定数は小さくなる。また、これらの変化の度合いは、調整用抵抗体層中の金属元素の量が多くなるほど大きくなる。
【００７４】
これに対して、表６の試料３２〜３６において用いた調整用抵抗体層のＢ定数は３５００Ｋとなるように設定されたものであり、表７の試料３８〜４２において用いた調整用抵抗体層のＢ定数は３１００Ｋとなるように設定されたものであり、いずれも、サーミスタ素体のＢ定数である３０００Ｋより大きい。そのため、このような調整用抵抗体層を形成することにより、抵抗値だけでなく、Ｂ定数を大きくすることができる。また、これらの変化の度合いは、調整用抵抗体層中の金属元素の量が多くなるほど大きくなる。
【００７５】
このような調整用抵抗体層の作用を利用すれば、「下導電体層形成後の抵抗値」が同じものであっても、「上導電体層形成後の抵抗値」および「上導電体層形成後のＢ定数」の双方が異なるチップ型サーミスタを提供することができる。
【００７６】
以上のような実験例１〜３の結果から、次のことがわかる。
【００７７】
（１）Ｂ定数の異なるチップ型サーミスタを得ようとする場合、サーミスタ素体の材料組成を変更することなく、同じ材料組成を有するサーミスタ素体を用いながら、Ｂ定数の異なるチップ型サーミスタを容易に作製することができる。
【００７８】
（２）抵抗値のばらつきが大きいチップ型サーミスタにおいては、Ｂ定数を変えずに抵抗値のみを修正することができるため、市場からの要求が強い、狭偏差品の製造の歩留まりを向上させることができる。
【００７９】
以上、この発明を、負特性サーミスタについて説明したが、調整されるべき電気的特性として、抵抗値のみに限定すれば、正特性サーミスタに対しても、この発明を等しく適用することができる。
【００８０】
また、上述した実施形態では、サーミスタ素体上に形成される２個の端子電極の双方について、下導電体層と調整用抵抗体層と上導電体層とを備える構造を採用したが、このような構造は、少なくとも一方の端子電極においてのみ採用されても、この発明による効果を発揮させることができる。
【００８１】
また、上述した実施形態では、サーミスタ素体が積層構造を有するものであったが、単板構造のサーミスタ素体を備えるチップ型サーミスタに対しても、この発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】この発明の一実施形態によるチップ型サーミスタ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  チップ型サーミスタ
２  サーミスタ素体
３，４  端子電極
１０  下導電体層
１１  調整用抵抗体層
１２  上導電体層
【図１】
2005223039.tif 000010