(57)【要約】      （修正有）【課題】露光装置室内雰囲気の水分を低減した高い有用性及び／又は生産性を有するデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】基板Ｗを供給し、照明系ＩＬを使用して放射投影ビーム（ＰＢ）を供給し、パターン形成手段ＭＡを使用して投影ビームＰＢの断面にパターンを付与し、パターン形成された放射ビームＰＢを基板Ｗの目標部分に投影するデバイス製造方法であって、少なくともその一部分が、少なくとも１つの室１、５、６の中で実行され、前記室１、５、６から水を除去するため、前記室１、５、６に少なくとも１種の化学試薬を供給する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（Ｗ）を供給し、照明系（ＩＬ）を使用して放射投影ビーム（ＰＢ）を供給し、パターン形成手段（ＭＡ）を使用して前記投影ビーム（ＰＢ）の断面にパターンを付与し、パターン形成された前記放射ビーム（ＰＢ）を基板（Ｗ）の目標部分に投影するデバイス製造方法であって、少なくともその一部分が、少なくとも１つの室（１、５、６）の中で実行され、前記室（１、５、６）から水を除去するため、前記室（１、５、６）に少なくとも１種の化学試薬が供給される方法。
【請求項２】
前記化学試薬が水と反応して、前記室（１、５、６）からの水の脱離を増大させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学試薬が水と少なくとも１種の複合体を形成し、前記複合体が、水よりも低い吸着エネルギーを有し、且つ／又は水よりも弱い分子間力を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記化学試薬が水と少なくとも１種の反応生成物を形成し、前記反応生成物が、水よりも低い吸着エネルギーを有し、且つ／又は水よりも弱い分子間力を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記化学試薬が水と反応して、少なくとも部分的に水を揮発性物質に分解する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１種の化学試薬が、
−シリコン含有化合物、
−ハロゲン含有化合物、及び
−炭化水素化合物
からなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含み、前記炭化水素化合物が任意選択で、１つ又は複数の酸素原子及び／或いは１つ又は複数の窒素原子を含む、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１種の化学試薬が、パターン形成された前記放射ビーム（ＰＢ）を前記基板（Ｗ）に投影する前及び／又は後に前記室（１、５、６）に供給される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記化学試薬が、パターン形成された前記放射ビーム（ＰＢ）を前記基板（Ｗ）に投影する期間のうちの少なくとも一部の期間の間に前記室（１、５、６）に供給される、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも、前記化学試薬、並びに／或いは前記試薬が水と反応することによって生じた反応生成物及び／又は複合体が前記室（１、５、６）からポンプによって排出される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記室（１、５、６）の内面（９）の少なくとも一部分が、ＵＶ光、特に約４００ｎｍ未満の波長を有するＤＵＶ光で照射される、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記室（１）の壁が、好ましくは約１００℃以下、特に約６０℃以下の温度でベークされ、より好ましくは室温でベークされる、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板（Ｗ）及び／又はパターン形成手段（ＭＡ）が、特に前記基板及び／又はパターン形成手段を取り替えるために、前記少なくとも１つの室（１、５、６）の中で搬送される、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
リソグラフィ装置、特に請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法を実行するためのリソグラフィ装置において、
−放射投影ビーム（ＰＢ）を供給するための照明系（ＩＬ）と、
−前記投影ビーム（ＰＢ）の断面にパターンを付与する役割をするパターン形成手段（ＭＡ）を支持する支持構造（ＭＴ）と、
−基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）と、
−パターン形成された前記ビーム（ＰＢ）を前記基板（Ｗ）の目標部分（Ｃ）に投影する投影系（ＰＬ）と
を備えたリソグラフィ装置であって、
少なくとも１つの室（１、５、６）と、前記室（１、５、６）に少なくとも１種の化学試薬を供給するように配置された少なくとも１つの試薬供給部（２、２’、３、３’）とを備え、前記試薬が水に化学的に反応する
装置。
【請求項１４】
前記試薬供給部が、前記少なくとも１種の化学試薬を含んだ少なくとも１つのリザーバ（２、２’）を備え、前記少なくとも１種の試薬を前記室（１、５、６）に供給するために、前記リザーバ（２、２’）が前記室（１、５、６）に接続可能であり、又は前記リザーバ（２、２’）が前記室（１、５、６）の中に組み込まれている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの室（１）が、前記支持構造（ＭＴ）、前記パターン形成手段（ＭＡ）、前記基板テーブル（ＷＴ）及び／又は前記投影系（ＰＬ）を少なくとも備えている、請求項１３又は１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記基板（Ｗ）及び／又はパターン形成手段（ＭＡ）を搬送するように配置された少なくとも１つのハンドラ（１０、１１）を備え、前記少なくとも１つの室（５、６）が、前記少なくとも１つのハンドラ（１０、１１）の少なくとも一部分を含む、請求項１３から１５までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの室（１、５、６）の壁をベークし、且つ／又は前記少なくとも１つの室（１、５、６）の内容物の少なくとも一部分をベークするベーク手段（１００）を備えた、請求項１３から１６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの室の内面（９）の少なくとも一部分をＵＶ光、好ましくはＤＵＶ光で照射するように配置された少なくとも１つのＵＶ光源（７）を備えた、請求項１３から１７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの室が真空室である、請求項１３から１８までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
室から水を除去する方法、例えば請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法の一部として室から水を除去する方法であって、前記室（１、５、６）から水を除去するため、前記室（１、５、６）に少なくとも１種の化学試薬が供給され、前記少なくとも１種の化学試薬が、
−例えば式Ｃ（ＯＲ）４、Ｃ（Ｏ）（ＯＲ）２又はＲ’Ｃ（ＯＲ）３を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基である（オルト）炭酸／ギ酸エステル、
−カルボン酸無水物、特に式ＲＣ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｒを有し、Ｒが好ましくはメチル基であるカルボン酸無水物、
−カルボン酸エステル、特に式Ｒ’Ｃ（Ｏ）ＯＲを有し、Ｒが好ましくは（ＣＨ３）３Ｓｉ、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であり、Ｒが例えばメチル又はエチル基でもよいカルボン酸エステル、
−アセトンジメチルアセタールを除くアセタール、特に式Ｒ’２Ｃ（ＯＲ）２を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるアセタール、
−イミン、特に式ＲＮ＝ＣＲ’Ｒ”を有し、Ｒが好ましくは水素原子又はメチル基、Ｒ’が好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ”が好ましくはメチル又はエチル基であり、Ｒ’が例えばブチル基でもよく、Ｒ”が例えばブチル基でもよいイミン、
−トリメチルシリルエーテル、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＯＲを有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基であるトリメチルシリルエーテル、
−シラザン、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＮＲ２又は（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２ＮＲ’を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるシラザン、
−イソシアン酸エステル、特に式ＲＮ＝Ｃ＝Ｏを有し、好ましくはＲがメチル基、エチル基又はプロピル基であるイソシアン酸エステル、
−カルボジイミド、特に式Ｒ１Ｎ＝Ｃ＝ＮＲ２を有し、好ましくは、Ｒ１とＲ２が同じでＲ１がプロピル又はブチル基であるか、或いはＲ１とＲ２とが異なり、Ｒ１がエチル基でＲ２がブチル基、又はＲ１がブチル基でＲ２がエチル基であるカルボジイミド、
−オキサゾリジン、特に下式を有し、
【化１】
2005167213.tif 000005
好ましくはＲがエチル基、Ｒ’がメチル基、Ｒ”が３−（メチル）−ブタンであるオキサゾリジン
からなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含む方法。
【請求項２１】
前記化合物の前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１及びＲ２のうちの少なくとも１つがアリール又はアルキル基であり、好ましくは、前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１及びＲ２のうちの少なくとも１つがメチル、エチル、プロピル又はブチル基である、請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を供給し、照明系を使用して放射投影ビームを供給し、パターン形成手段を使用して投影ビームの断面にパターンを付与し、パターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投影するデバイス製造方法であって、その少なくとも一部が少なくとも１つの室の中で実施されるデバイス製造方法に関する。
【０００２】
本発明はさらにリソグラフィ装置に関し、特に上記方法を実施するためのリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
前記デバイス製造方法及び前記装置は従来技術においても知られている。この製造方法及びリソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）製造で使用することができる。この場合、マスクなどのパターン形成手段を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、放射感受性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェーハ）上の、ダイ又はダイの部分を含む目標部分に結像させることができる。一般に単一の基板は、連続して露光される目標部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体を一度に目標部分に露光することによってそれぞれの目標部分に照射するいわゆるステッパ、投影ビームのパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査し、同時にこの方向に平行に又は非平行に基板を同期走査することによってそれぞれの目標部分に照射するいわゆるスキャナとが含まれる。
【０００４】
この周知の方法は、その少なくとも一部を真空中、より具体的には真空室中で実施することができ、且つ／又は（and/or）大気圧で実施することができる。真空の適用は例えば、この製造方法を実施する環境の汚染を相対的に少なくし、それによって小さな画像構造を有するデバイスを高精度で製造できるようにするために望ましい。真空の使用は、前記投影ビームの吸収を防ぐためにも望ましい。
【０００５】
この周知の方法の問題は、室の中に大量の残留水が存在する可能性があり、これによって、この製造方法で使用する前記照明系及び／又は前記パターン形成手段の部分が劣化、例えば酸化する可能性があることである。前記室の中の水の量は、環境から室内に搬入されこれから処理される基板がもたらす水によってさらに増大する可能性がある。基板は吸着水を含む可能性がある。照明系及び／又はパターン形成手段の前記劣化によって、この製造方法の望ましい結像性能が損なわれる可能性がある。この劣化はさらに、高い保守／運転費、短い機械寿命、低い生産性をもたらし、その結果、高コストのデバイスが製造されることとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的はこのデバイス製造方法を改良することにある。具体的には本発明は、高い有用性及び／又は生産性を有するデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、請求項１に記載の特徴を特徴とするデバイス製造方法が提供される。室から水を除去するために、前記室に少なくとも１種の化学試薬が供給される。その結果、水の影響下での投影系及び／又はパターン形成手段など本方法で使用される装置部分の劣化を防ぎ、又は少なくとも低減させることができ、これによって運転費が引き下げられ、機械寿命が延び、その結果、より安価なデバイスを製造することができる。化学試薬は、例えば前記投影ビームによって前記基板を照明する前、照明している最中、及び／又は照明した後に前記室に供給されることができる。さらに、室が真空室である場合には、この化学試薬を使用して、ある望ましい真空レベルを比較的に迅速且つ容易に達成することができる。例えば、この化学試薬は水と反応して揮発性物質を形成する。さらに、この化学試薬は例えば、分解反応、複合体形成反応及び／或いは１つ又は複数の他の反応において水と反応することができる。
【０００８】
なお、Ｋ．Ｔａｔｅｎｕｍａ他の論文「Ｑｕｉｃｋ  ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｌｅａｎ  ｕｌｔｒａｈｉｇｈ  ｖａｃｕｕｍ  ｂｙ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ、第１１巻、４号、１９９３年７／８月、１７１９〜１７２４ページ）には、化学処理によって吸着水を試験室から除去して、室圧を大気圧からある真空圧まで減圧するのを助ける方法が記載されている。Ｋ．Ｔａｔｅｎｕｍａ他の論文「Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｌｅａｎ  ｕｌｔｒａｈｉｇｈ  ｖａｃｕｕｍ  ｕｓｉｎｇ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ、第１６巻、４号、１９９８年７／８月、２６９３〜２６９７ページ）には、ジクロロプロパンを使用して試験管から吸着水を除去する方法が記載されている。これらの論文の内容は参照によって本明細書に組み込まれる。これらの論文には、本発明に基づくデバイス製造方法において水の化学除去を使用し得るという指摘は一切されていない。本発明は、水を除去するための室の化学処理、例えばＴａｔｅｎｕｍａ他の論文に記載されている化学処理は、パターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投影するデバイス製造方法に適用したときに特に有利であるという発明概念に基づいている。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、
−放射投影ビームを供給するための照明系と、
−投影ビームの断面にパターンを付与する役割をするパターン形成手段を支持する支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影系と
を備えたリソグラフィ装置であって、
少なくとも１つの室と、前記室に少なくとも１種の化学試薬を供給するように配置された少なくとも１つの試薬供給部と備え、前記試薬が水に化学的に反応する。
【００１０】
この装置は先に述べた利点を提供する。具体的には、前記試薬供給部によって前記室に前記化学試薬を供給すると、この化学試薬によって室から容易に水を除去することが可能となる。したがって、水に敏感な装置の部分、例えば投影系及び／又はパターン形成手段の部分が使用中に比較的に少量の水にしかさらされず、その結果、これらの水に敏感な部分が、高いレベルのエネルギー伝達及び／又は正確なパターン形成を維持することができる。さらに、水に敏感な装置部分の寿命を延ばすこともできる。さらに望まれる場合には、前記室に前記化学試薬を供給することによって、室内のある真空レベルを比較的に迅速且つ経済的に達成し、それを維持することができ、これによってより高い機械アベイラビリティ及び高い生産性が得られる。
【００１１】
本明細書ではＩＣ製造でのリソグラフィ装置の使用を特に参照するが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学系、磁区メモリのガイド及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、この他の応用も有することを理解されたい。当業者は、このような代替応用の文脈において、本明細書で使用される用語「ウェーハ」又は「ダイ」はそれぞれ、より一般的な用語「基板」又は「目標部分」と同義であると考えることができることを理解されるであろう。本明細書で参照する基板は、例えばトラック（一般にレジストの層を基板に塗布し、露光後にレジストを現像するツール）、或いは測定又は検査ツールで、露光の前又は後に処理することができる。適用可能ならば、本明細書の開示を、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを製造するために基板を２回以上処理することができ、そのため、本明細書で使用される用語「基板」は、処理済みの複数の層をすでに含む基板を指すことがある。
【００１２】
本明細書で使用する用語「放射」及び「ビーム」は、Ｘ線放射、紫外（ＵＶ）放射（例えば波長３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの放射）、極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば波長５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム、電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００１３】
本明細書で使用する用語「パターン形成手段」は、例えば基板の目標部分にパターンを形成するために投影ビームの断面にパターンを付与する目的に使用することができる手段を指すものと広く解釈しなければならない。投影ビームに付与されるパターンが、基板の目標部分の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生み出される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１４】
パターン形成手段は透過型又は反射型とすることができる。パターン形成手段の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、ＮＡストップ機構及びプログラム可能ＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、これには、バイナリ・マスク、レベンソン型位相シフト・マスク、ハーフトーン型位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、並びにさまざまなハイブリッド・マスク・タイプが含まれる。プログラム可能ミラー・アレイの一例では、入射放射ビームをさまざまな方向に反射するようにそれぞれを個別に傾けることができる小さなミラーのマトリックス配置を使用する。このようにすると反射ビームにパターンが付与される。パターン形成手段のそれぞれの例では、支持構造を、例えば必要に応じて固定又は可動とすることができ、パターン形成手段が例えば投影系に対して所望の位置にあることを保証することができるフレーム又はテーブルとすることができる。本明細書では用語「レチクル」又は「マスク」を、より一般的な用語「パターン形成手段」と同義と考えてよい。
【００１５】
本明細書で使用する用語「投影系」は、例えば使用している露光放射、又は浸漬流体の使用、真空の使用などの他の因子に対して適当な、屈折光学系、反射光学系及び反射屈折光学系を含む、さまざまなタイプの投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本発明の文脈において用語「真空」の意味は広く解釈されなければならない。本明細書における用語「レンズ」の使用はより一般的な用語「投影系」と同義と考えてよい。
【００１６】
照明系も、放射投影ビームを誘導し、形作り、制御する屈折、反射及び反射屈折光学構成要素を含む、さまざまなタイプの光学構成要素を包含することができ、以下、このような構成要素を集合的に又は単独で「レンズ」と呼ぶ場合がある。
【００１７】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／或いは２つ以上マスク・テーブル）を有するタイプの装置とすることができる。このような「複数ステージ」機械では、これらの追加のテーブルを並行して同時に使用することができ、或いは、１つ又は複数のテーブルを露光に使用している間に他の１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実施することができる。
【００１８】
リソグラフィ装置は、比較的に高い屈折率を有する液体、例えば水に基板を浸して、投影系の最終の要素と基板の間の空間を満たすタイプの装置とすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の最初の要素との間の空間に適用することもできる。投影系の開口数を増大させる浸漬技法は当技術分野でよく知られている。
【００１９】
本発明はさらに、室から水を除去する方法に関する。この方法では、室から水を除去するために少なくとも１種の化学試薬を前記室に供給する。
【００２０】
そのような方法は、Ｋ．Ｔａｔｅｎｕｍａ他の前記論文「Ｑｕｉｃｋ  ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｌｅａｎ  ｕｌｔｒａｈｉｇｈ  ｖａｃｕｕｍ  ｂｙ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ、第１１巻、４号、１９９３年７／８月、１７１９〜１７２４ページ）から知られている。
【００２１】
本発明は前記方法を改良すること、具体的には前記室から水が比較的に迅速且つ効率的に除去されるように前記方法を改良することを目指している。
【００２２】
そのため、本発明に基づく方法は、前記少なくとも１種の化学試薬が、
−例えば式Ｃ（ＯＲ）４、Ｃ（Ｏ）（ＯＲ）２又はＲ’Ｃ（ＯＲ）３を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基である（オルト）炭酸／ギ酸エステル、
−アセトンジメチルアセタールを除くアセタール、特に式Ｒ’２Ｃ（ＯＲ）２を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるアセタール、
−カルボン酸無水物、特に式ＲＣ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｒを有し、Ｒが好ましくはメチル基であるカルボン酸無水物、
−カルボン酸エステル、特に式Ｒ’Ｃ（Ｏ）ＯＲを有し、Ｒが好ましくは（ＣＨ３）３Ｓｉ、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるカルボン酸エステル、
−イミン、特に式ＲＮ＝ＣＲ’Ｒ”を有し、Ｒが好ましくは水素原子又はメチル基、Ｒ’が好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ”が好ましくはメチル又はエチル基であるイミン、
−トリメチルシリルエーテル、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＯＲを有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基であるトリメチルシリルエーテル、
−シラザン、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＮＲ２又は（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２ＮＲ’を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるシラザン、
−イソシアン酸エステル、特に式ＲＮ＝Ｃ＝Ｏを有し、好ましくはＲがメチル基、エチル基又はプロピル基であるイソシアン酸エステル、
−カルボジイミド、特に式Ｒ１Ｎ＝Ｃ＝ＮＲ２を有し、好ましくは、Ｒ１とＲ２が同じでＲ１がプロピル又はブチル基であるか、或いはＲ１とＲ２とが異なり、Ｒ１がエチル基でＲ２がブチル基、又はＲ１がブチル基でＲ２がエチル基であるカルボジイミド、
−オキサゾリジン、特に下式を有し、
【００２３】
【化１】
2005167213.tif 000003
好ましくはＲがエチル基、Ｒ’がメチル基、Ｒ”が３−（メチル）−ブタンであるオキサゾリジン
からなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことを特徴とする。
【００２４】
意外にも、前記化合物によって、室から水が急速に除去されることが分かった。この水の急速除去は、室が、水に敏感な構成要素及び／或いは水によって傷つき又は損なわれる可能性がある構成要素を含む場合に有利である。さらに、水の急速除去は、室をある真空レベルにしなければならない場合にも望ましい。室から水を除去するこの方法は、さまざまな分野、例えば真空技術、半導体製造技術、リソグラフィ、蒸着、エッチング及び／又はこのような水除去が望ましい他の分野で応用することができる。
【００２５】
次に、本発明の実施例を添付の略図を参照して例示的に説明する。これらの図では、対応する参照記号は対応する部分を指示する。
【実施例】
【００２６】
図１にリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
−放射（例えばＵＶ又はＥＵＶ放射）投影ビームＰＢを供給する照明系（照明器）ＩＬと、
−パターン形成手段（例えばマスク）ＭＡを支持する第１の支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴであって、アイテムＰＬに対してパターン形成手段を正確に配置する第１の位置決め手段ＰＭに接続された支持構造と、
−基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持する基板テーブル（例えばウェーハ・テーブル）ＷＴであって、アイテムＰＬに対して基板を正確に配置する第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブルと、
−パターン形成手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃに結像させる投影系（例えば反射投影レンズ）ＰＬと
を備えている。
【００２７】
図１に示すとおり、この装置は、（例えば先に参照したタイプの反射マスク又はプログラム可能ミラー・アレイを使用する）反射型の装置である。或いはこの装置を、（例えば透過マスクを使用する）透過型の装置とすることもできる。
【００２８】
照明器ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がプラズマ放電源であるときには、放射源とリソグラフィ装置とは別々に存在することもある。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射ビームは一般に、例えば適当な集光ミラー及び／又はスペクトラル・ピュリティー・フィルタ（ｓｐｅｃｔｒａｌ  ｐｕｒｉｔｙ  ｆｉｌｔｅｒ）を備えた放射コレクタを用いて放射源ＳＯから照明器ＩＬに送られる。この他の場合、例えば放射源が水銀ランプであるときには、放射源を装置と一体の部分とすることができる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬを放射系と呼ぶ。
【００２９】
照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整する調整手段を備えることができる。一般に、少なくとも照明器のひとみ平面における強度分布の半径方向外側及び／又は内側の広がり（普通はそれぞれσ外側及びσ内側と呼ばれる）を調整することができる。照明器は、所望の断面均一性及び断面強度分布を有する投影ビームＰＢと呼ばれる調整された放射ビームを供給する。
【００３０】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡによって反射された後、投影ビームＰＢはレンズＰＬを通過する。レンズＰＬは、基板Ｗの目標部分Ｃ上に投影ビームを集束させる。第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路に別の目標部分Ｃが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、又は走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に配置することができる。物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は一般に、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部分を構成する長ストローク・モジュール（おおまかな位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし、ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにだけ接続し、又はマスク・テーブルＭＴを固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２及び基板アライメント・マークＰｌ、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。
【００３１】
図示の装置は下記の好ましいモードで使用することができる。
【００３２】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保ち、投影ビームに付与されたパターン全体を、目標部分Ｃに一度に投影する（すなわち１回の静的露光）。次いで、別の目標部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
【００３３】
２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴとを同時に走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する（すなわち１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）倍率及びイメージ反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光における目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査運動の長さが目標部分の（走査方向の）高さを決定する。
【００３４】
３．他のモードでは、プログラム可能パターン形成手段を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に固定し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する間、基板テーブルＷＴを移動又は走査する。このモードでは一般に、パルス放射源を使用し、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又は走査中の連続する放射パルスの間に、プログラム可能パターン形成手段を必要に応じて更新する。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００３５】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又は変形、或いは全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００３６】
図２に、本発明に基づくリソグラフィ装置の一実施例を示す。図２に示した装置は、図１に示した実施例に関して先に説明したデバイス製造方法を実行するように配置されている。そのために、図２の装置は、放射投影ビームＰＢを供給する照明系と、マスクＭＡを支持するマスク支持構造ＭＴと、基板Ｗを保持する基板テーブルと、パターン形成された投影ビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃに投影する投影系ＰＬとを備えている。分かりやすくするため図２に前記照明系は示されていない。
【００３７】
図２の実施例は主真空室１を備え、その中に前記マスク支持構造ＭＴ、マスクＭＡ、投影系ＰＬ及び基板テーブルＷＴが配置されている。あるレベルの真空を主真空室１内に生み出しそのレベルを維持するため、この装置は、主真空室１に結合された少なくとも１台の真空ポンプ４を備えている。主真空室１は、例えば真空室の壁９の中に、又は壁９に沿って延在する１本又は数本の電熱線１００を含み、従来から知られているベーク手段１００を備えている。このベーク手段は、室１の壁９を加熱して壁９に吸着している化合物を除去するように配置されている。図２には、ベーク手段１００の外側の部分だけが示されている。ベーク手段１００をさらに、例えば室１の内容物の少なくとも一部をベークするように配置することもできる。
【００３８】
この実施例はさらに、マスクＭＡ及び基板Ｗをそれぞれハンドリングするマスク・ハンドラ１０及び基板ハンドラ１１を備えている。それぞれのハンドラ１０、１１は、例えば１又は複数のアクチュエータ、ロボット・アーム、ガイド手段などを含むさまざまな方法で構築することができる。マスク・ハンドラ１０はマスク・ロード・ロック室５の中に配置されている。基板ハンドラ１１は基板ロード・ロック室６の中に位置する。マスクＭＡ及び基板Ｗを主真空室１へ搬入し、かつ室１から搬出するために、特にマスクＭＡ及び基板Ｗを取り替えるために、ハンドラ１０、１１は一部分主真空室１に出入りすることができる。このようなロード・ロック５、６及びハンドラ１０、１１は実際に知られている。具体的には、ロード・ロック５、６はそれぞれ、密閉可能な入口をそれぞれ通して主真空室１から及び装置の環境からその中に入ることができる真空室である。ロード・ロック室５、６はさらに、適当な真空レベルを室内に提供する１台又は数台の真空ポンプに結合することができる。図２に、これらのロード・ロック・ポンプは示されていない。
【００３９】
本発明の一態様によれば、この装置は、前記真空室１、５、６に少なくとも１種類の化学試薬を供給するように配置された少なくとも１つの供給部２、２’、３、３’を備えている。前記試薬は水に化学的に反応する。図２の実施例は２つの供給部を備えている。第１の供給部は、前記少なくとも１種の化学試薬を含む第１のリザーバ２を含む。第１のリザーバ２をそれぞれの供給管路３を介して、主真空室１及びマスク・ロード・ロック室５と流体連絡させることができる。これらの供給管路３は、真空室１、５に向かってその中を流れる流体の量を調節する流量調節機構をそれぞれ備えている。第２の供給部は、前記少なくとも１種の化学試薬を含む第２のリザーバ２’を備える。第２のリザーバ２’は、やはり流量調節機構を備えた供給管路３’を介して前記基板ロード・ロック６に結合されている。
【００４０】
この実施例では、それぞれの流体リザーバ（２、２’）が真空室１、５、６の外にある。しかし、１つ又は複数のリザーバを１つ又は複数の真空室１、５、６に組み込み、或いは１つ又は複数の真空室１、５、６の中に配置することもできる。リザーバ２、２’の位置は特に、前記少なくとも１種の化学試薬の性質及び真空室１、５、６の室内条件によって決定される。例えば、前記化学試薬は、リザーバ２、２’の中にあるときに固体及び／又は液体であることができる。化学試薬の性質及び室の圧力、温度などの真空室の条件が適当である場合には、次いで、化学試薬を真空室１、５、６中に昇華又は蒸発させることができる。一方、化学試薬は、リザーバ２、２’の中にあるときに少なくとも部分的に気体であることができ、例えばこれに圧力をかけることができる。
【００４１】
前記化学試薬は真空室１、５、６から水を除去する役目を果たす。そのためには、前記化学試薬が水に反応して水の脱離を増大させ、具体的には、真空室壁９、レチクルＭＡ、投影手段ＰＬなどの装置部分及び／又は基板Ｗから水を脱離させ且つ／又は除去しやすくすることが好ましい。例えば、この化学試薬が水に反応して、他の水分子及び／又は装置の部分及び／又は基板Ｗに吸着した水分子のＯ−Ｈ結合を断ち切る。水分子間の分子間Ｏ−Ｈ結合の切断は、比較的厚い吸着した水の多分子層を装置から除去するのに特に有利である。さらに、前記化学試薬は水に反応して、例えば水と少なくとも１種の反応生成物を形成する。前記反応生成物は、特に真空室壁９、レチクルＭＡ、投影手段ＰＬなどの装置部分及び／又は基板Ｗに対する吸着に関して、水よりも低い吸着エネルギーを有する。さらに、前記反応生成物は水よりも弱い分子間力を有することが好ましい。さらに、前記化学試薬は例えば、水と少なくとも１種の複合体を形成することができる。この複合体は水よりも低い吸着エネルギーを有し、且つ／又は水よりも弱い分子間力を有する。有利な実施例によれば、前記化学試薬は、少なくとも部分的に水を揮発性物質に分解する。揮発性物質は、装置の前記少なくとも１台の真空ポンプ４によって真空室１、５、６から排出することができる。用語「揮発性物質」は、それぞれの室の中でその室の圧力及び温度条件で気相の状態にある任意の原子、分子及び／又は他の物質を意味すると解釈することができる。具体的には、前記揮発性物質は水よりも高い蒸気圧を有する。
【００４２】
前記少なくとも１種の化学試薬は例えば、以下の化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことができる：
−シリコン含有化合物
−ハロゲン含有化合物、及び
−炭化水素化合物。炭化水素化合物は任意選択で、１つ又は複数の酸素原子及び／或いは１つ又は複数の窒素原子を含む。具体的には、前記炭化水素化合物はＣｘＨｙＯｚＮｗ（ｚ，ｗ≧０）であり、任意選択で例えば１つ又は複数のシリコン及び／又はハロゲン原子を含むことができる。
【００４３】
前記少なくとも１種の試薬の例は、シラン化合物、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、モノメチルトリクロロシラン、テトラクロロシラン、ジクロロプロパン、ジブロモプロパン、塩化ニトロシル、塩化カルボニル（ホスゲン）、フッ化カルボニル、ジボラン、塩素、フッ素、一酸化炭素と混合したフッ素、臭化チオニル、ヨードメチルプロパン、塩化アセチル、アセトンジメチルアセタール、エタノール、ヘキサン、オキシハロゲン化合物である。オキシハロゲン化合物の例は、式ＰＯＣｌ３、ＶＯＣｌ３、ＳＯＣl２、ＳＯ２Ｃｌ２、ＣＨ３ＳＯ２Ｃｌ、ＳｅＯＣｌ２及びＣｒＯ２Ｃｌ２を有する化合物である。
【００４４】
前記少なくとも１種の試薬の他の例は、以下の（１）から（１０）の試薬である：
（１）例えば式Ｃ（ＯＲ）４、Ｃ（Ｏ）（ＯＲ）２又はＲ’Ｃ（ＯＲ）３を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基である（オルト）炭酸／ギ酸エステル、
（２）アセトンジメチルアセタールを除くアセタール、特に式Ｒ’２Ｃ（ＯＲ）２を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるアセタール、
（３）カルボン酸無水物、特に式ＲＣ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｒを有し、Ｒが好ましくはメチル基であるカルボン酸無水物、
（４）カルボン酸エステル、特に式Ｒ’Ｃ（Ｏ）ＯＲを有し、Ｒが好ましくは（ＣＨ３）３Ｓｉ、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であり、Ｒが例えばメチル又はエチル基でもよいカルボン酸エステル、
（５）イミン、特に式ＲＮ＝ＣＲ’Ｒ”を有し、Ｒが好ましくは水素原子又はメチル基、Ｒ’が好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ”が好ましくはメチル又はエチル基であり、Ｒ’が例えばブチル基でもよく、Ｒ”が例えばブチル基でもよいイミン、
（６）トリメチルシリルエーテル、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＯＲを有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基であるトリメチルシリルエーテル、
（７）シラザン、特に式（ＣＨ３）３ＳｉＮＲ２又は（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２ＮＲ’を有し、Ｒが好ましくはメチル又はエチル基、Ｒ’が好ましくは水素原子又はメチル基であるシラザン、
（８）イソシアン酸エステル、特に式ＲＮ＝Ｃ＝Ｏを有し、好ましくはＲがメチル基、エチル基又はプロピル基であるイソシアン酸エステル、
（９）カルボジイミド、特に式Ｒ１Ｎ＝Ｃ＝ＮＲ２を有し、好ましくは、Ｒ１とＲ２が同じでＲ１がプロピル又はブチル基であるか、或いはＲ１とＲ２とが異なり、Ｒ１がエチル基でＲ２がブチル基、又はＲ１がブチル基でＲ２がエチル基であるカルボジイミド（これらは全て市販されている）、
（１０）オキサゾリジン、例えば下式を有し、
【００４５】
【化２】
2005167213.tif 000004
好ましくはＲがエチル基、Ｒ’がメチル基、Ｒ”が３−（メチル）−ブタンであるオキサゾリジン（これは例えばＡｎｇｕｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ社のＺｏｌｄｉｎｅ  ＭＳ−Ｐｌｕｓ、又はＩｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ  Ｌｉｍｉｔｅｄ社のＩｎｃｏｚｏｌ  ２として市販されている）。
【００４６】
例（１）〜（１０）は、リソグラフィ製造方法、及び／或いは１つ又は複数の室から水を除去する他の任意の方法で使用することができる。例（１）〜（１０）では、前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくともいくつかがアルキル基であることが好ましい。上の例のいくつかで述べたように、前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくともいくつかがメチル、エチル、プロピル及び／又はブチル基であるとより好ましい。さらに、前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１及びＲ２基をそれぞれ例えばその他の基、例えばアリール基とすることもできる。
【００４７】
さらに、前記少なくとも１台の真空ポンプ４によって真空系から除去できるように、このような少なくとも１種の化学試薬は揮発性化合物であることが好ましい。
【００４８】
図２の実施例はさらに、主真空室１の内面９及び／又は主真空室１の内容物の少なくとも一部を、ＵＶ光、好ましくは約４００ｎｍ未満の波長を有する深ＵＶ（ＤＵＶ）光で照明するように配置された少なくとも１つのＵＶ光源７を備えている。この光源７は、前記投影ビームＰＢを生成する先に述べた放射源及び照射系ＩＬとは別の追加光源であることに留意されたい。１つ又は複数のこのような追加光源７をロード・ロック室５、６に備えることもできる。
【００４９】
使用時、真空室から水を除去するため、前記少なくとも１種の化学試薬は、前記供給部２、３、２’、３’によって１つ又は複数の前記真空室１、５、６に供給される。この化学試薬は例えば水の脱離エネルギーを引き下げ、水を揮発性化合物に分解し、且つ／又は水と揮発性複合体を形成し、その結果、前記少なくとも１台の真空ポンプ４によって水を真空室１、５、６から除去しやすくなる。
【００５０】
図３に、１台又は数台の真空ポンプによって真空室をある真空レベルまで減圧した、本発明の一実施例のシミュレーション結果を示す。図３のグラフでは、記号「◇」を含む線Ｕが、真空室に試薬を供給しなかったときに得られたポンピング結果として、室圧を時間に対して示している。図３で、記号「△」を含む線Ｌは、水を室から除去するために室に化学試薬を供給したときの室圧の結果を示している。図３から、曲線Ｌのポンプダウンが曲線Ｕのそれよりも遅く始まっていることが分かる。曲線Ｌの減圧の開始が遅れるのは、減圧の開始前及び／又は減圧中に真空室に試薬を供給しているためである。図３から、試薬によって引き起こされた室からの水の除去のため、曲線Ｌがすぐに曲線Ｕを下回ることが明らかに分かる。試薬の適用が、真空室の減圧を大幅に速めることは明らかである。
【００５１】
例えば前記化学試薬と水との間の化学反応を加速させ、且つ／又は分子間Ｏ−Ｈ水吸着結合を断ち切ることによって真空室から水を除去するため、真空室１、５、６の内部を前記ＵＶ光源７で照射することが好ましい。水は、装置がある望ましい動作温度、例えば室温又は室温付近にあるときに真空室から除去することができる。したがって、熱に敏感な装置構成要素の損傷及び／又はミスアラインメントを防ぐため、装置内の望ましい真空レベルを達成し、それを維持するのにベークアウト手順を適用することはできず、又は穏やかなベークアウト手順しか適用できない。前記穏やかなベークアウト手順はベーク手段１００（図２参照）を使用して適用することができる。このような穏やかなベークの間に、主室１の壁が、比較的低いあるベーク温度、好ましくは約１００℃以下、特に約６０℃以下のベーク温度まで加熱されて、壁に吸着した物質の除去を促進する。より好ましくは前記温度が室温付近である。
【００５２】
装置から水を迅速且つ効率的に除去することによって、ミラー、レチクルなどの水に敏感な装置部品の劣化を防ぐことができる。水に敏感な部品の劣化を防ぐためには、主真空室１の中の水の分圧を好ましくは約１０−５ミリバール(１Ｐａ)未満、より好ましくは１０−７ミリバール（１０−２Ｐａ）未満又は１０−９ミリバール（１０−４Ｐａ）未満に引き下げる。さらに、前記試薬の使用によって、前記少なくとも１つの真空室の圧力を大気圧から望ましい真空レベルまで比較的に迅速に引き下げることができる。
【００５３】
本発明に基づく方法はいくつかのやり方で実行することができる。例えば、前記少なくとも１種の化学試薬を、パターン形成された放射ビームＰＢを基板Ｗに投影する前及び／又は後に前記真空室１に供給することができる。基板ロード・ロック６を介してそれぞれの基板は、真空系に搬入されるときに残留水を真空系内に持ち込む可能性がある。そこで、基板ハンドラ１１によって基板Ｗを主真空室に搬送する前に基板ロード・ロック室６に化学試薬を供給して、ロード・ロック室６内で基板Ｗから残留水を除去できるようにしたほうが有利である。同様に、基板Ｗを主真空室１に搬入し、且つ／又は基板テーブルＷＴに取り付けた後に、前記化学試薬を主真空室１に供給して、前記残留水を再び除去することができる。基板に結合した水を化学試薬によって除去及び／又は分解し、系からポンプによって排出した後、図１を参照して先に説明したように、放射ビームＰＢによって基板Ｗを照明することができる。上記の基板照明プロセスが終了した後、装置の１つ又は複数の真空室１、５、６に前記化学試薬を再び供給して水を除去及び／又は分解することができる。
【００５４】
さらに、レチクル・ロード・ロック５を介したレチクルＭＡの搬送中及び搬送後に、前記化学試薬を使用して、装置及びレチクルＭＡから水を化学的に除去することができる。そのため、それぞれの試薬供給部２、３を使用してレチクル・ロード・ロック室５及び／又は主真空室１に前記試薬を供給することができる。
【００５５】
使用時、真空室１、５、６に供給する化学試薬の量は、前記供給管路３、３’の流量制御機構を使用して正確に制御することができる。装置の使用中に試薬の流量を調節するために、装置は、制御ユニット（図示せず）、例えばマイクロ・コントローラ及び／又はコンピュータを備えていることが好ましい。例えばリソグラフィ・プロセスが実行されていないときに、比較的に大量の試薬を主真空室１に供給することができる。次いで、過剰な試薬を、真空ポンプ４によって主室１から排出することができる。
【００５６】
他の実施例によれば、パターン形成された放射ビームＰＢを基板Ｗに投影している期間のうちの少なくとも一部の期間の間に、前記化学試薬を前記主真空室１に供給する。この場合には、それによって主室１の真空レベルが実質的な影響を受けず、又はわずかな影響しか受けないように、比較的に少量の試薬を連続的又は定期的に主室１に供給することが好ましい。これには、前記基板照明プロセスがその中で実行されているときに主室１の中で水を脱離させ、除去し、且つ／又は分解することもできるという利点がある。この場合もやはり、前記少なくとも１台の真空ポンプ４によって主室１から過剰な試薬を排出することができる。
【００５７】
さらに、主真空室１、基板ロード・ロック室６及び／又はレチクル・ロード・ロック室５をほぼ大気圧まで戻した後に、これらをある真空レベルまで再び減圧させる必要があるときには、それぞれの室１、５、６を大量の前記化学試薬でフラッシングして水を急速に除去することができる。
【００５８】
以上に、本発明の特定の実施例を説明してきたが、本発明は、以上に説明した以外の方法でも、請求項の範囲から逸脱することなく実施できることを理解されたい。以上の説明は本発明を限定することを意図したものではない。
【００５９】
前記化学試薬は１種又は数種の適当な化学物質を含むことができる。試薬及び前記反応生成物は、リソグラフィ装置内で使用される材料と反応せず、同時に、装置内で使用されるこれらの材料に対する吸着エネルギーが比較的に低いことが好ましい。さらに、室から水を除去するため、特に前記少なくとも１種の試薬の性質によっては、前記少なくとも１種の試薬と一緒に１種又は数種の触媒を使用することができる。
【００６０】
さらに、用語「比較的に低い吸着エネルギー」は、前記真空室壁９、他の装置部分及び／又は基板に対する関連化合物の吸着エネルギーが、その真空室壁９、他の装置部分及び／又は基板に対する水の吸着エネルギーに比べて相対的に低いことを意味すると理解されたい。
【００６１】
装置は、１つ又は複数の室、例えば前記主室１、１つ又は複数の基板ハンドリング室、１つ又は複数のレチクル・ハンドリング室、開口数ストップ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｓｔｏｐ）ハンドリング室及び／又は他の室を備えることができる。次いで、１つ又は複数の前記室に前記化学試薬を供給することができる。さらに、１つ又は複数の前記室をＵＶ光で照射して、室から水を除去することができる。
【００６２】
使用時、それぞれの室１、５、６の圧力は、その中で実行する、又はその中で実行しなければならないプロセスの種類に応じて、例えば室の中でリソグラフィ・プロセスを実行する、又は実行しなければならない場合には使用する放射のタイプに応じて、ある真空圧又は大気圧とすることができる。例えば、リソグラフィ製造プロセスの間は、装置内の圧力をほぼ大気圧とし、又は大気圧より高い圧力とすることができる。次いで、前記少なくとも１つの化学試薬を装置の前記少なくとも１つの室に供給して室から水を除去し、上記の利点を得る。
【００６３】
リソグラフィ装置のさまざまな部分を同じ室、又はいくつかの室の中に配置することができる。例えば、基板ホルダＷＴとマスク支持構造ＭＴを、同じ室又は別の室に配置することができる。
【００６４】
さらに、さまざまな化学試薬を使用する場合に備えて、それぞれの試薬供給部は例えば、これらの試薬を含む１つ又は複数のリザーバを備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来技術において知られているリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に基づくリソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【図３】本発明の一実施例の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
ＳＯ  放射源
ＩＬ  照明系（照明器）
ＰＢ  投影ビーム
ＭＡ  パターン形成手段（マスク）
Ｍ１  マスク・アライメント・マーク
Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
ＩＦ１  位置センサ
ＭＴ  第１の支持構造（マスク・テーブル）
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＰＬ  投影系（反射投影レンズ）
Ｗ  基板（ウェーハ）
Ｐ１  基板アライメント・マーク
Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＩＦ２  位置センサ
ＷＴ  基板テーブル（ウェーハ・テーブル）
ＰＷ  第２の位置決め手段
Ｃ  目標部分
１  主真空室
２  供給部（リザーバ）
２’  供給部（リザーバ）
３  供給部（供給管路）
３’  供給部（供給管路）
４  真空ポンプ
５  マスク・ロード・ロック室
６  基板ロード・ロック室
７  ＵＶ光源
９  主真空室の壁（内面）
１０  マスク・ハンドラ
１１  基板ハンドラ
１００  ベーク手段
【図１】
2005167213.tif 000006
【図２】
2005167213.tif 000007
【図３】
2005167213.tif 000008
【外国語明細書】
2005167213000001.pdf