(57)【要約】【課題】  しきい値電圧バラツキ補償と温度変動補償との両方を好適に行うことが可能なバイアス回路を提供する。【解決手段】  ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子１０４の制御用端子１０６に電圧を供給するバイアス回路において、第１及び第２の温度補償用回路と、しきい値電圧バラツキ補償用回路と、を備える。第１の温度補償用回路は、少なくとも1個以上のダイオード１１８を備えてなる。しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第２の能動素子１１３と抵抗１１１とを相互に接続してなる。第２の温度補償用回路は、少なくとも１個以上のダイオード１１７からなり、しきい値電圧バラツキ補償用回路から第１の温度補償用回路を介して制御用端子１０６へ供給される電圧を温度補償する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子の制御用端子に電圧を供給するバイアス回路において、
第１及び第２の温度補償用回路と、しきい値電圧バラツキ補償用回路と、を備えることを特徴とするバイアス回路。
【請求項２】
前記第１の温度補償用回路は、少なくとも1個以上のダイオードを備えてなることを特徴とする請求項１に記載のバイアス回路。
【請求項３】
前記第１の温度補償用回路は、更に抵抗を備えてなることを特徴とする請求項２に記載のバイアス回路。
【請求項４】
前記しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第２の能動素子と抵抗とを相互に接続してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のバイアス回路。
【請求項５】
前記第１及び第２の能動素子は、それぞれトランジスタであることを特徴とする請求項４に記載のバイアス回路。
【請求項６】
前記第１及び第２の能動素子は、それぞれ電圧制御型トランジスタであることを特徴とする請求項５に記載のバイアス回路。
【請求項７】
前記第１及び第２の能動素子は、それぞれ電流制御型トランジスタであり、
当該バイアス回路は、前記第１の能動素子を構成する電流制御型トランジスタのベース電流を供給することを特徴とする請求項５に記載のバイアス回路。
【請求項８】
前記第２の能動素子は、前記第１の能動素子と等しいしきい値電圧を持つことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一項に記載のバイアス回路。
【請求項９】
前記第１の温度補償用回路の低電位側に、第３の能動素子と抵抗とを備えてなる回路が接続されていることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか一項に記載のバイアス回路。
【請求項１０】
前記第２及び第３の能動素子は、それぞれ前記第１の能動素子と等しいしきい値電圧を持つことを特徴とする請求項９に記載のバイアス回路。
【請求項１１】
各ダイオードは、ショットキーダイオード或いは負の温度係数を持つダイオードであることを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか一項に記載のバイアス回路。
【請求項１２】
前記第２の温度補償用回路は、少なくとも１個以上のダイオードからなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のバイアス回路。
【請求項１３】
前記第２の温度補償用回路は、前記しきい値電圧バラツキ補償用回路から前記第１の温度補償用回路を介して前記制御用端子へ供給される電圧を温度補償することを特徴とする請求項１２に記載のバイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタのしきい値電圧バラツキ補償と温度補償とを両立するバイアス回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）においてトランジスタへの印加電圧を固定した場合、（１）トランジスタのしきい値電圧（Ｖｔｈ）のバラツキ（Ｖｔｈ変動）によりＩＣの特性の変動・歩留まりの低下がおこるという問題や、（２） 使用温度が変化するとＩＣの特性に変動がみられるという問題がある。このため、トランジスタのＶｔｈ変動と温度変動の両方を補償することが求められている。
【０００３】
図１９に温度補償機能を有する従来のバイアス回路（非特許文献１参照）の回路図を示す。
【０００４】
図１９のバイアス回路は、増幅回路１５１のＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６に接続され、抵抗１０８により高周波信号に対して十分高インピーダンスになるようにされたバイアス回路であり、ダイオード２０２と抵抗２０４とを備えて構成され、ダイオード２０２のアノード端には電位２０１が印加され、ダイオード２０２のカソード端には抵抗２０４を介して電位２０５が印加されているとともに、該カソード端と抵抗２０４との接続点２０３は抵抗１０８を介してＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６に接続されている。
【０００５】
増幅回路１５１は、一端側にＲＦ信号が入力されるコンデンサ１０７と、このコンデンサ１０７の他端側にゲートバイアス１０６が接続されたＲＦ増幅用トランジスタ１０４と、ゲートバイアス１０６に一端が接続された抵抗１０８と、を備え、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４のドレインには抵抗１０２を介して電位１０１が印加され、ソースには電位１０５が印加されている。
【０００６】
図１９のバイアス回路は、図２３に示す、ダイオードの順方向電流電圧特性(一般的にショットキーダイオードの電流電圧特性は、Ｉｆ＝Ｊｓ（ｅｘｐ（ｑＶｆ/ｋＴ）−１），ただし、Ｊｓ＝ＡＴ2ｅｘｐ（−ｑφＢ/ｋＴ）で表される。ここで、Ｉｆは順方向電流、ｑは素電荷、Ｖｆは順方向電圧、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、Ａは有効リチャードソン定数、φＢはダイオードのショットキー障壁高さである。)から、順方向電流Ｉｆを一定に保つようにしたとき、順方向電圧Ｖｆが、温度の低下に伴い大きくなる特性を利用する。
【０００７】
すなわち、温度が低下すると、ダイオード２０２での電圧降下が大きくなるため、ダイオード２０２のカソード端側の接続点２０３の電位は低くなる。よって、トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位（ゲート電位Ｖ106）は低くなり、トランジスタ１０４の利得は抑制される。
【０００８】
温度が高くなった場合はその逆で、ダイオード２０２での電圧降下が小さくなるためゲートバイアス１０６の電位が高くなり、トランジスタ１０４の利得が大きくなる。
【０００９】
図１９のバイアス回路を用いたときのトランジスタ１０４のドレイン電流１０３（Ｉｄ：単位ｍＡ）の温度変動に対する依存性を図２４に示す。図２４からは、温度低下とともにドレイン電流１０３が抑制されていることが読み取れる。つまり、図１９のバイアス回路には温度補償効果があることが分かる。
【００１０】
次に、図２０にしきい値電圧バラツキ補償機能を有する従来のバイアス回路（非特許文献２参照）の回路図を示す。
【００１１】
図２０のバイアス回路は、増幅回路１５１のＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６に接続され、抵抗１０８により高周波信号に対して十分高インピーダンスになるようにされたバイアス回路であり、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４とＤＣ的に同等の特性を有するトランジスタ３０５と、抵抗３０３、３０６と、を備えて構成され、トランジスタ３０５のドレインには抵抗３０３を介して電位３０１が印加され、トランジスタ３０５のソースには電位３０８が印加され、トランジスタ３０５のゲートには抵抗３０６を介して電位３０７が印加されている。なお、図２０において、増幅回路１５１は図１９の場合と同様である。
【００１２】
図２０のバイアス回路においては、トランジスタのＶｔｈ変動（ΔＶｔｈ）があった場合に、そのドレイン電流３０２の変化ΔＩｄ２と抵抗３０３（の抵抗値Ｒ303）との積ΔＩｄ２・Ｒ303＝ΔＶｔｈとなるように設定されている。Ｖｔｈが小さくなりドレイン電流３０２がΔＩｄ２だけ大きくなると、電位３０４はΔＶｔｈだけ低くなる。結果、トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位はΔＶｔｈだけ低くなる。Ｖｔｈが高くなった場合は、その逆となりＶｔｈ変動を補償する。
【００１３】
図２０のバイアス回路を用いたときのトランジスタ１０４のドレイン電流１０３（Ｉｄ：単位ｍＡ）のＶｔｈ変動（ΔＶｔｈ、単位：Ｖ）に対する依存性を図２５に示す。
【００１４】
図２１にしきい値電圧バラツキ補償機能と温度補償機能の両方を有する従来の回路（自己バイアス方式）の回路図を示す（非特許文献３参照）。
【００１５】
図２１の回路は、ＲＦ増幅用トランジスタ４０４のソースとＧＮＤとの間に抵抗４０６を直列に接続し、抵抗４０６と並列に高周波信号に対して接地するようコンデンサ４０７を接続する。また、ＲＦ増幅用トランジスタ４０４のドレインには抵抗４０２を介して電位４０１が印加されている。また、コンデンサ４０８の一端側にはＲＦ信号が入力され、このコンデンサ４０８の他端側はＲＦ増幅用トランジスタ４０４のゲートに接続されている。
【００１６】
図２１の回路は、温度変動やＶｔｈ変動が生じ、トランジスタ４０４のドレイン電流４０３が変化した場合に、次のように機能する。
【００１７】
例えば、ドレイン電流４０３が増加すると、電位４０５は高くなる結果、トランジスタ４０４のゲートとソース間の電位差（Ｖｇｓ）は小さくなり、ドレイン電流４０３が小さくなるように働く。
【００１８】
ドレイン電流４０３が減少した場合は、その逆でＶｇｓが大きくなりドレイン電流４０３が増加するように働く。
【００１９】
すなわち、図２１の回路においては、トランジスタ４０４のドレイン電流４０３が一定になるように補償機能が働く。
【００２０】
図２２にしきい値電圧バラツキ補償機能と温度補償機能の両方を有する従来の回路で、図２１とは別の例の回路図を示す（非特許文献４参照）。
【００２１】
図２２の回路は、増幅回路１５１のＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６に接続されるバイアス回路であり、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４とＤＣ的に同等の特性を有するトランジスタ５０４と、トランジスタ５０４のドレインに接続された抵抗５０２と、トランジスタ５０４のソースに接続されダイオード５０６及び抵抗５０９を有する第１回路と、トランジスタ５０４のゲートに接続され抵抗５１１及びダイオード５１３を有する第２回路と、を備えて構成されている。
【００２２】
トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６は、高周波信号に対して十分高インピーダンスになるように抵抗１０８を介してトランジスタ５０４のドレインと抵抗５０２との接続点５０３に接続されている。トランジスタ５０４のドレインは抵抗５０２を介して接地されている。第１回路のダイオード５０６のアノード端は接地され、カソード端は抵抗５０９を介して負電位５１４に接続されている。この第１回路のダイオード５０６と抵抗５０９との接続点５０７には、トランジスタ５０４のソースが接続されている。第２回路のダイオード５１３のカソード端は負電位５１４に接続され、アノード端は抵抗５１１を介して接地されている。この第２回路の抵抗５１１とダイオード５１３との接続点５１２には、トランジスタ５０４のゲートが接続されている。なお、図２２において、増幅回路１５１は図１９及び図２０の場合と同様である。
【００２３】
図２２のバイアス回路においては、トランジスタのＶｔｈ変動（ΔＶｔｈ）があった場合に、ドレイン電流５０１の変化ΔＩｄ５と抵抗５０２（の抵抗値Ｒ502）との積がΔＶｔｈ＝ΔＩｄ５・Ｒ502となるようにしてＶｔｈ変動を補償する。
【００２４】
温度変動があった場合は、ダイオードの順方向電圧Ｖｆの温度特性（図２３）を利用する。例えば温度が低下した場合、ダイオード５１３での電圧降下が大きくなるため、トランジスタ５０４のゲート電位に相当する接続点５１２の電位は高くなる。同様にダイオード５０６での電圧降下も大きくなるため、トランジスタ５０４のソース電位に相当する接続点５０７の電位は低くなる。結果、トランジスタ５０４のゲート・ソース間電位は高くなり、トランジスタ５０４のドレイン電流５０１を増大させ、接続点５０３の電位は低くなる（抵抗５０２とドレイン電流５０１の積で表される電圧降下が大きくなるため）。したがって、電位５０３と同電位であるＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位を低下させることとなり、温度補償効果を有する。
【００２５】
更に、特許文献１には、電源用ＭＯＳＦＥＴで、トランジスタのＶｔｈの温度変動が生じても安定な動作を維持するための技術が提案されている。特許文献１の技術について、その公報記載の符号を用いて説明すると、ＭＯＳＦＥＴ１のゲートに抵抗１９，１７，１６とダイオード２１，２２とツエナーダイオード２０が接続された構成をなしている。特許文献１の技術によれば、温度変動の際のＶｔｈ変動の補償が可能となる。
【特許文献１】特開２００１−１６８６９９号公報
【非特許文献１】ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ.ＭＴＴ, ＶＯＬ.４９,Ｎｏ１２,ＤＥＣ２００１，ｐ２５０１−２５０６
【非特許文献２】２００３ ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｄｉｇｅｓｔ ＴＵ５Ｂ−３，ｐ１２１−１２４
【非特許文献３】伊藤康之他，「ＭＭＩＣ技術の基礎と応用」，リアライズ社，1996年5月31日，ｐ１３０
【非特許文献４】２００２ ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｄｉｇｅｓｔ ＴＨ１Ｂ−４，ｐ１４２７−１４３０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
しかしながら、上記の従来の技術には、それぞれ以下のような問題点がある。
【００２７】
＜図１９のバイアス回路の問題点＞
一般にトランジスタにＶｔｈ変動（ΔＶｔｈ）が生じた場合、そのΔＶｔｈだけＲＦ増幅用トランジスタのセットバイアスをずらさなければ、特性の変動が生じる。図１９の回路においては、温度変動の補償効果はあるがＶｔｈ変動に対する補償効果がないため、Ｖｔｈが浅くなるほど、ドレイン電流１０３が減少し（図２６参照）特性のバラツキが生ずる。
【００２８】
＜図２０のバイアス回路の問題点＞
一般に、ＧａＡｓ基板上に形成されたエピタキシャル抵抗の温度係数は正の係数をもつ。図２０のバイアス回路において、温度の上昇が起こった場合、トランジスタ３０５のドレイン電流３０２と抵抗３０３の値は大きくなり、ドレイン電流３０２と抵抗３０３の積が大きくなる。すなわち抵抗３０３における電圧降下が大きくなる。その結果、高温になるほどＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６は低くなってドレイン電流１０３が減少し（図２７参照）、ＲＦ特性の劣化が生ずる。このように、図２０のバイアス回路の場合には、温度変動に対して補償効果がない。
【００２９】
＜図２１のバイアス回路の問題点＞
一般的に温度変動に対して、トランジスタ１０４の利得を一定にしたい場合、低温になるほどドレイン電流１０３が減少するようにしなければならない。図２１のバイアス回路では、温度変動に対してドレイン電流１０３が一定となるように働く機能しか有していないため、温度変動補償効果が不十分である。
【００３０】
＜図２２のバイアス回路の問題点＞
図２２のバイアス回路では、トランジスタ５０４のドレイン電流５０１と、ダイオード５０６と抵抗５０９を流れる電流５０５と、抵抗５１１とダイオード５１３を流れる電流５１０の３つの電流パスが必要となるため、消費電流が大きくなる。
【００３１】
＜特許文献１の技術の問題点＞
特許文献１の技術では、温度変動の際のＶｔｈ変動の補償はできるが、製造ばらつきによるＶｔｈ変動の補償はできない。
【００３２】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、Ｖｔｈバラツキ補償と温度変動補償との両方をより好適に行うことが可能なバイアス回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明のバイアス回路は、上記問題を解決するために、ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子の制御用端子に電圧を供給するバイアス回路において、第１及び第２の温度補償用回路と、しきい値電圧バラツキ補償用回路と、を備えることを特徴としている。
【００３４】
本発明のバイアス回路においては、前記第１の温度補償用回路は、少なくとも1個以上のダイオードを備えてなることが好ましい。
【００３５】
本発明のバイアス回路においては、前記第１の温度補償用回路は、更に抵抗を備えてなることが好ましい。
【００３６】
本発明のバイアス回路においては、前記しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第２の能動素子と抵抗とを相互に接続してなることが好ましい。
【００３７】
本発明のバイアス回路においては、前記第１及び第２の能動素子は、それぞれトランジスタであることが好ましい。
【００３８】
本発明のバイアス回路においては、前記第１及び第２の能動素子は、それぞれ電圧制御型トランジスタであることを好ましい例とする。
【００３９】
或いは、本発明のバイアス回路においては、前記第１及び第２の能動素子は、それぞれ電流制御型トランジスタであり、当該バイアス回路は、前記第１の能動素子を構成する電流制御型トランジスタのベース電流を供給することも好ましい。
【００４０】
本発明のバイアス回路においては、前記第２の能動素子は、前記第１の能動素子と等しいしきい値電圧を持つことが好ましい。
【００４１】
本発明のバイアス回路においては、前記第１の温度補償用回路の低電位側に、第３の能動素子と抵抗とを備えてなる回路が接続されていることが好ましい。
【００４２】
この場合、前記第２及び第３の能動素子は、それぞれ前記第１の能動素子と等しいしきい値電圧を持つことが好ましい。
【００４３】
本発明のバイアス回路においては、各ダイオードは、ショットキーダイオードであるか、或いは負の温度係数を持つダイオードであることが好ましい。
【００４４】
本発明のバイアス回路においては、前記第２の温度補償用回路は、少なくとも１個以上のダイオードからなることが好ましい。
【００４５】
この場合、前記第２の温度補償用回路は、前記しきい値電圧バラツキ補償用回路から前記第１の温度補償用回路を介して前記制御用端子へ供給される電圧を温度補償することが好ましい。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、集積回路（ＩＣ）においてＶｔｈ変動と温度変動の両方を補償することができるとともに、ＩＣの歩留まり向上並びに特性変動の抑制ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００４８】
〔第１の実施形態〕
図１に本発明の第１の実施形態に係るバイアス回路の回路図を示す。このバイアス回路は、しきい値電圧バラツキ変動補償機能及び温度補償機能を兼ね備えている。
【００４９】
なお、図１において、増幅回路１５１は、図１９、図２０及び図２２に示される従来技術と同様であり、一端側にＲＦ信号が入力されるコンデンサ１０７と、このコンデンサ１０７の他端側にゲートバイアス１０６が接続されたＲＦ増幅用トランジスタ（ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子）１０４と、ゲートバイアス（制御用端子）１０６に一端が接続された抵抗１０８と、を備え、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４のドレインには抵抗１０２を介して電位１０１が印加され、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４のソースには電位１０５が印加されている。
【００５０】
図１のバイアス回路は、増幅回路１５１のＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６に（抵抗１０８を介して）接続され、抵抗１０８により高周波信号に対して十分高インピーダンスになるようにされたバイアス回路であり、温度補償を行う温度補償用回路（第１の温度補償用回路）１５３と、しきい値電圧バラツキ変動補償を行うしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２と、を備えている。
【００５１】
このうち温度補償用回路１５３は、ｎ個（ｎは１以上の正の整数）のダイオード１１８（１１８ａ〜１１８ｎ）と抵抗１２０とを相互に直列に接続して構成され、ダイオード１１８のカソード端には抵抗１２０を介して電位１２１が印加されている。
【００５２】
また、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２は、温度補償用回路１５３を介して増幅回路１５１に電圧を供給する回路であり、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４とＤＣ的に同特性を有する（ＲＦ増幅用トランジスタ１０４と等しいしきい値電圧を持つ）トランジスタ（第２の能動素子）１１３と、トランジスタ１１３のドレインに接続された抵抗１１１と、トランジスタ１１３のゲートに接続された抵抗１１４と、を備えて構成され、トランジスタ１１３のドレインには抵抗１１１を介して電位１０９が印加され、トランジスタ１１３のゲートには抵抗１１４を介して電位１１５が印加され、トランジスタ１１３のソースには電位１１６が印加されている。
【００５３】
温度補償用回路１５３内のｎ個からなるダイオード１１８のアノード端は、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２内の抵抗１１１とトランジスタ１１３のドレイン端との接続点１１２に接続されている。
【００５４】
更に、電位１０９とダイオード１１８のカソード端側の電位１１９との間には、ｍ個（ｍは１以上の正の整数）のダイオード１１７（１１７ａ〜１１７ｍ）が相互に直列に接続されている。このダイオード１１７は、温度変動により抵抗１１１とトランジスタ１１３のドレイン電流１１０が変動することに起因して接続点１１２の電位（つまり、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２から温度補償用回路１５３に供給される電圧）が変動してしまうのを補償するためのものであり、第２の温度補償用回路を構成している。なお、第１の実施形態の場合、より具体的には、ダイオード１１７は、接続点１１２とダイオード１１８のアノード端との間に直列に接続されている。
【００５５】
例として、集積回路のゲインを一定にするためには、高温時にゲインが最大となる点にバイアスし、温度の低下とともにドレイン電流１０３を絞ればよく、Ｖｔｈバラツキが生じた場合には、そのＶｔｈ変動に見合った量だけＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位（ゲート電位Ｖ106）をずらし、ドレイン電流１０３を一定にすればよいという特性をもつトランジスタの場合について述べる。
【００５６】
Ｖｔｈバラツキ（ΔＶｔｈ）に対しては、トランジスタ１０４とＤＣ的に同特性を有するトランジスタ１１３に抵抗１１１（抵抗値：Ｒ111）を介して電位１０９を印加したしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２で補償し、ΔＶｔｈ＝Ｒ111・ΔＩｄ110（Ｖｔｈ変動に伴う電流１１０の変動量）となるように、抵抗１１１の抵抗値Ｒ111を設定する。
【００５７】
温度補償用回路１５３には、ダイオード１１８を構成するｎ個のダイオード１１８ａ〜１１８ｎの順方向電圧Ｖｆが、温度の低下に対して上昇する特性（図２３）を利用する。ダイオード１１８ａ〜１１８ｎの個数ｎは、温度によるダイオードの順方向電圧Ｖｆの変動（ΔＶｆ）がΔＶｆ・ｎ＝ΔＶ106（温度の低下とともにドレイン電流を絞るために必要な、トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位Ｖ106の変動量）となるように選択する。上記したダイオードの特性により、低温になれば、接続点１１２の電位からの電圧降下が大きくなり、トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６と同電位である電位１１９が低くなる。すなわち、温度の低下にしたがってゲートバイアス１０６の電位Ｖ106を低くすることができる。温度が上昇した場合は、その逆で、接続点１１２からの電圧降下が小さくなりゲートバイアス１０６の電位Ｖ106を高くすることができる。このようにすることで温度変動によるトランジスタ１０４のゲイン変動を抑制することができる。
【００５８】
ここで、一般に抵抗は温度変化に対して、ある係数を持って変化する。通常、ＧａＡｓエピタキシャル層を用いた抵抗では温度に対して正の係数である。したがって、温度変動がおこると抵抗１１１（の抵抗値Ｒ111）はΔＲ111だけ変動する。また、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０（Ｉｄ110）も温度変動があり、ΔＩｄ110だけ変動する。例えば、温度が上昇した場合、抵抗１１１の抵抗値Ｒ111が大きくなり、ドレイン電流１１０との積で表される電圧降下が大きくなるため、温度補償用回路１５３としきい値電圧バラツキ補償用回路１５２の接続点１１２の電位は、低くなる。このように接続点１１２の電位（Ｖ112）は温度変動に対して、ΔＶ112＝ΔＲ111・（Ｉｄ110＋ΔＩｄ110）＋ΔＩｄ110・（Ｒ111＋ΔＲ111）の変動が起こり、上記２つの補償回路１５２及び１５３を相互に接続しただけではＶｔｈと温度補償の両方を有するバイアス回路とはならない。
【００５９】
そこで、温度変動に対する接続点１１２の電位Ｖ112の変動（ΔＶ112）を補償するために、ΔＶ112＝ΔＲ111・（Ｉｄ110＋ΔＩｄ110）＋ΔＩｄ110・（Ｒ111＋ΔＲ111）≒ΔＶｆ・ｍとなるように、ダイオード１１７を構成するダイオード１１７ａ〜１１７ｍの個数ｍを決定し、ダイオード１１７ａ〜１１７ｍを電位１０９から電位１１９の間（第１の実施形態の場合、具体的には接続点１１２とダイオード１１８のアノード端との間）に直列に接続する。
【００６０】
このような回路構成にすることにより、温度補償としきい値電圧バラツキ補償の両方の機能を有するバイアス回路を実現できる。
【００６１】
本実施形態のバイアス回路を適用する際は、チップ面積から考えてもダイオード数：ｍが少ない方が良く、これは上述した関係式ΔＶ112＝ΔＲ111・（Ｉｄ110＋ΔＩｄ110）＋ΔＩｄ110・（Ｒ111＋ΔＲ111）≒ΔＶｆ・ｍより、温度変動による接続点１１２の電位Ｖ112の変動が小さい方が良いことに等しい。ここで、トランジスタ１１３のＩｄ−Vｇ特性がＶｔｈ変動に対してほぼ線形に変化すると近似すると、Ｖｔｈ変動によるドレイン電流変動ΔＩｄ110×Ｒ111＝ΔＶｔｈの式より、抵抗１１１の値は一意的に決まり、ΔＲ111と（Ｒ111＋ΔＲ111）も一意的に決まる。したがって、ΔＶ112を小さくするためには、（Ｉｄ110＋ΔＩｄ110）を小さくすればよく、トランジスタ１１３のゲートバイアスとしての電位１１５はＶｔｈ付近にバイアスすることが望ましい。
【００６２】
図２は、図１のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位（ゲート電位Ｖ106）を示す図である。具体的には、図２に示すのは、２５℃において、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０：Ｉｄ110＝８ｍＡ、トランジスタ１１３のドレインに挿入している抵抗１１１の抵抗値：Ｒ111＝４０Ω、接続点１１２の電位の補償用ダイオード１１７の数ｍ＝２、温度補償用回路１５３内のダイオード１１８の数ｎ＝２、温度補償用回路１５３内の抵抗１２０の抵抗値：Ｒ120＝１．２ＫΩに設定し、温度変動範囲：−４０℃〜＋１１０℃、Ｖｔｈ変動：−０.２Ｖ〜＋０.２Ｖの条件とした場合の計算結果である。
【００６３】
ゲート電位Ｖ106はＶｔｈ変動を補償するようにオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）がかかり、どのＶｔｈの場合でも、温度低下にしたがって、ゲート電位Ｖ106が低くなるという温度補償も行われている結果を得た。
【００６４】
また、この時のトランジスタ１０４のドレイン電流１０３の変化を図３及び図４に示す。このうち図３はＶｔｈ変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものであり、図４は温度変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものである。
【００６５】
図３よりＶｔｈが変化してもドレイン電流１０３が一定になるように図１のバイアス回路が働いていることが分かる。また、図４より温度低下とともにドレイン電流１０３が減少するように図１のバイアス回路が働いていることがわかる。
【００６６】
このように、第１の実施形態に係るバイアス回路によれば、Ｖｔｈ変動と温度変動の両方を補償することができる。
【００６７】
次に、第１の実施形態に係るバイアス回路を用いた場合のＲＦ特性に対する効果を説明する。
【００６８】
３８ＧＨｚ帯２段増幅器に対して、図２１に示す従来例（しきい値電圧補償と温度補償の両方の機能を有する）と第１の実施形態に係るバイアス回路を上記の設定で用いた時の、Ｓ２１特性（小信号利得）の計算結果を比較した。温度変動は−４０〜＋１１０℃、Ｖｔｈ変動は±０.２Ｖの条件である。
【００６９】
図２１に示す従来例の場合、ΔＳ２１＝５.６４ｄＢ、第１の実施形態に係るバイアス回路適用の場合、ΔＳ２１＝２.８８ｄＢであり、Ｓ２１特性変動を約１/２に抑制でき、大幅に改善された計算結果を得た。
【００７０】
以上のように、第１の実施形態のバイアス回路によれば、ｎ個のダイオード１１８ａ〜１１８ｎと抵抗１２０とを相互に直列に接続してなる温度補償用回路１５３と、ＲＦ増幅用トランジスタ１０４とＤＣ的に同特性を有するトランジスタ１１３のドレインに抵抗１１１を介して印加電圧を加えてなるしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２と、を備え、温度補償用回路１５３をしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２のトランジスタ１１３のドレインと抵抗１１１との間に接続し、トランジスタ１１３のドレインに接続された抵抗１１１の温度変動を補償するために、ｎ個のダイオード１１８ａ〜１１８ｎのアノード端と、トランジスタ１１３に印加している電圧１０９との間に、ｍ個のダイオード１１７ａ〜１１７ｍを直列に接続しているので、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０がΔＩｄ110だけ変動してΔＶｔｈ＝Ｒ111・ΔＩｄ110となるように抵抗１１１の抵抗値Ｒ111を設定することにより、Ｖｔｈ変動があった場合にΔＶｔｈだけトランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位Ｖ106を変動させることができ、補償効果を有する。また、温度変動があった場合には、ダイオード１１８ａ〜１１８ｎの順方向電圧Ｖｆが温度により変化する特性を用いる。すなわち、ｎ個の直列に接続したダイオード１１８ａ〜１１８ｎの順方向電圧Ｖｆの変動（ΔＶｆ）がΔＶｆ・ｎ≒ΔＶｇｓ（温度変動を補償させるために必要なトランジスタ１０４のＶｇｓの変化量）となるようにｎを設定するとともに、温度変動の際にトランジスタ１１３のドレインに接続した抵抗１１１とトランジスタ２のドレイン電流Ｉｄも温度特性を持ち変動するため、ΔＲ・（Ｉｄ＋ΔＩｄ）＋ΔＩｄ・（Ｒ＋ΔＲ）≒ΔＶｆ・ｍを満たすようにダイオード数：ｍを決定する。このようにして、ｎ個のダイオード１１８ａ〜１１８ｎと抵抗１２０からなる温度補償用回路１５３に印加される電位を、ｍ個のダイオード１１７ａ〜１１７ｍを用いて補償する。
【００７１】
このように、しきい値電圧補償用回路１５２内に用いている抵抗１１１とトランジスタ１１３の温度変動を、ｍ個のダイオード１１７ａ〜１１７ｍにより補償することにより、Ｖｔｈ補償と温度補償の両方の機能を有するバイアス回路となるとともに、ＩＣの歩留まり向上並びに特性変動の抑制ができる。
【００７２】
〔第２の実施形態〕
図５に本発明の第２の実施形態に係るバイアス回路の回路図を示す。このバイアス回路も、上記の第１の実施形態の場合と同様に、しきい値電圧バラツキ変動補償機能及び温度補償機能を兼ね備えている。
【００７３】
第２の実施形態の場合、温度補償用回路１５３は、第１の実施形態の場合と同様にダイオード１１８と抵抗１２０から構成され、温度の低下とともに電位１１９を下げる働きを持つ。
【００７４】
また、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２は、トランジスタ１１３と抵抗１１１から構成され、Ｖｔｈ変動によるトランジスタ１１３のドレイン電流変動ΔＩｄ110と抵抗１１１によりしきい値電圧補償を行う。
【００７５】
ここで、第２の実施形態の場合、図５に示すように、ダイオード１１７は、接続点１１２とダイオード１１８のアノードとの間ではなく、電位１０９と接続点１１２との間に直列に接続する。より具体的には、例えば、電位１０９と抵抗１１１との間に直列に接続する。これにより、温度変動があった場合に、抵抗１１１の温度変動を原因とする接続点１１２の電位の変動をダイオード１１７によって補償することができ、第１の実施形態と同様の機能を持つ回路となる。
【００７６】
なお、図５において、上記以外の構成（増幅回路１５１等）は、上記の第１の実施形態（図１）と同様であるため、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７７】
図６は、図５のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲート電位Ｖ106を示す図である。具体的には、図６に示すのは、２５℃において、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０：Ｉｄ110＝８ｍＡ、トランジスタ１１３のドレインに挿入している抵抗１１１の抵抗値：Ｒ111＝２０Ω、接続点１１２の電位Ｖ112補償用ダイオード１１７の数ｍ＝１、温度補償用回路１５３内のダイオード１１８の数ｎ＝３、温度補償用回路１５３内の抵抗１２０の抵抗値：Ｒ120＝１．８ＫΩに設定し、上記第１の実施形態と同じ温度変動およびＶｔｈ変動条件で行った場合の計算結果である。
【００７８】
図６より、低温時ほどゲート電位Ｖ106が低くなることが分かる。
【００７９】
また、この時のトランジスタ１０４のドレイン電流１０３の変化を図７及び図８に示す。このうち図７はＶｔｈ変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものであり、図８は温度変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものである。
【００８０】
図７より、Ｖｔｈ変動に対してドレイン電流１０３はほぼ一定となるように、第２の実施形態に係るバイアス回路が働いていることが分かる。
【００８１】
また、図８より、低温ほどドレイン電流１０３が減少するように、第２の実施形態に係るバイアス回路が働いていることがわかる。
【００８２】
このように、第２の実施形態に係るバイアス回路によれば、Ｖｔｈ変動と温度変動の両方を補償することができる。
【００８３】
また、３８ＧＨｚ帯２段増幅器に対してのＳ２１特性変動の計算結果は、ΔＳ２１＝３.０２ｄＢであり、図２１の従来例の場合と比較して約１/２程度にＳ２１変動を抑制した結果を得た。
【００８４】
以上のように、第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
〔第３の実施形態〕
図９に本発明の第３の実施形態に係るバイアス回路の回路図を示す。このバイアス回路も、上記の第１及び第２の実施形態の場合と同様に、しきい値電圧バラツキ変動補償機能及び温度補償機能を兼ね備えている。
【００８６】
第３の実施形態の場合、温度補償用回路１５３は、第１の実施形態の場合と同様にダイオード１１８と抵抗１２０から構成され、温度の低下とともに電位１１９を下げる働きを持つ。
【００８７】
他方、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２は、第２の実施形態の場合と同様である。
【００８８】
また、第３の実施形態の場合、温度補償用回路１５３の低電位側、すなわち抵抗１２０の電位１１９とは反対側の端子には、トランジスタ（第３の能動素子）１２６と抵抗１２４とを備えてなる回路部１５４が接続されている。
【００８９】
トランジスタ１２６は、トランジスタ１０４とＤＣ的に等しいものである（トランジスタ１０４と等しいしきい値電圧を持つ）。
【００９０】
このトランジスタ１２６のドレインには、抵抗１２４及びｍ個のダイオード１２３（１２３ａ〜１２３ｍ）を介して電位１２２が印加されている。トランジスタ１２６のソースには電位１２９が印加されて、ゲートには抵抗１２７を介して電位１２８が印加されている。
【００９１】
そして、温度補償用回路１５３の低電位側（抵抗１２０の電位１１９とは反対側の端子）は、抵抗１２４とトランジスタ１２６のドレイン端との接続点１２１に接続されている。
【００９２】
ここで、トランジスタ１２６、抵抗１２４及びダイオード１２３を備えて構成される回路部１５４は、トランジスタ１１３と抵抗１１１とダイオード１１７で構成されるしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２とほぼ同等のＤＣ的振る舞いを行うように電位１２２と電位１２８及び電位１２９が設定されている。
【００９３】
トランジスタ１１３とトランジスタ１２６はＤＣ的に同特性であるため、Ｖｔｈ変動があった場合、接続点１１２の電位（Ｖ112）と接続点１２１の電位（Ｖ121）は同じ量だけ変動する。したがって、電位Ｖ112と電位Ｖ121との電位差の絶対値｜Ｖ112−Ｖ121｜は一定となるため、抵抗１２０での電圧降下は絶えず一定であり、電位１１９の変動量は電位（Ｖ112）又は電位（Ｖ121）の変動量と等しくなる。この結果、しきい値電圧補償機能を持つトランジスタ１１３と抵抗１１１とダイオード１１７から構成されるしきい値電圧バラツキ補償用回路１５２の補償効果を、直接的に電位１１９、すなわち、トランジスタ１０４のゲート電位Ｖ106に反映させることが可能となり、上記第1及び第２の実施形態よりもしきい値電圧補償効果の高いバイアス回路となる。
【００９４】
同様に、温度変動があった場合も、電位差の絶対値｜Ｖ112−Ｖ121｜はほぼ一定に保たれるので、温度補償機能を有するダイオード１１８と抵抗１２０から構成される温度補償用回路１５３の補償効果を、直接的にトランジスタ１０４のゲート電位Ｖ106に反映させることができる。
【００９５】
なお、第３の実施形態において、増幅回路１５１については第１の実施形態と同様である。
【００９６】
図１０は、図９のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲート電位Ｖ106を示す図である。具体的には、図１０に示すのは、２５℃において、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０：Ｉｄ110＝８ｍＡ、トランジスタ１１３のドレインに挿入している抵抗１１１の抵抗値：Ｒ111＝２０Ω、接続点１１２の電位Ｖ112の補償用ダイオード１１７の数ｍ＝１、温度補償用回路１５３内のダイオード１１８の数ｎ＝３、温度補償用回路１５３内の抵抗１２０の抵抗値：Ｒ120＝１．２ＫΩ、トランジスタ１２６のドレイン電流１２５：Ｉｄ125＝８ｍＡ、トランジスタ１２６のドレインに挿入している抵抗１２４の抵抗値：Ｒ124＝２０Ω、電位Ｖ121の補償用ダイオード１２３の数ｍ＝１に設定し、上記第１の実施形態と同じ温度変動およびＶｔｈ変動の条件の場合の計算結果である。
【００９７】
図１０より、低温時ほどゲート電位Ｖ106が低くなることが分かる。
【００９８】
また、この時のトランジスタ１０４のドレイン電流１０３の変化を図１１及び図１２に示す。このうち図１１はＶｔｈ変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものであり、図１２は温度変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものである。
【００９９】
図１１より、Ｖｔｈ変動に対してドレイン電流１０３はほぼ一定となるように、第３の実施形態に係るバイアス回路が働いていることが分かる。また、図１２より、低温ほどドレイン電流１０３が減少するように、第３の実施形態に係るバイアス回路が働いていることが分かる。
【０１００】
また、３８ＧＨｚ帯２段増幅器に対してのＳ２１特性変動の計算結果は、ΔＳ２１＝２.８６ｄＢであり、図２１の従来例の場合と比較して約１/２程度Ｓ２１変動を抑制した結果を得た。
【０１０１】
以上のように、第３の実施形態に係るバイアス回路によれば、上記の第１及び第２の実施形態の場合と同様の効果が得られる他、上記第１及び第２の実施形態の場合よりも優れてしきい値電圧補償効果が得られる。
【０１０２】
〔第４の実施形態〕
図１３に本発明の第４の実施形態に係るバイアス回路の回路図を示す。このバイアス回路も、上記の第１乃至第３の実施形態の場合と同様に、しきい値電圧バラツキ変動補償機能及び温度補償機能を兼ね備えている。
【０１０３】
ただし、上記の第１乃至第３の実施形態では、低温になったときに、トランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位を低くすることで、ゲインが一定となる特性を持つトランジスタの場合について述べたが、第４の実施形態では、低温になった時にはトランジスタ１０４のゲートバイアス１０６の電位を高くすることでゲインが一定となるような特性を持つトランジスタの場合について記す。
【０１０４】
第４の実施形態の場合、しきい値電圧バラツキ補償機能を有する回路部は、第３の実施形態と等しく、トランジスタ１１３と抵抗１１１とダイオード１１７から構成されるしきい値電圧バラツキ補償回路１５２と、トランジスタ１２６と抵抗１２４とダイオード１２３から構成される回路部１５４からなる。また、温度補償機能を有するために、接続点１１２から抵抗１２０及びダイオード１１８をこの順に介して接続点１２１へ直列に接続する。
【０１０５】
なお、第４の実施形態において、増幅回路１５１については第１の実施形態と同様である。
【０１０６】
第４の実施形態のバイアス回路においては、Ｖｔｈ変動があった場合は、第３の実施形態と同様に働き、補償効果機能を持つ。
【０１０７】
温度変動があった場合には、高温時にはダイオード１１８による電圧降下が減少するため、電位１１９は下がり、低温の場合には、ダイオード１１８による電圧降下が大きくなるため、電位１１９が高くなり、温度補償機能を有する回路となる。
【０１０８】
図１４は、図１３のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタ１０４のゲート電位Ｖ106を示す図である。具体的には、図１４に示すのは、２５℃において、トランジスタ１１３のドレイン電流１１０：Ｉｄ110＝８ｍＡ、トランジスタ１１３のドレインに挿入している抵抗１１１の抵抗値：Ｒ111＝２０Ω、接続点１１２の電位の補償用ダイオード１１７の数ｍ＝１、温度補償用回路１５３内のダイオード１１８の数ｎ＝１、温度補償用回路１５３内の抵抗１２０の抵抗値：Ｒ120＝２．２ＫΩ、トランジスタ１２６のドレイン電流１２５：Ｉｄ125＝８ｍＡ、トランジスタ１２６のドレインに挿入している抵抗１２４の抵抗値：Ｒ124＝２０Ω、接続点１２１の電位の補償用ダイオード１２３の数ｍ＝１に設定し、上記第１の実施形態と同じ温度変動およびＶｔｈ変動の条件の場合の計算結果である。
【０１０９】
図１４より、低温時ほどゲート電位Ｖ106が低くなることが分かる。
【０１１０】
また、この時のトランジスタ１０４のドレイン電流１０３の変化を図１５及び図１６に示す。このうち図１５はＶｔｈ変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものであり、図１６は温度変動に対してドレイン電流１０３をプロットしたものである。
【０１１１】
図１５より、Ｖｔｈ変動に対してドレイン電流１０３はほぼ一定となるように、第３の実施形態に係るバイアス回路が働いていることが分かる。また、図１６より、低温ほどドレイン電流１０３が増加するように、第４の実施形態に係るバイアス回路が働いていることが分かる。
【０１１２】
以上のように、第４の実施形態に係るバイアス回路によれば、上記の第３の実施形態の場合と同様の効果が得られる。
【０１１３】
〔第５の実施形態〕
図１７に本発明の第５の実施形態に係るバイアス回路の回路図を示す。このバイアス回路も、上記の第１乃至第４の実施形態の場合と同様に、しきい値電圧バラツキ変動補償機能及び温度補償機能を兼ね備えている。
【０１１４】
ただし、上記の第１乃至第４の実施形態では、トランジスタに電圧制御型トランジスタを用いた場合について述べたが、第５の実施形態では、電流制御型トランジスタを用いる場合について説明する。
【０１１５】
第５の実施形態の場合、しきい値電圧バラツキ補償用回路１５２は、上記第１の実施形態と等しい。また、接続点１１２の電位を補償するためのｍ個のダイオード１１７も同様である。また、増幅回路１５１も第１の実施形態と同様である。
【０１１６】
ただし、第５の実施形態の場合、トランジスタ１０４が電流制御型のトランジスタであるため、電位１１６と電位１１９とを相互に短絡し、ダイオード１１８を流れる電流をトランジスタ１０４に流す。すなわち、温度補償用回路は、抵抗１２０を備えておらず、ダイオード１１８のみにより構成されている。
【０１１７】
第５の実施形態の場合、Ｖｔｈ変動があった場合には、接続点の電位Ｖ112が変動し、その変動分に見合った電流変動により、トランジスタ１０４を補償する。温度変動があった場合には、電位１１９が変動し、トランジスタ１０４に流れる電流を変動させることで、トランジスタ１０４のＲＦ特性を補償することができる。
【０１１８】
図１８は、図１７のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタの温度変動に対するベース電流特性を示す。具体的には、図１８に示すのは、２５℃において、トランジスタ１１３のコレクタ電流１１０：ＩＣ110＝８ｍＡ、トランジスタ１１３のコレクタに挿入している抵抗１１１の抵抗値：Ｒ111＝２０Ω、電位Ｖ112補償用ダイオード１１７の数ｍ＝２、ダイオード１１８の数ｎ＝１に設定し、上記第１の実施形態と同じ温度変動およびＶｔｈ変動の条件の場合の計算結果である。
【０１１９】
図１８より、温度の低下とともにベース電流が減少し、Ｖｔｈ補償も同時に効果があることを示す結果を得ていることが分かる。
【０１２０】
以上のように、第５の実施形態に係るバイアス回路によれば、上記の第１の実施形態の場合と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバイアス回路を示す回路図である。
【図２】図１のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのゲートバイアスの電位を示す図である。
【図３】図１のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図４】図１のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るバイアス回路を示す回路図である。
【図６】図５のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのゲートバイアスの電位を示す図である。
【図７】図５のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図８】図５のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るバイアス回路を示す回路図である。
【図１０】図９のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのゲートバイアスの電位を示す図である。
【図１１】図９のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図１２】図９のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係るバイアス回路を示す回路図である。
【図１４】図１３のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのゲートバイアスの電位を示す図である。
【図１５】図１３のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図１６】図１３のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係るバイアス回路を示す回路図である。
【図１８】図１７のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのベース電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図１９】温度補償回路を備える従来のバイアス回路を示す回路図である。
【図２０】しきい値電圧バラツキ補償回路を備える従来のバイアス回路を示す回路図である。
【図２１】しきい値電圧バラツキ補償回路及び温度補償回路を備える従来のバイアス回路（自己バイアス方式）を示す回路図である。
【図２２】しきい値電圧バラツキ補償回路及び温度補償回路を備える従来のバイアス回路を示す回路図である。
【図２３】ダイオードの順方向の電流−電圧特性を示す図である。
【図２４】図１９のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【図２５】図２０のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図２６】図２１のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性のＶｔｈ変動に対する依存性を示す図である。
【図２７】図２２のバイアス回路を用いたときのＲＦ増幅用トランジスタのドレイン電流特性の温度変動に対する依存性を示す図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１０４    ＲＦ増幅用トランジスタ（第１の能動素子）
１０６    ゲートバイアス（制御用端子）
１５３    温度補償用回路（第１の温度補償用回路）
１１８    ダイオード
１２０    抵抗
１５２    しきい値電圧バラツキ補償用回路
１１３    トランジスタ（第２の能動素子）
１１１    抵抗
１１７    ダイオード（第２の温度補償用回路）
１５４    回路（第３の能動素子と抵抗とを備えてなる回路）
１２６    トランジスタ（第３の能動素子）
１２４    抵抗
【図１】
2005223437.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2005223437.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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