(57)【要約】【課題】  エッチングによる残渣などの発生が、ほとんどない透明導電膜を備える薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】  透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物と、を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置である。【選択図】 図１
2005258115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に設けられたソース電極と、
前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、
前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、
を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物、
を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続していることを特徴する薄膜トランジスタ型基板。
【請求項２】
透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板と、
複数色の着色パターンが設けられたカラーフィルター基板と、
前記薄膜トランジスタ型基板と、前記カラーフィルター基板と、に挟まれた液晶層と、
を具備してなる薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、前記透明画素電極が、
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物、
を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続していることを特徴する薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の薄膜トランジスタ型基板を製造する方法において、
前記透明基板上に前記透明導電膜を堆積するステップと、
前記堆積した前記透明導電膜を、酸性のエッチャントを用いて、エッチングすることによって、前記透明画素電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ型基板の製造方法。
【請求項４】
酸性の前記エッチャントが、
蓚酸、燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸、又は硝酸第二セリウムアンモニウムのいずれか一種又は二種以上を含むことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ型基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の液晶を駆動する薄膜トランジスタ型基板に関する。また、本発明は、その薄膜トランジスタ型基板を製造する方法に関し、その薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置は鋭意研究開発されている。特に、近年、大型テレビ用液晶表示装置が登場して以来、さらに活発に研究開発されている。  
この液晶表示装置の画素電極の材料には、一般的に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・スズ酸化物）が使用されている。これは、ＩＴＯが導電性、透明性に優れ、且つ、強酸（王水、塩酸系エッチャント）により、容易にエッチングできるからである。
【０００３】
しかしながら、スパッタリングにより大型基板へ成膜されるＩＴＯは、結晶質の膜であるために、基板温度や、雰囲気ガス及びプラズマ密度の状態などにより、結晶の状態が種々変化し、同一の基板上に、結晶質の膜と、非晶質の膜と、が混在してしまう場合がある。この混在が原因で、エッチング不良（隣接する電極との導通、オーバーエッチングによる画素電極の細り、エッチング残渣による画素不良等）が、発生するという問題がしばしば生じていた。
【０００４】
エッチング時に生じる問題を解決するために、例えば、特許文献１には、ＩＴＯ画素電極膜を非晶質にすることにより、ＨＣｌ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系のエッチング液に対するＩＴＯ／Ａｌエッチングスピード比を大きくし、エッチング時に生じるＡｌの溶出を改善する方法が開示されている。  
また、上記ＩＴＯからなるターゲットは、長時間の連続成膜時に、ターゲット表面に黒色の粒子（ノジュール）を発生し、異常放電を引き起こしたり、異物を発生して画素不良を引き起こしたりすることも、しばしば問題となっていた。
【０００５】
そこで、ＩＴＯを成膜する際に、スパッタガス中に水や水素を添加することにより、非晶質状態のＩＴＯを成膜し、この成膜したＩＴＯをエッチングした後、加熱して結晶化する方法が検討されている。しかしながら、成膜時に水や水素を添加すると、下地基板に対する密着性が低下したり、ＩＴＯ表面が還元されてノジュールが大量に発生する場合がしばしば生じていた。
【０００６】
これらの問題を解決する目的で、上記ＩＴＯの代わりに、ＩＺＯ（登録商標：出光興産株式会社、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・亜鉛酸化物）が使用されている。このＩＺＯは、成膜時にほぼ完全な非晶質膜を成膜でき、弱酸である蓚酸系エッチャントによりエッチングでき、燐酸・酢酸・硝酸の混酸や、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液などでもエッチングできるなど、有用性に富むものである。また、このＩＺＯは、ＩＴＯに比べて、より弱い酸でエッチングすることが可能である。また、このＩＺＯからなるターゲットは、スパッタリング時にノジュールの発生が少なく、異物の発生も抑えられることから、有用なターゲットであるといえる。
【０００７】
上記ＩＺＯを含むターゲットとして、例えば、下記特許文献２には、一般式Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む酸化物の焼結体からなるターゲットが開示されている。このターゲットによれば、耐湿性（耐久性）に優れた透明導電膜を成膜することが可能となる。  
また、上記ＩＺＯを含む透明導電膜として、例えば、下記特許文献３には、インジウム化合物と、亜鉛化合物と、をアルカノールアミン存在下に溶解させて調製したコーティング溶液を、基板に塗布して焼成した後、還元処理することにより、透明導電膜を製造する方法が開示されている。この透明導電膜の製造方法によれば、耐湿性（耐久性）に優れた透明導電膜を得ることができる。
【０００８】
また、上記ＩＺＯを含む透明導電膜をエッチングする方法として、例えば、下記特許文献４には、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる透明導電膜を、蓚酸水溶液でエッチングすることにより、画素電極を形成する液晶表示装置の製造方法が開示されている。この液晶表示装置の製造方法によれば、蓚酸溶液を用いてエッチングを行うため、画素電極のパターンを容易に形成できる。このため、、歩留まりを向上することができる。
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１８４７２６号公報
【特許文献２】特開平６−２３４５６５号公報
【特許文献３】特開平６−１８７８３２号公報
【特許文献４】特開平１１−２６４９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、透明な画素電極の材料として、一般的に用いられているＩＴＯは、Ａｌと接触している場合、電池反応を起こしやすいという問題があった。また、結晶質のＩＴＯは、王水や塩酸などの強酸でないとエッチングできず、エッチング中に、例えばＴＦＴの配線材料などを腐食してしまう問題が生じることもあった。一方、非晶質のＩＴＯの場合には、下地基板との密着性の低下がしばしば見られたり、ＴＦＴ配線材料との接触抵抗の増大を招く場合もあった。また、エッチング時に残渣を発生し、電極間のショートや液晶駆動のトラブルを発生する恐れもあった。  
これに対して、非晶質系の材料としてＩＺＯが考案されているが、この材料は、酸化インジウムと、酸化亜鉛と、から特殊な六方晶層状化合物を生成させなければならず、製造工程が煩雑となるうえ、コストが高くなることが課題であった。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、エッチングによる残渣などの発生が、ほとんどない透明導電膜を備える薄膜トランジスタ型基板を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、上記薄膜トランジスタ型基板を利用した液晶表示装置を提供することである。また、本発明のさらに他の目的は、上記薄膜トランジスタ型基板を効率よく得られる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記目的は、透明画素電極として、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物を含む透明導電膜を用いることにより、達成される。この透明導電膜は、酸性のエッチング液でパターン化することにより、透明画素電極の形状に形成される。具体的に述べれば、本発明は、下記の手段を採用する。
【００１３】
（１）まず、本発明は、透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続していることを特徴する薄膜トランジスタ型基板である。
【００１４】
なお、本特許で「酸化インジウムを主成分として含む」とは、酸化インジウムを主要な成分として含むことを意味し、概ね原子組成比率で５０％以上の場合を意味する。また、上記透明画素電極を成膜する際に、酸化インジウムを主成分とし、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物よりなるターゲットを使用すると、このターゲットに、ノジュールはほとんど発生しない。
【００１５】
透明導電膜に、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、又は酸化ニオブを添加することにより、非晶質の透明導電膜を成膜後、成膜した非晶質の透明導電膜を蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは、８０〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由としては、基板温度を室温以下に制御するためには、冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度を２００℃超とすると、透明導電膜の結晶化などにより、蓚酸を含むエッチャントでのエッチングができなくなる場合があるからである。また、成膜時の雰囲気ガス中に、水や水素を添加することもできる。これにより、成膜された透明導電膜を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングしやすくなり、より残渣を低減することができる。
【００１６】
また、上記金属酸化物の添加により、成膜した上記透明導電膜をエッチングした後、基板の温度を２００℃超に加熱することにより、基板上の透明導電膜を簡単に結晶化することができる。この結晶化の温度は、好適には２２０℃であり、より好ましくは２３０℃以上である。  
透明導電膜を結晶化させることにより、透明導電膜がＡｌと電気的に接続した状態で、電解質に接触しても、電池反応が抑制される。このため、Ａｌの断線などのエッチング不良は、ほとんど発生しない。  
このように成膜された透明導電膜の比抵抗は、ＩＴＯと同程度に低減されている。また、この透明導電膜は、透明性に優れている。
【００１７】
透明導電膜の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電膜の表面抵抗が上昇したりする場合があり、一方、透明導電膜の膜厚が５００ｎｍ超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。  
透明導電膜中の組成は、原子比としてＩｎの組成比率（以下、原子比と記載することもある）が、［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８５から０．９９であることが好ましい。Ｉｎの組成比率が０．８５未満では、透明導電膜の抵抗値が増大したり、透明導電膜が成膜した基板を２００℃以上に加熱しても、透明導電膜が結晶化しなくなる場合がある。また、Ｉｎの組成比率が０．９９超では、透明導電膜の成膜時に、透明導電膜が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントでエッチングできなかったり、残渣が大量に発生したりしてしまう場合があるからである。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜中の単位体積当たりのインジウム原子の数を表し、［全メタル］は、透明導電膜中の単位体積当たりの全金属原子の数を表す。
【００１８】
また、第３の原子として、上記透明導電膜中に、Ｓｎ、Ｚｎを添加することも好ましい。なお、第１の原子とは、酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とは、酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化モリブデンから選ばれた一種又は二種以上の酸化物中のタングステン原子、ニオブ原子、ニッケル原子、及びモリブデン原子である。  
Ｓｎを添加する場合には、原子比としてＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。透明導電膜中の［Ｓｎ］／［全メタル］の値が、０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生したりする場合がある。ここで、［Ｓｎ］は、透明導電膜中の単位体積当たりのスズ原子の数を表す。  
また、Ｚｎを添加する場合には、原子比としてＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。ここで、［Ｚｎ］は、透明導電膜中の単位体積当たりの亜鉛原子の数を表す。
【００１９】
（２）また、本発明は、透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板と、複数色の着色パターンが設けられたカラーフィルター基板と、前記薄膜トランジスタ型基板と、前記カラーフィルター基板と、に挟まれた液晶層と、を具備してなる薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、前記透明画素電極が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続していることを特徴する薄膜トランジスタ型液晶表示装置である。
【００２０】
上記薄膜トランジスタ型基板は、その製造工程において、Ａｌ断線などのエッチング不良が、ほとんど発生しない。このため、このような薄膜トランジスタ型基板を用いれば、表示欠陥の少ない薄膜トランジスタ型液晶表示装置を製造することができる。
【００２１】
（３）また、本発明は、上記（１）に記載の薄膜トランジスタ型基板を製造する方法において、前記透明基板上に前記透明導電膜を堆積するステップと、前記堆積した前記透明導電膜を、酸性のエッチャントを用いて、エッチングすることによって、前記透明画素電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ型基板の製造方法である。
【００２２】
酸性の上記エッチャントは、弱酸であることが好ましい。上記透明導電膜は、弱酸のエッチャントを用いてエッチングした場合にも、エッチングによる残渣がほとんど発生しない。  
蓚酸を含むエッチャントの蓚酸濃度は、１〜１０ｗｔ％であることが好ましく、より好ましくは、１〜５ｗｔ％である。蓚酸濃度が１ｗｔ％未満では、透明導電層のエッチング速度が遅くなる場合があり、１０ｗｔ％超では、蓚酸の結晶が、蓚酸を含むエッチャントの水溶液中に析出する場合があるからである。
【００２３】
（４）また、本発明は、酸性の前記エッチャントが、蓚酸、燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸、又は硝酸第二セリウムアンモニウムのいずれか一種又は二種以上を含むことを特徴とする上記（３）に記載の薄膜トランジスタ型基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
上記の通り、本発明の薄膜トランジスタ型基板における透明導電膜は、製造時に、弱酸（有機酸など）を用いたエッチングによる残渣がほとんど発生しない。このため、本発明の薄膜トランジスタ型基板は、加工性に優れ、歩留まりが向上する。また、本発明の薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、上記薄膜トランジスタ型基板を備えるため、製造効率が向上する。  
また、本発明の薄膜トランジスタ型基板の製造方法によれば、所定の酸性のエッチャントを用いた透明導電膜のエッチングによる残渣等が、ほとんど発生しないため、上記薄膜トランジスタ型基板を効率よく製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を用いて、本実施の形態の好適な例について説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１には、本実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の近傍の断面図が示されている。透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００２７】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。  
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００２８】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングし、図１に示す形状を形成した。  
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００２９】
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。
【００３０】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。  
さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、さらにスルーホールなどのパターンを形成した。
【００３１】
次に、上記処理を行った基板上に、酸化インジウムと酸化タングステンを主成分とする非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＷの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｗ］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体である。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのインジウム原子の数を表し、［Ｗ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのタングステン原子の数を表す。
【００３２】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、又は１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。
【００３３】
前記タングステンがターゲット内に含まれる形態は、ＷＯ３、ＷＯ２などの酸化タングステンの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、Ｉｎ２Ｗ３Ｏ１２などの酸化インジウム−酸化タングステン間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、タングステン原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００３４】
このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体からなるターゲットの相対密度は、９６％であった。なお、別の試験により、Ｉｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体からなるターゲットの相対密度が、９５％以上である場合には、ノジュールや異常放電が発生しないことを確認している。  
また、上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．８×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが確認できた。なお、Ｉｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体からなる上記ターゲットに、酸化スズを１〜１０ｗｔ％添加することにより、成膜された透明導電膜９の比抵抗は、１．８×１０−４Ω・ｃｍ以下になることも判明した。
【００３５】
このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。  
この時、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透明画素電極のパターンと、が電気的に接続するように所望のパターンに形成した。また、この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。次に、このガラス基板１を２５０℃にて３０分間熱処理した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含む酸性のエッチャントの一例に相当する。
【００３６】
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるガラス基板１上には、図１に示す画素部分等のパターンが、規則的に形成されている。すなわち実施例１のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、アレイ基板となっている。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型基板の好適な一例に相当する。
【００３７】
このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層と、カラーフィルター基板と、を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一例に相当する。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイについて、点燈検査を行った結果、画素電極の不良もなく、良好な表示ができた。
【実施例２】
【００３８】
実施例２におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１とほぼ同様である。したがって、実施例２のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。  
図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積した。次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００３９】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００４０】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、エッチングし、図１に示す形状を形成した。
【００４１】
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。  
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。
【００４２】
さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、さらにスルーホールなどのパターンを形成した。
【００４３】
次に、上記処理を行った基板上に、酸化インジウムと酸化モリブデンを主成分とする非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＭｏの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｍｏ］）の値が、０．９０となるように調製したＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体である。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのインジウム原子の数を表し、［Ｍｏ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのモリブデン原子の数を表す。
【００４４】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、又は１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。  
前記モリブデン元素がターゲット内に含まれる形態は、ＭｏＯ３、ＭｏＯ２などの酸化モリブデンの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。しかし、Ｉｎ２Ｍｏ４Ｏ６やＩｎ２Ｍｏ３Ｏ１２或いはＩｎ１１Ｍｏ４Ｏ６２などのインジウムとモリブデンの複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、モリブデン原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、モリブデンが酸化インジウム結晶体中に原子レベルで分散している形態である。このように、モリブデンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００４５】
このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体からなるターゲットの相対密度は、９６％であった。なお、別の試験により、Ｉｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体からなるターゲットの相対密度が、９５％以上である場合には、ノジュールや異常放電が発生しないことを確認している。  
また、上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．４×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが確認できた。なお、Ｉｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体からなる上記ターゲットに、酸化スズを１〜１０ｗｔ％添加することにより、成膜された透明導電膜９の比抵抗は、１．９×１０−４Ω・ｃｍ以下になることも判明した。
【００４６】
このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。  
この時、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透明画素電極のパターンと、が電気的に接続するように所望のパターンに形成した。また、この時、金属Ａｌのドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。次に、このガラス基板１を２５０℃にて３０分間熱処理した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含む酸性のエッチャントに相当する。
【００４７】
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるガラス基板１上には、図１に示す画素部分等のパターンが、規則的に形成されている。。すなわち実施例２のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、アレイ基板となっている。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、実施例１と同様に、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型基板の好適な一例に相当する。
【００４８】
このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層と、カラーフィルター基板と、を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一例に相当する。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイについて、点燈検査を行った結果、画素電極の不良もなく、良好な表示ができた。
【実施例３】
【００４９】
本実施例３におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１及び２におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００における透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１とほぼ同様である。したがって、実施例３のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。  
透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が２０００オングストロームとなるように金属Ａｌ（合金）（その組成重量％は、Ａｌ：Ｎｉ＝９９：１である）を堆積した。次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌを、図１のゲート電極２及びゲート電極配線１２と同様の形状にエッチングし、ゲート電極及びゲート電極配線を形成した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００５０】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００５１】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングし、図１に示す形状を形成した。
【００５２】
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。  
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。
【００５３】
さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、さらにスルーホールなどのパターンを形成した。
【００５４】
次に、上記処理を行った基板上に、図１に示すように、酸化インジウムと酸化ニオブを主成分とする非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＮｂの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｎｂ］）の値が０．９５となるように調製したＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体である。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのインジウムの原子の数を表し、［Ｎｂ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのニオブの原子の数を表す。
【００５５】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガス、又は１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。  
前記ニオブ元素がターゲット内に含まれる形態は、Ｎｂ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３などの酸化ニオブの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。しかし、ＩｎＮｂＯ４などのインジウムとニオブの複合酸化物の形態で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ニオブ原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ニオブが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ニオブが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００５６】
このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体からなるターゲットの相対密度は、９７％であった。なお、別の試験により、Ｉｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体からなるターゲットの相対密度が、９５％以上である場合には、ノジュールや異常放電が発生しないことを確認している。  
また、上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．６×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが確認できた。なお、Ｉｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体からなる上記ターゲットに、酸化スズを１〜１０％添加することにより、成膜された透明導電膜９の比抵抗は、１．７×１０−４Ω・ｃｍ以下になることも判明した。
【００５７】
このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含む酸性のエッチャントの一例に相当する。
【００５８】
この時、ソース電極８のパターンと、透過画素電極パターンが電気的に接続するように所望のパターンに形成した。また、この時、ソース電極８及びドレイン電極７がエッチング時に断線又は線細りすることはなかった。次に、このガラス基板１を２５０℃にて３０分間熱処理した。  
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成することにより、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるガラス基板１上には、図１に示す画素部分等のパターンが、規則的に形成されている。すなわち実施例３のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、アレイ基板となっている。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、実施例１及び２と同様に、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型基板の好適な一例に相当する。
【００５９】
このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層と、カラーフィルター基板と、を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイについて、点燈検査を行った結果、表示が良好であることが判明した。
【実施例４】
【００６０】
実施例４におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１〜３におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１とほぼ同様である。したがって、実施例４のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。
【００６１】
図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、金属Ａｌ（合金）（その組成重量％は、Ａｌ：Ｎｉ＝９９：１である）を高周波スパッタにより、その膜厚２０００オングストロームとなるように堆積する。燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この堆積した金属Ａｌからなる薄膜を、図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００６２】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、図１に示すように、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストローム堆積した。続いて、図１に示すように、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらにチャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように椎積した。
【００６３】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護膜５は、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜からなるチャンネル保護膜５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、エッチングし、図１に示す形状を形成した。
【００６４】
続いてα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、図１に示すように、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ（合金）（その組成重量％は、Ａｌ：Ｎｉ＝９９：１である）二層膜を、下層のＭｏの膜厚が０．０５μｍとなり、上層のＡｌの膜厚が０．２μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。  
燐酸・酢酸・硝酸・水（その堆積比は９：６：１：２である）系エッチング液用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。
【００６５】
次に、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンを形成した。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、その後、スルーホールなどのパターンを形成した。
【００６６】
次に、上記処理を行った基板上に、酸化インジウムと酸化ニッケルを主成分とする非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で推積した。このスパッタリングに用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＮｉの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｎｉ］）の値が、を０．９５となるように調製したＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ焼結体である。ここで、ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのインジウム原子の数を表し、［Ｎｉ］は、透明導電膜９中の単位体積当たりのニッケル原子の数を表す。
【００６７】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに設置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴン、又は１ｖｏｌ％程度の徹量のＯ２ガスを混入したＡｒガスを用いた。
【００６８】
前記ニッケル元素がターゲット内に含まれる形態は、ＮｉＯなどの酸化ニッケルの形で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。しかし、Ｉｎ２ＮｉＯ４などのインジウムとニッケルの複合酸化物の形態で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ニッケル原子が酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ニッケルが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ニッケルが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。  このＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ焼結体からなるターゲットの相対密度は、９７％であった。別の試験により、Ｉｎ２Ｏ３−ＮｉＯ焼結体からなるターゲットの相対密度が９５％以上でる場合には、ノジュールや異常放電が発生しないことを確認している。
【００６９】
また、上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観測されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ膜である透明導電膜９の比抵抗は、４．６×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが確認できた。なお、上記ターゲットに、酸化スズを１〜１０ｗｔ％添加することにより、成膜された透明導電膜９の比抵抗は、２．２×１０−４Ω・ｃｍ以下になることも判明した。
【００７０】
このＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯ膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２重量％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透明画素電極のパターンを形成した。  
この時、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極パターンと、が電気的に接続するように所望のパターンに形成した。また、この時、金属Ａｌのドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング時に、断線又は線細りすることはなかった。  次に、このガラス基板１を２５０℃にて３０分間熱処理した。なお、この蓚酸３．２重量％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含む酸性のエッチャントに相当する。
【００７１】
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるガラス基板１上には、図１に示す画素部分等のパターンが、規則的に形成されている。。すなわち実施例４のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、アレイ基板となっている。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、実施例１と同様に、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型基板の好適な一例に相当する。
【００７２】
このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層と、カラーフィルター基板と、を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一例に相当する。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイについて、点燈検査を行った結果、画素電極の不良もなく、良好な表示ができた。
【実施例５】
【００７３】
上記実施例１〜４においては、透明導電膜９をエッチングする際に用いるエッチャントについては、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液である例について示した。しかしながら、透明導電膜９をエッチングする際に用いるエッチャントは、上記蓚酸系水溶液の他にも、燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸であることも好ましく、又は、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液であることも好ましい。
【実施例６】
【００７４】
上記実施例１〜４において述べたように、本実施の形態においては各透明導電膜９として、種々の酸化物を利用した。本実施例６では、これら酸化物の、Ａｇ／ＡｇＣｌ標準電極に対する電極電位を測定した。測定は、各種の電解質（液）中の電極電位を測定することによって実行した。  
表１には、電解質としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム・ハイドロオキサイド）２．８ｗｔ％水溶液を用いた場合の測定例が示されている。一方、表２には、電解質として剥離液を用いた場合の測定例が示されている。
【００７５】
【表１】
2005258115.tif 000003
表１に示されているように、上記実施例１において用いたＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．３５２Ｖであった。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．５４３Ｖである（表１参照）。
【００７６】
また、上記実施例２において用いたＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．３８６Ｖであった（表１参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．５０９Ｖである（表１参照）。  
また、上記実施例３において用いたＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．３６５Ｖであった（表１参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．５３０Ｖである（表１参照）。  
また、上記実施例４において用いたＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯによる透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．３７８Ｖであった（表１参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．５１７Ｖである（表１参照）。
【００７７】
一方、ＩＴＯによる透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２３８Ｖであった（表１参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．６５７Ｖである（表１参照）。
【００７８】
また、ＩＺＯによる透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２４７Ｖであった（表１参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．６４８Ｖである（表１参照）。
【００７９】
さて、これまで比較の対象としてきたＡｌの電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．８９５Ｖであり（表１参照）、Ａｌ−Ｎｄ（Ｎｄの組成比率：１ｗｔ％）合金の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．８４８Ｖであった（表１参照）。
【００８０】
このように、Ａｌと透明電極が電気的に接触している状態で、電解質にも接触した場合は、表１に示すような電位差（起電力）が発生する。この電位差（起電力）によってＡｌ電極の腐食が加速されると考えられる。表１に示すように、本発明の透明電極は、ＩＴＯやＩＺＯと比較して、Ａｌとの電位差（起電力）を約０．１Ｖ以上小さくすることができる。このように、本発明によれば、電位差（起電力）が小さくなることから、電極の腐食反応が抑制されることが明らかである。
【００８１】
次に、電解質を剥離液とした場合の測定結果が表２に示されている。この剥離液は、ジエタノールアミンとＮ−メチルピロリドンを３０ｖｏｌ％：７０ｖｏｌ％で混合した溶液である。
【００８２】
【表２】
2005258115.tif 000004
表２に示されているように、上記実施例１において用いたＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２４８Ｖであった。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．４７２Ｖである（表２参照）。
【００８３】
また、上記実施例２において用いたＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２６８Ｖであった（表２参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．４５２Ｖである（表２参照）。  
また、上記実施例３において用いたＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５による透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２５６Ｖであった（表２参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．４６４Ｖである（表２参照）。
【００８４】
また、上記実施例４において用いたＩｎ２Ｏ３−ＮｉＯによる透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．２８７Ｖであった（表２参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．４３３Ｖである（表２参照）。
【００８５】
一方、ＩＴＯによる透明導電膜の電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．１２０Ｖであった（表２参照）。Ａｌとの電位差の絶対値は、０．６００Ｖである（表２参照）。
【００８６】
さて、これまで比較の対象としてきたＡｌの電位（対Ａｇ／ＡｇＣｌ電極）は、−０．７２０Ｖである（表２参照）。
【００８７】
このように、Ａｌと透明電極が電気的に接触している状態で、電解質にも接触した場合は、表２に示すような電位差（起電力）が発生する。この電位差（起電力）によってＡｌ電極の腐食が加速されると考えられる。表２に示すように、本発明の透明電極は、ＩＴＯやＩＺＯと比較して、Ａｌとの電位差（起電力）を約０．１Ｖ以上小さくすることができる。このように、本発明によれば、電位差（起電力）が小さくなることから、電極の腐食反応が抑制されることが明らかである。
【００８８】
『変形実施例１』
図２には、本実施例における別のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板２００の近傍の断面図が示されている。本変形実施例１のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板２００において特徴的なことは、図２に示すように、透明樹脂レジストを設けずに、透明導電膜９を直接ソース電極１０８上に設けたことである。  
また、図２に示すように、本変形実施例１のドレイン電極７及びソース電極８は、金属Ｃｒ／金属Ａｌ二層膜から構成されているが、上記実施例１〜４と同様に、ドレイン電極７及びソース電極８が、金属Ｍｏ／金属Ａｌ二層膜から構成されることも好ましい。なお、図２のドレイン電極７及びソース電極８において、下層は金属Ｃｒからなる層であり、上層は金属Ａｌからなる層である。
【００８９】
また、図２に示すように、本変形実施例１におけるゲート電極１０２は、金属Ａｌ層から構成される単層構造である例を示したが、このゲート電極１０２は、上記実施例１及び２のゲート電極２と同様に、Ａｌ層とＭｏ層とから構成される二層構造であることも好ましい。また、上記実施例３と同様に、金属Ａｌ層が、金属Ａｌ（合金）（その組成重量％は、Ａｌ：Ｎｉ＝９９：１である）から構成されることも好ましい。  
なお、図２に示す本変形実施例１のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板２００は、上記実施例１〜４のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と同様の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本実施例１〜３のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板の近傍の断面図である。
【図２】本変形実施例１のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板の近傍の断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  ガラス基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
５  チャンネル保護層
６  α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
７  ドレイン電極
８  ソース電極
９  透明導電膜
１０  透明樹脂レジスト
１１  反射電極
１２  ゲート電極配線
１００  α−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板
１０２  ゲート電極
１０７  ドレイン電極
１０８  ソース電極
２００  α−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板
【図１】
2005258115.tif 000005
【図２】
2005258115.tif 000006