(57)【要約】【課題】  銅配線のピッチを微細にしても、マイグレーション耐性が低下することのない半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ポリイミドフィルム１の片面には接着剤層４が形成され、この接着剤層４上には、希土類元素を添加して耐熱性を高めたＮｉ−Ｃｒ合金層と、このＮｉ−Ｃｒ合金層上に形成された銅層とによるシード層２が、スパッタにより形成される。更に、シード層２上には、銅電気めっき層３がめっき装置を用いて形成されることによりベース材１０が構成されている。このベース材１０に銅配線パターンを形成したテープキャリアは、接着剤層４による吸水率の低減とシード層２による耐熱性とにより、マイグレーション耐性を向上させることができる。【選択図】        図３
2005294540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する絶縁フィルムに形成された銅めっき層による銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅めっき層は、前記絶縁フィルムに接着剤を塗布及び硬化処理して形成された接着剤層を介して当該絶縁フィルム上に直接に形成され、又は耐熱性を有するシード層を介して形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記シード層は、Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたスパッタ層
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記シード層は、前記スパッタ層の上に形成された厚さ０．２〜１２μｍの銅層を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布及び硬化処理して接着剤層を形成する第１の工程と、
希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタにより形成したシード層又は前記接着剤層に銅めっき層を形成する第２の工程と、
前記銅めっき層をエッチングすることにより銅配線パターンを形成する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、前記銅めっき層をドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置を用いて形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程は、Ｎｉ−Ｃｒ合金層と、厚みが０．２μｍ以上の銅層とにより前記シード層を形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁フィルムの幅は、５００〜１０００ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に銅配線のピッチを微細化しても、マイグレーション耐性が低下することのない半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器、デジタル機器等では、ＣＯＦ（Chip On Film）と称する可撓性を有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープキャリアが用いられている。従来、ＣＯＦのベース材の製造工程では、２層構造の銅層付き絶縁フィルムにおいて絶縁フィルムが４０μｍ厚さ程度に薄いものをプラズマ処理した後、スパッタ装置により前記２層構造の接着剤レスの絶縁フィルムにスパッタ層を形成している。このスパッタ層は、絶縁フィルムに５０〜１００Åの厚みにＮｉ−Ｃｒ合金層をスパッタにより形成した後、更にＮｉ−Ｃｒ合金層上に厚さ０．１μｍ以上の銅スパッタ層をスパッタにより形成して作られている。一方、銅スパッタ層上に形成される銅めっき層の厚みは、８〜１２μｍと薄くなっている。
【０００３】
また、Ｎｉ−Ｃｒ合金層に代えて、スパッタによりＣｒ層を第１導体として形成し、このＣｒ層上にＣｕ層をスパッタで第１導体保護膜を形成し、更にＣｕ層上に電解銅めっきによる第２導体を形成し、短絡不良を低減できるようにした配線基板がある（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
図５は、従来のＣＯＦにおけるベース材の構成を示す。このベース材４０は、ポリイミドフィルム１（絶縁フィルム）上にシード層（seed layer）２が設けられ、このシード層２上に銅電気めっき層３が形成されている。ベース材４０は、更に、シード層２上に所定のパターンのフォトレジストの形成工程、エッチング工程、フォトレジストの剥離工程を順次実施することにより、ＣＯＦが完成する。
【０００５】
（従来のめっき装置の構成）
図６は、従来のめっき装置の構成を示す。このめっき装置１００は、図５に示したベース材４０が巻回されている供給ドラム１０１と、めっき液１１０が満たされためっき槽１０２と、乾燥装置１０３と、銅電気めっき層３が形成されたベース材１１２を巻き取る巻取ドラム１０４と、供給ドラム１０１とめっき槽１０２の間に配置されたガイドロール１０５と、めっき槽１０２内の上段に所定間隔に配置された給電ロール１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ，１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ，１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊと、この給電ロール１０６ａ〜１０６ｊの相互間の下側には所定間隔に配置されたガイドロール１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ，１０７ｅ，１０７ｆ，１０７ｇ，１０７ｈ，１０７ｉ，１０７ｊ，１０７ｋ，１０７ｌ，１０７ｍ，１０７ｎ，１０７ｏ，１０７ｐ，１０７ｑ，１０７ｒ，１０７ｓと、このガイドロール１０７ａ〜１０７ｓの相互間の上側には所定間隔に配置されたダンサーロール１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ，１０８ｅ，１０８ｆ，１０８ｇ，１０８ｈ，１０８ｉと、乾燥装置１０３と巻取ドラム１０４の間に配置されたガイドロール１０９とを備えて構成されている。
【０００６】
ベース材４０は、ガイドロール１０５を介してめっき槽１０２に搬入される。ベース材４０は、給電ロール１０６ａ、ガイドロール１０７ａ、給電ロール１０６ｂ、ガイドロール１０７ｂの順に通され、更に、ダンサーロール１０８ａ、ガイドロール１０７ｃ、給電ロール１０６ｃ，・・・ガイドロール１０７ｒ、ダンサーロール１０８ｉ、ガイドロール１０７ｓの順でめっき槽１０２内を通過する。
【０００７】
ガイドロール１０７ｓを通過するまでに、ベース材４０のシード層２上に銅電気めっき層３が形成される。銅電気めっき層３が形成されたベース材４０は、乾燥装置１０３によって温風が吹き付けられることにより、表面のめっき液の蒸発及び乾燥が行われる。更に、ガイドロール１０９を介してめっき層付きベース材１１２として巻取ドラム１０４に巻き取られる。
【特許文献１】特開２００３−３７１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の半導体装置用テープキャリアによると、スパッタ層は、配線を形成後のピール強度の保持、及び耐熱性とマイグレーション(Migration) 耐性に優れたものを用いているが、配線ピッチが３０μｍよりも微細（例えば、２０〜２５μｍ）になると、微妙な配線間の間隔の変動等により電気絶縁性及び信頼性の保持が困難になる。特に、電気信頼性の要素の１つであるマイグレーション耐性が急激に低下する。これに伴い、製品歩留まりが急激に低下する。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、銅配線のピッチを微細にしても、マイグレーション耐性が低下することのない半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルムに形成された銅めっき層による銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅めっき層は、前記絶縁フィルムに接着剤を塗布及び硬化処理して形成された接着剤層を介して当該絶縁フィルム上に直接に形成され、又は耐熱性を有するシード層を介して形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１１】
本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布及び硬化処理して接着剤層を形成する第１の工程と、希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタにより形成したシード層又は前記接着剤層に銅めっき層を形成する第２の工程と、前記銅めっき層に銅配線パターンを形成する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置用テープキャリア及びその製造方法によれば、銅配線のピッチを微細にしても、接着剤層と耐熱性を有するシード層の一方、又は両方を備えることにより、接着剤層による吸水率の低減、及びシード層の有する耐熱性によって、マイグレーション耐性の低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有する絶縁フィルムとしてのポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に設けられためっき層としての銅電気めっき層３とを備えている。
【００１４】
接着剤層４の接着剤は、吸水率を０．９％以下にするほか、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１８０℃以上の耐熱性を有し、更に、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上を有するものを用いるのがよい。接着剤層４の接着剤の吸水率を０．９％以下とすることにより、水滴に対する感受性が鈍くなり、耐マイグレーション(Migration) 性を向上させることができる。
【００１５】
接着剤層４に熱硬化型の接着剤を用いた場合、その硬化工程の熱処理で熱による歪みの発生を無くす必要がある。そのための接着剤層４は耐熱性が必要になる。また、接着剤層４として、１８０℃×２時間以上の耐熱性を有するものを用いる必要がある。その理由は、接着剤層４と配線パターンとの界面におけるピール強度を確保するためである。
【００１６】
また、硬化工程の熱処理によって、半導体装置用テープキャリアの全体に熱による歪み（反り）が発生してしまうことを回避するため、熱硬化型の接着剤層４の厚みを２〜８μｍとし、ポリイミドフィルム１の厚みを５０〜６．５μｍとする。
【００１７】
次に、４００℃までの動的粘弾性を０．５Ｇｐａ以上とした理由は、フリップチップ(flip chip) 接続する際の圧力による接着剤層４の凹み変形を少なくするためである。動的粘弾性とは、応力と歪の関係から測定する粘弾性測定において、試料に正弦的応力を加えて試料を変形させることをいい、その際の歪みや応力から歪みの位相遅れを検出する手法を動的粘弾性測定という。
【００１８】
銅電気めっき層３は、図４で説明するめっき装置により形成される。銅電気めっき層３に配線パターンに応じたレジストパターンを形成し、現像、レジスト除去等を行うことにより、半導体装置用テープキャリアが作られる。上記構成のベース材１０を半導体装置用テープキャリアに用いれば、接着剤層４を設けたことにより、マイグレーション耐性を向上させることができる。
【００１９】
（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態に係るベース材１０によると、ポリイミドフィルム１と銅電気めっき層３の間に接着剤層４を設けられているため、吸水率の低減が図れ、マイグレーション耐性を向上させることができる。
【００２０】
［第２の実施の形態］
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有するポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に形成されたシード層２とを備えて構成されている。シード層２はスパッタにより形成される。接着剤層４は、第１の実施の形態で説明した吸水率、Ｔｇ（ガラス転移温度）、及び動的粘弾性を有する特性のものを用いる。
【００２１】
シード層２は、希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金層を接着剤層４上にスパッタ法で形成し、更に、Ｎｉ−Ｃｒ合金層上に銅層をスパッタ法で形成して構成されている。Ｎｉ−Ｃｒ合金に添加される希土類元素は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素のうち、少なくとも一種類以上が添加されている。Ｎｉ−Ｃｒ合金層に希土類元素を添加することにより、耐熱性が向上する。耐熱性が向上することで、配線の密着強度が高められる。また、電圧を印加しても銅の溶解が抑制されるため、マイグレーションを生じない。
【００２２】
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上に形成する銅層（銅スパッタ層）は、厚さを０．２〜１２μｍにする。銅層の厚みが０．１μｍでは、銅層にピンホールが多発する。そこで、銅層の厚みを０．２μｍ以上にすることでピンポールを抑制することができる。また、銅層の厚みの上限を１２μｍとしたのは、銅めっきの積み上げが、微細配線のピッチ３０μｍ（銅配線幅：１５μｍ、スペース：１５μｍ）の形成の限界値であり、それ以上厚いと微細配線の直線性が無くなり、欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪くなり、製造が不可能になるためである。
【００２３】
（第２の実施の形態の効果）
第２の実施の形態に係るベース材１０によると、ポリイミドフィルム１と銅電気めっき層３の間に接着剤層４が設けられているため、吸水率の低減が図れ、テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。
【００２４】
更に、シード層２のＮｉ−Ｃｒ合金層に希土類元素を添加したことにより、耐熱性が向上する。耐熱性が向上することで配線の密着強度が強まり、テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。
【００２５】
［第３の実施の形態］
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有するポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に形成されたシード層２と、このシード層２上に設けられた銅電気めっき層３とを備えて構成されている。シード層２はスパッタにより形成され、銅電気めっき層３はめっき装置により設けられる。
【００２６】
接着剤層４は第１の実施の形態で説明した諸特性を有している。またシード層２は、図２のシード層２と同じであり、接着剤層４上にスパッタ法で形成されると共に希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金層と、更に、Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にスパッタ法で形成された銅層からなる。
【００２７】
（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態に係るベース材１０によると、接着剤層４が設けられると共に、希土類元素を添加したシード層２が設けられているため、接着剤層４により吸水率の低減が図れ、シード層２によって耐熱性の向上が可能であるため、それぞれの層により半導体装置用テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。
【００２８】
なお、図１〜図３のベース材１０は、いずれもポリイミドフィルム１上に接着剤層４を設け、この接着剤層４上にシード層２又は銅電気めっき層３、或いはシード層２と銅電気めっき層３の両方を設ける構成としたが、図５のように、接着剤層を有しないベース材の構成であってもよい。
【００２９】
（本発明に係るめっき装置の構成）
図４は、本発明に係るめっき装置の構成を示す。このめっき装置２０により、図２に示したベース材１０に銅電気めっき層３を形成し、図３の構成のベース材１０を得ることができる。めっき装置２０は、ドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置であり、給電ドラム２１と、めっき液２２が満たされためっき槽２３と、このめっき槽２３の後段に配置された水洗槽２４と、この水洗槽２４の後段に配置された加熱空気ブロワ２５と、この加熱空気ブロワ２５の後段に配置されたダンサーロール２６と、このダンサーロール２６の後段に配置された巻取ドラム２７とを備えて構成されている。
【００３０】
めっき槽２３は、めっき時に電圧が印加される半円形のアノード袋２８と、このアノード袋２８に同心円状に配設された回転ドラム２９と、この回転ドラム２９を回転駆動する駆動ロール３０と、この駆動ロール３０の回転を回転ドラム２９に伝達するエンドレスのチェーン３１と、回転ドラム２９の前後の空中に配置された給電ロール３２Ａ，３２Ｂとを備えている。
【００３１】
水洗槽２４は、めっき槽２３からのめっき層付きベース材１１に付着しているめっき液２２を洗い流すための水３３が満たされており、槽内には、めっき層付きベース材１１を底部近くまで介在させるためのガイドロール３４が配置されている。
【００３２】
加熱空気ブロワ２５は、水洗槽２４を出ためっき層付きベース材１１の表面に温風を吹き付けて水分を除去するための装置であり、モータ、ファン、及びヒータを備えて構成されている。
【００３３】
めっき用の電圧が印加される給電ロール３２Ａ，３２Ｂは、めっき槽２３と回転ドラム２９から十分離れた前後の２箇所であるため、電流密度の不均一による銅めっきの表面に粒による突起や異物付着により窪み等の欠陥を発生する確率が小さく、しかもサイズの制御が非常に容易になる。
【００３４】
因みに、図６に示した従来のめっき装置１００では、給電ロールが１０段以上に及ぶため、微妙な電流密度の不均一が生じ、銅電気めっき層３の表面に粒による突起や異物付着に窪み等の欠陥が発生しやすい。
【００３５】
給電ロール３２Ｂの後段にはベース材１１を水洗槽２４に導くためのガイドロール３５が配設され、水洗槽２４とダンサーロール２６の間にはガイドロール３６，３７が配設されている。更に、ダンサーロール２６と巻取ドラム２７の間にはガイドロール３８が配設されている。
【００３６】
（めっき装置の動作）
図４において、給電ドラム２１には、図２に示すベース材１０が巻き付けられている。ベース材１０は、給電ロール３２Ａを経由して回転ドラム２９の約半周に巻き付くようにしてめっき槽２３内を通過し、給電ロール３２Ｂを経由して取り出される。給電ロール３２Ａ，３２Ｂは、ベース材１０のシード層２に接触し、シード層２に直流電圧を印加する。給電ロール３２Ａ，３２Ｂとアノード袋２８の間に所定の電圧を印加することにより、ベース材１０のめっき液２２に接触するシード層２の表面が電気めっきされ、図３のように、銅電気めっき層３が形成される。
【００３７】
めっき槽２３によりメッキの済んだベース材１０は、めっき層付きベース材１１としてガイドロール３５を経由して水洗槽２４に搬入され、テープ表面のめっき液が洗い流される。めっき層付きベース材１１は水洗槽２４を出た直後、加熱空気ブロワ２５で乾燥が行われる。めっき層付きベース材１１は、ガイドロール３６，３７を経てダンサーロール２６に搬入され、ガイドロール３８を経て巻取ドラム２７に巻き取られる。このとき、ダンサーロール２６は、巻取ドラム２７の回転速度とめっき層付きベース材１１の搬送速度との調整をとり、めっき層付きベース材１１が張り過ぎたり、弛み過ぎたりしないようにしている。
【００３８】
なお、ベース材１０の幅は５００〜１０００ｍｍが望ましい。銅めっき装置２０は、ドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置であるほか、給電ロール３２Ａ，３２Ｂがめっき槽２３と回転ドラム２９から十分に離れた前後の２箇所にあるため、ベース材１０の幅に制限はない。したがって、めっき層付きベース材１１を効率良く製造するためには、ベース材１０の幅は５００〜１０００ｍｍの幅であることが望ましい。
【００３９】
図４に示しためっき装置２０は、図６のめっき装置に比べ、給電ロールの設置数を格段に少なくすることができる。このため、ベース材１０及びめっき層付きベース材１１の曲げ回数が大幅に減り、銅層（配線パターン）の剥離等を抑制できるため、５〜３０μｍの配線ピッチに対応できるようになる。更に、給電ロールは３２Ａ，３２Ｂの２つに限定したため、突起（銅めっき粒）や窪みの発生がほとんど無く、銅電気めっき層３が１２μｍ厚以上の銅めっきの表面品質を良好にすることができると共に、高速での銅めっきが可能になる。
【００４０】
［本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法］
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について説明する。ここでは、図３の構造のベース材１０を製作し、このベース材１０に銅配線パターンを形成して半導体装置用テープキャリアを製造する。
（第１の工程）
吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有する接着剤をポリイミドフィルム１の片面に塗布し、さらに塗布した前記接着剤に硬化処理を施して接着剤層４を形成する。
（第２の工程）
Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金及び銅層をスパッタによって順次接着剤層４上に設け、シード層２を形成する。
（第３の工程）
図４に示しためっき装置２０を用いて、シード層２の表面に銅電気めっき層３を形成する。これにより、図３に示した構造のベース材１０が完成する。
（第４の工程）
第３の工程で得られたベース材１０の銅電気めっき層３にフォトレジストパターンを形成した後、露光、現像を順次施し、更にエッチングにより配線パターンを形成する。
（第５の工程）
銅電気めっき層３上に残留しているフォトレジストを除去する。
（第６の工程）
銅電気めっき層３が被覆されるようにＳｎめっきを施す。以上により半導体装置用テープキャリアが完成する。
【００４１】
（実施の形態に係る製造方法の効果）
上記した半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、接着剤層と耐熱性を有するシード層の一方、又は両方を備えることにより、接着剤層による吸水率の低減、及びシード層の有する耐熱性によって、マイグレーション耐性の低下を抑制できるので、銅配線のピッチを微細化することができる。そして、図４に示した給電ロールの数が少ないめっき装置２０を用いて銅電気めっき層３を形成しているので、銅電気めっき層３の表面に疵が付いたり配線パターンが剥離するのを低減することができ、製品歩留りが向上する。
【実施例１】
【００４２】
次に、本発明の実施例１について説明する。
厚さ３８μｍ、幅１２００ｍｍの東レ・デュポン株式会社製の「カプトンＥＮ」をポリイミドフィルム１に用い、接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｖを用い、この接着剤をポリイミドフィルム１上に厚さ３μｍに塗布及び硬化させ、接着剤層４を形成した。この接着剤層４の表面にマグネトロン方式のスパッタ装置によりシード層２を０．２μｍの厚みに形成した。シード層２（スパッタ層）は、Ｎｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃｅ合金を１００Åの厚さに設け、更に銅層を０．２μｍの厚さにした。こうして得られたベース材１０に図４に示したメッキ装置２０により銅電気めっき層３を８μｍの厚さに形成しためっき層付きベース材１１を実施例１として作製した。また、図６に示した従来のメッキ装置１００によりベース材１０に銅電気めっき層を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材１１２を比較例１として作製した。
【００４３】
【表１】
2005294540.tif 000003
表１は、実施例１と比較例１の比較結果を示す。
表１に示すように、比較例１と実施例１の銅電気めっき層３の表面を比較すると、実施例１は突起（銅めっき粒）と窪みの発生は殆ど無く良好であった。
【００４４】
更に、ベース材１０を１０５ｍｍにスリット後、全幅にフォトレジストをロールコータで塗布し、予備硬化した後、投影露光機で配線ピッチ２５μｍのパターンを光反応させ、更にアルカリ現像を行って本硬化し、従来のエッチング法（ノズルは、噴出し圧力が、１．２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上）でエッチングし、厚さ８μｍの銅層（箔）にしたところ、歩留まりの良い製造が可能であった。銅層をエッチングした後、更に、Ｓｎめっきを施した。このＳｎめっきをベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良くテープキャリアを製造することができた。
【００４５】
この実施例１について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、それぞれの条件に対して１０００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層の場合の５００時間の２倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。
【実施例２】
【００４６】
次に、本発明の実施例２について説明する。
接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｖを用い、ポリイミドフィルム１に厚さ２５μｍの宇部興産株式会社製の「ユーピレックスＳ」を用いた。このポリイミドフィルム１を幅１０５ｍｍ幅にし、接着剤Ｖを厚さ３μｍにして塗付及び加熱硬化させて接着剤層４を形成した。この接着剤層４上にマグネトロン方式のスパッタ装置により、スパッタ層としてＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１Ｃａ合金層を厚さ１００Åに形成し、更に、銅スパッタ層（銅層）を、厚さ０．２μｍに形成した。
【００４７】
こうして得られたベース材１０に図４に示したメッキ装置２０により銅電気めっき層３を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材１１を実施例２として作製した。また、図６に示した従来のメッキ装置１００により前記ベース材１０に銅電気めっき層を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材を比較例２として作製した。
【００４８】
実施例２と比較例２の比較結果は、表１に示すようになり、実施例１と比較例１の場合と同じ結果が得られ、突起（銅めっき粒）及び窪みの発生は殆ど無く、良好であった。
【００４９】
さらに実施例２のベース材の全幅にロールコータでフォトレジストを塗布し、予備硬化した後、投影露光機で配線ピッチが２５μｍのパターンを光反応させた後、アルカリ現像を行い、本硬化した後、従来のエッチング法（ノズルは、噴出し圧力が、１．２ｋｇｆ／ｃｍ2以上）でエッチングし、厚さ８μｍの銅層にしたところ、歩留まり良く製造することができた。銅層をエッチングした後、更にＳｎめっきを実施した。このＳｎめっきをベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良くテープキャリアを製造することができた。
【００５０】
この実施例２について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、実施例１のＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃｅ及び実施例２のＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃａの組み合わせでは、前記それぞれの条件に対して１０００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層における５００時間に対し、２倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。
【００５１】
上記実施の形態においては、図１〜図３に示したように、接着層剤ありのフィルムテープを使用したが、図５に示したような接着剤レスのフィルムテープに対しても本発明を適用することができる。
【００５２】
また、銅電気めっき層３の形成は図４の構成によるめっき装置で行ったが、この構成に限定されものではなく、例えば、縦型あるいは横型の銅めっき層を数段に分けて行う方式の銅めっき装置であっても、配線ピッチが３０ミクロン以上であれば、表面品質は劣るものの適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。
【図４】本発明に係るめっき装置の構成を示す構成図である。
【図５】従来のＣＯＦにおけるベース材の構成を示す断面図である。
【図６】図５のシード層上に銅電気めっき層を形成するための従来のめっき装置の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ポリイミドフィルム（絶縁基板）
２  シード層
３  銅電気めっき層
４  着剤層
１０  ベース材
１１  めっき層付きベース材
２０  めっき装置
２１  供給ドラム
２２  めっき液
２３  めっき槽
２４  水洗槽
２５  加熱空気ブロワ
２６  ダンサーロール
２７  巻取ドラム
２８  アノード袋
２９  回転ドラム
３０  駆動ロール
３１  チェーン
３２Ａ，３２Ｂ  給電ロール
３３  水
３４  ガイドロール
３５  ガイドロール
３６，３７  ガイドロール
３８  ガイドロール
４０  ベース材
１００  めっき装置
１０１  供給ドラム
１０２  めっき槽
１０３  乾燥装置
１０４  巻取ドラム
１０５，１０７ａ〜１０７ｓ，１０９  ガイドロール
１０６ａ〜１０６ｊ  給電ロール
１０８ａ〜１０８ｉ  ダンサーロール
１１０  めっき液
１１２  めっき層付きベース材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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