(57)【要約】【課題】  信頼性を向上させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  透明基板上部の絶縁膜内に形成されたビアコンタクトホールを介して透明絶縁基板上部の第１領域及び第２領域の各薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のうちいずれか一つに接続される下部画素電極と、第１領域の下部画素電極上部全面に具備される反射膜パターンと、第１領域の下部画素電極及び反射膜パターンの上部と第２領域の下部画素電極上部に具備される上部画素電極と、上部画素電極上部に具備されて少なくとも発光層を具備する有機膜層と、有機膜層上部に具備される対向電極を含んで形成された有機電界発光表示素子では、下部画素電極と上部画素電極間に銀を利用して反射膜パターンを形成することによって反射膜パターンと絶縁膜間の界面特性を向上させて、コンタクト領域での電気的特性を向上させることができる。【選択図】  図２Ｂ
2005340168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板上部の第１領域及び第２領域に、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む複数個の薄膜トランジスタと、
前記透明絶縁基板上部の絶縁膜内に形成された複数個のビアコンタクトホールを介して前記第１領域及び第２領域ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つにそれぞれ接続される下部画素電極と、
前記第１領域の下部画素電極上部全面に具備される反射膜パターンと、
前記第１領域の反射膜パターン上部と前記第２領域の下部画素電極上部に具備される上部画素電極と、
前記上部画素電極上部に具備されて少なくとも発光層を具備する有機膜層と、
前記有機膜層上部に具備される対向電極を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記絶縁膜は、保護膜と平坦化膜の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記下部画素電極の厚さは、１００〜１０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記反射膜パターンは、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）で構成される群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
前記反射膜パターンは、銀（Ａｇ）で形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項７】
前記反射膜パターンの厚さは、５００〜３０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項８】
前記上部画素電極の厚さは、１０〜３００Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項９】
前記上部画素電極の厚さは、２０〜１００Åであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１０】
前記第１領域の対向電極は透明電極であって、第２領域の対向電極は透明電極または反射電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１１】
第１領域及び第２領域で構成される透明絶縁基板上部にそれぞれゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する工程と、
全体表面上部に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をフォトエッチング工程でエッチングして前記第１領域及び第２領域上に形成されたソース／ドレイン電極のうちいずれか一つの電極をそれぞれ露出させる複数個のビアコンタクトホールを形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つに接続される下部画素電極を形成する工程と、
前記第１領域の下部画素電極上部全面に反射膜パターンを形成する工程と、
前記第１領域の反射膜パターン上部及び第２領域の下部画素電極上部に上部画素電極を形成する工程と、
前記上部画素電極上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と、
前記有機膜上部に対向電極を形成する工程を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜は、保護膜と平坦化膜の積層構造で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ビアコンタクトホールは、２回にわたるフォトエッチング工程で形成されることを特徴とする請求項１１ないし１３のうちいずれか一つの項に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記下部画素電極は、１００〜１０００Å厚さに形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１６】
前記反射膜パターンは、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）で構成される群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１７】
前記反射膜パターンは、銀（Ａｇ）で形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１８】
前記反射膜パターンの厚さは、５００〜３０００Åで形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１９】
前記上部画素電極の厚さは、１０〜３００Åで形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２０】
前記上部画素電極の厚さは、２０〜１００Åで形成されることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第１領域の対向電極は透明電極であって、第２領域の対向電極は透明電極または反射電極で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、さらに詳細には銀（Ａｇ）で形成された反射膜が介在した画素電極を具備する有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機電界発光表示素子は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光するようにする自発光型表示素子である。これはマトリックス形態で配置されたＮ×Ｍ個の画素（ｐｉｘｅｌ）を駆動する方式によってパッシブマトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式とアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式に分けられる。前記アクティブマトリックス方式の有機電界発光表示（ＡＭＯＬＥＤ）素子はパッシブマトリックス方式に比べて電力消費が少なく、大面積を実現するのに適し、高解像度を有するという長所がある。
【０００３】
前記有機電界発光表示素子は、有機化合物から発光した光の放出方向によって前面発光型または背面発光型の有機電界発光表示素子と、前記前面発光型及び背面発光型が同時に具備される有機電界発光表示素子に分けられる。前記前面発光型有機電界発光表示素子は、前記背面発光型とは違って前記単位画素が位置した基板反対方向に光を放出させる装置で開口率が大きいという長所がある。
【０００４】
素子の小型化及び低電力化にしたがって前面発光型である主表示窓と背面発光型である補助表示窓が同時に具備される有機電界発光表示素子の需要が増加している。このような有機電界発光表示素子は主に携帯電話に使われており、外側には補助表示窓が設けられて、内側には主表示窓が設けられる。特に前記補助表示窓は、主表示窓に比べて電力が少なくて済み、携帯電話の通話待機状態時に連続してオン（ｏｎ）状態を維持するため、受信状態、バッテリー残余量及び時間などを随時に観察することができる。
【０００５】
図１Ａは、従来技術により形成された有機電界発光表示素子を示した断面図である。
【０００６】
先に、透明絶縁基板１００上部に所定厚さの緩衝膜１１０を形成して、多結晶シリコンパターン１２２、ゲート電極１３２及びソース／ドレイン電極１５０、１５２を具備する薄膜トランジスタを形成する。この時、前記多結晶シリコンパターン１２２の両側に不純物が注入されたソース／ドレイン領域１２０が具備される。そして、前記多結晶シリコンパターン１２２を含んだ全体表面上部にはゲート絶縁膜１３０が具備される。
【０００７】
その次に、全体表面上部に所定厚さの保護膜１６０を形成する。続いて、フォトエッチング工程で前記保護膜１６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極１５０、１５２のうちいずれか一つ、例えばドレイン電極１５２を露出させる第１ビアコンタクトホール（図示せず）を形成する。前記保護膜１６０は、無機絶縁膜としてシリコン窒化物、シリコン酸化物またはその積層構造を使うことができる。
【０００８】
次に、全体表面上部に第１絶縁膜１７０を形成する。前記第１絶縁膜１７０はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）及びアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）で構成された群から選択される１種の物質で形成することができて、画素領域の平坦化のために形成されたのである。
【０００９】
続いて、フォトエッチング工程で前記第１絶縁膜１７０をエッチングして前記第１ビアコンタクトホールを露出させる第２ビアコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００１０】
次に、全体表面上部に反射膜（図示せず）と画素電極用薄膜（図示せず）の積層構造を形成する。この時、前記反射膜はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはこれら金属の合金等のように反射率が高い金属のうち一つを用いて形成される。前記のように反射膜を形成する場合、前面発光型有機電界発光素子が形成され、前記反射膜を後続工程で形成する場合には背面発光型有機電界発光素子が形成される。
【００１１】
そして、前記画素電極用薄膜はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のように透明な金属物質を用いて１０〜３００Å厚さに形成される。
【００１２】
続いて、フォトエッチング工程で前記積層構造をエッチングして画素電極１８２及び反射膜パターン１８０ａを形成する。
【００１３】
その後、全体表面上部に発光領域を定義する第２絶縁膜パターン１９０を形成する。前記第２絶縁膜パターン１９０はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール系樹脂（ｐｈｅｎｏｌ  ｒｅｓｉｎ）及びアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）で構成された群から選択される１種の物質で形成することができる。
【００１４】
続いて、前記第２絶縁膜パターン１９０により定義された画素領域に低分子蒸着法またはレーザー熱転写法で発光層１９２を形成する。その後対向電極（図示せず）などを形成して有機電界発光表示素子を形成する。この時、前面発光型有機電界発光素子である場合、前記対向電極は、透明電極または透明金属電極で形成されて、背面発光型有機電界発光素子である場合、反射膜を具備する金属電極または反射電極で形成される。
【００１５】
上述したように、前面発光型有機電界発光表示素子は、反射膜パターンと画素電極を積層構造で形成する場合、フォトエッチング工程に使われる電解質溶液に同時に露出して前記積層構造のうち起電力が大きい物質が腐蝕されるガルバニック現象が発生して画素電極を損傷させる。これによって輝度が低下する等光特性が低下する問題点が発生した。
【００１６】
図１Ｂは、他の従来技術により形成された有機電界発光表示素子の断面図で、前記有機電界発光表示素子は、上記の問題点を解決するために反射膜パターン１８０ｂをアイランド（ｉｓｌａｎｄ）構造で形成したものになっている。これによって反射膜パターン１８０ｂと画素電極１８２がフォトエッチング工程に使われる電解質溶液に同時に露出することを防止することができる。
【００１７】
上述したように、前面発光型有機電界発光表示素子は、光の共振効果を利用するので画素電極の厚さを可能な限り薄く形成して色座標調節を容易にすることが重要である。しかし、画素電極を薄く形成する場合、ビアコンタクトホールの段差で短絡が起きるという不良が発生する可能性がある。また、前面発光型有機電界発光表示素子と背面発光型有機電界発光表示素子とを同時に具備する有機電界発光表示素子の製造時、前面発光型と背面発光型の有機電界発光素子に同じ厚さの画素電極を用いるようになれば、抵抗増加により光特性が低下する問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであって、下部画素電極、銀を利用した反射膜パターン及び上部画素電極の積層構造を具備する第１領域と、下部画素電極及び上部画素電極の積層構造を具備する第２領域が同時に具備されて素子の信頼性を向上させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記のような目的を達成するための本発明による有機電界発光表示素子は、
透明絶縁基板上部の第１領域及び第２領域にゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む複数個の薄膜トランジスタと、
前記透明絶縁基板上部の絶縁膜内に形成された複数個のビアコンタクトホールを介して前記第１領域及び第２領域ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つにそれぞれ接続される下部画素電極と、
前記第１領域の下部画素電極上部全面に具備される反射膜パターンと、
前記第１領域の反射膜パターン上部と前記第２領域の下部画素電極上部に具備される上部画素電極と、
前記上部画素電極上部に具備されて少なくとも発光層を具備する有機膜層と、
前記有機膜層上部に具備される対向電極を含むことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記絶縁膜は保護膜と平坦化膜の積層構造であることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記絶縁膜は無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造であることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記下部画素電極の厚さは１００〜１０００Åであることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記反射膜パターンは銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）で構成される群から選択される一つで形成されることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記反射膜パターンは銀（Ａｇ）で形成されることを特徴とする。
【００２５】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記反射膜パターンの厚さは５００〜３０００Åであることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記上部画素電極の厚さは１０〜３００Åであることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記上部画素電極の厚さは２０〜１００Åであることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明による有機電界発光表示素子は、前記第１領域の対向電極は透明電極であって、第２領域の対向電極は透明電極または反射電極であることを特徴とする。
【００２９】
また、前記のような目的を達成するための本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、
第１領域及び第２領域で構成される透明絶縁基板上部にゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する工程と、
全体表面上部に絶縁膜を形成する工程と、
フォトエッチング工程で前記絶縁膜をエッチングして前記第１領域及び第２領域のソース／ドレイン電極のうちいずれか一つの電極をそれぞれ露出させる複数個のビアコンタクトホールを形成する工程と、
前記ビアコンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つに接続される下部画素電極を形成する工程と、
前記第１領域の下部画素電極上部全面に反射膜パターンを形成する工程と、
前記第１領域の反射膜パターン上部及び第２領域の下部画素電極上部に上部画素電極を形成する工程と、
前記上部画素電極上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と、
前記有機膜上部に対向電極を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記絶縁膜を保護膜と平坦化膜の積層構造で形成することを特徴とする。
【００３１】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記絶縁膜を無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造で形成することを特徴とする。
【００３２】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記ビアコンタクトホールを２回にわたるフォトエッチング工程で形成することを特徴とする。
【００３３】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記下部画素電極を１００〜１０００Å厚さに形成することを特徴とする。
【００３４】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記反射膜パターンを銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）及びパラジウム（Ｐｄ）で構成される群から選択した一つで形成することを特徴とする。
【００３５】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記反射膜パターンを銀（Ａｇ）で形成することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記反射膜パターンの厚さを５００〜３０００Åで形成することを特徴とする。
【００３７】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記上部画素電極の厚さを１０〜３００Åで形成することを特徴とする。
【００３８】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記上部画素電極の厚さを２０〜１００Åで形成することを特徴とする。
【００３９】
また、本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、前記第１領域の対向電極を透明電極で形成し、第２領域の対向電極を透明電極または反射電極で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明してきた特徴によれば、本発明は、二重構造の画素電極間に銀（Ａｇ）を利用した反射膜パターンを介装して反射度を向上させ、画素電極の接合領域で抵抗が増加する現象を防止して、段差部分で画素電極が断線される等の不良を防止して素子の特性及び信頼性を向上できるという利点がある。
すなわち、本発明によれば、透明基板上部の絶縁膜内に形成されたビアコンタクトホールを介して透明絶縁基板上部の第１領域及び第２領域の各薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のうちいずれか一つに接続される下部画素電極と、第１領域の下部画素電極上部全面に具備される反射膜パターンと、第１領域の下部画素電極及び反射膜パターンの上部と第２領域の下部画素電極上部に具備される上部画素電極と、上部画素電極上部に具備されて少なくとも発光層を具備する有機膜層と、有機膜層上部に具備される対向電極を含んで形成された有機電界発光表示素子では、下部画素電極と上部画素電極間に銀を利用して反射膜パターンを形成することによって反射膜パターンと絶縁膜間の界面特性を向上させて、コンタクト領域での電気的特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４２】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明による有機電界発光表示素子の断面図であって、透明絶縁基板２００は、第１領域Ａと第２領域Ｂで構成されていてそれぞれ相異なる構造の画素電極が具備されている。
【００４３】
前記第１領域Ａには、下部画素電極２８２ａと、前記下部画素電極２８２ａ上部全面に形成された反射膜パターン２８０と前記下部画素電極２８２ａ及び反射膜パターン２８０上に形成された上部画素電極２８２ｂの積層構造が具備される。この時、前記下部画素電極２８２ａは上部画素電極２８２ｂより厚く形成されて、前記反射膜パターン２８０は銀（Ａｇ）で形成されかつ前記下部画素電極２８２ａ及び上部画素電極２８２ｂのような領域に形成される。
【００４４】
そして、前記第２領域Ｂには、下部画素電極２８２ａと上部画素電極２８２ｂの積層構造が具備される。この時、前記下部画素電極２８２ａは抵抗が増加して光特性を低下させない程度の厚さで形成する。
【００４５】
本発明による有機電界発光表示素子は次のような方法で形成される。
【００４６】
先に、ガラス、石英、サファイアなどの透明絶縁基板２００に第１領域Ａ及び第２領域Ｂを定義する。参考に、前記第１領域Ａの反射膜形成工程を除外した以後すべての工程は第１領域Ａ及び第２領域Ｂに同時に実施される。
【００４７】
次に、前記透明絶縁基板２００の全面にシリコン酸化物をプラズマ−強化化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）方法で所定厚さの緩衝膜２１０を形成する。この時、前記緩衝膜２１０は、後続工程で形成される非晶質シリコン層の結晶化工程時に、前記透明絶縁基板２００内の不純物が拡散することを防止する。
【００４８】
次に、前記緩衝膜２１０上部に、所定厚さの非晶質シリコン層（図示せず）を蒸着して、前記非晶質シリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法を用いて結晶化する。その後フォトエッチング工程でパターニングして単位画素内の薄膜トランジスタ領域に多結晶シリコンパターン２２２を形成する。前記多結晶シリコンパターン２２２の領域は、後続工程で形成されるソース／ドレイン領域２２０まで含む。
【００４９】
その次に、全体表面上部に所定厚さのゲート絶縁膜２３０を形成する。前記ゲート絶縁膜２３０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはその積層構造で形成することができる。
【００５０】
前記ゲート絶縁膜２３０上部にゲート電極物質で使われる金属膜（図示せず）を形成する。この時、前記金属膜はアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）のようなアルミニウム合金の単一層や、クロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）合金上にアルミニウム合金が積層された多重層で形成されることができる。続いて、フォトエッチング工程で前記金属膜をエッチングしてゲート電極２３２を形成する。その後、前記ゲート電極２３２両側下部の多結晶シリコンパターン２２２に不純物をイオン注入してソース／ドレイン領域２２０を形成する。
【００５１】
次に、全体表面上部に所定厚さの層間絶縁膜２４０を形成する。一般に前記層間絶縁膜２４０はシリコン窒化膜が使われる。
【００５２】
その次に、フォトエッチング工程で前記層間絶縁膜２４０及びゲート絶縁膜２３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域２２０を露出させるコンタクトホール（図示せず）を形成する。前記コンタクトホールを含んだ全体表面上部に電極物質を形成して、フォトエッチング工程で前記電極物質をエッチングして前記ソース／ドレイン領域２２０に接続されるソース／ドレイン電極２５０、２５２を形成する。この時、前記電極物質としてはモリブデンータングステン（ＭｏＷ）またはアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）が利用でき、その積層構造を使うことができる。
【００５３】
その次に、全体表面上部にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはその積層構造を所定厚さ蒸着して保護膜２６０を形成する。
【００５４】
続いて、フォトエッチング工程で前記保護膜２６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極２５０、２５２のうちいずれか一つ、例えばドレイン電極２５２を露出させる第１ビアコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００５５】
全体表面上部に第１絶縁膜２７０を形成する。前記第１絶縁膜２７０は、薄膜トランジスタ領域が完全に平坦化される程度の厚さに形成される。そして、前記第１絶縁膜２７０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）及びアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）で構成された群から選択される１種の物質で形成されることができる。
【００５６】
次に、フォトエッチング工程で前記第１絶縁膜２７０をエッチングして前記第１ビアコンタクトホールを介してソース／ドレイン電極２５０、２５２のうちいずれか一つを露出させる第２ビアコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００５７】
その次に、全体表面上部に下部画素電極用薄膜（図示せず）を形成する。前記下部画素電極用薄膜はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３またはＳｎ２Ｏ３のように透明な金属電極を用いて１００〜１０００Å厚さに形成する。前記下部画素電極用薄膜は、第１領域では反射膜と第１絶縁膜２７０間の界面特性、すなわち接着性を向上させて、第２領域では抵抗増加を防止するために形成される。
【００５８】
次に、フォトエッチング工程で前記下部画素電極用薄膜をエッチングして下部画素電極２８２ａを形成する。前記下部画素電極２８２ａは、第２ビアコンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン電極２５０、２５２のうちいずれか一つ、例えばドレイン電極２５２に接続される。
【００５９】
その次に、全体表面上部に反射膜（図示せず）を形成する。この時、前記反射膜は、反射度が８０％である銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）またはプラチナ（Ｐｔ）などで形成することができて、望ましくは銀（Ａｇ）で形成する。前記反射膜は５００〜３０００Å厚さに形成される。
【００６０】
次に、フォトエッチング工程で前記反射膜をエッチングして前記第１領域Ａの下部画素電極２８２ａ上部全面に反射膜パターン２８０を形成する。前記反射膜パターン２８０は、第１領域Ａで光を反射する役割をし、輝度と光効率を増加させる目的で形成されたもので、第２領域Ｂには形成しない。（図２Ａ参照）
【００６１】
その次に、全体表面上部に上部画素電極用薄膜（図示せず）を形成する。前記上部画素電極用薄膜は１０〜３００Å厚さに形成され、望ましくは２０〜１００Å厚さに形成して色座標調節を容易にする。
【００６２】
次に、フォトエッチング工程で前記上部画素電極用薄膜をエッチングして上部画素電極２８２ｂを形成する。前記上部画素電極２８２ｂは、前記第１領域Ａで反射膜パターン２８０の上部及び側面に形成され、第２領域Ｂでは前記下部画素電極２８２ａ上部に形成される。すなわち、前記第１領域Ａには下部画素電極２８２ａ、反射膜パターン２８０及び上部画素電極２８２ｂで形成された三重構造の画素電極が形成されて、前記第２領域Ｂには下部画素電極２８２ａと上部画素電極２８２ｂで形成された二重構造の画素電極が形成される。
【００６３】
その次に、全体表面上部に第２絶縁膜（図示せず）を形成する。
【００６４】
その後、フォトエッチング工程で前記第２絶縁膜をエッチングして発光領域を定義する第２絶縁膜パターン２９０を形成する。
【００６５】
続いて、前記第２絶縁膜パターン２９０により露出した発光領域に発光層２９２を形成する。前記発光層２９２は低分子蒸着法またはレーザー熱転写法により形成される。前記発光層２９２は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層及び有機発光層から選択される少なくとも一つ以上の薄膜で形成できる。（図２Ｂ参照）
【００６６】
図示していないが、対向電極を形成して有機電界発光素子を完成する。この時、前記対向電極は、第１領域Ａでは透明電極または透明金属電極で形成でき、第２領域Ｂでは反射膜が積層された透明電極または反射電極で形成できる。そして、前記第２領域Ｂの対向電極を前記第１領域Ａの対向電極のように透明電極または透明金属電極で形成することもできる。
【００６７】
図３は、反射膜の種類による反射度を示したグラフ図であって、反射膜としてＡｌＮｄを用いた場合（Ｘ）、反射膜であるＡｌＮｄ上部にＩＴＯを形成した場合（Ｙ）、そして反射膜で銀（Ａｇ）を用いた場合（Ｚ）の、光の波長による反射度を示す。ここで、前記反射膜で銀（Ａｇ）が使われた場合（Ｚ）では、銀（Ａｇ）としては、銀の合金の一つであるＡＴＤ−３０（商品名）が用いられた。グラフに示したように反射膜で銀（Ａｇ）を用いた場合（Ｚ）、光の波長に関係なく反射度が、反射膜としてＡｌＮｄを用いた場合（Ｘ）と、反射膜であるＡｌＮｄ上部にＩＴＯを形成した場合（Ｙ）に比べて、１５％程度高いことが分かる。
【００６８】
そして、図４は、反射膜の種類と画素電極の厚さによる反射度を示したグラフ図であって、反射膜で銀（Ａｇ）を用いた場合（Ｘ′、Ｙ′）と、ＡｌＮｄを用いた場合（Ｚ′）の、光の波長による反射度を示す。この図で、前記銀（Ａｇ）上部に形成される画素電極の厚さが１２５Åである場合（Ｘ′）と、２５０Åである場合（Ｙ′）の光の波長による反射度が表されている。反射膜上部に形成される画素電極の厚さが２５０Åである場合、光の波長が５００以下程度である短波長領域で反射度が顕著に低下する。このことから、反射膜として銀（Ａｇ）を用いる場合、前記反射膜上部に形成される画素電極の厚さが薄いほど光の波長によって反射度の変化が少ないことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１Ａ】従来技術により形成された有機電界発光表示素子を示した断面図である。
【図１Ｂ】他の従来技術により形成された有機電界発光表示素子を示した断面図である。
【図２Ａ】本発明による有機電界発光表示素子の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明による有機電界発光表示素子の製造方法を示した断面図である。
【図３】反射膜の種類によった反射度を示したグラフの図である。
【図４】反射膜の種類と画素電極の厚さによる反射度を示したグラフの図である。
【符号の説明】
【００７０】
１００、２００：透明絶縁基板
１１０、２１０：緩衝膜
１２０、２２０：ソース／ドレイン領域
１２２、２２２：多結晶シリコンパターン
１３０、２３０：ゲート絶縁膜
１３２、２３２：ゲート電極
１４０、２４０：層間絶縁膜
１５０、２５０：ソース電極
１５２、２５２：ドレイン電極
１６０、２６０：保護膜
１７０、２７０：第１絶縁膜
１８０ａ、１８０ｂ、２８０：反射膜パターン
１８２：画素電極
２８２ａ：下部画素電極
２８２ｂ：上部画素電極
１９０、２９０：第２絶縁膜パターン
１９２、２９２：発光層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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