(57)【要約】【課題】  寸法精度よくマスクを形成することが可能であり、また寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクの製造方法を提供する。【解決手段】  面方位（１，０，０）のＳＯＩ基板１２における単結晶シリコン基板２０をエッチングしてパターン描画部を開口させ、ＳＯＩ基板１２の単結晶シリコン層４０をエッチングしてパターン開口部４２を形成する工程と、単結晶シリコン基板２０のエッチングにより露出した酸化シリコン層３０を除去する工程と、を有する。【選択図】        図１
2005294206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン描画部における厚さが他の部分より薄い、パターン描画用のマスクを製造する方法であって、
第１マスク材料基板の表面に、前記第１マスク材料のエッチング停止層を形成し、前記エッチング停止層の表面に、前記パターン描画部と同等の厚さの第２マスク材料層を形成する工程と、
前記第１マスク材料基板をエッチングして前記パターン描画部を開口させ、前記第２マスク材料層をエッチングしてパターン開口部を形成する工程と、
少なくとも前記パターン開口部に配置された前記エッチング停止層を除去する工程と、
を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１マスク材料は、単結晶シリコンであり、
前記エッチング停止層は、酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第２マスク材料層は、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層であり、
前記エッチング停止層を除去する工程の後に、前記第２マスク材料層における前記パターン開口部の形成領域に貫通孔を形成する工程と、前記第１マスク材料基板側から前記第２マスク材料層をエッチングする工程と、を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔の形成は、レーザを照射することによって行うことを特徴とする請求項３に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記第２マスク材料層は、面方位（１，１，０）の単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項６】
前記パターンは、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリットパターンであることを特徴とする請求項５に記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記第１マスク材料基板および／または前記第２マスク材料層のエッチングは、１０重量％以上３０重量％未満のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより行うことを特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれかに記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のマスクの製造方法を使用して製造したことを特徴とするマスク。
【請求項９】
請求項８に記載のマスクを使用して形成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの製造方法、マスク、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
低分子有機ＥＬ装置では、ガラス基板上に低分子有機材料からなる発光層が形成されている。その低分子有機材料からなる発光層は、蒸着法によって形成されている。蒸着法は、蒸着材料を高真空中で加熱蒸発させ、基板上に薄膜として凝着させる方法である。
蒸着法による発光層の形成は、ドット領域以外の領域に対する有機材料の付着を防止するため、蒸着マスクを配置して行われている。この蒸着マスクとして、従来はメタルマスクが使用されていた（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このメタルマスクとガラス基板とは熱膨張係数差が大きいため、特に画像表示領域の端部付近では、ドット領域からずれた位置に発光層が蒸着されてしまうという問題があった。
【０００３】
そこで、ガラス基板との熱膨張係数差が小さく、しかもＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により精度良く加工することが可能な、単結晶Ｓｉウエハを用いた蒸着マスクの開発が行われている。特許文献２では、面方位（１，０，０）の単結晶シリコンウエハを用いて蒸着マスクが形成されている。この単結晶シリコンウエハの厚さは１８０μｍとされ、複数のパターン開口部が形成されるバターン描画部の厚さは２０μｍとされている。このようなパターン描画部の薄肉化には、一般にウエットエッチングが用いられている。そして、パターン描画部を薄肉化することにより、斜め方向から飛来する蒸着材料をパターン開口部に入射させてガラス基板面に蒸着させることが可能になり、蒸着膜の寸法精度の向上を図ることができるようになっている。
【特許文献１】特開２００１−９３６６７号公報
【特許文献２】特開平４−２３６７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した蒸着マスクでは、ＭＥＭＳ技術により平面寸法の精度を確保することができるものの、厚さ寸法の精度を確保することが困難であるという問題がある。すなわち、蒸着マスクのパターン描画部を所定の厚さに形成するため、単結晶シリコンウエハをエッチングする際に、パターン描画部の中央部が周縁部に比べて厚くなる傾向にあり、例えば±１０μｍ程度のばらつきが避けられないのである。そして、蒸着マスクにおけるパターン描画部の厚さがばらついた場合には、斜め方向から飛来する蒸着材料を安定してパターン開口部に入射させることが困難になり、ガラス基板面に蒸着されたパターンの寸法精度を確保することが困難になる。その結果、低分子有機ＥＬ装置等の表示品質を低下させることになる。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、寸法精度よくマスクを形成することが可能であり、また寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクの製造方法、および寸法精度のよいマスクの提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電気光学装置および電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明のマスクの製造方法は、パターン描画部における厚さが、前記パターン描画部以外の領域における厚さより薄いマスクを製造する方法であって第１マスク材料からなる基板の表面に、前記第１マスク材料のエッチング停止層を形成し、前記エッチング停止層の表面に、前記パターン描画部と同等の厚さの第２マスク材料からなる層を形成する工程と、前記第１マスク材料基板をエッチングして前記パターン描画部に開口部を形成し、前記第２マスク材料層をエッチングして前記パターンの開口部を形成する工程と、少なくとも前記パターン開口部に配置された前記エッチング停止層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、第１マスク材料基板のエッチングをエッチング停止層で停止させることができるので、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することが可能になる。したがって、寸法精度よくマスクを形成することができる。これにより、マスクに対して斜め方向から飛来するパターン材料を、再現性よくパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【０００７】
また、前記第１マスク材料は、単結晶シリコンであり、前記エッチング停止層は、酸化シリコンからなることが望ましい。
この構成によれば、公知技術で形成可能なＳＯＩ基板をマスク基材として利用することが可能になり、低コストでマスクを製造することができる。
【０００８】
また、前記第２マスク材料層は、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層であり、前記エッチング停止層を除去する工程の後に、前記第２マスク材料層における前記パターン開口部の形成領域に貫通孔を形成する工程と、前記第１マスク材料基板側から前記第２マスク材料層をエッチングする工程と、を有する構成としてもよい。
この構成によれば、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。この場合、マスクの斜め方向から飛来するパターン材料を、確実にパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【０００９】
なお、前記貫通孔の形成は、レーザを照射することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、所定の位置に対して簡単に貫通孔を形成することができる。
【００１０】
また、前記第２マスク材料層は、面方位（１，１，０）の単結晶シリコン層である構成としてもよい。
この構成によれば、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の垂直面で構成される。この場合、パターン描画部におけるマスクの断面積が大きくなり、マスクの強度を確保することが可能になる。これに伴って、パターン描画部におけるマスクの厚さを薄くすることができる。これにより、マスクの斜め方向から飛来するパターン材料を、確実にパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００１１】
なお、前記パターンは、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリットパターンであることが望ましい。
上記発明では、マスクの強度を確保することができるので、長いスリットパターンを形成することも可能である。そして、長いスリットパターンを形成すれば、電気光学装置のドット領域に機能性薄膜のパターンを描画する際に、その長手方向に対するマスクの厳密な位置合わせが不要になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００１２】
また、前記第１マスク材料基板および／または前記第２マスク材料層のエッチングは、１０重量％以上３０重量％未満のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより行うことが望ましい。
この水溶液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものである。したがって、寸法精度よくマスクを形成することができる。
【００１３】
一方、本発明のマスクは、上述したマスクの製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、寸法精度のよいマスクを低コストで提供することができる。
【００１４】
一方、本発明の電気光学装置は、上述したマスクを使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、電気光学装置を精度よく製造することが可能になり、表示品質に優れた電気光学装置を提供することができる。
【００１５】
一方、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１７】
［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態に係るマスクおよびその製造方法につき、図１ないし図３を用いて説明する。
図１は第１実施形態に係るマスクの説明図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線における側面断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＢ部における拡大図である。図１（ｂ）に示すように、第１実施形態に係るマスク１０は、パターン描画部１４に開口２２が形成された面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０と、その単結晶シリコン基板２０の表面に配置された酸化シリコン層３０と、その酸化シリコン層３０の表面に配置されパターン開口部４２が形成された面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０とを有するものである。なお、面方位（１，０，０）の面とは、ミラー指数（１，０，０）の面と同義である。
【００１８】
［マスク］
図１（ｃ）に示すように、第１実施形態に係るマスク１０は、いわゆるＳＯＩ（Silicon on Insulating substrate）基板１２から形成されている。すなわち、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０の表面に酸化シリコン層３０が配置され、その酸化シリコン層３０の表面に面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０が配置されている。一例を挙げれば、単結晶シリコン基板２０は厚さ４００μｍに形成され、酸化シリコン層３０は厚さ０．１μｍに形成されている。また、パターン描画部におけるマスク１０の強度を確保するため、単結晶シリコン層４０の厚さは１２０μｍに形成されている。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、上記ＳＯＩ基板１２の中央部がパターン描画部１４に設定されている。そのパターン描画部１４では、単結晶シリコン基板２０および酸化シリコン層３０に開口２２，３２が形成されている。これにより、マスク１０のパターン描画部１４は、単結晶シリコン層４０のみで構成されている。すなわち、単結晶シリコン層４０の厚さは、パターン描画部１４におけるマスク１０の厚さと同一に形成されている。そして、パターン描画部１４の周囲に配置された単結晶シリコン基板２０により、マスク全体の強度が確保されている。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、単結晶シリコン層のパターン描画部１４には、複数のパターン開口部４２が形成されている。各パターン開口部４２はストライプ状に形成され、マトリクス状に整列配置されている。また図１（ｂ）に示すように、各パターン開口部４２の側壁４２ａは、面方位（１，１，１）の傾斜面で構成されている。
【００２１】
［マスクの製造方法］
次に、第１実施形態に係るマスクの製造方法につき、図２および図３を用いて説明する。図２および図３は、第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。
まず、図２（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１２を形成する。ＳＯＩ基板１２の形成方法として、ウエハの貼り合わせによる方法や、酸素イオンをシリコン基板に打ち込んで内部に酸化層を形成するＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）法などの公知の方法がある。ＳＩＭＯＸ法を採用する場合には、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０の表面から酸素イオンを打ち込んで、単結晶シリコン基板２０の内部に酸化シリコン層３０を形成する。そして、この酸化シリコン層３０により、単結晶シリコン基板２０から面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０が区画される。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１２の表面に、耐アルカリエッチング層を形成する。耐アルカリエッチング層として、具体的には酸化シリコン膜１６を形成する。酸化シリコン膜１６は、ＳＯＩ基板１２の表面全体を熱酸化することによって簡単に形成することが可能である。特に、湿式熱酸化法を採用すれば、緻密な酸化シリコン膜１６を形成することができる。なお酸化シリコン膜１６に代えて、ＣＶＤ法等により窒化シリコン膜を形成してもよく、またスパッタ法等により金／クロムなどの金属膜を形成してもよい。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜１６をパターニングして、第１エッチングマスク２４および第２エッチングマスク４４を形成する。
まず、単結晶シリコン基板２０のパターン描画部を開口させるための第１エッチングマスク２４を形成する。第１エッチングマスク２４は、単結晶シリコン基板２０の表面に配置された酸化シリコン膜１６に、パターン描画部の形状をパターニングしたものである。このパターニングは、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコン膜１６のエッチングを利用して行う。なお、酸化シリコン膜１６のエッチングは、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液をエッチング液とするウエットエッチングによって行うことが可能である。
一方、単結晶シリコン層４０にパターン開口部を形成するための第２エッチングマスク４４を形成する。第２エッチングマスク４４は、単結晶シリコン層４０の表面に配置された酸化シリコン膜１６に、パターン開口部の形状をパターニングしたものである。このパターニングも上記と同様に、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコン膜１６のエッチングを利用して行う。なお、第１エッチングマスク２４および第２エッチングマスク４４は同時に形成することも可能であり、これにより第１実施形態に係るマスクを効率的に製造することができる。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１エッチングマスク２４を介して単結晶シリコン基板２０をエッチングし、第２エッチングマスク４４を介して単結晶シリコン層４０をエッチングする。これらのエッチングは、有機アミン系アルカリ水溶液、例えば１０重量％以上３０重量％未満（特に、１０重量％以上２０重量％未満）のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行うことが望ましい。なお、この水溶液を８０℃程度に加熱して使用してもよい。このエッチング液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものである。したがって、酸化シリコンからなる第２エッチングマスク４４を介することにより、単結晶シリコン層４０を精度よくエッチングすることが可能になる。また、このエッチング液は、カリウムやナトリウムを使用しない有機アルカリのため、蒸着時におけるＴＦＴ基板のカリウム汚染やナトリウム汚染を防止することができる。
【００２５】
このエッチング液中にＳＯＩ基板１２を浸漬すると、エッチングレートが小さい面方位（１，１，１）の傾斜面と平行に、異方性エッチングが進行する。その結果、単結晶シリコン層４０のエッチングは、第２エッチングマスク４４の開口端部まで進行した時点で停止する。一方、単結晶シリコン基板２０のエッチングが進行すると、酸化シリコン層３０が露出する。ところが、上述したエッチング液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものであり、酸化シリコン層３０をエッチングしない。すなわち、酸化シリコン層３０は単結晶シリコン基板２０のエッチング停止層として機能する。これにより、エッチングの時間管理を行うことなく、単結晶シリコン基板２０のエッチングを所定位置で停止させることができる。
【００２６】
なお、上述した有機アミン系アルカリ水溶液以外であっても、水酸化カリウム水溶液以外の無機アルカリ水溶液、例えばアンモニア水をエッチング液として使用することも可能である。また、本発明はカリウムを含むエッチング液を除外するものではなく、例えば１５％の水酸化カリウム溶液を８０℃程度に加熱して、エッチング液として使用することも可能である。
【００２７】
次に、図３（ｅ）に示すように、単結晶シリコン基板２０のエッチングにより露出した酸化シリコン層３０を除去する。露出した酸化シリコン層３０の除去は、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコンのエッチングを利用して行う。酸化シリコンのエッチングは、ＣＨＦ３ガスをエッチングガスとするドライエッチングや、緩衝フッ酸の水溶液をエッチング液とするウエットエッチング等によって行うことが可能である。
【００２８】
次に、図３（ｆ）に示すように、単結晶シリコン層４０におけるパターン開口部の形成領域に、それぞれ貫通孔４６を形成する。貫通孔４６の形成は、ＹＡＧレーザやＣＯ２レーザ等によるレーザ加工によって行うことが望ましい。このレーザ加工によれば、所定の位置に対して簡単に貫通孔を形成することができる。なおレーザ加工の代わりに、ＣＨＦ３ガスをエッチングガスとするドライエッチングや、ドリル等による機械加工等を利用してもよい。この貫通孔４６は、単結晶シリコン層４０における複数のパターン開口部の形成領域に対して、それぞれ複数個ずつ形成してもよいが、それぞれの中央付近に１個ずつ形成してもよい。
【００２９】
次に、図３（ｇ）に示すように、単結晶シリコン基板２０側から単結晶シリコン層４０をエッチングする。このエッチングは、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行う。酸化シリコン層３０の除去によって露出した単結晶シリコン層４０の表面には、貫通孔４６の開口部が形成されているので、この開口部を基点として単結晶シリコン層４０のエッチングが進行する。このエッチングは、第２エッチングマスク４４の開口端部まで進行した時点で停止する。これにより、単結晶シリコン層４０にパターン開口部４２が形成される。このパターン開口部４２の側壁４２ａは、面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。
【００３０】
最後に、図３（ｈ）に示すように、ＳＯＩ基板の表面全体に形成された酸化シリコン膜１６を除去する。酸化シリコン膜１６の除去は、緩衝フッ酸の水溶液をエッチング液とするウエットエッチング等によって行うことが可能である。
以上により、第１実施形態に係るマスク１０が完成する。
【００３１】
以上に詳述したように、第１実施形態に係るマスクの製造方法は、ＳＯＩ基板をエッチングすることにより、単結晶シリコン基板のパターン描画部を開口させるとともに、単結晶シリコン層にパターン開口部を形成する構成とした。ＳＯＩ基板の絶縁層は、単結晶シリコンのエッチング停止層として機能する。したがって、エッチングの時間管理を行わなくても、単結晶シリコン基板のエッチングを所定位置で停止させることができる。その結果、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することが可能になる。これにより、このマスクを蒸着マスクとして使用する場合に、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を再現性よくパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００３２】
また、第１実施形態のマスクは、面方位（１，０，０）のＳＯＩ基板から形成した。この場合、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。これにより、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を確実にパターン開口部に入射させて、パターンを描画することが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００３３】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るマスクおよびその製造方法につき、図４および図５を用いて説明する。図４は第２実施形態に係るマスクの説明図であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ′線における側面断面図である。第１実施形態に係るマスクが面方位（１，０，０）のＳＯＩ基板から形成されているのに対して、図４（ｂ）に示す第２実施形態に係るマスク１１０は、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２から形成されている点で異なっている。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３４】
［マスク］
図４（ｂ）に示すように、第２実施形態に係るマスク１１０は、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２から形成されている。一例を挙げれば、単結晶シリコン基板１２０は厚さ４００μｍに形成され、酸化シリコン層１３０は厚さ０．１μｍに形成され、単結晶シリコン層１４０は厚さ５０μｍに形成されている。
【００３５】
図４（ａ）に示すように、単結晶シリコン層のパターン描画部１１４には、複数のパターン開口部１４２が形成されている。各パターン開口部１４２は、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリット形状とされ、短手方向に並列配置されている。また図４（ｂ）に示すように、各パターン開口部１４２の側壁１４２ａは、面方位（１，１，１）の垂直面で構成されている。
【００３６】
［マスクの製造方法］
次に、第２実施形態に係るマスクの製造方法につき、図５を用いて説明する。図５は、第２実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３７】
まず、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２を作成する。次に、図５（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１１２の表面に酸化シリコン膜１１６を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜１１６をパターニングして、第１エッチングマスク１２４および第２エッチングマスク１４４を形成する。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１エッチングマスク１２４を介して単結晶シリコン基板１２０をエッチングし、第２エッチングマスク１４４を介して単結晶シリコン層１４０をエッチングする。これらのエッチングは、第１実施形態と同様に、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行う。
このエッチング液中にＳＯＩ基板１１２を浸漬すると、エッチングレートが小さい面方位（１，１，１）の垂直面に沿って異方性エッチングが進行する。その結果、単結晶シリコン層１４０のエッチングおよび単結晶シリコン基板１２０のエッチングは、ともに酸化シリコン層１３０まで進行して停止する。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板１２０のエッチングにより露出した酸化シリコン層１３０を除去する。なお、パターン開口部１４２に配置された酸化シリコン層１３０のみを除去してもよい。さらに、ＳＯＩ基板１１２の表面全体に形成された酸化シリコン膜１１６を除去する。これにより、第２実施形態に係るマスク１１０が完成する。
【００４０】
以上に詳述した第２実施形態に係るマスクの製造方法では、第１実施形態に係るマスクの製造方法と同様に、ＳＯＩ基板の絶縁層が単結晶シリコンのエッチング停止層として機能する。したがって、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することができる。これにより、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００４１】
また、第２実施形態のマスクは、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板から形成した。この場合、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の垂直面で構成される。これにより、パターン描画部におけるマスクの断面積が大きくなり、マスクの強度を確保することが可能になる。これに伴って、パターン描画部におけるマスクの厚さを薄くすることができる。なお、第１実施形態では単結晶シリコン層の厚さを１２０μｍに形成したのに対して、第２実施形態では例えば５０μｍに形成することができる。その結果、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を確実にパターン開口部に入射させて、パターンを描画することが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。
【００４２】
さらに、第２実施形態のマスクでは、パターン描画部におけるマスクの強度を確保することができるので、パターン開口部の形状を、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリット形状とすることができる。このようなスリットパターンを形成すれば、電気光学装置のドット領域に対して機能性薄膜のパターンを描画する際に、その長手方向に対するマスクの厳密な位置合わせが不要になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することができる。
【００４３】
［電気光学装置］
次に、上記各実施形態に係るマスクを使用して電気光学装置を製造する方法につき、図６ないし図８を用いて説明する。ここでは、電気光学装置として、低分子有機ＥＬ装置を例にして説明する。
【００４４】
図６は、低分子有機ＥＬ装置の側面断面図である。有機ＥＬ装置２００は、マトリクス状に配置された複数のドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂを備え、一組のドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂにより一つの画素領域が構成されている。また、ガラス材料等からなる基板２１０の表面には、各ドット領域を駆動する回路部２２０が形成されている。なお図６では、回路部２２０の詳細構成の図示を省略している。その回路部２２０の表面には、ＩＴＯ等からなる複数の画素電極２４０が、各ドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂに対応してマトリクス状に形成されている。また、陽極として機能する画素電極２４０を覆うように、銅フタロシアニン等からなる正孔注入層２５０が形成されている。なお正孔注入層２５０の表面に、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）等からなる正孔輸送層を設ける場合もある。
【００４５】
そして正孔注入層２５０の表面には、各ドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する発光層２６０がマトリクス状に形成されている。この発光層２６０は、分子量が約１０００以下の低分子有機材料からなっている。具体的には、Ａｌｑ３（アルミニウム錯体）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして発光層２６０が構成されている。また各発光層２６０を覆うように、フッ化リチウム等からなる電子注入層２７０が形成され、さらに電子注入層２７０の表面には、Ａｌ等からなる陰極２８０が形成されている。なお、基板２１０の端部に封止基板（不図示）が貼り合わされて、全体が密閉封止されている。
【００４６】
上述した画素電極２４０と陰極２８０との間に電圧を印加すると、正孔注入層２５０から発光層２６０に正孔が注入され、電子注入層２７０から発光層２６０に電子が注入される。そして、発光層２６０において正孔および電子が再結合し、ドーパントが励起されて発光する。このように低分子有機材料からなる発光層を備えた低分子有機ＥＬ装置は、寿命が長く発光効率に優れている。
【００４７】
［蒸着装置］
上述した低分子有機ＥＬ装置の発光層は、蒸着装置を用いて蒸着処理することにより形成する。そこで、蒸着装置につき図７を用いて説明する。
図７は、蒸着装置の説明図である。以下には、抵抗加熱式真空蒸着装置を例にして説明する。この蒸着装置３００は、真空ポンプ３０２が接続されたチャンバ３０４を備えている。そのチャンバ３０４の内部には、基板ホルダ３１０が設けられている。この基板ホルダ３１０には、蒸着処理の対象となる基板２１０が下向きに保持されるようになっている。一方、基板ホルダ３１０と対向するように、蒸着材料３２４が充填されるルツボ３２０が設けられている。そのルツボ３２０にはフィラメント３２２が配線され、ルツボ内の蒸着材料３２４を加熱しうるようになっている。なお、蒸発した蒸着材料がチャンバ３０４の内壁等に付着するのを防止するため、防着板３３０が設けられている。
【００４８】
この蒸着装置を用いて蒸着処理を行うには、まず基板ホルダ３１０に基板２１０を装着するとともに、ルツボ３２０に蒸着材料３２４を充填する。次に、チャンバ３０４に接続された真空ポンプ３０２を運転して、チャンバ３０４の内部を真空引きする。次に、ルツボ３２０に配線されたフィラメント３２２に通電し、フィラメント３２２を発熱させて、ルツボ内の蒸着材料３２４を加熱する。すると、蒸着材料３２４が蒸発して、基板２１０の表面に付着する。なお、基板以外の方向に飛散した蒸着材料は、防着板３３０の表面に付着する。
【００４９】
［電気光学装置の製造方法］
図８は、発光層の蒸着処理の説明図である。ここでは、ドット領域Ｇに対する発光層２６０の形成工程を例にして説明する。発光層２６０を形成する場合には、基板２１０の表面に蒸着マスク１０を配置した状態で、蒸着装置の基板ホルダに装着する。その際、蒸着マスク１０におけるパターン開口部４２が、基板２１０におけるドット領域Ｇに一致するように配置する。一方、蒸着装置のルツボ内には、蒸着材料として発光層２６０の構成材料を充填する。そして、この蒸着材料２６０ａを蒸発させると、蒸着マスク１０のパターン開口部４２を通して、基板２１０のドット領域Ｇに蒸着材料２６０ａが付着する。なお、ドット領域Ｇ以外の領域には蒸着マスク１０が配置されているので、蒸着材料２６０ａは蒸着マスク１０の表面に付着する。これにより、ドット領域Ｇのみに蒸着材料２６０ａを付着させて、発光層２６０を形成することができる。
さらに、蒸着マスク１０のパターン開口部４２をドット領域Ｂに移動させて、上記と同様に蒸着処理を行えば、ドット領域Ｂにも発光層を形成することができる。
【００５０】
ところで、上記各実施形態に係るマスクは、パターン描画部における厚さが寸法精度よく形成されている。そのため、マスクに対して斜め方向から飛来する蒸着材料を、再現性よくパターン開口部に入射させ、基板２１０のドット領域Ｇに蒸着させることができる。これにより、低分子有機ＥＬ装置の発光層パターンを精度よく描画することが可能になる。したがって、表示品質に優れた低分子有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００５１】
［電子機器］
次に、上記電気光学装置を備えた電子機器につき、図９を用いて説明する。
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
なお、上記電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても良好な表示品質を発揮することが可能である。
【００５２】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記各実施形態のマスクは蒸着用途のマスクとして使用可能であるだけでなく、スパッタ用途等のマスクとしても使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１実施形態に係るマスクの説明図である。
【図２】第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。
【図３】第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。
【図４】第２実施形態に係るマスクの説明図である。
【図５】第２実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。
【図６】低分子有機ＥＬ装置の側面断面図である。
【図７】蒸着装置の説明図である。
【図８】発光層の蒸着処理の説明図である。
【図９】携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１２ＳＯＩ基板  ２０単結晶シリコン基板  ３０酸化シリコン層  ４０単結晶シリコン層  ４２パターン開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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