(57)【要約】【課題】従来よりも高いガスバリア性能を持ち、光学部材、エレクトロニクス部材、一般包装部材、薬品包装部材などの幅広い用途に応用が可能なガスバリア基材を提供する。【解決手段】樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）が０．２５以上１．０未満であるガスバリア基材。無機ガスバリア層の融点は、１５００℃未満であることが望ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）が０．２５以上１．０未満であるガスバリア基材。
【請求項２】
樹脂基材上の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点が１５００℃未満であるガスバリア基材。
【請求項３】
樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）が０．２５〜１．０であり、かつ、無機ガスバリア層の融点が１５００℃未満であるガスバリア基材。
【請求項４】
樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、樹脂基材のガラス転移温度Ｔｇが２００℃以上である請求項１〜３何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項５】
Ｘ線回折測定で非晶であることを特徴とする請求項１〜４何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項６】
無機ガスバリア層成膜中あるいは成膜後に無機ガスバリア膜中の結晶部を非晶化する処理を行なった請求項５記載のガスバリア基材。
【請求項７】
無機ガスバリア層の表面粗さ算術平均値（Ｒａ）が、２０μｍ×２０μｍ角の領域において、Ｒａ＜１０ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）がＲｙ＜０．３μｍであり、且つ平均線からの深さが１０ｎｍ以上で穴深さと穴直径のアスペクト比（穴深さ／穴直径）が０．２よりも大きい穴が無く、表面の最大高さと幅の最小値のアスペクト比（最大高さ／幅最小値）が０．２よりも大きい局所的な突起も無い請求項１〜６何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項８】
水蒸気透過速度が０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙより小さくかつ、酸素透過速度が０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍより小さい請求項１〜７何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項９】
カルシウムコロージョン評価において５０℃９５％ＲＨ恒温恒湿度１２時間処理後の、５０μｍ以上に成長する腐食が１ｍｍ２の範囲で５個以下かつ、腐食面積率１％以下である請求項１〜８何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項１０】
無機ガスバリア層の上面に有機物コート層を設けた請求項７〜９何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項１１】
無機ガスバリア層が２層以上である請求項１〜１０何れか一項記載のガスバリア基材。
【請求項１２】
請求項１〜１１何れか一項記載のガスバリア基材が透明であるガスバリア基材。
【請求項１３】
請求項１〜１２何れか一項記載のガスバリア基材を利用した表示デバイス用基板。
【請求項１４】
請求項１〜１２何れか一項記載のガスバリア基材を利用した表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部材、エレクトロニクス部材、一般包装部材、薬品包装部材などの幅広い用途に応用が可能なガスバリア基材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、樹脂基板やフィルムの表面にアルミニウムや酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物の薄膜を形成したガス・水蒸気バリア性フィルムは、ガスの遮断を必要とする物品の包装、食品や工業用品及び医薬品等の変質を防止するための包装用途に広く用いられている。また、包装用途以外にも液晶表示素子、太陽電池、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）基板等で使用されている。特に液晶表示素子、ＥＬ素子などへの応用が進んでいる透明基材には、近年、軽量化、大型化という要求に加え、長期信頼性や形状の自由度が高いこと、曲面表示が可能であること等の高度な要求が加わり、重くて割れやすく大面積化が困難なガラス基板に代わって透明樹脂等のフィルム基材が採用され始めている。また、樹脂フィルムは上記要求に応えるだけでなく、ロールトゥロール方式が可能であることからガラスよりも生産性が良くコストダウンの点でも有利である。しかしながら、透明樹脂等のフィルム基材はガラスに比べガスバリア性が劣るという問題がある。ガスバリア性が劣る基材を用いると、酸素や水蒸気が浸透し、例えば液晶セル内の液晶を劣化させ、表示欠陥となって表示品位を劣化させてしまう。この様な問題を解決するためにフィルム基材上に金属酸化物薄膜を形成してガスバリア性フィルム基板とすることが知られている。包装材や液晶表示素子に使用されるガスバリア性フィルムとしては樹脂フィルム上に酸化珪素を蒸着したもの（例えば、特許文献１参照。）酸化アルミニウムを蒸着したもの（例えば、特許文献２参照。）が知られており、いずれも１ｇ／ｍ２／ｄａｙ程度の水蒸気バリア性を有する。近年では、液晶ディスプレイの大型化、高精細ディスプレイ等の開発によりフィルム基板へのガスバリア性能について例えば水蒸気の透過性で０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ程度まで要求が上がってきている。これに応えるためにより高いガスバリア性能が期待できる手段としてスパッタリング法やＣＶＤ法による成膜検討が行われている。
【０００３】
ところが、ごく近年においてさらなるガスバリア性を要求される有機ＥＬディスプレイや高精彩カラー液晶ディスプレイなどの開発が進み、これに使用可能な透明性を維持しつつ、さらに高いガス・水蒸気バリア性、例えば水蒸気の透過性で０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ未満の性能をもつ基材が要求されるようになってきた。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５３−１２９５３号公報
【特許文献２】
特開昭５８−２１７３４４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来よりも高いガスバリア性能を持つガスバリア基材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、
（１）樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）が０．２５以上１．０未満であるガスバリア基材。
（２）樹脂基材上の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点が１５００℃未満であるガスバリア基材。
（３）樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）が０．２５〜１．０であり、かつ、無機ガスバリア層の融点が１５００℃未満であるガスバリア基材。
・  （４）樹脂基材の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、樹脂基材のガラス転移温度Ｔｇが２００℃以上である（１）〜（３）のガスバリア基材。
（５）Ｘ線回折測定で非晶であることを特徴とする（１）〜（４）のガスバリア基材。
（６）無機ガスバリア層成膜中あるいは成膜後に無機ガスバリア膜中の結晶部を非晶化する処理を行なった（５）のガスバリア基材。
（７）無機ガスバリア層の表面粗さ算術平均値（Ｒａ）が、２０μｍ×２０μｍ角の領域において、Ｒａ＜１０ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）がＲｙ＜０．３μｍであり、且つ平均線からの深さが１０ｎｍ以上で穴深さと穴直径のアスペクト比（穴深さ／穴直径）が０．２よりも大きい穴が無く、表面の最大高さと幅の最小値のアスペクト比（最大高さ／幅最小値）が０．２よりも大きい局所的な突起も無い（１）〜（６）のガスバリア基材。
（８）水蒸気透過速度が０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙより小さくかつ、酸素透過速度が０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍより小さい（１）〜（７）のガスバリア基材。
（９）カルシウムコロージョン評価において５０℃９５％ＲＨ恒温恒湿度１２時間処理後の、５０μｍ以上に成長する腐食が１ｍｍ２の範囲で５個以下かつ、腐食面積率１％以下である（１）〜（８）のガスバリア基材。
（１０）無機ガスバリア層の上面に有機物コート層を設けた（７）〜（９）のガスバリア基材。
（１１）無機ガスバリア層が２層以上である（１）〜（１０）のガスバリア基材。
（１２）（１）〜（１１）のガスバリア基材が透明であるガスバリア基材。
（１３）（１）〜（１２）のガスバリア基材を利用した表示デバイス用基板。
（１４）（１）〜（１２）のガスバリア基材を利用した表示デバイス。
である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明のガスバリア基材は、樹脂基材上に少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、この無機ガスバリア層が、無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）の値で０．２５以上１．０未満で形成されることを特徴とするガスバリア基材である。（Ｔｓ／Ｔｍ）の値が０．２５未満であると、粗な構造の膜になったりして、優れたガスバリア特性を得ることが難しい。また、（Ｔｓ／Ｔｍ）の値が１．０以上であると、樹脂基材がこの温度に耐えられないことが多いため、現実的ではない。さらに好ましくは、（Ｔｓ／Ｔｍ）の値が０．３５以上１．０未満である。
【０００８】
本発明のガスバリア基材は、樹脂基材上の少なくとも片面に無機ガスバリア層を積層したガスバリア基材であって、この無機ガスバリア層の融点が１５００℃未満であることを特徴とするガスバリア基材であってもよい。樹脂基材上に無機ガスバリア層を形成する場合、この無機ガスバリア層の融点が１５００℃以上であると、粗な構造の膜になり、優れたガスバリア特性を得ることが難しい。
【０００９】
本発明のガスバリア基材の無機ガスバリア層の形成には、熱蒸発法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法などの物理的方法や、ＣＶＤ法などの化学的方法を用いることができる。
【００１０】
本発明のガスバリア基材上に積層された無機ガスバリア層の融点Ｔｍは、無機ガスバリア層の化学組成分析を行い、組成を確認した後、これと同組成の材料を混合、溶融、固化
させたあと、この材料の融点を測定するなどの方法で求めることができる。ただし、かかる組成の無機ガスバリア層に対応した材料を徐冷しても結晶性が得られない場合、融点Ｔｍの替わりにこの材料のガラス転移温度ＴｇをＴｍとする。また、無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓは、ガスバリア基材の無機ガスバリア層形成面と反対側に温度測定用ステッカーを着けるなどの方法で測定することもできる。ただし、ガスバリア基材が無機ガスバリア層形成時よりも成膜装置中で高温にさらされる可能性のある場合、ガスバリア基材の無機ガスバリア層形成面と反対側に熱伝対を接触させて測定するなどの方法も用いることができる。また、赤外センサーのような非接触式温度計で、温度をモニタリングしても良い。
【００１１】
本発明のガスバリア基材は、樹脂基材のガラス転移温度Ｔｇが２００℃以上であることが好ましい。ガラス転移温度Ｔｇ２００℃以上の樹脂基材としては、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂などを使用することができる。
【００１２】
本発明のガスバリア基材は、非晶であることが好ましい。このため、無機ガスバリア層の原材料となる無機化合物は、ガラス形成能が高い金属酸化物、複合酸化物などを用いることもできる。例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２−ＺｎＯなどを用いることができる。また、ガスバリア層成膜中あるいは成膜後に無機ガスバリア膜中の結晶部を非晶化してもよい。非晶であるか否かの判定はＸ線回折測定で、行うことができ、非晶化処理工程には、レーザーアニール法、電子線照射、イオンビーム照射などを用いることもできる。
【００１３】
本発明のガスバリア基材は、無機ガスバリア層表面が、２０μｍ×２０μｍ角の領域において、その表面粗さ算術平均値（Ｒａ）がＲａ＜１０ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）がＲｙ＜０．３μｍであり、且つ平均線からの深さが１０ｎｍ以上で穴深さと穴直径のアスペクト比（穴深さ／穴直径）が０．２よりも大きい穴の無く、表面の最大高さと幅の最小値のアスペクト比（最大高さ／幅最小値）が０．２よりも大きい局所的な突起も無いことが好ましい。これは表面平滑性が悪化すると、積層する無機ガスバリア膜にクラックや穴状欠陥が発生し易くなり、フィルム自体のバリア性能を低下させることも考えられる。
【００１４】
本発明のガスバリア基材は、有機ＥＬディスプレイや高精彩カラー液晶ディスプレイなどの高バリア性が要求される用途に使用するためには、このガスバリア基材において、水蒸気透過速度が０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙより小さくかつ、酸素透過速度が０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍより小さいことが好ましい。また、これら高バリア性が要求される用途に使用するためには、カルシウムコロージョン評価において５０℃９５％ＲＨ恒温恒湿度処理後の、５０μｍ以上に成長する腐食が１ｍｍ２の範囲で５個以下かつ、腐食面積率１％以下であることが好ましい。ここでいうカルシウムコロージョン評価とは、「（１）水蒸気バリア性を評価するフィルムシートの片面に、水分と反応して腐食する金属層を真空プロセスにて形成させた後、水蒸気不透過性金属層でこの面を封止した水蒸気バリア性評価用セル、又は、（２）前記水分と反応して腐食する金属層の厚さが３０ｎｍ〜５００ｎｍである請求項１記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（３）前記水蒸気不透過性金属層の厚さが５００ｎｍ〜２０μｍである（１）又は（２）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（４）前記水蒸気不透過性金属層の表面粗さが、算術平均値（Ｒａ）でＲａ＜２０ｎｍ、最大高さ及び最大深さで最大高さ＜６００ｎｍ及び最大深さ＜２００ｎｍ、である（１）〜（３）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（５）前記水分と反応して腐食する金属層の厚さ（ａ）に対する水蒸気不透過性金属層の厚さ（ｂ）の比、すなわち、（ｂ）／（ａ）が２以上である（１）〜（４）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（６）前記水蒸気不透過性金属層の上層に、温度４０±０．５℃、相対湿度９０±２％の条件下に暴露したときにその質量変化が、暴露面積５０ｃｍ２で１ｍｇ／２４時間以下の有機物で密閉した（１）〜（５）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（７）前記水分と反応して腐食する金属層の材質にカルシウムを含む（１）〜（６）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（８）前記水蒸気不透過性金属層の材質にアルミニウム、亜鉛、錫、インジウム、鉛、銀、銅の何れかを含む（１）〜（７）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（９）前記水蒸気不透過性金属層が異なる材質の多層構造である（１）〜（８）記載の水蒸気バリア性評価用セル、又は、（１０）前記水蒸気不透過性金属層の材質が２種類以上の金属の合金である（１）〜（９）記載の水蒸気バリア性評価用セル、を用い（１１）任意の条件で恒温恒湿度処理を行ったあと、水分と反応して腐食する金属の腐食状態を観察する水蒸気バリア性評価方法、及び（１２）（１１）記載の水蒸気バリア性評価後に、セルからフィルムシートを、非破壊に取り外し、洗浄後、水分と反応して腐食した金属の腐食中心部分に対応するフィルムシート表面を、直接観察することにより、基材の欠陥部分の状態を評価する水蒸気バリア性評価方法、及び（１３）恒温恒湿度処理を行ったあと、水分と反応して腐食する金属の腐食面積と腐食金属の厚みから算出される金属腐食物の体積から、金属と反応する水分量を定量的に評価する水蒸気バリア性評価方法。」である。本発明では、ガスバリア基材をフィルムシートとしてカルシウムコロージョン評���を実施した。
【００１５】
本発明のガスバリア基材は、無機ガスバリア層の上に有機物コート層を設けてもよく、有機物コート層を設けることにより、ハンドリングや工程中での無機ガスバリア層へのダメージを防ぐ効果などが期待できる。
【００１６】
本発明のガスバリア基材は、樹脂基材上の片面あるいは両面に合計２層以上の無機ガスバリア層を積層してもよく、無機ガスバリア層を複数積層することにより、ガスバリア性がさらに向上することが期待できる。無機ガスバリア層を複数積層する仕方は、無機ガスバリア層を連続で複数層重ねても、間に有機層を挟んで積層してもよい。
【００１７】
本発明のガスバリア基材は、透明であることが好ましい。光を透過することにより、ディスプレイ基板、透明性が要求される包装用途等にも好適に用いることができる。ここで、透明な材料とは、４００ｎｍ〜７００ｎｍの任意の波長領域の光線を６０％以上透過することが好ましく、さらに好ましくは７０％以上の透過であり、最も好ましくは８０％以上の透過である。
【００１８】
本発明のガスバリア基材は、液晶、有機ＥＬなどの表示デバイス用途に用いることができる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこの実施例によって限定されるものではない。
（実施例１）
ポリエーテルサルホンフィルム樹脂基材（ガラス転移温度Ｔｇ＝２２３℃）に２官能のエポキシアクリレート２５ｗｔ％、ジエチレングリコール４８．５ｗｔ％、酢酸エチル２４ｗｔ％、シランカップリング剤１ｗｔ％、光開始剤１．５ｗｔ％からなる均一な混合溶液をスピンコーターで塗布し、８０℃１０分加熱乾燥後さらにＵＶ照射で硬化させて２μｍの樹脂層を形成した。つぎに、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、この真空槽内に前記有機物層を形成したフィルムをセットし１０−４Ｐａ台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを分圧で０．５Ｐａ導入した。雰囲気圧力が安定したところで放電を開始し、スパッタリングターゲットである無アルカリガラス上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッターを開きフィルムへの無機ガスバリア層の形成を開始した。無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）は、４５０（Ｋ）であった。５０ｎｍの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。真空槽内に大気を導入し無機ガスバリア層の形成されたフィルムを取り出した。この条件で成膜した無機ガスバリア層の元素濃度をＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）で測定したところそのｍｏｌ％は、「ＳｉＯｘ  ５０％，  ＣａＯｘ  ４％，  ＡｌＯｘ  １６％，  ＮａＯｘ  ５％，  ＭｇＯｘ  １３％，  ＢＯｘ  １０％，  その他  ２％」であった。また、この無機ガスバリア層はＸ線回折測定の結果（非晶）であることが確認された。「ＳｉＯｘ  ５０％，  ＣａＯｘ  ４％，  ＡｌＯｘ  １６％，  ＮａＯｘ  ５％，  ＭｇＯｘ  １３％，  ＢＯｘ  １０％，  その他  ２％」の組成で、原料を混合、溶融、冷却により、無機ガスバリア層と同組成のガラスを作製し、このガラス転移温度を測定したところ、１０８０（Ｋ）であった。従って、この無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）は、０．４２である。
【００２０】
この無機ガスバリア層表面をＡＦＭ観察した結果、の表面粗さ算術平均値（Ｒａ）が、２０μｍ×２０μｍ角の領域で、Ｒａ＝１．１（ｎｍ）、最大高さＲｙ＝３０．９（ｎｍ）、平均線から１０（ｎｍ）以上の深さの穴は認められなかった。
【００２１】
このガスバリア基材の水蒸気透過度をＪＩＳ  Ｋ  ７１２９  Ｂ法にて測定した結果、水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙより小さくなった。
【００２２】
このガスバリア基材の酸素透過度をＪＩＳ  Ｋ  ７１２６  Ｂ法にて測定した結果、酸素透過度は０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍより小さくなった。
【００２３】
また、カルシウムコロージョン評価において５０℃９５％ＲＨ恒温恒湿度１２時間処理後の、５０μｍ以上に成長する腐食が１ｍｍ２の範囲で０．９個（測定数２０の平均）、腐食面積率０．４％であった。
【００２４】
（比較例１）
ポリエーテルサルホンフィルム樹脂基材（ガラス転移温度Ｔｇ＝２２３℃）に２官能のエポキシアクリレート（昭和高分子：ＶＲ−６０−ＬＡＶ）２５ｗｔ％、ジエチレングリコール４８．５ｗｔ％、酢酸エチル２４ｗｔ％、シランカップリング剤１ｗｔ％、光開始剤１．５ｗｔ％からなる均一な混合溶液をスピンコーターで塗布し、８０℃１０分加熱乾燥後さらにＵＶ照射で硬化させて２μｍの樹脂層を形成した。つぎに、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、この真空槽内に前記有機物層を形成したフィルムをセットし１０−４Ｐａ台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを分圧で０．５Ｐａ導入した。雰囲気圧力が安定したところで放電を開始し、スパッタリングターゲットであるＳｉＯ２上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッターを開きフィルムへの無機ガスバリア層の形成を開始した。無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）は、４５０（Ｋ）であった。５０ｎｍの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。真空槽内に大気を導入し無機ガスバリア層の形成されたフィルムを取り出した。ＳｉＯ２のＴｍは２００３（Ｋ）である。従って、この無機ガスバリア層の融点Ｔｍ（Ｋ）に対する無機ガスバリア層形成時の樹脂基材温度Ｔｓ（Ｋ）の比（Ｔｓ／Ｔｍ）は、０．２２である。
【００２５】
この無機ガスバリア層表面をＡＦＭ観察した結果、の表面粗さ算術平均値（Ｒａ）が、２０μｍ×２０μｍ角の領域で、Ｒａ＝１．２（ｎｍ）、最大高さＲｙ＝１９．９（ｎｍ）、平均線から１０（ｎｍ）以上の深さの穴は認められなかった。
【００２６】
このガスバリア基材の水蒸気透過度をＪＩＳ  Ｋ  ７１２９  Ｂ法にて測定した結果、水蒸気透過度は０．０３ｇ／ｍ２／ｄａｙであった。
【００２７】
このガスバリア基材の酸素透過度をＪＩＳ  Ｋ  ７１２６  Ｂ法にて測定した結果、酸素透過度は０．１ｃｍ３／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍより小さくなった。
【００２８】
また、カルシウムコロージョン評価において５０℃９５％ＲＨ恒温恒湿度１２時間処理後の、５０μｍ以上に成長する腐食が１ｍｍ２の範囲で６．１個（測定数２０の平均）、腐食面積率１．２％であった。
【００２９】
前記実施例と比較例でのカルシウムコロージョン評価における腐食数および腐食面積は、実施例におけるガスバリア性能が飛躍的に向上したことを示している。ガスバリア基材を表示デバイス用途としたとき、ガスバリア性能の向上すなわちカルシウムコロージョン評価における腐食数、腐食面積が少ないほど表示品質、耐久性能が向上する。
【００３０】
【発明の効果】
本発明により、従来よりも高いガスバリア性能を持つガスバリア基材を提供すること。
光学部材、エレクトロニクス部材、一般包装部材、薬品包装部材などの幅広い用途に応用が可能なガスバリア基材を提供することができる。