(57)【要約】【課題】  ２次巻線の絶縁性を確保しながら実装における低背化を可能にし、かつ組立が容易な昇圧トランスを提供する。【解決手段】  磁脚２Ｃ〜２Ｆに巻かれる１次巻線および２次巻線の巻軸方向が実装面に平行となるので昇圧トランス１は低背化される。２次巻線は１次巻線と独立な磁脚に巻かれるので分割巻きに必要な長さが確保される。主コア２にはＵ型やＩ型のような単純形状のコアが利用可能であり、主コア２に巻かれる１次巻線には細い線材が利用可能であるので組立作業が容易になる。また、２次側の出力においてＩ型コア３の下部が低電位側となるのでＩ型コア３の下部にも配線が可能となり、基板における配線の自由度を高くすることができる。【選択図】        図１
2005223125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の閉磁路と前記第１の閉磁路の一部と一部が重なる第２の閉磁路とを実装面に平行な平面に形成するコアを備え、
前記コアは、
前記第１の閉磁路を形成する第１の磁脚と、
前記第１の閉磁路を形成し前記第１の磁脚に平行な第２の磁脚と、
前記第２の閉磁路を形成し前記第１の磁脚の中心軸と同軸上に配置される第３の磁脚と、
前記第２の閉磁路を形成し前記第２の磁脚の中心軸と同軸上に配置される第４の磁脚と、
前記第１の閉磁路と前記第２の閉磁路の重なる部分を形成する中央磁脚とを含み、
前記第１の閉磁路が貫通するよう前記コアに装着される第１の巻線部をさらに備え、
前記第１の巻線部は、
前記第１の磁脚に巻かれる第１の１次巻線部と、
前記第２の磁脚に巻かれる第１の２次巻線部とを含み、
前記第２の閉磁路が貫通するよう前記コアに装着される第２の巻線部をさらに備え、
前記第２の巻線部は、
前記第３の磁脚に巻かれる第２の１次巻線部と、
前記第４の磁脚に巻かれる第２の２次巻線部とを含む、昇圧トランス。
【請求項２】
前記第１の２次巻線部は、前記中央磁脚側に低電位が与えられる端子を有し、
前記第２の２次巻線部は、前記中央磁脚側に低電位が与えられる端子を有する、請求項１に記載の昇圧トランス。
【請求項３】
前記第１の２次巻線部は、前記第１の２次巻線部を分割する仕切部を有する第１のボビンを有し、
前記第２の２次巻線部は、前記第２の２次巻線部を分割する仕切部を有する第２のボビンを有する、請求項１に記載の昇圧トランス。
【請求項４】
前記コアは、開口部が対向する１対のＵ型コアと前記１対のＵ型コアに挟まれるＩ型コアである、請求項１に記載の昇圧トランス。
【請求項５】
前記コアは、
一端部が前記中央磁脚と対向した空間に漏れ磁束を生じさせて前記第１の磁脚と前記第２の磁脚の間の磁気的な結合を低下させる第１の補助磁脚と、
一端部が前記中央磁脚と対向した空間に漏れ磁束を生じさせて前記第３の磁脚と前記第４の磁脚の間の磁気的な結合を低下させる第２の補助磁脚とを含む、請求項１に記載の昇圧トランス。
【請求項６】
前記第１の１次巻線部は、第１の向きに磁束を生じさせる第１の１次巻線を有し、
前記第２の１次巻線部は、前記第１の向きと逆の第２の向きに磁束を生じさせる第２の１次巻線を有する、請求項１に記載の昇圧トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は昇圧トランスに関するものであり、より特定的には多出力が可能な昇圧トランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ装置としてバックライト付液晶表示装置が多く用いられる。液晶表示装置の光源であるバックライトには冷陰極管が用いられる。冷陰極管を駆動させるには冷陰極管に高圧の交流電圧を印加する必要がある。冷陰極管に高圧の交流電圧を印加するために、入力電源から供給される低電圧の直流電圧を高圧の交流電圧に変換するインバータ（ＤＣ／ＡＣ変換器）が必要となる。インバータを構成する電子部品の１つに、冷陰極管に印加する高電圧を出力する昇圧トランスがある。
【０００３】
表示装置の大型化に伴い、複数の冷陰極管に同時に高電圧を印加して冷陰極管を同時に点灯させる必要がある。冷陰極管ごとに昇圧トランスを設けると回路基板の面積が増大するので、多出力が可能な昇圧トランスが採用される。多出力が可能な昇圧トランスの例として、特開２００１−１２６９３７号公報（特許文献１）では、コア上に２次巻線用の磁脚を２つ備え、各々の磁脚に巻かれた２次巻線から高電圧が取出される昇圧トランスの例が開示される。
【特許文献１】特開２００１−１２６９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ディスプレイ装置の薄型化に伴い、回路基板に実装される電子部品には低背化が求められる。２次巻線から高電圧が出力されるので、２次巻線内における高圧部と低圧部との間の電気絶縁性を確保する必要がある。電気絶縁性を確保する方法として、仕切部を介して２次巻線を複数の巻線部に分割して巻線部間の距離をできるだけ大きくする方法がある。このような巻線方法を以後において分割巻きと称する。
【０００５】
なお、分割巻き以外の巻線方法によって２次巻線の電気絶縁性を確保することも可能であるが、この場合の巻線方法は分割巻きよりも複雑になる。複雑な巻線方法は作業性を低下させる要因となる。よって、分割巻きは電気絶縁性の確保の点および巻線作業の点の両方において優れる。
【０００６】
２次巻線を分割巻きするためのボビンは巻線を区切る仕切部を備える必要がある。ボビンの仕切部は電気絶縁性を確保するよう厚みが設定されるとともに、巻線部間の電位差をできるだけ小さくするよう個数が設定される。ボビンに仕切部を備えることでボビンが長くなるので、ボビンが装着される磁脚もボビンの長さに応じて長くする必要がある。したがって特許文献１に開示される昇圧トランスは、分割巻きを採用すれば低背化への対応が困難であるという課題を有する。
【０００７】
また、特許文献１に開示される昇圧トランスは、２つの２次巻線に対応する１次巻線を１つ備える。２つの２次巻線に電力を供給するため、１次巻線には多くの電流が流れるよう線径の太い線材が用いられる。しかし、線径が太くなると巻線作業が困難となり生産性が低下する。
【０００８】
さらに、特許文献１に開示される昇圧トランスは複雑な形状のコアを備えている。低背化や小型化に対応するため、コアには肉厚の薄い部分が生じる。よって特許文献１に開示される昇圧トランスは熱衝撃時の応力や機械的な応力に弱いという課題を有する。またコアの形状が複雑なため生産性が低下する。
【０００９】
さらに、特許文献１に開示される昇圧トランスでは、コアが基板実装面に近接あるいは接触する。コア下部に基板配線が通る配線パターンの場合、動作時に高電位となるコアとコア下部の配線との間で放電が生じる可能性がある。したがって特許文献１に開示される昇圧トランスではコア下部に基板配線を通せないので、基板面積が増加する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、要約すれば昇圧トランスであって、第１の閉磁路と第１の閉磁路の一部と一部が重なる第２の閉磁路とを実装面に平行な平面に形成するコアを備える。
【００１１】
コアは、第１の閉磁路を形成する第１の磁脚と、第１の閉磁路を形成し第１の磁脚に平行な第２の磁脚と、第２の閉磁路を形成し第１の磁脚の中心軸と同軸上に配置される第３の磁脚と、第２の閉磁路を形成し第２の磁脚の中心軸と同軸上に配置される第４の磁脚と、第１の閉磁路と第２の閉磁路の重なる部分を形成する中央磁脚とを含む。
【００１２】
昇圧トランスは、第１の閉磁路が貫通するようコアに装着される第１の巻線部をさらに備える。第１の巻線部は、第１の磁脚に巻かれる第１の１次巻線部と、第２の磁脚に巻かれる第１の２次巻線部とを含む。
【００１３】
昇圧トランスは、第２の閉磁路が貫通するようコアに装着される第２の巻線部をさらに備える。第２の巻線部は、第３の磁脚に巻かれる第２の１次巻線部と、第４の磁脚に巻かれる第２の２次巻線部とを含む。
【００１４】
好ましくは、第１の２次巻線部は、中央磁脚側に低電位が与えられる端子を有し、第２の２次巻線部は、中央磁脚側に低電位が与えられる端子を有する。
【００１５】
好ましくは、第１の２次巻線部は、第１の２次巻線部を分割する仕切部を有する第１のボビンを有し、第２の２次巻線部は、第２の２次巻線部を分割する仕切部を有する第２のボビンを有する。
【００１６】
好ましくは、コアは、開口部が対向する１対のＵ型コアと１対のＵ型コアに挟まれるＩ型コアである。
【００１７】
好ましくは、コアは、一端部が中央磁脚と対向した空間に漏れ磁束を生じさせて第１の磁脚と第２の磁脚の間の磁気的な結合を低下させる第１の補助磁脚と、一端部が中央磁脚と対向した空間に漏れ磁束を生じさせて第３の磁脚と第４の磁脚の間の磁気的な結合を低下させる第２の補助磁脚とを含む。
【００１８】
好ましくは、第１の１次巻線部は、第１の向きに磁束を生じさせる第１の１次巻線を有し、第２の１次巻線部は、第１の向きと逆の第２の向きに磁束を生じさせる第２の１次巻線を有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の昇圧トランスは２次巻線の絶縁性を確保しながら実装での低背化を可能とする。また、本発明の昇圧トランスは組立を容易とすることを可能とする。さらに、本発明の昇圧トランスは回路基板における配線の自由度を高めることを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下において、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
【００２１】
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１の昇圧トランスの三面図である。図１（Ａ）は昇圧トランス１の平面図である。また、図１（Ｂ）は昇圧トランス１の右側面図である。また、図１（Ｃ）は昇圧トランス１の底面図である。
【００２２】
図２は、図１における主コア２の平面と正面を示す図である。図２（Ａ）は主コア２の平面を示す図であり、図２（Ｂ）は主コア２の正面を示す図である。
【００２３】
主コア２はＵ型コア２Ａ，２Ｂと、Ｉ型コア３とを含む。Ｕ型コア２Ａ，２ＢはＩ型コア３の両側面に接合されて接着剤やワニスなどで固定される。
【００２４】
図３は、Ｕ型コア２Ａを図２のＸ方向とＹ方向から見た図である。図３（Ａ）は図２のＸ方向から見たＵ型コア２Ａを示す。また、図３（Ｂ）は図２のＹ方向から見たＵ型コア２Ａを示す。
【００２５】
図１に示されるように、昇圧トランス１は主コア２を備える。主コア２は、第１の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア２Ａと、第２の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア２Ｂと、第１の閉磁路と第２の閉磁路との重なり部分を形成するＩ型コア３とを含む。
【００２６】
Ｕ型コア２ＡとＵ型コア２Ｂとは開口部を対向し、Ｉ型コア３を挟むように配置される。Ｕ型コア２ＡとＩ型コア３とによって第１の閉磁路が形成され、Ｕ型コア２ＢとＩ型コア３とによって第２の閉磁路が形成される。
【００２７】
Ｕ型コア２Ａは、２次巻線が巻かれる磁脚２Ｃと、１次巻線が巻かれる磁脚２Ｄとを含む。磁脚２Ｃは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００２８】
また、昇圧トランス１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要がある。よって磁脚２Ｃと磁脚２Ｄとは互いに平行となるように配置される。
【００２９】
Ｕ型コア２Ｂは、２次巻線が巻かれる磁脚２Ｅと、１次巻線が巻かれる磁脚２Ｆとを含む。磁脚２Ｅは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００３０】
また、磁脚２Ｃ，磁脚２Ｄと同様に、昇圧トランス１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要があるので、磁脚２Ｅと磁脚２Ｆとは互いに平行となるように配置される。
【００３１】
Ｕ型コア２Ａにおいて、磁脚２Ｃと磁脚２Ｅとは図１中のＸ１−Ｘ２軸上に配置される。また、Ｕ型コア２Ｂにおいて、磁脚２Ｄと磁脚２Ｆとは図１中のＸ３−Ｘ４軸上に配置される。
【００３２】
昇圧トランス１は、さらに、主コア２に装着されて１次巻線が巻かれる１次側ボビン４と、主コア２に装着されて２次巻線が巻かれる２次側ボビン５とを備える。
【００３３】
１次側ボビン４は、磁脚２Ｄ上に装着される第１の１次巻線ボビン４Ａと、磁脚２Ｆ上に装着される第２の１次巻線ボビン４Ｂとを含む。
【００３４】
２次側ボビン５は、磁脚２Ｃ上に装着される第１の２次巻線ボビン５Ａと、磁脚２Ｅ上に装着される第２の２次巻線ボビン５Ｂと、２次巻線を分割巻きするための仕切部５Ｃとを含む。
【００３５】
なお、第１の１次巻線ボビン４Ａに巻かれる第１の１次巻線と第１の２次巻線ボビン５Ａに巻かれる第１の２次巻線によって、１つの昇圧トランスが構成される。同様に、第２の１次巻線ボビン４Ｂに巻かれる第２の１次巻線と第２の２次巻線ボビン５Ｂに巻かれる第２の２次巻線によって、もう１つの昇圧トランスが構成される。
【００３６】
説明の便宜上、以後では第１の１次巻線ボビン４Ａと、第１の１次巻線と、第１の２次巻線ボビン５Ａと、第１の２次巻線とをあわせて第１の巻線部と称する。また、第２の１次巻線ボビン４Ｂと、第２の１次巻線と、第２の２次巻線ボビン５Ｂと、第２の２次巻線とをあわせて第２の巻線部と称する。
【００３７】
１次側ボビン４は、さらに、１次側端子６Ａ〜６Ｆを含む。１次巻線の巻き方に応じて１次側端子６Ａ〜６Ｆから巻線に接続される端子が選択される。たとえば、巻き始めと巻き終わりの位置を同じにする場合であれば、第１の巻線部では１次側端子６Ａ，６Ｂが第１の１次巻線に接続され、第２の巻線部では１次側端子６Ｅ，６Ｆが第２の１次巻線に接続される。また、巻き始めと巻き終りの位置を異ならせる場合であれば、第１の巻線部では１次側端子６Ｂ，６Ｃが第１の１次巻線に接続され、第２の巻線部では１次側端子６Ｅ，６Ｄが第２の１次巻線に接続される。
【００３８】
なお、実装の安定性を強化するため、巻き始めと巻き終りの位置によらず１次側端子６Ａ〜６Ｆはすべて回路基板上にはんだ付けされる。
【００３９】
２次側ボビン５は、さらに、２次側端子７Ａ〜７Ｄを含む。２次側端子７Ａは第１の巻線部から取出される２次電圧の高電位側の端子であり、２次側端子７Ｂは第１の巻線部から取出される２次電圧の低電位側の端子である。同様に、２次側端子７Ｄは第２の巻線部から取出される２次電圧の高電位側の端子であり、２次側端子７Ｃは第２の巻線部から取出される２次電圧の低電位側の端子である。
【００４０】
なお、「高電位側」とは２次電圧の絶対値が高い側、すなわち２次電圧が振幅する側を示す。また、「低電位側」とは２次電圧の絶対値が低い側、すなわち２次電圧の振幅の基準となる側を示す。
【００４１】
昇圧トランス１には、２次側端子７Ａとコア２Ａとの間の放電を防ぐための間隙８Ａが設けられる。同様に、昇圧トランス１には、２次側端子７Ｄとコア２Ｂとの間の放電を防ぐ間隙８Ｂと、１次側端子６Ａとコア２Ａとの間の放電を防ぐための間隙８Ｃと、１次側端子６Ｆとコア２Ｂとの間の放電を防ぐ間隙８Ｄが設けられる。
【００４２】
実施の形態１の昇圧トランスについてより詳細に説明する。磁脚２Ｃ〜２Ｆに巻かれる１次巻線および２次巻線の巻軸方向が実装面に平行となるので昇圧トランス１は低背化される。２次巻線は１次巻線と独立な磁脚に巻かれるので分割巻きに必要な長さが確保される。主コア２にはＵ型やＩ型のような単純形状のコアが利用可能であり、主コア２に巻かれる１次巻線には細い線材が利用可能であるので組立作業が容易になる。また、２次側の出力においてＩ型コア３の下部が低電位側となるのでＩ型コア３の下部にも配線が可能となり、基板における配線の自由度を高くすることができる。
【００４３】
さらに、実施の形態１の昇圧トランスでは、２つの１次巻線によって互いに反対向きの同期した磁束を発生させることで、２つの２次巻線と交錯する磁束同士の干渉を解消することが可能である。干渉が解消されることで第１の巻線部および第２の巻線部は相互に影響を及ぼしあわずに高電圧を出力することができる。
【００４４】
さらに、実施の形態１の昇圧トランスでは、１次側ボビン４と２次側ボビン５の各々に端子が設けられる。１つのボビンにすべての端子が設けられる場合と比較すると、実装において端子と配線との位置決めの精度がより緩やかになるので、実装作業が容易となる。
【００４５】
図２ではＵ型コア２Ａ，２ＢとＩ型コア３が主コア２の例として示される。ただし、主コア２は図２に示した構成に限定されるものではない。たとえば、図示しないが、主コア２は１つのＥ型コアと１つのＩ型コアとを含んでも良い。この場合、Ｅ型コアの開口部とＩ型コアの側面部とが接合される。
【００４６】
図２と図３とに示されるように、Ｕ型コア２Ａは磁脚２Ｃ，２Ｄとを備える。磁脚２Ｃは曲面加工された周辺部２Ｇ〜２Ｊを含む。
【００４７】
磁脚２Ｃには、２次側ボビン５を介して２次巻線が巻かれる。２次巻線に電流が流れると２次巻線に高圧部と低圧部が生じる。コアの電位は浮遊状態にあるので、巻線の高圧部とコアとの間で放電が生じる可能性がある。特に磁脚が尖端部を有する場合、尖端部に電界が集中して放電が生じやすくなる。よって、周辺部２Ｇ〜２Ｊには放電を防ぐための曲面加工が施される。なお、周辺部２Ｇ〜２Ｊの曲率半径は、一例として０．５〜０．７ミリメートルに設定される。
【００４８】
磁脚２Ｄには１次側ボビン５を介して１次巻線が巻かれる。１次巻線に電流が流れると２次巻線と同様に１次巻線にも高圧部が生じるが、２次巻線の高圧部より電圧は低いためコアとの間での放電は生じにくい。周辺部２Ｋ〜２Ｎには必要に応じて曲面加工が施される。
【００４９】
なお、Ｕ型コア２Ｂの磁脚２Ｅ，２ＦにおいてもＵ型コア２Ａと同様の曲面加工が施される。
【００５０】
図４は、図１の昇圧トランス１のＩＶ−ＩＶ間の断面図である。２次側ボビン５は、Ｕ型コア２Ａ，２ＢとＩ型コア３に装着される。Ｕ型コア２Ａと２次側ボビン５との間には間隙８Ｅ，８Ｆが設けられる。また、Ｕ型コア２Ｂと２次側ボビン５との間には間隙８Ｇ，８Ｈが設けられる。間隙８Ｅ〜８Ｈは、間隙８Ａ〜８Ｄと同様に２次巻線と主コア２との間の放電を防ぐために設けられる。
【００５１】
図５は、主コア２に生じる磁束を示す模式図である。主コア２には、１次巻線９Ａによって磁束１０Ａが生じ、１次巻線９Ｂによって磁束１０Ｂが生じる。磁束１０Ａの電磁誘導によって２次巻線９Ｃに誘導起電力が生じ、磁束１０Ｂの電磁誘導によって２次巻線９Ｄに誘導起電力が生じる。
【００５２】
１次巻線９Ａに流れる電流の向き（図中、Ａ１からＡ２の向き）と、１次巻線９Ｂに流れる電流の向き（図中、Ｂ１からＢ２の向き）とは互いに逆の向きとなる。よって、磁束１０Ａと磁束１０Ｂは磁脚２Ｄ，２Ｆの部分において互いに逆の向きとなる。磁束１０Ａ，１０Ｂの一部は漏れ磁束となって主コア２から漏れ出すが、残りの磁束はＩ型コア３を通過し、それぞれ磁脚２Ｃ，２Ｅを通過して戻る。したがって、２次巻線９Ｃ，９Ｄから取出される出力は安定する。
【００５３】
なお、干渉を解消する効果が最も発揮されるよう、磁脚２Ｃと磁脚２Ｅとは同軸上に配置され、磁脚２Ｄと磁脚２Ｆとは同軸上に配置される。
【００５４】
また、図５において、２次巻線９Ｃ，９Ｄの両方ともＩ型コア３側が低電位になる。よってＩ型コアの下部に基板配線があってもコアと配線の間で放電が生じにくいのでＩ型コアの下部に基板配線を通すことが可能となり、配線の自由度が増す。
【００５５】
［実施の形態２］
図６は、実施の形態２の昇圧トランスの三面図である。図６（Ａ）は昇圧トランス１１の平面図である。また、図６（Ｂ）は昇圧トランス１１の右側面図である。また、図６（Ｃ）は昇圧トランス１１の底面図である。
【００５６】
昇圧トランス１１は主コア１２を備える。主コア１２は、第１の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア１２Ａと、第２の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア１２Ｂと、第１の閉磁路と第２の閉磁路との重なり部分を形成するＩ型コア１３とを含む。
【００５７】
Ｕ型コア１２Ａは、２次巻線が巻かれる磁脚１２Ｃと、１次巻線が巻かれる磁脚１２Ｄとを含む。磁脚１２Ｃは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００５８】
昇圧トランス１１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要がある。よって磁脚１２Ｃと磁脚１２Ｄとは互いに平行となるように配置される。
【００５９】
Ｕ型コア１２Ｂは、２次巻線が巻かれる磁脚１２Ｅと、１次巻線が巻かれる磁脚１２Ｆとを含む。磁脚１２Ｅは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００６０】
磁脚１２Ｃ，磁脚１２Ｄと同様に、昇圧トランス１１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要があるので、磁脚１２Ｅと磁脚１２Ｆとは互いに平行となるように配置される。
【００６１】
Ｕ型コア１２Ａにおいて、磁脚１２Ｃと磁脚１２Ｅとは図６中のＸ１−Ｘ２軸上に配置される。また、Ｕ型コア１２Ｂにおいて、磁脚１２Ｄと磁脚１２Ｆとは図６中のＸ３−Ｘ４軸上に配置される。
【００６２】
昇圧トランス１１は、さらに、主コア１２に装着されて１次巻線が巻かれる１次側ボビン１４と、主コア１２に装着されて２次巻線が巻かれる２次側ボビン１５とを備える。
【００６３】
１次側ボビン１４と２次側ボビン１５とは嵌合部２０Ａ〜２０Ｃによって嵌合され、互いの位置が固定される。
【００６４】
１次側ボビン１４は、磁脚１２Ｄ上に装着される第１の１次巻線ボビン１４Ａと、磁脚１２Ｆ上に装着される第２の１次巻線ボビン１４Ｂとを含む。
【００６５】
１次側ボビン１４は、さらに、１次側端子１６Ａ〜１６Ｆを含む。１次側端子１６Ａ〜１６Ｆは図１における１次側端子６Ａ〜６Ｆと同様に、１次巻線の巻き方に応じて巻線に接続される端子が選択される。
【００６６】
２次側ボビン１５は、磁脚１２Ｃ上に装着される第１の２次巻線ボビン１５Ａと、磁脚１２Ｅ上に装着される第２の２次巻線ボビン１５Ｂと、２次巻線を分割巻きするための仕切部１５Ｃとを含む。
【００６７】
２次側ボビン１５は、さらに、２次側端子１７Ａ〜１７Ｄを含む。図１における２次側端子７Ａ〜７Ｄと同様に、２次側端子１７Ａ，１７Ｄが高電位側の端子に設定され、２次側端子１７Ｂ，１７Ｃが低電位側の端子に設定される。
【００６８】
昇圧トランス１１には、さらに、間隙１８Ａ〜１８Ｄが設けられる。間隙１８Ａ〜１８Ｄは図１における間隙８Ａ〜８Ｄと同様に、２次側端子１７Ａ，１７Ｄまたは１次側端子１６Ａ，１６Ｆと、Ｕ型コア１２Ａ，１２Ｂとの間の放電を防ぐために設けられる。
【００６９】
実施の形態２の昇圧トランスについてより詳細に説明する。図１の昇圧トランス１においては、１次側ボビン４および２次側ボビン５に主コア２が嵌め込まれ、さらに１次側ボビン４，２次側ボビン５，主コア２との間の隙間に接着剤が注入されることによって、１次側ボビン４と２次側ボビン５の位置関係が決定される。ただし、１次側ボビン４と２次側ボビン５の位置関係は精密に決定されず、端子間の位置関係がずれる可能性がある。
【００７０】
一方、実施の形態２の昇圧トランス１１において、別体として構成されている１次側ボビン１４と２次側ボビン１５とは互いに嵌合される。したがって、主コア１２が嵌め込まれていなくとも１次側ボビン１４と２次側ボビン１５との位置関係が安定する。各ボビンに設けられる端子の位置関係は安定し、実装の点において昇圧トランス１よりも優れる。また、１次側ボビン１４と２次側ボビン１５とが一体化されるので、コアが受ける機械的応力はボビンに分散される。
【００７１】
［実施の形態３］
図７は、実施の形態３の昇圧トランスの三面図である。図７（Ａ）は昇圧トランス２１の平面図である。また、図７（Ｂ）は昇圧トランス２１の右側面図である。また、図７（Ｃ）は昇圧トランス２１の底面図である。
【００７２】
昇圧トランス２１は主コア２２を備える。主コア２２は、第１の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア２２Ａと、第２の閉磁路の主要部を形成するＵ型コア２２Ｂと、第１の閉磁路と第２の閉磁路との重なり部分を形成するＩ型コア２３とを含む。
【００７３】
後に詳細に説明するように、Ｉ型コア２３には主コア２２を固定するための接着剤を効果的に注入するよう、Ｉ型コア３よりも大きな面取加工がなされる。
【００７４】
Ｕ型コア２２Ａは、２次巻線が巻かれる磁脚２２Ｃと、１次巻線が巻かれる磁脚２２Ｄとを含む。磁脚２２Ｃは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００７５】
昇圧トランス２１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要がある。よって磁脚２２Ｃと磁脚２２Ｄとは互いに平行となるように配置される。
【００７６】
Ｕ型コア２２Ｂは、２次巻線が巻かれる磁脚２２Ｅと、１次巻線が巻かれる磁脚２２Ｆとを含む。磁脚２２Ｅは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００７７】
磁脚２２Ｃ，磁脚２２Ｄと同様に、昇圧トランス２１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要があるので、磁脚２２Ｅと磁脚２２Ｆとは互いに平行となるように配置される。
【００７８】
Ｕ型コア２２Ａにおいて、磁脚２２Ｃと磁脚２２Ｅとは図７中のＸ１−Ｘ２軸上に配置される。また、Ｕ型コア２２Ｂにおいて、磁脚２２Ｄと磁脚２２Ｆとは図７中のＸ３−Ｘ４軸上に配置される。
【００７９】
昇圧トランス２１は、さらに、主コア２２に装着されて１次巻線が巻かれる１次側ボビン２４と、主コア２２に装着されて２次巻線が巻かれる２次側ボビン２５とを備える。
【００８０】
１次側ボビン２４は、磁脚２２Ｄ上に装着される第１の１次巻線ボビン２４Ａと、磁脚２２Ｆ上に装着される第２の１次巻線ボビン２４Ｂとを含む。
【００８１】
１次側ボビン２４は、さらに、１次側端子２６Ａ〜２６Ｆを含む。１次側端子２６Ａ〜２６Ｆは図１における１次側端子６Ａ〜６Ｆと同様に、１次巻線の巻き方に応じて巻線に接続される端子が選択される。
【００８２】
２次側ボビン２５は、磁脚２２Ｃ上に装着される第１の２次巻線ボビン２５Ａと、磁脚２２Ｅ上に装着される第２の２次巻線ボビン２５Ｂと、２次巻線を分割巻きするための仕切部２５Ｃとを含む。
【００８３】
２次側ボビン２５は、さらに、２次側端子２７Ａ〜２７Ｄを含む。図１における２次側端子７Ａ〜７Ｄと同様に、２次側端子２７Ａ，２７Ｄが高電位側の端子に設定され、２次側端子２７Ｂ，２７Ｃが低電位側の端子に設定される。
【００８４】
昇圧トランス２１には、さらに、間隙２８Ａ〜２８Ｄが設けられる。間隙２８Ａ〜２８Ｄは図１における間隙８Ａ〜８Ｄと同様に、２次側端子２７Ａ，２７Ｄまたは１次側端子２６Ａ，２６ＦとＵ型コア２２Ａ，２２Ｂとの間の放電を防ぐために設けられる。
【００８５】
実施の形態３の昇圧トランスについてより詳細に説明する。主コア２２と１次側ボビン２４と２次側ボビン２５とを固定する場合、これらを組立てた後に、Ｉ型コア２３と１次側ボビン２４との隙間、およびＩ型コア２３と２次側ボビン２５との隙間に接着剤が注入される。特に、Ｕ型コア２２Ａ，２２ＢとＩ型コア２３とは確実に接合されるので接合面の導通が確保される。接合面の導通が確保されることでＵ型コア２２Ａ，２２ＢとＩ型コア２３の電位が同一となり、接合面での放電が防止される。
【００８６】
図８は、Ｉ型コア２３の平面と正面を示す図である。図８（Ａ）はＩ型コア２３の平面を示す図であり、図８（Ｂ）はＩ型コア２３の正面を示す図である。
【００８７】
Ｉ型コア２３は、斜めに面取加工（Ｃ面処理）された周辺部２３Ａ，２３Ｂを含む。なお、周辺部２３Ａ，２３Ｂは主コア２２と１次側ボビン２４と２次側ボビン２５とを固定するのに十分な量の接着剤が注入されるだけの隙間が生じるように面取加工がなされる。
【００８８】
図９は、図７の昇圧トランス２１のＩＸ−ＩＸ間の断面図である。Ｉ型コア２３の周辺部２３Ａ，２３Ｂおよび２次側ボビン２５によって生じる隙間から接着剤が注入される。接着剤によってＵ型コア２２Ａ，２２ＢとＩ型コア２３と２次側ボビン２５とが固定される。
【００８９】
［実施の形態４］
図１０は、実施の形態４の昇圧トランスの平面と右側面を示す図である。図１０を参照して、図１０（Ａ）は昇圧トランス３１の平面図である。また、図１０（Ｂ）は昇圧トランス３１の右側面図である。
【００９０】
図１１は、主コア３２の平面図である。主コア３２は、Ｅ型コア３２Ａと、Ｅ型コア３２Ｂと、Ｉ型コア３３とを含む。Ｅ型コア３２Ａは補助磁脚３２Ｇを含む。同様にＥ型コア３２Ｂは補助磁脚３２Ｈを含む。
【００９１】
図１２は、Ｅ型コア３２Ａを図１１のＸ方向とＹ方向から見た図である。図１２（Ａ）は図１２のＸ方向から見たＥ型コア３２Ａを示す。また、図１２（Ｂ）は図１２のＹ方向から見たＥ型コア３２Ａを示す。
【００９２】
補助磁脚３２Ｇは磁脚３２Ｃ，３２Ｄよりも上下方向に高く設けられる。補助磁脚３２Ｇから漏れる磁束の量は補助磁脚３２Ｇの断面積に依存する。したがって、補助磁脚３２Ｇを幅の方向に広げようとすると実装面積の増加につながるので、補助磁脚３２Ｇは上下方向に伸ばされる。ただし、低背化のため、補助磁脚３２Ｇの高さはＥ型コア３２Ａの高さ以下になる。
【００９３】
図１０に示されるように、昇圧トランス３１は主コア３２を備える。主コア３２は、第１の閉磁路の主要部を形成するＥ型コア３２Ａと、第２の閉磁路の主要部を形成するＥ型コア３２Ｂと、第１の閉磁路と第２の閉磁路との重なり部分を形成するＩ型コア３３とを含む。
【００９４】
Ｅ型コア３２Ａは、２次巻線が巻かれる磁脚３２Ｃと、１次巻線が巻かれる磁脚３２Ｄと、一端部がＩ型コア３３の略中央部と対向し、一端部とＩ型コア３３との間に漏れ磁束を発生するための補助磁脚３２Ｇとを含む。磁脚３２Ｃは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００９５】
昇圧トランス３１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要がある。よって磁脚３２Ｃと磁脚３２Ｄとは互いに平行となるように配置される。
【００９６】
Ｅ型コア３２Ａは補助磁脚３２Ｇを含む点で図１に示されるＵ型コア２Ａと相違する。なお、Ｉ型コア３３との間に漏れ磁束を発生させるため、補助磁脚３２Ｇの長さはＩ型コア３３と接合しない長さ、すなわち磁脚３２Ｃ，３２Ｄよりも短い長さとなる。
【００９７】
Ｅ型コア３２Ｂは、２次巻線が巻かれる磁脚３２Ｅと、１次巻線が巻かれる磁脚３２Ｆと、一端部がＩ型コア３３の略中央部と対向し、一端部とＩ型コア３３との間に漏れ磁束を発生するための補助磁脚３２Ｈとを含む。磁脚３２Ｅは２次巻線が分割巻きされるのに十分な長さを有する。
【００９８】
磁脚３２Ｃ，磁脚３２Ｄと同様に、昇圧トランス３１が駆動された場合に、１次巻線と２次巻線の間の電気的な絶縁を確保する必要があるので、磁脚３２Ｅと磁脚３２Ｆとは互いに平行となるように配置される。
【００９９】
また、補助磁脚３２Ｇと同様に、Ｉ型コア３３と接合しないよう補助磁脚３２Ｈの長さは磁脚３２Ｅ，３２Ｆよりも短い長さとなる。
【０１００】
Ｅ型コア３２Ａにおいて、磁脚３２Ｃと磁脚３２Ｅとは図１０中のＸ１−Ｘ２軸上に配置される。また、Ｕ型コア３２Ｂにおいて、磁脚３２Ｄと磁脚３２Ｆとは図１０中のＸ３−Ｘ４軸上に配置される。
【０１０１】
昇圧トランス３１は、さらに、主コア３２に装着されて１次巻線が巻かれる１次側ボビン３４と、主コア３２に装着されて２次巻線が巻かれる２次側ボビン３５とを備える。
【０１０２】
１次側ボビン３４は、磁脚３２Ｄ上に装着される第１の１次巻線ボビン３４Ａと、磁脚３２Ｆ上に装着される第２の１次巻線ボビン３４Ｂとを含む。
【０１０３】
１次側ボビン３４は、さらに、１次側端子３６Ａ〜３６Ｆを含む。１次側端子３６Ａ〜３６Ｆは図１における１次側端子６Ａ〜６Ｆと同様に、１次巻線の巻き方に応じて巻線に接続される端子が選択される。
【０１０４】
２次側ボビン３５は、磁脚３２Ｃ上に装着される第１の２次巻線ボビン３５Ａと、磁脚３２Ｅ上に装着される第２の２次巻線ボビン３５Ｂと、２次巻線を分割巻きするための仕切部３５Ｃとを含む。
【０１０５】
２次側ボビン３５は、さらに、２次側端子３７Ａ〜３７Ｄを含む。図１における２次側端子７Ａ〜７Ｄと同様に、２次側端子３７Ａ，３７Ｄが高電位側の端子に設定され、２次側端子３７Ｂ，３７Ｃが低電位側の端子に設定される。
【０１０６】
昇圧トランス３１には、さらに、間隙３８Ａ〜３８Ｄが設けられる。間隙３８Ａ〜３８Ｄは図１における間隙８Ａ〜８Ｄと同様に、２次側端子３７Ａ，３７Ｄまたは１次側端子３６Ａ，３６ＦとＥ型コア３２Ａ，３２Ｂとの間の放電を防ぐために設けられる。
【０１０７】
実施の形態４の昇圧トランスについてより詳細に説明する。１次巻線ボビン３４Ａによって生じる磁束の一部は、補助磁脚３２ＧとＩ型コア３３との間から漏れ出る。同様に１次巻線ボビン３４Ｂによって生じる磁束の一部は、補助磁脚３２ＨとＩ型コア３３との間から漏れ出る。この漏れ出る磁束すなわち漏れ磁束の量は、補助磁脚３２Ｇ，３２Ｈの断面積や補助磁脚３２ＧとＩ型コア３３との隙間の大きさによって調整が可能となる。リーケージインダクタンスは漏れ磁束量と密接に関係し、漏れ磁束量を増加させることでリーケージインダクタンスを大きくすることができる。したがって、リーケージインダクタンスを大きくするために、必要以上に巻き線の巻き数を増加させる必要がない。
【０１０８】
図１３は、本発明の昇圧トランスが応用される回路例の図である。図１３を参照して、点灯回路４０は、昇圧トランス４１と、直流電圧を交流電圧に変換するインバータ４２と、冷陰極管４３Ａ，４３Ｂと、冷陰極管４３Ａと組み合わさって共振回路を構成するコンデンサ４４Ａと、冷陰極管４３Ｂと組み合わさって共振回路を構成するコンデンサ４４Ｂと、昇圧トランス４１とインバータ４２とを結合する端子４５Ａ〜４５Ｄと、昇圧トランス４１と冷陰極管４３Ａ，４３Ｂとを結合する端子４６Ａ〜４６Ｄとを含む。なお、昇圧トランス４１は上述の昇圧トランス１，１１，２１，３１のいずれでもよい。
【０１０９】
冷陰極管４３Ａに印加される電圧は、端子４６Ａ側が高電位となり、端子４６Ｂ側が低電位となる。同様に冷陰極管４３Ｂに印加される電圧は、端子４６Ｄ側が高電位となり、端子４６Ｃ側が低電位となる。
【０１１０】
一般的な冷陰極管の点灯動作では、冷陰極管４３Ａ，４３Ｂに同位相の交流電圧が与えられる。ただし、近年の冷陰極管製造技術の進展に伴い、Ｕ字型やＷ字型の冷陰極管が提案されている。Ｕ字型やＷ字型の冷陰極管を点灯させる場合、冷陰極管の一方の電極ともう一方の電極にそれぞれ逆位相の電圧を与えることが多い。逆位相となる電圧を印加する方法としては、たとえば昇圧トランス４１の２次巻線の巻線の向きを互いに逆向きにする方法がある。
【０１１１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】実施の形態１の昇圧トランスの三面図である。
【図２】主コア２の平面と正面を示す図である。
【図３】Ｕ型コア２Ａを図２のＸ方向とＹ方向から見た図である。
【図４】図１の昇圧トランス１のＩＶ−ＩＶ間の断面図である。
【図５】主コア２に流れる磁束を示す模式図である。
【図６】実施の形態２の昇圧トランスの三面図である。
【図７】実施の形態３の昇圧トランスの三面図である。
【図８】Ｉ型コア２３の平面と正面を示す図である。
【図９】図７の昇圧トランス２１のＩＸ−ＩＸ間の断面図である。
【図１０】実施の形態４の昇圧トランスの平面と右側面を示す図である。
【図１１】主コア３２の平面図である。
【図１２】Ｅ型コア３２Ａを図１１のＸ方向とＹ方向から見た図である。
【図１３】本発明の昇圧トランスが応用される回路例の図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１，１１，２１，３１  昇圧トランス、２，１２，２２，３２  主コア、２Ａ，２Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ  Ｕ型コア、２Ｃ〜２Ｆ，１２Ｃ〜１２Ｆ，２２Ｃ〜２２Ｆ，３２Ｃ〜３２Ｆ  磁脚、２Ｇ〜２Ｎ，２３Ａ，２３Ｂ  周辺部、３，１３，２３，３３  Ｉ型コア、４，１４，２４，３４  １次側ボビン、４Ａ，１４Ａ，２４Ａ，３４Ａ  第１の１次巻線ボビン、４Ｂ，１４Ｂ，２４Ｂ，３４Ｂ  第２の１次巻線ボビン、５，１５，２５，３５  ２次側ボビン、５Ａ，１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ  第１の２次巻線ボビン、５Ｂ，１５Ｂ，２５Ｂ，３５Ｂ  第２の２次巻線ボビン、５Ｃ，１５Ｃ，２５Ｃ，３５Ｃ  仕切部、６Ａ〜６Ｆ，１６Ａ〜１６Ｆ，２６Ａ〜２６Ｆ，３６Ａ〜３６Ｆ  １次側端子、７Ａ〜７Ｄ，１７Ａ〜１７Ｄ，２７Ａ〜２７Ｄ，３７Ａ〜３７Ｄ  ２次側端子、８Ａ〜８Ｈ，１８Ａ〜１８Ｄ，２８Ａ〜２８Ｄ，３８Ａ〜３８Ｄ  間隙、９Ａ，９Ｂ  １次巻線、９Ｃ，９Ｄ  ２次巻線、１０Ａ，１０Ｂ  磁束、２０Ａ〜２０Ｃ  嵌合部、３２Ａ，３２Ｂ  Ｅ型コア、３２Ｇ，３２Ｈ  補助磁脚、４０  点灯回路、４２  インバータ、４３Ａ，４３Ｂ  冷陰極管、４４Ａ，４４Ｂ  コンデンサ、４５Ａ〜４５Ｄ，４６Ａ〜４６Ｄ  端子。
【図１】
2005223125.tif 000003
【図２】
2005223125.tif 000004
【図３】
2005223125.tif 000005
【図４】
2005223125.tif 000006
【図５】
2005223125.tif 000007
【図６】
2005223125.tif 000008
【図７】
2005223125.tif 000009
【図８】
2005223125.tif 000010
【図９】
2005223125.tif 000011
【図１０】
2005223125.tif 000012
【図１１】
2005223125.tif 000013
【図１２】
2005223125.tif 000014
【図１３】
2005223125.tif 000015