(57)【要約】      （修正有）【課題】被研磨面の任意の特定位置の測定及び、均等な加重による均等な研磨が可能で、研磨状態の精度の高いモニター及び研磨終点の検出が可能なＣＭＰ装置のｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置を提供する。【解決手段】被研磨基板４を保持する研磨ヘッド３と、研磨パッド２を貼付した研磨テーブル１とを備え、研磨パッド２と被研磨基板４との間に研磨液を介在させた状態で、研磨テーブル３と被研磨基板４を相対移動させることにより、被研磨基板４を研磨する研磨装置において、前記研磨テーブル１に開口部５を設けるか、又は研磨テーブル１とその側部に配置したサイドテーブルとの間に間隙を設け、該開口部５又は間隙を被研磨基板４が通過する機構を有するとともに、該開口部５又は間隙にノッチセンサ７及び画像認識光学ヘッド６を備えるＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。【選択図】図１
2005294367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨基板を保持する研磨ヘッドと、研磨パッドを貼付した研磨テーブルとを備え、前記研磨パッドと前記被研磨基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨テーブルと前記被研磨基板を相対移動させることにより、前記被研磨基板を研磨する研磨装置において、前記研磨テーブルに開口部を設けるか、又は前記研磨テーブルとその側部に配置したサイドテーブルとの間に間隙を設け、該開口部又は間隙を被研磨基板が通過する機構を有するとともに、該開口部又は間隙にノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドを備えることを特徴とするＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【請求項２】
前記開口部の直径が、被研磨基板の直径より小さいことを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【請求項３】
前記研磨パッド中央の開口部の直径が被研磨基板の直径よりも大きいが、研磨ヘッドのトップリングの直径よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【請求項４】
前記研磨テーブルが内テーブルと外テーブルとからなり、両テーブルの間に形成した間隙を開口部としたことを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【請求項５】
前記研磨テーブルの表面に環状の溝を設けて開口部とし、該溝の中にセンサを配置したことを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＰ（化学機械研磨）装置のｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置に関し、例えば、ＵＬＳＩなどの半導体デバイスを製造する方法において、半導体ウエハの被研磨面を均等にかつ精密に平坦研磨を行うためのＣＭＰ装置のｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の一手段として研磨装置により研磨することが広く行われている。
【０００３】
従来、この種の研磨装置は、上面に研磨布を貼付して研磨面を構成するターンテーブルと、基板の被研磨面をターンテーブルに向けて基板を保持するトップリングとを有し、これらをそれぞれ自転させながらトップリングにより基板を一定の圧力でターンテーブルに押し付け、砥液を供給しつつ基板の被研磨面を平坦に研磨している。
【０００４】
従来のＣＭＰ装置を、図１１に示す。図１１に於いて、３５は研磨テーブルと呼ばれるターンテーブルであり、３６は研磨パッドであり、３２はウエハ、３１はウエハ３２を保持するための研磨ヘッド、３３は研磨液供給部である。このＣＭＰ装置は、ウエハの被研磨面に荷重Ｐを加えながら研磨テーブル３５と研磨ヘッド３１に各々回転運動１０１、１００を与え、更に揺動１０２を加える。このようにして、ウエハ３２と研磨パッド３６との間に相対運動が与えられると共に、研磨液３４をウエハ３２と研磨パッド３６との間に供給すると、ウエハ３２は、研磨液３４と研磨パッド３６の作用により研磨される。
砥液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウエハ３２を研磨する。
【０００５】
この種の研磨装置には、被研磨基板の研磨時に、研磨テーブルと被研磨基板との相対移動により、被研磨基板の一部を一時的に又は常時、研磨テーブルからその周囲へはみ出させる、オーバーハング方式と称せられるＣＭＰ装置がある。
【０００６】
一方、被研磨基板の表面状態を直接光学的に計測して研磨状態をモニターしたり、研磨終点検出を行う研磨装置が考案されている。この研磨装置、すなわち、オーバーハング方式のＣＭＰ装置は、図３に示すように、研磨テーブル１の周囲（図３においては右側）へはみ出た研磨ヘッドのトップリング３に保持された被研磨基板、例えば半導体ウエハ４の下方で、研磨テーブル１の側部（図３においては右側）に配設した光学ヘッド６及びノッチセンサ７を有する光学測定装置からウエハ４の被研磨面にプローブ光を照射し、反射光を反射光検出器（光検出部）（図示せず）で検出して、その強度変化やスペクトル分布から研磨状態のモニターや研磨終点検出を行うものである。
【０００７】
このような研磨装置によれば、メタルＣＭＰのように研磨終点近傍で摩擦抵抗が大きく変化するＣＭＰプロセスに限定されなく、メタルＣＭＰやＳＴＩ−ＣＭＰのみならず層間絶縁膜ＣＭＰのようにストッパを用いないＣＭＰプロセスに対しても、研磨状態のモニターのみならず研磨終点検出を行うことが可能である。また、この方法で検出される情報は被研磨基板全体の平均化された情報ではなく、プローブ光が照射するスポット領域の情報であることが特徴である。
【０００８】
上記構成の研磨装置には、被研磨面の表面状態を光学的に測定する光学測定部が設けられており、この光学測定部は研磨加工中に被研磨面の特定位置の表面状態を測定する。ここで、「被研磨面の特定位置」とは、被研磨面上に特定される所定の位置をいい、例えば上述した半導体ウエハの例においては、ウエハ面上における特定のダイ領域内における特定のパターン位置、あるいはダイ領域外に設けた特定の基準領域等をいう。本発明の構成によれば、光学測定部が常に被研磨面上の特定位置の表面状態を測定するため、被研磨面の表面状態の変化を的確に捉えることができ、従って、研磨加工中に高精度に表面状態のモニター及び研磨終了点を判定可能になる。
【０００９】
上記構成の研磨装置では、光学測定部はプローブ光によって検出される特定指標の検出信号に基づいて、被研磨面における特定位置の表面状態を測定するように構成されている。
ここで、「研磨対象物に形成された特定指標」とは、例えば、半導体ウエハにおけるオリエンテーションフラット（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  ｆｌａｔ）やノッチ（Ｎｏｔｃｈ）、アライメントマーク（Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍａｒｋ）等の指標をいい、ダイ領域外に新たに設けた位置検出用の指標（例えば光学反射領域等）であっても良い。
そして、光学ヘッド６はノッチ以外の指標やウエハ表面の様々なパターンの画像認識を行い、ノッチセンサ７はウエハ表面に生じた切り込みなどのノッチのモニターを行う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記した図３に示したｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置が研磨テーブル１の側面に配設された構造のＣＭＰ装置では、被研磨基板であるウエハ４を研磨テーブル１上に貼り付けたパッド外周部でオーバーハングさせた場合、ウエハ外周部の特定の位置のみの研磨状態のモニターや測定しかできないという問題があった。
【００１１】
また、ウエハをパッド外周部でオーバーハングさせるため、ウエハの傾きや、パッド上に残った部分のみの加重により不均等な研磨がなされるため、ウエハの被研磨面を高精度でモニターしたり測定しても、ウエハの均等な研磨精度の向上に結びつかないという欠点があった。
【００１２】
更に、パッド外周では研磨テーブル１の回転速度が一定であっても周速度が高速になり、ウエハの被研磨面の研磨状態をモニターし、測定する際にウエハが過剰研磨され、従って多量の削りかすが発生するため、削りかすの除去が困難であるという問題も生じる。
【００１３】
その上、図１１に示したように、研磨液３４はウエハ３２の外周部近くに供給されるため、ウエハの外周部の下方にある光学ヘッドやノッチセンサからなる光学測定部（計測部）に過剰な研磨剤成分が供給され、ウエハ表面の研磨剤成分の除去が困難になり、従って精度の高い研磨状態のモニターが困難であるという問題もあった。
【００１４】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、被研磨面の任意の特定位置の測定及び、均等な加重による均等な研磨が可能で、モニターや計測時に過剰な研磨がなされなく、被研磨表面の研磨剤成分の除去が容易なため、研磨状態の精度の高いモニター及び研磨終点の検出が可能なＣＭＰ装置のｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者等は、上記の目的を達成するために鋭意研究を行い、研磨パッドを貼り付けた研磨テーブルの表面に開口部を設けるか、又は前記研磨テーブルとその側部に配置したサイドテーブルとの間に開口部を設け、この開口部の中に光学測定装置を収納することにより上記の問題点が全て解消することを見出し、かかる知見に基づいて本発明に到達した。
【００１６】
すなわち、本発明は、下記の手段により上記の課題を解決することができた。
（１）被研磨基板を保持する研磨ヘッドと、研磨パッドを貼付した研磨テーブルとを備え、前記研磨パッドと前記被研磨基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨テーブルと前記被研磨基板を相対移動させることにより、前記被研磨基板を研磨する研磨装置において、前記研磨テーブルに開口部を設けるか、又は前記研磨テーブルとその側部に配置したサイドテーブルとの間に間隙を設け、該開口部又は間隙を被研磨基板が通過する機構を有するとともに、該開口部又は間隙にはノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドを備えることを特徴とするＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
（２）前記開口部の直径が、被研磨基板の直径より小さいことを特徴とする前記（１）記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
（３）前記研磨パッド中央の開口部の直径が被研磨基板の直径よりも大きいが、研磨ヘッドのトップリングの直径よりも小さいことを特徴とする前記（１）記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
（４）前記研磨テーブルが内テーブルと外テーブルとからなり、両テーブルの間に形成した間隙を開口部としたことを特徴とする前記（１）記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
（５）前記研磨テーブルの表面に環状の溝を設けて開口部とし、該溝の中にセンサを配置したことを特徴とする前記（１）記載のＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、オーバーハング方式の研磨装置においても、前記研磨テーブルに開口部を設けるか、又は前記研磨テーブルとその側部に配置したサイドテーブルとの間に間隙を設け、前記開口部又は間隙に収納した光学測定装置により被研磨基板の研磨表面の研磨状態をモニターし、計測するため、下記の優れた効果を発揮する。
１）ウエハの中心から外周部までの任意の特定位置のモニター及び測定が可能となる。
２）研磨時の均等な加重が可能であるため、均等な研磨が可能となり、ウエハのＣＭＰ工程のスループットが向上し、低コストで半導体デバイスを製造することができる。
３）計測時過剰な研磨が行われないので、削りかすの発生が少なくなり、研磨状態の精度の高いモニターが可能になる。
４）光学測定装置の計測部に過剰な研磨剤成分が供給されないため、ウエハ表面の研磨剤成分の除去が容易であるから、研磨状態の高精度モニターが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明は、これらの実施の形態により何等制限されるものではない。
【００１９】
図１は、本発明の前記研磨テーブル中央に開口部を設けたＣＭＰ装置のｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置であって、開口部の直径が被研磨基板の直径よりも小さい実施の形態を説明する断面図である。
図１に於いて、１は上面に研磨パッド２が貼り付けられた研磨テーブルであり、４はウエハ、３はウエハ４を保持するための研磨ヘッドのトップリングである。このＣＭＰ装置は図１１で説明したのと同様に、ウエハ４の被研磨面に荷重を加えながら研磨テーブル１と研磨ヘッドのトップリング３にそれぞれ回転運動を与え、更に図１では左右方向に揺動を加えるように構成されている。このようにして、ウエハ４と研磨パッド２との間に相対運動が与えられるとともに、図１では図示省略するが、図１１と同様に研磨液をウエハ４の周縁部の近傍の研磨パッド上に、ウエハ４と研磨パッド２との間に供給するように添加し、ウエハ４を研磨液と研磨パッドの作用により研磨するようになされている。
【００２０】
この装置では、研磨テーブル１の中央に開口部５を配設し、この開口部５に光学ヘッド６及びノッチセンサ７を有する光学測定装置を収納し、この光学ヘッド６及びノッチセンサ７からそれぞれウエハ３の被研磨面にプローブ光を照射し、反射光を反射光検出器（図示省略）で検出して、その強度変化やスペクトル分布から研磨状態のモニターや研磨終点検出を行うようになっている。なお、研磨テーブル１はその中央に開口部を有している関係で、研磨パッド２は開口部には貼られていない。
【００２１】
このような構成を有することによって、ウエハ表面のオリエンテーションやアライメントマーク、ノッチ等の指標やウエハ表面の様々なパターンの画像認識を行って、特定位置の時間の経過に伴う研磨状態のモニターや研磨終点検出を高精度に行うものである。
【００２２】
しかも図１に示すように、研磨テーブルの中央部に開口部５を有し、その上をウエハ４が通過するように構成されているので、ウエハの任意点、すなわち外周部のみならず中央部まで、任意の特定位置の研磨状態のモニターが可能になる。なお、研磨テーブルの中央部は回転による速度が遅い部分であるので、この部分を研磨しない部分としても研磨作業に支障をきたすことはない。
そして、ウエハ４が研磨テーブル１の周囲へ張り出す量を、オーバーハング部の下に光学測定装置を配設して測定する場合に比べて小さくすることができ、パッド上にウエハの大部分が残るようにして研磨することができるので、ウエハに均等な加重を行うことが可能となり、その結果均等な研磨が行えることになり、高い精度の研磨状態のモニターや研磨終点の検出もできることになる。
【００２３】
更に、計測はウエハの中央部近傍で行われるので、回転中心近くであるため回転周速が比較的低速であるため、計測時の研磨量もウエハの外周部に比べ少なくなり、過剰な研磨が防止され、削りかすの発生も少なくなるため、研磨状態を高精度でモニターすることができる。
【００２４】
その上、図１においても前記したように、図１１と同様にウエハ外周部近傍に研磨液（砥液）が供給されるために、ウエハの中央部の下方に配備された光学測定装置に過剰な研磨剤成分が供給されることがないので、モニターされるウエハの研磨表面の研磨剤成分の除去が容易であるばかりでなく、光学ヘッド６やノッチセンサ７等の計測部が研磨剤成分で汚染される程度が軽微ですむため、ウエハの研磨表面の研磨状態の高い精度でのモニターが可能になる。
【００２５】
次に、本発明のパッド中央に開口部を有するＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置の第２の実施態様を図２に示す。
図２は、図１と対比すると、図１では研磨テーブル中央開口部の直径がウエハの直径よりも小さかったのに対して、図２では研磨テーブル中央開口部の直径がウエハの直径よりも大きいという逆の関係になっていることが特徴である。
それゆえ、モニター装置の構成、作用機構、利点等の重複説明は省略する。
【００２６】
このような構成になっていることにより、図１に示す方式では、ウエハのパッド中央開口部の直径より小さい任意の特定位置の測定だけが可能であったのが、図２に示す方式では、ウエハの中心から外縁に至る全ての任意点を一度に計測できるという特徴がある。
なお、図１に示すモニター方式について説明したウエハの研磨表面の研磨状態をモニターすることについての長所は、図２に示す方式についてもそっくりそのまま当てはまることは言うまでもないことである。
【００２７】
本発明における研磨テーブルに開口部を設けるか、又は前記研磨テーブルとその側部に配置したサイドテーブルとの間に間隙を設ける態様としては、上記の他に種々の形式が取ることができる。
その一形式として、図４は、研磨テーブルを内テーブル１１とそれを囲む環状の外テーブル１２から構成し、内テーブル１１と外テーブル１２との間の間隙１３を開口部とし、その間隙１３内にセンサ、例えば膜厚測定用センサ１４を配置し、測定が必要な時にトップリング３を揺動させてセンサ１４の上を通過させることにより、ウエハ全体を測定できる。内テーブル１１と外テーブル１２とは別の回転速度で回転させることができる。また、ポリッシング中に常時ウエハの表面の形状を測定し監視することが可能である。
【００２８】
図５は、本発明の研磨テーブル表面に溝を形成し、その溝内にセンサを配置した研磨モニター装置の概略断面図を示すものであり、（ａ）が側面図で、（ｂ）が平面図である。溝１５は回転を考慮して環状のものとすることが好適である。前記溝内にセンサを配置するには、センサを上から吊るせばよく、例えば、左側の形式のものでは、図６（ａ）に示すように、２つの吊下部材１６により両端を支持されたセンサアーム１７Ａの上にセンサ１４を設ける。図では２つのセンサ１４が設けられている。右側の形式のものは、図６（ｂ）に示すように、１本の吊下部材１６によりセンサアーム１７Ｂが片持ち構造で支持されている。なお、センサアーム１７Ａ、１７Ｂは溝１５の環状の形状に沿った形状とする。トップリング３は図のように、溝１５を横切って移動することができる。この構造により、センサ１４をトップリング３の下面に貼られたウエハの下に配置されていることになり、ウエハの全面を測定監視することができる。
【００２９】
この装置では、センサ１４を溝１５から抜き差しが自由であり、ユーティリティーはセンサアームから供給することができる。また、この溝１５は、排水に利用することができ、あるいは溝の外側のテーブルは、下から砥液を供給することができる。
図５の装置では、図４の装置が有する利点を有する外に、テーブルが一体であるので、図４の装置に比してコスト、調整、制御面で有利である。図６（ａ）のセンサアームを用いたものでは、センサの位置が安定して測定が正確となる。図６（ｂ）のセンサアームを用いたものでは、ウエハの下にあるとき、吊下部材１６を溝１５に沿って移動させれば、センサ１４をウエハに対して移動させて測定することができ、ウエハ全面が観察可能である。
【００３０】
図７の装置は、研磨テーブルとその側方のサブテーブルとの間にセンサを配置した研磨モニター装置であって、研磨テーブルの側方の膜厚測定領域にサブテーブル２０を設置し、その領域に膜厚測定センサ１４を配置する。サブテーブル２０は図に見るように固定式のものでもよいし、また円形の回転テーブルとすることもできる。この装置では、ポリッシングの途中でトップリング３をサブテーブル２０の方に移動させ、オーバーハング位置でトップリング３を揺動させることにより、ウエハの全域を測定することができる。  さらに、サブテーブル２０の設置により、トップリング３が傾かなくなり、安定した測定が可能となる。
【００３１】
図８の装置は、研磨テーブル１の内テーブルと外テーブルとの間に間隙を設け、両テーブルの間に表面を覆う透明クロス２１を張ったものであり、その透明クロス２１の下に膜厚測定センサ１４を設けてあり、回転はしない。ここではポリッシング位置に透明クロス２１を配置することができる。この場合には膜厚測定センサ１４は研磨テーブル１の上からは支持できないので、研磨テーブル１の下から支持するようにする。
この装置においては、ポリッシング中、常時ウエハの表面の形状を測定し、監視することができる。トップリング３を揺動させずにウエハの全域を測定できる利点がある。
【００３２】
図９の装置は、研磨テーブル１の一部に孔を開けて、表面に透明クロスを張り、センサ用窓２２を設け、その下の位置に膜厚測定用センサ１４とノッチ確認用センサ２３を配置したものであり、（ａ）は上からの斜視図であり、（ｂ）は下からの斜視図である。両センサとも固定しておき、研磨テーブル１の回転に伴って観測窓２２が両センサの位置にきたときに測定するようにする。センサ用窓２２は研磨テーブル１について放線方向に延びた形状とし、膜厚測定用センサ１４をそのセンサ用窓２２に沿って移動させるようにすると、任意の場所で測定することが可能となる。
【００３３】
図１０の装置は、研磨テーブル１の一部に孔を開けて、表面に透明クロスを張り、センサ用窓２４を設け、その下の位置に膜厚測定用センサ１４とノッチ確認用センサ２３を配置したものであるが、このセンサ用窓２４については、その周囲に溶液突出口２５を設けて、そこからセンサ用窓２４を清浄化できる溶液を供給できるようにしたものである。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明のパッド中央に開口を有するＣＭＰ  ｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置は、半導体ウエハや石英基板、ガラス基板等の研磨対象物を研磨加工する研磨装置の研磨状態のモニター装置として有用なものである。
しかも、本発明のモニター装置は、メタルＣＭＰやＳＴＩ−ＣＭＰだけでなく層間絶縁ＣＭＰのようにストッパを用いないＣＭＰプロセスに対しても、その研磨状態をｉｎ−ｓｉｔｕ計測して研磨終点を検出することができるので、低コストでの半導体デバイスの製造に特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施態様による研磨モニター装置の概略断面図である。
【図２】本発明の第２実施態様による研磨モニター装置の概略断面図である。
【図３】従来のオーバーハング方式ＣＭＰの研磨モニター装置の概略断面図である。
【図４】本発明の研磨テーブルの内テーブルと外テーブルの間の間隙にセンサを配置した研磨モニター装置の概略断面図である。
【図５】本発明の研磨テーブル表面の溝内にセンサを配置した研磨モニター装置の概略断面図であり、（ａ）が側面図で、（ｂ）が平面図である。
【図６】図５において、溝内にセンサを吊下げて支持した態様を示す概略図であり、（ａ）が両持ちのセンサアームによる態様で、（ｂ）が片持ちのセンサアームによる態様である。
【図７】本発明の研磨テーブルとその側方のサブテーブルとの間にセンサを配置した研磨モニター装置の概略断面図である。
【図８】本発明の研磨テーブルの内テーブルと外テーブルの間の間隙にセンサを配置し、間隙の上に透明クロスを張った研磨モニター装置の概略断面図である。
【図９】本発明の研磨テーブルの表面にセンサ用窓を開け、その内部にセンサを移動可能に配置し、その窓の上に透明クロスを張った研磨モニター装置の概略断面図である。
【図１０】本発明の研磨テーブルの表面にセンサ用窓を開け、その窓の周囲に溶液突出口を設けた研磨モニター装置の概略断面図である。
【図１１】従来のＣＭＰ研磨装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１    研磨テーブル
２    研磨パッド
３    トップリング
４    ウエハ
５    開口部
６    光学ヘッド
７    ノッチセンサ
１１    内テーブル
１２    外テーブル
１３    間隙
１４    センサ
１５    溝
１６    吊下部材
１７Ａ  センサアーム
１７Ｂ  センサアーム
１８    回転軸
１９    研磨液供給口
２０    サブテーブル
２１    透明クロス
２２    センサ用窓
２３    ノッチ確認用センサ
２４    センサ用窓
２５    溶液突出口
３１    研磨ヘッド
３２    ウエハ
３３    研磨液供給部
３４    研磨液
３５    研磨テーブル
３６    研磨パッド
１００    研磨ヘッドの回転運動
１０１    研磨テーブルの回転運動
１０２    揺動運動
Ｐ    押圧荷重
【図１】
2005294367.tif 000003
【図２】
2005294367.tif 000004
【図３】
2005294367.tif 000005
【図４】
2005294367.tif 000006
【図５】
2005294367.tif 000007
【図６】
2005294367.tif 000008
【図７】
2005294367.tif 000009
【図８】
2005294367.tif 000010
【図９】
2005294367.tif 000011
【図１０】
2005294367.tif 000012
【図１１】
2005294367.tif 000013