(57)【要約】 【課題】  小型でかつ組立強度を保った３軸磁気検出素子の構成および、量産性を考慮した３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置、ならびその製造方法を得る。    【解決手段】  ガラスウエハやシリコンウェハ、セラミック基板からなるチップ型の１軸磁気検出素子１ａ，１ｂ，１ｃを非磁性体である正三角柱１００の側面に、それぞれ１個ずつ配置した構造を用いた３軸磁気検出素子において、前記１軸磁気検出素子の電極からの電気的接続にプリント基板またはリードフレーム３により接続がなされ、かつ、前記１軸磁気検出素子３個に対して兼用される１個のバイアス磁界印加用コイル２を具備した１パッケージ構造を有し、プリント基板に実装が可能な構造である３軸磁気検出素子とする。【選択図】  図１
2005345368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、前記基部と一体化された非磁性体であるブロックと、前記ブロックに形成された３つの面に、それぞれ１個ずつ配置されたチップ型の１軸磁気検出素子と、バイアス磁界印加用コイルと、筐体とで構成される３軸磁気検出素子であって、前記チップ型の１軸磁気検出素子は、前記非磁性体であるブロックの側面に、それぞれ１個ずつ平面方向に密着され、前記１軸磁気検出素子の電極と前記基部とは電気的に接続され、かつ、前記バイアス磁界印加用コイルの軸方向は、前記１軸磁気検出素子の平面と略一致されており、前記１軸磁気検出素子、３個に対してバイアス磁界印加を兼用して行うことを特徴とする３軸磁気検出素子。
【請求項２】
前記１軸磁気検出素子の電極と、基部との電気的接続に、クリームはんだ、又は、はんだボール、又は樹脂入りはんだボールを用いたことを特徴とする請求項１に記載の３軸磁気検出素子。
【請求項３】
前記バイアス磁界印加用コイルは、前記１軸磁気検出素子に一括にバイアス磁界を印加でき、巻線には、外経φ２０〜５０μｍの自己融着線が使用され、素子にバイアス磁界をかけることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の３軸磁気検出素子。
【請求項４】
請求項１記載の３軸磁気検出素子において、組立後の前記筐体は樹脂封止され、実装にてマウンター等の自動機の使用が可能であり、更に磁気検出素子への外因からの影響が防止されたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の３軸磁気検出素子。
【請求項５】
前記基部は、リードフレームと、樹脂とで構成された台座であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の３軸磁気検出素子。
【請求項６】
前記基部は、表面に導電パターンが形成されたプリント基板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の３軸磁気検出素子。
【請求項７】
非磁性のリードフレームを有する基部を、ブロックが形成されるベース部分と箱型の壁が形成されるハウジング部分で挟み込み一体成型する工程と、前記ブロックに形成された３つの面に１軸磁気検出素子を配置する工程と、前記磁気検出素子の電極と基部を接合する工程と、次に前記形成された巻線と基部を接続する工程と、最後に樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする３軸磁気検出素子の製造方法。
【請求項８】
前記基部を、リードフレームと、樹脂とで構成する台座とすることを特徴とする請求項７に記載の３軸磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記基部は、表面に導電パターンを形成したプリント基板とすることを特徴とする請求項７に記載の３軸磁気検出素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載の３軸磁気検出素子と、素子駆動用のＩＣと、充填樹脂と、パッケージとで構成されたことを特徴とする３軸磁気検出装置。    
【請求項１１】
前記１軸磁気検出素子が密着されたブロックを配置し、かつダイパットが形成された基部に、センサ駆動用のＩＣを配置し、ＩＣの各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディングを使用し、全体を樹脂モールディングした構成であることを特徴とする請求項１０に記載の３軸磁気検出装置。
【請求項１２】
前記３軸磁気検出装置において、両面に配線パターンが形成された基部の片面に、３軸磁気検出素子を配置し、もう片面にセンサ駆動用のＩＣを配置し、各電極が基部のスルーホールを通してどちらか片面に集約配置された基部を、エポキシ樹脂もしくはアルミナ等で成型されたリード付のハウジングにはめ込み、各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディング等を使用し、全体を樹脂モールディングしたことを特徴とする請求項１０に記載の３軸磁気検出装置。     
【請求項１３】
前記基部は、リードフレームと、樹脂とで構成された台座であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の３軸磁気検出装置。   
【請求項１４】
前記基部は、表面に導電パターンが形成されたプリント基板であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の３軸磁気検出装置。     
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに関するもので、特に３軸磁気検出素子の構成および、センサ駆動用のＩＣを含めた３軸磁気検出装置ならびにその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の３軸磁気検出素子は、１軸磁気検出素子をＸＹ軸として平面に直交配置し、更にＺ軸には、他仕様の磁気検出素子を垂直方向または斜めに配置した組合せで構成されている。図２０は、従来の３軸磁気検出素子の説明図であり、特許文献１に記載されているように、１つの基板内で三次元に直交するようにパターニングされたものであった。      
【０００３】
１軸磁気検出素子を前記のように配置することは、３軸磁気検出素子の小型化に制限を与え、また、各軸ごとに素子の向きが異なるために組立の自動化に不向きであった。また、３軸磁気検出素子を半導体製造工程を用いて作製する場合は小型化は可能であるが、パターンの作製プロセスが複雑で、かつ工程数が多くなっていた。さらに３軸が独立して配置されているので、磁気バイアスが必要な際には、各軸にコイルを配置する必要があり、電流の消費量が多くなっていた。
【０００４】
また、図２１は、従来の他の例の３軸磁気検出素子の説明図である。１軸磁気検出素子を正三角柱に立てた部品と、リードフレームを貼り付けた部品と、コイルを組合わせた３軸磁気検出素子である。しかし、図２１に示す磁気検出素子は、主要部品が分割されているために組合わせた際の強度の確保、樹脂による封止等が難しいものであった（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−００６７５２号公報
【特許文献２】特開２００４−１５０９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、前記の問題点を解決し、小型でかつ組立強度を保った３軸磁気検出素子、かつ量産性のある３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置、ならびその製造方法を提供することである。 
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために、一体成型等による小型化および強靭性の向上や、リフローはんだや樹脂封止などの製造方法を用いて自動化への対応による量産性の向上を検討した結果、得られた。
【０００８】
即ち、本発明は、基部と、前記基部と一体化された非磁性体であるブロックと、前記ブロックに形成された３つの面に、それぞれ１個ずつ配置されたチップ型の１軸磁気検出素子と、バイアス磁界印加用コイルと、筐体とで構成される３軸磁気検出素子であって、前記チップ型の１軸磁気検出素子は、前記非磁性体である三角柱の側面に、それぞれ１個ずつ平面方向に密着され、前記１軸磁気検出素子の電極と、前記基部とは、電気的に接続がなされ、かつ、前記バイアス磁界印加用コイルの軸方向は、前記１軸磁気検出素子の平面と略一致されており、前記１軸磁気検出素子、３個に対してバイアス磁界印加を兼用して行う３軸磁気検出素子である。
【０００９】
また、本発明は、前記１軸磁気検出素子の電極と、基部との電気的接続に、クリームはんだ、又は、はんだボールを用い、リフローで一括接合され、また樹脂入りはんだボールを用い、接合時の熱収縮等が緩和された３軸磁気検出素子である。
【００１０】
また、本発明は、前記バイアス磁界印加用コイルは、磁気検出素子の仕様により磁気バイアスが必要な場合は前記１軸磁気検出素子に一括にバイアス磁界を印加でき、巻線には、外経φ２０〜５０μｍの自己融着線が使用され、素子に近接した位置から効率よくバイアス磁界をかける３軸磁気検出素子である。
【００１１】
また、本発明は、前記の３軸磁気検出素子において、組立後の前記筐体は樹脂封止され、実装の際にマウンター等の自動機の使用が可能であり、更に磁気検出素子への外因（塵埃、湿度等）からの影響が防止された３軸磁気検出素子である。
【００１２】
また、本発明は、前記基部は、リードフレームと樹脂とで構成された台座である３軸磁気検出素子である。
【００１３】
また、本発明は、前記基部は、表面に導電パターンが形成されたプリント基板である３軸磁気検出素子である。
【００１４】
また、本発明は、非磁性のリードフレームを有する基部を、ブロックが形成されるベース部分と箱型の壁が形成されるハウジング部分で挟み込み一体成型する工程と、そのブロックに形成された３つの面に１軸磁気検出素子を配置する工程と、前記請求項２のように磁気検出素子の電極と基部を接合する工程と、次に前記請求項３のように形成された巻線と基部を接続する工程と、最後に樹脂封止する工程とを含む３軸磁気検出素子の製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、前記基部を、リードフレームと樹脂とで構成された平板とする３軸磁気検出素子の製造方法である。
【００１６】
また、本発明は、前記基部を、表面に導電パターンが形成されたプリント基板とする３軸磁気検出素子の製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、前記の３軸磁気検出素子と、検出素子駆動用のＩＣと、充填樹脂と、パッケージとで構成された３軸磁気検出装置である。    
【００１８】
また、本発明は、前記１軸磁気検出素子が密着されたブロックを配置し、かつダイパットが形成された基部に、センサ駆動用のＩＣを配置し、ＩＣの各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディング等を使用し、全体を樹脂モールディングした構成である３軸磁気検出装置である。
【００１９】
また、本発明は、前記３軸磁気検出装置において、両面に配線パターンが形成された基部の片面に、３軸磁気検出素子を配置し、もう片面にセンサ駆動用のＩＣを配置し、各電極が基部のスルーホールを通してどちらか片面に集約配置された基部を、エポキシ樹脂もしくはアルミナ等で成型されたリード付のハウジングにはめ込み、各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディング等を使用し、全体を樹脂モールディングした３軸磁気検出装置である。     
【００２０】
また、本発明は、前記基部は、リードフレームと、樹脂とで構成された台座である３軸磁気検出装置である。   
【００２１】
また、本発明は、前記基部は、表面に導電パターンが形成されたプリント基板である３軸磁気検出装置である。     
【発明の効果】
【００２２】
本発明による３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置は、前記の構成をとることにより、まず第１に従来の各軸が独立した３軸構成と比較し、３軸一括でバイアス磁界を印加することができるため、消費電流を低減できる。また、ボビンレスの自己融着線コイルにより、磁気検出素子により近接した位置から効率よくバイアスをかけることができる。  
【００２３】
第２に、１基板内に三次元の直交軸をパターニングする発明と比較し、本発明に使用される１軸磁気検出素子は検出軸と電極のみの単純化されたパターンであるため、製造工程は短縮され、かつ製造設備も少なくなることから、コストの面でも効果が見込める。
【００２４】
第３に、組立の構成部品を一体成型で提供することで組立強度も向上し、なおかつ箱型の構造をとるため、磁気検出素子およびバイアス磁界印加用コイル等を樹脂封止でき、組立後の外因からの影響を防ぐことも可能になった。
【００２５】
第４に、組立の構成部品を一体成型することや、コイルに自己融着線を用いることにより、大きさ３〜６×３〜６ｍｍ、高さｔ＝０.８〜１.２ｍｍの小型化された３軸磁気検出素子が実現できる。
【００２６】
第５に、センサ駆動用のＩＣと１パッケージ化する際に、そのセンサの用途に優先される項目（面積・高さ）に従ってパッケージ形状を選択できる３軸磁気検出素子構成が可能である。
【００２７】
従って、本発明によって、小型でかつ組立強度を保った３軸磁気検出素子の構成を持つ、量産性のある３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置、ならびその製造方法を提供できる。 
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施の形態による３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置、ならびその製造方法について、以下説明する。
【００２９】
本発明の３軸磁気検出素子は、基部と、前記基部に固定された非磁性体である三角柱形状あるいは三角錐形状でなるブロックと、前記ブロックに形成された３つの面に、それぞれ１個ずつ配置されたチップ型の１軸磁気検出素子と、バイアス磁界印加用コイルと、筐体とで構成される３軸磁気検出素子であって、前記チップ型の１軸磁気検出素子は、前記非磁性体であるブロックの側面に、それぞれ１個ずつ平面方向に密着され、前記１軸磁気検出素子の電極と、前記基部とは、電気的に接続がなされ、かつ、前記バイアス磁界印加用コイルの軸方向は、前記非磁性体である三角柱の軸方向と略一致されており、前記１軸磁気検出素子、３個に対してバイアス磁界印加を兼用して行う３軸磁気検出素子とする。
【００３０】
ここで、前記１軸磁気検出素子の電極と、基部との電気的接続に、クリームはんだ、又は、はんだボールを用い、リフローでの一括接合が可能であり、また樹脂入りはんだボールを用い、接合時の熱収縮等が緩和された３軸磁気検出素子である。
【００３１】
前記バイアス磁界印加用コイルは、一括にバイアス磁界を印加でき、巻線には、外経φ２０〜５０μｍの自己融着線が使用され、素子に近接した位置から効率よくバイアス磁界をかける３軸磁気検出素子である。
【００３２】
ここで、前記基部は、リードフレームと、樹脂とで構成された台座か、あるいは表面に導電パターンが形成されたプリント基板である。
【００３３】
本発明の３軸磁気検出装置は、前記の３軸磁気検出素子と、検出素子駆動用のＩＣと、充填樹脂と、パッケージとで構成された３軸磁気検出装置とする。    
【００３４】
また、前記３軸磁気検出素子に沿って、ダイパットが形成された基部に、センサ駆動用のＩＣを配置し、ＩＣの各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディング等を使用し、全体を樹脂モールディングした構成である３軸磁気検出装置とする。
【００３５】
あるいは、前記３軸磁気検出装置において、両面に配線パターンが形成された基部の片面に、３軸磁気検出素子を配置し、もう片面にセンサ駆動用のＩＣを配置し、各電極が基部のスルーホールを通してどちらか片面に集約配置された基部を、エポキシ樹脂もしくはアルミナ等で成型されたリード付のハウジングにはめ込み、各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕまたはＡｌまたはＣｕのワイヤーボンディング等を使用し、全体を樹脂モールディングした３軸磁気検出装置とする。     
【００３６】
ここで、前記基部は、リードフレームと、樹脂とで構成された台座か、あるいは、表面に導電パターンが形成されたプリント基板である。                 
【実施例１】
【００３７】
図１は、本発明の３軸磁気検出素子の説明図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は側面図である。この磁気検出素子は、例えば、ガラスウェハやシリコンウェハ、セラミック基板からなるチップ型の１軸磁気検出素子１ａ，１ｂ，１ｃの３個と、正三角柱１００と、バイアス磁界印加用コイル２と、素子電極との電気的接続のためのリードフレーム３と、ベーク材や成型樹脂からなる、ベース４およびハウジング５と、これらを封止するためのシリコーン系樹脂６とから概略構成されている。ここで、正三角柱１００の下には、ベース部１１０が形成されており、各１軸磁気検出素子１ａ，１ｂ，１ｃの接合時の保持用として用いられている。
【００３８】
図２は、この磁気検出素子の製造方法のフローチャートであり、また、図３は、３軸磁気検出素子に使用されるリードフレームの上面図である。この磁気検出素子ユニットの製造方法では、まず図３に示すような、エッチングもしくはプレスで形成された非磁性材のリードフレーム３にＳｎめっき、もしくは無電解Ｎｉ／Ａｕめっきを施した電気的接続端子を作製する。
【００３９】
図４は、ベースの斜視図である。このベースは、請求項に記載した基部に相当し、リードフレームと樹脂とが一体化されたものである。図４に示すように、中心に正三角柱１００が形成され、その各辺に向かって２端子ずつ延びるリードフレーム用の溝が形成されている。図５は、ハウジングの斜視図である。図５に示すように、四辺に箱状の壁を形成し、中心部分が抜けた構造になっている。図６は、リードフレーム、ベース、三角柱、ハウジングが一体化された構造体の斜視図である。
【００４０】
図７は、構造体７に組み込まれた１軸磁気検出素子とリードフレームの接合部を示す図である。図７に示すように、前記１軸磁気検出素子１を前記構造体７に形成された正三角柱の各辺に組み込み、前記１軸磁気検出素子の電極部分と電気的接続端子のリードフレームの端部に接合部８（クリームはんだもしくははんだボール）を配置し、リフロー工程を通し、接合させる。
【００４１】
次に、φ３０μｍの自己融着線を使用してバイアス磁界印加用コイル２を形成する。図８は、バイアス磁界印加用コイルの配置を示す図である。図８に示すように、前記バイアス磁界印加用コイル２を前記構造体７に組み込まれた、３軸の前記１軸磁気検出素子１を囲むように組み込み、コイルの両端を前記リードフレーム３の端部にはんだ、もしくはソフトビーム等で接合させる。
【００４２】
図９は、シリコーン系樹脂による封止図である。図９に示すように、組み込まれた前記１軸磁気検出素子１および前記バイアス磁界印加用コイル２を覆うように、前記構造体７に形成された箱状の空間を満たすまでシリコーン系樹脂６を注入して封止し、前記構造体７より外側のアウターリードに外装めっきを施し、その後、リード形状を挿入型もしくは表面実装型に成型し、３軸磁気検出素子９を得る。
【実施例２】
【００４３】
図１０は、本発明の３軸磁気検出装置の上面図である。図１１は、３軸磁気検出装置の製造方法のフローチャートを示す。この磁気センサの製造方法では、まずエッチングもしくはプレスで形成された非磁性材のリードフレーム１０にＳｎめっき、もしくは無電解Ｎｉ／Ａｕめっきを施した電気的接続端子を作製する。
【００４４】
次に、中心に正三角柱１００が形成され、その各辺に向かって２端子ずつ延びるリードフレームの溝を形成したベース４と、中心部分が抜けた構造になるハウジング１１が形成されるような成型用の型で、前記リードフレーム１０の３軸磁気検出素子側を挟み込み、構造体１２に一体成型する。図１２は、ベース、リードフレーム、ハウジングが一体化された構造体の斜視図である。
【００４５】
次に、前記１軸磁気検出素子１を前記構造体１２に形成された正三角柱の各辺に組み込み、前記１軸磁気検出素子１の電極部分と電気的接続端子の前記リードフレーム１０の端部にクリームはんだもしくははんだボール８を配置し、リフロー工程を通し、接合させる。次に、φ３０μｍの自己融着線で形成されたバイアス磁界印加用コイル２を前記構造体１２に組み込み、コイルの両端を前記リードフレーム１０の端部にはんだ、もしくは接合部等で接合させ、３軸磁気検出素子１３とする。
【００４６】
図１３は、ダイパットに配置されたセンサ駆動用ＩＣとインナーリードとの配線の説明図である。図１３に示すように、ダイパット１４が形成されたもう一方のリードフレーム１０にセンサ駆動用のＩＣ１５を配置し、各電極からインナーリードへの電気的接続にＡｕのワイヤ１６でボンディングし、パッシベーション用の樹脂１７を塗布する。次に、エポキシ系の樹脂もしくはセラミック材１８でモールディングし、アウターリードに外装めっきを施し、その後、足部分のリード形状をノンリード型もしくは挿入型および表面実装型に成型し、３軸磁気検出装置１９を得る。
【実施例３】
【００４７】
図１４は、本発明の３軸磁気検出装置の斜視図ある。図１４に示すように、中心部分にリードフレーム２２の梁が形成され、足部分のリード形状がノンリード型もしくは挿入型および表面実装型に成型されたハウジング２３にはめ込み、各電極部分とインナーリードをＡｕのワイヤ１６でボンディングし、パッシベーション用樹脂１７を塗布する。次に、エポキシ系の樹脂もしくはセラミック材１８でモールディングし、３軸磁気検出装置２４を得る。図１５に、３軸磁気検出装置の製造方法のフローチャートを示す。
【００４８】
図１６は、３軸磁気検出素子を示す図である。図１６に示すように、３軸磁気検出装置の製造方法では、両面に配線パターンを形成したプリント基板もしくはポリイミド基板２０の片面に、正三角柱の各面に貼りつけられた前記１軸磁気検出素子１を配置し、前記１軸磁気検出素子１の電極と前記プリント基板もしくはポリイミド基板２０の配線を接合する。次に、φ３０μｍの自己融着線で作製したバイアス磁界印加用コイル２を前記１軸磁気検出素子１を囲うように配置し、前記バイアス磁界印加用コイル２の両端を基板の電極に接続し、パッシベーション用樹脂１７を塗布し、３軸磁気検出素子２１とする。
【００４９】
図１７は、センサ駆動用ＩＣを示す図である。図１７に示すように、もう片面にセンサ駆動用のダイパット１４をファイスアップもしくはフェイスダウンで取り付け、その電極を基板のスルーホールを通して反対側の面に配置する。
【００５０】
本発明は、小型および低背型という特徴をいかし移動体端末機器に搭載し、３軸という特徴をもって３次元的に方位を求められる方位センサとしての利用が考えられる。図１８は、本発明の３軸磁気検出装置のセンサ出力特性の説明図であり、図１８（ａ）はＸＹ平面の特性を示す図、図１８（ｂ）はＹＺ平面の特性を示す図、図１８（ｃ）はＺＸ平面の特性を示す図である。また、図１９は、本発明の３軸磁気検出装置の方位出力特性の説明図であり、図１９（ａ）はＸＹ平面の特性を示す図、図１９（ｂ）はＹＺ平面の特性を示す図、図１９（ｃ）はＺＸ平面の特性を示す図である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の３軸磁気検出素子の説明図。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は側面図。
【図２】図１に示す３軸磁気検出素子の製造方法のフローチャート。
【図３】３軸磁気検出素子に使用されるリードフレームの上面図。
【図４】ベースの斜視図。
【図５】ハウジングの斜視図。
【図６】リードフレーム、ベース、ハウジングが一体化された構造体の斜視図。
【図７】構造体に組込まれた１軸磁気検出素子とリードフレームの接合部を示す図。
【図８】バイアス磁界印加用コイルの配置を示す図。
【図９】シリコーン系樹脂による封止図。
【図１０】本発明の３軸磁気検出装置の上面図。
【図１１】３軸磁気検出装置の製造方法のフローチャート。
【図１２】ベース、リードフレーム、ハウジングが一体化された構造体の斜視図。
【図１３】ダイパットに配置されたセンサ駆動用ＩＣとインナーリードとの配線の説明図。
【図１４】本発明の３軸磁気検出装置の斜視図。
【図１５】３軸磁気検出装置の製造方法のフローチャート。
【図１６】３軸磁気検出素子を示す図。
【図１７】センサ駆動用ＩＣを示す図。
【図１８】本発明の３軸磁気検出装置のセンサ出力特性の説明図。図１８（ａ）はＸＹ平面の特性を示す図、図１８（ｂ）はＹＺ平面の特性を示す図、図１８（ｃ）はＺＸ平面の特性を示す図。
【図１９】本発明の３軸磁気検出装置の方位出力特性の説明図。図１９（ａ）はＸＹ平面の特性を示す図、図１９（ｂ）はＹＺ平面の特性を示す図、図１９（ｃ）はＺＸ平面の特性を示す図。
【図２０】従来の３軸磁気検出素子の説明図。図２０（ａ）は上面図、図２０（ｂ）は側面図。
【図２１】従来の他の例の３軸磁気検出素子の説明図。
【符号の説明】
【００５２】
１ａ，１ｂ，１ｃ    １軸磁気検出素子
２    バイアス磁界印加用コイル
３    リードフレーム
４    ベース
５    ハウジング
６    シリコーン系樹脂
７    （リードフレーム、ベス、ハウジングが一体化された）構造体
８    接合部（クリームはんだもしくははんだボール）
９    ３軸磁気検出素子
１０    リードフレーム
１０ａ    基板
１１    ハウジング
１２    構造体
１３    ３軸磁気検出素子
１４    ダイパット
１５    センサ駆動用ＩＣ
１６    Ａｕのワイヤ
１７    パッシベーション用樹脂
１８    エポキシ系の樹脂もしくはセラミック材
１９    ３軸磁気検出装置
２０    プリント基板もしくはポリイミド基板
２０ａ    Ｘ軸磁気検出素子
２１    ３軸磁気検出素子
２２    リードフレーム
２３    ハウジング
２４    ３軸磁気検出装置     
３０ａ    Ｙ軸磁気検出素子
４０ａ    Ｚ軸磁気検出素子
５０    溝
５０ａ    斜面
１００    正三角柱
１１０    ベース部
２００    磁気検出素子
４００    電極
６００    巻線
９００    導電性接着剤
【図１】
2005345368.tif 000003
【図２】
2005345368.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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