(57)【要約】【課題】加熱工程における応力緩和層の変形を抑制し、安価にして多機能かつ信頼性の高い半導体装置を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】ベース材料と４０℃以上１００℃未満の温度でベース材料に溶解する樹脂フィラーと溶剤との混合体からなる応力緩和層材料をもって応力緩和層を形成する。応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する際、その第１段階として、スクリーン印刷された応力緩和層を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、ベース材料中に樹脂フィラーを溶解させる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所要の半導体回路及び第１ボンディングパッドが形成された半導体ウエハを形成する工程と、当該半導体ウエハの回路形成面上に感光性樹脂層を均一に塗布する工程と、当該感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上の所要の部分にベース材料と樹脂フィラーと溶剤との混合体からなる応力緩和層材料を印刷する工程と、印刷後の前記応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に第２ボンディングパッドを含む再配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記樹脂フィラーとして４０℃以上１００℃未満の温度で前記ベース材料に溶解するものを用い、かつ、前記応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程の第１段階として、前記応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、前記ベース材料中に前記樹脂フィラーを溶解させる段階を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、前記ベース材料中に前記樹脂フィラーを溶解させる第１段階が終了した後、前記応力緩和層材料を１００℃に昇温して前記応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させる第２段階と、前記応力緩和層材料を１００℃以上前記溶剤の沸点以下の温度に昇温して前記応力緩和層材料中に含まれる溶剤を揮発させる第３段階と、前記ベース材料のキュア温度に昇温する第４段階とを経て前記応力緩和層材料の加熱処理を終了することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、応力緩和層上にバンプ電極が配列されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置の製造方法に係り、特に、応力緩和層の熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器の小型軽量化、高速化及び高機能化の要求に対処するため、電気機器に実装する半導体装置に対しても小型軽量化、高集積化及び実装の容易化の要求が益々高まっている。
【０００３】
従来より、これらの各要求に対応可能な半導体装置として、図１０に示すように、回路形成面１の外周部に沿って配列された第１ボンディングパッド（アルミパッド）２と、回路形成面１を保護するために第１ボンディングパッド２の形成領域を除く回路形成面１上に形成されたパッシベーション膜３と、当該パッシベーション膜３上に積層された第１絶縁膜４と、当該第１絶縁膜４上のバンプ電極配列領域に形成された応力緩和層５と、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成され一端が第１ボンディングパッド２に接続された再配線６と、当該再配線６を保護するために第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成された第２絶縁膜７と、再配線６の他端に形成された第２ボンディングパッド８に設定されたバンプ電極９とを備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置が提案されている（特許文献１参照。）。
【０００４】
このＣＳＰタイプの半導体装置は、バンプ電極９を回路形成面１のほぼ全面に配置することができるので、外周部に配列された第１ボンディングパッド２上に直接バンプ電極９を形成する場合に比べて各バンプ電極９間の距離を大きくすることができ、半導体装置の多端子化ひいては高機能化と電気機器に対する実装の容易化とを図ることができる。また、このＣＳＰタイプの半導体装置は、半導体素子を樹脂封止しないので、半導体装置の小型軽量化を図ることができる。さらに、このＣＳＰタイプの半導体装置は、バンプ電極９の下層に応力緩和層５を設けたので、バンプ電極９を介して半導体装置を配線基板上に実装した場合、半導体装置と配線基板との熱膨張係数差に起因するひずみがバンプ電極９と配線基板との間及びバンプ電極９と第２ボンディングパッド８との間に作用しにくく、各部の接続信頼性を高めることができて、半導体装置の耐久性の向上を図ることができる。
【０００５】
この種の半導体装置における応力緩和層５の形成は、第１絶縁膜４が形成された半導体ウエハに所要の応力緩和層材料をスクリーン印刷する工程及びスクリーン印刷された応力緩和層材料を加熱処理して応力緩和層を固化する工程を経て行われる。なお、応力緩和層材料のスクリーン印刷は、第１絶縁膜４上に応力緩和層形成用の開口部を有するメタルマスクを位置決めして配置する工程、メタルマスク上に応力緩和層材料をディスペンスし、ディスペンスされた当該応力緩和層材料をスキージで展伸してメタルマスクの開口部内に充填する工程、第１絶縁膜４上からメタルマスクを引き上げる工程を経て行われる。また、応力緩和層材料の加熱処理方法としては、（１）半導体ウエハを１００℃に加熱し応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させた後にベース材料のキュア温度に昇温する方法や、（２）半導体ウエハを１００℃に加熱し応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させた後、半導体ウエハを溶剤の沸点以下の所要の温度まで昇温して応力緩和層材料中に含まれる溶剤を揮発させ、しかる後にベース材料のキュア温度に昇温する方法などが提案されている。
【特許文献１】特開平１１−１９１５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、応力緩和層５は応力緩和層材料のスクリーン印刷工程と加熱処理工程を経て形成されるが、応力緩和層材料は主として樹脂材料からなるので、加熱処理の初期において一時的に粘性が低下し、スクリーン印刷された応力緩和層５の外周部が粘性流動により流れ出すという現象を生じ、図１１に示すように応力緩和層５の外周領域に傾斜部５ａが形成される。
【０００７】
傾斜部５ａは良好な再配線６を形成するためには必要であるが、図１１に示すように傾斜部５ａの傾斜角度θが小さくなるほどバンプ電極９の配設に適した中央領域５ｂの面積が減少するため、半導体装置の多端子化及びそれに伴う多機能化が困難になる。また、傾斜部５ａの大小に関わりなく半導体装置の多端子化を図ろうとすると、第２ボンディングパッド８上に設定されるバンプ電極９の頂部の高さがその設定位置によって不均一になるため、配線基板等への信頼性の高い実装が困難になる。なお、かかる不都合を回避する方法として、設定位置に応じて直径が異なるバンプ電極９を用いるという方法も考えられるが、半導体装置の製造工程が複雑化し、その製造コストが高価になるため、到底実用性がない。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術の不備を解決するためになされたものであり、その目的は、加熱工程における応力緩和層の変形を抑制し、安価にして多機能かつ信頼性の高い半導体装置を容易に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記の課題を解決するため、所要の半導体回路及び第１ボンディングパッドが形成された半導体ウエハを形成する工程と、当該半導体ウエハの回路形成面上に感光性樹脂層を均一に塗布する工程と、当該感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上の所要の部分にベース材料と樹脂フィラーと溶剤との混合体からなる応力緩和層材料を印刷する工程と、印刷後の前記応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に第２ボンディングパッドを含む再配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記樹脂フィラーとして４０℃以上１００℃未満の温度で前記ベース材料に溶解するものを用い、かつ、前記応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程の第１段階として、前記応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、前記ベース材料中に前記樹脂フィラーを溶解させる段階を含むという構成にした。
【００１０】
図１２（ａ），（ｂ）に示すように、ベース材料と樹脂フィラーと溶剤との混合体からなる応力緩和層材料の粘度は、加熱温度及び加熱時間に応じて変化する。図１２（ａ）は加熱開始直後の応力緩和層の粘度及び応力緩和層材料を構成する各成分の粘度と加熱温度との関係を示すグラフであり、図１２（ｂ）は加熱開始から所定時間経過後の応力緩和層の粘度及び応力緩和層材料を構成する各成分の粘度と加熱温度との関係を示すグラフである。応力緩和層の粘度は、応力緩和層材料を構成する各成分の粘度の総和であり、ベース材料と樹脂フィラーとの混合体の粘度は、加熱温度の上昇と共に低下する。また、加熱によって応力緩和層材料中に含まれる水分が蒸発すると、それに伴って応力緩和層材料の粘度は低下する。一方、加熱によって応力緩和層材料中に含まれる溶剤が揮発すると、それに伴って応力緩和層材料の粘度は上昇する。また、加熱によってベース材料中に樹脂フィラーが溶解した場合にも、それに伴って応力緩和層材料の粘度は上昇する。そして、図１２（ｂ）から明らかなように、ベース材料中に樹脂フィラーが溶解することによって生じる応力緩和層材料の粘度の上昇は、溶剤の揮発によって生じる応力緩和層材料の粘度の上昇よりも格段に大きく、かつ所要の樹脂フィラーを用いることによって、水分の蒸発に伴う応力緩和層の粘度低下が始まる前に応力緩和層の粘度を上昇させることができる。したがって、樹脂フィラーとして４０℃以上１００℃未満の温度でベース材料に溶解するものを用い、かつ、応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程の第１段階として応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱してベース材料中に樹脂フィラーを溶解させる段階を含むと、応力緩和層材料中に含まれる水分及び溶剤を蒸発又は揮発させる前に応力緩和層の粘度を上げることができ、それ以後の応力緩和層材料の粘性流動を防止することができるので、応力緩和層に形成される傾斜部の傾斜角度を大きくすることができ、バンプ電極の配設に適した中央領域の面積を拡張できて半導体装置の多端子化及びそれに伴う多機能化を図ることができる。また、第２ボンディングパッド上に設定されるバンプ電極の頂部の高さを均一化できるため、配線基板等への信頼性の高い実装が可能な半導体装置を製造することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記構成の半導体装置の製造方法において、前記応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、前記ベース材料中に前記樹脂フィラーを溶解させる第１段階が終了した後、前記応力緩和層材料を１００℃に昇温して前記応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させる第２段階と、前記応力緩和層材料を１００℃以上前記溶剤の沸点以下の温度に昇温して前記応力緩和層材料中に含まれる溶剤を揮発させる第３段階と、前記ベース材料のキュア温度に昇温する第４段階とを経て前記応力緩和層材料の加熱処理を終了するという構成にした。
【００１２】
このように、応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、ベース材料中に樹脂フィラーを溶解させる第１段階と応力緩和層材料をベース材料のキュア温度に昇温する第４段階との間に、応力緩和層材料を１００℃に昇温して応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させる第２段階と、応力緩和層材料を１００℃以上溶剤の沸点以下の温度に昇温して応力緩和層材料中に含まれる溶剤を揮発させる第３段階とを加えると、水分を蒸発及び溶剤の揮発を緩やかに行うことができるので、応力緩和層に「巣」が入るなどの不都合を防止することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂フィラーとして４０℃以上１００℃未満の温度でベース材料に溶解するものを用い、かつ、応力緩和層材料を加熱処理して所要の応力緩和層を形成する工程の第１段階として応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱してベース材料中に樹脂フィラーを溶解させる段階を含むので、応力緩和層材料中に含まれる水分及び溶剤を蒸発又は揮発させる前に応力緩和層の粘度を上げることができて、それ以後の応力緩和層材料の粘性流動を防止することができ、応力緩和層に形成される傾斜部の傾斜角度を大きくすることができる。よって、バンプ電極の配設に適した中央領域の面積を拡張でき、半導体装置の多端子化及びそれに伴う多機能化を図れると共に、第２ボンディングパッド上に設定されるバンプ電極の頂部の高さを均一化できて配線基板等への信頼性の高い実装が可能な半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
先ず、本発明に係る製造方法により製造される半導体装置の構成例を図１及び図２に基づいて説明する。図１は構成例に係る半導体装置のバンプ電極側から見た要部平面図、図２は図１のＡ−Ａ部断面図である。
【００１５】
実施形態例に係る半導体装置も、基本的な構成については図１０に示した従来例に係る半導体装置と同じであり、図１及び図２に示すように、回路形成面１の外周部に沿って配列された第１ボンディングパッド（アルミパッド）２と、回路形成面１を保護するために第１ボンディングパッド２の形成部を除く回路形成面１上に形成されたパッシベーション膜３と、当該パッシベーション膜３上に積層された第１絶縁膜４と、当該第１絶縁膜４のバンプ電極配列領域に形成された応力緩和層５と、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成され一端が第１ボンディングパッド２に接続された再配線６と、当該再配線６を保護するために第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成された第２絶縁膜７と、再配線６の他端に形成された第２ボンディングパッド８に設定されたバンプ電極９とから構成されている。
【００１６】
回路形成面１には、第１ボンディングパッド２及び所要の半導体素子群よりなる図示しない半導体回路並びにパッシベーション膜３が定法にしたがってウエハプロセスで形成される。
【００１７】
第１絶縁膜４は、感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料をもって均一な厚さに形成されており、図２に示すように、第１ボンディングパッド２の中央領域及びスクライブライン並びに凹溝１２の形成部を除くパッシベーション膜３上に形成される。このように、第１ボンディングパッド２の開口端を第１絶縁膜４で覆うことにより、再配線６と半導体回路の導通及び電気的干渉を防止することができる。なお、前記パッシベーション膜３が再配線６と半導体回路の導通及び電気的干渉を十分に防止できる場合には、パッシベーション膜３を第１絶縁膜とすることができる。その場合の前記パッシベーション膜３の形成は、前記第１絶縁膜４の形成と同様の方法で行われる。
【００１８】
応力緩和層５は、第１絶縁膜４よりも軟質の樹脂をスクリーン印刷することによって、第１ボンディングパッド形成領域１０よりも内周の第１絶縁膜４上に形成される。応力緩和層材料としては、半導体装置と配線基板との熱膨張係数差に起因するひずみを吸収する必要があることから、膜物性として、弾性率が０．５〜１ＧＰａで、線熱膨張係数が２００ｐｐｍ／℃以下のものを用いることが特に望ましい。応力緩和層５の外周部分には、図２に示すように、メタルマスク引き上げ後の応力緩和層材料の粘性流動により傾斜部５ａが形成される。なお、応力緩和層５の形成方法については、後に説明する。
【００１９】
第２ボンディングパッド８を含む再配線６は、銅めっきなどの導体によって形成され、図２に示すように、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に配列される。再配線６は、一端が第１ボンディングパッド２に接続され、他端の第２ボンディングパッド８が応力緩和層５上に所要の配列で形成される。
【００２０】
第２絶縁膜７は、応力緩和層５よりも硬質の感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料をもって構成され、図２に示すように、第２ボンディングパッド８の中央領域を除く第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成される。この第２絶縁膜７も、前記第１絶縁膜４と同様の方法で形成される。
【００２１】
バンプ電極９は、ハンダをボール状に成形してなるハンダボール、樹脂ボールの表面にハンダをコーティングしてなるコーティングハンダボール、その他のボール状導電材料をもって形成され、応力緩和層５上に配列された各第２ボンディングパッド８上に搭載される。
【００２２】
なお、上例においては第１絶縁膜４及び第２絶縁膜７を感光性樹脂材料をもって形成したが、これらの各絶縁膜４，７は感光性樹脂材料製に限定されるものではなく、非感光性の樹脂材料に感光性樹脂材料をパターニングして非感光性の樹脂材料に第１及び第２のボンディングパッド２，８を形成することも可能である。
【００２３】
以下、本発明に係る半導体装置製造方法の一例を図３乃至図９に基づいて説明する。図３は図１及び図２に例示した半導体装置の製造方法を示すフロー図、図４は第１絶縁膜４の形成工程を示すフロー図、図５は応力緩和層の形成工程を示すフロー図、図６は応力緩和層の加熱工程を示すフロー図、図７は再配線の形成工程を示すフロー図、図８は実験例に係る応力緩和層の加熱条件を示す表図、図９は実験例に係る応力緩和層の加熱条件と応力緩和層の傾斜部の傾斜角度との関係を示すグラフ図である。
【００２４】
図３に示すように、図１及び図２に例示した半導体装置は、ウエハプロセスにて所要の半導体回路と第１ボンディングパッド２とパッシベーション膜３とが形成された半導体ウエハの回路形成面１上に第１絶縁膜４を形成する工程（手順Ｓ１）、第１絶縁膜４上に応力緩和層５を形成する工程（手順Ｓ２）、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上に第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ３）、再配線６、第１絶縁膜４及び応力緩和層５の外面に第２絶縁膜７を形成する工程（手順Ｓ４）、第２ボンディングパッド８上にバンプ電極９を設定する工程（手順Ｓ５）、及び半導体ウエハをダイシングして半導体装置の個片を取り出す工程（手順Ｓ６）を経て製造される。
【００２５】
第１絶縁膜４を形成する工程（手順Ｓ１）は、図４に示すように、半導体ウエハのパッシベーション膜３上に感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料よりなる樹脂層を均一な厚さに塗布する工程（手順Ｓ１１）、樹脂層上に所要の透光部が形成された露光用マスクを位置決めして配置する工程（手順Ｓ１２）、露光用マスクを介して第１ボンディングパッド２の中央部及びダイシングライン並びに凹溝１２の形成部を除く樹脂層に樹脂硬化光を照射する工程（手順Ｓ１３）、露光後の樹脂層を現像処理する工程（手順Ｓ１２）を含んで構成される。
【００２６】
前記第１絶縁膜４上に応力緩和層５を形成する工程（手順Ｓ２）は、図５に示すように、第１絶縁膜４上に応力緩和層形成用のメタルマスクを位置決めして配置する工程（手順Ｓ２１）、メタルマスク上に応力緩和層材料をディスペンスし、ディスペンスされた当該応力緩和層材料をスキージで展伸して、メタルマスクに開設された開口部内に充填する工程（手順Ｓ２２）、第１絶縁膜４上からメタルマスクを引き上げる工程（手順Ｓ２３）、及び第１絶縁膜４上にスクリーン印刷された応力緩和層５を加熱処理する工程（手順Ｓ２４）を含んで構成される。なお、応力緩和層材料としては、ベース材料と４０℃以上１００℃未満の温度でベース材料に溶解する樹脂フィラーと溶剤と水分との混合体からなるものが用いられる。
【００２７】
前記応力緩和層５を加熱処理する工程（手順Ｓ２４）は、図６に示すように、応力緩和層材料を４０℃以上１００℃未満の温度に加熱し、ベース材料中に樹脂フィラーを溶解させる第１段階（手順Ｓ３１）、応力緩和層材料を１００℃に昇温して応力緩和層材料中に含まれる水分を蒸発させる第２段階（手順Ｓ３２）、応力緩和層材料を１００℃以上溶剤の沸点以下の温度に昇温して応力緩和層材料中に含まれる溶剤を揮発させる第３段階（手順Ｓ３３）、及びベース材料のキュア温度に昇温する第４段階（手順Ｓ３４）を含んで構成される。
【００２８】
また、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上に第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ３）は、図７に示すように、フォトリソグラフィ法、即ち、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上にクロムや銅などを一様にスパッタリングして給電膜を形成する工程（手順Ｓ４１）、当該給電膜上にフォトレジスト層を均一な厚さに形成する工程（手順Ｓ４２）、フォトレジスト層を第２ボンディングパッド８を含む再配線６の形状に露光する工程（手順Ｓ４３）、現像処理によって再配線６の形状に対応する給電膜を露出させる工程（手順Ｓ４４）、露出させた給電膜に銅めっきやニッケルめっきなどを施して第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ４５）、残存したフォトレジスト層を除去し、再配線６の形状以外に対応する給電層を露出させる工程（手順Ｓ４６）、及び露出された給電層を化学エッチングによって除去する工程（手順Ｓ４７）を含んで構成される。
【００２９】
以下、前記応力緩和層５を加熱処理する工程（手順Ｓ２４）の実験例を挙げ、本発明の効果を明らかにする。
【００３０】
図８に示すように、実験例１は、４０℃／２０分の加熱条件で第１段階の加熱処理を行い、その後１００℃／２０分の加熱条件で第２段階の加熱処理、１５０℃／２０分の加熱条件で第３段階の加熱処理、２６５℃／６０分の加熱条件で第４段階の加熱処理を行った。実験例２，３，４は、第１段階の加熱処理をそれぞれ６０℃／２０分、７０℃／２０分、８０℃／２０分の加熱条件で行い、その後実験例１と同様の加熱条件で第２段階、第３段階及び第４段階の加熱処理を行った。実験例５，６については、第１段階の加熱処理に相当する加熱処理を省略し、いきなり１００℃／２０分又は１３０℃／２０分の加熱条件で応力緩和層５の加熱処理を行った。その後加熱処理については、実験例１〜４における第３段階の加熱処理及び第４段階の加熱処理と同様の加熱条件で行った。なお、表中のＨＰはホットプレートによる加熱を示し、Ｏｖｅｎは熱風循環ベーク炉による加熱を示す。
【００３１】
応力緩和層材料としてベース材料と４０℃以上１００℃未満の温度でベース材料に溶解する樹脂フィラーと溶剤との混合体からなるものを用いた場合、スクリーン印刷後の第１段階の加熱条件（加熱温度）と傾斜部５ａの傾斜角θ（図１１参照）との間には密接な関係があり、図９に示すように、第１段階として４０℃／２０分、６０℃／２０分、７０℃／２０分又は８０℃／２０分の加熱条件で加熱処理を行ったものは、第１段階として１００℃／２０分の加熱条件で加熱処理を行ったもの及び１３０℃／２０分の加熱条件で加熱処理を行ったものに比べて応力緩和層５の傾斜部５ａの傾斜角θを大きくすることができる。その理由は先に図１１を参照して説明したとおりである。
【００３２】
したがって、本発明の半導体装置製造方法によれば、バンプ電極９の配設に適した応力緩和層５の中央領域５ｂの面積を拡張でき、半導体装置の多端子化及びそれに伴う多機能化を図ることができる。また、第２ボンディングパッド８上に設定されるバンプ電極９の頂部の高さを均一化できるので、半導体装置の配線基板等への信頼性の高い実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の製造方法にて製造される半導体装置の構成例を示すバンプ電極側から見た要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ部断面図である。
【図３】図１及び図２に例示した半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図４】第１絶縁膜の形成工程を示すフロー図である。
【図５】応力緩和層の形成工程を示すフロー図である。
【図６】応力緩和層の加熱工程を示すフロー図である。
【図７】再配線の形成工程を示すフロー図である。
【図８】実験例に係る応力緩和層の加熱条件を示す表図である。
【図９】実験例に係る応力緩和層の加熱条件と応力緩和層の傾斜部の傾斜角度との関係を示すグラフ図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置の斜視断面図である。
【図１１】応力緩和層の断面形状と従来例に係る半導体装置の不都合を示す要部断面図である。
【図１２】加熱開始直後及び加熱開始から所定時間経過後の応力緩和層の粘度及び応力緩和層材料を構成する各成分の粘度と加熱温度との関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００３４】
１    回路形成面
２    第１ボンディングパッド
３    パッシベーション膜
４    第１絶縁膜
５    応力緩和層
５ａ    傾斜部
５ｂ    中央領域
６    再配線
７    第２絶縁膜
８    第２ボンディングパッド
９    バンプ電極
【図１】
2005294411.tif 000003
【図２】
2005294411.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005294411.tif 000008
【図７】
2005294411.tif 000009
【図８】
2005294411.tif 000010
【図９】
2005294411.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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