(57)【要約】【課題】  半導体装置におけるコスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減する。【解決手段】  表面３ａと裏面３ｂを有した封止体３と、半導体素子および複数のパッド２ａを有し、かつ主面２ｂが封止体３の裏面３ｂ側を向いて配置された半導体チップ２と、封止体３の表面３ａに露出する露出部１ｈおよび露出部１ｈの周囲に配置された段差部１ｉを有したタブ１ｂと、各被実装面１ｇが封止体３の裏面３ｂの周縁部に露出した複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとリード１ａとを接続する複数のワイヤ４とからなり、タブ１ｂの段差部１ｉは、封止体３の裏面３ｂ側に向けて露出部１ｈから離れる方向の位置に配置され、かつ段差部１ｉに、露出部１ｈに沿ってその周囲に凹部１ｊが形成されており、これにより、樹脂封止時に、凹部１ｊに封止用樹脂を入り込ませて硬化させて露出部１ｈ上への前記封止用樹脂の這い上がりを低減する。【選択図】  図３
2005236127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と前記表面に対向する裏面と側面を有しており、封止用樹脂によって形成された封止体と、
主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面上に形成された半導体素子および複数の電極を有しており、前記主面が前記封止体の前記裏面側を向いて前記封止体内に配置された半導体チップと、
前記封止体の前記表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された段差部を有しており、前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、
それぞれの一部が前記封止体の前記裏面の周縁部に露出して配置されており、かつ、前記封止体の前記側面と反対側に位置するそれぞれの一部が前記封止体の前記裏面から前記表面方向に向かって折り曲げられた複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを有し、
前記チップ搭載部の前記段差部は、前記封止体の前記表面側から前記裏面側に向けて前記露出部から離れる方向の位置に配置されており、かつ、前記段差部において前記露出部に沿って凹部が形成され、
前記チップ搭載部の角部に、吊りリードと連結する連結部が形成されており、前記連結部は、前記露出部と繋がる同一の面を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面と前記表面に対向する裏面と側面を有しており、封止用樹脂によって形成された封止体と、
主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面上に形成された半導体素子および複数の電極を有しており、前記主面が前記封止体の前記裏面側を向いて前記封止体内に配置された半導体チップと、
前記封止体の前記表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、
それぞれの一部が前記封止体の前記裏面の周縁部に露出して配置されており、かつ、前記封止体の前記側面と反対側に位置するそれぞれの一部が前記封止体の前記裏面から前記表面方向に向かって折り曲げられた複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを有し、
前記チップ搭載部の前記突出部は、前記封止体の前記裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面を有しており、かつ、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成され、
前記チップ搭載部の角部に、吊りリードと連結する連結部が形成されており、前記連結部は、前記露出部と繋がる同一の面を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記第１の面は、前記露出部に連なる傾斜面を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、前記第１の面は、階段状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置において、前記チップ搭載部における前記露出部と反対側の面の大きさは、前記半導体チップの主面より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の前記突出部における前記リードの延在方向の幅は、0.２〜0.３ｍｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された段差部を有しており、さらに前記段差部は、前記封止体の裏面側に向けて前記露出部から離れる方向の位置に配置されており、前記段差部に前記露出部に沿って凹部が形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極と前記リードとをワイヤで接続する工程と、
（ｄ）樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記段差部および前記凹部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部における前記露出部と反対側の面の大きさは、前記半導体チップの主面より小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂成形金型の前記キャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面には、複数の凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部の前記段差部における前記リードの延在方向の幅は、0.２〜0.３ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極と前記リードとをワイヤで接続する工程と、
（ｄ）樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記突出部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面を有し、かつ、前記第１の面は前記露出部に連なる傾斜面を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極と前記リードとをワイヤで接続する工程と、
（ｄ）樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記突出部の前記傾斜面とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部における前記露出部と反対側の面の大きさは、前記半導体チップの主面より小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂成形金型の前記キャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面には、複数の凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部の前記突出部における前記リードの延在方向の幅は、0.２〜0.３ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に階段状に連なる第１の面を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極と前記リードとをワイヤで接続する工程と、
（ｄ）樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の階段状の前記突出部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部における前記露出部と反対側の面の大きさは、前記半導体チップの主面より小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂成形金型の前記キャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面には、梨地加工による凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部の前記突出部における前記リードの延在方向の幅は、0.２〜0.３ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程で、前記チップ搭載部の角部に連結する吊りリードの一部が前記封止体の裏面に露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、チップ搭載部が上面側に露出した樹脂封止型の半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイパッド（チップ搭載部）が上面側に露出した樹脂封止型半導体装置では、半導体チップ、導電性接着剤、ダイパッド、インナーリード、チップ主面に形成された接続電極および吊りピンなどが、例えば、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体により封止される。外部接続端子は、樹脂封止体から露出しており、その底面と同一平面を形成する。また、ダイパッドの裏面が樹脂封止体の上面から露出している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
または、信号接続用リードの外方部分が封止樹脂から露出して外部電極として機能し、ダイパッドの上面が封止樹脂の上面側で露出している。さらに、ダイパッドの上面側にハーフエッチ等が施され、凸部とその周囲のフランジ部とが形成されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
または、半導体チップはパッド（チップ搭載部）の底面に取着されている。パッドおよびリードには、ハーフエッチングによる所定の加工が施され、銀またはパラジウムのような貴金属でメッキされる。リードと半導体チップの電極はボンディングワイヤーで相互連結される。パッド、リードおよび半導体チップは、樹脂カプセル（封入剤）によって覆われており、パッドの上面は封入剤の上面に露出し、リードの底面は封入剤の底面に露出している（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平１１−３１２７０６号公報（図８）
【特許文献２】特開平１１−２６０９９０号公報（図１）
【特許文献３】特開２００２−１３４６７６号公報（図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) などのノンリード型の半導体装置において、放熱性を高めるために樹脂封止体の上面（表面）側にチップ搭載部の裏面（露出部）を露出させる構造が知られている。
【０００６】
このようなＱＦＮの組み立てでは、チップ搭載部の露出部にフラッシュバリが形成されやすいが、水圧などによるバリ除去によりフラッシュバリを除去していた。
【０００７】
ところが、ＱＦＮの更なる小型化の要求により、チップ搭載部が小さくなり、それにつれてチップ搭載部の露出部もさらに面積が小さくなる。このようなＱＦＮの組み立てでは、その樹脂封止時に、チップ搭載部の露出部上に樹脂によるフラッシュバリが形成されるだけでなく、このフラッシュバリが露出部上で両端側から繋がる可能性が高くなる。チップ搭載部の露出部上でフラッシュバリが繋がってしまうと、樹脂封止後のバリ除去工程において、水圧などによるバリ除去を行ってもフラッシュバリが除去できないという問題が発生する。
【０００８】
また、フラッシュバリが除去できないと、その後のリードへの外装めっきを形成するめっき工程においてめっき濡れ不足が発生し、ダイパッドの露出部にヒートシンクを接続させた際の放熱効果が低下することが問題となる。
【０００９】
さらに、露出部上に残留したフラッシュバリがめっき後に脱落した場合、ダイパッドの銅面が剥き出しになり、ユーザ側での長期使用においてダイパッドの酸化・汚染による信頼性低下が懸念されるという問題も起こる。
【００１０】
なお、樹脂封止体の上面あるいは裏面に、フラッシュバリの形成を低減させて外部端子やダイパッドを露出させる方法として、樹脂封止工程で樹脂封止金型の金型面に封止用シートを配置し、外部端子やダイパッドと金型面との間に封止用シートを介在させて樹脂成形を行う方法が知られており、このような樹脂成形の方法は、前記特許文献２（特開平１１−２６０９９０号公報）に記載されている。
【００１１】
しかしながら、封止用シートを用いた樹脂成形は、封止用シートを使用する分コストが高くなるとともに、金型の構造が複雑になるため、樹脂封止工程でかかるトータルコストが非常に高くなることが問題である。
【００１２】
そこで、本発明者は、表面側に封止用シートを使用せずにチップ搭載部（ダイパッド）の構造を対策することにより、フラッシュバリの発生を抑えて、かつ表裏両面の封止用シート使用時に比較してコストを低減する半導体装置およびその製造方法について検討した。
【００１３】
なお、前記特許文献２（特開平１１−２６０９９０号公報）と前記特許文献３（特開２００２−１３４６７６号公報）には、ダイパッドの樹脂封止体からの抜け防止対策としてダイパッドの露出部の周囲を薄く形成する構造が記載されているが、これらのダイパッド構造で封止用シートを介在させずに樹脂成形を行うと、封止用樹脂が硬化する前にダイパッドの露出部上に這い上がってしまい、その結果、フラッシュバリが露出部上の広範囲に形成されて除去が容易にはできないことが問題となる。
【００１４】
本発明の目的は、コスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、信頼性の向上を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
すなわち、本発明は、表面と前記表面に対向する裏面を有しており、封止用樹脂によって形成された封止体と、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面上に形成された半導体素子および複数の電極を有しており、前記主面が前記封止体の前記裏面側を向いて前記封止体内に配置された半導体チップと、前記封止体の前記表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された段差部を有しており、前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、それぞれの一部が前記封止体の前記裏面の周縁部に露出して配置されており、それぞれが前記封止体の前記裏面から前記表面に向かって折り曲げられた複数のリードと、前記半導体チップの前記複数の電極とこれに対応する前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを有し、前記チップ搭載部の前記段差部は、前記封止体の前記表面側から前記裏面側に向けて前記露出部から離れる方向の位置に配置されており、前記段差部に、前記露出部に沿って凹部が形成され、前記チップ搭載部の角部に、吊りリードと連結する連結部が形成されており、前記連結部は、前記露出部と繋がる同一の面を有しているものである。
【００１９】
また、本発明は、表面と前記表面に対向する裏面を有しており、封止用樹脂によって形成された封止体と、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面上に形成された半導体素子および複数の電極を有しており、前記主面が前記封止体の前記裏面側を向いて前記封止体内に配置された半導体チップと、前記封止体の前記表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、それぞれの一部が前記封止体の前記裏面の周縁部に露出して配置されており、それぞれが前記封止体の前記裏面から前記表面に向かって折り曲げられた複数のリードと、前記半導体チップの前記複数の電極とこれに対応する前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを有し、前記チップ搭載部の前記突出部は、前記封止体の前記表面側から前記裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面（傾斜面）を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成され、前記チップ搭載部の角部に、吊りリードと連結する連結部が形成されており、前記連結部は、前記露出部と繋がる同一の面を有しているものである。
【００２０】
さらに、本発明は、チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された段差部を有しており、さらに前記段差部は、前記封止体の表面側から裏面側に向けて前記露出部から離れる方向の位置に配置されており、前記段差部に前記露出部に沿って凹部が形成されたリードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードとをワイヤで接続する工程と、樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記段差部および前記凹部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有するものである。
【００２１】
また、本発明は、チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の前記表面側から裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面（傾斜面）を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードとをワイヤで接続する工程と、樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記突出部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有するものである。
【００２２】
なお、本発明は、チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の前記表面側から裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に連なる第１の面（傾斜面）を有するとともに、前記第１の面は前記露出部に連なる傾斜面を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードとをワイヤで接続する工程と、樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の前記突出部の前記傾斜面とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有するものである。
【００２３】
また、本発明は、チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有しており、前記チップ搭載部が、封止体の表面に露出する露出部および前記露出部の周囲に配置された突出部を有しており、さらに前記突出部は、前記封止体の前記表面側から裏面側に向けて前記露出部から離れる方向に階段状に連なる第１の面を有しており、前記露出部から前記突出部の端部に向けて前記チップ搭載部の厚さが段階的に薄く形成されたリードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部の前記露出部と反対側の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードとをワイヤで接続する工程と、樹脂成形金型の金型面上に、この金型面に前記半導体チップの主面が対向するように前記リードフレームを配置し、その後、前記樹脂成形金型のキャビティにおける前記チップ搭載部の前記露出部に当接する面と、前記チップ搭載部の階段状の前記突出部とによって囲まれた空間に封止用樹脂を流れ込ませて前記複数のリードそれぞれの一部が前記封止体の裏面に露出するように前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止して前記封止体を形成する工程と、前記リードフレームから前記複数のリードを分離して個片化する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２５】
チップ搭載部の露出部の周囲に段差部が形成されており、この段差部に、露出部に沿って凹部が形成されていることにより、樹脂成形時に、キャビティの底面と段差部との間の空間に入り込んだ封止用樹脂が、露出部に到達する前に樹脂溜まりとなる凹部に入り込んで露出部に這い上がる前に硬化する。これにより、チップ搭載部の露出部上に封止用樹脂のフラッシュバリが形成されることを抑制でき、その結果、表面側に封止用シートを使用せずにフラッシュバリの形成を低減することができるため、コスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２７】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２８】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図３は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した半導体装置の構造の一例を示す断面図、図４は図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した半導体装置の構造の一例を示す断面図、図５は図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す組み立てフロー図、図６は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の露出部側の構造の一例を示す平面図、図７は図６に示すＣ−Ｃ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図８は図６に示すリードフレームの主要部のチップ搭載側の構造の一例を示す平面図、図９は図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止時の上金型におけるチップ搭載部との接触状態と梨地形状の一例を示す断面図および拡大部分断面図、図１０および図１１は図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におけるキャビティ内での封止用樹脂の流れ方の一例を示す断面図、図１２は図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におけるキャビティ内での封止用樹脂の充填状態の一例を示す断面図である。
【００３１】
図１〜図４に示す本実施の形態１の半導体装置は、封止体３の裏面３ｂの周縁部に複数のリード１ａそれぞれの一部が露出して並べて配置された小型のノンリード型のものであり、本実施の形態１では、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明する。
【００３２】
さらに、ＱＦＮ５は、図１に示すように、封止体３の表面３ａに、チップ搭載部であるタブ１ｂのチップ支持側の面と反対側の面が露出した構造のものである。
【００３３】
ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、表面３ａと裏面３ｂと側面３ｃを有しており、かつ図１０に示す封止用樹脂８が硬化されて形成された封止体３と、主面２ｂ、裏面２ｃ、主面２ｂ上に形成された半導体素子および複数のパッド（電極）２ａを有しており、かつ主面２ｂが封止体３の裏面３ｂ側（基板実装面側）を向いて封止体３内に配置された半導体チップ２と、封止体３の表面３ａに露出する露出部１ｈおよび露出部１ｈの周囲に配置された段差部１ｉを有しており、かつダイボンド材６を介して半導体チップ２と接続するチップ搭載部であるタブ１ｂと、それぞれの被実装面（一部）１ｇが封止体３の裏面３ｂの周縁部に露出して配置されており（図２参照）、かつ、封止体３の側面３ｃと反対側に位置するそれぞれの一部が封止体３の裏面３ｂから表面３ａに向かって（表面方向）折り曲げられた複数のリード１ａと、半導体チップ２の複数のパッド２ａとこれに対応する複数のリード１ａとをそれぞれ電気的に接続する複数の金属細線であるワイヤ４とからなり、タブ１ｂの段差部１ｉは、封止体３の表面３ａ側から裏面３ｂ側に向けて露出部１ｈから離れる方向の位置に配置されているとともに、段差部１ｉに、露出部１ｈに沿ってその周囲に溝状の凹部１ｊが形成されており、さらに、タブ１ｂの角部に、図６に示す吊りリード１ｅと連結する連結部１ｆが形成されており、この連結部１ｆは、露出部１ｈと繋がる同一の面を有している。
【００３４】
すなわち、本実施の形態１のＱＦＮ５では、半導体チップ２が下向きに配置されており、半導体チップ２の主面２ｂと封止体３の裏面３ｂとが対向している。さらに、半導体チップ２に接続するタブ１ｂの裏面側（上側）の一部である露出部１ｈが、封止体３の表面３ａに露出している。
【００３５】
また、露出部１ｈの周囲には、この露出部１ｈより低い位置の段差部１ｉが形成されており、さらに、この段差部１ｉには、露出部１ｈに沿ってその周囲に溝状の凹部１ｊが形成されている。
【００３６】
つまり、タブ１ｂの裏面側は、露出部１ｈの周囲に相当する箇所が、エッチング加工やプレス加工などにより除去されて段差部１ｉとして薄く形成されており、さらに、この段差部１ｉの露出部１ｈに沿った箇所に溝状の凹部１ｊが、同様にエッチング加工やプレス加工などにより形成されている。したがって、この段差部１ｉおよび凹部１ｊには、樹脂封止工程で図１１に示すように、封止用樹脂８が入り込んで硬化した封止体３の一部が形成されている。
【００３７】
また、タブ１ｂにおいては、その４つの角部で吊りリード１ｅと連結している連結部１ｆが、露出部１ｈと同じ厚さに形成されている。これにより、連結部１ｆは、タブ１ｂの露出部１ｈと同一高さの面を備えており、図１に示すように連結部１ｆの露出部１ｈと繋がった同一高さの面が封止体３の表面３ａに露出している。
【００３８】
なお、タブ１ｂが封止体３の表面側に配置されるため、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅにも、裏面３ｂ側から表面３ａ側に向けての折り曲げ加工が施されている。すなわち、吊りリード１ｅには、タブ上げ加工のための曲げ加工（アップセット加工）が施されている。さらに、吊りリード１ｅには、折り曲げ加工により吊りリード１ｅに応力が生じる。このため吊りリード１ｅの強度を確保するために、ハーフエッチングなどの厚さを薄くする加工は施されていない。
【００３９】
また、本実施の形態１のＱＦＮ５では、図３に示すように、タブ１ｂのチップ搭載側の面である主面１ｃの面積が半導体チップ２の主面２ｂの面積より小さく形成されており、ＱＦＮ５は、いわゆる小タブ構造のものである。
【００４０】
また、複数のリード１ａそれぞれは、上方に向けた第１の折り曲げ部１ｍと、半導体チップ２に近づく水平方向への第２の折り曲げ部１ｎの２箇所の曲げ部を有しており、半導体チップ２のパッド２ａと各リード１ａとが金線などのワイヤ４で電気的に接続されている。
【００４１】
さらに、各リード１ａの封止体３の裏面３ｂに露出する被実装面１ｇと、表面３ａに露出するタブ１ｂの露出部１ｈには、パラジウムめっきや半田めっきなどの外装めっき７が形成されている。
【００４２】
また、各リード１ａおよびタブ１ｂは、例えば、0.２ｍｍ程度の厚さであり、例えば、銅合金などから成るものである。なお、各リード１ａの厚さが、例えば、0.２ｍｍの場合、タブ１ｂの露出部１ｈおよび連結部１ｆも0.２ｍｍの厚さとなるが、露出部１ｈの周囲の段差部１ｉは、その約１／２程度の厚さとなり、凹部１ｊはさらに薄く形成されている。ただし、それぞれの厚さは、これらの数値に限定されるものではなく、種々変更可能なものである。
【００４３】
また、封止体３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂（封止用樹脂８）を熱硬化させて形成したものである。
【００４４】
さらに、半導体チップ２は、ペースト材（例えば、銀ペースト）などのダイボンド材６によってタブ１ｂの主面１ｃに固着されている。
【００４５】
以上のように、本実施の形態１のＱＦＮ５では、図４に示すように、チップ搭載部であるタブ１ｂにおいてその角部における吊りリード１ｅとの連結部１ｆの厚さが、露出部１ｈの厚さと同じであり、露出部１ｈから同一の高さで繋がった面を連結部１ｆが有しているため、封止体３の表面３ａに、露出部１ｈに加えて連結部１ｆを露出させることができる。これにより、タブ１ｂにおいて封止体３の表面３ａに露出する箇所の面積を増やすことができ、ＱＦＮ５（半導体装置）の放熱性を向上させることができる。
【００４６】
また、タブ１ｂの裏面側において、その露出部１ｈの周囲に、露出部１ｈより低い高さの段差部１ｉが形成されており、この段差部１ｉに、露出部１ｈに沿った溝状の凹部１ｊが形成されていることにより、樹脂成形時に、図１１に示すように、樹脂成形金型９の上金型９ａのキャビティ９ｃの底面９ｅと段差部１ｉとの間の空間に入り込んだ封止用樹脂８が、露出部１ｈに到達する前に樹脂溜まりとなる凹部１ｊに入り込み、これによって封止用樹脂８は露出部１ｈに這い上がる前に硬化が促進される。
【００４７】
その結果、タブ１ｂの露出部１ｈ上に封止用樹脂８のフラッシュバリが形成されることを抑制できる。
【００４８】
したがって、樹脂封止工程において、表面側（上面側）に封止用シート１１を使用せずにフラッシュバリの形成を低減することができるため、コスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減することが可能になる。
【００４９】
また、ＱＦＮ５の吊りリード１ｅには、ハーフエッチングなどの厚さを薄くする加工が施されていないため、吊りリード１ｅのタブ上げ加工などにおける加工の安定性を確保することができる。
【００５０】
次に、図５に示す組み立てフロー図を用いて本実施の形態１のＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、半導体チップ２を搭載可能なタブ１ｂと、その周囲に配置された複数のリード１ａと、タブ１ｂをその４つの角部で支持する吊りリード１ｅとを有した図６〜図８に示すリードフレーム１を準備する。
【００５２】
なお、リードフレーム１のタブ１ｂは、半導体チップ２と接続する主面側と反対の裏面側に、封止体３の表面３ａに露出する露出部１ｈと、露出部１ｈの周囲に配置された図６に示す段差部１ｉ（斜線部）とを有しており、さらにこの段差部１ｉは、封止体３の表面側から裏面側に向けて露出部１ｈから離れる方向の位置に配置されているとともに、段差部１ｉに、露出部１ｈに沿って図７に示すような溝状の凹部１ｊが形成されている。
【００５３】
また、図６〜図８に示すタブ１ｂは、小タブ構造の半導体装置にも対応可能なものであり、タブ１ｂにおける主面１ｃの大きさは、搭載される半導体チップ２の主面２ｂより小さくなる場合も含んでおり、本実施の形態１では小タブ構造の場合について説明する。
【００５４】
そこで、リードフレーム１におけるタブ１ｂの大きさは、図７に示すように、主面１ｃが、例えば、（Ｌ）2.０ｍｍ×（Ｌ）2.０ｍｍの略四角形であり、一方、露出部１ｈは、（Ｍ）1.５ｍｍ×（Ｍ）1.５ｍｍの略四角形である。
【００５５】
なお、リードフレーム１のタブ１ｂの露出部１ｈや各リード１ａは、例えば、銅合金などで形成された薄板状のフレーム部材であり、その厚さは、例えば、0.２ｍｍである。ただし、リードフレーム１の厚さやタブ１ｂの大きさについては、前記数値に限定されるものではなく、種々変更可能なものである。
【００５６】
また、段差部１ｉおよび凹部１ｊは、タブ１ｂにおいて、その裏面側の露出部１ｈの周囲をハーフエッチングもしくはプレス加工などで形成したものである。
【００５７】
その後、図５のステップＳ１に示すぺ付けであるダイボンディングを行う。ここでは、リードフレーム１のチップ搭載部であるタブ１ｂの主面１ｃ（露出部１ｈと反対側の面）にペースト材などのダイボンド材６を塗布し、このダイボンド材６を介して半導体チップ２を固着する。
【００５８】
その後、ステップＳ２に示すワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）を行う。ここでは、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを金線などの金属細線であるワイヤ４で接続する。
【００５９】
その際、半導体チップ２の主面２ｂが上方を向くようにリードフレーム１を配置し、この状態でワイヤボンディングを行って、各パッド２ａとこれに対応するリード１ａそれぞれとをワイヤ４で電気的に接続する。
【００６０】
その後、ステップＳ３に示す外観検査を行う。
【００６１】
その後、ステップＳ４に示す封止である樹脂封止（樹脂モールディング）を行う。その際、まず、図９に示すように、樹脂成形金型９の下金型９ｂの金型面９ｄに配置された封止用シート１１上に、この金型面９ｄに半導体チップ２の主面２ｂが対向するようにリードフレーム１を配置する。
【００６２】
すなわち、下金型９ｂの金型面９ｄ上に、半導体チップ２が下向きとなるように、かつ封止用シート１１を介してリードフレーム１を配置する。
【００６３】
その後、樹脂成形金型９のキャビティ９ｃの底面９ｅと、タブ１ｂの露出部１ｈとが当接するように金型の型締め（クランプ）を行い、この状態で図１０に示すようにキャビティ９ｃ内への封止用樹脂８の充填を開始する。なお、樹脂成形金型９のキャビティ９ｃにおけるタブ１ｂの露出部１ｈに当接する面である底面９ｅには、図９の拡大図に示すように、梨地加工による凹凸９ｆが形成されている。
【００６４】
この凹凸９ｆは、例えば、凹凸差１０μｍ程度のものであり、封止用樹脂８の離型性の向上と、封止体３へのインクによるマーキングを可能にするためのものである。
【００６５】
図１０に示すようにキャビティ９ｃ内への封止用樹脂８の充填を開始すると、樹脂の流れ１０により、封止用樹脂８は、半導体チップ２の主面２ｂの下側と、裏面２ｃ（上側）のタブ１ｂ側に分かれて流れ込んでいく。
【００６６】
さらに、充填が進行すると、封止用樹脂８は、図１１に示すように半導体チップ２の上側では、キャビティ９ｃにおけるタブ１ｂの露出部１ｈに当接する底面９ｅと、タブ１ｂの段差部１ｉおよび凹部１ｊとによって囲まれた空間に流れ込む。
【００６７】
すなわち、まず、段差部１ｉとキャビティ９ｃの底面９ｅとの間の空間に封止用樹脂８は流れ込み、さらに、段差部１ｉ上を通過した後、凹部１ｊに流れ込む。
【００６８】
これにより、封止用樹脂８は、タブ１ｂの露出部１ｈに到達する前に樹脂溜まりとなる凹部１ｊに入り込んで露出部１ｈ上に這い上がる前に硬化する。したがって、図１２に示すように、タブ１ｂの露出部１ｈ上に封止用樹脂８のフラッシュバリが形成されることを抑制できる。
【００６９】
その結果、表面側には封止用シート１１を使用せずにフラッシュバリの形成を低減することができるため、半導体装置の組み立てのコスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減することが可能になる。
【００７０】
さらに、フラッシュバリの形成を低減できるため、封止後のバリ取り工程で水圧等を用いたデフラッシュ方法によるバリ取りを行っても容易にフラッシュバリを除去することが可能になる。したがって、タブ１ｂの露出部１ｈへの外装めっき７のめっき濡れ不足が解消される。これにより、ユーザ側でのタブ１ｂの露出部１ｈにおける実装性の確保が可能になるとともに、長期使用におけるタブ１ｂの酸化・汚染による信頼性低下の懸念も解消され、その結果、ＱＦＮ５（半導体装置）の信頼性の向上を図ることができる。
【００７１】
なお、樹脂成形金型９におけるキャビティ９ｃの底面９ｅに梨地加工による凹凸９ｆが形成されている場合においても、タブ１ｂの露出部１ｈの周囲に凹部１ｊが形成されていることにより、タブ１ｂの露出部１ｈ上への封止用樹脂８の這い上がりを低減することができる。
【００７２】
このように樹脂封止を行うとともに、半導体チップ２および複数のワイヤ４の封止を行って、複数のリード１ａそれぞれの被実装面（一部）１ｇが封止体３の裏面３ｂの周縁部に露出するように封止体３を形成する。
【００７３】
その後、図５のステップＳ５に示すめっきにより、各リード１ａおよびタブ１ｂの露出部１ｈに外装めっき７を形成する。
【００７４】
続いて、ステップＳ６のレーザーマークを行って封止体３の表面３ａに製品のマークを付す。なお、樹脂成形金型９のキャビティ９ｃの底面９ｅに梨地加工が施されている場合には、インクマークによるマーキングを行うことも可能である。
【００７５】
その後、ステップＳ７の切断により、リードフレーム１から複数のリード１ａそれぞれを切断分離して個片化を行い、さらに切断後、ステップＳ８のＤＣにより、オープン／ショートテストなどの電気的テストを行って不良品の除去を行う。
【００７６】
さらに、ステップＳ９の外観検査を行って良品の出荷となる。
【００７７】
（実施の形態２）
図１３は本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図１４は図１３に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の露出部側の構造の一例を示す平面図、図１５は図１４に示すＤ−Ｄ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図１６は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てに用いられる変形例のリードフレームの主要部の露出部側の構造を示す平面図、図１７は図１６に示すＥ−Ｅ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図１８は図１４のリードフレームに対する変形例のリードフレームの主要部の露出部側の構造を示す平面図、図１９は図１８に示すＦ−Ｆ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【００７８】
図１３に示す本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１と同様の小型のノンリード型のＱＦＮ１２であり、実施の形態１のＱＦＮ５との相違点は、タブ１ｂの裏面側において、露出部１ｈから突出部１ｄの端部に向けてタブ１ｂの厚さが段階的に薄く形成されていることであり、その際、図１３に示すＱＦＮ１２では、突出部１ｄは、封止体３の裏面３ｂ側に向けて露出部１ｈから離れる方向に連なる第１の面１ｐを有しており、さらにこの第１の面１ｐは、露出部１ｈに連なる傾斜面１ｋを有している。
【００７９】
なお、図１４に示すリードフレーム１は、ＱＦＮ１２を組み立てる際に用いられるものであり、図１５は、そのタブ１ｂの断面形状を拡大して示しており、図１４に示す斜線部が突出部１ｄである。図１５に示すように、突出部１ｄにおける第１の面１ｐの傾斜面１ｋは、緩やかな曲面から形成されている。
【００８０】
すなわち、図１４および図１５に示すリードフレーム１は、エッチング加工によって形成されたものである。
【００８１】
本実施の形態２のＱＦＮ１２では、タブ１ｂが、その露出部１ｈから突出部１ｄの端部に向けて厚さが段階的に薄く形成されていることにより、樹脂封止の際に、キャビティ９ｃ内に封止用樹脂８を注入すると、タブ１ｂの裏面側（上面側）に回り込んだ封止用樹脂８がキャビティ９ｃの底面９ｅと突出部１ｄとの間の空間に入り込み、さらに、前記空間に入り込んだ封止用樹脂８は、露出部１ｈに向かって傾斜面１ｋ上の徐々に狭い空間を通過する状態となる。
【００８２】
その際、傾斜面１ｋ上で流路が狭くなるにつれて封止用樹脂８に対しての供給熱量が増大し、その結果、封止用樹脂８の硬化を促進させることができる。これにより、タブ１ｂの露出部１ｈ上に封止用樹脂８が這い上がる前にそのほとんどが硬化し、タブ１ｂの露出部１ｈ上に封止用樹脂８のフラッシュバリが形成されることを抑制できる。
【００８３】
したがって、実施の形態１と同様に、樹脂成形金型９の表面側（上側）に封止用シート１１を使用せずにフラッシュバリの形成を低減することができ、その結果、コスト上昇を抑えてフラッシュバリの発生を低減することが可能になる。
【００８４】
さらに、フラッシュバリの形成を低減できるため、実施の形態１と同様に、封止後のバリ取り工程で水圧等を用いたデフラッシュ方法によってフラッシュバリを除去することが可能となり、タブ１ｂの露出部１ｈへの外装めっき７のめっき濡れ不足が解消される。これにより、ユーザ側でのタブ１ｂの露出部１ｈの実装性の確保が可能になるとともに、長期使用におけるタブ１ｂの酸化・汚染による信頼性低下の懸念も解消され、その結果、ＱＦＮ１２（半導体装置）の信頼性の向上を図ることができる。
【００８５】
また、リードフレーム１におけるタブ１ｂの大きさは、図１５に示すように、主面１ｃが、例えば、（Ｑ）2.０ｍｍ×（Ｑ）2.０ｍｍの略四角形であり、一方、露出部１ｈは、例えば、（Ｐ）1.５ｍｍ×（Ｐ）1.５ｍｍの略四角形である。したがって、この場合の突出部１ｄの幅は、リード１ａの延在方向において、0.５ｍｍ／２＝0.２５ｍｍである。
【００８６】
これは、突出部１ｄの幅の大きさを規定する際に、例えば、幅＝0.１ｍｍ程度では、封止用樹脂８の硬化を促進させる距離としては短過ぎる。また、例えば幅＝0.４ｍｍ程度と長過ぎると露出部１ｈの周囲直近に樹脂の未充填が形成される可能性があり、チップ搭載部１ｂの傾斜面１ｋが剥き出しになるためチップ搭載部１ｂの酸化・汚染による信頼性低下が懸念される。このため、0.２５ｍｍ前後、つまり、突出部１ｄのリード１ａの延在方向に対しての幅は、0.２〜0.３ｍｍにすることが好ましい。また、露出部１ｈからタブ１ｂの主面１ｃ方向への突出部１ｄの厚さは、例えば厚さ＝0.１ｍｍ程度である。突出部１ｄの幅をｒ１、突出部１ｄの厚さをｒ２とすると、ｒ１はｒ２よりも大きいことが好ましい。
【００８７】
なお、単にタブ１ｂの封止体３からの抜け防止として突出部１ｄに相当する薄肉部を形成する場合、その幅は、0.１ｍｍ程度であり、本実施の形態２のＱＦＮ１２の突出部１ｄおよび実施の形態１のＱＦＮ５の段差部１ｉは、抜け防止のための薄肉部とは異なったものである。
【００８８】
本実施の形態２のＱＦＮ１２のその他の構造と製造方法およびそれらによって得られる他の効果については、実施の形態１のＱＦＮ５のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００８９】
次に、図１６および図１７に示す変形例のリードフレーム１は、タブ１ｂの裏面側において、露出部１ｈから突出部１ｄの端部に向けてタブ１ｂの厚さを段階的に薄く形成するにあたり、突出部１ｄの第１の面１ｐを有しており、さらに第１の面１ｐは階段状に連なる第１の段差部１ｒと第１の段差部１ｒよりも封止体３の表面３ａ側に位置する第２の段差部１ｑを形成したものである。すなわち、露出部１ｈの周囲に階段状の突出部１ｄが形成されているものであり、封止体３の表面３ａから見た場合、露出部１ｈから遠ざかるにつれて階段を下る形状となっている。階段形状は、例えば図１６および図１７のように第１の段差部１ｒおよび第２の段差部１ｑと２段で構成されている。しかし、封止体３の表面３ａから見た場合、露出部１ｈから突出部１ｄに向かうにつれて階段を下る形状となっていれば、階段形成は２段に限らず、複数段設けても良い。この場合は、リードフレーム１をプレス加工によって加工することにより、実現できる。
【００９０】
このように突出部１ｄを階段状に形成した場合であっても、実施の形態２のＱＦＮ１２と同様の効果を得ることが可能である。
【００９１】
また、図１８および図１９に示す変形例のリードフレーム１は、図１４に示すリードフレーム１と同様に、露出部１ｈの周囲の突出部１ｄの第１の面１ｐに傾斜面１ｋを有するものであるが、リードフレーム１をプレス加工によって形成したことにより、傾斜面１ｋが曲面ではなく、平坦面によって構成されている。
【００９２】
このように突出部１ｄの第１の面１ｐを平坦な傾斜面１ｋとした場合であっても、実施の形態２のＱＦＮ１２と同様の効果を得ることが可能である。
【００９３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９４】
例えば、前記実施の形態１，２では、半導体装置の一例としてＱＦＮ５，１２を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、封止体３の表面３ａ側にタブ１ｂの裏面側が露出する構造の半導体装置であれば、ＱＦＮ以外の他の半導体装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、電子装置および半導体製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す組み立てフロー図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の露出部側の構造の一例を示す平面図である。
【図７】図６に示すＣ−Ｃ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【図８】図６に示すリードフレームの主要部のチップ搭載側の構造の一例を示す平面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止時の上金型におけるチップ搭載部との接触状態と梨地形状の一例を示す断面図および拡大部分断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におけるキャビティ内での封止用樹脂の流れ方の一例を示す断面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におけるキャビティ内での封止用樹脂の流れ方の一例を示す断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におけるキャビティ内での封止用樹脂の充填状態の一例を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図１４】図１３に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の露出部側の構造の一例を示す平面図である。
【図１５】図１４に示すＤ−Ｄ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てに用いられる変形例のリードフレームの主要部の露出部側の構造を示す平面図である。
【図１７】図１６に示すＥ−Ｅ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【図１８】図１４のリードフレームに対する変形例のリードフレームの主要部の露出部側の構造を示す平面図である。
【図１９】図１８に示すＦ−Ｆ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  リードフレーム
１ａ  リード
１ｂ  タブ（チップ搭載部）
１ｃ  主面
１ｄ  突出部
１ｅ  吊りリード
１ｆ  連結部
１ｇ  被実装面（一部）
１ｈ  露出部
１ｉ  段差部
１ｊ  凹部
１ｋ  傾斜面
１ｍ  第１の折り曲げ部
１ｎ  第２の折り曲げ部
１ｐ  第１の面
１ｑ  第２の段差部
１ｒ  第１の段差部
２  半導体チップ
２ａ  パッド（電極）
２ｂ  主面
２ｃ  裏面
３  封止体
３ａ  表面
３ｂ  裏面
３ｃ  側面
４  ワイヤ
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  ダイボンド材
７  外装めっき
８  封止用樹脂
９  樹脂成形金型
９ａ  上金型
９ｂ  下金型
９ｃ  キャビティ
９ｄ  金型面
９ｅ  底面
９ｆ  凹凸
１０  樹脂の流れ
１１  封止用シート
１２  ＱＦＮ（半導体装置）
ｒ１  突出部の幅
ｒ２  突出部の厚さ
【図１】
2005236127.tif 000003
【図２】
2005236127.tif 000004
【図３】
2005236127.tif 000005
【図４】
2005236127.tif 000006
【図５】
2005236127.tif 000007
【図６】
2005236127.tif 000008
【図７】
2005236127.tif 000009
【図８】
2005236127.tif 000010
【図９】
2005236127.tif 000011
【図１０】
2005236127.tif 000012
【図１１】
2005236127.tif 000013
【図１２】
2005236127.tif 000014
【図１３】
2005236127.tif 000015
【図１４】
2005236127.tif 000016
【図１５】
2005236127.tif 000017
【図１６】
2005236127.tif 000018
【図１７】
2005236127.tif 000019
【図１８】
2005236127.tif 000020
【図１９】
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