(57)【要約】【課題】  多層配線構造の半導体装置において、はんだバンプの高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】  半導体基板３と、半導体基板３上に設けられた第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７と、第２再配線層７上に形成されたはんだバンプ９とを備えた半導体装置１。第２再配線層７の一部は第１再配線層５に重なる位置に形成されている。第１絶縁樹脂層４には、第１再配線層５が挿入される凹部１１が形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、
前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、
前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凹部の深さは、該凹部に挿入される第１導電部の厚さ以上とされていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部の深さは、該凹部に挿入される第１導電部の厚さにほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成された半導体装置を製造する方法であって、
前記第１絶縁層の構成材料として感光性材料を用い、第１絶縁層を露光することにより前記凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成された半導体装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器に関し、特に、ウエハレベル（ＷＬ）のＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）等の半導体装置に好適に用いられる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ、例えばデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）では、側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流である。この半導体パッケージでは、端子数が増加するとサイズが大きくなるという問題がある。
これに対し、チップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＣＳＰ：Chip Size/Scale Package）、特に、「ウエハレベル（ＷＬ）ＣＳＰ」と称される半導体パッケージでは、その占有面積を狭くすることができ、高密度実装が可能である（例えば、特許文献１、２参照）。
ＷＬＣＳＰは、半導体基板上に、絶縁層、再配線層、封止層等を形成し、再配線層上にはんだバンプを形成し、これを所定の寸法に切断することにより、パッケージ構造の半導体チップとしたものである。
【特許文献１】特開２００３−１２４２４４号公報
【特許文献２】国際公開第００／７７８４３号パンフレット
【０００３】
ＷＬＣＳＰとしては、一層配線構造のものに限らず、より小型化が可能となる多層配線構造のものがある。
図１０は、２層配線構造のＷＬＣＳＰの一例を示す断面図である。
このＷＬＣＳＰ２１は、半導体ウエハ３と、第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７と、第２再配線層７が露出した電極パッド８上に形成されたはんだバンプ９と、封止樹脂層１０とを備えている。
図示例において、電極パッド８は、第１再配線層５に重なる位置に形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
絶縁樹脂層４、６の形成方法としては、均一な層を形成できることから、通常、スピンコート法が採用される。
図１１および図１２に示すように、第１絶縁樹脂層４上に、スピンコート法などにより第２絶縁樹脂層６を形成すると、第２絶縁樹脂層６は、第１再配線層５に相当する部分が上方に突出した形状となる。
図１０に示すように、電極パッド８は、第２絶縁樹脂層６の突出部分の上に形成されるため、一部が上方に突出した形状となる。
このため、電極パッド８上に形成されるはんだバンプ９は比較的高く形成される。また、はんだバンプ９が傾いた状態となることもある。
図１３は、電極パッド８の下方に第１再配線層５が存在しない部分のＷＬＣＳＰ２１の断面図である。
この部分では、第２絶縁樹脂層６が平坦であるため、電極パッド８も平坦になり、はんだバンプ９は比較的低くなる。
このように、多層配線構造のＷＬＣＳＰ２１では、はんだバンプ９の高さが不均一となったり、はんだバンプ９が傾いた状態となることがあった。
はんだバンプ９の高さや形状が不均一になると、ＷＬＣＳＰ２１を用いた実装基板を搭載する電子機器の製造工程における工程不良の発生頻度の増大、電子機器を使用の際の信頼性の低下などを招くおそれがあった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、多層配線構造の半導体装置において、はんだバンプの高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成されていることを特徴とする。
この半導体装置では、第１絶縁層に、第１導電部が挿入される凹部が形成されているので、第１導電部を低く形成することができる。
このため、第２絶縁層および第２導電部が上方に突出するのを抑え、はんだバンプが高く形成されたり、傾いて形成されるのを防ぐことができる。
【０００６】
前記凹部の深さは、該凹部に挿入される第１導電部の厚さ以上とすることができる。
前記凹部の深さは、該凹部に挿入される第１導電部の厚さにほぼ等しいことが好ましい。
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成された半導体装置を製造する方法であって、前記第１絶縁層の構成材料として感光性材料を用い、第１絶縁層を露光することにより前記凹部を形成することを特徴とする。
この製造方法では、凹部を容易に形成することができ、製造コスト低減が可能となる。
【０００８】
本発明の電子機器は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第１絶縁層と、該第１絶縁層上に設けられた第１導電部と、該第１導電部上に設けられた第２絶縁層と、該第２絶縁層上に設けられた第２導電部と、該第２導電部上に形成されたはんだバンプとを備え、前記第２導電部の一部が、前記第１導電部に重なる位置に形成され、前記第１絶縁層に、前記第２導電部に重なる位置の第１導電部が挿入される凹部が形成された半導体装置を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置によれば、第１絶縁層に、第１導電部が挿入される凹部が形成されているので、第１導電部を低く形成することができる。
このため、第２絶縁層および第２導電部が上方に突出するのを抑え、はんだバンプが高く形成されたり、傾いて形成されるのを防ぐことができる。よって、はんだバンプの高さや形状を均一にすることができる。
従って、この半導体装置を搭載する電子機器の製造工程における工程不良を防ぐとともに、実装状態における電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１絶縁層の構成材料として感光性材料を用い、第１絶縁層を露光することにより前記凹部を形成するので、凹部を容易に形成することができる。
従って、半導体装置を容易に製造することができ、製造コスト低減が可能となる。
【００１１】
本発明の電子機器によれば、前記半導体装置を備えているので、はんだバンプの高さや形状を均一にすることができる。
従って、製造工程における工程不良を防ぐとともに、電気的接続の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の半導体装置の第１の例であるウエハレベル・チップ・サイズ／スケール・パッケージ１（ＷＬＣＳＰ）を示す正断面図である。
図２〜図５は、このＷＬＣＳＰ１を製造する工程を示す工程図である。図２および図３は、製造途上のＷＬＣＳＰ１を示す側断面図であり、図４および図５は、製造途上のＷＬＣＳＰ１を示す正断面図である。
【００１３】
ＷＬＣＳＰ１は、上面に電極２が設けられた半導体ウエハ３（半導体基板）と、半導体ウエハ３上に設けられた第１絶縁樹脂層４（第１絶縁層）と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５（第１導電部）と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６（第２絶縁層）と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７（第２導電部）と、第２再配線層７が露出した電極パッド８上に形成されたはんだバンプ９と、封止樹脂層１０とを備えている。
【００１４】
電極２は、ＩＣ等の集積回路に電気的に接続される電極であり、例えば、アルミニウム、銅、クロム、チタン、金等の金属により構成されている。
半導体ウエハ３としては、シリコンウエハが使用できる。
【００１５】
第１および第２再配線層５、７は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等が好適に用いられ、その厚さは５〜５０μｍが好ましい。
【００１６】
第２再配線層７は、一部が第１再配線層５に重なる位置に形成されている。
図示例では、第２再配線層７の一部である電極パッド８が第１再配線層５に重なる位置に形成されている。
第１再配線層５は、断面矩形状に形成することができる。
なお、第２再配線層７と第１再配線層５とが重なるとは、絶縁樹脂層４、６の面内における再配線層５、７の位置が互いにほぼ一致することを意味する。
第１再配線層５と第２再配線層７とは、図示せぬ接続位置で接続することができる。
【００１７】
第１絶縁樹脂層４は、電極２を除いて半導体ウエハ３の全面に形成された絶縁性の樹脂層であり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）により構成することができる。第１絶縁樹脂層４には、感光性材料を用いるのが好ましい。
第１絶縁樹脂層４の厚さは、５〜５０μｍが好ましい。
【００１８】
第１絶縁樹脂層４には、第２再配線層７に重なる部分の第１再配線層５が挿入される凹部１１が形成されている。
図示例において、凹部１１は、断面矩形状の第１再配線層５に沿う形状、すなわち断面矩形の溝状に形成されている。凹部１１の幅は第１再配線層５の幅にほぼ等しくされている。
【００１９】
凹部１１の深さは、凹部１１に挿入される第１再配線層５の厚さ以上とすることができる。
図示例では、凹部１１の深さは第１再配線層５の厚さ（高さ）にほぼ等しくされている。
このため、第２再配線層７に重なる部分の第１再配線層５は、凹部１１内に収容され、第１再配線層５の上面が第１絶縁樹脂層４の上面に対しほぼ面一になっている。
【００２０】
第２絶縁樹脂層６は、絶縁性の樹脂層であり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）などにより構成され、その厚みは、５〜５０μｍが好ましい。
【００２１】
はんだバンプ９は、共晶タイプのはんだ、鉛を含まないタイプのはんだ等を用いることができる。
封止樹脂層１０は、電極２、絶縁樹脂層４、６、再配線層５、７を保護するためのもので、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）などにより構成され、その厚みは、５〜５０μｍが好ましい。
【００２２】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の第１の例を説明する。
図２に示すように、電極２を形成した半導体ウエハ３の全面に、スピンコート法、キャスティング法、印刷法（スクリーン印刷法等）などにより、感光性材料であるポリイミド系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４とする。
【００２３】
図２〜図４に示すように、電極２上に相当する位置Ａにおいて第１絶縁樹脂層４を露光することによって、電極２上に開口部１２を形成する。
次いで、第２再配線層７に重なる部分の第１再配線層５が形成される位置Ｂにおいて第１絶縁樹脂層４を露光することによって、凹部１１を形成する。
なお、開口部１２および凹部１１は、一度の露光で形成することもできる。
【００２４】
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法、蒸着法等によりシード層を形成する。シード層は、密着層上に給電層を有する２層構造とすることができる。密着層の厚さは１０〜１００ｎｍが好ましく、給電層の厚さは１００〜５００ｎｍが好ましい。
密着層には、クロム、ニッケル、チタン、チタン−タングステン合金等を用いるのが好ましい。給電層には、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等を用いるのが好ましい。
次いで、シード層上にレジストを形成する。レジストは、第１再配線層５を形成するべき位置以外の領域に形成する。
【００２５】
次いで、図３および図４に示すように、メッキ法によって、レジストが形成されていない位置、すなわち開口部１２内および凹部１１内に第１再配線層５を形成する。メッキ法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法を採用できる。
次いで、レジストを除去するとともに、第１再配線層５以外の領域に形成されたシード層をエッチングにより除去し、第１絶縁樹脂層４を露出させる。
次いで、図５に示すように、第１絶縁樹脂層４および第１再配線層５の上に第２絶縁樹脂層６を形成する。第２絶縁樹脂層６は、第１再配線層５と第２再配線層７とが接続される箇所を除いて形成する。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第２再配線層７を形成するべき位置以外の領域にレジストを形成し、メッキ法によって第２再配線層７を形成する。
次いで、レジストおよびシード層を除去した後、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７の上に、電極パッド８を除く領域に封止樹脂層１０を形成する。
次いで、はんだペースト印刷法によって、はんだペーストを電極パッド８上に載せ、リフロー処理で溶融させ、はんだバンプ９とする。
なお、はんだバンプ９を形成するには、はんだボール搭載法を採用することもできる。
以上の過程を経て、図１に示すＷＬＣＳＰ１を得る。
【００２６】
ＷＬＣＳＰ１は、次に示す効果を奏する。
（１）第１絶縁樹脂層４に、第２再配線層７に重なる位置の第１再配線層５が挿入される凹部１１が形成されているので、第１再配線層５を低く形成することができる。
このため、第１再配線層５上の第２絶縁樹脂層６が上方に突出するのを抑え、電極パッド８が上方に突出するのを抑えることができる。
よって、はんだバンプ９が高く形成されたり、傾いて形成されるのを防ぐことができる。
従って、はんだバンプ９の高さや形状を均一にし、ＷＬＣＳＰ１を搭載する電子機器の製造工程における工程不良を防ぐとともに、実装状態における電気的接続の信頼性を高めることができる。
（２）凹部１１の深さを、凹部１１に挿入される第１再配線層５の厚さ以上とすることによって、第１再配線層５をより低く形成することができる。
従って、はんだバンプ９が高く形成されたり、傾いて形成されるのを確実に防ぐことができる。
（３）凹部１１の深さを、凹部１１に挿入される第１再配線層５の厚さにほぼ等しくすることによって、第１再配線層５の上面が第１絶縁樹脂層４の上面にほぼ面一とすることができる。
このため、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７を平坦にすることができる。
従って、はんだバンプ９の高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる。
【００２７】
上記ＷＬＣＳＰ１の製造方法は、次に示す効果を奏する。
（１）第１絶縁樹脂層４の構成材料として感光性材料を用い、これを露光させることによって凹部１１を形成するので、凹部１１を容易に形成することができる。
従って、ＷＬＣＳＰ１を容易に製造することができ、製造コスト低減が可能となる。
（２）第１再配線層５が形成される位置以外の領域の第１絶縁樹脂層４にレジストを形成し、レジストが形成されない位置に、メッキ法により第１再配線層５を形成するので、第１再配線層５を、正確かつ容易に所定の位置（凹部１１内）に形成することができる。
従って、ＷＬＣＳＰ１を容易に製造することができ、製造コスト低減が可能となる。
【００２８】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の第２の例を説明する。
第１の例の製造方法では、レジストを用いてメッキ法により再配線層５、７を形成したが、レジストを用いずに再配線層５、７を形成することもできる。
すなわち、絶縁樹脂層４、６上にシード層を形成した後、再配線層５、７を形成するべき位置以外の領域のシード層をレーザ光の照射により酸化したのち、メッキを行う。
レーザ光の照射には、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザを用いることができる。
レーザ光により酸化された領域にはメッキによる金属付着が起こらないため、メッキによって、レーザ光が照射されなかった位置に再配線層５、７が形成される。
【００２９】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の第３の例を説明する。
第１の例の製造方法では、露光によって第１絶縁樹脂層４に凹部１１を形成したが、凹部１１の形成を、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工によって行うこともできる。
【００３０】
次に、ＷＬＣＳＰ１の製造方法の第４の例を説明する。
第１の例の製造方法では、シード層の形成方法として、スパッタ法および蒸着法を示したが、ＣＶＤ法を用いることもできる。
【００３１】
次に、本発明の半導体装置の他の例を説明する。
図６に示すように、第１絶縁樹脂層４に形成する凹部１１の深さは、凹部１１に挿入される第１再配線層５の厚さより小さくてもよい。例えば、第１再配線層５の厚さを、凹部１１の深さに対して１倍を越え、１．５倍以下とすることができる。
この例では、第１再配線層５の厚さを大きくできるため、第１再配線層５の電気抵抗値を小さくし、発熱量の低減が可能となる。
【００３２】
図７に示すように、第１絶縁樹脂層４に形成する凹部１１の深さは、凹部１１に挿入される第１再配線層５の厚さより大きくてもよい。例えば、第１再配線層５の厚さを、凹部１１の深さに対して０．５倍以上、１倍未満とすることができる。
この例では、メッキ法などにより第１再配線層５を形成する際の時間を短縮できる。
【００３３】
図８に示すように、本発明では、下面側の幅が上面側の幅より小さい断面台形状の第１再配線層５を備え、凹部１１の断面形状が第１再配線層５の断面形状に沿う台形状とされた構成も可能である。
この例では、図１に示す断面矩形状の第１再配線層５を有するものに比べ、第１再配線層５の断面積を小さくできるため、メッキ法などにより第１再配線層５を形成する際の時間を短縮できる。
また、図１に示す断面矩形状の第１再配線層５を有するものに比べ、第１絶縁樹脂層４の断面積を大きくすることができる。このため、第１絶縁樹脂層４による十分な応力緩和効果を得ることができる。
また、凹部１１の側面が深さ方向に内方に傾斜しているため、第１再配線層５を形成するにあたって、凹部１１内面、特に側面にシード層を形成するのが容易となる。
【００３４】
図９に示すように、本発明では、上面側の幅が下面側の幅より小さい断面台形状の第１再配線層５を備え、凹部１１の断面形状が第１再配線層５の断面形状に沿う台形状とされた構成も可能である。
この例では、図８に示す例と同様に、第１再配線層５の断面積を小さくできるため、第１再配線層５を形成する際の時間を短縮できる。また、第１絶縁樹脂層４の断面積を大きくすることができるため、第１絶縁樹脂層４による十分な応力緩和効果を得ることができる。
【実施例】
【００３５】
（実施例１）
図１に示すＷＬＣＳＰ１を次のようにして製造した。
図２に示すように、２ｍｍ×３ｍｍの半導体チップを有する６インチの半導体ウエハ３上に、スピンコート法によりポリイミド系樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
図２〜図４に示すように、ステッパーを用いて、第１絶縁樹脂層４の電極２上に相当する位置Ａを露光し（露光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２）、開口部１２を形成した。
次いで第２再配線層７に重なる部分の第１再配線層５が形成される位置Ｂを露光し（露光量：５００ｍＪ／ｃｍ２）、凹部１１を形成した。
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法によりシード層を形成した。
シード層は、Ｃｒからなる密着層（厚さ３０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性材料からなるレジストを、第１再配線層５を形成するべき位置以外の領域のシード層に、スピンコート法により形成し、電解メッキ法によって、開口部１２内および凹部１１内にＣｕからなる第１再配線層５（厚さ１０±１μｍ、幅５０±１μｍ）を形成した。
次いで、レジストを除去し、第１再配線層５以外の領域に形成されたシード層をエッチングにより除去した。
図５に示すように、第１絶縁樹脂層４および第１再配線層５上に第２絶縁樹脂層６を形成した（厚さ１５±１μｍ）。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第１再配線層５と同様にレジストを形成した後、メッキ法によってＣｕからなる第２再配線層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７上に、電極パッド８（直径２８０±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層１０（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだペースト印刷法によって、鉛を含まないはんだペーストを電極パッド８上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプ９とし、ＷＬＣＳＰ１を得た。
このＷＬＣＳＰ１では、第１再配線層５に相当する位置の第２絶縁樹脂層６の平均高さは、図１０に示す従来のＷＬＣＳＰ２１に比べて９０％以上小さく、ＷＬＣＳＰ１のはんだバンプ９の高さのばらつきが非常に小さいことが確認された。
【００３６】
（実施例２）
図１に示すＷＬＣＳＰ１を次のようにして製造した。
１．３ｍｍ×２ｍｍの半導体チップを有する８インチの半導体ウエハ３上に、スクリーン印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、第１絶縁樹脂層４（厚さ１５±１μｍ）を得た。
図２〜図４に示すように、ステッパーを用いて、第１絶縁樹脂層４の電極２上に相当する位置Ａを露光し（露光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２）、開口部１２を形成した。
次いで第２再配線層７に重なる部分の第１再配線層５が形成される位置Ｂを露光し（露光量：５００ｍＪ／ｃｍ２）、凹部１１を形成した。
次いで、第１絶縁樹脂層４上に、スパッタ法によりシード層を形成した。
シード層は、ＴｉＷからなる密着層（厚さ５０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性材料からなるレジストを、第１再配線層５を形成するべき位置以外の領域のシード層に、スピンコート法により形成し、電解メッキ法によって、開口部１２内および凹部１１内にＣｕからなる第１再配線層５（厚さ１０±１μｍ、幅５０±１μｍ）を形成した。
次いで、レジストを除去し、第１再配線層５以外の領域に形成されたシード層をエッチングにより除去した。
図５に示すように、第１絶縁樹脂層４および第１再配線層５上に第２絶縁樹脂層６を形成した（厚さ１５±１μｍ）。
次いで、第２絶縁樹脂層６上にシード層を形成し、このシード層上に、第１再配線層５と同様にレジストを形成した後、メッキ法によってＣｕからなる第２再配線層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、第２絶縁樹脂層６および第２再配線層７上に、電極パッド８（直径２５０±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層１０（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだボール搭載法によって、共晶タイプのはんだを電極パッド８上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプ９とし、ＷＬＣＳＰ１を得た。
このＷＬＣＳＰ１では、第１再配線層５に相当する位置の第２絶縁樹脂層６の平均高さは、図１０に示す従来のＷＬＣＳＰ２１に比べて９０％以上小さく、ＷＬＣＳＰ１のはんだバンプ９の高さのばらつきが非常に小さいことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の半導体装置は、各種フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circit）などの回路基板に歩留まりよく実装できる。
このため、本発明の半導体装置は、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、光送受信機器などのように、半導体装置が実装された回路基板を備えた各種電子機器に有利に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の半導体装置の第１の例を示す正断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図６】本発明の半導体装置の第２の例を示す正断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の第３の例を示す正断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の第４の例を示す正断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の第５の例を示す正断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の例を示す正断面図である。
【図１１】図１０に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図１２】図１０に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図１３】図１０に示す半導体装置を示す正断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…ＷＬＣＳＰ（半導体装置）、２…電極、３…半導体ウエハ（半導体基板）、４…第１絶縁樹脂層（第１絶縁層）、５…第１再配線層（第１導電部）、６…第２絶縁樹脂層（第２絶縁層）、７…第２再配線層（第２導電部）、９…はんだバンプ、１１…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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