(57)【要約】【課題】  制御が容易で、小型化可能な波長可変レーザ装置を提供する。【解決手段】  波長可変レーザ装置は、一対の反射鏡と、前記一対の反射鏡の間に配置され、光利得を発生する領域と、波長可変フィルタ機能を持つ領域と、位相を制御する領域とが集積された半導体素子と、前記半導体素子と前記一対の反射鏡の一方の間に配置され、周期的な透過波長を持つ光フィルタと、を有する。【選択図】  図１
2005303077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の反射鏡と、
前記一対の反射鏡の間に配置され、光利得を発生する領域と、波長可変フィルタ機能を持つ領域と、位相を制御する領域とが集積された半導体素子と、
前記半導体素子と前記一対の反射鏡の一方の間に配置され、周期的な透過波長を持つ光フィルタと、
を有する波長可変レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体素子は、第１導電型の化合物半導体下地基板の上に、共通の第１導電型下側導波路層、共通のスペーサ層を有する請求項１記載の波長可変レーザ装置。
【請求項３】
前記一対の反射鏡の一方は前記半導体素子のへき開された端面、またはその上に形成された多層膜で構成される請求項１または２記載の波長可変レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体素子の他の端面上に、誘電体多層膜で形成された無反射コーティングを含む請求項３記載の波長可変レーザ装置。
【請求項５】
前記光利得を発生する領域は、多重量子井戸構造を含む請求項１〜４のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
【請求項６】
前記波長可変フィルタ機能を持つ領域は、回折格子装荷型方向性結合器を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
【請求項７】
前記位相を制御する領域は、前記利得を発生する領域と前記回折格子装荷型方向性結合器との間に配置されている請求項６記載の波長可変レーザ装置。
【請求項８】
前記周期的な透過波長を持つ光フィルタは、エタロンフィルタを含む請求項１〜７のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
【請求項９】
前記エタロンフィルタは、光の入射角度がエタロン表面の法線から傾くように配置されている請求項８記載の波長可変レーザ装置。
【請求項１０】
前記周期的透過波長を持つ光フィルタは、ＩＴＵグリッドの波長に合う透過ピーク波長を有する請求項１〜９のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ装置に関し、特に波長可変レーザ装置に関する。  
【背景技術】
【０００２】
増大するデータトラフィックに対応するため、光通信システムにおいては複数の波長の光信号を一本の光ファイバで一括して伝送する波長多重（wavelength division multiplexing, WDM)光通信システムが開発され、実用化されている。将来のＷＤＭ光通信システムにおいて、より積極的に光信号の波長情報を活用して大容量で柔軟なシステムを実現するため、光アドドロップマルチプレクサ（opticaladd drop multiplexer, OADM)、波長ルーティング、光パケット伝送などの高度な処理が検討されている。このような処理を実現するため、光源として、単一素子で幅広い波長可変幅を有し、高出力の波長可変レーザが求められている。
【０００３】
特開２００３−２８３０２４号は、広帯域で波長可変であり、高出力の波長可変レーザの新規な構成を提案している。
図５Ａは、特開２００３−２８３０２４号に提案された構成を再現する。広い波長範囲で光利得を持つ利得媒体５４、バンドパスフィルタ５５、エタロンフィルタ５６が、反射鏡５１、半透過鏡５２に挟まれ、光軸５７上に配置されている。反射鏡５１と半透過鏡５２がキャビティ５０を画定する。利得媒体５４は、例えば半導体光増幅器（semiconductor optical amplifier, SOA）で構成される。バンドパスフィルタ５５は、たとえば音響光学可変フィルタ（acousto-opticaltunable filter, AOTF）で構成される。周波数コントローラ５８がバンドパスフィルタ５５のパスバンドを制御する。エタロンフィルタは、ファベリペローエタロンフィルタで構成され、周期的な鋭い透過（波長）スペクトルを有し、たとえば、ＩＴＵ（internationaltelecommunications union)グリッドの仕様に適合するように設計、配置される。
【０００４】
利得媒体５４によって広域周波数にまたがる光学エネルギを発生させ、まずバンドパスフィルタで挟域な光学エネルギのみを残し、さらに周期的な鋭い透過特性（の透過波長）を持つエタロンフィルタでフィルタリングする。さらにキャビティを用いて共鳴を生じさせる。このようなＳＯＡとＡＯＴＦとを用いたＳＯＡ−ＡＯＴＦレーザにより単一モードで高出力のレーザ光を発生させる。
【０００５】
このような、ＳＯＡ−ＡＯＴＦレーザの具体的構成及び実測した性能が、K. Takabayashi et al.Proc. of ECOC 2003, vol. 4, 890に発表されている。
図５Ｂは、この構成を再現する。図５Ａの構成とは左右が反転した配置になっている。利得媒質５４として半導体光増幅器ＳＯＡが用いられ、その１端面が半透過鏡５２を構成している。ＳＯＡと反射鏡５１との間にバンドパスフィルタ５５、ファベリペローエタロン５６が配置される。バンドパスフィルタ５５は２つの対称的構成のＡＯＴＦで構成され、ドップラシフトを排除している。バンドパスフィルタ５５とファブリペローエタロン５６との間にはレンズ５９が配置され光結合効率を高めている。半透過鏡５２と反射鏡５１との間に画定されるキャビティ５０は、５０ｍｍの長さである。波長可変幅Δλとして、約９０ｎｍが得られている。
【０００６】
このように、広い波長範囲で光利得を持つ素子、鋭い（周期的、固定ないし微調）波長選択性を持つ波長フィルタ、ゆるい波長選択性ながら幅広い波長可変範囲を有する波長フィルタの３つの組合せが有望と考えられる。
【０００７】
なお、特開平６−２９６２８号は、利得区画と波長選択カプラとを集積化した光カプラないし半導体レーザを提案している。半導体構造内に下部導波路、上部導波路を形成し、その上に回折格子を配置し、上下の導波路間で選択的カップリングを生じさせる。予想フィルタ帯域幅は２．５ｎｍと説明されている。
【０００８】
IEEE Photonics Technology Letters, vol.7, no.7,(1995) 697-699は、上述の３機能を一体に集積化したＧＣＳＲ(grating assisted codirectional couplerlaser with super structure grating reflector)レーザを提案している。ＩｎＰ基板上に利得セクション、カプラセクション、位相制御セクション、反射セクションを形成し、それぞれに独立な電極を形成している。カプラセクションは、特開平６−２９６２８号の波長選択カプラ同様、上下２本の導波路とその上の回折格子とを含み、電流注入により制御できる２本の導波路の等価屈折率差で決まる特定の波長領域の光だけが選択的に２つの導波路間を移動する現象により、波長可変フィルタ機能をを実現している。反射セクションは超周期ブラッグ反射鏡(superstructure grating reflector)で構成され、周期的な鋭い波長フィルタ特性を示す。このフィルタの透過ピーク波長も電流注入により微調可能である。単一縦モード発振が実現され、Δλ〜１００ｎｍの広い波長可変幅が得られている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２８３０２４号公報
【特許文献２】特開平６−２９６２８号公報
【特許文献３】特開平８−１８６３１３号公報
【非特許文献１】K. Takabayashi et al. Proc. of ECOC 2003, vol. 4,890
【非特許文献２】IEEE Photonics Technology Letters, vol.7, no.7,(1995)697-699
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、制御が容易で、波長選択性の優れた波長可変レーザ装置を提供することである。
本発明の他の目的は、制御が容易で、高光出力な波長可変レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の1観点によれば、一対の反射鏡と、前記一対の反射鏡の間に配置され、光利得を発生する領域と、波長可変フィルタ機能を持つ領域と、位相を制御する領域とが集積された半導体素子と、前記半導体素子と前記一対の反射鏡の一方の間に配置され、周期的な透過波長を持つ光フィルタと、を有する波長可変レーザ装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
利得領域、波長可変フィルタ領域、位相制御領域を有する半導体素子は、３つの電極で制御すればよく、制御は容易である。周期的な鋭い透過波長特性を持つ光フィルタと半導体素子とを組み合わせることにより、単一波長の発振を得ることができる。
【００１３】
高出力、広帯域波長可変で制御の容易な波長可変レーザ装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図1は、本発明の実施例による波長可変半導体レーザ装置の構成を概略的に示す断面図である。半導体素子３０、ファベリペローエタロン３１、反射ミラー３２が光軸上に配置されている。半導体素子３０の左側端面はへき開面、又は誘電体多層膜による低反射コーティングが形成された低反射（部分反射）面２７である。半導体素子３０の右側端面は、誘電体多層膜による無反射コーティングが形成された無反射面２６である。低反射面２７とミラー３２とがキャビティを画定する。半導体素子３０は、利得領域Ｇ、位相制御領域ＰＨ、方向性結合器領域ＤＣ、吸収領域ＡＢを有する。エタロンフィルタは固体エタロンフィルタとして示すが、エアギャップエタロンフィルタで構成することも可能である。
【００１５】
半導体素子３０は、ｎ型ＩｎＰ基板１１の上に、ＩｎＰのバンドギャップ波長より長く、目的とする発振波長よりも短いバンドギャップ波長を有する（ＩｎＰより高い屈折率を有する）ＩｎＧａＡｓＰ下部導波路層１２、その上にｎ型ＩｎＰスペーサ層１３、その上にＩｎＰのバンドギャップ波長より長いバンドギャップ波長を有する（ＩｎＰより高い屈折率を有する）上部導波路層が形成されている。
【００１６】
上部導波路層は、左側に目的とする１．５ミクロン帯の波長の光を発生することのできる多重量子井戸活性層１４、右側に多重量子井戸活性層１４が発する光を吸収することのできる多重量子井戸吸収層１５、それらの間に多重量子井戸活性層１４が発生する光を透過させることのできる導波路層１６、１７を含む。上部導波路層１７と下部導波路層１２とは屈折率が異なる（屈折率差Δｎ）。多重量子井戸吸収層１５は、多重量子井戸活性層１４と同一の積層構造で形成できる。多重量子井戸構造は多重量子井戸の上下により屈折率の低い層を付加して、光閉じ込め構造（ＳＣＨ）を付加することが好ましい。
【００１７】
上部導波路層の上にｐ型ＩｎＰ上部スペーサ層１８が形成され、その上面の一部に周期１５μｍの回折格子１９が形成され、回折格子をｐ型ＩｎＰバッファ層２０が覆っている。ｐ型バッファ層２０の上に、上部導波路層１４，１６，１７に対応して、電極２２、２３、２４が形成されている。なお、基板１１の下面には電極２１が形成されている。
【００１８】
半導体素子の利得領域Ｇの電極２２、バッファ層２０、スペーサ層１８、多重量子井戸活性層１４、スペーサ層１３、下部導波路層１２、基板１１、電極２１の構成により、光利得機能が実現される。電極２２から電極２１に向かって順方向電流を流すことにより多重量子井戸で発光を生じさせることができる。
【００１９】
位相制御領域ＰＨの電極２３、バッファ層２０、スペーサ層１８、上部導波路層１６、スペーサ層１３、下部導波路層１２、基板１１、電極２１の構成により、位相制御機能が実現される。位相制御領域の上部導波路層１６は多重量子井戸から発する光に対して透明な組成を有し、電極２３から電極２１に順方向電流を流すことにより屈折率を制御できる。
【００２０】
方向性結合器領域ＤＣの電極２４、バッファ層２０、回折格子１９、スペーサ層１８、上部導波路層１７、スペーサ層１３、下部導波路層１２、基板１１、電極２１の構成により、回折格子装荷型方向性結合器が実現される。回折格子の周期、上下導波路層の屈折率差Δｎに依存して、特定波長の光が上下導波路層間を移動する。
【００２１】
吸収領域ＡＢのバッファ層２０、スペーサ層１８、多重量子井戸吸収層１５、スペーサ層１３、下部導波路層１２、基板１１の構成は、上部電極を有さない。上部導波路層の多重量子井戸吸収層１５は、多重量子井戸活性層１４から発し、上部導波路層１６，１７を透過した光を吸収する。下部導波路層１２は、上部導波路層１７から移動した光を伝送する。
【００２２】
光利得領域Ｇの多重量子井戸活性層１４で発生した光は、位相制御領域ＰＨを介して回折格子装荷型方向性結合器ＤＣにより下部導波路層１２に移動すると共に、緩やかな波長選択が行われる。下部導波路層を透過し、半導体素子３０の右側端面の無反射面２６から出射した光は、ファベリぺローエタロン３１を透過することにより、鋭い波長選択性が与えられる。ミラー３２で反射し、ファブリペローエタロン３１、半導体素子３０へ折り返された光は、上述の逆の経路で半導体素子３０を通過し、左側端面の低反射面２７で折返され、キャビティ内を繰り返し往復する。この動作により、単一縦モードでの発振が起こる。
【００２３】
図２は、発振モードの波長選択性を示すグラフである。横軸が波長を示し、縦軸は光強度ないし透過率を概略的に示す。縦モードｓは、キャビティ長により画定される波長間隔を有する。縦モードｓ間の間隔を広げるには、キャビティ長を短くすることが好ましい。
【００２４】
図１の構成は、光利得素子と幅広い波長可変範囲を有する波長フィルタとを集積化した半導体素子３０を用いることにより、半導体光増幅器（ＳＯＡ）と幅広い波長可変範囲を有する波長フィルタとして音響光学可変フィルタ（ＡＯＴＦ）を用いる（ＳＯＡ−ＡＯＴＦ）構成と比較して、キャビティ長短縮を可能にする。また、実装が容易であり、共振器内の結合損失も小さいために、高出力化が可能である。
【００２５】
ファブリペローエタロン３１の波長選択性ｆ１は、鋭い波長選択性を有し、波長軸上周期的に分布する。このファブリペローエタロンの透過波長は、好ましくはＩＴＵで規定されたグリッド（例えば１９４．１ＴＨｚを中心に、１００ＧＨｚまたは５０ＧＨｚ間隔の波長）に適合させる。この方式により、レーザの発振波長は、電気的制御なしに、常に決まった波長グリッド上で発振が可能である。
【００２６】
回折格子装荷型方向性結合器の波長選択特性ｆ２は、相対的に広い波長範囲で、緩やかな波長選択性を示している。短いキャビティ長内でエタロンと回折格子装荷型方向性結合器を組み合わせることにより、単一縦モード波長での発振を可能とする。
【００２７】
なお、図に示す構成において、ファブリペローエタロンの法線と光軸とは一致させず数度傾ける。この傾斜により、ファブリペローエタロンで反射される光が半導体素子の光導波路に戻らないようにすることができる。上述の構成において、半導体素子長を約２ｍｍ、レンズ、エタロン、ミラー部分の光学軸上の長さを約８ｍｍとすると、キャビティ長約１ｃｍの波長可変レーザ装置を作成することができる。
【００２８】
図１に示す、１．５５μｍ帯半導体レーザを含む半導体素子の製造方法を以下に説明する。
図３Ａに示すように、ｎ型ＩｎＰ下地基板１１ａの上にｎ型ＩｎＰバッファ層１１ｂを厚さ５００ｎｍ成長し、ｎ型ＩｎＰ基板１１を得る。なお、結晶成長は、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）により行なうことができる。図１に示すように、基板上に左から右に向かって、利得領域、位相制御領域、方向性結合器（グレーティングカプラ）領域、吸収領域を作製する。ｎ型ＩｎＰ基板１１の上に、バンドギャップ波長１．１μｍ、厚さ２００ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下部導波路層１２を成長し、その上に厚さ９００ｎｍのｎ型ＩｎＰ下部スペーサ層１３を成長する。
【００２９】
ｎ型ＩｎＰ下部スペーサ層１３の上に、厚さ１８０ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下部光閉じ込め層１４ａを成長し、その上に発振波長１．５５μｍを実現する６層の量子井戸層とバリア層とを交互に積層した厚さ１０３ｎｍの多重量子井戸層１４ｘを形成する。多重量子井戸層１４ｘの上に、さらに厚さ１８０ｎｍのｐ型光閉じ込め層１４ｂを形成し、全厚さ４６０ｎｍの多重量子井戸活性層１４を得る。光閉じ込め層層１４ａ、１４ｂは、多重量子井戸層１４ｘより低い屈折率を有し、縦方向で多重量子井戸層への光閉じ込め機能を有する。多重量子井戸構造の上に、ｐ型ＩｎＰ第１上部スペーサ層１８ａを厚さ６０ｎｍ成長する。
【００３０】
図３Ｂに示すように、利得領域、吸収領域の第１上部スペーサ層１８ａ上に、ＳｉＯ２等のハードマスクＨＭ１を形成し、露出している位相制御領域、グレーティングカプラ領域の第１上部スペーサ層１８ａ、多重量子井戸構造１４をエッチングする。利得領域、吸収領域では、多重量子井戸構造が残る。エッチングで除去した領域に、バンドエッジ波長λ＝１．４μｍ、厚さ３８０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ上部導波路層１６（１７）と厚さ１４０ｎｍのｐ型ＩｎＰ第２上部スペーサ層１８ｂをバットジョイント成長する。その後ハードマスク層ＨＭ１は除去する。ＩｎＰ第１上部スペーサ層１８ａ、ＩｎＰ第２上部スペーサ層１８ｂは横方向に連続したＩｎＰ層を構成する。
【００３１】
図３Ｃに示すように、ＩｎＰ層１８ａの上に、厚さ５０ｎｍ程度のｐ型ＩｎＰ第３スペーサ層１８ｃを成長する。ＩｎＰ層１８ａ、１８ｂ、１８ｃはまとめてＩｎＰ上部スペーサ層１８を構成する。ＩｎＰ上部スペーサ層１８上にバンドエッジ波長λ＝１．３８μｍ、厚さ７０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１９ａを成長する。回折格子層１９ａの上に、ＳｉＯ２等で周期１５μｍの回折格子パターンを持つハードマスクＨＭ２を形成する。ハードマスクＨＭ２をマスクとして回折格子層１９ａの不要部分をエッチングにより除去する。その後ハードマスクＨＭ２は除去する。
【００３２】
図３Ｄに示すように、形成した回折格子１９を埋め込むように、ｐ型ＩｎＰバッファ層２０を回折格子上の厚さが約３００ｎｍ程度成長する。以上の構成により、半導体素子の基本構造が作成される。
【００３３】
図３Ｅに示すように、半導体積層構造上にメサ幅約１．５μｍのＳｉＯ２のハードマスクＨＭ３でストライプパターンを作成し、このハードマスクをマスクとしてメサストライプをドライエッチングにより形成する。メサエッチング後、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層３５、ｎ型ＩｎＰ埋め込み層３６を成長し（ｐ型ＩｎＰ層３８の一部をさらに成長してもよい）、メサストライプをｐｎ埋め込みする。ハードマスク層ＨＭ３を除去した後、表面上にｐ型ＩｎＰ層３８とＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（λ＝１．１μｍ）３９を形成する。基板底面上及びコンタクト層上面上に公知の手法により電極（図１に示す電極２１〜２４）を形成する。さらに、両端面に低反射コーティング及び無反射コーティングの誘電体多層膜を形成する。このようにして、図１に示す半導体素子が形成される。
【００３４】
なお、半導体素子はＩｎＰ基板を用いるものに限らない。１．３μｍ帯など異なる波長のレーザ装置をＧａＡｓ基板等他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて作製することもできる。
【００３５】
図４は、このような波長可変レーザを用いた光通信システムを概略的に示す。光ネットワーク４０は、複数の光アドドロップマルチプレクサ（ＯＡＤＭ）４１、４２、４３、４４が光ファイバー４８により結合されている。光ファイバー４８は、波長λ１、λ２、...λｎに光信号を伝送する。光アドドロップマルチプレクサ４４は、光ファイバー４８から波長λｙの光を波長選択フィルタ４５を介して取り込み、波長可変レーザ４６が発生する波長λｘの光を光ファイバー４８へ転送する役割を持つ。波長可変レーザ４６は、図１に示したような構成により実現される。
【００３６】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々の変更、改良、組合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
以下、本発明の特徴を付記する。
（付記１）（１）
一対の反射鏡と、
前記一対の反射鏡の間に配置され、光利得を発生する領域と、波長可変フィルタ機能を持つ領域と、位相を制御する領域とが集積された半導体素子と、
前記半導体素子と前記一対の反射鏡の一方の間に配置され、周期的な透過波長を持つ光フィルタと、
を有する波長可変レーザ装置。
（付記２）（２）
前記半導体素子は、第１導電型の化合物半導体下地基板の上に、共通の第１導電型下側導波路層、共通のスペーサ層を有する付記１記載の波長可変レーザ装置。
（付記３）（３）
前記一対の反射鏡の一方は前記半導体素子のへき開された端面、またはその上に形成された多層膜で構成される付記１または２記載の波長可変レーザ装置。
（付記４）（４）
前記半導体素子の他の端面上に、誘電体多層膜で形成された無反射コーティングを含む付記３記載の波長可変レーザ装置。
（付記５）（５）
前記光利得を発生する領域は、多重量子井戸構造を含む付記１〜４のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
（付記６）（６）
前記波長可変フィルタ機能を持つ領域は、回折格子装荷型方向性結合器を含む付記１〜５のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
（付記７）（７）
前記位相を制御する領域は、前記利得を発生する領域と前記回折格子装荷型方向性結合器との間に配置されている付記６記載の波長可変レーザ装置。
（付記８）（８）
前記周期的な透過波長を持つ光フィルタは、エタロンフィルタを含む付記１〜７のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
（付記９）（９）
前記エタロンフィルタは、光の入射角度がエタロン表面の法線から傾くように配置されている付記８記載の波長可変レーザ装置。
（付記１０）（１０）
前記周期的透過波長を持つ光フィルタは、ＩＴＵグリッドの波長に合う透過ピーク波長を有する付記１〜９のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
（付記１１）
前記半導体素子は、第１導電型の化合物半導体基板の上に、共通の第１導電型下側導波路層、共通のスペーサ層、上側導波路層を有する付記１記載の波長可変レーザ装置。
（付記１２）
前記光利得を発生する領域において、前記上側導波路層は多重量子井戸構造を含む付記１１記載の波長可変レーザ装置。
（付記１３）
前記波長可変フィルタ機能を持つ領域は、前記上側導波路層の上方に配置された回折格子を含み、回折格子装荷型方向性結合器を構成する付記１１または１２記載の波長可変レーザ装置。
（付記１４）
前記位相を制御する領域は、前記利得を発生する領域と前記回折格子装荷型方向性結合器との間に配置されている付記１３記載の波長可変レーザ装置。
（付記１５）
前記上側導波路層は、前記可変フィルタ機能を持つ領域に関して、前記光利得を発生する領域と逆側に、光を吸収する領域を含む付記１１〜１４のいずれか１項記載の波長可変レーザ装置。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例による波長可変レーザ装置の構成を概略的に示す縦方向断面図である。
【図２】図１に示す波長可変レーザ装置の発振モードを示すグラフである。
【図３】図１に示す半導体素子の主要製造工程の例を示す断面図である。
【図４】光通信システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【図５】従来技術によるＳＯＡ−ＡＯＴＦ構成の波長可変レーザ装置の構成を示すブロック図および断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１    ＩｎＰ基板
１２    下部導波路層
１３    下部スペーサ層
１４    多重量子井戸構造活性層
１５    多重量子井戸構造吸収層
１６、１７  上部導波路層
１８    上部スペーサ層
１９    回折格子
２０    バッファ層
２１〜２４  電極
３０    半導体素子
３１    ファブリペローエタロン
３２    ミラー
ｓ    縦モード
ｆ１    ファブリペローエタロンの波長選択性
ｆ２    方向性結合器の波長選択性
４０    光ネットワーク
４１〜４４  光アドドロップマルチプレクサ
４５    波長選択フィルタ
４６    波長可変レーザ
４８    光ファイバ
５０    キャビティ（共振器）
５１    反射鏡
５２    半透過鏡
５４    利得媒体
５５    バンドパスフィルタ
５６    ファブリペローエタロン
５７    導波路
５８    周波数コントローラ
５９    レンズ
【図１】
2005303077.tif 000003
【図２】
2005303077.tif 000004
【図３】
2005303077.tif 000005
【図４】
2005303077.tif 000006
【図５】
2005303077.tif 000007