(57)【要約】【課題】  電極とメッキ皮膜との密着性を向上させて、メッキ皮膜のはがれを抑制し、メッキの膜厚バラツキが小さい品質の安定した電子部品が得られる振動メッキ装置を提供する。【解決手段】  被メッキ物としてのセラミック素子１とメディア（通電媒介物）２５とをメッキ用電極（陰極）２３を備えたバスケット１１内に収容し、該バスケット１１をメッキ液槽２７に浸漬して振動を付与するとともに、上記メッキ用電極（陰極）２３に通電することにより、上記セラミック素子１にメッキ膜を被覆形成し、かつ、前記バスケット１１の底壁にメッキ液抜き孔１１eを形成するとともに上記メッキ用電極（陰極）２３を配置した電子部品の振動メッキ装置において、前記メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａを０．３５μｍ以上１００μｍ以下とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ用電極を備えた容器内に、被メッキ用電子部品素子および通電媒介物を収容し、前記容器をメッキ液槽内に浸漬させて振動を付与させるとともに、上記メッキ用電極に通電させることにより上記電子部品素子にメッキ膜が被覆形成され、かつ、メッキ液抜き孔が形成されている前記容器の底壁に前記メッキ用電極が配置される電子部品の振動メッキ装置において、前記メッキ用電極の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする、電子部品の振動メッキ装置。
【請求項２】
被メッキ用電子部品素子を用意する工程と、前記被メッキ用電子部品素子を、請求項１に記載の電子部品の振動メッキ装置を用いて、メッキ処理を施す工程と、を備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばチップサーミスタ，チップコンデンサ等を構成する電子部品素子に電極膜を形成するようにした電子部品の振動メッキ装置とそれを用いて製造される電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、チップサーミスタ，チップコンデンサ等のセラミック素子に電極を形成する従来の方法としては、図１〜３に示すような振動メッキ装置を用いる場合がよく知られている（例えば、特許文献１参照）。図１ないし図３はそれぞれ振動メッキ装置の断面図、平面図、および斜視図である。以下に従来の振動メッキ装置について説明する。
【０００３】
図の振動メッキ装置１０は、上方に開口する投入口１１ａを有する桶状のバスケット１１の底壁１１ｂ中心部に、垂直上方に延びる支持部１２を一体接続して形成し、該支持部１２の上端部に振動発生源１３を搭載して構成されている。
【０００４】
上記振動発生源１３は、外部ケース１４内にモータ１５と複数本のコイルバネ１６，１６とを収納してなるものであり、この外部ケース１４内には上記支持部１２の上端部が挿入されている。この支持部１２の上端面には振動受け板１７が固着されており、該振動受け板１７の上面には複数本の支柱１８ａにより支持板１８ｂを支持してなる支持枠部材１８が固定されている。
【０００５】
上記支持枠部材１８の支持板１８ｂに上記モータ１５が取付けられており、このモータ１５の回転軸１５ａには軸直角方向に延びる偏心荷重２０が付加されている。また、上記振動受け板１７の下面と外部ケース１４の底板との間には上記コイルバネ１６が支持部１２を囲むように架設されている。この外部ケース１４を固定し、バスケット１１をフリーにした状態でモータ１５が回転すると、振動エネルギーが振動受け板１７から支持部１２を介してバスケット１１に伝達される。この振動発生源１３はバスケット１１の振動周波数が２０〜８０Ｈｚの範囲内となるように設定されている。
【０００６】
上記バスケット１１の側周壁１１ｃの上縁部にはメッキ液流入孔１１ｄが周方向に間隔をあけて形成されている。バスケット１１をメッキ液に浸漬していくとき上記メッキ液流入孔１１ｄからメッキ液がバスケット１１内に徐々に流入するようになっている。
【０００７】
上記バスケット１１の底壁１１ｂには挿通孔１１ｅが周方向に所定間隔をあけて形成されており、各挿通孔１１ｅには２つのメッキ液抜き用メッシュキャップ２２と１つのメッキ用電極（陰極）２３とが交互に位置するように配置されている。
【０００８】
このメッキ用電極（陰極）２３は９０度ごとに配設され、各挿通孔１１ｅに挿入固定されており、残りの挿通孔１１ｅが上記メッシュキャップ２２により覆われている。上記各メッキ用電極（陰極）２３には給電線２４が接続されており、この給電線２４は上記支持部１２内を通って不図示の外部電源に接続されている。
【０００９】
上記バスケット１１内には多数のチップ型セラミック素子１と通電媒介物としてのメディア２５とが収容されている。このセラミック素子１の両端面にはＡｇ等のペーストを焼き付けてなる電極膜が形成されている。また上記メディア２５は導電性金属ボールからなるものであり、該メディア２５はセラミック素子１の最大寸法に対してと略同一ないし２倍程度の大きさのものである。
【００１０】
上記各メッキ用電極（陰極）２３の電極面積はバスケット１１の底壁１１ｂの面積の８％〜９４％に設定されており、各メッシュキャップ２２が配設された挿通孔１１ｅの孔面積は上記底壁１１ｂの面積の６〜９４％に設定されている。
【００１１】
上記各メッキ用電極（陰極）２３の電極面積はバスケット１１の底壁１１ｂの面積の８％〜９４％としたことにより、電極メッキ膜、セラミック素子の投入量に応じた通電量に設定しても電極焼けが生じることはなく、安定したメッキ処理を行なうことができる。これにより、メッキ処理時間の短縮が可能で生産性が向上する。
【００１２】
また、上記容器の底壁にメッキ抜き孔を形成したことにより、容器をメッキ液槽から引き上げて、メッキ液を容易に排出することができるので、従来のメッキ液を汲み出す場合に比べて作業性が向上し、生産性の向上が図れている。
【００１３】
さらに、上記メッキ液抜き孔の孔面積を底壁面積の６〜９２％としたことにより、メッキ用電極（陰極）の面積を確保しながら、メッキ液抜きを短時間で行なうことができ、作業性を向上できている。
【特許文献１】特開２００２−１２９３９４号公報（第２−４頁，第１−３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上記従来の振動メッキ装置では、以下に示すような問題点を有している。すなわち、上記従来の振動装置において、メッキ用電極（陰極）は現状として表面粗さＲａが０．２５μｍ以下のものが使用されている。この場合、メッキ用電極（陰極）とその電極に付着するメッキ皮膜との密着性が弱く、またメッキ皮膜が持つ膜応力により、上記メッキ中の電極からメッキ皮膜が剥がれやすくなる。したがって、この剥がれたメッキ皮膜の存在により、上記振動装置の容器中の被メッキ物（電子部品）にメッキが付きにくい部分ができるので、電子部品のメッキ膜厚のバラツキが大きくなり、所望のメッキ膜厚を有する品質の安定した電子部品を得ることができないという問題がある。
【００１５】
そこで、本発明は、上記従来の問題点を解消するためになされたものである。すなわち、メッキ用電極（陰極）とその電極に付着するメッキ皮膜との密着性を向上させて、上記メッキ皮膜のはがれを抑制し、メッキの膜厚バラツキが小さい品質の安定した電子部品が得られる振動メッキ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記問題点を解決するために、本発明に係る電子部品の振動メッキ装置は、メッキ用電極（陰極）を備えた容器内に、被メッキ用電子部品素子および通電媒介物を収容し、前記容器をメッキ液槽内に浸漬させて振動を付与させるとともに、上記メッキ用電極（陰極）に通電させることにより上記電子部品素子にメッキ膜が被覆形成され、かつ、メッキ液抜き孔が形成されている前記容器の底壁に前記メッキ用電極（陰極）が配置される電子部品の振動メッキ装置において、前記メッキ用電極（陰極）の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、被メッキ用電子部品素子を用意する工程と、前記被メッキ用電子部品素子を、請求項１に記載の電子部品の振動メッキ装置を用いて、メッキ処理を施す工程と、を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る電子部品の振動メッキ装置によれば、メッキ用電極（陰極）の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上１００μｍ以下であるため、メッキ用電極（陰極）とその電極に付着するメッキ皮膜との密着性を向上させることができるので、上記メッキ皮膜のはがれが抑制され、メッキの膜厚バラツキが小さい品質の安定した電子部品が得られる。また、上記振動メッキ装置における振動・攪拌操作も不具合なくスムーズに行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
【実施例１】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図１に基づいて説明する。なお、図１のメッキ用電極（陰極）２３において表面粗さＲａを所定の範囲にしたこと以外は、従来の振動メッキ装置と同じ構成であるので、詳細な説明は省略する。
【００２１】
図１の振動メッキ装置に用いられるメッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａは、０．３５μｍ以上１００μｍ以下である。この限定理由を以下に示す。
【００２２】
メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが０．３５μｍより小さい場合では、メッキ用電極（陰極）とその電極に付着するメッキ皮膜との密着性が弱くなり、上記メッキ中の電極からメッキ皮膜が剥がれやすくなる。したがって、この剥がれたメッキ皮膜の存在により、上記振動装置の容器中の被メッキ物（電子部品）にメッキが付きにくい部分ができるので、電子部品のメッキ膜厚のバラツキが大きくなり、所望のメッキ膜厚を有する品質の安定した電子部品を得ることができなくなるからである。
【００２３】
また、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが１００μｍより大きい場合では、後で詳述するように上記振動メッキ装置において振動・攪拌操作を施すときに、上記振動装置のメッキ用電極（陰極）と、被メッキ物（電子部品）やメディアとの間で大きな引っ掛かりが生じることがあり、スムーズに振動・攪拌操作を行なうことができなくなる場合があるからである。それにより、電子部品のメッキ膜厚のバラツキが大きくなり、所望のメッキ膜厚を有する品質の安定した電子部品を得ることができなくなるからである。
【００２４】
一方、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上１００μｍ以下の場合では、メッキ用電極（陰極）とその電極に付着するメッキ皮膜との密着性を向上させることができるので、上記メッキ皮膜のはがれが抑制され、メッキの膜厚バラツキが小さい品質の安定した電子部品が得られる。また、上記振動メッキ装置における振動・攪拌操作も不具合なくスムーズに行なうことができる。
【００２５】
次に上記振動メッキ装置１０を用いたセラミック電子部品の一製造方法を説明する。
【００２６】
被メッキ物としての第１電極膜が形成されたセラミック素子１と、メディア２５とをバスケット１１内に投入する。
【００２７】
次いで、上記バスケット１１をニッケルメッキ液Ａが充填されたメッキ液槽２７内に浸漬する。
【００２８】
この状態で、バスケット１１を２０〜８０Ｈｚの振動周波数でもって振動させるとともに、バスケット１１の各電極（陰極）２３とメッキ液槽２７内に挿入された陽極２６との間で通電する。すると、バスケット１１が水平方向に旋回しつつ垂直方向に揺動し、これに伴ってセラミック素子１，メディア２５がバスケット１１の中心部から周壁に向かって半径方向に流動しつつ攪拌される。
【００２９】
なお、バスケット１１の各メッキ用電極（陰極）２３は、その表面粗さをあらかじめ０．３５μｍ以上１００μｍ以下になるように調整する。電極の表面粗さはサンド紙で表面を擦ったり、アルミナサンドで表面をブラスト掛けしたりするなどの方法を用いて調整する。
【００３０】
これにより、第１電極膜の外表面にニッケルメッキからなる第２電極膜が被覆形成される。この場合、セラミック素子１とメディア２５の振動，攪拌によって互いが衝突し、第１，第２電極膜の凹凸が平均化され、平滑な電極膜が形成される。
【００３１】
この後、バスケット１１をメッキ液槽２７から引上げ、ニッケルメッキ液を各メッシュキャップ２２に通して挿通孔１１ｅから排出する。次いで、セラミック素子１，メディア２５を水洗いする。この水洗いは複数回行なう場合もある。
【００３２】
次に、上記バスケット１１をすずメッキ液が充填されたメッキ液槽（図示はしていない）内に浸漬し、上記第３工程Ｓ３と同様に２０〜８０Ｈｚの振動周波数でもって振動させるとともに陽極，電極間に通電し、第２電極膜の外表面にはすずメッキからなる第３電極膜を被覆形成する。この場合、セラミック素子１とメディア２５の振動，攪拌によって互いが衝突し、第２，第３電極膜の凹凸が平均化され、平滑な電極膜が形成される。この後、水洗いを行なう。
【００３３】
上記バスケット１１をセラミック素子１及びメディア２５とともに水中に浸け、この状態でバスケット１１に２０Ｈｚ以上の振動周波数からなる振動を付与することにより、セラミック素子１を振動攪拌させて水洗いする。
【００３４】
これにより、セラミック素子１とメディア２５がぶつかり合って電極表面の凹凸がさらに均され、平滑で光沢のある第３電極膜が形成されて、電子部品が形成される。
【００３５】
このようにして形成された電子部品をメディア２５とともにバスケット１１から取り出し、乾燥炉にて乾燥させる。次に電子部品，メディア２５を分離機により分離し、それぞれ別個に回収する。
【００３６】
本実施形態の振動メッキ装置によれば、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上１００μｍ以下としたため、メッキ用電極（陰極）にメッキが析出しても、上記メッキ皮膜のはがれが抑制され、メッキの膜厚バラツキが小さい品質の安定した電子部品が得られる。
【００３７】
なお、上記実施形態では、通電量，メッキ液排出時間等に応じて電極面積，メッキ液抜き孔面積を適宜配分すればよい。
【００３８】
図４に示すように、バスケット１１の底壁全面をメッキ用陰極３０により形成し、該メッキ用陰極３０に４つのメッキ液抜き孔３０ａを形成し、これにより陰極面積を約９２％とし、メッキ液抜き孔面積を約８％とする場合でも可能である。
【００３９】
また、図５に示すように、バスケット１１の底壁全面をメッキ液抜き孔３１とし、該メッキ液抜き孔３１をメッシュキャップ３２を装着することにより覆うとともに、該メッシュキャップ３２に４つのメッキ用陰極３３を配置固定し、これにより陰極面積を約８％とし、メッキ液抜き孔面積を９２％とする場合でも可能である。
【００４０】
以下に、上記実施の形態を行った具体例を示す。すなわち、上記実施の形態において、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さを変えたときのバスケットを作成し、これにセラミック素子及びメディアを投入してニッケルメッキ処理を行い、上記メッキ用電極（陰極）２３に付着するメッキ皮膜の状態（以下、膜剥がれ状態と記す。）、およびセラミック素子のメッキ後の膜厚バラツキを調べた。上記メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａは、サンド紙で表面を擦ったり、アルミナサンドで表面をブラスト掛けしたりするなどの方法を用いて調整した。表面粗さＲａはＪＩＳ規格による測定方法を用い、ｎ＝３での平均値を採用した。
【００４１】
膜剥がれ状態はバスケット中にメッキ皮膜がないか、目視にてその有無を判定した。また、セラミック素子のメッキ後の膜厚バラツキは、ｎ＝２０のセラミック素子においてそれぞれ膜厚を測定し、そのＣＶ値（＝標準偏差÷平均値×１００（％））を求めた。
表１に上記の測定結果を示す。
【００４２】
【表１】
2005133138.tif 000003
【００４３】
表１からも明らかなように、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが０．３５μｍより小さい場合（例えば試料１および２）では、膜剥がれが生じており、セラミック素子のメッキ後の膜厚バラツキもＣＶ値で１０％以上と大きくなっている。
【００４４】
これに対して、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが０．３５μｍ以上場合（例えば試料３ないし５）では、膜剥がれは生じておらず、セラミック素子のメッキ後の膜厚バラツキもＣＶ値で１０％未満と小さくなっている。但し、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａは１００μｍを上限とする。それは、メッキ用電極（陰極）２３の表面粗さＲａが１００μｍより大きい場合では、振動メッキ装置において振動・攪拌操作を施すときに、上記振動装置のメッキ用電極（陰極）と、セラミック素子やメディアとの間で大きな引っ掛かりが生じるため、スムーズに振動・攪拌操作を行なうことができなくなるためである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態による電子部品の振動メッキ装置の断面図である。
【図２】上記振動メッキ装置のバスケットの平面図である。
【図３】上記振動メッキ装置の斜視図である。
【図４】上記実施形態の第１の変形例によるバスケット底面の平面図である。
【図５】上記実施形態の第２変形例によるバスケット底面の平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１                    セラミック素子（電子部品素子）
１０                  振動メッキ装置
１１                  バスケット（容器）
１１ｂ                底壁
１１ｅ，３０ａ，３１  挿通孔（メッキ液抜き孔）
２３，３０，３３      メッキ用電極（陰極）
２５                  メディア（通電媒介物）
２７                  メッキ液槽
【図１】
2005133138.tif 000004
【図２】
2005133138.tif 000005
【図３】
2005133138.tif 000006
【図４】
2005133138.tif 000007
【図５】
2005133138.tif 000008