(57)【要約】      （修正有）【課題】  レジストのパターニングにおける現像工程を不要として低コスト、高スループットを実現する。【解決手段】  ベースフィルムに、反応性クッション層とネガ型レジスト層およびカバーフィルムをこの順で積層したドライフィルムレジストのカバーフィルムを剥離して、レジスト層を、表示装置を構成する基板に圧着する。所要の露光マスクを通してドライフィルムレジストを露光し、ドライフィルムレジストを圧着した基板を加熱して、露光された部分を硬化させ、ベースフィルムを反応性クッション層及びネガ型レジスト層の硬化された部分と共に基板から剥離して、未露光のネガ型レジスト層を当該基板に残す。ベースフィルムを剥離した基板の全面を露光して基板に残された未露光のネガ型レジスト層を硬化させることにより、ネガ型レジスト層に、露光マスクを反映したレジストパターンを形成する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電防止処理を施したベースフィルムに、反応性クッション層とネガ型レジスト層およびカバーフィルムをこの順で積層したドライフィルムレジストの前記カバーフィルムを剥離して前記ネガ型レジスト層を露出させ、露出させた前記ネガ型レジスト層を、表示装置を構成する基板の主面に圧着し、
前記ドライフィルムレジストの前記ベースフィルム上に所要の開口パターンを有する露光マスクを通して前期ドライフィルムレジストを露光し、
露光後の前記ドライフィルムレジストを圧着した前記基板を加熱して、前記ネガ型レジスト層を反応性クッション層と熱架橋させ、
前記ベースフィルムを前記反応性クッション層及び前記ネガ型レジストの露光された部分と共に前記基板から剥離して、未露光部の前記ネガ型レジスト層を当該基板に残し、
前記ベースフィルムを剥離した前記基板の全面を露光して当該基板に残された未露光の前記ネガ型レジスト層を硬化させることにより、
前記ネガ型レジスト層に、前記露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記ベースフィルムは、帯電防止処理を施したポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、セルロースアセテート等の有機樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記反応性クッション層は、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有する高分子化合物からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記反応性クッション層は、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有する高分子化合物、及び末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を複数有する架橋性化合物からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記ネガ型レジストは、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点になる官能基を有するアクリル系高分子化合物、及び２乃至６官能のアクリル架橋性化合物、及び重合開始剤からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記カバーフィルムは、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の有機樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
帯電防止処理を施した第一のベースフィルムにクッション層とネガ型レジスト層および第一のカバーフィルムをこの順で積層したドライフィルムレジストの前記第一のカバーフィルムを剥離して前記ネガ型レジスト層を露出させ、露出させた前記ネガ型レジスト層を、表示装置を構成する基板の主面に圧着し、
前記ドライフィルムレジストの前記第一のベースフィルムとクッション層を剥離して、前記ネガ型レジスト層の他方の面を露出させ、所要の開口パターンを有する露光マスクを通して前記ネガ型レジスト層を露光し、
帯電防止処理を施した第二のベースフィルムに反応性クッション層と第二のカバーフィルムをこの順で積層した剥離用フィルムの前記第二のカバーフィルムを剥離して前記の反応性クッション層を露出させ、露出された前記の反応性クッション層を前記露光後のネガ型レジスト層の他方の面に圧着し、
前記剥離用フィルムを圧着した前記基板を加熱して、前記ネガ型レジスト層を反応性クッション層と熱硬化させ、
前記剥離用フィルムを前記の反応性クッション層と前記ネガ型レジスト層の露光された部分と共に前記基板から剥離して、未露光部の前記ネガ型レジスト層を当該基板に残し、
前記ベースフィルムを剥離した前記基板の全面を露光して当該基板に残された未露光の前記ネガ型レジスト層を硬化させることにより、
前記ネガ型レジスト層に、前記露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを形成することを特徴としる表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記ベースフィルムは、帯電防止処理を施したポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、セルロースアセテート等の有機樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記の剥離用のドライフィルムレジストを構成する前記反応性クッション層は、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有する高分子化合物からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記の剥離用のドライフィルムレジストを構成する前記反応性クッション層は、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有する高分子化合物、及び末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を複数有する架橋性化合物からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記ネガ型レジストは、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有するアクリル系高分子化合物、及び２乃至６官能のアクリル架橋性化合物、及び重合開始剤からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ドライフィルムレジストを構成する前記カバーフィルムは、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の有機樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特にフラット型の表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板にドライフィルムレジストを用いたホトリソグラフィ手法により配線パターンやその他の回路部分を形成する場合に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置、その他のフラット型の表示装置は薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）あるいはアクティブ・マトリクス基板と称する基板で構成される。この薄膜トランジスタ基板は、ガラスなどの絶縁基板の主面にホトレジストを用いたパターニング法（ホトリソグラフィ技法、以下単にホト工程と称する）により形成された画素回路、画素選択回路、その他の制御回路を有している。一般に、ホトレジストは感光性を付与したスラリ状の樹脂をスピン法などで導電性薄膜などを成膜した基板に塗布し乾燥して均一な膜厚のレジスト層として形成する。そして、成膜されたホトレジスト層に所要の電極あるいは配線パターン等に相当する開口を有するホトマスクを介して露光し、現像することで上記ホトマスクの開口パターンを反映したレジストパターンを形成する。こうして形成したレジストパターンをエッチングマスクとしてエッチング処理し、所要の電極あるいは配線パターンを形成した薄膜トランジスタ基板を得る。
【０００３】
上記したようなスラリ状の樹脂を塗布し乾燥するものに代えて、乾燥したフィルム状のレジスト（ドライフィルムレジストと称する）を基板に貼付してレジスト層とするものが開発されている。例えば、導電性薄膜などを成膜した基板にドライフィルムレジストを貼付し、所要の開口パターンを有するホトマスクを介して露光し、未露光のドライフィルムレジストを剥離することで基板上に所要のパターニングされたレジストを残留させる。このようなドライフィルムレジストを用いて所要のパターニングするものを乾式剥離現像と称する。
【０００４】
この種の乾式剥離現像に関して、ネガドライフィルムの上にポジレジストを塗布→予熱後カバーフィルムをラミネート→露光後に熱処理してネガ未露光部とポジ部を接着→ネガ未露光部とポジ部をカバーフィルムと共に剥離→ポスト露光→ポストベークしてレジストパターンを得るプロセスを採用したものを特許文献１が開示する。なお、特許文献１は、ポジレジストを塗布した上にネガドライフィルムをラミネートすることも可能であると、開示する。
【特許文献１】特開平７−１９９４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ドライフィルムレジストを用いるレジスト塗布工程をドライフィルムレジストの貼付工程に代えるだけで、基本的には露光工程後の現像工程は必要である。そして、その現像性は塗布型レジストに比べて劣るのが一般的であり、これをブラシ洗浄の追加などで対応する必要がある。また、現像工程を省略できても、ドライフィルムのラミネート工程とレジスト塗布工程の両工程が必要になるため、工程の簡略化して低コスト、高スループットを実現するには不充分である。
【０００６】
本発明の目的は、レジストのパターニングにおける従来の現像工程を不要として低コスト、高スループットを実現可能とした表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、ベースフィルムに反応性クッション層、ネガ型レジスト、カバーフィルムをこの順で積層した４層構造のドライフィルムレジストを用いる。また特に高精細パターンが必要な場合は、ベースフィルムにクッション層（反応性がなくてもよい）、ネガ型レジスト、カバーフィルムをこの順で積層した４層構造のドライフィルムレジストと、ベースフィルムに反応性クッション層、カバーフィルムをこの順で積層した３層構造の剥離用ドライフィルムレジストを用いる。
【０００８】
ネガ型レジストとしては、分子量が５万以下の、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有するアクリル系高分子化合物、及び２乃至６官能のアクリル架橋性化合物、及び重合開始剤からなる材料を用いることができる。
アクリル系高分子化合物としては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチルなどの直鎖アルキル、メタクリル酸ベンジルやメタクリル酸シクロヘキシルなどの環状アルキル、メタクリル酸ノルボニルやメタクリル酸トリシクロデカニルなどの脂環式アルキル、及び二次反応の拠点となるカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基などの官能基を有したメタクリル酸誘導体を共重合させたものを用いることができる。
【０００９】
また、硬さや共重合性などを調整するために、アクリル酸誘導体、スチレン、スチレン誘導体などを共重合させてもよい。
【００１０】
二次反応の拠点となる官能基を有する化合物は、メタクリル酸誘導体、アクリル酸誘導体、スチレン誘導体に限らず、無水マレイン酸など分子中にエチレン性の不飽和結合を有するものを用いることも当然可能である。
【００１１】
耐熱性や耐ドライエッチ性、耐ウェットエッチ性、耐イオン打ち込み性などのプロセス耐性を高めるためには、ガラス転移温度が高いメタクリル酸エステルやスチレン誘導体を中心に共重合させることが好ましく、特に環状アルキルや脂環式アルキルを有するメタクリル酸エステルを一定量共重合させることがプロセス耐性を高める上で非常に有効である。
【００１２】
クッション層には、下地の凹凸に、レジスト層を隙間無く圧着させる目的があるため、アクリル酸エステル、エチレンなどを共重合させた、ガラス転移温度が低く、柔らかい、熱可塑性の高分子化合物を用いる。
【００１３】
反応性クッション層にするためには、前記クッション層に用いるモノマーに、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有したアクリル酸誘導体モノマーを共重合させた高分子化合物とする。二次反応の拠点となる官能基を有する化合物は、アクリル酸誘導体の他に、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、エチレン性の不飽和結合を有する化合物も用いることもできる。
【００１４】
また、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を複数有する架橋性化合物を加えることもできる。また、熱による二次反応を促進させるために熱重合開始剤を加えることもできる。
【００１５】
本発明によるパターン形成プロセスでは、後加熱するときにネガ型レジストと反応性クッション層との境界で、ネガ型レジストの反応基と、クッション層の高分子化合物に含まれる反応基が熱架橋する。カバーフィルムを剥がすときに、露光部の既に硬化したネガ型レジストを反応性クッション層と共に剥離除去することができる。未露光部のネガ型レジストは表層を除いて基板側に残るので、それをポスト露光し、露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを完成する。
【００１６】
本発明による高精細パターンの形成プロセスでは、４層積層構造のドライフィルムレジストと剥離用フィルムを用いる。４層積層構造のドライフィルムレジストのカバーフィルムを剥がして、ネガ型レジスト層を基板に圧着し、ベースフィルムとクッション層を剥がす。露出されたネガ型レジスト層の上に開口を有するホトマスクを設置して露光する。次に、剥離用フィルムのカバーフィルムを剥がし、露呈した反応性クッション層を露光後のネガ型レジスト層の上にラミネートし、加熱する。この加熱により、ドライフィルムレジストのネガ型レジスト層と剥離用フィルムの反応性クッション層が反応して一体化する。剥離用フィルムのベースフィルムを剥がすときに、露光部のネガ型レジストを反応性クッション層と共に剥離除去することができる。その後、未露光部のネガ型レジストをポスト露光して、露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを完成する。
【００１７】
上記の露光部のネガレジスト剥離を容易にするために、以下の（１）（２）のような手法をくみあわせてもよい。これは、特に高精細なレジストパターン形成に適している。（１）ネガレジストの中にフッ素系もしくはシリコーン系の樹脂、あるいは界面活性剤を添加しておく。レジストが硬化したときにフッ素系もしくはシリコーン系の樹脂、あるいは界面活性剤が剥離される界面に染み出し、離形剤の役目を果す。（２）シラノール結合を持つアクリルモノマーを加えた感光性アクリル樹脂をレジストに用い、光架橋だけでなく加湿による架橋メカニズムを加える。加湿しながら剥離用フィルムのベースフィルムを剥離すれば、該剥離が円滑に行われる。これに加え、ネガレジストの露光部では架橋しているので分子は動けず、未露光部に含まれるシラノールが表面に分離してくることで露光部のレジストがより剥離し易くなる。これにより、高精細なレジストパターンを容易に得ることができる。
【００１８】
このように、本発明によれば、ネガレジストを使用して最終的にはポジ部（露光部）を残すので、解像度に優れたパターン形成が可能である。また、従来のようなレジストの現像工程（アルカリ溶液による現像処理）が不要となり、低コスト、高スループットを実現できる。本発明の代表的な製造プロセスを記述すれば、以下のとおりである。
【００１９】
（１）帯電防止処理を施したベースフィルムに、反応性クッション層とネガ型レジスト層およびカバーフィルムをこの順で積層したドライフィルムレジストの前記カバーフィルムを剥離して前記ネガ型レジスト層を露出させ、露出させた前記ネガ型レジスト層を、表示装置を構成する基板の主面に圧着する工程と、
前記ドライフィルムレジストの前記ベースフィルム上に所要の開口パターンを有する露光マスクを通して前記ドライフィルムレジストを露光する工程と、
露光後の前記ドライフィルムレジストを圧着した前記基板を加熱して、前記ネガ型レジスト層の前記露光された部分を硬化させる工程と、
前記ベースフィルムを前記反応性クッション層及び前記ネガ型レジスト層の前記硬化された部分と共に前記基板から剥離して、未露光の前記ネガ型レジスト層を当該基板に残す工程と、
前記ベースフィルムを剥離した前記基板の全面を露光して当該基板に残された未露光の前記ネガ型レジスト層を硬化させることにより、前記ネガ型レジスト層に、前記露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを形成する工程を含む。
【００２０】
（２）帯電防止処理を施した第一のベースフィルムにクッション層とネガ型レジスト層および第一のカバーフィルムをこの順で積層したドライフィルムレジストの前記第一のカバーフィルムを剥離して前記ネガ型レジスト層を露出させ、露出させた前記ネガ型レジスト層の一方の面を表示装置を構成する基板の主面に圧着する工程と、
前記ドライフィルムレジストの前記第一のベースフィルムとクッション層を剥離して、前記ネガ型レジスト層の他方の面を露出させる工程と、
前記ネガ型レジスト層の上に所要の開口パターンを有する露光マスクを通して前記ネガ型レジスト層を露光する工程と、
帯電防止処理を施した第二のベースフィルムに反応性クッション層と第二のカバーフィルムをこの順で積層した剥離用フィルムの前記第二のカバーフィルムを剥離して前記の反応性クッション層を露出させ、露出された前記の反応性クッション層を前記露光後の前記ネガ型レジスト層の他方の面に圧着する工程と、
前記剥離用フィルムを圧着した前記基板を加熱して、前記ネガ型レジスト層と反応性クッション層を熱硬化させる工程と、
前記剥離用フィルムを前記の反応性クッション層と前記ネガ型レジスト層の前記露光された部分と共に前記基板から剥離して、未露光部の前記ネガ型レジスト層を当該基板に残す工程と、
前記未露光の前記ネガ型レジスト層を、前記基板の全面を露光して当該基板に残された未露光の前記ネガ型レジスト層を硬化させることにより、前記ネガ型レジスト層に、前記露光マスクの開口パターンを反映したレジストパターンを形成する工程を含む。
【００２１】
本発明は、上記構成および後述する実施の形態に開示される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明による表示装置の製造に用いるドライフィルムレジストの構造を説明する模式断面図である。このドライフィルムレジストは、詳しくは乾式剥離型ドライフィルムレジストと称する。このドライフィルムレジストは４層構造であり、ベースフィルムＢＦに反応性クッション層ＣＳＮ、ネガレジスト層ＮＲＧが積層され、最上層はカバーフィルムＣＶＦで覆われている。
【００２４】
ベースフィルムＢＦＭは、厚さが５０μｍ乃至１００μｍのプラスチックフィルムであり、材質はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステル、ポリスチレン、セルロースアセテートなどで、所定の帯電防止処理を施したものをもちいる。クッション層ＣＳＮは、低ＴＧで柔らかい熱可塑性ポリマーからなる。このクッション層を設けることで、ネガレジスト層ＮＲＧが貼付対称の凹凸に追従できる。
【００２５】
反応性クッション層の熱可塑性ポリマーを構成するモノマーは、ガラス転移温度が低く、柔らかい、アクリル酸エステル、エチレンなどが好適で、これらの二次反応性を持たないモノマーに、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を有するアクリル酸誘導体モノマーなどを共重合させることによって二次反応性を付与することができる。
【００２６】
架橋剤を加える場合は、末端にカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基など二次反応の拠点となる官能基を複数有する架橋性化合物を用いる。加える架橋剤としては、多官能（２官能以上）のアルコキシ尿素樹脂、エポキシ樹脂、などを用いる。
また、熱による二次反応を促進させるために熱重合開始剤を加えることもできる。
【００２７】
ネガ型レジスト層ＮＲＧの材料は、フィルム化が可能なアクリル系ネガ型レジストを使用する。このレジストは、（１）アクリル樹脂、（２）２乃至６官能のアクリル架橋剤、（３）重合開始剤、で構成される。更に、（４）フッ素系もしくはシリコーン系の樹脂か界面活性剤、を加えると、露光部のネガ型レジストの剥離を容易にすることができる。
【００２８】
（１）のアクリル系高分子化合物には、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチルなどの直鎖アルキル、メタクリル酸ベンジルやメタクリル酸シクロヘキシルなどの環状アルキル、メタクリル酸ノルボニルやメタクリル酸トリシクロデカニルなどの脂環式アルキル、及び二次反応の拠点となるカルボン酸基、アミノ基、エポキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソシアネート基などの官能基を有したメタクリル酸誘導体を共重合させたものを用いることができる。硬さや共重合性を調整する目的で、アクリル酸誘導体、スチレン、スチレン誘導体、エチレン性不飽和基を有する化合物などを共重合させることもできる。
【００２９】
また、露光部と未露光部の分離を容易にするために、アクリル系高分子化合物の分子量は５万以下が望ましい。
【００３０】
（２）の架橋剤には、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、グリセリントリアクリレート、エチレングリコールジアクリレートなどの、２乃至６官能のアクリル架橋性化合物を用いる。
【００３１】
（３）重合開始剤は光ラジカル発生剤であり、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製のイルガキュア３６９（商品名）、同イルガキュア９０７（商品名）などを用いることができる。
【００３２】
（４）の樹脂には、フッ素置換アクリル樹脂、フッ素置換エポキシ樹脂、シリル化エポキシ樹脂などが用いられる。また、（４）の界面活性剤としては、住友スリーエム社製のフロラードシリーズ、大日本インキ社製のメガファックシリーズ、セイミケミカル社製のサーフロンシリーズ、ネオス社製のフタージェントシリーズ、あるいはシリコーン系レベリング剤などを用いることができる。
【００３３】
そして、カバーフィルムＣＶＦは、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステルなどの樹脂フィルムを用いることができる。
【実施例１】
【００３４】
次に、本発明による表示装置の製造方法の実施例１のプロセスについて図２Ａ乃至図２Ｅの工程図を参照して説明する。
【００３５】
実施例１に用いるドライフィルムレジストの組成は次のとおりである。すなわち、帯電防止処理したポリエチレンテレフタレートのベースフィルムＢＦＭに反応性クッション層ＣＳＮとしてアクリル酸エチルとエチレンとメタクリル酸グリシジルを４０：４０：２０の重量比で共重合した分子量１２万のポリマーを塗布したものを用いた。この反応性クッション層ＣＳＮの上に以下の組成のネガ型レジスト層を形成した。
【００３６】
ポリマー・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部（分子量８０００）
メタクリル酸・・・・・・・・・・・・・・・・・２０重量部
メタクリル酸メチル・・・・・・・・・・・・・・３０重量部
メタクリル酸ベンジル・・・・・・・・・・・・・２０重量部
メタクリル酸トリシクロデカニル・・・・・・・・２０重量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート・・・１００重量部
イルガキュア３６９（商品名）・・・・・・・・・・１０重量部
そして、この組成のネガ型レジスト層をポリポロピレンのカバーフィルムＣＶＦで被覆して４層のドライフィルムレジストとした。
【００３７】
この４層のドライフィルムレジストＤＦＲのカバーフィルムＣＶＦを取り去り、ネガレジスト層ＮＲＧを露呈し、露呈したネガレジスト層ＮＲＧをラミネーターを用い、１００℃、１０ｋｇ／ｃｍ2の条件で基板ＳＵＢの主面に圧着する。・・・・・・・・・図２Ａ。
【００３８】
ドライフィルムレジストＤＦＲのベースフィルムＢＦＭ上に、幅１０μｍのライン状の開口パターンが幅１０μｍのスペース幅を隔てて並べられて形成された露光マスクＭＳＫ（「１０μｍＬ／Ｓの開口パターンを有する露光マスク」とも記す，Ｌ／ＳはLine（ラインン）  &  Space（スペース）の略）を通して、ｇ，ｈ，ｉ混合線ＥＸＬを用い、３００ｍＪ／ｃｍ2  でドライフィルムレジストＤＦＲを露光する。・・図２Ｂ。
【００３９】
露光後のドライフィルムレジスト層ＮＲＧを圧着した基板ＳＵＢを、ホットプレートで１５０℃、３分間加熱して、ネガ型レジスト層ＮＲＧの露光された部分を硬化させる。露光部のネガレジストが硬化して硬化レジスト層ＮＲＸとなるときに、クッション層ＣＳＮとの境界でネガレジストとクッション層の有機高分子の反応基が架橋する。・・・図２Ｃ。
【００４０】
ベースフィルムＢＦＭをクッション層ＣＳＮ及びネガ型レジスト層ＮＲＧの硬化された部分ＮＲＸと共に基板ＳＵＢから剥離する。未露光部分のネガ型レジスト層はそのまま基板面に残る。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・図２Ｄ。
【００４１】
ベースフィルムＢＦＭをクッション層ＣＳＮ及びネガ型レジスト層ＮＲＧの硬化された部分ＮＲＸと共に剥離した基板の全面をｇ，ｈ，ｉ混合線ＥＸＬを１００ｍＪ／ｃｍ2で露光し、当該基板に残された未露光のネガ型レジスト層ＮＲＧを硬化させる。・・図２Ｅ。
【００４２】
これにより、ネガ型レジスト層ＮＲＧに、露光マスクの開口パターンを反映した１０μｍのライン＆スペースを有するレジストパターンが形成される。なお、未露光部の全面露光の後に、ホットプレートなどによる加熱を用いると耐ドライエッチ性、耐ウェットエッチ性、耐イオン打ち込み性などのプロセス耐性を高めることができる。
【００４３】
本実施例により、レジストのパターニングにおける現像工程を不要として低コスト、高スループットを実現できる。
【比較例１】
【００４４】
上記した実施例１の比較例として、クッション層ＣＳＮを構成するポリマーをアクリル酸エチルとエチレンを５０：５０の重量比で共重合した分子量１２万のポリマーとした以外は実施例１と同様の４層ドライフィルムレジストを用い、実施例１と同じプロセスで処理した。
【００４５】
その結果、露光マスクを介した露光後のベースフィルムＢＦＭの剥離時に、クッション層ＣＳＮと露光部のネガレジストの一部が基板上に残り、目的とするレジストパターンを得ることができなかった。
【実施例２】
【００４６】
実施例２に用いるドライフィルムレジストは、反応性クッション層に加熱硬化タイプの架橋剤を添加したものである。帯電防止処理したポリエチレンテレフタレートのベースフィルムＢＦＭに、反応性クッション層ＣＳＮとしてアクリル酸エチルとエチレンとアクリル酸ヒドロキシエチルを３５：３５：３０の重量比で共重合した分子量１５万のポリマー１００重量部とアルコキシ尿素系架橋剤脂３０重量部を塗布したものを用いた。この反応性クッション層ＣＳＮの上に実施例１と同様の組成のネガ型レジスト層を形成した。カバーフィルムＣＶＦは同じくポリプロピレンである。
【００４７】
この４層のドライフィルムレジストＤＦＲのカバーフィルムＣＶＦを取り去り、ネガレジスト層ＮＲＧを露呈し、露呈したネガレジスト層ＮＲＧをラミネーターを用いて圧着した。以下のプロセスは実施例１と同様である。本実施例によっても、実施例１と同様にレジストのパターニングにおける現像工程を不要として低コスト、高スループットを実現できる。
【００４８】
実施例２の比較例として、ベースフィルムＢＦＭ、反応性クッション層ＣＳＮ、及びカバーフィルムＣＶＦは実施例２と同様とし、実施例２のネガ型レジスト層ＮＲＧを構成するポリマーの分子量を６万とした点を除いて同じ組成とした。
【００４９】
その結果、露光マスクを介した露光後のベースフィルムＢＦＭの剥離時に、露光部のネガレジストの一部がクッション層ＣＳＮと共に剥離され、目的とするレジストパターンを得ることができなかった。
【実施例３】
【００５０】
実施例３は実施例１及び実施例２で用いたドライフィルムレジスト（第一のフィルム）と、レジスト剥離用フィルム（第二のフィルム）を用いる。第一のフィルムであるドライフィルムレジストは実施例２と同様である。第二のフィルムであるレジスト剥離用フィルムとして、次のような構成としたものを用いる。ドライフィルムレジストの構成層を第一とし、レジスト剥離用フィルムの構成層を第二として説明する。
【００５１】
図３は、レジスト剥離用フィルムの構造を説明する模式断面図である。レジスト剥離用フィルムＲＰＦは、第二のベースフィルムＢＦＭ−２の上に第二の反応性クッション層ＣＳＮ−２を塗布し、その上を第二のカバーフィルムＣＶＦ−２で覆ったものである。第二のベースフィルムＢＦＭ−２は、帯電防止処理を施したポリエチレンテレフタレートを用いる。第二のクッション層ＣＳＮ−２は、アクリル酸エチルとエチレンとアクリル酸ヒドロキシエチルを３５：３５：３０の重量比で共重合した分子量１５万のポリマー１００重量部と、アルコキシ尿素系架橋剤３０重量部からなる。第二のカバーフィルムはポリプロピレンである。
【００５２】
次に、本発明による表示装置の製造方法の実施例３のプロセスについて図４Ａ乃至図４Ｇの工程図を参照して説明する。
【００５３】
先ず、図１に示したものと同様の４層のドライフィルムレジストＤＦＲの第一のカバーフィルムＣＶＦを取り去り、第一のネガレジスト層ＮＲＧを露呈し、露呈した第一のネガレジスト層ＮＲＧをラミネーターを用い、１００℃、１０ｋｇ／ｃｍ2の条件で基板ＳＵＢの主面に圧着する。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・図４Ａ。
【００５４】
圧着したドライフィルムレジストＤＦＲの第一のカバーフィルムＣＶＦとクッション層ＣＳＮを剥がして第一のネガ型レジスト層ＮＲＧを露出させる。・・・図４Ｂ。
【００５５】
第一のネガ型レジスト層ＮＲＧを露出した状態で、３μｍライン＆スペースの開口パターンを有する露光マスクＭＳＫ−２を介し、ｇ，ｈ，ｉ混合線ＥＸＬを用い、第一のネガ型レジスト層ＮＲＧを１００ｍＪ／ｃｍ2  で露光する。・・・・・図４Ｃ。
【００５６】
露光後の第一のネガ型レジスト層ＮＲＧの上に、第二のカバーフィルムＣＶＦ−２を剥いだレジスト剥離用フィルムＲＲＦをラミネーター装置を用いて、１００℃、１０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で圧着する。・・・・・・・・・・・・・・・・・・図４Ｄ。
【００５７】
これをホットプレートを用いて１５０℃、３分間加熱した。これにより、ネガ型レジスト層と、レジスト剥離用フィルムＲＲＦの第二の反応性クッション層との境界で架橋反応が起こる。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・図４Ｅ。
【００５８】
レジスト剥離用フィルムＲＲＦの第二のベースフィルムＢＦＭ−２と第二の反応性クッション層を剥離すると、架橋したネガ型レジスト層の露光部ＮＲＸが一緒に剥離する。そして、未露光部のネガ型レジストＮＲＧが基板上に残る。・・・・図４Ｆ。
【００５９】
その後、ｇ，ｈ，ｉ混合線ＥＸＬを用い、１００ｍＪ／ｃｍ2で全面露光することで、未露光の第一のネガレジストＮＲＧを硬化する。・・・・・・・・・・・・・図４Ｇ。
【００６０】
これにより、ネガ型レジスト層ＮＲＧに、露光マスクの開口パターンを反映した３μｍの高精細なライン＆スペースを有するレジストパターンが形成される。なお、未露光部のネガ型レジスト層ＮＲＧを全面露光した後に、ホットプレートなどによる加熱を用いると耐ドライエッチ性、耐ウェットエッチ性、耐イオン打ち込み性などのプロセス耐性を高めることができる。
【００６１】
このように、通常、ネガレジストで高精細パターンを形成することは非常に難しいが、本実施例では、ネガレジストの露光部をカバーフィルム、クッション層と共に剥離し、基板にポジとなるレジスト層を残すことで、ネガレジストを用いてもポジレジストと同様の使い方となるため、高精細パターンに対応することができる。
【実施例４】
【００６２】
実施例４は実施例３の変形例であり、実施例３と同様に、カバーフィルムを剥がして露光し、レジスト剥離用フィルムをラミネートして乾式剥離する高精細パターン対応であり、ネガレジストにフッ素系界面活性剤を添加したものである。
【００６３】
実施例４で使用するドライフィルムレジストを構成するネガレジストは、実施例３の組成にフロラードＦＣ４４３０（商品名）を０．５重量部添加したものを用いる。レジスト剥離用フィルム、その他の材料は実施例３と同じである。
【００６４】
なお、実施例４の製造プロセスは実施例３と同様である。本実施例によれば、ホットプレートによる加熱時に、未露光部のネガレジスト部分の表面にフッ素系界面活性剤が移行し、露光部分との界面の剥離性が向上するので、高精細パターンを得ることがより容易となる。
【００６５】
本発明で用いられるドライフィルムレジストを前記した各実施例で用いた４層構造に代えてクッション層を除いた３層構造としてもよいが、その場合は、ネガ型レジストの光架橋部と接着力が高まるように、ベースフィルムの内面にプライマー（例えば、シランカプリング剤）を塗布したり、ベースフィルムの内面をコロナ処理して、ベースフィルム内面の親水性を高めるなどの処理を施す。
【００６６】
また、配線パターンの形成後のレジストは、通常は強アルカリ溶剤もしくはアッシングにより除去しているが、アルカリ現像を省略しているので、レジストのパターン形成時のアルカリ現像液で役目を終えたレジストを除去することができる。
【００６７】
さらに、ネガレジストに有機パス膜材料の機能を持たせれば、スルーホールを形成した有機パス膜を容易に作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明による表示装置の製造に用いるドライフィルムレジストの構造を説明する模式断面図である。
【図２Ａ】本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明する工程図である。
【図２Ｂ】本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明する図２Ａに続く工程図である。
【図２Ｃ】本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明する図２Ｂに続く工程図である。
【図２Ｄ】本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明する図２Ｃに続く工程図である。
【図２Ｅ】本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明する図２Ｄに続く工程図である。
【図３】レジスト剥離用フィルムの構造を説明する模式断面図である。
【図４Ａ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する工程図である。
【図４Ｂ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ａに続く工程図である。
【図４Ｃ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ｂに続く工程図である。
【図４Ｄ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ｃに続く工程図である。
【図４Ｅ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ｄに続く工程図である。
【図４Ｆ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ｅに続く工程図である。
【図４Ｇ】本発明による表示装置の製造方法の実施例２を説明する図４Ｆに続く工程図である。
【符号の説明】
【００６９】
ＢＦ・・・・ベースフィルム、ＣＳＮ・・・・クッション層、ＮＲＧ・・・・ネガレジスト層、ＣＶＦ・・・・カバーフィルム、ＳＵＢ・・・・基板。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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