(57)【要約】【課題】従来の基体を用いて金属薄膜をセラミックシート上に転写する方法では完全に転写することができない場合があり、また、積層セラミック部品の小型化に伴い、基体の加工寸法精度が追いつかないことから、転写のパターン精度が悪化し、得られたセラミック電子部品の特性にばらつきが生じていた。  さらに、転写ごとに基体上に薄膜を形成する必要性があることから、数百層の内部電極を形成する必要がある積層セラミック電子部品では著しく生産性が劣るという問題点もあった。【解決手段】本発明は内部電極を形成しない部分にセラミック層１３を設けることによりパターン化することで、支持体１４から金属薄膜１５のセラミックシート１１上への転写性を向上し、かつセラミックと内部電極界面の接合性を向上させることにより、安定した電気特性を持ち、ばらつきの少ないセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供するものである。【選択図】図４
2005294345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックシートの上下面の少なくとも一方に樹脂層を形成する第１工程と、前記セラミックシート上に形成した一方の樹脂層上に内部電極に対応する所定のパターン部分以外の部分にセラミック層を設ける第２工程と、前記セラミックシート上に形成した樹脂層上に設けたセラミック層と支持体上に形成した金属薄膜とが対向するように金属薄膜を支持体ごと重ね合わせる第３工程と、前記支持体を剥離しセラミックシート上に形成した樹脂層上に設けたセラミック層以外の部分に内部電極に対応する所定のパターン形状に金属薄膜を転写する第４工程と、第４工程で作製した樹脂層とセラミック層と金属薄膜を有するセラミックシートを所定枚数積層することにより積層体を作製する第５工程と、その後前記積層体を切断し焼成する第６工程とを備えたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層中にＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3から選ばれた１種または２種以上の添加物を含有するものを用いてなる請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層の厚みを金属薄膜の厚みと同等以下であるものを用いる請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層中の添加物であるＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径を、金属薄膜の厚みの１／２以下であるものを用いてなる請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層の厚みを金属薄膜の厚みと同等以下で、かつ樹脂層中の添加物であるＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径が前記金属薄膜の厚みの１／２以下であるものを用いてなる請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層中の添加物であるＭｇＯ、Ｃｕ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3から選ばれた１種または２種以上の添加物の合計添加量は金属薄膜の重量を１００重量部としたときに０．０５〜１重量部である請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
樹脂層を形成する第１の工程は、樹脂層中の添加物であるＣｕ、ガラス、ＢａＴｉＯ3から選ばれた１種または２種以上の添加物の合計添加量は金属薄膜の重量を１００重量部としたときに１〜６重量部であるものを用いてなる請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
樹脂層を形成する第１の工程に用いるセラミックシートは、少なくともセラミック原料と有機物よりなるバインダとを含有し、かつ樹脂層は少なくとも可塑剤とセラミックシート中のバインダよりも低軟化点のバインダとを含有するものを用いる請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
樹脂層を形成する第１の工程に用いるセラミックシートに含有する有機物は、ポリエチレンである請求項８に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
セラミック層を形成する第２の工程のセラミック層は、少なくともセラミック原料とバインダ、可塑剤とを含有し、かつセラミックシート中のバインダよりも低軟化点のバインダとを含有するものを用いてなる請求項８に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１１】
セラミック層を形成する第２の工程のセラミック層は少なくともセラミック原料とバインダ、可塑剤とを含有し、かつセラミックシート中のポリエチレンよりも低軟化点のバインダとを含有するものを用いてなる請求項９に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
金属薄膜を支持体ごとに重ね合わせる第３の工程の金属薄膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法のいずれか一つの薄膜形成法で形成してなる請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は、セラミック電子部品の一例としての一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図であり、セラミック誘電体層１と内部電極２とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極２はその端部が積層体の対向する両端面に交互に露出するように積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極３に交互に接続されている。
【０００３】
以下に従来の積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【０００４】
まず、チタン酸バリウムなどの誘電体材料と、ポリビニルブチラールなどのバインダ成分と、ベンジルジブチルフタレート等の可塑剤成分と溶剤とを混合してスラリー化した後、ドクターブレード法を用いてポリエチレンテレフタレートなどのベースフィルム上にセラミック誘電体層１となるセラミックシートを形成する。
【０００５】
次に所定のパターンを有し、離型層を形成した基体上に、所定のパターンの内部電極２となる金属薄膜を薄膜形成法により複数形成する。
【０００６】
次にセラミックシート上、もしくは金属薄膜表面にあらかじめ粘着層を形成する。
【０００７】
次いで基体上に形成した金属薄膜をセラミックシート上に熱転写して積み重ねて積層体を形成し、所定の大きさに切断、焼成を行うことで積層セラミックコンデンサとしている。
【０００８】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平９−２９３６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来の方法によると、基体上に離型層を介して金属薄膜を形成しているにも関わらず、セラミックシートに熱転写した際、金属薄膜がセラミックシート上に完全に転写しないことがある。
【００１０】
この場合、内部電極２が不連続な状態となり、十分な静電容量が得られない、静電容量のばらつきが発生するなどの問題点を有している。
【００１１】
また、積層セラミック部品の小型、大容量化に伴い、用いる基体も小型化、高精度化が求められる。しかしながら金型の加工精度には限界があることから、加工精度がパターンの要求精度に追いつかず、パターンの精度が不十分になるため、内部電極２の大きさがばらつき、静電容量のばらつきにつながるという問題点を有している。
【００１２】
さらに１度の転写ごとに基体上に薄膜を形成する必要性があることから、数百層の内部電極を形成する必要がある積層セラミック電子部品では著しく生産性が劣るという問題点も有している。
【００１３】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決し、静電容量のばらつきが少ないセラミック電子部品を量産性良く高収率で製造することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、セラミックシートの上下面の少なくとも一方に樹脂層を形成する第１工程と、前記セラミックシート上に形成した一方の樹脂層上に内部電極に対応する所定のパターン部分以外の部分にセラミック層を設ける第２工程と、前記セラミックシート上に形成した樹脂層上に設けたセラミック層と支持体上に形成した金属薄膜とが対向するように金属薄膜を支持体ごと重ね合わせる第３工程と、前記支持体を剥離しセラミックシート上に形成した樹脂層上に設けたセラミック層以外の部分に内部電極に対応する所定のパターン形状に金属薄膜を転写する第４工程と、第４工程で作製した樹脂層とセラミック層と金属薄膜を有するセラミックシートを所定枚数積層することにより積層体を作製する第５工程と、その後前記積層体を切断し焼成する第６工程とを備えたセラミック電子部品の製造方法であり、この構成により精度良く所望の形状のみ金属薄膜を転写させることができ、安定した電気特性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセラミック電子部品の製造方法は、支持体からセラミックシート上へ金属薄膜を転写する際の転写精度を向上し、かつセラミックと内部電極との界面の接合を向上させることにより、安定した電気特性を有するとともに、静電容量のばらつきの小さいセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供することを目的とするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の特に請求項１，２，３，８〜１２に記載の発明について、積層セラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１〜図４は、本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する図である。
【００１８】
まずチタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末、ポリビニルブチラールなどの有機バインダ及び酢酸ブチルなどの有機溶剤とを混合し、セラミックスラリーを作製する。このセラミックスラリーをポリエチレンテレフタレートなどのフィルム上に塗布し、乾燥することにより厚み１μｍのセラミックシート１１を形成する。
【００１９】
また、あらかじめ図１に示すようにセラミックシート１１全体にブチラール樹脂などの樹脂と酢酸ブチルなどの溶剤の混合物を用いて厚み約０．３μｍの樹脂層１２を形成し、樹脂層１２を介して金属薄膜を転写しない部分（内部電極パターンが形成されない部分）に厚み約０．８μｍのセラミック層１３を作製する。
【００２０】
このセラミック層１３は、上記誘電体粉末とバインダ、溶剤などを混合したペーストを、例えばスクリーン印刷などの方法により形成する。
【００２１】
このときこの樹脂層１２中にはＭｇＯを金属薄膜１層の重量を１００重量部としたときに１重量部となるように加えている。
【００２２】
次に、図２に示すように支持体１４上に蒸着法により金属薄膜１５を形成していたものを、支持体１４ごと図３に示すように樹脂層１２上に形成したセラミック層１３と金属薄膜１５とが対向するように重ね合わせ、加熱しつつ加圧し、セラミックシート１１上に形成した樹脂層１２の上に設けたセラミック層１３が存在せず樹脂層１２が露出している部分にのみ金属薄膜１５を転写させ、金属薄膜１５の転写されなかった部分（セラミック層１３に対向する部分）は支持体１４とともに剥離する。
【００２３】
つまりセラミックシート１１上には図９に示した内部電極に対応する所定のパターン状に金属薄膜１５が形成され、金属薄膜１５が形成された部分以外の部分はセラミック層１３が形成される。
【００２４】
この金属薄膜１５はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００２５】
加熱しつつ加圧するのは、セラミックシート１１および樹脂層１２中のバインダ成分を軟化させて加圧することにより、セラミックシート１１と金属薄膜１５の接着を確実に行うためである。
【００２６】
また、樹脂層１２には接着性をさらに高めるためフタル酸エステルなどの可塑剤を含有させている。
【００２７】
なお、樹脂層１２は、積層時における金属薄膜１５とセラミックシート１１間の接着性を確保する接着剤の役割を果たすものである。
【００２８】
次いで、図３に示す樹脂層１２、セラミック層１３、金属薄膜１５を備えるセラミックシート１１を、図４に示すようにセラミックシート１１と樹脂層１２、セラミック層１３、金属薄膜１５とが交互に積層されるように積層して、プレス板１６により加熱、加圧して積層体ブロックを得る。
【００２９】
その後積層体ブロックを所定の形状に切断して積層体を得る。この積層体を窒素中で脱脂した後、還元雰囲気中で焼成し、焼結体を得る。
【００３０】
焼成により樹脂層１２は焼失するとともに、樹脂層１２中に含まれる添加物はセラミック誘電体層と内部電極の界面に無機物の層を形成し、セラミック誘電体層と内部電極との接着性を強めることになる。
【００３１】
次いで、内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成し、図９に示す積層セラミックコンデンサとする。
【００３２】
この積層セラミックコンデンサ試料２０個について、２０℃の恒温槽中で、周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖにて静電容量を測定し、また絶縁抵抗計を用いて抵抗値を測定し、１０3Ω以下の試料数を百分率で表してショート率とした。
【００３３】
本実施の形態１により、内部電極の転写部分以外にセラミック層１３を形成しつつ内部電極のパターンを形成するという方法は、従来よりも容易にパターニングが可能であり、金属薄膜の転写性を改善することができるため、静電容量を均一にすることができ、またショート率を低減させることができる。
【００３４】
また、本発明においては樹脂層１２を用いて金属薄膜１５とセラミックシート１１を結合しているが、これはセラミックシート１１と金属薄膜１５間の接合性を上げることにより、積層体時での内部構造欠陥の発生を抑制するためである。
【００３５】
本発明の実施の形態１により作製した積層セラミックコンデンサ試料の静電容量と容量ばらつきについて（表１）に示す。
【００３６】
【表１】
2005294345.tif 000003
【００３７】
（表１）から明らかなように、本発明の方法により、目的としていた、金属薄膜１５を転写する際の転写精度を向上し、かつセラミックと内部電極との界面の接合を向上させることにより、安定した電気特性を有するとともに、静電容量のばらつきの小さいセラミック電子部品を高収率で製造することができた。それは最大値と最小値との差（Ｒ値）で表した静電容量のばらつきが非常に小さくなっていることから明らかである。また、樹脂層１２の厚みを金属薄膜１５の同等以下にした試料番号１で明らかなようにショート率が大きく改善するとともに、静電容量についても改善していることがわかる。
【００３８】
これは、焼成を行う際に、樹脂が分解されることにより、樹脂層に対応する部分に空間が発生し、この空間部分において内部電極が凝集することにより内部電極の厚みが厚くなり、内部電極の連続性が悪化した場合には静電容量が小さくなるとともにそのばらつきが増加するのに対して本発明により樹脂層１２に含まれる無機物によりセラミック誘電体層１と内部電極２との結合性が向上し、空間部分の発生を抑え、内部電極の連続性を確保することができるためである。
【００３９】
従って樹脂層１２の厚みは、用いる金属薄膜１５の厚みと同等以下であることがより好ましい。
【００４０】
また上記実施の形態１では薄膜形成法として蒸着法を用いたが、薄膜形成法としてスパッタ、イオンプレーティングを用いた場合でも同様の効果が得られる。
【００４１】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて本発明の特に請求項４に記載の発明について積層セラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明する。
【００４２】
図５はセラミックシート２１に第１の樹脂層２２を形成する工程を説明する断面図、図６はセラミックシート２１の第１の樹脂層が形成されていない面に第２の樹脂層２４を形成する工程を説明するための断面図、図７はセラミックシート２１上に第２の樹脂層２４を介してセラミック層２５を形成する工程を説明するための断面図、図８はセラミック層２５を形成したセラミックシート２１への金属薄膜１５の転写工程を説明するための断面図である。
【００４３】
まず樹脂として重量平均分子量が４００，０００のポリエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末とを混合し、シート状に成形したのち２軸延伸して、セラミック誘電体層１となる空隙率が２０％である厚み１μｍのセラミックシート２１を形成する。
【００４４】
また別途、ブチラール樹脂などの樹脂と酢酸ブチルなどの溶剤の混合物を用いて支持体２３上に第１の樹脂層２２を形成しておく。
【００４５】
次に図５に示すように、セラミックシート２１と上記第１の樹脂層２２とが対向するように支持体２３ごと重ね合わせて加圧したのち、支持体２３を剥離する。次に図６に示すように第１の樹脂層２２が存在しない側のセラミックシート２１上に厚み約０．３μｍの第２の樹脂層２４を形成する。
【００４６】
第１の樹脂層２２、第２の樹脂層２４に用いる樹脂としては、セラミックシート２１に用いるものより低軟化点のものを用いることが望ましい。
【００４７】
これはセラミックシート２１に用いる樹脂と同程度の軟化点の樹脂を用いた場合、積層時に温度及び圧力がかかることによりセラミックシートに伸びが発生し、積層段階で不良が発生する。それに対し、樹脂層２２，２４に用いる樹脂をセラミックシート２１に用いる樹脂よりも低軟化点の樹脂を用いることにより、セラミックシート２１の伸びを発生させることなく、金属薄膜を転写させることが可能となるためである。
【００４８】
さらに樹脂層２２，２４には可塑剤を含有させることがより望ましい。
【００４９】
次に図７に示すように前記セラミックシート２１上に第２の樹脂層２４を介して金属薄膜１５を転写しない部分にスクリーン印刷などにより厚み約０．８μｍのセラミック層２５をパターン状に形成する。
【００５０】
この樹脂層２４上に、図２に示すようにあらかじめ支持体１４上に蒸着法またはスパッタ法などの薄膜形成法を用いて金属薄膜１５を形成していたものを、支持体１４ごと図８に示すように樹脂層２４を介してセラミックシート上に形成した第２の樹脂層２４上に設けたセラミック層２５と金属薄膜１５とが対向するように重ね合わせて加熱しつつ加圧し、セラミック層２５が存在せず、樹脂層２４が露出している部分にのみ金属薄膜１５を転写させ、金属薄膜１５の転写された部分以外の部分は支持体１４とともに剥離する。
【００５１】
つまり、セラミックシート２１上には内部電極に対応する所定のパターン状に金属薄膜１５が形成され、金属薄膜１５が形成された部分以外の部分はセラミック層２５が形成される。この金属薄膜１５はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００５２】
その後、図８に示した、樹脂層２２，２４、セラミック層２５、金属薄膜１５が形成されたセラミックシート２１を積層して、第１の樹脂層２２が示されていない以外は図４と同様な積層体ブロックを作製する。
【００５３】
その後、積層体ブロックを所定の形状に切断して積層体を得る。この積層体を窒素中で脱脂した後、還元雰囲気中で焼成し、焼結体を得る。
【００５４】
なお、樹脂層の厚みは０．３μｍとし、樹脂層には添加する無機物の粒径を（表２）のように変化させ、添加する無機物の粒径の影響を確認した。
【００５５】
なお、各無機物の添加量としては金属薄膜１層あたりの重量を１００重量部としたときに無機物の添加量が１重量部となるように添加した。
【００５６】
このようにして作製した積層セラミックコンデンサ試料について、実施の形態１と同様の評価を行った結果を（表２）に示す。
【００５７】
【表２】
2005294345.tif 000004
【００５８】
（表２）を見るとわかるように、ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径を金属薄膜の厚みの１／２以下である試料番号４，６，８，１０，１２，１４で明らかなようにショート率が改善していることがわかる。
【００５９】
これは、積層を行う際、粒径の大きなＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3が存在していると、粒子径の大きな粒子がセラミックシートを突き破ることにより、焼成段階において内部電極が焼結反応により収縮し厚みが増加した際、内部電極がセラミック誘電体層へ進入してショートが発生しやすくなるのに対し、添加物の粒径を小さくすることによりセラミックシートを突き破ることが低減されるためである。
【００６０】
従って、樹脂層２２，２４へ添加するＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径は、用いる金属薄膜１５の厚みの１／２以下であることが好ましい。
【００６１】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて本発明の特に請求項５〜７に記載の発明について説明する。
【００６２】
実施の形態２と同様に、樹脂として重量平均粒子量が４００，０００のポリエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末とを混合し、シート状に成形したのち２軸延伸して、セラミック誘電体層１となる空隙率が２０％である厚み１μｍのセラミックシート２１を形成する。
【００６３】
また別途、ブチラール樹脂などの樹脂と酢酸ブチルなどの溶剤の混合物を用いて支持体２３上に第１の樹脂層２２を形成しておく。
【００６４】
次に図５に示すように、セラミックシート２１と第１の樹脂層２２とが対向するように支持体２２ごと重ね合わせて加圧したのち、支持体２３を剥離する。次に図６に示すように第１の樹脂層２２が存在しない側のセラミックシート２１上に厚み約０．３μｍの第２の樹脂層２４を形成する。
【００６５】
第１、第２の樹脂層２２，２４に用いる樹脂としては、セラミックシート２１に用いるものより低軟化点のものを用いることが望ましい。これはセラミックシート２１に用いる樹脂と同程度の軟化点の樹脂を用いた場合、積層時に温度及び圧力がかかることによりセラミックシートに伸びが発生し、積層段階で不良が発生する。それに対し、樹脂層２２，２４に用いる樹脂をセラミックシート２１に用いる樹脂よりも低軟化点の樹脂を用いることにより、セラミックシート２１の伸びを発生させることなく、転写積層することが可能となるためである。
【００６６】
さらに樹脂層２２，２４には可塑剤を含有させることがより望ましい。
【００６７】
次に図７に示すように前記セラミックシート２１上に第２の樹脂層２４を介して金属薄膜１５を転写しない部分にスクリーン印刷などにより厚み約０．８μｍのセラミック層２５をパターン状に形成する。
【００６８】
このセラミック層２５を形成した第２の樹脂層２４上に、図２に示すようにあらかじめ支持体１４上に蒸着法またはスパッタ法などの薄膜形成法で金属薄膜１５を形成していたものを、支持体１４ごと図８に示すように第２の樹脂層２４上に形成したセラミック層２５と金属薄膜１５とが対向するように重ね合わせて加熱しつつ加圧し、セラミック層２５が存在せず、第２の樹脂層２４が露出している部分にのみ金属薄膜１５を転写させ、金属薄膜１５の転写された部分以外の部分は支持体１４とともに剥離する。
【００６９】
つまり、セラミックシート２１上には内部電極に対応する所定のパターン状に金属薄膜１５が形成され、金属薄膜１５が形成された部分以外の部分はセラミック層２５が形成される。この金属薄膜１５はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００７０】
その後、図８に示した、樹脂層２２，２４、セラミック層２５、金属薄膜１５が形成されたセラミックシート２１を積層して、第１の樹脂層２２が示されていない以外は図４と同様な積層体ブロックを作製する。
【００７１】
その後、積層体ブロックを所定の形状に切断して積層体を得る。この積層体を窒素中で脱脂した後、還元雰囲気中で焼成し、焼結体を得る。
【００７２】
なお、第１、２の樹脂層２２，２４の厚みは０．３μｍとし、樹脂層２２，２４に加える無機物の粒径はＭｇＯ、ＳｉＯ2は０．１μｍ、Ａｌ2Ｏ3は０．２μｍのものを用いた。また、無機物の添加量を（表３）のように変化させ、用いる無機物の添加量の影響を確認した。
【００７３】
このようにして作製した積層セラミックコンデンサ試料について、実施の形態１と同様の評価を行った結果を（表３）に示す。
【００７４】
【表３】
2005294345.tif 000005
【００７５】
（表３）に示す試料番号１６，１８，２０の結果から明らかなように、樹脂層２２，２４へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合が金属薄膜を１００重量部としたときの添加割合として０．０５重量部以上１重量部以下のものでは十分な静電容量が得られている。しかしながら、１重量部よりも添加量が多い試料番号１７，１９，２１の場合、セラミック誘電体へＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の拡散が生じることから、セラミック誘電体の従来備えている誘電率が低下し、静電容量が減少している。
【００７６】
従って、樹脂層２２，２４へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合は金属薄膜１５の重量を１００重量部としたときに上記添加物が０．０５重量部以上１重量部以下であることが必要である。
【００７７】
また、樹脂層２２，２４へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合が金属薄膜を１００重量部としたときの添加割合として０．０５重量部未満の場合には、試料にクラックなどの構造欠陥が発生しており従って添加割合は０．０５重量部以上であることが必要である。
【００７８】
Ｃｕ、ガラス、ＢａＴｉＯ3についても、金属薄膜１層あたりの金属薄膜の重量を１００重量部としたときにその添加割合が１重量部以上６重量部以下の場合に上記と同様の結果が得られることを確認している。
【００７９】
なお、実施の形態１，２では第１の樹脂層２２と第２の樹脂層２４の両方に添加物を含有させているが、添加物を含有させるのは第１の樹脂層、第２の樹脂層のいずれか一方でも同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のセラミック電子部品の製造方法は、支持体からセラミックシート上へ金属薄膜を転写する際の転写精度を向上し、かつセラミックと内部電極との界面の接合を向上させることにより、安定した電気特性を有するとともに、静電容量のばらつきの小さいセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施の形態１〜３における金属薄膜の製造工程を説明するための断面図
【図２】実施の形態１における所定のパターン部分以外の部分にセラミック層を設ける工程を説明するための断面図
【図３】同実施の形態のセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図
【図４】同実施の形態により作製した積層体を説明するための断面図
【図５】実施の形態２〜３における樹脂層形成を説明するための断面図
【図６】実施の形態２〜３における樹脂層形成を説明するための断面図
【図７】実施の形態２〜３における所定のパターン部分以外の部分にセラミック層を設ける工程を説明するための断面図
【図８】同実施の形態のセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図
【図９】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【符号の説明】
【００８２】
１  セラミック誘電体層
２  内部電極
３  外部電極
１１，２１  セラミックシート
１２，２２，２４  樹脂層
１３，２５  セラミック層
１４，２３  支持体
１５  金属薄膜
１６  プレス板
【図１】
2005294345.tif 000006
【図２】
2005294345.tif 000007
【図３】
2005294345.tif 000008
【図４】
2005294345.tif 000009
【図５】
2005294345.tif 000010
【図６】
2005294345.tif 000011
【図７】
2005294345.tif 000012
【図８】
2005294345.tif 000013
【図９】
2005294345.tif 000014