(57)【要約】【課題】反応容器及び試片ホルダーの構造が改善された単原子蒸着装置を提供する。【解決手段】上板３０及び下板４０を備え、内部に反応室２０が設けられる反応容器１０６及び反応室２０内部にロードされる試片６０を支持する試片ホルダー５０を備える単原子蒸着装置である。上板３０には、反応室２０を定義する所定深さの底２１及びこの底２１の周りの側壁２２が形成され、側壁２２には、ガス流入口３４とガス排出口３６とが設けられる。試片ホルダー５０は、試片６０が装着される支持板５２ａと支持板５２ａの他側面から延びる円筒形の支持スカート５２ｂとを備える本体５２、及び本体５２の内部に挿入されて試片６０を支持する円筒形の支持部材５６を備え、支持板支持部材には、薄膜成長が行われる試片６０の表面の露出されるウィンドウ５２ｃが形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上板及び下板を備え、内部に反応室が設けられる反応容器と、
前記反応室の内部にロードされる試片を支持する試片ホルダーと、を備え、
前記上板には、前記反応室を定義する所定深さの底及びこの底の周りの側壁が形成され、前記側壁の一側には、反応室の内部にガスが流入される少なくとも一つのガス流入口が設けられ、前記側壁の他側には、前記反応室からガスが排出される少なくとも一つのガス排出口が設けられていることを特徴とする単原子層蒸着装置。
【請求項２】
前記上板に形成された反応室の幅は、ガス流入口から反応室の中央部へ行くほど次第に広くなり、中央部で幅が最大になり、中央部からガス排出口へ行くほど次第に狭くなることを特徴とする請求項１に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項３】
前記下板には、ホルダー出入口が形成され、前記ホルダー出入口に、前記試片ホルダーが出入りすることを特徴とする請求項１に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項４】
前記試片ホルダーは、試片が内面に装着される支持板と前記支持板から延びる円筒形の支持スカートとを備える本体と、前記本体の内部に挿入されて試片を支持する円筒形の支持部材と、を備え、
前記支持板には、薄膜成長がなされる前記試片の表面が露出されるウィンドウが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項５】
前記試片ホルダーは、前記本体と前記支持部材との間に挿入されて、試片を前記ウィンドウが設けられた前記支持板に密着させる押圧板をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項６】
前記支持板の内面には、前記試片が装着される試片装着溝が形成され、
前記試片装着溝の底には、試片の一側面が露出されるウィンドウが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項７】
前記反応容器及び試片ホルダーを取り囲むように設置されて、その内部が真空に維持される真空容器をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項８】
前記真空容器に、楕円偏光分析器を装着させるポートがさらに備えられていることを特徴とする請求項７に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項９】
前記真空容器は、前記試片を前記真空容器の外部に移送させる試片移送通路と、前記試片移送通路と連結される試片移送用ポートとをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１０】
前記試片移送用ポートは、外部にさらに設けられる光電子分光分析器と連結されることを特徴とする請求項９に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１１】
前記試片を前記反応室に移動させる、試片位置調節器をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１２】
上板及び下板を備え、内部に反応室が設けられる反応容器と、
前記反応室の内部にロードされる試片を支持する試片ホルダーと、を備え、
前記試片ホルダーは、試片が内面に装着される支持板と前記支持板から延びる円筒形の支持スカートとを備える本体と、前記本体の内部に挿入されて試片を支持する円筒形の支持部材と、を備え、
前記支持板には、薄膜成長がなされる前記試片の表面が露出されるウィンドウが形成されていることを特徴とする単原子層蒸着装置。
【請求項１３】
前記下板には、ホルダー出入口が形成され、前記ホルダー出入口に、前記試片ホルダーが出入りすることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１４】
前記試片ホルダーは、前記本体と前記支持部材との間に挿入されて、試片を前記ウィンドウが設けられた前記支持板に密着させる押圧板をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１５】
前記支持部材の下部には、少なくとも一つの溝が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１６】
前記支持板の内面には、前記試片が装着される試片装着溝が形成され、
前記試片装着溝の底には、試片の一側面が露出されるウィンドウが形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１７】
前記反応容器及び試片ホルダーを取り囲むように設置されて、その内部が真空に維持される真空容器をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１８】
前記真空容器に、楕円偏光分析器を装着させるポートがさらに備えられていることを特徴とする請求項１７に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項１９】
前記真空容器は、前記試片を前記真空容器の外部に移送させる試片移送通路と、前記試片移送通路と連結される試片移送用ポートとをさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項２０】
前記試片移送用ポートは、外部にさらに設けられる光電子分光分析器と連結されることを特徴とする請求項１９に記載の単原子層蒸着装置。
【請求項２１】
前記試片を前記反応室に移動させる、試片位置調節器をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の単原子層蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単原子層蒸着装置に関わり、さらに詳細には、反応容器及び試片ホルダーの構造が改善されて均一な単原子層蒸着が可能な単原子層蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
単原子層蒸着（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術は、半導体製造工程で重要な薄膜成長技術のうち一つであって、ソースガス及び反応ガスが反応容器内に順次に交互に注入されて、試片表面上でガス吸着、表面反応及び脱着過程の反復によって、単原子層を試片表面上に蒸着させる技術である。
【０００３】
図１は、従来のＡＬＤ装置を簡略に示す図面である。ガスは、ガス流入口４を通過して反応容器２内に継続的に注入され、また、試片８上に対する蒸着に寄与しないほとんどの剰余ガスは、ガス出口６を通じて外部に排出される。試片８の表面では、ガスの吸着及び吸着されたガスと新たに供給されたガスとの表面反応が起こる。
【０００４】
図示されたように、反応容器２内に注入されるガスのうち、試片ホルダー１０の下部を通過するガス及び試片８の周囲に発生する渦流ガスは、ＡＬＤ反応に寄与せず、したがって、このようなガス供給構造を有する従来のＡＬＤ装置は、ガスの消耗が多い。
【０００５】
また、従来のＡＬＤ装置で、試片ホルダー１０の配置や試片ホルダー１０上の試片８の配置は、構造上、反応容器内でガスの渦流を発生させ、これにより、パージが円滑に行われないという問題点がある。
【０００６】
渦流が発生すれば、ガスはその場で旋回しつつ、パージをする間にも依然として反応容器２内に残っている。これにより、反応ガスが反応容器２内に注入される際に、注入された反応ガスは試片８上に吸着された成分と反応せずに、渦流により残存するソースガスと反応してクラスターを形成させる。これは、薄膜均一度に好ましくない影響をおよぼす。
【０００７】
また、従来のＡＬＤ装置で、渦流の発生は、反応容器２内でガスの層流を妨害し、これにより、反応容器２内に均一なガス分配がなされないという問題点がある。
【０００８】
反応容器２内で均一なガス分配がなされなければ、蒸着される薄膜の均一度が低下する。したがって、均一な薄膜の蒸着のためには、試片８上を流れるガスの流れが層流を維持することが重要であり、反応ガスが試片８上を均一な分布で通過せねばならない。
【０００９】
図２は、図１に示された試片ホルダー１０の斜視図である。試片固定ネジ９が試片ホルダー１０上に試片８を固定する方式である。
【００１０】
試片固定ネジ９の突出部は、反応容器２内でガスの渦流を発生させ、また、層流を妨害する要素となる。これによる問題点は、前述した通りである。
【００１１】
現在、インサイチュ分析用に開発されたＡＬＤ装置は、分析のために、薄膜試片を真空中で移動させることが必要であるが、それにより、試片ホルダーの形が１インチほどの直径を有する円形になっている。
【００１２】
したがって、他の一般的装置に比べてそのサイズが非常に小さいため、反応容器内でのガスの渦流及び不均一なガス分配は、特に問題になる。
【００１３】
前述したように、従来のＡＬＤ装置は、ガスの消耗が多く、その構造上、反応容器内でのガスの渦流を発生させるという問題点を有する。これにより、パージが円滑に行われず、層流が妨害されて均一なガス分配がなされないという問題点を有する。これは、薄膜均一度に好ましくない影響をおよぼすため、これについての解決策が要求される。
【００１４】
したがって、ガスの消耗が少なく、反応容器内で、ガスの渦流を最小化し、パージが円滑に行われ、層流を維持し、均一なガス分配の可能なＡＬＤ装置の開発が要求される。
【００１５】
前記のようなＡＬＤ装置の開発のためには、反応容器及び試片ホルダーの構造を改善する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来の技術の問題点を改善するためのものであって、ガスの消耗を減らし、反応容器内で、ガスの渦流を最小化し、均一なガス分配を実現するように、反応容器の構造が改善されたＡＬＤ装置を提供することである。
【００１７】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、反応容器内で、ガスの渦流を最小化し、ガスの層流が妨害されないように、試片ホルダーの構造が改善されたＡＬＤ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記課題を達成するために本発明は、上板及び下板を備え、内部に反応室が設けられる反応容器及び前記反応室の内部にロードされる試片を支持する試片ホルダーを備え、前記上板には、前記反応室を定義する所定深さの底及びこの底の周りの側壁が形成され、前記側壁の一側には、反応室の内部にガスが流入される少なくとも一つのガス流入口が設けられ、前記側壁の他側には、前記反応室からガスが排出される少なくとも一つのガス排出口が設けられているＡＬＤ装置を提供する。
【００１９】
また、前記課題を達成するために本発明は、上板及び下板を備え、内部に反応室が設けられる反応容器及び前記反応室の内部にロードされる試片を支持する試片ホルダーを備え、前記試片ホルダーは、試片が内面に装着される支持板と前記支持板から延びる円筒形の支持スカートとを備える本体、及び前記本体の内部に挿入されて試片を支持する円筒形の支持部材を備え、前記支持板には、薄膜成長がなされる前記試片の表面の露出されるウィンドウが形成されているＡＬＤ装置を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の実施形態によるＡＬＤ装置によれば、ＡＬＤの際に、ガスの消耗が少なく、反応容器内でガスの渦流が最小化される。
【００２１】
また、反応容器内で、パージが円滑に行われ、ガスの層流が維持されて均一なガス分配がなされる。したがって、均一なＡＬＤが可能である。
【００２２】
また、中空の試片ホルダーは、熱容量が減少するので、別途のアニーリング装備なしでも、試片ホルダー用ハロゲンランプのみを使用して、直接基板を加熱することによって、基板の温度を制御できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の反応容器及び試片ホルダーの構造が改善されたＡＬＤ装置を、添付された図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図３は、本発明の望ましい実施形態による反応容器及び試片ホルダーの構造が改善されたＡＬＤ装置の断面図である。
【００２５】
本発明のＡＬＤ装置は、内部に反応室２０が設けられている反応容器１０６及び前記反応室２０の内部にロード（搬入）される試片６０を支持する試片ホルダー５０を備える。
【００２６】
反応容器１０６は、上板３０と下板４０とを含み、これらの間に前記反応室２０が形成されている。
【００２７】
ソースガス及び反応ガスは、ガス供給管３２を通じて反応室２０内に順次に交互に注入され、試片６０の表面上でガス吸着、表面反応及び脱着過程の反復によって、試片６０の表面上に単原子層厚さの薄膜を形成する。そして、薄膜蒸着に寄与しない剰余ガスは、ガス排出管３８を通じて排出される。
【００２８】
図４は、図３に示された本発明による反応容器の分解斜視図である。
【００２９】
図示されたように、反応容器１０６は、上板３０と下板４０とを含み、上板３０と下板４０との間には、試片６０についての成膜が行われる反応室２０が設けられている。前記下板４０には、ホルダー出入口４１が形成され、前記ホルダー出入口４１に前記試片ホルダー５０が出入りする。
【００３０】
図５及び図６は、図３に示された反応容器の上板の底面を示す斜視図及び平面図である。
【００３１】
前記上板３０の反応室２０は、所定深さの底２１及びその周りの側壁２２を有する。また、前記側壁２２の一側には、反応室２０の内部にガスが流入されるガス流入口３４が設けられ、前記側壁２２の他側には、前記反応室２０からガスが排出されるガス排出口３６が設けられている。
【００３２】
また、前記ガス排出口３６は、２個のガス排出口３６ａ，３６ｂを備えており、２個のガス排出口３６ａ，３６ｂは、上板３０の内部に設置されたガス合流管３５によって連結されている。
【００３３】
また、前記ガス流入口３４は、ガス供給管３２と連結されており、前記ガス排出口３６は、ガス合流管３５を通じてガス排出管３８と連結されている。
【００３４】
前記上板３０に形成された反応室２０の幅は、ガス流入口３４から反応室２０の中央部へ行くほど次第に広くなり、中央部で幅が最大になり、前記幅は、中央部からガス排出口３６へ行くほど次第に狭くなる。
【００３５】
図６で上板３０の中央部に点線で示された領域３９は、下板４０上の試片ホルダー５０と対面する反応室２０の空間を表し、上板３０に形成される反応室２０の幅は、前記試片ホルダー５０の直径より広くできる。
【００３６】
上板３０に側壁２２及び底２１を有する反応室２０を最小のサイズで形成することによって、反応室２０内でのガスの渦流が発生する空間を最小化できる。すなわち、試片６０の周囲にガスの渦流が発生する空間をなくし、ガスの流動に必要な最小のサイズに反応室２０を形成することによって、最小のガス流動によって、上板３０に対する物質蒸着が起こる。
【００３７】
したがって、渦流発生の抑制によって、良質の薄膜を蒸着できるだけでなく、従来のＡＬＤ装置に比べて、反応ガスの消耗を減らし、反応効率も増大させることができる。
【００３８】
図６を参照すれば、ガス流入口３４を通じて注入されるガスは、反応室２０内へ流入されつつ広く広がり、反応室２０全体を流れる。反応が起こった後に、剰余ガスは、２個のガス排出口３６ａ，３６ｂを通じて排出される。
【００３９】
このような反応室の構造は、反応室２０内でガスの流れを一定にして層流を維持できるだけでなく、反応室２０内でのガスの分配を均一にでき、均一なＡＬＤを可能にする。
【００４０】
前記のような反応容器の構造が改善されたＡＬＤ装置によれば、ＡＬＤの際に、ガスの消耗が少なく、反応容器内で渦流の発生が最小化される。
【００４１】
また、反応容器内でパージが円滑に行われ、ガスの層流が維持されて均一なガス分配がなされる。したがって、均一なＡＬＤが可能である。
【００４２】
図７及び図８は、本発明のさらに他の実施形態による反応容器の上板の底面を示す斜視図及び平面図である。
【００４３】
図５に示された反応容器の上板と異なる点は、ガス流入口３４が２個のガス流入口３４ａ，３４ｂを備えるという点である。２個のガス流入口３４ａ，３４ｂは、ガス分気管３３を通じてガス供給管３２と連結されている。
【００４４】
したがって、２個のガス流入口３４ａ，３４ｂを通じて、反応室２０内にガスが流入され、反応室２０全体を均一に流れ、反応室２０内で層流が維持される。反応が起こった後に、剰余ガスは、２個のガス排出口３６ａ，３６ｂを通じて排出される。
【００４５】
前述した実施形態では、ガス流入口が一つまたは二つである場合に限定して説明されているが、本発明の他の実施形態によれば、前記ガス流入口は、二つ以上として形成されることもある。
【００４６】
また、前述した実施形態では、ガス排出口が二つである場合に限定して説明されているが、本発明の他の実施形態によれば、前記ガス排出口は、一つとして形成しても良く、または二つ以上として形成しても良い。
【００４７】
このような変更は、前述した実施形態から容易に理解及び導出される。
【００４８】
図９は、図３に示された試片ホルダーの分解斜視図であり、図１０は、前記試片ホルダーの垂直断面図である。
【００４９】
図９及び図１０を共に参照すれば、前記試片ホルダー５０は、上面にウィンドウ５２ｃが形成された本体５２、及び前記本体５２の内部に挿入されて試片６０を支持する円筒形の支持部材５６を備える。
【００５０】
前記本体５２は、試片６０が内面に装着される支持板５２ａと、前記支持板５２ａから延びる円筒形の支持スカート５２ｂとを備える。前記支持板５２ａには、薄膜成長が行われる前記試片６０の表面が露出されるウィンドウ５２ｃが形成されており、前記支持板５２ａの内面に前記試片６０が装着される。
【００５１】
前記試片ホルダー５０は、前記本体５２と前記支持部材５６との間に挿入されて、試片６０を前記ウィンドウ５２ｃが設けられた前記支持板５２ａに密着させる押圧板５４をさらに備えることができる。
【００５２】
前記試片ホルダー５０の本体５２の外周面には、試片を移送させるための溝が形成されており、内周面には、前記支持部材５６と結合するためにネジ山（図示せず）が形成されている。また、前記支持部材５６の外周面にも、前記本体５２と螺合するためのネジ山が形成されている。
【００５３】
また、前記支持部材５６の内部には、試片加熱器（図示せず）が設置され、前記試片加熱器が直接試片を加熱することが可能である。また、前記支持部材５６の下部には、前記支持部材５６を回転させて本体５２に螺合させる道具を挿入する溝を形成できる。
【００５４】
試片６０は、本体５２の内部にロードされ、ＡＬＤの際、本体５２の上面に形成されたウィンドウを通じて反応室２０に露出される。
【００５５】
前記試片６０は、本体５２の内部に挿入される支持部材５６によって支持される。試片６０を本体５２の内部に挿入し、次いで、押圧板５４を挿入して試片６０を支持し、最後に、支持部材５６を本体５２の内部に挿入して、前記試片６０と押圧板５４とを固定する。
【００５６】
反応容器１０６に注入されるガスは、本体５２上のウィンドウ５２ｃを通じて露出される試片６０上で反応し、試片６０上に単原子層の厚さで蒸着される。試片６０は、試片ホルダー５０の内部にロードされるため、試片６０の突出部による渦流の発生を防止することができる。
【００５７】
前記のような試片ホルダー５０の構造は、従来のＡＬＤ装置と異なり、試片固定ネジの突出部及び試片の突出部がなく、渦流の発生を防止できる。
【００５８】
また、ＡＬＤの際に、反応容器１０６内で、ガスの渦流を最小化でき、ガスの層流を妨害する要素を最小化できる。したがって、反応容器１０６内に均一なガス分配を形成できて、均一なＡＬＤが可能である。
【００５９】
中空の試片ホルダーは、熱容量が減少するため、試片の加熱が容易である。また、試片加熱器を試片ホルダーの下部に設置して直接試片を加熱することが可能であり、試片の温度を制御することが容易である。したがって、別途のアニーリング装備なしでも、ハロゲンランプのみで試片の温度を制御できる。
【００６０】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図であり、図１２は、前記試片ホルダーの垂直断面図である。
【００６１】
本体５３は、試片６０が内面に装着される支持板５３ａと前記支持板５３ａから延びる円筒形の支持スカート５３ｂとを備える。前記支持板５３ａの内面には、前記試片６０が装着される試片装着溝５３ｃが形成されており、試片装着溝５３ｃの底には、試片６０の一側面が露出されるウィンドウ５３ｄが形成されている。
【００６２】
この実施形態の場合には、前記試片装着溝５３ｃに試片６０を押し込み、押圧板５４なしでも、支持部材５７のみで試片６０を支持できる。
【００６３】
図１３ないし図１５は、本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図である。
【００６４】
図１３に示すように、押圧板５５が開口部を備えており、前記開口部を通じて、試片ホルダー５０の下部にロードされる試片加熱器が直接試片６０を加熱することが可能である。したがって、熱伝導率を高めることができて、試片６０の温度制御が効率的である。
【００６５】
図１４及び図１５は、前記試片ホルダー５０を様々な形態に変形して実施することが可能であることを示す。
【００６６】
図１４に示されたように、押圧板を別途に備えずとも、一側が覆われた支持部材５８を備えることによって、図９に示された試片ホルダーと同じ効果を有することができる。
【００６７】
また、図１５に示されたように、一側が覆われた支持部材５９に開口部を形成することによって、図１３に示された試片ホルダーと同じ効果を有することができる。
【００６８】
このような変更は、前述した実施形態から容易に理解及び導出される。
【００６９】
図１６は、本発明のさらに他の実施形態によるＡＬＤ装置の断面図である。
【００７０】
図３に示されたＡＬＤ装置は、望ましく真空容器１００の内部に設置される。
【００７１】
また、前記真空容器１００は、前記試片を前記真空容器の外部に移送させることのできる試片移送通路２２０と、外部にさらに設けられる光電子分光分析器（図示せず）に試片を移送させるように、試片移送通路２２０と連結される第１及び第２試片移送用ポート１２０，１２２と、楕円偏光分析器（図示せず）をさらに装着できる第１及び第２ポート１１０，１１２と、をさらに備えることができる。
【００７２】
楕円偏光分析器は、第１及び第２ポート１１０，１１２に装着されて偏光光を試片６０に入射させて、反射された偏光光から試片６０の情報を分かることができる。
【００７３】
光電子分光分析器は、特定のＸ線を入射する際に、試片６０の表面から放出される光電子のエネルギーを分析する装備であり、試片６０の表面層の組成及び化学結合状態を知ることができる。
【００７４】
また、前記ＡＬＤ装置は、試片位置調節器２３０をさらに備えることができる。
【００７５】
試片位置調節器２３０は、試片６０を、反応室２０内の単原子層を蒸着させることのできる位置に移動させるか、または楕円偏光分析器が装着される第１及び第２ポート１１０，１１２側に移動させて、試片６０の厚さ、密度を測定せしめる。
【００７６】
前記真空容器１００が備えられたＡＬＤ装置は、真空容器の外部に他の種類の分析器をさらに設けて、一つの装備でＡＬＤと分析とを同時に行うことができるという長所を有する。
【００７７】
前記説明では多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。本発明の範囲は、説明された実施形態によって決定されるのではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、ＡＬＤ装置に関連した技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】従来の技術によるＡＬＤ装置の断面図である。
【図２】図１に示された試片ホルダーの斜視図である。
【図３】本発明の望ましい実施形態による反応容器及び試片ホルダーの構造が改善されたＡＬＤ装置の断面図である。
【図４】図３に示された反応容器の分解斜視図である。
【図５】図３に示された反応容器の上板の底面を示す斜視図である。
【図６】図３に示された反応容器の上板の底面を示す平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による反応容器の上板の底面を示す斜視図である。
【図８】本発明の他の実施形態による反応容器の上板の底面を示す平面図である。
【図９】図３に示された試片ホルダーの分解斜視図である。
【図１０】図３に示された試片ホルダーの垂直断面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図である。
【図１２】図１１に示された試片ホルダーの垂直断面図である。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図である。
【図１５】本発明のさらに他の実施形態による試片ホルダーの分解斜視図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施形態によるＡＬＤ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
２０    反応室、
３０    上板、
３２    ガス供給管、
３８    ガス排出管、
４０    下板、
５０    試片ホルダー、
６０    試片、
１０６    反応容器。
【図１】
2005340834.tif 000003
【図２】
2005340834.tif 000004
【図３】
2005340834.tif 000005
【図４】
2005340834.tif 000006
【図５】
2005340834.tif 000007
【図６】
2005340834.tif 000008
【図７】
2005340834.tif 000009
【図８】
2005340834.tif 000010
【図９】
2005340834.tif 000011
【図１０】
2005340834.tif 000012
【図１１】
2005340834.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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