(57)【要約】【課題】配線基板上に載置された半導体チップを十分に保護することができ、さらに配線基板上への部品搭載面積を増大できる半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板１２は、半導体チップ１１が載置され、半導体チップ１１と電気的に接続されたパッドを有する。モールド樹脂１３は、配線基板１２上の半導体チップ１１を封止し、その側面の一部分が配線基板１２の側面と一致すると共にその側面の他の部分が配線基板１２の側面より内側に形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが載置され、前記半導体チップと電気的に接続されたパッドを有する配線基板と、
前記配線基板上の前記半導体チップを封止し、その側面の一部分が前記配線基板の側面と一致すると共にその側面の他の部分が前記配線基板の側面より内側に形成されたモールド樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップが載置され、前記半導体チップと電気的に接続されたパッドを有する配線基板と、
前記半導体チップ上及び前記配線基板上に形成され、対向する２つの辺においてその側面が前記配線基板の側面と一致すると共にその他の辺においてその側面が前記配線基板の側面より内側に配置されたモールド樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記モールド樹脂の側面が前記配線基板の側面より内側に形成され露出された前記配線基板には切り欠き部が形成され、前記配線基板が有する前記パッドに接続されたリードは前記切り欠き部にて切断されることなく、前記切り欠き部を除く基板外縁に引き出されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記パッドに接続された前記リードは、前記パッドに電解金メッキを施すためのメッキリードであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップは不揮発性メモリを含んでいることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップが基板上に搭載されてなる半導体装置に関し、例えば半導体メモリカードに使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、カード用ケースに内蔵された半導体メモリ、例えば不揮発性メモリを利用して、情報を記録する記憶装置の１つとして半導体メモリカード（以下、メモリカードと記す）が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
これらメモリカードには、半導体チップを搭載した配線基板（以下、半導体装置）がカード用ケースに内蔵された構造を有するものがある。この構造に用いられる配線基板では、通常、配線基板の中央にモールド樹脂が形成されている。図４に、従来の半導体装置の外形を示す。図４（ａ）は半導体装置の上面図、図４（ｂ）は横から見た半導体装置の側面図、図４（ｃ）は下から見た半導体装置の側面図である。
【０００４】
図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、半導体装置１００は、配線基板（インターポーザ）１０１とこの配線基板の中央に形成されたモールド樹脂１０２から構成されている。モールド樹脂１０２内の配線基板１０１上には半導体チップ（図示しない）が載置されている。また、配線基板１０１には、方向識別用の切り欠き部１０１Ｒが形成されている。
【０００５】
半導体装置１００の製造工程におけるフレーム基板のレイアウトを図５に示す。半導体装置１００の製造工程では、図５に示すように、フレーム基板１０３に複数（ここでは８個）の半導体装置１００が配置される。個々の半導体装置１００は、４つのサポート部１０４によって支えられ、それ以外の周囲はスリット１０５になっている。また、半導体装置１００を支える１つのサポート部上には、モールド樹脂１０２を成形するときに用いられた樹脂注入ゲート１０６が形成されている。
【０００６】
しかしながら、図４（ａ）に示したように、モールド樹脂１０２が配線基板１０１の中央のみに形成された半導体装置では、半導体チップを十分に保護することができないという問題や、配線基板１０１への部品搭載面積が小さいという問題が生じる場合がある。
【特許文献１】特開２００３−１０８９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、配線基板上に載置された半導体チップを十分に保護することができ、さらに配線基板上への部品搭載面積を増大できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一実施形態によれば、半導体チップと、前記半導体チップが載置され、前記半導体チップと電気的に接続されたパッドを有する配線基板と、前記配線基板上の前記半導体チップを封止し、その側面の一部分が前記配線基板の側面と一致すると共にその側面の他の部分が前記配線基板の側面より内側に形成されたモールド樹脂とを具備する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、配線基板上に載置された半導体チップを十分に保護することができ、さらに配線基板上への部品搭載面積を増大することができる半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照してこの発明の実施形態について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１１】
図１に、この発明の実施形態の半導体装置の外形を示す。図１（ａ）は半導体装置の上面図、図１（ｂ）は横から見た半導体装置の側面図、図１（ｃ）は下から見た半導体装置の側面図である。
【００１２】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、半導体装置１０は、半導体メモリ（例えば、不揮発性メモリ）を含む半導体チップ１１、配線基板（インターポーザ）１２、及びモールド樹脂１３から構成される。１つ（または複数）の半導体チップ１１が配線基板１２の一方の面上に載置されている。配線基板１２は、半導体チップ１１と電気的に接続されたパッドを有している。さらに、配線基板１２には、方向識別用の切り欠き部１２Ｒが形成されており、図１（ａ）に示す上面図において、半導体装置１０は矩形と異なる形状（矩形から隣接する２隅部がカットされた形状）を有している。モールド樹脂１３は、半導体チップ１１が載置された配線基板１２上に形成され、半導体チップ１１を封止して保護する。
【００１３】
図１（ｂ）すように、半導体装置１０の対向する２つの辺において、モールド樹脂１３の側面は配線基板１２の側面と一致している。言い換えると、モールド樹脂１３の側面と配線基板１２の側面とが、対向する１組の辺で面一になっている。一方、半導体装置１０のその他の辺において、モールド樹脂１３の側面は配線基板１２の側面より内側に配置されている。前述のように、モールド樹脂１３と配線基板１２との側面を一致させるには、モールド樹脂と配線基板とを一度に切断するのがよい。
【００１４】
また、配線基板１２上には、メッキリード１４が形成されている。メッキリード１４は、配線基板１２上の配線から引き出されており、配線基板１２上のパッドまたは端子に電解金メッキを施すために使用される。メッキリード１４が引き出される配線基板１２上の配線は、半導体チップ１１と電気的に接続されるパッドに接続された配線を含む。メッキリード１４は、切り欠き部１２Ｒを避けて配置されている。言い換えると、メッキリード１４は、切り欠き部１２Ｒにて切断されることなく、切り欠き部１２Ｒ以外の基板外縁まで引き出されている。
【００１５】
前記構成を持つ半導体装置では、半導体装置１０の対向する１組の辺において、モールド樹脂１３の端部側面が配線基板１２の端部側面に一致するように形成されているため、モールド樹脂１３が配線基板１２を覆う領域が大きくなり、半導体チップ１１の保護機能を向上させることができ、さらに半導体チップなどの部品を搭載可能な配線基板１２上の面積を増大させることができる。なお、図１に示した半導体装置は、カード用ケースに設けられた基板収納凹部に組み込まれてメモリカードが構成される。
【００１６】
図２は、前記実施形態の半導体装置の製造工程におけるフレーム基板のレイアウトを示す図である。１つのフレーム基板２１から１２個の半導体装置が得られる例である。フレーム基板２１には、行方向に４個、列方向に３個、計１２個の配線基板１２が配列されている。切り欠き部１２Ｒは、あらかじめフレーム基板２１に基板スリット（穴）２２を空けておくことで形成する。
【００１７】
配線基板１２上に形成された配線からはメッキリード１４が引き出されている。メッキリード１４は、配線基板１２上の前記配線に接続されたパッドまたは端子に電解金メッキを施すために用いられる。メッキリード１４は、基板スリット２２（切り欠き部１２Ｒ）を避けて配置されている。さらに、メッキリード１４は、１２個の配線基板１２を取り巻くように形成されたメッキリード配線２３を介して、導通検査パッド２４に接続されている。
【００１８】
このような構成により、図２に示すように、フレーム基板２１の状態において、全てのメッキリード１４を導通検査パッド２４に接続する。これにより、半導体チップ１１のパッドと配線基板１２のパッドをワイヤーボンディングで接続した際、これらパッド間の導通性を確認することができ、ワイヤーボンディングの接続不良を検出できる。この結果、例えば、複数の半導体チップを含むマルチチップパッケージの製造工程において、ワイヤーボンディングの接続不良を検出できずに不良品に別の半導体チップを搭載するなど、不良を検出できないまま次工程に進めることがある。このような場合の歩留まりロスを低減することができる。なお、図５に示した従来例では、サポート部１０４を除いてフレーム基板１０３にスリット１０５が形成されているので、メッキリードを設けてもフレーム基板の状態で、全てのメッキリードを導通検査パッドに接続することはできない。
【００１９】
図２に示したフレーム基板２１に、モールド樹脂を形成した状態を図３に示す。なお、メッキリード１４及び基板スリット２２は省略している。列方向に配列された３個の配線基板１２上に、モールド樹脂１３が連続的に成形されている。モールド樹脂１３の先端には、モールド樹脂１３を成形するときに用いられた樹脂注入ゲート１３Ａが形成されている。このように、モールド樹脂１３を金型で成形した後、カットライン２５をブレード装置により切断する。これにより、１２個の半導体装置１０が形成される。
【００２０】
以下に、前記実施形態の半導体装置の製造方法を示す。
【００２１】
まず、配線基板１２上に半導体チップ１１を載置する。続いて、半導体チップ１１上のパッドと配線基板１２上のパッドとの間をワイヤーボンディングにより接続する。次に、導通検査パッド２４を用いて、半導体チップ１１上のパッドと配線基板１２上のパッドとが電気的に接続されたか否かを検査する。これらパッド間が導通していることを確認した後、図３に示すように、配線基板１２上にモールド樹脂１３を成形する。その後、フレーム基板２１上のカットライン２５をブレード装置により切断する。以上により、半導体装置１０が製造される。
【００２２】
図５に示した従来例のように、配線基板の中央だけにモールド樹脂を形成する場合、製造工程においてフレーム基板に複数の半導体装置を配置するにあたり、個々の半導体装置間の距離を大きくする必要がある。このため、製造効率が悪くコスト面で不利となるという問題が生じていた。この実施形態では、対向する１組の辺において、モールド樹脂１３の側面位置と配線基板１２の側面位置とを一致させているので、個々の半導体装置間の距離を大きくする必要はなく、距離を空けずに半導体装置を配置することができる。これにより、製造効率が向上し、製品コストも低下させることができる。すなわち、従来例では、モールド金型間のスペースが必要になるため、１つのフレーム基板から８個しか半導体装置が得られなかったが、この実施形態では図３に示すように、列方向のモールド金型間のスペースが不要であるため、１つのフレーム基板から１２個の半導体装置が得られる。したがって、１つのフレーム基板当たりの取り数が増加し、図５に示す従来例よりも製造効率を向上でき、製品コストも低下させることができる。
【００２３】
また、従来例のように、配線基板の中央だけにモールド樹脂を形成した半導体装置では、フレーム基板においてワイヤーボンディングの電気検査（パスボンディング検査）が行えず、特に複数の半導体チップを含むマルチチップパッケージにおいて歩留まり低下するという問題が生じていた。この実施形態では、全てのメッキリードを導通検査パッドに接続できるので、パスボンディング検査を行うことができ、マルチチップパッケージにおける歩留まり低下を抑制することができる。
【００２４】
なお、前述した実施形態は、例えばＳＤ(Secure Digital)カード、ミニＳＤ(Secure Digital)カード、マルチメディアカード、またはＸＤカードなどに適用することができる。
【００２５】
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）はこの発明の第１の実施形態の半導体装置の上面図、（ｂ）は横から見た半導体装置の側面図、（ｃ）は下から見た半導体装置の側面図である。
【図２】前記実施形態の半導体装置の製造工程におけるフレーム基板のレイアウトを示す図である。
【図３】前記実施形態の半導体装置の製造工程におけるモールド樹脂形成後の状態を示す図である。
【図４】（ａ）は従来の半導体装置の上面図、（ｂ）は横から見た半導体装置の側面図、（ｃ）は下から見た半導体装置の側面図である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程におけるモールド樹脂形成後の状態を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１１…半導体チップ、１２…配線基板、１２Ｒ…切り欠き部、１３…モールド樹脂、１４…メッキリード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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