(57)【要約】【課題】ビアホールの内部に残留物が残ってしまうことを防止する。内部に残留物が残されていない状態のビアホールを効率的に形成する。【解決手段】樹脂層１２に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が第１の値になる条件でパルスレーザ光を照射して、ビアホールを途中段階まで形成する。途中段階まで形成されたビアホール１３の内面に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が第１の値よりも大きい第２の値になる条件でパルスレーザ光を照射して、途中段階まで形成されたビアホール１３の側壁を整形するのと同時に、当該途中段階まで形成されたビアホール１３の内部に残った残留物を除去する。【選択図】  図１
2005028369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、
（ａ）前記被加工層に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程と
を含むレーザ加工方法。
【請求項２】
金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、
（ａ）前記被加工層に、パルス周波数が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス周波数が前記第１の値よりも小さい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程と
を含むレーザ加工方法。
【請求項３】
金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、
（ａ）前記被加工層に、パルス間隔が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス間隔が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程と
を含むレーザ加工方法。
【請求項４】
金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、
（ａ）前記被加工層に、パルス幅が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス幅が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程と
を含むレーザ加工方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）では、前記パルスレーザ光を用いて、前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの側壁を整形するのと同時に、当該途中段階まで形成されたビアホールの内部に残った残留物を除去する請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
前記被加工層に、繊維状のフィラーが混入されている請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属層の上に形成された被加工層にビアホールを形成するレーザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント基板は、コア層の表面の一部に銅ランドが形成され、さらにコア層の上に、その銅ランドを覆うように樹脂層が積層された構造を有する。プリント基板の製造において、銅ランドと電気的に接続される銅層を、樹脂層の表面に形成する工程がある。その工程では、樹脂層に、銅ランドに達するビアホールを形成する。そして、ビアホールの底面及び側面、並びに樹脂層の表面に銅層を形成する。
【０００３】
例えばレーザ光を用いてビアホールを形成すると、ビアホールの内部に残留物が残ることがある。残留物が残った場合、銅ランドと銅層との電気的な接続の信頼性が低下する。そこで、ビアホールを形成した後に、ビアホールの内部に残った残留物を除去する為にいわゆるデスミアを行う。特許文献１には、パルスレーザ光を用いてデスミアを行なう技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−３４０１６５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
デスミアを行なっても、残留物を完全には除去できない場合がある。特に、誘電率及び誘電正接を小さくする為に、樹脂層にフィラーを混入している場合である。フィラーは、デスミアの後にも残留物としてビアホールの底に残りやすい。繊維状のフィラーであれば、デスミアの後にもビアホールの内壁からヒゲ状に突出した状態で残ることがある。ビアホールの内壁からの突出物も残留物と呼ぶことにする。
【０００６】
また、デスミアが必要な場合には、その分だけ工程数が増えることになるため、加工効率が低下する。そこで、内部に残留物が残されていない状態のビアホールを効率的に形成する技術が望まれる。
【０００７】
本発明の目的は、ビアホールの内部に残留物が残ってしまうことを防止することのできる技術を提供することにある。本発明の他の目的は、内部に残留物が残されていない状態のビアホールを効率的に形成することのできる技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、（ａ）前記被加工層に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程とを含むレーザ加工方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の観点によれば、金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、（ａ）前記被加工層に、パルス周波数が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス周波数が前記第１の値よりも小さい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程とを含むレーザ加工方法が提供される。
【００１０】
本発明のさらに他の観点によれば、金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、（ａ）前記被加工層に、パルス間隔が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス間隔が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程とを含むレーザ加工方法が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の観点によれば、金属層上に形成された被加工層に、前記金属層に達するビアホールを形成するレーザ加工方法であって、（ａ）前記被加工層に、パルス幅が第１の値となる条件でパルスレーザ光を照射して、前記ビアホールを途中段階まで形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの内面に、パルス幅が前記第１の値よりも大きい第２の値となる条件でパルスレーザ光を照射する工程とを含むレーザ加工方法が提供される。
【００１２】
工程（ｂ）では、工程（ａ）において途中段階まで形成されたビアホールの側壁を整形するのと同時に、当該途中段階まで形成されたビアホールの内部に残った残留物を除去できる。これにより、ビアホールの形成を終えた後のデスミアが不要となる。その分、加工効率の向上が図られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は、実施例によるレーザ加工方法の対象となる被加工基板の断面図である。被加工基板は、銅ランド１１の上に樹脂層１２が形成された構造を有する。銅ランド１１は、コア層１０の表面の一部に形成されている。樹脂層１２は、銅ランド１１を覆うようにコア層１０上に積層されている。樹脂層１２には、短繊維状のフィラー１２ａが多数混入されている。フィラー１２ａの各々は、硼酸アルミニウムからなる。
【００１４】
図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、実施例によるレーザ加工方法を説明するための被加工基板の断面図である。本レーザ加工方法では、樹脂層１２に、銅ランド１１の表面に達するビアホール１５を形成する。ビアホール１５の形成は、前工程と後工程の２段階で行う。
【００１５】
まず前工程では、図１（ｂ）に示すように、樹脂層１２にビアホールを途中段階まで形成する。符号１３が、途中段階まで形成されたビアホール（以下、穴という。）を示す。穴１３の形成には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波であるパルスレーザ光を用いる。
【００１６】
パルスレーザ光を、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が１Ｊ／ｃｍ２になる条件で樹脂層１２に照射して、穴１３を形成する。なお、パルスレーザ光をマスク投影法により、樹脂層１２に照射するのが好ましい。
【００１７】
穴１３のトップ径が５０μｍ、樹脂層１２の厚みが３０μｍ程度であれば、３５ショット程度で穴底に銅ランド１１の表面が露出しはじめる。この時点で前工程を終える。なお、穴底に銅ランド１１が露出しない段階で前工程を終えてもよいであろう。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、穴１３の断面形状はＵ字状をなしており、側壁及び底面に未除去部１４が残されている。また、穴１３の底にはフィラー１２ａが付着している。さらに、穴１３の側壁からは、フィラー１２ａが突き出している。短繊維状フィラー１２ａの一端が穴１３の側壁から突き出ていても、他端は樹脂層１２内に固定されたままである。従って、穴１３の側壁からの突出物は除去されにくいと考えられる。
【００１９】
次いで、後工程では、穴１３の内部に残った残留物の除去と、穴１３の側壁の整形とを同時に並行して行なう。ここでいう残留物は、穴１３の底に付着しているフィラー１２ａのみならず穴１３の側壁から突出したフィラー１２ａも含む。後工程でも、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波であるパルスレーザ光を用いる。
【００２０】
パルスレーザ光を、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が３Ｊ／ｃｍ２になる条件で穴１３の内面に照射する。なお、パルスレーザ光をマスク投影法により、樹脂層１２に照射するのが好ましい。
【００２１】
後工程で用いるパルスレーザ光のパルス間隔は、前工程で用いるパルスレーザ光のパルス間隔よりも長くする。パルス間隔とは、パルスとその次のパルスとの間の時間をいう。パルスレーザ光のパルス間隔を長くする程、加工個所の放熱期間を長く確保できる。従って、後工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度より高くしたにも拘わらず、加工領域への蓄熱を緩和できる。これにより、樹脂層１２に亀裂が生じたり、あるいは樹脂層１２と銅ランド１１との間に剥離が生じてしてしまうこと等を防止できる。なお、パルスレーザ光のパルス間隔は、そのパルスレーザ光のパルス周波数を低下させることにより、長くすることができる。
【００２２】
１５ショット程度で、未除去部１４を除去して穴１３の側壁を切り立たせることができる。さらに、その過程で穴１３の内部に残った残留物を除去できる。こうして、図１（ｃ）に示すように、底部における銅ランド１１の露出面積が、穴１３のそれよりも広く、かつ内部に残留物が残されていないビアホール１５が完成する。
【００２３】
しかる後、図１（ｄ）に示すように、ビアホール１５の底面及び側面、並びに樹脂層１２の表面に銅層１６を形成する。銅層１６が、銅ランド１１と電気的に接続される。銅層１６と銅ランド１１との間に残留物が介在しないから、両者の導通不良を防止できる。
【００２４】
以上説明したように、本レーザ加工方法では、ビアホール１５の形成を２段階で行なう。ショット数の観点からいえば、ビアホール１５の形成に要するパルスレーザ光の総ショット数をＮ（ここでは、Ｎ＝５０）とすると、（３５／５０）×Ｎショット目を境として前工程と後工程とに分ける。即ち、前工程で用いるパルスレーザ光のショット数（Ｎ１）と、後工程で用いるパルスレーザ光のショット数（Ｎ２）との比を、Ｎ１：Ｎ２＝３５：１５とする。
【００２５】
そして、後工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度よりも高くすることにより、前工程で形成された穴１３の側壁からの突出物もきれいに除去できる。これにより、ビアホール１５の内部に残留物が残ってしまうことを防止できる。そのため、従来のデスミア工程が不要となり、加工効率の向上が図られる。
【００２６】
また、ビア加工を前工程と後工程の２段階に分け、後工程では前工程のときよりもパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を上げるという加工条件を見出したことにより、短繊維状フィラー１２ａが混入された樹脂層１２に、側壁の切り立ったビアホール１５を形成することが可能となった。
【００２７】
図２は、実施例によるレーザ加工装置を示す。本レーザ加工装置は、被加工基板１を保持するＸＹステージ２と、保持された被加工基板１へパルスレーザ光Ｌを照射するパルスレーザ光照射光学系３とを有する。
【００２８】
パルスレーザ光照射光学系３では、レーザ光源３１が、コントローラ４から与えられたトリガパルス信号Ｓに同期して、パルスレーザ光を出射する。レーザ光源３１は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振器等の固体レーザ発振器と、非線形光学結晶等の高調波発生器とを含む。詳細には、レーザ光源３１から出射されるパルスレーザは、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波（波長＝３５５ｎｍ）である。
【００２９】
レーザ光源３１から出射されるパルスレーザ光の光路上には、マスク３２、ガルバノスキャナ３３、及びｆθレンズ３４がこの順に配置されている。マスク３２は、レーザ光源３１から出射されたパルスレーザ光のビームサイズを制限する。ガルバノスキャナ３３は、ビームサイズの制限されたパルスレーザ光を二次元方向に走査する。ｆθレンズ３４は、走査されたパルスレーザ光を被加工基板１へ集束する。
【００３０】
レーザ光源３１から出射されたパルスレーザ光が、マスク投影法により被加工基板１の表面に照射される。即ち、被加工基板１の表面に、マスク３２の開口３２ａが、ｆθレンズ３４により所定の縮小率で結像される。
【００３１】
図３は、レーザ光源３１の出力特性を示す。横軸はパルスレーザ光のパルス周波数ｆを表し、縦軸はパルスレーザ光の平均パワーＰを表す。平均パワーＰがパルス周波数ｆに依存して変化する。従って、パルスレーザ光の平均パワーＰは、パルス周波数ｆを制御することにより間接的に制御できる。パルス周波数ｆは、トリガパルス信号Ｓの周波数に同調する。従って、トリガパルス信号Ｓの周波数（＝ｆ）に基づいて、パルスレーザ光の平均パワーＰを制御できる。
【００３２】
パルスレーザ光の１パルスあたりのエネルギは、Ｐ／ｆで与えられる。パルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は、Ｐ／ｆをパルスレーザ光の照射面におけるビームスポットの面積で除した値となる。パルスレーザ光の照射面におけるビームスポットの面積は、一つのビアホールを形成する過程で略一定とみなせる。従って、パルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は、コントローラ４において、トリガパルス信号Ｓの周波数（＝ｆ）に基づいて制御できる。
【００３３】
具体的に説明すると、図３に示すように、パルス周波数ｆが約５ｋＨｚの時に平均パワーＰが最大値を示す。パルス周波数ｆが約５ｋＨｚ以上の範囲では、ｆが小さい程、平均パワーＰが大きい。従ってこの範囲では、コントローラ４は、トリガパルス信号Ｓの周波数をあるｆ１という値からｆ２（＜ｆ１）という値へ低下させることにより、パルスレーザ光Ｌの照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を増大させる制御を行なえる。なお、パルスレーザ光Ｌのパルス周波数を低下させると、パルスレーザ光Ｌのパルス間隔は広がる。
【００３４】
図４は、コントローラ４が行う制御を説明する為のグラフである。横軸は時間を表し、縦軸はパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を表す。コントローラ４は、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度がＥ１となる条件でパルスレーザ光ＬをＮ１ショット照射させた後、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度がＥ２（＞Ｅ１）となる条件でパルスレーザ光ＬをＮ２ショット照射させる制御を行う。
【００３５】
前半のＮ１（例：Ｎ１＝３５）ショット分のパルスレーザ光によって、ビアホールが途中段階まで形成される。これが前工程である。前工程では、コントローラ４はトリガパルス信号Ｓの周波数、即ちパルスレーザ光Ｌのパルス周波数をｆ１＝４０ｋＨｚとする。これにより、パルスレーザ光Ｌの照射面における１パルスあたりのエネルギ密度がＥ１＝１Ｊ／ｃｍ２に設定される。なお、このときのパルスレーザ光のパルス間隔をｔ１とする。
【００３６】
後半のＮ２（例えばＮ２＝１５）ショット分のパルスレーザ光によって、穴１３の側壁の整形と残留物の除去とが同時に行なわれる。これが後工程である。後工程では、コントローラ４はトリガパルス信号Ｓの周波数を、ｆ２＝２０ｋＨｚへ低下させる。これにより、パルスレーザ光Ｌの照射面における１パルスあたりのエネルギ密度がＥ２＝３Ｊ／ｃｍ２に設定される。
【００３７】
パルス周波数を低下させたことにより、パルス間隔はｔ１よりも長いｔ２に設定される。このように、パルス周波数に基づいて、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を制御する場合、それと同時にパルス間隔も調節できる。パルス間隔を広げると、その分だけ加工個所の放熱期間を長く確保できるから、照射面における１パルスあたりのエネルギ密度を上げたにも拘わらず亀裂や剥離等の異常の発生を防止できる。
【００３８】
図５は、他の実施例によるレーザ加工装置を示す。第１の光源２１及び第２の光源２２が、それぞれパルスレーザ光Ｌ１及びＬ２を出射する。パルスレーザ光Ｌ１及びＬ２は、ともにＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波であり、それぞれ鉛直方向及び水平方向に直線偏光されている。第１の光源２１から出射したパルスレーザ光Ｌ１は、折り返しミラー２３で反射し、偏光板２４の表側の面に入射角４５°で入射する。第２の光源２２から出射したパルスレーザ光Ｌ２は、偏光板２４の裏側の面に入射角４５°で入射する。
【００３９】
偏光板２４は、鉛直方向に直線偏光されたパルスレーザ光Ｌ１を反射し、水平方向に直線偏光されたパルスレーザ光Ｌ２を透過させる。これにより、パルスレーザ光Ｌ１及びＬ２が同一の光路に沿って進む。その光路上には、マスク３２、ガルバノスキャナ３３、及びｆθレンズ３４がこの順に配置されている。
【００４０】
マスク３２は、パルスレーザ光Ｌ１又はＬ２のビームサイズを制限する。ガルバノスキャナ２５は、ビームサイズの制限されたパルスレーザ光Ｌ１又はＬ２を二次元方向に走査する。ｆθレンズ３４は、走査されたパルスレーザ光Ｌ１又はＬ２を集束する。ｆθレンズ３４によって集束されたパルスレーザ光Ｌ１又はＬ２が照射される位置には、被加工基板１がＸＹテーブル２によって保持されている。なお、パルスレーザ光Ｌ１又はＬ２は、それぞれマスク投影法により、被加工基板１に照射される。
【００４１】
第１の光源２１から出射されたパルスレーザ光Ｌ１の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は１Ｊ／ｃｍ２となる。一方、第２の光源２２から出射されるパルスレーザ光Ｌ２のピークパワーは、パルスレーザ光Ｌ１のピークパワーと同一であるが、そのパルス幅がパルスレーザ光Ｌ１のパルス幅よりも大きい。これにより、第２の光源２２から出射されたパルスレーザ光Ｌ２の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は３Ｊ／ｃｍ２となる。また、パルスレーザ光Ｌ２のパルス間隔は、パルスレーザ光Ｌ１のパルス間隔よりも大きい。
【００４２】
コントローラ２５が、まず第１の光源２１に、３５ショット分のパルスレーザ光Ｌ１を照射させる。このとき、第２の光源２２からはパルスレーザ光Ｌ２が出射しない。この期間が前工程である。次に、コントローラ２５は、第２の光源２２に、１５ショット分のパルスレーザ光Ｌ２を照射させる。このとき、第１の光源２１からはパルスレーザ光Ｌ１が出射しない。この期間が後工程である。
【００４３】
このように、前工程と後工程とでそれぞれ別々の光源２１及び２２を用いる場合、一つのビアホールを形成する過程でパルス周波数を変化させる制御が不要となるから、コントローラ２５が行う制御を簡略化できる。なお、出射するパルスレーザ光のパルス幅を調節できる光源を用いる場合には、前工程と後工程とで同一の光源を用いてもよい。
【００４４】
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、後工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は、特に３Ｊ／ｃｍ２に限られず、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度より大きく、かつ銅ランド１１をアブレーションさせる閾値（８Ｊ／ｃｍ２）以下であればよい。
【００４５】
また、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度も特に１Ｊ／ｃｍ２に限られない。但し、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度が高すぎると、銅ランド１１が当該レーザ光を過剰に吸収してしまうことになり、銅ランド１１の熱膨張に起因して剥離等の異常が発生してしまうことが考えられる。そこで、前工程で用いるパルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は２Ｊ／ｃｍ２以下とするのが望ましいであろう。
【００４６】
また、ビアホールの形成に用いるパルスレーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波に限らず、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波（波長５３２ｎｍ）であってもよい。また、波長が５３２ｎｍ以下の固体レーザ光であれば好適に用いることができる。
【００４７】
また、パルスレーザ光の照射面における１パルスあたりのエネルギ密度は、バリアブルアッテネータ等の光強度調節手段を用いて調節してもよい。また、前工程及び後工程では、ビーム断面内における強度分布を均一に近づけたレーザ光を用いてもよい。
【００４８】
また、上記実施例では、ビアホール１５の底に銅ランド１１を露出させた。ビアホールの底に、パッド等の端子やそれに接続された配線パターン等を露出させる場合にも実施例と同様の効果が得られるであろう。また、樹脂層に、ガラス繊維が混入されている場合にも実施例と同様の効果が得られるであろう。この他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、ビアホールの内部に残留物が残ってしまうことを防止できる。本発明によれば、内部に残留物が残されていない状態のビアホールを効率的に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例によるレーザ加工方法の対象となる被加工基板の断面図である。
【図２】実施例によるレーザ加工装置の概略図である。
【図３】Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波の出力特性を模式的に示すグラフである。
【図４】実施例によるレーザ加工方法におけるパルスレーザ光の照射フローを模式的に示すグラフである。
【図５】他の実施例によるレーザ加工装置の概略図である。
【符号の説明】
１１  銅ランド（金属層）
１２  樹脂層（被加工層）
１２ａ  短繊維状フィラー
１３  途中段階まで形成されたビアホール
１５  ビアホール
【図１】
2005028369.tif 000003
【図２】
2005028369.tif 000004
【図３】
2005028369.tif 000005
【図４】
2005028369.tif 000006
【図５】
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