(57)【要約】【課題】空間を挟んで第１、第２電極が設けられたマイクロマシンの製造において、電極形成の際の研磨工程におけるディッシングを抑制して、空間を高精度に形成することで、電気的特性の向上を図る。【解決手段】基板１０上にストッパ膜１４を表面に設けた第１電極１５を形成し、基板１０上に第１電極１５を被覆するとともにストッパ膜１４を含む第１電極１５の厚さよりも厚く絶縁膜（第２絶縁膜１６）を形成し、第２絶縁膜１６を研磨してストッパ膜１４を露出するとともに研磨表面を平坦化し、第１電極１５上のストッパ膜１４に開口部１７を形成した後に、開口部１７に犠牲膜１８を埋め込み、犠牲膜１８表面と同様に第２絶縁膜１６表面を平坦化し、第２絶縁膜１６上に犠牲膜１８上を横切る第２電極２０を形成し、犠牲膜１８を除去して第１電極１５と第２電極２０との間に空間２１を形成することを解決手段とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にストッパ膜を表面に設けた第１電極を形成する工程と、
前記基板上に前記第１電極を被覆するとともに前記ストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を研磨して前記ストッパ膜を露出するとともに研磨表面を平坦化する工程と、
前記第１電極上の前記ストッパ膜に開口部を形成した後に、前記開口部に犠牲膜を埋め込み、前記犠牲膜表面を前記絶縁膜表面と同様に平坦化する工程と、
前記犠牲膜上を横切るように前記絶縁膜上に第２電極を形成する工程と、
前記犠牲膜を除去して前記第１電極と前記第２電極との間に空間を形成する工程と
を備えたことを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜は高密度プラズマ酸化シリコン膜で形成される
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシンの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記ストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く形成する厚さは５０ｎｍ以下とする
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシンの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜の研磨は、酸化セリウム系スラリーを用いた化学的機械研磨により行う
ことを特徴とする請求項１記載にマイクロマシンの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜の研磨は、酸化セリウム系スラリーを用いた化学的機械研磨を行った後、水のみを供給する化学的機械研磨を行う
ことを特徴とする請求項４記載にマイクロマシンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロマシンの製造方法に関し、詳しくは半導体装置に集積可能な周波数選択機能（周波数フィルタ機能）を有するマイクロマシンおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセス技術を用いて作製される微小振動子は、素子の占める面積が小さいこと、高いＱ値を実現ができること、他の半導体装置との集積化が可能であるという特徴により、無線通信デバイスの中でもＩＦフィルタ、ＲＦフィルタとしての利用がミシガン大学をはじめとする研究機関から提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで、無線通信用の高周波フィルタの従来技術を図４の概略構成断面図によって説明する。図４に示すように、微小振動子１０１は以下のような構成となっている。基板１１１上に設けられた出力電極１１２の上方に、空間１２１を介して振動子電極１１３が配置されているものである。上記振動子電極１１３には、入力電極１１４が接続されている。
【０００４】
次に、上記微小振動子の動作を以下に説明する。上記入力電極１１４に特定の周波数電圧が印加された場合、出力電極１１２上に空間１２１を介して設けられた振動子電極１１３のビーム（振動部）１１３ａが固有振動周波数で振動し、出力電極１１２とビーム（振動部）１１３ａとの間の空間１２１で構成されるキャパシタの容量が変化し、これが出力電極１１２から電圧として出力される（例えば、非特許文献１参照）。このような構成の微小振動子１０１からなる高周波フィルタは、表面弾性波（ＳＡＷ）や薄膜弾性波（ＦＢＡＲ）を利用した高周波フィルタと比較して、高いＱ値を実現することができる。
【０００５】
上記製造方法の一例を図５に製造工程図によって説明する。
【０００６】
図５（１）に示すように、シリコン基板２１１上に酸化シリコン膜２１２、窒化シリコン膜２１３、酸化シリコン膜２１４を順次形成する。次いで、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術により、酸化シリコン膜２１４に出力電極を形成する溝２１５を形成する。
【０００７】
次いで、図５（２）に示すように、上記酸化シリコン膜２１４上に上記溝２１５を埋め込むように出力電極となるポリシリコン膜２１６を形成する。その後、化学的機械研磨により、上記酸化シリコン膜２１４上のポリシリコン膜２１６を研磨し、図５（３）に示すように、溝２１５の内部のみにポリシリコン膜２１６を残して、出力電極２１７とする。
【０００８】
次いで、図５（４）に示すように、上記酸化シリコン膜２１４上に上記出力電極２１７を被覆する窒化シリコン膜２１８を形成する。そしてリソグラフィー技術とエッチング技術とにより、出力電極２１７上の窒化シリコン膜２１８に開口部２１９を形成する。さらにこの開口部２１９を埋め込むように酸化シリコン膜からなる犠牲膜２２０を形成する。このとき、研磨等によって、犠牲膜２２０表面と窒化シリコン膜２１８表面とを同一平面となるように平坦化しておく。その後、上記犠牲膜２２０を横切るように振動子電極２２１を形成する。
【０００９】
次いで、図５（５）に示すように、上記犠牲膜２２０〔前記図５の（４）参照〕を選択的にエッチング除去して、振動子電極２２１と出力電極２１７との間に空間２２２を形成する。その後、振動子電極２２１に接続する入力電極（図示せず）を形成する。このようにして、微小振動子２０１が構成される。
【００１０】
【非特許文献１】
Ｃ．Ｔ．−Ｃ．Ｎｇｕｙｅｎ，”Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚｅｄ  ｌｏｗ−ｐｏｗｅｒ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ｉｎｖｉｔｅｄ  ｐｌｅｎａｒｙ），”ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，１９９９  ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ＲＦ  ＭＥＭＳ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ，Ｊｕｎｅ，１８，１９９９，Ｐ．４８−７７．
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の製造方法では、出力電極を形成する際に、溝にポリシリコン膜を埋め込んだ後、研磨により酸化シリコン膜上のポリシリコン膜を除去している。理想的には、このプロセスで表面が平坦化され平坦な出力電極が形成されるが、実際には大きなディッシングが発生し所望の形状を得ることが出来ない。すなわち、図６に示すように、ポリシリコン膜２１６表面を大きく削るディッシングが発生する。このディッシングは、溝２１５周囲の酸化シリコン膜２１４をも削ることになる。このようなディッシングが発生すると、出力電極と振動子電極との間に形成される空間が設計値通りに形成することが困難になり、所望の周波数特性が得られなくなる。特に、出力電極幅が数μｍ以上のものでは、溝２１５をポリシリコン膜２１６で完全に埋め込む状態に残すことはできず、特に幅広電極においては上記ディッシングの問題が更に大きくなる。
【００１２】
また、ポリシリコン膜のディッシングを抑制するために、出力電極を形成する溝を形成する前もしくは溝を形成した後に、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜からなる研磨ストッパ膜を形成し、その後、出力電極となるポリシリコン膜を溝に埋め込む製造方法もある。しかしながら、図７に示すように、酸化シリコン膜２１４上に窒化シリコン膜からなる研磨ストッパ膜２３１を形成しても、ポリシリコン膜２１６の研磨時にディッシングが発生する。研磨ストッパ膜２３１を形成したほうが前記図６に示した研磨ストッパ膜２３１を形成しない場合よりディッシング量は低減されるが、ディッシングの抑制は不十分であり、出力電極と振動子電極との間に形成される空間が設計値通りに形成することが困難になり、所望の周波数特性が得られなくなる。
【００１３】
たとえ、酸化シリコン膜上のポリシリコン膜を完全に除去するためにオーバ研磨を行わなかったにしても、ポリシリコン研磨のパッド、スラリーの特性からそのディッシングを抑制することは困難であった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたマイクロマシンの製造方法である。
【００１５】
本発明のマイクロマシンの製造方法は、基板上にストッパ膜を表面に設けた第１電極を形成する工程と、前記基板上に前記第１電極を被覆するとともに前記ストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を研磨して前記ストッパ膜を露出するとともに研磨表面を平坦化する工程と、前記第１電極上の前記ストッパ膜に開口部を形成した後に、前記開口部に犠牲膜を埋め込み、前記犠牲膜表面を前記絶縁膜表面と同様に平坦化する工程と、前記犠牲膜上を横切るように前記絶縁膜上に第２電極を形成する工程と、前記犠牲膜を除去して前記第１電極と前記第２電極との間に空間を形成する工程とを備えている。
【００１６】
上記マイクロマシンの製造方法では、ストッパ膜を表面に設けた第１電極を形成した後に第１電極を被覆するようにかつストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く絶縁膜を形成し、その後絶縁膜を研磨してストッパ膜を表出させるとともに研磨表面を平坦化することから、第１電極が研磨によるディッシングを受けなくなる。そして、第１電極上に形成されるストッパ膜に開口部を形成した後に、開口部に犠牲膜を埋め込み、この犠牲膜上を横切るように第２電極を形成し、その後に犠牲膜を除去して第１電極と第２電極との間に空間を形成しているので、ストッパ膜の厚さによって、第１電極と第２電極との間隔を決定することができ、空間による電極間隔を高精度に形成することが可能になる。
【００１７】
また、絶縁膜を高密度プラズマ（ＨＤＰ：Ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）酸化シリコン膜で形成することから、絶縁膜を異方的に堆積して形成することができる。すなわち、第１電極上の絶縁膜の堆積と基板上の絶縁膜の堆積とが互いに影響されずに行われるため、ストッパ膜を含む第１電極とほぼ同等の厚さに、基板上に絶縁膜を堆積させたときには、第１電極上には断面台形状に絶縁膜が堆積される。このＨＤＰ酸化シリコン膜は、高密度プラズマＣＶＤ法によって形成される酸化シリコン膜である。
【００１８】
その際、絶縁膜を、ストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く形成し、その厚く形成する厚さを５０ｎｍ以下とすることにより、その後の研磨では、第１電極上の絶縁膜を選択的に除去することができ、また、基板上の第２絶縁膜と同等の高さに第１電極上の絶縁膜を除去した後は、研磨スラリーの供給を停止し、例えば水だけを供給して研磨するいわゆる水研磨を行うことによって、第１電極上に残されている絶縁膜を研磨する際に、第１電極周囲の絶縁膜にディッシングを起こさずに、絶縁膜表面の全面を平坦化研磨することが可能になる。一方、絶縁膜を厚く形成する厚さが５０ｎｍ超えると、第１電極上の断面台形状に形成された絶縁膜を研磨した後に第１電極上に残される絶縁膜の厚さが厚くなるため、水研磨によって、第１電極上に形成されているストッパ膜を表出させることが困難になる。ここで、スラリーを用いた研磨を行うと、オーバ研磨を行った際に、基板上に形成されている絶縁膜にディッシングが発生することになる。そこで、絶縁膜を厚く形成する厚さは５０ｎｍ以下とする必要がある。また、基板上に形成される絶縁膜の厚さがストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも薄いと、当然、ストッパ膜表面を含む絶縁膜表面の平坦化が困難になる。
【００１９】
さらに、絶縁膜の研磨を、酸化セリウム系スラリーを用いた化学的機械研磨により行うことから、第１電極上の断面台形状に形成された絶縁膜の研磨が基板上に形成された絶縁膜にディッシングを発生させることなく可能になる。したがって、第１電極およびストッパ膜の厚さのばらつきは成膜時の厚さばらつきのみとなる。その結果、第１電極および第１電極上の第２電極との空間は、所望の形状を得ることが可能となり、このマイクロマシンを高周波フィルタとして用いた場合、設計値通りの電気的特性を得ることが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のマイクロマシンの製造方法に係る一実施の形態を、図１〜図３の製造工程図によって説明する。図１および図２（５）〜（７）および図３（９）は概略構成断面図を示し、図２（８）および図３（１０）は平面レイアウト図を示す。
【００２１】
図１（１）に示すように、シリコン基板１１上に第１絶縁膜１２を形成する。この第１絶縁膜１２は、一例として、下層より酸化シリコン膜１２１、窒化シリコン膜１２２を積層して形成する。このようにして、表面に絶縁膜が形成された基板１０を形成する。次いで第１絶縁膜１２上に第１電極を形成するための導電膜１３を形成する。この導電膜１３には、例えば、ポリシリコン膜を用いる。このポリシリコン膜は成膜時に導電性物質を含む状態としてもよく、成膜後に導電性物質をドーピングしてもよい。さらに導電膜１３上にストッパ膜１４を形成する。このストッパ膜１４は、後に形成される第２電極とこの導電膜で形成される第１電極との間隔を決定する膜厚に形成されるものであり、かつ後に行う平坦化研磨の際に研磨ストッパとなるものであり、例えば窒化シリコン膜で形成される。
【００２２】
次いで、図１（２）に示すように、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術（例えば、反応性イオンエッチング技術）により、ストッパ膜１４、導電膜１３をパターニングして第１電極１５を形成する。この第１電極１５は出力電極となるものである。
【００２３】
次いで、図１（３）に示すように、上記基板１０（第１絶縁膜１２）上に、上記ストッパ膜１４を含む第１電極１５を被覆するように、絶縁膜（第２絶縁膜）１６を形成する。この第２絶縁膜１６は、（ＨＤＰ：Ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ法により酸化シリコン膜で形成することが好ましい。ＨＤＰＣＶＤ法では、第１電極１５上の第２絶縁膜１６の堆積と基板１０上の第２絶縁膜１６の堆積とが互いに影響されずに行われるため、ストッパ膜１４を含む第１電極１５とほぼ同等の厚さに、基板１０上に第２絶縁膜１６を堆積させたときには、第１電極１５上には断面台形状に第２絶縁膜１６が堆積される。その際、第２絶縁膜１６を、ストッパ膜１４を含む第１電極１５の厚さよりも厚く形成し、その厚く形成する厚さｔを５０ｎｍ以下とする。
【００２４】
次いで、図１（４）に示すように、化学的機械研磨により、上記ストッパ膜１４を含む第１電極１５上の第２絶縁膜１６を研磨し、さらにストッパ膜１４を表出させるように第２絶縁膜１６を研磨する。この研磨条件としては、研磨スラリーに酸化セリウム系スラリーを用いる。この酸化セリウム系スラリーは一般に市販されているものを用いることができる。また、研磨パッドには発泡ポリウレタン樹脂製のものを用いた。研磨圧力を３００ｈＰａ、被研磨体が保持される研磨定盤の回転数を１００ｒｐｍ、研磨パッドが保持される研磨ヘッドの回転数を１０７ｒｐｍに設定し、スラリーの供給流量を２００ｃｍ３／ｍｉｎ、研磨雰囲気の温度を２５℃〜３０℃とした。また研磨では３０秒のオーバ研磨を行った。このオーバ研磨では、スラリーの供給を停止し、水のみを供給して残された第２絶縁膜１６を研磨するいわゆる水研磨を、ストッパ膜１４表面を研磨ストッパ面として行った。その結果、ストッパ膜１４上の第２絶縁膜１６は完全に除去され、ストッパ膜１４表面を含む第２絶縁膜１６表面が平坦化された。
【００２５】
次いで、図２（５）に示すように、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術とにより、第１電極１５上のストッパ膜１４に開口部１７を形成する。
【００２６】
次いで、図２（６）に示すように、上記開口部１７を埋め込むように犠牲膜１８を形成する。この犠牲膜１８は、ストッパ膜１４に対して選択的にエッチングされる膜であればよく、ここではストッパ膜１４が窒化シリコン膜で形成されているので、例えば酸化シリコン膜で形成される。その成膜方法は、例えばＣＶＤ法を用いることができる。ＣＶＤ法により、開口部１７を埋め込むとともに開口部１７以外の領域（ストッパ膜１４上、第２絶縁膜１６上）にも犠牲膜１８を成膜する。その後、研磨等によって、犠牲膜１８表面とストッパ膜１４表面とが同一平面となるように平坦化する。この研磨では、例えば化学的機械研磨を用いることができ、犠牲膜１８のディッシングを抑制する研磨方法により研磨を行うことが好ましい。例えば、上記説明したような、酸化セリウム系スラリーを用いた研磨によりディッシングを抑制した研磨を行うことができる。
【００２７】
次いで、図２（７）の断面図および（８）の平面レイアウト図に示すように、上記犠牲膜１８、ストッパ膜１４および第２絶縁膜１６上に第２電極となる導電膜１９を成膜する。この導電膜１９には、例えば、ポリシリコン膜を用いる。このポリシリコン膜は成膜時に導電性物質を含む状態としてもよく、成膜後に導電性物質をドーピングしてもよい。次いで、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術（例えば、反応性イオンエッチング技術）により、上記犠牲膜１８を横切るように導電膜１９をパターニングして、第２電極２０を形成する。このとき、第２電極２０の両側には上記犠牲膜１８が表出されている。この第２電極２０は振動子電極となるものである。
【００２８】
その後、図３（９）および（１０）の平面レイアウト図に示すように、上記犠牲膜１８〔前記図２の（７）参照〕を選択的にエッチング（例えば、等方性エッチング）により除去して、第２電極２０と第１電極１５との間に空間２１を形成する。その後、第２電極２０の一端部に接続する入力電極（図示せず）を形成する。このようにして、マイクロマシン１が構成される。
【００２９】
次に、上記製造方法により製造されるマイクロマシン１の動作を簡単に説明する。入力電極に特定の周波数電圧が印加された場合に、振動子電極である第２電極２０が固有振動周波数で振動し、第２電極２０と空間２１を介して形成されている出力電極の第１電極１５と第２電極２０との間隔が固有振動周波数で変化する。これにより、振動子電極である第２電極２０と出力電極である第２電極１５との間の空間２１で構成されるキャパシタの容量が変化する。このキャパシタ容量が変化し、これが第１電極１５から電圧として出力される。このような構成の微小振動子からなる高周波フィルタは、表面弾性波（ＳＡＷ）や薄膜弾性波（ＦＢＡＲ）を利用した高周波フィルタと比較して、高いＱ値を実現することができる。
【００３０】
上記マイクロマシン１の製造方法では、ストッパ膜１４を表面に設けた第１電極１５を形成した後に第１電極１５を被覆する第２絶縁膜１６をストッパ膜１４を含む第１電極１５の厚さよりも厚く形成し、その後第２絶縁膜１６を研磨してストッパ膜１４を露出するとともに研磨表面を平坦化することから、第１電極１５が研磨によるディッシングを受けなくなる。また、第１電極１５上に形成されるストッパ膜１４に開口部１７を形成した後に、その開口部１７に犠牲膜１８を埋め込み、この犠牲膜１８上を横切るように第２電極２０を形成し、その後に犠牲膜１８を除去して第１電極１５と第２電極２０との間に空間２１を形成しているので、ストッパ膜１４の厚さによって、第１電極１５と第２電極２０との間隔を決定することができ、電極間隔を正確に形成することが可能になる。
【００３１】
また、第２絶縁膜１６を高密度プラズマ（ＨＤＰ：Ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）酸化シリコン膜で形成することから、第２絶縁膜１６を異方的に堆積して形成することができる。すなわち、第１電極１５上の第２絶縁膜１６の堆積と基板１０上の第２絶縁膜１６の堆積とが互いに影響されずに行われるため、ストッパ膜１４を含む第１電極１５とほぼ同等の厚さに、基板１０上に第２絶縁膜１６を堆積させたときには、第１電極１５上には断面台形状に第２絶縁膜１６が堆積される。
【００３２】
その際、第２絶縁膜１６を、ストッパ膜１４を含む第１電極１５の厚さよりも厚く形成し、その厚く形成する厚さを５０ｎｍ以下とすることにより、その後の研磨では、第１電極１５上の第２絶縁膜１６を選択的に除去することができ、また、基板１０上の第２絶縁膜１６と同等の高さに第１電極１５上の第２絶縁膜１６を除去した後は、研磨スラリーの供給を停止し、例えば水だけを供給して研磨するいわゆる水研磨を行うことによって、第１電極１５上に残されている第２絶縁膜１６を研磨する際に、第１電極１５周囲の第２絶縁膜１６にディッシングを起こさずに、第２絶縁膜１６表面の全面を平坦化研磨することが可能になる。一方、第２絶縁膜１６を厚く形成する厚さが５０ｎｍ超えると、第１電極１５上の断面台形状に形成された第２絶縁膜１６を研磨した後に第１電極１５上に残される第２絶縁膜１６の厚さが厚くなるため、水研磨によって、第１電極１５上に形成されているストッパ膜１４を表出させることが困難になる。ここで、スラリーを用いた研磨を行うと、オーバ研磨を行った際に、基板１０上に形成されている第２絶縁膜１６にディッシングが発生することになる。そこで、第２絶縁膜１６を厚く形成する厚さは５０ｎｍ以下とする必要がある。また、基板１０上に形成される第２絶縁膜１６の厚さがストッパ膜１４を含む第１電極１５の厚さよりも薄いと、当然、ストッパ膜１４表面を含む第２絶縁膜１６表面の平坦化が困難になる。
【００３３】
さらに、第２絶縁膜１６の研磨を、酸化セリウム系スラリーを用いた化学的機械研磨により行うことから、第１電極１５上の断面台形状に形成された第２絶縁膜１６の研磨が基板１０上に形成された第２絶縁膜１６にディッシングを発生させることなく可能になる。したがって、第１電極１５およびストッパ膜１４の厚さのばらつきは成膜時の厚さばらつきのみとなる。その結果、第１電極１５および第１電極１５上の第２電極２０との空間２１は、所望の形状を得ることが可能となり、このマイクロマシン１を高周波フィルタとして用いた場合、設計値通りの電気的特性を得ることが可能となる。
【００３４】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明のマイクロマシンの製造方法によれば、表面にストッパ層を設けた第１電極を形成した後に絶縁膜（第２絶縁膜）を形成し、その第２絶縁膜を研磨により平坦化するとともにストッパ膜を表出させるので、第１電極およびストッパ膜にディッシングを発生させることがない。そして、第１電極上のストッパ膜に開口部を形成し、その開口部に犠牲膜を埋め込み、この犠牲膜上に第２電極を形成した後、犠牲膜を除去して空間を形成するので、空間における第１、第２電極間の距離を高精度に形成することができ、空間とこの空間を挟む第１、第２電極とで構成されるキャパシタが高精度に形成できる。よって、このマイクロマシンを高周波フィルタとして用いた場合、第２電極に電圧を印加することで振動する第２電極の固有振動数による第１電極からの出力精度を高めることができ、所望の優れた電気的特性が得られる。
【００３５】
また、絶縁膜はＨＤＰ酸化シリコン膜で形成され、酸化セリウム系スラリーを用いて絶縁膜を研磨することから、第１電極にディッシングを発生させることなく、また、絶縁膜にもディッシングを発生させることなく、ストッパ膜を含めて絶縁膜表面を平坦化研磨することができる。特に、絶縁膜は、ストッパ膜を含む第１電極の厚さよりも厚く形成する厚さは５０ｎｍ以下とすることにより、ストッパ膜上の絶縁膜の研磨が容易になるとともに、ストッパ膜上以外の基板上の絶縁膜を容易に平坦化研磨できる。さらに、酸化セリウム系スラリーを用いた化学的機械研磨を行った後、水のみを供給する化学的機械研磨を行うことにより、さらに、高精度な平坦化研磨が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロマシンの製造方法に係る一実施の形態を示す製造工程図である。
【図２】本発明のマイクロマシンの製造方法に係る一実施の形態を示す製造工程図である。
【図３】本発明のマイクロマシンの製造方法に係る一実施の形態を示す製造工程図である。
【図４】従来の高周波フィルタの概略構成断面図である。
【図５】従来の高周波フィルタの製造工程断面図である。
【図６】従来の高周波フィルタの製造方法における課題を示す概略構成断面図である。
【図７】従来の高周波フィルタの製造方法における課題を示す概略構成断面図である。
【符号の説明】
１…マイクロマシン、１０…基板、１４…ストッパ膜、１５…第１電極、１６…絶縁膜（第２絶縁膜）、１７…開口部、１８…犠牲膜、２０…第２電極、２１…空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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