(57)【要約】【課題】  伝送損失を低減するとともに、機械的強度を確保することの可能な伝送線路およびその作製方法を提供する。【解決手段】  本発明の伝送線路は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体の両側に形成された電極とによって構成されていることを特徴としている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に形成されたくぼみと、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体の両側に形成された電極とによって構成されていることを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体とによって構成されていることを特徴とする伝送線路。
【請求項３】
基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体上に形成され空洞と、前記空洞上に形成された上面電極とによって構成されていることを特徴とする伝送線路。
【請求項４】
請求項３記載の伝送線路において、前記下面電極と前記上面電極とが、前記くぼみの外側において接続されて同電位とされていることを特徴とする伝送線路。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の伝送線路において、前記中心導体上に空洞を介して保護用蓋が設けられていることを特徴とする伝送線路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４又はそれらの混合膜又は積層膜よりなることを特徴とする伝送線路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、有機膜よりなることを特徴とする伝送線路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、スリットを有することを特徴とする伝送線路。
【請求項９】
少なくとも基板上にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体と中心導体の両側の電極パターンとを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ基板をエッチングしてくぼみを形成する工程とを含むことを特徴とする伝送線路の作製方法。
【請求項１０】
少なくとも基板にくぼみを形成する工程と、少なくとも前記くぼみの底面に下面電極を形成する工程と、くぼみを犠牲層で埋めこむ工程と、犠牲層でくぼみを埋め込んだ基板表面にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体パターンを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ犠牲層を除去する工程とを含むことを特徴とする伝送線路の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、データ伝送の大容量化が進み、それに伴い、伝送線路の高周波化が求められている。又、機器の小型化に伴い伝送線路の微細化も必要となっている。従来の伝送線路においては、中心導体および下面電極形成のための基板材料および誘電体材料の誘電率の影響を受け、線路伝搬の電磁波の速度が低下し、伝搬遅延時間が大きくなり、同時に線路周辺の浮遊容量も大となり線路の高速化と高周波特性に対して障害となっていた。
【０００３】
このような問題を解決するため、例えば特許文献１では、基板およびその上に形成されている下面電極と中心導体とが空隙をもって配置し得るように支柱および横板部で中心導体を支持する構造としており、これにより、低損失の伝送線路が得られる。
【特許文献１】特開２００１−２８５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１の伝送線路では、支柱および横板部において伝送線路の特性インピーダンスが変化するため、伝送損失が発生すること、及び、支持されて無い部分の伝送線路の強度（機械的強度）が劣り、信頼性に懸念が有るという問題があった。
【０００５】
本発明は、伝送損失を低減するとともに、機械的強度を確保することの可能な伝送線路およびその作製方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体の両側に形成された電極とによって構成されていることを特徴としている。
【０００７】
また、請求項２記載の発明は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体とによって構成されていることを特徴としている。
【０００８】
また、請求項３記載の発明は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体上に形成され空洞と、前記空洞上に形成された上面電極とによって構成されていることを特徴としている。
【０００９】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の伝送線路において、前記下面電極と前記上面電極とが、前記くぼみの外側において接続されて同電位とされていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項５記載の発明は、請求項１または請求項２記載の伝送線路において、前記中心導体上に空洞を介して保護用蓋が設けられていることを特徴としている。
【００１１】
また、請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４又はそれらの混合膜又は積層膜よりなることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、有機膜よりなることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、スリットを有することを特徴としている。
【００１４】
また、請求項９記載の発明は、少なくとも基板上にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体と中心導体の両側の電極パターンとを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ基板をエッチングしてくぼみを形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００１５】
また、請求項１０記載の発明は、少なくとも基板にくぼみを形成する工程と、少なくとも前記くぼみの底面に下面電極を形成する工程と、くぼみを犠牲層で埋めこむ工程と、犠牲層でくぼみを埋め込んだ基板表面にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体パターンを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ犠牲層を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１乃至請求項８記載の発明によれば、機械的強度を確保するとともに、基板材料、中心導体周辺の誘電体材料の誘電率の影響を受けない伝送線路を実現することができる。
【００１７】
即ち、中心導体をメンブレン薄膜で支えて機械的強度を確保するとともに、中心導体の周辺に空隙を設け、中心導体周辺の誘電率を１とすることにより、ＲＣ遅延及び誘電損を大幅に低減した伝送線路を実現できる。
【００１８】
より具体的に、請求項１記載の伝送線路では、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体の両側に形成された電極とによって構成されているので、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００１９】
また、請求項２記載の伝送線路では、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体とによって構成されているので、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００２０】
また、請求項３記載の伝送線路では、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体上に形成され空洞と、前記空洞上に形成された上面電極とによって構成されているので、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供でき、さらに、伝送線路を外力から保護することが可能となる。
【００２１】
また、請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の伝送線路において、前記下面電極と前記上面電極とが、前記くぼみの外側において接続されて同電位とされているので、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００２２】
また、請求項５記載の発明によれば、請求項１または請求項２記載の伝送線路において、前記中心導体上に空洞を介して保護用蓋が設けられているので、伝送線路を外力から保護することが可能となる。
【００２３】
また、請求項６記載の発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４又はそれらの混合膜又は積層膜よりなるので、機械的強度に優れ、かつ加工の容易なメンブレン膜を提供でき、本発明の伝送線路を容易に作製できるとともに、信頼性を向上できる。
【００２４】
また、請求項７記載の発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、有機膜よりなるので、加工が容易でかつ誘電率の低いメンブレン膜を提供でき、伝送線路を容易に作製できるとともに、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができる。
【００２５】
また、請求項８記載の発明によれば、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、スリットを有するので、基板の空洞を容易に形成できるとともに、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができる。
【００２６】
また、請求項９記載の発明によれば、少なくとも基板上にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体と中心導体の両側の電極パターンを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ基板をエッチングしてくぼみを形成する工程とを含むことを特徴とする伝送線路の作製方法により、請求項１、６、７、８の伝送線路を得ることができる。
【００２７】
また、請求項１０記載の発明によれば、少なくとも基板にくぼみを形成する工程と、少なくとも前記くぼみの底面に下面電極を形成する工程と、くぼみを犠牲層で埋めこむ工程と、犠牲層でくぼみを埋め込んだ基板表面にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体パターンを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ犠牲層を除去する工程とを含むことを特徴とする伝送線路の作製方法により、請求項２、３、４、６、７、８の伝送線路を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２９】
（第１の形態）
本発明の第１の形態の伝送線路は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体の両側に形成された電極とによって構成されていることを特徴としている。
【００３０】
この第１の形態の伝送線路では、中心導体をメンブレン薄膜で支えて機械的強度を確保することができる。また、中心導体の周辺に空隙を設け、中心導体周辺の誘電率を１とすることにより、ＲＣ遅延及び誘電損を大幅に低減した伝送線路を実現できる。すなわち、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００３１】
（第２の形態）
本発明の第２の形態の伝送線路は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体とによって構成されていることを特徴としている。
【００３２】
この第２の形態の伝送線路では、中心導体をメンブレン薄膜で支えて機械的強度を確保することができる。また、中心導体の周辺に空隙を設け、中心導体周辺の誘電率を１とすることにより、ＲＣ遅延及び誘電損を大幅に低減した伝送線路を実現できる。すなわち、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００３３】
（第３の形態）
本発明の第３の形態の伝送線路は、基板と、前記基板に形成されたくぼみと、少なくとも前記くぼみの底面部に形成された下面電極と、前記くぼみ上に形成されたメンブレン薄膜と、前記メンブレン薄膜上に形成された中心導体と、前記中心導体上に形成され空洞と、前記空洞上に形成された上面電極とによって構成されていることを特徴としている。
【００３４】
この第３の形態の伝送線路では、中心導体をメンブレン薄膜で支えて機械的強度を確保することができる。また、中心導体の周辺に空隙を設け、中心導体周辺の誘電率を１とすることにより、ＲＣ遅延及び誘電損を大幅に低減した伝送線路を実現できる。すなわち、線路周辺の実効誘電率をほぼ１とすることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。さらに、伝送線路を外力から保護することが可能となる。
【００３５】
（第４の形態）
本発明の第４の形態は、第３の形態の伝送線路において、前記下面電極と前記上面電極とが、前記くぼみの外側において接続されて同電位とされていることを特徴としている。
【００３６】
この第４の形態では、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができ、伝搬遅延時間がほぼ真空の場合と同程度となる伝送線路を提供できる。
【００３７】
（第５の形態）
本発明の第５の形態は、第１または第２の形態の伝送線路において、前記中心導体上に空洞を介して保護用蓋が設けられていることを特徴としている。
【００３８】
第５の形態では、伝送線路を外力から保護することが可能となる。
【００３９】
（第６の形態）
本発明の第６の形態は、第１乃至第５のいずれかの形態の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４又はそれらの混合膜又は積層膜よりなることを特徴としている。
【００４０】
第６の形態では、機械的強度に優れ、かつ加工の容易なメンブレン膜を提供でき、本発明の伝送線路を容易に作製できるとともに、信頼性を向上できる。
【００４１】
（第７の形態）
本発明の第７の形態は、第１乃至第５のいずれかの形態の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、有機膜よりなることを特徴としている。
【００４２】
第７の形態では、加工が容易でかつ誘電率の低いメンブレン膜を提供でき、伝送線路を容易に作製できるとともに、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができる。
【００４３】
（第８の形態）
本発明の第８の形態は、第１乃至第７のいずれかの形態の伝送線路において、前記メンブレン薄膜は、スリットを有することを特徴としている。
【００４４】
第８の形態では、基板の空洞を容易に形成できるとともに、線路周辺の実効誘電率をさらに１に近付けることができる。
【００４５】
（第９の形態）
本発明の第９の形態の伝送線路の作製方法は、少なくとも基板上にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体と中心導体の両側の電極パターンとを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ基板をエッチングしてくぼみを形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００４６】
第９の形態では、第１、第６、第７、第８の形態の伝送線路を得ることができる。
【００４７】
（第１０の形態）
本発明の第１０の形態の伝送線路の作製方法は、少なくとも基板にくぼみを形成する工程と、少なくとも前記くぼみの底面に下面電極を形成する工程と、くぼみを犠牲層で埋めこむ工程と、犠牲層でくぼみを埋め込んだ基板表面にメンブレン薄膜を形成する工程と、メンブレン薄膜上に導体膜を形成する工程と、導体膜を所定形状でエッチングすることにより中心導体パターンを形成する工程と、メンブレン薄膜をエッチングすることによりメンブレン薄膜にスリットを形成する工程と、前記スリットを通じ犠牲層を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００４８】
第１０の形態では、第２、第３、第４、第６、第７、第８の形態の伝送線路を得ることができる。
【００４９】
次に、より具体的に説明する。
【００５０】
図１，図２，図３は本発明に係る伝送線路の一例を示す図であり、図１は断面図、図２は平面図、図３は斜視図である。図１乃至図３の伝送線路では、中心導体と、中心導体の両側に配置された電極とにより、コプレ−ナ線路が形成されている。このコプレーナ線路は、メンブレン薄膜によって、くぼみ上に支持され、線路周囲を空間としている。ここで、中心導体の幅は概ね数〜数十ミクロン程度である。また、中心導体と両側に配置された電極との間隔はおおむね数ミクロンである。
【００５１】
なお、メンブレン薄膜の材料としては、機械的強度を有し、薄膜化が容易であること、加工が容易であること、低誘電率であること等の特性が要求される。このような特性を満たす材料としては
１）シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）            比誘電率；７
２）シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）              比誘電率；４
３）ポリイミド                              比誘電率；３
４）ＢＣＢ                                  比誘電率；２．７
等がある。これらは、比誘電率が比較的小さく且つ機械的強度にも優れているため、集積回路に多用されており、容易に入手または堆積形成が可能である。従って、本発明におけるメンブレン薄膜の材料としては、これらのいずれかを用いることが適切である。
【００５２】
図１乃至図３の構造では、実際上は、中心導体と両側電極との間がほぼ真空あるいはガス中にある場合と同じで、この伝送線路の等価誘電率は１となる。以上の結果から明らかなように、本発明によるコプレーナ型の伝送線路においては、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となる。
【００５３】
図４，図５，図６は本発明に係る伝送線路の他の一例を示す図であり、図４は断面図、図５は平面図、図６は斜視図である。図４乃至図６の伝送線路では、中心導体はメンブレン薄膜によりくぼみ上に支持され、くぼみ下に設けられた電極（下面電極）によりマイクロストリップ線路が形成されている。ここで、中心導体の幅は概ね数〜数十ミクロン程度である。また、くぼみ深さはおおむね数〜数十ミクロンである。
【００５４】
図４乃至図６の構造では、実際上は、中心導体と電極との間がほぼ真空あるいはガス中にある場合と同じで、この伝送線路の等価誘電率は１となる。以上の結果から明らかなように、本発明によるマイクロストリップ型の伝送線路においては、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となる。
【００５５】
図７，図８は本発明に係る伝送線路のさらに他の一例を示す図であり、図７は断面図、図８は斜視図である。図７，図８の伝送線路では、中心導体は、メンブレン薄膜によって、くぼみ上に支持され、くぼみ下に設けられた下面電極及び空洞を介して設けられた上面電極によりストリップ線路が形成されている。ここで、中心導体の幅は概ね数〜数十ミクロン程度である。また、くぼみ深さ及び空洞高さははおおむね数〜数十ミクロンである。
【００５６】
図７，図８の構造では、実際上は、中心導体と上面電極，下面電極との間がほぼ真空あるいはガス中にある場合と同じで、この伝送線路の等価誘電率は１となる。以上の結果から明らかなように、本発明によるマイクロストリップ型の伝送線路においては、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となる。
【００５７】
図９は本発明に係る伝送線路の作製方法の一例を示す図である。
【００５８】
図９の作製方法では、先ずＳｉ基板を準備し、Ｓｉ基板表面全面にメンブレン膜としてＳｉ３Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法により１μｍの厚さに形成する。次いで、導体膜としてスパッタ法によりＴｉ膜（厚さ１０ｎｍ），Ａｕ膜（厚さ５０ｎｍ）を順次積層する（図９（ａ）の状態）。ここで用いられるＴｉ膜は、Ｓｉ３Ｎ４膜とＡｕ膜の付着強化層である。
【００５９】
次いで、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成する（図９（ｂ）の状態）。
【００６０】
次いで、レジストパターンをマスクとして導体膜（Ａｕ／Ｔｉ膜）をエッチング除去し、次いで、レジストを除去する（図９（ｃ）の状態）。
【００６１】
次いで、フォトリソグラフィーによりスリット部が開口したレジストパターンを形成し、Ｓｉ３Ｎ４膜のドライエッチングを行い、スリット部を形成した後、レジストを除去する（図９（ｄ）の状態）。なお、図９（ｄ）では、スリットは円形で示したが、長円形，正方形，長方形等でもかまわない。
【００６２】
次いで、スリット部を通し、アルカリ性の液でＳｉのエッチングを行い、中心導体下にくぼみを形成する（図９（ｅ）の状態）。
【００６３】
これにより、図１乃至図３に示した伝送線路（第１の形態の伝送線路）が形成できる。
【００６４】
図１０は本発明に係る伝送線路の作製方法の他の一例を示す図である。
【００６５】
図１０の作製方法では、先ずガラス基板を準備し、基板表面にフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとしてガラス基板をドライエッチングしてくぼみを形成した後、レジストを除去する（図１０（ａ）の状態）。
【００６６】
次いで、スパッタ法によりＴｉ膜（厚さ１０ｎｍ），Ａｕ膜（厚さ５０ｎｍ）を順次積層し、下面電極を形成する（図１０（ｂ）の状態）。
【００６７】
次いで、くぼみ部に犠牲層を充填する（図１０（ｃ）の状態）。犠牲層材料としては樹脂が適している。一例としてフォトレジストを充填し、くぼみからはみ出したフォトレジスト部分をスキージで除去しベークすることにより樹脂を固化した。
【００６８】
次いで、全面にメンブレン膜としてＳｉ３Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法により１μｍの厚さに形成する。次いで、導体膜として、スパッタ法によりＴｉ膜（厚さ１０ｎｍ），Ａｕ膜（厚さ２μｍ）を順次積層する（図１０（ｄ）の状態）。ここで用いられるＴｉ膜は、Ｓｉ３Ｎ４膜とＡｕ膜の付着強化層である。
【００６９】
次いで、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成し、不用部の導体膜（Ａｕ／Ｔｉ膜）をエッチング除去し、レジストを除去することにより、中心導体パターンを形成する（図１０（ｅ）の状態）。
【００７０】
次いで、フォトリソグラフィーによりスリット部が開口したレジストパターンを形成し、Ｓｉ３Ｎ４膜のドライエッチングを行い、スリット部を形成した後、レジストを除去する（図１０（ｆ）の状態）。なお、図１０（ｆ）では、スリットは長円形で示したが、円形，正方形，長方形等でもかまわない。なお、図１０（ｆ）では、メンブレン膜の基板に接している部分が一部除去されるように示されているが、これは蓋をかぶせる場合の接合のため（第３の形態に対応）であり、蓋をかぶせない場合（第２の形態に対応）は除去しなくてもかまわない。
【００７１】
次いで、犠牲層を除去して、くぼみを形成する（図１０（ｇ）の状態）。犠牲層材料としてフォトレジストを用いた場合は、アセトンに浸漬して犠牲層を除去できる。
【００７２】
これにより、図４乃至図６に示した伝送線路（第２の形態の伝送線路）が形成できる。
【００７３】
さらに、第３の形態の構造は、図１１に示すように、図１０（ａ），（ｂ）の工程により蓋を形成し、この蓋を図１０（ｇ）の構造に取り付けることにより作製できる。すなわち、図７，図８に示すような伝送線路が形成できる。ここで、蓋取り付けは、電極にＡｕを用いた場合はＡｕ−Ａｕ接合によって容易に成すことができる。
【実施例１】
【００７４】
実施例１は、第１の形態に対応したものである。実施例１では、異方性エッチングによって形成されたくぼみをもつＳｉ基板と、くぼみ上に形成された１μｍ厚さのＳｉ３Ｎ４メンブレン膜と、メンブレン膜上に形成された幅７５μｍ，厚さ２μｍのＡｕ中心電極と、中心電極の両側に形成された幅１００μｍ，厚さ２μｍの電極とにより、コプレナー線路を形成した。
【００７５】
この結果、線路周辺の実効誘電率はほぼ１となり、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となった。
【実施例２】
【００７６】
実施例２は、第５の形態に対応したものである。実施例２では、実施例１によって形成した伝送線路上に、くぼみと同形状の空洞を持つＳｉ基板を、くぼみと空洞の位置が同一になるよう接着材で貼りつけた。これにより、伝送線路は、機械的外力からも保護される。
【実施例３】
【００７７】
実施例３は、第２の形態に対応したものである。実施例３では、ドライエッチングによって形成された深さ２５μｍのくぼみを持つガラス基板と、くぼみの底面，側面，基板上面に形成された厚さ２μｍの下面電極と、くぼみ上に形成された１μｍ厚さのＳｉ３Ｎ４メンブレン膜と、メンブレン膜上に形成された幅７５μｍ，厚さ２μｍのＡｕ中心電極とにより、マイクロストリップ線路を形成した。
【００７８】
この結果、線路周辺の実効誘電率はほぼ１となり、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となった。
【実施例４】
【００７９】
実施例４は、第３の形態に対応したものである。実施例４では、ドライエッチングによって形成された深さ２５μｍのくぼみを持つガラス基板と、くぼみの底面，側面，基板上面に形成された厚さ２μｍの下面電極と、くぼみ上に形成された１μｍ厚さのＳｉ３Ｎ４メンブレン膜と、メンブレン膜上に形成された幅７５μｍ，厚さ２μｍのＡｕ中心電極と、ドライエッチングによって形成された高さ２５μｍの空洞を持つガラス基板と、空洞の上面，側面，基板下面に形成された厚さ２μｍの上面電極とにより、ストリップ線路を形成した。
【００８０】
この結果、線路周辺の実効誘電率はほぼ１となり、伝搬遅延時間はほぼ真空の場合と同程度となった。又、実施例４の構造によれば、伝送線路は、機械的外力からも保護される。
【実施例５】
【００８１】
実施例５は、第９の形態に対応したものである。実施例５では、図９に示したプロセスを用い、第１，第６，第７，第８の形態に示した伝送線路を得ることができた。
【実施例６】
【００８２】
実施例６は、第１０の形態に対応したものである。実施例６では、図１０に示したプロセスを用い、第２，第３，第４，第６，第７，第８の形態に示した伝送線路を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、超高周波集積回路などの伝送線路に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１の形態の伝送線路を示す図である。
【図２】本発明の第１の形態の伝送線路を示す図である。
【図３】本発明の第１の形態の伝送線路を示す図である。
【図４】本発明の第２の形態の伝送線路を示す図である。
【図５】本発明の第２の形態の伝送線路を示す図である。
【図６】本発明の第２の形態の伝送線路を示す図である。
【図７】本発明の第３の形態の伝送線路を示す図である。
【図８】本発明の第３の形態の伝送線路を示す図である。
【図９】本発明における伝送線路の作製方法の一例を示す図である。
【図１０】本発明における伝送線路の作製方法の他の一例を示す図である。
【図１１】図１０の作製方法によって作製された伝送線路を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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