(57)【要約】【課題】窒化酸化シリコン膜とシリコン基板との界面の酸素原子濃度を増加させ、窒素原子濃度を減少させたゲート絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】処理室２６と、基板支持体４６と、処理室周囲に配置された筒状電極５０及び磁力線形成手段５８とを有するプラズマ処理装置２４を用い、シリコン基板Ｗをプラズマ窒化して窒化シリコン膜を形成し、次に、高周波回路６４のインピーダンスを調整して、基板支持体４６とプラズマ生成領域との間の電位差をプラズマ窒化よりも大きくしてプラズマ酸化を行い窒化酸化シリコン膜を形成し、窒化酸化シリコン膜の窒素濃度を、窒化酸化シリコン膜とシリコン基板との界面において、３．５％以下とする。【選択図】図１
2005045028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマによって活性化された窒素原子を含むガスによりシリコン基板表面を窒化処理することにより、前記シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成し、
次に、プラズマによって活性化された酸素原子を含むガスにより酸化処理することにより窒化酸化シリコン膜を形成して、
前記窒化酸化シリコン膜の窒素濃度が、前記窒化酸化シリコン膜と前記シリコン基板との界面において、３．５％以下であるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
処理室と、該処理室内で基板を支持する基板支持体と、前記処理室周囲に配置された筒状電極及び磁力線形成手段とを有するプラズマ処理装置を用い、
前記処理室内に窒素原子を含むガスを供給し、前記筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と前記磁力線形成手段により得られる磁界とにより該窒素原子を含むガスをプラズマ放電させて、前記基板を窒化処理し、
次に、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給し、前記筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と前記磁力線形成手段により得られる磁界とにより該酸素原子を含むガスをプラズマ放電させて、前記基板を酸化処理する半導体装置の製造方法において、
前記基板支持体の電位または、前記基板支持体とプラズマ生成領域との間の電位差を前記窒化処理よりも前記酸化処理で大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体を用いて製造されるメモリやシステムＬＳＩ等の半導体装置は、半導体製造装置で半導体基板上に様々な薄膜を成膜することによって製造されている。薄膜の代表的なものとしては、例えばＣＭＯＳ  ＬＳＩのゲート絶縁膜に用いる酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）がある。
【０００３】
近年までゲート絶縁膜の膜種は、絶縁特性が優れているシリコン酸化膜が主流であったが、最近はサブミクロンのゲート絶縁膜に要求される膜厚が薄くなってきたため、シリコン酸化膜では膜容量を確保し、かつリーク電流を押さえることが次第に困難になってきている。
【０００４】
そこで薄膜化に耐える膜種として窒化酸化シリコン膜が利用されるようになっている。その窒化酸化シリコン膜の製造方法として様々な方法が試みられている。
【０００５】
例えば、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜形成方法として、まず半導体基板上に酸化シリコン膜層を形成し、その酸化シリコン膜層を窒化処理して窒素を酸化シリコン膜層に組み込んで窒化酸化シリコン膜を形成し、その窒化酸化シリコン膜をＮ２Ｏアニール処理する方法があり、この方法が一般的なゲート絶縁膜形成方法の代表例である。この形成方法では、３つの過程を経てゲート絶縁膜を完成させているが、この３つの過程はそれぞれ異なる半導体製造装置で形成されるため、最低３種類の基板処理室が必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は、窒化酸化シリコン膜形成過程におけるそれぞれの工程で異なる要素をもつ半導体製造装置が必要であり、その結果、装置規模が大きくなり、導入コストやメンテナンス等の点で経済的でないという従来技術の問題点を解決し、同一の反応室内で異なる要素の工程を処理可能な半導体装置の製造方法であって、Ｎ２Ｏアニール処理を行わないでも、窒化酸化シリコン膜とシリコン層との界面の酸素原子濃度を増加させ、窒素原子濃度を減少させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の好ましい一態様によれば、
プラズマによって活性化された窒素原子を含むガスによりシリコン基板表面を窒化処理することにより、前記シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成し、
次に、プラズマによって活性化された酸素原子を含むガスにより酸化処理することにより窒化酸化シリコン膜を形成して、
前記窒化酸化シリコン膜の窒素濃度が、前記窒化酸化シリコン膜と前記シリコン基板との界面において、３．５％以下であるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
なお、ここで、窒素濃度とは、窒化酸化シリコン膜の単位体積当たりの窒素原子数を、窒化酸化シリコン膜の単位体積当たりの総原子数（シリコン、酸素、窒素を合わせた全ての原子数のことであり、約６．６×１０２２個である）で割った値のことをいう。
【０００８】
また、本発明の好ましい他の態様によれば、
処理室と、該処理室内で基板を支持する基板支持体と、前記処理室周囲に配置された筒状電極及び磁力線形成手段とを有するプラズマ処理装置を用い、
前記処理室内に窒素原子を含むガスを供給し、前記筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と前記磁力線形成手段により得られる磁界とにより該窒素原子を含むガスをプラズマ放電させて、前記基板を窒化処理し、
次に、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給し、前記筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と前記磁力線形成手段により得られる磁界とにより該酸素原子を含むガスをプラズマ放電させて、前記基板を酸化処理する半導体装置の製造方法において、
前記基板支持体の電位または、前記基板支持体とプラズマ生成領域との間の電位差を前記窒化処理よりも前記酸化処理で大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、窒化酸化シリコン膜形成過程における各工程で異なる要素をもつ半導体製造装置をそれぞれ使用することが不要となり、同一の基板処理室で異なる要素の工程を処理可能になるため、装置規模が小さくなり導入コストやメンテナンス等に関し経済的になり、また、膜質に関してもシリコン層界面の酸素原子濃度を増やし窒素原子濃度を減らすことでＭＯＳデバイスの特性を向上できる半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
プラズマを利用した半導体製造装置は、プラズマの生成方式により数種類存在している。例えば誘導結合型、容量結合型、サイクロトロン型、マグネトロン型等存在するが、本発明の半導体装置の製造方法を実施するためのプラズマ処理装置の一例として、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ処理装置(Modified Magnetron Typed Processing System 以下、ＭＭＴ装置という。）を用いて説明する。このＭＭＴ装置においては、気密性を確保した反応室内に基板を設置し、ガスシャワー板を介して基板処理ガスを反応室に導入し、反応室内をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界をかけてマグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので、従来から多用されている容量結合型プラズマ処理装置よりも高密度プラズマを生成できる。この高密度プラズマにより基板処理ガスを励起分解させて化学的反応を起こさせ基板表面に薄膜を形成する。
【００１１】
図１には、本発明の実施例に用いられる変形マグネロトン型プラズマ処理装置（ＭＭＴ装置）２４が示されている。ＭＭＴ装置２４は、処理室２６を構成する真空容器２８を有する。この真空容器２８は、上部容器３０と下部容器３２とが上下に接合されて構成されている。上部容器３０は、アルミナ、石英等のセラミックからなる。下部容器３２は金属製である。上部容器３０の周囲はカバー３４に覆われている。また、上部容器３０はドーム状の天井部を有する円筒形であり、この天井部には、上蓋部３６とシャワー板部３８とが形成され、この上蓋部３６とシャワー板部３８との間に拡散室４０が構成されている。上蓋部３６には処理ガスを導入する導入口４２が形成され、導入口４２にはガス供給手段（図示せず）が接続され、シャワー板部３８には多数のノズル４４が形成されており、導入口４２から導入された例えば２種の処理ガスは、拡散室４０で混合・拡散され、シャワー板部３８のノズル４４から処理室２６に供給されるようになっている。
【００１２】
処理室２６の下方中央部には、被処理基板Ｗを支持する基板支持体であるサセプタ４６が配置されている。このサセプタ４６には、被処理基板Ｗを加熱するための抵抗加熱ヒータ（図示せず）が設けられている。また、下部容器３２には、排気口４８が設けられ、排気口４８には排気ポンプ等の排気手段（図示せず）が接続され、サセプタ４６の周囲から下部容器４の底部方向へ処理後のガスが流れ、その後この排気口４８から処理室２６内の処理ガスが排気されるようになっている。
【００１３】
放電用の筒状電極５０が、処理室２６の周囲、即ち、上部容器３０の外周に上部容器３０から１〜３ｍｍ離して配置されている。この筒状電極５０は、インピーダンス整合器５２を介して高周波電源５４に接続されている。この高周波電源５４は、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力を発生し、制御装置５６からの制御信号に応じてその電力の大きさが調整される。また、磁力線形成手段５８が処理室２６の周囲に配置されている。磁力線形成手段５８は、リング状に形成された２つの永久磁石６０,６２から構成され、処理室２６の周囲に配置され、処理室２６の中央のプラズマ生成領域としての空間を囲んでいる。永久磁石６０,６２は筒状電極５０のほぼ上端および下端の位置に配置されている。上下の永久磁石６０、６２は、真空容器２８の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の磁石６０、６２の磁極の向きが互いに逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士と外周部の磁極同士が異極となっており、処理室２６内には一方の永久磁石６０から中心方向に延び、他方の永久磁石６２に戻る磁力線が形成される。
【００１４】
前述したサセプタ４６は、下容器３２と絶縁されており、サセプタ４６は、高周波回路（インピーダンス可変回路）６４を介して接地されている。この高周波回路６４は、前述した制御装置５６からの制御信号に応じてサセプタインピーダンスを調整できるようにしてある。
【００１５】
高周波回路６４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、サセプタ４６を介して基板Ｗの電位を制御できるようになっている。
【００１６】
図２に、上述した高周波回路６４の内部回路を示す。回路は、電源を含まず、受動素子のみから構成されている。具体的には、コイル１２１とコンデンサ１２３が直列接続してある。コイル１２１にはインダクタンスを可変できるようにターミナル１２２を数箇所設けてある。目的のインダクタンスの値が得られるように、ターミナル１２２を任意に短絡してコイルのパターン数を制御する。コンデンサ１２３には自己の静電容量をリニアに可変可能な可変コンデンサを使用している。このコイル１２１とコンデンサ１２３のうち少なくとも一方を調整し、高周波回路６４を希望のインピーダンス値に調整して、基板Ｗの電位を制御できるようになっている。なお、このように、可変コイルまたは可変コンデンサの少なくとも一方を調整することにより高周波回路６４のインピーダンスを変更することができるが、固定のコイルと固定コンデンサを使用する場合であってもインピーダンスの異なる２つ以上の回路を切替えてもよいことは勿論である。
【００１７】
本発明の実施例のＭＭＴ装置２４では、永久磁石６０、６２の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、基板Ｗの上方空間に電荷をトラップして高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ４６上の基板Ｗの表面にプラズマ酸化処理又はプラズマ窒化処理が施される。なお、表面処理の開始および終了は高周波電力の印加および停止によって行なわれる。
【００１８】
基板Ｗの表面又は下地膜表面を酸化処理又は窒化処理する際には、サセプタ４６と接地との間に介設した高周波回路６４を、予め所望のインピーダンス値に制御しておく。高周波回路６４を所望のインピーダンス値に調整すると、それにより基板Ｗの電位が制御されて、所望の膜厚及び面内膜厚均一性をもつ酸化処理膜又は窒化処理膜が形成できる。
【００１９】
なお、高周波電力の出力値制御やバイアス電力供給制御を行う平行平板電極型プラズマ装置では、上述したようなＭＭＴ装置によるインピーダンス制御による膜厚制御は困難である。原理的には、平行平板電極型プラズマ装置でも、サセプタ電圧を上げていけば、それに応じた膜厚の酸化膜もしくは窒化膜を形成することは可能である。しかし、平行平板電極型プラズマ装置では、放電用電圧とサセプタ電圧とは独立に制御できないので、サセプタ電圧を上げると強い電界が基板Ｗにかかるので、プラズマダメージにより膜質が悪く、膜厚均一性も悪くなる。本実施例のＭＭＴ装置では、放電用電極により電界をかけ、更に磁力線による電荷のトラップを行うことにより、平行平板電極型プラズマ装置に比べて、プラズマ密度を上げている。さらに、プラズマ処理効率を上げるために、プラズマを生成する放電用電極の電圧ではなく、プラズマ生成とは独立に制御することができるサセプタ電位を制御して、基板へのプラズマ入射量を制御しているので、基板へのプラズマダメージが少なく、成膜される膜質も良好に維持できる。
【００２０】
次にＭＭＴ装置２４の操作について説明する。まず被処理基板Ｗをサセプタ４６に載置し、真空容器２８内のガスを排気口４８から排気して真空容器２８内を真空状態にする。次にサセプタ４６を加熱して、半導体基板を加熱する。次に処理ガスを導入口４２から導入する。この導入口４２から導入された処理ガスは、拡散室４０で拡散され、シャワー板部３８のノズル４４から処理室２６に供給される。同時に高周波電源５４から高周波電力を筒状電極５０に供給する。高周波回路６４を予め所望のインピーダンス値に調整しておく。処理室２６においては、筒状電極５０により高周波電界が形成され、磁力線形成手段５８により磁力線が形成されるので、マグネトロン放電が発生し、被処理基板Ｗの上方空間に放電で生じた電荷を補足して高密度プラズマが生成される。生成されたプラズマによってサセプタ４６上の被処理基板Ｗが処理され、被処理基板Ｗの表面にプラズマ薄膜が形成される。所定時間経過後、高周波電源５４からの高周波電力の供給を停止し、真空容器２８内のガスを排気口４８から排気し、サセプタ４６上の被処理基板Ｗを処理室２６から取り出して処理を終了する。
なお、真空容器２８内のガス圧力は、導入口４２より導入される処理ガスの流量と、排気口４８に接続されているポンプ（図示略）の能力と、ポンプまでの排気コンダクタンスにより決まる。
【００２１】
図３は、本発明の実施例の半導体装置の製造方法で製造されるＭＯＳ構造の半導体装置の一例を説明するための概略縦断面図である。
このＭＯＳ電界効果トランジスタ１０は、シリコン基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５に側面に形成されたサイドウォール１６と、ソース・ドレイン領域１２、１３とを備えている。
このＭＯＳ電界効果トランジスタ１０は、まず、シリコン基板１１の上面に素子形成領域を画定するフィールド酸化膜（ＬＯＣＯＳ酸化膜）（図示せず）を形成する。次に、この素子形成領域のシリコン基板１１の表面に、表面濃度調整用の不純物をイオン注入する（図４（ａ）参照）。次に、シリコン基板１１の表面をプラズマ窒化し窒化膜１４１を形成し、その後プラズマ酸化して窒化酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１４を形成する（図４（ｂ）参照）。次に、ゲート絶縁膜１４上に、ゲート電極膜１５１を全面に形成する（図４（ｃ）参照）。次に、ゲート電極１５１を選択的にエッチング除去してゲート電極１５を形成し、ゲート電極１５をマスクにしてイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域１３を形成する（図４（ｄ）参照）。次に、サイドウォールスペーサ膜を全面に成膜し、その後、エッチバックしてゲート電極１５の側面にサイドウォール１６を形成し、ゲート電極１５とサイドウォール１６とをマスクにしてイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域１２を形成して、図３に示したＭＯＳ電界効果トランジスタ１０を形成する。
【００２２】
次に、本発明の実施例の半導体装置の製造方法におけるゲート絶縁膜１４の形成方法について説明する。もちろん本発明の範囲から逸脱しない限りは、他プラズマ源方式のプラズマ装置でも適用可能である。
【００２３】
上述のとおり、ゲート絶縁膜１４を形成するには、まず、ＭＭＴ装置２４を使用して、シリコン基板１１の表面をプラズマ窒化して、窒化シリコン膜１４１を形成するが、例えば、Ｎ２を使用した場合のプラズマ窒化処理の条件は次の通りである。
ガス：Ｎ２＝１０００ｓｃｃｍ
圧力：１００Ｐａ
基板温度：４００℃
高周波電力：３００Ｗ
【００２４】
次に、その窒化シリコン膜１４１を処理条件を変更しプラズマ酸化して窒化酸化シリコン物からなるゲート絶縁膜１４を形成する。
例えば、Ｏ２を使用したときのプラズマ酸化処理の条件は次の通りである。
ガス：Ｏ２＝５０ｓｃｃｍ
ガス：Ｋｒ＝１００ｓｃｃｍ
圧力：１００Ｐａ
基板温度：４００℃
高周波電力：３００Ｗ
【００２５】
これらのプラズマ窒化処理およびプラズマ酸化処理を同一の処理室２６で連続して行う。つまりこの連続処理の間は基板Ｗが処理室２６の外部へ搬出されることはない。
【００２６】
なお、酸化処理時に希ガス雰囲気を使用する理由は、Ｏ２のみのプラズマ雰囲気よりも酸素ラジカルが多く発生するからである。希ガスの中でも特に第一励起エネルギーの低いＫｒ（クリプトン）ガス雰囲気は、Ｏ２分子から励起活性する酸素ラジカルを生成しやすい特性がある。このラジカル酸素での酸化処理は原子間結合が良い膜を形成することができる。
【００２７】
また、高周波回路（インピーダンス可変回路）６４のインピーダンスを調整して、このプラズマ酸化処理時におけるサセプタ４６の電位を上述のプラズマ窒化時のサセプタ４６の電位よりも大きくしておく。
プラズマ窒化により窒化シリコン膜を形成した後に、プラズマ酸化すると、酸素イオンが窒化シリコン膜を突き抜けてシリコン基板との界面に達し、シリコンと結合する。窒化シリコン膜に引き込まれる酸素原子は正に帯電した酸素イオンである。この酸素イオンが窒化シリコン膜に衝突するエネルギーは、サセプタ電位（Ｖｐｐ）の大きさに比例する。高エネルギーの酸素原子ほど窒化シリコン膜を突き抜ける確率が高くなる。そして、窒化シリコン膜を突き抜けてシリコン基板に到達した酸素原子がシリコン基板のシリコンと結合して酸化物を形成する。ここで、プラズマ酸化処理時におけるサセプタ電位がプラズマ窒化時のサセプタ電位よりも小さいと、窒化膜を突き抜けることができないので、プラズマ酸化処理時におけるサセプタ電位をプラズマ窒化時のサセプタ電位よりも大きくする。
【００２８】
次に、高周波回路６４のインピーダンス、サセプタ４６の電位とおよび形成された窒化酸化シリコン膜の関係について説明する。
図７は、高周波回路６４のコンデンサ１２３の容量を変化させたときにサセプタ６にかかる電位を示す。このように、本実施例では、高周波回路６４のコンデンサ１２３の容量を変化させて、プラズマ酸化処理時におけるサセプタ４６の電位をプラズマ窒化時のサセプタ４６の電位よりも大きくした。なお、ここで、サセプタ電位とは、サセプタ４６の電圧をピークツウピーク電圧（Ｖｐｐ）をいう。例えば、サセプタ４６の電圧の振幅が０Ｖ〜−２５０Ｖの場合には、ピークツウピーク電圧（Ｖｐｐ）は２５０Ｖとなる。本実施例では、プラズマ酸化処理時におけるサセプタ４６の電位（Ｖｐｐ）は２５０Ｖであり、プラズマ窒化処理時におけるサセプタ４６の電位（Ｖｐｐ）は１４０Ｖであった。なお、プラズマ酸化処理時におけるサセプタ４６の電位（Ｖｐｐ）を２５０±５０Ｖ、プラズマ窒化処理時におけるサセプタ４６の電位（Ｖｐｐ）を１４０Ｖ±５０Ｖとすることが好ましい。
【００２９】
ここで、窒化酸化シリコン膜内のシリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（Ｏ）、窒素原子（Ｎ）のそれぞれの濃度状態はＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）により定量的に測定することができる。
【００３０】
図５と図６にプラズマ酸化条件が異なる２種類のＳＩＭＳ測定値グラフをそれぞれ示す。
図５、図６において共通したプラズマ酸化処理の条件は次の通りである。
ガス：Ｏ２＝５０ｓｃｃｍ
ガス：Ｋｒ＝１００ｓｃｃｍ
圧力：１０Ｐａ
基板温度：５００℃
高周波電力：５００Ｗ
そして、コンデンサ１２３の設定値を、図５においては８００とし、図６においては４００とした。
【００３１】
コンデンサの設定値を大きくして、サセプタ電位（Ｖｐｐ）を大きくした図５の方が、コンデンサの設定値が小さく、サセプタ電位（Ｖｐｐ）が小さい図６よりも、Ｓｉ基板１１との界面における酸素濃度が高く、窒素濃度が低くなっていることがわかる。Ｓｉ基板との界面における窒素濃度は、図５で１％以下、図６では１．５％以下である。サセプタ電位が大きい方がシリコン基板との界面により多くの酸素原子を送り込むことができるからである。酸素濃度が増加すれば相対的に窒素の濃度が減少する。このためにシリコン基板との界面の酸素原子濃度や窒素原子濃度を調整することができる。
シリコン基板との界面の酸素濃度を上げると相対的に窒素濃度が下がり、その結果、より、酸化シリコン膜に近くなり、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴデバイスのモビリティが向上する。
【００３２】
また、シリコン基板をプラズマ酸化してできた酸化シリコン膜をプラズマ窒化処理して形成した窒化酸化シリコン膜よりも、シリコン基板をプラズマ窒化してできた窒化シリコン膜をプラズマ酸化処理して形成した窒化酸化シリコン膜の方が、そのシリコン基板との界面における膜組成がより酸化シリコン膜に近く、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴデバイスのモビリティが優れている。
【００３３】
なお、サセプタ電位（Ｖｐｐ）を大きくしなくとも、形成した窒化酸化シリコン膜をＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）処理することによって、シリコン基板との界面の酸素原子濃度を大きくし窒素原子濃度を小さくすることができる。
【００３４】
次に、これについて具体的に説明する。プラズマ窒化時の処理条件は上述したのと同じである。またプラズマ酸化の条件は、上述した図６の場合と同じである。次に、そのようにして窒化酸化シリコン膜を形成したシリコン基板のＲＴＡ処理を行う。この時の条件は例えば次の通りである。
ガス：Ｎ２Ｏ＝０．５〜３ｓｌｍ
ガス：Ｎ２＝１〜１０ｓｌｍ
圧力：１０〜２００Ｔｏｒｒ
基板温度：６００〜１１００℃
このようにすると、図６に示したのと同様の結果が得られ、シリコン基板との界面で、酸素原子濃度が増え、窒素原子濃度が減少した。
【００３５】
なお、ＲＴＡ処理により、Ｓｉ基板との界面にできたＳｉとＯの結合をより確実にすることができる。Ｏ２だけのプラズマ酸化処理はＫｒ等の希ガスを添加して行うＯ２によるプラズマ酸化処理に比べて酸化がいわゆる雑になる傾向があり、欠陥が多く存在するが、ＲＴＡ処理には、これを回復させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例の半導体装置の製造方法に用いるＭＭＴ装置を説明するための概略縦断面図である。
【図２】本発明の実施例の半導体装置の製造方法に用いるＭＭＴ装置のインピーダンス可変回路を説明するための回路図である。
【図３】本発明の実施例の半導体装置の製造方法で製造される半導体装置の一例を説明するための概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施例を説明するためのＳＩＭＳ分析チャートである。
【図６】本発明の実施例を説明するためのＳＩＭＳ分析チャートである。
【図７】本発明の実施例の半導体装置の製造方法で使用されるＭＭＴ装置のコンデンサ設定値とサセプタ電位との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１１    半導体シリコン基板
２０    酸窒化膜（ゲート絶縁膜）
２４    ＭＭＴ装置
２６    処理室
２８    真空容器
４６    基板支持体（サセプタ）
５０    筒状電極
５８    磁力線形成手段
６４    高周波回路
１４１  窒化膜
【図１】
2005045028.tif 000003
【図２】
2005045028.tif 000004
【図３】
2005045028.tif 000005
【図４】
2005045028.tif 000006
【図５】
2005045028.tif 000007
【図６】
2005045028.tif 000008
【図７】
2005045028.tif 000009