(57)【要約】【課題】  液体に対して溶解性のある前駆体原料から高結晶性の薄膜を大気圧下で膜厚を高精度に制御しつつ作製する。【解決手段】  作製すべき薄膜の前駆体原料を基板１２上に付着させ、前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成し、生成した溶媒蒸気を前駆体原料に接触させることにより、これを大気圧下で結晶化させる。このとき、生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより前駆体原料の結晶化を制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性を有する薄膜を作製する結晶性薄膜の作製方法において、
作製すべき薄膜の前駆体原料を基板上に付着させる付着工程と、
上記前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成工程と、
上記溶媒蒸気生成工程において生成した溶媒蒸気を上記前駆体原料に接触させることにより、これを大気圧下で結晶化させる結晶化工程とを有し、
上記溶媒蒸気生成工程では、さらに上記生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより上記結晶化工程における上記前駆体原料の結晶化を制御すること
を特徴とする結晶性薄膜の作製方法。
【請求項２】
上記付着工程では、液体状の上記前駆体原料を基板上に塗布し、これをスピンコート法、又はインクジェット法に基づき付着させること
を特徴とする請求項１記載の結晶性薄膜の作製方法。
【請求項３】
上記結晶化工程では、さらに上記基板が設置される雰囲気の温度勾配、上記前駆体原料に対して印加する電場、又は上記前駆体原料に照射する光、のうち何れかを制御すること
を特徴とする請求項１記載の結晶性薄膜の作製方法。
【請求項４】
上記溶媒蒸気生成工程では、上記生成した溶媒蒸気に照射される赤外光の透過強度に基づいて、上記溶媒蒸気の濃度を識別すること
を特徴とする請求項１記載の結晶性薄膜の作製方法。
【請求項５】
上記溶媒蒸気生成工程では、接触時間が経過するにつれて上記生成した溶媒蒸気の濃度を低くするように調整すること
を特徴とする請求項１記載の結晶性薄膜の作製方法。
【請求項６】
結晶性を有する薄膜を作製する結晶性薄膜の作製装置において、
作製すべき薄膜の前駆体原料が付着された基板を設置する基板設置手段と、
上記前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成手段と、
上記溶媒蒸気生成手段により生成された溶媒蒸気を、上記基板設置手段に設置された基板上に付着された上記前駆体原料に接触させることにより、これを大気圧下で結晶化させる結晶化手段とを備え、
上記溶媒蒸気生成手段は、さらに上記生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより上記結晶化工程における上記前駆体原料の結晶化を制御すること
を特徴とする結晶性薄膜の作製装置。
【請求項７】
上記基板設置手段を含む雰囲気の温度勾配、上記前駆体原料に対して印加される電場、又は上記前駆体原料に照射される光、のうち何れかを制御する配向制御手段をさらに備えること
を特徴とする請求項６記載の結晶性薄膜の作製装置。
【請求項８】
上記生成した溶媒蒸気に照射される赤外光の透過強度に基づいて、上記溶媒蒸気の濃度を識別する識別手段をさらに備えること
を特徴とする請求項６記載の結晶性薄膜の作製装置。
【請求項９】
上記溶媒蒸気生成手段は、接触時間が経過するにつれて上記生成した溶媒蒸気の濃度を低くするように調整すること
を特徴とする請求項６記載の結晶性薄膜の作製装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体に対して溶解性のある前駆体原料から高結晶性の薄膜を作製する際に好適な結晶性薄膜の作製方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高結晶性の薄膜は、光導波路、電気光学素子、半導体素子、発光素子、レーザ媒体等に適用される。特に近年では、有機物をはじめとした複雑な構造を有する様々な機能性結晶が開発されており、これらにつき高結晶性の薄膜として作製するニーズは高まっている。
【０００３】
しかしながら、これら機能性結晶からなる物質は、溶液から結晶成長させることにより得られるものであり、従来の薄膜作製方法をそのまま適用しても、これを高結晶性の薄膜として仕上げるのは困難を極める。
【０００４】
ちなみに、高結晶性の薄膜を作製する手法としては、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）やパルスレーザ蒸着法（ＰＬＤ）に代表される真空蒸着法や、元素の組成比を調整した溶液を基板上に塗布してこれを加熱乾燥させるスピンコート法や、かかる溶液をインクジェットにより塗布するインクジェット法が提案されている。さらに、融液から徐冷することによりこれを薄膜化する手法や、溶液から溶媒をゆっくり蒸発させるか或いはこれを徐冷することによりこれを薄膜化させる手法も提案されている。
【０００５】
しかし、上記従来の真空蒸着法では、蒸着可能な物質が単純な構造を持つ物質に限られてしまう。このため、特に熱分解しやすい有機物につき、全てこの真空蒸着法に基づいて薄膜化し、さらにその結晶性を改善することは難しい。
【０００６】
また、上記従来のスピンコート法やインクジェット法は、作製される薄膜の結晶性が悪く、またその付着状態は、全体的に不均一であるためナノメータ単位でその膜厚を制御することができないという問題点がある。
【０００７】
さらに、上記従来の融液、溶液からの成長による方法では、膜厚を制御することが困難になるという問題点がある。
【０００８】
このため、近年において、真空中に設置された基板上に塗布された前駆体原料に対して溶媒蒸気を噴霧することにより、これを蒸発させて結晶化させる方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。この方法によれば、溶媒蒸気を真空中で噴霧するため、溶媒蒸気の濃度をその圧力を介して測定することができるメリットもある。
【０００９】
しかしながら、基板を真空中に設置するためには真空排気機構が必要となるため、作製装置全体が複雑となり、作製コストの負担の軽減を図ることができない。また、インクジェット装置は、真空中に設定することが不可能であるところ、かかるインクジェットによるナノオーダのパターニングを設置された基板に対して施すことができないという問題点もある。
【００１０】
【非特許文献１】T.Shimada, Epitacial growth and electronic structure of a C60 derivative prepared by using a solution spray technique, J.Appl.Phys. Vol.90.No.1,1 July 2001 P209〜P212
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、液体に対して溶解性のある前駆体原料から高結晶性の薄膜を大気圧下で膜厚を高精度に制御しつつ作製することができる結晶性薄膜の作製方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上述した課題を解決するために、作製すべき薄膜の前駆体原料を基板上に付着させ、前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成し、生成した溶媒蒸気を前駆体原料に接触させることにより、これを大気圧下で結晶化させる。このとき、生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより前駆体原料の結晶化を制御する。
【００１３】
即ち、本発明を適用した結晶性薄膜の作製方法は、結晶性を有する薄膜を作製する結晶性薄膜の作製方法において、作製すべき薄膜の前駆体原料を基板上に付着させる付着工程と、前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成工程と、溶媒蒸気生成工程において生成した溶媒蒸気を前駆体原料に接触させることによりこれを大気圧下で結晶化させる結晶化工程とを有し、溶媒蒸気生成工程では、さらに生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより結晶化工程における前駆体原料の結晶化を制御する。
【００１４】
また、本発明を適用した結晶性薄膜の作製装置は、結晶性を有する薄膜を作製する結晶性薄膜の作製装置において、作製すべき薄膜の前駆体原料が付着された基板を設置する基板設置手段と、前駆体原料を溶解させるための溶媒を気化することにより溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成手段と、溶媒蒸気生成手段により生成された溶媒蒸気を、基板設置手段に設置された基板上に付着された前駆体原料に接触させることにより、これを大気圧下で結晶化させる結晶化手段とを備え、溶媒蒸気生成手段は、さらに生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより結晶化工程における前駆体原料の結晶化を制御する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、前駆体原料に対して親和性のある溶媒を気化させた溶媒蒸気を接触させることにより、液体状の溶媒をその前駆体原料に接触させる場合と比較して、これを低速度で溶解させることができる。その結果、前駆体原料のうち結晶性の悪いものから順に溶解させ、特に溶媒の濃度が低下してきた場合において、先に溶解させた前駆体原料を再結晶化させることができる。即ち、溶解速度を低速化させることにより、再結晶化させるのに十分な時間を得ることができるため、前駆体原料に対して微量ずつ溶媒を加えてこれを溶解し、低速で乾燥させることによりこれを再結晶化させるのとほぼ同等のプロセスを進行させることができる。
【００１６】
このため、本発明では、薄膜の結晶性を高めることができることに加え、作製する結晶そのものを大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態として、本発明に係る結晶性薄膜の作製装置を、図１に示す薄膜作製装置１に適用した例を挙げて説明する。
【００１８】
薄膜作製装置１は、基板上に付着された前駆体原料に対して溶媒蒸気を噴霧又は暴露することにより、これを蒸発させて結晶化させる装置であって、内部の気圧を一定に維持するためのチャンバ１１内に設置された基板１２と、この基板１２の下方には設けられた電極１３と、チャンバ１１の上面に設けられた窓１１ａを介して薄膜の状態を拡大観察するための偏光顕微鏡１７と、このチャンバ１１の左側面に接続されたチューブ１４の他端側に配設されてなるバブラー１５と、基板１２に対して窓１１ａを介して光を照射する光源１８と、チャンバ１１の右側面に接続されたチューブ１６を介して、基板１２上に付着された前駆体原料を溶解させる溶媒蒸気を送り込むための溶媒蒸気生成部２とを備えている。
【００１９】
この溶媒蒸気生成部２は、それぞれ不活性ガスを排出する第１の不活性ガス供給部２１並びに第２の不活性ガス供給部２２と、上記溶媒蒸気を作り出すための溶媒を予め入れておき、かかる溶媒に対してこの第１の不活性ガス供給部２２からの不活性ガスを溶媒中に挿通させた洗気管を介して接触させるための溶媒蒸気発生部２３と、溶媒蒸気発生部２３から排出された溶媒で飽和させたガスの流量を調整する第１の流量調節器２４と、第２の不活性ガス供給部２２から排出された不活性ガスの流量を調整するための第２の流量調節器２５と、第１の流量調節器２４並びに第２の流量調節器２５においてそれぞれ流量が調整されたガスが供給され、当該ガスの濃度を調整した上記溶媒蒸気を生成する濃度制御室２６と、この濃度制御室２６の底面に設けられた窓２６ａを介して赤外光を入射させるための赤外光源２７と、濃度制御室２６を透過した赤外光の分光強度を測定するための赤外分光器２８とを備えている。
【００２０】
チャンバ１１は、充填する溶媒蒸気の濃度を均一化するために設けられたものであり、チューブ１６を介して溶媒蒸気生成部２から溶媒蒸気が供給され、これを内部に設置させた基板１２上に付着された前駆体原料に接触させる。通常、このチャンバ１１内は、大気圧となるように気圧制御され、チューブ１４の一端側に配設されたバブラー１５により、その気密性が維持される。
【００２１】
基板１２は、例えば透明なガラス基板等の絶縁材料により構成される。ちなみに、この基板１２として、ガラス以外に、シリコン、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ等、光によって電子を誘起可能な物質を用いてもよいことは勿論である。この基板１２上には、作製すべき薄膜の前駆体原料を予め付着される。即ち、この基板１２上には、微粒子状の前駆体原料を含む溶液を塗布するようにしてもよいし、また固体粉末状の前駆体原料を基板１２上に付着させるようにしてもよい。
【００２２】
電極１３は、図示しない電圧源から負荷された電圧に基づき、基板１２に付着させた前駆体原料に電場を印加するためのものである。この電極１３は、基板１２の下方において一面に亘って設けられる場合に限定されるものではなく、結晶化させる領域に応じて所望の大きさで構成されるようにしてもよい。ちなみに、この電極１３により前駆体原料に電場を印加する場合のみならず、当該電極１３を介してチャンバ１１内部の温度を上昇させるようにしてもよい。
【００２３】
偏光顕微鏡１７は、基板１２上に付着された前駆体原料を結晶化させる過程において、結晶の配向方向を可視化させてこれを拡大観察するために配設されたものである。  また、光源１８は、図示しない電源装置を介して受給した駆動電源に基づき光発振し、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ等の固体レーザ、ＧａＡｓ等の半導体レーザ、ＡｒＦ等のガスレーザ等の各種レーザ、さらには、ＬＥＤもしくはキセノンランプ等の光を出射する光源である。この光源から発せられた光は、窓１１ａを介してチャンバ１１へ入射し、そのまま基板１２上に照射されることになる。この光源１８は、チャンバ１１の外部に設けられる場合に限定されるものではなく、例えば、これをチャンバ１１の内部に配設し、出射させた光を基板１２上に直接的に照射するようにしてもよい。
【００２４】
第１の不活性ガス供給部２１並びに第２の不活性ガス供給部２２は、それぞれＮ２等の不活性ガスを充填された空気ボンベ等で構成され、これに付設されたハンドル２１ａ、２２ａを回転させることによりガスの流出口を開閉させることができる。薄膜作製時においては、このハンドル２１ａ、２２ａを任意の位置まで回転させることにより、第１の不活性ガス供給部２１並びに第２の不活性ガス供給部２２から一定量の不活性ガスが流出するように制御されることになる。
【００２５】
溶媒蒸気発生部２３は、予め入れておいた溶媒に対して第１の不活性ガス供給部２２からの不活性ガスを通すことにより、当該不活性ガスを溶媒蒸気で飽和させた飽和溶媒蒸気とし、これを第１の流量調節器２４へ供給する。この溶媒蒸気発生部２３に入れておく溶媒の種類は、結晶化させる前駆体原料に対して溶解性のある溶媒が選択され、例えばＤＡＳＴ（4-N,N-dimethylamino-4'-N-methylstilbazolium tosylate）を前駆体原料として用いる場合には、これに対して親和性のある溶媒としてメタノールを用いる。
【００２６】
濃度制御室２６は、第１の流量調節器２４により流量が制御された飽和溶媒蒸気と、第２の不活性ガス供給部２２から流出し、かつ第２の流量調節器２５において流量が制御された不活性ガスがそれぞれ供給される。濃度制御室２６は、これら互いに異なる経路から供給された飽和溶媒蒸気並びに不活性ガスを混合することにより、蒸気の飽和度が制御された溶媒蒸気を新たに生成し、これをチューブ１６を介してチャンバ１１内へ供給する。
【００２７】
ちなみに、この濃度制御室２６内の溶媒蒸気には、赤外光源２７から窓２６ａを介して入射される波数９００ｃｍ−１〜１２００ｃｍ−１の赤外光が照射されることになる。この溶媒蒸気に照射された赤外光のうち一部は透過して、窓２６ａに対向する窓２６ｂを介して外部に出射する。
【００２８】
赤外分光器２８は、この溶媒蒸気を透過し、かつ窓２６ｂから出射された赤外光を検出する。この赤外分光器２８は、検出した赤外光を光電変換した透過光強度信号を生成し、これを図示しないモニタを介して表示することにより、ユーザに対して赤外光の透過強度を知らせることができる。
【００２９】
このような溶媒蒸気生成部２において、チャンバ１１へ供給する溶媒蒸気の濃度を制御する場合には、この赤外分光器２８により検出された赤外光の透過強度を識別する。この赤外光の透過特性は、溶媒蒸気の濃度に支配される。例えば図２に示すように、溶媒蒸気として溶媒分子を全く含まない不活性ガス（Ｎ２）のみで構成した場合には、赤外光の透過強度は高い所で安定することとなるが、溶媒分子で満たされた飽和溶媒蒸気の場合には、特に波数１０００ｃｍ−１〜１０７０ｃｍ−１の領域において透過強度が著しく低下する。本発明では、溶媒蒸気の濃度に対して赤外光の透過特性が異なることを逆に利用し、赤外光の透過特性を識別することでチャンバ１１へ供給すべき溶媒蒸気の濃度を求める。
【００３０】
溶媒蒸気の濃度は、この不活性ガス（０％）から飽和溶媒蒸気（１００％）に至るまでの濃度（０％〜１００％）で表すことができる。例えば、波数１０５０ｃｍ−１の赤外光を溶媒蒸気に照射した結果、赤外光の透過強度がｘｔであった場合には、溶媒蒸気の濃度は以下の（１）式で表すことができる。
溶媒蒸気の濃度＝（ｘｔ−ｌｍｉｎ）／（ｌｍａｘ−ｌｍｉｎ）×１００・・・・・（１）
ここでｌｍａｘは、波数１０５０ｃｍ−１の赤外光を不活性ガスに照射した場合の赤外光の透過強度であり、またｌｍｉｎは、波数１０５０ｃｍ−１の赤外光を飽和溶媒蒸気に照射した場合の赤外光の透過強度である。
【００３１】
ちなみに、溶媒蒸気の濃度を調整する場合には、上述の如く赤外光の透過強度を求めることにより、現時点における溶媒蒸気の濃度を識別する。そして、これを目標とする溶媒蒸気の濃度へ近づけるべく、第１の流量調節器２４、第２の流量調節器２５により流量を調整する。
【００３２】
仮に、現時点における溶媒蒸気の濃度が目標とする濃度よりも低い場合には、溶媒分子の濃度を増加させるべく、飽和溶媒蒸気の流量の比率が高くなるように第１の流量調節器２４、第２の流量調節器２５を調整する。これに対して、現時点における溶媒蒸気の濃度が目標とする濃度よりも高い場合には、溶媒分子の濃度を減少させるべく、飽和溶媒蒸気の流量の比率が低くなるように第１の流量調節器２４、第２の流量調節器２５を調整する。
【００３３】
なお、この溶媒蒸気生成部２では、赤外光の透過強度を測定することにより、溶媒蒸気の濃度を常時モニタリングし、これに基づいて第１の流量調節器２４、第２の流量調節器２５における流量調整を自動的に行うようにしてもよい。
【００３４】
即ち、本発明を適用した薄膜作製装置１では、溶媒蒸気の濃度を赤外吸収を利用して識別することができるため、これらのモニタリングを容易に行うことができ、ひいては溶媒蒸気の濃度の最適化を効率よく実行することができる。
【００３５】
次に、本発明を適用した薄膜作製装置１を利用して、前駆体原料を結晶化させる例につき説明をする。
【００３６】
先ずステップＳ１１において、図３(a)に示すように、前駆体原料を基板１２上へ付着させる。例えば、前駆体原料を含む溶液を基板１２上に塗布する場合において、この基板１２に付着させる単位面積当たりの物質量（膜厚）を制御するために、スピンコート法やインクジェット法を用いるようにしてもよい。なお、この過程において基板１２上に付着させた前駆体原料の結晶性は低いのが一般的である。
【００３７】
次に、ステップＳ１２へ移行し、この前駆体原料が付着された基板１２に対して、溶媒蒸気生成部２において生成した溶媒蒸気を図３(b)に示すように接触させる。これにより、基板１２上に付着された前駆体原料と、溶媒蒸気との親和性により、結晶性の悪い部分から先に溶解していく。その結果、図３(b)に示すように、溶媒蒸気が前駆体原料に付着されて生じる溶液膜ができる。また、この溶媒蒸気は、この前駆対原料を溶解させることにより濃度そのものが低下する。その結果、図３(c)に示すように、前駆体原料の溶解の進行が抑制されるとともに、結晶化が促されることになる（ステップＳ１３）。
【００３８】
なお、前駆体原料を多量に溶解し過ぎると、スピンコート法等に基づいて精度よく制御した膜厚を維持できなくなる可能性もある。かかる場合には、上述の如き赤外吸収を利用することにより、溶解量を抑制すべく溶媒蒸気の濃度を下げるように制御することが必要となる。即ち、生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより前駆体原料の結晶化そのものを制御する。
【００３９】
ちなみに、このステップＳ１２〜ステップＳ１３は繰り返し実行してもよい。即ち、基板１２上に付着させた前駆体原料に対して溶媒蒸気を接触させることにより、これを溶解させ結晶化を促すとともに、溶媒蒸気の濃度が低下してきた場合には、再びステップＳ１２に戻り、溶媒蒸気生成部２において新たに生成した溶媒蒸気を接触させる。その結果、図３(d)に示すステップＳ１４の如く、先に溶解した結晶性の悪い前駆体原料が再結晶化するため、全体としての結晶性を向上させることができ、最終的には図３(e)に示すように、高結晶性の薄膜を基板１２上に作り上げることができる。ちなみに、この薄膜の結晶化度に関しては、偏光顕微鏡１７による観察像から随時識別することができる。
【００４０】
このように、本発明を適用した薄膜作製装置１では、前駆体原料に対して親和性のある溶媒を気化させた溶媒蒸気を接触させることにより、液体状の溶媒をその前駆体原料に接触させる場合と比較して、これを低速度で溶解させることができる。その結果、特に溶媒の濃度が低下してきた場合において、先に溶解させた前駆体原料を再結晶化させることができる、即ち、溶解速度を低速化させることにより、再結晶化させるのに十分な時間を得ることができるため、前駆体原料に対して微量ずつ溶媒を加えてこれを溶解し、低速で乾燥させることによりこれを再結晶化させるのとほぼ同等のプロセスを進行させることができる。
【００４１】
このため、薄膜の結晶性を高めることができることに加え、作製する結晶そのものを大きくすることができる。
【００４２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、例えば上述したステップＳ１２〜ステップＳ１３を繰り返す場合に加えて、さらにステップＳ１１を繰り返し実行するようにしてもよい。即ち、薄膜の前駆体原料をこのステップＳ１１において繰り返し付着させて、これを溶解、再結晶化させることにより、高結晶性の薄膜を幾層に亘って作製することができる。
【００４３】
また、本発明では、このステップＳ１２〜ステップＳ１３の過程において、基板１２が設置される雰囲気の温度勾配、前駆体原料に対して印加する電場、又は前駆体原料に照射する光、のうち何れかを制御するようにしてもよい。温度勾配を制御する場合、電場を制御する場合には、電極１３に印加する電圧を制御することにより実行し、また、照射する光を制御する場合には、光源１８から出射される光の波長等を制御することになる。このように結晶配向を促す外部からの刺激を加えることにより、溶解させた前駆体原料を配向結晶化させることができるため、基板１２上に作製する薄膜の結晶配向を高精度に制御することができる。
【００４４】
なお本発明では、溶媒蒸気生成部２において、上記溶媒蒸気の前駆体原料への接触時間が経過するにつれて当該溶媒蒸気の濃度を低くするように調整してもよい。即ち、あえて溶媒蒸気の濃度を低くする時間帯を設けることにより、一度溶解した前駆体原料を再結晶化させることができ、高結晶化を助長させることができる。また、溶媒蒸気の濃度の制御に加えて、上述の外部からの刺激を与えることにより、配向結晶化も同時に促進させることができる。
【００４５】
ちなみに、液体状の溶媒を前駆体原料に接触させることにより結晶成長させる場合は、結晶成長速度の異方性は前駆体原料の物性に支配されるところ、基板１２上に膜厚と面積を別々に設定することができず、超薄膜を精度よく作製することができない。一方、本発明では、ステップＳ１１において、スピンコート法やインクジェット法を用いることにより、膜厚を調整することができ、さらにステップＳ１２〜ステップＳ１３の過程において、結晶配向を促す外部からの刺激を与えることにより、結晶の配向を制御することができる。即ち、溶媒蒸気の濃度を制御しつつ、これを前駆体原料に接触させることにより、固相と液層とを薄膜中で共存させることができ、膜厚の均一性を維持しつつ結晶化を行うことができる。
【００４６】
また、本発明では、上述した結晶化プロセスを大気圧中で実行することができる。このため、基板を真空中に設置するための複雑かつ高価な真空排気機構が不要となる。また、大気圧中で結晶化可能な本発明では、真空中に設置することが不可能なインクジェット装置をチャンバ１１に配設することも可能となるため、インクジェットによるナノオーダのパターニングを行うことができるという利点もある。
【００４７】
また本発明では、従来の真空蒸着法等では結晶性の高い薄膜の作製が困難であった物質を薄膜結晶化させることができ、ＤＡＳＴ等に代表される有機物の非線形光学材料を導波路化させることができる。また、これまで作製が困難であった有機電荷移動錯体の有機ＬＥＤへの応用が可能となる。この電荷移動錯体は、励起状態が化学的に安定であるため、長寿命、大出力の有機ＬＥＤの実現を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明を適用した薄膜作製装置の構成図である。
【図２】飽和蒸気に照射する赤外光の波数に対する赤外光の透過強度の関係を示す図である。
【図３】前駆体原料を結晶化させるプロセスにつき説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１  薄膜作製装置、２  溶媒蒸気生成部、１１  チャンバ、１２  基板、１３  電極、１４,１６  チューブ、１５  バブラー、１７  偏光顕微鏡、１８  光源、２１  第１の不活性ガス供給部、２２  第２の不活性ガス供給部、２３  溶媒蒸気発生部、２４  第１の流量調節器、２５  第２の流量調節器、２６  濃度制御室、２７  赤外光源、２８  赤外分光器  
【図１】
2005281011.tif 000003
【図２】
2005281011.tif 000004
【図３】
2005281011.tif 000005