(57)【要約】【課題】  ねじり現象及び垂れ現象の生じない、背面基板側に固着されたグリッド電極を有し、所定の輝度および色純度の範囲を満足する下部ゲート構造の電子放出表示装置を提供する。【解決手段】  基板と、基板上に所定形状で互いに絶縁されて配置される第１電極および第２電極のうち一つに接続する電子放出部と、電子放出部から放出される電子が通過するホールを具備する第３電極とを含み、第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率が、０．５以上で１．０以下の電子放出素子を提供する。【選択図】  図２
2005294261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に所定形状で互いに絶縁されて配置される第１電極および第２電極と、
前記電極のうち一つと接続する電子放出部と、前記電子放出部から放出される電子が通過するホールとを具備する第３電極を含み、
前記第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率が、０．５以上１．０以下であることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記第１電極および第２電極は同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記第３電極の前面に追加的に絶縁膜が塗布されることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記第３電極はＳＵＳ鋼またはインバー鋼で製造されることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記第３電極はフリットによって前記基板側に固着されることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率が、０．６９以上１．０以下であることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記電子放出部は、カーボンナノチューブと、
黒鉛、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、またはこれらの組み合わせからなるナノチューブと、
Ｓｉ、ＳｉＣのナノワイヤからなることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記第３電極はスペーサの端部が挿入されるスペーサ挿入ホールを具備したことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項９】
対向配置される第１基板および第２基板と、
前記第１基板上に所定の形状で互いに絶縁されて交差配置される少なくとも一つの第１電極および第２電極と、
前記第１電極と接続する電子放出部と、
前記電子放出部から放出される電子が通過するホールを具備する第３電極、および第２基板上にアノード電極および蛍光膜を具備する画像具現部を含み、
前記第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅間の比率が０．５以上、１．０以下であることを特徴とする電子放出表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極および第２電極は同一平面上に形成される請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１１】
前記第２基板の内側対向面に位置し、光遮蔽膜を追加的に含むことを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１２】
前記第２基板の内側対向面に位置し、金属反射膜を追加的に含むことを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１３】
前記第３電極の前面に追加的に絶縁膜が塗布されることを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１４】
前記第３電極はＳＵＳ鋼またはインバー鋼で製造されたことを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１５】
前記第３電極はフリットによって前記第１基板側に固着されることを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１６】
前記第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率が、０．６９以上１．０以下の請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１７】
前記電子放出部は、カーボンナノチューブと、
黒鉛、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、またはこれらの組み合わせからなるナノチューブと、
Ｓｉ、ＳｉＣのナノワイヤからなることを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１８】
前記第１基板および第２基板を所定の距離で離隔して支持するスペーサを追加的に含むことを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【請求項１９】
前記第３電極はスペーサの端部が挿入されるスペーサ挿入ホールを具備したことを特徴とする請求項９記載の電子放出表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子および電子放出表示装置に関し、特に下部ゲート構造である電子放出素子および電子放出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子は、電子源として熱陰極を用いる方式と冷陰極を用いる方式がある。冷陰極を用いる方式の電子放出素子としてはＦＥＡ（Field Emitter Array）型、ＳＣＥ（Surface Conduction Emitter）型、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型、およびＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型、ＢＳＥ（Ballistic Electron Surface Emitting）型などがよく知られている。
【０００３】
ＦＥＡ型電子放出素子は、仕事関数が低かったりβ関数の高い物質を電子放出源として使用して真空中で電界差によって電子が放出される原理を利用したものであり、先端が鋭いチップ構造物や炭素系物質またはナノ物質を電子放出源に適用した素子が開発されている。
【０００４】
ＳＣＥ型電子放出素子は、基板上に互いに向き合い配置された二つの電極の間に導電薄膜を提供し、前記導電薄膜に微細亀裂を提供することによって電子放出部を形成した素子である。前記素子は電極に電圧を印加して導電薄膜の表面に電流を流し、前記微細ギャップである電子放出部から電子が放出される原理を利用する。
【０００５】
ＭＩＭ型、およびＭＩＳ型電子放出素子は、各々金属−誘電層−金属ＭＩＭと、金属−誘電層−半導体ＭＩＳ構造からなる電子放出部を形成し、誘電層を中において位置する両金属または金属と半導体の間に電圧を印加するとき、高い電子電位を持つ金属または半導体から低い電子電位を持つ金属の方に電子が移動および加速されつつ放出される原理を利用した素子である。
【０００６】
ＢＳＥ型電子放出素子は、半導体の寸法を半導体中の電子の平均自由行程より小さい寸法領域まで縮小すれば、電子が散乱せずに走行する原理を利用してオーミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し、電子供給層上に絶縁層と金属薄膜を形成してオーミック電極と金属薄膜に電源を印加することによって電子が放出するようにした素子である。
【０００７】
このような電子放出素子等を利用すれば、電子放出表示装置、各種バックライト、リソグラフィ用電子ビーム装置などを具現することができる。このうち、電子放出表示装置は、電子放出素子を具備して電子を放出する電子放出領域と、放出された電子を蛍光体に衝突させ、発光させるための画像表現領域を具備して構成される。一般に、電子放出表示装置は第１基板上に複数個の電子放出素子とこれらの電子放出を制御する駆動電極を具備し、第１基板から放出された電子が第２基板に形成された蛍光層に向かって効率的に加速されるように蛍光層とこれに接続された電極を具備するようになる。一方、カソード、アノードおよびゲート電極を具備する三極管構造の電子放出表示装置は、カソード電極とゲート電極に所定の駆動電圧を印加し、この電極に印加された電圧の差に対して電界を形成することにより、電子放出部から電子を放出させ、この放出された電子を蛍光層にて加速させる構造である。このように動作する電子放出表示装置は陰極線管と同様に高い輝度と広い視野角を持つという長所がある。
【０００８】
以下、図１を参照して従来の技術による下部ゲート構造の電子放出表示装置を説明する。
図１を参照すれば、電子放出表示装置は対向配置された背面基板１１、および透明な前面基板１２を含み、これらの間にスペーサ１３を配置して一定の間隔を維持する。背面基板１１上には、ストライプパターンを有するゲート電極１４、絶縁層１５およびゲート電極１４に交差する方向のストライプパターンを有するカソード電極１６が順次形成されている。
【０００９】
また、カソード電極１６と接続して電子を放出する電子放出部１７が形成されている。電子放出部１７が形成されたカソード電極１６と隣接したカソード電極１８の間には、対向電極１９が形成されている。対向電極１９は絶縁層１５に形成されたホールを通ってゲート電極１４と接続される。このように、ゲート電極１４がカソード電極１６より下部に位置する構造の電子放出表示装置を、下部ゲート構造の電子放出表示装置という。
【００１０】
前面基板１２の内側対向面にはアノード電極２０が位置し、アノード電極２０の少なくとも一面に蛍光層２１が位置する。カソード電極１６とアノード電極２０の間には、電子放出部１７から放出される電子が集束されるように制御するグリッド電極２２が位置する。このグリッド電極２２はスペーサ１３によって一定の位置に固定されるように支持される。このような構成の電子放出表示装置において、グリッド電極２２、スペーサ１３、および前面基板１２を相互連結するためには塑性化工程を経るべきであるが、これによってグリッド電極２２内に残留応力が発生し、グリッド電極２２のねじりが発生し得る。また、グリッド電極２２が荷重によって垂れる現象が起り得る。このような現象が起った場合、電子放出部１７から放出された電子が選択された発光領域でない近接した領域の蛍光体にぶつかることになり、このことによって色純度が低下するので、高解像度を具現することが容易でなくなる。
【００１１】
なお、特許文献１には、隔壁リブを利用した３極管炭素ナノチューブ電界放出素子およびその製造方法が開示されている。
特許文献２には、電子放出素子およびこれを用いた画像表示装置が開示されている。
特許文献３には、ナノチューブエミッタを有するグリッド変造型冷陰極源を用いたマイクロ波真空管装置が開示されている。
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００１−００８１４９７号明細書
【特許文献２】韓国特許出願公開第２００１−０１０２５２８号明細書
【特許文献３】特開２００２−１１００５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
したがって、本発明は上述の問題を解決するためのものであり、本発明の目的はねじり現象及び垂れ現象の生じない、背面基板側に固着されたグリッド電極を有し、所定の輝度および色純度の範囲を満足する下部ゲート構造の電子放出表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するための技術的手段として本発明の第１側面は、基板、基板上に所定形状で互いに絶縁されて配置される第１電極および第２電極、電極等のうち一つと接続する電子放出部と、電子放出部から放出される電子が通過されるホールを具備する第３電極を含み、第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率が、０．５以上であり１．０以下の電子放出素子を提供する。
【００１４】
本発明の第２側面は、対向配置される第１基板および第２基板、第１基板上に所定の形状で互いに絶縁されて交差配置される少なくとも一つの第１電極および第２電極、第１電極と接続する電子放出部、電子放出部から放出される電子が通過するホールを具備する第３電極、および第２基板上にアノード電極および蛍光膜を具備する画像具現部を含み、第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅間の比率が０．５以上であり、１．０以下の電子放出表示装置を提供する。第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅間の比率は０．６９以上であり、１．０以下であることが好ましい。第１電極および第２電極は同一平面上に形成されることが好ましい。電子放出部は、カーボンナノチューブと、黒鉛、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、またはこれらの組み合わせからなるナノチューブと、Ｓｉ、ＳｉＣのナノワイヤからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による下部ゲート構造の電子放出表示装置はねじり現象および垂れ現象を防止することができ、所定の輝度および色純度の範囲を満足するという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図２ないし５を参照して本発明の第１実施形態による背面基板側に固着されたグリッド電極を有する下部ゲート構造の電子放出表示装置を説明する。
【００１７】
図２ないし図５を参照すれば、本発明の第１実施形態による電子放出素子は、基板３１、基板３１上に、基板上に所定形状で互いに絶縁されて配置される第１電極３４および第２電極３６、第１電極３４および第２電極３６のうち一つと接続する電子放出部３５、および電子放出部３５から放出される電子が通過されるホールを具備する第３電極５２を含み、第３電極５２の水平幅と電子放出部３５の水平幅の比率が、０．５以上であり１．０以下の電子放出素子を提供する。
また、本発明の第１実施形態による電子放出素子を採用した電子放出表示装置は、対向配置される第１基板３１、および第２基板４１、第１基板３１上に所定の形状で互いに絶縁されて交差配置される、少なくとも一つの第１電極３４、および第２電極３６、第１電極３４と接続する電子放出部３５、第２基板４１上にアノード電極４２、および蛍光膜４４を具備する画像具現部を含み、第３電極５２の水平幅と電子放出部３５の水平幅の比率が、０．５以上であり１．０以下の電子放出表示装置を提供する。第３電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率は、０．６９以上であり１．０以下であることが好ましい。
【００１８】
より詳細に説明すれば、電子放出表示装置は、対向配置された背面基板３１、および透明な前面基板４１を含み、これらの間にスペーサ５１を配置して一定の間隔を維持する。背面基板３１上には、ストライプパターンを持つ導体であるゲート電極３２が位置する。背面基板３１としてガラス基板が使用されうる。
ゲート電極３２、および背面基板３１上には、ホールを具備した絶縁層３３が位置する。絶縁層３３上にはゲート電極３２と交差する方向のストライプパターンを持つ導体のカソード電極３４が形成されている。カソード電極３４の側端には、電子放出物質からなる電子放出部３５が接続されている。
【００１９】
電子放出部３５が形成されたカソード電極３４と隣接するカソード電極３４の間には、導体の対向電極３６が形成されている。対向電極３６は、絶縁層３３に形成されたホールを介してゲート電極３２と接続される。電子放出部３５は、カーボン系物質、例えば、カーボンナノチューブと、黒鉛、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、またはこれらの組み合わせからなるナノチューブと、Ｓｉ、ＳｉＣのナノワイヤからなることが可能であり、好ましくはカーボンナノチューブを用いることができる。
【００２０】
前面基板４１に形成されるアノード電極４２は、ＩＴＯ等のように光透過率の優れた透明電極で形成されうる。前記前面基板４１に形成される蛍光層４４はストライプまたはマトリックス形状で赤蛍光層、緑蛍光層、青蛍光層を所定の間隔をおいて交代配列してなる。また、前記それぞれの蛍光層４４の間にはコントラスト向上のために光遮蔽膜４３を形成する。そして、前記蛍光層４４と光遮蔽膜４３上にはアルミニウムなどからなる金属反射膜（図示せず）を追加的に形成することもできる。前記金属反射膜は耐電圧特性と輝度向上に役立つ。
【００２１】
ここで、図２に示された前面基板の構成は、本発明の技術的思想を限定せず、蛍光層と光遮蔽膜を前面基板に直接形成し、その上に金属反射膜を形成して高電圧を印加し、アノード電極として機能するように構成することができる。この場合には、透明電極で前面基板上にアノード電極を形成することに比べて高い電圧を収容できるから画面の輝度向上に有利である。一方、光遮蔽膜は前面基板を構成する選択的要素である。
【００２２】
背面基板３１と前面基板４１の間にホール５２ａを具備したグリッド電極５２が位置する。更に、グリッド電極５２にはスペーサ５１の端部が挿入されるスペーサ挿入ホール５２ｂを具備することもあり得る。グリッド電極５２の下面、および上面には絶縁膜５３が位置する。
【００２３】
前記絶縁膜５３はグリッド電極５２の下面のみに位置することができる。絶縁膜５３は図面に示されたようにグリッド電極５２が位置する全領域に位置することができるが、カソード電極との固着に必要な所定の領域のみに位置することができる。絶縁膜５３が形成されたグリッド電極５２はフリット５４によって背面基板側に固着される。すなわち、グリッド電極５２はカソード電極３４および／または絶縁層３３に固着されうる。このような構造の電子放出表示装置は、グリッド電極がスペーサに付着された従来の技術による電子放出表示装置とは違って、絶縁膜５３が形成されたグリッド電極５２がフリット５４によって背面基板側に直接付着されているので、塑性化工程後にもグリッド電極５２のねじれが発生せず、グリッド電極５２が荷重によって垂れるような現象が起らない。
【００２４】
上述した電子放出表示装置は次のように動作する。
カソード電極３４とゲート電極３２の間に一定の電圧が印加されると電子が電子放出部３５から量子力学的にトンネリングされて放出される。この電子は更に大きいアノード電極４２の電圧によってアノード電極４２方に加速され、アノード電極４２に塗布されている蛍光層４４に衝突することになる。このため、蛍光層４４内の特定元素内にある電子が励起されてから離れつつ光を発生させる。このように動作する電子放出表示装置において、グリッド電極５２は電子放出部３５から放出された電子を集束させることにより、電子放出部３５から放出された電子が前記電子放出部３５に対応する蛍光層４４以外の隣接する他の蛍光層に衝突することを防止する機能を果たす。
【００２５】
もしも、グリッド電極５２の水平幅Ｓｗが電子放出部３５の水平幅Ｅｗに比べてあまりに狭ければ、電子放出部３５から放出された電子の殆どがグリッド電極５２によって遮蔽されるので、一部の電子のみが蛍光層４４に到達する。この場合には、蛍光層４４から発光する光の量が少なくなるから輝度が落ちるという問題がある。これに対して、グリッド電極５２の水平幅Ｓｗが電子放出部３５の水平幅Ｅｗに比べてあまりに広ければ、電子放出部３５から放出された電子が対応される蛍光層４４に集束されず、隣接する他の蛍光層に衝突すようになる。この場合には他の蛍光層の色が発光するので、色純度が落ちるという問題がある。したがって、グリッド電極５２の水平幅Ｓｗと電子放出部３５の水平幅Ｅｗ間、すなわち、Ｓｗ／Ｅｗは電子放出表示装置の性能を決定する重要な要素の一つである。
【００２６】
以下、図６を参照して本発明の第１実施形態による電子放出素子を採用した電子放出表示装置において、グリッド電極の水平幅Ｓｗと電子放出部の水平幅Ｅｗ間の比率による性能を説明する。
【００２７】
図６はグリッド電極の水平幅Ｓｗと電子放出部の水平幅Ｅｗ間の比率、すなわち、Ｓｗ／Ｅｗによるアノード電極電流、および他色余裕の変化を試験した結果を示すグラフである。電子放出部の水平幅Ｅｗは１２８μｍに固定し、グリッド電極の水平幅Ｓｗのみを５０〜１９５μｍに変化させながらアノード電極電流の密度、および他色余裕を測定した。この際、カソード電極の面積は７０ｃｍ２である。また、カソード電極には−８０Ｖの電圧が印加され、アノード電極には４ＫＶの電圧が印加され、ゲート電極およびグリッド電極には７０Ｖの電圧が印加される。
【００２８】
アノード電極電流はアノード電極に流れる電流、すなわち、カソード電極から放出された電子のうち、蛍光層にぶつかった後にアノード電極へ流入されることにより発生する電流を意味する。
アノード電極電流は輝度を決定する重要な因子であり、アノード電極電流の量が大きければ輝度が高いことを意味し、アノード電極電流の量が少なければ輝度が低いことを意味する。３。５μＡ／ｃｍ２以上のアノード電極電流の量が電子放出表示装置で要求される。
【００２９】
他色余裕は色純度を決定する重要な因子であり、電子放出部から放出された電子が前記電子放出部に対応する蛍光層以外の隣接する他の蛍光層に衝突するまでの余裕を意味する。もしも、他色余裕が少なければ電子放出部から放出された電子が他の蛍光層に衝突するから、他の蛍光層の色が発光することになり、色純度が落ちる。他色余裕が大きければ電子放出部から放出された電子が前記電子放出部に対応する蛍光層に衝突するので、色純度が上がる。０μｍ以上の他色余裕が電子放出表示装置で要求される。
【００３０】
図６において、グリッド電極の水平幅Ｓｗと電子放出部の水平幅Ｅｗ間の比率、すなわちＳｗ／Ｅｗが、概ね０．５以上１．０以下の領域で上述したアノード電極電流密度および他色余裕の要件が満たされる。好ましくは、グリッド電極の水平幅と電子放出部の水平幅の比率は、０．６９以上であり１．０以下であるのがアノード電極電流密度および他色余裕の要件を充足する。
【００３１】
Ｓｗ／Ｅｗが０．５未満の領域ではアノード電極電流密度が落ちて電子放出表示装置が低い輝度を有するという問題がある。Ｓｗ／Ｅｗが１超過の領域では他色余裕が少なくなり、電子放出表示装置が低い色純度を有するという問題がある。これに対して、Ｓｗ／Ｅｗが概ね０．５以上１．０以下の領域では上述したアノード電極電流密度および他色余裕の要件が満たされるので、電子放出表示装置が適当な輝度と色純度を有する。
【００３２】
以下、図２、４、５、７ないし１２を参照して本発明の第１実施形態による電子放出素子およびこれを採用した電子放出表示装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３３】
まず、図７ないし１２を参照して電子放出素子を形成する工程を説明する。
図７および８を参照すれば、背面基板３１上にＸ軸方向のストライプパターンを有するゲート電極３２を形成する。背面基板３１としてはガラス基板を使用することができる。ゲート電極３２は透明電極のＩＴＯ（indium tin oxide）を使用することができる。
【００３４】
ＩＴＯペーストを用いて厚膜印刷法でゲート電極３２のパターンを形成する方式またはＩＴＯを蒸着した後、パターニングする方式でゲート電極が形成されうる。
【００３５】
図９および１０を参照すれば、ホールを有する絶縁層３３を形成する。このため、まず背面基板３１およびゲート電極３２上に厚膜印刷法で絶縁層３３を塗布した後、これを乾燥して塑性化する。その後、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によって絶縁層３３をエッチングし、ゲート電極３２の一部を露出させるホールを形成する。
【００３６】
図１１および１２を参照すれば、金属層を蒸着およびパターニングしてカソード電極３４として使用する。以後の工程にて電子放出部３５が形成される部分では、金属層が除去されるようにする。カソード電極３４と接続して形成される電子放出物質としては、カーボンナノチューブが使用されうる。カーボンナノチューブを用いて電子放出部３５を形成するために、まず厚膜印刷法でカーボンナノチューブを塗布し、これを乾燥させる。その後、後面露光を遂行して現像し、電子放出部３５が形成される領域以外の領域に位置するカーボンナノチューブを除去する。
【００３７】
次に、図２および４を参照し、前面基板で遂行される工程について説明する。
図２および４を参照すれば、まず、前面基板４１にアノード電極４２を形成する。アノード電極４２はＩＴＯ等のように光透過率の優れた透明電極で形成されうる。その後、蛍光層４４および光遮蔽膜４３を形成する。蛍光層４４はストライプまたはマトリックス形状で赤蛍光層、緑蛍光層、青蛍光層を所定の間隔をおいて交代配列してなる。光遮蔽膜４３は前記それぞれの蛍光層４４の間に形成され、コントラストの向上を目的とする。
【００３８】
そして、前記蛍光層４４と光遮蔽膜４３上にはアルミニウムなどからなる金属反射膜（図示せず）を形成することもできる。前記金属反射膜は耐電圧特性と輝度向上に役立つ。
また、前記蛍光層と光遮蔽膜を前面基板に直接形成し、その上に金属薄膜層を形成して高電圧を印加し、アノード電極として機能するように構成することもできる。この場合には、透明電極で前面基板上にアノード電極を形成することに比べて高い電圧を収容できるから画面の輝度向上に有利である。
次に図５を参照してグリッド電極の製造工程について説明する。グリッド電極５２の材質はステンレス鋼（stainless steel）のサス（SUS）鋼またはインバー（INVAR）鋼を使用することができる。インバー鋼は熱膨張係数が一般のサスに比べてはるかに小さいので、次の塑性化工程の際に発生する熱応力を減らすのに効果的である。グリッド電極５２のホール５２ａパターンは一つのホール５２ａに一つの蛍光層４４の色相が対応するように形成され、かつグリッド電極５２にはスペーサ５１の端部が挿入される挿入ホール５２ｂが形成されている。
【００３９】
次に、図２を参照して背面基板３１、前面基板４１、スペーサ５１およびグリッド電極５２を結合する工程について説明する。絶縁膜５３が形成されたグリッド電極５２の背面にフリット５４を塗布した後、グリッド電極５２を背面基板３１に整列させてフリット５４が塗布された部分をカソード電極３４に接着させる。そして、端部にフリットが塗布されたスペーサ５１をスペーサ挿入ホールに挿入する。以後、フリット５４を塑性化してグリッド電極５２をカソード電極３４に固着し、スペーサ５１をグリッド電極５２に固着する。その後、背面基板３１および前面基板４１を、パケージングして電子放出表示装置を完成する。
【００４０】
本発明の好ましい実施形態による電子放出素子は、特に、背面基板上部にゲート電極、カソード電極、および対向電極が形成された構造を有するものと例示されているが、電子放出部から電子を放出して前面基板に形成された蛍光体に衝突できる構造を有するものであれば、前記構造に特に限定されず、様々な種類を持つ電子放出素子に適用可能であることはいうまでも無い。
【００４１】
本発明の技術思想は前記好ましい実施形態によって具体的に記述されたが、前記実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないことに注意すべきである。
さらに、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば本発明の技術思想の範囲内で様々な変形例が可能であることは理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来の技術による下部ゲート構造の電子放出表示装置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるグリッド電極を具備する電子放出素子を採用した電子放出表示装置の断面図である。
【図３】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の平面図である。
【図４】図２の電子放出表示装置に採用された前面基板の平面図である。
【図５】図２の電子放出表示装置に採用されたグリッド電極の平面図である。
【図６】グリッド電極の水平幅Ｓｗと電子放出部の水平幅Ｅｗ間の比率によるアノード電極電流、および他色余裕の変化を試験した結果を図示するグラフである。
【図７】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【図８】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【図９】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【図１０】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【図１１】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【図１２】図２の電子放出表示装置に採用された電子放出素子の製造工程の各段階を示した図面である。
【符号の説明】
【００４３】
１１、３１  背面基板
１２、４１  前面基板
１３、５１  スペーサ
１４、３２  ゲート電極
１５、３３  絶縁層
１６、１８、３４  カソード電極
１７、３５  電子放出部
２０、４２  アノード電極
２１、４４  蛍光層
２２、５２  グリッド電極
３１  第１基板
３４  第１電極
３６  第２電極
４１  第２基板
４３  光遮蔽膜
４４  蛍光膜
５２  第３電極
５２ｂ  挿入ホール
５３  絶縁膜
５４  フリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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