(57)【要約】      （修正有）【課題】ボンディング時に位置ずれを起こしても隣接するバンプとリードが短絡を起こさないインナーリード形状を提供する。【解決手段】チップは、いくつかの第１バンプ３１８およびいくつかの第２バンプ３２０を有しており、第１バンプと第２バンプは間隔をあけられている。第１バンプは、第２バンプよりもチップ３１４の側面３１４ｂから遠くにある。キャリア３１２は、ベース３１５およびいくつかの第１インナーリード３２２を有している。それぞれの第１インナーリードは、本体部３２２ａおよび遠位端ボンディング部３２２ｂを有している。本体部の幅は、遠位端ボンディング部の幅よりも小さい。遠位端ボンディング部は、チップがキャリア上に配置されるようにして第１バンプに電気的に接合されており、本体部のそれぞれは、２つの隣り合う第２バンプの間に配置されている。【選択図】図３
2005167221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ面および側面を有するチップであり、前記アクティブ面が、複数の第１バンプと、該第１バンプによって間隔をあけられた複数の第２バンプとを有し、前記第１バンプが、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある、前記チップと、
ベースおよび複数の第１インナーリードを有するキャリアと
を備え、
前記第１インナーリードのそれぞれが、本体部および遠位端ボンディング部を有し、前記本体部が、前記遠位端ボンディング部の幅よりも小さい幅を有し、前記遠位端ボンディング部が、前記チップが当該キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合されており、前記本体部のそれぞれが、２つの隣り合う前記第２バンプの間に配置されている、半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１バンプのそれぞれの幅が、前記第１インナーリードのそれぞれの前記遠位端ボンディング部の幅よりも大きい、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記キャリアが、さらに複数の第２インナーリードを有し、該第２インナーリードが、前記第１インナーリードによって間隔をあけられており、前記第２インナーリードの遠位端が、前記第２バンプに電気的に接合されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第２インナーリードのそれぞれが、一定幅の長手方向形状を有している、請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第２インナーリードのそれぞれの幅が、前記第１インナーリードのそれぞれの前記遠位端ボンディング部の幅と実質的に等しい、請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第１バンプが、複数の第１金バンプであり、前記第２バンプが、複数の第２金バンプである、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記第１インナーリードが、前記本体部につながる延長部を有し、該延長部が、前記本体部の幅よりも大きい幅を有している、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記チップおよび前記キャリアが、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）工程によって共に電気的に接合されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記半導体パッケージが、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）およびチップオンフィルム（ＣＯＦ）パッケージからなる群から選ばれる、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
アクティブ面および側面を有するチップであり、前記アクティブ面が、複数の第１バンプと、該第１バンプによって間隔をあけられた複数の第２バンプとを有し、前記第１バンプが、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある、前記チップと、
ベースおよび複数の第１インナーリードを有するキャリアと
を備え、
前記第１インナーリードのそれぞれが、前記チップが当該キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合するための遠位端ボンディング部を有し、前記第１インナーリードのそれぞれの、２つの隣り合う前記第２バンプの間に配置された部分が、前記遠位端ボンディング部のそれぞれの幅よりも小さい幅を有している、半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記第１バンプのそれぞれの幅が、前記遠位端ボンディング部の幅よりも大きい、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記キャリアが、前記第１インナーリードによって間隔をあけられた複数の第２インナーリードをさらに有し、該第２インナーリードの遠位端が、前記第２バンプに電気的に接合されている、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記第２インナーリードのそれぞれが、一定幅の長手方向形状を有している、請求項１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記第２インナーリードのそれぞれの幅が、前記遠位端ボンディング部のそれぞれの幅と実質的に等しい、請求項１３に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記第１バンプが、複数の第１金バンプであり、前記第２バンプが、複数の第２金バンプである、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記チップおよび前記キャリアが、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）工程によって共に電気的に接合されている、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記半導体パッケージが、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）およびチップオンフィルム（ＣＯＦ）パッケージからなる群から選ばれる、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
アクティブ面および側面を有するチップであり、前記アクティブ面が、複数の第１バンプと複数の第２バンプとを有し、前記第１バンプが、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある、前記チップと、
ベースおよび複数の第１インナーリードを有するキャリアと
を備え、
前記第１インナーリードのそれぞれが、前記チップが当該キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合するための遠位端ボンディング部を有し、１つの前記第１インナーリードの、１つの前記第２バンプに隣り合う部分が、前記１つの前記第１インナーリードの前記遠位端ボンディング部の幅よりも小さい幅を有している、半導体パッケージ。
【請求項１９】
隣り合う２つの前記第１バンプが、Ｍ個の前記第２バンプによって間隔をあけられており、Ｍは２以上の整数である、請求項１８に記載の半導体パッケージ。
【請求項２０】
隣り合う２つの前記第２バンプが、Ｎ個の前記第１バンプによって間隔をあけられており、Ｎは２以上の整数である、請求項１８に記載の半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記１つの前記第１インナーリードの前記部分が、前記１つの前記第１インナーリードの他の部分よりも小さい幅を有している、請求項１８に記載の半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記１つの前記第１インナーリードの前記部分が、該部分の両側縁で縮まっている、請求項１８に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本出願は、２００３年１１月６日付けで出願された台湾出願番号第９２１３１１５０号の利益を主張するものであり、その内容を参照により本明細書に援用する。
【発明の分野】
【０００２】
[0001]本発明は、概して半導体パッケージに関し、より詳細には、インナーリードおよびバンプを有する半導体パッケージに関する。
【関連技術の説明】
【０００３】
[0002]テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）またはチップオンフィルム（ＣＯＦ）パッケージ内にチップをパッケージングする工程においては、有機物ベースで構成されたテープキャリアが用いられ、チップがマウントされるところの基礎として機能する従来のリードフレームまたは基板に取って代わることが特徴である。さらに、パッケージ工程は、各チップが各テープキャリア上にマウントされるようにして、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）工程によって連続するテープ列上にバッチ式に行われる。
【０００４】
[0003]図１は、従来の半導体パッケージを示す平面図である。図１に示すように、半導体パッケージ１０は、例えば、ＴＣＰであり、またテープキャリア１２およびチップ１４を含んでいる。チップ１４は、アクティブ面１４ａと、該アクティブ面１４ａにつながる側面１４ｂ、１４ｃ、１４ｄおよび１４ｅとを有している。アクティブ面１４ａは、いくつかの入出力（Ｉ／Ｏ）ボンディング・パッド（例えばＡｌ（アルミニウム）パッド）を有しており、その上で第１金バンプ１８および第２金バンプ２０を覆う。第１金バンプ１８は、第２金バンプ２０によって間隔をあけられている。第１金バンプ１８と、それぞれの側面１４ｂ、１４ｃ、１４ｄおよび１４ｅに隣り合う第２金バンプ２０とに関して、第１金バンプ１８は、隣り合う側面１４ｂ、１４ｃ、１４ｄおよび１４ｅから、第２金バンプ２０よりも遠くにある。
【０００５】
[0004]テープキャリア１２は、ベース１５と、チップ１４を収容するためのくぼみ１６と、いくつかの第１インナーリード２２と、いくつかの第２インナーリード２４とを有している。なお、半導体パッケージ１０がＣＯＦパッケージであれば、テープキャリア１２はくぼみ１６を有している必要はなく、チップ１４はテープキャリア１２上に直接配置する。くぼみ１６は、チップ１４を収容するのに用いられる。第１インナーリード２２は、第２インナーリード２４によって間隔をあけられている。第１インナーリード２２の遠位端および第２インナーリード２４の遠位端は、くぼみ１６の開口部へと露出させ、それぞれ第１金バンプ１８および第２金バンプ２０に電気的に接合する。チップ１４は、テープキャリア１２上に配置され、またチップ１４は、第１インナーリード２２および第２インナーリード２４を介して外部回路に電気的に接続することができる。
【０００６】
[0005]なお、第１バンプ１８および第２バンプ２０は、チップ１４がくぼみ１６内に埋め込まれた後に、内部リードボンディング（ＩＬＢ）工程によって、それぞれ、第１インナーリード２２および第２インナーリード２４に接合することができる。
【０００７】
[0006]図２は、図１の半導体パッケージを示す、部分拡大概略図である。図２において、例えば、第１金バンプ１８の幅は第２金バンプ２０の幅と等しく、第１インナーリード２２および第２インナーリード２４のそれぞれは、一定幅の長手方向形状を有している。第１インナーリード２２の幅は第２インナーリード２４の幅と等しく、第１金バンプ１８の幅は、第１インナーリード２２の幅よりも大きい。隣り合う第１金バンプ１８と第２金バンプ２０との間のピッチはＡ、第１金バンプ１８および第２金バンプ２０のそれぞれの幅はＢである。第１インナーリード２２および第２インナーリード２４のそれぞれの幅はＣ、隣り合う第１インナーリード２２と第２金バンプ２０との間のピッチはＤである。この中で、Ｄの値は、Ａ−Ｂ／２−Ｃ／２の計算結果算出値に等しい。例えば、Ａ、ＢおよびＣの値は、それぞれ、３７、３６および２０マイクロメートル（μｍ）であり、Ｄの値は９μｍである。すなわち、第１金バンプ１８および第２金バンプ２０が、それぞれ、第１インナーリード２２の遠位端および第２インナーリード２４の遠位端に、位置合わせされかつ接合されている場合、隣り合う第１インナーリード２２と第２金バンプ２０との間のピッチは９μｍである。
【０００８】
[0007]しかし、第１金バンプ１８および第２金バンプ２０が、それぞれ、第１インナーリード２２の遠位端および第２インナーリード２４の遠位端に位置ずれして接合されている場合、第１インナーリード２２は一定幅の長手方向形状を有しており、しかも第１インナーリード２２と第２金バンプ２０との間のピッチは非常に小さいため、第１インナーリード２２が隣り合う第２金バンプ２０に電気的に接続される傾向がある。このようにして、半導体パッケージ１０の電気的な品質に大きな影響を及ぼす深刻な短絡現象が生じうる。
【発明の概要】
【０００９】
[0008]したがって、本発明の目的は、第１インナーリードの、第２バンプに隣り合う部分の幅が、前記第１インナーリードの遠位端の幅よりも小さいように構成されている半導体パッケージを提供することにある。それにより、チップとキャリアとが位置ずれした場合に、第１インナーリードと第２バンプとの間での電気的接続の可能性を減少させ、短絡現象の発生を防止し、半導体パッケージの電気的な品質を維持することができる。
【００１０】
[0009]本発明は、チップおよびキャリアを備える半導体パッケージを提供することにより上記特定された目的を達成するものである。前記チップは、アクティブ面と側面とを有している。前記アクティブ面は、いくつかの第１バンプおよびいくつかの第２バンプを有している。前記第１バンプは、前記第２バンプによって間隔をあけられている。前記第１バンプは、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある。前記キャリアは、ベースおよびいくつかの第１インナーリードを有している。前記第１インナーリードのそれぞれは、本体部および遠位端ボンディング部を有している。前記本体部は、前記遠位端ボンディング部の幅よりも小さい幅を有している。前記遠位端ボンディング部は、前記チップが前記キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合されている。前記本体部のそれぞれは、２つの隣り合う前記第２バンプの間に配置されている。
【００１１】
[0010]本発明はまた、チップおよびキャリアを備える半導体パッケージを提供することにより上記特定された目的を達成するものである。前記チップは、アクティブ面および側面を有している。前記アクティブ面は、いくつかの第１バンプおよびいくつかの第２バンプを有している。前記第１バンプは、前記第２バンプによって間隔をあけられている。前記第１バンプは、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある。前記キャリアは、ベースおよびいくつかの第１インナーリードを有している。前記第１インナーリードのそれぞれは、遠位端ボンディング部を有している。前記遠位端ボンディング部は、前記チップが前記キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合する。前記第１インナーリードのそれぞれの、２つの隣り合う前記第２バンプの間に配置された部分は、前記遠位端ボンディング部のそれぞれの幅よりも小さい幅を有している。
【００１２】
[0011]本発明はまた、チップおよびキャリアを備える半導体パッケージを提供することにより上記特定された目的を達成するものである。前記チップは、アクティブ面および側面を有している。前記アクティブ面は、いくつかの第１バンプおよびいくつかの第２バンプを有している。前記第１バンプは、前記側面から前記第２バンプよりも遠くにある。前記キャリアは、ベースおよびいくつかの第１インナーリードを有している。前記第１インナーリードのそれぞれは、遠位端ボンディング部を有している。前記遠位端ボンディング部は、前記チップが前記キャリア上に配置されるようにして前記第１バンプに電気的に接合する。１つの前記第１インナーリードの、１つの前記第２バンプに隣り合う部分は、前記１つの前記第１インナーリードの前記遠位端ボンディング部の幅よりも小さい幅を有している。
【００１３】
[0012]さらに、本発明の１つの特徴は、隣り合う２つの前記第１バンプが、Ｍ個の前記第２バンプによって間隔をあけられており、Ｍは２以上の整数であることである。
【００１４】
[0013]本発明の他の特徴は、隣り合う２つの前記第２バンプが、Ｎ個の前記第１バンプによって間隔をあけられており、Ｎは２以上の整数であることである。
【００１５】
[0014]本発明の他の目的、特徴、および利点は、以下の、好ましいが限定的ではない実施形態の詳細な説明から明らかになるであろう。以下の説明は、添付の図面を参照して行う。
【本発明の詳細な説明】
【００１６】
（第１実施形態）
[0022]図３の（Ａ）は、本発明の第１実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。図３の（Ａ）に示すように、半導体パッケージ３１０は、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）であり、キャリア３１２およびチップ３１４を含んでいる。チップ３１４は、アクティブ面３１４ａと、該アクティブ面３１４ａにつながる側面３１４ｂとを有している。アクティブ面３１４ａは、いくつかの第１バンプ３１８と、いくつかの第２バンプ３２０とを有している。第１バンプ３１８は、第２バンプ３２０によって間隔をあけられている。第１バンプ３１８は、側面３１４ｂから、第２バンプ３２０よりも遠くにある。キャリア３１２は、ベース３１５と、チップ３１４を収容するためのくぼみ３１６と、いくつかの第１インナーリード３２２と、いくつかの第２インナーリード３２４とを有している。くぼみ３１６は、チップ３１４を収容するのに用いられる。第１インナーリード３２２は、第２インナーリード３２４によって間隔をあけられている。
【００１７】
[0023]この発明は、第１インナーリード３２２が、本体部３２２ａと、該本体部３２２ａにつながる遠位端ボンディング部３２２ｂとを有し、かつ、本体部３２２ａの幅が、遠位端ボンディング部３２２ｂの幅よりも小さいことを特徴とする。第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂと第２インナーリード３２４の遠位端とは、くぼみ３１６の開口部へと露出させ、それぞれ、第１バンプ３１８と第２バンプ３２０とに電気的に接合する。チップ３１４は、キャリア３１２のくぼみ３１６内に配置され、第１インナーリード３２２の本体部３２２ａは、２つの隣り合う第２バンプ３２０の間に配置される。チップ３１４は、第１インナーリード３２２および第２インナーリード３２４を介して外部回路に電気的に接続することができる。
【００１８】
[0024]さらに、第１バンプ３１８のそれぞれの幅は、第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂのそれぞれの幅よりも大きくてよく、また、第２バンプ３２０のそれぞれの幅は、第２インナーリード３２４の遠位端のそれぞれの幅よりも大きくてよい。第２インナーリード３２４は、一定幅の長手方向形状を有していてよく、また、第２インナーリード３２４のそれぞれの幅は、より優れた性能を得るために、第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂのそれぞれの幅と実質的に等しい。しかしながら、この構成は、第１実施形態の実施物を限定することを意図するものではない。
【００１９】
[0025]再び図３の（Ａ）を参照して頂きたい。例えば、隣り合う第１バンプ３１８と第２バンプ３２０との間のピッチはＭ、第１バンプ３１８および第２バンプ３２０のそれぞれの幅はＮ、第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂのそれぞれと第２インナーリード３２４のそれぞれとの幅はＯ、第１インナーリード３２２の本体部３２２ａのそれぞれの幅はＰ、第１インナーリード３２２の本体部３２２ａと、該本体部３２２ａに隣り合う第２バンプ３２０との間のピッチはＸである。この中で、Ｘの値は、Ｍ−Ｎ／２−Ｐ／２の計算結果算出値である。例えば、Ｍ、Ｎ、ＯおよびＰの値は、それぞれ、３７、３６、２０および８マイクロメートル（μｍ）であり、Ｘの値は１５μｍである。すなわち、第１バンプ３１８と第２バンプ３２０とが、それぞれ、第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂと第２インナーリード３２４の遠位端とに、位置合わせされかつ電気的に接合されている場合、第１インナーリード３２２の本体部３２２ａと、該本体部３２２ａに隣り合う第２バンプ３２０との間のピッチは１５μｍであり、これは、図２の従来技術における隣り合う第１インナーリード２２と第２バンプ２０との間のピッチよりも大きい。なお、本発明の第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂの幅は、第１バンプ３１８との電気的接続効果と調和するように、かつ、共晶組織すなわち金属間構造の強さと調和するように構成されていることに留意すべきである。
【００２０】
[0026]したがって、本発明では、第１インナーリード３２２のそれぞれの、第１バンプ３１８のそれぞれに接触していない部分の幅が狭くされている。すなわち、それぞれの遠位端ボンディング部３２２ｂを除いた構造の幅は、それぞれの遠位端ボンディング部３２２ｂの幅よりも小さく、それにより、第１インナーリード３２２と、隣り合う第２バンプ３２０との間のピッチが大きくなっている。その結果、第１インナーリード３２２と、隣り合う第２バンプ３２０との間での電気的接続の可能性を減少させ、短絡現象の発生を防止し、それにより、チップ３１４がキャリア３１２に位置ずれして電気的に接合された場合に、半導体パッケージ３１０の電気的な品質を維持することができる。
【００２１】
（第２実施形態）
[0027]図３の（Ｂ）は、本発明の第２実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。図３の（Ｂ）に示すように、半導体パッケージ３５０はＣＯＦパッケージである。第２実施形態の半導体パッケージ３５０と、第１実施形態の半導体パッケージ３１０との間の相違点は、半導体パッケージ３５０のキャリア３５２が、くぼみは有していないが、ベース３６５と、いくつかの第１インナーリード３２２と、いくつかの第２インナーリード３２４とをやはり有していることである。そのため、チップ３１４を、キャリア３５２上に直接配置し、第１インナーリード３２２および第２インナーリード３２４に電気的に接合することができる。半導体パッケージ３５０と、第１実施形態の半導体パッケージ３１０とが有する同一の特性は、簡単のため記載しない。
【００２２】
（第３実施形態）
[0028]図４の（Ａ）は、本発明の第３実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。図４の（Ａ）に示すように、半導体パッケージ４１０はＴＣＰであり、キャリア４１２およびチップ４１４を含んでいる。チップ４１４は、アクティブ面４１４ａと、該アクティブ面４１４ａにつながる側面４１４ｂとを有している。アクティブ面４１４ａは、いくつかの第１バンプ４１８およびいくつかの第２バンプ４２０を有している。第１バンプ４１８は、第２バンプ４２０によって間隔をあけられている。第２バンプ４２０は、第１バンプ４１８と側面４１４ｂとの間に配置されている。キャリア４１２は、ベース４１５と、くぼみ４１６と、いくつかの第１インナーリード４２２と、いくつかの第２インナーリード４２４とを有している。くぼみ４１６は、チップ４１４を収容するのに用いられる。第１インナーリード４２２は、第２インナーリード４２４によって間隔をあけられている。
【００２３】
[0029]この発明は、第１インナーリード４２２が、延長部４２２ａと、本体部４２２ｂと、遠位端ボンディング部４２２ｃとを有していることを特徴とする。本体部４２２ｂは、延長部４２２ａと遠位端ボンディング部４２２ｃとをつなげるのに用いられる。本体部４２２ｂの幅は、遠位端ボンディング部４２２ｃの幅よりも小さい。延長部４２２ａの幅は、本体部４２２ｂの幅よりも大きい。また、延長部４２２ａの幅は、遠位端ボンディング部４２２ｃの幅と等しい。第１インナーリード４２２の遠位端ボンディング部４２２ｃと第２インナーリード４２４の遠位端とは、くぼみ４１６の開口部へと露出させ、それぞれ第１バンプ４１８および第２バンプ４２０に電気的に接合するものである。チップ４１４は、キャリア４１２のくぼみ４１６内に配置され、第１インナーリード４２２の本体部４２２ｂは、２つの隣り合う第２バンプ４２０の間に配置される。チップ４１４は、第１インナーリード４２２および第２インナーリード４２４を介して外部回路に電気的に接続することができる。
【００２４】
[0030]さらに、第１バンプ４１８の幅は、第１インナーリード４２２の遠位端ボンディング部４２２ｃの幅よりも大きくてよく、また、第２バンプ４２０の幅は、第２インナーリード４２４の遠位端の幅よりも大きくてよい。第２インナーリード４２４は、一定幅の長手方向形状を有していてよく、また、第２インナーリード４２４の幅は、実施物においてより優れた性能を得るために、第１インナーリード４２２の遠位端ボンディング部４２２ｃの幅と等しくすることができる。しかしながら、この構成は、第３実施形態の実施物を限定することを意図するものではない。第１インナーリード４２２の本体部４２２ｂと、該本体部４２２ｂに隣り合う第２バンプ４２０との間のピッチは、図２の従来技術の第１インナーリード２２と第２バンプ２０との間のピッチよりも大きい。なお、本発明の第１インナーリード４２２の遠位端ボンディング部４２２ｃの幅は、第１バンプ４１８との電気的接続効果と調和するように、かつ、共晶組織すなわち金属間構造の強さと調和するように構成されていることに留意すべきである。
【００２５】
[0031]したがって、第１インナーリード４２２と、その隣り合う第２バンプ４２０との間での電気的接続の可能性を減少させ、短絡現象の発生を防止し、それにより、チップ４１４がキャリア４１２に位置ずれして電気的に接合された場合に、半導体パッケージ４１０の電気的な品質を維持することができるように、本発明では、第２バンプ４２０に隣り合う第１インナーリード４２２の部分構造の幅が狭くされている。
【００２６】
（第４実施形態）
[0032]図４の（Ｂ）は、本発明の第４実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。図４の（Ｂ）に示すように、半導体パッケージ４５０はＣＯＦパッケージである。第４実施形態の半導体パッケージ４５０と、第３実施形態の半導体パッケージ４１０との間の相違点は、半導体パッケージ４５０のキャリア４５２が、くぼみは有していないが、ベース４６５をやはり有していることである。そのため、チップ４１４を、キャリア４５２上に直接配置し、第１インナーリード４２２および第２インナーリード４２４に電気的に接合することができる。半導体パッケージ４５０と、第３実施形態の半導体パッケージ４１０とが有する同一の特性は、簡単のため記載しない。
【００２７】
（第５実施形態）
[0033]図３の（Ａ）〜図４の（Ｂ）を参照して頂きたい。２つの隣り合う第２バンプ３２０は、１つの第１バンプ３１８によって間隔をあけるのではなく、２つ以上の第１バンプ３１８によって間隔をあけることができるからである。２つの隣り合う第１バンプ３１８は、１つの第２バンプ３２０によって間隔をあけるのではなく、２つ以上の第２バンプ３２０によって間隔をあけることができる。図３の（Ａ）の第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂまたは図３の（Ｂ）の第１インナーリード３２２の遠位端ボンディング部３２２ｂを除く構造は、両側縁で縮めずに、一側縁のみで縮めることができる。同じ考えが図４の（Ａ）および（Ｂ）における構成要素にも適用できる。したがって、図５を示してこの考えを図示する。
【００２８】
[0034]図５に示すように、おそらくはＣＯＦパッケージまたはＴＣＰである半導体パッケージ５５０は、キャリア５５２およびチップ５１４を含んでいる。チップ５１４は、アクティブ面５１４ａと、該アクティブ面５１４ａにつながる側面５１４ｂとを有している。アクティブ面５１４ａは、いくつかの第１バンプ５１８およびいくつかの第２バンプ５２０を有している。第１バンプ５１８は、第２バンプ５２０によって間隔をあけられている。第１バンプ５１８は、側面５１４ｂから、第２バンプ５２０よりも遠くにある。キャリア５５２は、ベース５６５と、いくつかの第１インナーリード５２２と、いくつかの第２インナーリード５２４とを有している。半導体パッケージ５５０がＴＣＰであれば、キャリア５５２はさらに、チップ５１４を収容するためのくぼみ（不図示）を有している。半導体パッケージ５５０がＣＯＦパッケージであれば、チップ５１４はキャリア５５２上に直接配置することができる。第１インナーリード５２２は、第２インナーリード５２４によって間隔をあけられている。
【００２９】
[0035]第１インナーリード５２２は、延長部５２２ａと、本体部５２２ｂと、遠位端ボンディング部５２２ｃとを有している。本体部５２２ｂは、延長部５２２ａと遠位端ボンディング部５２２ｃとをつなげるのに用いられる。本体部５２２ｂの幅は、遠位端ボンディング部５２２ｃの幅よりも小さい。第１インナーリード５２２の遠位端ボンディング部５２２ｃと、第２インナーリード５２４の遠位端とは、それぞれ、第１バンプ５１８と第２バンプ５２０とに電気的に接合されるものである。チップ５１４は、第１インナーリード５２２および第２インナーリード５２４を介して外部回路に電気的に接続することができる。
【００３０】
[0036]第５実施形態の半導体パッケージ５５０と、第４実施形態の半導体パッケージ４５０との間の相違点は、２つの隣り合う第２バンプ５２０が、２つ以上（例えば２つ）の第１バンプ５１８によって間隔をあけることができ、２つの隣り合う第１バンプ５１８が、２つ以上（例えば３つ）の第２バンプ５２０によって間隔をあけることができるということである。すなわち、２つの隣り合う第２インナーリード５２４は、２つの第１インナーリード５２２によって間隔をあけることができ、２つの隣り合う第１インナーリード５２２は、３つの第２インナーリード５２４によって間隔をあけることができる。加えて、本体部５２２ｂの幅は、両側縁で縮まるのではなく、一側縁のみで縮まることで、遠位端ボンディング部５２２ｃの幅よりも小さい。延長部５２２ａの幅は、遠位端ボンディング部５２２ｃの幅と選択的に等しくてもよい。
【００３１】
[0037]したがって、第１インナーリード５２２と、その隣り合う第２バンプ５２０との間での電気的接続の可能性を減少させ、短絡現象の発生を防止し、それにより、チップ５１４がキャリア５５２に位置ずれして接合された場合に、半導体パッケージ５５０の電気的な品質を維持することができるように、本発明では、第２バンプ５２０に隣り合う第１インナーリード５２２の部分構造の幅が狭くされている。
【００３２】
[0038]当業者はまた、本発明がこの技術に限定されないということを理解しうる。例えば、第１バンプは、いくつかの金バンプ、いくつかのはんだバンプ、またはいくつかの鉛フリーバンプであってもよい。第２バンプもまた、いくつかの金バンプ、いくつかのはんだバンプ、またはいくつかの鉛フリーバンプであってもよい。さらに、チップおよびキャリアは、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）工程によって共に電気的に接合し、ベースを、例えば、ポリイミド（ＰＩ）としてもよい。
【００３３】
[0039]本発明の実施形態による半導体パッケージにおいては、第１バンプに隣り合う第１インナーリードの部分構造の幅が、第１インナーリードの遠位端の幅よりも小さい。したがって、チップとキャリアとが位置ずれした場合に、第１インナーリードと、第２バンプとの間での電気的接続の可能性を減少させ、短絡現象の発生を防止し、それにより、半導体パッケージの電気的な品質を維持することができる。
【００３４】
[0040]本発明を、例示の目的で、好ましい実施形態によって説明してきたが、本発明はそれらに限定されるものではないということが理解されるべきである。反対に、様々な変形や、同様な配置および手順を含むことが意図されており、したがって、添付の特許請求の範囲は、全てのそのような変形や、同様な配置および手順を包含するように、最も広い解釈が与えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の半導体パッケージを示す平面図である（従来技術）。
【図２】図１の半導体パッケージを示す部分拡大概略図である（従来技術）。
【図３】（Ａ）は本発明の第１実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図であり、（Ｂ）は本発明の第２実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。
【図４】（Ａ）は本発明の第３実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図であり、（Ｂ）は本発明の第４実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。
【図５】本発明の第５実施形態による半導体パッケージを示す部分平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
３１０，３５０，４１０、４５０，５５０・・・半導体パッケージ、３１２，３５２，４１２、４５２，５５２・・・キャリア、３１４ａ，４１４ａ，５１４ａ・・・アクティブ面、３１４，４１４，５１４・・・チップ、３１４ｂ，４１４ｂ，５１４ｂ・・・側面、３１５，３６５，４１５，４６５，５６５・・・ベース、３１８，３２０，４１８，４２０，５１８，５２０・・・バンプ、３２２，３２４，４２２，４２４，５２２，５２４・・・インナーリード、３２２ａ・・・本体部、３２２ｂ・・・遠位端ボンディング部、４２２ａ，５２２ａ・・・延長部、４２２ｂ，５２２ｂ・・・本体部、４２２ｃ，５２２ｃ・・・遠位端ボンディング部。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
2005167221000001.pdf