(57)【要約】  【課題】より小さなサイズを有する構造の提供を可能にする。  【解決手段】半導体デバイスの製造方法において、同一のパターンであるが、ある距離だけ互いに対して移動している、第１および第２パターンを利用して、小さなサイズの構造を半導体材料などの材料内に作成する。２つのマスク層が使用される。第１パターンは、選択的エッチングで上部マスクへエッチングされ、第２パターンは上部マスク層上、または、上部マスク層が除去された位置の下部マスク層上に作成される。第２パターンに従って、下部マスク層および／または上部マスク層の一部がエッチングされ、下部および上部マスク層の残余部分で形成されたマスクをもたらし、マスクは、第１パターンに対する第２パターンの移動により決定されたサイズを伴う構造を有する。マスクは、無めっき材料をエッチングするのに使用可能であり、小さなサイズを有する材料構造が作成される。【選択図】  図１ｄ
2005294822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を下部マスク層（３）で覆い、かつ、下部マスク層（３）を上部マスク層（４）で覆うことと、
リソグラフマスクを用いて上部マスク層（４）上に第１パターンを作成することと、
第１パターンに応じて上部マスク層（４）の一部分を除去することとを含む、材料内にパターンが作成された半導体デバイスの製造方法であって、
リソグラフマスクを用いて、上部マスク層（４）上、又は上部マスク層（４）が除去された位置の下部マスク層（３）上に第２パターンを作成することであって、マスクは、第２パターンが第１パターンに対して置き換えられる形態で、ある距離にわたって置き換えられることと、
少なくとも第２パターンに従って、下部マスク層（３）、および／または、上部マスク層（４）の一部分を除去することと、
下部および上部のマスク層（３、４）の残余部分により形成されたマスクに従って、材料の一部分を除去することとを含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
少なくとも第２パターンに従って、下部マスク層（３）、および／または、上部マスク層（４）の一部分を除去するステップが、
上部マスク層（４）の残余部分により形成されたパターンで覆われた第２パターンに従って、下部マスク層（３）の一部分を除去することを含む、請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
少なくとも第２パターンに従って、下部マスク層（３）、および／または、上部マスク層（４）の一部分を除去するステップが、
第２パターンに従って、上部マスク層（４）の一部分を除去することと、
上部マスク層（４）により形成されたパターンに従って、下部マスク層（３）の一部分を除去することとを含む、請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
第１または第２のパターンに従って、下部マスク層（３）または上部マスク層（３）の一部分の除去が、そのパターンに従うそれぞれの層の選択的なエッチングを含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
材料が、有機材料、および／または、無機材料を含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
材料が、無機材料層（１）を覆っている有機材料層（２）を含む、請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
下部および上部のマスク層（３、４）の残余部分で形成されたマスクに従う、材料の一部分の除去が、
下部および上部のマスク層（３、４）の残余部分により形成されたマスクに従って、有機材料（２）の一部分を除去することと、
少なくとも有機材料（２）の残余部分により形成されたマスクに従って、無機材料（１）の一部分を除去することと、
有機材料（２）の残余部分を除去することとを含む、請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
下部および上部のマスク（３、４）の残余部分を除去するさらなるステップを含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体デバイスの製造方法で形成された半導体構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンが材料内で作成される半導体デバイスの製造方法に関し、本方法は、材料を下部マスク層で覆うこと、および、下部マスク層を上部マスク層で覆うこと、リソグラフマスクを用いて上部マスク層上に第１パターンを作成すること、および、第１パターンに応じて上部マスク層の一部分を除去することを含んでいる。さらに、本発明は、本発明に従う方法で処理される半導体構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の要約は、半導体デバイスの製造を説明している。シリコン酸化膜上に有機層が形成される。その後、有機層は、下部無機マスクが有機層を保護しながら、レジストを除去する形で、２つの積重ね無機マスクにより覆われる。
【特許文献１】特開２０００−２２３４９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来技術における問題は、集積回路など、超小型回路のサイズがいっそう小さくなっていることである。ところが、こうした材料、あるいは他の材料で形作られたパターンのサイズは、パターンを材料に適用する作像システムの解像度により制限されている。したがって、溝およびＩＭＤなどの構造のサイズは、作像システムの解像度により制限される。
【０００４】
本発明の目的は、より小さなサイズを有する構造の提供を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために、本発明に従う方法は、リソグラフマスクを用いて、上部マスク層上、あるいは上部マスク層が除去された位置の下部マスク層上に第２パターンを作成することにより特徴付けられ、マスクは、第２パターンが第１パターンに対して移される形で、ある距離だけ移され、さらに、少なくとも第２パターンに従って、下部マスク層、および／または、上部マスク層の一部分を除去し、そして、下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従って、材料の一部分を除去する。
【０００６】
最初に、上部マスク層は、リソグラフマスクに従ってパターン化される。その後、マスクはある距離だけ移動し、そして、上述のように、第１パターンと同一の第２パターンが作成されるが、それは、第１パターンに対して前記距離だけ移動している。第２パターンは、上部マスク層が第１パターンに応じて除去された位置で、上部マスク層上あるいは下部マスク層上に提供される。次いで、少なくとも第２パターンに従い、下部マスク層、および／または、上部マスク層の一部分が除去される。結果として、マスクは、下部マスク層と上部マスク層の残余部分により作成される。この結果として生成されるマスクの解像度は、それぞれの層上にリソグラフマスクを投影する作像システムの解像度により排他的に決定される。しかしながら、移動されたために、構造は、主に移動精度により決定された解像度で作成可能である。マスクが移動されることにより、つまり、第１パターンに対して第２パターンを移動することにより、結果的に、小さなサイズの、したがって高解像度を有する構造が作成可能となる。次のステップとして、下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従い、材料の一部分が除去される。
【０００７】
本方法は、例えば小さな溝などの小さな構造の作成へ適用可能であり、さらにこの目的のために有利な実施例では、少なくとも第２パターンに従い、下部マスク層、および／または、上部マスク層の一部分を除去するステップは、上部マスク層の残余部分により形成されたパターンで覆われた第２パターンに従って、下部マスク層の一部分を除去することを含んでいる。第１パターンに応じて上部マスク層の一部分を除去した後は、下部マスク層の一部分は、もはや上部マスク層で覆われてはいない。移動されたパターンに従って、現時点で覆われていない下部マスク層の一部分は、上部マスク層の残余部分、すなわち、第１パターンに応じて上部マスク層の一部分を除去した後の上部マスク層の残余部分により覆われた、第２パターンにより形成されたパターンに従って有効に除去される。次のステップとして、基礎を成す材料の一部分は、下部および上部マスク層の残余部分により形成された、結果として得られるマスクで除去可能である。下部マスク層のより小さな部分が除去されるので、材料内に、小さな溝あるいは他の開口部などの小さな構造が作成可能となる。
【０００８】
代替的に、あるいはそれに加えて、本発明に従う方法により、材料内に小さなスペーシングなどの小さな残余部分を作成することが可能であり、この目的のために、有利な実施例では、少なくとも第２パターンに従い、下部マスク層、および／または、上部マスク層の一部分を除去するステップは、第２パターンに従って上部マスク層の一部分を除去し、さらに、上部マスク層により形成されたパターンに従って下部マスク層の一部分を除去することを含んでいる。したがって、第１パターンに応じた上部マスク層の一部分の除去に続いて、上部マスク層の一部分は、第２パターンに応じて除去される。結果として、例えば、上部マスクの小さなスペーシングなどの小さな構造が残ることになり、そのサイズは、マスクおよび第１パターンに対する第２パターンの移動により決定されるように、パターンの原幅により決定されることになる。その後、下部マスク層の一部分は、上部マスク層により形成されたパターンに応じて除去され、それに続き、基礎を成す材料が除去される。結果として、基礎を成す材料の小さなスペーシングが残ることになり、そのサイズは、本質的に、第１パターンに対する第２パターンの移動、およびパターンの原幅により決定される。
【０００９】
有利なことに、マスク層、すなわち、下部マスク層、および／または、上部マスク層のいずれかの一部分の除去は、それぞれのパターンに従って、それぞれの層の選択的エッチングにより実行される。結果として、それぞれの層、すなわち、上部マスク層あるいは下部マスク層のみがエッチングされ、他方のマスク層はエッチングされない。
【００１０】
材料は、有機材料、および／または、無機材料を含むことが可能である。無機誘電体材料などの無機材料では、マスク層に対する良好な選択性の達成は困難である。この問題を解決するために、有利な実施例では、材料は無機材料層を覆う有機材料層を含んでいる。下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従う材料の一部分の除去は、下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従った有機材料の一部分の除去、および、少なくとも有機材料の残余部分により形成されたマスクに従った無機材料の一部分の除去、および、有機材料の残余部分の除去を含んでいる。したがって、有機材料は、上述のようなステップに従ってパターン化され、その後、無機材料の一部分が、マスクとしての有機材料の残余部分を用いて除去され、そして、有機材料の残余部分が除去可能であり、その後、有機材料の所望のパターンが結果として生じることになる。
【００１１】
上述の実施例のいずれにおいても、本方法は、下部および上部マスク層の残余部分を除去するさらなるステップを有利に含んでいる。この層は、ウェットもしくはドライエッチング、化学的機械的研磨などの、いかなる適当な除去技術によっても除去可能である。
【００１２】
ここで、本発明のさらなる利点および特徴は、本発明の非制限実施例を示す図面を参照して説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１ａから図１ｄは、基板７上に形成された無機誘電体１を含む、半導体構造（の一部分）の断面図を示している。この基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンオンインシュレータなど、伝導性あるいは半導性基板であってもよい。この基板は、セラミック板、水晶板、薄膜基板などの絶縁性基板であってもよい。無機誘電体のトップ上には、有機材料層２が提供されている。有機材料層２は、図にハードマスク２（無機）として示した下部マスク層で順番に覆われており、それが、図にハードマスク１（無機）として示した上部マスク層により順番に覆われている。無機材料はパターン化を要する層であり、図示した他の層は、本処理で使われる犠牲層である。この構造のトップ上には、レジスト層５が適用されており、図１ｂに示したように、パターンは、例えば標準のリソグラフィステップによりレジスト５へ移される。図１ｃに示したように、ここで、下部マスク層に対して選択的な、すなわち、上部マスク層４のみをエッチングし下部マスク層３はエッチングしないエッチングレシピを用いることにより、パターンが上部マスク層４へエッチングされる。その後、レジスト５が剥がされ、その結果は図１ｃに示される。次に、レジスト６の新しい層が構造のトップ上へ提供され、そのパターンが再びレジスト６内へ移され、さらに、図１ｂに示したパターンと同様に、レジスト６の適用可能な部分がパターンに応じて除去されるが、しかしながら、図１ｄに関連して示したように第２パターンは、図１ｂに関連して示したように、以前の（すなわち、第１）パターンに対してある距離だけ移動されている。図１ｄのレジスト６内のパターンは、パターンを、存在している上部マスク層４上、および、上部マスク層４が除去された位置の下部マスク層３上に作成する。ひとたび図１ｄに描かれたステージに達すると、２つの異なるアプローチが使用可能である。一方は小さな溝の作成、他方は小さなスペーシングの作成である。小さな溝の作成のためのさらなるステップは図２ａから図２ｄに関連して示されており、小さなスペーシングの作成のためのさらなるステップは図３ａから図３ｄに関連して示されている。いずれの場合も、さらなるステップは、少なくとも第２パターンに従う、下部マスク層、および／または、上部マスク層の一部分の除去、および、下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従う材料、すなわち、有機あるいは無機層の一部の除去を含んでいる。
【００１４】
図２ａに示したように、図１ｄに示したような状態から開始し、次のステップとして、下部マスク層３の一部分が、上部マスク層４に対して選択的なエッチングレシピによりエッチングされ、したがって、結果的に、有機材料２あるいは上部マスク層４に影響することはない。結果として、小さな溝は下部マスク層３の中に作成され、その溝は３ａにより示されている。下部マスク層３内の小さな溝３ａは、第１パターンおよび第２パターンの露出部分と重なるだけの幅を有している。このように、溝３ａのサイズ（この例では幅）は、例えばレジスト５あるいは上部マスク層４などにある第１パターン内の、あるいは、レジスト６などにある第２パターンの開口部幅と比べて減少される。次のステップとして、図２ｂに関連して示したように、有機材料２はエッチングされ、それによりレジスト６も除去される。下部マスク層３の溝３ａは小さなサイズであるため、有機材料２内の溝も、同一あるいは実質的に同一の小さいサイズを有している。次に、図２ｃに関連して示したように、有機材料２内に存在しているパターンは、無機誘電体１へエッチングされ、続いて、２つのハードマスク３、４が除去される。最終的に、図２ｄに示したように、有機材料２も除去される。
【００１５】
ここで、図１ｄに示したような状態から開始して、小さなスペーシングを作成するためのさらなるステップは、図３ａから図３ｆに関連して示される。図１ａから図１ｄに関連して説明されたステップを実行した後、図３ａに関連して示したように、次のステップとして、上部マスク層４が、レジスト６内に形成されたような第２パターンで、再び選択的にエッチングされる。それから、レジスト６は、図３ｂに示したように、例えば、その後剥がされるなどして除去される。結果として、スペーシング４ａが作成され、そのサイズは、第１パターンおよび第２パターンの解像度により取得可能なサイズより小さい。上部マスク層４の選択的エッチングは、（実質的に）下部マスク層３に影響しないエッチング動作として解釈されるべきであり、逆もまた同様であることに留意しなければならない。次に、下部マスク層３は、上部マスク層４に影響することなく、選択的にエッチングされ、その結果は図３ｃに示されている。結果として、ここで、上部マスク層４および下部マスク層３に形作られたスペーシング４ａは、２つのパターンが重なる部分のみから成っている。したがって、スペーシング４ａのサイズは、第１および第２パターンのスペーシングと比べて減少される。そして、下部マスク層３、および／または、上部マスク層４内のパターンは、有機層２をエッチングするマスクとして使用され、その結果は、図３ｄに示されている。このステップに続いて、ここで有機層２内に存在するパターンは、無機質層１をエッチングする際に、無機質層１に対するマスクとして使用される。このエッチングステップでは、下部マスク層３および上部マスク層４もエッチングされ、その結果は、図３ｅに示されている。最終的に、無機材料２は、例えば剥がされるなどして、除去される。
【００１６】
図１から図３では、第１パターンに対する第２パターンの移動が、一次元的な移動である、一次元的な例のみを示しているが、当業者であるならば、マスクは、第２パターンが材料層の平面内で二次元的に移動される形で、移動可能なことを理解するであろう。したがって、小さなサイズを有する構造は、図１および図２、あるいは図１および図３に関連して説明されたような、一連の処理ステップにより、材料層の平面内に二次元的に達成可能である。さらに、第１パターンに対する第２パターンの移動は、小さくすることが可能であり、さらに、その移動により層内で取得可能な最小サイズが決定されるので、本発明に従う方法により取得可能な最小サイズに対する基本的な限界は存在しない。
【００１７】
パターン化される無機材料１を覆う有機材料層２を使用することにより、（無機）ハードマスク、すなわち、上部マスク層４および下部マスク層３に対して良好な選択性を有することが困難であるという問題は解決される。こうした選択性は、無機誘電体のみで達成することは困難である。有機材料層２を使用することにより、本発明に従う方法を用いて、最初に有機材料を小さなサイズにエッチングし、その後、無機材料をエッチングするマスクとして有機材料２を用いることが可能となる。
【００１８】
レジスト内に小さなサイズのパターンを作成することは、残余レジスト材料の崩壊に起因する問題を避けるために、概して、十分に薄いレジスト層を必要とする。当技術分野で知られている一般ルールとして、レジストの厚みは、臨界、すなわち最小の、作成される構造のサイズの三倍を超えることは許されていない。無機材料を覆う有機材料層を利用し、有機材料内に所望のパターン（すなわち、第２パターンとの組合せで第１パターンからもたらされるパターン）を作成することにより、良好な機械的安定性特性を有する有機材料を選択可能となるので、良好な機械的安定性が達成可能となる。
【００１９】
したがって、第１パターンと同一の第２パターンを作成するが、第１パターンに対して、ある距離だけ移動し、少なくとも第２パターンに従ってマスク層の一部分を除去し、さらに、下部および上部マスク層の残余部分により形成されたマスクに従って材料の一部分を除去することにより、パターン自体の解像度、すなわち、例えば、層へパターンを適用する作像システムにより決定された解像度より小さなサイズで、構造を作成可能となる。したがって、より少ない高度なステッパおよびレジストシステムにより、より小さなトランジスタゲートなどの、より小さなサイズを有する構造が作成可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１ａ】本発明に従うパターン化機構を示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図１ｂ】本発明に従うパターン化機構を示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図１ｃ】本発明に従うパターン化機構を示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図１ｄ】本発明に従うパターン化機構を示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図２ａ】図１に従うステップに続いて、小さな溝の作成のためのステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図２ｂ】図１に従うステップに続いて、小さな溝の作成のためのステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図２ｃ】図１に従うステップに続いて、小さな溝の作成のためのステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図２ｄ】図１に従うステップに続いて、小さな溝の作成のためのステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ａ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ｂ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ｃ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ｄ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ｅ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【図３ｆ】図１に従うステップに続いて、小さなスペーシングの作成に導くステップを示す、マスク層および材料層の断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  無機誘電体、２  有機材料層、３  下部マスク層、４  上部マスク層、５  レジスト層、６  レジスト。
【図１ａ】
2005294822.tif 000003
【図１ｂ】
2005294822.tif 000004
【図１ｃ】
2005294822.tif 000005
【図１ｄ】
2005294822.tif 000006
【図２ａ】
2005294822.tif 000007
【図２ｂ】
2005294822.tif 000008
【図２ｃ】
2005294822.tif 000009
【図２ｄ】
2005294822.tif 000010
【図３ａ】
2005294822.tif 000011
【図３ｂ】
2005294822.tif 000012
【図３ｃ】
2005294822.tif 000013
【図３ｄ】
2005294822.tif 000014
【図３ｅ】
2005294822.tif 000015
【図３ｆ】
2005294822.tif 000016
【外国語明細書】
2005294822.tif 000017
2005294822.tif 000018
2005294822.tif 000019
2005294822.tif 000020
2005294822.tif 000021
2005294822.tif 000022
2005294822.tif 000023
2005294822.tif 000024
2005294822.tif 000025
2005294822.tif 000026
2005294822.tif 000027
2005294822.tif 000028
2005294822.tif 000029
2005294822.tif 000030
2005294822.tif 000031
2005294822.tif 000032
2005294822.tif 000033
2005294822.tif 000034
2005294822.tif 000035
2005294822.tif 000036
2005294822.tif 000037
2005294822.tif 000038
2005294822.tif 000039
2005294822.tif 000040