(57)【要約】【課題】ＳＯＧから成る層間絶縁層にクラックが発生することの無い構造を有する配線構造を提供する。【解決手段】下地絶縁層２０、下地絶縁層２０上に形成された配線層２１、並びに、下地絶縁層２０及び配線層２１上に形成されたＳＯＧ層間絶縁層２３から構成された本発明の配線構造において、下地絶縁層２０の頂面を基準とした層間絶縁層２０の頂面の高さをＨ1（単位：ｍ）とし、配線層２１の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さをＨ2（単位：ｍ）としたとき、Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、Ｈ2≧４×１０-7ｍを満足する。【選択図】  図１
2005223034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下地絶縁層、
（Ｂ）下地絶縁層上に形成された配線層、並びに、
（Ｃ）下地絶縁層及び配線層上に形成された、スピン・オン・ガラスから成る層間絶縁層、
から構成された配線構造であって、
下地絶縁層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ1（単位：ｍ）とし、配線層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ2（単位：ｍ）としたとき、
Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、
Ｈ2≧４×１０-7ｍ
を満足することを特徴とする配線構造。
【請求項２】
配線層の厚さをＨ3（単位：ｍ）としたとき、
２．５×１０-7ｍ≦Ｈ3≦１．０×１０-6ｍ
を満足することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
配線層は、少なくとも、アルミニウム層又はアルミニウム合金層から成ることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項４】
下地絶縁層の下には薄膜トランジスタが形成され、
配線層は、下地絶縁層に形成された接続孔を介して、薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項５】
前記請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線構造を備えた回路を有することを特徴とするパネル型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造、及び、係る配線構造を備えたパネル型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、低温ポリシリコン・プロセスやアモルファスシリコン・プロセスに基づき形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えた液晶表示装置にあっては、ガラス基板上に表示用途以外の様々な回路を集積させたパネルを製造することによって、係るパネルに付加価値を与えることができる。そして、近年、集積度が上がるにつれて、配線を引き回すために必要とされるスペースが増大し、回路設計上の大きな障害となっている。例えば、特開平１０−９２８１１号公報に開示されているように、多層配線構造を採用すれば、このような問題の解決を図ることが可能である。
【０００３】
図１の（Ｂ）に、多層配線構造を有するＴＦＴの模式的な一部断面図を示す。このＴＦＴは、例えば、ガラス基板１０上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極１１及びガラス基板１０上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成されたシリコン層１３から構成された、所謂ボトムゲート型のＴＦＴである。ここで、ゲート絶縁層１２を介してゲート電極１１と対向するシリコン層１３の部分がチャネル形成領域１４に相当し、ソース／ドレイン領域（ソース／ドレイン電極）１５は、チャネル形成領域１４の両側に位置するシリコン層１３の部分に相当する。
【０００４】
シリコン層１３（チャネル形成領域１４及びソース／ドレイン領域１５）は、下地絶縁層２０によって覆われている。そして、下地絶縁層２０上には配線層２１が形成されている。また、ソース／ドレイン領域１５の上方の配線層２１の部分は、下地絶縁層２０に設けられた接続孔２２によって、ソース／ドレイン領域１５と電気的に接続されている。図１の（Ａ）、（Ｂ）、図２及び図４において、ゲート電極１１及び配線層２１は、紙面垂直方向に延びている。また、これらの図においては、４つのＴＦＴを図示している。
【０００５】
下地絶縁層２０及び配線層２１は、層間絶縁層２３によって覆われている。そして、層間絶縁層２３上には上層配線層２５が形成され、上層配線層２５と配線層２１とは、層間絶縁層２３に設けられた接続孔２４によって電気的に接続されている。更には、上層配線層２５と層間絶縁層２３の上には上層絶縁層２６が形成され、上層絶縁層２６上には透明な電極あるいは光を反射させるための銀から成る電極２８等が形成され、上層配線層２５と電極２８とは、上層絶縁層２６に設けられた接続孔２７によって電気的に接続されている。
【０００６】
層間絶縁層２３の頂面は平坦であることが要求される。層間絶縁層２３の頂面が平坦でない場合、上層絶縁層２６の頂面も平坦ではなくなる結果、電極２８の配向性が変化したり、電極２８の光反射にバラツキが生じる。それ故、層間絶縁層２３は、通常、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）から構成される。そして、下地絶縁層２０及び配線層２１上に、例えば、スピンコート法にてＳＯＧ層を形成した後、ＳＯＧ層を、例えば３５０゜Ｃ乃至４００゜Ｃにて焼成することで、層間絶縁層２３のガラス化を促進させ、頂面が平坦化された層間絶縁層２３を得ている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−９２８１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、焼成プロセスを経てＳＯＧから成る層間絶縁層２３を形成したとき、図４に模式的な一部断面図を示すように、屡々、配線層２１のコーナー部を起点として層間絶縁層２３にクラックが発生する。このような現象は、ＳＯＧ層の焼成時、配線層２１のコーナー部近傍のＳＯＧ層に応力が集中することに起因すると考えられている。そして、このように層間絶縁層２３にクラックが発生すると、ＴＦＴの信頼性の低下、更には、液晶表示装置の信頼性の低下を招くといった問題が生じる。
【０００９】
従って、本発明の目的は、下地絶縁層、下地絶縁層上に形成された配線層、並びに、下地絶縁層及び配線層上に形成された、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）から成る層間絶縁層から構成され、この層間絶縁層にクラックが発生することの無い構造を有する配線構造、並びに、係る係る配線構造を備えたパネル型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の配線構造は、
（Ａ）下地絶縁層、
（Ｂ）下地絶縁層上に形成された配線層、並びに、
（Ｃ）下地絶縁層及び配線層上に形成された、スピン・オン・ガラスから成る層間絶縁層、
から構成された配線構造であって、
下地絶縁層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ1（単位：ｍ）とし、配線層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ2（単位：ｍ）としたとき、
Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、
Ｈ2≧４×１０-7ｍ
を満足することを特徴とする。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明のパネル型表示装置は、上述した本発明の配線構造を備えた回路を有することを特徴とする。
【００１２】
ここで、パネル型表示装置として、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例示することができる。
【００１３】
本発明の配線構造あるいは本発明のパネル型表示装置（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、配線層の厚さをＨ3（単位：ｍ）としたとき、
２．５×１０-7ｍ≦Ｈ3≦１．０×１０-6ｍ
を満足することが好ましい。
【００１４】
上記の好ましい形態を含む本発明において、配線層は、少なくとも、アルミニウム層又はアルミニウム合金層から成ることが好ましい。より具体的には、配線層として、下から、アルミニウム−シリコン合金層（例えば、シリコンを５重量％含有する）、チタン層の順に形成されている構成、あるいは又、下から、チタン層、アルミニウム層、チタン層の順に形成されている構成を挙げることができる。
【００１５】
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明において、下地絶縁層の下には薄膜トランジスタが形成され、配線層は、下地絶縁層に形成された接続孔を介して、薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域に接続されている構成とすることが好ましいが、このような構成に限定するものではなく、例えば、下地絶縁層の下にはＭＩＳ型ＦＥＴやＭＯＳ型ＦＥＴが形成され、配線層は、下地絶縁層に形成された接続孔を介して、ＭＩＳ型ＦＥＴやＭＯＳ型ＦＥＴのソース／ドレイン領域に接続されている構成とすることもできる。また、薄膜トランジスタは、ボトムゲート型であってもよいし、トップゲート型であってもよい。尚、これらの各種のトランジスタが、本発明のパネル型表示装置における回路を構成する。
【００１６】
シリコン系材料から構成されたソース／ドレイン領域に下地絶縁層に形成された接続孔を介して配線層が接続されている場合であって、配線層及び接続孔がアルミニウム層のみから構成されている場合、接続孔を構成するアルミニウム原子と、ソース／ドレイン領域を構成するシリコン原子が反応して、アルミニウム原子がソース／ドレイン領域に固溶した状態となり、ソース／ドレイン領域の電気抵抗値が非常に高くなる場合がある。このような場合には、上記のとおり、配線層及び接続孔を、下から、アルミニウム−シリコン合金層、チタン層の順に形成する構成、あるいは又、下から、チタン層、アルミニウム層、チタン層の順に形成する構成とすることで、ソース／ドレイン領域の電気抵抗値が非常に高くなるといった現象の発生を回避することができる。
【００１７】
本発明における下地絶縁層は、限定するものではないが、ＳｉＯ2から成り、あるいは又、ＳｉＮ（上層）／ＳｉＯ2（下層）から成ることが好ましい。
【００１８】
スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）は、無機系ＳＯＧであってもよいし、有機系ＳＯＧであってもよい。ＳＯＧの具体的な組成は、Ｒn−Ｓｉ−Ｘ4-nで表すことができる。ここで、「Ｒ」は、水素原子、炭素数１〜１０の有機基（例えば、アルキル基）、又は、水酸基（−ＯＨ）を表し、「Ｘ」は、酸素原子、又は、「−ＮＨ」を表し、「ｎ」は０，１，２，３のいずれかである。尚、「Ｒ」が炭素数１〜１０の有機基である場合には有機系ＳＯＧが構成され、それ以外の場合には無機系ＳＯＧが構成される。図３に、ＳＯＧの具体的な構造の一例を示す構造式を示す。ＳＯＧから成る層間絶縁層は、例えば、スピンコート法やスリットコート法、スリット・アンド・スピンコート法に基づき、下地絶縁層及び配線層上にＳＯＧ層を形成した後、係るＳＯＧ層を例えば３５０゜Ｃ乃至４００゜Ｃにて焼成することで得ることができる。有機系ＳＯＧあるいは無機系ＳＯＧは感光性を有していてもよいし、有していなくともよい。有機系ＳＯＧあるいは無機系ＳＯＧが感光性を有している場合には、下地絶縁層及び配線層上にＳＯＧ層を形成した後、接続孔を設けるための開口部をフォトリソグラフィ技術に基づきＳＯＧ層に形成し、次いで、ＳＯＧ層を焼成することで、開口部を有する層間絶縁層を得ることができる。一方、有機系ＳＯＧあるいは無機系ＳＯＧが感光性を有していない場合には、下地絶縁層及び配線層上にＳＯＧ層を形成した後、ＳＯＧ層を焼成し、次いで、接続孔を設けるための開口部をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法に基づき層間絶縁層に形成することで、開口部を有する層間絶縁層を得ることができる。
【００１９】
本発明において、下地絶縁層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ1としているが、より具体的には、配線層の下辺端（配線層の側壁と下地絶縁層とが交わる点「Ａ」）から延びる下地絶縁層の垂線が層間絶縁層の頂面と交わる点を「Ｂ」としたとき、高さＨ1は、点「Ａ」から点「Ｂ」までの距離を意味する。高さＨ1にバラツキがある場合には、発泡成形品任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい発泡成形品。また、配線層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さをＨ2としているが、より具体的には、配線層の頂面の幅方向における二等分点を点「Ｐ」とし、下地絶縁層の垂線であって点「Ｐ」を通る垂線が層間絶縁層の頂面と交わる点を「Ｑ」としたとき、高さＨ2は、点「Ｐ」から点「Ｑ」までの距離を意味する。高さＨ2にバラツキがある場合には、発泡成形品任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい発泡成形品。更には、配線層の厚さをＨ3としているが、より具体的には、配線層の頂面の幅方向における二等分点を点「Ｐ」とし、下地絶縁層の垂線であって点「Ｐ」を通る垂線が下地絶縁層の頂面（あるいは、下地絶縁層の頂面の延長仮想線）と交わる点を「Ｒ」としたとき、厚さＨ3は、点「Ｐ」から点「Ｒ」までの距離を意味する。厚さＨ3にバラツキがある場合には、発泡成形品任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい発泡成形品。
【発明の効果】
【００２０】
下地絶縁層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さＨ1の値が３．０×１０-6ｍ以上になると、ＳＯＧから成る層間絶縁層において、ＳＯＧ自体の応力に起因して、配線層の形状や配線層の延びる方向等とは無関係な方向にクラックが発生することが、各種の試験の結果、判明した。一方、配線層の頂面を基準とした層間絶縁層の頂面の高さＨ2の値が４×１０-7ｍ未満の場合、ＳＯＧ層の焼成時、配線層のコーナー部近傍のＳＯＧ層に応力が集中することに起因して、配線層の延びる方向に沿って、ＳＯＧから成る層間絶縁層にクラックが発生することが、各種の試験の結果、判明した。本発明においては、Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、Ｈ2≧４×１０-7ｍを満足しているので、ＳＯＧから成る層間絶縁層にクラックが発生することを確実に防止することができる。
【００２１】
その結果、例えば、低温ポリシリコン・プロセスやアモルファスシリコン・プロセスによって得られる薄膜トランジスタにおける多層配線技術において、あるいは又、例えば、液晶表示装置といったパネル型表示装置の製造において、信頼性の高いプロセス技術を確立することができる。また、パネル型表示装置を構成するパネルに様々な機能を付与する種々の回路を、例えばガラス基板上に形成する際、面積を増やすこと無く、一層の集積化を達成することが可能となる。あるいは又、現在使用している回路に適用した場合には、回路全体の面積を低減させることができるので、画面表示をするための有効領域を取り囲む無効領域の面積を一層低減させたパネルの製作が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００２３】
実施例１は、本発明の配線構造及びパネル型表示装置に関する。実施例１の配線構造の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示し、係る配線構造を備えた回路である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するパネル型表示装置（より具体的には、液晶表示装置）におけるＴＦＴの模式的な一部断面図を図１の（Ｂ）に示す。
【００２４】
実施例１の配線構造は、
（Ａ）下地絶縁層２０、
（Ｂ）下地絶縁層２０上に形成された配線層２１、並びに、
（Ｃ）下地絶縁層２０及び配線層２１上に形成された、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）から成る層間絶縁層２３、
から構成されている。
【００２５】
そして、下地絶縁層２０の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さをＨ1（単位：ｍ）とし、配線層２１の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さをＨ2（単位：ｍ）としたとき、Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、Ｈ2≧４×１０-7ｍを満足する。更には、配線層２１の厚さをＨ3（単位：ｍ）としたとき、２．５×１０-7ｍ≦Ｈ3≦１．０×１０-6ｍを満足する。
【００２６】
図２に示すように、配線層２１の下辺端（配線層２１の側壁２１Ａと下地絶縁層２０とが交わる点「Ａ」）から延びる下地絶縁層２０の垂線Ｌ1が層間絶縁層２３の頂面と交わる点を「Ｂ」としたとき、下地絶縁層２０の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ1は、点「Ａ」から点「Ｂ」までの距離を意味する。尚、高さＨ1にバラツキがある場合には、任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい。また、配線層２１の頂面の幅方向における二等分点を点「Ｐ」とし、下地絶縁層２０の垂線Ｌ2であって点「Ｐ」を通る垂線Ｌ2が層間絶縁層２３の頂面と交わる点を「Ｑ」としたとき、配線層２１の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ2は、点「Ｐ」から点「Ｑ」までの距離を意味する。尚、高さＨ2にバラツキがある場合には、任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい。更には、配線層２１の頂面の幅方向における二等分点を点「Ｐ」とし、下地絶縁層２０の垂線Ｌ2であって点「Ｐ」を通る垂線Ｌ2が下地絶縁層２０の頂面と交わる点を「Ｒ」としたとき、配線層の厚さＨ3は、点「Ｐ」から点「Ｒ」までの距離を意味する。ここで、図２に示した例においては、垂線Ｌ2が、下地絶縁層２０の頂面の延長仮想線Ｌ3と交わる点を「Ｒ」としている。尚、厚さＨ3にバラツキがある場合には、任意に選択した１０カ所の測定点の平均値とすればよい。
【００２７】
実施例１のパネル型表示装置（より具体的には、液晶表示装置）は、このような配線構造を備えた回路（より具体的には、薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）を有している。より具体的には、下地絶縁層２０の下にはＴＦＴが形成され、配線層２１は、下地絶縁層２０に形成された接続孔２２を介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域（ソース／ドレイン電極）１５に接続されている。
【００２８】
ここで、実施例１のＴＦＴは、ボトムゲート型のＴＦＴであり、ガラス基板１０上に形成されたゲート電極１１、ゲート電極１１及びガラス基板１０上に形成された、ＳｉＮ（下層）／ＳｉＯ2（上層）の２層構造を有するゲート絶縁層１２（図面においては１層で表している）、及び、ゲート絶縁層１２上に形成されたアモルファスシリコンあるいはポリシリコンから成るシリコン層１３から構成されている。そして、ゲート絶縁層１２を介してゲート電極１１と対向するシリコン層１３の部分がチャネル形成領域１４に相当し、ソース／ドレイン領域１５は、チャネル形成領域１４の両側に位置するシリコン層１３の部分に相当する。このＴＦＴは、より具体的には、シリコン層１３（チャネル形成領域１４及びソース／ドレイン領域１５）は、下地絶縁層２０によって覆われている。
【００２９】
実施例１においては、更に、層間絶縁層２３上には上層配線層２５が形成され、上層配線層２５と配線層２１とは、層間絶縁層２３に設けられた接続孔２４によって電気的に接続されている。更には、上層配線層２５と層間絶縁層２３の上には上層絶縁層２６が形成され、上層絶縁層２６上には透明な電極あるいは光を反射させるための銀から成る電極２８等が形成され、上層配線層２５と電極２８とは、上層絶縁層２６に設けられた接続孔２７によって電気的に接続されている。
【００３０】
実施例１において、層間絶縁層２３を構成するＳＯＧは非感光性の無機系ＳＯＧから成り、スピンコート法による下地絶縁層２０及び配線層２１上へのＳＯＧ層の形成、ＳＯＧ層の３５０゜Ｃ乃至４００゜Ｃでの焼成、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法に基づく接続孔２４を設けるための開口部の層間絶縁層２３における形成といった工程を経て、層間絶縁層２３を得ることができる。また、配線層２１及び接続孔２２は、下から、チタン層、アルミニウム層、チタン層の順に形成されており、スパッタリング法、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法に基づき得ることができる。尚、図面においては、配線層２１及び接続孔２２を１層で表している。配線層２１及び接続孔２２において下層を構成するチタン層は、シリコン層１３を構成するシリコン原子と接続孔２２を構成するアルミニウム原子とが反応して、アルミニウム原子がソース／ドレイン領域に固溶した状態となり、ソース／ドレイン領域１５の電気抵抗値が非常に高くなるといった現象が発生することを回避するために形成されている。また、配線層２１において上層を構成するチタン層は、露光時の反射防止のために形成されている。
【００３１】
尚、ＴＦＴの形成、ＣＶＤ法に基づくＳｉＮから成る下地絶縁層２０の形成、あるいは又、ＣＶＤ法に基づくＳｉＯ2から成る下地絶縁層２０の形成、あるいは又、ＣＶＤ法に基づくＳｉＮ（上層）／ＳｉＯ2（下層）から成る下地絶縁層２０の形成、スパッタリング法に基づく配線層２１及び接続孔２２の形成、スパッタリング法に基づくチタン層／アルミニウム層／チタン層の３層構造を有する上層配線層２５及び接続孔２４の形成、スピンコート法に基づく樹脂膜から成る上層絶縁層２６の形成、スパッタリング法に基づく電極２８及び接続孔２７の形成は、周知の方法に基づき行うことができるので、詳細な説明は省略する。尚、図面において、上層配線層２５及び接続孔２４を１層で表している。上層配線層２５において下層を構成するチタン層は、ＳＯＧから成る層間絶縁層２３との密着性向上のために形成されている。また、上層配線層２５において上層を構成するチタン層は、露光時の反射防止、及び、電極２８との良好なオーミック接触を得るために形成されている。
【００３２】
配線層２１の厚さＨ3を５×１０-7ｍ（０．５μｍ）とし、下地絶縁層２０の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ1を種々、変えた配線構造を作製した。その結果、Ｈ1の値が９×１０-7ｍ（０．９μｍ）未満の場合、（即ち、配線層２１の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ2の値が４×１０-7ｍ未満の場合）、配線層２１の延びる方向に沿って層間絶縁層２３にクラックが発生していた。一方、Ｈ1の値が３．０×１０-6ｍ以上の場合、層間絶縁層２３において、配線層２１の形状や配線層２１の延びる方向等とは無関係な方向にクラックが発生する現象が生じた。Ｈ1＜３．０×１０-6ｍ、及び、Ｈ2≧４×１０-7ｍを満足する場合、層間絶縁層２３にクラックが発生する現象は一切認められなかった。
【００３３】
更には、配線層２１の厚さＨ3を１．０×１０-6ｍ（１．０μｍ）とし、下地絶縁層２０の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ1を種々、変えた配線構造を作製した。具体的には、Ｈ1及びＨ2の値を、以下の表１のとおりとした。
【００３４】
［表１］
Ｈ1（μｍ）     Ｈ2（μｍ）
１．１１        ０．１１
１．２７        ０．２７
１．４４        ０．４４
１．６０        ０．６０
１．７６        ０．７６
【００３５】
その結果、Ｈ2の値が０．１１μｍ及び０．２７μｍの場合、（即ち、配線層２１の頂面を基準とした層間絶縁層２３の頂面の高さＨ2の値が４×１０-7ｍ未満の場合）、配線層２１の延びる方向に沿って層間絶縁層２３にクラックが発生していた。一方、Ｈ2の値が０．４４μｍ、０．６０μｍ、０．７６μｍの場合、層間絶縁層２３にクラックが発生する現象は一切認められなかった。また、Ｈ1の値が３．０×１０-6ｍ以上の場合、層間絶縁層２３において、配線層２１の形状や配線層２１の延びる方向等とは無関係な方向にクラックが発生する現象が生じた。
【００３６】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこの実施例に限定するものではない。実施例にて説明した配線構造、ＴＦＴの構成、構造は例示であるし、これらを構成する材料も例示であり、適宜、変更することができる。例えば、無機系ＳＯＧの代わりに有機系ＳＯＧから層間絶縁層２３を構成したところ、実施例１と同様の結果を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１における配線構造を説明するためのガラス基板等の模式的な一部断面図、及び、係る配線構造を備えた回路である薄膜トランジスタを有するパネル型表示装置における薄膜トランジスタの模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、層間絶縁層の頂面の高さＨ1、層間絶縁層の頂面の高さＨ2、配線層の厚さＨ3を説明するための配線層等の模式的な一部断面図である。
【図３】図３は、ＳＯＧの具体的な構造の一例を示す構造式である。
【図４】図４は、従来の技術における問題点を説明するための薄膜トランジスタの模式的な一部断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０・・・ガラス基板、１１・・・ゲート電極、１２・・・ゲート絶縁層、１３・・・シリコン層、１４・・・チャネル形成領域、１５・・・ソース／ドレイン領域（ソース／ドレイン電極）、２０・・・下地絶縁層、２１・・・配線層、２２，２４，２７・・・接続孔、２３・・・層間絶縁層、２５・・・上層配線層、２６・・・上層絶縁層、２８・・・電極
【図１】
2005223034.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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