(57)【要約】【課題】移相幅を連続的に調節可能な移相器を、簡単な構成で具現化するための技術を提供する。【解決手段】移相器は、入出力端から反対端まで伸びている第１伝送線路と、一端が第１伝送線路の反対端に接続されており、他端が接地されている第１抵抗器と、一端が第１伝送線路と接触している短絡伝送線路を備えている。さらに、入出力端から反対端まで伸びている第２伝送線路と、一端が第２伝送線路の反対端に接続されており、他端が接地されている第２抵抗器を付加し、短絡伝送線路の他端が第２伝送線路と接触している構成とすることもできる。【選択図】図１
2005303341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力端から反対端まで伸びている第１伝送線路と、
一端が第１伝送線路の反対端に接続されており、他端が接地されている第１抵抗器と、
一端が第１伝送線路と接触している短絡伝送線路と、
を備える移相器。
【請求項２】
入出力端から反対端まで伸びている第２伝送線路と、
一端が第２伝送線路の反対端に接続されており、他端が接地されている第２抵抗器と、
が付加されており、
前記短絡伝送線路の他端が第２伝送線路と接触していることを特徴とする請求項１に記載の移相器。
【請求項３】
前記短絡伝送線路は、第１伝送線路および／または第２伝送線路の長手方向に相対移動可能に支持されていること特徴とする請求項１または２に記載の移相器。
【請求項４】
第１伝送線路および／または第２伝送線路がマイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の移相器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波回路等に用いられる移相器に関し、特に、移相幅を連続的に変化させられる連続可変型の移相器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯域等の高周波信号を取り扱う高周波回路では、所望する位相の高周波信号を得るために移相器が利用されている。図６に、移相器を利用する高周波回路の一例として、フェーズドアレイアンテナ回路１００の構成を模式的に示す。フェーズドアレイアンテナ回路１００は、高周波信号を出力する発振器１０２、第１アンテナ１０４、第２アンテナ１０６、発振器１０２と第１アンテナ１０４を結ぶ第１伝送線路１０８、発振器１０２と第２アンテナ１０６を結ぶ第２伝送線路１１０、第２伝送線路１１０に介挿されている移相器１１２等から構成されている。
高周波信号は波長が短いので、伝送線路の長さによって位相が敏感に変化する。発振器１０２と第１アンテナ１０４を結ぶ伝送線路の長さと、発振器１０２と第２アンテナ１０６を結ぶ伝送線路の長さが相違すると、第１アンテナ１０４に入力される高周波信号の位相と第２アンテナ１０６に入力される高周波信号の位相がずれる。フェーズドアレイアンテナ回路１００に利用される移相器１１２には、冗長な伝送線路１１２ａが設けられており、第１アンテナ１０４に入力される高周波信号の位相に対して、第２アンテナ１０６に入力される高周波信号の位相が、所定の位相差だけ遅れる関係に調整する。その結果、第１アンテナ１０４と第２アンテナ１０６は互いに位相が異なる電波を発信し、全体としてフェーズドアレイアンテナ回路１００は指向性を持った電波Ｄを発信する。移相器１１２の伝送線路１１２ａの長さを調節することで、第１アンテナ１０２と第２アンテナ１０４が発信する電波の位相差を調節することができ、電波Ｄに所望する指向性を与えることができる。
【０００３】
高周波回路では、移相幅が固定式の移相器や、移相幅が調節可能な可変移相器等が適宜利用されている。移相幅が調節可能な可変移相器では、伝送線路長を調節可能に構成されており、伝送線路長を段階的に調節可能な段階可変型の移相器と、伝送線路長を連続的に調節可能な連続可変型の移相器等が知られている。連続可変型の移相器としては、筒状の同軸線路を伸み縮みさせて伝送線路長を変化させるトロンボーン式の連続可変型の移相器が知られている。
特許文献１では、連続可変型の移相器において、移相器全体が伸び縮みすることなく移相幅の調節を可能とする構造を提案している。
【特許文献１】特開２００４−５６６８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の連続可変型の移相器は、例えば筒状の同軸線路等を構成する必要があり、製造が面倒であるという問題がある。構成が簡単な連続可変型の移相器が待望されている。
本発明は、この課題を解決する。本発明は、移相幅を連続的に調節可能な移相器を、簡単な構成で具現化するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明が提供する移相器は、入出力端から反対端まで伸びている第１伝送線路と、一端が第１伝送線路の反対端に接続されているとともに他端が接地されている第１抵抗器と、一端が第１伝送線路と接触している短絡伝送線路を備えている。
ここでいう伝送線路とは、例えば導体線路、マイクロストリップ線路、ストリップ線路、コプラナー線路、同軸ケーブル等のように、高周波信号をそれに沿って伝送可能なものを指している。それぞれの伝送線路は、一つの形態の伝送線路で構成してもよいし、複数の形態の伝送線路を組み合わせて構成してもよい。
【０００６】
この移相器では、第１伝送線路と短絡伝送線路によって、高周波信号の伝送線路が形成される。即ち、第１伝送線路の両端のうち、第１抵抗器が接続されていない方の端（入出力端）から高周波信号を入力すると、入力された高周波信号は第１伝送線路を進み、第１伝送線路に接触している短絡伝送線路の一端から短絡伝送線路へと進み、短絡伝送線路の他端から高周波信号を取り出すことができる。移相器に入力している高周波信号と、移相器から出力されている高周波信号の間には、第１伝送線路と短絡伝送線路によって形成される伝送線路の長さに基づいた位相差が生じる。
第１伝送線路と短絡伝送線路によって形成される伝送線路の長さは、短絡伝送線路の一端が第１伝送線路のどの位置に接触しているのかによって決まる。短絡伝送線路の一端が第１伝送線路に接触する位置を、第１伝送線路の長手方向に沿って移動すれば、形成される伝送線路の長さは変化する。それにより、入出力信号間の位相差を調節することができる。所望する移相幅だけ移相することができる。伝送線路長を連続的に調節することができるので、移相幅を連続的に調節することが可能である。
【０００７】
上記のように移相器を構成すると、短絡伝送線路の一端が第１伝送線路に接触している位置において、第１伝送線路の余長部分が無用な分岐路を形成してしまう。一般に高周波回路では、伝送線路上に無用な分岐路が存在していると、その分岐路の長さと波長の関係によっては伝送損失が著しく増大するという問題が知られている。伝送を必要とする周波数の帯域が広い場合は特に問題となる。
本発明者は、伝送線路上に無用な分岐路が存在するときに、その分岐路の終端を抵抗器を介して接地しておくと、伝送損失が有意に低減されることを見出した。本発明者はこの知見に基づいてさらに研究を重ね、この新規で有用な移相器を具現化するに至った。即ち、この移相器では、第１伝送線路の反対端（入出力端と反対側の端）が第１抵抗器を介して接地されている。それにより、第１伝送線路と短絡伝送線路によって伝送線路を構成するときに、第１伝送線路の一部が余長部分となることが許容される。余長部分が存在していても、第１抵抗器が存在することによって、伝送損失が著しく増大するという現象を抑制することができる。
本移相器では、第１伝送線路を十分な長さで形成しておき、短絡伝送線路の一端を第１伝送線路上の任意の位置に接触させて、必要な伝送線路長を得ることができる。
この移相器によれば、移相幅を連続的に調節可能な移相器を、簡単な構成によって実現することができる。
【０００８】
上記の移相器に、入出力端から反対端まで伸びている第２伝送線路と、一端が第２伝送線路の反対端に接続されているとともに他端が接地されている第２抵抗器が付加されていることが好ましい。この場合、短絡伝送線路の他端は第２伝送線路と接触している。
このように移相器を構成すると、第１伝送線路と短絡伝送線路と第２伝送線路によって、高周波信号の伝送線路が形成される。即ち、第１伝送線路の両端のうち、第１抵抗器が接続されていない側の端（入出力端）から高周波信号を入力すると、入力された高周波信号は第１伝送線路を進み、第１伝送線路に接触している短絡伝送線路の一端から短絡伝送線路へと進み、短絡伝送線路の他端から第２伝送線路へと進み、第２伝送線路の両端のうち、第２抵抗器が接続されていない側の端（入出力端）から高周波信号を取り出すことができる。移相器に入力している高周波信号と、移相器から出力されている高周波信号の間では、第１伝送線路と短絡伝送線路と第２伝送線路によって形成される伝送線路の長さに基づいた位相差が生じる。
この移相器では、第１伝送線路に加え、第２伝送線路の一部が余長部分となることも併せて許容する。それにより、伝送線路長の調節幅を大きくすることができ、換言すれば、移送幅の調節範囲が大きな移相器を小型に構成することが可能となる。
【０００９】
移相器の移相幅を所望の値に調節してしまえばその後に再調節する必要がないことがあり、その場合には、短絡伝送線路を第１伝送線路や第２伝送線路に対して相対移動不能に固定することができる。それに代えて、短絡伝送線路を第１伝送線路および／または第２伝送線路の長手方向に相対移動可能に支持する構成としてもよい。後者の形態であると、伝送経路を容易に調節することができるので、移相幅を適時修正することや、様々な周波数の高周波信号を取り扱うことが可能となる。
【００１０】
上記の移相器では、第１伝送線路および／または第２伝送線路をマイクロストリップ線路で構成することが好ましい。
第１伝送線路や第２伝送線路等をマイクロストリップ線路で構成することにより、移相器をより簡単な構成で具現化することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、移相幅を連続的に調節可能な移相器を、簡単な構成で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
最初に、以下に説明する実施例の主要な特徴を列記する。
（形態１）移相器は、第１のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路から一定の間隔を隔てて位置している第２のマイクロストリップ線路を有している。一定の間隔を隔てて位置するとは、例えば平行な２直線の関係や同心円の関係等を例示することができる。
（形態２）移相器は、一端が第１マイクロストリップ線路と接触しており、他端が第２マイクロストリップ線路と接触しており、第１、第２マイクロストリップ線路の長手方向に相対的に移動可能に支持されている導体板を有している。
（形態３）移相器は、円弧形状に伸びるマイクロストリップ線路と、一端がそのマイクロストリップ線路に接触し続けながら回転可能に支持されている導体板を有している。
【実施例】
【００１３】
（実施例１）  以下、本発明を具現化した実施例の移相器について、図面を参照して説明する。図１は、本実施例の移相器１０の外観を示している。図２は、移相器１０の回路構成を示している。
図１、図２に示すように、移相器１０は、電気的に接地されている導体板６と、導体板上に形成されている誘電体基板８と、誘電体基板８の表面８ａに形成されている第１伝送線路１２および第２伝送線路２２と、第１伝送線路１２の一端１２ｂ（後記する入出力端１２ａの反対端）と導体板６を接続している第１抵抗器１６と、第２伝送線路２２の一端２２ｂ（後記する入出力端２２ａの反対端）と導体板６を接続している第２抵抗器２６と、第１伝送線路１２と第２伝送線路２２の両者に接触している短絡伝送線路３２を備えている。
【００１４】
導体板６は、導体で形成されている板状部材であり、例えば金属等で形成することができる。本実施例では、導体板６を銅で形成している。導体板６は電気的に接地されている。
誘電体基板８は、誘電体で形成されている板状部材であり、例えば樹脂材料やセラミック材料で形成することができる。本実施例では、誘電体基板８をテフロン（登録商標）樹脂で形成している。
第１伝送線路１２は、導体で形成された長手方向に伸びる板状部材であり、例えば金属等で形成することができる。本実施例では、第１伝送線路１２を銅（銅箔）で形成している。第２伝送線路２２は、導体で形成された長手方向に伸びる板状部材であり、例えば金属等で形成することができる。本実施例では、第２伝送線路２２を銅（銅箔）で形成している。第１伝送線路１２と第２伝送線路２２は、同一の構成であってもよいし、異なる構成であってもよいが、同一の構成である方が好ましい。本実施例では、第１伝送線路１２と第２伝送線路２２を、同一の構成によって形成している。図１に示すように、第１伝送線路１２と第２伝送線路２２は略平行に配置されている。それにより、第１、第２伝送線路１２、２２同士の最短距離は、第１、第２伝送線路１２、２２のいずれの位置においても略同一である。第１伝送線路１２と第２伝送線路２２は、誘電体基板８を介在させて導体板６と対向している。
【００１５】
上記の説明から明らかなように、第１伝送線路１２や第２伝送線路２２は、いわゆるマイクロストリップ線路と呼ばれる構成となっている。
図３は、本実施例の第１、第２伝送線路１２、２２の構成をよく示す図である。ここで、本実施例の第１、第２伝送線路１２、２２等の構成を説明する。
第１、第２伝送線路１２、２２の断面寸法（幅Ｗ、厚みＴ）や、誘電体基板８の比誘電率εｒは、適宜設定することができる。よく知られているように、第１、第２伝送線路１２、２２の寸法形状や誘電体基板８の比誘電率εｒによって、第１、第２伝送線路１２、２２の特性インピーダンスを調節することが可能であり、所望する特性インピーダンスに応じて設定するとよい。また、第１、第２伝送線路１２、２２の長さＬは、所望する移相幅や使用する高周波信号の波長に応じて設定するとよい。
【００１６】
ここで、本実施例の具体的な構成を一例として挙げる。本実施例の移相器１０は、第１伝送線路１２と第２伝送線路２２の間隙Ｄが、およそ８ミリメートルに設定されている。第１、第２伝送線路１２、２２の幅Ｗが、およそ２．１５ミリメートルに設定されている。第１、第２伝送線路１２、２２の厚みＴが、およそ０．０１６ミリメートルに設定されている。第１、第２伝送線路１２、２２の長さＬは、およそ１５０ミリメートルに設定されている。
誘電体基板８は、比誘電率εｒが２．５であり、誘電体基板８の厚みＨはおよそ０．７８ミリメートルに設定されている。上記の設定により、第１、第２伝送線路１２、２２の特性インピーダンスは、およそ５０オームとなっている。また、第１、第２伝送線路１２、２２に対する実効比誘電率εｅは、およそ２．１となっている。
【００１７】
第１抵抗器１６と第２抵抗器２６は、所定の抵抗値の抵抗器である。第１抵抗器１６と第２抵抗器２６の抵抗値は、およそ５０〜１２５オーム程度が好ましく、ネットワークアナライザ等の測定器を用いて最適値を設定するとよい。本実施例の第１抵抗器１６と第２抵抗器２６は、抵抗値がおよそ１００オームに設定されている。
図１に示すように、第１抵抗器１６は、第１伝送線路１２の一端１２ｂと導体板６の間に電気的に介挿されている。また、第２抵抗器２６は、第２伝送線路２２の一端２２ｂと導体板６の間に電気的に介挿されている。即ち、図２に示すように、第１抵抗器１６の一端１６ａと第１伝送線路１２の一端１２ｂは電気的に接続されており、第１抵抗器１６の他端１６ｂは電気的に接地されている。また、第２抵抗器２６の一端２６ａと第２伝送線路２２の一端２２ｂは電気的に接続されており、第２抵抗器２６の他端２６ｂは電気的に接地されている。それにより、第１、第２伝送線路１２、２２の一端１２ｂ、２２ｂは、それぞれ第１、第２抵抗器１６、２６を介して接地されている。
【００１８】
短絡伝送線路３２は、導体で形成されている板状部材であり、例えば金属で形成することができる。本実施例の短絡伝送線路３２は銅で形成されている。図１、図２に示すように、短絡伝送線路３２は、一端３２ａが第１伝送線路１２と接触しており、他端３２ｂが第２伝送線路２２と接触しており、第１、第２伝送線路１２、２２同士を電気的に短絡している。
短絡伝送線路３２は、第１、第２伝送線路１２、２２の長手方向に移動可能に構成されている。短絡伝送線路３２は、第１、第２伝送線路１２、２２の長手方向に移動可能に支持されている（支持手段は図示省略）。それにより、短絡伝送線路３２は、第１伝送線路１２の一端１２ａと第２伝送線路２２の一端２２ａを短絡する位置から、第１伝送線路１２の他端１２ｂと第２伝送線路２２の他端２２ｂを短絡する位置まで、連続的に移動することができる（図１、図２中の矢印Ａ、Ｂ）。
ここで、図２に示すように、第１、第２伝送線路１２、２２の端部１２ａ、２２ａの位置を基準とし、第１、第２伝送線路１２、２２の長手方向にＰ座標軸を定めておいて、短絡伝送線路３２の位置等をＰ座標で表現できるようにする。例えば、短絡伝送線路３２が第１伝送線路１２の一端１２ａと第２伝送線路２２の一端２２ａを短絡している状態は、短絡伝送線路３２がＰ＝ゼロに位置していると表現できる。また、短絡伝送線路３２が第１伝送線路１２の他端１２ｂと第２伝送線路２２の他端２２ｂを短絡している状態は、短絡伝送線路３２がＰ＝Ｌに位置していると表現できる。図１、図２に示す状態であれば、短絡伝送線路３２の位置をＰ＝Ｐ１と表現することができる。
【００１９】
上記のように構成された移相器１０は、第１伝送線路１２の一端１２ａ（入出力端）から高周波信号を入力すると、第２伝送線路２２の一端２２ａ（入出力端）から高周波信号を出力する。以下、第１伝送線路１２の一端１２ａを入力端１２ａと記述し、第２伝送線路２２の一端２２ａを出力端２２ａと記述する。また、入力端１２ａから入力する高周波信号を入力信号Ｘと記述し、そのとき出力端２２ａから出力される高周波信号を出力信号Ｙと記述する。ただし、第２伝送線路２２の一端２２ａを入力端として利用することもでき、この場合には第１伝送線路１２の一端１２ａが出力端となる。
図２に示すように、入力端１２ａから入力された入力信号Ｘは、第１伝送線路１２の一部１２ｃ、短絡伝送線路３２、第２伝送線路２２の一部２２ｃを順に通り、出力端２２ａから出力される。出力端２２ａから出力される出力信号Ｙは、入力端１２ａから入力される入力信号Ｘに対し、入力端１２ａから出力端２２ａまでの伝送線路の長さに基づいて位相が遅れている。このように、移相器１０は入力信号Ｘを移相し、移相された出力信号Ｙを出力する。
図２に示すように、短絡伝送線路３２が位置Ｐ＝Ｐ１に位置しているとき、入力端１２ａから出力端２２ａまでの伝送線路の長さは、およそＤ＋Ｗ＋２・Ｐ１となる。入力端１２ａから出力端２２ａまでの伝送線路長をＱとすると、短絡伝送線路３２の位置Ｐと伝送線路長Ｑの関係は、
Ｑ＝Ｄ＋Ｗ＋２・Ｐ  ；
で表される。短絡伝送線路３２の位置Ｐが０≦Ｐ≦Ｌの範囲で連続的に移動すると、伝送線路長ＱはＤ＋Ｗ≦Ｑ≦Ｄ＋Ｗ＋２・Ｌの範囲で連続的に変化する。このように移相器１０では、短絡伝送線路３２の位置Ｐを調節することにより、伝送線路長Ｑを連続的に調節することができ、移相幅を連続的に調節することが可能である。
【００２０】
ここで、短絡伝送線路３２の位置Ｐと移相幅Δθ（角度）の関係を説明しておく。入力信号Ｘの周波数をｆとすると、入力信号Ｘの真空中の波長λは、
λ  ＝ｃ／ｆ  ；（ｃ：真空中の光速）
となる。入力信号Ｘの第１、第２伝送線路１２、２２における波長λｅは、誘電体基板８の比誘電率等に基づく実効比誘電率によって決まり、
λｅ＝λ／（εｅ）１／２  ；
となる。短絡伝送線路３２の位置Ｐと移相幅Δθの関係は、
Δθ＝３６０・Ｑ／λｅ
＝３６０・（Ｄ＋Ｗ＋２・Ｐ）／λｅ  ；
となる。
例えば、移相器１０に周波数ｆ＝１ＧＨｚの高周波信号を入力するときには、先に例示した具体的な数値を用いて計算すると、短絡伝送線路３２の位置Ｐをおよそ１００ミリメートル移動させることによって、移相幅をおよそ１周期分（３６０度）だけ変化させることができる。
【００２１】
図２に示すように、短絡伝送線路３２が位置Ｐ＝Ｐ１に位置しているとき、Ｐ座標値がＰ１からＬにまで亘って伸びる第１伝送線路１２、２２の一部１２ｄ、２２ｄが分岐路（いわゆるスタブ）を形成している。一般に、高周波信号の伝送線路上に無用なスタブが存在すると、伝送損失が著しく大きくなったり、高周波信号が正しく伝送されなくなったりする。
本発明者は、このようなスタブが伝送線路上に存在するときに、スタブの先端を抵抗を介して接地することで、そのスタブの長さと波長の関係による伝送損失を大幅に低減させることが可能なことを見出した。
本実施例の移相器１０では、第１伝送線路１２の一端１２ｂが、第１抵抗器１６を介して接地されている。また、第２伝送線路２２の一端２２ｂが、第２抵抗器２６を介して接地されている。それにより、短絡伝送線路３２がいずれかの位置Ｐにあり、第１、第２伝送線路１２、２２の一部１２ｄ、２２ｄがスタブを形成しても、形成されるスタブの一端が抵抗器を介して接地されているので、伝送損失が有意に抑制されることとなる。
図４は、入力する高周波信号Ｘの周波数と、移相器１０の伝送損失の関係を示すものであり、横軸が入力信号Ｘの周波数ｆを示しており、縦軸が伝送損失量−ΔＥを示している。なお、図４中の−（マイナス）ΔＥとの記載は、損失であることを示すための記載である。図４に示すように（縦軸の下方にあるほど損失は小さい）、周波数がおよそ数百メガヘルツから５ギガヘルツ程度まで、伝送損失量はほぼ同一であって、実用には問題のないレベルとなっている。このことから、移相器１０は、周波数が数百メガヘルツから５ギガヘルツ程度の高周波信号を扱う際に特に有用であることがわかる。
【００２２】
（実施例２）  次に、本発明を利用する実施例２の移相器を説明する。図５は、実施例２の移相器６０の構成を示す図である。以下、本実施例の移相器６０について説明するが、この説明は実施例１で説明した内容を前提として進め、重複する説明を避けるように努める。
【００２３】
図５に示すように、移相器６０は、電気的に接地されている導体板６と、導体板６上に形成されている誘電体基板８と、誘電体基板８の表面８ａに形成されている弧状伝送線路６２と、弧状伝送線路６２の一端６２ｂと導体板６を電気的に接続している抵抗器６６と、一端８２ｂ近傍を回転中心として回動可能に支持されており、他端８２ａが弧状伝送線路６２と接触している回動伝送線路８２を備えている。
【００２４】
弧状伝送線路６２は、導体で形成されている板状部材であり、誘電体基板表面８ａに円弧状に伸びて形成されている。弧状伝送線路６２は、全体として略半円形状であり、その中心は図５中の軸Ｇに位置している。弧状伝送線路６２は、いわゆるマイクロストリップ線路と呼ばれる構成となっている。
抵抗器６６は、所定の抵抗値の抵抗器である。抵抗器６６の抵抗値は、およそ５０〜１２５オーム程度が好ましく、ネットワークアナライザ等の測定器を用いて最適値を設定することが好ましい。本実施例の抵抗器６６は、抵抗値がおよそ１００オームに設定されている。
図５に示すように、抵抗器６６は、弧状伝送線路６２の一端６２ｂ（後記する入出力端６２ａの反対端）と導体板６の間に電気的に介挿されている。それにより、弧状伝送線路６２の一端６２ｂ（反対端）は抵抗器６６を介して接地されている。
回動伝送線路８２は、導体で形成されている板状部材である。図５に示すように、回動伝送線路８２の一端８２ａは弧状伝送線路６２と接触しており、回動伝送線路８２と弧状伝送線路６２は電気的に接続している。回動伝送線路８２は、一端８２ｂの近傍（詳しくは図５中の軸Ｇ）を回転中心として回動可能に構成されている。回動伝送線路８２が軸Ｇを回転中心として回動したときに、その一端８２ａは弧状伝送線路６２と接触し続けることができる。
【００２５】
図５に示すように、上記のように構成された移相器１０は、例えば弧状伝送線路６２の一端（入出力端）６２ａから高周波信号Ｘを入力すると、回動伝送線路８２の一端８２ｂから高周波信号Ｙを出力する。なお、回動伝送線路８２の一端８２ｂから高周波信号を入力して、弧状伝送線路６２の一端（入出力端）６２ａから高周波信号を出力することもできる。
入力端６２ａから入力した入力信号Ｘは、弧状伝送線路６２の一部、回動伝送線路８２を順に通り、出力端８２ｂから出力される。出力端８２ｂから出力される出力信号Ｙは、入力端６２ａから入力される入力信号Ｘに対し、入力端６２ａから出力端８２ｂまでの伝送線路長に基づいて位相が遅れている。このように、移相器６０は入力信号Ｘを移相し、移相された出力信号Ｙをする。
移相器６０は、回動伝送線路８２を回動することにより、入力端６２ａから出力端８２ｂまでの伝送線路長を連続的に変化させることができる。それにより移相器６０は、移相幅を連続的に変化することができる。
【００２６】
移相器６０では、回動伝送線路８２の回動位置によって、弧状伝送線路６２の一部がスタブを形成することとなる。このとき、弧状伝送線路６２の一端６２ｂが、抵抗器６６を介して接地されていることにより、形成されるスタブの一端は常に抵抗器６６を介して接地されることとなる。それにより、移相器６０では、いずれの移相幅に調節したときでも、伝送損失が実用可能なレベルに抑制されることとなる。
【００２７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例１の移相器の構成を示す図。
【図２】実施例１の移相器の電気構成を示す図。
【図３】移相器の第１、第２伝送線路の構成を示す図。
【図４】移相器の伝送損失の様子を示す図。
【図５】実施例２の移相器の構成を示す図。
【図６】移相器を利用するフェーズドアレイアンテナ回路の構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００２９】
６・・導体板
８・・誘電体基板
１０・・移相器（実施例１）
１２・・第１伝送線路
１６・・第１抵抗器
２２・・第２伝送線路
２６・・第２抵抗器
３２・・短絡伝送線路
６０・・移相器（実施例２）
６２・・弧状伝送線路
６６・・抵抗器
８２・・回動伝送線路
１００・・フェーズドアレイアンテナ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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