(57)【要約】【課題】  導体ポストの高さ制御を可能にした多層配線基板の製造方法と、これによって得られた多層配線基板を有してなる電子デバイス及び電子機器を提供する。【解決手段】  基板１０上に少なくとも２層の配線層と、配線層間に設けられた層間絶縁膜と、配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法である。基板１０上に導体ポストの一部１３（１５）と層間絶縁膜の一部１４（１６）とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第１の処理と、第１の処理の後、導体ポストの一部と層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第２の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すことにより、導体ポストと層間絶縁膜とを形成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法であって、
前記基板上に前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第１の処理と、第１の処理の後、前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第２の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すことにより、前記導体ポストと前記層間絶縁膜とを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の処理が、前記導体ポストの一部を液滴吐出法で形成する処理であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記層間絶縁膜の形成材料として、光硬化型の絶縁材料を用いることを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記層間絶縁膜の形成材料として、無溶媒型の絶縁材料を用いることを特徴とする請求項３記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線間処理工程を複数回繰り返した後、形成した導体ポスト部分を一括して焼成処理し、導体ポストを形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板を、有してなる電子デバイスであって、
前記層間絶縁膜及び導体ポストが、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板を、有してなる電子機器であって、
前記層間絶縁膜及び導体ポストが、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法と、これによって得られた多層配線基板を有してなる電子デバイス及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層のプリント配線基板を製造する方法として、以下の工程によるものが知られている。
まず、エッチングでパターン形成した単層基板を、位置合わせして各層を積層する。次いで、上下の配線層を電気的に接続するために基板の所定の位置に貫通孔をあける。そして、この貫通孔の周囲をメッキなどで導通を持たせたり、導電性ペーストで埋めることにより、多層のプリント配線基板を形成する。
しかし、このような方法は、貫通穴の部分には部品搭載用のパッドを形成することができず、また、貫通孔の直径も通常０．３ｍｍ程度となるため、高密度実装に用いるのは困難であった。
【０００３】
このような背景のもとに、感光性樹脂を用いて基板を貫通させることなく高密度実装用の多層プリント配線基板を製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。しかしながら、この製造方法では、フォトリソグラフィーやスクリーン印刷の工程を含んでいることから、プロセスが複雑になってしまい、ライン幅とスペース幅との比（Ｌ／Ｓ）が３０μｍ／３０μｍ程度の微細パターンを達成するのが困難である。
そこで、配線や絶縁層をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する方法が提案されている。（例えば、特許文献３、特許文献４参照）
【特許文献１】特開平１０−２８４８４１号公報
【特許文献２】特開平１０−２００２５８号公報
【特許文献３】特開２００３−３０９３６９号公報
【特許文献４】特開２００３−３１８５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、多層プリント配線基板等の多層配線を形成する場合、下層配線と上層配線との間を導通させるために導体ポストが必要になる。この導体ポストについても、インクジェット法等の液滴吐出法で形成した場合、濡れ広がりによって得られる導体ポストの高さが不安定になり、その制御が困難になる。したがって、同じ平面上に複数の導体ポストを形成した場合、導体ポストの高さ制御が困難であることから、これら導体ポスト間で高さのバラツキが生じてしまい、これによって下層配線と上層配線との間で導通不良が生じるおそれがある。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、導体ポストの高さ制御を可能にした多層配線基板の製造方法と、これによって得られた多層配線基板を有してなる電子デバイス及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため本発明の多層配線基板の製造方法は、基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法であって、前記基板上に前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第１の処理と、第１の処理の後、前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第２の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すことにより、前記導体ポストと前記層間絶縁膜とを形成することを特徴としている。
【０００７】
この多層配線基板の製造方法によれば、導体ポストの一部と層間絶縁膜の一部とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第１の処理と、第１の処理の後、導体ポストの一部と層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第２の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すので、特に、一回の配線間処理工程で液滴吐出法により配される導体ポストの材料の濡れ広がり量が、一度に導体ポストを形成する場合に比べて小となり、したがって濡れ広がり量が抑えられることにより、得られる導体ポストの高さ制御が可能になる。よって、特に複数の導体ポストを同一工程で形成して多層配線基板を形成する場合に、導体ポスト間での高さのバラツキに起因して配線層間で導通不良が生じるのを防止することができる。
【０００８】
また、前記多層配線基板の製造方法においては、前記第１の処理が、前記導体ポストの一部を液滴吐出法で形成する処理であるのが好ましい。
このようにすれば、導体ポストの一部を先に形成することで、得られる導体ポストについて所望する径の確保が可能になり、配線層間の導通不良を確実に防止することが可能になる。
【０００９】
また、前記多層配線基板の製造方法においては、前記層間絶縁膜の形成材料として、光硬化型の絶縁材料を用いるのが好ましい。
このようにすれば、例えば各配線間処理工程毎に光照射による層間絶縁膜の硬化処理を行うことで、導体ポストの材料に影響を与えることなく選択的に層間絶縁膜を硬化することができ、したがって得られる導体ポストの連続性を確保することができる。
【００１０】
なお、この多層配線基板の製造方法においては、前記層間絶縁膜の形成材料として、無溶媒型の絶縁材料を用いるのが好ましい。
このようにすれば、硬化に際して溶媒分に相当する膜厚の減りが無く、したがって層間絶縁膜の膜厚を所望する厚さに制御するのが容易になる。
【００１１】
また、前記多層配線基板の製造方法においては、前記配線間処理工程を複数回繰り返した後、形成した導体ポスト部分を一括して焼成処理し、導体ポストを形成するのが好ましい。
このようにすれば、工程が簡略化されるとともに、導体ポストの連続性が確保されてその導電性が良好になる。
【００１２】
本発明の電子デバイスは、基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板を、有してなる電子デバイスであって、前記層間絶縁膜及び導体ポストが、前記の製造方法によって製造されたものであることを特徴としている。
この電子デバイスによれば、得られる導体ポストの高さ制御が可能になっているので、電子デバイス自体の小型化及び精密化が可能となる。
【００１３】
本発明の電子機器は、基板上に少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板を、有してなる電子機器であって、前記層間絶縁膜及び導体ポストが、前記の製造方法によって製造されたものであることを特徴としている。
この電子機器によれば、得られる導体ポストの高さ制御が可能になっているので、電子機器自体の小型化及び精密化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１〜図３は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
＜導電性インク＞
まず、液滴吐出装置から吐出する液状体としての、導電性インクについて説明する。本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）をトルエンで希釈し、その粘度を５［ｍＰａ・ｓ］程度、表面張力を２０ｍＮ／ｍ程度となるように調整し、この液状体を、配線及び導体ポスト形成用の導電性インクとして用いる。
【００１５】
＜撥インク処理工程＞
また、このような導電性インクを配する（塗布する）基板としては、例えばポリイミドからなる基板が用いられるが、このような基板のインク塗布面については、導電性インクの塗布に先立ち、予め撥インク処理（撥液処理）を施しておくのが好ましい。このように撥インク処理を施しておくことにより、基板１０上に吐出する（塗布する）導電性インク等の位置をより高精度に制御することができる。
【００１６】
すなわち、まず、図１（ａ）に示すようにポリイミドからなる基板１０を用意し、これをＩＰＡ（イソプロピルアルコール）で洗浄し、その後、波長２５４ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ２の強度で１０分間照射してさらに洗浄（紫外線照射洗浄）する。続いて、この基板１０に撥インク処理を施すため、ヘキサデカフルオロ１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン０．１ｇと基板１０とを容積１０リットルの密閉容器に入れ、１２０℃で２時間保持する。これにより、基板１０の表面に撥インク性の単分子膜を形成することができる。この単分子膜が形成された基板１０の表面は、前記導電性インクとの接触角が例えば約６０°となる。
【００１７】
しかし、このような約６０°の接触角は、液滴吐出法で前記導電性インクを吐出（描画）し、配線を形成するためには大きすぎる。そこで、この基板１０に、前記洗浄をしたときと同じ波長（２５４ｎｍ）の紫外線を例えば２分間照射する。その結果、前記基板１０表面の、導電性インクとの接触角を約３５°に調整することができる。
なお、撥インク処理の代わりに受容層を形成してもよい。すなわち、例えば多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物等とバインダーとを有した多孔質層や親水性のポリマーによりインクを膨潤させて吸収させるものを受容層とし、この受容層を予め基板１０の表面上に形成しておいてもよい。
【００１８】
＜下層配線形成工程＞
次に、図１（ａ）に示したように前記撥インク処理が行われた基板１０上に、液滴吐出装置のインクジェットヘッド３０から前記導電性インクを液滴３１として吐出する。この吐出にあたっては、例えば特開２００３−１３３６９１号公報に記載されているような吐出方法を採用することができる。すなわち、前記導電性インクの液滴３１を複数、基板１０上にそれぞれ間隔をあけて吐出し、その後、この間隔を埋めるようにして液滴３１を再度吐出し、液滴３１からなる導電性インクを連続させるようにする吐出方法を、配線形成の手法として好適に採用することができる。このような液滴吐出法（インクジェット法）による吐出により、焼成前で例えば線幅５０μｍの配線１１を、複数形成することができる。
【００１９】
ここで、インクジェットヘッド１１としては、例えば、市販のプリンター（商品名「ＰＭ９５０Ｃ」）のヘッドを使用することができる。ただし、その場合に、インク吸入部がプラスチック製であるため、有機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に変更したものを用いるのが好ましい。インクジェットヘッド１１の駆動電圧を２０Ｖとして前記導電性インクを吐出すると、５ピコリットルの体積の液滴３１を吐出することができる。
【００２０】
そして、前述したようにパターン吐出を行なった後、導電性インクの溶剤を乾燥させるために基板１０に１００℃の熱風を１５秒間あて、その後、基板１０が室温に戻るまで数分間自然冷却する。
他の乾燥方法として、８０℃のホットプレートで３０秒間温めてもよい。
さらに、膜厚をかせぐため、前記と同様の液滴吐出と熱風乾燥とを適宜回数繰り返し、その後、３００℃で３０分の焼成を行い、図１（ｂ）に示すように膜厚約２μｍで比抵抗が約５μΩｃｍの下層配線１２を複数形成する。
【００２１】
＜配線間処理工程＞
次に、前記下層配線１２上の所定位置に、第１の処理として導体ポストの一部を形成するべく、前記導電性インクを前記のインクジェットヘッド（図示せず）を用いた液滴吐出法で配し、図２（ａ）に示すように焼成前の状態で高さが約３μｍの導電部１３を複数形成する。このとき、この導電部１３を形成する導電性インクの量は、導体ポストを一度に形成する場合に比べて小となることから、濡れ広がり量が抑えられ、したがってその高さもばらつくことなくほぼ設定した高さとなり、結果として複数形成した導電部１３間でバラツキがほとんどなくなる。
【００２２】
続いて、形成した導電部１３の周囲に、第２の処理として層間絶縁膜の一部を形成するべく、前記のインクジェットヘッド（図示せず）を用いた液滴吐出法により、導電部１３の周囲に液状の絶縁材料を配し、図２（ｂ）に示すように前記導電部１３とほぼ同じ高さの絶縁層１４を、導電部１３の上面側を露出させた状態に形成する。この絶縁層１４を形成するための絶縁材料、すなわち前記層間絶縁膜を形成するための絶縁材料としては、例えばアサヒ化学社製のＵＶ硬化型絶縁材料である、エポキシアクリレート系樹脂ＵＶＦ−１０Ｇ（商品名）が用いられる。
【００２３】
この絶縁材料は、紫外線照射硬化型（光硬化型）であるとともに、無溶剤型（無溶媒型）であるので、硬化前後での膜厚の変化（減少）がほとんど起こらず、したがって前記の導電部１３とほぼ同じ高さに形成するのが容易になっている。そこで、このような絶縁材料を導電部１３の周囲に配したら、その後、この絶縁材料に例えば波長３５７ｎｍの紫外線を、照度５０ｍＷ／ｃｍ２で約１分間照射することにより、この絶縁材料を全硬化させ、前述したように絶縁層１４を前記導電部１３とほぼ同じ高さに形成する。
ここで、導電部１３の周囲に配した絶縁材料の表面は、セルフレベリング効果によって平坦となり、したがって得られる絶縁層１４の表面も平坦になる。
また、先に形成した導電部１３については、紫外線の照射を受けてもこれに影響されることがなく、したがってその硬化は起こらない。
【００２４】
このような第１の処理と第２の処理とからなる配線間処理工程で、導電部１３（導体ポストの一部）と絶縁層１４（層間絶縁膜の一部）とを順次形成したら、この配線間処理工程を再度繰り返す。
すなわち、図２（ｃ）に示すように前記導電部１３上に再度前記導電性インクを液滴吐出法（インクジェット法）で配し、導電部１３に連続した状態に導電部１５を形成する。ここでも、この導電部１５を形成する導電性インクの量は、導体ポストを一度に形成する場合に比べて小となることから、濡れ広がり量が抑えられ、したがってその高さもばらつくことなくほぼ設定した高さとなり、複数形成した導電部１５間でバラツキがほとんどなくなる。
【００２５】
続いて、形成した導電部１５の周囲に、再度前記絶縁材料を液滴吐出法（インクジェット法）で配し、図２（ｄ）に示すように前記導電部１５とほぼ同じ高さの絶縁層１６を、導電部１５の上面側を露出させた状態に形成する。この絶縁層１６の形成にあたっても、前述したように紫外線を照射することで、導電部１３、１５に影響を与えることなく絶縁材料のみを選択的に全硬化させることができる。
このようにして第１の処理と第２の処理とからなる配線間処理工程を複数回繰り返し、繰り返し回数分絶縁層１４（１６）が積層されて形成される層間絶縁膜１７の厚さを、所望の厚さ、本実施形態では約８μｍとなるようにする。
【００２６】
＜導体ポスト形成工程＞
次いで、前記の第１の処理と同様にして、図３（ａ）に示すように前記導電部１５上に再度前記導電性インクを液滴吐出法（インクジェット法）で配し、導電部１５に連続した状態に導電部１８を形成する。ここでも、この導電部１８を形成する導電性インクの量は、導体ポストを一度に形成する場合に比べて小となることから、濡れ広がり量が抑えられ、したがってその高さもばらつくことなくほぼ設定した高さとなり、複数形成した導電部１８間でバラツキがほとんどなくなる。
なお、この導電部１８の形成は、次工程で導電部１３、１５、１８を一括して焼成処理した際、導電性インク中の液分（分散媒や溶媒）が蒸発除去されることによる膜厚の減少を補うためのものである。すなわち、この導電部１８については、次工程で導電部１３、１５、１８を焼成処理した際、導電部全体の膜厚が減少する分に相当する厚さとなるように形成する。
【００２７】
次いで、基板１０を３００℃で３０分間熱処理し、導電部１３、１５、１８を一括して焼成処理する。すると、これら導電部１３、１５、１８中から液分が蒸発除去され、残った金属微粒子同士が焼結して電気的に接触し、図３（ｂ）に示すように導体ポスト１９となる。なお、導電部１３、１５、１８中から液分が蒸発除去されることで、得られる導体ポスト１９の厚さ（高さ）は導電部１３、１５、１８の膜厚の和に対して減少している。しかし、前述したようにこの減少分が導電部１８の厚さに相当していることから、得られる導体ポスト１９の厚さ（高さ）は、前記層間絶縁膜１７の厚さに一致するようになる。このとき、得られた複数の導体ポスト１９については、その高さ（厚さ）についてバラツキがほとんどなく、いずれも約８μｍとなり、したがっていずれもその上面が層間絶縁膜１７の表面とほぼ面一になっている。
なお、本実施形態では、導体ポスト１９を同一工程に１０本形成したが、一番低いものが約７．５μｍ、一番高いものが約８．５μｍであった。
【００２８】
＜上層配線形成工程＞
次いで、前記下層配線１２の形成と同様にして前記導電性インクを吐出し、その後３００℃で焼成することにより、図３（ｃ）に示すように層間絶縁膜１７上に、前記導体ポスト１９に接した状態の上層配線２０を形成する。これにより、本発明の多層配線基板２１が得られる。
【００２９】
このような多層配線基板２１の製造方法にあっては、一回の配線間処理工程で液滴吐出法により配される導体ポストの材料の濡れ広がり量を、一度に導体ポスト１９を形成する場合に比べ小とすることができることから、全体として濡れ広がり量を抑えることができ、したがって得られる導体ポスト１９の高さを精度良く制御することができる。よって、特に複数の導体ポスト１９を同一工程で形成して多層配線基板２１を形成する場合に、導体ポスト１９間での高さのバラツキに起因して下層配線１２と上層配線２０との間で導通不良が生じるのを防止することができる。
【００３０】
また、特に配線間処理工程において、その第１の処理として導体ポスト１９の一部（導電部１３（１５））を液滴吐出法で形成しているので、このように導電部１３（１５）を絶縁層１４（１６）の先に形成することにより、得られる導体ポスト１９についてはその径を所望の径に形成するのが容易になり、したがって下層配線１２と上層配線２０との間の導通不良を確実に防止することができる。
【００３１】
また、層間絶縁膜１７（絶縁層１４、１６）の形成材料として、紫外線照射硬化型（光硬化型）の絶縁材料を用いているので、各配線間処理工程毎に紫外線照射によって絶縁層１４（１６）の硬化処理を行っても、導電部１３（１５）に影響を与えることなく選択的に絶縁層１４、１６を硬化することができ、したがって得られる導体ポスト１９の連続性を確保してその導電性を良好にすることができる。
さらに、層間絶縁膜１７（絶縁層１４、１６）の形成材料として、無溶媒型の絶縁材料を用いているので、硬化に際して溶媒分に相当する膜厚の減りが無く、したがって層間絶縁膜１７の膜厚を所望する厚さに容易に制御することができる。
【００３２】
また、前記配線間処理工程を複数回繰り返した後、形成した導電部１３、１５、１８を一括して焼成処理し、導体ポスト１９を形成しているので、工程を簡略化して生産性の向上を図ることができ、さらに、導体ポスト１９の連続性を確保してその導電性を良好にすることができる。
【００３３】
＜比較例＞
前記実施形態と比較するため、インクジェット法を用いた従来法により、以下のようにして多層配線を形成した。
まず、図１（ａ）、（ｂ）に示した方法と同様にして、基板１０上に下層配線１２を形成した。
次に、この基板１０上に、前記実施形態と同様にして前記導電性インクを、焼成前で約８μｍの高さ（厚さ）となるように連続して吐出し、１０本の導電部（焼成前の導体ポスト）を形成した。その際、吐出した導電性インクは濡れ広がってお椀形状になってしまうため、１５回の重ね塗りが必要であった。また、それぞれの高さを揃えるのも困難であった。
【００３４】
その後、形成した１０本の導電部を３００℃で焼成し、導体ポストを形成した。得られた導体ポストの高さ（厚さ）を測定したところ、一番低いものが約６μｍ、一番高いものが約１１μｍであった。
よって、前述した本実施形態での導体ポスト１９は、比較例の導体ポストに比べバラツキが少なく、したがって本実施形態の多層配線基板の製造方法は、導体ポスト１９の高さ（厚さ）のバラツキを抑えてこれらを均一に形成することができることが分かった。
【００３５】
なお、前記実施形態では、紫外線照射によって絶縁層１４、１６をそれぞれに全硬化させるようにしたが、これら絶縁層１４、１６については、途中での硬化処理に際して紫外線照射を短時間で行って全硬化させることなく半硬化させるようにし、最終的に絶縁層を硬化して層間絶縁膜１７を形成する際、十分な時間紫外線照射を行って全硬化させるようにしてもよい。このようにすれば、製造時間を短縮して生産性を高めることができる。
また、前記実施形態では、配線間処理工程における第１の処理として、導体ポスト１９の一部（導電部１３（１５））を形成するようにしたが、これに代えて、絶縁層１４（１６）の方を先に形成するようにしてもよい。
【００３６】
また、前記実施形態では、製造する多層配線基板２１を、基板１０上に下層配線１２と上層配線２０と、これら配線間を導通させる導体ポスト１９とを有した２層構造のものとしたが、本発明はこれに限定されることなく、３層構造、あるいは４層以上の構造を有する多層配線基板の製造にも適用することができる。
また、このような多層配線基板の製造方法によって得られた多層配線基板は、例えば半導体素子等を備えて構成される各種の電子デバイスに用いられるが、このような多層配線基板を備えた各種の電子デバイスは、全て本発明の電子デバイスとなる。
【００３７】
また、電子デバイス以外にも、前記多層配線基板は各種の表示デバイスや駆動デバイスに適用可能であり、これらデバイスは、例えばワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置や、携帯電話、腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部等として好適に用いることができる。
図４は、このような電子機器の一例としての、前記の多層配線基板を用いた携帯電話を示す斜視図である。図４において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は表示部を示している。
図４に示した電子機器（携帯電話）は、前記の多層配線基板を備えているので、小型化及び精密化が向上したものとなる。
【００３８】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。具体的には、実施形態で挙げた材料や製造条件などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１に続く工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は図２に続く工程図である。
【図４】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…基板、１２…下層配線（配線層）、
１３、１５、１８…導電部（導体ポストの一部）、
１４、１６…絶縁部（層間絶縁膜の一部）、１７…層間絶縁膜、１９…導体ポスト、
２０…上層配線（配線層）、２１…多層配線基板
【図１】
2005340437.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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