(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を効率的かつ短時間で加熱および冷却ができ、冷却後のパネル面内の温度を均一にすることが可能な基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置を提供する。【解決手段】基板の加熱冷却方法において、加熱源５６により基板６０をその片面側からのみ加熱し、基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表面および裏面の温度差を５０℃〜４００℃とする。加熱後、少なくとも基板自体を冷却源として、基板の片面側を冷却する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の加熱冷却方法において、
基板をその片面側からのみ加熱し、
前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差を５０℃〜４００℃とすることを特徴とする基板の加熱冷却方法。
【請求項２】
複数の加熱手段により前記基板の片面側を加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項３】
前記基板の片面を部分的に加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項４】
真空雰囲気中で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項５】
基板の加熱冷却方法において、
基板をその片面側からのみ加熱し、前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差を５０℃〜４００℃とし、
加熱後、少なくとも前記基板自体を冷却源として、前記基板を冷却することを特徴とする基板の加熱冷却方法。
【請求項６】
前記基板の片面と加熱手段とを対向させた状態で前記基板および加熱手段を相対的に移動させて前記基板を加熱することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項７】
前記基板は、片面に蛍光体層が設けられた第１基板、および上記蛍光体層を励起する複数の電子源が片面に設けられた第２基板を備えた平面型表示装置の一部品であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項８】
前記基板は、板厚が１．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却方法。
【請求項９】
基板の片面と対向して設けられた加熱源と、
前記加熱源により基板をその片面側からのみ加熱し、前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差が５０℃〜４００℃となるように前記加熱源を制御する制御部と、
を備えた基板の加熱冷却装置。
【請求項１０】
前記加熱源および基板を相対的に移動させる移動機構を備えている請求項９に記載の基板の加熱冷却装置。
【請求項１１】
前記加熱源は、少なくともＷ、Ｔａ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｍｏのいずれかの純金属または合金を含む材料により形成されている請求項９又は１０に記載の基板の加熱冷却装置。
【請求項１２】
前記加熱源は線状に形成されている請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却装置。
【請求項１３】
前記加熱源の表面温度は２０００℃以上である請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却装置。
【請求項１４】
前記基板および加熱源を収納する真空槽を備えている請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却装置。
【請求項１５】
前記基板は、蛍光体層が片面に設けられた第１基板、および上記蛍光体層を励起する複数の電子源が片面に設けられた第２基板を備えた平面型表示装置の一部品である請求項９ないし１４のいずれか１項に記載の基板の加熱冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体関連、平面型ディスプレイ関連などの分野では、基板を効率良く加熱冷却するプロセスの開発が進められている。例えば、特許文献１に開示された基板加熱冷却技術によれば、冷却室の内面に、輻射率の高い物質を塗布するなどの方法で輻射吸熱層を形成し、冷却室内に設置された基板の熱を輻射吸熱層によって効率良く吸収する。冷却室には冷却水路が設けられ、吸収された基板の熱は冷却水路を流れる冷却水によってすみやかに排熱される。
【０００３】
特許文献２に開示された基板加熱冷却技術によれば、加熱室で加熱された基板は、冷却室に移送され、冷却板により冷却される構成になっている。冷却板は高輻射率の金属から作られ、内部に設けられた冷却管を流れる液体窒素によって−１９０℃付近の温度に維持されている。これにより、基板を冷却するための時間は８時間から５分に短縮できるとしている。
【０００４】
特許文献３に開示された基板加熱冷却技術によれば、熱処理室の内部に搬入された基板は、加熱源により透過窓を介して加熱される。加熱後、加熱源の加熱を停止して基板が冷却される。この際、基板からの輻射熱が熱処理室の底部に吸収され、降温速度が促進される。底部の内部には冷却水通路が形成され、表面には輻射率を大きくする処理が施されている。また、表面積を大きくするため、底部の表面に凹凸加工や傾斜加工を施す技術が開示されている。
【特許文献１】特開平７−２１６５５０号公報
【特許文献２】特開平８−２２２１３０号公報
【特許文献３】特開２００１−２８４２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、様々な手法により基板の加熱冷却時間を短くする手法が提案されている。しかし、製品を大量生産するには、更に加熱冷却時間を短くすることが重要となる。  
ところで、半導体関連、平面型ディスプレイ関連の分野で行われている基板の加熱冷却の目的は、前工程までに処理された基板の形成面に対してアニールや脱ガス処理をすることにある。しかし、従来の加熱冷却方法では、基板全体を加熱、冷却しており、決して効率よい手法とは言えない。特に、基板が厚くなるほど、基板の熱容量が大きくなり、冷却時間が長くなる問題があった。例えば、シリコンウエハーは基板厚が０．２〜０．５ｍｍと薄いが、平面型ディスプレイ関連で使用されているガラスは基板厚が約３ｍｍあり、加熱、冷却時間に大きく影響する。更には、基板の周辺部から中央部へと冷却が進むため、冷却後の基板温度は中央より周辺部が低くなり、次の処理工程に支障をきたす問題があった。
【０００６】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、基板の加熱処理が必要な面を、効率的かつ短時間で加熱および冷却ができ、冷却後のパネル面内の温度を均一にすることが可能な基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の態様に係る基板の加熱冷却方法は、基板をその片面側からのみ加熱し、前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差を５０℃〜４００℃とすることを特徴としている。
【０００８】
また、この発明の態様に係る基板の加熱冷却方法は、基板をその片面側からのみ加熱し、前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差を５０℃〜４００℃とし、加熱後、少なくとも前記基板自体を冷却源として、基板の前記片面側を冷却することを特徴としている。
【０００９】
この発明の態様に係る加熱冷却装置は、基板の片面と対向して設けられた加熱源と、前記加熱源により基板をその片面側からのみ加熱し、前記基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表裏面の温度差が５０℃〜４００℃となるように前記加熱源を制御する制御部と、を備えたことを特徴としている。
【００１０】
上述した基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置によれば、加熱時、基板全体を加熱するのではなく、基板片面側だけを加熱することにより、基板の加熱処理が必要な面を短時間で加熱処理することができる。基板の冷却は、基板自体を冷却源とし、基板内での熱交換により行われる。そのため、熱放射で基板を冷却させるよりも効率的に短時間で行うことができる。基板冷却速度は基板厚で決まるため、基板厚が一定であれば、どの基板位置でも冷却後の温度は一定となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板の加熱処理が必要な面を、効率的かつ短時間で加熱および冷却でき、冷却後の基板面内の温度を均一にすることが可能な基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置について詳細に説明する。  
図１および図２に示すように、加熱冷却装置は、真空槽５０および真空槽内を真空排気する真空ポンプ５２を備え、真空槽内の真空度は１×１０−３〜１×１０−５Ｐａの範囲に維持されている。真空槽５０内には、初期対象となる基板６０を水平に支持する支持機構５４、加熱源としての加熱ロッド５６、基板に対して加熱ロッドを相対的に移動させる移動機構５８が設けられている。
【００１３】
加熱ロッド５６は例えば、矩形の横断面形状を有し、ほぼ水平に延びているとともに、支持機構５４に支持された基板６０の上面と所定の距離を置いて平行に対向している。加熱ロッド５６は、例えば、タングステン（Ｗ）の純金属または合金を含む材料により形成されている。加熱ロッド５６の両端部は、移動機構５８のガイドレール６２により、それぞれ水平方向に沿って移動可能に支持されている。移動機構５８は加熱ロッド５６の両端部をガイドレール６２に沿って移動させる駆動部６４を有している。これにより、加熱ロッド５６は、基板６０の上面と所定の距離を保持した状態で、基板表面と平行に移動可能となっている。
【００１４】
加熱ロッド５６の両端は、真空槽５０の外部に配設された直流電源６６に電気的に接続されている。そして、直流電源６６から加熱ロッド５６に通電することにより、加熱ロッドは所望の温度に加熱される。なお、加熱ロッド５６の一端は、バネ等の弾性部材６７を介して移動機構５８に接続されている。これにより、加熱により加熱ロッド５６が膨張した場合でも、加熱ロッドの撓みを防止し、基板６０上面との距離を一定に維持することができる。移動機構５８の駆動部６４および直流電源６６には、加熱ロッド５６の加熱温度、加熱時間、移動速度を制御する制御部６８が接続されている。
【００１５】
次に、上記加熱冷却装置による基板の加熱冷却方法について説明する。  
まず、処理対象となる板厚１．２ｍｍ以上の基板６０を真空槽５０内に搬入し、支持機構５４によって水平に支持する。この際、処理する面が加熱ロッド５６側となるように基板６０を支持する。その後、真空槽５０内を所定の真空度に真空排気する。
【００１６】
続いて、制御部６８の制御の下、直流電源６６から加熱ロッド５６に通電し、加熱ロッド５６を２０００℃以上の高温に加熱する。加熱ロッド５６と基板６０上面との距離を保った状態で、移動機構５８により、加熱ロッド５６を基板６０の一端側から他端側まで水平方向に移動させる。この動作により、加熱ロッド５６が通過する順に基板６０の上面側が加熱され、加熱ロッドが基板上面の一端端から他端までスキャンすることで加熱が完了する。この際、基板６０は、片面、つまり、上面側のみが加熱ロッド５６によって加熱され、基板の裏面は加熱されない。
【００１７】
次に、加熱ロッド５６への通電を停止し、加熱ロッドを基板６０から離間させることにより、基板６０の冷却処理を開始する。冷却処理では、基板６０自体を冷却源として使用し、基板内部および基板裏面付近の比較的加熱処理で加熱されなかった領域と、基板上面側の加熱領域との熱交換により基板を冷却する。
【００１８】
図３は、上述した加熱冷却処理における基板上面の温度変化状態を示している。温度測定個所は、図２に記載されたＸ点とした。図３に実線Ａで示すように、基板６０上面の温度は、加熱処理により２５℃から３４０℃まで加熱される。一方、この時の同位置における基板６０裏面の温度は、破線Ｂで示すように、７０℃以下であった。冷却処理では、基板６０自体の熱交換により、基板全体の温度が均一になるように、基板表面の温度が急冷される。基板６０が１００℃以下になるまでの時間は３分であり、短時間で冷却することができた。
【００１９】
加熱源の温度を高くして早く加熱することで基板６０の表面側のみを加熱することができ、加熱冷却時間を短くすることができる。つまり、基板６０の片面側のみを短時間で加熱し、基板６０の表裏の温度差を大きくすることが望ましい。基板６０表裏の温度差を最大にするには、基板表面の温度が最高温度の時に、基板裏面の温度が加熱前の温度になっていることが望ましい。しかし、加熱処理により、基板６０裏面の温度も若干上昇してしまう。そのため、実際には、基板６０表面の最高温度が４５０℃〜５５０℃とした時に、基板表面、裏面の温度差は４００℃が限界となる。一方、基板表面、裏面の温度差の最小は、限りなくゼロにすることもできる。しかし、この場合、基板６０全体を加熱してしまうことになり加熱冷却時間が長くなってしまう。そのため、冷却時間の短縮の効果を得るには、基板表面、裏面の温度差は５０℃以上、４００℃以下とすることが望ましい。このような温度差は、制御部６８によって加熱ロッド５６の加熱温度、加熱時間、移動速度を制御することにより調整することができる。
【００２０】
上記構成のように構成された基板の加熱冷却方法および加熱冷却装置によれば、加熱時、基板全体を加熱するのではなく、基板片面側だけを加熱することにより、基板の加熱処理が必要な面を短時間で加熱処理することができる。基板の冷却は、基板自体を冷却源とし、基板内での熱交換により行われる。そのため、熱放射で基板を冷却する場合よりも、効率的に短時間で冷却することができる。基板冷却速度は基板厚で決まるため、基板厚が一定であれば、どの基板位置でも冷却後の温度は一定となる。
【００２１】
この発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で、種々変形することができる。例えば、大きな基板を処理する場合、加熱ロッド５６の長さを長くする必要があり、加熱ロッドが自重で弛んでしまう虞がある。この場合、加熱ロッドは自重で撓まない形状に適宜変更することが望ましい。例えば、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、加熱ロッド５６は、横断面形状が凹型、Ｌ字型、あるいはＴ型となるように形成してもよく、目的の基板サイズに合わせて熱源形状を選定するのがよい。
【００２２】
大きな基板を処理する場合、熱源を移動させるのに時間を要するため、複数の加熱ロッドを設け、それぞれ独立して基板表面の異なる領域を加熱する構成としてもよい。本実施形態では、加熱源をスキャンさせたが、加熱源を固定し基板を移動させてもよい。また、処理する基板の表面積とほぼ同一の大きさを有した加熱源を設け、基板および加熱源を相対的に移動させることなく基板を加熱する構成としてもよい。
【００２３】
加熱源の形成材料は、タングステンに限らず、蒸気圧が低く、高融点の材料であれば良く、タンタル（Ｔａ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、またはモリブテン（Ｍｏ）の純金属およびその合金を用いてもよい。また、基板表面側を加熱することができる加熱源であれば上記材料そのものでなくてもよい。そのため、加熱源はランプでも良く、例えば集光式ランプやハロゲンランプであれば比較的効率良く基板表面側を加熱することができる。
【００２４】
次に、上述した加熱冷却装置および加熱冷却方法を平面型表示装置としてのＦＥＤの製造に適用した実施形態について説明する。始めにＦＥＤの構成を説明する。  
図５および図６に示すように、ＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラス基板からなる第１基板１１および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜３．０ｍｍの隙間をおいて対応配置されている。第１基板１１および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された偏平な真空外囲器１０を構成している。
【００２５】
接合部材として機能する側壁１３は、例えば、フリットガラス等の低融点ガラス３０により、第２基板１２の内面周縁部に封着されている。また、第１基板１１と側壁１３との間は、封着面上に形成された下地層３１ａ、３１ｂとこの下地層上に形成されたインジウム層３２とが融合した封着層３３によって封着されている。これにより、側壁１３および封着層３３は、第１基板１１および第２基板１２の周縁部同士を気密に接合し、第１および第２基板間に密閉空間を規定している。
【００２６】
真空外囲器１０の内部には、第１基板１１および第２基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、例えば、ガラスからなる複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【００２７】
図７に示すように、第１基板１１の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青に発光する複数の蛍光体層１５、および蛍光体層の間に形成された複数の遮光層１７を備えている。各蛍光体層１５は、ストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック層１８およびゲッタ膜１９が順に形成されている。
【００２８】
第２基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層１５を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電子放出素子２２が設けられている。詳細に述べると、第２基板１２の内面上には、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリコン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極２８が形成されている。そして、第２基板１２の内面上において各キャビティ２５内に、モリブデン等からなるコーン状の電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出素子２２は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。その他、第２基板１２上には、電子放出素子２２に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。
【００２９】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、映像信号は、電子放出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン１６には＋１０ｋＶが印加される。そして、電子放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。なお、蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、第１基板１１、第２基板１２、側壁１３、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。また、第１基板１１および第２基板１２は板厚が例えば１．５ｍｍ以上に形成されている。
【００３０】
次に、前記構成を有するＦＥＤの製造方法について説明する。  
まず、第１基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これは、第１基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体ストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成した板ガラスと第１２基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットする。この状態で、露光、現像することにより、第１基板１１となるガラス板上に蛍光体スクリーンを形成する。その後、蛍光体スクリーン１６に重ねてメタルバック層１８を形成する。
【００３１】
続いて、第２基板１２用の板ガラスに電子放出素子２２を形成する。これはまず、導電性カソード層２４を板ガラス上に形成し、このカソード層上に例えば熱酸化法やＣＶＤ法あるいはスパッタリング法により２酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。この後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極２８を形成する。
【００３２】
その後、レジストパターン及びゲート電極２８をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、第２基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。その後、第２基板表面に対して垂直な方向からカソード形成用の材料として例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、キャビティ２５の内部に電子放出素子２２が形成される。次に、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【００３３】
続いて、大気中で低融点ガラス３０により側壁１３および支持部材１４を第２基板１２の内面上に封着する。その後、側壁１３の封着面の全周に渡って下地層３１ｂを形成し、この下地層の上にインジウムを所定の幅および厚さに充填しインジウム層３２を形成する。同様に、第１基板１１の側壁と対向する封着面に下地層３１ａを形成し、この下地層の上にインジウムを所定の幅および厚さで矩形枠状に充填しインジウム層３２を形成する。
【００３４】
なお、金属封着材料としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施形態で用いるインジウム（Ｉｎ）は、融点１５６．７℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。また、下地層３１ａ、３１ｂは、金属封着材料に対して濡れ性および気密性の良い材料、つまり、金属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。
【００３５】
次いで、側壁１３が封着された第２基板１２および第１基板１１を所定間隔離して対向配置し、この状態で、真空処理装置内に投入する。ここでは、例えば図８に示すような真空処理装置１００を用いる。真空処理装置１００は、並んで配設されたロード室１０１、ベーキング室１０２、ゲッタ膜の蒸着室１０３、組立室１０４、冷却室１０５、およびアンロード室１０６を備えている。ベーキング室１０２は、前述した加熱冷却装置により構成され、このベーキング室には、加熱ロッドに通電する直流電源６６、および直流電源を制御する制御部６８が接続されている。真空処理装置１００の各室は、真空処理が可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室が真空排気されている。これら各処理室間は図示しないゲートバルブ等により接続されている。
【００３６】
所定間隔離して配置された上述の第１基板１１および第２基板１２は、まず、ロード室１０１に投入される。そして、ロード室１０１内の雰囲気を真空雰囲気とした後、ベーキング室１０２へ送られる。ベーキング室では、１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時点で、第１基板１１および第２基板１２を３００℃以上の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。このベーキングは、前述した実施形態と同様の加熱冷却方法により行う。すなわち、第１基板１１においては、蛍光体スクリーン１６が形成された片面のみを加熱ロッドにより加熱してベーキングを行ない、その後、第１基板自体を冷却源として第１基板を冷却する。また、第２基板１２においては、電子放出素子２２が設けられた下面のみを加熱ロッドにより加熱してベーキングを行ない、その後、第２基板自体を冷却源として第２基板を冷却する。その他、基板の加熱冷却方法は前述した実施形態と同一であリ、その詳細な説明を省略する。
【００３７】
続いて、第１基板１１および第２基板１２はゲッタ膜の蒸着室１０３へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜としてＢａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【００３８】
次に、第１基板１１および第２基板１２は組立室１０４に送られ、ここで２００℃まで加熱されインジウム層３２が液状に溶融あるいは軟化される。この状態で、第１基板１１と側壁１３と接合して所定の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させる。これにより、第１基板１１と側壁１３とが、インジウム層３２および下地層３１ａ、３１ｂを融合した封着層３３によって封着され、真空外囲器１０が形成される。  
このようにして形成された真空外囲器１０は、冷却室１０５に送られ、常温まで冷却された後、アンロード室１０６から取り出される。以上の工程により、ＦＥＤが完成する。
【００３９】
以上のようなＦＥＤの製造方法および製造装置によれば、真空雰囲気中でベーキングによって基板の表面吸着ガスを十分に放出させた後、ゲッタ膜を形成することにより、吸着能力が優れたゲッタ膜を得ることができる。これにより、高い真空度を維持でき、安定かつ良好な画像を得ることが可能な表示装置を製造することができる。封着材料としてインジウムを使用することにより、フリットで封着した場合のように、真空中で発泡することなく、気密性および封着強度の高いＦＥＤを得ることができる。また、基板の内、脱ガスが必要な片面側を加熱してベーキングした後、基板自体を冷却源として基板を冷却することにより、効率的かつ短時間で基板の加熱、冷却処理を行うことができる。
【００４０】
なお、本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４１】
例えば、上述した実施の形態では、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、ｐｎ型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の他の画像表示装置の製造にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】この発明の実施形態に係る加熱冷却装置を示す断面図。
【図２】前記加熱冷却装置を概略的に示す平面図。
【図３】前記加熱冷却装置における基板の表面、裏面の温度変化を示す図。
【図４】前記加熱冷却装置における加熱ロッドの横断面形状をそれぞれ示す断面図。
【図５】この発明の実施形態に係る加熱冷却方法および加熱冷却装置により製造されるＦＥＤを一部破断して示す斜視図。
【図６】図５の線Ａ−Ａに沿った前記ＦＥＤの断面図。
【図７】前記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図８】前記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００４３】
１０…真空外囲器、  １１…第１基板、  １２…第２基板、  １３…側壁、
１４…支持部材、  １６…蛍光体スクリーン、  ２２…電子放出素子、
５０…真空槽、  ５４…支持機構、  ５６…加熱ロッド、  ５８…移動機構、
６０…基板、  ６６…直流電源、  ６８…制御部
【図１】
2005236095.tif 000003
【図２】
2005236095.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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