(57)【要約】【課題】  スパイラル状接触子を有するスパイラルコンタクタを高密度に実装することができ、さらに、電気的に良好な接続を実現する。【解決手段】  半導体デバイス３１または電子部品の球状接続端子３１ａと電気的に接続する、平面視してスパイラル形状を有するスパイラル状接触子１１を、球状接続端子３１ａとの接触の際に、球状接続端子３１ａの形状に対応して変形可能に備え、半導体デバイス３１または電子部品との電気的接続を行う構成としたスパイラルコンタクタ１であって、スパイラル状接触子１１の先端から根元に近づくにしたがって斜め階段状に、次第に厚く変化する階段状の段差を有する断面を備えたスパイラル状接触子１１を形成し、このスパイラル状接触子１１が、断面に形成されるエッジのうちの球状接続端子３１ａに近接した二箇所で球状接続端子３１ａに当接する。【選択図】      図１
2005345317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスまたは電子部品の球状接続端子と電気的に接続する、平面視してスパイラル形状を有するスパイラル状接触子を、前記球状接続端子との接触の際に、前記球状接続端子の形状に対応して変形可能に備え、前記半導体デバイスまたは電子部品との電気的接続を行う構成としたスパイラルコンタクタであって、
前記スパイラル状接触子は、このスパイラル状接触子の先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面を備え、
前記断面に形成されるエッジのうちの前記球状接続端子に近接した二箇所で前記球状接続端子に当接することを特徴とするスパイラルコンタクタ。
【請求項２】
スパイラルコンタクタを形成する製造方法は、
金属板上に第１のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、
前記第１のフォトレジスト膜に、第１のフォトマスクを重ね、前記第１のフォトレジスト膜に前記スパイラル状接触子のパターンを露光し、現像処理する第２工程と、
前記現像処理により露出した金属部分に第1の金属膜を形成し、さらに、第２のフォトレジスト膜を形成する第３工程と、
前記第２のフォトレジスト膜に、第２のフォトマスクを重ね、前記第２のフォトレジスト膜に第1のパターンを露光し、現像処理する第４工程と、
前記現像処理により露出した前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、さらに、第３のフォトレジスト膜を形成する第５工程と、
前記第３のフォトレジスト膜に、第３のフォトマスクを重ね、前記第３のフォトレジスト膜に第２のパターンを露光し、現像処理する第６工程と、
前記現像処理により露出した前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成し、前記第２のフォトレジスト膜と前記第３のフォトレジスト膜をエッチングで除去し、さらに、前記第１のフォトレジスト膜をエッチングで除去する第７工程と、
前記金属膜上にキャリアテープを貼付する第８工程と、
前記金属板を剥がし取る第９工程と
を含むことを特徴とするスパイラルコンタクタの製造方法。
【請求項３】
スパイラルコンタクタを形成する製造方法は、
金属板上に第１のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、
前記第１のフォトレジスト膜に、第１のフォトマスクを重ね、前記第１のフォトレジスト膜に前記スパイラル状接触子のパターンを露光し、現像処理する第２工程と、
前記現像処理により露出した金属部分に第1の金属膜を形成し、さらに、第２のフォトレジスト膜を形成する第３工程と、
前記第２のフォトレジスト膜に、第２のフォトマスクを重ね、前記第２のフォトレジスト膜に第1の円形パターンを露光し、現像処理する第４工程と、
前記現像処理により露出した前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、さらに、第３のフォトレジスト膜を形成する第５工程と、
前記第３のフォトレジスト膜に、第３のフォトマスクを重ね、前記第３のフォトレジスト膜に第２の円形パターンを露光し、現像処理する第６工程と、
前記現像処理により露出した前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成し、前記第２のフォトレジスト膜と前記第３のフォトレジスト膜をエッチングで除去し、さらに、前記第１のフォトレジスト膜をエッチングで除去する第７工程と、
前記金属膜上にキャリアテープを貼付する第８工程と、
前記金属板を剥がし取る第９工程と
を含むことを特徴とするスパイラルコンタクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパイラル状接触子を備えたスパイラルコンタクタに関し、特に、スパイラル状接触子の渦巻き部が先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、その渦巻き部の断面が階段状に形成されるスパイラルコンタクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（ＩＣ）の多機能化、高性能化に伴い、ＩＣチップ（以下、半導体デバイスという）を搭載するＩＣパッケージ（以下、パッケージという）もさまざまに変遷し進化してきた。その流れの一つに小型化・薄型化に伴う多ピン化がある。多機能化が進むにつれて入・出力端子数や各種信号用の端子が増加し、パッケージに必要なピン数は１０００ピンを越えるものも出てきている。そのため、パッケージの両サイドや四辺からリードを取り出す方式から、パッケージの底面全体から端子を取り出して、端子のスペースを低減する方式に変わってきた。
【０００３】
そこで、ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）やＣＳＰ（Ｃhip Ｓize Ｐackage）と呼ばれる半導体デバイスが開発されている。このＢＧＡやＣＳＰの底面全体には、ピンの代わりに球状の接続端子が格子状・碁盤の目状に配列され、そのピッチ間隔は０．５ｍｍから０．３ｍｍへと縮小化がなされ、球状接続端子の高密度化が進んでいる。また、球状接続端子は、半導体デバイスまたは電子部品の実装密度と電気的電送特性を高めることからも、軽薄短小化の傾向にある。
【０００４】
図９は、従来のスパイラルコンタクタ１００の断面図である。図９に示すように、スパイラル状接触子１０２の下方には孔１０３が設けられている。この孔１０３は空洞であり、半導体デバイス１０８の下面側に備えられた球状接続端子１０７からの押圧でスパイラル状接触子１０２の変形を可能としている。このスパイラル状接触子１０２を支持する絶縁基板１０６には、例えば内径φ０．３ｍｍの孔１０３が穿設されている。この孔１０３の内面に銅メッキを施して導電部１０４を形成している。これにより、スパイラル状接触子１０２と、接続部１０５とは直接に接続が可能となり、垂直配線方式の通電回路となる。
半導体デバイス１０８の球状接続端子１０７がスパイラル状接触子１０２を押圧すると、スパイラル状接触子１０２の中央部から外側に接触を広げ、スパイラル状接触子（渦巻き部）１０２は凹状に撓み半田ボールを抱き込むように変形する。スパイラル状接触子１０２は、球状接続端子１０７に螺旋状に巻き付くことから、接触長さが長く確実に接触するとともに、異物付着があっても球状接続端子１０７の球面に沿った摺動作用により異物を除去し、安定した通電接触ができる。また、スパイラル状接触子１０２は、球状接続端子１０７の球面にスパイラル状接触子１０２の角（エッジ）１０２ａを押圧しながら自ら変形し、球状接続端子１０７の球面上の酸化膜を切り込み、確実な通電をすることが可能である。また、球状接続端子１０７の位置決めガイドとしてガイドフレーム１１２が配設されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報（第５頁〜第９頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、スパイラル状接触子１０２は、球状接続端子１０７の球面にスパイラル状接触子の角（エッジ）１０２ａを押圧しながら自ら変形し、球状接続端子１０７の球面上の酸化膜を切り込んでいるが、さらに、安定した通電接触を行うために、スパイラル状接触子１０２と球状接続端子１０７との接触長さを長くする必要があった。
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、スパイラル状接触子を有するスパイラルコンタクタを高密度に実装することができ、さらに、電気的に良好な接続を実現して高信頼性を有するスパイラルコンタクタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決した請求項１に記載の発明は、半導体デバイスまたは電子部品の球状接続端子と電気的に接続する、平面視してスパイラル形状を有するスパイラル状接触子を、前記球状接続端子との接触の際に、前記球状接続端子の形状に対応して変形可能に備え、前記半導体デバイスまたは電子部品との電気的接続を行う構成としたスパイラルコンタクタであって、前記スパイラル状接触子は、このスパイラル状接触子の先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面を備え、前記断面に形成されるエッジのうちの前記球状接続端子に近接した二箇所で前記球状接続端子に当接することを特徴とする。
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、スパイラル状接触子は、スパイラル状接触子の渦巻き部の先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面が形成される。この段差によって、前記断面には、少なくとも五箇所のエッジが形成され、前記断面に形成されるエッジのうちの球状接続端子に近接した二箇所のエッジが球状接続端子に当接する。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、スパイラルコンタクタを形成する製造方法は、金属板上に第１のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、前記第１のフォトレジスト膜に、第１のフォトマスクを重ね、前記第１のフォトレジスト膜に前記スパイラル状接触子のパターンを露光し、現像処理する第２工程と、前記現像処理により露出した金属部分に第1の金属膜を形成し、さらに、第２のフォトレジスト膜を形成する第３工程と、前記第２のフォトレジスト膜に、第２のフォトマスクを重ね、前記第２のフォトレジスト膜に第1のパターンを露光し、現像処理する第４工程と、前記現像処理により露出した前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、さらに、第３のフォトレジスト膜を形成する第５工程と、前記第３のフォトレジスト膜に、第３のフォトマスクを重ね、前記第３のフォトレジスト膜に第２のパターンを露光し、現像処理する第６工程と、前記現像処理により露出した前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成し、前記第２のフォトレジスト膜と前記第３のフォトレジスト膜をエッチングで除去し、さらに、前記第１のフォトレジスト膜をエッチングで除去する第７工程と、前記金属膜上にキャリアテープを貼付する第８工程と、前記金属板を剥がし取る第９工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、先端から根元に近づくにしたがって、次第に厚く変化する階段状の段差を有する断面を備えたスパイラル状接触子を形成することができる。
また、スパイラル状接触子を形成する際に、フォトリソグラフィ技術によって精密加工ができるため、絶縁基板（プリント基板）にスパイラル状接触子を複数配置したスパイラルコンタクタを、極小サイズで狭ピッチに、高密度に製造することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、スパイラルコンタクタを形成する製造方法は、金属板上に第１のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、前記第１のフォトレジスト膜に、第１のフォトマスクを重ね、前記第１のフォトレジスト膜に前記スパイラル状接触子のパターンを露光し、現像処理する第２工程と、前記現像処理により露出した金属部分に第1の金属膜を形成し、さらに、第２のフォトレジスト膜を形成する第３工程と、前記第２のフォトレジスト膜に、第２のフォトマスクを重ね、前記第２のフォトレジスト膜に第1の円形パターンを露光し、現像処理する第４工程と、前記現像処理により露出した前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、さらに、第３のフォトレジスト膜を形成する第５工程と、前記第３のフォトレジスト膜に、第３のフォトマスクを重ね、前記第３のフォトレジスト膜に第２の円形パターンを露光し、現像処理する第６工程と、前記現像処理により露出した前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成し、前記第２のフォトレジスト膜と前記第３のフォトレジスト膜をエッチングで除去し、さらに、前記第１のフォトレジスト膜をエッチングで除去する第７工程と、前記金属膜上にキャリアテープを貼付する第８工程と、前記金属板を剥がし取る第９工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載の発明によれば、先端から根元に近づくにしたがって、次第に厚く変化する階段状の段差を有する断面を備えたスパイラル状接触子を形成することができる。
また、スパイラル状接触子を形成する際に、フォトリソグラフィ技術によって精密加工ができるため、絶縁基板（プリント基板）にスパイラル状接触子を複数配置したスパイラルコンタクタを、極小サイズで狭ピッチに、高密度に製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、スパイラル状接触子の渦巻き部は、先端から根元に近づくにしたがって厚みが階段状に厚くなり、一片のスパイラル状接触子の五箇所の稜線（エッジ）のうちの前記球状接続端子に近接した二箇所で球状接続端子に当接することになるため、スパイラル状接触子と球状接続端子とが接触する接触長さを長くすることができる。これにより、電気的に良好な接続を実現して信頼性の高い接続が可能となる。
また、スパイラル状接触子は、先端側から根元側に近づくにしたがって、スパイラル状接触子の幅が次第に広がっていくため、ばね定数が幅の二乗に比例して大きくなっていくともに、厚さが次第に厚くなって斜め階段状に変化していくため、ばね定数が厚さの三乗に比例して大きくなっていき、スパイラル状接触子の先端側においては柔軟に、根元側においては剛性が高くなり、柔軟性と剛性とが相俟って電気的に良好な接続が実現する。これは、板材のばね定数が、板材の幅の二乗に比例して大きくなり、厚さの三乗に比例して大きくなるという理論による。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面を備えたスパイラル状接触子を形成させることができる。
また、スパイラル状接触子は、フォトリソグラフィ技術によって精密加工ができるため、絶縁基板（プリント基板）にスパイラル状接触子を複数配置したスパイラルコンタクタを、極小サイズで狭ピッチに、高密度に製造することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、先端から根元に近づくにしたがって厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面を備えたスパイラル状接触子を形成させることができる。
また、スパイラル状接触子は、フォトリソグラフィ技術によって精密加工ができるため、絶縁基板（プリント基板）にスパイラル状接触子を複数配置したスパイラルコンタクタを、極小サイズで狭ピッチに、高密度に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。参照する図面において、図１は、本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの概略を示す斜視図（ａ）と、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図（ｂ）であり、半導体デバイスの球状接続端子（半田ボール）がスパイラル状接触子を押圧して高精度に接触する様子を示している。
なお、以下の説明において、Ｃｕ基板、メッキ層、ポリイミドフィルムは、それぞれ特許請求の範囲における金属板、金属膜、キャリアテープに相当する。
図１（ａ）に示すように、スパイラルコンタクタ１は、接触子接続基板１０と、ボード（以下、基板という）２０とを備えて構成されており、この接触子接続基板１０は、スパイラル状接触子１１と、ガイドフレーム（ポリイミドフィルム）１２とを備えている。
スパイラルコンタクタ１のスパイラル状接触子１１、１１…は、例えば、半導体デバイス（ＩＣチップ）３１の背面に碁盤の目状に配置された球状接続端子３１ａ（図１（ｂ）参照）に合わせて配設されている。
また、渦巻き状に形成されたスパイラル状接触子１１の接触長さは、ここでは３回転分が確保されているが、球状接続端子３１ａ（図１（ｂ）参照）の大きさに合わせて適宜変更しても構わない。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子１１の断面は、先端に近づく程、厚みが階段状に薄くなり、その反対に、先端から根元に近づけば近づく程、厚みが階段状に厚くなっている。このようなスパイラル状接触子１１に対して、半導体デバイス３１の球状接続端子（以下、半田ボールとも称す）３１ａがスパイラル状接触子１１を押圧して接触している。
スパイラル状接触子１１は、自然体では平坦状のスパイラル（渦巻き）であり、幅は、先端から根元に近づけば近づく程、広くなっている。例えば、半導体デバイス３１の球状接続端子３１ａがスパイラル状接触子１１を押圧すると、スパイラル状接触子１１の中央部から外側に接触を広げ、スパイラル（渦巻き）は凹状にたわみ、球状接続端子３１ａを抱き込むように変形する。そして、スパイラル状接触子１１は球状接続端子３１ａに蝶旋状に巻き付くことから、スパイラル状接触子１１と球状接続端子３１ａとが接触する接触長さが長い程、確実に接触するとともに、異物付着があっても球状接続端子３１ａの球面に沿った摺動作用により異物を除去し、球状接続端子３１ａの表面の酸化膜を切り込んで、安定した通電接触ができる。スパイラル状接触子１１の渦巻き部は、先端から根元に近づくにしたがって厚みが階段状に厚くなり、一片のスパイラル状接触子１１に形成されるエッジのうちの球状接続端子３１ａに近接した二箇所で球状接続端子３１ａに当接することになるため、スパイラル状接触子１１と球状接続端子３１ａとが接触する接触長さを長くして高精度な接続が可能となる。
また、球状接続端子３１ａの位置決めガイドとしてガイドフレーム１２が配設されているため、スパイラルコンタクタ１に対して、球状接続端子３１ａの上下左右を容易に位置決めすることができる。
【００１８】
図２は、本実施の形態に係るスパイラルコンタクタのスパイラル状接触子を示しており、図２（ａ）は、スパイラル状接触子の概略を示す斜視図、図２（ｂ）は（ａ）に示すＢ―Ｂ線の断面図である。
図２（ａ）に示すように、スパイラル状接触子１１（図２（ｂ）参照）は、先端に近づく程、厚みが階段状に薄くなり、その反対に、先端から根元に近づけば近づく程、厚さが次第に厚く変化して斜め階段状に形成され、階段状の段差を有する断面を備えている。
図２（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子１１の断面は、金属膜としてＮｉメッキで形成された第１のメッキ層１１ａ、第２のメッキ層１１ｂ、第３のメッキ層１１ｃより積層されて構成されており、これらのメッキ層によって断面が階段状に形成されている。
なお、これらのメッキ層の厚さは、略同一になっているが、球状接続端子３１ａの表面形状に応じて、適宜、メッキ層の厚さを変更して形成しても構わない。
なお、表面にＡｕメッキ層１３が形成されている。
【００１９】
さらに、スパイラル状接触子１１の構成を詳細に説明する。図３は、スパイラル状接触子１１の厚さを斜め階段状に、または、ゆるやかな階段状に変化させた様子を示す斜視図である。
図３に示すように、スパイラル状接触子１１の先端は、第１のメッキ層１１ａから形成されており、先端側から根元側に行くにしたがって、第１のメッキ層１１ａの途中から、一部が第２のメッキ層１１ｂとなって厚みを増し、次第に第２のメッキ層１１ｂから覆われて形成される。さらに、第２のメッキ層１１ｂは、その途中から、一部が第３のメッキ層１１ｃとなって厚みを増し、次第に第３のメッキ層１１ｃから覆われて形成される。
なお、ここでは、メッキ層を３層に形成して説明したが、３層に限ったものではなく、２層でも、４層以上でも構わない。
【００２０】
図４は、フォトマスクのパターン形状を示す平面図である。図４（ａ）は、第１のフォトマスクを示し、スパイラル状接触子の渦巻き部を形成するためのパターンを示している。図４（ｂ）は、第２のフォトマスクを示し、第２のメッキ層を形成するためのパターンを示している。図４（ｃ）は、第３のフォトマスクを示し、第３のメッキ層を形成するためのパターンを示している。
図４（ａ）に示すように、第１のフォトマスク４１は、スパイラル状接触子１１（図２参照）を形成するための黒地パターン４１ａ、白抜パターン４１ｂを備えている。この第１のフォトマスク４１を用いることによってスパイラル状接触子１１（図２参照）を形成するとともに、第１のメッキ層１１ａ（図３参照）を形成する。
図４（ｂ）に示すように、第２のフォトマスク４２は、第２のメッキ層１１ｂ（図３参照）を形成するための黒地パターン４２ａ、白抜パターン４２ｂ（第１の円形パターン）を備えている。この第２のフォトマスク４２を用いることによって第１のメッキ層１１ａと第２のメッキ層１１ｂとを形成する。
図４（ｃ）に示すように、第３のフォトマスク４３は、第３のメッキ層１１ｃ（図３参照）を形成するための黒地パターン４３ａ、白抜パターン４３ｂ（第２の円形パターン）を備えている。この第２のフォトマスク４３を用いることによって第１のメッキ層１１ａ、第２のメッキ層１１ｂ、および第３のメッキ層１１ｃを形成する。
なお、第２のフォトマスク４２および第３のフォトマスク４３は、白抜パターン４２ｂおよび白抜パターン４３ｂを第１の円形パターンおよび第２の円形パターンとしているが、第１のパターンおよび第２のパターンとして、円形とは限らず、六角形や八角形、楕円形や多角形など、適宜、所望のパターンを用いてメッキ層を形成することができる。
【００２１】
次に、本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明する。
図５、図６、図７、図８は、本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明するための工程断面図である。
図５（ａ）（ｂ）は、第1工程を説明する工程断面図である。図５（ａ）は、Ｃｕ基板を示し、図５（ｂ）は、フォトレジスト塗布工程を示している。
図５（ｃ）（ｄ）は、第２工程を説明する工程断面図である。図５（ｃ）は、露光工程を示し、図５（ｄ）は、現像工程を示している。
図６（ａ）（ｂ）は、第３工程を説明する工程断面図である。図６（ａ）は、メッキ１工程を示し、図６（ｂ）は、フォトレジスト塗布工程を示している。
図６（ｃ）（ｄ）は、第４工程を説明する工程断面図である。図６（ｃ）は、露光工程を示し、図６（ｄ）は、現像工程を示している。
図７（ａ）（ｂ）は、第５工程を説明する工程断面図である。図７（ａ）は、メッキ２工程を示し、図７（ｂ）は、フォトレジスト塗布工程を示している。
図７（ｃ）（ｄ）は、第６工程を説明する工程断面図である。図７（ｃ）は、露光工程を示し、図７（ｄ）は、現像工程を示している。
図８（ａ）（ｂ）（ｃ）は、第７工程を説明する工程断面図である。図８（ａ）は、メッキ３工程を示し、図８（ｂ）は、フォトレジスト除去工程を示し、図８（ｃ）は、Ａｕメッキ工程を示している。
図８（ｄ）は、第８工程を説明する工程断面図であり、ポリイミドフィルム貼付工程を示している。
図８（ｅ）は、第９工程を説明する工程断面図であり、Ｃｕエッチング工程を示している。
【００２２】
図５（ａ）（ｂ）に示すように、第１工程では、用意した金属板（Ｃｕ基板）５１の表面に、フォトレジストを塗布する。このフォトレジストを塗布する工程をフォトレジスト塗布工程と称す。このフォトレジストを塗布して得られるフォトレジスト膜を第１のフォトレジスト膜５２と定義する。フォトレジスト膜５２はＵＶテープともいい、ＵＶ光によって感光する特性を有している。
図５（ｃ）（ｄ）に示すように、第２工程では、第１のフォトレジスト膜５２上にスパイラル状接触子１１（図３参照）を形成するための黒地パターン４１ａと白抜パターン４１ｂとを有する第１のフォトマスク４１を重ね、これにＵＶ光６１を照射して露光し、現像処理をする。
【００２３】
本実施の形態では、ネガ型フォトレジストを使用した。このネガ型フォトレジストでは、フォトレジスト膜は感光すると現像液に不溶性となる。そのため、フォトマスクに平面視してパターン化されている黒地パターンの反転部分（白抜パターン）がフォトレジストパターンとなる。
【００２４】
また、ポジ型フォトレジストを用いることもできる。このポジ型フォトレジストでは、フォトレジスト膜は感光すると現像液に可溶性となる。そのため、フォトマスクの黒地パターンがそのままフォトレジストパターンとして残る。
【００２５】
図６（ａ）（ｂ）に示すように、第３工程では、現像処理により露出した金属板（Ｃｕ基板）５１上に第1の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ａを形成し、さらに、第２のフォトレジスト膜５３を形成する。
なお、Ｃｕ基板５１に、例えば、Ａｕメッキを施した上に、第1の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ａを形成しても良い。
図６（ｃ）（ｄ）に示すように、第４工程では、第２のフォトレジスト膜５３上に黒地パターン４２ａと白抜パターン（第1の円形パターン）４２ｂとを有する第２のフォトマスク４２を重ね、これにＵＶ光６１を照射して露光し、現像処理する。
【００２６】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、第５工程では、現像処理により露出した第１の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ａ上に第２の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ｂを形成し、さらにその上に、第３のフォトレジスト膜５４を形成する。
図７（ｃ）（ｄ）に示すように、第６工程では、第３のフォトレジスト膜５４上に黒地パターン４３ａと白抜パターン（第２の円形パターン）４３ｂとを有する第３のフォトマスク４３を重ね、これにＵＶ光６１を照射して露光し、現像処理する。
【００２７】
図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、第７工程では、前記現像処理により露出した第２の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ｂ上に第３の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ｃを形成し、次に、第２のフォトレジスト膜５３と第３のフォトレジスト膜５４をエッチングで除去し、さらに、第１のフォトレジスト膜５２をエッチングで除去する。その後に、Ａｕメッキ層１３を形成する。
図８（ｄ）に示すように、第８工程では、穴明け加工が施されたガイドフレーム（ポリイミドフィルム）１２を用意し、第３の金属膜（Ｎｉメッキ）１１ｃ上にガイドフレーム１２を加熱圧着して貼付する。
なお、ポリイミドフィルムを形成するポリイミド樹脂の代わりに、その他の絶縁材料を用いることもできる。
図８（ｅ）に示すように、第９工程では、金属板（Ｃｕ基板）５１（図８（ｄ）参照）をエッチングで除去する。
【００２８】
また、図５（ａ）（ｂ）に示すように、第１工程では、Ｃｕ基板５１上に、例えば、Ａｕメッキを施しておいて、第１のフォトレジスト膜５２を形成し、第２工程以降の加工手順に従うことにより、スパイラル状接触子を形成しても良い。すなわち、Ａｕメッキは、スパイラル状接触子の両面を覆い、接点として錆の発生がなく好適である。
また、スパイラル状接触子１１の大半を占めるＮｉメッキによって、十分な厚みを確保することができる。ニッケル（Ｎｉ）は、バネ特性が良く、耐久性があり、スパイラル状接触子１１を形成するのに好適である。なお、Ａｕメッキ層については、酸化しにくく導電性の高い金属であれば、Ａｕでなくとも他の金属であっても良いし、なくても構わない。
以上の加工手順に従えば、スパイラル状接触子１１の根元から先端に進むにしたがって厚みが階段状に薄くなるスパイラルコンタクタ１を容易に製造することができる。
また、フォトレジスト膜に、露光・現像処理するカバーレイ処理や、エッチング等のフォトリソグラフィ技術、メッキ製造技術を利用することにより、精密な微細加工ができる。
また、スパイラル状接触子１１の製造方法は、電子ビーム加工やその他の微細加工で行っても良いし、これらを追加しても構わない。
【００２９】
なお、第２のフォトマスク４２および第３のフォトマスク４３は、白抜パターン４２ｂおよび白抜パターン４３ｂを第１の円形パターンおよび第２の円形パターンとして説明したが、白抜パターン４２ｂおよび白抜パターン４３ｂを第１のパターンおよび第２のパターンとして、円形とは限らず、六角形や八角形、楕円形や多角形など、適宜、所望のパターンを用いてメッキ層を形成することができる。
【００３０】
以上好ましい実施の形態について説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内において適宜の変更や改造が可能なものであり、本発明は、この変更や改造された発明にも及ぶことは当然である。例えば、本発明は、フォトリソグラフィ技術、メッキ製造技術により微細加工を施すことを特徴としており、これを用いた製造方法に及ぶことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタを示しており、（ａ）はスパイラルコンタクタの概略を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図である。
【図２】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタのスパイラル状接触子を示しており、（ａ）は、スパイラル状接触子の概略を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ―Ｂ線の断面図である。
【図３】スパイラル状接触子の厚さを階段状に変化させた様子を詳細に示す斜視図である。
【図４】フォトマスクのパターン形状を示す平面図であり、（ａ）は、第１のフォトマスクを示し、スパイラル状接触子を形成するためのパターンを示している。（ｂ）は、第２のフォトマスクを示し、第２のメッキ層を形成するためのパターンを示している。（ｃ）は、第３のフォトマスクを示し、第３のメッキ層を形成するためのパターンを示している。
【図５】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明するための工程断面図であり、（ａ）（ｂ）は第1工程を説明する工程断面図、（ｃ）（ｄ）は第２工程を説明する工程断面図である。
【図６】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明するための工程断面図であり、（ａ）（ｂ）は第３工程を説明する工程断面図、（ｃ）（ｄ）は第４工程を説明する工程断面図である。
【図７】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明するための工程断面図であり、（ａ）（ｂ）は第５工程を説明する工程断面図、（ｃ）（ｄ）は第６工程を説明する工程断面図である。
【図８】本実施の形態に係るスパイラルコンタクタの製造方法を説明するための工程断面図であり、（ａ）（ｂ）（ｃ）は第７工程を説明する工程断面図、（ｄ）は第８工程を説明する工程断面図である。（ｅ）は第９工程を説明する工程断面図である。
【図９】従来のスパイラルコンタクタの断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１      スパイラルコンタクタ
１０      接触子接続基板
１１      スパイラル状接触子
１１ａ    第1のメッキ層（第1の金属膜）
１１ｂ    第２のメッキ層（第２の金属膜）
１１ｃ    第３のメッキ層（第３の金属膜）
１２      ガイドフレーム（ポリイミドフィルム）
１３      Ａｕメッキ層
２０      ボード（基板）
３１      半導体デバイス（ＩＣチップ）
３１ａ    球状接続端子（半田ボール）
４１      第1のフォトマスク
４１ａ    黒地パターン
４１ｂ    白抜パターン（スパイラル状接触子のパターン）
４２      第２のフォトマスク
４２ａ    黒地パターン
４２ｂ    白抜パターン（第１の円形パターン）
４３      第３のフォトマスク
４３ａ    黒地パターン
４３ｂ    白抜パターン（第２の円形パターン）
５１      Ｃｕ基板（金属板）
５２      第1のフォトレジスト膜
５３      第２のフォトレジスト膜
５４      第３のフォトレジスト膜
６１      ＵＶ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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