(57)【要約】  【課題】  検査用基板（プローブカード）を構成するバンプ付きシートにおけるバンプ端子及び孤立パッド端子の位置精度の向上を図る。  【解決手段】  ポリイミドフィルム１２、複数のバンプ端子１５及び複数の孤立パッド端子１１ａからなるバンプ付きシート１０を形成する。その後、ポリイミドフィルム１２における各バンプ端子１５の位置が所定の位置と一致するように、バンプ位置補正治具３０によりポリイミドフィルム１２の第２の剛性リング１４による張力を調整する。続いて、所定位置に補正された各バンプ端子１５の位置を保持するように、ポリイミドフィルム１２における第２の剛性リング１４の内側に、本来使用する第１の剛性リング１６を接着する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板の製造方法であって、
導電性フィルムと絶縁性フィルムとが積層されてなる積層フィルムを用意し、用意した前記積層フィルムに対して、検査時に使用する第１の剛性リングの外径よりも大きい内径を持つ第２の剛性リングを加熱状態で接着する工程と、
前記第２の剛性リングと接着された前記積層フィルムを冷却した後、前記絶縁性フィルムの所定位置に複数のバンプホールを形成する工程と、
前記各バンプホールに導電性材料を充填して、前記絶縁性フィルムの露出面上に複数のバンプ端子を形成する工程と、
前記導電性フィルムに対して、前記各バンプ端子との接続部分を残すようにパターニングを行なって、前記導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成することにより、前記絶縁性フィルム、前記複数のバンプ端子及び前記複数の孤立パッド端子からなるバンプ付きシートを形成する工程と、
前記絶縁性フィルムにおける前記各バンプ端子の位置が前記所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により前記絶縁性フィルムの前記第２の剛性リングによる張力を調整する工程と、
前記所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、前記絶縁性フィルムにおける前記第２の剛性リングの内側に前記第１の剛性リングを接着する工程とを備えていることを特徴とする検査用基板の製造方法。
【請求項２】
複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板の製造方法であって、
導電性フィルムと絶縁性フィルムとが積層されてなる積層フィルムを用意し、用意した前記積層フィルムに対して、剛性リングを加熱状態で接着する工程と、
前記剛性リングと接着された前記積層フィルムを冷却した後、前記絶縁性フィルムの所定位置に複数のバンプホールを形成する工程と、
前記各バンプホールに導電性材料を充填して、前記絶縁性フィルムの露出面上に複数のバンプ端子を形成する工程と、
前記導電性フィルムに対して、前記各バンプ端子との接続部分を残すようにパターニングを行なって、前記導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成することにより、前記絶縁性フィルム、前記複数のバンプ端子及び前記複数の孤立パッド端子からなるバンプ付きシートを形成する工程と、
前記絶縁性フィルムにおける前記各バンプ端子の位置が前記所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により前記絶縁性フィルムの前記剛性リングによる張力を調整する工程と、
前記所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、前記絶縁性フィルムと前記剛性リングとを保持部材により固定する工程とを備えていることを特徴とする検査用基板の製造方法。
【請求項３】
前記保持部材は、前記剛性リングと同一の材料により構成されていることを特徴とする請求項２に記載の検査用基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁性フィルムの張力を調整する工程よりも前に、
前記絶縁性フィルムに、前記各バンプ端子の位置を補正するために用いるバンプ位置補正マークを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の検査用基板の製造方法。
【請求項５】
複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板のバンプ付きシートに形成された複数のバンプ端子の位置を補正する検査用基板の補正治具であって、
前記バンプ付きシートは、剛性リングと絶縁性フィルムとが互いに接着されてなり、前記剛性リングの内側の領域には前記複数のバンプ端子と、該複数のバンプ端子の位置を補正するためのバンプ位置補正マークとが形成されており、
前記検査用基板の補正治具は、
前記絶縁性フィルムを固持した状態で、前記絶縁性フィルムの前記剛性リングによる張力を調整し、前記絶縁性フィルムにおける前記各バンプ端子の位置を所定位置に一致させるバンプ位置調整部と、
前記バンプ位置補正マークの基準となる位置を示すバンプ位置補正基準マークとを備えていることを特徴とする検査用基板の補正治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハに形成された複数の半導体チップの検査（試験）をウェハ状態で一括して行なえる検査用基板の製造方法及び検査用基板の補正治具に関し、特に検査用基板の構成部品であるバンプ付きシートの製造方法及びバンプ位置の補正治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置（以下、半導体装置と称する。）を搭載した電子機器の小型化及び低価格化の進歩はめざましく、これに伴って、半導体装置に対する小型化及び低価格化の要求が強くなっている。
【０００３】
半導体装置は、通常、半導体チップとリードフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、さらに、半導体チップ及びリードフレームを樹脂又はセラミクスにより封止した状態で供給されて、プリント基板上に実装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半導体ウェハから切り出されたままの半導体チップ、いわゆるベアチップを回路基板上に直接に実装する方法が開発されてきており、このようなベアチップを直接に回路基板上に実装する実装方法に対応するために、品質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望まれている。
【０００４】
ベアチップの品質を保証するには、半導体ウェハに形成されている複数の半導体チップに対してウェハレベル（ウェハ状態）でバーンイン等の検査を行なう必要がある。ところが、半導体ウェハ上の複数の半導体チップに対して１個又は数個ずつ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要するため、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこで、半導体ウェハ上の全ての半導体チップに対してウェハレベルで一括にバーンイン等の検査を行なうことが要求される。
【０００５】
複数の半導体チップに対してウェハレベルで一括に検査を行なうには、半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体チップの検査用電極に電源電圧や信号を同時に印加して、これらの複数の半導体チップを同時に動作させる必要がある。このためには、非常に多く（通常、数千個以上）のプローブ端子を持つ検査用基板を用意する必要があるが、このようにするには、従来のニードル型の検査用基板ではピン数の点からも価格の点からも対応できない。
【０００６】
そこで、半導体ウェハ上の複数の半導体チップの複数の検査用電極に、バンプよりなる複数のプローブ端子を同時にコンタクトできる検査用基板が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００７】
以下、従来の検査用基板について図７の部分的な断面図を参照しながら説明する。
【０００８】
図７に示すように、ウエハトレイ１０１の上には、複数の半導体素子がチップ形成領域ごとに形成された半導体ウェハ１０２が保持されており、該半導体ウェハ１０２の主面（上面）には複数の検査用電極１０３が形成されている。
【０００９】
バンプ付きシート４０１は、半導体ウェハ１０２における検査用電極１０３との対向位置に複数のバンプ端子４０２が形成される一方、配線基板２０１との対向面上に各バンプ端子４０２と電気的に接続される複数の孤立パッド端子４０３が形成されている。
【００１０】
配線基板２０１とバンプ付きシート４０１との間には、例えばゴムよりなる弾性シート部材３０１が設けられ、該弾性シート部材３０１は、配線基板２０１の下面に形成された、複数の下層配線２０２、上層配線２０３及び基板電極２０４を覆うように形成されている。
【００１１】
各基板電極２０４は、バンプ付きシート４０１に形成された孤立パッド端子４０３とそれぞれ対応する位置に設けられており、各基板電極２０４と各孤立パッド端子４０３とは、バンプ付きシート４０１の厚さ方向に鎖状に繋がる複数の導電性粒子列（導電体）３０２により電気的に接続されている。
【００１２】
検査時には、配線基板２０１とバンプ付きシート４０１とを有する検査用基板２００が、半導体ウェハ１０２に押圧されて、半導体ウェハ１０２の各検査用電極１０３とバンプ付きシート４０１のバンプ端子４０２とが互いにコンタクトされる。
【００１３】
ここで、弾性シート部材３０１の導電性粒子列３０２が形成されている部分はバンプ付きシート４０１側に突出する突出部をなしており、該突出部によってバンプ付きシート４０１のバンプ端子４０２は半導体ウェハ１０２に設けられた検査用電極１０３に押圧され、半導体ウェハ１０２に段差部が存在したり又は反りが生じたりしていても、半導体ウェハ１０２の主面の全面にわたって各バンプ端子４０２と検査用電極１０３との確実なコンタクトを確保できる。
【００１４】
次に、検査用基板２００を構成する部品であるバンプ付きシート４０１の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１５】
以下、従来のバンプ付きシートの製造方法について、図８の断面図を参照しながら説明する。
【００１６】
図８（ａ）に示すように、厚さが約１８μｍの銅箔４０４にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚さにキャスティングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させることにより、銅箔４０４とポリイミドフィルム４０５とを貼り合わされてなる積層フィルム４０６を用意する。次に、直径が約３００ｍｍ（１２インチ）で厚さが約４ｍｍの平面環形状の剛性リング５０１の片面に熱硬化性接着剤を薄く均一に、例えば５０μｍ〜１００μｍの厚さに塗布する。ここで、熱硬化性接着剤としては、バーンイン試験の設定温度（８０℃〜１５０℃）よりも０度〜５０度程度高い温度で硬化する接着剤を用いる。続いて、バーンイン等の検査の設定温度（８０℃〜１５０℃）以上の温度、例えば２００℃で２．５時間程度加熱して積層フィルム４０６と剛性リング５０１とを互いに接着する。次に、接着された積層フィルム４０６と剛性リング５０１とを常温にまで冷却し、加熱前の状態にまで収縮させる。続いて、カッターにより、積層フィルム４０６における剛性リング５０１の外側部分をその外周に沿って切断して除去する。
【００１７】
次に、図８（ｂ）に示すように、積層フィルム４０６を構成するポリイミドフィルム４０５の所定位置に、エキシマレーザを用いて、直径が約３０μｍの複数のバンプホール４０５ａを形成する。
【００１８】
次に、図８（ｃ）に示すように、積層フィルム４０６を構成する銅箔４０４の表面がめっきされないように保護（マスク）した後、銅箔４０４にめっき用電極の一方を接続してニッケル（Ｎｉ）の電気めっきを行なう。このとき、ニッケルめっきは、バンプホール４０５ａを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルム４０５の表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長して、それぞれ硬質ニッケル合金からなる複数のバンプ端子４０２が形成される。
【００１９】
次に、図８（ｄ）に示すように、銅箔４０４の上にレジストを塗布し、塗布したレジストに対して選択的に露光して現像を行なうことにより、各孤立パッド端子の形成領域を覆うレジストパターン４０８を形成する。
【００２０】
次に、図８（ｅ）に示すように、形成したレジストパターン４０８をマスクとして、銅箔４０４をエッチングすることにより、銅箔４０４から複数の孤立パッド端子４０３を形成する。以上の工程を経て、バンプ付きシート４０１が製造される。
【００２１】
このようにすることにより、バンプ付きシート４０１は、張力を持たせたまま、熱膨張率がシリコンに近い剛性リング５０１に張り付けることにより、バーンイン温度（例えば１２０℃程度）でもポリイミドフィルム４０５の熱膨張に左右されず、剛性リング５０１の熱膨張及び収縮に追従できる。
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特開平１１−６７８５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかしながら、前記従来の検査用基板２００におけるバンプ付きシート４０１は、銅箔４０４とポリイミドフィルム４０５とを貼り合わせてなる積層フィルム４０６を熱膨張させた状態で張力を持たせ、この状態で剛性リング５０１に加熱して接着しているため、接着後に常温に戻した際に、銅箔４０４の収縮張力が剛性リング５０１の中心方向にかかる状態となる。このとき、剛性リング５０１は、銅箔４０４の張力によって、例えば剛性リングの径が１２インチ（３００ｍｍ）の場合には、径方向に５０μｍ〜１５０μｍ程度収縮する。その後、銅箔４０４をエッチングして各孤立パッド端子４０３を形成する際に、銅箔４０４のほとんどの部分がエッチングにより除去されてしまうため、銅箔４０４によって中心方向にかかっていた収縮張力が開放されて、剛性リング５０１は元の寸法に戻ろうとする。このとき、ポリイミドフィルム４０５の張力は残るが、銅箔４０４の張力と比べてはるかに小さいため、剛性リング５０１はほぼ元の寸法に戻ってしまう。
【００２３】
その結果、柔軟なポリイミドフィルム４０５は、剛性リング５０１が元の寸法に戻る動きに追従するので、ポリイミドフィルム４０５上のバンプ端子４０２及び孤立パッド端子４０３の位置が外側にずれてしまい、パッド端子４０２及び孤立パッド端子４０３の位置の精度が悪化するという問題がある。
【００２４】
特に、近年においては半導体デバイスの狭ピッチ化及びパッドの小面積化が進んでいるため、バンプ端子４０２の位置精度に対する要求も、例えば±１０μｍ以内と厳しくなってきており、その要求に応えることが困難となってきている。
【００２５】
本発明は、前記従来の問題に鑑み、バンプ付きシートにおけるバンプ端子及び孤立パッド端子の位置の精度を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
前記の目的を達成するため、本発明は、検査用基板の製造方法及び検査用基板の補正治具を、検査用基板を構成するバンプ付きシートにバンプ端子及び孤立パッド端子を形成した後、バンプ付きシートの張力を外部から機械的に調整することにより、バンプ端子及び孤立パッド端子の位置を補正する構成とする。
【００２７】
具体的に、本発明に係る第１の検査用基板の製造方法は、複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板の製造方法を対象とし、導電性フィルムと絶縁性フィルムとが積層されてなる積層フィルムを用意し、用意した積層フィルムに対して、検査時に使用する第１の剛性リングの外径よりも大きい内径を持つ第２の剛性リングを加熱状態で接着する工程と、第２の剛性リングと接着された積層フィルムを冷却した後、絶縁性フィルムの所定位置に複数のバンプホールを形成する工程と、各バンプホールに導電性材料を充填して、絶縁性フィルムの露出面上に複数のバンプ端子を形成する工程と、導電性フィルムに対して、各バンプ端子との接続部分を残すようにパターニングを行なって、導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成することにより、絶縁性フィルム、複数のバンプ端子及び複数の孤立パッド端子からなるバンプ付きシートを形成する工程と、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置が所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの第２の剛性リングによる張力を調整する工程と、所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、絶縁性フィルムにおける第２の剛性リングの内側に第１の剛性リングを接着する工程とを備えていることを特徴とする。
【００２８】
第１の検査用基板の製造方法によると、バンプ付きシートを形成した後、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置が所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの第２の剛性リングによる張力を調整する工程と、所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、絶縁性フィルムにおける第２の剛性リングの内側に第１の剛性リングを接着する工程とを備えているため、導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成した後に、第２の剛性リングが元の寸法に戻ってしまい、絶縁性フィルム上のバンプ端子及び孤立パッド端子の位置が外側にずれてしまったとしても、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの第２の剛性リングによる張力を調整して、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置を所定位置と一致させることができる。
【００２９】
本発明に係る第２の検査用基板の製造方法は、複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板の製造方法を対象とし、導電性フィルムと絶縁性フィルムとが積層されてなる積層フィルムを用意し、用意した積層フィルムに対して、剛性リングを加熱状態で接着する工程と、剛性リングと接着された積層フィルムを冷却した後、絶縁性フィルムの所定位置に複数のバンプホールを形成する工程と、各バンプホールに導電性材料を充填して、絶縁性フィルムの露出面上に複数のバンプ端子を形成する工程と、導電性フィルムに対して、各バンプ端子との接続部分を残すようにパターニングを行なって、導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成することにより、絶縁性フィルム、複数のバンプ端子及び複数の孤立パッド端子からなるバンプ付きシートを形成する工程と、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置が所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を調整する工程と、所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、絶縁性フィルムと剛性リングとを保持部材により固定する工程とを備えていることを特徴とする。
【００３０】
第２の検査用基板の製造方法によると、バンプ付きシートを形成した後、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置が所定位置と一致するように、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を調整する工程と、所定位置に補正された各バンプ端子の位置を保持するように、絶縁性フィルムと剛性リングとを保持部材により固定する工程とを備えているため、導電性フィルムから複数の孤立パッド端子を形成した後に、剛性リングが元の寸法に戻ってしまい、絶縁性フィルム上のバンプ端子及び孤立パッド端子の位置が外側にずれてしまったとしても、バンプ位置補正治具により絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を調整して、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置を所定位置と一致させることができる。
【００３１】
第２の検査用基板の製造方法において、保持部材は、剛性リングと同一の材料により構成されていることが好ましい。
【００３２】
また、第１又は第２の検査用基板の製造方法は、絶縁性フィルムの張力を調整する工程よりも前に、絶縁性フィルムに、各バンプ端子の位置を補正するために用いるバンプ位置補正マークを形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００３３】
本発明に係る検査用基板の補正治具は、複数の半導体チップの電気的特性をウェハレベルで一括に検査する検査用基板のバンプ付きシートに形成された複数のバンプ端子の位置を補正する補正治具を対象とし、バンプ付きシートは、剛性リングと絶縁性フィルムとが互いに接着されてなり、剛性リングの内側の領域には複数のバンプ端子と、該複数のバンプ端子の位置を補正するためのバンプ位置補正マークとが形成されており、検査用基板の補正治具は、絶縁性フィルムを固持した状態で、絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を調整し、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置を所定位置に一致させるバンプ位置調整部と、バンプ位置補正マークの基準となる位置を示すバンプ位置補正基準マークとを備えていることを特徴とする。
【００３４】
本発明の検査用基板の補正治具によると、検査用基板の補正治具は、絶縁性フィルムを固持した状態で、絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を調整し、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置を所定位置に一致させるバンプ位置調整部と、バンプ位置補正マークの基準となる位置を示すバンプ位置補正基準マークとを備えているため、絶縁性フィルムに複数の孤立パッド端子を形成した後に、剛性リングが元の寸法に戻ってしまい、絶縁性フィルム上のバンプ端子の位置が外側にずれてしまったとしても、バンプ位置調整部により絶縁性フィルムの剛性リングによる張力を、バンプ位置補正マークとその基準となるバンプ位置補正基準マークとを合わせるように調整することにより、絶縁性フィルムにおける各バンプ端子の位置を所定位置と一致させることができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明に係る検査用基板の製造方法及び検査用基板の補正治具によると、バンプ付きシートの張力を外部から機械的に調整することにより、バンプ付きシートに形成されたバンプ端子及び孤立パッド端子の各位置の精度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３７】
図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る検査用基板の構成部品であるバンプ付きシートの製造方法の工程順の断面構成を示している。
【００３８】
以下、第１の実施形態に係る検査用基板を構成するバンプ付きシートの製造方法について図１及び図２を用いて説明する。
【００３９】
まず、図１（ａ）に示すように、厚さが約１８μｍの銅箔１１にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚さにキャスティングした後、キャスティングしたポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させることにより、導電性フィルムである銅箔１１と絶縁性フィルムであるポリイミドフィルム１２とが貼り合わされた積層フィルム１３を用意する。続いて、本来検査に使用する平面環形状の直径が約３００ｍｍ（１２インチ）で厚さが約４ｍｍの第１の剛性リングよりも、その内径が大きい仮の第２の剛性リング１４を用意し、その一方の面上に熱硬化性接着剤を薄く、例えば５０μｍ〜１００μｍの厚さに均一に塗布する。ここで、熱硬化性接着剤としては、バーンイン試験の設定温度（８０℃〜１５０℃）よりも０度〜５０度程度高い温度で硬化する接着剤を用いる。続いて、バーンイン等の検査の設定温度（８０℃〜１５０℃）以上の温度、例えば２００℃で３時間程度加熱して積層フィルム１３と第２の剛性リング１４とを互いに接着する。その後、接着された積層フィルム１３と第２の剛性リング１４とを常温にまで冷却し、積層フィルム１３と第２の剛性リング１４とを加熱前の状態にまで収縮させる。続いて、図示しないカッターにより、積層フィルム１３における第２の剛性リング１４の外側部分をその外周に沿って切断して除去する。
【００４０】
次に、図１（ｂ）に示すように、積層フィルム１３を構成するポリイミドフィルム１２におけるバンプホールの形成位置に、例えばエキシマレーザを用いて、直径が約３０μｍの複数のバンプホール１２ａを形成する。このとき、ポリイミドフィルム１２におけるバンプホールの形成位置の外側で且つ本来使用する第１の剛性リングの内側となる領域に複数のバンプ位置補正マーク１２ｂを形成する。
【００４１】
次に、図示はしていないが、銅箔１１の表面及び各バンプ位置補正マーク１２ｂがめっきされないようにレジスト等により保護（マスク）した後、銅箔１１にめっき用電極の一方を接続して、図１（ｃ）に示すように、ニッケル（Ｎｉ）の電気めっきを行なう。この電気めっきにより導電性材料であるニッケルは、各バンプホール１２ａを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルム１２の表面に達すると、その後は等方的に広がってほぼ半球状に成長して、それぞれ下部が円柱状で上部が半球状の硬質ニッケル合金からなる複数のバンプ端子１５が形成される。
【００４２】
次に、図１（ｄ）に示すように、銅箔１１の表面上にレジストを塗布し、塗布したレジストに対して選択的に露光して現像を行なうことにより、各孤立パッド端子の形成領域を覆うレジストパターン２１を形成する。
【００４３】
次に、図２（ａ）に示すように、形成したレジストパターン２１をマスクとして、銅箔１１をエッチングすることにより、銅箔１１から複数の孤立パッド端子１１ａを形成する。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、バンプ位置補正治具３０を用いて、ポリイミドフィルム１２にあらかじめ形成したバンプ位置補正マーク１２ｂと、バンプ位置補正治具３０に設けられた、各バンプ端子１５の所定位置の基準（指標）となるバンプ位置補正基準マークとを互いに合わせることにより、各バンプ端子１５の位置の補正を行なう。その後、位置の補正がなされた各バンプ端子１５の位置を固定するため、本来使用する第１の剛性リング１６を、ポリイミドフィルム１２における第２の剛性リング１４の内側の領域に、該第２の剛性リング１４と同様にして接着する。
【００４５】
なお、バンプ位置補正治具３０の具体的な構成は、第３の実施形態で詳述するが、ポリイミドフィルム１２に形成されたバンプ位置補正マーク１２ｂと、バンプ位置補正治具３０に設けられたバンプ位置補正基準マークとが一致するように、ポリイミドフィルム１２に対してその面内方向（径方向）で外側又は内側に張力を加える。
【００４６】
次に、図２（ｃ）に示すように、カッター（図示せず）により、ポリイミドフィルム１２における第１の剛性リング１６の外側部分をその外周に沿って切断して除去する。これにより、バンプ端子１５及び孤立パッド端子１１ａの各位置が補正されたバンプ付きシート１０を得ることができる。
【００４７】
第１の実施形態によると、バンプ付きシート１０に形成した各バンプ端子１５及び孤立パッド端子１１ａの位置が所定の位置に補正されるため、各バンプ端子１５と半導体ウェハに形成された検査用電極との電気的接続が不良となる不具合の発生を防止することができる。
【００４８】
なお、第１の実施形態においては、導電性フィルムに銅箔を用い、絶縁性フィルムにポリイミドフィルムを用い、導電性材料としてニッケルめっきを用いたが、これらの材料に限定されるものではなく、それぞれの特性を有していれば他の材料を用いることができる。
【００４９】
また、各剛性リング１４、１６の構成材料には、例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又はシリコン（Ｓｉ）に近い熱膨張率を有する低膨張ガラス若しくは金属を用いることができる。
【００５０】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５１】
図３（ａ）〜図３（ｄ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る検査用基板を構成する部品であるバンプ付きシートの製造方法の工程順の断面構成を示している。
【００５２】
以下、第２の実施形態に係る検査用基板を構成するバンプ付きシートの製造方法について図３及び図４の断面図を参照しながら説明する。
【００５３】
まず、図３（ａ）に示すように、厚さが約１８μｍの銅箔１１にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚さにキャスティングした後、キャスティングしたポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させることにより、導電性フィルムである銅箔１１と絶縁性フィルムであるポリイミドフィルム１２とが貼り合わされた積層フィルム１３を用意する。続いて、平面環形状の直径が約３００ｍｍ（１２インチ）で、厚さが約４ｍｍの剛性リング２６の一方の面上に熱硬化性接着剤を薄く、例えば５０μｍ〜１００μｍの厚さに均一に塗布する。ここで、熱硬化性接着剤としては、バーンイン試験の設定温度（８０℃〜１５０℃）よりも０度〜５０度程度高い温度で硬化する接着剤を用いる。続いて、バーンイン等の検査の設定温度（８０℃〜１５０℃）以上の温度、例えば２００℃で３時間程度加熱して積層フィルム１３と剛性リング２６とを互いに接着する。その後、接着された積層フィルム１３と剛性リング２６とを常温にまで冷却し、積層フィルム１３と剛性リング２６とを加熱前の状態にまで収縮させる。続いて、図示しないカッターにより、積層フィルム１３における剛性リング２６の外側部分をその外周に沿って切断して除去する。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、積層フィルム１３を構成するポリイミドフィルム１２におけるバンプホールの形成位置に、例えばエキシマレーザを用いて、直径が約３０μｍの複数のバンプホール１２ａを形成する。このとき、ポリイミドフィルム１２におけるバンプホールの形成位置の外側の領域に複数のバンプ位置補正マーク１２ｂを形成する。
【００５５】
次に、図示はしていないが、銅箔１１の表面及び各バンプ位置補正マーク１２ｂがめっきされないようにレジスト等により保護（マスク）した後、銅箔１１にめっき用電極の一方を接続して、図３（ｃ）に示すように、ニッケル（Ｎｉ）の電気めっきを行なう。この電気めっきにより導電性材料であるニッケルは、各バンプホール１２ａを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルム１２の表面に達すると、その後は等方的に広がってほぼ半球状に成長して、それぞれ下部が円柱状で上部が半球状の硬質ニッケル合金からなる複数のバンプ端子１５が形成される。
【００５６】
次に、図３（ｄ）に示すように、銅箔１１の表面上にレジストを塗布し、塗布したレジストに対して選択的に露光して現像を行なうことにより、各孤立パッド端子の形成領域を覆うレジストパターン２１を形成する。
【００５７】
次に、図４（ａ）に示すように、形成したレジストパターン２１をマスクとして、銅箔１１をエッチングすることにより、銅箔１１から複数の孤立パッド端子１１ａを形成する。
【００５８】
次に、第１の実施形態の図２（ｂ）に示したバンプ位置補正治具３０を用いて、ポリイミドフィルム１２にあらかじめ形成したバンプ位置補正マーク１２ｂと、バンプ位置補正治具３０に設けられた、各バンプ端子１５の所定位置の基準（指標）となるバンプ位置補正基準マークとを互いに合わせることにより、各バンプ端子１５の位置の補正を行なう。その後、位置の補正がなされた各バンプ端子１５の位置を固定するため、剛性リング２６と同一の材料からなり、平面環形状でその内側部分でポリイミドフィルム１２と接すると共に外側部分で剛性リング２６と接するように断面に屈曲部を有する保持部材４１を、ポリイミドフィルム１２及び剛性リング２６に固着する。これにより、バンプ端子１５及び孤立パッド端子１１ａの各位置が補正されたバンプ付きシート１０を得ることができる。
【００５９】
第２の実施形態によると、バンプ付きシート１０に形成した各バンプ端子１５及び孤立パッド端子１１ａの位置が所定の位置に補正されるため、各バンプ端子１５と半導体ウェハに形成された検査用電極との電気的接続が不良となる不具合の発生を防止することができる。
【００６０】
なお、第２の実施形態においても、導電性フィルムに銅箔を用い、絶縁性フィルムにポリイミドフィルムを用い、導電性材料としてニッケルめっきを用いたが、これらの材料に限定されるものではなく、それぞれの特性を有していれば他の材料を用いることができる。
【００６１】
また、剛性リング２６及び保持部材４１の構成材料には、例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又はシリコン（Ｓｉ）に近い熱膨張率を有する低膨張ガラス若しくは金属を用いることができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る検査用基板の補正治具の断面構成とそれを用いた検査用基板の製造方法を工程順に示している。図５及び図６において、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６４】
図５に示すように、第３の実施形態に係るバンプ位置補正治具３０は、バンプ付きシート１０に形成されたバンプ端子１５の位置を補正する補正治具であって、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなる板状の補正治具本体３１と、該補正治具本体３１の周縁部に設けられ、バンプ付きシート１０を構成するポリイミドフィルム１２をその表面及び裏面から挟んだ状態で、第２の剛性リング１４に張られたポリイミドフィルム１２の張力を調整することにより各バンプ端子１５の位置を補正するバンプ位置調整部３２とから構成されている。なお、ここでは、バンプ付きシート１０の一方の端部のみを拡大して示している。
【００６５】
補正治具本体３１上におけるバンプ位置調整部３１の内側の領域には、バンプ付きシート１０の周縁部に形成されているバンプ位置補正マーク１２ｂの基準位置を示すバンプ位置補正基準マーク３６が設けられている。
【００６６】
バンプ位置調整部３２は、補正治具本体３１の周縁部に、カム機構等によって補正治具本体３１の主面と平行な方向に可動に設けられた下部機構部３３と、該下部機構部３３とはヒンジ部３５によって連結された上部機構部３４とから構成されている。
【００６７】
下部機構部３３及び上部機構部３４におけるヒンジ部３５の反対側の端部には、互いに対向してバンプ付きシート１０を挟むように、下部挟み部３３ａ及び上部挟み部３４ａがそれぞれ形成されている。ここで、バンプ位置調整部３２における上部機構部３４は、バンプ付きシート１０が補正治具本体３１に脱着可能なように分割されている。
【００６８】
また、補正治具本体３１には、バンプ付きシート１０における第２の剛性リング１４の内側に、本来使用する第１の剛性リング１６をバンプ付きシート１０の裏面に接着する昇降機構を有する昇降部３７が設けられている。ここで、昇降部３７には熱硬化性接着剤を硬化可能なように加熱手段を有していることが好ましい。
【００６９】
以下、バンプ位置補正治具３０を用いたバンプ付きシート１０のバンプ端子１５の補正方法を図５及び図６により説明する。
【００７０】
まず、図５に示すように、バンプ位置補正治具３０の補正治具本体３１の上にバンプ付きシート１０を載置して保持する。続いて、顕微鏡４０等を用いて、バンプ付きシート１０に設けられたバンプ位置補正マーク１２ａと、補正治具本体３１に設けられたバンプ位置補正基準マーク３６とが互いに重なるようにバンプ位置調整部３２を径方向の内側又は外側に移動させて、第２の剛性リング１４によるポリイミドフィルム１２の張力を調整することにより、各バンプ端子１５の位置を調整する。
【００７１】
次に、図６（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム１２に対して、補正されたバンプ端子１５の位置を固定するため、第１の剛性リング１６を昇降部３７を上方に駆動して接着する。
【００７２】
なお、第２の実施形態のように、仮の第２の剛性リングに代えて、保持部材４１を用いる場合には、補正治具本体３１に保持部材４１を昇降し且つ接着可能な機構を設ける。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、バンプ位置調整部３２の上部機構部３４を開けて、完成したバンプ付きシート１０をバンプ位置補正治具３０から取り外す。
【００７４】
これにより、バンプ端子１５及び孤立パッド端子１１ａの各位置が補正されたバンプ付きシート１０を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明に係る検査用基板の製造方法及び検査用基板の補正治具は、バンプ端子及び孤立パッド端子の位置の精度をより向上させることができ、特に、半導体ウェハに形成されている複数の半導体チップの電気的特性をウェハ状態で一括に検査する検査用基板等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る検査用基板の製造方法であて、バンプ付きシートの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る検査用基板の製造方法であて、バンプ付きシートの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係る検査用基板の製造方法であて、バンプ付きシートの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る検査用基板の製造方法であて、バンプ付きシートの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るバンプ位置補正治具を用いた検査用基板の製造方法を示す部分的な構成断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係るバンプ位置補正治具を用いた検査用基板の製造方法を示す部分的な構成断面図である。
【図７】従来の検査用基板と検査対象である半導体ウェハとを示す部分的な構成断面図である。
【図８】従来の検査用基板の製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０    バンプ付きシート
１１    銅箔（導電性フィルム）
１１ａ  孤立パッド端子
１２    ポリイミドフィルム（絶縁性フィルム）
１２ａ  バンプホール
１２ｂ  バンプ位置補正マーク
１３    積層フィルム
１４    第２の剛性リング
１５    バンプ端子
１６    第１の剛性リング
２１    レジストパターン
２６    剛性リング
３０    バンプ位置補正治具
３１    補正治具本体
３２    バンプ位置調整部
３３    下部機構部
３３ａ  下部挟み部
３４    上部機構部
３４ａ  上部挟み部
３５    ヒンジ部
３６    バンプ位置補正基準マーク
３７    昇降部
４１    保持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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