(57)【要約】【課題】  単位画素の縮小現象が改善された有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，基板１００上に配列され，発光領域Ｅと非発光領域とを備える単位画素領域と，少なくとも前記発光領域Ｅ内に位置する画素電極１４０と，前記単位画素領域のうち互いに隣接しながら互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域Ｅ間に位置して，前記画素電極１４０よりも上部に突出されたフィラー１５５と，前記画素電極１４０上に位置する発光層１４５と，前記発光層１４５上に位置する対向電極１４９とを含む。【選択図】    図４Ａ
2005340208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配列され，発光領域と非発光領域とを備える単位画素領域と；
少なくとも前記発光領域内に位置する画素電極と；
前記単位画素領域のうち互いに隣接しながら互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間に位置して，前記画素電極よりも上部に突出されたフィラー（Ｐｉｌｌａｒ）と；
前記画素電極上に位置する発光層と；
前記発光層上に位置する対向電極と；
を含むことを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記フィラーの幅は，前記単位画素領域の幅よりも小さいことを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記フィラーの幅は，前記発光領域の幅と略同一か，または前記発光領域の幅よりも小さいことを特徴とする，請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記フィラーの長さは，前記互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間の間隔と略同一か，または前記間隔よりも小さいことを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記フィラーの高さは，１μｍ以上であることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記フィラーの高さは，１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする，請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記フィラーは，アクリル系，ポリイミド系及びポリフェノール系有機物からなる群から選ばれる一つの物質であることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
前記発光領域は，前記画素電極によって定義されることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
前記画素電極上に位置して，前記画素電極の一部分を露出させる開口部を有する画素定義膜を更に含み，
前記発光領域は，前記開口部によって定義されることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
前記フィラーは，前記画素定義膜上に位置することを特徴とする，請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は，高精細マスクを用いて形成されることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
前記単位画素領域は，赤色，緑色及び青色の単位画素領域であることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
前記単位画素領域は，前記基板上にストライプ状に配列されることを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１４】
前記非発光領域内に位置して，前記画素電極と電気的に接続された画素駆動回路を更に含むことを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１５】
前記画素駆動回路は，薄膜トランジスタを備えることを特徴とする，請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１６】
基板上に配列され，発光領域と非発光領域とを備える単位画素領域と；
少なくとも前記発光領域内に位置する画素電極と；
前記単位画素領域のうち互いに隣接しながら互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間の間隔と略同一か，または前記間隔よりも小さな長さを持ち，前記単位画素領域の幅よりも小さな幅を持ち，前記画素電極よりも上部に突出されたフィラーと；
前記画素電極上に位置する発光層と；
前記発光層上に位置する対向電極と；
を含むことを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１７】
前記フィラーの幅は，前記発光領域の幅と略同一か，または前記発光領域の幅よりも小さいことを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１８】
前記フィラーは，アクリル系，ポリイミド系及びポリフェノール系有機物からなる群から選ばれる一つの物質であることを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１９】
前記発光領域は，前記画素電極によって定義されることを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２０】
前記画素電極上に位置して，前記画素電極の一部分を露出させる開口部を有する画素定義膜を更に含み，
前記発光領域は，前記開口部によって定義され，
前記フィラーは，前記画素定義膜上に位置することを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２１】
前記発光層は，高精細マスクを用いて形成されることを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２２】
前記単位画素領域は，前記基板上にストライプ状に配列されることを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２３】
発光領域と非発光領域とを有する単位画素領域を複数の有する基板を提供する段階と；
前記基板の前記発光領域上に画素電極を形成する段階と；
前記単位画素領域のうち互いに隣接して互いに同じ色を放出するための単位画素領域の発光領域間にフィラーを形成する段階と；
前記フィラーを含む基板上に，前記互いに同じ色を放出するための単位画素領域を露出させるスリットを備える高精細マスクを密着させる段階と；
前記露出された単位画素領域に発光層を形成するる段階と；
を含むことを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記フィラーは，前記単位画素領域の幅よりも小さな幅を持ち，前記互いに同じ色を放出するための単位画素領域の発光領域間の間隔と略同一か，または前記間隔よりも小さな長さを持つように形成することを特徴とする，請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記フィラーは，前記発光領域の幅と略同一か，または前記発光領域の幅よりも小さな幅を持つように形成することを特徴とする，請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記画素電極が形成される領域は，前記発光領域に対応して形成されることを特徴とする，請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記画素電極上に位置して，前記画素電極の一部分を露出させる開口部を有する画素定義膜を形成する段階を更に含み，
前記開口部が形成される領域は，前記発光領域に対応して形成され，
前記フィラーは，前記画素定義膜上に形成されることを特徴とする，請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記フィラーと前記開口部を有する画素定義膜とは，ハーフトーンマスクを用いて同時に形成されることを特徴とする，請求項２７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平板表示装置に関し，より詳細には，有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の一つである有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，自発光型ディスプレイであり，また，視野角が広く，コントラストに優れるだけでなく，応答速度が早いという長所を有しており，次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
図１Ａ及び図１Ｂは，従来技術による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図であり，図２Ａ及び図２Ｂは，それぞれ，図１Ａ及び図１Ｂの切断線Ｉ−Ｉに沿って切断された断面図である。
【０００４】
図１Ａ及び図２Ａを参照すれば，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の単位画素領域を備える絶縁基板１上にアノード３を形成する。前記各アノード３は，前記各単位画素領域に位置する。前記アノード３上に前記アノード３の表面の一部を露出させる開口部２ａを有する画素定義膜２を形成する。前記開口部２ａは，発光領域（Ｅ）を定義する。前記開口部２ａを含む基板１の全面に正孔注入輸送層４を形成する。
【０００５】
次に，前記正孔注入輸送層４が形成された基板上に前記赤色単位画素領域（Ｒ）を露出させるスリットを有する高精細マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）９を位置させる。この時，前記高精細マスク９は，真空吸着によって前記基板１に密着される。次に，前記高精細マスク９をマスクとして赤色発光層５Ｒを積層する。これにより，前記赤色発光層５Ｒは，前記赤色単位画素領域（Ｒ）の正孔注入輸送層４上に形成される。
【０００６】
図１Ｂ及び図２Ｂを参照すれば，前記赤色発光層５Ｒを形成した後，前記高精細マスクを取り除くことになり，この時，前記正孔注入輸送層４が前記高精細マスク９のスリットのエッジと密着されていた部分（図２ＡのＳ）には傷（Ｃ）が生じることがある。一般的に，前記高精細マスク９のスリットの端部は粗く，この粗い端部は，前記傷（Ｃ）を更に悪化させ得る。このような傷（Ｃ）は，前記正孔注入輸送層４を貫通しながら前記正孔注入輸送層４下部の画素定義膜２にも形成されることがあり，前記正孔注入輸送層４を形成していない場合には，前記画素定義膜２に形成されることがある，という問題があった。
【０００７】
次に，前記赤色発光層５Ｒを形成した方法と同様の方法で，前記緑色及び青色の単位画素領域（Ｇ，Ｂ）上に緑色発光層５Ｇ及び青色発光層５Ｂをそれぞれ形成する。前記赤色発光層５Ｒを形成する時と同じく，前記正孔注入輸送層４または前記画素定義膜２の前記発光層５Ｇ，５Ｂの両側部分に傷が生じることがある，という問題があった。
【０００８】
次に，前記発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上にカソード６を形成する。この時，前記カソード６は，前記傷（Ｃ）内において薄く形成されるか，結果的に，前記傷（Ｃ）によって切断（cut off）される場合がある。これは，有機エレクトロルミネッセンス表示装置が動作するに際して，単位画素のエッジ部から発光量が減少する単位画素の縮小現象などの不良を誘発することがある，という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，単位画素の縮小現象が改善された，新規かつ改良された有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板上に配列され，発光領域と非発光領域とを備える単位画素領域と；少なくとも前記発光領域内に位置する画素電極と；前記単位画素領域のうち互いに隣接しながら互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間に位置して，前記画素電極よりも上部に突出されたフィラー（Ｐｉｌｌａｒ）と；前記画素電極上に位置する発光層と；前記発光層上に位置する対向電極と；を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置が提供される。
【００１１】
前記フィラーの幅は，前記単位画素領域の幅よりも小さいことが望ましい。より望ましくは，前記フィラーの幅は，前記発光領域の幅と略同一か，または前記発光領域の幅よりも小さい。また，前記フィラーの長さは，前記互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間の間隔と略同一か，または前記互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間の間隔よりも小さいことが望ましい。
【００１２】
また，前記フィラーの高さは，１μｍ以上であることが望ましい。より望ましくは，前記フィラーの高さは，１μｍ以上５μｍ以下である。一方，前記フィラーは，感光性樹脂であってもよい。さらには，前記フィラーは，アクリル系，ポリイミド系及びポリフェノール系有機物からなる群から選ばれる一つの物質を用いて形成することができる。
【００１３】
また，前記発光領域は，前記画素電極によって定義されることができる。これとは異なり，前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，前記画素電極上に位置して，前記画素電極の一部分を露出させる開口部を有する画素定義膜を更に含み，前記発光領域は，前記開口部によって定義されることができる。この場合，前記フィラーは，前記画素定義膜上に位置することができる。
【００１４】
前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，前記画素電極上に位置して，高精細マスクを用いて形成された発光層を更に含むことができる。
【００１５】
一方，前記単位画素領域は，赤色，緑色及び青色の単位画素領域であってもよい。これにより，前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，フルカラーを具現することができる。前記単位画素領域は，前記基板上にストライプ状に配列されてもよい。
【００１６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上に配列され，発光領域と非発光領域とを備える単位画素領域と；少なくとも前記発光領域内に位置する画素電極と；前記単位画素領域のうち互いに隣接しながら互いに同じ色を放出する単位画素領域の発光領域間の間隔と略同一か，または前記間隔よりも小さな長さを持ち，前記単位画素領域の幅よりも小さな幅を持ち，前記画素電極よりも上部に突出されたフィラーと；前記画素電極上に位置する発光層と；前記発光層上に位置する対向電極と；を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置が提供される。
【００１７】
また，上記課題を解決するために，本発明のさらに別の観点によれば，発光領域と非発光領域とを有する単位画素領域を複数の有する基板を提供する段階と；前記基板の前記発光領域上に画素電極を形成する段階と；前記単位画素領域のうち互いに隣接して互いに同じ色を放出するための単位画素領域の発光領域間にフィラーを形成する段階と；前記フィラーを含む基板上に，前記互いに同じ色を放出するための単位画素領域を露出させるスリットを備える高精細マスクを密着させる段階と；前記露出された単位画素領域に発光層を形成する段階と；を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば，高精細マスクによる発光領域周辺の有機膜に傷が生じないようにすることで，前記傷によって前記カソードが薄く形成されるか，切断（cut off）されることを防ぐことができる。結果的に，有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動するに際して，単位画素領域の周辺部から発光量が減少する画素縮小現象を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２０】
図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図であり，図４Ａ及び図４Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された断面図であり，図５Ａ及び図５Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面図であり，図６Ａ及び図６Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された断面図であり，図７Ａ及び図７Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された断面図である。
【００２１】
図３Ａ，図４Ａ，図５Ａ，図６Ａ及び図７Ａを参照すれば，まず，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の単位画素領域が配列された基板１００を提供する。前記単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）はストライプ状に配列されることができる。すなわち，単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のうち互いに同じ色を放出するための領域は，１つの列または行に配列される。前記各単位画素領域は，発光領域（Ｅ）と前記発光領域（Ｅ）を除いた非発光領域とを有する。
【００２２】
前記基板１００は，例えば，ガラス，プラスチックまたは石英基板を用いて形成することができる。また，前記基板１００上に緩衝膜１０５を形成することが望ましい。前記非発光領域の緩衝膜１０５上に半導体層１１０を形成する。前記半導体層１１０は，非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなることができる。望ましくは，前記半導体層１１０は，多結晶シリコンからなる。この多結晶シリコンは，前記基板１００上に非晶質シリコンを形成し，これを結晶化することにより形成できる。前記結晶化は，ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ），ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ），ＥＬＡ（Ｅｘｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）またはＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）法を用いて行える。
【００２３】
前記半導体層１１０上にゲート絶縁膜１１５を形成し，前記ゲート絶縁膜１１５上にゲート電極１２０を形成する。前記ゲート電極１２０をマスクとして前記半導体層１１０にイオンドープすることで，前記半導体層１１０にソース／ドレイン領域１１０ａ，１１０ｂを形成する。この時，前記ソース／ドレイン領域１１０ａ，１１０ｂ間にはチャンネル領域１１０ｃが定義される。前記ゲート電極１２０上に層間絶縁膜１２５を形成し，前記層間絶縁膜１２５上にソース／ドレインコンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン領域１１０ａ，１１０ｂにそれぞれ接するソース／ドレイン電極１３０ａ，１３０ｂを形成する。これにより，前記半導体層１１０，前記ゲート絶縁膜１１５，前記ゲート電極１２０及び前記ソース／ドレイン電極１３０ａ，１３０ｂを備える薄膜トランジスタを形成する。前記薄膜トランジスタを形成する過程において前記非発光領域にキャパシタ（図示せず）を形成することができる。
【００２４】
前記ソース／ドレイン電極１３０ａ，１３０ｂ上にパシベーション（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）絶縁膜１３５を形成する。前記パシベーション絶縁膜１３５は，有機膜，無機膜またはこれらの複合膜であってもよい。前記パシベーション絶縁膜１３５上にビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極１３０ｂと接する画素電極１４０を形成する。前記画素電極１４０は，アノードあるいはカソードで形成することができる。前記アノードである画素電極１４０は，例えば，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成することができる。前記アノードである画素電極１４０を形成する前に，前記パシベーション絶縁膜１３５上に，Ａｌ，Ａｇ，ＭｏＷ，ＡｌＮｄ及びＴｉからなる群から選ばれる一つの物質を用いて反射膜を形成することができる。これとは異なり，前記カソードである画素電極１４０は，例えば，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ａｇ，Ｂａまたはこれらの合金を用いて形成することができる。
【００２５】
前記画素電極１４０上に前記画素電極１４０の表面の一部を露出させる開口部１５０ａを備える画素定義膜１５０を形成する。前記開口部１５０ａが形成される領域は，前記発光領域（Ｅ）に対応して形成される。すなわち，前記発光領域（Ｅ）は，前記開口部１５０ａによって定義され，前記画素電極１４０は，少なくとも前記発光領域（Ｅ）内に位置する。一方，前記非発光領域には，前記画素電極１４０と電気的に接続された画素駆動回路が位置する。前記画素駆動回路は，前述した薄膜トランジスタとキャパシタとを含むことができる。
【００２６】
前記画素定義膜１５０は，有機膜または無機膜で形成することができる。前記画素定義膜１５０を有機膜で形成する場合，前記画素定義膜１５０は，例えば，ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ），アクリル系フォトレジスト，フェノール系フォトレジスト及びポリイミド系フォトレジストからなる群から選ばれる一つで形成することができる。しかし，これらに限定されるわけではない。
【００２７】
前記画素定義膜１５０上にフィラー１５５を形成し，前記フィラー１５５は，互いに隣接しながら互いに同じ色を放出するための単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光領域間に形成する。さらには，前記フィラーの長さ１５５Ｌは，前記互いに同じ色を放出するための単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光領域間の距離Ｅｄに同一であるか小さいことが望ましい。前記フィラー１５５は，前記画素定義膜と同一の物質あるいは異なる物質で形成することができる。より詳しくは，前記フィラー１５５は，感光性樹脂であってもよい。さらには，前記フィラー１５５は，アクリル系，ポリイミド系及びポリフェノール系有機物からなる群から選ばれる一つの物質を用いて形成することができる。
【００２８】
前記フィラー１５５と前記開口部１５０ａを備える画素定義膜１５０とは，ハーフトーンマスクを用いて同時に形成することも可能である。より詳しくは，前記画素定義膜１５０と前記フィラー１５５とを形成するための１層または２層の絶縁膜を前記画素電極１４０上に積層し，ハーフトーンマスクを用いて前記画素定義膜１５０内に開口部１５０ａを形成すると共に前記フィラー１５５を形成する。
【００２９】
次に，前記フィラー１５５を含む基板上に第１の電荷注入輸送層１４３を形成することができる。前記第１の電荷注入輸送層１４３は単層で形成するか，第１の電荷注入層と第１の電荷輸送層との多層に形成することができる。前記画素電極１４０がアノードの場合，前記第１の電荷注入輸送層１４３は正孔注入輸送層であり，前記画素電極１４０がカソードの場合，前記第１の電荷注入輸送層１４３は電子注入輸送層である。
【００３０】
次に，基板１００上に前記赤色の単位画素領域（Ｒ）を露出させるスリットを有する高精細マスク９００を密着させる。前記高精細マスク９００は，ファイン・メタル・マスクであってもよい。この時，前記高精細マスク９００は，前記フィラー１５５上に形成された前記第１の電荷注入輸送層１４３，あるいは，前記第１の電荷注入輸送層１４３が形成されていない場合は前記フィラー１５５上に密着される。すなわち，前記高精細マスク９００は，前記フィラー１５５によって支持される。前記フィラー１５５は，前記互いに隣接しながら互いに同じ色を放出するための単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光領域間に形成されるので，前記スリット内に完全に露出するか，前記高精細マスク９００によって覆われ，前記スリットのエッジ９００ｓとは接触しない。したがって，前記スリットのエッジ９００ｓは，前記基板，すなわち，第１の電荷注入輸送層１４３，あるいは，前記第１の電荷注入輸送層１４３が形成されていない場合は前記画素定義膜１５０から所定間隔離れた上部に位置することになる。
【００３１】
次に，前記高精細マスク９００をマスクとして前記基板上に赤色発光層１４５Ｒを形成する。前記赤色発光層１４５Ｒは，前記赤色単位画素領域（Ｒ）の第１の電荷注入輸送層１４３上に形成される。その後，前記高精細マスク９００を前記基板から取り除く。前述したように，前記スリットのエッジ９００ｓは，前記フィラー１５５によって前記第１の電荷注入輸送層１４３，あるいは，前記画素定義膜１５０と所定間隔離れた上部に位置するので，前記高精細マスク９００の除去過程において前記第１の電荷注入輸送層１４３あるいは前記画素定義膜１５０に傷を残さないようにすることができる。
【００３２】
前記フィラー１５５は，前記スリットのエッジ９００ｓが前記第１の電荷注入輸送層１４３または前記画素定義膜１５０と充分に離隔するように，１μｍ以上の高さを持つように形成できる。しかし，前記フィラー１５５の高さが過度に高い場合，シャドー（Ｓｈａｄｏｗ）現象が発生し得るので，望ましくない。したがって，前記フィラー１５５は，１μｍ以上５μｍ以下の高さを持つように形成することが望ましい。また，前記フィラーの幅１５５ｗは，前記単位画素領域の幅Ｐｗよりも小さいことが望ましい。より望ましくは，前記フィラーの幅１５５ｗは，前記発光領域の幅Ｅｗに同一であるか小さいことが望ましい。これにより，前記スリットのエッジ９００ｓと，前記フィラー１５５または前記フィラー１５５上に形成された第１の電荷注入輸送層１４３とが密着することを効果的に防止することができる。
【００３３】
図３Ｂ，図４Ｂ，図５Ｂ，図６Ｂ及び図７Ｂを参照すれば，前記赤色発光層１４５Ｒを形成したことと同様の方法で，緑色及び青色の単位画素領域にそれぞれ緑色発光層１４５Ｇ及び青色発光層１４５Ｂを形成する。前述したように，前記フィラー１５５によって前記緑色発光層１４５Ｇ及び前記青色発光層１４５Ｂを形成するために用いる高精細マスクのスリットエッジは，前記画素定義膜１５０上に形成された第１の電荷注入輸送層１４３あるいは前記画素定義膜１５０と密着されない。したがって，前記高精細マスクを取り除くに際して，前記画素定義膜１５０上に形成された第１の電荷注入輸送層１４３あるいは前記画素定義膜１５０に傷が生じることを防ぐことができる。
【００３４】
前記発光層１４５Ｒ，１４５Ｇ，１４５Ｂ上に第２の電荷注入輸送層１４７を形成することができる。前記第２の電荷注入輸送層１４７は，スピンコートあるいは全面蒸着方法を用いて形成することができる。前記第２の電荷注入輸送層１４７は，単層で形成するか，第２の電荷注入層と第２の電荷輸送層との多層に形成することができる。前記画素電極１４０がアノードの場合，前記第２の電荷注入輸送層１４７は，電子注入輸送層であり，前記画素電極１４０がカソードの場合，前記第２の電荷注入輸送層１４７は正孔注入輸送層である。
【００３５】
前記第２の電荷注入輸送層１４７上に対向電極１４９を形成する。前記対向電極１４９は，前記画素電極１４０をアノードで形成した場合，カソードで形成し，カソードで形成した場合，アノードで形成する。前述したように，前記高精細マスク９００による発光領域（Ｅ）周辺の有機膜，すなわち，前記画素定義膜１５０上に形成された第１の電荷注入輸送層１４３あるいは前記画素定義膜１５０に傷が生じないようにすることで，前記傷によって前記カソードが薄く形成されるか，切断（cut off）されることを防ぐことができる。結果的に，有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動するに際して，単位画素領域の周辺部から発光量が減少する画素縮小現象を抑制することができる。
【００３６】
図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図であり，図８Ａ及び図８Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された断面図であり，図９Ａ及び図９Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面図であり，図１０Ａ及び図１０Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された断面図であり，図１１Ａ及び図１１Ｂは，それぞれ，図３Ａ及び図３Ｂの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された断面図である。
【００３７】
図３Ａ，図８Ａ，図９Ａ，図１０Ａ及び図１１Ａを参照すれば，まず，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の単位画素領域が配列された基板１００を提供する。前記単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は，ストライプ状に配列されることができる。すなわち，単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のうち互いに同じ色を放出するための領域は，１つの列または行に配列される。前記各単位画素領域は，発光領域（Ｅ）と前記発光領域（Ｅ）を除いた非発光領域とを有する。
【００３８】
前記基板１００は，例えば，ガラス，プラスチックまたは石英基板で形成されていてもよい。次に，図４Ａ，図５Ａ，図６Ａ及び図７Ａを参照して説明したことと同様の方法で，前記基板１００上に，緩衝膜１０５と；ソース／ドレイン領域１１０ａ，１１０ｂとチャンネル領域１１０ｃとを備える半導体層１１０と，ゲート絶縁膜１１５と，ゲート電極１２０と，ソース／ドレイン電極１３０ａ，１３０ｂとを含む薄膜トランジスタと；層間絶縁膜１２５とを形成する。前述したように，前記薄膜トランジスタを形成する過程において，前記非発光領域内にキャパシタを形成することができる。
【００３９】
前記ソース／ドレイン電極１３０ａ，１３０ｂ上にパシベーション絶縁膜１３５を形成する。前記パシベーション絶縁膜１３５は，有機膜，無機膜またはこれらの複合膜であってもよい。前記パシベーション絶縁膜１３５上にビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極１３０ｂと接する画素電極１４０を形成する。本実施形態においては，前述した第１の実施形態とは異なり，前記画素電極１４０が形成される領域は，前記発光領域（Ｅ）に対応して形成される。すなわち，前記画素電極１４０によって前記発光領域（Ｅ）が定義される。一方，前記非発光領域は，前記画素電極１４０と電気的に接続された画素駆動回路が位置する。前記画素駆動回路は，前述した薄膜トランジスタとキャパシタとを含むことができる。
【００４０】
前記画素電極１４０は，アノードあるいはカソードで形成することができる。前記アノードである画素電極１４０は，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成することができる。前記アノードである画素電極１４０を形成する前に，下部にＡｌ，Ａｇ，ＭｏＷ，ＡｌＮｄ及びＴｉからなる群から選ばれる一つの物質を用いて，前記パシベーション絶縁膜１３５上に反射膜を形成することができる。これとは異なり，前記カソードである画素電極１４０は，例えば，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ａｇ，Ｂａまたはこれらの合金を用いて形成することができる。
【００４１】
前記画素電極１４０が形成された基板上に，前記画素電極１４０よりも上部に突出されたフィラー１５５を形成し，前記フィラー１５５は，互いに隣接しながら互いに同じ色を放出するための単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光領域間に形成する。さらには，前記フィラーの長さ１５５Ｌは，前記互いに同じ色を放出するための単位画素領域の発光領域間の距離Ｅｄに同一であるか小さいことが望ましい。前記フィラー１５５は，前記画素定義膜と同一である物質あるいは異なる物質で形成することができる。より詳しくは，前記フィラー１５５は，感光性樹脂であってもよい。さらには，前記フィラー１５５は，例えば，アクリル系，ポリイミド系及びポリフェノール系有機物からなる群から選ばれる一つの物質を用いて形成することができる。
【００４２】
次に，前記フィラー１５５を含む基板上に第１の電荷注入輸送層１４３を形成することができる。前記第１の電荷注入輸送層１４３は単層で形成するか，第１の電荷注入層と第１の電荷輸送層との多層に形成することができる。前記画素電極１４０がアノードの場合，前記第１の電荷注入輸送層１４３は正孔注入輸送層であり，前記画素電極１４０がカソードの場合，前記第１の電荷注入輸送層１４３は電子注入輸送層である。
【００４３】
次に，基板１００上に前記赤色の単位画素領域（Ｒ）を露出させるスリットを有する高精細マスク９００を密着させる。前記高精細マスク９００は，ファイン・メタル・マスクであってもよい。この時，前記高精細マスク９００は，前記フィラー１５５上に形成された前記第１の電荷注入輸送層１４３，あるいは，前記第１の電荷注入輸送層１４３が形成されていない場合は前記フィラー１５５上に密着される。すなわち，前記高精細マスク９００は，前記フィラー１５５によって支持される。前記フィラー１５５は，前記互いに隣接しながら互いに同じ色を放出するための単位画素領域（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光領域間に形成されるので，前記スリット内に露出するか，前記高精細マスク９００によって覆われ，前記スリットのエッジ９００ｓとは接触しない。したがって，前記スリットのエッジ９００ｓは，前記基板，すなわち，第１の電荷注入輸送層１４３から所定間隔離れた上部に位置することになる。
【００４４】
次に，前記高精細マスク９００をマスクとして前記基板上に赤色発光層１４５Ｒを形成する。前記赤色発光層１４５Ｒは，前記赤色の単位画素領域（Ｒ）の第１の電荷注入輸送層１４３上に形成される。以後，前記高精細マスク９００を前記基板から取り除く。前述したように，前記スリットのエッジ９００ｓは，前記フィラー１５５によって前記第１の電荷注入輸送層１４３と所定間隔離れた上部に位置するので，前記高精細マスク９００の除去過程において前記第１の電荷注入輸送層１４３に傷を残さないようにすることができる。
【００４５】
前記フィラー１５５は，前記スリットのエッジ９００ｓが前記第１の電荷注入輸送層１４３と充分に離隔するように，１μｍ以上の高さを持つように形成できる。しかし，前記フィラー１５５の高さが過度に高い場合，シャドー現象が発生できるので，望ましくない。したがって，前記フィラー１５５は，１μｍ以上５μｍ以下の高さを持つように形成することが望ましい。また，前記フィラーの幅１５５ｗは，前記単位画素領域の幅Ｐｗよりも小さいことが望ましい。より望ましくは，前記フィラーの幅１５５ｗは，前記発光部の幅Ｅｗに同一であるか小さいことが望ましい。これにより，前記スリットのエッジ９００ｓと，前記フィラー１５５または前記フィラー１５５上に形成された第１の電荷注入輸送層１４３とが密着することを効果的に防止することができる。
【００４６】
図３Ｂ，図８Ｂ，図９Ｂ，図１０Ｂ及び図１１Ｂを参照すれば，前記赤色発光層１４５Ｒを形成したことと同様の方法で，緑色及び青色の単位画素領域（Ｇ，Ｂ）にそれぞれ緑色発光層１４５Ｇ及び青色発光層１４５Ｂを形成する。前述したように，前記フィラー１５５によって前記緑色発光層１４５Ｇ及び前記青色発光層１４５Ｂを形成するために用いる高精細マスクのスリットエッジは，第１の電荷注入輸送層１４３と密着されない。したがって，前記高精細マスクを取り除くに際して，前記第１の電荷注入輸送層１４３に傷が生じることを防ぐことができる。
【００４７】
前記発光層１４５Ｒ，１４５Ｇ，１４５Ｂ上に第２の電荷注入輸送層１４７を形成することができる。前記第２の電荷注入輸送層１４７は，スピンコートあるいは全面蒸着方法を用いて形成することができる。前記第２の電荷注入輸送層１４７は，単層で形成するか，第２の電荷注入層と第２の電荷輸送層との多層に形成することができる。前記画素電極１４０がアノードの場合，前記第２の電荷注入輸送層１４７は電子注入輸送層であり，前記画素電極１４０がカソードの場合，前記第２の電荷注入輸送層１４７は正孔注入輸送層である。
【００４８】
前記第２の電荷注入輸送層１４７上に対向電極１４９を形成する。前記対向電極１４９は，前記画素電極１４０をアノードで形成した場合，カソードで形成し，カソードで形成した場合，アノードで形成する。前述したように，前記高精細マスク９００による発光領域（Ｅ）周辺の有機膜，すなわち，前記第１の電荷注入輸送層１４３に傷が生じないようにすることで，前記傷によって前記カソードが薄く形成されるか，切断（cut off）されることを防ぐことができる。結果的に，有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動するに際して，単位画素領域の周辺部から発光量が減少する画素縮小現象を抑制することができる。
【００４９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１Ａ】従来技術による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図である。
【図１Ｂ】従来技術による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図である。
【図２Ａ】図１Ａの切断線Ｉ−Ｉに沿って切断された断面図である。
【図２Ｂ】図１Ｂの切断線Ｉ−Ｉに沿って切断された断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す平面図である。
【図４Ａ】図３Ａの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図４Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図５Ａ】図３Ａの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図５Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図６Ａ】図３Ａの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図６Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図７Ａ】図３Ａの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図７Ｂ】図３Ｂの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図８Ａ】図３Ａの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図８Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図９Ａ】図３Ａの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図９Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図１０Ａ】図３Ａの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図１０Ｂ】図３Ｂの切断線ＩＶ−ＩＶに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図１１Ａ】図３Ａの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【図１１Ｂ】図３Ｂの切断線Ｖ−Ｖに沿って切断された本発明の他の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を工程段階別に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００      基板
１４０      画素電極
１４５Ｒ，１４５Ｇ，１４５Ｂ      発光層
１４９      対向電極
１５０      画素定義膜
１５５      フィラー
９００      高精細マスク
Ｅ      発光領域
【図１Ａ】
2005340208.tif 000003
【図１Ｂ】
2005340208.tif 000004
【図２Ａ】
2005340208.tif 000005
【図２Ｂ】
2005340208.tif 000006
【図３Ａ】
2005340208.tif 000007
【図３Ｂ】
2005340208.tif 000008
【図４Ａ】
2005340208.tif 000009
【図４Ｂ】
2005340208.tif 000010
【図５Ａ】
2005340208.tif 000011
【図５Ｂ】
2005340208.tif 000012
【図６Ａ】
2005340208.tif 000013
【図６Ｂ】
2005340208.tif 000014
【図７Ａ】
2005340208.tif 000015
【図７Ｂ】
2005340208.tif 000016
【図８Ａ】
2005340208.tif 000017
【図８Ｂ】
2005340208.tif 000018
【図９Ａ】
2005340208.tif 000019
【図９Ｂ】
2005340208.tif 000020
【図１０Ａ】
2005340208.tif 000021
【図１０Ｂ】
2005340208.tif 000022
【図１１Ａ】
2005340208.tif 000023
【図１１Ｂ】
2005340208.tif 000024