(57)【要約】【課題】  多層感光体を構成する感度が異なる複数の層を同じ光で露光する際に、感度が高い層において、反応が許容される範囲よりも広い範囲で反応が生じてしまうことを防止する。【解決手段】  露光装置１４の領域設定手段２５において反応が許容される範囲として設定された領域を、２種類の領域に分類する。許容される範囲よりも広い範囲で反応が生じてしまう可能性が高い領域については、第２変換処理部３０において許容される範囲よりも所定の縮小量分小さい領域を光照射領域と定める。一方、そのような可能性が低い領域については、第１変換処理部３１において許容される範囲として設定された領域そのものを光照射領域と定める。光照射系３３により、定められた光照射領域に光を照射する。【選択図】          図１４
2005345749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第１感光層と前記第１のエネルギー量よりも大きい第２のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第２感光層の少なくとも２層が積層されてなる多層感光体の一部の領域に対し、前記第２のエネルギー量以上の所定量の光エネルギーを照射面に与える光照射系により光を照射して、該多層感光体を選択的に露光する方法において、
前記第１感光層について、前記反応を許容する１以上の反応許容領域を設定し、
設定された反応許容領域を表す許容領域情報と、
光エネルギーに対する前記第１感光層の反応特性を表す第１層感度情報と、
光エネルギーに対する前記第２感光層の反応特性を表す第２層感度情報と、
前記光照射系からの光が照射面に与える光エネルギーの分布を表すエネルギー分布情報とに基づいて、
前記許容領域情報が表す反応許容領域の内側に配置され且つ該反応許容領域よりも小さい光照射領域を決定し、
前記光照射領域に前記光照射系からの光を照射することを特徴とする多層感光体の露光方法。
【請求項２】
前記多層感光体の所定領域に前記光照射系からの光を照射したときの前記第１感光層の反応領域および前記第２感光層の反応領域を、前記第１感光層の反応領域は前記第１層感度情報と前記エネルギー分布情報とに基づいて、前記第２感光層の反応領域は前記第２層感度情報と前記エネルギー分布情報とに基づいて、それぞれ算出し、
算出された第１感光層の反応領域の寸法と第２感光層の反応領域の寸法の差分を算出し、
前記光照射領域のエッジと前記許容領域情報が表す反応許容領域のエッジの距離が、前記差分の１／２以上となるように、前記光照射領域を決定することを特徴とする請求項１記載の多層感光体の露光方法。
【請求項３】
第１のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第１感光層と前記第１のエネルギー量よりも大きい第２のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第２感光層の少なくとも２層が積層されてなる多層感光体用の露光装置であって、
前記反応を許容する反応許容領域の設定を受け付ける領域設定手段と、
光を照射する光照射領域を決定する照射領域決定手段と、
前記照射領域決定手段により決定された光照射領域に所定量の光エネルギーが与えられるように光を照射する光照射系とを備え、
前記照射領域決定手段は、
前記領域設定手段により設定された反応許容領域を前記光照射領域に決定する第１の処理と、
前記反応許容領域の内側に配置され、且つ前記反応許容領域よりも小さい領域を前記光照射領域に決定する第２の処理とを、
選択的に実行する手段であることを特徴とする露光装置。
【請求項４】
所定の縮小量を設定する縮小量設定手段を備え、
前記照射領域決定手段により実行される第２の処理は、光照射領域のエッジと前記領域設定手段により設定された反応許容領域のエッジの距離が、前記縮小量設定手段により設定された縮小量となるように、前記光照射領域を決定する処理であることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
光エネルギーに対する前記第１感光層の反応特性を表す第１層感度情報、光エネルギーに対する前記第２感光層の反応特性を表す第２層感度情報、および前記光照射系からの光が照射面に与える光エネルギーの分布を表すエネルギー分布情報を取得し、前記多層感光体の所定領域に前記光照射系からの光を照射したときの前記第１感光層の反応領域および前記第２感光層の反応領域を、前記第１感光層の反応領域は前記第１層感度情報と前記エネルギー分布情報とに基づいて、前記第２感光層の反応領域は前記第２層感度情報と前記エネルギー分布情報とに基づいて、それぞれ算出し、前記算出された第１感光層の反応領域の寸法と前記第２感光層の反応領域の寸法の差分を算出する算出手段をさらに備え、
前記縮小量設定手段は、前記算出手段により算出された前記寸法の差分の１／２以上の所定の値を前記縮小量として設定することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感度が異なる複数の感光層からなる多層構造の感光体を露光する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プリント基板の回路パターンは、次の工程により形成される。まず、回路パターンを形成する導電層（例えば銅薄膜）の上に感光性材料からなるレジスト層を形成する。次に、マスクを用いて、そのレジスト層を回路パターンと同じ形状に露光し、現像によって、レジスト層に回路パターンと同じ形状のパターン（以下、レジストパターンと称する）を形成する。そして、今度はそのレジストパターンをマスクとして、導電層をエッチングする。これにより、導電層に回路パターンが形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記回路パターンの形成工程については、一般に次のような問題が知られている。両面（あるいは多層）プリント基板を製造する場合には、最初に各面に形成される配線を接続するためのスルーホールを形成し、その後上記工程により各面に配線パターンを形成する。この際、スルーホールの上に形成されたレジスト層は、他の部分よりも強度が劣るため、レジスト層に現像液をスプレーするときや、レジストパターンが形成された基板にエッチング液をスプレーして導電層をエッチングする際に、レジストパターンに破損が生じることがある。この問題の解決策としては、例えば特許文献２に、レジスト層の材料としてエッチング液などのスプレー圧に耐え得る強度を備えた感光性樹脂組成物を用いることが提案されている。
【特許文献１】特開平６−１６９１４６号公報
【特許文献２】特開平１０−１４２７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、特許文献２に開示された方法に代わる方法として、次の方法を提案している。その方法とは、上記レジスト層を、感度が比較的高い感光材料からなる薄膜層（以下高感度薄膜層と称する）の上に、その高感度薄膜層の材料よりも感度が低い材料からなる厚膜層（以下低感度厚膜層と称する）が積層された多層構造にする方法である。
【０００５】
このような多層構造のレジスト層は、露光の際に付与する光エネルギーの量を調整することによって、高感度薄膜層のみを反応させたり、低感度厚膜層と高感度薄膜層の両方を反応させたりすることができる。この反応特性を利用すれば、スルーホール周辺部と他の部分とで付与する光エネルギー量を異ならせることにより、強度を確保したいスルーホール周辺にのみ２層からなる厚いレジストパターンを形成することが可能になる。すなわち、現像、エッチング工程における上記レジストパターンの破損の問題を解決することができる。
【０００６】
しかし、実際には、低感度厚膜層を反応させるのに必要なエネルギー量をレジスト層に付与するように光を照射すると、低感度厚膜層では所望どおりの領域で反応が生じるものの、高感度薄膜層では所望の領域よりも広い範囲で反応が生じてしまうことが判明した。すなわち、レジストパターンを構成する高感度薄膜パターンは、同レジストパターンを構成する低感度厚膜パターンよりも大きめに形成されることがわかった。
【０００７】
高感度薄膜パターンが大きめに形成されてしまうと、その高感度薄膜パターンを含むレジストパターンを用いたエッチング処理により形成される導電層パターンもまた、大きめに形成されることになる。導電層パターン同士の間隔が狭小な回路の場合、このような大きさのずれは、回路をショートさせる要因となりかねず、好ましくない。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決する多層感光体の露光方法を提案するとともに、その方法に使用する露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の露光方法は、第１のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第１感光層（例えば、上記高感度薄膜層）と第１のエネルギー量よりも大きい第２のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第２感光層（例えば、上記低感度厚膜層）の少なくとも２層が積層されてなる多層感光体の一部の領域に対し、第２のエネルギー量以上の所定量の光エネルギーを照射面に与える光照射系により光を照射して、多層感光体を選択的に露光する方法であり、次の処理を行うことを特徴とする。
【００１０】
まず、第１感光層について、反応を許容する１以上の反応許容領域を設定する。反応許容領域は、反応が生じても問題がない領域、あるいは積極的に反応させたい領域を意味する。言い換えれば、露光操作を行う者（露光装置のオペレータなど）が、露光により反応が生じることを予測（あるいは期待）している領域を意味する。
【００１１】
続いて、光を照射する領域（光照射領域）を決定する。光照射領域は、光を照射する側（例えば露光装置、あるいは露光装置のオペレータ）が、光を照射すべき領域として認識している領域を意味し、実際に光があたる領域とは必ずしも一致しない。
【００１２】
光照射領域は、設定された反応許容領域を表す許容領域情報と、光エネルギーに対する第１感光層の反応特性を表す第１層感度情報と、光エネルギーに対する第２感光層の反応特性を表す第２層感度情報と、光照射系からの光が照射面に与える光エネルギーの分布を表すエネルギー分布情報とに基づいて、許容領域情報が表す反応許容領域の内側に配置され且つ反応許容領域よりも小さい領域となるように決定する。
【００１３】
詳細には、光照射領域は、例えば次の方法により決定することができる。まず、多層感光体の所定領域に光照射系からの光を照射したときの第１感光層の反応領域を、第１層感度情報とエネルギー分布情報とに基づいて算出する。また、それと並行して、多層感光体の所定領域に光照射系からの光を照射したときの第２感光層の反応領域を、第２層感度情報とエネルギー分布情報とに基づいて算出する。続いて、算出された第１感光層の反応領域の寸法と前記第２感光層の反応領域の寸法の差分を算出する。そして、光照射領域のエッジと許容領域情報が表す反応許容領域のエッジの距離が、その差分の１／２以上となるように、光照射領域を決定する。
【００１４】
光照射領域が決定されたら、その光照射領域に上記光照射系からの光を照射する。
【００１５】
また、本発明の露光装置は、第１のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第１感光層と、第１のエネルギー量よりも大きい第２のエネルギー量以上の光エネルギーに反応する第２感光層の少なくとも２層が積層されてなる多層感光体用の露光装置であり、次の各手段を備えることを特徴とする。
【００１６】
この露光装置は、反応を許容する反応許容領域の設定を受け付ける領域設定手段と、光を照射する光照射領域を決定する照射領域決定手段と、照射領域決定手段により決定された光照射領域に所定量の光エネルギーが与えられるように光を照射する光照射系とを備える。
【００１７】
このうち照射領域決定手段は、領域設定手段により設定された反応許容領域を光照射領域に決定する第１の処理と、反応許容領域の内側に配置され、且つ反応許容領域よりも小さい領域を光照射領域に決定する第２の処理とを選択的に実行する。第１の処理と第２の処理の選択は、予め定めたルールに基づいて行う。このルールは任意に定めることができる。
【００１８】
また、本発明の露光装置は、所定の縮小量を設定する縮小量設定手段を備えることが好ましい。縮小量設定手段を備える場合には、照射領域決定手段により実行される第２の処理は、光照射領域のエッジと領域設定手段により設定された反応許容領域のエッジの距離が、縮小量設定手段により設定された縮小量となるように、前記光照射領域を決定する処理とすることが好ましい。
【００１９】
さらに、露光装置は、次の処理を実行する算出手段を備えることが好ましい。この算出手段は、計算を実行するにあたり、まず光エネルギーに対する第１感光層の反応特性を表す第１層感度情報、光エネルギーに対する第２感光層の反応特性を表す第２層感度情報、および光照射系からの光が照射面に与える光エネルギーの分布を表すエネルギー分布情報を取得する。なお、これらの情報は、外部から与えられた情報を文字通り取得してもよいし、外部から与えられた情報や予め記憶していた情報を利用して生成することによって取得してもよい。
【００２０】
そして、その多層感光体の所定領域に光照射系からの光を照射したときの第１感光層の反応領域および第２感光層の反応領域を算出する。第１感光層の反応領域は第１層感度情報とエネルギー分布情報とに基づいて算出し、第２感光層の反応領域は第２層感度情報とエネルギー分布情報とに基づいて算出する。さらに、算出された第１感光層の反応領域の寸法と前記第２感光層の反応領域の寸法の差分を算出する。
【００２１】
露光装置が算出手段を備える場合には、縮小量設定手段は、算出手段により算出された寸法の差分の１／２以上の所定の値を縮小量として設定すればよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の露光方法では、多層感光体に含まれる複数の層を同じ光で露光する際に、光を照射する領域を、光を照射した際に照射面に与えられる光エネルギーの分布や、多層感光体の光エネルギーに対する反応特性に基づいて決定する。このため、感度が高い層において許容範囲を越えて反応が生じてしまうことがなくなり、そのような反応が生じてしまうことにより生じる各種問題を回避することができる。
【００２３】
また、本発明の露光装置は、設定されたとおりの領域に光を照射する機能と、設定された領域に基づいて決定した、より狭い領域に光を照射する機能とを備え、それらの機能を選択的に使い分ける。これにより、露光対象の所望の領域について上記本発明の露光方法を選択的に実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の露光方法および露光装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。以下の説明では、プリント基板の製造工程において行われるレジスト層の露光を例にあげて説明する。
【００２５】
図１は、露光の対象となるレジストフィルム１の構造を示す図である。レジストフィルム１は、０．３ｍＪ／ｃｍ２程度のエネルギーが蓄積されると硬化を開始する高感度薄膜層２と、２．５ｍＪ／ｃｍ２以上のエネルギーが蓄積されると硬化を開始する低感度厚膜層３により構成される。高感度薄膜層２の厚さは約５μｍ、低感度厚膜層３の厚さは約２５μｍであり、これらの層は図示されない厚さ１５〜２５μｍ程度のポリエステル（ＰＥＴ）フィルムにより支持されている。
【００２６】
図２は、レジストフィルム１の光エネルギーに対する反応特性（ガンマ特性）を表すグラフである。グラフの横軸はレジストフィルム１に与えられる光エネルギーの量を、縦軸は光エネルギーに反応して硬化する領域の厚さを表している。光に反応して硬化する領域の厚さとは、言い換えれば、露光後のレジストフィルムを現像したときに得られるパターンの厚さである。上記のように高感度薄膜層２と低感度厚膜層３とでは反応を生じさせるのに必要な光エネルギーの量が異なるため、レジストフィルム１は、グラフが示すような階段状の反応特性を有する。
【００２７】
レジストフィルム１に光を照射した場合、レジストフィルム１上に蓄積された光エネルギーの量がグラフ中の記号Ｅで表される量（約０．３ｍＪ／ｃｍ２）を越えると高感度薄膜層２に反応が生じはじめる。さらに、蓄積されたエネルギー量がグラフ中の記号Ｄで表される量（約０．９ｍＪ／ｃｍ２）を越えると、高感度薄膜層２は厚さ方向の全域にわたって反応する。蓄積されたエネルギー量がグラフ中の記号Ｃで表される量（約２．５ｍＪ／ｃｍ２）以下では低感度厚膜層３は反応しないため、反応領域の厚さは１高感度薄膜層２の厚さ（約５μｍ）に維持される。
【００２８】
蓄積されたエネルギー量が記号Ｃで表される量を越えると、低感度厚膜層３に反応が生じはじめ、記号Ｂで表される量（約５．０ｍＪ／ｃｍ２）以上で低感度厚膜層３も厚さ方向の全域にわたって反応する。これにより、反応領域の厚さは、高感度薄膜層２と低感度厚膜層３の厚さを合計した厚さ（約３０μｍ）となる。
【００２９】
プリント基板の製造工程では、レジストフィルム１は、プリント基板に貼り付けられた状態で露光される。図３は、レジストフィルム１が貼り付けられたプリント基板の断面を表す図である。プリント基板は、ガラスエポキシ基材４と、ガラスエポキシ基材４の両面を覆う銅薄膜５とからなる。レジストフィルム１は高感度薄膜層２が銅薄膜５に接するように貼り付けられ、露光される。
【００３０】
以下、レジストパターンの具体的な形状を例示して説明する。図４（ａ）および（ｂ）は、あるレジストパターンの設計図である。図４（ａ）はレジストパターンの平面形状を表す図にスケールを重ねて表示したものであり、図４（ｂ）はレジストパターンの断面形状を表す図である。
【００３１】
図に示すように、このレジストパターンは、スルーホール周辺のランド部となる半径５０μｍの２個の円形パターン６ａ、６ｂと、ライン部となる２０μｍ幅の２本の線状パターン７ａ、７ｂからなる。円形パターン６ａの中心から円形パターン６ｂの中心までの距離は２００μｍ、円形パターン６ａのエッジから円形パターン６ｂのエッジまでの最短距離は１００μｍである。２本の線状パターンは、２つの円形パターンに挟まれるように配置され、円形パターン６ａのエッジから線状パターン７ａのエッジまでの最短距離は２０μｍ、線状パターン７ａのエッジから線状パターン７ｂのエッジまでの最短距離は２０μｍ、円形パターン６ｂのエッジから線状パターン７ｂのエッジまでの最短距離は２０μｍである。
【００３２】
また、図４（ｂ）に示すように、円形パターン６ａおよび６ｂは高感度薄膜パターン８ａおよび８ｂと低感度厚膜パターン９ａおよび９ｂからなる２層のパターンであり、線状パターン７ａおよび７ｂは高感度薄膜のみの１層のパターンである。このようなレジストパターンを用いて銅薄膜５をエッチングすれば、スルーホール周辺のランド部（スルーホールの図示は省略）におけるレジストパターンの破損を防止でき、またライン部においては高い精度で銅薄膜５を加工することができる。
【００３３】
上記設計図に示されるレジストパターンを形成する方法としては、半径５０μｍ、中心間の距離２００μｍの２個の円形領域と、その間に挟まれた２０μｍ幅の２本の線状領域とを光照射領域に設定し、円形領域には図２のグラフの記号Ｂで表される量（約５．０ｍＪ／ｃｍ２）以上のエネルギー量が与えられるように光を照射し、線状領域には図２のグラフの記号Ｄで表される量以上で且つ記号Ｃで表される量以下のエネルギー量が与えられるように光を照射する方法が考えられる。
【００３４】
しかしながら、実際にレーザ光を光源とする露光装置を用いて、この方法によりレジストフィルム１を露光したところ、次のような問題があることがわかった。
【００３５】
レーザ光を所定の面の所定の点に照射した場合、その面に与えられる光エネルギーの分布は、図５に示すようなガウシアン分布となる。但し、図５においてＸＹ平面は照射面、Ｚ軸は光エネルギー量を表している。
【００３６】
このため、例えば、スポットサイズ１０μｍ、スポットパワー４μＷ／スポットのレーザ光を、スポット照射位置の間隔（記録ピッチ）１μｍ、走査速度４０ｍｍ／ｓで走査することによって、図４に示したパターンを形成したい領域にレーザ光を照射した場合、レジストフィルム１に与えられる光エネルギー量は、図６に示すような分布となる。但し、図６は、円形パターン６ａを形成する円形領域の中心と円形パターン６ｂを形成する円形領域の中心とを結ぶ線上に与えられる光エネルギーの量をスポット単位で表した図である。横軸は、円形パターン６ｂを形成する円形領域の中心を基準とした位置を表し、縦軸はスポットごとのエネルギー量を表す。
【００３７】
図７は図６においてスポット単位で表示されていたエネルギー量を累積表示した図であり、縦軸は累積されたエネルギー量を表す。右側の縦軸に表示されているＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの記号は、図２の特性グラフ中の記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで示された点におけるエネルギー量を表している。図が示すように、円形領域には記号Ｂで表されるエネルギー量以上のエネルギー量が与えられ、線状領域には記号Ｄで表されるエネルギー量以上のエネルギー量が与えられている。
【００３８】
なお、各領域に与えられるエネルギー量は、光照射系の設定により調整することができる。具体的には、レーザ光のスポットサイズ、スポットパワー、スポット照射位置の間隔、走査速度などを調整する。例えば、スポットパワーを強くすれば付与されるエネルギー量は増加するし、スポットパワーを変化させなくても走査速度を遅くすれば各位置に蓄積されるエネルギー量は増加する。
【００３９】
この図から読み取れるように、上記方法により露光を行った場合には、円形領域や線状領域の外側にも少なからず光エネルギーが与えられる。すなわち、円形領域の外側には、図２の特性グラフに示されるエネルギー量Ｅ以上Ｂ以下の光エネルギーが与えられてしまう領域が存在し、線状領域の外側にはエネルギー量Ｅ以上Ｄ以下の光エネルギーが与えられてしまう領域が存在する。但し、図２の特性グラフからわかるように、エネルギー量ＥとＤの差は比較的小さいので、線状領域の外側に付与される光エネルギーが形成されるパターンの品質に及ぼす影響は比較的少ない。
【００４０】
一方、円形領域の外側に付与される光エネルギーについては、エネルギー量ＥとＢの差が大きいことからパターンの品質への影響が懸念される。特に、付与されるエネルギー量がＤ以上Ｃ以下となる領域では高感度薄膜層は厚さ方向の全域にわたり反応してしまうため、低感度厚膜のパターンと高感度薄膜のパターンの間に段差が生じることとなる。
【００４１】
図８は、レジストフィルムに付与される累積エネルギーの分布が図７に示すような分布であった場合に、実際に形成されるレジストパターンの形状を表す図である。図８（ａ）はレジストパターンの平面形状を、図８（ｂ）はレジストパターンの断面形状を表している。また、図９は、図８のレジストパターンの各部における膜厚を示すグラフである。横軸は図８（ａ）に示す円形パターン１０ｂの中心を基準とした位置を表し、縦軸はパターンの膜厚を表す。
【００４２】
図４に示した設計上の線状パターン７ａおよび７ｂの幅は２０μｍであるが、そのパターンと同じ形状の領域に光を照射した場合に実際に形成される線状パターン１１ａ、１１ｂは上面の幅が約２０μｍ、底面の幅が約２２μｍのパターンとなる。また、図４に示した設計上の円形パターン６ａおよび６ｂは半径が５０μｍの２層構造のパターンであるが、実際に形成される円形パターン１０ａおよび１０ｂは、上面の半径が約５０μｍ、底面の半径が約５４μｍのパターンとなる。また円形パターン１０ａおよび１０ｂは、図に示すように、低感度厚膜パターン１２ａ、１２ｂと、それよりも大きい高感度薄膜パターン１３ａ、１３ｂの２層構造となり、円形パターンの側面には図８（ｂ）あるいは図９に示すように、段差が生じる。
【００４３】
線状パターンについては底面において設計値との間に２μｍのずれが生じるものの、この程度のずれは露光対象が多層感光体であるか否かに拘わらず生じるずれであり、プリント基板の品質に与える影響は少ない。よって、線状パターンについては、ほぼ設計どおりのパターンが形成されたと考えてよい。一方、円形パターンについては、設計値との間に直径にして８μｍのずれが生じている。２μｍのずれは無視できるとしても、残りの６μｍのずれがプリント基板の品質に与える影響は無視できない。
【００４４】
また、設計上の線状パターン７ａと７ｂの最短距離は２０μｍであるが、実際の線状パターン１１ａと１１ｂの最短距離は１８μｍである。また設計上の円形パターン６ａと線状パターン７ａ、あるいは円形パターン６ｂと線状パターン７ｂの最短距離は２０μｍであるが、実際の円形パターン１０ａと線状パターン１１ａの最短距離あるいは円形パターン１０ｂと線状パターン１１ｂの最短距離は１５μｍである。例えば１８μｍという距離が、ショートの危険を回避するために最小限必要な距離である場合、このずれは、プリント基板の品質に影響しかねない。
【００４５】
そこで、本実施の形態では、図４（ａ）（ｂ）に例示した設計図が与えられた際に、２層構造のパターンを形成する領域において、設計されたパターンと同じ大きさおよび形状の領域に光を照射するのではなく、設計図に基づいて適切な光照射領域を決定し、その決定された光照射領域に光を照射する。
【００４６】
例えば、図４の設計図によれば、円形パターン６ａ、６ｂは２層構造とする必要があるので、円形パターン６ａ、６ｂを形成する円形領域については、設計上の値、すなわち半径５０μｍの円形領域よりも小さい半径４７μｍの円形領域を光照射領域と定める。線状パターン７ａ、７ｂについては、１層構造のパターンを形成すればよいので、設計上の値、すなわち幅２０μｍの線状領域を光照射領域と定める。
【００４７】
続いて、上記半径４７μｍの円形領域に、図２のグラフの記号Ｂで表される量（約５．０ｍＪ／ｃｍ２）以上のエネルギー量が与えられるように光を照射する。さらに、幅２０μｍの線状領域には図２のグラフの記号Ｄで表される量以上記号Ｃで表される量以下のエネルギー量が与えられるように光を照射する。光の照射は、スポットサイズ１０μｍ、スポットパワー４μＷ／スポットのレーザ光を、スポット照射位置の間隔（記録ピッチ）１μｍ、走査速度４０ｍｍ／ｓで走査することにより行う。
【００４８】
図１０は、上記のように光を照射した場合に、レジストフィルム１に与えられる光エネルギーを累積表示した図である。横軸はレジストフィルム上の位置を表し、縦軸はレジストフィルムに累積されるエネルギー量を表す。右側の縦軸上に表示されているＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの記号は、図２の特性グラフ中の記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで示されたエネルギー量を表す。図は、円形パターンの中心（目盛が０の点と−２００の点）から５０μｍ離れた位置（目盛が−５０の点と−１５０の点）における累積エネルギー量が、Ｄの記号で表されるエネルギー量となることを表している。
【００４９】
図１１は、レジストフィルムに付与される累積エネルギーの分布が図１０に示すような分布であった場合に実際に形成されるレジストパターンの形状を表す図である。図１１（ａ）はレジストパターンの平面形状を、図１１（ｂ）は、レジストパターンの断面形状を表している。また、図１２は、そのレジストパターンの各部における膜厚を示すグラフである。横軸は図１１（ａ）において右側に配置された円形パターン１４ｂの中心を基準とした位置を表し、縦軸はパターンの膜厚を表す。
【００５０】
図４に示した設計上の円形パターン６ａおよび６ｂは、半径が５０μｍの２層構造のパターンであるが、前述のように半径４７μｍの光照射領域に対して光を照射した場合に形成される図１１の円形パターン１４ａおよび１４ｂは、上面の半径が約４７μｍ、底面の半径が約５１μｍのパターンとなる。詳細には、円形パターン１４ａおよび１４ｂを構成する低感度厚膜パターン１６ａ、１６ｂの上面の半径が約４７μｍであり、高感度薄膜パターン１７ａ、１７ｂの上面の半径は約５０μｍ、底面の半径が約５１μｍである。
【００５１】
円形パターン１４ａおよび１４ｂを構成する高感度薄膜パターン１７ａ、１７ｂは、同じ円形パターン１４ａおよび１４ｂを構成する低感度厚膜パターン１６ａ、１６ｂよりも大きく形成されているが、高感度薄膜パターン１７ａ、１７ｂの上面の半径は設計値どおりの５０μｍであり、底面の半径も約５１μｍであるので、ほぼ設計値どおりと考えてよい。
【００５２】
また、円形パターン１４ａと線状パターン１５ａ、あるいは円形パターン１４ｂと線状パターン１５ｂの最短距離は１８μｍであり、線状パターン１５ａと線状パターン１５ｂの最短距離も１８μｍとなる。したがって、円形パターン、線状パターンは設計図と同じく均等な間隔をあけて配置されることになる。
【００５３】
なお、上記例は、高感度薄膜パターン１７ａおよび１７ｂの上面の寸法が設計値どおりになるように光照射領域を決定する例であるが、円形の光照射領域の半径を４６μｍとすれば高感度薄膜パターン１７ａおよび１７ｂの底面の寸法を設計値どおりとすることができる。
【００５４】
また、上記例では２層構造のレジストパターンを形成する領域についてのみ光照射領域を小さめに設定しているが、１層構造のレジストパターンを形成する場合にも光照射領域を小さめに設定してもよい。例えば、半径４６μｍ、中心間の距離２００μｍの２個の円形領域と、その間に挟まれた２本の１８μｍ幅の線状領域とを光照射領域として設定してもよい。この場合、形成される線状パターンの底面の幅は約２０μｍ、円形パターンの底面の半径は５０μｍとなるので、エッチング処理により、設計どおりの寸法の銅薄膜パターンを形成することができる。
【００５５】
以下、上記円形パターンのような２層構造のレジストパターンを形成するときの、光照射領域の決定方法について説明する。本実施の形態では、光照射領域を、光照射領域のエッジが露光したい領域のエッジよりも所定の寸法分内側に配置されるように定めている。例えば、上記例では、光照射領域を、露光したい円形領域よりも半径が３μｍ小さい円形領域としている。これは、光照射領域のエッジが露光したい円形領域のエッジよりも３μｍ内側に配置されるように光照射領域を定めたことに他ならない。他の形状の場合も同様に、光照射領域のエッジと、露光したい領域のエッジとの距離が３μｍとなるように光照射領域を決定している。
【００５６】
３μｍという値は、サンプルパターンを使って予め算出しておいた値であり、以下の説明ではこの値を縮小量と称する。以下、縮小量の算出方法について、図１３を参照して説明する。サンプルパターンは、図に示すように。長さが２０μｍで適当な幅を有する矩形のパターン１８とする。但し、サンプルパターンの形状は一例にすぎず、これに限定されるものではない。
【００５７】
計算には、サンプルパターンのほか、高感度薄膜層のレーザ光に対する感度の情報、低感度厚膜層のレーザ光に対する感度の情報、レーザ光源など光照射系に関する情報を利用する。レーザ光に対する感度の情報としては、例えば図２に例示したような、付与されるエネルギー量と反応領域の厚さ（あるいは現像処理後に形成されるパターンの膜厚）の関係を表すガンマ特性グラフなどが考えられる。但し、高感度薄膜層の感度情報と低感度厚膜層の感度情報は、別個の情報として保持されたものであってもよく、必ずしも図２の特性グラフのようにまとめられた１個の情報として保持されている必要はない。
【００５８】
光照射系の情報としては、前述のようにレーザ光のスポットサイズ、スポットパワー、スポット照射位置の間隔、走査速度などがある。本実施の形態では、これらの情報を利用して、まず、サンプルパターン１８が示す領域において高感度薄膜層のみが反応するように光照射系を設定した場合にレジストフィルムに付与される光エネルギー量を位置ごとに計算し、累積エネルギー分布情報１９を生成する。さらに、高感度薄膜層と低感度厚膜層の両方に反応を生じさせるように光照射系を設定した場合にレジストフィルムに付与される光エネルギーの量を位置ごとに計算して、累積エネルギー分布情報２０を生成する。
【００５９】
続いて、図２の特性グラフと累積エネルギー分布情報１９を利用して、形成されるレジストパターンの位置ごとの膜厚を計算し、高感度薄膜層のみからなるレジストパターンの断面形状２１を求める。同様に、図２の特性グラフと累積エネルギー分布情報２０を利用して、形成されるレジストパターンの位置ごとの膜厚を計算し、２層構造のレジストパターンの断面形状２２を求める。
【００６０】
計算により求めた断面形状２１および断面形状２２から、１層構造のサンプルパターンと２層構造のサンプルパターンの寸法差を求めることができる。上記円形パターンを形成するときの光照射領域の決定に用いられた３μｍという縮小量は、図に示すように、高感度薄膜層の上面あるいは底面の寸法差６μｍ（２６−２０μｍあるいは２８−２２μｍ）の１／２に相当する。
【００６１】
なお、縮小量は、上記算出方法の説明から明らかであるように、レジストフィルムを構成する感光材料の種類（感度）や、レーザスポットのサイズなどによって変化する値であり、本実施の形態における３μｍという値は例示に過ぎない。
【００６２】
以上に説明したように、本実施の形態の露光方法では、光照射領域は、光を照射した際に照射面に与えられる光エネルギーの分布や、多層感光体の光エネルギーに対する反応特性に基づいて決定される。このため、高感度薄膜層において光照射領域よりも広い領域で反応が生じてしまったとしても、その領域が設計値を大幅に越えた大きな領域となることはない。すなわち、パターンの層構造によらず、常に設計値に近いレジストパターンを形成することが可能になる。
【００６３】
また、プリント基板の製造工程におけるレジスト層の露光にこの露光方法を用いれば、レジストパターンが大きくなりすぎて、形成された導電性パターン同士が近接してしまいショートが生じるといった問題を回避することができる。結果として、高品質なプリント基板を安定して供給することが可能になる。
【００６４】
なお、プリント基板の製造工程では、レジストパターンの形状や大きさが設計値どおりであることよりも、レジストパターンの形状や大きさが予め定められた許容値を超えないことのほうが優先される場合もある。例えば、上記ショートの問題を回避できればよいという場合であれば、導電性パターン同士が設計値以上に離れていたとしても目的を達成することができる。したがって、そのような場合には、上記縮小量は算出された寸法差の１／２より大きな値であってもよい。
【００６５】
次に、以上に説明した露光方法の実施に用いられる露光装置について説明する。図１４は、露光対象を所定のパターン形状に露光するためのシステムの概略構成を示すブロック図である。このシステムは、パターンの設計に用いられるＣＡＤ（Computer Aided Design）システムおよびＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)システム（以下、両システムをまとめて「ＣＡＤ／ＣＡＭ２３」と表記する）と、露光対象を設計されたパターン形状に露光する露光装置２４とにより構成される。
【００６６】
ＣＡＤ／ＣＡＭ２３は、汎用のコンピュータ（パソコンなど）にＣＡＤソフトやＣＡＭソフトを組み込んだものである。ＣＡＤ／ＣＡＭ２３は、パターンを表すベクトルデータを出力する。具体的には、例えばスルーホールの位置を示す座標データ、スルーホール周辺のランド部の径を示すデータ、ラインの始点や終点を示す座標データ、ライン幅を示すデータなどを出力する。
【００６７】
ＣＡＤ／ＣＡＭ２３から出力されたベクトルデータは、露光装置２４に入力される。露光装置２４は、ＣＡＤ／ＣＡＭ２３から入力されたベクトルデータを二値画像データに変換し、その二値画像データに基づいてレーザ光のオン／オフや照射位置を制御することによって、露光対象を二値画像データが表すパターン形状に露光する。
【００６８】
図に示すように、露光装置２４は、露光により反応を生じさせたい領域（あるいは反応が生じてもよい領域）を表す領域データを取得あるいは生成することによって露光する領域を設定する領域設定手段２５を備える。また、露光装置２４は、前述の寸法差を前述の算出方法により算出する算出手段２７と、算出された寸法差の情報から、光照射領域を設定された領域よりも小さくするときの縮小量を設定する縮小量設定手段２６を備える。
【００６９】
但し、縮小量設定手段２６は、算出手段２７により算出された情報に限らず、外部から与えられた情報に基づいて縮小量を設定してもよい。また、露光装置２４は、領域設定手段２５により設定された領域の情報と縮小量設定手段２６に記憶された縮小量の情報とに基づいてレーザ光を照射する領域を決定する照射領域決定手段２８と、照射領域決定手段２８により決定された照射領域にレーザ光を照射する光照射系３３を備える。
【００７０】
領域設定手段２５は、ＣＡＤ／ＣＡＭ２３が出力するベクトルデータを図示されない接続インタフェースを介して取得する。そして、そのベクトルデータを、露光装置２４が備えるメモリに、露光する領域（露光されてもよい領域）を表す領域データとして記憶する。
【００７１】
算出手段２７は、図１３を参照して説明した算出方法に基づき、図１５のフローチャートに示すような処理を実行する。はじめに、サンプルパターンを定義する（Ｓ１０１）。具体的には、外部から入力されるサンプルパターンのデータ（例えばラインの長さと幅）を取得して、露光装置２４が備えるメモリに記憶する。あるいは、露光装置は予め固有のサンプルパターンデータを保持していてもよい。
【００７２】
続いて、算出手段２７は、光照射系３３からレーザ光のスポットサイズ、スポットパワー、スポット照射位置の間隔、走査速度などの情報を取得し、さらに外部から入力される露光対象のガンマ特性の情報を取得する（Ｓ１０２）。
【００７３】
次に、サンプルパターンと同じ形状の領域に対しレーザ光を照射したときの、露光対象上のエネルギー分布を、サンプルパターンのデータと光照射系から得た情報に基づいて計算する（Ｓ１０３）。すなわち、取得した情報を利用して、図１３に示した累積エネルギー分布情報１９および２０に相当する情報を生成する。
【００７４】
さらに、ステップＳ１０３において求めたエネルギー分布と、ステップＳ１０２において取得したガンマ特性の情報とに基づいて、現像された後の露光対象の位置ごとの膜厚を計算し、パターンが形成された後の露光対象の断面形状を求める（Ｓ１０４）。すなわち、取得した情報を利用して、図１３に示した断面形状２１および２２の情報に相当する情報を生成する。
【００７５】
次に、ステップＳ１０４で求めた断面形状から、１層構造のサンプルパターンの寸法と２層構造のサンプルパターンの寸法を求め（Ｓ１０５）、最後に、その求めた寸法から１層構造のサンプルパターンの寸法と２層構造のサンプルパターンの寸法の差を算出し、出力する（Ｓ１０６）。
【００７６】
次に、再び図１４を参照して縮小量設定手段２６について説明する。本実施の形態では、縮小量設定手段２６は、算出手段２７により算出された寸法差の１／２の値を縮小量として設定する。すなわち、設定された領域のエッジと光照射領域のエッジとの距離が縮小量として設定される。
【００７７】
但し、縮小量は、例えば設定された領域と光照射領域との比を表す縮小率としてもよい。すなわち、縮小量設定手段２６は、後述する照射領域決定手段２８に対し、光照射領域を、設定された領域よりもどの程度小さくすればよいかを表す目安となる値を設定する手段であればよく、縮小量は任意に定義することができる。
【００７８】
次に、照射領域決定手段２８について説明する。照射領域決定手段２８は、以下に説明する領域分類処理部２９、第１変換処理部３１、第２変換処理部３０および変換済データ合成処理部３２を備える。
【００７９】
領域分類処理部２９は、領域設定手段２５により設定された領域を、設定された領域をそのまま光照射領域として設定してよい領域と、設定された領域よりも小さい領域を光照射領域として設定すべき領域に分類する。すなわち、領域設定手段２５から与えられたベクトルデータを２つのグループに分類する。
【００８０】
分類は、予め記憶されている基準に基づいて行う。例えば、「２層構造のパターンであり且つ隣接するパターンと近接しているパターンについては、光照射領域を小さめに設定する」というルールが記憶されている場合であれば、まず、ベクトルデータに含まれるスルーホールの位置座標に基づいて２層構造のパターンを形成すべき領域を判定する。さらに、ベクトルデータが表すエッジ同士の間隔に基づいてパターン同士が近接しているか否かを判定する。そして、それらの判定結果に基づいてベクトルデータを分類する。
【００８１】
あるいは、領域分類処理部２９は、外部から与えられる分類指示に基づいて領域を分類してもよい。例えば、領域設定手段２５から与えられたベクトルデータが表す領域を、露光装置２４に接続されているモニタの画面に表示して、露光装置のオペレータが、画面上で、光照射領域を小さめに設定したい領域を指定できるようにしてもよい。
【００８２】
図１６に領域設定手段２５が出力したベクトルデータの一例として、スルーホール周辺のランド部を表すデータＰ１、ラインを表すデータＰ２およびＰ３、スルーホール周辺のランド部を表すデータＰ４およびＰ５が、この順番に並んで配置されている例を示す。この例では、データＰ１，Ｐ２，Ｐ３およびＰ４が表す領域は互いに近接して配置されているが、データＰ５が表す領域はそれらの領域とは少し離れて配置されている。
【００８３】
上記分類ルールに基づいて図１６に例示したベクトルデータを分類する場合、データＰ１とデータＰ４が、光照射領域を小さめに設定すべき領域を表すデータと判定される。
【００８４】
領域分類処理部２９による分類後、設定された領域がそのまま光照射領域となる領域を表すベクトルデータは第１変換処理部３１に、光照射領域を小さめに設定すべき領域を表すベクトルデータは第２変換処理部３０に、それぞれ入力される。
【００８５】
第１変換処理部３１は、設定された領域がそのまま光照射領域となる領域を表すベクトルデータをビットマップデータに変換する処理を実行する。第１変換処理部３１が実行する変換処理は、データ形式の変更のみを目的とする変換であり、変換前のベクトルデータが表す領域と変換後のビットマップデータが表す領域は同一の領域となる。
【００８６】
第２変換処理部３０は、縮小量設定手段２６により設定された縮小量を参照して、光照射領域を設定された領域よりも小さめに設定すべき領域を表すベクトルデータに対し、縮小とビットマップ変換の処理を施す。縮小とビットマップ変換を行う際には、縮小された領域を表すベクトルデータを生成した後にビットマップ変換を行ってもよいし、ビットマップ変換を行った後に縮小処理を施してもよい。
【００８７】
図１７（ａ）および（ｂ）に、図１６に例示したベクトルデータを変換した結果を示す。図１７（ａ）は、第１変換処理部３１の出力、すなわち図１６のベクトルデータＰ２、Ｐ３，Ｐ５をビットマップ変換して得られたデータＰ２´，Ｐ３´，Ｐ５´を表している。また、図１７（ｂ）は、第２変換処理部３０の出力、すなわち図１６のベクトルデータＰ１およびＰ４をビットマップ変換して得られたデータＰ１´およびＰ４´を表している。但し、図１７（ｂ）では、比較のため、もとのデータＰ１，Ｐ４により表される領域を破線で示している。
【００８８】
変換済データ合成処理部３２は、第１変換処理部３１および第２変換処理部３０によりそれぞれ生成されたビットマップデータを合成して、露光対象上の照射領域を表すデータを生成する。例えば、変換済データ合成処理部３２に図１７に例示したデータが入力された場合には、図１８に例示するようにＰ１´、Ｐ２´、Ｐ３´、Ｐ４´、Ｐ５´が並んだビットマップデータが出力される。
【００８９】
光照射系３３は、図１８に例示したデータ、すなわち変換済データ合成処理部３２が出力したビットマップデータに基づいて、露光対象のレーザ光が照射される位置を制御し、ビットマップデータの画素値が「１」の領域、すなわち光照射領域として決定された領域にのみレーザ光が照射されるようにする。
【００９０】
本実施の形態では、光照射系３３は、レーザ光源を含むレーザモジュールと、レーザ光の向きを変えることによってレーザ光が照射される領域を制御する空間変調素子を備える。空間変調素子としては、一画素を構成する微小ミラーを多数格子状に配列して構成されたデジタル・マイクロミラー・デバイス（テキサス・インスツルメンツ社の登録商標。以下ＤＭＤという）を採用している。
【００９１】
各微小ミラーの向きは、ビットマップデータを構成する各画素データの値に基づいて個別に制御され、各微小ミラーに入射されたレーザ光は、２方向のうちいずれかの方向に反射される。２方向のうちの一方向に反射されたレーザ光は、所定の光学系を経て露光対象に照射される。これにより、ビットマップデータの値が「１」の画素データが表す領域においてのみ、露光対象上にレーザ光を結像させることができる。ＤＭＤを採用した露光装置の詳細な構成は、例えば特開２００３−３４５０３０号公報などに開示されている。
【００９２】
上記本実施の形態の露光装置によれば、パターンの層構造に合わせて最適な光照射領域が決定され、その光照射領域に光が照射される。このため、同じ基板上に層構造の異なるパターンを形成するときにパターンの層構造によって反応領域がばらつくという問題を解決することができる。これにより、設計値に近いパターンを形成することが容易になる。
【００９３】
また、本実施の形態の露光装置では、領域分類処理部２９において光照射領域を小さめに設定することが必要と判断された領域についてのみ第２の変換処理が施される。したがって、領域分類処理部２９において適用される分類ルールを適切に定めれば、あるいは外部から適切な分類指示を与えれば、必要最小限の領域においてのみ本発明の露光方法を適用することができる。よって、例えば露光装置の性能があまり高くない場合、あるいは露光により形成するパターンが複雑で光照射領域の算出に要する計算量が多い場合などには、第２変換処理を施す領域を限定して、露光装置の負荷を軽減することもできる。
【００９４】
また、本実施の形態の露光装置では、算出手段２７は、露光対象となる多層感光体のガンマ特性を参照した上で縮小量を算出するので、露光対象の種類に拘わらず常に最適な光照射領域を決定することができ、あらゆる露光対象について上記問題を解決することができる。また、縮小量設定手段２６に対し任意の縮小量を設定することも可能であるため、ガンマ特性を表す電子データは用意できないが、手計算により縮小量を求めることができる場合、あるいは経験値として縮小量がわかっている場合などにも対応できる。
【００９５】
本実施の形態の露光装置は以上のような利点を有することから、この装置をプリント基板製造工程におけるレジスト層の露光に用いた場合、スルーホール周辺のランド部にのみ２層構造の厚いレジストパターンを形成し、且つパターンの大きさがほぼ設計値どおりとなり隣接するパターン同士が近接しすぎることを防止することができる。その結果として、高品質なプリント基板を安定して供給することが可能になる。
【００９６】
なお、上記実施の形態は、レーザ光走査による露光を前提としているが、マスクを用いた露光でも、光を１００％透過する開口部を備えたマスクと、開口部を透過する光の量を抑えたハーフ濃度のマスクを使い分ければレジストフィルムに与えるエネルギー量を調整することは可能である。そして、マスク露光の場合でも光の回折現象によりマスク開口部よりも広い領域に光が照射されてしまうなど、光を照射する領域と実際に反応が生じる領域とが一致しないことがある。
【００９７】
マスク露光の場合には、マスクの開口部が光照射領域に対応する。したがって、上記方法により光照射領域を決定し、決定した光照射領域に相当する開口部を備えたマスクを作成して露光を行うことによって、上記問題を解決することができる。
【００９８】
このように、本発明が解決しようとする問題は、レーザ露光に限らず生じ得る問題であり、本発明はレーザ露光の場合に限らず適用可能な発明である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】露光対象のレジストフィルムの層構造を示す図
【図２】レジストフィルムの光エネルギーに対する反応特性（ガンマ特性）を表すグラフ
【図３】レジストフィルムが貼り付けられたプリント基板の断面を表す図
【図４】レジストパターンの設計値を示す図  （ａ）はレジストパターンの平面形状、（ｂ）はレジストパターンの断面形状を表す
【図５】レーザ光（レーザスポット）が照射面に与える光エネルギーの分布を表す図
【図６】設計値どおりにレーザ光を走査したときにレジストフィルムに与えられるエネルギーの分布図（スポット単位）
【図７】設計値どおりにレーザ光を走査したときにレジストフィルムに与えられるエネルギーの分布図（累積エネルギー）
【図８】設計値どおりにレーザ光を走査したときに得られるレジストパターン    （ａ）はレジストパターンの平面形状、（ｂ）はレジストパターンの断面形状を表す
【図９】図８のレジストパターンの各部における膜厚を示すグラフ
【図１０】本発明の一実施の形態における露光方法によりレジストフィルムを露光したときにレジストフィルムに与えられるエネルギーの分布図（累積エネルギー）
【図１１】本発明の一実施の形態における露光方法によりレジストフィルムを露光したときに得られるレジストパターン  （ａ）はレジストパターンの平面形状、（ｂ）はレジストパターンの断面形状を表す
【図１２】図１１のレジストパターンの各部における膜厚を示すグラフ
【図１３】縮小量の算出方法について説明するための図
【図１４】本発明の一実施の形態における露光装置を含むシステムの概略構成を示す図
【図１５】露光装置の算出手段により実行される算出処理を示すフローチャート
【図１６】領域設定手段が出力するベクトルデータの一例を示す図
【図１７】図１６のベクトルデータをビットマップデータに変換した結果を示す図  （ａ）は第１変換処理部の出力、（ｂ）は第２処理部の出力を表す
【図１８】光照射領域を表すビットマップデータを表す図
【符号の説明】
【０１００】
１  レジストフィルム
２  高感度薄膜層
３  低感度厚膜層
４  ガラスエポキシ基材
５  銅薄膜
６ａ，６ｂ，１０ａ，１０ｂ，１４ａ，１４ｂ  円形パターン
７ａ，７ｂ，１１ａ，１１ｂ，１５ａ，１５ｂ  線状パターン
８ａ，８ｂ，１３ａ，１３ｂ，１７ａ，１７ｂ  高感度薄膜パターン
９ａ，９ｂ，１２ａ，１２ｂ，１６ａ，１６ｂ  低感度厚膜パターン
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５  ベクトルデータ
Ｐ１´，Ｐ２´，Ｐ３´，Ｐ４´，Ｐ５´  ビットマップデータ
【図１】
2005345749.tif 000003
【図２】
2005345749.tif 000004
【図３】
2005345749.tif 000005
【図４】
2005345749.tif 000006
【図６】
2005345749.tif 000007
【図７】
2005345749.tif 000008
【図８】
2005345749.tif 000009
【図９】
2005345749.tif 000010
【図１０】
2005345749.tif 000011
【図１１】
2005345749.tif 000012
【図１２】
2005345749.tif 000013
【図１３】
2005345749.tif 000014
【図１４】
2005345749.tif 000015
【図１５】
2005345749.tif 000016
【図１６】
2005345749.tif 000017
【図１７】
2005345749.tif 000018
【図１８】
2005345749.tif 000019
【図５】
2005345749.tif 000020