(57)【要約】【課題】  処理ガスを用いて基板の表面に所望の膜を成膜するにあたり、ウエハの裏面に膜は成膜されず且つ自動移載が可能な構造を有する基板保持具及び成膜処理装置を提供すること。【解決手段】  例えば縦型熱処理装置に用いられるウエハボートにおいて、基板と同じかそれよりもサイズが大きく、基板の周縁部が載置される載置面部を有する載置部を支柱に沿って多数配置し、前記載置面部に囲まれる空間を上下に移動可能で、前記空間を塞いだ状態で前記載置部に保持される基板受け渡し部を設ける。そして、前記基板受け渡し部が前記載置部よりも高く持ち上げられた状態で、当該基板受け渡し部に対して基板の受け渡しが行われ、基板受け渡し部が下降したときに基板が前記載置面部上に載置されるように構成する。【選択図】  図３
2005223142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を支柱に沿って棚状に保持し、縦型の反応容器内にて成膜処理するために用いられる基板保持具において、
前記基板と同じかそれよりも輪郭が大きく、基板の周縁部が載置される載置面部を有し、前記支柱に棚状に支持された複数の載置部と、
前記載置面部に囲まれる空間を上下に移動できるように設けられ、前記空間を塞いだ状態で前記載置部に保持される基板受け渡し部と、を備え、
前記基板受け渡し部が前記載置部よりも高く持ち上げられた状態で、当該基板受け渡し部に対して基板の受け渡しが行われ、基板受け渡し部が下降したときに基板が前記載置面部上に載置されることを特徴とする基板保持具。
【請求項２】
載置部はリング状に形成されると共に載置面部の内周側には、当該載置面部よりも低い段部がリング状に形成され、
基板受け渡し部は上面に鍔部が形成され、この鍔部の下面が前記段部で支持されることを特徴とする請求項１記載の基板保持具。
【請求項３】
基板受け渡し部の下端部は前記載置部よりも下方側に突出していることを特徴とする請求項１または２記載の基板保持具。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一に記載の基板保持具と、この基板保持具が搬入されて基板に対して成膜処理するための縦型の反応容器と、前記基板保持具に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を備え、
前記基板搬送機構は、基板を搬送するための進退自在な第１のアームと、前記基板保持具の基板受け渡し部を下方側から支持して昇降させ、前記基板受け渡し部の上面を前記載置部よりも上方に位置させて当該基板受け渡し部と前記第１のアームとの間で基板の受け渡しを行うための進退自在な第２のアームと、を備え、第２のアームは第１のアームに対して相対的に昇降できるように構成されていることを特徴とする成膜処理装置。
【請求項５】
基板を載置するための基板載置台と、この基板載置台がその内部に配置され、基板に対して処理するための反応容器と、前記基板載置台に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を備え、
前記基板載置台は、前記基板と同じかそれよりも輪郭が大きく、基板の周縁部が載置される載置面部を有する載置部と、前記載置面部に囲まれる空間を上下に移動できるように設けられ、前記空間を塞いだ状態で前記載置部に保持される基板受け渡し部と、を備え、基板受け渡し部が下降したときに基板が前記載置面部上に載置されるように構成され、
前記基板搬送機構は、基板を搬送するための進退自在な第１のアームと、前記基板載置台の基板受け渡し部を下方側から支持して昇降させ、前記基板受け渡し部の上面を前記載置部よりも上方に位置させて当該基板受け渡し部と前記第１のアームとの間で基板の受け渡しを行うための進退自在な第２のアームと、を備え、第２のアームは第１のアームに対して相対的に昇降できるように構成されていることを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば縦型熱処理炉で複数枚の基板を成膜処理するために、基板を水平状態で上下方向に所定の間隔で保持するための基板保持具及びこの基板保持具を用いた成膜処理装置並びに基板を載置台に載置して成膜処理やアニール処理等を行う処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、被処理基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に対してＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により成膜処理を行う工程があり、この工程は、多数枚のウエハを一括して処理するバッチ式の熱処理装置或いは枚葉式の熱処理装置により実施される。バッチ式の熱処理装置の一つである縦型熱処理装置は、ウエハを水平状態で上下方向に所定の間隔で多段に支持するためのウエハボートと呼ばれる熱処理用基板支持具が用いられている。このウエハボートには、大きく分けてラダーボートやリングボートと呼ばれるものがある。
【０００３】
上記ラダーボートは、ウエハの周囲を囲むように配置された複数本、例えば３〜６本の支柱を有し、これらの支柱にウエハを上下方向に所定の間隔で多段に支持するための凹状ないしは凸状の係止部が設けられている。また上記リングボートは、前記ラダーボートにおける係止部の代わりにウエハの周縁部を支持するためのリング状の支持部が設けられている。
【０００４】
しかしながら上記ラダーボート及びリングボートは、ウエハの周縁部が支持される構成であるため、ウエハの裏面は処理雰囲気に接しており、このため処理ガスを用いてウエハの表面に成膜するときに、ウエハの裏面まで成膜されてしまう。ウエハの裏面に成膜された膜は、不安定な状態であるため、例えば膜が機械的振動によって剥れ易い状態にあり、このことがパーティクルの発生の要因になる。
【０００５】
また、後工程において例えば真空処理を行う場合には通常静電チャックによってウエハを載置台に吸着させるが、ウエハの裏面側に膜が付くと静電チャックが機能しなくなるおそれがある。そのため成膜処理されたウエハに対して裏面洗浄を行っているが、この洗浄工程はウエハの表面にレジストを塗布する工程、ウエハを洗浄液で洗浄する工程、レジストを除去する工程からなるため、その分設備コストも高くなり、スループットも低下し、デバイス製作の原価に影響を及ぼしている。
【０００６】
特にＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）酸化膜やＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）やＢＳＧ(Boron Silicate Glass）又はＢＰＳＧ（Boron phosphorous Silicate Glass）などの成膜のように、ウエハの表面に厚い成膜を行う工程では、ウエハの裏面に１μｍ以上もの厚さに成膜されることが多いため静電チャックが機能しなくなる。
【０００７】
そしてまたウエハが高温熱処理されたときにスリップと呼ばれる結晶欠陥の発生を防止するために、ウエハに自重応力が生じないように構成したウエハボートが特許文献１に記載されている。図８に示すように、このウエハボート１０は、ウエハＷの下面全体を支持する支持板１１が支柱１２に多段に設けられ、前記支持板１１には挿通孔１３（支持ピン挿通孔）が形成されている。このウエハボート１０に対するウエハＷの移載は、第１の基板支持アーム１４に設けられた支持ピン１５が挿通孔１３内を通って突出し、続いて第２の基板支持アーム１６からウエハＷが支持ピン１５を介して支持板１１に受け渡されることにより行われる。
【０００８】
しかしながら、前記支持板１１には、例えば４つの挿通孔１３が開設されているため、支持板１１の裏から挿通孔１３を介して処理ガスが回り込んで挿通孔１３の４点に位置するウエハＷの裏面部分に成膜され、このように局所的に薄膜が付着すると剥れ易く、パーティクル汚染を引き起こし易い。また装置トラブルの一例として、４つの挿通孔１３に支持ピン１５が入ったまま第１の基板支持アーム１４を引き抜いてしまうと、ウエハボート１０が破損するという問題もある。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２４２０６７号公報（段落００１７、００１８、００２０、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は係る事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、基板を成膜処理するにあたり、基板の裏面への成膜を防止し且つ自動移載が可能な構造を有する基板保持具及び成膜処理装置を提供することにある。本発明の他の目的は、基板載置台を簡易化することのできる処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板保持具は、複数枚の基板を支柱に沿って棚状に保持し、縦型の反応容器内にて成膜処理するために用いられる基板保持具において、前記基板と同じかそれよりも輪郭が大きく、基板の周縁部が載置される載置面部を有し、前記支柱に棚状に支持された複数の載置部と、前記載置面部に囲まれる空間を上下に移動できるように設けられ、前記空間を塞いだ状態で前記載置部に保持される基板受け渡し部と、を備え、前記基板受け渡し部が前記載置部よりも高く持ち上げられた状態で、当該基板受け渡し部に対して基板の受け渡しが行われ、基板受け渡し部が下降したときに基板が前記載置面部上に載置されることを特徴とする。ここで載置部の面と基板受け渡し部の面とが重なって基板受け渡し部が載置部に保持されたときに、加工における面の仕上げ精度等により若干の隙間が開いているものであっても或いは僅かな隙間が両面の間に形成されていたとしても、その隙間を介して処理ガスが入り込んだときにパーティクルの発生及び静電チャックの支持に何ら支障がない程度の僅かな薄膜が付着する場合であれば、上記の「空間を塞いだ状態」に相当する。
【００１２】
前記載置部は、リング状に形成されると共に載置面部の内周側には、当該載置面部よりも低い段部がリング状に形成され、基板受け渡し部は、上面に鍔部が形成され、この鍔部の下面が前記段部で支持される。
【００１３】
また基板受け渡し部の下端部は、前記載置部よりも下方側に突出している。
【００１４】
本発明の成膜処理装置は、上記に記載の基板保持具と、この基板保持具が搬入されて基板に対して成膜処理するための縦型の反応容器と、前記基板保持具に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を備え、
前記基板搬送機構は、基板を搬送するための進退自在な第１のアームと、前記基板保持具の基板受け渡し部を下方側から支持して昇降させ、前記基板受け渡し部の上面を前記載置部よりも上方に位置させて当該基板受け渡し部と前記第１のアームとの間で基板の受け渡しを行うための進退自在な第２のアームと、を備え、第２のアームは第１のアームに対して相対的に昇降できるように構成されていることを特徴とする。
【００１５】
また本発明の処理装置は、基板を載置するための基板載置台と、この基板載置台がその内部に配置され、基板に対して処理するための反応容器と、前記基板載置台に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を備え、
前記基板載置台は、前記基板と同じかそれよりも輪郭が大きく、基板の周縁部が載置される載置面部を有する載置部と、前記載置面部に囲まれる空間を上下に移動できるように設けられ、前記空間を塞いだ状態で前記載置部に保持される基板受け渡し部と、を備え、基板受け渡し部が下降したときに基板が前記載置面部上に載置されるように構成され、前記基板搬送機構は、基板を搬送するための進退自在な第１のアームと、前記基板載置台の基板受け渡し部を下方側から支持して昇降させ、前記基板受け渡し部の上面を前記載置部よりも上方に位置させて当該基板受け渡し部と前記第１のアームとの間で基板の受け渡しを行うための進退自在な第２のアームと、を備え、第２のアームは第１のアームに対して相対的に昇降できるように構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、載置部の内側に基板受け渡し部を上下に移動自在に設けて、基板受け渡し部を介して基板の受け渡しを行うと共に、基板が載置部の載置面部に載置されたときには、基板受け渡し部が上下移動用の空間を塞いだ状態で載置部に保持されるので、基板の裏面側への処理ガスの回り込みが基板受け渡し部により阻止され、このため基板の裏面側への成膜を防止することができる。また、基板受け渡し部を介して外部の基板搬送機構に対して基板の受け渡しを行うことができるので、基板を自動搬送することでができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の成膜処理装置を縦型熱処理装置に適用した実施の形態を示す図である。２０は本発明の一実施の形態に相当する熱処理用基板支持具である例えば石英からなるウエハボートである。このウエハボート２０は上下に互に対向して配置された円形の天板２１及び底板２２を備え、これらの間に複数本例えば３本の支柱２３〜２５が固定されている。なお前記支柱２３〜２５の数は３本に限らず、２本或いは４本以上であってもよい。また前記天板２１は円形に限らず、例えばリング状であってもよい。
【００１８】
天板２１と底板２２との間には、図１及び図２に示す如く各々基板（被処理基板）であるウエハＷを棚状に支持するように多数の載置台３０が上下方向に所定の間隔をおいて配列されている。この実施の形態では、ウエハＷの配列ピッチ（載置台３０の配列ピッチ）は例えば３０ｍｍに設定されている。前記支柱２３〜２５の配置は、ウエハボート２０の各載置台３０に対して、後述する基板搬送機構によりウエハＷの移載作業が行えるように、ウエハボート２０の一側方において支柱２３、２４の間隔を大きくとることにより移載用搬送出入口４０として開放されている。
【００１９】
前記載置台３０は、特許請求の範囲の「載置部」に相当する外側載置部３１とこの外側載置部３１の内側に位置する基板受け渡し部３２とに分割されて構成されている。図３を用いて詳しく説明すると、前記外側載置部３１は、例えばリング状に形成されており、内側に向かって段階的に低くなるように３段のリング面が形成されている。ここで３段のリング面において、一番高い位置にある面から順番に上段面３３、中段面３４、下段面３５とすると、前記中段面３４にウエハＷの周縁部の下面が載置されるようになっている。この中段面３４が特許請求の範囲の「載置面部」に該当するものであり、その輪郭（外形）はウエハＷの輪郭よりも少し大きく作られている。前記外側載置部３１の外縁部は、前記各支柱２３〜２５に上下方向に間隔をおいて形成された溝内に挿入されて、例えば溶着されて固定されている。なお前記外側載置部３１は、各支柱２３〜２５に溶着されていなくても溝内に挿入されて着脱自在に支持されるようにしてもよい。
【００２０】
前記基板受け渡し部３２は、外側載置部３１の内側に上下動自在に設けられており、その形状は、例えば筒状体の上面を当該筒状体よりも大きい円板で塞いだ格好になっていて、この円板の周縁部が鍔部３６になっている。前記鍔部３６は、上述した外側載置部３１の下段面３５の上面に載置され、前記下段面３５と前記鍔部３６とが面接触することで外側載置部３１で囲まれる空間を塞ぎ、処理ガスがウエハＷの裏面に回り込まない構造となっている。
【００２１】
また載置台３０は、基板受け渡し部３２が外側載置部３１の下段面３５に保持されたときに外側載置部３１の中段面３４と基板受け渡し部３２の鍔部３６の上面とが同じ高さに（面一に）なるように構成されており、ウエハＷが外側載置部３１及び基板受け渡し部３２上に載置されるようになっている。即ち、この例では基板受け渡し部３２は、内側載置部としての役割も持っている。
【００２２】
以上のように構成されたウエハボート２０は、図１に示すように保温筒４１の上に着脱自在に装着されており、この保温筒４１はフランジ部４２を介してボートエレベータ４３の上に載置されている。またウエハボート２０の上方側には縦型の熱処理炉５０が配置されている。この熱処理炉５０は、図では見えないが下端が搬送口として開放された縦型の反応管の周囲にヒータ及び断熱体を設けてなり、反応管内に搬入されたウエハＷを加熱し、処理ガスにより成膜処理するように構成されている。５１は処理ガスを供給するガス供給管であり、５２は反応管内を排気する排気管である。
【００２３】
またこの縦型熱処理装置は、ウエハボート２０に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板搬送機構６０を備えている。この基板搬送機構６０は、図４に示すように、ウエハＷの下面周縁部を支持して搬送するための第１のアーム６１と、この第１のアーム６１の下側に設けられ、ウエハＷの受け渡し時に基板受け渡し部３２の下面側を支持し、所定の高さ位置まで持ち上げるための第２のアーム６２とを備えている。第１のアーム６１及び第２のアーム６２は、基台６３に対して鉛直軸回りに回転可能及び昇降可能なアーム支持台６４上に設けられており、このアーム支持台６４上を同一水平方向に夫々独立して進退移動可能に構成されている。上側の第１のアーム６１は、ウエハボート２０に対してウエハＷの受け渡しを行うときに、ウエハボート２０の基板受け渡し部３２と平面的に干渉しなように、例えばフォーク状に形成されており、中央の空間６１ａを基板受け渡し部３２が通過できるようになっている。また下側の第２のアーム６２は、アーム支持台６４に対して昇降できるように構成されている。
【００２４】
このように構成された基板搬送機構６０は、上述したウエハボート２０と複数枚例えば２５枚のウエハＷを所定間隔で収納している図示されない搬送用基板収容容器であるウエハカセットの載置領域との間に設けられ、ウエハボート２０とウエハカセットとの間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。
【００２５】
次に、この実施の形態の作用について説明する。先ず、図４に示す基板搬送機構６０の第１のアーム６１により図示しないウエハカセットからウエハＷを取り出し、次いで熱処理炉５０の下方側に位置しているウエハボート２０に対して前記第１のアーム６１及び第２のアーム６２が向くようにアーム支持台６４を回転させる。そして図５の（ａ）に示すように、第１のアーム６１を前進させてウエハＷを載置台３０の上方に位置させ、続いて図５の（ｂ）に示すように、第２のアーム６２を前進させて基板受け渡し部３２の下方に位置させる。次に図５の（ｃ）に示すように、第２のアーム６２を上昇させて基板受け渡し部３２の下側を支持しながら持ち上げ、これにより基板受け渡し部３２が第１のアーム６１の空間６１ａ内を通って第１のアーム６１上のウエハＷを突き上げ、ウエハＷを受け取る。その後、第１のアーム６１を後退させ、続いて図５の（ｄ）に示すように、第２のアーム６２により基板受け渡し部３２を下降させて、基板受け渡し部３２の鍔部３６を外側載置部３１の下段面３５に支持させる。このときウエハＷが外側載置部３１の中段面３４及び基板受け渡し部３２の上面に載置された状態となる。
【００２６】
このようなウエハＷの移載動作を、例えば基板搬送機構６０を順次下降させることにより或いはボートエレベータ４３を上昇させることにより、ウエハボート２０の上段側から下降側に順次行うことによって、所定枚数のウエハＷを上から順にボートエレベータ２０に載置した後、ボートエレベータ４３を上昇させてウエハボート２０を熱処理炉５０の中に搬入する。そして熱処理炉５０内を所定のプロセス温度雰囲気にすると共に熱処理炉５０内に処理ガスを供給し、ウエハＷの表面に所望の膜を成膜させる。成膜処理した後、ボートエレベータ４３を下降させてウエハボート２０を熱処理炉５０の中から搬出し、上記と逆の動作を行うことによりウエハボート２０からウエハカセットへウエハＷが順次移載される。  上述の実施の形態によれば、ウエハボート２０の載置台３０を外側載置部３１と基板受け渡し部３２とに分割し、基板受け渡し部３２を介してウエハＷの受け渡しを行うと共に、ウエハＷが外側載置部３１の載置面部である中段面３４に載置されるときには、基板受け渡し部３２が上下移動用の空間を塞いだ状態、即ち外側載置部３１の下段面３５の上面と基板受け渡し部３２の鍔部３６とが面接触している状態で外側載置部３１に保持されるので、ウエハＷの裏面側への処理ガスの回り込みが基板受け渡し部３２により阻止され、このためウエハＷの裏面側への成膜が防止される。従って後工程における静電チャックによるウエハＷの支持に支障が起こらないし、また裏面側の成膜に基づくパーティクルの発生の懸念もない。そして裏面洗浄工程が不要になることから、スループットの向上及び設備のコストの低減を図ることができ、例えば半導体デバイスのコストの低廉化につながる。
【００２７】
更に基板受け渡し部３２の昇降によりウエハＷの受け渡しができることからウエハＷの自動搬送を行うことができる。また第２のアーム６２を外側載置部３１の中へ進入させるのではなく、外側載置部３１から下方側に突出している基板受け渡し部３２の下部を持ち上げるので、例えば第２のアーム６２が上昇中に退避動作をするといったトラブルが発生しても載置台３０を破損するおそれがない。そしてまた、基板受け渡し部３２に内側載置部の機能を持たせてウエハＷの略全面を支持するようにしているため、ウエハＷの自重応力の発生を防止することができ、ウエハＷが高温に加熱されるときにおいて、スリップの発生を抑えることができる。加えて、基板受け渡し部３２の上面によりウエハＷの周縁部を除いた全体の面を面接触の状態で支持しながら昇降し、第１のアーム６１との間でウエハＷの受け渡しが行われるので、特許文献１に記載された支持ピン１５によりウエハＷの受け渡しを行う場合に比べてウエハＷの支持及び受け渡しが安定するため確実な搬送動作を行うことができる。
【００２８】
更にまた載置台３０は、外側載置部３１と基板受け渡し部３２とに分割されていて、基板受け渡し部３２の取り外しが可能であるため、基板受け渡し部３２のみを洗浄或いは交換することができるのでメンテナンス性が良いという利点もある。
【００２９】
本発明は、上述の実施の形態のように外側載置部３１と基板受け渡し部３２とによりウエハＷを支持することに限られるものではなく、基板受け渡し部３２が外側載置部３１に保持されたときに基板受け渡し部３２の上面が外側載置部３１の中段面３４よりも低くなるように構成してウエハＷが外側載置部３１にのみ載置されるようにしてもよい。
【００３０】
本発明で用いられる載置台３０は、載置部をリング状に形成して外側載置部３１として構成することに限られるものではなく、載置部を例えば円形状に形成して、ウエハＷの周縁部のみならず概ね全面が載置されるように構成してもよい。図６はこのような実施の形態を示す載置台７０の例であり、載置部７１は円形状に作られていて、そして載置部７１の例えば４箇所に厚さ方向に貫通する貫通孔７２が形成されると共に、各貫通孔７２の上部は拡径部７３として形成されている。各貫通孔７２には夫々支持ピン７４が嵌入されており、この支持ピン７４の上方側は、前記拡径部７３に収まる程度の鍔部７５として形成されいて支持ピン７４が拡径部７３で係止されるようになっている。更に支持ピン７４の下方側には前記第２のアーム６２で支持ピン７４を上下に動かすための支持板７６が設けられている。
【００３１】
この載置台７０を用いたウエハの移載方法を説明すると、ウエハＷを保持し、支持ピン７４と平面的に干渉しない形状に作られた第１のアーム６１を載置台７０の上方に位置させ、続いて第２のアーム６２により、支持板７６を持ち上げることによって４つの支持ピン７４で第１のアーム６１上のウエハＷを突き上げて支持ピン７４でウエハＷを受け取る。そして第１のアーム６１を退避させ、第２のアーム６２を下降させて、前記ウエハＷを載置部７１に載置させる。
【００３２】
このようにウエハＷが載置部７１に載置されると支持ピン７４の鍔部７５が拡径部７３の下面を塞ぐので、ウエハＷの裏面には処理ガスが回り込まないため、上述と同様な効果を得ることができる。
【００３３】
また本発明において、上述では第２のアーム６２を上下動させることで、基板受け渡し部３２を上下動させていたが、第２のアーム６２を基板受け渡し部３２の下方側に位置させ、そしてボートエレベータ４３によりウエハボート２０を下降させることで、基板受け渡し部３２を持ち上げ、次いで第１のアーム６１を下降させるようにしてもよい。即ち、基板搬送機構６０は、第１のアーム６１と第２のアーム６２との互いの高さ位置が相対的に変更できる構成であればよい。また上記基板搬送機構６０としては、第１のアーム６１と第２のアーム６２とを複数組設け、ウエハを複数枚ずつ移載するように構成されていてもよい。
【００３４】
更に本発明の載置台は、枚葉式の処理装置、例えば成膜処理、アニール処理等の熱処理、或いはエッチング処理、更にはレジスト塗布前の疎水化処理等を行う処理装置にも適用することができる。図７は、本発明の処理装置例えば成膜処理装置の概略断面図である。図中８０は処理容器であり、処理容器８０の内部にはウエハＷを載置するための載置台８１が備えられている。この載置台８１は、外側載置部８２と基板受け渡し部８３とで構成されており、基板受け渡し部８３の下方側が図示されない搬送アームが進入するためのアーム進入開口部８４として設けられている以外は、上述と同じ構造にあるので、ここでは詳細な説明は割愛する。処理容器８０の天井部にはガス供給部８５が形成されており、このガス供給部８５からウエハＷの表面に所望の膜を成膜するための処理ガスが供給されるようになっている。また処理容器８０の下面には、周方向に処理容器８０内を真空排気するための排気口８６が形成されている。
【００３５】
このように枚葉式の処理装置に適用することで、ウエハＷの裏面に膜が成膜されず前記アーム進入開口部８５に図示されない搬送アームを進入させて上述と同様な移載動作を行うことができ、従来の枚葉式の処理装置に用いられている昇降ピンのモータやシリンダーといった昇降機構を用いずにウエハＷを自動搬送することができる。更に処理容器８０の外に昇降機構を用いない構成であることから装置の簡素化及び装置においてトータルパーツのコスト削減につながる。
【００３６】
また本発明において、基板としては、半導体ウエハ以外に、例えばフラットパネル用のガラス基板等であっても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の成膜処理装置を縦型熱処理装置に適用した一例を示す概略斜視図である。
【図２】上記の縦型熱処理装置に用いられる基板保持具の一例を示す断面図である。
【図３】上記基板保持具に用いられる載置台を示す概略断面図である。
【図４】上記の縦型熱処理装置に用いられる基板搬送機構の一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るウエハの移載の様子を示す説明図である。
【図６】本発明に用いられる載置台の他の例を示す概略断面図及び概略平面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態の成膜処理装置を示す概略断面図である。
【図８】ウエハボートの従来の例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００３８】
Ｗ    ウエハ
２０  ウエハボート
３０  載置台
３１  外側載置部
３２  基板受け渡し部
３３  上段面
３４  中段面
３５  下段面
３６  鍔部
４０  移載用搬送出入口
５０  熱処理炉
６０  基板搬送機構
６１  第１のアーム
６２  第２のアーム
６３  基台
６４  アーム支持台
７０  載置台
７１  載置部
７２  貫通孔
７３  拡径部
７４  支持ピン
７５  鍔部
７６  支持板
【図１】
2005223142.tif 000003
【図２】
2005223142.tif 000004
【図３】
2005223142.tif 000005
【図４】
2005223142.tif 000006
【図５】
2005223142.tif 000007
【図６】
2005223142.tif 000008
【図７】
2005223142.tif 000009
【図８】
2005223142.tif 000010