(57)【要約】【課題】  反応容器内における電力分布の均一性を高め、形成される堆積膜の品質をより均一にし、その結果、優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することを可能とするプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】  反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、反応容器内の円筒状基体の周囲には、高周波電極及び円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源、前記高周波電源から出力された高周波電力が印加される高周波電極を備え、反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記反応容器内の前記円筒状基体の周囲には、前記高周波電極及び前記円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、前記補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記高周波電極及び前記複数の補助部材が、前記円筒状基体と略平行であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記高周波電極が、少なくとも一部が誘電体で構成された前記反応容器の外部に設置されていることを特徴とする請求項１乃至２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記補助部材表面と前記円筒状基体表面間の距離が、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記円筒状基体全長にわたって前記補助部材の導電性部分が対向していることを特徴とする請求項１乃至４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記高周波電力の周波数が２０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１乃至５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
高周波電源より出力された高周波電力を、高周波電極へと供給することによって、反応容器内にプラズマを生起し、前記反応容器内に設置された複数の円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記反応容器内の前記円筒状基体の周囲に、前記高周波電極及び前記円筒状基体とは異なる複数の補助部材を設置し、前記補助部材を少なくとも一部が導電性材料で形成し、かつ電気的に接地させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記高周波電極及び前記複数の補助部材を前記円筒状基体と略平行に設置することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記高周波電極を、少なくとも一部が誘電体で構成された前記反応容器の外部に設置することを特徴とする請求項７乃至８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記補助部材表面と前記円筒状基体表面間の距離が、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の距離に設置されていることを特徴とする請求項７乃至９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記円筒状基体全長にわたって前記補助部材の導電性部分が対向していることを特徴とする請求項７乃至１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記高周波電力の周波数が２０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項７乃至１１に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応容器内に設置された円筒状基体に、プラズマによって、処理を施すプラズマ処理装置及び方法に関するもので、とりわけプラズマＣＶＤ法により、円筒状基体に堆積膜形成を施す際に有効な装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
堆積膜形成方法の一つとして放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ法があり、この方法により形成される非晶質薄膜 (例えば水素又は／及びハロゲンによって補償されたアモルファスシリコン) は電子写真感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。特に１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、又、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。又、近年においては、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。（例えば、特許文献１参照）
図３Ａに従来のＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の代表例を示す模式的な構成図を示す。図３Ａは製造装置を横からみた概略断面図であり、図３Ｂは図３Ａの切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【０００３】
図３に示した装置は、反応容器（１０１）中央に回転機構（図示せず）によって回転可能な基体下部支持手段（１０２）が設置され、前記基体下部支持手段（１０２）及び基体キャップ（１０３）によって円筒状基体（１０４）が基体加熱ヒーター（１０５）を内包するように固定される。さらに、前記円筒状基体（１０４）を中心軸とした円周上に複数の高周波電極（１０６）及び原料ガス導入手段（１０７）が設置される。
【０００４】
上記の製造装置を使用することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によって、速い堆積膜形成速度でも高品質な堆積膜が得ることができ、製品の低コスト化、高品質化を実現することができる。
【特許文献１】特開平０６−２８７７６０（第１７頁、第１図）
【特許文献２】特開平１０−１８３３５４（第１９頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した製造装置は、形成される堆積膜の品質を向上する上で、或いはより生産性の高い堆積膜形成を実現する上で更なる工夫の余地が存在する。その原因の一つとして、反応容器内でのプラズマの分布が不均一となることが挙げられる。
【０００６】
図３に示した製造装置においては、高周波電力は円筒状基体の周囲に配置された高周波電極より反応容器内に導入される。
【０００７】
そして、反応容器内でのプラズマの分布を極力均一にするために、高周波電極は円筒状基体を中心軸とした円周上に等間隔に配置されている。
【０００８】
しかしながら、円筒状基体を中心として反応容器内の水平面方向のプラズマ分布を見た場合、高周波電極に面する方向と、そうでない方向ではプラズマ特性が異なり、その結果、円筒状基体に形成される堆積膜の品質にむらが生じることとなる。
【０００９】
そのような問題に対して、従来までは、堆積膜形成中に円筒状基体を回転させることによって、品質のむらを抑制してきた。
【００１０】
しかしながら、そのようにして形成された堆積膜は不均一な品質の堆積膜を重ね合わせた構成となるため、品質の低い部分の堆積膜が悪影響を及ぼし、堆積膜全体の品質をより高くすることが容易ではない場合がある。特に近年においては、電子写真感光体に求められる品質レベルはますます高くなってきており、従来の手法では対処しきれない場合が出てきている。
【００１１】
この問題に対しては、導入する高周波電力値をより高くすることによって、電極に面しない円筒状基体部分に形成される堆積膜の品質を高くすることは可能であるが、そうした場合、電力が導入されやすい空間には過剰な電力が導入されてしまう場合があり、逆に形成する堆積膜にダメージを与え、品質の低下やさらには膜剥がれの原因となる場合がある。
【００１２】
又、プラズマの均一化を実現するために、高周波電極の本数を増加させた装置構成、或いは、図３に示すような棒状の高周波電極を用いるのではなく、図４に示すように、反応容器の外壁自体に高周波電力を印加し、反応容器外壁を高周波電極として用いるような装置構成が考えられるが、ＶＨＦ帯の高周波電力を使用する場合、電極の表面積が大きくなりすぎると、電極表面を高周波電力が伝播する際に強度が減衰してしまい、逆にプラズマの分布を不均一にしてしまう場合がある。
【００１３】
又、反応容器中に少なくとも一部が導電性材料で構成された電気的にフローティングの補助部材をプラズマの強度が弱い位置に設置することによって、反応容器内に導入された高周波電力の一部を前記補助部材に伝播させ、あたかも直接電力が印加される高周波電極と同様の働きをもたせる構成も提案されており（特許文献２参照）、そのような装置構成とすることによって、プラズマの不均一性は大幅に改善される。しかしながら、そのように反応空間内に電気的にフローティングの補助部材を設置した場合、理由は定かではないが、堆積膜形成条件によっては、安定な放電を長時間維持することが容易ではない場合あった。
【００１４】
[発明の目的]
従って本発明の目的は、上述したような従来の問題点を克服し、反応容器内におけるプラズマの均一性を高め、形成される堆積膜の品質をより均一にし、その結果、優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することを可能とするプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行なった結果、ＶＨＦ帯近辺の高周波電力を使用する場合においては、反応容器内に設置する補助部材が電気的に接地されていたとしても、前記補助部材には高周波電力が伝播し、その結果、あたかも直接電力が印加される高周波電極と同様に周囲の空間に高周波電力を放射する働きをもたせることが可能であること見出した。さらには、前記補助部材は電気的に接地することにより、安定な放電を長時間維持することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明のプラズマ処理装置は、高周波電源、前記高周波電源から出力された高周波電力が印加される高周波電極を備え、反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記反応容器内の前記円筒状基体の周囲には、前記高周波電極及び前記円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、前記補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴としている。
【００１６】
本発明においては、補助部材を電気的に接地することによって、安定な放電を長時間維持することを実現しているが、その理由は定かではないが以下のように考えている。補助部材を電気的にフローティングの状態でプラズマ空間に設置した状況で、長時間にわたってプラズマによる処理を続けた場合、堆積膜形成条件によっては、補助部材に電荷が蓄積されるため表面電位が不安定になり、放電が不安定になる場合があるが、補助部材を電気的に接地することによって、そのような電荷の蓄積を防止することができ、安定な放電を長時間維持できるのではないかと考えている。
【００１７】
又、補助部材を電気的にフローティングの状態でプラズマ空間に設置した状況でa-Si膜のような半導体膜を形成する場合、堆積膜形成が進むにつれ補助部材を電気的にフローティングにするための絶縁部の表面にも堆積膜が形成され、そのため絶縁部の導電性が変化してしまい、堆積膜形成中に補助部材への高周波電力の伝播状況が変化してしまう場合があるが、補助部材を電気的に接地することによって、そのような高周波電力の伝播状況の変化を抑制することができ、安定な放電を長時間維持できるのではないかと考えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、図１に示した装置を使用して実施される、本発明による堆積膜形成方法の一例を以下に詳述する。
【００１９】
反応容器（１０１）内に円筒状基体（１０４）を設置した後、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて反応容器（１０１）内を真空引きする。反応容器（１０１）内を十分排気した後、ガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ2、Ａｒ及びＨ２等のガスボンベ（図示せず）から供給される内の必要とされる加熱用ガスが、圧力調整器（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管（１０８）、原料ガス導入手段（１０７）を介して反応容器（１０１）内に送り込まれる。加熱用ガス導入後の反応容器（１０１）内圧力は圧力測定手段（１０９）によってモニターされ、スロットルバルブ（１１０）の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の基体加熱環境が整ったところで、円筒状基体（１０４）は基体加熱ヒーター（１０５）によって間接的に所定の温度にまで加熱される。
【００２０】
所定の加熱終了後、ガス供給装置（図示せず）内のＳｉＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等のガスボンベ（図示せず）から供給される内の必要とされる堆積膜形成用ガスが、圧力調整器（図示せず）及びマスフローコントローラー（図示せず）等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管（１０８）、原料ガス導入手段（１０７）を介して、反応容器（１０１）内に送り込まれる。堆積膜形成用ガス導入後の反応容器（１０１）内圧は圧力測定手段（１０９）によってモニターされ、スロットルバルブ（１１０）の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の堆積膜形成環境が整ったところで、高周波電源（１１１）より出力された高周波電力が、整合回路（１１２）を介した後に、電気的に接地された壁面からなる電力分割容器（１１３）内に導入される。その後高周波電力は電力分割容器（１１３）内の電力分割部（１１４）において複数の導体線路（１１５）へと分割され、反応容器（１０１）内に設置された高周波電極（１０６）を介して、反応容器（１０１）内に導入されプラズマを生起する。該プラズマにより堆積膜形成用ガスが分解され、円筒状基体（１０４）上に堆積膜を形成する。この際に、反応容器（１０１）内に導入された高周波電力の一部は、電気的に接地された補助部材（１１６）に伝播し、該補助部材（１１６）は伝播された高周波電力を周囲の空間に放射することによって、周囲の空間に生起されたプラズマの強度を強め、プラズマの均一化を実現することができる。
【００２１】
又、本発明においては、高周波電極（１０６）及び複数の補助部材（１１６）が円筒状基体と略平行であることによって、より均一なプラズマを得ることが可能となり、本件の効果を十分に得ることができより好ましい。
【００２２】
又、本発明においては、図２に示すように、高周波電極（１０６）が、少なくとも一部が誘電体で構成された反応容器（２０１）の外部に設置されていることにより、より均一なプラズマを得ることが可能となり、本件の効果を十分に得ることができより好ましい。その理由は定かではないが、高周波電極（１０６）が放電空間の外に設置されているために、プラズマへの直接的な寄与が低減し、放電空間内において高周波電力が部分的に強くなるような空間が低減されるからでないかと考えている。
【００２３】
又、本発明における補助部材（１１６）の導電性部分の材質としては、特に制限はないが、ある程度の高温及びプラズマ中での使用に耐えうる材料であるものが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属、或いはステンレス等の合金が挙げられる。
【００２４】
又、本発明においては、補助部材（１１６）表面と円筒状基体（１０４）表面間の距離は、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることが好ましい。補助部材（１１６）表面と円筒状基体（１０４）表面間の距離が２０ｍｍ以下となると、プラズマ処理条件によっては、補助部材（１１６）と円筒状基体（１０４）の間にプラズマが生起されない場合があり、本発明の効果が十分に得られない場合があるからである。又、補助部材（１１６）表面と円筒状基体（１０４）表面間の距離が１００ｍｍ以上となると、プラズマ処理条件によっては、補助部材（１１６）から放射される高周波電力が、円筒状基体（近傍まで影響を及ぼさない場合があり、本発明の効果を十分に得ることができない場合があるからである。
【００２５】
又、本発明においては、前記円筒状基体（１０４）全長にわたって前記補助部材（１１６）の導電性部分が対向する構成とすることによって、本発明の効果をより顕著に得ることができる。ここでいう、前記円筒状基体（１０４）全長にわたって前記補助部材（１１６）の導電性部分が対向する構成とは、図５Ａに示すＬの部分が導電性である場合であり、図５Ｂのような構成は含まれない。
【００２６】
又、本発明において、使用される高周波電力周波数としては、２０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲で効果的である。その理由は定かではないが、高周波電力の周波数が２０ＭＨｚよりも小さい場合、充分な高周波電力が補助部材に伝播せず、本発明の効果を充分に得られない場合があるからであると考えている。又、高周波電力の周波数が２５０ＭＨｚよりも高い場合では、高周波電力が高周波電極や補助部材を伝播する際に著しく減衰してしまい、均一なプラズマを実現することが困難な場合があるからであると考えている。
【００２７】
（実施例）
以下、本発明の堆積膜形成装置及び方法について、実施例及び比較例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【００２８】
（実施例１）
図1に示したプラズマ処理装置において、高周波電源（１１１）として発振周波数１０５ＭＨｚのものを使用し、表１に示す条件で、直径８０[ｍｍ]、長さ３５８[ｍｍ]の円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を堆積し電子写真感光体を作製した。
【００２９】
尚、本例においては、補助部材（１１６）として、直径３０[ｍｍ]、長さ５００[ｍｍ]のアルミニウム製の円柱状部材を使用した。
【００３０】
尚、本例においては、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は静止させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
（比較例１）
本例では、図３に示したプラズマ処理装置を使用し、実施例１と同様の条件で、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電子写真感光体を作製した。
尚、本例においては、実施例１で使用した補助部材（１１６）は使用していない。
尚、本例においても、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は静止させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００３３】
（実施例１及び比較例１評価）
実施例１及び比較例１において作製した、電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例１で作製した電子写真感光体と比較例１で作製した電子写真感光体との比較を行った。
【００３４】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ−５０００に設置し、評価項目は、『残留電位周ムラ』とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００３５】
『残留電位周ムラ』
現像器位置における暗部電位の周方向一周分の平均値が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、所定の光量の像露光を照射し、そのときの現像器位置における表面電位を測定し、その値を『残留電位』とする。実施例１及び比較例１で作製した電子写真感光体の軸方向中位置において、図１及び図３に示すＡ方向を０°方向として『残留電位』を周方向一周分１０°刻みに測定し、それぞれの値を最小値で割った値を『周ムラ』の評価指針とする。よって値が小さく、１に近い程『周ムラ』は良好である。
【００３６】
実施例１及び比較例１の結果をそれぞれ、図６及び図７に示す。図６では周方向で大きなムラは観測されないが、図７では、周方向で１２０°周期で大きなムラが観測される。図７の結果を図３における装置構成と対比させると、電極の配置とムラの周期が一致し、電極に面しない部分が電極に面する部分よりも『残留電位』が大きくなっているが、図１に示すように、補助部材（１１６）を設置することにより、『残留電位周ムラ』が大幅に改善されることがわかる。
【００３７】
（実施例２）
図1に示したプラズマ処理装置において、高周波電源（１１１）として発振周波数１０５ＭＨｚのものを使用し、実施例１で使用した表１に示す条件に変えて、表２に示す条件で、直径８０[ｍｍ]、長さ３５８[ｍｍ]の円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を堆積し電子写真感光体を作製した。
【００３８】
尚、本例においては、補助部材（１１６）として、直径３０[ｍｍ]、長さ５００[ｍｍ]のアルミニウム製の円柱状部材を使用した。
【００３９】
尚、本例においては、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は回転させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００４０】
【表２】
2005133127.tif 000004
【００４１】
（比較例２）
本例では、図３に示したプラズマ処理装置を使用し、実施例２と同様の条件で、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電子写真感光体を作製した。
【００４２】
尚、本例においても、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は回転させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００４３】
（比較例３）
本例では、図１に示したプラズマ処理装置において、補助部材（１１６）を電気的にフローティングに設置した構成で、実施例２と同様の条件で、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電子写真感光体を作製した。
【００４４】
尚、本例においても、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は回転させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００４５】
（実施例２、比較例２及び比較例３評価）
実施例２、比較例２及び比較例３において作製した、電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例２で作製した電子写真感光体と比較例２及び比較例３で作製した電子写真感光体との比較を行った。
【００４６】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ−５０００に設置し、評価項目は、『感度』及び『光メモリー』とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００４７】
『感度』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現像器位置における表面電位が所定の値となるようにし、そのときの露光量を測定する。実施例２、比較例２及び比較例３で作製した電子写真感光体の軸方向中位置における前記露光量を測定し、その値を『感度』とする。従って、数値が小さいほど良好である。
【００４８】
実施例２、比較例２及び比較例３毎に『感度』を測定し、それぞれについて比較例２と比較し、比較例２の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００４９】
Ａ  比較例２と比較して９０％未満
Ｂ  比較例２と比較して９０％以上１００％未満
Ｃ  比較例２と比較して１００％以上１１０％未満
Ｄ  比較例２と比較して１１０％以上
『光メモリー』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光を照射する。電子写真感光体の現像器位置での表面電位が所定の値になるように像露光光源の光量を調整する。この像露光条件において、現像器位置での非露光状態での表面電位と、一旦露光した後に再度帯電した時の表面電位とを測定し、両者の電位差を算定し、その値を『光メモリー』とする。従って、数値が小さいほど良好である。
【００５０】
実施例２、比較例２及び比較例３毎に『感度』を測定し、それぞれについて比較例２と比較し、比較例２の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５１】
Ａ  比較例２と比較して８０％未満
Ｂ  比較例２と比較して８０％以上１００％未満
Ｃ  比較例２と比較して１００％以上１２０％未満
Ｄ  比較例２と比較して１２０％以上
その結果を表３に示す。
【００５２】
【表３】
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【００５３】
表３より明らかな様に、本発明のプラズマ処理装置及び方法を実施することにより、優れた品質の電子写真感光体を作製することができることがわかる。
【００５４】
（実施例３）
実施例２と同様の装置及び条件で、２０本の電子写真感光体を作成した。
【００５５】
（比較例４）
比較例３と同様の装置及び条件で、２０本の電子写真感光体を作成した。
【００５６】
（実施例３及び比較例４評価）
実施例３及び比較例４において作製した、電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例３で作製した電子写真感光体と比較例４で作製した電子写真感光体との比較を行った。
【００５７】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ−５０００に設置し、評価項目は、『感度ばらつき』及び『光メモリーばらつき』とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００５８】
『感度ばらつき』
実施例３、比較例４で作製したそれぞれ２０本の電子写真感光体の軸方向中位置における『感度』を測定する。２０本の電子写真感光体の『感度』の平均値に対する最大値と最小値の差を『感度ばらつき』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３について比較例４と比較し、比較例４の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５９】
Ａ  比較例４と比較して８０％未満
Ｂ  比較例４と比較して８０％以上１００％未満
Ｃ  比較例４と比較して１００％以上１２０％未満
Ｄ  比較例４と比較して１２０％以上
『光メモリーばらつき』
実施例３、比較例４で作製したそれぞれ２０本の電子写真感光体の軸方向中位置における『光メモリー』を測定する。２０本の電子写真感光体の『光メモリー』の平均値に対する最大値と最小値の差を『光メモリーばらつき』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３について比較例４と比較し、比較例４の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００６０】
Ａ  比較例４と比較して８０％未満
Ｂ  比較例４と比較して８０％以上１００％未満
Ｃ  比較例４と比較して１００％以上１２０％未満
Ｄ  比較例４と比較して１２０％以上
【００６１】
【表４】
2005133127.tif 000006
【００６２】
表４より明らかな様に、本発明の堆積膜形成装置及び方法を実施することにより、優れた品質の電子写真感光体を再現性良く作製することができることがわかる。
【００６３】
（実施例４）
本例では、実施例３で使用した図１に示したプラズマ処理装置に変えて、図２に示したプラズマ処理装置を使用し、表５に示す条件で、直径８０[ｍｍ]、長さ３５８[ｍｍ]の円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を堆積し電子写真感光体を作製した。
【００６４】
尚、本例においては、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）は回転させた状態で、プラズマ処理を実施した。
【００６５】
作成した電子写真感光体を、実施例２及び実施例３と同様の評価を行ったところ、実施例２及び３と同様の特性が得られ、優れた品質の電子写真感光体を再現性良く作製することができた。
【００６６】
【表５】
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【００６７】
（実施例５）
本例は、実施例２で使用したプラズマ処理装置を使用し、補助部材（１１６）表面と円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）表面間の距離を、（イ）１０ｍｍ、（ロ）２０ｍｍ、（ハ）５０ｍｍ、（ニ）１００ｍｍ、（ホ）１２０ｍｍとして、実施例２と同様の条件で電子写真感光体を作製した。
【００６８】
実施例５の（イ）〜（ホ）において作製した電子写真感光体の『感度』及び『光メモリー』を、実施例２に記載した方法で評価し、実施例５（ロ）の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００６９】
Ａ  実施例５（ロ）と比較して９０％未満
Ｂ  実施例５（ロ）と比較して９０％以上１００％未満
Ｃ  実施例５（ロ）と比較して１００％以上１１０％未満
Ｄ  実施例５（ロ）と比較して１１０％以上
その結果を表６に示す。
【００７０】
【表６】
2005133127.tif 000008
【００７１】
表６から明らかな様に、補助部材（１１６）表面と円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）表面間の距離を、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とすることにより、優れた品質の電子写真感光体を作製することができた。
【００７２】
（実施例６）
本例においても、実施例２で使用したプラズマ処理装置を使用し、（ィ）図５Ａに示すように、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）全長にわたって補助部材（１１６）の導電性部分が対向する構成（即ち図中Ｌ部が導電性である）で、（ロ）図５Ｂに示すように、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）の一部（図中α部）が補助部材（１１６）と対向しない構成で、実施例２と同様の条件で電子写真感光体を作製した。
【００７３】
実施例６の（イ）及び（ロ）において作製した電子写真感光体の『感度』及び『光メモリー』を、実施例２に記載した方法を用いて評価する。但し、実施例２とは測定位置が異なり、図５Ｂにαで示した範囲の中央位置を評価し、実施例６（ロ）の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００７４】
Ａ  実施例６（ロ）と比較して９０％未満
Ｂ  実施例６（ロ）と比較して９０％以上１００％未満
Ｃ  実施例６（ロ）と比較して１００％以上１１０％未満
Ｄ  実施例６（ロ）と比較して１１０％以上
【００７５】
【表７】
2005133127.tif 000009
【００７６】
表７から明らかな様に、円筒状アルミニウムシリンダ（１０４）全長にわたって補助部材（１１６）の導電性部分が対向していることにより、優れた品質の電子写真感光体を作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明における堆積膜形成装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図２】本発明における堆積膜形成装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図３】従来の堆積膜形成装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図４】従来の堆積膜形成装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図５】本発明における堆積膜形成装置の一例で、円筒状基体と補助部材の位置関係を示す模式的説明図である。
【図６】実施例１で作製した電子写真感光体の評価結果を示すグラフである。
【図７】比較例１で作製した電子写真感光体の評価結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７８】
１０１  反応容器
１０２  基体下部支持手段
１０３  基体キャップ
１０４  円筒状基体
１０５  基体加熱ヒーター
１０６  高周波電極
１０７  原料ガス導入手段
１０８  ガス配管
１０９  圧力測定手段
１１０  スロットルバルブ
１１１  高周波電源
１１２  整合回路
１１３  電力分割容器
１１４  電力分割部
１１５  導体線路
１１６  補助部材
２０１  少なくとも一部が誘電体で構成された反応容器
【図１】
2005133127.tif 000010
【図２】
2005133127.tif 000011
【図３】
2005133127.tif 000012
【図４】
2005133127.tif 000013
【図５】
2005133127.tif 000014
【図６】
2005133127.tif 000015
【図７】
2005133127.tif 000016