(57)【要約】    【課題】  樹脂絶縁層へレーザにより開口を形成する際にデスミヤ処理が不要なプリント配線板の製造方法を提案する。    【解決手段】  レーザをレーザ透過板２４６及び水２４４を透過させて樹脂絶縁層７０に開口７１を穿設する。樹脂絶縁層７０表面を水２４４で覆うため、樹脂絶縁層７０が空気から遮断され、スミヤの形成が少ない。更に、水２４４の吸熱作用により温度上昇が抑えられ、開口７１の底部の導体回路５８にスミヤが形成されない。このため、デスミヤ処理が不要となる。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路を有する基板上に樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層にレーザで穿設した開口を施して、当該導体回路との電気的な接続を行うプリント配線板の製造方法において：
樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層表面を溶液で覆い、該溶液上にレーザ透過部材を配置するステップと；
前記レーザ透過部材及び前記溶液を透過させてレーザで前記樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層に開口を穿設するステップと；
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂絶縁層表面に前記溶液を流しながら循環させることを特徴とする請求項１のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
導体回路を有する基板上に樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層にレーザで穿設した開口を施して、当該導体回路との電気的な接続を行うプリント配線板の製造装置において：
樹脂絶縁層表面を覆う溶液と；
該溶液上に配置されたレーザ透過部材と、
レーザ透過部材及び前記溶液を透過させてレーザで前記樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層に開口を穿設するレーザ照射器と；
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造装置。
【請求項４】
前記レーザ照射器は、ＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザのいずれかであることを特徴とする請求項３のプリント配線板の製造装置。
【請求項５】
前記レーザ透過部材は、ガラス材料から成ることを特徴とする請求項３又は請求項４のプリント配線板の製造装置。
【請求項６】
前記溶液は、水、金属塩を含有する水、酸溶液、アルカリ溶液、アルコールのいずれか１以上であることを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれか１のプリント配線板の製造装置。
【請求項７】
プリント配線板を載置する治具に冷却機構を設けたことを特徴とする請求項３〜請求項６のいずれか１のプリント配線板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、樹脂絶縁層にレーザで穿設した開口を介して当該樹脂絶縁層の下層と上層との導通を取るためのバイアホールを形成させるあるいはソルダーレジスト層の開口パッドを形成させるプリント配線板の製造方法、及び、プリント配線板の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビルドアップ多層配線板などの多層プリント配線板において、層間絶縁層のバイアホールの形成、あるいはソルダーレジスト層への開口の形成は、開口するパターンの描かれたマスクを用いて露光・現像により、行っていた。近年、多層プリント配線板において高密度化の要求に従来技術の露光・現像方式では対応し難いため、レーザにより層間絶縁層のバイアホールの形成及びソルダーレジスト層へ開口を穿設することが実用化されている。
【０００３】
図１０を参照してソルダーレジスト層へのレーザによる開口の穿設、及び、半田バンプの形成について説明する。図１０（Ａ）に示すように、導体回路２５４が形成された基板２６０の上にソルダーレジスト層２７０が形成されている。レーザによりソルダーレジスト層２７０に開口２７１を形成する（図１０（Ｂ））。この際に開口２７１の表面に、腐食性を向上させるために、Ｎｉ−Ａｕ層等を形成させる（図１０（Ｃ））。開口２７１に半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで半田バンプ２７６を形成する（図１０（Ｄ））。
一方、層間絶縁層へのレーザーによるバイアホールの形成について図１１を参照して説明する。図１１（Ａ）に示すように、導体回路２５４が形成された基板２６０上に予め粒子が含浸された層間絶縁層２５０を形成する。レーザにより、樹脂層２５０を開口し、バイアホール２５１を形成する（図１１(B)）。この後、酸あるいは酸化剤などの粗化液に浸漬して、層間絶縁層２５０の表層に粗化層を形成する。粗化層が形成された層間絶縁層２５０とバイアホール２５１内に触媒を付与した後に、全面に無電解めっき膜２５３を形成する（図１１(C)）。無電解めっき膜２５３上にレジスト層を形成し、露光、現像を経て、レジスト３５５の非形成部を形成する（図１１(Ｄ)）。レジスト非形成部に電解めっき膜２５７を形成した後、レジストを剥離することにより、バイアホール２５１に無電解めっき２５３と電解めっき２５７からなる導体層２５９を形成する（図１１(Ｅ)）。
特許文献１には、レーザにより層間絶縁層へ開口を穿設する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２４４６４１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、層間絶縁層あるいはソルダーレジスト層にレーザにより開口を形成した際に、開口底部の導体層上にスミアが残ることがある。スミアとは、該樹脂をレーザで処理した時に形成される樹脂の残りかすである。これらを除去しないと、後工程でのメッキ膜の形成を阻害してしまい、未形成や析出異常を引き起こす。また、めっき膜が形成されたとしても、スミアが電気接続性を低下させる。もしくは、残存しているスミアにより、ヒートサイクル条件下などの信頼性を低下させてしまうのである。
また、スミアを除去するためにデスミア処理を行なった。デスミア処理としては、プラズマなどの乾式によるデスミア処理あるいは、過マンガン酸などの浸漬による方法のいずれかで行なったとしても、スミアが完全に除去できないこともあった。そのために同様の電気接続性や信頼性を低下させてしまった。
上述した課題を解決するため本発明の目的は、樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層へレーザにより開口を形成する際にデスミヤの形成を抑制し得るプリント配線板の製造方法及びその製造装置を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するため、本発明のプリント配線板の製造方法は、導体回路を有する基板上に樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層にレーザで穿設した開口を施して、当該導体回路との電気的な接続を行うプリント配線板の製造方法において：  樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層表面を溶液で覆い、該溶液上にレーザ透過部材を配置するステップと；
前記レーザ透過部材及び前記溶液を透過させてレーザで前記樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層に開口を穿設するステップと；を備えることを技術的特徴とする。
【０００６】
また、本発明のプリント配線板の製造装置は、導体回路を有する基板上に樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層にレーザで穿設した開口を施して、当該導体回路との電気的な接続を行うプリント配線板の製造装置において：
樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層表面を覆う溶液と；
該溶液上に配置されたレーザ透過部材と、
レーザ透過部材及び前記溶液を透過させてレーザで前記樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層に開口を穿設するレーザ照射器と；を備えることを技術的特徴とする。
【０００７】
本願のプリント配線板の製造方法では、樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層表面を溶液で覆ため、樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層が空気から遮断されることとなる。そのため、レーザを照射して開口を穿設する際に、酸素が少ないために、レーザ熱により反応することが抑えられ、結果としてスミヤの形成が低減することができるのである。
また、溶液の吸熱作用によりレーザ照射部の温度上昇が抑えられ、開口（バイアホール、ソルダーレジスト層の開口）の底にスミヤが形成されない。このため、デスミヤ処理が不要となる。例え開口底部にスミアが形成されたとしても、形成時の炭化されていないために、除去が容易になる。
更に、層間絶縁層（樹脂絶縁層）の開口にめっき膜を被覆してバイアホールとした際も、ソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）の開口腐食めっき膜を形成した際にも、未析出やめっき膜の析出異常を引き起こすことがない。バイアホールであれば、開口底部の導体層との電気的な接続が阻害されないし、ヒートサイクルなどの信頼性試験を行っても低下させることがない。
つまり、スミアを起因とする不具合を引き起こさなくなり、その結果として、プリント配線板としての電気接続性や信頼性を低下させることがないのである。
【０００８】
本願のプリント配線板の製造方法では、樹脂絶縁層表面に溶液を循環させている。つまり、常に、溶液が流れていて、入れ替わっているため、樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層を効率的に冷却でき、スミヤの形成が少ない。レーザを照射して開口を穿設する際に、開口から飛散した樹脂を溶液中に浮遊させることで、開口近傍の樹脂絶縁層表面に付着しなくなり、更に、循環することで飛散した樹脂を循環させる溶液により除去して回収することが可能になる。
【０００９】
本願のプリント配線板の製造装置では、樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層表面を溶液で覆ため、該樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層が空気から遮断され、レーザを照射して開口を穿設する際にスミヤの形成を低減することができる。。更に、溶液の吸熱作用によりレーザ照射部の温度上昇が抑えられ、開口（バイアホール、ソルダーレジスト層の開口）の底にスミヤが形成されにくくなる。例え開口底部にスミアが形成されたとしても、スミア形成時の炭化されていないために、除去が容易になる。
更に、層間絶縁層（樹脂絶縁層）の開口にめっき膜を被覆してバイアホールとした際も、ソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）の開口腐食めっき膜を形成した際にも、未析出やめっき膜の析出異常を引き起こすことがない。バイアホールであれば、開口底部の導体層との電気的な接続が阻害されないし、ヒートサイクルなどの信頼性試験を行っても低下させることがない。
また、スミアを起因とする不具合を引き起こさなくなり、その結果として、プリント配線板としての電気接続性や信頼性を低下させることがないのである。
【００１０】
請求項４のプリント配線板の製造装置では、レーザ照射器がＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザのいずれかであるため、レーザ透過部材及び溶液を透過させて樹脂絶縁層に開口を穿設することができる。
【００１１】
請求項５のプリント配線板の製造装置では、レーザ透過部材がガラス材料から成るため、レーザ光が減衰せず樹脂絶縁層に開口を適切に穿設することができる。また、低屈折率であるガラス材料から成るレーザ透過部材と液体である溶液との屈折率の違いが小さく、両者界面で反射等が生ぜず、樹脂絶縁層の狙った位置に開口を穿設することが可能となる。
【００１２】
請求項６のプリント配線板の製造装置では、溶液は、水、金属塩を含有する水、酸溶液、アルカリ溶液、アルコールのいずれか１以上である。水、金属塩を含有する水、アルコールを用いることで、レーザで開口を穿設する際に、開口の表面に樹脂の化学反応による変質部分を形成させることがない。また、酸溶液、アルカリ溶液を用いることで、レーザを照射して開口を穿設する際に、開口から飛散した樹脂を溶液中に解かすことができる。
【００１３】
請求項７では、プリント配線板を載置する治具に冷却機構を配置してある。レーザが照射される反対側（裏面側）からも冷却することで、樹脂絶縁層を効率的に冷却でき、スミヤの形成を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図８を参照して実施形態に係るソルダーレジスト層へのレーザによる開口の穿設、及び、半田バンプの形成について説明する。図８（Ａ）に示すように、導体回路２５４が形成された基板２６０の上にソルダーレジスト層２７０が形成されている。該基板２６０上に合成石英ガラス等からなるレーザ透過板２４６を配置し、該レーザ透過板２４６の底面とプリント配線板３０に被覆されたソルダーレジスト層２７０上に水２４４を満たす（図８（Ｂ））。水２４４は、図示しない循環機構によって循環される。なお、図示しないが、基板２６０を載置するテーブル内にはプリント配線板を冷却するための冷却パイプが配管されている。
【００１５】
レーザをレーザ透過板２４６及び溶液２４４を透過させてソルダーレジスト層２７０に開口２７１を穿設する（図８（Ｃ））。この際に開口２７１の表面に、腐食性を向上させるために、Ｎｉ−Ａｕ層等を形成させる（図８（Ｄ））。開口２７１に半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで半田バンプ２７６を形成する（図１０（Ｅ））。
【００１６】
一方、層間絶縁層へのレーザーによるバイアホールの形成について図７を参照して説明する。図７（Ａ）に示すように、導体回路２５４が形成された基板２６０上に予め粒子が含浸された層間絶縁層２５０を形成する。該基板２６０上に合成石英ガラス等からなるレーザ透過板２４６を配置し、該レーザ透過板２４６の底面とプリント配線板３０に被覆された樹脂絶縁層７０上に水２４４を満たす（図７（Ｂ））。水２４４は、図示しない循環機構によって循環される。
【００１７】
レーザをレーザ透過板２４６及び溶液２４４を透過させて層間絶縁層２５０に開口２５１を穿設する（図７（Ｃ））。この後、酸あるいは酸化剤などの粗化液に浸漬して、層間絶縁層２５０の表層に粗化層を形成する。粗化層が形成された層間絶縁層２５０とバイアホール２５１内に触媒を付与した後に、全面に無電解めっき膜２５３を形成する（図７(Ｄ)）。無電解めっき膜２５３上にレジスト層を形成し、露光、現像を経て、レジスト３５５の非形成部を形成させる（図７(Ｅ)）。レジスト非形成部に電解めっき膜２５７を形成した後、レジストを剥離することにより、バイアホール２５１に無電解めっき２５３と電解めっき２５７からなる導体層２５９を形成する（図７(Ｆ)）。
【００１８】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法及び製造装置では、レーザをレーザ透過板２４６及び溶液２４４を透過させて樹脂絶縁層７０に開口７１を穿設する。樹脂絶縁層７０表面を水２４４等の溶液で覆うため、樹脂絶縁層７０が空気から遮断され、レーザを照射して開口７１を穿設する際にスミヤの形成が少ない。更に、水２４４等溶液の吸熱作用によりレーザ照射部の温度上昇が抑えられ、樹脂絶縁層７０の開口７１の底部の導体回路５８にスミヤが形成されにくくなり、残ることが少なくなる。そのために、その後工程でのバイアホール内にめっき膜の未析出などの不具合を引き起こさないのである。更に、樹脂絶縁層のバイアホールにめっきを施して導体層を形成させた際、バイアホールの底部の導体回路５８にスミヤが残っていないため、導体回路５８が電気的な接続を低下させることがない。同様に、ソルダーレジスト層７０に開口を設け、めっき膜を設けることで開口パッドを形成する際にも、開口７１底部の導体回路５８にスミヤが残っていないため、めっきが未析出とならず、該導体回路と外部端子もしくは半田バンプとの電気的な接続信頼を低下させることがない。
【００１９】
また、レーザを照射して樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層に開口７１を穿設する際に、開口７１から飛散した樹脂が、既に形成した開口７１底部の導体回路５８に付着しなくなり、飛散した樹脂によって層間絶縁層上の形成する回路配線が欠損することがなくなるし、ソルダーレジストの開口部に外部端子や半田バンプを配設することを阻害しなくなる。これにより、プリント配線板の電気接続性や信頼性を高めることができる。
【００２０】
また更に第１実施形態のプリント配線板の製造方法及び製造装置では、樹脂絶縁層７０表面に溶液２４４（この場合は水）を流しながら循環させるため、樹脂絶縁層７０を効率的に冷却でき、スミヤの形成が少ない。レーザを照射して開口７１を穿設する際に、開口から飛散した樹脂を水中に浮遊させることで、開口７１近傍の樹脂絶縁層表面、既に穿設した他の開口に飛散樹脂が付着しなくなり、更に、循環することで飛散した樹脂を回収することが可能になる。
【００２１】
なお、レーザとしては、例えば、ＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。これにより、レーザ透過板２４６及び溶液２４４を透過させて樹脂層７０に開口７１を穿設することができる。
【００２２】
第１実施形態では、レーザ透過部板２４６が合成石英ガラスから成るため、レーザ光が減衰せず樹脂絶縁層あるいはソルダーレジスト層７０に開口７１を適切に穿設することができる。また、合成石英ガラスから成るレーザ透過板２４６は、低屈折率（屈折率Ｎ＝１．６）であり、空気（屈折率Ｎ＝１）及び溶液２４４（例えば、水の場合Ｎ＝１．３３）との屈折率差が小さい。このため、空気とレーザ透過板２４６との界面、レーザ透過板２４６と水２４４との界面で反射が起こり難く、樹脂絶縁層の狙った位置に開口を穿設することが可能である。ここで、レーザ透過板２４６と水等の溶液との屈折率の差は０．４以内に収めることが望ましく、この差に収まるように、レーザ透過板２４６及び溶液の材質を選択することが好適である。レーザ透過板２４６は、用いられるレーザの種類（ＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ）に対して発熱（減衰）せず、低屈折率の材質が望ましく、ガラスの他、種々の樹脂板を用いることも可能である。
【００２３】
溶液は、レーザを透過し得る水、金属塩を含有する水、酸溶液、アルカリ溶液、アルコールのいずれか１以上であることが望ましい。水、金属塩を含有する水、アルコールを用いることで、レーザで開口を穿設する際に、開口の表面に樹脂の化学反応による変質部分を形成させることがない。また、酸溶液、アルカリ溶液を用いることで、レーザを照射して開口を穿設する際に、開口から飛散した樹脂を溶液中に解かすことができる。
【００２４】
なお第１実施形態では、プリント配線板３０を載置するテーブル２４０に冷却パイプ２４８を配置してある。レーザが照射される反対側（裏面側）からも冷却することで、樹脂絶縁層７０を効率的に冷却でき、スミヤの形成を少なくすることができる。
【００２５】
引き続き、第１実施形態のプリント配線板及びプリント配線板の製造方法について説明する。先ず、第１実施形態において層間樹脂絶縁層を形成するために使用する樹脂層について説明する。該樹脂層には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００２６】
本発明の製造方法において使用する樹脂層は、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００２７】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００２８】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００２９】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００３０】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００３１】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００３２】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００３３】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００３４】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００３５】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低いため樹脂層の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂層からなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００３６】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００３７】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００３８】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００３９】
本発明で用いる樹脂層において、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂層にバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００４０】
上記樹脂層において、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂層からなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００４１】
上記樹脂層は、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００４２】
上記硬化剤の含有量は、樹脂層に対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂層の硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂層に侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００４３】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００４４】
また、上記樹脂層は、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
樹脂層を形成するには、塗布して形成する方法、予め半硬化にしたフィルム上にして形成する方法、その両方を用いて形成する方法のいずれを用いてもよい。
【００４５】
ソルダーレジスト層としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に（メタ）アクリル基を付加した樹脂、それらを１種類もしくは２種類以上を用いて作成された樹脂を用いることができる。その中でも熱硬化性樹脂としては用いることがよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂を用いることが望ましい。これらは、反応性がよく、レーザに対する加工性に優れるからである。
【００４６】
また、ソルダーレジスト層としては、樹脂成分以外には、硬化剤、無機や樹脂などの粒子、溶剤、反応安定剤、着色剤、硬化促進剤などが含有したものである。
これらの成分を適時混ぜ合わせて、粘度を調整したものを塗布にて形成する。あるいは予め半硬化にしたフィルム上にして形成する方法、その両方を用いて形成する方法のいずれを用いてもよい。
【００４７】
８０〜１００℃で１時間程度硬化させた、いわば、半硬化状態にソルダーレジスト層に、レーザにより開口パッドを形成させた。
【００４８】
レーザ開口後に、硬化温度は、１００〜２５０℃の間で行い、１〜３ｈｒ程度の時間で硬化させる。場合によっては、段階的に温度を上昇・下降させるステップ硬化を行ってもよい。
【００４９】
[実施例１]
引き続き、実施例１の多層プリント配線板について説明する。
先ず、本発明の実施例１に係るプリント配線板の構成について、断面図である図６を参照して説明する。プリント配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該導体回路３４の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された層間樹脂絶縁層１５０が配設されている。層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１が形成され、上面側の該開口７１には、外部端子もしくは半田バンプ７６が配設されている。また、底面側の該開口７１には、半田バンプ７８が配設されている。
【００５０】
次に、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造方法について説明する。先ず、製造に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。
【００５１】
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。
【００５２】
Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いる。
【００５３】
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ））。
【００５４】
（２）スルーホール３６および下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６を含む下層導体回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１（Ｃ））。
【００５５】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成する。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹脂充填剤４０を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、下層導体回路３４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキージを用いて凹部となっている下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させる（図１（Ｄ））。
【００５６】
（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化させる（図２（Ａ））。
【００５７】
このようにして、スルーホール３６や導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが粗化面３４αを介して強固に密着した絶縁性基板を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面となる。
【００５８】
（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ｂ））。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。
【００５９】
（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図２（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させる。
【００６０】
（７）次に、図７を参照して上述したプリント配線板の製造装置を用い、溶液には水を用いて、レーザ透過部板には石英ガラスが用いられ、波長９．３μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、パルス幅８．０μ秒、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径７５μｍのバイアホール用開口５１を形成する（図２（Ｄ））。レーザ加工開口５１の形成に用いるレーザとしては、炭酸ガス以外では、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶ−ＹＡＧのレーザ処理の中から選ばれる少なくとも１種類以上を用いることができる。
【００６１】
第１実施例では、図７を参照して上述したようにレーザをレーザ透過板２４６及び溶液２４４を透過させて層間樹脂絶縁層５０に開口５１を穿設する。層間絶縁層５０表面を溶液で覆うため、層間樹脂絶縁層５０が空気から遮断され、レーザを照射して開口５１を穿設する際にスミヤの形成が少ない。更に、溶液２４４の吸熱作用によりレーザ照射部の温度上昇が抑えられ、層間樹脂絶縁層５０の開口５１の底部の導体回路５８にスミヤが付着されにくい。このため、デスミヤ処理等の処理が不要となる。更に、層間樹脂絶縁層５０の開口５１、めっき膜を設けることでバイアホール６０（図６参照）を形成する際にも、開口５１底部の導体回路５８にスミヤが残っていないため、めっきが未析出とならず、該導体回路５１とバイアホール６０との電気的な接続性や信頼性を高めることができる。
【００６２】
また、レーザを照射して層間樹脂絶縁層５０に開口５１を穿設する際に、開口５１から飛散した樹脂が、近接する層間絶縁層の表面に残ることがなくなり、飛散樹脂によって層間絶縁層５０上の形成する回路配線５８、バイアホール６０（図６参照）が欠損することがなくなる。
【００６３】
（９）バイアホール用開口５１を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成する（図３（Ａ））。
【００６４】
（１０）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口５１の内壁面に触媒核を付着させる。
【００６５】
（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面５０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５３を形成する（図３（Ｂ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【００６６】
（１２）微細配線用の感光性ドライフィルム５４γを無電解銅めっき膜５３に貼り付ける。その後、感光性ドライフィルム５０上にパターン９７Ａの描かれたマスク９７を位置合わせして載置する（図３（Ｃ））。次いで、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｄ））。それによりＬ（ライン幅）／Ｓ（ライン間の間隔）＝２０μｍ／２０μｍ〜１５μｍ／１５μｍの間での配線を形成した。
【００６７】
（１３）ついで、基板３０を５０度の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2時間 ６５ 分温度 ２２±２度
【００６８】
（１４）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜５３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５３と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍ、線幅１５〜２０μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ｂ））。
【００６９】
（１５）上記（５）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８αを形成する（図４（Ｃ））。
【００７０】
（１６）上記（６）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成し、多層配線板を得る（図４（Ｄ））。
【００７１】
（１７）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００７２】
（１８）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行いソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ａ））。
【００７３】
（１９）図８を参照して上述したプリント配線板の製造装置を用い、溶液には水を用いて、レーザ透過部板には石英ガラスが用いられ、波長９．３μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、パルス幅８．０μ秒、１ショットの条件で２００μｍの直径の開口部７１を形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口部７１を有し、その厚さが２０μｍ、開口径２５０μｍ以下のソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ｂ））。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【００７４】
図８を参照して上述したように、レーザをレーザ透過板２４６及び水２４４を透過させてソルダーレジスト層７０に開口７１を穿設する。ソルダーレジスト層７０表面を溶液で覆うため、ソルダーレジスト層７０が空気から遮断され、レーザを照射して開口７１を穿設する際にスミヤの形成が少ない。更に、水２４４の吸熱作用によりレーザ照射部の温度上昇が抑えられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１の底部の導体回路１５８にスミヤが形成されない。このため、デスミヤ処理等の処理も不要となる。更に、ソルダーレジスト層７０の開口７１に半田ペーストを印刷して半田バンプ７６、７８（図６参照）とする際に、開口７１の底部の導体回路５８にスミヤが残っていないため、導体回路５８と半田バンプ７６、７８との電気的な接続信頼性を高めることができる。
【００７５】
また、レーザを照射してソルダーレジスト層７０に開口７１を穿設する際に、開口７１から飛散した樹脂が、既に形成した開口７１底部の導体回路１５８に付着しなくなり、導体回路１５８と半田バンプ７６、７８との電気的な接続信頼性を高めることができる。
【００７６】
（１９）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図５（Ｃ））。
【００７７】
（２０）この後、基板３０のソルダーレジスト層７０の開口７１にスズ−鉛を含有する半田ペーストを印刷する。そして、２００℃でリフローを行い、上面側の開口部７１に半田バンプ７６を、下面側の開口部７２に半田バンプ７８を形成する（図６）。
【００７８】
[実施例２]
実施例１とほぼ同じであるがレーザ加工時に用いる溶液には、酸溶液（酢酸１５％配合された溶液）を用いて行なった。
【００７９】
[実施例３]
実施例１とほぼ同じであるがレーザ加工時に用いる溶液には、アルカリ溶液（ＮａＯＨ１％配合された溶液）を用いて行なった。
【００８０】
[実施例４]
Ｖ実施例１とほぼ同じであるがレーザ加工時に用いる溶液には、アルコール溶液（メタノール0.8％配合された溶液）を用いて行なった。
【００８１】
[比較例]
Ｖ実施例１とほぼ同じであるがレーザ加工時に、溶液およびレーザ透過部板を用いず、従来の方法により行なった。
【００８２】
実施例１〜４と比較例とをそれぞれ層間絶縁層およびソルダーレジスト層として比較評価を行ない、層間絶縁層の評価結果を図９（Ａ）中の図表に、ソルダーレジスト層の評価結果を図９（Ｂ）中の図表に示した。
【００８３】
項目：層間絶縁層
１．導通検査
層間絶縁層のバイアホールにめっきで導体層を形成した後に、バイアホールでの抵抗を測定した。このときの抵抗値の測定値を示した。
２．信頼性試験
層間絶縁層のバイアホールにめっきで導体層を形成した後に、ヒートサイクル条件下（−５５℃／３min.⇔１２５℃／３min.  １サイクルとして５００サイクル、１０００サイクル後におけるバイアホールでの抵抗を測定した。このときの抵抗値の抵抗変化率を示した。また、この際、バイアホールの外観検査も行なった。
【００８４】
項目：ソルダーレジスト層
１．外観検査
ソルダーレジスト層の開口内にめっきを施した後、金メッキの未着の有無とその発生度合いを調べた。
【００８５】
層間樹脂絶縁層においては、実施例では導通検査や抵抗値変化率も小さいため、バイアホール内にスミアが残っていないと思われる。それに対して、比較例においては、導通検査においても良品率が下がり、抵抗値変化率も大きくなっていることから、スミアが残って電気接続性や信頼性を低下させていると推測される。
ソルダーレジストにおいては、実施例ではパッドめっき膜の変色、未形成などということが発生しなかった。それに対して、比較例においては、めっき膜の異常が１０％発生していることから、スミアが残っていて電気的接続性に影響していると推測される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の実施例１に係るプリント配線板の断面図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）は、第１実施形態に係るプリント配線板の層間絶縁層の製造工程図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係るプリント配線板のソルダーレジスト層の製造工程図である。
【図９】図９（Ａ）は実施例の層間絶縁層層の評価結果を示す図表であり、図９（Ｂ）は実施例のソルダーレジスト層の評価結果を示す図表である。
【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は従来技術でのソルダーレジスト層の製造工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は従来技術での層間絶縁層の製造工程図である。
【符号の説明】
【００８７】
３０  コア基板
３４  導体回路
５０  層間樹脂絶縁層
５１  開口
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１  開口部
７６、７８  半田バンプ
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
２４４  レーザ透過板
２４６  水
【図１】
2005294688.tif 000003
【図２】
2005294688.tif 000004
【図３】
2005294688.tif 000005
【図４】
2005294688.tif 000006
【図５】
2005294688.tif 000007
【図６】
2005294688.tif 000008
【図７】
2005294688.tif 000009
【図８】
2005294688.tif 000010
【図９】
2005294688.tif 000011
【図１０】
2005294688.tif 000012
【図１１】
2005294688.tif 000013