(57)【要約】  【課題】  本発明の目的は、エアブリッジ構造の第１配線と第２配線の配線間は空間（空気）としたまま、第２配線（空中配線）を保護するための十分な高さおよび機械的強度を有し、かつ、温度変化のストレスに対して耐久性のある構造の保護支柱を備えた配線構造及びその製造方法を提供することである。  【解決手段】  本発明のエアブリッジ構造２０１は、半導体基板１上に設けられた第１配線２と、それと交差する第２配線３と、それらの交差位置の周辺近傍に配置された保護支柱２０２とで成る。そして、その交差位置で第２配線３は橋脚形状および橋桁形状を成し、その橋脚形状および橋桁形状が形成する空間４を介して第１配線２を跨ぐ格好となっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられた第１配線と第２配線の２つの配線の交差位置で、前記第２配線は空間を介して前記第１配線を跨ぐように立体交差するエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造であって、前記交差位置の周辺近傍に、前記交差位置における前記第２配線を保護するための、前記交差位置における前記第２配線の高さよりも高い金属で成る保護支柱を配置したことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記第１配線は、前記保護支柱を設けるための幅広部を有することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
前記保護支柱は、前記第１配線上の前記交差位置のいずれか片側または両側に配置されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記保護支柱は、前記第１配線と同じ金属材料で成ることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線構造。
【請求項５】
前記第２配線は、前記保護支柱を設けるための幅広部を有することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項６】
前記保護支柱は、前記第２配線上の前記交差位置のいずれか片側または両側に配置されたことを特徴とする請求項１または請求項５に記載の配線構造。
【請求項７】
前記保護支柱は、前記第２配線と同じ金属材料で成ることを特徴とする請求項１、請求項５または請求項６に記載の配線構造。
【請求項８】
前記交差位置の周辺近傍にダミー配線を設け、前記保護支柱を前記ダミー配線上に配置したことを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項９】
前記ダミー配線は、前記第１配線と同じ金属材料、または、前記第２配線と同じ金属材料で成ることを特徴とする請求項８に記載の配線構造。
【請求項１０】
前記保護支柱は、前記第２配線の金属材料よりも硬度が高い金属材料で成ることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項５、請求項６、請求項８または請求項９に記載の配線構造。
【請求項１１】
前記保護支柱は、前記交差位置における前記第２配線の高さの１．５倍〜３倍の高さであることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１２】
前記保護支柱は、高さ方向に沿ったリブを有する形状であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１３】
前記保護支柱は、中空柱または水平断面形状がＨ型もしくはＬ型の柱であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１４】
前記保護支柱は、上部よりも下部が太くなる順テーパ状であることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１５】
半導体基板上に設けられた第１配線と第２配線の２つの配線の交差位置で、前記第２配線は空間を介して前記第１配線を跨ぐように立体交差するエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造の製造方法であって、      
前記半導体基板上に前記第１配線を含む所定の配線パターンを形成する第１配線形成工程と、
前記第１配線と形成予定の第２配線との交差位置に絶縁物で成る架橋用支持台を形成する架橋用支持台形成工程と、
前記半導体基板上に前記第２配線を含む所定の配線パターンを形成する第２配線形成工程と、
前記架橋用支持台を除去する架橋用支持台除去工程と、
前記交差位置の周辺近傍に、前記交差位置における前記第２配線を保護するための、前記交差位置における前記第２配線の高さよりも高い金属で成る保護支柱を形成するための、絶縁物で成る保護支柱形成用パターンマスクを前記半導体基板上に形成する保護支柱形成用パターンマスク形成工程と、
前記保護支柱形成用パターンマスクを用いて前記保護支柱を形成する保護支柱形成工程と、
前記保護支柱形成用パターンマスクを除去する保護支柱形成用パターンマスク除去工程とを含むことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項１６】
前記第１配線形成工程において、前記保護支柱を設けるためのダミー配線を同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の配線構造の製造方法。
【請求項１７】
前記第２配線形成工程において、前記保護支柱を設けるためのダミー配線を同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の配線構造の製造方法。
【請求項１８】
前記保護支柱形成用パターンマスクは、ポジ型フォトレジストで形成し、イメージリバース法で露光することを特徴とする請求項１５に記載の配線構造の製造方法。
【請求項１９】
前記保護支柱形成工程は、選択メッキ法であることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に設けられた２つの配線がその交差位置で空間を介して立体交差する所謂、エアブリッジ構造と呼ばれる配線構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体基板上に設けられた第１配線と第２配線の２つの配線の交差位置で、第２配線が空間を介して第１配線を跨ぐように立体交差するエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造がある。
【０００３】
このエアブリッジ構造は、交差位置における２つの配線間を高誘電率の絶縁物などで充填するのではなく空間（空気）とすることで交差位置における配線容量を低減させるものであり、例えば、優れた高周波特性を要求される低雑音電界効果トランジスタなどのソース電極及びドレイン電極の配線構造として用いられる。
【０００４】
従来のエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造の一例を図１３に示す。図１３（ａ）は斜視図，図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。
【０００５】
エアブリッジ構造１０１は、半導体基板１上に設けられた第１配線２と、それと交差する第２配線３とで成り、それら２本の配線の交差位置で第２配線３は橋脚形状および橋桁形状を成し、その橋脚形状および橋桁形状が形成する空間４を介して第１配線２を跨ぐ格好となっている。
【０００６】
ここで、交差位置における第１配線２と第２配線３の配線間には高誘電率の絶縁物などを介在させずに空間４（空気）とすることで第１配線２と第２配線３とを絶縁し、かつ、配線容量を低減させている。
【０００７】
尚、図１３では、第２配線３が交差位置の両側で第１配線２の周辺配線２ａ，２ｂと接続された格好で図示してあるが、特にこれに限るものではない。また、第１配線２やその周辺配線２ａ，２ｂの表面を薄い絶縁被膜（図示せず）で被覆した構成のものもある。
【０００８】
ところが、このようなエアブリッジ構造１０１は、その構造から明らかなように第１配線２と第２配線３の配線間が空間４となっているため上方からの加圧力によって容易に押し潰される危険性を有していた。
【０００９】
例えば、表面側にエアブリッジ構造１０１を形成した半導体基板１を裏面研磨する工程では、表面をワックスや保護シートなどで保護してフィクスチャ（図示せず）に貼付けて研磨するにも拘らず微小な異物が混入したりすると、これに研磨圧力が加わることで第２配線３が押し潰されることがあった。
【００１０】
これに対して、図１４に示すように、第１配線２と第２配線３の配線間の空間４の一部に絶縁物で成る補強支柱５を設けて第２配線３の機械的強度を上げる構成のエアブリッジ構造１０２が提案されている。尚、図１４（ａ）は斜視図，図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
ところが、このように第１配線２と第２配線３の配線間の空間４の一部に絶縁物で成る補強支柱５を設けると、当然その分だけ配線容量の低減効果を減少させることになる上に、補強支柱５の製造ばらつきが配線容量のばらつきを招くおそれがあるため、本来、第１配線２と第２配線３の配線間には何も形成しないことが望ましい。
【００１２】
また、さらに他の構成として、図１５に示すように、第１配線２と第２配線３の配線間は空間４としたまま、第２配線３が上方からの加圧力で容易に押し潰されることを防止する構成として、絶縁物で成る角柱６ｂを形成し、その外側を第２配線３で完全に包み込んだ２層構造の保護支柱７を交差位置の周辺近傍に設けたエアブリッジ構造１０３が提案されている。尚、図１５（ａ）は斜視図，図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。（例えば、特許文献２参照。）。
【００１３】
以下、図１５に示すエアブリッジ構造１０３の製造方法を、図１６，図１７を用いて説明する。尚、図１６，図１７は工程順を示す断面図である（但し、図１７（ｄ）は平面図）。
【００１４】
先ず、図１６（ａ）に示すように、所定の活性領域（図示せず）を形成した半導体基板１上に通常のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、第１配線２とその周辺配線２ａ，２ｂとを含む所定の配線パターンを形成する。
【００１５】
次に、図１６（ｂ）に示すように、半導体基板１上にポリイミド膜６を塗布形成する。尚、ポリイミド膜６の厚さは、形成予定の第２配線の交差位置における下面高さとなる厚さとする。
【００１６】
次に、図１６（ｃ）に示すように、ポリイミド膜６を通常のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、第１配線２と形成予定の第２配線の交差位置に架橋用支持台としての第１ポリイミド角柱６ａが残るように形成する。
【００１７】
また、このとき同時に周辺配線２ｂ上にも保護支柱となる第２ポリイミド角柱６ｂが残るように形成する。尚、第１ポリイミド角柱６ａと第２ポリイミド角柱６ｂとは同じポリイミド膜６を用いて形成するためほほ同じ高さとなる。
【００１８】
ここで、図１７（ｄ）に示すように、第１ポリイミド角柱６ａの幅Ｗ１は、形成予定の第２配線（図中に２点鎖線で示す。）の幅Ｗ２よりも広く形成し、反対に第２ポリイミド角柱６ｂの幅Ｗ３は、形成予定の第２配線（図中に２点鎖線で示す。）の幅Ｗ２よりも細く形成しておく。
【００１９】
また、第１ポリイミド角柱６ａおよび第２ポリイミド角柱６ｂは、形成後に高温でキュアし収縮させ、その側面をなだらかな傾斜面として形状を安定させる。
【００２０】
次に、図１７（ｅ）に示すように、第２配線３を含む所定の配線パターンを形成する。
【００２１】
形成方法は、先ず、蒸着あるいはスパッタにより半導体基板１上面にメッキ用通電膜（図示せず）を形成する。次に、半導体基板１上に第２配線３を含む配線パターンを有するフォトレジストマスク（図示せず）を形成後、それを選択メッキ用マスクとして電解メッキにより第２配線３を含む所定の配線パターンを選択的に形成する。その後、フォトレジストマスク（図示せず）を除去し、第２配線３以外の領域のメッキ用通電膜（図示せず）をＡｒやＸｅ等の不活性ガスを用いるイオンミリングにより除去して第２配線３を含む所定の配線パターンを形成する。
【００２２】
ここで、第１ポリイミド角柱６ａの幅Ｗ１は、第２配線３の幅Ｗ２よりも広く形成してあるため、第１ポリイミド角柱６ａの第２配線３に沿った方向の側面は第２配線３に被覆されずに露出している。また、第２ポリイミド角柱６ｂの幅Ｗ３は、第２配線３の幅Ｗ２よりも細く形成してあるため、第２ポリイミド角柱６ｂは第２配線３を形成する際に第２配線３の金属材料で完全に被覆される。
【００２３】
次に、図１７（ｆ）に示すように、等方性エッチングによって架橋用支持台としての第１ポリイミド角柱を除去する。
【００２４】
尚、このとき第２ポリイミド角柱６ｂは外側を第２配線３の金属材料で完全に被覆されているためエッチングされずに保護支柱７として残る。
【００２５】
以上のようにして、第２ポリイミド角柱６ｂの外側を第２配線３の金属材料で完全に包み込んだ２層構造の保護支柱７を備えたエアブリッジ構造１０３が完成する。（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１１−１８６３８１号公報（第５頁、００３７段落、第２図）
【特許文献２】特開昭６４−８１３４３号公報（第２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
しかしながら、上記のようなエアブリッジ構造１０３およびその製造方法においても以下のような問題があった。
【００２７】
先ず、第１の問題点は、保護支柱７となる第２ポリイミド角柱６ｂと、架橋用支持台としての第１ポリイミド角柱６ａとを同じポリイミド膜６を用いて同時に形成するため、保護支柱７は交差位置における第２配線３の高さと同じ程度の高さにしかなり得ず高さの点で十分とは言えなかった。
【００２８】
次に、第２の問題点は、保護支柱７は、内側がポリイミド、外側が金属で成る２層構造であるため、強度的に十分とは言えないことに加え、熱膨張係数の差が大きいため温度変化のストレスで保護支柱７に歪やクラックが生じるおそれがあり耐久性に乏しかった。
【００２９】
本発明の目的は、エアブリッジ構造の第１配線と第２配線の配線間は空間（空気）としたまま、第２配線（空中配線）を保護するための十分な高さおよび機械的強度を有し、かつ、温度変化のストレスに対して耐久性のある構造の保護支柱を備えた配線構造及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明の配線構造は、半導体基板上に設けられた第１配線と第２配線の２つの配線の交差位置で、第２配線は空間を介して第１配線を跨ぐように立体交差するエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造であって、交差位置の周辺近傍に、交差位置における第２配線を保護するための、交差位置における第２配線の高さよりも高い金属で成る保護支柱を配置したことを特徴とする配線構造である。
【００３１】
本発明の配線構造の製造方法は、
半導体基板上に設けられた第１配線と第２配線の２つの配線の交差位置で、第２配線は空間を介して第１配線を跨ぐように立体交差するエアブリッジ構造と呼ばれる配線構造の製造方法であって、      
半導体基板上に第１配線を含む所定の配線パターンを形成する第１配線形成工程と、
第１配線と形成予定の第２配線との交差位置に絶縁物で成る架橋用支持台を形成する架橋用支持台形成工程と、
半導体基板上に第２配線を含む所定の配線パターンを形成する第２配線形成工程と、
架橋用支持台を除去する架橋用支持台除去工程と、
交差位置の周辺近傍に、交差位置における第２配線を保護するための、交差位置における第２配線の高さよりも高い金属で成る保護支柱を形成するための、絶縁物で成る保護支柱形成用パターンマスクを半導体基板上に形成する保護支柱形成用パターンマスク形成工程と、
保護支柱形成用パターンマスクを用いて保護支柱を形成する保護支柱形成工程と、
保護支柱形成用パターンマスクを除去する保護支柱形成用パターンマスク除去工程とを含むことを特徴とする配線構造の製造方法である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の配線構造によると、エアブリッジ構造の第１配線と第２配線（空中配線）の配線間に絶縁物で成る補強支柱などを設けたりせず空間（空気）とするため、交差位置における配線容量の低減効果を減少させることがない。また、交差位置の周辺近傍に第２配線（空中配線）を保護するための十分な高さおよび機械的強度を有する金属で成る保護支柱を備えるため、より確実に第２配線（空中配線）を保護できる。また、保護支柱は、絶縁物と金属との２層構造とせず、金属材料のみで形成するため強固であるとともに、熱膨張係数の違いによる歪やクラックの発生の心配がなく温度変化のストレスに対して耐久性がある。
【００３３】
また、本発明の配線構造の製造方法によると、保護支柱は選択メッキ法で形成するため、保護支柱を形成する金属材料としてはメッキ可能な金属材料であれば何でも適用可能であり選択範囲が広い。また、保護支柱の高さは、メッキ厚さがそのまま保護支柱の高さとなるため任意の高さに設定でき、メッキ厚さとして制御可能である。また、保護支柱の水平断面形状は、選択メッキの際に用いる保護支柱形成用パターンマスクのパターン形状で決定できるため、所望のパターン形状の保護支柱形成用パターンマスクを使用することで任意の形状に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
エアブリッジ構造の第２配線（空中配線）を保護するという目的を、第１配線と第２配線の配線間は空間（空気）としたまま、第２配線（空中配線）を保護するための十分な高さおよび機械的強度を有し、かつ、温度変化のストレスに対して耐久性のある保護支柱を備えることで実現した。
【実施例】
【００３５】
本発明のエアブリッジ構造の一例を図１，図２に示す。尚、図１は斜視図，図２（ａ）は図１のＸ−Ｘ線における断面図、図２（ｂ）は図１のＹ−Ｙ線における断面図である。また、図１３，図１４と同一部分には同一符号を付す。
【００３６】
本発明のエアブリッジ構造２０１は、半導体基板１上に設けられた第１配線２と、それと交差する第２配線３と、それらの交差位置の周辺近傍に配置された保護支柱２０２とで成る。そして、その交差位置で第２配線３は橋脚形状および橋桁形状を成し、その橋脚形状および橋桁形状が形成する空間４を介して第１配線２を跨ぐ格好となっている。
【００３７】
また、保護支柱２０２は、交差位置における第２配線３を上方からの加圧力に対して保護する役目をし、第１配線２の一部を広くした幅広部２０３上に配置され、その高さは、交差位置における第２配線３の高さ（第１配線２上面と第２配線３上面の高さの差；図中Ｈ１）の２倍の高さ（図中Ｈ２）である。また、保護支柱２０２は第１配線２と同じ金属材料で形成され、その水平断面形状は矩形である。  
【００３８】
ここで、交差位置における第１配線２と第２配線３の配線間には高誘電率の絶縁物などを介在させずに空間４（空気）とすることで第１配線２と第２配線３とを絶縁し、かつ、配線容量を低減させている。
【００３９】
尚、図１，図２では、第２配線３が交差位置の両側で第１配線２の周辺配線２ａ，２ｂと接続された格好で図示してあるが、特にこれに限るものではない。また、第１配線２やその周辺配線２ａ，２ｂの表面を薄い絶縁被膜（図示せず）で被覆した構成のものもある。
【００４０】
このように交差位置の周辺近傍に第２配線３の高さよりも十分高い金属で成る強固な保護支柱２０２を配置することで、より確実に第２配線３を保護できる。また、第１配線２と第２配線３の配線間に絶縁物で成る補強支柱などを設けたりせず空間４（空気）とするため交差位置における配線容量の低減効果を減少させることがない。
【００４１】
例えば、表面側にエアブリッジ構造２０１を形成した半導体基板１の裏面を研磨する工程では、半導体基板１表面をワックス（図示せず）や保護シート（図示せず）で保護してフィクスチャ（図示せず）に貼付けて研磨しているにも拘らず、微小な異物が混入すると、この異物に研磨圧力が加わることで第２配線３が上方からの加圧力を受けるおそれがあるが、強固な保護支柱２０２によって第２配線３は保護される。
【００４２】
次に、このエアブリッジ構造２０１の製造方法の一例を図３〜図７を用いて説明する。尚、図３〜図７は工程順を示す断面図である（但し、図３（ｂ），図５（ｅ），図６（ｉ）は平面図）。また、図１６，図１７と同一部分には同一符号を付す。
【００４３】
先ず、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、所定の活性領域（図示せず）を形成した半導体基板１上に通常のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、第１配線２とその周辺配線２ａ，２ｂとを含む所定の配線パターンを形成する。尚、第１配線２には、第１配線２と形成予定の第２配線との交差位置の近傍に保護支柱を設けるための幅広部２０３が設けられている。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１上にポリイミド膜６を塗布形成する。尚、ポリイミド膜６の厚さは、形成予定の第２配線の交差位置における下面高さとなる厚さとする。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すように、ポリイミド膜６を通常のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、第１配線２と形成予定の第２配線の交差位置に架橋用支持台としてのポリイミド角柱６ａが残るように形成する。
【００４６】
ここで、図５（ｅ）に示すように、ポリイミド角柱６ａの幅Ｗ１は、形成予定の第２配線（図中に２点鎖線で示す。）の幅Ｗ２よりも広く形成しておく。
【００４７】
また、ポリイミド角柱６ａは、形成後に高温でキュアし収縮させ、その側面をなだらかな傾斜面として形状を安定させる。
【００４８】
次に、図５（ｆ）に示すように、第２配線３を含む所定の配線パターンを形成する。
【００４９】
形成方法は、先ず、蒸着あるいはスパッタにより半導体基板１上面にメッキ用通電膜（図示せず）を形成する。次に、半導体基板１上に第２配線３を含む配線パターンを有するフォトレジストマスク（図示せず）を形成後、それを選択メッキ用マスクとして電解メッキにより第２配線３を含む所定の配線パターンを選択的に形成する。その後、フォトレジストマスク（図示せず）を除去し、第２配線３以外の領域のメッキ用通電膜（図示せず）をＡｒやＸｅ等の不活性ガスを用いるイオンミリングにより除去して第２配線３を含む所定の配線パターンを形成する。
【００５０】
ここで、ポリイミド角柱６ａの幅Ｗ１は、第２配線３の幅Ｗ２よりも広く形成してあるため、ポリイミド角柱６ａの第２配線３に沿った方向の側面は第２配線３に被覆されずに露出している。
【００５１】
次に、図５（ｇ）に示すように、等方性エッチングによって架橋用支持台としてのポリイミド角柱を除去する。
【００５２】
次に、図６（ｈ）および図６（ｉ）に示すように、半導体基板１上に保護支柱を形成するためのフォトレジストで成る保護支柱形成用パターンマスク２０４を形成する。
【００５３】
ここで、保護支柱形成用パターンマスク２０４は、保護支柱が第１配線２の幅広部２０３上に配置され、かつ、保護支柱の水平断面形状が矩形となるような開口パターンとなっている。
【００５４】
次に、図７（ｊ）に示すように、保護支柱形成用パターンマスク２０４を選択メッキ用マスクとして、選択メッキ法で保護支柱２０２を形成する。尚、選択メッキ法は、電解メッキでも無電解メッキでもいずれでもよい。
【００５５】
ここで、メッキ金属としては、第１配線２と同じ金属材料を用いる。また、保護支柱２０２の高さはメッキ厚さとして制御可能であり、交差位置における第２配線３の高さ（第１配線２上面と第２配線３上面の高さの差；図中Ｈ１）の２倍の高さ（図中Ｈ２）まで成長させる。
【００５６】
最後に、図７（ｋ）に示すように、保護支柱形成用パターンマスクを有機溶剤で除去する。
【００５７】
このようにして、交差位置における第２配線３を保護するための十分な高さを有する金属で成る強固な保護支柱２０２を備えたエアブリッジ構造２０１が完成する。
【００５８】
尚、上記の例では、保護支柱２０２を第１配線２上の交差位置の片側に配置する構成で説明したが特にこれに限るものではなく、幅広部２０３を交差位置の両側に設けて両側に保護支柱２０２を配置するようにしてもよい。このように保護支柱２０２で空間４を塞ぐ格好とすると、空間４に異物が入り込むことを防止できたり、半導体基板１表面を洗浄するために強い水圧が加わる工程（例えば、ダイシング工程）において第２配線３が水圧で剥がれることを防止できると言う２次的効果も得られる。
【００５９】
また、幅広部２０３を第２配線３に設けて、その上に保護支柱２０２を配置するようにしてもよい。この場合は、保護支柱２０２で空間４を塞ぐ格好とならないため上述のような２次的効果は期待できないが、空間４が側方に向けて開放される格好となるため、製造過程においてポリイミドで成る架橋用支持台やフォトレジストで成る選択メッキ用マスクの除去が容易にできると言うメリットがある。
【００６０】
また、幅広部２０３がスペースの関係で設けられない場合は、特に幅広部２０３を設けずとも、第１配線２や第２配線３の幅と同じ程度の幅の保護支柱２０２を形成すればよいことは言うまでもない。
【００６１】
このように、第１配線２と第２配線３上の保護支柱２０２の配置パターンとしては、図８に示すように、４つの配置位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４があり、これらを任意に組合せて配置することが可能である。保護支柱２０２の配置数と配置パターンは、保護強度と上述の配置パターンの長所短所とを考慮して決定する。（但し、図８は平面図）
【００６２】
また、配置位置に関する他の構成としては、図９に示すように、第１配線２および第２配線３とは別に、交差位置の周辺近傍にダミー配線２０５を設けて、その上に配置する構成としてもよい。（但し、図９は斜視図）
【００６３】
このダミー配線２０５は、第１配線２形成する際、または、第２配線３を形成する際に同時に形成しておくとよい。配置パターンとしては、図１０に示すように、第１配線２と第２配線３とで区画される４つの領域の少なくとも１つ以上に配置できる。そして、４つの配置位置Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８を任意に組合せて配置することが可能である。尚、ダミー配線２０５は、第１配線２形成時に同時に形成する場合は第１配線２と同じ金属材料から成り、第２配線３形成時に同時に形成する場合は第２配線３と同じ金属材料から成る。また、上述の第１配線２、第２配線３上の配置位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４と任意に組合せて配置することも可能である。（但し、図１０は平面図）
【００６４】
このような構成では、ダミー配線２０５は空きスペースを利用して任意の位置に任意のサイズで自在に設計できて好適である。
【００６５】
また、上記の例では、保護支柱２０２の金属材料を第１配線２と同じ金属材料としたが、メッキ可能な金属材料であれば特に制約するものではない。但し、第１配線２上に配置する場合は第１配線２と同じ金属材料、第２配線３上に配置する場合は第２配線３と同じ金属材料、ダミー配線２０５上に配置する場合はダミー配線２０５と同じ金属材料とすると密着性の点で好適である。
【００６６】
また、密着性よりも保護強度を重視し、保護すべき第２配線３よりも硬度が高いメッキ金属を使用するようにしてもよい。
【００６７】
また、上記の例では、保護支柱２０２の高さを、交差位置における第２配線３の高さ（第１配線２上面と第２配線３上面の高さの差；図中Ｈ１）の２倍の高さ（図中Ｈ２）として説明したが、本来、保護支柱２０２の高さは少なくとも交差位置における第２配線３上面より高くなければならない。しかし、高ければ高いほどよいと言うものではなく、保護支柱２０２の水平断面積や座屈強度を考慮して決定する必要があり、具体的には、第２配線３の高さ（第１配線２上面と第２配線３上面の高さの差）の差の１．５倍〜３倍の高さが望ましい。
【００６８】
また、上記の例では、保護支柱２０２の形状を断面が矩形の四角柱としたが特にこれに限るものではなく、保護支柱形成用パターンマスク２０４のパターンを変更しさえすれば任意の形状とできる。
【００６９】
例えば、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、高さ方向に沿った種々のリブ２０６を有する形状としたり、図１１（ｃ），（ｄ），（ｅ）に示すように、中空柱（例えば、中空円筒）や、断面形状がＨ型の柱もしくは断面形状がＬ型の柱として耐座屈性を向上させることもできる。
【００７０】
また、保護支柱形成用パターンマスク２０４をポジ型フォトレジストを使用してイメージリバース法で形成すると、図１２（ａ）に示すように、開口部が順テーパ状となるため、その結果として、図１２（ｂ）に示すように、保護支柱２０２の根元部が順テーパ状となり、さらに耐座屈性を向上させることができてよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
エアブリッジ構造の第１配線と第２配線（空中配線）の交差位置における配線間を空間（空気）として、第２配線が上方からの加圧力で押し潰されることを防止する配線構造及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のエアブリッジ構造の一例の斜視図
【図２】本発明のエアブリッジ構造の一例の断面図
【図３】本発明のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す断面図および平面図
【図４】本発明のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す断面図
【図５】本発明のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す平面図および断面図
【図６】本発明のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す断面図および平面図
【図７】本発明のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す断面図
【図８】本発明のエアブリッジ構造における保護支柱の配置位置を示す平面図
【図９】本発明のエアブリッジ構造の他の構成を示す斜視図
【図１０】本発明のエアブリッジ造における保護支柱の配置位置を示す平面図
【図１１】本発明のエアブリッジ構造における保護支柱の他の構成を示す斜視図
【図１２】本発明のエアブリッジ構造における保護支柱の他の構成を説明する断面図及び斜視図
【図１３】従来のエアブリッジ構造の一例の斜視図及び断面図
【図１４】従来のエアブリッジ構造の他の例の斜視図及び断面図
【図１５】従来のエアブリッジ構造の他の例の斜視図及び断面図
【図１６】従来のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す断面図
【図１７】従来のエアブリッジ構造の製造方法の一例の工程順を示す平面図および断面図
【符号の説明】
【００７３】
１    半導体基板
２    第１配線
２ａ，２ｂ    第１配線の周辺配線  
３    第２配線
４    空間
５    絶縁物で成る補強支柱
６    ポリイミド膜
６ａ    （第１）ポリイミド角柱
６ｂ    第２ポリイミド角柱
７      従来の２層構造の保護支柱
１０１    従来の配線構造
１０２    従来の他の構成の配線構造
１０３    従来の他の構成の配線構造
２０１    本発明の配線構造
２０２    本発明の保護支柱
２０３    幅広部
２０４    保護支柱形成用パターンマスク
２０５    ダミー配線
２０６    リブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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