(57)【要約】【課題】装置全体の奥行きを低減し、装置の光学的性能が劣化する可能性も小さくする。【解決手段】光(290)を光センサ(205)に方向付けし、方向付けられた光から赤外線成分をフィルタリングして除去するための方法と装置。この装置(200)は、基板(204)上に配置された光センサ(205)のアレイを含み、光センサは、光の強度を電圧信号に変換するように動作可能である。装置(200)は、光センサ上に配置されたカバープレート(230)を更に含み、そのためカバープレートは光センサアレイ上にキャビティ(221)を形成する。装置(200)は、光センサ(205)とカバープレート(230)との間に形成されたキャビティ内において、カバープレートと光センサとの間に配置されたフィルタ材料を更に含む。このフィルタ材料は、カバープレートを通過する光をフィルタリングするように動作でき、特に、赤外範囲の波長を有する光がフィルタリングされて除去され得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２０４）上に配置され、光の強度を電圧信号に変換するように動作可能な光センサ（２０５）と、
前記光センサ（２０５）上に配置され、光（２９０）を通過させるように動作可能なカバープレート（２３０）と、及び
前記カバープレート（２３０）と前記光センサ（２０５）との間に配置され、前記カバープレート（２３０）を通過する光の一部分をフィルタリングするように動作可能なフィルタ材料とを含む、装置（２００）。
【請求項２】
前記フィルタ材料がポリマーからなる、請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項３】
前記フィルタ材料が吸収性染料を含む、請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項４】
前記フィルタ材料によりフィルタリングされた光（２９０）の一部分が、赤外光を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板に結合され、フィルタリングされた光を前記光センサ（２０５）上に集束させるように動作可能なマイクロレンズ（２２０）を更に含む、請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項６】
前記光センサ（２０５）が、フォトダイオードである、請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項７】
前記フォトダイオードに電気的に結合され、光を電圧信号に変換するのを容易にするように動作可能な３トランジスタのアクティブピクセルセンサを更に含む、請求項６に記載の装置（２００）。
【請求項８】
赤外線成分を有する光（２９０）を光センサ（２０５）の方へ方向付けるステップであって、前記光（２９０）が、前記光センサ（２０５）に隣接するキャビティ（２２１）を通って方向付けられ、前記キャビティ（２２１）にフィルタ材料を充填するステップと、及び
前記光が前記キャビティ（２２１）を通過する時に、前記光（２９０）の少なくとも一部分をフィルタリングするステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記フィルタリングされた光の強度を前記光センサ（２０５）において測定するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記測定された光（２９０）の強度を、測定強度を表す電気信号に変換するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ及び他のイメージングデバイスは一般に、イメージをキャプチャして格納するための光センシング装置を有する。例えば、一般的な一つの設計では、フォトダイオードのアレイが、電荷結合素子（ＣＣＤ）内に、又は相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）マイクロチップ上に配置されており、イメージをキャプチャして格納するために使用される。各々のフォトダイオード及びその関連する回路（回路の組合せは、アクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）又は、より単純にはピクセルと呼ばれることが多い）は、フォトダイオードで検出された光の強度を電圧信号に変換し、その電圧信号は、格納、再生および操作のためにデジタル化され得る。ＣＭＯＳ及びＣＣＤチップの双方は、光電効果を利用することにより、類似の機構を通じて光をセンシングし、光電効果は、光子が結晶化シリコンと相互作用して、電子を価電子帯から伝導帯に進める時に生じる。従って、キャプチャされるイメージの品質は、どれぐらいの光が光センサ（即ち、フォトダイオード）に到達するか、及び光が光センサに到達する態様を表す。即ち、入射角度、光ビームの操作、及び光ビームのフィルタリングなどのパラメータは、キャプチャされる真の正しいイメージを正確に反映する高品質のイメージを確実にキャプチャするように制御するために重要である。
【０００３】
キャプチャされるイメージの品質に影響を与える係るパラメータの１つは、光センサに到達する赤外光の量である。可視光（人間の眼に対して）は、４００〜７００ｎｍの波長範囲を有することは、十分に知られている。可視光範囲の直ぐ向こうには、７００〜２５００ｎｍの範囲の波長を有する光により画定される赤外範囲が存在する。赤外範囲のサブセットは、デジタルイメージング業界にとってより大きな関心事である近赤外（ＮＩＲ）範囲である。ＮＩＲ範囲は、７００〜１２００ｎｍの範囲の波長を有する光により画定される。特に、ＣＭＯＳアレイでは、あまりに多くのＮＩＲ光により、キャプチャされたイメージは色あせたように見える。即ち、色間のコントラストは、実際に見えるものほど鮮明ではない。そういうものだから、ＣＭＯＳデバイス、又は光センサを使用する任意の他のデバイスでもってイメージをキャプチャして、入射光の強度を電圧信号に変換する場合には、ＮＩＲ光を可視光からフィルタリングして除去することが重要である。
【０００４】
これまで、干渉または吸収ＩＲフィルタは、多くの異なる用途で赤外光を可視光から遮るために設計され、イメージキャプチャデバイスに使用されていた。一般に、干渉ＩＲフィルタは、ＩＲ光が光キャプチャデバイスに到達する前にＩＲ光を反射し、吸収ＩＲフィルタは、ＩＲ光が光キャプチャデバイスに到達する前にＩＲ光を吸収する。ＩＲフィルタは、７００ｎｍ未満の波長を有する可視光を通過させると同時に、近赤外領域（７００〜１２００＋ｎｍ）に及ぶより高い波長を有する赤外光を遮断する。係るＩＲフィルタは、多くの場合、一般にデジタルイメージングデバイスに組み込まれた赤外線に弱いＣＭＯＳアレイを赤外線波長から保護するために利用される。従って、赤外フィルタを光路内に使用する（即ち、入射光が光センサに到達するためにフィルタを通過しなければならないようにフィルタを配置する）場合には、イメージをキャプチャする際に、赤外光のマイナスの影響が低減される。
【０００５】
例えば、図１は、一般に従来のイメージキャプチャデバイスに使用される従来のＣＭＯＳアレイ１００の破断図である。ＣＭＯＳアレイ１００は、入射光１９０と各ピクセル１０１、１０２及び１０３との間の光路内にＩＲフィルタ１３５を含む。従来のＣＭＯＳアレイ１００は、列および行に配列された複数のピクセル１０１、１０２及び１０３を含む。列および行は、分かりやすくするために図示されないが、同一行の隣接するピクセル１０２及び１０３の一部が、図１においてピクセル１０１の左右に示される。
【０００６】
各ピクセル１０１は、シリコン基板１０４に埋め込まれたフォトダイオード１０５を含み、各フォトダイオード１０５は、隣接する金属層１１０内に包含された電子回路（分かりやすくするために図示せず）に関連付けられる。フォトダイオード１０５及び金属層１１０内のその関連する電子回路は共に、収集ウェル１０７を形成し、それにより入射光１９０はフォトダイオード１０５の方へ方向付けられ得る。入射光子（入射光１９０から）を収集ウェル１０７内に集中するために、収集ウェル１０７は、マイクロレンズ１２０又はレンチキュラとして知られている小型の正メニスカスレンズによって覆われる。
【０００７】
一種の特定のピクセル１０１は、標準の３トランジスタのピクセルであり、これは従来技術で十分に知られているので、本明細書では詳細に説明しない。広い波長帯域の可視光１９０がピクセル１０１上に入射する場合には、可変数の電子が、フォトダイオードの表面に入射する光子−フラックス密度に比例して半導体（シリコン基板）１０４から放出される。事実上、生成される電子の数は、半導体１０４に衝突する光の波長および強度の関数である。電子は、積分期間（関連する回路により決定される）が完了するまで電位ウェル（図示せず）内に蓄積され、蓄積された電子は電圧信号に変換される。次いで、電圧信号はアナログ／デジタル変換器（図１に図示せず）を通過させられることができ、それによってＣＭＯＳアレイ１００によりキャプチャされたイメージのデジタル電子表現がピクセルごとに形成される。
【０００８】
ＣＭＯＳアレイ１００を形成するピクセル１０１の列および行は、カバーガラス１３０又はカバープレートにより一括して覆われ、シェルケースパッケージを形成する。カバーガラス１３０は、ピクセル１０１のアレイ上にある金属層１１０の部分に堅固に取り付けられ、そのためキャビティ１２１が各ピクセル１０１のマイクロレンズ１２０上に形成される。従来のＣＭＯＳアレイ１００において、このキャビティ１２１には空気のみを充填するか、又は真空とすることができる。一般的に、シェルケースパッケージはユニットとして製造され、吸収フィルタ１３５を追加するなどの任意の変更は、別個の製造段階中に行なわれる。図１の従来のＣＭＯＳアレイ１００から看取されるように、ＩＲフィルタ１３５はカバーガラス１３０の上面に配置される。ＩＲフィルタ１３５は、赤外線範囲内の（即ち、約７００ｎｍを超える）波長を有する光を遮る又は吸収するように設計される。そういうものだから、入射光１９０内の任意のＮＩＲ光は、下のピクセル１０１に到達する前にフィルタリングされて除去される。
【０００９】
従来のＩＲフィルタ１３５は、一般に染色ガラスから製造され、デジタルイメージキャプチャデバイスにおいて赤外光を減衰させるために、最も広く使用されているタイプのフィルタからなる。特定波長の吸収、即ちフィルタのスペクトル性能は、従来のＩＲフィルタ１３５の物理的厚さ、及びフィルタのガラス中に存在する染料の量の関数である。従来のＩＲフィルタ１３５は、主に着色フィルタガラスから作成され、透過波長の正確な定義を必要としない用途には、最大クラス及び最も広く使用されているタイプのフィルタである。これらの従来のフィルタは、ガラス、プラスチックコートガラス、アセテートの形態で一般に入手可能である。ガラスフィルタに使用される材料としては、希土類遷移元素、コロイド色素（セレン化物など）、及びほどよく急峻な吸収遷移を生じる高い吸光率を有する他の分子が挙げられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
吸収フィルタ１３５などの従来の吸収フィルタは高価で嵩高であり、光路全体の奥行き、及び嵩をシェルケースパッケージに追加する。典型的な吸収フィルタ１３５は１０μｍの厚さであり、ＣＭＯＳアレイ１００を含むシェルケースパッケージの上面に更なる奥行きを追加する。更に、典型的な吸収フィルタ１３５をデジタルイメージキャプチャデバイスに設けるには、吸収フィルタをガラスカバー１３０の上面に取り付ける追加の製造ステップを必要とする。この製造ステップは、一般に、ＣＭＯＳアレイ１００の製造中にクリーンルーム内で行なわれないため、微粒子および／または塵がカバーガラス１３０と吸収フィルタ１３５との間に埋め込まれることが多い。係る塵および微粒子は、イメージキャプチャデバイス内におけるＣＭＯＳアレイ１００の性能に著しい影響を与える可能性がある。従って、製造の複雑さ及び組立てプロセスは、デジタルイメージキャプチャデバイスに適するＣＭＯＳアレイ１００の製造に必要なコストと時間を増加させる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態は、光を光センサに方向付けし、方向付けられた光から赤外線成分をフィルタリングして除去するための装置を対象とする。この装置は、基板上に配置された光センサのアレイを含み、光センサは、光の強度を電圧信号に変換するように動作可能である。この装置は、光センサ上に配置されたカバープレートを更に含み、そのためカバープレートは光センサアレイ上にキャビティを形成する。カバープレートは、光を通過させるように動作可能である。即ち、カバープレートは、任意の入射光の一部分を遮ることができるガラスフィルタのフィルムカバーを含まない。この装置は、光センサとカバープレートとの間に形成されたキャビティ内において、カバープレートと光センサとの間に配置されたフィルタ材料を更に含む。このフィルタ材料は、カバープレートを通過する光の一部分をフィルタリングするように動作可能である。特に、一実施形態では、赤外範囲（７００〜２５００ｎｍ）の波長を有する光がフィルタリングされて除去されることができ、そのため約７００ｎｍ未満の波長を有する光のみがカバープレート及びフィルタ材料を通過して、下の光センサ内の電子を励起させることができる。
【００１２】
カバープレートの下の、内部に形成されたキャビティ内に内蔵型ＩＲフィルタを設けることは有利である。その理由は、装置全体の奥行きが、カバープレートの上面に結合されたフィルタプレートを有する装置に比べて減少するからである。更に、微粒子または塵が装置内に埋め込まれて、光学的性能が劣化する可能性も小さくなる。その理由は、赤外フィルタ材料が、装置の他の部分と一緒に注入されるか、又は製造されるためである。そういうものだから、この製造は一般にクリーンルーム内で実施され、装置は内蔵式であり、即ち単一のシェルケースパッケージであるため、微粒子または塵が光路内の装置に埋め込まれる可能性は著しく減少する。
【００１３】
更に、フィルタ材料は、フィルタカバープレート又はフィルタフィルムより安価であり、典型的な従来のイメージキャプチャ装置上にある従来のフィルタカバーの場合のように、掻き傷および／または摩耗による劣化を受けない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、カバープレートの下のキャビティ内にＩＲフィルタを設けることにより、装置全体の奥行きが減少すると同時に、微粒子または塵が装置内に埋め込まれて、光学的性能が劣化する可能性を小さくすることも可能になる。更に、フィルタ材料は、フィルタカバープレート又はフィルタフィルムより安価であり、従来のフィルタカバーのように掻き傷および／または摩耗による劣化を受けない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の上述の態様および付随する多くの利点は、以下の詳細な説明を添付図面に関連して読むことによって、より容易に解釈され、より良く理解されるであろう。
【００１６】
以下の説明は、当業者が本発明を実施および使用することを可能にするために提示される。本明細書に説明される一般的な原理は、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、上記以外の実施形態および用途に適用され得る。本発明は、図示された実施形態に限定されることは意図されておらず、本明細書で開示または示唆される原理および特徴に一致する最も広い範囲に一致されるべきである。
【００１７】
図２は、カバーガラス２３０と各フォトダイオード２０５との間の光路内にフィルタ材料２３５を有するＣＭＯＳアレイ２００の破断図である。従来のＣＭＯＳアレイ（図１に示されたＣＭＯＳアレイ１００など）の場合のように、ＣＭＯＳアレイ２００は、シリコン基板２０４内に配置された列および行に配列された複数のピクセル２０１、２０２及び２０３を含む（分かりやすくするために、すべてのピクセルを図示せず）。ピクセル２０１などの各ピクセルは、関連するフォトダイオード２０５と、隣接する金属層２１０内に収容された電子回路（やはり、分かりやすくするために図示せず）と、前述したようなマイクロレンズ２２０とを含む。ピクセル２０１の列および行も、やはりＣＭＯＳアレイ２００を形成し、カバーガラス２３０により一括して覆われる。覆われた（カバーされた）ＣＭＯＳアレイ２００は、シェルケースパッケージと呼ばれる。
【００１８】
カバーガラス２３０はピクセル２０１のアレイの上面に堅固に取り付けられ、そのためピクセルアレイ上にキャビティ２２１が形成される。この実施形態では、キャビティ２２１はピクセル２０１の全体のアレイに及び、そのためカバーガラス２３０は、ピクセルＣＭＯＳアレイ２００の一番外側の縁部（図示せず）など、限られた数の場所における基板上の金属層の接触点に結合される。別の実施形態では、個々のキャビティ（図示せず）は、１対１で関連するピクセル２０１に対応するように形成され得る。どの実施形態であるか、又はカバーガラス２３０をどのように金属層２１０に結合するかに関わりなく、キャビティ２２１は、各ピクセル２０１とカバーガラス２３０との間に、何らかの態様で形成される。
【００１９】
この実施形態では、形成されたキャビティ２２１には、フィルタ材料が充填される。フィルタ材料は、吸収性染料を充填されたポリマー（即ち、ゲル状物質）とすることができる。吸収性染料は、非常に小さい微粒子が入射光２９０と相互作用して、カバーガラス２３０及びキャビティ２２１からフォトダイオード２０５まで通過する光２９０から赤外光を吸収する（即ち、フィルタリングする）ように製造される。一実施形態において、ポリマー中の吸収性染料は、６５０ｎｍを超える波長を有する光を実質的にフィルタリングして除去すると同時に、６５０ｎｍ未満の波長を有する光が、実質的にフィルタリングされずに残り、フォトダイオード２０５まで通過することが可能であるようにカスタマイズされる。
【００２０】
ポリマーの製造に使用されるフィルタ材料の品質は、光学グレードであり、キャビティ２２１の容積全体にわたって密度および色の均一性を提供する。フィルタ材料は、吸収によって光をフィルタリングし、そのためフィルタ材料のスペクトル性能は、フィルタ材料の厚さおよび光学密度によって決まる。厚さを増加すると、望ましくない波長の遮断レベルがそれに対応して増加するが、帯域内の透過ピークも減少し、それにより吸収帯域の両端における減衰が生じる。
【００２１】
ポリマーのフィルタ材料を使用することは、費用対効果が大きく（図１の吸収性フィルタ１３５などのような別個に製造されたガラス又はプラスチックフィルタと比較した場合）、赤外光をフィルタリングするには光学的に十分である。ポリマーのフィルタ材料は市販されており、このフィルタ材料は、一般に穏やかに取り扱う必要があるにも関わらず、多種多様な用途に適する。
【００２２】
カバーガラス２３０とフォトダイオード２０５との間のキャビティ内にポリマーのフィルタ材料を使用する利点はいくつかある。これらの利点には、比較的低コストであること、並びに多種多様な気候および動作条件の下での安定性が含まれる。更に、ポリマーのフィルタ材料は、図１に関して上述したフィルム又はガラスフィルタの場合のように、フィルタプレートの表面上に付着されるのではなく、光吸収化学種をフィルタ材料の全体にわたって混合して構成される。従って、ポリマーのフィルタ材料は、小さな掻き傷または磨耗により破壊する傾向がない。更に、ポリマーのフィルタ材料は、入射光２９０の角度に敏感ではなく、実質的には任意の入射角度で均一なスペクトル特性を提供する。
【００２３】
更に、典型的な製造ステップは、シェルケースパッケージの全体がクリーンルーム内で製造されている間に、ポリマーのフィルタ材料をキャビティの中へ注入することを含む。従って、（従来技術の場合のように）シェルケースパッケージ内、又はカバープレートと従来のフィルタプレートとの間に微粒子および／または塵が埋め込まれる可能性は、著しく低減される。
【００２４】
更に、フィルタは、もはやシェルケースパッケージの外部にあるプレート又はフィルムで具現化されないので、シェルケースパッケージ全体の奥行きが減少する。シェルケースパッケージの奥行きの減少は、シェルケースパッケージがより低いプロファイルを有し、より浅いデジタルイメージキャプチャデバイスに適合することができるという理由で有利である。
【００２５】
図３は、内部に配置された図２のＣＭＯＳアレイ２００を含むシステム３００のブロック図を示す。このシステム３００は、デジタルカメラ、デジタルカメラ付き電話、又はデジタルイメージキャプチャ装置を利用する他の電子装置とすることができる。係る装置は、任意のサイズと数のピクセルからなることができ、各ピクセルは個々のフォトダイオードを含む。
【００２６】
ＣＭＯＳアレイ２００は、光子収集の主な仕事に含まれない多くの処理および制御機能を単一のシェルケースパッケージ上に直接的に統合することができる。これらの特徴には一般に、タイミングロジック、露光制御、アナログ／デジタル変換、シャッター制御、ホワイトバランス、ゲイン調節、及び初期イメージ処理アルゴリズムが含まれる。これらすべての機能を実行するために、ＣＭＯＳ集積回路アーキテクチャは、単純なフォトダイオードアレイではなく、ランダムアクセスメモリセルのアーキテクチャに、より密接に類似する。一般的な１つのＣＭＯＳアレイ２００は、フォトダイオード２０５及び読出し増幅器（図示しないが、金属層２１０の範囲内にある）の双方を各ピクセル２０１に組み込むアクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）技術を通じて構築される。これにより、フォトダイオード２０５により蓄積された電荷がピクセル２０１内で増幅された電圧信号に変換され、連続した行および列でチップのアナログ信号処理部分に転送されることを可能にする。
【００２７】
従って、各ピクセル２０１は、フォトダイオード２０５のほかに三つ組のトランジスタを含み、これらのトランジスタは、蓄積された電子電荷を測定可能な電圧に変換し、フォトダイオードをリセットし、電圧を垂直列のバスに転送する。結果としてのアレイは、金属読出しバスの構成されたチェッカーボードであり、このチェッカーボードは、フォトダイオード２０５及び関連する信号生成回路を各交点、即ち各ピクセル２０１に含む。これらのバスは、タイミング信号をフォトダイオード２０５に印加し、ＣＭＯＳアレイ２００から離れて収用されているアナログ復号／処理回路に読み出された情報を戻す。この設計は、アレイ内の各ピクセル２０１からの信号を単純なｘ、ｙアドレス指定技術で読み取ることを可能にする。
【００２８】
フォトダイオード２０５は、デジタルイメージセンサの重要な要素である。感度は、フォトダイオード２０５により蓄積され、入射光子の変換効率を電子に結合することが可能な最大電荷と、デバイスが電荷を漏出または流出することなく、限られた領域に蓄積する能力との組合せにより決定される。これらの要因は一般に、フォトダイオード２０５の物理的なサイズ及びアパーチャ、並びにＣＭＯＳアレイ２００における隣接した要素に対する空間的および電子的関係により決定される。別の要因は電荷対電圧の変換比であり、これは、効果的に積分された電子電荷を、測定および処理され得る電圧信号にどのように変換するかを決定する。
【００２９】
フォトダイオードは一般に、サイズが１２８×１２８ピクセル（１６Ｋピクセル）から、より一般的には１２８０×１０２４（１００万ピクセルを超える）までの範囲を有することができる直交格子に構成される。高精細度テレビ（ＨＤＴＶ）用に設計されたような最新のＣＭＯＳアレイ２００のいくつかは、２０００平方ピクセルを超える非常に大きなアレイに構成された数百万のピクセルを含む。アレイの各行および各列を構成するすべてのピクセル２０１からの信号は、フォトダイオードの電荷蓄積データからイメージを組み立てるために、正確に検出および測定（読み出し）されなければならない。
【００３０】
図３のシステムは、バス３２０に結合された中央処理ユニット（ＣＰＵ）３１５を含む。バス３２０には、ＣＭＯＳアレイ２００によりキャプチャされたデジタルイメージを格納するためのメモリ３２５も結合される。ＣＰＵ３１５は、バス３２０を介してＣＭＯＳアレイ２００を制御することによりイメージのキャプチャを容易にし、イメージがキャプチャされると、イメージをデジタル形式でメモリ３２５に格納する。
【００３１】
ＣＭＯＳアレイ２００は、図２に関して上述したように、イメージのキャプチャおよびデジタル化を容易にするためのいくつかのコンポーネント、及びイメージキャプチャ電子回路に関して当該技術分野で十分に知られたコンポーネントを含む。ＣＭＯＳアレイ２００の各ピクセル２０１は、接続部３５１を介して行制御回路３５０に結合され、接続部３６１を介して列制御回路３６０に結合されて、イメージをキャプチャするための制御信号を容易にする。更に、ＣＭＯＳアレイ２００の各ピクセル２０１は、Ｖｄｄ３１１及びＧＲＯＵＮＤ３１２に結合される（個々の接続部は図示せず）。
【００３２】
典型的なイメージキャプチャ手順では、各ピクセル２０１に対する電圧信号は、列制御回路３６０により読み取られ、マルチプレクサ３７０に送られる。マルチプレクサ３７０は、各電圧信号を単一の多重化信号に結合し、この多重化信号は、各ピクセル２０１の各フォトダイオード２０５においてキャプチャされた電圧信号を表す。増幅段３８０の後に、この信号は、アナログ／デジタル変換器３９０を介してデジタル信号に変換されてから、バス３２０に伝達される。次いで、ＣＰＵ３１５は、多重化デジタル信号のメモリ３２５における格納を容易にする。
【００３３】
ＣＭＯＳアレイ２００に到達することができる任意の入射光から赤外光を遮る仕事を行なうフィルタ材料を組み込むことにより、図３のシステム３００は、より浅い環境および／またはハウジング内に収用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】入射光と各ピクセルとの間の光路内に吸収フィルタを有する従来のＣＭＯＳアレイの破断図である。
【図２】入射光と各ピクセルとの間の光路内に存在するシェルケースパッケージ内のキャビティ内部に配置された吸収フィルタ材料を有するＣＭＯＳアレイの破断図である。
【図３】内部に配置された図２のＣＭＯＳアレイを含むシステムのブロック図である。
【符号の説明】
【００３５】
200  ＣＭＯＳアレイ
204  シリコン基板
205  フォトダイオード
220  マイクロレンズ
221  キャビティ
230  カバーガラス
290  入射光
【図１】
2005340811.tif 000003
【図２】
2005340811.tif 000004
【図３】
2005340811.tif 000005