(57)【要約】【課題】  可撓性基板を基板の端部で折り曲げた場合でも、外形寸法の大型化を避けることのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置１ａにおいて、可撓性基板７は、樹脂製のベース層７１、Ｃｕなどの金属層からなる配線層７２、および樹脂製の保護層７３がこの順に積層されており、素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９の双方において角丸に折り曲げられている。可撓性基板７のベース層７１および保護層７３が等しい厚さであり、可撓性基板７で角丸に折り曲げられている部分７６、７７の中立軸に相当する部分は配線層７２である。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層、配線層および保護層がこの順に積層された可撓性基板が基板に実装された実装構造体において、前記基板の前記可撓性基板が実装されている側の面を表面とし、反対側を裏面としたとき、
前記可撓性基板は、前記基板の表面と当該基板の側端面とが形成している表面側角部、および前記基板の側端面と当該基板の裏面とが形成している裏面側角部のうちの少なくとも一方に、前記側端面と前記表面あるいは前記裏面とに沿って折り曲げられた折り曲げ部分を備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記可撓性基板は、前記表面側角部および前記裏面側角部の双方に前記折り曲げ部分を備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項１または２において、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分の中立軸に相当する部分が配線層であることを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
請求項１または２において、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分では厚さ方向の内側に前記配線層が位置していることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の幅寸法が前記配線層の間に相当する部分の幅寸法より広いことを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の形成密度が他の領域における前記配線層の形成密度に比較して高いことを特徴とする実装構造体。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分の幅寸法が他の領域の幅寸法に比較して狭いことを特徴とする実装構造体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする実装構造体。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記ベース層の厚さが２０μｍ以下であることを特徴とする実装構造体。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方が塑性変形性の樹脂からなることを特徴とする実装構造体。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方が熱収縮性の樹脂からなることを特徴とする実装構造体。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方がポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、および液晶系樹脂のうちのいずれかからなることを特徴とする実装構造体。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかにおいて、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分で屈曲していることを特徴とする実装構造体。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、
前記基板は、多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して可撓性基板を実装した実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型液晶装置や、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置では、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。このため、電気光学装置では、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板上に駆動用ＩＣがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装され、この駆動用ＩＣに信号などを供給する可撓性基板も電気光学装置用基板に実装されている。また、駆動用ＩＣがＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装された可撓性基板が電気光学装置用基板に実装されることもある。
【０００３】
このように、いずれのタイプの電気光学装置でも電気光学装置用基板には可撓性基板が実装されているが、このような可撓性基板は、電気光学装置を組み立てる際、電気光学装置基板の端部で裏面側に折り曲げられるのが一般的である（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２９０４３８号公報
【特許文献２】特開２００２−２４４５７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
可撓性基板は、通常、ベース層（樹脂層）、配線層および保護層（樹脂層）がこの順に積層されており、ベースおよび保護層は、形状復帰力を有する。従って、図１０に示すように、可撓性基板７ａを電気光学装置基板１０の裏面側に引き回すと、可撓性基板７ａは、電気光学装置基板１０の端部を包絡する曲率半径以上の曲率半径をもって湾曲することになる。このため、可撓性基板７ａの折り曲げ部分は、電気光学装置基板１０の端部で側方に数ｍｍ以上も張り出してしまい、電気光学装置１ｂの外形寸法が電気光学装置用基板の外形寸法よりかなり大型化してしまうという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、可撓性基板を基板の端部で折り曲げた場合でも、外形寸法の大型化を避けることのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、ベース層、配線層および保護層がこの順に積層された可撓性基板が基板に実装された実装構造体において、前記基板の前記可撓性基板が実装されている側の面を表面とし、反対側を裏面としたとき、前記可撓性基板は、前記基板の表面と当該基板の側端面とが形成している表面側角部、および前記基板の側端面と当該基板の裏面とが形成している裏面側角部のうちの少なくとも一方に、前記側端面と前記表面あるいは前記裏面とに沿って折り曲げられた折り曲げ部分を備えていることを特徴とする。本発明において、前記可撓性基板は、前記表面側角部および前記裏面側角部の双方に前記折り曲げ部分を備えていることが好ましい。
【０００７】
本発明では、可撓性基板は、基板の端部形状に沿って折り曲げられているため、折り曲げ部分は基板から側方に大きく張り出さない。従って、可撓性基板を基板の端部で折り曲げた場合でも、実装構造体の外形寸法が大型化することを防止することができる。
【０００８】
本発明において、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分の中立軸に相当する部分が配線層であることが好ましい。可撓性基板を折り曲げると、中立軸に対して内側の部分には圧縮応力が発生する一方、中立軸に対して外側の部分には引っ張り応力が発生し、このような応力は、可撓性基板が形状復帰しようとする力として作用するので、可撓性基板が湾曲する原因となる。また、中立軸の両側で発生した応力は、可撓性基板が損傷する原因となる。しかるに本発明では、中立軸に相当する部分を配線層としているので、ベース層および保護層の一方に大きな応力が集中して発生することがない。それ故、可撓性基板の形状復帰や損傷を抑制することができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【０００９】
ここで、中立軸に相当する部分を配線層とするには、例えば、ベース層および保護層を等しい厚さとすればよい。但し、ベース層と保護層の厚さが大きく相違する場合には、中立軸に相当する部分を配線層とすることができないので、前記折り曲げ部分では厚さ方向の内側に前記配線層が位置する構成を採用すればよい。折り曲げられている部分では、中立軸の内側の方が曲率半径が小さいため、その分、大きな応力が発生しやすいので、この内側の部分に配線層が位置するように折り曲げれば、外側の部分に配線層が位置するように構成した場合と比較して、形状復帰力を小さく抑えることができる。
【００１０】
本発明において、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の幅寸法が前記配線層の間に相当する部分の幅寸法より広いことが好ましい。折り曲げ部分において、配線層が通っている部分では、その外側に位置するベース層あるいは保護層の曲率半径が大きくなり、その分、形状復帰力が小さくなる。従って、折り曲げ部分においては、配線層が占める比率が大きい方が形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１１】
本発明において、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の形成密度が他の領域における前記配線層の形成密度に比較して高いことが好ましい。折り曲げ部分において、配線層が通っている部分では、その外側に位置するベース層あるいは保護層の曲率半径が大きくなり、その分、形状復帰力が小さくなる。従って、折り曲げ部分においては、配線層が占める比率が大きい方が形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１２】
本発明において、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分の幅寸法が他の領域の幅寸法に比較して狭いことが好ましい。このように構成すると、折り曲げ部分の形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１３】
本発明において、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記配線層の厚さが１５μｍ以下であることが好ましい。ベース層や保護層と比較して小さいものの、配線層自身も形状復帰力を有しているので、配線層を薄くすれば形状復帰力を小さく抑えることができる。それ故、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１４】
本発明において、前記可撓性基板は、少なくとも前記折り曲げ部分における前記ベース層の厚さが２０μｍ以下であることが好ましい。ベース層を薄くすれば形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１５】
本発明において、前記可撓性基板は、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方が塑性変形性の樹脂からなることが好ましい。このように構成すると、ベース層および保護層に起因する形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１６】
本発明において、前記可撓性基板は、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方が熱収縮性の樹脂からなることが好ましい。熱収縮性の樹脂は、熱膨張性の樹脂に比較して形状復帰力を小さく抑えることができるので、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。また、熱収縮性の樹脂であれば、折り曲げた後、加熱すれば、その収縮によって形状を保持する力を発揮する。それ故、可撓性基板を基板の角部で角丸に折り曲げることができる。
【００１７】
このような樹脂としては、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、液晶系樹脂などがあるので、前記ベース層および前記保護層のうちの少なくとも一方についてはこのような樹脂で構成することが好ましい。ここで、系樹脂というように「系」が付してあるのは、主成分を表しており、他の樹脂成分が配合されていてもよいことを意味する。
【００１８】
本発明において、前記可撓性基板は、前記折り曲げ部分で屈曲していることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る実装構造体は、例えば電気光学装置に適用できる。この場合、前記基板とは、多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持する電気光学装置用基板である。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置は、液晶装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などであり、このような電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の各実施の形態を説明する前に各形態で共通の構成を説明し、その後、各形態について説明する。なお、以下の説明では、実装構造体として、アクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例を説明する。
【００２２】
［共通の構成］
図１は、電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を対向基板の側からみた概略斜視図、およびこの電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面図である。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、導電パターンやパッドなどは、その一部のみを表してあり、実際にはより多数、形成されている。
【００２３】
図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する各位置には画素５３ａが形成され、多数の画素５３ａがマトリクス状に配列されている。これらの画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａとが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００２４】
このような電気光学装置１ａ（実装構造体）を構成するにあたっては、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０（電気光学装置用基板／基板）と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入する。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶１９を封入するために一部が開口している。このため、液晶１９の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００２５】
素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックなどの光透過性を有する板状部材である。素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、画素電極３４ａ、および配向膜（図示せず）などが形成される。一方、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａが形成され、走査線５１ａの表面側に配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２６】
実際には、素子基板１０および対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着される。また、カラー表示を行う場合には、対向基板２０に対して、画素電極３４ａと対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極３４ａに対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面に走査線５１ａが形成されるが、本発明とは直接の関係がないため、偏光板、位相差板、カラーフィルタ。ブラックマトリクス、平坦化膜などについては、その図示および説明を省略する。
【００２７】
電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせた状態で、素子基板１０は、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａには、データ線５２ａと一体の導電パターン８、および基板間導通を介して走査線５１ａに電気的に接続する導電パターン８が延びている。基板間導通を行うにあたって、シール材３０として、導電性を有する多数の導通粒子が分散された樹脂が用いられている。導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された導電パターン同士を導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線５２ａに対して画像信号を出力する第１のＩＣ４（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ／実装体）、および走査線５１ａに走査信号を出力する２つの第２のＩＣ５（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ／実装体）が素子基板１０の張り出し領域１０ａに対して異方性導電材（ＡＣＦ）などでＣＯＧ実装され、かつ、張り出し領域１０ａの端縁（基板接続領域７０）に形成された実装パッド７０１に対して可撓性基板７が接続されている。ここで、可動性基板７の実装パッド７０１に対する実装には、異方性導電材や合金接合などの方法が採用される。
【００２８】
［実施の形態１］
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。図４（Ａ）、（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示す角部分を拡大して示す説明図である。なお、以下の各実施の形態での説明に用いた図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、可撓性基板に形成されている配線層の数を３本に模式化してあるが、実際にはより多数、形成されている。
【００２９】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１ａにおいて、可撓性基板７は、樹脂製のベース層７１、Ｃｕなどの金属層からなる配線層７２、および樹脂製の保護層７３がこの順に積層されており、素子基板１０の可撓性基板７が実装されている側の面を表面１６とし、反対側を裏面１７としたとき、可撓性基板７は、素子基板１０の表面１６から側端面１５を通って裏面１７の側に引き回されている。
【００３０】
このように可撓性基板７を引き回すにあたって、可撓性基板７は、図４（Ａ）、（Ｂ）に拡大して示すように、素子基板１０において表面１６と側端面１５との間に形成されている表面側角部１８、および側端面１５と裏面１７との間に形成されている裏面側角部１９の双方において角丸に折り曲げられている。従って、可撓性基板７は、素子基板１０の表面１６と側端面１５とに沿って折り曲げられ、かつ、側端面１５と裏面１７とに沿って折り曲げられている。それ故、可撓性基板７は、素子基板１０の端部形状に沿って略直角に折り曲げられた状態にあり、可撓性基板７の折り曲げ部分７６、７７は、素子基板１０の端部から側方に大きく張り出していない。よって、可撓性基板７を素子基板１０の端部で折り曲げた場合でも、電気光学装置１ａの外形寸法が素子基板１０の外形寸法よりも著しく大型化することがない。ここで、角丸部分の内径曲率、中立軸Ｌ０（厚さ方向の中心位置）の曲率半径、および角丸部分の外径曲率をそれぞれＲ1、Ｒ2、Ｒ3とすると、角丸部分の内径曲率Ｒ1、中立軸の曲率半径Ｒ2および外径曲率Ｒ3、以下の関係で表され、
Ｒ1  ＜  Ｒ2  ＜  Ｒ3
かつ、可撓性基板７の厚さをｔとしたとき、内径曲率半径Ｒ1、および可撓性基板７の厚さｔは、例えば、以下の式
ｔ  ≦  Ｒ1  ≦  ５ｔ
で表される。従って、可撓性基板７の厚さｔが５０μｍの場合、内径曲率Ｒ1は、下式
５０μｍ  ≦  Ｒ1  ≦  ２５０μｍ
で表される。それ故、可撓性基板７は、素子基板１０の端部から側方に僅かしか張り出さないことになる。これに対して、可撓性基板７を角丸に曲げない場合は、図１０を参照して説明したように、可撓性基板は、電気光学装置基板１０の端部を包絡する曲率半径以上の曲率半径をもって湾曲することになり、可撓性基板の折り曲げ部分は、電気光学装置基板１０の端部で側方に数ｍｍ以上も張り出してしまう。
【００３１】
本形態では、可撓性基板７を角丸に折り曲げるために、図３（Ｂ）に示すように、可撓性基板７のベース層７１および保護層７３を等しい厚さにしてあり、可撓性基板７で角丸に折り曲げられている部分７６、７７において、中立軸に相当する部分が配線層７２である。従って、中立軸に対して内側に位置する保護層７３には圧縮応力が発生する一方、中立軸に対して外側に位置するベース層７１には引っ張り応力が発生するが、本形態では、中立軸に相当する部分が配線層７２であるため、ベース層７１および保護層７３の一方に大きな応力が集中して発生することがない。それ故、可撓性基板７の形状復帰や損傷を抑制することができるので、本形態によれば、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。
【００３２】
なお、本形態では、可撓性基板７において、ベース層７１および保護層７３を等しい厚さにして、可撓性基板７で角丸に折り曲げられている部分７６、７７の中立軸に相当する部分を配線層７２としたが、中立軸が配線層７２の厚さ範囲から外れない範囲内であれば、ベース層７１と保護層７３の厚さが相違していてもよい。
【００３３】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す断面図である。なお、本形態および後述する形態３、４はいずれも、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同符号を付して説明することにして、それらの詳細な説明を省略する。
【００３４】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、ベース層７１が保護層７３と比較してかなり厚いため、角丸に折り曲げられている部分７６、７７の中立軸に相当する部分を配線層７２とすることが不可能である。それでも、本形態では、角丸に折り曲げられている部分７６、７７では厚さ方向の内側に配線層７２が位置するように、薄い保護層７３を内側にして折り曲げてある。すなわち、角丸に折り曲げられている部分７６、７７では、中立軸の内側の方が曲率半径が小さいため、その分、内側に大きな応力が発生しやすいので、本形態では、この内側の部分に配線層７２が位置するように可撓性基板７を折り曲げ、中立軸の内側に位置する樹脂部分を薄くしてある。従って、本形態では、外側に配線層７２が位置するように折り曲げた場合と比較して、可撓性基板７の形状復帰力を小さく抑えることができるので、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１６、１７で角丸に折り曲げることができる。なお、ベース層７１から配線層７２が端子として突出しているような構成において、ベース層７１が保護層７３と比較してかなり薄い場合には、ベース層７１を内側にして折り曲げれば、中立軸より内側に配線層７２が位置する構成を実現できる。
【００３５】
［実施の形態３］
図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。
【００３６】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７は、角丸に折り曲げられている部分７６、７７および部分７６、７７で挟まれた領域における配線層７２の幅寸法Ｗ１が、配線層７２の間に相当する部分の幅寸法Ｗ２より広い。また、本形態では、角丸に折り曲げられている部分７６、７７および部分７６、７７で挟まれた領域における配線層７２の形成密度が、他の領域７８における配線層７２の形成密度に比較して高い。
【００３７】
折り曲げ部分７６、７７において、配線層７２が通っている部分では、配線層７２の外側に位置するベース層７１の曲率半径が大きくなり、その分、形状復帰力が小さくなる。従って、本形態によれば、折り曲げ部分７６、７７においては、配線層７２が占める比率が大きい方が形状復帰力を小さく抑えることができるので、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１、２と組み合わせてもよい。
【００３８】
［実施の形態４］
図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。
【００３９】
図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７は、角丸に折り曲げられている部分７６、７７および部分７６、７７で挟まれた領域における幅寸法Ｗ１１が、他の領域７８における幅寸法Ｗ１２に比較して狭い。従って、折り曲げ部分７６、７７の形状復帰力を小さく抑えることができるので、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１〜３と組み合わせてもよい。
【００４０】
［実施の形態５］
本形態および後述する形態５、６、７はいずれも、基本的な構成が実施の形態１などと同様であるため、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００４１】
図３（Ａ）、（Ｂ）において、本発明の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７として、配線層７２の厚さが１５μｍ以下のものが用いられており、配線層７２の厚さが約２０μｍの従来の可撓性基板と比較して、形状復帰力が小さい。ベース層７１や保護層７３と比較して小さいものの、配線層７２自身も形状復帰力を有しているので、本形態のように配線層７２を薄くすれば形状復帰力を小さく抑えることができる。それ故、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１〜４と組み合わせてもよい。
【００４２】
［実施の形態６］
図３（Ａ）、（Ｂ）において、本発明の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７として、ベース７１の厚さが２０μｍ以下のものが用いられており、ベース層７１の厚さが約２５μｍの従来の可撓性基板と比較して、形状復帰力が小さい。それ故、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１〜５と組み合わせてもよい。
【００４３】
［実施の形態７］
図３（Ａ）、（Ｂ）において、本発明の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７は、ベース層７１および保護層７２のうちの少なくとも一方が塑性変形性の樹脂からなる。本形態では、ベース層７１および保護層７２は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、または液晶系樹脂であるため、ベース層７１および保護層７２の双方が塑性変形性の樹脂からなる。従って、ベース層７１および保護層７２に起因する形状復帰力を小さく抑えることができるので、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１〜６と組み合わせてもよい。
【００４４】
［実施の形態８］
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の電気光学装置１ａでは、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９で角丸に折り曲げるにあたって、可撓性基板７は、ベース層７１および保護層７２のうちの少なくとも一方が熱収縮性の樹脂からなる。本形態では、ベース層７１および保護層７２は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、または液晶系樹脂であるため、ベース層７１および保護層７２の双方が熱収縮性の樹脂からなる。このような熱収縮性の樹脂は、熱膨張性の樹脂に比較して形状復帰力を小さく抑えることができるので、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げることができる。
【００４５】
また、ベース層７１および保護層７２が熱収縮性の樹脂であれば、可撓性基板７を折り曲げた後、加熱すれば、その収縮によって形状を保持する力を発揮するので、そのような観点からしても、可撓性基板７を素子基板１０の角部１８、１９で角丸に折り曲げるのに適している。なお、本形態に係る構成は、実施の形態１〜６と組み合わせてもよい。
【００４６】
［その他の実施の形態］
なお、上記のいずれの形態でも可撓性基板７が片面基板の例を説明したが、可撓性基板７が両面基板の場合に本発明を適用してもよい。また、上記形態では、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９の双方で角丸に折り曲げる構成であったが、可撓性基板７を素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９のうちの一方のみで角丸に折り曲げる場合に本発明を適用してもよい。
【００４７】
さらに、上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、図８および図９を参照して以下に示す電気光学装置などに本発明を適用してもよい。
【００４８】
図８は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図９は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００４９】
図８に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もずれであってもよい。
【００５０】
このような構成の液晶装置でも基板に可撓性基板を接続した構成が採用されるので、本発明を適用することができる。
【００５１】
図９に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００５２】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００５３】
このような構成のエレクトロルミネッセンス型電気光学装置においても基板に可撓性基板を接続した構成が採用されるので、本発明を適用することができる。
【００５４】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００５５】
上記の電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を対向基板の側からみた概略斜視図、およびこの電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示す角部分を拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置において、素子基板に可撓性基板を実装する様子を模式的に示す斜視図、および断面図である。
【図８】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図９】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図１０】従来の電気光学装置の説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１ａ  電気光学装置（実装構造体）、７  可撓性基板、１０  素子基板（電気光学装置用基板／基板）、１５  素子基板の側端面、１６  素子基板の表面、１７  素子基板の裏面、１８  素子基板の表面側角部、１９  素子基板の裏面側角部、７１  ベース層、７２  配線層、７３  保護層、７６、７７  可撓性基板の折り曲げ部分
【図１】
2005340455.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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