(57)【要約】【課題】広帯域フィルタを実現するため大きな電気機械結合係数を有し、伝送損失の小さいＳＡＷデバイスを得る。【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスであって、ＩＤＴ電極の金属材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金とした弾性表面波デバイス。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角が（０°，９０°〜１５０°，０°±５°）であるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いたこと特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
オイラー角が（０°，８０°〜１４０°，０°±５°）であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いたこと特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
オイラー角が（０°，１２５°〜１４６°，０°±５°）であるＬｉＴａＯ３基板にＳＨ波を励起するＩＤＴ電極を形成した弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いると共に規格化膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは励起されるＳＨ波の波長）を０．２％から５％としたこと特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載のいずれかに記載の弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＡｕと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金に代えたこと特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至３に記載のいずれかに記載の弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜４．０ａｔ％のＡｕと、０〜５．０ａｔ％のＣｕと、０〜１．０ａｔ％のＴｉと、０〜１．０ａｔ％のＳｎとを含有した合金に代えたこと特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項６】
所定の配線が施されたプリント基板と、その上にフリップチップ実装した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子と前記プリント基板との間に気密空間を確保するようにこれらの上面を覆う絶縁性の気密部材とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、
前記弾性表面波素子が請求項１乃至５のいずれかに該当することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項７】
所定の配線が施されたプリント基板と、その上にフリップチップ実装した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子と前記プリント基板との間に気密空間を確保するようにこれらの上面を覆う絶縁性の気密部材と、該気密部材の外面に付着した第１の金属膜と、第１の金属膜とは異なる金属からなる第２の金属膜とを順次付着した多層金属膜と、該多層金属膜の上に樹脂層とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、
前記弾性表面波素子が請求項１乃至５のいずれかに該当することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は弾性表面波デバイスに関し、特に大きな電気機械結合係数ｋ２を有し、伝送損失の小さな弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波デバイス（以下、ＳＡＷデバイスと称する）は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話、無線ＬＡＮ等に多く用いられている。周知のように、弾性表面波とは媒質の表面付近にエネルギーを集中させて伝搬する波の総称で、圧電基板の表面上に形成したＩＤＴ電極により弾性表面波を励振し、また受信することができる。ＳＡＷデバイスに利用されている主な弾性表面波としてはレイリー波がよく知られているが、この他にＳＨ波（ＳＨ波タイプ）、ラブ波（Ｌｏｖｅ  ｗａｖｅ）、漏洩弾性表面波（Ｌｅａｋｙ）等がある。
【０００３】
ＳＡＷデバイスに最も多く用いられているレイリー波は、図４（ａ）に示すように半無限の個体表面にエネルギーを集中させて伝搬する弾性表面波で、レイリー波の変位は表面波の進行方向Ｘ１の成分ｕ１（Ｐ波）と、深さ方向Ｘ３の成分ｕ３（ＳＶ波）のみを有し、ｕ３はｕ１と位相が９０°ずれている。即ち、レイリー波は（Ｐ＋ＳＶ）波ということができる。レイリー波は表面近くではｕ３がｕ１に対して９０°進むことから、後方楕円回転を示し、深さＸ３＝０．２λ（λはレイリー波の波長）より深いところでは前方楕円回転となり、深さＸ３＝２λより深いところでは変位ｕ１、ｕ３共ほぼ零となる。また、伝搬速度が周波数に無関係に一定であり、速度分散性が無いことも大きな特徴である。図４（ｂ）はレイリー波を用いたＳＡＷ共振子の構成を示す平面図であって、圧電基板２１の主表面上にレイリー波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２２と、その両側にグレーティング反射器（以下、反射器と称す）２３ａ、２３ｂをそれぞれ配置する。ＩＤＴ電極２２は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の電極より構成され、一方の電極はＴ１端子に、他方の端子はＴ２端子に接続してＳＡＷ共振子を完成する。
【０００４】
圧電基板に高結合材料といわれる１２８°回転ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム（１２８°Ｙ−ＸＬｉＮｂＯ３）を用い、レイリー波を利用したＳＡＷデバイスを構成しても電気機械結合係数ｋ２は５．５％と小さく、最近要求される広帯域のＳＡＷフィルタの要求を満たすことは出来ない。そこで、大きな電気機械結合係数ｋ２が期待できる弾性表面波としてＳＨ波（ＳＨ波タイプ）を用いたＳＡＷデバイスがある。ＳＨ波は図５に示すように波動の進行方向Ｘ１と変位方向ｕ２とが直交した横波で、圧電媒質に異方性があるとその表面にエネルギーを集中させて伝搬する性質がある。この表面波は圧電表面すべり波、あるいは発見者の名前をとってＢＧＳ波とも呼ばれる。このＳＨ波は六方晶系６ｍｍ圧電結晶、あるいは圧電セラミック板のＣ軸または分極軸が基板表面に平行な場合などに存在する。
【０００５】
特開２００１−７７６６２号公報には、オイラー角が（０°，１２５°〜１４６°，０°±５°）の回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３上に比重の重い金属（Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ等）のＩＤＴ電極を形成してＳＨ波を励起したＳＡＷデバイスの伝送損失、電気機械結合係数ｋが開示されている。この発明によると伝送損失も良好であり、電気機械結合係数ｋも２２％から３０％（ｋ２＝５％〜９％）程度のものが得られたと記されている。
【０００６】
大きな電気機械結合係数ｋ２が期待できる弾性表面波の１つにラブ波を用いたＳＡＷデバイスがあり、ラブ波は図６に示すように圧電媒質Ｂの上に表面層Ａを形成し、表面層Ａの音速Ｖａと圧電媒質Ｂの音速Ｖｂとの間にＶａ＜Ｖｂの関係が成り立つ時に生ずる弾性表面波で、周波数が高いほど変位（エネルギー）は表面に集中することになる。現象的には表面層Ａの遅い波のために圧電媒質Ｂの波が引きずられ、押し上げられる形でエネルギーが表面に集中するものと考えられる。
【０００７】
ラブ波を利用したＳＡＷデバイスは特開昭５９−１５６０１３号公報に開示されており、圧電基板に回転Ｙ−ＸＬｉＮｂＯ３を用い、該圧電基板上に導波路を形成するように音速の遅い高密度の金属薄膜、または誘電体膜を形成し、さらにＩＤＴ電極を配置して構成している。ここで、高密度の金属としては金、銀、白金を使用している。このようにして構成したＳＡＷデバイスの電気機械結合係数ｋ２は２８％から１４％に達すると記されている。
さらに、特開平６−１６４３０６号公報には回転Ｙ−ＸＬｉＴａＯ３の主表面上に比重の大きな金属のＩＤＴ電極を配置してラブ波型ＳＡＷデバイスを構成した例が開示されている。この発明によると構成されたＳＡＷデバイスの電気機械結合係数ｋ２は１１％以上に達すると記されている。
【特許文献１】特開２００１−７７６６２号公報
【特許文献２】特開昭５９−１５６０１３号公報
【特許文献３】特開平６−１６４３０６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにＬｉＴａＯ３上にＩＤＴ電極を形成しＳＨ波を励起するＳＡＷデバイスは、伝送損失、電気機械結合係数ｋ２が良好であるものの、ＩＤＴ電極にＡｕを用いればコストが高価になり、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｗ等を用いれば対耐候性に難点があるという問題があった。
また、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３上にＩＤＴ電極を形成しラブ波を利用するＳＡＷデバイスでは、金、銀あるいは白金等の膜を厚く付着する必要があり、金、白金の場合は高価に、銀の場合は耐候性に難点があるという問題があった。
しかし、特開２００１−１９２７５２号公報にはＡｇを主成分として、Ｐｄを０．１〜３ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉから複数の元素を合計で０．１〜３ｗｔ％含有する電子部品用金属材料が開示され、耐候性にも優れ、比抵抗も小さいと記述されている。
また、特開２００２−１４０９２９号公報にはＡｇを主成分とし、Ａｕを０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の範囲で含有し、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｍｇから１種類以上の元素を０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下添加した電子部品用金属材料が開示され、耐候性にも優れ、比抵抗も小さいと記述されている。
さらに、特開２００３−５５７２１号公報にはＡｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから選択された少なくとも１つの金属を添加したＡｇ合金の薄膜で、０．１〜４．０ａｔ％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％のＴｉ、０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有するＡｇ合金膜が開示され、密着性、比抵抗とも従来のものより優れていると記述されている。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであって、低コストで且つ大きな電気機会結合係数ｋ２を有するＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【特許文献４】特開２００１−１９２７５２号公報
【特許文献５】特開２００２−１４０９２９号公報
【特許文献６】特開２００３−５５７２１号公報
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る弾性表面波デバイスの請求項１記載の発明は、オイラー角が（０°，９０°〜１５０°，０°±５°）であるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いたこと特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項２記載の発明は、オイラー角が（０°，８０°〜１４０°，０°±５°）であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いたこと特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項３記載の発明は、オイラー角が（０°，１２５°〜１４６°，０°±５°）であるＬｉＴａＯ３基板にＳＨ波を励起するＩＤＴ電極を形成した弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の材料としてＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いると共に規格化膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは励起されるＳＨ波の波長）を０．２％から５％としたこと特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３に記載のいずれかに記載の弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＡｕと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金に代えたこと特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至３に記載のいずれかに記載の弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜４．０ａｔ％のＡｕと、０〜５．０ａｔ％のＣｕと、０〜１．０ａｔ％のＴｉと、０〜１．０ａｔ％のＳｎとを含有した合金に代えたこと特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項６記載の発明は、所定の配線が施されたプリント基板と、その上にフリップチップ実装した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子と前記プリント基板との間に気密空間を確保するようにこれらの上面を覆う絶縁性の気密部材とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波素子が請求項１乃至５のいずれかに該当することを特徴とする弾性表面波デバイスである。
請求項７記載の発明は、所定の配線が施されたプリント基板と、その上にフリップチップ実装した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子と前記プリント基板との間に気密空間を確保するようにこれらの上面を覆う絶縁性の気密部材と、該気密部材の外面に付着した第１の金属膜と、第１の金属膜とは異なる金属からなる第２の金属膜とを順次付着した多層金属膜と、該多層金属膜の上に樹脂層とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波素子が請求項１乃至５のいずれかに該当することを特徴とする弾性表面波デバイスである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１（ａ）は本発明に係るＳＡＷデバイスの構成の実施の形態を示す平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。圧電基板１の主表面上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２とその両側に反射器３ａ、３ｂを配置する。ＩＤＴ電極２は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の電極より構成され、一方の電極は端子Ｔ１に、他方の電極は端子Ｔ２に接続されてＳＡＷ共振子を構成する。
【００１１】
圧電基板１に回転ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を用い、ＩＤＴ電極２、反射器３ａ、３ｂの電極材料にＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金からなる薄膜を所定の膜厚で付着することによりラブ波を励起し、ラブ波型ＳＡＷデバイスを構成することができる。該ラブ波型ＳＡＷデバイスは大きな電気機械結合係数ｋ２有する。上記のＡｇを主成分とした合金を電極に用いることにより、コストを低減し、且つ耐候性に強いＳＡＷデバイスを実現することが可能となる。
【００１２】
圧電基板１に回転角が−１０°から５０°の範囲の所定の角度で切断されたＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、ＩＤＴ電極２、反射器３ａ、３ｂの電極材料にＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金からなる薄膜を用いることによりラブ波を励起し、ラブ波型ＳＡＷデバイスを構成することができる。該ラブ波型ＳＡＷデバイスは大きな電気機械結合係数ｋ２有する。上記のＡｇを主成分とした合金を電極に用いることにより、コストを低減し、且つ耐候性に強いＳＡＷデバイスを実現することが可能となる。
【００１３】
圧電基板１にオイラー角が（０°，１２５°〜１４６°，０°±５°）であるＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３基板を用い、ＩＤＴ電極２、反射器３ａ、３ｂの電極材料にＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金からなる薄膜を用い、規格化膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは励起されるＳＨ波の波長）を０．２％から５％とすることによりＳＨ波を励起し、ＳＨ波型ＳＡＷデバイスを構成することができる。該ＳＨ波型ＳＡＷデバイスは大きな電気機械結合係数ｋ２有する。上記のＡｇを主成分とした合金を電極に用いることにより、コストを低減し、且つ耐候性に強いＳＡＷデバイスを実現することが可能となる。
【００１４】
ＩＤＴ電極２、反射器３ａ、３ｂの電極材料にＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＡｕと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金を用いてもコストを低減し、且つ耐候性に強いＳＡＷデバイスを実現することができる。また、ＩＤＴ電極２、反射器３ａ、３ｂの電極材料にＡｇを主成分とし、０．１ａｔ％〜４．０ａｔ％のＡｕと、０〜５．０ａｔ％のＣｕと、０〜１．０ａｔ％のＴｉと、０〜１．０ａｔ％のＳｎとを含有した合金を用いてもよい。
【００１５】
以上では１つのＩＤＴ電極１とその両側に反射器を配置して構成したＳＡＷ共振子について説明したが、図２に示すように圧電基板１の主表面上に弾性表面波（ラブ波、ＳＨ波等）の伝搬方向に沿って３つのＩＤＴ電極４、５、６を配置すると共に、それらの両側に反射器７ａ、７ｂを配設して構成した縦結合１次−３次二重モードＳＡＷフィルタにも適用すれば、広帯域のＳＡＷフィルタが実現することができる。さらに、縦結合多重モードＳＡＷフィルタ、横結合多重モードＳＡＷフィルタ、ラダー型ＳＡＷフィルタ、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ等にも適用できることは説明するまでもない。
【００１６】
図３は本発明の係る他の実施例の構成を示す断面図である。絶縁基板１１、例えばセラミック基板の上面と裏面にそれぞれ接続端子１２と外部端子１３を形成すると共に、接続端子１２、外部端子１３間を導通する内部導体１４を形成する。そして、接続端子１２に金属バンプ１５を介してＳＡＷデバイス素子１６をフリップチップ方式でボンディングすると共に、フェイスダウン状態のＳＡＷデバイス素子１６と絶縁基板１１の上面とに絶縁性樹脂１７を付着した上で熱硬化させ、ＳＡＷデバイス素子１６と絶縁基板１１の上面との間に気密空間１８を形成して、所謂ＣＳＰタイプのＳＡＷデバイスを完成する。なお、前記ＳＡＷデバイス素子１６は圧電基板に回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３を用いたラブ波型ＳＡＷデバイス素子を使用する。また、前記ＳＡＷデバイス素子１６は圧電基板にオイラー角が（０°，１２５°〜１４６°，０°±５°）であるＬｉＴａＯ３基板を用い、その上に規格化膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは励起されるＳＨ波の波長）が０．２％から５％のＩＤＴ電極を形成し、ＳＨ波を励起した弾性表面波デバイス素子を使用してもよい。前記ＳＡＷデバイス素子１６のＩＤＴ電極にＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％から３．０ｗｔ％のＰｄと０．１ｗｔ％から３．０ｗｔ％のＣｕを含有した合金を用いれば電極膜の比抵抗が小さく、耐候性に優れたＳＡＷデバイスを構成することができる。
さらに、熱硬化した絶縁性樹脂１７の外側表面に絶縁性樹脂との密着性の良い第１の金属膜１９ａを付着し、さらに第１の金属膜１９ａの上に第２の金属膜１９ｂを積層して、耐候性が優れ、且つＳＡＷデバイス周辺の電子部品からの電磁気的影響を受けないＳＡＷデバイスを完成することができる。
また、前記積層金属膜１９（１９ａ、１９ｂ）の上に樹脂２０でコーティングすれば耐候性に優れ、外部からの衝撃等にも優れたＳＡＷデバイスを得ることができる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、請求項１に記載の発明はニオブ酸リチウム基板上にラブ波を励起し、大きな電気機械結合係数ｋ２のＳＡＷデバイスが得られるという優れた効果を表す。請求項２に記載の発明はタンタル酸リチウム基板上にラブ波励起し、大きな電気機械結合係数ｋ２のＳＡＷデバイスが得られるという優れた効果を表す。請求項３に記載の発明はタンタル酸リチウム基板上にＳＨ波励起し、大きな電気機械結合係数ｋ２のＳＡＷデバイスが得られるという優れた効果を表す。請求項４あるいは５に記載の発明は大きな電気機械結合係数ｋ２のＳＡＷデバイスが得られるという優れた効果を奏す。請求項６あるいは７に記載の発明は、大きな電気機械結合係数ｋ２が得られると共に小型のＳＡＷデバイスが実現できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る弾性表面波共振子の、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明に係る縦結合二重モードＳＡＷフィルタの平面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波デバイス素子を簡易パッケージに収容した断面図で、（ａ）は樹脂に積層金属膜を付着したもの、（ｂ）はさらにその上に樹脂でコーティングしたものである。
【図４】（ａ）レイリー波を説明する図、（ｂ）はレイリー波を用いたＳＡＷデバイスの平面図である。
【図５】ＳＨ波を説明する図である。
【図６】ラブ波を説明する図である。
【符号の説明】
１・・圧電基板
２、４、５、６・・ＩＤＴ電極
３ａ、３ｂ、７ａ、７ｂ・・グレーティング反射器
１１・・絶縁基板
１２・・接続端子
１３・・外部端子
１４・・内部導体
１５・・金属バンプ
１６・・ＳＡＷデバイス素子
１７・・絶縁性樹脂
１８・・気密空間
１９・・積層金属膜
１９ａ・・第１の金属膜
１９ｂ・・第２の金属膜
２０・・樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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