(57)【要約】【課題】ウエハステージと投影ユニットの接触を回避する。【解決手段】投影ユニットＰＵを保持する鏡筒定盤３８の下面にストッパ８０Ａ、８０Ｃ等が吊り下げ支持されている。このため、鏡筒定盤３８とベース７１との間隔が所定値以下になったときに、ストッパ８０Ａ、８０Ｃ等が鏡筒定盤３８とベース７１とに挟持されて、鏡筒定盤３８とベース７１とが更に接近するのを阻止する。これにより、鏡筒定盤３８とベース７１とを床に対して防振しつつ支持するとともに、両部材の位置関係を変更可能な防振部（５６，６６）が、制御困難となった場合であっても、ウエハステージと投影ユニットの接触を回避することが可能となる。【選択図】図１
2005236078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギビームにより感光物体を露光し、前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記エネルギビームを前記感光物体に照射する露光光学系を含む露光光学系ユニットと；
前記露光光学系ユニットを保持する保持部材と；
前記露光光学系ユニットの下方に水平に配置されたベースと；
前記ベース上に移動可能に支持され、前記感光物体が載置される移動体と；
前記保持部材と前記ベースとの少なくとも一方を床に対して防振しつつ支持するとともに、前記保持部材と前記ベースとの位置関係を変更可能な防振部と；
前記保持部材と前記ベースとの間に、重力方向に沿って配置され、前記保持部材と前記ベースとの間隔が、所定値以下になったときに、前記保持部材と前記ベースとの間に挟持されて、前記保持部材と前記ベースとが更に接近するのを阻止する阻止部材と；を備える露光装置。
【請求項２】
前記阻止部材の一部に、前記保持部材と前記ベースとの位置関係を検出するセンサが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記センサは、前記阻止部材の下端と前記ベースとの間の距離、及び前記阻止部材の上端と前記保持部材との間の距離のいずれかを検出する変位センサであることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記阻止部材の一部に、前記阻止部材にかかる圧縮力を検出するセンサが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記阻止部材は、その上側端部において前記保持部材により吊り下げ支持されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記センサによる検出結果に基づいて、前記防振部を介して、前記保持部材と前記ベースとの位置関係を変更する制御装置を更に備える請求項２〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記センサは、前記検出値が所定値になった段階で、前記制御装置に対してフェールセーフ信号を出力することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記防振部は、前記保持部材を前記床に対して防振しつつ支持する第１防振機構と、前記ベースを前記床に対してエアマウントを介して防振しつつ支持する第２防振機構とを含み、
前記制御装置は、前記フェールセーフ信号に基づいて、前記第２防振機構の前記エアマウントの内圧を減圧させることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記阻止部材は、中空部を有し、
該中空部は、前記保持部材と前記ベースとの間の距離の計測に用いられる干渉計の測長ビームの経路とされていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記露光光学系と前記感光物体との間に液体を供給する液浸装置を更に備える請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光装置に係り、更に詳しくは、半導体素子（集積回路）、液晶表示素子などの電子デバイスを製造する際にリソグラフィ工程で用いられる露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子（集積回路等）、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、マスク（又はレチクル）のパターンの像を投影光学系を介して、レジスト（感光剤）が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の感光性の物体（以下、「ウエハ」と呼ぶ）上の複数のショット領域の各々に転写するステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが、主として用いられている。
【０００３】
この種の投影露光装置では、集積回路の高集積化によるパターンの微細化に伴って、より高い解像力（解像度）が年々要求されるようになり、そのために露光光の短波長化及び投影光学系の開口数（ＮＡ）の増大化（大ＮＡ化）が次第に進んできた。しかるに、露光光の短波長化及び投影光学系の大ＮＡ化は、投影露光装置の解像力を向上させる反面、焦点深度の狭小化を招く。また、露光波長は将来的に更に短波長化することが確実視されており、このままでは焦点深度が狭くなり過ぎて、露光動作時のマージンが不足するおそれが生じていた。
【０００４】
そこで、実質的に露光波長を短くして、かつ空気中に比べて焦点深度を大きく（広く）する方法として、液浸法を利用した露光装置が、最近注目されるようになってきた。この液浸法を利用した露光装置として、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水又は有機溶媒等の液体で局所的に満たした状態で露光を行うものが知られている（例えば、下記特許文献１参照）。この特許文献１に記載の露光装置では、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ倍（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上すると共に、その解像度と同一の解像度が液浸法によらず得られる投影光学系（このような投影光学系の製造が可能であるとして）に比べて焦点深度をｎ倍に拡大する、すなわち空気中に比べて焦点深度を実質的にｎ倍に拡大することができる。
【０００５】
ところで、近年の投影露光装置では、ウエハステージを支持するステージ定盤が、投影光学系を保持する鏡筒定盤とは、物理的に分離して投影光学系の下方に設置されるタイプ（以下、便宜上「ステージ定盤別置きタイプ」と呼ぶ）が比較的多く用いられている。このステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、投影光学系を保持する鏡筒定盤は、床面に設置されたフレームキャスタと呼ばれる支持部材によって第１防振機構を介して支持される。また、ウエハステージを支持するステージ定盤は、フレームキャスタ上又は床面に第２防振機構を介して支持される。
【０００６】
従来のステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、投影光学系とウエハとの間の間隔（いわゆるワーキング・ディスタンス）が十分に広かった（例えば９ｍｍ程度あった）ため、上記のステージ定盤別置きタイプを採用しても特に不利な点はなく、むしろウエハステージを駆動する際の反力が投影光学系に伝達されることがないという利点を有していた。
【０００７】
しかるに、特許文献１に記載されるような局所液浸法を採用した露光装置では、液体の表面張力を利用して、その液体を投影光学系とウエハとの間に保持する関係から、上述のワーキング・ディスタンスを極力狭く、例えば１ｍｍ程度にする必要がある。このため、局所液浸法を採用した、ステージ定盤別置きタイプの投影露光装置では、地震などの際に上記第１、第２防振機構では吸収しきれない程度の比較的大きな振動が露光装置に伝達されると、投影光学系の最下端部とウエハステージとの干渉が生じるおそれがある。また、第２防振機構を構成するエアマウントが暴走したとき、例えばエアマウントの内圧を強制的に高くしようとしてしまった場合などにも、上記の投影光学系の最下端部とウエハステージとの干渉が生じるおそれがある。
【０００８】
上述のような、投影光学系の最下端部とステージとの干渉現象は、液浸露光装置以外の投影露光装置は勿論、電子ビーム（ＥＢ）露光装置その他の露光装置であっても、光学系を含む光学系ユニットとウエハとの間隔（ワーキングディスタンス）が狭い場合には、生じる可能性がある。
【０００９】
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述した事情の下になされたものであり、第１の観点からすると、エネルギビーム（ＩＬ）により感光物体（Ｗ）を露光し、前記感光物体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームを前記感光物体に照射する露光光学系（ＰＬ）を含む露光光学系ユニット（ＰＵ）と；前記露光光学系ユニットを保持する保持部材（３８）と；前記露光光学系ユニットの下方に水平に配置されたベース（７１）と；前記ベース上に移動可能に支持され、前記感光物体が載置される移動体（ＷＳＴ）と；前記保持部材と前記ベースとの少なくとも一方を床に対して防振しつつ支持するとともに、前記保持部材と前記ベースとの位置関係を変更可能な防振部（５６，６６）と；前記保持部材と前記ベースとの間に、重力方向に沿って配置され、前記保持部材と前記ベースとの間隔が、所定値以下になったときに、前記保持部材と前記ベースとの間に挟持されて、前記保持部材と前記ベースとが更に接近するのを阻止する阻止部材（８０Ａ〜８０Ｃ）と；を備える露光装置である。
【００１１】
これによれば、露光光学系ユニットを保持する保持部材と露光光学系ユニットの下方に水平に配置されたベースとの間に重力方向に沿って配置された阻止部材が、保持部材とベースとの間隔が所定値以下になったときに、保持部材とベースとの間で挟持されて、保持部材とベースとが更に接近するのを阻止する。従って、前記所定値を、ベース上に移動可能に支持された移動体の最上端と、露光光学系ユニットの最下端とが干渉しない（接触しない）ような間隔（距離）に予め設定しておくことで、保持部材とベースとの少なくとも一方を床に対して防振しつつ支持するとともに、保持部材とベースとの位置関係を変更可能な防振部が、地震あるいはその防振部の暴走などにより制御困難となった場合であっても、移動体と露光光学系ユニットとの干渉を回避することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態について、図１〜図８（Ｃ）に基づいて説明する。
【００１３】
図１には、本発明の一実施形態の露光装置１００の概略構成が示されている。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（スキャニング・ステッパ（スキャナ）とも呼ばれる）である。
【００１４】
この露光装置１００は、光源及び照明光学系を含み、エネルギビームとしての照明光（露光光）ＩＬによりマスクとしてのレチクルＲを照明する照明系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、露光光学系ユニットとしての投影ユニットＰＵ、感光物体としてのウエハＷが載置される移動体としてのウエハステージＷＳＴ、前記レチクルステージＲＳＴ及び前記投影ユニットＰＵなどが搭載されたボディＢＤ、及びこれらの制御系等を備えている。
【００１５】
前記照明系１０は、例えば特開平６−３４９７０１号公報（対応する米国特許第５，５３４，９７０号）などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変ＮＤフィルタ、レチクルブラインド等（いずれも不図示）を含んで構成されている。この照明系１０では、レチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域を照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）あるいは回折光学素子などを用いることができる。
【００１６】
前記レチクルステージＲＳＴは、後述する第２コラム３４の天板を構成するレチクルベース３６上に、その底面に設けられた不図示のエアベアリングなどによって例えば数μｍ程度のクリアランスを介して浮上支持されている。このレチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、ここでは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部１２（図１では図示せず、図７参照）により、後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、レチクルベース３６上を所定の走査方向（ここでは、図１における紙面直交方向であるＹ軸方向とする）に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００１７】
レチクルステージＲＳＴは、実際には、リニアモータによりレチクルベース３６上をＹ軸方向に所定ストローク範囲で駆動可能なレチクル粗動ステージと、該レチクル粗動ステージに対して少なくとも３つのアクチュエータ（例えばボイスコイルモータなど）によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動可能なレチクル微動ステージとによって構成されているが、図１では、図示の便宜上から単一のステージとして示されている。従って、以下においても、レチクルステージＲＳＴはレチクルステージ駆動部１２によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微少駆動可能であるとともに、Ｙ軸方向に走査駆動が可能な単一のステージであるものとして説明する。
【００１８】
本実施形態の場合、レチクルステージＲＳＴの駆動時（特に走査駆動時）のリニアモータの固定子に作用する反力に起因する振動の影響を極力低減するための対策が講じられている。具体的には、前述のリニアモータの固定子は、例えば特開平８−３３０２２４号公報（対応する米国特許第５，８７４，８２０号）などに開示されるように、ボディＢＤとは別に設けられた不図示の支持部材（リアクションフレーム）によってそれぞれ支持され、レチクルステージＲＳＴの駆動の際にリニアモータの固定子に作用する反力は、それらのリアクションフレームを介してクリーンルームの床面Ｆに伝達される（逃がされる）ようになっている。この他、例えば、特開平８−６３２３１号公報（対応する米国特許第６，２４６，２０４号）などに開示される運動量保存則を利用した反力キャンセル機構をレチクルステージＲＳＴの反力キャンセル機構として採用しても良い。
【００１９】
レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１６によって、移動鏡１５を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。この場合、投影ユニットＰＵを構成する鏡筒４０の側面に固定された固定鏡１４を基準として位置計測が行われる。ここで、実際には、レチクルステージＲＳＴ上にはＹ軸方向に直交する反射面を有するＹ移動鏡とＸ軸方向に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計とが設けられ、更に、これに対応して、Ｘ方向位置計測用の固定鏡と、Ｙ方向位置計測用の固定鏡が設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１５、レチクル干渉計１６、固定鏡１４として示されている。なお、例えば、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡１５の反射面に相当）を形成しても良い。また、レチクルステージＲＳＴの走査方向（本実施形態ではＹ軸方向）の位置検出に用いられるＸ軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも１つのコーナーキューブ型ミラー（例えばレトロリフレクタ）を用いても良い。ここで、レチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計の一方、例えばレチクルＹ干渉計は、測長軸を２軸有する２軸干渉計であり、このレチクルＹ干渉計の計測値に基づきレチクルステージＲＳＴのＹ位置に加え、θｚ方向の回転も計測できるようになっている。
【００２０】
レチクル干渉計１６の計測値は、図７に示される主制御装置５０に送られ、主制御装置５０では、このレチクル干渉計１６の計測値に基づいてレチクルステージ駆動部１２を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御する。
【００２１】
前記投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方でボディＢＤの一部に保持されている。このボディＢＤは、クリーンルームの床面Ｆ上に載置されたフレームキャスタＦＣ上に複数、例えば３つの第１防振機構５６を介して設置された第１コラム３２と、この第１コラム３２の上に固定された第２コラム３４とを備えている。
【００２２】
前記フレームキャスタＦＣは、床面Ｆ上に水平に置かれたベースプレートＢＳと、該ベースプレートＢＳ上に設けられた複数本、例えば３本（又は４本）の脚部３９（但し、図１における紙面奥側の脚部は図示省略）とを備えている。脚部３９それぞれの上端には前記第１防振機構５６が個別に固定されている。
【００２３】
前記第１コラム３２は、脚部３９及び第１防振機構５６によってほぼ水平に支持された保持部材としての鏡筒定盤（メインフレーム）３８を備えている。
【００２４】
前記鏡筒定盤３８は、例えば鋳物から成り、そのほぼ中央部に不図示の円形開口が形成されている。この円形開口内に、外観形状が段付き円柱状で中央部に円形開口が形成された支持部材ＩＶが、上方から挿入され、この支持部材ＩＶは上部の大径部を介して鏡筒定盤３８に支持されている。この支持部材ＩＶの円形開口内に、投影ユニットＰＵが、上方から挿入され、その外周部の下端部近傍に設けられたフランジＦＬＧを介して支持部材ＩＶに支持されている。すなわち、このようにして、投影ユニットＰＵが、支持部材ＩＶを介して鏡筒定盤３８に保持されている。ここで、フランジＦＬＧと支持部材ＩＶの素材としては、低熱膨張の材料、例えばインバー（Inver：ニッケル３６％、マンガン０．２５％、及び微量の炭素と他の元素を含む鉄からなる低膨張の合金）が用いられている。
【００２５】
前記鏡筒定盤３８の上面には、投影ユニットＰＵを取り囲む位置に、複数本、例えば３本の脚４１（但し、図１における紙面奥側の脚は図示省略）の一端（下端）が固定されている。これらの脚４１それぞれの他端（上端）面は、ほぼ同一の水平面上にあり、これらの脚４１それぞれの上端面に前述のレチクルベース３６の下面が固定されている。このようにして、複数本の脚４１によってレチクルベース３６が水平に支持されている。すなわち、レチクルベース３６とこれを支持する３本の脚４１とによって第２コラム３４が構成されている。レチクルベース３６には、その中央部に照明光ＩＬの通路となる開口３６ａが形成されている。
【００２６】
前記投影ユニットＰＵは、円筒状でその外周部の下端部近傍にフランジＦＬＧが設けられた鏡筒４０と、該鏡筒４０に保持された複数の光学素子から成る露光光学系としての投影光学系ＰＬとによって構成されている。
【００２７】
前記投影光学系ＰＬとしては、例えばＺ軸方向の共通の光軸ＡＸを有する複数のレンズ（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられている。この投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率（例えば１／４倍又は１／５倍）を有する。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上に形成される。ここで、ウエハＷは、例えば半導体（シリコンなど）又はＳＯＩ（Silicon Insulator）などの円板状の基板であり、その上にレジストが塗布されている。
【００２８】
なお、本実施形態の露光装置１００では、液浸法を適用した露光が行われるため、開口数ＮＡが実質的に増大することに伴いレチクル側の開口が大きくなる。このため、レンズのみで構成する屈折光学系においては、ペッツヴァルの条件を満足することが困難となり、投影光学系が大型化する傾向にある。かかる投影光学系の大型化を避けるために、ミラーとレンズとを含んで構成される反射屈折系（カタディ・オプトリック系）を用いても良い。
【００２９】
また、本実施形態の露光装置１００では、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子としてのレンズ（以下、「先玉」ともいう）９１の近傍には、液浸装置１３２を構成する液体供給ノズル５１Ａと、液体回収ノズル５１Ｂとが設けられている。
【００３０】
前記液体供給ノズル５１Ａには、その一端が液体供給装置１３１ａ（図１では不図示、図７参照）に接続された不図示の供給管の他端が接続されており、前記液体回収ノズル５１Ｂには、その一端が液体回収装置１３１ｂ（図１では不図示、図７参照）に接続された不図示の回収管の他端が接続されている。
【００３１】
前記液体供給装置１３１ａは、液体のタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、並びに供給管に対する液体の供給・停止を制御するためのバルブ等を含んで構成されている。バルブとしては、例えば液体の供給・停止のみならず、流量の調整も可能となるように、流量制御弁を用いることが望ましい。前記温度制御装置は、液体タンク内の液体の温度を、露光装置本体が収納されているチャンバ（不図示）内の温度と同程度の温度に調整する。
【００３２】
前記液体回収装置１３１ｂは、液体のタンク及び吸引ポンプ、並びに回収管を介した液体の回収・停止を制御するためのバルブ等を含んで構成されている。バルブとしては、前述した液体供給装置１３１ａ側のバルブに対応して流量制御弁を用いることが望ましい。
【００３３】
上記の液体としては、ここでは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍの光）が透過する超純水（以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する）を用いるものとする。超純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できると共に、ウエハ上のフォトレジストや光学レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、超純水は環境に対する悪影響がないと共に、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハの表面及び先玉９１の表面を洗浄する作用も期待できる。
【００３４】
水の屈折率ｎは、ほぼ１．４４である。この水の中では、照明光ＩＬの波長は、１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。
【００３５】
前記液体供給装置１３１ａ及び液体回収装置１３１ｂは、それぞれコントローラを具備しており、それぞれのコントローラは、主制御装置５０によって制御されるようになっている（図７参照）。液体供給装置１３１ａのコントローラは、主制御装置５０からの指示に応じ、供給管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体供給ノズル５１Ａを介して先玉９１とウエハＷとの間に水を供給する。また、このとき、液体回収装置１３１ｂのコントローラは、主制御装置５０からの指示に応じ、回収管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体回収ノズル５１Ｂを介して先玉９１とウエハＷとの間から液体回収装置１３１ｂの内部に水を回収する。このとき、主制御装置５０は、先玉９１とウエハＷとの間に液体供給ノズル５１Ａから供給される水の量と、液体回収ノズル５１Ｂを介して回収される水の量とが常に等しくなるように、液体供給装置１３１ａのコントローラ、液体回収装置１３１ｂのコントローラに対して指令を与える。従って、先玉９１とウエハＷとの間に、一定量の水Ｌｑ（図１参照）が保持される。この場合、先玉９１とウエハＷとの間に保持された水Ｌｑは、常に入れ替わっている。
【００３６】
上記の説明から明らかなように、本実施形態の液浸装置１３２は、上記液体供給装置１３１ａ、液体回収装置１３１ｂ、供給管、回収管、液体供給ノズル５１Ａ及び液体回収ノズル５１Ｂ等を含んで構成された、局所液浸装置である。
【００３７】
なお、上記の説明では、その説明を簡単にするため、液体供給ノズルと液体回収ノズルとがそれぞれ１つずつ設けられているものとしたが、これに限らず、例えば、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されるように、ノズルを多数有する構成を採用することとしても良い。要は、投影光学系ＰＬを構成する最下端の光学部材（先玉）９１とウエハＷとの間に液体を供給することができるのであれば、その構成はいかなるものであっても良い。
【００３８】
なお、不図示ではあるが、水Ｌｑが保持される液浸領域の外側、例えば液体供給ノズル５１Ａ、液体回収ノズル５１Ｂの外側に、例えば光ファイバ式の漏水センサが設置されており、主制御装置５０は、この漏水センサの出力に基づいて漏水発生を瞬時に検知できる構成となっている。
【００３９】
前記ウエハステージＷＳＴは、投影ユニットＰＵの下方に水平に配置されたステージベース７１の上面に、その底面に設けられたエアベアリングなどを介して非接触で浮上支持されている。このウエハステージＷＳＴ上に、ウエハホルダ７０を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）によって保持されている。
【００４０】
前記ステージベース７１は、前述のベースプレートＢＳ上に設置されたメンテプレートと呼ばれる平板ＭＰ上の複数箇所（例えば３箇所）にそれぞれ配置された、複数（例えば３つ）の支持部材７３と、該各支持部材７３の上面にそれぞれ固定された複数（例えば３つ）の第２防振機構６６とによって、支持金物８９Ａ〜８９Ｃ（但し、支持金物８９Ｂは、図１では図示せず、図３参照）をそれぞれ介してほぼ水平に支持されている。
【００４１】
これを更に詳述すると、ステージベース７１の−Ｘ側面には、そのＹ軸方向の一側と他側の端部近傍にそれぞれ断面Ｌ字状の金属等からなる支持金物８９Ａ、８９Ｂ（但し、支持金物８９Ｂは、図１では図示せず、図３参照）が固定されている。また、ステージベース７１の＋Ｘ側面には、そのＹ軸方向の中央部に、断面Ｌ字状の金属等からなる支持金物８９Ｃが固定されている。ステージベース７１は、これら３つの支持金物８９Ａ〜８９Ｃをそれぞれ介して、３つの支持部材７３の各々の上で第２防振機構６６をそれぞれ介して支持されるようになっている。
【００４２】
本実施形態では、ステージベース７１（及び支持金物８９Ａ〜８９Ｃ）と、複数の支持部材７３とによって、第３コラムが構成されている。
【００４３】
前記ステージベース７１の＋Ｚ側の面（上面）は、その平坦度が非常に高くなるように加工されており、ウエハステージＷＳＴの移動基準面であるガイド面とされている。
【００４４】
前記ウエハステージＷＳＴは、投影ユニットＰＵの図１における下方で、ウエハステージ駆動部２７（図１では図示せず、図７参照）によって駆動され、ウエハＷを保持して上記ガイド面に沿ってＸＹ２次元移動するようになっている。
【００４５】
ウエハステージＷＳＴは、ウエハステージＷＳＴを取り出して斜視図にて示す図４に示されるように、ウエハステージ本体２８と、該ウエハステージ本体２８上に不図示のＺ・チルト駆動機構を介して搭載されたウエハテーブルＷＴＢとを備えている。Ｚ・チルト駆動機構は、実際には、ウエハステージ本体２８上でウエハテーブルＷＴＢを３点で支持する３つのアクチュエータ（例えば、ボイスコイルモータ又はＥＩコア）等を含んで構成され、ウエハテーブルＷＴＢをＺ軸方向、θｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）、θｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の３自由度方向に微小駆動する。
【００４６】
前記ウエハステージ本体２８は、断面矩形枠状でＹ軸方向に延びる部材により構成されている。このウエハステージ本体２８の下面には、複数、例えば４つの不図示のエアベアリングが設けられ、これらのエアベアリングを介してウエハステージＷＳＴが前述のガイド面の上方に数μｍ程度のクリアランスを介して非接触で浮上支持されている。
【００４７】
前記ウエハステージ本体２８の内側上面には、図４に示されるように、Ｙ可動子１３２Ｙが固定されている。このＹ可動子１３２Ｙは、断面矩形枠状でＹ軸方向に伸びる可動子ヨーク（マグネットプレート）と、該可動子ヨークの内面側の上下対向面に相互に対向してかつＹ軸方向に沿って所定間隔で交互に配列されたＮ極永久磁石，Ｓ極永久磁石から成る複数の界磁石とを備えている。この場合、相互に隣接する界磁石同士の極性は相互に逆極性であるとともに、相互に対向する界磁石同士の極性も相互に逆極性となっている。このため、可動子ヨークの内部空間には、Ｙ軸方向に沿って交番磁界が形成されている。
【００４８】
上記Ｙ可動子１３２Ｙの可動子ヨークの内部空間に、ステージベース７１近傍の構成部分を平面図にて示す図３に示されるように、Ｙ軸方向を長手方向とするＹ軸リニアガイド１３４Ｙが挿入されている。このＹ軸リニアガイド１３４Ｙは、ここではＹ軸方向に沿って配列された複数の電機子コイルを有する電機子ユニットによって構成されている。
【００４９】
この場合、Ｙ可動子１３２ＹとＹ軸リニアガイド１３４Ｙとの間の電磁相互作用により発生するローレンツ力（電磁力）によりウエハステージＷＳＴがＹ軸リニアガイド１３４Ｙに沿ってＹ軸方向に駆動される。すなわち、Ｙ可動子１３２ＹとＹ軸リニアガイド１３４Ｙとによって、ウエハステージＷＳＴを走査方向（Ｙ軸方向）に駆動するムービングマグネット型の電磁力駆動方式のＹ軸リニアモータ１３６Ｙが構成されている。
【００５０】
前記Ｙ軸リニアガイド１３４Ｙの長手方向の一端（−Ｙ側端）には、Ｘ可動子１３２Ｘ1が設けられている。このＸ可動子１３２Ｘ1は、ＹＺ断面Ｔ字状の形状を有し、その内部（又は外部）には不図示の電機子コイルが所定間隔（所定ピッチ）でＸ軸方向に沿って配設されている。
【００５１】
また、Ｙ軸リニアガイド１３４Ｙの長手方向の他端（＋Ｙ側端）には、上記Ｘ可動子１３２Ｘ1と同様に構成されたＸ可動子１３２Ｘ2が設けられている。
【００５２】
一方のＸ可動子１３２Ｘ1は、ＹＺ断面Ｕ字状のＸ軸リニアガイド１３４Ｘ1の内部空間に挿入された状態となっている。Ｘ軸リニアガイド１３４Ｘ1の内側の一対の対向面（上下面）には前述のＹ可動子１３２Ｙと同様に、不図示の複数の界磁石がＸ軸方向に沿って所定間隔で配列されている。Ｘ軸リニアガイド１３４Ｘ1は、ステージベース７１の−Ｙ側で床面Ｆ上に固定された２本の支持部材１６４によってその長手方向の一側と他側の端部近傍をそれぞれ保持されている。
【００５３】
本実施形態では、上述したＸ可動子１３２Ｘ1とＸ軸リニアガイド１３４Ｘ1とによってムービングコイル型の電磁力駆動方式のリニアモータから成るＸ軸リニアモータ１３６Ｘ1が構成されている。
【００５４】
他方のＸ可動子１３２Ｘ2は、ＹＺ断面Ｕ字状のＸ軸リニアガイド１３４Ｘ2の内部空間に挿入された状態となっている。Ｘ軸リニアガイド１３４Ｘ2の内側の一対の対向面（上下面）には前述のＹ可動子１３２Ｙと同様に、不図示の複数の界磁石がＸ軸方向に沿って所定間隔で配列されている。Ｘ軸リニアガイド１３４Ｘ2は、ステージベース７１の＋Ｙ側で床面Ｆ上に固定された２本の支持部材１６６によってその長手方向の一側と他側の端部近傍をそれぞれ保持されている。
【００５５】
本実施形態では、上述したＸ可動子１３２Ｘ2とＸ軸リニアガイド１３４Ｘ2とによってムービングコイル型の電磁力駆動方式のリニアモータから成るＸ軸リニアモータ１３６Ｘ2が構成されている。
【００５６】
上述したＸ軸リニアモータ１３６Ｘ1、１３６Ｘ2によって、Ｙ軸リニアモータ１３６Ｙとともに、ウエハステージＷＳＴがＸ軸方向に沿って駆動されるようになっている。また、Ｘ軸リニアモータ１３６Ｘ1、１３６Ｘ2がそれぞれ発生するＸ軸方向のローレンツ力（駆動力）を僅かに異ならせることにより、ウエハステージＷＳＴをθｚ方向に回転させることもできる。すなわち、本実施形態ではウエハステージＷＳＴをＹ軸方向に駆動するＹ軸リニアモータ１３６Ｙと、一対のＸ軸リニアモータ１３６Ｘ1、１３６Ｘ2とによって、ウエハステージＷＳＴをＸＹ２次元面内で自在に駆動するＸＹ駆動部が構成されている。また、このＸＹ駆動部と前述したＺ・チルト駆動機構とによって、図７のウエハステージ駆動部２７が構成されている。これまでの説明からわかるように、ウエハステージ駆動部２７により、ウエハテーブルＷＴＢは、Ｘ軸及びＹ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向及びθｚ方向に微小駆動されるようになっている。ウエハステージ駆動部２７の構成各部は、主制御装置５０により制御される（図７参照）。
【００５７】
前記ウエハテーブルＷＴＢの上面に、図４に示されるように、ウエハホルダ７０を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）等により吸着保持されている。ウエハホルダ７０は、図４に示されるように、ウエハＷが載置される領域（中央の円形領域）の周囲部分のうち、正方形のウエハテーブルＷＴＢの一方の対角線上に位置する２つのコーナーの部分がそれぞれ突出し、他方の対角線上に位置する２つのコーナー部分が前述の円形領域より一回り大きい円の１／４の円弧状となる、特定形状の本体部７０Ａと、この本体部７０Ａにほぼ重なるようにウエハＷの載置される領域の周囲に配置された４枚の補助プレート２２ａ〜２２ｄと、を備えている。これらの補助プレート２２ａ〜２２ｄの表面は、ウエハＷ表面とほぼ同一の高さとされている。補助プレート２２ａ〜２２ｄに代えて、単一のプレートから成る補助プレートを設けても良い。
【００５８】
この場合、図４に示されるように、補助プレート２２ａ〜２２ｄのそれぞれとウエハＷとの間には、隙間Ｄが存在するが、隙間Ｄの寸法は、０．１〜１ｍｍ以下になるように設定されている。また、ウエハＷには、その一部にノッチ（Ｖ字状の切欠き）が存在するが、このノッチの寸法も１ｍｍ程度であるから、図示は省略されている。
【００５９】
また、補助プレート２２ａには、その一部に平面視（上から見て）矩形状の開口が形成され、その開口内に、基準マーク板ＦＭが嵌め込まれている。基準マーク板ＦＭはその表面が、補助プレート２２ａと同一面とされている。基準マーク板ＦＭの表面には、少なくとも一対のレチクルアライメント用の第１基準マーク及び不図示のオフアクシス（off-axis）方式のアライメント系（オフアクシスアライメント系）のベースライン計測用の第２基準マーク等が形成されている。
【００６０】
図１に戻り、ウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置情報は、その上部に固定された移動鏡１７に測長ビームを照射するウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）１８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。このウエハ干渉計１８は、前述の鏡筒定盤３８の下面に吊り下げ支持状態で固定されている。このウエハ干渉計１８は、投影ユニットＰＵの鏡筒４０の側面に固定された固定鏡２９の反射面を基準とする移動鏡１７の反射面の位置情報をウエハステージＷＳＴの位置情報として計測する。
【００６１】
ここで、ウエハステージＷＳＴ（より正確にはウエハテーブルＷＴＢ）上には、実際には、図３（及び図４）に示されるように、走査方向であるＹ軸方向に直交する反射面を有するＹ移動鏡１７Ｙと非走査方向であるＸ軸方向に直交する反射面を有するＸ移動鏡１７Ｘとが設けられ、これに対応してＸレーザ干渉計１８ＹとＹレーザ干渉計１８Ｘとが設けられ（図３参照）、さらに固定鏡も、Ｘ軸方向位置計測用とＹ軸方向位置計測用のものがそれぞれ設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１７、ウエハ干渉計１８、固定鏡２９として図示されている。この場合、移動鏡１７Ｘ、１７Ｙの上端面は、ウエハＷの表面とほぼ同一高さ（ウエハＷの表面より最大でも約０．５ｍｍ高い程度）に設定することが望ましい。
【００６２】
なお、例えば、ウエハテーブルＷＴＢの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡１７Ｘ，１７Ｙの反射面に相当）を形成しても良い。また、Ｘレーザ干渉計１８Ｘ及びＹレーザ干渉計１８Ｙは測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウエハテーブルＷＴＢのＸ、Ｙ位置の他、回転（ヨーイング（θｚ方向の回転）、ピッチング（θｘ方向の回転）、ローリング（θｙ方向の回転））も計測可能となっている。従って、以下の説明ではウエハ干渉計１８によって、ウエハテーブルＷＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置情報が計測されるものとする。また、多軸干渉計は４５°傾いてウエハステージＷＳＴに設置される反射面を介して、投影ユニットＰＵが載置されるボディＢＤに設置される不図示の反射面にレーザビームを照射し、投影光学系ＰＬの光軸方向（Ｚ軸方向）に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。
【００６３】
ウエハテーブルＷＴＢの位置情報（又は速度情報）は、図７の主制御装置５０に送られ、主制御装置５０では前記位置情報（又は速度情報）に基づいてウエハステージ駆動部２７（より正確には、前述したＸＹ駆動部）を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置を制御する。ここで、ウエハテーブルＷＴＢの位置情報に基づいて、ウエハステージＷＳＴを制御するとしているのは、ウエハ干渉計１８からは、ウエハテーブルＷＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置情報が主制御装置５０に供給されるが、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向以外のθｙ及びθｘ方向の位置情報は、ウエハテーブルＷＴＢの傾きに起因するＸ軸、Ｙ軸方向に関する位置計測誤差（一種のアッベ誤差）の算出に用いられ、この算出結果に基づいてウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置が補正されるからである。すなわち、θｙ及びθｘ方向の位置情報は、直接的にウエハテーブルＷＴＢの傾きの調整に用いられるものでない。
【００６４】
図２には、前述した鏡筒定盤３８の一端部近傍及びステージベース７１の一端部近傍の構成部分が、一部断面して示されている。前記各第１防振機構５６は、そのうちの一つの第１防振機構５６を代表的に採りあげて、図２に示されるように、フレームキャスタＦＣを構成する脚部３９の上部に直列に接続された内圧が調整可能なエアマウント６０と鏡筒定盤３８を重力方向（Ｚ軸方向）に高応答で微小駆動可能なボイスコイルモータ６２とを含んで構成されている。エアマウント６０は不図示の電磁レギュレータによりその内圧が調整可能とされている。また、ボイスコイルモータ６２は、鏡筒定盤３８に直接取り付けられた可動子と、エアマウント６０上に設けられ、可動子との間で電磁相互作用を行い鏡筒定盤３８を重力方向に微小駆動する電磁力を発生する固定子とを有している。このようにして構成される第１防振機構５６の構成各部は、主制御装置５０により制御されるようになっている（図７参照）。例えば鏡筒定盤３８に偏荷重が生じた場合には、この偏荷重による鏡筒定盤３８の変位を検出する不図示の変位センサ（例えば光学式のセンサなど）の出力に応じ、主制御装置５０により、不図示の圧力センサの計測値に基づいて電磁レギュレータを介したエアマウント６０内の気体室の内部圧力の調整が行われる。但し、エアマウント６０の内圧は高く、制御応答が２０Ｈｚ程度しか確保できないので、主制御装置５０は、高応答の制御が必要な場合には、鏡筒定盤３８に取り付けられた不図示の加速度計などの出力に応じてボイスコイルモータ６２を制御する。勿論、床振動などの微振動は、エアマウント６０の空気ばねによって除振される（マイクロＧレベルで絶縁される）。
【００６５】
前記３つの第２防振機構６６のそれぞれは、支持対象物が異なる点を除き、上述の第１防振機構５６と同様にして構成されている。図２には、３つの第２防振機構６６のうちの支持金物８９Ａを介してステージベース７１を支持する第２防振機構６６が代表的に採り挙げて示されている。この図２に示されるように、各第２防振機構６６は、支持対象物としてのステージベース７１に固定された支持金物８９Ａ（８９Ｂ、あるいは８９Ｃ）と支持部材７３との間に並列に配置されたエアマウント６８とボイスコイルモータ７２とを備えている。この第２防振機構６６の構成各部６８，７２は、前述した第１防振機構５６と同様に構成されているため、第２防振機構６６によって、平板ＭＰ及びベースプレートＢＳを介してステージベース７１に伝わる床面からの微振動がマイクロＧレベルで絶縁できるようになっている。この第２防振機構５６の構成各部も、主制御装置５０により制御されるようになっている（図７参照）。
【００６６】
図１に戻り、本実施形態の露光装置１００では、鏡筒定盤３８の下面（−Ｚ側面）に、阻止部材としてのストッパ８０Ａ〜８０Ｃが支持金物８９Ａ〜８９Ｃ（ただし、図１では、ストッパ８０Ｂ及び支持金物８９Ｂは不図示、図３参照）の上方にそれぞれ吊り下げ支持状態で固定されている。
【００６７】
前記３つのストッパの内の１つのストッパ８０Ａは、図２に示されるように、Ｚ軸方向を長手方向とし、その上端部（＋Ｚ側端部）が鏡筒定盤３８の下面に固定され、該鏡筒定盤３８から吊り下げ支持されたストッパ本体８１と、該ストッパ本体８１の下端（−Ｚ側端）に設けられた変位センサ８４と、ストッパ本体８１の下端部近傍にその一端が接続され他端がストッパ本体８１の下端面より更に下方に張り出した側面視略Ｌ字状の張り出し部材８２と、ストッパ本体８１の長手方向ほぼ中央部の外周面に取り付けられたダイナミックダンパ８８とを備えている。
【００６８】
前記ストッパ本体８１は、図５に断面し、かつ一部省略して示されるように、その内部に中空部８１ａが形成された円筒部材（管部材）から成り、その中空部８１ａが鏡筒定盤３８の上面に固定されたＺ干渉計１０２の測長ビームの経路とされている。
【００６９】
Ｚ干渉計１０２は、図５に示されるように、支持金物８９Ａ上面に固定されたコーナーキューブ型ミラー（例えばレトロリフレクタ）８６に対して、鏡筒定盤３８に形成された貫通孔３８ａ及びストッパ本体８１の中空部８１ａを介して測長ビームを照射し、その反射光を中空部８１ａ及び貫通孔３８ａを介して受光することで、その内部の参照鏡を基準としてコーナーキューブ型ミラー８６の位置、すなわち該コーナーキューブ型ミラー８６が固定された支持金物８９ＡのＺ軸方向の位置（Ｚ干渉計１０２と支持金物８９Ａとの相対位置）を、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出する。
【００７０】
前記変位センサ８４は、図５に示されるように、ストッパ本体８１の下端面に固定され、該変位センサ８４と支持金物８９Ａとの距離（間隔）を正確に計測する。この場合、変位センサ８４としては、例えば支持金物８９Ａを測定対象とする渦電流変位センサが用いられている。この渦電流変位センサは、次のようにして、対象の位置、変位を知るセンサである。すなわち、絶縁体に巻いたコイルに、交流電圧を加えておき、導電体でできている測定対象に近づけると、コイルによってつくられた交流磁界によって導電体に渦電流が発生する。この渦電流によって発生する磁界は、コイルの電流によって作られた磁界と逆方向であり、これら２つの磁界が重なりあって、コイルの出力に影響を与え、コイルを流れる電流の強さ及び位相が変化する。この変化は、対象とコイルとの距離（間隔）に比例するので、コイルから電気信号を取り出すことにより、対象の位置、変位を知ることができる。
【００７１】
このように、支持金物８９Ａが導電体であることを考慮して渦電流変位センサを変位センサ８４として用いている。従って、本実施形態では、渦電流変位センサに代えて、静電容量式非接触変位センサを用いても良い。また、対象が導電体でない場合には、これらの変位センサに代えて、ＰＳＤ（半導体光位置検出器）を変位センサ８４として用いても良い。
【００７２】
変位センサ８４の計測結果は、図７に示されるように、主制御装置５０に供給されるようになっている。また、本実施形態の変位センサ８４は、計測結果が所定値（後述するΔＡ2）になったときに、主制御装置５０にフェールセーフ信号を出力する。
【００７３】
前記張り出し部材８２は、ストッパ８０Ａが下降し、あるいはステージベース７１が上昇した場合に、支持金物８９Ａにその下端面が当接して、変位センサ８４と支持金物８９Ａとの接触を回避できるように、その下端面が、変位センサ８４の下端よりも僅かに下側に位置する状態で、ストッパ本体８１に取り付けられている。従って、この点を重視して、張り出し部材８２を、ストッパ本体８１の外周部を取り囲む筒状の部材で形成しても良い。
【００７４】
前記ダイナミックダンパ８８は、図２に示されるように、ストッパ本体８１の外周面に固定されたゴム環８８Ａと、該ゴム環８８Ａの外周部に取り付けられた金属等から成るリング状部材８８Ｂとを備えている。このダイナミックダンパ８８は、鏡筒定盤３８から吊り下げ支持され、一種の片持ち張り（カンチレバー）を構成しているストッパ本体８１の振動を減衰させるダンパとして機能する。
【００７５】
ストッパ８０Ａの全長（最上端から最下端までの距離）Ｌは、図６に示されるように、張り出し部材８２の下端面がステージベース７１の上面に当接し、鏡筒定盤３８とステージベース７１とによりストッパ８０Ａが挟持された状態となった場合でも、投影ユニットＰＵの最下端（すなわち先玉９１の下端面）とウエハステージＷＳＴの最上端（ここではウエハテーブルＷＴＢに固定された移動鏡１７Ｘ、１７Ｙの上端面）との間隔ｄが所定値以下とならないように定められている。
【００７６】
その他のストッパ８０Ｂ，８０Ｃは、前述したストッパ８０Ａと同様に構成されている。また、各ストッパ８０Ｂ，８０Ｃを構成するストッパ本体においてもその内部に中空部が形成され、その中空部がストッパ８０Ａの中空部と同様、Ｚ干渉計の測長ビームの経路とされている。
【００７７】
なお、図示は省略されているが、本実施形態の露光装置１００では、投影ユニットＰＵの近傍に、オフアクシスアライメント系が設けられている。このオフアクシスアライメント系としては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子（ＣＣＤ）等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Filed Image Alignment）系のアライメントセンサが用いられている。このオフアクシスアライメント系の出力に基づき、基準マーク板ＦＭ上の基準マーク及びウエハ上のアライメントマークのＸ、Ｙ２次元方向の位置計測を行なうことが可能である。
【００７８】
本実施形態の露光装置１００では、さらに、照射系及び受光系（いずれも不図示）から成る、例えば特開平６−２８３４０３号公報（対応米国特許第５，４４８，３３２号）等に開示されるものと同様の斜入射方式の多点焦点位置検出系が設けられている。本実施形態では、一例として、照射系が図１に示される液体供給ノズル５１Ａの−Ｘ側にて鏡筒定盤３８下方に吊り下げ支持され、受光系が液体回収ノズル５１Ｂの＋Ｘ側にて鏡筒定盤３８下方に吊り下げ支持されている。すなわち、照射系及び受光系と、投影光学系ＰＬとが、同一の部材（鏡筒定盤３８）に取り付けられており、両者の位置関係が一定に維持されている。なお、照射系及び受光系が取り付けられる部材は、鏡筒定盤３８に限らず、投影光学系ＰＬとの位置関係が一定に維持される部材であれば良く、例えば投影ユニットＰＵの鏡筒４０などであっても良い。
【００７９】
照射系は、主制御装置５０によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系ＰＬの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束をウエハ表面に光軸ＡＸに対して斜め方向から照射する。一方、ウエハ表面で反射されたそれらの結像光束の反射光束は、受光系内の受光素子によって受光され、電気信号（焦点ずれ信号）に変換される。この焦点ずれ信号（デフォーカス信号）は、主制御装置５０に供給されている。主制御装置５０は、走査露光時などに、焦点ずれ信号（デフォーカス信号）、例えばＳカーブ信号に基づいてウエハＷ表面のＺ位置、θｘ方向の回転，θｙ方向回転を算出し、その算出結果にもとづいて、ウエハステージ駆動部２７（より正確には、Ｚ・チルト駆動機構）を介してウエハテーブルＷＴＢのＺ軸方向への移動、及び２次元方向の傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）を制御することで、照明光ＩＬの照射領域（前述の照明領域と共役な照明光ＩＬの照射領域）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。
【００８０】
更に、本実施形態の露光装置１００では、レチクルＲの上方には、投影光学系ＰＬを介してウエハステージＷＳＴ上の一対の基準マーク（基準マーク板ＦＭ上の一対の第１基準マーク）とこれに対応するレチクルＲ上の一対のレチクルマークとを同時に観察するための露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から成る不図示の一対のレチクルアライメント系がＸ軸方向に所定距離隔てて設けられている。この一対のレチクルアライメント系は、例えば特開平７−１７６４６８号公報（対応する米国特許第５，６４６，４１３号）などに開示されるものと同様の構成のものが用いられている。
【００８１】
図７には、露光装置１００における制御系の主要な構成が、簡略化してブロック図にて示されている。この制御系は、主制御装置５０を中心として構成されている。主制御装置５０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等から成るいわゆるマイクロコンピュータ（又はワークステーション）を含んで構成され、装置全体を統括して制御する。
【００８２】
これまでの説明及び図７から明らかなように、本実施形態では、主制御装置５０が、レチクルステージ駆動部１２及びウエハステージ駆動部２７を制御するステージ制御装置、第１、第２防振機構５６、６６を制御する防振制御装置、液体供給装置１３１ａ及び液体回収装置１３１ｂを制御する制御装置、及び露光量制御装置などを兼ねるものとしているが、これらの少なくとも一部を別々のマイクロコンピュータなどで構成しても良いことは勿論である。
【００８３】
本実施形態の露光装置１００では、デバイスの製造時には、通常のスキャナと同様に、大略、以下の手順で動作が進行する。
【００８４】
まず、レチクル交換（すなわちレチクルステージＲＳＴからのレチクルのアンロード及びレチクルステージＲＳＴ上へのレチクルのロード（レチクルステージＲＳＴ上にレチクルがない場合は、単にレチクルをロード））が行われる。次に、不図示のレチクルアライメント系、不図示のオフアクシスアライメント系及び基準マーク板ＦＭを用いて、通常のスキャニング・ステッパと同様の手順で、レチクルアライメント及びオフアクシスアライメント系のベースライン計測が、ロット先頭のウエハアライメントに先立って行われる。
【００８５】
上記のレチクル交換及びレチクルアライメント等と並行して（あるいは引き続いてウエハ交換（すなわち、ウエハホルダ７０からの露光済みのウエハのアンロード及びウエハホルダ７０への未露光のウエハのロード（ウエハホルダ７０上にウエハがない場合は、単にウエハをロード）が行われる。これにより、ロット先頭のウエハがウエハホルダ７０上に載置され、その後、そのロット先頭のウエハに対して、ウエハアライメント（例えばＥＧＡ）及びステップ・アンド・スキャン方式の露光が行われる。そのロット先頭のウエハに対する露光が終了すると、ウエハ交換、ウエハアライメント及び露光が繰り返し行われ、ロット内の第２枚目以降のウエハに対する処理が行われる。そして、そのロット内の最後のウエハに対する処理が終了すると、レチクル交換、レチクルアライメント及びオフアクシスアライメント系のベースライン計測の動作が行われ、次ロットのウエハに対する処理が開始される。このようにして、複数ロットのウエハに対する処理が行われる。
【００８６】
なお、レチクル交換、レチクルアライメント及びオフアクシスアライメント系のベースライン計測、ウエハ交換、ウエハアライメント及びステップ・アンド・スキャン方式の露光の各動作シーケンスは、通常のスキャナと異なるところがないので詳細説明は省略する。但し、本実施形態では、レチクルアライメント、及び露光の際に、前述のように主制御装置５０によって液浸装置１３２を構成する液体供給装置１３１ａ、液体回収装置１３１ｂが制御され、先玉９１とウエハＷとの間に、一定量の水Ｌｑ（図１参照）が保持された状態で、各動作が行われる。
【００８７】
ところで、上記ウエハアライメント動作中や露光動作中などに、地震等が発生した場合には、鏡筒定盤３８が第１防振機構５６に支持され、ステージベース７１が第２防振機構６６で支持されていることに起因して、鏡筒定盤３８とステージベース７１とのＺ軸方向に関する間隔が増減変化する可能性がある。このような場合に、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間隔が、所定値以下になったとき、ストッパ８１により鏡筒定盤３８とステージベース７１とが更に接近するのが阻止されるようになっている。以下、これについて更に詳述する。
【００８８】
図８（Ａ）には、地震等が発生していない状態での、アライメント動作中又は露光動作中などにおけるストッパ８０Ａの下端部と支持金物８９Ａの上端面との位置関係が示されている。なお、ストッパ８０Ａ以外のストッパ８０Ｂ，８０Ｃの作用は、ストッパ８０Ａと同様であるから、以下ではストッパ８０Ａについてのみ説明する。
【００８９】
この図８（Ａ）の状態では、ストッパ８０Ａを構成する変位センサ８４と支持金物８９Ａの上端面との間隔はΔＡ1（例えば、０．５ｍｍ等）となっており、張り出し部材８２の下端面と支持金物８９Ａの上端面との間隔はΔＢ1（ここでは、前述した０．５ｍｍよりも狭い０．４ｍｍ等）となっている。なお、このときの変位センサ８４の計測値ΔＡ1は主制御装置５０に供給されている。
【００９０】
図８（Ｂ）には、地震等が発生し、例えば鏡筒定盤３８が図８（Ａ）の状態から下降し、ストッパ８０Ａが支持金物８９Ａに所定距離（ここでは、例えば０．３ｍｍ）近づいた状態が示されている。この図８（Ｂ）の状態では、変位センサ８４Ａと支持金物８９Ａの上端面とは間隔はΔＡ2（例えば、０．２ｍｍ等）であり、張り出し部材８２の下端面と支持金物８９Ａの上端面との間隔はΔＢ2（例えば０．１ｍｍ）となっている。本実施形態では、変位センサ８４Ａと支持金物８９Ａとの間隔がΔＡ2になる（変位センサ８４の計測値がΔＡ2になる）と、変位センサ８４Ａから主制御装置５０に対してフェールセーフ信号が出力される。
【００９１】
主制御装置５０では、そのフェールセーフ信号を受信すると、第２防振機構６６を構成するエアマウント６８内部の気体室を大気に開放して気体室内の空気を排気する（エアマウント６８を減圧する）。これにより、支持部材７３上でエアマウント６８によって支持されているステージベース７１が急激に下降された後、主制御装置５０により装置が安全に停止されるようになっている。
【００９２】
但し、上記のフェールセーフ信号を受けて、エアマウント６８が大気開放されるまでの時間も鏡筒定盤３８が下降し、ストッパ８０Ａが支持金物８９Ａに更に近づいて、図８（Ｃ）に示されるようにストッパ８０Ａの張り出し部材８２と支持金物８９Ａが当接する場合がある。
【００９３】
このような場合であっても、本実施形態では前述の如く、ストッパ８０Ａが鏡筒定盤３８とステージベース７１との間に挟持された状態で、投影ユニットＰＵの最下端（すなわち先玉９１の下端面）とウエハステージＷＳＴの最上端（移動鏡１７Ｘ、１７Ｙの上端面）との間に間隔ｄが所定値以上になるように、ストッパ８０Ａの全長Ｌが定められている（図６参照）ので、エアマウント６８が大気開放されるまでの間に投影ユニットＰＵとウエハステージＷＳＴとが接触するのを確実に回避することができる。また、ストッパ８０Ａはステージベース７１を支持する支持金物８９Ａと当接するので、ステージベース７１に荷重をかけて、平面度を悪化させることもない。
【００９４】
また、図８（Ｃ）に示されるように張り出し部材８２が支持金物８９Ａに当接した状態では、変位センサ８４と支持金物８９Ａとの間隔ΔＡ3が確保されているので、変位センサ８４と支持金物８９Ａとの接触も回避されるようになっている。また、コーナーキューブ型ミラー８６は、ストッパ本体８１の中空部８１ａに入り込むようになっている。
【００９５】
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、鏡筒定盤３８を床面Ｆに対して防振しつつ支持する３つの第１防振機構５６と、ステージベース７１を支持金物８９Ａ、８９Ｂ、８９Ｃをそれぞれ介して床面Ｆに対して防振しつつ支持する３つの第２防振機構６６とによって、鏡筒定盤３８とステージベース７１との位置関係を変更可能な防振部が構成されている。
【００９６】
以上説明したように、本実施形態の露光装置１００によると、投影ユニットＰＵを保持する鏡筒定盤３８から下方に吊り下げ支持された、換言すれば鏡筒定盤３８とその下方に水平に配置されたステージベース７１との間に重力方向（Ｚ軸方向）に沿って配置されたストッパ８０Ａ〜８０Ｃが、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間隔が所定値（ストッパ８０Ａ〜８０Ｃの全長Ｌ）以下になったときに、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間で挟持されて、鏡筒定盤３８とステージベース７１とが更に接近するのを阻止する。また、本実施形態では、上記のストッパ８０Ａ〜８０Ｃの全長Ｌが、ストッパ８０Ａ〜８０Ｃが鏡筒定盤３８とステージベース７１との間に挟持された状態で、投影ユニットＰＵの最下端（すなわち先玉９１の下端面）とウエハステージＷＳＴの最上端（移動鏡１７Ｘ、１７Ｙの上端面）との間に所定値以上の間隔ｄが確保されるように定められている（図６参照）。このため、鏡筒定盤３８とステージベース７１とを床面Ｆに対して防振しつつ支持する第１、第２防振機構５５、５６が地震等により制御困難となった場合であっても、投影ユニットＰＵとウエハステージＷＳＴとの干渉を回避することが可能である。
【００９７】
また、変位センサ８４は、その検出値が所定値になった段階で、主制御装置５０に対してフェールセーフ信号を出力するので、装置を安全に停止させることが可能である。また、地震などに限らず、例えばステージベース７１を防振しつつ支持するエアマウント６８が暴走し（制御不能となり）、その気体室内の内圧を強制的に高くしようとしてしまった場合などにも、フェールセーフ信号を受けた主制御装置５０が、エアマウント６８の気体室の空気を強制排気するので、装置を安全に停止することが可能となる。
【００９８】
さらに、本実施形態の露光装置１００によると、液浸装置１３２により投影光学系ＰＬとウエハテーブルＷＴＢ上のウエハＷとの間に、水（液体）が供給された状態で露光（液浸露光）が行われる。従って、高解像度かつ空気中と比べて大焦点深度の露光を行うことで、レチクルＲのパターンを精度良くウエハ上に転写することができ、例えばデバイスルールとして７０〜１００ｎｍ程度の微細パターンの転写を実現することができる。
【００９９】
なお、上記実施形態では、ストッパ本体８１に中空部を設けることとしたが、Ｚ干渉計を設けない場合や、Ｚ干渉計の測長ビーム経路が別に設定されている場合には、ストッパ本体に中空部を設けないこととしても良い。
【０１００】
また、上記実施形態で説明したストッパ８０Ａ〜８０Ｃは、一例であって、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、上記実施形態の露光装置において、図９に示されるようなストッパ８０’を、ストッパ８０Ａ〜８０Ｃに代えて用いても良い。この図９に示されるストッパ８０’は、鏡筒定盤３８の下面から吊り下げ支持されたストッパ本体８１’と、該ストッパ本体８１’の下端部に固定された連結部４２と、該連結部４２の下端部に圧縮コイルばね４４を介してスライド自在に設けられたセンサとしてのロードセル４６とを備えている。このストッパ８０’の全長は、前述したストッパ８０とほぼ同一長さとなっている。
【０１０１】
前記ストッパ本体８１’は、大径部８３ａと、該大径部８３ａの下端部に設けられた小径部８３ｂとから構成されている。
【０１０２】
前記ロードセル４６は、円筒状の筐体と、その下端面（−Ｚ側端面）に出没自在に設けられた押圧ボタン（着力点）４６ａと、前記筐体内部に設けられ、押圧ボタン４６ａが接続されたダイヤフラム、起歪体、ひずみゲージ等からなるセンサ本体と、を含んで構成されている。このロードセル４６の押圧ボタン（着力点）４６ａにかかる押圧力は、前記センサ本体により検出され、前述の主制御装置５０に供給されるようになっている。
【０１０３】
前記圧縮コイルばね４４は、ロードセル４６の着力点に所定の押圧力以上の力がかかった状態で圧縮変形するようになっている。
【０１０４】
前記連結部４２は、概略的に、径の異なる複数の円筒状部材の組み合わせから成り、その最下端の円筒状部材に対して、前記ロードセル４６がスライド自在に係合した状態となっている。この連結部４２は、その上端部において、ボルト（ネジ）４８により、ストッパ本体８１’の小径部８３ｂに固定されている。
【０１０５】
また、ストッパ本体８１’の大径部８３ａの下端部近傍には、マイクロメータ５２が固定部材５４，５６を介して設けられている。このマイクロメータ５２は、連結部４２とストッパ本体８１’との位置関係を計測することができる。このため、露光装置の製造段階において、連結部４２とストッパ本体８１’との位置関係を所定の状態としたときの、該マイクロメータ５２による計測結果をメモリに保存しておくことにより、露光装置の使用時の調整段階において、マイクロメータ５２の計測値が上記メモリに保存されている値となるように、連結部４２とストッパ本体８１’の位置関係を調整することで、連結部４２とストッパ本体８１’の位置関係の調整を比較的容易に行うことが可能となっている。
【０１０６】
図９の状態から、地震等の発生により、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間隔が狭まると、図１０（Ａ）に示されるように、ロードセル４６の押圧ボタン４６ａと支持金物８９Ａ（支持金物８９Ｂあるいは支持金物８９Ｃ）の上端面とが接触する。このときのロードセル４６の押圧ボタン部分４６ａを除く部分と支持金物８９Ａ（支持金物８９Ｂあるいは支持金物８９Ｃ）の上端面との間隔はΔＤ1となっている。また、この段階では、圧縮コイルばね４４のＺ軸方向の幅はΔＣ1となっている。
【０１０７】
この状態から、更に鏡筒定盤３８とステージベース７１との間隔が狭まると、ストッパ８０’には、所定の圧縮力が加わることになる。この場合に、ロードセル４６の押圧ボタン４６ａ部分を除く部分と支持金物８９Ａの上端面との間隔が、図１０（Ｂ）に示されるように、ΔＤ2となったことが、前記ダイヤフラム、起歪体、ひずみゲージを介して検出されると、ロードセル４６から主制御装置５０に対してフェールセーフ信号が出力される。
【０１０８】
主制御装置５０では、そのフェールセーフ信号を受信すると、第２防振機構６６を構成するエアマウント６８内部の気体室を大気に開放して気体室内の空気を排気する（エアマウント６８を減圧する）。これにより、支持部材７３上でエアマウント６８によって支持されているステージベース７１が急激に下降された後、主制御装置５０により運転が停止されるようになっている。
【０１０９】
なお、この段階では、まだ、圧縮コイルばね４４は圧縮しておらず、間隔ΔＣ1が維持されている。
【０１１０】
ところで、エアマウント６８の大気開放が行われるまでの間においても、更に鏡筒定盤３８が下降する場合がある。従って、ストッパ８０’にかかる圧縮力はこれに伴って更に増大することになるが、その圧縮力によりストッパ８０’が歪曲しないように、ロードセル４６の上端に設けられた圧縮コイルばね４４がΔＣ1からΔＣ2に収縮することにより、圧縮力を吸収することが可能となっている。すなわち、圧縮コイルばね４４は、サスペンションとしての機能を有している。勿論、圧縮コイルばね４４が収縮した場合であっても、ウエハステージＷＳＴと投影ユニットＰＵとが接触しないように設計されている。
【０１１１】
このように、圧縮コイルばね４４により圧縮力が吸収されている間に、前述したエアマウント６８の大気開放が開始されるので、図１０（Ｃ）の状態から、逆に図１０（Ｂ）、図１０（Ａ）の状態を経て、ストッパ８０’にかかる圧縮力が０になるようになっている（すなわち、ストッパ８０’と支持金物８９Ａとが非接触となる）。
【０１１２】
なお、上記では、ストッパにかかる圧縮力を検出するセンサとして、ロードセルを設けることとしたが、これに限らず、その他のセンサを用いることも勿論可能である。
【０１１３】
なお、上記実施形態においては、ストッパを設けることにより、投影光学系の最下端とウエハステージＷＳＴ上に設けられた移動鏡１７Ｘ，１７Ｙの上端部との接触を回避するという説明をしたが、本発明がこれに限られるものではなく、鏡筒定盤３２に支持される部材の中で、投影光学系の最下端よりも更に下方に位置する部材があるような場合（例えばアライメント系や多点焦点位置検出系の一部あるいは液体供給ノズル、液体回収ノズルなど）、及びウエハステージＷＳＴの移動鏡の上端部よりも上側に位置する場合には、それらの下端部と上端部との接触を回避するように、ストッパの全長を設定することとしても良い。
【０１１４】
なお、上記実施形態では、ストッパが鏡筒定盤３８の下面にて吊り下げ支持された場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、ステージベース７１の上面に立設されることとしても良い。この場合、ストッパの上端に位置センサやロードセルなどのセンサを設けることとすることができる。
【０１１５】
また、鏡筒定盤３８及びステージベース７１のいずれかに支持される場合に限らず、ストッパは、例えば、床面上に独立に設けられた支持機構により例えば片持ち支持状態で鉛直方向に向けて支持されていても良い。要は、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間に配置され、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間隔が所定値以下になったときに鏡筒定盤３８とステージベース７１との間に挟持されるような構成であれば、ストッパの設けられ方が限定されることはない。
【０１１６】
また、上記実施形態では、防振部として、鏡筒定盤３８を床に対して防振しつつ支持する第１防振機構５６と、ステージベース７１を床に対して防振しつつ支持する第２防振機構６６の２種類の防振機構を設けることとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、第１、第２防振機構のいずれか一方、例えば第２防振機構６６のみを設けることとしても良い。
【０１１７】
また、上記実施形態では、ストッパが鏡筒定盤３８とステージベース７１との間の位置関係を検出するセンサ（位置センサ、ロードセル）を有する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、ストッパが鏡筒定盤３８とステージベースとの間で挟持されることにより、鏡筒定盤３８とステージベース７１との間の位置関係を維持するという観点からは、センサを設けなくても良い。
【０１１８】
なお、上記実施形態では、センサが、その検出結果が所定値になったときに、フェールセーフ信号を出力する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、主制御装置５０が、センサから供給される計測結果に基づいて、フェールセーフ制御することとしても良い。
【０１１９】
なお、上記実施形態では、ステージ本体２８上にＺ・チルト駆動機構を介して載置されたウエハテーブルＷＴＢが移動体を構成する場合について説明したが、これに限らず、ウエハステージＷＳＴそのものを、Ｘ軸、Ｙ軸方向の２次元移動に加え、少なくともＺ軸方向に関する微小駆動が可能な単一のステージで構成する場合には、そのステージそのものが移動体を構成しても良いことは勿論である。
【０１２０】
上記実施形態では、投影ユニットＰＵが光学系ユニットを構成し、先玉９１の下面が、その投影ユニットＰＵの最下端部の部材である場合について説明したが、前述した多点焦点位置検出系を構成するプリズムなどが、投影ユニットＰＵの鏡筒に設けられるような場合もあり、そのような場合には、そのようなプリズムなども含んで露光光学系ユニットが構成される。
【０１２１】
なお、上記実施形態では、液体として超純水（水）を用いるものとしたが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。液体としては、化学的に安定で、照明光ＩＬの透過率が高く安全な液体、例えばフッ素系不活性液体を使用しても良い。このフッ素系不活性液体としては、例えばフロリナート（米国スリーエム社の商品名）が使用できる。このフッ素系不活性液体は冷却効果の点でも優れている。また、液体として、照明光ＩＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、また、投影光学系やウエハ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油等）を使用することもできる。また、Ｆ2レーザを光源とする場合は、フォンブリンオイルを選択すれば良い。
【０１２２】
また、上記実施形態で、回収された液体を再利用するようにしても良く、この場合は回収された液体から不純物を除去するフィルタを液体回収装置、又は回収管等に設けておくことが望ましい。
【０１２３】
なお、上記実施形態では、投影光学系ＰＬの最も像面側の光学素子が先玉９１であるものとしたが、その光学素子は、レンズに限られるものではなく、投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレート（平行平面板等）であっても良いし、単なるカバーガラスであっても良い。投影光学系ＰＬの最も像面側の光学素子（上記実施形態では先玉９１）は、照明光ＩＬの照射によってレジストから発生する飛散粒子又は液体中の不純物の付着等に起因して液体（上記実施形態では水）に接触してその表面が汚れることがある。このため、その光学素子は、鏡筒４０の最下部に着脱（交換）自在に固定することとし、定期的に交換することとしても良い。
【０１２４】
このような場合、液体に接触する光学素子がレンズであると、その交換部品のコストが高く、かつ交換に要する時間が長くなってしまい、メンテナンスコスト（ランニングコスト）の上昇やスループットの低下を招く。そこで、液体と接触する光学素子を、例えばレンズ９１よりも安価な平行平面板とするようにしても良い。
【０１２５】
また、上記実施形態において、液体（水）を流す範囲はレチクルのパターン像の投影領域（照明光ＩＬの照射領域）の全域を覆うように設定されていれば良く、その大きさは任意で良いが、流速、流量等を制御する上で、照射領域よりも少し大きくしてその範囲をできる限り小さくしておくことが望ましい。
【０１２６】
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置、さらに、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置などにも、本発明は適用できる。
【０１２７】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
【０１２８】
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ＡｒＦエキシマレーザに限らず、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）、Ｆ2レーザ（出力波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（出力波長１４６ｎｍ）などのパルスレーザ光源や、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、投影光学系は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。
【０１２９】
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを露光するために、ＳＯＲやプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられる。
【０１３０】
また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。例えば、電子線を用いる露光装置では、電磁レンズを備えた光学系が用いられるが、この光学系が露光光学系を構成し、この露光光学系の鏡筒などを含ん露光光学系ユニットが構成される。
【０１３１】
なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
以上説明したように、本発明の露光装置は、半導体素子、液晶表示素子などのマイクロデバイスの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】一実施形態に係る露光装置を示す概略図である。
【図２】図１の鏡筒定盤の一端部近傍及びステージベースの一端部近傍の構成部分を、一部断面して示す図である。
【図３】ステージベース近傍を示す平面図である。
【図４】ウエハステージを示す斜視図である。
【図５】図２のストッパを断面し、かつ一部省略して示す図である。
【図６】ストッパが鏡筒定盤とステージベースとの間で挟持された状態を示す図である。
【図７】図１の露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、ストッパの作用を説明するための図である。
【図９】変形例に係るストッパの−Ｚ端部近傍を拡大して示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、図９のストッパの作用を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１３４】
３８…鏡筒定盤（保持部材）、４６…ロードセル（センサ）、５０…主制御装置（制御装置）、５６…第１防振機構（防振部の一部）、６６…第２防振機構（防振部の一部）、６８…エアマウント、７１…ステージベース（ベース）、８０Ａ〜８０Ｃ…ストッパ（阻止部材）、８１ａ…中空部、８２…位置センサ（センサ）、１００…露光装置、１０２…Ｚ干渉計（干渉計）、１３２…液浸装置、ＩＬ…照明光（エネルギビーム）、ＰＬ…投影光学系（露光光学系）、ＰＵ…投影ユニット（露光光学系ユニット）、Ｗ…ウエハ（感光物体）、ＷＳＴ…ウエハステージ（移動体）。
【図１】
2005236078.tif 000003
【図２】
2005236078.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005236078.tif 000009
【図８】
2005236078.tif 000010
【図９】
2005236078.tif 000011
【図１０】
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