(57)【要約】      （修正有）【課題】高速で高解像度のインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置を提供する。【解決手段】発熱抵抗体７２に接続された信号電極６６と共通電極６８は、発熱抵抗体７２を挟んでインク供給路８６と反対側に設けられているため、インク供給路８６と発熱抵抗体７２の間に電極を設けるためのスペースを必要としない。これによってインク供給路８６と発熱抵抗体７２の距離を小さくし、インク供給路８６からインクが再供給される際、インクが再充填されるまでのタイムラグを小さくする。これにより、印字の高速化が可能となり、繰り返し周波数応答性が向上する。また共通電極６８には大電流が流れるので線幅を広くする必要があるが、位置的にインク供給に干渉しないため、線幅が制限されることもない。そして、ノズル配列方向に隣合う発熱抵抗体（発熱部）の配列間隔を小さくすることができ高密度化が可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のノズルに対して各々一つの発熱部を有すると共に、一つの前記発熱部を構成する発熱抵抗体を備えたインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記発熱抵抗体の共通電極と信号電極が前記発熱抵抗体を挟んでインク供給路の反対側に設けられ、
前記発熱抵抗体のノズル配列方向の両端に共通電極及び信号電極が夫々接続されたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
個々のノズルに対して各々一つの発熱部を有すると共に、ノズル配列方向に分割された複数の発熱部を構成する発熱抵抗体を備えたインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記発熱抵抗体の共通電極と信号電極が前記発熱抵抗体を挟んでインク供給路の反対側に設けられ、
前記信号電極が個々の前記発熱抵抗体のノズル配列方向の両端に接続され前記信号電極の間に前記共通電極が設けられ、
個々の前記発熱抵抗体は前記共通電極によりノズル配列方向に分割されて複数の前記発熱部が構成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記発熱抵抗体が千鳥配列されたことを特徴とする請求項１乃至請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記発熱抵抗体には、抵抗体層上に堆積した薄膜を自己酸化させた、あるいは抵抗層の表面を自己酸化させた保護層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
前記発熱抵抗体の表面が略平滑であることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】
前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層の順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
前記発熱抵抗体が抵抗体層、電極層の順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項８】
前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層、補助電極層の３層又は前記３層と保護層から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項９】
前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層、自己酸化停止層、自己酸化種子層から構成され、前記自己酸化種子層を自己酸化させ保護層とすることを特徴とする請求項１乃至請求項８に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１０】
前記電極層が銅を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１１】
前記発熱抵抗体を駆動、制御する駆動素子及び制御素子が一体化されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１に記載のインクジェット記録ヘッドを備えたインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット記録ヘッドとその製造方法、及びインクジェット記録装置に関し、さらに詳しくは、画像情報に基づいてインク滴を画像記録媒体に吐出し、画像を記録するインクジェット記録ヘッドと、このインクジェット記録ヘッドを備えたインクジェット記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット記録装置は、低価格でありながら高画質のカラー記録装置して注目されている。インクジェット記録装置の記録ヘッドとしては、例えば、個別流路に配設された発熱抵抗体層に通電し、インクを気化させた圧力でノズルからインクを噴出させるサーマル型の記録ヘッドが知られている。
【０００３】
例えば、特許３３２０８２５号（特開平０６−０７１８８８号）には、発熱抵抗体で消費されるエネルギーを下げる（低エネルギー化）為、極めて薄い保護層を有する発熱抵抗体を有する記録ヘッドが提案されている。
【０００４】
しかし、この提案では、積層順序が抵抗体層・電極であり、露出した電極部分がインクに腐食されてしまい信頼性に問題を有する。更に、電極が厚い場合、発熱領域に面する電極の段差に気泡消滅時の圧力衝撃が加わり、侵食作用を及ぼしてしまう。特に、電位を持った共通電極はインクに晒され、インクに含まれるイオンによる侵食が発生してしまう。
【０００５】
この問題を改善するために、特開平１０−０１０９４２１号には積層順序が電極・抵抗体層で平坦化された発熱抵抗体を有する記録ヘッドが提案されている。
【０００６】
この提案では、上層抵抗体が電極を保護する為、信頼性に優れている。他方、これを実現する為、電極層は上下折り返し配線を構成し、層間絶縁層を介して熱拡散性の高い電極層が発熱抵抗体層の直下に設けられる為、極めて薄い保護層を採用しているにも拘らず、下層にも大きなエネルギーの流れが発生して高いエネルギー効率を得ることができないという問題が発生する。更に、抵抗体層表面の酸化を常に安定して形成することが難しいという、作製上の問題を有する。
【０００７】
また、平滑化を達成する為に化学機械的研磨を行っているが、ディッシングが発生し作成歩留まりを落とす。さらに、共通電極あるいは信号電極はインクに対して電位を有し、その上にある薄層はインクによって侵食を被る。
【０００８】
また、特開２００２−１４４５７１には、オリフィス板との良好な密着を図るため、オリフィス板と接触する面が平滑化されたチップ（ダイ）を提案している。この提案では、上記提案のように、極めて薄い保護層は採用していない為、低エネルギー化を図ることはできない。
【０００９】
また、この提案では、抵抗体と２層目電極の電気的接続はタングステンプラグを介して行われ、配線抵抗の増大を引き起こし、高いエネルギー効率を得ることはできない。
【特許文献１】特開平０６−０７１８８８号（図４、図１２）
【特許文献２】特開平１０−０１０９４２１号（図１）
【特許文献３】特開２００２−１４４５７１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記提案では、発熱抵抗体層のインク供給路（インクインレット）側に共通電極を設けている、或いは下層電極と上層電極の電気的接続領域が発熱抵抗体層のインク供給路側に設けられているため、インク供給路から発熱領域（圧力室）までの流路を短くすることが難しく、流路抵抗の増大を招き、高速化（繰り返し周波数応答性）に問題を有する。特に、共通電極には同時に大電流が流れる為、線幅を広くする必要があり、この構造では高速化が困難である。
【００１１】
この問題は解像度を上げるため発熱抵抗体層の配列密度が増大した場合、とくに重要となる。例えば、６００ｄｐｉ密度で２０〜３４μｍ程度の流路幅であったものが、１２００ｄｐｉ密度ではその半分程度まで狭める必要がある。従って、解像度と高速化の両立を図るためには、インク供給路から圧力室（発熱領域）までの流路長を短くしなければならない。
【００１２】
また、発熱抵抗体層のインク供給路（インクインレット）側に共通電極を設けるためには、発熱抵抗体層配列方向に発熱抵抗体層と電極を分離して電極のリターンパス（電流路）を形成するので、発熱抵抗体層間に電極のリターンパスを設けるスペースや、発熱抵抗体層と電極のリターンパスとを電気的に絶縁するためのスペースが必要であり、解像度（発熱体密度）を上げる場合、配線パターンを解像することが難しくなる。
【００１３】
従って、本発明は上記事実を考慮し、高速且つ高解像度のインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１のインクジェット記録ヘッドは、個々のノズルに対して各々一つの発熱部を有すると共に、一つの前記発熱部を構成する発熱抵抗体を備え、前記発熱抵抗体の共通電極と信号電極が前記発熱抵抗体を挟んでインク供給路の反対側に設けられ、前記発熱抵抗体のノズル配列方向の両端に共通電極及び信号電極が夫々接続されたことを特徴としている。
【００１５】
上記構成の発明では、発熱抵抗体に接続される共通電極と信号電極がインク供給路の反対側に設けられているためノズルとインク供給路が近く、インク吐出後にインク供給路からインクが供給される際の流路抵抗が少ないので駆動周波数を高くできる。また、発熱抵抗体における共通電極及び信号電極の接続位置はノズル配列方向に並んでいるので、発熱抵抗体における共通電極及び信号電極の接続位置がノズル配列方向と直交する方向に並べる場合に設けられる電極のリターンパスが必要なく、発熱抵抗体間における電極のリターンパス分のスペースや当該リターンパスと発熱抵抗体とを電気的に絶縁するためのスペースが省略され、ノズル配列方向に隣合う発熱抵抗体（発熱部）の配列間隔を小さくすることができ高密度化が可能となる。
【００１６】
請求項２に記載のインクジェット記録ヘッドは、個々のノズルに対して各々一つの発熱部を有すると共に、ノズル配列方向に分割された複数の発熱部を構成する発熱抵抗体を備え、前記発熱抵抗体の共通電極と信号電極が前記発熱抵抗体を挟んでインク供給路の反対側に設けられ、前記信号電極が個々の前記発熱抵抗体のノズル配列方向の両端に接続され前記信号電極の間に前記共通電極が設けられ、個々の前記発熱抵抗体は前記共通電極によりノズル配列方向に分割されて複数の前記発熱部が構成されていることを特徴としている。
【００１７】
上記構成の発明では、発熱抵抗体に接続される共通電極と信号電極がインク供給路の反対側に設けられているためノズルとインク供給路が近く、インク吐出後にインク供給路からインクが供給される際の流路抵抗が少ないので駆動周波数を高くできる。また、発熱抵抗体における共通電極及び信号電極の接続位置はノズル配列方向に並んでいるので、発熱抵抗体における共通電極及び信号電極の接続位置がノズル配列方向と直交する方向に並んでいる場合に設けられる電極のリターンパスが必要なく、発熱抵抗体間における電極のリターンパス分のスペースや当該リターンパスと発熱抵抗体とを電気的に絶縁するためのスペースが省略され、ノズル配列方向に隣合う発熱抵抗体（発熱部）の配列間隔を小さくすることができ高密度化が可能となる。そして、さらに、個々の発熱抵抗体に設けらた共通電極により、一つの発熱抵抗体において個々のノズルに対応する発熱部を分割し、隣合う発熱部の共通電極を共有させている。このため、電極配線スペースを減らすことができ、また、設ける発熱抵抗体数が低減され、高密度化が可能となる。
【００１８】
請求項３に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体が千鳥配列されたことを特徴とする。
【００１９】
上記構成の発明では、発熱抵抗体に合わせてノズルも千鳥配列となり、同じ解像度であればノズルの間隔を大きくすることができるのでノズルの加工が容易となり、また強度を高め、ノズル１個あたりの発熱領域を大きくすることができる。
【００２０】
請求項４に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体には、抵抗体層上に堆積した薄膜を自己酸化させ、あるいは抵抗体層の表面を自己酸化させて保護層を有することを特徴とする。
【００２１】
上記構成の発明では、抵抗体層上に別途保護層を設けずに堆積した薄膜を自己酸化させ、あるいは抵抗層の表面を自己酸化させて保護層とするので、保護層を薄くすることが可能であり、インク加熱の際の熱損失を小さくできる。
【００２２】
請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体の表面が略平滑であることを特徴とする。
【００２３】
上記構成の発明では、発熱抵抗体の表面が略平滑であるため段差がなく、インク滴吐出の際にインク内に発生した気泡消滅時の圧力衝撃（キャビテーション）による劣化が段差部分に集中する恐れがないので耐久性、信頼性が高くなる。
【００２４】
請求項６に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層の順に積層されていることを特徴とする。
【００２５】
上記構成の発明では、抵抗体層に比較して厚い電極層を先に設け、平滑化したのち抵抗体層を形成することで、抵抗体層の表面を略平滑にでき、インク滴吐出の際にインク内に発生した気泡消滅時の圧力衝撃（キャビテーション）による劣化が段差部分に集中する恐れがないので耐久性、信頼性が高くなる。
【００２６】
請求項７に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体が抵抗体層、電極層の順に積層されていることを特徴とする。
【００２７】
上記構成の発明では、従来の製造工程・方法をそのまま流用できるので追加投資や設備変更を少なくすることができる。
【００２８】
請求項８に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層、補助電極層の３層又は前記３層と保護層から構成されることを特徴とする。
【００２９】
上記構成の発明では、電極層を形成したのち平滑化を行なうと、電極層の金属が周囲の部材よりも柔らかいためディッシングと呼ばれる凹部が形成され、境界部の角に電流が集中する現象に対して、補助電極層を設けることで電流の集中を防ぎ、耐久性、信頼性を高くできる。
【００３０】
請求項９に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体が電極層、抵抗体層、自己酸化停止層、自己酸化種子層から構成され、前記自己酸化種子層を自己酸化させ保護層とすることを特徴とする。
【００３１】
上記構成の発明では、自己酸化停止層上の自己酸化種子層を自己酸化させて保護層とするので、ＴａＳｉxＮy・ＴａＳｉxＯyなどの抵抗体層を自己酸化させて保護層とした際の経時劣化やインクによる腐食などを防ぐことができる。また自己酸化停止層を設けたことで自己酸化により形成される保護層の厚みを正確に制御することができる。
【００３２】
請求項１０に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記電極層が銅を含んでいることを特徴とする。
【００３３】
上記構成の発明では、電極層に銅を使用することで電気抵抗が低く、加工が容易で且つ安価なインクジェット記録ヘッドとすることができる。
【００３４】
請求項１１に記載のインクジェット記録ヘッドは、前記発熱抵抗体を駆動、制御する駆動素子及び制御素子が一体化されていることを特徴とする。
【００３５】
上記構成の発明では、特に複数の記録ヘッドを組合せてヘッドアレイとする場合等に構造を単純化し、配線・加工を簡略化することができる。
【００３６】
請求項１２に記載のインクジェット記録装置は、請求項１乃至請求項１１に記載のインクジェット記録ヘッドを備えたことを特徴とする。
【００３７】
上記構成の発明では、高速で高解像度のインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置とすることができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明は上記構成としたので、高速且つ高解像度のインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置とすることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。なお、同様の機能を有する部材は全図面通して同じ符号を付与して説明する。
【００４０】
図１〜６には本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドが示されている。図１には斜視図が、図２には発熱抵抗体７２の正面図が、図３、４、５、６には図２の断面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから見た構造が示されている。
【００４１】
本実施形態では、図１に示すように基板１０上に樹脂体７８で形成され流路壁８２でノズル８４ごとに区切られた圧力室８０が設けられ、圧力室８０には基板１０に設けられたインク供給路８６から供給されるインクを吐出するノズル８４が設けられている。なお、図２中、太線は流路壁８２を示している。
【００４２】
基板１０上には一つの発熱領域７０（発熱部）を備えた発熱抵抗体７２がノズル８４ごとに１個設けられ、発熱領域７０が発する熱でインクを蒸発させて生成した気泡の圧力によってノズル８４からインク滴を吐出する。
【００４３】
発熱抵抗体７２は、電極層としての信号電極６６及び共通電極６８と、発熱抵抗体層６４と、その保護層（後述）とから構成されている。
【００４４】
発熱抵抗体７２にはノズル８４の配列方向（矢印方向）の両端に信号電極６６及び共通電極６８が夫々設けられている。即ち、発熱抵抗体層６４のノズル８４の配列方向（矢印方向）の両端に信号電極６６及び共通電極６８が夫々設けられている。このように、発熱抵抗体７２における共通電極６８及び信号電極６６の接続位置はノズル配列方向に並んで設けられている。これに対し、図３１に示すように、発熱抵抗体７２のノズル配列方向と直交する方向の両端に共通電極６８及び信号電極６６が夫々設けられている場合、即ち発熱抵抗体７２における共通電極６８及び信号電極６６の接続位置がノズル配列方向と直交する方向に並んでいる場合には、共通電極６８を発熱抵抗体層６４の一端に接続するために電極のリターンパス１０２が必要になる。このため、本実施形態では、この電極のリターンパス１０２を設けるために必要なスペース（例えば、リターンパス形成領域や、リターンパスと発熱抵抗体層６４との間隙）が省略され、ノズル配列方向に隣合う発熱抵抗体７２（発熱領域７０）の配列間隔を小さくすることができ高密度化が可能となる。
【００４５】
発熱抵抗体７２に接続された信号電極６６と共通電極６８は、発熱抵抗体７２を挟んでインク供給路８６(インクインレット)と反対側に設けられている。従って、本実施形態では、図２に示すように、インク供給路８６と発熱抵抗体７２の間に電極を設けるためのスペースを必要としていない。これに対し、図３３に示すように、発熱抵抗体７２のノズル配列方向と直交する方向の両端に共通電極６８及び信号電極６６が夫々設けられている場合、即ち発熱抵抗体７２における共通電極６８及び信号電極６６の接続位置がノズル配列方向と直交する方向に沿っている場合には、インク供給路８６と発熱抵抗体７２の間に電極を設けるためのスペースが必要となるため、インク供給路８６から発熱抵抗体７２（発熱領域７０）までの流路長Ｔが長くなる。
【００４６】
このため、本実施形態では、図２に示すように、インク供給路８６と発熱抵抗体７２の間に電極を設けない分、インク供給路８６と発熱抵抗体７２（発熱領域７０）までの流路長Ｔを短くすることができ、ノズル８４からインクが吐出された後、インク供給路８６からインクが再供給される際、インクが再充填されるまでのタイムラグを小さくすることができる。
【００４７】
従って、消費されたインクの再供給が速くなり、印字の高速化が可能となる。すなわち、繰り返し周波数応答性が向上する。また共通電極６８には大電流が流れるので線幅を広くする必要があるが、位置的にインク供給に干渉しないため、線幅が制限されることもない。
【００４８】
また、図３のように積層順序が電極６６、６８→発熱抵抗体層６４となっている場合は、電極６６、６８を流れる電流経路に、面方向（図では水平方向）に加えて層方向（図では上下方向）の自由度が存在する。すなわち、図３２に示すように積層順序が発熱抵抗体層６４→電極６６、６８の順であれば、インクと接触する部分に大きな段差が存在することは耐久性、信頼性の点から望ましくないので電極６６、６８のエッジ部分は角のないテーパー型としなければならず、このとき厚みの薄い部分の電流密度が高くなる（電流が集中する）ことになり、問題となる。また配線抵抗が高くなるので電極を薄くすることはできない。ここで、図３２は図３１の断面Ａから見た断面図である。
【００４９】
このため、本実施例では積層順序を電極６６、６８→発熱抵抗体層６４とすることで、電極６６、６８を薄くする必要はなく、層方向に電極６６、６８の厚さを自由に設定でき、電流が面方向、層方向のいずれの経路でも流れ、電流密度と配線抵抗を低減することができる。特に、６００ｄｐｉ以上の高密度な配列におい上記の手法は有効となる。
【００５０】
図７〜１２には本発明の第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドが示されている。図７には斜視図が、図８には発熱抵抗体７２の正面図が、図９、１０、１１、１２には図８の断面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから見た構造が示されている。
【００５１】
本実施形態では、発熱抵抗体７２はノズル８４の配列方向（矢印方向）の両端に信号電極６６を備え、信号電極６６の間には一つの共通電極６８が設けられている。即ち、発熱抵抗体層６４のノズル８４の配列方向（矢印方向）の両端に信号電極６６を備え、信号電極６６の間には一つの共通電極６８が設けられている。この共通電極６８によって発熱領域７０がノズル８４の配列方向に分割されている。
【００５２】
そして、基板１０上には２つの発熱領域７０を備えた発熱抵抗体７２が２つのノズル８４ごとに１個設けられ、ノズル８４ごとに一つの発熱領域７０が設けられている。これ以外の構成は上記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
このように、本実施形態では、発熱抵抗体７２において共通電極６８により発熱領域７０がノズル配列方向に分割され、一つの発熱抵抗体７２には２つの発熱領域７０が設けられている。このため、隣合う発熱領域７０の共通電極６８を共有されるので、電極配線スペースを減らすことができ、高密度化が可能となる。
【００５４】
図１３〜図１７には本発明の第３実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構造が示されている。図１３には発熱抵抗体７２の正面図、図１４、１５、１６、１７には図１３の断面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから見た構造が示されている。
【００５５】
本実施形態では、上記第２実施形態に加えて図１４に示すように発熱抵抗体層形成後に、珪素酸窒化物層８８ａ及び金属タンタル層８８ｂを順次堆積し、これを保護層８８としている。これにより、インクなどの耐性を向上させた構成としている。これ以外の構成は、上記第２実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５６】
図１８〜図２０には本発明の第４実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構造が示されている。図１８には発熱抵抗体７２の正面図、図１９、２０は図１８の断面Ａから見た構造、及び楕円で囲んだ部分の拡大図である。
【００５７】
従来、発熱抵抗体層６４を形成する前の下層基板は、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により平滑化される。このとき、配線に銅などの比較的柔らかい金属を使用していると周囲よりも大きく削れてしまうため、図２０に示すように電極配線溝で配線断面が皿状に窪む現象すなわちディッシング（Ｄｉｓｈｉｎｇ）が観測されることがある。
【００５８】
特に発熱領域７０を挟む共通電極６８、信号電極６６でディッシングが発生した場合、発熱領域境界はその断面が僅かながら鈍角のエッジ線９２がエッジ部に現れる場合もある。この上に堆積・描画された発熱抵抗体層６４は、上記エッジ線上で電流密度の集中を起こし、発熱抵抗体層６４の劣化を促進することがあることが判っている。特に発熱領域７０の配列方向における発熱抵抗体７２と電極６６、６８の電気的接続領域でこれが激しく現れることがある。
【００５９】
ＣＭＰに用いるスラリーや操作設定条件を最適化することによって上記のディッシングを改善できるが、作成の歩留まり・コスト・生産性を考慮して、発熱体構造自身を改善することにより、上記の課題を改善したのが本実施例である。
【００６０】
本実施形態では電極６６、６８、発熱抵抗体層６４の順に積層した発熱体構造において、共通電極６８、信号電極６６の少なくとも発熱領域７０近傍に補助電極層９０を積層する構成である。補助電極層９０を積層することにより、エッジ線９２上で電流密度の集中を緩和することができる。
【００６１】
また、埋め込まれた下層電極に低融点の金属を用いた場合、発熱領域境界における温度上昇により、電極層の劣化が考えられるが、高融点金属あるいはその合金，珪化物を補助電極層９０に採用し、発熱領域７０から下層電極層を物理的に遠ざけることで、上記の課題を解決することができる。
【００６２】
これ以外の構成は、上記第２実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
図２１〜図２３には本発明の第５実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構造が示されている。図２１は発熱抵抗体７２の正面図、図２２、２３は図２１の断面Ａから見た構造、及び楕円で囲んだ部分の拡大図である。
【００６４】
本実施形態も第４実施形態と同様、電極６６、６８、発熱抵抗体層６４の順に積層した発熱体構造において、共通電極６８、信号電極６６の少なくとも発熱領域７０近傍に補助電極層９０を積層する構成である。補助電極層９０を積層することにより、エッジ線９２上で電流密度の集中を緩和することができる。
【００６５】
加えて本実施形態では図２２に示すように補助電極層９０形成後に、珪素酸窒化物層８８ａ及び金属タンタル層８８ｂを順次堆積し、これを保護層８８としている。これにより、インクなどの耐性を向上させた構成としている。
【００６６】
また、埋め込まれた下層電極に低融点の金属を用いた場合、発熱領域境界における温度上昇により、電極層の劣化が考えられるが、高融点金属あるいはその合金，珪化物を補助電極層９０に採用し、発熱領域７０から下層電極層を物理的に遠ざけることで、上記の課題を解決することができる点も第４実施形態と同様である。
【００６７】
これ以外の構成は、上記第２実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００６８】
図２４〜図２６には本発明の第６実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構造が示されている。図２４は発熱抵抗体７２の正面図、図２５、２６は図２４の断面Ａから見た構造、及び楕円で囲んだ部分の拡大図である。
【００６９】
本実施形態では、図２５に示すように、補助電極層９０が設けられた発熱抵抗体層６４上に自己酸化停止層９４、酸化保護層７４の順に層形成されている。
【００７０】
従来、発熱抵抗体層６４を形成後、自己酸化種子層を堆積し、アニール（焼きなまし）により酸化保護層７４を形成する方法は、低エネルギー化を図る上で有効な手段であったが、アニールによる酸化保護層７４がヘッドの歩留まりに影響を与えることがあった。
【００７１】
すなわち、アニールによる酸化保護層７４の厚みがロットによって変動する現象が現れるため不良が発生する。アニール温度の安定化や時間，アニール雰囲気を保つことにより、上記の課題を解決できるが、作成の歩留まり・コスト・生産性を考慮して、発熱体構造自身の改善により、上記の課題を改善したのが本実施例である。
【００７２】
具体的には図２５のように電極６６、６８、発熱抵抗体層６４の積層順で形成された発熱体構造において、発熱抵抗体層６４と酸化保護層７４を形成する為の自己酸化種子層の間に自己酸化停止層９４を設け、酸化保護層７４の厚みを一定化する方法・構造である。
【００７３】
このような構造とすることで、自己酸化停止層９４上の自己酸化種子層を自己酸化させて酸化保護層７４とすることにより、ＴａＳｉxＮy・ＴａＳｉxＯyなどの発熱抵抗体層６４を自己酸化させて保護層とした場合に発生する経時劣化やインクによる腐食などを防ぐことができる。さらに自己酸化停止層９４を設けたことで、自己酸化により形成される酸化保護層７４の厚みを正確に制御することができる。
【００７４】
これ以外の構成は、上記第３実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００７５】
図２７〜図２８には本発明の第７実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構造が示されている。
【００７６】
本実施形態では図２７〜図２８に示すように発熱抵抗体７２を千鳥配列としている。図２７は第１実施形態の構成において発熱抵抗体７２を千鳥配列にした形態を示している。図２８は第２実施形態の構成において発熱抵抗体７２を千鳥配列にした形態を示している。
【００７７】
これにより、同一のピッチであればノズル８４の間隔を大きく出来るので、発熱抵抗体層６４が形成された後に行われるノズル８４の作成過程において、第１及び２実施形態のような直線状配列に較べてノズル８４作成時に以下のような自由度を得ることができた。
【００７８】
すなわち、隣接した流路壁８２の厚み方向に対する制約を回避できる。厚くして強度を上げることやクロストーク（漏れ）を防止することができる。
【００７９】
また直線上に配列されたノズル８４の作成では、樹脂体７８の応力によりノズル８４の真円度が低下したり亀裂が発生したりするが、千鳥配列によりこれを回避することができる。
【００８０】
さらにノズル８４の配列密度の制約を受けず、発熱領域７０を拡げることができる。これによりインク滴体積の設計における自由度が高くなる。
【００８１】
特に、本実施形態に掛かる構造は６００ｄｐｉ以上の高いノズル８４配列密度において作成上の歩留まりを改善するのに有効である。第２実施形態の構成において発熱抵抗体７２を千鳥配列にした構造は、共通電極６８を隣合う発熱領域７０で共有しているので電極配線スペースが低減されて、より高密度化が可能となる。
【００８２】
なお、本実施形態では千鳥配列の周期を２発熱体周期すなわち左、右、左、右・・としているが、３発熱体周期すなわち左、中、右、中、左・・でもよく、あるいは３以上の発熱体周期による千鳥配列も可能である。
【００８３】
図２９は、上記実施形態の発熱体構造をアレイ化したダイユニットの構造が示されている。
【００８４】
本実施形態は、図２９に示すように、ダイユニット９６にはインク供給路(インクインレット)８６を挟んで２つの発熱抵抗体アレイ９８が設けられている。発熱抵抗体アレイ９８は発熱抵抗体７２が所定のピッチＰで配列され、この配列密度は例えば６００ｄｐｉである。そして、２つの発熱抵抗体アレイ９８は１／２波長ずらしてが配置されている。従って、１つのダイユニット９６で１２００ｄｐｉの解像度を得ることができる。
【００８５】
またダイユニット９６の長手方向周囲に外部との電気的接続用端子（パッド）１００を配置しており、電気配線を行なう際の作業性を向上させている。
【００８６】
次に本発明の各実施形態に共通した生成工程について説明する。
【００８７】
図３０には本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成における基板・電極配線の工程が示されている。以下に順を追って工程を説明する。
【００８８】
まず、図３０（ａ）に示すように、半導体基板１０としてｐ形Ｓｉウエハー表面を熱酸化して熱酸化層（不図示）を形成した後、リソグラフィ・エッチングにより開口を設け、燐（Ｐ）のイオン注入及び拡散を行った。これは、制御回路部ＣＭＯＳのｐチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ｐＭＯＳという）のｎウェルに相当する。また、必要に応じてｎチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、以下、ｎＭＯＳという）にｐウェル領域を形成しても良い。
【００８９】
尚、図４、図１０、図１５及び図３０中では、発熱抵抗体層を含むインクジェット記録素子を駆動するための駆動手段として、ｎＭＯＳを記載し、制御回路部ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ）領域を省略している。また、以下、発熱抵抗体及び、その駆動手段としての駆動用ｎＭＯＳの作製過程を記し、ｐＭＯＳに関する過程を省略する。
【００９０】
そして、Ｓｉウェハー表面に残った熱酸化層を一旦除去した後、再び熱酸化層（不図示）１０００Åと減圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による珪素窒化物層（不図示）１５００Åを堆積した。リソグラフィ及びエッチングによりトランジスタ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する活性領域を保護し、非活性領域に反転を防止するため硼素のイオン注入・拡散を行った（不図示）。
【００９１】
次に、素子分離を行う為、熱酸化してＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）からなる素子分離層１２：７０００Åを形成した。最後に、トランジスタ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する領域にある熱酸化層・珪素窒化層を除去した。
【００９２】
次に、熱酸化によりゲート酸化膜１４（Ｇａｔｅ  Ｏｘｉｄｅ）を形成し、トランジスタ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の閾値電圧を調整する為チャネル領域にイオン注入した。次に、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ，  ＰｏｌｙＳｉ）を堆積し、リソグラフィ及び反応性イオンエッチングによりゲート電極１６を形成した。ＰｏｌｙＳｉから成るゲート電極１６をマスクとして、例えば、燐（Ｐ）や砒素（Ａｓ）のイオン注入によりｎＭＯＳのソース（Ｓｏｕｒｃｅ）領域１８、ドレイン（Ｄｒａｉｎ）領域２０を形成した後、この領域の熱酸化膜を除去した。
【００９３】
そして、Ｔｕｎｇｓｔｅｎ（Ｗ）を堆積及びアニールして、Ｓｉの露出した領域のみを選択的にシリサイド（Ｓｉｌｉｃｉｄｅ）化してシリサイド（Ｓｉｌｉｃｉｄｅ）領域１６ａ、１８ａ、２０ａを形成した。Ｓｉｌｉｃｉｄｅ化されない金属Ｗを除去した。
【００９４】
次に、図３０（ｂ）に示すように、層間絶縁層２２として、ＵＳＧ層２４（Ｕｎ−Ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ：ＬＰＣＶＤ［Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ］によるＳｉＯ2）３０００Å、常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ：Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＢＰＳＧ層２６（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）１２０００Åを順じ堆積し、リフロー過程により平滑化及び緻密化を行った。この後、化学機械的研磨法（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により層間絶縁層２２の平滑化を行った。
【００９５】
ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層２４、ＢＰＳＧ層２６からなる層間絶縁層２２のソース（Ｓｏｕｒｃｅ）領域１８、ドレイン（Ｄｒａｉｎ）領域２０上にコンタクトホール（開口）を設け、選択的ＣＶＤによりＴｕｎｇｓｔｅｎ（Ｗ）を埋め込み、柱状電極２８（Ｐｌｕｇ）を形成した。
【００９６】
次に、図３０（ｃ）に示すように、１層目配線電極層３０（第１電極層）の配線分離絶縁層３２を形成するために、珪素窒化物ＳｉＮx層３４：５００Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層３６：７０００Å、珪素窒化物ＳｉＮx層３８：２５０Åを順じＣＶＤ法により積層した。ＵＳＧ層３６は配線分離絶縁層３２として堆積され、珪素窒化物ＳｉＮx層３４、３８は、１層目配線電極層３０の化学機械的研磨（ＣＭＰ）及びＵＳＧエッチングの停止層（Ｅｔｃｈ  Ｓｔｏｐ）として、また、電極層元素種の拡散を防止し、Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ領域を保護するために堆積される。上記機能を満たす為、少なくともＳｉＮx層３４、３８は、１００Å以上の厚みにすることが望ましい。また、発熱抵抗体層６４下の蓄熱効果を損なわない為には、熱拡散性の高いＳｉＮx層３４、３８を２０００Å以下であることが望ましい。すなわち、ＳｉＮx層３４、３８の厚みは１００Å以上２０００Å以下にあることが望ましい。
【００９７】
ここで、本実施形態では、層間絶縁層２２及び配線分離絶縁層３２としてＵＳＧを用いたが、この他に、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ、ＦＤＬＣ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）、珪素酸窒化物Ｓｉｌｉｃｏｎ  ＯｘｙＮｉｔｒｉｄｅ、ＵＳＧにＣを添加したＳｉＣＯ等の無機絶縁素材、ポリイミド樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、シロキサン樹脂（Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ  Ｐｏｌｙ  Ｔｅｔｒａ  Ｆｌｕｏｒｏ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＳｉＬＫ（ダウケミカル低誘電率素材）等の有機絶縁素材も使用してもよい。特に、珪素の酸化物、或いは珪素の酸窒化物が好適に使用することができる。また、層間絶縁層２２及び配線分離絶縁層３２としては、いくつかの素材を多層に積層することもできる。
【００９８】
また、層間絶縁層２２及び配線分離絶縁層３２には、発熱抵抗体層６４下の蓄熱効果を損なわない為には、発熱抵抗体層６４下及びその近傍において、厚みが少なくとも５０００Å以上、好ましくは１００００Å以上であり、且つ１．０×１０-5［ｍ2／ｓｅｃ］以下、好ましくは、１．０×１０-6［ｍ2／ｓｅｃ］以下の熱拡散率を有する絶縁層素材を使用するが望ましい。
【００９９】
また、層間絶縁層２２及び配線分離絶縁層３２は後過程で行われるアニールの処理温度以上で形成されることが望ましい。後過程のアニール温度が配線分離絶縁層５２、層間絶縁層５０（後述）の形成温度に較べて高い場合には、絶縁層に取り込まれた元素の気体脱離（Ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）が発生し、絶縁耐圧を損なったり、障壁層（後述）に悪影響を及ぼしたりする可能性があるからである。尚、作成方法はＣＶＤ法に限るものではない。なお、本実施形態では、７５０℃雰囲気下ＬＰＣＶＤによるＵＳＧ堆積を行った。
【０１００】
なお、以上の記載は、後述する２層目配線電極層４０の為の層間絶縁層５０及び配線分離絶縁層５２にも適用される。
【０１０１】
次に、１層目配線電極層３０を設けるため、リソグラフィ及びエッチングにより上層のＳｉＮx層３８、ＵＳＧ層３６、下層のＳｉＮx層３４を除去し、溝（Ｔｒｅｎｃｈ）を形成する。更に、電極層元素種の拡散を防止する障壁金属層４２としてタンタル窒化物（ＴａＮ）層２００Å及び配線電極の種子層４４としてＣｕ層１０００Åをスパッタリング法により、順じ堆積した。次に、電解鍍金法によりＣｕを溝に埋め込んで１層目配線電極層３０を形成した。他の表面上に堆積したＣｕ層、ＴａＮ層を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により除去し、その後洗浄を行って、平滑化を行った。電解鍍金法により形成された１層目配線電極層３０のＣｕの結晶化する為、アニール処理を行った。
【０１０２】
ここで、本実施形態では、障壁金属層４２としてＴａＮ層を用いたが、Ｔａ、ＴａＳｉxＮy、ＴａＣx、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＷＮ、この他の高融点金属及びその窒化物・炭化物・炭窒化物等が障壁金属として有効である。特に、障壁金属としては、Ｔａ、Ｔａ窒化物、Ｔａ珪化物、Ｔｉ窒化物から選択されることがよい。
【０１０３】
また、本実施形態では、スパッタリングによる種子層４４を形成した後、電解鍍金法により１層目配線電極層３０を成長させたが、障壁金属層４２堆積後、電解鍍金法を使わずスパッタリングあるいはＣＶＤ法により最後まで埋め込むことも可能である。また、種子層４４の形成にはＣＶＤ法を用いても良い。
【０１０４】
また、本実施形態では、１層目配線電極層３０にＣｕを用いたが、これに限るものではなく、Ａｇ，Ａｕ等１０μΩｃｍ以下の固有抵抗値を有する金属・合金が電極層として可能である。とくに、Ｃｕ，Ａｇ等は固有抵抗値が２．０μΩｃｍ未満と低く、配線抵抗値を低く抑えエネルギー効率を高める点で最適である。
【０１０５】
次に、図３０（ｄ）に示すように、１層目配線電極層３０と２層目配線電極層４０とを結ぶ開口４６（バイア）及び２層目配線電極層４０を形成するための溝４８（トレンチ）を形成する為、即ち、層間絶縁層５０及び配線分離絶縁層５２を形成する為、ＳｉＮx層５４：２５０Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層５６：１００００Å、ＳｉＮx層５８：２５０Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層６０：１００００Å、ＳｉＮx層６２：２５０Åを順じＣＶＤ法により積層した。なお、本実施形態では、層間絶縁層５０としてＵＳＧ層５６、配線分離絶縁層５２としてＵＳＧ層６０が形成されている。
【０１０６】
次に、上からＳｉＮx層６２：２５０Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層６０：１００００Å、ＳｉＮx層５８：２５０Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層５６：１００００Åをエッチングして、１層目配線電極層３０と２層目配線電極層４０を結ぶ開口４６を形成した。
【０１０７】
そして、図３０（ｅ）に示すように、２層目配線電極層４０を形成する為、リソグラフィを行った後、上からＳｉＮx層６２：２５０Å、ＵＳＧ（ＳｉＯ2）層６０：１００００Åをエッチングして溝４８を形成した。
【０１０８】
次に、図３０（ｆ）に示すように、開口４６内表面に露出したＳｉＮx層５４を除去し、障壁金属層４２として、タンタル窒化物（ＴａＮ）層２００Å及び配線電極の種子層４４としてＣｕ層１０００Åをスパッタリング法により、順じ堆積した。次に、電解鍍金法によりＣｕをＴｒｅｎｃｈに埋め込みで２層目配線電極層４０を形成し、表面上に堆積したＣｕ層、ＴａＮ層を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により除去し洗浄を行い、２層目配線電極層４０及び配線分離絶縁層５２から構成された面の平滑化を行った。その後、電解鍍金法により形成された配線電極層４０としてのＣｕの結晶化する為、アニール処理を行った。ここで、表面に露出しているＳｉＮx層５４は必ずしも除去する必要はないが、直接発熱抵抗体に接触するため、高熱拡散性素材の場合は、除去あるいは５００Å以下の厚みであることが望ましい。
【０１０９】
尚、２層目配線電極層４０の形成における配線分離絶縁層５２、層間絶縁層５０、ＳｉＮx層５４，５８，６２（エッチング停止層）、障壁金属層４２、及び種子層４４等の厚み・素材選択・取り扱いは、１層目配線電極層３０の説明で述べた通りである。
【０１１０】
また、本実施形態では、２層の配線電極層を形成したが、これに限るものではない。すなわち、本本実施形態では、主に、１層目配線電極層３０を駆動用トランジスタや制御回路部の低電圧用に（不図示）、２層目配線電極層４０を発熱抵抗体駆動のための高電圧用に割り当てたが、配線電極層を３層以上にして、高電圧用に２層以上の配線電極層を振り分けることが可能である。とくに、高密度に発熱抵抗体層を設ける場合、配線電極層の抵抗増大を回避するためには、複数の配線電極層は有効な手段である。
【０１１１】
続いて、樹脂体７８によるインク流路・圧力室の作製方法について説明する。これはずべての実施形態について共通である。
【０１１２】
最後に、インク流路（不図示）及びインク流路に通じる圧力室８０（共通インク室）となる領域にレジストを設け描画した後、感光性エポキシ樹脂前駆体をこれ以外の領域に塗布・フォトリソグラフィ・現像・キュアして、流路壁８２を形成する。更に、非感光性エポキシ系樹脂前駆体を塗布・キュアし、更に、撥水層（不図示）を形成するためサイトップＣＹＴＯＰ（旭硝子製）を塗布・キュアした。次に、金属層（不図示）を堆積した後、リソグラフィによりノズル・パッド領域の描画を行い、反応性イオンエッチングにより開口させ、ノズル８４を形成した。
【０１１３】
ここで、撥水層（不図示）には、サイトップＣＹＴＯＰ（旭硝子製）のほか、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）等の有機素材、ＦＤＬＣ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等の無機素材が使用することができ、水性インクに対して有効な撥水層となる。
【０１１４】
そして、半導体基板１０裏面から異方性エッチングにより、圧力室８０（共通インク室）に繋がるインク供給路８６となる開口を設けた後、所望の領域のレジストを除去して、インク流路（不図示）・圧力室８０（共通インク室）を形成した。
【０１１５】
続いて、第１実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１１６】
発熱抵抗体層６４として、ＴａＳｉxＮy層１０００Åをスパッタリング法により堆積し、リソグラフィ及びエッチングにより所望の形に描画した。このとき、発熱抵抗体層６４は下層にある共通電極６８（２層目配線電極層４０）及びｎＭＯＳのドレイン（Ｄｒａｉｎ）領域２０から導かれた信号電極６６（２層目配線電極層４０）の両者と、電気的接続を保つ為少なくともこれらの１部で接触する必要がある。発熱領域７０は、発熱抵抗体層６４における共通電極６８（２層目配線電極層４０）及び信号電極６６（２層目配線電極層４０）境界で規定され、これに挟まれた領域である。
【０１１７】
このため、発熱抵抗体層６４は、図４に示すように、１部の２層目配線電極層４０を被覆（共通電極６８と信号電極６６と少なくとも電気的に接続をするように被覆）して形成してもよいが、発熱抵抗体層６４は下層の２層目配線電極層４０を構成するＣｕの拡散を防止し保護するための障壁金属としても有効であり、図４に示すように表面に露出した２層目配線電極層４０を完全に被覆することは、信頼性の点で有効な手段である。
【０１１８】
発熱抵抗体層６４としてのＴａＳｉxＮy層は、Ｔａ5Ｓｉ3、ＴａＳｉ2等の粉末を加圧焼結したタンタル珪化物をターゲットに、窒素気体（反応性気体）による高周波スパッタリングにより堆積した。直流スパッタリングも可能である。この他、タンタル及び珪素個別のターゲットを用いた反応性同時スパッタリングによる堆積が可能である。前者は、１つの高周波電源を用いた簡易な堆積方法である反面、ターゲットが高価である。後者は、安価な直流電源を用いることができる反面、両ターゲットへのパワーを適時調整し組成を一定にする必要がある。
【０１１９】
また、発熱抵抗体層６４としては、ＴａＳｉxＯy層も適用することができる。ＴａＳｉxＮy層が窒素の反応性スパッタリングによるのに対して、ＴａＳｉxＯy層は酸素の反応性スパッタリングにより堆積される。ＴａＳｉxＮy層と同様に、タンタル珪化物ターゲットによる高周波反応性スパッタリングや反応性同時スパッタリングで作製することができる。このＴａＳｉxＯy層も配線電極層のＣｕの拡散を防止し保護する障壁金属としても有効である。
【０１２０】
発熱抵抗体層６４としてのＴａＳｉxＮy層及びＴａＳｉxＯy層の特徴は、反応性気体の導入量に応じてその固有抵抗値を所望の値に設定することができる点にある。具体的には、例えば、ＴａＳｉxＮy層における窒素導入量、ＴａＳｉxＯy層における酸素導入量を調整することにより、抵抗体の固有抵抗値１ｍΩｃｍを得ることができる。このように、高い固有抵抗値、即ち、高いビット抵抗値に設定できることで電流量を低減でき、同時駆動ビット数を増大させ、高速プリントが可能になる。
【０１２１】
発熱抵抗体層６４としてのＴａＳｉxＮy層、ＴａＳｉxＯy層は、低温でのスパッタリング堆積において、非晶質を形成するため、ＴＩＪ（サーマルインクジェット方式）駆動におけるＪｏｕｌｅ発熱により発熱抵抗体層６４が結晶化することがあり、固有抵抗値、即ちビット抵抗値の経時的変動を伴うことがある。このため、真空、不活性気体あるいは窒素気体中の高温におけるアニール過程を導入し、予め結晶化することにより、例えば、１×１０9ｐｕｌｓｅｓまでの駆動でビット抵抗値の変動を±５％以内に収めることができる。本実施形態では、真空中５５０℃におけるアニールを実施した。尚、発熱抵抗体層６４の結晶化アニールはスパッタリング堆積後、あるいは、描画後のいずれかの過程の後に行うことができる。
【０１２２】
次に、発熱抵抗体層６４としてのＴａＳｉxＮy層、ＴａＳｉxＯy層は、上記のリソグラフィ、エッチング及びフォトレジスト除去過程の際に大気に晒し、数１０Å程度の酸化膜を形成させる。そして、発熱抵抗体層６４を含む基板１０全表面（２層目配線電極層４０及び配線分離絶縁層５２から構成される平滑面全面）に、タンタル窒化物を堆積して薄膜を形成し、この薄膜をアニールにより自己酸化させ、酸化保護層７４としてタンタル酸化物からなる自己酸化層を形成した。本実施形態では、反応性スパッタリング法によりタンタル窒化物からなる薄膜を１００Å堆積し、リソグラフィ及びエッチングにより所望の形に描画した。この後、５００℃酸素雰囲気下のアニールにより自己酸化させ、自己酸化層を形成した。
【０１２３】
酸化保護層７４としての自己酸化層を形成する際の自己酸化は、発熱抵抗体層６４（ＴａＳｉxＮy層、ＴａＳｉxＯy層）界面で停止し、堆積したタンタル窒化物１００Åの薄膜が自己酸化して、タンタル酸化物からなる自己酸化層が形成される。元素分析の結果によると、自己酸化層におけるタンタル酸化物は化学量論的にＴａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比を呈している。タンタル酸化物としてのＴａ2Ｏ5は、耐食性に優れた稠密で硬い素材であり、過度の酸化進攻を防ぎ、アルカリ水性インクの腐食や気泡消滅時の圧力衝撃に優れているため、酸化保護層７４として有効である。
【０１２４】
いっぽう、発熱抵抗体層６４としてのＴａＳｉxＮy層、ＴａＳｉxＯy層自身を酸化する方法（ＴａＳｉxＯyに関しては、特許３１９４４６５参照）では、Ｔａ及びＳｉの複合自己酸化層が形成され、駆動Ｊｏｕｌｅ発熱に従いビット抵抗値が増大する経時的劣化が発生することがある。これは、均質なタンタル酸化物とは異なったタンタル・珪素複合酸化物では、酸化の進攻を抑制することが難しいからである。また、珪素酸化物はアルカリ水性インクに対して次第に腐食されるため、上述のように、酸化保護層７４として、単一元素の酸化物からなる自己酸化層（本実施形態ではタンタル窒化物からなる薄膜を自己酸化させ、タンタル酸化物からなる自己酸化層）が有効である。
【０１２５】
酸化保護層７４としての自己酸化層を形成する際の自己酸化におけるアニール温度は、３００℃以上７００℃以下であることが望ましい。３００℃以下では、タンタルの充分な酸化が行われず、７００℃以上では、下層に形成した層間絶縁層に取り込まれた非結合元素の脱気体（Ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）が発生し、絶縁耐圧を損なったり、障壁層に悪影響を及ぼしたりすることがあるからである。
【０１２６】
高温雰囲気下のアニールは、瞬間熱アニール（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）が最適であり、ランプ、レーザー、電子ビーム等による短時間の、また、局所的なアニールによりタンタル酸化物としてＴａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比の自己酸化層を形成することが可能である。
【０１２７】
酸化保護層７４としての自己酸化層としては、Ｔａ2Ｎ、ＴａＮ0.8、ＴａＮ等のタンタル窒化物の他、Ｔａ単体の薄膜を自己酸化させたものも最適である。この他、Ｗ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｎｂ等の均質に酸化が可能な高融点金属などの薄膜を自己酸化させたものでもよい。また、自己酸化層として、最初からタンタル酸化物をスパッタリング法あるいはＣＶＤ法により堆積し、アニールによりＴａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比のタンタル酸化物を形成することが可能である。タンタル酸化物のスパッタリング法あるいはＣＶＤ法による堆積では、Ｔａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比を構成することは難しく、アニール過程により所望の酸化物を得ることができる。
【０１２８】
酸化保護層７４としての自己酸化層は、少なくとも発熱抵抗体層６４を被覆していなければならない。また、露出した最上層の配線電極層（２層目配線電極層４０）を被覆して保護する必要がある。特に、発熱抵抗体層６４及び酸化保護層７４により電極露出面すべてを被覆することは、電極素材の拡散防止と保護を行う上で最適な方法である。更に、酸化保護層７４としての自己酸化層は、下層の配線電極層の無い露出した配線分離絶縁層の保護にも不純物の侵入を防ぐ点で最適である。
【０１２９】
尚、最上層の電極やトランジスタを保護するため、発熱領域以外に珪素窒化物・珪素酸化物・珪素酸窒化物等の無機絶縁層やポリイミド系あるいはエポキシ系樹脂層を堆積しても良い。
【０１３０】
なお、このように作製された本実施形態における発熱抵抗体層は、矩形の発熱面積１２．５μｍ×１２．５μｍを有し、発熱領域の抵抗値は１００Ωであった。
【０１３１】
続いて第２実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１３２】
発熱抵抗体層６４として、ＢａＲｕＯ3層１０００Åを酸素導入による反応性スパッタリング法により堆積し、リソグラフィ及びエッチングにより所望の形に描画した。このとき、発熱抵抗体層６４は下層にある共通電極６８（２層目配線電極層４０）及びｎＭＯＳのドレイン（Ｄｒａｉｎ）領域２０から導かれた信号電極６６（２層目配線電極層４０）の両者と、電気的接続を保つ為少なくともこれらの１部で接触する必要がある。発熱領域７０は、発熱抵抗体層６４における共通電極６８（２層目配線電極層４０）及び信号電極６６（２層目配線電極層４０）境界で規定され、これに挟まれた領域である。
【０１３３】
このため、発熱抵抗体層６４は、図１０に示すように、１部の２層目配線電極層４０を被覆（共通電極６８と信号電極６６と少なくとも電気的に接続をするように被覆）して形成してもよいが、発熱抵抗体層６４は下層の２層目配線電極層４０を構成するＣｕの拡散を防止し保護するための障壁金属としても有効であり、図１０に示すように表面に露出した２層目配線電極層４０を完全に被覆することは、信頼性の点で有効な手段である。
【０１３４】
発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層は、バリウム酸化物ＢａＯ2又はＢａＣＯ3の粉末、とルテニウム酸化物ＲｕＯ2の粉末を加圧焼結したターゲットに、反応性気体酸素による高周波スパッタリングにより堆積した。堆積直後の固有抵抗値は不安定であるが、５５０℃大気雰囲気下アニールによる結晶化で、安定した固有抵抗値を得ることができる。
【０１３５】
また、発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層は、バリウム酸化物ＢａＯ2とルテニウム酸化物ＲｕＯ2の個別のターゲットを用いた反応性気体酸素による高周波スパッタリングにより堆積することができる。
【０１３６】
次に、発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層上に、自己酸化種子層としてタンタル（Ｔａ）層１００Åをスパッタリング法により堆積し、リソグラフィ・エッチングにより描画した後、アニールによる自己酸化させ、タンタル酸化物からなる自己酸化層を形成し、これを酸化保護層７４とした。本実施形態では、５００℃酸素雰囲気下の自己酸化を行った。元素分析の結果によると、自己酸化層におけるタンタル酸化物は化学量論的にＴａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比を呈している。タンタル酸化物としてのＴａ2Ｏ5は、耐食性に優れた稠密で硬い素材であり、過度の酸化進攻を防ぎ、アルカリ水性インクの腐食や気泡消滅時の圧力衝撃に優れているため、酸化保護層７４として有効である。
【０１３７】
酸化保護層７４としての自己酸化層を形成する際の自己酸化におけるアニール温度は、３００℃以上７００℃以下であることが望ましい。３００℃以下では、タンタルの充分な酸化が行われず、７００℃以上では、下層に形成した層間絶縁層に取り込まれた非結合元素の脱気体（Ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）が発生し、絶縁耐圧を損なったり、障壁層に悪影響を及ぼしたりすることがあるからである。
【０１３８】
高温雰囲気下のアニールは、瞬間熱アニール（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）が最適であり、ランプ、レーザー、電子ビーム等による短時間の、また、局所的なアニールによりタンタル酸化物としてＴａ2Ｏ5あるいはこれに近い元素数比の自己酸化層を形成することが可能である。
【０１３９】
酸化保護層７４としての自己酸化層は、少なくとも発熱抵抗体層６４を被覆していなければならない。また、露出した最上層の配線電極層（２層目配線電極層４０）を被覆して保護する必要がある。特に、発熱抵抗体層６４及び酸化保護層７４により電極露出面すべてを被覆することは、電極素材の拡散防止と保護を行う上で最適な方法である。更に、酸化保護層７４としての自己酸化層は、下層の配線電極層の無い露出した配線分離絶縁層の保護にも不純物の侵入を防ぐ点で最適である。
【０１４０】
尚、最上層の電極やトランジスタを保護するため、発熱領域以外に珪素窒化物・珪素酸化物・珪素酸窒化物等の無機絶縁層やポリイミド系あるいはエポキシ系樹脂層を堆積しても良い。
【０１４１】
なお、このように作製された本実施形態における発熱抵抗体層は、矩形の発熱面積１２．５μｍ×１２．５μｍを有し、発熱領域の抵抗値は２５０Ωであった。
【０１４２】
続いて、第３実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１４３】
上記第２実施形態と同様に、発熱抵抗体層６４としてＢａＲｕＯ3層１０００Åを酸素導入による反応性スパッタリング法により堆積し、リソグラフィ及びエッチングにより所望の形に描画した。
【０１４４】
次に、発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層上に、保護層８８として珪素酸窒化物層８８ａ：２０００Å及び金属タンタル層８８ｂ：１０００Åを順次堆積し、リソグラフィ及びエッチングによりそれぞれの層を所望の形状に描画する。
【０１４５】
続いて第４実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１４６】
発熱抵抗体層６４としてＢａＲｕＯ3層１０００Åを酸素導入による反応性スパッタリング法により堆積し、連続して補助電極層９０としてＭｏＴａ層１０００Åをスパッタリング法により堆積した。次に、補助電極層９０及び発熱抵抗体層６４をリソグラフィ及びエッチングにより所望の形に描画した。これ以外は、上記第２実施形態と同様である。
【０１４７】
この際、補助電極層９０は、そのエッジが共通電極６８及び信号電極６６で挟まれた領域よりも、例えば０．５μｍ内側に延ばし、そのエッジは例えば３０°の傾斜を持つようにテーパードエッジング（Ｔａｐｅｒｄ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により発熱領域７０を開口させた。即ち、発熱領域は補助電極層９０境界で規定され、これに挟まれた（囲まれた）領域となる。この補助電極層９０は厚みが例えば１０００Åであり、下地エッジ境界における発熱抵抗体層６４の電流密度の集中を緩和することができる。
【０１４８】
補助電極層９０の素材には、ＭｏＴａに限られず、Ｗ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の単体遷移金属、遷移金属の窒化物、ＴａＴｉ，ＴｉＷ，ＡｌＴｉ，ＭｏＴａ，ＡｌＷ，ＡｌＴａ等の固溶体，及び上記金属の珪化物などがある。
【０１４９】
補助電極層９０は、発熱抵抗体層６４の電流密度を緩和するため、発熱抵抗体層６４の厚みの１／２以上５倍以下であり、１／２以下の固有抵抗値を有することが望ましい。補助電極層９０の厚みは、その固有抵抗値に依存するが、数μΩｃｍと極めて低い固有抵抗値の場合でも、少なくとも発熱抵抗体層６４の１／２以上の厚みであることがよい。また、補助電極層９０の固有抵抗値が高くなるに従い、発熱抵抗体層６４の電流密度集中と補助電極層９０自身の発熱を緩和するために補助電極層９０の厚みを厚くする必要があるが、補助電極層９０上に堆積する層の被覆性（Ｓｔｅｐ  Ｃｏｖｅｒａｇｅ）を考慮すると、５倍以下の厚みにすることがよい。
【０１５０】
補助電極層９０は、そのエッジが共通電極６８及び信号電極６６で挟まれた領域よりも、例えば０．５μｍ内側にくるように開口させるが、電極層のエッジと、補助電極層９０のエッジと、の距離は、０．１μｍ以上、発熱領域電流方向長さの２０％以下にすることが望ましい。この距離が０．１μｍ以下の間隔では、リソグラフィの位置精度・補助電極層９０の過度のエッチング（Ｏｖｅｒ−Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって、補助電極層９０境界と電極層境界が重畳し、電流密度の集中緩和できないことがあり、また、発熱領域電流方向長さの２０％以上では、配線抵抗値の増大を伴い、エネルギー効率を損なう結果となることがある。
【０１５１】
なお、発熱抵抗体層６４の堆積・描画の後に、補助電極層９０の堆積・描画を繰り返すこともできる。また、補助電極層９０は電極層全面に形成することも可能である。
【０１５２】
次に、上記第２実施形態と同様に、発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層上に、自己酸化種子層としてタンタル（Ｔａ）層１００Åをスパッタリング法により堆積し、リソグラフィ・エッチングにより描画した後、アニールによる自己酸化させ、タンタル酸化物からなる自己酸化層を形成し、これを酸化保護層７４とした。
【０１５３】
続いて第５実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１５４】
上記第３実施形態と同様に、発熱抵抗体層６４としてＢａＲｕＯ3層１０００Åを酸素導入による反応性スパッタリング法により堆積し、連続して補助電極層９０としてＭｏＴａ層２０００Åをスパッタリング法により堆積した。
【０１５５】
次に、発熱抵抗体層６４としてのＢａＲｕＯ3層及び連続して補助電極層９０としてＭｏＴａ層上に、保護層８８として珪素酸窒化物層８８ａ：２０００Å及び金属タンタル層８８ｂ：１０００Åを順次堆積し、リソグラフィ及びエッチングによりそれぞれの層を所望の形状に描画する。
【０１５６】
続いて第６実施形態固有の形成工程について説明する。
【０１５７】
上記第３実施形態と同様に、発熱抵抗体層６４としてＢａＲｕＯ3層１０００Åを酸素導入による反応性スパッタリング法により堆積し、連続して補助電極層９０としてＭｏＴａ層２０００Åをスパッタリング法により堆積した。
【０１５８】
次に、補助電極層９０が設けられた発熱抵抗体層６４上に、自己酸化停止層９４として、珪化窒化物層１００ÅをＣＶＤ法により堆積させた。そして、上記第２実施形態と同様に、この堆積させた自己酸化停止層９４としての珪素窒化物層上に、自己酸化種子層としてタンタル（Ｔａ）層１００Åをスパッタリング法により堆積し、リソグラフィ・エッチングにより描画した後、アニールによる自己酸化させ、タンタル酸化物からなる自己酸化層を形成し、これを酸化保護層７４とした。
【０１５９】
自己酸化停止層９４の厚みは、２０Å以上１０００Å以下が望ましい。酸化保護層７４としての自己酸化層を形成するための薄膜（種子層）の自己酸化を停止する為に、自己酸化停止層９４は連続膜であることがよい。また、自己酸化停止層９４が厚くなると、発熱体消費エネルギーが高くなる傾向にあり、例えば、酸化保護層７４が１０００Åでは、酸化保護層７４のみを形成した発熱抵抗体層６４に対して１．１倍の消費エネルギーとなる。本実施形態では、自己酸化停止層９４の素材として珪素窒化物を使用したが、この珪素窒化物は他元素の拡散を抑える点で、また、高い熱拡散性を有する点で最適である。なお、自己酸化停止層９４としては珪素窒化物層が最適であるが、その他、珪素酸化物層、珪素酸窒化物層など稠密な構造を有するものであれば、これに限るものではない。
【０１６０】
なお、このように作製された本実施形態における発熱抵抗体層は、矩形の発熱面積１４．５μｍ×１４．５μｍを有し、発熱領域の抵抗値は２５０Ωであった。
【０１６１】
上記各実施形態においては、酸化保護層７４として、発熱抵抗体層６４の主要元素と独立して単一元素Ｔａの自己酸化層Ｔａ2Ｏ5を形成する。Ｔａ2Ｏ5は、外からの元素の侵入を防ぎ、過度の酸化進攻が起こらない。従って、発熱抵抗体層６４の抵抗値は常に一定であり、高い信頼性を有する。また、自己酸化種子層と独立した発熱抵抗体素材を選択できる自由度がある。
【０１６２】
上記各実施形態では、発熱抵抗体層６４として、固有抵抗値設定できるＴａＳｉxＮy，ＴａＳｉxＯyやペロブスカイト系（Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）ＢａＲｕＯ3を用いたが、これに限るものではなく、珪化タンタルの酸窒化物ＴａＳｉxＮyＯz，タンタル酸窒化物ＴａＮxＯy，ＴａＳｉxＣy，ニオブィウム窒化物ＮｂＮx，ジルコニウム窒化物ＺｒＮx，合金系ＴａＡｌ，ＴａＩｒ等が挙げられる。
【０１６３】
特に、Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ系ＢａＲｕＯ3で構成される発熱抵抗体層６４は酸素の侵入に対して安定であり、酸化保護層７４としての極薄膜自己酸化層の形成には最適な素材であり、かつ、比較的高い固有抵抗値を有し、耐電流性に優れている。
【０１６４】
また、ＴａＳｉxＮy，ＴａＳｉxＯy，ＴａＮx，又はＢａＲｕＯ3で構成される発熱抵抗体層６４は、電極素材とくにＣｕ電極の拡散を抑制できるため、この抵抗体とＣｕ電極との組み合わせは最適である。
【０１６５】
上記各実施形態は、ルーフシューターを例にして説明したが、エッジシューターにも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す斜視図である。
【図２】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図３】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図４】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図５】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図６】本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図７】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す斜視図である。
【図８】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図９】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１０】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１１】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１２】本発明の第２形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１３】本発明の第３形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図１４】本発明の第３形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１５】本発明の第３形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１６】本発明の第３形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１７】本発明の第３形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図１８】本発明の第４形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図１９】本発明の第４形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２０】本発明の第４形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２１】本発明の第５形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図２２】本発明の第５形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２３】本発明の第５形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２４】本発明の第６形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図２５】本発明の第６形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２６】本発明の第６形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【図２７】本発明の第７形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図２８】本発明の第７形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す正面図である。
【図２９】各実施形態の発熱体構造をアレイ化したダイユニットの構造を示す平面図である。
【図３０】本発明に係るインクジェット記録ヘッドの製造工程を示す工程図である。
【図３１】発熱抵抗体のインク配列方向と直交する方向の両端に共通電極及び信号電極が夫々接続されている例を示す正面図である。
【図３２】図３１の断面Ａから見た断面図である。
【符号の説明】
【０１６７】
１０  半導体基板
６４  発熱抵抗体層
６６  信号電極
６６  電極
６８  共通電極
７０  発熱領域
７２  発熱抵抗体
７３  補助電極層
７４  酸化保護層
７８  樹脂体
８０  圧力室
８２  流路壁
８４  ノズル
８６  インク供給路
８８  保護層
【図１】
2005262507.tif 000003
【図２】
2005262507.tif 000004
【図３】
2005262507.tif 000005
【図４】
2005262507.tif 000006
【図５】
2005262507.tif 000007
【図６】
2005262507.tif 000008
【図７】
2005262507.tif 000009
【図８】
2005262507.tif 000010
【図９】
2005262507.tif 000011
【図１０】
2005262507.tif 000012
【図１１】
2005262507.tif 000013
【図１２】
2005262507.tif 000014
【図１３】
2005262507.tif 000015
【図１４】
2005262507.tif 000016
【図１５】
2005262507.tif 000017
【図１６】
2005262507.tif 000018
【図１７】
2005262507.tif 000019
【図１８】
2005262507.tif 000020
【図１９】
2005262507.tif 000021
【図２０】
2005262507.tif 000022
【図２１】
2005262507.tif 000023
【図２２】
2005262507.tif 000024
【図２３】
2005262507.tif 000025
【図２４】
2005262507.tif 000026
【図２５】
2005262507.tif 000027
【図２６】
2005262507.tif 000028
【図２７】
2005262507.tif 000029
【図２８】
2005262507.tif 000030
【図２９】
2005262507.tif 000031
【図３０】
2005262507.tif 000032
【図３１】
2005262507.tif 000033
【図３２】
2005262507.tif 000034