(57)【要約】【課題】  セラミック製のコア基板を用いたビルドアップ配線基板の製造方法において、コア基板の表面導体上に発生するスミアを、確実に除去することができる方法を提供する。【解決手段】  アルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０でビア内の樹脂残渣を除去するデスミア処理工程と、ビア３４内を洗浄する洗浄工程とをこの順番で行なう。洗浄工程では、硝酸、フッ酸および純水からなる洗浄液４２でビア３４内を洗浄した後、さらに、純水４４をビア３４の底に向けて噴射する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成金属によって形成された表面導体を主表面上に有するコア基板上に、樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成されたビアによって前記表面導体に導通する導体層とを設けた配線基板の製造方法において、
前記表面導体および前記主表面を覆う形で前記コア基板上に前記樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、前記表面導体が露出するように前記樹脂絶縁層に前記ビアを形成するビア形成工程と、前記ビア内の樹脂残渣を除去するデスミア処理工程と、前記ビア内を洗浄する洗浄工程とをこの順番で行ない、
前記洗浄工程では、フッ酸を含有する洗浄液で前記ビア内を洗浄した後、さらに、水で前記ビア内を洗浄することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記コア基板は内層導体とセラミック誘電体層とが積層された構造を有し、前記セラミック誘電体層がなす前記主表面上に前記表面導体が形成されてなり、前記セラミック誘電体層が低温焼成セラミックにて構成される請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記水による洗浄は、前記ビアの底に向けて純水を噴射することにより行なうものである請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程の前記洗浄液はさらに硝酸を含むものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記デスミア処理工程は、前記樹脂絶縁層を構成する樹脂材料に対してエッチング能を有する非硝フッ酸系の処理液で、前記ビア内の樹脂残渣を除去する工程であり、
前記洗浄工程では、硝酸とフッ酸の総量が質量換算で水よりも小さくなるように調整された前記洗浄液を用いるとともに、該洗浄液による洗浄時間が、前記デスミア処理工程における前記処理液による処理時間よりも短くなるようにした請求項４記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路チップ搭載用のパッケージ基板として、オーガニック配線基板とセラミック配線基板の２種類がある。近年、オーガニック配線基板の分野においては、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とを、一層ずつ作りこんでいくビルドアップ法が主流になっている。ビルドアップ法は、配線のファインピッチ化に有利であるとともに、生産性に優れる。他方、セラミック配線基板にも、高周波特性に優れること、放熱性に優れることなど、オーガニック配線基板に比して優位な点が多くある。
【０００３】
昨今は、両者の特徴を生かすことができる構造の配線基板、すなわち、セラミック製のコア基板上に、樹脂絶縁層および導体層をビルドアップ法によって形成した配線基板の開発が進められている（たとえば下記特許文献１）。
【０００４】
ビルドアップ法では、ビアによって層間の電気接続がなされるのが一般的であり、この方法はセラミック製のコア基板を持つビルドアップ配線基板にも適用される。ビアの形成方法は、レーザ加工による方法が１つの主流である。レーザ加工によってビアを形成すると、ビア内に露出した導体上に樹脂残渣（スミア）が発生するので、アルカリ性過マンガン酸カリ溶液などの処理液や超音波洗浄によって除去することが行なわれる（たとえば下記非特許文献１）。この操作は、デスミア処理と呼ばれる。
【特許文献１】特開２００１−２８４８０５号公報
【非特許文献１】高木清  著  「ビルドアップ多層プリント配線板技術」日刊工業新聞社  初版  ｐ６８−ｐ６９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、セラミック製のコア基板が持つ表面導体は、ＡｇやＷ等を含有する金属ペーストを焼成することによって形成される。焼成によって形成された導体は、しばしば微小なボイドを有する。こうしたボイドを有する表面導体をレーザ加工で露出させようとすると、樹脂がボイドに食い込むような形となって、通常のデスミア処理では除去しきれない場合がある。スミアが残ったままになると、ビアの電気接続性に悪影響を及ぼす。
【０００６】
本発明の目的は、セラミック製のコア基板を用いたビルドアップ配線基板の製造方法において、コア基板の表面導体上に発生するスミアを、確実に除去することができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、焼成金属によって形成された表面導体を主表面上に有するコア基板上に、樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成されたビアによって表面導体に導通する導体層とを設けた配線基板の製造方法において、表面導体および主表面を覆う形でコア基板上に樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、表面導体が露出するように樹脂絶縁層にビアを形成するビア形成工程と、ビア内の樹脂残渣を除去するデスミア処理工程と、ビア内を洗浄する洗浄工程とをこの順番で行ない、洗浄工程では、フッ酸を含有する洗浄液でビア内を洗浄した後、さらに、水でビア内を洗浄することを主要な特徴とする。焼成金属は、Ａｇを主体とするものを例示できる。コア基板としては、誘電体としてセラミックを用いたものを示せる。ビア形成工程には、レーザ光でビア穿孔するレーザビアプロセスが好適である。また、「主体とする」とは、質量％で最も多く含有することをいう。
【０００８】
上記本発明では、ビア形成工程後のデスミア処理に加え、フッ酸を含む洗浄液でビア内を洗浄し、さらに水でビア内を洗浄する。この手順によれば、まずフッ酸を含む洗浄液を用いた洗浄で、樹脂残渣をいったん除去しやすい状態にしておいてから、そこへ、水を流すこととなる。つまり、単に水で洗浄する方法に比して、除去効率が極めて高い。樹脂残渣を確実に除去できるので、ビアの導通不良等の不具合の発生を防止できる。
【０００９】
また、コア基板は内層導体とセラミック誘電体層とが積層された構造を有し、セラミック誘電体層がなす主表面上に表面導体が形成されてなり、セラミック誘電体層が低温焼成セラミックにて構成されたものが好適である。低温焼成セラミックによれば、ＡｇやＣｕ等といった良導性金属を用いた同時焼成工程により、コア基板を作製できるという利点がある。
【００１０】
また、水による洗浄は、ビアの底に向けて純水を噴射することにより行なうものとすることができる。純水を用いることにより不純物の付着を極力防止できる。また、ビアの底に向けて純水を噴射することで、樹脂残渣をより効率良く除去できるようになる。
【００１１】
また、上記した洗浄液はさらに硝酸を含むものであることが望ましい。硝フッ酸系の洗浄液を用いれば、ビア底に形成されたボイド等に樹脂残渣が強く食い込んでいるような場合でも、フッ酸がガラス成分を溶解する作用と、硝酸が金属（Ａｇ、Ｃｕ）成分を溶解する作用とが相俟って、樹脂残渣を浮き上がらせる効果が高い。
【００１２】
また、デスミア処理工程は、樹脂絶縁層を構成する樹脂材料に対してエッチング能を有する非硝フッ酸系の処理液で、ビア内の樹脂残渣を除去する工程とすることができる。そして、洗浄工程では、硝酸とフッ酸の総量が質量換算で水よりも小さくなるように調整された洗浄液を用いるとともに、該洗浄液による洗浄時間が、デスミア処理工程における処理液による処理時間よりも短くなるようにすることが望ましい。ビア内の洗浄工程においては、樹脂残渣のみが除去できることが本来的には望ましい。したがって、硝フッ酸系の洗浄液を用いた洗浄工程は、表面導体のエッチングが緩やかに進行するような条件とするのがよく、そのためには上記のごとく、エッチング能が比較的小さい洗浄液を用いることが適切である。これに加え、デスミア処理工程での処理液を用いた処理時間よりも短くすれば、ビアの底に露出した表面導体が過剰にエッチングされることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。配線基板１は、セラミック誘電体層５０，５１，５２と導体層６０，６１，６２，６３とが交互に積層された多層構造を有するコア基板２と、該コア基板２の第１主表面ＣＰ側において、該コア基板２の上に配置されたビルドアップ配線積層部３とを備えている。ビルドアップ配線積層部３は、ビルドアップ樹脂絶縁層７，９および導体層８，１０を備える。
【００１４】
コア基板２には、導体層６０〜６３を相互に導通する複数のビア導体４が、セラミック誘電体層５０〜５２の各々を厚さ方向に貫く形で設けられている。これらビア導体４により、層間の電気的接続がなされている。導体層６０〜６３は、当該コア基板２の主表面ＣＰ，ＤＰに設けられた表面導体６３，６０と、内層導体６１，６２とで構成される。コア基板２の第２主表面ＤＰ側の表面導体６０は、実装用ピン１４がロー材１６（半田を含む）によりロー付けされ、他の実装基板等との電気的接続のための実装パッドとして利用されている。また、図示するように、コア基板２にはロー材２０，２０によりチップキャパシタ１８等の受動素子が実装されていてもよい。本実施形態では、コア基板２の片面側にのみ樹脂絶縁層および導体層を積層した片面配線板を示すが、コア基板２の両面側に樹脂絶縁層および導体層を積層することも可能である。
【００１５】
第１ビルドアップ樹脂絶縁層７は、コア基板２の第１主表面ＣＰを覆うように配置されており、セラミック誘電体層５２に接する部分と、表面導体６３に接する部分とを持つ。さらにその第１ビルドアップ樹脂絶縁層７の表面には、導体層８がＣｕメッキにより形成される。該導体層８と、コア基板２の表面導体６３とは、ビア３４により層間接続がなされている。図１のビア３４は、孔内がＣｕメッキで充填されたフィルドビアを示している。ただし、孔の内壁にのみＣｕメッキを施したコンフォーマルビアも採用できる。
【００１６】
導体層８の上には、さらに第２ビルドアップ樹脂絶縁層９が設けられている。この第２ビルドアップ樹脂絶縁層９は、第１ビルドアップ樹脂絶縁層７と同じ組成の樹脂組成物で構成できる。第２ビルドアップ樹脂絶縁層９の表面には、さらにＣｕメッキによる導体層１０が形成されている。この導体層１０の一部または全部は、金属端子パッドとして利用されている。第２ビルドアップ樹脂絶縁層９の上下に配された導体層８と導体層１０とは、第２ビルドアップ樹脂絶縁層９を上下に貫くフィルドビア３４により層間接続がなされている。
【００１７】
また、第２ビルドアップ樹脂絶縁層９は、導体層１０が露出するように開口が形成されたソルダーレジスト層ＳＲ１で被覆されている。ソルダーレジスト層ＳＲ１の開口から露出する導体層１０には、Ｎｉ／Ａｕメッキが施されるとともに、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田やＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田による半田バンプ１１が設けられる。なお、同様のソルダーレジスト層ＳＲ２がコア基板２の第２主表面ＤＰ側に形成される。
【００１８】
ビルドアップ樹脂絶縁層７，９およびソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ２は、たとえば以下のようにして製造されたものである。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性樹脂フィルムをラミネートし、ビア３４に対応したパターンを有する透明マスク（たとえばガラスマスクである）を重ねて露光する。ビア３４以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビア３４の部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビア３４を簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。また、フォトビアプロセスの代わりにレーザで穿孔するレーザビアプロセスを採用することもできる。
【００１９】
ビルドアップ樹脂絶縁層７，９は、液晶ポリマー、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂およびフッ素系樹脂のグループから選択される１種の樹脂を主体とする樹脂組成物で構成される。こうした樹脂組成物は、基質となる樹脂に、必要に応じて硬化剤、安定剤などの添加剤、フィラーなどを配合したものである。フィラーには、シリカ粉末やガラス繊維等の無機フィラーを例示できる。フィラーの混入量に応じて、線膨張係数が変化する。ビルドアップ樹脂絶縁層７の線膨張係数がコア基板２に近い場合、該ビルドアップ樹脂絶縁層７は、優れた耐剥離性を備えることとなる。すなわち、半田バンプ１１を介して実装される集積回路チップ等からの受熱と放熱とが繰り返されたときに、ビルドアップ樹脂絶縁層７とコア基板２との剥離が生じ難い。なお、上記した樹脂組成物は、感光性および熱硬化性のいずれも採用できる。また、予めフィルム化した樹脂組成物をコア基板２等にラミネートする手法と、液状の樹脂組成物をコア基板２等に塗布する手法との、いずれの手法も採用できる。
【００２０】
コア基板２を構成するセラミック誘電体層５０〜５２としては、アルミナ質セラミック、ムライト質セラミック、窒化アルミニウムセラミック、窒化珪素セラミック、炭化珪素セラミック、ガラスセラミック、低温焼成セラミック等、高周波領域においても誘電損失が小さい材質が本発明に好適に使用される。特に、誘電体基板表面の焼き上げ時の表面平滑性に優れる点において、ガラスとガラス以外のセラミックフィラーとの複合材料（以下、これをガラスセラミックという）や高純度アルミナ質セラミックを使用することが望ましい。
【００２１】
セラミック誘電体層５０〜５２は、−５５℃以上１２５℃以下の温度範囲における線膨張係数が、たとえば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下となるように構成される。コア基板２の導体層６０〜６３は、セラミック誘電体層５０〜５２と同時焼成可能な金属で構成される。具体的には、高温での焼成が必要な場合には、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属が採用される。セラミック誘電体層５０〜５２が低温焼成セラミック（たとえば焼成温度が１０００℃以下のもの）で構成される場合には、Ａｇ、Ａｇ合金（たとえばＡｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ）、Ａｕ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｕ合金などの良導性金属を採用できる。本実施形態では、ＡｇまたはＡｇ合金を使用している。
【００２２】
以下、配線基板１の製造工程について説明する。
まず、コア基板２を作製する。コア基板２はセラミックグリーンシートを用いて製造される。該セラミックグリーンシートは、公知のドクターブレード法により製造することができる。まず、誘電体セラミックからなる原料セラミック粉末（たとえば、ガラスセラミック粉末の場合、ホウケイ酸ガラス粉末と、アルミナ、ＢａＴｉＯ３等のセラミックフィラー粉末との混合粉末：平均粒径は０．３μｍ以上１μｍ以下程度）に溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、ジアセトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、ブロムクロロメタン、エタノール、ブタノール、プロパノール、トルエン、キシレンなど）、結合剤（アクリル系樹脂（たとえば、ポリアクリル酸エステル、ポリメチルメタクリレート）、セルロースアセテートブチレート、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなど）、可塑剤（ブチルベンジルフタレート、ジブチルフタレート、ジメチルフタレート、フタル酸エステル、ポリエチレングリコール誘導体、トリクレゾールホスフェートなど）、解膠剤（脂肪酸（グリセリントリオレートなど）、界面活性剤（ベンゼンスルホン酸など）、湿潤剤（アルキルアリルポリエーテルアルコール、ポチエチレングリコールエチルエーテル、ニチルフェニルグリコール、ポリオキシエチレンエステルなど）などの添加剤を配合して混練し、スラリーを作る。このスラリーを、ドクターブレードを用いてＰＥＴなどのバックシート上に塗布し、適度に乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを得る。
【００２３】
次に、ビア導体形成用の金属ペースト（以下、ビア導体用ペーストという）を調製する。使用する金属粉末は、前述した良導性金属とすることができ、平均粒径が２μｍ以上２０μｍ以下の範囲で調整されたものが好適である。この金属粉末に、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することによりビア導体用ペーストが得られる。
【００２４】
次に、導体層６０〜６３の形成に使用する金属ペースト（以下、導体層用ペーストという）を調製する。使用する金属粉末は、ビア導体用ペーストで用いたものと同種類、かつ平均粒径が０．１μｍ以上３μｍ以下と小さく調整されたものが好適である。この金属粉末に、平均粒径５００ｎｍ以下（望ましくは１００ｎｍ以下、さらに望ましくは５０ｎｍ以下）の無機化合物粉末を０．５質量％以上３０質量％以下の範囲にて配合し、さらに、エチルセルロース等の有機バインダと、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することにより導体層形成用の金属ペーストが得られる。なお、上記の無機化合物粉末には、セラミックグリーンシートの原料セラミック粉末を使用してもよいし、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）および酸化チタン（ＴｉＯ２）の少なくとも１種からなる無機化合物粉末（平均粒径１００ｎｍ以下、望ましくは５０ｎｍ以下）を配合して使用してもよい。
【００２５】
上記のようにして作製したセラミックグリーンシートおよび金属ペーストを用い、次のようにしてコア基板２を作製する。図２に示すごとく、予め作製したセラミックグリーンシート２５の所定位置にパンチング、レーザ等の手法により貫通孔を形成し、ビア導体用ペーストを充填することで未焼成のビア導体４を形成する。こののち、スクリーン印刷法等の方法により導体層用ペーストを該セラミックグリーンシート２５の主表面上に印刷することにより、未焼成の導体層６１を形成する。こうしてビア導体４および導体層６１の形成が完成すれば、その上に別のセラミックグリーンシート２５を重ね、さらにパターン印刷／セラミックグリーンシート積層の工程を繰り返すことにより、未焼成基板２０が得られる。これを焼成すれば、コア基板２が得られる。
【００２６】
上記のようにしてコア基板２を作製したのち、コア基板２の第１主表面ＣＰにシランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を塗布し、樹脂フィルムとの密着性の向上を図る。カップリング剤は、スピンコータを用いてコア基板２の表面に薄く塗布したのち、乾燥させる。こうして表面処理を行なった後、公知のビルドアップ法により、コア基板２の第１主表面ＣＰ側に、ビルドアップ配線積層部３を形成する。
【００２７】
具体的には、図３に示すごとく、表面導体６３および第１主表面ＣＰを覆う形でコア基板２上に、半硬化状態の樹脂フィルム７’をラミネートしたのち、１００℃〜２００℃の温度で加熱して硬化させる。これにより、ビルドアップ樹脂絶縁層７が形成される（樹脂絶縁層形成工程）。続いて、レーザ加工によりビルドアップ樹脂絶縁層７を掘削して、１層下の導体、すなわちコア基板２の表面導体６３が露出するようにビア３４を形成する（ビア形成工程）。レーザ加工は、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザなどのガスレーザや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザなどの固体レーザを使用することができる。ビア形成工程の終了後、ビア３４の底部、すなわち表面導体６３に付着した樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理工程を行なう。
【００２８】
デスミア処理の方法は、大別して乾式と湿式に分けられる。乾式は、Ｏ2、ＣＦ4等のプラズマでスミアを除去する方式である。湿式は、クロム酸浴、濃硫酸浴、過マンガン酸塩浴に配線基板ワークＷを浸漬する方式である。好適には、図４の上段に示すごとく、処理が穏やかで、設備費がかからず、対環境性もよいアルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０に配線基板ワークＷを浸漬する方法が採用できる。配線基板ワークＷを処理中のアルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０は、適度に攪拌するとよい。アルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０は、ビルドアップ樹脂絶縁層７を構成する樹脂材料、たとえばエポキシ樹脂に対してエッチング能を有するので、上記のデスミア処理と、樹脂表面に凹凸を形成する粗面化処理と兼用することができる。一連のデスミア処理工程は、ビルドアップ樹脂絶縁層７を有機溶媒を含む液で膨潤したのち、アルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０を用いた処理を行ない、アルカリの中和、水洗および乾燥の各操作を経て終了する。
【００２９】
さて、上記のごとくデスミア処理を十分行なった場合であっても、ビア３４内に露出した表面導体６３上の樹脂残渣を除去しきれていない場合がある。というのも、表面導体６３は、金属ペーストの焼成によって得られるので、ボイドが発生しやすい。このようなボイドのあるところにレーザ光を照射すると、樹脂がボイドに食い込むような形となって、非常に除去しづらくなる。そこで、本発明においては、以下に説明する洗浄工程を、デスミア処理に続いて行なうことにより、樹脂残渣を確実に除去するようにしている。
【００３０】
まず、図４の中段に示すごとく、硝フッ酸系の洗浄液４２を用いて、配線基板ワークＷのビア３４内（図３参照）を洗浄する。本実施形態では、洗浄液４２に配線基板ワークＷを浸漬し、洗浄液４２を適度に攪拌することで、ビア３４内を洗浄することとしているが、洗浄液４２を配線基板ワークＷに吹き付ける方法でもよい。硝フッ酸系の洗浄液４２は、硝酸、フッ酸および水を含有するものであり、本実施形態では、実質的にそれらよりなるものを示す。
【００３１】
硝フッ酸系の洗浄液４２は、硝酸とフッ酸の総量が質量換算で水よりも小さくなるように、その組成を調整することが望ましい。通常、硝酸とフッ酸の混酸といえば強酸性であり、強いエッチング能を有する。ところが本発明では、緩やかなエッチング能を期待するので、水で大きく希釈したものを使用するとよい。たとえば、市販の硝酸（濃度約６８％）と、市販のフッ酸（濃度約４６〜５０％）と、純水とを、１：１：１０の割合で混合することにより、好適な洗浄液４２を得ることができる。
【００３２】
さらに、そのように組成を調整した洗浄液４２による洗浄時間が、デスミア処理工程におけるアルカリ性過マンガン酸カリ溶液４０による処理時間よりも短くなるようにするとよい。そうすれば、表面導体６３が過剰にエッチングされることを防止できる。また、洗浄工程は室温にて行なうこともできるし、室温から数十℃の範囲内で行なうようにしてもよい。
【００３３】
次に、図４の下段に示すごとく、純水４４を配線基板ワークＷに向けて噴射する。これにより、デスミア処理工程で除去し切れなかった樹脂残渣が確実に除去される。樹脂残渣の除去容易性が向上する１つの理由は、洗浄液４２がボイドに食い込んだ樹脂残渣の周りのガラス成分や金属成分を腐蝕することで、ボイドと樹脂残渣の間に空隙が生じることが挙げられる。つまり、樹脂残渣がやや浮き上がる形になったところへ、水を勢いよく吹き付けるので、効率良く樹脂残渣を除去できるといえる。
【００３４】
また、純水４４を用いることで、ビア３４内にコンタミ等が付着することを防止できるので、より優れたメッキ性を確保するうえで好ましい。純水４４の吹き付けは、たとえば市販のウォータジェット装置（たとえばプランジャポンプで水を吐出するように装置したもの）を使用して行なうことができる。ウォータジェット装置による洗浄水の圧力は、本実施形態では５０Ｋｇｆ／ｃｍ２としたが、たとえば１０Ｋｇｆ／ｃｍ２以上１００Ｋｇｆ／ｃｍ２以下に調節することができる。
【００３５】
以上のようにして、洗浄工程を行なった後、シアン洗浄処理および乾燥処理を行なう。シアン洗浄処理を行なうことにより、Ａｇ表面の粗面化を行なえば、Ｃｕ膜の密着性が向上する。次に、Ｃｕスパッタによりビア３４内およびビルドアップ樹脂絶縁層７の表面に薄いＣｕ膜を形成する（Ｃｕ膜形成工程）。なお、Ｃｕスパッタの代わりに無電解ＣｕメッキによりＣｕ膜を形成することもできる。その場合においても、ビア３４内のスミアが確実に除去されているため、メッキ性は良好である。
【００３６】
Ｃｕ膜を形成した後、メッキレジストをパターニングして電解Ｃｕメッキ工程行なったのち、不要部分の下地Ｃｕ膜をエッチングで除去し、ビルドアップ樹脂配線部３の導体層８を形成する。さらに、ビルドアップ樹脂絶縁層９および導体層１０を設けることにより、ビルドアップ樹脂配線部３が形成される。この後、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ２および半田バンプ１１の形成、実装用ピン１４およびチップキャパシタ１８の取り付けを行なうことにより、図１の配線基板１が得られる。
【００３７】
なお、上記の実施形態では、硝フッ酸系の洗浄液４２を用いて洗浄工程を行なうようにしたが、該洗浄工程をフッ酸と純水とからなる洗浄液を用いて行なうことも可能である。この場合にも、ビア底に食い込んだ樹脂残渣を浮き上がらせる効果があるから、ウォータジェット洗浄と組み合わせて実施することにより、高い樹脂残渣除去効果を得ることが可能である。フッ酸と純水の混合割合は、たとえば１：５とすることができる。また、残りの工程については、既に説明した硝フッ酸系の洗浄液４２の場合と同様とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】セラミック製のコア基板を有する配線基板の断面模式図。
【図２】図１の配線基板の製造工程説明図。
【図３】図２に続く製造工程説明図。
【図４】図３に続く製造工程説明図。
【符号の説明】
【００３９】
１  配線基板
２  コア基板
７，９  ビルドアップ樹脂絶縁層
８，１０  導体層
３４  ビア
４０  アルカリ性過マンガン酸カリ溶液（処理液）
４２  洗浄液
４４  純水
５０，５１，５２  セラミック誘電体層
６１，６２  内層導体
６０，６３  表面導体
ＣＰ  第１主表面
【図１】
2005294323.tif 000003
【図２】
2005294323.tif 000004
【図３】
2005294323.tif 000005
【図４】
2005294323.tif 000006