(57)【要約】【課題】製造工程が簡略にできる構造を有するマイクロ波増幅装置を提供する。【解決手段】第１の増幅段３は、入力３ａ、出力３ｂ、およびトランジスタ９を含む。トランジスタ９は、入力３ａからの信号ＳＩＮ１を受ける第１の端子９ａと、出力３ｃに信号ＳＯＵＴ１を提供する第２の端子９ｂと、接地パターンに接続された第３の端子９ｃとを有する。トランジスタ１１は、入力５ａからの信号ＳＩＮ２を受ける第１の端子１１ａと、出力５ｃに信号ＳＯＵＴ２を提供する第２の端子１１ｂと、接地パターン１３に接続された第３の端子１１ｃとを有する。トランジスタ９および１１は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−Ｖ化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。インピーダンス整合回路７は、第１の増幅段３の出力３ｂに接続された一端７ａと第２の増幅段５の入力５ａに接続された他端７ｂとを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが、入力、出力を有する第１および第２の増幅段と、
該第１の増幅段の該出力に接続される一端と、該第２の増幅段の該入力に接続される他端とを有するインピーダンス整合回路と、を備え、
該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、
該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、
該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とするマイクロ波増幅装置。
【請求項２】
入力、出力を有する第１の増幅段と、
該第１の増幅段の該出力に接続された一端と基準電位に接続された他端とを有するインピーダンス整合回路と、
を備え、
該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、
該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、
該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とするマイクロ波増幅装置。
【請求項３】
入力、出力を有する第１の増幅段と、
該第１の増幅段の該入力に接続された一端と基準電位に接続された他端とを有するインピーダンス整合回路と、
を備え、
該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、
該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、
該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とするマイクロ波増幅装置。
【請求項４】
前記第１の増幅段および前記第２の増幅段のそれぞれは、入力端子と出力端子とを有するトランジスタを含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載されたマイクロ波増幅装置。
【請求項５】
前記可変抵抗はレーザトリミング抵抗素子を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載されたマイクロ波増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ波増幅装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
文献１には、増幅器が記載されている。この増幅器では、増幅器の整合回路に、可変容量手段（可変容量ダイオード）又は可変インダクタンス手段を直列または並列に接続している。外部からの信号により整合回路の特性を変化させることによって、任意の周波数帯域において、増幅器の整合がとれる。
【０００３】
この増幅器では、従来、例えばＵＨＦ(４００ＭＨｚ)帯増幅器において、３３０ＭＨｚから４６０ＭＨｚという広帯域に亘り整合をとるためには、約２０ＭＨｚごとにこの帯域を分割し、分割された周波数帯域にて整合された増幅器を６種類作り、全帯域を網羅しなければならなかった問題を解決し、一つの増幅器で、上記広帯域の全帯域を網羅できるようにし、製造工程を短縮すると共に、増幅器の低価格化及び小型化を図っている。
【０００４】
文献２には、ＲＦリニア電力増幅回路が記載されている。ＲＦリニア電力増幅回路の入力または段間にインピーダンス整合回路を介在させるとともに、このインピーダンス整合回路内に電圧可変素子を介在させ、この電圧可変素子に印加される制御電圧によって上記電力増幅回路の出力を可変制御している。このＲＦリニア電力増幅回路によれば、ＲＦリニア電力増幅回路における出力可変を直線性の悪化を伴うことなく可能にし、併せて非動作時のアイソレーション特性も改善する。これによって、ＳＷＲの変化による反射損失の変化によって電力増幅部での入力振幅を実質的に変化させることができ、非動作時はＳＷＲを高くすることでアイソレーションを向上させることができる。
文献３では、高周波電力増幅回路が記載されている。この高周波電力増幅回路では、インピーダンス整合回路を分布定数を用いて構成するとともに、上記インピーダンス整合回路の一部を電気的に制御可能な可変インピーダンス回路で置き換える。これによって、ＭＯＳＦＥＴやＧａＡｓＦＥＴなどの増幅素子の特性に依存する入出力インピーダンス特性のバラツキが電気的な設定によって個別に補正することができる。したがって、ストリップラインなどの分布定数を用いて構成される高周波電力増幅回路の製造歩留りを高め、バイアスなど動作条件の変化に対して広範囲に対応できるようにする。
【特許文献１】特開平１０−２２４１５７号公報
【特許文献２】特開平８−２２２９７３号公報
【特許文献３】特開平５−１５２９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高周波無線通信に用いられるハイブリッド電力増幅器では、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタといった増幅素子と、コンデンサ、インダクタや抵抗といった受動素子が基板上に実装されている。所望の増幅率を得るために、ハイブリッド電力増幅器は、直列に接続された複数段の増幅段を含んでいる。また、所望の高周波特性を得るために、増幅段と次の増幅段との間には、インピーダンス整合回路が接続される。各増幅段およびインピーダンス整合回路内の増幅素子および受動回路の特性は個々にばらついているので、インピーダンス整合回路に可変容量コンデンサを用いている。可変容量コンデンサによって、増幅器の高周波特性を調整している。
【０００６】
電力増幅器の高周波特性のばらつきを低減するために、可変容量コンデンサの容量値を変更する。この変更にはドライバといった工具を用いている。可変容量コンデンサを洗浄することは好ましくないので、洗浄可能な他の電子部品を基板に半田付けした後に、実装された電子部品および基板を洗浄している。この後に、基板に可変容量コンデンサを半田付けしている。つまり、可変容量コンデンサの半田付けは、他の電子部品を半田付けと別の工程で行われている。この製造工程が複雑である。求められていることは、上記増幅器の製造工程を簡略にすることである。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、製造工程が簡略にできる構造を有するマイクロ波増幅装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、マイクロ波増幅装置は、（ａ）それぞれが、入力、出力を有する第１および第２の増幅段と、（ｂ）該第１の増幅段の該出力に接続される一端と、該第２の増幅段の該入力に接続される他端とを有するインピーダンス整合回路と、を備え、該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面によれば、マイクロ波増幅装置は、（ａ）入力、出力を有する第１の増幅段と、（ｂ）該第１の増幅段の該出力に接続された一端と基準電位に接続された他端とを有するインピーダンス整合回路と、を備え、該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる別の側面によれば、マイクロ波増幅装置は、（ａ）入力、出力を有する第１の増幅段と、（ｂ）該第１の増幅段の該入力に接続された一端と基準電位に接続された他端とを有するインピーダンス整合回路と、を備え、該インピーダンス整合回路は、第１のコンデンサ、第２のコンデンサおよび可変抵抗を有しており、該第２のコンデンサは該可変抵抗に直列に接続されており、該第１のコンデンサは、該第２のコンデンサと該可変抵抗により構成されている直列回路に並列に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
これらのマイクロ波増幅装置によれば、インピーダンス整合回路中の可変抵抗を変えることによってインピーダンス整合回路のインピーダンスが変更される。この変更によって、増幅装置の高周波特性が調整される。また、インピーダンス整合回路が可変容量ダイオードを含まないので、当該マイクロ波増幅装置の製造プロセスが単純にできる。
【００１２】
本発明に係るマイクロ波増幅装置では、前記第１の増幅段および前記第２の増幅段のそれぞれは、入力端子と出力端子とを有するトランジスタを含むことができる。
【００１３】
本発明に係るマイクロ波増幅装置では、前記可変抵抗はレーザトリミング抵抗素子を含むことを特徴としてもよい。レーザトリミング抵抗素子は、レーザでトリミングされることにより可変抵抗の抵抗値が調整され、また洗浄することが可能である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、製造工程が簡略にできるマイクロ波増幅装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態に係るにマイクロ波増幅装置を説明する。可能な場合、同一の要素には同一の符号を用いる。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は、本実施の形態に係るマイクロ波増幅装置を示す図面である。マイクロ波増幅装置１は、第１の増幅段３と、第２の増幅段５と、インピーダンス整合回路７とを備える。第１の増幅段３は、入力３ａ、出力３ｂ、およびトランジスタ９を含む。トランジスタ９は、入力３ａからの信号ＳＩＮ１を受ける第１の端子９ａと、出力３ｃに信号ＳＯＵＴ１を提供する第２の端子９ｂと、接地パターンに接続された第３の端子９ｃとを有する。第２の増幅段５は、入力５ａ、出力５ｂ、およびトランジスタ１１を含む。トランジスタ１１は、入力５ａからの信号ＳＩＮ２を受ける第１の端子１１ａと、出力５ｃに信号ＳＯＵＴ２を提供する第２の端子１１ｂと、接地パターン１３に接続された第３の端子１１ｃとを有する。トランジスタ９および１１は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−Ｖ化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。インピーダンス整合回路７は、第１の増幅段３の出力３ｂに接続された一端７ａと第２の増幅段５の入力５ａに接続された他端７ｂとを有する。
【００１７】
図１（Ｂ）は、インピーダンス整合回路の主要部を示す図面である。インピーダンス整合回路７は、第１のコンデンサ１５、第２のコンデンサ１７および可変抵抗器１９を有しており、第２のコンデンサ１７は、可変抵抗器１９に直列に接続されている。第１のコンデンサ１５は、直列に接続された第２のコンデンサ１７および可変抵抗器１９に並列に接続されている。
【００１８】
このマイクロ波増幅装置１によれば、インピーダンス整合回路７中の可変抵抗器１９の抵抗値を変更してインピーダンス整合回路７のインピーダンスを調整している。これによって、マイクロ波増幅装置１の高周波特性が調整される。また、インピーダンス整合回路７が可変容量ダイオードを含まないので、当該マイクロ波増幅装置１の製造プロセスが単純にできる。
【００１９】
インピーダンス整合回路の一例としては、
第１のコンデンサ１５：０．５〜２ピコファラッド
第２のコンデンサ１７：０．５〜２ピコファラッド
可変抵抗器１９：〜１０００オーム
である。可変抵抗器１９の抵抗値に応じて、第１のコンデンサ１５を通過する信号成分と第２のコンデンサ１７を通過する信号成分との比率が変わる。例えば、可変抵抗は１０００オーム以下であることができる。
【００２０】
第１の増幅段３は、当該増幅段に負帰還をかける帰還回路２１を含む。帰還回路２１はトランジスタ９の第１の端子９ａと第２の端子９ｂとの間に接続されている。帰還回路２１の一端２１ａと他端２１ｂとの間には、抵抗器２３およびコンデンサ２５が直列に接続されている。トランジスタ９の第２の端子９ｂと電源線との間には、負荷回路２７が接続されている。負荷回路２７は、インダクタおよびコンデンサを含む。
【００２１】
第２の増幅段５は、当該増幅段において負帰還をかける帰還回路３１を含む。帰還回路３１はトランジスタ１１の第１の端子１１ａと第２の端子１１ｂとの間に接続されている。帰還回路３１の一端３１ａと他端３１ｂとの間には、抵抗器３３およびコンデンサ３５が直列に接続されている。トランジスタ１１の第２の端子１１ｂと電源線との間には、負荷回路３７が接続されている。負荷回路３７は、インダクタおよびコンデンサを含む。
【００２２】
また、第２の増幅段５は、トランジスタ１１の第１の端子１１ａにバイアス電圧を提供するバイアス回路２９を含む。バイアス回路２９は、第１の端子１１ａと接地パターン１３との間に接続された抵抗器２９ａと、第１の端子１１ａと電源パターンとの間に接続された抵抗器２９ｂと、電源パターンと接地パターン１３との間に接続されたコンデンサ２９ｃとを含む。
【００２３】
マイクロ波増幅装置１は、入力１ａと第１の増幅段３との間に接続された入力回路３９を含む。入力回路３９は、マイクロ波増幅装置１の入力インピーダンスを調整することができ、また入力にバイアス電圧を供給する。入力回路３９は、抵抗器４１、４５、４７および４５並びにコンデンサ４９および５１を含む。抵抗器４１、コンデンサ４３および抵抗器４５は直列に接続されており、抵抗器４９の一端および抵抗器４７の一端は、コンデンサ４３と抵抗器４５とに接続されている。抵抗器４１の一端は入力１ａに接続されており、抵抗器４５の他端は第１の増幅段３の入力に接続されている。コンデンサ５１は、接地パターン１３と抵抗器４７の他端との間に接続されている。抵抗器４７の他端は電源パターンに接続されており、抵抗器４９の他端は接地パターン１３に接続されている。
【００２４】
マイクロ波増幅装置１は、第３の増幅段５５と、インピーダンス整合回路５７とを備える。第３の増幅段５５は、入力５５ａ、出力５５ｂ、およびトランジスタ５９を含む。トランジスタ５９は、入力５５ａからの信号ＳＩＮ３を受ける第１の端子５９ａと、出力５５ｂに信号ＳＯＵＴ３を提供する第２の端子５９ｂと、接地パターンに接続された第３の端子５９ｃとを有する。トランジスタ５９は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−Ｖ化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。
【００２５】
トランジスタ５９の第２の端子５９ｂと電源線との間には、負荷回路６０が接続されている。負荷回路６０は、スタブおよびコンデンサを含む。また、第３の増幅段５５は、トランジスタ５９の第１の端子５９ａにバイアス電圧を提供するバイアス回路６９を含む。バイアス回路６９は、入力５５ａと接地パターン１３との間において直列に接続された抵抗器６９ａおよび６８ｂと、入力３ａと電源パターンとの間に接続された抵抗器６９ｃとを含む。また、バイアス回路６９は、抵抗器６９ｃの一端と接地パターン１３との間に接続されたコンデンサ６９ｄと、抵抗器６９ａおよび６９ｂの一端と接地パターン１３との間に接続されたコンデンサ６９ｅとを含む。
【００２６】
インピーダンス整合回路５７は、第２の増幅段５の出力５ｂに接続された一端５７ａと第３の増幅段５５の入力５５ａに接続された他端５７ｂとを有する。インピーダンス整合回路５７は、インピーダンス整合回路７と同様に、第１のコンデンサ１５、第２のコンデンサ１７および可変抵抗器１９を含むことができる。
【００２７】
このマイクロ波増幅装置１によれば、インピーダンス整合回路５７中の可変抵抗器１７の抵抗値を変更してインピーダンス整合回路５７のインピーダンスを調整している。これによって、マイクロ波増幅装置１の高周波特性が調整される。また、インピーダンス整合回路５７が可変容量ダイオードを含まないので、当該マイクロ波増幅装置１の製造プロセスが単純にできる。
【００２８】
マイクロ波増幅装置１は、出力回路６１を備える。出力回路６１は、第３の増幅段５５と出力端子１ｂとの間に接続されている。出力回路６１は、コンデンサ６３、６５および６７を含む。コンデンサ６３およびコンデンサ６５は直列に接続されている。コンデンサ６７の一端はコンデンサ６３の一端およびコンデンサ６５の一端に接続されており、コンデンサ６７の他端は接地パターン１３に接続されている。
【００２９】
マイクロ波増幅装置１は、支持基体７１を備えることができる。支持基体７１は、金属製のベースと、このベース上に設けられた配線基板とを含むことができる。インピーダンス整合回路を構成する電子部品およびそのほかの電子部品は、配線基板上に搭載される。各増幅段のトランジスタは、配線基板上に設けられたヒートスプレッダ上に搭載されている。
【００３０】
図２（Ａ）は、可変容量コンデンサを含むマイクロ波増幅装置を示す図面である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示されたマイクロ波増幅装置の利得特性を示す図面である。図３（Ａ）は、本実施の形態に係るマイクロ波増幅装置を示す図面である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示されたマイクロ波増幅装置の利得特性を示す図面である。図２（Ｂ）および図３（Ｂ）において、横軸は周波数を示しており、縦軸は利得を示している。
【００３１】
図２（Ａ）に示されるマイクロ波増幅装置では、電力増幅器の増幅素子および受動素子のインピーダンスのばらつきを補償するために、インピーダンス整合回路に可変容量コンデンサを用いている。可変容量コンデンサの容量値を変更して、整合回路のインピーダンスを調整している。この調整により、電力増幅器の高周波特性を調整している。図２（Ｂ）を参照すると、２．１ＧＨｚ帯の携帯電話用電力増幅器の特性を示している。可変容量コンデンサの容量値を変更すると、周波数に対する利得と利得の傾きとを変更することができる。
【００３２】
図３（Ａ）に示されるマイクロ波増幅装置では、電力増幅器の増幅素子および受動素子のインピーダンスのばらつきを補償するために、インピーダンス整合回路に可変抵抗器を用いている。可変抵抗器の抵抗値を変更して、整合回路のインピーダンスを調整している。図３（Ｂ）に示されるように、可変抵抗器の抵抗値を変更すると、周波数に対する利得と利得の傾きとを変更することができる。
【００３３】
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、増幅段およびインピーダンス増幅回路を示す図面である。図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示されるように、増幅段の入力および出力にはインピーダンス整合回路が接続される。変形例のマイクロ波増幅装置では、図４（Ｃ）および図４（Ｄ）に示されるように、インピーダンス整合回路７３の一端は、増幅段の入力および出力には接続されおり、インピーダンス整合回路７３の他端は接地パターンに接続されている。
【００３４】
これらの回路によれば、ハイブリッド電力増幅器といったマイクロ波電力増幅装置は、増幅段を構成するためのトランジスタを含む半導体チップと、いくつかの受動部品とを含む。インピーダンス整合回路内の可変抵抗器の抵抗値の変化によって、インピーダンス整合回路の等価容量値が高周波的に変化する。このインピーダンス整合回路を増幅段間に配置すると、増幅器全体の高周波特性を調整することができる。
【００３５】
以上説明したように、第１の実施の形態に係るマイクロ波増幅装置によれば、製造工程が簡略にできる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図５は、支持基体上に搭載されたインピーダンス整合回路の可変抵抗器を示す図面である。可変抵抗器７５は、支持基体７１上に搭載されている。支持基体７１は、金属製のベース７７および配線基板７９を含む。配線基板７９の主面７９ａ上には、導電パターン７９ｃおよび７９ｄが設けられている。可変抵抗器７５はレーザトリミング抵抗素子である。可変抵抗器７５は、例えばセラミック製の絶縁体７５ａ上に設けられた抵抗体７５ｂを含む。抵抗体７５ｂの一端には第１の電極７５ｃが設けられており、抵抗体７５ｂの他端には第２の電極７５ｄが設けられている。抵抗体７５ｂ上には、レーザ光が透過可能な保護膜７５ｅが設けられている。可変抵抗器７５の電極７５ｃは半田７６ｃによって導電パターン７９ｃに接続されており、可変抵抗器７５の電極７５ｄは半田７６ｄによって導電パターン７９ｄに接続されている。可変抵抗器７５の抵抗体は、レーザ光源８１からレーザ光８３を用いてトリミングされる。例えば、薄膜レーザトリミング抵抗素子の金属抵抗体は、ガラス材の保護膜で覆われており、保護膜を破壊すること無くＹＡＧレーザで抵抗体をトリミングすることができる。
【００３７】
図２（Ａ）に示された電力増幅器では、その高周波特性のばらつきを低減するために、バリキャップといった可変容量ダイオードを使用している。可変容量ダイオードは、ドライバといった工具を用いて電極を移動することによって容量値を変更可能にする構造を有する。この構造のため、可変容量コンデンサは、固定容量コンデンサに比べて長期信頼性が劣る。この構造の摩耗性を向上させるために、またトリマーの位置を保持するために、可変容量コンデンサには特殊な樹脂やオイルが塗布されている。しかしながら、該構造はシールドされていないので、リフロー半田付けの後には配線基板を洗浄することができない。そこで、まず、可変容量ダイオードを除くほかの電子部品を配線基板上に半田付けした後に、この配線基板を洗浄している。この洗浄の後に、可変容量ダイオードを配線基板に半田付けしている。このような製造工程は複雑である。また、可変容量ダイオードの容量値を変更するとき、可変容量ダイオードに定常的にバイアス電圧を加える能動回路が必要である。この能動回路をマイクロ波増幅装置に追加すると、装置全体が複雑になり、また余分な電力を消費する。
【００３８】
一方、本実施の形態に係るマイクロ波増幅装置は、可変容量コンデンサよりも一般に信頼性の高い可変抵抗器を用いている。電子部品を配線基板に半田付けした後にも配線基板を洗浄することができる。半田付けのプロセスを簡素化することができる。
【００３９】
また、レーザトリミング抵抗素子をリフロー半田付けの後に洗浄することができる。抵抗体が樹脂で保護されているので、トリミングの後にも抵抗体が保護されている。機械的な機構により抵抗値を変更しないので、信頼性が向上する。レーザトリミング抵抗素子の抵抗値の調整は作業効率が良く、結果として工数削減によるコストダウンを図ることができる。
【００４０】
以上説明したように、第２の実施の形態に係るマイクロ波増幅装置によれば、製造工程が簡略にできる。
【００４１】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。例えば、マイクロ波増幅装置は、３段以上の増幅段と、各増幅段間に設けられた本実施の形態に係るインピーダンス整合回路とを備えることができる。また、増幅段の回路構成は、本実施の形態仁示された特定の構成に限定されない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１（Ａ）は、本実施の形態に係るマイクロ波増幅装置を示す図面である。図１（Ｂ）は、インピーダンス整合回路の主要部を示す図面である。
【図２】図２（Ａ）は、可変容量コンデンサを含むマイクロ波増幅装置を示す図面である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示されたマイクロ波増幅装置の利得特性を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）は、本実施の形態に係るマイクロ波増幅装置を示す図面である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示されたマイクロ波増幅装置の利得特性を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）および図４（Ｄ）は、増幅段およびインピーダンス増幅回路を示す図面である。
【図５】図５は、支持基体上に搭載されたインピーダンス整合回路の可変抵抗器を示す図面である。
【符号の説明】
【００４３】
１…マイクロ波増幅装置、３…第１の増幅段、５…第２の増幅段、７…インピーダンス整合回路、９、１１…トランジスタ、１３…接地パターン、１５…第１のコンデンサ、１７…第２のコンデンサ、１９…可変抵抗器、２１…帰還回路、２７…負荷回路、２９…バイアス回路、３１…帰還回路、３７…負荷回路、３９…入力回路、５５…第３の増幅段、５７…インピーダンス整合回路、５９…トランジスタ、６０…負荷回路、６１…出力回路、７１…支持基体、７５…可変抵抗器、７７…ベース、７９…配線基板、７５ａ…絶縁体、７５ｂ…抵抗体、７５ｃ…第１の電極、７５ｄ…第２の電極、７５ｅ…保護膜、７６ｃ…半田、７９ｃ…導電パターン、７６ｄ…半田、７９ｃ、７９ｄ…導電パターン、８１…レーザ光源、８３…レーザ光  
【図１】
2005236677.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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