(57)【要約】【課題】樹脂層のクラックを防止すると共に、微細半導体チップの実装に適した小型で薄型の樹脂封止ミニフラットパッケージ型の半導体装置を目的とする。【解決手段】半導体チップ２をヘッダー１の裏面に固着し、リードを半導体チップ方向に折り曲げ、リードの曲折部を樹脂内に配置することで、リードにかかる外力による樹脂クラックを抑制する樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置を実現するものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッダーに固着された半導体チップと、
前記ヘッダーの周囲に近接して設けられたリードと、
前記ヘッダーと前記半導体チップと前記リードを封止する樹脂層とを有する樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置において、
前記半導体チップを前記ヘッダーの裏面に固着し、前記リードを前記半導体チップ方向に折り曲げて形成した前記リードの曲折部が前記樹脂層内にあることを特徴とする樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は特にパッケージ外形を超小型で薄型に形成できる微小チップを収容する樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置は、ウェハからダイシングして分離した半導体チップをリードフレームに固着し、金型と樹脂注入によるトランスファーモールドによって半導体チップを封止し、リードフレームを切断して個々の半導体装置毎に分離して製造されている。
【０００３】
この製造方法による樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置は、図３に示すように、中央にヘッダー１が配置され、ヘッダー１の両側にリード３が配置され、ヘッダー１上に半導体チップ２が固着されており、半導体チップ２とリード３がワイヤ４で接続され、全体を樹脂層５でモールドしている。また、リード３は半導体チップ２と反対方向に曲折され、樹脂層５からその端部を突出させていた。
【０００４】
更に、図４（Ａ）に示すように、リード３の端部と樹脂層５の底面はフラットに配置され、更にヘッダー１とリード３は同一の厚みのフレームを使用している。また、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、半導体チップ２等を樹脂層５で封止し、リード３が樹脂層５の外部に突出した構造となっていた。このためにヘッダー１の両側に樹脂層５を適度の厚みに設け、半導体チップ２およびワイヤー４の保護とリード３の離脱からの保護とを行う必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置は、ヘッダーの上面に半導体チップを固着する構造上ワイヤのループ形状安定化のためにどうしてもヘッダーの上側の樹脂層が厚くなってしまう。そこで薄型化を実現するために、ヘッダー下側の樹脂層を薄くする方法が用いられてきた。
【０００６】
しかしながらヘッダー下側の樹脂層を薄くしすぎると樹脂層の強度が低下し、プリント基板等にサーフェスマウント時に半田溶液等によるヒートサイクルでリードに力が加わることによってヘッダー下側の樹脂層がクラックしてしまう問題点が発生する。そのためにヘッダー下側樹脂層がクラックしないようにパッケージが最低でも０．７ｍｍの厚さが必要となり、更なる薄型化の阻害要因となっている問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上述した種々の問題点に鑑みてなされたものであり、ヘッダーに固着された半導体チップと、前記ヘッダーの周囲に近接して設けられたリードと、前記ヘッダーと前記半導体チップと前記リードを封止する樹脂層とを有する樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置において、前記半導体チップを前記ヘッダーの裏面に固着し、前記リードを前記半導体チップ方向に曲折して折り曲げて前記樹脂層より外部に取り出し、且つ前記ヘッダーは、前記リードよりも薄く形成されることに特徴がある。
【発明の効果】
【０００８】
上述したように、本発明によれば、ヘッダーを潰すことによりリードのポスト面が半導体チップに近づくので、低ループボンディングをする際に発生するワイヤーの半導体チップへのチップエッジのショートが起きにくくなり、確実に低ループボンディングができるようになり、パッケージとしても薄型化が可能になる。
【０００９】
更には半導体チップをヘッダーの裏面、すなわちリードを折り曲げた方向に固着することによりリードに外部から力がかかってもヘッダー下側の樹脂層は応力に耐えられる厚みであり、しかもヘッダーの上面の樹脂層を薄くしてもリードから樹脂層の上側には応力が係らないので、樹脂層を薄くすることができる。結果として樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置の薄型化できる効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置を図１及び図２を参照して説明する。図１は本発明の一実施例の上面図であり、図２（Ａ），（Ｂ）は図１の点線Ａ、Ｂに沿った断面図である。
【００１１】
図１において樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置は、中央部に配置されたヘッダー１と、ヘッダー１の裏面に固着された半導体チップ２と、このヘッダー１にの周囲に近接して設けられたリード３と、半導体チップ２とリード３とを接続するワイヤ４と、半導体チップ２とリード３をモールドする樹脂層５から構成されている。
【００１２】
更に、図２より半導体チップ２とヘッダー１とリード３は樹脂層５により封止されており、リードと一体の外部リードは樹脂層５より突出し、樹脂層５の底面と高さを一致させている。又ヘッダー１及びリード３は打ち抜きフレームで供給され、中央にヘッダー１，両側にリード３を配置されている。更に半導体チップ２はヘッダー１の裏面にロウ材で固着されていて、且つ半導体チップ２はヘッダー１よりも若干小さい。
【００１３】
本発明に用いる打ち抜きフレームは表面をＡｇメッキで被覆してあり全体としてのフレーム厚は０．１２ｍｍ程度である。ここでヘッダー１の部分を図２に示すようにプレスして０．０８ｍｍ位にまで潰す。ヘッダー１を潰すことによって図２（Ｂ）に示すようにリード３のポスト面が半導体チップ２の上面に近づく。そのことにより低ループボンディングをする際に発生するワイヤー４の半導体チップ２へのチップエッジのショートが起きにくくなり、確実に低ループボンディングができるようになり、パッケージとしても薄型化が可能になる。
【００１４】
更にヘッダー１の裏面、すなわちリード３の折り曲げた方向に半導体チップ２を固着する。そのことによってヘッダー１の上面には半導体チップ２およびワイヤー４がなく外部から力が加わることも少ないので、ヘッダー１の上面の樹脂層５を薄くしても樹脂層のクラックの心配がなくなり、樹脂層５を０．０６ｍｍ程度にまで薄くすることができる。
【００１５】
一方、ヘッダー１及びリード３の下側は、半導体チップおよびワイヤー４があるため、薄型化を図っても機械的強度を保つための樹脂層５の厚みは十分確保できる。
【００１６】
以上のことから本発明の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置は外形の厚みが０．５ｍｍを実現でき、従来の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置の外形厚み０．７ｍｍより０．２ｍｍ程度の薄型化を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図２】本発明の半導体装置を説明する断面図である。
【図３】従来の半導体装置を説明する図である。
【図４】従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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