(57)【要約】【課題】            高剛性で反りの心配がなく、かつ被処理物搭載面の熱伝導率が高く、均熱性の向上や、急速な冷却ができる加熱装置を提供する。【解決手段】        本発明の加熱装置は、被処理物を搭載する搭載部と、該搭載部を加熱するための抵抗発熱体を有する加熱部と、前記搭載部と加熱部を支持する支持部とからなり、前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ１００ＧＰａ以上であることを特徴とする。このように１００ＧＰａ以上とすることによって、プローブカードを押圧した時、搭載部の厚みが薄くても変形を少なくすることができる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を搭載する搭載部と、該搭載部を加熱するための抵抗発熱体を有する加熱部と、前記搭載部と加熱部を支持する支持部とからなり、前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ１００ＧＰａ以上であることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ２００ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ３００ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記搭載部の熱伝導率が、５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項５】
前記搭載部の材質が、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項６】
前記加熱部は、セラミックスの内部または表面に抵抗発熱体が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項７】
前記加熱部が、前記搭載部の被処理物搭載面とは反対側の面に形成された抵抗発熱体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項８】
前記加熱部が、絶縁体で挟まれた発熱体で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体加熱装置。
【請求項９】
前記絶縁体が、樹脂であることを特徴とする請求項８に記載の加熱装置。
【請求項１０】
前記樹脂中に、フィラーが分散されていることを特徴とする請求項９に記載の加熱装置。
【請求項１１】
前記絶縁体が、マイカであることを特徴とする請求項８に記載の加熱装置。
【請求項１２】
前記抵抗発熱体が、ステンレスもしくはニクロムであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１３】
前記支持部の熱伝導率が、５０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１４】
前記支持部の材質が、アルミナ、ムライト、ムライトとアルミナの複合体、コージェライト、ステアタイト、フォルステライトのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１５】
前記加熱部に当接あるいは分離可能な冷却モジュールを具備することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１６】
前記搭載部の被処理物搭載面側に、導体層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１７】
前記導体層の主成分が、Ｎｉであることを特徴とする請求項１６に記載の加熱装置。
【請求項１８】
ウェハを加熱検査するための装置に用いられることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置や半導体検査装置に使用される加熱装置に関し、更にはそれを搭載したウェハプローバやハンドラ装置やテスターなどに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体の検査工程では、被処理物である半導体基板（ウェハ）に対して加熱処理が行われる。すなわち、ウェハを通常の使用温度よりも高温に加熱して、不良になる可能性のある半導体チップを加速的に不良化させて取り除き、出荷後の不良の発生を予防するバーンインが行われている。バーンイン工程では、半導体ウェハに半導体回路を形成した後、個々のチップに切断する前に、ウェハを加熱しながら各チップの電気的な性能を測定して、不良品を取り除いている。このバーンイン工程において、スループットの向上のために、プロセス時間の短縮が強く求められている。
【０００３】
このようなバーンイン工程では、半導体基板を保持し、半導体基板を加熱するためのヒータが用いられている。従来のヒータは、ウェハの裏面全面をグランド電極に接触させる必要があるので、金属製のものが用いられていた。金属製の平板ヒータの上に、回路を形成したウェハを載置し、チップの電気的特性を測定する。測定時は、通電用の電極ピンを多数備えたプローブカードと呼ばれる測定子を、ウェハに数１０ｋｇｆから数百ｋｇｆの力で押さえつけるため、ヒータが薄いと変形してしまい、ウェハとグランド電極との間に接触不良が発生することがある。そのため、ヒータの剛性を保つ目的で、厚さ１５ｍｍ以上の厚い金属板を用いる必要があり、ヒータの昇降温に長時間を要し、スループット向上の大きな障害となっていた。
【０００４】
また、バーンイン工程では、チップに電気を流して電気的特性を測定するが、近年のチップの高出力化に伴い、電気的特性の測定時に、チップが大きく発熱し、場合によっては、チップが自己発熱によって、破壊することがあるので、測定後には、急速に冷却することが求められる。また、測定中は、できるだけ均熱であることが求められている。そこで、金属の材質を、熱伝導率が４０３Ｗ／ｍＫと高い銅（Ｃｕ）が用いられていた。
【０００５】
そこで、特許文献１では、厚い金属板の代わりに、薄くても剛性が高く、変形しにくいセラミックス基板の表面に薄い金属層を形成することにより、変形しにくくかつ熱容量が小さいウェハプローバが提案されている。この文献によれば、剛性が高いので接触不良を起こすことがなく、熱容量が小さいので、短時間で昇温及び降温が可能であるとされている。そして、ウェハプローバを設置するための支持台として、アルミニウム合金やステンレスなどを使用することができるとされている。
【０００６】
しかし、特許文献１に記載されているように、ウェハプローバをその最外周のみで支持すると、プローブカードの押圧によって、ウェハプローバが反ることがあるので、多数の支柱を設けるなどの工夫が必要であった。
【０００７】
また、熱伝導率の高いセラミックスとしては、ＡｌＮやＳｉＣがあるが、その熱伝導率は、通常１５０〜１８０Ｗ／ｍＫ程度であって、純Ｃｕの４０３Ｗ／ｍＫに比べると、低い。そのため、均熱性の向上や急速な冷却という目的に反しており、セラミックス基板では、それらの性能が低下する可能性があった。
【特許文献１】特開２００１−０３３４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、高剛性であるので多数の支柱を設けなくても反りの心配がなく、かつ被処理物搭載面の熱伝導率が高く、均熱性の向上や、チップの急速な冷却ができる加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の加熱装置は、被処理物を搭載する搭載部と、該搭載部を加熱するための抵抗発熱体を有する加熱部と、前記搭載部と加熱部を支持する支持部とからなり、前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ１００ＧＰａ以上であることを特徴とする。このように１００ＧＰａ以上とすることによって、プローブカードを押圧した時、搭載部の厚みが薄くても変形を少なくすることができる。また、搭載部を最外周のみで支持しても、搭載部が変形することが少なくすることができる。前記搭載部と支持部のヤング率は、それぞれ２００ＧＰａ以上であることが好ましく、それぞれ３００ＧＰａ以上であれば更に好ましい。
【００１０】
前記搭載部の熱伝導率は、５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましく、その材質は、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかであることが好ましい。
【００１１】
また、前記加熱部は、セラミックスの内部または表面に抵抗発熱体が形成されていることが好ましい。あるいは、前記加熱部は、前記搭載部の被処理物搭載面とは反対側の面に形成された抵抗発熱体であってもよい。また、前記加熱部は、絶縁体で挟まれた発熱体で構成されていてもよい。この場合、前記絶縁体は、樹脂であることが好ましく、前記樹脂中に、フィラーが分散されていることが更に好ましい。また、前記絶縁体が、マイカであることは好ましい。
【００１２】
前記抵抗発熱体は、ステンレスもしくはニクロムであることが好ましい。
【００１３】
また、前記支持部の熱伝導率は、５０Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましく、その材質は、アルミナ、ムライト、ムライトとアルミナの複合体、コージェライト、ステアタイト、フォルステライトのいずれかであることが好ましい。
【００１４】
更に、前記加熱部に当接あるいは分離可能な冷却モジュールを具備することが好ましい。また、前記搭載部の被処理物搭載面側に、導体層が形成されていることが好ましく、該
導体層の主成分は、Ｎｉであることが好ましい。
【００１５】
以上のような加熱装置を、ウェハを加熱検査するための装置に用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、被処理物を搭載する搭載部と、該搭載部を加熱するための抵抗発熱体を有する加熱部と、前記搭載部と加熱部を支持する支持部とからなり、前記搭載部と支持部のヤング率が、それぞれ１００ＧＰａ以上であれば、変形のない優れた加熱装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態を図１を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態の一例である。本発明の加熱装置は、被処理物を搭載する搭載部１と、この搭載部１を加熱するため抵抗発熱体４を有する加熱部２と、搭載部と加熱部を支持する支持部３とからなる。この搭載部１と支持部３のヤング率を、それぞれ１００ＧＰａ以上とする。ヤング率が１００ＧＰａ未満の場合は、搭載部に例えばウェハを搭載し、加熱して検査する時、プローブカードを高い圧力で押し付けると、搭載部が変形してしまう。搭載部と支持部のヤング率は、好ましくは２００ＧＰａ以上、更には３００ＧＰａ以上であれば、搭載部の厚みを薄くすることができ、搭載部の熱容量を小さくできるので好ましい。
【００１８】
搭載部は、加熱部で発生した熱をウェハ等の被処理物に伝える役割がある。また、搭載部の被処理物搭載面の温度分布は、均一であることが好ましい。このため、搭載部の熱伝導率は、５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。５０Ｗ／ｍＫ未満であれば、前記被処理物搭載面の均熱性が悪くなる。
【００１９】
このような搭載部の材質としては、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかであることが好ましい。これらの材質のヤング率と熱伝導率を表１に示す。これらの中では、特にＳｉ−ＳｉＣが最も優れている。
【００２０】
【表１】
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【００２１】
加熱部は、セラミックスの内部または表面に抵抗発熱体が形成されていることが好ましい。セラミックスとしては、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、炭化ケイ素等を挙げることができる。これらのセラミックスの表面または内部に抵抗発熱体を形成したセラミックスヒータを加熱部とすることができる。加熱部は、場合によっては急速な温度の上げ下げが必要なことがあるので、耐熱衝撃性の高い材料が好適である。耐熱衝撃性の高いセラミックスとしては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、炭化ケイ素が好適であり、熱を均一に分散して均熱性を高める観点からは、窒化アルミニウムが好適である。
【００２２】
また、図２に示すように、加熱部２は、搭載部１の被処理物搭載面とは反対側の面に形成された抵抗発熱体４であってもよい。この場合、抵抗発熱体の保護と電気絶縁性の確保を目的として、ガラスなどの絶縁体で保護層５を形成することが好ましい。また、搭載部が電気的に導体である場合は、搭載部と抵抗発熱体との間に絶縁体を挿入することができる。搭載部の少なくとも抵抗発熱体が接触する部分に、アルミナやガラス等の絶縁物を、溶射やスクリーン印刷などによる塗布によって、絶縁体を形成することができる。スクリーン印刷による塗布の場合、絶縁物の粉末に、バインダーや有機溶剤を加えてペーストとした後、搭載部の抵抗発熱体との接触部もしくは抵抗発熱体の搭載部との接触部に、ペーストを塗布し、必要に応じて脱脂した後、焼成することによって絶縁体（絶縁層）を形成することができる。
【００２３】
また、絶縁体は、樹脂であってもかまわない。樹脂の場合、前記スクリーン印刷と同様に、搭載部の少なくとも抵抗発熱体と接触部もしくは抵抗発熱体の搭載部との接触部に、樹脂を塗布し、必要に応じて熱処理を行い、絶縁体とすることができる。樹脂は、シリコン樹脂やフェノール樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等各種樹脂を使用することができ、使用温度によって適宜選択することができる。また、樹脂にガラスなどのフィラーを分散させると、絶縁体の熱伝導率が向上するので好ましい。絶縁体の熱伝導率が向上すると、抵抗発熱体の温度が素早く搭載部に伝わるので、応答性に優れた加熱装置とすることができる。
【００２４】
また、図３に示すように、加熱部２は、絶縁体６で挟まれた抵抗発熱体４で構成されていてもよい。この場合、前記絶縁体は、樹脂であることが好ましい。前記スクリーン印刷と同様に、搭載部の少なくとも抵抗発熱体と接触部もしくは抵抗発熱体の搭載部との接触部に、樹脂を塗布し、必要に応じて熱処理を行い、絶縁体とすることができる。樹脂は、シリコン樹脂やフェノール樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等各種樹脂を使用することができ、使用温度によって適宜選択することができる。また、樹脂にガラスなどのフィラーを分散させると、絶縁体の熱伝導率が向上するので好ましい。絶縁体の熱伝導率が向上すると、抵抗発熱体の温度が素早く搭載部に伝わるので、応答性に優れた加熱装置とすることができる。
【００２５】
また、前記絶縁体６としてマイカを用いることもできる。マイカは、絶縁性および耐熱性に優れており、また比較的安価であることから好ましい。例えば、２枚のマイカで例えばステンレス製の抵抗発熱体を挟み込み、これを搭載部に例えばネジ止め等で固定し、加熱部とすることができる。
【００２６】
抵抗発熱体は、金属材料を使用することができる。例えば、ニッケルやステンレス、銀、タングステン、モリブデン、クロムおよびこれらの金属の合金の、例えば金属箔を用いることができる。これらの金属の中では、ステンレスとニクロムが好ましい。ステンレスあるいはニクロムは、発熱体の形状に加工する時、エッチングなどの手法により、抵抗発熱体回路パターンを比較的に精度良く形成することができる。また、安価であり、耐酸化性を有するので、使用温度が高温であっても長期間の使用に耐えることができるので好ましい。
【００２７】
加熱部は、搭載部にネジ止め等の機械的手法で固定することができる。搭載部と加熱部を支持する支持部は、リング状の支持体によって構成してもよいし、複数の支持体によって構成してもよい。また、リング状の支持体と例えば棒状や筒状の支持体を組み合せてもよい。
【００２８】
支持部を構成する支持体の材質の熱伝導率は、５０Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましい。熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫを超えると、搭載部や加熱部の支持体との当接部分の温度が低下し、被処理物搭載面の温度分布が不均一になることがあるので、好ましくない。このような支持部の材質は、アルミナ、ムライト、ムライトとアルミナの複合体、コージェライト、ステアタイト、フォルステライトのいずれかであることが好ましい。これらの材質のヤング率は、いずれも１００ＧＰａ以上であり、搭載部に多大な圧力が掛かっても変形しにくいので好ましい。
【００２９】
また、加熱部に当接あるいは分離可能な冷却モジュールを具備すれば、被処理物搭載面の温度を急速に冷却することができる。急速に冷却できれば、処理時間を短縮することができるとともに、被処理物に必要以上の熱を加えることがなくなる。冷却モジュールは、加熱時は、加熱部から離れているが、冷却時に、加熱部に密着するよう可動式にすれば、加熱時の電力を抑えることができる。
【００３０】
冷却モジュールの形態としては、加熱部に当接あるいは分離可能であれば、特に制約はない。例えば、金属やセラミックス、あるいはそれらの複合体のブロックなどで構成することができる。また、このようなブロックに、冷却媒体の流路を形成して、冷却媒体を流せば、効率的に冷却することができるので好ましい。冷却媒体としては、特に制約はないが、水は、安価であるとともに比熱が大きいので好ましい。また、冷却モジュールの加熱部に対する平行度は、当接時に０．５ｍｍ以下であることが好ましい。平行度が０．５ｍｍを超えると、冷却モジュールを加熱部に当接させた時、強く当接する部分とそうでない部分ができるので、被処理物搭載面の温度分布が不均一になりやすく、また冷却効率も低下する。
【００３１】
ウェハプローバなどの用途では、被処理物搭載面が導電性を有することが要求されることがある。この場合、搭載部の被処理物搭載面側に、導体層を形成することが好ましい。導体層は、たとえば金属等の導電体をメッキや蒸着、スパッタ、溶射あるいはスクリーン印刷による塗布などにより、形成することができる。ただし、被処理物との均一な密着性を確保するために、導体層の表面は、０．５ｍｍ以下の平面度に仕上げることが好ましい。平面度が０．５ｍｍを超えると、電気的導通を確保するために、被処理物の変形能以上に変形させなければならず、場合によっては被処理物が破損することがある。
【００３２】
導体層の主成分は、Ｎｉであることが好ましい。Ｎｉは、大気中で加熱しても、比較的安定で、電気伝導度の低下が少なく、安価な材料であるからである。Ｎｉの場合でも、前記各種の手法で導体層を形成することができるが、その中でもコスト的にはメッキが安価であるので好ましい。
【００３３】
本発明の加熱装置は、ウェハ等の被処理物を加熱、検査するために好適に用いることができる。例えば、ウェハプローバあるいはハンドラ装置あるいはテスター装置に適用すれば、高剛性、高熱伝導率である特性を特に活かすことができるので、好適である。
【実施例１】
【００３４】
搭載部として、表２に示す材料を用意した。表２には、各材料のヤング率と熱伝導率もあわせて示す。各材料は、直径３３０ｍｍ、厚み１５ｍｍとし、平面度を０．１ｍｍ以下になるように機械加工した。その後、被処理物搭載面にＮｉを１０μｍの厚みにメッキし、搭載部とした。
【００３５】
【表２】
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【００３６】
加熱部として、図３に示すように、エッチングによってパターン形成した厚さ５０μｍのステンレス製の抵抗発熱体４を、マイカ６で挟み込み、ネジ止め（図示せず）によって搭載部に固定した。
【００３７】
支持部として、外径３３０ｍｍ、内径３２０ｍｍ、長さ１００ｍｍのムライトアルミナ複合体を用意し、図３に示すように、搭載部１、加熱部２、支持部３となるよう組み立てて、加熱部を完成させた。なお、ムライトアルミナ複合体のヤング率は、３２０ＧＰａである。
【００３８】
各加熱装置の被処理物搭載面に、回路形成された直径３００ｍｍのＳｉウェハを搭載し、プローブカードを押し当て、２００℃に加熱して、繰り返し検査を行った。その結果、搭載部の材質が、Ａｌの加熱装置では、５回押し当てると、搭載部が明らかに変形し、その後ウェハが破損した。
【００３９】
また、各加熱装置において、被処理物搭載面の温度分布をウェハ温度計を用いて測定した。その結果、搭載部の材質が、Ａｌ２Ｏ３の加熱装置は、２００℃±１℃を超えたが、それ以外の加熱装置は、±１℃以内であった。
【実施例２】
【００４０】
搭載部の厚みを１０ｍｍにしたこと以外は、実施例１と同様にして、加熱装置を完成させ、実施例１と同様にプローブカードを押し当てる検査を行った。その結果、搭載部の材質がＣｕの加熱装置では、徐々に変形していき、７回目でウェハが破損した。Ａｌは１回目でウェハが破損した。
【実施例３】
【００４１】
搭載部の厚みを７．５ｍｍにしたこと以外は、実施例１と同様にして、加熱装置を完成させ、実施例１と同様にプローブカードを押し当てる検査を行った。最大１００回繰り返して、ウェハが破損するまでの回数か、破損しなかった場合は、１００回後の被処理物搭載面の変形量を測定した。その結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】
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【００４３】
表３から判るように、搭載部のヤング率が、３００ＧＰａを超える材質の場合、搭載部の厚みを薄くしても、変形量が非常に少ない。
【実施例４】
【００４４】
搭載部として、直径３３０ｍｍ、厚み１５ｍｍのＳｉ−ＳｉＣを用意した。このＳｉ−ＳｉＣの被処理物搭載面とは反対側の面に、アルミナムライト複合体を溶射して、厚み５０μｍの溶射膜を形成した。この絶縁層である溶射膜に、ニクロムヒータを設置し、更にその上から実施例１と同様にマイカで押さえ、ネジ止めすることにより発熱部を形成し、これに電極部材を取り付けた。また、実施例１と同様に、被処理物搭載面にＮｉをメッキした。
【００４５】
支持部として、表４に示す材料を用意し、外径３３０ｍｍ、内径３２０ｍｍ、長さ１００ｍｍに加工した。表４には、各材質のヤング率と熱伝導率もあわせて示す。これらを、図２に示すように、Ｓｉ−ＳｉＣの搭載部１、抵抗発熱体４としてニクロムとマイカ５と溶射膜（図示せず）を含む加熱部２、表４に示す材質の支持部３とを組み立てて加熱装置を完成させた。
【００４６】
実施例１と同様に、プローブカードを押し当てる検査を繰り返し、搭載部が変形するか否かを調べた。その結果を、表４に示す。表４において、○は、１０００回繰り返しても変形がなかったことを示し、△は、１００回の繰り返しでは変形はなかったが、１０００回の繰り返しで変形したことを示し、×は、１００回の繰り返しで変形したことを示す。また、実施例１と同様に、ウェハ温度計を用いて２００℃での温度分布を測定した。これらの結果を纏めて表４に示す。
【００４７】
【表４】
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【００４８】
また、支持体の内径を３２４ｍｍにしたものを用意し、上記と同様に組み立てて、同様の評価を行った。また、支持体の形状を直径５ｍｍ、長さ１００ｍｍの棒状として、加熱部の再外周部に均等に８個配置し、更に直径１２０ｍｍに相当する部分に均等に４個配置した加熱装置も完成させ、上記と同様の評価を行った。その結果を表５に示す。なお、○、△、×は、表４と同じである。
【００４９】
【表５】
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【００５０】
表４、５から判るように、支持体のヤング率が１００ＧＰａ以上であれば、変形がなく使用できるが、支持部の肉厚が薄くなったり、棒状の支持体を複数使って支持する場合、すなわち支持部が弱くなると、ヤング率が２００ＧＰａ未満では、使用に耐えない。ヤング率が３００ＧＰａ以上であれば、支持部の大きさによらず充分使用に耐えることができる。また、支持部の熱伝導率が、５０Ｗ／ｍＫ以下であれば、被処理物搭載面の温度分布を±１．０℃以下にすることができる。
【実施例５】
【００５１】
外径３１５ｍｍ、厚み５ｍｍのアルミニウム板を２枚用意し、一方の板に冷却水の流路を形成し、もう１枚の板をＯ−リングをはさんでネジ止めし、水冷冷却モジュールとした。また、直径３１５ｍｍ、厚み１０ｍｍの冷却流路がないアルミニウムのブロックも用意し、水冷なし冷却モジュールとした。実施例１の各加熱装置に、この冷却モジュールを加熱部から２０ｍｍ下の位置に組み込み、冷却速度を測定した。測定は、被処理物搭載面にウェハ温度計を搭載して、ウェハ温度計の平均温度が２００℃状態にして、通電を停止すると同時に冷却モジュールを加熱部に当接させ、ウェハ温度計の平均温度が１００℃になるまでの時間（秒）を測定した。なお、冷却流路には、温度を２０℃に制御した水を１リットル／分流した。また、冷却ブロックがない場合の冷却時間も測定した。これらの結果を表６に示す。
【００５２】
【表６】
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【００５３】
表６から判るように、冷却モジュールを具備することにより、冷却速度が向上する。冷却モジュールに冷却流路を形成し、冷却媒体を流すことにより、冷却速度はさらに向上する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、高剛性で反りの心配がなく、かつ被処理物搭載面の熱伝導率が高く、均熱性の向上や、チップの急速な冷却ができる加熱装置を容易に得ることができる。このため、本発明の加熱装置を、ウェハプローバあるいはハンドラ装置あるいはテスター装置などの半導体検査装置に用いれば、加熱装置の変形や反りによる接触不良を起こすことなく、かつウェハ全面において均熱性に優れ、更に短時間で昇温、降温が可能な半導体検査装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の半導体加熱装置の断面構造の一例を示す。
【図２】本発明の半導体加熱装置の断面構造の他の例を示す。
【図３】本発明の半導体加熱装置の断面構造の他の例を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１    搭載部
２    加熱部
３    支持部
４    抵抗発熱体
５    絶縁層
６    絶縁体
【図１】
2005340043.tif 000009
【図２】
2005340043.tif 000010
【図３】
2005340043.tif 000011