(57)【要約】【課題】  ＧａＰ発光素子の高輝度化。【解決手段】  ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。ｐ型ＧａＰ層１４には、アクセプタ不純物としてＺｎが添加されており、電力供給用のｐ電極１５と接する側に、Ｚｎ濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のＺｎ濃化層１４ａが設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、ｎ型ＧａＰ層とｐ型ＧａＰ層とが積層されたＧａＰ発光素子において、前記ｐ型ＧａＰ層は、アクセプタ不純物として亜鉛が添加されるとともに、電力供給用の電極と接する側に、亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層が設けられていることを特徴とするＧａＰ発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型ＧａＰ層の全厚さのうち、前記亜鉛濃化層の占める割合が半分よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のＧａＰ発光素子。
【請求項３】
前記亜鉛濃化層の厚さが２μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のＧａＰ発光素子。
【請求項４】
ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、ｎ型ＧａＰ層とｐ型ＧａＰ層とが積層されたＧａＰ発光素子の製造方法であって、
前記ｎ型ＧａＰ層と、亜鉛がアクセプタ不純物として添加された前記ｐ型ＧａＰ層とを、液相エピタキシャル成長させてＧａＰエピタキシャルウェーハを得る液相成長工程と、
前記ｐ型ＧａＰ層の主表面から亜鉛を拡散させることにより、前記ｐ型ＧａＰ層の表層部を亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層に転化する亜鉛拡散工程と、
を含むことを特徴とするＧａＰ発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記亜鉛拡散工程は、真空引きした容器内に亜鉛源とともに前記ＧａＰエピタキシャルウェーハを封入し、前記容器内を昇温することにより行なうことを特徴とする請求項４記載のＧａＰ発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記容器内を、前記液相成長工程における前記ｐ型ＧａＰ層の成長温度よりも低い温度範囲内にて昇温することを特徴とする請求項５記載のＧａＰ発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記亜鉛拡散工程を行なったあとで、前記亜鉛濃化層に隣接する電力供給用の電極の形成工程を行なうことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載のＧａＰ発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧａＰ発光素子と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体発光素子は、半導体基板上に複数の半導体層を積層してｐ−ｎ接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素子化したものである。たとえば、従来から赤色系や緑色系の発光素子には、ｎ型ＧａＰ（燐化ガリウム）単結晶基板上に、ｎ型ＧａＰ層とｐ型ＧａＰ層とをエピタキシャル成長させたＧａＰエピタキシャルウェーハが使用されている。
【０００３】
発光素子が抱える問題の１つに、輝度の問題がある。発光素子の輝度を向上させるために、従来から、結晶欠陥の少ない良質な基板を使用する試みや（下記特許文献１参照）、発光層部の不純物濃度を最適化する試み（下記特許文献２参照）がなされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１４３３９８号公報
【特許文献２】特開平１０−２９４４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、発光素子の高輝度化に対する要望は年々高まってきている。高輝度化への要望に応えるためには、上記文献に記された技術を以ってしても未だ不十分であり、更なる改善案の検討が必要とされている。
【０００６】
本発明は、より高輝度のＧａＰ発光素子およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、ｎ型ＧａＰ層とｐ型ＧａＰ層とが積層されたＧａＰ発光素子において、ｐ型ＧａＰ層は、アクセプタ不純物として亜鉛（Ｚｎ）が添加されるとともに、電力供給用の電極と接する側に、亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
通常のＧａＰ発光素子において、ｐ型ＧａＰ層の厚さは、たとえば１０μｍ以上２０μｍ以下に調整される。ところが、このような厚さ範囲とすると、ｐ型ＧａＰ層に隣接する電極から供給される電流の面内方向への拡がりが不十分となる。この結果、発光層部へのキャリアの注入が不十分な領域が形成される。ｐ型ＧａＰ層を十分に厚くして、電流の拡散距離を稼ぐことも考え得るが、光が吸収されやすくなる恐れがあるため、ｐ型ＧａＰ層を過剰に厚くすることは、できれば避けたい。
【０００９】
本発明のＧａＰ発光素子には、ｐ型ＧａＰ層の電極と接する側に、亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層が設けられている。これにより、ｐ型ＧａＰ層の亜鉛濃度が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の従来品にくらべ、輝度が大幅に向上する。ただし、亜鉛濃化層の亜鉛濃度を４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とすると、低抵抗化による電流拡散効果を十分に得ることができず、輝度の向上が顕著でなくなる。また、光の吸収を起こりにくくするため、亜鉛濃化層の亜鉛濃度は、１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えない範囲に調整されているのがよい。
【００１０】
また、亜鉛濃化層の厚さの占める割合は、ｐ型ＧａＰ層の全厚さの半分よりも小さく調整されていることが望ましい。このようにすれば、光の吸収率が高くなるという負の効果よりも、面内方向への電流拡散効果が優位となることを期待できる。
【００１１】
具体的に亜鉛濃化層の厚さは、２μｍ以上８μｍ以下に調整されているとよい。亜鉛濃化層の厚さが２μｍを下回ると、面内方向への電流拡散効果を十分に得ることができなくなる。他方、亜鉛濃化層の厚さを８μｍよりも大きくすると、光の吸収率が高くなるという負の効果が優位となる恐れがある上、亜鉛濃化層を形成するためのプロセス時間も長引くことが予測され、不経済である。
【００１２】
また、課題を解決するために本発明は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、ｎ型ＧａＰ層とｐ型ＧａＰ層とが積層されたＧａＰ発光素子の製造方法であって、ｎ型ＧａＰ層と、亜鉛がアクセプタ不純物として添加されたｐ型ＧａＰ層とを、液相エピタキシャル成長させてＧａＰエピタキシャルウェーハを得る液相成長工程と、ｐ型ＧａＰ層の主表面から亜鉛を拡散させることにより、ｐ型ＧａＰ層の表層部を亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層に転化する亜鉛拡散工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
一般に、発光素子用のＧａＰエピタキシャルウェーハは、ＧａＰ単結晶基板上にｎ型ＧａＰ層およびｐ型ＧａＰ層を、液相エピタキシャル成長法により連続形成することにより得られる。ｎ型ＧａＰ層およびｐ型ＧａＰ層は、同一のＧａ溶液を用いて連続成長するのが一般的である。ｐ型ＧａＰ層は、ドナー不純物をアクセプタ不純物（亜鉛）で補償する、いわゆる不純物補償法により形成する。すなわち、Ｇａ溶液への亜鉛の溶かし込みは、反応室内に亜鉛を拡散させることにより行なわれる。この方法において、亜鉛はＧａとの平衡蒸気圧でＧａ溶液に取り込まれる。そのため、ｐ型ＧａＰ層に添加される亜鉛濃度は、１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度が限界となる。
【００１４】
本発明の方法においては、通常の液相成長工程を行なった後で、ｐ型ＧａＰ層の主表面から亜鉛を拡散させる。この方法によれば、ｐ型ＧａＰ層の表層部を亜鉛濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の亜鉛濃化層に容易に転化することができる。このような亜鉛濃化層を設けたＧａＰ発光素子においては、電極から導入された電流が面内方向に十分に拡散するようになる。すると、発光層部へのキャリアの注入が効率良く行なわれるようになるので、いっそうの高輝度化を実現できる。
【００１５】
具体的に、上記した亜鉛拡散工程は、真空引きした容器内に亜鉛源とともにＧａＰエピタキシャルウェーハを封入し、容器内を昇温することにより行なうことができる。このようにすれば、亜鉛の蒸気圧を十分に高めることができ、ｐ型ＧａＰ層への亜鉛の拡散を容易に行なうことができる。
【００１６】
また、上記の拡散工程においては、容器内を、液相成長工程におけるｐ型ＧａＰ層の成長温度よりも低い温度範囲内にて昇温することが望ましい。この方法によれば、ｐ型ＧａＰ層からｎ型ＧａＰ層への亜鉛の拡散も起こりにくく、急峻なｐ−ｎ接合を保持したまま亜鉛濃化層を形成できる。
【００１７】
また、亜鉛拡散工程を行なったあとで、亜鉛濃化層に隣接する電力供給用の電極の形成工程を行なうとよい。このようにすれば、亜鉛濃化層の形成温度よりも低い温度域で、ｐ型ＧａＰ層と電極とのオーム性接触を確保するための熱処理を行なえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１に示すのは、本発明にかかるＧａＰ発光素子１の断面構造である。ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０の｛１１１｝Ｂ面上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０およびｎ型ＧａＰバッファ層１１は、広義の基板３を構成している。発光層部４は、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３およびｐ型ＧａＰ層１４を含んで構成されている。
【００１９】
ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０、ｎ型ＧａＰバッファ層１１およびｎ型ＧａＰ層１２には、ｎ型ドーパントとして珪素（Ｓｉ）が添加されている。Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３は、ｐ型ＧａＰ層１４との間にｐ−ｎ接合を形成している。Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３には、ｎ型ドーパントとしてのＳｉと、窒素（Ｎ）がドープされている。Ｎは、アイソエレクトロニックトラップとして働くものである。Ｎのドープ量は、要求される発光出力レベルとドミナント発光波長の値に応じて調整されている。一方、ｐ型ＧａＰ層１４には、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚｎ）が添加されている。なお、本実施形態においては、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２およびｐ型ＧａＰ層１４には、Ｎの積極添加を行なっていない。ｐ型ＧａＰ層１４は後述するように不純物補償方式で成長するため、ｎ型ＧａＰ層１３のドナー濃度に比べてアクセプタ濃度が必然的に高くなり、その結果、正孔注入によるｎ型ＧａＰ層４３での発光が支配的となっている。
【００２０】
ｐ型ＧａＰ層１４は、Ｚｎの添加濃度が相対的に高いＺｎ濃化層１４ａと、Ｚｎの添加濃度が相対的に低い低Ｚｎ濃度層１４ｂとから構成されている。Ｚｎ濃化層１４ａは、電力供給用のｐ電極１５に接する側に設けられており、ｐ−ｎ接合を形成する側が低Ｚｎ濃度層１４ｂとされている。Ｚｎ濃化層１４ａのＺｎ濃度は、４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に調整されている。Ｚｎ濃化層１４ａを設けることにより、ｐ電極１５から供給される電流が面内方向に十分に拡散される。これにより、発光領域への正孔注入が満遍なく行なわれ、高い輝度を得ることができる。なお、Ｚｎ濃化層１４ａの好ましいＺｎ濃度としては、５．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上８．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下を示せる。
【００２１】
図２に示すのは、ｐ型ＧａＰ層１４のＺｎ濃度を模式的に示したグラフである。図２のグラフに示すように、Ｚｎ濃化層１４ａの厚さの占める割合は、ｐ型ＧａＰ層１４の全厚さの半分よりも小さく調整されていることが望ましい。これにより、光の吸収率が高くなるという負の効果よりも電流拡散効果が優位となるようにしている。言い換えれば、正孔供給源としての機能と、光吸収防止との両立を図るようにしている。
【００２２】
具体的に、ｐ型ＧａＰ層１４の厚さは、たとえば５μｍ以上３０μｍ以下に調整することができる。Ｚｎ濃化層１４ａの厚さは、ｐ型ＧａＰ層１４の総厚さの半分を超えない範囲内にて、２μｍ以上８μｍ以下に調整するとよい。Ｚｎ濃化層１４ａの厚さが２μｍを下回ると、面内方向への電流拡散効果を十分に得ることができなくなる。他方、Ｚｎ濃化層１４ａの厚さを８μｍよりも大きくすると、光の吸収率が高くなるという負の効果が優位となる恐れがあるうえ、Ｚｎ濃化層１４ａを形成するためのプロセスに費やされる時間も長引くことが予測され、不経済である。なお、Ｚｎ濃化層１４ａのより望ましい厚さ範囲としては、４μｍ以上６μｍ以下を示せる。
【００２３】
次に、ＧａＰ発光素子１の製造方法について説明する。まず、ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski）法などの公知の単結晶育成法により作製されたＧａＰ単結晶棒を切断して、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０を得る。ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０には、面取り、研磨などの前処理が施される。
【００２４】
次に、図３に示すように、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０を成長容器２０内に収容させたのち、成長容器２０を回転させてｎ型ＧａＰ単結晶基板１０をＧａ溶液１６に接触させる。Ｇａ溶液１６は、ＧａＰ多結晶およびｎ型ドーパントとなるＳｉを溶解させた飽和溶液とされる。次に、Ｇａ溶液１６を約１０００℃まで加熱して、メルトバックを行なう。次に、温度を徐々に下げて、Ｇａ溶液１６中に溶解しているＧａＰをｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に析出させる。このようにして、ｎ型ＧａＰバッファ層１１がｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に形成されたエピタキシャル基板３が得られる。エピタキシャル基板３の上に、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３およびｐ型ＧａＰ層１４を形成する。これらのエピタキシャル層は、図３に示すように、スライドボート法を採用した液相成長装置６０により連続成長させる。
【００２５】
液相成長装置６０の炉心管２３は、互いに隣り合う成長室２２とドーパント源収容室２１とを形成している。成長室２２内には、石英製の基板ホルダ２４と、同じく石英製の溶液ホルダ２５とを含んで構成されたスライドボート２６が配置されている。エピタキシャル基板３は、基板ホルダ２４に形成された凹部に収容される。エピタキシャル基板３を収容した基板ホルダ２４の上には、Ｇａ溶液３０を収容した溶液ホルダ２５が配置される。Ｇａ溶液３０には、周囲の雰囲気よりドーパントが取り込まれる。
【００２６】
また、ドーパント源収容室２１内には、ボート２８が配置されている。ボート２８には、ｐ型ドーパント源となるＺｎが収容されている。ドーパント源収容室２１には、Ｈ２およびＡｒの少なくとも一方と、Ｎドープ源としてのＮＨ３との混合ガスを炉心管２３内に供給するためのガス供給管３１が接続されている。また、炉心管２３の外周には、成長室２２を加熱するためのメインヒータ３２と、ドーパント源収容室２１を加熱するためのサブヒータ２７が配置されている。
【００２７】
まず、ＺｎおよびＮＨ３を供給せずに、ｎ型ＧａＰ層１２を形成する。Ａｒガスを供給しながら、成長室２２内の温度を約６００℃まで上昇させたのち、溶液ホルダ２５をスライドさせて、エピタキシャル基板３とＧａ溶液３０とを接触させる。次に、約１０００℃まで昇温してメルトバックを行ったのち、成長室２２内をゆっくり降温して、ｎ型ＧａＰ層１２を成長させる。Ｇａ溶液３０には、溶液ホルダ２５から溶出したＳｉが溶け込むので、ｎ型ＧａＰ層１２には、ｎ型ドーパントとしてのＳｉがオートドープされる。
【００２８】
ｎ型ＧａＰ層１２の厚さが所期の値に到達したら、降温を停止してｎ型ＧａＰ層１２の成長を止める。そして、そのときの温度を保持しつつＡｒガスで希釈したＮＨ３ガスを成長室２２内に導入する。そして、Ａｒ希釈ＮＨ３ガスを炉心管２３内に供給しながら、成長室２２内をゆっくり降温し、ＮドープＧａＰ層１３を成長させる。ＮドープＧａＰ層１３は、ＳｉがＮＨ３と反応して消費されるためＳｉのドープ量は低くなる。ＮドープＧａＰ層１３の厚さが所期の値に到達したら、降温を停止してＮドープｎ型ＧａＰ層１３の成長を止め、ＮＨ３ガスの供給を停止する。
【００２９】
次に、Ｚｎを収容したボート２８が配置されたドーパント源収容室２１内を、サブヒータ２７により昇温してＺｎを気化させ、キャリアガスのＡｒおよびＨ２とともに成長室２２に供給する。引き続き、成長室２２内をゆっくり降温する。これにより、ｐ型ＧａＰ層１４がＮドープＧａＰ層１３上に形成される。以上の工程により、発光素子用のＧａＰエピタキシャルウェーハ１’が得られる。
【００３０】
次に、Ｚｎ濃化層１４ａを形成する。Ｚｎ濃化層１４ａは、ｐ型ＧａＰ層１４の主表面からＺｎを熱拡散させることにより形成することができる。まず、図５に示すように、ＧａＰエピタキシャルウェーハ１’を石英製のアンプル４０内に封入する。アンプル４０内には、ｐ型ドーパント源としてのＺｎを収容したボート４２が配置されている。次に、アンプル４０内を真空引きするとともに、ヒータ４１，４１を通電してアンプル４０内を昇温する。アンプル４０内の温度の上昇に伴って、Ｚｎの蒸気圧が徐々に高くなる。アンプル４０内にはキャリアガス等を導入しないので、Ｚｎの分圧は２気圧程度までは比較的簡単に上昇させられる。これによりＧａＰエピタキシャルウェーハ１’の内部にＺｎが拡散し、ｐ型ＧａＰ層１４の表層部がＺｎ濃化層１４ａに転化する。
【００３１】
図５に示すＺｎ拡散工程において、アンプル４０内は、ｐ型ＧａＰ層１４の成長温度よりも低い温度範囲内にて昇温される。このようにすれば、ｐ型ＧａＰ層１４からＮドープｎ型ＧａＰ層１３へのＺｎの拡散も起こりにくく、急峻なｐ−ｎ接合を保持したままＺｎ濃化層１４ａを形成できる。
【００３２】
また、図１に示すＧａＰ発光素子１を得る場合には、図５に示すＺｎ拡散工程を行なったあとで、Ｚｎ濃化層１４ａに隣接する電力供給用のｐ電極１５の形成工程を行なうとよい。ｐ電極１５をＺｎ濃化層１４ａよりも先に形成する場合、Ｚｎが拡散しないようにｐ電極１５をＳｉＯ２等のマスクで被覆しておくことが必要となって工程増を招くうえ、ｐ電極１５のシンタリング温度（たとえば４００℃程度）よりも十分に低い温度範囲にて図５のＺｎ拡散工程を行なう必要性が生じるからである。
【００３３】
Ｚｎ拡散工程が終了したら、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０側にｎ電極、ｐ型ＧａＰ層１４側にｐ電極１５を各々形成してダイシング後、その半導体チップを支持体に固着し、さらにｐ電極１５にボンディングワイヤを取り付けて樹脂封止することによりＧａＰ発光素子１が得られる。
【実験例】
【００３４】
本発明の効果を確かめるために以下の実験を行なった。まず、前述した製造方法により、図１の構造を有し、Ｚｎ濃化層のＺｎ濃度が互いに異なる複数のＧａＰ発光素子を作製した。各ＧａＰ発光素子について、ｐ型ＧａＰ層の厚さは２０μｍとし、Ｚｎ濃化層の厚さは５μｍとした。また、ｐ型ＧａＰ層における低Ｚｎ濃度層のＺｎ濃度は、１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ２に調整した。また、図５のＺｎ拡散工程を省略して、Ｚｎ濃化層を有さないＧａＰ発光素子も作製した。これらのＧａＰ発光素子について、積分球輝度を測定した。測定結果を図６に示す。
【００３５】
図６の散布図は、横軸がＺｎ濃化層のＺｎ濃度、縦軸が相対輝度としてある。Ｚｎ濃化層を有さないＧａＰ発光素子については、ｐ型ＧａＰ層のＺｎ濃度を示している。図６の散布図から分かるように、Ｚｎ濃化層を設けたＧａＰ発光素子は、Ｚｎ濃化層を設けないＧａＰ発光素子よりも相対的に輝度が高くなる傾向を示している。なかでも、Ｚｎ濃度が４．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上のＺｎ濃化層を有するＧａＰ発光素子は、輝度の向上が顕著であった（相対輝度が２０％以上向上）。また、図６からＺｎ濃化層のＺｎ濃度が高くなりすぎると、輝度向上の効果が低下していった。
【００３６】
なお、「不純物の積極添加を行なわない」とは、通常の製造工程上、不可避的に混入する不純物成分の含有（たとえば１．０×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下を上限とする）をも排除するものではないことを断っておく。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ＧａＰ発光素子の断面構造を示す模式図。
【図２】ｐ型ＧａＰ層のＺｎ濃度分布を模式的に示したグラフ。
【図３】発光素子用ＧａＰエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する模式図。
【図４】図３に続く図。
【図５】図４に続く図。
【図６】輝度測定の結果を示す散布図。
【符号の説明】
【００３８】
１  ＧａＰ発光素子
１’  ＧａＰエピタキシャルウェーハ
１０  ｎ型ＧａＰ単結晶基板
１１  ｎ型ＧａＰバッファ層
１２  ｎ型ＧａＰ層
１３  Ｎドープｎ型ＧａＰ層
１４  ｐ型ＧａＰ層
１４ａ  亜鉛濃化層
１５  ｐ電極
４０  アンプル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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