(57)【要約】【課題】高アスペクト比でレジスト・パターンを得ることができる露光方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板Ｓ上に感光材料であるレジスト１を所定の厚さに形成する工程と、レジスト１を露光して所定のレジスト・パターンＰを形成するにあたり、形成するレジスト・パターンＰの部分Ｐ１とそのレジスト・パターンＰの周辺部分Ｐ２とで露光量を変えて露光を行う工程と、露光後のレジスト１を現像することで、レジスト・パターンＰの部分に対応するレジスト１を十分な高さで残すとともに、レジスト・パターンＰの周辺部分Ｐ２に対応するレジスト１をわずかに残す工程とを備える露光方法である。また、この露光方法を行った後、残ったレジストを介して基板Ｓに対するイオン注入やエッチングを施す半導体装置の製造方法でもある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に感光材料を所定の厚さに形成する工程と、
前記感光材料を露光して所定のパターンを形成するにあたり、形成する前記パターンの部分とそのパターンの周辺部分とで露光量を変えて露光を行う工程と、
露光後の前記感光材料を現像することで、前記パターンの部分に対応する感光材料を残すとともに、前記パターンの周辺部分に対応する感光材料をわずかに残す工程と
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記感光材料としてネガ型レジストを用いる場合、前記パターンを形成する部分に対応して第１の露光量で露光を行うとともに、前記パターンの周辺部分に対応して前記第１の露光量より少ない第２の露光量で露光を行う
ことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記感光材料としてポジ型レジストを用いる場合、前記パターンを形成する部分に対応して第１の露光量で露光を行うとともに、前記パターンの周辺部分に対応して前記第１の露光量より大きい第２の露光量で露光を行う
ことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項４】
基板上に感光材料を所定の厚さに形成する工程と、
前記感光材料を露光して所定のパターンを形成するにあたり、形成する前記パターンの部分とそのパターンの周辺部分とで露光量を変えて露光を行う工程と、
露光後の前記感光材料を現像することで、前記パターンの部分に対応する感光材料を残すとともに、前記パターンの周辺部分に対応する感光材料をわずかに残す工程と、
現像後の前記感光材料をマスクとして前記基板にイオン注入を行うことで、前記パターンの部分に対応する感光材料ではイオンの前記基板への進入を阻止し、前記パターンの周辺部分にわずかに残った感光材料ではイオンを通過させて前記基板へのイオンの進入を行う工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に感光材料を所定の厚さに形成する工程と、
前記感光材料を露光して所定のパターンを形成するにあたり、形成する前記パターンの部分とそのパターンの周辺部分とで露光量を変えて露光を行う工程と、
露光後の前記感光材料を現像することで、前記パターンの部分に対応する感光材料を残すとともに、前記パターンの周辺部分に対応する感光材料をわずかに残す工程と、
現像後の前記感光材料をマスクとして前記基板に対するエッチングを行うことで、前記パターンの部分に対応する感光材料では前記基板のエッチングを阻止し、前記パターンの周辺部分にわずかに残った感光材料ではその感光材料の部分のエッチングに次いでその部分に対応する位置の基板のエッチングを行う工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成した感光材料に対する露光によって所定形状のパターンを形成する露光方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置の製造におけるイオン注入工程でのマスク、もしくは半導体装置やマイクロマシーンでのドライエッチング工程でのマスクとして、高分子樹脂からなるレジストが用いられる。それらのレジストから成るマスク・パターンは、一般的に光リソグラフィ技術を用いて形成される。つまり、対象基板上にレジストを回転塗布し、水銀ランプのi線（波長365nm）やKrFエキシマレーザ（波長248nm）を光源とする露光装置を用いて、原版のパターンを露光転写し、さらにアルカリ現像液を用いて現像することで、所望するレジスト・パターンを形成する。
【０００３】
マスクとなるレジスト・パターンは、イオン注入工程では、基板に注入されるイオンを遮蔽するのに十分な厚さにし、またドライエッチング工程では、基板をエッチングしたときに、十分レジストが残る厚さにする必要がある。
【０００４】
近年では、半導体装置の微細集積化にともない、イオン注入工程でのマスク・パターンのサイズが小さくなってきている。さらに、深いウェルなどの形成には、MeVクラスの高エネルギーのイオン注入が必要であり、それを遮蔽するのには厚いレジストが必要になっている。
【０００５】
また、半導体装置の微細集積化にともない、ドライエッチング工程では、従来のマスクとしてのレジストの厚さを確保しつつ、マスク・パターンのサイズだけが小さくなっている。
【０００６】
また、マイクロマシーンや光導波路チップの作成には、基板を数μｍ以上深く掘り込むことが必要であり、無機膜のハードマスクを用いるにしても、その無機膜も十分厚くする必要があり、その無機膜をエッチングするためには、レジストも十分厚くする必要がある。このマイクロマシーンや光導波路チップのサイズも微細化しているので、パターンの２次元サイズも小さくなっている。
【０００７】
以上の理由により、２次元的には寸法が小さく、かつ厚いレジスト・パターンを形成する要請が高まってきている。つまり、高アスペクト比のレジストを形成する必要がある。しかし、光リソグラフィ技術では、現像後のリンス処理で付着するリンス液の表面張力によってレジスト・パターンが倒れたり、パターン微細化に伴うデフォーカス余裕度の不足によるパターンの倒れがおきて、３以上のアスペクト比のレジスト・パターンを形成するのが困難となっている。
【０００８】
ここで、特許文献１では、レジストの倒れを防止する観点から、レジスト現像後に現像液を洗い流すリンス液を減圧雰囲気下で気化させることで、スピンドライの時にリンス液からレジスト・パターンに加わる力を低減させる技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平７−１４２３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示される技術では、レジスト現像後にリンス液を減圧雰囲気下におく必要があり、処理工程の増加を招くという問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、基板上に感光材料を所定の厚さに形成する工程と、感光材料を露光して所定のパターンを形成するにあたり、形成するパターンの部分とそのパターンの周辺部分とで露光量を変えて露光を行う工程と、露光後の感光材料を現像することで、パターンの部分に対応する感光材料を残すとともに、パターンの周辺部分に対応する感光材料をわずかに残す工程とを備える露光方法である。また、この露光方法を行った後、残ったパターンを介して基板に対するイオン注入やエッチングを施す半導体装置の製造方法でもある。
【００１２】
このような本発明では、基板上に形成した感光材料を露光して所定のパターンを形成するにあたり、そのパターンとともにパターンの周辺部分にわずかに感光材料を残すようにしているため、この周辺部分に残ったわずかな感光材料がパターンの支えとなる。つまり、支えとなる周辺部分と所定のパターンとが同一材料であるため、これらの密着性を利用して基板上に高アスペクト比のパターンを形成できるようになる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、所定のパターンの周辺に支えがあるため例えばアスペクト比が３以上のレジスト・パターンを、パターン倒れなく形成することが可能となる。また、パターンおよびその支持を同じ感光材料で構成しているため、その後の処理に影響を与えず、しかもわずかに残った感光材料を別工程で除去しなくても済むことから、工程数増加を防止できるようになる。これにより、高エネルギーイオン注入用のマスクとなる高アスペクト比のレジスト・パターンを確実に形成することが可能となる。また、厚い膜をドライエッチングするときのマスクとなる高アスペクト比のレジスト・パターンも形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る露光方法を説明する模式断面図である。すなわち、本実施形態に係る露光方法は、基板Ｓ上に形成した感光材料であるレジスト１を露光して所定のパターンを形成するにあたり、形成するパターンの部分Ｐ１とそのパターンの周辺部分Ｐ２とで露光量を変えて露光を行い、この露光後のレジスト１を現像することで、パターンの部分Ｐ１に対応するレジスト１を残すとともに、パターンの周辺部分Ｐ２に対応するレジスト１をわずかに残し、このわずかに残った周辺部分Ｐ２のレジスト１を支えとして高アスペクト比のパターンを形成する方法である。
【００１５】
具体的には、形成するパターンの原版となるレチクルＭのパターンと対応する部分Ｍ１および背景部Ｍ２の光透過率を調整することにより、パターンとなる部分Ｐ１のレジスト１を厚く形成し、かつパターン背景部である周辺部分Ｐ２のレジスト１を薄く形成し、全体として土台があるレジスト・パターン形状にすることにより、現像後のリンス時の表面張力等による横からの力に対して耐性を強化することを特徴としている。
【００１６】
露光方法としては、先ず、図１（ａ）に示すように、基板Ｓ上にネガ型のレジスト１を厚く成膜する。次いで、例えば石英基板上で、所望する微細パターン以外のところ（背景部Ｍ２）に半透明膜を形成したレチクルＭを用意し、露光装置を用いてレジスト１に露光転写する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、この露光転写によってレチクルＭのパターンとなる部分Ｍ１からの露光量は多く、背景部Ｍ２からの露光量は少なくなる。次に、基板２を加熱、冷却したのち、アルカリ現像液を用いて現像し、次に純水でリンスし、さらに基板Ｓを乾燥させる。
【００１８】
これにより、図１（ｃ）に示すように、高アスペクト比から成るレジスト・パターンＰが形成され、レジスト・パターンＰの背景部分Ｐ２にもレジスト１が薄く残る状態で形成される。つまり、高アスペクト比のレジスト・パターンＰに対して背景部分Ｐ２のレジスト１が土台となる。
【００１９】
この背景部分Ｐ２はレジスト・パターンＰの幅に対して多くの面積が基板Ｓと密着しているとともに、レジスト・パターンＰと同じ材料（レジスト１）で一体的に構成されるため、力学的に非常に強固となる。したがって、レジスト・パターンＰを形成した後、リンス処理時に生じやすいパターンの倒れを確実に防止できるようになる。
【００２０】
図２は、ネガ型のレジストに、遮光膜のない素ガラス・レチクルで露光した場合の露光量と現像後に形成されるネガレジスト厚さとの関係を示す図である。この図の縦軸がレジスト膜厚、横軸が露光量を対数表示した値である。この関係より、ネガレジストに対する露光量が小さいとネガレジストは架橋せず、現像後の膜厚はゼロとなる。一方、ネガレジストに対する露光量を上げていくとネガレジストの一部が架橋し、現像後の膜厚が増加する。そして、ある露光量になると、ほぼ成膜したネガレジストと同じの厚さとなり、これ以上露光量を上げても、現像後の膜厚は増加しない。
【００２１】
ここで、所望するレジスト・パターンＰを形成するのに最適な露光量をE0、そのとき現像後に形成されるネガレジストの膜厚をT0とする。また、パターンの背景部分Ｐ２に形成するネガレジストの希望する厚さをT1とする。すると、図２に示す関係から、厚さT1のネガレジストを形成するには、パターンの背景部分Ｐ２には露光量E1の光を照射する必要がある。以上により、レチクルＭの背景部分Ｍ２に形成する半透明膜の透過率は、Log(T1)/Log(T0)にする。なお、半透明膜の透過率は、半透明膜の厚さに比例するので、その膜厚で調整する。
【００２２】
このようなレチクルＭを用いて露光を行うことにより、パターンの部分Ｐ１と背景部分Ｐ２との露光量を変えることができ、パターンの部分Ｐ１には高さのあるレジスト・パターンＰが形成され、背景部分Ｐ２には薄くレジスト１を残すことができる。
【００２３】
なお、このように背景部分Ｐ２に薄くレジスト１が残っていても、半導体装置の製造工程における高エネルギーのイオン注入工程や、半導体装置、マイクロマシーンなどにおける厚膜をドライエッチングする工程では、薄く残るレジスト１の影響を考慮しなくて済むため、背景部分Ｐ２に残ったレジスト１を別工程で除去する必要はない。したがって、全体としての工程増加を防止することができる。
【００２４】
後の工程が高エネルギーのイオン注入工程においては、高エネルギーで飛行するイオンが物質に注入されるとき、イオンが止まる寸前でそのエネルギーの多くを失うという性質がある。したがって、パターンの背景部分Ｐ２に薄くレジスト１が残っていても、イオンはほとんどエネルギーを失うことなく基板Ｓの所望する深さに問題なく注入することが可能である。
【００２５】
また、厚膜をドライエッチングする工程においては、エッチングの初期に、パターンの背景部分Ｐ２にあるレジスト１の薄膜を除去することができる（ブレークスルー）。そのとき、本来マスクとなるレジスト・パターンＰの上部も一部エッチングされるが、その量は小さいので、十分レジスト膜を残して、被エッチング膜をエッチングすることができる。
【００２６】
また、図１に示すレチクルＭでは、形成するレジスト・パターンＰ以外の部分と対応する背景部分Ｍ２に全て半透明膜を形成し、露光後の背景部分Ｐ２全体にレジスト１の薄膜を残すようにしたが、図３（ａ）に示すようなレチクルＭを用い、図３（ｂ）に示すように、形成するレジスト・パターンＰの周辺部分Ｐ３のみにレジスト１の薄膜を残すようにしてもよい。
【００２７】
この場合、レチクルＭとしては、レジスト・パターンＰと対応する部分Ｍ１の透過率を例えば100％とし、レジスト１の薄膜を残す周辺部分に対応する部分Ｍ２に半透明膜を形成して透過率を例えば30％とし、それ以外の部分Ｍ０をクロム膜等で遮光（透過率0％）すればよい。
【実施例１】
【００２８】
以下、本発明の実施例を説明する。実施例１は、トリプルウェルを有するDRAM混載CMOSデバイスを作成する工程のなかで、リトログレードｎウェルを形成するためのイオン注入を行うためのレジスト・マスクを形成する方法である。
【００２９】
図４は、DRAMセルアレイを示す模式平面図であり、DRAMセルアレイａ１の周辺にNチャンネルの周辺回路ａ２が配置されている。このDRAMセルアレイａ１および周辺回路ａ２の領域のみリトログレードｎウェルを形成する。その2つの領域を分ける境界の幅は0.5μｍである。
【００３０】
図５は、このようなDRAMセルアレイおよび周辺回路に対応したレチクルを示す模式図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。このレチクルＭでは、イオン注入を行う部分に対応する部分Ｍ３に半透明膜を形成しておく。半透明膜の膜厚は、図２に示す露光量とレジスト膜厚との関係から求められる。
【００３１】
図６は、実施例１の露光方法を順に説明する模式断面図である。先ず、図６（ａ）に示すように、感光性物質であるビスジアジド系化合物と環化ゴム系の樹脂からなるネガ型のレジスト１を基板Ｓ上に2μｍ厚で塗布する。
【００３２】
次いで、露光波長が365nmであるi線縮小型露光装置を用い、図５で示したレチクルＭを介してパターンの露光転写を行う。そのときの条件は、NA＝0.6、σ＝0.5、露光時間200secである。
【００３３】
また、図５に示すレチクルＭにおいて、DRAMセルアレイ、周辺回路領域となる部分Ｍ３の半透明膜の透過率は30％、その他の領域は透過率100％である。レチクルＭを構成する石英基板には、半透明膜としてMoSiNO膜を用いている。その膜厚は、透過率が30％になるよう調整する。
【００３４】
次に、露光後の基板Ｓを130℃で60秒間加熱し、冷却後、2.38％TMAHアルカリ現像液で現像し、さらに純水でリンスし、そして乾燥させる。これにより、図６（ｃ）に示すようなDRAMセルアレイおよび周辺回路と対応する部分Ｐ２には、厚さ30ｎｍのレジスト１が残り、それ以外の部分Ｐ１には厚さ2μｍのレジスト・パターンができることになる。
【００３５】
なお、従来の方法である、DRAMセルアレイおよび周辺回路領域を完全に遮光したレチクルを用いた場合、DRAMセルアレイおよび周辺回路領域にはレジストが形成されず（完全に現像液に溶けてしまい）、DRAMセルアレイと周辺回路領域の間のレジスト・ライン・パターン（本実施例のＰ１部分に相当）は、現像後のリンス時に倒れてしまう。
【００３６】
次に、本実施例で作成したレジスト・パターンをマスクとして、高エネルギー・イオン注入装置を用いて、2MeVのリンを2×1013（個/ｃｍ2）注入する。基板Ｓを適切にアニーリングしたら、所望する領域（図４に示すDRAMセルアレイａ１および周辺回路ａ２）だけにリトログレードｎウェルが形成できる。
【実施例２】
【００３７】
実施例２は、NMSO型のフォトダイオードからなる受光部を有するCMOSイメージセンサーを作成するときに、フォトダイオードから基板および他の画素にリーク電流が流れないように深いPウェルを形成するが、そのための高エネルギー・イオン注入のレジスト・マスクを形成する方法である。
【００３８】
図７は、CMOSイメージセンサーの4画素分を示す模式平面図である。図中符号ＰＤはNMOS型のフォトダイオード、符号ＳＧはスイッチング・ゲート、符号ＦＤはフローティング・ディフージョンを示している。
【００３９】
また、各画素は、素子分離で分けられている。なお、図７では、配線、プラグ等は省略してある。上記の高エネルギー・イオン注入では、フォトダイオードＰＤをマスクするレジスト・パターンが必要となる。
【００４０】
図８は、図７に示すCMOSイメージセンサーに対応した高エネルギー・イオン注入で適用するレジスト・パターンを形成するためのレチクルを示す模式図である。ここで、図８（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。このレチクルＭでは、フォトダイオードに対応する部分Ｍ５の透過率を100％、それ以外の部分Ｍ６に半透明膜を形成した透過率を調整している。
【００４１】
実施例２では、このレチクルＭを用いて露光を行うことにより、フォトダイオードと対応する部分に厚いレジスト・パターンを形成し、それ以外の部分に薄いレジストを残すようにして、高アスペクト比のレジスト・パターンを構成する。
【００４２】
先ず、感光性物質であるビスジアジド系化合物と環化ゴム系の樹脂からなるネガ型レジストを基板に6μｍ塗布する。そして露光波長が365nmであるi線縮小型露光装置を用いて、図８に示すようなレチクルＭのパターンを露光転写する。そのときの条件は、NA＝0.45、σ＝0.5、露光時間230secである。
【００４３】
図８に示すレチクルＭにおいて、フォトダイオードと対応する部分Ｍ５が透過率100％、その他の部分Ｍ６が透過率35％である。レチクルＭとしては、石英基板を用いてフォトダイオード以外の部分の領域に半透明であるMoSiNO膜を形成する。その膜厚は、透過率が35%になるように調整する。
【００４４】
次に、基板を130℃で60秒間加熱し、冷却後、2.38%TMAHアルカリ現像液で現像し、さらに純水でリンスし、そして乾燥させる。これにより、図９に示すようなレジスト・パターンＰが形成できる。すなわち、フォトダイオードと対応する領域には、パターン倒れなく、2μｍ×2μｍ、厚さ6μｍのレジスト・パターンＰができ、それ以外の部分Ｐ２は、厚さ50ｎｍのレジストが残る状態となる。
【００４５】
次に、上記露光、現像によって形成されたレジスト・パターンＰをマスクとして、高エネルギー・イオン注入装置を用いて、4.5MeVのボロンを1×1012（個/cm2）注入する。その後、基板Ｓを適切にアニーリングしたら、フォトダイオード以外の領域だけに深いPウェルが形成される。
【実施例３】
【００４６】
マイクロマシーンシステムの部品の一部として、カンチレバーが提案されている。実施例３は、そのカンチレバーのアーム部分の作成方法である。
【００４７】
先ず、図１０に示すように、シリコン基板Ｓ１に酸化シリコン層１２を形成し、さらに厚さ1μｍのシリコン膜１３を形成する。さらにその上に、感光性物質であるビスジアジド系化合物と環化ゴム系の樹脂からなるネガ型レジスト１４を3μｍ厚で塗布する。
【００４８】
そして、露光波長が365nmであるi線縮小型露光装置を用いて、図１１の模式図に示すようなレチクルＭを用いてパターンを露光転写する。図１１（ａ）はレチクルの平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。このレチクルＭでは、カンチレバーのアームに対応する部分Ｍ７の透過率を100％とし、それ以外の部分Ｍ８に半透明膜を形成しておく。
【００４９】
このレチクルＭを用いた露光の条件は、NA＝0.5、σ＝0.5、露光時間200secである。図１１に示すレチクルＭにおいて、カンチレバーのアームと対応する部分Ｍ７の透過率は100％、その他の部分Ｍ８の透過率は30％である。カンチレバーのアームの長さは10μｍ、幅は約0.7μｍである。レチクルＭは、石英基板にＭ８と対応する部分に半透明であるMoSiNO膜を形成している。その膜厚は、透過率が30％になるように調整する。
【００５０】
次に、レジスト１４を露光、現像した後のシリコン基板Ｓ１を130℃で60秒間加熱し、冷却後、2.38％TMAHアルカリ現像液で現像し、さらに純水でリンスし、そして乾燥させる。これにより、図１２に示すようなレジスト・パターンＰが形成される。レジスト・パターンＰは倒れなく、その周辺部分Ｐ２に厚さ3μｍのレジスト１４が残る状態となる。また、レジスト・パターンＰの部分は厚さ40ｎｍのレジスト１４が残る状態となる。
【００５１】
次に、図１３（ａ）に示すように、レジスト１４をエッチバックし、レジスト・パターンＰの周辺部分にあった薄膜レジストを除去する。このとき、厚いレジスト・パターンＰも40ｎｍ削れる。エッチングは、平行平板型エッチング装置を用い、ガスは酸素、アルゴンを用いる。
【００５２】
続けて、図１３（ｂ）に示すように、同じエッチング装置を用いてレジスト・パターンＰをマスクにしたシリコン膜１３のエッチングを行う。この際のガスは、臭化水素、酸素を用いる。そして、剥離液を用いて、残ったレジスト１４を除去すると図１３（ｃ）に示すようなシリコン膜１３から成るカンチレバーのアームを形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
上記実施形態および実施例では、レジスト１から成る感光材料として主としてネガ型のものを用いて説明したが、本発明はポジ型のものを用いても適用可能である。この場合には、パターンを形成する部分とその周辺部分との露光量のバランスをネガ型の場合と反転させるようにする。例えば、パターンを形成する部分のレチクルを遮光し（透過率0％）、周辺部分に対応するレチクルに半透明膜を形成して透過率70％程度にする。これによって透過率0％の部分にレジスト・パターンが形成され、透過率70％程度の周辺部分にレジストの薄膜が残るようになって、高アスペクト比のレジスト・パターンを周辺部分のレジスト薄膜で支えることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施形態に係る露光方法を説明する模式断面図である。
【図２】露光量と現像後に形成されるレジスト厚さとの関係を示す図である。
【図３】他のレチクルの例を説明する模式図である。
【図４】DRAMセルアレイを示す模式平面図である。
【図５】DRAMセルアレイおよび周辺回路に対応したレチクルを示す模式図である。
【図６】実施例１の露光方法を順に説明する模式断面図である。
【図７】CMOSイメージセンサーの4画素分を示す模式平面図である。
【図８】CMOSイメージセンサーで適用するレチクルを示す模式図である。
【図９】形成されるレジスト・パターンを示す模式断面図である。
【図１０】カンチレバーの製造工程を説明する模式断面図（その１）である。
【図１１】カンチレバーの製造で適用するレチクルを示す模式図である。
【図１２】カンチレバーの製造工程を説明する模式断面図（その２）である。
【図１３】カンチレバーの製造工程を説明する模式断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００５５】
１…レジスト、Ｍ…レチクル、Ｐ…レジスト・パターン、Ｓ…基板、Ｓ１…シリコン基板、１２…酸化シリコン層、１３…シリコン膜、１４…ネガ型レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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