(57)【要約】【課題】Ｓｉ基板の（１００）や（１１１）面以外の特定の面を用いて、ＳｉＣエピタキシャル成長加工条件で自己形成的に起伏を形成することにより、効率的に欠陥密度の低減を達成することができるＳｉ基板上へのＳｉＣ単結晶膜の製造方法及びそれを用いたＳｉＣ半導体装置を提供する。【解決手段】成膜室内にＳｉ基板を設置し、気相から薄膜を析出させＳｉ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、Ｓｉ基板表面をエッチングガスでエッチングする工程とＳｉ基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と炭素源と珪素源ガスを供給して炭化珪素を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にＳｉ表面にナノファセット構造を形成する。【選択図】図１
2005223215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内にＳｉ基板を設置し、気相から薄膜を析出させＳｉ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、
Ｓｉ表面をエッチングガスでエッチングする工程とＳｉ基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と前記炭素源ガスと珪素源ガスを供給して炭化珪素膜を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にＳｉ表面にナノファセット構造を形成することを特徴とするＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記Ｓｉ基板の使用する面は（２１１）面、又は（２１１）面から〈０−１１〉方向へ±１０°内の面であることを特徴とするＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記ナノファセット構造は筋状の起伏で深さ２〜２０ｎｍ、周期が２〜２０ｎｍであることを特徴とするＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記炭化緩衝層の形成時の気相成長条件は、温度１２００〜１４１４℃、処理時間１〜５分、前記炭化緩衝層を形成する工程における炭素源ガス流量が１．０〜１．４ｓｃｃｍであることを特徴とするＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、炭素源ガスはＣ3 Ｈ8 、珪素源ガスはＳｉ2 Ｃｌ6 であることを特徴とするＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法によって形成される炭化珪素半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法に関し、詳しくはＳｉ基板上での３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜の形成方法及びそれを用いて製造される炭化珪素半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は大きいバンドギャップを有する半導体材料であり、ＳｉＣを用いたデバイスの絶縁破壊電界、飽和電子速度、熱伝導度などの特性は従来のＳｉデバイスに比して格段に向上する。このため、ＳｉＣ結晶は高耐圧・低損失・高温動作可能なパワーデバイス用材料として期待されている。
【０００３】
このＳｉＣ結晶には、４Ｈ型や６Ｈ型の六方晶系と３Ｃ型立方晶系とがある。結晶成長は昇華法によるバルク結晶形成と、単結晶基板上へのエピタキシャル成長による薄膜形成とがある。４Ｈ型や６Ｈ型は昇華法で作製され実用化されているが、欠陥（マイクロパイプなど）が多く、さらに基板の大口径化が困難である。これに対し、単結晶基板上へのエピタキシャル成長法による３Ｃ型の薄膜結晶成長は大口径基板を実現する技術として期待されている。特に入手容易なＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣを成長させる試みがこれまでになされてきた。
【特許文献１】特公平６−４１４００号公報
【特許文献２】特開２０００−１７８７４０号公報
【特許文献３】特開２００１−３３５９３５号公報
【特許文献４】特開２００２−０３７６９９号公報
【特許文献５】特開２００２−２０１０９８号公報
【特許文献６】特開２００２−０５７１０９号公報
【特許文献７】特開２００３−１７８９８３号公報
【非特許文献１】Ｓ．Ｎｉｓｈｉｎｏ，Ｊ．Ａ．Ｐｏｗｅｌｌ，Ｈ．Ａ．Ｗｉｌｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４２（１９８３）ｐｐ．４６０−４６２
【非特許文献２】Ｋ．Ｓｈｉｂａｈａｒａ，Ｓ．Ｎｉｓｈｉｎｏ，Ｈ．Ｍａｔｓｕｎａｍｉ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５０（１９８７）ｐｐ．１８８８−１８９０
【非特許文献３】Ｈ．Ｎａｇａｓａｗａ，Ｔ．Ｋａｗａｈａｒａ，Ｋ．Ｙａｇｉ，Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ  ３８９−３９３（２００２）ｐｐ．３１９−３２２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ｓｉの単結晶は、高品質、大口径の単結晶が安価に入手可能であることから、様々な物質の単結晶成長用基板として用いられてきた。しかしながら、Ｓｉ基板上にＳｉＣを成長させる際、Ｓｉ源とＣ源を供給することによりＳｉ基板上に直接ＳｉＣを成膜しようとすると、Ｓｉ基板からＳｉが脱離することなどの理由で、ＳｉＣ単結晶の成長は困難であった。
【０００５】
そこで、再現性良くＳｉＣ単結晶を成長させるため、ＳｉＣの成長初期にＣ源のみを供給し、Ｓｉ結晶表面にＳｉＣ単結晶を成膜する、いわゆる炭化緩衝層の形成工程が開発された（上記非特許文献１参照）。この非特許文献１に開示される３Ｃ−ＳｉＣの製造方法は、安価で入手が容易なＳｉ基板上へのヘテロエピタキシャル成長であり、コスト面から量産に適した製造技術である。
【０００６】
しかしながら、現時点において得られるＳｉＣは、ＳｉとＳｉＣとの格子不整合や熱膨張係数差が大きいことや無極性結晶基板上への極性結晶の成長であることなどのため、双晶欠陥や反位相領域境界（ＡＰＢ：Ａｎｔｉ  Ｐｈａｓｅ  Ｂｏｕｎｄａｒｙ）などが発生し、電気特性に重大な悪影響を及ぼしてしまう。すなわち、ＳｉＣデバイスの実用化に向けての大きな課題は、欠陥密度の低い良質な大口径ＳｉＣ単結晶の成長を効率的に行うことにある。
【０００７】
そこで、欠陥密度を低減する方法がこれまでに提案されてきた。例えば、ＳｉＣの厚さを制御する方法（特許文献１参照）、Ｓｉ基板の表面法線軸を僅かに傾けるオフ角加工方法（非特許文献２参照）などがある。この非特許文献２は、例えばＳｉ（１００）基板の〔０１１〕方向に数度程度の角度（オフ角）を付ける、いわゆるオフ角加工基板を用いることによって反位相領域境界を解消するものである。しかし、このオフ角の導入だけでは双晶欠陥の解消は困難であった。
【０００８】
これに対して、基板表面に微細な起伏を略平行に複数形成し、オフ角の導入を図り、結晶成長を互いに競わせながら欠陥低減を図る方法がある（非特許文献３、特許文献２参照）。しかしながら、起伏を微細化して欠陥密度低減の効率を向上させる技術が未確立であることと、起伏が基板の特定の方向のみであり欠陥密度の低減が不十分であること、さらに、起伏の形成にはフォトリソ法やダイアモンドスラリーによる研磨法が用いられているが、これらの方法がＳｉの表面を削り取る方法であるために、微細化に限度があり工程が複雑になることなど、多くの課題が残されている。
【０００９】
本発明は、上記状況に鑑みて、Ｓｉ基板の（１００）や（１１１）面以外の特定の面を用いて、ＳｉＣエピタキシャル成長加工条件で自己形成的に起伏を形成することにより、効率的に欠陥密度の低減を達成することができるＳｉ基板上へのＳｉＣ単結晶膜の製造方法及びそれを用いたＳｉＣ半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕成膜室内にＳｉ基板を設置し、気相から薄膜を析出させＳｉ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、Ｓｉ表面をエッチングガスでエッチングする工程とＳｉ基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と前記炭素源ガスと珪素源ガスを供給して炭化珪素膜を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にＳｉ表面にナノファセット構造（凹凸、起伏）を形成することを特徴とする。
【００１１】
〔２〕上記〔１〕記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記Ｓｉ基板の使用する面は（２１１）面、又は（２１１）面から〈０−１１〉方向へ±１０°内の面であることを特徴とする。
【００１２】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記ナノファセット構造は筋状の起伏で深さ２〜２０ｎｍ、周期が２〜２０ｎｍであることを特徴とする。
【００１３】
〔４〕上記〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、前記炭化緩衝層の形成時の気相成長条件は、温度１２００〜１４１４℃、処理時間１〜５分、前記炭化緩衝層を形成する工程における炭素源ガス流量が１．０〜１．４ｓｃｃｍであることを特徴とする。
【００１４】
〔５〕上記〔１〕から〔４〕の何れか一項記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法において、炭素源ガスはＣ3 Ｈ8 、珪素源ガスはＳｉ2 Ｃｌ6 であることを特徴とする。
【００１５】
〔６〕炭化珪素半導体装置において、上記〔１〕から〔５〕の何れか一項記載のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法によって形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、Ｓｉ基板表面を処理することにより、表面に自己形成されるナノファセット構造上に３Ｃ−ＳｉＣのステップフロー成長が機械的な処理無しで進行し、欠陥の少ない結晶の成長が可能である。このような、工程の複雑化を伴わない自己形成的表面改質法を適用して効率的に３Ｃ−ＳｉＣ中の欠陥密度を低減化することができる。
【００１７】
また、（２１１）Ｓｉ基板上には、（１００）および（１１１）Ｓｉ基板上の成長と比較して、同じ膜厚において、より平坦で欠陥密度の低いＳｉＣの表面モフォロジーが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
成膜室内にＳｉ基板を設置し、気相から薄膜を析出させＳｉ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、Ｓｉ表面をエッチングガスでエッチングする工程とＳｉ基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と前記炭素源ガスと珪素源ガスを供給して炭化珪素膜を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にＳｉ表面にナノファセット構造（凹凸、起伏）を形成する。よって、効率的に欠陥密度の低減を達成することができる。
【実施例】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
まず、従来、炭化緩衝層の形成は、Ｓｉ基板表面を３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層で覆うことによりＳｉ基板表面からのＳｉの脱離を最小限に抑えることが重要であった。そのためには炭素源ガスＣ3 Ｈ8 を基板表面に必要かつ十分に供給する必要があるが、従来の炭素源ガスＣ3 Ｈ8 ＝０．４ｓｃｃｍの条件では、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の供給が不十分であったため、Ｓｉ基板表面からのＳｉの脱離が活発に進行して、Ｓｉ基板表面の周期が長くなり深さが深くなった。その結果、結晶欠陥の低減に効果的な基板表面の改質ができなかった。
【００２１】
また、従来の炭化緩衝層の形成は、原料として供給する炭素源ガスＣ3 Ｈ8 とＳｉ基板から供給されるＳｉとが反応して３Ｃ−ＳｉＣ層を形成する方法によるが、この炭化緩衝層の形成時間が長すぎる場合には、Ｓｉ基板からのＳｉの脱離が促進されることなどから、部分的に極端に深くＳｉ基板表面がえぐれる領域が出現する。このように、炭化緩衝層の形成の際の処理時間が長くなると、結晶欠陥の低減に効果的な基板表面の改質ができなかった。
【００２２】
本発明によれば、炭化緩衝層の形成前にＳｉ表面をエッチングガスでエッチングし、そのエッチング工程の後に、炭化緩衝層の形成工程、炭化珪素膜成長工程を同一の成膜室内で連続して施すようにしている。
【００２３】
図１は本発明の実施例を示す常圧ＣＶＤ装置の模式図である。
【００２４】
この図において、１はＮ2 ボンベ、２，５，８，１１，１３，１５，１６，１７，１９，２０，２８はバルブ、３はフローメータ（ＦＭ）、４はＨ2 ボンベ、６，９，１２，１４はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）、７はＣ3 Ｈ8 ボンベ、１０はＡｒボンベ、１８はＳｉ2 Ｃｌ6 発生装置（バブラ）、２１は成膜室（石英チューブ）、２２はガスチャンネル（幅６０ｍｍ×高さ１０ｍｍ）、２３は測温装置（パイロメータ）、２４はグラファイトサセプター、２５はそのグラファイトサセプター２４上に載置される２インチＳｉ基板、２６は加熱コイル、２７はその加熱コイル２６に接続される高周波発生装置、２９は成膜室２１の圧力を減圧にする際に用いる油拡散ポンプ（ＲＰ）である。
【００２５】
図２は本発明の実施例を示すＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造工程図である。ここでは、２インチＳｉ基板２５は（２１１）面を用いる。
【００２６】
（１）まず、Ｓｉ基板２５を成膜室２１内に設置する。
【００２７】
（２）次に、Ｓｉ基板２５表面の自然酸化膜をエッチングガスで除去する。例えば、Ｈ2 処理を、１１７５℃で、１０分行う。このとき、エッチングガスＨ2 の流量は３０００ｓｃｃｍである。
【００２８】
（３）次いで、Ｓｉ基板２５を室温まで冷却する。
【００２９】
（４）次に、Ｓｉ基板２５を１３００℃まで昇温する。
【００３０】
（５）次に、炭化緩衝層の形成を行う。例えば、処理温度１３００℃、処理時間２分、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 、流量１．２ｓｃｃｍ、キャリアガスはＨ2 で流量は６０００ｓｃｃｍである。
【００３１】
（６）続けて、ＳｉＣ膜のＣＶＤ成長をさせる。例えば、処理温度１３００℃、処理時間２０分、珪素源ガスとしてＳｉ2 Ｃｌ6 （ＨＣＤＳ）、流量０．６ｓｃｃｍを供給する。
【００３２】
このとき、Ｃ／Ｓｉ比が１となるように、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 を流量０．４ｓｃｃｍで供給する。キャリアガスはＨ2 で、流量６０００ｓｃｃｍとする。
【００３３】
（７）次いで、Ｓｉ基板２５を降温する。ここで、原料ガスの注入は止めて、Ｈ2 又はＡｒ（１０００ｓｃｃｍ）雰囲気とする。
【００３４】
図３は本発明の実施例を示す（２１１）Ｓｉ基板上の炭化緩衝層の断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す図であり、（２１１）Ｓｉ基板面上に自己形成された（１１１）＋（１００）ナノファセット構造（凹凸、起伏）が示されており、その後に成長させた３Ｃ−ＳｉＣは基板と同一の方位関係を持っている。すなわち、Ｓｉ（２１１）／３Ｃ−ＳｉＣ（２１１），Ｓｉ（１１１）／３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）となっている。このナノファセット構造は、例えば、筋状の突起で深さ２〜２０ｎｍ、周期が２〜２０ｎｍである。
【００３５】
図４はＳｉ基板上に形成された表面改質層（ナノファセット構造）の模式図である。
【００３６】
図５は本発明の実施例を示す（２１１）Ｓｉ基板上への炭化緩衝層成長後に続けてＣＶＤ成長した３Ｃ−ＳｉＣの断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す図である。ここで、炭化緩衝層成長条件は、キャリアガスＨ2 の流量が６０００ｓｃｃｍ、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の流量が１．２ｓｃｃｍ、処理温度１３００℃、処理時間２分であり、ＣＶＤ成長条件は、キャリアガスＨ2 の流量６０００ｓｃｃｍ、珪素源ガスＨＣＤＳの流量が０．６ｓｃｃｍ、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の流量０．４ｓｃｃｍ（Ｃ／Ｓｉ＝１／１）、処理温度１３００℃である。主に成長方向に伸びる黒い線が積層欠陥（双晶など）に対応する。
【００３７】
この図から明らかなように、ナノファセット構造をもつ（２１１）Ｓｉ基板上への３Ｃ−ＳｉＣ結晶の成長の場合、界面部分で発生した欠陥が成長が進むに連れて打ち消し合って減少する様子が見られる。（１００）や（１１１）など他の面方位の基板上への成長の場合と比較して減少の度合が急であり、数１００ｎｍ程度の膜厚で欠陥を示すコントラストが大幅に減少していることがわかる。
【００３８】
これに対して比較例であるＳｉ基板の（１１１）面上にＣＶＤ成長させた結晶の断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を図６に示す。
【００３９】
ここでも、炭化緩衝層成長後、続けてＣＶＤ成長させている。成長条件は図５に示したものと同様である。
【００４０】
この図から明らかなようにＳｉ基板と３Ｃ−ＳｉＣの界面は平坦であり、起伏が形成されていない。成長した３Ｃ−ＳｉＣ中には、成長方向に対して斜め方向に伸びる積層欠陥が観察される。
【００４１】
次に、Ｓｉ基板の表面モフォロジーの比較を行う。
【００４２】
図７はＳｉ基板上にＣＶＤ成長した３Ｃ−ＳｉＣの表面の面方位依存性を示す図であり、図７（ａ）は（１００）面上を、図７（ｂ）は（１１１）面上を、図７（ｃ）は（２１１）面上をそれぞれ示している。
【００４３】
炭化緩衝層の成長後、続けてＣＶＤ成長を行っている。ここで、炭化緩衝層の成長条件はキャリアガスＨ2 の流量が６０００ｓｃｃｍ、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の流量が１．２ｓｃｃｍ、処理温度は１３００℃、処理時間は２分であり、ＣＶＤ成長条件は、キャリアガスＨ2 の流量が６０００ｓｃｃｍ、処理温度は１３００℃である。
【００４４】
また、図７（ａ）に示すＳｉＣ（１００）は珪素源ガスＨＣＳＤの流量が０．６ｓｃｃｍ、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の流量が１．２ｓｃｃｍ（Ｃ／Ｓｉ＝３．０）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示す（１１１）及び（２１１）は珪素源ガスＨＣＳＤの流量が０．６ｓｃｃｍ、炭素源ガスＣ3 Ｈ8 の流量が０．４ｓｃｃｍ（Ｃ／Ｓｉ＝１．０）という、それぞれの面方位での最適条件で形成した。
【００４５】
この図７から明らかなように、表面モフォロジーは、従来研究が行われてきた（１００）Ｓｉ基板上の（１００）ＳｉＣの成長〔図７（ａ）〕や（１１１）Ｓｉ基板の（１１１）ＳｉＣの成長〔図７（ｂ）〕と比較して、（２１１）Ｓｉ基板上の（２１１）ＳｉＣの成長〔図７（ｃ）〕が、表面平坦性および欠陥密度の点で優れていることがわかる。これより、本発明によれば、Ｓｉ基板の（２１１）面を用いることが望ましく、（２１１）面から〈０−１１〉方向へ±１０°内の面を使用することがより望ましい。
【００４６】
次いで、炭化緩衝層の形成時の炭素源ガスとしてのＣ3 Ｈ8 の流量・時間について説明する。
【００４７】
（１）比較例として炭化緩衝層の形成時のＣ3 Ｈ8 流量０．４ｓｃｃｍ（本発明の実施例では１．２ｓｃｃｍ）で炭化緩衝層を形成した場合では、Ｃ3 Ｈ8 の供給が不十分であったため、Ｓｉ基板表面からのＳｉの脱離が活発に進行してＳｉ基板表面の周期が長くなり、深さが深くなった。
【００４８】
（２）また、形成時間を２０分（本発明の実施例では２分）とした場合では、時間が長すぎたためにＳｉ基板からのＳｉの脱離が促進され、部分的に極端に深くＳｉ基板表面がえぐれる領域が出現した。
【００４９】
これより、本発明によれば、炭化緩衝層の形成時の気相成長条件は、温度１２００〜１４１４℃、処理時間１〜５分、前記炭化緩衝層を形成する工程における炭素源ガス流量が１．０〜１．４ｓｃｃｍであることが望ましい。
【００５０】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のＳｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法及びそれを用いて製造される炭化珪素半導体装置は、高耐圧・低損失・高温動作可能なパワーデバイスに適している。また、パワーデバイスのみならず、より微細で高周波動作可能な集積回路や、青色発光素子である窒化ガリウム（ＧａＮ）用基板などへの適用がある。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例を示す常圧ＣＶＤ装置の模式図である。
【図２】本発明の実施例を示すＳｉ基板上へのＳｉＣ単結晶膜の製造工程図である。
【図３】本発明の実施例を示す（２１１）Ｓｉ基板上の炭化緩衝層の断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示すＳｉ基板上に形成された表面改質層の模式図である。
【図５】本発明の実施例を示す（２１１）Ｓｉ基板上への炭化緩衝層成長後に続けてＣＶＤ成長した３Ｃ−ＳｉＣの断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す図である。
【図６】比較例としてのＳｉ基板の（１１１）面上にＣＶＤ成長させた結晶の断面電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を示す図である。
【図７】Ｓｉ基板上にＣＶＤ成長した３Ｃ−ＳｉＣの表面の面方位依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    Ｎ2 ボンベ
２，５，８，１１，１３，１５，１６，１７，１９，２０，２８    バルブ
３    フローメータ（ＦＭ）
４    Ｈ2 ボンベ
６，９，１２，１４    マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
７    Ｃ3 Ｈ8 ボンベ
１０    Ａｒボンベ
１８    Ｓｉ2 Ｃｌ6 発生装置（バブラ）
２１    成膜室（石英チューブ）
２２    ガスチャンネル
２３    測温装置（パイローメータ）
２４    グラファイトサセプター
２５    ２インチＳｉ基板
２６    加熱コイル
２７    高周波発生装置
２９    油拡散ポンプ（ＲＰ）
【図１】
2005223215.tif 000003
【図２】
2005223215.tif 000004
【図４】
2005223215.tif 000005
【図３】
2005223215.tif 000006
【図５】
2005223215.tif 000007
【図６】
2005223215.tif 000008
【図７】
2005223215.tif 000009