(57)【要約】 【課題】  視野角及び画質が向上された液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  液晶表示装置は下部基板、画素電極、上部基板、共通電極及び液晶層を含む。前記下部基板は、画素領域及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む。前記画素電極は、前記下部基板上の前記画素領域内に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に連結される。前記画素電極は、複数の画素電極部、及び前記画素電極部を電気的に連結する連結部を含む。前記上部基板は前記画素領域に対応する表示領域、及び前記表示領域を取り囲む周辺領域を含む。前記共通電極は前記上部基板上に配置され前記それぞれの画素電極部に対応する開口パターンを含む。前記液晶層は前記画素電極と前記共通電極との間に配置される。従って、液晶表示装置の視野角が向上される。【選択図】  図４
2005258410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む下部基板と、
前記下部基板上の前記画素領域内に配置され前記スイッチング素子の電極に電気的に連結される、複数の画素電極部とこれら画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む画素電極と、
前記画素領域に対応する表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とを含む上部基板と、
前記上部基板上に配置され前記それぞれの画素電極に対応する開口パターンを含む共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に配置された液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記それぞれの開口パターンは、前記それぞれの画素電極部の中心に対応することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記それぞれの画素電極は、多角形または円形の形状を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、正四角形形状を有することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極部は、丸くされた角部を有する正四角形形状を有することを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、透明な導電性物質からなる第１画素電極部と、透明な導電性物質からなる第２画素電極部と、反射率が高い導電性物質からなる第３画素電極部と、前記第１画素電極部と前記第２画素電極部とを連結する第１連結部と、前記第２画素電極部と前記第３画素電極部とを連結する第２連結部と、を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
透明な導電性物質からなる画素電極部を含む、前記下部基板上に配置された有機膜をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記下部基板と透明な導電性物質からなる画素電極部との間に配置され、前記スイッチング素子の電極と前記画素電極とを電気的に連結するコンタクトホールを有する有機膜をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示装置は、前記画素電極上に配置され平滑な表面を有し厚さが一定な第２保護膜と、前記共通電極上に配置され平滑な表面を有し厚さが一定な第１保護膜と、をさらに含み、
前記液晶層は前記第１保護膜と前記第２保護膜との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記それぞれの開口パターンは、複数の第１凹部を具備することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極に電気的に連結され、一部分が互いに隣接する前記画素電極の間に配置されたストレージキャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記開口パターンは、４つの第１凹部を含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記開口パターンに対応する画素電極部上に配置された複数の突起パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記それぞれの突起パターンは、液晶内に複数領域を形成する複数の第２凹部を含むことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記それぞれの画素電極部は、丸くされた角部を有する矩形形状を含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記それぞれの画素電極部は、円形であることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記液晶表示装置は、前記画素電極上に配置され、平滑な表面を有し厚さが一定な第２保護膜と、前記共通電極上に配置され平滑な表面を有し厚さが一定な第１保護膜と、前記開口パターンに対応する画素電極部と前記第２保護膜との間に配置された複数の突起パターンとをさらに含み、
前記液晶層は前記第１保護膜と第２保護膜との間に配置されることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記それぞれの突起パターンは、液晶層内に複数の領域を形成する複数の第２凹部を含むことを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記液晶表示装置は、前記画素電極上に配置され平滑な表面を有し厚さが一定な第２保護膜と、前記共通電極上に配置され平滑な表面を有し厚さが一定な第１保護膜と、前記開口パターンに対応する前記第２保護膜上に配置された複数の突起パターンと、をさらに含み、
前記液晶層は前記第１保護膜と前記第２保護膜との間に配置されることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記それぞれの突起パターンは、液晶層内に複数の領域を形成する複数の第２凹部を含むことを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
透過窓及び反射領域を有する画素領域が画定され、前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む下部基板と、
前記下部基板上の前記透過窓内に配置され透明な導電性物質からなる透明電極と、前記下部基板上の前記反射領域内に配置され反射率が高い導電性物質からなる反射電極と、前記透明電極と前記反射電極を電気的に連結する連結部とを含み、前記スイッチング素子の電極に電気的に連結される画素電極と、
前記画素領域に対応する表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とを含む上部基板と、
前記上部基板上に配置され前記透明電極及び前記反射電極に対応する開口パターンを含む共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に配置された液晶層と、
を含む液晶表示装置。
【請求項２２】
前記反射領域に対応する液晶層の厚さが前記透過領域に対応する液晶層の厚さより薄いことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記透明電極は、複数の透明電極部と、前記透明電極部を電気的に連結する補助連結部と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記透明電極部は、丸くされた角部を有する正四角形形状を有することを特徴とする請求項２３記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
画素領域及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む下部基板と、
前記下部基板上の前記画素領域内に配置され、前記スイッチング素子のドレイン電極に電気的に連結される画素電極と、
前記下部基板上に配置され、一部が前記画素領域の中心線の方に突出したストレージキャパシタと、
前記画素領域に対応する表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺部とを含む上部基板と、
前記上部基板上に配置され前記画素電極に対応する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に配置された液晶層と、
を含む液晶表示装置。
【請求項２６】
前記画素電極は、複数の画素電極部と、前記画素電極部を電気的に連結する連結部と、を含むことを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記共通電極は、複数の第１凹部を有する開口パターンを含むことを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記ストレージキャパシタの残りの部分は、前記画素領域の端部位に沿って配置されることを特徴とする請求項２５記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
画素領域が画定された下部基板上にスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子の電極に電気的に連結され、複数の画素電極部とこれら画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む画素電極を前記画素領域内に形成する段階と、
前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に透明な導電性物質を蒸着する段階と、
前記それぞれの画素電極部の中央に対応するように、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して開口パターンを形成する段階と、
前記画素電極と前記蒸着された導電性物質との間に液晶層を介在させる段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記開口パターンを形成する段階は、
前記蒸着された透明な導電性物質上にフォトレジストを塗布する段階と、
マスクを用いて前記塗布されたフォトレジストを露光する段階と、
前記露光されたフォトレジストを現像する段階と、
前記蒸着された透明な導電性物質をエッチングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記スイッチング素子が形成された下部基板上に、前記電極の一部を露出させる絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記画素電極を形成する段階は、
前記絶縁膜及び前記コンタクトホールの内面上に透明な導電性物質を蒸着する段階と、
前記透明な導電性物質の一部をエッチングし、第１画素電極部と、前記第１画素電極部に隣接して配置された第２画素電極部と、前記第１画素電極を前記第２画素電極部に電気的に連結する第１連結部と、前記コンタクトホールを通じて前記第２画素電極部を前記スイッチング素子の電極に電気的に連結する第２連結部とを形成する段階と、
前記第１画素電極部、前記第２画素電極部、前記第１連結部及び前記第２連結部が形成された前記絶縁膜上に反射率が高い導電体を蒸着する段階と、
前記蒸着された導電性物質の一部をエッチングして前記第２連結部に電気的に連結される第３画素電極部を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記画素電極を形成する段階は、
前記画素領域内に透明な導電性物質を含む第１画素電極部を形成する段階と、
前記第１画素電極部が形成された前記下部基板上に有機膜を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記画素電極を形成する段階は、
前記下部基板上に前記スイッチング素子の電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に透明な導電性物質を含む第１画素電極部を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記導電性物質が蒸着された上部基板上にポリイミドを塗布して第１保護膜を形成する段階と、
前記画素電極が形成された下部基板上にポリイミドを塗布して第２保護膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３６】
透過窓及び反射領域を有する画素領域が画定された下部基板上にスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子が形成された下部基板上に前記スイッチング素子の電極の一部を露出させる絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上に透明な導電性物質を蒸着する段階と、
前記蒸着された透明な導電性物質の一部をエッチングして複数の透明電極部と、前記透明電極を電気的に連結する第１連結部と、前記透明電極部のうち一つを前記スイッチング素子の電極に電気的に連結する第２連結部とを有する透明電極を形成する段階と、
前記透明電極が形成された下部基板上に反射率が高い導電体を蒸着する段階と、
前記蒸着された物質の一部をエッチングして前記透明電極と電気的に連結される反射電極を形成する段階と、
前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に透明な物質を蒸着する段階と、
前記それぞれの画素電極部の中央に対応する、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して開口パターンを形成する段階と、
前記透明電極と前記蒸着された透明な導電性物質との間、及び前記反射電極と前記蒸着された透明な導電性物質との間に液晶層を介在させる段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３７】
画素領域が画定された下部基板上に半導体回路を形成する段階と、
前記半導体回路の第１電極に電気的に連結され、複数の画素電極部と、前記画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む画素電極を前記画素領域内に形成する段階と、
前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に透明な導電性物質を蒸着する段階と、
前記各画素電極部の中央に対応する、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して複数の第１凹部を含む開口パターンを形成する段階と、
前記画素電極と前記蒸着された導電性物質との間に液晶層を介在させる段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記半導体回路を形成する段階は、
前記下部基板上にゲート電極と、前記ゲート電極と離隔され一部が前記画素領域の中心線の方に突出された第１ストレージ電極とを形成する段階と、
前記ゲート電極と前記第１ストレージ電極が形成された前記下部基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極に対応する前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターンを形成する段階と、
前記半導体層パターンが形成された前記ゲート絶縁膜上に導電体層を形成する段階と、
前記導電体層の一部を除去し、前記半導体層パターン上に配置された第２電極と、前記第２電極と離隔される前記第１電極と、前記第１ストレージ電極に対応する前記ゲート絶縁膜上に配置される第２ストレージ電極とを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項３７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記開口パターンが形成された上部基板上にポリイミドを塗布して第１保護膜を形成する段階と、前記画素電極が形成された下部基板上にポリイミドを塗布して第２保護膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項３７記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には視野角及び画質が向上した液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とカラーフィルター基板との間に注入されている異方性誘電率を有する液晶物質に電界を印加し、この電界の強度を調節して基板を透過する光の量を調節することによって、所望する画像を得る表示装置である。
液晶表示装置は、液晶物質の異方性に起因して視野角に応じて画質に差異が発生する。従来の液晶表示装置は、一定の角度の範囲内でのみ良質の画像を得ることができる。
【０００３】
卓上用モニターで使用される表示装置の場合、９０°より広い範囲の視野角が要求される。一般に、視野角はコントラスト比が１０：１以上である画像を得ることができる角度を言う。コントラスト比は画面で明るいところの輝度と暗いところの輝度との差異としての比を示す。前記コントラスト比は、液晶表示装置がより暗い状態で画像を表示するか、或いはより均一な輝度を有する場合増加する。
上記した、より暗い状態を実現するために、光漏れ現象を減少させ、ノーマリブラックモードを採用し、ブラックマトリックス表面での光反射を減少させる。前記ノーマリブラックモードは、電界が加えられない場合に黒色が表示される。上記した、より均一な輝度を得るために、前記液晶表示装置は補償フィルムを採用し、分割垂直配向を有する液晶層を含む。
【０００４】
前記した広い視野角を有する液晶表示装置は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどで動作する。
前記液晶表示装置が前記ＭＶＡモードで動作する場合、カラーフィルター基板及び薄膜トランジスタＴＦＴ基板上に突起が形成され、液晶層内に分割垂直配向を形成して視野角を向上させる。しかし、前記ＭＶＡ技術は、前記カラーフィルター基板及び前記薄膜トランジスタ基板上に前記突起を作るための別途の工程が要求され製造コストが増加する。
前記液晶表示装置が前記ＰＶＡモードで動作する場合、共通電極内にスリットが形成され前記共通電極と画素電極との間に歪曲された電気場を形成する。しかし、前記スリット上に配置された液晶の配列を調節することができず、前記ＰＶＡモードで動作する液晶表示装置の開口率が減少する。特に、中小型液晶表示装置が前記ＰＶＡモードで動作する場合、開口率が急激に減少して輝度が低下する。
前記液晶表示装置が、前記ＩＰＳモードで動作する場合、前記薄膜トランジスタ基板が互いに平行な２つの電極を含み、歪曲された電気場を形成する。しかし、前記ＩＰＳモードを含む液晶表示装置は輝度が低下する。
また、前記液晶表示装置のカラーフィルター基板または薄膜トランジスタ基板の表面をラビングして前記液晶を配列する場合、ラビング不良が発生して画質が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記のような問題点を解決するための本発明の第１目的は、視野角及び画質が向上した液晶表示装置を提供することにある。
本発明の第２目的は、前記液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記第１目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置は、下部基板、画素電極、上部基板、共通電極及び液晶層を含む。
前記下部基板は、画素領域及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む。前記画素電極は、前記下部基板上の前記画素領域内に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に連結される。前記画素電極は複数の画素電極部と、前記画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む。前記上部基板は、前記画素領域に対応する表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とを含む。前記共通電極は、前記上部基板上に配置され前記それぞれの画素電極に対応する開口パターンを含む。前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極との間に配置される。
【０００７】
前記第１目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置は、下部基板、画素電極、上部基板、共通電極及び液晶層を含む。
前記下部基板は、透過窓及び反射領域を有する画素領域が画定され、前記画素領域内に配置されたスイッチング素子を含む。前記画素電極は、前記下部基板上の前記透過窓内に配置され透明な導電性物質を有する透明電極と、前記下部基板上の前記反射領域内に配置され反射率が高い導電性物質を有する反射電極と、前記透明電極と前記反射電極を電気的に連結する連結部とを含み、前記スイッチング素子の電極に電気的に連結される。前記上部基板は、前記画素領域に対応する表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とを含む。前記共通電極は、前記上部基板上に配置され前記透明電極及び前記反射電極に対応する開口パターンを含む。前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極との間に配置される。
前記第２目的を達成するために、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法において、まず、画素領域が画定された下部基板上にスイッチング素子を形成する。続いて、前記スイッチング素子の電極に電気的に連結され、複数の画素電極部と、前記画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む画素電極を前記画素領域内に形成する。以後、前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に、透明な導電性物質を蒸着する。続けて、前記それぞれの画素電極部の中央に対応する、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して開口パターンを形成する。最後に、前記画素電極と前記蒸着された導電性物質との間に液晶層を介在させる。
【０００８】
前記第２目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法において、まず、透過窓及び反射領域を有する画素領域が画定された下部基板上にスイッチング素子を形成する。続いて、前記スイッチング素子が形成された下部基板上に前記スイッチング素子の電極の一部を露出させる絶縁膜を形成する。以後、前記絶縁膜上に透明な導電性物質を蒸着する。続けて、前記透明な導電性物質の一部をエッチングして複数の透明電極部と、前記透明電極を電気的に連結する第１連結部と、前記透明電極部のうち一つを前記スイッチング素子の電極に電気的に連結する第２連結部とを有する透明電極を形成する。続けて、前記透明電極及び前記連結部が形成された下部基板上に反射率が高い導電体を蒸着する。以後、前記蒸着された物質の一部をエッチングして、前記連結部を通じて前記透明電極と電気的に連結される反射電極を形成する。続けて、前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に透明な物質を蒸着する。続けて、前記それぞれの画素電極部の中央に対応する、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して開口パターンを形成する。最後に、前記透明電極と前記蒸着された導電性物質との間、及び前記反射電極と前記蒸着された導電性物質との間に液晶層を介在させる。
【０００９】
前記第２目的を達成するために、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の製造方法において、まず、画素領域が画定された下部基板上に半導体回路を形成する。続いて、前記半導体回路の電極に電気的に連結され、複数の画素電極部とこれら画素電極部を電気的に連結する連結部とを含む画素電極を前記画素領域内に形成する。以後、前記画素領域に対応する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が画定された上部基板上に透明な導電性物質を蒸着する。続けて、前記各画素電極部の中央に対応する、前記蒸着された透明な導電性物質の一部を除去して複数の第１凹部を含む開口パターンを形成する。最後に、前記画素電極と前記蒸着された導電性物質との間に液晶層を介在させる。
【００１０】
前記液晶表示装置は、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置を含む。
従って、前記共通電極が前記それぞれの画素電極部に対応する前記開口パターンを含み、前記開口パターンを中心として複数の領域が形成される。
また、前記画素電極部が角が丸くされた正四角形形状を有し、前記それぞれの開口パターンを中心として形成される領域の数が増加する。
さらに、前記開口パターンが円形の形状を有し、前記液晶層内に前記開口パターンを中心にして放射型に配置される領域が形成され視野角が向上する。
また、前記それぞれの開口パターンを含み、前記液晶層内に前記凹部に対応する領域が形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は前記図１の透明電極及び反射電極を示す平面図であり。図３は前記図１の共通電極を示す平面図であり、図４は前記図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
図１ないし図４に示すように、前記液晶表示装置は、第１基板１７０、第２基板１８０及びこれら各基板間に介在する液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
前記第２基板１８０は下部基板１２０、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ストレージキャパシタライン１９０、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９６、有機膜１１４、透明電極２２０ａ及び反射電極２３０ａを含む。
【００１２】
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。前記画素領域１４０はバックライトアセンブリ（図示せず）から発生した光を透過させる透過窓１２９ａ及び外部光を反射させる反射領域１２８を含む。望ましくは、前記透過窓１２９ａは前記ソースライン１１８ａ’と平行な方向に延長された矩形形状である。
前記液晶層１０８は、前記第１基板１７０と第２基板１８０との間に配置される。
前記上部基板１００及び前記下部基板１２０は、光を通過させることができる透明な材質のガラスを使用する。前記ガラスは、無アルカリ特性である。前記ガラスがアルカリ特性の場合、前記ガラスからアルカリイオンが液晶セル中に溶出し、液晶比抵抗が低下するため表示特性が変化し、前記シールとガラスとの付着力を低下させて、スイッチング素子の動作に悪影響を与える。
【００１３】
このとき、前記上部基板１００及び前記下部基板１２０が、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ：ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン・ナフタレート（ＰＥＮ）、ポリビニール・アルコール（ＰＶＡ）、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマー（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＣＯＰ）などからなる。
望ましくは、前記上部基板１００及び前記下部基板１２０は光学的に等方性である。
【００１４】
前記薄膜トランジスタ１１９は、前記下部基板１２０の前記反射領域１２８内に形成され、ソース電極１１８ａ、ゲート電極１１８ｂ、ドレイン電極１１８ｃ及び半導体層パターンを含む。駆動回路（図示せず）はデータ電圧を出力して、前記ソースライン１１８ａを通じて前記ソース電極１１８ａに伝達し、選択信号を出力して前記ゲートライン１１８ｂ’を通じて前記ゲート電極１１８ｂに伝達する。
前記ゲート絶縁膜１２６は、前記ゲート電極１１８ｂが形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記ゲート電極１１８ｂを前記ソース電極１１８ａ及び前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に絶縁する。前記ゲート絶縁膜１２６はシリコン窒化物、シリコン酸化物などからなる。
前記パッシベーション膜１１６は、前記薄膜トランジスタ１１９が形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させるコンタクトホールを含む。液晶パッシベーション膜１１６は、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸化物ＳｉＯｘなどからなる。
【００１５】
前記ストレージキャパシタ１９６は、前記ストレージキャパシタライン１９０を含む。前記ストレージキャパシタ１９６は、前記下部基板１２０上に形成され前記共通電極１０６と前記反射電極２３０ａとの間、及び前記共通電極１０６と前記透明電極２２０ａとの間の電位差を保持する。このとき、前記ゲートライン１１８ｂ’の一部が前記透明電極２２０ａの一部と重畳され、前記ストレージキャパシタ１９６を形成することもできる。
前記有機膜１１４は、前記薄膜トランジスタ１１９及び前記パッシベーション膜１１６が形成された前記下部基板１２０上に配置され、液晶薄膜トランジスタ１１９を前記透明電極２２０ａまたは前記反射電極２３０ａと絶縁する。また有機膜１１４は、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させるコンタクトホールを含む。
また、前記有機膜１１４の前記透過窓１２９ａに対応する部分が開口され、前記第２基板１８０の前記透過窓１２９ａに対応する部分が前記反射領域１２８に対応する部分と互いに異なる高さを有する。このとき、前記透過窓１２９ａ内に前記有機膜１１４の一部が残留してもよい。
【００１６】
前記有機膜１１４は突出部１１５及び凹凸部を含む。前記突出部１１５は前記スペーサ１１０に対応して配置され、隣接する前記液晶の一部の配列を調節する。前記凹凸部は前記反射領域１２８内に配置され前記反射電極２３０ａの反射効率を増加させる。
前記透明電極２２０ａは、前記画素領域１４０内の前記有機膜１１４の表面、前記コンタクトホール内面及び前記有機膜１１４によって露出される前記パッシベーション膜１１６の一部上に形成され、前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。前記透明電極２２０ａは、前記共通電極１０６との間に印加された電圧によって前記液晶層１０８内の液晶を制御して光の透過を調節する。前記透明電極２２０ａは、透明な導電性物質であるインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などからなる。
【００１７】
前記透明電極２２０ａは、第１透明電極部２１２ａ、第２透明電極部２１２ｂ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは、前記透過窓１２９ａ内のパッシベーション膜１１６上に配置される。前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは互いに隣接して配置される。
前記第１連結部１３６ａは、前記第１透明電極部２１２ａと前記第２透明電極部２１２ｂとの間に配置され、前記第１透明電極部２１２ａと前記第２透明電極部２１２ｂとを電気的に連結する。前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは多角形形状または円形形状を有する。望ましくは、前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは正四角形形状を有する。
【００１８】
前記第２連結部１３６ｂは、前記第２透明電極部２１２ｂの前記第１連結部１３６ａの反対側に配置され、前記第２透明電極部１３６ｂと前記反射電極２３０ａとを電気的に連結する。前記第２透明電極部１３６ｂの一部が前記コンタクトホール内に延長され、前記第２透明電極部１３６ｂと前記薄膜トランジスタ１１９のドレイン電極１１８ｃとを電気的に連結することができる。
前記反射電極２３０ａは、前記反射領域１２８内の前記有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。望ましくは、前記反射電極２３０ａは、前記有機膜１１４の表面上に形成された凹凸部の形状に沿って配置され、外部光を一定ｎ方向に反射させる。前記反射電極２３０ａは、前記透明電極２２０ａを通じて前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。
【００１９】
このとき、前記反射電極２３０ａ及び前記透明電極２２０ａ上に第２保護膜（図示せず）を配置することもできる。前記第２保護膜（図示せず）の表面はラビングされていないので平滑な表面を有し、厚さが一定である。このとき、前記第２保護膜（図示せず）の表面をラビングなどの手法で所定方向に配向処理することもできる。前記第２保護膜（図示せず）はポリイミドのような合成樹脂からなる。
前記ブラックマトリックス１０２は、前記周辺領域１５５に対応する前記上部基板１００の一部に形成され光を遮断する。前記ブラックマトリックス１０２は、液晶を制御することができない前記遮光領域１４５を通じて光を遮断して画質を向上させる。
【００２０】
前記ブラックマトリックス１０２は、金属、金属化合物または不透明な有機物を蒸着し、これを更にエッチングして形成される。前記金属はクロム（Ｃｒ）などを含み、前記金属化合物は酸化クロム（ＣｒＯｘ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）などを含み、前記不透明な有機物はカーボンブラック、顔料混合物、染料混合物などを含む。前記顔料混合物は赤色、緑色及び青色顔料を含み。前記染料混合物は赤色、緑色及び青色染料を含む。前記ブラックマトリックス１０２は、フォトレジスト成分を含む不透明な物質を塗布した後、フォトリソグラフィ工程を通じて形成することもできる。このとき、複数のカラーフィルターを重畳してブラックマトリックスを形成することもできる。
前記カラーフィルター１０４は、前記上部基板１００の前記表示領域１５０内に形成され所定の波長を有する光のみを選択的に透過させる。前記カラーフィルター１０４は赤色カラーフィルター部、緑色カラーフィルター部及び青色カラーフィルターブレイド（図示せず）を含む。前記カラーフィルター１０４は光重合開始剤、モノマー、バインダー、顔料、分散剤、溶剤、フォトレジストなどを含む。このとき、前記カラーフィルター１０６を前記下部基板１２０または前記パッシベーション膜１１６上に配置することもできる。
【００２１】
前記共通電極１０６は、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記上部基板１００の全面に形成される。前記共通電極１０６はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）または亜鉛酸化物（ＺＯ）のような透明な導電性物質からなる。
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、前記共通電極１０６の一部が除去された第１開口パターン１３３ａ及び第２開口パターン１３３ｂを含む。本実施形態において、前記共通電極１０６は単位画素領域１４０内に２つの第１開口パターン１３３ａを含む。前記第１開口パターン１３３ａは、それぞれ前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極２１２ｂの中央部に対応している。前記第２開口パターン１３３ｂは前記反射電極２３０ａの中央ブレイドに対応している。
【００２２】
前記スペーサ１１０は、前記ブラックマトリックス１０２、前記カラーフィルター１０４及び前記共通電極１０６が形成された前記上部基板１００上に形成される。前記スペーサ１１０によって前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間のセルギャップが一定に保持される。望ましくは、前記スペーサ１１０は、前記ブラックマトリックス１０２に対応して配置されたコラムスペーサからなる。このとき、前記スペーサ１１０がボールスペーサまたは前記コラムスペーサと前記ボールスペーサを組合せたスペーサであってもよい。
このとき、前記共通電極１０６、前記第１開口パターン１３３ａ及び前記第２開口パターン１３３ｂ上に第１保護膜（図示せず）を配置することもできる。前記第１保護膜（図示せず）の表面はラビングされていないので平滑な表面を有し、厚さが一定である。このとき、前記第１保護膜（図示せず）の表面をラビングなどの手法で配向処理することもできる。前記第１保護膜（図示せず）はポリイミドのような合成樹脂からなる。
【００２３】
前記液晶層１０８は、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間に配置されシーラント（図示せず）によって密封される。前記液晶層１０８内の液晶は垂直配向ＶＡ、ツイスト配向ＴＮ、ＭＴＭ配向（Ｍｉｘｅｄ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＭＴＮ）またはホモジニアス配向モードに配列される。望ましくは、前記液晶層１０８内の液晶は垂直配向モードに配列される。
前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａと前記共通電極１６０との間に電圧が印加されると、前記突出部１１５及び前記スペーサ１１０に隣接する領域、前記反射領域１２８と前記透過窓１２９ａとの間の段差部分（ｓｔｅｐｐｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）、前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂに隣接する領域、前記第１透明電極部２１２ａと前記第２透明電極２１２ｂとの間の領域及び前記第２透明電極部２１２ｂと前記反射電極２３０ａとの間の領域に電気場の歪曲が発生する。従って、前記歪曲された電気場によって前記液晶層１０８内に分割垂直配向が形成され、これにより視野角が向上する。
【００２４】
本発明の実施形態において、前記液晶表示装置はラビングしないで前記段差によって前記液晶が所定の方向に傾く。従って、前記第１基板１７０及び／または前記第２基板１８０をラビングする場合、前記有機膜１１４などによって形成された段差によって発生する配向不良が防止される。
また、前記液晶表示装置は正四角形形状を有する前記第１透明電極部２１２ａ、正四角形形状を有する前記第２透明電極２１２ｂ、正四角形形状を有する前記反射電極２１３及び前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂを含み、前記液晶がそれぞれの前記第１透明電極部２１２ａ、前記第２透明電極２１２ｂ及び前記反射電極２３０の中心に向かって傾き、前記配向の不良な部分が前記第１透明電極部２１２ａ、前記第２透明電極部２１２ｂ及び前記反射電極２３０の中心に集中する。従って、前記液晶表示装置が延長された形状の前記透明電極２２０及び／または前記反射電極２３０を有する場合、前記液晶が前記延長された形状の前記透明電極２２０及び／または前記反射電極２３０の中心線に沿って傾き、前記中心線に沿った配向不良ラインの発生が防止される。また、前記それぞれの開口パターン１３３ａ、１３３ｂを中心に４つの領域が形成され視野角が形成される。
【００２５】
図５ないし図１１は本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
図５に示すように、まず、前記下部基板１２０に前記画素領域１４０及び前記遮光領域１４５を画定する。前記画素領域１４０は前記バックライトアセンブリ（図示せず）から発生した前記光を透過させる前記透過窓１２９ａ及び前記外部光を反射させる前記反射領域１２８を含む。
続いて、前記下部基板１２０上に導電性物質を蒸着する。続けて、前記導電性物質の一部を除去して前記ゲート電極１１８ｂ及び前記ゲートライン１１８ｂ’を形成する。以後、前記ゲート電極１１８ｂ及び前記ゲートライン１１８ｂ’が形成された下部基板１２０の全面に前記ゲート絶縁膜１２６を蒸着する。前記ゲート絶縁膜１２６は透明な絶縁物質からなる。
【００２６】
続けて、アモルファスシリコン及びＮ＋アモルファスシリコンを蒸着し、更にエッチングして前記ゲート電極１１８ｂに対応する前記ゲート絶縁膜１２６上に前記半導体層を形成する。続いて、前記半導体層が形成された前記ゲート絶縁膜１２６上に導電性物質を蒸着する。以後、前記導電性物質の一部をエッチングして前記ソース電極１１８ａ、前記ソースライン１１８ａ’及び前記ドレイン電極１１８ｃを形成する。これにより、前記ソース電極１１８ａ、前記ゲート電極１１８ｂ、前記ドレイン電極１１８ｃ及び前記半導体層を含む前記薄膜トランジスタ１１９が形成される。
続いて、前記薄膜トランジスタ１１９が形成された前記下部基板１２０上に透明な絶縁物質１１６’を蒸着する。
【００２７】
図６に示すように、続けて、前記蒸着された透明な絶縁物質１１６’上に有機物質を塗布する。望ましくは、前記有機物質はフォトレジストである。
続いて、マスクを用いて前記塗布された有機物質を露光し現像して前記コンタクトホール、前記突出部１１５及び前記凹凸部を形成する。また、前記透過窓１２９ａに対応する領域の有機物質は除去されて、前記蒸着された透明な絶縁物質１１６’が露出される。前記露光及び現像工程は、一つのマスクを用いた一度の工程または複数のマスクを用いた複数回の工程からなる。前記一つのマスクを用いた一度の工程を通じて前記コンタクトホール、前記突出部１１５及び前記凹凸部を形成し、前記透過窓１２９ａに対応する前記蒸着された透明な絶縁物質１１６’を露出する場合、前記一つのマスクは不透明な部分、半透明な部分及び透明な部分を含んでいる必要がある。望ましくは、前記不透明な部分は前記突出部１１５に対応し、前記半透明な部分は前記凹凸部及び前記分割垂直配向用突起１３１ａにそれぞれ対応し、前記コンタクトホール及び前記透過窓１２９ａは前記透明な部分に対応する。このとき、前記マスクが前記半透明な部分の代りにスリットを含むこともできる。
続いて、前記コンタクトホールに対応する領域における前記蒸着された透明な絶縁物質１１６’の一部を除去して、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出する前記パッシベーション膜１１６を形成する。
【００２８】
図７に示すように、以後、前記有機膜１１４、前記コンタクトホールの内面、及び前記透過窓１２９ａに対応する前記パッシベーション膜１１６の一部上に透明な導電性物質を蒸着する。前記透明な導電性物質はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯなどである。望ましくは、前記透明な導電性物質はＩＴＯである。続けて、前記蒸着された透明な導電性物質の一部をエッチングして、前記第１透明電極２１２ａ、前記第２透明電極部２１２ｂ、前記第１連結部１３６ａ及び前記第２連結部１３６ｂを形成して、前記透明電極２２０ａを形成する。
図８に示すように、続いて、前記透明電極２２０ａが形成された下部基板１２０上に、前記反射率が高い導電体を蒸着する。望ましくは、前記反射率が高い導電体はアルミニウム（Ａｌ）及びネオジウム（Ｎｄ）を含む。続いて、前記反射率が高い導電体の一部をエッチングして、前記反射領域１２８内に前記反射電極２３０ａを形成する。
このとき、前記反射電極２３０ａは、多層構造を有するようにしてもよい。前記反射電極２３０ａが前記多層構造を有する場合、前記反射電極２３０ａはモリブデン−ダングステン合金層及び前記モリブデン−ダングステン合金層上に形成されたアルミニウム−ネオジウム合金層を含むことが望ましい。前記反射電極２３０ａは、前記透明電極２２０ａ及び前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極１１８ｃに電気的に連結される。
このとき、前記反射電極２３０ａを前記有機膜１１４及び前記コンタクトホールの内面上に形成し、前記透明電極２２０ａを前記透過窓１２９ａ及び前記反射電極２３０ａの一部上に形成し、前記透明電極２２０ａを前記反射電極２３０ａを通じて前記ドレイン電極１１８ｃに電気的に連結してもよい。
このとき、前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａが形成された下部基板１２０上に、前記ポリイミドを塗布して前記第２保護膜（図示せず）を形成することもできる。
【００２９】
以上により、前記下部基板１２０、前記薄膜トランジスタ１１９、前記ソースライン１１８ａ’、前記ゲートライン１１８ｂ’、前記有機膜１１４、前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａを含む前記第２基板１８０が形成される。
図９に示すように、続いて、前記上部基板１００上に不透明な物質を蒸着する。続いて、前記不透明な物質の一部を除去して、除去した領域に前記ブラックマトリックス１０２を形成する。このとき、不透明物質及びフォトレジストを前記上部基板１００上に塗布した後、フォトリソグラフィ工程を用いて前記ブラックマトリックス１０２を形成することもできる。前記フォトリソグラフィ工程は、露光工程及び現像工程を含む。このとき、前記ブラックマトリックス１０２を前記下部基板１２０上に形成することもできる。
その後、前記ブラックマトリックス１０２が形成された前記上部基板１００上に、赤色顔料及びフォトレジストを含む混合物を塗布する。
続いて、マスクを用いて前記塗布された混合物を露光し現像して、前記赤色カラーフィルター部を形成する。
続いて、前記ブラックマトリックス１０２及び前記赤色カラーフィルター部が形成された前記上部基板１００上に、前記緑色カラーフィルター部及び前記青色カラーフィルター部を形成する。
続いて、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４上に透明な導電性物質を蒸着する。
【００３０】
図１０に示すように、続いて、前記蒸着された透明な導電性物質（図９の１０６’）上にフォトレジストを塗布する。以後、マスクを用いて前記塗布されたフォトレジストを露光し現像する。続いて、前記蒸着された透明な導電性物質をエッチングして前記第１開口パターン１３３ａ及び前記第２開口パターン１３３ｂを形成して前記共通電極１０６を形成する。
続いて、前記共通電極１０６上に有機物を塗布する。望ましくは、前記有機物はフォトレジスト成分を含む。以後、前記有機物を露光し現像して、前記ブラックマトリックス１０２に対応する前記共通電極１０６上に前記スペーサ１１０を形成する。このとき、前記スペーサ１１０を前記下部基板１２０上に形成してもよい。また、前記スペーサ１１０及び前記共通電極１０６が形成された上部基板１００上に、前記ポリイミドを塗布して前記第１保護膜（図示せず）を形成してもよい。
【００３１】
これにより、前記上部基板１００、前記ブラックマトリックス１０２、前記カラーフィルター１０４、前記共通電極１０６及び前記スペーサ１１０を有する前記第１基板１７０が形成される。
図１１に示すように、前記第１基板１７０及び前記第２基板１８０を、お互いが対向するように結合する。
続いて、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間に液晶層１０８を注入した後、密封剤（図示せず）によって密封する。このとき、密封剤（図示せず）が配置された前記第１基板１７０または前記第２基板１８０上に液晶を滴下した後、前記第１基板１７０及び前記第２基板１８０を対向させて結合し前記液晶層１０８を形成することもできる。
これにより、前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂを中心にして複数の領域が形成され、前記液晶表示装置の視野角が向上する。
【００３２】
（実施形態２）
図１２は本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
本実施形態において、第１保護膜及び第２保護膜を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複される部分についての詳細な説明を省略する。
図１２に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を備えている。
前記第１基板１７０は上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６、スペーサ１１０及び前記第１保護膜３０１を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、ストレージキャパシタ１９６、有機膜１１４、透明電極２２０ａ、反射電極２３０ａ及び前記第２保護膜３０２を含む。
【００３３】
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域に対応しており、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応している。前記画素領域１４０は透過窓１２９ａ及び反射領域１２８を含む。
前記透明電極２２０ａは第１透明電極部２１２ａ、第２透明電極部２１２ｂ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記第１透明電極部２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは、前記透過窓１２９ａ内のパッシベーション膜１１６上に配置される。前記第１透明電極２１２ａ及び前記第２透明電極部２１２ｂは互いに隣接して配置される。
前記反射電極２３０ａは前記反射領域１２８内の前記有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。
【００３４】
前記第２保護膜３０２は、前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａ上に配置され、前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａを保護する。前記第２保護膜３０２の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有し厚さが一定である。
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、単位画素領域１４０内に前記共通電極１０６の一部が除去された２つの第１開口パターン１３３ａ及び一つの第２開口パターン１３３ｂを含む。
前記第１保護膜３０１は、前記共通電極１０６上に配置され前記共通電極１０６を保護する。前記第１保護膜３０１の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有し厚さが一定である。
前記液晶層１０８は、前記第１保護膜３０１及び前記第２保護膜３０２と直接接触する。
前記透明電極２２０ａ及び前記反射電極２３０ａと前記共通電極１０６との間に電圧が印加されると、前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂに隣接する領域、前記第１透明電極部２１２ａと前記第２透明電極２１２ｂとの間の領域、及び前記第２透明電極部２１２ｂと前記反射電極２３０ａとの間の領域に、電気場の歪曲が発生する。従って、前記歪曲された電気場によって前記液晶層１０８内に分割垂直配向が形成され、これにより視野角が向上する。
このように、前記第１保護膜３０１及び前記第２保護膜３０２をラビングしないので、ラビングによる配向不良を防止することができる。
【００３５】
（実施形態３）
図１３は本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図１４は前記図１３のII−II’ラインに沿って切断した断面図である。
本実施形態において有機膜及びコンバーティング層を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複する部分については詳細な説明は省略する。
図１３及び図１４に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、オーバーコーティング層１０５、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
前記第２基板１８０は下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９６、有機膜１１４、透明電極２２０ｂ及び反射電極２３０ｂを含む。
【００３６】
前記第２基板１８０は画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。前記画素領域１４０は透過窓１２９ａ及び反射領域１２８を含む。望ましくは、前記透過窓１２９ａは前記ソースライン１１８ａ’と平行な方向に延長された矩形形状である。
前記有機膜１１４は、前記薄膜トランジスタ１１９及び前記パッシベーション膜１１６が形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記薄膜トランジスタ１１９を前記透明電極２２０ｂまたは前記反射電極２３０ｂと絶縁する。
また、前記有機膜１１４は、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させるコンタクトホール、突出部１１５及び凹凸部を含む。前記突出部１１５は、前記スペーサ１１０に対応して配置され隣接する前記液晶の一部の配列を調節する。前記凹凸部は前記反射領域１２８内に配置され、前記反射電極２３０ｂの反射効率を増加させる。
【００３７】
前記透明電極２２０ｂは、前記画素領域１４０内の前記有機膜１１４の表面及び前記コンタクトホールの内面上に形成され、前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。
前記透明電極２２０ａは、第１透明電極部２１２ｃ、第２透明電極部２１２ｄ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記第１透明電極部２１２ｃ、及び第２透明電極部２１２ｄは、前記透過窓１２９ａ内の有機膜１１４上に配置される。前記第１透明電極部２１２ｃ、及び第２透明電極部２１２ｄは互いに隣接して配置される。
前記第１透明電極部２１２ｃ、及び第２透明電極部２１２ｄは、多角形形状または円形形状を有する。望ましくは、前記第１透明電極部２１２ｃ及び第２透明電極部２１２ｄは角が丸くされた正四角形形状を有する。
【００３８】
前記反射電極２３０ｂは、前記反射領域１２８内の前記有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。
前記透明電極２２０ｂ及び前記反射電極２３０ｂと前記共通電極１０６との間に電圧が印加されると、前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂに隣接する領域、前記第１透明電極部２１２ｃと第２透明電極部２１２ｄとの間の領域、及び前記第２透明電極部２１２ｄと前記反射電極２３０ｂとの間の領域に電気場の歪曲が発生する。これにより、前記歪曲された電気場によって、前記液晶層１０８内に分割垂直配向が形成され視野角が向上される。
【００３９】
前記オーバーコーティング層１０５は、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記上部基板１００上に形成され、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４を保護する。前記オーバーコーティング層１０５が前記透過窓１２９ａに対応する前記カラーフィルター１０４の一部に露出し、前記第１基板１７０の前記透過窓１２９ａに対応する部分が前記反射領域１２８に対応する部分と互いに異なる高さを有する。このとき、前記オーバーコーティング層１０５の一部を、前記透過窓１２９ａに対応する前記カラーフィルター１０４上に残留させることもできる。また、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記第１基板１７０の表面を平坦化する。
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、単位画素領域１４０内に、前記共通電極１０６の一部が除去された２つの第１開口パターン１３３ａ及び一つの第２開口パターン１３３ｂを含む。
従って、前記オーバーコーティング層１０５によって前記液晶層１０８の前記透過窓１２９ａに対応する部分が、前記反射領域１２８に対応する部分と異なる高さを有し、前記液晶層１０８の光学的特性が調節される。
（実施形態４）
図１５は本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図１６は図１５のIII−III’線に沿って切断した断面図である。
本実施形態において、透明電極の位置を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複した部分については詳細な説明は省略する。
図１５及び図１６に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
【００４０】
前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９６、ストレージキャパシタライン１９０、有機膜１１４、透明電極２２０ａ及び反射電極２３０ａを含む。
前記第２基板１８０は画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。前記画素領域１４０は透過窓１２９ａ及び反射領域１２８を含む。望ましくは、前記透過窓１２９ａは前記ソースライン１１８ａ’と平行な方向に延長された矩形形状である。
前記パッシベーション膜１１６は、前記薄膜トランジスタ１１９が形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。
前記透明電極２２０ａは、前記画素領域１４０内の前記パッシベーション膜１１６の表面及び前記コンタクトホールの内面上に形成され、前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。前記透明電極２２０ａは、第１透明電極部２１２ａ、第２透明電極部２１２ｂ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記有機膜１１４は、前記薄膜トランジスタ１１９、前記パッシベーション膜１１６及び前記透明電極２２０ａが形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記薄膜トランジスタ１１９を前記透明電極２２０ａまたは前記反射電極２３０ａと離隔させる。
【００４１】
また、前記有機膜１１４の前記透過窓１２９ａに対応する部分が開口され、前記第２基板１８０の前記透過窓１２９ａに対応する部分が、前記反射領域１２８に対応する部分と互いに異なる高さを有する。このとき、前記透過窓１２９ａ内に前記有機膜１１４の一部が残留するようにしてもよい。前記有機膜１１４の一部が前記透過窓１２９ａ内に残留する場合、前記有機膜１１４は前記透明電極２２０ａと前記反射電極２３０ａとが電気的に連結されるためのコンタクトホールを有する。
前記有機膜１１４は、突出部１１５及び凹凸部をさらに含む。前記突出部１１５は前記スペーサ１１０に対応して配置され、隣接する前記液晶の一部の配列を調節する。前記凹凸部は前記反射領域１２８内に配置され、前記反射電極１１３の反射効率を増加させる。
前記反射電極２３０ａは、前記反射領域１２８内の前記有機膜１１４上に配置され、外部光を反射させる。前記反射電極２３０ａの一部は、前記透明電極２２０ａの第２連結部１３６ｂ上に配置され、前記透明電極１１２を通じて前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。
従って、前記第２連結部１３６ｂの一部が前記有機膜１１４の下部に配置され、前記有機膜１１４の構造が単純になる。従って、液晶表示装置の製造工程が単純になり、製造コストが低下する。
【００４２】
（実施形態５）
図１７は本発明の第５実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図１８は前記図１７のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
本実施形態において、透明電極、反射電極、有機膜及びオーバーコーティング層を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複される部分については詳細な説明を省略する。
図１７及び図１８に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、オーバーコーティング層１０５、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
【００４３】
前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９６、有機膜１１４、透明電極２２０ｂ及び反射電極２３０ｂを含む。
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は、前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。前記画素領域１４０は透過窓１２９ａ及び反射領域１２８を含む。望ましくは、前記透過窓１２９ａは前記ソースライン１１８ａ’と平行な方向に延長された矩形形状である。
【００４４】
前記有機膜１１４は、前記薄膜トランジスタ１１９及び前記パッシベーション膜１１６が形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記薄膜トランジスタ１１９を前記透明電極２２０ａまたは前記反射電極２３０ａと絶縁する。
また、前記有機膜１１４は、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させるコンタクトホール、突出部１１５及び凹凸部を含む。前記突出部１１５は前記スペーサ１１０に対応して配置され、隣接する液晶の一部の配列を調節する。前記凹凸部は前記反射領域１２８内に配置され、前記反射電極２３０ａの反射効率を増加させる。
前記透明電極２２０ｂは、前記画素領域１４０内の前記有機膜１１４の表面及び前記コンタクトホールの内面上に形成され、前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。
【００４５】
前記透明電極２２０ｂは、第１透明電極部２１２ｃ、第２透明電極部２１２ｄ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記第１透明電極部２１２ｃ及び第２透明電極部２１２ｄは、前記透過窓１２９ａ内の有機膜１１４上に配置される。前記第１透明電極部２１２ｃ、第２透明電極部２１２ｄは互いに隣接して配置される。
前記第１透明電極部２１２ｃ及び第２透明電極部２１２ｄは、多角形形状または円形形状を有する。望ましくは、前記第透明電極部２１２ｃ及び第２透明電極部２１２ｄは、角が丸くされた正四角形形状を有する。
前記反射電極２３０ｂは、前記反射領域１２８内の前記有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。前記反射電極２３０ｂは角が丸くされた正四角形形状を有する。
【００４６】
前記透明電極２２０ｂ及び前記反射電極２３０ｂと前記共通電極１０６との間に電圧が印加されると、前記開口パターン１３３ａ、１３３ｂに隣接する領域、前記第１透明電極部２１２ｃと第２透明電極部２１２ｄとの間の領域、及び前記第２透明電極部２１２ｄと前記反射電極２３０ｂとの間の領域に電気場の歪曲が発生する。従って、前記歪曲された電気場によって、前記液晶層１０８内に分割垂直配向が形成されて視野角が向上される。
前記オーバーコーティング層１０５は、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記上部基板１００上に形成され、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４を保護する。また、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記第１基板を平坦化する。このとき、前記オーバーコーティング層１０５の一部が、前記透過窓１２９ａに対応する前記カラーフィルター１０４上に残留してもよい。
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、単位画素領域１４０内に前記共通電極１０６の一部が除去された２つの第１開口パターン１３３ａ及び一つの第２開口パターン１３３ｂを含む。
前記第１透明電極部２１２ｃ、前記第２透明電極部２１２ｄ及び前記反射電極２３０ｂが、角が丸くされた正四角形形状を有する場合、前記それぞれの開口パターン１３３ａ、１３３ｂを中心として形成される領域の数が増加して、これにより視野角が向上する。
【００４７】
（実施形態６）
図１９は本発明の第６実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２０は前記図１９のＶ−Ｖ’線に沿って切断した断面図であり、図２１は前記図１９のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した断面図であり、図２２は前記図１９のゲート電極、ゲートライン、第１ストレージ電極及びストレージキャパシタラインを示す平面図であり、図２３は前記図１９のソース電極、ソースライン、ドレイン電極及び第２ストレージ電極を示す平面図であり、図２４は前記図１９の薄膜トランジスタ、ゲートライン、ソースライン、ストレージキャパシタ及びストレージキャパシタラインを示す平面図である。
本実施形態において、画素電極、有機膜及びストレージキャパシタを除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複した部分については詳細な説明を省略する。
【００４８】
図１９ないし図２４に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９７及び画素電極２２０を含む。前記液晶層１０８は、前記第１基板１７０と第２基板１８０との間に配置される。
【００４９】
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。望ましくは、前記画素領域１４０は前記ソースライン１１８ａ’の方向に延長された矩形形状である。
前記パッシベーション膜１１６は、前記薄膜トランジスタ１１９が形成された前記下部基板１２０上に配置され、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させるコンタクトホールを含む。
このとき、前記薄膜トランジスタ１１９及び前記パッシベーション膜１１６が形成された前記下部基板１２０上に、前記有機膜(図示せず)を配置することもできる。
前記画素電極２２０は、前記画素領域１４０内の前記パッシベーション膜１１６の表面及び前記コンタクトホールの内面上に形成され、前記ドレイン電極１１８ｃと電気的に連結される。前記画素電極２２０は、前記共通電極１０６との間に印加された電圧によって、前記液晶層１０８内の液晶を制御して光の透過を調節する。前記画素電極２２０は、透明な導電性物質のインジウムすず酸化物ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物ＩＺＯ、亜鉛酸化物ＺＯなどからなる。このとき、前記画素電極２２０が反射率の高い物質を含むようにしてもよい。
【００５０】
前記画素電極２２０は、第１画素電極部２１２ａ、第２画素電極部２１２ｂ、第３画素電極部２１２ｃ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含み、前記画素領域１４０内の前記パッシベーション膜１１６上に配置される。
前記第１画素電極部２１２ａ、前記第２画素電極部２１２ｂ及び前記第３画素電極部２１２ｃは、前記画素領域内の前記パッシベーション膜１１６上に互いに隣接して配置される。
前記第１連結部１３６ａは、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間に配置され、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとを電気的に連結する。前記第２連結部１３６ｂは、前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間に配置され、前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとを電気的に連結する。
【００５１】
前記第１画素電極部２１２ａ、第２画素電極部２１２ｂ、及び第３画素電極部２１２ｃは、角が丸くされた正四角形形状を有する。
前記第３画素電極部２１２ｃの一部は、前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記薄膜トランジスタ１１９のドレイン電極１１８ｃに電気的に連結される。
このとき、前記第１画素電極部２１２ａ、前記第２画素電極部２１２ｂ及び前記第３画素電極部２１２ｃが多角形または円形形状を有することができる。
前記ストレージキャパシタ１９７は、前記下部基板１２０上に形成され、前記共通電極１０６と前記画素電極２２０との間の電位差を保持する。前記ストレージキャパシタ１９７は、第１ストレージ電極１９３及び第２ストレージ電極１９５を含む。
図２２に示すように、前記第１ストレージ電極１９３は前記下部基板１２０上に配置され、前記ストレージキャパシタライン１９１に電気的に連結される。前記第１ストレージ電極１９３の一部は、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間及び／または、前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間に配置され、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間及び／または、前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間を通過する光を遮断する。即ち、前記第１ストレージ電極１９３の一部は、前記画素領域１４０内に突出する。本実施形態において、前記第１ストレージ電極１９３の残りの部分は、前記画素領域１４０と前記遮光領域１４５の境界部に沿って配置される。
【００５２】
図２１及び図２３に示すように、前記第２ストレージ電極１９５は、前記ゲート絶縁膜１２６上に前記第１ストレージ電極１９３に対応して配置され、前記ソース電極１１８ｃと電気的に連結される。前記第２ストレージ電極１９５の一部は、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間及び／または前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極２１２ｃとの間に配置され、前記第１ストレージ電極１９３と共に前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間及び／または、前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間を通過する光を遮断する。即ち、前記第２ストレージ電極１９５の一部は、前記画素領域１４０内に突出する。本実施形態において、前記第２ストレージ電極１９５の残りの部分は、前記画素領域１４０と前記遮光領域１４５の境界部に沿って配置され、前記ストレージキャパシタ１９７の残りの部分は前記画素領域１４０の端部位に沿って配置される。
【００５３】
このとき、前記第１画素電極部２１２ａ、第２画素電極部２１２ｂ、及び第３画素電極部２１２ｃ上に第２保護膜(図示せず)が配置されるようにしてもよい。前記第２保護膜(図示せず)の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有し厚さが一定である。このとき、前記第２保護膜(図示せず)の表面を配向することもできる。前記第２保護膜(図示せず)はポリイミドのような合成樹脂で構成することができる。
前記ブラックマトリックス１０２は、前記周辺領域１５５に対応する前記上部基板１００の一部に形成され光を遮断する。
前記カラーフィルター１０４は、前記上部基板１００の前記表示領域１５０内に形成され所定の波長を有する光のみ選択的に透過させる。
前記共通電極１０６は、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記上部基板１００の全面に形成される。
【００５４】
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、前記共通電極１０６の一部が除去された開口パターン１３５ａを含む。本実施形態において、前記共通電極１０６は３つの開口パターン１３５ａを含む。前記開口パターン１３５ａはそれぞれ、前記第１画素電極部２１２ａ、第２画素電極部２１２ｂ、及び第３画素電極部２１２ｃの中央部に対応する。
前記スペーサ１１０は、前記ブラックマトリックス１０２、前記カラーフィルター１０４及び前記共通電極１０６が形成された前記上部基板１００上に形成される。前記スペーサ１１０によって、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間のセルギャップが一定に保持される。
このとき、前記共通電極１０６上に第１保護膜(図示せず)を配置することもできる。前記第１保護膜(図示せず)の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有することができ、厚さが一定である。但し、前記第１保護膜(図示せず)の表面を配向することもできる。前記第１保護膜(図示せず)は、ポリイミドのような合成樹脂で構成することができる。
【００５５】
前記液晶層１０８は、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間に配置され、密封剤(図示せず)によって密封される。前記液晶層１０８内の液晶は垂直配向、ツイスト配向、リバースＴＮ配向（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＭＴＮ配向、ホモジニアス配向、リバースＥＣＢ（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ、ＲｅｖｅｒｓｅＥＣＢ）モードに配列される。望ましくは、前記液晶層１０８内の液晶は垂直配向モードに配列される。
前記画素電極２２０と前記共通電極１０６との間に電圧が印加されると、前記スペーサ１１０に隣接する領域、前記開口パターン１３５に隣接する領域、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間、及び前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間の領域に電気場の歪曲が発生する。前記歪曲された電気場によって前記液晶層１０８内に分割垂直配向が形成され、これにより視野角が向上する。
【００５６】
図２５ないし図３０は本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
図２５に示すように、まず、前記下部基板１２０に前記画素領域１４０及び前記遮光領域１４５を画定する。バックライトアセンブリ(図示せず)から発生した光は、前記画素領域１４０を通過することになる。
続いて、前記下部基板１２０上に導電性物質を蒸着する。続いて、前記導電性物質の一部を除去して、前記ゲート電極１１８ｂ、前記ゲートライン１１８ｂ’、前記第１ストレージ電極１９３及び前記ストレージキャパシタライン１９１を形成する。以後、前記ゲート電極１１８ｂ、前記ゲートライン１１８ｂ’及び前記第１ストレージ電極１９３が形成された前記下部基板１２０の全面に、前記ゲート絶縁膜１２６を蒸着する。前記ゲート絶縁膜１２６は透明な絶縁物質からなる。
【００５７】
続けて、アモルファスシリコン及びＮ＋アモルファスシリコン層を形成して、前記ゲート電極１１８ｂに対応する前記ゲート絶縁膜１２６上に前記半導体層を形成する。続いて、前記半導体層が形成された前記ゲート絶縁膜１２６上に、導電性物質を蒸着する。以後、前記導電性物質の一部をエッチングして、前記ソース電極１１８ａ、前記ソースライン１１８ａ’、ドレイン電極１１８ｃ及び前記第２ストレージ電極１９５を形成する。従って、前記ソース電極１１８ａ、前記ゲート電極１１８ｂ、前記ドレイン電極１１８ｃ及び前記半導体層を含む前記薄膜トランジスタ１１９と、前記第１ストレージ電極１９３及び前記第２ストレージ電極１９５を含む前記ストレージキャパシタ１９７とが形成される。
続いて、前記薄膜トランジスタ１１９及び前記ストレージキャパシタ１９７が形成された前記下部基板１２０上に、透明な絶縁物質を蒸着する。続いて、前記蒸着された透明な絶縁物質の一部を除去し、前記ドレイン電極１１８ｃの一部を露出させる前記コンタクトホールを有する前記パッシベーション膜１１６を形成する。
【００５８】
図２６に示すように、以後、前記パッシベーション膜１１６及び前記コンタクトホールの内面上に透明な導電性物質を蒸着する。前記透明な導電性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯなどからなる。望ましくは、前記透明な導電性物質はＩＴＯからなる。続けて、前記蒸着された透明な導電性物質の一部をエッチングして、前記第１画素電極部２１２ａ、前記第２画素電極部２１２ｂ、前記第３画素電極部２１２１ｃ、前記第１連結部１３６ａ及び前記第２連結部１３６ｂを形成して、前記画素電極２２０を形成する。
このとき、前記画素電極２２０が形成された下部基板１２０上にポリイミドを塗布して、前記第２保護膜(図示せず)を形成することもできる。
従って、前記下部基板１２０、前記薄膜トランジスタ１１９、前記ストレージキャパシタ１９７、前記ソースライン１１８ａ’、前記ゲートライン１１８ｂ’、前記ストレージキャパシタライン１９１及び前記画素電極２２０を含む前記第１基板１８０が形成される。
【００５９】
図２７に示すように、前記上部基板１００上に不透明な物質を蒸着する。続いて、前記不透明な物質の一部を除去して前記ブラックマトリックス１０２を形成する。
以後、前記ブラックマトリックス１０２が形成された前記上部基板１００上に、顔料及びフォトレジストを含む混合物を塗布する。
続いて、マスクを用いて前記塗布された混合物を露光し現像して、前記カラーフィルター１０４を形成する。
以後、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４上に透明な導電性物質を蒸着する。
【００６０】
図２８に示すように、続いて、前記蒸着された導電性物質１０６’上にフォトレジストを塗布する。以後、マスクを用いて前記塗布されたフォトレジストを露出し現像する。続いて、前記蒸着された透明な導電性物質をエッチングし、前記開口パターン１３５を形成して前記共通電極１０６を形成する。
図２９に示すように、続いて、前記共通電極１０６上に有機物を塗布する。望ましくは、前記有機物はフォトレジスト成分を含む。以後、前記有機物を露光し現像して前記ブラックマトリックス１０２に対応する前記共通電極１０６上に、前記スペーサ１１０を形成する。
このとき、前記共通電極１０６及び前記スペーサ１１０が形成された上部基板１００上に、前記ポリイミドを塗布して前記第１保護膜(図示せず)を形成することができる。
【００６１】
これにより、前記下部基板１００、前記ブラックマトリックス１０２、前記カラーフィルター１０４、前記共通電極１０６及び前記スペーサ１１０を含む前記第１基板１７０が形成される。
図３０に示すように、前記第１基板及び前記第２基板１８０を対向して結合する。
続いて、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０との間に液晶層１０８を注入した後、密封剤(図示せず)によって密封する。このとき、密封剤(図示せず)が形成された前記第１基板１７０または前記第２基板１８０上に液晶を滴下した後、前記第１基板１７０と前記第２基板１８０とを対向させて結合し、前記液晶層１０８を形成することもできる。
【００６２】
従って、前記第１画素電極部２１２ａ、前記第２画素電極部２１２ｂ及び前記第３画素電極部２１２ｃの角が丸くされた正四角形形状を有し、前記開口パターン１３５が円形形状を有し、前記開口パターン１３５を中心にして放射型に配置された領域が形成され視野角が向上する。
また、前記ストレージキャパシタ１９７の一部が、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間、及び前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間に配置され、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間、及び前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間を通過する光を遮断する。従って、前記第１画素電極部２１２ａと前記第２画素電極部２１２ｂとの間、及び前記第２画素電極部２１２ｂと前記第３画素電極部２１２ｃとの間で光漏れ現象が減少して、前記液晶表示装置の画質が向上される。
【００６３】
（実施形態７）
図３１は本発明の第７実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図３２は図３１のＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図３３は前記図３１の液晶層内に形成された分割垂直配向を示す平面図である。
本実施形態において、開口パターン及び突起パターンを除いた残りの構成要素は実施形態６と同一であるので、重複する部分については詳細な説明を省略する。
図３１ないし図３３に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６及びスペーサ１１０を含む。前記第１基板１７０は、画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
【００６４】
前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９７、ストレージキャパシタライン１９１、画素電極２２０及び突起パターン１３９を含む。
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。望ましくは、前記画素領域１４０は前記ソース電極１１８ｃの方向に延長された矩形形状である。本実施形態において、前記第２基板１８０は単位画素領域１４０内に３つの突起パターン１３９を含む。
前記画素電極２２０は、第１透明電極部２１２ａ、第２透明電極部２１２ｂ、第１連結部１３６ａ及び第２連結部１３６ｂを含む。
前記突起パターン１３９は、第１透明電極部２１２ａ、第２透明電極部２１２ｂ、及び第３画素電極部２１２ｃ上にそれぞれ配置され、前記液晶層１０８内に複数の領域を形成する。
【００６５】
前記それぞれの突起パターン１３９は、複数の第２凹部を含み、前記液晶層１０８内に前記それぞれの第２凹部に対応する複数の領域を形成する。本実施形態において、前記突起パターン１３９は４つの第２凹部を含む。望ましくは、前記突起パターン１３９はフォトレジストを含む有機物を塗布した後、フォトリソグラフィ工程を通して形成される。
前記共通電極１０６は、前記ブラックマトリックス１０２及び前記カラーフィルター１０４が形成された前記上部基板１００の全面に形成される。
前記共通電極１０６は、前記液晶層１０８内に分割垂直配向を形成するために、前記共通電極１０６の一部が除去された３つの開口パターン１３５ｂを含む。
前記それぞれの開口パターン１３５ｂは、複数の第１凹部を含み、前記液晶層１０８内に前記それぞれの第１凹部に対応する複数の領域を形成する。本実施形態において、前記それぞれの開口パターン１３５ｂは４つの第１凹部を含む。前記開口パターン１３５ｂの第１凹部は前記突起１３９の第２凹部に対応する。
【００６６】
このとき、前記それぞれの突起パターン１３９及び／または前記それぞれの開口パターン１３５ｂが、５個以上の凹部を含むことができる。
図３３に示すように、前記それぞれの画素電極部２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃに対応する前記液晶層１０８内に、前記凹部を中心として複数の領域が形成される。前記領域は、前記凹部に対応する領域及び前記凹部と前記それぞれの画素電極部２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃの端部位との間に対応する領域を含む。
従って、前記それぞれの突起パターン１３９及び前記それぞれの開口パターン１３５ｃ、１３５ｄが前記凹部を含み、前記液晶層１０８内に前記凹部に対応する領域が形成される。
【００６７】
（実施形態８）
図３４は本発明の第８実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
本実施形態において、第１保護膜及び第２保護膜を除いた残りの構成要素は実施形態７と同一であるので重複した部分については詳細な説明を省略する。
図３４に示すように、前記液晶表示装置は第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。
前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルター１０４、共通電極１０６、スペーサ１１０及び第１保護膜３０３を含む。前記第１基板１７０は、画像が表示される表示領域１５０及び前記表示領域１５０を取り囲む周辺領域１５５を含む。
前記第２基板１８０は下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ’、ゲートライン１１８ｂ’、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、ストレージキャパシタ１９７、ストレージキャパシタライン１９１、画素電極２２０、突起パターン１３９及び第２保護膜３０４を含む。
前記第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。前記画素領域１４０は前記表示領域１５０に対応し、前記遮光領域１４５は前記周辺領域１５５に対応する。本実施形態においては、それぞれの画素領域１４０内に３つの突起パターン１３９を含む。
【００６８】
前記第２保護膜３０４は、前記画素電極２２０及び前記突起パターン１３９上に配置され、前記画素電極２２０を保護する。前記第２保護膜３０４の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有し厚さが一定である。このとき、前記第２保護膜３０４が前記画素電極２２０上に配置され、前記突起パターン１３９が前記第２保護膜３０４上に配置されるようにすることもできる。
前記第１保護膜３０３は前記共通電極１０６上に配置され、前記共通電極１０６を保護する。前記第１保護膜３０３の表面はラビングされていないので、平滑な表面を有し厚さが一定である。
前記液晶層１０８は、前記第１保護膜３０３及び前記第２保護膜３０４と直接接触する。
従って、前記液晶表示装置は、前記開口パターン１３５ｂ及び前記突起パターン１３９が凹部を含み、複数の領域を形成する。また、前記第１保護膜３０３及び前記第２保護幕３０４をラビングしないので、ラビングによる配向不良を防止する。
【００６９】
前記のような本発明によると、共通電極が透明電極部及び反射電極に対応する開口パターンを含み、前記開口パターンを中心にして複数の領域が形成される。
また、前記透明電極部及び前記反射電極が、角が丸くされた正四角形形状を有して、前記それぞれの開口パターンを中心として形成される領域の数が増加する。
また、前記複数の領域内に液晶が配列されるので、前記第１基板または第２基板の表面をラビングする必要がなく、液晶表示装置の画質が向上する。
さらに、開口パターンが円形の形状を有し、液晶層内に前記開口パターンを中心として放射型に配置された領域が形成され、視野角が向上する。
また、それぞれの突起パターン及びそれぞれの開口パターンが凹部を含み、前記液晶層内に前記凹部に対応する領域が形成される。
【００７０】
さらに、ストレージキャパシタの一部が前記透明電極部の間及び前記透明電極と前記反射電極との間に配置され、前記透明電極部の間及び前記透明電極部と前記反射電極との間を通過する光を遮断する。従って、光漏れ現象が減少して、液晶表示装置の画質が向上する。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】前記図１の透明電極及び反射電極を示す平面図である。
【図３】前記図１の共通電極を示す平面図である。
【図４】前記図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図１４】前記図１３のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図１６】前記図１５のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図１７】本発明の第５実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図１８】前記図１７のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
【図１９】本発明の第６実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２０】前記図１９のＶ−Ｖ’線に沿って切断した断面図である。
【図２１】前記図１９のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した断面図である
【図２２】前記図１９のゲート電極、ゲートライン、第１ストレージ電極及びストレージキャパシタラインを示す平面図である。
【図２３】前記図１９のソース電極、ソースライン、ドレイン電極及び第２ストレージ電極を示す平面図である。
【図２４】図１９の薄膜トランジスタ、ゲートライン、ソースライン、ストレージキャパシタ及びストレージキャパシタラインを示す平面図である。
【図２５】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２６】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２７】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２８】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２９】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図３０】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図３１】本発明の第７実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図３２】前記図３１のＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図３３】前記図３１の液晶層内に形成された分割垂直配向を示す平面図である。
【図３４】本発明の第８実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１１１
１００      上部基板
１０２      ブラックマトリックス
１０４      カラーフィルター
１０６      共通電極
１０８      液晶層
１１０      スペーサ
１１４      有機膜
１１５      突出部
１１６      パッシベーション膜
１１８ａ’      ソースライン
１１８ｂ’      ゲートライン
１１８ｃ      ドレイン電極
１１９      薄膜トランジスタ
１２０      下部基板
１２９ａ      透過窓
１２６      ゲート絶縁膜
１３３ａ      第１開口パターン
１３３ｂ      第２開口パターン
１３５ｂ      開口パターン
１３６ａ      第１連結部
１３６ｂ      第２連結部
１３９      突起
１４０      画素電極
１４５      遮光領域
１５０      表示領域
１５５      周囲領域
１７０      第１基板
１８０      第２基板
１９０      ストレージキャパシタライン
１９３      第１ストレージ電極
１９５      第２ストレージ電極
１９６      ストレージキャパシタ
２１２ａ      第１透明電極部
２１２ｂ      第２透明電極部
２１２ｃ      第３透明電極部
２２０      画素電極
２２０ａ      透明電極
２３０ａ      反射電極  
３０２      第２保護膜
３０３      第１保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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