(57)【要約】【課題】  液体の圧力変動に起因する基板上に投影されるパターン像の劣化等を防止できる露光装置を提供する。【解決手段】  露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学部材のうち液体ＬＱに接する光学素子２の側面２Ｔを囲むように設けられ、液体供給口１３及び液体回収口２３を有する流路形成部材７０を備え、光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７０との間の隙間に浸入した液体ＬＱが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射して該基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系を構成する複数の光学部材のうち前記液体に接する光学部材の側面又は該光学部材を保持する保持部材の側面を囲むように設けられ、液体供給口又は液体回収口のうち少なくともいずれか一方を有する環状部材を備え、
前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間に浸入した液体が、所定の高さ以上に浸入しないように、前記液浸領域の液体の圧力を調整することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記隙間の圧力を検出する圧力検出器を備え、
前記圧力検出器の検出結果に基づいて、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記液浸領域を形成するための前記液体供給口からの単位時間当たりの液体供給量、及び前記液体回収口からの単位時間当たりの液体回収量のうち少なくともいずれか一方を調整することによって、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記液体供給口及び前記液体回収口のそれぞれは、前記投影光学系の投影領域を囲むように複数設けられ、
前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間における液体の高さの分布に応じて、前記複数の液体供給口それぞれからの液体供給量、及び前記複数の液体回収口からの液体回収量のうち少なくともいずれか一方が調整されることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記基板は所定方向に移動しながら露光され、
前記液体供給口及び前記液体回収口は、前記所定方向に関し、前記投影光学系の投影領域を挟んだ両側のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記液体回収口は前記液体供給口より前記投影光学系の投影領域に対して外側に設けられていることを特徴とする請求項４又は５記載の露光装置。
【請求項７】
前記液体供給口及び前記液体回収口とは別の第２液体供給口及び第２液体回収口を備え、前記第２液体供給口及び前記第２液体回収口を介して液体の追加又は液体の一部回収を行うことによって、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２液体供給口及び前記第２液体回収口は、前記液体供給口よりも前記投影光学系の投影領域の近くに配置されていることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ        …  （１）
δ＝±ｋ２・λ／ＮＡ２     …  （２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１、ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
【０００３】
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、投影光学系と基板との間に満たした液体の圧力が所望の圧力に維持されないと、液体の圧力の変動に伴って、例えば基板や基板ステージ、あるいはその液体に接している投影光学系の一部（最も像面側の光学素子など）が僅かながら変形し、その変形により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。また、液体の圧力に変動が生じると、その液体に接している投影光学系の一部（最も像面側の光学素子など）が振動して基板上に投影されるパターン像が劣化したり、投影光学系及び液体を介した計測精度が劣化する。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図１〜図８に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置（ＥＸ）は、投影光学系（ＰＬ）と基板（Ｐ）との間に液体（ＬＱ）の液浸領域（ＡＲ２）を形成し、投影光学系（ＰＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、投影光学系（ＰＬ）を構成する複数の光学部材のうち液体（ＬＱ）に接する光学部材（２）の側面（２Ｔ）又は光学部材（２）を保持する保持部材（ＰＫ）の側面を囲むように設けられ、液体供給口（１３）又は液体回収口（２３）のうち少なくともいずれいか一方を有する環状部材（７０）を備え、光学部材（２）又は保持部材（ＰＫ）の側面と環状部材（７０）との間の隙間（Ｇ）に浸入した液体（ＬＱ）が、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域（ＡＲ２）の液体（ＬＱ）の圧力を調整することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、液浸領域の液体の圧力を調整することで、例えば基板や基板ステージ、あるいは投影光学系のうち液体に接する光学部材の変形（歪み）等の発生を防止することができる。また、液浸領域の液体の圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板や基板ステージ、あるいは光学部材に振動が発生することを防止することができる。特に、光学部材又は保持部材の側面と環状部材との間の隙間に浸入した液体が所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域の液体の圧力を調整することで、光学部材の側面が液体から受ける力を低減でき、光学部材の歪み変形や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。
【０００８】
本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置（ＥＸ）を用いることを特徴とする。本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００１１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する液体回収機構２０とを備えている。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲ１よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液浸領域ＡＲ２を局所的に形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの像面側終端部の光学素子２と、その像面側に配置された基板Ｐ表面との間に液体ＬＱを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによってマスクＭのパターンを基板Ｐに投影露光する。
【００１２】
また、後に詳述するように、露光装置ＥＸは、液体供給機構１０から供給された液体ＬＱの圧力を調整する圧力調整機構９０を備えている。圧力調整機構９０は、液体供給機構１０から供給された液体ＬＱに更に液体ＬＱを追加可能な圧力調整用液体供給部９１と、液体ＬＱの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部９２とを備えている。圧力調整機構９０の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００１３】
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
照明光学系ＩＬは、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００１５】
本実施形態において、液体ＬＱには純水が用いられる。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。
【００１６】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能であって、例えばマスクＭを真空吸着（又は静電吸着）により固定している。マスクステージＭＳＴは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。そして、マスクステージＭＳＴは、Ｘ軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスクＭの全面が少なくとも投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを横切ることができるだけのＸ軸方向の移動ストロークを有している。
【００１７】
マスクステージＭＳＴ上には移動鏡３１が設けられている。また、移動鏡３１に対向する位置にはレーザ干渉計３２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角（場合によってはθＸ、θＹ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計３２によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計３２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置を制御する。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、基板Ｐ側の先端部に設けられた光学素子（光学部材、レンズ）２を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
【００１９】
本実施形態の投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２は鏡筒ＰＫより露出しており、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱが接触する。光学素子２は螢石で形成されている。螢石表面、あるいはＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を付着させた表面は水との親和性が高いので、光学素子２の液体接触面２Ａのほぼ全面に液体ＬＱを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子２の液体接触面２Ａとの親和性が高い液体（水）ＬＱを供給するようにしているので、光学素子２の液体接触面２Ａと液体ＬＱとの密着性が高く、光学素子２と基板Ｐとの間の光路を液体ＬＱで確実に満たすことができる。なお、光学素子２は、水との親和性が高い石英であってもよい。また、光学素子２の液体接触面２Ａに親水化（親液化）処理を施して、液体ＬＱとの親和性をより高めるようにしてもよい。
【００２０】
基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持して移動可能であって、ＸＹステージ５１と、ＸＹステージ５１上に搭載されたＺチルトステージ５２とを含んで構成されている。ＸＹステージ５１は、ステージベースＳＢの上面の上方に不図示の非接触ベアリングである気体軸受（エアベアリング）を介して非接触支持されている。ＸＹステージ５１（基板ステージＰＳＴ）はステージベースＳＢの上面に対して非接触支持された状態で、リニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。このＸＹステージ５１上にＺチルトステージ５２が搭載され、Ｚチルトステージ５２上に不図示の基板ホルダを介して基板Ｐが例えば真空吸着等により保持されている。Ｚチルトステージ５２は、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能に設けられている。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２１】
基板ステージＰＳＴ（Ｚチルトステージ５２）上には移動鏡３３が設けられている。また、移動鏡３３に対向する位置にはレーザ干渉計３４が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計３４によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計３４の計測結果に基づいてリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの位置決めを行う。
【００２２】
また、露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの表面の位置を検出する後述するフォーカス・レベリング検出系（８０）を備えている。フォーカス・レベリング検出系の受光結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板Ｐ表面のＺ軸方向の位置情報、及び基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報を検出することができる。Ｚチルトステージ５２は、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ５１は基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。なお、ＺチルトステージとＸＹステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。
【００２３】
基板ステージＰＳＴの近傍には、基板Ｐ上のアライメントマークあるいは基板ステージＰＳＴ（Ｚチルトステージ５２）上に設けられた基準マークを検出する基板アライメント系（不図示）が設けられている。また、マスクステージＭＳＴの近傍には、マスクＭと投影光学系ＰＬとを介して基板ステージＰＳＴ（Ｚチルトステージ５２）上の基準マークを検出するマスクアライメント系（不図示）が設けられている。マスクアライメント系は、所謂ＴＴＭ（スルー・ザ・マスク）方式（あるいはＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式ともいう）のアライメント系を構成している。なお、基板アライメント系の構成としては、例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されているものを用いることができ、マスクアライメント系の構成としては、例えば特開平７−１７６４６８号公報に開示されているものを用いることができる。
【００２４】
また、基板ステージＰＳＴ（Ｚチルトステージ５２）上には、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐを囲むようにプレート部材５６が設けられている。プレート部材５６は環状部材であって、基板Ｐの外側に配置されている。プレート部材５６は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）の平坦面（平坦部）５７を有している。平坦面５７は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの外側の周囲に配置されている。
【００２５】
プレート部材５６は、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））などの撥液性を有する材料によって形成されている。そのため、平坦面５７は撥液性を有する。なお、例えば所定の金属などでプレート部材５６を形成し、その金属製のプレート部材５６の少なくとも平坦面５７に対して撥液処理を施すことで、平坦面５７を撥液性にしてもよい。プレート部材５６（平坦面５７）の撥液処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。撥液性にするための撥液性材料としては液体ＬＱに対して非溶解性の材料が用いられる。また、撥液性材料の塗布領域としては、プレート部材５６の表面全域に対して塗布してもよいし、例えば平坦面５７など撥液性を必要とする一部の領域のみに対して塗布するようにしてもよい。
【００２６】
基板Ｐの周囲に、基板Ｐ表面とほぼ面一の平坦面５７を有するプレート部材５６を設けたので、基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光するときにおいても、基板Ｐのエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系ＰＬの下に液体ＬＱを保持し、投影光学系ＰＬの像面側に液浸領域ＡＲ２を良好に形成することができる。また、平坦面５７を撥液性にすることにより、液浸露光中における基板Ｐ外側（平坦面５７外側）への液体ＬＱの流出を抑え、また液浸露光後においても液体ＬＱを円滑に回収できて、平坦面５７上に液体ＬＱが残留することを防止することができる。
【００２７】
液体供給機構１０は、所定の液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給するためのものであって、液体ＬＱを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端部を接続する供給管１２（１２Ａ、１２Ｂ）とを備えている。液体供給部１１は、液体ＬＱを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。基板Ｐ上に液浸領域ＡＲ２を形成する際、液体供給機構１０は液体ＬＱを基板Ｐ上に供給する。
【００２８】
液体回収機構２０は、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収するためのものであって、液体ＬＱを回収可能な液体回収部２１と、液体回収部２１にその一端部を接続する回収管２２（２２Ａ、２２Ｂ）とを備えている。液体回収部２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置ＥＸに真空ポンプを設けずに、露光装置ＥＸが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。基板Ｐ上に液浸領域ＡＲ２を形成するために、液体回収機構２０は液体供給機構１０より供給された基板Ｐ上の液体ＬＱを所定量回収する。
【００２９】
Ｚチルトステージ５２のうちプレート部材５６の外側には、基板Ｐの外側に流出した液体ＬＱを回収する第２液体回収機構６０を構成する液体回収口６１が設けられている。液体回収口６１はプレート部材５６を囲むように形成された環状の溝部であって、その内部にはスポンジ状部材や多孔質体等からなる液体吸収部材６２が配置されている。液体吸収部材６２は交換可能である。また、液体回収口６１には基板ステージＰＳＴ内部に形成された回収流路の一端部が接続され、その回収管の他端部は基板ステージＰＳＴの外側に設けられた第２液体回収部（いずれも不図示）が接続されている。第２液体回収部は、液体回収部２１同様、真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。
【００３０】
第２液体回収機構６０を設けたことにより、仮に液体ＬＱが基板Ｐ及びプレート部材５６の外側に流出したとしても、その流出した液体ＬＱを回収することができ、流出した液体ＬＱの気化による基板Ｐの置かれている環境変動等の不都合の発生を防止することができる。なお、第２液体回収機構６０（第２液体回収部）に真空系を設けずに、液体吸収部材６２で回収した液体ＬＱを自重により基板ステージＰＳＴの外側に垂れ流す構成であってもよい。更に、真空系を含む第２液体回収部を設けずに、基板ステージＰＳＴ上に液体吸収部材６２のみを配置しておき、液体ＬＱを吸収した液体吸収部材６２を定期的に（例えば１ロット毎に）交換する構成としてもよい。この場合、基板ステージＰＳＴは液体ＬＱにより重量変動するが、液体吸収部材６２で回収した液体ＬＱの重量に応じてステージ制御パラメータを変更することで、ステージ位置決め精度を維持できる。
【００３１】
投影光学系ＰＬの終端部の光学素子２の近傍には流路形成部材７０が配置されている。流路形成部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方において光学素子２の周りを囲むように設けられた環状部材である。流路形成部材７０は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、流路形成部材７０は、ガラス（石英）等の光透過性を有する透明部材（光学部材）によって構成されてもよい。
【００３２】
流路形成部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方に設けられ、その基板Ｐ表面に対向するように配置された液体供給口１３（１３Ａ、１３Ｂ）を備えている。本実施形態において、流路形成部材７０は２つの液体供給口１３Ａ、１３Ｂを有している。液体供給口１３Ａ、１３Ｂは流路形成部材７０の下面７０Ａに設けられている。
【００３３】
また、流路形成部材７０は、その内部に液体供給口１３（１３Ａ、１３Ｂ）に対応した供給流路１４（１４Ａ、１４Ｂ）を有している。供給流路１４Ａ、１４Ｂの一端部は供給管１２Ａ、１２Ｂを介して供給部１１にそれぞれ接続され、他端部は液体供給口１３Ａ、１３Ｂにそれぞれ接続されている。
【００３４】
供給管１２Ａ、１２Ｂの途中には、液体供給部１１から送出され、液体供給口１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器１６Ａ、１６Ｂがそれぞれ設けられている。流量制御器１６（１６Ａ、１６Ｂ）による液体供給量の制御は制御装置ＣＯＮＴの指令信号の下で行われる。
【００３５】
更に、流路形成部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方に設けられ、その基板Ｐ表面に対向するように配置された液体回収口２３を備えている。本実施形態において、流路形成部材７０は２つの液体回収口２３Ａ、２３Ｂを有している。液体回収口２３Ａ、２３Ｂは流路形成部材７０の下面７０Ａに設けられている。
【００３６】
また、流路形成部材７０は、その内部に液体回収口２３（２３Ａ、２３Ｂ）に対応した回収流路２４（２４Ａ、２４Ｂ）を有している。回収流路２４Ａ、２４Ｂの一端部は回収管２２Ａ、２２Ｂを介して液体回収部２１にそれぞれ接続され、他端部は液体回収口２３Ａ、２３Ｂにそれぞれ接続されている。
【００３７】
本実施形態において、流路形成部材７０は、液体供給機構１０及び液体回収機構２０それぞれの一部を構成している。そして、液体供給機構１０を構成する液体供給口１３Ａ、１３Ｂは、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構２０を構成する液体回収口２３Ａ、２３Ｂは、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して液体供給機構１０の液体供給口１３Ａ、１３Ｂの外側に設けられている。
【００３８】
液体供給部１１及び流量制御器１６の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部１１より液体ＬＱを送出し、供給管１２Ａ、１２Ｂ、及び供給流路１４Ａ、１４Ｂを介して、基板Ｐの上方に設けられている液体供給口１３Ａ、１３Ｂより基板Ｐ上に液体ＬＱを供給する。このとき、液体供給口１３Ａ、１３Ｂは投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んだ両側のそれぞれに配置されており、その液体供給口１３Ａ、１３Ｂを介して、投影領域ＡＲ１の両側から液体ＬＱを供給可能である。また、液体供給口１３Ａ、１３Ｂのそれぞれから基板Ｐ上に供給される液体ＬＱの単位時間あたりの量は、供給管１２Ａ、１２Ｂのそれぞれに設けられた流量制御器１６Ａ、１６Ｂにより個別に制御可能である。
【００３９】
液体回収部２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。制御装置ＣＯＮＴは、液体回収部２１による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板Ｐの上方に設けられた液体回収口２３Ａ、２３Ｂから回収された基板Ｐ上の液体ＬＱは、流路形成部材７０の回収流路２４Ａ、２４Ｂ、及び回収管２２Ａ、２２Ｂを介して液体回収部２１に回収される。
【００４０】
なお、本実施形態において、供給管１２Ａ、１２Ｂは１つの液体供給部１１に接続されているが、供給管の数に対応した液体供給部１１を複数（ここでは２つ）設け、供給管１２Ａ、１２Ｂのそれぞれを前記複数の液体供給部１１のそれぞれに接続するようにしてもよい。また、回収管２２Ａ、２２Ｂは、１つの液体回収部２１に接続されているが、回収管の数に対応した液体回収部２１を複数（ここでは２つ）設け、回収管２２Ａ、２２Ｂのそれぞれを前記複数の液体回収部２１のそれぞれに接続するようにしてもよい。
【００４１】
投影光学系ＰＬの光学素子２の液体接触面２Ａ、及び流路形成部材７０の下面（液体接触面）７０Ａは親液性（親水性）を有している。本実施形態においては、光学素子２及び流路形成部材７０の液体接触面に対して親液処理が施されており、その親液処理によって光学素子２及び流路形成部材７０の液体接触面が親液性となっている。換言すれば、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの被露光面（表面）と対向する部材の表面のうち少なくとも液体接触面は親液性となっている。本実施形態における液体ＬＱは極性の大きい水であるため、親液処理（親水処理）としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、この光学素子２や流路形成部材７０の液体接触面に親水性を付与する。すなわち、液体ＬＱとして水を用いる場合にはＯＨ基など極性の大きい分子構造を持ったものを前記液体接触面に設ける処理が望ましい。あるいは、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを前記液体接触面に設けてもよい。
【００４２】
なお、本実施形態においては、流路形成部材７０の下面（基板Ｐ側を向く面）７０Ａはほぼ平坦面であるが、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち投影光学系ＰＬに対して液体回収口２３（２３Ａ、２３Ｂ）より外側の領域に、ＸＹ平面に対して傾斜した面、具体的には投影領域ＡＲ１（液浸領域ＡＲ２）に対して外側に向かうにつれて基板Ｐの表面に対して離れるように（上に向かうように）傾斜する所定長さを有する傾斜面（トラップ面）を設けてもよい。こうすることにより、基板Ｐの移動に伴って投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱが流路形成部材７０の下面７０Ａの外側に流出しようとしても、トラップ面で捕捉されるため、液体ＬＱの流出を防止することができる。ここで、トラップ面に親液処理を施して親液性にすることで、基板Ｐの表面に塗布されている膜（フォトレジスト等の感光材膜や、反射防止膜あるいは液体から感光材を保護する膜等）は通常撥液性（撥水性）なので、液体回収口２３の外側に流出した液体ＬＱはトラップ面で捕捉される。
【００４３】
また、基板ステージＰＳＴ（Ｚチルトステージ５２）上において、基板Ｐの周囲のプレート部材５６の外側の所定位置には、基準部材が配置されている。基準部材には、前記基板アライメント系により検出される基準マークと、マスクアライメント系により検出される基準マークとが所定の位置関係で設けられている。また、基準部材の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。更に、基準部材の上面は基板Ｐ表面、プレート部材５６の表面（平坦面）５７とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。
【００４４】
また、Ｚチルトステージ５２（基板ステージＰＳＴ）上のうち、プレート部材５６の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているような照度ムラセンサが配置されている。照度ムラセンサは平面視矩形状の上板を備えている。上板の上面はほぼ平坦面となっており、基板Ｐ表面、プレート部材５６の表面（平坦面）５７とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。上板の上面には、光を通過可能なピンホール部が設けられている。上面のうち、ピンホール部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
【００４５】
また、Ｚチルトステージ５２（基板ステージＰＳＴ）上のうち、プレート部材５６の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開２００２−１４００５号公報に開示されているような空間像計測センサが設けられている。空間像計測センサは平面視矩形状の上板を備えている。上板の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。そして、上板の上面は基板Ｐ表面、プレート部材５６の表面（平坦面）５７とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。上板の上面には、光を通過可能なスリット部が設けられている。上面のうち、スリット部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
【００４６】
また、不図示ではあるが、Ｚチルトステージ５２（基板ステージＰＳＴ）上には、例えば特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）も設けられており、その照射量センサの上板の上面は基板Ｐ表面やプレート部材５６の表面（平坦面）５７とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。
【００４７】
本実施形態における露光装置ＥＸは、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向（走査方向）に移動しながらマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭの一部のパターン像が投影領域ＡＲ１内に投影され、マスクＭが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、基板Ｐが投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。そして、基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、１つのショット領域への露光終了後に、基板Ｐのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Ｐを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。
【００４８】
投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１は、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。なお、プレート部材５６のうち円環状に形成されている平坦面５７の幅は少なくとも投影領域ＡＲ１より大きく形成されていることが好ましい。これにより、基板Ｐのエッジ領域Ｅを露光するときにおいて、露光光ＥＬはプレート部材５６の外側に照射されない。更には、平坦面５７の幅は、投影光学系ＰＬの像面側に形成される液浸領域ＡＲ２よりも大きく形成されていることが好ましい。これにより、基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光するときに、液浸領域ＡＲ２はプレート部材５６の平坦面５７上に配置され、プレート部材５６の外側には配置されないので、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱがプレート部材５６の外側に流出する等の不都合の発生を防止することができる。
【００４９】
図２は流路形成部材７０を示す概略斜視図である。図２に示すように、流路形成部材７０は投影光学系ＰＬの終端部の光学素子２の周りを囲むように設けられた環状部材であって、その中央部に投影光学系ＰＬ（光学素子２）を配置可能な穴部７０Ｂを有している。
【００５０】
露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴに保持されている基板Ｐ表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系８０を備えている。フォーカス・レベリング検出系８０は、所謂斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系であって、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して基板Ｐに斜め方向から検出光Ｌａを照射する投光部８１と、基板Ｐで反射した検出光Ｌａの反射光を受光する受光部８２とを備えている。なお、フォーカス・レベリング検出系８０の構成としては、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているものを用いることができる。
【００５１】
流路形成部材７０のうち、−Ｙ側及び＋Ｙ側の側面のそれぞれには、中央部側（投影光学系ＰＬ側）に向かって凹む凹部７５、７６がそれぞれ形成されている。一方の凹部７５にはフォーカス・レベリング検出系８０の投光部８１から射出された検出光Ｌａを透過可能な第１光学部材８３が設けられ、他方の凹部７６には基板Ｐ上で反射した検出光Ｌａを透過可能な第２光学部材８４が設けられている。第１光学部材８３及び第２光学部材８４はフォーカス・レベリング検出系８０の光学系の一部を構成しているとともに、流路形成部材７０の一部を構成している。換言すれば、本実施形態においては、流路形成部材７０の一部がフォーカス・レベリング検出系８０の一部を兼ねている。
【００５２】
そして、第１光学部材８３及び第２光学部材８４を含む流路形成部材７０は、投影光学系ＰＬ先端の光学素子２とは分離した状態で支持されている。
【００５３】
投光部８１及び受光部８２は投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んでその両側にそれぞれ設けられている。図２に示す例では、投光部８１及び受光部８２は投影領域ＡＲ１を挟んで±Ｙ側のそれぞれにおいて投影領域ＡＲ１に対して離れた位置に設けられている。フォーカス・レベリング検出系８０の投光部８１は、基板Ｐ表面に投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して所定の入射角θで検出光Ｌａを照射する。投光部８１から射出された検出光Ｌａは、第１光学部材８３を通過し、基板Ｐ上の液体ＬＱを介して基板Ｐ上に斜め方向から入射角θで照射される。基板Ｐ上で反射した検出光Ｌａの反射光は、第２光学部材８４を通過した後、受光部８２に受光される。ここで、フォーカス・レベリング検出系８０の投光部８１は、基板Ｐ上に複数の検出光Ｌａを照射する。これにより、フォーカス・レベリング検出系８０は、基板Ｐ上における例えばマトリクス状の複数の各点（各位置）での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板Ｐ表面のＺ軸方向の位置情報、及び基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報を検出することができる。
【００５４】
制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系８０の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを介して基板ステージＰＳＴのＺチルトステージ５２を駆動することにより、Ｚチルトステージ５２に保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置を制御する。すなわち、Ｚチルトステージ５２は、フォーカス・レベリング検出系８０の検出結果に基づく制御装置ＣＯＮＴからの指令に基づいて動作し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角を制御して、基板Ｐの表面（被露光面）をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して形成される像面に対して最適な状態に合わせ込む。
【００５５】
また、図２に示すように、露光装置ＥＸは、液体供給機構１０から供給された液体ＬＱの圧力を調整する圧力調整機構９０を備えている。圧力調整機構９０は、液体供給機構１０から供給された液体ＬＱに更に液体ＬＱを追加可能な圧力調整用液体供給部９１と、液体ＬＱの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部９２とを備えている。
【００５６】
圧力調整用液体供給部９１には供給管９３（９３Ａ、９３Ｂ）の一端部が接続されており、供給管９３（９３Ａ、９３Ｂ）の他端部は流路形成部材７０の内部に形成されている供給流路９４（９４Ａ、９４Ｂ）に接続されている。圧力調整用液体供給部９１は液体ＬＱを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。
【００５７】
供給管９３Ａの他端部は流路形成部材７０の凹部７５に配置されている。流路形成部材７０の凹部７５における側面に供給流路９４Ａの一端部が形成されており、この供給流路９４Ａの一端部に供給管９３Ａの他端部が接続されている。また、供給管９３Ｂの他端部は流路形成部材７０の凹部７６に配置されている。流路形成部材７０の凹部７６における側面に供給流路９４Ｂの一端部が形成されており、この供給流路９４Ｂの一端部に供給管９３Ｂの他端部が接続されている。
【００５８】
圧力調整用液体回収部９２には、回収管９５（９５Ａ、９５Ｂ）の一端部が接続されており、回収管９５（９５Ａ、９５Ｂ）の他端部は流路形成部材７０の内部に形成されている回収流路９６（９６Ａ、９６Ｂ）の一端部に接続されている。圧力調整用液体回収部９２は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置ＥＸに真空ポンプを設けずに、露光装置ＥＸが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。
【００５９】
回収管９５Ａの他端部は流路形成部材７０の凹部７５に配置されている。流路形成部材７０の凹部７５における側面に回収流路９６Ａの一端部が形成されており、この回収流路９６Ａの一端部に回収管９５Ａの他端部が接続されている。また、回収管９５Ｂの他端部は流路形成部材７０の凹部７６に配置されている。流路形成部材７０の凹部７６における側面に回収流路９６Ｂの一端部が形成されており、この回収流路９６Ｂの一端部に回収管９５Ｂの他端部が接続されている。
【００６０】
図３は流路形成部材７０を下面７０Ａ側から見た斜視図である。図３において、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１はＹ軸方向（非走査方向）を長手方向とする矩形状に設定されている。液体ＬＱが満たされた液浸領域ＡＲ２は、投影領域ＡＲ１を含むように実質的に２つの液体回収口２３Ａ、２３Ｂで囲まれた領域内であって且つ基板Ｐ上の一部に局所的に形成される。なお、液浸領域ＡＲ２は少なくとも投影領域ＡＲ１を覆っていればよく、必ずしも２つの液体回収口２３Ａ、２３Ｂで囲まれた領域全体が液浸領域にならなくてもよい。
【００６１】
液体供給口１３Ａ、１３Ｂは、基板Ｐに対向する流路形成部材７０の下面７０Ａにおいて、Ｘ軸方向（走査方向）に関し、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体供給口１３Ａは、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、液体供給口１３Ｂは他方側（＋Ｘ側）に設けられている。つまり液体供給口１３Ａ、１３Ｂは投影領域ＡＲ１の近くに設けられ、走査方向（Ｘ軸方向）に関して投影領域ＡＲ１を挟むようにその両側に設けられている。液体供給口１３Ａ、１３Ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に延びる平面視略コ字状（円弧状）のスリット状に形成されている。流路形成部材７０の下面７０ＡのうちＹ軸方向両側には第１、第２光学部材８３、８４が配置されており、液体供給口１３Ａ、１３Ｂは、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、第１、第２光学部材８３、８４が配置されている以外の領域に亘って形成されている。そして、液体供給口１３Ａ、１３ＢのＹ軸方向における長さは少なくとも投影領域ＡＲ１のＹ軸方向における長さより長くなっている。液体供給口１３Ａ、１３Ｂは、少なくとも投影領域ＡＲ１を囲むように設けられている。液体供給機構１０は、液体供給口１３Ａ、１３Ｂを介して投影領域ＡＲ１の両側で液体ＬＱを同時に供給可能である。
【００６２】
液体回収口２３Ａ、２３Ｂは、基板Ｐに対向する流路形成部材７０の下面７０Ａにおいて、液体供給機構１０の液体供給口１３Ａ、１３Ｂより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して外側に設けられており、Ｘ軸方向（走査方向）に関し、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体回収口２３Ａは、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、液体回収口２３Ｂは他方側（＋Ｘ側）に設けられている。液体回収口２３Ａ、２３Ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に延びる平面視略コ字状（円弧状）のスリット状に形成されている。液体回収口２３Ａ、２３Ｂは、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、第１、第２光学部材８３、８４が配置されている以外の領域に亘って形成されている。そして、液体回収口２３Ａ、２３Ｂは、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１、及び液体供給口１３Ａ、１３Ｂを囲むように設けられている。
【００６３】
なお、液体供給口１３は投影領域ＡＲ１の両側のそれぞれに１つずつ設けられている構成であるが、複数に分割されていてもよく、その数は任意である。同様に、液体回収口２３も複数に分割されていてもよい。
【００６４】
また、投影領域ＡＲ１の両側に設けられた液体供給口１３のそれぞれは互いにほぼ同じ大きさ（長さ）に形成されているが、互いに異なる大きさであってもよい。同様に、投影領域ＡＲ１の両側に設けられた液体回収口２３のそれぞれが互いに異なる大きさであってもよい。
【００６５】
また、供給口１３のスリット幅と回収口２３のスリット幅とは同じであってもよいし、回収口２３のスリット幅を、供給口１３のスリット幅より大きくしてもよいし、逆に回収口２３のスリット幅を、供給口１３のスリット幅より小さくしてもよい。
【００６６】
また、流路形成部材７０の下面７０ＡにはＹ軸方向を長手方向とする凹部７８が形成されている。そして、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、凹部７８の長手方向ほぼ中央部に、投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２が露出している。
【００６７】
流路形成部材７０の下面７０Ａにおいて、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して非走査方向（Ｙ軸方向）両側のそれぞれには、第２液体回収口である圧力調整用液体回収口（圧力調整用回収口）９８Ａ、９８Ｂが設けられている。圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂは、流路形成部材７０の内部に形成されている回収流路９６Ａ、９６Ｂの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂのそれぞれは、回収流路９６Ａ、９６Ｂ、及び回収管９５Ａ、９５Ｂを介して圧力調整用液体回収部９２に接続されている。圧力調整用液体回収部９２が駆動されることにより、圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して液体ＬＱを回収することができる。
【００６８】
圧力調整用回収口９８Ａは、流路形成部材７０の下面７０Ａに形成された凹部７８のうち、投影領域ＡＲ１に対して非走査方向一方側（−Ｙ側）に設けられ、圧力調整用回収口９８Ｂは、他方側（＋Ｙ側）に設けられている。そして、圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂは、液体供給機構１０の液体供給口１３Ａ、１３Ｂよりも投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１の近くに配置されている。
【００６９】
また、圧力調整用液体回収部９２は真空系を有しており、投影光学系ＰＬの像面側の光学素子２の近傍に配置されている圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して、投影光学系ＰＬの像面側の気体を排出する（負圧化する）ことができる。
【００７０】
流路形成部材７０の下面７０Ａにおいて、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して非走査方向（Ｙ軸方向）両側のそれぞれには、第２液体供給口である圧力調整用液体供給口（圧力調整用供給口）９７Ａ、９７Ｂが設けられている。圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂは、流路形成部材７０の内部に形成されている供給流路９４Ａ、９４Ｂの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂのそれぞれは、供給流路９４Ａ、９４Ｂ、及び供給管９３Ａ、９３Ｂを介して圧力調整用液体供給部９１に接続されている。圧力調整用液体供給部９１が駆動されることにより、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂを介して液体ＬＱを供給することができる。
【００７１】
圧力調整用供給口９７Ａは、流路形成部材７０の下面７０Ａに形成された凹部７８のうち、投影領域ＡＲ１に対して非走査方向一方側（−Ｙ側）に設けられ、圧力調整用供給口９７Ｂは、他方側（＋Ｙ側）に設けられている。そして、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂは液体供給機構１０の液体供給口１３Ａ、１３Ｂよりも投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１の近くに配置されている。
【００７２】
そして、液体供給口１３Ａ、１３Ｂは、投影領域ＡＲ１、圧力調整用供給口９７（９７Ａ、９７Ｂ）、及び圧力調整用回収口９８（９８Ａ、９８Ｂ）を囲むように設けられている。
【００７３】
なお、本実施形態においては、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂは、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂの外側に設けられているが、内側に設けられてもよいし、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂと圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂとが近接して設けられていてもよい。あるいは、例えば圧力調整用供給口９７Ａ、９７ＢをＸ軸方向（又はＹ軸方向）に関して投影領域ＡＲ１の両側のそれぞれに設け、圧力調整用回収口９８Ａ、９８ＢをＹ軸方向（又はＸ軸方向）に関して投影領域ＡＲ１の両側のそれぞれに設けてもよい。この場合、投影領域ＡＲ１に対する圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂの距離と、投影領域ＡＲ１に対する圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂの距離とは、異なっていてもよいし、ほぼ等しくてもよい。
【００７４】
図４は図２のＡ−Ａ断面矢視図、図５は図２のＢ−Ｂ断面矢視図である。図４に示すように、供給流路１４Ａ、１４Ｂのそれぞれは、その一端部を供給管１２Ａ、１２Ｂに接続しており、他端部を液体供給口１３Ａ、１３Ｂに接続している。また、供給流路１４Ａ、１４Ｂのそれぞれは、水平流路部１４ｈと鉛直流路部１４ｓとを有している。液体供給部１１より供給管１２Ａ、１２Ｂを介して供給された液体ＬＱは、供給流路１４Ａ、１４Ｂに流入し、水平流路部１４ｈをほぼ水平方向（ＸＹ平面方向）に流れた後、ほぼ直角に曲げられて鉛直流路部１４ｓを鉛直方向（−Ｚ方向）に流れ、液体供給口１３Ａ、１３Ｂより基板Ｐの上方より基板Ｐ上に供給される。
【００７５】
回収流路２４Ａ、２４Ｂのそれぞれは、その一端部を回収管２２Ａ、２２Ｂに接続しており、他端部を液体回収口２３Ａ、２３Ｂに接続している。また、回収流路２４Ａ、２４Ｂのそれぞれは、水平流路部２４ｈと鉛直流路部２４ｓとを有している。真空系を有する液体回収部２１の駆動により、基板Ｐ上の液体ＬＱは、その基板Ｐの上方に設けられている液体回収口２３Ａ、２３Ｂを介して回収流路２４Ａ、２４ｂに鉛直上向き（＋Ｚ方向）に流入し、鉛直流路部２４ｓを流れる。このとき、液体回収口２３Ａ、２３Ｂからは、基板Ｐ上の液体ＬＱとともにその周囲の気体（空気）も流入（回収）される。回収流路２４Ａ、２４Ｂに＋Ｚ方向に流入した液体ＬＱは、ほぼ水平方向に流れの向きを変えられた後、水平流路部２４ｈをほぼ水平方向に流れる。その後、回収管２２Ａ、２２Ｂを介して液体回収部２１に吸引回収される。
【００７６】
投影光学系ＰＬの光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７０との間には隙間Ｇが設けられている。隙間Ｇは、投影光学系ＰＬの光学素子２と流路形成部材７０とを振動的に分離するために設けられたものである。また、流路形成部材７０を含む液体供給機構１０及び液体回収機構２０と、投影光学系ＰＬとはそれぞれ別の支持機構で支持されており、振動的に分離されている。これにより、流路形成部材７０を含む液体供給機構１０及び液体回収機構２０で発生した振動が、投影光学系ＰＬ側に伝達することを防止している。
【００７７】
また、隙間Ｇを形成する流路形成部材７０の内側面７０Ｔ、及び光学素子２の側面２Ｔのそれぞれは撥液性となっている。具体的には、内側面７０Ｔ及び側面２Ｔのそれぞれは、撥液処理を施されることによって撥液性を有している。撥液処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。一方、上述したように、投影光学系ＰＬの光学素子２の液体接触面２Ａ、及び第１、第２光学部材８３、８４の下面を含む流路形成部材７０の下面（液体接触面）７０Ａは親液性（親水性）を有している。
【００７８】
流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、投影領域ＡＲ１に対して液体供給口１３Ａ、１３Ｂの外側には溝部１３０が形成されている。液体回収口２３Ａ、２３Ｂは、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち溝部１３０の内部に形成されている。溝部１３０は、流路形成部材７０の下面７０Ａにおいて液体回収口２３に沿うように形成されているとともに、第１、第２光学部材８３、８４の下面においても連続して形成されており、投影領域ＡＲ１を囲むように環状に形成されている。また、投影領域ＡＲ１に対して溝部１３０の外側には環状の壁部１３１が形成されている。壁部１３１は基板Ｐ側に突出する凸部である。壁部１３１は、溝部１３０を含む壁部１３１の内側の領域の少なくとも一部に液体ＬＱを保持可能である。
【００７９】
流路形成部材７０の内側面７０Ｔには流路形成部材７０の内側面７０Ｔと光学素子２の側面２Ｔとの間の隙間Ｇの圧力を検出するための圧力センサ１２０が設けられている。圧力センサ１２０は、隙間ＧにおいてＸ軸方向（走査方向）に関し投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。圧力センサ１２０の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。
【００８０】
投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱが光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７０との間の隙間Ｇに浸入する場合がある。その場合、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力に応じて、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置が変化する。また、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置とその隙間Ｇの圧力とは対応関係にある。例えば液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が上昇すると隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置も高くなり、隙間Ｇの圧力も高くなる。一方、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が下降すると隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置は低くなり、隙間Ｇの圧力も低くなる。そして、隙間Ｇの圧力と隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置との関係が制御装置ＣＯＮＴに予め記憶されている。なお、この関係は実験あるいはシミュレーションなどによって予め求めることができる。そこで、隙間Ｇの圧力を圧力センサ１２０で検出することで、制御装置ＣＯＮＴは、圧力センサ１２０の検出結果と前記関係とに基づいて、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置を求めることができる。また、基板Ｐ上の液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力に応じて隙間Ｇの圧力も変化するため、制御装置ＣＯＮＴは、圧力センサ１２０による隙間Ｇの圧力検出結果に基づいて、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を求めることができる。
【００８１】
なお圧力センサ１２０の設置位置としては、隙間Ｇの圧力を検出可能な位置であればよく、流路形成部材７０の内側面７０Ｔに限られず、例えば光学素子２の側面２Ｔであってもよい。また、圧力センサ１２０の代わりに、液体検知センサ（水検知センサ）や、液体の高さを検知する液位センサ（水位センサ）を用いてもよい。
【００８２】
水平流路部１４ｈは、供給管１２Ａ、１２Ｂに対する接続部から鉛直流路部１４ｓに向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。水平流路部１４ｈをテーパ状に形成することで、液体供給部１１から供給管１２Ａ、１２Ｂを介して供給された液体ＬＱは水平流路部１４ｈにおいてＹ軸方向に十分に拡がった後、垂直流路部１４ｓを介して基板Ｐ上に供給されるため、基板Ｐ上の広い領域に同時に液体ＬＱを供給することができる。
【００８３】
水平流路部２４ｈは、鉛直流路部２４ｓから回収管２２Ａ、２２Ｂに対する接続部に向かって水平方向に漸次窄まるように形成されている。水平流路部２４ｈをテーパ状に形成することで、Ｙ軸方向を長手方向とする液体回収口２３Ａ、２３Ｂでの液体回収力分布が均一化され、基板Ｐ上の広い領域の液体ＬＱを液体回収口２３Ａ、２３Ｂを介して同時に回収することができる。
【００８４】
図５に示すように、流路形成部材７０の下面７０Ａには凹部７８が形成されており、凹部７８における下面７０Ａは、投影光学系ＰＬの光学素子２の液体接触面２Ａ、及び第１、第２光学部材８３、８４の下面より高く（基板Ｐに対して遠く）なっている。つまり、流路形成部材７０の凹部７８における下面と第１、第２光学部材８３、８４との間に段差部が形成されているとともに、流路形成部材７０の凹部７８における下面と光学素子２の液体接触面２Ａとの間にも段差部が形成されている。流路形成部材７０の下面７０Ａに凹部７８を設けない構成の場合、すなわち流路形成部材７０の下面７０Ａと光学素子２の下面（液体接触面）２Ａと第１、第２光学部材８３、８４の下面とが面一の場合、フォーカス・レベリング検出系８０の検出光Ｌａを所定の入射角θで基板Ｐの所望領域（この場合、投影領域ＡＲ１）に照射しようとすると、検出光Ｌａの光路上に例えば流路形成部材７０が配置されて検出光Ｌａの照射が妨げられたり、あるいは検出光Ｌａの光路を確保するために入射角θや投影光学系ＰＬの光学素子２の下面（液体接触面）２Ａと基板Ｐ表面との距離（ワーキングディスタンス）を変更しなければならないなどの不都合が生じる。しかしながら、流路形成部材７０の下面７０Ａのうち、フォーカス・レベリング検出系８０を構成する第１、第２光学部材８３、８４に連続するように凹部７８を設けたことにより、投影光学系ＰＬの光学素子２の下面（液体接触面）２Ａと基板Ｐ表面との距離を所望の値に保ちつつ、フォーカス・レベリング検出系８０の検出光Ｌａの光路を確保して基板Ｐ上の所望領域に検出光Ｌａを照射することができる。
【００８５】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する方法について図６に示す模式図を参照しながら説明する。
マスクＭがマスクステージＭＳＴにロードされるとともに、基板Ｐが基板ステージＰＳＴにロードされた後、基板Ｐの走査露光処理を行うに際し、制御装置ＣＯＮＴは液体供給機構１０を駆動し、基板Ｐ上に対する液体供給動作を開始する。液浸領域ＡＲ２を形成するために液体供給機構１０の液体供給部１１から供給された液体ＬＱは、供給管１２Ａ、１２Ｂを流通した後、供給流路１４Ａ、１４Ｂを介して液体供給口１３Ａ、１３Ｂより基板Ｐ上に供給される。
【００８６】
制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０を使って基板Ｐ上に対する液体ＬＱの供給を開始するときに、圧力調整機構９０のうち、真空系を有する圧力調整用液体回収部９２を駆動する。真空系を有する圧力調整用液体回収部９２が駆動されることにより、投影光学系ＰＬの像面側の光学素子２近傍に設けられている圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して、投影光学系ＰＬの像面側近傍の空間の気体が排出され、その空間が負圧化される。このように、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整機構９０の圧力調整用液体回収部９２を駆動し、液体供給機構１０の液体供給口１３Ａ、１３Ｂよりも投影光学系ＰＬによる投影領域ＡＲ１の近くに配置された圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して、投影光学系ＰＬの像面側の気体の排出を行いながら、液浸領域ＡＲ２を形成するための液体供給機構１０による液体供給を開始する。
【００８７】
投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１の近くに配置された圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して投影光学系ＰＬの像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構１０による液体ＬＱの供給を行うことにより、その圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂ近傍が負圧化されるので、供給された液体ＬＱはその負圧化された負圧化領域（空間）に円滑に配置される。圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂは液体供給口１３Ａ、１３Ｂより投影領域ＡＲ１の近くに設けられているので、投影領域ＡＲ１を液体ＬＱで良好に覆うことができる。
【００８８】
特に、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの像面側には流路形成部材７０の凹部７８が形成されているため、液浸領域ＡＲ２を形成するために液体ＬＱを供給した際、供給した液体ＬＱが凹部７８に入り込まず、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱ中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板Ｐ上にパターン像を形成するための露光光ＥＬが基板Ｐ上に到達しない、あるいは基板Ｐ上にパターン像を形成するための露光光ＥＬが基板Ｐ上の所望の位置に到達しない、あるいは例えばフォーカス・レベリング検出系８０の検出光Ｌａが基板Ｐ上や受光部８２に到達しない、あるいは検出光Ｌａが基板Ｐ上の所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。ところが、投影光学系ＰＬの像面側の気体を排出しながら液体供給機構１０による液体供給を開始することで、前記凹部７８に液体ＬＱを円滑に配置することができる。したがって、投影光学系ＰＬの像面側に形成される液浸領域ＡＲ２に気体部分が生成される不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。特に本実施形態では、排気手段の排気口を構成する圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを凹部７８の内側に設けたので、液体ＬＱをより円滑に凹部７８に配置することができる。
【００８９】
そして、基板Ｐ上に供給された液体ＬＱによって、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に液浸領域ＡＲ２が形成される。ここで、供給管１２Ａ、１２Ｂを流通した液体ＬＱはスリット状に形成された供給流路１４Ａ、１４Ｂ及び液体供給口１３Ａ、１３Ｂの幅方向に拡がり、基板Ｐ上の広い範囲に供給される。液体供給口１３Ａ、１３Ｂから基板Ｐ上に供給された液体ＬＱは、投影光学系ＰＬの先端部（光学素子２）の下端面と基板Ｐとの間に濡れ拡がるように供給され、投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の一部に、基板Ｐよりも小さく且つ投影領域ＡＲ１よりも大きい液浸領域ＡＲ２を局所的に形成する。このとき、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０のうち投影領域ＡＲ１のＸ軸方向（走査方向）両側に配置された液体供給口１３Ａ、１３Ｂのそれぞれより、投影領域ＡＲ１の両側から基板Ｐ上への液体ＬＱの供給を同時に行う。
【００９０】
また、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０の駆動と並行して、液体回収機構２０の液体回収部２１を駆動し、基板Ｐ上の液体ＬＱの回収を行う。そして、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０及び液体回収機構２０の駆動を制御して、液浸領域ＡＲ２を形成する。
【００９１】
液浸領域ＡＲ２が形成された後、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整機構９０の圧力調整用液体回収部９２による投影光学系ＰＬの像面側の気体排出動作を停止する。
【００９２】
制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０による基板Ｐ上に対する液体ＬＱの供給と並行して、液体回収機構２０による基板Ｐ上の液体ＬＱの回収を行いつつ、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴをＸ軸方向（走査方向）に移動しながら、マスクＭのパターン像を投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上に投影露光する。このとき、液体供給機構１０は走査方向に関して投影領域ＡＲ１の両側から液体供給口１３Ａ、１３Ｂを介して液体ＬＱの供給を同時に行っているので、液浸領域ＡＲ２は均一且つ良好に形成されている。
【００９３】
本実施形態において、投影領域ＡＲ１の走査方向両側から基板Ｐに対して液体ＬＱを供給する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０の流量制御器１６Ａ、１６Ｂを使って単位時間あたりの液体供給量を調整し、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光中に、走査方向に関して投影領域ＡＲ１の一方側から供給する液体量（単位時間あたりの液体供給量）を、他方側から供給する液体量と異ならせる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、走査方向に関して投影領域ＡＲ１の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。
【００９４】
例えば、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置ＣＯＮＴは、投影領域ＡＲ１に対して−Ｘ側（すなわち液体供給口１３Ａ）からの液体量を、＋Ｘ側（すなわち液体供給口１３Ｂ）からの液体量より多くし、一方、基板Ｐを−Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ側からの液体量を、−Ｘ側からの液体量より多くする。このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの移動方向に応じて、液体供給口１３Ａ、１３Ｂからのそれぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。
【００９５】
基板Ｐを液浸露光中、隙間Ｇの圧力、ひいては液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力は圧力センサ１２０により常時モニタされている。圧力センサ１２０の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの液浸露光中に、圧力センサ１２０の検出結果に基づいて、基板Ｐ上に形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を圧力調整機構９０を使って調整する。
【００９６】
制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整機構９０の圧力調整用液体供給部９１及び圧力調整用液体回収部９２を介して基板Ｐ上に対する液体ＬＱの追加、又は基板Ｐ上の液体ＬＱの一部回収を行うことによって、光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７０との間の隙間Ｇに浸入した液体ＬＱが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する。
【００９７】
上述したように、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置に応じて隙間Ｇの圧力が変化するため、例えば圧力センサ１２０の検出結果に基づいて、隙間Ｇの圧力が予め設定されている所定値（上限値）以上であると判断したとき、制御装置ＣＯＮＴは、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置が予め設定された所定値（上限値）以上であると判断する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さが前記上限値以下となるように、つまり隙間Ｇの圧力が上限値以下となるように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する。具体的には、図６（ａ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは圧力調整用液体回収部９２を駆動し、圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを介して、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの一部を回収する。液体ＬＱの一部が回収されることにより、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が下降し、これにより、隙間Ｇにおける液体ＬＱの液面の高さ位置を低くすることができる。上述したように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力に応じて隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置が変化するため、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整することで隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置を調整することができる。
【００９８】
液体ＬＱが隙間Ｇに浸入した場合、その隙間Ｇに浸入した液体ＬＱによって光学素子２の側面２Ｔに力が加わり、光学素子２が変形する（歪む）等の不都合が生じる可能性がある。ところが、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さを予め設定された上限値以下とすることにより、光学素子２の側面２Ｔが液体ＬＱから受ける力を低減することができ、上記不都合の発生を防止することができる。
【００９９】
また、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が高い場合（陽圧化している場合）、その陽圧化した液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに押されて、基板Ｐや基板ステージＰＳＴあるいは光学素子２が変形する可能性があるが、液体ＬＱの液面の高さを上限値以下にして液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力も上限値以下にすることで、液体ＬＱが基板Ｐや基板ステージＰＳＴあるいは光学素子２に及ぼす力を低減することができる。したがって、基板Ｐや基板ステージＰＳＴが変形する等の不都合の発生を防止することができる。
【０１００】
一方、圧力センサ１２０の検出結果に基づいて、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が予め設定されている所定値（下限値）以下であると判断したとき、制御装置ＣＯＮＴは、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置が予め設定された所定値（下限値）以下であると判断する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さが前記下限値以上となるように、つまり隙間Ｇの圧力が下限値以上になるように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは圧力調整用液体供給部９１を駆動し、圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂを介して、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに更に液体ＬＱを追加する。液体ＬＱが追加されることにより、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が上昇し、これにより、隙間Ｇにおける液体ＬＱの液面の高さ位置を高くすることができる。
【０１０１】
また、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力が低い場合（負圧化している場合）、その負圧化した液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに引っ張られて、基板Ｐや基板ステージＰＳＴあるいは光学素子２が変形する可能性があるが、液体ＬＱの液面の高さを下限値以上にして液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力も下限値以上にすることで、液体ＬＱが基板Ｐや基板ステージＰＳＴあるいは光学素子２に及ぼす力を低減することができる。したがって、基板Ｐや基板ステージＰＳＴが変形する等の不都合の発生を防止することができる。
【０１０２】
なお、上記上限値及び下限値は所望の露光精度で基板Ｐを露光できる値であって、例えば実験やシミュレーションによって予め求めておくことができる。
【０１０３】
また、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置が上記上限値と下限値との間になるように液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力調整を行うことにより、液体ＬＱの圧力変動を低減することができる。したがって、光学素子２や基板Ｐあるいは基板ステージＰＳＴなど液体ＬＱに接触する各部材に、前記圧力変動に起因する振動が生じる不都合を防止することができる。特に、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置を上記上限値と下限値との間にすることで、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さ位置の大きな変動を抑えることができるので、光学素子２の側面２Ｔに接する液体ＬＱの圧力変動を抑えることができ、光学素子２が振動する不都合を効果的に防止できる。
【０１０４】
なお、圧力調整機構９０を使って液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する場合には、複数（２つ）の圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂそれぞれから供給する単位時間当たりの液体供給量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。同様に、複数（２つ）の圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂのそれぞれから回収する単位時間当たりの液体回収量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。
【０１０５】
以上説明したように、基板Ｐ上に形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整することで、例えば基板Ｐや基板ステージＰＳＴ、あるいは投影光学系ＰＬのうち液体ＬＱに接する光学素子２の変形（歪み）等の発生を防止することができる。また、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板Ｐや基板ステージＰＳＴ、あるいは光学素子２に振動が発生することを防止することができる。特に、光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７との間の隙間Ｇに浸入した液体ＬＱが所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整することで、光学素子２の側面２Ｔから液体ＬＱから受ける力を低減でき、光学素子２の歪み変形や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。
【０１０６】
特に、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの像面側の液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱに接する流路形成部材７０に凹部７８が設けられており、その凹部７８においては液体ＬＱの圧力変動が生じやすい。また、基板Ｐを走査移動することによって液体ＬＱが移動するため、圧力変動は顕著となる。そこで、その凹部７８の内側に、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力調整をするために液体ＬＱを追加する圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂを設けるとともに、液体ＬＱの一部を回収する圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂを設けたので、上記凹部７８で生じる圧力変動を効果的に低減することができ、また圧力調整を良好に行うことができる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、一旦、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域ＡＲ２の液体の圧力を圧力調整機構９０によって調整している。具体的には、圧力調整機構９０は、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱが所定の高さ以上になった場合に、隙間Ｇに存在する液体ＬＱの高さを低く、あるいは隙間Ｇに液体ＬＱが浸入しないように、液浸領域ＡＲ２の液体の圧力を調整する。この調整の際に、光学素子２の側面２Ｔに液体ＬＱが残留（付着）することがある。この残留する液体ＬＱが徐々に気化する可能性がある。液体ＬＱの気化に伴い、残留した液体ＬＱが光学素子２から熱を奪うために、光学素子２の温度分布を変化させ、光が宇素子２の光学性能、ひいては投影光学系ＰＬの結像性能を変化させるおそれがある。そこで、本実施形態において、流路形成部材７０の内側面７０Ｔと、光学素子２の側面２Ｔとの間の隙間Ｇの上方に、Ｏリング等のシール部材を設けて隙間Ｇの気密性を高めればよい。このようにシール部材を設けることによって、隙間Ｇの湿度が、常に液浸領域ＡＲ２の湿度に近い状態に保つことができ、光学素子２の側面２Ｔに残留する液体ＬＱの気化を抑制することができる。したがって、光学素子２の光学性能、又は投影光学系ＰＬの結像性能への影響を小さくすることができる。
【０１０８】
なお、上述した実施形態においては、光学素子２が鏡筒ＰＫより露出しており、流路形成部材７０の内側面７０Ｔに光学素子２の側面２Ｔが対向している形態であるが、光学素子２の側面２Ｔを鏡筒ＰＫの一部（先端部）、あるいは鏡筒ＰＫとは別の保持部材（レンズセル）で保持するようにしてもよい。この場合、前記鏡筒ＰＫの側面あるいはレンズセルの側面が流路形成部材７０の内側面７０Ｔと対向することになる。制御装置ＣＯＮＴは、光学素子２を保持するレンズセル（あるいは鏡筒）の側面と流路形成部材７０との間の隙間に浸入した液体ＬＱの液面が所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整する。
【０１０９】
なお、上述した実施形態においては、液体ＬＱを供給する液体供給口１３Ａ、１３Ｂと、液体ＬＱを回収する液体回収口２３Ａ、２３Ｂとは、１つの流路形成部材７０の下面７０Ａに形成されているが、液体供給口１３Ａ、１３Ｂを有する流路形成部材（供給部材）と、液体回収口２３Ａ、２３Ｂを有する流路形成部材（回収部材）とが別々に設けられていてもよい。
【０１１０】
なお、上述した実施形態においては、液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を基板Ｐ上に形成する場合について説明したが、上述したような、基板ステージＰＳＴ上に設けられた基準部材の上面に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成する場合もある。そして、その上面上の液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して各種計測処理を行う場合がある。その場合、圧力調整機構９０は、基準部材上に形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱが隙間Ｇに所定高さ以上に浸入しないように、液体ＬＱの圧力調整を行うことができる。このとき、圧力調整機構９０は、基準部材の上面と液体ＬＱとの親和性を考慮して、液体ＬＱの圧力調整を行うことができる。同様に、圧力調整機構９０は、照度ムラセンサの上板の上面や、空間像計測センサの上板の上面等に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２が形成されたときにも、液体ＬＱが隙間Ｇに所定高さ以上に浸入しないように、液体ＬＱの圧力調整を行うことができる。更には、Ｚチルトステージ５２（基板ステージＰＳＴ）上面に液浸領域ＡＲ２を形成する構成も考えられ、その場合、圧力調整機構９０は、液体ＬＱが隙間Ｇに所定の高さ以上に浸入しないように圧力調整を行うことができる。
【０１１１】
なお、上述した実施形態においては、圧力調整機構９０は、基板Ｐ上に形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力調整動作を基板Ｐの液浸露光中に行っているが、基板Ｐを液浸露光する前や後に行ってもよい。
【０１１２】
なお上述した実施形態においては、圧力調整用供給口９７と圧力調整用回収口９８とは互いに独立した口であるが、液体供給部９１及び液体回収部９２が１つの口を兼用し、その１つの口を介して液体供給及び回収を行ってもよい。
【０１１３】
上述した実施形態において、複数（２つ）並べて設けられた圧力調整用供給口９７Ａ、９７Ｂのそれぞれからの単位時間あたりの液体供給量を例えば基板Ｐの移動方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、複数並んだ圧力調整用回収口９８Ａ、９８Ｂのそれぞれを介した単位時間あたりの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。
【０１１４】
なお、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口９７及び圧力調整用供給口９８は、非走査方向（Ｙ軸方向）に２つずつ並べて設けられているが、走査方向（Ｘ軸方向）に関して複数並べで設けてもよい。Ｘ軸方向に関して複数並べて設ける場合、投影領域ＡＲ１を挟んでその両側にそれぞれ設けることができる。この場合においても、液体ＬＱ圧力調整を行うときに、Ｘ軸方向に複数並んだ圧力調整用供給口９７のそれぞれからの液体供給量を、液体ＬＱが基板Ｐに及ぼす力を低減するように、例えば基板Ｐの走査方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、Ｘ軸方向に複数並んだ圧力調整用回収口９８それぞれからの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。
【０１１５】
また、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口９７及び圧力調整用回収口９８はそれぞれ２つずつ設けられているが、１つずつでもよいし、２つ以上の任意の複数箇所に設けられてもよい。また、圧力調整用供給口９７及び圧力調整用回収口９８の形状は円形状に限られず、例えば矩形状や多角形状、円弧状、所定方向を長手方向とするスリット状であってもよい。
【０１１６】
なお、上述した実施形態において、液体供給口１３及び液体回収口２３や、それらに接続される供給流路１４及び回収流路２４などに、スポンジ状部材や多孔質セラミックスなどからなる多孔質体を配置してもよい。
【０１１７】
なお、上述した実施形態においては、露光装置ＥＸは、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を、圧力調整用供給口９７及び圧力調整用回収口９８を有する圧力調整機構９０によって調整するが、図７に示すように、圧力調整機構９０を省いた構成であっても、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力調整を行うことができる。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
【０１１８】
図７において、基板ＰはＸ軸方向に移動しながら露光光ＥＬを照射されて露光されている。そして、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力調整は、液浸領域ＡＲ２を形成するための液体供給口１３Ａ、１３Ｂからの単位時間当たりの液体供給量、あるいは液体回収口２３Ａ、２３Ｂからの単位時間当たりの液体回収量を調整することによって行われている。このように、液体供給口１３Ａ、１３Ｂからの液体供給量又は液体回収口２３Ａ、２３Ｂによる液体回収量を調整することで、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱの圧力を調整して、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さを調整することもできる。
【０１１９】
また、光学素子２の側面２Ｔと流路形成部材７０との間の隙間Ｇにおける液体ＬＱの液面の高さに分布が生じる可能性がある。例えば基板ＰがＸ軸方向に移動することにより、投影領域ＡＲ１に対して−Ｘ側の隙間Ｇ１及び＋Ｘ側の隙間Ｇ２のうち、図７に示すように、例えば−Ｘ側の隙間Ｇ１に多くの液体ＬＱが浸入してその液体ＬＱの液面の高さが＋Ｘ側に比べて高くなる場合がある。その場合、制御装置ＣＯＮＴは、−Ｘ側の隙間Ｇ１に浸入した液体ＬＱの液面の高さを上限値より低くするために、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を囲むように設けられた液体供給口１３Ａ、１３Ｂ、及び液体回収口２３Ａ、２３Ｂのうち、例えば−Ｘ側の隙間Ｇ１に近い位置に設けられている液体供給口１３Ａからの液体供給量を液体供給口１３Ｂからの液体供給量に比べて少なくしたり、液体回収口２３Ａからの液体回収量を液体回収口２３Ｂからの液体回収量に比べて多くする等の調整を行う。このように、隙間Ｇにおける液体ＬＱの液面の高さ位置の分布に応じて、複数の液体供給口１３Ａ、１３Ｂそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口２３Ａ、２３Ｂからの液体回収量を調整することで、隙間Ｇに浸入した液体ＬＱの液面の高さをほぼ均一にすることができる。
【０１２０】
この場合においても、圧力センサ１２０は−Ｘ側の隙間Ｇ１及び＋Ｘ側の隙間Ｇ２のそれぞれに設けられている構成であるため、これら複数の圧力センサ１２０それぞれの出力に基づいて、複数の液体供給口１３Ａ、１３Ｂそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口２３Ａ、２３Ｂそれぞれからの液体回収量を調整することができる。
【０１２１】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
【０１２２】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【０１２３】
なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数ＮＡが０．９〜１．３になることもある。このように投影光学系の開口数ＮＡが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク（レチクル）のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク（レチクル）のパターンからは、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が空気（気体）で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数ＮＡが１．０を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平６−１８８１６９号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイボール照明法）等を適宜組み合わせると更に効果的である。
【０１２４】
また、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系ＰＬを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン（例えば２５〜５０ｎｍ程度のライン・アンド・スペース）を基板Ｐ上に露光するような場合、マスクＭの構造（例えばパターンの微細度やクロムの厚み）によっては、Wave guide効果によりマスクＭが偏光板として作用し、コントラストを低下させるＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光が多くマスクＭから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクＭを照明しても、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクＭ上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような場合、Wire Grid効果によりＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）がＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）よりも大きくなる可能性もあるが、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系ＰＬを使って、２５ｎｍより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような場合には、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光がＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりも多くマスクＭから射出されるので、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。
【０１２５】
更に、マスク（レチクル）のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（Ｓ偏光照明）だけでなく、特開平６−５３１２０号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク（レチクル）のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平６−５３１２０号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数ＮＡが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。
【０１２６】
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子２が取り付けられており、このレンズにより投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
【０１２７】
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
【０１２８】
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
【０１２９】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体ＬＱの極性に応じて行われる。
【０１３０】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１３１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。この場合、例えば、倍率１／８の屈折系の投影光学系を備えた投影露光装置（液浸型）とし、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１３２】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１３３】
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置にも適用可能である。
【０１３４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１３５】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【０１３６】
各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。
【０１３７】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【０１３８】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１３９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】流路形成部材を示す斜視図である。
【図３】流路形成部材を下面側から見た斜視図である。
【図４】図２のＡ−Ａ断面矢視図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ断面矢視図である。
【図６】本発明の露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図７】本発明の露光装置の別の実施形態を示す断面図である。
【図８】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１４１】
２…光学素子（光学部材）、２Ｔ…側面、１０…液体供給機構、
１３（１３Ａ、１３Ｂ）…液体供給口、２０…液体回収機構、
２３（２３Ａ、２３Ｂ）…液体回収口、７０…流路形成部材（環状部材）、
９０…圧力調整機構、９７Ａ、９７Ｂ…圧力調整用供給口（第２液体供給口）、
９８Ａ、９８Ｂ…圧力調整用回収口（第２液体回収口）、
１２０…圧力センサ（圧力検出器）、ＡＲ１…投影領域、ＡＲ２…液浸領域、
ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板、ＰＫ…鏡筒（保持部材）、
ＰＬ…投影光学系、ＬＱ…液体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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