(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に外部端子としてはんだバンプを有する１つまたは複数の半導体デバイスを、配線が形成された可撓性を有する配線基板で、該はんだバンプを該半導体デバイスと該可撓性配線基板の間に挟んで包み込むように構成され、かつ該半導体デバイスの該外部端子形成面側及び外部端子形成面側とは表裏反対面側の双方に外部電極を備えた実装構造体において、
該可撓性配線基板には少なくとも一層の配線層が形成されており、
該半導体デバイスの該外部端子形成面と該可撓性配線基板との間に、該はんだバンプのコプラナリティを０．０８ｍｍ以下に確保する支持体を接着固定して配置した構造であることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
前記半導体デバイスの外部端子形成面とは表裏反対面の少なくとも一部が、前記可撓性配線基板と接着固定されていることを特徴とする、請求項１に記載の実装構造体。
【請求項３】
前記半導体デバイスの側面の少なくとも一部が、前記可撓性配線基板と接着固定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の実装構造体。
【請求項４】
前記支持体の外形寸法が、前記半導体デバイスの外形寸法と同じか、それ以下の寸法であり、かつ該支持体には該半導体デバイスの外部端子と接触しないように、少なくとも該外部端子の位置に貫通穴が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項５】
前記半導体デバイスの前記外部端子形成面の周辺外端部の全部又は一部に前記支持体を配置したことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項６】
前記支持体の厚さは、前記半導体デバイスの前記外部端子形成面から、該支持体がない場合に該半導体デバイスと前記可撓性配線基板とをリフロー法により溶融接合した場合の、前記はんだバンプの高さ、又は該可撓性配線基板上に該半導体デバイスとの接着用の接着層が配置されている場合は該高さから該接着層の厚さを引いた長さと同じか、わずかに大きい厚さとすることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項７】
前記支持体は、該支持体の外周端から直角方向に、前記半導体デバイスの側面と前記可撓性配線基板との間を立ち上がる、立ち上がり部を外周端の少なくとも一部に設けたことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項８】
前記半導体デバイスの側面の少なくとも一部と該半導体デバイスの下面の少なくとも一部との両方が、前記支持体と接触して固定されていることを特徴とする、請求項７に記載の実装構造体。
【請求項９】
前記半導体デバイスの側面の少なくとも一部と該半導体デバイスの下面の少なくとも一部との両方が、前記支持体と接着材料を介して接着固定されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の実装構造体。
【請求項１０】
前記支持体の前記立ち上がり部の少なくとも一部が、前記可撓性配線基板と接着固定されていることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１１】
前記支持体は、前記可撓性配線基板の熱膨張係数と同等、あるいはそれ以下の熱膨張係数を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１２】
前記支持体は、前記可撓性配線基板及び前記半導体デバイスの少なくとも一方と、接着剤で接着固定されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１３】
前記接着剤が導電性接着剤であることを特徴とする、請求項１２に記載の実装構造体。
【請求項１４】
前記支持体が、導電性を有した材料で構成され、且つ前記可撓性配線基板のグランドパターンと該支持体とが、導電性バンプによって、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１５】
前記可撓性配線基板を折り曲げる箇所に相当する、前記支持体の最外周角部は角が落とされてＣ面取りまたは円弧の形状になっていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１６】
前記可撓性配線基板上に少なくとも１層の接着層が形成され、前記半導体デバイスと該可撓性配線基板の少なくとも一部が該接着層によって接着固定されていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一に記載の実装構造体。
【請求項１７】
前記接着層が熱可塑性樹脂又は熱硬化前の熱硬化性樹脂からなることを特徴とする、請求項１６に記載の実装構造体。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一に記載の実装構造体を含んで構成された、積層型半導体デバイス。
【請求項１９】
受動部品も実装されていることを特徴とする、請求項１８に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項２０】
請求項１９又は２０のいずれか又は両方に記載の前記積層型半導体デバイスを含んで構成される電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス実装構造体に関し、特に、複数の半導体デバイス実装構造体を積層して実装される３次元実装型の実装構造体に関する。また、これらの実装構造体を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化に伴う部品の増加や機器の小型、薄型化の進展に伴い、半導体パッケージにも小型化、薄型化が要求されている。ここで、小型化が要求される携帯機器に適した半導体パッケージとして、例えば特許文献１に記載されているようなＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）あるいはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージの底面に接続端子として格子状にはんだボールを配した図７（図７中の符号の説明は図中に記載）に示すようなパッケージが挙げられ、狭占有エリアで、より多くの端子が配置できるという理由から広く使われている。
【０００３】
近年では、更に一つの半導体パッケージの中に、複数の半導体チップを内蔵したチップスタック型の半導体パッケージが開発され、特に携帯機器では必須のパッケージとなっている。
【０００４】
一方、半導体パッケージに複数のチップを内蔵する際、半導体チップが十分な検査が行われた良品の半導体チップでない場合や、高歩留まりを確保できない半導体チップを組み合わせた場合、パッケージ化後の歩留まりが極端に悪化することから、高コストであることが課題となっている。
【０００５】
更に、組み合わせる半導体チップを他社から調達する場合には、半導体チップの状態では、半導体パッケージと同等の品質保証を得ることが困難であることから、高歩留まりが期待できず、更に品質保証のための独自の検査を実施する必要があることから、検査設備の導入、検査プログラムの開発等が必要となり、ますますコストを上昇させる要因となっていた。
【０００６】
そこで、本出願人は図８（図８中の符号の説明は図中に記載）に示すように、半導体チップを個別にパッケージ化し、これらパッケージを個別に検査を行った後で積層するというパッケージスタック型の半導体パッケージを提案した（特許文献２）。
【０００７】
【特許文献１】特許第３３９５１６４号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この場合においても、半導体チップを他社から調達する場合の半導体パッケージと同等の品質保証を得られないという問題は解決しないことから、半導体チップの入手性、低コスト化の問題が残存していた。
【０００９】
そこで、高コスト要因である半導体チップをパッケージの状態で積層可能なパッケージとして構成するのではなく、一般的な半導体デバイスや、品質が保障された市販の半導体パッケージを、「パッケージ積層可能なパッケージ（実装構造体）」として再構成することが考えられる。しかし発明者らの知見によれば、外部端子にはんだバンプを採用した半導体デバイスにおいて、はんだバンプに必要なコプラナリティを確保することが困難であるという問題があった。
【００１０】
なお、この問題を解決するための１つの方法として、出願人は２００７年９月１９日出願の特願２００７−２４２３９６において、可撓性回路基板が最外部のはんだボールよりも外側領域で折り曲げられている半導体デバイスを提案している。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の視点において、下面に外部端子としてはんだバンプを有する１つまたは複数の半導体デバイスを、配線が形成された可撓性を有する配線基板で、該はんだバンプを該半導体デバイスと該可撓性配線基板の間に挟んで包み込むように構成され、かつ半導体デバイスの外部端子形成面側及び外部端子形成面側とは表裏反対面側の双方に外部電極を備えた実装構造体は、該可撓性配線基板には少なくとも一層の配線層が形成されており、該半導体デバイスの該外部端子形成面と該可撓性配線基板との間に、該はんだバンプのコプラナリティを０．０８ｍｍ以下に確保する支持体を接着固定して配置した構造であることを特徴とする。
【００１２】
上記半導体デバイスの外部端子形成面とは表裏反対面の少なくとも一部が、可撓性配線基板と接着固定されていることが好ましい。
【００１３】
また、上記半導体デバイスの側面の少なくとも一部が、可撓性配線基板と接着固定されていることが好ましい。
【００１４】
また、支持体の外形寸法が、半導体デバイスの外形寸法と同じか、それ以下の寸法であり、かつ第１の支持体には半導体デバイスの外部端子と接触しないように、少なくとも外部端子の位置に貫通穴を設けるようにする。
【００１５】
また、半導体デバイスの外部端子形成面の周辺外端部の全部又は一部に支持体を配置することができる。つまり、はんだバンプの高さを一定の範囲に拘束できるように、支持体を分割配置してもよい。ここで外部端子形成面の周辺外端部とは、外部端子形成面のうち、外部端子の最も外側の端子よりもさらに外側の範囲をいう。
【００１６】
また、支持体の厚さは、半導体デバイスの外部端子形成面から、支持体がない場合に該半導体デバイスと可撓性配線基板とをリフロー法により溶融接合した場合の、はんだバンプの高さ、又は可撓性配線基板上に半導体デバイスとの接着用の接着層が配置されている場合はその高さから接着層の厚さを引いた長さと同じか、わずかに大きい厚さとすることが好ましい。こうすることにより、可撓性配線基板がはんだバンプに不必要な圧力を与えることがなく、はんだバンプをリフロー接続した場合にはんだバンプの高さを一定の範囲に揃えることができる。
【００１７】
また、支持体には、支持体の外周端から直角方向に、半導体デバイスの側面と可撓性配線基板との間を立ち上がる、立ち上がり部を外周端の少なくとも一部に設けることが好ましい。支持体の外周端とは、支持体の最も外側の部分である。
【００１８】
また、半導体デバイスの側面の少なくとも一部と半導体デバイスの下面の少なくとも一部との両方が、支持体と接触して固定されていることが好ましい。
【００１９】
また、半導体デバイスの側面の少なくとも一部と半導体デバイスの下面の少なくとも一部との両方が、支持体と接着材料を介して接着固定されていることが好ましい。
【００２０】
また、支持体の立ち上がり部の少なくとも一部が、可撓性配線基板と接着固定されていることが好ましい。
【００２１】
また、支持体が、可撓性配線基板の熱膨張係数と同等、あるいはそれ以下の熱膨張係数を有することが好ましい。
【００２２】
また、支持体が、可撓性配線基板又は半導体デバイスの少なくとも一方と接着剤で接着固定されていることが好ましい。
【００２３】
この接着剤は導電性接着剤とすることができる。
【００２４】
また、支持体が、導電性を有した材料で構成され、且つ可撓性配線基板のグランドパターンと支持体とが、導電性バンプによって、電気的に接続されていることが好ましい。
【００２５】
また、可撓性配線基板を折り曲げる箇所に相当する、支持体の最外周角部は角が落とされてＣ面取りまたは円弧の形状になっていることが好ましい。
【００２６】
また、可撓性配線基板上に少なくとも１層の接着層が形成され、半導体デバイスと可撓性配線基板の少なくとも一部が接着層によって接着固定されていることが好ましい。
【００２７】
接着層は熱可塑性樹脂とすることができる。
【００２８】
接着層は熱硬化前の熱硬化性樹脂とすることができる。
【００２９】
本発明の第２の視点における積層型半導体デバイスは、上記の実装構造体を含んで構成されることを特徴とする。
【００３０】
上記積層型半導体デバイスは、さらに受動部品も実装されていることが好ましい。
【００３１】
本発明の第３の視点における電子機器は、上記の前記積層型半導体デバイスを含んで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明により、良好なコプラナリティを有する歩留まりの高い実装構造体を提供でき、低コストのパッケージスタック型の実装構造体を提供でき、さらには本実装構造体を適用することにより、高機能化や小型化を図った低コストの電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明に係る実装構造体を説明する前に、発明者らが経験した問題点を説明する。一般的な半導体デバイスや、品質が保障された市販の半導体パッケージを、「パッケージ積層可能なパッケージ（実装構造体）」として再構成する場合、図９に示すような状況が生じる。
【００３４】
図９（ａ）は、高密度実装に適した外部端子にはんだバンプを採用した一般的なＣＳＰパッケージ（半導体デバイス）の断面図である。半導体チップ１が、配線基板３上に実装されており、半導体チップ１の電極と配線基板３の配線パターンとが、ワイヤボンディング法により、ボンディングワイヤ２で電気的に接続されている。さらにこれらを覆うようにモールド樹脂４で封止されている。配線基板３の半導体チップ１が実装された面とは反対側の面には、半導体パッケージを実装する配線基板と接続するための外部端子として、はんだバンプ５が形成されている。
【００３５】
図９（ｂ）、図９（ｃ）、図９（ｄ）は、外部端子にはんだバンプ５を有する一般的な半導体パッケージ（半導体デバイス）を、３次元的に積層することを可能とするため、半導体デバイスの下面の電極と上面の電極とが電気的に接続されるように配線パターンを有した可撓性配線基板７によって、半導体デバイスを包み込んで再構成したパッケージ積層可能な半導体デバイス（実装構造体）の構造断面、およびその製造フローを示している。
【００３６】
図９（ｂ）は、配線パターンを有する可撓性配線基板７上に、半導体デバイスをリフロー法などの一般的な実装方法によって実装した後の断面図である。可撓性配線基板７の半導体デバイス実装面には、半導体デバイスと配線基板を接着固定する目的で、熱可塑性樹脂６を形成している。
【００３７】
図９（ｃ）は、半導体デバイスを、可撓性配線基板７で包み込むように接着固定して再構成された半導体デバイスの断面図である。室温では、はんだは固体であるため、はんだバンプ５の高さは、半導体デバイスが、可撓性配線基板７に実装された時点の状態を保っている。一方、可撓性配線基板７には、半導体デバイスを包み込むことによって、はんだバンプ５が接続された箇所には、左右方向に引っ張り応力が残留している。
【００３８】
図９（ｄ）が、リフロー法によって他の配線基板に接続するためのはんだバンプ８を実装した後の再構成された半導体デバイスの断面図である。はんだバンプ８を形成する際に、半導体デバイス全体にはんだ融点以上の温度が加わることから、はんだバンプ５も溶融することとなり、可撓性配線基板７に残留している引っ張り応力が開放される。そのため、可撓性配線基板７は湾曲した状態となり、はんだバンプ５が固体化した状態においても、湾曲した状態が保たれることになる。そのため、すべてのはんだバンプ８が同一の平面（絶対平面）に接触することは困難である。
【００３９】
ここで、例えば、はんだバンプ８を形成する際に、局所的な加熱によってはんだバンプ５が溶融しない状態で形成した場合においても、本半導体デバイスを他の実装基板に実装する際、リフローによる熱負荷が加わるため、結局はんだバンプ５も溶融することとなり、可撓性配線基板７は湾曲してしまうこととなる。
【００４０】
即ちこの半導体デバイスを他の配線基板に実装する際の最大の問題点は、可撓性配線基板７の湾曲によって生じるはんだバンプ８のコプラナリティである。一般的に、はんだバンプのコプラナリティが０．０８ｍｍを超えると、はんだ付け不良が発生することが知られており、半導体デバイスのはんだバンプのコプラナリティは、０．０８ｍｍ以下であることが指標となっている。この半導体デバイスのように可撓性配線基板７が湾曲する構造では、０．０８ｍｍ以下のコプラナリティを確保することは、非常に困難である。
【００４１】
この問題を解決する本発明の実施例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。
【００４２】
（実施例１）
図１は、本発明に係る実装構造体の基本的な１実施例とその製造方法を示す概略断面図である。図１（ａ）は、高密度実装に適した外部端子にはんだバンプ５を採用した一般的なＣＳＰパッケージ（半導体デバイス）５０の断面図である。半導体チップ１が、配線基板３上に実装されており、半導体チップ１の電極と配線基板３の配線パターンとが、ワイヤボンディング法により、ボンディングワイヤ２で電気的に接続されている。さらにこれらを覆うようにモールド樹脂４で封止されている。配線基板３の半導体チップ１が実装された面とは反対側の面には、半導体デバイス５０を実装する配線基板と接続するための外部端子として、はんだバンプ５が形成されている。
【００４３】
ここでは、一例として、ワイヤボンディング法によって構成された半導体デバイス５０を記載しているが、これに限るものではなく、半導体デバイスの下面にはんだバンプが形成されたパッケージであれば、フリップチップ法によって構成されたパッケージ等においても同様に適用可能である。
【００４４】
図１（ｂ）〜図１（ｅ）は、外部端子にはんだバンプ５を有する一般的なパッケージ型半導体デバイス５０を、３次元的に積層することを可能とするため、半導体デバイス５０の下面の電極と上面の電極とが電気的に接続されるように配線パターンを有した可撓性配線基板７によって、半導体デバイス５０を包み込んで再構成したパッケージ積層可能な実装構造体６０の１例の概略構造断面図、およびその製造フローを示している。
【００４５】
図１（ｂ）は、片面に接着層として熱可塑性樹脂６が形成された、配線パターンを有する可撓性配線基板７上に、支持体９０を２つ、半導体デバイス５０の下面（外部端子形成面）の周辺外端部に相当する位置にそれぞれ接着固定した断面図である。周辺外端部とは、最も外側の外部端子よりもさらに外側の領域をさす。ここでは、加熱により熱可塑性樹脂６に粘着性を発現させることで、支持体９０を可撓性配線基板７上に熱可塑性樹脂６を介して固定している。
【００４６】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）の可撓性配線基板７上に、半導体デバイス５０を実装した状態の断面図である。半導体デバイス５０と可撓性配線基板７との間の一部に構成されている支持体９０の厚さは、はんだが溶融して可撓性配線基板７と接続されるために、はんだバンプ５の高さと同等程度又はそれ以下である必要がある。
【００４７】
さらに支持体９０の厚さ（高さ）は、支持体９０がない場合にリフロー工程によりはんだが溶融して可撓性配線基板７と接続された場合の、半導体デバイス５０のはんだバンプ５の搭載面から熱可塑性樹脂６の表面までの高さに相当する厚さであることが好ましい。
【００４８】
また、支持体９０の外形寸法（縦、横）は、半導体デバイス５０の外形寸法（縦、横）と同じか、それ以下の寸法であって、半導体デバイス５０の外部端子と接触しないように、少なくとも外部端子が存在する範囲を切り欠いた構造である。半導体デバイス５０の外部端子形成面の周辺外端部のうち、角部又は辺部の一部のみに設置することも考えられる。つまり、はんだバンプの高さを一定の範囲に拘束できるように、支持体を分割配置してもよい。
【００４９】
リフロー工程によりはんだバンプ５が溶融し、可撓性配線基板７の電極にはんだが塗れ広がることで、はんだバンプ５の高さは、溶融前の高さより低くなるが、上記のように熱可塑性樹脂６と支持体９０が接触する程度の高さに支持体９０の厚さ（高さ）を設計しておくことで、はんだの沈み込みによる高さのバラツキが発生しなくなる。そのため、半導体デバイス５０の上面の可撓性配線基板７に形成された電極の位置バラツキを抑制できるという効果も期待できる。
【００５０】
ここで、支持体９０の材質としては、無機／有機を問わず種々の材料が適用可能である。ただし、支持体９０が半導体デバイス５０の外周に沿って配されるようなリング状の構造をとる場合には、実装後の環境温度によって膨張・収縮を繰り返すことから、はんだバンプ接続部の信頼性の観点から、半導体デバイス５０、本発明によって再構成された半導体デバイス（実装構造体）が実装される他の配線基板、あるいは可撓性配線基板７に近い熱膨張係数を有することが望ましい。
【００５１】
これらは、何れも１０ｐｐｍ／℃〜３０ｐｐｍ／℃の範囲内であるため、例えば、有機材料であればガラスエポキシ、無機材料であれば、アルミ、銅、ステンレス等が好適に適用可能である。
【００５２】
なお、本実施例１では、可撓性配線基板７上に一つの半導体デバイス５０を実装した例を示したが、これに限るものではなく、可撓性配線基板上には複数の半導体デバイス５０、あるいは他の電子デバイスを一緒に実装してもよい。
【００５３】
図１（ｄ）は、図１（ｃ）の状態から、可撓性配線基板７で半導体デバイス５０を包み込むように接着固定した状態の断面図である。これも同様に、加熱により熱可塑性樹脂６に粘着性を発現させることで、半導体デバイス５０と可撓性配線基板７とを熱可塑性樹脂６を介して固定している。
【００５４】
ここで、半導体デバイス５０の側面は、可撓性配線基板７と接着固定されていることが望ましい。半導体デバイス５０の側面と可撓性配線基板７とが接着固定されていない場合のリフロー熱負荷時の実装構造体６０の断面図を図２に示す。半導体デバイス５０の配線基板は、ガラスエポキシが採用されているのが一般的であり、その熱膨張係数は、常温時からリフロー温度域の範囲で１０〜１５ｐｐｍ／℃である。一方、可撓性配線基板７の熱膨張係数は、２０ｐｐｍ／℃程度であるので、リフロー熱負荷時に、図２に示すように可撓性配線基板７の膨張によって弛んだ状態となる。更にデバイス側面に位置する箇所の可撓性配線基板７の膨張も加わることから、弛みは更に増加してはんだバンプ５のコプラナリティが悪化することとなる。
【００５５】
本構造では、半導体デバイス５０の側面と可撓性配線基板７とが接着固定されており、少なくとも半導体デバイス５０の側面に位置する箇所の可撓性配線基板７の膨張による影響を最小限にできる。更に半導体デバイス５０下面の可撓性配線基板７の膨張による弛みを抑制するためには、支持体９０が可撓性配線基板７の熱膨張係数と同等あるいは、より大きい熱膨張係数を有した材料を適用することが好適である。これにより、熱負荷時においても支持体９０によって可撓性配線基板７に張力が発生することから、コプラナリティの悪化を抑制できる。半導体デバイス５０の側面形状が凹凸がある場合など、側面全域に接着固定することが困難な場合においても、少なくとも半導体デバイス５０の側面の一部と可撓性配線基板７とが接着固定されていることが望ましい。
【００５６】
また本実施例１では、支持体９０が可撓性配線基板７上に接着固定されている例を示したが、支持体９０は、半導体デバイス５０側に接着固定されていてもよく、さらには、半導体デバイス５０と可撓性配線基板７の両方に接着固定されていてもよい。
【００５７】
図１（ｅ）は、他の配線基板に接続するためのはんだバンプ８をリフローはんだ付けによって形成した後の断面図である。上述したように半導体デバイス５０の側面と可撓性配線基板７とが接着固定され、かつ、半導体デバイス５０下面と可撓性配線基板７との間に支持体９０を接着固定して配置した構造としたことにより、リフロー熱負荷時、また、リフロー後の常温時の双方において、良好なコプラナリティを有するパッケージ積層に対応した実装構造体６０が実現できる。
【００５８】
尚、半導体デバイス５０の下面と可撓性配線基板７の間にアンダーフィル樹脂を充填してもよい（図示せず）。これによって、動作時の発熱や環境変化に伴う温度サイクル負荷や、落下衝撃などの負荷に対して接続部の信頼性向上が期待できる。
【００５９】
次に、本発明に係る実装構造体をパッケージ積層した実施例について、図３及び図４を用いて説明する。
【００６０】
（実施例２）
図３は、本発明に係る再構成された半導体デバイス（実装構造体６０）を下段に配し、上段に、再構成していない半導体デバイス５０を積層してリフローはんだ付け接続した、パッケージ積層型の半導体デバイス（実装構造体）の概略断面図である。本図では、半導体デバイス５０は同一製品としてあるが、上段の半導体デバイス５０としては、異なる製品、あるいはウエハーレベルＣＳＰなどの異なる構造の半導体デバイスやセンシングデバイス、受動部品（コンデンサ、抵抗、インダクタ等）等を配して構成してもよい。
【００６１】
（実施例３）
図４は、図３の構造に更に積層パッケージ数を増加させた例である。ここでは、一例として、パッケージ積層が可能となるよう本発明に係る再構成された半導体デバイス（実装構造体６０）を下段３段とし、最上段には一般的な半導体デバイス５０を配した構造を示した。尚、３段に積層した再構成された半導体デバイス（実装構造体）についても、段数を問わず、また、同一半導体デバイス製品に限るものではない。
【００６２】
この他にも、積層する全ての半導体デバイスを、本発明に係る再構成した半導体デバイス（実装構造体６０）で構成することも可能である。
【００６３】
本構造による更なる効果としては、支持体９０に熱伝導率の高い材料を適用することで、半導体デバイス５０の放熱が可能となる点にある。この場合の支持体９０の材料としては、銅、アルミ、ステンレスに代表される金属材料や、カーボングラファイトなども好適に利用できる。尚、その場合には、支持体９０を接着する接着材料（図示せず）についても熱伝導率の高い材料であることが望ましく、例えば金属フィラーを含有した導電性接着材等も好適に利用できる。接着材料は、必ずしも硬化して接着する材料でなくてもよく、例えばゲル状の放熱コンパウンドやグリスなどであってもかまわない。
【００６４】
また、可撓性配線基板７が折り曲がる箇所に相当する支持体９０の角部は、Ｃ面取りや円弧状の面取り加工を施すことによって、可撓性配線基板７上の配線の曲率を低減できることから、機械的曲げによる配線の断線が抑制されるばかりでなく、配線を通る高速な信号の反射による電気ノイズを低減できることが可能となり、より好適に利用できる。
【００６５】
（実施例４）
本発明に係る実装構造体の他の実施例について、図５を参照して詳細に説明する。図５の部分拡大図（円内）は、図１（ｅ）の構造の実装構造体の一部に導電性バンプ１４によって、支持体９０と可撓性配線基板７上に構成されたグランドパターン１１とを、電気的に接続した例を示す概略断面図である。部分拡大図には、可撓性配線基板７に配された配線パターン１２、可撓性配線基板７を覆う絶縁層１３及びカバー樹脂１５と、カバー樹脂１５に配された配線パターン１２も示している。ここで、支持体９０の材料には導電性を有した材料が適用可能であり、例えばアルミ、銅、ステンレスなどによって構成できる。
【００６６】
これによって、実装構造体の上段に配される半導体製品と、下段の半導体デバイス、あるいはこれら実装構造体が実装される他の配線基板との間で、高速な信号処理を行う場合において、可撓性配線基板７に配された信号伝送のための配線パターン１２をマイクロストリップライン構造とすることが可能となる。
【００６７】
可撓性配線基板７が単層の配線層しか有さない場合、マイクロストリップライン構造とすることは不可能であるが、支持体９０を含み、支持体９０の材料が導電性を有し、かつ、支持体９０と可撓性配線基板７に配されたグランドパターン１１とを電気的に接続したことによって、単層の配線層しか有さない可撓性配線基板７においても、マイクロストリップラインを構成することが可能となる。
【００６８】
このことにより、非常に高速な半導体製品においても、優れた電気特性を有するパッケージ積層型の実装構造体が実現できる。
【００６９】
なお、図５の部分拡大図において、支持体９０の角部は面取りされていないが、Ｃ面取りや円弧状の面取り加工を施すことができる。
【００７０】
（実施例５）
本発明に係る実装構造体のさらなる実施例について、図６を参照して詳細に説明する。
【００７１】
図１に示す実施例１では、半導体デバイス５０の下面のみに支持体９０が配置された構造としていたが、この場合、可撓性配線基板７で半導体デバイス５０を包み込むように接着固定することによって、半導体デバイス５０の上面に電極を配した際、電極の位置を精度よく位置出しするためには、支持体９０の実装位置を精度よく合わせ込んで配置する必要があった。そこで、実施例５では、支持体９０の外周端から、半導体デバイス５０の側面方向に立ち上がる、立ち上がり部９１を形成し、半導体デバイス５０の側面と下面の双方と密着させる形状とした。こうすることにより、半導体デバイス５０に突き当てて位置出しすることができるようになり、半導体デバイス５０の上面の電極位置の精度をより正確にすることが可能となる。
【００７２】
図６（ａ）は、高密度実装に適した外部端子にはんだバンプ５を採用した一般的なＣＳＰパッケージ（半導体デバイス５０）の断面図である。
【００７３】
図６（ｂ）〜図６（ｅ）は、外部端子にはんだバンプ５を有する一般的な半導体デバイス５０を、３次元的に積層することを可能とするため、半導体デバイス５０の下面の電極と上面の電極とが電気的に接続されるように配線パターンを有した可撓性配線基板７によって、半導体デバイスを包み込んで再構成したパッケージ積層可能な実装構造体の概略構造断面、およびその製造フローを示している。
【００７４】
図６（ｂ）は、立ち上がり部９１を有する支持体９０を、接着材料１０によって半導体デバイス５０の側面及び底面の一部に接着固定した状態の断面図である。この際、支持体９０は、半導体デバイス５０の下面及び側面と突き当て法により、密着させて配している。尚、図では半導体デバイスの下面、側面の両方とも接着材料１０によって接着しているが、下面または側面のいずれか片方のみ接着させてもよい。ここで、接着材料１０には、フィルム状の材料や液状の材料など、多様な材料が適用できる。  
【００７５】
支持体９０は、半導体デバイス５０の底面（外部端子形成面）の周辺外端部全体にわたって設けても良いし、角部又は辺部等の一部に設けても良い。
【００７６】
図６（ｃ）は、図６（ｂ）の半導体デバイス５０を可撓性配線基板７にリフロー法によって実装した状態を示している。はんだバンプ５は、可撓性配線基板７の電極と溶融接合されることによって沈み込み、支持体９０の底面が、可撓性配線基板７の上に配置された熱可塑性樹脂６の表面と接触している。半導体デバイス５０の下面の支持体９０の厚さは、支持体９０の無いものをリフローで可撓性配線基板７と溶融接合したときのはんだバンプの高さ（接着層がない場合）又はこれから接着層（熱可塑性樹脂６）の厚さを引いたものと同じ高さ（接着層がある場合）で、支持体９０の底面が可撓性配線基板７又は熱可塑性樹脂６の表面と接触する厚さであることが望ましく、より確実に接触させるためには、これらよりもやや厚くしておくのが好適である。
【００７７】
図６（ｄ）は、図６（ｃ）の状態から、可撓性配線基板７で立ち上がり部９１を有する支持体９０全体を包み込むように接着固定した状態の断面図である。半導体デバイス５０の下面、側面の双方とを突き当て法により、位置出しを行うことにより、半導体デバイス５０と支持体９０とを密着させて配することができるとともに、支持体９０を配置することによる寸法の増加を最小限とすることができる。この密着させて配する構造により、支持体９０を取り付けた構造における実装構造体６０の外形を精度よく構成することができる。そのため、可撓性配線基板７によって包み込む長さを固定でき、実装構造体の上方の可撓性配線基板７に形成された電極の位置バラツキを抑制できるという効果が期待できる。
【００７８】
この場合にも、リフロー工程での熱による可撓性配線基板７の弛みを低減するために、立ち上がり部９１の側面の一部または全面を、可撓性配線基板７と接着固定させておくことが望ましい。
【００７９】
ここで、支持体９０の材質としては、無機／有機を問わず種々の材料が適用可能である。ただし、支持体９０が半導体デバイス５０の外周に沿って配されるようなリング状の構造をとる場合には、実装後の環境温度によって膨張・収縮を繰り返すことから、はんだバンプ５の接続信頼性の観点から、支持体９０は半導体デバイス５０、本発明によって再構成された半導体パッケージ（実装構造体）が実装される他の配線基板、あるいは可撓性配線基板７に近い熱膨張係数を有することが望ましい。
【００８０】
これらは、何れも１０ｐｐｍ／℃〜３０ｐｐｍ／℃の範囲内であるため、例えば、有機材料であればガラスエポキシ、無機材料であれば、アルミ、銅、ステンレス等が好適に適用可能であるが、より好ましくは、支持体９０の熱膨張係数は、可撓性配線基板７よりも小さい材料を選定することである。この理由は、リフロー温度から冷却される際に、支持体９０よりも可撓性配線基板７の収縮量の方が勝り、可撓性配線基板７に張力が加わった状態となるため、可撓性配線基板７をより平坦化しやすいためである。
【００８１】
以上、本発明の実施例について種々述べてきたが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲でさらに多くの改変を施しえるのは言うまでも無いことである。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施例１に係る実装構造体の概略断面図及び製造方法である。
【図２】可撓性配線基板が半導体デバイスの側面に接着していない場合の実装構造体の概略断面図である。
【図３】本発明の実施例２に係る実装構造体の概略断面図である。
【図４】本発明の実施例３に係る実装構造体の概略断面図である。
【図５】本発明の実施例４に係る実装構造体の概略（部分）断面図である。
【図６】本発明の実施例５に係る実装構造体の概略断面図である。
【図７】従来の半導体デバイスの第１の例の概略断面図である。
【図８】従来の半導体デバイスの第２の例の概略断面図及び製造方法である。
【図９】本発明に係る構造を用いないで再構成した半導体デバイスの概略断面図及び製造方法である。
【符号の説明】
【００８３】
１  半導体チップ
２  ボンディングワイヤ
３  配線基板
４  モールド樹脂
５、８  はんだバンプ
６  熱可塑性樹脂（接着層）
７  可撓性配線基板
１０  接着材料
１１  グランドパターン（可撓性配線基板）
１２  配線パターン
１３  絶縁層
１４  導電性バンプ
１５  カバー樹脂
５０  半導体デバイス（半導体パッケージ）
６０  実装構造体
９０  支持体
９１  支持体の立ち上がり部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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