(57)【要約】【課題】    粒子源の放射角分布を事前に検査し常に高品質な露光パターンを維持することが可能な荷電粒子線露光装置と、これに用いる荷電粒子線成形マスク、および荷電粒子線検査方法を提供する。【解決手段】    荷電粒子線を成形する第１の成形マスクに通常矩形開口とは別に、同一矩形開口の外側に放射角分布の拡がりをモニタする小さ目の補助孔付きのテスト用矩形開口を併設する。その操作手段としては、予め下方の第２成形マスクを開放状態とし、第１成形マスクの補助孔付き矩形開口を貫通したビームの偏向走査によって基準ドットマークからの反射電子像を観察する。しかる後、クロスパターンを用いたＸＹ方向走査によるビームプロファイルを比較して、補助孔からの各ビーム強度が均一照射しているか否を判断し、粒子源の良否を判定する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線源より放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する成形用開口部と、
前記成形用開口部と略同一の形状を有する第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を有するテスト用開口部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線成形マスク。
【請求項２】
前記成形用開口部、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、矩形であり、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の一対の対角線の少なくともいずれかの上に設けられたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線成形マスク。
【請求項３】
前記成形用開口部、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、矩形であり、
前記複数の第２の開口部のそれぞれは、前記第１の開口部の一対の対角線上において前記第１の開口部から略等距離に設けられたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線成形マスク。
【請求項４】
前記複数の第２の開口部の少なくともいずれかは、前記複数の第２の開口部の他のいずれかよりも前記第１の開口部から離れて設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の荷電粒子線成形マスク。
【請求項５】
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を通過させることにより所望の形に形成する成形マスクと、
被露光体を載置するステージと、
前記成形マスクを通過した荷電粒子線を前記ステージ上の所定の位置に投射する偏向器と、
を備え、
前記第１の成形マスクは、前記荷電粒子線源から放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する複数の成形用開口部と、前記成形用開口部と略同一の形状を有する第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
前記ステージ上の基準マーク及び前記被露光体の少なくともいずれかから反射される荷電粒子を検出可能な反射検出器をさらに備え、
前記反射検出器は、前記第２の開口部を通過し前記ステージ及び前記被露光体の少なくともいずれかかから反射された荷電粒子を検出可能であることを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
前記ステージはクロスワイアを有し、前記第２の開口部を通過した荷電粒子線が前記クロスワイヤに照射されることにより生ずる吸収電流を検出可能としたことを特徴とする請求項５または６に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項８】
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源より放出された荷電粒子線を通過させることにより所望の形に形成する成形マスクと、
被露光体を載置するステージと、
前記成形マスクを通過した荷電粒子線を前記ステージ上の所定の位置に投射する偏向器と、
を有する荷電粒子線露光装置における荷電粒子線を検査する荷電粒子線検査方法であって、
前記成形マスクに、前記荷電粒子線子源から放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する成形用開口部と、前記成形用開口部と略同一の形状をした第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を設け、
前記第２の開口に対する前記荷電粒子線の透過状態を検出することにより前記荷電粒子線源の放射角分布を判定することを特徴とする荷電粒子線検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線成形マスク、荷電粒子線露光装置および荷電粒子検査方法に関し、特に、電子源の放射角分布が成形マスクを十分にカバーできる照射領域を持っているか否かを判定可能な荷電粒子線露光装置とこれに用いる荷電粒子線成形マスク、およびこれらを用いた検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などからなる基体面上にパターンを形成する方法として、荷電粒子線露光装置を用いたリソグラフィ技術がある。この荷電粒子線露光装置において、微細なパターンを正確に形成するためには電子ビームを高精度に成形することが必要であり、そのためには電子源の品質は重要なポイントとなる。
【０００３】
荷電粒子線露光装置における電子ビームの成形方法について、荷電粒子線でもとりわけ電子線を用いた可変成形型電子ビーム露光装置を例に説明する。
【０００４】
図８は、可変成形型電子線露光装置の要部模式図である。すなわち、同図は、可変成形型電子線露光装置のうちで、電子ビーム形成方法の説明に必要な要素部分だけを強調して表現した構成図である。
【０００５】
真空カラム８０１内には、電子ビーム８０２を放出するための電子源８０３や、円形断面の該電子ビーム８０２を矩形断面に成形するための矩形開口を持った第１成形マスク８０４及び第２成形マスク８０５がある。成形偏向器８０６は、第１成形マスク８０４を通過した電子ビーム８０２を第２成形マスク８０５の任意の位置に投射させるために用いる。これにより、第２成形マスク８０５を通過後の電子ビーム８０７は、矩形断面形状のビームとなる。矩形電子ビーム８０７は、さらに所望の縮小率となるように縮小された後、偏向器８０８により、下方にあるウェーハ８０９の所定位置に偏向して投射される。矩形電子ビーム８０７は、試料室８１０内のステージ８１１上に固定されたウェーハ８０９上にＬＳＩパターンを露光するように制御される。また、反射電子検出器８１２は、ウェーハ８０９上に設けたチップマーク検出やステージ８１１上に別途設けた基準マーク８１３からの反射電子を受けその位置を検出する時などに用いる。クロスワイヤ８１４は、矩形電子ビーム８０７のビームプロファイルを観察する際に用いる。
【０００６】
図９は、第２成形マスク８０５であり、図１０は、第１成形マスク８０４の概略図である。成形偏向器８０６は、第２成形マスク８０５の矩形開口９０１の左下隅を基準として第１成形マスク８０４の矩形開口１００１の投影位置をＸＹ方向へ任意に変更して、同図（ａ）の短冊形状断面９０２や同図（ｂ）の最大矩形断面のように所望の断面形状を投射する。
【０００７】
ここで、図９（ｂ）に表したように、第２成形マスク８０５の最大矩形断面９０３の形状に関してウェーハ８０９上へ均一に露光するには、図１０（ａ）に表したように、第１成形マスク８０４の矩形開口１００１に対して、電子源から放出される電子ビーム８０２の放射角分布１００２が充分カバーできる照射領域を有することが必須である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、使用に伴う消耗によって、電子源から放出される電子ビーム８０２の放射角分布１００３は、図１０（ｂ）に表したように、矩形開口１００１に対しぎりぎりに縮小しマージン不足となる。また、ランタンヘキサボライド（ＬａＢ６）を電子源材料として用いた例では、消耗による経時的変化が必ずしも図１０（ｂ）のような同心円状の相似形変化をするとは限らず、扁平に消耗していく場合もある。この場合、電子源から放出される電子ビーム８０２の放射角分布１００４は、図１０（ｃ）に表したように、左傾斜型楕円となりマージン不足となる。
【０００９】
さらに、電子源の経時劣化が進むと、図１０（ｄ）、（ｅ）に表したような放射角分布１００５、１００６となり、図９のような断面形状を形成する過程で対応する角の一部が欠落する結果、ウェーハ８０９上に露光するパターンはやはり欠落した形状になってしまう。
【００１０】
電子源の放射角分布が図１０（ｄ）や（ｅ）のように消耗した場合、従来技術においても全体の形状変化を定性的に測定することはできた。しかし、重要な点は、正味の、欠落のないパターンを確保することである。図１０（ｂ）や（ｃ）のように、最大矩形寸法ぎりぎりであるかどうかの詳細な判断は、不可能であった。その場合には結局、ウェーハ８０９上へ最大矩形寸法を含む種々の図形パターンを露光して光学顕微鏡またはＳＥＭ（scanning electron microscopy：走査型電子顕微鏡）等による観察手段に基づき、電子源の放射角分布の良悪を判断せざるを得なかった。
【００１１】
このように、従来の荷電粒子線露光装置においては、電子ビームの放射角分布に関する詳細情報が不十分であった。
【００１２】
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、粒子源の放射角分布を事前に検査し常に高品質な露光パターンを維持することが可能な荷電粒子線露光装置と、これに用いる荷電粒子線成形マスク、および荷電粒子線検査方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では、図８に表したような荷電粒子線露光装置において、荷電粒子線を成形する第１の成形マスク８０４側の通常矩形開口とは別に、同一形状の矩形開口の外側に放射角分布の拡がりをモニタする小さ目の補助孔付き矩形開口をもったテスト用矩形開口を併設する。そして、予め下方の第２成形マスク８０５を開放状態とし、第１成形マスク８０４のテスト用矩形開口を貫通したビームの偏向走査によって基準ドットマーク８１３からの反射電子像を観察する。ここでもし、本観察方法だけでビーム強度の均一性を明確に判別できない場合には、クロスワイヤを用いたＸＹ方向走査によるビームプロファイルによって、補助孔からの各ビーム強度が均一照射しているか否を比較する。そして、全確認作業が終了した時点で、第１成形マスク８０４の通常矩形開口部を光軸上へ戻す。
【００１４】
本発明によれば、
荷電粒子線源より放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する成形用開口部と、
前記成形用開口部と略同一の形状を有する第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を有するテスト用開口部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線成形マスクが提供される。
【００１５】
ここで、前記成形用開口部、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、矩形であり、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の一対の対角線の少なくともいずれかの上に設けられたものとすることができる。
【００１６】
また、前記成形用開口部、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、矩形であり、
前記複数の第２の開口部のそれぞれは、前記第１の開口部の一対の対角線上において前記第１の開口部から略等距離に設けられたものとすることができる。
【００１７】
また、前記複数の第２の開口部の少なくともいずれかは、前記複数の第２の開口部の他のいずれかよりも前記第１の開口部から離れて設けられたものとすることができる。
【００１８】
一方、本発明によれば、
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を通過させることにより所望の形に形成する成形マスクと、
被露光体を載置するステージと、
前記成形マスクを通過した荷電粒子線を前記ステージ上の所定の位置に投射する偏向器と、
を備え、
前記第１の成形マスクは、前記荷電粒子線源から放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する複数の成形用開口部と、前記成形用開口部と略同一の形状を有する第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置が提供される。
【００１９】
ここで、前記成形用開口部、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、矩形であり、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の一対の対角線の少なくともいずれかの上に設けられたものとすることができる。
【００２０】
また、前記ステージ上の基準マーク及び前記被露光体の少なくともいずれかから反射される荷電粒子を検出可能な反射検出器をさらに備え、前記反射検出器は、前記第２の開口部を通過し前記ステージ及び前記被露光体の少なくともいずれかかから反射された荷電粒子を検出可能であるものとすることができる。
【００２１】
また、前記ステージはクロスワイアを有し、前記第２の開口部を通過した荷電粒子線が前記クロスワイヤに照射されることにより生ずる吸収電流を検出可能とすることができる。
【００２２】
一方、本発明によれば、
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源より放出された荷電粒子線を通過させることにより所望の形に形成する成形マスクと、
被露光体を載置するステージと、
前記成形マスクを通過した荷電粒子線を前記ステージ上の所定の位置に投射する偏向器と、
を有する荷電粒子線露光装置における荷電粒子線を検査する荷電粒子線検査方法であって、
前記成形マスクに、前記荷電粒子線子源から放出される荷電粒子線を通過させることにより所望の形状に成形する成形用開口部と、前記成形用開口部と略同一の形状をした第１の開口部と、前記第１の開口部の周辺に設けられ前記第１の開口部より小さい複数の第２の開口部と、を設け、
前記第２の開口に対する前記荷電粒子線の透過状態を検出することにより前記荷電粒子線源の放射角分布を判定することを特徴とする荷電粒子線検査方法が提供される。
【００２３】
ここで、前記ステージ上の基準マーク及び前記被露光体の少なくともいずれかから反射される荷電粒子を検出可能な反射検出器を用いて、前記第２の開口部を通過し前記ステージ上の基準マーク及び前記被露光体の少なくともいずれかかから反射された荷電粒子の有無を調べることで、前記荷電粒子線源の放射角分布を判定するものとすることができる。
【００２４】
また、前記ステージ上に設けられたクロスワイヤに前記成形マスクを通過した荷電粒子線をＸＹ走査させる手順と、前記クロスワイヤの吸収電流の強度を検出する手順と、前記吸収電流の強度から前記第２の開口部を通過した荷電粒子線の有無を確認することで、前記荷電粒子線源の放射角分布を判定するものとすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電子源の放射角分布が実効的に充分な照射領域を持っているか否かを事前に判断し、不良であると判断できた時は電子源の即時交換を行い、常に欠落のない高品質な露光パターンを維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の第１の実施例に用いる第１成形マスク１０１の概観図である。一般に、第２成形マスクと同様に、第１成形マスク１０１内にも汚染等の予備交換用として矩形開口１０２が複数準備されている。本発明ではそれとはさらに別途に、外側の４隅に放射角分布の拡がりを予め観察する補助孔があるテスト用矩形開口１０３を併設する。
【００２７】
これらの形状は、それぞれ、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に拡大して表した。ここで、図１（ｂ）の矩形開口１０２の断面積と、同図（ｃ）のテスト用矩形開口の矩形開口部１０４とは等しい。通常、電子源から放出された電子ビームの放射角分布１０５は、図１（ｂ）のように矩形開口１０２を充分にカバーするように照射しているが、どの位のマージンを持って照射しているかは明確に認識できない。放射角分布１０５は必ずしも理想的な円形ではなく、経時的消耗により扁平な楕円形状であったりもする。このような場合には、形成予定の矩形パターンの特定コーナーにだけ照射領域のマージン不足が発生したりする。そこでその経時変化をモニタするため、本実施形態では図１（ｃ）のように矩形開口部１０４の対角線方向の外側にＡ１〜Ａ４の補助孔を設けた。
【００２８】
Ａ１〜Ａ４の各補助孔の位置は、基本的に任意である。対角線方向に設置した理由は矩形パターンを形成するに際し、放射角分布１０５が矩形開口の一辺に対し２１／２倍の長さを最低限保証する必要があるからである。本例では、日立製ＨＬ８００Ｄ型に適用した場合として述べる。Ａ１〜Ａ４の補助孔サイズは１０μｍ×１０μｍ角で、矩形開口の各コーナーから各補助孔の中心までの距離を（１０×２１／２）μｍとした。中央の矩形開口は１５０μｍ×１５０μｍ角である。一方、上記図８で説明した第２成形マスク８０５には、日立製ＨＬ８００Ｄの場合、光軸調整用として既に５００μｍ×５００μｍ角相当のスルー開口が設けてある。
【００２９】
本発明の操作手順を図８の荷電粒子線露光装置の構成図も併用して説明する。光軸は、予め、試料面上でビーム電流が最大となるように調整されている。まず光軸上に第２成形マスク８０５のスルー開口を設置する。ついで、図８に示した基準マーク８１３内のドットパターン上に、第１成形マスク１０１（図８の８０４に設置される）の補助孔付き矩形開口１０３を貫通してきたビームを照射する。このビームによる偏向走査によって、図８の反射電子検出器８１２からの反射電子像を観察し、テスト用矩形開口の矩形開口部１０４を含む４つの補助孔Ａ１〜Ａ４すべてがきちんと見えることを確認する。
【００３０】
露光装置として日立製ＨＬ８００Ｄを用いる場合には、縮小レンズの縮小率が１／２５であることから、基準マーク８１３上では補助孔が０．４μｍ×０．４μｍ角の大きさに見える。もし４つの補助孔Ａ１〜Ａ４のうちどれかが欠落していれば、電子源の放射角分布は異常であり、露光前に交換が必要であると判定される。
【００３１】
一方、この段階で反射電子像のコントラストが不充分で、放射角分布の異常が判定できない場合には、クロスワイヤ法を用いた第２段階の確認を行う。
【００３２】
これは、図８のクロスワイヤ８１４を用いるものである。  
図２は、クロスワイヤを用いた電子ビームのＸＹ方向操作の様子を示した模式図である。図２に表したように、テスト用矩形開口を通過した補助孔付き電子ビーム２０１をクロスワイヤ２０２のＸ、Ｙ方向に順次ライン走査する。
【００３３】
図３（ａ）は、正規電子ビームの断面形状、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれクロスワイヤ信号から得られる反転した原信号強度と、その１次微分信号強度を示すグラフであり、図３（ｃ）の波形は正規電子ビームのビームプロファイルをしている。Ｘ方向走査の場合、走査時間に対してビーム強度分布は、
（補助孔Ａ１＋Ａ４）→（矩形開口３０１）→（補助孔Ａ２＋Ａ３）
に対応する順序で見える。同様にして、Ｙ方向に関しても、
（補助孔Ａ１＋Ａ２）→（矩形開口３０１）→（補助孔Ａ３＋Ａ４）
に対応する順序で見える。このとき、（Ａ１＋Ａ４）と（Ａ２＋Ａ３）のビーム強度の最大レベルは同じである。同様にしてＹ方向に関しても、（Ａ１＋Ａ２）と（Ａ３＋Ａ４）の最大レベルは同じである。
【００３４】
これに対し、放射角分布が扁平に消耗し補助孔が欠落してしまった場合を図４に示す。
【００３５】
図４（ａ）は、補助孔Ｂ４が欠落している欠陥電子ビームの断面形状、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれクロスワイヤ信号から得られる原信号強度と、その１次微分信号強度を示すグラフであり、図４（ｃ）の波形はこの欠陥電子ビームのビームプロファイルをしている。Ｘ方向走査の場合、走査時間に対してビーム強度分布は、
（補助孔Ｂ１＋Ｂ４）→（矩形開口４０１）→（補助孔Ｂ２＋Ｂ３）
に対応する順序で見える。同様にして、Ｙ方向に関しても、
（補助孔Ｂ１＋Ｂ２）→（矩形開口４０１）→（補助孔Ｂ３＋Ｂ４）
に対応する順序で見える。しかし、補助孔Ｂ４が欠落しているので、Ｘ方向のビーム強度分布は、（Ｂ１＋Ｂ４）のビーム強度の最大レベルが（Ｂ２＋Ｂ３）の最大レベルより小さくなる。同様に、Ｙ方向に関しては、（Ｂ３＋Ｂ４）のビーム強度の最大レベルが（Ｂ１＋Ｂ２）の最大レベルより小さくなる。
【００３６】
以上の操作によって電子源の放射角分布に不均一が発生し始めていることが検査でき、露光操作に先立って電子銃を早めに交換する指針が得られる。
【００３７】
本発明の第２の実施例について、以下に説明する。
【００３８】
図５（ａ）は、本発明の第２の実施例に用いる第１成形マスクの５０１の概観図である。第１の実施例と同様、複数の矩形開口５０２と、補助孔があるテスト用矩形開口５０３が併設されている。図５（ｂ）は、テスト用矩形開口５０３の拡大図である。矩形開口５０４の外側周辺にはＡ１〜Ａ４の補助孔の他に、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４の補助孔も追加した。
【００３９】
この第２の実施例の第１成形マスクを用いた荷電粒子線の操作手順、判定方法は、上記第１の実施例と同じなので割愛する。本実施例は、第１の実施例よりさらにきめ細かい欠落の検出が可能となる。
【００４０】
図６（ａ）は、本発明の第３の実施例に用いる第１成形マスクの６０１の概観図である。第１の実施例と同様、複数の矩形開口６０２と、補助孔があるテスト用矩形開口６０３が併設されている。図６（ｂ）は、テスト用矩形開口６０３の拡大図である。矩形開口６０４の外側周辺には対角方向に１組の補助孔Ａ２とＡ４が設けられている。
【００４１】
この第３の実施例の第１成形マスクを用いた荷電粒子線の操作手順、判定方法は、上記第１の実施例と同じなので割愛する。本実施例は、第１の実施例より欠落の検出の精度は劣るものの、電子ビームの消耗が図７（ｂ）に示したように同心円状に変化する場合には、十分その機能を果たす。
【００４２】
図７（ａ）は本発明の第４の実施例に用いる第１成形マスクの７０１の概観図である。第１の実施例と同様、複数の矩形開口７０２と、補助孔があるテスト用矩形開口７０３が併設されている。図７（ｂ）は、テスト用矩形開口７０３の拡大図である。矩形開口７０４の外側外側周辺にはＡ１〜Ａ４の補助孔の他に、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４、Ｄ１〜Ｄ４の補助孔も追加した。上記第２の実施例と異なるところは、補助孔をＡ１とＢ１との間隔をｄ１、Ｂ１とＣ１との間隔をｄ２、Ｃ１とＤ１との間隔をｄ３とした場合に、
ｄ１  ＜  ｄ２  ＜  ｄ３
となるように設置してある点である。
【００４３】
この第４の実施例の第１成形マスクを用いた荷電粒子線の操作手順、判定方法は、上記第１の実施例と同じなので割愛する。本実施例では、第１の実施例よりさらにきめ細かい欠落の検出が可能となり、電子ビームの劣化が進むに連れて、欠陥検出の精度が上がるようになる。電子源の劣化がある時期以降急激に進む場合などに有効である。
【００４４】
以上説明したように、本発明の成形マスクを用いた露光装置において、電子源の判定を行うことにより、露光パターンの欠落と言った問題が事前に防止できる。また、露光パターンの欠落に起因するビーム電流の変動と言った問題も防止できる。また、本発明では電子ビーム露光装置を例に取って説明したが、電子ビーム以外のイオンビームと言った荷電粒子線装置などにも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施例に用いる第１成形マスク１０１の概観図である。
【図２】クロスワイヤを用いた電子ビームのＸＹ方向操作の様子を示した模式図である。
【図３】（ａ）は正規電子ビームの断面形状、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれクロスワイヤ信号から得られる原信号強度と、その１次微分信号強度を示す模式図である。
【図４】（ａ）は欠陥電子ビームの断面形状、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれクロスワイヤ信号から得られる原信号強度と、その１次微分信号強度を示す模式図である。
【図５】（ａ）は本発明の第２の実施例に用いる第１成形マスクの概観図、（ｂ）はテスト用矩形開口の拡大図である。
【図６】（ａ）は本発明の第３の実施例に用いる第１成形マスクの概観図、（ｂ）はテスト用矩形開口の拡大図である。
【図７】（ａ）は本発明の第４の実施例に用いる第１成形マスクの概観図、（ｂ）はテスト用矩形開口の拡大図である。
【図８】可変成形型電子線露光装置の要部模式図である。
【図９】第２成形マスク８０５を表す模式図である。
【図１０】第１成形マスク８０４の概略図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０１、５０１、６０１、７０１、８０４  第１成形マスク
１０２、５０２、６０２、７０２、１００１  第１成形マスクの矩形開口
１０３、２０１、５０３、６０３、７０３  テスト用矩形開口
１０４、３０１、４０１、５０４、６０４、７０４ テスト用矩形開口の開口部
１０５、１００２、１００３、１００４、１００５、１００６  電子ビームの放射角分布
２０２、８１４  クロスワイヤ
Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１〜Ｃ４、Ｄ１〜Ｄ４ テスト用矩形開口の補助孔
８０１  真空カラム
８０２   電子ビーム
８０３   電子源
８０６   成形偏向器
８０７   矩形電子ビーム
８０８  偏向器
８０９   ウェーハ
８１０   試料室
８１１   ステージ
８１２   反射電子検出器
８１３   基準マーク
９０１   第２成形マスクの矩形開口
９０２   短冊状矩形断面
９０３   最大矩形断面
【図１】
2005236011.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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