(57)【要約】  【課題】  ピットまたはグルーブ、視認情報などの微細加工が可能な、ディスク原盤製造方法、ディスク原盤および簡略化されたカッティング装置を提供する。  【解決手段】  原盤に塗布された熱変化型の無機レジストをレーザ光によって露光すると共に、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御することを特徴とする、いわゆる自己フォーカス系の露光装置を用いることで、ディスクの微細加工を可能とする。また、この装置では、レーザパワーを変化させることによりスポット径が変化し、これに伴ってピットの大きさ、グルーブの太さを変化させることができる。これにより、視認情報のカッティング時には、ミラー部とピット、グルーブの各階調を組み合わせることで、多階調のコントラストをもつ視認情報を容易に形成することが可能となる。【選択図】  図３
2005258280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源を使用してピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを形成するディスク原盤の製造方法において、
原盤に塗布された無機レジストをレーザ光によって露光すると共に、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御することを特徴とするディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のディスク原盤の製造方法において、
上記無機レジストは、遷移金属の不完全酸化物を含む材料を用いることを特徴とするディスク原盤の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のディスク原盤の製造方法において、
上記露光方法は、所定のカッティング速度において、レジストに対して記録可能なレーザビームの所定のパワーよりも大きい第１のパワーでピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを形成し、
上記所定のパワーよりも小さい第２のパワーでミラー部を形成することを特徴とするディスク原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のディスク原盤の製造方法において、
上記戻り光によって検出されたフォーカスエラー信号量を上記戻り光の総量で除すことにより規格化した値をもとに、フォーカスサーボをかけることを特徴とするディスク原盤の製造方法。
【請求項５】
レーザ光源を使用してピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを形成するディスク原盤の製造装置において、
原盤に塗布された無機レジストをレーザ光によって露光する手段と、
上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御する手段とを有するディスク原盤の製造装置。
【請求項６】
レーザ光源を使用して形成されたピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを有するディスク原盤において、
原盤に塗布された無機レジストをレーザ光によって露光すると共に、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御することを特徴とするディスク原盤の製造方法を用いて作製されたディスク原盤。
【請求項７】
請求項６に記載のディスク原盤であって、
ピットあるいはグルーブに対応する凹凸パターンとミラー部によって視認情報を形成することを特徴とするディスク原盤。
【請求項８】
請求項７に記載のディスク原盤であって、
上記視認情報は、光ディスクドライブで読み出される信号エリアとは異なる領域に設けられたものであるディスク原盤。
【請求項９】
請求項７に記載のディスク原盤であって、
上記視認情報は、上記信号エリアの内側もしくは外側に形成されるものであるディスク原盤。
【請求項１０】
請求項７に記載のディスク原盤であって、
上記視認情報は、ピットとグルーブに対応する凹凸パターンとミラー部よりなる、２階調以上のコントラストを有するディスク原盤。
【請求項１１】
請求項１０に記載のディスク原盤であって、
上記２階調以上のコントラストは、露光時のレーザパワーを段階的に変えたピットエリアに対応する凹凸パターンと、露光時のレーザパワーを段階的に変えたグルーブエリアに対応する凹凸パターンと、ミラー部の組合せよりなるディスク原盤。
【請求項１２】
請求項１０に記載のディスク原盤であって、
多階調のコントラストは、露光時のレーザパワーを連続的に変えたピットエリアに対応する凹凸パターンと、露光時のレーザパワーを連続的に変えたグルーブエリアに対応する凹凸パターンとミラー部の組合せよりなるディスク原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、熱記録型の無機レジストを用いたディスク原盤製造方法、製造装置およびディスク原盤に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクのカッティングにはノボラック系有機レジストを用いて、フォトンモードと呼ばれる露光部分の光反応による作用でピットあるいはグルーブを形成する方法が広く行われてきた。しかしながら、上述したノボラック系有機レジストを用いた場合、照射したレーザ光がごく少量でもレジストにあたるとレジストが露光反応を起こしてしまい、不必要な部分をも露光させてしまう可能性がある。このため、フォーカス用光源はレジストの吸収波長帯から外れた波長を用いる必要があり、カッティング装置内に露光用とフォーカス用それぞれの光源が配されていた。
【０００３】
光ディスクを量産する場合には、原盤（シリコン原盤またはガラス原盤など）にレジストを塗布したものをレーザでカッティングすることによりピットまたはグルーブの形状を形成し、ニッケルメッキなどによりディスク原盤（スタンパ）を作製する。次に、ディスク原盤からプラスチック樹脂にピットまたはグルーブの形状を射出成形などにより転写し、その上に反射膜または記録膜、カバー層などを形成してなされる。
【０００４】
ここで、露光用光源とフォーカス用光源が独立したカッティングシステムにおいて、ピットまたはグルーブを形成する場合には、フォーカス用光源により常にレーザビームが原盤のレジスト上にフォーカシングされているので、所定のピットまたはグルーブに応じて露光用光源をＯＮ／ＯＦＦすればよい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように、カッティング時にはフォーカスサーボをかけることが必要であるが、露光用光源はＯＮ／ＯＦＦされるので、フォーカス用光源として用いることができない。その結果、別々に露光用光源とフォーカス用光源が必要となり、光学系が複雑化するという問題があった。
【０００６】
したがって、この発明の目的は、ピットまたはグルーブ、ディスク原盤を識別するための視認情報などの微細加工が可能な、ディスク原盤製造方法、ディスク原盤および簡略化されたカッティング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、この発明の第１の態様は、レーザ光源を使用してピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを形成するディスク原盤の製造方法において、原盤に塗布された無機レジストをレーザ光によって露光すると共に、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御することを特徴とするディスク原盤の製造方法である。
【０００８】
また、この発明の第２の態様は、レーザ光源を使用してピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを形成するディスク原盤の製造装置において、原盤に塗布された無機レジストをレーザ光によって露光する手段と、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御する手段とを有するディスク原盤の製造装置である。
【０００９】
また、この発明の第３の態様は、レーザ光源を使用して形成されたピットまたはグルーブに対応する凹凸パターンを有するディスク原盤において、原盤に対して塗布された無機レジストをレーザ光によって露光すると共に、上記レーザ光の戻り光によって上記レーザ光のフォーカスを制御することを特徴とするディスク原盤の製造方法を用いて作製されたディスク原盤である。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、この発明によれば、熱記録型無機レジストを用いたことにより、熱の強さがあるしきい値以上にならない限り露光しなくなった。つまり、ピットまたはグルーブ形成時は高いパワーでレーザを照射し、フォーカス時は常にしきい値以下でレーザを照射することで対応が可能となるため、１つの光源でフォーカス、露光ができ、カッティング装置の光源を大幅に簡略化することが可能となった。
【００１１】
それと共に、レーザパワー一定で照射したり、段階的もしくは連続的に変化させて照射することが可能となったことから、いわゆる自己フォーカス系という簡易的なシステムにおいて、視認情報の記録も容易となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１に示すように、シリコン原盤１にスパッタリングによってレジスト層３を形成する。まず、レジスト層３を作製する前の処理として、アモルファスシリコンを焼結して作ったターゲットを用いてアモルファスシリコン層２を厚さ８０ｎｍで成膜する。
【００１４】
単結晶シリコンからなるシリコンウェハーのように熱伝導率が大きい原盤を用いる場合、無機レジスト層の露光時に収束されたレーザを照射しても無機レジスト層に与えられた熱量の拡散が大きくなるため、露光ができない。そこで、シリコン原盤−無機レジスト層間にアモルファスシリコン層を挿入することにより熱の拡散が抑制され、無機レジスト層に露光パターンが形成できるようにする。
【００１５】
次に、表面が十分に平滑化されたシリコン原盤１上に、スパッタリングにより遷移金属の不完全酸化物を焼結して作ったターゲットを用いて無機レジスト層３を成膜した。レジスト層３の厚さは５５ｎｍとする。スパッタ装置は図２に概略を示すような２元のスパッタ装置とし、一方のカソードには例えばタングステンターゲットを装着し、もう一方のカソードには例えばモリブデンターゲットを装着する。シリコン原盤は、ホルダー１０に取り付けられホルダー１０上で自転運動する。またホルダー１０はスパッタ装置内で回転（公転）する構造となっており、タングステンＷならびにモリブデンＭｏのカソードを放電させた状態でシリコン原盤１１を自公転させることにより、合金膜を被着させることができる。また、混合割合はそれぞれの投入電力を変えることにより制御することが可能である。
【００１６】
このとき成膜ガスにアルゴンならびに酸素を導入することで、タングステンＷならびにモリブデンＭｏの酸化物からなる無機レジスト材料を得る。また、成膜ガス中の酸素濃度を変えることにより、遷移金属の不完全酸化物の酸化度合いを制御することが可能である。
【００１７】
次に、図３に示すようなレーザ露光装置を用いてカッティングを行う。この露光装置は、参照符号２２で示されるスピンドルテーブルと、参照符号２５で示されるスライダと、参照符号２６で示されるピックアップユニットとから構成されている。
【００１８】
スピンドルテーブル２２は、露光時にレジスト基板２１をチャッキングし、回転させるためのものである。スライダ２５は、スピンドルテーブルと回転モータ全体を水平な一方向に精度良く位置制御するためのものである。
【００１９】
ピックアップユニット２６は、対物レンズより出射させたレーザ光をレジスト基板にフォーカシングしながらレーザパワーの切り替えができるものである。このピックアップユニット２６は、内部にレーザ光源とフォトディテクタ、フォーカス機能を含むものであり、従来の複雑な機構を簡略化することが可能となった。
【００２０】
露光時に用いる対物レンズの開口数ＮＡは０．８５とし、レーザの波長は４０５ｎｍとした。フォーカス方式は非点スポットサイズ検出法を用いた。
【００２１】
レジスト層の成膜が終了したレジスト基板２１を、図３に示されるカッティング装置のスピンドルテーブル２２に、レジスト層が上側になるようセットする。
【００２２】
次に、レジスト層に所望のパターンでの露光がなされるように、スピンドルテーブル２２を回転させながらレジスト基板２１の径方向に動かし、ピックアップユニット２６を用いて露光する。
【００２３】
なお、画像やデータを記録するデータエリアはディスク上のＲ＝２１ｍｍ〜Ｒ＝５８ｍｍ（Ｒは半径を表す）に設けた。また、データエリアには、所定の変調によるピットを線速度一定４．９２ｍｍ／Ｓ、トラックピッチ０．３２μｍにて書き込む。変調信号は１−７ＰＰ、チャンネルクロック６６ＭＨｚとした。１−７ＰＰ変調は、チャンネルクロック周期をＴとするとき、２Ｔ〜８Ｔのピットと２Ｔ〜８Ｔのランドの組み合わせによりなる変調方式である。
【００２４】
さらに、この発明を適用した露光装置を用いて、生産工程においてディスクやディスク原盤の管理を容易にするための視認情報をカッティングすることも可能である。視認情報としては、バーコード情報や文字や数字などを配列して品番としたものなどが挙げられる。視認情報は、カバー層が透明であるため、信号面と共にカバー層越しに目視で確認可能である。バーコード情報の場合はバーコードを読み取るための機器を用いて判別するが、文字や数字などを用いた場合は読み取り機器を使用しなくても判別できる点でより好適である。また、成形基板が透明であれば、成形基板側からも視認情報を読み取ることができる。
【００２５】
視認情報は内側から外側へのスパイラル状トラックにより、半径位置Ｒ＝１９ｍｍ〜Ｒ＝２１ｍｍ間の幅２ｍｍのドーナツ状エリアにカッティングを行う。
【００２６】
また、視認情報はピット部、グルーブ部、ミラー部の階調の組み合わせにより、種々のパターンが可能である。
【００２７】
視認情報エリアをピット部とミラー部の２階調コントラストとする場合について説明する。所定の視認情報を得るような、２色に相当する２階調（２値）ピクセル位置データをＲ−θ座標に変換したデータを計算により求める。θ方向データは、スピンドル１回転に同期したパルスを２１００分の１に分周したスピンドルインデックスパルスに同期させ、Ｒ方向データはトラックピッチ０．３２μｍに同期させて、カッティングの進行に応じて順次データを送出する。
【００２８】
信号送出機は外部からの２値信号に応じてパワーを切り替える。所定のカッティング線速度においてレジストが露光するしきい値パワーＢよりも十分高いパワーＡによるピットエリアと、パワーＢよりも十分に低いパワーＣによるミラーエリアの２階調で視認情報エリアを構成する。パワーＡは図４のようないわゆるライトストラテジ変調にて青色半導体レーザを直接変調したときのピーク値である。
【００２９】
対物レンズより出射してレジスト基板上に照射される光パワーにおいて、ピークパワー１０．０ｍＷ、ボトムパワー０．５ｍＷ、中間パワー１．０ｍＷとした。パワーＣは０．５ｍＷ、詳しくいうと、青色半導体レーザをいわゆる高周波重畳変調した時、対物レンズより出射したビームのパワーをパワーメータで測定した値として、フォトディテクタの周波数帯域制限により高周波重畳変調されたパルスが時間的に平滑化されたパワー測定値を０．５ｍＷとした。高周波重畳をかけるのは、低パワーで安定したレーザ発光を得て安定したフォーカス動作を得る為である。
【００３０】
ここで、フォーカス方法としては非点収差法やフーコー法、ナイフエッジ法、非点スポットサイズ検出法など知られた方式を用いればよい。フォーカスサーボをかける際のフォーカスエラー信号は、パワーを切り替えても安定したフォーカス動作を得る為に、自己フォーカス系で検出するフォーカスエラー信号量を原盤からの戻り光総量で除して規格化した量をもとにフォーカスサーボをかける。具体的には、フォーカスエラー信号Ｒを次のように得る。
【００３１】
各フォーカス方式に応じたフォーカス検出用分割フォトディテクタの各分割区分の戻り光に応じた電圧成分に所定の加減算を施して、第一のいわゆるフォーカスエラー信号Ｐを得る。これら各分割区分の戻り光に応じた電圧成分全てを加算することで、原盤からの戻り光総量Ｑを算出する。規格化したフォーカスエラー信号をＰ／Ｑ＝Ｒとして、フォーカスサーボに用いるフォーカスエラー信号Ｒを得る。これらフォーカスエラー信号は、１−７ＰＰ変調の周波数成分や、ライトストラテジ変調の周波数成分を除去するため、フォトディテクタからの戻り光検出電圧信号を、３０ｋＨｚのローパスフィルタを通過させて処理している。
【００３２】
図５、図６に、フォーカスエラー信号Ｐと、規格化後のフォーカスエラー信号Ｒを示す。図５はフォーカスエラー信号Ｐが高パワーであった場合であり、図６はフォーカスエラー信号Ｐが低パワーであった場合である。
【００３３】
また、図７は視認情報をピット部とミラー部によって形成したときの、ディスクの断面の一例を示す模式図である。文字や数字を表す部分をミラー部とし、その他の部分をピット部とすることにより、視認情報を形成する。また、図７で示したものとは逆に、文字や数字を表す部分をピット部とし、その他の部分をミラー部として視認情報を形成してもよい。
【００３４】
非点スポットサイズ検出法によりフォーカスサーボをかけて、カッティングしたときのフォーカスエラー信号Ｒつまりフォーカス取れ残りに相当する量は、ピット形成時に５ｎｍp-p（ｐ−ｐ：ｐｅａｋ  ｔｏ  ｐｅａｋ）、ミラー形成時に５ｎｍp-p、ピット／ミラー切り替え境界エリアに１５ｎｍp-pと十分に小さい。ピットからミラーあるいはミラーからピットにパワーを切り替えたときに、フォーカスエラー信号Ｒが安定するまでの時間は２０μｓｅｃ程度であったが、フォーカスエラー量は１５ｎｍp-pと十分小さく、視認情報のコントラストには影響しなかった。
【００３５】
次に、レジスト基板を現像する。レジスト基板に現像液を滴下し、レジストを選択的に溶解させることで、ピットまたはグルーブがパターニングされたレジスト基板を得ることができる。現像液としては、酸またはアルカリ等の液体を用いる。現像に用いられるアルカリ溶液としてはテトラメチルアンモニウム水酸化溶液、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ2ＣＯ3等があり、酸性溶液としては塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等が挙げられる。これの中から任意のものを選べばよい。
【００３６】
レジスト基板の現像後、無電界メッキ法等により導電化膜層を形成し、導電化膜層が形成されたレジスト基板を電鋳装置に取り付け、電気メッキ法により導電化膜層上に金属メッキ層を形成し、ディスク原盤を作製する。
【００３７】
このディスク原盤を用いてポリカーボネート樹脂を射出成形することにより、ピットまたはグルーブが形成された直径１２ｃｍ、厚さ１.１ｍｍのディスク基板を作製する。次に、ピットまたはグルーブが形成された信号面側に反射膜または記録膜を形成し、その上に厚さ０.１ｍｍの透明カバー層を形成してディスクを作成する。
【００３８】
図８は、視認情報の形成されたディスクの一例を示す模式図である。参照符号３１で示す領域は、クランピングエリアである。参照符号３２で示す領域は、視認情報エリアである。参照符号３３で示す領域は、データ領域である。ディスクのカバー層は透明なので、信号面とともに視認情報をカバー層越しに目視で確認することができる。ディスクの量産において信号面の欠陥を検査すると同時に、ディスクの視認情報に込められた品番などの情報を読み取り生産管理に応用することができる。
【００３９】
上述したような、ピット部とミラー部の２階調コントラストとすることによって視認情報を形成する以外に、ピット部の階調を増す方法や、ピット部とミラー部の他グルーブ部を用いる方法によっても視認情報を形成することが可能である。
【００４０】
視認情報エリアをピット部２階調とミラー部の３階調コントラストとする場合について説明する。所定の視認情報を得るような、３色に相当する３階調（３値）ピクセル位置データをＲ−θ座標に変換したデータを計算により求める。θ方向データは、スピンドル１回転に同期したパルスを２１００分の１に分周したスピンドルインデックスパルスに同期させ、Ｒ方向データはトラックピッチ０.３２μｍに同期させて、カッティングの進行に応じて順次データを送出する。
【００４１】
信号送出機は外部からの３値信号に応じてパワーを切り替える。所定のカッティング線速度においてレジストが露光するしきい値パワーＢよりも十分高いパワーＡ１、Ａ２によるピットエリアと、パワーＢよりも十分に低いパワーＣによるミラーエリアの３階調で視認情報エリアを構成する。パワーＡ１は図４のようないわゆるライトストラテジ変調にて青色半導体レーザを直接変調したときのピーク値である。
【００４２】
対物レンズより出射してレジスト基板上に照射される光パワーにおいてピークパワー１２.０ｍＷ、ボトムパワー０．５ｍＷ、中間パワー１．０ｍＷとした。パワーＡ２は同様にピークパワー９.０ｍＷ、ボトムパワー０．５ｍＷ、中間パワー１．０ｍＷとした。パワーＣは０．５ｍＷ、詳しくいうと、青色半導体レーザをいわゆる高周波重畳変調（変調周波数３００ＭＨｚ）した時、対物レンズより出射したビームのパワーをパワーメータで測定した値として、フォトディテクタの周波数帯域制限により高周波重畳変調されたパルスが時間的に平滑化されたパワー測定値を０．５ｍＷとすればよい。その後、それぞれのパワーにおいて規格化したフォーカスエラー信号によりフォーカスサーボをかける。
【００４３】
視認情報エリアをピット部とグルーブ部とミラー部の階調との合計３階調コントラストとする場合について説明する。所定の視認情報を得るような、３色に相当する３階調（３値）ピクセル位置データをＲ−θ座標に変換したデータを計算により求める。θ方向データは、スピンドル１回転に同期したパルスを２１００分の１に分周したスピンドルインデックスパルスに同期させ、Ｒ方向データはトラックピッチ０.３２μmに同期させて、カッティングの進行に応じて順次データを送出する。
【００４４】
信号送出機は外部からの３値信号に応じてパワーを切り替える。所定のカッティング線速度においてレジストが露光するしきい値パワーＢよりも十分高いパワーＡによるピットエリアと、パワーＢよりも十分に高いパワーＤによるグルーブエリアと、パワーＢよりも十分に低いパワーＣによるミラーエリアの３階調で視認情報エリアを構成する。パワーＡ１は図４のようないわゆるライトストラテジ変調にて青色半導体レーザを直接変調したときのピーク値である。
【００４５】
対物レンズより出射してレジスト基板上に照射される光パワーにおいてピークパワー１０．０ｍＷ、ボトムパワー０．５ｍＷ、中間パワー１．０ｍＷとした。パワーＤは直流発光により８．０ｍＷとした。パワーＣは０．５ｍＷ、詳しくいうと、青色半導体レーザをいわゆる高周波重畳変調した時、対物レンズより出射したビームのパワーをパワーメータで測定した値として、フォトディテクタの周波数帯域制限により高周波重畳変調されたパルスが時間的に平滑化されたパワー測定値を０．５ｍＷとすればよい。それぞれのパワーにおいて規格化したフォーカスエラー信号によりフォーカスサーボをかける。ピット部とグルーブ部は可視光による回折と散乱による見え方が異なるため異なる階調の視認性を得ることができる。
【００４６】
視認情報エリアを多階調のピット部とミラー部による多階調コントラストとする場合について説明する。コントラストを３２階調として、視認情報に相当する３２階調（５Ｂit）のピクセル位置データをＲ−θ座標に変換したデータを計算により求める。θ方向データは、スピンドル１回転に同期したパルスを２１００分の１に分周したスピンドルインデックスパルスに同期させ、Ｒ方向データはトラックピッチ０.３２μmに同期させて、カッティングの進行に応じて順次データを送出する。
【００４７】
信号送出機は外部からの５Ｂit信号に応じてパワーを切り替える。所定のカッティング線速度においてレジストが露光するしきい値パワーＢとこれよりも十分高いパワーＡによって挟まれるパワー値区間を３２分割して、５Ｂitコントラスト値に応じたパワー値を割り当てる。しきい値パワーＢでは露光が行われずミラー部と同等となる。これよりパワーを３２分割値に応じて段階的に上げていくと、徐々に大きなピットが形成されてゆき、最大パワーＡでは最も大きいピットが形成されてミラー部と比べて最もコントラスト差のある見え方が得られる。これにより３２階調コントラストの視認情報エリアを構成する。パワーＡは図４のようないわゆるライトストラテジ変調にて青色半導体レーザを直接変調したときのピーク値である。
【００４８】
対物レンズより出射してレジスト基板上に照射される光パワーにおいてピークパワー１１．０ｍＷ、ボトムパワー０．５ｍＷ、中間パワー１．０ｍＷとした。パワーＢは同様にピーク値８．０ｍＷとした。途中段階のピークパワーはＡ＝１１．０ｍＷとＢ=８．０ｍＷを３２分割、つまり０.２ｍＷ刻みに分割してそれぞれ割り当てたパワーとする。それぞれの３２段階パワーにおいて規格化したフォーカスエラー信号によりフォーカスサーボをかける。ピットの大きさに応じて可視光による回折と散乱による見え方が異なるため、多階調の視認性を得ることができる。
【００４９】
以上のように、ピットまたはグルーブと共に、ピット部の階調、グルーブ部の階調、ミラー部のそれぞれを組み合わせることで、さまざまな階調の視認情報をディスク上に形成することが可能である。
【００５０】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００５１】
例えば、視認情報に限らず、記録データに対応するピットを形成したり、書き込み用のアドレスを含むウォブルグルーブを形成するのにもこの発明を適用することができる。
【００５２】
また、アモルファスシリコン層やレジスト層の厚さはレジスト膜の露光ビームに対する感度やディスクピット、グルーブなどの変調度等を考慮して、各層の最適な厚みを選べばよい。
【００５３】
また、無機レジスト層は不完全酸化物よりなるものでなくても良く、熱記録型の無機レジストであれば任意のものを用いることが可能である。
【００５４】
また、カッティング時に用いる露光装置において、レジスト基板を固定し、ピックアップユニットを動かしてカッティングするような構成としてもよい。
【００５５】
また、視認情報は信号エリアの内側のみでなく、外側に形成してもよい。
【００５６】
また、円形のディスクのみでなく、角型のカード型の記録媒体についてもこの発明を適用することが可能である。
【００５７】
また、上述の一実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】レジスト基板の断面図を示す模式図である。
【図２】レジスト基板の作製工程において、レジスト層を形成するスパッタ装置の一例を示す模式図である。
【図３】この発明を適用できるカッティング装置の構造の一例を示す模式図である。
【図４】この発明を適用できるカッティング方法におけるレーザ出力のマルチパルス変調を示す模式図である。
【図５】フォーカスエラー信号が高パワーである場合の、規格化したフォーカスエラー信号Ｒを示す模式図である。
【図６】フォーカスエラー信号が低パワーである場合の、規格化したフォーカスエラー信号Ｒを示す模式図である。
【図７】視認情報をピット部とミラー部によって形成したときの、ディスクの断面の一例を示す模式図である。
【図８】視認情報の形成されたディスクの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・レジスト層
２・・・アモルファス層
３・・・シリコン原盤
１０・・・ホルダー
１１・・・シリコン原盤
１２・・・タングステンターゲット
１３・・・モリブデンターゲット
２１・・・レジスト基板
２２・・・スピンドルテーブル
２３・・・モータ
２４・・・軸受け
２５・・・スライダ
２６・・・ピックアップユニット
【図１】
2005258280.tif 000003
【図２】
2005258280.tif 000004
【図３】
2005258280.tif 000005
【図４】
2005258280.tif 000006
【図５】
2005258280.tif 000007
【図６】
2005258280.tif 000008
【図７】
2005258280.tif 000009
【図８】
2005258280.tif 000010