(57)【要約】【課題】  単一スポットの複合ビームを生成するための、改善された、レーザ、好ましくはＶＣＳＥＬｓ、のアレイの出力を結合する。【解決手段】  酸化物が閉じ込められたＶＣＳＥＬｓのフェーズ・アレイ、および、酸化物が閉じ込められたＶＣＳＥＬｓのフェーズ・アレイを形成するための方法が説明される。アレイ内のＶＣＳＥＬｓは、複数のＶＣＳＥＬｓの出力が、ある点で光強度を増加させるために使用され得るように、同時にアドレス指定されるように設計される。ＶＣＳＥＬアレイからのビーム・コヒーレンスが望ましい場合の応用において、高ゲイン・カップリング領域は、各ＶＣＳＥＬ開口を囲む酸化壁の連続性を破る。高ゲイン・カップリング領域は、ＶＣＳＥＬアレイ内で隣接するＶＣＳＥＬを接続することによって、隣接するレーザと光のコヒーレント・ビームの出力の間のモード・カップリングを可能とする。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に第１の酸化壁を形成する酸化された半導体材料によって囲まれた第１のレーザ開口を含む第１のＶＣＳＥＬ、
前記第１のＶＣＳＥＬに隣接して配置された第２のＶＣＳＥＬであって、当該第２のＶＣＳＥＬが、少なくとも部分的に、第２の酸化壁を形成する酸化された半導体材料によって囲まれた第２のレーザ開口を含む、第２のＶＣＳＥＬ、および、
電流を、前記第１のＶＣＳＥＬおよび前記第２のＶＣＳＥＬとに同時に提供するための接触部(contact)であって、前記第１のＶＣＳＥＬおよび前記第２のＶＣＳＥＬが、接触部が電流を同時に前記第１のＶＣＳＥＬおよび前記第２のＶＣＳＥＬに提供するときに、前記第１のＶＣＳＥＬによる一過性の波の出力(evanescent wave output)が、前記第１のＶＣＳＥＬと前記第２のＶＣＳＥＬの間のモード・カップリングを引き起こすように、近くにまとめられ(closely packed)た、接触部、
を備える垂直キャビティ表面発光レーザ(ＶＣＳＥＬｓ)のアレイ。
【請求項２】
第１のレーザ開口を含む第１のＶＣＳＥＬであって、当該第１のレーザが部分的に、第１の酸化壁および少なくとも当該第１の酸化壁内の開口によって囲まれる、第１のＶＣＳＥＬ、
前記第１のＶＣＳＥＬに隣接して配置された第２のＶＣＳＥＬであって、当該第２のＶＣＳＥＬが、第２の酸化壁および当該第２の酸化壁内の開口によって部分的に囲まれた第２のレーザ開口を含み、前記第１の酸化壁内の当該開口および当該第２の酸化壁内の開口が、整列されて(aligned)、前記第１のＶＣＳＥＬからの一過性の波(evanescent waves)が、前記第２のＶＣＳＥＬのアクティブな領域と相互作用することを促進する、第２のＶＣＳＥＬ、
を備える垂直キャビティ表面発光レーザ(ＶＣＳＥＬｓ)のアレイ。
【請求項３】
第１の酸化壁を形成するための、横方向の酸化(lateral oxidation)開始点の役割を果たす第１の複数の中間ホールであって、当該第１の酸化壁が、少なくとも部分的に、第１のＶＣＳＥＬのレーザ開口を囲む、第１の複数の中間ホール、
第２の酸化壁を形成するための、横方向の酸化開始点の役割を果たす第２の複数の中間ホールであって、当該第２の酸化壁が、少なくとも部分的に第２のＶＣＳＥＬのレーザ開口を囲む、第２の複数の中間ホール、および、
電流を同時に、前記第１のＶＣＳＥＬおよび前記第２のＶＣＳＥＬに提供するための接触部(contact)、
を備える垂直キャビティ表面発光レーザ(ＶＣＳＥＬｓ)のアレイ。
【請求項４】
基板に複数の中間ホールを形成する動作(operation）、
前記基板を横方向に酸化する動作であって、当該動作によって第１のレーザ開口を部分的に囲む第１の酸化壁および第２のレーザ開口を部分的に囲む第２の酸化壁を形成し、当該第１のレーザ開口は、当該第１のレーザ開口からの一過性の波が、当該第１のレーザ開口と当該第２のレーザ開口の間のモード・ロッキングを引き起こすように配置される、前記基板を横方向に酸化する動作、
を含む、ＶＣＳＥＬのアレイを形成する方法。
【請求項５】
第１の酸化壁を形成する酸化された半導体材料によって少なくとも部分的に囲まれた(bounded by)第１のレーザ開口を含む第１のＶＣＳＥＬ、
前記第１のＶＣＳＥＬに隣接して配置された第２のＶＣＳＥＬであって、第２の酸化壁を形成する酸化された半導体材料によって少なくとも部分的に囲まれた第２のレーザ開口を含む第２のＶＣＳＥＬ、および、
前記第１のＶＣＳＥＬと前記第２のＶＣＳＥＬの間に配置された高ゲイン領域であって、当該高ゲイン領域が、前記第１のＶＣＳＥＬと前記第２のＶＣＳＥＬの間のモード・カップリングを強調(enhance)するためのものである、高ゲイン領域、
を備える垂直キャビティ表面発光レーザ(ＶＣＳＥＬｓ)のアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェーズ・アレイ酸化物密閉ＶＣＳＥＬＳ(vertical cavity surface-emitting lasers)に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直キャビティ表面放射レーザ(ＶＣＳＥＬＳ)が製造され得る場合に関連するケースでは、印刷、データ記憶、およびネットワーク通信のような種々の応用における、増大するＶＣＳＥＬｓの使用をもたらす。しかし、各ＶＣＳＥＬの少ない光放射面積は、各ＶＣＳＥＬによって生成され、出力され得る光出力パワーをひどく制限する。この欠点は特に、単一モード素子においてひどい。単一モード素子の狭いビーム・プロファイルは、印刷から、広域ネットワーク通信までに亘る応用の範囲において非常に望まれる。
【０００３】
ターゲット・ポイントにおいて光パワーを増大させる一つの方法は、複数のレーザを整列させ(align)、同時スイッチすることによって、複合ビーム(composite beam)を形成することである。しかし、独立のレーザのアレイを用いることによって、各レーザが、それ自身の独立強度パターンを持つことになる。独立の強度パターンを結合することは、複数の明確なスポットとして現れる複合ビームにつながる。これらの明確なスポットは、パワー出力の高集中を持つ中央放射ローブが望まれる、通信および印刷への応用のためには不適切である。
したがって、単一スポットの複合ビームを生成するための、改善された、レーザ、好ましくはＶＣＳＥＬｓ、のアレイの出力を結合する方法が、必要とされる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は全体として、レーザ製造の分野に関連する。より詳細には、複数のＶＣＳＥｓが製造される。第１のＶＣＳＥＬは、少なくとも部分的に、第１の酸化物壁によって囲まれ、第２のＶＣＳＥＬは、少なくとも部分的に、第２の酸化物壁によって囲まれる。接触が、パワーを、第１のＶＣＳＥＬおよび第２のＶＣＳＥＬの双方に同時に提供するために構築される。本発明の１つの実施例においては、高ゲインカップリング領域が、第１のＶＣＳＥＬのアクティブ領域を、第１の酸化物壁および、第２の酸化物壁内の対応するギャップ内のギャップを通じて、第２のＶＣＳＥＬのアクティブ領域にカップルする。高ゲインカップリング領域は、第１のＶＣＳＥＬと第２のＶＣＳＥＬの間のモード・カップリングを強化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明のより完全な評価が、詳細な記述および添付の図面を参照することによって、より直接的に理解され得る。
以下の詳細な記述において、横方向に酸化された開口を用いたＶＣＳＥＬのアレイを形成する方法およびシステムが説明される。共通のコンタクトが、複数のＶＣＳＥＬを同時にアドレシングする。本発明の１つの実施例において、ＶＣＳＥＬは、隣接するＶＣＳＥＬｓの間のモード漏れを促進するために設計された、近接して間隔があけられ、薄い、横方向に酸化された領域によって分離される。モード漏れは、隣接するＶＣＳＥＬｓの出力をある位相に維持することによって、これらの隣接するＶＣＳＥＬｓの出力が、コヒーレントな複合ビームに結合されることを可能とする。
【０００６】
図１は、エッチングされたピラー構造を持つ、酸化物密閉されたＶＣＳＥＬメサ構造の断面側面図を示す。メサ側壁104は、埋められたアルミニウム含有層108へのアクセスを提供する。埋められた層108は、レーザ開口112、116、120を形成するために、選択的に酸化される。一般的な従来技術のＶＣＳＥＬｓにおいて、空隙124が隣接するレーザ開口112および116を完全に分離するように、メサのエッジは完全に、レーザ開口を取り囲む。空隙は、隣接レーザの間の光フィールドの近接カップリングを防ぐ。
酸化物層にアクセスするために、ピラーの替わりに、中間ホール(via hole)を用いることによって、より緊密なＶＣＳＥＬ構造のパッキングが可能となる。中間ホールは一般的に、酸化によって、各中間ホールからの酸化前部が拡張して、隣接中間ホールからの酸化前部と混ざって、多角形の中央においてレーザ開口を規定するように、多角形の角に沿って配置される。
【０００７】
図２は、４つのレーザ開口204、208、212、216の上面顕微鏡図を示す。隣接するレーザ開口を近くにまとめ(packing)て、隣接レーザ開口の間の材料を最小化することによって、各ＶＣＳＥＬの光出力の高要素内カップリング(high inter-element coupling)が達成され得る。隣接レーザを分離する酸化層を最小化するために、酸化工程は一般的に、各開口が完全に、酸化された材料によって囲まれる前に終了される。
【０００８】
図３は、共通の中間ホール312によって生成された酸化前部の異なったセクションを共有する、領域304、308のような隣接レーザ開口領域を示す。各中間ホールによって形成された酸化前部を共有することは、単位面積におけるＶＣＳＥＬ密度を増加させ、隣接するＶＣＳＥＬｓの間のモード・カップリングを更に強調する。理想的には、十分なモード・カップリングは、隣接開口領域の間のモード・ロッキング(mode locking)を含む。図３は、８×８矩形アレイに配列された６４ＶＣＳＥＬ要素構造を示す。図示された実施例において、透明なインジウム・スズ酸化物(ＩＴＯ)電極316は、全体のアレイを覆う。端子320は、ＩＴＯ電極を、電源(不図示)にカップリングする。ＩＴＯ電極は、注入電流を、レーザ開口に提供する。
酸化された材料は、少なくとも部分的に、アレイ内の各ＶＣＳＥＬを囲む。酸化された材料は、光開口を規定する横方向のウェーブガイドを形成する。
横方向の酸化の拡張を限定することは、隣接ＶＣＳＥＬレーザ開口の間のモード漏れおよびカップリングを強化する。例えば、図３の６辺形構造内の隣接中間ホールの間が８つのマイクロメーター(micrometer)の直線距離であると想定すると、中間ホールのエッジから酸化部のエッジへの最短距離となるように規定された酸化拡張(oxidation extent)314は、好ましくは、0.5マイクロメータより小さくなければならない。0.5マイクロメータ酸化前面(oxidation front)を実現するために、のAl0.8Ga0.2Asのための一般的な酸化時間は、大体７分である。
【０００９】
レーザ開口を規定する酸化前面(oxidation front)の間の実際の間隔(spacing)は、レーザによる波長出力、および、開口内の有効屈折率、を含むファクターの数にしたがって変動する。特に、モード・ロッキングを誘導する一過性の波の範囲(extent of evanescent wave)は、中間ホールの間隔および酸化時間を決定する。一過性の波の電磁界強度は一般的に、ｅ-Z/Z0の関数で減少する。ここで、Ｚは、開口の境界からの距離であり、Ｚ0は、特性長(characteristic length)である。この特性長は大体、（レーザの波長）÷２pi(sqrt(2(ｎ＊ｆ＊ｄｎ)))に等しい。ここで、ｎは、開口の有効屈折率であり、ｆは、アレイ要素の間のカップリング領域での酸化されていない領域への酸化された領域の分数(fraction)であり、ｄｎは、酸化された領域での有効屈折減少である。詳細な計算は、Optic Letters, vol. 20, no. 13. 13 pp 1483-1485, 1995でのG. R. Hadleyによる「Effective index model for vertical-cavity surface-emitting lasers」という文献で提供される。
一般的なＶＣＳＥＬは、大体850ｎｍで作動し、有効屈折率ｎは約3で、例示的有効屈折減少ｄｎは、大体0.065である。図３の構造が、0.5マイクロメータの横方向の酸化拡張(extent)を持つ、と想定すると、特性長Ｚ0は、約0.87マイクロメータである。そのような近似に基づくと、モード相互作用長(mode interaction length)が計算され得る。モード相互作用長は一般的に、大体特性長の５倍であると想定される。しかし、モード相互作用長は、更に、図１の酸化エピタキシャル層150、レーザ・アクティブ領域154からを遠ざけることによって、最大、特性長の１０倍まで増加され得る。そのようなパラメータを用いて、レーザ寸法(dimensions)は、隣接レーザの間のロッキングを可能とするように調整される。
レーザ・フェーズ・アレイは通常、遠隔フィールド(far field)で存在する、２つ或いはそれ以上の放射ローブを生成する高次スーパーモードで作動する。しかし、単一放射ローブで光パワーを集中する単一モード動作が、多くの応用のために望ましい。単一モード動作を実現するために、本発明の１つの実施例は、不所望の遠隔フィールドローブ(far field lobe)をブロックまたは減少する。本発明の代替的な実施例は、高ゲイン・カップリング領域の、隣接レーザ開口の間への配置による、(遠隔フィールド領域での単一放射ローブを伴う)基本スーパーモード動作を実現する。これらの高ゲイン・カップリング領域は、実際のレーザ開口で発見されるゲインに比べて、より高いゲインを持ち得る。ゲインを増加させる１つの方法は、レーザ開口領域の伝導度に比べて、カップリング領域の伝導度(conductivity)を増加させることである。より高い伝導度は、レーザ開口領域に比べて、高ゲイン・カップリング領域で電流密度を増大(単位面積当り、より多くの電流)させる。
【００１０】
伝導度を増加させる１つの方法は、高ゲインカップリング領域を、亜鉛のような適切なドーパントでドーピングすることである。ドーピングは、レーザ開口領域をマスキングし、適切なドーパントをカップリング領域に拡散することによって為され得る。或いは、ドーパントは、直接イオン・インプランテーションによって加えられ得る。
ドープされた高ゲイン領域にとって、レーザ光を放射することは、望ましくない。光ゲインカップリング領域でのレージングを防ぐために、カップリング領域に亘ってのミラー反射度が削減され得る。この削減は、例えば、カップリング領域の上の上部ミラー層の一部または全てを削除することによって達成され得る。実際には、ＶＣＳＥＬウェーハは、カップリング領域の上の不保護エリア内の上部ＤＢＲミラーが、例えば化学アシストされたイオン・ビーム・エッチングによって、選択的にエッチングされ得るようにマスクされ得る。
光ゲインカップリング領域の上のミラーの反射度を削減する第２の方法は、その領域の上に追加の薄膜層を蒸着する(deposit)ことである。これらの追加の層は、もしそれらが、特に、現存するミラー層に位相マッチするために設計されていないならば、反射度を削減する。有効な反射度削減は、追加の層が特に、ＤＢＲ層の反射度を打ち消すためのアンチ反射被覆として設計されている時に起こる。
依然として、光ゲイン・カップリング領域でのレージング(lasing)を防ぐ第３の方法は、カップリング領域自身か、カップリング領域の上のミラーかのいずれかにおいて、光損失を選択的に導入することである。例えば、アクティブな光発光層の近くの、ミラー層への重いｐ型のドーピングは、自由キャリア吸収を強化する。より高い光損失は、キャビティ品質要因を削減し、それらの領域でのレージングに対するスレッシュホールドを増加させる。
【００１１】
図４は、ＶＣＳＥＬレーザ・フェーズ・アレイの製造の１つの方法を説明するフロー・チャートである。ブロック404において、ＶＣＳＥＬエピ構造(epi-structure)が成長させられる。例示的構造は一般的に、ｎドープされたＤＢＲ(分散されたブラッグ反射器（Bragg reflector）のスタック)と、それに続く、アクティブ層および基板上のｐドープされたＤＢＲを含む。アクティブ層は、一般的に高Ａｌ含有物(content)を、酸化されるべきアクティブ層領域に含ませることによる、選択的酸化を可能とする。
ブロック408は、開口部の間での、高ゲイン・カップリング領域の形成を説明する。これらのカップリング領域の形成は、基本的スーパーモード動作を助長する。前述のように、高ゲイン・カップリング領域を形成する１つの方法には、カップリング領域の伝導度(conductivity)を増加させるための、亜鉛のようなｐドーパントの拡散が含まれる。レーザ開口を覆うマスクは、ｐドーパントの、カップリング領域内への拡散を制御する。本発明の１つの実施例において、ブロック410で説明されたような、高ゲインカップリング領域の上のミラーの選択的エッチングを可能とするために、これらの同じマスクが使用され得る。選択的エッチングは、ミラー反射度を削減し、カップリング領域でのレージングを防ぐ。使用後、マスクは除去され得る。
ブロック412において、透明な電極が、ウェーハ表面の上(over)に蒸着される。１つの実施例において、インジウム・スズ酸化物(ＩＴＯ)、または亜鉛酸化物、を蒸着して、透明な電極を形成するためにスパッタリング工程が使用される。透明な電極は同時に、レーザ・アレイ内の、複数の隣接するレーザへの電流を提供する。透明な電極は、高ゲイン・カップリング領域をも覆って、カップリング領域内に電流を提供することによって、光ゲインを提供し得る。本発明の１つの実施例において、透明な電極は、全体のレーザ・アレイの上に、均一的に電流を注入する一方、同時に、透明電極を通じた高い光出力を可能とする、「ブランケット(blanket)」を形成する。透明電極の厚みを、レーザ・アレイによって光出力の波長の１／２に調整することによって、電極による光反射が最小化される。透明電極の蒸着の後に、連続する高速アニールが実行され得る。第１のアニールは、スパッタされた透明電極材料を結晶化させる。第２のアニールは、透明電極とその下のGaAs材料の間に抵抗接触(ohmic contact)を形成する。
透明電極の蒸着の後に、中間ホールの格子がパターン化される。ブロック416において、中間ホールがエッチングされる。１つの実施例において、ドライ・エッチが用いられて、透明電極、および、埋められた酸化可能層(一般的に、アクティブ領域の近くの高アルミニウム含有のAlGaAs層)を露出させる下のエピ層、を通じてエッチング(etch through)する。中間ホールは、中間ホールの各組が、各レーザ開口を囲む多角形の頂点を形成するようにされる。
【００１２】
酸化されたウェーブガイドを形成するために、レーザ・アレイは、濡れた酸化炉(wet oxidation furnace）に配置されて、ブロック420で説明されたように、中間ホールを通じて、埋められた層を横方向に酸化する。酸化工程の時間および温度は、酸化の程度に依存する。酸化時間を限定することによって、中間ホールから始まる酸化領域が、隣接する中間ホールから始まる隣接する酸化領域に接触することが避けられる。隣接する酸化された領域の間に残存する、酸化されていない領域は、隣接するレーザ開口の間の高ゲイン・カップリング領域としての役割を果たす。酸化領域は、横方向のウェーブガイド・アレイを形成する。
ブロック424において、金属の接点(contacts)が付着される。これらの金属接点は、透明電極を電源にカップリングする。ブロック428において、イオン注入が、隣接するサブ・ユニットの間の絶縁領域を生成する。各サブ・ユニットは、独立にアドレス指定可能な、フェーズ・アレイ・レーザの組としての役割を果たす。イオン注入は、水素のような種々の要素を使用しうる。
ブロック432において、第２の電極が、レーザのフェーズ・アレイに付着される。本発明の１つの実施例において、第２の電極は、ウェーハ背面(backside)の上に蒸着されたｎ接触金属(n-contact metal)である。
図５は、ＶＣＳＥＬｓの一般的な６４要素アレイの、室温ＣＷ光出力、対、入力電流、のカーブを示す。ＶＣＳＥＬアレイの適切なヒート・シンキングは、所定の電流レベルにおける、非常に高い光出力レベルの生成を可能とする。
【００１３】
図３は、中間ホールの６辺形の配列(arrangements)を用いて形成された、横方向に酸化された８×８のＶＣＳＥＬフェーズ・アレイ構造を示すが、代替的な配列もまた使用され得る。図６は、中間ホールの、矩形或いは格子の配列を用いて形成されたより高い密度のＶＣＳＥＬｓを示す。中間ホール604、608、612、616のような、４つの中間ホールの各組は、レーザ開口620を囲む矩形の多角形の頂点を形成する。横方向に酸化された領域624のような横方向に酸化された領域は、中間ホール604のような各中間ホールを囲む。酸化された領域は、レーザ開口620を囲むウェーブガイドの端部を形成する。一般的に、横方向に酸化された領域の大きさは、ギャップまたはカップリング領域628が、隣接する横方向に酸化された複数の領域の間に存在するように、小さく作成される。カップリング領域は、レーザ開口620およびレーザ開口632のような隣接するレーザ開口の間でカップリングするモードを可能とする。
【００１４】
図７は、三角形のデバイス形状(geometry）を利用する、代替的な、コンパクトな、横方向に酸化された８×８のＶＣＳＥＬフェーズ・アレイ設計の配列を示す。図７において、中間ホール704、708、712のような３つの中間ホールは、レーザ開口716のような対応するレーザ開口を囲む、三角形の多角形の頂点を形成する。酸化された領域720のような横方向に酸化された領域は、各中間ホールを囲む。図６の構造のように、横方向に酸化された領域は、各レーザ開口のためのウェーブガイドを形成する。図７の実施例において、隣接する酸化された領域が接触し、(例えば、酸化された領域820は、酸化された領域824に接触する)、その結果、隣接するレーザ開口の間の減少されたモードのカップリングをもたらす。
【００１５】
図８は、高ゲイン領域828のような高ゲイン領域が、隣接する酸化された領域(酸化された領域820および824のような)を分離する点を除いて、図７の構造に類似する構造を示す。したがって図８の構造において、各酸化された領域は、高ゲイン領域およびレーザ開口が完全に各酸化された領域を囲むように、１つの対応する中間ホールのみを含む。換言すれば、第１の中間ホールからの酸化された領域は、隣接する中間ホールから始まる隣接する酸化された領域に接触しない。高ゲイン領域828のような高ゲイン領域は、隣接するレーザ開口をカップリングし、レーザ開口832および836のような、隣接するレーザ開口の間の大きなモード・カップリングを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】エッチングされたピラー(pillar)の横方向に酸化されたＶＣＳＥＬ構造の側面図を示す。
【図２】フェーズ・アレイを用いた、酸化されたＶＣＳＥＬユニットの光学顕微鏡写真の頂面図を示す。
【図３】８×８の横方向に酸化されたフェーズ・アレイの概略実施例を示す。
【図４】横方向に酸化されたＶＣＳＥＬフェーズ・アレイを形成する１つの方法を説明するフロー・チャートである。
【図５】ＶＣＳＥＬフェーズ・アレイの光出力、対、入力電流、をプロットするグラフ。
【図６】矩形の頂点からの中間ホール(via hole)に隣接する８×８ＶＣＳＥＬフェーズ・アレイ・デザインを示す。
【図７】三角形の頂点からの中間ホールに隣接する８×８ＶＣＳＥＬフェーズ・アレイ・デザインを示す。
【図８】隣接レーザ開口の間の高ゲインカップリング領域を可能とするために、酸化の広がりが削減されたＶＣＳＥＬフェーズ・アレイ・デザインを示す。
【符号の説明】
【００１７】
104  メサ側壁
108  埋められたアルミニウム含有層
112、116、120  レーザ開口
124  空隙
204、208、212、216  レーザ開口
304、308  共通の中間ホール312によって生成された酸化前部の異なったセクションを共有する領域
312  共通の中間ホール
316  透明なインジウム・スズ酸化物(ＩＴＯ)電極
320  端子
604、608、612、616  中間ホール
620  レーザ開口
624  横方向に酸化された領域
628  ギャップまたはカップリング領域
632  レーザ開口
704、708、712  中間ホール
716  レーザ開口
820  酸化された領域
824  酸化された領域
828  高ゲイン領域
832、836  レーザ開口
【図１】
2005045243.tif 000003
【図２】
2005045243.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005045243.tif 000007
【図６】
2005045243.tif 000008
【図７】
2005045243.tif 000009
【図８】
2005045243.tif 000010