(57)【要約】【解決手段】本発明の光減衰器はフォトニック結晶ファイバから構成されている。このフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はフォトニック結晶ファイバのエアクラッドの穴径や穴間距離を調整することで減衰量が調整される。また、モードフィールド径の大きさを様々に設定することによっても減衰量が調整できる。さらに伝送路で発生したファイバヒューズ現象を遮断するために本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を伝送路であるシングルモードファイバ２の途中に配設して使用する。【効果】本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器によれば、フォトニック結晶ファイバのエアクラッドの穴径や穴間距離あるいはモードフィールド径等を調整することにより減衰量の調整の自由度を大きくできる。また、本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器は伝送路の途中に配設して使用することにより確実にファイバヒューズ現象を遮断できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送路の途中に配設され、前記伝送路の信号レベルを調整するための光減衰器であって、前記光減衰器はフォトニック結晶ファイバから構成されていることを特徴とするフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項２】
前記フォトニック結晶ファイバのエアクラッドの穴径をｄ、エアクラッドの穴間距離をΛとすると、ｄ／Λの値を調整することにより減衰量が調整されていることを特徴とする請求項１記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項３】
前記フォトニック結晶ファイバ型光減衰器は前記伝送路に用いられるシングルモードファイバのモードフィールド径と同等のモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバと前記伝送路に用いられるシングルモードファイバよりも大きいモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバとが接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項４】
前記フォトニック結晶ファイバはモードフィールド径が長手方向に漸次変化していることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項５】
前記フォトニック結晶ファイバ型光減衰器はモードフィールド径が長手方向に漸次変化しているフォトニック結晶ファイバとモードフィールド径が長手方向で一定のフォトニック結晶ファイバとが組み合わされていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項６】
前記フォトニック結晶ファイバのコアが石英ガラスであることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項７】
前記フォトニック結晶ファイバのコアにＣｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｕから選択された少なくとも１種類の金属元素がドープされていることを特徴とする請求項６記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項８】
前記フォトニック結晶ファイバがフェルール若しくはコネクタに内蔵されていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器。
【請求項９】
伝送路の途中にフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を配設することによりファイバヒューズ現象を遮断することを特徴とするフォトニック結晶ファイバ型光減衰器の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトニック結晶ファイバを用いた光減衰器及びそのフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を伝送路の途中に配設してファイバヒューズ現象を遮断する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＴＴＨ（Fiber To The Home）の導入が始まり各家庭での高速インターネットの利用が急速に普及してきている。このような状況において通信ネットワークをますます充実させる必要性が高まり、光ファイバの特性要求も高いものになってきている。
【０００３】
通信ネットワークでは通常シングルモードファイバ（以下、「ＳＭＦ」と称す）が用いられるが、伝送路の信号レベルを調整するために伝送路の途中に光減衰器を配設することがある。
【０００４】
従来から用いられている光減衰器には、コネクタ内部に金属蒸着膜を配置して光信号を減衰させる方式（例えば、特許文献１参照）や光ファイバと光ファイバの間にフィルムや蒸着膜を介在させる方式（例えば、特許文献２参照）、あるいは光ファイバのコアに光を吸収する性質を有する遷移金属や希土類元素をドープした方式（例えば、特許文献３参照）、若しくは光ファイバのコアに高強度のレーザ光をスポット状に照射してコアの内部に欠陥を生じさせ、この欠陥により光を減衰させる方式（例えば、非特許文献１参照）等が知られている。
【０００５】
ところで、最近は光ファイバ中を伝送させる信号の強度（パワー）が大きくなる傾向にあり、数Ｗオーダーの高強度の信号を伝送させる場合も生じてきている。このように高強度の信号伝送を行う場合に光ファイバ中のパワー耐性の低い箇所でコアが損傷し、これが導火線のように光源側に向かって連鎖的に延焼してゆく、いわゆるファイバヒューズ現象と呼ばれる問題が発生することが報告されている。
【０００６】
ファイバヒューズ現象は、高温、高いパワー密度、コアのＧｅ添加が発生要因と言われているが、例えばコネクタ接続部ではその接続端面の汚れにより光が吸収され温度が上昇してファイバヒューズ現象を生じさせやすくなる。また、光ファイバ中を伝送するパワーについては、伝搬モードの実効断面積が小さい方がパワー密度が高くなることが知られており、この実効断面積はほぼモードフィールド径に等しいためにモードフィールド径が小さいとファイバヒューズ現象が生じやすくなる。
このようなファイバヒューズ現象を遮断するために従来いくつかの対策が施されている。例えばコネクタ端面においてシングルモードファイバのコア径を拡大して事前にファイバヒューズ現象の発生を防止する方法や（例えば、特許文献４参照）、ファイバヒューズ現象が発生した場合にコリメータレンズを用いてその後に生じる延焼を遮断するための装置である（例えば、特許文献５参照）。
【０００７】
【特許文献１】実開平５−５５１０２号公報
【特許文献２】実開平６−３７８０３号公報
【特許文献３】実開昭６３−９６５０６号公報
【特許文献４】特開２００２−２７７６８５号公報
【特許文献５】特開２００２−３２３６３９号公報
【非特許文献１】第５０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集28p-K-3
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記のような従来の技術には、次のような解決すべき課題があった。
【０００９】
即ち、前記先行技術文献に記載されているような従来の光減衰器では高パワー化に対して耐性が十分とは言えず、一度ファイバヒューズ現象が発生したならばそれを有効に遮断することができないために伝送路、ひいては伝送システム全体に悪影響を及ぼす虞があった。
また、従来のファイバヒューズ現象を遮断するための対策では方式が複雑化し、用いる装置も大型であるために伝送システムの維持管理やコスト面からも種々の問題があった。
【００１０】
本発明は以上の点に着目してなされたもので、従来と同等若しくはそれ以上の特性を有しながらファイバヒューズ現象に対する耐性の高い光減衰器を提供するとともにその光減衰器を伝送路に用いることにより仮にファイバヒューズ現象が発生しても確実に遮断できる方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以上の点を解決するため次のような構成からなるものである。
【００１２】
即ち、即ち、本発明の第１の態様である光減衰器は、伝送路の途中に配設され、前記伝送路の信号レベルを調整するための光減衰器であって、前記光減衰器はフォトニック結晶ファイバから構成されていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の第２の態様である光減衰器は、前記第１の態様において、前記フォトニック結晶ファイバのエアクラッドの穴径をｄ、エアクラッドの穴間距離をΛとすると、ｄ／Λの値を調整することにより減衰量が調整されていることを特徴としている。
【００１４】
さらに、本発明の第３の態様である光減衰器は、前記第１の態様または第２の態様において、前記伝送路に用いられるシングルモードファイバのモードフィールド径と同等のモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバと前記伝送路に用いられるシングルモードファイバよりも大きいモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバとが接続されていることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の第４の態様である光減衰器は、前記第１の態様から第３の態様において、前記フォトニック結晶ファイバのモードフィールド径が長手方向に漸次変化していることを特徴としている。
【００１６】
さらに、本発明の第５の態様である光減衰器は、前記第１の態様から第４の態様において、モードフィールド径が長手方向に漸次変化しているフォトニック結晶ファイバとモードフィールド径が長手方向で一定のフォトニック結晶ファイバとが組み合わされていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の第６の態様である光減衰器は、前記第１の態様から第５の態様において、前記フォトニック結晶ファイバのコアが石英ガラスであることを特徴としている。
【００１８】
さらに、本発明の第７の態様である光減衰器は、前記第６の態様において、前記フォトニック結晶ファイバのコアにＣｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｕから選択された少なくとも１種類の金属元素がドープされていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の第８の態様である光減衰器は、前記第１の態様から第７の態様において、前記フォトニック結晶ファイバがフェルール若しくはコネクタに内蔵されていることを特徴としている。
【００２０】
本発明の第９の態様であるフォトニック結晶ファイバ型光減衰器の使用方法は、伝送路の途中に前記フォトニック結晶ファイバ型光減衰器を配設することによりファイバヒューズ現象を遮断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
光減衰器をフォトニック結晶ファイバにより構成したので、フォトニック結晶ファイバのエアクラッドの穴径やエアクラッドの穴間距離を調整することやモードフィールド径を調整することにより従来の光減衰器と同等若しくはそれ以上の特性を有する光減衰器を提供できるとともに、フォトニック結晶ファイバはファイバヒューズ現象に対する耐性が高いのでファイバヒューズ現象が生じたとしても確実に遮断できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について具体例を用いて説明する。
【００２３】
図１は本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を使用した第１の実施の形態を表したもので図１（ａ）はその縦断面図、図１（ｂ）はモードフィールド径の状況を表した図である。図１（ａ）において、本発明のフォトニック結晶型光減衰器１は伝送用のシングルモードファイバ２と接続されて使用される。この場合のフォトニック結晶型光減衰器１及び伝送用のシングルモードファイバ２のモードフィールド径は図１（ｂ）に示すように同等の径である。なお、フォトニック結晶型光減衰器１のモードフィールド径は伝送用のシングルモードファイバ２のモードフィールド径よりも大きくしてももちろん差し支えない。本発明のフォトニック結晶型光減衰器の使用に当たって最も適したモードフィールド径を設計すればよい。
【００２４】
ここで、フォトニック結晶ファイバは中実部材若しくは中空部材をコアとしてその周囲にクラッドとして中空のエアホールと呼ばれる空孔（エアクラッド）を多数設けた構造を有している。このフォトニック結晶ファイバはエアクラッドの数や大きさ、その配置等を設計することにより、例えば広い波長範囲（可視〜赤外）でシングルモードを実現できる、１〜１００μｍ程度の広い範囲でモードフィールド径を任意に調整することができるという特徴の他にコアとクラッドとの間の屈折率差を大きくできるので曲げ損失に強い、コアとクラッドとの間の大きな屈折率差から開口数を大きくでき光源との接続を効率化できる等の現在用いられているシングルモードファイバにはない種々の特性を実現できると言われている。
【００２５】
一方、フォトニック結晶ファイバの伝送損失である光の閉じこめ損失はエアクラッドの数に応じて変化するということが知られているのでエアクラッドの穴径や穴間距離を調整することにより光の閉じこめ損失、ひいては光の減衰量を変えることができる。エアクラッドの数を多くするということは、コアの周囲を取り囲むエアクラッドの層数を多くすることになるために、エアクラッドの穴径をｄ、エアクラッドの穴間距離をΛとすると、ｄ／Λの値を調整することによりエアクラッドの層数を目的に適うように設計して光の減衰量を調整することができる。
【００２６】
なお、本発明に用いられるフォトニック結晶ファイバは単一の材料で作成することができ、例えば石英ガラスや多成分系ガラス、プラスチック、金属等も用いることができる。また、伝送用のシングルモードファイバは通常用いられる石英ガラスからなるシングルモードファイバの他に分散シフトファイバ（ＤＳＦファイバ）、高開口数シングルモードファイバ（ＨＮＡ−ＳＭファイバ）、フォトニック結晶ファイバ等を用いることができ、通常用いられるシングルモードファイバの一次被覆層に高ヤング率の樹脂を施し、その樹脂を被覆したままでコネクタ付け等を行うことができるファイバ（ＳＭ−ＮＳＰファイバ）を用いることもできる。
【００２７】
図２は本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を使用した第２の実施の形態を表したもので図２（ａ）はその縦断面図、図２（ｂ）はモードフィールド径の状況を表した図である。なお、図１と同一の箇所は同一番号で表すこととし、以後の図においても同様とする。図２（ａ）において、本発明のフォトニック結晶型光減衰器１は第１のフォトニック結晶ファイバ１１と第２のフォトニック結晶ファイバ１２とが接続されており、これらのフォトニック結晶ファイバ１１、１２に伝送用のシングルモードファイバ２が接続されて使用される。そして図２（ｂ）に示すようにこの場合のフォトニック結晶型光減衰器１の第１のフォトニック結晶ファイバ１１のモードフィールド径は伝送用のシングルモードファイバ２のモードフィールド径と同等であるが、第２のフォトニック結晶ファイバ１２のモードフィールド径は伝送用のシングルモードファイバ２のモードフィールド径より大きくなるように設計されている。なお、図２（ａ）においては理解しやすいようにモードフィールド径の大きさをコア径の大きさとして表しており、以下の縦断面図においても同様とする。
【００２８】
図３は本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を使用した第３の実施の形態を表したもので図３（ａ）はその縦断面図、図３（ｂ）はモードフィールド径の状況を表した図である。図３（ａ）において、本発明のフォトニック結晶型光減衰器１はコア径が長手方向に漸次変化しているテーパ状フォトニック結晶ファイバ１３とモードフィールド径が伝送用シングルモードファイバ２よりも大きいフォトニック結晶ファイバ１２とが接続されている。そして図３（ｂ）に示すようにモードフィールド径はテーパ状フォトニック結晶ファイバ１３により拡大された状態で光の閉じこめ損失の大きいフォトニック結晶ファイバ１２を通過後今度はテーパ状フォトニック結晶ファイバ１３により縮小された状態で再び伝送用シングルモードファイバ２に入射してゆく。
【００２９】
なお、本発明の光減衰器に用いられるフォトニック結晶ファイバのコアは中空部材で形成してもよいが石英ガラスのような中実部材で形成してもよい。このような石英ガラスでコアを形成した場合に、コアに光を吸収するＣｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｕから選択された少なくとも１種類の金属元素を添加してもよい。このようにすると目的とする減衰量を安定して得ることができる。
【００３０】
また、本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器はその構成要素であるフォトニック結晶ファイバをフェルール若しくはコネクタに内蔵されて使用することができる。
【００３１】
図４は本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器の第４の実施の形態を表した図である。図４（ａ）はその外観図、図４（ｂ）〜（ｄ）はいくつかの接続の状況を表した図である。図４（ａ）において、フォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はフェルール３に挿入されてコネクタハウジング４に収納されている。このフェルール３の外径は例えばＭＵ（Miniature Unit coupling）コネクタのフェルールの外径１．２５ｍｍと同一にされている。またフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１は伝送用シングルモードファイバ２と光学的に接続される。このようなフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を図４（ｂ）のように光学素子５とフェルール３により接続したり、アダプタを介してＭＵコネクタ同士で接続することもできる。また、ＦＣ、ＳＣ、ＳＴ、ＬＣ等の通常用いられるコネクタ用のフェルールを使用してもよい。
【００３２】
具体的に説明すると、図４（ｂ）はモードフィールド径が通常の伝送用シングルモードファイバのモードフィールド径よりも大きいフォトニック結晶ファイバ１２と通常の伝送用シングルモードファイバと同等の大きさのモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバ１１が接続されてフェルール３に内蔵されたフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１と光学素子５とが光結合された状態を模式的に表した図である。ここで、フォトニック結晶ファイバ１２はエアクラッドの数が少なく、ｄ／Λの値が大きくなっている。またフォトニック結晶ファイバ１１はエアクラッドの数が多く、ｄ／Λの値が小さくなっている。
【００３３】
また図４（ｃ）は上記のフェルール３に内蔵したフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１をさらにコネクタ４に挿入してコネクタ同士でアダプタ６を介して接続した例で、フォトニック結晶ファイバ型光減衰器１は図４（ｂ）と同様にモードフィールド径が通常の伝送用シングルモードファイバのモードフィールド径よりも大きいフォトニック結晶ファイバ１２と通常の伝送用シングルモードファイバと同等の大きさのモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバ１１が接続されている。
【００３４】
さらに図４（ｄ）はやはり上記のフェルール３に内蔵したフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１をさらにコネクタ４に挿入してコネクタ同士でアダプタ６を介して接続した例で、コネクタ内でフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１は通常の伝送用シングルモードファイバのモードフィールド径よりも大きいモードフィールド径を有するフォトニック結晶ファイバ１２と通常の伝送用シングルモードファイバ２とが接続されている。
【００３５】
このように本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器はモードフィールド径の異なる様々の種類のフォトニック結晶ファイバ同士を組み合わせたり、フォトニック結晶ファイバと通常のシングルモードファイバとを組み合わせてもよく、目的とする特性にもっとも適した構成を採用することができる。
【００３６】
ところで、本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器はその構成要素であるフォトニック結晶ファイバのコアにＧｅをドープしていないことやモードフィールド径を大きくすることが比較的容易にできるためにファイバヒューズ現象に対する耐性が高いという利点を有している。従って、伝送路の途中に本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器を配設すると、仮にファイバヒューズ現象が発生したとしても本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器がその遮断点となり、延焼を防止することができる。
【００３７】
次に本発明のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器に係る実施例を図５を用いて説明する。
【実施例１】
【００３８】
図５（ａ）に示すフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を作成し、このフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１にラマンアンプ光源から矢印方向に波長１５５０ｎｍで３Ｗのパワーの光を入射した。本実施例におけるフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はフォトニック結晶ファイバのモードフィールド径が伝送用のシングルモードファイバ２のモードフィールド径と同じ１０．５μｍである。また、フォトニック結晶ファイバの長さは１ｍｍ、エアクラッドの穴径ｄ＝３μｍ、エアクラッドの穴間距離Λ＝１７μｍであるのでｄ／Λ＝０．１７６となり、エアクラッドの層数は３である。
【００３９】
この時のフォトニック結晶ファイバの閉じこめ損失は１０４ｄＢ／ｍ発生するため、長さ１ｍｍの場合には１０ｄＢとなる。そしてフォトニック結晶ファイバを通過した光が再び伝送用シングルモードファイバに入射した場合に伝搬光は０．２ｄＢの光減衰量が発生した。従って合計で１０．２ｄＢの減衰量であった。この場合に伝送用シングルモードファイバにファイバヒューズ現象を発生させたところ本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１のところでファイバヒューズ現象は遮断された。
【実施例２】
【００４０】
図５（ｂ）に示すフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を作成し、このフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１にＹＡＧレーザ光源から矢印方向に波長１０５０ｎｍで２Ｗのパワーの光を入射した。本実施例におけるフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はモードフィールド径の大きいフォトニック結晶ファイバ１２ａ及びモードフィールド径が通常のシングルモードファイバより大きく、前記フォトニック結晶ファイバ１２ａのモードフィールド径より小さいフォトニック結晶ファイバ１２ｂから構成されており、フォトニック結晶ファイバ１２ａは長さが２０ｍｍ、ｄ＝４μｍ、Λ＝４０μｍ、ｄ／Λ＝０．１、エアクラッドの層数５である。またフォトニック結晶ファイバ１２ｂは長さが４０ｍｍ、ｄ＝３．６μｍ、Λ＝１２μｍ、ｄ／Λ＝０．３、エアクラッドの層数８である。伝送用シングルモードファイバ２にはモードフィールド径が８μｍのＳＭ−ＮＳＰファイバを用い、フォトニック結晶ファイバ１２ａのモードフィールド径は１００μｍ、フォトニック結晶ファイバ１２ｂのモードフィールド径は３０μｍである。
【００４１】
この時のＳＭ−ＮＳＰファイバ２から本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１、そして再びＳＭ−ＮＳＰファイバ２を伝搬した伝搬光の減衰量は３０ｄＢであった。なお、フォトニック結晶ファイバ型光減衰器１とＳＭ−ＮＳＰファイバ２との接続はＳＭ−ＮＳＰファイバ２をＶ溝中に配置し、接続端面にマッチングオイルを塗布したメカニカルスプライスにより行った。本実施例においてもＳＭ−ＮＳＰファイバにファイバヒューズ現象を発生させたところフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１のところでファイバヒューズ現象は遮断された。
【実施例３】
【００４２】
図５（ｃ）に示すフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を作成し、このフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１にフェムト秒レーザ光源から矢印方向に波長１３１０ｎｍで４Ｗのパワーの光を入射した。本実施例におけるフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はモードフィールド径がテーパ状のフォトニック結晶ファイバ１３及びモードフィールド径が通常のシングルモードファイバより大きいフォトニック結晶ファイバ１２から構成されており、フォトニック結晶ファイバ１３は長さが１０ｍｍ、ｄ＝３μｍ、Λ＝２１μｍ、ｄ／Λ＝０．１４、エアクラッドの層数３である。またフォトニック結晶ファイバ１２は長さが５ｍｍ、ｄ＝３μｍ、Λ＝７．５μｍ、ｄ／Λ＝０．４、エアクラッドの層数７である。伝送用シングルモードファイバ２にはモードフィールド径が６．３μｍのＤＳＦファイバを用い、フォトニック結晶ファイバ１３のモードフィールド径は６．３μｍから５０μｍまでのテーパ状になっている。またフォトニック結晶ファイバ１２のモードフィールド径は１０μｍである。なお、本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１は光素子である光スイッチ５を介して対向して接続されており、フォトニック結晶ファイバ型光減衰器１と光スイッチ５とはコネクタ４により接続されている。
【００４３】
この時のＤＳＦファイバ２から本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１、そして光スイッチ５、さらに再びフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１、そしてＤＳＦファイバ２を伝搬した伝搬光の減衰量は１２ｄＢであった。ここで、本実施例に用いた光スイッチは波長１５５０ｎｍにおいて駆動電圧０Ｖ及び１０Ｖでそれぞれ減衰量０．５ｄＢ及び２５ｄＢであった。本実施例においてもＤＳＦファイバにファイバヒューズ現象を発生させたところフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１のところでファイバヒューズ現象は遮断された。
【実施例４】
【００４４】
図５（ｄ）に示すフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１を作成し、このフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１にＤＦＢ（Distributed Feed Back）レーザのＧａＡｓレーザ光源から矢印方向に波長８５０ｎｍで１Ｗのパワーの光を入射した。本実施例におけるフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はモードフィールド径が通常のシングルモードファイバより大きいフォトニック結晶ファイバ１２ａ及びモードフィールド径が通常のシングルモードファイバより大きく、前記フォトニック結晶ファイバ１２ａのモードフィールド径よりも小さいフォトニック結晶ファイバ１２ｂから構成されており、フォトニック結晶ファイバ１２ａは長さが１０ｍｍ、ｄ＝２μｍ、Λ＝４μｍ、ｄ／Λ＝０．５、エアクラッドの層数８である。またフォトニック結晶ファイバ１２ｂは長さが２０ｍｍ、ｄ＝３μｍ、Λ＝１５μｍ、ｄ／Λ＝０．２、エアクラッドの層数４である。伝送用シングルモードファイバ２にはモードフィールド径が４μｍのＨＮＡ−ＳＭファイバを用い、フォトニック結晶ファイバ１２ａのモードフィールド径は３０μｍ、フォトニック結晶ファイバ１２ｂのモードフィールド径は１０μｍである。また、フォトニック結晶ファイバ１２ｂのコアには１０ｄＢ／ｍの濃度となるようにＣｏがドープされている。なお、本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１はコネクタ４を介して対向して接続されている。
【００４５】
この時の両端のＨＮＡ−ＳＭファイバ２と本実施例のフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１それぞれを接続した場合の減衰量は１５ｄＢで、コネクタを介した場合にはさらに５ｄＢ増えて２０ｄＢとなった。本実施例においてもＨＮＡ−ＳＭファイバにファイバヒューズ現象を発生させたところフォトニック結晶ファイバ型光減衰器１のところでファイバヒューズ現象は遮断された。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態を表した図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を表した図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を表した図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態を表した図である。
【図５】本発明の実施例の縦断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・フォトニック結晶ファイバ型光減衰器
２・・・シングルモードファイバ
３・・・フェルール
４・・・コネクタ
５・・・光素子        
６・・・アダプタ
【図１】
2005345592.tif 000003
【図２】
2005345592.tif 000004
【図３】
2005345592.tif 000005
【図４】
2005345592.tif 000006
【図５】
2005345592.tif 000007