(57)【要約】【課題】  画素の均一性を保ち、レイアウトの不均一性を低減し、且つ感度の低下を抑えることにより高Ｓ／Ｎ比の固体撮像装置を提供する。【解決手段】  ベイヤ配列の画素部１と、拡散領域とゲート領域とが一方向に交互に形成され、ゲート領域４-1とその両側に位置する第１及び第２の拡散領域４-2，４-3とでＭＯＳＦＥＴを形成してなる切り換えスイッチ部４と、ゲート領域に交互に接続されたＧＢ行を選択するためのＧＢ行選択線５-1と、ＧＲ行を選択するためのＧＲ行選択線５-2と、第１の拡散領域に接続された垂直信号線３-1〜３-6と、第２の拡散領域にクランプ回路６を介して接続したサンプルホールド容量ＣSH1 〜ＣSH6 及び水平選択スイッチ８-1〜８-6と、水平選択スイッチが交互に接続された水平信号線９-1，９-2とを備え、一方の水平信号線にはＧb 又はＧr 信号が、他方の水平信号線にはＲ又はＢ信号が出力されるように構成する。【選択図】        図  １
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を電気信号に変換する画素が、複数、マトリクス状に配列された画素部と、
拡散領域とゲート領域とが一方向に交互に形成され、ゲート領域とそのゲート領域の両側に位置する２つの拡散領域とでＭＯＳＦＥＴ構造を形成し、第１の拡散領域に画素からの信号を伝送する入力信号線が接続され、第１の拡散領域を挟んで対称な位置にある２つの第２の拡散領域に出力信号線が接続され、一方の第２の拡散領域と第１の拡散領域との間にある第１のゲート領域に第１の位相を有する第１の選択信号を供給する第１の選択線が接続され、他方の第２の拡散領域と第１の拡散領域との間にある第２のゲート領域に、第１の位相とは異なる第２の位相を有する第２の選択信号を供給する第２の選択線が、それぞれ接続された切り換えスイッチ回路と、
前記出力信号線からの、画素に係る信号を、その画素の特性に応じて複数の出力端子に出力する出力回路とを有する固体撮像装置。
【請求項２】
前記切り換えスイッチ回路は、前記ＭＯＳＦＥＴ構造として、Ｎ-ch.ＭＯＳＦＥＴ、又はＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴの少なくとも一方で構成されていることを特徴とする請求項１に係る固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素部は、前記画素に対応して複数の種類の色フィルタが配置されていることを特徴とする請求項１又は２に係る固体撮像装置。
【請求項４】
前記出力回路は、第１の色フィルタに係る画素の信号が一方の出力端子から出力し、第１の色フィルタとはその特性が異なる第２の色フィルタに係る画素の信号を他の出力端子から出力することを特徴とする請求項３に係る固体撮像装置。
【請求項５】
前記出力回路は、前記第１の色フィルタとして緑の色フィルタを有する画素の信号を一方の出力端子から出力させ、前記第２の色フィルタとして赤又は青の色フィルタを有する画素の信号を前記他方の出力端子から出力させることを特徴とする請求項４に係る固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、固体撮像装置に関し、特にその読み出し手法を改善した固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置としては、これまでにＭＯＳ型やＣＣＤ型など様々な方式のものが提案され、実用化されている。図８は、従来のＭＯＳ型固体撮像装置の構成例を示す回路構成図である。従来のＭＯＳ型固体撮像装置は、２次元マトリクス状にベイヤ方式で配置された複数の画素Ｐx1-1〜Ｐx3-4と、上記画素が接続された垂直信号線101a〜101dと、サンプルホールドスイッチＳＨ１〜ＳＨ４と、サンプルホールド容量102a〜102dと、列選択トランジスタＴＨ１〜ＴＨ４を介して上記垂直信号線101a〜101dが接続された水平信号線103a，103bと、水平信号線103a，103bに接続された出力増幅器104a，104bと、各出力増幅器104a，104bに接続された出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２と、各画素Ｐx1-1〜Ｐx3-4を駆動する垂直走査回路105 と、各列選択トランジスタＴＨ１〜ＴＨ４を駆動する水平走査回路106 とから構成されている。
【０００３】
水平信号線103a，103bは、図示されたように複数本（図示例では２本）配置されている。画素数が増大すると寄生容量増加による感度不足や動作速度不足という問題が生じるので、複数の水平信号線を形成し並列に出力するのが好ましいためである。図８から分かるように、前記画素のうち、特定画素、すなわち、Ｇb 画素及びＧr 画素の信号は出力端子ＯＵＴ１から出力され、他の画素、すなわち、Ｒ画素及びＢ画素の信号は出力端子ＯＵＴ２から出力されるように各垂直信号線に接続されている。そして、市松状に配置された画素の信号が同一の出力端子から出力されるようになっている。つまり、Ｇb 画素とＧr 画素とでは垂直信号線への接続態様が線対称になっている。しかし、このような接続態様をとる場合には、Ｇb 画素とＧr 画素のフォトダイオードとＭＯＳＦＥＴからなる画素構造のレイアウトが異なってくる。したがって、このような読み出し手法においては、画素構造の不均一性に起因するＳ／Ｎ比の劣化が新たに生じることが考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の構成の固体撮像装置においては、上記のように固体撮像装置内の画素構造を均一にできないし、また画素構造を均一にしようとすると、各画素からの信号、特にＧb 画素とＧr 画素からの信号が異なる垂直信号線を通って水平信号線に出力されることになる。しかしながら、同一の画素構成にしても上記のように異なる垂直信号線を通って出力されると、製造ばらつきによるサンプルホールドスイッチ及びその周辺部のレイアウト不均一性により固定パターンノイズが発生したり、あるいは感度の低下によるＳ／Ｎ比が低下するという問題が発生する。本発明は、従来の固体撮像装置における上記問題点を解消するためになされたもので、画素の均一性を保ち、レイアウトの不均一性を低減し、且つ、感度の低下を抑えることにより、高Ｓ／Ｎ比の固体撮像装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題点を解決するため、請求項１に係る発明は、被写体像を電気信号に変換する画素が、複数、マトリクス状に配列された画素部と、拡散領域とゲート領域とが一方向に交互に形成され、ゲート領域とそのゲート領域の両側に位置する２つの拡散領域とでＭＯＳＦＥＴ構造を形成し、第１の拡散領域に画素からの信号を伝送する入力信号線が接続され、第１の拡散領域を挟んで対称な位置にある２つの第２の拡散領域に出力信号線が接続され、一方の第２の拡散領域と第１の拡散領域との間にある第１のゲート領域に第１の位相を有する第１の選択信号を供給する第１の選択線が接続され、他方の第２の拡散領域と第１の拡散領域との間にある第２のゲート領域に、第１の位相とは異なる第２の位相を有する第２の選択信号を供給する第２の選択線が、それぞれ接続された切り換えスイッチ回路と、前記出力信号線からの、画素に係る信号を、その画素の特性に応じて複数の出力端子に出力する出力回路とで固体撮像装置を構成するものである。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る固体撮像装置において、前記切り換えスイッチ回路は、前記ＭＯＳＦＥＴ構造として、Ｎ-ch.ＭＯＳＦＥＴ、又はＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴの少なくとも一方で構成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る撮像装置において、前記画素部は、前記画素に対応して複数の種類の色フィルタが配置されていることを特徴とするものである。
【０００８】
請求項４に係る発明は、請求項３に係る固体撮像装置において、前記出力回路は、第１の色フィルタに係る画素の信号が一方の出力端子から出力し、第１の色フィルタとはその特性が異なる第２の色フィルタに係る画素の信号を他の出力端子から出力することを特徴とするものである。
【０００９】
請求項５に係る発明は、請求項４に係る固体撮像装置において、前記出力回路は、前記第１の色フィルタとして緑の色フィルタを有する画素の信号を一方の出力端子から出力させ、前記第２の色フィルタとして赤又は青の色フィルタを有する画素の信号を前記他方の出力端子から出力させることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、上記のように切り換えスイッチ回路を構成することにより、各画素の均一性、並びに切り換えスイッチ回路及びその周辺部の均一性を持たせることができ、どの出力端子からも一様な特性の出力信号を得ることが可能となる。請求項２に係る発明によれば、切り換えスイッチ回路として使用するＭＯＳＦＥＴの極性に依存せず、レイアウト及び設計の自由度を高めることができる。請求項４に係る発明によれば、同一特性の色フィルタを有する画素の信号が同一の出力端子から出力されることになり、固定パターンノイズを低減することができる。請求項５に係る発明によれば、輝度信号の主成分となる緑色フィルタを有する画素が同一の出力端子から出力されることになり、固定パターンノイズを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例】
【００１２】
（実施例１）
まず、図１の（Ａ）に示す本発明に係る固体撮像装置の実施例１について説明する。この実施例１に係る固体撮像装置は、この図示例では、画素Ｐx1-1〜Ｐx2-6からなるマトリックス状に配列された画素部１と、画素部１の水平方向に配列された画素を順次共通に読み出すための垂直走査回路２と、画素部１の垂直方向の画素に共通に接続された垂直信号線３-1，・・・・３-6と、各垂直信号線３-1，・・・・３-6からの信号を選択的に切り換える切り換えスイッチ回路４と、切り換えスイッチ回路４を選択的に切り換え制御するＧＢ行選択線５-1及びＧＲ行選択線５-2と、切り換えスイッチ回路４からの出力をクランプするクランプ部６と、クランプ部６からの出力を保持するサンプルホールド容量ＣSH1 ，・・・・ＣSH6 と、水平走査回路７により駆動される水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6と、水平信号線９-1，９-2と、各水平信号線９-1，９-2に接続された出力増幅器10-1，10-2と、各出力増幅器10-1，10-2に接続された出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２とで構成されている。
【００１３】
そして、上記切り換えスイッチ回路４は、拡散領域とゲート領域とが一方向に交互に形成され、ゲート領域４-1と該ゲート領域４-1の両側に位置する第１及び第２の拡散領域４-2，４-3とでＭＯＳＦＥＴを形成するように構成されている。そして、ゲート領域４-1は交互にＧＢ行選択線５-1とＧＲ行選択線５-2に接続され、第１の拡散領域４-2には各垂直信号線３-1，・・・・３-6が接続され、第１の拡散領域４-2を挟んで対称な位置にある第２の拡散領域４-3には、クランプ部６の入力端子が接続されるようになっている。また、水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6は、交互に水平信号線９-1，９-2に接続され、そして隣接する水平選択スイッチ８-1，８-2；８-3，８-4；８-5，８-6は、水平走査回路７によりそれぞれ共通に順次駆動されるようになっている。
【００１４】
次に、このように構成されている実施例１に係る固体撮像装置の動作について説明する。画素部１のＧＢ行の画素信号を読み出す場合にはＧＢ行選択線５-1に印加する選択信号により、ＧＢ行選択線５-1にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＲ行選択線５-2にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにすることにより、ＧＢ行のＧb 画素Ｐx1-1，画素Ｐx1-3，画素Ｐx1-5からの画素信号が、クランプ部６を介してサンプルホールド容量ＣSH2 ，ＣSH4 ，ＣSH6 に保持される。一方、ＧＢ行のＢ画素Ｐx1-2，画素Ｐx1-4からの画素信号が、クランプ部６を介してサンプルホールド容量ＣSH3 ，ＣSH5 に保持される。そして、水平走査回路７の走査動作により水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6を順次駆動することにより、サンプルホールド容量ＣSH2 ，ＣSH4 ，ＣSH6 に保持されているＧb 画素信号は、水平信号線９-1及び出力増幅器10-1を介して、出力端子ＯＵＴ１より出力され、サンプルホールド容量ＣSH3 ，ＣSH5 に保持されているＢ画素信号は、水平信号線９-2及び出力増幅器10-2を介して、出力端子ＯＵＴ２より出力される。
【００１５】
画素部１のＧＲ行の画素信号を読み出す場合には、ＧＲ行選択線５-2にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＢ行選択線５-1にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにすることにより、ＧＲ行のＧr 画素Ｐx2-2，画素Ｐx2-4，画素Ｐx2-6からの画素信号が、クランプ部６を介してサンプルホールド容量ＣSH2 ，ＣSH4 ，ＣSH6 に保持される。一方、ＧＲ行のＲ画素Ｐx2-1，画素Ｐx2-3，画素Ｐx2-5からの画素信号が、クランプ部６を介してサンプルホールド容量ＣSH1 ，ＣSH3 ，ＣSH5 に保持される。そして、水平走査回路７の走査動作により水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6を順次駆動することにより、サンプルホールド容量ＣSH2 ，ＣSH4 ，ＣSH6 に保持されているＧr 画素信号は、水平信号線９-1及び出力増幅器10-1を介して、出力端子ＯＵＴ１より出力され、サンプルホールド容量ＣSH1 ，ＣSH3 ，ＣSH5 に保持されているＲ画素信号は、水平信号線９-2及び出力増幅器10-2を介して、出力端子ＯＵＴ２より出力される。
【００１６】
これにより出力端子ＯＵＴ１からはいつもＧb 信号あるいはＧr 信号が出力されることになり、出力端子ＯＵＴ２からはいつもＲ信号あるいはＢ信号が出力されることになる。なお、上記クランプ部６は、図１の（Ｂ）に示すように、直列キャパシタ６-1と、直列スイッチ６-2と、直列キャパシタ６-1と直列スイッチ６-2との接続点と電源６-4との間に接続したスイッチ６-3とで構成されており、画素からリセットレベル読み出し時には、スイッチ６-3を閉じてキャパシタ６-1の電位をあるＤＣレベルに保ち、続いて信号レベルを読み出すことにより、上記キャパシタ６-1に保持されているＤＣレベルからの差分の実質的な画素信号を出力する機能をもつものである。
【００１７】
図２は、図１の（Ａ）に示した実施例１の変形例を示す回路構成図である。この変形例は、切り換えスイッチ部４の配置位置を変え、画素部１からの画素信号をクランプ部６でクランプ処理した後、切り換えスイッチ部４で切り換え出力させるように構成したもので、実施例１と同等の作用効果をもつものである。
【００１８】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２に係る固体撮像装置を図３に基づいて説明する。この実施例２は、切り換えスイッチ部の構成が実施例１のものと異なるだけで、他の構成は実施例１と同じである。この実施例２における切り換えスイッチ部４は、各垂直信号線３-1，・・３-3が接続された第１の拡散領域４-2と、クランプ部６の入力端子に接続される第２の拡散領域４-3との間にゲート領域４-1を２個ずつ配置してＭＯＳＦＥＴを構成し、２つのゲート領域を読み出しの１単位としたものである。
【００１９】
このように切り換えスイッチ部４を構成するＭＯＳＦＥＴのゲート数を実施例１のものに比べて２倍にすることにより、画素部１の画素ピッチが大きくなっても、切り換えスイッチ部の構成を変更する必要がなく、また、画素ピッチの大きさに応じてゲート領域を大きくすることがなくなるため、ＧＢ行選択線５-1及びＧＲ行選択線５-2につながるゲート領域による容量の増加を抑えることができる。なお、図３においては２つのゲート領域を読み出しの１単位としたものを示したが、画素ピッチの大きさに応じて３つ以上のゲート領域を読み出しの１単位にしてもよい。
【００２０】
図４は、図３に示した実施例２の変形例を示す回路構成図である。この変形例は、切り換えスイッチ部４の配置位置を変え、画素部１からの画素信号をクランプ部６でクランプ処理した後、切り換えスイッチ部４で切り換え出力させるように構成したもので、実施例１と同等の作用効果をもつものである。
【００２１】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３に係る固体撮像装置を図５に基づいて説明する。この実施例３は、画素部の通常の画素信号の他に、リセット直後などのリセットレベル信号を読み出し出力させることができるように構成したものである。すなわち、実施例１に示した通常の画素信号の切り換えスイッチ部４の他に、切り換えスイッチ部４と同一構成のリセットレベル信号切り換えスイッチ部24を設け、切り換えスイッチ部４の第１の拡散領域４-2及びリセットレベル信号切り換えスイッチ部24の第１の拡散領域24-2には、画素部１の各垂直信号線３-1，・・・・３-6を共通に接続し、切り換えスイッチ部４の第２の拡散領域４-3は、クランプ部が省略され、直接サンプルホールド容量ＣSH1 ，・・・・ＣSH6 と水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6にそれぞれ接続されている。一方、リセットレベル信号切り換えスイッチ部24の第２の拡散領域24-3は、サンプルホールド容量ＣSH1'，・・・・ＣSH6'と水平選択スイッチ28-1，・・・・28-6に接続し、水平選択スイッチ28-1，・・・・28-6は、水平選択スイッチ８-1，・・・・８-6と同様に、水平走査回路７により、独立して走査制御されるようになっている。
【００２２】
また、リセットレベル信号切り換えスイッチ部24のゲート領域24-1は、ＧＢ行選択線25-1とＧＲ行選択線25-2とに交互に接続され、各選択線25-1，25-2に印加される選択信号により、リセットレベル信号切り換えスイッチ部24を構成するＭＯＳＦＥＴを制御するようになっている。また、水平選択スイッチ28-1，・・・・28-6は、交互に水平信号線29-1，29-2に接続され、各水平信号線29-1，29-2の一端には出力増幅器30-1，30-2が接続され、各出力増幅器30-1，30-2の出力側には出力端子ＯＵＴ１′，ＯＵＴ２′が接続されている。なお、画素信号用の切り換えスイッチ部４側の構成は、クランプ部が省略されているのみで、その他の構成は図１に示した実施例１と同様である。
【００２３】
次に、このように構成された実施例３の動作について説明する。画素部１の画素信号の読み出し動作は、図１に示した実施例１と同じであるので、その説明を省略する。画素部１のリセットレベル信号を読み出す場合には、ＧＢ行選択線25-1に印加する選択信号により、ＧＢ行選択線25-1にゲート領域が接続されたリセットレベル信号切り換えスイッチ部24のＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＲ行選択線25-2にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにすることにより、ＧＢ行のＧb 画素Ｐx1-1，画素Ｐx1-3，画素Ｐx1-5からのリセットレベル信号が読み出され、サンプルホールド容量ＣSH2'，ＣSH4'，ＣSH6'に保持される。一方、ＧＢ行のＢ画素Ｐx1-2，画素Ｐx1-4からのリセットレベル信号が読み出され、サンプルホールド容量ＣSH3'，ＣSH5'に保持される。そして、水平走査回路７の走査動作により水平選択スイッチ28-1，・・・・28-6を順次駆動することにより、サンプルホールド容量ＣSH2'，ＣSH4'，ＣSH6'に保持されているＧb リセットレベル信号は、水平信号線29-1及び出力増幅器30-1を介して、出力端子ＯＵＴ１′より出力され、サンプルホールド容量ＣSH3'，ＣSH5'に保持されているＢリセットレベル信号は、水平信号線29-2及び出力増幅器30-2を介して、出力端子ＯＵＴ２′より出力される。
【００２４】
画素部１のＧＲ行のリセットレベル信号を読み出す場合には、ＧＲ行選択線25-2に印加する選択信号により、ＧＲ行選択線25-2にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＢ行選択線25-1にゲート領域が接続されたＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにすることにより、ＧＲ行のＧr 画素Ｐx2-2，画素Ｐx2-4，画素Ｐx2-6からのリセットレベル信号がサンプルホールド容量ＣSH2'，ＣSH4'，ＣSH6'に保持される。一方、ＧＲ行のＲ画素Ｐx2-1，画素Ｐx2-3，画素Ｐx2-5からのリセットレベル信号が、サンプルホールド容量ＣSH1'，ＣSH3'，ＣSH5'に保持される。そして、水平走査回路７の走査動作により水平選択スイッチ28-1，・・・・28-6を順次駆動することにより、サンプルホールド容量ＣSH2'，ＣSH4'，ＣSH6'に保持されているＧr リセットレベル信号は、水平信号線29-1及び出力増幅器30-1を介して、出力端子ＯＵＴ１′より出力され、サンプルホールド容量ＣSH1'，ＣSH3'，ＣSH5'に保持されているＲリセットレベル信号は、水平信号線29-2及び出力増幅器30-2を介して、出力端子ＯＵＴ２′より出力される。
【００２５】
以上の動作により出力端子ＯＵＴ１からはいつもＧb 画素信号あるいはＧr 画素信号、ＯＵＴ１′からはいつもＧb リセットレベル信号あるいはＧr リセットレベル信号が出力されることになり、出力端子ＯＵＴ２からはいつもＲ画素信号あるいはＢ画素信号、出力端子ＯＵＴ２′からはいつもＲリセットレベル信号あるいはＢリセットレベル信号が出力されることになる。
【００２６】
（実施例４）
次に、本発明の実施例４に係る固体撮像装置を図６に基づいて説明する。この実施例４は、図１に示した実施例１における単一の切り換えスイッチ部の代わりに、Ｎ-ch.ＭＯＳＦＥＴからなる切り換えスイッチ部４とＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴからなる切り換えスイッチ部４′とを配置して、並列に接続して構成したもので、切り換えスイッチのＯＮ抵抗を低減することが可能となり、回路の自由度を向上させることができるものである。
【００２７】
この実施例４において、画素部１のＧＢ行の画素信号を読み出す場合には、ＧＢ行選択線５-1に接続されている切り換えスイッチ部４のＮ-ch.ＭＯＳＦＥＴと、ｘＧＢ行選択線５-1′に接続されている切り換えスイッチ部４′のＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＲ行選択線５-2に接続されているＮ-ch.ＭＯＳＦＥＴと、ｘＧＢ行選択線５-1′に接続されているＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにする。画素部１のＧＲ行の画素信号を読み出す場合には、ＧＲ行選択線５-2に接続されている切り換えスイッチ部４のＮ-ch.ＭＯＳＦＥＴと、ｘＧＲ行選択線５-2′に接続されている切り換えスイッチ部４′のＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、ＧＢ行選択線５-1に接続されているＮ-ch.ＭＯＳＦＥＴと、ｘＧＢ行選択線５-1′に接続されているＰ-ch.ＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにする。当然のことながら、ＧＢ行選択線５-1とｘＧＢ行選択線５-1′，あるいはＧＲ行選択線５-2とｘＧＲ行選択線５-2′に与えられるクロック制御信号（選択信号）の極性は逆となる。
【００２８】
図７は、図６に示した実施例４の変形例を示す回路構成図である。この変形例は、２つの切り換えスイッチ部４，４′の配置位置を変え、画素部１からの画素信号をクランプ部６でクランプ処理した後、２つの切り換えスイッチ部４，４′で、切り換え出力させるように構成したもので、実施例４と同等の作用効果をもつものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の実施例１の構成を示す回路構成図である。
【図２】図１に示した実施例１の変形例を示す回路構成図である。
【図３】本発明の実施例２に係る固体撮像装置の構成を示す回路構成図である。
【図４】図３に示した実施例２の変形例を示す回路構成図である。
【図５】本発明の実施例３に係る固体撮像装置の構成を示す回路構成図である。
【図６】本発明の実施例４に係る固体撮像装置の構成を示す回路構成図である。
【図７】図６に示した実施例４の変形例を示す回路構成図である。
【図８】従来のＭＯＳ型固体撮像装置の構成例を示す回路構成図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  画素部
２  垂直走査回路
３-1，・・・・３-6  垂直信号線
４，４′  切り換えスイッチ部
５-1，５-1′  ＧＢ行選択線
５-2，５-2′  ＧＲ行選択線
６  クランプ部
７  水平走査回路
８-1，・・・・８-6  水平選択スイッチ
９-1，９-2  水平信号線
10-1，10-2  出力増幅器
24  リセットレベル信号切り換えスイッチ部
25-1  ＧＢ行選択線
25-2  ＧＲ行選択線
28-1，・・・・28-6  水平選択スイッチ
29-1，29-2  水平信号線
30-1，30-2  出力増幅器
【図１】
2005294925.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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