(57)【要約】【課題】  複数の投光素子と、これら素子からの光を受光する単一の受光素子とを備え、各投光素子からの複数の光軸を遮らないと遮光状態にならないように構成することで、簡単かつ安価な構成でありながら、不正行為を防止することができる遊技機の投入メダル検知装置の提供を目的とする。【解決手段】  メダル類Ｍを通過させる通路と、この通路を通過するメダル類Ｍを検知するセンサ３０とを備えた遊戯機の投入メダル検知装置であって、上記センサ３０は所定間隔で上下方向に配置された複数の投光素子４４、４５と、上記複数の投光素子４４、４５からの光を受光する単一の受光素子４１とを備えた光学式検知センサＳ２に設定され、上記各投光素子４４、４５の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子４１に入ることで入光状態になるように設定されたことを特徴とする。【選択図】  図９
2005137469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メダル類を通過させる通路と、この通路を通過するメダル類を検知するセンサとを備えた遊技機の投入メダル検知装置であって、
上記センサは所定間隔で上下方向に配置された複数の投光素子と、
上記複数の投光素子からの光を受光する単一の受光素子とを備えた光学式検知センサに設定され、
上記各投光素子の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子に入ることで入光状態になるように設定された
遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項２】
上記光学式検知センサをメダル類の通過方向に２組並設した
請求項１記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項３】
上記光学検知センサの側部に、反射板を介して光を投受光する投光要素と受光要素とが配置された
請求項１記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項４】
上記投光要素および受光要素は光学式検知センサの受光素子および上側の投光素子と対応する高さ位置に設けられ、
光学式検知センサの下側の投光素子と対応する部分には、不適合なメダル類を排出する排出部材作動用の切欠き部が設けられた
請求項３記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項５】
上記複数の投光素子から単一の受光素子に入光する入光光量が同レベルになるように構成された
請求項１〜４の何れか１に記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項６】
上記入光光量は各投光素子への通電電流の大小により実行する
請求項５記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【請求項７】
上記入光光量は各投光素子の投光軸通路の開口面積の大小により実行する
請求項５記載の遊技機の投入メダル検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メダル類（メダル、コイン、硬貨）を通過させる通路と、この通路を通過するメダル類を検知するセンサとを備えたスロットマシンのような遊技機の投入メダル検知装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上述例の遊技機の投入メダル検知装置のセンサとしては、図２０〜図２２に示した構造のものがある。
【０００３】
図２０は投入メダル検知装置のセンサの正面図、図２１は図２０のＥ−Ｅ線矢視断面図、図２２は図２０のＦ−Ｆ線矢視断面図であって、この投入メダル検知装置のセンサ１００は２分割構造のケース１０１，１０２内に回路基板１０３を配置すると共に、メダル１０４の通過側に位置する一方のケース１０１の内部上側には発光ダイオードなどから成る一対の投光素子１０５Ａ，１０５Ｂを設け、内部下側にはフォトトランジスタまたはフォトダイオードなどから成る一対の受光素子１０６Ａ，１０６Ｂを設け、これらの各素子１０５Ａ，１０５Ｂ，１０６Ａ，１０６Ｂに対応して一方のケース１０１には光軸通路としてのスリット１０７，１０８をそれぞれ形成し、該ケース１０１のメダル通路１１０（図２３参照）上方に延出する延出部１０１ａには、投光素子１０５Ａ，１０５Ｂから発した光を受光素子１０６Ａ，１０６Ｂ側へ反射させる反射板１０９を設けたものである。
【０００４】
このように、一対の投光素子１０５Ａ，１０５Ｂと、一対の受光素子１０６Ａ，１０６Ｂとを備えているので、２つの光軸１１１，１１２（図２３においては図示の便宜上、○印にて示す）が形成され、図２３に示すようにメダル１０４がメダル通路１１０に沿って矢印方向へ移動して、メダル１０４で光軸１１１，１１２をこの順に遮ることで、図２５に示すように、それぞれの受光素子１０６Ａ，１０６Ｂからは検知出力ｘ，ｙが得られ、この２つの検知出力ｘ，ｙの重なり方によって方向検知およびメダル通過数の計数を実行している。
【０００５】
しかし、この従来装置においては不正器具（いわゆるセル）による不正行為が可能となる。  
すなわち、図２４に示すように細長いＬ字状に形成された不正器具１１３を設け、この不正器具１１３をメダル通路１１０内に挿入した後に、同図に矢印および仮想線にて示すように、不正器具１１３で光軸１１１，１１２をこの順に遮光状態とし、次に不正器具１１３の移動により光軸１１１，１１２をこの順に入光状態とし、次に不正器具１１３を一旦下げて入光状態を維持した状態で、この不正器具１１３を引き戻すと、図２５で示した正規の波形と同等の波形が得られるので、遊技機は１個のメダル１０４が通過したものと認識する。
【０００６】
したがって図２４で示した不正行為を繰返すことにより、メダル１０４を何等投入することなく、あたかも複数枚のメダル１０４が通過したと遊技機に認識させる不正行為いわゆるセルゴトが可能となる問題点があった。
【０００７】
このような不正行為を防止するために、次のような投入メダル検知装置が既に発明されている（特許文献１、２参照）。  
特許文献１に開示されたものは、メダルの通路（つまりメダル通路）を隔てた一側に投光素子と、この投光素子からの光を通路全幅にわたってスリット状に分散させる導光板とを設け、メダルの通路を隔てた他側にはスリット状に分散した光を受光素子に向けて集光させる導光板と、受光素子と設けて、メダル通路幅の全体を検出領域と成した投入メダル検知装置である。
【０００８】
しかし、この従来装置においてはメダル通路の一側と他側との両側に素子および導光板が配置された構造であるから、メダル詰まりが発生した場合の排除効率が著るしく悪化する問題点があった。
【０００９】
特許文献２に開示されたものは、メダル通路の上下幅内の上部に２個のメダルセンサを設け、メダル通路の上下幅内の下部に１個のメダルセンサを設け、合計３個のメダルセンサを配置し、これら各メダルセンサを投光素子と受光素子とを含むフォトセンサでそれぞれ構成したものである。すなわち合計３個の投光素子と合計３個の受光素子とを有するものである。
【００１０】
しかし、この従来装置においては合計３つのメダルセンサ（つまり３つのフォトセンサ）を用いる関係上、センシング出力が３系統となり、この結果メダルの適、不適に必要な出力処理および制御が複雑化するので、実用性が大幅に悪化する問題点があった。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２８２４１３号公報
【特許文献２】特開２００１−１７５９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、この発明は複数の投光素子と、これら素子からの光を受光する単一の受光素子とを備え、各投光素子からの複数の光軸を遮らないと遮光状態にならないように構成することで、簡単かつ安価な構成でありながら、不正行為を防止することができる遊技機の投入メダル検知装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明による遊技機の投入メダル検知装置は、メダルを通過させる通路と、この通路を通過するメダル類を検知するセンサとを備えた遊技機の投入メダル検知装置であって、上記センサは所定間隔で上下方向に配置された複数の投光素子と、
上記複数の投光素子からの光を受光する単一の受光素子とを備えた光学式検知センサに設定され、上記各投光素子の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子に入ることで入光状態になるように設定されたものである。
【００１４】
上述の複数の投光素子はメダル類の直径より小さい離間間隔で上下方向に２個配置して、センサのコンパクト化とコストダウンとの両立を図るように構成することが望ましい。
【００１５】
上記構成によれば、複数の投光素子から単一の受光素子に入光する複数の光軸を遮らない限り遮光状態とならないので、光軸間隔よりも大きな遮光物体しか検出せず、この結果、光軸間隔より小さいセルのような遮光物体（不正器具）での不正行為を防止することができる。  
【００１６】
また、受光素子よりも安価な投光素子を複数用いる簡単な構造でありながら上述の不正行為を防止することができるので、コストダウンを図ることができる。
【００１７】
この発明の一実施態様においては、上記光学式検知センサをメダル類の通過方向に２組並設したものである。  
【００１８】
上記構成によれば、メダル類の通過方向に光学式検知センサを２組並設したので、センサの遮光状態を得るには２組の光学式検知センサのそれぞれの光軸を遮る必要があり、不正器具（いわゆるセル）の移動に大幅な制限が加えられるので、不正行為の防止効果がより一層強化され、またメダル類の方向検知が可能となり、さらにセンサ出力は２個（センサ出力は受光素子の数に対応する２個）であるため、出力処理および制御も容易となる。
【００１９】
この発明の一実施態様においては、上記光学式検知センサの側部に、反射板を介して光を投受光する投光要素と受光要素とが配置されたものである。  
上記構成によれば、上述の光学式検知センサと、反射板を介して光を投受光する投光要素、受光要素とを有するので、メダル類の方向検知が可能となるうえ、反射板、投光要素、受光要素から成るセンサのコンパクト化を図ることができ、さらにセンサ出力は２個（センサ出力は受光素子と受光要素との合計数に対応する２個）であるため、出力処理および制御も容易となる。
【００２０】
この発明の一実施態様においては、上記投光要素および受光要素は光学式検知センサの受光素子および上側の投光素子と対応する高さ位置に設けられ、光学式検知センサの下側の投光素子と対応する部分には、不適合なメダル類を排出する排出部材作動用の切欠き部が設けられたものである。
【００２１】
上記構成によれば、メダル類を通過させる通路（メダル通路）は適合、不適合のメダル類を検出するために所定の長さが必要であり、不適合メダル類を排出するリゼクトレバーなどの排出部材は可及的通路の下流側に配置する要請があり、また上記センサは通路下流部にレイアウトする必要があるため、センサの形状、配置位置が各種の制約を受けるが、上述の切欠き部を設けることにより、不適合メダル類を排出するリゼクトレバーなどの排出部材と何等干渉することなく、センサを投入メダル検知装置の適正位置にコンパクトにレイアウトすることができる。
【００２２】
この発明の一実施態様においては、上記複数の投光素子から単一の受光素子に入光する入光光量が同レベルになるように構成されたものである。  
上記構成によれば、各投光素子から１つの受光素子に入光する入光光量が同レベルになるように構成したので、受光素子の出力処理の際に必要なセンシングのしきい値設定が容易となる。仮に、入光光量がそれぞれ異なる場合には複数のしきい値を設定する必要があるが、入光光量を同レベルに設定したので、１つのしきい値を用いて出力処理を実行することができる。
【００２３】
この発明の一実施態様においては、上記入光光量は各投光素子への通電電流の大小より実行するものである。
【００２４】
上記構成によれば、受光素子に対して遠い側の投光素子の通電電流（発光光量）を大に、受光素子に対して近い側の投光素子の通電電流（発光光量）を小にして、各投光素子から受光素子に入光する光量を、同レベルに設定することができる。この場合には各投光素子の投光軸通路の開口面積は同等でよい。
【００２５】
この発明の一実施態様においては、上記入光光量は各投光素子の投光軸通路の開口面積の大小により実行するものである。  
上記構成によれば、受光素子に対して遠い側の投光素子の通路開口面積を大に、受光素子に対して近い側の投光素子の通路開口面積を小にして、各投光素子から受光素子に入光する光量を同レベルに設定することができる。この場合には、投光素子の発光光量は同等でよい。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば複数の投光素子と、これら素子からの光を受光する単一の受光素子とを備え、各投光素子からの複数の光軸を遮らないと遮光状態にならないように構成したので、簡単かつ安価な構成でありながら、不正行為を防止することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
簡単かつ安価な構成でありながら、不正行為を防止するという目的を、複数の投光素子（望ましくは２個の投光素子）と、これら素子の光を受光する単一の受光素子とを備え、各投光素子からの複数の光軸（望ましくは２つの光軸）を遮らないと遮光状態にはならないように成す構成にて実現した。
【００２８】
この発明の一実施形態を以下図面に基づいて詳述する。  
図面は投入メダル検知装置を備えた遊技機の一例として遊技ホールに設置されるスロットマシンを示し、図１において、このスロットマシン１１は前面の遊技操作面の一側にメダルＭを１枚ずつ受入れる投入口２を開口し、この投入口２に投入された正規の大きさのメダルを内部に取込み、不適合の大きさのメダル類を外部の返却口３に返却する選別機能を内蔵している。また。投入口２の横部には返却ボタン４を隣接しており、この返却ボタン４をプレーヤが遊技中止するために押下操作した場合もメダルＭを返却口３に返却処理する。
【００２９】
図２はスロットマシン１の前面扉５を片開き式に開口した扉の内面状態を示し、この開口されたスロットマシン本体１ａ側には上部にリール６を有し、下部にメダル取込み用のホッパ７と、図示しないメダル返却通路と、電源装置８とを有している。
【００３０】
一方、前面扉５側には内面に、上部よりリールカバー９と、投入メダル検知装置（メダルセレクタ）１０と、返却口３とをこの順に配設している。  
上述の投入メダル検知装置１０は、図３〜図６に示すように、平面視コの字状の基板１１と、開閉板１２とを備え、開閉板１２側の支軸１３を基板１１側の軸受部1４，１４に軸支すると共に、バネ１５により開閉板１２を常時基板１１側に付勢し、これら基板１１と開閉板１２との両者によりメダル通路１６を形成している。
【００３１】
このメダル通路１６は前述の投入口２に接続対応する入口１７と下方の出口１８とを有するＬ字状に形成され、入口１７から下方に延びる縦辺部と、斜め下方に延びて出口１８に至る下辺部と、これら両辺部を湾曲状に連通接続する湾曲部とを備えている。
【００３２】
また、図６に示すように基板１１裏側の支軸１９を支点として揺動可能な可動ガイド板２０を設け、この可動ガイド板２０のガイド部２１を基板１１の開口部２２から図３、図４、図５に示すようにメダル通路１６の上部に臨設し、このガイド部２１でメダルＭの上端側を搬送ガイドすべく構成している。
【００３３】
さらに、上述の可動ガイド板２０には図６に示すように基板１１の裏側に位置する排出部材としてのリゼクトレバー２３を一体に折り曲げ形成し、このリゼクトレバー２３の下端リゼクト部２３ａをメダル通路１６下流側の開口部１６ａから該メダル通路１６に出没可能に構成している。
【００３４】
また、上述の基板１１の裏側には図６に示すようにソレノイド２４で駆動されるレバー２５を設け、このレバー２５の遊端２５ａを可動ガイド板２０の上端２０ａに対向させ、ソレノイド２４のＯＮ時にレバー２５の遊端２５ａで可動ガイド板２０の上端２０ａを押圧して、そのガイド部２１でメダルＭの上端側を搬送ガイドすると共に、リゼクトレバー２３の下流リゼクト部２３ａをメダル通路１６の開口部１６ａから裏面側に後退させ、ソレノイド２４のＯＦＦ時にはガイド部２１によりメダルＭの上端側の搬送ガイドを解除すると共に、リゼクトレバー２３の下端リゼクト部２３ａをメダル通路１６の開口部１６ａから通路１６側へ突出させて、異径メダルＭ１を図３に示すように、開閉板１２の排出口１２ａから排出して、不適合の大きさのメダル類を外部の返却口３に返却すべく構成している。
【００３５】
したがって、出口１８からは遊技利用専用に設けられた一定の大きさの円板形状を有する適正な大きさのメダルＭのみが受け入れ許容される。  
この出口１８の直前部においてメダル通路１６を形成する基板１１の通路壁には、通路１６を通過するメダルＭを探知して計数するセンサ３０を取付けている。
【００３６】
このセンサ３０は図７〜図１０に示すように構成されている。ここに、図７はセンサ３０の外観斜視図、図８はセンサ３０の正面図、図９は図８のＡ−Ａ線矢視断面図、図１０は図８のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００３７】
このセンサ３０は図９、図１０に示すように２分割構造のケース３１，３２内に回路基板３３を配置している。一方のケース３１の上部には上方に延びる突片３４を一体形成し、この突片３４には取付け孔３５と位置決め孔３６とが形成されている。
【００３８】
また、一方のケース３１には、図３、図４、図５に示す基板１１の開口部３７からメダル通路１６の上方部に延出する延出部３８が一体形成されている。  
そして、このセンサ３０は図３〜図５に示すように基板１１の開口部３７からメダル通路１６の上方部に位置するように延出部３８が配置され、一方のケース３１は基板１１の裏面に固定され、延出部３８よりも下側の部分において後述する光軸と対応して基板１１のメダル通路１６の通路壁には開口部４０が形成され、センサ３０の全体はメダル通路１６の片面側からのみ投受光し得るコンパクトな配置構成となっている。
【００３９】
図８のＡ−Ａ線矢視断面図を図９に示すように、センサ３０のメダル通過方向の下流側にあっては、上述の延出部３８に単一の受光素子４１を配設し、そのリード線４２は真っ直ぐに延ばして回路基板３３に接続している。また受光素子４１の受光部と対応してケース３１の延出部３８下面には光軸通路４３が形成されている。
【００４０】
またケース３１には所定間隔で上下方向に複数の投光素子４４，４５が配置されている。この実施例ではセンサ３０のコンパクト化およびコストダウンを図る目的でケース３１にメダルＭの直径より小さい離間間隔で２個の投光素子４４，４５を上下方向に配置している。
【００４１】
図９に示すように。これら各投光素子に４４，４５はその投光部が単一の受光素子４１の受光部に指向すべくスラント配置されていて、ケース３１には光軸通路としてのスリット４６，４７が傾斜状に開口形成され、投光素子４４，４５から１つの受光素子４１に至る受光角度を異にする２つの光軸Ｘ１，Ｘ２を形成している。
【００４２】
また上述の各投光素子４４，４５のリード線４８，４９は回路基板３３に接続されている。そして、これら各投光素子４４，４５の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子４１に入ることで該受光素子４１が入光状態になるように設定されている。  
換言すれば、2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する２つの光軸Ｘ１、Ｘ２を遮らない限り遮光状態とならないように構成したものである。  
そして、上述の各要素４１、４４、４５によりメダル通過方向に下流側の光学式検知センサＳ２が構成されている。
【００４３】
ここで、上述の2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する入光光量はそれぞれ同一レベルになるように構成されている。この入光光量を同一レベルにする手段としては、各投光素子４４、４５への通電電流を変えてもよく、投光軸通路としてのスリット４６、４７の開口面積を変えてもよい。
【００４４】
投光素子４４、４５への通電電流を変えて、入光光量を同一レベルにする場合には、受光素子４１に対して遠い側の投光素子４５の通電電流（発光光量）を大に、受光素子４１に対して近い側の投光素子４４の通電電流（発光光量）を小にするとよい。
【００４５】
スリット４６、４７の開口面積を変えて、入光光量を同一レベルにする場合には、受光素子４１に対して遠い側の投光素子４５のスリット４７の開口面積を大に、受光素子４１に対して近い側の投光素子４４のスリット４６の開口面積を小にするとよい。
【００４６】
このようにして、2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する入光光量をそれぞれ同一レベルになるように設定すると、受光素子４１の出力処理の際に必要なセンシングのしきい値設定が容易となる。
【００４７】
図８のＢ−Ｂ線矢視断面図を図１０に示すように、センサ３０のメダル通過方向の上流側にあっては、延出部３８に反射板５０を固定し、上述の受光素子４１と対応する高さ位置においてケース３１内に投光要素５１を配設し、そのリード線５２は真っ直ぐに延ばして回路基板３３に接続している。
【００４８】
また上述の2個の投光素子４４、４５のうちの上側の投光素子４４と対応する高さ位置においてケース３１内に受光要素５３を配設し、そのリード線５４は回路基板３３に接続している。
【００４９】
さらに上述の投光要素５１からの発光が反射板５０を介して受光要素５３に入光するように各要素５１、５３の投光部、受光部と対応して光軸通路５５、５６を形成し、投光要素５１から反射板５０を介して受光要素５３に至る光軸Ｘ３を形成して、これらの各要素５１、５３によりメダル通過方向上流側の検知センサＳ１を構成している。
【００５０】
このように、図９で示した光学式検知センサＳ２の側部に、図１０に示す反射板５０を介して光を投受光する投光要素５１と受光要素５３とからなる検知センサＳ１を配設して、ケース３１、３２に各検知センサＳ１、Ｓ２を一体ユニット化することにより、光学式検知センサＳ２の下側の投光素子４５と対応する部分には、図７、図８に示すように、不適合メダル数を排出する排出部材としてのリゼクトレバー２３の作動用の切欠き部５７を設けている。
【００５１】
なお、上述の投光素子４４、４５投光要素５１としては発光ダイオードを用いることができ、上述の受光素子４１、受光要素５３としてはフォトダイオードまたはフォトトランジスタを用いることができる。
【００５２】
このように構成したセンサ３０を投入メダル検知装置１０におけるメダル通路１６の通路壁に取付けると、図１１に示すように合計３つの光軸Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３（但し、図１１においては図示の便宜上、光軸を○印にて示す）が形成される。
【００５３】
そこで、図１１に示すようにメダルＭがメダル通路１６に沿って同図の矢印方向へ移動して、このメダルＭで光軸Ｘ３、光軸Ｘ１、Ｘ２をこの順に遮ることで、図１３に示すように、それぞれの検知センサＳ１、Ｓ２（ことに受光要素５３、受光素子４１参照）からは正規の検知出力ａ、ｂが得られ、この２つの検知出力ａ、ｂの重なり方によって方向検知およびメダル計数が実行される。
【００５４】
一方、図１２に示すように細長いＬ字状に形成された不正器具１１３（いわゆるセル）を設け、この不正器具１１３により不正行為が実行されても、この不正行為を検知することができる。
【００５５】
すなわち、不正器具１１３を図１２に示すメダル通路１６内に挿入した後に、同図に矢印および仮想線にて示すように、不正器具１１３で光軸Ｘ３、Ｘ１をこの順に遮光状態とし、次に不正器具１１３の移動により光軸Ｘ３、Ｘ１をこの順に入光状態とし、次に不正器具１１３を一旦下げて各光軸Ｘ３、Ｘ１からの入光状態を維持した状態で、この不正器具１１３を引き戻しても、光学式検知センサＳ２の２つの光軸Ｘ１、Ｘ２を同時に遮ることができないので、図１４に示すように一方の検知センサＳ１からは正規の検知出力ａが得られても、他方の検知センサＳ２からは正規の検知出力ｂが得られないので、不正行為を検知することができる。
【００５６】
このように図１〜図１４で示した実施例の遊技機の投入メダル検知装置１０は、メダルＭを通過させる通路１６と、この通路１６を通過するメダルＭを検知するセンサ３０とを備えた遊戯機の投入メダル検知装置であって、上記センサ３０はメダルＭの直径より小さい離間間隔で上下方向に配置された２個の投光素子４４、４５と、上記2個の投光素子４４、４５からの光を受光する単一の受光素子４１とを備えた光学式検知センサＳ２に設定され、上記各投光素子４４、４５の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子４１に入ることで入光状態になるように設定されたものである。
【００５７】
この構成によれば、2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する２つの光軸Ｘ１、Ｘ２を遮らない限り、遮光状態とならないので、光軸間隔よりも大きな遮光物体しか検出せず、この結果、光軸間隔より小さいセルのような遮光物体での不正行為を防止することができる。
【００５８】
また、受光素子４１よりも安価な投光素子４４、４５を2個用いる簡単な構造でありながら上述の不正行為を防止することができるので、コストダウンを図ることができる。
【００５９】
また上記光学式検知センサＳ２の側部に、反射板５０を介して光を投受光する投光要素５１と受光要素５３とが配置されたものである。  
この構成によれば、上述の光学式検知センサＳ２と、反射板５０を介して光を投受光する投光要素５１、受光要素５３とを有するので、メダルＭの方向検知が可能となるうえ、反射板５０、投光要素５１、受光要素５３から成る検知センサＳ１のコンパクト化を図ることができ、さらに検知センサＳ１、Ｓ２の合計出力は２個であるため、出力処理および制御も容易となる。
【００６０】
しかも、上記投光要素５１、および受光要素５３は光学式検知センサＳ２の受光素子４１および上側の投光素子４４とを対応する高さ位置に設けられ、光学式検知センサＳ２の下側の投光素子４５と対応する部分には、不適合メダル類を排出する排出部材（リゼクトレバー２３参照）作動用に切欠き部５７が設けられたもである。
【００６１】
この構成によれば、メダルＭを通過させる通路１６は適合、不適合のメダル類を検出するために所定の長さが必要であり、不適合メダル類を排出するリゼクトレバー２３などの排出部材は可及的通路１６の下流側に配置する要請があり、また上記センサ３０は通路下流部にレイアウトするセンサ３０の形状、配設位置が各種の制約を受けるが、上述の切欠き部５７を設けることにより、不適合メダル類を排出するリゼクトレバー２３などの排出部材と何等干渉することなく、センサ３０を投入メダル検知装置１０の適正位置にコンパクトにレイアウトすることができる。
【００６２】
さらに、上記2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する入光光量が同レベルになるように構成されたものである。  
この構成によれば、各投光素子４４、４５から1つの受光素子４１に入光する入光光量が同レベルになるように構成したので、受光素子４１の出力処理の際に必要なセンシングのしきい値設定が容易となる。仮に、入光光量がそれぞれ異なる場合には複数のしきい値を設定する必要があるが、入光光量を同レベルに設定したので、１つのしきい値を用いて出力処理を実行することができる。
【００６３】
また、上記入光光量は各投光素子４４、４５への通電電流の大小により実行するものである。  
この構成によれば、受光素子４１に対して遠い側の投光素子４５の通電電流（発光光量）を大に、受光素子４１に対して近い側の投光素子４４の通電電流（発光光量）を小にして、各投光素子４４、４５から受光素子４１に入光する光量を、同レベルに設定することができる。この場合には各投光素子４４、４５の投光軸通路（スリット４６、４７参照）の開口面積は同等でよい。
【００６４】
さらに、上記入光光量は各投光素子４４、４５の投光軸通路（スリット４６、４７参照）の開口面積の大小により実行するものである。
【００６５】
この構成によれば、受光素子４１に対して遠い側の投光素子４５の通路開口面積を大に、受光素子４１に対して近い側の投光素子４４の通路開口面積を小にして、各投光素子４４、４５から受光素子４１入光する光量を同レベルに設定することができる。この場合には、投光素子４４、４５の発光光量は同等でよい。
【００６６】
ここに光量の概念には変調光も含み、投光素子４４、４５から同期させてなる変調光を投光し、その変調光の投光タイミングに適合したタイミングの受光信号のみを受光素子４１の受光信号として処理すべく構成してもよいことは勿論である。
【００６７】
図１５、図１６は遊技機の投入メダル検知装置の他の実施例を示し、この図１５、図１６に示す実施例においては図８、図９、図１０で示した実施例の検センサＳ１、Ｓ２のうちの一方の光学式検知センサＳ２のみによりセンサ３０を構成したものである。
【００６８】
すなわち、メダルＭを通過させる通路１１６（前図参照）と、この通路１６を通過するメダルＭを検知するセンサ３０とを備えた遊技機の投入メダル検知装置であって、上記センサ３０はメダルＭの直径より小さい離間間隔で上下方向に配置された２個の投光素子４４、４５と、上記2個の投光素子４４、４５からの光を受光する単一の受光素子４１とを備えた光学式検知センサＳ２に設定され、上記各投光素子４４、４５の光量は何れか１つの投光素子の光が単一の受光素子４１に入ることで入光状態になるように設定されたものである。
【００６９】
図１５、図１６で示したように構成しても、2個の投光素子４４、４５から単一の受光素子４１に入光する２つの光軸Ｘ１、Ｘ２を遮らない限り遮光状態とならないので、光軸間隔よりも大きな遮光物体しか検出せず、この結果、光軸間隔より小さいセルのような遮光物体での不正行為を防止することができる。
【００７０】
また、受光素子４１よりも安価な投光素子４４、４５を2個用いる簡単な構造でありながら上述の不正行為を防止することができるので、コストダウンを図ることができる。
【００７１】
なお、図１５、図１６において前図と同一の部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略するが、この図１５、図１６に示すセンサ３０は物体の通過検知センサとしても適用することができる。
【００７２】
図１７、図１８は遊技機の投入メダル検知装置のさらに他の実施例を示し、この図１７、図１８に示す実施例においては図１５、図１６で示した光学式検知センサＳ２をメダルＭの通過方向に２組併設して、一体ユニット化されたセンサ３０を構成したものである。
【００７３】
このように、メダルＭの通過方向に光学式検知センサＳ２、Ｓ２を2組併設したので、センサ３０の遮光状態を得るには２組の光学式検知センサＳ２、Ｓ２のそれぞれの２つの光軸Ｘ１、Ｘ２を順次遮る必要があり、不正器具（いわゆるセル）の移動に大幅な制限が加えられるので、不正行為の防止効果がより一層強化され、またセンサ３０の合計出力は２個であるため、出力処理および制御も容易となる。
【００７４】
図１７、図１８に示すこの実施例においても、その他の構成、作用、効果については先の実施例とほぼ同様であるから、図１７、図１８において前図と同一の部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【００７５】
図１９は光学式検知センサＳ２の他の実施例を示し、図９、図１６、図１８で示した実施例においてはケース３１の延出部３８に受光素子４１を設けたが、図１９に示すこの実施例においては回路基板３３に受光素子４１を直接実装すると共に、延出部３８には２つの反射板５０、６０を設けて、2個の投光素子４４、４５のうちの一方の投光素子４４からの光（光軸Ｘ１参照）を１つの反射板５０を介して受光素子４１に入光すべく構成し、他方の投光素子４５からの光（光軸Ｘ２参照）を２つの各反射板５０、６０を介して受光素子４１に入光すべく構成してものである。
【００７６】
このように構成すると受光素子４１のリード線４２が仮に短くても、その制約を受けないので、延出部３８の延出長さ、および光軸Ｘ１、Ｘ２の設計自由度の向上を図ることができる。この図１９で示した光学式検知センサＳ２を図９、図１６、図１８の検知センサＳ２に代えて用いることができる。
【００７７】
このように構成しても、その他の構成、作用、効果については先の実施例とほぼ同様であるから、図１９において前図と同一の部分には同一符合を付して、その詳しい説明を省略する。
【００７８】
この発明の構成と、上述の実施例との対応において、この発明のメダル類は、実施例のメダルＭに対応し、以下同様に、排出部材は、リゼクトレバー２３に対応し、投光軸通路は、スリット４６，４７に対応するも、この発明は、上述の実施例の構成のみに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の投入メダル検知装置を備えた遊技機の外観図。
【図２】投入メダル検知装置の配設箇所を示す説明図。
【図３】投入メダル検知装置の正面図。
【図４】投入メダル検知装置の分解斜視図。
【図５】開閉板を取外した状態で示す投入メダル検知装置の正面図。
【図６】投入メダル検知装置を裏面側から見た状態で示す斜視図。
【図７】センサの斜視図。
【図８】センサの正面図。
【図９】図８のA−A線矢視断面図。
【図１０】図８のＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図１１】通過メダル検知時の説明図。
【図１２】不正行為検出時の説明図。
【図１３】メダル通過時の正規の出力波形を示すタイムチャート。
【図１４】不正行為検出時のセンサ出力を示すタイムチャート。
【図１５】投入メダル検知装置の他の実施例を示す正面図。
【図１６】図１５のＣ−Ｃ線矢視断面図。
【図１７】投入メダル検知装置さらに他の実施例を示す正面図。
【図１８】図１７のＤ−Ｄ線矢視断面図。
【図１９】光学式検知センサの他の実施例を示す断面図。
【図２０】従来の投入メダル検知装置のセンサを示す正面図。
【図２１】図２０のE−E線矢視断面図。
【図２２】図２０のＦ−Ｆ線矢視断面図。
【図２３】従来の通過メダル検知時の説明図。
【図２４】不正行為実行時の説明図。
【図２５】従来の受光素子の出力波形を示すタイムチャート。
【符号の説明】
【００８０】
Ｍ…メダル
Ｓ１…検知センサ
Ｓ２…光学式検知センサ
１０…投入メダル検知装置
１６…通路
２３…リゼクトレバー（排出部材）
３０…センサ
４１…受光素子
４４，４５…投光素子
４６，４７…スリット（投光軸通路）
５０…反射板
５１…投光要素
５３…受光要素
５７…切欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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