(57)【要約】【課題】ｌｏｗ−ｋ膜をウェットエッチングする。【解決手段】（１）ＨＦ及び／又はその塩、（２）Ｈ２ＳＯ４及び必要に応じてさらに（３）水を含むｌｏｗ−ｋ膜用のエッチング液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）ＨＦ及び／又はその塩、（２）Ｈ２ＳＯ４及び必要に応じてさらに（３）水を含むｌｏｗ−ｋ膜用のエッチング液。
【請求項２】
ＨＦの塩が、フッ化物塩及び重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
ＨＦの塩が、フッ化アンモニウムまたは一水素二フッ化アンモニウムである請求項１に記載のエッチング液。
【請求項４】
ＨＦ又はその塩を０．５〜２０ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を６０〜９９．５ｍａｓｓ％、水を０〜２０ｍａｓｓ％含む請求項１に記載のエッチング液。
【請求項５】
ＨＦ又はその塩を１〜１５ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を６０〜９９ｍａｓｓ％、水を０〜２０ｍａｓｓ％含む請求項１に記載のエッチング液。
【請求項６】
ＨＦ又はその塩を１〜１０ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を８５〜９９ｍａｓｓ％、水を０〜５ｍａｓｓ％含む請求項１に記載のエッチング液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング液をｌｏｗ−ｋ膜を有する半導体基板に作用させることを特徴とする、ｌｏｗ−ｋ膜のエッチング方法。
【請求項８】
半導体基板に請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング液を作用させ、次いで洗浄する操作を繰り返してｌｏｗ−ｋ膜をエッチングする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
半導体基板に請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング液を作用させ、次いでｌｏｗ−ｋ膜のエッチング残渣を希フッ酸またはバッファードフッ酸を用いて洗浄除去する請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜用のエッチング液及び該エッチング液を用いたｌｏｗ−ｋ膜のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  近年、層間絶縁膜として、コーラル、オーロラ、ブラックダイヤモンドなどのＬｏｗ−ｋ材料が使用されている。【０００３】  これらのＬｏｗ−ｋ材料は、ウェハ表面に製膜されるときにウェハベベル部や裏面などの不必要な箇所に付着するので、これをエッチングにより除去する必要がある。【０００４】  Ｌｏｗ−ｋ膜をドライエッチングにより除去する技術は知られているが、ウェットエッチングにおいて迅速に除去するエッチング液は知られていない。【０００５】  ウェットエッチングに関し、例えば特許文献１〜３には、ＳｉＯ２やドープ酸化膜（ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＰＳＧなど）をエッチングするためのエッチング液は開示されているが、Ｌｏｗ−ｋ材料のエッチングについては開示されていない。
【特許文献１】特開２０００−１６４５８５
【特許文献２】特開２０００−１６４５８６
【特許文献３】特開２００２−２４６３７８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  本発明は実用的に十分な速度でＬｏｗ−ｋ膜をウェットエッチングするためのエッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明は、以下のエッチング液及びエッチング方法を提供するものである。
項１．  （１）ＨＦ及び／又はその塩、（２）Ｈ２ＳＯ４及び必要に応じてさらに（３）水を含むｌｏｗ−ｋ膜用のエッチング液。
項２．  ＨＦの塩が、フッ化物塩及び重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種である項１に記載のエッチング液。
項３．  ＨＦの塩が、フッ化アンモニウムまたは一水素二フッ化アンモニウムである項１に記載のエッチング液。
項４．  ＨＦ又はその塩を０．５〜２０ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を６０〜９９．５ｍａｓｓ％、水を０〜２０ｍａｓｓ％含む項１に記載のエッチング液。
項５．  ＨＦ又はその塩を１〜１５ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を６０〜９９ｍａｓｓ％、水を０〜２０ｍａｓｓ％含む項１に記載のエッチング液。
項６．  ＨＦ又はその塩を１〜１０ｍａｓｓ％、Ｈ２ＳＯ４を８５〜９９ｍａｓｓ％、水を０〜５ｍａｓｓ％含む項１に記載のエッチング液。
項７．  項１〜６のいずれかに記載のエッチング液をｌｏｗ−ｋ膜を有する半導体基板に作用させることを特徴とする、ｌｏｗ−ｋ膜のエッチング方法。
項８．  半導体基板に項１〜６のいずれかに記載のエッチング液を作用させ、次いで洗浄する操作を繰り返してｌｏｗ−ｋ膜をエッチングする項７に記載の方法。
項９．  半導体基板に項１〜６のいずれかに記載のエッチング液を作用させ、次いでｌｏｗ−ｋ膜のエッチング残渣を希フッ酸またはバッファードフッ酸を用いて洗浄除去する請求項７に記載の方法。【０００８】  以下、本発明をより詳細に説明する。【０００９】  本発明のエッチング液は、ウェハ表面のｌｏｗ−ｋ膜をウェットエッチングにより除去することができる。【００１０】  除去されるｌｏｗ−ｋ膜とは、０２プラズマアッシングによりダメージを受けるようなものを示し、具体的には、比誘電率が、１より大きく、４以下程度、好ましくは３以下程度、より好ましくは２．８以下程度、さらに好ましくは２．６以下程度の絶縁膜を意味する。ｌｏｗ−ｋ膜としては、例えば、Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ（商品名、アプライドマテリアルズ社製）、コーラル（商品名、Ｎｏｖｅｌｌｕｓ社製）、ＬＫＤシリーズ（商品名、ＪＳＲ社製）、オーロラ（商品名、ＡＳＭ社製）、ＨＳＧシリーズ（商品名、日立化成社製）、Ｎａｎｏｇｌａｓｓ（商品名、Ｈｏｎｅｗｅｌｌ社製）、ＩＰＳ（商品名、触媒化成社製）、Ｚ３ＭＳ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）、ＸＬＫ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）、Ｏｒｉｏｎ（商品名、Ｔｒｉｋｏｎ社製）などが挙げられる。【００１１】  本発明では、特に製膜するときにウェハベベル部や裏面などの不必要な箇所に付着したｌｏｗ−ｋ膜をウェットエッチングにより除去することができる。【００１２】  本発明のエッチング液のＬｏｗ−ｋ膜を含むウェハへの適用は、ｌｏｗ−ｋ膜をエッチング除去できる限り特に限定されず、塗布、浸漬、噴霧、噴射などの任意の方法を例示できる。また、ベベル部の洗浄は、専用の洗浄装置（例えば、ＳＥＺ社製）を使用して行うこともできる。また、ＨＦ−Ｈ２ＳＯ４系のエッチング液の適用後に使用される必要に応じて使用される希フッ酸またはバッファードフッ酸の適用は、同様に塗布、浸漬、噴霧、噴射などの任意の方法が使用でき、ベベル部の洗浄には専用の洗浄装置を使用してもよい。【００１３】  本発明のエッチング液の適用温度は、１０〜１５０℃程度、好ましくは室温付近であり、この程度の温度で本発明のエッチング液をｌｏｗ−ｋ膜を有するウェハに適用することにより、ｌｏｗ−ｋ膜をエッチングすることができる。エッチング液の適用時間は、膜厚等にもよるが、一般に５秒から３０分程度である。また、ＨＦ−Ｈ２ＳＯ４系のエッチング液の適用後に使用される必要に応じて使用される希フッ酸またはバッファードフッ酸の適用温度は、同様に１０〜１５０℃程度、好ましくは室温付近であり、適用時間は、５秒から５分程度である。【００１４】  本発明のエッチング方法において、本発明のエッチング液をｌｏｗ−ｋ膜を有するウェハに対し連続的に上記の適用時間の間適用してもよく、いったん本発明のエッチング液を適用後、該エッチング液を洗浄除去し、次にエッチング液を再度適用する操作を繰り返してｌｏｗ−ｋ膜をエッチング除去してもよい。エッチング液の適用と洗浄を繰り返す場合、上記の適用時間はその合計量である。【００１５】  また、本発明のエッチング液を使用してエッチング処理を行った後、ｌｏｗ−ｋ膜のエッチング残渣を希フッ酸またはバッファードフッ酸を用いてエッチング除去する２段階の工程でｌｏＷ−ｋ膜のエッチング処理を行ってもよい。【００１６】  バッファードフッ酸としては、ＨＦ，ＨＦの塩及び水を含むものが挙げられる。【００１７】  本発明のエッチング液の使用後に用いられる希フッ酸の濃度は、０．１〜５０質量％程度である。また、バッファードフッ酸の濃度は、ＨＦ濃度が０．１〜２０質量％、ＨＦの塩の濃度が１〜４５質量％程度である。【００１８】  バッファードフッ酸に使用されるＨＦの塩としては、ＨＦと塩を形成する塩基（特に含窒素塩基）との塩が例示される。該塩基としては、アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩が挙げられ、ＨＦの塩は、これらの塩基からなる群から選ばれる少なくとも１種とＨＦの塩が例示される。バッファードフッ酸に配合される該ＨＦ塩は、本発明のエッチング液に配合され得るＨＦの塩と同じものが使用可能である。【００１９】  好ましいバッファードフッ酸としては、ＨＦ−ＮＨ４Ｆ−Ｈ２Ｏ，ＨＦ−ＣＨ３ＮＨ３Ｆ−Ｈ２Ｏ，ＨＦ−ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ３Ｆ−Ｈ２Ｏ，ＨＦ−（ＣＨ３）４ＮＦ−Ｈ２Ｏなどが挙げられる。【００２０】  本発明のエッチング方法では、硫酸とＨＦまたはその塩を含むエッチング液で処理した後に、希フッ酸またはバッファードフッ酸で処理することで、ｌｏｗ−ｋ膜のエッチングが好適に行い得る。硫酸を含有する本発明のエッチング液で処理することなく、希フッ酸のみでｌｏｗ−ｋ膜を処理すると、ｌｏｗ−ｋ膜のエッチングではなく、ｌｏｗ−ｋ膜の剥離が優先して起こるため、希フッ酸は使用できない。また、硫酸を含有する本発明のエッチング液で処理することなく、バッファードフッ酸で処理すると、ｌｏｗ−ｋ膜はゆっくりエッチングされ、エッチング処理時間が長すぎるために好ましくない。【００２１】  一方、硫酸を含有する本発明のエッチング液で処理した後に、希フッ酸またはバッファードフッ酸を用いてさらにエッチングした場合には、エッチング残渣を速やかに除去できるために好ましい。【００２２】  なお、硫酸を含有する本発明のエッチング液或いは、さらに希フッ酸またはバッファードフッ酸を用いてエッチングしたエッチング処理物は、超純水などでリンスすることができる。【００２３】  ＨＦと塩を形成する塩基、特に含窒素塩基としては、アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩が挙げられ、ＨＦの塩は、これらの塩基からなる群から選ばれる少なくとも１種とＨＦの塩が例示される。【００２４】  本発明のエッチング液、或いは、バッファードフッ酸に配合され得るＨＦの塩は、フッ化物塩（ＨＦ：塩基＝１：１）及び重フッ化物塩（ＨＦ：塩基＝２：１）が例示される。【００２５】  本明細書において、ヒドロキシルアミン類としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖又は分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられる。【００２６】  ��肪族アミン類としては、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリブチルアミンなどの直鎖又は分枝を有する炭素数１〜８のアルキル基で１、２または３置換された脂肪族アミン、モノエタノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、ジエタノールアミン、２−エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが挙げられる。【００２７】  芳香族アミン類としては、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなどが挙げられる。【００２８】  脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩としては、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩が挙げられる。【００２９】  含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩は、含窒素塩基成分とフッ化水素酸が１：１のモル比で結合した化合物が挙げられ、例えばアンモニアとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、フッ化アンモニウムであり、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類とフッ化水素酸も同様に、両者が１：１の比率で結合したフッ化物塩〔（含窒素塩基成分）・ＨＦ〕が形成される。【００３０】  脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、（脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム）・Ｆで表される。【００３１】  同様に、含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成された重フッ化物塩は、含窒素塩基成分とフッ化水素酸が１：２のモル比で結合した化合物が挙げられ、例えばアンモニアとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、一水素二フッ化アンモニウムであり、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類とフッ化水素酸も同様に、両者が１：２の比率で結合したフッ化物塩〔（含窒素塩基成分）・２ＨＦ〕が形成される。【００３２】  脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、（脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム）Ｆ・ＨＦで表される。【００３３】  ＨＦは、無水フッ酸を使用してもよく、約５０ｍａｓｓ％フッ酸などの希フッ酸を使用してもよい。【００３４】  本発明のエッチング液は、ＨＦ又はその塩と共に硫酸を使用する。硫酸としては、９８％Ｈ２ＳＯ４の濃硫酸（水２％）が好ましく使用されるが、工業用の濃硫酸（９０〜９８％、残りは水）を使用することもでき、発煙硫酸を使用することも可能である。【００３５】  本発明のエッチング液は、（１）ＨＦ又はその塩、（２）Ｈ２ＳＯ４及び（３）水を含み得る。これら３成分の合計量を１００ｍａｓｓ％として、（１）ＨＦ又は��の塩の配合量は、ＨＦ又はその塩の種類にもよるが、例えばＨＦを使用する場合、通常０．５〜２０ｍａｓｓ％程度：好ましくは１〜１５ｍａｓｓ％程度：より好ましくは１〜１０ｍａｓｓ％程度である。ＨＦの量が多すぎると薬液の蒸気圧が高くなるなどの不具合があり、ＨＦの量が少なすぎるとＬｏｗ−ｋ膜のエッチング速度が遅くなるため好ましくない。ＨＦの塩（含窒素塩基との塩）を使用する場合の使用量は、ＨＦと同程度のモル数となるように計算することができる。【００３６】  Ｈ２ＳＯ４の使用量は、通常６０〜９９．５ｍａｓｓ％程度：好ましくは７５〜９９ｍａｓｓ％程度：より好ましくは８５〜９９ｍａｓｓ％程度である。Ｈ２ＳＯ４は、ＨＦ又はその塩或いは水の使用量が適正になるように決定することができる。【００３７】  水の使用量は、通常０〜２０ｍａｓｓ％程度：好ましくは０〜１０ｍａｓｓ％程度：より好ましくは０〜５ｍａｓｓ％程度である。水の使用量が多すぎると、Ｌｏｗ−ｋ膜のエッチング速度が遅くなるため好ましくない。【００３８】  水は任意成分であり、水の配合量の下限は０ｍａｓｓ％であるが、好ましくは０．３ｍａｓｓ％以上、より好ましくは０．５ｍａｓｓ％以上、さらに好ましくは０．７ｍａｓｓ％以上、特に１．０ｍａｓｓ％以上である。或いは、Ｈ２ＳＯ４の少なくとも一部として濃硫酸（含水率２〜１０ｍａｓｓ％程度）を使用するか、ＨＦとして希フッ酸を使用するなどにより、含水量を調整することも可能である。水の配合量は、ＨＦガスや、ＳＯ３ガスなどが発生しない程度の量であるのが好ましい。【００３９】  上記３成分の合計量を１００ｍａｓｓ％として、
ＨＦ又はその塩：Ｈ２ＳＯ４：水＝０．５〜２０ｍａｓｓ％：６０〜９９．５ｍａｓｓ％：０〜２０ｍａｓｓ％；好ましくは
ＨＦ又はその塩：Ｈ２ＳＯ４：水＝１〜１５ｍａｓｓ％：７５〜９９ｍａｓｓ％：０〜１０ｍａｓｓ％；より好ましくは
ＨＦ又はその塩：Ｈ２ＳＯ４：水＝１〜１０ｍａｓｓ％：８５〜９９ｍａｓｓ％：０〜５ｍａｓｓ％である。【００４０】  本発明のエッチング液には、上記３成分に加えてさらに酸または酸化剤を配合することができる。配合可能な酸としては、硝酸、ＨＣｌ（塩酸）、などの無機酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸などの有機酸、特に強酸が挙げられる。配合可能な酸化剤としては、過酸化水素、塩素酸、次亜塩素酸、過塩素酸などが挙げられる。
【発明の効果】
【００４１】  本発明によれば、ｌｏｗ−ｋ膜を十分なエッチレートでエッチング除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】  以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明する。
実施例１
濃硫酸（９８ｍａｓｓ％、残りは水）に無水フッ酸（ＨＦ）を１ｍａｓｓ％、５ｍａｓｓ％、１０ｍａｓｓ％を配合したエッチング液を作製し、該エッチング液に室温でｌｏｗ−ｋ膜を有するウェハ（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））を各々浸漬した。エッチング液の温度は２３℃であった。ウェハは浸漬後に超純水にて洗浄し乾燥する操作を繰り返し、浸漬時間の合計をエッチング時間とした。また、残膜量は、ウェハをエッチング液に浸漬後に超純水にて洗浄し乾燥した後、測定した。結果を図１に示す。【００４３】  図１に示されるように、無水フッ酸の配合量が１ｍａｓｓ％から５ｍａｓｓ％と増大するに従って、エッチング速度が増大したが、５ｍａｓｓ％と１０ｍａｓｓ％のエッチング速度はあまり変わらなかった。【００４４】  また、無水フッ酸濃度（５ｍａｓｓ％、１０ｍａｓｓ％）の２種類のエッチング液にシリコン熱酸化膜（ＴＨＯＨ）を作用させるとＴＨＯＸはエッチングされるが、そのエッチング量は５分間の浸漬時間でほぼ２０Å（５ｍａｓｓ％無水フッ酸）及び１６０Å（１０ｍａｓｓ％無水フッ酸）であり、エッチング速度は熱酸化膜よりもｌｏｗ−ｋ膜の方が速いことが明らかになった。
実施例２
エッチング液としてＨＦ（５ｍａｓｓ％）、水（１．９ｍａｓｓ％，６．８ｍａｓｓ％，１０ｍａｓｓ％，２０ｍａｓｓ％）及び濃硫酸（残り）を作製し、実施例１と同様にｌｏｗ−ｋ膜（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））のエッチング量を測定した。結果を図２に示す。
実施例３
濃硫酸（９８ｍａｓｓ％、残りは水）に無水フッ酸（ＨＦ）を５ｍａｓｓ％配合したエッチング液を作製し、温度を２３℃、５０℃及び４℃とする以外は実施例１と同様にして、ｌｏｗ−ｋ膜（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））のエッチング量を測定した。結果を図３に示す。
実施例４
濃硫酸（９８ｍａｓｓ％、残りは水）に無水フッ酸（ＨＦ）を５ｍａｓｓ％配合したエッチング液を作製し、２３℃の該エッチング液にｌｏｗ−ｋ膜を有するウェハ（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））を１分間浸漬し、超純水リンス後、２３℃の２．５ｍａｓｓ％ＨＦに所定時間浸漬し、超純水リンスを行い、残膜量を測定した。結果を図４に示す。【００４５】  なお、図中のエッチング時間０秒は、濃硫酸（９８ｍａｓｓ％、残りは水）に無水フッ酸（ＨＦ）を５ｍａｓｓ％配合したエッチング液を作製し、２３℃の該エッチング液にｌｏｗ−ｋ膜を有するウェハ（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））を１分間浸漬し、超純水リンスした後の残膜厚を示す。【００４６】  また、２．５ｍａｓｓ％ＨＦに代えて６ｍａｓｓ％ＨＦ−３０ｍａｓｓ％ＮＨ４Ｆ−６４％ｍａｓｓＨ２０のバッファードフッ酸を使用しても同様にエッチング残渣を速やかに除去することができる。
比較例１
塩酸（３６ｍａｓｓ％、残りは水）に無水フッ酸（ＨＦ）を５ｍａｓｓ％配合したエッチング液を作製し、実施例１と同様にして、ｌｏｗ−ｋ膜（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））のエッチング量を測定した。結果を表１に示す。【００４７】
【表１】
2005167181.tif 000002
表１に示すように、ＨＣｌとＨＦと水からなるエッチング液では、必要量のエッチングが行われる前にｌｏｗ−ｋ膜の剥離が起こるため、エッチングを行うことはできなかった。
比較例２
ＨＦ（６ｍａｓｓ％）−ＮＨ４Ｆ（３０ｍａｓｓ％）−Ｈ２０（残り）になるように配合したエッチング液を作製し、実施例１と同様にして、ｌｏｗ−ｋ膜（ブラックダイヤモンドＴＭ（ＢＤ））のエッチング量を測定した。結果を表２に示す。【００４８】
【表２】
2005167181.tif 000003
表２に示すように、ＨＦ−ＮＨ４Ｆ−Ｈ２０のエッチング液ではエッチング速度が遅すぎ留ことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例１の結果を示す。
【図２】実施例２の結果を示す。
【図３】実施例３の結果を示す。
【図４】実施例４の結果を示す。
【図１】
2005167181.tif 000004
【図２】
2005167181.tif 000005
【図３】
2005167181.tif 000006
【図４】
2005167181.tif 000007