(57)【要約】      （修正有）【課題】化合物半導体気相成長装置を出来るだけ小型にし、ランニングコストを下げ、少ない設備費で且つ稼働率を上げて、生産性を飛躍的に向上させる。【解決手段】ひとつの原料ガス供給系１ｄ，１ｅ，１ｆと、偶数個からなる複数の反応炉８ａ，８ｂと、１個の真空ポンプ１１及びそれに接続された排気ガス処理装置１４からなる排気系を１系統設け、原料ガス供給ライン及び排気ライン１２ａ，１２ｂはそれぞれ独立して各反応炉に切り換えて接続可能にし、各反応炉毎に独立したパージガス供給ライン５と排気ラインを有するシステムとする。更に、成膜時に原料ガスを供給する原料ガス供給ライン（ランライン）６と、成膜後に成膜面を保護するためのガス供給ライン（パージライン）５を独立して設け、それぞれが接続されたバルブが並列に各反応炉毎に設置し、複数の反応炉にそれぞれを独立して切り換えて供給することができるようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ひとつの原料ガス供給系と、偶数個からなる複数の反応炉と、１個の真空ポンプ及びそれに接続された排気ガス処理系からなる真空排気系を１系統有し、原料ガス供給ライン及び排気ラインはそれぞれ独立して各反応炉に切り換えて接続可能であり、各反応炉毎に独立したパージガス供給系と排気系を有することを特徴とした気相結晶成長装置。
【請求項２】
成膜時に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、成膜後に成膜面を保護するためのガス供給系を独立して持ち、それぞれが接続されたバルブが並列に各反応炉毎に設置してあり、複数の反応炉にそれぞれを独立して切り換えて供給することができることを特徴とした気相結晶成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、化合物半導体用気相結晶成長装置及びその使用方法に関する。詳細には膜厚、組成及び不純物濃度の面内および基板間での高い均一性を実現する構造を有する結晶成長装置の生産能力の向上と当該装置の効率的な使用方法に関するものである。
【技術背景】
【０００２】  有機金属気相成長装置（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）は材料供給の制御の容易さ及び組成、膜厚等の制御性の良さから、また、結晶成長のための材料を気相で反応炉に供給する為他の成長方法と比較して大きな反応炉でも安定した材料供給が可能であり、高品質の結晶を得ることが可能なため、量産向きの技術として注目されている。最近のレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ），発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｅｄ  Ｄｉｏｄｅ）等の光デバイス、また、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ），高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電子デバイスの量産には必要不可欠な結晶成長技術である。前述のデバイスを高性能化、高歩留まりを実現する為に結晶成長装置には高い膜厚、組成、ドーピング特性の均一性が求められており、且つ、工業的な面からこれらの均一性を保持しつつ単位時間当たりのウェハーの生産枚数を向上させることが要求されている。
【０００３】従来用いられている有機金属気相成長装置の一般的な構成を図−５に示す。この装置は、大きく分けて原料ガス供給部、キャリアガス供給部、反応炉、真空排気系からなっている。この装置ではＶ族原料ガスのＡｓＨ３，ＰＨ３等はガス流量調整器１ｇ，１ｉにて結晶成長に必要な流量に制御されバルブ２ｐ，２ｓを通ってランライン６に供給される。ＴＭＧａ（Ｔｒｉ−ｍｅｔｈｙｌ  Ｇａｌｌｉｕｍ），ＴＭＡｌ（Ｔｒｉ−ｍｅｔｈｙｌ  Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ），ＴＭＩｎ（Ｔｒｉ−ｍｅｔｈｙｌ  Ｉｎｄｉｕｍ）等の有機金属（Ｍｅｔａｌ  Ｏｌｇａｎｉｃ：ＭＯ）材料は水素又は窒素でバブリングして気化した後ランラインに供給される。
【０００４】気化する際に水素を使用するか窒素を使用するかの選択はバルブ２ｇ，２ｈの切替で行う。供給された水素又は窒素は流量調整器１ｄ，１ｅ，１ｆにて所望の流量に調整し、バブラー４ａ，４ｂ，４ｃに入りＭＯ材料を気化した後、バルブ２ｉ，２ｋ，２ｍを通ってランライン６に供給される。目的とする化合物半導体結晶の種類によりランライン６に供給する材料ガスは異なるが、その選択はバルブ２ｉ，２ｋ，２ｍ，２ｏ，２ｒの開閉によって制御される。ランライン６に流す必要の無い材料ガスについてはバルブ２ｉ，２ｋ，２ｍ，２ｏ，２ｒを閉じ２ｊ，２ｌ，２ｎ，２ｐ，２ｓを開けることによりベントライン７に流し排気する。例えば、ＧａＡｓを成長する場合はバルブ２ｉ，２ｏを開き、バルブ２ｊ，２ｐを閉じＴＭＧａ，ＡｓＨ３をランライン６へ供給する。
【０００５】一方バルブ２ｋ，２ｍ，２ｓを閉じバルブ２ｌ，２ｎ，２ｒを開け、ＴＭＡｌ，ＴＭＩｎ，ＰＨ３をベントラインへ排気する。同様にＩｎＰを成長する場合は、バルブ２ｍ，２ｓを開けバルブ２ｎ，２ｒを閉じてＴＭＩｎ，ＰＨ３をランライン６へ供給する。一方バルブ２ｉ，２ｋ，２ｐを閉じバルブ２ｊ，２ｌ，２ｏを開け、ＴＭＧａ，ＴＭＡｌ，ＡｓＨ３をベントライン７へ排気する。多層膜構造を製作する場合頻繁にランライン６に供給する材料ガスの種類を切り替える必要が生じるが、ベントライン７を用意しておくことで流量調整器に流れるガスの流量を一定に保つことができ、バルブ切替の際の流量変化を抑えることができる。キャリアガス供給部はバルブ２ｃ，２ｄ及び流量調整器１ｂからなっており、水素又は窒素ガスを所望の流量をランライン６に供給する事ができる。
【０００６】このキャリアガスはランライン６中の材料ガスの流れを加速するものであり、ランライン６中及び反応炉内のガスの滞留を少なくし、材料ガスの切替を素早く行うために必要なものである。ランラインに供給された材料ガス及びキャリアガスはランライン６中で混合され反応炉８ａへ導かれる。反応炉内で反応させた後のガスはバルブ３ｇ及び圧力調整弁１０を通り、真空ポンプ１１によって排気される。排気後のガスは排ガス処理装置１４に導入され、無害化された後大気中に排出される。
【０００７】この様な気相成長装置で同時に複数枚のウェハーを反応炉内に配置する方法としては
（１）サセプター上にウェハーを敷き詰めるように配置する方式
（２）同一円周上にウェハーを配置しウェハーが自転公転する方式、（プラネタリー式）の２方法がある。いずれもウェハーをのせたサセプターを回転させてガス濃度、温度分布等を平均化させ作製するウェハーの面内での特性の均一化を実現しようとしている。同一面積のサセプターに対して設置可能なウェハー枚数の面では（１）の方式のほうが（２）の方式より有利である。
【０００８】しかしながら（１）の方法では材料ガスの流れ及び基板加熱用のヒータとの位置関係を完全に平均化することは困難であり、ウェハー間での特性の差を抑えることは困難である。（２）の方式では反応炉の中央から材料ガスが供給されるため、ガス濃度、温度分布の均一化を実現しやすく、その結果生産されるウェハーの均一性も他の方式に比べ優れている。しかしながら、反応炉の中心部分にガス供給ノズル部が配置されるため、反応炉中心部にウェハーを配置することができず、同一面積のサセプターに対して配置できるウェハーの数を他方式に比較してその構造上の制約から若干少なくなってしまう。これ等の装置で生産枚数を増やす手段としては、従来は▲１▼複数の装置を設備する、又は▲２▼反応炉を大型化する事しかなかった。
【０００９】しかしながら前述した各方式には次のような問題点がある。複数の装置を用意する場合、台数分の設置面積を占有する。また、付帯設備も導入する台数分準備する必要があり大きな費用負担が発生する。反応炉を大型化する方法ではウェハーの収容枚数を多くしようとした場合反応炉の半径が収容ウェハー枚数に比例して大きくなるため反応炉の占有面積は収容ウェハー枚数の自乗に比例して増加してしまう。また、反応炉体積の増加に伴いガス供給装置及び排気ガス処理装置等の付帯設備の大型化が必要になるため、装置導入費用が大幅に増加する。また、最近要求されるウェハーの各種特性の均一化への厳しい要求に対応することと、反応炉を大型化することの両立が反応炉を大きくするほど困難になってきた。また、反応炉の大型化に伴って炉体の熱容量が大きくなるため、反応炉の温度の上げ下げが従来の大きさの反応炉より時間がかかるようになってきており、バッチ当たりの処理枚数が増加している割には期待ほどの高スループットが得られなくなると、いうように従来の方法のでは生産効率の向上に限界が生じてきているという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】化合物半導体気相成長装置のランニングコストを下げ、少ない設備費で且つ稼働率を上げて、生産性を飛躍的に向上させること。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  ひとつの原料ガス供給系と、偶数個からなる複数の反応炉と、１個の真空ポンプ及びそれに接続された排気ガス処理系からなる排気系を１系統設け、原料ガス供給ライン及び排気ラインはそれぞれ独立して各反応炉に切り換えて接続可能にし、各反応炉毎に独立したパージガス供給ラインと排気ラインを有するシステムとする。更に、成膜時に原料ガスを供給する原料ガス供給ライン（ランライン）と、成膜後に成膜面を保護するためのガス供給ライン（パージライン）を独立して設け、それぞれが接続されたバルブが並列に各反応炉毎に設置け、複数の反応炉にそれぞれを独立して切り換えて供給することができるようにした。
一方の反応炉の成長準備工程（ガス置換・昇温）及び成長工程と、他方の反応炉の成長終了後のパージ工程・基板搬出入工程（降温・常圧復帰及び次の成膜への準備）を並行して行うことが出来るシステムにする。
【発明の効果】
【００１２】  一方の反応炉の成膜していない時間を、他方の反応炉の成膜に充てることを可能にし、大幅な時間効率の向上、即ち生産性を向上することが出来る。又、反応炉を小型化できるため、ガス等のランニングコストを低減でき、成膜の均一性が向上し、歩留まりの向上がはかれる。
【発明を実施するための最良の形態】以下に最良の実施例の一つを示す。
【実施例】
【００１３】  実施例を図−１に示す。本発明の気相成長装置は、２つの反応炉８ａ、８ｂと、Ｖ族ガスと窒素ガスと水素ガスを任意の割合で供給することが可能なパージライン５を１つと、成膜原料となる有機金属とＶ族ガスと窒素ガスと水素ガスを任意の割合で供給することが可能なランライン６を１つと、２つの反応炉８ａ、８ｂに接続したメイン排気ライン１２ａ、１１２ｂとパージガス排気ライン１３ａ、１３ｂからなる装置である。【００１４】  パージライン５は、反応炉８ａ、８ｂと切り換えて接続することが可能となっており、ガス流量制御器１ａを通った高純度精製Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、ガス流量制御器１ｈ、１ｊを通ったＶ族ガスＡｓＨ３、ＰＨ３をバルブ３ｃ、３ｄによって切り換えて反応炉８ａ、８ｂへ供給する。【００１５】  ランライン６は、反応炉８ａ、８ｂと切り換えて接続することが可能となっており、ガス流量制御器１ｂを通った高純度精製Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、ガス流量制御器１ｇ、１ｉを通ったＶ族ガスＡｓＨ３、ＰＨ３、気化したＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎをバルブ３ａ、３ｂによって切り換えて反応炉８ａ、８ｂへ供給する。ＴＭＧａ、ＴＭＡｌおよびＴＭＩｎは、それぞれガス流量制御器１ｄ、１ｅ、１ｆを通りバブラー４ａ、４ｂ、４ｃに入った高純度Ｈ２ガス、またＮ２ガスによって気化され、ランライン６に供給される。【００１６】  ベントライン７は、圧力調整弁１０と真空ポンプ１１を介して排ガス処理装置１４に接続されている。原料ガスは、予め所定の流量で安定させるために、まずベントライン７に原料ガスを流し、安定した後で、バルブの切り換えによってランライン６に導入するようになっている。また、ガス導入終了後の原料ガスは、直ちにバルブを切り換えベントライン７へ流す。このとき、バルブ２ｉ、２ｊ、２ｋ、２ｌ、２ｍ、２ｎから反応炉までの配管容積が最小限になるように設計されている。これにより原料の切り換えがスムーズになり、成長膜界面の急峻性が良くなる。【００１７】反応炉８ａ、８ｂはそれぞれ試料交換室９ａ、９ｂを備え一方の反応炉が成長中でも他方の反応炉に対し試料の搬出、搬入を行うことができる。反応炉８ａ、８ｂからの排気系は、メイン排気ライン１２ａ、１２ｂとパージガス排気ライン１３ａ、１３ｂ、バルブ３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ、圧力調整弁１０と真空ポンプ１１と排ガス処理装置１４から構成されている。反応炉８ａは、バルブ３ｅ、３ｇの切り換えによって、成長中に使用するメイン排気ライン１２ａと常圧復帰後から使用するパージガス排気ライン１３ａを切り換えて接続することができる。反応炉８ｂは、バルブ３ｆ、３ｈの切り換えによって、成長中に使用するメイン排気ライン１２ｂと常圧復帰後から使用するパージガス排気ライン１３ｂ設けている。メイン排気ライン１２ａ、１２ｂは、圧力調整弁１０と真空ポンプを経由して排ガス処理装置１４に接続されている。パージガス排気ライン１３ａ、１３ｂは直接排ガス処理装置に接続されているため、常圧復帰後バルブ３ｆ、３ｈを開けて、排気する。【００１８】反応炉を２個（８ａ，８ｂ）有する最も基本的な本実施例についてその気相成長工程を次に記す。
１）成長準備工程（Ａ）
基板搬入工程終了後、まず、ランライン６を反応炉８ａに接続するためにバルブ３ｃを閉じ３ａを開ける。そして、反応炉８ａの排気系にはメイン排気ライン１２ａを経由し排ガス処理装置に接続するために、バルブ３ｇを閉じ３ｅを開ける。その後、反応炉８ａに小流量の窒素を流し続けながら、圧力制御弁１０と真空ポンプ１１を使い、所定の圧力に設定する。反応炉８ａを水素置換し、所定の流量に増やし、その後、反応炉８ａにガス流量調整器を通したＶ族ガス（ＡｓＨ３、ＰＨ３等）を導入する。また、成長終了時まで水素とＶ族ガスを流し続ける。昇温を開始し基板温度を成長温度まで上昇させる。ガス流量調整器を通した水素を有機金属（ＴＭＧａ，ＴＭＡｌ，ＴＭＩｎ等）をバブラーを経由してベントライン７に流す。【００１９】２）成長工程（Ｂ）
次いで、気相成長を行う。成長温度で安定したら、ガス流量調整器を通した水素ガスによって気化された有機金属をベントライン７からライン６へ切り換えて反応炉８ａへ導入する。なお、工程（Ｂ）および（Ｃ）においては、圧力制御弁１０を制御して真空ポンプ１１で排気し、反応炉８ａを所定の圧力に保つともに、排ガス処理装置１４で排ガスを処理する。【００２０】３）パージライン切り換え工程（Ｃ）
成長終了後、反応炉８ａをパージライン５に接続するために、バルブ３ａ，３ｅを閉じ３ｃを開ける。そして、パージライン５を通してＶ族ガス（ＡｓＨ３、ＰＨ３等）と水素を反応炉８ａに流す。この時、反応炉８ａの排気側のバルブは３ｅ，３ｇとも閉じている。【００２１】４）パージ工程（Ｄ）
反応炉８ａにＶ族ガスと水素を流した状態で、反応炉８ａの圧力が大気圧になるまで待つ。大気圧になったら反応炉８ａをパージガス排気ラインに接続するためにバルブ３ｇを開ける。そして、４００℃以下になったら、Ｖ族ガスを止め、反応炉８ａに流れる水素ガスを窒素ガスに置換する。【００２２】５）基板搬出搬入工程（Ｅ）
反応炉の放熱を待ち時間の間に、次の気相成長のために新しい基板を入れたウェハートレイを基板搬送室９ａに設置する。基板搬送室９ａを密閉し、窒素置換する。
成長後の基板が入ったウェハートレイを反応炉８ａ内のサセプターから基板搬送室９ａへ取り出したのち、新しい基板を入れたウェハートレイをサセプターに配置し、反応炉８ａを密閉する。
その後（Ａ）成長準備工程が始まり、（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→（Ｄ）→（Ｅ）→（Ａ）を繰り返す。【００２３】反応炉８ｂについては、反応炉８ａと同様であって、
１）成長準備工程（Ａ）
基板搬入工程終了後、まず、ランライン６を反応炉８ｂに接続するためにバルブ３ｄを閉じ３ｂを開ける。そして、反応炉８ｂの排気系には真空排気ライン１２ｂを経由し排ガス処理装置に接続するために、バルブ３ｈを閉じ３ｆを開ける。その後、反応炉８ｂに小流量の窒素を流し続けながら、圧力制御弁１０と真空ポンプ１１を使い、所定の圧力に設定する。反応炉８ｂを水素置換し、所定の流量に増やし、その後、反応炉８ｂにガス流量調整器を通しＶ族ガス（ＡｓＨ３、ＰＨ３等）を導入する。また、成長終了時まで水素とＶ族ガスとを流し続ける。昇温を開始し基板温度を成長温度まで上昇させる。ガス流量調整器を通した水素を有機金属（ＴＭＧａ，ＴＭＡｌ，ＴＭＩｎ）バブラーを経由してベントライン７に流す。【００２４】２）成長工程（Ｂ）
次いで、気相成長を行う。成長温度で安定したら、ガス流量調整器を通した水素ガスによって気化された有機金属をベントライン７からランライン６へ切り換えて反応炉８ｂへ導入する。なお、工程（Ｂ）および（Ｃ）においては、圧力制御弁１０を制御して真空ポンプ１１で排気し、反応炉８ｂを所定の圧力に保つともに、排ガス処理装置１４で排ガスを処理する。【００２５】３）パージライン切り換え工程（Ｃ）
成長終了後、反応炉８ｂをパージライン５に接続するために、バルブ３ｂ，３ｆを閉じ３ｄを開ける。そして、パージライン５を通してＶ族ガスと水素を反応炉８ｂに流す。この時、反応炉８ｂの排気側のバルブは３ｆ，３ｈとも閉じている。【００２６】４）パージ工程（Ｄ）
反応炉８ｂにＶ族ガスと水素を流した状態で、反応炉８ｂの圧力が大気圧になるまで待つ。大気圧になったら反応炉８ｂを大気圧排気ラインに接続するためにバルブ３ｈを開ける。そして、４００℃以下になったら、Ｖ族ガスを止め、反応炉８ｂに流れる水素ガスを窒素ガスに置換する。【００２７】５）基板搬出搬入工程（Ｅ）
反応炉の放熱を待ち時間の間に、次の気相成長のために新しい基板を入れたウェハートレイを基板搬送室９ｂに設置する。基板搬送室９ｂを密閉し、窒素置換する。成長後の基板が入ったウェハートレイを反応炉８ｂ内のサセプターから基板搬送室９ｂへ取り出したのち、新しい基板を入れたウェハートレイをサセプターに配置し、反応炉８ｂを密閉する。その後（Ａ）成長準備工程が始まり、（Ａ）→（Ｂ）→（Ｃ）→（Ｄ）→（Ｅ）→（Ａ）を繰り返す。【００２８】二つの反応炉の成長工程関係について。
上述の反応炉８ａの工程と反応炉８ｂの工程の関係は、原料ガス供給系と真空排気系を間断なく反応炉８ａまたは、反応炉８ｂに接続するようにする。図２は、反応炉８ａの工程と反応炉８ｂの工程との関係を示した図である。反応炉８ａが、成長準備工程（Ａ）および成長工程（Ｂ）に入っている間、反応炉８ｂはパージライン５に接続されてパージ工程（Ｃ）に入り、また、基板搬出搬入工程（Ｄ）に入るようにする。さらに、反応炉８ｂが、成長準備工程（Ａ）および成長工程（Ｂ）に入っている間、反応炉８ａはパージライン５に接続されてパージ工程（Ｃ）に入り、また、基板搬出搬入工程（Ｄ）に入るようにする。このようにすると、通常は、成長準備工程（Ａ）と成長工程（Ｂ）に要する時間がパージ工程（Ｄ）と基板搬出搬入工程（Ｄ）に要する時間よりも長いため、一方の反応炉が工程（Ａ）と工程（Ｂ）に入っている間に、他方の反応炉は工程（Ｃ）と工程（Ｄ）を、余裕をもって済ますことができる。したがって、二つの反応炉８ａと反応炉８ｂからは、化合物半導体薄膜を工程（Ａ）と工程（Ｂ）に要する時間で生産することができる。【００２９】  また、通常、成長工程終了後は、反応炉内温度が成長温度から４００℃まで下がる間、成長膜表面の結晶構造を保つために、反応炉にはＶ族ガスと水素ガスを供給し続ける必要があった。従来は、反応炉内温度が成長温度から４００℃に下がるまでランライン６から水素ガスとＶ族ガスを反応炉に供給していた。本発明においては、反応炉内温度が成長温度から４００℃になるまでの時間を有効利用するため、水素ガス又は窒素ガスを供給するパージライン５にＶ族ガスを導入可能にし、かつ、成長工程終了後すぐに反応炉のパージライン切り換えを行うようにすることで、他方の反応炉がランラインを使用可能になった。【００３０】  実際の工程としては、反応炉８ａが成長工程（Ｂ）を終了した後は、パージライン切り換え工程（Ｃ）において反応炉８ａはランライン６からパージライン５に接続が切り換えられ、反応炉８ａに水素ガスとＶ族ガスが供給され、反応炉８ａは次のパージ工程（Ｄ）に進むことができる。反応炉８ｂについては、反応炉８ａの工程（Ｃ）によって、反応炉８ｂがランライン６をすぐに使用することができ、反応炉８ｂは成長準備工程（Ａ）に進むことができる。即ち、上記実施形態によれば、二つの反応炉８ａ，８ｂを備え、Ｖ族ガス供給可能なパージラインを１系統にするだけで、化合物半導体薄膜の生産サイクルを、反応炉が一個の場合の工程（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ）＋（Ｅ）に要する時間から、工程（Ａ）＋（Ｂ）に要する時間に短縮することができる。【００３１】なお、上記実施形態では、Ｖ族ガスにＡｓＨ３，ＰＨ３を例に説明したが、この他のＶ族ガスにも応用でき、また、化合物半導体成膜装置以外の半導体成膜装置にも応用ができる。さらに、上記実施の形態は本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る気相成長装置の実施形態の説明をした図
【図２】上記実施形態における２つの反応炉の工程間の関係を説明した図
【図３】従来の２つの反応炉の気相成長装置を説明した図
【図４】従来の２つの反応炉の気相成長装置の成長工程を説明した図
【図５】従来の単一の反応炉の気相成長装置を説明した図。
【図６】従来の単一の反応炉の気相成長装置の成長工程を説明した図
【符号の説明】
１ａ〜１ｊ                ガス流量調整器
２ａ〜２ｔ、３ａ〜３ｈ    バルブ
４ａ〜４ｃ                バブラー
５                        パージライン
６                        ランライン
７                        ベントライン
８ａ、８ｂ                反応炉
９ａ、９ｂ                試料交換室
１０                      圧力調整弁
１１                      真空ポンプ
１２ａ、１２ｂ            メイン排気ライン
１３ａ、１３ｂ            パージガス排気ライン
１４                      排ガス処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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