(57)【要約】  【課題】デラミネーションの発生を低減し得る積層セラミック電子部品を提供する。  【解決手段】セラミック層２０は、第１のセラミック粒子３１を有するセラミック誘電体材料を主成分とする。補助層３０は、第２のセラミック粒子３２を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極１２が形成された平面であって、内部電極１２が存在しない部分を埋めている。第１のセラミック粒子３１の平均粒径をα（μｍ）とし、第２のセラミック粒子３２のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５を満たす。【選択図】      図１
2005294738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック層と、内部電極と、補助層とを含む積層セラミック電子部品であって、
前記セラミック層は、複数層であって、それぞれは第１のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、
前記内部電極は、複数であって、それぞれが前記セラミック層のそれぞれの面内に設けられ、層状に配置され、
前記補助層は、第２のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、前記内部電極が形成された面であって前記内部電極が存在しない部分を埋めており、
前記第１のセラミック粒子の平均粒径をα（μｍ）とし、
前記第２のセラミック粒子のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす
積層セラミック電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載された積層セラミック電子部品であって、
前記第１のセラミック粒子の平均粒径α（μｍ）は、
０．２≦α≦０．８
を満たす
積層セラミック電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載された積層セラミック電子部品であって、
前記第１のセラミック粒子の平均粒径α（μｍ）は、
α≦０．６
を満たす
積層セラミック電子部品。
【請求項４】
セラミック粒子を含む積層セラミック電子部品用ペーストであって、
定数をα（μｍ）として、定数α（μｍ）は、
０．２≦α≦０．８
を満たし、
前記セラミック粒子のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす
積層セラミック電子部品用ペースト。
【請求項５】
請求項４に記載された積層セラミック電子部品用ペーストであって、
定数α（μｍ）は、
α≦０．６
を満たす
積層セラミック電子部品用ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品、及び、積層セラミック電子部品用ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサには、静電容量増大の強い市場要求がある。静電容量増大のためには、基本的に、セラミック層１層あたりの厚みを薄くし、多層化する必要がある。
【０００３】
従来、積層セラミック電子部品の製造にあたっては、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とする磁器組成物からなる誘電体シート（セラミックグリーンシート）の上に、例えば、導電性粒子Ｎｉを主成分とする内部電極を形成し、これを積層し、プレスし、積層体を形成していた。
【０００４】
かかる方法では、内部電極が形成されている部分と、形成されていない部分との間で、内部電極厚み分だけ段差が生じ、この段差に起因して、焼成時の収縮により、歪が生じ、クラック及びデラミネーションが発生するという問題や、焼成後の積層セラミック電子部品について、電気特性の劣化や、製品歩留まりの低下を招くという問題が生じていた。
【０００５】
また、段差が大きい場合、焼成後の積層セラミック電子部品の平面が湾曲状に変形し、基板実装時にマウンターでの吸着エラーが発生したり、はんだ付け時にツームストン現象が発生する問題が生じていた。これらの問題は、セラミック層の薄層化、多層化が進むにつれて顕著になり、例えば、積層数が１００層を超えると無視できない程に大きな問題となっていた。
【０００６】
このような問題を解決する手段として、例えば、特許文献１〜６は、内部電極の形成されていない部分に補助層を形成（余白印刷）し、内部電極が形成されている部分と、形成されていない部分との間の段差を吸収した積層セラミック電子部品を開示している。
【０００７】
また、特許文献７は、補助層を印刷方式で形成し得る積層セラミック積層体及びその製法を開示している。特許文献７の製法においては、誘電体層に含有されるセラミック粒子の平均粒径以下の粒径を有するセラミック粒子を用いて補助層用ペーストを構成しているから、粒子を小さくした分だけ補助層用ペーストの粘性（粘度）が大きくなり、印刷方式に必要な粘度を得ることができる。
【０００８】
しかしながら、特許文献７の製法では、小さな粒径のセラミック粒子を用いて補助層用ペーストを構成しているから、脱バインダ工程において、積層体内の残留溶剤及びバインダガスが完全発散・焼却しにくくなる。このため、クラック及びデラミネーションが発生するという問題や、焼成後の積層セラミック電子部品について、電気特性の劣化や、製品歩留まりの低下を招くという問題が生じていた。
【０００９】
また、特許文献７の製法は、誘電体層に含有されるセラミック粒子の平均粒径以下の粒径のセラミック粒子を用いて補助層用ペーストを構成しているから、誘電体層の薄層化に伴い、誘電体層に含有されるセラミック粒子が小さくなると、補助層用ペーストに含有されるセラミック粒子が更に小さくなる。このため、誘電体層の薄層化に伴い、完全発散・焼却が、より困難になり、上述した問題がより顕著になる。
【００１０】
更に、補助層用ペーストに含有されるセラミック粒子の粒径が、小径化すると、必要以上に粘度が上昇し、印刷適性（印刷精度）が悪くなるという問題も生じていた。
【特許文献１】特開２００１−１２６９５１号公報
【特許文献２】特開２００１−３５８０３６号公報
【特許文献３】特開２００２−０４３１６１号公報
【特許文献４】特開２００２−０４３１６４号公報
【特許文献５】特開２００２−０４３１５６号公報
【特許文献６】特開２００２−０４３１６３号公報
【特許文献７】特開２００２−２８９４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、デラミネーションの発生を低減し得る積層セラミック電子部品を提供することである。
【００１２】
本発明のもう１つの課題は、クラックの発生を低減し得る積層セラミック電子部品を提供することである。
【００１３】
本発明の更にもう１つの課題は、電気特性の良好な積層セラミック電子部品を提供することである。
【００１４】
本発明の更にもう１つの課題は、製品歩留りの良好な積層セラミック電子部品を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう１つの課題は、積層セラミック電子部品の製造に適した積層セラミック電子部品用ペーストを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した課題を解決するため、本発明は、積層セラミック電子部品、及び、積層セラミック電子部品用ペーストを開示する。
【００１７】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、セラミック層と、内部電極と、補助層とを含む。セラミック層は、複数層であって、それぞれは第１のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とする。内部電極は、複数であって、それぞれがセラミック層のそれぞれの面内に設けられ、層状に配置されている。補助層は、第２のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極が形成された面であって内部電極が存在しない部分を埋めている。
【００１８】
第１のセラミック粒子の平均粒径をα（μｍ）とし、
第２のセラミック粒子のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【００１９】
但し、平均粒径とは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真を画像解析し、セラミック粒子の形状を球として近似し、求められた５０個のセラミック粒子径の平均値をいうものである。
【発明の効果】
【００２０】
上述した本発明に係る積層セラミック電子部品において、セラミック層は複数層であって、それぞれは第１のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とする。セラミック層は、積層セラミック電子部品が、例えば、コンデンサである場合は誘電体層であり、インダクタである場合、は磁性体層である。内部電極は、複数であって、それぞれがセラミック層のそれぞれの面内に設けられ、層状に配置されている。内部電極の一端は、例えば、積層セラミック電子部品の側面に形成された引出電極に接続され、積層セラミックコンデンサが構成される。
【００２１】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、補助層を含む。補助層は、第２のセラミック粒子を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極が形成された面であって、内部電極が存在しない部分を埋めている。このため、補助層の分だけ、内部電極部分の凸の段差が軽減するから、セラミック層又は内部電極の歪が小さくなり、デラミネーションやクラックの発生が低減されることとなる。好ましくは、内部電極が備えられた全ての層について、上記構成とする。
【００２２】
本発明に係る積層セラミック電子部品において、上記補助層は、第１のセラミック粒子の平均粒径をα（μｍ）とし、第２のセラミック粒子のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【００２３】
上記条件式の技術的意義は次のとおりである。
【００２４】
まず、小粒径の粒子と、大粒径の粒子により定まる比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）について、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
をみたすことにより、容易に、適度な粘性（粘度）を実現できる。このため、補助層の印刷位置の精度（印刷適性）が最適になる粘度で、補助層を印刷方式で形成することができる。
【００２５】
次に、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）≧０．３０を満たすことにより、第２のセラミック粒子には、大粒径の粒子が重量Ａだけ含まれることになるから、その分だけ、補助層が粗く（密度が低く）なり、脱バインダ工程において、積層セラミック電子部品内の残留溶剤、及び、バインダガスの発散（抜け）・焼却などが容易になる。このため、本発明に係る積層セラミック電子部品は、層間剥がれ、クラック及びデラミネーション等の発生が低減し、製品歩留まりの低下が回避される。
【００２６】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品は、残留溶剤、及び、バインダガスの発散・焼却などが容易になるから、積層セラミック電子部品がコンデンサである場合、焼成後において、内部電極の一部がショートしてコンデンサ特性が劣化するという不具合や、セラミック層の欠陥に起因して生じる耐電圧不良などを回避し、高信頼性を維持できる。
【００２７】
更に、積層セラミック電子部品の薄層化、多層化が進み、セラミック層に含まれる第１のセラミック粒子の平均粒径αが小さくなった場合でも、第２のセラミック粒子には、第１のセラミック粒子の平均粒径αよりも大粒径の粒子が重量Ａだけ含まれるから、上記の効果が顕著に発揮される。
【００２８】
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）が０．３よりも小さくなると、上述した作用効果が期待できなくなる。
【００２９】
更に、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５を満たすことにより、第２のセラミック粒子には、小粒径の粒子が重量Ｂだけ含まれ、粘性（粘度）が十分に大きくなるから、補助層を印刷方式で形成することが可能となる。比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）が０．６５よりも大きくなると、この利点が期待できなくなる。
【００３０】
好ましくは、平均粒径α（μｍ）は、
０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）
を満たす。
【００３１】
本発明は、更に、上述した積層セラミック電子部品の製造に適したペーストを開示する。このペーストは、セラミック粒子を含む。このセラミック粒子は、定数をα（μｍ）として、定数α（μｍ）は、
０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）
を満たす。
【００３２】
セラミック粒子のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【００３３】
積層セラミック電子部品の製造において、ペーストにおいて定義された定数α（μｍ）は、誘電体層を構成する第１のセラミック粒子の平均粒径α（μｍ）に対応する。したがって、本発明に係るペーストによれば、
０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）
を満たす積層セラミック電子部品の補助層の製造に用いることができる。
【００３４】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
１．積層セラミック電子部品
図１は本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施形態を示す正面断面図、図２は図１の部分拡大図、図３は図２の部分拡大図である。図示の積層セラミック電子部品は、例えば、積層セラミックコンデンサである。
【００３６】
図１において、図示の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ素体４と、内部電極１２と、端子電極６、８とを有する。図２において、コンデンサ素体４は、セラミック層と、補助層３０とを含む。セラミック層は、例えば、誘電体層２０である。
【００３７】
図２、図３において、誘電体層２０は、複数層であって、それぞれは第１のセラミック粒子３１を有するセラミック誘電体材料を主成分とする。図示の実施例において、誘電体層２０は、例えば、第１のセラミック粒子３１がチタン酸バリウムで構成され、副成分として、希土類酸化物、マグネシウム酸化物、アルカリ土類金属化合物の少なくとも１つを含む。このような副成分を含ませることで、平坦な温度特性の積層セラミックコンデンサを容易に実現することができる。
【００３８】
各誘電体層２０の厚みは、特に限定されないが、５μｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは、各誘電体層２０の厚みは、２μｍ以下にすることができる。図示の実施例の誘電体層２０は、例えば、焼成前の厚みが２．４μｍ、焼成後の厚みが２μｍである。
【００３９】
第１のセラミック粒子３１としては、粒成長しない材料、例えば、Ｂ特性材料（ＪＩＳ  Ｃ５１０１−１０）を用いることが好ましい。Ｂ特性材料を用いることにより、焼成時の粒成長を防止し、コンデンサ特性が向上するからである。第１のセラミック粒子３１の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等の誘電体材料等を挙げることができる。
【００４０】
セラミック粒子とは、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、またこれらの形状のものが混合したものであってもよい。粒径とは、セラミック粒子の直径であり、セラミック粒子が球状でない場合はその平均直径である。セラミック粒子は、焼成により粒成長し、粒子同士が結合しているものであってもよい。
【００４１】
第１のセラミック粒子３１は、平均粒径α（μｍ）が、
０．０１≦α≦１．０
を満たすことが好ましい。より好ましくは、
０．２≦α≦０．８
を満たす。更に好ましくは、
０．２≦α≦０．６
を満たす。実施例では、第１のセラミック粒子３１の平均粒径α＝０．５０８μｍとした。
【００４２】
内部電極１２は、複数であって、それぞれが誘電体層２０のそれぞれの面内に設けられ、誘電体層２０を介して層状に配置されている。内部電極１２の材質は、特に限定されず、例えば、ニッケル、ニッケル合金、銀、パラジウム、銅、銅合金、その他の金属または合金等で構成される。内部電極１２の厚みは、誘電体層２０の厚み以下とすることが好ましい。本実施例では、内部電極１２は、焼成前の厚みが１．５μｍである。
【００４３】
補助層３０は、例えば、後述する本発明に係る積層セラミック電子部品用ペーストを用いて製造されている。補助層３０は、第２のセラミック粒子３２を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極１２が形成された平面であって、内部電極１２が存在しない部分を埋めて（余白印刷）いる。補助層３０の厚みは、内部電極１２の厚みと等しくすることが好ましい。本実施例では、補助層３０は、焼成前の厚みが１．５μｍである。
【００４４】
補助層３０及び誘電体層２０、並びに、第２のセラミック粒子３２及び第１のセラミック粒子３１は、同様の材料組成であることが好ましい。同様の材料組成である場合、誘電体層２０−補助層３０−誘電体層２０間の接合が強固になり、剥がれ等の不具合が生じ難いからである。
【００４５】
第２のセラミック粒子３２は、大粒径セラミック粒子３２１と、小粒径セラミック粒子３２２とを含む。第１のセラミック粒子３１の平均粒径をα（μｍ）としたとき、大粒径セラミック粒子３２１の粒径Ｄ１（μｍ）、及び、小粒径セラミック粒子３２２の粒径Ｄ２（μｍ）は、
１．０４３×α≦Ｄ１≦１．１２２×α、
０．８８６×α≦Ｄ２≦０．９６５×αである。
【００４６】
実施例では、第１のセラミック粒子３１の平均粒径α＝０．５０８μｍとしたから、
１．０４３×α＝０．５３、
１．１２２×α＝０．５７、
０．８８６×α＝０．４５、
０．９６５×α＝０．４９
より、
０．５３（μｍ）≦Ｄ１≦０．５７（μｍ）、
０．４５（μｍ）≦Ｄ２≦０．４９（μｍ）
である。
【００４７】
第２のセラミック粒子３２のうち、大粒径セラミック粒子３２１の重量をＡとし、小粒径セラミック粒子３２２の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【００４８】
また、比率Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３５≦Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦０．７０
を満たす。例えば、第２のセラミック粒子３２として、Ｂ特性材料を用いた場合、焼成前後において、セラミック粒子の粒径の変動は、ないとみなせる。このため、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、焼成前後において、一定であるとみなせる。
【００４９】
再び、図１を参照すると、端子電極６は、コンデンサ素体４の側面の一方側に形成され、交互に積層された内部電極１２の一方に接続される。端子電極８は、コンデンサ素体４の側面の他方側に形成され、交互に積層された内部電極１２の他方に接続される。
【００５０】
端子電極６、８の材質は、特に限定されないが、例えば、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金、銀や銀とパラジウムの合金などを使用することができる。端子電極６、８の厚みも特に限定されないが、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００５１】
積層セラミックコンデンサの形状及びサイズは、目的や用途に応じて適宜決定できる。積層セラミックコンデンサは、例えば、縦（０．６〜５．６ｍｍ、好ましくは０．６〜３．２ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）×厚み（０．１〜１．９ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）程度とすることができる。
【００５２】
上述した本発明に係る積層セラミック電子部品は、セラミック層２０と、内部電極１２とを含む。セラミック層２０は、複数層であって、それぞれは第１のセラミック粒子３１を有するセラミック誘電体材料を主成分とする。積層セラミック電子部品が、例えば、コンデンサである場合、セラミック層２０は誘電体層であり、例えば、インダクタである場合、セラミック層２０は磁性体層である。内部電極１２は、複数であって、それぞれがセラミック層２０のそれぞれの面内に設けられ、層状に配置されている。内部電極１２の一端は、例えば、積層セラミック電子部品の側面に形成された引出電極に接続され、例えば、積層セラミックコンデンサが構成される。
【００５３】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、補助層３０を含む。補助層３０は、第２のセラミック粒子３２を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極１２が形成された平面であって、内部電極１２が存在しない部分を埋めている。このため、補助層３０の分だけ、内部電極１２による凸の段差が低減するから、セラミック層２０又は内部電極１２の歪が小さくなり、デラミネーションやクラックの発生が低減することとなる。好ましくは、内部電極１２が備えられた全ての層について、上記構成とする。
【００５４】
本発明に係る積層セラミック電子部品において、第１のセラミック粒子３１の平均粒径をα（μｍ）とし、第２のセラミック粒子３２のうち、粒径が１．０４３×α（μｍ）以上、かつ、１．１２２×α（μｍ）以下である粒子の重量をＡとし、粒径が０．８８６×α（μｍ）以上、かつ、０．９６５×α（μｍ）以下である粒子の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【００５５】
このように、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）≧０．３０であり、第２のセラミック粒子３２には、大粒径の粒子３２１が重量Ａだけ含まれるから、その分だけ、補助層３０が粗く（密度が低く）なり、脱バインダ工程において、積層セラミック電子部品内の残留溶剤、及び、バインダガスの発散（抜け）・焼却などが容易になる。このため、本発明に係る積層セラミック電子部品は、層間剥がれ、クラック及びデラミネーション等の発生が低減し、製品歩留まりの低下を回避できる。
【００５６】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品は、残留溶剤、及び、バインダガスの発散・焼却などが容易になるから、積層セラミック電子部品がコンデンサである場合、焼成後において、内部電極１２の一部がショートしてコンデンサ特性が劣化するという不具合や、セラミック層２０の欠陥に起因して生じる耐電圧不良などを回避し、高信頼性を維持できる。
【００５７】
更に、積層セラミック電子部品の薄層化、多層化が進み、セラミック層２０に含まれる第１のセラミック粒子３１の平均粒径αが小さくなった場合でも、第２のセラミック粒子３２には、第１のセラミック粒子３１の平均粒径αよりも大粒径の粒子３２１が重量Ａだけ含まれるから、上記の効果が顕著に発揮される。
【００５８】
また、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５であり、第２のセラミック粒子３２には、小粒径の粒子３２２が重量Ｂだけ含まれ、粘性（粘度）が十分に大きくなるから、補助層３０を印刷方式で形成することが可能となる。
【００５９】
また、第２のセラミック粒子３２には、小粒径の粒子３２２に加えて、大粒径の粒子３２１が重量Ａだけ含まれるから、小粒径の粒子３２２と、大粒径の粒子３２１により定まる比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）について、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
と設定することにより、容易に、適度な粘性（粘度）を実現できる。このため、補助層３０の印刷位置の精度（印刷適性）が最適になる粘度で、補助層３０を印刷方式で形成することができる。
【００６０】
また、補助層３０には、第１のセラミック粒子３１の平均粒径αよりも大粒径のセラミック粒子３２１が重量Ａだけ含まれるから、セラミック粒子３２１の隙間に第１のセラミック粒子３１が入り込む（アンカー効果）。このため、誘電体層２０−補助層３０間が強固に接合し、デラミネーションやクラックの発生が低減する。
【００６１】
更に、補助層３０には、大粒径セラミック粒子３２１だけでなく、小粒径セラミック粒子３２２が含まれているから、第２のセラミック粒子３２の密度が高くなる。このため、焼成時の収縮、変形が抑制され、クラックの発生が低減する。
【００６２】
表１は、実施例１〜５に係る積層セラミックコンデンサ、及び、比較例１〜７に係る積層セラミックコンデンサを各実施例及び比較例毎に、１００００個づつ作成し、デラミネーション、クラック不良、耐電圧不良（ショート不良）の発生率を調べた結果である。図４は表１に示したデラミネーション、クラック不良、耐電圧不良の発生率を示す図、図５は図４の部分拡大図である。
【００６３】
実施例１〜５は、本発明に係る積層セラミックコンデンサである。大粒径セラミック粒子３２１の比率Ｐ１＝Ａ／（Ａ＋Ｂ）（wt%で表示）、及び、小粒径セラミック粒子３２２の比率Ｐ２＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）（wt%で表示）について、実施例１では、Ｐ１＝３０、Ｐ２＝７０、実施例２では、Ｐ１＝３５、Ｐ２＝６５、実施例３では、Ｐ１＝４０、Ｐ２＝６０、実施例４は、Ｐ１＝５０、Ｐ２＝５０、実施例５では、Ｐ１＝６５、Ｐ２＝３５とした。
【００６４】
実施例１〜５に係る積層セラミックコンデンサは、以下のように作製した。
【００６５】
まず、グリーンシート用誘電体スラリーを用意する。誘電体スラリーは、第１のセラミック粒子３１を有するセラミック誘電体材料を主成分とする誘電体セラミック材料粉末１００重量部、エチルセルロース樹脂４．５重量部、テルピネオール：９０重量部、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）：６．３重量部とした。第１のセラミック粒子３１の平均粒径αは、α＝０．５０８μｍとした。
【００６６】
上記のグリーンシート用スラリーを用いて、キャリアシート上にノズル法により誘電体スラリー膜を形成し、乾燥後の厚み２．４μｍの誘電体グリーンシート（誘電体層２０）を得た。この誘電体グリーンシート上に、導電体ペーストを用いて、内部電極１２をスクリーン印刷した。乾燥後の内部電極１２の厚みは１．５μｍであった。
【００６７】
次に、内部電極１２によって生じた電極段差を埋めるために、本発明に係るペーストを用いて、補助層３０をスクリーン印刷した。補助層３０は、誘電体層２０と同様の成分とし、比率Ｐ１、Ｐ２（wt%）を表１に示す値とした。乾燥後の補助層３０の厚みは、内部電極１２と同じであった。
【００６８】
次いで、内部電極１２と補助層３０を設けた誘電体グリーンシートを内部電極１２が交互に形成された構造となるように位置合わせをしながら積層して３００層の積層体を得た。この積層体の上下を厚み１００μｍの誘電体のみの外装用シートで挟み、プレス、切断してセラミックグリーン積層体チップとし、積層体チップを脱バインダ処理し、焼成してコンデンサ基体とした。焼成後の誘電体層２０の厚みは、２μｍであった。
【００６９】
脱バインダ、焼成およびアニール処理の条件は、例えば、２８０℃で１２時間脱バインダし、還元雰囲気中で１３００℃にて２時間焼成した。アニール処理は、約１０００℃で、２時間の条件で行った。
【００７０】
最後に、コンデンサ基体の両端面に端子電極６、８を設けて、実施例１〜５に係る積層セラミックコンデンサを完成させた。端子電極は、例えば、銅を主成分とし、Ｎ2＋Ｈ2中で８００℃にて３０分焼き付けし、その後にメッキを行ない形成した。
【００７１】
比較例１〜７に係る積層セラミックコンデンサは、実施例１〜５に係る積層セラミックコンデンサと比較される積層セラミックコンデンサである。比較例１は、補助層を有しない積層セラミックコンデンサである。比較例２〜７は、比率Ｐ１、Ｐ２（wt%）が本実施例に係る積層セラミックコンデンサと相違する。比較例２は、Ｐ１＝０、Ｐ２＝１００、比較例３は、Ｐ１＝２０、Ｐ２＝８０、比較例４は、Ｐ１＝７０、Ｐ２＝３０、比較例５は、Ｐ１＝８０、Ｐ２＝２０、比較例６は、Ｐ１＝９０、Ｐ２＝１０、比較例７は、Ｐ１＝１００、Ｐ２＝０とした。
【００７２】
デラミネーションについては、１００００個の試料の中からランダムに５０個選択し、顕微鏡による断面観察を行い、デラミネーションが発生した試料の個数を求めた。
【００７３】
クラック不良については、１００００個の試料の中からランダムに１０００個選択し、外観検査を行い、クラック不良が発生した試料の個数を求めた。
【００７４】
耐電圧不良については、１００００個について、耐電圧不良の試験を行い、不良となった試料の個数を求めた。耐電圧不良の試験は、ＤＣ７５Ｖの条件で行い、０．５％以上となったものを不良と判断した。
【００７５】
【表１】
2005294738.tif 000003
表１を参照すると、比較例１は、クラックは発生していないが、デラミネーション発生率が１４％と高く、耐電圧不良の発生率が０．８％と高い。比較例２〜７は、デラミネーション発生率が４％〜１２％と高く、クラックの発生率が０．５％〜１．０％と高く、耐電圧不良の発生率が１．３％〜２．６％と高い。
【００７６】
これに対して、実施例１は、デラミネーション発生率が０．０％〜２．０％と低く、クラックの発生率が０．０％〜０．４％と低く、耐電圧不良の発生率が０．０％〜０．２％と低く、良好な特性が得られている。特に、実施例３は、デラミネーション、クラック、耐電圧不良の発生率が０．０％であり、極めて良好な特性が得られている。
【００７７】
また、図４を参照すると、比較例３の比率Ｐ１＝２０（wt%）と実施例１の比率Ｐ１＝３０（wt%）との間で、デラミネーション、クラック不良及び耐電圧不良の発生率に異質な特性が表れている。
【００７８】
また、実施例５の比率Ｐ１＝６５（wt%）と比較例４の比率Ｐ１＝７０（wt%）との間で、耐電圧不良の発生率に異質な特性が表れ、デラミネーション及びクラック不良の発生率に顕著な差が表れている。
【００７９】
更に、図５を参照すると、デラミネーションの発生率については、実施例２の比率Ｐ１＝３５（wt%）と実施例４の比率Ｐ１＝５０（wt%）との間で極めて良好な特性が得られ、クラック不良の発生率については、実施例３の比率Ｐ１＝４０（wt%）で極めて良好な特性が得られ、耐電圧不良の発生率については、実施例２の比率Ｐ１＝３５（wt%）と実施例３の比率Ｐ１＝４０（wt%）との間で極めて良好な特性が得られている。
【００８０】
また、０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）の範囲において選択された他の粒径の場合も、表１に示した結果と同様の結果が得られた。
【００８１】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法、及び、積層セラミック電子部品用ペーストについて
次に、図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施例について、図６〜図１２を参照して説明する。
【００８２】
まず、セラミックグリーンシートを製造するために、誘電体スラリー（グリーンシート用スラリー）を準備する。この誘電体スラリーは、後に、誘電体層２０となる。
【００８３】
誘電体スラリーは、誘電体セラミック材料（第１のセラミック粒子３１を含む）と有機ビヒクルとを混練して得られる有機溶剤系ペーストで構成される。誘電体セラミック材料としては、特に限定されず、チタン酸バリウム、鉛含有ペロブスカイト、アルミナなどのほか、温度補償用材料や高誘電率系材料としての機能発現のための各種無機添加物を含有した組成系を適宜選択して使用することができる。これらの原料は、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。極めて薄いグリーンシートを形成するためには、グリーンシート厚みよりも細かい粉体（粒子体）を使用することが望ましい。
【００８４】
具体的には、第１のセラミック粒子３１の平均粒径α（μｍ）は、
０．０１（μｍ）≦α≦１．０（μｍ）
を満たすことが好ましい。より好ましくは、
０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）
を満たす。更に好ましくは、
０．２（μｍ）≦α≦０．６（μｍ）
を満たす。このような平均粒径にすることで、誘電体層２０の厚みが、例えば、２μｍ以下に薄層化されたとしても、デラミネーション不良およびクラック不良の低減を図ることができる。
【００８５】
有機ビヒクルとは、有機結合材成分を有機溶剤中に溶解したものである。有機結合材成分とは、バインダ樹脂としての高分子樹脂、あるいは高分子樹脂と可塑剤とを意味するものとする。有機ビヒクルに用いられる有機溶剤は、特に限定されず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエンなどの有機溶剤が用いられる。
【００８６】
有機ビヒクルに用いられる高分子樹脂としては、特に限定されず、セルロースエステル、セルロースエーテルなどの各種セルロース誘導体を含むセルロース系樹脂、アセタール樹脂、ブチラール樹脂、アクリル酸、およびその誘導体を重合したアクリル系樹脂、メタクリル酸、およびその誘導体を重合したメタクリル系樹脂、エチレン、あるいはプロピレンと酢酸ビニル、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、グリシジル酸、グリシジル酸エステルなどとの各種共重合体を含むオレフィン系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが例示され、これらの中の一種、あるいは複数種を、適宜、選択することができる。
【００８７】
可塑剤としては、特に限定されないが、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ベンジルブチルなどのフタル酸エステルのほか脂肪族二塩基酸エステル、リン酸エステルなどが使用される。
【００８８】
誘電体スラリー中の有機結合剤成分（高分子樹脂＋可塑剤）は、通常、誘電体セラミック材料粉末に対して３〜１６重量％が望ましく、添加される可塑剤量は、高分子樹脂に対して１００重量％以下が望ましい。
【００８９】
有機結合剤成分が３重量％以下では、セラミック材料粉末を結合する効果が少なく、グリーンシートからセラミック材料が粉落ちしやすく、シートの強度が劣化する傾向にある。また、有機結合剤成分が１６重量％を超えると、誘電体セラミック材料粉末に対する有機物成分量が相対的に多くなる結果、脱バインダに要する時間が長くなるほか、誘電体セラミック材料粉末のグリーンシート中における密度が低下するため、脱バインダ工程での体積収縮が増大し、最終のチップ寸法精度の低下や電極層の変形、クラック増大という問題につながる傾向にある。
【００９０】
また、可塑剤量が１００重量％を超えると、誘電体グリーンシートの強度が低下し、また、支持体フィルムから剥離し難くなるなどの理由でシート中の欠陥が増加する傾向にある。
【００９１】
誘電体スラリー中には、必要に応じて各種分散剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。ただし、これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが望ましい。
【００９２】
具体的には、グリーンシート用スラリーは、例えば、以下のように作製した。
【００９３】
まず、出発原料として、水熱法により得られた平均粒径が０．５０８μｍのＢａＴｉＯ3粉体（第１のセラミック粒子）を用いた。このＢａＴｉＯ3粉体１００モル％に対して、（Ｂａ0.6Ｃａ0.4）ＳｉＯ3：３モル％、Ｙ2Ｏ3：２モル％、ＭｇＣＯ3：２モル％（ＭｇＯ換算）、ＭｎＣＯ3：０．４モル％（ＭｎＯ換算）およびＶ2Ｏ5：０．１モル％になるように、ボールミルにより１６時間湿式混合し、次いで、スプレードライヤーで乾燥させて誘電体セラミック材料粉末とした。
【００９４】
上述の誘電体セラミック材料粉末１００重量部と、ポリビニルブチラール樹脂（ＰＶＢ）６重量部と、可塑剤としてフタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）３重量部と、メチルエチルケトン６０重量部と、エタノール４０重量部と、トルエン２０重量部とを、直径１ｍｍのジルコニア製メディアを入れたボールミルで２０時間湿式混合して、誘電体スラリー（グリーンシート用スラリー）を得た。誘電体スラリー中の有機結合成分の比率は、誘電体セラミック材料粉末に対して９重量％であった。
【００９５】
次に、図６に示すように、ドクターブレード９０などを用いて、支持シートとしてのキャリアシート１９上に、上記誘電体スラリーを塗布し、グリーンシート５１を形成し、乾燥させる。キャリアシート１９としては、たとえばＰＥＴフィルムなどが用いられ、剥離性を改善するために、シリコンなどがコーティングしてあるものが好ましい。これらのキャリアシート１９の厚みは、特に限定されないが、好ましくは、５〜１００μｍである。グリーンシート５１の乾燥温度は、好ましくは５０〜１００℃であり、乾燥時間は、好ましくは１〜５分である。グリーンシート５１の乾燦後の厚みは、好ましくは３．０μｍ以下、さらに好ましくは、１．２μｍ以上、かつ、２．５μｍ以下である。
【００９６】
次に、図７に示すように、印刷法、転写法などにより、グリーンシート５１の表面に、所定パターンの内部電極１２を形成し、乾燥させる。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法等を挙げることができる。
【００９７】
内部電極１２の印刷に用いる電極ペーストは、例えば、各種導電性金属や合金からなる導電体材料、あるいは焼成後に上記した導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、またはレジネート等と、有機ビヒクルとを混練して調製することができる。
【００９８】
電極ペーストを製造する際に用いる導体材料としては、ＮｉやＮｉ合金さらにはこれらの混合物を用いる。このような導体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。導体材料の平均粒子径は、例えば、０．１〜２μｍ、好ましくは０．２〜１μｍ程度のものを用いればよい。電極ペーストのための有機ビヒクルは、グリーンシート用スラリーのための有機ビヒクルと同様なものが用いられる。接着性の改善のために、電極ペーストには、可塑剤が含まれることが好ましい。
【００９９】
具体的には、内部電極用ペースト（転写される電極層用ペースト）は、例えば、以下のように作製した。
【０１００】
平均粒径が０．４μｍのＮｉ粒子１００質量部に対して、有機ビヒクル：１００質量部（エチルセルロース樹脂５質量部をターピネオール９５質量部に溶解したもの）を添加して、３本ロールにより混練し、内部電極用ペーストとした。
【０１０１】
次に、本発明に係る積層セラミック電子部品用ペースト（電極段差吸収用印刷ペースト）を用意する。図８は本発明に係る積層セラミック電子部品用ペーストの組成を模式的に示す図である。図示の積層セラミック電子部品用ペーストは、セラミック粒子３２と、有機質ビヒクル及び共材などの他のペースト組成物１１とを含む有機溶剤系ペーストである。
【０１０２】
有機ビヒクルは、誘電体層２０の形成に用いられるペーストと同様に、有機結合材成分（高分子樹脂＋可塑剤）と、溶剤と、各種添加物とを含む。これらの高分子樹脂、可塑剤、溶剤および各種添加物は、例えば、誘電体層２０の形成に用いられるペーストと同様のものを用いることができる。
【０１０３】
セラミック粒子３２の材質は、特に限定されない。例えば、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。実施例において、セラミック粒子３２は、例えば、チタン酸バリウムで構成されている。
【０１０４】
セラミック粒子３２は、大粒径セラミック粒子３２１と、小粒径セラミック粒子３２２とを含む。定数をα（μｍ）を、
０．２（μｍ）≦α≦０．８（μｍ）
としたとき、大粒径セラミック粒子３２１の粒径Ｄ１（μｍ）、及び、小粒径セラミック粒子３２２の粒径Ｄ２（μｍ）は、
１．０４３×α≦Ｄ１≦１．１２２×α、
０．８８６×α≦Ｄ２≦０．９６５×αである。
【０１０５】
定数α（μｍ）は、
α≦０．６
を満たすことが、更に好ましい。
【０１０６】
定数α（μｍ）を第１のセラミック粒子３１の平均粒径α（μｍ）に対応するものある。本実施例では、α＝０．５０８μｍであり、
０．５３（μｍ）≦Ｄ１≦０．５７（μｍ）、
０．４５（μｍ）≦Ｄ２≦０．４９（μｍ）
となる。
【０１０７】
セラミック粒子３２のうち、大粒径セラミック粒子３２１の重量をＡとし、小粒径セラミック粒子３２２の重量をＢとしたとき、
比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たす。
【０１０８】
上記ペーストは、例えば、以下のように作製した。
【０１０９】
まず、比率Ａ／（Ａ＋Ｂ）が、
０．３０≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）≦０．６５
を満たすセラミック粒子３２を準備する。セラミック粒子３２は、フルイ等で選択的に選別した。それらを、各比率で混合した以外は、上述のグリーンシート用スラリーで用いた誘電体セラミック材料粉末１００重量部に対して、高分子樹脂としてのエチルセルロース樹脂４．５重量部と、可塑剤としてのフタル酸ペンジルブチル（ＢＢＰ）６．３重量部と、溶剤としてのテルピネオール９０重量部とを加え、直径１ｍｍのジルコニア製メディアを入れたミキサーミルで１５時間湿式混合して、ペーストとした。
【０１１０】
ペースト中の有機結合成分（高分子樹脂＋可塑剤）の比率は、例えば、誘電体セラミック材料粉末に対して１０．８重量％であり、上述のグリーンシート用スラリー中の有機結合成分比率９重量％より、１．８重量％多い組成となっている。また、ペースト中の可塑剤量は、高分子樹脂に対して１４０重量％となっている。
【０１１１】
次に、図９、図１０に示すように、グリーンシート５１の表面の内部電極１２が存在しない部分の隙間を埋めるように、例えば、印刷法または転写法などにより、内部電極１２と実質的に同じ厚みに補助層３０を塗布し、乾燥させる。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法等を挙げることができる。
【０１１２】
次に、図１１に示すように、内部電極１２および補助層３０が形成されたグリーンシート５１を所定の大きさに切断し、切断されたグリーンシート５１を積層し、積層体を形成する。積層体の上下面には、外装用シート５２が設けられる。
【０１１３】
補助層３０には、大粒径セラミック粒子３２１が重量Ａだけ含まれるから、その分だけ、補助層が粗く（密度が低く）なり、グリーンシート５１の積層工程において、誘電体層２０−補助層３０間のずれを低減させることができる。このため、各層間の内部電極パターンの位置ずれが低減し、製造歩留まりが向上する。
【０１１４】
図１２に示すように、積層体は、所定の位置で切断される。この後、積層体は、脱バインダ処理、焼成処理が施される。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極１２の導電体材料にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜５０℃／時間、
保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３５０℃、
保持時間：０．５〜２０時間、特に１〜１０時間、
雰囲気：加湿したＮ2とＨ2との混合ガス。
【０１１５】
また、焼成条件は、下記の条件が好ましい。
昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
保持温度：１１００〜１３００℃、特に１１５０〜１２５０℃、
保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時問、特に２００〜３００℃／時間、
雰囲気ガス：加湿したＮ2とＨ2との混合ガス等。
【０１１６】
焼成時の空気雰囲気中の酸素分圧は、１０-2Ｐａ以下、特に１０-2〜１０-8Ｐａの範囲にて行うことが好ましい。上記範囲を超えると、内部電極１２が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧があまり低すぎると、内部電極１２の電極材料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。
【０１１７】
焼成を行った後の熱処理は、保持温度または最高温度を、好ましくは、１０００℃以上、さらに好ましくは１０００〜１１００℃の温度に設定して行なう。熱処理時の保持温度または最高温度が、上記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、上記範囲をこえると内部電極１２のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。
【０１１８】
熱処理の際の酸素分圧は、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧であり、好ましくは１０-3Ｐａ〜１Ｐａ、より好ましくは１０-2Ｐａ〜１Ｐａの範囲である。上記範囲未満では、誘電体層２０２の再酸化が困難であり、上記範囲をこえると内部電極１２が酸化する傾向にある。
【０１１９】
そのほかの熱処理条件は下記の条件が好ましい。
保持時間：０〜６時間、特に２〜５時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間、
雰囲気用ガス：加湿したＮ2ガス等。
【０１２０】
なお、Ｎ2ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は０〜７５℃程度が好ましい。また脱バインダ処理・焼成および熱処理は・それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、熱処理の保持温度に達したときに雰囲気を変更して熱処理を行なうことが好ましい。
【０１２１】
一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ2ガスあるいは加湿したＮ2ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、熱処理時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ2ガスあるいは加湿したＮ2ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、熱処理に際しては、Ｎ2ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、熱処理の全過程を加湿したＮ2ガス雰囲気としてもよい。
【０１２２】
このようにして得られた積層体（焼結体）は、例えば、バレル研磨、サンドブラスト等にて端面研磨が施され、端子電極用ペーストが焼きつけられ、端子電極６，８が形成される。
【０１２３】
端子電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ2とＨ2との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、端子電極６，８上にめっき等を行うことによりパッド層を形成する。なお、端子電極用ペーストは、上記した電極ペーストと同様にして調製すればよい。
【０１２４】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施形態を示す正面断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図２の部分拡大図である。
【図４】表１に示したデラミネーション、クラック不良、耐電圧不良の発生率を示す図である。
【図５】図４の部分拡大図である。
【図６】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する工程図である。
【図７】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する別の工程図である。
【図８】本発明に係る積層セラミック電子部品用ペーストの組成を模式的に示す図である。
【図９】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する更に別の工程図である。
【図１０】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する更に別の工程図である。
【図１１】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する更に別の工程図である。
【図１２】積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明する更に別の工程図である。
【符号の説明】
【０１２６】
２０                  誘電体層
３１                  第１のセラミック粒子
３０                  補助層
３２                  第２のセラミック粒子
３２１                大粒径セラミック粒子
３２２                小粒径セラミック粒子
１２                  内部電極
【図１】
2005294738.tif 000004
【図２】
2005294738.tif 000005
【図３】
2005294738.tif 000006
【図４】
2005294738.tif 000007
【図５】
2005294738.tif 000008
【図６】
2005294738.tif 000009
【図７】
2005294738.tif 000010
【図８】
2005294738.tif 000011
【図９】
2005294738.tif 000012
【図１０】
2005294738.tif 000013
【図１１】
2005294738.tif 000014
【図１２】
2005294738.tif 000015