(57)【要約】【課題】  送受信間の電気的なクロストークが小さい双方向光モジュールを提供すること。【解決手段】  双方向光モジュールは、金属体１１と、発光部１２と、受光部１３とを備える。発光部１２は、入力される電気信号に応じて光信号を出力する。受光部１３は、入力される光信号を電気信号に変換して出力する。金属体１１は、発光部１２および受光部１３を固定する。金属体１１において、発光部１２を載置する領域の一部には、除去部２０が穿設されている。【選択図】  図１  
2005294709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を受発光する双方向光モジュールであって、
入力される電気信号に応じて光信号を出力する発光部と、
入力される光信号を電気信号に変換して出力する受光部と、
前記発光部および前記受光部を固定する金属体とを備え、
前記金属体において、前記発光部を載置する領域は、一部が除去されていることを特徴とする、双方向光モジュール。
【請求項２】
前記発光部は、
前記入力される電気信号に応じて前記光信号を出力する発光素子と、
前記発光素子を実装するための配線電極が形成されており、前記金属体上に載置されている半導体基板とを含み、
前記領域において、前記配線電極の直下の部分は、除去されていることを特徴とする、請求項１に記載の双方向光モジュール。
【請求項３】
前記領域において、除去されている部分は、１つの除去されている部分からなることを特徴とする、請求項２に記載の双方向光モジュール。
【請求項４】
前記除去されている部分は、円形であることを特徴とする、請求項３に記載の双方向光モジュール。
【請求項５】
前記除去されている部分は、多角形であることを特徴とする、請求項３に記載の双方向光モジュール。
【請求項６】
前記領域において、除去されている部分は、複数の除去された部分からなることを特徴とする、請求項２に記載の双方向光モジュール。
【請求項７】
前記複数の除去されている部分は、均一な間隔で除去されていることを特徴とする、請求項６に記載の双方向光モジュール。
【請求項８】
前記発光部と前記金属体とは、樹脂で接着されることを特徴とする、請求項１に記載の双方向光モジュール。
【請求項９】
前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする、請求項２に記載の双方向光モジュール。
【請求項１０】
前記受光部は、
入力される光信号を電気信号に変換する受光素子と、
前記受光素子を実装し、前記金属体上に載置されているガラス基板と、
一定波長の光信号を反射し、それ以外の波長の光信号を透過するフィルタとを含み、
前記フィルタは、前記ガラス基板の内部に配置され、
前記発光素子から出力される上りの光信号は、前記フィルタを透過して外部に伝送され、
外部から伝送する下りの光信号は、前記フィルタを反射して前記受光素子に入力することを特徴とする、請求項２に記載の双方向光モジュール。
【請求項１１】
光信号を受発光する双方向光モジュールであって、
入力される電気信号に応じて光信号を出力する発光部と、
入力される光信号を電気信号に変換して出力する受光部と、
前記発光部を固定する第１の金属体と、
前記受光部を固定する第２の金属体とを備え、
前記第１の金属体および前記第２の金属体は、物理的に分断されており、
前記第１の金属体において、前記受光部が載置されている領域は、一部が除去されていることを特徴とする、双方向光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および受光素子を収容する受発光一体型の双方向光モジュールに関し、より特定的には、発光素子と受光素子との間に生じる電気的な干渉を低減する双方向光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の双方向光モジュールとして、光導波路である光ファイバに光学的に結合し、半導体基板に搭載される発光素子と、ガラス基板に搭載される受光素子とが、パッケージ内に収容されているものがある。特許文献１には、このような受発光一体型の双方向光モジュールの一例が記載されている。
【０００３】
図９は、特許文献１に記載された従来の双方向光モジュールの構成を示す斜視図である。図９において、従来の双方向光モジュールは、金属体１１１と、金属体１１１上に実装された発光部１１２と、金属体１１１上に実装された受光部１１３とを備える。発光部１１２は、発光素子２２１と、配線電極２２２と、半導体基板２２３と、配線電極２２４とを含む。受光部１１３は、フィルタ３３１と、受光素子３３２と、ガラス基板３３３と、配線電極３３４と、配線電極３３５とを含む。
【０００４】
発光素子２２１の一方の電極は、配線電極２２４を介して、入力端子１１６に接続される。発光素子２２１の他方の電極は、配線電極２２２を介して、グランド１１５ｂに接続される。
【０００５】
受光素子３３２の一方の電極は、配線電極３３４を介して、電源端子１１７に接続される。受光素子３３２の他方の電極は、配線電極３３５を介して、出力端子１１８に接続される。
【０００６】
フィルタ３３１は、特定の波長の光は透過するが、それ以外の波長の光は反射する特性を有する。ここでは、フィルタ３３１は、発光素子２２１が出射する光は透過するが、光ファイバ１１９ｂから入射する光は反射するものとする。
【０００７】
以下、従来の双方向光モジュールの動作について説明する。発光素子２２１は、入力される電気信号の電流に応じて光信号を出射する。発光素子２２１を出射した光信号は、光ファイバ１１９ａに結合する。光ファイバ１１９ａを伝送した光信号は、フィルタ３３１を透過して光ファイバ１１９ｂに結合し、上りの光信号として外部に伝送される。
【０００８】
光ファイバ１１９ｂを伝送した下りの光信号は、フィルタ３３１で反射される。フィルタ３３１で反射した光信号は、受光素子３３２に吸収され、電気信号に変換されて、出力端子１１８から出力される。
【０００９】
特許文献１に記載の双方向光モジュールにおいて、発光部１１２と受光部１１３とは、同一の金属体１１１上に実装されている。このため、発光素子２２１に入力される電気信号の一部が、半導体基板２２３および金属体１１１を介して受光素子３３２に漏洩してしまうという問題がある。漏洩した電気信号は、受光素子３３２が出力する電気信号のノイズ（妨害信号）となるため、双方向光モジュールの受信性能が劣化してしまう。
【００１０】
この問題を解決するために、電気信号の漏洩を防止する双方向光モジュールが特許文献２に記載されている。特許文献２に記載されている双方向光モジュールにおいて、発光素子は、１，５００Ω・ｃｍ以上の高い抵抗率を有する半導体基板上に実装される。したがって、半導体基板の抵抗率が高いため、当該半導体基板を経由して受光素子に漏洩する電気信号が低減される、つまり電気的なクロストークが低減する。
【特許文献１】特開２００１−３４５４７５号公報（図１）
【特許文献２】特開２００２−２４３９６２号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
電気信号は、発光素子が実装される配線電極と、半導体基板が実装された金属体との間に生じる寄生容量成分および寄生抵抗成分を介して漏洩する。寄生容量および寄生抵抗の値は、半導体基板の材料パラメータ（誘電率や抵抗率）、発光素子が実装される配線電極の面積、金属体において半導体基板が実装される面積、ならびに当該金属体および配線電極の距離とで定まる。電気的なクロストークを低減するためには、寄生容量を低減させる、または寄生抵抗を増大させる必要がある。
【００１２】
配線電極の面積や半導体基板の底面積を縮小したり、配線電極および金属体間の距離を拡大したりすることによって、寄生容量を低減させることができると期待される。同様に、配線電極の面積や半導体基板の底面積を縮小したり、配線電極および金属体間の距離を拡大したりすることによって、寄生抵抗を増大させることができると期待される。しかし、発光素子が実装される配線電極の面積は、発光素子の底面積よりも大きくする必要がある。また、半導体基板上には、光量モニタ用の受光素子等の光学部品が付加的に実装される場合があるため、半導体基板の面積は、配線電極の面積よりも大きくする必要がある。さらに、配線電極および金属体間の距離を拡大するために、半導体基板の厚みを増すこととすれば、双方向光モジュールが大型化してしまう。このように、半導体基板および配線電極の面積、ならびに配線電極および金属体間の距離には物理的な制限がある。したがって、配線電極の面積や半導体基板の底面積を縮小したり、配線電極および金属体間の距離を拡大したりすることには限界があり、上記の期待通りに、寄生容量を低減させたり、寄生抵抗を増大させたりすることはできない。
【００１３】
一方、特許文献２に記載の双方向光モジュールのように、半導体基板の抵抗率を高めることは、寄生抵抗を増大させる手段として有効である。しかしながら、発光素子に入力される電気信号の周波数がＧＨｚレベルである場合、数ｋΩ・ｃｍ以上の高い抵抗率を有する半導体基板を用いた場合においても、寄生容量の影響を受けるため、所望のインピーダンス特性を得ることができない。したがって、特許文献２に記載の双方向光モジュールでは、電気信号がＧＨｚレベルの高周波数帯にある場合に十分なアイソレーションを得る事ができず、Ｇｂｐｓ級の信号速度に適用する事が困難である。
【００１４】
それゆえに、本発明の目的は、送受信間の電気的なクロストークが小さい双方向光モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記の目的を達成するために、以下に述べるような特徴を有している。本発明は、光信号を受発光する双方向光モジュールであって、入力される電気信号に応じて光信号を出力する発光部と、入力される光信号を電気信号に変換して出力する受光部と、発光部および受光部を固定する金属体とを備え、金属体において、発光部を載置する領域は、一部が除去されている。
【００１６】
本発明によれば、金属体と発光部との間に寄生容量を生じさせる部分の面積が縮小されることとなるため、発光部および金属体の間で生じる実効的な寄生容量を低減することができる。したがって、金属体を経由して受光部に漏洩する漏洩信号が低減されることとなるため、発光部と受光部との間に生じる電気的なクロストークを低減する事ができる。また、電気信号がＧＨｚレベルの高周波数帯にある場合においても、十分なアイソレーションを得ることができる。また、プラスチックパッケージを用いる場合においても、物理的な強度を維持すると共に、Ｇｂｐｓ級の信号速度に対して実用上十分な送受信性能を確保することができる。
【００１７】
好ましくは、発光部は、入力される電気信号に応じて光信号を出力する発光素子と、発光素子を実装するための配線電極が形成されており、金属体上に載置されている半導体基板とを含み、領域において、配線電極の直下の部分は、除去されているとよい。
【００１８】
これにより、金属体において、配線電極との間で生じる寄生容量が最大となる部分が除去されることとなるので、半導体基板を経由して金属体に漏洩する漏洩信号を低減することができる。
【００１９】
好ましくは、領域において、除去されている部分は、１つの除去されている部分からなることとしてもよい。
【００２０】
これにより、双方向光モジュールを安価に提供することができる。
【００２１】
また、除去されている部分は、円形であってもよく、また、多角形であってもよい。
【００２２】
また、領域において、除去されている部分は、複数の除去された部分からなることとしてもよい。
【００２３】
これにより、複数の除去された部分において、１つ当たりの除去される面積が小さくなるため、金属体の物理的な強度を保つことができる。
【００２４】
この場合、複数の除去されている部分は、均一な間隔で除去されているとよい。
【００２５】
これにより、金属体が熱膨張した際に、半導体基板にかかる応力を均等にすることができる。
【００２６】
好ましくは、発光部と金属体とは、樹脂で接着されるとよい。
【００２７】
これにより、発光部および金属体の間に生じる寄生容量に対して、樹脂の寄生容量を直列に接続することができるため、実効的な寄生容量を低減することができる。したがって、発光部から金属体に漏洩する漏洩信号を低減することができる。
【００２８】
好ましくは、半導体基板は、シリコン基板であるとよい。
【００２９】
好ましくは、受光部は、入力される光信号を電気信号に変換する受光素子と、受光素子を実装し、金属体上に載置されているガラス基板と、一定波長の光信号を反射し、それ以外の波長の光信号を透過するフィルタとを含み、フィルタは、ガラス基板の内部に配置され、発光素子から出力される上りの光信号は、フィルタを透過して外部に伝送され、外部から伝送する下りの光信号は、フィルタを反射して受光素子に入力するとよい。
【００３０】
また、本発明は、光信号を受発光する双方向光モジュールであって、入力される電気信号に応じて光信号を出力する発光部と、入力される光信号を電気信号に変換して出力する受光部と、発光部を固定する第１の金属体と、受光部を固定する第２の金属体とを備え、第１の金属体および第２の金属体は、物理的に分断されており、第１の金属体において、受光部が載置されている領域は、一部が除去されている。
【００３１】
これにより、金属体と、発光部との間に寄生容量を生じさせる部分の面積が縮小されることとなるため、発光部および金属体の間で生じる実効的な寄生容量を低減することができる。したがって、金属体を経由して受光部に漏洩する漏洩信号が低減されることとなるため、発光部と受光部との間に生じる電気的なクロストークを低減する事ができる。また、電気信号がＧＨｚレベルの高周波数帯にある場合においても、十分なアイソレーションを得ることができる。また、プラスチックパッケージを用いる場合においても、物理的な強度を維持すると共に、Ｇｂｐｓ級の信号速度に対して実用上十分な送受信性能を確保することができる。また、発光部が固定されている金属体、および受光部が固定されている金属体が物理的に分断されているため、金属体を経由して受信部に漏洩する低周波数帯域の電気信号を低減することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、発光部と受光部との間に生じる電気的なクロストークを低減することができる双方向光モジュールが提供されることとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る双方向モジュールの斜視図であり、図２は、当該双方向光モジュールの断面図である。図１において、双方向モジュールは、金属体１１と、発光部１２と、受光部１３と、増幅部１４とを備える。発光部１２は、発光素子１２１と、配線電極１２２と、半導体基板１２３と、配線電極１２４とを含む。受光部１３は、フィルタ１３１と、受光素子１３２と、ガラス基板１３３とを含む。図１において、実線矢印および点線矢印は、光の流れを示す。
【００３４】
ここで、本発明において、双方向光モジュールには、除去部２０が金属体１１上に穿設されている点で従来の双方向光モジュールと相違する。以下、各部の詳細について説明する。
【００３５】
発光部１２、受光部１３、および増幅部１４は、パッケージのグランドである金属体１１上に実装される。デカップリングコンデンサ２１は、金属体１１上に設けられる。グランド１５ａ，１５ｂ、入力端子１６、電源端子１７および出力端子１８は、金属体１１の外部に設けられる。
【００３６】
半導体基板１２３は、例えばシリコン基板である。半導体基板１２３上には、配線電極１２２および配線電極１２４が設けられる。発光素子１２１は、配線電極１２２の上に実装される。発光素子１２１の一方の電極は、配線電極１２４を介して、入力端子１６に接続される。発光素子１２１の他方の電極は、配線電極１２２を介して、グランド１５ｂに接続される。好ましくは、半導体基板１２３と金属体１１とは樹脂によって接着するとよい。これにより、半導体基板１２３に生じる寄生容量に対して、誘電率の低い樹脂の寄生容量を直列に接続することとなるため、実効的な寄生容量を低減することができる。したがって、半導体基板１２３を経由して漏洩する電気信号を低減することができる。
【００３７】
受光部１３において、受光素子１３２は、ガラス基板１３３上に実装される。ガラス基板１３３は、例えば石英系のガラス基板である。受光素子１３２の一方の電極は、デカップリングコンデンサ２１を介して、電源端子１７に接続される。受光素子１３２の他方の電極は、増幅部１４を介して、出力端子１８に接続され、金属体１１は、パッケージ外部のグランド１５ａに接続される。
【００３８】
フィルタ１３１は、特定の波長の光は透過するが、それ以外の波長の光は反射する特性を有する波長選択フィルタであって、ガラス基板１３３の内部に設けられる。ここでは、フィルタ１３１は、発光素子１２１が出射する光は透過するが、光ファイバ１９ｂから入射する光は反射するものとする。光ファイバ１９ａおよび１９ｂは、例えば石英系のガラスまたはプラスチックからなる光ファイバである。
【００３９】
金属体１１において、半導体基板１２３が載置されている領域（以下、実装領域という）において、一部が除去されることによって、除去部２０が穿設されている。好ましくは、除去部２０は、配線電極１２２の直下に相当する領域に穿設されているとよい。なお、実装領域の面積は、半導体基板１２３の底面積に等しい。
【００４０】
以下、第１の実施形態に係る双方向光モジュールの動作について説明する。まず、入力端子１６から配線電極１２４を介して、電気信号が発光素子１２１に入力される。発光素子２１は、例えばレーザダイオードであって、入力される電気信号の電流に応じて光信号を出射する。発光素子１２１を出射した光信号は、光ファイバ１９ａに結合する。光ファイバ１９ａを伝送した光信号は、フィルタ１３１を透過して光ファイバ１９ｂに結合し、上りの光信号として外部に伝送される。
【００４１】
光ファイバ１９ｂを伝送した下りの光信号は、フィルタ１３１で反射され、受光素子１３２に吸収される。受光素子１３２を駆動するための電力は、電源端子１７からデカップリングコンデンサ２１を介して受光素子１３２に供給される。受光素子１３２は、例えばフォトダイオードであって、吸収した光信号を電気信号に変換して増幅部１４に出力する。増幅部１４は、増幅した電気信号を受信信号として出力端子１８に出力する。
【００４２】
図３Ａは、配線電極１２２および実装領域の間に寄生する素子の等価回路と金属体１１および半導体基板１２３との関係を模式的に示す図である。発光素子１２１に入力した電気信号の一部は、配線電極１２２および実装領域の間に形成される、寄生容量成分および寄生抵抗成分による並列回路（寄生回路）、および金属体１１を経由して受光素子１３２や増幅部１４に漏洩する。以下、半導体基板１２３を経由して金属体１１に漏洩する電気信号を漏洩信号２２と呼ぶ。
【００４３】
電気信号の漏洩量を決定する各寄生容量値Ｃ、および寄生抵抗値Ｒは、材料パラメータである半導体基板の誘電率εおよび抵抗率ρ、実装領域の面積Ｓ１、配線電極１２２の面積Ｓ２、ならびに実装領域および配線電極１２２の距離ｄとによって定まる。実装領域の面積Ｓ１および配線電極１２２の面積Ｓ２が等しい面積Ｓであると仮定した場合、寄生容量値Ｃは、
Ｃ＝εｓ・ε０・Ｓ／ｄ・・・（１）
で表される。ここで、εｓは比誘電率であり、ε０は真空の誘電率である。
また、寄生抵抗値Ｒは、
Ｒ＝ρ・ｄ／Ｓ・・・（２）
で表される。（１）、（２）両式より、寄生容量を低減させ、かつ寄生抵抗を増大させることによって電気的なクロストークを低減するためには、面積Ｓを縮小する、または距離ｄを拡大すればよいことが分かる。
【００４４】
図３Ｂは、金属体１１における地点Ａからの距離と、寄生容量および寄生抵抗との関係を示すグラフである。図３Ｂのグラフにおいて、左側の縦軸は、最大値で正規化された寄生容量値を示す。右側の縦軸は、最大値で正規化された寄生抵抗値を示す。横軸は、図３Ａに示した地点Ａからの距離、すなわち配線電極１２２の直下に相当する金属体１１上の地点からの距離を示す。
【００４５】
図３Ｂに示すように、配線電極１２２と、金属体１１において配線電極１２２の直下に相当する地点（地点Ａ）との間に生じる寄生容量値は最大であり、寄生抵抗値は最小である。しかし、地点Ａから離れるにつれ、寄生容量値は減少し、寄生抵抗値は増大する。
【００４６】
除去部２０が穿設された実装領域および配線電極１２２の間に生じる実効的な寄生容量値は、除去部２０の外縁から、実装領域の外縁までの並列容量の積分値、および並列抵抗の積分値によって定まると考えられる。図３Ｂにおいて、斜線が付加されていない部分は、除去部２０に相当する。したがって、実効的な寄生容量値は、図３Ｂの斜線部分における寄生容量および寄生抵抗からなる並列容量値および並列抵抗値によって定まると考えられる。除去部２０は、実効的な寄生容量が大きい領域（斜線部分を除く領域）に穿設されているため、配線電極１２２および実装領域の間で生じる実効的な寄生容量値を低減することができる。これにより、漏洩信号２２を抑制することができる。
【００４７】
図４は、双方向モジュールの下面図である。図４において、除去部２０は実線で示され、発光素子１２１、配線電極１２２、半導体基板１２３、受光素子１３２、ガラス基板１３３、デカップリングコンデンサ２１および増幅部１４は点線で示されている。図４に示すように、除去部２０は円形であり、実装領域の一部に１つ穿設される。好ましくは、除去部２０は、配線電極１２２の直下に相当する領域に穿設されているとよい。
【００４８】
以上のように、第１の実施形態によれば、金属体において、半導体基板が載置されている領域の一部に除去部を穿設することによって、配線電極の面積等の物理的な制限に関わらず、寄生容量を低減させ、かつ寄生抵抗を増大させることができる。これにより、ＧＨｚレベル以上の高周波数帯領域においても、半導体基板を介して金属体に漏洩する漏洩信号を低減し、電気的なクロストークを低減する事ができる。また、プラスチックパッケージを用いる場合においても、物理的な強度を維持すると共に、Ｇｂｐｓ級の信号速度に対して実用上十分な送受信性能を確保することができる。
【００４９】
なお、上記実施形態に係る双方向光モジュールは、双方向同時通信機能を有する加入者系ネットワーク向けの光送受信器であるとよい。また、双方向光モジュールは、基板間等の短距離配線やフォトカプラ等に用いられてもよい。また、双方向光モジュールは、波長多重化方式に利用されてもよく、また、時分割多重化方式に利用されてもよい。
【００５０】
なお、上記実施形態において、金属体の一部を除去することによって除去部を形成することとしたが、金属体を形成する際に、予め除去部を形成することとしてもよい。
【００５１】
また、除去部の形状は、上記実施形態で説明したものに限られない。図５は、本実施形態の第１の変形例に係る双方向モジュールの下面図である。図５に示すように、第１の実施例における除去部は、円形状の複数の除去部２０ａによって構成される。好ましくは、複数の除去部２０ａのうち、少なくとも１つの除去部２０ａは、配線電極１２２の直下に相当する領域に穿設されているとよい。また、複数の除去部２０ａを均一な間隔で設けることとすれば、金属体１１の物理的な強度を保つと共に、金属体１１が熱膨張した際に半導体基板１２３にかかる応力を均等にすることができる。
【００５２】
また、除去部の形状は多角形であってもよい。図６は、本実施形態の第２の変形例に係る双方向モジュールの下面図である。図６に示すように、第２の実施例における除去部２０ｂは、三角形であり、実装領域の一部に１つ穿設される。
【００５３】
また、除去部２０は、多角形の除去部２０が複数穿設されることによって構成されていてもよい。図７は、本実施形態の第３の変形例に係る双方向モジュールの下面図である。
図７に示すように、第３の実施例における除去部は、四角形の複数の除去部２０ｃによって構成される。
【００５４】
また、上記実施形態において、発光素子は半導体基板上に搭載され、受光素子はガラス基板上に搭載されていた。ここで、双方向光モジュールは、発光部が出射する光信号と、受光部が受信する光信号とが、一本の光ファイバに結合されるような構成であればよい。発光部は、電流に応じて光信号を出射する構成であればよく、上記の構成に限られない。また、受光部においても、受光素子が吸収した光信号を電気信号に変換することができる構成であればよく、上記の構成に限られない。
【００５５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る双方向光モジュールにおいて、受光部が実装される金属体と発光部が実装される金属体とは分離されている。
【００５６】
図８は、第２の実施形態に係る双方向光モジュールの構成を示す斜視図である。図８に示す双方向光モジュールは、図１に示す双方向光モジュールと比較して、発光部１２が実装される金属体１１ａと受光部１３が実装される金属体１１ｂとが物理的に分断されている点で相違する。その他の構成は図１と同様であるため、図１と同じ構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００５７】
図８に示すように、発光部１２が実装される金属体１１ａと、受光部１３が実装される金属体１１ｂとは分離されているため、金属体１１に漏洩した漏洩信号が受光部１３まで伝播することを防止することができる。また、発光部１２および受光部１３の間で生じる、低周波数帯域の電気信号の漏洩を低減することができる。
【００５８】
以上のように、第２の実施形態によれば、発光部および受光部間で発生する電気的なクロストークを低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、送受信間の電気的なクロストークが小さい双方向光モジュール等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る双方向光モジュールの構成を示す斜視図
【図２】図１に示す双方向光モジュールの断面図
【図３Ａ】配線電極１２２および実装領域の間で生じる寄生回路を示す図
【図３Ｂ】金属体１１における図３Ａに示す地点Ａからの距離、寄生容量、および寄生抵抗の関係を示す図
【図４】図１に示す双方向光モジュールの下面図
【図５】第１の変形例に係る双方向光モジュールの下面図
【図６】第２の変形例に係る双方向光モジュールの下面図
【図７】第３の変形例に係る双方向光モジュールの下面図
【図８】本発明の第２の実施形態に係る双方向光モジュールの構成を示す斜視図
【図９】従来の双方向光モジュールの構成を示す斜視図
【符号の説明】
【００６１】
１１、１１１  金属体
１２、１１２  発光部
１３、１１３  受光部
１４、１１４  増幅部
１５、１１５  グランド
１６、１１６  入力端子
１７、１１７  電源端子
１８、１１８  出力端子
１９、１１９  光ファイバ
２０  除去部
２１  デカップリングコンデンサ
２２  漏洩信号
１２１、２２１  発光素子
１２２、２２２、３３４、３３５  配線電極
１２３、２２３  半導体基板
１２４、２２４  配線電極
１３１、３３１  フィルタ
１３２、３３２  受光素子
１３３、３３３  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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