(57)【要約】【課題】  高性能な薄膜電子デバイスを高歩留まり・低コストで製造できるデバイス形成方法を提供する。【解決手段】  基板上形成された薄膜デバイスを、基板エッチング後に任意の支持体へ転写するプロセスに関する。本プロセスのエッチング時に保護物を薄膜デバイス面に貼り付ける際に、基板の一部分のみで接着することを特徴とする。特に、薄膜デバイスが存在しない領域のみで接着することで、薄膜デバイス領域に接着剤の残渣を残すことなく剥離することができ、高信頼で高歩留まりなデバイス転写法を実現できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上にデバイスを形成する工程と、前記デバイスが形成された面を覆うための保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける工程と、前記基板を裏面側から削る工程と、前記削った基板面に支持体を貼り付ける工程と、前記保護物を剥がす工程、とを含むデバイス形成方法において、前記保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける際に、前記基板の一部分のみで貼り付けることを特徴とするデバイス形成方法。
【請求項２】
前記保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける工程において、前記保護物と前記基板のデバイス面との間に接着剤又は粘着剤を用いて貼り付けることを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【請求項３】
前記保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける工程において、テープを用いて保護物の外周部と前記基板のデバイス面とを貼り付けることを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【請求項４】
前記基板の一部分が、デバイスが形成されている領域を含まないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス形成方法。
【請求項５】
前記保護物が、フィルムであることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載のデバイス形成方法。
【請求項６】
前記裏面側から削る工程が、エッチング又は研削であることを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【請求項７】
前記保護物を剥がす工程において、光照射又は加熱又は冷却で接着剤の接着力を低下させることを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【請求項８】
前記保護物を剥がす工程において、接着された一部分を切断分離することを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【請求項９】
前記デバイスが、シリコン薄膜から形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１記載のデバイス形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの形成方法に関するものである。特に、ガラス基板等の絶縁性基板上に形成されたデバイスのガラス基板を非常に薄くし、その後フィルム等の支持体を貼り付け、転写することによってフレキシブルデバイスを作成するデバイスの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で割れにくいフレキシブルデバイスが要求され、例えば、薄膜トランジスタ液晶表示デバイスとして、樹脂基板を用いたフレキシブル液晶表示デバイスの開発が進められている。この実現手段として、一旦ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタアレイを樹脂基板上へ転写するデバイス形成法が開発されている。例えば、薄膜トランジスタアレイが形成されたガラス基板を裏面側からＨＦ系溶液でウエットエッチングしてガラスを全て除去し、そのエッチング面に樹脂基板を貼り付けてフレキシブル薄膜トランジスタアレイ基板を形成する方法である（Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ２００２でソニーより開示）。
【０００３】
この従来プロセスを図７（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。エッチングストッパ１２及び薄膜トランジスタアレイ１３が形成されたガラス基板１４の表面に接着剤を介して保護シート１５を全面に貼り付ける（ａ）。続いてＨＦ系のエッチング溶液１６を用いてガラス基板を裏面側から全てエッチング除去し、エッチングストッパでエッチングを止める（ｂ）。エッチング面に樹脂基板１７を貼り付ける（ｃ）。最後に保護シートを剥離することにより転写が完成する（ｄ）。あるいは、特開平１１−２１２１１６では、ウエットエッチングではなく化学研磨法によりガラス基板をすべて除去し、その後樹脂基板に転写する方法が開示されている。
【０００４】
あるいは、図７（ａ）において、エッチングストッパ層の代わりに剥離層を形成する方法もある。この方法では、図７（ｂ）のようにガラス基板をエッチングすることはしない。例えば、特開２００１−０５１２９６では、剥離層としてアモルファスシリコン膜を用い、ガラス基板裏面側から紫外光を照射し、アモルファスシリコン膜のアブレーションを利用してガラス基板を薄膜トランジスタアレイから剥離する。このような手法を用いてもデバイス転写を行うことができる。
【０００５】
このような軽量薄型デバイスのその他の例としては、シリコンウエハーの裏面側を研削・研磨することにより薄型のＩＣチップを実現する技術開発が進められている。例えば特開平９−３１２３４９では、シリコンウエハーに形成した半導体ＩＣチップを、裏面研削しフレキシブル樹脂シートに転写する手法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２１２１１６号公報
【特許文献２】特開２００１−０５１２９６号公報
【特許文献３】特開平９−３１２３４９号公報
【非特許文献１】Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ２００２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の従来技術において、フレキシブル液晶表示デバイス形成のために、薄膜トランジスタアレイが形成されたガラス基板を裏面側からエッチング又は研磨してガラスを全て除去した後に樹脂基板に転写する手法では、図７（ｄ）の保護シートを剥離する工程で、薄膜トランジスタアレイを樹脂基板側にうまく転写するためにかなり長時間かけて剥離する必要があり、スループットが著しく低下してしまう。また保護シート剥離後に、薄膜トランジスタアレイ部に接着剤の残渣が残り、これがトランジスタ電気特性の安定性を損ね、歩留まりを低下させてしまう。このような課題は、剥離層からガラス基板を剥離して転写する場合でも同様である。
【０００８】
更に、特開平９−３１２３４９では、シリコンウエハーから半導体ＩＣチップを剥離する工程、フレキシブル樹脂シートに転写する工程での歩留まりが低く、製造コストが高くなってしまう。加えて、ＩＣチップは数十μｍ程度の厚さがあり透明ではないので応用範囲が限られるとともに、各能動素子（例えばトランジスタ等）の素子分離が複雑で高電圧素子と低電圧素子との混載が困難となる。
【０００９】
従って本発明が解決しようとする課題は、薄膜デバイスを低コストで製造でき、高スループットでしかも高歩留まりで製造できるデバイス形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明のデバイス形成方法は、基板の表面上にデバイスを形成する工程と、前記デバイスが形成された面を覆うための保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける工程と、前記基板を裏面側から削る工程と、前記削った基板面に支持体を貼り付ける工程と、前記保護物を剥がす工程、とを含むデバイス形成方法において、前記保護物を前記基板のデバイス面に貼り付ける際に、前記基板の一部分のみで貼り付けることを特徴とする。
【００１１】
本発明のデバイス形成方法は、接着する基板の一部分が、薄膜デバイスが形成されている領域を含まないことが更に望ましい。即ち、保護物を接着剤により薄膜デバイス面に貼り付ける工程において、接着剤が付着する領域には薄膜デバイスが存在しない。従って、最終的に保護物を剥がした後に、薄膜デバイス部に接着剤の残渣が残ることが無く、薄膜デバイスの特性安定性が維持できる。
【００１２】
上記のようなデバイス形成方法において、保護物として保護フィルムを使用することができる。基板を裏面側から削る工程において、エッチングや研削／研磨などのプロセスを用いる。保護物を剥がす工程において、光照射、加熱又は冷却で接着剤の接着力を低下させる。保護物を剥がす工程において、接着された一部分を切断分離する。等の方法を用いることができる。
【００１３】
本発明は、特に、ガラス等の透明絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタデバイスをフレキシブル基板等に転写する際に有用である。
【発明の効果】
【００１４】
以上述べてきたような本発明のデバイス形成方法で薄膜デバイスを作成したところ、以下のような効果を確認した。
【００１５】
基板のデバイス面と保護面との接着部を基板の一部分とすることで、薄膜デバイス領域には接着剤がなく、接着剤の残渣が見られなかった。図７に示すような従来プロセスでは、数十ｐｐｂオーダーの接着剤残渣が薄膜デバイス領域に残っていた。このような残渣は洗浄工程でも十分に除去することはできず、薄膜デバイスの特性信頼性を低下させていた。本発明では、デバイス領域に接着剤の残渣が無く、例えば、薄膜トランジスタアレイの電気特性も高い信頼性を有していた。
【００１６】
また、接着領域が基板の一部分のみであるので、基板一枚あたりの保護物剥離を２分以内で行うことができた。従来のプロセスでは、１０分から１時間程度の時間を要していたので、本発明により転写プロセスのスループットを非常に高くすることができた。更に本発明では、接着領域が基板の一部分のみであり剥離が容易になるので、剥離時の割れなどを防ぐことができ、歩留まりを著しく向上させることができた。
【００１７】
以上、本発明を用いることにより、高性能な薄膜デバイスを低コストで製造でき、また、高スループットでしかも高歩留まりで製造できるデバイス形成方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態に関して、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第一の実施の形態にかかる電子デバイスの製造方法を示す図である。図１（ａ）に示すように、絶縁性基板２の表面に薄膜デバイス１が形成された絶縁性基板２のデバイス面（おもて面）に、保護物３を、接着剤４を介して貼り付ける。この時、接着剤が存在する領域には薄膜デバイスが存在しない。即ち、絶縁性基板と保護物とを接着剤を介して部分的に貼り合せる。図１（ａ）の場合は、右側の平面図に示すように、薄膜デバイスが基板の中心領域に形成されているので、基板の周辺部のみの領域で、接着剤により保護物と基板とが貼り合わされている。
【００２０】
続いて図１（ｂ）に示すように、エッチング槽５にエッチング液６を貯め、その中に図１（ａ）の基板を入れて基板の裏面側からエッチングを行う。基板の周辺部が接着剤により貼り合わされているので、エッチング液が薄膜デバイス領域に侵入することなくエッチングを行うことができる。この時、基板の全てをエッチングしても良いし、基板の一部を残しても良い。更に図１（ｃ）に示すように、エッチングした面に支持体７を貼り付ける。最後に図１（ｄ）に示すように、基板のデバイス面（おもて面）に貼り付けた保護物３を剥がすことにより転写が完成する。この時、保護物３は接着剤４を介して基板の一部のみ（この場合は基板の周辺部のみ）で接着されているので、非常に剥がしやすい。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第二の実施の形態にかかる電子デバイスの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１（ｄ）における保護物剥離の一方法を示す。図１（ｃ）までの加工を行った基板を、図２（ａ）に示すように加熱機８の上に載せる。加熱機８の温度を適度に制御することにより、接着剤４の接着力を低下させ、その後、図２（ｂ）に示すように保護物３を剥がす。接着剤の接着力が低下しているので、非常に容易に剥がすことができる。
【００２２】
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第三の実施の形態にかかる電子デバイスの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１（ｄ）における保護物剥離の別の方法を示す。図１（ｃ）までの加工を行った基板に対して、図３（ａ）に示すように保護物３の上側から光９を照射する。紫外光、可視光など、光９の波長を適度に制御することにより、接着剤４の接着力を低下させ、その後、図３（ｂ）に示すように保護物３を剥がす。接着剤の接着力が低下しているので、非常に容易に剥がすことができる。
【００２３】
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第四の実施の形態にかかる電子デバイスの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１（ｄ）における保護物剥離の別の方法を示す。図１（ｃ）までの加工を行った基板において、図４（ａ）に示すように、周辺の接着部を除去するために切断１０を入れる。この場合は周辺の四辺に対して切断を入れる。その後、図４（ｂ）に示すように、四辺の周辺部を切断部から分離すると、残された薄膜デバイス部においては接着剤が存在しないので、保護物３が非常に容易に剥がれる。
【００２４】
図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第五の実施の形態にかかる電子デバイスの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１（ａ）における保護物貼り付けの別の方法を示す。図５（ａ）は、基板周辺部に加えて、十字状に接着部を設けたものである。このような十字部を複数設けても良い。図５（ｂ）は、基板周辺部に加えて、中心部にも接着部を設けたものである。更に図５（ｃ）においては、周辺部の一部（この図の場合は角部）に非接着部を設けている。特にこのようにすると、保護物を剥がす時に角部から容易に剥がしやすい。
【００２５】
以上の実施の形態では、いずれも保護物と薄膜デバイス基板面との間の接着剤により、保護物と基板面とを接着していた。これに加えて、第六の実施の形態として、図６に示すように、テープを用いて保護物の外周部と基板面とを貼り付けることもできる。この場合は、保護物と薄膜デバイス基板面との間に接着剤は存在しない。
【００２６】
図５、６以外にも、薄膜デバイスが存在しない任意の領域で保護物を接着することで、様々な貼り付け法が可能である。これらの貼り付け法においても、図２〜図４で示した手法と同様の手法で保護物を剥がすことができる。
【００２７】
続いて本発明の実施例を述べる。
【実施例１】
【００２８】
図１及び図２を用いて実施例１を説明する。図１（ａ）は、絶縁性基板の表面に形成されたデバイスを備えた基板のデバイス面と保護物とを接着させた図である。薄膜デバイス１はシリコン薄膜トランジスタアレイ、絶縁性基板２は０．７ｍｍ厚のガラス基板、保護物３はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）をベースとした厚さ１００μｍのフィルム、接着剤４はアクリル系樹脂である。基板四辺の周辺部１ｃｍの額縁領域において、接着剤を介してガラス基板とＰＥＴフィルムとを貼り合せた。図１（ａ）右側の平面図に示すように、薄膜デバイスが基板の中心領域に形成されているので、基板の周辺部のみの領域で、接着剤により保護物と基板とが貼り合わされている。
【００２９】
続いて、図１（ｂ）の基板の薄膜化において、弗酸と塩酸又は硝酸の混合溶液をエッチング液６として、ガラス基板を裏面側からエッチングした。ガラス基板を２０〜１００μｍの厚さで残した。この時のエッチングレートは７μｍ／分程度であった。エッチング液としては弗酸と硫酸との混合液、バッファード弗酸等でも良い。これらのエッチング液に対してＰＥＴフィルムは耐性を有するので問題は無い。逆に、これらの弗酸ベースのエッチング液に対して耐性を有する保護物を選択しなければならない。本実施例ではＰＥＴフィルムを用いたが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等でも良い。
【００３０】
更に図１（ｃ）の支持体との貼り付けにおいて、エッチング面に支持体７として１００μｍ厚のＰＥＳフィルムを貼り付けた。支持体としては、特に耐弗酸性を有する必要は無いので、ポリイミド、ポリカーボネイト、ポリプロピレンなどの樹脂材に加えて、銅やアルミニウム等の金属箔でも良い。更には、樹脂材と金属箔との積層などでも良い。
【００３１】
図１（ｄ）の基板と保護物との剥離を図２に示す加熱機を用いて実施した。図１（ｃ）までの加工を行った基板を、図２（ａ）に示すように加熱機８の上に載せる。加熱機８の温度を適度に制御することにより、接着剤４の接着力を低下させ、その後、図２（ｂ）に示すように保護物３を剥がす。接着剤の接着力が低下しているので、非常に容易に剥がすことができる。
【００３２】
本実施例においては、保護物を基板のデバイス面に貼り付ける際に、基板の一部分のみで接着する。特に、薄膜デバイスが存在しない領域のみで接着することで、薄膜デバイス領域に接着剤の残渣を残すことなく剥離することができる。また、接着領域が基板の一部分のみであるので、基板一枚あたりの保護物剥離を２分以内で行うことができる。従来のプロセスでは、１０分から１時間程度の時間を要していたので、本発明により転写プロセスのスループットを非常に高くすることができる。更に、接着領域が基板の一部分のみであり剥離が容易になるので、剥離時の割れなどを防ぐことができ、歩留まりを著しく向上させることができる。本実施例によれば、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【実施例２】
【００３３】
図２に第２の実施の形態に対応する実施例２を示す。実施例２においては、実施例１の図１（ｄ）の基板と保護物との剥離を、温度を制御することにより行った実施例である。接着から支持体の貼り付けについては、実施例１の図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）と同じであり説明を省略する。
【００３４】
図１（ａ）のようにＰＥＴフィルムを保護物として貼り付け、図１（ｃ）までの加工を行った基板を、図２（ａ）に示すように加熱機８の上に載せる。図２（ａ）の加熱機８としてホットプレートを用いて、基板温度を１００℃に上昇させた。これにより、接着剤の化学構造が変化し、接着力が初期の１／１００以下にまで低下し、保護物であるＰＥＴフィルムを非常に容易に剥がすことができた。
【００３５】
ここでは、温度を制御する方法としてホットプレートを用いたが、加熱する手法としては、基板をオーブンに入れる、熱風を基板に吹きかける、赤外線ランプで加熱する等、様々な手法が可能である。また、冷却により接着力が低下する接着剤を用いても良く、この場合には加熱機の代わりに冷却機を用いることになる。このような加熱又は冷却により剥離を行う際は、支持体と基板を貼り合せるための接着剤の接着力が温度の変化により低下しないことが必要である。
【００３６】
本実施例においては、温度により化学構造が変化する接着剤を用い、温度を制御することにより保護物を剥がすことができ、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【実施例３】
【００３７】
図３に第３の実施の形態に対応する実施例３を示す。実施例３においては、実施例１の図１（ｄ）の基板と保護物との剥離を、光照射による方法を用いた実施例である。接着から支持体の貼り付けについては、実施例１の図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）と同じであり説明を省略する。
【００３８】
図１（ｄ）基板と保護物との剥離を、光照射により化学構造が変化する接着剤を用い、図３（ａ）に示すように、光照射により保護物を剥がすことができる。紫外光照射に対して化学構造が変化するアクリル樹脂を接着剤として、図１（ａ）のようにＰＥＴフィルムを保護物として貼り付けた。そしてエッチング加工後、図３（ａ）において、光９として紫外光成分の強い水銀ランプからの光を照射した。２００〜４００ｎｍの波長の光でエネルギー１Ｊ／ｃｍ２照射することで、接着力が初期の１／１００以下にまで低下し、図３（ｂ）に示すように保護物であるＰＥＴフィルムを非常に容易に剥がすことができた。特に紫外光に限る必要はなく、可視光照射により化学構造が変化する接着剤を用いても良い。このような光照射により剥離を行う際は、支持体と基板を貼り合せるための接着剤の接着力が光照射により低下しないことが必要である。
【００３９】
本実施例においては、光照射により化学構造が変化する接着剤を用い、光照射により保護物を剥がすことができ、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【実施例４】
【００４０】
図４に第４の実施の形態に対応する実施例４を示す。実施例４においては、実施例１の図１（ｄ）の基板と保護物との剥離を切断による方法を用いた実施例である。接着から支持体の貼り付けについては、実施例１の図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）と同じであり説明を省略する。
【００４１】
図１（ｄ）基板と保護物との剥離を、図４に示すように、接着部を切断分離することで容易に保護物を剥離できる。図１（ａ）において、保護物としてＰＥＴフィルムを貼り付ける。ここで周辺部の接着剤としては、特別な機能（光や熱で構造が変化するなどの）を要求されないので、安価な接着剤を用いることができる。エッチング加工後、図４（ａ）に示すように、周辺の接着部を除去するために切断を入れ、接着部とデバイスが形成されている領域とを分離する。この場合は周辺の四辺に対して切断を入れる。切断は、例えば、ダイシングソーやレーザーカッターなどを用いて行うことができる。その後、図４（ｂ）に示すように、四辺の周辺部を切断部から分離すると、残された薄膜デバイス部においては接着剤が存在しないので、ＰＥＴフィルムを非常に容易に剥がすことができる。
【００４２】
本実施例においては、接着部を切断分離することで保護物を剥がすことができ、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【実施例５】
【００４３】
図５に第５の実施の形態に対応する実施例５を示す。実施例５においては、実施例１の図１（ａ）の基板のデバイス面と保護物とを接着する方法を変更した実施例である。接着以降については、実施例１の図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）と同じであり説明を省略する。
【００４４】
図１（ａ）の基板のデバイス面と保護物とを接着剤を介して部分的に貼り合せる手段としては、１）保護物に部分的に接着剤を塗布する。２）保護物全体に接着剤が塗布されているが、保護物と基板の間の所望の箇所に紙やフィルムなどを挿入することで、保護物と基板とを部分的に接着させる。等の方法を用いることができる。特にこの第二の方法では、例えば、図５のような様々な非接着部パターンに対して、予め紙やフィルムなどの形状をそれぞれのパターンに合わせて準備しておけばよく効率が良い。
【００４５】
図５（ａ）は、基板周辺部に加えて、十字状に接着部を設けたものである。このような十字部を複数設けても良い。図５（ｂ）は、基板周辺部に加えて、中心部にも接着部を設けたものである。更に図５（ｃ）においては、周辺部の一部（この図の場合は角部）に非接着部を設けている。特にこのようにすると、保護物を剥がす時に角部から容易に剥がしやすい。
【００４６】
本実施例においては、基板周辺部に加えて、デバイスが形成されていない基板の表面に接着部を設けることにより、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【実施例６】
【００４７】
図６に第６の実施の形態に対応する実施例６を示す。実施例６においては、実施例１の図１（ａ）の基板のデバイス面と保護物との接着方法を変更した実施例である。接着以降については、実施例１の図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）と同じであり説明を省略する。
【００４８】
いままでの実施例においては、いずれも保護物と薄膜デバイス基板面との間の接着剤により、保護物と基板のデバイス面とを接着していた。本実施例６においては、図６に示すように、テープを用いて保護物の外周部と基板面とを貼り付ける実施例である。この場合は、保護物と薄膜デバイス基板面との間に接着剤は存在しない。
【００４９】
本実施例においては、テープを用いて保護物の外周部と基板面とを貼り付けることにより、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。
【００５０】
以上述べてきたような実施例においては、基板のデバイス面と保護面との接着部を基板の一部分とすることで、高信頼で高歩留まりなデバイス形成方法が得られる。その理由は、薄膜デバイス領域には接着剤がないため、接着剤の残渣が見られなかった。図７に示すような従来プロセスでは、数十ｐｐｂオーダーの接着剤残渣が薄膜デバイス領域に残っていた。このような残渣は洗浄工程でも十分に除去することはできず、薄膜デバイスの特性信頼性を低下させていた。本発明では、薄膜デバイス領域に接着剤の残渣が無く、例えば、薄膜トランジスタアレイの電気特性も高い信頼性を有していた。
【００５１】
また、接着領域が基板の一部分のみであるので、基板一枚あたりの保護物剥離を２分以内で行うことができた。従来のプロセスでは、１０分から１時間程度の時間を要していたので、本発明により転写プロセスのスループットを非常に高くすることができた。
【００５２】
更に本発明では、接着領域が基板の一部分のみであり剥離が容易になるので、剥離時の割れなどを防ぐことができ、歩留まりを著しく向上させることができた。
【００５３】
以上、本発明のプロセス形成方法を用いることにより、高性能な薄膜デバイスを低コストで製造でき、また、高スループットでしかも高歩留まりで製造することができた。
【００５４】
以上本願発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、図１、図５、６以外にも、デバイスが存在しない基板の任意の領域で保護物を接着することで、様々な貼り付け法が可能である。接着するものとしては粘着剤でもよい。これらの貼り付け法においても、図２〜図４で示した手法と同様の手法で保護物を剥がすことができる。
【００５５】
また実施例では、保護物や支持体としてフィルムの場合を述べてきたが、特にフィルムである必要性はなく、数ｍｍから数ｃｍ程度の厚さのシートや板でも良い。また基板をエッチングするプロセスを述べてきたが、機械的に研磨して削るなどの手法を用いても良い。またデバイスとしては、薄膜トランジスタアレイに限られるものではなく、配線アレイ、受動素子アレイなど、任意の電子デバイスに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第一の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図３】本発明の第三の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図４】本発明の第四の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図５】本発明の第五の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図６】本発明の第六の実施の形態にかかる製造方法を示す図である。
【図７】従来の製造方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１：薄膜デバイス
２：絶縁性基板
３：保護物
４：接着剤
５：エッチング槽
６：エッチング液
７：支持体
８：加熱機
９：光
１０：切断
１１：テープ
１２：エッチングストッパ
１３：薄膜トランジスタアレイ
１４：ガラス基板
１５：保護シート
１６：ＨＦ系のエッチング溶液
１７：樹脂基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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