(57)【要約】【課題】  本発明は、剛性を利用しないため、偏向角が剛性部材の弾性限界や破壊限界に依存せず、自由に設定でき、更に少ない電源数で駆動が可能である光偏向装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の光偏向装置は、基板と、複数の規制部材と、支点部材と、板状部材と、複数の電極とを有している。そして、複数の規制部材はそれぞれ上部にストッパを有し、基板の複数の端部にそれぞれ設けられている。また、支点部材は頂部を有し、基板の上面に設けられている。更に、板状部材は固定端を持たず、上面に光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、基板と支点部材とストッパの間の空間内で可動的に配置される。また、複数の電極は板状部材の導電体層とほぼ対向して基板上にそれぞれ設けられている。更に、本発明の光偏向装置では、板状部材の導電体層が少なくとも一つの電極と電気的に接触する。【選択図】        図１
2005202257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、複数の規制部材と、支点部材と、板状部材と、複数の電極とを有し、前記複数の規制部材はそれぞれ上部にストッパを有し、前記基板の複数の端部にそれぞれ設けられ、前記支点部材は頂部を有し、前記基板の上面に設けられ、前記板状部材は固定端を持たず、上面に光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、前記基板と前記支点部材と前記ストッパの間の空間内で可動的に配置され、前記複数の電極は前記板状部材の導電体層とほぼ対向して基板上にそれぞれ設けられ、前記板状部材が前記支点部材を中心として静電引力により傾斜変位することにより、前記光反射領域に入射する光束が反射方向を変えて光偏向を行う光偏向装置において、
前記板状部材の導電体層が少なくとも一つの電極と電気的に接触することを特徴とする光偏向装置。
【請求項２】
少なくとも一つの電極が露出し、残りの電極が絶縁膜で覆われている請求項１記載の光偏向装置。
【請求項３】
前記支点部材を境にして、一方の側が絶縁膜で覆われた電極を、他方の側には絶縁膜で覆われた電極と露出した電極をそれぞれ設けた請求項１又は２に記載の光偏向装置。
【請求項４】
前記支点部材を境にして、一方の側が絶縁膜で覆われた電極を設け、他方の側に設けられた、絶縁膜で覆われた電極と露出した電極の面積が、同じである請求項３記載の光偏向装置。
【請求項５】
２つの電極が露出し、残りの電極が絶縁膜で覆われている請求項１又は２に記載の光偏向装置。
【請求項６】
前記支点部材を境にした両側にそれぞれ露出した電極が設けられている請求項１又は２に記載の光偏向装置。
【請求項７】
絶縁膜で覆われた各電極の面積が同じである請求項６記載の光偏向装置。
【請求項８】
露出した電極の面積が絶縁膜に覆われた電極より小さい請求項１〜３、５〜７のいずれかに記載の光偏向装置。
【請求項９】
少なくとも一つの電極に固定の電位を印加する請求項１〜８のいずれかに記載の光偏向装置。
【請求項１０】
前記支点部材を境にした両側に設けられた露出した電極に固定した同じ電位を印加する請求項６記載の光偏向装置。
【請求項１１】
露出した電極は０Ｖに設定する請求項１〜１０のいずれかに記載の光偏向装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光偏向装置に関し、詳細には入射光に対する出射光の方向を変える光偏向装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電力を利用した光偏向装置では、片持ち梁を静電力で撓ませて光の反射方向を変えて偏向するデバイス及びそれを用いた光偏向システムが、１９７７年、非特許文献１に発表されている。また、回折格子を静電力で駆動して光偏向する素子が非特許文献２に発表されている。更に、これらの従来の技術が特許文献１、特許文献２及び特許文献３にも記載されている。更に、ＤＭＤの素子構造として、非特許文献３に、ねじり梁型やカンチレバー梁型のＤＭＤが開示されている。この非特許文献３で発表されたねじり梁型やカンチレバー型のＤＭＤにおいては、ミラー部が傾斜されて用いられるが、ミラー部は少なくとも一箇所以上の固定端を有している構造となっている。また、特許文献４には、両端固定型の梁を円筒状に撓み変形させて、高速に光偏向を行う素子が開示されている。
【特許文献１】特許第２，９４１，９５２号明細書
【特許文献２】特許第３，０１６，８７１号明細書
【特許文献３】特表平１０−５１０３７４号公報
【特許文献４】特開２０００−２８４２号公報
【非特許文献１】Applied PhyＳｉcs Letters, Vol.31, No.8, pp521〜pp523
【非特許文献２】Optics Letters, Vol.7,No.9, pp688〜pp690
【非特許文献３】Proc. SPIE Vol.1150, pp86〜pp102(1989)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、非特許文献１の片持ち梁を利用した光偏向装置や非特許文献３のカンチレバー梁型のＤＭＤは、梁の安定性の確保が難しく、かつ応答速度も速くできない欠点を有している。また、非特許文献３のねじり梁型のＤＭＤは、ねじり梁のヒンジ部の機械的強度が長期使用時に劣化する欠点を有している。更に、非特許文献２、特許文献１〜３に示される光偏向素子は、入射光の波長が制限されるという欠点がある。また、特許文献４に開示されている素子すなわち、平行な空隙を電極間に有しその静電引力により両端固定梁を円筒状に撓ませる素子は、高速に変形することが可能で応答速度を速くできる利点を有しているが、両端が固定されているため、片持ち梁型やカンチレバー梁型やねじり梁型のデバイスに比べ、駆動電圧が低くできない欠点を有している。一方、捻り梁型、カンチレバー型あるいは両端固定梁型の従来の光偏向装置は、全て２〜３個の電極を具備し、平面で対向する電極間に異なる電位を印加して静電引力を作用させ、ミラー面を変位させ光偏向動作を行うデバイスであるが、それ以外の従来の光偏向装置として、複数の電極（代表的には４個の電極）が同一平面上に形成され、それと対向して電気的に浮いている導電体層を有する板状部材が構成されており、隣接する電極間に異なる電位を印加することにより、電気的に浮いている板状部材が任意の電位となり、板状部材に静電引力が作用し、ミラー面を有する板状部材が支点部材を中心に傾斜変位し光偏向動作を行うデバイスがある。この従来の光偏向装置においては、駆動電圧で板状部材が定められた範囲で移動し光の反射方向を偏向し、電圧を戻すと板状部材が元の位置に剛性により復元する動作であることが多い。このため板状部材が外れないように移動位置を限定するため、固定端に剛性を持つ部材で固定している。このような剛性を利用しているため、駆動速度を向上する場合は剛性を大きく設定するため、駆動電圧も増加しまう問題があった。また、剛性部材には弾性限界、破壊限界があり、移動範囲に制限がある問題もある。
【０００４】
本発明はこれらの問題点を解決するためのものであり、剛性を利用しないため、偏向角が剛性部材の弾性限界や破壊限界に依存せず、自由に設定でき、更に少ない電源数で駆動が可能である光偏向装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記問題点を解決するために、本発明の光偏向装置は、基板と、複数の規制部材と、支点部材と、板状部材と、複数の電極とを有している。そして、複数の規制部材はそれぞれ上部にストッパを有し、基板の複数の端部にそれぞれ設けられている。また、支点部材は頂部を有し、基板の上面に設けられている。更に、板状部材は固定端を持たず、上面に光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、基板と支点部材とストッパの間の空間内で可動的に配置される。また、複数の電極は板状部材の導電体層とほぼ対向して基板上にそれぞれ設けられている。このような構成を有する本発明の光偏向装置は、板状部材が支点部材を中心として静電引力により傾斜変位することにより、光反射領域に入射する光束が反射方向を変えて光偏向を行う。更に、本発明の光偏向装置では、板状部材の導電体層が少なくとも一つの電極と電気的に接触する。よって、板状部材に電荷を保持でき、少ない電源で２つの電極の電位を変化することで板状部材を駆動することができる。
【０００６】
また、少なくとも一つの電極が露出し、残りの電極が絶縁膜で覆われていることが好ましい。
【０００７】
更に、支点部材を境にして、一方の側が絶縁膜で覆われた電極を、他方の側には絶縁膜で覆われた電極と露出した電極をそれぞれ設けたことにより、露出した電極と板状部材が接することで電荷を与え、かつ離れたときに板状部材に電荷を保持できると共に、絶縁膜で覆われた電極に板状部材が当接した場合は電荷を保持したままにすることができ、２つの電極の電位を変化することで板状部材を駆動することができる。
【０００８】
また、支点部材を境にして、一方の側が絶縁膜で覆われた電極を設け、他方の側に設けられた、絶縁膜で覆われた電極と露出した電極の面積が同じであることが好ましく、もっとも大きな静電力を得られる。
【０００９】
更に、２つの電極が露出し、残りの電極が絶縁膜で覆われていることにより、板状部材がどちらに向きに傾斜しても板状部材が電極に接することができるので絶縁膜で覆われた電極の電位を変化することで板状部材を駆動できる。
【００１０】
また、支点部材を境にした両側にそれぞれ露出した電極が設けられていることにより、板状部材がどちらに向きに傾斜しても板状部材が電極に接することができるので絶縁膜で覆われた電極の電位を変化することで板状部材を駆動できる。
【００１１】
更に、絶縁膜で覆われた各電極の面積が同じであることが好ましく、板状部材を両側にバランスよく駆動できる。
【００１２】
また、露出した電極の面積が絶縁膜に覆われた電極より小さいことが好ましい。
【００１３】
更に、少なくとも一つの電極に固定の電位を印加することにより、固定電位電極には駆動素子が不要となり、駆動素子の数を減らすことができる。
【００１４】
また、支点部材を境にした両側に設けられた露出した電極に固定した同じ電位を印加することにより、固定電位電極には駆動素子が不要となり、駆動素子の数を減らすことができる。
【００１５】
更に、露出した電極は０Ｖに設定することにより、それら電極に対する電源が不要になる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光偏向装置によれば、板状部材の導電体層が少なくとも一つの電極と電気的に接触することにより、自由に設定でき、更に少ない電源数で駆動が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は本発明の第１の実施の形態に係る光偏向装置の構成を示す斜視図であり、図１の（ａ）は導電性板状部材を配置していない斜視図、図１の（ｂ）は導電性板状部材を配置した斜視図である。また、図２は図１の（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。両図に示すように、シリコン基板１０１上には、支点部材１０５が形成され、酸化膜１０２で絶縁されている。また、複数の電極、例えば３つの電極１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃを設け、酸化膜などの絶縁膜１０４で覆う。光反射領域を持つ導電性板状部材１０６は、支点部材１０５が支点となりシーソーのように回転移動できる位置に配置される。シリコン基板１０１上の電極群、例えば電極１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃにそれぞれ電圧を加えると、導体である導電性板状部材１０６に静電誘導により電荷が現れ、電極側に静電力により引き付けられる。導電性板状部材１０６の移動を規制する規制部材１０７を形成し、導電性板状部材１０６が飛び出さないように移動範囲を制限する構造になっている。このような構成を有する本実施例の光偏向装置は、露出した電極１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃを設け、導電性板状部材１０６が傾き、この電極に電気的に接触して離れることで電荷が導電性板状部材１０６に保持されるようにし、他の電極の電位を変えることで静電力を制御し導電性板状部材１０６を駆動する構造と以下に説明する駆動方法を有している。
【００１８】
次に、図３〜図７は第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。ここで、電極１０３ａの電位は電極１０３ｂに加える最大電位の１／２に設定する。電極１０３ｃには０Ｖを印加する。電極間の電位差が重要であり、電極１０３ａを０Ｖにする場合は、電極１０３ｂに＋Ｅ(Ｖ)か−Ｅ(Ｖ)、電極１０３ｃに−Ｅ(Ｖ)とすることもできる。図３に示すように、初期状態として電極１０３ａ側に導電性板状部材１０６が傾いているとする。駆動例としては、特に電極１０３ｂと電極１０３ｃに電位差を与え、その中間電位を電極１０３ａに印加すると電極１０３ｂと電極１０３ｃにより導電性板状部材１０６に静電力で吸引力が発生する。例えば電位は電極１０３ａに＋１０Ｖ、電極１０３ｂに＋２０Ｖ、露出した電極１０３ｃには０Ｖとする。このようにして、導電性板状部材１０６が傾き、入射光が偏向される。このとき電極１０３ｂと電極１０３ｃの導電性板状部材１０６に対向する面積が同じであると、導電性板状部材１０６の電位は両電極の電位の中間になり、静電力が最大になる。このため、絶縁膜に覆われた電極とそれに隣り合う露出した電極の面積が同じな場合にもっとも効率がよい。次に、図４に示すように、電極１０３ｂ，１０３ｃ側に傾くと、導電性板状部材１０６は露出している電極１０３ｃに接し、電極１０３ｃの電位になる。この場合は０Ｖになる。そして、図５に示すように、電極１０３ｂの電位を＋２０Ｖから電極１０３ｃと同じ０Ｖにすると、電極１０３ａと導電性板状部材１０６間の静電力で導電性板状部材１０６は電極１０３ａ側に傾き始める。次に、図６に示すように、電極１０３ｃと導電性板状部材１０６が離れても、電荷が導電性板状部材１０６に蓄積しているため、導電性板状部材１０６は電極１０３ａ側に吸引され傾く。図７に示すように、電極１０３ａを０Ｖにし、電極１０３ｂの電位を＋２０Ｖにすると、導電性板状部材１０６は電極１０３ｂ，１０３ｃ側に静電力により吸引され、電極１０３ｂ，１０３ｃ側に傾く。このようにして、導電性板状部材１０６を傾けることで光を偏向することができる。
【００１９】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程について説明する。
図８〜図１６は本発明の第１の実施形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。なお、各図に示す光偏向装置では、導電性板状部材のサイズが２０μｍ角、導電性板状部材の傾斜角が１０゜の場合を例にした。各図において図１及び図２と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００２０】
先ず、図８に示すように、Siウェハを基板１０１とする場合、有機レジストを用い階調をもつフォトマスクでフォトリソグラフィによりマスクを形成し、SF6とO２の混合ガスによるＲＩＥ(Reactive Ion Etching)によりSiを２．０μｍエッチングして、支点部材１０５を形成する。熱酸化を５００ｎｍ行い、絶縁膜１０２を形成する。
【００２１】
そして、図９の（ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図である図９の（ａ）に示すように、電極１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃとなるTiN膜をスパッタ法で１５０ｎｍ成膜し、有機レジストを用いフォトリソグラフィでパターンニングする。Cl２ガスによるＲＩＥにてエッチングし、電極を形成する。SiH４とN２Oの混合ガスによるプラズマＣＤＶ法により、保護用の絶縁膜１０４を２５０ｎｍ成膜する。露出する電極１０３ｃ上の絶縁膜１０４はCF４とH２の混合ガスのＲＩＥによりエッチングして開口する。なお、図９の（ｃ）は図９の（ｂ）のＣ−Ｃ’線断面図である。
【００２２】
次に、図１０に示すように、SiH４の熱ＣＶＤ法で犠牲層１０８となるpoly-Siを４．０μｍ成膜する。CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により、平坦化する。
【００２３】
そして、図１１の（ｂ）のＤ−Ｄ’線断面図である図１１の（ａ）に示すように、導電性板状部材１０６となる金属膜、例えばAlやAl-Ti合金やCrなどを１００ｎｍ成膜する。フォトリソグラフィとCl２のＲＩＥでエッチングしパターンニングする。よって、導電性板状部材１０６の平面形状を形成する。
【００２４】
更に、図１２の（ｂ）のＥ−Ｅ’線断面図である図１２の（ａ）に示すように、アモルファスSi膜１０９をSiH４とH２の混合ガスのプラズマＣＶＤ法で２００ｎｍ成膜する。なお、図１２の（ｃ）は図１２の（ｂ）のＦ−Ｆ’線断面図である。
【００２５】
また、図１３の（ｂ）のＧ−Ｇ’線断面図である図１３の（ａ）に示すように、poly-Siの犠牲層１０８とアモルファスSi膜１０９をフォトリソグラフィとSF6とO２の混合ガスのＲＩＥでパターンニングする。なお、図１３の（ｃ）は図１３の（ｂ）のＨ−Ｈ’線断図である。
【００２６】
そして、図１４の（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面図である図１３の（ａ）に示すように、規制部材１０７となる部材、例えば酸化膜SiO２をSiH４とN２Oの混合ガスの熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法で５００ｎｍ成膜する。このとき、酸化膜は導電性板状部材１０６とアモルファスSi膜１０９が積層された段差をステップして覆う状態になる。フォトリソグラフィとCF４とH２の混合ガスのＲＩＥでエッチングする。その結果、規制部材１０７のパターンが形成される。配線をボンディングするパッド用のAlを成膜する。なお、図１４の（ｃ）は図１４の（ｂ）のＪ−Ｊ’線断図である。
【００２７】
次に、図１５の（ｂ）のＫ−Ｋ’線断面図である図１５の（ａ）に示すように、犠牲層１０８であるpoly-SiとアモルファスSi層１０９をTMAH(トリメチル・アンモニューム・ハイドレイド)でエッチングする。その結果導電性板状部材１０６は、規制部材１０７により位置が制限され飛び出さない状態で形成される。なお、図１５の（ｃ）は図１５の（ｂ）のＬ−Ｌ’線断図である。
【００２８】
最後に、図１６に示すように、導電性板状部材１０６が自由になり支点部材１０５にシーソー状に横たわるようになる。
【００２９】
図１７は本発明の第２の実施の形態に係る光偏向装置の構成を示す斜視図であり、図１７の（ａ）は導電性板状部材を配置していない斜視図、図１７の（ｂ）は導電性板状部材を配置した斜視図である。また、図１８は図１７の（ｂ）のＭ−Ｍ’線断面図である。各図において図１及び図２と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。両図に示すように、シリコン基板１０１上に支点部材１０５を形成し、酸化膜１０２で絶縁し、複数の電極、例えば４つの電極２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，２０３ｄを設け、酸化膜１０４など絶縁膜で覆う。光反射領域を持つ導電性板状部材１０６は支点部材１０５を支点としてシーソーのように回転移動できる位置に配置される。基板１０１上の電極群、例えば電極２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，２０３ｄにそれぞれ電圧を印加すると、導体膜である導電性板状部材１０６に電荷が現れ、電極側に静電力により引き付けられる。導電性板状部材１０６の移動を規制する規制部材１０７を形成し、導電性板状部材１０６が飛び出さないように移動範囲を制限する構造になっている。このような構成を有する本実施例の光偏向装置は、露出した電極２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，２０３ｄを設け、導電性板状部材１０６が傾き、この電極に電気的に接触して離れることで電荷が導電性板状部材１０６に保持されるようにし、他の電極の電位を変えることで静電力を制御し導電性板状部材１０６を駆動する構造と後述する駆動方法を有している。特に、この構造では次のようになっている。基板１０１上に絶縁膜を介し電極２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，２０３ｄがある。電極２０３ａと電極２０３ｄは露出し、面積は電極２０３ｂ,電極２０３ｄより小さい。反射部材と導体層からなる導電性板状部材１０６は基板１０１上の突起である支点部材１０５を支点にして傾斜している。導電性板状部材１０６は電極２０３ａまたは電極２０３ｂに接することができ、電気的に接触する。これら電極は導電性板状部材１０６に接触し、電荷をやりとりするのが目的で、それが可能な大きさであれば、小さくても十分である。一方、電極２０３ｂと電極２０３ｄは導電性板状部材１０６を駆動する電極で導電性板状部材１０６に対向する面積が大きい方が好ましい。また、支点に対し両側に導電性板状部材１０６が駆動されるため、静電力を生じさせる電極２０３ｂと電極２０３ｄは同じ面積が好ましい。
【００３０】
次に、図１９は第２の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。図２０は電極の平面略図である。
図１９の（ａ）に示すように、電極２０３ａと電極２０３ｄに０Ｖを加え、電極２０３ｂと電極２０３ｃに、交互に０ＶまたはＥ(Ｖ)を印加する。電位差が同じであれば、電極２０３ａ電極２０３ｄにＥ(Ｖ)を印加し、電極２０３ｂと電極２０３ｃに、交互にＥ(Ｖ)また０Ｖを印加する方法も可能である。仮に、導電性板状部材１０６が電極２０３ａ側に傾き電気的に接しているとする。例えば、駆動電位は次のように設定する。電極２０３ａ，２０３ｄに固定電位として０Ｖ、駆動電圧として電極２０３ｂが０Ｖ、電極２０３ｃが１０Ｖとする。この時、導電性板状部材１０６と電極２０３ｃの間に静電力が働き、導電性板状部材１０６は電極２０３ｃ側に傾こうとする。その後、図１９の（ｂ）に示すように、導電性板状部材１０６は電極２０３ａから離れ、電荷が導電性板状部材１０６に蓄積されている状態になる。この電荷と電極２０３ｃが引き合うため、導電性板状部材１０６は電極２０３ｃ側に傾斜して行く。そして、図１９の（ｃ）に示すように、電極２０３ｄに接する。導電性板状部材１０６の電位は再び０Ｖになる。次に、図１９の（ｄ）に示すように、今度は電極２０３ｃを０Ｖにし、電極２０３ｂに１０Ｖを印加する。導電性板状部材１０６の電位は０Ｖであるので、電極２０３ｂと導電性板状部材１０６間に静電力が働き、導電性板状部材１０６は電極２０３ｂ側に傾いて行く。そして、図１９の（ｅ）に示すように、電極２０３ｄと導電性板状部材１０６が離れて、電荷は導電性板状部材１０６に蓄積した状態となる。次に、導電性板状部材１０６の電荷と電極２０３ｂに静電力が働き続けるので、導電性板状部材１０６は電極２０３ｂ側に傾斜し、電極２０３ａに接する。
【００３１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程について説明する。
図２１〜図２９は本発明の第２の実施形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。なお、各図に示す光偏向装置では、導電性板状部材のサイズが２０μｍ角、導電性板状部材の傾斜角が１０゜の場合を例にした。各図において図１及び図２と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００３２】
先ず、図２１に示すように、Siウェハを基板１０１とする場合、Siウェハを基板１０１とする場合、有機レジストを用い、階調をもつフォトマスクでフォトリソグラフィによりマスクを形成し、SF6とO２の混合ガスによるＲＩＥ(Reactive Ion Etching)によりSiを２．０μｍエッチングして、支点部材１０５を形成する。熱酸化を５００ｎｍ行い、絶縁膜１０２を形成する。
【００３３】
次に、図２２に示すように、電極２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，２０３ｄとなるTiN膜をスパッタ法で１５０ｎｍ成膜し、有機レジストを用いフォトリソグラフィでパターンニングする。Cl２ガスによるＲＩＥにてエッチングし、電極を形成する。SiH４とN２Oの混合ガスによるプラズマＣＤＶ法により、保護用の絶縁膜１０４を２５０ｎｍ成膜する。露出する電極２０３ａ，２０３ｄの絶縁膜１０４はCF４とH２の混合ガスのＲＩＥによりエッチングして開口する。
【００３４】
そして、図２３に示すように、SiH４の熱ＣＶＤ法で犠牲層１０８となるpoly-Siを４．０μｍ成膜する。CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により、平坦化する。
【００３５】
次に、図２４の（ｂ）のＮ−Ｎ’線断面図である図２４の（ａ）に示すように、導電性板状部材１０６となる金属膜、例えばAlやAl-Ti合金やCrなどを１００ｎｍ成膜する。フォトリソグラフィとCl２のＲＩＥでエッチングしパターンニングする。よって、導電性板状部材１０６の平面形状を形成する。
【００３６】
また、図２５の（ｂ）のＯ−Ｏ’線断面図である図２５の（ａ）に示すように、アモルファスSi膜１０９をSiH４とH２の混合ガスのプラズマＣＶＤ法で２００ｎｍ成膜する。なお、図２５の（ｃ）は図２５の（ｂ）のＰ−Ｐ’線断面図である。
【００３７】
更に、図２６の（ｂ）のＱ−Ｑ’線断面図である図２６の（ａ）に示すように、犠牲層１０８であるpoly-SiとアモルファスSi膜１０９をフォトリソグラフィとSF6とO２の混合ガスのＲＩＥでパターンニングする。なお、図２６の（ｃ）は図２６の（ｂ）のＲ−Ｒ’線断面図である。
【００３８】
そして、図２７の（ｂ）のＳ−Ｓ’線断面図である図２７の（ａ）に示すように、規制部材１０７、例えば酸化膜SiO２をSiH４とN２Oの混合ガスの熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法で５００ｎｍ成膜する。このとき、酸化膜は導電性板状部材１０６とアモルファスSi膜１０９が積層された段差をステップして覆う状態になる。フォトリソグラフィとCF４とH２の混合ガスのＲＩＥでエッチングする。その結果規制部材１０７のパターンが形成される。配線をボンディングするパッド用のAlを成膜する。なお、図２７の（ｃ）は図２７の（ｂ）のＴ−Ｔ’線断面図である。
【００３９】
次に、図２８の（ｂ）のＵ−Ｕ’線断面図である図２８の（ａ）に示すように、犠牲層１０８であるpoly-SiとアモルファスSi膜１０９をTMAH(トリメチル・アンモニューム・ハイドレイド)でエッチングする。その結果導電性板状部材１０６は、規制部材１０７により位置が制限され飛び出さない状態で形成される。なお、図２８の（ｃ）は図２８の（ｂ）のＶ−Ｖ’線断面図である。
【００４０】
最後に、図２９に示すように、導電性板状部材１０６が自由になり支点部材１０５にシーソー状に横たわるようになる。
【００４１】
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内の記載であれば多種の変形や置換可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光偏向装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１の（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図４】第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図５】第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図６】第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図７】第１の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図８】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１３】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１４】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１５】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１６】第１の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る光偏向装置の構成を示す斜視図である。
【図１８】図１７の（ｂ）のＭ−Ｍ’線断面図である。
【図１９】第２の実施の形態の光偏向装置の駆動原理を示す構成図である。
【図２０】電極の平面略図である。
【図２１】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２２】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２３】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２４】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２６】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２７】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２８】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２９】第２の実施の形態に係る光偏向装置の製造工程を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０１；シリコン基板、１０２，１０４；酸化膜、
１０３ａ〜１０３ｄ，２０３ａ〜２０３ｄ；電極、
１０５；支点部材、１０６；導電性板状部材、１０７；規制部材、
１０８；犠牲層、１０９；アモルファスSi膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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