(57)【要約】【課題】  ホスト材料層の膜質を低下させることなしにゲスト材料の機能を効果的に発揮させ、発光効率を向上させることができる電界発光装置又は装置と、これらを比較的容易に作製することが可能な製造方法を提供すること。【解決手段】  発光層１０４が、ホスト材料層１０４ａ、１０４ｃに、ゲスト材料の粒子１０４ｂ、１０４ｄが不連続に分子状に付着若しくは分布してなる構造を有していることを特徴とする有機電界発光素子１００と、蒸着時間によってゲスト材料の粒子の付着を制御する製造方法。【選択図】          図１
2005203247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を有する電界発光素子において、
前記発光層が、
ホスト材料層に、ゲスト材料の粒子が不連続に分布してなる構造を有している
ことを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記ゲスト材料の粒子がほぼ分子の状態で分布している、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項３】
前記ゲスト材料の粒子が１００個／μｍ2以下の面積比率で点在している、請求項２に記載した電界発光素子。
【請求項４】
複数の前記ホスト材料層間の界面に、前記ゲスト材料の粒子が挟持されている、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項５】
前記ゲスト材料の粒子が少なくとも３層の前記ホスト材料層間の各界面にそれぞれ存在している、請求項４に記載した電界発光素子。
【請求項６】
前記ゲスト材料が、発光効率を制御するための材料である、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項７】
少なくとも２種類の発光が得られるように、前記発光層を少なくとも２種類有する、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項８】
陽極、正孔輸送層、前記発光層、電子輸送層及び陰極がこの順に積層されている、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項９】
有機電界発光素子として構成されている、請求項８に記載した電界発光素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載した電界発光素子を有する電界発光装置。
【請求項１１】
前記電界発光素子の複数個が各画素を構成している、請求項１０に記載した電界発光装置。
【請求項１２】
発光層を有する電界発光素子、又はこの電界発光素子を有する電界発光装置の製造方法において、
ホスト材料層を形成する工程と、
ゲスト材料の粒子を前記ホスト材料層上に不連続に付着させる工程と
を有することを特徴とする、電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ゲスト材料の粒子をほぼ分子の状態で付着させる、請求項１２に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ゲスト材料の粒子を１００個／μｍ2以下の面積比率で点在させる、請求項１３に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ホスト材料層を形成した後、このホスト材料層上に前記ゲスト材料の粒子を付着させ、更にこの粒子を含む前記ホスト材料層上に第２のホスト材料層を形成する、請求項１２に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２のホスト材料層上に前記ゲスト材料の粒子を付着させ、更にこの粒子を含む前記第２のホスト材料層上に第３のホスト材料層を形成することにより、前記ゲスト材料の粒子が少なくとも３層のホスト材料層間の各界面にそれぞれ存在させる、請求項１５に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ゲスト材料として、発光効率を制御するための材料を用いる、請求項１２に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１８】
少なくとも２種類の発光が得られるように、前記発光層を少なくとも２種類有する電界発光素子を製造する、請求項１２に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項１９】
陽極、正孔輸送層、前記発光層、電子輸送層及び陰極がこの順に積層された電界発光素子を製造する、請求項１２に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項２０】
有機電界発光素子としての前記電界発光素子を製造する、請求項１９に記載した電界発光素子又は装置の製造方法。
【請求項２１】
前記電界発光素子の複数個によって各画素を構成する、請求項１２〜２０のいずれか１項に記載した電界発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子又は装置、及びこれらの製造方法に関し、例えば、自発光の平面型ディスプレイであって、特に、有機薄膜を電界発光層に用いる有機電界発光素子と、これを有する有機電界発光装置、及びこれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア指向の商品を初めとして、人間と機械とのインターフェースの重要性が高まってきている。人間がより快適に効率良く機械操作するためには、操作される機械からの情報を誤りなく、簡潔に、瞬時に、充分な量で取り出す必要があり、そのために、ディスプレイを初めとする様々な表示素子について研究が行われている。
【０００３】
また、機械の小型化に伴い、表示素子の小型化、薄型に対する要求も日々、高まっているのが現状である。
【０００４】
例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、ノート型ワードプロセッサなどの、表示素子一体型であるラップトップ型情報処理機器の小型化には目を見張る進歩があり、それに伴い、その表示素子である液晶ディスプレイに関しての技術革新も素晴らしいものがある。
【０００５】
今日、液晶ディスプレイは、様々な製品のインターフェースとして用いられており、ラップトップ型情報処理機器はもちろんのこと、小型テレビや時計、電卓を初めとして、我々の日常使用する製品に多く用いられている。
【０００６】
これらの液晶ディスプレイは液晶が低電圧駆動、低消費電力であるという特徴を生かし、小型から大容量表示デバイスに至るまで、人間と機械のインターフェースとして、表示素子の中心として研究されてきた。
【０００７】
しかし、この液晶ディスプレイは自発光性でないため、バックライトを必要とし、このバックライト駆動に、液晶を駆動するよりも大きな電力を必要とするため、結果的に内蔵蓄電池等では使用時間が短くなり、使用上の制限がある。
【０００８】
更に、液晶ディスプレイは、視野角が狭いため、大型ディスプレイ等の大型表示素子には適していないと共に、液晶分子の配向状態による表示方法であるので、視野角の中においても、角度によりコントラストが変化してしまうのも大きな問題である。
【０００９】
また、駆動方式から考えれば、駆動方式の一つであるアクティブマトリクス方式は、動画を扱うに十分な応答速度を示すが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動回路を用いるため、画素欠陥により画面サイズの大型化が困難である。ＴＦＴ駆動回路を用いることは、コストダウンの点から考えても好ましくない。
【００１０】
別の駆動方式である単純マトリクス方式は、低コストである上に画面サイズの大型化が比較的容易であるが、動画を扱うに十分な応答速度を有していないという問題がある。
【００１１】
これに対し、自発光性表示素子は、プラズマ表示素子、無機電界発光素子、有機電界発光素子等が研究されている。
【００１２】
プラズマ表示素子は低圧ガス中でのプラズマ発光を表示に用いたもので、大型化、大容量化に適しているが、薄型化、コストの面での問題を抱えている。また、駆動に高電圧の交流バイアスを必要とし、携帯用デバイスには適していない。
【００１３】
無機電界発光素子は、緑色発光ディスプレイ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同様に、交流バイアス駆動であり、駆動には数百Ｖ必要であり、またフルカラー化は困難であると思われる。
【００１４】
一方、有機化合物による電界発光現象は、1960年代前半に、強く螢光を発生するアントラセン単結晶へのキャリア注入による発光現象が発見されて以来、長い期間、研究されてきたが、低輝度、単色で、しかも単結晶であったため、有機材料へのキャリア注入という基礎的研究として行われていた。
【００１５】
しかし、1987年にEastman Kodak 社のTangらが低電圧駆動、高輝度発光が可能なアモルファス発光層を有する積層構造の有機薄膜電界発光素子を発表して以来、各方面で、Ｒ、Ｇ、Ｂの三原色の発光、安定性、輝度上昇、積層構造、作製方法等の研究開発が盛んに行われている。
【００１６】
さらに、有機材料の特徴であるが、分子設計等により様々な新規材料が発明され、直流低電圧駆動、薄型、自発光性等の優れた特徴を有する、有機電界発光表示素子のカラーディスプレイへの応用研究も盛んに行われ始めている。
【００１７】
有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と称することがある。）は、１μｍ以下の膜厚であり、電流を注入することにより電気エネルギーを光エネルギーに変換して面状に発光するなど、自発光型の表示デバイスとして理想的な特徴を有している。
【００１８】
図９は、従来の有機ＥＬ素子１０の一例（ボトムエミッション型）を示す。この有機ＥＬ素子１０は、透明基板（例えばガラス基板）１上に、ＩＴＯ（Indium tin oxide）やＩＺＯ（Indium zinc oxide）からなる透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、陰極（例えばアルミニウム電極）７を例えば真空蒸着法やスピンコート法で順次成膜したものである。
【００１９】
そして、陽極である透明電極２と陰極７との間に直流電圧９を選択的に印加することによって、透明電極２から注入されたキャリアとしての正孔が正孔輸送層３を経て、また陰極７から注入された電子が電子輸送層５を経て移動し、発光層４中で電子−正孔の再結合が生じ、ここから所定波長の発光８が生じ、透明基板１の側から観察できる。
【００２０】
発光層４には、例えばアントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン等の発光物質を使用してよい。これは、電子輸送層５に含有させることができる。
【００２１】
図１０は、別の従来例（ボトムエミッション型）を示すものであり、この例においては、発光層４を省略し、電子輸送層５に上記の発光物質を含有させ、電子輸送層５と正孔輸送層３との界面から所定波長の発光１８が生じるように構成した有機ＥＬ素子２０を示すものである。
【００２２】
図１１は、上記の有機ＥＬ素子を発光装置としてディスプレイに適用した応用例を示す。即ち、各有機層（正孔輸送層３、発光層４又は電子輸送層５）の積層体を陰極７と陽極２との間に配するが、これらの電極をマトリクス状に交差させてストライプ状に設け、輝度信号回路３０、シフトレジスタ内蔵の制御回路３１によって時系列に信号電圧を印加し、多数の交差位置（画素）にてそれぞれ発光させるように構成している。
【００２３】
従って、このような構成により、ディスプレイとして勿論、画像再生装置としても使用可能となる。なお、上記のストライプパターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、フルカラー又はマルチカラー用として構成することができる。
【００２４】
こうした有機ＥＬ素子を用いた、複数の画素からなる表示デバイスにおいて、発光する有機薄膜層３、４、５は、透明電極２と金属電極７との間に挟まれており、透明電極２側に発光する。これに代えて、金属電極７を薄くして光透過性とし、透明電極２側に反射層を設けることにより、金属電極７側から発光を取り出すこともできる。
【００２５】
図９に示した有機ＥＬ素子１０の具体例を図１２に示すと、ガラス又はポリカーボネート等からなる基板１上に、ＩＴＯやＩＺＯといった可視光に対して透明な陽極２が蒸着され、この上に、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、電子注入層６、ＡｌＳｉＣｕやＭｇＡｇ等からなる陰極７が蒸着されている。この場合、発光層４において、一般に、ホスト材料と称される母体材料に対して、ゲスト材料と称される不純物（ドーパント）が混入されることにより、投入電力に対する発光量（発光効率又は変換効率）が高められる［例えば、後記の非特許文献１（J.Appl.Phys.65(9),(1989),P3610-3616）、後記の特許文献１（特開平９−２３２０７７号公報）など参照］。
【００２６】
そして、真空蒸着法では、例えばＡｌｑ3（アルミニウムキノリノール錯体）からなるホスト材料と、例えばクマリンからなるゲスト材料とを異なる温度に加熱して同時に蒸着する、共蒸着と称される方法が用いられる。スピンコート法では、ホスト材料の溶液に所望の濃度のゲスト材料を溶解し、これをスピンコートすることが行われる。
【００２７】
【非特許文献１】J.Appl.Phys.65(9),(1989),P3610-3616
【特許文献１】特開平９−２３２０７７号公報（特許請求の範囲、第８欄３９行目〜第１０欄１６行目、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
しかしながら、ホスト材料に混入されるゲスト材料の濃度が高すぎると（図１３に示すように、例えばクマリン濃度が１質量％以上になると）、濃度消光と言われる発光効率の低下が起こる。これは、ゲスト材料の不均一な分散状態が生じ、ゲスト材料の分子同士の相互作用により、光エネルギーとならずに熱に変化する割合が増えるからであると考えられる。ところが、一般にゲスト材料の蒸着速度は非常に小さく、厳密にゲスト材料の蒸着速度を制御するためには、精密な温度制御を必要とする。また、ホスト材料に対して不純物を混入させているために、ホスト材料単独の発光層に比較して膜質が低下し、これも発光効率を低下させる要因となることがある。
【００２９】
本発明の目的は、ホスト材料層の膜質を低下させることなしにゲスト材料の機能を効果的に発揮させ、発光効率を向上させることができる電界発光素子又は装置と、これらを比較的容易に作製することが可能な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
即ち、本発明は、発光層を有する電界発光素子において、
前記発光層が、
ホスト材料層に、ゲスト材料の粒子が不連続に分布してなる構造を有していることを  特徴とする電界発光素子に係り、かつこの電界発光素子を有する電界発光装置にも係る  ものである。
【００３１】
また、本発明は、発光層を有する電界発光素子、又はこの電界発光素子を有する電界発光装置の製造方法において、
ホスト材料層を形成する工程と、
ゲスト材料の粒子を前記ホスト材料層上に不連続に付着させる工程と
を有することを特徴とする、電界発光素子又は装置の製造方法も提供するものである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ホスト材料層にゲスト材料の粒子が不連続に分布してなる構造によって、発光層を構成しているので、ホスト材料層はホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができると共に、ホスト材料層に不連続に分布しているゲスト材料は、分子同士が接触しないか或いは接触することが少ないために、分子間の相互作用が著しく減少するか或いはなくなり、濃度消光を大幅に減少させ或いはなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【００３３】
しかも、ゲスト材料の粒子は、例えば真空蒸着時の蒸着時間等をコントロールすることによって、ホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明においては、上記した効果を十分に得るためには、前記ゲスト材料の粒子がほぼ分子（特に１分子）の状態で分布していること、特に１００個／μｍ2以下（更には３０個μｍ2以下、例えば１分子のサイズを３ｎｍとすると１０分子／μｍ2程度）の面積比率で点在しているのが望ましい。
【００３５】
また、前記ホスト材料層の膜質を保持しつつ前記ゲスト材料による発光効率の制御を行うための効果的な素子の層構成としては、複数の前記ホスト材料層間の界面に、前記ゲスト材料の粒子が挟持されているのがよい。この場合、前記ホスト材料層を形成した後、このホスト材料層上に前記ゲスト材料の粒子を付着させ、更にこの粒子を含む前記ホスト材料層上に第２のホスト材料層を形成する。
【００３６】
特に、前記ゲスト材料の粒子が少なくとも３層の前記ホスト材料層間の各界面にそれぞれ存在しているのがよい。この場合には、前記第２のホスト材料層上に前記ゲスト材料の粒子を付着させ、更にこの粒子を含む前記第２のホスト材料層上に第３のホスト材料層を形成する。
【００３７】
また、少なくとも２種類の発光が得られるように、前記発光層を少なくとも２種類有すること、特に、同一基板内に赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層等のうち、少なくとも２色の発光光を放出するフルカラー又はマルチカラー用の構造とするのがよい。この場合、ディスプレイ用として、電界発光素子の複数個が各画素を構成している。
【００３８】
各電界発光素子は、陽極、正孔輸送層、前記発光層、電子輸送層及び陰極がこの順に積層されているのがよいが、発光層を省略して電子輸送層が発光層を兼用する構造としてもよい。
【００３９】
このような電界発光素子は、有機電界発光素子として構成されるのがよいが、各素子構成層は真空蒸着法やスピンコート法等によって成膜することができる。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明の好ましい実施例を図面参照下に説明する。
【００４１】
実施例１
図１〜図３は、本実施例による有機ＥＬ素子１００とその製造方法を概略的に示すものである。
【００４２】
有機ＥＬ素子１００の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１０１をスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１０２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【００４３】
次に、このガラス基板１０１を図２に示す真空蒸着装置１１０内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。この装置１１０の内部には、例えばアーム１１１の下に固定された一対の支持手段１１２が設けられ、これらの支持手段１１２−１１２の間には、基板１０１が下向きに設置されると共に、基板１０１の下方には、支軸に支持されたシャッター（図示省略）を所定個数の各種蒸着源１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８が配置される。これらの各蒸着源は、ランプ加熱方式又は抵抗加熱方式で加熱されるが、この例では有機材料の場合はランプ加熱が採用される（以下の例も同様）。
【００４４】
次に、正孔輸送層材料であるビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（以下、α−ＮＰＤと称する。）の蒸着源１１３をランプ（図示せず：以下、同様）により加熱し、図１（Ａ）に示すように、陽極１０２上に正孔輸送層１０３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００４５】
次に、正孔輸送層１０３上に発光層１０４の蒸着を行う。図１（Ｂ）は、この発光層１０４を拡大して示した概略図である。
【００４６】
発光層１０４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3と称する。）の蒸着源１１４をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１０４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。この際、蒸着源１１４上のシャッター１２０を仮想線位置から実線位置へと移動させ、蒸着源１１４上を開放しておく（以下、同様）。
【００４７】
しかる後に、発光層のゲスト材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（以下、クマリン６と称する。）の蒸着源１１５をランプ加熱により加熱し、クマリン６のみを蒸着させることにより、ホスト材料層１０４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。この際、蒸着源１１５上のシャッター１２１を仮想線位置から実線位置へと移動させ、蒸着源１１５上を開放しておくと共に、上記したシャッター１２０は仮想線位置に戻しておく（以下、同様）。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示するように、ゲスト材料１０４ｂがほぼ１分子分の粒子として点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなり、その分布の面積比率は１０個／μｍ2程度である（以下、同様）。これは、図３に示す蒸着時間−蒸着膜厚の相関関係に基づいて、蒸着時間を制御することによって得られるものであり、蒸着時間を３０秒以下、例えば１０秒程度とする。蒸着膜厚の測定は、図示省略した膜厚計で行う。
【００４８】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源１１４のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１０４ｂを含むようにホスト材料層１０４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１０４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源１１５のクマリン６をランプ加熱し、クマリン６のみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１０４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源１１４のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１０４ｄを含むようにホスト材料層１０４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１０４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００４９】
次に、電子輸送層材料である２−（４−tert−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと称する。）の蒸着源１１６をランプ加熱により加熱し、発光層１０４上に電子輸送層１０５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００５０】
次に、ＬｉＦの蒸着源１１７を抵抗加熱により加熱し、電子輸送層１０５上に電子注入層１０６を０．３ｎｍの厚さに蒸着し、更にＡｌＳｉＣｕ合金の蒸着源１１８を抵抗加熱により加熱し、電子注入層１０６上に陰極１０７を３００ｎｍの厚さに蒸着する。
【００５１】
こうして、緑色を発光するボトムエミッション型（基板１０１側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１００を作製する。なお、上記したスパッタリングや蒸着の条件は、後述の他の実施例においても同様とする。
【００５２】
この有機ＥＬ素子１００によれば、発光層１０４において、ホスト材料層１０４ａ、１０４ｃに、ゲスト材料の粒子（分子）１０４ｂ、１０４ｄをそれぞれ不連続に付着若しくは分布してなる構造となっているので、ホスト材料層１０４ａ、１０４ｃ、１０４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１０４ａ、１０４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１０４ｂ、１０４ｄは、分子同士が接触していないために、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【００５３】
しかも、ゲスト材料１０４ｂ、１０４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【００５４】
実施例２
図４は、本実施例による有機ＥＬ素子１３０を概略的に示すものである。
【００５５】
有機ＥＬ素子１３０の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１３１を上記した真空蒸着装置内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。
【００５６】
次に、真空蒸着装置内に設置したＡｌＳｉＣｕ合金の蒸着源を抵抗加熱により加熱し、ガラス基板１３１上に陰極１３７を１００ｎｍの厚さに蒸着する。更に、ＬｉＦの蒸着源を抵抗加熱により加熱し、陰極１３７上に電子注入層１３６を０．３ｎｍの厚さに蒸着する。
【００５７】
次に、真空蒸着装置内に設置した電子輸送層材料であるＰＢＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、電子注入層１３６上に電子輸送層１３５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００５８】
次に、電子輸送層１３５上に発光層１３４の蒸着を行う。図４（Ｂ）は、この発光層１３４を拡大して示した概略図である。
【００５９】
発光層１３４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるＡｌｑ3の蒸着源をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１３４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００６０】
しかる後に、発光層のゲスト材料であるクマリン６の蒸着源をランプ加熱により加熱し、クマリン６のみを蒸着させることにより、ホスト材料層１３４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示したと同様に、ゲスト材料１３４ｂがほぼ１分子分の粒子として１０個／μｍ2程度の面積比率で点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなる（以下、同様）。
【００６１】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１３４ｂを含むようにホスト材料層１３４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１３４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源のクマリン６をランプ加熱し、クマリン６のみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１３４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１３４ｄを含むようにホスト材料層１３４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１３４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００６２】
次に、真空蒸着装置内に設置した正孔輸送層材料であるα−ＮＰＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、発光層１３４上に正孔輸送層１３３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００６３】
次に、真空蒸着装置から、上記の各層を成膜したガラス基板１３１を取り出してスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１３２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【００６４】
こうして、緑色を発光するトップエミッション型（基板１３１とは反対側の陽極１３２側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１３０を作製する。
【００６５】
この有機ＥＬ素子１３０によれば、発光層１３４において、ホスト材料層１３４ａ、１３４ｃに、ゲスト材料の粒子１３４ｂ、１３４ｄをそれぞれ不連続に付着若しくは分布してなる構造となっているので、ホスト材料層１３４ａ、１３４ｃ、１３４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１３４ａ、１３４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１３４ｂ、１３４ｄは、分子同士が接触していないので、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【００６６】
しかも、ゲスト材料１３４ｂ、１３４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【００６７】
実施例３
図５は、本実施例による有機ＥＬ素子１４０を概略的に示すものである。
【００６８】
有機ＥＬ素子１４０の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１４１をスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１４２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【００６９】
次に、このガラス基板１４１を真空蒸着装置内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。
【００７０】
次に、真空蒸着装置内に正孔輸送材料であるα−ＮＰＤの蒸着源をランプにより加熱し、陽極１４２上に正孔輸送層１４３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００７１】
次に、正孔輸送層１４３上に発光層１４４の蒸着を行う。図５（Ｂ）は、この発光層１４４を拡大して示した概略図である。
【００７２】
発光層１４４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるＡｌｑ3の蒸着源をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１４４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００７３】
しかる後に、発光層のゲスト材料である１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以下、ＴＰＢと称する。）の蒸着源をランプ加熱により加熱し、ＴＰＢのみを蒸着させることにより、ホスト材料層１４４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示したと同様に、ゲスト材料１４４ｂがほぼ１分子分の粒子として１０個／μｍ2程度の面積比率で点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなる（以下、同様）。
【００７４】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１４４ｂを含むようにホスト材料層１４４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１４４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源のＴＰＢをランプ加熱し、ＴＰＢのみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１４４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１４４ｄを含むようにホスト材料層１４４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１４４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００７５】
次に、真空蒸着装置内に設置した電子輸送層材料であるＰＢＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、発光層１４４上に電子輸送層１４５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００７６】
次に、真空蒸着装置内に設置したＬｉＦの蒸着源を抵抗加熱により加熱し、電子輸送層１４５上に電子注入層１４６を０．３ｎｍの厚さに蒸着し、更に、ＡｌＳｉＣｕ合金の蒸着源を抵抗加熱により加熱し、電子注入層１４６上に陰極１４７を３００ｎｍの厚さに蒸着する。
【００７７】
こうして、青色を発光するボトムエミッション型（基板１４１側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１４０を作製する。
【００７８】
この有機ＥＬ素子１４０によれば、発光層１４４において、ホスト材料層１４４ａ、１４４ｃに、ゲスト材料の粒子（分子）１４４ｂ、１４４ｄをそれぞれ不連続に付着若しくは分布してなる構造となっているので、ホスト材料層１４４ａ、１４４ｃ、１４４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１４４ａ、１４４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１４４ｂ、１４４ｄは、分子同士が接触していないために、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【００７９】
しかも、ゲスト材料１４４ｂ、１４４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【００８０】
実施例４
図５は、本実施例による有機ＥＬ素子１５０を概略的に示すものである。
【００８１】
有機ＥＬ素子１５０の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１５１を上記した真空蒸着装置内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。
【００８２】
次に、真空蒸着装置内に設置したＡｌＳｉＣｕ合金を蒸着源の抵抗加熱により加熱し、ガラス基板１５１上に陰極１５７を１００ｎｍの厚さに蒸着する。更に、ＬｉＦの蒸着源を抵抗加熱により加熱し、陰極１５７上に電子注入層１４６を０．３ｎｍの厚さに蒸着する。
【００８３】
次に、真空蒸着装置内に設置した電子輸送層材料であるＰＢＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、電子注入層１５６上に電子輸送層１５５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００８４】
次に、電子輸送層１５５上に発光層１５４の蒸着を行う。図６（Ｂ）は、この発光層１５４を拡大して示した概略図である。
【００８５】
発光層１５４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるＡｌｑ3の蒸着源をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１５４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００８６】
しかる後に、発光層のゲスト材料であるＴＰＢの蒸着源をランプ加熱により加熱し、ＴＰＢのみを蒸着させることにより、ホスト材料層１５４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示したと同様に、ゲスト材料１５４ｂがほぼ１分子分の粒子として１０個／μｍ2程度の面積比率で点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなる。
【００８７】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１５４ｂを含むようにホスト材料層１５４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１５４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源のＴＰＢをランプ加熱し、ＴＰＢのみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１５４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１５４ｄを含むようにホスト材料層１５４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１５４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００８８】
次に、真空蒸着装置内に設置した正孔輸送層材料であるα−ＮＰＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、発光層１５４上に正孔輸送層１５３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００８９】
次に、真空蒸着装置から、上記の各層を成膜したガラス基板１５１を取り出してスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１５２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【００９０】
こうして、青色を発光するトップエミッション型（基板１５１とは反対側の陽極１５２側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１５０を作製する。
【００９１】
この有機ＥＬ素子１５０によれば、発光層１５４において、ホスト材料層１５４ａ、１５４ｃに、ゲスト材料の粒子（分子）１５４ｂ、１５４ｄをそれぞれ不連続に付着若しくは分布してなる構造となっているので、ホスト材料層１５４ａ、１５４ｃ、１５４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１５４ａ、１５４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１５４ｂ、１５４ｄは、分子同士が接触していないので、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【００９２】
しかも、ゲスト材料１５４ｂ、１５４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【００９３】
実施例５
図７は、本実施例による有機ＥＬ素子１６０を概略的に示すものである。
【００９４】
有機ＥＬ素子１６０の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１６１をスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１６２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【００９５】
次に、このガラス基板１６１を真空蒸着装置内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。
【００９６】
次に、真空蒸着装置内に正孔輸送材料であるＮＰＤの蒸着源をランプにより加熱し、陽極１６２上に正孔輸送層１６３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【００９７】
次に、正孔輸送層１６３上に発光層１６４の蒸着を行う。図７（Ｂ）は、この発光層１６４を拡大して示した概略図である。
【００９８】
発光層１６４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるＡｌｑ3の蒸着源をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１６４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【００９９】
しかる後に、発光層のゲスト材料である４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＭと称する。）の蒸着源をランプ加熱により加熱し、ＤＣＭのみを蒸着させることにより、ホスト材料層１６４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示したと同様に、ゲスト材料１６４ｂがほぼ１分子分の粒子として１０個／μｍ2程度の面積比率で点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなる（以下、同様）。
【０１００】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１６４ｂを含むようにホスト材料層１６４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１６４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源のＤＣＭをランプ加熱し、ＤＣＭのみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１６４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１６４ｄを含むようにホスト材料層１６４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１６４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１０１】
次に、真空蒸着装置内に設置した電子輸送層材料であるＰＢＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、発光層１６４上に電子輸送層１６５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１０２】
次に、真空蒸着装置内に設置したＬｉＦの蒸着源を抵抗加熱により加熱し、電子輸送層１６５上に電子注入層１６６を０．３ｎｍの厚さに蒸着し、更に、ＡｌＳｉＣｕ合金の蒸着源を抵抗加熱により加熱し、電子注入層１６６上に陰極１６７を３００ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１０３】
こうして、赤色を発光するボトムエミッション型（基板１６１側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１６０を作製する。
【０１０４】
この有機ＥＬ素子１６０によれば、発光層１６４において、ホスト材料層１６４ａ、１６４ｃに、ゲスト材料の粒子（分子）１６４ｂ、１６４ｄをそれぞれ不連続に付着してなる構造となっているので、ホスト材料層１６４ａ、１６４ｃ、１６４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１６４ａ、１６４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１６４ｂ、１６４ｄは、分子同士が接触していないために、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【０１０５】
しかも、ゲスト材料１６４ｂ、１６４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【０１０６】
実施例６
図８は、本実施例による有機ＥＬ素子１７０を概略的に示すものである。
【０１０７】
有機ＥＬ素子１７０の製造方法を説明すると、まず、よく洗浄したガラス基板１７１を上記した真空蒸着装置内に設置し、５×１０-5Ｐａ以下の真空状態とする。
【０１０８】
次に、真空蒸着装置内に設置したＡｌＳｉＣｕ合金の蒸着源を抵抗加熱により加熱し、ガラス基板１７１上に陰極１７７を１００ｎｍの厚さに蒸着する。更に、ＬｉＦの蒸着源を抵抗加熱により加熱し、陰極１７７上に電子注入層１７６を０．３ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１０９】
次に、真空蒸着装置内に設置した電子輸送層材料であるＰＢＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、電子注入層１７６上に電子輸送層１７５を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１１０】
次に、電子輸送層１７５上に発光層１７４の蒸着を行う。図８（Ｂ）は、この発光層１７４を拡大して示した概略図である。
【０１１１】
発光層１７４の蒸着方法を説明すると、発光層のホスト材料であるＡｌｑ3の蒸着源をランプ加熱により加熱し、Ａｌｑ3のみのホスト材料層１７４ａを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１１２】
しかる後に、発光層のゲスト材料であるＤＣＭの蒸着源をランプ加熱により加熱し、ＤＣＭのみを蒸着させることにより、ホスト材料層１７４ａ上にデルタドープ層を数ｎｍ以下の厚さに形成する。このデルタドープ層は、図１（Ｃ）に明示したと同様に、ゲスト材料１７４ｂがほぼ１分子分の粒子として１０個／μｍ2程度の面積比率で点在して（即ち、分子同士が接触しない状態で）付着したものからなる（以下、同様）。
【０１１３】
しかる後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱により加熱し、ゲスト材料１７４ｂを含むようにホスト材料層１７４ａ上にＡｌｑ3のみのホスト材料層１７４ｃを１５ｎｍの厚さに蒸着する。そして、上記したと同様にして、蒸着源のＤＣＭをランプ加熱し、ＤＣＭのみを１分子分蒸着させることによりデルタドープ層としてのゲスト材料１７４ｄを数ｎｍ以下の厚さに形成する。最後に、上記したと同様にして、蒸着源のＡｌｑ3をランプ加熱して、ゲスト材料１７４ｄを含むようにホスト材料層１７４ｃ上にＡｌｑ3のみからなるホスト材料層１７４ｅを１５ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１１４】
次に、真空蒸着装置内に設置した正孔輸送層材料であるα−ＮＰＤの蒸着源をランプ加熱により加熱し、発光層１７４上に正孔輸送層１７３を５０ｎｍの厚さに蒸着する。
【０１１５】
次に、真空蒸着装置から、上記の各層を成膜したガラス基板１７１を取り出してスパッタリング装置内に設置し、ＩＴＯからなる透明電極としての陽極１７２を２００ｎｍの厚さに成膜する。
【０１１６】
こうして、赤色を発光するトップエミッション型（基板１７１とは反対側の陽極１７２側から光を取り出す型）の有機ＥＬ素子１７０を作製する。
【０１１７】
この有機ＥＬ素子１７０によれば、発光層１７４において、ホスト材料層１７４ａ、１７４ｃに、ゲスト材料の粒子１７４ｂ、１７４ｄをそれぞれ不連続に付着してなる構造となっているので、ホスト材料層１７４ａ、１７４ｃ、１７４ｅはその層中にゲスト材料をドープしたものではなく、ホスト材料の分子のみからなるために、その膜質を良好に保持することができる。しかも、ホスト材料層１７４ａ、１７４ｃに不連続に付着しているゲスト材料１７４ｂ、１７４ｄは、分子同士が接触していないので、分子間の相互作用がなくなり、濃度消光をなくすことができる。これによって、発光効率を向上させることが可能となる。
【０１１８】
しかも、ゲスト材料１７４ｂ、１７４ｄは、真空蒸着時の蒸着時間をコントロールすることによってホスト材料層上に所望の面積比率で不連続に付着させることができることから、発光効率を向上させるために必要なゲスト材料の濃度（分布又は付着量）を容易かつ精度良く実現することができる。
【０１１９】
以上、本発明の実施例を説明したが、上述した実施例は本発明の技術的思想に基づいて様々に変形することができる。
【０１２０】
上述した実施例において、ホスト材料層間の界面にゲスト材料の粒子が不連続に点在して存在させたが、その層厚はゲスト材料分子の一分子層厚又はそれよりも薄くする必要がある。何故ならば、一分子層以上にゲスト材料が積層してしまうと、ゲスト材料の分子同士の相互作用により濃度消光による効率の悪化が発生し易いからである。但し、濃度消光が許容される範囲であれば、ゲスト材料の分子同士が面方向においてある程度接触し合っていてよいし、層厚方向にある程度重なりあっていてもよい。
【０１２１】
また、上記した実施例においては、デルタドーピングを２回行ったが、それ以上の回数もしくは１回のみ行っても上述したと同様の効果が得られる。こうしたドーピングの回数によってドーピング量（即ち、発光効率）の制御が可能である。但し、分子同士が相互作用を起こさない程度に、デルタドーピング層間が離れていることを要し、その層間の距離は５ｎｍ以上が好ましく、更に好ましくは１０ｎｍ以上とする。デルタドーピングを複数回行う場合、各層のゲスト材料は、上述した実施例のように同一材料である以外にも、異なる材質を使用してもよい。
【０１２２】
また、上述した実施例においては、発光層が一種類である場合を示したが、２種類以上の発光層を積層構造とする場合にも上述したと同様の効果が得られる。また、それぞれの発光層は同一基板内において積層されずに、それぞれ独立に形成されている場合、例えば緑色発光層、青色発光層、赤色発光層の少なくとも２種が並置され、マルチカラー又はフルカラーの発光を行わせることもできる。例えば、図１１に示したように、各発光素子によって各画素を構成したディスプレイを作製することができる。
【０１２３】
また、上述した実施例において、発光層の材料として、Ａｌｑ3−クマリン６、Ａｌｑ3−ＴＰＢ、Ａｌｑ3−ＤＣＭの組み合わせ例を示したが、これら以外のいかなるゲスト材料とホスト材料との組み合わせでも、本発明の効果を得ることができる。また、正孔輸送層材料としてはα−ＮＰＤ以外にも、例えばＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジエニル）、ＴＰＡＣ（１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン）などを用いることができる。電子輸送層材料としては、ＰＢＤ以外にも、Ａｌｑ3、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）などを用いることができる。
【０１２４】
更に、上述した有機ＥＬ素子の層構成も変更してよく、例えば正孔注入層を設けてよいし、また電子輸送層を発光層として兼用することもでき、電子注入層は設けることを要しないこともある。また、基板や電極の材質も上述したものに限られることはない。また、トップエミッション型の層構成として、上述したもの以外にも、例えばボトムエミッション型と同様の層構成であって、陰極を光透過性の厚みとし、陽極側に反射層を設けた構造としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の実施例１による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）、発光層の要部の拡大斜視図（Ｃ）である。
【図２】同、真空蒸着装置の概略断面図である。
【図３】同、蒸着膜厚と蒸着時間の相関性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例２による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の実施例３による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の実施例４による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の実施例５による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）である。
【図８】本発明の実施例６による有機ＥＬ素子の概略断面図（Ａ）、発光層の拡大断面図（Ｂ）である。
【図９】従来の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図１０】同、他の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図１１】同、有機ＥＬ素子の応用例を示す概略斜視図である。
【図１２】同、有機ＥＬ素子の具体例の概略断面図である。
【図１３】同、ドーピングによる濃度消光を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
【０１２６】
１００、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０…有機ＥＬ素子、
１０１、１３１、１４１、１５１、１６１、１７１…基板、
１０２、１３２、１４２、１５２、１６２、１７２…陽極、
１０３、１３３、１４３、１５３、１６３、１７３…正孔輸送層、
１０４、１３４、１４４、１５４、１６４、１７４…発光層、
１０４ａ、１０４ｃ、１０４ｅ、１３４ａ、１３４ｃ、１３４ｅ、１４４ａ、１４４ｃ、１４４ｅ、１５５ａ、１５５ｃ、１５５ｅ、１６４ａ、１６４ｃ、１６４ｅ、１７４ａ、１７４ｃ、１７４ｅ…ホスト材料層、
１０４ｂ、１０４ｄ、１３４ｂ、１３４ｄ、１４４ｂ、１４４ｄ、１５４ｂ、１５４ｄ、１６４ｂ、１６４ｄ、１７４ｂ、１７４ｄ…ゲスト材料、
１０５、１３５、１４５、１５５、１６５、１７５…電子輸送層、
１０６、１３６、１４６、１５６、１６６、１７６…電子注入層、
１０７、１３７、１４７、１５７、１６７、１７７…陰極
【図１】
2005203247.tif 000003
【図２】
2005203247.tif 000004
【図３】
2005203247.tif 000005
【図４】
2005203247.tif 000006
【図５】
2005203247.tif 000007
【図６】
2005203247.tif 000008
【図７】
2005203247.tif 000009
【図８】
2005203247.tif 000010
【図９】
2005203247.tif 000011
【図１０】
2005203247.tif 000012
【図１１】
2005203247.tif 000013
【図１２】
2005203247.tif 000014
【図１３】
2005203247.tif 000015