(57)【要約】【課題】  商業化に適した工程を用いて概ね配向されたナノスケール構造を作製することができる方法。【解決手段】  基板上にパターニングされた単分子膜５３０を作製する方法であって、自己組織化する特性を有する有機分子を調製するステップと、該有機分子をアライメント用表面３１０に適用するステップと、アライメント用表面３１０をターゲット基板５７０に適用するステップと、前記アライメント用表面を分離するステップと、前記基板５７０上に前記有機分子の配向されたパターンを残すステップとを含む、基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法を提供する。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法であって、
自己組織化する特性を有する有機分子を調製するステップと、
該有機分子をアライメント用表面に適用するステップと、
前記基板から前記アライメント用表面を分離するステップと、前記基板上に前記有機分子の配向されたパターンを残すステップと
を含む、基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項２】
前記アライメント用表面はグラファイト状基板を含む、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項３】
前記調製するステップは、有機分子の少なくとも２つの異なる種を調製し、前記アライメント用表面に適用されるときに、前記アライメント用表面上で、特定のフィーチャに優先的に整列させるステップを含む、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項４】
前記調製するステップは、有機分子の少なくとも２つの異なる種を調製し、前記アライメント用表面に適用されるときに、前記アライメント用表面上で、複数のフィーチャに優先的に整列させるステップを含む、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項５】
前記配向されたパターンをマスクとして利用することをさらに含む、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項６】
前記アライメント用表面を前記基板と接触させるステップをさらに含む、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項７】
前記アライメント用表面は高配向性熱分解グラファイトである、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項８】
前記有機分子はそれぞれ尾基および頭基を有し、任意選択的に官能基も有する、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項９】
前記頭基は１つの分子基である、請求項８に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１０】
前記頭基は、芳香環を有する１つの分子基である、請求項９に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１１】
前記頭基はビフェニルである、請求項８に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１２】
前記配向されたパターンは実質的に平行な線を含み、前記尾基のサイズは前記平行な線の間の横方向間隔を決定するのに役立つ、請求項８に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１３】
前記分子を調製するステップは、その中に有機分子を有する溶媒系を調製するステップを含み、該溶媒系を調製するために用いられる前記有機分子は前記横方向間隔を決定する、請求項１２に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１４】
前記有機分子の前記官能基は処理の要件に基づいて選択される、請求項８に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１５】
前記有機分子はそれぞれビフェニルサブグループを含む、請求項１４に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１６】
前記有機分子はそれぞれチオール基を含み、前記基板は金の層を含む、請求項１４に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１７】
前記有機分子は前記官能基としてイソシネート基を含み、前記基板はプラチナおよびパラジウムのうちの１つから選択される層を含む、請求項１４に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１８】
前記有機分子は前記官能基としてイソシネート基を含んでもよく、パラジウムを含む粒子が、官能基に従って整列した分子に沿って前記表面に優先的に整列し、前記基板表面はパラジウムを含む、請求項１４に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項１９】
前記自己組織化された有機分子は前記官能基としてイソシネート基を含み、プラチナを含む粒子が、前記配向されたイソシネート官能基に沿って前記表面に優先的に整列する、請求項１４に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項２０】
前記有機分子はそれぞれ尾基および頭基を有し、任意選択的に官能基も有し、前記有機分子は、適用された後に横方向に離隔して配置される、請求項１に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項２１】
前記有機分子をアルカン溶媒に溶解するステップをさらに含み、該溶解するプロセスは前記有機分子の前記横方向間隔を制御する、請求項２０に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【請求項２２】
前記有機分子はそれぞれ置換されたアルキルビフェニルを含む、請求項２０に記載の基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単分子膜を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここ数年で、シリコン集積回路の分野の革新がエレクトロニクス産業の成長の主な要因であることが証明された。現在のデバイスは概ね数十マイクロメートルのスケールを有する。回路設計者の１つの目標は、回路部品のために必要とされるチップ空間のサイズをさらに小さくすることである。利用されるチップ空間を小さくすることにより、チップを動作させるために必要とされる電力の量を削減することができ、回路の温度を下げることができ、さらに回路がより速く、より効率的に動作できるようになる。ナノメートルスケールのシリコン集積回路を作製するためにいくつかの解決策が提案されているが、それらには全て制約がある。
【０００３】
シリコンの加工技術を高めることにより、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を開発することが可能になってきた。堆積、エッチングおよびフォトリソグラフィ処理を組み込むことにより、ミクロンスケールの機械的な構造を電子デバイスと組み合わせることができる。
【０００４】
ナノメートルスケールにおいて、化学的センサおよび生物学的センサ、ナノエレクトロニクスおよびフォトニックデバイスを実現することができる構造を作製することに関心が集まっている。ナノメートルスケールの構造を構成するためのいくつかの手法には、ファインスケールリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、デバイス構成要素の直接書込み、直接化学合成および共有結合による構成要素の結合が含まれる。これらの従来の手法はそれぞれ、それに特有の欠点を有する。
【０００５】
ファインスケールリソグラフィは、Ｘ線、電子、イオン、走査式プローブあるいはスタンピングを利用して、シリコン集積回路上にデバイス構成要素を画定する。ファインスケールリソグラフィの場合、デバイスのアライメントが主な問題である。その上にデバイスが形成されるウェーハは、２次元以上において、数分の一ナノメートル以内まで位置合わせされなければならない。このレベルの制御は、実施するのに非常にコストがかかる。１つのタイプのファインスケールリソグラフィである電子ビームリソグラフィは、小さなスケールで線を形成することができるが、そのサイズ、および線が書き込まれるうる範囲が制限される。また電子ビームリソグラフィ法は高真空を必要とし、ナノスケールの部品を形成する際にほとんどの有機材料が利用できなくなる。さらに、電子ビームリソグラフィは時間がかかり、コストが高いので、商業的に実用化することができない。
【０００６】
線を形成するための別の従来の方法は、ナノインプリントリソグラフィ（「ＮＩＬ」）である。この方法では、型を用いる必要がある。これらの型は通常、電子ビームリソグラフィ法によって作製され、高圧を必要とする。離型および欠陥複製に関して制約がある。
【０００７】
電子、イオンおよび走査式プローブによるデバイス構成要素の直接書込みにも欠点がある。これは逐次的な工程である。それゆえ、それぞれが数兆個もの構成要素を含む複雑なデバイスが詰め込まれたウェーハに直に書込みを行うには、尋常でない時間を要するであろう。これにより、直接書込みを大規模な商用の応用形態において実施するのは実用的ではなくなる。
【０００８】
別の方法は、直接化学合成、および共有結合による構成要素の結合である。この方法に関する問題は、この方法において用いられる、大量の情報容量の回路の既知の化学的な類似体がタンパク質およびＤＮＡしかないことである。これらの化学的な類似体はいずれも極めて複雑で、これまでのところ予測不可能な二次構造および三次構造を有し、それによりその構造は螺旋状に捩れ、シート状に折り重なり、他の複雑な３次元構造を形成する。結果として形成されるトポグラフィは、ナノスケール構造を形成するために有用ではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
それゆえ、商業化に適した工程を用いて概ね配向されたナノスケール構造を作製することができる方法およびシステムが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法であって、自己組織化する特性を有する有機分子を調製するステップと、該有機分子をアライメント用表面に適用するステップと、前記基板から前記アライメント用表面を分離するステップと、前記基板上に前記有機分子の配向されたパターンを残すステップとを含む、基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態は、概ね配向されたナノスケールフィーチャを作製するための方法を対象にする。ナノスケールフィーチャを作製するための工程は、ナノスケールの集積回路を開発できるようにする上で極めて重要である。たとえば、金、すなわちＡｕのような、これまでとは異なる種類の材料の基板上に、導体および誘電体のようなフィーチャを作り出すことができ、ナノ微粒子を導体にすることができる。アライメント用有機分子を、ある特定の部品のために用いられる誘電体にすることができる。先に説明されたように、集積回路をさらに小さくする利点は、コンピューティングデバイスに実装されるときに、処理時間が速くなり、温度が下がることを含む。しかしながら、添付の特許請求の範囲およびその等価物に規定される、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態を、ナノスケールフィーチャが有用である応用形態において実施することができる。
【００１２】
一実施形態では、自己組織化する有機分子を用いて、アライメント用基板（aligning substrate）上にナノスケールのフィーチャが作製される。その工程は、ある特定の有機分子が、ある特定の基板上で自己組織化し、配向されたパターンになる傾向を利用する。アライメント用基板は、有機分子の自己組織化を容易にする材料から形成される。たとえば、グラファイトがアライメント用基板として用いられるであろう。グラファイトは、アルキル−シアノビフェニル分子を吸着する高度に配向された結晶面を有し、結果として、自己組織化によって配向された単分子膜が生成される。この配向された層は、ナノスケールの複数の構造体を形成するための基になる。
【００１３】
一実施形態では、アライメント用基板上に形成される配向された層は、別の種、すなわち原子、分子あるいは微粒子に対するアライメント用表面として用いられるであろう。供給される種は、ある特定の官能基に対して優先的に整列するであろう。その場合に、その表面が何度も修飾されて、結果として、アライメント用基板上に形成される初期層によって画定される概ね配向された構造体の複数の層が形成されることができるか、あるいはその構造体が何度も化学修飾されることができる。
【００１４】
別の実施形態では、アライメント用基板上での修飾を用いて、あるいは修飾を用いることなく形成された配向された層がターゲット基板に転写される。その後、この自己組織化されたアレイはマスクとして利用されうる。マスクを包囲する材料がエッチングされて、マスクされたエリア内にナノスケールフィーチャを作製することができる。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、ナノスケールフィーチャのパラメータは制御することができる。たとえば、ナノスケールフィーチャがワイヤである場合には、ワイヤの長さ、幅、高さ、それらを隔てる距離および数が、種々の工程ステップおよび工程コンポーネントを用いることにより制御されうる。ナノスケールのワイヤの所望のパラメータは部分的には、有機分子の組成による。本発明の実施形態は、設計者がナノスケールの特定の回路部品のパラメータを変更できるようにするための手段を提供する。それゆえ、有機分子の組成は、最終的な製造物の所望のパラメータに基づいて行われる設計上の選択事項である。
【００１６】
図１を参照すると、ナノスケールフィーチャを有する、結果として形成された部品の一例が提供される。部品１００は基板１１０を含み、その基板１１０の表面上に線１２０、１３０が配置される。電線として用いられる場合には、これらの構造体１２０、１３０は金属から形成されるであろう。これらの構造体は、応用形態に応じて、他の材料から形成することもできる。構造体１２０、１３０は、高さｈ、幅ｗおよび長さｌによって画定され、間隔ｄだけ離隔される。本発明の一実施形態によれば、その構造体のサブナノスケールの寸法および位置を制御することができる。これらの寸法および位置は実際には変化する場合がある。しかしながら、本発明の一実施形態によれば、作製される構造体は概ね直線、かつ平行にすることができ、さらに同じ幅および高さを有するであろう。
【００１７】
その工程の最初に、頭基および尾基を有する有機分子が溶液内に調製されうる。その後、その有機分子は溶液として、あるいは他の輸送メカニズムによって、アライメント用基板に導入される。その分子は、液体注入によって導入することもできるが、あるいは他の輸送メカニズムを用いることもできる。
【００１８】
有機分子がアライメント用基板と接触するとき、有機分子は自然に自己組織化し、単分子膜アレイを形成する。有機分子は対をなして並び、頭基が他の頭基と対をなし、尾基が他の尾基と対をなして、平行な列を形成するので、単分子膜アレイは高度に配向されたパターンを形成する。用語「高度に配向された（highly ordered）」は、自己組織化された分子によって作製される周期的なパターンを示す相対的な用語である。本発明の一実施形態によれば、対をなした有機分子からなる平行な列間の距離は、有機分子および処理溶液を選択することにより制御することができる。グラファイト格子は頭基間隔を抑制する。その鎖および官能基は付加的な立体化学的な力（steric force）を与えることができ、その立体化学的な力は、頭基がどの部位に吸着するかに影響を及ぼすことができる。頭基の選択は、分子の間隔にも影響を及ぼすであろう。その結果として、有機分子のアレイは、概ね直線かつ平行になるように、その頭基によって並べられ、その尾基によって分離される頭基の対を有する。弱いファンデルワールス力が有機分子を基板に結合する。
【００１９】
その後、この分子の配向されたアレイは２つの個別の態様で用いられることができる。第１に、有機分子の自己組織化された単分子膜を保持するアライメント用基板の表面は、アライメント用基板上の配向されたアレイの頭基と優先的に相互作用する分子あるいは粒子で処理される。これらの相互作用する分子あるいは粒子は、気相、液相あるいは溶液相において供給されることができる。その分子あるいは粒子は、第２のアレイが作製されるまで、有機分子の自己組織化された単分子膜と接触したままにされることができる。このようにして、所望の電気的、化学的あるいは材料特性を有する分子あるいは粒子の配向されたアレイが、そうでなければナノスケールのアレイに組み立てられていなかった分子あるいは粒子から作製されることができる。別法では、有機分子の自己組織化された単分子膜を含むアライメント用基板の表面をターゲット基板と直に接触させる。アライメント用基板とターゲット基板表面とを十分に接触させるために、わずかに圧力をかけることができる。有機分子の組成は、各有機分子の一端がターゲット基板表面を構成する材料に強く引き付けられることになるように選択される。この端部は有機分子をターゲット基板に固着するアンカーを構成する。有機分子がターゲット基板と接触するとき、そのアンカーがターゲット基板の表面に付着する。アライメント用基板がターゲット基板から取り除かれるとき、有機分子のアンカーはターゲット基板に付着したままである。有機分子の組成物の残りの部分は、ターゲット基板に引き付けられず、アライメント用基板に弱くしか引き付けられないように選択される。それゆえ、アライメント用基板がターゲット基板から取り除かれるとき、有機分子のアンカー端を越えた部分はアライメント用基板から脱離し、その後、ターゲット基板表面から離れるように起立する（stand up）。一端においてターゲット基板に固着されるとき、各有機分子はターゲット基板の表面に概ね垂直な線を形成する。
【００２０】
さらに、他の層が必要に応じて追加されることができる。複数の層が互いに積層されて、作製されているデバイスに対して異なる特性、異なる層、異なる構造および異なるテクスチャを与えることができる。本発明の実施形態によれば、本明細書に記載される工程およびそれと同等の工程は複数の層において実行されることができる。
【００２１】
アンカー端の各対間には狭い空間が存在する。対をなしていない隣接するアンカー端間には相対的に広い空間が存在する。その広い空間は、有機分子が起立するときに現われる。実際には、有機分子の種々の組成の選択を用いて、有機分子の列間の間隔を予測可能に制御し、つくり出すことができる。対をなしていないアンカー端間の空間は、有機分子の長さに応じて変化するであろう。
【００２２】
ターゲット基板上に起立している有機分子は、ナノスケール回路において誘電体として用いられることができる。別法では、有機分子によって覆われないターゲット基板のエリアはエッチングして除去することができ、ターゲット基板上にナノスケールの材料の列が残される。さらに進んだステップとして、ナノスケールの材料に付着した有機分子が、適当な溶媒あるいはエッチングで除去されうる。基板が金のような導電性材料の層を有する場合には、ナノスケールのワイヤがターゲット基板上に形成されることができる。したがって、それに応じてナノスケールのワイヤを形成することができ、そのパラメータおよび向きは、この方法を用いて制御されうる。
【００２３】
図１に示される方法のような、回路を作製するための方法は、自己組織化して配向されたパターンになる傾向がある有機分子を利用する。一実施形態では、自己組織化が生じた後に、有機分子の配向された列が基板表面上に作製され、エッチマスクとして用いられることができる。別の実施形態では、有機分子の配向された列は誘電体回路部品として用いられることができる。後に説明されるように、その頭基は、サブグループと、任意選択的な官能基とから構成される。その尾基は、一端が頭基に付着し、他端が頭基から離れて延在するアルキル鎖から構成される。尾基の長さは、自己組織化された頭基対の１つの列と、自己組織化された頭基対の別の列との間の距離を決定するであろう。
【００２４】
一般的に、本発明の一実施形態は、ある状況において自動位置合わせする傾向がある分子を対象にする。図２ａを参照すると、頭基および尾基を構成する官能基および対応するサブグループの一般的なブロック図が示される。いくつかの分子は整列する傾向があり、頭基同士が整列し、尾基同士が整列する。一実施形態では、用いられる有機分子はアルキル−シアノビフェニル液晶である。アルキル−シアノビフェニルは有機分子である。アルキル−シアノビフェニル液晶は、図２ｂに表される一般的な構造をとる。本発明の実施形態は、置換されたビフェニルを用いることには限定されず、フェナントレン類、１，６−ジフェニルベンゼンおよび他の類似の分子のような、グラファイト状サブグループを有する他の分子にも及ぶ。そのような分子は、ＨＯＰＧ表面のようなグラファイト表面上で自己組織化して高度に配向されたパターンになる傾向がある。アルキル−シアノビフェニルは２つの有機サブグループ、すなわちシアノビフェニルおよびアルキル鎖を有する。ビフェニルは、その分子の頭基の一部である、グラファイト状サブグループである。グラファイト状のものは、グラファイトシートの断片に類似しているｓｐ2ハイブリダイゼーションを有する任意の分子基を含むことができる。芳香環が、本発明の実施形態を実施する際に有用なｓｐ2ハイブリダイゼーションの一例である。アルキルは、分子の尾基を画定する直鎖飽和炭化水素である。アルキルは、不定のアルカン（単結合炭素原子）鎖長を指している。たとえば、アルキルの「ヘキシル」接頭語は鎖長内の６個の原子を示し、「オクチル」は８個の原子を、「デシル」は１０個の原子を示しており、それ以外も同様である。再び、本発明の実施形態によれば、溶液、および鎖、すなわち尾基の長さは、自己組織化された有機分子間の距離を決定する。
【００２５】
本発明の一実施形態は、アライメント用基板の表面における分子の自己組織化を対象にする。図２に示される実施形態はアルキル−シアノビフェニル液晶を参照するが、全ての実施形態が液晶特性を示すことになるとは限らない。たとえば、グラファイト状サブグループを有する他の有機分子は同じように挙動するであろう。一実施形態として、ビフェニルサブグループが図示および説明される。本発明は、任意の特定のグラファイト状サブグループには限定されない。他の実施形態では、ｓｐ2結合ハイブリダイゼーションを有する分子基がグラファイト状特性を有し、アルキル−シアノビフェニル液晶の有用な代用物として用いることができる。
【００２６】
「シアノ」はビフェニルサブグループ上のＣＮ官能基を指している。このシアノ官能基は、その官能基の吸引特性に基づいて、別の官能基で置換されうる。本発明の実施形態によれば、異なる官能基が異なる材料に引き付けられる。この実施形態では、チオール官能基が、シアノ官能基の代わりに用いられる。チオールは、１つの硫黄原子を有する１つのチオール官能基を含む材料を指している。チオールを用いて、有機分子が金に引き付けられるようにする。シアノの代わりに用いることができる官能基の別の例はイソシアネートである。イソシネートはプラチナおよびパラジウムに引き付けられる。官能基の他の例は、アミン、イソニトリルおよび他の類似の基を含む。
【００２７】
図３を参照すると、置換アルキル−シアノビフェニルの溶媒和配合物がアライメント用基板３１０上に供給される。アライメント用基板３１０は、高配向性熱分解グラファイト（ＨＯＰＧ）を含む。この過程は、液体注入、気相の前駆物質、および他の既知の方法を含む他の方法によって実行することもできる。この実施形態は、アルキル−シアノビフェニル液晶がＨＯＰＧに付着されるときに、自己組織化してビフェニル分子の配向されたパターンになる傾向を利用する。ＨＯＰＧ表面、すなわちアライメント用基板表面に付着されるとき、自己組織化された分子がその表面上で整列する。本発明の実施形態は、自己組織化する分子が、アライメント用基板の表面上で整列して配向されたパターンになる、この傾向を利用する。その方法はさらに、有機分子の溶液を作製するために用いられる溶媒系を含むことができる。図示される表面は概ね平坦であるが、応用形態によっては、平坦でないか、可撓性であるか、あるいは他の配向を有することもできる。
【００２８】
図４を参照すると、置換アルキル−シアノビフェニル溶液がアライメント用基板３１０と接触した後に、アルキル−シアノビフェニル溶液は自己組織化し、有機単分子膜になる。自己組織化は、数秒間で迅速に行われる。形成されたパターンがアライメント用基板３１０の表面上に見られる。自己組織化された有機分子は配向されたパターンを形成し、それらの分子が対をなして整列し、その間に間隔ｄを有する平行な列Ａ、Ｂを形成する。形成される列の数および長さはアライメント用基板のサイズによって制限されることになり、概ね無制限に続くことができる。したがって、このパラメータも同様に制御されることができる。
【００２９】
分子のビフェニル環は、グラファイト層内の類似の構造にわたって整列する。有機分子は、弱いファンデルワールス力によって、アライメント用基板表面に結合する。官能基４２０は、端部がチオールで機能化されている（すなわちチオール官能基を含む）場所を示す。
【００３０】
図４に示されるように、頭基は他の頭基と整列し、頭基が互いに対をなす、概ね均一で、高度に配向された列Ａ、Ｂを形成する。尾基も同様に対をなし、列間に位置する横方向間隔ｄを画定する。本発明の実施形態によれば、各列の幅は、選択された頭基に基づいて予め決定されることができる。さらに、列間の横方向間隔ｄは、所望の間隔に基づいて、尾基を形成することになる溶液を選択することにより予め決定されることができる。別の実施形態では、横方向間隔ｄは、自己組織化する分子をアルカン溶媒に溶解することによりさらに変更されることができる。図示されるアライメント表面は概ね平坦であるが、応用形態によっては、平坦でないか、可撓性であるか、あるいは他の配向を有することもできる。
【００３１】
図５を参照すると、アライメント用基板３１０上で自己組織化が行われた後の次のステップが示される。自己組織化された有機分子５３０を含む、アライメント用基板５１０の面５２０をターゲット基板５７０と直に接触させる。２つの層を有するターゲット基板５７０が示されており、ベース層５５０上に金属層５４０がある。そのような構成の一例は、シリコンの上にある金層であり、本発明の一実施形態によれば、それは後にエッチングされてワイヤを形成することができる。
【００３２】
図５に示されるターゲット基板およびアライメント用表面は概ね平坦である。しかしながら、他の実施形態では、いずれかを平坦でない基板あるいは表面にすることができ、可撓性にすることもできる。本発明の一実施形態によれば、アレイを平坦でない表面あるいは可撓性の表面上に整列させて、その後、基板に適用することができる。同様に、基板も平坦、非平坦、可撓性あるいは他の配向にすることができる。アライメント表面を基板表面に適用して、部品のアレイを基板表面に適用するために、そのような基板を適応させることができる。
【００３３】
アライメント用基板５１０とターゲット基板５７０とを十分に接触させるために、わずかに圧力をかけることができる。他の実施形態では、パラジウムあるいはプラチナのような材料を、金の代わりにターゲット基板表面のために用いることもできる。異なるターゲット基板表面を選択することにより、自己組織化された分子の付着を容易にするために、別の官能基が必要となるであろう。
【００３４】
この実施形態では、有機分子の各頭基は、金に強く引き付けられるようにするチオール官能基を含むであろう。それゆえ、頭基の官能基は、ターゲット基板５７０と接触するときに、ターゲット基板表面５６０に強く引き付けられるであろう。別の例として、プラチナあるいはパラジウムが所望のターゲット基板表面であった場合には、イソシネートを官能基として用いることができる。用いることができる他の官能基は、シアニド、シアナート、イソシアニドおよび他の類似の官能基を含む。官能基は、分子が自己組織化した後にターゲット基板表面に付着する能力に基づいて選択される。
【００３５】
図６では、アライメント用基板３１０が除去された後のターゲット基板表面５６０が示される。有機分子のうちの１つを調べてみると、頭基の官能基６２５はターゲット基板表面５６０に付着したままであるが、分子のビフェニル／アルキル端６１０は基板表面５６０から起立している。ビフェニル／アルキル端が起立するとき、その有機分子は、ターゲット基板表面５６０から離れた方向に向けられる概ね垂直な線を形成する。尾基がターゲット基板表面５６０上で整列する場所に、より広い間隔ｄが生じており、官能基６１５と官能基６３５との間の距離が画定される。相対的に狭い間隔ｂは、頭基の官能基が他の頭基の官能基と対をなして整列する場所において生じる。たとえば、狭い間隔ｂは、官能基６１５と官能基６２５との間の距離を画定する。実際には、間隔ｂは、より広い間隔ｄと比べて小さいであろう。また、図６および他の関連する図面に示される比率は、実際の応用形態の実際の比率を表すとは限らない。たとえば、官能基対が実際には、それよりも密に詰め込まれているので、間隔ｂは図よりも小さいかもしれない。本発明の一実施形態によれば、アルキル鎖の種々の長さおよび溶媒の選択を用いて、自己組織化された単分子膜アレイ内の有機分子の間隔を予測可能に制御することができる。アルキル鎖は頭基の立体化学的な分離を与える。アルキル鎖の長さを長くすることにより、間隔ｄを大きくすることができる。実際には、さらに多くの層が表面５６０に追加され、部品上にさらに大きな３次元構造あるいはさらに複雑な構造を作製することができる。
【００３６】
図７に示されるように、有機分子によって覆われていないターゲット基板５６０のエリアはエッチングにより除去され、ターゲット基板５７０のベース層上に２つの線１２０、１３０を残すことができる。２つの線１２０、１３０には、有機分子が付着している。２つの線１２０、１３０に付着した図７に示される有機分子はエッチングされて、図１に示される部品１００を提供することができる。別の実施形態では、図６に示されるような自己組織化された単分子膜は、ターゲット基板上の配向された誘電体アレイとして用いられることができる。したがって、本発明の一実施形態によれば、ナノスケールの回路材料および部品を形成することができ、それらのサイズおよび配向は概ね制御されることができる。実際には、さらに多くの層がその部品に追加されて、その部品上にさらに大きな３次元構造を作製することができる。
【００３７】
たとえば、有機分子をメッシュとして用いて回路ワイヤを形成する場合には（たとえば、シリコンなどのベース基板上に形成される金基板層上のメッシュ）、列の幅は、間隔ｄ内に存在している材料がエッチングにより除去された後に、結果として形成されるワイヤの幅を画定するであろう。間隔ｄは、ワイヤ間の間隔を画定するであろう。別の例として、有機分子は誘電体回路部品、すなわち誘電体の線のアレイとして用いられることができる。そのような誘電体の線は、間隔ｄによって分離される、たとえば列Ａあるいは列Ｂの幅に等しい幅を有するであろう。
【００３８】
図８を参照すると、本発明を具現する１つの工程が示される。この工程は図８に示されるステップの順序で説明されるが、本発明はこれらのステップの順序に限定されない。その工程の開始時に、ステップ８００において、有機分子の溶液が調製される。先に説明されたように、自己組織化して配向されたパターンになる傾向がある有機分子のサンプルが調製される。一実施形態では、用いられる有機分子はアルキル−シアノビフェニル液晶である。本発明はアルキル−シアノビフェニルを用いることには限定されず、自己組織化して適当に目的に合った表面になる傾向がある分子に及ぶ。その例には、ＨＯＰＧ表面のような、グラファイト表面上で自己組織化する傾向があるグラファイト状サブグループを有する分子がある。サブグループのいくつかの例は、フェナントレン、１，６−ジフェニルベンゼンを含み、他の物質を含むこともできる。
【００３９】
先に説明されたように、一実施形態では、ステップ８００において、シアノ官能基の代わりにチオール官能基を用いることができる。チオールを用いて、有機分子が金に引き付けられる。チオールは、１つの硫黄原子を有するチオール官能基を含む、ある種の材料を指している。シアノの代わりに用いることができる官能基の別の例はイソシネートである。イソシネートは、イソシネート官能基を含む、ある種の材料を指している。イソシネートはプラチナおよびパラジウムを引き付ける。
【００４０】
次に、ステップ８１０では、アライメント用基板に溶液が付着されて、有機分子が自然に自己組織化して配向されたパターンになる。先に説明されたように、置換されたアルキル−シアノビフェニル溶液がアライメント用基板に接触した後に、アルキル−シアノビフェニル液晶は自己組織化して有機単分子膜になる。自己組織化は、数秒間で迅速に行われることができる。形成されたパターンの一例が、図４においてアライメント用基板４１０の表面上に見られる。有機分子溶液がアライメント用基板上で自己組織化するとき、それは有機分子から構成される単分子膜を形成する。自己組織化された有機分子は配向されたパターンを形成する。配向されたパターンは、有機分子が対をなして整列し、平行な列を形成する際に形成される。有機分子は、弱いファンデルワールス力によって、アライメント用基板表面に結合する。
【００４１】
ステップ８２０では、アライメント用基板をターゲット基板に近接させる。先に説明されたように、自己組織化が行われた後の次のステップは、アライメント用基板をターゲット基板に近接させることである。自己組織化された有機分子を含むアライメント用基板の面をターゲット基板に直に接触させる。アライメント用基板とターゲット基板とを十分に接触させるために、わずかに圧力をかけることができる。別の実施形態では、ターゲット基板の表面は金であり、ベース層はシリコンである。有機分子の各頭基は、金を強く引き付けるために選択された置換チオール官能基を含む。それゆえ、ターゲット基板と接触させるときに、頭基の官能基がターゲット基板表面に強く引き付けられるようになるであろう。金の代わりに、パラジウムあるいはプラチナのような材料をターゲット基板表面のために用いることができる。異なるターゲット基板表面を選択することにより、自己組織化された分子の付着を容易にするために、異なる官能基が必要になるであろう。
【００４２】
ステップ８３０では、アライメント用基板がターゲット基板から分離され、基板表面上に有機分子の配向されたパターンが残される。図６には、アライメント用基板が取り除かれた後のターゲット基板表面５６０が示される。有機分子のうちの１つを調べてみると、頭基の官能基６１５がターゲット基板表面５６０に付着したままになり、一方、分子のビフェニル／アルキル端６１０はターゲット基板表面５６０から起立する。ビフェニル／アルキル端が起立するとき、有機分子はターゲット基板表面５６０から離れる方向に向けられる。実際には、有機分子を調製する際に用いられるアルキル鎖の種々の長さおよび溶媒の選択を用いて、自己組織化された単分子膜アレイ内の有機分子間の間隔を予測可能に制御することができる。
【００４３】
図９を参照すると、フローチャート９００において別の工程が示される。その工程はステップ９０２で開始し、ステップ９０４では、ある特定の状況において自然に整列する傾向がある、ある特定の有機分子のような有機分子が調製される。ステップ９０６では、アライメント用有機分子が基板に付着されて、それらの分子が自己組織化し、配向された層になる。ステップ９０８では、付加的な層が追加されることになるか否かが決定される。先に説明されたように、本発明の一実施形態によれば、複数の層を互いの上に追加することができる。さらに多くの層が追加されることになる場合には、その工程はステップ９１０に進み、その種が、ある特定の官能基に、あるいは先行する配向された層内の種に優先的に付着される。その工程はステップ９０８にループバックし、所望の層の数に基づいて、何度もループすることができる。さらに別の層が堆積されないとき、その工程はステップ９１２に進み、パターニングされた層、あるいはおそらく積層が別の基板に転写されることになるか否かが判定される。転写されない場合には、その工程はステップ９１４で終了する。転写される場合には、その工程はステップ９１６に進み、配向されたパターンをアライメント用基板上で別の基板と近接させる。その後、ステップ９１８では、アライメント用基板を別の基板から分離する工程が実行され、別の基板上に層の１つあるいは複数の配向されたパターンが残される。次に、その工程はステップ９２０に進み、そのパターンがマスクとして用いられることになるか否かが判定される。マスクとして用いられない場合には、その工程はステップ９１４において終了する。マスクとして用いられる場合には、ステップ９２２において、その転写されたパターンをマスクとして用いて、別の基板の上に構造体が作製される。
【００４４】
これらの工程から結果として形成された製造物は、ターゲット基板上に配向された誘電体アレイを作製するために、そのまま用いられることができるか、あるいはターゲット基板上に相補的なパターンを作製するために、マスク層として用いられることができる。本発明の一実施形態によれば、それにより、ナノスケールの回路材料および部品、金属線および誘電体構造体が形成されることができ、そのサイズおよび配向が制御されることができる。
【００４５】
本発明の実施形態を、自己組織化する有機分子で形成される単分子膜を用いてナノスケールの回路部品を作製するための方法および装置を参照しながら説明してきた。しかしながら、本発明がさらに広範な有用性を有することは当業者には理解されよう。他の実施形態が本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明に従って実施されることができ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲およびその等価物に基づいて解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に従って形成されるナノスケール部品の図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための有機分子の図である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための有機分子の図である。
【図３】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための溶液を供給する図である。
【図４】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための自己組織化された有機分子の単分子膜を有するアライメント用基板表面の図である。
【図５】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための、ターゲット基板に適用する有機分子の単分子膜を有するアライメント用基板表面の図である。
【図６】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法において用いるための、ターゲット基板の表面上に有機分子の高度に配向されたパターンを有するターゲット基板の図である。
【図７】本発明の一実施形態による、ターゲット基板の表面上に有機分子の高度に配向されたパターンを有し、ナノスケール部品を形成するために基板がエッチングにより除去されたターゲット基板の図である。
【図８】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の一実施形態によるナノスケール部品を形成する方法を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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