(57)【要約】【課題】電子ビーム露光装置において、被処理基板の表面で散乱された電子による基板周縁部の帯電を防止することによって、パターンの描画精度を高める。【解決手段】帯電防止枠５は、ガラス基板１の周縁部を上方から覆うように配置され、ガラス基板１の表面で散乱された電子を捕捉する。帯電防止枠５の下側には接触子６が取り付けられ、この接触子６をガラス基板１の表面に接触させることにより、ガラス基板１と帯電防止枠５を電気的に導通させる。帯電防止枠５は、アース配線９を介してアースに接続される。好ましくは、帯電防止枠５の支持機構４を、帯電防止枠５を下側からバネ４２を介して支持するように構成し、接触子６を介してガラス基板１に作用する荷重を軽減する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の周縁部を上方から覆うように配置され、被処理基板の表面で散乱された電子を捕捉する帯電防止枠と、
帯電防止枠の下側に取り付けられ、被処理基板の表面と接触することによって被処理基板の表面と帯電防止枠を電気的に導通させる接触子と、
帯電防止枠をアースに接続するアース配線と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２】
前記帯電防止枠を下側からバネを介して支持する支持機構を有し、この支持機構の上に前記帯電防止枠を載せることにより、前記接触子を介して被処理基板に作用する荷重を軽減するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光装置に係り、特に、電子ビーム露光装置において被処理基板の周縁部での帯電を防止するための機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化・大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された数十種類のフォトマスク（またはレチクル）を、ウエハ上の露光領域に高精度に位置合わせし、ウエハ表面に回路パターンを転写することにより作成される。
【０００３】
回路パターンは、ガラス基板上に蒸着された遮光膜にリソグラフィ技術を用いて形成される。通常、片面にＣｒ薄膜（遮光膜）が蒸着されたガラス基板上にレジストを塗布し、このレジストに電子ビーム露光装置を用いて回路パターンを描画し、レジストを現像した後、Ｃｒ薄膜をエッチングし、最後にレジストを除去する。これによって、ガラス基板上のＣｒ薄膜に回路パターンが形成される
レジストを露光する際、光源から照射された電子ビームは、ガラス基板の表面で散乱され、基板側面を帯電させる。その結果、電子ビームの軌道が偏向され、ガラス基板の周縁部近傍でパターンが精度良く描画できないと言う問題があった。また、ガラス基板の周縁部には遮光膜で覆われていない部分もあり、そこに当たった電子ビームが異物を飛散させ、その異物が基板上に落ちることで、パターンに欠陥が形成されることもあった。
【０００４】
特開平５−３４７２４２号公報には、ガラス基板の端面部分での帯電を防止するため、ガラス基板の端部の、金属膜の無い部分を導電性カバーで覆うことが記載されている。また、特開平１０−２７７５３号公報には、ガラス基板の周縁部の上方を導電性部材で覆い、この導電性部材に与える電圧を調整することによって、ガラス基板の周縁部近傍における電子ビームの偏向を防止することが記載されている。しかしながら、前者は、ガラス基板の端部の上方を覆うものであり、遮光膜からのアースを別にとる必要がある。また、後者は、ガラス基板の周縁部近傍での電位の分布状態を調整するためのものであり、前者と同様に遮光膜からのアースを別にとる必要がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−３４７２４２号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平１０−２７７５３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、電子ビーム露光装置における以上のような問題点を解決するために成されたものである。本発明の目的は、電子ビーム露光装置において、被処理基板の表面で散乱された電子による基板周縁部の帯電を防止することによって、パターンの描画精度を高めることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子ビーム露光装置は、
被処理基板の周縁部を上方から覆うように配置され、被処理基板の表面で散乱された電子を捕捉する帯電防止枠と、
帯電防止枠の下側に取り付けられ、被処理基板の表面と接触することによって被処理基板の表面と帯電防止枠を電気的に導通させる接触子と、
帯電防止枠をアースに接続するアース配線と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の電子ビーム露光装置によれば、被処理基板の周縁部近傍で散乱された電子は、帯電防止枠によって捕捉され、アースに逃がされる。また、被処理基板の周縁部において電子ビームが帯電防止枠により遮られるので、被処理基板の周縁部への電子ビームの入射も防止される。更に、被処理基板の表面に入射した電荷は、被処理基板の周縁部から前記接触子及び前記帯電防止枠を通ってアースに逃がされる。これによって、被処理基板の周縁部近傍での帯電が効果的に防止され、パターンの描画精度を高めることができる。
【００１０】
好ましくは、上記の電子ビーム露光装置において、帯電防止枠の支持機構を、帯電防止枠を下側からバネを介して支持するように構成する。このように構成した場合、この支持機構の上に帯電防止枠を載せることによって、前記接触子を介して被処理基板に作用する荷重を軽減し、被処理基板の撓みを防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明に基づく電子ビーム露光装置の試料ステージ部分の概略構成を示す。図中、１はガラス基板（被処理基板）、４は支持機構、５は帯電防止枠、６は接触子、９はアース配線を表す。
【００１２】
鏡筒８の下側にＸＹステージ２が配置される。ＸＹステージ２の上には複数の基板支持ピン３が固定され、ガラス基板１は、これらの基板支持ピン３の上に置かれる。ＸＹステージ２の上には、ガラス基板１の周囲を取り囲むように、更に支持機構４が設けられ、その上に帯電防止枠５が載せられる。支持機構４は、下側からバネ４２で支えられた支持ピン４１を備え、これらの支持ピン４１の上に帯電防止枠５が支持される。ガラス基板１の周縁部は、上方から帯電防止枠５によって覆われる。支持機構４にはアース配線９が取り付けられ、帯電防止枠５は、支持機構４を介してアースに接続される。なお、このアース配線９は、支持機構４がＸＹステージ２等を介して接地されていれば、それがアース配線となり、特別な配線は不要である。
【００１３】
帯電防止枠５は、ガラス基板１の周縁部近傍で散乱された電子を捕捉することによって、ガラス基板１の周縁部での帯電を防止する。更に、ガラス基板１の周縁部において電子ビームが帯電防止枠５により遮られるので、ガラス基板１の周縁部への電子ビームの入射も防止される。
【００１４】
帯電防止枠５の下側には、内側の縁に沿って、突起状の複数の接触子６が取り付けられている。支持機構４の上に帯電防止枠５を置くと、バネ４２が縮んで支持ピン４１が後退し、接触子６がガラス基板１の表面に到達することにより、帯電防止枠５の下降が止まる。従って、バネ４２の縮み代を調整することによって、接触子６を介してガラス基板１に加えられる荷重を適切な範囲に収めることができる。
【００１５】
なお、図２の部分拡大断面図に示すように、ガラス基板１は、その表面が遮光膜１１（例えば、Ｃｒ薄膜）で覆われ、更にその上からフォトレジスト膜１２で覆われている。従って、接触子６に作用する荷重は、接触子６の先端がフォトレジスト膜１２を突き破って遮光膜１１に到達し、且つ、ガラス基板１に有害な撓みを生じさせることがないような条件内で設定される。
【００１６】
【発明の効果】
本発明の電子ビーム露光装置によれば、被処理基板の周縁部近傍での帯電が効果的に防止され、パターンの描画精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく電子ビーム露光装置の試料ステージ部分の概略構成を示す図。
【図２】帯電防止枠の接触子とガラス基板の接触状態を示す部分拡大断面図。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板（被処理基板）、１１・・・遮光膜、１２・・・フォトレジスト膜、２・・・ＸＹステージ、３・・・基板支持ピン、４・・・支持機構、４１・・・支持ピン、４２・・・バネ、５・・・帯電防止枠、６・・・接触子、８・・・鏡筒、９・・・アース配線。
【図１】
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【図２】
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