(57)【要約】【課題】  電極間絶縁膜を焼成する工程において平坦化絶縁膜からの脱ガスの発生を抑制することができ、低コストで信頼性の高い表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  駆動用基板１１に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜１３を形成し、焼成する。平坦化絶縁膜１３の上に、複数の第１電極１４を形成し、これらの第１電極１４の間の領域に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜１５を形成し、焼成する。平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くすることにより、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３からの脱ガスの発生を抑制し、第１電極１４および電極間絶縁膜１５の表面の荒れを防止する。そののち、複数の第１電極１４の上に、発光層を含む有機層１６および第２電極１７を順に形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜を形成して焼成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜を形成して焼成する工程と、
前記複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記発光層を含む有機層の上に、第２電極を形成する工程と
を含み、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を前記電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くする
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を３００℃以上４００℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を２８０℃以上３８０℃以下とする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を２２０℃以上４００℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を２００℃以上３８０℃以下とする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を３００℃以上４００℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を２００℃以上３８０℃以下とする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を３００℃以上４００℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を２８０℃以上３８０℃以下とする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に平坦化絶縁膜を介して複数の第１電極，電極間絶縁膜，発光層を含む有機層および第２電極が順に形成された表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子を用いた表示装置は、基板に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化絶縁膜を介して、複数の第１電極，電極間絶縁膜，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層された構成を有している。このような表示装置の製造方法としては、従来より、平坦化絶縁膜または電極間絶縁膜のいずれか一方を感光性樹脂により構成し、製造工程の簡素化を図ったものが知られている。例えば、特許文献１では、電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、特許文献２では、平坦化絶縁膜にポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールを用いている。
【特許文献１】特開２００２−１１６７１５号公報
【特許文献２】特開２００１−１６０４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のように平坦化絶縁膜または電極間絶縁膜のいずれか一方を感光性樹脂により構成し、他方を酸化シリコンなどの他の材料により構成すると製造コストが高くなってしまうという問題があった。
【０００４】
また、平坦化絶縁膜および電極間絶縁膜の両方を感光性樹脂により構成した場合には、上記の特許文献１および２に述べられていない技術的問題が生じる可能性がある。例えば、電極間絶縁膜を焼成する工程において、先に形成された平坦化絶縁膜からの脱ガスが発生し、第１電極または電極間絶縁膜の表面が荒れて平滑性が低下してしまうおそれがある。第１電極の表面の荒れは、有機発光素子の歩留り低下、寿命劣化または輝度劣化など、信頼性に大きな影響を及ぼす。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極間絶縁膜を焼成する工程において平坦化絶縁膜からの脱ガスの発生を抑制することができ、低コストで信頼性の高い表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による表示装置の製造方法は、基板に感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜を形成して焼成する工程と、平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極を形成する工程と、複数の第１電極の間の領域に感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜を形成して焼成する工程と、複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、発光層を含む有機層の上に、第２電極を形成する工程とを含み、平坦化絶縁膜を焼成する温度を電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くするものである。
【０００７】
本発明による表示装置の製造方法では、基板に感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜が形成され、焼成されたのち、この平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極が形成される。続いて、複数の第１電極の間の領域に感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜が形成され、焼成される。そののち、複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層が形成され、発光層を含む有機層の上に、第２電極が形成される。平坦化絶縁膜が焼成される温度は、電極間絶縁膜が焼成される温度よりも高くされる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の表示装置の製造方法によれば、平坦化絶縁膜を焼成する温度を、電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くするようにしたので、電極間絶縁膜を焼成する工程において平坦化絶縁膜から脱ガスが発生するのを抑制することができる。よって、第１電極の表面の荒れを防止して平滑性を高め、有機発光素子の歩留り、寿命などの信頼性を向上させることができる。また、電極間絶縁膜の表面の荒れを防止して平滑性を高め、第１電極と第２電極との短絡を防ぐことができる。更に、エッチング工程を省略して平坦化絶縁膜および電極間絶縁膜の両方の製造コストを抑えることができ、低コストで信頼性の高い表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本発明の一実施の形態に係る製造方法により製造される表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル１０と封止パネル２０とが対向配置され、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わせられている。駆動パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる駆動用基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化絶縁膜１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。
【００１１】
ＴＦＴ１２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応する能動素子であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはアクティブマトリクス方式により駆動されるようになっている。ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass ）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えば厚みが１．０μｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。
【００１２】
平坦化絶縁膜１３は、ＴＦＴ１２が形成された駆動用基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するための下地層である。平坦化絶縁膜１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化絶縁膜１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１３は、ポリイミド，ポリベンゾオキサゾール，アクリルまたはノボラック等の感光性樹脂により構成されている。平坦化絶縁膜１３は、後述するように、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高い温度で焼成されたものである。
【００１３】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、駆動用基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化絶縁膜１３を介して、陽極としての第１電極１４、電極間絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。第２電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１８が形成されている。
【００１４】
第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１４を構成する材料としては、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属元素の単体または合金が挙げられ、第１電極１４の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とされることが好ましい。第１電極１４は単層構造でもよいし複数の層の積層構造でもよい。第１電極１４を積層構造とする場合、例えば、駆動用基板１１の側から、厚みが２０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）よりなる密着層１４Ａ、厚みが１００ｎｍの銀（Ａｇ）よりなる反射層１４Ｂおよび厚みが１０ｎｍのＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃがこの順に積層された構成を有するものが好ましい。
【００１５】
電極間絶縁膜１５は、第１電極１４と第２電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。電極間絶縁膜１５は、例えば、厚みが６００ｎｍ程度であり、ポリイミド，ポリベンゾオキサゾール，アクリルあるいはノボラック等の感光性樹脂により構成され、発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられている。
【００１６】
電極間絶縁膜１５および平坦化絶縁膜１３の構成材料は、同一でもよく異なっていてもよい。例えば、平坦化絶縁膜１３をポリイミドにより構成した場合、電極間絶縁膜１５も同様にポリイミドにより構成することも可能であるし、電極間絶縁膜１５は異なる材料、例えばポリベンゾオキサゾールにより構成するようにしてもよい。また、例えば、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成した場合、電極間絶縁膜１５も同様にポリベンゾオキサゾールにより構成してもよいし、電極間絶縁膜１５は異なる材料、例えばポリイミドにより構成するようにしてもよい。
【００１７】
有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに構成が異なっている。図２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層１６Ｂは電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１６Ｃは、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。
【００１８】
有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが５５ｎｍ程度であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）により構成されている。
【００１９】
有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが２５ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが１５ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００２０】
有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００２１】
図１および図２に示した第２電極１７は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。合金材料としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が好ましい。
【００２２】
図１に示した保護膜１８は、例えば、厚みが５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。
【００２３】
図１に示した封止パネル２０は、駆動パネル１０の第２電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００２４】
カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、駆動パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。
【００２５】
赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００２６】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２７】
図３ないし図７はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図３（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる駆動用基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。
【００２８】
次に、図３（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性ポリイミドよりなる平坦化絶縁膜１３を塗布形成し、直ちにホットプレート上で例えば１２０℃、４分間、プリベークを行う。プリベークを行ったのち、図示しない露光装置により平坦化絶縁膜１３を露光し、続いて図示しないスプレー現像装置により現像処理を行い、平坦化絶縁膜１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。このとき、現像液としては、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド）の２．３８％水溶液を用いることができる。
【００２９】
続いて、同じく図３（Ｂ）に示したように、平坦化絶縁膜１３を構成する感光性ポリイミドを環化するため、クリーンベーク炉で窒素雰囲気中で焼成する。このとき、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度は、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くする。これにより、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制し、第１電極１４または電極間絶縁膜１５の表面の荒れを防いで、素子特性および信頼性を高めることができる。
【００３０】
なお、焼成温度は、使用する感光性樹脂の種類に応じて適切な温度範囲内の温度に設定すべきことは言うまでもない。例えば、ポリイミドの場合には、例えば２００℃以上４００℃以下とすることが望ましい。４００℃よりも高い温度では分解しはじめてしまい、２００℃よりも低いと環化が十分に進行しなくなってしまうからである。ポリベンゾオキサゾールの場合には、例えば２８０℃以上４００℃以下とすることが望ましい。また、上記温度範囲内の温度で焼成する前に、必要に応じて、上記温度範囲よりも低い温度で、予備的な焼成を行うようにしてもよい。
【００３１】
具体的には、例えば、上述したように平坦化絶縁膜１３をポリイミドにより構成し、電極間絶縁膜１５をポリベンゾオキサゾールにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２８０℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３２０℃で４５分間焼成する。
【００３２】
また、平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５をともにポリイミドにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば２２０℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２００℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２８０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２５０℃で４５分間焼成する。
【００３３】
更に、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成し、電極間絶縁膜１５をポリイミドにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２００℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２５０℃で４５分間焼成する。
【００３４】
平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５をいずれもポリベンゾオキサゾールにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２８０℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３２０℃で４５分間焼成する。
【００３５】
続いて、図４（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１３の上に、例えばスパッタ法により、例えば上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１４を形成したのち、例えばリソグラフィー技術およびエッチングにより、第１電極１４を所定の形状にパターニングする。これにより、平坦化絶縁膜１３の上に、複数の第１電極１４が形成される。
【００３６】
そののち、図４（Ｂ）に示したように、複数の第１電極１４の間の領域に、平坦化絶縁膜１３と同様にして、例えば感光性ポリイミドよりなる電極間絶縁膜１５を形成し、焼成する。電極間絶縁膜１５を焼成する温度は、上述したように、平坦化絶縁膜１３を焼成した温度よりも低くする。これにより、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生することが抑制され、第１電極１４または電極間絶縁膜１５の表面の荒れが防止され、素子特性および信頼性が向上する
【００３７】
続いて、図５（Ａ）に示したように、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａ，有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂおよび有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１６を形成する。そののち、同じく図５（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂを順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１６を形成する。続いて、同じく図５（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１６を形成する。
【００３８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６を形成したのち、図５（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる第２電極１７を形成する。以上により、図１および図２に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００３９】
次に、図６に示したように、第２電極１７の上に、上述した厚みおよび材料よりなる保護膜１８を形成する。これにより、図１に示した駆動パネル１０が形成される。
【００４０】
また、図７（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図７（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。
【００４１】
封止パネル２０および駆動パネル１０を形成したのち、駆動用基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、例えばスリットノズル型ディスペンサを用いて、またはロールコート法あるいはスクリーン印刷法により、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。続いて、図１に示したように、駆動パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止パネル２０のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、駆動パネル１０と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と駆動パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、図１および図２に示した表示装置が完成する。
【００４２】
この表示装置では、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第２電極１７および封止パネル２０を透過して取り出される。ここでは、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにしたので、第１電極１４および電極間絶縁膜１５の表面の荒れが防止され、平滑性が高くなっている。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命などの特性が向上すると共に第１電極１４と第２電極１７との短絡が防止される。
【００４３】
このように本実施の形態では、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにしたので、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制することができる。よって、第１電極１４の表面の荒れを防止して平滑性を高め、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの歩留り、寿命などの信頼性を向上させることができる。また、電極間絶縁膜１５の表面の荒れを防止して平滑性を高め、第１電極１４と第２電極１７との短絡を防ぐことができる。更に、エッチング工程を省略して平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５の両方の製造コストを抑えることができ、低コストで信頼性の高い表示装置を実現することができる。
【実施例】
【００４４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４５】
（実施例）
上記実施の形態の図３および図４に示した工程により、駆動用基板１１上に、平坦化絶縁膜１３，第１電極１４および電極間絶縁膜１５を作製した。その際、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成し、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を３５０℃とし、電極間絶縁膜１５をポリベンゾオキサゾールにより構成し、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を３２０℃とした。得られた電極間絶縁膜１５の表面を光学顕微鏡で観察した。その結果を図８に示す。
【００４６】
本実施例に対する比較例として、平坦化絶縁膜を焼成する温度と電極間絶縁膜を焼成する温度とを、両方とも３５０℃と同じ温度にしたことを除き、本実施例と同様にして平坦化絶縁膜，第１電極および電極間絶縁膜を作製した。得られた電極間絶縁膜の表面を光学顕微鏡で観察した。その結果を図９に示す。
【００４７】
図８および図９から分かるように、本実施例では、平滑性の良好な電極間絶縁膜１５が得られたのに対して、比較例では電極間絶縁膜の表面に多数の微細な孔あるいは汚れのようなものが見られた。すなわち、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにすれば、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制することができ、電極間絶縁膜１５の平滑性を高めることができることが分かった。
【００４８】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および上記実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および上記実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４９】
更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、保護膜１８などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００５０】
加えてまた、上記実施の形態では、本発明を有機発光素子を備えた表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、絶縁膜を２層以上備えた他の表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。
【図３】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】本発明の実施例に係る電極間絶縁膜の表面を表す光学顕微鏡写真である。
【図９】比較例に係る電極間絶縁膜の表面を表す光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…駆動パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化絶縁膜、１３Ａ…接続孔、１４…第１電極（陽極）、１５…電極間絶縁膜、１５Ａ…開口部、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１６Ｃ…電子輸送層、１７…第２電極（陰極）、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、３０…接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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