(57)【要約】    【課題】  コイルターン数を維持したままでコイル抵抗値を下げ、発熱量を低減し、または、ヨーク長を短くし、高周波特性を改善した薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。    【解決手段】  書き込み素子２において、第１及び第２のコイル２３１、２３２は、第１の磁性膜２１１の一面上に形成された第１の絶縁膜２５１の上に設けられ、バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回する。第１及び第２のコイル２３１、２３２は、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜２５２を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続されている。第１及び第２のコイル２３１、２３２のいずれか一方は、ポール部P1及びバックギャップ部と、第２の絶縁膜２５２を介して隣接し、隣接する側面は、断面形状でみて、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有している。第１及び第２のコイル２３１、２３２は、上面が導体面による同一平面を構成している。【選択図】    図３
2005116008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込み素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記書き込み素子は、第１の磁性膜と、ポール部と、第２の磁性膜と、ギャップ膜と、第１のコイルと、第２のコイルとを含んでおり、
前記第１の磁性膜は、一面が平面であり、
前記ポール部は、第１のポール部と、第２のポール部とを含み、
第１のポール部は、媒体対向面側において、前記第１の磁性膜の前記一面上に突設され、縮小されたトラック幅を有しており、
前記第２のポール部は、前記第１のポール部と前記ギャップ膜を介して対向しており、
前記第２の磁性膜は、前記第２のポール部に連なり、前記媒体対向面を基準にして後方側のバックギャップ部により、前記第１の磁性膜と結合されており、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、前記第１の磁性膜の前記一面上で、前記バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続されており、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルのいずれか一方は、前記ポール部及び前記バックギャップ部と、前記第２の絶縁膜を介して隣接し、隣接する前記側面は、断面形状でみて、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有しており、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、上面が導体面による同一平面を構成している
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のコイルは、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有しており、
前記第２のコイルは、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有し、最外のコイルターンが、前記ポール部及び前記バックギャップ部に隣接する
薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記テーパ角は、前記第１の磁性膜の前記一面を基準にして、８０度以上９０度未満である薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のコイルは、メッキ膜であり、前記第１の磁性膜の前記一面に付着された前記第１の絶縁膜の上に形成されており、
前記第２のコイルは、メッキ膜であり、前記スペース内において、前記第２の絶縁膜の上に形成されており、前記第２の絶縁膜は、前記スペースの底面及び両側面に形成されている
薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、
更に、第３のコイルと、第４のコイルとを含み、
前記第３のコイル及び前記第４のコイルは、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの上に、第３の絶縁膜を介して積層され、前記第３の絶縁膜の面上で、前記バックギャップ部に結合されたバックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第４の絶縁膜を介して嵌め込まれており、
前記第３のコイル及び前記第４のコイルのいずれか一方は、最外周コイルターンが前記ポール部と前記第４の絶縁膜を介して隣接し、最内周コイルターンが前記バックギャップ部と、前記第４の絶縁膜を介して隣接している
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項５に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第３のコイル及び前記第４のコイルのいずれか一方は、前記ポール部及び前記バックギャップ部と、前記第４の絶縁膜を介して隣接し、隣接する側面が、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有している
薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第３のコイルは、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有しており、
前記第４のコイルは、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有し、最外のコイルターンが、前記ポール部及び前記バックギャップ部に隣接する薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記テーパ角は、前記第３の絶縁膜の前記一面を基準にして、８０度以上９０度未満である
薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第３のコイルは、メッキ膜であり、前記第３の絶縁膜の上に形成されており、
前記第４のコイルは、メッキ膜であり、前記スペース内において、第４の絶縁膜の上に形成されており、前記第４の絶縁膜は、前記スペースの底面及び両側面に形成されている
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、更に、読み取り素子を含んでおり、前記読み取り素子は、巨大磁気抵抗効果素子を含む
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項１０に記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記巨大磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜または強磁性トンネル接合の何れかを含む
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
薄膜磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至１１の何れかに記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う
磁気記録再生装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１の磁性膜の一面上に形成された第１の絶縁膜上に、第１のコイル、第１のポール片及び第１のバックギャップ片を形成し、これらは、断面形状で見て、下方で広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有するように形成し、
次に、前記第１のコイル、前記第１のポール片及び前記第１のバックギャップ片の表面、並びに、その周りに、その表面形状に添って第２の絶縁膜を付着させた後、前記第２の絶縁膜の上に第１のＳｅｅｄ膜を付着させ、
次に、前記第２のコイルの形成領域内において、前記第１のＳｅｅｄ膜の上に前記第１のポール片と前記第１のコイルの最外ターンとの間、前記第１のコイルのコイルターン間、および、前記第１のコイルの最内周ターンと前記第１のバックギャップ片との間のスペースを埋めるように、前記第２のコイルのためのメッキ膜を成長させ、
次に、前記メッキ膜を研磨して平坦化し、パターン化された第２のコイルを得る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第２のコイルをパターン化するための平坦化処理を施した後、更に、その平坦化面上に、前記第３のコイル、第２のポール片及び第２のバックギャップ片を形成し、
次に、前記第３のコイル、前記第２のポール片及び前記第２のバックギャップ片の表面、並びに、その周りに、第３の絶縁膜を付着させ、
次に、前記第３の絶縁膜の上に第２のＳｅｅｄ膜を付着させ、
次に、前記第４のコイルの形成領域内において、前記第２のＳｅｅｄ膜の上に前記第２のポール片と前記第３のコイルの最外ターンとの間、前記第３のコイルのコイルターン間、および、前記第３のコイルの最内周ターンと前記第２のバックギャップ片との間のスペースを埋めるように、前記第４のコイルのためのメッキ膜を成長させ、
次に、前記メッキ膜を覆う絶縁膜を付着させた後、前記第４のコイルをパターン化するための平坦化処理を施す工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第３のコイル、前記第２のポール片及び前記第２のバックギャップ片は、断面形状で見て、下方で広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有するように形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１のコイルはＣｕメッキによって形成し、前記第２のコイルのためのメッキ膜はＣｕメッキによって形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１のＳｅｅｄ膜は、スパッタによって形成されたＣｕ膜と、ＣＶＤによって形成されたＣｕ膜とを含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第２のコイルは、スパッタによって形成されたＣｕ膜と、ＣＶＤによって形成されたＣｕ膜とを含む膜を、第２のＳｅｅｄ膜とし、その上にＣｕメッキを施すことによって形成する工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
請求項１３乃至１８の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記絶縁膜は、アトミックレイヤー法によって形成されたアルミナＣＶＤ膜である
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
請求項１３乃至１９の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記絶縁膜は、膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
請求項１３乃至２０の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記テーパ角は、フォトリソグラフィー工程におけるフォーカス位置の選定によって決定する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
請求項１３乃至２０の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記テーパ角は、イオン．ビーム．エッチングによって決定する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、これを用いた磁気記録装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、薄膜磁気ヘッドの改良に係る。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドの内部に備えられる書き込み素子は、空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）の側（前方部と称する）において、第１のポール部及び第２のポール部を、ギャップ膜を介して対向させ、ＡＢＳとは反対側の後方部において、第１のポール部に連なる下部磁性膜及び第２のポール部に連なる上部磁性膜を結合させ、バックギャップを構成する。バックギャップの周りには、下部磁性膜及び上部磁性膜の膜面に対して平行で、かつ、ＡＢＳに対してほぼ直交する平面に、バックギャップを周回する平面状のコイルが配置される。コイルは、一般にフレームメッキ法によって形成される。
【０００３】
この種の薄膜磁気ヘッドでは、バックギャップからポール部までのヨーク長ＹＬが短いほど、優れた高周波特性が得られることが知られている。ヨーク長を短くするには、バックギャップからポール部までの間に配置されるコイルのターン数を減少させるか、又はターン数を減少させずに、コイル幅を小さくしなければならない。
【０００４】
しかし、コイルのターン数は、要求される起磁力によって定まるため、コイルターン数を減少させることによって、ヨーク長ＹＬを短くすることには限界がある。
【０００５】
一方、ターン数を減少させずに、コイル幅を小さくした場合は、コイルの電気抵抗が増え、書き込み動作時に発熱温度が上昇する。発熱温度が上昇すると、第１のポール部及び第２のポール部が熱膨張し、ポール部がＡＢＳに盛り上がるサーマルプロトリュージョンを発生する。サーマルプロトリュージョンが発生すると、書き込み及び読み取り動作時に、サーマルプロトリュージョンを生じた部分が磁気記録媒体に接触し、ヘッドクラッシュ又は磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を招くから、厳に回避しなければならない。サーマルプロトリュージョンの回避が不可能であれば、結局は、薄膜磁気ヘッドの浮上量を増大させなければならず、そうすると、高記録密度のための低浮上量化の要求に応えることができなくなる。
【０００６】
上述した問題を解決するのに有効であるかもしれない先行技術として、U.S.P.4,416,056号がある。この先行技術は、第１層目の複数の導体を一定の間隔で水平に並べテーパターニングし、次に、絶縁膜を介して、複数本の導体を、前記間隔を埋めるようにパターニングする技術を開示している。
【０００７】
しかし、この先行技術は、第１層目の複数の導体の上面まで絶縁膜によって覆う構造を開示しているので、絶縁膜が存在する分だけ、第１層目の導体の断面積が小さくなる。つまり、上述した先行技術は、第１層目の複数の導体の断面積を最大にする技術を開示していない。
【０００８】
また、上述した先行技術は、ポール部と、バックギャップとに対する導体の相対関係についても、開示がない。導体の配線密度が高くなり、それがヨーク長ＹＬを短くすることに貢献するとしても、導体と、ポール部及びバックギャップとの間の間隔が狭くならないのであれば、ヨーク長ＹＬの短縮化に限界を生じることは明らかである。
【０００９】
更に、導体と、ポール部及びバックギャップとの間の間隔を、単に狭くしさえすればよい、というものではない。なぜなら、導体と、ポール部及びバックギャップとの間の間隔を狭くすると、その間隔が完全には埋められずに、key  holeを生じてしまう危険性があるからである。
【００１０】
別の先行技術として、U.S.P.6,226,860 B1がある。この先行技術も、上述した問題点を解決する手段は開示していない。
【特許文献１】米国特許第4,416,056号明細書
【特許文献２】米国特許第6,226,860号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減した薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。
【００１２】
本発明のもう一つの課題は、ヨーク長を短くし、高周波特性を改善した薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、書き込み素子に含まれる第１のコイル及び第２のコイルが、下部磁性膜の上に形成された第１の絶縁膜の一面上で、バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し手いる。第１のコイル及び第２のコイルの一方は、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜を介して嵌め込まれる。
【００１４】
第１のコイル及び第２のコイルの間に存在する前記第２の絶縁膜は、例えば、Chemical  vapor  deposition（以下、ＣＶＤと称する）を適用して、０．１μｍ程度の極薄膜のＡｌ2Ｏ3膜として形成できる。したがって、バックギャップ部と第１のポール部との間で、第１のコイル及び第２のコイルの断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。
【００１５】
第１のコイル及び第２のコイルは、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長ＹＬを短くすることができる。
【００１６】
第１のコイル及び第２のコイルは同一方向の磁束を生じるように接続される。第１のコイル及び第２のコイルは、巻き方向が同一になるので、第１のコイルの内端と、第２のコイルの外端とを接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。あるいは、第１のコイル及び第２のコイルを並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。
【００１７】
前記第１のコイル及び前記第２のコイルのいずれか一方は、前記ポール部及び前記バックギャップ部とは、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有して隣接している。この構成によれば、前記第１のコイル及び前記第２のコイルのうち、ポール部及びバックギャップ部と隣接するコイルを、Key  holeを生じることなく形成できるので、信頼性が向上する。
【００１８】
しかも、第１のコイル及び第２のコイルのいずれか一方と、ポール部及びバックギャップ部とは、例えば、ＣＶＤを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜となり得る第２の絶縁膜によって隔てられるので、ヨーク長ＹＬの短縮化を、更に促進することができる。
【００１９】
第１のコイル及び第２のコイルは、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第１のコイル及び第２のコイルの上面に対して、共通の第３の絶縁膜を付与することができるので、第１のコイル及び第２のコイルの上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第１のコイル及び第２のコイルの上に更に他のコイルを形成する際に、安定したベースを提供し、他のコイルを高精度のパターンとして形成することが可能になる。
【００２０】
第１のコイル及び第２のコイルの上に、更に、他のコイルを形成する際は、第１のコイル及び第２のコイルの平坦化とあわせて、ポール片及びバックギャップ片の上面も、コイルの導体面と同一平面となるようにする。こうすることにより、他のコイルを形成する際に必要となるポール片及びバックギャップ片を、平坦化された第１のポール片及びバックギャップ片の上面に、高精度パターンとして形成することができる。
【００２１】
好ましくは、前記第１のコイルは、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有しており、前記第２のコイルは、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有する。この構成によれば、第１のコイルを形成した後、第２のコイルを形成するプロセスを採用することにより、第２のコイルを形成するときに、Key  holeが生じるのを回避し、信頼性を向上させることができる。
【００２２】
前記テーパ角は、前記下部磁性膜の前記一面を基準にして、８０度以上９０度未満であることが好ましい。この場合、第１のコイルは、メッキ膜であり、下部磁性膜の一面に付着された第１の絶縁膜の上に形成される。第２のコイルも、メッキ膜であり、第１のコイルのコイルターン間に生じるスペース内において、第２の絶縁膜の上に形成される。前記第２の絶縁膜は、前記スペースの底面及び両側面に形成される。
【００２３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、第３のコイルを含んでいてもよい。前記第３のコイルは、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの上に、第３の絶縁膜を介して積層され、前記第３の絶縁膜の面上で、バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、第１のコイル及び第２のコイルに対して、同一方向の磁束を生じるように、直列に接続される。この構造によれば、追加的な第３のコイルにより、コイルターン数が増大され、書き込みのための起磁力が増大する。
【００２４】
更に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、第３のコイルと、第４のコイルとを含んでいてもよい。前記第３のコイル及び前記第４のコイルは、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの上に、第３の絶縁膜を介して積層され、前記第３の絶縁膜の面上で、バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第４の絶縁膜を介して嵌め込まれる。
【００２５】
前記第３のコイル及び前記第４のコイルのいずれか一方は、最外周コイルターンが、前記ポール部と、第４の絶縁膜を介して隣接し、最内周コイルターンが前記バックギャップ部と、第４の絶縁膜を介して隣接している。
【００２６】
上述した態様の薄膜磁気ヘッドでは、第１の態様に関して述べた効果が得られる他、追加的な第３のコイル及び第４のコイルにより、コイルターン数が増大され、書き込みのための起磁力が増大する。
【００２７】
好ましくは、第３のコイル及び第４のコイルのいずれか一方は、ポール部及び前記バックギャップ部と、第４の絶縁膜を介して隣接し、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有して隣接する。この構成によれば、前記第３のコイル及び前記第４のコイルのうち、ポール部及びバックギャップ部と隣接するコイルを、Key  holeを生じることなく形成できるので、信頼性が向上する。
【００２８】
しかも、第３のコイル及び第４のコイルのいずれか一方と、ポール部及びバックギャップ部とは、例えば、ＣＶＤを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜となり得る第４の絶縁膜によって、隔てられるので、ヨーク長ＹＬの短縮化を図り、高周波特性の向上に寄与することができる。
【００２９】
一つの具体的態様として、前記第３のコイルは、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有し、前記第４のコイルは、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有していてもよい。この場合、第４のコイルの最外のコイルターンが、前記ポール及び前記バックギャップ部に隣接する。この構成によれば、第３のコイルを形成した後、第４のコイルを形成するプロセスを採用することにより、第４のコイルを形成するときに、Key  holeが生じるのを回避し、信頼性を向上させることができる。
【００３０】
前記テーパ角は、前記第３の絶縁膜の前記一面を基準にして、８０度以上９０度未満であることが好ましい。前記第３のコイルは、メッキ膜であり、前記第３の絶縁膜の上に形成される。前記第４のコイルも、メッキ膜であり、前記スペース内において、第４の絶縁膜の上に形成される。前記第４の絶縁膜は、前記スペースの底面及び両側面に形成される。
【００３１】
上述した薄膜磁気ヘッドのうち、第１のコイル及び第２のコイルを有する第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、次のプロセスによって製造できる。
【００３２】
まず、下部磁性膜の一面上に形成された第１の絶縁膜の上に、第１のコイル、第１のポール片及び第１のバックギャップ片を形成する。これらは、断面形状で見て、下方で広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有するように形成する。
【００３３】
次に、前記第１のコイル、前記第１のポール片及び前記第１のバックギャップ片の周りに、第２の絶縁膜を付着させ、更に、前記第２の絶縁膜の上に第１のＳｅｅｄ膜を付着させる。
【００３４】
次に、第２のコイルの形成領域内において、前記第１のＳｅｅｄ膜の上に前記第１のポール片と前記第１のコイルの最外ターンとの間、前記第１のコイルのコイルターン間、および、前記第１のコイルの最内周ターンと前記第１のバックギャップ片との間のスペースを埋めるように、第２のコイルのためのメッキ膜を成長させる。
【００３５】
次に、前記メッキ膜を研磨して平坦化し、パターン化された第２のコイルを得る。
【００３６】
第１のコイル及び第２のコイルに加えて、第３のコイルを有する薄膜磁気ヘッドを製造するためのプロセスは、次のようになる。
【００３７】
まず、前記第２のコイルをパターン化するための平坦化処理を施した後、平坦化面上に、第３の絶縁膜をパターン形成する。第３の絶縁膜は、第３のコイルを形成する領域よりも少し広い領域を覆い、第１のポール片及び第１のバックギャップ片は覆わないパターンとなるように形成する。
【００３８】
そして、第３の絶縁膜の上に第３のコイルを形成するとともに、第１のポール片上に第２のポール片を形成し、第１のバックギャップ片の上に第２のバックギャップ片を形成する。
【００３９】
第１のコイル及び第２のコイルに加えて、第３のコイル及び第４のコイルを有する薄膜磁気ヘッドを製造するためのプロセスは、次のようになる。
【００４０】
まず、第３のコイル、第２のポール片及び第２のバックギャップ片を形成した後、前記第３のコイル、前記第２のポール片及び前記第２のバックギャップ片の表面、並びに、その周りに、第４の絶縁膜を付着させ、更に、前記第４の絶縁膜の上に第２のＳｅｅｄ膜を付着させる。
【００４１】
次に、第４のコイルの形成領域内において、前記第２のＳｅｅｄ膜の上に前記第２のポール片と前記第３のコイルの最外ターンとの間、前記第３のコイルのコイルターン間、および、前記第３のコイルの最内周ターンと前記第２のバックギャップ片との間のスペースを埋めるように、第４のコイルのためのメッキ膜を成長させる。
【００４２】
次に、前記メッキ膜を覆う絶縁膜を付着させた後、前記メッキ膜を研磨して平坦化し、パターン化された第４のコイルを得る。
【００４３】
前記第３のコイル、第２のポール片及び第２のバックギャップ部は、断面形状で見て、下方で広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有するように形成することができる。この場合、前記第３のコイルはＣｕの電解メッキ法によって形成し、前記第４のコイルのためのメッキ膜はＣｕの電解メッキ法によって形成するのが望ましい。
【００４４】
上述した３つの態様に係る製造方法は、次のような共通の技術的事項を含むことができる。
【００４５】
まず、前記第１及び第２のＳｅｅｄ膜は、スパッタによって形成されたＣｕ膜と、ＣＶＤによって形成されたＣｕ膜とを含むことができる。
【００４６】
前記第２及び第４のコイルは、スパッタによって形成されたＣｕ膜と、ＣＶＤによって形成されたＣｕ膜とを含む膜を、第２のＳｅｅｄ膜とし、その上にＣｕ電解メッキを施すことによって形成することができる。
【００４７】
第１〜第４の絶縁膜は、限定するものではないが、アトミックレイヤー法によって形成されたアルミナＣＶＤ膜である。この場合、前記絶縁膜は、膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲になる。
【００４８】
前記テーパ角は、フォトリソグラフィー工程におけるフォーカス位置の選定によって決定することもできるし、イオン．ビーム．エッチングによって決定することもできる。
【００４９】
本発明は、更に、薄膜磁気ヘッドとヘッド支持装置とを組み合わせた磁気ヘッド装置、及び、この磁気ヘッド装置と磁気記録媒体（ハ−ドディスク）とを組み合わせた磁気記録再生装置についても開示する。
【００５０】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。図面は単なる例示にすぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
１．薄膜磁気ヘッド
図１〜図４を参照すると、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ５と、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含む。スライダ５は、例えば、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体１５の表面に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁膜１６を設けた（図３参照）セラミック構造体である。スライダ５は、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状の代表例として、図示では、ＡＢＳ側の基底面５０に、第１の段部５１、第２の段部５２、第３の段部５３、第４の段部５４、及び、第５の段部５５を備える例を示してある。基底面５０は、矢印F1で示す空気の流れ方向に対する負圧発生部となり、第２の段部５２及び第３の段部５３は、第１の段部５１から立ち上がるステップ状の空気軸受けを構成する。第２の段部５２及び第３の段部５３の表面は、ＡＢＳとなる。第４の段部５４は、基底面５０からステップ状に立ち上がり、第５の段部５５は第４の段部５４からステップ状に立ちあがっている。電磁変換素子２、３は第５の段部５５に設けられている。
【００５２】
電磁変換素子２、３は、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含む。書き込み素子２及び読み取り素子３は、空気の流れ方向Ａで見て、空気流出端（トレーリング．エッジ）の側に備えられている。
【００５３】
図３、図４を参照するに、書き込み素子２は、下部磁性膜２１１と、上部磁性膜２２１、２２２と、アルミナ等でなるギャップ膜２４と、第１のポール部Ｐ１と、第２のポール部Ｐ２と、第１のコイル２３１と、第２のコイル２３２とを有している。下部磁性膜２１１及び上部磁性膜２２１、２２２における「下部」及び「上部」という表現は、図示実施例を参照する限りの表現であって、下部磁性膜２１１及び上部磁性膜２２１、２２２の上下関係が、逆転する場合もありえる。
【００５４】
下部磁性膜２１１は、絶縁膜３４によって支持され、その表面は実質的に平坦な平面となっている。絶縁膜３４は、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮまたはＤＬＣ等の無機絶縁材料によって構成される。上部磁性膜２２１、２２２は、下部磁性膜２１１とはインナーギャップを介して向き合っている。
【００５５】
下部磁性膜２１１及び上部磁性膜２２１、２２２は、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＣｏＮｉＦｅ，ＦｅＮまたはＦｅＺｒＮ等の磁性材料から選択することができる。下部磁性膜２１１及び上部磁性膜２２１、２２２のそれぞれは、各膜厚が、例えば、０．２５〜３μｍの範囲に設定される。このような下部磁性膜２１１、上部磁性膜２２１、２２２はフレームメッキ法によって形成できる。
【００５６】
図示実施例において、下部磁性膜２１１は、ＣｏＦｅＮまたはＣｏＮｉＦｅのいずれかによって構成するものとする。また、上部磁性膜２２１、２２２は、下部磁性膜２１１を第１の磁性膜と称したとき、第２の磁性膜２２１と、第３の磁性膜２２２とを積層した構造を有する。以下の説明において、説明の都合上、下部磁性膜２１１は第１の磁性膜と称し、上部磁性膜２２１、２２２を構成する２つの磁性膜２２１、２２２は、それぞれ、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２と称することとする。第２の磁性膜２２１はＣｏＮｉＦｅによって構成し、第３の磁性膜２２２は飽和磁束密度の高いＣｏＦｅＮで構成することができる。
【００５７】
第１の磁性膜２１１、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２の先端部は、微小厚みのギャップ膜２４を隔てて対向する第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２の一部を構成しており、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２において書き込みを行なう。ギャップ膜２４は、非磁性金属膜またはアルミナ等の無機絶縁膜によって構成される。
【００５８】
図示実施例において、第１のポール部Ｐ１は、第１の磁性膜２１１の上に、ポール片２１２、ポール片２１３及びポール片２１４を、この順序で積層した構造を有する。ポール片２１２、ポール片２１３及びポール片２１４は、ＣｏＦｅＮまたはＣｏＮｉＦｅのいずれかによって構成することができる。
【００５９】
第２のポール部Ｐ２は、ギャップ膜２４の上に、ポール片２２３を積層し、ポール片２２３の上に、第３の磁性膜２２２の端部によって構成される第７のポール片及び第２の磁性膜２２１の端部によって構成される第８のポール片を、順次に積層した構造となっている。
【００６０】
図４を参照すると、第１の磁性膜２１１の端部、ポール片２１２及びポール片２１３は、ＡＢＳのトラック幅方向に広がりを見せているが、ポール片２１４は、その上端側が、両側から、狭トラック幅ＰＷとなるように削減されており、その上に積層されているギャップ膜２４、ポール片２２３、第３の磁性膜２２２の端部及び第２の磁性膜２２１の端部も、ポール片２１４とほぼ同じ狭トラック幅ＰＷとなっている。これにより、高密度記録に対応した狭トラック幅ＰＷが得られる。
【００６１】
第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２は、更に、第１の磁性膜２１１との間にインナーギャップを保って、ＡＢＳ５２、５３の後方に延び、バックギャップ片２１６、２１７、２１８及びバックギャップ片２２４において、第１の磁性膜２１１に結合されている。これにより、第１の磁性膜２１１、第２の磁性膜２２１、第３の磁性膜２２２及びギャップ膜２４を巡る薄膜磁気回路が完結する。
【００６２】
インナーギャップは、絶縁膜２５４〜２５７によって埋められており、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２によって構成される上部磁性膜は、絶縁膜２５７の上に形成されている。
【００６３】
次に、図６を参照すると、第１及び第２のコイル２３１、２３２は、バックギャップ片２１６、２１７、２１８及びバックギャップ片２２４の周りを周回している。
【００６４】
第１のコイル２３１は、スパイラル状であって、第１の磁性膜２１１の平坦な一面に形成された絶縁膜２５１の面上に配置され、絶縁膜２５１の面に対して垂直となる１つの軸の周りを平面状に周回する。第１のコイル２３１は、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜２５１は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮまたはＤＬＣ等の無機絶縁材料によって構成される。
【００６５】
第２のコイル２３２もスパイラル状であって、第１のコイル２３１のコイルターン間のスペースに、絶縁膜２５２を介して嵌め込まれ、軸の周りを平面状に周回する。第２のコイル２３２も、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜２５２も、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮまたはＤＬＣ等の無機絶縁材料によって構成される。
【００６６】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の周りは、絶縁膜２５３によって埋められている（図３参照）。絶縁膜２５３も、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮまたはＤＬＣ等の無機絶縁材料によって構成される。
【００６７】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の間に存在する絶縁膜２５２は、例えば、ＣＶＤを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜のＡｌ2Ｏ3膜として形成できる。したがって、バックギャップ片２１６〜２１８、２２４とポール部Ｐ１、Ｐ２との間で、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部Ｐ１、Ｐ２におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。
【００６８】
第２のコイル２３２は、第１のコイル２３１のコイルターン間のスペースに、絶縁膜２５２を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長ＹＬ（図３参照）を短くすることができる。
【００６９】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、同一方向の磁束を生じるように接続される。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、巻き方向が同一になるので、第１のコイル２３１の内端２８１と、第２のコイル２３２の外端２８３とを、接続導体２８２で接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。第１のコイル２３１の外端２８６は接続導体２８５により端子２８４に接続され、更に、リード導体２９１により外部に導かれ、取り出し電極２９（図１参照）に接続される。第２のコイル２３２の内端２８７は接続導体２８８により、端子２８９に接続され、更に、リード導体２９２により外部に導かれ、取り出し電極３０（図１参照）に接続される。
【００７０】
図６の図示とは異なって、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２を並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。
【００７１】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２のいずれか一方は、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１２及びバックギャップ片２１６と、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有して隣接している。図示実施例では、第２のコイル２３２が、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１２と、バックギャップ片２１６とに対して、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角θ１を有して隣接している。
【００７２】
テーパ角θ１を有する構成によれば、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２のうち、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６と隣接する第２のコイル２３２を、Key  holeを生じることなく形成できるので、信頼性が向上する。
【００７３】
しかも、第２のコイル２３２と、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６とは、例えば、ＣＶＤを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜となり得る絶縁膜２５２によって隔てられるので、ヨーク長ＹＬの短縮化を、更に促進することができる。
【００７４】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対して、共通の絶縁膜２５４を付与することができるので、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、平坦な安定したベース面を形成し、その後に高精度のパターンを形成することができる。
【００７５】
図示実施例において、第１のコイル２３１は、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角θ２を有している。第２のコイル２３２は、第１のコイル２３１のコイルターン間のスペースを、絶縁膜２５２を介して埋めているので、第１のコイル２３１の断面形状を反映し、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角θ３（＝θ２）を有する。この構成によれば、第１のコイル２３１を形成した後、第２のコイル２３２を形成するプロセスを採用することにより、第２のコイル２３２を形成するときに、Key  holeが生じるのを回避し、信頼性を向上させることができる。
【００７６】
テーパ角θ１〜θ３は、第１の磁性膜２１１又は絶縁膜２５１の一面を基準にして、８０度以上９０度未満であることが好ましい。この場合、第１のコイル２３１は、メッキ膜であり、第１の磁性膜２１１の一面に付着された絶縁膜２５１の上に形成される。第２のコイル２３２も、メッキ膜であり、第１のコイル２３１のコイルターン間に生じるスペース内において、絶縁膜２５２の上に形成される。絶縁膜２５２は、スペースの底面及び両側面に形成される。
【００７７】
保護膜２５８は、書き込み素子２の全体を覆っている。保護膜２５８は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等の無機絶縁材料で構成されている。
【００７８】
読み取り素子３の付近には、第１のシールド膜３１と、絶縁膜３２と、第２のシールド膜３３とが備えられている。第１のシールド膜３１及び第２のシールド膜３３は、ＮｉＦｅ等によって構成される。第１のシールド膜３１は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁膜１６の上に形成されている。絶縁膜１６はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体１５の表面に形成されている。
【００７９】
読み取り素子３は、第１のシールド膜３１及び第２のシールド膜３３の間の絶縁膜３２の内部に配置されている。読み取り素子３は、端面がＡＢＳ５２、５３に臨んでいる。読み取り素子３は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を含む。ＧＭＲ素子は、スピンバルブ膜または強磁性トンネル接合素子の何れかによって構成することができる。
【００８０】
次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図７、図８を参照して説明する。図７及び図８において、図１〜図６に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドは、第１のコイル２３１〜第３のコイル２３３を含んでいる。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、図１〜図６に示した実施例と同様の構成である。
【００８１】
第３のコイル２３３は、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、絶縁膜２５４を介して積層され、絶縁膜２５４の面上で、バックギャップ片２２４の周りを、渦巻き状に周回している。第３のコイル２３３は、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２に対して、同一方向の磁束を生じるように、直列に接続されている。例えば、図６において、第２のコイル２３２の外端２８３に第３のコイル２３３の外端を接続し、第３のコイル２３３を第２のコイル２３２と同一方向に周回させ、その内端を、第１のコイル２３１の内端２８１と接続させる。
【００８２】
図７、図８の実施例では、第３のコイル２３３のコイルターン間は、絶縁膜２７１によって絶縁し、絶縁膜２７１の周囲を、絶縁膜２５５によって覆ってある。絶縁膜２７１は、有機絶縁樹脂または無機絶縁樹脂のいずれによって構成してもよい。実施例は、有機絶縁樹脂で構成した例を示している。絶縁膜２５５はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等の無機絶縁材料によって構成することができる。
【００８３】
図７、図８の実施例において、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、図１〜図６に示した実施例と同様の構成であり、したがって、同様の利点が得られるほか、追加的な第３のコイル２３３を有することにより、コイルターン数が増大され、書き込みのための起磁力が増大する。
【００８４】
更に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図９、図１０を参照して説明する。図９、図１０において、図１〜図６に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドは、第１のコイル２３１〜第４のコイル２３４を含んでいる。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、図１〜図６に示した実施例と同様の構成である。
【００８５】
第３のコイル２３３及び第４のコイル２３４は、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、絶縁膜２７２を介して積層され、絶縁膜２７２の面上で、バックギャップ片２１６の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、絶縁膜２７３を介して嵌め込まれる。
【００８６】
第４のコイル２３４は、最外周コイルターンが第２のポール部Ｐ２と絶縁膜２７３を介して隣接し、最内周コイルターンがバックギャップ片２１６と絶縁膜２７３を介して隣接している。
【００８７】
上述した態様の薄膜磁気ヘッドでは、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１３、バックギャップ片２１７、第３のコイル２３３及び第４のコイル２３４に関して、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１２及びバックギャップ片２１６、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２について述べた作用及び効果が得られる他、追加的な第３のコイル２３３及び第４のコイル２３４により、コイルターン数が増大され、書き込みのための起磁力が増大する。
【００８８】
図示実施例において、第４のコイル２３４は、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１３及びバックギャップ片２１７と、絶縁膜２７３を介して隣接し、断面形状で見て、下方で狭く、上方に向かうほど広くなるテーパ角を有して隣接する。この構成によれば、第１のポール部Ｐ１のポール片２１３及びバックギャップ片２１７と隣接する第４のコイル２３４を、Key  holeを生じることなく形成できるので、信頼性が向上する。
【００８９】
しかも、第４のコイル２３４と、第１のポール部Ｐ１を構成するポール片２１３及びバックギャップ片２１７とは、例えば、ＣＶＤを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜となり得る絶縁膜２７３によって隔てられるので、ヨーク長ＹＬの短縮化を図り、高周波特性の向上に寄与することができる。
【００９０】
一つの具体的態様として、第３のコイル２３３は、その断面形状で見て、下方が広く、上方に向かうほど狭くなるテーパ角を有し、第４のコイル２３４は、その断面形状で見て、下方が狭く、上方に向かうほど広くなるテーパを有していてもよい。この場合、第４のコイル２３４の最外のコイルターンが、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７に隣接する。この構成によれば、第３のコイル２３３を形成した後、第４のコイル２３４を形成するプロセスを採用することにより、第４のコイル２３４を形成するときに、Key  holeが生じるのを回避し、信頼性を向上させることができる。
【００９１】
テーパ角は、絶縁膜２７２の一面を基準にして、８０度以上９０度未満であることが好ましい。この場合は、第３のコイル２３３は、メッキ膜であり、絶縁膜２７２の上に形成される。第４のコイル２３４も、メッキ膜であり、スペース内において、スペースの底面及び側面に付着された絶縁膜２７３の上に形成されている。
【００９２】
２．薄膜磁気ヘッドの製造方法
（１）実施例１
製造方法に係る実施例１は、上述した薄膜磁気ヘッドのうち、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２を有する第１の態様に係る薄膜磁気ヘッド（図１〜図６）の製造プロセスである。図１１〜図４４に図示するプロセスは、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
【００９３】
まず、図１１を参照すると、基体１５の上に付着された絶縁膜１６の上に、第１のシ−ルド膜３１、読み取り素子３、絶縁膜３２、第２のシ−ルド膜３３、絶縁膜３４及び第１の磁性膜２１１を、周知のプロセスによって形成する。その後、第１の磁性膜２１１の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜２５１を形成し、絶縁膜２５１の表面にＳｅｅｄ膜２６０を形成する。Ｓｅｅｄ膜２６０は、絶縁膜２５１の表面及び第１の磁性膜２１１の表面を覆うように形成する。Ｓｅｅｄ膜２６０は、Ｃｕメッキ下地膜として適切な材料を用い、Ｃｕ−ＣＶＤの適用によって、５０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚となるように形成する。
【００９４】
次に、Ｓｅｅｄ膜２６０の上にフォトレジスト膜ＲＳ１を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクＭＳＫを用いて露光し、現像する。フォトレジスト膜ＲＳ１は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。実施例では、ポジティブフォトレジストを用いた場合を例にとって説明する。
【００９５】
上述したフォトリソグラフィー工程において、露光機（ステッパ）の焦点深度が、Ｓｅｅｄ膜２６０よりも下の位置となるマイナスフォーカスとなるように調整する。これにより、フォトレジスト膜ＲＳ１は、下層が広く、上層が狭くなるように露光される。マイナスフォーカスは、Ｓｅｅｄ膜２６０の表面を基準にして、０〜０．５μｍの範囲又は０〜１．２μｍの範囲に設定する。
【００９６】
上述した露光工程を経て現像することにより、図１２に示すように、下層が広く、上層が狭くなるコイル形成用パターンＳ１が得られる。コイル形成用パターンＳ１は、レジストフレームＦＲ１によって画定されている。
【００９７】
次に、選択的Ｃｕメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンＳ１の内部に存在するＳｅｅｄ膜２６０の上に、第１のコイル２３１を、例えば３〜３．５μｍの厚みとなるように成長させる。第１のコイル２３１は、コイル形成用パターンＳ１の形状に従い、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される。図１３は、上記選択的Ｃｕメッキ処理終了後の状態を示している。
【００９８】
次に、レジストフレームＦＲ１を、ケミカルエッチングなどの手段によって除去した後、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィー工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。このフォトリソグラフィー工程においても、露光機の焦点深度を、第１の磁性膜２１１よりも下の位置となるマイナスフォーカスとなるように調整する。これにより、フォトレジスト膜ＲＳ１は、下層が広く上層が狭くなるように露光される。
【００９９】
次に、選択的メッキ処理を行い、第１の磁性膜２１１の上にポール片及びバックギャップ片を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図１４に示すように、第１の磁性膜２１１の一面上に、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６が間隔を隔てて形成される。ポール片２１２及びバックギャップ片２１６は、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される。ポール片２１２及びバックギャップ片２１６にイオン．ビ−ム．エッチングを実行することによって、下層が広く、上層が狭くなるように形成することも可能である。
【０１００】
次に、図１５に示すように、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６を覆うフォトレジスト膜ＲＳ２を形成する。この後、フォトレジスト膜ＲＳ２に対してフォトリソグラフィー工程を実行し、図１６に示すように、第１のコイル２３１及びその周囲を覆うレジストカバーＦＲ２を形成し、更に、レジストカバーＦＲ２の全体を覆う絶縁膜２５３を付着させる。絶縁膜２５３は、４〜５μｍの範囲の膜厚となるように形成する。
【０１０１】
次に、絶縁膜２５３及びレジストカバーＦＲ２を、Chemical  Mechanical  Polishing（以下、ＣＭＰと称する）によって研磨し、平坦化する。ＣＭＰにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。図１７はＣＭＰ処理を施した後の状態を示している。
【０１０２】
次に、レジストカバーＦＲ２を除去した後、図１８に図示するように、絶縁膜２５１、２５３、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面及び側面に、絶縁膜２５２を付着させる。絶縁膜２５２は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3−ＣＶＤによって形成されるもので、０．１μｍ程度の膜厚となるように形成する。
【０１０３】
次に、図１９に図示するように、絶縁膜２５２の表面に、Ｃｕ−ＣＶＤによって、０．０５〜０．１μｍの範囲の膜厚となるように、Ｓｅｅｄ膜２６１を付着させる。
【０１０４】
次に、図２０に図示するように、Ｓｅｅｄ膜２６１の上に、第２のコイルとなるメッキ膜２３２を、５μｍの膜厚となるように形成する。メッキ膜２３２は、Ｃｕを主成分とする。
【０１０５】
次に、図２１に図示するように、メッキ膜２３２をＣＭＰによって研磨し、平坦化する。ＣＭＰにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。これにより、第２のコイル２３２が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第１のコイル２３１から、絶縁膜２５２によって分離される。ＣＭＰにおいては、ポール片２１２、バックギャップ片２１６および絶縁膜２５３の表面も、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面と同一の平面となるように研磨される。
【０１０６】
次に、図２２に図示するように、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面を覆う絶縁膜２５４を付着させる。絶縁膜２５４は、Ａｌ2Ｏ3でなり、例えば、０．２μｍの膜厚となるように形成する。
【０１０７】
次に、絶縁膜２５４を形成してある一面上で、フォトリソグラフィー工程を実行し、第１のコイル２３１の内端２８１と第２のコイル２３２の外端２８３（図６参照）とを接続する接続導体２８１のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、接続導体２８１をフレームメッキ法によって形成する。その厚みは、例えば、１．０〜１．８μｍである。
【０１０８】
次に、接続導体２８１を形成してある一面上で、フォトリソグラフィー工程を実行し、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７（図７参照）のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキ法を実行し、図２４に図示するように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成する。ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成した後は、レジストフレームは除去する。図２４は、レジストフレーム除去後の状態を示している。ポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、ＣｏＦｅ又はＣｏＮｉＦｅのメッキ膜であり、例えば、１〜２μｍの範囲の膜厚を有する。
【０１０９】
次に、図２５に図示するように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成してある表面に、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５５を、例えば、２〜３μｍの膜厚となるように付着させた後、図２６に図示するように、絶縁膜２５５、ポール片２１３、バックギャップ片２１７及び接続導体２８１の表面を、ＣＭＰによって研磨する。このＣＭＰは、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の膜厚が、例えば、０．２〜０．６μｍの範囲となるように実行する。
【０１１０】
次に、図２７に図示するように、絶縁膜２５５、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の被研磨面に、ポール片２１４（図３参照）のための磁性膜２１４を、例えば、０．５μｍの膜厚となるように形成する。磁性膜２１４は、ＣｏＦｅＮによって構成することができる。
【０１１１】
次に、図２８に図示するように、磁性膜２１４の表面に、フォトレジスト膜ＲＳ３を塗布し、フォトリソグラフィー工程を実行する。このフォトリソグラフィー工程では、図２９に示すように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の上に、Ｔ型のレジストカバーＦＲ３が残るようにパターニングされる。そして、レジストカバーＦＲ３をマスクとして、磁性膜２４１をＩＢＥの適用によっテーパターニングする。これにより、図２９に図示するように、ポール片２１４と、バックギャップ片２１８が形成される。
【０１１２】
次に、図３０に図示するように、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５６を、例えば、０．６μｍの膜厚となるように、スパッタなどの手段によって付着させる。この後、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の上にレジストカバーＦＲ３を除去し、更に、図３１に図示するように、絶縁膜２５６、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の表面を、ＣＭＰによって研磨し、より完全に平坦化する。このときのＣＭＰは、例えば、０．０３〜０．０５μｍの研磨量となるように、軽く行なう。
【０１１３】
次に、図３２に図示するように、ポール片２１４の平坦化面、絶縁膜２５６の平坦化面に、パターン化されたギャップ膜２４を形成する。ギャップ膜２４は、Ａｌ2Ｏ3、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａなどの非磁性材料によって、例えば、０．１μｍの膜厚となるように形成される。
【０１１４】
次に、図３３に図示するように、ギャップ膜２４、バックギャップ片２１８及び絶縁膜２５６の表面を覆うように、磁性膜２２３を付着させる。磁性膜２２３は、ポール片２２３及びバックギャップ片２２４を形成するために利用されるものであって、ＣｏＦｅＮなどの磁性材料を用い、例えば、０．２〜０．６μｍの膜厚となるように形成する。
【０１１５】
次に、図３４に図示するように、磁性膜２２３の表面に、フォトリソグラフィー工程により、Ｔ型のレジストカバーＦＲ４を形成する。レジストカバーＦＲ４は、ポール片２１２〜１４の上、及び、バックギャップ片２１６〜２１８の上に位置するように形成する。この後、ＩＢＥを実行することにより、図３５に図示するように、ポール片２２３、ギャップ膜２４及びバックギャップ片２２４を所定の形状にパターンニングする。このＩＢＥでは、ポール片２２３を、例えば、０度と、７５度の角度のイオン．ビ−ムで、０．３〜０．６μｍの深さだけエッチングし、更に、ギャップ膜２４に至るまで、又は、ギャップ膜２４の下のポール片２１４に到達するまで、エッチングするように実行することができる。この後、図３６に図示するように、ＩＢＥでエッチングした深さを埋めるように、絶縁膜２５７を付着させる。
【０１１６】
次に、レジストカバーＦＲ４を除去した後、絶縁膜２５７、ポール片２２３、バックギャップ片２２４の表面を、ＣＭＰにより、例えば、３０〜８０ｎｍの範囲で研磨して平坦化する。その後、図３７に図示するように、平坦化された表面に、ＣｏＦｅＮなどでなる第３の磁性膜２２２を、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の膜厚となるように、スパッタなどの手段によって付着させた後、この第３の磁性膜２２２をＳｅｅｄ膜として、その表面に、ＣｏＮｉＦｅでなる第２の磁性膜２２１を、選択的にメッキする。メッキ膜厚は、例えば、３．０〜３．５μｍの範囲である。
【０１１７】
次に、第２の磁性膜２２１を、ＩＢＥによってエッチングする。このエッチング処理によって、第２の磁性膜２２１は、第２のポール部Ｐ２におけるトラック幅が、図３８に図示するように狭幅化される。
【０１１８】
次に、図３９、図４０に図示するように、第３の磁性膜２２２、ポール片２２３及びギャップ膜２４を、ＩＢＥによってエッチングする。このエッチング処理によって、第３の磁性膜２２２、ポール片２２３及びギャップ膜２４のトラック幅が、図４０に図示するように狭幅化される。
【０１１９】
次に、図４１、図４２に図示するように、ポール片２１４を、ＩＢＥによってエッチングする。このエッチング処理によって、ギャップ膜２４と隣接するポール片２１４のトラック幅が、図４２に図示するように狭幅化される。ポール片２１４のエッチング深さは、例えば、０．３〜０．３５μｍの範囲に設定される。
【０１２０】
この後、図４３、４４に図示するように、Ａｌ2Ｏ3でなる保護膜２５８を、２０〜４０μｍの範囲の厚みとなるように付着させる。
【０１２１】
以上の工程は、ウエハ上で実行される。この後、ウエハからのバ−状ヘッド集合体の切り出し、スロートハイト設定のための研磨、及び、ＡＢＳ加工などの周知の後加工が実行される。図４３、４４はスロートハイト設定のための研磨が終了した後の状態を示している。
【０１２２】
以上、具体的な実施例を示す図面を参照して説明したが、本願発明が、かかる実施例に限定されるものでないことは明らかである。例えば、第１のポール部Ｐ１に含まれるポール片２１３は、第２のコイル２３２の上に突出していてもよいし、その下のポール片２１２と同じか又は長くてもよい。ポール片２１４、第２の磁性膜２２１、そのＳｅｅｄ膜となる第３の磁性膜２２２は、実施例では、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）によって構成したが、ＦｅＣｏを含むスパッタ膜やメッキ膜（２．１〜．３Ｔ）であってもよい。また、スロートハイトＴＨを決定するポール片２２３を、ＩＢＥによってエッチングする際に、ギャップ膜２４の下のポール片２１４を、０．３〜０．３５μｍの深さとなるようにエッチングする例を示した（図４１、図４２参照）が、ギャップ膜２４の途中、または、ポール片２１４の表面で、エッチングを停止してもよい。
【０１２３】
更に、第１のコイル２３１にテーパ角を付与するに当たり、フォトリソグラフィー工程において、フォーカス位置をコントロ−ルことによって、８０〜９０ドのテーパ角を付与する例を示したが、ＩＢＥの適用によって、同角度のテーパを付与することができる。第２のコイル２３２に対するテーパ角付与に関しても同様である。
【０１２４】
（２）実施例２
実施例２は、図７、図８に図示された薄膜磁気ヘッドの製造方法に係る。図４５〜図６８はその製造プロセスを示している。図４５〜図６６に図示するプロセスも、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
【０１２５】
まず、図４５を参照すると、基体１５の上に付着された絶縁膜１６の上に、第１のシ−ルド膜３１、読み取り素子３、絶縁膜３２、第２のシ−ルド膜３３、絶縁膜３４及び第１の磁性膜２１１を、周知のプロセスによって形成する。その後、第１の磁性膜２１１の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜２５１を形成し、絶縁膜２５１の表面にＳｅｅｄ膜２６０を形成する。Ｓｅｅｄ膜２６０は、絶縁膜２５１の表面及び第１の磁性膜２１１の表面を覆うように形成する。Ｓｅｅｄ膜２６０は、Ｃｕメッキ下地膜として適切な材料を用い、Ｃｕ−ＣＶＤの適用によって、５０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚となるように形成する。
【０１２６】
次に、Ｓｅｅｄ膜２６０の上にフォトレジスト膜を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクＭＳＫを用いて露光し、現像する。フォトレジスト膜は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。上述した露光工程を経て現像することにより、図４５に示すように、レジストフレームＦＲ５が得られる。次に、選択的Ｃｕメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンの内部に存在するＳｅｅｄ膜２６０の上に、第１のコイル２３１を、例えば３〜３．５μｍの厚みとなるように成長させる。図４５は、上記選択的Ｃｕメッキ処理終了後の状態を示している。
【０１２７】
次に、レジストフレームＦＲ５を、ケミカルエッチングなどの手段によって除去した後、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィー工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。
【０１２８】
次に、選択的メッキ処理を行い、第１の磁性膜２１１の上にポール片及びバックギャップ片を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図４６に示すように、第１の磁性膜２１１の一面上に、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６が間隔を隔てて形成される。
【０１２９】
第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６は、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される必要がある。そのテーパ角は、第１の磁性膜１１及びその上に形成された絶縁膜２５１の表面を基準にして、８０度以上９０度未満である。その手段として、実施例１では、露光機の焦点深度を調整していたが、実施例２では、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６の両側面に対して、ＩＢＥを実行することにより、下層が広く、上層が狭くなるように形成する。ＩＢＥにおけるイオン．ビ−ムの照射角度は、一側面側で１５〜３０度の範囲、他側面側で２０〜４７度の範囲であることが好ましい。
【０１３０】
次に、図４７に示すように、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６を覆うフォトレジスト膜ＲＳ５を形成する。そして、フォトレジスト膜ＲＳ５をマスクにして、ＩＢＥにより、第１の磁性膜２１１を、選択的にエッチングする。
【０１３１】
次に、レジストカバーＦＲ５を除去した後、図４８に図示するように、絶縁膜２５１、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面及び側面に、絶縁膜２５２を付着させる。絶縁膜２５２は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3−ＣＶＤによって形成されるもので、０．０５〜０．１５μｍの膜厚となるように形成する。
【０１３２】
次に、図４９に図示するように、絶縁膜２５２の表面に、Ｃｕのスパッタによって、例えば、５０ｎｍの膜厚となるように、Ｓｅｅｄ膜２６１を付着させる。
【０１３３】
次に、図５０に図示するように、Ｓｅｅｄ膜２６１の上に、第２のコイルとなるメッキ膜２３２を、フレームメッキ法により、例えば、３〜５μｍの膜厚となるように形成する。メッキ膜２３２は、Ｃｕを主成分とする。
【０１３４】
次に、図５１に図示するように、メッキ膜２３２及びメッキ膜２３２によって覆われていない領域、及び、メッキ膜２３２を覆うように、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５３を形成する。絶縁膜２５３は、４〜６μｍのスパッタ膜として形成する。
【０１３５】
次に、図５２に図示するように、絶縁膜２５３及びメッキ膜２３２をＣＭＰによって研磨し、平坦化する。これにより、第２のコイル２３２が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第１のコイル２３１から、絶縁膜２５２によって分離される。ＣＭＰにおいては、ポール片２１２、バックギャップ片２１６および絶縁膜２５３の表面も、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面と同一の平面となるように研磨される。
【０１３６】
次に、図５３に図示するように、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面を覆う絶縁膜２５４を付着させる。絶縁膜２５４は、Ａｌ2Ｏ3でなり、例えば、０．２μｍの膜厚となるように形成する。
【０１３７】
次に、絶縁膜２５４を形成してある一面上で、フォトリソグラフィー工程を実行し、レストフレームメッキ法により、第３のコイル２３３を形成する。接続導体２８１をフレームメッキ法によって形成する。その厚みは、例えば、１．５〜２．５μｍである。
【０１３８】
次に、接続導体２８１を形成してある一面上で、フォトリソグラフィー工程を実行し、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７（図７、図８参照）のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキ法を実行し、図５５に図示するように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成する。ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成した後は、レジストフレームは除去する。図５５は、レジストフレーム除去後の状態を示している。ポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、ＣｏＦｅ又はＣｏＮｉＦｅ（２．１〜２．３Ｔ）のメッキ膜であり、例えば、２〜３μｍの範囲の膜厚を有する。
【０１３９】
次に、図５６に図示するように、第３のコイル２３３のコイルターン間のスペースに、フォトレジストでなる絶縁膜２７１を形成する。
【０１４０】
次に、図５７に図示するように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成してある表面に、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５５を、例えば、３〜４μｍの膜厚となるように付着させた後、図５８に図示するように、絶縁膜２５５、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の表面を、ＣＭＰによって研磨する。
【０１４１】
次に、図５９に図示するように、絶縁膜２５５、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の被研磨面に、ポール片２１４（図７、図８参照）のための磁性膜２１４を、例えば、０．３〜０．６μｍの膜厚となるように形成する。磁性膜２１４は、ＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）によって構成することができる。この後、磁性膜２１４の表面で、フォトリソグラフィー工程を実行する。このフォトリソグラフィー工程では、図６０に示すように、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の上に、Ｔ型のレジストカバーＦＲ６が形成される。そして、レジストカバーＦＲ５をマスクとして、磁性膜２４１をＩＢＥの適用によっテーパターニングする。これにより、図６０に図示するように、ポール片２１４と、バックギャップ片２１８が形成される。
【０１４２】
次に、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８を、１側面側で０度、他の側面側で７５度のイオン．ビ−ム照射角度で、ＩＢＥを実行した後、図６１に図示するように、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５６を、例えば、０．３〜０．７μｍの膜厚となるように、スパッタなどの手段によって付着させる。この後、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の上のレジストカバーＦＲ６を、リフトオフ法などによって除去する。その後、絶縁膜２５６、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の表面を、ＣＭＰによって研磨し、より完全に平坦化する。このときのＣＭＰは、例えば、３〜５ｎｍの研磨量で、軽く行なう。
【０１４３】
次に、図６２に図示するように、ポール片２１４の平坦化面、絶縁膜２５６の平坦化面に、パターン化されたギャップ膜２４を形成する。ギャップ膜２４は、Ａｌ2Ｏ3、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａなどの非磁性材料によって、例えば、０．１μｍの膜厚となるように形成される。
【０１４４】
次に、図６３に図示するように、ギャップ膜２４、バックギャップ片２１８及び絶縁膜２５６の表面を覆うように、磁性膜２２３をスパッタによって付着させる。磁性膜２２３は、ポール片２２３及びバックギャップ片２２４を形成するために利用されるものであって、ＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）などの磁性材料を用い、例えば、０．２〜０．６μｍの膜厚となるように形成する。
【０１４５】
次に、図６４、図６５に図示するように、磁性膜２２３の表面に、第２の磁性膜２２１を形成する。第２の磁性膜２２１は、フレームメッキ法により、例えば、３．０〜３．５μｍの膜厚となるように形成する。
【０１４６】
次に、第２の磁性膜２２１をマスクにして、第３の磁性膜２２２にＩＢＥを実行し、狭小化されたトラック幅とする。更に、第１のポール部Ｐ１に属するポール片２１４を、例えば、０．２５〜０．３５μｍの深さでトリミングした後、図６６、図６７に図示するように、保護膜２５８を、２０〜４０μｍの膜厚となるように、付着させる。保護膜２５８はスパッタによって付着させることができる。
【０１４７】
以上の工程は、ウエハ上で実行される。この後、ウエハからのバ−状ヘッド集合体の切り出し、スロートハイト設定のための研磨、及び、ＡＢＳ加工などの周知の後加工が実行される。図６６，６７はスロートハイト設定のための研磨が終了した後の状態を示している。
【０１４８】
（３）実施例３
実施例３は、図９、図１０に図示した薄膜磁気ヘッドの製造プロセスであり、図６８〜図７８に図示されている。実施例１または実施例２において図示され、説明されたプロセスであって、実施例３においても適用されるプロセスについては、実施例１又は実施例２の説明を参照し、図示は省略することがある。
【０１４９】
（Ａ）  図６８の状態に至るプロセス
図６８は図４５〜図５２に図示する製造プロセスを経た後の状態を示す図である。図６８の状態では、ＣＭＰによる研磨よって、第２のコイル２３２が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第１のコイル２３１から、絶縁膜２５２によって分離される。また、ポール片２１２、バックギャップ片２１６および絶縁膜２５３の表面が、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面と同一の平面となるように研磨されている。
【０１５０】
（Ｂ）  図６９の状態に至るプロセス
図６９は、図６８に図示されたプロセスにより平坦化された表面に、第３のコイル２３３、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成した状態を示している。これらは、図１１〜図１４に図示し説明したプロセス（実施例１）、または、図４５、図４６に図示し説明したプロセス（実施例２）を適用することによって形成することができる。
【０１５１】
図１１〜図１４に図示したプロセスを採用した場合は、まず、平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜２７２を形成し、絶縁膜２７２の表面及び平坦化された表面にＳｅｅｄ膜を形成する。Ｓｅｅｄ膜は、Ｃｕメッキ下地膜として適切な材料を用い、Ｃｕ−ＣＶＤの適用によって、５０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚となるように形成する。
【０１５２】
次に、Ｓｅｅｄ膜の上にフォトレジスト膜を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクを用いて露光し、現像する。フォトレジスト膜は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。
【０１５３】
上述したフォトリソグラフィー工程において、露光機（ステッパ）の焦点深度を、Ｓｅｅｄ膜よりも下の位置となるマイナスフォーカスとなるように調整する。これにより、フォトレジスト膜は、下層が広く上層が狭くなるように露光される。マイナスフォーカスは、Ｓｅｅｄ膜の表面を基準にして、０〜０．５μｍの範囲又は０〜１．２μｍの範囲に設定する（以上は図１１参照）。
【０１５４】
上述した露光工程を経て現像することにより、下層が広く上層が狭くなるコイル形成用パターンが得られる。コイル形成用パターンは、レジストフレームによって画定される（図１２参照）。
【０１５５】
次に、選択的Ｃｕメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンＳ１の内部に存在するＳｅｅｄ膜の上に、第３のコイル２３３を、例えば３〜３．５μｍの厚みとなるように成長させる。第３のコイル２３３は、コイル形成用パターンの形状に従い、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される。
【０１５６】
次に、第３のコイル２３２のメッキに用いたレジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去した後、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィー工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。このフォトリソグラフィー工程においても、露光機の焦点深度を、マイナスフォーカスとなるように調整する。これにより、フォトレジスト膜は、下層が広く上層が狭くなるように露光される。
【０１５７】
次に、選択的メッキ処理を行い、図６９に示すように、ポール片２１２の上にポール片２１３を成長させるとともに、バックギャップ片２１６の上にバックギャップ片２１７を成長させる。ポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される。
【０１５８】
図４５、図４６に図示したプロセスの適用した場合は、Ｓｅｅｄ膜の上にフォトレジスト膜を形成した後、コイルパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、レジストフレームを作成する。こうして得られたレジストフレームを用いて、選択的Ｃｕメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンの内部に存在するＳｅｅｄ膜の上に、第３のコイル２３３を、例えば３〜３．５μｍの厚みとなるように成長させる（図４５参照）。
【０１５９】
次に、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去した後、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィー工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。
【０１６０】
次に、選択的メッキ処理を行い、ポール片２１２の上にポール片２１３を成長させるとともに、バックギャップ片２１６の上にバックギャップ片２１７を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。
【０１６１】
第３のコイル２３３、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、断面形状で見て、下層が広く、上層が狭くなるように形成される必要がある。そのテーパ角は、平坦化された表面、または、絶縁膜２７２の表面を基準にして、８０度以上９０度未満である。その手段として、第３のコイル２３３、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の両側面に対して、ＩＢＥを実行することにより、下層が広く、上層が狭くなるように形成する（図４６参照）。ＩＢＥにおけるイオン．ビ−ムの照射角度は、一側面側で１５〜３０度の範囲、他側面側で２０〜４７度の範囲であることが好ましい。
【０１６２】
（Ｃ）  図７０の状態に至るプロセス
図７０は、絶縁膜２７２，第３のコイル２３３、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の表面及び側面に、絶縁膜２７３を付着させた状態を示している。絶縁膜２７３は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3−ＣＶＤによって形成されるもので、０．０５〜０．１５μｍの膜厚となるように形成する。
【０１６３】
（Ｄ）  図７１の状態に至るプロセス
図７１は、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、絶縁膜２７２を介して、第３のコイル２３３、第４のコイル２３４、Ｓｅｅｄ膜２６２、絶縁膜２７３、２７４、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７を設けるとともに、これらの表面を、ＣＭＰによって研磨し、平坦化した状態を示している。図７０の状態から、図７１に示す状態に至るプロセスは、実施例２の図４９〜図５２に図示されたプロセスとほぼ同じである。
【０１６４】
すなわち、絶縁膜２７２，第３のコイル２３３、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の表面及び側面に絶縁膜２７３を付着させた後、Ｃｕのスパッタによって、例えば、５０ｎｍの膜厚となるように、Ｓｅｅｄ膜２６２を付着させる（図４９参照）。
【０１６５】
次に、Ｓｅｅｄ膜２６２の上に、第４のコイル２３４となるメッキ膜を、フレームメッキ法により、例えば、３〜５μｍの膜厚となるように形成する（図５０参照）。メッキ膜は、Ｃｕを主成分とする。
【０１６６】
次に、メッキ膜によって覆われていない領域、及び、メッキ膜を覆うように、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２７４を形成する（図５１参照）。絶縁膜２７４は、４〜６μｍのスパッタ膜として形成する。
【０１６７】
次に、絶縁膜２５３及びメッキ膜２３２をＣＭＰによって研磨し、平坦化する（図５２参照）。これにより、第４のコイル２３４が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第３のコイル２３３から、絶縁膜２７３によって分離される。ＣＭＰにおいては、ポール片２１３、バックギャップ片２１７および絶縁膜２７４の表面も、第３のコイル２３３及び第４のコイル２３４の表面と同一の平面となるように研磨される。これにより、図７１に図示する状態が得られる。
【０１６８】
（Ｅ）  図７２の状態に至るプロセス
図７２は、第３のコイル２３３、第４のコイル２３４、Ｓｅｅｄ膜２６２、絶縁膜２７３、２７４、ポール片２１３及びバックギャップ片２１７の表面を、ＣＭＰによって研磨し、平坦化して得られた面に、パターン化された絶縁膜２５４を付着させるとともに、ポール片２１３の上にポール片２１４を付着させ、バックギャップ片２１７の上にバックギャップ片２１８を付着させ、更に、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の周りを、絶縁膜２５５によって埋めた状態を示している。
【０１６９】
図７１の状態から図７２の状態に至るプロセスは、実施例１の図２２〜図２６までのプロセスと、ほぼ同じである。
【０１７０】
すなわち、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面を覆う絶縁膜２５４を付着させる（図２２参照）。絶縁膜２５４は、Ａｌ2Ｏ3でなり、例えば、０．２μｍの膜厚となるように形成する。
【０１７１】
次に、絶縁膜２５４を形成してある一面上で、フォトリソグラフィー工程を実行し、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキ法を実行し、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８を形成する（図２４参照）。ポール片２１４及びバックギャップ片２１８を形成した後は、レジストフレームは除去する。ポール片２１４及びバックギャップ片２１８は、ＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）のスパッタ膜であり、例えば、０．３〜０．６μｍの範囲の膜厚を有する。
【０１７２】
次に、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８を形成してある表面に、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５５を、例えば、１〜２μｍの膜厚となるように付着させた後（図２５参照）、絶縁膜２５５、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の表面を、ＣＭＰによって研磨する（図２６参照）。このＣＭＰは、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の膜厚が、例えば、０．５μｍ以上となるように実行する。
【０１７３】
（Ｆ）  図７３の状態に至るプロセス
図７２の状態から図７３の状態に至るプロセスは、実施例１の図２７〜図３５までのプロセスと、ほぼ同じである。
【０１７４】
すなわち、絶縁膜２５５、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の被研磨面に、ポール片２１５のための磁性膜２１５を、例えば、０．５μｍの膜厚となるように形成する（図２７参照）。磁性膜２１５は、ＣｏＦｅＮによって構成することができる。
【０１７５】
次に、磁性膜２１５の表面に、フォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー工程を実行する（図２８参照）。このフォトリソグラフィー工程では、ポール片２１４及びバックギャップ片２１８の上に、Ｔ型のレジストカバーが残るようにパターニングされる（図２９参照）。そして、レジストカバーをマスクとして、磁性膜２１５をＩＢＥの適用によっテーパターニングする。これにより、ポール片２１５と、バックギャップ片２１９が形成される。
【０１７６】
次に、Ａｌ2Ｏ3でなる絶縁膜２５６を、例えば、０．６μｍの膜厚となるように、スパッタなどの手段によって付着させる（図３０参照）。この後、ポール片２１５及びバックギャップ片２１９の上のレジストカバーを除去し、更に、絶縁膜２５６、ポール片２１５及びバックギャップ片２１９の表面を、ＣＭＰによって研磨し、より完全に平坦化する（図３１参照）。このときのＣＭＰは、例えば、０．０３〜０．０５μｍの研磨量となるように、軽く行なう。
【０１７７】
次に、ポール片２１５の平坦化面、絶縁膜２５６の平坦化面に、パターン化されたギャップ膜２４を形成する（図３２参照）。ギャップ膜２４は、Ａｌ2Ｏ3、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａなどの非磁性材料によって、例えば、０．１μｍの膜厚となるように形成される。
【０１７８】
次に、ギャップ膜２４、バックギャップ片２１９及び絶縁膜２５６の表面を覆うように、磁性膜２２３を付着させる（図３３参照）。磁性膜２２３は、ポール片２２３及びバックギャップ片２２４を形成するために利用されるものであって、ＣｏＦｅＮなどの磁性材料を用い、例えば、０．２〜０．６μｍの膜厚となるように形成する。
【０１７９】
次に、磁性膜２２３の表面に、フォトリソグラフィー工程により、Ｔ型のレジストカバーを形成する（図３４参照）。レジストカバーは、ポール片２１２〜２１５の上、及び、バックギャップ片２１６〜２１９の上に位置するように形成する。この後、ＩＢＥを実行することにより、ポール片２２３、ギャップ膜２４及びバックギャップ片２２４を所定の形状にパターンニングする（図３５参照）。このＩＢＥでは、ポール片２２３を、例えば、０度と、７５度の角度のイオン．ビ−ムで、０．３〜０．６μｍの深さだけエッチングし、更に、ギャップ膜２４に至るまで、又は、ギャップ膜２４の下のポール片２１４に到達するまで、エッチングするように実行することができる。この後、ＩＢＥでエッチングした深さを埋めるように、絶縁膜２５７を付着させると、図７３に図示する状態となる。図７３において、ポール片２１２〜２１５の上、及び、バックギャップ片２１６〜２１９の上にレジストカバーＦＲ７が形成されている。
【０１８０】
（Ｇ）  図７４の状態に至るプロセス
図７３から図７４に状態に至るプロセスでは、まず、レジストカバーＦＲ７を除去する。レジストカバーＦＲ７を除去した後の表面を、ＣＭＰによって研磨し、平坦化する。この場合のＣＭＰは、研磨量が３０〜７０ｎｍの範囲となるように、軽く行なう。図７４はＣＭＰによる研磨後の状態を示している。
【０１８１】
（Ｈ）  図７５、図７６の状態に至るプロセス
図７３から図７４に状態に至るプロセスは、実施例１の図３７に示すプロセスを含んでいる。
【０１８２】
まず、平坦化された表面に、ＣｏＦｅＮなどでなる第３の磁性膜２２２を、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の膜厚となるように、スパッタなどの手段によって付着させた後、この第３の磁性膜２２２をＳｅｅｄ膜として、その表面に、ＣｏＮｉＦｅでなる第２の磁性膜２２１を、選択的にメッキする（図３７参照）。メッキ膜厚は、例えば、３．０〜３．５μｍの範囲である。
【０１８３】
その後、図７５に図示するように、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２によって構成されるポール片２２１、２２２の先端をＩＢＥによってトリミングした後、ポール片２２１となる部分を除き、第２の磁性膜２２１の全体をフォトレジストＦＲ８でカバーし、第３の磁性膜２２２、ポール片２２３、ギャップ膜２４及びポール片２１４を、ＩＢＥによってエッチングする。このエッチング処理によって、第３の磁性膜２２２、ポール片２２３、ギャップ膜２４及びポール片２１４のトラック幅が、図７６に図示するように狭幅化される。ポール片２１４のエッチング深さは、例えば、０．３〜０．３５μｍの範囲に設定される。
【０１８４】
ここで、ポール片２２１となる部分を除き、第２の磁性膜２２１の全体をフォトレジストＦＲ８でカバーしてあるから、第２の磁性膜２２１は、ポール部で低く、その他の領域はエッチングされない高い領域となる。このため、サイドライトやサイドイレ−ズを低減できる。
【０１８５】
この後、フォトレジストＦＲ８を除去し、図７７、図７８に図示するように、保護膜２８５を付着させることにより、完成する。
【０１８６】
（４）テーパ角付与の別の例
第２のコイル２３２又は第４のコイル２３４に対してテーパ角を付与する手段として、実施例１〜実施例３では、第１のコイル２３１又は第３のコイル２３３に対してテーパ角を付与し、そのテーパ角に追従させて第２のコイル２３２又は第４のコイル２３４を形成することにより、テーパ角を付与していた。
【０１８７】
図７９〜図８３は、実施例１〜実施例３とは異なるテーパ角の付与プロセスを示している。
【０１８８】
まず、図７９に示すように、第１の磁性膜２１１の表面に、絶縁膜２５１を設け、その上にフォトリソグラフィー工程によって、第１のコイル２３１（又は第３のコイル）を形成する。また、第１の磁性膜２１１の表面に、フォトリソグラフィー工程によって、コイル片２１２及びバックギャップ片２１６を形成する。この場合のフォトリソグラフィー工程の詳細は、図４５等を参照して説明したとおりである。
【０１８９】
次に、図８０に図示するように、絶縁膜２５１、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面及び側面に、絶縁膜２５２を付着させる。絶縁膜２５２は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3−ＣＶＤによって形成されるもので、０．１μｍ程度の膜厚となるように形成する。
【０１９０】
次に、絶縁膜２５２の表面に、Ｃｕスパッタ膜を５０ｎｍの膜厚となるように成膜した後、Ｃｕ−ＣＶＤによって、５０〜１５０ｎｍの範囲の膜厚となるように付着させ、Ｓｅｅｄ膜２６１を形成する。
【０１９１】
次に、図８１に図示するように、Ｉｏｎ  Ｂｅａｍを斜め上方から照射して、Ｓｅｅｄ膜２６１を、開口の大きさが上端ほど大きくなるようにエッチングする。Ｉｏｎ  Ｂｅａｍは、少なくとも２回に分けて照射することが好ましい。この場合のＩｏｎ  Ｂｅａｍの照射は、例えば、第１回目は０〜４０度の照射角度で実行し、第２回目は４０〜７０度の照射角度で実行する。これにより、Ｓｅｅｄ膜２６１が開口端に向かうほど大きくエッチングされるので、テーパ角度が付与される。但し、Ｉｏｎ  Ｂｅａｍは、Ｓｅｅｄ膜２６１が分断されないように実行しなければならない。
【０１９２】
次に、図８２に図示するように、第２のコイルのためのＣｕメッキ膜２３２を、例えば、４〜５μｍの範囲の膜厚となるように成膜する。Ｓｅｅｄ膜２６１には、開口端に向かうほど、開口が大きくなるテーパ角度が付与されているので、Key  holeを生じることなく、Ｃｕメッキ膜２３２を形成することができる。
【０１９３】
次に、Ｃｕメッキ膜２３２をＣＭＰによって研磨し、平坦化する。ＣＭＰにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。これにより、第２のコイル２３２が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第１のコイル２３１から、絶縁膜２５２によって分離される。ＣＭＰにおいては、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面も、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面と同一の平面となるように研磨される。
【０１９４】
図７９〜図８３のプロセスは、第３のコイル２３３及び第４のコイル２３４を形成する際にも、同様に適用される。図８３の後の工程は、実施例１〜実施例３で述べたとおりである。
【０１９５】
３．磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
本発明は、更に、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置についても開示する。図８４及び図８５を参照すると、本発明に係る磁気ヘッド装置は、図１〜図１０に示した薄膜磁気ヘッド４００と、ヘッド支持装置６とを含む。ヘッド支持装置６は、金属薄板でなる支持体６１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体６２を取付け、この可撓体６２の下面に薄膜磁気ヘッド４００を取付けた構造となっている。
【０１９６】
具体的には、可撓体６２は、支持体６１の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側枠部６２１、６２２と、支持体６１から離れた端において外側枠部６２１、６２２を連結する横枠６２３と、横枠６２３の略中央部から外側枠部６２１、６２２に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片６２４とを有する。横枠６２３のある方向とは反対側の一端は、支持体６１の自由端付近に溶接等の手段によって取付けられている。
【０１９７】
支持体６１の下面には、例えば半球状の荷重用突起６２５が設けられている。この荷重用突起６２５により、支持体６１の自由端から舌状片６２４へ荷重力が伝えられる。
【０１９８】
薄膜磁気ヘッド４００は、舌状片６２４の下面に接着等の手段によって取付けられている。薄膜磁気ヘッド４００は、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【０１９９】
本発明に適用可能なヘッド支持装置６は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用できる。例えば、支持体６１と舌状片６２４とを、タブテープ（ＴＡＢ）等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
【０２００】
次に、図８６を参照すると、本発明に係る磁気記録再生装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、磁気ディスク７１に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド７２と、薄膜磁気ヘッド７２を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置７３とを備えている。
【０２０１】
アセンブリキャリッジ装置７３は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【０２０２】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド７２を搭載したヘッドサスペンションアッセンブリ７８が固着されている。各ヘッドサスペンションアセンブリ７８は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド７２が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。
【０２０３】
駆動アーム７７、ヘッドサスペンションアッセンブリ７８及び薄膜磁気ヘッド７２は、図８４、図８５を参照して説明した磁気ヘッド装置を構成する。薄膜磁気ヘッド７２は、図１〜図１０に示した構造を有する。従って、図８６に示した磁気記録再生装置は、図１〜図１０を参照して説明した作用効果を奏する。
【０２０４】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０２０５】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを、ＡＢＳ側から見た図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの電磁変換部分の構造を、拡大して示す断面図である。
【図４】図３に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図５】図３及び図４に示した電磁変換部分の内、書き込み素子の部分を切り取って示す斜視図である。
【図６】図３乃至図５に示した電磁変換部分における書き込み素子のコイル構造を示す平面図である。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの電磁変換部分について、別の実施例を、拡大して示す断面図である。
【図８】図７に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの電磁変換部分について、更に別の実施例を、拡大して示す断面図である。
【図１０】図９に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図１１】図３乃至図６に示した電磁変換部を持つ薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１７】図１６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１８】図１７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２０】図１９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２１】図２０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２２】図２１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２４】図２３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２５】図２４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２６】図２５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２７】図２６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２８】図２７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２９】図２８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３０】図２９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３１】図３０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３２】図３１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３３】図３２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３４】図３３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３５】図３４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３６】図３５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３７】図３６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３８】図３７に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図３９】図３７、図３８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４０】図３９に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図４１】図３９、図４０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４２】図４１に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図４３】図４１、図４２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４４】図４３に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図４５】図７及び図８に示した電磁変換部を有する薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図４６】図４５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４７】図４６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４８】図４７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４９】図４８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５０】図４９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５１】図５０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５２】図５１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５３】図５２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５４】図５３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５５】図５４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５６】図５５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５７】図５６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５８】図５７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５９】図５８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６０】図５９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６１】図６０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６２】図６１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６３】図６２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６４】図６３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６５】図６４に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図６６】図６４、図６５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６７】図６６に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図６８】図９及び図１０に示した電磁変換部を有する薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図６９】図６８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７０】図６９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７１】図７０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７２】図７１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７３】図７２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７４】図７３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７５】図７４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７６】図７５に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図７７】図７５、図７６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７８】図７７に示した工程を経て得られた書き込み素子を、ＡＢＳ側から見た図である。
【図７９】テーパ角付与工程を示す図である。
【図８０】図７９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８１】図８０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８２】図８１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８３】図８２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッド装置の正面図である。
【図８５】図８４に示した磁気ヘッド装置を底面側（ＡＢＳ側）から見た図である。
【図８６】本発明に係る薄膜磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置と磁気記録媒体とを組み合わせた磁気記録再生装置を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２０６】
２                                      電磁変換素子（書き込み素子）
２１１                                  下部磁性膜（第１の磁性膜）
２２１                                  上部磁性膜（第２の磁性膜）
２２２                                  上部磁性膜（第３の磁性膜）
２１５、２２３                          磁性膜
Ｐ１、Ｐ２                              第１、第２のポール部
２１２〜２１５、２２３                  ポール片
２１６〜２１９、２２４                  バックギャップ片
２３１〜２３４                          第１のコイル〜第４のコイル
２４                                    ギャップ膜
２６０〜２６２                          Ｓｅｅｄ膜
３                                      電磁変換素子（読み取り素子）
１６、３２、３４、２５１〜２５７、２７１〜２７３  絶縁膜
ＰＷ                                    狭トラック幅
θ１、θ２、θ３                        テーパ角
４００                                  薄膜磁気ヘッド
【図１】
2005116008.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005116008.tif 000005
【図４】
2005116008.tif 000006
【図５】
2005116008.tif 000007
【図６】
2005116008.tif 000008
【図７】
2005116008.tif 000009
【図８】
2005116008.tif 000010
【図９】
2005116008.tif 000011
【図１０】
2005116008.tif 000012
【図１１】
2005116008.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2005116008.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
2005116008.tif 000041
【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
2005116008.tif 000049
【図４８】
2005116008.tif 000050
【図４９】
2005116008.tif 000051
【図５０】
2005116008.tif 000052
【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
2005116008.tif 000059
【図５８】
2005116008.tif 000060
【図５９】
2005116008.tif 000061
【図６０】
2005116008.tif 000062
【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
2005116008.tif 000066
【図６５】
2005116008.tif 000067
【図６６】
2005116008.tif 000068
【図６７】
2005116008.tif 000069
【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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