(57)【要約】【課題】低価格で量産性に優れ、かつ、高周波数特性に優れた光モジュールを実現する。【解決手段】半導体レーザや発光ダイオード等の光を出射する発光素子１１０と、光ファイバ１２０と、発光素子１１０のプロセスが施されていない面に形成された発光素子電極と電気的に接続されたＶ溝基板電極１４０ａと、発光素子電極１５０と電気的に接続されたＶ溝基板電極１４０ｂと、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成された発光素子電極１５０と、Ｖ溝基板電極１４０ｂと発光素子電極１５０とを電気的に接続するワイヤー１６０と、光ファイバ１２０を高精度で実装するためにＶ溝基板１３０に高精度に形成されたＶ溝１７０と、マスクパターン技術により形成されたアライメントマーカ１８０とから構成される。【選択図】        図１
2005017388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光結合した光ファイバおよび光素子と、前記光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備える光モジュールであって、
前記実装基板は、段差を有する２つの上面を有し、
前記光ファイバは、前記実装基板の２つの上面のうちの高い方の第１上面に形成されたＶ溝に実装され、
前記光素子は、前記実装基板の２つの上面のうちの低い方の第２上面に実装され、
前記実装基板の第１上面と前記光素子の上面とが略面一である
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記光素子は、前記第２上面にジャンクションアップ実装により実装される
ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記実装基板は前記Ｖ溝が形成された面を有する第１の基板と、前記光素子と接する面を有する第２の基板とを備える
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記光モジュールは、さらに、
前記第１の基板と第２の基板との間に、実装基板に対する光素子の相対位置を固定する第１固定部材を備える
ことを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記光モジュールは、さらに、
前記光素子と実装基板との間に、実装基板に対する光素子の相対位置を固定する第２固定部材を備える
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記第２固定部材は接着性を有し、前記実装基板と光素子とを接着する
ことを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記第２固定部材は熱硬化性又は光硬化性を有する
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記第２固定部材は熱伝導性を有する
ことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項９】
光結合した光ファイバおよび光素子と、前記光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備えた光モジュールの製造方法であって、
前記光素子と光ファイバとを光結合させる実装用基準基板の上面に光素子を載置する光素子載置工程と、
前記実装用基準基板の上面と前記実装基板のＶ溝が形成された上面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に実装基板を載置する実装基板載置工程と、
前記実装用基準基板と実装基板とを接触させ、前記光素子の実装用基準基板と接する面と前記実装基板の上面とを略面一にする面一工程と、
前記Ｖ溝に光ファイバを実装する光ファイバ実装工程と
を含むことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記光素子載置工程において、前記実装用基準基板の上面と前記光素子のプロセスが施された面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に光素子を載置し、
前記面一工程において、前記光素子のプロセスが施された面と前記実装基板の上面とを略面一にする
ことを特徴とする請求項９に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記実装基板はＶ溝が形成された面を有する光ファイバ基板と、Ｖ溝が形成された面を有しない光素子基板とを備え、
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
前記光ファイバ基板と光素子基板とを接合する工程を含み、
前記面一工程において、前記光素子の実装用基準基板と接する面と反対側の面は、前記光素子基板と接する
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
前記光素子基板と光ファイバ基板との間に第１固定部材を塗布する工程を含み、
前記面一工程において、前記第１固定部材により前記略面一状態を固定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
前記光素子と実装基板との間に第２固定部材を塗布する工程を含み、
前記面一工程において、前記第２固定部材により前記略面一状態を固定する
ことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記第２固定部材は接着性を有し、
前記面一工程において、前記光素子と実装基板とを接着する
ことを特徴とする請求項１３に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記第２固定部材は熱硬化性又は光硬化性を有し、
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
紫外線又は熱により前記第２固定部材を硬化させる工程を含む
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記実装用基準基板は、光素子アライメントマーカと、実装基板アライメントマーカと、固定手段とを備え、
前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における光素子の載置位置を決定し、前記固定手段により前記実装用基準基板の上面に載置された光素子を一時的に固定し、
前記実装基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における実装基板の載置位置を決定する
ことを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記実装用基準基板は、光透過性の基板であり、
前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認し、
前記実装基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認する
ことを特徴とする請求項１６記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１８】
光結合した光ファイバおよび光素子と、Ｖ溝が形成された面を有する光ファイバ基板とＶ溝が形成された面を有しない光素子基板とからなり、前記光結合した光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備えた光モジュールの製造方法であって、
前記光素子を前記光素子基板の上面に実装する光素子実装工程と、
前記光素子と光ファイバとを光結合させる実装用基準基板の上面と、光ファイバ基板のＶ溝が形成された上面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に前記光ファイバ基板を載置する光ファイバ基板載置工程と、
前記実装用基準基板の上面と前記光素子のプロセスが施された面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に光素子を載置する光素子載置工程と、
前記光素子と実装用基準基板とを接触させ、前記光素子のプロセスが施された面と、前記光ファイバ基板の上面とを略面一にする面一工程と、
前記Ｖ溝に光ファイバを実装する光ファイバ実装工程と
を含むことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
前記光ファイバ基板と光素子基板との間に固定部材を塗布する工程を含み、
前記面一工程において、前記固定部材により前記略面一状態を固定する
ことを特徴とする請求項１８に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項２０】
前記固定部材は接着性を有し、
前記面一工程において、前記光ファイバ基板と光素子基板とを接着する
ことを特徴とする請求項１９に記載の光モジュール。
【請求項２１】
前記固定部材は熱硬化性又は光硬化性を有し、
前記光モジュールの製造方法は、さらに、
紫外線又は熱により前記固定部材を硬化させる工程を含む
ことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記実装用基準基板は、光素子アライメントマーカと、実装基板アライメントマーカとを備え、
前記光ファイバ基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における光ファイバ基板の載置位置を決定し、
前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における光素子の載置位置を決定する
ことを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項２３】
前記実装用基準基板は、光透過性の基板であり、
前記光ファイバ基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認し、
前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認する
ことを特徴とする請求項２２記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールの実装技術及び構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光加入者系通信網といった高度情報化社会に向けて、半導体レーザを代表とする光能動素子や光機能モジュールの開発が急速に進められている。さらに今後は、家庭にまで光ファイバの敷設を行うことで、各家庭への光通信端末の普及が見込まれている。光通信端末の普及には、低価格で量産性に優れた光モジュールを実現することが重要であり、このような光モジュールの実現が望まれている。
【０００３】
しかしながら、上記のような光モジュールの実現には、いくつかの問題がある。特に、光素子（例えば、半導体レーザ、発光ダイオード等の発光素子、フォトダイオード等の受光素子、光導波路、光増幅器等）と光ファイバとの光学的な結合（以下、光結合）を高精度で簡易にする光結合方法を実現しようとした場合、次のような問題ある。光結合方法としては、発光素子を発光させ、光ファイバのｘ、ｙ、ｚ位置を動かし、光ファイバ通過後の出力光強度をモニタで確認し、良好な光強度及び光結合効率が得られる位置で光ファイバを保持している台を固定するアクティブアライメント実装方法が一般的に用いられている。しかし、この方法では製造設備が大規模となり、かつ、光軸調整の作業時間が掛かるため、コスト性、量産性等に問題が生じるのである。
【０００４】
このような問題を解決するための先行事例として、パッシブアライメント実装技術（特許文献１参照）がある。この文献によれば、予め半導体基板上に形成されたＶ溝を用いることにより、アクティブアライメント実装方法のような光軸調整を行わない光結合を実現している。
【０００５】
図８（ａ）は、従来の光モジュールの斜視図であり、図８（ｂ）は、光モジュールの発光素子８１０が実装された発光素子実装部における断面図であり、図８（ｃ）は、光モジュールの光ファイバ８２０が実装された光ファイバ実装部における断面図である。
【０００６】
従来の光モジュールは、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、半導体レーザや発光ダイオード等の光を出射する発光素子８１０と、光ファイバ８２０と、Ｖ溝基板８３０と、電気配線８４０と、光ファイバ８２０を高精度で実装するためにＶ溝基板８３０に高精度に形成されたＶ溝８５０と、マスクパターン技術により形成されたアライメントマーカ８６０と、発光素子８１０の発光する領域である発光領域８７０と、光ファイバコア８８０とから構成される。ここで、Ｖ溝基板８３０は平坦性が良い半導体基板である。
【０００７】
以上のような構成を有する光モジュールにおいて、発光素子８１０と光ファイバ８２０との光結合は、Ｖ溝８５０に光ファイバ８２０を実装した後、アライメントマーカ８６０によりＶ溝基板８３０における発光領域８７０の平面位置を高精度に決定し、ジャンクションダウン実装で発光素子８１０をＶ溝基板８３０上面に実装してＶ溝基板８３０上面に対する発光領域８７０の高さを高精度に決定することにより行われる。
【０００８】
このように、従来の光モジュールにおいて、Ｖ溝基板８３０は平坦性が良い半導体基板であるため、アライメントマーカ８６０により平面方向の高精度実装を得ることができ、かつ、ジャンクションダウン実装により発光素子８１０がＶ溝基板８３０に実装され、異方性エッチングにより形成される半導体基板のＶ字状のエッチング溝は角度が決まっているため、高さ方向の高精度実装を得ることができる。また更に、光結合は発光素子８１０および光ファイバ８２０を機械的に実装することにより行われるため、低コストの光モジュールを実現することができる。
【０００９】
ここで、ジャンクションダウン実装により発光素子８１０をＶ溝基板８３０上面に実装した場合、Ｖ溝基板８３０上面に対する発光素子８１０の発光領域８７０の高さを高精度に決定できることについて図９を用いて説明する。
【００１０】
図９（ａ）は、発光素子８１０の斜視図であり、図９（ｂ）、（ｃ）は、発光素子実装部における光モジュールの断面図である。なお、図８と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００１１】
図９（ａ）に示されるように、発光素子８１０は、発光素子アライメントマーカ９１０と、発光素子８１０のプロセスが施された面、つまり、発光素子８１０の発光領域８７０に近い面に形成された実電流の広がりを抑え、また、光閉じ込めを行うストライプ溝９２０とから構成され、図９（ｂ）に示されるように、ジャンクションダウン実装とは、発光素子８１０のプロセスが施された面とＶ溝基板８３０上面とを接触させる実装であり、図９（ｃ）に示される発光素子８１０のプロセスが施されていない面、つまり、発光素子８１０の発光領域８７０に遠い面とＶ溝基板８３０上面とを接触させるジャンクションアップ実装とは対極的な実装である。このとき、ジャンクションダウン実装で用いられる電極パット９３０は、ジャンクションアップ実装で用いられる電極パット９３０よりも大きな面積を有し、寄生容量９４０の大きさは電極パット９３０の面積によって決まるため、ジャンクションダウン実装において形成される寄生容量９４０はジャンクションアップ実装において形成される寄生容量９４０よりも大きくなる。
【００１２】
このように、ジャンクションダウン実装は発光素子８１０のプロセスが施された面とＶ溝基板８３０上面とを接触させることにより行われるため、発光領域８７０とＶ溝基板８３０上面との間隔が発光素子８１０における発光領域８７０と発光素子８１０上面との間の薄い膜厚となり、ジャンクションダウン実装によりＶ溝基板８３０上面に対する発光素子８１０の発光領域８７０の高さを高精度に決定することができるのである。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１０−３１１９３６号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、光通信デバイスは高速化が急速に進んでおり、超高速な光通信デバイスにおいて、高周波での特性劣化が問題となっている。しかし、従来の光モジュールでは発光素子８１０をＶ溝基板８３０上面に実装する際に、ジャンクションダウン実装が用いられているため電極パット９３０領域で大きな寄生容量９４０が形成され、発光素子８１０の駆動の高速化を行うことができず、光通信デバイスの高速化に対応することができない。このとき、電極パット９３０の面積を極力小さくすることで寄生容量９４０を削減することができるが、ジャンクションダウン実装ではＶ溝基板８３０と発光素子８１０との接合強度が弱くなり剥離してしまうため、ある程度大きな電極領域が必要となり、発光素子８１０の駆動の高速化を行うことができない。
【００１５】
また、デバイスの高速化が進むにつれて、デバイスの発熱量増加によるデバイス特性の悪化が問題となる。しかし、従来の光モジュールではＶ溝基板８３０が平坦性の良い半導体基板に限定されてしまうため、発光素子８１０で生じた熱を逃がすことができず、発光素子８１０で生じた熱により発光素子８１０の発振周波数が変化し、発振が不安定になる。
【００１６】
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、低価格で量産性に優れ、かつ、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することを第１の目的とする。
また、本発明は、デバイスの発熱を原因とするデバイス特性の悪化を防ぐ、つまり、長期安定性および信頼性に優れた光モジュールを実現することを第２の目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に関わる光モジュールは、光結合した光ファイバおよび光素子と、前記光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備える光モジュールであって、前記実装基板は、段差を有する２つの上面を有し、前記光ファイバは、前記実装基板の２つの上面のうちの高い方の第１上面に形成されたＶ溝に実装され、前記光素子は、前記実装基板の２つの上面のうちの低い方の第２上面に実装され、前記実装基板の第１上面と前記光素子の上面とが略面一であることを特徴とする。
【００１８】
これによって、光ファイバはＶ溝に実装され、光素子はＶ溝が形成された面よりも低い面に実装されるので、ジャンクションアップ実装により光素子を実装基板に実装することが可能な低価格で量産性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が発揮される。
【００１９】
また、前記光素子は、前記第２上面にジャンクションアップ実装により実装されてもよい。
これによって、ジャンクションダウン実装で形成される寄生容量を除去することができるので、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が発揮される。
【００２０】
また、前記実装基板は前記Ｖ溝が形成された面を有する第１の基板と、前記光素子と接する面を有する第２の基板とを備えてもよい。
これによって、光素子が実装される実装基板には平坦性が要求されず、熱伝導性の良い実装基板を使用できるので、光素子の発熱を原因とする光素子特性の悪化を防ぐ、つまり長期安定性および信頼性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が発揮される。
【００２１】
また、前記光モジュールは、さらに、前記第１の基板と第２の基板との間に、実装基板に対する光素子の相対位置を固定する第１固定部材を備えてもよい。ここで、前記光モジュールは、さらに、前記光素子と実装基板との間に、実装基板に対する光素子の相対位置を固定する第２固定部材を備えてもよい。
【００２２】
これによって、実装基板に対する最適な相対位置で光素子を固定することできるという効果が発揮される。
また、前記第２固定部材は接着性を有し、前記実装基板と光素子とを接着してもよい。
【００２３】
これによって、実装基板と光素子とを接着することできるという効果が発揮される。
また、前記第２固定部材は熱硬化性又は光硬化性を有してもよい。
これによって、実装基板と光素子とを一体化することできるという効果が発揮される。
【００２４】
また、前記第２固定部材は熱伝導性を有してもよい。
これによって、光素子で生じた熱を実装基板に逃がすことができるという効果が発揮される。
【００２５】
本発明は、また、光結合した光ファイバおよび光素子と、前記光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備えた光モジュールの製造方法であって、前記光素子と光ファイバとを光結合させる前記実装用基準基板の上面に光素子を載置する光素子載置工程と、前記実装用基準基板の上面と前記実装基板のＶ溝が形成された上面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に実装基板を載置する実装基板載置工程と、前記実装用基準基板と実装基板とを接触させ、前記光素子の実装用基準基板と接する面と前記実装基板の上面とを略面一にする面一工程と、前記Ｖ溝に光ファイバを実装する光ファイバ実装工程とを含むことを特徴とする光モジュールの製造方法とすることもできる。
【００２６】
これによって、光ファイバをＶ溝に実装し、実装基板に実装される光素子の上面と実装基板の上面とを略面一にするので、ジャンクションアップ実装により光素子を実装基板に実装可能な低価格で量産性に優れた光モジュールを製造することできるという効果が発揮される。
【００２７】
また、前記光素子載置工程において、前記実装用基準基板の上面と前記光素子のプロセスが施された面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に光素子を載置し、前記面一工程において、前記光素子のプロセスが施された面と前記実装基板の上面とを略面一にしてもよい。
【００２８】
これによって、ジャンクションアップ実装により光素子を実装基板に実装するので、高周波数特性に優れた光モジュールを製造することできるという効果が発揮される。
【００２９】
また、前記実装基板はＶ溝が形成された面を有する光ファイバ基板と、Ｖ溝が形成された面を有しない光素子基板とを備え、前記光モジュールの製造方法は、さらに、前記光ファイバ基板と光素子基板とを接合する工程を含み、前記面一工程において、前記光素子の実装用基準基板と接する面と反対側の面は、前記光素子基板と接してもよい
【００３０】
これによって、光素子が実装される実装基板には平坦性が要求されず、熱伝導性の良い実装基板を利用できるので、光素子の発熱を原因とする光素子特性の悪化を防ぐ、つまり、長期安定性および信頼性に優れた光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００３１】
また、前記光モジュールの製造方法は、さらに、前記光素子基板と光ファイバ基板との間に第１固定部材を塗布する工程を含み、前記面一工程において、前記第１固定部材により前記略面一状態を固定してもよい。ここで、前記光モジュールの製造方法は、さらに、前記光素子と実装基板との間に第２固定部材を塗布する工程を含み、前記面一工程において、前記第２固定部材により前記略面一状態を固定してもよい。
【００３２】
これによって、光素子の実装基板に対する相対位置が最適な関係で固定された光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
また、前記第２固定部材は接着性を有し、前記面一工程において、前記光素子と実装基板とを接着してもよい。
【００３３】
これによって、光素子と実装基板とが接着した光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
また、前記第２固定部材は熱硬化性又は光硬化性を有し、前記光モジュールの製造方法は、さらに、紫外線又は熱により前記第２固定部材を硬化させる工程を含んでもよい。
【００３４】
これによって、実装基板と光素子とが一体化された光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００３５】
また、前記実装用基準基板は、光素子アライメントマーカと、実装基板アライメントマーカと、固定手段とを備え、前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における光素子の載置位置を決定し、前記固定手段により前記実装用基準基板の上面に載置された光素子を一時的に固定し、前記実装基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカにより前記実装用基準基板の上面における実装基板の載置位置を決定してもよい。ここで、前記実装用基準基板は、光透過性の基板であり、前記光素子載置工程において、前記光素子アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認し、前記実装基板載置工程において、前記実装基板アライメントマーカを前記実装用基準基板の上面と反対側の面から確認してもよい。
【００３６】
これによって、実装基板における光素子の平面位置が高精度に決定された光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００３７】
本発明は、また、光結合した光ファイバおよび光素子と、Ｖ溝が形成された面を有する光ファイバ基板とＶ溝が形成された面を有しない光素子基板とからなり、前記光結合した光ファイバおよび光素子が実装される実装基板とを備えた光モジュールの製造方法であって、前記光素子を前記光素子基板の上面に実装する光素子実装工程と、前記光素子と光ファイバとを光結合させる実装用基準基板の上面と、光ファイバ基板のＶ溝が形成された上面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に前記光ファイバ基板を載置する光ファイバ基板載置工程と、前記実装用基準基板の上面と前記光素子のプロセスが施された面とを対向させ、前記実装用基準基板の上面に光素子を載置する光素子載置工程と、前記光素子と実装用基準基板とを接触させ、前記光素子のプロセスが施された面と、前記光ファイバ基板の上面とを略面一にする面一工程と、前記Ｖ溝に光ファイバを実装する光ファイバ実装工程とを含むことを特徴とする光モジュールの製造方法とすることもできる。
【００３８】
これによって、予め光素子を光素子基板に実装したものを用いて、光モジュールの製造途中で光素子の特性試験や、信頼性試験を行い、良好な光素子のみを選別することができるので、低コストの光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００３９】
また、前記光モジュールの製造方法は、さらに、前記光ファイバ基板と光素子基板との間に固定部材を塗布する工程を含み、前記面一工程において、前記固定部材により前記略面一状態を固定してもよい。
これによって、光素子の実装基板に対する相対位置が最適な関係で固定された光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００４０】
また、前記固定部材は接着性を有し、前記面一工程において、前記光ファイバ基板と光素子基板とを接着してもよい。
これによって、光ファイバ基板と光素子基板とが接着した光モジュールを製造することができるという効果が発揮される。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態おける光学機能材料について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態における光モジュールの斜視図である。
【００４２】
本実施の形態の光モジュールは、低価格で量産性に優れ、かつ、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することを目的とするものであって、半導体レーザや発光ダイオード等の光を出射する発光素子１１０と、光ファイバ１２０と、Ｖ溝基板１３０と、発光素子１１０のプロセスが施されていない面に形成された発光素子電極（図外）と電気的に接続されたＶ溝基板電極１４０ａと、発光素子電極１５０と電気的に接続されたＶ溝基板電極１４０ｂと、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成された発光素子電極１５０と、Ｖ溝基板電極１４０ｂと発光素子電極１５０とを電気的に接続するワイヤー１６０と、光ファイバ１２０を高精度で実装するためにＶ溝基板１３０に高精度に形成されたＶ溝１７０と、マスクパターン技術により形成されたアライメントマーカ１８０とから構成される。本発明の光モジュールは、発光素子１１０がジャンクションアップ実装によりＶ溝基板１３０に実装されているという点と、Ｖ溝基板１３０において発光素子１１０が実装された面がＶ溝１７０の頂面よりも低く位置し、発光素子１１０のＶ溝基板１３０と接する面、つまり、プロセスが施された面と反対側の面とＶ溝基板１３０の頂面とが略面一であるという点で従来の光モジュールと異なる。
【００４３】
ここで、Ｖ溝基板１３０は、平坦性が良い半導体基板であり、例えば、シリコン半導体基板である。なお、Ｖ溝基板１３０は、金属基板あるいは樹脂基板であってもよい。
【００４４】
次に、以上のような構成を有する光モジュールの製造方法について図２に示す断面図（斜視図の発光素子１１０の実装部における断面図）および図３に示すフローチャートに沿って説明する。なお、図１と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００４５】
まず、図２（ａ）に示されるように、発光素子１１０のプロセスが施された面、つまり、発光素子１１０の発光領域２１０に近い面と実装用基準基板２２０上面とを対向させ、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成されたアライメントマーカおよび実装用基準基板２２０上面に形成された発光素子載置用アライメントマーカにより、実装用基準基板２２０上面での発光素子１１０の載置位置を高精度で決定する（Ｓ３００）。そして、実装用基準基板２２０上面に発光素子１１０を載置する（Ｓ３１０）。そして、真空チャック２３０により発光素子１１０を実装用基準基板２２０上面に固定する（Ｓ３２０）。そして、発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面に固定部材２４０を塗布する（Ｓ３３０）。なお、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成されたアライメントマーカにより実装用基準基板２２０上面での発光素子１１０の載置位置を高精度で決定したが、発光素子１１０の載置位置を高精度で決定できればそれに限られず、他の方法、例えば、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成されたストライプ溝の凸凹、あるいはエッチング等で形成されたアライメント用の凸凹により、発光素子１１０の載置位置を高精度で決定してもよい。また、真空チャック２３０により発光素子１１０を実装用基準基板２２０上面に固定したが、発光素子１１０を実装用基準基板２２０上面に固定できればそれに限られず、他の固定方法で発光素子１１０を実装用基準基板２２０上面に固定してもよい。
【００４６】
ここで、実装用基準基板２２０は、本実施の形態の光モジュールを製造する際に用いられるものであり、図４のような構成を有する。
図４は、実装用基準基板２２０の上面図である。なお、図１、２と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００４７】
実装用基準基板２２０は、実装用基準基板２２０上面での発光素子１１０の載置位置を高精度に制御する発光素子載置用アライメントマーカ４１０と、実装用基準基板２２０上面でのＶ溝基板１３０の載置位置を高精度に制御するＶ溝基板載置用アライメントマーカ２５０と、真空チャック２３０とから構成される。なお、実装用基準基板２２０は、石英基板等の光透過性の基板であることが好ましい。
【００４８】
また、固定部材２４０は、接着性および熱硬化性を有する導電性の材料であり、例えば、Ａｇペーストやクリーム半田等である。なお、固定部材２４０は実装における調整用外部圧力で、Ｖ溝基板１３０に対する発光素子１１０の相対的な高さ位置を調節し、その位置を固定するために用いられるので、適度に高い粘度あるいは反発力を有することが好ましい。また、固定部材２４０は熱硬化性を有するとした。しかし、固定部材２４０は熱硬化性では無く、光硬化性を有してもよい。
【００４９】
次に、図２（ｂ）に示されるように、Ｖ溝１７０が形成されたＶ溝基板１３０上面と実装用基準基板２２０上面とを対向させ、Ｖ溝基板載置用アライメントマーカ２５０およびアライメントマーカ１８０により、実装用基準基板２２０上面でのＶ溝基板１３０の載置位置を決定する（Ｓ３４０）。
【００５０】
次に、図２（ｃ）に示されるように、実装用基準基板２２０上面にＶ溝基板１３０を載置する（Ｓ３５０）。そして、Ｖ溝基板１３０と実装用基準基板２２０とを強く接触させ、固定部材２４０により発光素子１１０とＶ溝基板１３０とを接着し、Ｖ溝基板１３０上面と発光素子１１０のプロセスが施された面とを略面一にする（Ｓ３６０）。そして、加熱により固定部材２４０を硬化させ、発光素子１１０とＶ溝基板１３０とを一体化する（Ｓ３７０）。
【００５１】
次に、図２（ｄ）に示されるように、一体化した発光素子１１０およびＶ溝基板１３０を実装用基準基板２２０から分離する（Ｓ３８０）。
【００５２】
次に、図２（ｅ）に示されるように、Ｖ溝基板電極１４０ｂと発光素子電極１５０とをワイヤー１６０により電気的に接続させ、Ｖ溝１７０に光ファイバ１２０を実装し、光ファイバ１２０の光ファイバコア２６０と発光素子１１０の発光領域２１０とを一致させる（Ｓ３９０）。
【００５３】
以上のように本実施の形態によれば、光結合は予めＶ溝基板１３０上に形成されたＶ溝１７０を用いることにより行われる。よって、アクティブアライメント実装方法のような光軸調整を行わないので、本実施の形態の光モジュールは、低価格で量産性に優れた光モジュールを実現することができる。
【００５４】
また、本実施の形態によれば、発光素子１１０はジャンクションアップ実装によりＶ溝基板１３０に実装される。よって、ジャンクションダウン実装で形成される寄生容量を除去することができるので、本実施の形態の光モジュールは、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することができる。
【００５５】
また、本実施の形態によれば、光モジュールの製造工程において用いる実装用基準基板２２０を光透過性の基板とし、発光素子１１０上面に形成されたアライメントマーカおよびＶ溝基板１３０上面に形成されたアライメントマーカ１８０を実装用基準基板２２０上面と反対側の面から確認することができる。よって、Ｘ線や赤外カメラによるのではなく、ＣＣＤカメラ等の簡易な装置によりアライメントマーカを確認することができるので、本実施の形態の光モジュールは、調整の簡易化、実施設備の低コスト化が可能な光モジュールを実現することができる。
【００５６】
なお、本実施の形態において、光モジュールは光ファイバ１２０と発光素子１１０とを光結合するとした。しかし、光モジュールは、受光素子、光導波路あるいは光増幅器等の他の光素子と光ファイバとを光結合してもよい。
【００５７】
また、本実施の形態において、固定部材２４０は接着性および可塑性を有し、固定部材２４０により発光素子１１０とＶ溝基板１３０とを接着し、一体化するとした。しかし、固定部材２４０は接着性および可塑性を有さず、接着性および可塑性を有する別の固定部材により発光素子１１０とＶ溝基板１３０とを接着し、一体化してもよい。このような別の固定部材を用いた発光素子１１０およびＶ溝基板１３０の一体化は、接着性および可塑性を有さない固定部材２４０によりＶ溝基板１３０に対する発光素子１１０の相対位置を固定し、その後、接着性および可塑性を有する別の固定部材をＶ溝基板１３０と発光素子１１０との間に塗布し、発光素子１１０とＶ溝基板１３０とを接着し、一体化することにより行われる。
【００５８】
（第２の実施の形態）
上記第１の実施の形態に関わる光モジュールにおいて、発光素子のプロセスが施されていない面およびプロセスが施された面のそれぞれに形成された発光素子電極とＶ溝基板の電極とを電気的に接続させるとした。しかし、発光素子のプロセスが施された面に形成された発光素子電極だけとＶ溝基板の電極とを電気的に接続させても、発光素子のプロセスが施されていない面およびプロセスが施された面のそれぞれに形成された発光素子電極とＶ溝基板の電極とを電気的に接続させたときと同様の効果が得られ、更にこの場合、発光素子のプロセスが施されていない面に形成された発光素子電極とＶ溝基板の電極とを電気的に接続させる必要がないので、固定部材は導電性を有する必要が無く、高い自由度を持って固定部材の材料を選択することができる。そこで、第２の実施の形態に関わる光モジュールにおいて、発光素子のプロセスが施された面に形成された発光素子電極だけとＶ溝基板の電極とを電気的に接続させた。以下、第１の実施の形態と異なる点を中心に説明する。
【００５９】
図５は、本実施の形態における光モジュールの斜視図である。図５において、図１と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００６０】
本実施の形態の光モジュールは、発光素子１１０と、光ファイバ１２０と、Ｖ溝基板１３０と、Ｖ溝１７０と、アライメントマーカ１８０と、発光素子電極５２０ａ、５２０ｂと電気的に接続されたＶ溝基板電極５１０ａ、５１０ｂと、発光素子１１０のプロセスが施された面に形成された発光素子電極５２０ａ、５２０ｂと、Ｖ溝基板電極５１０ａと発光素子電極５２０ａとを電気的に接続するワイヤー５３０ａと、Ｖ溝基板電極５１０ｂと発光素子電極５２０ｂとを電気的に接続するワイヤー５３０ｂとから構成される。
【００６１】
以上のような構成を有する本実施の形態の光モジュールは、第１の実施の形態と同様の方法により製造されるが、図３に示されるフローチャートのＳ３３０において、導電性を有する固定部材２４０では無く、導電性を有しない固定部材を発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面に塗布し、また、Ｓ３９０において、ワイヤー１６０によりＶ溝基板電極１４０ｂと発光素子電極１５０とを電気的に接続させるのでは無く、ワイヤー５３０ａ、ワイヤー５３０ｂによりＶ溝基板電極５１０ａと発光素子電極５２０ａ、Ｖ溝基板電極５１０ｂと発光素子電極５２０ｂとを電気的に接続させるという点で第１の実施の形態の製造方法と異なる。
【００６２】
ここで、本実施の形態の固定部材は、接着性および熱硬化性を有する材料であり、例えば、シリコーンやポリエチレン等である。なお、固定部材は実装における調整用外部圧力で、Ｖ溝基板１３０に対する発光素子１１０の相対的な高さ位置を調節し、その位置を固定するために用いられるので、適度に高い粘度あるいは反発力を有することが好ましい。また、本実施の形態の固定部材は高い熱伝導性を有することが好ましい。また、固定部材は熱硬化性を有するとした。しかし、固定部材は熱硬化性では無く、光硬化性を有してもよい。
【００６３】
以上のように本実施の形態によれば、固定部材は導電性を有する必要が無い。よって、本実施の形態の光モジュールは、高い自由度を持って固定部材を選択できる光モジュールを実現することができる。
【００６４】
また、本実施の形態によれば、固定部材として高い熱導伝性を有する固定部材を使用することができる。よって、本実施の形態の光モジュールは、発光素子１１０で生じた熱をＶ溝基板１３０に逃がすことができる。
【００６５】
（第３の実施の形態）
上記第２の実施の形態に関わる光モジュールにおいて、発光素子および光ファイバは同一のＶ溝基板に実装されるとした。しかし、発光素子および光ファイバが別々のＶ溝基板に実装されても、発光素子および光ファイバが同一のＶ溝基板に実装されたときと同様の効果が得られ、更にこの場合、発光素子が実装されるＶ溝基板に平坦性を要しないので、高い自由度を持って発光素子が実装されるＶ溝基板の材料を選択することができる。そこで、第３の実施の形態に関わる光モジュールにおいて、発光素子および光ファイバを別々のＶ溝基板に実装した。以下、第２の実施の形態と異なる点を中心に説明する。
【００６６】
図６（ａ）は、本実施の形態における光モジュールの斜視図であり、図６（ｂ）は、斜視図のＡ‐Ａ’線における光モジュールの断面図である。図６において、図５と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００６７】
本実施の形態の光モジュールは、発光素子１１０と、光ファイバ１２０と、Ｖ溝１７０と、アライメントマーカ１８０と、Ｖ溝基板電極５１０ａ、５１０ｂと、発光素子電極５２０ａ、５２０ｂと、ワイヤー５３０ａ、５３０ｂと、光ファイバ１２０が実装される第１のＶ溝基板６１０と、発光素子１１０が実装される第２のＶ溝基板６２０と、発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０との間にあり、第１のＶ溝基板６１０に対する発光素子１１０の相対的な高さ位置を調節し、その位置を固定し、また、発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０とを接着し、一体化する固定部材６３０とから構成される。なお、固定部材６３０は、更に第１のＶ溝基板６１０と第２のＶ溝基板６２０との間にもあってもよいし、あるいは発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０との間には無く、第１のＶ溝基板６１０と第２のＶ溝基板６２０との間、若しくは、発光素子１１０と第１のＶ溝基板６１０との間にあってもよい。
【００６８】
ここで、第１のＶ溝基板６１０は、平坦性が良い半導体基板であり、例えば、シリコン半導体基板である。なお、第１のＶ溝基板６１０は、金属基板あるいは樹脂基板であってもよい。
また、第２のＶ溝基板６２０は、高熱伝導率の金属基板である。なお、第１のＶ溝基板６１０は、半導体基板あるいは樹脂基板であってもよい。
【００６９】
また、固定部材６３０は、接着性、熱硬化性および高い熱伝導性を有する材料であり、例えば、シリコーンやポリエチレン等である。なお、固定部材は実装における調整用外部圧力で、第１のＶ溝基板６１０に対する発光素子１１０の相対的な高さ位置を調節し、その位置を固定するために用いられるので、適度に高い粘度あるいは反発力を有することが好ましい。また、固定部材は熱硬化性を有するとした。しかし、固定部材は熱硬化性では無く、光硬化性を有してもよい。
【００７０】
以上のような構成を有する本実施の形態の光モジュールは、第２の実施の形態と同様の方法により製造されるが、図３に示されるフローチャートのＳ３４０において、図７（ａ）に示されるように、Ｖ溝基板１３０では無く、第１のＶ溝基板６１０と第２のＶ溝基板６２０とが接合したＶ溝基板の実装用基準基板２２０上面での載置位置を決定するという点で第２の実施の形態の製造方法と異なる。
【００７１】
なお、固定部材６３０が発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０との間にあり、更に第１のＶ溝基板６１０と第２のＶ溝基板６２０との間にもある場合、光モジュールは、図３に示されるフローチャートのＳ３４０において、図７（ｂ）に示されるように、第１のＶ溝基板６１０のＶ溝１７０が形成された上面と実装用基準基板２２０上面とを対向させ、Ｖ溝基板載置用アライメントマーカ２５０およびアライメントマーカ１８０により、実装用基準基板２２０上面での第１のＶ溝基板６１０の載置位置を決定し、また、Ｓ３５０において、実装用基準基板２２０上面に第１のＶ溝基板６１０を載置し、また、Ｓ３６０において、第１のＶ溝基板６１０の上面と反対側の面に固定部材７１０ａ、７１０ｂを塗布し、第２のＶ溝基板６２０と第１のＶ溝基板６１０、第２のＶ溝基板６２０と発光素子１１０とを強く接触させ、固定部材７１０ａ、７１０ｂにより第２のＶ溝基板６２０と第１のＶ溝基板６１０とを、固定部材６３０により第２のＶ溝基板６２０と発光素子１１０とを接着し、第１のＶ溝基板６１０上面と発光素子１１０のプロセスが施された面とを略面一にし、また、Ｓ３７０において、加熱により固定部材６３０、７１０ａ、７１０ｂを硬化させ、発光素子１１０、第１のＶ溝基板６１０および第２のＶ溝基板６２０を一体化することにより製造される。
【００７２】
また、固定部材６３０が発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０との間には無く、第１のＶ溝基板６１０と第２のＶ溝基板６２０との間にある場合、光モジュールは、図３に示されるフローチャートのＳ３３０において、固定部材６３０を発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面に塗布せず、また、Ｓ３４０において、図７（ｃ）に示されるように、第１のＶ溝基板６１０のＶ溝１７０が形成された上面と実装用基準基板２２０上面とを対向させ、Ｖ溝基板載置用アライメントマーカ２５０およびアライメントマーカ１８０により、実装用基準基板２２０上面での第１のＶ溝基板６１０の載置位置を決定し、また、Ｓ３５０において、実装用基準基板２２０上面に第１のＶ溝基板６１０を載置し、また、Ｓ３６０において、発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面と第２のＶ溝基板６２０上面とを対向させた状態で発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０とを接合し、第１のＶ溝基板６１０上面と反対側の面に固定部材７１０ａ、７１０ｂを塗布し、発光素子１１０のプロセスが施された面と実装用基準基板２２０上面とを対向させた状態で、発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０とが接合してなる接合基板と実装用基準基板２２０とを強く接触させ、固定部材７１０ａ、７１０ｂにより第１のＶ溝基板６１０と接合基板とを接着し、第１のＶ溝基板６１０上面と発光素子１１０のプロセスが施された面とを略面一にし、また、Ｓ３７０において、加熱により固定部材７１０ａ、７１０ｂを硬化させ、第１のＶ溝基板６１０と接合基板とを一体化することにより製造される。
【００７３】
また、固定部材６３０が発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０との間にはなく、発光素子１１０と第１のＶ溝基板６１０との間にある場合、光モジュールは、図３に示されるフローチャートのＳ３３０において、固定部材６３０を発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面に塗布せず、また、Ｓ３４０において、図７（ｄ）に示されるように、第１のＶ溝基板６１０のＶ溝１７０が形成された上面と実装用基準基板２２０上面とを対向させ、Ｖ溝基板載置用アライメントマーカ２５０およびアライメントマーカ１８０により、実装用基準基板２２０上面での第１のＶ溝基板６１０の載置位置を決定し、また、Ｓ３５０において、実装用基準基板２２０上面に第１のＶ溝基板６１０を載置し、また、Ｓ３６０において、発光素子１１０のプロセスが施された面と反対側の面と第２のＶ溝基板６２０上面とを対向させた状態で発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０とを接合し、発光素子１１０のプロセスが施された面と実装用基準基板２２０上面とを対向させた状態で、発光素子１１０と第２のＶ溝基板６２０とが接合してなる接合基板を実装用基準基板２２０上面に載置し、第１のＶ溝基板６１０と接合基板との間に固定部材７２０ａ、７２０ｂを塗布し、第１のＶ溝基板６１０と接合基板とを接着し、第１のＶ溝基板６１０と実装用基準基板２２０、接合基板と実装用基準基板２２０とを強く接触させることにより、第１のＶ溝基板６１０上面と発光素子１１０のプロセスが施された面とを略面一にし、また、Ｓ３７０において、加熱により固定部材７２０ａ、７２０ｂを硬化させ、第１のＶ溝基板６１０と接合基板とを一体化することにより製造される。
【００７４】
ここで、固定部材７１０ａ、７１０ｂ、７２０ａ、７２０ｂは、固定部材６３０と同様の材料である。
【００７５】
以上のように本実施の形態によれば、第２のＶ溝基板６２０は高熱伝導率の金属基板であり、固定部材６３０、７１０ａ、７１０ｂは高い熱伝導性を有する。よって、発光素子１１０で生じた熱を固定部材６３０、７１０ａ、７１０ｂおよび第２のＶ溝基板６２０を介して逃がし、発光素子１１０の発振周波数の変化等、発振の不安定性を除去することができるので、本実施の形態の光モジュールは、発光素子１１０の発熱を原因とする発光素子１１０の特性の悪化を防ぐ、つまり、長期安定性および信頼性に優れた安価な光モジュールを実現することができる。
【００７６】
また、本実施の形態によれば、第２のＶ溝基板６２０には平坦性を要しない。よって、本実施の形態の光モジュールは、発光素子が実装されるＶ溝基板を高い自由度を持って選択できる光モジュールを実現することができる。
【００７７】
また、本実施の形態によれば、第２のＶ溝基板６２０として高周波数特性に優れたセラミック基板を使用することができる。よって、本実施の形態の光モジュールは、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することができる。
【００７８】
また、本実施の形態によれば、予め第２のＶ溝基板６２０と発光素子１１０とを接合させた接合基板を用いて光モジュールを製造することができる。よって、光モジュールの製造途中で発光素子の特性試験や信頼性試験を行い、良好な発光素子のみを選別することができるので、本実施の形態の光モジュールは、歩留まり等の損害を大幅に軽減し、低コストの光モジュールを実現することができる。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、第１のＶ溝基板６１０と接合基板との間に固定部材７２０ａ、７２０ｂを流し込み、接合基板をその側面で固定することができる。よって、固定部材７２０ａ、７２０ｂを硬化させる際に、収縮等による発光素子１１０の高さ方向のアライメント変化が無いので、本実施の形態の光モジュールは、信頼性に優れた光モジュールを実現することができる。
【００８０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る光モジュールによれば、光結合は予めＶ溝基板上に形成されたＶ溝を用いることにより行われ、アクティブアライメント実装方法のような光軸調整を行わないので、低価格で量産性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、発光素子はジャンクションアップ実装によりＶ溝基板に実装され、ジャンクションダウン実装で形成される寄生容量を除去することができるので、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、実装用基準基板を光透過性の基板とすることにより、発光素子およびＶ溝基板が載置される面と反対側の面から発光素子上に形成されたアライメントマーカおよびＶ溝基板上に形成されたアライメントマーカを確認することができ、Ｘ線や赤外カメラによるのではなく、カメラ等の簡易な方法によりアライメントマーカを確認することができるので、調整の簡易化、実施設備の低コスト化が可能な光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、固定部材は導電性を有する必要が無いので、高い自由度を持って固定部材を選択できる光モジュールを実現することができるという効果が奏される。
【００８１】
また、本発明に係る光モジュールによれば、発光素子および光ファイバを別々のＶ溝基板に実装し、発光素子が実装されるＶ溝基板として高熱伝導率の金属基板を使用し、固定部材として高い熱導伝性を有する固定部材を使用することにより、発光素子で生じた熱をＶ溝基板に逃がし、発光素子の発振周波数の変化等、発振の不安定性を除去することができるので、長期安定性および信頼性に優れた安価な光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、発光素子および光ファイバを別々のＶ溝基板に実装し、発光素子が実装されるＶ溝基板として高周波数特性に優れたセラミック基板を使用することができるので、高周波数特性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、発光素子および光ファイバを別々のＶ溝基板に実装することができるので、高い自由度を持って発光素子が実装されるＶ溝基板を選択できる光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、発光素子と光ファイバとを別々のＶ溝基板に実装し、予めＶ溝基板と発光素子とを接合させたものを用いて光モジュールを製造することにより、光モジュールの製造途中で発光素子の特性試験や信頼性試験を行い、良好な発光素子のみを選別することができるので、歩留まり等の損害を大幅に軽減し、低コストの光モジュールを実現することができるという効果が奏される。また、本発明に係る光モジュールによれば、発光素子および光ファイバを別々のＶ溝基板に実装し、発光素子が実装されるＶ溝基板と光ファイバが実装されるＶ溝基板との間に固定部材を塗布し、発光素子が実装されるＶ溝基板および発光素子をその側面で固定することにより、固定部材を硬化させる際に、収縮等による発光素子の高さ方向のアライメント変化が無いので、信頼性に優れた光モジュールを実現することができるという効果が奏される。
【００８２】
よって、本発明により、優れた量産性および優れた高周波数特性を有するとともに、優れた長期安定性および信頼性をも有する光モジュールを実現することが可能となり、本発明の光モジュールの実用的価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における光モジュールの斜視図である。
【図２】同実施の形態における光モジュールの製造方法を示す同光モジュールの断面図である。
【図３】同実施の形態における光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】同実施の形態における光モジュールの製造方法において用いられる実装用基準基板２２０の上面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における光モジュールの斜視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態における光モジュールの斜視図である。
（ｂ）は、同実施の形態における光モジュールの断面図である。
【図７】同実施の形態における光モジュールの製造工程を示す同光モジュールの断面図である。
【図８】（ａ）従来の光モジュールの斜視図である。
（ｂ）は、同光モジュールの発光素子８１０が実装された発光素子実装部における断面図である。
（ｃ）は、同光モジュールの光ファイバ８２０が実装された光ファイバ実装部における断面図である。
【図９】（ａ）は、発光素子８１０の斜視図である。
（ｂ）、（ｃ）は、発光素子実装部における光モジュールの断面図である。
【符号の説明】
１１０、８１０    発光素子
１２０、８２０    光ファイバ
１３０、８３０    Ｖ溝基板
１４０ａ、１４０ｂ、５１０ａ、５１０ｂ    Ｖ溝基板電極
１５０、５２０ａ、５２０ｂ    発光素子電極
１６０、５３０ａ、５３０ｂ    ワイヤー
１７０、８５０    Ｖ溝
１８０、８６０    アライメントマーカ
２１０、８７０    発光領域
２２０    実装用基準基板
２３０    真空チャック
２４０、６３０、７１０ａ、７１０ｂ、７２０ａ、７２０ｂ    固定部材
２５０    Ｖ溝基板載置用アライメントマーカ
２６０、８８０    光ファイバコア
４１０    発光素子載置用アライメントマーカ
６１０    第１のＶ溝基板
６２０    第２のＶ溝基板
８４０    電気配線
９１０    発光素子アライメントマーカ
９２０    ストライプ溝
９３０    電極パット
９４０    寄生容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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