(57)【要約】【課題】気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙に容易に充填材を充填して輝尽性蛍光体層の性能を向上させる。【解決手段】気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルである。柱状結晶の表面を表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができ、輝尽性蛍光体層に励起光の反射・散乱防止、撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記柱状結晶の表面は表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記表面処理剤は屈折率が１．４５以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記表面処理剤はフッ素系ポリマーを含有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記表面処理剤の溶媒はフッ素系溶媒であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記表面処理剤は輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ  ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’、及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。］
【請求項７】
前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ  ・・・（２）
［ここで、ｅは０．０００１＜e≦１．０の範囲の数値を示す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る方法として、基板上に輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変換パネルが開発されている。
【０００３】
放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てることで、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させることができる。その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【０００４】
放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光の輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性により大きく支配されていることが知られている。
【０００５】
特許文献１には、下記一般式で示された輝尽性蛍光体を用いることで、高輝度の放射線画像変換パネルが得られることが示されている。
【０００６】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ  ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。］
【０００７】
また、気相堆積法により輝尽性蛍光体の柱状結晶を支持体に形成することも試みられている（特許文献１参照）。
【０００８】
このような形状の放射線画像変換パネルでは、輝尽性蛍光体層の表面から柱状結晶内に入射した励起光が、柱状結晶の側面で全反射して拡散せずに輝尽性蛍光体層の表面まで伝播するため、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【０００９】
一方で、柱状結晶の間隙に入射した励起光は、柱状結晶の側面で散乱して拡散し、鮮鋭性を悪化させていた。これを防ぐため、柱状結晶の間隙に高光吸収率の物質、高光反射率の物質等の充填材を充填することも試みられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２４８０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
柱状結晶の間隙に充填材を充填するには、充填材を適当な溶媒に溶解させて輝尽性蛍光体層に塗布する等の方法がある。しかし、柱状結晶の間隙は狭いため、これらの充填材を柱状結晶の間隙の隅々まで行き渡らせることは困難であった。
【００１１】
本発明の課題は、容易に輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙に充填材を充填して輝尽性蛍光体層の性能を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記柱状結晶の表面は表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項１に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤は屈折率が１．４５以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を処理する表面処理剤の屈折率が１．４５以下であるので、輝尽性蛍光体の柱状結晶内から発光した輝尽発光が柱状結晶の側面で全反射して輝尽性蛍光体層の表面のみから放出されるため、鮮鋭性を向上させることができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤はフッ素系ポリマーを含有することを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、表面処理剤がフッ素系ポリマーを含有するため、輝尽性蛍光体層に撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤の溶媒はフッ素系溶媒であることを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載の発明によれば、表面処理剤の溶媒がフッ素系溶媒であるため、薄くて均一な表面処理をすることができる。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル前記表面処理剤は輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を含有することを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を柱状結晶の間隙に充填することができ、柱状結晶の間隙に入射した励起光を吸収して散乱を防ぎ、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
【００２３】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ  ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。］
【００２４】
請求項６に記載の発明によれば、一般式（１）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【００２５】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ  ・・・（２）
［ここで、ｅは０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。］
【００２６】
請求項７に記載の発明によれば、一般式（２）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、さらに輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができる。
【００２８】
請求項２に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を処理する表面処理剤の屈折率が１．４５以下であるので、輝尽性蛍光体の柱状結晶内から発光した輝尽発光が柱状結晶の側面で全反射して輝尽性蛍光体層の表面のみから放出されるため、鮮鋭性を向上させることができる。
【００２９】
請求項３に記載の発明によれば、表面処理剤がフッ素系ポリマーを含有するため、輝尽性蛍光体層に撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。
【００３０】
請求項４に記載の発明によれば、表面処理剤の溶媒がフッ素系溶媒であるため、薄くて均一な表面処理をすることができる。
【００３１】
請求項５に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を柱状結晶の間隙に充填することができ、柱状結晶の間隙に入射した励起光を吸収して散乱を防ぎ、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【００３２】
請求項６に記載の発明によれば、一般式（１）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【００３３】
請求項７に記載の発明によれば、一般式（２）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、さらに輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明について詳細に説明する。本発明の放射線画像変換パネルは、図１に示すように、基板１１と、基板１１の一方の面に気相堆積法により形成された柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体層１２とからなる。また、輝尽性蛍光体層１２は必要に応じて防湿性保護フィルム１７で被覆されている。
【００３５】
基板１１としては、水分の透過性が低いものが好ましく、各種のガラス、高分子材料、金属などが用いられる。特にセルロースアセテートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムや石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、あるいはアルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート及び該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら基板１１の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【００３６】
また、これら基板１１の層厚は用いる基板１１の厚さによって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０μｍ〜３０００μｍである。さらに、基板１１の輝尽性蛍光体層１２を設ける面に、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる下引層を設けてもよい。
【００３７】
輝尽性蛍光体層１２は５０μｍ以上、好ましくは３００〜５００μｍの層厚に形成される。輝尽性蛍光体層１２に用いる輝尽性蛍光体としては、一般式（１）で表されるものを使用することができる。
【００３８】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ      ・・・（１）
【００３９】
ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００４０】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００４１】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００４２】
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にＸはＢｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００４３】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
【００４４】
ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦b＜０．５、０＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００４５】
この中でも特に、下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００４６】
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ  ・・・（２）
【００４７】
ここで、ｅは０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。
【００４８】
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
【００４９】
（ａ）ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣＳＢｒ及びＣｓＩからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００５０】
（ｂ）ＢｅＦ2、ＢｅＣｌ2、ＢｅＢｒ2、ＢｅＩ2、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ2、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００５１】
（ｃ）ＳｃＦ3、ＳｃＣｌ3、ＳｃＢｒ3、ＳｃＩ3、ＹＦ3、ＹＣｌ3、ＹＢｒ3、ＹＩ3、ＬａＦ3、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3、ＬａＩ3、ＣｅＦ3、ＣｅＣｌ3、ＣｅＢｒ3、ＣｅＩ3、ＰｒＦ3、ＰｒＣｌ3、ＰｒＢｒ3、ＰｒＩ3、ＮｄＦ3、ＮｄＣｌ3、ＮｄＢｒ3、ＮｄＩ3、ＰｍＦ3、ＰｍＣｌ3、ＰｍＢｒ3、ＰｍＩ3、ＳｍＦ3、ＳｍＣｌ3、ＳｍＢｒ3、ＳｍＩ3、ＥｕＦ3、ＥｕＣｌ3、ＥｕＢｒ3、ＥｕＩ3、ＧｄＦ3、ＧｄＣｌ3、ＧｄＢｒ3、ＧｄＩ3、ＴｂＦ3、ＴｂＣｌ3、ＴｂＢｒ3、ＴｂＩ3、ＤｙＦ3、ＤｙＣｌ3、ＤｙＢｒ3、ＤｙＩ3、ＨｏＦ3、ＨｏＣｌ3、ＨｏＢｒ3、ＨｏＩ3、ＥｒＦ3、ＥｒＣｌ3、ＥｒＢｒ3、ＥｒＩ3、ＴｍＦ3、ＴｍＣｌ3、ＴｍＢｒ3、ＴｍＩ3、ＹｂＦ3、ＹｂＣｌ3、ＹｂＢｒ3、ＹｂＩ3、ＬｕＦ3、ＬｕＣｌ3、ＬｕＢｒ3、ＬｕＩ3、ＡｌＦ3、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3、ＡｌＩ3、ＧａＦ3、ＧａＣｌ3、ＧａＢｒ3、ＧａＩ3、ＩｎＦ3、ＩｎＣｌ3、ＩｎＢｒ3、及びＩｎＩ3からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００５２】
（ｄ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の金属。
【００５３】
上記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を一般式（１）のａ、ｂ、ｅの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００５４】
次に、得られた混合液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００５５】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００５６】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、希ガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５７】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５８】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５９】
輝尽性蛍光体層１２は、上記の輝尽性蛍光体を用いて基板１１の一方の面へ気相堆積法により形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【００６０】
蒸着法では、まず、基板１１を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【００６１】
この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００６２】
また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板１１上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００６３】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の作成において、輝尽性蛍光体層１２が形成される基板１１の温度は、５０℃〜４００℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は１００℃〜２５０℃が好ましく、基板１１に樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは５０℃〜１００℃がよい。
【００６４】
図２は、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２が蒸着により形成される様子を示す図である。基板ホルダ１５に固定された基板１１の表面の法線方向（Ｒ）に対する輝尽性蛍光体の蒸気流１６の入射角度をθ2（図では６０°）とし、形成される柱状結晶１３の基板１１面の法線方向（Ｒ）に対する角度をθ1（図では３０°）とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶１３が形成される。
【００６５】
輝尽性蛍光体の柱状結晶１３の成長角は１０〜７０°がよく、好ましくは２０°〜５５°である。成長角を１０〜７０°にするには、入射角を２０〜８０°にすればよく２０〜５５°にするには入射角を４０〜７０°にすればよい。成長角が大きいと基板１１に対して柱状結晶１３が倒れすぎ、膜が脆くなる。
【００６６】
輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸気流を基板１１面に対しある入射角をつけて供給するには、基板１１を蒸発源に対し互いに傾斜させる配置を取る方法がある。あるいは、基板１１と蒸発源とを互いに平行に設置し、蒸発面からスリット等により斜め成分のみ基板１１上に蒸着させるように規制する等の方法をとることができる。
【００６７】
これらの場合において、基板１１と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００６８】
柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体層１２において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、柱状結晶１３の大きさは１μｍ〜５０μｍ程度がよく、更に好ましくは、１μｍ〜３０μｍである。即ち、柱状結晶１３が１μｍより細い場合は、柱状結晶１３により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下するし、柱状結晶１３が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００６９】
なお、柱状結晶１３の大きさは、柱状結晶１３を基板１１と平行な面から観察したときの各柱状結晶１３の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶１３を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。
【００７０】
また、各柱状結晶１３間の間隙１４の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。間隙１４の大きさが３０μｍを越える場合は輝尽性蛍光体層１２中の蛍光体の充填率が低くなり、感度が低下してしまう。
【００７１】
柱状結晶１３の太さは基板１１の温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶１３を作製することが可能である。
【００７２】
スパッタリング法では、蒸着法と同様、基板１１をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。
【００７３】
スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種応用処理を用いることができる。ＣＶＤ法やイオンプレーティング法、その他においても同様である。
【００７４】
なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層１２の成長速度は、０．０５μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎであることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／ｍｉｎ未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／ｍｉｎを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。
【００７５】
輝尽性蛍光体層１２を設けたら、基板材料を輝尽性蛍光体層１２とともに所定の大きさに断裁する。断裁は一般のどのような方法でも可能であるが、作業性、精度の面から化粧断裁機、打ち抜き機などを使用することが好ましい。なお基板材料が充分小さい場合には、断裁を行わずに基板材料を基板１１として使用してもよい。
【００７６】
輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類などによって異なるが、１０〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、１０〜５００μｍの範囲から選ばれることがより好ましい。
【００７７】
以上のようにして輝尽性蛍光体層を形成したら、表面処理を行う。表面処理には、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤を用いることができる。表面張力の小さい表面処理剤は輝尽性蛍光体層１２の柱状結晶１３の間隙１４に浸透し、柱状結晶１３の側面を表面処理することができる。
【００７８】
またこの表面処理剤は屈折率が輝尽性蛍光体よりも小さいことが好ましく、１．４５以下であることが好ましい。屈折率の低い表面処理剤で柱状結晶１３の側面を処理することで、輝尽発光を柱状結晶１３の側面で全反射させて輝尽性蛍光体層１２の表面から放出させることができるため、鮮鋭性を向上させることができる。
【００７９】
上記の表面処理剤は、フッ素系ポリマーを含有していることが好ましい。フッ素系ポリマーとしては、末端二重結合を２つ有するパーフルオロエーテルを単独で、または、ラジカル共重合可能な他のモノマーとともにラジカル重合させて得られる重合体が挙げられる。このような重合体は、例えば、特開昭６３−２３８１１１号公報および特開昭６３−２３８１１５号公報に開示されている。これらの公報によると、末端二重結合を２つ有するパーフルオロエーテル、例えば、ＣＦ2 ＝ＣＦ（ＣＦ2 ）n −Ｏ−（ＣＦ2 ）m ＣＦ＝ＣＦ2 （式中、ｎは０〜５であり、ｍは０〜５であり、ｍ＋ｎは１〜６である）を単独でラジカル重合させ、または、末端二重結合を２つ有するパーフルオロエーテルと、ラジカル共重合可能な他のモノマーとともにラジカル重合させることにより、環化重合させて含フッ素重合体が得られる。例えば、ＣＦ2 ＝ＣＦ−Ｏ−ＣＦ2 ＣＦ＝ＣＦ2 をラジカル重合することにより、主鎖中に下記一般式（３）の環構造を有する含フッ素重合体が得られる。
【００８０】
【化１】
2005227169.tif 000003
【００８１】
上記の末端二重結合を２つ有するパーフルオロエーテルとラジカル共重合可能な他のモノマーとしては、テトラフルオロエチレンのようなフルオロオレフィン、パーフルオロビニルエーテルのよなフルオロビニルエーテル、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリエチレンなどが例示される。
【００８２】
さらに、フッ素系ポリマーとしては、例えば、特公昭６３−１８９６４号公報に開示されているものが挙げられる。詳細には、下記一般式（４）で表されるパーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール（ＰＤＤ）のモノマー単位とテトラフルオロエチレンのモノマー単位とからなる非晶性共重合体、または、上記のモノマー単位にさらに他のエチレン系不飽和モノマーのモノマー単位を有する非晶性三元重合体を挙げることができる。
【００８３】
【化２】
2005227169.tif 000004
【００８４】
上記共重合体において、ＰＤＤのモノマー単位は好ましくは少なくとも１１．２モル％である。これより低い含有分であると、結晶性となり、光散乱を起こすために光学機器の反射防止剤としては好ましくない。上記三元重合体においては、同様の理由から、ＰＤＤのモノマー単位は好ましくは少なくとも１２モル％である。三元重合体のためのエチレン系不飽和モノマーとしては、例えば、エチレン、１−ブテンのようなオレフィン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンのようなビニル化合物、パーフルオロプロペンのようなパーフルオロ化合物を用いることができる。
【００８５】
市販の含フッ素重合体としては、旭ガラス株式会社製のサイトップ ＣＴＸ−８０５およびＣＴＸ１０９Ａ（商品名）がある。
【００８６】
あるいは、フッ素系ポリマーとしては、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーを含むモノマーを共重合させた共重合体を含有していてもよい。フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーは、フッ素によって少なくとも部分的に置換された脂肪族基、特にフッ素によって少なくとも部分的に置換されたアルキル基を含有し、かつ、重合可能なエチレン系不飽和の炭素−炭素二重結合を有する化合物である。より詳細には、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーとしては、下記一般式（５）で表される化合物が挙げられる。
【００８７】
【化３】
2005227169.tif 000005
【００８８】
ここで、Ｒfは直鎖、枝分かれまたは環式の炭素数２〜１２の少なくとも部分的にフッ素化された脂肪族基、例えば、少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル基であり、好ましくは完全にフッ素化されたアルキル基であり、Ｒ1 はＨまたはＣＨ3 であり、Ｑは低級アルキレン基、例えば、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2−、または、−ＳＯ2 ＮＲ2 −低級アルキレン基、−ＳＯ2 ＮＲ2 −ＣＨ2 −、−ＳＯ2 ＮＲ2 −ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、Ｒ2 は水素または低級アルキル基、例えば、−ＣＨ3 または−Ｃ2 Ｈ5 である。
【００８９】
Ｒfは炭素数が大きく、また、フッ素置換基の数が多いほど、撥水、撥油、防汚性が高くなる。しかしながら、炭素数が大きすぎると、共重合体が生体組織中に蓄積する傾向が高くなり、人体に影響を及ぼす危険がある。従って、Ｒfは好ましくはＣ3 〜Ｃ7 のフルオロ脂肪族基であり、特に好ましくはＣ3 〜Ｃ6 のフルオロ脂肪族基である。また、Ｒfの末端基は、完全にフッ素化された−ＣＦ3基であるときに、高い撥水、撥油および防汚性を示すので好ましい。
【００９０】
Ｑは共重合体の撥水性等が阻害されないように低級アルキル基であり、好ましくは、−ＣＨ2 −または−ＣＨ2 ＣＨ2 −である。より具体的には、Ｆ（ＣＦ2 ）6 ＣＨ2 ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 、Ｃ7 Ｆ15 ＳＯ2 Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃ2 Ｈ4 ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 、ｃ−Ｃ6 Ｆ11ＣＨ2 ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2 、Ｃ6 Ｆ13Ｃ2 Ｈ4 ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2 、（ＣＦ3 ）2 ＣＦ（ＣＦ2 ）2 Ｃ2 Ｈ4 ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2 、Ｈ（ＣＦ2 ）4 ＣＨ2 ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2 、Ｆ（ＣＦ2 ）4 Ｃ2 Ｈ4 ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2 、Ｆ（ＣＦ2 ）3 ＣＨ2 ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ2 が挙げられる。
【００９１】
これらのモノマーは、米国特許第２，８０３，６１５号および同第２，８４１，５７３号明細書に記載されるような従来の方法により製造することができる。
【００９２】
フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーは、通常、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーの合計重量を基準として、５０重量％以上の量で含まれ、好ましくは７０重量％以上の量で含まれる。これにより、コーティングに十分な撥水、撥油、防汚性を付与することができるからである。
【００９３】
共重合体のための不飽和シランモノマーは、コーティングに、基材に対する密着性を付与するように作用する。不飽和シランモノマーは、基材との密着性を上げる珪素原子を含有するシラン系化合物であり、かつ、重合可能なエチレン系不飽和の炭素−炭素二重結合で表される化合物である。より詳細には、不飽和シランモノマーとしては、下記一般式（６）で示される化合物が挙げられる。
【００９４】
【化４】
2005227169.tif 000006
【００９５】
ここで、Ｒ1 はＨまたはＣＨ3 であり、Ｒ3 は水素または低級アルキル基、例えば、メチルまたはエチル基であり、Ｘはアルコキシ、ハロゲンまたはＲＣＯＯ−であり、Ｒは水素または低級アルキル基、例えば、メチルまたはエチル基であり、Ｙは単結合であるかまたは−ＣＨ2 −であり、そしてｎは０、１または２の整数である。
【００９６】
Ｘがアルコキシ基である具体的な化合物としては、ビニルトリアルコキシシラン、例えば、（ＣＨ3 Ｏ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、アリルトリアルコキシシラン、例えば、（ＣＨ3 Ｏ）3 ＳｉＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 等が挙げられる。また、Ｘがハロゲンである具体的な例としては、ＣＨ2 ＝ＣＨＳｉＣｌ3 が挙げられる。さらに、ＸがＲＣＯＯ−である具体的な化合物としては、（ＣＨ3 ＣＯＯ）3ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 が挙げられる。
【００９７】
不飽和シランモノマーは、通常、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーの合計重量を基準として、１〜５０重量％の量で含まれる。１．０重量％未満の量では、基材に対するコーティングの密着性の向上が顕著に現れず、また、５０重量％を越えると、撥水、撥油性が低下することがあるからである。コーティングの基材への密着性および撥水性等の性能のバランスから、不飽和シランモノマーの量は、好ましくは１〜３０重量％、より好ましくは１〜１０重量％、さらにより好ましくは１．５〜４重量％である。
【００９８】
上記のようなフッ素系ポリマー及びフッ素系溶媒を含有する市販の表面処理剤としては、例えば、旭硝子社製のサイトップ（登録商標）、住友スリーエム株式会社のフロリナート（登録商標）ＦＣ−８７、ＦＣ−７２、ＦＣ−８４、ＦＣ−７７、ＦＣ−３２５５、ＦＣ−３２８３、ＦＣ−４０、ＦＣ−４３、ＦＣ−７０、ＦＣ−５３１２、同社のノベック（登録商標）ＥＧＣ−１７００等がある。
【００９９】
また、表面処理剤には、励起光を吸収する色材を含有させてもよい。励起光を吸収する色材を含有させた表面張力の小さい表面処理剤で輝尽性蛍光体層１２を処理することで、柱状結晶１３の間隙１４の隅々にまで色材を浸透させることができる。したがって、間隙１４に入射した励起光の散乱を防ぎ、鮮鋭性をさらに向上させることができる。
【０１００】
いかなる色材を用いるかは輝尽性蛍光体の種類によって決まる。放射線画像変換パネルには通常、波長４００〜９００ｎｍの励起光により波長３００〜５００ｎｍの輝尽発光を示す蛍光体が用いられる。このため、色材としては、青色〜緑色の有機系もしくは無機系の色材が用いられる。
【０１０１】
青色〜緑色の有機系色材としては、Ｎｅｏｚａｐｏｎ Ｂｌａｕ ８０７（ＢＡＳＦ社製）、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト社製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学（株）製）、スミアクリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学（株）製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナル・アニリン社製）、スピリットブルー（保土谷化学（株）社製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント（株）製）、キトンブルーＡ（チバ・ガイギー社製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学（株）製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業（株）製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学（株）製）、シアニンブルーＢＮＲＳ（東洋インキ（株）製）、ライオノルブルーＳＬ（東洋インキ（株）製）等が挙げられる。また青色〜緑色の無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ系顔料等が挙げられるが、これに限られたものではない。
【０１０２】
またこの他にも高光吸収の物質、高光反射の物質等の充填材を含有させてもよい。高光吸収の物質、高光反射の物質等の充填材を柱状結晶１３の間隙１４に充填することにより、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【０１０３】
上記のような表面処理剤に適した溶剤としては、ヒドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）や、ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）などのフッ素系溶媒がある。ＨＦＣおよびＨＦＥは他の有機溶剤と比較すると低表面張力であるため、輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙１４まで均一に塗布することができる。ＨＦＣおよびＨＦＥは、常温常圧で液体であり、非引火性であることが好ましい。
【０１０４】
ＨＦＣは３〜８個の炭素数の炭素主鎖を有し、４〜９個の炭素数の炭素主鎖からなるものが好ましい。炭素主鎖は直鎖であっても、枝分かれであっても、環式であってもいし、またこれらの混合物であってもよい。また炭素主鎖の水素原子のフッ素置換率は約５〜９５モル％であることが好ましい。
【０１０５】
ＨＦＣとしては、例えば、ＣＦ3ＣＦＨＣＦＨＣＦ2ＣＦ3、Ｃ5Ｆ11Ｈ、Ｃ6Ｆ13Ｈ、ＣＦ3ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨＦ2、１，２−ジヒドロペルフルオロシクロペンタンおよび１，１，２−トリヒドロペルフルオロシクロペンタン等を用いることができる。
【０１０６】
ＨＦＥは、炭素、フッ素、水素、１つ以上のエーテル酸素原子からなり、さらに炭素主鎖中に組み込まれた１つ以上のさらなるヘテロ原子、例えば、硫黄または三価窒素原子を含んでいてもよい。ＨＦＥは直鎖であっても、枝分かれであっても、環式であっても、または、それらの組み合わせ、例えば、アルキル脂環式であってもよい。なお、ＨＦＥは不飽和結合を含まないことが好ましい。
【０１０７】
ＨＦＥとしては、例えば下記一般式（７）によって示される化合物を用いることができる。
【０１０８】
（Ｒ4−Ｏ）a−Ｒ5  ・・・（７）
【０１０９】
ここで、ａは１〜３の数であり、そしてＲ4 およびＲ5 は互いに同一であるかまたは異なり、そしてアルキル、アリールおよびアルキルアルキル基からなる群より選ばれる。Ｒ4 およびＲ5 のうちの少なくとも１つは少なくとも１個のフッ素原子を含み、そしてＲ4 およびＲ5 のうちの少なくとも１つは少なくとも１個の水素原子を含み、Ｒ4 およびＲ5 のいずれかまたは両方は１個以上の鎖中ヘテロ原子を含んでよく、好ましくは、ＨＦＥ中のフッ素原子の総数は、少なくとも、水素原子の総数以上である。Ｒ4 およびＲ5 は直鎖であっても、枝分かれであってもまたは環式であってもよく、そして１個以上の不飽和の炭素−炭素結合を含んでよいが、好ましくはＲ4 およびＲ5 は両方とも飽和である。
【０１１０】
このような性質を有する市販のＨＦＥとしては、例えば住友スリーエム株式会社のノベック（登録商標）ＨＦＥ−７１００、ＨＦＥ７２００、ＨＦＥ７１ＩＰＡ、ＨＦＥ−７１ＤＥ、ＨＦＥ−７１ＤＡなどがある。
【０１１１】
以上のようにして表面処理を行った後、必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を被覆し封止する防湿性保護フィルム１７を設ける。防湿性保護フィルム１７としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの樹脂フィルムを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを１００μｍ以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。
【０１１２】
また、これらの防湿性保護フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、ＳｉＯx（ＳｉＯ、ＳｉＯ2）、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ2、ＳｎＯ2，ＳｉＣ、ＳｉＮ等があるが、このうち特にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯxは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。ＳｉＯx、Ａｌ2Ｏ3は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより高くすることができるので、ＳｉＯx、Ａｌ2Ｏ3の両方を積層してもよい。
【０１１３】
無機物質の防湿性保護フィルムへの積層は、ＰＶＤ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＥ−ＣＶＤ（Plasma enhanced CVD）等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は０．０１μｍから１μｍ程度であることが好ましい。
【０１１４】
また、アルミフィルム等の金属フィルムをラミネートしてなる積層フィルムを使用してもよい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷（株）ＧＬ−ＡＥなどがある。上記のフィルムを複数枚積層して防湿性保護フィルムとしてもよい。
【０１１５】
防湿性保護フィルムによる輝尽性蛍光体層１２の封止方法としては、周知のどのような方法でもかまわない。例えば最外層を熱融着性の樹脂フィルムとした防湿性保護フィルムを、蛍光体プレート１０の上下に配置し、防湿性防湿性樹脂フィルムの蛍光体プレート側面よりも外側部分をインパルスヒーターにより加熱して圧着することで、輝尽性蛍光体層１２を封止することができる。
【０１１６】
以下、本発明を実施例により説明する。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０１１７】
以下に記載の方法に従って、各種放射線画像変換パネルを作製した。
【０１１８】
＜基板の作製＞  ５００μｍ厚の透明結晶化ガラスの一方の面に光反射層を設け、基板とした。光反射層は、酸化チタン（フルウチ化学社製）と酸化ジルコニウム（フルウチ化学社製）とを、蒸着装置を用いて基板上に蒸着することで、膜形成した。光反射層は波長４００ｎｍの光の反射率が８５％、波長６６０ｎｍの光の反射率が２０％となるように膜厚を調整した。
【０１１９】
＜蛍光体プレートの作製＞  上記基板にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成した。まず蒸着装置内の真空チャンバー内に固定して２４０℃に加温した。次いで真空チャンバー内に窒素ガスを導入し、真空度を０．１Ｐａとした。基板の光反射層を設けた面を蒸着源に向けた。蒸着源と基板との距離は６０ｃｍとした。また蒸着源と基板との間にはアルミニウム製のスリットを配置し、基板面の法線方向に対して３０°の角度で輝尽性蛍光体の蒸気が入射するようにした。基板を面方向に搬送しながら蒸着を行い、３００μｍ厚の柱状構造を有する輝尽性蛍光体層を基板に形成し、蛍光体プレートを得た。
【実施例１】
【０１２０】
＜表面処理＞
蛍光体プレートを表面処理剤液に２分間浸漬し、１ｃｍ／ｓｅｃの速度で引き上げた後に、４０℃の環境下で１時間乾燥して表面処理を実施した。フッ素化表面処理剤液として、サイトップ（表面張力１９ｍＮ／ｍ、屈折率１．３４、旭硝子社製）を用いた。
【実施例２】
【０１２１】
表面処理剤として、ＥＧＣ−１７００（表面張力１１ｍＮ／ｍ、屈折率１．２７、住友スリーエム社製）を用いた点以外は実施例１と同様である。
【実施例３】
【０１２２】
表面処理剤として、ＥＧＣ−１７００を用いるとともに、色材（Ｎｅｏｚａｐｏｎ Ｂｌａｕ ８０７、ＢＡＳＦ社製）を表面処理剤に対し、０．０３ｗｔ％となるように調整した。その他の点については実施例１と同様である。
＜比較例＞
表面処理を行わなかった。
【０１２３】
＜防湿性保護フィルムの作製＞  蛍光体プレートの輝尽性蛍光体層側に設ける防湿性保護フィルムは、各種マット加工の施された膜厚１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ１２）と、アルミナを蒸着した膜厚１２μｍのＰＥＴ（ＶＭＰＥＴ１２、東洋メタライジング社製）とを、ドライラミネーションで貼り合わせて形成した。ドライラミネーションには、２液反応型のウレタン系接着材を使用した。
【０１２４】
また、蛍光体プレートの基板側に設ける防湿性保護フィルムは、９μｍ厚のアルミ箔と、１００μｍ厚のＰＥＴとをドライラミネーションで貼り合わせ、アルミ箔側に熱融着性ラッカーを塗布して形成した。
【０１２５】
＜蛍光体パネルの封止＞  蛍光体パネルの両面に上記防湿性保護フィルムを配置した。これを真空チャンバー内に設置し、圧力を２００Ｐａまで減圧後、ヘリウムガスを流入しチャンバー内をガス置換した。その後、チャンバー内の気圧を７０００Ｐａに再調節し、この減圧下でインパルスシーラーを用いて蛍光体パネルの周縁部で防湿性保護フィルム同士を融着し、蛍光体パネルを封止し、放射線画像変換パネルを得た。インパルスシーラーのヒーターは８ｍｍ幅のものを使用した。
【０１２６】
＜鮮鋭性の評価＞
放射線画像変換パネルに鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後、パネルＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で操作して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して電気信号に変換し、これをアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録し、記録をコンピューターで分析してハードディスクに記録されているＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べた。下記の表１には空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％）が示されている。この場合ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性がよい。
【０１２７】
＜コントラスト評価＞  放射線画像変換パネルに４０ｍｍ厚の鉛ディスクを写し込み、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を均一に照射した。その後、放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体層側から半導体レーザー（６６０ｎｍ）で走査して輝尽性蛍光体層を励起し、輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光して画像を読み取った。得られた画像をレーザー書き込み式のフィルムプリンターで出力した。出力した画像を目視で観察し、鉛ディスク部（白）とその周辺部（黒）とのコントラストを下記の基準に則り５段階で評価した。なお、評価３以下は、実用上診断に適さないものと判断した。
５：  鉛ディスク周縁部、並びに白黒の明度差が明瞭に確認される。
４：  鉛ディスク周縁部がわずかにぼやけるものの、白黒の明度差はほぼ明瞭に確認される。
３：  鉛ディスク周縁部がぼやけて見え、白黒の明度差がやや明瞭でない。
２：  鉛ディスク周縁部、並びに白黒の明度差が不明瞭であり、鉛ディスクサイズを再現していない。
１：  鉛ディスク形状、並びに白黒の明度差が不明瞭であり、中心部の白色度も低い。
【０１２８】
表１に評価を示す。
【表１】
2005227169.tif 000007
【０１２９】
実施例１の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が０．７７であり、白黒の明度差がほぼ明瞭に確認された。
実施例２の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が０．８１であり、白黒の明度差がほぼ明瞭に確認された。
実施例３の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が０．８６であり、白黒の明度差が明瞭に確認された。
比較例の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が０．７１であり、白黒の明度差がやや明瞭でなかった。
【０１３０】
以上の結果に示すように、本発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができた。
【０１３１】
また、屈折率が１．４５以下の表面処理剤で処理することにより、放射線画像変換パネルの鮮鋭性を向上させることができた。さらに、励起光を吸収する色材を表面処理剤に加えることで、放射線画像変換パネルの鮮鋭性をより向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの形態を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１０   蛍光体パネル
１１   基板
１２   輝尽性蛍光体層
１３   柱状結晶
１５   基板ホルダ
１６   蒸気流
１７   防湿性保護フィルム
【図１】
2005227169.tif 000008
【図２】
2005227169.tif 000009