(57)【要約】【課題】放熱性および電磁ノイズの遮蔽性に優れた半導体モジュールを提供する。【解決手段】本発明の半導体モジュール（１００）は、発熱源となる半導体素子（１２）を搭載した配線基板（１１）からなる電力回路部（１）と、この電力回路部の半導体素子側に注入されて電力回路部で生じた熱を伝導する熱伝導性注入材（４）と、半導体素子から離間して熱伝導性注入材中に埋設されて熱伝導性注入材から吸熱する電磁遮蔽部材を兼ねた吸熱部材（３）と、この吸熱部材に接続され、吸熱部材からの受熱を外部に放熱する放熱体（７）とを備えることを特徴とする。熱伝導性注入材から吸熱部材の両面へ熱伝達されるので、吸熱部材から放熱体へ多くの熱が伝導されて効率的に放熱される。また、その吸熱部材は電磁遮蔽部材を兼ねるので電磁ノイズの遮蔽効果も併せて得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱源となる半導体素子と該半導体素子の接合される主配線パターンを有する配線基板とからなる電力回路部と、
該電力回路部に接触し該電力回路部で生じた熱を伝導する熱伝導性注入材と、
該電力回路部から離間して該熱伝導性注入材中に少なくとも一部が埋設され、該熱伝導性注入材から吸熱する吸熱部材と、
該吸熱部材に少なくとも熱的に接続され、該吸熱部材からの受熱を外部に放熱する放熱体と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記吸熱部材は、前記電力回路部に対向する主面側と該主面側の反対面側である副面側と
を連通する連通部を有し、
該連通部を通じて、該吸熱部材の主面側の前記熱伝導性注入材から該副面側の前記熱伝導性注入材に熱伝導される請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
さらに、前記電力回路部とは別に設けられた制御回路部を備え、
前記吸熱部材は、少なくとも該制御回路部と前記電力回路部との間に配設され、該電力回路部で生じた電磁ノイズが該制御回路部へ伝播されるのを抑止する電磁遮蔽部材である請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記電磁遮蔽部材および前記放熱体は、前記電力回路部を包囲し該電力回路部から前記制御回路部への電磁ノイズの漏出を抑止する遮蔽空間を形成している請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記電磁遮蔽部材は、地絡している請求項３または４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記半導体素子は、ワイヤーボンディングされる少なくとも一つの電極を、前記主配線パターンに接合されない非接合面側に備える請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記放熱体は、筐体である請求項１または６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記電力回路部は、前記熱伝導性注入材に接触してない面側に接合されるヒートシンクを備え、
該ヒートシンクは、前記放熱体に少なくとも熱的に接続されるか該放熱体の少なくとも一部を構成する請求項１に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子（パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等）を備える電力回路部の放熱性の向上を図った半導体モジュールに関するものである。また、その放熱性の向上と共に電磁ノイズ低減による信頼性の向上をも図れる半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体素子は、大電流を制御する素子であるため、発熱量が大きい。例えば、インバータ装置のインバータ回路等に使用される半導体モジュールの場合、半導体素子に数十〜数百Ａ程度の大電流が流れ、半導体素子は相当に大きな発熱を伴う。しかも、半導体モジュールの小型化や高集積化が求められているところ、従来の構造ではその十分な放熱を確保することが困難となりつつある。
【０００３】
そこで、半導体素子の作動を確保し、半導体モジュールの信頼性を高めるために、半導体素子からの放熱性を向上させた種々の半導体モジュールが、例えば、下記の特許文献１〜４に開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示された半導体モジュールは、半導体素子の両電極面に配線基板を接合し、両配線基板を金属柱等からなる熱伝導体で熱的に接続し、半導体素子の発熱をその両面から効率的に放熱できるようにしたものである。同様の構造は、特許文献２にも記載されている。
【０００５】
特許文献３には、電力回路部と制御回路部との間を、高熱伝導性樹脂で部分的に連結した半導体モジュールが示されている。しかし、特許文献３には、その高熱伝導性樹脂を経由して制御回路部から電力回路部へ放熱される旨が記載されているだけである。また、制御回路部が他の放熱体に接続されたものも開示されていないので、電力回路部から制御回路部へ至る放熱経路が構成されることはない。従って、特許文献３の半導体モジュールは、電力回路部にあるシャント抵抗やワイヤ等からの放熱性を向上させ得るとしても、一番の発熱源である半導体素子自体からの放熱性を向上させることはできない。
【０００６】
特許文献４には、発熱源である電子部品と金属ケースの間を高熱伝導性樹脂で連結し、その電子部品の発熱を金属ケースへ伝達させて放熱するモジュールが開示されている。しかし、その高熱伝導性樹脂は、金属ケースの内壁面の一部に接触しているだけであるため、電子部品の発熱を十分に伝達するだけの経路とはなり得ない。
【０００７】
なお、半導体素子に流れる大電流がスイッチング等されると、電磁ノイズが発生し、その電磁ノイズは制御回路部の誤動作の原因となる。この対策として、電磁ノイズを吸収または遮蔽する金属部材を設けることが特許文献５に開示されている。もっとも、特許文献５は、電磁ノイズの抑止に着目しているに過ぎず、半導体素子の放熱性の向上策については何ら開示されていない。
【０００８】
【特許文献１】特開平２００２−１６４４８５号公報
【特許文献２】特開平１０−５６１３１号公報
【特許文献３】特開２００３−２４３６０９号公報
【特許文献４】特開平８−１６７６８０号公報
【特許文献５】特開平８−２９３５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子を備える電力回路部の放熱性をさらに向上させ得る半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究し試行錯誤を重ねた結果、半導体素子の発熱を熱伝導性注入材および吸熱部材を介して放熱することを思いつき、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明の半導体モジュールは、発熱源となる半導体素子と該半導体素子の接合される主配線パターンを有する配線基板とからなる電力回路部と、該電力回路部に接触し該電力回路部で生じた熱を伝導する熱伝導性注入材と、該電力回路部から離間して該熱伝導性注入材中に少なくとも一部が埋設され、該熱伝導性注入材から吸熱する吸熱部材と、該吸熱部材に少なくとも熱的に接続され、該吸熱部材からの受熱を外部に放熱する放熱体と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体モジュールの場合、電力回路部の半導体素子等で生じた熱は、熱伝導性注入材に伝達され、熱伝導性注入材内を熱伝導する。熱伝導性注入材の受けた熱は、そこに埋設された吸熱部材が吸熱し、吸熱部材の受けた熱はそこに接続された放熱体へと熱伝達されて、放熱体から外部へ放熱される。
【００１３】
この結果、例えば、配線基板の主配線パターン（半導体素子が接合される配線パターン）側からその反対面側へ向っていた従来の放熱経路（主放熱経路）とは別に、半導体素子（または配線基板）→熱伝導性注入材→吸熱部材→放熱体という新たな放熱経路（副放熱経路）が形成される。逆に、半導体素子に直接的にヒートシンク等が接触している場合は、半導体素子からそのヒートシンク等へ向っていた従来の放熱経路（主放熱経路）とは別に、半導体素子（または配線基板）→主配線パターン→熱伝導性注入材→吸熱部材→放熱体という新たな放熱経路（副放熱経路）が形成される。いずれにしても、電力回路部（特に、半導体素子）の発熱は、その副放熱経路によっても放熱されることが可能となった。
【００１４】
ここで本発明の場合、熱伝導性注入材から吸熱部材への熱伝達は、電力回路部側（主面側）の接触面のみから行われるのではない。本発明の吸熱部材は、熱伝導性注入材に埋設されているから、吸熱部材は熱伝導性注入材に接触する複数の接触面（少なくとも２面以上）で熱伝導性注入材から受熱する。従って、吸熱部材と熱伝導性注入材との接触面積が拡大した分、熱伝導性注入材から吸熱部材への熱伝達性が向上し、吸熱部材へより多くの熱が流れて、その熱は放熱体から有効に放熱される。このように本発明の場合、放熱経路の新設に加えて、その放熱経路の放熱性の向上が図られている。
【００１５】
上述のように、半導体素子の発熱等を効率的に放熱するには、複数の放熱経路が存在する方が良い。そこで、前記電力回路部は、前記熱伝導性注入材に接触してない面側に接合されるヒートシンクを備え、このヒートシンクは前記放熱体に少なくとも熱的に接続されるか放熱体の少なくとも一部を構成していると好ましい。
【００１６】
ここでヒートシンクが放熱体に熱的に接続されている場合は、ヒートシンクへの入熱は放熱体から放熱されることとなる。一方、ヒートシンクが放熱体の一部または全部を構成する場合は、ヒートシンクへの入熱の少なくとも一部はヒートシンクから直接的に外部へ放熱されることとなる。
【００１７】
吸熱部材による吸熱は、電力回路部に対向する主面側とこの主面側の反対面側である副面側の両側で、それぞれの面に接触している熱伝導性注入材からなされる。ここで、副面側にある熱伝導性注入材への入熱は、主面側にある熱伝導性注入材から直接的に熱伝導されてきたものでなくても良い。主面側にある熱伝導性注入材から、他の熱伝導部材（例えば、金属柱、筐体）等を介して、副面側にある熱伝導性注入材への入熱もあり得る。但し、主面側にある熱伝導性注入材から副面側にある熱伝導性注入材へ、直接的に熱伝導させる方が、半導体素子の発熱を吸熱部材へ効率的に吸熱させることができる。そこで、前記吸熱部材は、前記電力回路部に対向する主面側とこの主面の反対面側である副面側とを連通する連通部を有し、この連通部を通じて、吸熱部材の主面側の前記熱伝導性注入材から副面側の前記熱伝導性注入材に熱伝導されると好適である。
この場合、その連通部を通じて、主面側にある熱伝導性注入材と副面側にある熱伝導性注入材とが連続体となり、半導体素子の発熱が効率的に吸熱部材へ伝達される。
【００１８】
ところで、電力回路部では、半導体素子に流れる大電流がスイッチング等されることで、電磁ノイズを発生する。この電磁ノイズが電力回路部（特に、半導体素子）等を制御する制御回路部に伝播されると、制御回路部は出力の反転等を生じて誤動作を起こし得る。そこで、このような電磁ノイズを吸収または遮蔽できる電磁遮蔽部材を、電力回路部と制御回路部との間に設けるのが好ましい。しかも、本発明の吸熱部材をその電磁遮蔽部材として併用すると一層好ましい。
【００１９】
すなわち、本発明の半導体モジュールが前記電力回路部とは別に設けられた制御回路部を備え、前記吸熱部材は、少なくとも制御回路部と電力回路部との間に配設され、電力回路部で生じた電磁ノイズが制御回路部へ伝播されるのを抑止する電磁遮蔽部材であると好適である。
【００２０】
さらに、この電磁遮蔽部材が前記放熱体と共に、電力回路部を包囲し電力回路部から制御回路部への電磁ノイズの漏出を抑止する遮蔽空間を形成しているとより好適である。電力回路部をその遮蔽空間に閉じ込めることで、漏出、迂回または回折等した電磁ノイズが制御回路部へ伝播されるのを一層効果的に抑止できるからである。なお、遮蔽空間は密閉空間である方が好ましいが、そうでなくても、制御回路部を電磁遮蔽部材に近接して設けるだけでも十分な遮蔽効果は得られる。
【００２１】
このような吸熱部材や電磁遮蔽部材の材質は問わないが、吸熱部材は放熱性の向上を図る観点から、熱伝導性に優れるものが良い。ＳｉＣ等のセラミックス製でも良いが、金属製であると、コスト、加工性または成形性等の点で優れる。また、金属製であれば、同時に電磁遮蔽部材としても十分に機能し得る。その金属材料は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）等の磁性材でも、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の非磁性材（常磁性材）でも良い。具体的には、純Ａｌ、Ａｌ合金、純Ｃｕ、黄銅等のＣｕ合金、純Ｆｅ、軟鋼等でも良い。同様のことは、吸熱部材に限らず放熱体に該当する。但し、吸熱部材と放熱体とが同材である必要性はない。勿論、熱伝導性および電磁遮蔽性を同時に満足する金属以外の材料があれば、それを使用しても良い。
【００２２】
ここで電磁遮蔽部材は地絡している（つまり、アースされている）と好適である。これにより、電磁遮蔽部材の電位が安定して、電磁ノイズの抑止効果が高くなる。また、この電磁遮蔽部材と共に遮蔽空間を形成する放熱体が電気的にも接続されていると、同様に電磁ノイズの抑止効果が高くなる。
【００２３】
さらに、半導体モジュールの筐体を本発明でいう放熱体として利用すれば、部品点数の削減と放熱性の向上とを両立できる。なお、放熱体や筐体の外表面の全面または一部分に、冷却フィン等を形成してその表面積を拡張すると、放熱性をより高めることができる。
【００２４】
放熱経路を新たに設ける手段として、前述した特許文献１または２のようなものもある。しかし、従来の半導体モジュールでは、その放熱経路を設けるために、半導体素子をフェイスダウンしたり反転実装させたりしなければならず、必ずしも採用し易い方法ではなかった。これに対して本発明の半導体モジュールは、従来の半導体モジュールと同様に、放熱経路の一部に熱伝導性注入材を採用しているので、半導体素子の実装に際して、ワイヤーボンディング等を採用することも可能であり、半導体モジュールの設計自由度も大きい。従って、本発明では、ワイヤーボンディングされる少なくとも一つの電極を、前記主配線パターンに接合されない非接合面側に備える半導体素子を利用することも可能である。
【００２５】
熱伝導性注入材は、注入後にゲル状でも硬化した固体状でも良いが、熱伝導率が高い程好ましい。例えば、熱伝導性に優れた各種の樹脂、ゲル、グリス等がある。具体的には、シリコンゲル（熱伝導率０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上）、高熱伝導ゲル（ＧＥＬＴＥＣ製、熱伝導率：６．１５Ｗ／ｍ・Ｋ）、高放熱ゲルＴＳＥ３０８１（ＧＥ東芝シリコーン製、熱伝導率：１．２６Ｗ／ｍ・Ｋ）、高放熱ゲルＳＥ４４４５ＣＶ（東レ・ダウコーニング製、熱伝導率：１．２６Ｗ／ｍ・Ｋ）、グリスＧ７６５（信越化学製、熱伝導率：２．９Ｗ／ｍ・Ｋ）、エポキシ樹脂ＫＥ−８７０（東芝ケミカル製、熱伝導率：３．４Ｗ／ｍ・Ｋ）等がある。
【００２６】
半導体素子の種類、許容電流等は拘らない。例えば、スイッチングや増幅を行うＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等やダイオード等のパワー素子が代表的である。制御回路部は、電力回路部を駆動する駆動回路が代表的であるが、電力回路部とは独立した別個の制御回路から構成されていても良い。
【００２７】
配線基板は、熱伝導性に優れるものが良い。金属ベース基板、セラミックス基板等、その種類は問わない。金属ベース基板の場合、アルミベース基板等が代表的である。金属製ベースの表面に形成された絶縁層上に、主配線パターン等の配線層が設けられる。さらに金属ベース基板は比較的安価で、電磁ノイズの遮蔽効果も高いので好ましい。セラミックス基板の場合、ＤＢＣ基板のような銅張りセラミックス基板等が代表的である。炭化ケイ素や窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の熱伝導性に優れるセラミックス製基板の両面に、ＣｕやＡｌ等の配線層が設けられる。勿論、配線基板は、上記のものに限らず、金属およびセラミックス等の複合材料からなる基板でも良いし、金属およびインバー合金等の複合材料からなる基板でも良い。
【００２８】
吸熱部材（または電磁遮蔽部材）の形状は問わない。電力回路部の配線基板に平行な平板状とするのが一般的であるが、その表面に凹凸やフィンを設けてその表面積を拡大しても良い。表面積を拡大することで、熱伝導性注入材から吸熱部材への熱伝達性が向上し、放熱性のさらなる向上を図れる。また、吸熱部材に適度な厚みを付与することで、ヒートシンクとして機能させることも可能となる。さらに、吸熱部材は、網状、ハニカム状またはポーラス状等であっても良い。網目やハニカムの粗さ、ポーラスの空孔径等を変更するとで、熱伝達される表面積の調整も可能である。吸熱部材を電磁遮蔽部材とする際には、電磁ノイズの制御回路部への漏出を抑止するために、網目や孔径は小さい方が好ましい。
【００２９】
連通部は単に孔を意味するものではない。電力回路部の主面側と副面側とが熱伝導性注入材によってつながっていれば良い。例えば吸熱部材の端部でつながっていれば良い。
【００３０】
吸熱部材と放熱体との接続は、ねじ止の他、ハンダ付け、溶接等でも良い。放熱体を有底容体（凹形状）とし、電磁遮蔽部材（吸熱部材）をその蓋体とすれば、容易に電磁ノイズの遮蔽空間が形成される。この放熱体は一体式でも分割式でも良い。前述したヒートシンクを放熱体の一部に利用しても良い。このような放熱体として、筐体を利用すれば部品点数の削減が図れて好都合である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
発明の実施形態を挙げて、本発明をより詳しく説明する。なお、本明細書に示すいずれの形態が最良であるか否かは、対象、要求性能等によって異なることを断っておく。
【００３２】
本発明に係る実施形態である半導体モジュール１００の要部断面図を図１に示す。この半導体モジュール１００は、三相誘導電動機（三相モータ）の駆動制御用のインバータ装置に使用されるものである。図１にはその半相分を示す。
【００３３】
半導体モジュール１００は、電力回路部１と、制御回路部２と、吸熱伝導体３と、シリコンゲル４と、ヒートシンク５と、枠体６と、筐体（放熱体）７とからなる。
【００３４】
電力回路部１は、ＤＢＣ（Direct  Bond  Copper）基板１１と、その上に搭載した半導体素子１２とからなる。ＤＢＣ基板１１は、セラミックス基板１１０の両面に銅板を直接接合したものである。この銅板によって、セラミックス基板１１０の上面（上下は図１に基づく。以下、同様。）には第１配線パターン１１１（主配線パターン）および第２配線パターン１１２が形成され、セラミックス基板１１０の下面には第３配線パターン１１３が形成されている。半導体素子１２は、パワースイッチング素子のＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）である。上面（非接合面）に主電極であるエミッタ電極（図略）と制御電極であるゲート電極（図略）を有し、下面に主電極であるコレクタ電極（図略）を備える。エミッタ電極は、ワイヤ８２、第２配線パターン１１２、ワイヤ８３によって第２中継端子８６に接続されている。コレクタ電極は第１配線パターン１１１にハンダ接合されている。コレクタ電極は、第１配線パターン１１１とワイヤ８１によって第１中継端子８５に接続されている。なお、図１では、各ワイヤは１本づつしか示していないが、通常は複数本あり、流れる電流量に応じてワイヤの種類や本数が調整される。図示していないが、ゲート電極はワイヤおよび第３中継端子によって制御回路部２に接続（ハンダ接合等）される。
【００３５】
制御回路部２は、プリント配線基板上に種々の電子素子を搭載してなり、半導体素子１２を駆動する駆動回路および半導体素子１２を保護する保護回路等からなる。この駆動回路から電力回路部１に、半導体素子１２を駆動させるゲート信号等が出力されている。
【００３６】
吸熱伝導体３は、方形状の平板部３１（吸熱部材）と、その外周囲に断面鉤型状に延びる方形環状の連結部３２とからなる。本実施形態の吸熱伝導体３は、アルミニウム板の一体成形品であるが、分割したパーツを接合または結合したものでも良い。平板部３１には、その外周部や中央部等に複数の連通孔（連通部）３３が形成してある。連通孔３３の一部には第１中継端子８５および第２中継端子８６等が挿通されている。なお、吸熱伝導体３は本発明の吸熱部材に相当する。
【００３７】
シリコンゲル４は、一般的な絶縁封止剤よりも熱伝導率の高いものである。具体的には、高熱伝導ゲル（ＧＥＬＴＥＣ製、熱伝導率：６．１５Ｗ／ｍ・Ｋ）、高放熱ゲルＴＳＥ３０８１（ＧＥ東芝シリコーン製、熱伝導率：１．２６Ｗ／ｍ・Ｋ）、高放熱ゲルＳＥ４４４５ＣＶ（東レ・ダウコーニング製、熱伝導率：１．２６Ｗ／ｍ・Ｋ）である。このシリコンゲル４は、吸熱伝導体３の連通孔３３から注入される。平板部３１の下面側（主面側）が充填された後、平板部３１の上面側（副面側）が充填される。こうして、吸熱伝導体３はシリコンゲル４により埋設された状態となる。
【００３８】
枠体６は、樹脂製であり、断面階段状の方形環状部材である。この枠体６の内部には第１中継端子８５および第２中継端子８６等がインサート成形されており、その上端開口部には吸熱伝導体３および制御回路部２が、それぞれネジ（図略）によって固定されている。
【００３９】
筐体７は、アルミニウム合金製鋳物からなる凹状の容体である。筐体７の開口上端には吸熱伝導体３がその連結部３２でネジ７１によって固定されている。筐体７の内底上面には、セラミック製または金属（ＣｕやＣｕＭｏ）等のヒートシンク５が固定されている。このヒートシンク５の上面中央には、ＤＢＣ基板１１の第３配線パターンがハンダ接合されており  、ヒートシンク５の外周囲側には枠体６が固定されている。
【００４０】
なお、吸熱伝導体３および筐体７は、熱的のみならず電気的にも接続されている。そして筐体７がアースされているため、それと接続された吸熱伝導体３の電位も安定している。
【００４１】
次に、この半導体モジュール１００の放熱性および電磁ノイズの遮蔽性について説明する。本実施形態の半導体モジュール１００の場合、半導体素子１２の発熱は、先ず、その下面側の第１配線パターン１１１からセラミックス基板１１０、第３配線パターン１１３を通じてヒートシンク５および筐体７に伝達され、筐体７から外部に放熱される。これが半導体モジュール１００の主放熱経路となる。
【００４２】
次に、半導体素子１２およびＤＢＣ基板１１の上面側はシリコンゲル４で充填されている。このため、半導体素子１２の発熱は、その上面およびＤＢＣ基板１１の上面を通じてシリコンゲル４へ伝達される。シリコンゲル４は、その熱を吸熱伝導体３へ放熱する。ここで、吸熱伝導体３の平板部３１は、シリコンゲル４中に埋設状態となっているため、平板部３１の上下面にシリコンゲル４から入熱する。従って、半導体素子１２等の発熱は、シリコンゲル４を介して平板部３１へ効率的に伝達され、吸熱伝導体３はより多くの熱を筐体７へ導き、筐体７ではより多くの熱が放熱される。これが半導体モジュール１００の副放熱経路となる。このようにして、半導体モジュール１００は、主放熱経路および副放熱経路によって、半導体素子１２の発熱を効率よく放熱し得る。
【００４３】
なお、半導体モジュール１００の作動当初は、平板部３１の下面側のシリコンゲル４が上面側よりも高温となることが予想される。しかし、相当時間の経過後は、平板部３１の上面側および下面側で、温度勾配は実質的に無くなり、シリコンゲル４から平板部３１の上面への入熱も増加すると考えられる。
【００４４】
ところで、本実施形態の半導体モジュール１００の電力回路部１は、筐体７および吸熱伝導体３（電磁遮蔽部材）によってほぼ完全に密閉された遮蔽空間Ｓ内に収納された状態となっている。このため、この半導体素子１２の作動に伴い電力回路部１から発生する電磁ノイズは、吸熱伝導体３および筐体７からなる金属体に吸収され、外部への漏出が抑制される。その結果、制御回路部２は、その電磁ノイズの伝播を受けず、誤動作が防止される。
【００４５】
また、本実施形態の吸熱伝導体３は連結部３２が断面鉤型になっているため平板部３１の上面側のシリコンゲル４と接触する面積が広くなっている。その結果、熱がより効率的に伝達される。
【００４６】
以上のように、本実施形態の半導体モジュール１００では、簡素な構造でありながら、優れた放熱性と電磁ノイズの遮蔽性が担保される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１      電力回路部
１１    ＤＢＣ基板
１２    半導体素子
２      制御回路部
３      吸熱伝導体（吸熱部材）
３１    平板部
３２    連結部
３３    連通孔（連通部）
４      シリコンゲル（熱伝導性注入材）
５      ヒートシンク
６      枠体
７      筐体（放熱体）
１００  半導体モジュール
Ｓ      遮蔽空間
【図１】
2005203570.tif 000003