(57)【要約】【課題】  描画領域を仮想的に小領域に分割し、各分割領域の近接効果補正値の正常性の検証を事前に、あるいは、実描画の途中で行なうことができる電子ビーム描画における近接効果補正データの検証方法を実現する。【解決手段】  近接効果補正メモリー３２内の各小領域ｒにおける近接効果補正値（％値）は、順々にＦＩＦＯ３３に供給されると共に、比較回路３４に供給される。比較回路３４には、レジスタ３５からの基準データも供給される。小領域ｒ（１）の補正値のデータΔ１と、ＦＩＦＯ３３から読み出されたデータとが、比較回路３４に供給される。ＦＩＦＯ３３から読み出されるデータは、小領域ｒ（１）の上の小領域のデータΔｘ０１と、左の小領域のデータΔｘ１０である。比較回路３４では、Δ１とΔｘ０１、および、Δ１とΔｘ１０とのそれぞれの差分データ（絶対値）を得、その差分データと、レジスタ３５からの基準データΔｓとを比較する。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストが塗布された被描画材料に電子ビームを照射し、電子ビームによって被描画材料表面に任意のパターンを描画すると共に、電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させることができる電子ビーム描画装置において、電子ビームの描画領域をカバーする領域を仮想的に小領域に分割し、分割した小領域ごとに周辺の小領域に含まれているパターンの分布を考慮して近接効果補正値を求め、求められた補正値を近接効果補正メモリーに格納する際、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の少なくとも２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較し、差分データの絶対値と基準データとの差が所定の範囲内であれば、補正値が正常であると判断するようにした電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法。
【請求項２】
表面にレジストが塗布された被描画材料に電子ビームを照射し、電子ビームによって被描画材料表面に任意のパターンを描画すると共に、電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させることができる電子ビーム描画装置において、電子ビームの描画領域をカバーする領域を仮想的に小領域に分割し、分割した小領域ごとに周辺の小領域に含まれているパターンの分布を考慮して近接効果補正値を求め、求められた補正値を近接効果補正メモリーに格納し、実描画の際には、描画するパターンの座標位置に対応した小領域の近接効果補正値を近接効果補正メモリーから読み出し、近接効果補正値に応じて定められた電子ビームのショット時間を補正すると共に、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の少なくとも２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較し、差分データの絶対値と基準データとの差が所定の範囲内であれば、補正値が正常であると判断するようにした電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法。
【請求項３】
描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の上と左の２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較するようにした請求項１〜２の何れかに記載の電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法。
【請求項４】
描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の上、下、左、右の４つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較するようにした請求項１〜２の何れかに記載の電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法。
【請求項５】
電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させるために、電子ビームのブランキング信号のブランキング時間を調整するようにした請求項１〜４の何れかに記載の電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造の際に、電子ビーム描画装置によってパターンを描画する工程を経て光露光用マスク原板等を製作する際、近接効果補正を行なって電子ビーム描画を実行する場合の近接効果補正データの検証方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する場合、半導体ウェハ上に各種素子や配線を形成するが、その際、素子や配線のパターンを光露光装置であるステッパーを用いて露光する工程を経ている。このステッパーでは、ウェハに対してマスクを用意し、マスクを透過した光によって所望パターンの露光を行なっている。
【０００３】
このマスクは、ガラス基板上にクロムなどの金属薄膜を蒸着などによって形成し、その上に電子ビームのレジストを塗布する。レジストが塗布されたマスク基板は、電子ビーム描画装置に装填され、電子ビームによってマスクパターンがマスク基板表面に描画される。電子ビームによって所望パターンが描画されたマスク基板は、現像とエッチング処理が施されて、所望パターンのマスク原板が製作される。
【０００４】
近年デバイス高密度化に伴い、電子ビーム描画によるパターン作成精度も高くすることが要求され、その結果、電子ビームの近接効果を補正することが必須とされている。この近接効果の補正は、パターンが密に存在する領域では、各パターンを露光させるため、同じドーズ量（電子ビームのショット時間に相当）で描画を行うと、隣り合ったパターンの間の領域が照射される電子ビームの散乱の現象により、レジストの感光レベルを超えてしまい、本来パターンが存在しない、隣り合ったパターン間の領域までパターンが形成されることになる。
【０００５】
この結果、例えば、形成されるパターンの幅が太くなったり、隣接したパターンの間の領域にパターンが形成されることによって、隣り合った独立パターンが接続されて一体のパターンが形成されることになる。したがって、近接効果の補正をしない限り、デバイスの高密度化に伴って、高い精度の描画を行なうことができない。
【０００６】
このため、パターンデータに基づいて個別のパターンの描画を行うに際して、当該個別パターンに近接したパターンを描画する場合に、そのパターンに対するトータルの電子ビームのドーズ量が増加する近接効果の影響を考慮し、当該個別パターンの描画の際の電子ビームのドーズ量を近接するパターンの密度やパターン間の距離等に応じて減少させる。
【０００７】
このような電子ビームのドーズ量（電子ビームの材料へのショット時間に対応）を描画するパターンごとに事前に設定し、描画データが転送されて各パターンを描画する際には、そのパターンに応じたショット時間のデータに基づき、電子ビームのショット時間を電子ビームのブランキング動作によって調整し、近接効果の影響を軽減するようにしている。
【０００８】
このような近接効果の影響を軽減する近接効果補正を行なう方式として、幾種類かの方式が開発されている。その中で最近用いられている方式では、描画領域を微小領域に分割し、各微小領域ごとに周辺の微小領域に含まれるパターンの密度を考慮して電子ビームのドーズ量の補正値を設定している。この各微小領域ごとのドーズ量の補正値は、近接効果補正用メモリーに記憶される。
【０００９】
このような近接効果補正のための前処理がなされた後、実際の被描画材料への電子ビームによるパターン描画が実行される。その場合、パターンデータが供給されて個別のパターンの描画を行う際には、個別パターンデータが近接効果補正演算処理ユニットに供給される。この演算処理ユニットでは、個別パターンの描画位置座標に基づき、近接効果補正用メモリーからドーズ量の補正値（例えば０％から４００％の範囲の％値）を読み出し、近接効果補正演算を行なう。すなわち、ドーズ量が指定された割合で調整される。この調整されたドーズ量データ（電子ビームのショット時間に対応）は、電子ビーム描画装置の電子光学系のブランキング部に供給され、調整された電子ビームのショット時間に対応して電子ビームのブランキングがオフとされる。
【００１０】
以上説明したように、電子ビームの近接効果の補正動作が実行されるが、描画領域全域を微小領域に分割し、各微小領域ごとに近接効果補正値を演算して求める過程で計算ミスなどが発生する。また、実際の描画時にドーズ量の補正演算をする際にも計算ミスが生じることもある。このような計算ミスが生じた時に描画されたパターンは、適正な近接効果の補正がされないために描画ミスとなり、その領域は欠陥部分となる。このため、近接効果補正の演算が正しく行われているかの検証を行なう必要が生じる。この検証を行なっている例として、例えば、特許文献１や特許文献２を参照することができる。
【特許文献１】特開平１１−１７４６５９号公報
【特許文献２】特開２０００−１５６３４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１に示すブロック図は、従来の近接効果補正を行なう回路構成の概略を示したものである。図中、ＥＷＳの如き制御コンピュータ１は、図示していないディスクメモリーに記憶されている描画データをデータ展開回路２に転送する。データ展開回路２は、データの内、描画パターンの位置座標とドーズ量データ（ショット時間データ）を近接効果補正演算回路３に供給する。
【００１２】
近接効果補正演算回路３には、近接効果補正用メモリー４が接続されている。このメモリー４には、あらかじめ、描画領域を微小領域に分割し、各微小領域ごとに周辺の微小領域に含まれるパターンの密度を考慮して計算により求められた電子ビームのショット時間の補正の割合（％）が記憶されている。
【００１３】
近接効果補正演算回路３に特定パターンの位置座標とショット時間データが転送されると、近接効果補正演算回路３では、パターンの座標に基づき、近接効果補正用メモリー４から当該座標値に応じたショット時間の補正割合（％）が読み出され、ショット時間データと補正割合との掛け算処理が行なわれる。
【００１４】
この掛け算処理されて近接効果補正のために調整されたショット時間データは、電子ビーム描画装置のブランキング部５に供給されることから、被描画材料への電子ビームのショット時間は、近接効果の影響を著しく軽減させる時間とされ、微細なパターンを高い精度で描画し、高密度のパターンを精密に形成することが可能となる。
【００１５】
近接効果補正演算回路３の出力データ、すなわち、近接効果補正されたショット時間データは比較回路６にも供給される。比較回路６は、近接効果補正演算回路３で演算されて求められた補正されたショット時間と、レジスタ７に記憶されたショット時間範囲とを比較し、補正ショット時間がレジスタ７のショット時間範囲から外れた場合には、ショット時間演算エラーとしてエラーメモリー８に、そのときのパターンデータと共に演算されたショット時間を記憶させる。
【００１６】
制御コンピュータ１は、被描画材料への全ての描画が終了した後、エラーメモリー８に記憶されているデータを読み出し、所定の判断基準に基き補正ショット時間の正常性の評価を実行する。この補正ショット時間が正常と評価された場合には、エラーメモリー８に記憶された該当するパターンの描画は正常にされたものとする。一方、補正ショット時間が異常と評価された場合は、異常なショット時間により描画が行なわれたチップは不良品として処理される。
【００１７】
上記した近接効果補正における計算エラーによる補正ショット時間の正常性の評価方式は、ハードウェアにより補正ショット時間を求め、また、補正ショット時間が正常な範囲内に含まれているかを比較している。しかしながら、エラーメモリー８から制御コンピュータ１への異常データの読み込みをソフトウェアで行っているので、近接効果補正の評価に相当な時間を要する。また、補正ショット時間の正常性の検証が被描画材料への描画が終了してから行うので、異常が多数発生していても、全ての描画が終了するまではその事実が分からないという問題点を有している。
【００１８】
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目的は、描画領域を仮想的に小領域に分割し、各分割領域の近接効果補正値の正常性の検証を事前に、あるいは、実描画の途中で行なうことができる電子ビーム描画における近接効果補正データの検証方法を実現するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
請求項１に基づく電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法は、表面にレジストが塗布された被描画材料に電子ビームを照射し、電子ビームによって被描画材料表面に任意のパターンを描画すると共に、電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させることができる電子ビーム描画装置において、電子ビームの描画領域をカバーする領域を仮想的に小領域に分割し、分割した小領域ごとに周辺の小領域に含まれているパターンの分布を考慮して近接効果補正値を求め、求められた補正値を近接効果補正メモリーに格納する際、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の少なくとも２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較し、差分データの絶対値と基準データとの差が所定の範囲内であれば、補正値が正常であると判断するようにしたことを特徴としている。
【００２０】
請求項２に基づく電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法は、表面にレジストが塗布された被描画材料に電子ビームを照射し、電子ビームによって被描画材料表面に任意のパターンを描画すると共に、電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させることができる電子ビーム描画装置において、電子ビームの描画領域をカバーする領域を仮想的に小領域に分割し、分割した小領域ごとに周辺の小領域に含まれているパターンの分布を考慮して近接効果補正値を求め、求められた補正値を近接効果補正メモリーに格納し、実描画の際には、描画するパターンの座標位置に対応した小領域の近接効果補正値を近接効果補正メモリーから読み出し、近接効果補正値に応じて定められた電子ビームのショット時間を補正すると共に、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の少なくとも２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較し、差分データの絶対値と基準データとの差が所定の範囲内であれば、補正値が正常であると判断するようにしたことを特徴としている。
【００２１】
請求項３に基づく電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法は、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の上と左の２つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較するようにしたことを特徴としている。
【００２２】
請求項４に基づく電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法は、描画領域の小領域の補正値と、隣り合った小領域の中の上、下、左、右の４つの小領域の補正値との差分データを求め、この差分データの絶対値と基準データとを比較するようにしたことを特徴としている。
【００２３】
請求項５に基づく電子ビーム描画装置における近接効果補正データの検証方法は、電子ビームのショット時間を近接効果補正のために変化させるために、電子ビームのブランキング信号のブランキング時間を調整するようにしたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１の発明では、近接効果補正メモリーに各小領域ごとの近接効果補正値を格納すると同時に、格納する近接効果補正値の検証を行なうようにしたので、実際に描画を開始する前に、検証結果が判明し、異常な補正値については、その対策を施すことができる。
【００２５】
請求項２の発明では、近接効果補正メモリーに各小領域ごとの近接効果補正値が格納されており、実際の描画時に描画パターンの座標位置に対応する小領域の近接効果補正値の検証を行なうようにしたので、全ての描画が終了する前に、各小領域の検証結果が判明するので、異常な補正値が多く発生した場合などでは、描画動作を直ちに停止することができる。
【００２６】
また、本発明では、隣り合った小領域の補正値の差分の絶対値と基準値とを比較するようにしたので、検証のための回路構成を簡単にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図２は本発明を実施するための可変面積型電子ビーム描画装置の一例を示している。１１は電子ビームＥＢを発生する電子銃であり、該電子銃１１から発生した電子ビームＥＢは、照射レンズ１２を介して第１成形アパーチャ１３上に照射される。
【００２８】
第１成形アパーチャ１３の開口像は、成形レンズ１４により、第２成形アパーチャ１５上に結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器１６により変えることができる。第２成形アパーチャ１５により成形された像は、縮小レンズ１７、対物レンズ１８を経て描画材料１９上に照射される。描画材料１９への照射位置は、位置決め偏向器２０により変えることができる。
【００２９】
２１は制御ＣＰＵであり、制御ＣＰＵ２１はパターンデータメモリー２２からのパターンデータをデータ転送回路２３に転送する。データ転送回路２３からのパターンデータは、成形偏向器１６を制御する制御回路２４、位置決め偏向器２０を制御する制御回路２５、対物レンズ１８の励磁を制御する制御回路２６、電子銃１１から発生した電子ビームのブランキングを行うブランカー（ブランキング電極）２７を制御するブランカー制御回路２８に供給される。
【００３０】
更に、制御ＣＰＵ２１は、材料１９のフィールド毎の移動のために、材料１９が載せられたステージ３０の駆動回路３１を制御する。図示していないが，ステージの移動量を測定するために，レーザ干渉測長器がステージ部分に設けられている。このような構成の動作を次に説明する。
【００３１】
まず、基本的な描画動作について説明する。パターンデータメモリ２２に格納されたパターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路２３に供給される。このデータ転送回路２３からのデータに基づき、偏向制御回路２４は成形偏向器１６を制御し、また、制御回路２５は位置決め偏向器２０を制御する。
【００３２】
この結果、各パターンデータに基づき、成形偏向器１６により電子ビームの断面が単位パターン形状に成形され、その単位パターンが順々に材料１９上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行われる。なお、この時、ブランカー制御回路２８からブランカー２７へのブランキング信号により、材料１９への電子ビームのショットに同期して電子ビームのブランキングが実行される。
【００３３】
更に、材料１９上の異なった領域への描画の際には、制御ＣＰＵ２１からステージ駆動回路３１への指令により、ステージ３０は所定の距離移動させられる。なお、ステージ３０の移動距離は、図示していないが、レーザー測長器により監視されており、測長器からの測長結果に基づき、ステージの位置は正確に制御される。
【００３４】
ところで、ブランカー制御回路２８は、決められた電子ビームのショット時間となるように、ブランカー２７にブランキング信号を供給する。このショット時間の長短により、材料１９への電子ビームＥＢのドーズ量を変化させることができる。したがって、ブランカー制御回路２８からブランカー２７に供給されるブランキング信号を制御し、電子ビームのショット時間を調整すれば、近接効果の補正を行なうことができる。
【００３５】
このため、ブランカー制御回路２８には、近接効果補正メモリー３２が接続されている。近接効果補正メモリー３２内には、被描画材料１９の描画領域、すなわち、使用する近接効果補正演算領域Ｒを仮想的に細かく分割し、分割された各小領域ごとに近接効果補正値（基準ドーズ量＝基準ショット時間に対する割合）が、％値で表現されている。
【００３６】
図３はこのような使用する近接効果補正演算領域Ｒを示しており、領域Ｒは一辺が１ｍｍの正方形であり、この領域は１２４×１２４で仮想的に小領域ｒに分割されている。この各小領域ｒ（１）からｒ（１２４×１２４）のそれぞれには、近接効果補正値（％値）が領域におけるパターンの分布の粗密に対応して記憶されている。例えば、小領域ｒ（ｍ）の近接効果補正値として５０％が記憶され、小領域ｒ（ｎ）の近接効果補正値として９０％が記憶されている。
【００３７】
実際の描画時には、パターンデータ転送回路２３からブランカー制御回路２８に供給されるデータには、ショットする図形の座標値が含まれている。ブランカー制御回路２８は、データに含まれるショット図形の座標値に対応する、近接効果補正メモリー３２内の座標における小領域の近接効果補正値を読み出す。例えば、その座標値が小領域ｒ（ｍ）に対応していれば、近接効果補正値として、５０％が読み出される。この近接効果補正値５０％は、基準ショット時間Ｔと乗算され、実際の描画時の図形のショット時間は０．５Ｔ（ドーズ量は基準値の半分）とされる。
【００３８】
なお、各小領域ｒの近接効果補正値は、小領域に影響を及ぼす周辺の領域のパターンの密度も考慮して決められる。したがって、特定の小領域ｒ（ｑ）に影響を及ぼす周辺の小領域にパターンが存在していない場合には、小領域ｒ（ｑ）内のパターンの描画には、その小領域内のパターンの密度に応じた近接効果補正値が用いられる。更に、小領域ｒ（ｑ）内に単一のパターンしか存在していない場合には、近接効果補正値として、例えば１５０％が用いられる。その場合の図形のショット時間は、１．５Ｔとされる。
【００３９】
さて、領域Ｒを仮想的に分割して得られた小領域ｒ（１）〜ｒ（１２４×１２４）に対し、各小領域ごとにその周辺に存在するパターンの粗密に応じて近接効果の補正値が、演算によってあらかじめ求められ、近接効果補正メモリー３２に記憶されている。この演算によって求められた各小領域ごとの近接効果補正値は、一部演算ミスにより異常値となる場合がある。
【００４０】
この異常値を用いて近接効果補正を行ない、電子ビームを材料にショットすると、補正値が大きい場合には、電子ビームのドーズ量が多すぎてパターンの幅が大きくなったり、隣接する独立したパターンがつながったりする。逆に補正値が小さいと、細いパターンが狭い間隔で並んで配置されるパターンの場合では、レジストを感光させるに十分なドーズ量が与えられず、結果として、必要なパターンが形成されない。このように、近接効果の補正値が異常であった場合には、作成したマスクが一部不良となる。
【００４１】
このため、近接効果補正メモリー３２に記憶された補正値が正常か、異常であるかを検証することが必要となる。たとえば、異常な補正値と認められた小領域については、直ちにその小領域の近接効果補正値の演算をやり直し、正常な補正値に置き換えを行なうことができる。また、異常値によって描画を行った場合には、異常値の小領域が含まれるチップは不良であることが認識され、最終的に作成された多数のチップの内、不良であると認識された小領域を含むチップは、検査を行なうことなく不良品として処理することができる。
【００４２】
図２に示した実施の形態において、ブランカー制御回路２８内に、近接効果補正メモリー３２に記憶された各小領域ごとの近接効果補正値を検証する回路が含まれている。図４は近接効果補正値を検証する回路構成の一例を示している。近接効果補正メモリー３２内の各小領域ｒにおける近接効果補正値（％値）は、順々に入力データを一時保存するＦＩＦＯ３３に供給されると共に、比較回路３４に供給される。比較回路３４には、レジスタ３５からの基準データも供給される。
【００４３】
このような構成において、近接効果補正メモリー３２に、別途演算によって求められた近接効果補正値のデータを入力する際には、図５に示す実際の描画の際に使用される領域Ｒより一回り大きな領域Ｒ’のデータも読み込まれる。この図５において、領域Ｒ’は近接効果補正演算時に使用される領域であり、領域Ｒ’の内、ハッチングが施された周囲の領域が、領域Ｒから外れた、実際の描画時には使用されない領域である。このメモリー３２に読み込まれたデータは、全てＦＩＦＯ３３に入力されて一次的に保存される。
【００４４】
データの入力は、領域Ｒ’の外側の小領域ｒ（ｘ０１）から順々に行なわれ、実際の描画の際に使用される、領域Ｒの先頭の小領域ｒ（１）の補正値のデータが供給された時、小領域ｒ（１）の補正値のデータΔ１と、ＦＩＦＯ３３から読み出されたデータとが比較回路３４に供給される。この際、ＦＩＦＯ３３から読み出されるデータは、小領域ｒ（１）の上の小領域ｒ（ｘ０１）のデータΔｘ０１と、小領域ｒ（１）の左の小領域ｒ（ｘ１０）のデータΔｘ１０である。
【００４５】
比較回路３４では、Δ１とΔｘ０１、および、Δ１とΔｘ１０とのそれぞれの差分データ（絶対値）を得、その差分データと、レジスタ３５からの基準データΔｓを比較する。もしその比較結果が次の関係であった場合には、小領域ｒ（１）の補正値のデータΔ１が正常であると認定し、エラーフラグを立てない。
【００４６】
｜Δ１−Δｘ０１｜＜Δｓ
｜Δ１−Δｘ１０｜＜Δｓ
逆に、差分データと、レジスタ３５からの基準データΔｓを比較した結果、差分データの絶対値が基準データΔｓより大きくなった場合、すなわち次の式のいずれかが生じた場合には、小領域ｒ（１）の補正値のデータΔ１が異常値であるとしてエラーフラグが立てられ、その情報が制御ＣＰＵ２１に供給される。
【００４７】
｜Δ１−Δｘ０１｜≧Δｓ
｜Δ１−Δｘ１０｜≧Δｓ
次に領域ｒ（２）の補正値のデータが供給された時、小領域ｒ（２）の補正値のデータΔ２と、ＦＩＦＯ３３から読み出されたデータとが比較回路３４に供給される。この際、ＦＩＦＯ３３から読み出されるデータは、小領域ｒ（２）の上の小領域ｒ（ｘ０２）のデータΔｘ０２と、小領域ｒ（２）の左の小領域ｒ（１）のデータΔ１である。
【００４８】
比較回路３４では、Δ２とΔ１、および、Δ２とΔｘ０２とのそれぞれの差分データ（絶対値）を得、その差分データと、レジスタ３５からの基準データΔｓを比較する。もしその比較結果が次の関係であった場合には、小領域ｒ（２）の補正値のデータΔ２が正常であると認定し、エラーフラグを立てない。
【００４９】
｜Δ２−Δｘ０２｜＜Δｓ
｜Δ２−Δ１｜＜Δｓ
逆に、差分データと、レジスタ３５からの基準データΔｓを比較した結果、差分データの絶対値が基準データΔｓより大きくなった場合、すなわち次の式のいずれかが生じた場合には、小領域ｒ（２）の補正値のデータΔ２が異常値であるとしてエラーフラグが立てられ、その情報が制御ＣＰＵ２１に供給される。
【００５０】
｜Δ２−Δｘ０２｜≧Δｓ
｜Δ２−Δ１｜≧Δｓ
このようにして、近接効果補正メモリー４に、描画領域を仮想的に分割された小領域ごとの近接効果補正値を入力する際に、入力される小領域の上と左の小領域との差分データが求められ、その絶対値と基準データとを比較し、全小領域について、近接効果補正データが正常か異常かの検証を行なうことができる。この検証によって見つけられた異常補正値の小領域については、再度近接効果補正値の演算をやり直し、正しい近接効果補正値とおきかえるようにする。
【００５１】
同様な方法で各小領域に対して近接効果補正値の検証を行ない、最後の小領域ｒ（１２４×１２４）の補正値の検証が終了すると、制御ＣＰＵ２１には、異常補正値の小領域が記憶される。制御ＣＰＵは、この異常補正値を有した小領域に対して補正値の演算のやり直しを命ずるか、異常補正値の小領域はそのままの補正値で描画動作を開始させ、異常補正値の小領域を含むチップは不良品として処理するかの選択を行なう。
【００５２】
上述した実施の形態では、近接効果補正メモリー３２への補正値供給の際に、小領域ごとの補正値の正常性の検証を行なうようにしたが、近接効果補正メモリー３２への補正値の記憶時には補正値の検証を行なわず、実描画時に描画動作と並行して補正値の正常性の検証を行なうようにしても良い。その場合、描画位置の移動に伴って近接効果補正の単位である小領域も移っていき、その移った小領域について、補正値の正常性の検証が実行される。
【００５３】
例えば、領域ｒ（１）においてパターンの描画が開始されると、前述した方法で補正値が正常か異常かの検証が行なわれると共に、近接効果補正メモリー３２から読み出された領域ｒ（１）の近接効果補正値Δ１は、比較回路３４を経由して直接ブランカー制御回路２８に供給される。ブランカー制御回路２８においては、基準ショット時間Ｔと近接効果補正値Δ１とを乗算し、乗算結果として得られた時間を電子ビームのショット時間として、ブランキング信号を作成し、ブランカー２７に供給する。
【００５４】
同様にして、領域ｒ（２）に含まれているパターンの描画に際しては、近接効果補正値の検証が行なわれると同時に、近接効果補正メモリー３２から小領域ｒ（２）の近接効果補正値Δ２が読み出され、基準ショット時間Ｔとの乗算が行なわれる。したがって、小領域ｒ（２）においても、近接効果が補正されるようなショット時間で材料１９への電子ビームのショットが実行される。
【００５５】
このようにして、各小領域に含まれるパターンの描画は、それぞれの小領域ごとの近接効果を補正するショット時間で電子ビームが材料に照射されるため、材料上には、近接効果が補正されたパターンが精密に描画される。その一方、特定の小領域の近接効果補正値が異常と判断された場合、その特定の小領域の座標は制御ＣＰＵ２１に記憶されており、その小領域の座標にあるチップは、制御ＣＰＵ２１からの指示により、最終的に不良品として処理される。
【００５６】
なお、ここまで説明した実施の形態では、近接効果補正データの正常性の検証を、対象の小領域の近接効果補正データと、対象の小領域の上の小領域と左の小領域との近接効果補正データの差分を検出し、その差分データの絶対値と基準データとの比較を行なうことにより実行したが、それに加えて、対象の小領域の下と右の小領域との間で同様な検証を行なえば、より正確な検証を行なうことができる。
【００５７】
また、近接効果補正値の検証を可変面積型電子ビーム描画装置わ例にして説明したが、そのようなタイプの描画装置に限定されず、電子ビームを細く絞ってパターンを塗りつぶす方式など、レジストを露光する描画装置であれば、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】従来行われていた近接効果補正データの検証方法を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施の形態の全体構成を示す図である。
【図３】近接効果補正メモリーを説明するための図である。
【図４】本発明に基づく近接効果補正データの検証方法を実施するための回路構成を示す図である。
【図５】近接効果補正メモリーを説明するための図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１  電子銃
１２  照射レンズ
１３  第１アパーチャ
１４  成形レンズ
１５  第２アパーチャ
１６  成形偏向器
１７  縮小レンズ
１８  対物レンズ
１９  被描画材料
２０  位置決め偏向器
２１  制御ＣＰＵ
２２  パターンデータメモリー
２３  データ転送回路
２４  成形偏向器制御回路
２５  位置決め偏向器制御回路
２６  対物レンズ制御回路
２７  ブランカー
２８  ブランカー制御回路
３０  ステージ
３１  ステージ駆動回路
３２  近接効果補正メモリー
３３  ＦＩＦＯ
３４  比較回路
３５  レジスタ
【図１】
2005116594.tif 000003
【図２】
2005116594.tif 000004
【図３】
2005116594.tif 000005
【図４】
2005116594.tif 000006
【図５】
2005116594.tif 000007