(57)【要約】【課題】  原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型しまたは成型体をさらに焼成して成る成型体の製造方法において、物質の種類によらずに、高い結晶配向性を有する成型体を作製する方法を提供する。【解決手段】  単結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、解膠剤を添加しつつ機械的せん断力を加えて混練すると、複数の単結晶粒子が寄り集まった２次粒子が単結晶の１次粒子に分解し、同時に解膠剤を添加することによって、１次粒子の表面に解膠剤が付着し、１次粒子の再凝集が防止される。このスラリーを磁場を印加しながらスリップキャスティングすれば、１次粒子は、結晶磁気異方性エネルギーの最小方向が印加磁場方向に一致するように回転して整列し、この整列状態を保持して固化すればよい。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法において、
単結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、解膠剤を添加しつつ機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型することを特徴とする、結晶配向性を有する成型体の作製方法。
【請求項２】
原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法において、
多結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、解膠剤を添加しつつ機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型することを特徴とする、結晶配向性を有する成型体の作製方法。
【請求項３】
原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法において、
解膠剤を添加した単結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型することを特徴とする、結晶配向性を有する成型体の作製方法。
【請求項４】
原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法において、
解膠剤を添加した多結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型することを特徴とする、結晶配向性を有する成型体の作製方法。
【請求項５】
前記方法で得た成型体を、さらに焼成することを特徴とする、請求項１〜４の何れかに記載の結晶配向性を有する成型体の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い結晶配向性を有する成型体の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶粒子の粉末からなるスラリー（泥漿）をスリップキャスティング（鋳込み成形）法を用いて所望の形状に成型して作製する成型体、あるいはこの成型体をさらに焼成して作製する成型体は、用途に応じた形状を容易に実現できることから、電磁材料、熱電素子、生体材料、ろ過材、強化材、医療材料、あるいは光学材料として広く利用されている。
ところで結晶物質は、その結晶面に特有な、あるいは結晶軸方向に特有な、熱的、光学的、化学的、電磁気的、物理化学的、あるいは力学的特性を有しているので、上記の成型体に結晶配向性を付加できれば、その特性を最大限に引き出すことができる。
【０００３】
従来、粉体から成型する成型体に結晶配向性を持たせようとする試みは、例えば、後述の特許文献１に記載されている。この方法は、酸化物高温超伝導体のように、特定の結晶面で剥離性を有する粉体を溶液中で剥離粉砕して、薄片状微粒子からなるスラリーを作製し、このスラリーにせん断力を印加して、薄片状微粒子の形状異方性を利用して結晶配向させるものである。しかしながらこの方法は、特定の結晶面で剥離性を有する粉体でなければ適用できず、セラミクス、有機材料、あるいは金属といった剥離性を有さない一般の粉体には適用できない。また、後記特許文献２には、強磁性体粉末の２次粒子から成るスラリーを強磁場パルスで１次粒子に分解すると共に静磁場中で圧縮成型して結晶配向させる方法が記載されている。しかしながらこの方法は強磁性を有する粉体でなければ適用できず、セラミクス、有機材料、あるいは金属といった強磁性を有さない一般の粉体には適用できない。
【０００４】
本発明者らは、強磁性体や反強磁性体のように大きな自発磁化を有さない結晶粒子であっても、これらの結晶粒子は、反磁性特性あるいは常磁性特性の何れかを有し、これらの磁性特性に基づく結晶磁気異方性を有しているので、結晶粒子を回転できる状態に保持して大きな磁場を印加することにより、結晶磁気異方性エネルギーの最小方向と印加磁場方向とが一致するように結晶粒子が回転して整列し、この整列状態を保持して固化すれば、結晶配向性を付加することができることに着目した。この方法に必要な磁場強度は、極めて大きいことが必要であるが、消費電力の少ない超電導磁石が実用化されているので、製造コストを引き上げることはない。
この原理を用いた、物質の固液共存状態又は溶融状態から凝固する際に磁場を印加する結晶配向性材料の製造方法（特許文献３参照）、及び、アパタイト被膜成型時に磁場を印加する結晶配向性アパタイトの製造方法（特許文献４参照）は、本発明者らによって既に提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１７２０１９号公報
【特許文献２】特開平９−７４０３６号公報
【特許文献３】特願２００２−１４９８０８号
【特許文献４】特願２００２−３１９００１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型して作製する成型体、あるいはこの成型体をさらに焼成して作製する成型体に、結晶配向性を付加できる方法があれば極めて有用である。しかしながら従来、結晶面剥離性を有する粉末か、あるいは強磁性粉末に適用できる方法はあったが、これらの方法は、セラミクス、有機材料、あるいは一般の金属のような、結晶面剥離性や強磁性特性を有さない物質を原料粉末とする成型体には適用できないと言う課題があった。
【０００７】
上記課題に鑑み本発明は、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法、またはこの成型体をさらに焼成する成型体の製造方法において、物質の種類によらずに、高い結晶配向性を有する成型体を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の結晶配向性を有する成型体の作製方法は、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法またはこの成型体をさらに焼成する成型体の製造方法において、単結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、解膠剤を添加しつつ機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを、磁場中のスリップキャスティング法により成型することを特徴とする。
この方法によれば、以下のようにして高結晶配向の成型体を作製することができる。
すなわち、スラリー中における単結晶粒子から成る原料粉末は、単結晶粒子（１次粒子と呼ぶ）間のファン・デル・ワールス力や双極子相互作用力等の引力によって互いに凝集し、複数の単結晶粒子が寄り集まった２次粒子を形成する。このスラリーに機械的せん断力を加えれば、２次粒子が１次粒子に分解し、同時に解膠剤（界面活性剤）を添加することによって、１次粒子の表面に解膠剤が付着し、１次粒子の再凝集が防止され、１次粒子のみから成るスラリーが形成される。このスラリーを磁場を印加しながらスリップキャスティングすれば、単結晶粒子である１次粒子は、結晶磁気異方性エネルギーの最小方向が印加磁場方向に一致するように回転して整列し、この整列状態を保持して固化するので高い結晶配向性を有した成型体を作製することができる。また、高い結晶配向性を有した成型体が作製できるので、この成型体を焼成すればさらに高い結晶配向性をもった成型体が得られる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法またはこの成型体をさらに焼成する成型体の製造方法において、多結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、解膠剤を添加しつつ機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型し、この成型体を焼結してなることを特徴とする。
この方法によれば、以下のようにして高結晶配向の成型体を作製することができる。
すなわち、スラリー中における多結晶粒子から成る原料粉末は、多結晶粒子（１次粒子）間のファン・デル・ワールス力や双極子相互作用力等の引力によって互いに凝集し、複数の１次粒子が寄り集まった２次粒子を形成する。このスラリーに機械的せん断力を加えれば、２次粒子が１次粒子に分解すると共に、１次粒子である多結晶粒子が破砕されて単結晶粒子に分解する。この際、同時に解膠剤を添加することによって単結晶粒子の表面に解膠剤が付着し、単結晶粒子の再凝集が防止され、単結晶粒子のみから成るスラリーが形成される。このスラリーを磁場を印加しながらスリップキャスティングすれば、単結晶粒子は、結晶磁気異方性エネルギーの最小方向が印加磁場方向に一致するように回転して整列し、この整列状態を保持して固化するので、高い結晶配向性を有した成型体を作製することができる。また、高い結晶配向性を有した成型体が作製できるので、この成型体を焼成すればさらに高い結晶配向性をもった成型体が得られる。
【００１０】
また、本発明の他の態様によれば、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法またはこの成型体をさらに焼成する成型体の製造方法において、解膠剤を添加した単結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型し、この成型体を焼結してなることを特徴とする。
この方法によれば、以下のようにして高結晶配向の成型体を作製することができる。
すなわち、スラリー中における単結晶粒子から成る原料粉末は、単結晶粒子（１次粒子）間のファン・デル・ワールス力や双極子相互作用力等の引力によって互いに凝集し、複数の１次粒子が寄り集まった２次粒子を形成する。このスラリーに機械的せん断力を加えれば、２次粒子が１次粒子に分解する。この際、解膠剤がスラリー中に添加されているので単結晶粒子の表面に解膠剤が付着し、単結晶粒子の再凝集が防止され、単結晶粒子のみから成るスラリーが形成される。このスラリーを磁場を印加しながらスリップキャスティングすれば、単結晶粒子は結晶磁気異方性エネルギーの最小方向が印加磁場方向に一致するように回転して整列し、この整列状態を保持して固化するので高い結晶配向性を有した成型体を作製することができる。また、高い結晶配向性を有する成型体を作製し得るので、この成型体を焼成すればさらに高い結晶配向性をもった成型体が得られる。
【００１１】
また、本発明の別の態様によれば、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型する成型体の製造方法またはこの成型体をさらに焼成する成型体の製造方法において、解膠剤を添加した多結晶粒子から成る原料粉末のスラリーに、機械的せん断力を加えて混練し、この混練したスラリーを磁場中のスリップキャスティング法により成型し、この成型体を焼結してなることを特徴とする。
この方法によれば、以下のようにして高結晶配向の成型体を作製することができる。
すなわち、スラリー中における多結晶粒子から成る原料粉末は、多結晶粒子（１次粒子）間のファン・デル・ワールス力や双極子相互作用力等の引力によって互いに凝集し、複数の１次粒子が寄り集まった２次粒子を形成する。このスラリーに機械的せん断力を加えれば、２次粒子が１次粒子に分解すると共に、１次粒子である多結晶粒子が破砕されて単結晶粒子に分解する。この際、解膠剤がスラリー中に添加されているので単結晶粒子の表面に解膠剤が付着し、単結晶粒子の再凝集が防止され、単結晶粒子のみから成るスラリーが形成される。このスラリーを磁場を印加しながらスリップキャスティングすれば、単結晶粒子は、結晶磁気異方性エネルギーの最小方向が印加磁場方向に一致するように回転して整列し、この整列状態を保持して固化するので、高い結晶配向性を有する成型体を作製することができる。また、高い結晶配向性を有する成型体が作製できるので、この成型体を焼成すればさらに高い結晶配向性をもった成型体が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、原料粉末のスラリーをスリップキャスティング法を用いて所望の形状に成型し、この成型体を焼成して成る成型体において、物質の種類を選ばずに、結晶配向性を付加することができる。すなわち、強磁性特性を有さない一般のセラミクス材料、有機材料、あるいは金属材料の成型体であっても、結晶配向性を付加することができる。特に単結晶粒子から成る原料粉末の場合には、ほぼ１００％配向した成型体を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づき詳細に説明する。
初めに、水酸アパタイト（化学式：Ｃａ10（ＰＯ4 ）6 （ＯＨ）2 ）を原料粉末とした実施例について説明する。水酸アパタイトは歯のエナメル質の成分であり、六方晶型に属する結晶構造を有し、ａ，ｂ面は生体親和性が高く、ｃ面は化学反応性が低いという結晶面に依存した特性を有している。このため、水酸アパタイトは人工骨や人工歯として注目されているが、人工骨や人工歯の成型体は上記の結晶面による特性の違いを考慮した結晶配向性を付加することが好ましい。水酸アパタイトは反磁性物質であり、また、結晶面磁気異方性エネルギーが最小の方向はａまたはｂ軸方向であり、ａまたはｂ軸が印加磁場方向に整列する。
【００１４】
次に、水酸アパタイトを用いた実施例の試料作製方法を説明する。
本発明の方法によるスラリーは、蒸留水６０ｇに対し、体積比で４０％の水酸アパタイト粉末を混合してスラリーを作製し、このスラリーをボールミル粉砕器により機械的せん断力を加えて１時間、混練すると共に、この混練工程中に解膠剤（ポリアクリル酸アンモニウム塩：｛〔−ＣＨ2 ＣＨ（ＣＯＯＮＨ4 −〕n ｝，製品名：セルナＤ  中京油脂社製）を全量で１重量％になるように、適宜添加して作製した。
【００１５】
また、本発明の方法における、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程の効果を確認するために、せん断力を加えた混練工程を含まない比較用スラリーとして、蒸留水６０ｇに対し、体積比で４０％の水酸アパタイト粉末と、１重量％の上記解膠剤を混合し、マグネティックスターラーで２〜３時間撹拌混合した後、１５０Ｗの洗浄用超音波発振器を用いて２〜３時間撹拌混合したスラリーを作製した。
【００１６】
次に、本発明の方法によるスラリーと、せん断力を加えた混練工程を含まない比較用スラリーを、それぞれの石膏製の多孔質鋳型に流し入れ、磁場を印加しないでスリップキャスティングした成型体と、超伝導マグネットによる１２Ｔ（テスラ）の強磁場中でスリップキャスティングした成型体を作製し、その後１１５０℃で２時間、無磁場中で焼結して水酸アパタイト成型体を作製した。
【００１７】
図１は、比較用水酸アパタイトのスラリー中における水酸アパタイト粒子の凝集状態を示すＳＥＭ写真であり、（ａ）は低倍率、（ｂ）は高倍率の写真である。これらの図からわかるように、水酸アパタイト単結晶粒子が多数凝集して２次粒子を形成している。
【００１８】
図２は、本発明の方法による水酸アパタイトのスラリーと、比較用水酸アパタイトのスラリーの水酸アパタイト粒子の粒径分布を示す図である。上側の図は比較用スラリーの粒径分布を示し、下側の図は本発明の方法によるスラリーの粒径分布を示す。図において、横軸は粒径を示し、棒グラフは左側の縦軸目盛で表した％頻度を示し、曲線は右側の縦軸目盛で表した累積頻度を示す。
図からわかるように、本発明の方法によるスラリーの粒径分布は、比較用スラリーの粒径分布に比べて粒径が小さい方向にシフトしていることから、ボールミル粉砕器による混連、即ち解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程によって、２次粒子が単結晶粒子である１次粒子に粉砕され、かつ粉砕されると同時に１次粒子の表面に解膠剤が付着して、１次粒子の再凝集が防止されていることがわかる。なお、本発明の方法によるスラリーの粒径分布に２つのピークが存在するが、この分布は、用いた水酸アパタイト粉末の単結晶粒子の粒径分布を示すものである。
【００１９】
次に、本発明の方法による水酸アパタイト成型体の結晶配向特性について説明する。
焼成後の水酸アパタイト成型体のＸ線回折測定を行った。なお、成型体は印加磁場方向に垂直な面を有する板状の形状を有しており、この面の面法線を含む入射面内でＸ線入射角θを走査し、この入射面内の２θ方向のＸ線回折強度を測定した。
図３は、本発明の方法による水酸アパタイト成型体と、比較用スラリーによる水酸アパタイト成型体のＸ線回折を示す。（ａ）は比較用スラリーを用いた成型体のＸ線回折を示し、（ｂ）は本発明の方法によるスラリーを用いた成型体のＸ線回折を示す図である。また、図３（ａ）又は（ｂ）における上側の図は、磁場を印加しないで成型した成型体のＸ線回折であり、下側の図は磁場（強度Ｂ＝１２Ｔ）を印加して成型した成型体のＸ線回折である。また、図中に示した四角形のマークは、ｃ面に垂直な面、即ちａ面又はｂ面による回折ピークを示し、六角形のマークはｃ面による回折ピークを示している。
【００２０】
図３（ａ）から、比較用スラリーを用いた場合には、磁場を印加しないで成型した成型体に比べ、磁場を印加して成型した成型体は、ａ面又はｂ面によるＸ線回折ピーク強度が約３５％大きく、ｃ面による回折ピークは約３５％小さいことがわかる。この結果から、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程がない場合には、スリップキャスティングの際に磁場を印加することによって成型体が結晶配向するが、充分ではないことがわかる。
図３（ｂ）から、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程を含んで作製したスラリーを用いた場合には、磁場を印加しないで成型した成型体に存在していたｃ面によるＸ線回折ピークが、磁場を印加して成型した成型体においては全くなくなり、ａ面又はｂ面によるＸ線回折ピークのみとなり、ほぼ１００％の結晶配向が実現されていることがわかる。
この結果から、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程によって、凝集体が粉砕されて単結晶粒子となり、解膠剤によってこの単結晶粒子の再凝集が防止されていることがわかる。従って、本発明の方法に依れば、ほぼ１００％配向した成型体を作製することができる。
【００２１】
また上記実施例では、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練したが、混練工程に先立って所定量の解膠剤を添加し、混練中は解膠剤を添加しない方法も試みたが、上記実施例と同様に、ほぼ１００％の結晶配向が実現できた。
【００２２】
次に、多結晶粒子粉末を用いた実施例について説明する。
多結晶粒子として亜鉛粉末を用いた。亜鉛は六方晶型に属する結晶構造を有し、反磁性物質であり、結晶磁気異方性エネルギーが最小になる方向はｃ軸方向であり、ｃ軸が印加磁場方向に整列する。
ここで、試料の作製方法を示すと、エタノール８０ｇに２０体積％の亜鉛粉末（多結晶粒子粉末）を混合したスラリーを作製し、解膠剤としてヘキサメタリン酸ナトリウムを適宜加えながら、乳鉢またはボールミルでスラリーにせん断力を加えて混練した。
また、本発明の方法における、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程の効果を確認するために、せん断力を加えた混練工程を含まない比較用スラリーとして、エタノール８０ｇに２０体積％の亜鉛粉末（多結晶粒子粉末）を混合し、１重量％の上記解膠剤を混合し、マグネティックスターラーで２〜３時間撹拌混合した後、１５０Ｗの洗浄用超音波発振器を用いて２〜３時間撹拌混合したスラリーを作製した。
次に、本発明の方法によるスラリーと、混練工程を含まない比較用スラリーを、それぞれの石膏製の多孔質鋳型に流し入れ、磁場を印加しないでスリップキャスティングした成型体と、超伝導マグネットによる１２Ｔの強磁場中でスリップキャスティングした成型体とをそれぞれ作製し、その後、１１５０℃、２時間、無磁場中で焼結して亜鉛成型体を作製した。
【００２３】
図４は、本発明の方法による亜鉛スラリーと、比較用亜鉛スラリーの亜鉛粒子の粒径分布を示す図である。上側の図は比較用スラリーの粒径分布を示し、下側の図は本発明の方法によるスラリーの粒径分布を示す。図において、横軸は粒径を示し、棒グラフは左側の縦軸目盛で表した％頻度を示し、曲線は右側の縦軸目盛で表した累積頻度を示す。
図からわかるように、本発明の方法によるスラリーの粒径分布は、比較用スラリーの粒径分布に比べて粒径分布が小さい方向にシフトしていることから、乳鉢またはボールミル粉砕器による混連、即ち解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程によって、亜鉛粉末の多結晶粒子が粉砕されて単結晶粒子に分解すると共に、単結晶粒子の表面に解膠剤が付着して、単結晶粒子の再凝集が防止されていることがわかる。なお、多結晶粒子は、複数の単結晶粒子が結晶粒界を介して互いに結合したものであり、単結晶領域に比べて結晶粒界の機械的強度が弱いために、せん断力によって結晶粒界が破砕し、単結晶粒子に分解すると考えられる。
【００２４】
次に、本発明の方法による亜鉛成型体の結晶配向特性について説明する。
焼成後の亜鉛成型体のＸ線回折測定を行った。なお、成型体は印加磁場方向に垂直な面を有する板状の形状を有しており、この面の面法線を含む入射面内でＸ線入射角θを走査し、この入射面内の２θ方向のＸ線回折強度を測定した。
図５は、本発明の方法による亜鉛成型体と、比較用スラリーによる亜鉛成型体のＸ線回折を示す図である。（ａ）は比較用スラリーを用いた成型体のＸ線回折を示し、（ｂ）は本発明の方法によるスラリーを用いた成型体のＸ線回折を示す。また、（ａ）又は（ｂ）における上側の図は、磁場を印加しないで成型した成型体のＸ線回折であり、下側の図は磁場（強度Ｂ＝１２Ｔ）を印加して成型した成型体のＸ線回折である。また、図中に示した六角形のマークはｃ面による回折ピークを示している。
【００２５】
図５（ａ）から、磁場を印加して成型した成型体も、磁場を印加しないで成型した成型体も、同等のＸ線回折パターンを示し、ｃ面によるＸ線回折ピーク強度もほとんど同じであることがわかる。
この結果から、多結晶粒子の場合には、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程がないと、スリップキャスティングの際に磁場を印加しても、結晶配向した成型体を作製できないことがわかる。なお、多結晶粒子は、複数の単結晶粒子が、その結晶方位を揃えることなく互いに無作為に結合したものであるため、結晶磁気異方性は互いに打ち消し合い、印加磁場方向に整列しなくなると考えられる。
図５（ｂ）から、磁場を印加して成型した成型体においては、磁場を印加しないで成型した成型体に比べて、ｃ面によるＸ線回折ピーク強度が大きくなっていることがわかる。この結果から、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練する工程によって、多結晶微粒子が粉砕されて単結晶粒子となり、解膠剤によってこの単結晶粒子の再凝集が防止されていることがわかる。従って、本発明の方法によれば、多結晶微粒子を原料粉末とする成型体においても、結晶配向性を付加することができることがわかる。
【００２６】
また上記実施例では、解膠剤を添加しながらスラリーにせん断力を加えて混練したが、混練工程に先立って所定量の解膠剤を添加し、混練中は解膠剤を添加しない方法も試みたが、上記実施例と同様の結晶配向性を付加することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】比較用水酸アパタイトのスラリー中における水酸アパタイト粒子の凝集状態を示すＳＥＭ写真であり、（ａ）は低倍率、（ｂ）は高倍率の写真である。
【図２】本発明の方法による水酸アパタイトのスラリーと、比較用水酸アパタイトのスラリーの水酸アパタイト粒子の粒径分布を示す図である。上側の図は比較用スラリーの粒径分布を示し、下側の図は本発明の方法によるスラリーの粒径分布を示す。
【図３】本発明の方法による水酸アパタイト成型体と、比較用スラリーによる水酸アパタイト成型体のＸ線回折を示す図である。（ａ）は比較用スラリーを用いた成型体のＸ線回折を示し、（ｂ）は本発明の方法によるスラリーを用いた成型体のＸ線回折を示す。また、（ａ）又は（ｂ）における上側の図は、磁場を印加しないで成型した成型体のＸ線回折で、下側の図は磁場（強度Ｂ＝１２Ｔ）を印加して成型した成型体のＸ線回折である。
【図４】本発明の方法による亜鉛スラリーと、比較用亜鉛スラリーの亜鉛粒子の粒径分布を示す図である。上側の図は比較用スラリーの粒径分布を、下側の図は本発明の方法によるスラリーの粒径分布を示す。
【図５】本発明の方法による亜鉛成型体と、比較用スラリーによる亜鉛成型体のＸ線回折を示す図である。（ａ）は比較用スラリーを用いた成型体のＸ線回折を示し、（ｂ）は本発明の方法によるスラリーを用いた成型体のＸ線回折を示す。また、（ａ）又は（ｂ）における上側の図は、磁場を印加しないで成型した成型体のＸ線回折で、下側の図は磁場（強度Ｂ＝１２Ｔ）を印加して成型した成型体のＸ線回折である。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１】
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