(57)【要約】【課題】数の点での測定より、荷電粒子線露光装置における各サブフィールドにおける露光時の補正値を決定する方法を提供する。【解決手段】光軸に近いサブフィールドでのみ、像結像位置（ａ）と結像倍率（ｂ）の測定を行う。点線はこの測定点の近似曲線を示し、（ａ）の場合は光軸からの距離に対する６次式、（ｂ）の場合は、光軸からの距離に対する５次式で近似している。像の位置ずれの場合は、３次歪が主になるが、更に高次のひずみも有るので６次式で近似してしている。結像倍率については、偏向像面湾曲、偏向非点収差が主な原因なので光軸からの距離の２次に比例するがその他の要因もあるので５次式で近似を行っている。近似計算には最小二乗法を用いている。このような外挿による近似計算でも、光軸から離れたサブフィールドについて、十分な精度で補正値を決定できることが確認できた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、光軸付近のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って外挿することにより光軸より離れた位置にあるサブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法。
【請求項２】
分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、代表的な少数のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って内挿することにより各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法。
【請求項３】
分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、全部の、又は大部分のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法。
【請求項４】
分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、全部の、又は大部分のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、所定の関数をフィッティングにより確定し、その関数に従って各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法により求められた補正値を使用して、レチクルの各サブフィールドに形成されたパターンをウエハ上に露光転写することを特徴する露光方法。
【請求項６】
請求項５に記載の露光方法を、リソグラフィ工程中に行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、露光の高解像と高スループットの両方を兼ね備えた電子線露光装置の開発が進められている。この目的で従来開発されてきた方式は一括転写方式である。これは１ダイ（１チップ）または複数ダイを一度に露光する方式である。しかしこの方式においては、転写のための原版となるレチクルの製作が困難であるのと、１ダイ以上というような大きな光学フィールド内で収差を必要程度以下にするのが難しい等の問題があるために、最近ではこの方式の装置の開発は下火になっている。
【０００３】
そこで最近よく検討されている方式は１ダイまたは複数ダイを一度に露光するのではなく、大きな光学フィールドを持つ露光装置を使用しながらも、小さな領域に分割して転写露光するという方式である。この方式を、分割転写方式と呼ぶこととする。分割転写方式においては、このサブフィールド毎に、被露光面上に結像されるサブフィールドの像の焦点やサブフィールド内での歪み等の収差等を補正しながら露光する。これにより、一括転写に比べて光学的に広い領域にわたって解像度、光学系の歪み補正精度の良い露光を行うことができる。
【０００４】
図６に分割転写方式荷電粒子線露光装置の概要を示す。図６において、１００はレチクル、１００ａはレチクル１００上のサブフィールド、１００ｂはサブフィールド１００ａ間の境界領域、１１０はレジストを塗布したウエハ等の感応基板、１１０ａは感応基板１１０の１ダイ（１チップ）分の領域、１１０ｂはサブフィールド１００ａそれぞれに対応した感応基板１１０の被転写領域、ＡＸは荷電粒子線光学系の光軸、ＥＢは荷電粒子線、ＣＯは荷電粒子光学系のクロスオーバポイントである。
【０００５】
レチクル１００上には、感応基板１１０に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数のサブフィールド１００ａが、パターンが存在しない境界領域１００ｂにより区分されて存在している。そして、境界領域１００ｂに対応する部分には、格子状の支柱が設けられ、メンブレンを熱的及び強度的に保護している。
【０００６】
各サブフィールド１００ａは、感応基板１１０の１ダイ分の領域１１０ａに転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞれ備えており、分割した部分パターン毎に感応基板１１０に転写される。
【０００７】
感応基板１１０の外観形状は図６（ｂ）に示したとおりであり、図６（ａ）においては、感応基板１１０の一部（図６（ｂ）のＶａ部）を拡大して示してある。
【０００８】
図６において、荷電粒子線光学系の光軸ＡＸと平行にｚ軸をとり、サブフィールド１００ａの並び方向と平行にｘ軸、ｙ軸をとる。そして、矢印Ｆｍ、Ｆｗで示すように、レチクル１００及び感応基板１１０をｘ軸方向へ互いに逆向きに連続移動させながら、荷電粒子線をｙ軸方向にステップ的に走査して一列のサブフィールド１００ａのパターンを順次転写し、その列のパターン転写が終了した後に、ｘ軸方向に隣接する次のサブフィールド１００ａの列を荷電粒子線で走査し、以降同様にしてサブフィールド１００ａ毎に転写（分割転写）を繰り返して１ダイ（１チップ）分のパターンを転写する。
【０００９】
このときのサブフィールド１００ａの走査順序及び感応基板１１０への転写順序は、それぞれ矢印Ａｍ、Ａｗで示すとおりである。なお、レチクル１００と感応基板１１０の連続移動方向が逆なのは、一対の投影レンズによりレチクル１００と感応基板１１０とでｘ軸、ｙ軸がそれぞれ反転するためである。
【００１０】
このような手順で転写（分割転写）を行う場合、ｙ軸方向の一列のサブフィールド１００ａのパターンを一対の投影レンズで感応基板１１０にそのまま投影するだけでは、サブフィールド１００ａそれぞれに対応した感応基板１１０の被転写領域１１０ｂそれぞれの間に、境界領域１００ｂに対応する隙間が生じる。これに対する対策として、各サブフィールド１００ａを通過した荷電粒子線ＥＢを境界領域１００ｂの幅Ｌｙに相当する分だけｙ軸方向に偏向してパターン転写位置を補正している。
【００１１】
ｘ軸方向に関しても、パターン縮小率比に応じた一定速度で散乱透過レチクル１００と感応基板１１０を移動させるだけでなく、一列のサブフィールド１００ａの転写が終わって次の列のサブフィールド１００ａの転写に移る際に、境界領域１００ｂの幅Ｌｘだけ荷電粒子線ＥＢをｘ軸方向に偏向して、被転写領域１１０ｂ同士の間にｘ軸方向の隙間が生じないように、パターン転写位置を補正している。
【００１２】
以上説明したように、分割転写方式においては、ウエハ１１０上の１ダイ（１チップ）に対応するパターンがレチクル１００上で多数のサブフィールド１００ａに分割され、各サブフィールド１００ａ間に形成された境界領域１００ｂに格子状の支柱が設けられているので、荷電粒子線照射によるレチクル基板のたわみや熱歪みを抑制することができ、精度のよい露光転写を行うことができる。
【００１３】
分割転写方式の荷電粒子線露光装置に使用される露光光学系の一例を図７に示す。図７において、２１は荷電粒子源（クロスオーバ点）、２２は照明レンズ、２３，２４は転写レンズ、２５はレチクル、２６は散乱アパーチャ、２７はウエハ、２８は荷電粒子源よりの荷電粒子線、２９はレチクル２５のパターン部を通過した荷電粒子線、３０はクロスオーバ点を示す。
【００１４】
荷電粒子源１より放射された荷電粒子線２８は、照明レンズ２２により平行ビームとされ、レチクル２５を照射する。レチクル２５のパターン部を通過した荷電粒子線２９は、転写レンズ２３、２４により、ウエハ２７上にパターンの像を結ぶ。その際、散乱線をカットし、コントラストを上げるために、クロスオーバ点３０の位置に散乱アパーチャ２６が設けられている。図３では省略しているが、実際の分割転写方式においては、レチクル２５より上には小フィールド選択用の偏向器が、レチクル２５とウエハ２７との間には転写されるフィールドをつなげるための偏向器が設置され、更にレチクル２５はステージ上に設置されている。
【００１５】
このような分割転写方式の荷電粒子線露光装置においては、荷電粒子線投影光学系の特性により、露光位置（像の位置）、露光倍率、像の回転、像の歪み等が発生し、これがサブフィールド毎に異なっている。一般に投影光学系の特性は光軸近傍では良好であり、光軸から離れるに従って、像の位置精度、露光倍率精度が悪くなり、像の回転、歪みが大きくなる傾向にある。
【００１６】
そのため、従来は、位置測定用のパターンを全サブフィールドで露光して、各サブフィールドにおける像の位置、結像倍率、像の回転、歪等を測定し、これらの測定値を基に、各サブフィールド毎に、これらを補正するように投影光学系に補正入力を加えていた。このようなサブフィールド毎に、像の位置ずれ、露光倍率を測定した結果の例を図８に示す。
【００１７】
図８において横軸はサブフィールド番号を示す。サブフィールド番号は１から２０までで１０．５が光軸に対応する。図８（ａ）は像の位置のズレ（単位はｎｍ）を表している。結像位置のずれは主に３次の偏向収差から発生しており、光軸からのサブフィールド位置の３乗に比例するものが主になる。図８（ｂ）図は倍率の変化（基準値に対する比から１を引いたもの、単位はｐｐｍ）を表している倍率は光軸からの距離のほぼ２乗に比例している。
【００１８】
結像位置の補正は、偏向器に位置ズレ量だけ振り戻して補正する。結像倍率、像の回転、歪補正は、補正レンズ、スティグメータを使い、それぞれの発生する結像倍率、像の回転、歪を変化させる感度を測定しておき、それらの感度行列から逆行列である補正行列を作り、測定した結像倍率、像の回転、歪のズレを相殺するように補正する。
【００１９】
又、このように、実際にサブフィールド毎の露光を行って転写誤差を測定するのでなく、レチクル上に設けられた測定用のパターンの像をウエハ上に結像させ、ウエハ上に設けられた測定用のパターンとの重ね合わせを検出し、この結果に基づいて、各サブフィールドにおける像の位置ずれ、結像倍率、像の回転、歪補正はサブフィールド転写位置、サブフィールド内の倍率、回転、歪を測定することも行われている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、実際の露光によって補正値を測定する従来技術の場合は、初期には全く補正情報の無い状況で露光するため、光軸付近と、光軸から離れた位置で、同じ露光条件で露光することになり、大偏向したときの位置ズレ、結像倍率変化、回転、歪等が大きくなる。測定位置のズレが大きくなると、測定器の測定範囲から外れるため、測定はかなりの部分を手動で調整しながら行わねばならず、非常に時間がかかっていた。
【００２１】
更に、実際の露光によって補正値を測定する場合は、補正値測定装置内での温度一様性を確保するため、露光されたウエハを補正値測定装置にセットした後、１時間以上の恒温化の時間が必要になり、迅速な測定ができない。よって、露光による補正値の測定は最小限に留める必要がある。
【００２２】
また、測定用のパターンの重ね合わせで測定する場合は、最初に軸上での調整を行い、次に偏向時の調整を行うが、通常立ち上げの初期には偏向器起因の問題を切り分けるため、偏向器を振りつづけず、目的のサブフィールドに固定して、静的に補正量を測定する。この場合には、光軸から離れたサブフィールドでは偏向器に大電流が流れるため、偏向器電源が過負荷になってしまい、電源を壊してしまう可能性がある。よって、軸近傍のサブフィールドしか、補正値が得られないという問題点がある。
【００２３】
その他、偏向を繰り返しながら各サブフィールドでの測定用パターンの重ね合わせのデータをとっていくことも可能であるが、前述のように、初期には結像倍率、像の回転、歪が大きく変化しているため、パターン位置を合わせるのは非常に困難で有る。よって、全サブフィールドで補正量を測定するには、実質的には露光によることになる。
【００２４】
更に、各サブフィールド毎の測定値で補正する場合は、測定値を正確にするためには、各サブフィールド内の測定点数を多く取る必要が有り、測定に多大な時間がかかってしまう。逆に、測定、調整時間を短くするためには各サブフィールドでの測定点を減らすことになるが、その場合は補正値の精度が劣化し、図８に見られるように測定値がばらついてしまう。この値で補正した場合は確認露光、計測でも測定値はばらつき、収束しないことになる。
【００２５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、少数の点での測定より、荷電粒子線露光装置における各サブフィールドにおける露光時の補正値を決定する方法、荷電粒子線露光装置における各サブフィールドにおける露光時の補正値を正確に決定する方法、これらの補正値を用いた露光方法、半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、光軸付近のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って外挿することにより光軸より離れた位置にあるサブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法（請求項１）である。
【００２７】
各補正値の値と光軸からの距離の間には、所定の関係式が成り立つことが分かっており、この関係式はシミュレーション又は理論計算により導くことができる。よって、本手段においては、このことを利用して、光軸付近のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値を、シミュレーション又は計算によって求めた関数に従って外挿することにより光軸より離れた位置にあるサブフィールドにおける補正値を決定するようにしている。このようにすれば、誤差の大きな部分で測定を行わなくても、その部分の補正値を決定することができる。
【００２８】
又、本手段により、粗い近似としての補正値を求めておき、光軸から離れた位置では、この補正値を使用して露光を行った上で、さらに残った誤差を補正するようにすることができる。このようにすれば、始めに光軸から離れた位置の補正値を求めるときに、おおよその補正値が分かっているので、従来行われていたように、手動によるトライアルアンドエラーで調整を行うよりも、遙かに短時間で正しい補正値を求めることができる。
【００２９】
前記課題を解決するための第２の手段は、分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、代表的な少数のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って内挿することにより各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法（請求項２）である。
【００３０】
前述のように、各補正値の値と光軸からの距離の間には、所定の関係式が成り立つことが分かっており、この関係式はシミュレーション又は理論計算により導くことができる。よって、代表的な点について測定を行い、その結果を、この関数に当てはめる等の手段により内挿を行えば、少ない点数での実測により、多数のサブフィールドでの補正値を求めることができる。
【００３１】
前記課題を解決するための第３の手段は、分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、全部の、又は大部分のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、その関数に従って各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法（請求項３）である。
【００３２】
補正値の実測データには誤差が含まれる場合があり、それをそのまま使用した場合には、補正量に誤差が含まれることになる。本手段においては、実測値をそのまま使用せず、これらの実測の補正値に基づいて、シミュレーション又は計算によって求めた関数を確定し、この関数に基づいて、各サブフィールドにおける補正値を決定するようにしている。よって、各測定値に誤差がある場合でも、統計的手法を用いることにより、その誤差の影響は低減されるので、正しい補正値を求めることができる。
【００３３】
特に、一つのサブフィールドにおいて、多数の点の測定データを採る場合には、これらの測定データの一つ一つが、関数の確定に寄与するようにすれば、統計的な誤差を効率的に低減することができる。例えば、個々のサブフィールド毎に縦横５×５＝２５点のデータをとって、補正量を決めていた場合、サブフィールドの補正量はこの２５点のデータによって決定されるが、本手段によれば、例えば２０サブフィールドでデータを採った場合、各サブフィールドの補正量は、２５×２０＝５００点のデータによって決定されることになる。よって、統計的誤差を低減することができる。
【００３４】
前記課題を解決するための第４の手段は、分割転写方式の荷電粒子線露光装置において、光学系に入力する補正値を決定する方法であって、全部の、又は大部分のサブフィールドにおける補正値を実測により求め、求められた補正値により、所定の関数をフィッティングにより確定し、その関数に従って各サブフィールドにおける補正値を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法（請求項４）である。
【００３５】
本手段は、基本的には前記第３の手段と同じであるが、フィッティングすべき関数として、シミュレーション又は計算によって求めた関数を使用せず、得られたデータに近い関数を任意に選んで、その関数をフィッティングにより確定している。よって、シミュレーション又は計算によって求めた関数の形が誤差を含んでいるような場合でも、正しく、各サブフィールドにおける補正値を決定することができる。
【００３６】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかである荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法に求められた補正値を使用して、レチクルの各サブフィールドに形成されたパターンをウエハ上に露光転写することを特徴する露光方法（請求項５）である。
【００３７】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第５の手段である露光方法を、リソグラフィ工程中に行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法（請求項６）である。
【００３８】
【実施例】
図１に本発明の第１の実施例を示す。この実施例は、光軸付近のサブフィールドにおいて像の位置ずれ、結像倍率を測定し、それを外挿して光軸から離れたサブフィールドにおける像の位置ずれ、結像倍率を決定した例である。図１（ａ）は像の位置ずれ、（ｂ）は結像倍率を示す。これらの図において、横軸はサブフィールド（前述のように光軸中心を１０．５として、１〜２０の番号で表す）を表し、縦軸は（ａ）の場合、サブフィールド基準位置からの位置ずれ、（ｂ）の場合、理想とする結像倍率に対する結像倍率の比から１を引いたもの（単位はｐｐｍ）を示している。測定点は黒塗りの◇で示している。
【００３９】
この測定は、測定用パターンの重ね合わせによる静的な方法により行っている。偏向器の電源の定常的に発生できる電力は最大偏向の半分程度なので、サブフィールド６から１５までの測定を行っている。静的な測定であれば、測定に時間をかけることができ、高精度な測定が可能になる。
【００４０】
点線はこの測定点の近似曲線を示し、（ａ）の場合は光軸からの距離に対する６次式、（ｂ）の場合は、光軸からの距離に対する５次式で近似している。像の位置ずれの場合は、３次歪が主になるが、更に高次のひずみも有るので６次式で近似している。結像倍率については、偏向像面湾曲、偏向非点収差が主な原因なので光軸からの距離の２次に比例するがその他の要因もあるので５次式で近似を行っている。近似計算には最小二乗法を用いている。このような外挿による近似計算でも、光軸から離れたサブフィールドについて、十分な精度で補正値を決定できることが確認できた。
【００４１】
図２に、本発明の第２の実施例を示す。この実施例は、測定点数を少なくして、小数のサブフィールドにおいて像の位置ずれ、結像倍率を実測し、内挿（一部外挿）によって、その他のサブフィールドにおける像の位置ずれ、結像倍率を決定した例である。（ａ）は像の位置ずれ、（ｂ）は結像倍率を示す。測定方法、グラフの縦軸、横軸については、図１と同じである。実測データを得たのはサブフィールド１、４、７、１０、１３、１６、１９で全サブフィールドの１／３程度である。第１の実施例と同じ関数形を用いて、これらのデータに基づきフィッティングを行い、関数を確定した。確定された関数を破線で示している。この実施例においても、各サブフィールドで、十分な精度で補正量が決定できることが確認された。
【００４２】
図３に、本発明の第３の実施例を示す。この実施例は、全サブフィールドで補正値の実測を行っているが、各サブフィールドで実測された値をそのまま各サブフィールドでの補正値として用いるのではなく、これを使用して、第１の実施例と同じ関数形を用いて、フィッティングにより関数形を確定し、この関数に基づいて各サブフィールドの補正値を求めるものである。（ａ）は像の位置ずれ、（ｂ）は結像倍率を示す。横軸縦軸は図１に示すものと同じあり、実測方法も第１の実施の形態と同じである。破線が、確定された関数形を示すが、実測値はこの周りにばらついていることが分かる。よって、このようなばらつきのある測定値を直接使用するよりも、本実施例により求まった補正値を使用する方が、妥当性があることが分かる。
【００４３】
この実施例においては、全サブフィールドで実測を行っているが、全サブフィールドでの測定値を基に補正値を決めるため、各サブフィールドでの精度は落としてもよく、測定点数は減らすことができ、補正値を迅速に決定することができる。
【００４４】
以上の実施例は、像の位置ずれ、結像倍率に対するものであるが、この他の補正値としては、像の回転、直交性、非等方倍率、ＦｏｕｒＦｏｌｄ歪（偏向器の製造精度による）、照明位置等がある。これらのいずれに対しても、同様の考え方により、光軸近傍の測定を行って、前記第１の実施例、第２の実施例、第３の実施例の方法により、外挿により光軸から離れたサブフィールドについての補正量を決定したり、内挿によりサブフィールドについての補正量を決定したり、統計的手法により誤差を低減した形で、サブフィールドについての補正量を決定することができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
前記実施例１、実施例２、実施例３に示したような方法により、各サブフィールド毎の補正値を求めておき、図６、図７を用いて説明した従来の露光方法法と同じ方法により、レチクル上のパターンをウエハに露光転写する。その際、偏向器や補正レンズ、スティグメータに補正値を与え、結像位置、結像倍率、像の回転、歪を補正する。このようにすれば、結像位置、結像倍率、像の回転、歪がサブフィールド毎に異なっていても、どのサブフィールドにおいても正確に露光転写を行うことができる。
【００４６】
以下、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。
図４は、本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
この例の製造工程は以下の各主工程を含む。
▲１▼ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備するウエハ準備工程）
▲２▼露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）
▲３▼ウエハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
▲４▼ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
▲５▼できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
【００４７】
これらの主工程の中で、半導体のデバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は以下の各工程を含む。
▲１▼絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
▲２▼この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
▲３▼薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィ工程
▲４▼レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
▲５▼イオン・不純物注入拡散工程
▲６▼レジスト剥離工程
▲７▼さらに加工されたウエハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００４８】
図５は、図４のウェハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィ工程を示すフローチャートである。このリソグラフィ工程は以下の各工程を含む。
▲１▼前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
▲２▼レジストを露光する露光工程
▲３▼露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
▲４▼現像されたレジストパターンを安定化させるためのアニール工程
以上の半導体デバイス製造工程、ウェハプロセッシング工程、リソグラフィ工程については、周知のものであり、これ以上の説明を要しないであろう。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、少数の点での測定より、荷電粒子線露光装置における各サブフィールドにおける露光時の補正値を決定する方法、荷電粒子線露光装置における各サブフィールドにおける露光時の補正値を正確に決定する方法、これらの補正値を用いた露光方法、半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図５】リソグラフィ工程を示すフローチャートである。
【図６】分割転写方式荷電粒子線露光装置の概要を示す図である。
【図７】分割転写方式の荷電粒子線露光装置に使用される露光光学系の一例を示す図である。
【図８】サブフィールド毎に、像の位置ずれ、露光倍率を測定した結果の例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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