(57)【要約】【課題】  チップを飛び越えるワイヤが真下のワイヤやチップと接触して短絡が発生するのを防ぐことができる半導体装置を得る。【解決手段】  ダイパッドと、ダイパッドに横置きに接着された第１のチップ及び第２のチップと、リードと、一端が第１のチップの上面にボンドされ、第２のチップを飛び越えて、他端がリードの上面にボンドされたワイヤとを有する。そして、リードの上面が第２のチップの上面より高く、第１のチップの上面が第リードの上面より高い。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
横置きに配置された第１のチップ及び第２のチップと、
リードと、
一端が前記第１のチップの上面にボンドされ、前記第２のチップを飛び越えて、他端が前記リードの上面にボンドされたワイヤとを有し、
前記リードの上面が前記第２のチップの上面より高く、
前記第１のチップの上面が前記リードの上面より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のチップが前記第２のチップよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のチップの下側に設けられたスペーサーチップを更に有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のチップ及び前記第２のチップが接着されたダイパッドを更に有し、
前記第１のチップを前記ダイパッドに接着する接着剤が、前記第２のチップを前記ダイパッドに接着する接着剤よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のチップ及び前記第２のチップが接着されたダイパッドを更に有し、
前記ダイパッドの上面は、前記第２のチップが搭載された部分よりも、前記第１のチップが搭載された部分の方が高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダイパッドは、曲げ加工されて段差を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ダイパッドは、前記第２のチップが搭載された部分がハーフエッチ加工されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のチップは前記ダイパッドの上面に接着され、
前記第２のチップは前記ダイパッドの下面に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２のチップは前記リードの下面に接着されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
横置きに配置された第１のチップ、第２のチップ及び第３のチップと、
一端が前記第１のチップの上面にボンドされ、前記第２のチップを飛び越えて、他端が前記第３のチップの上面にボンドされたワイヤとを有し、
前記第３のチップの上面が前記第２のチップの上面より高く、
前記第１のチップの上面が前記第第３のチップの上面より高いことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１のチップ及び第２のチップが横置きに配置され、第１のチップの上面にボンドされたワイヤが第２のチップを飛び越えて配線された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体のチップは、一般に、パッケージ内に収容される。特に、１つのパッケージ内に複数のチップを収容したものをマルチチップパッケージという（例えば、特許文献１参照）。また、チップとリードを電気的に接続するために、ワイヤボンディングが用いられる。ワイヤボンディングとは、個々の部品に対して溶着される細いワイヤによって、部品相互間で電気的な相互結線を作成する方法である。
【０００３】
通常のパッケージ厚１．４ｍｍ以上のパッケージを用いた従来の半導体装置を図９に示す。図示のように、ダイパッド１１上に第１のチップ１２及び第２のチップ１３が横置きに接着されている。
【０００４】
そして、第１のチップ１２とリード１４がワイヤ１５を介して接続されている。即ち、ワイヤ１５の一端が第１のチップ１２の上面にボンドされ、第２のチップ１３を飛び越えて、他端がリード１４の上面にボンドされている。
【０００５】
また、第２のチップ１３とリード１４がワイヤ１６を介して接続されている。即ち、ワイヤ１６の一端が第２のチップ１３の上面にボンドされ、他端がリード１４の上面にボンドされている。このワイヤ１６は、ワイヤ１５とは電位が異なる。ここで、第１のチップ１２の上面、第２のチップ１３の上面及びリード１４の上面は、高さが同じである。
【０００６】
そして、パッケージ厚１．４ｍｍ以上のパッケージを用いた場合は、ワイヤ１５のループ高さを高くして、直下のワイヤ１６や第２のチップ１３との接触を回避することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−５６０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、パッケージ厚１ｍｍの薄型パッケージでは、図１０に示すように、第２のチップ１３を飛び越えるワイヤ１５のループ高さを高くすることができないため、直下のワイヤ１６や第２のチップ１３と接触して短絡が発生するという問題があった。
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、チップを飛び越えるワイヤが真下のワイヤやチップと接触して短絡が発生するのを防ぐことができる半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、ダイパッドと、ダイパッドに横置きに接着された第１のチップ及び第２のチップと、リードと、一端が第１のチップの上面にボンドされ、第２のチップを飛び越えて、他端がリードの上面にボンドされたワイヤとを有する。そして、リードの上面が第２のチップの上面より高く、第１のチップの上面が第リードの上面より高い。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、チップを飛び越えるワイヤが真下のワイヤやチップと接触して短絡が発生するのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
パッケージ厚１ｍｍの薄型パッケージを用いた本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図１に示す。図示のように、ダイパッド１１上に第１のチップ１２及び第２のチップ１３が横置きに配置され、それぞれ接着剤１７，１８により接着されている。ここで、ダイパッド１１は、セラミックス、金属又はシリコン等から構成されている。そして、接着剤１７，１８として、エポキシ接着剤、軟質はんだ等が用いられる。
【００１３】
そして、第１のチップ１２とリード１４がワイヤ１５を介して接続されている。即ち、ワイヤ１５の一端が第１のチップ１２の上面にボンディングボール１９を用いてボンドされ、第２のチップ１３を飛び越えて、他端がリード１４の上面にボンドされている。
【００１４】
また、第２のチップ１３とリード１４がワイヤ１６を介して接続されている。即ち、ワイヤ１６の一端が第２のチップ１３の上面にボンドされ、他端がリード１４の上面にボンドされている。このワイヤ１６は、ワイヤ１５とは電位が異なる。
【００１５】
これら全体が封止材２０で封止されてパッケージが構成されている。封止材２０としては、エポキシ樹脂のような有機樹脂材料からなるモールド材が用いられる。また、リード１４により、パッケージの内部から外側への電気的伝送路が確保されている。
【００１６】
そして、第１のチップ１２が第２のチップ１３よりも厚くなっている。このため、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなっている。これにより、パッケージ厚１ｍｍの薄型パッケージを用いた場合でも、第２のチップ１３を飛び越えるワイヤ１５と、真下のワイヤ１６や第２のチップ１３との間隔を離すことができるため、チップを飛び越えるワイヤが真下のワイヤやチップと接触して短絡が発生するのを防ぐことができる。
【００１７】
実施の形態２．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図２に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００１８】
実施の形態２に係る半導体装置では、第１のチップ１２の下側に、スペーサーチップ２１が設けられている。これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００１９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図３に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２０】
実施の形態３に係る半導体装置では、第１のチップ１２をダイパッド１１に接着する接着剤１７が、第２のチップ１３をダイパッド１１に接着する接着剤１８よりも厚くなっている。これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００２１】
実施の形態４．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図４に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２２】
実施の形態４に係る半導体装置では、ダイパッド１１は、曲げ加工されて段差を有する。そして、ダイパッド１１の上面は、第１のチップ１２が搭載された部分よりも、第２のチップ１３が搭載された部分の方が高くなっている。これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００２３】
実施の形態５．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図５に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２４】
実施の形態５に係る半導体装置では、ダイパッド１１は、第２のチップ１３が搭載された部分がハーフエッチ加工されている。そして、ダイパッド１１の上面は、第２のチップ１３が搭載された部分よりも、第１のチップ１２が搭載された部分の方が高くなっている。これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００２５】
実施の形態６．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図６に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２６】
実施の形態６に係る半導体装置では、第１のチップ１２がダイパッド１１の上面に接着され、第２のチップ１３がダイパッド１１の下面に接着されている。そして、ワイヤ１６は、一端が第２のチップ１３の上面にボンドされ、ダイパッド１１に設けられた開口部２２を介して、他端がリード１４の上面にボンドされる。
【００２７】
これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００２８】
実施の形態７．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図７に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２９】
実施の形態７に係る半導体装置では、第１のチップ１２がダイパッド１１の上面に接着され、第２のチップ１３がリード１４の下面に接着されている。これにより、リード１４の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面がリード１４の上面より高くなって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００３０】
実施の形態８．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図を図８に示す。図１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００３１】
実施の形態８に係る半導体装置では、ダイパッド１１上に、第１のチップ１２及び第２のチップ１３だけではなく、第３のチップ２３も横置きに接着剤２４により接着されている。
【００３２】
そして、ワイヤ１５の一端が第１のチップ１２の上面にボンドされ、第２のチップ１３を飛び越えて、他端が第３のチップ２３の上面にボンドされている。また、ワイヤ１６の一端が第２のチップ１３の上面にボンドされ、他端が第３のチップ２３の上面にボンドされている。
【００３３】
そして、第１のチップ１２及び第３のチップ２３が第２のチップ１３よりも厚くなっている。このため、第３のチップ２３の上面が第２のチップ１３の上面より高く、第１のチップ１２の上面が第３のチップ２３の上面より高くなっている。これにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態５に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態６に係る半導体装置を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態７に係る半導体装置を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態８に係る半導体装置を示す断面図である。
【図９】通常のパッケージ厚１．４ｍｍ以上のパッケージを用いた従来の半導体装置を示す断面図である。
【図１０】パッケージ厚１ｍｍの薄型パッケージを用いた従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１  ダイパッド
１２  第１のチップ
１３  第２のチップ
１４  リード
１５，１６  ワイヤ
１７，１８，２４  接着剤
１９  ボンディングボール
２０  封止材
２１  スペーサーチップ
２２  開口部
２３  第３のチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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