(57)【要約】【課題】  エレクトロマイグレーションや変形などの問題を来たすことなく、再生特性の向上を図ることができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド等を提供する。【解決手段】  磁気抵抗効果膜４１にセンス電流を供給する電極膜４７、４９を、その端部が磁気抵抗効果膜に乗り上げるように設け、電極膜上に、その端部を露出させるようにエッチング防止用保護膜５１、５３を被覆し、露出端部にエッチング加工を施す。エッチング加工後に、エッチング防止用保護膜、電極膜の露出した部分及び磁気抵抗効果膜に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５を被覆する。これにより、電極膜の磁気抵抗効果膜側の端部における、保護膜５５と対向する面には、エッチング加工された凹部６５、６７が形成される。【選択図】      図３
2005327915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極膜を、一端部が該磁気抵抗効果膜に乗り上げるように設け、
前記電極膜上に、該電極膜の端部を露出させるようにエッチング防止用保護膜を被覆し、
前記電極膜における露出した端部にエッチング加工を施し、
前記エッチング加工後に、少なくとも前記エッチング防止用保護膜及び前記電極膜の露出した部分に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜を被覆する、
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記エッチング加工は、前記電極膜の縁部が前記磁気抵抗効果膜の縁部に揃うように行われる、
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記エッチング防止用保護膜の被覆は、レジストマスクを用いたイオンビーム蒸着法において照射角度を調整することによって行われる、
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
磁気抵抗効果膜と、電極膜と、保護膜とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記電極膜は、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するように設けられており、
前記保護膜は、前記電極膜上に積層されており、
前記電極膜の前記磁気抵抗効果膜側の端部における、前記保護膜と対向する面には、凹部を有する、
磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気抵抗効果素子であって、
前記電極膜の前記磁気抵抗効果膜側の縁部は、該磁気抵抗効果膜の縁部と揃っている、
磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載された磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項６に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。
【請求項８】
磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項７に記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行う
磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、並びに、それを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録分野では、磁気ディスクドライブ装置の高密度化、小型化の進展に対応すべく、磁気抵抗効果膜であるスピンバルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッドが主流となっている。
【０００３】
ＳＶ膜は、基本的には、ピンド層と、フリー層とを、非磁性層を介して積層した構造を有する。ピンド層は磁化方向が一方向に固定されており、フリー層は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に動く。ＳＶ膜では、ピンド層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外部磁界を検出する。
【０００４】
かかるＳＶ膜を備えた薄膜磁気ヘッドの製造について説明すると、まず、ピンド層やフリー層等を構成する必要な各層を積層した後、リフトオフ用のフォトレジストマスクを設け、その上から例えばイオンミリングなどのドライエッチングを施して、ＳＶ膜をパターニングする。続いて、パターニングしたＳＶ膜の両側に、スパッタリングによって、磁区制御膜としてのハードマグネット層、電極層、保護層などをその順に成膜、積層する。さらに、その上方に、絶縁膜を介して書き込み素子を形成する（特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、このようにして形成されたＳＶ膜においては、その上面の両側縁部に、電極層、保護層の端部が乗り上げて成膜され、再生特性に問題が生じるおそれがある。すなわち、ＳＶ膜の上面両側縁部に電極層、保護層が存在していると、それらの部分の読み取り感度が増加してしまうが、通常、ＳＶ膜の両側縁部における読み取り信号は品質が良好ではないため、Ｓ／Ｎ比が悪化する問題につながる。
【０００６】
また、このような問題を回避するため、ＳＶ膜上に乗り上げた電極層をエッチングによって除去する手法が考えられるが、その場合には次のような新たな問題が生じうる。すなわち、電極層におけるエッチング対象部近傍を保護層で被覆しないでおく必要があるが、その被覆されていない部分においてはエレクトロマイグレーション（electro migration）が生じる問題がある。さらに、保護層で被覆されていない電極層の部分は、加工時など応力が作用するうちに伸長などの変形を起こすおそれがある。
【特許文献１】特開２０００−２２２７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、エレクトロマイグレーションや変形などの問題を来たすことなく、感度特性の向上を図ることができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極膜を、一端部が該磁気抵抗効果膜に乗り上げるように設け、前記電極膜上に、該電極膜の端部を露出させるようにエッチング防止用保護膜を被覆し、前記電極膜における露出した端部にエッチング加工を施し、前記エッチング加工後に、少なくとも前記エッチング防止用保護膜及び前記電極膜の露出した部分に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜を被覆する。
【０００９】
また、前記エッチング加工は、前記電極膜の縁部が前記磁気抵抗効果膜の縁部に揃うように行われると好適である。
【００１０】
前記エッチング防止用保護膜の被覆は、レジストマスクを用いたイオンビーム蒸着法において照射角度を調整することによって行うことができる。
【００１１】
同課題を解決するため、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、電極膜と、保護膜とを備えており、前記電極膜は、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するように設けられており、前記保護膜は、前記電極膜上に積層されており、前記電極膜の前記磁気抵抗効果膜側の端部における、前記保護膜と対向する面には、凹部を有する。
【００１２】
また、前記電極膜の前記磁気抵抗効果膜側の縁部は、該磁気抵抗効果膜の縁部と揃っていると好適である。
【００１３】
本発明は、同課題を解決するための薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置も提供する。
【００１４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、前述した磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む。
【００１５】
また、本発明に係る磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含み、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、前記薄膜磁気ヘッドは、前述した本発明に係る読み取り素子を有する薄膜磁気ヘッドの特徴的構成を有する。
【００１６】
さらに、本発明に係る磁気記録再生装置は、磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含み、前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行い、磁気ヘッド装置は、前述した本発明に係る磁気ヘッド装置の特徴的構成を有する。
【発明の効果】
【００１７】
以上のような、本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置によれば、電極膜の乗り上げ解消処理が施されているため、検出信号の品質が良好ではない磁気抵抗効果膜の両側縁部において感度が増加することを回避することができ、磁気抵抗効果膜の感度特性の向上を図ることができる。さらに、そのように電極膜の乗り上げ解消処理を施しながらも、同時にエレクトロマイグレーションの発生も防止することができる。
【００１８】
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子を読み取り素子として有する薄膜磁気ヘッドの斜視図であり、図２は、薄膜磁気ヘッドの書き込み素子及び読み取り素子近傍の拡大断面図である。図１に示されるように、薄膜磁気ヘッド１は、スライダ３の上に、書き込み素子５と読み取り素子７とを有する。
【００２１】
スライダ３はセラミック構造体で構成され、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体の上に、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等でなる絶縁膜を有している。スライダ３は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面と称する）９、１１を有する。スライダ３においては、図１に示すように、矢印Ａ１の方向に高速移動する磁気ディスクと対向する面側に、正圧発生用のレール部１３、１５を設け、これらレール部１３、１５の表面をＡＢＳ面９、１１として利用する。なお、このようなタイプの他、ＡＢＳ面９、１１の平面に、特殊な幾何学的形状を付与したものや、負圧タイプのもの等が知られており、何れのタイプを用いることもできる。
【００２２】
図２に示されるように、スライダ３上には、磁性材料からなる下部シールド膜２１、読取素子７を含む絶縁膜２３、磁性材料からなる上部シールド膜２５を有している。さらに、上部シールド膜２５の上方には、非磁性膜２７を介して書き込み素子５が設けられる。
【００２３】
書き込み素子５は、非磁性膜２７の上面に設けられた下部磁極膜２９と、結合部３１を介して下部磁極膜２９に結合される上部磁極膜３３とを有する。下部磁極膜２９と上部磁極膜３３との間には、コイル３５が結合部３１を軸に周回するように配置されている。また、下部磁極膜２９と上部磁極膜３３との間の媒体対向面側には、ギャップ膜３７が配置されている。なお、図示された書き込み素子５は単なる例であり、このような構造に限定されるものではない。
【００２４】
図３は、読み取り素子７近傍の拡大図である。磁気抵抗効果素子である読み取り素子７は、磁気抵抗効果膜４１と、一対の磁区制御膜４３、４５と、一対の電極膜４７、４９と、保護膜５１、５３、５５とを含んでいる。読み取り素子７は、本実施の形態では、下部シールド膜２１と上部シールド膜２５との間に配置されている。また、図示とは異なって、読み取り素子７を、書き込み素子５の上に配置する構造であってもよい。
【００２５】
磁気抵抗効果膜４１は、外部から印加される磁界に応答する膜であり、異方性磁気抵抗効果膜（ＡＭＲ膜）や、ＳＶ膜によって構成できる。本実施の形態においては、磁気抵抗効果膜４１はＳＶ膜である。ＳＶ膜に関しては、種々の積層膜、膜組成等が提案され、実用に供されており、本発明においては、殆ど制限なく、これらのＳＶ膜に適用できる。
【００２６】
ＳＶ膜は、基本的には、ピンド層とフリー層とを、非磁性層を介して積層した構造を有する。ピンド層は磁化方向が一方向に固定されており、フリー層は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に動く。ＳＶ膜では、ピンド層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外部磁界を検出する。
【００２７】
図示されたＳＶ膜は、フリー層５７、非磁性層５９、ピンド層６１及び反強磁性層６３を順次積層して構成される。上記構造により、反強磁性層６３と接したピンド層６１（強磁性層）が一定方向に磁化された状態になる。
【００２８】
一対の磁区制御膜４３、４５は、フリー層５７の縦方向の両端に結合されている。本実施の形態では、磁区制御膜４３、４５として硬磁性膜を用いており、具体的にはＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ等を用いることができる。なお、これに限定されず、磁区制御膜として、反強磁性膜、あるいは、軟磁性膜及び反強磁性膜の積層膜、を用いることもできる。
【００２９】
一対の電極膜４７、４９は、一対の磁区制御膜４３、４５の上面に積層されており、磁気抵抗効果膜４１にセンス電流Ｉｓを供給するために用いられる。各電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の端部において、保護膜５５と対向する面には、凹部６５、６７が形成されている。かかる凹部６５、６７は、後述するようにドライエッチングによって形成される。また、凹部６５、６７が設けられている側の電極膜４７、４９の端部は、磁気抵抗効果膜４１の上面に乗り上げてなく、すなわち、電極膜４７、４９の縁部６９は、磁気抵抗効果膜４１の上面の縁部７１と揃っている。一対の電極膜４７、４９を構成する材料としては、Ａｕを主成分とする合金が挙げられるが、本実施の形態では、ＡｕとＣｕの合金を用いている。
【００３０】
保護膜５１、５３、５５は、その機能より、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３とエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とに区分けすることができる。エッチング防止用保護膜５１、５３は、対応する電極膜４７、４９の上面に積層されており、凹部６５、６７が露出されるように設けられている。エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５は、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３と、電極膜４７、４９における凹部６５、６７と、磁気抵抗効果膜４１とを被覆するように設けられている。
【００３１】
なお、本発明は、必ずしもエレクトロマイグレーション防止用保護膜で磁気抵抗効果膜を被覆する態様に限定されるものではない。例えば、後述するように磁気抵抗効果膜の形成時に用いた保護層が磁気抵抗効果膜の上面に存在している場合には、エレクトロマイグレーション防止用保護膜を磁気抵抗効果膜の上面に被覆しない態様であってもよい。
【００３２】
保護膜５１、５３、５５は、本実施の形態ではＴａより構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他に例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆや重金属などを用いることもできる。また、図においては、説明の明瞭性を優先して、エッチング防止用保護膜５１、５３とエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５との境界は明確に図示されているが、実際は、図示のような境界の態様に限定されるものではない。
【００３３】
エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５の上方には、絶縁膜２３が設けられており、さらに絶縁膜２３の上方には、上部シールド膜２５が設けられている。また、本実施の形態では、磁区制御膜４３、４５の下方に、下地膜７３、７５が設けられている。本実施の形態では、下地膜７３、７５はＮｉＣｒやＮｉＦｅＣｒから構成されている。
【００３４】
続いて、このような構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造プロセスについて説明する。まず、図４に示されるような台形状の磁気抵抗効果膜４１を得るまでの工程について説明する。反強磁性層６３、ピンド層６１、非磁性層５９、フリー層５７の四層からなる積層膜構造体を形成し、最上層であるフリー層５７の上面にＴａなどからなる保護層（図示省略）を形成しておく。さらに、積層膜構造体の上面に、Ｔ字状のリフトオフ用レジストマスク７７を設ける。レジストマスク７７は、フォトリソグラフィプロセスによって形成する。そして、上方よりイオンミリングなどのドライエッチングを施して、四層の積層膜構造体を台形状にエッチングする。
【００３５】
次に、台形状にエッチングされた磁気抵抗効果膜４１の両側に、下地膜７３、７５と、磁区制御膜４３、４５と、電極膜４７、４９とをその順で、例えばスパッタリングによって成膜する。このとき、電極膜４７、４９における磁気抵抗効果膜４１側の端部は、磁気抵抗効果膜４１の縁部７１を覆うように乗り上げて形成されている。このようにドライエッチング工程とスパッタリングによる成膜工程により、図４に示される状態を得る。
【００３６】
次に、図５に示されるように、各電極膜４７、４９の上面に、エッチング防止用保護膜５１、５３を被覆形成する。エッチング防止用保護膜５１、５３は、磁気抵抗効果膜４１から離隔する方向へと後退させて形成されており、すなわち、電極膜４７、４９における磁気抵抗効果膜４１側の端部を露出させるように被覆する。本実施の形態では、イオンビーム蒸着法（ＩＢＤ）を用い、図中点線で示されるようにレジストマスク７７に対応して照射角度の傾斜を調整することによってエッチング防止用保護膜５１、５３を後退させて形成する。すなわち、照射角度の傾斜を調整することでエッチング防止用保護膜を後退させた成膜が容易に行える。
【００３７】
次に、図６に示されるように、剥離剤を用いてレジストマスク７７をリフトオフした後、上方よりイオンミリングあるいはＲＩＥ（reactive ion etching）などのドライエッチングを施す。これにより、エッチング防止用保護膜（Ｔａ）と電極膜（Ａｕ合金）とのエッチングレートの相違によって、エッチング防止用保護膜５１、５３によって被覆されていない電極膜４７、４９の露出端部がエッチングされる。磁気抵抗効果膜４１の上面からは乗り上げていた電極膜４７、４９の端部が除去され、すなわち、磁気抵抗効果膜４１の上面は全面にわたって電極膜４７、４９が被覆されていない状態となり、各電極膜４７、４９の縁部６９が磁気抵抗効果膜４１の縁部７１と揃った状態となる。また、電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の端部には、凹部６５、６７が形成される。なお、本発明は、厳密な意味で磁気抵抗効果膜４１上から完全に電極膜４７、４９が取り払われることを要求するものではなく、後述する再生特性の改善に関する作用効果を得られる程度で僅かに電極膜４７、４９が磁気抵抗効果膜４１上に残っているような態様も含む。
【００３８】
次に、図７に示されるように、エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５の成膜を行う。エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５は、エッチング防止用保護膜５１、５３の上面、電極膜４７、４９の露出端部すなわち凹部６５、６７、磁気抵抗効果膜４１の上面を被覆するように成膜される。かかる成膜は、ＩＢＤ又はスパッタリングを用いて行うことができる。さらに、この上方に、絶縁膜２３及び上部シールド膜２５等を形成して、前述の図３に示した状態を得る。
【００３９】
このようにして製造されたＳＶ膜を有する磁気抵抗効果膜４１においては、外部磁界が印加された場合、フリー層５７の磁化方向が外部磁界の強さに応じて回転する。ＳＶ膜の抵抗値は、ピンド層６１の磁化方向に対するフリー層５７の磁化方向の角度によって定まる。ＳＶ膜の抵抗値は、フリー層５７の磁化方向がピンド層６１の磁化方向に対して、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最小になる。よって、フリー層５７の磁化方向の回転に応じて、磁気抵抗効果膜４１内を縦方向に流れるセンス電流Ｉｓの大きさが変化するので、このセンス電流Ｉｓから、外部磁界を検出することができる。
【００４０】
また、本実施の形態では、電極膜４７、４９の端部を凹部６５、６７が形成されるようにエッチングして後退させ、磁気抵抗効果膜４１の上面に電極膜４７、４９が乗り上げることを解消しているため、図３に示されるように、上部シールド膜２５の下面におけるストレート部分２５ａが、磁気抵抗効果膜４１の上面と同幅程度まで確保できる。よって、読み取り信号の品質が良好ではないＳＶ膜の両側縁部において感度が増加することを回避することができ、ＳＶ膜の再生特性の向上を図ることができる。また、各電極膜４７、４９の縁部６９が磁気抵抗効果膜４１の縁部７１と揃った状態となるため、磁気抵抗効果膜４１の上面は全面にわたって電極膜４７、４９が被覆されていない状態となり、乗り上げ解消効果をより完全なものとすることができる。
【００４１】
さらに、ＳＶ膜のように非常に高密度な電流が流される場合、エレクトロマイグレーションの発生が問題となる。しかしながら、本実施の形態では、エッチングが施された凹部６５、６７がエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５によって被覆されているため、上記のように電極膜の乗り上げ解消処理を施しながらも、同時にエレクトロマイグレーションの発生も防止することができる。
【００４２】
次に、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド装置について説明する。図８は、磁気ヘッド装置の一部を示す正面図、図９は図８に示した磁気ヘッド装置の底面図である。磁気ヘッド装置１０１は、薄膜磁気ヘッド１と、ヘッド支持装置１０３とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド１は、図１〜図３を参照して既に説明した本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。
【００４３】
ヘッド支持装置１０３は、金属薄板でなる支持体１０５の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体１０７を取付け、この可撓体１０７の下面に薄膜磁気ヘッド１を取付けた構造となっている。
【００４４】
可撓体１０７は、支持体１０５の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側枠部１０９、１１１と、支持体１０５から離れた端において外側枠部１０９、１１１を連結する横枠１１３と、横枠１１３の略中央部から外側枠部１０９、１１１に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片１１５とを有する。
【００４５】
舌状片１１５のほぼ中央部には、支持体１０５から隆起した、例えば半球状の荷重用突起１１７が設けられている。この荷重用突起１１７により、支持体１０５の自由端から舌状片１１５へ荷重力が伝えられる。
【００４６】
舌状片１１５の下面に薄膜磁気ヘッド１を接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド１は、空気流出側端側が横枠１１３の方向になるように、舌状片１１５に取付けられている。なお、本発明に適用可能なヘッド支持装置は、本図８及び図９に示した実施の形態に限定されるものではない。
【００４７】
次に、本発明の実施の形態に係る磁気記録再生装置について説明する。図１０は、磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置２０１は、磁気ヘッド装置１０１と、磁気ディスク２０３とを含む。磁気ヘッド装置１０１は、図８及び図９に図示したものである。磁気ヘッド装置１０１は、ヘッド支持装置１０３の一端が位置決め装置２０５によって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置１０１の薄膜磁気ヘッド１は、ヘッド支持装置１０３によって支持されており、磁気ディスク２０３の磁気記録面と対向するように配置される。
【００４８】
磁気ディスク２０３が、図示しない駆動装置により、矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘッド１が、微小浮上量で、磁気ディスク２０３の面から浮上する。駆動方式としては、ロータリー．アクチュエータ方式が一般的であるが、リニアアクチュエータ方式を採用してもよい。本図１０においては、ロータリー．アクチュエータ方式が示されており、ヘッド支持装置１０３の先端部に取り付けられた薄膜磁気ヘッド１が、磁気ディスク２０３の径方向ｂ１またはｂ２に駆動される。そして、ヘッド支持装置１０３を駆動する位置決め装置２０５により、薄膜磁気ヘッド１が、磁気ディスク２０３上の所定のトラック位置に位置決めされる。
【００４９】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、種々の改変態様を採り得ることは自明である。例えば、上記実施の形態は、磁気抵抗効果素子を、薄膜磁気ヘッドの読み取り素子として実施した例であるが、本発明はかかる態様に限定されるものではない。すなわち、本発明の磁気抵抗効果素子は、薄膜を用いたセンサやメモリアクチュエータ、半導体デバイスなど、薄膜磁気ヘッド以外のマイクロデバイスに広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの書き込み及び読み取り素子近傍の拡大断面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの読み取り素子部分の構成を示す図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法、特に、読み取り素子の製造プロセスにおける一工程を示す図である。
【図５】図４の工程の後の工程を示す図である。
【図６】図５の工程の後の工程を示す図である。
【図７】図６の工程の後の工程を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド装置の要部を示す正面図である。
【図９】図８の底面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る磁気記録再生装置の平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１                      薄膜磁気ヘッド
７                      読み取り素子
４１                    磁気抵抗効果膜
４７、４９              電極膜
５１、５３              エッチング防止用保護膜（保護膜）
５５                    エレクトロマイグレーション防止用保護膜（保護膜）
６５、６７              凹部
６９                    電極膜の縁部
７１                    磁気抵抗効果膜の縁部
１０１                  磁気ヘッド装置
１０３                  ヘッド支持装置
２０１                  磁気記録再生装置
２０３                  磁気ディスク（磁気記録媒体）
【図１】
2005327915.tif 000003
【図２】
2005327915.tif 000004
【図３】
2005327915.tif 000005
【図４】
2005327915.tif 000006
【図５】
2005327915.tif 000007
【図６】
2005327915.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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