(57)【要約】【課題】表示パネル部品として使用可能なガラス基板材料とスペーサ材料との組み合わせに制約があった。【解決手段】カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ２１を介装した表示パネルを備える表示装置の構成として、スペーサ２１はルチル単結晶からなるとともに、このルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向が、カソード基板１およびアノード基板２の熱膨張係数に応じて調整されている。【選択図】図３
2005032582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚のパネル基板の間にスペーサを介装した表示パネルを備える表示装置であって、
前記スペーサはルチル単結晶からなるとともに、前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向が前記パネル基板の熱膨張係数に応じて調整されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向が、当該ルチル単結晶の結晶軸を基準に調整されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記スペーサの体積抵抗率が１.０×１０8〜１.０×１０11Ωｃｍである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記ルチル単結晶は水素還元雰囲気で熱処理されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記ルチル単結晶に金属元素が添加されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向が、当該ルチル単結晶の結晶軸であるｃ軸からの角度で調整されている
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項７】
前記金属元素がニオブ元素である
ことを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項８】
２枚のパネル基板の間にスペーサを介装した表示パネルを備える表示装置の製造方法であって、
前記スペーサにルチル単結晶を用いるとともに、前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向を前記パネル基板の熱膨張係数に応じて調整する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向を、当該ルチル単結晶の結晶軸を基準に調整する
ことを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ルチル単結晶を前記切り出し方向に合わせて結晶成長させる
ことを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スペーサの体積抵抗率が１.０×１０8〜１.０×１０11Ωｃｍとなるように、前記ルチル単結晶に導電性処理を施す
ことを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向を、当該ルチル単結晶の結晶軸であるｃ軸からの角度で調整する
ことを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性処理として、前記ルチル単結晶を水素還元雰囲気で熱処理する
ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性処理として、前記ルチル単結晶に金属元素を添加する
ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記金属元素としてニオブ元素を添加する
ことを特徴とする請求項１４記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚のパネル基板の間にスペーサを介装した表示パネルを備える表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出(Field Emission)と呼ばれ、これによって電子を放出する素子は電界放出型素子(Field Emission Device)と呼ばれている。近年では、電界放出型の電子放出素子をエミッタとして用いたＦＥＤ(Field Emission Display)が注目されている。
【０００３】
ＦＥＤは、多数の電子放出素子がカソード基板上に半導体加工技術等を駆使して形成された表示パネルを備えるフラットディスプレイ装置（平面型の表示装置）である。このＦＥＤでは、電気的に選択（アドレッシング）された電子放出素子から電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示している。
【０００４】
ＦＥＤの表示パネルは、その構造上、カソード基板とアノード基板とを微小なギャップを介して対向状態に配置し、その間のギャップ空間部を真空状態に封止している。そのため、カソード基板やアノード基板が大気圧に耐えられるよう、それらの基板の間にスペーサを介装し、このスペーサで両基板を支持している。
【０００５】
カソード基板とアノード基板との間にスペーサを介装してＦＥＤの表示パネルを構成する場合は、部品相互の熱膨張や熱収縮による応力を軽減するために、カソード基板やアノード基板に使用されるガラス基板の熱膨張係数に対し、スペーサの熱膨張係数を合わせる必要がある。特に、ガラス基板の基板面に沿う長尺状のスペーサを使用する場合は、スペーサ長手方向の熱膨張係数（以下、単にスペーサの熱膨張係数と記す）をガラス基板の熱膨張係数に合わせることが重要となる。スペーサの材料としては、これに求められる電気的な絶縁性から、高い抵抗率を有するセラミックスが多用されている。セラミックス製のスペーサは、例えば、原料となるアルミナの粉末をボールミル等でバインダーに混合分散させ、これをドクターブレード法でシート状に成形した後、高温で焼結するなどの工程を経て得られる。
【０００６】
また、ＦＥＤ用のスペーサには、スペーサ表面に蓄積される電荷を速やかに除去するために、適度な導電性を持たせることが望ましいとされている。そのため、スペーサの表面に導電薄膜を形成するものや、スペーサ材料そのものに導電性を持たせるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、後者の態様としては、上記スペーサの製造工程でアルミナの粉末に適量の導電性物質を加えることにより、スペーサに所望の導電性を持たせることが知られている。
【０００７】
【特許文献１】特表２００２−５０９３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、セラミックス製のスペーサを用いた場合は、スペーサ自身の組成で熱膨張係数が一義的に決まるため、ガラス基板（カソード基板、アノード基板）の熱膨張係数に合わせてスペーサの組成を調整するか、スペーサの組成に合わせてガラス基板の種類を変える必要があった。そのため、ＦＥＤの表示パネル部品として使用可能なガラス基板材料（組成）とスペーサ材料（組成）との組み合わせに制約があった。
【０００９】
また、セラミックス製のスペーサでは、図１５に示すように、スペーサ５１の内部組織がアルミナの多結晶体となり、その結晶粒界に導電性付与のための導電性物質５２が析出したものとなる。そのため、原子レベルでみるとスペーサ５１の内部組織が不均一で、その中に導電性物質５２が局所的に介在した状態となる。したがって、スペーサ５１の内部に導電性物質５２の分散状態に応じて局所的に抵抗値が高い部分と低い部分が存在し、低抵抗部分が高電圧に対して短絡しやすくなるため、十分な耐電圧特性を持たせることが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る表示装置は、２枚のパネル基板の間にスペーサを介装した表示パネルを備えるものであって、スペーサがルチル単結晶からなるとともに、ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向がパネル基板の熱膨張係数に応じて調整されたものである。
【００１１】
この表示装置においては、２枚のパネル基板の間に介装されるスペーサをルチル単結晶によって構成することにより、スペーサ内部の組織が均一になるとともに、ルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向をパネル基板の熱膨張係数に応じて調整することにより、スペーサの熱膨張係数をパネル基板の熱膨張係数に合わせることが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、２枚のパネル基板の間に介装されるスペーサを、その切り出し方向によって熱膨張係数が変わるルチル単結晶で構成しているため、実際に使用するパネル基板の熱膨張係数にスペーサの熱膨張係数を適合させることができる。また、ルチル単結晶からなるスペーサは格子欠陥のない均一な内部組織を有するものとなるため、スペーサに十分な耐電圧特性を持たせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図であり、図２はその表示パネルの構成を示す斜視図である。図１及び図２においては、平板状のカソード基板（カソードパネル基板）１と、同じく平板状のアノード基板（アノードパネル基板）２とを、所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら２つの基板１，２の間に長方形の枠体３を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００１５】
カソード基板１上には複数の電子放出部が形成されている。これら複数の電子放出部は、カソード基板１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出部は、カソード基板１のベースとなる絶縁性の支持基板（ガラス基板）４上に積層状態で順に形成されたカソード電極５、絶縁層６及びゲート電極７と、ゲート電極７及び絶縁層６に形成されたゲートホール８と、このゲートホール８の底部でカソード電極５上に形成された電子放出素子９とによって構成されている。電子放出素子９は、電子放出源となるエミッタとして機能する。
【００１６】
カソード電極５は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極７は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール８は、ゲート電極７に形成された第１の開口部８Ａと、この第１の開口部８Ａに連通する状態で絶縁層６に形成された第２の開口部８Ｂとから構成されている。電子放出素子９は、本発明におけるエミッタに相当するもので、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を円錐状に形成した、いわゆるスピント型のエミッタ構造を有する。この電子放出素子９は、先ず、絶縁層６及びゲート電極７にそれぞれ開口部８Ａ，８Ｂを形成した状態でゲート電極７上に例えばアルミニウムの斜め蒸着によって剥離層（不図示）を形成し、次いで、エミッタ材料となる高融点金属（Ｍｏ等）を垂直に蒸着することでホール開口径を徐々に縮めてゲートホール８の底部にエミッタ材料を円錐状に堆積させ、その後、不要なエミッタ材料を剥離層と一緒に取り除くことにより得られる。
【００１７】
一方、アノード基板２は、ベースとなる透明基板（ガラス基板）１２と、Ｒ（赤），Ｇ（緑），青（Ｂ）の各色に対応して透明基板１２上に形成された蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４と、これら蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４を覆う状態で透明基板１２上に形成されたアノード電極１５とを備えて構成されている。蛍光体層１３は、赤色発光用の蛍光体層１３Ｒと、緑色発光用の蛍光体層１３Ｇと、青色発光用の蛍光体層１３Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス１４は、各色発光用の蛍光体層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの間に形成されている。アノード電極１５は、カソード基板１の電子放出素子と対向するように、アノード基板２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００１８】
これらのカソード基板１とアノード基板２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソード基板１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図１は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図１及び図２においては、各々の基板１，２間のギャップ部分に介装される真空耐圧用のスペーサの表示を省略している。
【００１９】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極５に相対的な負電圧が走査回路１８から印加され、ゲート電極７には相対的な正電圧が制御回路１９から印加され、アノード電極１５にはゲート電極７よりも更に高い正電圧が加速電源２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、カソード電極５に走査回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極７に制御回路１９からビデオ信号を入力する。
【００２０】
これにより、カソード電極５とゲート電極７との間に電圧が印加され、これによって電子放出素子９の先鋭部に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出素子９から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極１５に引き付けられてアノード基板２側に移動し、透明基板１２上の蛍光体層１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層１３が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【００２１】
図３はスペーサの取付状態を示す一部破断部分を含む斜視図である。図においては、カソード基板１とアノード基板２との対向部分（ギャップ空間部）に複数のスペーサ２１が介装されている。スペーサ２１は、真空容器を構成する表示パネルが大気圧の影響で変形したり破壊したりしないように支える真空耐圧用の支持部材となる。また、スペーサ２１は、図４に示すように、長尺の薄板状をなすもので、側面から見ると横長の長方形に形成されている。スペーサ２１の寸法はＦＥＤのパネルサイズにもよるが、例えば２０型サイズのＦＥＤでは、厚みＴが０．０５〜０．１ｍｍ、長さ（長手寸法）Ｌが５０〜１５０ｍｍ、高さ（短手寸法）Ｈが１〜２ｍｍのスペーサ２１が用いられる。
【００２２】
ここで、本発明の実施形態においては、カソード基板１とアノード基板２といった２枚のパネル基板（ガラス基板）の間に介装されるスペーサ２１を、ルチル単結晶によって構成している。ルチル単結晶は、ベルヌーイ法、フラックス法等により酸化チタン（ＴｉＯ2）を結晶成長させて得られる単結晶体であって、正方晶系のルチル構造を有する。
【００２３】
ルチル単結晶は、結晶軸の方向によって熱膨張係数が異なる。具体的に記述すると、ルチル単結晶の結晶格子（空間格子）は、図５に示すように、結晶格子の３つの稜の長さをａ，ｂ，ｃ、稜のなす角度をα、β、γとしたときに、格子定数がａ＝ｂ≠ｃ、α＝β＝γ＝９０°となる正方晶系の単純格子である。図６にルチル単結晶の結晶構造を示し、図７にルチル単結晶の結晶格子と結晶軸を示す。
【００２４】
図示のように、３つの稜の座標軸をａ軸，ｂ軸，ｃ軸とすると、ルチル単結晶の熱膨張係数は、ａ軸（＝ｂ軸）で７．１４×１０-6／Ｋ、ｃ軸で９．１９×１０-6／Ｋとなる。したがって、ルチル単結晶をスペーサ２１の材料（基材）として使用すれば、その組成を変えることなく、複数種のガラス基板の熱膨張係数に適合したスペーサ２１を作り出すことができる。
【００２５】
以下に、具体的なスペーサ２１の製造方法とその構成及び特性について説明する。先ず、カソード基板１やアノード基板２といったガラス製のパネル基板に、例えば旭硝子株式会社が提供しているガラス基板ＰＤ２００（製品名）、又はショット日本株式会社が提供しているガラス基板Ｄ２６３（製品名）を用いるものとする。この場合、カソード基板１とアノード基板２には、それぞれ共通のガラス基板が用いられる。また、ガラス基板ＰＤ２００の熱膨張係数は８．３×１０-6／Ｋ（５０〜３５０℃）となり、ガラス基板Ｄ２６３の熱膨張係数は７．３×１０-6／Ｋ（５０〜３５０℃）となる。
【００２６】
そうした場合、パネル基板にガラス基板ＰＤ２００を使用するものとすると、ガラス基板の熱膨張係数（８．３×１０-6）に対して、ルチル単結晶の各結晶軸方向の熱膨張係数（ａ軸：７．１４×１０-6、ｃ軸：９．１９×１０-6）がずれたものとなる。このような場合は、ガラス基板の熱膨張係数に応じてルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向を調整することにより、双方の熱膨張係数を合わせることができる。
【００２７】
より具体的に記述すると、ガラス基板ＰＤ２００の熱膨張係数は、ルチル単結晶の各結晶軸方向の熱膨張係数の中間的な値となるため、これに応じてルチル単結晶からスペーサ２１を切り出すときの切り出し方向をａ軸とｃ軸の中間に設定する。例えば、図８に示すように、実際にスペーサ２１を切り出したときの結晶面が（１０１）面となるように、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向をａ軸、ｃ軸に対して傾斜した方向に設定する。そして、切り出した結晶面内で、スペーサ２１の短手方向（高さ方向）をｂ軸と平行に設定するとともに、スペーサ２１の長手方向（長さ方向）をそれと直交する方向に設定する。
【００２８】
また、他の例として、図９に示すように、スペーサ２１を切り出したときの結晶面が（０１１）面となるように、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向をｂ軸、ｃ軸に対して傾斜した方向に設定する。そして、切り出した結晶面内で、スペーサ２１の短手方向をａ軸と平行な方向に設定するとともに、スペーサ２１の長手方向をそれと直交する方向に設定する。
【００２９】
一方、パネル基板にガラス基板Ｄ２６３を使用する場合は、ガラス基板の熱膨張係数に対して、ルチル単結晶のａ軸方向の熱膨張係数が近似した値となるため、これに応じてルチル単結晶からスペーサ２１を切り出すときの切り出し方向を設定する。例えば、図１０に示すように、実際にスペーサ２１を切り出したときの結晶面が（００１）面となるように、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向をａ軸，ｂ軸に対して平行な方向に設定する。そして、切り出した結晶面内で、スペーサ２１の長手方向と短手方向をそれぞれａ軸，ｂ軸と平行な方向に設定する。
【００３０】
また、他の例として、図１１に示すように、スペーサ２１を切り出したときの結晶面が（１００）面となるように、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向をｂ軸，ｃ軸に対して平行な方向に設定する。そして、切り出した結晶面内で、スペーサ２１の長手方向をｂ軸と平行な方向に設定するとともに、スペーサ２１の短手方向をそれと直交する方向（ｃ軸と平行な方向）に設定する。
【００３１】
さらに、他の例として、図１２に示すように、スペーサ２１を切り出したときの結晶面が（０１０）面となるように、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向をａ軸，ｃ軸に対して平行な方向に設定する。そして、切り出した結晶面内で、スペーサ２１の長手方向をａ軸と平行な方向に設定するとともに、スペーサ２１の短手方向をそれと直交する方向（ｃ軸と平行な方向）に設定する。
【００３２】
このように、使用するガラス基板ＰＤ２００，Ｄ２６３の熱膨張係数に応じてルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向を調整することにより、スペーサ２１の長手方向の熱膨張係数は、使用するガラス基板ＰＤ２００，Ｄ２６３の熱膨張係数に近似したものとなる。したがって、ルチル単結晶といった共通のスペーサ材料を用いて、複数種のガラス基板の熱膨張係数に適合したスペーサ２１を作り出すことが可能となる。
【００３３】
また、スペーサ２１を製造するにあたっては、上述したルチル単結晶からのスペーサの切り出し方向に合わせてルチル単結晶を結晶成長させることが望ましい。パネル基板にガラス基板ＰＤ２００を使用する場合は、その熱膨張係数がルチル単結晶の各結晶軸方向の熱膨張係数の中間的な値となるため、これに応じてルチル単結晶の結晶成長方向を設定する。例えば、上記図８において、ルチル単結晶を（１１１）面方向に結晶成長させる。そして、この結晶成長方向がスペーサ長手方向となるようにルチル単結晶からスペーサ２１を切り出す。
【００３４】
また、パネル基板にガラス基板Ｄ２６３を使用する場合は、その熱膨張係数がルチル単結晶のａ軸方向（＝ｂ軸方向）の熱膨張係数が近似した値となるため、これに応じてルチル単結晶の結晶成長方向を設定する。例えば、上記図１０において、ルチル単結晶を（１００）面方向に結晶成長させる。そして、この結晶成長方向がスペーサ長手方向となるようにルチル単結晶からスペーサ２１を切り出す。
【００３５】
このようにスペーサ２１の切り出し方向に合わせてルチル単結晶の結晶成長方向を変えることにより、結晶成長方向をスペーサ長手方向としてルチル単結晶からスペーサ２１を切り出すことができる。したがって、ルチル単結晶から長尺状のスペーサ２１を切り出す場合に、結晶成長方向に対して斜めに切り出す場合よりも、スペーサ２１の長手寸法を大きく確保できるとともに、スペーサ２１を効率良く切り出すことができる。
【００３６】
また、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向を、結晶軸を基準に調整するにあたっては、その結晶軸の一つであるｃ軸からの角度で切り出し方向を調整することが望ましい。この理由は、ルチル単結晶からスペーサ２１を切り出すときに、図１３に示すように、ｃ軸からの角度（切り出し角度）の違いによってスペーサ２１の熱膨張係数がリニア（直線的）に変化するためである。この場合、使用するガラス基板の熱膨張係数に応じて、ルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向を、ｃ軸からの角度によって調整することにより、ガラス基板の熱膨張係数とスペーサの熱膨張係数とを正確に合わせることが可能となる。
【００３７】
例えば、ガラス基板ＰＤ２００を使用する場合は、ｃ軸からの角度が３８°となるようにルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向を調整することにより、ガラス基板ＰＤ２００と同等の熱膨張係数（８．３×１０-6）を有するスペーサ２１が得られる。また、ガラス基板Ｄ２６３を使用する場合は、ｃ軸からの角度が８２°となるようにルチル単結晶からのスペーサ２１の切り出し方向を調整することにより、ガラス基板Ｄ２６３と同等の熱膨張係数（７．３×１０-6）を有するスペーサ２１が得られる。
【００３８】
また、ルチル単結晶からなるスペーサ２１を製造するにあたっては、スペーサ２１の体積抵抗率が１.０×１０8〜１.０×１０11Ωｃｍとなるように、ルチル単結晶に導電性処理を施すことが望ましい。具体的には、導電性処理として、例えばルチル単結晶を成長させるときに金属元素を添加（ドープ）することにより、結晶中に金属を均一に分散させて所望の導電性を持たせる。あるいは、ルチル単結晶を水素還元雰囲気で熱処理することにより、結晶中の酸素原子を減らして（間引きして）所望の導電性を持たせる。添加物質となる金属元素としては、抵抗率の調整が容易なニオブ元素を用いることが望ましい。
【００３９】
このような導電性処理によってスペーサ２１の体積抵抗率を所望の値（１.０×１０8〜１.０×１０11Ωｃｍ）に調整することにより、電子の衝突によってスペーサ２１の表面に生じる電荷を速やかに除去することができる。その結果、スペーサ表面の帯電を有効に防止することが可能となる。
【００４０】
また、ルチル単結晶からなるスペーサ２１は、これを原子レベルでみたときに、上記導電性処理がニオブ元素の添加によって行われたものであれば、図１４（Ａ）に示すようにニオブ（Ｎｂ）が均一に分散された、格子欠陥のない均一な組織を持つものとなり、上記導電性処理が水素還元雰囲気での熱処理によって行われたものであれば、図（Ｂ）に示すように格子欠陥のない均一な組織を持つものとなる。そのため、多結晶のセラミックスをスペーサ材料に用いる場合よりも、高電圧の印加に対して短絡しづらくなる。よって、スペーサ２１に十分な耐電圧特性を持たせることができる。また、ルチル単結晶からなるスペーサ２１は、セラミックスよりも抗折強度が強くなってハンドリング性が良好になるうえ、熱伝導性にも優れたものとなる。
【００４１】
さらに、ルチル単結晶からなるスペーサ２１の表面（両側面）に、例えば二次電子放出係数の小さい酸化クロム等の物質を塗布することにより、スペーサ表面の二次電子放出係数を理想値の１に近づけて耐電防止を図ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図である。
【図２】本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す斜視図である。
【図３】スペーサの取付状態を示す一部破断部分を含む斜視図である。
【図４】スペーサの外観を示す斜視図である。
【図５】ルチル単結晶の結晶構造を説明するための図である。
【図６】ルチル単結晶の結晶構造を示す図である。
【図７】ルチル単結晶の結晶軸と熱膨張係数の関係を示す図である。
【図８】スペーサ切り出し方向の第１具体例を示す図である。
【図９】スペーサ切り出し方向の第２具体例を示す図である。
【図１０】スペーサ切り出し方向の第３具体例を示す図である。
【図１１】スペーサ切り出し方向の第４具体例を示す図である。
【図１２】スペーサ切り出し方向の第５具体例を示す図である。
【図１３】ｃ軸からの切り出し角度と熱膨張係数の相関を示す図である。
【図１４】本発明によるスペーサの内部構造を示す模式図である。
【図１５】従来のスペーサの内部構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…カソード基板、２…アノード基板、２１…スペーサ
【図１】
2005032582.tif 000003
【図２】
2005032582.tif 000004
【図３】
2005032582.tif 000005
【図４】
2005032582.tif 000006
【図５】
2005032582.tif 000007
【図６】
2005032582.tif 000008
【図７】
2005032582.tif 000009
【図８】
2005032582.tif 000010
【図９】
2005032582.tif 000011
【図１０】
2005032582.tif 000012
【図１１】
2005032582.tif 000013
【図１２】
2005032582.tif 000014
【図１３】
2005032582.tif 000015
【図１４】
2005032582.tif 000016
【図１５】
2005032582.tif 000017