(57)【要約】【課題】  特に接触子を構成するニッケルメッキ層のばね特性を効果的に向上させることができるとともに、その特性を得るためにメッキ浴組成や条件を最適化した接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  Ｎｉメッキ層４５をメッキ形成する際に用いられるワット浴に、サッカリン等の光沢剤を１〜４（ｇ／Ｌ）添加するとともに、電流密度を１〜３（Ａ／ｄｍ２）の範囲内として、前記Ｎｉメッキ層４５をパターン４２ａ内にメッキ形成する。前記Ｎｉメッキ層４５は、引張り強さが９００〜１６００（ＭＰａ）となり、ヤング率が１５０〜２３０（ＧＰａ）となり、前記Ｎｉメッキ層４５を有するスパイラル接触子２０のばね特性を向上させることが可能となる。【選択図】図７
2005113238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子は、ニッケルが主体で形成されたメッキ層を有し、前記メッキ層の引張り強さは、９００〜１６００（ＭＰａ）で、ヤング率は１５０〜２３０（ＧＰａ）の範囲内であることを特徴とする接続装置。
【請求項２】
前記メッキ層はニッケルのみで形成される請求項１記載の接続装置。
【請求項３】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上に、前記接触子のパターンが形成されたレジスト層を形成する工程と、
（ｂ）  ニッケルが主体とされたメッキ層をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴中に、スルホンを有する炭化水素系有機化合物の光沢剤を１〜４（ｇ／Ｌ）含有するとともに、電流密度を１〜３（Ａ／ｄｍ2）として、前記ニッケルが主体とされたメッキ層を前記パターン内にメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記パターン内に、前記ニッケルが主体とされたメッキ層を有する前記接触子をメッキ形成した後、前記レジスト層を除去する工程と、
（ｄ）  前記基板を除去し、前記接触子を前記基台に取付ける工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）工程で前記メッキ層をニッケルのみで形成する請求項３記載の接続装置の製造方法。
【請求項５】
前記ニッケルメッキ層をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴にはワット浴を用いる請求項４記載の接続装置の製造方法。
【請求項６】
前記スルホンを有する炭化水素系有機化合物には、サッカリン、構造式にナフタリンと、スルホンを含む有機化合物、構造式にトルエンとスルホンを含む有機化合物のうち、いずれか１種あるいは２種以上を用いる請求項３ないし５のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項７】
前記スルホンを有する炭化水素系有機化合物にはサッカリンを用いる請求項６記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置、およびその製造方法に係わり、特に、前記接続装置を構成する接触子のばね特性を効果的に向上させることが可能な接続装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでこの特許文献１には、スパイラル状接触子の形成方法について簡単な説明がある。
【０００５】
例えばこの公報の図３７工程では、レジスト層に接触子形状のパターンを形成し、このパターン内に前記接触子をメッキ形成している。
【０００６】
前記特許文献１の図３７では、前記接触子形状に形成されたレジストパターン内にニッケルメッキ２９を施し、前記ニッケルメッキ２９を主体とした接触子を成形している。
【０００７】
従来、前記ニッケルメッキは、電鋳の際の例えばメッキ下地層などして用いられていた。またニッケル電鋳の場合でも、応力が極力０（ＭＰａ）に近くなるように制御されるなどし、ニッケル電鋳を「ばね」として用いる技術的思想は無かったし、また従来のニッケル電鋳では、ばねとして必要なヤング率や引張り強さが非常に低いものとなっていた。
【０００８】
このようにニッケル電鋳のばね特性が低くなる原因は、そのメッキ浴にあった。メッキ浴は、従来からよく知られているワット浴などで構成されるが、浴組成やメッキ条件などは、一般の「メッキ」の場合と同様であり、「電鋳」として特にばね性の向上を図る工夫は何らされてこなかった。
【０００９】
そこで特許文献１を見ると、ニッケルメッキのばね特性に関する記載は一切なく、この文献ではニッケルメッキをどのようなメッキ浴組成等で形成するか具体的提示もない。
【００１０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に接触子を構成するニッケルメッキ層のばね特性を効果的に向上させることができるとともに、その特性を得るためにメッキ浴組成や条件を最適化した接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子は、ニッケルが主体で形成されたメッキ層を有し、前記メッキ層の引張り強さは、９００〜１６００（ＭＰａ）で、ヤング率は１５０〜２３０（ＧＰａ）の範囲内であることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、後述する実験結果によれば、前記ニッケルが主体で形成されたメッキ層の引張り強さ及びヤング率を従来に比べて十分に大きくできた。上記の引張り強さやヤング率の値は従来のニッケル電鋳では得ることが出来なかった値である。
【００１３】
この結果、本発明では従来に比べてばね特性に優れた接触子を形成することが可能であり、前記接触子と外部接続部との接触を常に良好にできるとともに、繰返しの動作によって接触子が劣化したり、最悪の場合、折れたりする等の損傷を抑制することができる。
なお前記メッキ層はニッケルのみで形成されることが好ましい。
【００１４】
また本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上に、前記接触子のパターンが形成されたレジスト層を形成する工程と、
（ｂ）  ニッケルが主体とされたメッキ層をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴中に、スルホンを有する炭化水素系有機化合物の光沢剤を１〜４（ｇ／Ｌ）含有するとともに、電流密度を１〜３（Ａ／ｄｍ2）として、前記ニッケルが主体とされたメッキ層を前記パターン内にメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記パターン内に、前記ニッケルメッキ層を有する前記接触子をメッキ形成した後、前記レジスト層を除去する工程と、
（ｄ）  前記基板を除去し、前記接触子を前記基台に取付ける工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明では、（ａ）工程ないし（ｄ）工程を経てニッケル電鋳を有してなる接触子を形成する。
【００１６】
特に（ｂ）工程で前記ニッケルが主体とされたメッキ層を形成するとき、メッキ浴中に、スルホンを有する炭化水素系有機化合物の光沢剤を１〜４（ｇ／Ｌ）含有するとともに、電流密度を１〜３（Ａ／ｄｍ2）として前記ニッケルが主体とされたメッキ層を形成する。この結果、前記ニッケルが主体とされたメッキ層の引張り強さを、９００〜１６００（ＭＰａ）、ヤング率を１５０〜２４０（ＧＰａ）の範囲内にできる。
【００１７】
また本発明では前記（ｂ）工程で前記メッキ層をニッケルのみで形成することが好ましく、このとき、前記ニッケルメッキ層をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴にはワット浴を用いることが好ましい。
【００１８】
また、前記スルホンを有する炭化水素系有機化合物には、サッカリン、構造式にナフタリンと、スルホンを含む有機化合物、構造式にトルエンとスルホンを含む有機化合物のうち、いずれか１種あるいは２種以上を用いることが好ましく、特に、前記スルホンを有する炭化水素系有機化合物にはサッカリンを用いることがより好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、接続装置を構成する接触子を、ニッケルが主体とされたメッキ層を有して構成し、前記メッキ層の引張り強さを９００〜１６００（ＭＰａ）にし、ヤング率を１５０〜２３０（ＧＰａ）にすることで、前記接触子のばね性を向上させ、相手側の接触子（例えばＩＣの球状接触子）との間での接触性を良好にできるとともに、前記接触子の劣化・損傷を適切に抑制できる。
【００２０】
上記した引張り強さ及びヤング率は、従来のＮｉ電鋳技術ではなし得なかった値であり、本発明は、ニッケルが主体とされたメッキ層をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴の組成や条件を適切に制御することで、前記の引張り強さ及びヤング率を得るに至った。
【００２１】
すなわち前記メッキ浴中に、スルホンを有する、例えばサッカリンなどの炭化水素系有機化合物（光沢剤）を添加するとともに、その添加量を１〜４（ｇ／Ｌ）にし、さらに電流密度を１〜３（Ａ／ｄｍ2）に設定することで、ニッケルが主体とされたメッキ層の引張り強さを９００〜１６００（ＭＰａ）にでき、ヤング率を１５０〜２３０（ＧＰａ）の範囲内にできるに至ったのである。
【００２２】
上記の光沢剤の添加量、及び電流密度は、従来、一般的に「電鋳」としてＮｉをメッキ形成する際の量に比べて大きい値であり、このように本発明では、光沢剤の添加量、及び電流密度を従来よりも大きくするという簡単な手法を用い、しかも工程を増やすこと無く、従来なし得なかったＮｉ電鋳のばね特性の向上を可能にしたのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面を矢印方向から示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００２４】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品９が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００２５】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品１の下面に多数の球状接触子（外部接続部）９ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００２６】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品９の球状接触子９ａに対応して設けられている。
【００２７】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００２８】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００２９】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００３０】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３１】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板３０が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板３０上に固定されている。前記プリント基板３０の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極３１が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極３１にそれぞれ接触することにより、電子部品９とプリント基板３０とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００３２】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品９を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００３３】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品９を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品９を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００３４】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品９の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品９を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品９側の各球状接触子９ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００３５】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品９が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子９ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子９ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子９ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００３６】
図４は、図３に示す前記スパイラル接触子２０の各ターンを構成する接触子片２０ａをＢ線から膜厚方向に切断し、矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００３７】
図４に示すように、前記接触子片２０ａは、電気伝導層３２と、補助弾性層３３と電気伝導層３４の３層メッキ構造である。
【００３８】
ここで前記電気伝導層３２，３４は、Ａｕや、Ｐｄ，Ｐｔなどの白金族元素から成る。これらはいずれも貴金属（noble metal）であり、化学的に非常に安定した性質を持つ。なお前記電気伝導層３２はＡｕやｐｄなどの白金族元素が２種以上含有された材質であってもよい。
【００３９】
図４に示す補助弾性層３３は、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造でメッキ形成される。なお前記補助弾性層３３はＮｉのみで構成されていることが好ましい。
【００４０】
前記補助弾性層３３は、前記電気伝導層３２、３４に比べて引張り強度及びヤング率が高くなっておりばね特性に優れている。具体的には前記補助弾性層３３の引張り強度は９００〜１６００（ＭＰａ）で、ヤング率は１５０〜２３０（ＧＰａ）の範囲内である。この値は、従来、Ｎｉ電鋳品の引張り強度が６００ＭＰａ程度、ヤング率が５０ＧＰａ程度であったことから、従来に比べて非常に高い値であることがわかる。
【００４１】
このように前記補助弾性層３３はばね特性に優れた部分であるから、前記スパイラル接触子２０は、図２のように球状接触子９ａが図示上側から接触して下方向へ押されたときに、それに適切に追従して弾性変形でき、また繰返しの動作によっても劣化しにくく、良好なばね特性を長期間に渡って維持できる。
【００４２】
上記のように補助弾性層３３の引張り強度やヤング率を従来に比べて向上できたのは、後述する製造方法に寄与するところが大きく、後述の製造方法により前記補助弾性層３３内での結晶を緻密化でき、各結晶間に働く力を強めることができ、その結果、引張り強度及びヤング率を従来に比べて効果的に高くできたものと考えられる。
【００４３】
なお、図４に示すスパイラル接触子２０の接触子片２０ａの断面構造は一例である。本発明では前記スパイラル接触子２０は、少なくともニッケルを主体として形成されたメッキ層（補助弾性層３３）を有し、そのメッキ層の引っ張り強度が９００〜１６００（ＭＰａ）で、ヤング率は１５０〜２３０（ＧＰａ）の範囲内であれば、どのような断面構造を有していてもかまわない。
【００４４】
また前記スパイラル接触子２０は、前記球状接触子９ａとの電気的接続性を良好にするため、巻き始端２２から巻き終端２３にかけて徐々に上方に向って突出するように立体成形されたものでもよいし、あるいは前記接触子２０は、スパイラル形状である必要はなく、他の形状であってもかまわない。
【００４５】
図５から図１１は、本発明の前記スパイラル接触子２０の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中のスパイラル接触子２０の部分断面図である。
【００４６】
図５工程に示す符号４０は基板であり例えばＣｕ基板である。次に図６工程では、前記基板４０の表面４０ａにレジスト層４２をスピンコートなどで塗布し、前記レジスト層４２に図３と同様のスパイラル接触子２０形状のパターン４２ａを露光現像にて形成する。
【００４７】
次に、前記パターン４２ａ内に、Ａｕメッキ層（電気伝導層）４４、Ｎｉメッキ層（補助弾性層）４５、Ａｕメッキ層（電気伝導層）４６を積層メッキする。
【００４８】
ここで、前記Ｎｉメッキ層４５をメッキ形成する際に用いられるメッキ浴にはワット浴（Watts bath）を用いる。前記ワット浴の浴組成は、例えば硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：６０ｇ／Ｌ、ホウ酸：４０ｇ／Ｌ、光沢剤：１〜４ｇ／Ｌであり、浴温度は５０℃、電流密度は１．０〜３．０Ａ／ｄｍ2の範囲内である。
【００４９】
ここで前記メッキ浴の特徴的な部分について説明すると、光沢剤として、スルホン（Ｒ−ＳＯ2−Ｒ′）を有する炭化水素系有機化合物を１〜４ｇ／Ｌ添加している点と、電流密度を１．０〜３．０Ａ／ｄｍ2の範囲内としている点である。
【００５０】
スルホン（Ｒ−ＳＯ2−Ｒ′）を有する炭化水素系有機化合物としては、以下の化１で示されるサッカリン（Saccharin，ｏ−スルホ安息香酸イミド；o-sulfo-benzimide））、ナフタリンと、スルホンを構造式に含む有機化合物、例えば、化２で示されるナフタリントリスルホン酸ナトリウム（sodium naphthalen-tresulfonate、化２に示されるのは、１，３，６−ナフタリントリスルホン酸ナトリウム）や、化３で示されるナフタリンジスルホン酸ナトリウム（sodium naphthalen-disulfonate、化３に示されるのは、１，５−ナフタリントリスルホン酸ナトリウム）、またトルエンとスルホンを構造式に含む有機化合物、例えば化４で示されるパラトルエンスルホンアミド（P-toluene sulfonamide）などである。
【００５１】
【化１】
2005113238.tif 000003
【００５２】
【化２】
2005113238.tif 000004
【００５３】
【化３】
2005113238.tif 000005
【００５４】
【化４】
2005113238.tif 000006
【００５５】
なお本発明では、さらに、下記の化５を構造式に含む有機化合物であることが好ましいが、化１ないし化４に挙げた有機化合物はいずれも化５を構造式中に含むものである。
【００５６】
【化５】
2005113238.tif 000007
【００５７】
なおスルホンを有する炭化水素系有機化合物を２種以上選択してもよい。特にスルホンを有する炭化水素系有機化合物としては、サッカリンを用いることが望ましい。
【００５８】
そして本発明では前記スルホンを有する炭化水素系有機化合物をメッキ浴中に１〜４ｇ／Ｌ含有することで、引張り強さが向上し、具体的には、９００〜１６００（ＭＰａ）の引張り強さが得られることがわかった。
【００５９】
次に、電流密度の値であるが、本発明では前記電流密度を１．０〜３．０Ａ／ｄｍ2の範囲とすることで、ヤング率を１５０〜２３０（ＧＰａ）程度にまで向上させることができるとわかった。
【００６０】
前記光沢剤の添加量及び電流密度の大きさは、いずれも従来に比べて大きい値になっており、その結果、Ｎｉメッキ層４５の引張り強さ及びヤング率を飛躍的に向上させることができ、スパイラル接触子２０のばね特性を効果的に向上させることが可能になる。
【００６１】
次に図８に示す工程では、前記レジスト層４２をアルカリ水溶液等で溶解・除去する。この時点で前記Ｃｕ基板４０上には、積層メッキにより形成された複数のスパイラル接触子２０が存在する。
【００６２】
次に図９に示す工程では、隣り合う、スパイラル接触子２０の基部２１（図３を参照）間を接合部材（ガイドフレーム）５０によって繋ぐ。前記接合部材５０には、ちょうどスパイラル接触子２０を構成する位置に前記スパイラル接触子２０よりも一回り大きい穴部５０ａが設けられており、この穴部５０ａとスパイラル接触子２０とを位置合わせし、前記スパイラル接触子２０の基部２１上に前記接合部材５０を貼り付ける。前記接合部材５０は例えばポリイミド等で形成される。
【００６３】
この接合部材５０を図９工程の時点で設けておかないと、図１０工程でＣｕ基板４０を除去した後では、形成された複数のスパイラル接触子２０が互に繋がっていない状態になるので、前記接合部材５０によって各スパイラル接触子２０間を繋げてばらばらにならないようにしておくことが必要である。
【００６４】
次に図１０に示す工程では、Ｃｕ基板４０を、ウエットエッチングなどにより除去する。
【００６５】
そして前記スパイラル接触子２０の基部２１を図１、図２及び図３に示す基台１１に導電性接着剤を介して接着固定する。
【００６６】
その後、前記スパイラル接触子２０を立体フォーミングして、前記スパイラル接触子２０の巻き終端２３付近（図３を参照）が最も上方に突き出すようにし、、さらに熱処理を施してその立体形状を維持する。
【００６７】
なお上記の製造方法では、Ｎｉメッキ層４５をＮｉのみで構成されたメッキ層として説明したが、前記Ｎｉメッキ層４５は、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）などのＮｉを主体としたメッキ層であってもよい。
【実施例】
【００６８】
以下では、従来の製造方法によって製造されたＮｉ電鋳（従来例）に対し、引張り強度試験を行ない、引張り強度とヤング率を求めた。
【００６９】
従来例のＮｉ電鋳には、ワット浴を用い、前記ワット浴の浴組成を、硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：６０ｇ／Ｌ、ホウ酸：４０ｇ／Ｌとした。
【００７０】
また前記メッキ浴には、サッカリン（光沢剤）を０．３ｇ／Ｌだけ入れ、電流密度を電流密度を１Ａ／ｄｍ2とした。なおメッキ浴の温度を５０℃に設定した。
【００７１】
引張り強さ試験は、ダンベル状試験片を引張り試験装置を用いて破断するまで引っ張る。そのときのひずみと応力との関係を示したのが図１１である。
【００７２】
図１１に示すように、従来例の場合、わずかなひずみで試験片は破断し、引張り強度はたった６９０ＭＰａ程度、ヤング率は５０ＧＰａ程度であった。
【００７３】
そこで実施例では、上記のワット浴組成のうち、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸の添加量、及びメッキ浴温度は上記と同じにしながら、サッカリンの添加量と電流密度を上記よりも徐々に上げていき、上記と同様の引張り試験を行った際の、引張り強度とヤング率とを調べてみた。
【００７４】
まずサッカリンの添加量を０．５ｇ／Ｌに固定し、一方、電流密度を１〜３Ａ／ｄｍ2の範囲内で変化させたときのヤング率について測定してみた。その実験結果が以下の表１である。
【００７５】
【表１】
2005113238.tif 000008
【００７６】
表１に示すように、電流密度が１．０Ａ／ｄｍ2の時点ですでにヤング率は１５０ＧＰａを越え、図１１で説明した従来例のＮｉ電鋳よりも高いヤング率を得ることができ、さらに電流密度を高くすると、電流密度が３．０Ａ／ｄｍ２の時点ではヤング率が２３０ＧＰａ程度まで向上した。
【００７７】
次に、電流密度を３Ａ／ｄｍ2に固定し、一方、サッカリンの添加量を０．５〜４の範囲内で徐々に大きくしていき、引張り強さを測定した。その実験結果が以下の表２である。
【００７８】
【表２】
2005113238.tif 000009
【００７９】
表２に示すように、サッカリンナを１ｇ／Ｌ添加すると、引張り強さは９００ＭＰａ程度まで上昇し、さらにサッカリンの添加量を増やすと引張り強度は１６００ＭＰａ程度まで上昇することがわかった。
【００８０】
以上の実験結果から、電流密度を１．０〜３．０Ａ／ｄｍ2の範囲内、光沢剤を１〜４ｇ／Ｌの範囲内に設定すればＮｉ電鋳の引張り強度を９００〜１６００ＭＰａの範囲内にできるとともに、ヤング率を１５０〜２４０ＧＰａの範囲内にできることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示すＢ線から切断したスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図５】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】従来例における引張り強度試験のグラフ、
【符号の説明】
【００８２】
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
３２、３４  電気伝導層
３３  補助弾性層
４０  Ｃｕ基板
４２  レジスト層
４４  Ａｕメッキ層
４５  Ｎｉメッキ層
４６  Ａｕメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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