(57)【要約】【課題】高インダクタンスおよび低抵抗のコイル導体からなる小型低背の磁性素子を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の磁性素子は、コイル導体１と、前記コイル導体１の周囲を覆うように形成した多層磁性層３とから構成することにより、渦電流を抑えることができるとともに優れた磁気特性をもつ磁性層４を選択することにより、小型低背化しても十分に大きなインダクタンス値、低い導体抵抗値（交流抵抗）の磁性素子を得ることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル導体と、このコイル導体の周囲を覆うように形成した多層磁性層とから構成される磁性素子。
【請求項２】
コイル導体と、このコイル導体と連続体で形成した接続端子と、前記コイル導体の周囲を覆うように形成した多層磁性層とから構成される磁性素子。
【請求項３】
コイル導体を複数の絶縁被膜に覆われた導体より構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項４】
導体の断面形状を矩形状とした請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項５】
導体を銅、銀またはアルミニウムあるいはこれらの合金で構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項６】
導体の絶縁被膜を少なくとも有機樹脂材料、金属酸化物あるいはガラスの一種類以上から構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項７】
導体の絶縁被膜の厚みを０．００５〜０．０７５ｍｍとした請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項８】
コイル導体を実装面に対して横方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項９】
コイル導体を実装面に対して縦方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１０】
コイル導体を実装面に対して横方向および縦方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１１】
多層磁性層を磁性層と絶縁層とを交互に積層して構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１２】
多層磁性層を少なくとも一層以上の磁性層にスリットを設けた構成とした請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１３】
少なくとも一層以上の磁性層をめっき法で形成した多層磁性層で構成した請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１４】
多層磁性層のうち少なくとも一層以上の磁性層の主組成がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一種類以上含んだ請求項１または２に記載の磁性素子。
【請求項１５】
接続端子を底面とその周囲の隣り合う面の少なくとも２面に渡って形成した請求項２に記載の磁性素子。
【請求項１６】
少なくとも接続端子の表面に露出する部分を下地層としてＮｉ層、最上層としてはんだ層またはＳｎ層により構成した請求項２に記載の磁性素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器のインダクタ、チョークコイルその他に用いられる磁性素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の全般的な小型・薄型化に伴い、これらに用いられる電子部品や電源デバイスなども小型化、薄型化することを強く求められている。
【０００３】
一方、ＣＰＵなどのＬＳＩは高速・高集積化してきており、このようなＬＳＩに供給される電源回路には大電流が供給されることがある。従って、高速・高集積化されたＬＳＩに供給される電源回路に用いられるチョークコイル等のインダクタにはコイル導体を低抵抗化して低発熱を実現することおよび直流重畳によるインダクタンス値の低下が少ないこと（直流重畳特性が良好であること）が必要とされている。また使用周波数が高周波化してきているので高周波域での損失の低いことが求められている。
【０００４】
更に、部品のコストを安くすることが強く求められていることから、単純な形状の部品構成の素子を簡単な工程で組み立てられることが必要となっている。すなわち、大電流、高周波で使用可能であり、且つ小型・薄型化されたインダクタや電源モジュールを安価に供給することが求められている。この電源回路に使用される各種部品の中で、最も厚さの大きいものはインダクタである。このことから、インダクタ等の磁性素子の薄型化は電源モジュール自体の薄型化のためにも強く望まれている。
【０００５】
しかしながら、一般的に磁性素子を小型化すると磁路断面積が減少し、インダクタンス値が減少してしまう。このような小型の磁性素子の特性を向上させる（インダクタンス値を大きくする）手段として、フェライト等を用いた鍔付きのドラム形状のコア材に巻き線を施した後、鍔の内側を磁性体粉末と樹脂の混合物で埋めて閉磁路構造としたものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
この構造では通常巻き線に用いられるボビンが不要となり、その分磁路断面積が大きく取れ、かつ閉磁路構造となるのでインダクタンス値が大きくなり、磁性素子の特性が向上する。しかしながらこの構造は磁性素子の小型化を目的としたものであって、薄型化を目的としたものではなく、更に磁性体粉末と樹脂の混合物中の磁路長が長いために充分な特性が得られるとは云えず、問題があった。
【０００７】
また、最も一般的に使用されている磁性材であるフェライト材料は比較的透磁率が高く、かつ飽和磁束密度が金属磁性材料に比べて低いために、そのまま使用すると磁気飽和によるインダクタンスの低下が大きく、直流重畳特性が悪くなる傾向がある。そこで、直流重畳特性を改善するために通常フェライトコアの磁路の一部分に空隙を設けて見かけの透磁率を下げて使用することが行われているが、飽和磁束密度が低いために大電流化に対応することは困難である。
【０００８】
次に、コア材料としてフェライトよりも飽和磁束密度が大きいＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等を用いる場合には、これらの金属系材料は電気抵抗が低いので渦電流損失が大きくなり、そのままでは使用できないものである。
【０００９】
これに対して、金属磁性粉を成形して作製される圧粉磁芯（ダストコア）は軟磁性フェライトに比べて著しく大きい飽和磁束密度を有しているために直流重畳特性に優れるとともに小型化に有利であり、空隙を設ける必要もないためにうなりの問題も無いという特徴を有している。
【００１０】
しかしながら、この圧粉磁芯はコア損失が大きいという課題を有していた。
【００１１】
このコア損失はヒステリシス損失と渦電流損失よりなり、渦電流損失は周波数の二乗及び渦電流が流れるサイズの二乗に比例して増大し、ヒステリシス損失は圧粉磁芯の成形が通常数ｔｏｎ／ｃｍ2以上の成形圧力で行われるために、磁性体として歪みが増大するとともに透磁率も劣化するためにヒステリシス損失が増大する。これを解決するために、圧粉磁芯は金属磁性粉末の表面に電気絶縁性樹脂等を覆うことにより渦電流の発生を抑制するようにしている。さらに、ヒステリシス損失を解決するために、成形後の熱処理を行うことにより歪みを解放することが行われている（例えば、特許文献２、特許文献３、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開昭６１−１３６２１３号公報
【特許文献２】特開平６−３４２７１４号公報
【特許文献３】特開平８−３７１０７号公報
【特許文献４】特開平９−１２５１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、電源の更なる大電流化、高周波化、低背化に対応するために、上記従来の構成では導体の低抵抗と高インダクタンス値あるいは高周波特性を充分確保することができないという課題があった。
【００１３】
そこで、本発明は前記課題を解決するものであり、小型・低背化しても十分なインダクタンス値を得ることができる磁性素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１５】
本発明の請求項１に記載の発明は、コイル導体と、このコイル導体の周囲を覆うように形成した多層磁性層とから構成される磁性素子であり、これにより磁性層に発生する渦電流を抑えることができるとともに優れた磁気特性をもつ磁性層を選択することにより、小型低背化しても十分にインダクタンス値の大きい磁性素子を得ることができる。
【００１６】
本発明の請求項２に記載の発明は、コイル導体と、このコイル導体と連続体で形成した接続端子と、前記コイル導体の周囲を覆うように形成した多層磁性層とから構成される磁性素子であり、これにより請求項１の作用に加えて実装性に優れた低導体抵抗の磁性素子を実現することができる。
【００１７】
本発明の請求項３に記載の発明は、コイル導体を複数の絶縁被膜に覆われた導体より構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高周波における導体抵抗値の上昇（表皮効果）を低減でき、高周波でも優れた特性を有するものとなる。
【００１８】
本発明の請求項４に記載の発明は、導体の断面形状を矩形状とした請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高占積率のコイルを実現できることから小型・低背化することができる。
【００１９】
本発明の請求項５に記載の発明は、導体を銅、銀またはアルミニウムあるいはこれらの合金で構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより低抵抗値を実現できる。
【００２０】
本発明の請求項６に記載の発明は、導体の絶縁被膜を少なくとも有機樹脂材料、金属酸化物あるいはガラスの一種類以上から構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより導体間を確実に絶縁することができる。
【００２１】
本発明の請求項７に記載の発明は、導体の絶縁被膜の厚みを０．００５〜０．０７５ｍｍとした請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高周波における導体抵抗値の上昇（表皮効果）を低減でき、高周波でも優れた特性を有するものとなる。
【００２２】
本発明の請求項８に記載の発明は、コイル導体を実装面に対して横方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高周波における導体抵抗値の上昇（表皮効果）を低減でき、高周波でも優れた特性を有するものとなる。
【００２３】
本発明の請求項９に記載の発明は、コイル導体を実装面に対して縦方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高周波における導体抵抗値の上昇（表皮効果）を低減でき、高周波でも優れた特性を有するものとなる。
【００２４】
本発明の請求項１０に記載の発明は、コイル導体を実装面に対して横方向および縦方向に配列した複数の絶縁被膜に覆われた導体で構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより高周波における導体抵抗値の上昇（表皮効果）を低減でき、高周波でも優れた特性を有するものとなる。
【００２５】
本発明の請求項１１に記載の発明は、多層磁性層を磁性層と絶縁層とを交互に積層して構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、これにより渦電流を抑えることができるとともに優れた磁気特性をもつ磁性層を選択することにより、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きい磁性素子を得ることができる。
【００２６】
本発明の請求項１２に記載の発明は、多層磁性層を少なくとも一層以上の磁性層にスリットを設けた構成とした請求項１または２に記載の磁性素子であり、磁気飽和しにくく優れた直流重畳特性を得ることができる。
【００２７】
本発明の請求項１３に記載の発明は、少なくとも一層以上の磁性層をめっき法で形成した多層磁性層で構成した請求項１または２に記載の磁性素子であり、優れた磁気特性を有する磁性層で小型低背化しても十分にインダクタンス値の大きい磁性素子を得ることができる。
【００２８】
本発明の請求項１４に記載の発明は、多層磁性層のうち少なくとも一層以上の磁性層の主組成がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一種類以上含んだ請求項１または２に記載の磁性素子であり、優れた磁気特性を有する磁性層で小型・低背化しても十分にインダクタンス値の大きい磁性素子を得ることができる。
【００２９】
本発明の請求項１５に記載の発明は、接続端子を底面とその周囲の隣り合う面の少なくとも２面に渡って形成した請求項２に記載の磁性素子であり、高密度実装性と信頼性に優れた磁性素子を実現することができる。
【００３０】
本発明の請求項１６に記載の発明は、少なくとも接続端子の表面に露出する部分を下地層としてＮｉ層、最上層としてはんだ層またはＳｎ層により構成した請求項２に記載の磁性素子であり、はんだ濡れ性及び信頼性に優れた磁性素子を得ることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の磁性素子はコイル導体と、前記コイル導体を覆うように形成した多層磁性層とから構成するものであり、これにより磁性層に発生する渦電流を抑えることができるとともに優れた磁気特性をもつ磁性層を選択することにより、小型低背化しても十分にインダクタンス値の大きい磁性素子を得ることができるという効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１および図１〜図３により請求項１〜４、６、８、１１、１３〜１６に記載の発明を説明する。
【００３３】
図１は本発明の実施の形態１の磁性素子の基本構造を説明するための斜視図であり、図２は接続端子を有する磁性素子の構造を説明するための斜視図であり、図３は図２のＡ−Ａ、Ｂ−Ｂで示される部位での断面図である。
【００３４】
図１〜図３において、１はコイル導体であり、２はコイル導体１を覆う絶縁被膜である。このコイル導体１は絶縁被膜２にて被覆された低抵抗な金属材料を用いた導体８を複数本並べて配列したもので構成している。図３では、この絶縁被膜２にて被覆された導体８の並べ方を横方向に配置してコイル導体１としている。
【００３５】
このような構成とする理由は、一般的に銅板、銅線などの低抵抗な金属材料などを加工して、一つの導体８でコイル導体１を構成しているときには高周波になればなるほど導体８に流れる電流が表皮効果により導体８の表面に集中して流れることからコイル導体１の高周波での見掛けの抵抗値（Ｒac）が増加する。従って、このような高周波での抵抗値を低減するためにはコイル導体１の断面積を小さくしないで表面積を大きくすることが有効であるが限界がある。
【００３６】
そのため、絶縁被膜２にて被覆された導体８を複数本並べて配列するように構成することにより、高周波での抵抗値を低減することが可能なコイル導体１とすることができる。このような構成とすることにより直流抵抗と交流抵抗の両方を低く設定できるコイル導体１を実現することができる。さらに、この導体８の厚みあるいは幅を薄くすることが有効である。これらは使用される周波数によっても異なるが数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚを想定した場合、導体８の厚みあるいは幅は５０μｍ〜１ｍｍが好ましい。またコイル導体１は実装面に対して横方向に分割された矩形の導体８とすることが可能であり、この配置はデバイスの寸法形状、性能などの観点から適宜選択することができる。すなわち、低背化が必要であれば横方向に配置することが好ましい。また、導体８の形状は設計に応じて対応することができるが、矩形状とすることにより最も限られたスペースの中に導体８の断面積を大きく設計することができることから直流抵抗（Ｒdc）の低抵抗化に有効である。またこの導体８はストレートな打ち抜き金属板、例えば銅板等が低抵抗の観点から好ましい。
【００３７】
次に、３はめっき法等で形成された多層磁性層である。この多層磁性層３は例えば高飽和磁束密度、高透磁率を有するＦｅ−Ｎｉ系の合金磁性材料などからなる磁性層４と絶縁性を有する無機材料あるいは有機材料からなる絶縁層５を交互に積層した多層構造としている。このような積層構造の多層磁性層３とすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性の磁性体構造を得ることができる。またこのような多層磁性層３の構成とすることにより高周波における優れた磁気特性を実現することができる。
【００３８】
また、絶縁層５の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが、０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。また、絶縁層５の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層４との比抵抗値の比が１０3以上であれば効果的である。また絶縁層５としては有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。
【００３９】
次に、図２および図３（ｂ）に示すように、コイル導体１と連続体で構成した接続端子９を設けている。この接続端子９は本発明の磁性素子を表面実装部品とするためには不可欠であり、プリント基板などの回路基板に実装する場合にはこの接続端子９を介して回路基板の電極ランドにはんだなどで接合されることになる。
【００４０】
このように、コイル導体１と接続端子９を連続体とすることにより接合のための抵抗値を排除することができることから、より低抵抗の磁性素子を実現することができる。
【００４１】
また、この接続端子９は導体８の上に下地層６としてＮｉ層を形成し、最上層７にははんだ層又はＳｎ層を形成することが実装性の観点から好ましい。
【００４２】
また、この接続端子９は接続端子９の表出面とその周囲の隣り合う面の少なくとも２面に渡って形成することによって実装性を高めることができる。
【００４３】
例えば、この接続端子９は磁性素子の側面だけでなく下面にも折り曲げられていることから、回路基板等に実装する際に高信頼性の高密度実装を実現することができる。
【００４４】
このような構成とすることにより、磁性素子の下面に折り曲げられた接続端子９にもはんだ電極が形成されているため、磁性素子を回路基板等により確実に実装することができる。
【００４５】
上記構成の磁性素子について、以下その動作を説明する。
【００４６】
従来のインダクタはコイルに大電流（例えば３０Ａ）を流すとコイルの周りには磁束が生じ、コイルを覆うように配置した磁性体の面内方向に磁束を生じる。
【００４７】
この生じた磁束により磁性体の厚さ方向に渦電流が生じるため、磁性体の面内方向に生じる磁束を打ち消すように作用することから、結果としてインダクタのインダクタンス値が高周波になればなるほど減少する。また、磁性体の厚さ方向に発生する渦電流はインダクタからの発熱の原因にもなる。
【００４８】
しかしながら、本発明の実施の形態１における磁性素子はコイル導体１の周囲を覆うように多層磁性層３で形成していることから、多層磁性層３を構成する単層の磁性層４あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さいものとして設計しており、そのために多層磁性層３の厚さ方向に生じる渦電流の発生を抑制することができる。その結果、多層磁性層３の面内方向に生じる磁束が打ち消し合うのを防ぐことができ、磁性素子のインダクタンス値を大きくすることができる。また磁性素子からの発熱も抑えることができる。
【００４９】
さらに、この多層磁性層３を構成する磁性層４はめっき法で形成することによりコイル導体１の周囲に均一に連続膜として容易に膜厚制御をしながら形成することが容易にできる。以上説明してきたように、このような構成とすることにより、小型・低背化しても十分にインダクタンスの大きい磁性素子を得ることができる。さらにめっき法の利点として、生産性の良い磁性層４を作成することができる。またこの磁性層４はスパッタ、蒸着等で形成することも可能である。しかしながら、一回の膜形成でコイル導体１の一面のみしか形成できず、さらにコイル導体１の４面に連続した均一の膜厚を有する磁性層４を形成することは生産性の観点から困難であり、湿式のめっき法で磁性層４を形成することが生産性、特性面において好ましい。この磁性層４は少なくとも一層以上の主組成がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一種類以上含んだものとすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性の磁性層４を得ることができ、高いインダクタンスを実現することができる。
【００５０】
さらに、磁性層４の一層あたりの厚みは使用される周波数によっても異なるが、数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚを想定した場合１μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００５１】
また、絶縁層５は金属酸化物あるいは有機絶縁材料などを電着などの方法により形成することができる。この絶縁層５の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが、０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。また、絶縁層５の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層４との比抵抗値の比が１０3以上であれば効果があることを確認している。
【００５２】
以上のように、本発明の実施の形態１における磁性素子は小型・低背化しても十分にインダクタンス値が大きく、高周波特性に優れた磁性素子を得ることができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２および図２、図４および図５により請求項５、７、９、１０に記載の発明を説明する。
【００５４】
図２は本発明の実施の形態２の磁性素子の斜視図でもある。１は実施の形態１同様にコイル導体であり、２はその導体８を被覆する絶縁被膜である。図４および図５は図２のＡ−Ａで示される部位の断面図である。
【００５５】
図４および図５において、コイル導体１は実装面に対して、図４では実装面に対して縦方向に分割された矩形の導体８よりなる磁性素子であり、図５におけるコイル導体１は実装面に対して横方向および縦方向に分割された矩形の導体８より構成している磁性素子である。
【００５６】
この導体８の材質として比抵抗値の低い銅、銀、アルミニウムが好ましく、それらを含む合金であっても良い。また絶縁被膜２はそれぞれの導体８を電気的に絶縁している。
【００５７】
また、接続端子９はコイル導体１との連続体で形成していることから、接続端子９におけるはんだ等の抵抗値の上昇、ばらつき等がなく、安定して低抵抗を実現できるように構成している。
【００５８】
また、接続端子９はコイル導体１の上に下地層６としてＮｉ層が、最上層７としてはんだ層又はＳｎ層が形成されることが好ましい。これによって、磁性素子の下面に折り曲げられた接続端子９にもはんだが形成されているため、磁性素子を基板等により確実に実装することができる。
【００５９】
また、接続端子９が磁性素子の側面でなく下面に折り曲げられるため、基板等に実装する際の各部位を高密度で実装できる。さらに、接続端子９に下地層６が形成されてその上に最上層７が形成されるため、下地層６の酸化を防ぐことができるから、よりはんだ濡れ性に優れた信頼性の高い磁性素子を実現することができる。
【００６０】
次に、３はめっき法等で形成された多層磁性層である。この多層磁性層３は磁性層４、絶縁層５の積層体から構成されている。
【００６１】
上記構成の磁性素子について、以下その動作を説明する。
【００６２】
コイル導体１に大電流を流すと磁性素子には強い磁束が生じ、コイル導体１を覆うように配置した多層磁性層３の面内方向に磁束を生じるが、実施の形態１で説明したようにコイル導体１を多層に積層された磁性層４で形成していることから、多層磁性層３の一層あたりの厚さ方向の磁性層４の断面積は渦電流に対して十分に小さいものである。そのため、多層磁性層３の厚さ方向に生じる渦電流を抑えることができるから、多層磁性層３の面内方向に生じる磁束が打ち消されるのを防ぐことができ、磁性素子のインダクタンスを大きくすることができる。
【００６３】
この多層磁性層３のうち、少なくとも一層以上の磁性層４の主組成をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一種類以上含んだものとすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性の磁性層を得ることができ、高いインダクタンスを実現することができる。この磁性層４の一層あたりの厚みは使用される周波数によっても異なるが数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚを想定した場合、１μｍ〜５０μｍが好ましい。また絶縁層５の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが、０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。
【００６４】
また、絶縁層５の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層４との比抵抗値の比が１０3以上であれば効果がある。この絶縁層５には有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。
【００６５】
また、高周波になればなるほど導体８に流れる電流が導体の表面のみに流れることから、高周波での見掛けの抵抗値（Ｒac）が増加する（表皮効果）。
【００６６】
従って、高周波での抵抗値を低減するには導体８の厚みあるいは幅を薄くすることが有効である。使用される周波数によっても異なるが数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚを想定した場合、導体８の厚みあるいは幅は５０μｍ〜１ｍｍが好ましい。
【００６７】
図４に示すように、実装面に対して縦方向に分割された矩形の導体８を配置してコイル導体１を形成した場合、トータルの導体８の絶縁被膜２の厚みは横方向に分割された導体８を用いた磁性素子（図３参照）に比べて低背化に有利である。
【００６８】
また図５に示したように、実装面に対して横方向および縦方向に分割された導体８を配置してコイル導体１を形成した場合、磁性素子はより交流抵抗を低減することができることからより高周波特性に優れている。
【００６９】
また、導体８を被覆する絶縁被膜２は導体８の間の耐電圧、信頼性の観点より、少なくとも有機樹脂材料あるいは金属酸化物、ガラスの一種類以上からなる無機材料を用いることが好ましい。またその絶縁被膜２の厚みは耐電圧、信頼性の観点より、０．００５〜０．０７５ｍｍであることが好ましい。
【００７０】
以上のように、本発明の実施の形態２で説明した磁性素子は小型低背化しても十分にインダクタンスの大きい、交流抵抗値も低い磁性素子を得ることができる。
【００７１】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３および図２、図６により請求項１２に記載の発明を説明する。
【００７２】
図２は本発明の実施の形態３の磁性素子の斜視図でもある。図６は図２のＡ−Ａで示される部位の断面図である。
【００７３】
図２および図６において、１は磁性素子のコイル導体であり、このコイル導体１は実装面に対して縦方向に分割された矩形の導体８よりなる。
【００７４】
また、その基本構成は実施の形態１および２と同じであるので説明を省略する。
【００７５】
ここで、実施の形態１および２と異なっている点は、磁性層４にはスリット１１が磁性層４を横切る形で形成されている。このスリット１１は磁束の飽和を抑えることができ、直流重畳特性を向上することができる。
【００７６】
上記構成の磁性素子について、以下その動作を説明する。
【００７７】
コイル導体１に大電流を流すと磁性素子には強い磁束が生じ、導体８の周囲に覆うように配置する多層磁性層３の面内方向に磁束を生じるが、実施の形態１および２で説明したように、導体８の周囲に覆うように多層の磁性層４で形成することにより、多層磁性層３の磁性層４の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さいものである。そのため、多層磁性層３の厚さ方向に生じる渦電流を抑えることができるから、多層磁性層３の面内方向に生じる磁束が打ち消されるのを防ぐことができ、磁性素子のインダクタンスを大きくすることができる。
【００７８】
さらに、この多層磁性層３のうち少なくとも一層以上の磁性層４の主組成がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一種類以上含んだ構成とすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性の磁性体を得ることができ、高いインダクタンスを実現することができる。
【００７９】
また、磁性層４に入ったスリット１１は多層磁性層３の磁束の飽和を抑えることができるために、より大電流の直流重畳特性を向上することができる。
【００８０】
この磁性層４の一層あたりの厚みは使用される周波数によっても異なるが、数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚを想定した場合１μｍ〜５０μｍが好ましい。また絶縁層５の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。
【００８１】
また、絶縁層５の比抵抗値も高ければ高いほどよいが磁性層４との比抵抗値の比が１０3以上であれば効果がある。
【００８２】
以上のように、本発明の実施の形態３の磁性素子は小型低背化しても十分にインダクタンスの大きい、直流重畳特性のより優れた磁性素子を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明にかかる磁性素子は小型低背化しても十分にインダクタンスの大きい、導体抵抗値（直流抵抗値および交流抵抗値）の低い磁性素子を得ることができるという効果を有し、小型薄型化を目的とする電子機器のインダクタ、チョークコイルその他に用いられる磁性素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態１における磁性素子の斜視図
【図２】本発明の実施の形態１、２、３における磁性素子の斜視図
【図３】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態１における磁性素子の図２のＡ−ＡおよびＢ−Ｂにおける断面図
【図４】本発明の実施の形態２における磁性素子の断面図
【図５】同断面図
【図６】本発明の実施の形態３における磁性素子の断面図
【符号の説明】
【００８５】
１  コイル導体
２  絶縁被膜
３  多層磁性層
４  磁性層
５  絶縁層
６  下地層
７  最上層
８  導体
９  接続端子
１１  スリット
【図１】
2005116666.tif 000003
【図２】
2005116666.tif 000004
【図３】
2005116666.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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