(57)【要約】【課題】圧電基板上に入力用ＩＤＴ電極と出力用ＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、通過帯域近傍の阻止域減衰量を改善することを目的とする。【解決手段】入力用ＩＤＴ電極２及び出力用ＩＤＴ電極３の互い隣接する基本区間において、負から零の励振、もしくは零から正の励振、もしくは負から正の励振に移行する場合を正の変化とし、正から零の励振、もしくは零から負の励振、もしくは正から負の励振に移行する場合を負の変化とした時、前記正の変化から前記負の変化に、もしくは前記負の変化から前記正の変化に変極する変極点の数ＭをＩＤＴ電極の基本区間の数Ｎに対し０．２≦Ｍ／Ｎ≦０．３の範囲内に設定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて２個配置してなるトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、
前記ＩＤＴ電極は、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし形電極から構成され、前記電極指のピッチで規定される１波長に相当する区間を基本区間とした時、複数個の基本区間を組み合わせて形成され、
前記基本区間は、該基本区間の弾性表面波の伝搬方向の中心位置に対し、左側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を正の励振、右側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を負の励振、また、励振中心が存在しない場合を零の励振とした時、いずれかの励振の重み付けが施されており、
前記ＩＤＴ電極を一つの方向から見た時に互い隣接する基本区間において、負から零の励振、もしくは零から正の励振、もしくは負から正の励振に移行する場合を正の変化とし、正から零の励振、もしくは零から負の励振、もしくは正から負の励振に移行する場合を負の変化とした時、前記正の変化から前記負の変化に、もしくは前記負の変化から前記正の変化に変極する変極点の数ＭがＩＤＴ電極を構成する基本区間の数をＮとした時、０．２≦Ｍ／Ｎ≦０．３を満足していることを特徴としたトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記正の励振の重み付けが施された基本区間及び負の励振の重み付けが施された基本区間のうち少ないほうの基本区間の数が、前記ＩＤＴ電極を構成する全ての基本区間の数に対し０．３％以上１．０％以下であることを特徴とした請求項１に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて２個配置してなるトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、
前記ＩＤＴ電極は、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし形電極から構成され、前記電極指のピッチで規定される１波長に相当する区間を基本区間とした時、複数個の基本区間を組み合わせて形成され、
前記基本区間は、該基本区間の弾性表面波の伝搬方向の中心位置に対し、左側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を正の励振、右側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を負の励振、また、励振中心が存在しない場合を零の励振とした時、いずれかの励振の重み付けが施されており、
前記正の励振の重み付けが施された基本区間及び負の励振の重み付けが施された基本区間のうち少ないほうの基本区間の数が、前記ＩＤＴ電極を構成する全ての基本区間の数に対し０．３％以上１．０％以下であることを特徴としたトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
前記基本区間は、約３λ／８の幅を有する電極指と約λ／８の幅を有する電極指を３本配置して構成されることを特徴とした請求項１乃至３のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
前記基本区間は、約λ／８の幅を有する電極指を４本配置して構成されることを特徴とした請求項１乃至３のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
前記圧電基板は水晶基板であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上に入力用ＩＤＴ電極と出力用ＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、通過帯域近傍の阻止域減衰量を高減衰にしたトランスバーサル弾性表面波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：以下、ＳＡＷ）フィルタは移動体通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴があることから特に携帯電話、無線ＬＡＮ等に多く用いられている。これらの機器に用いられるＩＦ用ＳＡＷフィルタは、小型軽量、広帯域、低損失であると共に、隣接するキャリア周波数の信号を阻止するために通過帯域近傍の阻止域において高減衰な特性が要求される。更に、前記ＩＦ用ＳＡＷフィルタは高速なデジタルデータの品質を保持するために位相直線性も要求される。このような要求仕様を満足するフィルタ形式としては、振幅特性と位相特性を別々に設計可能なトランスバーサルＳＡＷフィルタが最も適している。
【０００３】
図７は従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示している。圧電基板１０１の主表面上にＳＡＷの伝搬方向に沿って入力用ＩＤＴ電極１０２と出力用ＩＤＴ電極１０３を所定の間隔をあけて配置すると共に、該ＩＤＴ電極１０２、１０３の間に入出力端子間の直達波を遮蔽するためのシールド電極１０４を配置する。前記ＩＤＴ電極１０２、１０３は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より構成されており、ＩＤＴ電極１０２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に他方のくし形電極は接地し、ＩＤＴ電極１０３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に他方のくし形電極は接地した構造である。また、基板端面からの不要な反射波を抑圧するために、圧電基板１０１の長辺方向（ＳＡＷの伝搬方向）の両端に吸音材１０５を塗布している。
【０００４】
前記トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、入力側ＩＤＴ電極１０２及び出力用ＩＤＴ電極１０３のどちらか一方もしくは両方に、ＳＡＷの伝搬方向に対して励振の強度に重み付けを行うことで高減衰な特性が得られることが一般的に知られている。重み付けの代表的な手法としては電極の交差幅を伝搬方向に対して変化させるアポダイズ法、また交差幅を一定として励振に寄与する電極の有無を伝搬方向に対して変化させることで伝搬方向の励振の強度に重み付けを行う間引き法が知られている。
【０００５】
図８は、前記間引き法により励振の重み付けを施したＩＤＴ電極の例を示している。該ＩＤＴ電極１１２は、電極指のピッチで規定される１波長に相当する区間を基本区間とした時、基本区間Ａ〜Ｄで構成されている。基本区間Ａ及び基本区間Ｄは、約λ／８の幅を有する励振電極と約３λ／８の幅を有する反射電極を３本配置した構造であり、左右非対称な電極指配列にすることによりＳＡＷの励振に方向性を付けている。この基本区間は、単相一方向性電極（Single Phase Uni-Directional Transducer：ＳＰＵＤＴ）とも呼ばれる。また、基本区間Ｂはλ／８の幅を有する電極指４本配置しており、一部の電極指の極性を反転させることでＳＡＷの励振に方向性を付けている。そして、基本区間Ｃは約λ／８の幅を有する電極指を４本配置し、全て同極性の電極指で形成した構造であるのでＳＡＷの励振は行わない。このように励振の重み付けを施した基本区間を複数組み合わせてＩＤＴ電極を形成することにより、阻止域減衰量を高減衰にすることできる。
【０００６】
ところで、弾性表面波の伝搬モードにはレイリーＳＡＷやリーキーＳＡＷ、縦波型のＳＳＢＷ(Surface Skimming Bulk Waves)等がある。図９は、圧電基板に３３．５°回転ＹカットＸ伝搬水晶基板を用い、レイリーＳＡＷを主伝搬モードにしたトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示している。なお、中心周波数fｏは２００（ＭＨｚ）に設定している。同図に示すようにリーキーＳＡＷはレイリーＳＡＷの約１．６倍の周波数位置、縦波型ＳＳＢＷはレイリーＳＡＷの約１．８倍の周波数位置に主応答が現れ、通過帯域から比較的離れた位置に主伝搬モード以外の伝搬モードの主応答が出現することが分かる。一方、図示していないが、リーキーＳＡＷを主伝搬モードにしたトランスバーサルＳＡＷフィルタの場合、レイリーＳＡＷはリーキーＳＡＷの約０．６倍の周波数位置、縦波型ＳＳＢＷはリーキーＳＡＷの約１．１倍の周波数位置に主応答が現れ、通過帯域に比較的近い位置に主伝搬モード以外の伝搬モードの主応答が出現してしまうので、レイリーＳＡＷを主伝搬モードにしたトランスバーサルＳＡＷフィルタと比較して通過帯域近傍の減衰量が劣ってしまうことが知られている。従って、通過域近傍において高減衰が要求されるＳＡＷフィルタにおいては、レイリーＳＡＷを主伝搬モードとして選択することが多い。
【０００７】
ところが、レイリーＳＡＷを主伝搬モードとしたトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、前記リーキーＳＡＷの低域側の応答がスプリアスとしてレイリーＳＡＷの応答に混入してしまい、通過帯域近傍の阻止域減衰量が劣化してしまう問題があった。この問題を図１０を用いて説明する。同図は図９のフィルタ特性における中心周波数ｆｏ付近の通過特性を拡大した図であり、レイリーＳＡＷのみの応答（実線）とリーキーＳＡＷのみの応答（点線）を分けて図示している。ここで、通過帯域近傍の阻止域Ｘに着目すると、実線に示すレイリーＳＡＷのみの応答は阻止域Ｘにおいて高減衰であるが、点線に示すリーキーＳＡＷのみの応答は阻止域Ｘにおいて減衰量が劣化しているのが分かる。従って、両伝搬モードを合成したフィルタ特性で見ると、阻止域ＸにおいてリーキーＳＡＷの応答がスプリアスとして現れてしまうので減衰量が劣化してしまうのである。
【特許文献１】特許第２５８３３８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の解決しようとする課題は、レイリーＳＡＷを主伝搬モードにしたトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、リーキーＳＡＷの低域側の応答がレイリーＳＡＷの応答に混入し阻止域減衰量を劣化させてしまう点である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの請求項１に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて２個配置してなるトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極は、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし形電極から構成され、前記電極指のピッチで規定される１波長に相当する区間を基本区間とした時、複数個の基本区間を組み合わせて形成され、前記基本区間は、該基本区間の弾性表面波の伝搬方向の中心位置に対し、左側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を正の励振、右側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を負の励振、また、励振中心が存在しない場合を零の励振とした時、いずれかの励振の重み付けが施されており、前記ＩＤＴ電極を一つの方向から見た時に互い隣接する基本区間において、負から零の励振、もしくは零から正の励振、もしくは負から正の励振に移行する場合を正の変化とし、正から零の励振、もしくは零から負の励振、もしくは正から負の励振に移行する場合を負の変化とした時、前記正の変化から前記負の変化に、もしくは前記負の変化から前記正の変化に変極する変極点の数ＭがＩＤＴ電極を構成する基本区間の数をＮとした時、０．２≦Ｍ／Ｎ≦０．３を満足していることを特徴としている。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記正の励振の重み付けが施された基本区間及び負の励振の重み付けが施された基本区間のうち少ないほうの基本区間の数が、前記ＩＤＴ電極を構成する全ての基本区間の数に対し０．３％以上１．０％以下であることを特徴とている。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて２個配置してなるトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極は、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし形電極から構成され、前記電極指のピッチで規定される１波長に相当する区間を基本区間とした時、複数個の基本区間を組み合わせて形成され、前記基本区間は、該基本区間の弾性表面波の伝搬方向の中心位置に対し、左側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を正の励振、右側に弾性表面波の励振中心が存在する場合を負の励振、また、励振中心が存在しない場合を零の励振とした時、いずれかの励振の重み付けが施されており、前記正の励振の重み付けが施された基本区間及び負の励振の重み付けが施された基本区間のうち少ないほうの基本区間の数が、前記ＩＤＴ電極を構成する全ての基本区間の数に対し０．３％以上１．０％以下であることを特徴としている。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記基本区間は、約３λ／８の幅を有する電極指と約λ／８の幅を有する電極指を３本配置して構成されることを特徴としている。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記基本区間は、約λ／８の幅を有する電極指を４本配置して構成されることを特徴としている。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記圧電基板は水晶基板であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のトランスバーサルＳＡＷフィルタは、ＩＤＴ電極内の隣接する基本区間の励振強度の変化を緩和することにより通過帯域近傍の阻止域減衰量を高減衰にしたので、隣接するキャリア周波数の信号による妨害を防ぐことができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を図面に図示した実施の形態例に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施例に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示したものである。圧電基板１の主表面上にＳＡＷの伝搬方向に沿ってＡｌを主成分とする金属からなる入力用ＩＤＴ電極２と出力用ＩＤＴ電極３とを所定の間隔をあけて配置すると共に、前記ＩＤＴ電極２、３の間に入出力端子間の直達波を遮蔽する為のシールド電極４を配置したレイリーＳＡＷを主伝搬モードとするトランスバーサルＳＡＷフィルタである。前記ＩＤＴ電極２、３は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より構成されており、入力用ＩＤＴ電極２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に他方のくし形電極は接地し、出力用ＩＤＴ電極３の一方にくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に、他方のくし形電極は接地した構造である。また、基板端面からの不要な反射波を抑圧するために圧電基板１の長辺方向（ＳＡＷの伝搬方向）の両端に吸音材５を塗布する。なお、λはくし形電極のピッチで規定される波長であり、本実施例においては１λ毎に形成された電極指郡を基本区間として、基本区間をｎ２個組み合わせて入力用ＩＤＴ電極２を形成し、基本区間をｎ３個組み合わせて出力用ＩＤＴ電極３を形成している。
【００１７】
図２は、前記入力用ＩＤＴ電極２及び前記出力用ＩＤＴ電極３を形成している基本区間の詳細な構造を示している。（ａ）に示す３個の基本区間は１λにおいて約λ／８の幅を有する電極指と約３λ／８の幅を有する電極指を３本配置した構造であり、（ｂ）に示す３個の基本区間は１λにおいて約λ／８の幅を有する電極指を４本配置した構造である。図２の（ａ）及び（ｂ）の基本区間は電極指の配列や幅を変化させることによりＳＡＷの励振の強度に重み付けを施した間引き法を適用している。また、各基本区間の斜線で示した電極指は、その基本区間におけるＳＡＷの励振の中心の電極指であることを示している。これらの基本区間は一般に単相一方向性電極（Single Phase Uni-Directional Transducer：以下、ＳＰＵＤＴと称す）と呼ばれ、左右非対称な電極指構造にしてＳＡＷの励振の中心をずらすことによりＳＡＷの励振に一方向性を付けている。図２の各基本区間においてＳＡＷの伝搬方向の中心位置Ｘに対し、励振の中心が左側に位置している場合を正の励振、励振の中心が右側に位置している場合を負の励振、励振がない場合を零の励振とすると、図２の（ａ）及び（ｂ）の基本区間は、左から順に正の励振、零の励振、負の励振の重み付けが施されていると言える。
【００１８】
図３（ａ）は、本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、入力用ＩＤＴ電極２の基本区間数ｎ２を１１１、出力用ＩＤＴ電極３の基本区間数ｎ３を１８６、ＩＤＴ電極全体の基本区間数Ｎを２９７として、入力用ＩＤＴ電極２の基本区間と出力用ＩＤＴ電極３の基本区間の全てについて各基本区間に施した励振の重み付けの変化を示している。同図は、正の励振の重み付けが施されている基本区間を「１」、零の励振の重み付けが施されている基本区間を「０」、負の励振の重み付けが施されている基本区間を「−１」として、各基本区間に施された励振の重み付けに応じてプロットして各点を端から順に直線で結んでいる。また、図３（ｂ）は従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタにおける基本区間の励振の重み付けの変化を示している。
【００１９】
ここで、図３において隣り合う基本区間の励振の重み付けが「−１」から「０」、「０」から「１」、「−１」から「１」に移行する場合を正の変化、「１」から「０」、「０」から「−１」、「１」から「−１」に移行する場合を負の変化とし、正の変化から負の変化、もしくは負の変化から正の変化に変わる点を変極点と定義する。図３（ａ）の本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの入力用ＩＤＴ電極２の変極点ｍ２は２４、出力用ＩＤＴ電極３の変極点ｍ３は４０、ＩＤＴ電極全体の変極点Ｍは６４であり、ＩＤＴ電極内の基本区間数に対する変極点数の割合（変極点率）は、入力用ＩＤＴ電極２がｍ２／ｎ２×１００＝２４／１１１×１００＝２１．６（％）、出力用ＩＤＴ電極３がｍ３／ｎ３×１００＝４０／１８６×１００＝２１．５（％）、ＩＤＴ電極全体でＭ／Ｎ×１００＝６４／（１１１＋１８６）×１００＝２１．５（％）である。同様に、図３（ｂ）の従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの入力用ＩＤＴ電極２の変極点ｍ２は４６、出力用ＩＤＴ電極の変極点ｍ３は５９、ＩＤＴ電極全体の変極点Ｍは１０５であり、変極点率は入力用ＩＤＴ電極２が４１．４（％）、出力用ＩＤＴ電極３が３１．７（％）、ＩＤＴ電極全体で３５．３（％）である。このように本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタは、従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタと比較して変極点率を減少させている。即ち、隣接する基本区間の励振の強度の変化を緩和したことを特徴としている。
【００２０】
また、図３に示す本発明構造及び従来構造のＩＤＴ電極は共に正の励振「１」の重み付けを施した基本区間を多用している。ここで、負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間に注目してみると、図３（ａ）に示す本発明構造の負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間は２個、また、図３（ｂ）に示す従来構造の負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間は１０個あり、全基本区間数Ｎに対する負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間数の割合は本発明構造が２／（１１１＋１８６）×１００＝０．７（％）程度、従来構造が１０／（１１１＋１８６）×１００＝３．７（％）程度である。このように本発明構造は、負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間を従来構造に比べて少なくしていることも特徴の一つである。
【００２１】
図４は、図３（ａ）に示す本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタと図３（ｂ）に示す従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性の比較をシミュレーションしたものである。図４（ａ）は中心周波数に対し±１００MHｚスパンのフィルタ特性、図４（ｂ）は中心周波数に対し±１０MHｚスパンのフィルタ特性を示している。なお、太線が本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性であり、細線が従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。また、本発明構造及び従来構造は共に、圧電基板に３３．５°回転ＹカットＸ伝搬水晶基板を用い、基本区間長１λ＝１５（μｍ）、基本区間数をｎ２＝１１１、ｎ３＝１８６とし、中心周波数を２００（ＭＨｚ）としている。図４に示すように、本発明のトランスバーサルＳＡＷフィルタの方が広範囲の阻止域において高減衰になっており、また通過帯域近傍の阻止域においても減衰量劣化の原因となっていたリーキーＳＡＷ応答が抑圧されて高減衰な特性が得られていることが分かる。
【００２２】
このように、本発明においては励振の重み付けを施した基本区間を複数組み合わせて構成したトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、変極点率を減らす、或いは負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間の数を減らすことにより通過帯域近傍の広範囲の阻止域を高減衰にできることが判明した。これは、ＩＤＴ電極内の隣り合う基本区間において励振の強度の変化を緩和することでリーキーＳＡＷ応答が抑圧され、通過帯域近傍の阻止域減衰量が高減衰になった為と考えられる。
【００２３】
本発明における基本区間の配置方法は、コンピューターによる遺伝的アルゴリズム(ＧＡ)を用いて最適化問題を解くことで求めている。最適化問題においては、真の最適解である大域的最適解もしくは探索空間におけるある点の近傍だけに限定される最適解である局所的最適解を求めることが必要となる。複雑な問題において、ニュートン法、準ニュートン法に代表される非線形最適化手法では、計算の初期値すなわち探索空間のどの点から探索を開始するかで得られる最適解(局所解)は変わり、一回の計算において大域的最適解を求めることは困難である。そのため、何度も初期値を振って、得られた局所解の中で最も優れた解を採用することが一般的である。一方、ＧＡは計算時間が多くかかるが局所解への収束を回避するように確率的に探索するため、大域的最適解を近似的に求めることができると一般に考えられている。ＧＡは多点探索手法であり、初期の個体集団を大きくとれば大域的最適解を比較的効率よく探索することができる。このように、ＧＡは最適化手法の中で最も大域的収束性に優れるが、最適化設計の結果は初期値の設定如何に多少なりとも依存するので、最適化設計ごとに初期値を異ならせて複数回の最適化を試行した。
【００２４】
図５（ａ）は、図３（ａ）に示す本発明のトランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、初期値を６回異ならせて最適化設計を行ったときの変極点率、及び負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間数の割合を示している。なお、図５（ｂ）は図３（ｂ）の従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタにおける最適化設計を示している。図５において（１）は入力用ＩＤＴ電極及び出力用ＩＤＴ電極の変極点率とＩＤＴ電極全体の変極点率を示しており、（２）はＩＤＴ電極全体の基本区間数Ｎに対する負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間数の割合を示している。図５に示すように、従来構造における変極点率は３０〜４０％程度の範囲内に収束されているのに対し、本発明構造における変極点率は２０〜３０％程度の範囲内に収束されていることが分かる。また、負の励振「−１」の重み付けを施した基本区間数の割合は、従来構造は２〜５％程度の範囲内に収束されているのに対し、本発明構造は０．３〜１．０％程度の範囲内に収束されていることが分かる。
【００２５】
前記最適化設計の結果に基づきトランスバーサルＳＡＷフィルタを実際に試作した。図６にフィルタ特性を示す。同図の太線は本発明のトランスバーサルＳＡＷフィルタを実際に試作し測定したフィルタ特性であり、ＩＤＴ電極全体の変極点率を２１．５％、負の励振の重み付けを施した基本区間数の割合を０．７％に設定している。なお、細線は従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。同図に示す通り、通過帯域近傍の阻止域減衰量を従来より高減衰にできる効果が確認された。
【００２６】
本実施例では、正の励振の重み付けを施した基本区間を負の励振の重み付けを施した基本区間より多く設計したが、逆に負の励振の重み付けを施した基本区間の方を多く設計してもかまわない。その場合は、正の励振の重み付けを施した基本区間数を全体の基本区間数に対し０．３〜１．０％程度に設定することにより通過帯域近傍の阻止域減衰量を高減衰化することができる。
【００２７】
以上では圧電基板に３３．５°回転ＹカットＸ伝搬水晶基板を用いたトランスバーサルＳＡＷフィルタについて説明したが本発明はこれに限定されるものではなく、圧電基板にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ランガサイト等に用いた場合にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図２】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの基本区間の詳細な構造を示す。
【図３】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの基本区間に施した励振の重み付けの変化を説明する図であり、（ａ）は本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の構成、（ｂ）は従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の構成である。
【図４】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの通過特性と従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの通過特性の比較を示しており、（ａ）は中心周波数に対し±１００ＭＨｚスパンのフィルタ特性、（ｂ）は中心周波数に対し±１０ＭＨｚスパンのフィルタ特性である。
【図５】最適化設計した時の変極点率と負の励振の重み付けを施した基本区間の割合を示しており、（ａ）は本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの最適化設計結果、（ｂ）は従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの最適化設計結果である。
【図６】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタを実際に試作した時のフィルタ特性を示す。
【図７】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図８】従来の励振の重み付けを施したＩＤＴ電極を示す。
【図９】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示す。
【図１０】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの通過帯域付近のレイリーＳＡＷ応答とリーキーＳＡＷ応答を示す。
【符号の説明】
【００２９】
１：圧電基板
２：入力用ＩＤＴ電極
３：出力用ＩＤＴ電極
４：シールド電極
５：吸音材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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