(57)【要約】【課題】小型で、安価な半導体装置、及びその測定方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップ２を有したチップ領域３が複数個配設された半導体基板１と、チップ領域３間に設けられたスクライブ領域４と、このスクライブ領域４に設けられた導電体５とを備え、半導体チップ２は、半導体基板１に設けられた導電体５の形成面と同一側において、少なくとも接地用の第１のパッド部２ａと、高周波用の第２のパッド部２ｂを有し、第１のパッド部２ａが導電体５に電気的に接続されたため、従来の第２のパッド部が不要となり、従って、小型で、安価な半導体装置を提供できる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを有したチップ領域が複数個配設された半導体基板と、前記チップ領域間に設けられたスクライブ領域と、このスクライブ領域に設けられた導電体とを備え、前記半導体チップは、前記半導体基板に設けられた前記導電体の形成面と同一側において、少なくとも接地用の第１のパッド部と、高周波用の第２のパッド部を有し、前記第１のパッド部が前記導電体に電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記チップ領域がマトリックス状に配設されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のパッド部が前記第２のパッド部の隣部から離れた位置に設けられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の半導体装置と、少なくとも２個の接触部を有したプローブとを備え、前記導電体が接地された状態で、前記接触部の一方を前記導電体に接触すると共に、前記接触部の他方を前記第２のパッド部に接触させるようにしたことを特徴とする半導体装置の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は種々の電子機器等に使用して好適な半導体装置、及びその測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置、及びその測定方法の図面を説明すると、図５は従来の半導体装置の平面図、図６は従来の半導体装置に係る要部の拡大平面図、図７は従来の半導体装置の測定方法を説明するための説明図である。
【０００３】
次に、従来の半導体装置の構成を図５，図６に基づいて説明すると、ウエハーからなる平板状の半導体基板５１は、複数個の半導体チップ５２と、この半導体チップ５２を有し、マトリックス状に配設された複数個のチップ領域５３と、このチップ領域５３間に設けられ、個々の半導体チップ５２を形成するためのスクライブ領域５４と、このスクライブ領域５４に格子状に形成された導電体５５を有する。（例えば、特許文献１参照）
【０００４】
そして、従来の半導体装置は、スクライブ領域５４に導電体５５を設けると共に、この半導体５５を接地することによって、製造時における半導体チップ５２に対する静電破壊を防止するようにしたものである。
【０００５】
また、従来の半導体装置の個々の半導体チップ５２は、図６に示すように、半導体基板５１に設けられた導電体５５の形成面と同一側において形成された複数個のパッド部Ｐを有する。
【０００６】
この複数個のパッド部Ｐは、回路基板（図示せず）に接続される複数個の接地用の第１のパッド部Ｐａと、回路基板（図示せず）に接続不要、或いは接続されない複数個の接地用の第２のパッド部Ｐｂと、回路基板（図示せず）に接続され、第２のパッド部Ｐｂと隣り合わせに配置された高周波用の第３のパッド部Ｐｃと、回路基板（図示せず）に接続されるそれ以外の複数個の第４のパッド部Ｐｄを有する。
【０００７】
このような構成を有する従来の半導体装置は、半導体基板５１がスクライブ領域５４に沿って切断されることによって、互いに分離された個々の半導体チップ５２が製造され、この分離された半導体チップ５２が電子機器の回路基板に搭載されるようになっている。
【０００８】
次に、従来の半導体装置の測定方法を図７に基づいて説明すると、先ず、パッド部Ｐ、及び導電体５５を上方にした状態で、半導体基板５１がテーブル（支持台）（図示せず）上に支持される。
【０００９】
次に、測定装置（図示せず）に接続されたプローブ５６には、２個のピン状の接触部５６ａ、５６ｂが設けられ、このプローブ５６が矢印Ａ方向に移動されて、プローブ５６を半導体基板５１上に移動し、一方の接触部５６ａを第３のパッド部Ｐｃに接触させると共に、他方の接触部５６ｂを第２のパッド部Ｐｂに接触させて、高周波の電気的特性を測定するようになっている。
【００１０】
また、プローブ５６の接触部５６ａ、５６ｂが隣り合う第４のパッド部Ｐｄ間に接触させ、この状態で測定すると、低周波等の電気的特性が測定できるようになっている。
【００１１】
即ち、従来の半導体装置、及びその測定方法においては、接地用の第１のパッド部Ｐａの他に、高周波用の第３のパッド部Ｐｃに隣り合う接地用の第２のパッド部Ｐｂを必要とし、従って、半導体装置が大型になるばかりか、余分な接地用の第２のパッド部Ｐｂを形成せねばならず、半導体装置の製造がコスト高になるものである。
【００１２】
【特許文献１】
特開平５−１０９６４１号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置、及びその測定方法においては、接地用の第１のパッド部Ｐａの他に、高周波用の第３のパッド部Ｐｃに隣り合う接地用の第２のパッド部Ｐｂを必要とし、従って、半導体装置が大型になるばかりか、余分な接地用の第２のパッド部Ｐｂを形成せねばならず、半導体装置の製造がコスト高になるという問題がある。
【００１４】
そこで、本発明は小型で、安価な半導体装置、及びその測定方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、半導体チップを有したチップ領域が複数個配設された半導体基板と、前記チップ領域間に設けられたスクライブ領域と、このスクライブ領域に設けられた導電体とを備え、前記半導体チップは、前記半導体基板に設けられた前記導電体の形成面と同一側において、少なくとも接地用の第１のパッド部と、高周波用の第２のパッド部を有し、前記第１のパッド部が前記導電体に電気的に接続された構成とした。
【００１６】
また、第２の解決手段として、前記チップ領域がマトリックス状に配設された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記第１のパッド部が前記第２のパッド部の隣部から離れた位置に設けられた構成とした。
【００１７】
また、第４の解決手段として、半導体装置と、少なくとも２個の接触部を有したプローブとを備え、前記導電体が接地された状態で、前記接触部の一方を前記導電体に接触すると共に、前記接触部の他方を前記第２のパッド部に接触させるようにした測定方法とした。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置、及びその測定方法の図面を説明すると、図１は本発明の半導体装置の平面図、図２は本発明の半導体装置に係る要部の拡大平面図、図３は本発明の半導体装置の測定方法の第１実施例を示し、測定方法を説明するための説明図、図４は本発明の半導体装置の測定方法の第２実施例を示し、測定方法を説明するための説明図である。
【００１９】
次に、本発明の半導体装置の構成を図１，図２に基づいて説明すると、ウエハーからなる平板状の半導体基板１は、複数個の半導体チップ２と、この半導体チップ２を有し、マトリックス状に配設された複数個のチップ領域３と、このチップ領域３間に設けられ、個々の半導体チップ２を形成するためのスクライブ領域４と、このスクライブ領域４に格子状に形成された導電体５を有する。
【００２０】
また、半導体チップ２は、回路基板（図示せず）に接続される複数個の接地用の第１のパッド部２ａと、回路基板（図示せず）に接続され、第１のパッド部２ａから離れた位置（隣り合わせでない位置）に配置された高周波用の第２のパッド部２ｂと、回路基板（図示せず）に接続されるそれ以外の複数個の第３のパッド部２ｃを有する。
【００２１】
また、第１，第２，第３のパッド部２ａ、２ｂ、２ｃは、図２に示すように、半導体基板１に設けられた導電体５の形成面と同一側において形成され、第１のパッド部２ａは、導電体５と電気的に接続されて、導電体５を介して接地可能となっている。
【００２２】
そして、本発明の半導体装置は、スクライブ領域４に導電体５を設けると共に、この半導体５を接地することによって、製造時における半導体チップ２に対する静電破壊を防止するようになっている。
【００２３】
このような構成を有する本発明の半導体装置は、半導体基板１がスクライブ領域４に沿って切断されることによって、互いに分離された個々の半導体チップ２が製造され、この分離された半導体チップ２が電子機器の回路基板に搭載されるようになっている。
【００２４】
次に、本発明の半導体装置の測定方法の第１実施例を図３に基づいて説明すると、先ず、第１，第２，第３のパッド部２ａ、２ｂ、２ｃ、及び導電体５を上方にした状態で、半導体基板１がテーブル（支持台）（図示せず）上に支持されると共に、導電体５を接地した状態にする。
【００２５】
次に、測定装置（図示せず）に接続されたプローブ６には、異なる長さを有し、矢印Ａ方向に対して前後に配置された２個のピン状の接触部６ａ、６ｂが設けられ、このプローブ６が矢印Ａ方向に移動されて、プローブ６が半導体基板１上に移動し、一方の長い接触部６ａを第２のパッド部２ｂに接触させると共に、他方の短い接触部６ｂを導電体５に接触させる。
【００２６】
すると、接触部６ｂは、導電体５を介して接地用の第１のパッド部２ａに導通すると共に、接地状態にある導電体５を介して接触部６ｂが接地された状態となって、高周波の電気的特性を測定するようになっている。
【００２７】
また、プローブ６の接触部６ａ、６ｂが隣り合う第３のパッド部２ｃ間に接触させ、この状態で測定すると、低周波等の電気的特性が測定できるようになっている。
【００２８】
即ち、本発明の半導体装置、及びその測定方法においては、接地用の導電体５を設けるだけで良く、従来のように、高周波用の第３のパッド部Ｐｃに隣り合う接地用の第２のパッド部Ｐｂを必要とするものに比して、半導体装置を小型化できるばかりか、半導体装置の製造が安価になるものである。
【００２９】
また、本発明は、接地用の第１のパッド部２ａがパッド部配列中のいかなる位置おいても、容易に導電体５に接続できて、且つ、容易に高周波の電気的特性を測定することができる。
【００３０】
また、図４は本発明の半導体装置の測定方法の第２実施例を示し、この第２実施例は、前記第１実施例と接触部６ａ、６ｂの構成を異にするが、その他の構成は、前記第１実施例と同様であり、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３１】
即ち、第２実施例におけるプローブ６は、接触部６ａ、６ｂが同じ長さで形成され、矢印Ａ方向に対して前部に配置された接触部６ａが第２のパッド部２ｂに接触すると共に、後部に位置する接触部６ｂが導電体５に接触するようにしたものである。
【００３２】
なお、上記実施例では、半導体チップ２，及びチップ領域３がマトリックス状に配設されたもので説明したが、半導体チップ２，及びチップ領域３がマトリックス状以外の形状に配設されたものでも良いこと勿論である。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、半導体チップを有したチップ領域が複数個配設された半導体基板と、チップ領域間に設けられたスクライブ領域と、このスクライブ領域に設けられた導電体とを備え、半導体チップは、半導体基板に設けられた導電体の形成面と同一側において、少なくとも接地用の第１のパッド部と、高周波用の第２のパッド部を有し、第１のパッド部が導電体に電気的に接続されたため、従来の第２のパッド部が不要となり、従って、小型で、安価な半導体装置を提供できる。
【００３４】
また、チップ領域がマトリックス状に配設されたため、多数の半導体チップが同時に形成できて、生産性の良好なものが得られる。
【００３５】
また、第１のパッド部が第２のパッド部の隣部から離れた位置に設けられたため、接地用の第１のパッド部がパッド部配列中のいかなる位置おいても、容易に導電体に接続できて、且つ、容易に高周波の電気的特性を測定することができる半導体装置を提供できる。
【００３６】
また、半導体装置と、少なくとも２個の接触部を有したプローブとを備え、導電体が接地された状態で、接触部の一方を導電体に接触すると共に、接触部の他方を第２のパッド部に接触させるようにしたため、接地用の第１のパッド部がパッド部配列中のいかなる位置おいても、容易に導電体に接続できて、且つ、容易に高周波の電気的特性を測定することができる測定方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の平面図。
【図２】本発明の半導体装置に係る要部の拡大平面図。
【図３】本発明の半導体装置の測定方法の第１実施例を示し、測定方法を説明するための説明図。
【図４】本発明の半導体装置の測定方法の第２実施例を示し、測定方法を説明するための説明図。
【図５】従来の半導体装置の平面図。
【図６】従来の半導体装置に係る要部の拡大平面図。
【図７】従来の半導体装置の測定方法を説明するための説明図。
【符号の説明】
１  半導体基板
２  半導体チップ
２ａ  第１のパッド部
２ｂ  第２のパッド部
２ｃ  第３のパッド部
３  チップ領域
４  スクライブ領域
５  導電体
６  プローブ
６ａ  接触部
６ｂ  接触部
【図１】
2005032975.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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