(57)【要約】【課題】  従来のタヌキモの培養は水槽にイネ科植物を植え、水を土から１０ｃｍ程入れ、そこでタヌキモを栽培すると育つと言われている（例えば、非特許文献１参照。）。しかし、安定して栽培できる人工培地は開発されていない。土とイネ科植物との培養では、タヌキモの生育に適した土だと良く生育するが、逆に合わない土の場合もある。生育の仕方も土やイネ科植物の状態にしたがって変化する。土の成分が不明なので安定した生育は難しい。【解決の手段】開発した培地は、タヌキモの自生池の水質と組織培養培地（Ｍｕｒａｓｈｉｇｅ，Ｓｋｏｏｇの培地）を参考にして、各種の無機塩類とイノシトールを純水に加えて作製したタヌキモ人工合成培地である。具体的内容としては、５００ｍｇ／ｌイノシトール基本培地を１２０℃で３時間滅菌したものである。基本培地とは、Ｍｕｒａｓｈｉｇｅ，Ｓｋｏｏｇ組織培養培地の無機塩類の塩化カルシウム以外を５０倍希釈し、塩化カルシウムのみ２倍濃縮させたものである。【選択図】図３
2005198635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タヌキモは、水生食虫植物として貴重植物の１つである。この貴重植物の水槽内での長期栽培は非常に難しい。イネ科植物と共に植えると良いと言われているが安定した栽培は難しい。ここでは、貴重植物の大量増殖と安定した実験研究や教材の提供に役立つ無機塩類と有機物の人工合成培地を作製した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、貴重植物であるタヌキモの人工培養を可能にする人工合成培地に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来のタヌキモの培養は土にイネ科植物を植え、水を土から１０ｃｍ程入れ、そこでタヌキモを栽培すると育つと言われている（例えば、非特許文献１参照。）。しかし、安定して栽培できる人工培地は開発されていない。【０００３】  以下、
【図１】
のように従来の土での培養が可能である。
【非特許文献１】  「食虫植物」，小宮  定志  清水  清，ニュー・サイエンス社，１９７８年，ｐ．８７〜９０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  以上に述べた従来の土とイネ科植物との培養では、タヌキモの生育に適した土だと良く生育するが、逆に合わない土の場合もある。生育の仕方も土やイネ科植物の状態にしたがって変化する。土の成分が不明なので安定した生育は難しい。【０００５】  本発明は、このような従来の培養法が有していた問題を解決するものであり、貴重植物であるタヌキモの安定した生育の実現を目的とするものである。
【問題を解決するための手段】
【０００６】  そして、本発明は上記目的を達成するために、タヌキモの自生池の水質と組織培養培地（Ｍｕｒａｓｈｉｇｅ，Ｓｋｏｏｇの培地）を参考にして、各種の無機塩類とイノシトールを純水に加えて作製したタヌキモ人工合成培地である。
【０００７】  第１に、無機塩類の種類や濃度を調整するために、タヌキモの自生池の水質（金属イオン）を平成１５年３月２４日、財団法人茨城県薬剤師会公衆衛生検査センターに検査を依頼した。その結果は次のとおりである。
【化１】
Ｎａ＋    ・・・・・        ９．６ｍｇ／ｌ
【化２】
Ｋ＋      ・・・・・        ５．１
【化３】
Ｍｇ２＋  ・・・・・        ２．０
【化４】
Ｃａ２＋  ・・・・・        ５．０
【化５】
Ｆｅ２＋  ・・・・・        ０．２９
【化６】
Ｍｎ２＋  ・・・・・        ０．０１
【０００８】  上記の結果から、Ｍｕｒａｓｈｉｇｅ，Ｓｋｏｏｇ組織培養培地の無機塩類の塩化カルシウム以外を５０倍希釈し、塩化カルシウムのみ２倍濃縮させたものを基本培地とした。基本培地１ｌ中の物質組成は次のとおりである。
【化７】
ＮＨ４ＮＯ３          ３３（ｍｇ）
【化８】
ＫＩ                    ０．０１７
【化９】
ＫＮＯ３              ３８
【化１０】
Ｎａ２ＭｏＯ４・２Ｈ２Ｏ  ０．００５
【化１１】
ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ  ８８０
【化１２】
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ    ０．０００５
【化１３】
ＭｇＳＯ４・７Ｈ２Ｏ  ７．４
【化１４】
ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ    ０．０００５
【化１５】
ＫＨ２ＰＯ４          ３．４
【化１６】
Ｎａ２−ＥＤＴＡ        ０．７５
【化１７】
ＭｎＳＯ４・４Ｈ２Ｏ  ０．４５
【化１８】
ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ    ０．５６
【化１９】
Ｈ３ＢＯ３            ０．１２
【化２０】
ＺｎＳＯ４・４Ｈ２Ｏ    ０．１７
【０００９】  第２は、上記の基本培地に加える有機物である。ペプトンとイノシトールについて基本培地と組み合わせて調べてみた。以下▲１▼〜▲５▼のような溶液を各１０本ずつ試験管（内径２２ｍｍ）に作り、アルミホイルで蓋をして１２０℃、３時間で滅菌し、培地を作製した。
▲１▼純水６４ｍｌ
▲２▼５０ｍｇ／ｌイノシトール基本培地６４ｍｌ
▲３▼５０ｍｇ／ｌペプトン基本培地６４ｍｌ
▲４▼２５ｍｇ／ｌイノシトール、２５ｍｇ／ｌペプトン基本培地６４ｍｌ
▲５▼５０ｍｇ／ｌペプトン水溶液６４ｍｌ
上の▲１▼〜▲５▼の各培地にタヌキモの新芽を含む０．２ｇを植え、２５℃の恒温機に入れ、夜間は８００  ｌｘ、昼間は１３００  ｌｘの連続照明で培養した
【参考写真１】
。培養開始から、約１週間ごとに水分を良く拭き取りタヌキモの重量を測定し、各培地ごとの平均値を求めグラフ
【図２】
に表した。
【００１０】    次にイノシトールの最適な濃度を調べてみた。以下▲１▼〜▲５▼のような溶液を各１０本ずつ試験管（内径２２ｍｍ）に作り、アルミホイルで蓋をして１２０℃、３時間で滅菌し、培地を作製した。
▲１▼純水６４ｍｌ
▲２▼５０ｍｇ／ｌイノシトール溶液６４ｍｌ
▲３▼５０ｍｇ／ｌイノシトール基本培地６４ｍｌ
▲４▼２５０ｍｇ／ｌイノシトール基本培地６４ｍｌ
▲５▼５００ｍｇ／ｌイノシトール基本培地６４ｍｌ
上の▲１▼〜▲５▼の各培地にタヌキモの新芽を含む０．２ｇを植え、２５℃の恒温機に入れ、夜間は８００  ｌｘ、昼間は１３００  ｌｘの連続照明で培養した。培養開始から、約１週間ごとに同様にタヌキモの重量を測定し、各培地ごとの平均値を求めグラフ
【図３】
に表した。
【００１１】    イノシトールの濃度を変化させた結果から、重量において５００ｍｇ／ｌイノシトール基本培地が最も良く、肉眼での観察結果でも、形や色が自然の状態とほぼ同じである。タヌキモ人工合成培地として５００ｍｇ／ｌイノシトール基本培地を使用することによって、１ヶ月以上タヌキモを元気な状態で安定して栽培できる。
【参考写真２】
は、タヌキモ人工合成培地で培養した１ヶ月ごのタヌキモの写真である。
【発明の効果】
【００１２】    上述したように本発明のタヌキモ人工合成培地は、土での培養と違い誰もが安定してタヌキモを培養、増殖できる。しかも、自生地の土を使用した場合と同じか、それ以上に生育がよい。
【００１３】    また、培地の成分がコントロールできているため、タヌキモの発展的な実験や教育教材（食虫植物の観察など）、さらに、貴重植物の増殖、保存などが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】    以下、本発明であるタヌキモ人工合成培地の作製の仕方を説明する。【００１５】    以下の各物質を水１ｌに溶かし、１２０℃で３時間滅菌する。
【化２１】
ＮＨ４ＮＯ３                      ３３（ｍｇ／ｌ）
【化２２】
ＫＩ                        ０．０１７
【化２３】
ＫＮＯ３                          ３８
【化２４】
Ｎａ２ＭｏＯ４・２Ｈ２Ｏ    ０．００５
【化２５】
ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ        ８８０．０
【化２６】
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ      ０．０００５
【化２７】
ＭｇＳＯ４・７Ｈ２Ｏ            ７．４
【化２８】
ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ      ０．０００５
【化２９】
ＫＨ２ＰＯ４                    ３．４
【化３０】
Ｎａ２−ＥＤＴＡ              ０．７５
【化３１】
ＭｎＳＯ４・４Ｈ２Ｏ          ０．４５
【化３２】
ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ          ０．５６
【化３３】
Ｈ３ＢＯ３                    ０．１２
【化３３】
ＺｎＳＯ４・４Ｈ２Ｏ          ０．１７
【化３４】
ミオイノシトール                ５００
室温になったら、タヌキモを植えることができる。培養するタヌキモは、生重量０．２ｇ以上で新芽を含み元気な株がよい。
【００１５】  タヌキモの培養する際の環境条件としては、温度は２０〜２８℃、光は１０００  ｌｘ以上がよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来から行われている土とイネ科植物を利用した栽培方法の図
【図２】２５℃、夜間は８００  ｌｘ、昼間は１３００  ｌｘの連続照明で基本培地にペプトンやイノシトールを加えた培地で培養したタヌキモの生重量のグラフ
【図３】２５℃、夜間は８００  ｌｘ、昼間は１３００  ｌｘの連続照明で基本培地にイノシトールの濃度を変化させた培地で培養したタヌキモの生重量のグラフ
【符号の説明】
【図１】
１    イネ科植物
２    タヌキモ
３    水
４    池や田の泥土
【図１】
2005198635.tif 000003
【図２】
2005198635.tif 000004
【図３】
2005198635.tif 000005