(57)【要約】【課題】非破壊検査装置、医療用の診断装置、画像形成装置において使用可能で良好な超音波の集束が得られる超音波リニアアレイトランスデューサを提供する。【解決手段】支持体１０は個々の超音波圧電素子を支持する支持部１１がＸ方向に所定のピッチで複数配置された形状で構成されている。支持部１１はＸ方向には凸状の曲率からなる面を成して形成され更にその支持部１１の長手方向中央部分がＹ方向に対して凹状の曲率からなる面を形成され、上面に個別配線電極１２を形成され、その上に圧電性高分子フイルム１３を配置され、更にその上を共通電極が被っている。個々の超音波圧電素子１４から照射される超音波は一方ではＹ方向に対して凹状の面によりＹ方向の一点（Ｘ方向では一線）に集束され、他方ではＸ方向に対して凸状の面によりＸ方向に広角度で拡散し遅延駆動制御によりＸ方向の目的とする一点に集束する。【選択図】      図１
2005203976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数の超音波圧電素子が並設されて成る超音波リニアアレイトランスデューサであって、
前記支持体の短手方向となる各前記超音波圧電素子の長手方向の形状は凹状に形成され、前記支持体の長手方向となる各前記超音波圧電素子の短手方向の形状は凸状に形成されて成る、ことを特徴とする超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項２】
各前記超音波圧電素子は、前記凹状に形成された長手方向の形状により、前記支持体の短手方向に沿った空間の所望の位置に超音波を集束させ、前記凸状に形成された短手方向の形状により、前記支持体の長手方向に沿った空間の所望の位置に超音波を拡散させる、ことを特徴とする請求項１記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項３】
複数の前記超音波圧電素子は、前記支持体上において共通アース電極と複数の個別配線電極によって挟持された一枚の圧電性高分子フイルムにおける前記個別配線電極による挟持部分により形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項４】
前記支持体は、前記圧電性高分子フイルムを吸着して張り付けるための多数の吸気口を形成されていることを特徴とする請求項３記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項５】
長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数並設されて成る超音波圧電素子と、該超音波圧電素子から照射される超音波の照射中心方向に配置され該照射中心方向からほぼ直角方向に前記超音波を反射する超音波反射板とを備えた超音波リニアアレイトランスデューサであって、
前記超音波反射板は、各前記超音波圧電素子に対応する反射面を有し、該各反射面は前記支持体の短手方向に対応する形状が凹状に形成されて前記支持体の短手方向に沿った空間の所望の位置に反射超音波を集束させると共に、前記支持体の長手方向に対応する形状が各前記超音波圧電素子に対応する反射面毎に凸状に形成されて前記支持体の長手方向に沿った空間の所望の位置に反射超音波を拡散させる、ことを特徴とする超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項６】
前記支持体と前記超音波反射板の間の前記超音波の照射進路中に配置された超音波平面反射板を更に備え、前記超音波反射板は、前記反射超音波の集束と拡散の方向を各前記超音波圧電素子からの照射中心とずれた該照射中心と平行する方向へ反射することを特徴とする請求項５記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項７】
長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数並設されて成る超音波圧電素子と、該超音波圧電素子の超音波照射面上に配設された音響レンズから成る超音波リニアアレイトランスデューサであって、
前記音響レンズは、前記支持体の短手方向となる自己長手方向の形状が凹状に形成され、前記支持体の長手方向となる自己短手方向の形状が凸状に形成されて成る、ことを特徴とする超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項８】
前記支持体の長手方向は前記超音波照射のＸ方向であり、前記支持体の短手方向は前記超音波照射のＹ方向である、ことを特徴とする請求項１、５又は７記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項９】
前記支持体の長手方向に沿った空間に各前記超音波圧電素子から照射されて拡散される前記超音波は、各前記超音波圧電素子に対する照射開始時間の遅延制御によって所望の位置に集束することを特徴とする請求項１、５又は７記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【請求項１０】
本体長手方向に沿って複数の超音波圧電素子を備えて成る超音波リニアアレイトランスデューサの駆動制御方法であって、
前記超音波圧電素子の持つ共振周波数の任意の倍数の高周波超音波を発生させることを特徴とする超音波リニアアレイトランスデューサの駆動制御方法。
【請求項１１】
所望の高周波超音波が前記超音波圧電素子の持つ共振周波数のｎ倍であるとき、ｎ−１個おきに順次前記超音波圧電素子を半波の正弦波電圧を印加して駆動することを特徴とする請求項１０記載の超音波リニアアレイトランスデューサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
非破壊検査装置、医療用の診断装置、画像形成装置において用いられる超音波トランスデューサ、特に超音波リニアアレイトランスデューサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、超音波が、周波数が高くて波長が短く指向性に優れていて反射波の検出などが容易であることから、非破壊検査装置、医療用の診断装置、画像形成装置等の種々の分野で利用されている。
【０００３】
例えば、アレイ型の超音波トランスデューサ（transducer：変換器、振動子、送受波器）では高感度、高空間分解能、高コントラスト分解能のアレイ型超音波トランスデューサの構成が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
また、送信超音波で造影剤バブル破壊時に発生する受信超音波を高感度、高選択性で受信する生体組織の医療診断に最適な超音波トランスデューサの製造方法なども提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
また、画像形成装置に超音波を利用する例としては、インクジェットプリンタのライン記録ヘッドを超音波トランスデューサで構成し、それに音響レンズを用い、超音波によりインク柱を移動させ、その先端からインク液滴を飛翔させて画像を形成する方法が提案されている。（例えば、特許文献３参照。）
また、超音波リニアアレイトランスデューサの超音波を利用してマイクロカプセルトナーに内包される色材を破壊して画像形成することも提案されている。
【０００４】
図１３(a) は、そのような破壊前の発色前の色材を内包したマイクロカプセルトナーの構成例を示す図であり、同図(b),(c) は、そのカプセルトナーが超音波照射を受けて選択的に発色する原理を説明する図である。
【０００５】
先ず、同図(a) に示すように、カプセルトナーＴは大径マイクロカプセル１の内にマゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）の３種類の小径マイクロカプセル２（２Ｍ、２Ｃ、２Ｙ）を内包しており、各小径マイクロカプセル２Ｍ、２Ｃ、２Ｙには、小径カプセル壁３が形成されている。
【０００６】
上記の大径マイクロカプセル１の直径は例えば１５μｍで構成され、小径マイクロカプセル２の直径は色毎に異なり例えば１〜４μｍである。そして１個の大径マイクロカプセル１内に小径マイクロカプセル２Ｍ、２Ｃ、及び２Ｙが、色毎の色素量が同一になるように、それぞれ複数個程収容されている。
【０００７】
上記のように小径マイクロカプセル２つまり小径カプセル壁３の直径が色毎に異なるのは、色毎に共振周波数を異ならせるためである。これらの小径マイクロカプセル２Ｍ、２Ｃ、及び２Ｙは、大径マイクロカプセル１内に封入され、顕色剤４が混入されたジェル状の保持層５中にランダムに分散している。尚、同図に示す小径マイクロカプセル２´は発色した小径マイクロカプセルを示している。
【０００８】
同図(b),(c) は、画像形成装置本体の発色部においてカプセルトナーＴが超音波照射を受けている状態を示す図である。上記のように、カプセルトナーＴは大径カプセル１内にマゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）の３種類の小径マイクロカプセル２Ｍ、２Ｃ、２Ｙが内包されており、共振周波数の超音波を受けた小径マイクロカプセルの小径カプセル壁３が破壊され、内部の発色剤４が顕色剤５と混合して反応し、発色する。
【０００９】
例えば、同図(b) は、不図示の超音波リニアアレイトランスデューサから単一の共振周波数の超音波ＳがカプセルトナーＴに照射されている状態を示している。この場合は、この共振周波数で振動する小径マイクロカプセルのみが破壊されて発色する。また、同図(c) は超音波リニアアレイトランスデューサから２つの共振周波数の超音波Ｓ１、Ｓ２がカプセルトナーＴに照射される状態を示している。この場合は、これらの共振周波数Ｓ１、又はＳ２で振動する小径カプセルが破壊されてそれぞれ発色する。
【００１０】
例えば、小径マイクロカプセル２Ｍの小径カプセル壁３のみが破壊されると、マゼンタ（Ｍ）色が発色する。また、小径マイクロカプセル２Ｃの小径カプセル壁３のみが破壊されるとシアン（Ｃ）色が発色する。また、小径マイクロカプセル２Ｍの小径カプセル壁３と小径マイクロカプセル２Ｃの小径カプセル壁３が破壊されると、赤色が発色し、小径マイクロカプセル２Ｃの小径カプセル壁３と小径マイクロカプセル２Ｙの小径カプセル壁３が破壊されると、青色が発色する。
【００１１】
図１４は、上記の小径マイクロカプセル２の小径カプセル壁３を破壊する超音波を発振する超音波リニアアレイトランスデューサの外観斜視図である。同図に示す超音波リニアアレイトランスデューサ６は、その長手方向に超音波素子が形成されている。
【００１２】
図１５は、上記の超音波リニアアレイトランスデューサ６の構成を具体的に説明する図であり、同図(a) は、超音波リニアアレイトランスデューサ６の上面図、同図(b) はその個別印加電極の上面図、同図(c) は同図(b) のＡ−Ａ´矢視断面図、同図(d) は同図(c) のＢ−Ｂ´矢視断面図である。
【００１３】
この超音波リニアアレイトランスデューサ６は、同図(c),(d) に示すように、担持体７内に５層の部材を積層して構成される。最下層（第５層）には共通電極８−５（アース）が配設され、第４層には圧電素子である超音波素子８−４が配設され、第３層には主走査方向に短冊状に並んだ個別印加電極８−３が配設され、第２層には超音波素子８−４と超音波伝搬媒体との音響インピーダンスの差を軽減する為の音響インピーダンス整合層８−２が配設され、更に第１層には音響レンズ８−１が配設されている。
【００１４】
超音波素子８−４には、個別印加電極８−３と共通電極（アース）８−５が接続され、個々の個別印加電極８−３からは個別配線８−３−１が外部に引き出されている。これらの電極から、前述の所望の小径カプセル壁３を破壊する超音波を発振するための超音波出力信号が供給される。超音波素子８−４は上記信号が印加されると歪みを生じ、所定の周波数で超音波振動が励起される。
【００１５】
超音波素子８−４で励起された超音波振動は音響インピーダンス整合層８−２を通して音響レンズ８−１で屈折され、指定位置（指定距離）に集束する。尚、音響インピーダンス整合層８−２は上記のように、超音波素子８−４と超音波伝搬媒体との音響インピーダンスの差を軽減する機能を有している。
【００１６】
一般に、マイクロカプセルトナーＴが配置されている指定位置に画素サイズの超音波ビームを集束させるためには超音波素子８−４を微細なサイズに加工することが困難であることと前述の小径カプセル壁３を破壊するために必要な超音波の音圧を１個の超音波素子８−４で得ることが困難であることから、主走査方向及び副走査方向に複数からなる超音波素子８−４の超音波ビームを集束させることによって指定位置に画素サイズの超音波ビームを集束させるようにする。
【００１７】
図１６は主走査方向（Ｘ方向）に配設された超音波素子８−４と、超音波素子８−４から出力される超音波の集束位置の関係を示す図である。尚、同図においては説明上、超音波素子８−４には紙面の左側から素子番号１、２、３、・・・が付与されている。また、同図に示す集束位置には、画素番号（例えば、１〜７１６８）が付与されている。尚、上記集束位置は、例えば電子写真式の画像形成装置の感光体ドラム又は中間転写体上にカプセルトナーＴが静電付着して搬送される途中で超音波リニアアレイトランスデューサ６と対峙する位置である。
【００１８】
図１７は、上記超音波素子８−４の配設構成の一部を拡大して示す図であり、例えば超音波素子「１」〜「６」までを拡大して示している。互いに隣り合う超音波素子８−４は間隔ｄを有して配設されており、同時にｍ個の超音波素子８−４が時間遅延しながら駆動される。
【００１９】
例えば、同図に示すＡ点について考えると、同時にｍ個（例えば５個）の超音波素子８−４を時間遅延させて５個の超音波素子８−４の中心（Ａ点）に強力な超音波をあてる。例えば、「１」の超音波素子８−４とＡ点の距離、「２」の超音波素子８−４とＡ点の距離、「３」の超音波素子８−４とＡ点の距離は少しずつ異なり、この距離差と超音波の伝搬速度から各超音波素子８−４の出力タイミングをずらし、所定のタイミングで超音波出力を行う。このように制御することにより、同時にＡ点に強力な超音波を照射することができる。
【００２０】
また、上記Ａ点に限らず、超音波素子８−４からの超音波出力のタイミングを調整することによって、超音波素子８−４の配設ピッチより狭い位置（例えば、１/２ｄの位置、Ｂ点）に複数の超音波素子８−４から出力された超音波ビームを集束させることもできる。したがって、例えば１画素間隔で（ピッチｄで）超音波ビームの集束位置を主走査方向にずらして制御することによって、１画素間隔で前述のカプセルトナーＴに対して強力な超音波ビームを集束することができ、小径カプセル壁３を破壊して所望の色の発色を１画素間隔で行うことができる。
【００２１】
また、副走査方向については、上記音響レンズ８−１の屈折を利用して超音波ビームの集束サイズを小さくすることができる。したがって、副走査方向に集束画素サイズを小さく構成することによって、より解像度の高い画像を形成することが可能となる。例えば、画素サイズを１/４とすることによって超音波ビームを１画素に対して４回供給することができ、４階調の色制御が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３１０６０８号公報（［要約］、［００３１］〜［００４０］、図１〜図５）
【特許文献２】特開２００３−３２５５２６号公報（［要約］、［０００６］、［００３１］〜［００３６］、図１〜図４）
【特許文献３】特開２００２−０２９０５２号公報（［要約］、図１、図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
ところで、一般に、超音波リニアアレイトランスデューサにより照射される超音波ビームは、超音波素子の配列方向（ｘ方向）の超音波集束に関しては前述したように超音波照射の遅延制御により絞り込みができる。そして、超音波素子の長手方向（Ｙ方向）には音響レンズにより絞り込んで集束させている。
【００２３】
上述した特許文献１〜４に示される超音波トランスデューサは、いずれも超音波素子の配列方向と交差である上記の素子長手方向（Ｙ方向）に超音波を集束させるために、Ｙ方向に例えば凹形状や凸形状となる音響レンズを使用している。
【００２４】
このような方式は、医療用のエコー装置等で多く利用されているものであるが、医療用のエコー装置では超音波でも比較的低い周波数が用いられているため、集束ビームはある程度の大きさの広がりを持っており、したがって解像度の向上には限界がある。
【００２５】
解像度を上げるためには、超音波をさらに高周波化しなければならない。そして高周波化すると、さらに指向性が高くなる。ここで遅延制御を利用した×方向の微細な集束ビームを得るためには、広い範囲（広い角度）に配置されている各超音波素子からの超音波を集めることが必要になる。
【００２６】
このことは高周波化により指向性が高くなることと相反することであり、これを実現させるためには、指向性を広くするため超音波素子の幅をさらに小さく（狭く）しなければならない。
【００２７】
ところが超音波素子の幅を小さくすると、発生できる超音波エネルギーが減少するという不具合だけでなく、加工も難しくなり、また配線本数も増えてしまうから、回路規模が増大してコストアップを招くことになってしまう。
【００２８】
本発明の課題は、上記従来の実情に鑑み、各超音波素子がエネルギーの高い大きな音圧を発生でき、広角度の超音波を発生させることができ、形状の加工が容易であり、全体として少ない超音波素子数でＸ、Ｙ方向ともに解像度の高い集束超音波を得ることができる超音波リニアアレイトランスデューサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
先ず、第１の発明の超音波リニアアレイトランスデューサは、長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数の超音波圧電素子が並設されて成る超音波リニアアレイトランスデューサであって、上記支持体の短手方向となる各上記超音波圧電素子の長手方向の形状は凹状に形成され、上記支持体の長手方向となる各上記超音波圧電素子の短手方向の形状は凸状に形成されて成るように構成される。
【００３０】
この場合、各上記超音波圧電素子は、例えば上記凹状に形成された長手方向の形状により、上記支持体の短手方向に沿った空間の所望の位置に超音波を集束させ、上記凸状に形成された短手方向の形状により、上記支持体の長手方向に沿った空間の所望の位置に超音波を拡散させるように構成される。
【００３１】
また、複数の上記超音波圧電素子は、例えば上記支持体上において共通アース電極と複数の個別配線電極によって挟持された一枚の圧電性高分子フイルムにおける上記個別配線電極による挟持部分により形成される。また、上記支持体は、例えば上記圧電性高分子フイルムを吸着して張り付けるための多数の吸気口を形成されて構成される。
【００３２】
次に、第２の発明の超音波リニアアレイトランスデューサは、長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数並設されて成る超音波圧電素子と、該超音波圧電素子から照射される超音波の照射中心方向に配置され該照射中心方向からほぼ直角方向に上記超音波を反射する超音波反射板とを備えた超音波リニアアレイトランスデューサであって、上記超音波反射板は、各上記超音波圧電素子に対応する反射面を有し、該各反射面は上記支持体の短手方向に対応する形状が凹状に形成されて上記支持体の短手方向に沿った空間の所望の位置に反射超音波を集束させると共に、上記支持体の長手方向に対応する形状が各上記超音波圧電素子に対応する反射面毎に凸状に形成されて上記支持体の長手方向に沿った空間の所望の位置に反射超音波を拡散させるように構成される。
【００３３】
この場合、例えば上記支持体と上記超音波反射板の間の上記超音波の照射進路中に配置された超音波平面反射板を更に備え、上記超音波反射板は、上記反射超音波の集束と拡散の方向を各上記超音波圧電素子からの照射中心とずれた該照射中心と平行する方向へ反射するように構成してもよい。
【００３４】
続いて、第３の発明の超音波リニアアレイトランスデューサは、長尺の支持体の長手方向に沿って該支持体上に複数並設されて成る超音波圧電素子と、該超音波圧電素子の超音波照射面上に配設された音響レンズから成る超音波リニアアレイトランスデューサであって、上記音響レンズは、上記支持体の短手方向となる自己長手方向の形状が凹状に形成され、上記支持体の長手方向となる自己短手方向の形状が凸状に形成されて成るように構成される。
【００３５】
上記第１〜第３の発明の超音波リニアアレイトランスデューサにおいて、例えば上記支持体の長手方向は上記超音波照射のＸ方向であり、上記支持体の短手方向は上記超音波照射のＹ方向であるように構成される。また、例えば上記支持体の長手方向に沿った空間に各上記超音波圧電素子から照射されて拡散される上記超音波は、各上記超音波圧電素子に対する照射開始時間の遅延制御によって所望の位置に集束するように構成される。
【００３６】
最後に、第４の発明の超音波リニアアレイトランスデューサの駆動制御方法は、本体長手方向に沿って複数の超音波圧電素子を備えて成る超音波リニアアレイトランスデューサの駆動制御方法であって、上記超音波圧電素子の持つ共振周波数の任意の倍数の高周波超音波を発生させるように構成される。
【００３７】
この場合、例えば所望の高周波超音波が上記超音波圧電素子の持つ共振周波数のｎ倍であるとき、ｎ−１個おきに順次上記超音波圧電素子を半波の正弦波電圧を印加して駆動するのが好ましい。
【発明の効果】
【００３８】
第１、第２の発明によれば、超音波圧電素子の形状又は超音波反射板の素子対応形状をＹ方向に凹、Ｘ方向に凸に形成するので、一方では音響レンズを用いることなく照射超音波をＹ方向に集束できると共に、他方ではＸ方向の照射超音波の拡散範囲を周波数に拘わり無く広角度に広げることができ、これにより時間遅延駆動によりＸ方向の集束密度を高めて、全体として解像度の高い集束超音波を得ることができる。
【００３９】
また、幅広の大きな超音波圧電素子から解像度の高い集束ビームを得ることができるので、幅広の大きな超音波圧電素子の使用が可能となり、超音波圧電素子の加工が容易になって便利である。また同様に幅広の大きな超音波圧電素子を使用できるので並設する超音波圧電素子の数を削減することができ、したがって配線数も低減するので製作コストを低減させることができる。
【００４０】
また、上記第１の発明によれば、支持体上のＸ方向に凸状に形成された支持部上にパターン化された個別配線電極の大きさにより超音波の発生角度を調整できるので、超音波拡散角度の設計が容易となって便利である。
【００４１】
次に、第３の発明よれば、音響レンズを単にＹ方向に集束するためだけでなく各超音波圧電素子からのＸ方向の照射が大きく拡散するように各超音波圧電素子ごとに対応させて形成しているので、時間遅延駆動によりＸ方向の集束密度を高めて、全体として解像度の高い集束超音波を得ることができると共に、幅広の大きな超音波圧電素子から解像度の高い集束ビームを得ることができるので、幅広の大きな超音波圧電素子を用いることができ、加工の容易さと配線数の少なさの面から製作コストを低減させることができる。
【００４２】
更に、第４の発明によれば、ｎ−１個置きの駆動でｎ倍の高周波の超音波を発生させることができるので、作製し易いより低周波のトランデューサを用いて、より高周波の超音波を発生させることができて経済的である。また、低周波のトランデューサを用いるため、整合層も作製し易く、この面からも製作費が低減する。また、帯域が広く確保できるので設計の自由度が広がって便利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（実施形態１）
図１(a),(b),(c) は、第１の実施形態における超音波リニアアレイトランスデューサの製作過程を示す図である。同図(a) は、超音波リニアアレイトランスデューサの基部として超音波圧電素子を支持する支持体１０を示しており、支持体１０の長手方向が、最終的に形成される超音波リニアアレイトランスデューサの超音波照射のＸ方向となり、短手方向が、Ｙ方向となる。
【００４４】
同図(a) に示すように、支持体１０の個々の超音波圧電素子を支持する支持部１１は、Ｘ方向には凸状の曲率からなる面を成して形成され、更にその支持部１１の長手方向中央部分がＹ方向に対して凹面を形成されている。支持体１０は、上記のような支持部１１がＸ方向に所定のピッチで複数配置された形状を有して構成されている。
【００４５】
この支持体１０の材質は、樹脂またはゴム系材料を使用することにより、金型での成形が可能となり安価で容易に形状を実現することが出来る。
次に、同図(b) に示すように、支持体１０の上面に、超音波圧電素子の個別配線電極１２をＸ方向の凸状曲率からなる面の上部に形成する。このように凸状曲率からなる面の上部に形成しているため、これら各個別配線電極１２はそれぞれ電気的に分離独立している。
【００４６】
この個別配線電極１２は、転写印刷、タンポ印刷等により凸状曲率からなる面の上に形成させることができ、凸状曲率からなる面の上部に形成する電極位置により所望の法線方向角度（指向角度）を得ることが可能となる。
【００４７】
続いて、この電極形成された支持体１０の上面に、同図(c) に示すように、圧電性高分子フイルム１３を、Ｘ方向凸状曲率からなる面及びＹ方向凹面の形状に沿わせて貼り付ける。図では、下地の個別配線電極１２が上に貼られた圧電性高分子フイルム１３を透して見えるように図示している。この圧電性高分子フイルム１３は、例えばＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）フイルム等で構成される。
【００４８】
この圧電性高分子フイルム１３の支持体１０への貼付には、例えば支持体１０を型としたときに得られる形状の押し当て部材を治具として、ＰＶＤＦフイルムを支持体１０に向けて押さえ込んで貼り付ける。このときＰＶＤＦフイルムは圧電作用を有する分極が消えない程度に加熱することにより貼付が容易となる。
【００４９】
この圧電性高分子フイルム１３の上面には、図では定かに見えないが、共通電極又はパターン化された上面電極が予め形成されている。この上面の共通電極又はパターン化上面電極と下面の個別配線電極に挟持された部分が、超音波圧電素子１４を構成する。
【００５０】
（実施形態２）
上記のようにＰＶＤＦフイルムを支持体１０に貼り付けるには、押し当て部材を治具として用いる方法の他に、真空成形と同様な方式を用いて貼り付けることもできる。
【００５１】
図２(a),(b),(c) は、圧電性高分子フイルムを真空成形と同様な方式を用いて支持体に貼り付ける方法を示す図であり、同図(a) は上面図、同図(b) は同図(a) のＥ−Ｅ´断面矢視図（図１(c) のＣ−Ｃ´断面矢視図に対応）、同図(c) は同図(a) のＦ−Ｆ´断面矢視図（図１(c) のＤ−Ｄ´断面矢視図に対応）である。
【００５２】
図２(a),(b) に示すように、本例の支持体１５は、そのＸ方向に凸状の曲率からなる面を成して形成されている支持部１１と支持部１１との境界部１６に吸気口１７が設けられている。これにより、支持体１５上に圧電性高分子フイルム１３を載せ、吸気口１７により吸引処理を行うことにより、フイルム材料の真空成形と同様な方式にて、同図(c) に示すように、圧電性高分子フイルム１３を各支持部１１のＸ方向に凸状の曲率からなる面を成し且つ長手方向中央部分がＹ方向に対して凹面を成す形状に添って密着させることができる。
【００５３】
この場合、圧電性高分子フイルム１３は、支持部１１に設けてある個別配線電極１２（図１参照）上で、かつ照射超音波をＹ方向に集束させるための長手方向中央部の凹面形状を成す部分のみに皺等が発生しないように貼り付ければ、本発明の構成を有する超音波リニアアレイトランスデューサが目的とするＸ、Ｙ方向の集束超音波を得ることが可能となる。言い換えれば、圧電性高分子フイルム１３は、個別配線電極１２以外の部分では、皺等が発生しても何ら問題とならず、したがって上記による超音波圧電素子１４の製作は容易である。
【００５４】
図３(a) 〜(d) は、上記実施形態１及び実施形態２の構成の超音波リニアアレイトランスデューサの動作状態を示す図である。図３(a),(b) は、図１(c) のＤ−Ｄ´断面矢視図又は図２(a) のＦ−Ｆ´断面矢視図における超音波圧電素子１４からの超音波１８の照射状態を示しており、図３(c),(d) は、図１(c) のＣ−Ｃ´断面矢視図又は図２(a) のＥ−Ｅ´断面矢視図における超音波圧電素子１４からの超音波１８の照射状態を示している。
【００５５】
上述したように、個々の超音波圧電素子１４は、その長手方向（超音波リニアアレイトランスデューサ全体のＹ方向）中央部の凹面形状を成す素子本体部分の形状により、図３(a),(b) に示すように、照射される超音波１８はＹ方向の一点１９に集束される。このように、音響レンズを用いることなく個々の超音波圧電素子１４からの超音波をＹ方向の一点に（超音波リニアアレイトランスデューサ全体としてはＸ方向の一線上に）集束させることができる。
【００５６】
他方、個々の超音波圧電素子１４の短手方向（超音波リニアアレイトランスデューサ全体のＸ方向）の形状が凸状の曲率からなる面を形成していることにより、図３(c),(d) に示すように、照射される超音波１８はＸ方向に広角度に拡散する。このＸ方向に広角度に拡散する超音波は、図１６及び図１７で説明したと同様の遅延駆動制御により、図３(d) に示すようにＸ方向の目的とする一点１９ｘ（遅延制御集束点）に集束させることができる。
【００５７】
このように、本例の超音波リニアアレイトランスデューサは、Ｙ方向に凹状の曲率を有しＸ方向には凸状の曲率を有する特殊な形状の超音波圧電素子１４を用いることにより、照射超音波が、Ｙ方向には一点（Ｘ方向の一線）に集束し、Ｘ方向には広角度で拡散して遅延制御によって一点に集束することにより、超音波リニアアレイトランスデューサの主走査方向であるＸ方向の目的とする一点１９ｘに照射超音波を効率よく集束させることができる。
【００５８】
（実施形態３）
図４(a) 〜(d) は、実施形態３における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図である。図４(a),(b) は、図１(c) のＤ−Ｄ´断面矢視図又は図２(a) のＦ−Ｆ´断面矢視図に相当する断面矢視図であり、本例における構成の超音波圧電素子２１からの超音波１８の照射状態を示しており、図４(c),(d) は、図１(c) のＣ−Ｃ´断面矢視図又は図２(a) のＥ−Ｅ´断面矢視図に相当する断面矢視図であり、本例における構成の超音波圧電素子２１からの超音波１８の照射状態を示している。
【００５９】
本例における個々の超音波圧電素子２１は、その長手方向（超音波リニアアレイトランスデューサ全体のＹ方向）の中央部は凹面形状を成しているが、短手方向（超音波リニアアレイトランスデューサ全体のＸ方向）の形状は凹状の曲率からなる面を形成している。
【００６０】
このように、本例の超音波リニアアレイトランスデューサは、その素子本体部分の形状により、照射される超音波１８は、Ｙ方向では図４(a),(b) に示すようにＹ方向の一点１９に集束される。
【００６１】
他方、個々の超音波圧電素子１４のＸ方向に照射される超音波１８は、図４(c),(d) に示すように、Ｘ方向の形状が凹状の曲率からなる面を形成していることにより、一旦Ｘ方向の一点ｐに集束し、その後、広角度に拡散する。このＸ方向に広角度に拡散する超音波は、図１６及び図１７で説明したと同様の遅延駆動制御により、図４(d) に示すようにＸ方向の目的とする一点１９ｘに集束させることができる。
【００６２】
尚、本例における超音波リニアアレイトランスデューサの支持体、支持部、個別配線電極、圧電性高分子フイルム、共通電極等の構成は、支持部すなわち超音波圧電素子のＸ方向の形状が凸状から凹状に変わっただけで、その他の構成は実施形態１及び２の場合と同様である。
【００６３】
以上、実施形態１〜３で述べたように、本発明の超音波リニアアレイトランスデューサによれば、音響レンズを用いることなく照射超音波のＹ方向の集束を容易に行うことができ、他方、Ｘ方向の広い照射角により、広い範囲の超音波圧電素子から遅延制御による集束により、指向性の良い超音波ビームをＸ方向の所望の点に絞り込むことができるようになる。
【００６４】
（実施形態４）
図５(a),(b),(c) は、実施形態４における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図であり、同図(a) は正面図、同図(b) は側面図、同図(c) は透視的上面図である。
【００６５】
同図(a) に示すように、本例の超音波リニアアレイトランスデューサは、超音波照射部２２と、この超音波照射部２２の上方に配置された反射部２３とからなる。超音波照射部２２は、支持体２４と、この支持体２４上に多数形成された長方形の超音波圧電素子２５から成る。各超音波圧電素子２５は、図では１構成で示しているが、実際には、下部の個別配線電極、中間部の圧電性高分子フイルム、及び上部の共通電極から構成される。
【００６６】
各超音波圧電素子２５毎の個別配線電極は、支持体２４の上面全体に真空蒸着、又はスパッタリング等の技術により導電層を全体に形成したのち、フォトリソグラフィー、エッチング、又はサンドブラスト法等の技術によって不要部分を削りだすことにより、各個別の電極として分離形成することが出来る。
【００６７】
他方、反射部２３は、反射板支持部２６と、この反射板支持部２６に支持された超音波反射板２７から成る。超音波反射板２７は、各超音波圧電素子２５に対応するＹ方向に凹状でＸ方向には凸状の個々に独立の反射面２８の集合からなる。
【００６８】
同図(a),(b) に示す超音波圧電素子２５から照射される超音波１８は、高周波になるほど狭指向性となり平面波となって直進する。この超音波１８は、超音波反射板２７の反射面２８で反射され、反射面２８の形状が実施形態１及び２で示した超音波圧電素子１４と同様な形状であることにより、反射超音波１８´は、同図(a) に示すようにＸ方向には拡散され、Ｙ方向には一点（Ｘ方向の一線）１９に集束される。そして、Ｘ方向に拡散された反射超音波１８´は、この場合も適宜の遅延制御によって同図(c) に示すように、目的とする一点１９ｘに集束される。
【００６９】
本例の超音波リニアアレイトランスデューサの構成は、平坦な超音波照射面を有する超音波圧電素子から照射された平面波を、Ｙ方向に凹状の曲率でＸ方向に凸状の曲率を有する反射板により反射させ、Ｙ方向には一点に集束し、Ｘ方向には広角度で拡散して遅延制御によって一点に集束することによって、シャープな超音波ビームを目的とする一点に集束させることが可能となる。
【００７０】
また、この超音波リニアアレイトランスデューサは、超音波圧電素子２５の形成が容易であり、超音波反射板２７の反射面２８の構成形状だけで、音響レンズの代替ができるだけでなく、周囲の設計上、超音波圧電素子２５の直上に照射超音波の集束点を配置できないような場合、つまり図のように、超音波照射部２２を、そのＸ方向への超音波１８の照射方向が反射部２３を介して反射される反射超音波１８´の最終照射方向と照射軸の中心が直角となるように配置しなければならないような場合に有効である。
【００７１】
図６は、上記実施形態４の変形例を示す図である。尚、同図には、図５(a),(b),(c) に示した構成と同一構成部分には、図５(a),(b),(c) と同一の番号を付与して示している。図６に示す構成において、図５の場合と異なるのは、超音波照射部２２と反射部２３との間に、中間反射板２９が配置され、超音波照射部２２からの超音波１８が、中間反射板２９による平面波の反射超音波１８´、更に反射部２３による拡散（Ｘ方向）と集束（Ｙ方向）の反射超音波１８″となって最終的に遅延制御によって目的とする一点１９ｘに集束するように二重反射されていることである。
【００７２】
換言すれば、超音波照射部２２が、そのＸ方向への超音波１８の照射方向が中間反射板２９及び反射部２３を介して照射される反射超音波１８″の最終照射方向と照射軸の中心が平行するように配置されている点が構成的に図５の場合と異なる。
【００７３】
（実施形態５）
図７(a),(b) は、実施形態５における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図である。尚、部位的に見て図７(a) は図３(b) に相当する断面図であり、図７(b) は図３(d) に相当する断面図である。
【００７４】
同図(a) に示すように、本例の超音波リニアアレイトランスデューサは、図５又は図６の場合と同様に支持体２４の上に配した超音波圧電素子２５の上に、更に音響レンズ３１を配置したものである。この音響レンズ３１は、その中を伝わる超音波の音速が空気又は水中を伝わる音速よりも大きくなるように構成されているだけでなく、従来の音響レンズとは形状が異なり、図７(a),(b) に示すように、各超音波圧電素子２５の配設位置に対応する音響レンズ３１の各部位が、Ｙ方向には凹状の曲率でＸ方向には凸状の曲率で形成された超音波送出面３２を備えている。
【００７５】
これにより、同図(a) に示すように、各超音波圧電素子２５から照射された超音波１８が音響レンズ３１を通過した後、音響レンズ３１の超音波送出面３２から外部に照射されるときは、本例の場合も、Ｙ方向には屈折集束超音波１８ｆとなってＹ方向の集束点１９に集束し、Ｘ方向には屈折拡散超音波１８ｄとなって広い角度で拡散し、遅延制御によってＸ方向の集束点１９ｘに集束する。
【００７６】
なお、本例では、音響レンズ３１を伝わる超音波の音速が早く、照射される媒質（空気又は水）の中を伝わる音速が遅い場合について説明しているが、これに限ることなく、音響レンズの構成として、その中を伝わる超音波の音速が照射される媒質の音速よりも遅いように構成された音響レンズを用いることもできる。その場合は、音響レンズの超音波圧電素子の配設位置に対応する超音波送出面の形状を、Ｙ方向には凸状の曲率でＸ方向には凹状の曲率を有する形状にするとよい。このようにしても上記と同様な効果が得られる。
【００７７】
（実施形態６）
ところで、超音波リニアアレイトランスデューサを駆動するに当たり、各超音波圧電素子には、超音波照射対象の形状や質量等で決定される共振周波数を中心周波数にして超音波を発生させている。
【００７８】
高周波の超音波を得るためには超音波圧電素子の共振周波数を高くする必要があり、そのためには超音波圧電素子を薄く構成しなければならず、そのように薄く加工するには困難が伴う。
【００７９】
また、高周波になるに従い音響インピーダンスの整合をとるための整合層の厚みも波長に対して十分小さくする必要があり、超音波リニアアレイトランスデューサ全体としての作製が難しくなる。さらに、超音波圧電素子の共振周波数を使用するため、共振周波数の帯域を広くすることが出来ない。
【００８０】
また、各超音波圧電素子を高周波駆動するのには、比較的強力は駆動エネルギーを必要とする。したがって、でき得れば、超音波圧電素子を可能な限りの低周波で駆動して全体として高周波を得ることができればそのほうがより好ましいといえる。
【００８１】
上述した実施形態１〜５で述べたように、Ｘ方向については遅延制御によって集束位置を制御して小さなエネルギーの高周波を一点に集束して、一点への高周波印加エネルギーを高めることができることから、同様に超音波圧電素子の駆動を特定の方法で制御するか、超音波圧電素子を積層構造にして特定な駆動をすることによって、低周波駆動の超音波圧電素子から高周波の超音波を得ることができないかどうか実験したところ、これが可能であることが判明した。以下、これについて実施形態６として説明する。
【００８２】
図８(a),(b) は、参考のため超音波リニアアレイトランスデューサの従来の制御方法による動作状態を示す図であり、同図(a) はその発生する超音波を示す図、同図(b) はその超音波圧電素子への印加電圧と発生超音波の波形を示す図である。
【００８３】
同図(a) に示すように、超音波リニアアレイトランスデューサ３３の全部の超音波圧電素子３４に同時に、素子の共振周波数と同じ周波数の電圧を同ーの位相で印加すると、その周波数の超音波が各超音波圧電素子３４から発生し、平面波の超音波３５となって直進する。同図(a) の下に、この平面波３５の周波数の波形３６を示している。また、同図(b) の下にも同一の超音波の波形３６を示し、その上に、各超音波圧電素子３４に印加された交流電圧を示している。同図(b) に示すように、従来法では、印加電圧３７と同一周波数、同一位相の超音波３６が発生する。
【００８４】
図９(a) 〜(e) は、実施形態６における超音波リニアアレイトランスデューサの駆動方法とその発生超音波の波形を示す図である。本例においては、先ず、同図(a) に示すように超音波リニアアレイトランスデューサ３３の奇数番目の各超音波圧電素子３４o を半波電圧を印加して駆動する。奇数番目の各超音波圧電素子３４o は、半波振動源となって同図(a) の下に示す半波で形成される周波数の超音波３６o を発生し、全体として同図(a) の上に示す半波波動の平面波３５o となって直進する。
【００８５】
他方、これと同期して、超音波リニアアレイトランスデューサ３３の偶数番目の各超音波圧電素子３４e を、上記半波と半波の合間のタイミングで半波電圧を印加して駆動する。この場合も偶数番目の各超音波圧電素子３４e は、半波振動源となって同図(b) の下に示す半波で形成される周波数の超音波３６e を発生し、全体として同図(b) の上に示す半波波動の平面波３５e となって直進する。
【００８６】
同図(c) は、上記半波で形成される周波数の超音波３６o と超音波３６e の発生タイミングを示している。このように半波の超音波３６e は、同じく半波の超音波３６o の半波と半波の合間のタイミングで発生している。
【００８７】
同図(d) は、上記半波の超音波３６o と超音波３６e が、同図(a),(b) に示すように平面波３５o 及び３５e となって直進していく際の合成波形３６oeを示している。
この合成波形３６oeは、伝播していくに従い、同図(e) に示すように、限りなく図８(a),(b) に示した正弦波３６の形状に近づいていく。
【００８８】
図９(a),(b) に示す超音波リニアアレイトランスデューサの駆動方法は、従来方法と比べると、同時に振動している超音波圧電素子３４（３４o 、３４e ）の数は全体の１／２であるため音圧が下がるが、これは超音波圧電素子３４に印加する電圧値を可変にすることにより必要な音圧を確保することが出来る。
【００８９】
図１０(a),(b) は、本方式で５ＭＨｚ半波振動源を奇数番目と偶数番目で間欠駆動した場合と、従来方法で１０ＭＨｚ正弦波振動源を全数連続駆動した場合とのシミュレーション結果を示す図であり、同図(a) は平面波のシミュレーションを示し、同図(b) は集束波のシミュレーションを示している。
【００９０】
同図(a) に示すように、本例の駆動方法は５ＭＨｚの制御にもかかわらず、１０ＭＨｚの超音波が形成されていることが分かる。また、同図(b) に示すように、集束波の場合は伝搬が進むに従い、従来方法で発生させた超音波と同等の波形となっている。ただし、本例の場合、駆動電圧の振幅は大きくしている。
【００９１】
図１１(a) 〜(e) は、実施形態６における超音波リニアアレイトランスデューサの駆動方法の変形例とその発生超音波の波形を示す図である。同図(a) は、超音波リニアアレイトランスデューサの「１＋３ｎ」番目（ｎ＝０、１、２、・・・）の振動子（超音波圧電素子３４（３４o 、３４e ））への印加電圧波形を示し、同図(b) は、「２＋３ｎ」番目の振動子への印加電圧波形を示し、同図(c) は、「３＋３ｎ」番目の振動子への印加電圧波形を示している。
【００９２】
そして、同図(d) は、上記の電圧印加方法によって各振動子から発生した超音波の合成波形を示しており、同図(e) はその超音波の伝播に従って上記の合成波形が正弦波形に近づいた状態を示している。
【００９３】
このように、振動子を２個おきに制御すれば３倍の周波数を発生できる。同様に、振動子の制御の間隔を変えれば、印加電圧波形の周波数の任意の倍数の周波数の超音波を発生させることができる。
【００９４】
また、このように半波駆動による低周波で高周波を作り出す方法は、図５〜図７に示したように支持体２４上の長手方向に並設された超音波圧電素子３４に対して、本例のように一定間隔毎の超音波圧電素子３４を間欠駆動することによって達成できるが、他の方法によっても実現することができる。
【００９５】
（実施形態７）
図１２は、実施形態７における超音波振動素子の半波駆動による低周波で高周波を作り出す方法を示す図である。
【００９６】
同図に示すように支持体３８上に形成されている超音波振動素子４０は、駆動源４１からスイッチ４２を介して間欠的に半波電圧を印加される端子ａ、ｂ、ｃのうちの最上部の端子ａに接続された電極を間に挟んで上下をアース４３に接続された共通電極に接続された超音波圧電素子３４−１ｕと３４−１ｄ、同じく端子ａ、ｂ、ｃのうちの中間の端子ｂに接続された電極を間に挟んで上下をアース４３に接続された共通電極に接続された超音波圧電素子３４−２ｕと３４−２ｄ、同じく端子ａ、ｂ、ｃのうちの最下部の端子ｃに接続された電極を間に挟んで上下をアース４３に接続された共通電極に接続された超音波圧電素子３４−３ｕと３４−３ｄとで構成される。
【００９７】
上記の超音波圧電素子３４−１ｕと３４−１ｄは、その振動性向が印加電圧に対してそれぞれ逆向きになっており、図では印加電圧の電界が逆向きとなるため結果として印加電圧に対して同一方向に振動する。超音波圧電素子３４−２ｕと３４−２ｄ、３４−３ｕと３４−３ｄの場合も同様である。
【００９８】
上記の構成において、駆動源４１からは、スイッチ４２を切り替えながら駆動電圧を１波ずつ順次超音波圧電素子３４−１ｕと３４−１ｄ、３４−２ｕと３４−２ｄ、３４−３ｕと３４−３ｄのように繰り返し印加していく。
【００９９】
これにより振動する超音波圧電素子（振動子）は電圧が印加されている振動子だけであるが、積層されているため、その振動は表面まで伝播し、周辺の媒質を振動させ、超音波３６が発生する。
【０１００】
各振動子に周期Ｔで電圧を印加すると、同図の例では全体としては周期Ｔ／３の電圧が印加されているのと同じになり、各振動子は周波数ｆで振動していても、全体としては周波数３ｆで振動していることになる。
【０１０１】
このように、個々の振動子の発生する超音波の周波数が低くても、積層する振動子の数に応じて、発生する超音波の周波数を高くすることが出来る。
なお、超音波振動素子４０として積層する振動子の数は、図のように３組と限るものではなく、何組でも任意に増減して構成してよい。また、この超音波振動素子４０を、支持体の長手方向に並べて配置すれば超音波リニアアレイトランスデューサを構成できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】(a),(b),(c) は第１の実施形態における超音波リニアアレイトランスデューサの製作過程を示す図である。
【図２】(a),(b),(c) は超音波リニアアレイトランスデューサの圧電性高分子フイルムを真空成形と同様な方式を用いて支持体に貼り付ける方法を示す図である。
【図３】(a) 〜(d) は実施形態１及び２の構成の超音波リニアアレイトランスデューサの動作状態を示す図である。
【図４】(a) 〜(d) は実施形態３における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図である。
【図５】(a),(b),(c) は実施形態４における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図である。
【図６】実施形態４の変形例を示す図である。
【図７】(a),(b) は実施形態５における超音波リニアアレイトランスデューサの構成及びその動作状態を示す図である。
【図８】(a),(b) は参考のため超音波リニアアレイトランスデューサの従来の制御方法による動作状態を示す図である。
【図９】(a) 〜(e) は実施形態６における超音波リニアアレイトランスデューサの駆動方法とその発生超音波の波形を示す図である。
【図１０】(a),(b) は実施形態６の方式で５ＭＨｚ半波振動源を奇数番目と偶数番目で間欠駆動した場合と従来方法で１０ＭＨｚ正弦波振動源を全数連続駆動した場合とのシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】(a) 〜(e) は実施形態６における超音波リニアアレイトランスデューサの駆動方法の変形例とその発生超音波の波形を示す図である。
【図１２】実施形態７における超音波振動素子の半波駆動による低周波で高周波を作り出す方法を示す図である。
【図１３】(a) は破壊前の発色前の色材を内包したマイクロカプセルトナーの構成例を示す図、(b),(c) はそのカプセルトナーが超音波照射を受けて選択的に発色する原理を説明する図である。
【図１４】従来の小径マイクロカプセルの小径カプセル壁を破壊する超音波を発振する超音波リニアアレイトランスデューサの外観斜視図である。
【図１５】従来の超音波リニアアレイトランスデューサの構成を具体的に説明する図、(a) はその上面図、(b) はその個別印加電極の上面図、(c) は(b) のＡ−Ａ´矢視断面図、(d) は(c) のＢ−Ｂ´矢視断面図である。
【図１６】超音波リニアアレイトランスデューサにおいて主走査方向（Ｘ方向）に配設された超音波素子と超音波素子から出力される超音波の集束位置の関係を示す図である。
【図１７】超音波リニアアレイトランスデューサにおける超音波素子の配設構成の一部を拡大して示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
Ｔ      カプセルトナー
１      大径マイクロカプセル
２（２Ｍ、２Ｃ、２Ｙ）  小径マイクロカプセル
２´    発色小径マイクロカプセル
３      小径カプセル壁
４      顕色剤
５      保持層
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２  超音波
６    超音波リニアアレイトランスデューサ
７    担持体
８−１  音響レンズ
８−２  音響インピーダンス整合層
８−３  個別印加電極
８−４  超音波素子
８−５  共通電極
１０    支持体
１１    支持部
１２    個別配線電極
１３    圧電性高分子フイルム
１４    超音波圧電素子
１５    支持体
１６    境界部
１７    吸気口
１８    超音波
１８´  反射超音波
１８ｆ  屈折集束超音波
１８ｄ  屈折拡散超音波
１９    Ｙ方向の集束点（Ｘ方向の集束線）
１９ｘ  遅延制御集束点
２１    超音波圧電素子
２２    超音波照射部
２３    反射部
２４    支持体
２５    超音波圧電素子
２６    反射鏡支持部
２７    超音波反射板
２８    反射面
２９    中間反射板
３１    音響レンズ
３２    超音波送出面
３３    超音波リニアアレイトランスデューサ
３４    超音波圧電素子
３４o   奇数番目の超音波圧電素子
３４e   偶数番目の各超音波圧電素子
３４−１ｕ、３４−１ｄ、３４−２ｕ、３４−２ｄ、３４−３ｕ、３４−３ｄ  超音波圧電素子
３５    平面波超音波
３６    超音波波形
３７    印加電圧
３８    支持体
４０    超音波振動素子
４１    駆動源
４２    スイッチ
【図１】
2005203976.tif 000003
【図２】
2005203976.tif 000004
【図３】
2005203976.tif 000005
【図４】
2005203976.tif 000006
【図５】
2005203976.tif 000007
【図６】
2005203976.tif 000008
【図７】
2005203976.tif 000009
【図８】
2005203976.tif 000010
【図９】
2005203976.tif 000011
【図１０】
2005203976.tif 000012
【図１１】
2005203976.tif 000013
【図１２】
2005203976.tif 000014
【図１３】
2005203976.tif 000015
【図１４】
2005203976.tif 000016
【図１５】
2005203976.tif 000017
【図１６】
2005203976.tif 000018
【図１７】
2005203976.tif 000019