(57)【要約】【課題】本発明の課題は、装置構成が簡単で、また、電力を消費せず、かつ、長期間に亘って高い信頼性を維持することができる可変分散補償器として使用できる特性可変光ファイバグレーティングを提供することにある。【解決手段】円筒形状の基材部１と、この基材部１の周面部に取付けられた光ファイバグレーティング２と、基材部１に力を印加して変形させる機構部３とを有する。光ファイバグレーティング２は、基材部１の変形に伴って歪みを生じ、分散特性が変化する。【選択図】      図１
2005017462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも円筒体の一部である形状の部分を有する基材部と、
コアに周期的に屈折率が変化した部分が形成された光ファイバからなり、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分の周面部に取付けられた光ファイバグレーティングと、
前記基材部の円筒体の一部である形状の部分に対し、該円筒の軸に略直交する方向の力を印加して該基材部を変形させる機構部と、を備え、
前記光ファイバグレーティングは、前記基材部の変形に伴って歪みを生じて、特性が変化させられることを特徴とする特性可変光ファイバグレーティング。
【請求項２】
前記ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について連続的に変化していることを特徴とする請求項１記載の特性可変光ファイバグレーティング。
【請求項３】
前記ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について一定であることを特徴とする請求項１記載の特性可変光ファイバグレーティング。
【請求項４】
前記機構部は、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分を支持する支持部と、この支持部に対向して設けられ該円筒体の一部である形状の部分に対して進退するネジ機構部とを有し、このネジ機構部により、該円筒体の一部である形状の部分を押圧して前記基材部を変形させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の特性可変光ファイバグレーティング。
【請求項５】
前記機構部は、駆動手段を有し、この駆動手段が制御手段によって制御されて駆動することにより、前記基材部を変形させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の特性可変光ファイバグレーティング。
【請求項６】
前記機構部は、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分の該円筒の内側となる位置に配置されており、該円筒の内側より、該円筒体の一部である形状の部分に対して力を印加することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の特性可変光ファイバグレーティング。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信において可変分散補償器などとして使用される特性可変光ファイバグレーティングに関する。
【０００２】
【従来の技術】
（１）光ファイバグレーティング
従来、非特許文献１乃至非特許文献３に記載されているように、光ファイバグレーティングを用いた分散補償器が提案されている。この光ファイバグレーティングは、ゲルマニウム（Ｇｅ）が添加された石英からなる光ファイバのコアに紫外線を照射すると、照射部分の屈折率が上昇するという現象を利用して作製される光デバイスである。すなわち、この光ファイバグレーティングは、光ファイバの被覆樹脂を除去してクラッドガラス表面を露出させ、このクラッドの側面より、周期的な強度分布を有する紫外光を照射することにより作製される。
【０００３】
このようにして作製された光ファイバグレーティングのコアにおいては、屈折率が変化した部分がこのコアの長手方向について周期的に形成されている。このように屈折率が変化した部分が周期的に形成されたコアにおいては、入射光のうちの特定の波長の光を反射したり、あるいは、入射光のうちの特定の波長の光を光ファイバの外へ放射するという特性が得られる。したがって、このようなコアを有する光ファイバグレーティングは、波長選択フィルタなどとして用いることができる。
【０００４】
このような光ファイバグレーティングを作製するために用いられる紫外光の光源としては、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザや、アルゴンイオン（Ａｒ＋）レーザの第２高調波が用いられる。また、この紫外光に周期的な強度分布を与えるためには、周期的な溝が形成された位相マスクと呼ばれる石英基板に該紫外光を透過させることが行われている。
【０００５】
（２）分散補償
光伝送システムを構成する光ファイバ中を進む光の群速度は、その光の波長によって異なる。このような光の波長による群速度の変化を波長分散と呼ぶ。なお、波長分散は、群速度ではなく、伝播遅延時間の波長による変化で表されることが多い。
【０００６】
情報を伝送するために光ファイバ中を進行する光パルスは、いろいろな波長の光の重ね合わせと考えることができる。したがって、光ファイバからなる伝送路を通過した後の光パルスは、この伝送路中における波長分散の影響により、もとの状態とは異なる位相でいろいろな波長の光が重ね合わされた状態となり、結果として光パルスの幅が広がってしまう。
【０００７】
波長分散が大きくなると、光パルスの幅の広がりが大きくなり、隣り合う光パルス同士が重なり合ってしまうため、伝送特性が著しく劣化してしまう。
【０００８】
このような伝送特性の劣化を防ぐためには、伝送路を経た光パルスを受信する光受信器の前に、伝送路の波長分散特性と逆の波長分散特性を有する素子を挿入する方法がとられている。このような伝送路と逆の波長分散特性を持つ素子を分散補償器と呼んでいる。従来、この分散補償器としては、分散特性が伝送路の逆の特性になるように設計された分散補償ファイバが広く用いられていた。
【０００９】
しかしながら、この分散補償ファイバには、光ファイバの非線形性や、実装サイズが大きくなるという問題があった。また、この分散補償ファイバにおいては、波長分散特性が固定されているという問題もあった。このような問題を解決するものとして、以下に述べる分散補償ファイバグレーティングが注目されている。
【００１０】
（３）分散補償ファイバグレーティング
分散補償ファイバグレーティング（ＤＣ光ファイバグレーティング２）は、図２２に示すように、グレーティング周期が光ファイバのコアの長手方向に対して変化している光ファイバグレーティング１０１である。
【００１１】
この光ファイバグレーティング１０１における反射波長は、グレーティング周期に比例するので、入射する光の波長により反射する位置が異なることとなる。したがって、グレーティング周期が光ファイバのコアの長手方向に対して変化している光ファイバグレーティングにおいては、入射した光が反射して戻ってくる時間は、光の波長により異なることとなる。
【００１２】
すなわち、入射パルスの広がりに合わせて適当な周期変化率を持つ分散補償ファイバグレーティング（ＤＣ光ファイバグレーティング２）を用いることにより、入射光のパルス幅を元の幅に復元することができる。
【００１３】
この光ファイバグレーティング１０１に対する入射光パルスと、この光ファイバグレーティング１０１において反射された出射光パルスとを、光サーキュレータ１０２によって分離することにより、元の幅に復元された出射光パルスを取り出すことができる。
【００１４】
ここで、入射した光が反射して戻ってくる時間を群遅延時間と呼ぶ。群遅延時間の波長に対する特性が、光ファイバグレーティングの波長分散特性である。分散補償ファイバグレーティングに光が入射した場合の群遅延時間と波長との関係は、図２３に示すように、通常は、線形の関係にある。そして、群遅延時間及び波長を縦軸及び横軸として描かれるグラフにおける直線の傾きが、波長分散ということになる。
【００１５】
このような分散補償ファイバグレーティングは、図２４に示すように、従来の分散補償ファイバと同様に、光受信機１０３の前に挿入することで、伝送路の光ファイバが持つ波長分散の影響により生じた光信号の波形歪みを元に戻すことができる。すなわち、光送信器から発せられ伝送路となる光ファイバ１０５を経て光受信機１０３に向かう光パルスは、光サーキュレータ１０２を経て分散補償ファイバグレーティングとなる光ファイバグレーティング１０１に入射され、この光ファイバグレーティング１０１において反射される。そして、この光ファイバグレーティング１０１により反射された光パルスは、光サーキュレータ１０２を経て、光受信機１０３に入射される。
【００１６】
（４）可変分散補償器
ところで、分散補償器における分散量は、伝送路の波長分散と絶対値が同じで逆の符号の分散量であることが望ましい。しかし、複数の波長を多重化して伝送する波長多重通信システムでは、特定の波長についてはそのような完全な分散補償ができるものの、波長分散の波長依存性が伝送路と分散補償器で異なるため、特定の波長以外では完全には補償できない。すなわち、特定の波長以外では、伝送路における分散量と分散補償器における分散量との和がゼロにならない。このような分散量の和のことを残留分散と呼ぶ。
【００１７】
残留分散は、ある程度までは存在しても、光通信システムの伝送品質に大きな影響を与えない。しかし、残留分散が許容値を超えると、伝送特性が大きく劣化することとなる。残留分散の許容量は、伝送システムの伝送速度と関係があり、光信号の伝送速度の二乗に比例して小さくなることが知られている。
【００１８】
例えば、伝送速度が１０Ｇｂｉｔ／ｓｅｃである場合、残留分散の許容量は、１０００ｐｓ／ｎｍ程度であるが、伝送速度が４倍の４０Ｇｂｉｔ／ｓｅｃである場合には、残留分散の許容量は、１０００ｐｓ／ｎｍの１／１６の６４ｐｓ／ｎｍ程度となる。
【００１９】
また、伝送路における分散量は、伝送路が置かれている環境温度の変動で変化することが知られている。伝送速度が４０Ｇｂｉｔ／ｓｅｃである場合においては、波長分散の環境温度による変動量が、残留分散の許容量を容易に超えてしまう。
【００２０】
したがって、このような高速伝送システムにおいては、分散量を変化させることができない固定型の分散補償器だけでは、環境温度の変化による伝送特性の劣化を補償することができない。そこで、高速伝送システムにおいては、分散補償器における分散量を必要に応じて調整できる可変分散補償器が必要となる。
【００２１】
（５）可変分散補償技術
光ファイバグレーティングの反射波長は、周囲温度の調整や印加歪みの調整によって変えることができる。この特性を利用して、光ファイバグレーティングの長手方向に非一様な歪み分布や温度分布をつくることで、波長分散特性を変えることができる。そして、このようにして、可変分散補償器を実現することができる。
【００２２】
従来の可変分散補償器としては、非特許文献１に記載されているものがあり、この可変分散補償器は、図２５に示すように、分散補償ファイバグレーティング（ＤＣ光ファイバグレーティング２）となる光ファイバグレーティング１０１を特殊な形状の梁１０６に貼り付けたものである。梁１０６は、一端部が固定されており、他端部に力を加えることにより、撓みを生ずる。このような梁１０６の撓みは、光ファイバグレーティング１０１に分布的に歪みを与えることとなる。光ファイバグレーティング１０１は、歪みを生ずることにより、反射波長特性が変化し、分散量が変化する。
【００２３】
また、従来の可変分散補償器としては、非特許文献２に記載されているものがあり、この可変分散補償器は、図２６に示すように、分散補償ファイバグレーティング（ＤＣ光ファイバグレーティング２）となる光ファイバグレーティング１０１を、複数のヒータ１０７が配置されたヒータアレイ１０８上に配置したものである。この可変分散補償器においては、制御回路１０９により、各ヒータ１０７を個々に制御することにより、光ファイバグレーティング１０１の長手方向に温度分布をつけることができる。光ファイバグレーティング１０１は、温度分布を与えられることにより、反射波長特性が変化し、分散量が変化する。
【００２４】
さらに、従来の可変分散補償器としては、非特許文献３に記載されているものがあり、この可変分散補償器は、図２７に示すように、二つの異なる材料からなる二重リング上に分散補償ファイバグレーティング（ＤＣ光ファイバグレーティング２）となる光ファイバグレーティング１０１を螺旋状に配置したものである。二重リングは、外環１１０が、例えば、金属により形成され、内環１１１が、例えば、プラスチックにより形成されている。光ファイバグレーティング１０１は、内環１１１の側面部に形成された溝内に設置されて、螺旋形状をなしている。この可変分散補償器においては、全体の温度を制御し、温度を変化させることにより、光ファイバグレーティング１０１の反射波長特性が変化し、分散量が変化する。
【００２５】
【非特許文献１】
Ｃ．Ｓ．Ｇｏｈ，  Ｓ．Ｙ．  Ｓｅｔ，  Ｋ．Ｔａｉｒａ，  Ｓ．Ｋ．Ｋｈｉｊｗａｎｉａ  ａｎｄ  Ｋ．Ｋｉｋｕｃｈｉ，“Ｎｏｎｌｉｎｅａｒｌｙ  Ｓｔｒａｉｎ−Ｃｈｉｒｐｅｄ  Ｆｉｂｅｒ  Ｂｒａｇｇ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｄｊｕｓｔａｂｌｅ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  Ｓｌｏｐｅ，”ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．５，ｐ．６６３−ｐ．６６５，２００２．
【００２６】
【非特許文献２】
松本他、「４３Ｇｂ／ｓ伝送用チャープファイバグレーティング型可変分散補償器」、２００２年電子情報通信学会総合大会、Ｃ−３−１３９，２００２．
【００２７】
【非特許文献３】
Ａ．Ｓａｋａｍｏｔｏ  ｅｔ  ａｌ．“Ｔｕｎａｂｌｅ  ＦＢＧ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒ  ｗｉｔｈ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｒｉｎｇ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，”ＥＣＯＣ２００２，１０．３．２，２００２．
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記非特許文献１に記載された可変分散補償器においては、梁１０６の他端部に力を印加して歪みの分布をつくることとしている。しかし、実用に耐えられる信頼性の高い梁１０６の構造を作るのが困難である。すなわち、一端部のみにおいて支持された梁１０６は、外部からの振動により容易に撓み量が変化してしまい、光ファイバグレーティング１０１における分散量を変動させてしまう虞れがある。
【００２９】
また、前記非特許文献２に記載された可変分散補償器は、複数のヒータ１０７及びこれらを駆動する制御回路１０６が必要であるため、装置構成が複雑であり、製造が困難であり、装置の価格も非常に高価なものになってしまう。また、この可変分散補償器の使用中には、複数のヒータ１０７による加熱や冷却を常に行うこととなるので、電力消費量が非常に大きいものとなってしまう。さらに、光ファイバグレーティング１０１を常時加熱することは、長期的な信頼性の保証を困難とすることとなる。すなわち、光ファイバグレーティングにおいては、屈折率が高くなされた部分が、熱によって元に戻ってしまうという熱劣化現象が生ずる。したがって、光ファイバグレーティング１０１を長時間に亘って加熱することは、光ファイバグレーティング１０１の特性を変化させてしまう虞れがある。
【００３０】
そして、前記非特許文献３に記載された可変分散補償器においても、使用中には、加熱や冷却を常に行うこととなるので、電力消費量が非常に大きいものとなる。また、光ファイバグレーティング１０１を常時加熱することになるので、長期的な信頼性の保証は困難である。
【００３１】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的としては、装置構成が簡単で、また、電力を消費せず、かつ、長期間に亘って高い信頼性を維持することができる可変分散補償器として使用できる特性可変光ファイバグレーティングを提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、上記課題を解決するため、少なくとも円筒体の一部である形状の部分を有する基材部と、コアに周期的に屈折率が変化した部分が形成された光ファイバからなり、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分の周面部に取付けられた光ファイバグレーティングと、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分に対し該円筒の軸に略直交する方向の力を印加して該基材部を変形させる機構部とを備え、前記光ファイバグレーティングは、前記基材部の変形に伴って歪みを生じて、特性が変化させられることを要旨とする。
【００３３】
請求項２記載の発明は、上記課題を解決するため、前記ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について連続的に変化していることを要旨とする。
【００３４】
請求項３記載の発明は、上記課題を解決するため、前記ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について一定であることを要旨とする。
【００３５】
請求項４記載の発明は、上記課題を解決するため、前記機構部は、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分を支持する支持部と、この支持部に対向して設けられ該円筒体の一部である形状の部分に対して進退するネジ機構部とを有し、このネジ機構部により、該円筒体の一部である形状の部分を押圧して前記基材部を変形させることを要旨とする。
【００３６】
請求項５記載の発明は、上記課題を解決するため、前記機構部は、駆動手段を有し、この駆動手段が制御手段によって制御されて駆動することにより、前記基材部を変形させることを要旨とする。
【００３７】
請求項６記載の発明は、上記課題を解決するため、前記機構部は、前記基材部の円筒体の一部である形状の部分の該円筒の内側となる位置に配置されており、該円筒の内側より、該円筒体の一部である形状の部分に対して力を印加することを要旨とする。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００３９】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第１の実施の形態における構成を示す側面図である。
【００４０】
本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングは、図１に示すように、少なくとも円筒体の一部である形状の部分を有する基材部１を備えている。この図１に示す実施の形態においては、基材部１の全体が一つの円筒体の形状となっている。
【００４１】
そして、この特性可変光ファイバグレーティングは、コアに周期的に屈折率が変化した部分が形成されて分散補償ファイバグレーティングとなる光ファイバグレーティング２を備えている。この光ファイバグレーティング２は、基材部１の円筒体の一部である形状の部分、すなわち基材部１の外周面部に取付けられている。光ファイバグレーティング２は、基材部１の外周面部上に、その円周方向に沿って、接着剤を用いて貼り付けられている。
【００４２】
また、この特性可変光ファイバグレーティングは、基材部１に対し、円筒の軸に略直交する方向の力を印加して基材部１を変形させる機構部３を備えている。そして、この特性可変光ファイバグレーティングは、機構部３と共働して基材部１を挟む支持部４を備えている。すなわち、基材部１は、機構部３と支持部４とに挟まれて固定される。
【００４３】
図２は、この特性可変光ファイバグレーティングにおける機構部３の構成を示す側面図である。
【００４４】
機構部３としては、図２に示すように、固定部３ａと、この固定部３ａに対して取付けられたネジ機構部となるボールネジ（スクリューネジ）軸３ｂとから構成されたものを用いることができる。この機構部３においては、固定部３ａは、支持部４に対する相対位置が固定された状態で設置される。そして、ボールネジ軸３ｂは、固定部３ａに設けられたネジ孔に螺入されて挿通されており、軸回りに回転されることにより、図２中矢印Ｘで示すように、固定部３ａに対する進退方向に移動される。このボールネジ軸３ｂの先端部を基材部１に当接させておき、ボールネジ軸３ｂを回転させて基材部１側に移動させることにより、このボールネジ軸３ｂの先端部と支持部４とに挟まれた基材部１が変形される。
【００４５】
このような機構部３は、電力等のエネルギーを消費することなく、基材部を一定量変形させた状態で保持することができる。
【００４６】
図３は、この特性可変光ファイバグレーティングにおいて、基材部を変形させた状態を示す側面図である。
【００４７】
この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、図３に示すように、基材部１のなす円筒の軸に直交する方向より、この基材部１を挟み込むように、２点Ａ、Ａ´間に力を印加する。機構部３により力が印加される点をＡ点とし、支持部４が基材部１に当接している点をＡ´点とする。このとき、基材部１のなす円筒の外周表面にかかる歪みは、場所により異なる。円筒の軸上の中心点ＯとＡ点とを結ぶ直線を基準として、円筒の外周上の点Ｐと中心点Ｏとを結ぶ線がなす角度をθとすると、この点Ｐにおける表面上の円周接線方向の応力εは、θと変形量ｄの関数になる。この関数は、以下の式で表される。
【００４８】
【数１】
ε（ｄ，θ）＝Ｃ１・ｄ＋Ｃ２ｄ・｜ｃｏｓ（θ＋π／２）｜  ・・・式（１）
Ｃ１＝−〔（１／κ）｛（π／４）−（２／π）｝＋｛２／π（１＋κ）｝〕−１・〔１＋｛ｅ／（κ（ｒ＋ｅ））｝〕／｛πｒ（１＋κ）｝
Ｃ２＝〔（１／κ）｛（π／４）−（２／π）｝＋｛２／π（１＋κ）｝〕−１・ｅ／｛２κｒ（ｒ＋ｅ）｝
ここで、ｒは円筒の内径、ｅは円筒の厚さの半分を示す。したがって、定数Ｃ１，Ｃ２は、円筒の形状で決まる定数となる。ｄは、Ａ点及びＡ´点間に力を印加したことによる円筒の変形量である。
【００４９】
なお、以上のような歪みを導出する計算式は、「Ｍ．Ｔａｎａｋａ  ａｎｄ  Ｋ．Ｈｏｔａｔｅ，“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ−Ｂａｓｅｄ  Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｆｏｒＦｉｂｅｒ  Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ  Ｓｅｎｓｉｎｇ  ｔｏ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｓｔｒａｉｎ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｏｎ  ａ  Ｓｍａｌｌ  Ｓｉｚｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ，”ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．５，ｐ．６７５−ｐ．６７７，２００２．」にも示されている。
【００５０】
図４は、円筒状の基材部における歪みの分布を示すグラフである。
【００５１】
前記式（１）から得られる歪みの分布は、図４に示すように、円筒上の位置に応じた周期的な変化を示すものとなる。この図４に示した結果についての計算パラメータは、ｄ＝０．６ｍｍ、ｒ＝８０ｍｍ、ｅ＝５ｍｍである。この図４において、縦軸の単位であるμε（マイクロストレイン）は、歪みの単位であり、１μεの歪みは、元の長さに対して１０−６の伸びに相当する歪みを表す。εが０よりも大きい場合は引っ張り歪みであり、０よりも小さい場合は圧縮歪みである。
【００５２】
基材部１における歪みの分布は、力が印加されているＡ点及びＡ´点で極小値をとり、ここでは、大きな圧縮歪みが生じている状態である。また、θ＝９０°のＢ点及びＢ´点では極大値をとり、ここでは、大きな引っ張り歪みが生じている状態である。
【００５３】
Ａ点とＢ点との中間、Ａ´点とＢ´点との中間では、連続的な歪み分布が形成されており、Ａ点からＢ点、Ａ´点からＢ´点に移動するにしたがい、圧縮歪みから引っ張り歪みに変化してゆく。また、Ｂ点とＡ´点との中間、Ｂ´点とＡ点との中間では、連続的な歪み分布が形成されており、Ｂ点からＡ´点、Ｂ´点からＡ点に移動するにしたがい、引っ張り歪みから圧縮歪みに変化してゆく。
【００５４】
光ファイバグレーティング２は、この実施の形態においては、Ａ点とＢ点との間に取付けられており、基材部１の変形により、連続的な歪みがかかるようになっている。光ファイバグレーティング２の反射波長は、歪みεの関数であり、以下のような関係がある。
【００５５】
【数２】
λＢ＝１．２（ｐｍ／με）・ε
例えば、１％の伸び歪みは１０４μεであり、このときの光ファイバグレーティング２の波長シフト量は、１２０００ｐｍ＝１２ｎｍである。
【００５６】
図５は、光ファイバグレーティング２の群遅延時間特性を示すグラフである。
【００５７】
図５に示した光ファイバグレーティング２の群遅延時間特性において、基材部１に力が印加されず、光ファイバグレーティング２が歪みを生じていないときの群遅延時間特性は、直線Ｃ−Ｄで表される。
【００５８】
そして、光ファイバグレーティング２において、入射光のうちの長波長側を反射させる部分に引っ張り歪みが生じた場合、図５においては、長波長側のＣ点の波長はさらに長波長側にシフトし、Ｃ´点へ移動する。また、光ファイバグレーティング２において、入射光のうちの短波長側を反射させる部分に圧縮歪みが生じた場合、図５においては、短波長側のＤ点の波長はさらに短波長側にシフトし、Ｄ´点へ移動する。
【００５９】
このように歪みが生じた後の歪み分布が、Ｃ´点からＤ´点に亘って連続であれば、このときの群遅延時間特性は、直線Ｃ´−Ｄ´で表されるものとなり、元の直線Ｃ−Ｄで表される特性とは、図５において異なる傾きを持つものとなる。
【００６０】
図５における光ファイバグレーティング２のＣ点、Ｄ点が、それぞれ図３に示される基材部１の円筒におけるＢ点、Ａ点に貼り付けられていれば、前記のような波長変化が起こるため、波長分散が円筒の変形によって変化したことになる。
【００６１】
図６は、基材部１の変形量ｄを変えた場合の歪みの分布の変化を示すグラフである。
【００６２】
そして、基材部１の変形量ｄを変えてゆくと、図６に示すように、変形量ｄが大きいほど、歪みの極大値と極小値との差が大きくなり、歪みの変化率が変わっている。すなわち、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、基材部１の変形量ｄを調整することにより、分散量を調整することができることになる。
【００６３】
しかしながら、前述の式（１）からわかるように、θに対しては、光ファイバグレーティング２の歪み量は線形でない。一方、可変分散補償器としては、光ファイバグレーティングの歪みの分布はできるだけ線形であることが望ましい。したがって、光ファイバグレーティングの歪み分布が線形に近い変化となる領域を用いることが望ましい。
【００６４】
〔実験例１〕
図７は、実験例１において構成した特性可変光ファイバグレーティングの構成を示す側面図である。
【００６５】
この実験例では、基材部１として、内半径８０ｍｍ、外半径８５ｍｍのプラスチック（ナイロン６，６（商品名））製の円筒体を用いた。このとき、ｅは２．５ｍｍとなる。また、円筒体の厚さは５ｍｍとなる。
【００６６】
基材部１の表面には、光ファイバグレーティング２を固定する溝を設けた。溝は、幅０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍとした。溝を設けることで、光ファイバグレーティング２を設計において予定した位置に固定することができる。また、溝を設けることで、機構部３により力が印加される部分において、加えられた力が直接光ファイバグレーティング２に加わらなくなるので、光ファイバグレーティング２が損傷することを防ぐことができる。
【００６７】
この溝内に、エポキシ系接着剤を用いて光ファイバグレーティング２を固定した。光ファイバグレーティング２は、この実験例では、グレーティング周期が一様のものを用いた。この光ファイバグレーティング２は、長さが９０ｍｍで、グレーティング周期は５３５ｎｍであり、反射中心波長は１５４９．５ｎｍであった。
【００６８】
図７に示すように、基材部１上のＡ´点を支持部４上に固定し、このＡ´点の反対側となるＡ点に、機構部３により力を印加するような配置にした。光ファイバグレーティング２はＡ点よりＢ点間に亘って、基材部１の外周面上の略９０°の範囲に亘って固定した。
【００６９】
入射光は、図７中に「ＩＮ」で示すように、光ファイバグレーティング２に対してＡ点より入射させた。そして、この光ファイバグレーティング２からの戻り光における群遅延時間を測定した。
【００７０】
図８は、実験例１において基材部１に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【００７１】
この図８において、基材部１の変形量ｄが０．５ｍｍのときには、群遅延時間特性は、図８中にＧで示す曲線で示されるものとなった。すなわち、１５４９．５ｎｍの波長を中心とした略直線で示される群遅延時間特性となっていることがわかる。このとき、直線の傾きである波長分散量は、１６５０ｐｓ／ｎｍであった。徐々に基材部１の変形量ｄを大きくしてゆくと、波長分散量は徐々に小さくなり、群遅延時間特性を示す直線は、ＦからＥ、ＥからＤ、ＤからＣ、ＣからＢ、ＢからＡと、変化してゆく。直線Ａで示される群遅延時間特性のときには、基材部１の変形量ｄは４．３ｍｍであり、このときの波長分散量は、１９５ｐｓ／ｎｍであった。
【００７２】
〔実験例２〕
図９は、実験例２において構成した特性可変光ファイバグレーティングの構成を示す側面図である。
【００７３】
次に、この実験例２においては、実験例１で用いた光ファイバグレーティング２を付けた基材部１に対し、図９に示すように、Ａ点及びＡ´点に基材部１の内側から力を印加した。すなわち、機構部３は、円筒体である基材部１の内側に配置されている。この実験例においては、基材部１は、Ａ点及びＡ´点間の間隔が広がるように変形される。このときの基材部１の変形量ｄは、前述の実験例１とは逆方向になるため、ｄを負の値として表す。
【００７４】
図１０は、実験例２において基材部１に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【００７５】
この図１０において、基材部１の変形量ｄが−０．４ｍｍのときには、群遅延時間特性は、図１０中にＮで示す曲線で示されるものとなった。すなわち、１５４９．５ｎｍの波長を中心とした略直線で示される群遅延時間特性となっていることがわかる。このとき、直線の傾きである波長分散量は、−１６７０ｐｓ／ｎｍであった。徐々に基材部１の変形量ｄの絶対値を大きくしてゆくと、波長分散量の絶対値は徐々に小さくなり、群遅延時間特性を示す直線は、ＮからＭ、ＭからＬ、ＬからＫ、ＫからＪ、ＪからＩ、ＩからＨと、変化してゆく。直線Ｈで示される群遅延時間特性のときには、基材部１の変形量ｄは−３．９ｍｍであり、このときの波長分散量は、−１９５ｐｓ／ｎｍであった。
【００７６】
図１１は、基材部１の変形量ｄと波長分散との関係を表したグラフである。
【００７７】
実験例１及び実験例２の結果に基づいて、図１１に示すように、変形量ｄと波長分散との関係を求めた。この結果、基材部１の変形量ｄに対して、波長分散量は、ほぼ反比例の関係にあることが確認できた。
【００７８】
以上のように、波長分散量は、円筒体である基材部１の変形量によって調整することが可能であることがわかった。また、基材部１を変形させる方向を変えることにより、波長分散の変化を反対方向とすることができる。これら実験例１及び実験例２においては、グレーティング周期が一様な光ファイバグレーティングを用いているので、正負両方の波長分散が得られている。
【００７９】
〔第２の実施の形態〕
図１２は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第２の実施の形態における構成を示す側面図である。
【００８０】
この実施の形態においては、前述の第１の実施の形態と同様の円筒体である基材部１及び光ファイバグレーティング２を用いているが、機構部３により基材部１に対して力を印加する点と光ファイバグレーティング２との相対位置を変えている。すなわち、この実施の形態においては、図１２に示すように、光ファイバグレーティング２は、機構部３により基材部１に対して力が印加される方向に対して円筒体の軸回りに９０°となる位置に、光ファイバグレーティング２の中心部を位置させて取付けられている。
【００８１】
したがって、この実施の形態においては、機構部３による基材部１の変形により、光ファイバグレーティング２は、中心部分が引っ張り歪みを生じ、両端部分において殆ど歪みを生じない状態となされる。
【００８２】
図１３は、第２の実施の形態において基材部１に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【００８３】
この実施の形態においては、群遅延時間特性は、基材部１の変形量に応じて、図１３に示すように、群遅延を生ずる中心波長がずれることとなり、直線によって示される特性から２次曲線によって示される特性に変化する。
【００８４】
したがって、この実施の形態におけるような群遅延時間特性の変化を用いることにより、元々の群遅延時間特性が線形である光ファイバグレーティング２を用いて、２次の可変分散補償器を実現することができる。
【００８５】
〔第３の実施の形態〕
図１４は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第３の実施の形態における構成を示す側面図である。
【００８６】
この実施の形態における特性可変光ファイバグレーティングは、図１４に示すように、機構部３を制御部５によって制御することにより、基材部１の変形量ｄを自動的に調整できるようにしたものである。
【００８７】
すなわち、この特性可変光ファイバグレーティングは、円筒体である基材部１と、この基材部１を収納している筐体６とを有している。この筐体６内において、基材部１は、筐体６の内壁部に側面部を当接させて支持されている。そして、この筐体６内には、機構部３が収納され、固定されている。この機構部３は、基材部１が側面部を当接させている筐体６の内壁部と共働して、この基材部１を挟み込む状態で、この筐体６内に収納されている。すなわち、この機構部３は、筐体６の内壁部に向けて基材部１を押圧することにより、この基材部１を変形させる。
【００８８】
基材部１には、前述した各実施の形態と同様に、光ファイバグレーティング２が取付けられている。
【００８９】
そして、機構部３は、筐体６の外方側、または、筐体６内に設置された制御部５によって制御される。この制御部５による機構部３の制御は、電気信号を介して行われる。制御部５が筐体６の外方側に設置される場合には、筐体６内の機構部３と制御部５との間での電気信号の授受を行うためのケーブル７が、筐体６内から筐体６に外方側に亘って引き出される。この実施の形態における機構部３は、ステッピングモータなどの駆動機構を内蔵したいわゆる「自動ステージ」として構成されたものであり、制御部５から送られる制御信号に基づいて駆動機構が駆動することにより、基材部１の変形量を調整する。
【００９０】
また、筐体６からは、光ファイバグレーティング２に入射光を入射させるとともに、この光ファイバグレーティング２からの戻り光を取り出すための光ファイバ８が外方側に引き出されている。
【００９１】
この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、光ファイバグレーティング２において必要とされる分散量に応じて、制御部５が機構部３の駆動機構を制御し、基材部１の変形量ｄが調整され、光ファイバグレーティング２における波長分散の値が調整される。すなわち、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、制御部５に対して光ファイバグレーティング２において必要とされる分散量を入力するだけで、光ファイバグレーティング２における波長分散の値が調整される。
【００９２】
〔第４の実施の形態〕
図１５は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第４の実施の形態における構成を示す側面図である。
【００９３】
この実施の形態における特性可変光ファイバグレーティングは、前述の第３の実施の形態と同様の構成を有しつつ、筐体６内に温度センサ９が設けられている。この温度センサ９による温度測定結果は、電気信号として、制御部５に送られる。この実施の形態において、制御部５は、環境温度の変化と、光ファイバグレーティング２における波長分散量の変化量及びこの変化を補償するための基材部１の変形量ｄとに関するデータテーブル１０を有している。
【００９４】
この制御部５は、温度センサ９より、光ファイバグレーティング２の環境温度の測定結果を送られると、この環境温度に対応する基材部１の変形量ｄをデータテーブル１０より求め、この変形量ｄに応じて機構部３を制御する。
【００９５】
すなわち、この実施の形態の特性可変光ファイバグレーティングにおいては、光ファイバグレーティング２の環境温度が変化しても、制御部５により、基材部１の変形量ｄが自動的に調整され、光ファイバグレーティング２における波長分散量が一定値を維持するように制御される。
【００９６】
〔第５の実施の形態〕
図１６は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第５の実施の形態における構成を示す側面図である。
【００９７】
この実施の形態における特性可変光ファイバグレーティングは、前述の第３の実施の形態と同様の構成を有しつつ、基材部１は、筐体６内において、円筒体の軸回りに回転操作することが可能となっている。
【００９８】
すなわち、基材部１の外周面部、または、内周面部には、図１６に示すように、ラックギヤ１１が設けられている。そして、この筐体６内には、ラックギヤ１１に噛合するピニオンギヤ１２と、このピニオンギヤ１２を回転駆動する駆動部１３とが設けられている。この実施の形態における特性可変光ファイバグレーティングにおいては、駆動部１３がピニオンギヤ１２を回転駆動することにより、このピニオンギヤ１２に噛合されたラックギヤ１１が送られ、図１６中矢印Ｙで示すように、基材部１が回転操作される。
【００９９】
なお、基材部１を回転操作するときには、機構部３による基材部１に対する押圧を解除し、基材部１が自由に回転できるようにしておく。そして、基材部１が所定の角度だけ回転された後に、機構部３を駆動させ、この基材部１の変形量ｄを所定の変形量とする。
【０１００】
このように基材部１が回転操作されると、光ファイバグレーティング２も、基材部１とともに移動される。すると、この光ファイバグレーティング２は、機構部３により印加される力の方向に対する相対位置が変えられることとなる。すなわち、この実施の形態においては、前述した第１の実施の形態における構成と、第２の実施の形態における構成とを、基材部１を回転操作することによって、切換えることができる。
【０１０１】
また、この実施の形態においては、前述した第１の実施の形態における構成と第２の実施の形態における構成との中間の構成、すなわち、光ファイバグレーティング２の中心部分の位置を、機構部３により力を印加される方向を基準として４５°を超える位置より９０°未満の位置に亘って、無段階に調整することができ、それぞれの状態に応じた群遅延時間特性を実現することができる。
【０１０２】
〔第６の実施の形態〕
図１７は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第６の実施の形態における構成を示す側面図である。
【０１０３】
この実施の形態における特性可変光ファイバグレーティングは、前述の第３の実施の形態と同様の構成を有しつつ、基材部１には、図１７に示すように、複数の光ファイバグレーティング２が取付けられている。これら複数の光ファイバグレーティング２は、それぞれが、機構部３により印加される力の方向に対する相対位置が異なる位置に取付けられている。すなわち、この実施の形態においては、前述した第１の実施の形態における光ファイバグレーティング２と、第２の実施の形態における光ファイバグレーティング２と、さらに、第１の実施の形態における光ファイバグレーティング２と第２の実施の形態における光ファイバグレーティング２との中間の位置の光ファイバグレーティング２を有している。
【０１０４】
これら複数の光ファイバグレーティング２は、機構部３により基材部１が変形されたとき、それぞれの位置に応じて異なる群遅延時間特性を有することとなる。
【０１０５】
そして、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、必要な群遅延時間特性を有している光ファイバグレーティング２を選択して用いることができる。光ファイバグレーティング２の選択は、光スイッチ等を用いて、入射光をいずれの光ファイバグレーティング２に入射させるかを選択することによって行う。
【０１０６】
〔第７の実施の形態〕
図１８は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第７の実施の形態における構成を示す側面図である。
【０１０７】
この実施の形態は、円筒体である基材部１を内側から押して変形させる機構部３の具体的な構成を提示するものである。すなわち、この実施の形態における機構部３は、図１８に示すように、パンタグラフ機構３ｃを有している。このパンタグラフ機構３ｃは、第１乃至第４の４本のアーム１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄから構成されている。このパンタグラフ機構３ｃは、第１のアーム１４ａの一端部が第２のアーム１４ｂの一端部に回転可能に締結され、第１のアーム１４ａの他端部が第３のアーム１４ｃの一端部に回転可能に締結され、第２のアーム１４ｂの他端部が第４のアーム１４ｄの一端部に回転可能に締結され、第３のアーム１４ｃの他端部が第４のアーム１４ｄの他端部に回転可能に締結されることによって、平行四辺形の枠状に構成されている。そして、このパンタグラフ機構３ｃにおいては、第１のアーム１４ａの他端部と第２のアーム１４ｂの他端部との間に亘って、ボールネジ軸３ｂが取付けられている。
【０１０８】
このパンタグラフ機構３ｃにおいては、ボールネジ軸３ｂが回転操作されることにより、第１のアーム１４ａの他端部と第２のアーム１４ｂの他端部との間の距離が可変される。第１のアーム１４ａの他端部と第２のアーム１４ｂの他端部との間の距離が長くなると、第１のアーム１４ａの一端部と第３のアーム１４ｃの他端部との間の距離が短くなり、逆に、第１のアーム１４ａの他端部と第２のアーム１４ｂの他端部との間の距離が短くなると、第１のアーム１４ａの一端部と第３のアーム１４ｃの他端部との間の距離が長くなる。
【０１０９】
このパンタグラフ機構３ｃは、円筒体である基材部１の内側に配置され、第１のアーム１４ａの一端部と第３のアーム１４ｃの他端部とを基材部１の内壁部に当接させている。この状態において、第１のアーム１４ａの一端部と第３のアーム１４ｃの他端部との間の距離が長くなされると、基材部１は、内側から押圧され、変形する。
【０１１０】
〔第８の実施の形態〕
図１９は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、断面形状を楕円型とした基材部１を示す側面図である。
【０１１１】
前述した各実施の形態においては、円筒体である基材部１の断面は、力が印加されていない状態において、円形となっていたが、基材部１の形状は、断面が円形である形状に限られるものではない。すなわち、基材部１は、図１９に示すように、力が印加されていない状態において、断面形状が楕円型である形状としてもよい。
【０１１２】
円筒体である基材部１の断面形状により、円筒表面の歪み分布は制御できるので、必要とする群遅延時間特性に応じて、断面形状を設計することができる。
【０１１３】
図２０は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、円筒体の肉厚を一定でなくした基材部１を示す側面図である。
【０１１４】
円筒体である基材部１は、図２０に示すように、円筒の肉厚が一定でないものとしてもよい。円筒体である基材部１の断面形状により、円筒表面の歪み分布は制御できるので、必要とする群遅延時間特性に応じて、断面形状を設計することができる。
【０１１５】
図２１は、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、円筒体の一部である形状とした基材部１を示す側面図である。
【０１１６】
さらに、基材部１は、図２１に示すように、円筒体ではなく、円筒体を円筒の軸に沿って切断した形状、すなわち、半円筒体など、円筒体の一部である形状としてもよい。
【０１１７】
このような基材部１においては、両端部分であるＡ点及びＡ´点に、図２１中矢印Ｚ、Ｚ´で示すように、互いに接近する方向、あるいは、互いに離間する方向の力が印加されることにより、変形される。この基材部１の周面部に光ファイバグレーティング２を取り付けておくことにより、基材部１が変形したときに光ファイバグレーティング２に歪みが生じ、前述した各実施の形態におけると同様に、必要な群遅延時間特性を得ることができる。
【０１１８】
このような円筒の一部である形状の基材部１を用いた場合には、前述したような円筒体である基材部１を用いる場合に比較して、この基材部１の占める体積を約半分程度とすることができ、実装サイズの小型化を図ることができる。
【０１１９】
〔基材部の温度特性について〕
この特性可変光ファイバグレーティングにおける光ファイバグレーティング２の特性としては、反射中心波長と波長分散量がある。
【０１２０】
反射中心波長は、光ファイバグレーティング２が取付けられる基材部１の熱膨張係数で決まり、温度に対して線形に変化する。例えば、前述した実験例１で用いた光ファイバグレーティング２の場合は、中心波長の温度依存性は、０．１ｎｍ／°Ｃであった。この温度係数は、小さいほうが望ましい。そのため、基材部１をなす材料としては、熱膨張係数の小さい材料が望ましい。熱膨張係数の小さい材料としては、金属では、インバーなどが挙げられる。また、プラスチックでは、例えば、ポリプラスチックス（株）ベクトラ（商標名）などが挙げられる。
【０１２１】
波長分散量の温度依存性は、基材部１の材料の熱膨張係数と、基材部１に力を印加する部分（機構部３のボールネジ軸３ｂなど）の熱膨張係数の差で決まる。これらの熱膨張係数を同じ値とすることにより、基材部１の変形量ｄが、温度変化に対して変動しないようになり、波長分散量を温度変化に依らず一定とすることができる。
【０１２２】
〔光ファイバグレーティングの他の特性の調整〕
また、前述した各実施の形態においては、調整する光ファイバグレーティング２の特性は、波長分散特性について示したが、本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングは、光ファイバグレーティングの他の特性を調整するものとしても構成することができる。
【０１２３】
例えば、波長選択フィルタなどでは、中心波長を可変にする必要のあるものがある。本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングは、このような波長可変選択フィルタとして構成することもできる。具体的には、図１２に示すように、円筒体である基材部１に対して、機構部３によりこの基材部１に対して力が印加される方向に対して円筒体の軸回りに９０°となる位置に、光ファイバグレーティング２を取付ける。
【０１２４】
このように光ファイバグレーティング２が取付けられた位置においては、比較的歪みの分布が一様であり、光ファイバグレーティング２における反射光の中心波長のみが変化するという特性変化が得られる。したがって、この特性可変光ファイバグレーティングは、中心波長が可変である波長選択フィルタとして使用することができる。
【０１２５】
【発明の効果】
請求項１記載の本発明によれば、基材部の円筒体の一部である形状の部分の周面部に取付けられた光ファイバグレーティングは、基材部の変形に伴って歪みを生じて、特性が変化させられるので、基材部を変形させるだけで分散量の調整ができ、また、基材部を変形させるときのみに電力が必要となり、大きな消費電力は不要である。したがって、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、使用中のコストは著しく削減される。
【０１２６】
また、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、基材部は、少なくとも２箇所において支持されているので、外部振動により分散量を変化させてしまうことがない。
【０１２７】
さらに、この特性可変光ファイバグレーティングにおいては、分散量の調整のために光ファイバグレーティングを加熱することがないので、光ファイバグレーティングにおける屈折率変化の熱劣化が生じにくく、長期的な信頼性を容易に確保することができる。
【０１２８】
すなわち、本発明は、装置構成が簡単で、また、電力を消費せず、かつ、長期間に亘って高い信頼性を維持することができる可変分散補償器などとして使用できる特性可変光ファイバグレーティングを提供することができるものである。
【０１２９】
請求項２記載の本発明によれば、ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について連続的に変化しているので、可変分散補償器として使用することができる。
【０１３０】
請求項３記載の本発明によれば、ファイバグレーティングは、コアにおいて屈折率が変化した部分の周期が、該コアの長手方向について一定であり、正負両方の波長分散を実現できる。
【０１３１】
請求項４記載の本発明によれば、機構部は、基材部の円筒体の一部である形状の部分を支持する支持部と、この支持部に対向して設けられ該円筒体の一部である形状の部分に対して進退するネジ機構部とを有し、このネジ機構部により、該円筒体の一部である形状の部分を押圧して前記基材部を変形させるので、電力等のエネルギーを消費することなく、基材部を一定量変形させた状態で保持することができる。
【０１３２】
請求項５記載の本発明によれば、機構部は、駆動手段を有し、この駆動手段が制御手段によって制御されて駆動することにより、基材部を変形させるので、電気信号による基材部の変形量の制御や、基材部の変形量の自動制御が可能となる。
【０１３３】
請求項６記載の本発明によれば、機構部は、基材部の円筒体の一部である形状の部分の該円筒の内側となる位置に配置されており、該円筒の内側より、該円筒体の一部である形状の部分に対して力を印加するので、装置構成の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第１の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図２】前記特性可変光ファイバグレーティングにおける機構部の構成を示す側面図である。
【図３】前記特性可変光ファイバグレーティングにおいて、基材部を変形させた状態を示す側面図である。
【図４】前記特性可変光ファイバグレーティングにおいて、円筒状の基材部における歪みの分布を示すグラフである。
【図５】前記特性可変光ファイバグレーティングにおいて、光ファイバグレーティングの群遅延時間特性を示すグラフである。
【図６】前記特性可変光ファイバグレーティングにおいて、基材部の変形量を変えた場合の歪みの分布の変化を示すグラフである。
【図７】実験例１において構成した特性可変光ファイバグレーティングの構成を示す側面図である。
【図８】実験例１において、基材部に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【図９】実験例２において構成した特性可変光ファイバグレーティングの構成を示す側面図である。
【図１０】実験例２において、基材部に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【図１１】実験例１及び実験例２において、基材部１の変形量ｄと波長分散との関係を表したグラフである。
【図１２】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第２の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１３】第２の実施の形態において基材部に力を印加して変形させたときの、群遅延時間特性の変化を示すグラフである。
【図１４】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第３の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１５】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第４の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１６】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第５の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１７】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第６の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１８】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第７の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図１９】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、断面形状を楕円型とした基材部を示す側面図である。
【図２０】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、円筒体の肉厚を一定でなくした基材部を示す側面図である。
【図２１】本発明に係る特性可変光ファイバグレーティングの第８の実施の形態であって、円筒体の一部である形状とした基材部を示す側面図である。
【図２２】分散補償ファイバグレーティングの原理を示す平面図である。
【図２３】前記分散補償ファイバグレーティングにおける波長と群遅延時間との関係を示すグラフである。
【図２４】前記分散補償ファイバグレーティングの光伝送における使用状態を示す平面図である。
【図２５】従来の可変分散補償器の第１の例を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。
【図２６】従来の可変分散補償器の第２の例を示す側面図である。
【図２７】従来の可変分散補償器の第３の例を示す側面図である。
【符号の説明】
１  基材部
２  光ファイバグレーティング
３  機構部
４  支持部
５  制御部
６  筐体
【図１】
2005017462.tif 000003
【図２】
2005017462.tif 000004
【図３】
2005017462.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005017462.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2005017462.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2005017462.tif 000017
【図１６】
2005017462.tif 000018
【図１７】
2005017462.tif 000019
【図１８】
2005017462.tif 000020
【図１９】
2005017462.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
2005017462.tif 000025
【図２４】
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【図２５】
2005017462.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
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