(57)【要約】【課題】画素電極である下部電極の表面コーナーを屈曲形成することにより、アウトガス発生による汚染及びショート性不良を同時に防止することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、絶縁基板３００上の非発光領域３１０に形成され、ソース／ドレーン電極３１３，３１４を具備した薄膜トランジスターと、前記絶縁基板３００上の発光領域３３０に形成され、コンタクトホール３６１，３６２を通じて前記ソース／ドレーン電極３１５，３１６の中で一つに連結される下部電極３３１と、前記下部電極３３１上の発光領域３３０に形成される有機発光層３３２と、前記有機発光層３３２の上部に形成されたカソード電極３３３とを含み、前記下部電極３３１はその表面のコーナー部分が屈曲形成されている。【選択図】図２
2005327694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上の非発光領域に形成され、ソース／ドレーン電極を具備した薄膜トランジスターと、
前記絶縁基板上の発光領域に形成され、コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン電極の中で一つに連結される下部電極と、
前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と、
前記有機発光層の上部に形成された上部電極とを含み、
前記下部電極は、前記下部電極の表面のコーナー部分が屈曲されたことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記下部電極の上部面は、曲率半径の中心がコーナーに位置して前記曲率半径が０であり、
前記下部電極の下部面は、前記上部面の曲率半径の中心が位置する平面に垂直である軸と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が０より大きいことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は、各四つのコーナーに全部形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記下部電極の上部面のコーナーは曲率を持ち、前記曲率の中心は前記上部面上に存在し、前記下部電極の下部面は前記上部面の曲率半径の中心を含む平面と垂直方向で同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が前記上部面の曲率半径より大きいことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は、各四つのコーナーに全部形成されたことを特徴とする請求項４記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記上部電極はカソード電極とし、前記下部電極はアノード電極とすることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
絶縁基板上の非発光領域にソース／ドレーン電極を具備した薄膜トランジスターを形成する段階と、
前記絶縁基板上の発光領域にコンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン電極の中で一つに連結される下部電極を形成する段階と、
前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層の上部にカソード電極を形成する段階とを含み、
前記下部電極は、前記下部電極の表面のコーナー部分を屈曲形成する段階を有することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記下部電極の上部面は、その表面を直四角形の形態で形成し、曲率半径の中心が直四角形のコーナーに位置して曲率半径が０になるようにし、前記下部電極の下部面は、前記上部面の曲率半径の中心と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が０より大きくなるように形成する段階を有することを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は、各四つのコーナーに全部形成する段階を有することを特徴とする請求項８記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記下部電極の上部面はその表面が屈曲されるように形成し、上部面のある一点を上部電極の曲率半径の中心になるようにし、前記下部電極の下部面は前記上部面の曲率半径の中心と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が前記上部面の曲率半径より大きくなるように形成する段階を有することを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は、各四つのコーナーに全部形成する段階を有することを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、画素電極である下部電極の表面コーナーを屈曲形成し、アウトゲーシングによる汚染及びショート不良を同時に防止することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、有機電界発光素子を利用した能動型平板表示装置であるＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｎｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）開発が進行されており、それを携帯電話などに適用することにより、厚さとサイズを大幅に縮小するだけではなく製造費用が節減されて工程を単純化させることができるようになった。
【０００３】
図１０は、従来の能動型有機電界発光表示装置（ＡＭＯＥＬＤ：ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の平面構造を示す図である。図１０の有機電界発光表示装置は、二つのトランジスターと一つのキャパシターで形成された素子を例示したものである。
【０００４】
図１１は、図１０のＩ−Ｉ線に沿って切断した断面構造を示す図である。図１１を参照すると、従来の能動型有機電界発光表示装置は、画素電極である下部電極１３１と、有機発光層１３２と、上部電極１３３が形成される発光領域１１０と、２個の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と、一つのキャパシターが形成される非発光領域１３０とを具備している。
【０００５】
透明な絶縁基板１００、例えば、ガラス基板のような透明な絶縁基板１００上にバッファー層１４０を形成し、前記バッファー層１４０の上部に非晶質シリコンを蒸着してパターニングした後に結晶化させて半導体層１１１を形成する。以後、基板全面にゲート絶縁膜１５０を形成し、前記ゲート絶縁膜１５０上にゲート電極用金属物質を蒸着した後にパターニングして前記半導体層１１１上にゲート１１２を形成し、これと同時にキャパシター下部電極１２２を形成する。この時、ゲート１１２及びキャパシター下部電極１２２を形成する際、図１０に図示されたゲートライン１０２も同時に形成される。
【０００６】
以後、前記半導体層１１１へ所定導電型、例えば、Ｐ型またはＮ型不純物をイオン注入してソース／ドレーン領域１１３、１１４を形成する。
【０００７】
続いて、基板全面に層間絶縁膜１６０を形成し、前記ソース／ドレーン領域１１３、１１４の一部分が露出されるように前記層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１５０を蝕刻してソース／ドレーン電極用コンタクトホール１６１、１６２を形成する。
【０００８】
次に、前記層間絶縁膜１６０上にソース／ドレーン電極用金属物質を蒸着した後、前記コンタクトホール１６１、１６２を通じて前記ソース／ドレーン領域１１３、１１４とコンタクトされるソース／ドレーン電極１１５、１１６を形成する。この時、前記ソース／ドレーン電極１１５、１１６の中で一つ、例えば、ドレーン電極１１６から延長されるキャパシター上部電極１２６が形成されると同時に、図１０に図示されたデータライン１０４及び電源ライン１０６も形成される。
【０００９】
次に、前記層間絶縁膜１６０上にパシベーション膜１７０を形成する。前記ソース／ドレーン電極１１５、１１６の中で他の一つ、例えば、ソース電極１１５の一部分が露出されるように前記パシベーション膜１７０を蝕刻して画素電極用コンタクトホール１７１を形成する。
【００１０】
以後、発光領域１１０の前記パシベーション膜１７０上に透明導電膜を蒸着した後、パターニングして前記画素電極用コンタクトホール１７１を通じて前記ソース電極１１５とコンタクトされる下部電極１３１を形成する。
【００１１】
前記パシベーション膜１７０上に絶縁膜１８０を形成した後、前記下部電極１３１が露出されるように開口部１８１を形成する。前記開口部１８１を含んだ絶縁膜１８０上に有機発光層１３２を形成し、その上に上部電極１３３を形成する。
【００１２】
前記の有機電界発光表示装置の場合、前記絶縁膜１８０は発光領域を定義する画素定義膜（ＰＤＬ）と同一であるが、前記画素定義膜（ＰＤＬ）の場合、通常的に有機膜に形成されるので、アウトガス発生（ｏｕｔｇａｓｉｎｇ）により前記の有機発光層１３２が汚染される問題点があった。
【００１３】
このような問題点を補完するために画素定義膜を具備しない有機電界発光表示装置が提案された。
【００１４】
図１２は、画素定義膜を具備しない有機電界発光表示装置の平面構造を示す図である。図１３は、図１２のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面構造を示す図である。図１２及び図１３を参照して画素定義膜を具備しない有機電界発光表示装置の製造方法について説明する。
【００１５】
まず、図１２及び図１３に図示された有機電界発光表示装置の場合にも、前記図１０及び図１１と同一である構造及び方法で非発光領域２２０上に薄膜トランジスター及びキャパシターを形成する。その後、発光領域２１０上に前記非発光領域２２０に形成されているソース／ドレーン電極と画素電極用コンタクトホール２５５ｂを通じてコンタクトされるように透明導電膜を基板全面にかけて蒸着した後、パターニングして下部電極２６１を形成する。
【００１６】
ここで、前記下部電極２６１が形成される模様を図１４乃至図１６を通じて説明する。図１４は、前記下部電極２６１が形成される模様を示す斜視図で、図１５は、前記下部電極２６１の平面図、図１６は、図１５のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００１７】
図１４乃至図１６を参照すると、前記下部電極２６１の上部と下部面のコーナーに角が形成されるように形成され、図１６に示すように、前記下部電極２６１の下部面の長さ（Ｌ２）が前記下部電極２６１の上部面の長さ（Ｌ１）より大きくなるように形成する。即ち、前記下部電極２６１はテーパー角を持つように側面を傾けて形成する。
【００１８】
次に、前記下部電極２６１上に有機発光層２６２を形成し、その上に金属物質になった上部電極２６３を形成する。
【００１９】
この時、前記下部電極２６１上に有機発光層２６２が形成される際、段差が発生するようになり、前記のように透明導電膜の上部と下部に角が形成される場合、コーナー部分で有機発光層２６２が切られて下部電極２６１が露出されるエッジオープン（ｅｄｇｅ  ｏｐｅｎ）によるショート（ｓｈｏｒｔ）性不良が発生する。
【００２０】
図１７は、ショート性不良が発生した場合の発光領域の拡大写真図として、ショート性不良が発生する場合、該当ピクセルにダークスポット（ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）が発生する短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
したがって、本発明は上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、画素定義膜を使わない有機電界発光表示装置を製造することにおいて、画素電極になる下部電極の表面コーナーをラウンド形成することにより、アウトゲーシング防止及びショート性不良を防止することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記目的を達成するために本発明では、絶縁基板上の非発光領域に形成され、ソース／ドレーン電極を具備した薄膜トランジスターと、前記絶縁基板上の発光領域に形成され、コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン電極の中で一つに連結される下部電極と、前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と、前記有機発光層の上部に形成された上部電極とを含み、前記下部電極は、その表面のコーナー部分が屈曲された有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
【００２３】
前記下部電極の上部面は、曲率半径の中心がコーナーに位置して前記曲率半径が０であり、前記下部電極の下部面は、前記上部面の曲率半径の中心が位置する平面に垂直である軸と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が０より大きく、前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は各四つのコーナーに全部形成される。
【００２４】
前記下部電極の上部面のコーナーは曲率を持ち、前記曲率の中心は前記上部面上に存在し、前記下部電極の下部面は前記上部面の曲率半径の中心を含む平面と垂直方向で同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が前記上部面の曲率半径より大きくて、前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は各四つのコーナーに全部形成される。また、前記上部電極はカソード電極とし、前記下部電極はアノード電極とする。
【００２５】
また、本発明は、絶縁基板上の非発光領域にソース／ドレーン電極を具備した薄膜トランジスターを形成する段階と、前記絶縁基板上の発光領域にコンタクトホール通じて前記ソース／ドレーン電極の中で一つに連結される下部電極を形成する段階と、前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階とを含み、前記下部電極は、その表面のコーナー部分が屈曲されるように形成する段階を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供することを特徴にする。
【００２６】
前記下部電極の上部面はその表面が直四角形の形態で形成し、曲率半径の中心が直四角形のコーナーに位置して曲率半径が０になるようにし、前記下部電極の下部面は前記上部面の曲率半径の中心と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が０より大きくなるように形成する段階を含み、上部面の曲率及び前記下部面の曲率は各四つのコーナーに全部形成する。
【００２７】
前記下部電極の上部面はその表面を屈曲形成し、上部面のある一点を上部電極の曲率半径の中心になるようにし、前記下部電極の下部面は前記上部面の曲率半径の中心と同一軸上に位置した点を曲率半径の中心とし、前記下部面の曲率半径が前記上部面の曲率半径より大きくなるように形成する段階を含み、前記上部面の曲率及び前記下部面の曲率は各四つのコーナーに全部形成する。
【発明の効果】
【００２８】
上述のように本発明によると、画素定義膜を使わない有機電界発光表示装置を製造するにおいて、透明金属物質で形成された下部電極はその表面のコーナー部分を屈曲形成することにより、アウトガス発生防止及びショート性不良を同時に防止して有機電界発光表示素子の発光効率及び寿命を延長させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【実施例１】
【００３０】
図１は、本発明の能動型有機電界発光表示装置（ＡＭＯＥＬＤ：ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の第１実施例による平面構造を示す図で、図２は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面構造を示す図である。図１の能動型有機電界発光表示装置には、二つのトランジスターと一つのキャパシターで形成された素子を例示した。
【００３１】
図２を参照すると、本発明の一実施例による能動型有機電界発光表示装置は、非発光領域３１０と発光領域３３０を備える透明な絶縁基板３００、例えば、ガラス基板のような透明な絶縁基板３００上にバッファー層３４０を形成し、前記バッファー層３４０の上部に非晶質シリコーンを蒸着してパターンした後、結晶化させて半導体層３１１を形成する。以後、基板全面にゲート絶縁膜３５０を形成し、前記ゲート絶縁膜３５０上にゲート電極用金属物質を蒸着した後、パターニングして前記半導体層３１１上にゲート３１２を形成し、これと同時にキャパシター下部電極３２２を形成する。この時、ゲート３１２及びキャパシター下部電極３２２を形成する際、図１に図示されたゲートライン３０２も同時に形成される。
【００３２】
以後、前記半導体層３１１で所定導電型、例えば、Ｐ型またはＮ型不純物をイオン注入してソース／ドレーン領域３１４、３１３を形成する。
【００３３】
次に、基板全面に層間絶縁膜３６０を形成し、前記ソース／ドレーン領域３１３、３１４の一部分が露出されるように前記層間絶縁膜３６０とゲート絶縁膜３５０を蝕刻してソース／ドレーン電極用コンタクトホール３６１、３６２を形成する。
【００３４】
次に、前記層間絶縁膜３６０上にソース／ドレーン電極用金属物質を蒸着した後、前記コンタクトホール３６１、３６２を通じて前記ソース／ドレーン領域３１３、３１４とコンタクトされるソース／ドレーン電極３１５、３１６を形成する。この時、前記ソース／ドレーン電極３１５、３１６の中で一つ、例えば、ソース電極３１５から延長されるキャパシター上部電極３２６が形成されると同時に、図１に図示されたデータライン３０４及び電源ライン３０６も形成される。
【００３５】
次に、前記階間絶縁膜３６０上にパシベーション膜３７０を形成する。前記ソース／ドレーン電極３１５、３１６の中で他の一つ、例えば、ドレーン電極３１６の一部分が露出されるように前記パシベーション膜３７０を蝕刻して画素電極用コンタクトホール３７１を形成する。
【００３６】
その後、発光領域３３０には、前記パシベーション膜３７０上に透明導電膜を蒸着した後、パターニングして前記画素電極用コンタクトホール３７１を通じて前記ドレーン電極３１６とコンタクトされる下部電極３３１を形成する。
【００３７】
この時、図１に図示された前記下部電極３３１が形成される模様を図３乃至図５を通じて説明する。図３は、前記下部電極３３１の全体模様を示す斜視図で、図４は、前記下部電極３３１の平面図、図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【００３８】
図３乃至図５に図示されるように、前記下部電極３３１の上部面３３１ａの表面は直四角形の形態であり、下部面３３１ｂにはコーナーが屈曲形成され、前記下部電極３３１がテーパー（ｔａｐｅｒ）されたことが分かる。
【００３９】
これを数１で示すと次のようである。
【数１】
2005327694.tif 000003
【００４０】
これによって、前記下部電極３３１は四つのコーナーに角が形成されないので、有機発光層３３２を積層した後にも有機発光層３３２の切れによるエッジオープン不良を防止することができる。
【００４１】
次に、前記下部電極３３１を含んだ前記パシベーション膜３７０上に有機発光層３３２を形成し、その上に金属物質になった上部電極３３３を形成することにより能動型有機電界発光表示装置を完成する。ここで、前記下部電極はアノード電極とし、前記上部電極はカソード電極とする。
【実施例２】
【００４２】
図６は、本発明による能動型有機電界発光表示装置（ＡＭＯＥＬＤ，  ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の第２実施例による平面構造を示す図である。図６の有機電界発光表示装置には、二つのトランジスターと一つのキャパシターで形成された素子を例示した。
【００４３】
図６のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面構造は、前記第１実施例の図２と同一である断面構造を持ち、第２実施例による製造方法は、前記第１実施例で説明した製造方法から本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に分かる内容なので説明を省略する。
【００４４】
ただし、第２実施例では、図６に図示された前記下部電極４３１が形成される模様を図７乃至図９を通じて説明する。
【００４５】
図７は、前記下部電極４３１の全体模様を示す斜視図で、図８は、前記下部電極４３１の平面図を、図９は、図８のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００４６】
前記下部電極４３１を形成する際、図８のように、平面上に前記上部面４３１ａである内部面の四つのコーナーは屈曲形成され、前記下部面４３１ｂである外部面の四つのコーナーも屈曲形成され、図９に図示されるように、前記下部電極はテーパー形成されて上部面より下部面を広く形成する。
【００４７】
これを数２で示すと次のようである。
【数２】
2005327694.tif 000004
【００４８】
これによって、前記下部電極４３１の上部面４３１ａだけではなく下部面４３１ｂの四つのコーナーも屈曲形成され、有機発光層（図２の３３２）を積層した後にも有機発光層の切れによるエッジオープン不良を防止することができる。前記有機発光層（図２の３３２）の上部には共通的に電源を供給する上部電極（図２の３３３）が形成される。ここで、前記下部電極４３１はアノード電極とし、有機発光層の上部に形成される上部電極はカソード電極とする。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、前記の下部電極の屈曲は側面部分も可能なので、下部電極の表面模様を楕円や円形で形成することも可能である。
【００５０】
本発明は、本発明の技術的思想から逸脱することなく、他の種々の形態で実施することができる。前述の実施例は、あくまでも、本発明の技数内容を明らかにするものであって、そのような具体例のみに限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の平面構造図である。
【図２】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の断面構造図である。
【図３】図１に図示された下部電極が形成された模様を示す斜視図である。
【図４】図３に図示された下部電極の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した下部電極の断面図である。
【図６】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の平面構造図である。
【図７】図６に図示された下部電極が形成された模様を示す斜視図である。
【図８】図６に図示された下部電極の平面図である。
【図９】図８のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した下部電極の断面図である。
【図１０】従来の有機電界発光表示装置の平面構造図である。
【図１１】図１０のＩ−Ｉ線に沿って切断した従来の有機電界発光表示装置の断面構造図である。
【図１２】従来の他の有機電界発光表示装置の平面構造図である。
【図１３】図１２のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面構造図である。
【図１４】図１２に図示された下部電極が形成された模様を示す斜視図である。
【図１５】図１４に図示された下部電極の平面図である。
【図１６】図１５のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１７】ショート性不良の場合を示す発光領域の拡大写真図である。
【符号の説明】
【００５２】
３００  絶縁基板
３１０  非発光領域
３３０  発光領域
３４０  バッファー層
３５０  ゲート絶縁膜
３６０  層間絶縁膜
３１１  半導体層
３１２  ゲート
３１３  ドレーン領域
３１４  ソース領域
３１５  ドレーン電極
３１６  ソース電極
３３１  下部電極
３３２  有機発光層
３７０  パシベーション膜
【図１】
2005327694.tif 000005
【図２】
2005327694.tif 000006
【図３】
2005327694.tif 000007
【図４】
2005327694.tif 000008
【図５】
2005327694.tif 000009
【図６】
2005327694.tif 000010
【図７】
2005327694.tif 000011
【図８】
2005327694.tif 000012
【図９】
2005327694.tif 000013
【図１０】
2005327694.tif 000014
【図１１】
2005327694.tif 000015
【図１２】
2005327694.tif 000016
【図１３】
2005327694.tif 000017
【図１４】
2005327694.tif 000018
【図１５】
2005327694.tif 000019
【図１６】
2005327694.tif 000020
【図１７】
2005327694.tif 000021