(57)【要約】【課題】  半導体チップの電極と基板のリードを高精度に接続することのできる技術を提供することにある。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、電極３２の形成面及びリード１２の形成面を撮像すること、電極３２の形成面及びリード１２の形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像を得ること、投影画像において、１つの電極３２の画像と１つのリード１２の画像とのずれを演算すること、ずれを無くすために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算すること、変形値を得るために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の温度変化を演算すること、及び、半導体チップ３０及び基板１０の少なくとも一方の温度を、温度変化に基づいて変化させてなる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＸＹＺ軸からなる三次元座標系のＸＹ軸平面に、複数のリードが形成された基板を配置すること、
（ｂ）複数の電極を有する半導体チップを、前記電極の形成面が前記基板の前記リードの形成面と間隔をあけて対向するように配置すること、
（ｃ）前記複数のリードと前記複数の電極をそれぞれ対向するように位置合わせすること、及び、
（ｄ）前記複数のリードと前記複数の電極を電気的に接続すること、
を含み、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を撮像すること、
（ｃ２）前記電極の形成面及び前記リードの形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像を得ること、
（ｃ３）前記投影画像において、１つの前記電極の画像と１つの前記リードの画像とのずれを演算すること、
（ｃ４）前記ずれを無くすために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算すること、
（ｃ５）前記変形値を得るために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度変化を演算すること、及び、
（ｃ６）前記半導体チップ及び前記基板の少なくとも一方の温度を、前記温度変化に基づいて変化させること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程で、
前記撮像において、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を同時に撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程で、
前記撮像において、赤外域の波長の光によって撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ５）工程は、
前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度上昇を演算する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ＸＹＺ軸からなる三次元座標系のＸＹ軸平面に、複数のリードが形成された基板を配置するためのステージと、
複数の電極を有する半導体チップ及び前記基板を、相対的に前記電極の形成面が前記基板の前記リードの形成面と間隔をあけて対向するように配置するためのキャリアと、
前記複数のリードと前記複数の電極をそれぞれ対向するように位置合わせするためのアジャスタと、
前記複数のリードに対し前記複数の電極を相対的に加圧するためのプレスと、
を備え、
前記アジャスタは、
前記ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を撮像する第１の手段と、
前記電極の形成面及び前記リードの形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像を得る第２の手段と、
前記投影画像において、１つの前記電極の画像と１つの前記リードの画像とのずれを演算する第３の手段と、
前記ずれを無くすために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算する第４の手段と、
前記変形値を得るために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度変化を演算する第５の手段と、
前記半導体チップ及び前記基板の少なくとも一方の温度を、前記温度変化に基づいて変化させる第６の手段と、
を備える半導体装置の製造装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１の手段は、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を同時に撮像する半導体装置の製造装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１の手段は、赤外域の波長の光によって撮像する半導体装置の製造装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、
前記第５の手段は、
前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度上昇を演算する半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ａｕバンプなどの突起電極を設けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェースダウン実装する半導体装置として、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）が知られている。
【０００３】
上記ＴＡＢあるいはＴＣＰに用いられるフレキシブルフィルム基板は、一般に、ポリイミド樹脂などからなる絶縁フィルムの表面にＣｕからなる複数の配線パターンを形成したものであることから、雰囲気中の温度や湿気などに起因して絶縁フィルムが伸縮し、配線パターンのピッチに誤差が生じることが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１は、接合時加熱でのピッチ差の解決策としてインナー配線パターンに予めピッチ補正を加える技術を開示している。
【特許文献１】特開２００３−１２４２６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、膨張係数は絶縁フィルム厚（ロット内ばらつき）にも左右されるため、上記のピッチ補正だけでは微細化が難しい。
【０００６】
本発明の目的は、基板のリードと半導体チップの電極を高精度に接続することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）ＸＹＺ軸からなる三次元座標系のＸＹ軸平面に、複数のリードが形成された基板を配置すること、
（ｂ）複数の電極を有する半導体チップを、前記電極の形成面が前記基板の前記リードの形成面と間隔をあけて対向するように配置すること、
（ｃ）前記複数のリードと前記複数の電極をそれぞれ対向するように位置合わせすること、及び、
（ｄ）前記複数のリードと前記複数の電極を電気的に接続すること、
を含み、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記ＸＹ軸平面に直行する１つの軸に沿って、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を撮像すること、
（ｃ２）前記電極の形成面及び前記リードの形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像を得ること、
（ｃ３）前記投影画像において、１つの前記電極の画像と１つの前記リードの画像とのずれを演算すること、
（ｃ４）前記ずれを無くすために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算すること、
（ｃ５）前記変形値を得るために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度変化を演算すること、及び、
（ｃ６）前記半導体チップ及び前記基板の少なくとも一方の温度を、前記温度変化に基づいて変化させること、
を含む。本発明によれば、電極やリードが微細化され、それぞれの加熱によるピッチ変化の微調整が必要となる場合においても、実物観察による位置合わせを可能とすることで微細接続が可能となる。
（２）この半導体装置の製造方法は、
前記（ｃ１）工程で、
前記撮像において、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を同時に撮像してもよい。
（３）この半導体装置の製造方法は、
前記（ｃ１）工程で、
前記撮像において、赤外線の波長の光によって撮像してもよい。
（４）この半導体装置の製造方法は、
前記（ｃ５）工程は、
前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度上昇を演算してもよい。
（５）本発明に係る半導体装置の製造装置は、ＸＹＺ軸からなる三次元座標系のＸＹ軸平面に、複数のリードが形成された基板を配置するためのステージと、
複数の電極を有する半導体チップ及び前記基板を、相対的に前記電極の形成面が前記基板の前記リードの形成面と間隔をあけて対向するように配置するためのキャリアと、
前記複数のリードと前記複数の電極をそれぞれ対向するように位置合わせするためのアジャスタと、
前記複数のリードに対して前記複数の電極を相対的に加圧するためのプレスと、
を備え、
前記アジャスタは、
前記ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を撮像する第１の手段と、
前記電極の形成面及び前記リードの形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像を得る第２の手段と、
前記投影画像において、１つの前記電極の画像と１つの前記リードの画像とのずれを演算する第３の手段と、
前記ずれを無くすために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算する第４の手段と、
前記変形値を得るために必要な、前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度変化を演算する第５の手段と、
前記半導体チップ及び前記基板の少なくとも一方の温度を、前記温度変化に基づいて変化させる第６の手段と、
を備える。
（６）この半導体装置の製造装置は、
前記第１の手段は、前記電極の形成面及び前記リードの形成面を同時に撮像してもよい。
（７）この半導体装置の製造装置は、
前記第１の手段は、赤外域の波長の光によって撮像してもよい。
（８）この半導体装置の製造装置は、
前記第５の手段は、
前記基板及び前記半導体チップの少なくとも一方の温度上昇を演算してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【０００９】
本実施の形態では、基板１０が用意される（図１（Ａ）参照）。基板１０は、例えば、有機系又は樹脂系の材料から形成されたもので可撓性を有する。可撓性を有する限り、基板１０の材料は限定されない。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられる。リード１２は、基板１０の一方の面に形成される。なお、基板１０の一方の面のリード１２の他に、他方の面に配線パターンを形成してもよいが、この他方の面に形成される配線パターンは本発明の必須の構成要件ではない。リード１２は、スパッタリング等により基板１０に銅などの導電性の膜を被着し、これをエッチングして形成することができる。この場合には、基板１０にリード１２が直接形成され、２層基板となる。リード１２には、ランド１４が形成されており、半導体チップ３０の電極３２との接合がし易くなっている。なお、ランド１４上にバンプを形成してもよい。また、リード１２は、接着剤１８としての異方性導電膜シート等で覆われていてもよい。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、基板１０と半導体チップ３０は、図１（Ａ）に示すように、基板１０におけるリード１２が形成されている面と、半導体チップ３０における電極３２が形成された面とは、反対の方向であって、面に沿って平行移動したときに対面し得る方向を向いている。言い換えると、基板１０におけるリード１２が形成された面とは反対側の面と、半導体チップ３０における電極３２が形成された面とは、同じ方向を向くとともに、平面視において同一平面上にならないようにずれている。
【００１１】
次に、図１（Ｂ）において、上下同時撮像カメラ７０は、基板１０におけるリード１２が形成された面と、半導体チップ３０における電極３２が形成された面と、に対面可能な方向であって、両方の面に実際に対面して、上下同時撮像カメラ７０が配置されている。すなわち、上下同時撮像カメラ７０は、基板１０におけるリード１２が形成された面に対面するように配置されている。且つ、半導体チップ３０における電極３２が形成された面に対面するように配置されている。
【００１２】
また、基板１０及び半導体チップ３０は、それぞれ、リード１２が形成された面又は電極３２が形成された面に沿って、平行移動できるようにボンディングツール４０及びヒータステージ５０に保持されている。
【００１３】
この状態で、上下同時撮像カメラ７０は、ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、電極３２の形成面及びリード１２の形成面を撮像する。この撮像された画像は、電極３２の形成面及びリード１２の形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像である。コンピュータは、この投影画像をもとに、所定の処理を行い、ボンディングツール４０及びヒータステージ５０を用いて複数のリード１２と複数の電極３２をそれぞれ対向するように位置合わせする。
【００１４】
次に、図１（Ｃ）において、ランド１４と電極３２とをフェースダウン実装する。なお、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）において、上下同時撮像カメラ７０は、撮像時に位置が固定されているが、フェースダウン実装を行うときには、平行移動して図１（Ｃ）に示すように位置合わせをおこなえることが好ましい。
【００１５】
さらに、詳細に、本実施の形態に係る上下同時撮像カメラ７０により撮像された電極の形成面及びリードの形成面の投影画像を、ソフトウェア的に複数のリード１２と複数の電極３２をそれぞれ対向するように位置合わせする過程について説明する。図２は、本発明の実施の形態に係る位置合わせフローチャートである。
【００１６】
本実施の形態では、図２に示すように、まず、ステップＳ３１０で、上下同時撮像カメラ７０によりＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、半導体チップ３０の所定の電極２３２の形成面及びリード２１２の形成面の両方を同時に撮像する。これにより、電極２３２の形成面及び前記リード２１２の形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像ｓを取り込む。
【００１７】
次に、ステップＳ３１２で、ステップＳ３１０で取り込んだ投影画像ｓにおいて、１つの電極２３２の画像と１つのリード２１２の画像とのずれ量ｓ′を演算する。詳しくは、投影画像ｓを画像処理することにより、１つの電極２３２の中心線である電極中心線２３４のＸ座標位置と、１つのリード２１２の中心線であるリード中心線２１６のＸ座標位置とを演算し、そのＸ座標方向の差であるずれ量ｓ′（図５参照）を演算する。
【００１８】
次に、ステップＳ３１４で、ステップＳ３１２で演算されたずれ量ｓ′を「０」の状態にするために必要な、基板１０のＸ座標方向の移動量を演算する。それから、この移動量に基づいて、キャリア５２により基板１０が配置されるヒータステージ５０を移動する。
【００１９】
次に、ステップＳ３１６で、上下同時撮像カメラ７０によりＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、半導体チップ３０のステップＳ３１０で撮像した電極２３２及びリード２１２とは異なる所定の電極３２の形成面及びリード１２の形成面の両方を同時に撮像する。これにより、電極３２の形成面及び前記リード１２の形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像ｄを取り込む。
【００２０】
次に、ステップＳ３１８で、ステップＳ３１６で取り込んだ投影画像ｄにおいて、１つの電極３２の画像と１つのリード１２の画像とのずれ量ｄ′を演算する。詳しくは、投影画像ｄを画像処理することにより、１つの電極３２の中心線である電極中心線３４のＸ座標位置と、１つのリード１２の中心線であるリード中心線１６のＸ座標位置とを演算し、そのＸ座標方向の差であるずれ量ｄ′（図４参照）を演算する。
【００２１】
次に、ステップＳ３２０で、１つの電極３２の画像の電極中心線３４と１つのリード１２の画像のリード中心線１６とのずれ量ｄ′の状態を判定する。判定は、ずれ量ｄ′が「０」でない状態を「ＮＯ」としてステップＳ３２２に進む。ずれ量ｄ′が「０」の状態を「ＹＥＳ」として終了する。
【００２２】
次に、ステップＳ３２２で、ステップＳ３１８で演算した１つの電極３２の画像の電極中心線３４と１つのリード１２の画像のリード中心線１６とのずれ量ｄ′に対して、ずれ量ｄ′を「０」の状態にするために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算する。さらに、この変形値を得るために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の温度変化を基板１０及び半導体チップ３０のそれぞれの線膨張係数などを用いて演算する。
【００２３】
次に、ステップＳ３２４で、ステップＳ３２２で演算された温度変化に基づいて、基板１０を配置するヒータステージ５０と、半導体チップ３０を配置するボンディングツール４０の少なくとも一方の温度を制御する。
【００２４】
次に、ステップＳ３１０に戻り、ステップＳ３２０で、ずれ量ｄ′が「０」の状態になるまで繰り返す。
【００２５】
本実施の形態に係わる半導体装置の製造方法は上述した内容であり、以下その製造装置について説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造装置を説明する図である。
【００２６】
本実施の形態では、図３に示すように、ボンディングツール４０と、プレス４２と、ステージとしてのヒータステージ５０と、キャリア５２と、アジャスタとしての上下同時撮像カメラ７０（第１の手段）とコンピュータ１００と温度制御部１４０（第６の手段）と、駆動制御部１３０とを有する。さらに、コンピュータ１００は、第３の手段、第４の手段、第５の手段としての演算部１１０と、第２の手段としての記憶部１２０とを備える。
【００２７】
ボンディングツール４０は、プレス４２によってＺ方向に移動し、複数のリード１２に対し複数の電極３２を相対的に加圧する。ボンディングツール４０は、図示しないヒータ手段によって半導体チップ３０の温度を変化させる。
【００２８】
プレス４２は、ボンディングツール４０に接続され、ボンディングツール４０をＺ方向に移動させることにより、ボンディングツール４０を介して複数のリード１２に対し複数の電極３２を相対的に加圧させる。
【００２９】
ヒータステージ５０は、ＸＹＺ軸からなる三次元座標系のＸＹ軸平面に、複数のリード１２が形成された基板１０を配置する。ヒータステージ５０は、図示しないヒータ手段によって基板１０の温度を変化させる。
【００３０】
キャリア５２は、ヒータステージ５０を基板１０のリード１２が形成された面に平行に移動させる。
【００３１】
上下同時撮像カメラ７０は、ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、電極３２の形成面及びリード１２の形成面を撮像する。この撮像された画像は、電極３２の形成面及びリード１２の形成面の、Ｚ軸に直交する１つの面への投影画像である。上下同時撮像カメラ７０は、ボンディングツール４０とヒータステージ５０がボンディング位置に位置するとき、ボンディングツール４０とヒータステージ５０との間に配置される。上下同時撮像カメラ７０は、電極３２の形成面とリード１２の形成面を同時撮像する。上下同時撮像カメラ７０は、赤外域の波長の光を用いることにより、接着剤１８に覆われたリード１２の撮像においても十分な透過光量が得られるため好適である。上下同時撮像カメラ７０は、撮像時に位置が固定されているが、フェースダウン実装を行うときには、平行移動できるように、図示しないスライド手段によって保持されている。上下同時撮像カメラ７０は、ロッド７２先端に取り付けたボディ内に２つのミラーを用い、２つのミラーで１つのカメラへ導くもので、上面に上方撮像部となる上カメラ窓７４、下面に下方撮像部となる下カメラ窓７６を設けたものである。なお、上下同時撮像カメラ７０は、２つのＣＣＤカメラの裏面を向かい合わせて配置したものでもよい。
【００３２】
駆動制御部１３０は、ヒータステージ５０のキャリア５２に接続されている。駆動制御部１３０は、演算部１１０からの指示により、キャリア５２を用いて、基板１０を配置するヒータステージ５０のＸ座標方向の駆動を制御する。
【００３３】
温度制御部１４０は、ボンディングツール４０と、ヒータステージ５０との図示しないヒータ手段に接続されている。温度制御部１４０は、演算部１１０からの温度変化の指示により、ボンディングツール４０及びヒータステージ５０の図示しないヒータ手段を用いて、半導体チップ３０及び基板１０の少なくとも一方の温度を変化させる。
【００３４】
演算部１１０は、画像記憶部１２２に取り込んだ投影画像ｓにおいて、１つの電極２３２の画像と１つのリード２１２の画像とのずれ量ｓ′を演算する。詳しくは、投影画像ｓを画像処理することにより、１つの電極２３２の中心線である電極中心線２３４のＸ座標位置と、１つのリード２１２の中心線であるリード中心線２１６のＸ座標位置とを演算し、そのＸ座標方向の差であるずれ量ｓ′（図５参照）を演算する。また、このずれ量ｓ′を「０」の状態にするために必要な、基板１０のＸ座標方向の移動量を演算する。さらに、この移動量を駆動制御部１３０に指示する。
【００３５】
また、画像記憶部１２２に取り込んだ投影画像ｄにおいて、１つの電極３２の画像と１つのリード１２の画像とのずれ量ｄ′を演算する。詳しくは、投影画像ｄを画像処理することにより、１つの電極３２の中心線である電極中心線３４のＸ座標位置と、１つのリード１２の中心線であるリード中心線１６のＸ座標位置とを演算し、そのＸ座標方向の差であるずれ量ｄ′（図４参照）を演算する。また、このずれ量ｄ′を「０」の状態にするために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の膨張又は収縮による変形値を演算する。さらに、この変形値を得るために必要な、基板１０及び半導体チップ３０の少なくとも一方の温度変化を基礎情報記憶部１２４に記憶されている基板１０及び半導体チップ３０のそれぞれの線膨張係数などを用いて演算する。
【００３６】
記憶部１２０は、データ読み取り可能なＲＡＭ、ＲＯＭ、磁気ディスクなどの記憶媒体（記録媒体）を有しており、この記憶媒体は、磁気的、光学的記録媒体、もしくは半導体メモリ等で構成されている。記憶部１２０は、画像記憶部１２２と、基礎情報記憶部１２４とを備えている。
【００３７】
画像記憶部１２２は、ＸＹ軸平面に直交する１つの軸に沿って、電極の形成面及びリードの形成面を撮像する上下同時撮像カメラ７０から取り込んだＺ軸に直交する１つの面への投影画像を記憶する。また、必要に応じて各種の画像処理をおこなった後の画像も記憶する。
【００３８】
基礎情報記憶部１２４は、基板１０及び半導体チップ３０の基礎情報を図示しないデータサーバーからネットワークを介して取得する。取得する基礎情報としては、基板１０及び半導体チップ３０において、それぞれの線膨張係数などがある。
【００３９】
また、演算部１１０は、上下同時撮像カメラ７０と、駆動制御部１３０と、温度制御部１４０と、表示部１５０と、入力部１６０とに接続されている。
【００４０】
表示部１５０は、例えばＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）、液晶ディスプレイなどで構成されており、例えば操作画面、データ入力画面などを表示する。表示部１５０には、この他にも、上下同時撮像カメラ７０により撮像された電極３２の形成面及びリード１２の形成面の画像や、画像処理途中段階での処理状況の表示や、最終的に認識された電極３２の形成面及びリード１２の形成面の形状画像を表示することができる。
【００４１】
入力部１６０は、図示しないが、文字や数字を入力するためのキーボード、表示部１５０の画面上に表示されたカーソルで種々の操作をするマウス、ネットワーク経由でホストコンピュータなどと接続することが可能である。
【００４２】
本実施の形態によれば、半導体チップ３０及び基板１０の少なくとも一方の温度を変化させることにより、１つの電極３２の画像の電極中心線３４と１つのリード１２の画像のリード中心線１６とのずれ量ｄ′を「０」の状態にすることができ、複数のリード１２と複数の電極３２をそれぞれ対向するように位置合わせできる。これにより、ボンディングツール４０から加わる熱によって基板１０が膨張、あるいは見かけ上収縮しても、リード１２とそれに接続されるべき電極３２の位置が高い精度で一致するようになる。つまり、リード１２と電極３２とが非接触になるオープン不良や、隣り合った２個の電極３２が１本のリード１２を介して接触するショート不良を確実に防止することが可能となる。以上、自動認識位置合わせ装置（工程）を用いる例について述べたが、本発明は、手動位置合わせ装置（カメラ映像をディスプレイで人が見て位置合わせする装置）にも適用できる。これにより、高価な設備を使用しなくとも、簡易な装置で高精度な接合を行うことができる。
【００４３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施の形態に係る図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】本実施の形態に係る位置合わせフローチャートである。
【図３】本実施の形態に係る半導体装置の製造装置を説明する図である。
【図４】本実施の形態に係る投影画像におけるずれ量ｄ′を説明する図である。
【図５】本実施の形態に係る投影画像におけるずれ量ｓ′を説明する図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０…基板  １２…リード  １４…ランド  １６…リード中心線  １８…接着剤  ３０…半導体チップ  ３２…電極  ３４…電極中心線  ４０…ボンディングツール  ４２…プレス  ５０…ヒータステージ  ５２…キャリア  ７０…上下同時撮像カメラ  ７２…ロッド  ７４…上カメラ窓  ７６…下カメラ窓  １００…コンピュータ  １１０…演算部  １２０…記憶部  １２２…画像記憶部  １２４…基礎情報記憶部  １３０…駆動制御部  １４０…温度制御部  １５０…表示部  １６０…入力部  ２１２…リード  ２１６…リード中心線  ２３２…電極  ２３４…電極中心線
【図１】
2005223202.tif 000003
【図２】
2005223202.tif 000004
【図３】
2005223202.tif 000005
【図４】
2005223202.tif 000006
【図５】
2005223202.tif 000007