(57)【要約】【課題】  接合用樹脂組成物として熱硬化性樹脂組成物を用いてＩＣを実装した場合でも配線パターンに腐蝕やマイグレーションが発生せず、信頼性の高い実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  ＩＣ実装領域４０、５０にＩＣ４、５を実装するにあたって、異方性導電フィルム９として、ＩＣ４、５の平面サイズと等しい面積のものを用い、ＩＣ４、５の周辺の全ての領域においてＩＣ４、５と異方性導電フィルム９とを平面的に略重なった状態とする。従って、ＩＣ４、５を熱圧着ヘッドで熱圧着した際、異方性導電フィルム９に含まれる熱硬化性樹脂は、ＩＣ４、５から伝わってきた熱で完全硬化し、未反応部分が存在しない。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンに接続するパッドが多数、形成されたＩＣ実装領域に対して接合用樹脂組成物によってＩＣが実装された実装構造体において、
前記接合用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物であり、
前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている複数の領域のうちの少なくとも一つの領域では、前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている全て領域で前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項１において、前記ＩＣの周辺の全ての領域で前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
配線パターンに接続するパッドが多数、形成されたＩＣ実装領域に対して接合用樹脂組成物によってＩＣが実装された実装構造体において、
前記接合用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物であり、
前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている複数の領域のうちの少なくとも一つの領域では、前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とが平面的に略重なっていることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項４において、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている全ての領域で前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とが平面的に略重なっていることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
請求項４において、前記ＩＣの周辺の全ての領域で前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とが平面的に略重なっていることを特徴とする実装構造体。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記熱硬化性樹脂組成物は、フィルム状の熱硬化性樹脂中に異方性導電粒子が分散する異方性導電フィルムであることを特徴とする実装構造体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含んでいることを特徴とする実装構造体。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、前記ＩＣ実装領域は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、前記ＩＣ実装領域は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板に接続された可撓性基板上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンに接続するパッドが多数、形成されたＩＣ実装領域に対して接合用樹脂組成物によってＩＣが実装された実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型液晶装置や、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置では、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。このため、電気光学装置では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電気光学物質を保持する基板２０Ｘ上に駆動用のＩＣ４ＸをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装し、このＩＣ４Ｘからデータ線および走査線に信号を出力する。また、ＩＣ４ＸをＣＯＧ実装するには、基板２０Ｘ上のＩＣ実装領域４０Ｘに対して大きめの異方性導電フィルム９Ｘ（接合用樹脂組成物）を配置した後、この異方性導電フィルム９Ｘ上にＩＣ４Ｘを配置し、しかる後に、ＩＣ４Ｘを熱圧着ヘッドで熱圧着する方法が多用されている（例えば、引用文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２０６８７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、異方性導電フィルム９Ｘとして、熱硬化性樹脂組成物中に異方性導電粒子が分散しているものを用いた場合、ＩＣ４Ｘと平面的に重なる領域では、熱圧着ヘッドからの熱がＩＣ４Ｘを介して伝わるので異方性導電フィルム９Ｘ中の熱硬化性樹脂が完全硬化するが、ＩＣ実装領域４０Ｘの周辺領域では、ＩＣ４Ｘから熱が十分に伝わってこないため、熱硬化性樹脂が硬化しない。そのため、耐湿試験を行った際、ＩＣ実装領域４０Ｘの周辺領域では、熱硬化性樹脂中の未反応部分によって配線パターン６Ｘ、８Ｘに腐蝕やマイグレーションが発生するという問題点がある。特に、ＩＣ４Ｘに対する入力配線パターンには高電圧が印加されるので、耐湿試験を行った際、配線パターン６Ｘに腐蝕が発生しやすいという問題点がある。
【０００４】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、接合用樹脂組成物として熱硬化性樹脂組成物を用いてＩＣを実装した場合でも配線パターンに腐蝕やマイグレーションが発生せず、信頼性の高い実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明では、配線パターンに接続するパッドが多数、形成されたＩＣ実装領域に対して接合用樹脂組成物によってＩＣが実装された実装構造体において、前記接合用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物であり、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている複数の領域のうちの少なくとも一つの領域では、前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることを特徴とする。
【０００６】
本願明細書における「完全硬化」とは、例えば、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）で反応前後のエポキシ基のピーク高さ変化に基づいて反応率を計測した場合、あるいは示差走査熱量分析装置での発熱量に基づいて反応率を測定した場合に反応率として８０％以上の硬化が確認されたことを意味する。
【０００７】
本発明において、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っているいずれの領域でも、前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることが好ましい。
【０００８】
本発明では、前記配線パターンが通っている領域で熱硬化性樹脂組成物が完全硬化しているため、耐湿試験を行ったときでも、配線パターンが通っている領域に熱硬化性樹脂組成物の未反応部分が存在しない。それ故、未反応部分によって配線パターンに腐蝕やマイグレーションが発生することがないので、実装構造体の信頼性を向上することができる。
【０００９】
本発明において、前記ＩＣの周辺の全ての領域で前記熱硬化性樹脂組成物が完全硬化していることが好ましい。
【００１０】
本発明では、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている複数の領域のうちの少なくとも一つの領域で、前記熱硬化性樹脂組成物を完全硬化させるにあたって、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている複数の領域のうちの少なくとも一つの領域では、前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とを平面的に略重ねることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている全ての領域で前記熱硬化性樹脂組成物を完全硬化させるにあたっては、前記ＩＣの周辺で前記配線パターンが通っている全ての領域で前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とを平面的に略重ねればよい。
【００１２】
本発明では、前記配線パターンが通っている領域では、ＩＣと熱硬化性樹脂組成物の形成領域が略重なっているため、ＩＣ実装領域に対して熱硬化性樹脂組成物を配置した後、この熱硬化性樹脂組成物上にＩＣを配置し、しかる後に、ＩＣを熱圧着ヘッドで熱圧着すると、ＩＣと重なっている領域の熱硬化性樹脂はＩＣから伝わってくる熱で完全硬化する。従って、耐湿試験を行ったときでも、配線パターンが通っている領域では、熱硬化性樹脂組成物から未反応部分が存在しない。それ故、未反応部分によって配線パターンに腐蝕やマイグレーションが発生することがないので、実装構造体の信頼性を向上することができる。
【００１３】
本発明において、前記ＩＣの周辺の全ての領域で前記熱硬化性樹脂組成物を完全硬化させるにあたっては、前記ＩＣの周辺の全ての領域で前記ＩＣと前記熱硬化性樹脂組成物の形成領域とが平面的に略重ねればよい。
【００１４】
本発明において、前記熱硬化性樹脂組成物は、全体が完全硬化していることが好ましい。それには、前記熱硬化性樹脂組成物を概ね前記ＩＣと平面的に重なる領域のみに配置することが好ましい。このように、熱硬化性樹脂組成物を概ねＩＣと平面的に重なる領域のみに配置すると、ＩＣを熱圧着した際、その熱が熱硬化性樹脂組成物全体に伝わるため、熱硬化性樹脂組成物全体が完全硬化した状態となる。
【００１５】
本発明において、前記熱硬化性樹脂組成物は、フィルム状の熱硬化性樹脂中に異方性導電粒子が分散する異方性導電フィルムである。
【００１６】
本発明は、前記熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含んでいる場合に適用すると効果的である。エポキシ樹脂の場合には、熱硬化性という面で優れているが、未反応の状態で活性な成分が含まれているので、本発明を適用した場合の効果が顕著である。
【００１７】
本発明に係る実装構造体は、液晶装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などといった電気光学装置に用いられる。この場合、前記ＩＣ実装領域は、例えば、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板上に形成される。また、前記ＩＣ実装領域は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板に接続された可撓性基板上に形成されることもある。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
（電気光学装置の全体構成）
図１は、電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。
【００２１】
図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００２２】
このような電気光学装置１ａを構成するにあたっては、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に、電気光学物質としての液晶を封入する。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００２３】
実際には、素子基板１０および対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着されるが、本発明とは直接の関係がないため、その図示および説明を省略する。
【００２４】
素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックなどの光透過性を有する板状部材である。このうち、素子基板１０の内側（液晶側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、および画素電極（図示せず）などが形成される一方、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａが形成されている。また、素子基板１０は、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに向けて、データ線５２ａおよび走査線５１ａに接続する配線パターン８が延びている。
【００２５】
本形態において、前記のシール材３０には導電性を有する多数の導通粒子が分散されており、この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された配線パターン同士を導通させる機能と、両基板の間隙（セルギャップ）を一定に保つスペーサとしての機能とを兼ね備える。
【００２６】
このため、本形態では、素子基板１０の張り出し領域１０ａに、基板縁１１に沿う方向における中央領域に第１のＩＣ実装領域４０が形成され、この第１のＩＣ実装領域４０には、データ線駆動回路を内蔵のフェイスダウンボンディングタイプの第１のＩＣ４がＣＯＧ実装されている。
【００２７】
また、素子基板１０の張り出し領域１０ａには、第１の実装領域４０の両側に第２のＩＣ実装領域５０が形成され、この第２のＩＣ実装領域５０には、走査線駆動回路を内蔵のフェイスダウンボンディングタイプの第２のＩＣ５がＣＯＧ実装されている。
【００２８】
さらに、素子基板１０の張り出し領域１０ａにおいて、ＩＣ実装領域４０、５０よりもさらに基板縁１１の側には、基板縁１１に沿って、可撓性基板７が接続された基板接続領域７０が形成されており、基板接続領域７０とＩＣ実装領域４０、５０との間には、配線パターン６が形成されている。
【００２９】
ここで、第１のＩＣ４の駆動電圧は、例えば５Ｖであり、第２のＩＣ５の駆動電圧は、例えば３０Ｖである。
【００３０】
（実装構造の詳細な構成）
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板のＩＣ実装領域にＩＣを実装する様子を示す説明図、およびＩＣを実装した後の様子を示す説明図である。
【００３１】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示す各ＩＣ実装領域４０、５０にＩＣ４、５を実装するにあたって、本形態では、図３（Ａ）に示すように、配線パターン６、８に電気的接続するパッド６０、８０を備えたＩＣ実装領域４０、７０に対して接合用樹脂組成物としての異方性導電フィルム９を配置した後、この異方性導電フィルム９上にＩＣ４、５を配置し、しかる後に、ＩＣ４、５を熱圧着ヘッド（図示せず）で熱圧着する。ここで、異方性導電フィルム９には、フィルム状のエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂中に異方性導電粒子が分散している。このため、ＩＣ４、５を熱圧着ヘッドで熱圧着して、図３（Ｂ）に示すように、ＩＣ４、５を実装すると、ＩＣ４、５のバンブは、異方性導電フィルム９に含まれていた異方性導電粒子を介してパッド６０、８０に電気的に接続する。また、異方性導電フィルム９に含まれていた熱硬化性樹脂は、ＩＣ４、５から伝わってきた熱で硬化し、ＩＣ４、５を固定する。
【００３２】
従って、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように電気光学装置１ａを製作した状態で、可撓性基板７を介して信号や電源電位などを供給すると、第１のＩＣ４から画像信号が出力され、この画像信号は、配線パターン８を介してデータ線５２ａに出力される。また、第２のＩＣ５の出力バンプからは走査信号が出力され、この走査信号は、配線パターン８を介して走査線５１ａに出力される。
【００３３】
このような実装を行うにあたって、本形態では、図３（Ａ）に示すように、異方性導電フィルム９として、ＩＣ４、５の平面サイズと等しい面積のものを用い、ＩＣ４、５の周辺の全ての領域においてＩＣ４、５と異方性導電フィルム９とを平面的に略重なった状態とする。例えば、ＩＣ４、５からの異方性導電フィルム９のはみ出し寸法を０．３ｍｍ以下に抑える。その結果、ＩＣ４、５を熱圧着ヘッドで熱圧着した際、異方性導電フィルム９に含まれる熱硬化性樹脂は、ＩＣ４、５から伝わってきた熱で完全硬化する。従って、電気光学装置１ａを耐湿試験したときでも、配線パターン６、８が通っている領域で熱硬化性樹脂組成物から未反応部分が存在するという事態を回避できる。それ故、未反応成分によって配線パターン６、８に腐蝕やマイグレーションが発生することがないので、電気光学装置１ａの信頼性を向上することができる。
【００３４】
［その他の実施の形態］
上記形態では、第１のＩＣ４の両側に２つの第２のＩＣ５が実装されている構成であったが、実装されるＩＣの数にかかわらず、本発明を適用することができる。
【００３５】
また、上記形態では、ＩＣ４をＣＯＧ実装する例であったが、電気光学装置としては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＩＣ４ＡをＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装した可撓性基板３を素子基板１０に接続する場合がある。このような場合にも、可撓性基板３上のＩＣ実装領域４０ＡにＩＣ４Ａを実装する際、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した構成を採用すればよい。なお、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す電気光学装置１ａの構成は、図２（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明したものと同様であるため、対応する部分には同一の付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００３６】
さらに、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した形態では、ＩＣ４、５の周辺の全ての領域において、ＩＣ４、５と異方性導電フィルム９とを平面的に重なった状態とすることにより、ＩＣ４、５の周辺の全ての領域で異方性導電フィルム９（熱硬化性樹脂組成物）を完全硬化させたが、熱硬化性樹脂組成物の未反応部分を原因とする配線パターンの腐蝕やマイグレーションを防止するという観点からすれば、図５（Ａ）に示すように、ＩＣ４、５の周辺で配線パターン６、８が通っている２つの領域でＩＣ４、５と異方性導電フィルム９とを平面的に重ね、配線パターン６、８が通っていない領域では異方性導電フィルム９が大きくはみ出している構成を採用してもよい。このように構成した場合も、ＩＣ４、５の周辺で少なくとも配線パターン６、７が通っている領域では、異方性導電フィルム９中の熱硬化性樹脂組成物が完全硬化するので、未反応部分によって配線パターン６、８に腐蝕やマイグレーションが発生することがない。
【００３７】
また、図５（Ｂ）に示すように、ＩＣ４、５の周辺で配線パターン６、８が通っている二つの領域のうち、高い電圧が供給される入力側の配線パターン６が通っている領域のみにおいてＩＣ４、５と異方性導電フィルム９とを平面的に重ね、配線パターン６が通っていない領域では異方性導電フィルム９が大きくはみ出している構成を採用してもよい。このように構成した場合には、少なくとも、腐蝕やマイグレーションが発生しやすい配線パターン６を未反応部分から保護することができる。
【００３８】
さらにまた、上記形態では、接合用樹脂組成物として、異方性導電粒子を含有する異方性導電フィルム９を用いた例を説明したが、異方性導電粒子を含有しない接着フィルムを用いた場合に本発明を適用してもよい。
【００３９】
なお、上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、以下に示す電気光学装置でも、駆動回路内蔵のＩＣがＣＯＧ実装、あるいはＣＯＦ実装されることがあるので、このような電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００４０】
図６は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図７は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００４１】
図６に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４２】
ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００４３】
図７に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００４４】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００４５】
また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。
【００４６】
ここで、発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００４７】
また、上述した実施形態以外にも、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００４８】
なお、上記の電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板のＩＣ実装領域にＩＣを実装する様子を示す説明図、およびＩＣを実装した後の様子を示す説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明のさらに別の実施の形態に係るＩＣ実装構造を模式的に示す平面図である。
【図６】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図７】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、ＩＣ実装領域にＩＣを実装する従来方法を示す説明図、および従来方法でＩＣを実装した後の様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
１ａ  電気光学装置（実装構造体）、４  第１のＩＣ、５  第２のＩＣ、６、８  配線パターン、９  異方性導電フィルム（接合用樹脂組成物／熱硬化性樹脂組成物）、１０  素子基板（電気光学装置用基板）、１０ａ  素子基板の張り出し領域、２０  対向基板、４０  第１のＩＣ実装領域、６０  第２のＩＣ実装領域、６０、８０  パッド群
【図１】
2005202211.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005202211.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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