(57)【要約】【課題】  設置場所に移動された後の半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる半導体製造装置の校正方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体製造装置１００の校正方法では、場所Ａに設置された半導体製造装置１００を、センサＳ１〜Ｓｎに対応する検査項目Ａ１〜Ａｍを検査するためのレシピＲ１で動作させたときに、センサＳ１〜Ｓｎを用いて収集される出力データＲａ１〜Ｒａｎを含むデータＤ１が記録された記録媒体ＤＢ１を準備する。場所Ｂに設置された半導体製造装置１００をレシピＲ１で動作させたときに、センサＳ１〜Ｓｎを用いて出力データＲｂ１〜Ｒｂｎを含むデータＤ１ａを収集する。データＤ１とデータＤ１ａとを比較して、出力データＲａｎに対して異常を示す出力データＲｂｎが抽出された比較結果ＣＲ１を生成する。比較結果ＣＲ１に基づいて半導体製造装置１００の校正を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の場所から該第１の場所とは異なる第２の場所に移動された半導体製造装置の校正方法であって、
前記第１の場所に設置された前記半導体製造装置を、該半導体製造装置に取り付けられた複数のセンサに対応する複数の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、前記複数のセンサを用いて収集される複数の第１の出力データを含む第１のデータが記録された記録媒体を準備する工程と、
前記第２の場所に設置された前記半導体製造装置を前記第１の動作条件下で動作させたときに、前記複数のセンサを用いて複数の第２の出力データを含む第２のデータを収集する工程と、
前記第１のデータと前記第２のデータとを比較して、前記第１の出力データに対して異常を示す前記第２の出力データが抽出された比較結果を生成する工程と、
前記比較結果に基づいて前記半導体製造装置の校正を行う工程と、
を含む半導体製造装置の校正方法。
【請求項２】
前記比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いる請求項１に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項３】
前記第１の動作条件は、前記半導体製造装置のハードウェアを動作させる動作条件である請求項１又は２に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項４】
前記第１の出力データ及び前記第２の出力データは、時系列データである請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項５】
第１の場所から該第１の場所とは異なる第２の場所に移動された第１の半導体製造装置の校正方法であって、
前記第２の場所に設置された前記第１の半導体製造装置を、該第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第１のセンサに対応する複数の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、前記複数の第１のセンサを用いて複数の第１の出力データを含む第１のデータを収集する工程と、
前記第１の半導体製造装置の校正を行う場合の基準となる第２の半導体製造装置を前記第１の動作条件下で動作させたときに、該第２の半導体製造装置に取り付けられ前記複数の検査項目に対応する複数の第２のセンサを用いて収集される複数の第２の出力データを含む第２のデータが記録された記録媒体を準備する工程と、
前記第１のデータと前記第２のデータとを比較して、前記第２の出力データに対して異常を示す前記第１の出力データが抽出された比較結果を生成する工程と、
前記比較結果に基づいて前記第１の半導体製造装置の校正を行う工程と、
を含む半導体製造装置の校正方法。
【請求項６】
前記比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いる請求項５に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項７】
前記第１の動作条件は、前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置に半導体製造プロセスを実施させる動作条件である請求項５又は６に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項８】
前記第１の出力データ及び前記第２の出力データは、時系列データである請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項９】
第１の場所から該第１の場所とは異なる第２の場所に移動された第１の半導体製造装置の校正方法であって、
前記第１の場所に設置された前記第１の半導体製造装置を、該第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第１のセンサに対応する複数の第１の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、前記複数の第１のセンサを用いて収集される複数の第１の出力データを含む第１のデータが記録された第１の記録媒体を準備する工程と、
前記第２の場所に設置された前記第１の半導体製造装置を前記第１の動作条件下で動作させたときに、前記複数の第１のセンサを用いて複数の第２の出力データを含む第２のデータを収集する工程と、
前記第１のデータと前記第２のデータとを比較して、前記第１の出力データに対して異常を示す前記第２の出力データが抽出された第１の比較結果を生成する工程と、
前記第１の比較結果に基づいて前記第１の半導体製造装置の第１の校正を行う工程と、
前記第２の場所に設置された前記第１の半導体製造装置を、該第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第２のセンサに対応する複数の第２の検査項目を検査するための第２の動作条件下で動作させたときに、前記複数の第２のセンサを用いて複数の第３の出力データを含む第３のデータを収集する工程と、
前記第１の半導体製造装置の第２の校正を行う場合の基準となる第２の半導体製造装置を前記第２の動作条件下で動作させたときに、該第２の半導体製造装置に取り付けられ前記複数の第２の検査項目に対応する複数の第３のセンサを用いて収集される複数の第４の出力データを含む第４のデータが記録された第２の記録媒体を準備する工程と、
前記第３のデータと前記第４のデータとを比較して、前記第４の出力データに対して異常を示す前記第３の出力データが抽出された第２の比較結果を生成する工程と、
前記第２の比較結果に基づいて前記第１の半導体製造装置の前記第２の校正を行う工程と、
を含む半導体製造装置の校正方法。
【請求項１０】
前記第１の比較結果を生成する工程及び前記第２の比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いる請求項９に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項１１】
前記第１の動作条件は、前記第１の半導体製造装置のハードウェアを動作させる動作条件であり、
前記第２の動作条件は、前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置に半導体製造プロセスを実施させる動作条件である請求項９又は１０に記載の半導体製造装置の校正方法。
【請求項１２】
前記第１〜第４の出力データは、時系列データである請求項９〜１１のいずれか一項に記載の半導体製造装置の校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置の校正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、トランジスタ等の半導体デバイスは、ウエハに多数の半導体製造プロセスを施すことにより得られる。各半導体製造プロセスでは、エッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、イオン注入装置、熱処理装置といった半導体製造装置が用いられる。例えば、エッチング装置では、所定のレシピ（処理条件）を実行すると当該レシピに対応してウエハがエッチングされる。レシピでは、例えば、プロセスガスの種類及び流量、チャンバ内の圧力及び温度等が予め設定されている。
【０００３】
上述のような半導体製造装置には多数のセンサが取り付けられている。これらのセンサを用いると、例えば、半導体製造装置が動作する間のチャンバ内圧力、高周波電源出力、ガス流量、ヒータ温度等をモニタリングすることができる。
【０００４】
また、半導体デバイスを量産する半導体製造工場から収集される様々なデータから一部のデータを抽出し、抽出されたデータに対してデータマイニングを行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】国際公開第０３／０１２６９６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体デバイスを製造する工場内に半導体製造装置を新たに導入する場合や、工場内の既設の半導体製造装置を別の場所に移動する場合に、いわゆる半導体製造装置の立ち上げが行われる。立ち上げでは、設置場所に移動された半導体製造装置に対して校正が行われる。これにより、当該半導体製造装置は所定の特性を発揮でき、所望の半導体製造プロセスを実施することができるようになる。
【０００６】
校正では、立ち上げの際の検査項目（例えばチャンバ内圧力）に対応する制御モジュール（例えば圧力コントロールバルブ）又はセンサ（例えば圧力計）等の動作や出力が所定のスペック内に入るように、半導体製造装置の調整や部品交換等を行う。この作業を全ての検査項目に対して順次行うことにより、半導体製造装置の校正が終了する。
【０００７】
しかしながら、立ち上げの際の検査項目が１００以上ある場合も少なくないので、上述の校正方法では半導体製造装置の校正にかなりの時間がかかってしまう。このため、半導体製造装置の立ち上げには通常２ヶ月程度の時間を要する。
【０００８】
そこで、本発明は、設置場所に移動された後の半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる半導体製造装置の校正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するため、本発明の半導体製造装置の校正方法は、第１の場所からその第１の場所とは異なる第２の場所に移動された半導体製造装置の校正方法であって、第１の場所に設置された半導体製造装置を、その半導体製造装置に取り付けられた複数のセンサに対応する複数の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、複数のセンサを用いて収集される複数の第１の出力データを含む第１のデータが記録された記録媒体を準備する工程と、第２の場所に設置された半導体製造装置を第１の動作条件下で動作させたときに、複数のセンサを用いて複数の第２の出力データを含む第２のデータを収集する工程と、第１のデータと第２のデータとを比較して、第１の出力データに対して異常を示す第２の出力データが抽出された比較結果を生成する工程と、比較結果に基づいて半導体製造装置の校正を行う工程とを含む。
【００１０】
この方法では、第１のデータと第２のデータとを比較して、第１の出力データに対して異常を示す第２の出力データを抽出する。よって、異常を示す第２の出力データに対応する検査項目について半導体製造装置の校正を行えばよいので、複数の検査項目全てについて校正を行う必要性がなくなる。したがって、この方法を用いれば、複数の検査項目全てについて半導体製造装置の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる。
【００１１】
さらに、同じ半導体製造装置から得られる第１のデータと第２のデータとを比較するので、半導体製造装置の個体差による影響を排除することができる。
【００１２】
また、比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いると好ましい。この場合、第１及び第２のデータの量が膨大であっても短時間で比較結果を生成することができる。このため、半導体製造装置の校正に要する時間を更に短縮できる。
【００１３】
また、第１の動作条件は、半導体製造装置のハードウェアを動作させる動作条件であると好ましい。この場合、半導体製造プロセスを実施せずにハードウェアの検査を行うことができる。よって、半導体製造プロセスがハードウェアに及ぼす影響を考慮する必要がなくなるので、ハードウェアの検査が容易になる。
【００１４】
また、第１の出力データ及び第２の出力データは、時系列データであると好ましい。この場合、第１の出力データに対する第２の出力データの異常を検出するときの検出感度が向上する。
【００１５】
また、本発明の半導体製造装置の校正方法は、第１の場所からその第１の場所とは異なる第２の場所に移動された第１の半導体製造装置の校正方法であって、第２の場所に設置された第１の半導体製造装置を、その第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第１のセンサに対応する複数の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、複数の第１のセンサを用いて複数の第１の出力データを含む第１のデータを収集する工程と、第１の半導体製造装置の校正を行う場合の基準となる第２の半導体製造装置を第１の動作条件下で動作させたときに、その第２の半導体製造装置に取り付けられ複数の検査項目に対応する複数の第２のセンサを用いて収集される複数の第２の出力データを含む第２のデータが記録された記録媒体を準備する工程と、第１のデータと第２のデータとを比較して、第２の出力データに対して異常を示す第１の出力データが抽出された比較結果を生成する工程と、比較結果に基づいて第１の半導体製造装置の校正を行う工程とを含む。
【００１６】
この方法では、第１のデータと第２のデータとを比較して、第２の出力データに対して異常を示す第１の出力データを抽出する。よって、異常を示す第１の出力データに対応する検査項目について半導体製造装置の校正を行えばよいので、複数の検査項目全てについて校正を行う必要性がなくなる。したがって、この方法を用いれば、複数の検査項目全てについて半導体製造装置の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる。
【００１７】
また、比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いると好ましい。この場合、第１及び第２のデータの量が膨大であっても短時間で比較結果を生成することができる。このため、半導体製造装置の校正に要する時間を更に短縮できる。
【００１８】
また、第１の動作条件は、第１の半導体製造装置及び第２の半導体製造装置に半導体製造プロセスを実施させる動作条件であると好ましい。これにより、第１の半導体製造装置により行われる半導体製造プロセスを、基準となる第２の半導体製造装置により行われる所望の半導体製造プロセスに合わせることが容易になる。
【００１９】
また、第１の出力データ及び第２の出力データは、時系列データであると好ましい。この場合、第２の出力データに対する第１の出力データの異常を検出するときの検出感度が向上する。
【００２０】
また、本発明の半導体製造装置の校正方法は、第１の場所からその第１の場所とは異なる第２の場所に移動された第１の半導体製造装置の校正方法であって、第１の場所に設置された第１の半導体製造装置を、その第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第１のセンサに対応する複数の第１の検査項目を検査するための第１の動作条件下で動作させたときに、複数の第１のセンサを用いて収集される複数の第１の出力データを含む第１のデータが記録された第１の記録媒体を準備する工程と、第２の場所に設置された第１の半導体製造装置を第１の動作条件下で動作させたときに、複数の第１のセンサを用いて複数の第２の出力データを含む第２のデータを収集する工程と、第１のデータと第２のデータとを比較して、第１の出力データに対して異常を示す第２の出力データが抽出された第１の比較結果を生成する工程と、第１の比較結果に基づいて第１の半導体製造装置の第１の校正を行う工程と、第２の場所に設置された第１の半導体製造装置を、その第１の半導体製造装置に取り付けられた複数の第２のセンサに対応する複数の第２の検査項目を検査するための第２の動作条件下で動作させたときに、複数の第２のセンサを用いて複数の第３の出力データを含む第３のデータを収集する工程と、第１の半導体製造装置の第２の校正を行う場合の基準となる第２の半導体製造装置を第２の動作条件下で動作させたときに、その第２の半導体製造装置に取り付けられ複数の第２の検査項目に対応する複数の第３のセンサを用いて収集される複数の第４の出力データを含む第４のデータが記録された第２の記録媒体を準備する工程と、第３のデータと第４のデータとを比較して、第４の出力データに対して異常を示す第３の出力データが抽出された第２の比較結果を生成する工程と、第２の比較結果に基づいて第１の半導体製造装置の第２の校正を行う工程とを含む。
【００２１】
この方法では、第１のデータと第２のデータとを比較して、第１の出力データに対して異常を示す第２の出力データを抽出する。よって、異常を示す第２の出力データに対応する第１の検査項目について半導体製造装置の第１の校正を行えばよいので、複数の第１の検査項目全てについて第１の校正を行う必要性がなくなる。したがって、この方法を用いれば、複数の第１の検査項目全てについて半導体製造装置の第１の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置の第１の校正に要する時間を短縮できる。
【００２２】
さらに、同じ第１の半導体製造装置から得られる第１のデータと第２のデータとを比較するので、半導体製造装置の個体差による影響を排除することができる。
【００２３】
また、第３のデータと第４のデータとを比較して、第４の出力データに対して異常を示す第３の出力データを抽出する。よって、異常を示す第３の出力データに対応する第２の検査項目について半導体製造装置の第２の校正を行えばよいので、複数の第２の検査項目全てについて第２の校正を行う必要性がなくなる。したがって、この方法を用いれば、複数の第２の検査項目全てについて半導体製造装置の第２の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置の第２の校正に要する時間を短縮できる。
【００２４】
また、第１の比較結果を生成する工程及び第２の比較結果を生成する工程では、データマイニングを用いると好ましい。この場合、第１〜第４のデータの量が膨大であっても短時間で第１及び第２の比較結果を生成することができる。
【００２５】
また、第１の動作条件は、第１の半導体製造装置のハードウェアを動作させる動作条件であり、第２の動作条件は、第１の半導体製造装置及び第２の半導体製造装置に半導体製造プロセスを実施させる動作条件であると好ましい。
【００２６】
この場合、第１の校正を行うときに、半導体製造プロセスを実施せずにハードウェアの検査を行うことができる。よって、半導体製造プロセスがハードウェアに及ぼす影響を考慮する必要がなくなるので、ハードウェアの検査が容易になる。また、第２の校正を行うときに、第１の半導体製造装置により行われる半導体製造プロセスを、基準となる第２の半導体製造装置により行われる所望の半導体製造プロセスに合わせることが容易になる。
【００２７】
また、第１〜第４の出力データは、時系列データであると好ましい。この場合、第１の出力データに対する第２の出力データの異常、及び、第４の出力データに対する第３の出力データの異常を検出するときの検出感度が向上する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、設置場所に移動された後の半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる半導体製造装置の校正方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面とともに本発明の好適な実施形態に係る半導体製造装置の校正方法について説明する。なお、図面の説明においては、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００３０】
（第１の記録媒体の準備工程）
図１(Ａ)〜図１(Ｃ)は、半導体製造装置１００（第１の半導体製造装置）が場所Ａ（第１の場所）から場所Ｂ（第２の場所）に移動される工程を示す図である。場所Ａと場所Ｂとは異なっている。場所Ａは、例えば半導体製造装置１００を生産する工場内を示し、場所Ｂは、例えば半導体製造装置１００を用いて半導体デバイスが製造される工場内を示す。場所Ａ及び場所Ｂは、同一工場内であってもよい。半導体製造装置１００としては、エッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、イオン注入装置、熱処理装置等が挙げられる。
【００３１】
まず、図１(Ａ)に示されるように、場所Ａに設置された半導体製造装置１００を、レシピＲ１（第１の動作条件）を用いて動作させる。半導体製造装置１００は、例えばチャンバＣ１〜Ｃ４を備えている。半導体製造装置１００には、ｎ個のセンサＳ１〜Ｓｎ（第１のセンサ）が取り付けられている。ここで、ｎは２以上の整数であり、以下の説明においても同様である。センサＳ１〜Ｓｎとしては、圧力センサ、温度センサ、流量センサ等が挙げられる。レシピＲ１を用いると、図２(Ａ)に示されるように、センサＳ１〜Ｓｎからの出力データＲａ１〜Ｒａｎ（第１の出力データ）を含むデータＤ１（第１のデータ）が収集される。
【００３２】
このようなセンサＳ１〜Ｓｎからの出力データＲａ１〜Ｒａｎを用いると、検査項目Ａ１〜Ａｍ（第１の検査項目）を検査することができる。検査項目Ａ１〜Ａｍとしては、チャンバＣ１〜Ｃ４内の圧力及び温度、ガス流量等が挙げられる。図２(Ａ)は、検査項目Ａ１〜Ａｍに対応する出力データＲａ１〜Ｒａｎを示す表である。ここで、ｍは２以上の整数であり、以下の説明においても同様である。ｍの値は、ｎの値と同一でもよいし、異なっていてもよい。なお、例えば１つの検査項目Ａｍと１つのセンサＳｎとが対応するとしてもよく、１つの検査項目ＡｍとセンサＳ１〜Ｓｎから選ばれる任意の複数のセンサとが対応するとしてもよい。
【００３３】
より具体的には、例えば出力データＲａｎは、所定の時間間隔で逐次収集されると好ましい。出力データＲａｎは、時刻ｔ１〜ｔｋにおいて時系列に収集された数値ａｎ１〜ａｎｋからなる時系列データであるとすることができる。ここで、ｋは１以上の整数であり、以下の説明においても同様である。時刻ｔ１〜ｔｋの各々の間隔は、例えば１秒であるとすることができる。
【００３４】
データＤ１は、図１(Ａ)に示されるように、データロガーＤＬ１から記録媒体ＤＢ１（第１の記録媒体）に記録される。記録媒体ＤＢ１としては、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＤＶＤ、光磁気ディスク（ＭＯ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ハードディスク（ＨＤ）等が挙げられる。
【００３５】
次に、図１(Ｂ)に示されるように、必要に応じて半導体製造装置１００の少なくとも一部を分解して、半導体製造装置１００を場所Ａから場所Ｂに移動する。また、必要に応じてデータロガーＤＬ１を場所Ａから場所Ｂに移動する。さらに、必要に応じて記録媒体ＤＢ１を場所Ａから場所Ｂに移動する。半導体製造装置１００、データロガーＤＬ１及び記録媒体ＤＢ１は、それぞれ別々に移動されるとしてもよく、同時に移動されるとしてもよい。また、記録媒体ではなく電気通信回線等を通じて、データＤ１を場所Ａから場所Ｂに移動するとしてもよい。さらに、場所Ａにおいて、記録媒体ＤＢ１とは別の記録媒体にデータＤ１を複写して、その記録媒体を場所Ａから場所Ｂに移動するとしてもよい。
【００３６】
以上のようにして、図１(Ｃ)に示されるように、場所Ｂに記録媒体ＤＢ１が準備される。
【００３７】
（第２のデータの収集工程）
次に、図１(Ｃ)に示されるように、必要に応じて半導体製造装置１００を組み立て直して、場所Ｂに半導体製造装置１００を設置する。続いて、場所Ｂに設置された半導体製造装置１００を、上記レシピＲ１を用いて動作させる。レシピＲ１を用いると、図２(Ｂ)に示されるように、センサＳ１〜Ｓｎからの出力データＲｂ１〜Ｒｂｎ（第２の出力データ）を含むデータＤ１ａ（第２のデータ）が収集される。図２(Ｂ)は、検査項目Ａ１〜Ａｍに対応する出力データＲｂ１〜Ｒｂｎを示す表である。
【００３８】
より具体的には、出力データＲｂｎは、所定の時間間隔で逐次収集されると好ましい。出力データＲｂｎは、時刻ｔ１ａ〜ｔｋａにおいて時系列に収集された数値ｂｎ１〜ｂｎｋからなる時系列データであるとすることができる。時刻ｔ１ａ〜ｔｋａの各々の間隔は、例えば１秒であるとすることができる。
【００３９】
データＤ１ａは、図１(Ｃ)に示されるように、データロガーＤＬ１から記録媒体ＤＢ２に記録される。記録媒体ＤＢ２としては、記録媒体ＤＢ１と同様のものが挙げられる。
【００４０】
（第１の比較結果の生成工程）
次に、図３に示されるように、データＤ１ａとデータＤ１とを比較して比較結果ＣＲ１（第１の比較結果）を生成する。図３は、比較結果ＣＲ１を生成する工程を示すブロック図である。比較結果ＣＲ１では、例えば、出力データＲａｎに対して異常を示す出力データＲｂｎが抽出される。より具体的には、例えば、出力データＲａｎと出力データＲｂｎとの差が所定の閾値以上である場合を、出力データＲｂｎが異常を示す場合とすることができる。また、比較結果ＣＲ１を表示する方法として、表示装置に出力データＲａｎ，Ｒｂｎを表示するとしてもよい。
【００４１】
図４は、表示装置に表示された比較結果ＣＲ１の一例を示すグラフである。このグラフでは、縦軸がチャンバ内の圧力Ｐ、横軸が時刻ｔを示す。グラフ中に示されるチャート（時系列データ）は、１秒毎に測定されたチャンバ内の圧力値が時系列的に収集されることにより得られる。ここで、チャンバ内の圧力Ｐは検査項目Ａｍの一例であり、各チャートは出力データＲａｎ，Ｒｂｎの一例に相当する。なお、図４では、後述する第１の校正を行った後に収集される出力データも表示されている。
【００４２】
図４中の領域ｂでは、出力データＲａｎ，Ｒｂｎ間の差Δ１が所定の閾値以上であることが確認される。このような場合、基準となる出力データＲａｎに対して出力データＲｂｎが異常であることが確認される。より具体的には、出力データＲｂｎではゼロ点がずれている。
【００４３】
また、上述のような比較結果ＣＲ１は、データマイニングを用いて生成されると好ましい。データマイニングを用いると、基準となる出力データＲａｎに対して異常を示す出力データＲｂｎを効率的に抽出することができる。このため、データＤ１ａ及びデータＤ１の量が膨大であっても短時間で比較結果ＣＲ１を生成することができる。
【００４４】
（第１の校正工程）
次に、比較結果ＣＲ１に基づいて半導体製造装置１００の校正を行う。比較結果ＣＲ１においては、例えば、図４中の領域ｂに示されるように出力データＲｂｎ（例えば圧力データ）の異常が確認される。この場合、当該出力データＲｂｎに対応する検査項目Ａｍ（例えばチャンバ内の圧力）を検査する必要性が生じる。この検査項目Ａｍに関連する半導体製造装置１００の部品（例えば圧力センサ）を修理、調整又は交換することにより、半導体製造装置１００の校正を行うことができる。これにより、図４の領域ａに示されるように、出力データＲａｎ，Ｒｂｎがほぼ重なる。ここで、半導体製造装置１００の校正とは、半導体製造装置１００の部品を修理、調整又は交換することを含むものである。半導体製造装置１００の校正を行うと、半導体製造装置１００は所定の特性を発揮することができるようになる。なお、比較結果ＣＲ１に基づいて、チャンバＣ１〜Ｃ４間の差を調整することもできる。
【００４５】
以上のようにして、半導体製造装置１００の第１の校正が行われる。第１の校正では、データＤ１ａとデータＤ１とを比較して、出力データＲａｎに対して異常を示す出力データＲｂｎを抽出する。よって、異常を示す出力データＲｂｎに対応する検査項目Ａｍについて半導体製造装置１００の校正を行えばよいので、検査項目Ａ１〜Ａｍ全てについて校正を行う必要性がなくなる。したがって、本実施形態に係る半導体製造装置の校正方法を用いれば、検査項目Ａ１〜Ａｍ全てについて半導体製造装置１００の第１の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置１００の第１の校正に要する時間を短縮できる。
【００４６】
さらに、同じ半導体製造装置１００から得られるデータＤ１ａとデータＤ１とを比較するので、半導体製造装置の個体差による影響を排除することができる。半導体製造装置は非常に精密な装置であるので、個体差による影響が大きい装置である。そのため、個体差による影響を排除することができれば、より短時間で半導体製造装置１００の第１の校正を行うことができる。
【００４７】
また、半導体製造装置１００の第１の校正に要するウエハの枚数も大幅に削減できる。また、第１の校正を行うことにより、場所Ａから場所Ｂに移動された半導体製造装置１００の動作の再現性を確認することができる。
【００４８】
また、レシピＲ１は、半導体製造装置１００のハードウェアを動作させるレシピであると好ましい。このレシピＲ１を用いると、ハードウェアについての検査項目Ａ１〜Ａｍを検査することができる。この場合、レシピＲ１を用いて半導体製造装置１００を動作させても、半導体製造装置１００内に導入されるウエハに半導体製造プロセスは実施されない。レシピＲ１では、プロセスガスではなく窒素ガスといった不活性ガスを半導体製造装置１００内に供給する。よって、半導体製造プロセスがハードウェアに及ぼす影響を考慮する必要がなくなるので、ハードウェアの検査が容易になる。ハードウェアとしては、例えば、搬送系、真空系等が挙げられる。
【００４９】
また、出力データＲａ１〜Ｒａｎ及び出力データＲｂ１〜Ｒｂｎは、時系列データであると好ましい。この場合、出力データＲａｎに対する出力データＲｂｎの異常を検出するときの検出感度が向上する。例えば、出力データＲａｎと出力データＲｂｎとを比較するときに、多数の時刻において互いの数値を比較することができる。その結果、出力データＲａｎと出力データＲｂｎとの間に差が確認される可能性は高くなる。
【００５０】
（第３のデータの収集工程）
次に、図５に示されるように、場所Ｂに設置された半導体製造装置１００を、レシピＲ２（第２の動作条件）を用いて動作させる。図５は、場所Ｂに移動された半導体製造装置１００と、半導体製造装置１００と同一機種の半導体製造装置２００（第２の半導体製造装置）とを示す図である。
【００５１】
半導体製造装置１００には、ｎ個のセンサＶ１〜Ｖｎ（第２のセンサ）が取り付けられている。センサＶ１〜Ｖｎとしては、センサＳ１〜Ｓｎと同様のものが挙げられる。半導体製造装置２００としては、半導体製造装置１００と同様のものが挙げられる。半導体製造装置２００は、後述する半導体製造装置１００の第２の校正を行う場合の基準となる。半導体製造装置２００としては、生産機として実際に稼動している既設の半導体製造装置、デモ機又はラボ機として稼動している半導体製造装置等が挙げられる。
【００５２】
レシピＲ２を用いると、図６(Ｂ)に示されるように、センサＶ１〜Ｖｎからの出力データＲｄ１〜Ｒｄｎ（第３の出力データ）を含むデータＤ２ａ（第３のデータ）が収集される。このようなセンサＶ１〜Ｖｎからの出力データＲｄ１〜Ｒｄｎを用いると、検査項目Ｂ１〜Ｂｍ（第２の検査項目）を検査することができる。図６(Ｂ)は、検査項目Ｂ１〜Ｂｍに対応する出力データＲｄ１〜Ｒｄｎを示す表である。検査項目Ｂ１〜Ｂｍとしては、検査項目Ａ１〜Ａｍと同様のものが挙げられる。例えば、出力データＲｄｎは、時刻ｔ１ｂ〜ｔｋｂにおいて時系列に収集された数値ｄｎ１〜ｄｎｋからなる。
【００５３】
データＤ２ａは、図５に示されるように、データロガーＤＬ１から記録媒体ＤＢ３に記録される。記録媒体ＤＢ３としては、記録媒体ＤＢ１と同様のものが挙げられる。
【００５４】
（第２の記録媒体の準備工程）
一方、図５に示されるように、例えば場所Ｂに設置された半導体製造装置２００を、レシピＲ２を用いて動作させる。半導体製造装置２００は、例えばチャンバＣ１ａ〜Ｃ４ａを備えている。半導体製造装置２００には、ｎ個のセンサＵ１〜Ｕｎ（第３のセンサ）が取り付けられている。センサＵ１〜Ｕｎとしては、センサＳ１〜Ｓｎと同様のものが挙げられる。
【００５５】
レシピＲ２を用いると、図６(Ａ)に示されるように、センサＵ１〜Ｕｎからの出力データＲｃ１〜Ｒｃｎ（第４の出力データ）を含むデータＤ２（第４のデータ）が収集される。データＤ２は、半導体製造装置２００と同一機種の複数の半導体製造装置から収集されるデータを平均したものでもよい。センサＵ１〜Ｕｎを用いると、検査項目Ｂ１〜Ｂｍを検査することができる。図６(Ａ)は、検査項目Ｂ１〜Ｂｍに対応する出力データＲｃ１〜Ｒｃｎを示す表である。例えば、出力データＲｃｎは、時刻ｔ１ｃ〜ｔｋｃにおいて時系列に収集された数値ｃｎ１〜ｃｎｋからなる。
【００５６】
データＤ２は、図５に示されるように、データロガーＤＬ２から記録媒体ＤＢ４（第２の記録媒体）に記録される。記録媒体ＤＢ４としては、記録媒体ＤＢ１と同様のものが挙げられる。
【００５７】
（第２の比較結果の生成工程）
次に、図７に示されるように、データＤ２ａとデータＤ２とを比較して比較結果ＣＲ２（第２の比較結果）を生成する。図７は、比較結果ＣＲ２を生成する工程を示すブロック図である。比較結果ＣＲ２では、例えば、出力データＲｃｎに対して異常を示す出力データＲｄｎが抽出される。より具体的には、例えば、出力データＲｃｎと出力データＲｄｎとの差が所定の閾値以上である場合を、出力データＲｄｎが異常を示す場合とすることができる。また、比較結果ＣＲ２を表示する方法として、表示装置に出力データＲｃｎ，Ｒｄｎを表示するとしてもよい。
【００５８】
図８は、表示装置に表示された比較結果ＣＲ２の一例を示すグラフである。このグラフでは、縦軸が酸素ガスの流量Ｖ、横軸が時刻ｔを示す。グラフ中に示されるチャート（時系列データ）は、１秒毎に測定された酸素ガスの流量値が時系列的に収集されることにより得られる。ここで、酸素ガスの流量Ｖは検査項目Ｂｍの一例であり、チャートは出力データＲｃｎ，Ｒｄｎの一例に相当する。
【００５９】
図８中の領域ｃには、出力データＲｃｎ，Ｒｄｎ間の差Δ２が確認される。このような場合、基準となる出力データＲｃｎに対して出力データＲｄｎが異常であることが確認される。より具体的には、出力データＲｄｎでは酸素ガスの流量がオーバーシュートしている。
【００６０】
また、上述のような比較結果ＣＲ２は、データマイニングを用いて生成されると好ましい。データマイニングを用いると、基準となる出力データＲｃｎに対して異常を示す出力データＲｄｎを効率的に抽出することができる。このため、データＤ２ａ及びデータＤ２の量が膨大であっても短時間で比較結果ＣＲ２を生成することができる。
【００６１】
（第２の校正工程）
次に、比較結果ＣＲ２に基づいて半導体製造装置１００の校正を行う。比較結果ＣＲ２においては、例えば、図８中の領域ｃに示されるように出力データＲｄｎ（例えば酸素流量データ）の異常が確認される。この場合、当該出力データＲｄｎに対応する検査項目Ａｍ（例えば酸素流量）を検査する必要性が生じる。この検査項目Ａｍに関連する半導体製造装置１００の部品（例えば流量センサ）を修理、調整又は交換することにより、半導体製造装置１００の校正を行うことができる。これにより、半導体製造装置１００は、出力データＲｄｎが出力データＲｃｎに重なるように調整される。ここで、半導体製造装置１００の校正とは、半導体製造装置１００の部品を修理、調整又は交換することを含むものである。半導体製造装置１００の校正を行うと、半導体製造装置１００は所定の特性を発揮することができるようになる。なお、比較結果ＣＲ２に基づいて、チャンバＣ１〜Ｃ４間の差を調整することもできる。
【００６２】
図９(Ａ)及び図９(Ｂ)は、ウエハ全面におけるエッチングレートの面内分布を示すグラフである。このグラフでは、縦軸がエッチングレート、横軸がウエハの中心からの距離を示す。図９(Ａ)は、図８中の領域ｃに示されるように酸素ガスの流量がオーバーシュートしている場合の結果を示すグラフである。図９(Ｂ)は、図８中の領域ｄに示されるように酸素ガスの流量がオーバーシュートしていない場合の結果を示すグラフである。これらのグラフから、上記第２の校正を行うことにより、エッチングレートの面内均一性が向上することが確認される。
【００６３】
以上のようにして、半導体製造装置１００の第２の校正が行われる。第２の校正では、データＤ２とデータＤ２ａとを比較して、出力データＲｃｎに対して異常を示す出力データＲｄｎを抽出する。よって、異常を示す出力データＲｄｎに対応する検査項目Ｂｍについて半導体製造装置１００の校正を行えばよいので、検査項目Ｂ１〜Ｂｍ全てについて校正を行う必要性がなくなる。したがって、本実施形態に係る半導体製造装置の校正方法を用いれば、検査項目Ｂ１〜Ｂｍ全てについて半導体製造装置１００の第２の校正を行う場合に比べて、半導体製造装置１００の第２の校正に要する時間を短縮できる。また、半導体製造装置１００の第２の校正に要するウエハの枚数も大幅に削減できる。
【００６４】
また、レシピＲ２は、半導体製造装置１００，２００に半導体製造プロセスを実施させるレシピであると好ましい。このレシピＲ２を用いると、半導体製造プロセスについての検査項目Ｂ１〜Ｂｍを検査することができる。レシピＲ２を用いて半導体製造装置１００を動作させると、半導体製造装置１００内に導入されるウエハに、エッチング等の半導体製造プロセスが実施される。半導体製造プロセスとしては、エッチング、成膜、イオン注入、熱処理等が挙げられる。このようなレシピＲ２を用いることにより、半導体製造装置１００により実施される半導体製造プロセスを、半導体製造装置２００により実施される所望の半導体製造プロセスに合わせることが容易になる。例えば、第２の校正により、エッチングレート、アッシングレート等を短時間で所望の値にすることができる。
【００６５】
また、出力データＲｃ１〜Ｒｃｎ及び出力データＲｄ１〜Ｒｄｎは、時系列データであると好ましい。この場合、出力データＲｃｎに対する出力データＲｄｎの異常を検出するときの検出感度が向上する。例えば、出力データＲｃｎと出力データＲｄｎとを比較するときに、多数の時刻において互いの数値を比較することができる。その結果、出力データＲｃｎと出力データＲｄｎとの間に差が確認される可能性は高くなる。
【００６６】
上記第１の校正及び第２の校正を順に行うと、まず、第１の校正により短時間で半導体製造装置の再現性を確認できる。次に、第２の校正により短時間で所望の半導体製造プロセスに近づけることができる。また、検査項目Ａ１〜Ａｍと検査項目Ｂ１〜Ｂｍとが同じ場合には、収集されるデータの再現性を確認することもできる。
【００６７】
また、従来の方法を用いて半導体製造装置１００の立ち上げを行う場合には２ヶ月程度の時間を要する。これに対して、第１の校正及び第２の校正を順に行うと、立ち上げに要する時間を６０％以上削減できる。
【００６８】
また、従来の方法を用いて半導体製造装置１００の立ち上げを行う場合には、立ち上げ工数が５００時間を超えてしまう。これに対して、第１の校正及び第２の校正を順に行うと、立ち上げ工数を５０％以上削減できる。
【００６９】
また、従来の方法を用いて半導体製造装置１００の立ち上げを行う場合には２００〜３００枚のウエハを必要とする。これに対して、第１の校正及び第２の校正を順に行うと、立ち上げに必要とされるウエハの枚数を５０％程度削減できる。
【００７０】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００７１】
例えば、第２の記録媒体の準備工程は、第２の比較結果の生成工程の前に行われればよい。したがって、第２の記録媒体の準備工程を、第３のデータの収集工程の前又はこれと同時に行うとしてもよい。
【００７２】
また、第１及び第２の校正のうちいずれか一方を行うとしてもよい。いずれの場合であっても、半導体製造装置の校正に要する時間を短縮できる。
【００７３】
また、上記データＤ１に代えて、レシピＲ１を用いて半導体製造装置２００を動作させたときに、センサＵ１〜Ｕｎを用いて収集される出力データを含むデータを用いるとしてもよい。このデータは、半導体製造装置１００と同一機種の複数の半導体製造装置から収集される当該データを平均したものでもよい。
【００７４】
また、上記データＤ２に代えて、場所ＡにおいてレシピＲ２を用いて半導体製造装置１００を動作させたときに、センサＶ１〜Ｖｎを用いて収集される出力データを含むデータを用いるとしてもよい。この場合、半導体製造装置の個体差による影響を排除することができる。
【００７５】
また、上記データＤ１に代えて、レシピＲ１を用いて半導体製造装置２００を動作させたときに、センサＵ１〜Ｕｎを用いて収集される出力データを含むデータを用い、且つ、上記データＤ２に代えて、場所ＡにおいてレシピＲ２を用いて半導体製造装置１００を動作させたときに、センサＶ１〜Ｖｎを用いて収集される出力データを含むデータを用いるとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】図１(Ａ)〜図１(Ｃ)は、第１の半導体製造装置が第１の場所から第２の場所に移動される工程を示す図である。
【図２】図２(Ａ)及び図２(Ｂ)は、第１の検査項目に対応する第１及び第２の出力データを示す表である。
【図３】第１の比較結果を生成する工程を示すブロック図である。
【図４】表示装置に表示された第１の比較結果の一例を示すグラフである。
【図５】第２の場所に移動された第１の半導体製造装置と第２の半導体製造装置とを示す図である。
【図６】図６(Ａ)及び図６(Ｂ)は、第２の検査項目に対応する第３及び第４の出力データを示す表である。
【図７】第２の比較結果を生成する工程を示すブロック図である。
【図８】表示装置に表示された第２の比較結果の一例を示すグラフである。
【図９】図９(Ａ)及び図９(Ｂ)は、ウエハ全面におけるエッチングレートの面内分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７７】
Ａ…第１の場所、Ｂ…第２の場所、１００…第１の半導体製造装置、Ｓ１〜Ｓｎ…第１のセンサ、Ａ１〜Ａｍ…第１の検査項目、Ｒ１…レシピ（第１の動作条件）、Ｒａ１〜Ｒａｎ…第１の出力データ、Ｄ１…第１のデータ、ＤＢ１…第１の記録媒体、Ｒｂ１〜Ｒｂｎ…第２の出力データ、Ｄ１ａ…第２のデータ、ＣＲ１…第１の比較結果、Ｖ１〜Ｖｎ…第２のセンサ、Ｂ１〜Ｂｍ…第２の検査項目、Ｒ２…レシピ（第２の動作条件）、Ｒｄ１〜Ｒｄｎ…第３の出力データ、Ｄ２ａ…第３のデータ、２００…第２の半導体製造装置、Ｕ１〜Ｕｎ…第３のセンサ、Ｒｃ１〜Ｒｃｎ…第４の出力データ、Ｄ２…第４のデータ、ＤＢ４…第２の記録媒体、ＣＲ２…第２の比較結果。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005327877.tif 000009
【図８】
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【図９】
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