(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚分布の制御性を向上させることのできる成膜方法等を提供する。【解決手段】イオン源２は、ターゲット材３に向けてイオンビーム２ａ（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射し、ターゲット材３をスパッタする。すると、ターゲット材３から成膜粒子３ａが放射状に飛散する。斜入射粒子遮蔽機構１は、同一形状の一対のスリット板１ａ、１ｂが、距離Ｄ１を隔てて配置されたものである。スリット板（１ａ、１ｂ）の遮蔽部１１の間には、斜入射粒子遮蔽壁１ｃが設けられている。斜入射粒子遮蔽機構１は、軸ＡＸと細隙１２（両スリット板の細隙１２ａと１２ｂの間の空間）が平行となるように配置されており、軸ＡＸ周りを回転可能となっている。ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、回転する斜入射粒子遮蔽機構１の細隙１２を通過する。これにより、成膜粒子３ａの斜入射成分は、遮蔽部１１及び斜入射粒子遮蔽壁１ｃによって遮蔽される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜を構成する物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する際に、
前記基板表面の近傍に、飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板を配置し、
前記基板と前記膜厚分布制御板とを回転中心周りに相対的に回転させながら、前記開口を通った前記飛散物質を前記基板表面に堆積させて、該表面上に回転対称形の膜厚分布を有する膜を成膜する方法であって、
前記飛散物質の光学素子基板に対する入射角の範囲を限定し、前記入射角の範囲外の飛散物質を遮蔽することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記入射角の範囲が２０°以下であることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
ターゲット材の物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させる成膜装置であって、
前記飛散物質の光学素子基板に対する入射角の範囲を限定し、前記入射角の範囲外の飛散物質を遮蔽する斜入射粒子遮蔽機構を具備することを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
前記斜入射粒子遮蔽機構が、前記飛散物質が前記基板に向かう経路上に、回転可能な複数枚のスリット板が所定の間隔をおいて配置されたものであることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
請求項１〜２のいずれか１項に記載の成膜方法を用いて、表面に光学薄膜が成膜されていることを特徴とする光学素子。
【請求項６】
エネルギー線を感応基板に選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、
請求項５記載の光学素子を具備することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置に用いられる、ミラー等の光学素子の表面に光学薄膜を成膜する成膜方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
露光装置等に用いられる光学素子としては、その表面に光学薄膜（例えば、反射膜や反射防止膜等）が成膜されたものが用いられる。このような光学薄膜の代表例として反射多層膜がある。反射多層膜は、屈折率の異なる２種類以上の物質を、光学的干渉理論に基づいて膜厚を調整しながら成膜したものである。このような多層膜においては、膜厚分布の誤差により収差等の影響による解像度の低下が生じる。このため、多層膜を形成する際には、各層の膜厚が高精度で制御されている必要がある。
【０００３】
また、光学素子基板の形状や光学素子に到達する露光光の入射角によって、所望の反射率を得るために成膜すべき多層膜の膜厚の最適値が異なるため、１枚の光学素子基板上であっても、基板上の位置ごとに膜厚を調整する必要が生じる場合が多い。
【０００４】
一般的な多層膜成膜方法としては、スパッタリングや真空蒸着、イオンプレーティング等を挙げることができる。このような多層膜成膜方法においては、光学素子基板は、成膜粒子源（ターゲットや蒸発源）と向き合って配置された保持機構上に配置される。この保持機構は、基板を保持した状態で回転可能となっている。
【０００５】
この成膜粒子源と保持機構との間には、膜厚分布制御板が配置される。膜厚分布制御板には、遮蔽部と開口部が形成されており、これら遮蔽部と開口部の形状を調整することにより、基板に到達する成膜粒子の量を制御する。
【０００６】
このような成膜工程においては、成膜粒子源から基板に向けて成膜粒子が放出される。このとき、基板は、膜厚分布制御板に対して相対的に回転しており、この成膜粒子の一部は、膜厚分布制御板によって遮蔽される。これにより、光学素子基板上に成膜される膜の膜厚分布を制御する。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２８５３３０号公報
【特許文献２】
特開２００２−２８５３３１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
通常、上述のような成膜方法においては、成膜粒子は、成膜粒子源から放射状に拡散し、成膜粒子が基板に対して入射する角度は一様とはならない。このため、成膜粒子の一部は、膜厚分布制御板の開口部に斜めに入射する。このような成膜粒子の斜入射成分の一部は、膜厚分布制御板の遮蔽部の影となる部分に回りこみ、基板上の、成膜粒子が本来到達すべきでない部分にも到達してしまう。
【０００９】
したがって、上述の成膜方法では、光学素子基板上の各部分に到達する成膜粒子の量を十分に制御することができず、膜厚分布の制御性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、あらかじめ上記のような成膜粒子の斜入射成分の入射角や入射量を把握しておいて、斜入射成分を考慮した上で膜厚分布制御板形状の設計を行って、所望の膜厚分布が得られるようにすることは極めて困難である。
【００１０】
上記の点に鑑み、本発明は、膜厚分布の制御性を向上させることのできる成膜方法等を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の成膜方法は、膜を構成する物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する際に、前記基板表面の近傍に、飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板を配置し、前記基板と前記膜厚分布制御板とを回転中心周りに相対的に回転させながら、前記開口を通った前記飛散物質を前記基板表面に堆積させて、該表面上に回転対称形の膜厚分布を有する膜を成膜する方法であって、前記飛散物質の光学素子基板に対する入射角の範囲を限定し、前記入射角の範囲外の飛散物質を遮蔽することを特徴とする。通常、スパッタリングや真空蒸着、イオンプレーティング等の方法によると、成膜粒子は、一定の面積を有する成膜粒子源（ターゲットあるいは蒸発源）上の各点から放射状に拡散する。このため、光学素子基板上に堆積する成膜粒子の膜は、様々な方向から飛来した成膜粒子が足し合わされたものとなる。このとき、膜厚分布制御板の遮蔽部の影となる部分に成膜粒子の一部が回り込み、膜厚分布の制御性に悪影響を及ぼすおそれがある。
一般に、膜厚分布制御板を作製する際には、成膜粒子が成膜粒子源から光学素子基板に向かって理想的な状態で飛来する（光学素子の成膜される面に対して垂直に入射する）と想定して設計・試作を行ったあと、試作された膜厚分布制御板を用いて成膜実験を行って、膜厚分布制御板の形状の修正を行うという手続きを繰り返している。しかしながら、上記のような成膜粒子の斜入射成分の入射角や入射量を正確に把握して、膜厚分布制御板の設計に反映させることは極めて困難である。
本発明によれば、成膜粒子の入射角を制限し、膜厚分布の制御性に好ましくない影響を与える斜入射成分を遮蔽することで、成膜粒子の入射角を、膜厚分布制御板設計時に想定した理想的な状態に近づけることができる。これにより、成膜粒子が膜厚分布制御板の影となる部分に回りこむことによる膜厚分布の制御性の低下を低減することができる。
【００１２】
上記の成膜方法においては、前記入射角の範囲が２０°以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明の成膜装置は、ターゲット材の物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜装置であって、前記飛散物質の光学素子基板に対する入射角の範囲を限定し、前記入射角の範囲外の飛散物質を遮蔽する斜入射粒子遮蔽機構を具備することを特徴とする。
【００１４】
上記の成膜装置においては、前記斜入射粒子遮蔽機構として、前記飛散物質が前記基板に向かう経路上に、回転可能な複数枚のスリット板が所定の間隔をおいて配置されたものを用いることができる。
本発明によれば、成膜粒子源と光学素子基板の間に配置されたスリット板により、光学素子基板に斜めに入射する成膜粒子を遮蔽し、成膜粒子の入射角を整えることができる。これにより、成膜粒子が膜厚分布制御板の影となる部分に回りこむことによる膜厚分布の制御性の低下を低減することができる。
【００１５】
本発明の光学素子は、上記の成膜方法を用いて、表面に光学薄膜が成膜されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の露光装置は、エネルギー線を感応基板に選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、上記の光学素子を具備することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
図１に示す成膜装置１０は、イオン源２、ターゲット材（成膜粒子源）３、斜入射粒子遮蔽機構１、膜厚分布制御板５、基板保持機構４ａ等を含んでいる。基板保持機構４ａは基板４を保持する。なお、成膜装置１０は真空環境に置かれている。
【００１８】
イオン源２は、ターゲット材３に向けてイオンビーム２ａ（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射し、ターゲット材３をスパッタする。すると、ターゲット材３から成膜粒子３ａが放射状に飛散する。
ターゲット材３は、モリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ）等の多層膜材料ごとに作成された、複数枚のターゲット板を含んでいる。イオンビーム２ａに曝されるターゲット材３中のターゲット板を交換することにより、多層膜材料の種類を切り替える。ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、斜入射粒子遮蔽機構１、膜厚分布制御板５を通過して基板４上に達する。これにより、基板４上に複数種類の多層膜材料が交互に積層される。
【００１９】
斜入射粒子遮蔽機構１は、同一形状の一対のスリット板１ａ、１ｂが、距離Ｄ１を隔てて配置されたものである。両スリット板（１ａ、１ｂ）は、例えば、ステンレス鋼板製である。両スリット板（１ａ、１ｂ）間の距離Ｄ１は、一例で５〜２０ｃｍであり、両スリット板の細隙（１２ａ、１２ｂ）の幅ｄ１は、一例で５〜２０ｍｍである。
【００２０】
また、斜入射粒子遮蔽機構１及び膜厚分布制御板５の大きさは、基板４（径１００〜２００ｍｍ）に到達する成膜粒子３ａを十分に遮蔽できるような大きさとなっている。
【００２１】
スリット板（１ａ、１ｂ）の遮蔽部１１の間には、斜入射粒子遮蔽壁１ｃが設けられている。斜入射粒子遮蔽壁１ｃは、両スリット板１ａ及び１ｂの遮蔽部１１に沿って形成された壁であり、その幅は両遮蔽部１１の幅と同じかやや細くなっている。なお、図中では、遮蔽部１１と斜入射粒子遮蔽壁１ｃが接触しているが、遮蔽部１１と斜入射粒子遮蔽壁１ｃとはやや離れていてもよい。
【００２２】
斜入射粒子遮蔽機構１は、軸ＡＸと細隙１２（両スリット板の細隙１２ａと１２ｂの間の空間）が平行となるように配置されており、スリット板１ａ、１ｂ及び斜入射粒子遮蔽壁１ｃは、一体となって軸ＡＸ周りを回転可能となっている。
【００２３】
ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、回転する斜入射粒子遮蔽機構１の細隙１２を通過する。これにより、成膜粒子３ａの斜入射成分は、遮蔽部１１及び斜入射粒子遮蔽壁１ｃによって遮蔽される。このとき、成膜粒子３ａの斜入射成分のうち、例えば、入射経路と回転軸ＡＸとのなす角θが、θ＞２０°となるものが遮蔽されることが望ましい。
【００２４】
ここで、スリット板の平面形状について、図２を参照しながら説明する。
図２は、斜入射粒子遮蔽機構のスリット板の例を示す平面図である。
図２（Ａ）に示すスリット板には、同心円状に遮蔽部１１及び細隙１２（図１の１２ａ、１２ｂ）が配置されている。スリット板の表面は４つの扇形部分に分けられており、各扇形部分の遮蔽部１１と細隙１２の分布は、隣接する扇形部分とは逆になっている。すなわち、ある扇形部分の遮蔽部１１には隣の扇形部分の細隙１２が隣接している。
図２（Ｂ）に示す例では、スリット板の遮蔽部１１は格子状で、細隙１２は矩形となっている。
【００２５】
上記のような形状のスリット板を回転させながら成膜粒子３ａを通過させることにより、成膜粒子３ａの斜入射成分を排除するとともに、基板４の全面に成膜粒子３ａが到達する。
なお、スリット板の平面形状は、斜入射粒子を効果的に遮蔽できるものであれば、図２に示したものに限らない。
【００２６】
再び、図１を参照しながら、成膜方法について説明する。
斜入射粒子遮蔽機構１を通過した成膜粒子３ａは、基板４の近傍に配置された膜厚分布制御板５を通過して、基板４に到達する。基板４は、基板保持機構４ａに保持されている。基板保持機構４ａは、膜厚分布制御板５に対して基板４を回転させる。これにより、基板４上に所望の膜厚分布を有する多層膜が成膜される。
【００２７】
本実施形態においては、基板４及び斜入射粒子遮蔽機構１が回転することとなっているが、基板４、膜厚分布制御板５及び斜入射粒子遮蔽機構１が相互に回転する構成となっていればよく、これらのうちいずれか２つあるいは３つともが回転する構成となっていてもよい。
【００２８】
本実施形態によれば、基板上に入射する成膜粒子の入射角の範囲を制限することができるので、膜厚分布制御板５の影となる部分に回り込む成膜粒子を少なくすることができるので、高精度な成膜を行うことができる。
【００２９】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図３は、本発明の第２の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
図３に示す成膜装置２０は、図１と同様、イオン源２、ターゲット材（成膜粒子源）３、斜入射粒子遮蔽機構１′、膜厚分布制御板５、基板保持機構４ａ等を含んでいる。基板保持機構４ａは基板４を保持する。なお、成膜装置２０は真空環境に置かれている。
【００３０】
イオン源２は、ターゲット材３に向けてイオンビーム２ａ（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射し、ターゲット材３をスパッタする。すると、ターゲット材３から成膜粒子３ａが放射状に飛散する。
ターゲット材３は、モリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ）等の多層膜材料ごとに作成された、複数枚のターゲット板を含んでいる。イオンビーム２ａに曝されるターゲット材３中のターゲット板を交換することにより、多層膜材料の種類を切り替える。ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、斜入射粒子遮蔽機構１′、膜厚分布制御板５を通過して基板４上に達する。これにより、基板４上に複数種類の物質が交互に積層される。
【００３１】
斜入射粒子遮蔽機構１′は、同一形状の複数枚のスリット板が、各々の細隙１２が相互に重なるように配置されたものである。図中には、スリット板が、距離Ｄ２の間に４枚（基板４に近いほうから１ａ′〜１ｄ′）配置されている。この距離Ｄ２は、一例で５〜２０ｃｍであり、各スリット板の細隙１２の幅ｄ２は、一例で５〜２０ｍｍである。
【００３２】
また、斜入射粒子遮蔽機構１′の大きさは、膜厚分布制御板５を通過して基板４（径１００〜２００ｍｍ）に到達する成膜粒子３ａの斜入射成分を十分に遮蔽できるような大きさとなっている。
【００３３】
斜入射粒子遮蔽機構１′のスリット板１ａ′〜１ｄ′は、軸ＡＸ周りを個々に回転可能となっている。
【００３４】
ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、回転する斜入射粒子遮蔽機構１′の細隙１２を通過する（図３参照）。これにより、成膜粒子３ａの斜入射成分は、各スリット板の遮蔽部１１によって遮蔽される。このとき、成膜粒子３ａの斜入射成分のうち、例えば、入射経路と回転軸ＡＸとのなす角θが、θ＞２０°となるものが遮蔽されることが望ましい。
【００３５】
ここで、各スリット板の平面形状については、図２で説明したものと同様である。このような斜入射粒子遮蔽機構１′に成膜粒子３ａを通過させることにより、成膜粒子３ａの斜入射成分を排除するとともに、基板４の全面に成膜粒子が到達する。
【００３６】
斜入射粒子遮蔽機構１′を通過した成膜粒子３ａは、基板４の近傍に配置された膜厚分布制御板５を通過して基板４に到達する。基板４は、基板保持機構４ａに保持されている。基板保持機構４ａは、膜厚分布制御板５に対して基板４を回転させる。これにより、基板４上に所望の膜厚分布を有する多層膜が成膜される。
【００３７】
本実施形態においても、基板４、膜厚分布制御板５及び斜入射粒子遮蔽機構１′の各スリット１ａ′〜１ｄ′が相互に回転する構成となっていればよく、これらのうち適当なものが回転するものであれば、本発明の実施形態に含まれる。
【００３８】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本発明の第３の実施形態は、膜厚分布制御板が上述の実施形態のスリットの機能を含む構成となっている。
図４は、本発明の第３の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
図４に示す成膜装置３０は、イオン源２、ターゲット材（成膜粒子源）３、膜厚分布制御機構５０、基板保持機構４ａ等を含んでいる。基板保持機構４ａは基板４を保持する。なお、成膜装置３０は真空環境に置かれている。
【００３９】
イオン源２は、ターゲット材３に向けてイオンビーム２ａ（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射し、ターゲット材３をスパッタする。すると、ターゲット材３から成膜粒子３ａが放射状に飛散する。
ターゲット材３は、モリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ）等の多層膜材料ごとに作成された、複数枚のターゲット板を含んでいる。イオンビーム２ａに曝されるターゲット材３中のターゲット板を交換することにより、多層膜材料の種類を切り替える。ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、基板４近傍に配置された膜厚分布制御機構５０を通過して基板４上に達する。これにより、基板４上に複数種類の物質が交互に積層される。
【００４０】
膜厚分布制御機構５０は、同一形状の複数枚の膜厚分布制御板が、所定の間隔をおいて配置されたものである。図４には、膜厚分布制御板が、距離Ｄ３の間に４枚（基板４に近いほうから５０ａ〜５０ｄ）配置されている。この距離Ｄ３は、一例で５〜２０ｃｍであり、各スリット板の細隙５２の幅ｄ３は、一例で５〜２０ｍｍである。
【００４１】
また、膜厚分布制御機構５０の大きさは、基板４（径１００〜２００ｍｍ）に到達する成膜粒子３ａの斜入射成分を十分に遮蔽できるような大きさとなっている。
【００４２】
図５は、本発明の第３の実施形態に係る膜厚分布制御板を示す平面図である。図５に示す膜厚分布制御板は、遮蔽部５０ｍ及びスリット部５０ｓが２つずつ形成されている。
遮蔽部５０ｍは、中心ＣＰから伸びる直線５０１及び曲線５０２に囲まれた略扇形状である。スリット部５０ｓには、遮蔽部５１と細隙５２が同心円状に形成されている。図に示すように、２つのスリット部５０ｓにおいては、遮蔽部５１と細隙５２の分布が逆になっている。なお、このスリット部５０ｓの平面形状はこれに限るものではない。
【００４３】
膜厚分布制御機構５０の膜厚分布制御板５０ａ〜５０ｄは、軸ＡＸ周りを個々に回転可能となっている。
【００４４】
ターゲット材３から飛散された成膜粒子３ａは、回転する膜厚分布制御板５０ａ〜５０ｄの細隙５２を通過する（図５参照）。これにより、成膜粒子３ａの斜入射成分は、各膜厚分布制御板の遮蔽部５１によって遮蔽される。このとき、成膜粒子３ａの斜入射成分のうち、例えば、入射経路と回転軸ＡＸとのなす角θが、θ＞２０°となるものが遮蔽されることが望ましい。
【００４５】
このような膜厚分布制御機構５０に成膜粒子３ａを通過させることにより、成膜粒子３ａの斜入射成分を排除するとともに、基板４の全面に成膜粒子が到達する。これにより、基板４上に所望の膜厚分布を有する多層膜が成膜される。
【００４６】
本実施形態においても、基板４と膜厚分布制御機構５０の各膜厚分布制御板５０ａ〜５０ｄが、相互に回転するようになっていればよく、これらのうち適当なものが回転するものであれば、本発明の実施形態に含まれる。
【００４７】
なお、上述の実施形態においては、斜入射粒子遮蔽機構としてスリット板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ルーバー状に並べた多数の薄板や、ハニカム状に組み合わされた筒等を用いることができる。
【００４８】
以下に、本発明の露光装置の例について説明する。
図６は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶ露光装置を模式的に示す図である。図６に示すＥＵＶ露光装置１００は、Ｘ線発生装置（レーザープラズマＸ線源）１０１を備えている。このＸ線発生装置１０１は、球状の真空容器１０２を備えており、この真空容器１０２の内部は、図示せぬ真空ポンプで排気されている。
【００４９】
真空容器１０２内の図中上側には、多層膜放物面ミラー１０４が反射面１０４ａを図中下方（＋Ｚ方向）に向けて設置されている。このミラー１０４は、本発明の成膜方法により成膜されたものである。
【００５０】
真空容器１０２の図中右方にはレンズ１０６が配置されており、このレンズ１０６の右方には図示せぬレーザー光源が配置されている。このレーザー光源は、−Ｙ方向にパルスレーザー光１０５を放出する。このパルスレーザー光１０５は、レンズ１０６によって多層膜放物面ミラー１０４の焦点位置に集光する。この焦点位置には、標的材料１０３（キセノン（Ｘｅ）等）が配置されており、集光されたパルスレーザー光１０５が標的材料１０３に照射されると、プラズマ１０７が生成される。このプラズマ１０７は、１３ｎｍ付近の波長帯の軟Ｘ線（ＥＵＶ光）１０８を放射する。
【００５１】
真空容器１０２の下部には、可視光をカットするＸ線フィルター１０９が設けられている。ＥＵＶ光１０８は、多層膜放物面ミラー１０４によって、＋Ｚ方向に反射されて、Ｘ線フィルター１０９を通過し、露光チャンバ１１０に導かれる。このとき、ＥＵＶ光１０８の可視光帯域のスペクトルがカットされる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、Ｘ線発生装置１０１としてレーザープラズマＸ線源を用いているが、放電プラズマＸ線源を採用することもできる。放電プラズマＸ線源とは、パルス高電圧の放電により標的材料をプラズマ化し、このプラズマからＸ線を放射させるものである。
【００５３】
Ｘ線発生装置１０１の図中下方には、露光チャンバ１１０が設置されている。露光チャンバ１１０の内部には、照明光学系１１３が配置されている。照明光学系１１３は、コンデンサ系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており（図では簡略化して示されている）、Ｘ線発生装置１０１から入射したＥＵＶ光１０８を円弧状に整形し、図中左方に向けて照射する。
【００５４】
照明光学系１１３の左方には、反射鏡１１５が配置されている。この反射鏡１１５は、円形の凹面鏡であり、反射面１１５ａが図中右方（＋Ｙ方向）に向くように、図示せぬ保持部材により垂直に（Ｚ軸に平行に）保持されている。反射鏡１１５の図中右方には、光路折り曲げ反射鏡１１６が配置されている。この光路折り曲げ反射鏡１１６の図中上方には、反射型マスク１１１が、反射面１１１ａが下向き（＋Ｚ方向）になるように水平（ＸＹ平面に平行）に配置されている。照明光学系１１３から放出されたＥＵＶ光は、反射鏡１１５により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡１１６を介して、反射型マスク１１１の反射面１１１ａに達する。
【００５５】
反射鏡１１５、１１６は、反射面が高精度に加工された、熱変形の少ない低熱膨張ガラス製の基板からなる。反射鏡１１５の反射面１１５ａには、Ｘ線発生装置１０１の多層膜放物面ミラー１０４の反射面と同様に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が交互に積層されたＭｏ／Ｓｉ多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の物質と、シリコン（Ｓｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、４ホウ化炭素（Ｂ４Ｃ）等の物質とを組み合わせた多層膜でもよい。
【００５６】
反射型マスク１１１の反射面１１１ａにも多層膜からなる反射膜が形成されている。これらのミラー１１５、１１６及びマスク１１１は、本発明の成膜方法により成膜されたものである。
反射型マスク１１１の反射膜には、ウェハ１１２に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。反射型マスク１１１は、図中上方に図示されたマスクステージ１１７に取り付けられている。マスクステージ１１７は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡１１６で反射されたＥＵＶ光は、反射型マスク１１１上で順次走査される。
【００５７】
反射型マスク１１１の図中下方には、上から順に投影光学系１１４、ウェハ（感応性樹脂を塗布した基板）１１２が配置されている。投影光学系１１４は、複数の反射鏡等からなっている。ウェハ１１２は、露光面１１２ａが図中上方（−Ｚ方向）を向くように、ＸＹＺ方向に移動可能なウェハステージ１１８上に固定されている。反射型マスク１１１によって反射されたＥＵＶ光は、投影光学系１１４により所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小されてウェハ１１２上に結像し、マスク１１１上のパターンがウェハ１１２上に転写される。
【００５８】
なお、本実施形態においては、ミラー１０４、１１５、１１６及び反射型マスク１１１のみが、上述の成膜方法によって成膜されているが、例えば、照明光学系１１３や投影光学系１１４に含まれるミラー等、露光装置１００に含まれる任意の光学素子にも本発明の成膜方法を適用することができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、成膜粒子源と光学素子基板との間に、成膜粒子の斜入射成分を遮蔽する機構を配置して、基板上に到達する成膜粒子の入射角の範囲を制限し、成膜粒子の回り込みによる膜厚分布の制御性の低下を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
【図２】斜入射粒子遮蔽機構のスリット板の例を示す平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る膜厚分布制御板を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るＥＵＶ露光装置を示す図である。
【符号の説明】
１０  成膜装置
１  斜入射粒子遮蔽機構
２  イオン源
２ａ  イオンビーム
３  ターゲット材
３ａ  成膜粒子
４  基板
４ａ  基板保持機構
５  膜厚分布制御板
２０  成膜装置
１′  斜入射粒子遮蔽機構
３０  成膜装置
５０  膜厚分布制御機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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