(57)【要約】【課題】  膜厚分布の小さな透明導電膜を基板上に安定して形成できる透明電極用基板の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明に係る透明電極用基板の製造装置１００は、基材１１１の被成膜表面１１１ａ上に透明導電膜１１２を設けてなる透明電極用基板１１０をスプレー熱分解法を用いて形成する装置であって、透明導電膜１１２の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段１３０と、吐出手段１３０と対向する位置に配され基材１１１を載置する支持手段１２０とを備え、基材１１１あたり吐出手段１３０を複数個（１３０ａ〜１３０ｄ）設けたことを特徴としている。例えば、吐出手段１３０は直線移動手段１４０に付設されてなる構成が好適である。【選択図】      図１
2005116391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の被成膜表面上に透明導電膜を設けてなる透明電極用基板をスプレー熱分解法を用いて形成する装置であって、
前記透明導電膜の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段と、前記吐出手段と対向する位置に配され前記基材を載置する支持手段とを備え、前記基材あたり前記吐出手段を複数個設けたことを特徴とする透明電極用基板の製造装置。
【請求項２】
前記吐出手段は直線移動手段に付設されていることを特徴とする請求項１に記載の透明電極用基板の製造装置。
【請求項３】
前記吐出手段は回転移動手段に付設されていることを特徴とする請求項１に記載の透明電極用基板の製造装置。
【請求項４】
前記支持手段は直線移動手段に付設されていることを特徴とする請求項１に記載の透明電極用基板の製造装置。
【請求項５】
前記支持手段は回転移動手段に付設されていることを特徴とする請求項１に記載の透明電極用基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレー熱分解(Spray Pyrolysis Deposition;SPD)法により、透明電極用基板を構成する透明導電膜を基板上に形成するために用いられる製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子や太陽電池等に利用される透明電極用基板としては、ガラス板等からなる透明な基板の表面上に、導電性を備えた透明な薄膜（以下、透明導電膜という）を、例えば５０〜１０００ｎｍ程度の厚さで設けたものが広く使用されている。このような透明導電膜の例としては、酸化インジウムに数％のスズを添加してなる薄膜；インジウム・スズ・オキサイド膜［以下、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜という］や、酸化スズに数％のフッ素を添加してなる薄膜；フッ素ドープ酸化スズ膜［以下、ＦＴＯ（Fluorine-doped-Tin-Oxide）膜という］が挙げられる。
【０００３】
上記ＩＴＯ膜では、３価のインジウム（Ｉｎ３＋）席に置換した４価のスズ（Ｓｎ４＋）がキャリア電子を発生するため、ＩＴＯ膜は電気をよく通す性質を備えている。また、ＩＴＯ膜は、エネルギー・ギャップが紫外域に対応するため可視光をほとんど吸収しないので、太陽光を構成する可視光スペクトルの大部分を透過させる能力も備えている。
【０００４】
従来、このような優れた導電性と透過性とを併せ持つＩＴＯ膜に代表される透明導電膜は、減圧雰囲気を要する真空成膜法、例えばスパッタ法や蒸着法、ＣＶＤ法等に代表される方法によって形成されている。
【０００５】
上記方法によれば、透明性に優れ、かつ高い導電性を備えた膜が得られる反面、減圧雰囲気で薄膜形成を行う装置は、導入コストが高く、その後の運転コストも高くなる傾向が強く、さらには広い面積に渡って均一な厚さの膜を形成しにくいという課題があった。
【０００６】
近年、減圧雰囲気が不要で、装置構成が簡易なことから、製造コストを安く抑えることが可能な成膜法として、スプレー熱分解法が注目されている。スプレー熱分解法とは、霧吹きの原理に基づき原料溶液を加熱された基板に向けて噴霧すると、溶媒の蒸発と溶質の変化が生じて薄膜形成が進行する技術である。出発原料には金属無機塩の水またはアルコール溶液、あるいは有機金属化合物や有機酸塩の有機溶剤系溶液が用いられる。基板温度は出発原料、原料溶液によって異なるが、２５０〜７００℃の範囲で設定される。
【０００７】
しかしながら、このスプレー熱分解法を用いた透明導電膜の作製には、次のような問題があった。
（１）スプレーを用いて原料溶液を、２５０〜７００℃の範囲で加熱した基板に吹き付けるため、基板上で原料溶液が瞬時に蒸発し、空気中に飛散し易い。このため、スプレーを用いて放出した原料溶液の総量に対して、基板上に付着して膜を形成する量の割合（以下、成膜量と呼ぶ）が非常に少なく、原料溶液の利用効率が低い。
（２）スプレーで吹き付けるため、基板上に付着した膜は、膜厚分布が大きくなり易い。例えば、基板中央部において膜が厚くなり、基板周辺部では膜が薄くなる傾向があった。
【０００８】
特に、上記（２）は、成膜するバッチ毎に、あるいは大面積に成膜した際には局所的に、透明導電膜の透過率及び／又は比抵抗を増大させる要因となっていた。その理由として、透明導電膜を構成する結晶粒子の成長にバラツキが生じた結果、透明導電膜の性状が変動するためではないかと、本発明者らは考えている。
【０００９】
このような透明導電膜を基板上に設けてなる透明電極用基板を用いて、例えば色素増感太陽電池を構成する場合には、この透明電極用基板を構成する透明導電膜上に、光電変換層として機能する酸化チタンなどの酸化物半導体の微粉末からなるペーストを塗布し、次いで焼成することにより、多孔質の酸化物半導体膜を形成する。
【００１０】
しかしながら、透明導電膜を構成する結晶粒子の成長のバラツキは、当然にその表面性状のバラツキも招くことになる。その結果、例えば太陽光の入射により光電変換層で生じた電子あるいはホールが透明導電膜側へ伝導するのを阻害する要因となってしまい、ひいては得られた色素増感太陽電池の光電変換効率の低下を引き起こしてしまう恐れがあった。これは、太陽電池等における初期特性の不安定性や長期信頼性の低下に繋がるので、その対応策の開発が期待されていた。
【００１１】
このような透明電極用基板に関する先行技術文献としては、以下に挙げるものが知られている。
【特許文献１】特開平１０−５３４１８号公報
【特許文献２】特開２０００−２１２５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、膜厚分布の小さな透明導電膜を基板上に安定して形成できる透明電極用基板の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る透明電極用基板の製造装置は、基材の被成膜表面上に透明導電膜を設けてなる透明電極用基板をスプレー熱分解法を用いて形成する装置であって、
前記透明導電膜の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段と、前記吐出手段と対向する位置に配され前記基材を載置する支持手段とを備え、前記基材あたり前記吐出手段を複数個設けたことを特徴としている。
【００１４】
かかる構成によると、透明導電膜の原料溶液を基板に向けてスプレー状に噴射する吐出手段は、基材を載置する支持手段と対向する位置に配されおり、かつ、基材あたり複数個からなる。つまり、本発明に係る透明電極用基板の製造装置は、一つの基材に対して複数の吐出手段を用いて透明導電膜の原料溶液を噴射することから、従来より広範囲な領域に原料溶液を飛散させることができるので、大面積な基材に対しても均一な膜厚の透明導電膜を形成を可能とする。
【００１５】
前記吐出手段が直線移動手段に付設されている場合は、直線移動手段に吐出手段を適当な間隔で配置し、直線移動手段を例えば基材の長手方向に移動させると、吐出手段も同様に移動することから、長尺状の基材上に均一な膜厚の透明導電膜が得られる。
【００１６】
前記吐出手段が回転移動手段に付設されている場合は、回転移動手段に吐出手段を適当な間隔で配置し、回転移動手段を基材の周方向に移動させると、吐出手段も同じ方向に移動することから基板の被成膜表面の中心部から周辺部にかけて更に均一に原料溶液を行き渡らせることができる。ゆえに、基板の被成膜表面に形成される膜厚の面内分布を一段と改善できるので、基材の被成膜表面の形状に依存せず基材上に均一な膜厚の透明導電膜が得られる。
【００１７】
前記支持手段が直線移動手段に付設されている場合は、直線移動手段を用いて支持手段を直線移動させることにより、これに載置された基材を例えば基材の長手方向に移動させることができる。すると、吐出手段がこれと対向して配置された基材上に固定されていても、吐出手段から射出された原料溶液を基材の長手方向に順に付着させることができるので、長尺状の基材上に均一な膜厚の透明導電膜が得られる。
【００１８】
前記支持手段が回転移動手段に付設されている場合は、回転移動手段を用いて支持手段を回転移動させることにより、これに載置された基材をその周方向に回転移動させることができる。すると、吐出手段がこれと対向して配置された基材上に固定されていても、吐出手段から射出された原料溶液を基材の周方向に順に付着させることができる。ゆえに、基板の被成膜表面に形成される膜厚の面内分布を一段と改善できるので、基材の被成膜表面の形状に依存せず基材上に均一な膜厚の透明導電膜が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明に係る透明電極用基板の製造装置は、透明導電膜の原料溶液を基材の被処理面に向けてスプレー状に噴射する吐出手段を基材あたり複数個備え、さらに基材を載置する支持手段と対向する位置にこれらの吐出手段を配置することにより、大きな面積の基材に対しても、基材の中心領域のみならず、基材の周辺領域においても均一な膜厚の透明導電膜を安定して製造できる。
【００２０】
よって、本発明の製造装置は、厚みの均一な透明導電膜を基材上に備えてなる大面積の基材透明電極用基板が求められている、液晶表示素子や太陽電池に代表される光電変換素子などにおいて、各種特性の面内均一化あるいは高品質化をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下では、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
図１は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す模式的な断面図であり、基材１１１の被成膜表面１１１ａ上に透明導電膜１１２を設けてなる透明電極用基板１１０をスプレー熱分解法を用いて形成する際に、吐出手段１３０を移動させながら透明導電膜１１２を成膜する装置１００である。図１に示す装置１００は、以下に述べるように、連結されてなる吐出手段が直線移動する場合を示している。
【００２３】
この装置１００は、透明導電膜１１２の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段１３０と、吐出手段１３０と対向する位置に配され基材１１１を載置する支持手段１２０とを備えている。また、基材１１１あたり吐出手段１３０は、１３０ａ〜１３０ｄで示されるように複数個からなる。図１には４個の吐出手段１３０ａ〜１３０ｄからなる例を示したが、この吐出手段を設ける数は２以上であればよく、基材１１１の大きさや、例えば吐出手段１３０ａの吐出口１３０ａから噴射された原料溶液の拡散領域（図面内の斜線部１３１ａ’）の広がり具合などにより適宜決められる。
【００２４】
特に、装置１００は、４個の吐出手段１３０ａ〜１３０ｄが連結部１３２ａ〜１３２ｄを用いて直線状に並べて配され、かつ、連結部の１３２ｄの一端が直線移動手段１４０の可動部１４１に接続されてなる。図１に示すように、各吐出手段１３０ａ〜１３０ｄから基材１１１に向けて原料溶液を噴射させながら、直線移動手段１４０の可動部１４１を矢印αの方向に適当な速度で移動させることにより、基材１１１の長手方向に均一な膜厚を有する透明導電膜１１２を形成できる。
【００２５】
図１では、連結部１３２ａ〜１３２ｄを直線状に配したが、例えば基材１１１の被成膜表面１１１ａが円形であったり、あるいは曲面をなすような場合には、その形状に合わせて曲線状としても構わない。また、連結部１３２ａ〜１３２ｄの長さ、すなわち吐出手段１３０ａ〜１３０ｄの間隔は同一である必要はなく、基材１１１の形状に合わせて適宜調整してもよい。さらには、吐出手段１３０ａ〜１３０ｄから噴射される原料溶液の飛散方向も、基材１１１に略垂直をなす場合を例示したが、これも基材１１１の形状に合わせて適宜選択して構わない。
【００２６】
図２は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す模式的な断面図であり、基材２１１の被成膜表面２１１ａ上に透明導電膜２１２を設けてなる透明電極用基板２１０をスプレー熱分解法を用いて形成する際に、吐出手段２３０を移動させながら透明導電膜２１２を成膜する装置２００である。図２に示す装置２００は、以下に述べるように、連結されてなる吐出手段が回転移動する場合を示している。
【００２７】
この装置２００は、透明導電膜２１２の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段２３０と、吐出手段２３０と対向する位置に配され基材２１１を載置する支持手段２２０とを備えている。また、基材２１１あたり吐出手段２３０は、２３０ａ〜２３０ｄで示されるように複数個からなる。図２には４個の吐出手段２３０ａ〜２３０ｄからなる例を示したが、この吐出手段を設ける数は２以上であればよく、基材２１１の大きさや、例えば吐出手段２３０ａの吐出口２３０ａから噴射された原料溶液の拡散領域（図面内の斜線部２３１ａ’）の広がり具合などにより適宜決められる。
【００２８】
特に、装置１００は、４個の吐出手段１３０ａ〜１３０ｄが連結部１３２ａ〜１３２ｄを用いて直線状に並べて配され、かつ、吐出手段１３０ｂと吐出手段１３０ｃを結ぶ連結部２３２ｂの中央部が回転移動手段２４０の可動部２４１に接続されてなる。図２に示すように、各吐出手段２３０ａ〜２３０ｄから基材２１１に向けて原料溶液を噴射させながら、回転移動手段２４０の可動部２４１を矢印βの方向に適当な速度で移動させることにより、基材２１１の周方向に均一な膜厚を有する透明導電膜２１２を形成できる。
【００２９】
図２では、連結部２３２ａ〜２３２ｃを直線状に配したが、例えば基材１１１の被成膜表面１１１ａが曲面をなすような場合には、その形状に合わせて曲線状としても構わない。また、連結部２３２ａ〜２３２ｃの長さ、すなわち吐出手段２３０ａ〜２３０ｄの間隔は同一である必要はなく、基材２１１の形状に合わせて適宜調整してもよい。さらには、吐出手段２３０ａ〜２３０ｄから噴射される原料溶液の飛散方向も、基材２１１に略垂直をなす場合を例示したが、これも基材２１１の形状に合わせて適宜選択して構わない。
【００３０】
図３は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す模式的な断面図であり、基材３１１の被成膜表面３１１ａ上に透明導電膜３１２を設けてなる透明電極用基板３１０をスプレー熱分解法を用いて形成する際に、基材３１１を移動させながら透明導電膜３１２を成膜する装置３００である。図３に示す装置３００は、以下に述べるように、基材３１１を直線移動する場合を示している。
【００３１】
この装置３００は、透明導電膜３１２の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段３３０と、吐出手段３３０と対向する位置に配され基材３１１を載置する支持手段３２０とを備えている。また、基材３１１あたり吐出手段３３０は、３３０ａ〜３３０ｄで示されるように複数個からなる。図３には４個の吐出手段３３０ａ〜３３０ｄからなる例を示したが、この吐出手段を設ける数は２以上であればよく、基材３１１の大きさや、例えば吐出手段３３０ａの吐出口３３１ａから噴射された原料溶液の拡散領域（図面内の斜線部３３１ａ’）の広がり具合などにより適宜決められる。
【００３２】
特に、装置３００は、４個の吐出手段３３０ａ〜３３０ｄが連結部３３２ａ〜３３２ｄを用いて直線状に並べて配され、かつ、基材３１１の上空の所定位置に固定して設けられる。基材３１１は支持台３２０の上に配され、この支持台３２０は直線移動手段３４０の可動部３４１に接続（図３では載置された状態）されてなる。図３に示すように、各吐出手段３３０ａ〜３３０ｄから基材１１１に向けて原料溶液を噴射させながら、直線移動手段３４０の可動部３４１を矢印γの方向に適当な速度で移動させることにより、基材３１１の長手方向に均一な膜厚を有する透明導電膜３１２を形成できる。
【００３３】
図３では、連結部３３２ａ〜３３２ｄを直線状に配したが、例えば基材３１１の被成膜表面３１１ａが円形であったり、あるいは曲面をなすような場合には、その形状に合わせて曲線状としても構わない。また、連結部３３２ａ〜３３２ｄの長さ、すなわち吐出手段３３０ａ〜３３０ｄの間隔は同一である必要はなく、基材３１１の形状に合わせて適宜調整してもよい。さらには、吐出手段３３０ａ〜３３０ｄから噴射される原料溶液の飛散方向も、基材３１１に略垂直をなす場合を例示したが、これも基材３１１の形状に合わせて適宜選択して構わない。
【００３４】
図４は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す模式的な断面図であり、基材４１１の被成膜表面４１１ａ上に透明導電膜４１２を設けてなる透明電極用基板４１０をスプレー熱分解法を用いて形成する際に、基材４１１を移動させながら透明導電膜４１２を成膜する装置４００である。図４に示す装置４００は、以下に述べるように、基材４１１を回転移動する場合を示している。
【００３５】
この装置４００は、透明導電膜４１２の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段４３０と、吐出手段４３０と対向する位置に配され基材４１１を載置する支持手段４２０とを備えている。また、基材４１１あたり吐出手段４３０は、４３０ａ〜４３０ｄで示されるように複数個からなる。図４には４個の吐出手段４３０ａ〜４３０ｄからなる例を示したが、この吐出手段を設ける数は２以上であればよく、基材４１１の大きさや、例えば吐出手段４３０ａの吐出口４３１ａから噴射された原料溶液の拡散領域（図面内の斜線部４３１ａ’）の広がり具合などにより適宜決められる。
【００３６】
特に、装置４００は、４個の吐出手段４３０ａ〜４３０ｄが連結部４３２ａ〜４３２ｄを用いて直線状に並べて配され、かつ、基材４１１の上空の所定位置に固定して設けられる。基材４１１は支持台４２０の上に配され、この支持台４２０は回転移動手段４４０の可動部４４１に接続されてなる。図４に示すように、各吐出手段４３０ａ〜４３０ｄから基材４１１に向けて原料溶液を噴射させながら、回転移動手段４４０の可動部４４１を矢印δの方向に適当な速度で移動させることにより、基材４１１の周方向に均一な膜厚を有する透明導電膜４１２を形成できる。
【００３７】
図４では、連結部４３２ａ〜４３２ｄを直線状に配したが、例えば基材４１１の被成膜表面４１１ａが曲面をなすような場合には、その形状に合わせて曲線状としても構わない。また、連結部４３２ａ〜４３２ｄの長さ、すなわち吐出手段４３０ａ〜４３０ｄの間隔は同一である必要はなく、基材４１１の形状に合わせて適宜調整してもよい。さらには、吐出手段４３０ａ〜４３０ｄから噴射される原料溶液の飛散方向も、基材４１１に略垂直をなす場合を例示したが、これも基材４１１の形状に合わせて適宜選択して構わない。
【００３８】
以上説明したように、本発明は、基材の被成膜表面の大きさや形状に依存することなく、膜厚の面内分布が小さな透明導電膜を基材上に安定して形成できる透明電極用基板の製造装置をもたらす。
【実施例】
【００３９】
本例では、本発明に係る透明電極用基板の製造装置を用い、透明導電膜としてＦＴＯ膜を形成した場合について詳述する。
ＦＴＯ膜作製用の原料溶液としては、塩化スズ五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ、Ｆｗ：３５０．６０）４．２０６ｇをエタノール６０ｍｌに溶解させ、さらにフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ、 Ｆｗ：３７．０４）３．５５２ｇを飽和水溶液にしたものを加えて超音波洗浄器に約２０分かけて完全に溶解させたものを用いた。
【００４０】
（実施例１）
図１に示すような、複数個の吐出手段を直線状に連結し、これらを直線移動手段で制御する透明電極用基板の製造装置を用い、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ａと呼ぶ）。その際、基板としては、コーニング社製のガラス基板（型番：＃７０５９、２０ｃｍ角、板厚１．１ｍｍ）を用いた。吐出手段をなすスプレーの噴出口から基板までの距離は６０ｃｍであり、４つの吐出手段の間隔は７ｃｍとした。表１に他の設定条件も纏めて示す。その際、不図示の温度制御手段を用い、基板の被成膜表面の温度は４００℃に保持した。
【００４１】
【表１】
2005116391.tif 000003
【００４２】
（実施例２）
図２に示すような、複数個の吐出手段を直線状に連結し、これらを回転移動手段で制御する透明電極用基板の製造装置を用い、ＦＴＯ膜を基板上に形成した点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｂと呼ぶ）。
【００４３】
（実施例３）
図３に示すような、基材の支持手段が直線移動手段に付設されている透明電極用基板の製造装置を用いて、ＦＴＯ膜を基板上に形成した点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｃと呼ぶ）。
【００４４】
（実施例４）
図４に示す基材の支持手段が回転移動手段に付設されている透明電極用基板の製造装置を用いて、ＦＴＯ膜を基板上に形成した点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｄと呼ぶ）。
【００４５】
（比較例１）
吐出手段を１つとし、基材の被成膜表面の中心部上空に固定して設けた点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｅと呼ぶ）。
【００４６】
（比較例２）
吐出手段を４つとし、基材の被成膜表面の中心部上空に固定して設けた点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｆと呼ぶ）。
【００４７】
表２は、上述した実施例および比較例において作製された各ＦＴＯ膜の膜厚分布を評価した結果である。ここで、「中心」とは基材の中心領域（１ｃｍφの円内）における測定結果を表す。「上端」とは図１の基材においてＦＴＯ膜の形成を開始した側の基材周辺領域（外周端から１ｃｍ以内の領域）における測定結果を表す。「下端」とは図１の基材においてＦＴＯ膜の形成を終了した側の基材周辺領域（外周端から１ｃｍ以内の領域）における測定結果を表す。「右端」とは図１の基材において奥側の基材周辺領域（外周端から１ｃｍ以内の領域）における測定結果を表す。「左端」とは図１の基材において手前側の基材周辺領域（外周端から１ｃｍ以内の領域）における測定結果を表す。
【００４８】
【表２】
2005116391.tif 000004
【００４９】
表２から、以下の点が明らかとなった。
（１）１つの吐出手段からなり、吐出手段が固定された場合（試料Ｅ）は、中心のみ成膜が進み７８０ｎｍの膜厚が観測された。これに対して、４つの端部では厚いところ（下端）でも中心の１５％程度しか膜厚が得られなかった。
（２）４つの吐出手段からなり、吐出手段が固定された場合（試料Ｆ）は、試料Ｅに比べて、中心の膜厚は１０％程度増え、上端および下端は中心の倍程度まで大幅に増加する。これに対して、右端および左端では殆ど膜厚は増加せず、中心の１５％以下に留まる（試料ＥとＦの比較）。
【００５０】
（３）複数個の吐出手段を直線移動させることにより、上端、下端、右端および左端の何れも、中心とほぼ同等の膜厚にすることができる（試料Ａと試料Ｅ，Ｆとの比較）。
（４）複数個の吐出手段を回転移動させることにより、上端、下端、右端および左端の何れも、中心とほぼ同等の膜厚にすることができる（試料Ｂと試料Ｅ，Ｆとの比較）
【００５１】
（５）複数個の吐出手段を持ち、基材の支持手段を直線移動させることにより、上端、下端、右端および左端の何れも、中心とほぼ同等の膜厚にすることができる（試料Ｃと試料Ｅ，Ｆとの比較）。
（６）基材の支持手段を回転移動させることにより、上端、下端、右端および左端の何れも、中心とほぼ同等の膜厚にすることができる（試料Ｄと試料Ｅ，Ｆとの比較）。この結果は、上述した複数個の吐出手段を回転移動させた場合と同レベルである。
【００５２】
以上の結果より、（イ）複数個の吐出手段を有すること、（ロ）吐出手段を直線移動あるいは回転移動させること、及び、（ハ）基材の支持手段を直線移動あるいは回転移動させることが、高い成膜量や膜厚分布の改善に寄与することが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明によれば、優れた膜厚分布を有する透明導電膜が安定して得られると共に、基材の大面積化にも応えられる透明電極用基板の製造装置を提供することができる。本発明に係る製造装置は、デバイスの大面積化や製造コストの削減が強く求められている液晶表示素子や太陽電池に代表される光電変換素子などにおいて、透明電極として機能する透明導電膜の作製に貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１００、２００、３００、４００  製造装置、１１０、２１０、３１０、４１０  透明電極用基板、１１１、２１１、３１１、４１１  基材、１１２、２１２、３１２、４１２  透明導電膜、１３０、２３０、３３０、４３０  吐出手段、１４０、３４０  直線移動手段、２４０、４４０  回転移動手段。
【図１】
2005116391.tif 000005
【図２】
2005116391.tif 000006
【図３】
2005116391.tif 000007
【図４】
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