(57)【要約】【課題】  いわゆる「スタック型半導体装置」において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等を解消することを目的としている。【解決手段】  本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートは、  基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、  該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120℃における溶融粘度が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120℃で温度一定とした場合に、溶融粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴としている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、
該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120℃における溶融粘度
が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120℃で温度一定とした場合に、溶融
粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴とするダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート。
【請求項２】
該粘接着剤層が、エネルギー線硬化性を有し、請求項１記載の物性が、エネルギー線硬化後、熱硬化前の物性であることを特徴とする請求項１記載のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート。
【請求項３】
スタック型半導体装置の半導体チップ間の接着固定に用いる請求項１または２に記載のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート。
【請求項４】
スタック型半導体装置の第２層よりも上層を構成する半導体チップが形成された半導体ウエハの裏面に請求項１に記載のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを貼付し、
該半導体ウエハを半導体チップ毎に、粘接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、
裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを基材からピックアップし、
別途、ワイヤーが結線されている第１層を構成する半導体チップが搭載されている基板を用意し、該基板を加熱し、
前記半導体チップの粘接着剤層面を該基板のワイヤー形成面に埋め込み、粘接着剤層面が第１層を構成する半導体チップ表面に接触した後、
粘接着剤層を熱硬化させることを特徴とするスタック型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
スタック型半導体装置の第２層よりも上層を構成する半導体チップが形成された半導体ウエハの裏面に請求項２に記載のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを貼付し、
該半導体ウエハを半導体チップ毎に、粘接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、フルカットダイシングの前または後に粘接着剤層にエネルギー線照射を行い、裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを基材からピックアップし、
別途、ワイヤーが結線されている第１層を構成する半導体チップが搭載されている基板を用意し、該基板を加熱し、
前記半導体チップの粘接着剤層面を該基板のワイヤー形成面に埋め込み、粘接着剤層面が第１層を構成する半導体チップ表面に接触した後、
粘接着剤層を熱硬化させることを特徴とするスタック型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
粘接着剤層の厚みがワイヤー高さよりも５〜５０μｍ厚い厚みのダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを用いることを特徴とする請求項４または５に記載のスタック型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いたスタック型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高速化、小型化を図るために、単一基板内に複数個の半導体チップ（以後、単にチップとも呼ぶ）を二次元的に実装することが行われている。このような半導体装置をマルチチップモジュールと呼んでいるが、さらに小型化を進めた構成として、チップを三次元的に積層したものがある。このように、チップが三次元的に積層したパッケージは、「スタック型半導体装置」とも呼ばれている。
【０００３】
このような装置としては、大きなチップ上に小さなチップを積層した装置（特開昭５７−３４４６６号、特開平７−３８０５３号参照）、チップの位置をずらして積層した装置（特開昭５７−３４４６６号参照）、周縁部に段差が形成されたチップを積層した装置（特開平６−２４４３６０号参照）、２つのチップを背中合わせに接合し、一方のチップは直接基板に接合し、他方のチップはボンディングワイヤで基板に接合した装置（特開平７−２７３２７５号参照）などが提案されている。
【０００４】
しかしながら、上記構成の装置はそれぞれ以下に示す欠点を有している。
大きなチップ上に小さなチップを積層する構成では、当然のことながら同一サイズのチップが積層出来ず、チップの位置をずらして積層する場合には、チップの全周に電極パッドが設けられないという構造的な欠点を有する。通常、流通しているチップは、全周にパッドが設けられていることが多い。チップ位置に制限を設けた場合、これらのチップを利用できなくという問題が生じる。
【０００５】
また、周縁部に段差が形成されたチップを積層する構成では、段差によって電極パッド部分に空間が生じるため、同じ大きさのチップを積層してもボンディングワイヤに損傷を与えることはないが、段差を形成するための加工が必要であり、そのためチップの収率が低下するという欠点がある。さらに、チップ周縁部は、板厚が薄いために機械的強度が低下しており、ワイヤボンディングの際に機械的な損傷が生じる場合があった。
【０００６】
また、背中合わせに接合したチップを用いる構成では、チップを２枚までしか積層出来ない、チップを直接基板に接合するために電極パッド上にバンプを形成する必要がある、チップを基板に接続する方式が２枚のチップで異なり、フリップチップ用ダイボンダーとワイヤボンダーの２種類のボンダーが必要であるといった不都合があった。
【０００７】
このような課題を解消するため、特許文献１には、複数個の半導体チップが基板上に積層された半導体装置であって、該半導体チップの周縁部に電極パッドが形成され、かつ電極パッドと該基板とがボンディングワイヤで接続されており、半導体チップ相互間には厚さ２５μｍ以上、３００μｍ以下の接着層が介在していることを特徴とする半導体装置が開示されている。
【０００８】
このような特許文献１の発明によれば、チップに特別な加工を施したり、チップのサイズや電極パッドの配置等に格別な制限を設けなくとも、同一サイズのチップを三次元的に積層できるという利点がある。
【０００９】
しかし、特許文献１における接着剤層は、液状接着剤を塗布硬化させることで形成されているため、接着剤層の厚さおよび領域をコントロールすることが困難である。このため、接着剤層を構成する接着剤の染み出し（ブリード）等による基板や半導体チップの汚染や、積層された半導体チップに傾きが生じる等の問題を招来する。
【００１０】
特に、半導体チップを多層化する場合においては、半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等が大きくなる為、半導体チップの上面にワイヤーボンドを行うための位置認識ができなくなるなど、安定した生産が困難になるという問題を招来する。すなわち、積層数が２個の場合においては、上記のバラツキおよび傾きは大きな問題とならなくとも、積層される半導体チップの数が３個、４個と増加するに従って、上記高さのバラツキおよび傾きが大きくなるため、半導体装置の安定した生産が困難になるという問題を招来する。
【００１１】
また、特許文献２には、基板上に複数個の半導体チップが積層されており、かつ半導体チップのそれぞれに設けられている電極端子はボンディングワイヤーにより基板に電気的に接続されている半導体装置であって、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置が開示されている。この半導体装置は、特許文献２の請求項１１に記載されているように、「絶縁層と接着層とからなるシートを、半導体チップが分割される前のウエハに、該シートの絶縁層側が該ウエハに接するように貼り付けるシート貼り付け工程と、上記シートが貼り付けられたウエハをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」あるいは、請求項１２に記載されているように、「絶縁層からなる絶縁層シートを半導体チップが分割される前のウエハに貼り付ける絶縁層貼り付け工程と、上記絶縁層貼り付け工程の後に、接着層からなる接着層シートを上記ウエハの上記絶縁層シートが貼り付けられた面に貼り付ける接着層貼り付け工程と、上記絶縁層シートおよび接着層シートが貼り付けられたウエハをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」により製造されている。
【００１２】
絶縁層としては、耐熱性に優れており、１００℃〜２００℃での塑性変形が少ない樹脂、特にポリイミド系の樹脂が好ましい旨が記載されている（００６０段落参照）。
このような樹脂からなる絶縁層は、一般に常温における感圧接着性が低いため、ローラーなどを用いた熱圧着によりウエハに貼付されると考えられる。したがって、特許文献２の請求項１１の方法では、絶縁層と接着層とからなるシートをウエハに貼付する際に、接着層に過度な圧力が負荷されるため、接着層の厚み精度が損なわれる場合がある。このように接着層の厚み精度が損なわれると、前記特許文献１における液状の接着剤の場合と同様に、半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等が大きくなる為、安定した生産が困難になるという問題を招来する。
【００１３】
また、特許文献２の請求項１２の方法では、絶縁層を貼付した後、接着層を貼付しているが、特許文献２の接着層は熱硬化性樹脂からなり、感圧接着性を有しないので、貼付時には熱圧着が行われていると考えられる。したがって、接着層の貼付時には、請求項１１の製法と同様に、接着層に過度な圧力が負荷されるため、接着層の厚み精度が損なわれる場合があり、前記と同様の諸問題が発生するおそれがある。
【００１４】
また、特許文献２（００６３段落）においては、「接着層６としては、加熱に固体から液体へと溶融し、その後に硬化する熱硬化性樹脂が好ましく、その中でも特にエポキシ樹脂が好ましい」と記載されているが、接着層に求められる望ましい溶融、硬化特性については特に記載されてはいない。
【００１５】
接着層が硬ければ、ボンディングワイヤーを押しつぶして損傷を与えるし、逆に単純に柔らかい性質であれば、ボンディングの際の圧力のムラでチップに傾きが発生したり、端部から接着剤がはみ出し、上側チップのボンディングパッドを汚染する可能性がある。ボンディングパッドが接着剤で汚染されるとワイヤーボンディングができなくなったり、断線が起こりやすくなる。
【特許文献１】特開平10-027880号公報
【特許文献２】特開2002-222913号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記したいわゆる「スタック型半導体装置」において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等を解消することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートは、
基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、
該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120℃における溶融粘度
が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120℃で温度一定とした場合に、溶融
粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴としている。
【００１８】
本発明においては、上記粘接着剤層が、エネルギー線硬化性を有し、請求項１記載の物性が、エネルギー線硬化後、熱硬化前の物性であることが好ましい。
本発明のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートは、スタック型半導体装置の半導体チップ間の接着固定に好ましく用いられる。
【００１９】
すなわち、本発明に係るスタック型半導体装置の製造方法は、
スタック型半導体装置の第２層よりも上層を構成する半導体チップが形成された半導体ウエハの裏面に上記ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを貼付し、
該半導体ウエハを半導体チップ毎に、粘接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、
裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを基材からピックアップし、
別途、ワイヤーが結線されている第１層を構成する半導体チップが搭載されている基板を用意し、該基板を加熱し、
前記半導体チップの粘接着剤層面を該基板のワイヤー形成面に埋め込み、粘接着剤層面が第１層を構成する半導体チップ表面に接触した後、
粘接着剤層を熱硬化させることを特徴としている。
【００２０】
上記において、粘接着剤層が、エネルギー線硬化性を有する場合には、フルカットダイシングの前または後に粘接着剤層にエネルギー線照射を行う。
このような本発明のスタック型半導体装置の製法においては、粘接着剤層の厚みがワイヤー高さよりも５〜５０μｍ厚い厚みのダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを用い
ることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
このような本発明によれば、いわゆるスタック型半導体装置において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等が解消され、半導体装置の品質、生産性の向上に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明について図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
図１に示すように、本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１は、基材２と、該基材２上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層３とからなる。粘接着シート１は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。
【００２３】
以下、基材２、粘接着剤層３をそれぞれ説明する。
「基材２」
粘接着シート１の基材２としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等のフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。さらにこれらのフィルムは、透明フィルム、着色フィルムあるいは不透明フィルムであってもよい。後述の粘接着剤層３が光（紫外線）硬化性の場合は、透明フィルムまたは着色透明フィルムが選択される。
【００２４】
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、後述するように、チップの裏面に粘接着剤層３を固着残存させて基材２からピックアップするため、基材２と粘接着剤層３とは剥離可能なように積層されている。このため、基材２の粘接着剤層３に接する面の表面張力は、好ましくは４０mN/m 以下、さらに好ましくは３７mN/m 以下、特に好ましくは３５mN/m 以下であることが望ましい。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択
して得ることが可能であるし、また基材の表面に、シリコーン樹脂やアルキッド樹脂などの離型剤を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
【００２５】
このような基材２の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
「粘接着剤層３」
粘接着剤層３は、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、好ましくはさらにエネルギー線硬化性を有する。
【００２６】
このような本発明の粘接着シート１においては、粘接着剤層３を、ウエハダイシング時のウエハ固定に用いるとともに、最終的に半導体チップ同士の固着にも用いる。特に、後述する本発明のスタック型半導体装置の製法においては、半導体ウエハを粘接着シート１で固定しつつウエハのダイシングを行いその後、裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを基材からピックアップし、該半導体チップの粘接着剤層面を基板のワイヤー形成面に徐々に埋め込み、粘接着剤層３面が第１層を構成する半導体チップ表面に接触させる。この際、ワイヤー形成面は、該粘接着剤層の溶融温度よりやや高く、かつその硬化温度以下の
温度に加熱される。このため、粘接着剤層が軟化し過ぎると、粘接着剤層の厚み精度が低下するおそれがある。
【００２７】
したがって、本発明において、粘接着剤層３の熱硬化前における弾性率は、1.0×103〜1.0×104Pa、好ましくは1.0×103〜5.0×103Paである。なお、粘接着剤層３の弾性率は、１００℃にて、動的粘弾性測定装置により測定周波数１Ｈｚにて測定される。粘接着剤層３の熱硬化前における弾性率がこのような範囲にあると、スタック型半導体装置の製造時における粘接着剤層の変形が起こりにくく、粘接着剤層の厚み精度が保たれる。
【００２８】
また、半導体チップの圧接時において、粘接着剤層３が硬すぎると、ワイヤーが潰れたり、断線するおそれがある。一方、粘接着剤層３が軟らか過ぎると、粘接着剤が流動化し、接着剤層の厚み精度不良に起因する諸問題が発生する。したがって、半導体チップの圧接時における粘接着剤層３、すなわち、熱硬化前の粘接着剤層３は、適度な溶融物性を有することが求められる。
【００２９】
このため、熱硬化前の粘接着剤層３の120℃における溶融粘度は、100〜200Pa・秒、好
ましくは110〜190Pa・秒である。なお、熱硬化前の粘接着剤層３の120℃における溶融粘
度は動的粘弾性測定装置により測定周波数１Ｈｚにて測定される。
【００３０】
また、熱硬化前の粘接着剤層を120℃で温度一定とした場合に、溶融粘度が最低値に達
するまでの時間は、60秒以下、好ましく50秒以下、さらに好ましくは40秒以下である。組成に高分子を含む粘接着剤は、高温になっても全体が均一な粘度を示すまで時間がかかる。従って、粘接着剤は昇温の後一定温度とすると徐々に粘度が低下していく。しかし、粘接着剤は熱硬化性を有するので、時間の経過とともに熱硬化による粘度の上昇が起こる。なお、粘接着剤層３の120℃における溶融粘度が最小値に達する時間は、動的粘弾性測定
装置により測定周波数１Ｈｚにて測定される。
【００３１】
加熱されたワイヤーに粘接着剤層面が接することにより粘接着剤層が局部的に加熱され、ワイヤー近傍の粘接着剤層のみが局部的に粘度が低下する。このため、粘着剤層中にワイヤーが速やかに埋め込まれ、ワイヤーの損傷が低減される。しかし、加熱されたワイヤーやチップ本体から遠い粘接着剤は熱伝導が遅れ半導体チップ本体に達するまでは、実質的に粘度の低下は起こらない。これによって、ワイヤーにダメージを与えず、かつ、粘接着剤全体の変形を最小に抑えることができる。したがって、粘接着剤のブリードアウトなどが起こり難くなり、粘接着剤層の厚み精度を維持することができる。
【００３２】
なお、本発明において、粘接着剤層３は、熱硬化性であるとともに、エネルギー線硬化性を有することがある。この場合、上記の諸物性は、エネルギー線硬化後、熱硬化前の特性を示す。
【００３３】
上記粘接着剤層３は、基本的には粘着成分（Ａ）と熱硬化性成分（Ｂ）とを必須成分とし、好ましくはエネルギー線硬化性成分（Ｃ）を含み、必要に応じ、その他の添加物（Ｄ）が配合される。
【００３４】
以下、上記成分（Ａ）〜（Ｄ）を説明する。
「粘着成分（Ａ）」
粘着成分（Ａ）としては、通常アクリル系重合体が好ましく使用される。アクリル系重合体の繰り返し単位としては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる繰り返し単位が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエ
ステルが用いられる。これらの中でも、特に好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、たとえばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、たとえば（メタ）アクリル酸グリシジル等を挙げることができる。
【００３５】
特に（メタ）アクリル酸グリシジル単位と、少なくとも１種類の（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位を含むが好ましい。この場合、共重合体中における（メタ）アクリル酸グリシジルから誘導される成分単位の含有率は通常は０〜８０質量％、好ましくは５〜５０質量％である。グリシジル基を導入することにより、後述する熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、また硬化後のＴｇが高くなり耐熱性も向上する。また（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル等を用いることが好ましい。また、アクリル酸ヒドロキシエチル等の水酸基含有モノマーを導入することにより、被着体との密着性や粘着物性のコントロールが容易になる。
【００３６】
アクリル系重合体の重量平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは１５万〜１００万である。
「熱硬化性成分（Ｂ）」
熱硬化性成分（Ｂ）は、エネルギー線によっては硬化しないが、加熱を受けると三次元網状化し、被着体を強固に接着する性質を有する。このような熱硬化性成分（Ｂ）は、一般的にはエポキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーン等の熱硬化性樹脂と、適当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬化性成分は種々知られており、本発明においては特に制限されることなく従来より公知の様々な熱硬化性成分を用いることができる。このような熱硬化性成分の一例としては、(Ｂ−１)エポキシ樹脂と(Ｂ−２)熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とからなる接着成分を挙げることができる。
【００３７】
エポキシ樹脂(Ｂ−１)としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、重量平均分子量３００〜２０００程度のものが好ましく、特に３００〜５００、好ましくは３３０〜４００の常態液状のエポキシ樹脂と、重量平均分子量４００〜２０００、好ましくは５００〜１５００の常態固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用いるのが望ましい。また、本発明において好ましく使用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は通常５０〜５０００ｇ／ｅｑである。このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレートなどの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３,４−エポキシシクロヘキシルメチル−３,４−ジシクロヘキサンカルボキシレート、２−(３,４−エポキシ)シクロヘキシル−５,５−スピロ(３,４−エポキシ)シクロヘ
キサン−ｍ−ジオキサンなどのように、分子内の炭素−炭素二重結合をたとえば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。また分子内にジシクロペンタジエン骨格と、反応性のエポキシ基を有するジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂を用いても良い。
【００３８】
これらの中でも、本発明では、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。
【００３９】
これらエポキシ樹脂は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(Ｂ−２)とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
【００４０】
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(Ｂ−２)の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近ではエポキシ樹脂(Ｂ−１)中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で高温で溶出して硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法等が存在する。
【００４１】
これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。特に上記の中でも、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物あるいはこれらの混合物が好ましい。
【００４２】
上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(Ｂ−２)は、エポキシ樹脂(Ｂ−１)１００質量部に対して通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１５質量部、特に好ましくは１〜１０質量部の割合で用いられる。
「エネルギー線硬化性成分（Ｃ）」
粘接着剤層には、好ましくはエネルギー線硬化性成分（Ｃ）が配合されてなる。エネルギー線硬化性成分（Ｃ）を硬化させることで、粘接着剤層の粘着力を低下させることができるため、基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。
【００４３】
エネルギー線硬化性成分（Ｃ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。
【００４４】
さらにエネルギー線重合性化合物の他の例として、ジシクロペンタジエン骨格を有する化合物等も使用することができる。
エネルギー線硬化性成分（Ｃ）は、前記成分（Ａ）と（Ｂ）との合計１００質量部に対して、０〜５０質量部、好ましくは１〜３０質量部、特に好ましくは２〜２０質量部程度の割合で用いられる。
【００４５】
上記のようなエネルギー線硬化性成分（Ｃ）を含有する粘接着剤組成物は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。
【００４６】
エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２,４−ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンあるいは２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。
【００４７】
光重合開始剤は、前記エネルギー線硬化性成分（Ｃ）１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部、好ましくは０．１〜１５質量部程度の割合で用いることが好ましい。
「その他の成分（Ｄ）」
粘接着剤層には、カップリング剤（Ｄ１）を配合しても良い。カップリング剤（Ｄ１）は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分、好ましくは成分（Ｂ）が有する官能基と反応する基を有することが望ましい。
【００４８】
カップリング剤（Ｄ１）は硬化反応時に、カップリング剤中の有機官能基が熱硬化性成分（Ｂ）（特に好ましくはエポキシ樹脂）と反応すると考えられ、硬化物の耐熱性を損なわずに、接着性、密着性を向上させることができ、さらに耐水性（耐湿熱性）も向上する。
【００４９】
カップリング剤（Ｄ１）としては、その汎用性とコストメリットなどからシラン系（シランカップリング剤）が好ましい。また、上記のようなカップリング剤（Ｄ１）は、前記熱硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．３〜１５質量部、特に好ましくは０．５〜１０質量部の割合で用いられる。
【００５０】
上記粘接着剤には、初期接着力および凝集力を調節するために、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物等の架橋剤（Ｄ２）を添加することもできる。
上記有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物およびこれらの多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等をあげることができる。有機多価イソシアナート化合物のさらに具体的な例としては、たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシレンジイソシアナート、ジフェニルメタン−４，４'−ジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン−２，４'−ジイソシアナート、３−メチルジフェニル
メタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−
２，４'−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどがあげられる。
【００５１】
上記有機多価イミン化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ'−ジフェニルメタン−４,４'−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタン-トリ-β‐アジリジニルプロピオナート、Ｎ,Ｎ'-トルエン‐２,４‐ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等をあ
げることができる。上記のような架橋剤（Ｄ２）は、粘着成分（Ａ）１００質量部に対して通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０質量部の割合で配合される。
【００５２】
また、上記粘接着剤層には、さらに、石綿、シリカ、ガラス、雲母、酸化クロム、酸化チタン、顔料などのフィラーを添加してもよい。これらのフィラーは、粘接着剤層を構成する成分（フィラーを除く）の合計１００質量部に対して、０〜４００質量部程度の割合で配合されていてもよい。
【００５３】
また、粘接着剤層の熱応答性（溶融物性）を制御するため、６０〜１５０℃にガラス転移点を有する熱可塑性樹脂を配合してもよい。熱可塑性樹脂としては、たとえばポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド樹脂、セルロース、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリビニルエーテル、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの中でも、粘接着剤層の他の成分との相溶性に優れることで、フェノキシ樹脂が特に好ましい。
【００５４】
粘接着剤層における熱可塑性樹脂の配合割合は、粘着成分（Ａ）と熱硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部当たり、好ましくは１〜５０質量部、さらに好ましくは２〜４０質量部、特に好ましくは３〜３０質量部の割合で用いられる。また、粘着成分（Ａ）として、アクリル系重合体が用いられる場合、アクリル系重合体と、熱可塑性樹脂との重量比（アクリル系重合体／熱可塑性樹脂）が、９／１〜３／７であること好ましい。
「粘接着剤」
本発明の粘接着剤層は、上記のような特異な溶融物性を有する。
【００５５】
粘接着剤層の溶融物性を左右する第１の要因としては、上記配合物中の粘着成分（A）
と熱硬化性成分との割合があげられる。粘着成分（A）は高分子量体であるため、添加量
が増えるにつれ加熱時の流動性を阻害し、添加量が少ないと流動性を発現する。一方、熱硬化性成分（B）は低分子量であり、エネルギー線照射によって変化する事はなく、流動
性を発現する。よって、適切な流動性を示し、なお且つブリードしないような流動性を兼ね備えるためには、熱硬化性成分（B）に対する粘着成分（A）の配合量が重要である。熱硬化性成分（Ｂ）の好ましい配合割合は、粘着剤成分（Ａ）と熱硬化性成分（Ｂ）とのの合計（（Ａ）＋（Ｂ））１００質量部中に、好ましくは１０〜９９質量部、さらに好ましくは５０〜９７質量部、特に好ましくは８３〜９５質量部である。
【００５６】
また、粘接着剤がエネルギー線硬化性成分（Ｃ）を含む場合、粘接着剤層はエネルギー線硬化性成分を硬化した後にダイボンディングされるため、エネルギー線硬化性成分が多く含むと、架橋密度が高くなり粘接着剤層が硬くなるため、流動性が低下し、ダイボンディング性が悪くなる。
【００５７】
さらに、熱可塑性樹脂を多量に含む場合、流動性が過剰になり、所望の弾性率や溶融粘度が得られない場合がある。
したがって、エネルギー線硬化性成分（Ｃ）や熱可塑性成分を配合する場合、これらの配合割合上記した範囲で、目的とする弾性率や溶融粘度を見合うように適宜に選定する。
【００５８】
上記のような成分からなる粘接着剤層の厚さは、ワイヤー高さ（ワイヤーの頂部とそのワイヤーが結線された半導体チップ上表面との距離、図４に示す”Ａ”）よりも１０〜５０μm程度厚い厚さが好ましい。ワイヤー高さは、半導体装置の種類や製造方法によって
異なるが、一般的に２０〜８０μm程度であるので、粘接着剤層の厚さは、３０〜１３０
μｍが好ましく、塗布作業性を考慮すると４０〜１００μmであることが好ましい。粘接
着剤層の厚さが薄いと上部に積層される半導体チップがワイヤーに接触して短絡させたり、ボンディングの圧力で断線させたりする虞がでてくる。
【００５９】
上記のような各成分からなる粘接着剤は感圧接着性と加熱硬化性とを有し、ダイシングの際には基材に密着してウエハの固定に寄与し、マウントの際にはチップとワイヤー形成面とを接着する接着剤として使用することができる。特に本発明の粘接着剤層３は、上述したような特異な溶融物性を示すので、加熱されたワイヤー形成面に圧接しても、ワイヤーを損傷することはなく、また粘接着剤の流動化も必要最小限に抑えられるので、粘接着
剤層の厚み精度を損なうこともない。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持しうる。
「ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１」
ダイシング・ダイボンディング兼用粘接着シート１は、基材２上に粘接着剤層３が剥離可能に積層された構成であり、粘接着剤層３を保護するために、粘接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。剥離フィルムとしてはポリエチレンテレフタレート等のフィルムにシリコーン樹脂等の剥離剤で剥離処理を施した汎用の剥離フィルムが使用可能である。
このようなダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１の製造方法は、特に限定はされず、基材２上に、粘接着剤層３を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また粘接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。
【００６０】
また、粘接着剤層３の表面外周部には、リングフレームを固定するためのリングフレーム固定用粘着シートが設けられていてもよい。
「スタック型半導体装置の製造方法」
次に上記ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１を用いた本発明に係るスタック型半導体装置の製造方法について説明する。
【００６１】
本発明の製法においては、まず、スタック型半導体装置の第２層よりも上層を構成する半導体チップが形成された半導体ウエハの裏面に上記のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを貼付し、
該半導体ウエハを半導体チップ毎に、粘接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを基材からピックアップし、裏面に粘接着剤層を有する半導体チップを得る。
【００６２】
具体的には、まず、図２に示すように、ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１をダイシング装置上に、リングフレーム４により固定し、シリコンウエハ５の一方の面をダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１の粘接着剤層３上に載置し、軽く押圧し、ウエハ５を固定する。
【００６３】
その後、粘接着剤層３がエネルギー線硬化性を有する場合には、基材２側からエネルギー線を照射し、粘接着剤層３の凝集力を上げ、粘接着剤層３と基材２との間の接着力を低下させておく。なお、エネルギー線照射は、ダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。
【００６４】
次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、図３に示すように、上記のシリコンウエハ５を回路毎に切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、シリコンウエハの厚みと、粘接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにし、ウエハ５とともに粘接着剤層も切断する。
【００６５】
次いで必要に応じ、ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１のエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、粘接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、粘接着剤層と基材との間の接着力が減少し、チップのピックアップ性が向上する。
【００６６】
このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された粘接着剤層３を半導体チップ６裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。
一方、上記とは別に、図４に示すように、ワイヤー１１が結線されている第１層を構成
する半導体チップ１２が搭載されている基板１０を用意しておく。ワイヤー１１は、半導体チップ１２上の電極端子と基板１０上のアウターリードとを電気的に接続するものであり、通常は金線などにより構成されている。このような構成の半導体チップ１２が搭載された基板１０は、公知の種々の方法により得ることができる。また、基板１０と半導体チップ１２との接着は、エポキシ系接着剤のような通常の熱硬化型接着剤や、汎用のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートの粘接着剤層を介して行われ、また本発明のダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート１の粘接着剤層３を介して接着されていてもよい。
【００６７】
半導体チップ１２のワイヤー形成面側に、半導体チップ６の粘接着剤層３を圧接することで、半導体チップの積層が行われる。この際、下部の基板１０を加熱することで、ワイヤー１１および半導体チップ１２を、粘接着剤層３の溶融温度以上に加熱しておく。粘接着剤層３は上記したような特異な溶融物性を有するので、ワイヤー１１に粘接着剤層３が接触すると、接触部において粘接着剤層が速やかに溶融軟化するとともに、ワイヤーから離れた位置の粘接着剤は、ワイヤーからも下部のチップ本体からも伝導する熱が少ないので、溶融軟化が遅れる。このため、ワイヤー１１には損傷を与えることなく、ワイヤーが粘接着剤層３中に埋め込まれていくが、ワイヤーから離れた位置では溶融軟化による変形は小さく抑えられる。その後、粘接着剤層３は、半導体チップ１２の表面に密着し、粘接着剤層３にボンディング装置による所定の圧力が加えられる。このとき、粘接着剤層の大部分はまだ充分に加熱されていないので高い粘度を維持しており、半導体チップの端部より粘接着剤がはみ出すブリードアウトやボンディング圧力のムラによるチップの傾きが起こらない。その後は、下部のチップ本体から粘接着剤層３に熱が充分伝わってくるが、ボンディング装置による加圧も終わり、粘接着剤層３の硬化も進行するため、粘接着剤層３の変形は抑えられる。
【００６８】
本発明の粘接着剤層３の代わりに、120℃における溶融粘度が100Pa・秒より低い接着剤を使用した場合は、ワイヤー１１に与える損傷は小さいが、ボンディングによる加圧の時点で接着剤全体の粘度も低くなっているため、ブリードアウトやチップの傾きが起こりやすい。また、溶融粘度が最小値に達するまでの時間が60秒より長い接着剤を使用した場合は、局部的に粘度が下がりにくいので、ワイヤーを損傷しないためには接着剤全体を充分に予熱する必要がある。しかし、接着剤全体を予熱すると接着剤が変形しブリードアウトやチップの傾きが起こりやすい。予熱を行わなければ、ワイヤー１１を押し潰し損傷を与えてしまう。
【００６９】
このようにして、第２層として半導体チップ６を半導体チップ１２上に積層し、半導体チップ６の電極チップと基板１０のアウターリードとをワイヤー１３で接続することで、図５に示す２層構造のスタック型半導体装置が得られる。第２層の半導体チップ６の表面に、上記と同様にして、さらに３層目の半導体チップを積層し、ワイヤーボンディングを行ってもよく、またさらに４層、５層と多層化してもよい。
【００７０】
このようにして得られたスタック型半導体装置においては、特異な溶融物性を有する粘接着剤層を用いているので、ワイヤーの潰れや断線が発生し難く、また粘接着剤層の厚みの精度不良に起因する諸問題も解消される。
【００７１】
得られたスタック型半導体装置には、必要に応じ、樹脂封止のように半導体装置製造において公知の種々の仕上げ処理を施してもよい。
（実施例）
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００７２】
なお、以下の実施例および比較例において、「弾性率」、「溶融粘度」、「溶融粘度が
最小値に達する時間」、「ボトムチップに対する接着面積」、「ワイヤーへの損傷」、「ブリード」、「パッケージ信頼性」は次のようにして評価した。
「弾性率」、「溶融粘度」、「溶融粘度が最小値に達する時間」
実施例、比較例の粘接着剤層を厚さ３ｍｍとなるように積層し、両面から紫外線を照射したサンプルの１００℃における弾性率および溶融粘度を動的粘弾性測定装置（レオメトリクス社製、RDA II）を用いて周波数１Ｈｚにて測定した。また、同じ装置、周波数を用いて粘接着剤を常温から1.0℃/secの昇温速度で昇温し、120℃で温度を一定に固定してその後の時間−粘度プロファイルを得、これから溶融粘度が最小値に達する時間を求めた。「ボトムチップに対する接着面積」
実施例、比較例で製造した半導体装置の第１層の半導体チップと第２の層の半導体チップの積層界面を、超音波探傷装置で観察しその接着面積を評価した。
「ワイヤーへの損傷」
実施例、比較例で製造した半導体装置について、第１層目の半導体チップに配線されたワイヤーの導通試験を行ってワイヤーの損傷の有無を評価した。
「ブリード」
実施例、比較例で第１層の半導体チップの上面に第２層の半導体チップのボンディングを行った後、樹脂封止を行う前にチップ端面の状態を光学顕微鏡で観察した。
【００７３】
粘接着剤が第２層のチップの端面を越えて上面に回り込みが観察されたものをブリード「あり」、観察されなかったものをブリード「なし」とした。
「パッケージ信頼性」
実施例、比較例で製造した半導体装置のパッケージを３０℃、７０％ＲＨ条件下に１２０時間放置し、吸湿させた後、最高温度２４０℃のＩＲリフローを２回行った際に接合部位の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波探傷装置および断面観察により評価した。
「粘接着剤層」
粘接着剤の組成を以下に示す。これらは実施例および比較例に共通である。
（Ａ）粘着成分：アクリル酸ブチル５５質量部と、メタクリル酸１０質量部と、メタクリル酸グリシジル２０質量部と、アクリル酸2-ヒドロキシエチル１５質量部とを共重合してなる重量平均分子量約８００，０００、ガラス転移温度−２８℃の共重合体
（Ｂ）熱硬化性成分：下記成分の混合物を用いた。
【００７４】
アクリルゴム微粒子分散ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（日本触媒社製、ＢＰＡ３２８、エポキシ当量２３０）：３０質量部
ビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂（日本触媒社製、１０５５、エポキシ当量８７５〜９７５）：４０質量部
o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、EOCN、エポキシ当量２１３〜２２３）：１０質量部
ジシアンジアミド硬化剤（旭電化社製、アデカハードナー３６３６ＡＳ）：１質量部
イミダゾール硬化促進剤（四国化成工業社製、キュアゾール２ＰＨＺ）：１質量部
（Ｃ）エネルギー線硬化性成分：
Ｃ１:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬社製、カラヤッドＤＰＨ
Ａ）
Ｃ２:光重合開始剤（２,４,６‐トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサ
イド）
（Ｄ）その他の成分：
Ｄ１：シランカップリング剤（三菱化学社製、ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２）
Ｄ２：ポリイソシアナート系架橋剤（トリメチロールプロパンとトルイレンジイソシアナートとの付加物）
（実施例１）
（１）ダイシング・ダイボンディング兼用粘接着シートの製造
表１に記載の配合の粘接着剤組成物を、剥離フィルム（リンテック社製、厚さ３８μｍ、ＳＰ‐ＰＥＴ３８１１）のシリコーン樹脂によって剥離処理した面に、乾燥膜厚が５０μｍとなるように、ロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、厚み１００μｍの基材（エチレン・メタクリル酸メチル共重合体フィルム、表面張力３５ｍＮ／ｍ）に積層し粘接着シートを得た。
【００７５】
リングフレーム固定用粘着シートとしてポリ塩化ビニルフィルム（８０μm）に再剥離
型のアクリル粘着剤（１０μm）が形成された粘着シート（内径165mmの円形が切断除去された形状）を用意した。上記で作成した粘接着シートの粘接着剤面とポリ塩化ビニルフィルム面を積層し、外径207mmの同心円のドーナツ状に切断して、外周部にリングフレーム
固定用粘着シートを有するダイシング・ダイボンディング兼用粘接着シートを得た。
（２）粘接着剤層付きの半導体チップの製造
１００mm径のシリコンウエハの鏡面にボンディングパッド部を有する模擬的な回路（アルミニウム配線）をスパッタリングにより形成した。このシリコンウエハの裏面をウエハ研削装置により厚さを２００μｍまで研削した。
【００７６】
次に(1)で得られたダイシング・ダイボンディング兼用粘接着シートをシリコンウエハ
の裏面に貼着し、ダイシング用リングフレーム（ディスコ社製、２−６−１）に固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製、Adwill RAD2000）を用いて基材面から紫外線を照射した。次に、ダイシング装置（東京精密社製、AWD-4000B）を使用して、シリコ
ンウエハを5.0ｘ5.0mmのチップサイズにダイシングした。このとき、粘接着剤層を越えてさらに基材を１０μm切込むようにして行った。
（３）２段スタック型の半導体装置の製造
ＩＣパッケージ用の模擬基板として、ソルダーレジストがコートされたガラスエポキシ基板（９０μｍ）を用意した。なお、模擬基板の片面のソルダーレジストが無塗布の部分に銅箔、ニッケルメッキおよび金メッキを順にパターン処理してワイヤーボンド用の端子とし、模擬基板の反対面に設けたハンダボール搭載用のエリアとビアホールで導通させた。
【００７７】
上記（２）で作成した粘接着剤層付の半導体チップ（ダイシング・ダイボンディング兼用粘接着シートにまだ固定されている）をダイボンド装置（ＮＥＣマシーナリー社製、CPS-100）によりピックアップを行い、模擬基板のダイパッド部に１２０℃、150MPa、１
秒の条件で圧着し、続いて、１６０℃、６０分の条件で粘接着剤層を硬化させ、第１層目の半導体チップのチップマウントを行った。次に、ワイヤーボンド装置（新川社製、UTC-400）により、第１層目の半導体チップのダイパッド部と基板のダイパッド部をワイヤー
ボンディングを行った。このときワイヤー高さは、約４０μｍであった。
【００７８】
更に、第２層目の半導体チップのダイボンド工程、ワイヤーボンド工程を第１層目の半導体チップの場合と同様の装置、同様の条件で、第１層目の半導体チップの上面に対して行った。
【００７９】
続いて、モールド樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂を含有）で基板のチップの取り付けられた側を所定の形状にモールドし、約１７５℃、６時間で樹脂を硬化させて封止した。次に、封止されない基板側に直径０．４５μｍのハンダボールを所定の方法で取り付け、ＢＧＡ（Ball Grid Allay）型とした２段スタック型のＩ
Ｃパッケージを完成させた。
（比較例１、２）
表１の比較例１および２の配合を用いた以外は、実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
2005327789.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、いわゆるスタック型半導体装置において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等が解消され、半導体装置の品質、生産性の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートを示す。
【図２】本発明に係る製造方法の一工程を示す。
【図３】本発明に係る製造方法の一工程を示す。
【図４】本発明に係る製造方法の一工程を示す。
【図５】本発明により得られるスタック型半導体装置の一例を示す。
【符号の説明】
【００８３】
１…ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート
２…基材
３…粘接着剤層
４…リングフレーム
５…半導体ウエハ
６…半導体チップ（スタック用チップ（第２層））
１０…基板
１１，１３…ワイヤー
１２…半導体チップ（ボトムチップ（第１層））
【図１】
2005327789.tif 000004
【図２】
2005327789.tif 000005
【図３】
2005327789.tif 000006
【図４】
2005327789.tif 000007
【図５】
2005327789.tif 000008