(57)【要約】 【課題】  基板アセンブリ、基板アセンブリの製造方法及びこれを利用した表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板アセンブリは第１硬度及び第１表面を有する第１基板部、第１硬度より低い第２硬度を有し、第１表面に密着された第２表面を有する第２基板部及び第１表面と第２表面との間に形成された境界面のエッジ部を取り囲んで密封する密封部を含む。表示装置を製造する過程においては、第１硬度を有する第１基板部がフレキシブルな第２基板部を支持して第２基板部に画素が形成されるようにし、表示装置を製造した後には第１基板部を第２基板部から除去して、フレキシブルな表示装置を製造する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１硬度を有する第１基板部と、前記第１硬度より低い第２硬度を有し、前記第１基板部に密着された第２基板部と、前記第１基板部と前記第２基板部との間に形成された境界面のエッジ部を取り囲んで密封する密封部と、
を含むことを特徴とする基板アセンブリ。
【請求項２】
前記第１基板部はガラス基板または金属基板からなることを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項３】
前記密封部は光と反応する感光物質を含むことを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項４】
前記感光物質は１００℃〜２２０℃の間で硬化され、光に露光された部分が残されているネガティブ型感光物質であることを特徴とする請求項３記載の基板アセンブリ。
【請求項５】
前記密封部の厚さは２〜６μｍであることを特徴とする請求項３記載の基板アセンブリ。
【請求項６】
前記第１基板部と第２基板部との間には接着部材が介在されたことを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項７】
前記第２基板部の平面積は前記第１基板部の平面積より小さいことを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項８】
前記密封部は前記第２基板部の側面及び表面のエッジを取り囲むことを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項９】
前記密封部は前記第２基板部の表面の全面積を取り囲むことを特徴とする請求項１記載の基板アセンブリ。
【請求項１０】
第１硬度を有する第１基板部に前記第１硬度より小さい第２硬度を有する第２基板部を配置する段階と、
前記第１基板部及び前記第２基板部によって形成された境界面のエッジ部を密封する段階と、
を含むことを特徴とする基板アセンブリの製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板部及び前記第２基板部を配置する段階の以前には前記第１基板部と第２基板部との間に接着剤を介在する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の基板アセンブリの製造方法。
【請求項１２】
前記エッジ部を密封する段階は前記第１基板部及び前記第２基板部が被覆されるように感光物質を塗布して感光膜を形成する段階と、
前記第１基板部及び第２基板部の境界面のエッジ部を密封するために前記感光膜をパターニングして密封パターンを形成する段階と、
前記密封パターンをベイクする段階と、を含むことを特徴とする請求項１０記載の基板アセンブリの製造方法。
【請求項１３】
前記密封パターンを形成する段階において、前記第２基板部の表面のエッジには前記感光膜の一部が残されたことを特徴とする請求項１２記載の基板アセンブリの製造方法。
【請求項１４】
前記密封パターンをベイクする段階において、前記密封パターンを１００〜２２０℃でべイクすることを特徴とする請求項１２記載の基板アセンブリの製造方法。
【請求項１５】
前記第１硬度を有する第１基板と、
前記第１基板と向き合うように配置され、前記第１硬度より低い第２硬度を有する第２基板と、
前記第１基板及び第２基板を接着するための接着剤と、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成された境界面のエッジ部を取り囲む密封部材と、
を含む基板アセンブリ。
【請求項１６】
前記第１基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１５記載の基板アセンブリ。
【請求項１７】
フレキシブルな第１基板と、
前記第１基板と対向しフレキシブルな第２基板と、
前記第１基板に配置された第１電極と、
前記第２基板に配置された第２電極と、
前記第１電極と第２電極との間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
第１硬度を有する第１基板部に第１硬度より低い第２硬度を有する第２基板部を配置し、前記第１基板部及び第２基板部のエッジを密封し、前記第２基板部の表面に第１画素部を配置して第１表示基板を製造する段階と、
第３硬度を有する第３基板部に第３硬度より低い第４硬度を有する第４基板部を配置し、前記第３基板部と第４基板部のエッジを密封し、前記第４基板部の表面に第２画素部を配置して第２表示基板を製造する段階と、
前記第１画素部及び第２画素部が向き合うように第１表示基板及び第２表示基板をアセンブリする段階と、
前記第１及び第３基板を前記第２及び第４基板から分離させる段階と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１及び第３基板部を分離させる段階以後には前記第２及び第４基板部にそれぞれ第１及び第２偏光板を付着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１８記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１及び第２表示基板をアセンブリする段階以後には前記第１表示基板と第２表示基板との間に液晶を供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１８記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板アセンブリ、基板アセンブリの製造方法及びこれを利用した表示装置及び表示装置の製造方法に関し、より具体的に硬質基板にフレキシブルな基板を接合した基板アセンブリ、基板アセンブリの製造方法及びこれを利用した表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は情報処理装置から発生した電気的信号を映像に変換する。例えば、液晶表示装置、有機電界発光表示装置及びプラズマ表示装置などは全部情報処理装置で処理された電気的信号を映像に変換する。
【０００３】
液晶表示装置、有機電界発光表示装置及びプラズマ表示装置は全部硬質透明基板、例えば、ガラス基板などに映像を表示する画素を形成して映像を表示する。このような理由から使用者は表示装置の表示面を曲げたりすることができない。
【０００４】
最近、撓みが可能な表示装置の開発が進行されつつあるが、撓みが可能な基板に画素を形成することが非常に難しいので、表示面の撓みが可能な表示装置の開発が進行されない実情である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明はこのような従来の問題点に鑑みなされたもので、本発明の第１目的は撓みが可能で画素を形成するとき画素不良を大きく減少させた基板アセンブリを提供することにある。
【０００６】
本発明の第２目的は前記基板アセンブリの製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の第３目的は前記基板アセンブリを利用した表示装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の第４目的は前記基板アセンブリを利用した表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような本発明の第１目的を具現するために、本願第１発明は第１硬度を有する第１基板部と、第１硬度より低い第２硬度を有し、第１基板部に密着された第２基板部と、第１基板部と第２基板部との間に形成された境界面のエッジ部を取り囲んで密封する密封部とを含む基板アセンブリを提供する。
【００１０】
第２基板部より硬い第１基板部と、第２基板部とが貼り付けられているため、撓みやすい第２基板部の撓みを防止することができる。よって、撓み易い第２基板部上への微細構造物の製造が容易となる。また、第１基板部と第２基板部との境界面を覆う密封部が設けられているため、微細構造物を形成する際に各種化学ガスやケミカルなどがしみこむことを防止することができる。
【００１１】
本願第２発明は、第１発明において、前記第１基板部はガラス基板または金属基板からなることを特徴とする基板アセンブリを提供する。
【００１２】
本願第３発明は、第１発明において、前記密封部は光と反応する感光物質を含むことを特徴とする基板アセンブリを提供する。光と反応する感光物質であると、光を用いて感光物質をパターニングして密封部を形成することができる。
【００１３】
本願第４発明は、第３発明において、前記感光物質は１００℃〜２２０℃の間で硬化され、光に露光された部分が残されているネガティブ型感光物質であることを特徴とする基板アセンブリを提供する。
【００１４】
本願第５発明は、第３発明において、前記密封部の厚さは２〜６μｍであることを特徴とする基板アセンブリを提供する。厚さが２〜６μｍであると、各種化学ガスまたはケミカルなどによる侵食または損傷を防止することができる。
【００１５】
本願第６発明は、第１発明において、前記第１基板部と第２基板部との間には接着部材が介在されたことを特徴とする基板アセンブリを提供する。第１基板部と第２基板部とを付着することができる。
【００１６】
本願第７発明は、第１発明において、前記第２基板部の平面積は前記第１基板部の平面積より小さいことを特徴とする基板アセンブリを提供する。第１基板より硬度が小さい第２基板の平面積を、第１基板の平面積よりも小さくすることで、第１及び第２基板の撓みを小さくすることができる。
【００１７】
本願第８発明は、第１発明において、前記密封部は前記第２基板部の側面及び表面のエッジを取り囲むことを特徴とする基板アセンブリを提供する。
【００１８】
本願第９発明は、第１発明において、前記密封部は前記第２基板部の表面の全面積を取り囲むことを特徴とする基板アセンブリを提供する。
【００１９】
また、本発明の第２目的を具現するために、本願第１０発明は、第１硬度を有する第１基板部に第１硬度より小さい第２硬度を有する第２基板部を配置する段階と、第１基板部と第２基板部によって形成された境界面のエッジ部を密封する段階とを含む基板アセンブリの製造方法を提供する。
【００２０】
本願第１１発明は、第１０発明において、前記第１基板部及び前記第２基板部を配置する段階の以前には前記第１基板部と第２基板部との間に接着剤を介在する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の基板アセンブリの製造方法を提供する。
【００２１】
本願第１２発明は、第１０発明において、前記エッジ部を密封する段階は前記第１基板部及び前記第２基板部が被覆されるように感光物質を塗布して感光膜を形成する段階と、
前記第１基板部及び第２基板部の境界面のエッジ部を密封するために前記感光膜をパターニングして密封パターンを形成する段階と、
前記密封パターンをベイクする段階と、を含むことを特徴とする基板アセンブリの製造方法を提供する。
【００２２】
本願第１３発明は、第１２発明において、前記密封パターンを形成する段階において、前記第２基板部の表面のエッジには前記感光膜の一部が残されたことを特徴とする基板アセンブリの製造方法を提供する。
【００２３】
本願第１４発明は、第１２発明において、前記密封パターンをベイクする段階において、前記密封パターンを１００〜２２０℃でべイクすることを特徴とする基板アセンブリの製造方法を提供する。
【００２４】
本願第１５発明は、前記第１硬度を有する第１基板と、前記第１基板と向き合うように配置され、前記第１硬度より低い第２硬度を有する第２基板と、前記第１基板及び第２基板を接着するための接着剤と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された境界面のエッジ部を取り囲む密封部材と、を含む基板アセンブリを提供する。
【００２５】
本願第１６発明は、第１５発明において、前記第１基板はガラス基板であることを特徴とする基板アセンブリを提供する。
【００２６】
また、本発明の第３目的を具現するために、本願第１７発明は、フレキシブルな第１基板と、第１基板に対向しフレキシブルな第２基板と、第１基板に配置された第１電極と、第２基板は配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に介在された液晶層とを含む表示装置を提供する。フレキシブルな第１基板とフレキシブルな第２基板との間に液晶層を挟むことで、撓み可能な表示装置を得ることができる。
【００２７】
本発明の第４目的を具現するために本願第１８発明は、第１硬度を有する第１基板部に第１硬度より低い第２硬度を有する第２基板部を配置し、前記第１基板部及び第２基板部のエッジを密封し、前記第２基板部の表面に第１画素部を配置して第１表示基板を製造する段階と、第３硬度を有する第３基板部に第３硬度より低い第４硬度を有する第４基板部を配置し、前記第３基板部と第４基板部のエッジを密封し、前記第４基板部の表面に第２画素部を配置して第２表示基板を製造する段階と、前記第１画素部と第２画素部とが向き合うように第１表示基板及び第２表示基板をアセンブリする段階と、前記第１及び第３基板を前記第２及び第４基板から分離させる段階と、を含む表示装置の製造方法を提供する。
【００２８】
第２基板部より硬い第１基板部と、第２硬度とが貼り付けられているため、撓みやすい第２基板の撓みを防止することができる。よって、撓み易い第２基板上への第１画素部の製造が容易であり、また画素不良を防止することができる。同様に、撓みやすい第４基板の撓みを防止することで、第４基板上への第２画素部の製造を容易にする。この第２基板と第４基板を貼り合わせることで、撓み可能な表示装置を容易に製造することができる。
【００２９】
本願第１９発明は、第１８発明において、前記第１及び第３基板部を分離させる段階以後には前記第２及び第４基板部にそれぞれ第１及び第２偏光板を付着する段階をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法を提供する。
【００３０】
本願第２０発明は、第１８発明において、前記第１及び第２表示基板をアセンブリする段階以後には前記第１表示基板と第２表示基板との間に液晶を供給する段階をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法を提供する。
【００３１】
本発明によると、硬質基板にフレキシブルな基板を固定させ、フレキシブルな基板及び硬質基板の境界面に異物質が浸透することを防止して密封部を形成し硬質基板及びフレキシブル基板が相互分離されないようにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例をより詳細に説明する。
［基板アセンブリ］
図１は本発明の一実施例による基板アセンブリの概略的な平面図である。図２は図１のＡ１−Ａ２に沿って切断した断面図である。図１及び図２に示すように、基板アセンブリ１００は第１基板部１０、第２基板部２０及び密封部３０を含む。
【００３３】
第１基板部１０は第１硬度を有する。このとき、第１基板部１０の第１硬度はブリネル硬度計、ロックウェル硬度計、ヴィッカース硬度計、ショーア硬度計などに測定される。本実施例において、第１基板部１０は透明なガラスまたは不透明な金属などからなる。第１基板部１０は、第１平面積を有するプレート形状を有し、第２基板部２０を支持する。
【００３４】
第２基板部２０は、第１硬度より低い第２硬度を有する。このとき、第２基板部２０の第２硬度はブリネル硬度計、ロックウェル硬度計、ヴィッカース硬度計、ショーア硬度計などによって測定される。
【００３５】
本実施例において、第２基板部２０は第１硬度より低い第２硬度を有する合成樹脂を含む。例えば、第２基板部２０はポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルサルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、ポリエチレン・ナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈｅｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレン・テレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｅｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）などを含むことをできる。第２基板部２０は第１平面積より小さい第２平面積を有し、プレート形状を有する。
【００３６】
第２基板部２０は第１基板部１０上に配置される。このとき、第１基板部１０及び第２基板部２０は互いに異なる物質からなるので互いに異なる熱膨張係数を有する。従って、第１基板部１０上に第２基板部２０が配置された状態で、外部から第１基板部１０及び第２基板部２０に熱が加えられる場合、第１基板部１０及び第２基板部２０の熱膨張係数の偏差によって第１基板部１０及び第２基板部２０には撓み応力が発生するようになる。
【００３７】
第１基板部１０及び第２基板部２０の撓みを防止するために第１基板部１０及び第２基板部２０の厚さは互いに異なるように調節されるか、第１基板部１０の第１平面積及び第２基板部２０の第２平面積は互いに異なるように調節される。
【００３８】
本実施例において、第１基板部１０の第１平面積及び第２基板部２０の第２平面積が調節され、第１基板部１０及び第２基板部２０の撓みは減少される。これを具現するために、第２基板部２０の第２平面積は第２基板部１０の第１平面積より小さく形成される。撓みやすい第２基板部２０の面積の方が第１基板部１０の面積より小さいため、第２基板部２０から受ける撓みの影響を第１基板部１０により吸収することができる。
【００３９】
図３は図２に示された基板アセンブリの他の実施例を示す断面図である。図３に示すように、第１基板部１０と第２基板部２０との間には第１基板部１０及び第２基板部２０を臨時的に付着するために接着部材４０が介在される。このとき、接着部材４０は両面接着テープまたは接着剤などを使用することが望ましい。
【００４０】
一方、第１基板部１０に固定された第２基板部２０の表面には、薄膜加工工程によって映像を表示するための画素が形成される。第２基板部２０の表面に画素を形成するために、第１基板部１０及び第２基板部２０は各種化学ガスまたはケミカルなどに露出される。従って、第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面へは各種の化学ガスまたはケミカルが染み込みやすく、これによって第１基板部１０及び第２基板部２０は相互分離され易い。
【００４１】
密封部３０は第２基板部２０の画素を形成する工程中、第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面に各種化学ガスまたはケミカルなどが染み込むことを防止する。本実施例において、密封部３０は第１基板部１０と第２基板部２０との間に形成された境界面のエッジ部を密封する。密封部３０の一部は第２基板部２０の側面２２から第２基板部２０の表面２４の一部まで延長される。
【００４２】
図２に示すように、密封部３０は、光と反応する流動性感光物質を第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面に配置する。従って、第１基板部１０と第２基板部２０との間に形成された境界面のエッジ部を通じて各種化学ガスまたはケミカルなどが染み込むことを防止する。また、密封部に起因して発生する応力を除去するために密封部は帯形状でパターニングすることが望ましい。このとき、密封部３０を成す感光物質はベイクされて硬化され、ベイク温度は第２基板部２０の耐熱温度以下であることが望ましい。本実施例において、ベイク温度は望ましく約１００〜２２０℃である。本実施例において、感光物質はネガティブタイプの感光物質が使用される。このとき、密封部３０の厚さは各種化学ガスまたはケミカルなどによって侵食または損傷されないように約２〜６μｍの厚さを有することが望ましい。
【００４３】
図４は本発明の第１実施例の変形実施例を示す概略平面図である。図５は図４のＢ１−Ｂ２に沿って切断した断面図である。図４及び図５に示すように、密封部５０は第１基板部１０及び第２基板部２０上に配置される。第１基板部１０及び第２基板部２０を被覆する密封部５０は、第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面を密封し、第２基板部の表面平坦度をより向上させて画素を製作する途中発生する工程不良を防止することができる。
【００４４】
本実施例によると、第１硬度を有する第１基板部１０の表面に第１硬度より低い第２硬度を有するフレキシブルな第２基板部２０を配置する。第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面のエッジ部は密封部３０によって密封される。従って、第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面に各種の化学ガスまたはケミカルが染み込んで第１基板部１０及び第２基板部２０が相互分離されることを防止する。
【００４５】
図６は本発明の一実施例による基板アセンブリの構造を示す断面図である。
【００４６】
図６に示すように、基板アセンブリ２００は第１基板１１０、第２基板１２０、密封部材１３０は及び接着部材１４０を含む。そして、密封部材１３０には第２基板１２０を露出する開口部１３２が設けられている。
【００４７】
第１基板１１０は第１硬度及び第１平面積を有し、プレート形状を有する。第２基板１２０は第１硬度より低い第２光度及び第２平面積を有する。本実施例において、第２基板１２０はフレキシブルな合成樹脂系列からなる。そして、第２基板１２０は第１基板１１０場に配置される。望ましくは、第１基板１１０及び第２基板１２０は別途の接着部材なしに相互密着できる。本実施例において、接着部材１４０を利用して第１基板１１０及び第２基板１２０を臨時的に接着する。
【００４８】
密封部材１３０は第１基板１１０と第２基板１２０との間に形成された境界面に科学ガスまたはケミカルが染み込んで第１基板１１０及び第２基板１２０が相互分離されることを防止する。
【００４９】
これを具現するために、密封部材１３０は接着面のエッジ部を取り囲む。密封部材１３０は第１基板１１０及び第２基板１２０が相互密着された状態で第１基板１１０及び第２基板１２０の境界面を取り囲んで外部から化学ガスまたはケミカル境界面の内側に染み込むことを防止する。このとき、密封部材１３０は第１基板１１０上に固定されることができる。このような密封部材１３０は反復的に使用することができ、これによって、密封部材１３０に第１基板１１０及び第２基板１２０の境界面を密封するのに所要される時間を大きく減少させることができる。
【００５０】
これとは違って、密封部材１３０は第１基板１１０及び第２基板１２０の境界面に塗布された流動性密封物質を含むことができる。第１基板１１０及び第２基板１２０の境界面に塗布されて硬化された密封部材１３０は光と反応する感光物質からなる薄膜をパターニングし、１００℃〜２２０℃の温度でベイクして形成される。
【００５１】
本実施例によると、第１硬度を有する第１基板１１０及び第１硬度より低い第２基板１２０を接着部材１４０を媒介にして接合し、第１基板１１０及び第２基板１２０の境界面を密封部材１３０で被覆して密封する。従って、第２基板１２０の表面に画素を形成する途中第１基板１１０と第２基板１２０が相互分離されることを防止する。
【００５２】
［基板アセンブリの製造方法］
図７は本発明の一実施例による基板アセンブリの第１基板部を示す断面図である。図７及び図８に示すように、基板アセンブリを製造するためにはまず、第１基板部１０及び第２基板部２０を備える段階が実施される。第１基板部１０は第１平面積を有するプレート形態で製作され、第１基板部１０は撓みを発生させないのに十分な第１硬度を有する。
【００５３】
反対に、第２基板部２０は第１平面積より小さい第２平面積を有するプレート形態で製作され、第２基板部２０は小さい衝撃にも容易に曲げられるように第１硬度より低い第２硬度を有する。
【００５４】
図９は本発明の一実施例による基板アセンブリの第１基板部及び第２基板部が相互向き合うように配置されることを示す断面図である。
【００５５】
図９に示すように、第１基板１０には第２基板部２０が配置される。このとき、第１基板部１０と第２基板部２０との間には第１基板部１０と第２基板部２０を臨時的に付着するための接着部材を形成することができる。本実施例において、接着部材は両面テープまたは接着剤である。
【００５６】
図１０は本発明の一実施例による基板アセンブリに密封物質を塗布したことを示す断面図である。
【００５７】
図１０に示すように、第１基板部１０及び第２基板部２０の上面にはスピンコーティング方式または化学気相蒸着方式によって密封薄膜３０ａが形成される。このとき、密封薄膜３０ａはネガティブタイプの感光物質を含む。密封薄膜３０ａの厚さは、化学ガスまたはケミカルなどが第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面を通じて染み込むことができないように２〜６μｍであることが望ましい。
【００５８】
第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面及び第２基板部２０の表面に密封薄膜３０ａが塗布された状態で、密封薄膜を約１００〜２２０℃程度でベイクすることによって基板アセンブリを製造することができる。
【００５９】
図１１は本発明の第１実施例による基板アセンブリにおいて、第２基板部を被覆している密封薄膜をパターニングしたことを示す概念図である。
【００６０】
図１１に示すように、第２基板部２０の表面を被覆している密封薄膜３０ａの一部は除去される。第２基板部２０の表面を被覆している密封薄膜３０ａをパターニングして除去するために、第１基板部１０の全面にはマスク６０が配置される。パターンマスク６０は第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面周辺に配置された密封薄膜３０ａに光を供給する開口部６２を有する。従って、光はパターンマスク６０の開口部６２を通じて密封薄膜３０ａの第１基板部１０及び第２基板部２０の境界面周辺のみに選択的に走査される。密封薄膜３０ａはネガティブタイプの感光物質を含むので、密封薄膜３０ａのうち光が走査された部分は残り、密封薄膜３０ａのうち光が到達していない部分は全部除去されて基板アセンブリ１００が製造される。
［表示装置］
図１２は本発明の一実施例による表示装置の構造を示す断面図である。図１２に示すように、表示装置３００は第１基板２１０、第２基板２２０、第１電極２１５、第２電極２２５及び液晶層２３０を含む。
【００６１】
第１基板２１０は、撓み易く透明なプレート形状を有する。本実施例において、第１基板２１０は撓ませると、元の状態に復元可能なフレキシブルな物質を含む。例えば、第１基板２１０は合成樹脂物質を含むことができる。第２基板２２０は撓み易く、透明なプレート形状を有する。本実施例において、第２基板２２０は撓ませると、元の状態に復元が可能なフレキシブルな物質からなる。例えば、第２基板２２０は合成樹脂物質から製作可能である。
【００６２】
第１電極２１５は第１基板２１０の第１表面２１０ａに形成される。第１電極２１５は望ましくは、透明で導電性を有するインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物を含む。第１電極２１５は第１基板２１０の第１表面２１０ａに複数個がマトリックス状に配置される。第１電極２１５には第１駆動電圧が印加され、第１駆動電圧は第１電極２１５に連結された薄膜トランジスタを通じて印加されることができる。第１電極２１５が形成された第１基板２１０にはポリイミド物質などからなる第１配向膜がさらに形成されることができる。
【００６３】
第２電極２５５は第１基板２１０と向き合う第２基板２２０の第２表面２２０ａに形成される。第２表面２２０ａは第１表面２１０ａと向き合う。第２電極２２５は透明で導電性を有するインジウム亜鉛酸化物またはインジウム錫酸化物からなる。第２電極２２５は第２基板２１０の第２表面２２０ａの全面積にかけて配置される。
【００６４】
第２電極２２５と第２表面２２０ａとの間にはカラーフィルターがさらに配置されることができる。カラーフィルターは各第１電極２１５と対応して形成される。第２電極２２５が形成された第２基板２２０にはポリイミド物質などからなる第２配向膜がさらに形成されることができる。
【００６５】
液晶層２３０は第１電極２１０と第２電極２２０との間に配置される。液晶層２３０はツイスト液晶、垂直配向モード液晶などの多様な種類の液晶を含むことができる。このとき、液晶層２３０がツイストネマティック液晶からなる場合、第１配向膜及び第２配向膜には互いに異なる方向を有する第１配向溝及び第２配向溝をさらに含むことができる。
【００６６】
また、液晶層２３０が垂直配向モード液晶からなる場合、第１電極２１０または第２電極２２０に映像の視野角を拡張させるための溝がさらに形成されるか、映像の視野角を拡張させるために第１配向膜または第２配向膜に形成された突起をさらに含むことができる。
【００６７】
本実施例によると、表示装置の基板を撓められる画素を形成して基板が撓まれた状態に映像を表示することができるようにする。
表示装置の製造方法
図１３は本発明の一実施例による表示装置の製造方法によって製造された第１製造基板を示す平面図である。図１３に示すように、表示装置を製造するためにはまず、第１表示基板４００を製造する工程が先行される。
【００６８】
第１表示基板４００を製造するために、プレート形状を有し、第１硬度を有する第１基板部４１０には第１硬度より低い第２硬度を有する第２基板部４２０が配置される。第２硬度を有する第２基板部４２０はフレキシブルな合成樹脂などから製作される。第１基板部４１０及び第２基板部４２０は接着部材４４０、例えば、両面接着テープまたは接着剤によって臨時的に接合される。第１基板４１０及び第２基板部４２０の境界面のエッジ部は密封部４３０によって密封される。
【００６９】
図１４は図１３に示された第２基板部の表面に形成された第１画素部を示す概念図である。図１５は図１４の第１画素部の製造工程を示す断面図である。
【００７０】
図１４及び図１５に示すように、第２基板部４２０の表面には第１画素部４２５が形成される。第１画素部４２５を形成するためにはまず、第２基板部４２０の表面に薄膜トランジスター４２４及び信号線４２３を形成する工程が進行される。このとき、信号線４２３は薄膜トランジスタ４２４を製造する過程で共に形成される。信号線４２３はゲートライン４２３ａ及びデータライン４２３ｂからなる。
【００７１】
薄膜トランジスタ４２４を製造するために、まず、第２基板部４２０の表面に導電体、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金でゲート薄膜が形成される。続いて、ゲート薄膜の表面にはフォトレジスト薄膜が形成され、フォトレジスト薄膜はフォト工程によってパターニングされる。続いて、ゲート薄膜はエッチング工程を通じてエッチングされ、その結果、第２基板部４２０には第１方向に延びているゲートライン４２３ａ及びゲートライン４２３ａに連結されたゲート電極Ｇと共に形成される。
【００７２】
このとき、ゲートライン４２３ａの数は表示装置の解像度によって決定される。例えば、表示装置の解像度が１０２４×７６８の場合、ゲートライン４２３ａの数は７６８個である。一つのゲートライン４２３ａには１０２４×３個のゲート電極Ｇが形成される。
【００７３】
続いて、第２基板部４２０の表面には全面積にかけてゲート絶縁膜４２２ａが形成される。ゲート絶縁膜４２２ａはゲート電極Ｇ及びゲートライン４２３ａを被覆する。
【００７４】
ゲート絶縁膜４２２ａにはチャンネル層及びソース／ドレーン薄膜が連続して形成される。続いて、ソース／ドレーン薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされてゲート絶縁膜４２２ａの上面にはデータライン４２３ｂ、ソース電極Ｓ及びドレーン電極Ｄが形成される。
【００７５】
データライン４２３ｂは第２方向に形成される。データライン４２３ｂはゲートライン４２３ａと実質的に垂直する。表示装置の解像度が１０２４×７６８の場合、データライン４２３ｂの数は１０２４個である。一つのデータライン４２３ｂには７６８個のソース電極Ｓが形成される。ドレーン電極Ｄはソース電極Ｓと離隔されたところに島（ｉｓｌａｎｄ）形態に配置される。
【００７６】
続いて、データライン４２３ｂ、ソース電極Ｓ及びドレーン電極Ｄをマスクとしてチャンネル層がエッチングされてチャンネルパターン４２１が形成される。チャンネルパターン４２１はアモルファスシリコンチャンネルパターン４２１ａ及びｎ＋アモルファスシリコンチャンネルパターン４２１ｂで構成される。ｎ＋アモルファスシリコンパターン４２１ｂはアモルファスシリコンチャンネルパターン４２１ａの上面に配置され、ｎ＋アモルファスシリコンチャンネル層４２１ｂはソース電極Ｓ及びドレーン電極Ｄの下部に配置される。
【００７７】
続いて、第２基板部４２０の全面積にかけてインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物からなる導電性透明薄膜が形成され、導電性透明薄膜はフォトリソグラフィ工程によってパターニングされて各ドレーン電極Ｓに連結された第１電極４２１ｃが形成される。
【００７８】
第１電極４２１ｃが形成された後、第２基板部４２０には第１電極４２１ｃが被覆されるように全面積にかけて第１配向膜をさらに形成することができる。
【００７９】
図１６は本発明の一実施例による表示装置の製造方法によって製造された第２表示基板を示す概念図である。
【００８０】
図１６に示すように、第２表示基板５００を製造するために、プレート形状を有し、第３硬度を有する第３基板部５１０には第３硬度より低い第４硬度を有する第４基板部５２０が配置される。第４硬度を有する第４基板部５２０はフレキシブルな合成樹脂などから製作される。第３基板部５１０及び第４基板部５２０は接着部材５４０、例えば両面接着テープまたは接着剤によって臨時的に接合される。第３基板部５１０及び第４基板部５２０の境界面のエッジは密封部５３０によって密封される。  
【００８１】
図１７は図１６の平面図である、図１８は図１７のＣ１−Ｃ２の断面図である。図１７乃至図１８に示すように第４基板部５２０の表面にはクロムまたは酸化クロムからなる金属薄膜が配置される。金属薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によって格子形状を有するようにパターニングされ、第４基板部５２０には開口を有するブラックマトリックス５５０が配置される。
【００８２】
各ブラックマトリックス５５０の開口にはレッドカラーフィルターＲ、グリーンカラーフィルターＧ及びブルーカラーフィルターＢがマトリックス形態に形成される。
【００８３】
続いて、第４基板部５２０には全面積にかけて第２電極５６０が形成される。第２電極５６０は透明で導電性を有するインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物からなる。
【００８４】
第２電極５６０が形成された後、第４基板部５２０には第２電極５６０が被覆されるようにポリイミド材質からなる第２配向膜がさらに形成され得る。
【００８５】
図１９は本発明の一実施例による表示装置の製造方法によって第１表示基板及び第２表示基板がアセンブリされたことを示す平面図である。図１９に示すように、第１表示基板４００または第２表示基板５００のうちいずれかの一つには密封部材５７０が配置される。密封部材５７０は第１表示基板４００の第２基板部４２０の表面または第２表示基板５００の第４基板部５２０の表面のうちいずれかの一つに配置される。
【００８６】
第１表示基板４００及び第２表示基板５００は密封部材５７０によって相互アセンブリされる。アセンブリされた第１表示基板４００及び第２表示基板５００は密封部材５７０の外側に沿って切断される。本実施例において、アセンブリされた第１表示基板４００と第２表示基板５００との間には液晶４５０が介在される。
【００８７】
図２０は本発明の一実施例による表示装置の製造方法によって第１表示基板及び第２表示基板から第１基板部及び第３基板部を除去したことを示す平面図である。
【００８８】
続いて、切断された第１表示基板４００の第１基板部４１０は第２基板部４２０から分離され、第２表示基板５００の第３基板部５１０は第４基板部５２０から分離される。このとき、第２基板部４２０及び第４基板部５２０には接着部材４４０、４５０が残されても、除去されてもよいのである。この結果、図１２と同様の表示装置が製造される。
【００８９】
図２１は本発明の第４実施例による表示装置の製造方法によって第１表示基板に偏光板を付着することを示す平面図である。図２１に示すように、第１表示基板４００から第１基板部４１０が分離され、第２表示基板５００から第３基板部５１０が分離された後、第２基板部４２０には第１偏光板５８０が付着され、第４基板部５２０には第２偏光板５９０が付着されてフレキシブルな表示装置が製造される。
【００９０】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一実施例による基板アセンブリの概略的な平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ２に沿って切断した断面図である。
【図３】図２に示された基板アセンブリの他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の変形実施例を示す概略平面図である。
【図５】図４のＢ１−Ｂ２に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の一実施例による基板アセンブリの構造を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図８】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図９】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１０】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１１】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１２】本発明の一実施例による表示装置の構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す概念図である。
【図１４】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１５】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１６】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１７】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１８】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図１９】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図２０】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【図２１】本発明の一実施例による基板アセンブリの製造方法を示す概念図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０、４１０      第１基板部
２０、４２０      第２基板部
３０      密封部
３０ａ      密封薄膜
４０      接着部材
６０      パターンマスク
１００、２００      基板アセンブリ
１１０、２１０      第１基板
１２０、２２０      第２基板
１３０、５７０      密封部材
１４０      接着部材
２１５      第１電極
２２５      第２電極
２３０      液晶層
３００      表示装置
４００      第１表示基板
４２１      チャンネルパターン
４２４      薄膜トランジスタ
４２３      信号線
４２５      第１画素部
５００      第２表示基板
５１０      第３基板部
５２０      第４基板部
５６０      第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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