(57)【要約】【課題】  投影光学系の温度分布が空間的に不均一になった場合に、その投影光学系の結像特性の劣化を抑制する。【解決手段】  露光光ＩＬでレチクルＲを照明し、その露光光ＩＬでレチクルＲ及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光する露光装置である。投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に加熱装置２８Ａ〜２８Ｅを密着するように配置し、投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性に起因する収差等を補正するために、結像特性制御系１５内の制御部１７がヒータ制御電源１９を介して加熱装置２８Ａ〜２８Ｈから選択された所定の加熱装置での発熱量を制御する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光ビームで第１物体を照明し、前記露光ビームで前記第１物体及び投影光学系を介して第２物体を露光する露光方法において、
前記投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御する工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記温度を制御する工程は、前記投影光学系の所定の残存収差を補正するために実行されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
露光ビームで第１物体を照明し、前記露光ビームで前記第１物体及び投影光学系を介して第２物体を露光する露光装置において、
前記投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御する温度制御装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記温度制御装置は、前記投影光学系の所定の残存収差を補正するために、前記投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記温度制御装置は、前記投影光学系の鏡筒の外面に装着されて、発熱及び吸熱の少なくとも一方を行う１つ又は複数の吸発熱部と、前記吸発熱部を駆動する駆動部とを有することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記吸発熱部は、前記投影光学系の鏡筒の外面に装着された複数の吸発熱部を含み、
前記駆動部は、前記複数の吸発熱部から選択した少なくとも一つの吸発熱部を駆動することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記吸発熱部は、前記投影光学系の鏡筒の外面に対して着脱自在か、又は前記鏡筒の外面で移動可能であることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記温度制御装置は、温度制御された流体が供給される配管と、該配管に連結されて前記投影光学系の鏡筒の外面と前記流体との間で熱交換を行うために、前記鏡筒の外面に装着される熱交換部とを有することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項９】
前記温度制御装置は、前記投影光学系の鏡筒の外面の温度を計測する温度センサを有し、該温度センサの計測結果に基づいて前記投影光学系の外面の温度を制御することを特徴とする請求項３〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程で請求項３〜９のいずれか一項に記載の露光装置を用いてパターンを感光体に転写することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパターンを投影光学系を介して基板上に転写するために使用される露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関し、更に詳しくは投影光学系の結像特性（光学性能）の補正技術を含む露光技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等を製造するためのリソグラフィ工程中で、マスクとしてのレチクル（又はフォトマスク等）のパターンを投影光学系を介して基板としてのウエハ（又はガラスプレート等）上に転写するために、ステッパー等の一括露光型、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の露光装置が使用されている。これらの露光装置においては、レチクルのパターンの投影像を常に高解像度に、かつ高い重ね合わせ精度でウエハ上に転写するために、投影光学系の結像特性（光学性能）を常時所定の状態に維持して露光を行うことが求められている。
【０００３】
これに関して、露光を継続して行う過程で露光光のエネルギーの一部が次第に投影光学系内に蓄積されること、及び投影光学系の周囲の温度や気圧等の環境条件の変化によって、その投影光学系の結像特性が時間とともに次第に変化することが知られている。そこで従来は、露光中に投影光学系を通過する露光光の積算エネルギー量を間接的に計測するとともに、周囲の環境条件を計測し、これらの計測結果に基づいて投影光学系の補正可能な所定の結像特性（ディストーション等）の変化量を予測していた。そして、この予測される変化量を相殺するように、結像特性の補正機構を用いてその所定の結像特性を補正していた。従来の結像特性の補正機構としては、投影光学系内の所定の光学部材間の空間（レンズ室）の気圧を制御する機構（例えば、特許文献１参照。）、及び投影光学系内の所定の光学部材の光軸方向の位置や傾斜角を制御する機構（例えば、特許文献２参照。）等が知られている。
【特許文献１】特開昭６０−７８４５４号公報
【特許文献２】特開平４−１３４８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の如く、従来は投影光学系の結像特性の時間的な均一性（安定性）を維持するために、露光光の積算エネルギー量や周囲の温度等に応じて所定の結像特性を補正していた。
これに関して、投影光学系の結像特性は、温度の空間的な不均一性によっても変化する。即ち、一般に投影光学系は全体が一定の温度であることを前提として設計されるため、露光光の光量分布の偏りや周囲の温度分布等に起因して、投影光学系内に空間的に不均一な温度分布が存在すると、その結像特性が次第に劣化する。この温度分布の空間的な不均一性に起因する結像特性の劣化の中には、従来の結像特性の補正機構やレンズの偏心調整によって或る程度軽減されるものもある。しかしながら、例えば露光時間が長くなる等によってその空間的な不均一性が顕著になると、その結像特性の劣化は、従来の結像特性の補正機構やレンズの偏心調整等では補正が困難となる。その結果、従来の結像特性の補正機構では補正しきれない結像特性の劣化、例えば残存収差が発生することになる。
【０００５】
また、従来の結像特性の補正機構によって投影光学系の全部の結像特性が補正できるわけではなく、例えば非点収差などは従来の補正機構では補正が困難であった。そのため、露光開始前から或る程度の残存収差は存在していた。今後、半導体デバイス等の一層の微細化が進むにつれて、そのような残存収差も補正できることが求められている。
本発明は、斯かる点に鑑み、投影光学系の温度分布が空間的に不均一になった場合に、その投影光学系の結像特性の劣化を抑制できる露光技術を提供することを第１の目的とする。
【０００６】
更に本発明は、従来の投影光学系の結像特性の補正機構では補正が困難であった結像特性を補正できる露光技術を提供することを第２の目的とする。
更に本発明は、その露光技術を用いて、より高精度にデバイスを製造できるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による露光方法は、露光ビームで第１物体（Ｒ）を照明し、その露光ビームでその第１物体及び投影光学系（ＰＬ）を介して第２物体（Ｗ）を露光する露光方法において、その投影光学系の鏡筒（６）の外面の温度を制御する工程を有するものである。
斯かる本発明によれば、その投影光学系の温度分布が不均一になった場合には、例えばその温度分布が均一になるようにその投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御する。これによって、その投影光学系の結像特性の劣化が抑制できる。また、そのように鏡筒の外面の温度制御は容易に実施できるとともに、内部の急激な温度変化を避けることができる。
【０００８】
この場合、その温度を制御する工程は、その投影光学系の所定の残存収差を補正するために実行されてもよい。これによって、残存収差としての例えば従来の結像特性の補正機構では補正が困難であった所定の結像特性（例えば非点収差）も補正できる。
次に、本発明による露光装置は、露光ビームで第１物体（Ｒ）を照明し、その露光ビームでその第１物体及び投影光学系（ＰＬ）を介して第２物体（Ｗ）を露光する露光装置において、その投影光学系の鏡筒（６）の外面の温度を制御する温度制御装置（２８Ａ〜２８Ｈ，１９；３８Ａ，３８Ｂ，３９Ａ；４４，１９Ａ）を有するものである。
【０００９】
本発明によれば、その温度制御装置によって例えばその投影光学系の温度分布が均一になるように、その鏡筒の外面の温度を制御することで、その投影光学系の結像特性の劣化が抑制できる。
この場合、その温度制御装置は、その投影光学系の所定の残存収差を補正するために、その投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御してもよい。これによって、その露光装置が、その投影光学系を構成する光学部材を駆動する結像特性の補正機構を備えているときに、その補正機構で補正しきれない残存収差をその温度制御装置で補正できる。
【００１０】
また、温度制御装置は、一例としてその投影光学系の鏡筒の外面に装着されて、発熱及び吸熱の少なくとも一方を行う１つ又は複数の吸発熱部（２８Ａ〜２８Ｈ；４６）と、その吸発熱部を駆動する駆動部（１９；１９Ａ）とを有するものである。
この場合、その吸発熱部は、その投影光学系の鏡筒の外面に装着された複数の吸発熱部（２８Ａ〜２８Ｈ）を含み、その駆動部は、その複数の吸発熱部から選択した少なくとも一つの吸発熱部を駆動してもよい。このように複数の吸発熱部を切り換えて動作させることによって、投影光学系の温度分布をより高精度に制御できる。
【００１１】
また、その吸発熱部は、その投影光学系の鏡筒の外面に対して着脱自在か、又はその鏡筒の外面で移動可能であってもよい。これによって、例えば投影光学系の温度分布の実測値に対応して、その温度分布を高精度に制御できる。
また、その温度制御装置は、別の例として、温度制御された流体が供給される配管（３８Ａ，３８Ｂ）と、この配管に連結されてその投影光学系の鏡筒の外面とその流体との間で熱交換を行うために、その鏡筒の外面に装着される熱交換部（３９Ａ）とを有するものである。この場合には、その投影光学系の周囲の温度分布にあまり影響を与えることなく、その投影光学系の温度分布を制御できる。
【００１２】
また、その温度制御装置は、その投影光学系の鏡筒の外面の温度を計測する温度センサ（３６Ａ〜３６Ｅ；３６）を有し、この温度センサの計測結果に基づいてその投影光学系の外面の温度を制御してもよい。これによって、投影光学系の温度制御精度を向上できる。
次に、本発明によるデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、そのリソグラフィ工程で本発明の露光装置を用いてパターン（Ｒ）を感光体（Ｗ）に転写するものである。本発明の適用によって投影光学系の結像特性が向上するため、デバイスをより高精度に製造できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、投影光学系の温度分布が空間的に不均一になった場合に、その温度分布がより均一になるようにその投影光学系の鏡筒の外面の温度を制御することによって、その投影光学系の結像特性の劣化を抑制することができる。
また、本発明によれば、投影光学系の温度分布を制御することによって、従来の投影光学系の結像特性の補正機構では補正が困難であった結像特性を補正できる場合がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい第１の実施形態につき図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本例の露光装置としての走査露光型の投影露光装置を示し、この図１において、床面上に上部が開いた第１コラム１Ａが固定され、第１コラム１Ａ上に門型の第２コラム１Ｂが固定され、第１コラム１Ａの中央に投影光学系ＰＬが支持されている。投影光学系ＰＬは、レンズ等の光学部材が収納された鏡筒６と、この鏡筒６の側面に突き出たフランジ部７とを備え、このフランジ部７が第１コラム１Ａの上面に設置されている。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本例ではほぼ水平面に合致する）内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の紙面に垂直にＹ軸を取って説明する。本例では、Ｙ軸に平行な方向（Ｙ方向）が走査露光時のレチクル及びウエハの走査方向である。
【００１５】
先ず、第１コラム１Ａの底面上に定盤２が設置され、定盤２上にウエハステージ３（第２ステージ）が移動自在に配置され、ウエハステージ３上に不図示のウエハホルダを介して、基板（第２物体又は感光体）としてのフォトレジストが塗布されたウエハＷが吸着保持されている。ウエハステージ３は、例えばリニアモータ方式でＹ方向にウエハＷを連続移動し、Ｘ方向及びＹ方向にウエハＷをステップ移動するとともに、ウエハＷの表面をオートフォーカス方式で投影光学系ＰＬの像面に合焦させるために、ウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）及び傾斜角を制御する。ウエハステージ３のＸＹ平面内での位置及び回転角は、ウエハステージ駆動系４内のレーザ干渉計によって計測されている。その計測値及び装置全体の動作を統轄制御する主制御系５からの制御情報に基づいて、ウエハステージ駆動系４は、ウエハステージ３の動作を制御する。
【００１６】
また、第２コラム１Ｂの上面にレチクルステージ８（第１ステージ）が移動自在に配置され、レチクルステージ８上に、マスク（第１物体）としての転写用パターンが形成されたレチクルＲが吸着保持されている。レチクルステージ８は、例えばリニアモータ方式でＹ方向にレチクルＲを連続移動し、Ｘ方向、Ｙ方向、及び回転方向にレチクルＲの位置を微調整する。レチクルステージ８のＸＹ平面内での位置及び回転角はレチクルステージ駆動系９内のレーザ干渉計によって計測されている。その計測値及び主制御系５からの制御情報に基づいて、レチクルステージ駆動系９はレチクルステージ８の動作を制御する。
【００１７】
また、レチクルステージ８の上方に照明光学系１１が設置され、例えば第１コラム１Ａの側面の床面上に露光ビームとしての露光光ＩＬを発生する露光光源１０（説明の便宜上、第２コラム１Ｂの上方に図示されている。）が設置されている。露光光源１０としては、例えばＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）のエキシマレーザ光源が使用できる。なお、露光光源として、Ｆ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ2 レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高調波発生装置、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ等を使用する場合にも本発明を適用することができる。
【００１８】
また、照明光学系１１は、オプティカルインテグレータ・ユニット１２、光路折り曲げ用のミラー１３、及びメイン・コンデンサレンズ１４を含んでいる。オプティカルインテグレータ・ユニット１２は、オプティカルインテグレータ（ユニフォマイザ又はホモジナイザ）としてのフライアイレンズ、その射出面に配置された可変開口絞り、リレーレンズ、視野絞り、及びサブ・コンデンサレンズ等から構成されている。その可変開口絞りは、通常の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、並びに光軸を挟むように離れた２つ及び４つの領域をそれぞれ露光光が通過する２極照明及び４極照明用の開口絞り等を切り換えることができる。
【００１９】
その開口絞りの射出面側に、反射率の低いビームスプリッタが配置され、このビームスプリッタで分岐された露光光の光量をモニタするための光電センサ（インテグレータセンサ）も設けられている。この光電センサの検出情報、及び上記の開口絞りの種類（２極照明等）の情報は、結像特性制御系１５（詳細後述）内の制御部１７に供給され、制御部１７は、その検出情報からウエハＷ上での露光光ＩＬの光量、及び投影光学系ＰＬ内に蓄積される露光光ＩＬのエネルギー量とその分布とを求める。例えば２極照明時には、投影光学系ＰＬの瞳面付近では、投影光学系ＰＬは例えばＸ方向及びＹ方向に細長い形状の回転非対称な領域でエネルギーが蓄積されて、回転非対称な温度分布が生じる。また、その光電センサの検出情報は、不図示の露光量制御系にも供給され、その光電センサの検出結果に基づいてウエハＷへの露光量が制御される。なお、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズの他に内面反射型インテグレータ（例えばロッドインテグレータ）なども使用できる。
【００２０】
露光時に、露光光源１０から射出された露光光ＩＬは、照明光学系１１を介してレチクルＲのパターン面（下面）のＸ方向に細長いスリット状の照明領域を均一な照度分布で照明する。そして、露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域内のパターンの像が投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）で、ウエハＷ上の１つのショット領域のスリット状の露光領域に投影される。本例の投影光学系ＰＬは、例えば屈折系である。投影光学系ＰＬとしてはその他に、例えば国際公開公報(WO) 00/39623 号に開示されている直筒型の反射屈折系や、例えば特開２０００−４７１１４号公報に開示されている、互いに交差する光軸を持つ複数の光学系よりなる反射屈折系等も使用できる。
【００２１】
ウエハＷへの露光時には、先ず不図示のアライメントセンサを用いて、ウエハＷのアライメントが行われる。その後、ウエハＷ上の１つのショット領域を走査露光するために、レチクルＲ上の照明領域へ露光光ＩＬを照射した状態で、レチクルステージ８を介してレチクルＲを＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度ＶＲで移動するのに同期して、ウエハステージ３を介してウエハＷが対応するＹ方向に速度β・ＶＲ（βは投影倍率）で移動する。そのショット領域への走査露光が終了すると、ウエハステージ３のＸ方向、Ｙ方向へのステップ移動によって、次のショット領域が走査開始位置に移動する。以下、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。
【００２２】
さて、露光を継続すると、投影光学系ＰＬを通過する露光光ＩＬの一部のエネルギーの蓄積や投影光学系ＰＬの周囲の温度等の環境条件の変化によって、投影光学系ＰＬの結像特性が次第に変化する。更に、従来の結像特性の補正機構では補正が困難な結像特性は、微小量ではあるが、露光開始前から或る程度は残存している場合もあり得る。そこで、本例の投影露光装置には、投影光学系ＰＬの結像特性を補正するための第１、第２、及び第３の補正機構が備えられている。以下、それらの補正機構について詳細に説明する。
【００２３】
先ず、投影光学系ＰＬの側面付近に、気圧計及び温度計を含む環境センサ１６が設置され、この環境センサ１６で計測される気圧及び温度の情報が結像特性制御系１５内のコンピュータよりなる制御部１７に供給されている。環境センサ１６内の温度計は、実際には投影光学系ＰＬの周囲に複数個配置されており、制御部１７は、投影光学系ＰＬの周囲の温度分布を検出することができる。また、上述のように、制御部１７は、投影光学系ＰＬに蓄積される露光光ＩＬのエネルギー量及びその分布も検出することができる。
【００２４】
制御部１７は、そのように検出される投影光学系ＰＬの周囲の気圧、温度分布、並びに投影光学系ＰＬ内に蓄積されるエネルギー量及びその分布に基づいて、投影光学系ＰＬの結像特性の変化量を算出する。そのように変化する結像特性には、投影光学系ＰＬ内の光学素子の駆動で補正できる収差と、それでは補正できない収差である残存収差とがある。また、その残存収差の中で、露光開始時点から或る程度の量で存在するものがある場合には、そのように始めから存在する残存収差の情報も制御部１７内に記憶されている。投影光学系ＰＬ内の光学素子の駆動で補正できる収差の補正量の情報は、レンズ駆動部１８に供給される。
【００２５】
そして、投影光学系ＰＬ内において、例えばレンズ２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃが駆動可能に構成されている。即ち、レンズ２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃは、それぞれレンズ枠２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ内に保持され、レンズ枠２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃは、それぞれ鏡筒６に対して３個のＺ方向に伸縮自在のピエゾ素子等の駆動素子２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃを介して支持されている。例えば駆動素子２３Ａは、光軸ＡＸの周りにほぼ１２０°間隔で３箇所に配置されており、他の駆動素子２３Ｂ，２３Ｃも同様である。結像特性制御系１５内のレンズ駆動部１８が、駆動素子２３Ａ〜２３Ｃの駆動量を制御することによって、３枚のレンズ２１Ａ〜２１Ｃをそれぞれ光軸ＡＸに沿って移動できるとともに、Ｘ軸及びＹ軸に平行な軸の周りに傾斜させることができる。レンズ駆動部１８は、制御部１７から指示された収差を補正するように、レンズ２１Ａ〜２１Ｃを駆動する。これによって、例えばディストーション等の収差を補正することができる。本例では、レンズ２１Ａ〜２１Ｃ、駆動素子２３Ａ〜２３Ｃ、及びレンズ駆動部１８を含んで、従来型の結像特性の補正装置（第１の補正装置）が構成されている。なお、この従来型の結像特性の補正装置のより詳細な動作及び構成は、例えば特開平４−１３４８１３号公報に開示されている。
【００２６】
次に、投影光学系ＰＬ内の光学素子の駆動では補正できない残存収差については、本例では投影光学系ＰＬの全体としての温度上昇を抑制することによって予めできるだけ発生しないようにするとともに、投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性によって発生する残存収差（例えば非点収差）については、対応する可変の温度制御によって補正する。そのために、投影光学系ＰＬのフランジ部７の周囲を囲むように配管２４が設けられ、配管２４内を温度制御された流体媒体としての液体（例えば冷媒）が循環している。配管２４は、フランジ部７の表面に設けられた凸の支持部２６によって、落ちないように支持されている。その液体としては、例えば純水、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、又はフッ素系不活性液体（例えばフロリナート（米国スリーエム社の商品名）が使用できる）等が使用できるが、環境的には例えば純水が望ましい。また、その配管２４中に熱交換器２５Ａが連結され、熱交換器２５Ａはフランジ部７の側面に大きな接触面積（熱接触面積）で密着して固定されている。熱交換器２５Ａは、例えばアルミニウムや銅のような熱伝導率の良好な金属で形成された箱状部材であり、その内部をその液体が流れる構造である。
【００２７】
図２は、図１のＡＡ線に沿う断面図であり、この図２に示すように、フランジ部７の＋Ｙ方向の側面には熱交換器２５Ａに対向するように、別の同一構成の熱交換器２５Ｂも大きな接触面積で密着するように固定されている。そして、図１の配管２４は、実際には３つの配管２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃから構成され、液体の温度を所定温度に制御する液体温度制御装置２７から排出された温度制御された液体は、配管２４Ａ、熱交換器２５Ａ、配管２４Ｂ、熱交換器２５Ｂ、及び配管２４Ｃを介して液体温度制御装置２７に回収されている。液体温度制御装置２７、配管２４Ａ〜２４Ｃ、及び熱交換器２５Ａ，２５Ｂから、投影光学系ＰＬの鏡筒６に対して固定的に設置されて、投影光学系ＰＬの全体としての温度上昇を抑制するための「液体温調系」が構成されている。この液体温調系は、結像特性の第２の補正機構とも呼ぶことができる。
【００２８】
主に露光光ＩＬに起因する投影光学系ＰＬの鏡筒６内の熱エネルギーは、フランジ部７及び熱交換器２５Ａ，２５Ｂを介して配管２４Ａ〜２４Ｃ中を流れる液体に効率的に伝達されて、投影光学系ＰＬの温度上昇が抑制される。なお、熱交換器２５Ａと同様の全部で４個の熱交換器を、フランジ部７を光軸ＡＸの周りにほぼ等角度間隔で囲むように設けてもよい。これによって、投影光学系ＰＬの全体としての温度上昇が抑制される。
【００２９】
更に、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に密着するように、光軸ＡＸの周りにほぼ等角度間隔で８個の加熱装置２８Ａ〜２８Ｈ（吸発熱部）が装着されている。これらの加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの単位時間当たりの発熱量は、図１の結像特性制御系１５内のヒータ制御電源１９（駆動部）によって制御されている。加熱装置２８Ａ〜２８Ｈ及びヒータ制御電源１９が、温度制御装置に対応している。また、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈ、ヒータ制御電源１９、及び制御部１７からなる制御機構は、結像特性の第３の補正機構とも呼ぶことができる。そして、制御部１７の制御のもとで、ヒータ制御電源１９は、一例として投影光学系ＰＬ内の温度分布ができるだけ均一になるように、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈから選択された１つ又は複数個の加熱装置でそれぞれ単位時間当たりに目標とする熱量を発生させる。なお、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈ（吸発熱部）の個数及び配置は、投影光学系ＰＬ内で発生する温度分布の不均一性に応じて定められるものであり、その個数は１個以上の任意の個数が考えられるとともに、その配置も任意の配置が可能である。
【００３０】
図３は、図２中の加熱装置２８Ａを示す拡大断面図であり、本例の投影光学系ＰＬの鏡筒６は、鉄又は他の磁性体より形成されているものとする。図３において、鏡筒６の外面に、一方の端部が開いた箱状のカバー２９が、その開放端が密着するように装着されている。カバー２９は、鉄やその他の磁性体で形成されてヨークとしても使用される。カバー２９の内面に矢印Ａの方向（鏡筒６の外面の法線方向）に磁化された永久磁石よりなる磁石３３が、磁力によって密着している。そして、磁石３３の表面に、矢印Ａの方向と平行な矢印Ｂの方向に付勢力を発生する板ばね３２を介してヒータ３１が装着され、ヒータ３１と鏡筒６との間に、ヒータ３１と鏡筒６との間の熱伝導性及び密着性を高めるために、熱伝導率が良好で可撓性の良好な部材であるグラファイトシート３０が配置されている。カバー２９、磁石３３、板ばね３２、ヒータ３１、及びグラファイトシート３０から加熱装置２８Ａが構成されている。なお、グラファイトシート３０を省略して、ヒータ３１を直接に鏡筒６の外面に密着させてもよい。
【００３１】
この構成において、磁石３３の磁束はヨークとしてのカバー２９を介して、効率的にカバー２９と鏡筒６との接触部に集中するため、磁石３３の磁力によってカバー２９は鏡筒６の外面に吸着されて固定される。また、カバー２９は、作業者が鏡筒６の外面から容易に取り外すことも可能である。即ち、加熱装置２８Ａ（カバー２９）は、鏡筒６の外面に着脱自在又は移動自在に設けられているため、加熱装置２８Ａは必要に応じて鏡筒６の外面のどの位置にも移動することができる。また、板ばね３２の付勢力によって、ヒータ３１及びグラファイトシート３０は、磁石３３から鏡筒６側に押し付けられ、ヒータ３１はグラファイトシート３０を介して鏡筒６の外面に密着している。
【００３２】
また、ヒータ３１は、電気的な抵抗体をアルミナのような絶縁性材料で被覆した構造をもつヒータであり、ヒータ３１の抵抗体にリード線３５を介して、結像特性制御系１５内のヒータ制御電源１９から電圧が加えられている。ヒータ３１を構成する抵抗体に関しては、発熱量の制御が可能で、半恒久的に動作可能で、有害なガス等を発生しないものが望ましい。具体的に、ヒータ３１としては、白金系薄膜抵抗体を焼結アルミナ板（絶縁体）で封じたものを用いていることができる。その抵抗体は、直流又は交流のどちらで駆動しても良いが、発熱量を制御するために、入力パワーを制御できるように構成される。本例では、その抵抗体の抵抗値が比較的安定な温度領域で使用するために、その抵抗体（ヒータ３１）は定電圧駆動を行うこととする。
【００３３】
このように本例の加熱装置２８Ａは、その内部のヒータ３１が鏡筒６の外面に実質的に密着して配置され、かつヒータ３１の発熱量はヒータ制御電源１９によって容易に制御できるため、加熱装置２８Ａによって鏡筒６の外面の所望の位置を所望のタイミングで、かつ所望の熱量（単位時間当たりの熱量）で加熱することができる。他の加熱装置２８Ｂ〜２８Ｈも加熱装置２８Ａと同様に構成されている。
【００３４】
なお、本例では磁石３３を用いて加熱装置２８Ａ〜２８Ｈを鏡筒６の外面に固定しているが、磁石３３以外に加熱装置２８Ａ〜２８Ｈを鏡筒６の外面に安定に、又は半恒久的に固定できる部材であれば、何でも使用することができる。例えば、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈは、固定ねじによる固定、又は粘着テープによる固定等によって、鏡筒６の外面に固定してもよい。
【００３５】
次に、本例において、図１の投影光学系ＰＬ内の光学素子の駆動では補正できないとともに、投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性によって発生する残存収差を補正する動作の一例につき説明する。この場合、図１の制御部１７では、環境センサ１６を介して検出される投影光学系ＰＬの周囲の温度分布、及び投影光学系ＰＬ内に蓄積される露光光ＩＬのエネルギー量及びその分布に基づいて、投影光学系ＰＬ内の温度分布の変化を露光時間の経過とともに所定のサンプリングレートで計算する。この際に、図２の温度制御された液体を用いる熱交換器２５Ａ，２５Ｂ等による温度安定化の効果も当然に考慮される。
【００３６】
その結果、図２において、例えば投影光学系ＰＬ内の加熱装置２８Ａ〜２８Ｈが設置されている付近の光学部材において、光軸ＡＸを通りＹ軸に平行なスリット状の領域の温度が他の領域よりもΔＴだけ高くなっていることが分かったと仮定する。この場合、図１の制御部１７はヒータ制御電源１９に対して、投影光学系ＰＬの鏡筒６の＋Ｘ方向及び−Ｘ方向の端部の温度をΔＴだけ高めるように制御情報を発する。これに応じて、ヒータ制御電源１９では、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの内で−Ｘ方向及び＋Ｘ方向の端部の２つの加熱装置２８Ａ及び２８Ｅのみに所定時間だけ、所定熱量を発生させる。これによって、加熱装置２８Ａ及び２８Ｅに接触する鏡筒６の部分の温度が上昇し、温度分布の等温線３４Ａ及び３４Ｅで示すように、内部の光学部材の温度が−Ｘ方向及び＋Ｘ方向の端部でも上昇する。従って、その光学部材の温度分布は均一な状態に近づいて、屈折率の分布が均一になり、微妙な形状の変形も抑制される。この結果、投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性によって発生していた残存収差は実質的に補正されて、投影光学系ＰＬの結像特性は向上する。
【００３７】
この場合、本例では、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面の周囲の８箇所に加熱装置２８Ａ〜２８Ｈが配置されているため、投影光学系ＰＬ内の種々の不均一な温度分布を加熱装置２８Ａ〜２８Ｈによって均一な分布に近づけることができる。従って、投影露光装置が使用される種々の条件下でそれぞれ良好な結像特性を得ることができる。
また、このように鏡筒６の外面に加熱装置２８Ａ〜２８Ｈを装着することは容易に実施できるため、例えば既に半導体製造工場等に設置してある投影露光装置に対しても、容易にその加熱装置２８Ａ〜２８Ｈを含む温度制御装置を設置して、結像特性を向上させることができる。また、鏡筒６の外面から加熱する場合には、内部での温度変化が比較的緩慢であるため、投影光学系ＰＬ内の光学部材の温度が急激に変化することによる悪影響を回避できる場合がある。
【００３８】
なお、上記の実施形態では、投影光学系ＰＬ内の温度分布が均一になるような制御を行っていた。しかしながら、例えば露光開始時点から非点収差等の残存収差が存在する場合には、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの加熱量を制御して、投影光学系ＰＬ内の温度分布をあえて回転非対称にして、その残存収差を補正するような制御も可能である。更に、投影光学系ＰＬの光学素子の駆動では補正できない残存収差のみならず、それらの光学素子の駆動によって補正できる収差のうちで、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの加熱によって補正できる収差がある場合には、そのような収差を加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの加熱によって積極的に補正しても良い。これによって、投影光学系ＰＬの光学素子の駆動機構を簡略化できる可能性がある。
【００３９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態につき図４を参照して説明する。本例は、第１の実施形態に対して温度センサを加えたものであり、図４において、図１に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図４は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図４において、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に光軸ＡＸの周りにほぼ等角度間隔で８個の加熱装置が密着するように配置されている。以下では、その８個の加熱装置を図４に現れている５個の加熱装置２８Ａ〜２８Ｅで代表して説明する。それらの加熱装置２８Ａ〜２８Ｅ（吸発熱部）の発熱量は結像特性制御系１５内のヒータ制御電源１９（駆動部）によって制御される。
【００４０】
また、加熱装置２８Ａ〜２８Ｅの近傍の鏡筒６の外面にそれぞれ温度センサ３６Ａ〜３６Ｅが固定され、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅの検出信号を温度検出回路２０で処理することによって、温度検出回路２０は温度センサ３６Ａ〜３６Ｅが設置されている鏡筒６の外面の位置での温度をそれぞれ検出する。この場合、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅとして、本例ではサーミスタを用いている。なお、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅとして、その他の熱伝対又は半導体等の温度センサも使用できる。
【００４１】
検出された鏡筒６の外面の加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの近傍での温度の情報は、制御部１７に供給される。制御部１７は、投影光学系ＰＬの周囲の温度分布、投影光学系ＰＬを通過する露光光ＩＬのエネルギー量（分布を含む）、及び温度センサ３６Ａ〜３６Ｅの検出結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性によって発生する収差を補正するために、ヒータ制御電源１９を介して加熱装置２８Ａ〜２８Ｅを駆動する。本例の結像特性制御系１５は、レンズ駆動部１８、制御部１７、ヒータ制御電源１９、及び温度検出回路２０より構成されている。また、加熱装置２８Ａ〜２８Ｈ、ヒータ制御電源１９、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅ、温度検出回路２０、及び制御部１７が全体として温度制御装置に対応している。この他の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００４２】
本例においては、加熱装置２８Ａ〜２８Ｅ近傍の鏡筒６の外面にそれぞれ温度センサ３６Ａ〜３６Ｅが配置されているため、最も簡単な制御方法としては、加熱装置２８Ａ〜２８Ｅによって設定される鏡筒６の外面の温度がそれぞれ目標とする温度に達したかどうかを温度センサ３６Ａ〜３６Ｅの検出結果によって確認する方法がある。これによって、加熱装置２８Ａ〜２８Ｅによる投影光学系ＰＬの温度制御精度が向上する。また、第２の制御方法として、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅで検出される温度がほぼ同じレベルとなるように加熱装置２８Ａ〜２８Ｅを駆動してもよい。具体的に、例えば中央の温度センサ３６Ｃで検出される温度が最も高い場合には、その近傍の加熱装置２８Ｃはオフにして、その他の加熱装置２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｄ，２８Ｅのみで必要最小限の発熱を行わせて、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅの全部の検出結果がほぼ同じになるようにすればよい。これによって、投影光学系ＰＬ内の温度分布もほぼ均一になるとみなせるため、温度分布の不均一性に起因する残存収差は小さくなる。
【００４３】
また、第３の制御方法として、制御部１７では、先ず投影光学系ＰＬの周囲の温度分布、及び投影光学系ＰＬ内に蓄積される露光光ＩＬのエネルギー量（分布を含む）から、投影光学系ＰＬ内の温度分布を計算する。次に、制御部１７では、その計算された温度分布を温度センサ３６Ａ〜３６Ｅで計測される実際の温度を用いて補正する。そして、この補正後の温度分布の不均一性を軽減するように加熱装置２８Ａ〜２８Ｅを介して投影光学系ＰＬの鏡筒６外面を加熱してもよい。これによって、投影光学系ＰＬ内の温度分布の均一性を向上することができ、結果として結像特性も向上する。
【００４４】
更に、本例においても、例えば露光開始時点から存在する収差を補正するために、あえて投影光学系ＰＬ内の温度分布を不均一にするような加熱方法も可能であり、この場合にも温度制御精度を向上できる。
なお、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅは、必ずしも加熱装置２８Ａ〜２８Ｈに対応させて設ける必要はなく、その個数及び投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面での設置位置は任意である。更に、温度センサ３６Ａ〜３６Ｅは、鏡筒６の外面（表面）の温度を検出しているが、必要に応じて、鏡筒６の外面の温度の他に、投影露光装置内で比較的温度が一定の場所（例えば図２の液体温度制御装置２７（液体温調循環器）の吐液部である配管２４Ａ内の液体等）の温度を検出してもよい。この場合、その比較的温度が一定の場所の温度と鏡筒６の外面の温度との差分に基づいて、加熱装置２８Ａ〜２８Ｅの温度制御をしても良い。
【００４５】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態につき図５及び図６を参照して説明する。本例は、第１の実施形態に対して温度制御装置を熱交換方式に変えたものであり、図５において図１に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図５は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図５において、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に熱交換器３９Ａ（熱交換部）が固定され、第１コラム１Ａの外部に流体媒体としての液体の温度を所定温度に制御する液体温度制御装置３７（第１の液体循環装置）が設置されている。その液体としては、例えば純水、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、又はフッ素系不活性液体（例えばフロリナート（米国スリーエム社の商品名）が使用できる）等が使用できるが、環境的には例えば純水が望ましい。
【００４６】
そして、液体温度制御装置３７から配管３８Ａを介して熱交換部器３９Ａに温度制御された液体が供給され、熱交換器３９Ａ内で鏡筒６との間で熱交換の行われた液体は、配管３８Ｂを介して液体温度制御装置３７に回収されている。熱交換器３９Ａ及び配管３８Ａ，３８Ｂが全体として温度制御装置に対応している。この場合、液体温度制御装置３７から供熱交換器３９Ａに供給される液体の温度を制御することによって、熱交換器３９Ａに接している鏡筒６の外面の温度を制御することができる。なお、熱交換器３９Ａの設置場所、設定温度、設置個数等に制限はない。例えば、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面において、光軸ＡＸに関して熱交換器３９Ａと対称な位置に第２の熱交換器３９Ｂを固定し、この熱交換器３９Ｂにも温度制御された液体を供給してもよい。このように複数の熱交換器３９Ａ，３９Ｂを用いる場合、熱交換器３９Ａ，３９Ｂに対して独立に液体温度制御装置３７と同様の液体温度制御装置を設けて、熱交換器３９Ａ，３９Ｂにパラレルに互いに独立に温度制御された液体を供給してもよい。
【００４７】
また、１つの液体温度制御装置３７に熱交換器３９Ａ，３９Ｂをパラレル又はシリアルに接続してもよい。両者をシリアルに接続したときには、配管が簡素化される。これら熱交換器の配管のしかたは、投影光学系ＰＬの残存収差、或いは鏡筒６の表面温度の状況に応じて選択できる。
図６は、熱交換器３９Ａの構成例を示す拡大断面図であり、この図６において、配管３８Ａ及び３８Ｂの間に、熱伝導率の高い金属等から形成されて内部に温調された液体４２が流れる流路が形成された熱交換本体部４０が連結され、熱交換本体部４０の流路内に、液体４２と鏡筒６との間の熱交換効率を高めるための多数のフィン４１が形成されている。フィン４１の他にも、液体と鏡筒６との間の熱交換効率を増大させる機構はすべて利用することができる。熱交換本体部４０及びフィン４１から熱交換器３９Ａが構成され、その熱交換本体部４０は固定ねじ４２により、鏡筒６の外面に密着するように固定されている。なお、この場合にも、熱交換本体部４０を例えば磁石を用いて着脱又は移動できるように鏡筒６の外面に固定してもよい。
【００４８】
図５に戻り、本例においても、投影光学系ＰＬの鏡筒６のフランジ部７の側面に、投影光学系ＰＬの全体としての温度上昇を抑制するための熱交換器２５Ａが固定され、図２の液体温度制御装置２７（第２の液体循環装置）によって配管２４を介して熱交換器２５Ａ内を温度制御された液体が循環している。この場合、例えば図２の液体温度制御装置２７から熱交換器２５Ａ用に供給される液体の一部を簡単な温度制御系を介して熱交換器３９Ａに供給し、この熱交換器３９Ａ内を流れた液体を液体温度制御装置２７に戻すようにすることも可能である。これによって、全体としての液体温度制御装置（液体循環装置）の構成を簡素化できる。これ以外の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００４９】
本例においても、投影光学系ＰＬ内の温度分布が均一になるように熱交換器３９Ａに供給する液体の温度を制御することによって、温度分布の不均一性に起因する残存収差は小さくなる。また、例えば露光開始時点から存在する収差を補正するために、あえて投影光学系ＰＬ内の温度分布を不均一にするような温度制御も可能である。
［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態につき図７及び図８を参照して説明する。本例は、第１の実施形態に対して加熱装置２８Ａ〜２８Ｈの代わりにペルチエ素子を用いた吸発熱装置を用いるものであり、図７において、図１に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【００５０】
図７は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図７において、投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に吸加熱装置４４（吸発熱部）が密着するように配置されている。この吸発熱装置４４における吸熱量又は発熱量は結像特性制御系１５Ａ内の制御電源１９Ａ（駆動部）によって制御される。本例の吸発熱装置４４は、ペルチエ素子４８（図８参照）を備えている。ペルチエ素子とは、ペルチエ効果を利用して物体の表面温度を制御するデバイスである。ペルチエ素子で鏡筒６の外面の温度を制御する場合、ペルチエ素子の他方の面は充分大きな熱容量の物体（熱浴）に接しておく必要がある。そこで、本例では、図７の吸発熱装置４４の上部に熱浴としての熱交換器４３を固定し、この熱交換器４３内に外部の液体温度制御装置３７（液体循環装置）から配管３８Ａ，３８Ｂを介して一定温度に制御された液体を循環させている。
【００５１】
なお、本例でも投影光学系ＰＬの鏡筒６のフランジ部７の側面に熱交換器２５Ａが設けられており、熱交換器２５Ａに温調された液体を供給するための図２の液体温度制御装置２７と、熱交換器４３用の液体温度制御装置３７とは互いに独立である。ただし、液体温調系を簡素化するために、熱交換器２５Ａ用の図２の液体温度制御装置２７の配管２４Ａから分岐した液体を、吸発熱装置４４上の熱交換器４３に供給してもよい。
【００５２】
図８は、図７中の吸発熱装置４４及び熱交換器４３を示し、この図８において、熱交換器４３の底面に基板４６を介して２枚の所定間隔のアルミナ基板４７が固定され、アルミナ基板４７内に薄膜電極５０を介してペルチエ素子４８が挟まれている。そして、下側のアルミナ基板４７の底面が投影光学系ＰＬの鏡筒６の外面に密着している。また、薄膜電極５０にリード線４５を介して図７の制御電源１９Ａから可変の直流電圧が印加されている。そのように直流電圧を薄膜電極５０間（ペルチエ素子４８）に印加することにより、２枚のアルミナ基板４７間に温度差が生じる。アルミナ基板４７の一方は定温液体が内部を流れる熱交換器４３に熱的に接触し、他方は鏡筒６の外面に熱的に接触している。この構成において、薄膜電極５０間に印加する電圧及びその極性を制御することにより、鏡筒６の外面からの吸熱又はその外面の加熱のいずれをも任意に行うことができる。基板４６、アルミナ基板４７、薄膜電極５０、及びペルチエ素子４８より吸発熱装置４４が構成され、基板４６を固定ねじ４９で鏡筒６に固定することによって、吸発熱装置４４は鏡筒６の外面に密着して固定されている。
【００５３】
図７に戻り、吸発熱装置４４の近傍の鏡筒６の外面に温度センサ３６（図４の温度センサ３６Ａと同様のセンサである）が固定され、温度センサ３６及び温度検出回路２０によって鏡筒６の外面の吸発熱装置４４の近傍位置での温度が検出される。検出された温度の情報は、制御部１７に供給される。制御部１７は、投影光学系ＰＬの周囲の温度分布、投影光学系ＰＬを通過する露光光ＩＬのエネルギー量（分布を含む）、及び温度センサ３６の検出結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬ内の温度分布の不均一性によって発生する収差を補正するために、制御電源１９Ａを介して吸発熱装置４４の吸熱量又は発熱量を制御する。本例の結像特性制御系１５Ａは、レンズ駆動部１８、制御部１７、制御電源１９Ａ、及び温度検出回路２０より構成されている。また、吸発熱装置４４、制御電源１９Ａ、温度センサ３６、温度検出回路２０、及び制御部１７が全体として温度制御装置に対応している。この他の構成は、第１の実施形態と同様である。なお、本例においても、吸発熱装置４４の設置位置及びその設置個数は任意である。
【００５４】
本例においても、吸発熱装置４４を介して鏡筒６の外面の温度を制御することで、投影光学系ＰＬの温度分布の不均一性に起因する残存収差は小さくなる。また、例えば露光開始時点から存在する収差を補正するために、あえて投影光学系ＰＬ内の温度分布を不均一にするような吸加熱方法も可能である。なお、本例においても、温度センサ３６は省略することも可能である。
【００５５】
なお、上記の実施の形態は、本発明を走査露光型の投影露光装置に適用したものであるが、本発明は一括露光型の投影露光装置（ステッパー等）にも適用することができる。更に本発明は、例えば国際公開（ＷＯ）第９９／４９５０４号などに開示される液浸型露光装置にも適用することができる。
【００５６】
また、上記の実施の形態の投影露光装置は、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５７】
更に、上記の実施の形態の投影露光装置を用いてウエハ上に半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいたレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、上記の実施の形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。
【００５８】
なお、本発明の露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【００５９】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明のデバイス製造方法によれば、投影光学系の結像特性が向上するため、より高精度にデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１の実施形態で使用される投影露光装置を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】図１のＡＡ線に沿う断面図である。
【図３】図１中の加熱装置２８Ａを示す拡大断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態で使用される投影露光装置を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態で使用される投影露光装置を示す図である。
【図６】図５中の熱交換器３９Ａを示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態で使用される投影露光装置を示す図である。
【図８】図７中の熱交換器４３及び吸発熱装置４４を示す一部を切り欠いた拡大図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、１５，１５Ａ…結像特性制御系、１７…制御部、１９…ヒータ制御電源、１９Ａ…制御電源、２８Ａ〜２８Ｈ…加熱装置、２５Ａ…熱交換器、２７…液体温度制御装置、３１…ヒータ、３６Ａ〜３６Ｅ…温度センサ、３９Ａ，４３…熱交換器、３７…液体温度制御装置、４４…吸発熱装置、４８…ペルチエ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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