(57)【要約】【課題】基板上に水蒸気を噴射させ、基板上の微粒子、有機物、金属粉等を除去することができ、洗浄方法及び洗浄装置を提供することにある。【解決手段】基板３７の表面を洗浄する洗浄装置において、水素と酸素を燃焼させ、水蒸気を生成する容器１と、容器１と接続され、水蒸気を連続的または間歇的に基板３７の表面に噴射させて洗浄する水蒸気供給管２９とを具備し、容器１内で水素と酸素を燃焼させ、燃焼後の水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、基板３７の表面に噴射することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を洗浄する洗浄方法において、
水素と酸素を燃焼させ、燃焼後の水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射することを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
基板の表面を洗浄する洗浄方法において、
酸素流量と水素流量の流量比を、１：１．２〜１：２．０２の範囲で、水素と酸素を燃焼させ、燃焼炎から照射された紫外線と燃焼熱を利用して過剰酸素からオゾンとラジカル酸素を発生させ、燃焼後の酸素とオゾンとラジカル酸素を含んだ水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射することを特徴とする洗浄方法。
【請求項３】
請求項２において、燃焼後の酸素とオゾンとラジカル酸素を含んだ水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射した後、所定時間だけ基板上に有機溶剤の蒸気を噴射し、基板上の水膜を有機溶剤で置換することを特徴とする洗浄方法。
【請求項４】
請求項３において、基板上に有機溶剤の蒸気を噴射し、基板上の水膜を有機溶剤で置換した後、前記基板上に加熱窒素を噴射することを特徴とする洗浄方法。
【請求項５】
基板の表面を洗浄する洗浄装置において、
水素と酸素を燃焼させ、水蒸気を生成する容器と、
前記容器と接続され、水蒸気を連続的または間歇的に前記基板の表面に噴射させて洗浄する水蒸気供給管と、
を具備したことを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】
前記水蒸気供給管に、有機溶剤の蒸気供給管を接続し、蒸気の凝縮を防止して基板上の水膜を有機溶剤で置換するようにしたことを特徴とする請求項５記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板等を洗浄する洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の洗浄方法として、過酸化水素と水酸化アンモニウムのＳＣ−１溶液と、過酸化水素と希塩酸のＳＣ−２溶液を用いたＲＣＡ洗浄法が知られている。このＲＣＡ洗浄法では半導体基板を洗浄槽に浸漬させて洗浄するため、半導体基板を洗浄したときに洗浄液中の金属不純物が半導体基板の表面に付着したり、半導体基板の表面から一度除去された金属不純物が再付着する問題があった。そして、近年の半導体基板の大口径化、微細プロセス化、新配線材料導入の動きも出てきており、従来のＲＣＡ洗浄法の見直しが検討されている。
【０００３】
また、地球環境に対する負荷を低減するという観点から大量の薬液・超純水を使用する従来の洗浄プロセスを見直す必要が出てきており、これらの諸問題を解決する方法として、半導体基板を一枚ごとに洗浄する枚葉方式による洗浄方法に関心が高まっている。そして、短い洗浄時間で半導体基板上のパーティクル、金属汚染、有機汚染を除去するためにオゾン水、といった洗浄用機能水を利用した洗浄装置が開発され使用されている。
【０００４】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて使用されるオゾン水には、水に溶解しているオゾン濃度が高いこと及びクリーン度が高く、不純物を含まないことが要求される。通常、オゾン水は、純水の電気分解や酸素ガスの放電式で生成されたオゾンガスを純水または超純水と接触させてオゾンガス中のオゾンを純水に溶解させて生成する。オゾンガスの製造原料として高純度酸素ガスを使用し、オゾン水の製造原料として純水または超純水を使用するのは、オゾンガスから不純物を排除し、オゾン水中の不純物を低減するために他ならない。
【０００５】
しかしながら、オゾンの超純水に対する溶解度は低い。例えば、枚葉式洗浄に使用される場合は、３０ｐｐｍ程度であり、オゾンの溶解量が少ないために満足できるような洗浄力が得られず、使用範囲が限定されるとともに、迅速な洗浄が困難となっている。
【０００６】
よって、オゾンの溶解度をいかに高めるかが大きな課題となっている。また、オゾンは純水中では比較的不安定なため、純水に溶けたオゾンは自己分解し易く濃度の維持が困難という固有の問題がある。原水である超純水の純度などにも依存するが、１０ｐｐｍ以上のオゾン水の濃度は、配管を２０ｍ通すと２ｐｐｍ以下まで下がることが確認されている。このため、オゾン水洗浄においては、洗浄機のできるだけ近くにオゾン水供給設備を配置する必要がある。また、安定した濃度を得るためには、使用・不使用に関わらず、オゾン水が連続供給されることになり、不使用の場合は、半導体基板に触れることなくブロー排水される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したようにオゾン水では純水に対する溶解度が低い。また、配管を通すだけでさらに溶解度が下がることが確認されている。従って、高溶解度のオゾン水を作り、配管を通しても溶解度が下がらないようにすることが課題となっている。
【０００８】
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、基板上に水蒸気を噴射させ、基板上の微粒子、有機物、金属粉等を除去することができる洗浄方法及び洗浄装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、前記目的を達成するために、請求項１は、基板の表面を洗浄する洗浄方法において、水素と酸素を燃焼させ、燃焼後の水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射することを特徴とする。
【００１０】
請求項２は、基板の表面を洗浄する洗浄方法において、酸素流量と水素流量の流量比を、１：１．２〜１：２．０２の範囲で、水素と酸素を燃焼させ、燃焼炎から照射された紫外線と燃焼熱を利用して過剰酸素からオゾンとラジカル酸素を発生させ、燃焼後の酸素とオゾンとラジカル酸素を含んだ水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射することを特徴とする。
【００１１】
前記酸素流量と水素流量の流量比は、好ましくは、１：１．５〜１：１．９の範囲である。
【００１２】
請求項３は、請求項２において、燃焼後の酸素とオゾンとラジカル酸素を含んだ水蒸気を連続的または間歇的に生成させ、前記基板の表面に噴射した後、所定時間だけ基板上に有機溶剤の蒸気を噴射し、基板上の水膜を有機溶剤で置換することを特徴とする。
【００１３】
請求項４は、請求項３において、基板上に有機溶剤の蒸気を噴射し、基板上の水膜を有機溶剤で置換した後、前記基板上に加熱窒素を噴射することを特徴とする。
【００１４】
請求項５は、基板の表面を洗浄する洗浄装置において、水素と酸素を燃焼させ、水蒸気を生成する容器と、前記容器と接続され、水蒸気を連続的または間歇的に前記基板の表面に噴射させて洗浄する水蒸気供給管とを具備したことを特徴とする。
【００１５】
請求項６は、請求項５の前記水蒸気供給管に、有機溶剤の蒸気供給管を接続し、蒸気の凝縮を防止して基板上の水膜を有機溶剤で置換するようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、水素と酸素を燃焼させ、燃焼後の水蒸気を連続的または間歇的に生成させることにより、基板上の微粒子、有機物、金属粉等を効率的に除去することができる。さらに、オゾン発生から基板までの配管を長くしても、自己分解することなく高濃度のオゾンを基板に供給することができ、基板を任意の位置に設置することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１はオゾン水蒸気洗浄装置の全体構成を示し、高純度水素と高純度酸素を燃焼させて水蒸気を生成させるための石英ガラス製の円筒状の容器１が設けられている。容器１の外周部には容器１を囲繞するようにヒーター２が設けられ、容器１内を常時６００℃以上に加熱できるようになっている。容器１及びヒーター２のさらに外周にはヒーター２からの輻射熱及び容器１内の燃焼炎から発生する輻射熱を吸収するための水冷ジャケット３が設けられている。
【００１９】
また、容器１内の燃焼炎を監視する目的で、水冷ジャケット３には炎検出器４が設けられている。さらに、水冷ジャケット３を貫通して容器１には水素供給管５及び酸素供給管６が設けられ、水素供給管５及び酸素供給管６には容器１の内部に位置する水素ノズル７及び酸素ノズル８が設けられている。
【００２０】
水素供給管５及び酸素供給管６は水素・酸素流量制御装置９の水素供給口１０及び酸素供給口１１と配管接続されている。また、水素供給管５、酸素供給管６は、窒素供給口１２、１３とも配管接続されている。水素・酸素流量制御装置９には水素供給口１０と水素供給源１４とを接続する配管１５が設けられ、この配管１５には水素弁１６及び水素マスフローコントローラ１７が設けられている。さらに、窒素供給口１２と窒素供給源１８とを接続する配管１９には窒素弁２０が設けられている。
【００２１】
また、水素・酸素流量制御装置９には酸素供給口１１と酸素供給源２１とを接続する配管２２が設けられ、この配管２２には酸素弁２３及び酸素マスフローコントローラ２４が設けられている。さらに、窒素供給口１３と窒素供給源１８とを接続する配管２５には窒素弁２６が設けられている。
【００２２】
容器１は水蒸気供給管２９を介してチャンバ３０に接続されている。水蒸気供給管２９の入口側には多数の小孔を穿設した複数枚の板を組み合わせた撹拌混合板３１が設けられ、水蒸気Ｈ２ＯとオゾンＯ３、ラジカル酸素ＲＯが通過する際に混合撹拌されるようになっている。また、水蒸気供給管２９の内部に石英棒３２を螺旋構造に溶接して水蒸気供給管２９の内部には螺旋状の水蒸気通路３３が形成されている。そして、水蒸気Ｈ２ＯとオゾンＯ３、ラジカル酸素ＲＯが水蒸気供給管２９の内部で、より混合撹拌されたオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３となって水蒸気供給管２９の出口からチャンバ３０内に噴射されるように構成されている。
【００２３】
チャンバ３０の内部には回転軸３５を中心として回転する基板載置台３６が設けられ、この基板載置台３６には半導体ウェハ等の基板３７が載置されている。そして、基板３７の上面の中央部には水蒸気供給管２９の出口に設けられた水蒸気供給ノズル３８が対向して設けられている。基板３７と水蒸気供給管２９の距離Ｈは数ｍｍに設定され、そして、オゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３の飛散防止と共に、基板３７上の内部圧力を上げ、オゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３が効率良く均一に基板３７の表面へ供給されるように構成されている。
【００２４】
また、水蒸気供給管２９の内部には有機溶剤の一例として、イソプロピルアルコール（isopropyl alcohol ：以下ＩＰＡと呼ぶ）を供給するＩＰＡ蒸気供給管３９が設けられている。ＩＰＡ蒸気供給管３９は、基端部にＩＰＡ供給口４０及び純水供給口４１を有し、先端部は水蒸気供給ノズル３８に対向している。そして、水蒸気供給管２９の内部を流れる数百℃のオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３によってＩＰＡ蒸気供給管３９を加温し、ＩＰＡ蒸気供給管３９内でＩＰＡ蒸気が凝縮することなく、水蒸気供給ノズル３８から噴射することができるようになっている。なお、ＩＰＡ蒸気Ｖはオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３と同時、またはオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３の供給前（供給停止後）に単独でＩＰＡ蒸気供給ノズル３８から噴射することが可能である。
【００２５】
次に、前述のように構成されたオゾン水蒸気生成装置の作用について説明する。
【００２６】
水素・酸素流量制御装置９は、容器１内に供給する水素、酸素の供給（停止）制御及び水素、酸素の流量制御を行う。酸素流量と水素流量の流量比は、１：１．２〜１：２．０２の範囲で、好ましくは、１：１．５〜１：１．９の範囲である。
【００２７】
蒸気の生成を必要とする時には、水素・酸素流量制御装置９の水素弁１６及び酸素弁２３を開き、水素マスフローコントローラ１７及び酸素マスフローコントローラ２４で流量制御された水素Ｈ2を水素供給口１０、酸素Ｏ2を酸素供給口１１からそれぞれ水素供給管５、酸素供給管６に供給して容器１内の水素ノズル７及び酸素ノズル８から噴出する。
【００２８】
このとき、容器１内は、水素Ｈ2の着火温度以上の６００℃以上となっているため、容器１内の温度が水素着火源となり、容器１の内部で水素Ｈ2と酸素Ｏ2の水素燃焼炎２７が生じ、清浄な水蒸気２８が生成される。水蒸気２８の生成量は、酸素マスフローコントローラ２４で制御されている水素流量で決定され、水蒸気供給管２９から噴射される水蒸気２８の温度は、表１の通り、燃焼時の水素流量の増加と共に増加する。ただし、水蒸気供給管２９の延長と共に蒸気温度は減少する。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
オゾンの生成方法の一つとして、紫外線の中でも波長の短いオゾン発生線と呼ばれる２４０ｎｍ以下の紫外線を酸素分子に照射すると、酸素分子が解離して酸素原子が２個発生し、この酸素原子が他の酸素分子と結合してオゾンＯ３が生成される。簡単には下記の通りである。
【００３１】
Ｏ２＋紫外線（２４０ｎｍ）＝Ｏ＋Ｏ
前記酸素原子が他の酸素と結合して、
Ｏ２＋Ｏ＝Ｏ３（オゾン）
オゾン生成手段は、適正な容器１内で、適正な酸素・水素の燃焼比で燃焼させることにより、容器１内に燃焼に寄与しなかった過剰酸素Ｏ２を発生させ、この過剰酸素Ｏ２がオゾンＯ３の生成に必要な酸素となる。そして、オゾンＯ３の生成に必要な２４０ｎｍ以下の紫外線は水素燃焼炎２７から照射される。
【００３２】
具体的には、水素Ｈ2と酸素Ｏ2が燃焼して蒸気が生成される燃焼反応式は下記の通りであり、
２Ｈ２＋Ｏ２＝２Ｈ２Ｏ
水素２体積と酸素１体積から蒸気２体積が生成される。すなわち、水素２体積と酸素１体積で完全燃焼した場合、水素、酸素が残留することなく水蒸気だけが生成される。完全燃焼時の体積比；水素／酸素＝２
よって、オゾン生成手段は、燃焼時の水素、酸素の体積比を１．９程度となるように、水素Ｈ2、酸素Ｏ2の流量を酸素マスフローコントロール２４、水素マスフローコントローラ１７で設定し、燃焼時にオゾン生成に必要な過剰酸素Ｏ２を発生させる。この過剰酸素Ｏ２が、水素燃焼炎２７から放射される２４０ｎｍ以下の紫外線を吸収して、２個の酸素原子に解離し、酸素原子が他の過剰酸素Ｏ２と結合して、オゾンＯ３が生成される。
【００３３】
オゾンＯ３は２５４ｎｍの紫外線、或いは４００℃程度以上の熱を吸収することによって瞬時に分解され、励起酸素原子（ラジカル酸素ＲＯ）を生成する。このラジカル酸素ＲＯが有機物を酸化させて、二酸化炭素（ＣＯ２）と水（Ｈ２Ｏ）に分解し揮発除去する。
【００３４】
前記の通り、有機物はラジカル酸素ＲＯによって酸化され、二酸化炭素と水になり、揮発除去される化学反応であるため、有機物の除去速度は高温に強く依存し、高温オゾンが有効である。
【００３５】
一般的に、基板洗浄としてオゾンＯ３を使用する場合は、基板３７を加熱して化学反応を促進している。また、オゾンＯ３＋紫外線の場合と、オゾンＯ３＋紫外線＋水蒸気２８と比較した場合、本プロセスにおいては、オゾンＯ３が水に溶けて、ＯＨ基が生成され、これが有機物除去に大きく関与する。
【００３６】
ラジカル酸素ＲＯを生成する手段は、適正な容器１内で、適正な酸素Ｏ2・水素Ｈ2の燃焼比で燃焼させることにより、水素燃焼炎２７から２４０ｎｍ以下の紫外線の放射と同時に２５４ｎｍの紫外線も放射されている。また、水素燃焼炎２７の熱放射温度は、数百℃以上となっている。よって、燃焼時に生成されたオゾンＯ３は、水素燃焼炎２７から放射された２５４ｎｍの紫外線を吸収してまたは、水素燃焼炎２７からの放射される数百℃以上の熱を吸収してラジカル酸素ＲＯを生成する。
【００３７】
ラジカル酸素ＲＯは、４００℃以上と高温のため、基板３７を加熱して化学反応を促進する必要がない。また、オゾンＯ３は、水蒸気Ｈ２Ｏの生成と同時に生成されるため、水蒸気Ｈ２Ｏを別ラインから供給する必要がない。
【００３８】
水蒸気Ｈ２ＯとオゾンＯ３、ラジカル酸素３０は撹拌混合板３２を通過する際に混合撹拌され、さらに水蒸気供給管２９の内部で混合撹拌されたオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３となって水蒸気供給管２９の出口から噴射される。水蒸気供給管２９の出口から噴射されるオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３のオゾン濃度は、酸素マスフローコントローラ２４で制御されている水素流量で決定され、表２の通り、燃焼時の水素流量の増加と共に増加する。
【００３９】
【表２】
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【００４０】
表２の通り、水素流量５０Ｌ／ｍｉｎで燃焼した場合の水蒸気供給管２９の出口から噴射されるオゾン濃度は、１００〜１２０ｐｐｍ程度であるが、実際には数百ｐｐｍ程度のオゾンが生成されている。このオゾン濃度の減少分が、ラジカル酸素ＲＯの生成に寄与する。
【００４１】
加熱窒素ガスを供給する手段は、酸素供給管６に窒素供給口１３から窒素を供給することにより、酸素ノズル８から容器１内に供給される。容器１内は６００℃以上となっているため、容器１内の温度で加熱窒素ガスが生成され、水蒸気供給管２９の窒素供給ノズル３８から基板３７の表面へ噴射することが可能である。
【００４２】
窒素供給ノズル３８から噴射される加熱ガス温度は、表３の通り、加熱窒素ガス流量の増加と共に増加する。ただし、水蒸気供給管２９の延長と共に加熱窒素ガス温度は減少する。
【００４３】
【表３】
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【００４４】
図２は、図１のオゾン水蒸気生成装置を利用し、基板３７上の微粒子、有機物、金属除去を行う枚葉式基板洗浄装置の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【００４５】
具体的に、オゾン水蒸気生成装置を使用した枚葉スピン洗浄方式による基板洗浄方法を、図２のフローチャート及び図３〜図８を用いて詳細に説明する。図３に示すように、基板３７を基板載置台３６にセットする（ステップＳ１）。次に、オゾン水蒸気生成装置を矢印方向に回転させて、水蒸気供給管２９のチャンバ３０を基板３７の真上位置まで矢印方向に下降させ、チャンバ３０が基板３７を完全に覆う所定の位置まで下げる（ステップＳ２）。
【００４６】
図４に示すように、水蒸気供給管２９を所定位置に設置完了後、回転軸３５を中心として基板載置台３６上の基板３７を水平状態で回転させつつ、ＩＰＡ蒸気供給管３９から基板３７上に純水を噴射する（ステップＳ３）。そして基板３７上に水膜を形成する（ステップＳ４）。
【００４７】
次に、図５に示すように、容器１内に水素Ｈ2と酸素Ｏ2を供給して容器１内で燃焼を開始する（ステップＳ５）。そして、容器１内で水蒸気２８の生成と同時に、オゾンＯ３、ラジカル酸素ＲＯを生成し、撹拌混合板３１、水蒸気供給管２９を通過する際に混合撹拌してオゾン蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３が生成する。このオゾン蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３が水蒸気供給管２９の水蒸気供給ノズル３８から基板３７上に噴射する（ステップＳ６）。
【００４８】
基板３７の水膜にオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３を高い濃度で溶解させつつ、基板３７上にオゾン水を形成する（ステップＳ７）。基板３８上のＦｅ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属原子は、このオゾン水でイオン化され、オゾン水中に溶解して除去される。また、基板３７上の有機物においても、オゾン水の高い酸化力によって分解されオゾン水中に溶解し除去される（ステップＳ８）。
【００４９】
なお、オゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３のみによる基板洗浄を必要とする場合は、基板３７上に純水を噴射して水膜を形成する工程を省いて、基板３７上にオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３のみを噴射して、たとえば、基板３７上の有機物はラジカル酸素によって酸化し、二酸化炭素と水にして揮発除去する。
【００５０】
前記の通り、オゾンＯ３は、水蒸気２８の生成と同時に生成されるため、基板３７上に凝縮した水膜にオゾンが溶けて、ＯＨ基が生成され、これが有機物除去に大きく関与する。また、前記オゾンＯ３、ラジカル酸素は４００℃以上と高温のため、酸化反応を促進するために基板３７をあらかじめ加熱する必要がない。また、オゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３及び純水を基板３７上に噴射中、水蒸気供給管２７を、基板３７上の中心部から基板３７の端部に向かって回転することも可能である。
【００５１】
次に、所定時間だけ基板３７上にオゾン水蒸気Ｈ２Ｏ＋Ｏ３及び純水を噴射する（ステップＳ９）。その後、容器１内に供給している水素Ｈ2と酸素Ｏ2の供給及び純水４０を停止する（ステップＳ１０）。
【００５２】
次に、図６に示すように、ＩＰＡ蒸気発生装置からＩＰＡ蒸気をＩＰＡ蒸気供給管３９に供給してＩＰＡ蒸気供給ノズル３８から基板３７上にＩＰＡ蒸気を噴射する（ステップＳ１１）し、基板３７上にＩＰＡを凝縮（ステップＳ１２）して基板３７上の水膜をＩＰＡに置換する（ステップＳ１３）。なお、ＩＰＡ蒸気を基板３７上に噴射中、水蒸気供給管２９を基板３７上の中心部から基板３７の端部に向かって回転することも可能である。
【００５３】
次に、図７に示すように、所定時間だけ基板３７上にＩＰＡ蒸気を噴射した後、基板３７上の水膜をＩＰＡに置換完了後、ＩＰＡ蒸気供給管２９に供給しているＩＰＡ蒸気の供給を停止する（ステップＳ１４）。窒素供給口１１に配管接続されている酸素供給管６から容器１内の壁面に向けて窒素Ｎ2を供給する。容器１内は６００℃以上となっているため、容器１内の温度が生成され、水蒸気供給管２９を通して窒素供給ノズル３８から基板３７上に１００℃以上の加熱窒素を噴射する（ステップＳ１５）。
【００５４】
よって、基板３７上のＩＰＡが発散され基板３７表面が乾燥される（ステップＳ１６）。なお、加熱窒素を基板３７上に噴射中、水蒸気供給管２９を基板３７上の中心部から基板３７の端部に向かって回転することも可能である。
【００５５】
図８に示すように、基板３７の表面が乾燥した後、窒素の供給を停止（ステップＳ１７）し、オゾン水蒸気生成装置を所定位置まで上昇、回転させて、水蒸気供給管２９を基板３７上から上方へ移動する。移動完了後、基板３７を枚葉スピン洗浄機から搬出する。
【００５６】
前述したように、水素Ｈ2と酸素Ｏ2を燃焼させ、燃焼後の水蒸気２８を連続的または間歇的に生成させることにより、基板３７上の微粒子、有機物、金属粉等を効率的に除去することができる。さらに、オゾン発生から基板３７までの配管を長くしても、自己分解することなく高濃度のオゾンを基板に供給することができ、基板を任意の位置に設置することができる。
【００５７】
なお、この発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態に亘る構成要素を組合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】この発明の第１の実施形態を示し、オゾン水蒸気生成装置の概略的構成図。
【図２】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用を示すフローチャート。
【図３】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【図４】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【図５】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【図６】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【図７】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【図８】同実施形態のオゾン水蒸気生成装置の作用説明図。
【符号の説明】
【００５９】
１…容器、５…水素供給管、６…酸素供給管、２９…水蒸気供給管、３７…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005327992.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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