(57)【要約】【課題】  基板表裏面の高精度な位置合わせ技術や装置が必要なく、素子の製造コストの増加もないダイシング方法を提供すること。【解決手段】  少なくとも一方主面に電極が形成された基板を第１のダイシングブレードが前記電極に接触するようにして分割する工程と、前記分割工程により作製されたダイシング溝に沿って第１のダイシングブレードよりも薄い第２のダイシングブレードを回転させながら通過させる。【選択図】        図５
2005203504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方主面に電極を形成した基板をチップ素子に分割する電子部品の製造方法において、
前記基板の電極を形成した一方主面をベース材上に固定手段を用いて固定する工程と、第１のダイシングブレードにより前記固定手段により固定された基板を、前記電極と前記固定手段の一部を含んでダイシングすることによりダイシング溝を形成する工程と、前記ダイシング溝に沿って第１のダイシングブレードよりも薄い第２のダイシングブレードを回転させながら通過させる工程を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の製造方法において、
第１のダイシングブレードの通過速度よりも第２のダイシングブレードの通過速度を遅くしたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１および請求項２記載の電子部品の製造方法において、
第２のダイシングブレードの前記通過速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ以下としたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３記載の電子部品の製造方法において、
第１のダイシングブレードと第２のダイシングブレードの厚みの差を、５μｍ以上、１５μｍ以下の範囲としたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極を形成した基板を切断して分割する電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の無線通信機器の小型化に伴い、これらの機器に使用する半導体素子や受動素子の小型化が進んでいる。これらの素子は、フォトリソグラフィ技術等を用いて基板上に多数作製される。そしてこの素子が多数作製された基板をダイシングし、チップ化している。このようにチップ素子を製造する過程においては、ダイシング工程が必要である。
【０００３】
前記の半導体素子や受動素子の多くは、所望の電気特性を得る目的等により接地用の裏面電極が必要である。これらの素子をダイシングする場合、例えば基板固定材を用いてベース材に貼りつけた基板を、高速で回転するダイシングブレードによって各素子ごとにダイシングし、チップ化する。このとき使用する金属の延性や展性により裏面電極が完全にダイシングされず、電極のバリが発生する。この裏面電極のバリは、チップ素子を実装する時にチップ素子裏面に折り曲げられ、実装されたチップ素子が傾くという問題を発生させる。またチップ素子と実装基板の回路とを電気的に接続するためにワイヤボンドを行なうが、その場合にも裏面電極のバリが裏面へ折り曲げられることがある。この折り曲げられたバリによりチップ素子が傾き、ワイヤボンドができないという問題が発生する。また機器の小型化のため、実装時の素子間隔を狭くした場合、接近して実装されるチップ素子に裏面電極のバリが接触し、電気的な特性不良が発生する可能性もある。
【０００４】
以上のような裏面電極のある基板のダイシング工程で発生する裏面電極のバリをなくす方法として以下のような方法が提案されている。
【０００５】
特許文献１においては、基板の一方主面に電子部品のパターンを形成し、他方主面に接地用電極を形成した基板において、接地用電極面のダイシングされる部分にダイシングブレードの幅よりも狭い電極のない部分を作製している。この電極のない部分をダイシングすることにより、電極のバリの発生をなくすことができる。
【０００６】
また特許文献２の製造方法は、セラミック基板の両面に金属膜の電極を形成し、このセラミック基板をダイシングするセラミック電子部品の製造方法において、金属膜の少なくとも一方の上面に当該金属よりも延性および展性の小さい材料層を形成し、この材料層を形成したセラミック基板をチップ素子にダイシングするようにしたものである。セラミック基板裏面の電極が、例えばガラス等の延性、展性の小さい材料層で覆われているので、裏面電極の金属膜がダイシング時に延びることを防止でき、これによって、バリの発生を防止することが容易となるものである。
【特許文献１】特開平６−１１２３１２号公報
【特許文献２】特開平８−１０２４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
各素子ごとにダイシングするためには、電子部品のパターン面にダイシング箇所を示す目印が必要である。特許文献１のように接地用電極面に電極のない部分を作製した場合、基板の表面と裏面を高精度に位置合わせをする必要があり、つまり、電子部品のパターン面の目印と接地用電極面の電極のない部分を高精度に位置合わせをする必要がある。このためには、基板表裏面の位置合わせが可能な高精度な露光装置が必要となる。また接地用電極もパターンを作製する必要があるため、フォトリソグラフィ工程数が増加し、チップ素子の製造コストが増加するという問題がある。
【０００８】
また特許文献２においては、チップ素子には必要のない新規の材料を追加する必要があるため、工程数と材料が増え、チップ素子の製造コストが増加するという問題がある。
【０００９】
そこで本発明では、基板表裏面の高精度な位置合わせ技術や装置が必要なく、チップ素子の製造コストの増加もほとんどなく電極のバリを除去することができるダイシング方法を提供することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明における電子部品の製造方法は、少なくとも一方主面に電極を形成した基板をチップ素子に分割する電子部品の製造方法において、前記基板の電極を形成した一方主面をベース材上に固定手段を用いて固定する工程と、第１のダイシングブレードにより前記固定手段により固定された基板を、前記電極と前記固定手段の一部を含んでダイシングすることによりダイシング溝を形成する工程と、前記ダイシング溝に沿って第１のダイシングブレードよりも薄い第２のダイシングブレードを回転させながら通過させる工程を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明のように、第１のダイシングブレードで固定手段として使用している材料までダイシングしたとき、そのダイシングブレードが通過した後にダイシング溝が形成される。このダイシング溝の内部に電極のバリが形成される。次に第１のダイシングブレードよりも厚みの薄い第２のダイシングブレードを回転させながら、ダイシング溝に沿って通過させる。このとき回転している第２のダイシングブレードに電極のバリが接触し、めくりとられることにより除去される。またダイシング溝の幅よりも第２のダイシングブレードの厚みが薄いため、チップ素子側面に接触、切断することによるチップ素子の外観不良も発生しない。
【００１２】
また本発明における電子部品の製造方法においては、第２のダイシングブレードを第１のダイシングブレードの通過速度よりも遅い速度で、ダイシング溝を通過させることを特徴としている。電極のバリの除去を目的とする第２のダイシングブレードの通過速度を遅くすることにより、ダイシングブレードが電極のバリと接触する時間が長くなり、電極のバリをより確実に除去することができる。
【００１３】
また本発明における電子部品の製造方法においては、第２のダイシングブレードの通過速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ以下としたことを特徴としている。第２のダイシングブレードがダイシング溝を通過する速度が早すぎると、電極のバリを除去する効果が小さくなってしまう。そのため第２のダイシングブレードの通過速度を、電極のバリを効果的に除去できる２０ｍｍ／ｓｅｃ以下にすることにより、電極のバリを確実に除去することができる。
【００１４】
また本発明における電子部品の製造方法においては、第１と第２のダイシングブレードの厚みの差を、５μｍ以上１５μｍ以下の範囲とすることを特徴としている。第１のダイシングブレードと第２のダイシングブレードの厚みの差が５μｍより小さい場合、ダイシング装置の位置決め精度等によりダイシング溝を通過するときにチップの側面部を傷付ける可能性がある。またダイシングブレードの厚みの差が１５μｍよりも大きくなると、微小な裏面電極のバリを確実に除去することが難しくなる。そこでダイシングブレードの厚みの差を、５μｍと１５μｍの範囲にすることによりチップ素子の外観不良も発生せず、電極のバリを確実に除去することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明における電子部品の製造方法は、少なくとも一方主面に電極を形成した基板をチップ素子に分割する電子部品の製造方法において、前記基板の電極を形成した一方主面をベース材上に固定手段を用いて固定する工程と、第１のダイシングブレードにより前記固定手段により固定された基板を、前記電極と前記固定手段の一部を含んでダイシングすることによりダイシング溝を形成する工程と、前記ダイシング溝に沿って第１のダイシングブレードよりも薄い第２のダイシングブレードを回転させながら通過させる工程を備えることを特徴としているため、基板表裏の高精度な位置あわせも、製造コストの増加もなく基板裏面の電極のバリを除去することができる。これによりチップ素子の外観不良がなくなり、実装基板に実装したときの傾きによるワイヤボンディング不良の問題もなくなる。また接近して実装されるチップ素子に電極のバリが接触し、電気的な特性不良が発生するという問題も解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
【実施例】
【００１７】
以下において図を参照しつつ本発明の第１の実施例について説明する。本発明の製造方法における各工程の概略図を図１から図６に示す。なお各図において、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）図中の一部分５のＡ−Ａ’線における概略断面図、（ｃ）は（ａ）図中の一部分５の概略拡大平面図である。
【００１８】
ダイシングを行なう基板として、一方主面に全面電極、他方主面に所望の電極パターンを作製した５０．８ｍｍ角で、厚み０．６３５ｍｍのアルミナ基板を用意する。電極パターンは、ＮｉＣｒを５０ｎｍ、Ｐｄを１００ｎｍ、Ａｕを３μｍと順番に成膜されたものである。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて不要な電極を除去するエッチング法によりパターン電極を作製した
前記工程により電極パターン２を作製したアルミナ基板１の裏面電極６を、図１のようにＳｉのベース材４上に基板固定材であるロジン系のワックス３を用いて貼りつける。これはダイシングにより親基板をチップ化する場合、ダイシング中に基板とダイシングブレードを冷却する冷却水等によりチップが飛散することを防ぐためである。
【００１９】
次に図２に示すように前記工程においてベース基板４上に固定したアルミナ基板１を、電極パターン２を上にしてダイシング装置の基板取り付け台８上に取付ける。そして厚み１５０μｍと１３５μｍの２枚のメタルレジン系のダイシングブレードを用意し、図示しないダイシング装置のダイシングブレードの取り付け位置に、厚み１５０μｍの第１のダイシングブレード７を取り付ける。アルミナ基板１上のパターン電極２の一部を位置合わせ用目印として使い、基板取り付け台８を移動して、第１のダイシングブレード７が所望のダイシング位置になるように基板取り付け台８の位置を調整する。
【００２０】
次に第１のダイシングブレード７を用いてアルミナ基板１にダイシング溝を形成する。このとき第１のダイシングブレード７の回転数が１５０００ｒｐｍ、通過速度が８ｍｍ／ｓｅｃになるように設定する。またダイシング時には、ワックス３も切り込むように第１のダイシングブレード７の切りこみ深さを設定する。そして第１のダイシングブレード７によるダイシングを行なうが、ダイシング中の状態を示した概略図が図３である。
【００２１】
前記工程において、第１のダイシングブレードが通過した後には、図４に示すようなダイシング溝９が形成される。また裏面電極６として延性のよいＡｕ電極を使用しているため、ダイシング溝９の内部に突出するように裏面電極６のバリ１０が形成される。
【００２２】
次に第１のダイシングブレードよりも薄い第２のダイシングブレードを用いて不要なバリの除去を行なう。前記工程において使用した厚み１５０μｍの第１のダイシングブレードを、厚み１３５μｍの第２のダイシングブレード１１に交換し、図示しないダイシングブレード取り付け位置に取り付ける。そして第１のダイシングブレードと同様の方法により、第２のダイシングブレード１１がダイシング溝９の中央を通過するように位置合わせを行なう。そして第２のダイシングブレード１１をダイシング溝９に沿って通過させるが、そのときの第２のダイシングブレード１１の通過速度は２ｍｍ／ｓｅｃ、回転数は１５０００ｒｐｍに設定する。またこのときのダイシングの切りこみ深さは、第１のダイシングブレードと同じ値とする。この工程において図５に示すようにダイシングブレード１１が基板裏面電極６のバリ１０に接触しながらダイシング溝９を通過することにより、バリ１０がめくりとられて除去される。
【００２３】
第２のダイシングブレードによりバリを除去した後、ダイシング装置からベース材を取りはずし、熱板等の上で加熱することによりワックスを溶かし、ベース材からチップ部品を取り外す。次にそのチップ部品をイソプロピルアルコール等を用いて洗浄することにより、所望のチップ部品を得ることができる。取り外されたチップ部品の概略図を図６に示すが、この図のように裏面電極６のバリが取り除かれたチップ部品１２を得ることができる。
【００２４】
以上のように本発明における電子部品の製造方法においては、基板表裏の高精度な位置あわせも製造コストの増加もなく基板裏面の電極のバリを除去することができる。これによりチップ部品をの外観不良がなくなり、実装基板に実装したときの傾きによるワイヤボンディング不良もなくすことができる。また接近して実装されるチップ素子に電極のバリが接触し、電気的な特性不良が発生するという問題も解決することができる。
【００２５】
なお本発明に使用する基板としては、アルミナ等のセラミック基板以外にも半導体、圧電体等の基板でも構わない。また成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ、無電解メッキおよびこれらの組み合わせ等のいずれでもよく、電極構成および膜厚も本実施例のものに限るものではない。またダイシングブレードもメタルレジン系に限るものではない。さらに電極パターンの作製方法として、レジストパターンを先に作製し、その後蒸着あるいはスパッタリング法等により成膜を行ない、レジストパターンを除去するリフトオフ法でも構わない。
【００２６】
なお第１の実施例においては、第２のダイシングブレードを第１のダイシングブレードよりも遅い速度でダイシング溝を通過させている。これによりダイシングブレードが電極のバリと接触する時間が長くなり確実にバリを除去することができる。しかし第２のダイシングブレードの通過速度が、２０ｍｍ／ｓｅｃより大きくなると、バリを完全に除去する前に第２のダイシングブレードが通過する可能性がある。このため第２のダイシングブレードの通過速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ以下にすることにより、電極のバリを確実に除去することができる。
【００２７】
また第１の実施例においては、厚みの異なる２種類のダイシングブレードを使用したが、この厚みの差を適当に選ぶことによりチップ部品に外観異常を発生させず、電極のバリを確実に除去することができる。具体的には第１と第２のダイシングブレードの厚みの差が５μｍよりも小さい場合は、第２のダイシングブレードによるダイシング時に、ダイシング溝の壁面に第２のダイシングブレードが接触し、チップ部品の側面部等に外観不良が発生する可能性がある。また２種類のダイシングブレードの厚みの差が１５μｍよりも大きい場合は、電極のバリが第２のダイシングブレードに接触せず、バリの除去効果が小さくなる可能性がある。以上より第１と第２のダイシングブレードの厚みの差を５μｍ以上１５μｍ以下にすることで、チップ素子の外観不良が発生せず、電極のバリを確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施例における製造工程において、ダイシング前の基板の状態を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施例における製造工程において、第１のダイシングブレードと基板との位置合わせの状態を示す概略図である。
【図３】本発明の第１の実施例における製造工程において、第１のダイシングブレードによるダイシング時の状態を示す概略図である。
【図４】本発明の第１の実施例における製造工程において、第１のダイシングブレードによりダイシング溝が形成された状態を示す概略図である。
【図５】本発明の第１の実施例における製造工程において、第２のダイシングブレードがダイシング溝を通過している状態を示す概略図である。
【図６】本発明の第１の実施例における製造工程において、ベース基板から取り外したチップ素子を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２９】
１    アルミナ基板
２    電極パターン
３    ワックス
４    ベース材
６    裏面電極
７    第１のダイシングブレード
９    ダイシング溝
１０    裏面電極のバリ
１１    第２のダイシングブレード
１２    チップ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005203504.tif 000007
【図６】
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