(57)【要約】【課題】  半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートに関し、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制することを目的とする。【解決手段】  パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に格子状もしくは平行線状の溝を切り込んだ支持ウエハあるいは表面に微細孔加工を施した支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする。また、前記薄型加工処理後において、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることが好適である。【選択図】        図１
2005116948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に格子状もしくは平行線状の溝を切り込んだ支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項２】
パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に微細孔加工を施した支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項３】
前記薄型加工処理後において、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項４】
前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、熱剥離型の粘着構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項５】
前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、エネルギー線硬化型の粘着構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体ウエハの加工方法に用いられる、半導体ウエハの加工用両面粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートに関するもので、例えば、半導体ウエハの薄型加工において特に有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウエハの薄型加工方法としては、例えば、研削、研磨およびエッチングといった機械的な方法または化学的な方法が知られている。これらの方法では、いずれも配線パターンが形成された半導体ウエハ表面に保護テープを貼付け、配線パターンの保護と半導体ウエハの固定を行った後、半導体ウエハの裏面を薄型加工する方法が一般的に採用されている。また、こうした半導体ウエハ薄型加工の際の強度低下による半導体ウエハの破損や、剛性力低下による半導体ウエハの反りの対策として、石英板、アクリル板等の硬質材料に、両面粘着シートによってパターン形成された半導体ウエハの表面を固定し、その裏面を研削する方法が検討されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、両面粘着シートで貼り合せた半導体ウエハと硬質材料の間に気泡が入り込んだ場合、パターン形成した半導体ウエハの裏面を研削する際に、その気泡の影響によって半導体ウエハ裏面研削後の表面に研削ムラが発生するおそれがあり、研削中に、その気泡をきっかけに半導体ウエハが破損してしまう可能性があった。特に、上記のように硬質材料を用いた場合には、非常に平滑で硬い素材同士の貼合せであることから、気泡が混入しやすくなる。
【０００４】
こうした半導体ウエハと硬質材料の界面に入る気泡を抑制するためには、従来、減圧或は真空雰囲気下で貼り合せを行うことができる装置（以下「真空貼合せ装置」という。）を用いることが一般的であり、大掛かりな設備が必要となり、施設やコスト面などでの課題となっていた。
【０００５】
本発明は、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制する半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す方法により前記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
本発明は、パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に格子状もしくは平行線状の溝を切り込んだ支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする。こうした方法によって、支持ウエハにより半導体ウエハに強度と剛性が付与され、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することが可能となる。
【０００８】
また、パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に微細孔加工を施した支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする。上記同様、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することが可能となる。
【０００９】
前記薄型加工処理後において、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることが好適である。こうした処理を行うことによって、薄型加工処理後の半導体ウエハからの剥離が容易となり、半導体ウエハの剥離の際に、半導体ウエハの破損が生じることはない。
【００１０】
このとき、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、熱剥離型の粘着構造であることが好適である。こうした粘着構造によって、所定の温度まで加熱することで、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもない。
【００１１】
また、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、エネルギー線硬化型の粘着構造であることが好適である。貼付状態で紫外線などのエネルギー線を外部から照射することによって、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもない。
【００１２】
本発明は、半導体ウエハの加工用両面粘着シートであって、上記のいずれかに記載の半導体ウエハの加工方法に用いられる。支持ウエハの表面加工による特有の機能と両面粘着シートの優れた特性をうまく組合わせ、両面粘着シートの機能が最大限活かすことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体ウエハの加工方法によると次のような効果が得られる。
【００１４】
半導体ウエハに両面粘着シートで貼り合せる支持ウエハの表面に格子状もしくは平行線状に溝を切り込むことにより、半導体ウエハと支持ウエハを貼り合せる際に、真空貼合せ装置など大掛かりな装置の必要はなく、界面に入る気泡を低減させることが可能になる。また薄型加工しても十分な強度と剛性が得られる為、薄型加工後の半導体ウエハの取扱いが容易になり、ウエハキャリアによる処理も可能になる。さらに、半導体ウエハに両面粘着シートで支持ウエハを貼付けているので、その取外しが簡単かつ確実に行われる。そして、半導体ウエハから取外された支持ウエハより両面粘着シートを剥離除去することで、支持ウエハを再利用することができる。その結果、半導体ウエハへの支持ウエハの貼付けおよび取外しに要する工数を考慮しても、作業性は著しく向上する。しかも、半導体ウエハの破損頻度が低下することにより、歩留まりが向上する。
【００１５】
また、パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に微細孔加工を施した支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定する場合にあっても、上記同様、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することが可能となる。
【００１６】
ここで、両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させる処理を行うことによって、薄型加工処理後の半導体ウエハからの剥離が容易となり、半導体ウエハの剥離の際に、半導体ウエハの破損が生じることはない。
【００１７】
前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、熱剥離型の粘着構造である場合は、所定の温度まで加熱することで、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもなく、また、支持ウエハからの剥離も容易にすることができて支持ウエハの再利用を容易に行うことができる
また、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、エネルギー線硬化型の粘着構造である場合には、貼付状態で紫外線などのエネルギー線を外部から照射することによって、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもなく、また、支持ウエハからの剥離も容易にすることができ、支持ウエハの再利用を容易に行うことができる。
【００１８】
上記のように本発明における両面粘着シートの有用性は高く、半導体ウエハと支持ウエハの貼合せにおいてその間に両面粘着シート設けることで、支持ウエハの表面加工による特有の機能と両面粘着シートの優れた特性をうまく組合わせ、両面粘着シートの機能が最大限活かすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明は、パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に格子状もしくは平行線状の溝を切り込んだ支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする。本発明者は、支持ウエハにより半導体ウエハに強度と剛性が付与するとともに、支持ウエハの表面に格子状もしくは平行線状の溝を切り込むことで、半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することができることを見出したもので、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、気泡の発生に伴う半導体ウエハの研削ムラや破損の発生を未然に防止することができる。
【００２０】
つまり、上記方法によれば、半導体ウエハに薄型加工を施す際に、配線パターンが形成された半導体ウエハの表面に両面粘着シートを介して支持ウエハが固定されているので、薄型加工により半導体ウエハが薄型化されても、支持ウエハにより半導体ウエハに強度と剛性が付与され、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができる。従って、薄型加工工程における半導体ウエハの取扱いが容易になる。また、ウエハキャリア等による搬送工程も容易であり、作業性がよい。
【００２１】
また、半導体ウエハに両面粘着シートで貼り合せる支持ウエハは、表面に格子状もしくは平行線状の溝が切り込まれているので、両面粘着シートと半導体ウエハを貼り合せる際に、真空貼り合わせ装置のような大掛かりな装置は不要で、簡易に両面粘着シートで貼り合せる半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することが可能となる。なお、本発明に用いられる両面粘着シートについては後述する。
【００２２】
本発明において用いられる支持ウエハを、具体的に図１に例示する。
図１（Ａ）は、表面に格子状の溝を切り込んだ支持ウエハを例示したもので、ａ−ａ’断面を図１（Ｃ）に示している。凸部で両面粘着シートと接合することで、半導体ウエハに強度と剛性を付与するとともに、気泡の発生もなく、かつ、剥離性が大きく向上する。
図１（Ｂ）は、表面に平行線状の溝を切り込んだ支持ウエハを例示したもので、ｂ−ｂ’断面を図１（Ｃ）に示している。上記同様、凸部で両面粘着シートと接合することで、半導体ウエハに強度と剛性を付与するとともに、気泡の発生もなく、かつ、剥離性が大きく向上する。
【００２３】
本発明は、パターンが形成された半導体ウエハの薄型加工において、表面に微細孔加工を施した支持ウエハを、両面粘着シートを介して、前記半導体ウエハに固定することを特徴とする。上記の格子状もしくは平行線状の溝に代えて支持ウエハの表面に微細孔加工を施すことによって、上記同様、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと支持ウエハの界面に混入する気泡を抑制することが可能となる。
【００２４】
具体的には、図２（Ａ）に例示するように、支持ウエハの表面に微細孔加工を施したもので、ｃ−ｃ’断面を図２（Ｂ）に示している。上記同様、凸部で両面粘着シートと接合することで、半導体ウエハに強度と剛性を付与するとともに、気泡の発生もなく、かつ、剥離性が大きく向上する。
【００２５】
前記薄型加工処理後において、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることが好適である。半導体ウエハは後述のような加工工程によって処理されるが、両面粘着シートは薄型加工処理後に半導体ウエハから剥離する必要がある。接着力を低下させることによって、剥離が容易となり、剥離の際に生じやすい半導体ウエハの破損が殆ど発生しないようにすることができる。そして、半導体ウエハから取外された支持ウエハより両面粘着シートを剥離除去することで、支持ウエハの再利用を行うことができる。
【００２６】
また、両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面だけでなく、支持ウエハ貼付面についても、薄型加工処理後に接着力を低下させることが好適である。剥離を容易にすることで、支持ウエハの再使用を容易にすることができる。
【００２７】
具体的には、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、熱剥離型の粘着構造であることが好適である。こうした粘着構造によって、薄型加工処理後に半導体ウエハおよび両面粘着シートを所定の温度まで加熱することで、両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることが可能となる。従って、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもない。そして、半導体ウエハから取外された支持ウエハより両面粘着シートを剥離除去することで、支持ウエハの再利用を行うことができる。また、支持ウエハ貼付面についても、同様の構造にすることで、支持ウエハからの剥離も容易にすることができて支持ウエハの再利用を容易に行うことができる。熱剥離型の粘着構造を構成する基材や粘着剤の詳細については後述する。
【００２８】
また、前記両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面が、エネルギー線硬化型の粘着構造であることが好適である。半導体ウエハに両面粘着シートが貼付いた状態で、紫外線などのエネルギー線を外部から照射することによって、両面粘着シートの半導体ウエハ貼付面の接着力を低下させることが可能となる。従って、半導体ウエハから容易に剥離することができ、半導体ウエハの剥離の際に半導体ウエハの破損が生じることもない。そして、半導体ウエハから取外された支持ウエハより両面粘着シートを剥離除去することで、支持ウエハの再利用を行うことができる。
【００２９】
また、支持ウエハ貼付面についても、同様の構造にすることで、支持ウエハからの剥離も容易にすることができて支持ウエハの再利用を容易に行うことができる。エネルギー線硬化型の粘着構造を構成する基材や粘着剤の詳細については後述する。
【００３０】
本発明は、半導体ウエハの加工用両面粘着シートであって、上記のいずれかに記載の半導体ウエハの加工方法に用いられる。つまり、両面粘着シートの一面が支持ウエハと剥離性の高い状態で接合し、他面が半導体ウエハと薄型加工後に接着力を低下させうる状態で接合することで、半導体ウエハの破損や反りの発生および半導体ウエハと支持ウエハの界面への気泡の混入を抑制することが可能となる。このとき、両面ともに薄型加工後に接着力を低下させうる状態とすることで、半導体ウエハおよび支持ウエハを容易に剥離することができ、支持ウエハの再利用も容易となる。このように、本発明は、支持ウエハの表面加工による特有の機能と両面粘着シートの優れた特性をうまく組合わせたものであり、両面粘着シートの機能が最大限活かされている。
【００３１】
以下、本発明の半導体ウエハの薄型加工方法の具体的な実施態様について説明する。図３は本発明の半導体ウエハの薄型加工方法およびそれに続くダイシング工程を説明するための工程図である。
【００３２】
＜工程Ａ＞：加工する半導体ウエハの準備
図３（Ａ）の半導体ウエハ１はその表面１ａに配線パターンが形成されたものであり、その反対面に裏面１ｂを有する。表面１ａに形成される配線パターンは、常法に従って、所望のパターンが形成されている。
【００３３】
＜工程Ｂ＞：両面粘着シートの貼付け
上記半導体ウエハ１の表面１ａには、図３（Ｂ）のように、まず両面粘着シート２が貼付けられる。両面粘着シート２は、基材２ａ、粘着層２ｂ1 、２ｂ2 およびセパレータ２ｃを有し、粘着層２ｂ2 は離型シートとなっている。
【００３４】
基材２ａとしては粘着層等の支持母体となるもので、一般にはプラスチックのフィルムやシートが用いられるが、例えば紙、布、不織布、金属箔、あるいはそれらのプラスチックラミネート体、プラスチック同士の積層体などの適宜な薄葉体を用いうる。基材の厚さは、５００μｍ以下、就中１〜３００μｍ、特に５〜２５０μｍが一般的であるがこれに限定されない。
【００３５】
粘着層２ｂ1 、２ｂ2 を形成する粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられ、これらはエネルギー線硬化型であっても、熱膨張型であってもよい。
【００３６】
エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系やゴム系の樹脂が挙げられる。エネルギー線としては、通常、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）など所定のエネルギー量を有する領域の電磁波が利用されるが、最近では可視光を利用した硬化型樹脂が開発されている。
【００３７】
また、熱膨張型粘着剤としては、例えば、アクリル系やイソプレン・イソブチレンといったゴム系、あるいはシリコーン系などの樹脂が挙げられる。加熱温度は樹脂によって異なるが、通常、８０〜２００℃程度が好適である。
【００３８】
前述の通り、半導体ウエハ表面１ａに貼り付ける粘着層２ｂ2 には、薄型加工処理後に半導体ウエハ表面１ａとの接着力を低下させることができる粘着剤、特に加熱剥離型粘着剤あるいはエネルギー線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。剥離性が高くウエハを破損せずに容易に剥離できるためである。
【００３９】
また、薄型加工処理後に、除去した支持ウエハ３から両面粘着シート２を剥離して再利用を容易に行うことができることから、粘着層２ｂ2 は弱粘着タイプの粘着剤もしくは、支持ウエハ３との接着力を低下させることができるエネルギー線硬化型粘着剤や加熱剥離型粘着剤を用いるのが好ましい。また粘着層２ｂ1 、２ｂ2 のいずれも熱剥離型粘着剤を用いる場合には、粘着層２ｂ2 よりも後工程で剥離される粘着層２ｂ2 には粘着層２ｂ1 より高温で熱剥離するものを用いるのが好ましい。
【００４０】
粘着層２ｂ1 、２ｂ2 の厚さは、通常２０〜３００μｍが好ましく、特に熱膨張型粘着層の場合、３００μｍ以下、就中２００μｍ以下が好ましい。
【００４１】
なお熱剥離型粘着シートとしては、例えばリバアルファ（商品名：日東電工社製）など市販品も挙げられる。
【００４２】
＜工程Ｃ＞：支持ウエハの貼合せ（補強ウエハの作製）
次いで、セパレータ２ｃを剥がし、図３（Ｃ）のように、粘着層２ｂ2 上に格子状もしくは平行線状に溝を切り込んだ支持ウエハ３を貼り合わせて補強ウエハを作製する。上記方法の他に、補強ウエハは、両面粘着シートを支持ウエハに貼り合わせ、これを半導体ウエハ表面１ａに貼り合わせることにより作製することもできる。
【００４３】
支持ウエハ３の材料は、薄型加工された半導体ウエハを補強できるものであれば、特に限定されないが、半導体ウエハ１と同質材料もしくは、半導体ウエハ１よりも硬質材料のものが好ましく、例えばシリコンウエハやガラスウエハ、ＳＵＳ板、銅板、アクリル板などが用いられる。
【００４４】
また、支持ウエハ３の形状、大きさ等は、半導体ウエハ裏面１ｂに薄型加工処理できるものであれば、特に制限されないが、図３（Ｃ）のように半導体ウエハ１と同サイズのものが好ましく用いられる。支持ウエハ３の厚さは、通常４００〜８００μｍ程度のものが好ましい。
【００４５】
支持ウエハに入れる切り込みの形状としては、両面テープを貼り合せた半導体ウエハと貼り合せる際に、支持ウエハとの界面に気泡が入らないのであれば、特に限定されないが、格子状もしくは平行線状に切り込みを入れたものが好ましい。支持ウエハに切り込みを入れる場合、その間隔が広すぎると両面テープと貼り合せた半導体ウエハと貼り合せる際に、支持ウエハとの界面に気泡が残ってしまう。また間隔が狭すぎる場合、支持ウエハの表面の強度が著しく落ちてしまう為、ウエハの再利用が困難となってしまう。その為、支持ウエハに格子状に切り込みを入れる場合の間隔は、０．５〜４０ｍｍ四方、就中１〜２５ｍｍ四方、特に５〜１０ｍｍ四方が好ましい。また平行線状に切り込みを入れる場合の間隔は、０．５〜３０ｍｍ、就中１〜２０ｍｍ、特に５〜１０ｍｍが好ましい。  
【００４６】
支持ウエハに入れる切り込み量としては、半導体ウエハと貼り合わせる際に界面の気泡を抑制でき、支持ウエハ自体の強度が著しく低下しなければ特に限定されないが、通常支持ウエハの厚みの１〜３０％、就中５〜２０％程度が切り込みを入れることが好ましい。
【００４７】
支持ウエハに溝を切り込む方法としては、溝を形成できるのであれば特に限定されず、公知の工法を採用できる。例えば、ダイシングやエッチングなどが挙げられる。
【００４８】
また、支持ウエハに微細孔を入れる場合、微細孔の形状としては、半導体ウエハと支持ウエハを貼り合せる際に界面に入る気泡を低減することができれば、円形や三角形、四角形など特に限定されない。支持ウエハに入れる微細孔は半導体ウエハと貼り合わせる際に界面の気泡を抑制する為、支持ウエハを貫通する微細孔を入れることが好ましい。微細孔の間隔は、広すぎると両面テープと貼り合せた半導体ウエハと貼り合せる際に、支持ウエハとの界面に気泡が残ってしまう。また間隔が狭すぎる場合、支持ウエハの強度が著しく落ちてしまう為、ウエハの再利用が困難となってしまう。その為、支持ウエハに微細孔をいれる場合の間隔は、０．５〜４０ｍｍ間隔、就中１〜２５ｍｍ間隔、特に５〜１０ｍｍ間隔が好ましい。
【００４９】
支持ウエハに微細孔を入れる工法としては、特に限定されず、公知の工法が採用できる。例えば、エッチングやドリル、レーザーなどが挙げられる。
【００５０】
なお、上記、図３（Ｂ）における両面粘着シート２と半導体ウエハ１との位置合わせ、および図３（Ｃ）における半導体ウエハ１と支持ウエハ３との位置合わせは、画像認識装置により行い、正確な位置を認識して現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。
【００５１】
＜工程Ｄ＞：半導体ウエハ裏面の薄型加工
次いで、図３（Ｄ）に示すように、半導体ウエハ１の位置を上下反転し、補強ウエハの支持ウエハ３をチャッキングして半導体ウエハ裏面１ｂの薄型加工を行う。薄型加工は、一般的な工法つまりバックグラインドやエッチングなどが採用できる。薄型加工機４としては、研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が挙げられる。薄型加工は、半導体ウエハ１が所望の厚さになるまで行われる。薄型加工処理が完了した補強ウエハは、半導体ウエハ１の位置を上下反転し、引き続くダイシング工程に移送される。
【００５２】
＜工程Ｅ＞：ウエハマウントフレームの作製
ダイシング工程では、まず、図３（Ｅ）のように補強ウエハの裏面１ｂにダイシング用粘着シート５を貼付け、ウエハマウントフレームを作製する。ダイシング用粘着シート５としては基材５ａ、粘着剤５ｂは従来より知られているものを特に制限なく使用できる。
【００５３】
＜工程Ｆ＞：支持ウエハの除去
次いで、図３（Ｆ）のように半導体ウエハ１から支持ウエハを取り除く。図３（Ｆ）で、半導体ウエハ１から支持ウエハ３を取り除く際、両面粘着シート２が熱剥離型両面粘着シートであれば、ウエハマウントフレームのチャックテーブルを任意の温度まで加熱し半導体ウエハ１との粘着層２ｂ1 との粘着力を低下させることにより、容易に支持ウエハの剥離を行うことができる。例えば、リバアルファ（商品名：日東電工社製）のＮｏ．３１９６（品番）を用いた場合には９０℃に加熱することにより粘着力が低下して、支持ウエハの剥離が容易になる。上記図３（Ｆ）では、ダイシング前に支持ウエハ３を取り除く場合を例にあげたが、支持ウエハ３を貼付けた状態でダイシングを行うこともできる。
【００５４】
＜工程Ｇ＞：ダイシング
続いて、図３（Ｇ）のダイシング工程により、半導体ウエハをチップ１に分割する。上記図３の例では、図３（Ｄ）の薄型加工後のダイシング工程において、ダイシング用粘着シート５を使用する場合を例にあげたが、ダイシング用粘着シート５を用いないで（ウエハマウントフレーム作製しないで）ダイシングを行うこともできる。その場合、薄型加工後のダイシング工程では、補強ウエハの支持ウエハ３側をチャッキングして半導体ウエハ裏面１ｂよりダイシングを行い、ダイシング完了後に、たとえば、所定温度まで加熱して、熱剥離型両面粘着シートの粘着層２ｂ1 と半導体ウエハ１ａとの粘着力を低下させ、支持ウエハ３を除去する工法となる。
【００５５】
上記の加工方法によって、本発明の目的である、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制する半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートを提供することが可能となる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。また、実施例等における評価項目は下記のようにして測定を行った。なお、本発明がかかる実施例、評価方法に限定されるものでないことはいうまでもない。
【００５７】
＜評価方法＞
（１）気泡の目視観察
実施例及び比較例で得られた補強ウエハをそれぞれ半導体ウエハと支持ウエハの界面に入り込んだ気泡をガラスウエハ裏面から目視にて観察した。
【００５８】
＜実施例１＞
半導体ウエハのパターン形成された面に加熱剥離型両面テープ（リバアルファ：日東電工社製）を介して、表面に１０ｍｍ四方の格子状に溝を切り込んだガラス支持ウエハを通常雰囲気下にて貼り合せ、補強ウエハを得た。
【００５９】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして、半導体ウエハのパターン形成された面に加熱剥離型両面テープ（リバアルファ：日東電工社製）を介して、表面に１０ｍｍ間隔の平行線状に溝を切り込んだガラス支持ウエハを通常雰囲気下にて貼り合せ、補強ウエハを得た。
【００６０】
＜実施例３＞
実施例１と同様にして、半導体ウエハのパターン形成された面に加熱剥離型両面テープ（リバアルファ：日東電工社製）を介して、表面に１０ｍｍ間隔で微細孔を入れたガラス支持ウエハを通常雰囲気下にて貼り合せ、補強ウエハを得た。
【００６１】
＜比較例１＞
ガラス支持ウエハに格子状の溝を切り込まない以外は、実施例１と同様の操作を行って補強ウエハを得た。
【００６２】
＜比較例２＞
ガラス支持ウエハに平行線状の溝を切り込まない以外は、実施例２と同様の操作を行って補強ウエハを得た。
【００６３】
＜比較例３＞
ガラス支持ウエハに微細孔を入れない以外は、実施例３と同様の操作を行って補強ウエハを得た。
【００６４】
＜試験結果＞
以上の実施例および比較例について、試験結果を表１にまとめる。
【００６５】
【表１】
2005116948.tif 000003
【００６６】
実施例１〜３においては、貼り合せ界面に気泡は見られなかった。一方、比較例１〜３では、貼り合せ界面に多くの気泡が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施態様である格子状及び平行線状の切り込みを入れた支持ウエハを例示する説明図
【図２】本発明の実施態様である微細孔を施した支持ウエハを例示する説明図
【図３】本発明の半導体ウエハの薄型加工工程およびダイシング工程を例示する工程図
【符号の説明】
【００６８】
１    半導体ウエハ（１ａ：パターン面、１ｂ：エンボス面）
２    両面粘着シート（ａ：基材、ｂ1 、ｂ2 ：粘着剤、ｃ：セパレータ）
３    支持ウエハ
４    研削機（グラインダー）
５    ダイシング用粘着シート（ａ：基材、ｂ：粘着剤）
【図１】
2005116948.tif 000004
【図２】
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【図３】
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