(57)【要約】【課題】  いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を得るようにした結晶育成装置において、高品質で大きな結晶を育成できるようにする。【解決手段】  秤量器８にて金属ナトリウムおよびガリウムの質量を計測する秤量部１と、加熱容器２１にてそれらの出発原料を溶融するとともにパイプ２２から導入した窒素ガスを溶け込ませて成る混合融液に種結晶を反応させて前記窒化ガリウムを成長させる育成部２とを備えた結晶育成装置において、秤量部１は、脱酸素雰囲気中で秤量を行うとともに、育成部２との間に、内部を、秤量中の環境に適合させて秤量部１から出発原料を受入れ、育成中の環境に適合させて育成部２へ出発原料を受渡す雰囲気調整部３を介在する。これによって、原料や育成部分を大気にさらすことなく、原料を継続して搬入でき、高品質な結晶を得ることができ、また種結晶を引き上げることで、大きな塊を得ることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくとも１つとIII族金属とを含む出発原料の質量を計測する秤量部と、前記出発原料を溶融して成る混合融液に窒素原子を含ませた融液を反応させてIII族窒化物の結晶を成長させる育成部とを備えた結晶育成装置において、
前記秤量部は、脱酸素雰囲気中で秤量を行うとともに、該秤量部と前記育成部との間に、内部を、秤量中の環境に適合させて前記秤量部から出発原料を受入れ、育成中の環境に適合させて前記育成部へ前記出発原料を受渡す雰囲気調整部を介在することを特徴とする結晶育成装置。
【請求項２】
前記雰囲気調整部は、
前記秤量部側および育成部側のそれぞれに設けられ、該雰囲気調整部の内部とそれらの秤量部および育成部の内部とを連通／遮断する耐熱・耐圧蓋と、
窒素原子を含むガスを供給する供給部と、
前記秤量部から供給される前記出発原料を溶融して前記出発原料の混合溶液を得るとともに、前記ガスを混合させる加熱容器と、
内部の雰囲気を、前記秤量部における秤量中の環境および前記育成部における育成中の環境に略適合させることができる雰囲気調整手段とを備えて構成されることを特徴とする請求項１記載の結晶育成装置。
【請求項３】
前記出発原料は、ナトリウム、カルシウムまたはリチウムの少なくとも１つと、ガリウムとであることを特徴とする請求項１または２記載の結晶育成装置。
【請求項４】
前記雰囲気調整部および育成部は、１つの秤量部に対して複数並列に設けられていることを特徴とする請求項２または３記載の結晶育成装置。
【請求項５】
前記育成部は、前記種結晶の回転と引き上げとの少なくとも一方を可能な駆動機構を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の結晶育成装置。
【請求項６】
前記育成部は、加熱容器内の出発原料の混合溶液の攪拌を行う第１の攪拌手段を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の結晶育成装置。
【請求項７】
前記雰囲気調整部は、前記加熱容器内の出発原料の混合溶液を攪拌する第２の攪拌手段を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の結晶育成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を育成するために特に好適に用いられる結晶育成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、窒化ガリウム（ＧａＮ）系デバイスは、同種の基板上に作製することが望ましいが、その基板が存在しない為、主としてサファイアなどの異種基板を用いて、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）や、ＭＢＥ法（分子線結晶成長法）等を用いて育成が行なわれている。しかしながら、サファイア等の基板とＧａＮとの格子定数や熱膨張係数が大きく異なる為、ＧａＮ系デバイス内部に多くの格子欠陥が発生する。このため、ＧａＮ系デバイスの特性（寿命、発光効率等）が低下するという問題点がある。
【０００３】
この問題点を解決するには、ＧａＮ基板上に、ＧａＮ系のデバイスを作製するホモエピタキシャル成長が望ましい。そこで、従来では、その基板となるＧａＮ単結晶を得るために、ガリウムと窒素ガスとを直接反応させることが行なわれている（たとえば、非特許文献１参照）。しかしながら、この方法では、約１３００〜１６００℃、約１００００−１７００気圧という過酷な条件を必要とする。
【０００４】
一方、１９９７年に、ナトリウムフラックス中でＧａＮ単結晶を育成する技術が開発された（たとえば、特許文献１参照）。以下、これをナトリウムフラックス法という。この方法によれば、育成温度が約６００〜８００℃と大幅に下げられるとともに、育成圧力も約４５気圧と大幅に下げることができる。その後も、たとえば特許文献２で示すように、窒素ガスをアンモニアに置換えることで反応速度を向上させたり、特許文献３で示すように、窒素ガスを窒素を含む気体と不活性気体との混合気体とすることで、アルカリ金属の蒸発を抑えつつ、窒素溶解度の制御性を向上させるなどの改良が行われている。
【非特許文献１】Ｊ．  Ｐｈｙｓ．  ｃｈｅｍ．  Ｓｏｌｉｄｓ，  １９９８，  ５６，  ６３９
【特許文献１】米国特許公報第５８６８８３７号明細書
【特許文献２】特開２００２−２９３６９６号公報
【特許文献３】特開２００３−２３８２９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、このナトリウムフラックス法のフラックス成分である金属Ｎａは、空気中の酸素や水分で容易に酸化し、このフラックス成分が酸化したり、育成部に酸素や水分が入り込んだりすると、結晶の成長を阻害する。上述の育成方法では、前述の育成方法のように直接反応させる場合に比べて、育成圧力を大幅に下げることができたとはいえ、秤量部において、前記金属Ｎａを、たとえば油に浸漬されて保存されている状態から、前記油を落し、酸化している表面を削って、前記III族金属と秤量するにあたって、その際に酸化を防いでも、育成部に搬入する際に酸化してしまい、黒く着色した結晶しか得られないという問題がある。
【０００６】
また、育成部の加熱容器（るつぼ）に材料を補充しようとすると、高温高圧の雰囲気を解除しなければならず、実質的に連続した育成は困難であり、得られる結晶も、るつぼの底に堆積した僅かな塊にしかならないという問題もある。
【０００７】
本発明の目的は、高品質で大きな結晶を育成することができる結晶育成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の結晶育成装置は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくとも１つとIII族金属とを含む出発原料の質量を計測する秤量部と、前記出発原料を溶融して成る混合融液に窒素原子を含ませた融液を反応させてIII族窒化物の結晶を成長させる育成部とを備えた結晶育成装置において、前記秤量部は、脱酸素雰囲気中で秤量を行うとともに、該秤量部と前記育成部との間に、内部を、秤量中の環境に適合させて前記秤量部から出発原料を受入れ、育成中の環境に適合させて前記育成部へ前記出発原料を受渡す雰囲気調整部を介在することを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、ナトリウム（Ｎａ）などのアルカリ金属またはカルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の少なくとも１つと、ガリウム（Ｇａ）などのIII族金属とを含む出発原料を溶融して成る混合融液に窒素原子を含ませた融液と、種結晶とを反応させて、または前記融液中に析出した結晶を種として、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物の単結晶を得るようにした結晶育成装置において、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が、たとえば油に浸漬されて保存されている状態から、前記油を落し、酸化している表面を削って、前記III族金属と秤量する常温の前記秤量部と、育成中には高温高圧、たとえば、いわゆるナトリウム（Ｎａ）フラックス法では、約６００〜８００℃、約４５気圧にもなる前記育成部との間に、雰囲気調整部を介在する。さらに、前記秤量部は、脱酸素雰囲気中で秤量を行う。そして、前記雰囲気調整部は、その内部を、前記秤量中の脱酸素雰囲気の環境に適合させて前記出発原料を受入れ、前記育成中の環境に適合させて前記出発原料を受渡す。
【００１０】
したがって、出発原料や育成部分を大気にさらすことなく出発原料を搬入できることで、フラックス成分のＮａやＣａの酸化や、育成部に大気中の酸素や水分が混入することを防ぐことができ、酸素によって結晶成長が阻害されることはない。これによって、高品質な結晶を育成できるとともに、得られる結晶の収率も増加することができる。
【００１１】
空気中で秤量した場合、黒く着色した結晶が得られていたが、たとえば装置全体を酸素濃度２０％以下かつ、水分濃度３０％以下で密閉すると、透明の結晶が得られ、収率が１０倍以上になり、成長速度の増加を実現でき、またＧａＮを育成するために必要な最低圧力が低下し、プロセスを簡略化することができる。
【００１２】
また、連続した育成が可能であり、育成部では、出発原料に窒素原子を含ませた混合融液を貯留する加熱容器から種結晶を引き上げてゆくことで、大きな塊を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の結晶育成装置では、前記雰囲気調整部は、前記秤量部側および育成部側のそれぞれに設けられ、該雰囲気調整部の内部とそれらの秤量部および育成部の内部とを連通／遮断する耐熱・耐圧蓋と、窒素原子を含むガスを供給する供給部と、前記秤量部から供給される前記出発原料を溶融して前記出発原料の混合溶液を得るとともに、前記ガスを混合させる加熱容器と、内部の雰囲気を、前記秤量部における秤量中の環境および前記育成部における育成中の環境に略適合させることができる雰囲気調整手段とを備えて構成されることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、前記雰囲気調整部は、ガスボンベ等の窒素ガスやアンモニアガスなどの窒素原子を含むガスを供給可能な設備と、リーク弁やロータリーポンプ等の真空設備とを完備し、個別に制御可能な耐熱・耐圧蓋を開閉することで、秤量部と育成部との圧力差のある空間を接続することができる。さらに、前記秤量部から供給された出発原料を、そのまま育成部へ受渡すのではなく、この雰囲気調整部は、前記出発原料を溶融して、その混合溶液を得るとともに、それに前記ガスを混合させる加熱容器を備えている。
【００１５】
したがって、窒素原子を出発原料に溶かした形で育成部に運ぶことができ、前記連続育成を良好に行うことができる。また、複数の原料を、時間をずらして導入することが可能になり、半導体発光素子を作成するときなどは、一度の育成で、たとえばｎ型層、発光層、ｐ型層を連続して作製することが可能となる。
【００１６】
さらにまた、本発明の結晶育成装置では、前記出発原料は、ナトリウム、カルシウムまたはリチウムの少なくとも１つと、ガリウムとであることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、前記アルカリ金属としてリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）を用い、アルカリ土類金属としてカルシウム（Ｃａ）を用い、それらのうちの少なくとも１つと、III族金属としてガリウム（Ｇａ）を用い、いわゆるナトリウム（Ｎａ）フラックス法などによって窒化ガリウム（ＧａＮ）を育成する。
【００１８】
したがって、本発明が特に効果的である。
【００１９】
また、本発明の結晶育成装置では、前記雰囲気調整部および育成部は、１つの秤量部に対して複数並列に設けられていることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、前記雰囲気調整部および育成部では、加熱容器を用いて、出発原料を溶融させるとともに、それにガスを混合させており、上記のような油落としなどの出発原料の前処理や秤量を行う秤量部とは、処理に要する時間が異なる。そこで、この秤量部を共用として、雰囲気調整部および育成部を複数並列に設けることで、単位スペース当りの収率を増加することができる。
【００２１】
また、並行して複数種類の結晶を育成でき、たとえばｎ型育成部、ｐ型育成部と、用途を分けて半導体素子を作製することも可能となる。
【００２２】
さらにまた、本発明の結晶育成装置では、前記育成部は、前記種結晶の回転と引き上げとの少なくとも一方を可能な駆動機構を有することを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によれば、結晶育成中にＧａＮなどの結晶を回転させることで、結晶周辺の溶液を攪拌する作用が生じ、結晶成長において重要な溶液の状態を均一にすることができ、結晶の品質を向上することができるとともに、安定に種結晶を成長させることができる。また、ＧａＮなどの結晶を引き上げることで、結晶サイズを制御することができるとともに、前記の連続育成によって、大きな塊を得ることができる。
【００２４】
また、本発明の結晶育成装置では、前記育成部は、加熱容器内の出発原料の混合溶液の攪拌を行う第１の攪拌手段を有することを特徴とする。
【００２５】
上記の構成によれば、育成部には、窒素を溶かし込んだ出発原料の混合溶液を溜めており、種結晶の引き上げが行われる加熱容器内があり、第１の攪拌手段がその混合溶液の攪拌を行うことで、溶液の状態を均一にすることができ、結晶の品質を向上することができるとともに、安定に種結晶を成長させることができる。また、前記雰囲気調整部にも、出発原料を溶融し、窒素を溶かし込む加熱容器が設けられており、これら原料の連続投入を可能にした構成では、投入された原料と、育成部側にあった原料とを、速やかに均一に混ぜ合わせることができ、特に効果的である。
【００２６】
さらにまた、本発明の結晶育成装置では、前記雰囲気調整部は、前記加熱容器内の出発原料の混合溶液を攪拌する第２の攪拌手段を有することを特徴とする。
【００２７】
上記の構成によれば、前記雰囲気調整部において、加圧によって混合溶液に窒素を溶かし込むと、溶液中の窒素溶解量に大きな差が生じるのに対して、溶液を攪拌することで、溶液中のフラックスや原料に加えて、それらに溶け込んだ窒素原子の濃度をより均一にすることができるとともに、窒素の溶解速度を上げることもできる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の結晶育成装置は、以上のように、ナトリウム（Ｎａ）などのアルカリ金属またはカルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の少なくとも１つと、ガリウム（Ｇａ）などのIII族金属とを含む出発原料を溶融して成る混合融液に窒素原子を含ませた融液を反応させて、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物の単結晶を得るようにした結晶育成装置において、前記秤量部は、脱酸素雰囲気中で秤量を行うとともに、該秤量部と前記育成部との間に、内部を、秤量中の環境に適合させて前記秤量部から出発原料を受入れ、育成中の環境に適合させて前記育成部へ前記出発原料を受渡す雰囲気調整部を介在する。
【００２９】
それゆえ、出発原料や育成部分を大気にさらすことなく出発原料を搬入でき、高品質な結晶を育成できるとともに、得られる結晶の収率も増加することができる。また、連続した育成が可能であり、育成部では、出発原料に窒素原子を含ませた混合融液を貯留する加熱容器から種結晶を引き上げてゆくことで、大きな塊を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の一形態に係る結晶育成装置の全体の概略的構成を示す図である。本発明の結晶育成装置は、大略的に、秤量部ｌと、育成部２と、それらを連結する本発明に特有の雰囲気調整部３とを備えて構成される。
【００３１】
前記秤量部１は、開閉扉４を開閉することで外部に連通／遮蔽されるようになっており、本発明では、この秤量部１には、パイプ５を介して、図示しないガスボンベから、窒素ガスまたはアンモニアガスもしくはそれらの混合ガスが導入可能となっているとともに、パイプ６から、リーク弁やロータリーポンプ等の真空機器７を用いて雰囲気を置換できるようになっている。前記開閉扉４から搬入されたフラックスとしてのナトリウム（Ｎａ）やリチウム（Ｌｉ）などのアルカリ金属またはカルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の少なくとも１つや、ガリウム（Ｇａ）などのIII族金属は、この秤量部１の秤量器８において秤量され、規定の量ずつ育成部２へ供給される。
【００３２】
たとえば、金属Ｎａの場合、油に浸漬されて保存されている状態でこの秤量部１内に搬入され、前記油を落し、酸化している表面を削って、前記秤量器８で秤量される。その際、搬入時の開閉扉４の開放によって、略常温常圧となっていたこの秤量部１内は、前記窒素ガスの導入や真空機器７による減圧などで、脱酸素雰囲気とされる。好ましくは、酸素濃度２０％以下かつ、水分濃度３０％以下である。
【００３３】
そして、本発明の秤量部１にはまた、前記雰囲気調整部３との間に、耐熱・耐圧蓋９が設けられている。この耐熱・耐圧蓋９を開放することで、秤量部１の内部と雰囲気調整部３の内部とが連通する。この雰囲気調整部３内には、前記秤量器８で秤量され、供給されてきた出発原料を、後述するように溶解する加熱容器１１が設けられている。この雰囲気調整部３にも、パイプ１２を介して、窒素原子を含むガスを供給する供給部である図示しないガスボンベから、前記窒素ガスまたはアンモニアガスもしくはそれらの混合ガスが導入可能となっているとともに、パイプ１３から、雰囲気調整手段であるリーク弁やロータリーポンプ等の真空機器１４を用いて新しいガスを導入することで、雰囲気を置換できるようになっている。しかしながら、このこの雰囲気調整部３の容器は、耐熱・耐圧容器から成り、後述するように育成部２の雰囲気に適応できるように、前記ガスボンベや真空機器１４は、高温高圧の雰囲気を作成可能な能力を有する。この前記雰囲気調整部３と前記育成部２との間には、耐熱・耐圧蓋１９が設けられており、この耐熱・耐圧蓋１９を開放することで、育成部２の内部と雰囲気調整部３の内部とが連通する。
【００３４】
前記育成部２内には、前記雰囲気調整部３の加熱容器１１において溶解され、高圧によって窒素原子が溶け込んだ出発原料が供給される加熱容器２１が設けられている。この育成部２にも、パイプ２２を介して、図示しないガスボンベから、前記窒素ガスまたはアンモニアガスもしくはそれらの混合ガスが導入可能となっているとともに、パイプ２３から、リーク弁やロータリーポンプ等の真空機器２４を用いて雰囲気を置換できるようになっている。この育成部２の容器も、耐熱・耐圧容器から成り、たとえば、いわゆるナトリウムＮａフラックス法では、約６００〜８００℃、約４５気圧の高温高圧の雰囲気を作成可能となっている。
【００３５】
このように構成することで、秤量部１は、脱酸素雰囲気中で秤量を行い、雰囲気調整部３は、秤量中の環境に適合した状態となると耐熱・耐圧蓋９を開閉して前記秤量部１から出発原料を受入れ、その後、温度、圧力を所定の値に設定して育成部２の育成中の環境に適合した状態とし、出発原料を混合するとともに、出発原料に窒素原子を溶かし込み、混合溶液が所定の条件になると、耐熱・耐圧蓋１９を開閉して育成部２へ前記出発原料を受渡しし、加熱容器２１内に元からあった混合溶液に補充する。
【００３６】
これによって、たとえばＧａＮを、いわゆるＮａフラックス法で作製する場合、装置全体を酸素濃度２０％以下かつ、水分濃度３０％以下で密閉することで、透明な結晶が得られ、収率が１０倍以上になり、成長速度の増加を実現でき、またＧａＮを育成するために必要な最低圧力が低下し、プロセスを簡略化することができる。
【００３７】
また、育成部２内を高温高圧にして、一旦、育成を開始した後も、任意に原料の補充が可能になる。これによって、連続した育成が可能になり、育成部２では、出発原料に窒素原子を含ませた混合融液を貯留する加熱容器２１から種結晶を引き上げてゆくことで、大きな塊を得ることができるとともに、複数の原料を、時間をずらして導入することが可能になり、半導体発光素子を作成するときなどは、一度の育成で、たとえばｎ型層、発光層、ｐ型層を連続して作製することが可能となる。さらにまた、雰囲気調整部３において、窒素原子を出発原料に溶かした形で育成部２に運ぶことができ、前記連続育成を良好に行うことができる。なお、前記種結晶としては、前記サファイア基板にＭＯＣＶＤ法で成長させた別途に設けるものや、混合融液から析出したものの何れであってもよい。
【００３８】
さらにまた、前記アルカリ金属としてナトリウム（Ｎａ）を用い、III族金属としてガリウム（Ｇａ）を用い、いわゆるナトリウム（Ｎａ）フラックス法によって窒化ガリウム（ＧａＮ）を育成する場合、本発明が特に効果的である。
【００３９】
図２は、前記育成部２の具体的な一構成例を示す縦断面図である。育成部２内には、前述のように窒素原子を溶かし込んだフラックスと出発原料との混合溶液２５を貯留する加熱容器２１が設けられており、この加熱容器２１には、種結晶２６の回転と引き上げとの少なくとも一方が可能な駆動機構２７が設けられている。これによって、結晶育成中に前記種結晶２６を回転させることで、結晶周辺の溶液２５を攪拌する作用が生じ、結晶成長において重要な溶液の状態を均一にすることができ、結晶の品質を向上することができるとともに、安定に種結晶２６を成長させることができる。また、種結晶２６を引き上げることで、結晶サイズを制御することができるとともに、前述の連続育成によって、大きな塊を得ることができる。
【００４０】
また、前記加熱容器２１には、出発原料の混合溶液２５の攪拌を行う第１の攪拌手段２８が設けられている。これによってもまた、溶液２５の状態を均一にすることができ、結晶の品質を向上することができるとともに、安定に種結晶２６を成長させることができる。また、前述のように原料の連続投入を行う場合には、投入された原料と、加熱容器２１内にあった原料とを、速やかに均一に混ぜ合わせることができ、特に効果的である。
【００４１】
図３は、前記雰囲気調整部３の具体的な一構成例を示す縦断面図である。育成部２内には、前述のように秤量部１からフラックスと出発原料とを受入れる加熱容器１１が設けられており、この加熱容器１１にも、それらを溶解して得られた混合溶液１５の攪拌を行う第２の攪拌手段１８が設けられている。これによって、加圧によって混合溶液１５に窒素を溶かし込むと、溶液１５中の窒素溶解量に大きな差が生じるのに対して、溶液１５を攪拌することで、溶液１５中のフラックスや原料に加えて、それらに溶け込んだ窒素原子の濃度をより均一にすることができるとともに、窒素の溶解速度を上げることもできる。
【００４２】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の他の形態に係る結晶育成装置の全体の概略的構成を示す図である。この結晶育成装置は、前述の結晶育成装置に類似し、対応する部分には同一の参照符号またはそれに添字を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この結晶育成装置では、１つの秤量部１ａに対して、複数（図４では３つ）の育成部２ａ，２ｂ，２ｃおよびそれに対応する雰囲気調整部３ａ，３ｂ，３ｃが並列に設けられていることである。
【００４３】
上述のように、育成部２ａ，２ｂ，２ｃおよび雰囲気調整部３ａ，３ｂ，３ｃでは、加熱容器２１，１１を用いて、出発原料を溶融させるとともに、それにガスを混合させており、上記のような油落としなどの出発原料の前処理や秤量を行う秤量部１ａとは、処理に要する時間が異なる。そこで、このように秤量部１ａを共用として、育成部２ａ，２ｂ，２ｃおよび雰囲気調整部３ａ，３ｂ，３ｃを複数並列に設けることで、単位スペース当りの収率を増加することができる。
【００４４】
また、並行して複数種類の結晶を育成でき、たとえばｎ型育成部、ｐ型育成部と、用途を分けて半導体素子を作製することも可能となる。
【００４５】
なお、上述の各図およびその説明では、出発原料や混合溶液を搬送するための構成を省略しているけれども、適宜設けられればよい。たとえば、秤量部１には、前処理や秤量を行った出発原料を把持し、耐熱・耐圧蓋９を開けた状態で、雰囲気調整部３の加熱容器１１へ前記出発原料を落し込むアームを設け、同様に、育成部２には、耐熱・耐圧蓋１９を開けた状態で、雰囲気調整部３から加熱容器１１を取り出し、加熱容器２１上で傾けることで混合溶液を流し込むアームを設けるようにすればよい。また、育成した単結晶や、種結晶の脱着のために、育成部２に、さらに別の耐熱・耐圧蓋や、脱着機構が設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の一形態に係る結晶育成装置の全体の概略的構成を示す図である。
【図２】図１で示す結晶育成装置における育成部の具体的な一構成例を示す縦断面図である。
【図３】図１で示す結晶育成装置における雰囲気調整部の具体的な一構成例を示す縦断面図である。
【図４】本発明の実施の他の形態に係る結晶育成装置の全体の概略的構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    秤量部
２    育成部
３    雰囲気調整部
４    開閉扉
５，６；１２，１３；２２，２３    パイプ
７，１４，２４    真空機器
８    秤量器
９，１９    耐熱・耐圧蓋
１１，２１  加熱容器
１５，２５  混合溶液
１８    第２の攪拌手段
２６    種結晶
２７    駆動機構
２８    第１の攪拌手段
【図１】
2005335983.tif 000003
【図２】
2005335983.tif 000004
【図３】
2005335983.tif 000005
【図４】
2005335983.tif 000006