(57)【要約】 【課題】  半導体デバイス等の電子部品を電子回路基板に実装するときにおける加熱加圧による電子部品の損傷を防止するとともに、電子部品の特性劣化を抑止することを目的としている。【解決手段】  基板３と、基板３上に形成された電気信号配線４と、電気信号配線４を被覆する絶縁層５とを備える電子回路基板１において、電気信号配線４には、絶縁層５の上面に少なくとも一部が露出した熱伝導性を有する接続部９が接続されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された電気信号配線と、前記電気信号配線を被覆する絶縁層とを備える電子回路基板において、
前記電気信号配線には、前記絶縁層の上面に少なくとも一部が露出した熱伝導性を有する接続部が接続されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の電子回路基板において、
前記電気信号配線上の前記絶縁層には貫通孔が形成され、該貫通孔内に前記接続部が形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の電子回路基板において、
前記絶縁層上には熱伝導配線が形成され、該熱伝導配線は前記接続部を介して前記電気信号配線に接続されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項４】
請求項３記載の電子回路基板において、
前記熱伝導配線には、他の部分よりも拡幅された拡幅部が形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項５】
基板上に形成された電気信号配線の上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記基板と前記電気信号配線とを備える電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、
前記電気信号配線を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の電子回路基板の前記電気信号配線上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、
前記接続部を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項７】
請求項３または４記載の電子回路基板の前記電気信号配線上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、
前記熱伝導配線を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項８】
請求項１から４記載の電子回路基板に電子部品が実装された構成からなることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項９】
請求項５から７のいずれかに記載の電子部品の実装方法によって、前記電気配線基板上に前記電子部品が搭載された構成からなることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項１０】
請求項８または９記載の電子部品モジュールを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路基板、電子部品の実装方法、電子部品モジュール及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイス等の電子部品をフリップチップ方式によって電子回路基板にフェースダウン実装するとき、電子部品の底面に突設された電極端子と電子回路基板に形成された電気信号配線との間にバンプを介在させて電子部品を電子回路基板上に配置し、バンプを加熱溶融して電極端子と電気信号配線とを接合する。従来、バンプを加熱溶融する方法として、電子部品を加熱する方法と、電子部品及び電子回路基板を一体で加熱する方法とがある。
【０００３】
前者の方法は、電子部品に加熱ヒーター等の加熱手段を直接当接させ、加熱手段の熱を電子部品を介してバンプに伝達してバンプを加熱溶融する方法であり、後者の方法は、電子部品を電気信号配線上に配置して仮固定した状態で電子部品及び電子回路基板をリフロー装置等で加熱し、バンプを加熱溶融する方法である。また、上記した前者の方法の場合、溶融したバンプと電子回路基板とを強固に接合させるため、バンプを加熱溶融すると共に電子部品を電子回路基板の方向に加圧する加圧作業が行われている。
【０００４】
また、近年では、加圧や加熱を行わずに電極端子と電気信号配線とを接合する方法が提供されている。この方法は、電子回路基板に凹部を形成し、凹部から僅かに電気信号配線を突出させ、凹部内に電極端子に設けられたバンプを嵌合させる方法である。この方法によれば、加圧や加熱を行わずに電極端子と電気信号配線とを接合させることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２０９１３９号公報  （第５−８頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来の電子部品を加熱する方法では、電子部品は加圧されると共に加熱されるため、電子部品が損傷する場合があるとともに、電子部品の特性が劣化するという問題が存在する。例えば、ガリウム砒素（GaAs）等の脆弱な材料からなる化合物半導体デバイス（発光・受光デバイス）をフリップチップ方式によって電子回路基板に実装する場合について説明する。この場合、バンプ及び電気信号配線のめっきをそれぞれ金（Au）を使用し、化合物半導体デバイスを２５０℃以上で加熱すると共に１００ｇｆ／バンプ以上で加圧することとなり、化合物半導体デバイスには大きすぎる加圧と高すぎる加熱との両方が作用するため、化合物半導体デバイスが破損するとともに化合物半導体デバイスの光学特性が低下する。
【０００６】
また、上記した従来の電子部品及び電子回路基板を一体で加熱する方法では、電気信号配線が形成されている基板は加熱によって熱収縮するため、基板に高精度にボンディングできないという問題が存在する。さらに、上記した電子回路基板に凹部を形成して凹部内に電極端子に設けられたバンプを嵌合させる方法では、バンプは電気信号配線の引っ掛かりによって抜け止めされているだけであるため、抜け易いという問題が存在する。
【０００７】
本発明は、上記した従来の問題が考慮されたものであり、半導体デバイス等の電子部品を電子回路基板に実装するときにおける加熱加圧による電子部品の損傷を防止するとともに、電子部品の特性劣化を抑止することを目的としている。また、電子部品を電子回路基板に実装するときにおける基板の収縮を抑えて、電子部品を高精度にボンディングすることを目的としている。さらに、電子部品の電極端子と電気信号配線とを強固に固定することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子回路基板は、基板と、該基板上に形成された電気信号配線と、前記電気信号配線を被覆する絶縁層とを備える電子回路基板において、前記電気信号配線には、前記絶縁層の上面に少なくとも一部が露出した熱伝導性を有する接続部が接続されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明に係る電子回路基板には電子部品が実装されるものであり、電子部品の電極端子と電気信号配線とは加熱溶融するバンプを介して接合されることは前提である。このような前提において、上記した本発明の電子回路基板の特徴により、露出した接続部を加熱すると、熱伝導現象によって接続部から電気信号配線を介してバンプに熱が伝達される。これによって、電気信号配線上に配置されるバンプは加熱溶融され、電子部品や基板が加熱されることなくバンプを加熱溶融することができる。
【００１０】
また、本発明の電子回路基板は、前記電気信号配線上の前記絶縁層には貫通孔が形成され、該貫通孔内に前記接続部が形成されている構成としてもよい。
このような構成により、接続部は、露出する一部以外の部分が絶縁層によって保護されるとともに、電気信号配線は、電子部品の電極端子が接合されるところの手前まで絶縁層で保護され、接続部及び電気信号配線は必要最低限の箇所だけがそれぞれ露出される。これによって、隣り合う電気信号配線や接続部がショートする危険性を軽減することができる。
【００１１】
また、本発明の電子回路基板は、前記絶縁層上には熱伝導配線が形成され、該熱伝導配線は前記接続部を介して前記電気信号配線に接続されている構成としてもよい。
このような構成により、熱伝導配線を加熱すると、熱伝導現象によって熱伝導配線から接続部を介して電気信号配線に熱が伝達され、電気信号配線からバンプに熱が伝達される。これによって、電気信号配線上に配置されるバンプは加熱溶融され、電子部品や基板が加熱されることなくバンプを加熱溶融することができる。
【００１２】
また、本発明の電子回路基板は、前記熱伝導配線には、他の部分よりも拡幅された拡幅部が形成されている構成としてもよい。
このような構成により、一般に熱伝導配線の幅は狭いため加熱することが難しい熱伝導配線は、拡幅されて加熱し易い拡幅部を加熱することで加熱され、また、拡幅部は面積が拡大されているため熱を受ける面積が拡大される。これによって、熱伝導配線を容易に加熱することができるとともに、熱伝導配線に効率的に熱を加えることができる。
【００１３】
また、本発明の電子部品の実装方法は、基板上に形成された電気信号配線の上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記基板と前記電気信号配線とを備える電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、前記電気信号配線を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含むことを特徴としている。
【００１４】
このような特徴により、電気信号配線に加えられた熱は、熱伝導現象によって電気信号配線上に配置されたバンプに伝達され、この熱によってバンプは加熱溶融又は加圧加熱される。これによって、電子部品は加熱されず、電子部品に加熱および加圧の双方が作用することはないため、電子部品の損傷を防止することができる。また、電子部品は加熱されないため、加熱による電子部品の特性劣化を抑止することができる。また、基板は加熱されないため、基板は熱収縮されず、電子部品を高精度にボンディングすることができる。さらに、電子部品の電極端子と電気信号配線とはバンプを介して接合されているため、電極端子と電気信号配線とを強固に接合することができる。
【００１５】
また、本発明の電子部品の実装方法は、上記した電子回路基板の前記電気信号配線上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、前記接続部を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含む構成としてもよい。
【００１６】
このような構成により、接続部に加えられた熱は、熱伝導現象によって接続部から電気信号配線を介して電気信号配線に接触するバンプに伝達され、この熱によってバンプは加熱溶融又は加圧加熱される。これによって、前述した電子部品の実装方法と同様に、電子部品の損傷を防止することができるとともに電子部品の特性劣化を抑止することができ、また電子部品を高精度にボンディングすることができ、さらに電極端子と電気信号配線とを強固に接合することができる。
【００１７】
また、本発明の電子部品の実装方法は、上記した電子回路基板の前記電気信号配線上にバンプを介して電子部品を配置する配置工程を含み、前記電子回路基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、前記熱伝導配線を加熱して前記バンプを加熱溶融又は加圧加熱し、該バンプを介して前記電子部品の電極端子と前記電気信号配線とを接合する接合工程を含む構成としてもよい。
【００１８】
このような構成により、熱伝導配線に加えられた熱は、熱伝導現象によって熱伝導配線から接続部を介して電気信号配線に伝達され、電気信号配線から電気信号配線に接触するバンプに伝達される。そして、この熱によってバンプは加熱溶融又は加圧加熱される。これによって、前述した電子部品の実装方法の発明と同様に、電子部品の損傷を防止することができるとともに電子部品の特性劣化を抑止することができ、また電子部品を高精度にボンディングすることができ、さらに電極端子と電気信号配線とを強固に接合することができる。
【００１９】
また、本発明の電子部品モジュールは、上記した電子回路基板に電子部品が実装された構成からなるを特徴としている。
このような特徴により、上記した電子回路基板に係る発明と同様の作用及び効果が得られる。
【００２０】
また、本発明の電子部品モジュールは、上記した電子部品の実装方法によって、前記電気配線基板上に前記電子部品が搭載された構成からなるとしてもよい。
このような構成により、上記した電子部品の実装方法に係る発明と同様の作用及び効果が得られる。
【００２１】
また、本発明の電子機器は、上記した電子部品モジュールを有することを特徴としている。
このような特徴により、上記した電子回路基板に係る発明及び電子部品の実装方法に係る発明と同様の作用及び効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る電子回路基板、電子部品の実装方法、電子部品モジュール及び電子機器の実施の形態について、図１、図２に基いて説明する。図１は電子回路基板１に半導体デバイス２が搭載されたデバイスモジュールを表す断面図であり、図２は電子回路基板１に半導体デバイス２が搭載されたデバイスモジュールを表す平面図である。
【００２３】
図１、図２に示すように、電子回路基板１には、基板３と、基板３上に形成された電気信号配線４と、電気信号配線４および基板３を被覆するレジスト５とが備えられている。基板３は、ガラス、フレキシブルテープ、ガラスエポキシ、或いはセラミックス等からなり、電気信号配線４は銅（Cu）やアルミニウム（Al）や金（Au）等の熱伝導性のよい材料からなり、レジスト５は絶縁性を有する絶縁被膜である。
【００２４】
電子回路基板１の一部には、半導体デバイス２が載せられる電子部品設置部６が形成されている。電子部品設置部６は搭載される半導体デバイス２の外形に合わせて区画されており、電子部品設置部６にはレジスト５が被覆されていない。電子部品設置部６内の基板３上には複数の電気信号配線４の端部が形成されており、電気信号配線４の端部はレジスト５に被覆されておらず露出されている。電気信号配線４端部の表面には、金（Au）や銅（Cu）やアルミニウム（Al）からなるめっき７がそれぞれ被覆されている。
【００２５】
複数の電気信号配線４上にそれぞれ形成されたレジスト５には貫通孔８がそれぞれ形成されている。貫通孔８は電子部品設置部６の近傍にそれぞれ形成されており、貫通孔８内には銅（Cu）やアルミニウム（Al）や金（Au）等の熱伝導性のよい材料からなるビア９が形成されている。ビア９の下端面は貫通孔８に対向する電気信号配線４の表面に接合されており、電気信号配線４とビア９とは接続されている。また、ビア９の上端面はレジスト５の上面に露出されており、レジスト５の表面と面一に形成されている。
【００２６】
また、レジスト５上には、銅（Cu）やアルミニウム（Al）や金（Au）等の熱伝導性のよい材料からなる複数の熱伝導配線１０が形成されている。熱伝導配線１０の一端はビア９の露出された上端面に接触されており、熱伝導配線１０はビア９を介してレジスト５で被覆された電気信号配線４に接続されている。複数の熱伝導配線１０は、ビア９の上端面から電子回路基板１の外周部にかけてそれぞれ形成されており、熱伝導配線１０の電子回路基板１の外周部上に位置する他端には他の部分よりも拡幅された拡幅部１１がそれぞれ形成されている。複数の熱伝導配線１０に係るそれぞれの拡幅部１１は電子回路基板１の外縁に沿ってそれぞれ配設されており、複数の拡幅部１１は隣り合う拡幅部１１同士が接触しない程度に隣接されて寄せ集められている。
【００２７】
一方、電子部品設置部６内には半導体デバイス２が配置されている。半導体デバイス２の底面には複数の電極端子１２が配列形成されており、複数の電極端子１２は電子部品設置部６内の基板３上に形成された複数の電気信号配線４の端部にそれぞれ対向されている。電極端子１２とめっき７で被覆された電気信号配線４端部とは、無鉛ハンダからなるバンプ１３を介して接合されており、電気信号配線４と電極端子１２とは電気的に接続されている。
【００２８】
次に、上記した構成からなる電子回路基板１に半導体デバイス２を搭載する半導体デバイス２の実装方法について、図３に基いて説明する。図３は電子回路基板１に半導体デバイス２を実装する工程を表した断面図である。
【００２９】
［電子回路基板形成工程］
まず、図３（ａ）に示すように、基板３上に複数の電気信号配線４をそれぞれ形成し、電気信号配線４及び基板３の上にレジスト５を被覆して電子回路基板１を形成する工程を行う。このとき、電気信号配線４の端部が形成された所定の箇所にはレジスト５を被覆せずに電子部品設置部６を形成する。また、電子部品設置部６内の電気信号配線４端部の表面にはめっき７を施す。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、電気信号配線４上に形成されたレジスト５にビア９を形成すると共に、レジスト５上に熱伝導配線１０を形成する。具体的には、複数の電気信号配線４上に形成されたレジスト５に電気信号配線４の表面に達する貫通孔８をそれぞれ形成する。そして、貫通孔８内に溶融した熱伝導性材料を流し込んで固化させ、電気信号配線４に接続されたビア９を形成する。また、レジスト５の上面に上端面が露出する複数のビア９から電子回路基板１の外周部にかけて熱伝導配線１０をそれぞれ形成し、ビア９の上端面と熱伝導配線１０の一端とを接合すると共に熱伝導配線１０の他端に拡幅部１１を形成する。このとき、複数の拡幅部１１は電子回路基板１の外周部に接触しない程度に隣接させて形成している。
【００３１】
［電子部品配置工程］
次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品設置部６内に形成された複数の電気信号配線４端部の上にバンプ１３を介して半導体デバイス２を配置する工程を行う。具体的には、予め半導体デバイス２の底面に形成された複数の電極端子１２の下端部にバンプ１３をそれぞれ形成しておく。そして、半導体デバイス２を電子部品設置部６内の電気信号配線４端部上に配置して仮固定する。このとき、電極端子１２の下端部に形成されたバンプ１３とめっき７で被覆された電気信号配線とが接触するように半導体デバイス２を位置合わせする。
【００３２】
［電気信号配線・電極端子接合工程］
次に、図３（ｄ）に示すように、拡幅部１１に加熱ヒーター１４を当接させて熱伝導配線１０を加熱し、電極端子１２と電気信号配線４との間に介在されたバンプ１３を加熱溶融して電極端子１２と電気信号配線４とを接合する工程を行う。このとき、電子回路基板１の外周部に寄せ集められた複数の拡幅部１１に当接する加熱ヒーター１４を使用し、複数の拡幅部１１を一括で加熱する。また、バンプ１３を加熱溶融すると共に、半導体デバイス２を加圧する加圧手段１５によって半導体デバイス２を電子回路基板１の方向に押圧し加圧加熱する。
【００３３】
電気信号配線４と電極端子１２とを接合する工程の後、加熱ヒーター１４および加圧手段１５をそれぞれ取り外す。そして、必要に応じて、レジスト５上に形成された熱伝導配線１０をパンチングによるカットやエッチング等により除去する。また、半導体デバイス２と電子回路基板１との間に形成される隙間に図示せぬ封止樹脂を充填する。なお、熱伝導配線１０と電気信号配線４とは電気的に接続されており、熱伝導配線１０同士がショートすると電気信号配線４がショートすることになるため、熱伝導配線１０の上に更に図示せぬレジストを形成し、熱伝導配線１０のショートを防止してもよい。
【００３４】
上記した電子回路基板１及び電子回路基板１に半導体デバイス２が搭載されたデバイスモジュールによれば、電気信号配線４には、レジスト５の上面に上端面が露出した熱伝導性を有するビア９が接続され、レジスト５上にはビア９を介して電気信号配線４に接続された熱伝導配線１０が形成され、熱伝導配線１０には拡幅部１１が形成されているため、拡幅部１１を加熱することによって熱伝導配線１０は加熱され、熱伝導配線１０が加熱されると、熱伝導現象によって熱伝導配線１０からビア９を介して電気信号配線４に熱が伝達され、電気信号配線４の端部からバンプ１３に熱が伝達される。これによって、電気信号配線４上に配置されるバンプ１３は加熱され、半導体デバイス２や基板３が加熱されることなくバンプ１３を加熱溶融及び加圧加熱することができる。
【００３５】
また、電気信号配線４上のレジスト５には、貫通孔８が形成されており、この貫通孔８内にビア９が形成されているため、ビア９は、露出する上端面以外の外周面等がレジスト５によって保護されるとともに、電気信号配線４は、半導体デバイス２の電極端子１２が接合されるところの手前までレジスト５で保護され、ビア９及び電気信号配線４は必要最低限の箇所だけがそれぞれ露出される。これによって、隣り合う電気信号配線４やビア９がショートする危険性を軽減することができ、動作の信頼性の高い電子回路基板１を提供することができる。
【００３６】
また、熱伝導配線１０には、他の部分よりも拡幅された拡幅部１１が形成されているため、幅が狭く加熱ヒーター１４を当接させ難い熱伝導配線１０は、幅が広く加熱ヒーター１４を当接し易い拡幅部１１を加熱することで加熱される。これによって、熱伝導配線１０を容易に加熱することができる。また、拡幅部１１は面積が拡大されているため熱を受ける面積が拡大され、熱伝導配線１０を効率的に加熱することができる。
【００３７】
また、熱伝導配線１０はビア９から電子回路基板１の外周部にかけて形成されており、電子回路基板１の外周部に位置する熱伝導配線１０の他端には拡幅部１１が形成されているため、電子回路基板１上に搭載されている他の電子部品と加熱ヒーター１４が当接される拡幅部１１は離される。これによって、他の電子部品に対して、熱による影響或いは加熱ヒーター１４との接触による影響を及ぼさずに拡幅部１１を加熱することができる。また、複数の拡幅部１１は各々隣接されており、拡幅部１１は寄せ集められているため、一つの加熱ヒーター１４で複数の拡幅部１１を加熱され、複数の拡幅部１１を一括して加熱される。これによって、拡幅部１１を加熱する作業を軽減することができる。
【００３８】
一方、上記した半導体デバイス２の実装方法及びその実装方法によって形成されたデバイスモジュールによれば、拡幅部１１に加熱ヒーター１４を当接させることで熱伝導配線１０を加熱してバンプ１３を加熱溶融し、電極端子１２と電気信号配線４とを接合しているため、加熱ヒーター１４から熱伝導配線１０に加えられた熱は、熱伝導現象によって熱伝導配線１０からビア９を介して電気信号配線４に伝達され、電気信号配線４からバンプ１３に伝達され、この熱によってバンプ１３は加熱溶融又は加圧加熱される。これによって、半導体デバイス２は加熱されず、半導体デバイス２に加熱および加圧の双方が作用することはないため、半導体デバイス２の損傷を防止することができる。
【００３９】
また、半導体デバイス２は加熱されないため、加熱による半導体デバイス２の特性劣化を抑止することができる。また、基板３は加熱されないため、基板３が熱収縮することはなく、半導体デバイス２を高精度にボンディングすることができる。さらに、半導体デバイス２の電極端子１２と電気信号配線４とは溶融するバンプ１３を介して接合されているため、電極端子１２と電気信号配線４とを強固に接合することができる。
【００４０】
以上、本発明に係る電子回路基板、電子部品の実装方法及び電子部品モジュールの実施の形態について説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記した実施形態では、電気信号配線４上に配置された半導体デバイス２の下方の空間には図示せぬ封止樹脂が充填されるが、本発明は、図４に示すように、半導体デバイス１００を電子回路基板１０１に実装させる場合に、半導体デバイス１００と電気信号配線１０２との間に異方性導電膜（ＡＣＦ）１０３を介在させて固定してもよい。この異方性導電膜１０３は、周知の通り、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂１０３ａの中に多数の導電粒子１０３ｂを分散させることによって形成されている。これによって、さらに半導体デバイス１００と電子回路基板１０１との接着性を向上させることができる。また、異方性導電膜１００に替えて異方性導電接着剤（ＡＣＰ）を同様に介在させてもよい。
【００４１】
また、上記した実施形態では、レジスト５上に熱伝導配線１０が形成されており、熱伝導配線１０を加熱ヒーター１１で加熱することによりバンプ１３を加熱溶融及び加圧加熱しているが、本発明は、図５に示すように、電子回路基板１１０のレジスト１１１上に熱伝導配線を形成せず、ビア１１２に加熱ヒーター１１３を当接させてもよい。このような構成によれば、加熱ヒーター１１３からビア１１２に伝達された熱は、熱伝導現象により電気信号配線１１４を介してバンプ１１５に伝達され、バンプ１１５は加熱溶融される。これによって、熱伝導配線を省略することができるとともに、半導体デバイス１１６の搭載後に熱伝導配線を除去する工程或いは部分的にレジストする工程を省略することができる。
【００４２】
また、図６に示すように、電子回路基板１２０を電子部品設置部１２１近傍のレジスト１２２を形成せずに電気信号配線１２３を露出させる構成とし、電気信号配線１２３に加熱ヒーター１２４を直接当接させてもよい。このような構成によって、ビアを省略することができる。また、図６に示すように、レジスト１２２に欠き込みを形成して電気信号配線１２３を露出させてもよく、電子部品設置部１２１の周囲を全体的にレジスト１２２を形成せずに電気信号配線１２３を露出させてもよい。また、レジスト１２２に加熱ヒーター１２４が挿入される孔を形成して電気信号配線１２３を露出させてもよい。また、上記した場合では半導体デバイス１２５を搭載させた後に部分的にレジストを形成して電気信号配線の露出した部分を保護してもよい。さらに、レジスト１２２が形成されていない状態で半導体デバイス１２５を配置し、電気信号配線１２３に加熱ヒーター１２４を当接させて接合し、その後レジスト１２２を形成してもよい。
【００４３】
また、上記した実施形態では、レジスト５の上面に少なくとも一部が露出した熱伝導性を有する接続部は貫通孔８内に形成されたビア９によって形成されているが、本発明は、レジスト５の端部に接続部を形成してもよく、熱伝導配線１０の材料をレジスト５の端部で屈曲させて接続部を形成してもよく、熱伝導配線１０の材料の端部を電気信号配線４に直接接続させてもよい。
【００４４】
また、上記した実施形態では、加熱ヒーター１４によって加熱を行うと共に、加圧手段１５によって半導体デバイス２に加圧をかけているが、本発明は、半導体デバイス２の自重が重い場合であって半導体デバイス２の重量によって十分に溶融したバンプ１３と密着する場合にはかけなくてもよい。これによって、加圧手段１５を省略することができる。
【００４５】
また、上記した実施形態では、電子部品に半導体デバイス２を使用しているが、本発明は、半導体デバイス２に替えてＬＤやＬＥＤ等の光デバイスやＴＦＴ等の液晶ドライバーを使用してもよく、この場合、光電気変換モジュールや液晶表自体モジュールを形成することができる。また、半導体デバイス２に替えて上記した電子部品以外の各種の電子部品を適宜使用してもよい。
【００４６】
また、上記した実施形態では、無鉛ハンダからなるバンプ１３を使用しているが、本発明は、無鉛ハンダからなるバンプ１３に替えて金（Au）、ニッケル（Ni）、銅（Cu）、銀（Ag）、ハンダ（PbSn）等を使用してもよい。さらに、上記した実施形態では、電気信号配線４の端部には金（Au）等からなる金属製のめっき７が施されて金属接合されているが、本発明は、金属製のめっき７に替えて、導電性ペーストや導電性フィルムを電気信号配線４の端部に施してもよい。
【００４７】
また、上記した実施形態では、貫通孔８内に溶融した熱伝導性材料を流し込むことでビア９が形成されているが、本発明は、蒸着法やスパッタ法等の成膜方法を用いてビア９を形成してもよい。また、上記した実施形態では、予め半導体デバイス２の電極端子１２の下端部にバンプ１３が形成されているが、本発明は、予め電気信号配線４の端部上にバンプ１３を形成してもよい。
【００４８】
次に、本発明に係る電子機器について説明する。
上記した実施形態におけるデバイスモジュール（電子部品モジュール）は、図７に示すような電子機器としてのノート型パーソナルコンピュータ５０、及び図８に示すような電子機器としても携帯電話５１に備えられる。なお、本発明に係る電子部品モジュールは、上記したノート型パーソナルコンピュータ５０や携帯電話５１に限らず、電子手帳や電子計算機等のその他の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る電子部品モジュールの実施形態であるデバイスモジュールを表す断面図である。
【図２】本発明に係る電子部品モジュールの実施形態であるデバイスモジュールを表す平面図である。
【図３】本発明に係る電子部品の実装方法の実施形態である半導体デバイスの実装方法を表す断面図である。
【図４】本発明に係る電子部品の実装方法の他の実施形態である半導体デバイスの実装方法を表す断面図である。
【図５】本発明に係る電子部品の実装方法の他の実施形態である半導体デバイスの実装方法を表す断面図である。
【図６】本発明に係る電子部品の実装方法の他の実施形態である半導体デバイスの実装方法を表す断面図である。
【図７】本発明に係る電子機器の実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを表す斜視図である。
【図８】本発明に係る電子機器の実施形態である携帯電話を表す斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１,１０１,１１０,１２０  電子回路基板
２,１００,１１６,１２５  半導体デバイス（電子部品）
３  基板
４,１０２,１１４,１２３  電気信号配線
５,１１１,１２２  レジスト（絶縁層）
８  貫通孔
９,１１２  ビア（接続部）
１０  熱伝導配線
１１  拡幅部
１２  電極端子
１３,１１５  バンプ
【図１】
2005116625.tif 000003
【図２】
2005116625.tif 000004
【図３】
2005116625.tif 000005
【図４】
2005116625.tif 000006
【図５】
2005116625.tif 000007
【図６】
2005116625.tif 000008
【図７】
2005116625.tif 000009
【図８】
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