(57)【要約】    【課題】  本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、不良品の発生を低減することが可能であり、歩留まりよく簡便に実装密度の高い回路基板を製造する方法を提供することを目的としている。    【解決手段】  薄膜回路チップに形成された複数の第１接続端子と基本基板に形成された複数の第２接続端子とを異方性導電ペーストを介して貼り合わせる回路基板の製造方法であって、前記複数の第１接続端子を前記薄膜回路チップの中央付近に設け、当該複数の第１接続端子を設けた領域の外周に前記第１接続端子と前記第２接続端子との接合時に前記異方性導電ペーストが広がる広がり領域を設ける工程と、前記複数の第２接続端子を前記基本基板上の前記複数の第１接続端子に対応する位置に設ける工程と、前記異方性導電ペーストを前記薄膜回路チップの中央付近又は前記基本基板の前記薄膜回路チップを接着する予定の予定領域の中央付近に供給する工程と、前記薄膜回路チップと前記基本基板とを前記異方性導電ペーストを介して貼り合せる工程と、を含む回路基板の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜回路チップに形成された複数の第１接続端子と基本基板に形成された複数の第２接続端子とを異方性導電ペーストを介して貼り合わせる回路基板の製造方法であって、
前記複数の第１接続端子を前記薄膜回路チップの中央付近に設け、当該複数の第１接続端子を設けた領域の外周に前記第１接続端子と前記第２接続端子との接合時に前記異方性導電ペーストが広がる広がり領域を設ける工程と、
前記複数の第２接続端子を前記基本基板上の前記複数の第１接続端子に対応する位置に設ける工程と、
前記異方性導電ペーストを前記薄膜回路チップの中央付近又は前記基本基板の前記薄膜回路チップを接着する予定の予定領域の中央付近に供給する工程と、
前記薄膜回路チップと前記基本基板とを前記異方性導電ペーストを介して貼り合せる工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記異方性導電ペーストを、前記複数の第１接続端子の各端子又は前記複数の第２の接続端子の各端子の少なくとも一部を覆うように供給する、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
隣接する前記第１接続端子間の間隔が前記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径よりも大きい、請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
隣接する前記第１接続端子間の間隔が前記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径の３倍よりも大きい、請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
隣接する前記第１接続端子間の間隔ａよりも前記広がり領域の幅ｂの方が大きい、請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記異方性導電ペーストがスクリーン印刷により供給される、請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記複数の第１接続端子の配列が略長方形状である場合に、前記広がり領域が当該第１接続端子配列の長手方向側の幅ｂ1よりも短手方向側の幅ｂ2の方が広く形成される、請求項１乃至６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜回路チップが薄膜トランジスタを含み、当該薄膜トランジスタが前記広がり領域に設置される、請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
第１基板に形成された薄膜回路チップを異方性導電ペーストを介して第２基板に接合することにより前記薄膜回路チップを第２基板に転写する方法であって、
前記薄膜回路チップの中央付近に複数の第１接続端子を設け、当該複数の第１接続端子が設けられた領域の外周に前記薄膜回路チップと前記第２基板との接合時に前記異方性導電ペーストが広がる広がり領域を設ける工程と、
前記第２基板上に前記複数の第１接続端子と接続する複数の第２接続端子を設置する工程と、
前記異方性導電ペーストを前記薄膜回路チップの中央付近又は前記第２基板の前記薄膜回路チップを接着する予定の予定領域の中央付近に供給する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを前記導電性ペーストを介して貼り合わせる工程と、
前記第１基板から前記第２基板に前記薄膜回路チップを剥離転写する工程と
を含むことを特徴とする薄膜回路チップの転写方法。
【請求項１０】
転写先基板に転写するための薄膜回路チップが形成された転写元基板であって、
前記薄膜回路チップが前記基本基板との電気的接続を図るための複数の接続端子を備え、当該複数の接続端子が前記薄膜回路チップの中央付近に設けられ、当該複数の接続端子が設けられた領域の外周に前記転写先基板と前記薄膜回路チップとを異方性導電ペーストを用いて接合する際に前記異方性導電ペーストが広がる広がり領域が設けられていることを特徴とする転写元基板。
【請求項１１】
隣接する前記接続端子間の間隔が前記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径よりも大きい、請求項１０に記載の転写元基板。
【請求項１２】
隣接する前記接続端子間の間隔ａよりも前記広がり領域の幅ｂの方が大きい、請求項１０又は請求項１１に記載の転写元基板。
【請求項１３】
前記複数の接続端子の配列が略長方形であり、前記広がり領域が当該接続端子配列の長手方向側の幅ｂ1よりも短手方向側の幅ｂ2の方が広く形成される、請求項１０乃至１２のいずれかに記載の転写元基板。
【請求項１４】
複数の第１接続端子を備えた薄膜回路チップが形成された転写元基板から前記薄膜回路チップを転写する転写先の転写先基板であって、
前記複数の第１接続端子の各々に接続される複数の第２接続端子を備え、当該複数の第２接続端子が前記薄膜回路チップが転写される予定の転写予定領域の中央付近に設けられ、当該複数の第２接続端子が設けられた領域の外周に前記転写先基板と前記薄膜回路チップとを異方性導電ペーストを用いて接合する際に前記異方性導電ペーストが広がる広がり領域が設けられていることを特徴とする転写先基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法、転写方法、転写元基板及び転写先基板に関し、詳しくは、薄膜回路チップを接着剤を介して接合する回路基板の製造方法、転写方法、転写元基板及び転写先基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板の微細化、高集積化が進んでおり、パッケージに入れずにＩＣ（チップ）を実装するベアチップ実装方式が広く普及している。ベアチップをプリント基板に実装する場合には、一般に、ベアチップをペースト状の接着剤により接着する方法が採用されている。しかし、このような方法ではペースト状の接着剤が周囲の所望としない領域にまで広がってしまう場合がある。例えばベアチップとして固体撮像素子を用いた場合、接着領域の隣接する位置に画素面があるとペースト状の接着剤が画素面にまで及んでしまい使用し得なくなる場合があった。
【０００３】
このような接着剤の広がりによる問題を解決方法として、特開２０００−１２６１５号公報（特許文献１）に、ベアチップの取り付け位置の周囲に突起部又は凹部を形成し、接着剤の広がりを防止する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−１２６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、接着剤の広がりは、接着領域の周囲に他の部品との接続を図るための電極パッドがある場合等にも、かかる電極パッドに接着剤が付着することにより接続不良が生じる場合があり問題となる。したがって、接着剤が広がる虞のある領域には、このような接着剤の付着により影響の生じる画素、電極パッド等の部品を配置することができず、実装面で制約を受ける場合がある。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、不良品の発生を低減することが可能であり、歩留まりよく簡便に実装密度の高い回路基板を製造する方法を提供することを目的としている。
【０００６】
また、不良品の発生の低減が可能であり、歩留まりよく簡便に薄膜回路チップの転写が可能な転写方法、これに用いられる転写元基板及び転写先基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、薄膜回路チップに形成された複数の第１接続端子と基本基板に形成された複数の第２接続端子とを異方性導電ペーストを介して貼り合わせる回路基板の製造方法であって、上記複数の第１接続端子を上記薄膜回路チップの中央付近に設け、当該複数の第１接続端子を設けた領域の外周に上記第１接続端子と上記第２接続端子との接合時に上記異方性導電ペーストが広がる広がり領域を設ける工程と、上記複数の第２接続端子を上記基本基板上の上記複数の第１接続端子に対応する位置に設ける工程と、上記異方性導電ペーストを上記薄膜回路チップの中央付近又は上記基本基板の上記薄膜回路チップを接着する予定の予定領域の中央付近に供給する工程と、上記薄膜回路チップと上記基本基板とを上記異方性導電ペーストを介して貼り合せる工程と、を含む回路基板の製造方法を提供するものである。
【０００８】
薄膜回路チップを基本基板上に設置する場合、通常、接続端子は接着剤の塗布容易性等の観点から薄膜回路チップの周縁部（コーナー部も含む）に配置される。したがって、異方性導電ペースト等の接着剤も接続端子を確実に接続させるために薄膜回路チップの周縁部に供与されていたため、薄膜回路チップと基本基板を張り合わせた際に、余剰の接着剤が薄膜回路チップの周囲に広がる場合が多い。しかしながら、本発明の第１の態様によれば、複数の第１接続端子を薄膜回路チップの中央付近に設け、その外周に異方性導電ペーストの広がり領域を設けたので、薄膜回路チップと基本基板を張り合わせた際に薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペーストを供与する必要がなくなり、貼り合せ時に薄膜回路チップの周囲に広がる余剰の異方性導電ペーストの量を低減することが可能となる。また、中央付近に異方性導電ペーストを供与することで、確実に第１接続端子と第２接続端子とを接続することが可能となる。さらに、本発明の第１の態様によれば、異方性導電ペーストの広がりを防止するために突起部や凹部を形成する等の新たな工程を経なくてもよいので簡便に実装密度の高い回路基板を製造し得る。
【０００９】
なお、ここで、異方性導電ペーストとは、非導電性の樹脂中に導電性の粒子を含むペースト状の接着剤をいう。
【００１０】
上記異方性導電ペーストを、上記複数の第１接続端子の各端子又は上記複数の第２の接続端子の各端子の少なくとも一部を覆うように供給することが好ましい。薄膜回路チップと基本基板との貼り合せ時に、第１接続端子と第２接続端子との間に圧力が一番かかる。したがって、異方性導電ペーストが第１接続端子又は第２接続端子上に予め配置されていない場合には、導電性粒子は周囲からは圧力の高い方には入り込み難い。しかし、予め第１接続端子又は第２接続端子間に異方性導電ペーストが配置されている場合には、導電性粒子を第１接続端子又は第２接続端子間により確実に介在させることが可能となり、より確実な電気的接続が可能となる。
【００１１】
隣接する上記第１接続端子間の間隔が上記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径よりも大きいことが好ましく、さらに、上記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径の３倍よりも大きいことが好ましい。これにより、第１接続端子間の電気的絶縁性を確実にすることが可能となる。
【００１２】
隣接する上記第１接続端子間の間隔ａよりも上記広がり領域の幅ｂの方が大きいことが好ましい。これによれば、異方性導電ペーストの広がり領域を十分に確保することが可能となる。
【００１３】
上記異方性導電ペーストがスクリーン印刷により供給されることが好ましい。これによれば、所望の位置に一括して異方性導電ペーストを供与することが可能となる。よって、製造効率を向上させることが可能となる。
【００１４】
上記複数の第１接続端子の配列が略長方形状である場合に、上記広がり領域が当該第１接続端子配列の長手方向側の幅ｂ1よりも短手方向側の幅ｂ2の方が広く形成されることが好ましい。異方性導電ペーストは円状に広がる傾向を有するので、これにより余剰の異方性導電ペーストが薄膜回路チップの周囲にはみ出すのをより確実に防止することが可能となる。
【００１５】
上記薄膜回路チップが薄膜トランジスタを含み、当該薄膜トランジスタが上記広がり領域に設置されることが好ましい。これにより、第１接続端子をより薄膜回路チップの中央部に設置することが可能となる。また、第１接続端子付近に薄膜トランジスタが形成されていると、薄膜回路チップと基本基板の貼り合せ時に第１接続端子が押圧されて歪みが生じる場合があり、第１接続端子の歪みが薄膜トランジスタが破損する虞がある。しかし、薄膜トランジスタが第１接続端子が設けられた領域の周囲の広がり領域に形成されることにより、第１接続端子の歪みによる薄膜トランジスタの破損の虞を回避することが可能となる。
【００１６】
本発明の第２の態様は、第１基板に形成された薄膜回路チップを異方性導電ペーストを介して第２基板に接合することにより上記薄膜回路チップを第２基板に転写する方法であって、上記薄膜回路チップの中央付近に複数の第１接続端子を設け、当該複数の第１接続端子が設けられた領域の外周に上記薄膜回路チップと上記第２基板との接合時に上記異方性導電ペーストが広がる広がり領域を設ける工程と、上記第２基板上に上記複数の第１接続端子と接続する複数の第２接続端子を設置する工程と、上記異方性導電ペーストを上記薄膜回路チップの中央付近又は上記第２基板の上記薄膜回路チップを接着する予定の予定領域の中央付近に供給する工程と、上記第１基板と上記第２基板とを上記導電性ペーストを介して貼り合わせる工程と、上記第１基板から上記第２基板に上記薄膜回路チップを剥離転写する工程とを含む薄膜回路チップの転写方法を提供するものである。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、複数の第１接続端子を薄膜回路チップの中央付近に設け、その外周に異方性導電ペーストの広がり領域を設けたので、薄膜回路チップと第２基板（基本基板、転写先基板）を張り合わせた際に薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペーストを供与する必要がなくなり、貼り合せ時に薄膜回路チップの周囲に広がる余剰の異方性導電ペーストの量を低減することが可能となる。また、中央付近に異方性導電ペーストを供与することで、確実に第１接続端子と第２接続端子とを接続することが可能となる。さらに、本発明の第２の態様によれば、異方性導電ペーストの広がりを防止するために突起部や凹部を形成する等の新たな工程を経なくてもよい。
【００１８】
本発明の第３の態様は、転写先基板に転写するための薄膜回路チップが形成された転写元基板であって、上記薄膜回路チップが上記基本基板との電気的接続を図るための複数の接続端子を備え、当該複数の接続端子が上記薄膜回路チップの中央付近に設けられ、当該複数の接続端子が設けられた領域の外周に上記転写先基板と上記薄膜回路チップとを異方性導電ペーストを用いて接合する際に上記異方性導電ペーストが広がる広がり領域が設けられている転写元基板を提供するものである。
【００１９】
薄膜回路チップの周縁部に接続端子が設置される際は、転写先基板側の接続端子との接続をより確実にするために薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペーストを供与する必要があった。しかし、かかる構成によれば、複数の接続端子が薄膜回路チップの中央付近に設けられ、その外周に異方性導電ペーストの広がり領域が設けられているので、薄膜回路チップと基本基板を貼り合わせる際に薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペーストを供与する必要がなくなる。よって、転写先基板との貼り合せ時に薄膜回路チップの周囲に広がる余剰の異方性導電ペーストの量を低減することが可能となる。
【００２０】
隣接する上記接続端子間の間隔が上記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径よりも大きいことが好ましく、さらに、上記異方性導電ペーストに含まれる導電粒子の粒子径の３倍よりも大きいことが好ましい。これにより、接続端子間の電気的絶縁性を確実にすることが可能となる。
【００２１】
隣接する上記接続端子間の間隔ａよりも上記広がり領域の幅ｂの方が大きいことが好ましい。これによれば、異方性導電ペーストの広がり領域を十分に確保することが可能となる。
【００２２】
上記複数の接続端子の配列が略長方形であり、上記広がり領域が当該接続端子配列の長手方向側の幅ｂ1よりも短手方向側の幅ｂ2の方が広く形成されていることが好ましい。異方性導電ペーストは円状に広がる傾向を有するので、これにより余剰の異方性導電ペーストが薄膜回路チップの周囲にはみ出すのをより確実に防止することが可能となる。
【００２３】
本発明の第４の態様は、複数の第１接続端子を備えた薄膜回路チップが形成された転写元基板から上記薄膜回路チップを転写する転写先の転写先基板であって、上記複数の第１接続端子の各々に接続される複数の第２接続端子を備え、当該複数の第２接続端子が上記薄膜回路チップが転写される予定の転写予定領域の中央付近に設けられ、当該複数の第２接続端子が設けられた領域の外周に上記転写先基板と上記薄膜回路チップとを異方性導電ペーストを用いて接合する際に上記異方性導電ペーストが広がる広がり領域が設けられている転写先基板を提供するものである。
【００２４】
かかる構成によれば、当該複数の第２接続端子が上記薄膜回路チップが転写される予定の転写予定領域の中央付近に設けられ、その外周に異方性導電ペーストの広がり領域が設けられているので、薄膜回路チップと転写先基板（基本基板）を貼り合わせる際に薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペーストを供与する必要がなくなる。よって、転写元基板との貼り合せ時に薄膜回路チップの周囲に広がる余剰の異方性導電ペーストの量を低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態の回路基板の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。本実施形態では、第１基板１００に設けられた複数の被転写体としての薄膜回路チップ１３０を第２基板２００に転写する転写方法を利用して、薄膜回路チップ１３０を含む回路基板４００を製造した例について説明する。なお、本明細書において、第１基板１００は転写元基板ともいい、第２基板２００は転写先基板、基本基板ともいう。
（第１基板準備工程）
まず、図１（Ａ）に示す第１基板１００を準備する。図１（Ａ）は、複数の薄膜回路チップ１３０が形成された第１基板１００の一例を示す図である。図３は、本実施形態に用いられる第１基板１００の上面図である。
【００２６】
基礎となる基板１１０上に、複数の薄膜回路チップ１３０を上下左右に整列するように形成する。薄膜回路チップ１３０は、基礎となる基板１１０上に剥離層１１２、配線層１１３、薄膜トランジスタ１０２及び第１接続端子としての電極パッド１２０を形成することにより得られる。転写単位としての各薄膜回路チップ１３０には、薄膜トランジスタ１０２及び複数の電極パッド１２０が形成される。
【００２７】
本実施形態では、複数の電極パッド１２０は、薄膜回路チップ１３０の中央付近に集約するように配置（形成）する。これにより、複数の電極パッド１２０が形成された電極パッド１２０の形成領域の外周に後の貼り合せ工程で使用する異方性導電ペースト１３１（図１（Ｃ）参照）の広がる広がり領域１５０が形成される。
【００２８】
電極パッド１２０の配置間隔は、各電極パッド１２０の接続の独立性を確保するために、異方性導電ペースト１３１含まれる導電性の粒子（導電性粒子）１３２（図１（Ｃ）参照）の粒子径よりも大きいことが好ましい。より好ましくは、導電性粒子１３２の粒子径の３倍よりも大きいことが望ましい。これにより、より確実に各電極パッド１２０間の独立性を確保することが可能となる。
【００２９】
また、異方性導電ペースト１３１の広がり領域１５０の幅ｂは、各電極パッド１２０間の間隔ａよりも大きいことが好ましい。これにより、電極パッド１２０の周囲に異方性導電ペースト１３１が広がる広がり領域１５０を十分に確保することが可能となる。
【００３０】
また、図３に示すように、電極パッド１２０が略長方形状に配列されている場合には、広がり領域１５０の幅ｂは、この長方形の長手方向側の幅ｂ1よりも短手方向側の幅ｂ2よりも広くなるように形成することが好ましい。通常、異方性導電ペーストは円形となるように広がる傾向にある。よって、短手方向側により異方性導電ペーストが移動していく傾向にあるので、幅ｂ2を幅ｂ1よりも広く確保することにより、異方性導電ペーストの薄膜回路チップの外側への広がり（はみ出し）を防止することが可能となる。
【００３１】
基板１１０としては、例えば耐熱性ガラスなどの透光性及び耐熱性を有する基板を用いることが好ましい。これにより、後の光照射工程において、照射された光を基板１１０を介して剥離層１１２に到達させることが可能となる。
【００３２】
剥離層１１２は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層１１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００３３】
さらに、光の照射により、剥離層１１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００３４】
このような剥離層１１２としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、剥離層１１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス、金属、有機高分子材料などを用いることも可能である。
【００３５】
剥離層１１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００３６】
なお、図１（Ａ）には示されないが、基板１１０及び剥離層１１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１１０と剥離層１１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
【００３７】
また、剥離層１１２上には配線層１１３、薄膜トランジスタ１０２及び電極パッド１２０が公知技術を用いて形成される。なお、剥離層１１２及び配線層１１３の間には、図示せぬ絶縁膜（例：酸化シリコン）が形成される。これにより、配線層１１３の保護が図られると共に、外部との電気的絶縁が保たれると共に、剥離時に生じる薄膜回路チップ１３０の破損等を防止することができる。
（第２基板準備工程）
図１（Ｂ）に示す第２基板２００を準備する。図１（Ｂ）は、複数の第２接続端子としての電極パッド２０４ａが形成された第２基板２００の一例を示す図である。
【００３８】
第２基板（基本基板又は転写先基板）２００は、例えばガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に、配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４ａ及び配線層２１２を保護する保護膜２１４を含み構成されている。保護膜２１４は、例えば、酸化シリコン、樹脂等で構成され、配線層２１２と外部との電気的絶縁を図る役割も担う。
【００３９】
図４は、本実施形態に用いられる第２基板２００の上面図である。図３中、２３０は薄膜回路チップ１３０が接着（転写）される予定の予定領域（転写予定領域）を示す。予定領域２３０内には、第１基板１００側の電極パッド１２０と同数の電極パッド２０４ａが、第１基板１００側の電極パッド１２０に対応する位置に設けられている。また、第２の基板２００上には、さらに電極パッド２０４ａに入力された信号をさらに外部（例：有機ＥＬ素子）に伝達するための電極パッド２０４ｂが形成されている。第２基板２００上には、このような電極パッド２０４ａ及び電極パッド２０４ｂを含むユニット２２０が縦横に複数形成されている。
【００４０】
第２接続端子としての電極パッド２０４ａは、必ずしも第１接続端子としての電極パッド１２０と完全に一致する形状である必要はなく、また、配置位置も第１接続端子としての電極パッド１２０との電気的導通が図れる限り、正確に一致するものでなくともよい。
【００４１】
但し、第１接続端子と同様、各接続端子の接続の独立性を確保するため、第２接続端子としての各電極パッド２０４ａ間の間隔は、異方性導電ペースト中に含まれる導電性粒子の大きさよりも大きいことが好ましく、さらに導電性粒子の粒子径の３倍よりも大きいことが好ましい。
（異方性導電ペースト供給工程）
図１（Ｃ）は、異方性導電ペーストの供給工程を示す図である。
【００４２】
図１（Ｃ）に示すように、異方性導電ペースト１３１を予定領域２３０の中央付近に供給する。ここで、異方性導電ペースト１３１は、一箇所にまとめて供与されてもよく、予定領域２３０の中央付近に複数箇所に分けて供与されていてもよい。異方性導電ペーストは、必ずしも電極パッド２０４ａ上に供給される必要はないが、異方性導電ペースト中の導電性粒子をより確実に電極パッド２０４ａ上に配置するという観点からは、各電極パッド２０４ａの少なくとも一部を覆うように供給されることが好ましい。第１基板１００及び第２基板を貼り合せる際、第１接続端子としての電極パッド１２０及び第２接続端子としての電極パッド２０４ａ間には他よりも高い圧力が付与されることになるため、圧力の低い領域に異方性導電ペーストが配置された場合には、圧力の高い電極パッド間に導電性粒子が後から入り込む確立は非常に低くなる。したがって、予め電極パッド２０４ａ上に配置しておくことが好ましい。なお、異方性導電ペーストは、必ずしも電極パッド２０４ａ全体を覆う必要はない。
【００４３】
異方性導電ペースト１３１の供給方法は、特に限定するものではなく、例えばディスペンサ、スクリーン印刷、インクジェット式液滴吐出法等によって供給される。但し、所望の供給箇所に一括して効率よく異方性導電ペースト１３１を供与し得るという観点からは、スクリーン印刷による方法が好ましい。
【００４４】
異方性導電ペースト１３１の供与量は、特に限定するものではなく、接合時の第１基板１００及び第２基板２００の間隔、第１接続端子としての電極パッド１２０及び第２接続端子としての電極パッド２０４ａの大きさ等を考慮し、適宜量が決定される。但し、第１基板１００及び第２基板２００上に形成された配線又は他の部品との接続を図る電極パッド等を保護し、封止するという観点からは薄膜回路チップ全面にいきわたる量であることが好ましい。
【００４５】
異方性導電ペースト１３１としては、例えばナミックス株式会社製の印刷用ＡＣＰ（商品名）を用いることが可能となる。異方性導電ペースト１３１中に含まれる導電性粒子の濃度は、特に限定するものではない。但し、より確実に第１接続端子及び第２接続端子間の電気的接続を図るという観点からは、例えば、電極パッドのサイズが５０×５０μｍ、電極パッド間スペースが２０μｍである場合であって、接着剤の物性値として導電性粒子の粒子径が５μｍ、粘度が１２０Ｐａ・ｓ、ＴＩ（チクソ性）が５．０、塩化物イオンが５．０ｍｇ／ｌ、ナトリウム０．２ｍｇ／ｌ、カリウム０．２ｍｇ／ｌ、電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ、体積抵抗率が１×１０14Ω・ｃｍ、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃、ガラス転移温度が１７０℃、吸水率が３．５ｗｔ％、ヤング率が３．０ＧＰａであるとき、導電性粒子の濃度（含有量）は、１０ｗｔ％以上、好ましくは１５〜４０ｗｔ％であることが望ましい。
【００４６】
図８及び図９に、比較例としての第１基板１００及び第２基板２００の電極パッドの配置例を示す。図８及び図９に示すように第１基板１００上に電極パッド１２０を薄膜回路チップ１３０の周縁部に配置した場合、第２基板２００上の電極パッド２０４ａの配置も対応するように予定領域２３０の周縁部に配置される。このように第１基板１００側の電極パッド１２０及び第２基板２００側の電極パッド２０４ａが周縁部に配置された場合、電極パッド１２０及び電極パッド２０４ａ間の電気的接続を確実にするために異方性導電ペースト１３１も電極パッド１２０又は電極パッド２０４ａ上或いはその周辺に配置される。したがって、薄膜回路チップ１３０全体にいきわたる量の異方性導電ペースト１３１を薄膜回路チップ１３０又は予定領域２３０の周縁部に供給した場合、第１基板１００及び第２基板２００の貼り合せ時に余剰の異方性導電ペースト１３１の大半が薄膜回路チップ１３０の周囲にはみ出してしまうという問題があった。この場合には、第１基板１００の隣接する今回転写対象とならない薄膜回路チップ１３０にも異方性導電ペースト１３１が及んでしまい、再利用ができない場合があった。また、第２基板２００の電極パッド２０４ａの隣接する位置に他の部品との接続端子（例えばＥＬ素子と電気的導通を図るための電極パッド）２０４ｂがあった場合に、過剰の異方性導電ペースト１３１が接続端子２０４ｂを覆うと導通不良を起こす場合があった。
【００４７】
しかし、本実施形態によれば、第１基板１００側の電極パッド１２０及び第２基板２００側の電極パッド２０４ａを中央部に配置しているので、異方性導電ペースト１３１の供給位置も中央付近に集約することが可能である。したがって、異方性導電ペースト１３１の配置位置が分散されていないので、異方性導電ペースト１３１を薄膜回路チップ１３０全体に行渡らせるための異方性導電ペースト１３１の量の制御も容易となる。よって、異方性導電ペースト１３１の過剰供給による無駄を低減することが可能となる。また、余剰の異方性導電ペースト１３１のはみ出しを防止する事ができるので、例えば第１基板としての転写元基板に形成される被転写体の密度を高めることが可能となる。また、第２基板上においても、予定領域２３０以外の部位にはみ出す異方性導電ペースト１３１の量を低減できるので、予定領域２３０の周囲に形成された他の部品との接続を図る電極パッド２０４ｂ等に異方性導電ペースト１３１が付着することによる接続不良等の問題を低減することが可能となる。
（貼り合せ工程）
図１（Ｄ）は、上記のような第１基板１００と第２基板２００との貼り合せ工程を示す図である。図１（Ｄ）に示すように、第１基板１００と第２基板２００とを異方性導電ペースト１３１を介してアライメントしながら重ね合わせる。
【００４８】
具体的には、第１基板１００の今回転写対象となる被転写体としての薄膜回路チップ１３０に備えられた第１接続端子としての電極パッド１２０と、第２基板２００に備えられた第２接続端子としての電極パッド２０４ａとを当接させることにより行われる。
【００４９】
この際、必要に応じて熱及び圧力が付与される。
（光照射工程）
図２（Ｅ）は、剥離層１１２への光照射工程を示す図である。図２（Ｅ）に示すように、第１基板１００と第２基板２００との接合体を第１基板１００側から、転写するべき薄膜回路チップ１３０に対応する剥離層１１２部分に選択的に光Ｌを照射する。これにより、転写するべき薄膜回路チップ１３０を支持している剥離層１１２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせる。
【００５０】
剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１１２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
【００５１】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００５２】
剥離層１１２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１１２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００５３】
照射する光Ｌとしては、剥離層１１２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザー光等が挙げられる。
【００５４】
そのなかでも、剥離層１１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好ましく、特に、波長１００ｎｍ〜３５０ｎｍを有するレーザー光が好ましい。このように短波長レーザー光を用いることにより、光照射精度が高められるとともに、剥離層１１２における剥離を効果的に行うことができる。
【００５５】
このようなレーザー光を発生させるレーザー装置としては、エキシマレーザーが好適に用いられる。エキシマレーザーは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層１１２にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する第１基板１００や第２の基板２００等の温度上昇をほとんど生じさせることなく、薄膜回路チップ等に劣化、損傷を生じさせることなく、剥離層１１２を剥離することができる。
【００５６】
あるいは、剥離層１１２に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザー光の波長は、３５０ｎｍ〜１２００ｎｍ程度が好ましい。このような波長のレーザー光は、ＹＡＧ、ガスレーザーなどの一般加工分野で広く使用されるレーザー光源や照射装置を用いることができ、光照射を安価にかつ簡単に行うことができる。また、このような可視光領域の波長のレーザー光を用いることによって、第１基板１００の選択の自由度を広げることができる。
【００５７】
また、照射されるレーザー光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザーの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度がより高くまたは照射時間がより長い程アブレーション等が生じ易く、一方で、エネルギー密度がより低くまたは照射時間がより短い程剥離層１１２を透過した照射光により薄膜回路チップ等に悪影響を及ぼすおそれを低減できるからである。
（転写剥離工程）
図２（Ｆ）は、転写剥離工程を示す図である。図２（Ｆ）に示すように、第１の基板（転写元基板）１００と第２の基板（転写先基板）２００に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、第２の基板２００から第１の基板１００を取り外す。前記光照射工程によって、転写すべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）の剥離層１１２が薄膜回路チップから剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップは、異方性導電ペースト１３１を介して第２の基板２００に接合されているので容易に転写がなされる。
【００５８】
なお、前記光照射工程において、剥離層１１２は完全に剥離を生じさせることが望ましい。但し、転写するべき薄膜回路チップの異方性導電ペースト１３１から構成される接着層の接着強度の方が、残存する剥離層１１２による接合力よりも勝っており、結果として第１基板１００と第２基板２００を引き離す際に、転写するべき薄膜回路チップが確実に第１の基板１００側に転写されるならば、剥離層１１２の一部のみに剥離を生じさせてもよい。
【００５９】
このように被転写体としての薄膜回路チップ１３０の転写は、剥離層１１２の剥離によって弱まった剥離層１１２の結合力と、被転写体に適用された接着層の結合力との相対的な力関係で定まる。剥離層による剥離が充分ならば接着層の結合力が弱くても薄膜回路チップ１３０の転写が可能であり、逆に剥離層による剥離が不十分でも接着層の結合力が高ければ薄膜回路チップ１３０を転写することが可能である。
【００６０】
したがって、第１基板１００及び第２基板２００の両基板に形成される各層（膜）間の結合力及び異方性導電ペースト１３１の結合力が剥離層１１２の結合力よりも強くなるよう設計することが好ましい。
【００６１】
このように、第２基板２００から第１基板１００を引き離すことにより、第２基板２００上の所望の位置に薄膜回路チップが転写される。その後、必要に応じて薄膜回路チップ上に付着している剥離層１１２の残分を洗浄、エッチング、研磨等により除去し、薄膜回路チップ等を覆う図示しない絶縁膜等を形成することによって回路基板４００が完成する。
【００６２】
本実施形態によれば、第１接続端子としての電極パッド１２０が薄膜回路チップ１３０の中央付近に設けられており、その外周に異方性導電ペースト１３１の広がり領域１５０を設けたので、薄膜回路チップと基本基板を張り合わせた際に薄膜回路チップの周縁部に異方性導電ペースト１３１を供与する必要がなくなり、貼り合せ時に薄膜回路チップの周囲に広がる余剰の異方性導電ペースト１３１の量を低減することが可能となる。また、中央付近に異方性導電ペースト１３１を供与することで、確実に第１接続端子と第２接続端子とを接続することが可能となる。さらに、本実施形態によれば、異方性導電ペースト１３１の広がりを防止するために突起部や凹部を形成する等の新たな工程を経なくてもよいので簡便に実装密度の高い回路基板を製造し得る。
【００６３】
なお、本実施形態では、異方性導電ペースト１３１を第２基板２００側に供与する例について説明したが、第１基板１００側に供与してもよい。
【００６４】
また、上記例では、第１接続端子としての電極パッド１２０の配列例として、長方形状に配置した場合を説明したが、これに限定されず、電極パッド１２０は例えば円形状又は正方形状の配列に配置されていてもよい。この場合、電極パッド１２０が形成された領域１４０の外周の異方性導電ペーストの広がり領域１５０の幅は略一定となることが好ましい。異方性導電ペーストは、どの方向にも略一定に広がると考えられるためである。なお、第２接続端子としての電極パッド２０４ａについても同様である。
【００６５】
また、上記例においては、薄膜トランジスタ１０２を薄膜回路チップ１３０の中央部に配置した例について説明した。しかし、第１接続端子の電極パッド１２０として例えば導電性粒子よりも柔らかい金属を用いた場合には、薄膜トランジスタ１０２の配置位置は特に限定されない。但し、第１基板１００及び第２基板２００の接合時に、電極パッド１２０が歪む場合がある。この場合に薄膜トランジスタ１０２と電極パッド１２０の設置位置が重なっていると、薄膜トランジスタ１０２に電極パッド１２０の歪みの影響が及び、薄膜トランジスタ１０２が破損する場合がある。よって、薄膜トランジスタ１０２は、電極パッド１２０と重ならない位置に設置されていることが好ましい。また、電極パッド１２０を薄膜回路チップ１３０の中央付近により集約し得るという観点からは、特に、薄膜トランジスタは、電極パッド１２０の形成領域１４０の外周の異方性導電ペースト１３１の広がり領域１５０に位置することが好ましい。
【００６６】
図５に薄膜トランジスタ１０２を異方性導電ペースト１３１の広がり領域１５０に設置した例を示す。
【００６７】
本実施形態の回路基板の製造方法により製造した回路基板は、さらに、電気光学装置又は電子機器等の製造方法に応用し得る。例えば、外部接続用の電極パッド２０４ｂを有機ＥＬ素子に接続することにより、有機ＥＬ表示装置を製造することが可能となる。
【００６８】
本発明を適用し得る電気光学装置及び電子機器の具体例を図６及び図７を参照しながら説明する。図６及び図７は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【００６９】
図６（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図６（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および電気光学装置６００を備えている。図６（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および電気光学装置６００を備えている。図６（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および電気光学装置６００を備えている。
【００７０】
図７（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に電気光学装置６００を適用し得る。図７（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は電気光学装置６００を備えている。
【００７１】
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置を挙げたが、これに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置の製造方法に適用することも可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｄ）は、回路基板の一例を製造している状態を示す工程図である。
【図２】図２（Ｅ）及び（Ｆ）は、回路基板の一例を製造している状態を示す工程図である。
【図３】図３は、本実施形態に用いられる第１基板の上面図である。
【図４】図４は、本実施形態に用いられる第２基板の上面図である。
【図５】図５は、薄膜トランジスタを異方性導電ペーストの広がり領域に設置した例を示す図である。
【図６】図６は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【図７】図７は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【図８】図８は、比較例としての第１基板の電極パッドの配置例を示す図である。
【図９】図９は、比較例としての第２基板の電極パッドの配置例を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１００・・・第１基板、１０２・・・薄膜トランジスタ、１１０・・・基板、１１２・・・剥離層、１１３・・・配線層、１２０・・・電極パッド、１３０・・・薄膜回路チップ、１３１・・・異方性導電ペースト、１３２・・・導電性粒子、１４０・・・領域、１５０・・・広がり領域、２００・・・第２基板、２０４ａ・・・電極パッド、２０４ｂ・・・電極パッド、２１０・・・基板、２１２・・・配線層、２１４・・・保護膜、２２０・・・ユニット、２３０・・・予定領域、４００・・・回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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