(57)【要約】【課題】  除去レジスト膜の残りに起因するリーク等の不具合発生を未然に防止する。【解決手段】  支持基板１上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記配線電極を形成する導電膜層１０Ａ，１０Ｂに、露光部分が除去されて形成されるレジスト膜１１のパターンに応じて配線パターン部を形成する際に、レジスト膜１１に対して配線パターン部に応じた遮光部２０Ａを有するフォトマスク２０を介して第１の露光を行い、その後、少なくとも有機ＥＬ素子の発光部に対応するレジスト膜１１の除去対象部分に第２の露光を行う。【選択図】図２
2005203345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成する有機ＥＬパネル用基板であって、
前記配線電極を形成する導電膜層に、露光部分が除去されて形成されたレジスト膜のパターンに応じて配線パターン部を形成する際に、
前記レジスト膜の少なくとも除去対象部分の一部に複数回の露光処理を施したことを特徴とする有機ＥＬパネル用基板。
【請求項２】
前記除去対象部分の一部は、少なくとも前記有機ＥＬ素子の発光部に対応する部分であることを特徴とする請求項１に記載された有機ＥＬパネル用基板。
【請求項３】
前記導電膜層は、複数の導電膜の積層体で形成され、前記配線パターン部が前記有機ＥＬ素子の封止部から引き出された引出電極を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載された有機ＥＬパネル用パネル基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載された有機ＥＬパネル用基板を支持基板とする有機ＥＬパネル。
【請求項５】
支持基板上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記配線電極を形成する導電膜層に、露光部分が除去されて形成されるレジスト膜のパターンに応じて配線パターン部を形成する際に、
前記導電膜層上に形成されたレジスト膜の除去対象部分を露光する第１の露光工程と、
少なくとも前記有機ＥＬ素子の発光部に対応する前記レジスト膜の除去対象部分の一部を露光する第２の露光工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程は、前記配線パターン部を形成するフォトマスクを用いた露光の繰り返しであることを特徴とする請求項５に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記フォトマスクは、露光工程毎に取り替えられることを特徴とする請求項６に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
前記フォトマスクは単一のものを用い、一回の露光工程毎に配置を若干ずらすことを特徴とする請求項６に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１の露光工程は、前記配線パターン部を形成するフォトマスクを用いた露光であり、前記第２の露光工程は、前記有機ＥＬパネルの少なくとも発光領域の一部分に応じたパターンを有するフォトマスクを用いた露光であることを特徴とする請求項５に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の露光工程は、前記配線パターン部を形成するフォトマスクを用いた露光であり、前記第２の露光工程は、前記有機ＥＬパネルの全発光領域に応じたパターンを有するフォトマスクを用いた露光であることを特徴とする請求項５に記載された有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）パネル、そのパネル用基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルは、支持基板上に下部電極を形成し、その上に有機化合物からなる発光層を含む有機材料層を形成し、その上に上部電極を形成してなる有機ＥＬ素子を基本構成としており、この有機ＥＬ素子を単位面発光要素として支持基板上に形成したものである。
【０００３】
また、この有機ＥＬパネルは、駆動回路との接続を図るために、前記の下部電極及び上部電極から延出される配線電極が支持基板上に形成されており、この配線電極は、前述の有機ＥＬ素子を封止する封止部から外に引き出されて引出電極を形成している。
【０００４】
このような有機ＥＬパネルの形成に際しては、先ず、支持基板上に下部電極及び配線電極の配線パターンが形成され、この配線パターンが形成されたパネル基板に対して有機ＥＬ素子の他の構成要素が順次形成されることになる。そして、一般に引出電極部分を形成する配線電極は、金属膜等の導電膜の積層体によって形成され、可能な限り電気抵抗を低くする試みがなされている。
【０００５】
下記特許文献１に記載された従来技術では、ガラス基板からなる支持基板上に下部電極を形成するための透明導電膜を形成し、次にシャドウマスクを用いて、必要な配線電極形成部分に金属膜を形成し、下部電極及び配線電極の形成箇所に応じてレジスト膜のパターンが形成されたパネル基板を得る。そして、このパネル基板に対して金属膜と透明導電膜のエッチングを行って、下部電極と配線電極のパターニングを行うことが開示されている。
【０００６】
また、一般には、支持基板上に下部電極を形成する導電膜を形成し、その上に配線電極の配線パターン部を形成する金属膜等の導電膜を形成し、これに対して配線電極の配線パターン部に応じたレジスト膜のパターンを形成したパネル基板を得て、その後、このパネル基板に対してなされるエッジングによって金属膜等の導電膜からなる配線パターン部を形成し、更にその後に別途下部電極のパターンを形成することがなされている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１６３０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来技術では、支持基板上に形成される下部電極又は配線電極のパターン形成に際して、ポジ型のレジストを用いたフォトリソグラフィ技術が採用されている。すなわち、形成されるべきパターンに応じた遮光部を有するフォトマスクを介して導電膜層上に塗布されたレジスト膜を紫外線等で露光し、露光された箇所のレジスト膜を現像処理によって除去することで、未露光部分にレジスト膜によるパターンを形成したパネル基板を得る。そして、その後に、パネル基板のレジスト膜から露出した導電膜をエッチングによって取り除くことで支持基板上に配線パターンを形成している。ここで、パネル基板としているのは、支持基板上に下部電極及び配線電極の導電膜層が形成された状態で、配線パターン部がエッチングによって形成される前の状態の基板を指している。
【０００９】
このようなパネル基板或いはそれを用いた有機ＥＬパネルで問題になるのは、露光して除去したはずのレジスト膜が部分的に残っていた場合である。フォトマスクにゴミ等が付着して、レジスト膜の除去すべき箇所の露光が不十分になると、その部分にレジスト膜が残り、その後のエッチングで取り除かれるはずの導電膜が部分的に残ってしまう事態が生じる。これが有機ＥＬ素子の発光部に対応する下部電極上にあると、有機材料層が形成される下部電極上に局部的な導電膜の突起部が形成されることになる。そして、その上に有機材料層を形成して、更にその上に上部電極を形成すると、有機ＥＬ素子の発光部において上下電極間で有機材料層の局部的な薄層部が形成されることになり、そこにリーク等の不具合が発生するという問題が生じる。
【００１０】
特に、有機ＥＬパネルにとってリークの発生は重要な問題であり、逆方向への電流（リーク電流）が有ると、クロストークや、輝度ムラ、或いはドット欠陥等が生じ、量産製品としては致命的な不良になりかねない。また、前述のように有機材料層の局部的な薄層部が形成された場合には、製造時に不良が確認されなくても、その後に、稼働時に加えられる逆バイアス電圧によってリーク電流が発生することがあり、稼働時間経過に伴う非点灯領域の拡大や消費電力の増加といった不具合が製品出荷後に発生するという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一つとしている。すなわち、支持基板上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成した有機ＥＬパネル用基板、有機ＥＬパネル及びその製造方法において、除去レジスト膜の残りに起因するリーク等の不具合発生を未然に防止すること等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するために、本発明による有機ＥＬパネル用基板、有機ＥＬパネル及び有機ＥＬパネルの製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１３】
［請求項１］支持基板上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成する有機ＥＬパネル用基板であって、
前記配線電極を形成する導電膜層に、露光部分が除去されて形成されたレジスト膜のパターンに応じて配線パターン部を形成する際に、
前記レジスト膜の少なくとも除去対象部分の一部に複数回の露光処理を施したことを特徴とする有機ＥＬパネル用基板。
【００１４】
［請求項５］支持基板上に、有機発光層を含む有機材料層が下部電極及び上部電極によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、前記下部電極及び前記上部電極から延出された配線電極を形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記配線電極を形成する導電膜層に、露光部分が除去されて形成されるレジスト膜のパターンに応じて配線パターン部を形成する際に、
前記導電膜層上に形成されたレジスト膜の除去対象部分を露光する第１の露光工程と、
少なくとも前記有機ＥＬ素子の発光部に対応する前記レジスト膜の除去対象部分の一部を露光する第２の露光工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は本発明で対象としている有機ＥＬパネルの構造例である。ここでは、パッシブ駆動方式を採用した例を示すが、本願発明の実施形態としてはこれに限定されるものではない。同図（ａ）は全体斜視図、同図（ｂ）はＸＸ断面図、同図（ｃ）はＹＹ断面図を示している。この有機ＥＬパネルは、支持基板１上に、ストライプ状に形成された複数の下部電極２とそれと直交する方向にストライプ状に形成された複数の上部電極３との間に有機材料層４が挟持された構造で、下部電極２と上部電極３との交差部分で有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子を形成する有機材料層４の各層は、例えば正孔輸送層４ａ，発光層４ｂ，電子輸送層４ｃからなる。同図（ｂ）において、Ｌ０は有機ＥＬパネルの発光領域を示しており、Ｌ１は有機ＥＬ素子の発光部を示している。
【００１６】
そして、下部電極２から延出されて配線電極２Ａが形成され、上部電極３から延出されて配線電極３Ａ，３Ｂが形成されており、これらの配線電極２Ａ，３Ａ，３Ｂは図示省略の封止部から引き出された引出電極を形成している。また配線電極２Ａ，３Ａ，３Ｂの引出電極を形成する端部には、配線パターン部５が形成されている。そして、配線パターン部５においては、配線電極２Ａ，３Ｂは複数の導電膜の積層体で形成されており、図示の例では、下部電極２から延出された配線電極２Ａは、第１導電膜２Ａ１と第２導電膜２Ａ２とからなり、同様に、上部電極３から延出された配線電極３Ｂは、第１導電膜３Ｂ１と第２導電膜３Ｂ２とからなる。配線パターン部５は、フォトリソグラフィによるパターニング後、エッチングによって形成することができるが、このエッチングは第２導電膜２Ａ２，３Ｂ２と第１導電膜２Ａ１，３Ｂ１とを同時に行ってもよいし、また順次行ってもよい。
【００１７】
また、その他の構造としては、下部電極２を有機ＥＬ素子の発光部毎に絶縁区画する絶縁膜６、その絶縁膜６上に上部電極３に沿って形成され、上部電極３及び有機材料層５を絶縁区画する隔壁７を備えている。
【００１８】
このような有機ＥＬパネルにおいて、本発明の実施形態では、配線パターン部５のパターン形成がなされるパネル基板に特徴を有している。図２は、このパネル基板の形成工程を説明する説明図である。先ず、支持基板１に導電膜層１０Ａ，１０Ｂを成膜する。導電膜層１０Ａは第１導電膜２Ａ１，３Ｂ１或いは下部電極２を形成するためのものであり、導電膜層１０Ｂは第２導電膜２Ａ２，３Ｂ２を形成するためのものである。この導電膜層１０Ｂの上にポジ型のレジスト膜１１を塗布し、その上にフォトマスク２０を配置して紫外線等による露光を行う。フォトマスク２０は、形成する配線パターン部５に対応するパターンの遮光部２０Ａを備えるものであり、これによってレジスト膜１１の除去対象部分１１ａが露光されることになる。
【００１９】
この際に、レジスト膜１１の除去対象部分１１ａは、配線パターン部５においては第２導電膜２Ａ２，３Ｂ２のパターンを形成するが、その他の領域では、有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０を含む全ての領域が除去対象部分１１ａになる。ここで、例えば、有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１に対応する箇所にレジスト膜１１の未露光部が存在すると、その後の現像処理で除去すべきレジスト膜が残され、更にその後のエッチング処理でレジスト膜の残された箇所に導電膜の残存が生じることになるので、そこがリーク等の製品不具合の原因になってしまう。
【００２０】
そこで、本発明の実施形態では、少なくとも有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１に対応するレジスト膜１１の除去対象部分に、複数回の露光を施す。この際の複数回の露光は、除去対象部分の未露光を回避するために、フォトマスク２０の設置状態や種類を変えるか或いは露光条件を変えて行うことが好ましい。これによって、レジスト膜１１の除去対象部分１１ａの未露光部を無くし、有機ＥＬパネルのリーク等の不具合を解消することができる。
【００２１】
このような露光処理を施した後には、同図（ｂ）に示すように、レジスト膜のパターン１１ｂを現像処理する。この状態のパネル基板では、配線パターン部５に応じたレジスト膜のパターン１１ｂが導電膜層１０Ｂ上に形成されている。フォトマスク２０の設置状態や種類を変えるか或いは露光条件を変えて複数回の露光を行った場合には、レジスト膜のパターン１１ｂの端部に若干の影響が生じるが、パターン自体に大きな影響は生じない。
【００２２】
そして、その後、同図（ｃ）に示すように、導電膜層１０Ｂの露出部分をエッチング処理して、例えば、第２導電膜２Ａ２からなる所望の配線パターンを得る。その後は、レジスト膜の剥離処理がなされ、次工程として導電膜層１０Ａのパターニングが行われる。ここでは、導電膜層１０Ｂをエッチングした後に導電膜層１０Ａをエッチングする場合を例に示したが、配線パターン部５に関しては、導電膜層１０Ａ，１０Ｂを同時にエッチングすることもできる。
【００２３】
図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を説明する説明図である。基板準備工程（Ｓ１）では、支持基板１の研磨処理或いは洗浄処理がなされる。成膜工程（Ｓ２）では、支持基板１上に導電膜層１０Ａ，１０Ｂを形成する成膜が行われる。レジスト塗布工程（Ｓ３）では、導電膜層１０Ｂ上にレジスト膜１１の塗布がなされる。配線パターン部形成工程（Ｓ４）では、前述したように、第１の露光工程Ｓ４１、第２の露光工程Ｓ４２を含む複数の露光工程と、現像工程（Ｓ４３）、エッチング工程（Ｓ４４）、レジスト剥離工程（Ｓ４５）を有する。下部電極形成工程（Ｓ５）では、導電膜層１０Ａのパターニングによって下部電極２が形成される。絶縁膜・隔壁形成工程（Ｓ６）では、下部電極２上に有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１を区画するように絶縁膜６と隔壁７が形成される。有機材料層形成工程（Ｓ７）では、有機材料層５が順次成膜される。上部電極形成工程（Ｓ８）では、有機材料層５上に上部電極３が形成される。封止工程（Ｓ９）では、封止部材が支持基板に貼り合わせられ、有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０が封止される。
【００２４】
このような有機ＥＬパネルにおける配線パターン部形成工程（Ｓ４）について、更に具体的に説明する。前述したように、複数回の露光は、フォトマスク２０の設置状態や種類を変えるか或いは露光条件を変えて行うことが好ましい。レジスト膜１１の除去対象部分の未露光は、フォトマスク２０に付着した異物等に起因することが多いので、異物の付着箇所がレジスト膜１１に対してずれれば未露光は生じない。
【００２５】
したがって、第１の露光工程と第２の露光工程は、配線パターン部５を形成するフォトマスク２０を用いた露光工程の繰り返しとすることができるが、この場合には光の照射角度等の露光条件を変えることで、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を回避できる。
【００２６】
また、第１の露光工程と第２の露光工程を、配線パターン部５を形成するフォトマスク２０を用いた露光工程の繰り返しとして、更にフォトマスク２０を露光工程毎に取り替える。これによって、取り替え前後のフォトマスク２０で異物等の付着箇所が重なることは無いと考えられるので、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を回避できる。
【００２７】
また、第１の露光工程と第２の露光工程を、配線パターン部５を形成するフォトマスク２０を用いた露光工程の繰り返しとして、フォトマスク２０は単一のものを用い、一回の露光工程毎に配置を若干（パターン形成に影響しない微少距離）ずらすことで、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を回避できる。
【００２８】
また、第１の露光工程と第２の露光工程で、図４に示すような異なるパターンのフォトマスクを用いることも可能である。すなわち、第１の工程では同図（ａ）に示すように、有機ＥＬパネル領域２１Ａ毎に、配線パターン部５に対応する遮光パターン２１ａ，２１ｂ（ここでは、異なる方向に配線パターン部５を形成する例を示しているが、図１に示すように、同一方向に配線パターン部５を形成するものであってもよいことは勿論である。）を形成した透光基板からなるフォトマスク２１を用い、第２の工程では、同図（ｂ）に示すように、有機ＥＬパネル領域２２Ａ毎に、有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０に対応する露光パターン２２ａを形成した遮光基板からなるフォトマスク２２を用いる。これによっても、少なくとも有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０に対する部分には、異なるフォトマスクを用いて複数回の露光がなされるので、レジスト膜１１の未露光を回避することができる。
【００２９】
以上説明した本発明の実施形態に係る特徴をまとめると以下のとおりである。
【００３０】
一つには、支持基板１上に、有機発光層を含む有機材料層４が下部電極２及び上部電極３によって挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成すると共に、下部電極２及び上部電極３から延出された配線電極２Ａ，３Ｂを形成する有機ＥＬパネル用基板、有機ＥＬパネル又は有機ＥＬパネルの製造方法であって、配線電極３Ａ，３Ｂを形成する導電膜層１０Ａ，１０Ｂに、露光部分が除去されて形成されたレジスト膜１１のパターン１１ｂに応じて配線パターン部５を形成する際に、少なくとも有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１に対応するレジスト膜１１の除去対象部分の一部に、第１の露光工程及び第２の露光工程による複数回の露光処理を施したことを特徴とする。
【００３１】
これによると、少なくとも有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１に対応する部分には、ポジ型レジスト膜１１を完全に除去するために複数回の露光処理がなされるので、レジスト膜１１の未露光に伴う導電膜の局部的な突起部が形成されるのを回避することができ、有機ＥＬ素子のリーク等の不具合発生を未然に防止することができる。
【００３２】
また一つには、前述した有機ＥＬパネルのパネル基板において、導電膜層１０Ａ，１０Ｂは、複数の導電膜の積層体で形成され、配線パターン部５が有機ＥＬ素子の封止部から引き出された引出電極を形成することを特徴とする。
【００３３】
これによると、引出電極の部分を複数の導電膜の積層体からなる低抵抗の配線構造にすることができ、この配線構造の配線パターン部５を形成する際にも、前述したように、少なくとも有機ＥＬ素子の発光部Ｌ１に対応する部分には、ポジ型レジスト膜１１を完全に除去するために複数回の露光処理がなされるので、レジスト膜１１の未露光に伴う導電膜の局部的な突起部が形成されるのを回避することができ、有機ＥＬ素子のリーク等の不具合発生を未然に防止することができる。
【００３４】
また一つには、前述した有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程は、配線パターン部５を形成するフォトマスクを用いた露光の繰り返しであることを特徴とする。
【００３５】
これによると、繰り返しの露光を行うことによって、露光不十分な箇所を無くすことができ、また、必要に応じて、光の照射角度等の露光条件を変えることで、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を確実に回避することができる。
【００３６】
また一つには、前述した有機ＥＬパネルの製造方法において、前記フォトマスク２０は、露光工程毎に取り替えられることを特徴とする。
【００３７】
これによると、第１の露光工程において用いたフォトマスク２０に異物等の付着物が有って、レジスト膜１１の除去対象部分に未露光が生じた場合でも、第２の露光工程でフォトマスク２０を取り替ることで、仮に取り替えられたフォトマスク２０に異物等が付着していても、これが先のフォトマスク２０の異物付着箇所と重なることはないと考えられるので、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を確実に回避することができる。
【００３８】
また一つには、前述した有機ＥＬパネルの製造方法において、前記フォトマスクは単一のものを用い、一回の露光工程毎に配置を若干ずらすことを特徴とする。
【００３９】
これによると、第１の露光工程において用いたフォトマスク２０に異物等の付着物が有って、レジスト膜１１の除去対象部分に未露光が生じた場合でも、第２の露光工程でフォトマスク２０の配置をずらすことで、第１の露光工程における未露光部分を第２の露光工程で露光することができる。よって、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を確実に回避することができる。
【００４０】
また一つには、前述した有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第１の露光工程は、配線パターン部５を形成するフォトマスク２１を用いた露光であり、前記第２の露光工程は、有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０における一部又は全部に応じたパターンを有するフォトマスク２２を用いた露光であることを特徴とする。
【００４１】
これによると、第１の露光工程でフォトマスク２１を用いた配線パターン部５のパターニングを行い、第２の露光工程で有機ＥＬパネルの発光領域Ｌ０に未露光部が無いように２度目の露光を行うことができる。したがって、第１の露光工程でのパターン形成には無関係に、第２の露光工程を施すことができるので、２回の露光に伴うパターンずれが無く、しかもリーク対策上重要な発光領域Ｌ０のみ異なるフォトマスクで複数回の露光を行うことが可能なり、レジスト膜１１の除去対象部分の未露光を確実に回避することができる。
【００４２】
本発明の各実施形態は、このような特徴を有するので、前述した有機ＥＬパネルのパネル基板及び有機ＥＬパネルの製造方法において、除去レジスト膜の残りに起因するリーク等の不具合発生を未然に防止することが可能になり、製品歩留まりを改善することができると共に、稼働時間経過に伴う非点灯領域の拡大や消費電力の増加といった製品出荷後の不具合を解消することができる。
【００４３】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの各部態様を付記すると以下のとおりである。
【００４４】
ａ．支持基板；
支持基板１は、透明性を有する平板状、フィルム状のものを採用することができるが、これに限らず各種の形態のものを採用することができる。また材質としては、ガラス基板だけでなく、プラスチック、石英、木材、紙等を各種のものを採用することができる。
【００４５】
ｂ．電極（下部電極，上部電極，配線電極（引出電極））；
支持基板１上に形成される下部電極２と有機材料層４上に形成される上部電極３とは、何れを陽極，陰極に設定してもよい。陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜や酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３），ＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。一般に光の取り出し側を透明電極で形成するが、下部電極２，上部電極３をともに透明な材料で形成し、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設ける構成にすることができる。
【００４６】
引出電極を形成する配線電極２Ａ，３Ｂは、下部電極２と同材料（例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明電極）で第１導電膜２Ａ１，３Ｂ１を形成し、その上に、Ａｇ，Ｃｒ等の金属若しくはそれらの合金を複数積層させて形成しても良いし、或いは、下部電極若しくは上部電極の単層と同じ材料、例えば、クロム単膜、アルミニウム単膜、ＩＴＯ単膜等の単層膜、若しくは上下電極とは異なる材料の単層膜であっても良い。積層体の場合の好ましい例を挙げると、ＩＴＯ（又はＩＺＯ）／Ａｇ−Ｐｄの２層構造、ＩＴＯ（又はＩＺＯ）／ＡｇＯ／Ａｇの３層構造、ＩＴＯ（又はＩＺＯ）／Ｃｒ／Ａｇの３層構造等であるが、これに限らず如何なる材料、積層構造を採用しても良い。
【００４７】
ｃ．有機材料層；
有機材料層４は、前述したように、正孔輸送層４ａ，発光層４ｂ，電子輸送層４ｃからなる有機発光機能層によって形成されるものが一般的であるが、これらの層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよく、正孔輸送層４ａ，電子輸送層４ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機機能層を用途に応じて挿入することも可能である。
【００４８】
これらの有機材料層４の積層は、スピンコーティング法，ディッピング法等の塗布法，インクジェット法，スクリーン印刷法等の印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法，レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。発光層４ｂの材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）とあるが、本発明の実施形態では、どちらの発光を用いた有機ＥＬパネルにおいても適用可能である。
【００４９】
ｄ．有機ＥＬパネルの各種方式について；
有機ＥＬパネルの表示方式は、単色発光でも２色以上の複数色発光でもよく、特に複数色発光の有機ＥＬパネルを実現するためには、ＲＧＢに対応した３種類の発光機能層を形成する方式を含む２色以上の発光機能層を形成する方式（塗り分け方式）、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上のサブピクセルを縦に積層し一つのピクセルを形成した方式（ＳＯＬＥＤ（transparent stracked OLED）方式）等により構成できる。また、有機ＥＬ素子の駆動方式は、前述したようなパッシブ駆動方式だけでなくアクティブ駆動方式でもよく、光の取り出し方式は、支持基板１側から光を取り出すボトムエミッション方式、支持基板１とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式のどちらでも良い。
【実施例】
【００５０】
以下に、本発明に係る具体的な実施例として、本発明を利用した有機ＥＬパネルの製造方法の一例を示す。言うまでもなく、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
＜前処理工程＞
先ず、図５に示すように、上面に透明導電膜１０Ａ１（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）と金属導電膜１０Ｂ１（Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ等）とが積層された基板１（ガラス、プラスチック等）を準備する。好ましくは、透明導電膜１０Ａ１はＩＴＯ、金属導電膜１０Ｂ１はＣｒ、基板１はガラスで形成されたものが用いられる。基板にガラスを用いる場合には、ガラスに不純元素（アルカリ金属、Ｃａ、Ｎａ等）が含有されているものでは、その不純元素の浸透を遮断するために、ガラス基板表面にバッファ層１Ａ（ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等）を成膜する。
【００５２】
次いで、図６（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＡ−Ａ断面図）に示すように、基板１／バッファ層１Ａ（ＳｉＯ２）／透明導電膜１０Ａ１（ＩＴＯ）／金属導電膜１０Ｂ１（Ａｌ）と積層したものに対して、金属導電膜１０Ｂ１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして上部電極及び下部電極の配線電極パターン３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃを形成する。図示の例では、多面取り基板１Ｍに配線電極パターン３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃを形成した例を示している。
【００５３】
この際、レジスト膜の残渣を形成しないように、配線電極パターンを有するフォトマスクを第１露光位置に配置して一回目の露光処理を施し、このフォトマスクを第２露光位置にずらして二回目の露光処理を施す。更にこれを繰り返して複数回の露光処理を施すようにしても良い。
【００５４】
次には、図７（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＢ−Ｂ断面図）に示すように、基板１上に露出している透明導電膜１０Ｂ１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして下部電極及び配線電極の一部のパターン３１を形成する。この際にも、レジスト膜の残渣を形成しないように、パターン３１を有するフォトマスクを第１露光位置に配置して一回目の露光処理を施し、このフォトマスクを第２露光位置にずらして二回目の露光処理を施す。更にこれを繰り返して複数回の露光処理を施すようにしても良い。
【００５５】
このとき、下部電極表面を研磨させて平滑化させる処理を施しても良く、或いは下部電極のエッチャントの濃度を低くしたものにより下部電極表面を化学エッチングして表面を平滑化するようにしても良い。
【００５６】
そして、図８（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＣ−Ｃ断面図）に示すように、下部電極のライン間に感光性ポリイミド等の絶縁膜３２をフォトリソグラフィ法にてパターニング形成する。図示の例のように、上部電極をパターニングするための隔壁（上部電極セパレータ）３３を形成しても良く、また、このような隔壁３３を形成することなく上部電極を成膜用マスクを用いてパターニングすることもできる。その後、必要に応じて、この基板１の表面の有機物や水分を取り除くためにＵＶ洗浄工程を施す。
【００５７】
＜成膜工程＞
図９は、成膜装置の概略説明図である。前述した前処理工程を経た基板１を成膜装置４０内に搬送する。成膜装置４０は、真空が維持される成膜室（チャンバ）４１内に有機材料層を蒸着によって形成するための蒸着源（蒸着セル又はるつぼ）４２が配置されており、その上方に図示省略のマスクフレームに支持された成膜用マスク４３を設置されている。この成膜用マスク４３の上方に前記の基板１を装着させ、基板１の上方に設置されるマグネットユニット４４の吸着作用で成膜用マスク４３を基板１に密着させる。このように基板１を設置した状態で加熱手段４５によって蒸着源４２を加熱すると、蒸着源４２から出射された成膜材料４６が成膜用マスク４３を介して基板１の被成膜面１Ｓに蒸着され、有機材料層のパターンが形成される。
【００５８】
有機材料層は有機ＥＬ素子を形成できるものであればどのようなものでも良いが、例えば、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層等が単一層又は複合層の構造で積層されて形成される。使用される有機材料は、ＣｕＰｃ、ＮＰＢ、Ａｌｑ３等が機能に応じて選択される。また、有機発光層はフルカラー有機ＥＬ素子である場合には、有機発光層を各画素のカラーに対応して多様なパターンに形成可能であり、更には、正孔輸送層、電子輸送層等をカラーに対応して調整された膜厚に成膜することもある。
【００５９】
成膜工程の一例を挙げると、絶縁膜３２を形成した前述した前処理工程を経た基板１の上に、正孔注入層としてＣｕＰｃを蒸着にて５０ｎｍ積層し、次いで、正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）を５０ｎｍ積層する。その上にＲＧＢ各色発光層をパターンを有する成膜用マスクを用いて各発光層成膜領域に塗り分け形成する。Ｂ（青）発光層としては、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）のホスト材に１重量％ドーパントとして４，４’−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）を５０ｎｍ共蒸着し、Ｇ（緑）発光層としては、クマリン６を５０ｎｍ蒸着して積層し、Ｒ（赤）発光層としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）のホスト材に１重量％ドーパントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリン）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）を５０ｎｍ共蒸着させる。その上に、電子輸送層として、Ａｌｑ３を２０ｎｍ、陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を１５０ｎｍ蒸着する。
【００６０】
＜封止工程＞
図１０は封止工程によって封止された有機ＥＬパネルを示す説明図である。有機材料成膜工程後に有機ＥＬ素子５０が形成された基板１は、発光検査工程を施した後に、真空雰囲気の成膜室４１からＮ２の不活性ガス雰囲気の封止室に搬入され、そこで封止工程が施される。この際、ブラスト処理で表面に凹部５１Ａが形成され、この凹部５１Ａに乾燥手段（ＳｒＯ）５３を設置したガラス製の封止基板５１も封止室に搬入される。そして、封止基板５１上には、その周辺接着部分に、１〜３００μｍの粒径のガラススペーサを０．１〜０．５重量％ほど適量混合した紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤５２がディスペンサ等によって塗布され、この接着剤５２が塗布された封止基板５１と有機ＥＬ素子５０が形成された基板１が接着剤５２を介して貼り合わせられ、紫外線を基板１側又は封止基板５１側から接着剤５２に照射してこれを硬化させることで、封止工程が完了する。
【００６１】
＜実施例の効果＞
このように製造された有機ＥＬパネルにおいては、従来の形成方法による有機ＥＬ素子に比べて下部電極又は配線電極をパターニングする際のレジスト残渣がなく、有機ＥＬ素子のリーク発生を極力抑えることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態の前提となる有機ＥＬパネルの説明図である。
【図２】本発明の実施形態に係るパネル基板の形成工程を説明する説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を説明する説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法に用いられるフォトマスクを説明する説明図である。
【図５】実施例の説明図である。
【図６】実施例の説明図（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＡ−Ａ断面図）である。
【図７】実施例の説明図（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＢ−Ｂ断面図）である。
【図８】実施例の説明図（同図（ａ）が平面図、同図（ｂ）がＣ−Ｃ断面図）である。
【図９】成膜装置の概略説明図である。
【図１０】封止工程によって封止された有機ＥＬパネルを示す説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
１    支持基板
２    下部電極
３    上部電極
４    有機材料層
２Ａ，３Ａ，３Ｂ    配線電極
２Ａ１，３Ｂ１    第１導電膜
２Ａ２，３Ｂ２    第２導電膜
１０Ａ，１０Ｂ    導電膜層
１１    レジスト膜
１１ｂ    レジスト膜のパターン
２０，２１，２２  フォトマスク
Ｌ０    発光領域
Ｌ１    発光部
【図１】
2005203345.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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