(57)【要約】【課題】  めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥がなく、信頼性の高い膜付けが安定的に得られるめっき装置を提供する。【解決手段】  めっき装置１は、基板の表面をめっき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成するめっき室１１と、めっき室１１におけるめっき処理の前の基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行う蒸気処理室８とを備えている。また、めっき装置１は、蒸気処理室８において蒸気処理を行った基板の表面に酸性液を用いて酸処理する酸処理室９と、めっき室１１、蒸気処理室８、および酸処理室９を内部に収容する装置フレーム２を備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行い、
前記蒸気処理後の基板の表面にウェットプロセスを施すことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行い、
前記蒸気処理後の基板の表面をめっき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理を行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
前記蒸気は、純水または界面活性剤を添加した純水のいずれかから生成された蒸気であることを特徴とする請求項２に記載のめっき方法。
【請求項４】
前記めっき処理前に、前記蒸気処理後の基板の表面を酸性液で処理する酸処理を行うことを特徴とする請求項２または３に記載のめっき方法。
【請求項５】
前記基板は、表面に所定のパターンが形成された有機質のレジスト膜を有することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載のめっき方法。
【請求項６】
基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行う蒸気処理室と、
前記蒸気処理室における蒸気処理後の基板の表面をめっき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成するめっき室と、
少なくとも前記蒸気処理室および前記めっき室を内部に収容する装置フレームとを備えたことを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
前記蒸気は、純水または界面活性剤を添加した純水のいずれかから生成された蒸気であることを特徴とする請求項６に記載のめっき装置。
【請求項８】
前記蒸気処理室における蒸気処理後の基板の表面に酸性液を用いて酸処理する酸処理室をさらに備えたことを特徴とする請求項６または７に記載のめっき装置。
【請求項９】
前記めっき室は、
前記めっき液を保持するめっき槽と、
基板に対向して配置されるアノードと、
基板と前記アノードとの間に電圧を印加する電源とを備えたことを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項１０】
前記装置フレームの内部で基板を水平に保持して搬送する搬送装置をさらに備えたことを特徴とする請求項６ないし９のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項１１】
前記装置フレームの内部を、ドライステーションエリアと、少なくとも前記蒸気処理室および前記めっき室が配置されるウェットステーションエリアとに区画するとともに、
前記ドライステーションエリアの内部で基板を水平に保持して搬送する第１の搬送装置と、
前記ウェットステーションエリアの内部で基板を鉛直に保持して搬送する第２の搬送装置とをさらに備えたことを特徴とする請求項６ないし９のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項１２】
前記装置フレームの内部を、前記ドライステーションエリアと前記ウェットステーションエリアとに区画する仕切板をさらに備えたことを特徴とする請求項１１に記載のめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器部品であるリードフレーム、プリント基板、フレキシブル基板、テープ基板、半導体ウェハ等の基板（以下、単に「基板」という）に形成された微細な孔または溝の内部に一連のめっき、コーティング、エッチングなどのウェットプロセスを施す基板処理方法に関し、特に、ＬＳＩ（集積回路）用基板に金属等の膜付けや配線を形成するのに使用されるめっき方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体回路の配線やバンプを形成する方法において、シリコンウェハまたは他の基板上に、めっきの技術を用いて金属膜や有機質膜、あるいは配線やバンプ（突起状接続電極端子）を形成する方法が用いられるようになってきている。例えば、半導体回路やそれらを接続する微細配線が形成された半導体ウェハの表面の所定箇所に、金、銀、銅、はんだ、ニッケル、あるいはこれらを多層に積層した配線やバンプを形成し、このバンプを介して、パッケージ基板の電極やＴＡＢ(Tape  Automated  Bonding)電極に接続させることが広く行われている。
【０００３】
これらの配線やバンプの形成方法としては、電気めっき法、無電解めっき法、蒸着法、印刷法といった種々の方法があるが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、狭ピッチ化に伴い、微細化に対応可能で膜付け速度の速い電気めっき法が多く用いられるようになってきている。現在最も多用されている電気めっき法は、膜厚制御が比較的簡単で、高純度の金属膜が得られ、膜形成速度が速いという特長がある。
【０００４】
一方、無電解めっき法は、基板上に通電のためのシード膜を形成する必要がないため、配線やバンプを形成するために必要な工程数が少なくてすむという特長がある。半導体基板上への膜形成においては、膜厚の均一性向上、膜質向上、および製造コストの低減が厳しく要求されるため、いずれのめっき方法においても、従来から多くの改善について検討がなされてきた。
【０００５】
また、ＬＳＩ用基板や微細電気回路基板の回路形成方法の１つとして、感光性高分子膜（レジストまたはフォトレジスト）にパターン転写装置（一般的には露光装置）で配線パターンやバンプパターンを転写し、めっきにより配線やバンプを形成する方法が多く用いられている。この場合、レジストの表面にパターンを転写した後、現像処理して所望の領域のレジストを除去してめっきパターンが形成される。このパターンの転写によってレジストが除去されて外部に露出しためっき下地膜の表面、すなわちめっき液に接触する領域の表面は、異物のない清浄な面であることが要求される。
【０００６】
感光性高分子であるレジストは、一般的には、めっき時にめっき液に濡らされにくく、すなわち濡れ性が悪く、なかには撥水性が強いものもある。レジストの表面の濡れ性が悪い場合には、微細パターンの中に気泡が閉じ込められることによってめっき欠陥が生じる現象がよく見られる。特に、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、狭ピッチ化、微細化に伴い、このような基板上の微細パターンの中にある気泡を除去するためのめっき前処理がますます重要となってきている。
【０００７】
また、半導体ウェハ等の基板に設けられた微細な配線溝やプラグ、または濡れ性の悪いレジストの開口部の中にめっき膜を形成する場合、めっき液や前処理液がこの微細な配線溝やプラグ、レジストの開口部内に浸入せず、めっき液や前処理液中に気泡ができて、この気泡がこれらの配線溝やプラグ、レジストの開口部内に残りやすい。このような気泡はめっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥の原因となっている。
【０００８】
このようなめっき欠けやめっき抜けを防止するため、めっき液に界面活性剤を加えてめっき液の表面張力を下げることによって、基板の微細な配線溝やプラグ、レジストの開口部へのめっき液の浸入を図ることも行われている。しかしながら、めっき液の表面張力が下がることによって、循環中にめっき液中に気泡が発生し易いという問題がある。また、めっき液に新たな界面活性剤を加えることによって、めっき析出に異常が起き、めっき膜への有機物の取込み量が増えて、めっき膜の特性に悪影響を与えるおそれがあるなどの問題がある。
【０００９】
したがって、欠陥のない良好なめっきを行うために、めっき処理前に基板の表面から気泡を除去する必要がある。ＬＳＩ用基板や微細電気回路基板は一般的には清浄な環境で取り扱われているものの、その回路パターンはますます微細化され、また感光性高分子であるレジストは一般的には疎水的なものであるため、被めっき面へのわずかな気泡の付着が重大な欠陥となる可能性がある。このため、めっき直前に前処理を行い、微細な配線溝やプラグ、レジストの開口部をめっき液でよく濡らすための処理（脱気処理）が必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、基板の表面に形成された微細または超微細な孔あるいは溝の内部への膜付けが安定的に得られる基板処理方法を提供することを第１の目的とする。
【００１１】
本発明の第２の目的は、めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥がなく、信頼性の高い膜付けが安定的に得られるめっき方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様によれば、基板の表面に形成された微細または超微細な孔あるいは溝の内部への膜付けが安定的に得られる基板処理方法が提供される。この基板処理方法においては、基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行い、上記蒸気処理後の基板の表面にめっきなどのウェットプロセスを施して基板の表面に形成された微細または超微細な孔あるいは溝の内部への膜付けを行う。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥のない良好なめっきを行うことができるめっき方法が得られる。このめっき方法においては、基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行い、上記蒸気処理後の基板の表面をめっき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理を行う。ここで、上記蒸気は、純水または界面活性剤を添加した純水のいずれかから生成された蒸気であることが好ましい。
【００１４】
本発明の好ましい一態様によれば、上記めっき処理前に、上記蒸気処理後の基板の表面を酸性液で処理する酸処理を行う。また、上記基板は、表面に所定のパターンが形成された有機質のレジスト膜を有することが好ましい。
【００１５】
本発明の第３の態様によれば、めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥のない良好なめっきを行うことができるめっき装置が得られる。このめっき装置は、基板の表面に蒸気を用いた蒸気処理を行う蒸気処理室と、上記蒸気処理室における蒸気処理後の基板の表面をめっき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成するめっき室とを備えている。また、めっき装置は、少なくとも上記めっき室および上記蒸気処理室を内部に収容する装置フレームとを備えている。ここで、上記蒸気は、純水または界面活性剤を添加した純水のいずれかから生成された蒸気であることが好ましい。
【００１６】
本発明の好ましい一態様によれば、めっき装置は、上記蒸気処理室における蒸気処理後の基板の表面に酸性液を用いて酸処理する酸処理室をさらに備えている。
【００１７】
本発明の好ましい他の一態様によれば、上記めっき室は、上記めっき液を保持するめっき槽と、基板に対向して配置されるアノードと、基板と上記アノードとの間に電圧を印加する電源とを備え、電解めっきを行う。
【００１８】
本発明の好ましい一態様によれば、めっき装置は、上記装置フレームの内部で基板を水平に保持して搬送する搬送装置をさらに備えている。
【００１９】
本発明の好ましい他の一態様によれば、めっき装置は、上記装置フレームの内部をドライステーションエリアと少なくとも上記めっき室および上記蒸気処理室が配置されるウェットステーションエリアとに区画するとともに、上記ドライステーションエリアの内部で基板を水平に保持して搬送する第１の搬送装置と、上記ウェットステーションエリアの内部で基板を鉛直に保持して搬送する第２の搬送装置とをさらに備えている。この場合において、蒸気装置フレームの内部を、ドライステーションエリアとウェットステーションエリアとに区画する仕切板を設けることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１の態様によれば、ウェットプロセス前に基板の表面に蒸気による蒸気処理を施して基板の表面の濡れ性を向上させることができる。すなわち、蒸気分子運動（水分子運動）によって、ナノオーダーまでの細孔や微細な溝の内部にも蒸気が容易かつ瞬間的に染み込み、細孔や微細な溝の表面に単分子層以上の液体膜を形成できる。この液体膜の形成によって基板が親水化され、その後のウェットプロセスにおいて処理液との接触角度が小さくなり、気泡の形成も防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明の第２および第３の態様によれば、めっき前に基板の表面（被めっき面）に蒸気による蒸気処理を施して基板の表面の濡れ性を向上させることができる。すなわち、このような蒸気処理を行うことにより、基板の表面（被めっき面）上のレジスト等を活性化して、この表面に親水基であるＯＨ−を増やして基板の表面の濡れ性を向上することができる。したがって、めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥がなく、信頼性の高いめっき処理を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係るめっき装置の実施形態について図１ないし図９を参照して詳細に説明する。なお、図１ないし図９において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施形態におけるめっき装置１を示す平面図である。このめっき装置１は、各工程において半導体ウェハなどの基板（図示せず）を水平に保持して処理するものである。図１に示すように、めっき装置１は、矩形状の装置フレーム２を有しており、この装置フレーム２には多数の基板を収容した基板カセット（図示せず）を搭載する２つのロード・アンロード室３が接続されている。また、装置フレーム２の側面には、オペレータがめっき装置１を操作するときに使用される操作パネル２０が取り付けられている。
【００２４】
装置フレーム２の内部は、仕切板２２によりドライステーションエリア２４とウェットステーションエリア２６に区画されている。ドライステーションエリア２４とウェットステーションエリア２６とを区切る位置には、ドライステーションエリア２４とウェットステーションエリア２６との間で基板を受け渡しするための仮置台２８が配置されている。
【００２５】
ドライステーションエリア２４の内部には、ドライステーションエリア２４内で基板を水平に保持して搬送する第１搬送ロボット４と、めっき処理前に基板の方向を確認して所定の方向に揃えるアライナ５と、基板の洗浄および乾燥を行う３つの洗浄・乾燥室６とが配置されている。また、ウェットステーションエリア２６の内部には、ウェットステーションエリア２６内で基板を水平に保持して搬送する第２搬送ロボット７と、基板の表面（被めっき面）に蒸気処理を行う蒸気処理室８と、基板の表面を酸性液で処理する酸処理室９と、基板を洗浄する洗浄室１０と、基板の表面にめっき処理を行う２つのめっき室１１とが配置されている。
【００２６】
図２は、ウェットステーションエリア２６内の蒸気処理室８を示す模式図である。この蒸気処理室８は、基板の表面（被めっき面）に蒸気による蒸気処理を施して基板の表面の濡れ性を向上させるものである。図２に示すように、蒸気処理室８は、純水８０を保持するセル８１と、純水８０を加熱して蒸気を発生させるヒータ８２とを備えている。例えば、蒸気としては純水や界面活性剤を添加した純水から生成した蒸気を用いることができる。このような蒸気処理は、特に、基板の表面（被めっき面）に有機質のレジスト膜が塗布され、このレジスト膜に配線またはバンプ等のパターンが形成されている場合に有効である。例えば、この蒸気処理は、３０〜１００℃、好ましくは５０〜７０℃の温度下で数秒から１０分、好ましくは０．３分〜１分間行われる。
【００２７】
すなわち、このような蒸気処理を行うことにより、基板の表面（被めっき面）上のレジストやＵＢＭ（Under Bump Metal）を活性化して、この表面に親水基であるＯＨ−を増やして基板の表面の濡れ性を向上することができる。これにより、気泡を残留することなくレジストやＵＢＭの表面に瞬間的に水膜を形成することができる。このような水膜が形成された後にめっき処理を行うことによって、めっき液とレジストまたはＵＢＭとが接触する接触角度が小さくなり、めっき液の微細パターン内への濡れ性も大幅に改善することができる。したがって、めっき欠陥のない良好なめっきを実現することができる。
【００２８】
このような蒸気処理は、めっきの前処理として行うだけでなく、種々のウェットプロセスの前処理として行うことができる。ウェットプロセス前に基板の表面に蒸気処理を施すことにより、基板の表面の濡れ性を向上させることができる。すなわち、蒸気分子運動（水分子運動）によって、基板に形成された細孔や微細な溝（数ナノ以上）の内部にも蒸気が容易かつ瞬間的に染み込み、細孔や微細な溝の表面に単分子層以上の液体膜を形成できる。この液体膜の形成によって基板が親水化され、その後のウェットプロセスにおいて処理液との接触角度が小さくなり、気泡の形成も防ぐことができる。
【００２９】
図３は、ウェットステーションエリア２６内の酸処理室９を示す模式図である。図３に示すように、酸処理室９は、回転自在の回転台９０と、この回転台９０の上面に取り付けられた基板チャック９１と、回転台９０の上方に配置されたスプレーノズル９２と、回転台９０とスプレーノズル９２の周囲を包囲するサイドウォール９３とを備えている。基板チャック９１は、基板Ｗの周縁部を把持し、基板Ｗの表面（被めっき面）を上向きにした状態で基板Ｗを水平に保持する。この基板チャック９１に把持された基板Ｗは、回転台９０の回転に伴って回転する。また、スプレーノズル９２は、下方に向けられた多数のスプレーヘッド９４を有しており、このスプレーヘッド９４から基板Ｗの表面に酸性液９５が噴射される。なお、サイドウォール９３は、スライダ９６を介して上下動自在となっている。また、酸性液９５は後処理液に応じて選択され、例えば、０〜２０％、好ましくは５〜１０％の希硫酸またはメタンスルホン酸などの酸性浴である。この酸処理は、行わなくてもよい場合がある。
【００３０】
このような構成の酸処理室９においては、基板チャック９１に把持した基板Ｗを回転させ、この基板Ｗの表面（被めっき面）に向けてスプレーヘッド９４から酸性液９５を噴射する。これにより、基板Ｗの表面に酸性液９５を接触させて基板Ｗの表面を活性化することができる。このように、めっき下地膜を活性化し、この活性化された下地膜上にめっきを行うことで、下地膜（基板Ｗの表面）へのめっき膜の密着を完全なものとすることができる。したがって、めっき欠陥のない良好なめっきをより効果的に実現することができる。
【００３１】
図４は、ウェットステーションエリア２６内のめっき室１１を示す模式図である。図４に示すように、めっき室１１は、内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽１１０と、基板Ｗの表面（被めっき面）を下向きにした状態で基板Ｗを水平に保持する基板ヘッド１１１と、めっき槽１１０の底部に設けられたノズル１１２と、めっき槽１１０の底部に水平に配置されたアノード１１３と、導線１１４ａおよび導線１１４ｂを介して基板Ｗおよびアノード１１３にそれぞれ接続される電源１１５とを備えている。
【００３２】
めっき槽１１０の底部に設けられたノズル１１２からめっき液Ｑがめっき槽１１０の内部に供給され、基板ヘッド１１１に保持された基板Ｗの表面がこのめっき液Ｑに接触するようになっている。ノズル１１２から供給されためっき液Ｑは、基板Ｗの表面に沿って外方に向かって流れた後、めっき槽１１０をオーバーフローしてめっき槽１１０の外側に設けられたオーバーフロー槽１１６に流入する。オーバーフロー槽１１６に流入しためっき液Ｑは、めっき液排出口１１７を介して排出され、循環ポンプ（図示せず）によって循環されてノズル１１２から供給される。なお、このめっき室１１に、めっき液の温度を調整するための温度調整機器やめっき液中の浮遊塵を除去するためのフィルタなどを設けることもできる。
【００３３】
本実施形態においては、基板Ｗは電源１１５の陰極に接続され、アノード１１３は電源１１５の陽極に接続される。この状態で基板Ｗの表面にめっき液Ｑを接触させることにより基板Ｗの表面に金属を析出させて金属膜を形成する。なお、アノード１１３には、板状の溶解性アノードが一般的に用いられ、このアノード１１３はめっき処理の進行に伴い金属イオンを基板Ｗの表面に供給すると同時に減肉していく。
【００３４】
このような構成のめっき装置１において、第１搬送ロボット４は、ロード・アンロード室３に搭載された基板カセットから基板を取り出し、この基板をアライナ５に搬送する。アライナ５では、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせることによって基板の方向が揃えられる。そして、第１搬送ロボット４によりアライナ５から基板が取り出され、ドライステーションエリア２４とウェットステーションエリア２６との間に設けられた仮置台２８に搬送される。
【００３５】
仮置台２８に置かれた基板は、ウェットステーションエリア２６内の第２搬送ロボット７により蒸気処理室８に搬送される。この蒸気処理室８では、上述したように、基板の表面（被めっき面）に蒸気処理が施される。その後、基板は第２搬送ロボット７により酸処理室９に搬送され、その表面が酸性液で処理され活性化される。酸処理が施された基板は洗浄室１０に搬送され、ここで基板の表面が洗浄される。その後、基板はめっき室１１に搬送され、ここでめっき処理が行われる。めっき完了後、基板は第２搬送ロボット７により再び仮置台２８に載置される。
【００３６】
仮置台２８に載置された基板は、ドライステーションエリア２４内の第１搬送ロボット４により洗浄・乾燥室６に搬送され、ここで洗浄されて乾燥された後、ロード・アンロード室３の基板カセットに戻される。このように、本実施形態に係るめっき装置１によれば、基板の表面に所定のめっき膜（金属膜）を全自動で形成することができる。
【００３７】
本実施形態では、上述したように、蒸気処理室８において基板の表面に蒸気処理を行った後にめっき室１１においてめっき処理を行っている。このようにすることで、基板がめっき槽１１０内のめっき液Ｑに接液したとき、めっき欠陥の原因となる微小気泡（マイクロエアボイド）を被めっき面に生じさせることなく、めっき欠陥のない良好なめっきを実現することができる。このように、めっきを行う直前に蒸気処理により被めっき面の活性化処理を行うことは、めっき欠陥をなくし良好なめっきを行うために有効であるといえる。
【００３８】
図５は、本発明の第２の実施形態におけるめっき装置２０１を示す平面図である。このめっき装置２０１は、基板カセット（図示せず）からの基板の出し入れとその前後においては基板を水平に保持して処理し、めっき処理を含む工程においては基板を鉛直に保持して処理するものである。図５に示すように、めっき装置２０１は、操作パネル２０を取付けた矩形状の装置フレーム２０２を有しており、装置フレーム２０２の内部は、仕切板２２２によりドライステーションエリア２２４とウェットステーションエリア２２６に区画されている。ドライステーションエリア２２４とウェットステーションエリア２２６とを区切る位置には、基板を基板ホルダに装着するための基板装着台２２８が２つ並んで配置されている。また、ドライステーションエリア２２４の第１搬送ロボット４は、第１の実施形態と同様に、ドライステーションエリア２２４の内部で基板を水平に保持して搬送する。
【００３９】
ウェットステーションエリア２２６の内部には、基板の表面（被めっき面）に蒸気処理を行う蒸気処理室２０８と、基板の表面を酸性液で処理する酸処理室２０９と、基板を洗浄する２つの洗浄室２１０ａ，２１０ｂと、基板の表面にめっき処理を行うめっき室２１１と、基板ホルダの保管および一時仮置きを行うストッカ２１２と、基板の液切りを行うブロー室２１３とが配置されている。
【００４０】
図５に示すように、ウェットステーションエリア２２６には、搬送レール２１４が敷設されており、この搬送レール２１４上に第２搬送ロボット２１５および第３搬送ロボット２１６が設置されている。このように、第２搬送ロボット２１５および第３搬送ロボット２１６が搬送レール２１４に沿って直線状に走行するようになっている。これらの第２搬送ロボット２１５および第３搬送ロボット２１６は、基板装着台２２８、ストッカ２１２、蒸気処理室２０８、酸処理室２０９、洗浄室２１０ａ、めっき室２１１、洗浄室２１０ｂ、ブロー室２１３の間で基板を装着した基板ホルダを搬送するものであり、ウェットステーションエリア２２６の内部で基板を鉛直に保持して搬送するものである。
【００４１】
図６は、ウェットステーションエリア２２６内の基板ホルダ２１７を示す模式図である。第２搬送ロボット２１５および第３搬送ロボット２１６は、基板Ｗを装着した基板ホルダ２１７の姿勢を基板装着台２２８での水平姿勢から鉛直姿勢に変えることができるように構成されている。ウェットステーションエリア２２６内の各処理室２０８〜２１３では、第２搬送ロボット２１５および第３搬送ロボット２１６により基板ホルダ２１７を鉛直姿勢にした状態で各処理が行われる。
【００４２】
図７は、ウェットステーションエリア２２６内の蒸気処理室２０８を示す模式図である。この蒸気処理室２０８は、第１の実施形態における蒸気処理室８と同様に、基板の表面（被めっき面）に蒸気による蒸気処理を施して基板の表面の濡れ性を向上させるものである。図７に示すように、蒸気処理室２０８は、純水８０を保持するセル２８１と、純水８０を加熱して蒸気を発生させるヒータ２８２とを備えている。基板ホルダ２１７により鉛直姿勢で保持される基板Ｗはセル２８１の内部に導入されて、その表面に蒸気処理が施される。
【００４３】
図８は、ウェットステーションエリア２２６内の酸処理室２０９を示す模式図である。図８に示すように、酸処理室２０９は、酸性液を収容する酸処理槽２９０と、酸処理槽２９０に浸漬された液供給管２９１と、酸処理槽２９０の底部に接続された液排出管２９２を備えている。液供給管２９１には複数の噴射ノズル２９３が設けられている。この噴射ノズル２９３は、酸処理槽２９０の内部で、基板ホルダ２１７により鉛直姿勢で保持される基板Ｗに対向するように配置されており、噴射ノズル２９３から基板ホルダ２１７で保持した基板Ｗに向けて酸性液２９４が吹き付けられる。この基板Ｗに向けて吹き付けられた酸性液２９４は、酸処理槽２９０の底部の液排出管２９２から外部に排出される。
【００４４】
図９は、ウェットステーションエリア２２６内のめっき室２１１を示す模式図である。図９に示すように、めっき室２１１は、内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽３１０と、めっき槽３１０の底部に設けられたノズル３１１と、アノード３１２を保持したアノードホルダ３１３と、導線３１４ａおよび導線３１４ｂを介して基板Ｗおよびアノード３１２にそれぞれ接続される電源３１５とを備えている。基板ホルダ２１７に保持された基板Ｗとアノードホルダ３１３に保持されたアノード３１２は、めっき室２１１内のめっき液Ｑ中に浸漬された状態で鉛直に保持され、基板Ｗの表面（被めっき面）がアノード３１２の表面と対面するように互いに平行に配置される。
【００４５】
さらに、基板ホルダ２１７に保持された基板Ｗとアノードホルダ３１３に保持されたアノード３１２との間には、パドルシャフト３１６に取り付けられた攪拌パドル３１７と、中央孔を有する調整板（レギュレーションプレート）３１８が配置されている。攪拌パドル３１７は、パドルシャフト３１６の移動に伴って基板Ｗと平行に移動してめっき液Ｑを攪拌する。
【００４６】
めっき槽３１０の底部に設けられたノズル３１１からめっき液Ｑがめっき槽３１０の内部に供給され、基板ホルダ２１７に保持された基板Ｗの表面がこのめっき液Ｑに接触するようになっている。ノズル３１１から供給されためっき液Ｑは、オーバーフロー堰３１９をオーバーフローしてめっき槽３１０の外側に設けられたオーバーフロー槽３２０内に流入する。オーバーフロー槽３２０に流入しためっき液Ｑは、めっき液排出口３２１を介して排出され、循環ポンプ３２２によって循環されて恒温器３２３およびフィルタ３２４を経由してノズル３１１から供給される。なお、めっき液Ｑの循環経路には、圧力計３２５および流量計３２６が付設されている。
【００４７】
本実施形態においては、基板Ｗは電源３１５の陰極に接続され、アノード３１２は電源３１５の陽極に接続される。これにより、基板Ｗとアノード３１２との間に電位差が生じ、めっき液Ｑ中の金属イオンが基板Ｗの表面（被めっき面）から電子を受け取り、基板Ｗの被めっき面上に金属が析出して金属膜を形成する。また、この電位差により、アノード３１２が電子を放出してイオン化し、めっき液Ｑ中に溶解していく。このアノード３１２の溶解に伴い、アノード３１２は減肉していく。
【００４８】
このような構成のめっき装置２０１において、第１の実施形態と同様に、第１搬送ロボット４は、ロード・アンロード室３に搭載された基板カセットから基板を取り出し、この基板をアライナ５に搬送する。アライナ５では、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせることによって基板の方向が揃えられる。そして、第１搬送ロボット４によりアライナ５から基板が取り出され、基板ホルダ２１７に装着するために基板装着台２２８に搬送される。
【００４９】
基板装着台２２８では、基板が基板ホルダ２１７（図６参照）に装着され、基板が装着された基板ホルダ２１７は、ウェットステーションエリア２２６内の第２搬送ロボット２１５によりストッカ２１２に搬送されてストッカ２１２内に鉛直姿勢でストックされる。その後、ストッカ２１２内の基板ホルダ２１７は、第３搬送ロボット２１６により蒸気処理室２０８に搬送される。この蒸気処理室２０８では、上述したように、基板の表面（被めっき面）に蒸気処理が施される。その後、基板は第３搬送ロボット２１６により酸処理室２０９に搬送され、その表面が酸性液で処理され活性化される。酸処理が施された基板は第３搬送ロボット２１６により洗浄室２１０ａに搬送され、ここで基板の表面が洗浄される。このようにして基板の前処理が完了する。
【００５０】
前処理が完了した基板は、第３搬送ロボット２１６によりめっき室２１１に搬送され、ここでめっきによる膜付けが行われる。その後、第３搬送ロボット２１６により基板は洗浄室２１０ｂおよびブロー室２１３を経てストッカ２１２内に鉛直姿勢でストックされる。その後、ストッカ２１２内の基板ホルダ２１７は、第２搬送ロボット２１５により基板装着台２２８に搬送される。基板装着台２２８では、基板ホルダ２１７から基板が取り出され、ドライステーションエリア２２４内の第１搬送ロボット４により洗浄・乾燥室６に搬送され、ここで洗浄されて乾燥された後、ロード・アンロード室３の基板カセットに戻される。このように、本実施形態に係るめっき装置２０１によれば、基板の表面に所定のめっき膜（金属膜）を全自動で形成することができる。
【００５１】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるめっき装置を示す平面図である。
【図２】図１に示すめっき装置における蒸気処理室を示す模式図である。
【図３】図１に示すめっき装置における酸処理室を示す模式図である。
【図４】図１に示すめっき装置におけるめっき室を示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態におけるめっき装置を示す平面図である。
【図６】図５に示すめっき装置における基板ホルダを示す模式図である。
【図７】図５に示すめっき装置における酸処理室を示す模式図である。
【図８】図５に示すめっき装置における酸処理室を示す模式図である。
【図９】図５に示すめっき装置におけるめっき室を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１，２０１    めっき装置
２，２０２    装置フレーム
３    ロード・アンロード室
４，７，２１５，２１６    搬送ロボット
５    アライナ
６    洗浄・乾燥室
８，２０８    蒸気処理室
９，２０９    酸処理室
１０，２１０ａ，２１０ｂ    洗浄室
１１，２１１    めっき室
２０    操作パネル
２２，２２２    仕切板
２４，２２４    ドライステーションエリア
２６，２２６    ウェットステーションエリア
２８    仮置台
２１２    ストッカ
２１３    ブロー室
２１４    搬送レール
２１７    基板ホルダ
２２８    基板装着台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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