(57)【要約】【課題】表示領域以外の領域を小さくすることができるＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】基板２にＩＣチップ３〜７が実装されており、ＩＣチップ３〜７は絶縁被覆膜８によって被覆されている。絶縁被覆膜８上には表示部９，１０，１１が形成されている。表示部９，１０，１１は、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んで絶縁被覆膜８上に形成された複数の走査線と、走査線に対して直交するように配列された複数の透明な信号線と、走査線と信号線とが交差した箇所において走査線と信号線との間に挟まれたＥＬ層と、から構成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に実装されたＩＣチップと、
前記ＩＣチップを被覆した被覆膜と、
複数のＥＬ素子が画素としてマトリクス状になって前記被覆膜上に配列されてなり、前記ＩＣチップによって駆動される表示部と、
を備えることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記表示部が、互いに平行に並んで前記被覆膜上に形成された複数の第一導電線と、前記複数の第一導電線上において前記第一導電線に直交するように配列された複数の第二導電線と、前記複数の第一導電線と前記複数の第二導電線とが交差した箇所それぞれにおいて第一導電線と第二導電線との間に挟持されたＥＬ層と、を有し、前記第二導電線が光を透過する性質を有することを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記ＩＣチップは複数であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ＩＣチップを制御するためのＣＰＵを内蔵したＩＣチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする請求項３に記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
画像データを一時的に格納するためのフレームメモリを内蔵したＩＣチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする請求項３に記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記表示部は複数であり、各表示部が同時に表示を行うことを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を画素として用いたＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子という）を画素として利用したＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。ＥＬ素子はアノードとカソードとの間にＥＬ層を挟持した構成を有しており、ＥＬ表示装置はこのようなＥＬ素子を画素としてマトリクス状に配列した構成を有している。ＥＬ表示装置には、液晶表示装置と同様に、画素ごとにＴＦＴを設けて画素を個別に駆動するアクティブ駆動方式と、行単位で順次選択していき選択時に同期してその選択した行の全ての画素を発光させるパッシブ駆動方式とがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
一般的に、ＥＬ表示装置は複数のＥＬ素子を基板上にマトリクス状に配列してなる表示パネルを有し、表示駆動を行うための駆動回路はＩＣチップ化されて表示パネルの周囲に設けられている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−１０８０２８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＣチップが表示パネルの表示画面の周囲に設けられているため、表示領域以外の領域が大きくなってしまう。
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、表示領域以外の領域を小さくすることができるＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明のＥＬ表示装置は、基板と、前記基板に実装されたＩＣチップと、前記ＩＣチップを被覆した被覆膜と、複数のＥＬ素子が画素としてマトリクス状になって前記被覆膜上に配列されてなり、前記ＩＣチップによって駆動される表示部と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＥＬ表示装置において、前記表示部が、互いに平行に並んで前記被覆膜上に形成された複数の第一導電線と、前記複数の第一導電線上において前記第一導電線に直交するように配列された複数の第二導電線と、前記複数の第一導電線と前記複数の第二導電線とが交差した箇所それぞれにおいて第一導電線と第二導電線との間に挟持されたＥＬ層と、を有し、前記第二導電線が光を透過する性質を有することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のＥＬ表示装置において、前記ＩＣチップは複数であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のＥＬ表示装置において、前記ＩＣチップを制御するためのＣＰＵを内蔵したＩＣチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載のＥＬ表示装置において、画像データを一時的に格納するためのフレームメモリを内蔵したＩＣチップが前記基板に実装されているとともに前記被覆膜によって被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項６に記載の発明は請求項１から５の何れか一項に記載のＥＬ表示装置において、前記表示部は複数であり、各表示部が同時に表示を行うことを特徴とする。
【００１２】
請求項１に記載の発明では、ＩＣチップが実装された基板を被覆膜で被覆しており、その被覆膜上に表示部を設けているため、基板の表示領域の周囲にＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）接合したり、ＩＣチップと接続するための引き回し配線を設ける必要がない。このためパネルが狭額縁になり、ＥＬ表示装置のパネルサイズを小型化でき、特に携帯電話、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等のような小型携帯機器の表示パネルに適用することができる。さらにこのように表示部と重なる位置にＩＣチップやＩＣチップ配線を設けているので、任意の位置に任意の数のＩＣチップを設けることができ、配線設計が柔軟にできる。
特に、請求項６に記載の発明のように、複数の表示部を絶縁膜上に設けた場合、表示部ごとにＩＣチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができるから、ＥＬ表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明のように、第二導電線が透光性を有しているから、ＥＬ層で発した光が第二導電線を通じて外部に出射する。従って、第二導電線側が表示面となる。仮に第一導電線及び基板を透光性のものとしても、ＥＬ層で発した光はＩＣチップによって遮蔽されてしまう。そのため、第一導電線と第二導電線のうちＩＣチップと反対側の第二導電性を透光性とするのが良い。
【００１４】
請求項４に記載の発明のように、ＣＰＵを内蔵したＩＣチップを基板に実装することによって、多機能なＥＬ表示装置を提供することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明のように、フレームメモリを内蔵したＩＣチップを基板に実装すれば、外部から画像データが入力されなくてもＥＬ表示装置において表示が行われた状態を維持することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【００１７】
図１は本発明を適用したパッシブ駆動方式（単純マトリクス駆動方式）のエレクトロルミネッセンス表示装置１（以下、ＥＬ表示装置１という。）を示した側断面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線における平断面図であり、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における平断面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線における側断面図である。
【００１８】
このＥＬ表示装置１は、基板２と、基板２上に実装された複数のＩＣチップ３〜７と、これらＩＣチップ３〜７を被覆した絶縁被覆膜８と、絶縁被覆膜８上に形成された表示部９〜１１と、表示部９〜１１を封止した封止膜１２と、を具備する。
【００１９】
基板２は、ＩＣチップ３〜７間でデータの入出力を行うための回路配線１９が形成された多層回路基板である。
【００２０】
ＩＣチップ３〜７は、大規模集積回路（ＬＳＩ）であっても良いし、中規模集積回路（ＭＳＩ）であっても良いし、小規模集積回路（ＳＳＩ）であっても良い。ＩＣチップ３〜７の実装方式は、表面実装式であっても良いし、挿入実装式であっても良い。ＩＣチップ３〜７は、セラミック、プラスチック等のパッケージによって封止されたチップであっても良いし、ベアチップであっても良い。
【００２１】
これらＩＣチップ３〜７は、全体として表示部９〜１１を駆動する機能を有する。ここでは例えば、ＩＣチップ３は、外部から入力した画像データを一時的に格納するフレームメモリと、ＥＬ表示装置１全体の制御を行うＣＰＵと、を内蔵したチップである。ＩＣチップ４は、ＩＣチップ５，６，７に出力するためのタイミングクロックを発生するタイミングジェネレータと、ＩＣチップ３に一時的に格納された画像データをＤ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ）変換してＩＣチップ５，６，７に出力するＤ／Ａコンバータと、を内蔵したチップである。ＩＣチップ５，６，７は、後述する走査線９ａ，１０ａ，１１ａをそれぞれ順次選択走査するために走査線９ａ，１０ａ，１１ａにそれぞれ接続された配線１３，１５，１７に走査信号を転送していくスキャンドライバ（シフトレジスタ）と、アナログ変換された画像信号を、タイミングジェネレータから入力されたクロック信号のタイミングで取り込んでこのアナログ画像信号に従って階調信号を後述する信号線９ｂ，１０ｂ，１１ｂにそれぞれ接続された配線１４，１６，１８に出力するデータドライバと、を内蔵したチップである。なお、ＩＣチップ３のフレームメモリとＣＰＵが別々にチップ化されていても良いし、ＩＣチップ４のＤ／Ａコンバータとタイミングジェネレータが別々にチップ化されていても良いし、ＩＣチップ５，６，７のスキャンドライバとデータドライバが別々にチップ化されていても良い。
【００２２】
基板２上に実装されたＩＣチップ３〜７は共通の絶縁被覆膜８によって被覆されている。この絶縁被覆膜８によって基板２の表面とＩＣチップ３〜７との間に生じた段差が解消され、絶縁被覆膜８の表面はほぼ平坦な面となっている。この絶縁被覆膜８は、樹脂（例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂）からなるものでも良いし、無機窒素化合物（例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素）からなるものでも良いし、無機窒素化合物、樹脂の順に積層したものでも良い。
【００２３】
このＥＬ表示装置１の表示面は、表示部９，１０，１１それぞれで独立的に表示が行われる三つの領域に縦分割されている。表示部９はＩＣチップ５によって駆動され、表示部１０はＩＣチップ６によって駆動され、表示部１１はＩＣチップ７によって駆動される。すなわち、表示部９，１０，１１によって一つの画面を表示する。
【００２４】
表示部９は、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んで絶縁被覆膜８上に形成された複数の走査線９ａ，９ａ，…と、平面視して（表示面に対して垂直な方向に見て）走査線９ａ，９ａ，…に対して直交するように配列された信号線９ｂ，９ｂ，…と、走査線９ａ，９ａ，…と信号線９ｂ，９ｂ，…とが交差した箇所において走査線９ａと信号線９ｂとの間に挟まれたＥＬ層９ｃ，９ｃ，…と、から構成されている。走査線９ａは導電性を有した第一導電線であり、信号線９ｂが導電性を有した第二導電線である。
【００２５】
走査線９ａ，９ａ，…それぞれの一端部において、コンタクトホール８ａが絶縁被覆膜８を貫通して形成されており、このコンタクトホール８ａに金属等の導電性材料が埋め込まれている。一方、基板２には配線１３が形成されており、配線１３はＩＣチップ５の端子一つにつき一つのコンタクトホール８ａを電気的に接続している。これにより、一本の走査線９ａにつきＩＣチップ５の一つの端子がコンタクトホール８ａ及び配線１３を通じて接続されている。
【００２６】
信号線９ｂ，９ｂ，…それぞれの一端部においても同様に、絶縁被覆膜８に形成されたコンタクトホール８ｂに導電性材料が埋め込まれており、ＩＣチップ５からコンタクトホール８ｂ，８ｂ，…までの配線１４が基板２に形成されている。これにより、一本の信号線９ｂにつきＩＣチップ５の一つの端子がコンタクトホール８ｂ及び配線１３を通じて接続されている。
【００２７】
ＥＬ層９ｃは、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順又はその逆順に積層した三層構造であっても良いし、正孔輸送層、発光層の順又はその逆順に積層した二層構造であっても良いし、発光層からなる一層構造であっても良い、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した多層構造であっても良い。また、ＥＬ層９ｃを構成した層全てが有機化合物からなるものであっても良いし、ＥＬ層９ｃを構成した層全てが無機化合物からなるものであっても良いし、ＥＬ層９ｃが無機化合物からなる層と有機化合物からなる層とを積層したものでも良い。ここでは、ＥＬ層９ｃは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）からなる正孔輸送層、ポリフルオレン系発光材料からなる発光層の順に積層した二層構造である。
【００２８】
走査線９ａと信号線９ｂが交差した箇所はマトリクス状になって絶縁被覆膜８上に配列されている。走査線９ａと信号線９ｂが交差した箇所では、絶縁被覆膜８側から走査線９ａ、ＥＬ層９ｃ、信号線９ｂの順に積層した積層構造を成しているが、この積層構造はＥＬ素子となって画素を構成している。ＥＬ素子のアノードが走査線９ａであり且つカソードが信号線９ｂであっても良いし、逆にアノードが信号線９ｂであり且つカソードが走査線９ａであっても良い。
【００２９】
また、信号線９ｂは、光を透過する性質を有し、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ若しくはカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）からなる。走査線９ｂは、金属、金属化合物又は合金からなる。
【００３０】
また、信号線９ｂがカソードであり且つ信号線９ｂ自体の仕事関数が比較的高い場合には、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム若しくは希土類からなる単体金属又はこれらの単体を少なくとも一種を含む合金からなる低仕事関数の電子注入層を信号線９ｂとＥＬ層９ｃとの間に形成するのが望ましい。この場合において、光が電子注入層を透過するように、電子注入層をできる限り薄くするのが望ましい。
【００３１】
表示部１０も表示部９と同様に、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んだ複数の走査線１０ａ，１０ａ，…と、平面視して走査線１０ａ，１０ａ，…に対して直交するように配列された信号線１０ｂ，１０ｂ，…と、走査線１０ａ，１０ａ，…と信号線１０ｂ，１０ｂ，…とが交差した箇所それぞれにおいて走査線１０ａと信号線１０ｂとの間に挟まれたＥＬ層（図示略）と、から構成されている。
【００３２】
走査線１０ａ，１０ａ，…のそれぞれの一端部において、絶縁被覆膜８に形成されたコンタクトホール８ｃに導電性導電性材料が埋め込まれており、基板２にはＩＣチップ６からコンタクトホール８ｃ，８ｃ，…までの配線１５が形成されており、一本の走査線１０ａにつきＩＣチップ６の一つの端子がコンタクトホール８ｃ及び配線１５を通じて接続されている。信号線１０ｂ，１０ｂ，…の一端部において絶縁被覆膜８に形成されたコンタクトホール８ｄ，８ｄ，…と基板２に形成された配線１６とによって、一本の信号線１０ｂにつきＩＣチップ６の一つの端子が接続されている。
【００３３】
表示部１１も表示部９と同様に、横方向に長尺な帯状となって互いに平行に並んだ複数の走査線１１ａ，１１ａ，…と、平面視して走査線１１ａ，１１ａ，…に対して直交するように配列された信号線１１ｂ，１１ｂ，…と、走査線１１ａ，１１ａ，…と信号線１１ｂ，１１ｂ，…とが交差した箇所それぞれにおいて走査線１１ａと信号線１１ｂとの間に挟まれたＥＬ層（図示略）と、から構成されている。
【００３４】
走査線１１ａ，１１ａ，…の一端部において絶縁被覆膜８に形成されたコンタクトホール８ｅ，８ｅ，…と基板２に形成された配線１７とによって、一本の走査線１１ｂａにつきＩＣチップ７の一つの端子が接続されている。同様に、信号線１１ｂ，１１ｂ，…の一端部において絶縁被覆膜８に形成されたコンタクトホール８ｆ，８ｆ，…と基板２に形成された配線１８とによって、一本の信号線１１ｂにつきＩＣチップ７の一つの端子が接続されている。
【００３５】
走査線９ａ，９ａ，…、信号線９ｂ，９ｂ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…、走査線１１ａ，１１ａ，…及び信号線１１ｂ，１１ｂ，…全体を被覆するように封止膜１２が一面に形成されている。この封止膜１２は、光に対して透光性を有するととも絶縁性を有し、樹脂（例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂）又は無機窒素化合物（例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素）からなるものである。
【００３６】
封止膜１２の外縁寄りであって表示部９，１０，１１に重ならない部分には、コンタクトホール１２ａが封止膜１２及び絶縁被覆膜８を貫通して形成されている。一方、回路配線１９は基板２中又は基板２上においてコンタクトホール１２ａまで導かれており、コンタクトホール１２ａに導電性材料が埋め込まれている。コンタクトホール１２ａに埋め込まれた導電性材料がＥＬ表示装置１の端子となり、外部からの信号が入力されるようになっている。
【００３７】
次に、ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
まず、配線１３〜配線１８、回路配線１９が形成された基板２を準備し、基板２にＩＣチップ３〜７を実装する。次に、基板２の一面に絶縁被覆膜８を成膜し、絶縁被覆膜８によってＩＣチップ３〜７を被覆する。次に、絶縁被覆膜８にコンタクトホール８ａ，８ａ，…、コンタクトホール８ｂ，８ｂ，…、コンタクトホール８ｃ，８ｃ，…、コンタクトホール８ｄ，８ｄ，…、コンタクトホール８ｅ，８ｅ，…及びコンタクトホール８ｆ，８ｆ，…を形成し、これらコンタクトホール８ａ〜８ｆに導電性材料を埋め込む。次に、絶縁被覆膜８上に走査線９ａ，９ａ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…及び走査線１１ａ，１１ａ，…をパターニングする。次に、表示部９のＥＬ層９ｃ，９ｃ，…、表示部１０のＥＬ層及び表示部１１のＥＬ層をパターニングする。次に、形成したＥＬ層において走査線９ａ，９ａ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…及び走査線１１ａ，１１ａ，…に直交させるように、信号線９ｂ，９ｂ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…及び信号線１１ｂ，１１ｂ，…をパターニングする。次いで、絶縁被覆膜８の一面に封止膜１２を成膜し、封止膜１２によって走査線９ａ，９ａ，…、信号線９ｂ，９ｂ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…、走査線１１ａ，１１ａ，…及び信号線１１ｂ，１１ｂ，…を被覆する。次に、封止膜１２及び絶縁被覆膜８にコンタクトホール１２ａを形成し、コンタクトホール１２ａに導電性材料を埋め込む。
【００３８】
次に、ＥＬ表示装置１の動作について説明する。
一フレーム分の画像データが外部からコンタクトホール１２ａを介して入力されたら、入力した画像データはＩＣチップ３に一時的に格納されてＩＣチップ３によって信号処理される。信号処理された画像データはＩＣチップ４に出力され、ＩＣチップ４によってＤ／Ａ変換され、Ｄ／Ａ変換された画像信号がＩＣチップ５，６，７に出力される。ＩＣチップ５が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部９を駆動し、ＩＣチップ６が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部１０を駆動し、ＩＣチップ７が画像信号に従ってパッシブ駆動方式で表示部１１を駆動する。表示部９においては、走査線９ａ，９ａ，…がＩＣチップ５によって順次選択され、画像信号に応じた階調信号がＩＣチップ５によってそれぞれの走査線９ａの選択時に同期して全ての信号線９ｂ，９ｂ，…に対して出力される。表示部１０，１１も表示部９と同様に表示動作が行われるが、一フレーム期間に表示部９〜１１は同時に表示する。
【００３９】
表示部９，１０，１１が駆動されることによってＥＬ層が発光するが、ＥＬ層から発した光は信号線９ｂ、信号線１０ｂ、信号線１１ｂを透過して、封止膜１２から外部に放射する。従って、ＥＬ表示装置１は、基板２と反対側の封止膜１２の表面が表示面となるいわゆるトップエミッション構造である。
【００４０】
以上のように、本実施の形態では、ＩＣチップ３〜７が実装された基板２を絶縁被覆膜８で被覆し、絶縁被覆膜８上に表示部９〜１１を形成し、平面視して表示部９〜１１にＩＣチップ３〜７を重ねているので、このＥＬ表示装置１には表示領域以外の領域が殆どない。
【００４１】
また、信号線９ｂ，９ｂ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…、信号線１１ｂ，１１ｂ，…及び封止膜１２が透明であるため、表示部９〜１１にＩＣチップ３〜７が重なっても、ＥＬ層で発した光が封止膜１２から外部に出射する。
【００４２】
また、表示部９〜１１が独立して駆動されるため、ＥＬ表示装置１自体の発光デューティを大きくすることができる。つまり、表示部９〜１１の走査線９ａ，１０ａ，１１ａをＮ本としたら（Ｎは自然数である。）、表示部９〜１１それぞれで発光デューティが１／Ｎとなり、ＥＬ表示装置１全体の走査線の数が（３×Ｎ）本でも発光デューティは１／Ｎとなる。しかし、全体で（３×Ｎ）本の走査線を有した従来のＥＬ表示装置では表示パネルの周囲に駆動回路を設けるため、仮にデータドライバを表示領域の上側と下側の二箇所にしか設けたとしても、最高で二つの領域でしか独立して駆動することができない。そのため、全体で（３×Ｎ）本の走査線を有した従来のＥＬ表示装置では発光デューティを２／（３×Ｎ）にしかできず、本実施形態のＥＬ表示装置１の発光デューティの方が大きい。そのため、本実施形態のＥＬ表示装置１は低電力でも明るい表示面を実現することができ、ＥＬ表示装置１の長寿命化を図ることができる。
【００４３】
また、仮に１つのＩＣチップで全ての信号線に出力する場合、走査線が３Ｎ本であると、１／（３×Ｎ）のデューティ駆動になってしまうが、本発明のように表示部９〜１１に分割し、表示部９〜１１をそれぞれＩＣチップ５〜７で別個に駆動するので、一フレーム期間に表示部９〜１１は同時に表示することができる。そのため、表示部９〜１１の走査線の総本数を（３×Ｎ）本としても各ＩＣチップ５，６，７は１／Ｎデューティ駆動でよい。つまり、表示部９，１０，１１のＥＬ素子を発光するために選択期間を三倍にすることができ、１つのＩＣチップで全ての信号線に出力する場合に比べて表示部９，１０，１１の各ＥＬ層に印加される電圧を１／３にできるため、電圧による劣化を抑制することができる。
【００４４】
また、ＣＰＵを内蔵したＩＣチップ３が基板２に実装されているため、ＥＬ表示装置１の多機能化を図ることができる。また、フレームメモリを内蔵したＩＣチップ３が基板２に実装されているため、外部から画像データが入力されなくても、ＥＬ表示装置１において表示が行われた状態を維持することができる。
【００４５】
また、仮に基板２にＣＰＵ、フレームメモリ、Ｄ／Ａコンバータ、タイミングジェネレータ、スキャンドライバ及びデータドライバを直接形成していくことは、それぞれに最適な耐圧・耐熱・プロセスがあるので、殆ど無理である。しかしながら、本実施形態では、予め最適な耐圧・耐熱・プロセスで設計されたＩＣチップ３〜７を基板２に実装しているので、ＣＰＵ、フレームメモリ、Ｄ／Ａコンバータ、タイミングジェネレータ、スキャンドライバ及びデータドライバの機能を有したＥＬ表示装置１を提供することができる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態では表示部９，１０，１１において走査線、ＥＬ層、透明な信号線の順に積層した構造であったが、逆に信号線、ＥＬ層、透明な走査線の順に積層した構造であっても良い。また表示部を３分割したが、４分割以上に細分化してもよい。
【００４７】
また、上記実施形態では表示部９〜１１の何れでもＥＬ層が走査線と信号線との交差箇所ごとに独立して形成されているが、ＥＬ層が共通となる層であっても良い。つまり、表示部９では全ての走査線９ａ，９ａ，…を被覆するようにＥＬ層を形成しても良いし、表示部１０では全ての走査線１０ａ，１０ａ，…を被覆するようにＥＬ層を形成しても良いし、表示部１１では全ての走査線１１ａ，１１ａ，…を被覆するようにＥＬ層を形成しても良い。この場合において、ＥＬ層を表示部９〜１１全体で共通の層としても良い。
【００４８】
また、以下のような変形例のようにしても良い。以下の変形例では、上記実施形態のＥＬ表示装置１と同様の構成要素に同一の符号を付す。
【００４９】
〔変形例１〕
上記実施形態のＥＬ表示装置１ではＩＣチップ３〜７が基板２に表面実装されているが、変形例１のＥＬ表示装置ではＩＣチップ３〜７が基板２に埋め込まれている。詳細に説明すると、図４に示すように基板２に凹溝２ａが形成されており、この凹溝２ａ内にＩＣチップ５が挿入されている。凹溝２ａには樹脂等の充填材２０が充填されており、この充填材２０によってＩＣチップ５が被覆されている。充填材２０にはコンタクトホール２０ａが形成されており、コンタクトホール２０ａに導電性材料が埋め込まれており、導電性材料によってＩＣチップ５の端子と回路配線１９が接続されている。変形例１のＥＬ表示装置は、ＩＣチップ３〜７が基板２に埋め込まれていることを除いて、上記実施形態のＥＬ表示装置１と同様に構成されているとともに同様に動作する。
【００５０】
〔変形例２〕
変形例２のＥＬ表示装置では、変形例１の表示装置と同様にＩＣチップ３〜７が基板２に埋め込まれている。ところが、図５に示すように、変形例２のＥＬ表示装置は、ＩＣチップ３〜７が埋め込まれ且つ絶縁被覆膜８が被膜された基板２に対して、表示部９，１０，１１が形成された透明基板３０を貼り合わせることによって製造される。
【００５１】
上記実施形態、変形例１のように絶縁被覆膜８上に表示部９，１０，１１が形成されているのと同様に、変形例２では透明基板３０の表面３０ａ上に表示部９，１０，１１が形成されている。なお、表示部９，１０，１１を透明基板３０の表面３０ａ上に形成する方法は、上記実施形態において絶縁被覆膜８上に表示部９，１０，１１を形成する方法と同様である。
【００５２】
透明基板３０は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、ＰＭＭＡ（ポリメタクリ酸メチル）、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料である。上記実施形態では信号線９ｂ，９ｂ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…及び信号線１１ｂ，１１ｂ，…が透明であったのに対し、変形例２では走査線９ａ，９ａ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…及び走査線１１ａ，１１ａ，…が透明であり光を透過する。
【００５３】
表示部９，１０，１１全体を被覆するように封止膜１２が透明基板３０一面に形成されている。走査線９ａ，９ａ，…、信号線９ｂ，９ｂ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…、信号線１０ｂ，１０ｂ，…、走査線１１ａ，１１ａ，…及び信号線１１ｂ，１１ｂ，…それぞれの一端部に対応した位置において、封止膜１２にはコンタクトホール１２ａが形成されており、コンタクトホール１２ａに導電性材料が埋め込まれている。コンタクトホール１２ａは、コンタクトホール８ａ〜８ｆに対応した位置にある。
【００５４】
コンタクトホール１２ａにコンタクトホール８ａ〜８ｆを対応させて封止膜１２に絶縁被覆膜８を向かい合わせて、封止膜１２が異方導電性接着剤（図示略）によって絶縁被覆膜８に接着されている。異方導電性接着剤は層方向（厚み方向）に対して導電性を示すが、層方向に直交する方向に対しては絶縁性を示すものである。従って、コンタクトホール８ａ〜８ｆ一つにつき一つのコンタクトホール１２ａが異方導電性接着剤によって電気的に接続される。これにより、一本の走査線９ａにつきＩＣチップ５の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線９ｂにつきＩＣチップ５の一つの端子が電気的に接続され、一本の走査線１０ａにつきＩＣチップ６の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線１０ｂにつきＩＣチップ６の一つの端子が電気的に接続され、一本の走査線１１ｂａにつきＩＣチップ７の一つの端子が電気的に接続され、一本の信号線１１ｂにつきＩＣチップ７の一つの端子が電気的に接続される。
【００５５】
表示部９，１０，１１がそれぞれＩＣチップ５，６，７によってパッシブ駆動されることによって表示動作をするが、走査線９ａ，９ａ，…、走査線１０ａ，１０ａ，…、走査線１１ａ，１１ａ，…及び透明基板３０が透明であるため、ＥＬ層で発した光が透明基板３０の裏面３０ｂから外部に放射される。つまり、透明基板３０の裏面３０ｂが表示面となる。
【００５６】
〔応用例〕
以下、上記実施形態のＥＬ表示装置１をデジタルスチルカメラに搭載した応用例について図６を用いて説明する。
【００５７】
図６は、本発明を適用したＥＬ表示装置１を表示パネルとして適用したデジタルカメラの回路構成を示すブロック図である。
【００５８】
図６においてデジタルカメラは、ＩＣチップ３，４、ＩＣチップ５，６，７、、ＣＣＤ型撮像素子１２０、アンプ１２１、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ）コンバータ１２２、駆動回路１２３、キー入力部１３５、Ｉ／Ｏポート１３７及び赤外線通信部１３８により構成されている。ここで、ＩＣチップ３，４は、タイミングジェネレータ１２４、シグナルジェネレータ１２５、ＶＲＡＭ（Ｖｉｄｅｏ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２６、Ｄ／Ａコンバータ１２７、アンプ１２８、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２９、圧縮／伸長回路１３０、フラッシュメモリ１３１、ＣＧ（Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）１３２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１３３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１３４、及びＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１３６から構成されている。
【００５９】
ＣＣＤ型撮像素子１２０は、フォトダイオード等の受光部に転送電極を重ねた素子（画素）を平面状に多数配設した画素面と、各画素に蓄積された電荷を電圧に変換して出力する出力部とから構成される。ＣＣＤ型撮像素子１２０には結像レンズによって像が結像され、結像レンズを介して入射した光は前記画素面で受光され、各画素には受光量に比例した電荷が蓄積される。各画素の蓄積電荷は、駆動回路１２３から供給される駆動信号に応じて前記出力部により撮像信号（アナログ信号）として１画素分ずつ順次読み出され、アンプ１２１を介してＡ／Ｄコンバータ１２２に出力される。
【００６０】
Ａ／Ｄコンバータ１２２は、ＣＣＤ型撮像素子１２０からバッファ１２１を介して入力される撮像信号をアナログ信号からデジタル信号に変換し、タイミングジェネレータ１２４に供給する。
【００６１】
駆動回路１２３は、タイミングジェネレータ１２４から供給されるタイミング信号に基づいてＣＣＤ型撮像素子１２０の露光及び読み出しタイミングを駆動制御する。また、タイミングジェネレータ１２４は、ＣＰＵ１３６から入力される映像取り込み信号に基づいて駆動回路１２３を制御するタイミング信号を生成する。さらにタイミングジェネレータ１２４は、ＩＣチップ５，６，７が所定のタイミングで動作するようにＩＣチップ５，６，７にクロック信号を出力する。
【００６２】
シグナルジェネレータ１２５は、タイミングジェネレータ１２４を介して供給される撮像信号（デジタル信号）に対して色演算処理を行ない、輝度信号（Ｙデータ）と色信号（Ｃデータ）により構成される画像データを生成し、この画像データをＤＲＡＭ１２９に出力する。
【００６３】
また、シグナルジェネレータ１２５は、ＣＰＵ１３６によりＤＲＡＭ１２９から供給された画像データに同期信号を付加する等してビデオ信号（デジタル信号）を生成して一旦、ＶＲＡＭ１２６に格納し、その後、ＶＲＡＭ１２６に格納したビデオ信号をＤ／Ａコンバータ１２７及びアンプ１２８を介してＩＣチップ５，６，７に出力する。また、ビデオ出力端子１１８ｂにビデオケーブルを介して外部機器が接続されている場合は、該ビデオ信号をこの外部機器に対しても出力する。
【００６４】
ＶＲＡＭ１２６は、シグナルジェネレータ１２５により生成されたビデオ信号（表示データ）を一時的に格納するビデオメモリであり、ＩＣチップ５，６，７の１画面分の表示データを格納可能なメモリ容量を有する。
【００６５】
Ｄ／Ａコンバータ１２７は、シグナルジェネレータ１２５によりＶＲＡＭ１２６から供給されるビデオ信号（表示データ）をデジタル信号からアナログ信号に変換し、アンプ１２８を介してＩＣチップ５，６，７に、また、ビデオ出力端子１１８ｂにビデオケーブルを介して外部機器が接続されている場合は、該ビデオ信号をこの外部機器に対しても出力する。
【００６６】
ＩＣチップ５，６，７は、エレクトロルミネッセンス表示装置１の配線１３〜１８に、Ｄ／Ａコンバータ１２７及びアンプ１２８を介して入力されたビデオ信号（表示データ）に基づいて表示画面に画像信号及び選択走査信号を出力する。このエレクトロルミネッセンス表示装置１は、ファインダーとして、撮影時にＣＣＤ型撮像素子１２０で取り込んだ被写体の画像を表示することが、また、撮影後に、フラッシュメモリ１３１に格納されている撮像した画像データを再生表示することができる。
【００６７】
ＤＲＡＭ１２９は、シグナルジェネレータ１２５から供給される撮像した画像データ、あるいはＣＰＵ１３６によりフラッシュメモリ１３１から読み出され、後述する圧縮／伸長回路１３０により伸長処理された画像データを一時的に格納する半導体メモリである。
【００６８】
圧縮／伸長回路１３０は、ＤＲＡＭ１２９に格納された画像データを符号化により圧縮処理する。具体的には、画像データを所定の符号化方式、すなわち、取り扱う画像の種類（この場合、静止画）に応じた、例えば、ＪＰＥＧ（Ｊｏｉｎｔ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ）アルゴリズムによる８×８画素毎のＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ  Ｃｏｓｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  ：離散コサイン変換）、量子化、ハフマン符号化により圧縮処理（符号化処理）し、この圧縮処理した画像データをフラッシュメモリ１３１に出力する。更に、圧縮／伸長回路１３０は、フラッシュメモリ１３１に格納されている圧縮処理された画像データを復号化して伸長処理し、ＤＲＡＭ１２９に出力する。
【００６９】
フラッシュメモリ１３１は、圧縮／伸長回路１３０により圧縮処理された画像データを複数格納する半導体メモリであり、「ページＮｏ．データ」及び「画像データ」が対応付けられて複数格納されている。
【００７０】
「ページＮｏ．データ」は、画像データに対して当該フラッシュメモリ１３１への格納順に割り当てられる格納順序を示す数値データである。例えば、最初にフラッシュメモリ１３１に格納される画像データには「ページＮｏ．データ」として”１”が、次に格納される画像データには「ページＮｏ．データ」として”２”が割り当てられる。
【００７１】
また、フラッシュメモリ１３１は、電源スイッチ１４の押圧操作により電源がＯＦＦとされたときには、最後に撮像された画像データの「ページＮｏ．データ」＋１、最後に再生表示されていた画像データの「ページＮｏ．データ」、ＲＡＭ１３４内の後述する撮像条件メモリに格納された各種撮像条件データ等を保存する。
【００７２】
ＣＧ１３２は、エレクトロルミネッセンス表示装置１に表示される、例えば、操作ガイダンス用のカナ、漢字、英数字、記号等のキャラクタデータを格納するメモリである。
【００７３】
ＲＯＭ１３３は、撮像処理、再生表示処理、連写画像再生表示処理、コメント画像合成処理の他、通信処理等のＣＰＵ１３６により実行されるデジタルカメラの各部を制御するための各種制御プログラムを格納する。この各種制御プログラムは、ＣＰＵ１３６が読み取り可能なプログラムコードの形態で記憶されている。
【００７４】
ＲＡＭ１３４は、ＣＰＵ１３６により各種制御処理が実行される際に、その制御処理を司るプログラムを展開する、あるいは処理される各種データを一時的に格納するワークメモリ、撮像処理により設定された各種撮像条件データを格納する撮像条件メモリを形成する。また、このＲＡＭ１３４には、定型コメント文格納テーブル及びプレート格納テーブル等が、前記ＲＯＭ１３３からＣＰＵ１３６によって読み出され、展開される。
【００７５】
ＲＡＭ１３４内の撮像条件メモリには、「開始ページＮｏ．データ」、「終了ページＮｏ．データ」、「ページＮｏ．データ」と、図示しないその他の各種撮像条件データ（例えば、シャッタースピード、絞り、連写撮影時の撮影時間間隔等）によって構成されている。
【００７６】
「開始ページＮｏ．データ」は、撮像処理において、これから撮像する画像に対応づける、未使用の新たな「ページＮｏ．データ」を格納したデータである。「終了ページＮｏ．データ」は、後述する撮像処理において、一連のシャッターキーの押圧状態が終了した時点での「ページＮｏ．データ」を格納したデータである。
【００７７】
「ページＮｏ．データ」は、前記フラッシュメモリ１３１内の各画像データと対応づけられて格納される「ページＮｏ．データ」と同じ形式のデータであり、撮像処理において撮像した画像を格納する「ページＮｏ．データ」を一時的に記憶しておくためのＲＡＭ１３４内のデータである。そして、一枚の画像の撮像が終了するとこの「ページＮｏ．データ」の値はインクリメントされる。
【００７８】
プレート格納テーブルには、異なる形状を有する複数の「プレート画像データ」が各プレート毎に「格納Ｎｏ．データ」と対応付けられて格納されている。コメント画像合成処理においてコメント文を撮像画像（画像データ）に合成する際には、前記コメント文をこのプレートに重ねて撮像画像に合成することもできる。
【００７９】
キー入力部１３５は、モード切換スイッチ、電源スイッチ、シャッターキー、メニューキー、「＋」キー、及び「−」キーにより構成され、各キーの押圧操作やスライド操作に応じた各種操作信号をＣＰＵ１３６に出力する。
【００８０】
ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ  ）１３６は、ＲＯＭ１３３に格納される各種制御プログラムに従ってデジタルカメラの各部を制御する中央演算処理装置である。具体的には、ＣＰＵ１３６は、モード切換スイッチがスライド操作されて撮影モードが指定され、更に、シャッターキーが連続して押圧状態であるときには、撮像処理を実行する。
【００８１】
ＣＰＵ１３６は、シャッターキーが押圧操作されると撮像処理を実行し、タイミングジェネレータ１２４に映像取り込み信号を出力する。タイミングジェネレータ１２４では、前記映像取り込み信号に基づいてタイミング信号を生成して駆動回路１２３に出力し、駆動回路１２３では、前記タイミング信号に基づいてＣＣＤ型撮像素子１２０の露光及び読み出しタイミングを駆動制御して、ＣＣＤ型撮像素子１２０により撮像信号を取り込む。Ａ／Ｄコンバータ１２２では、前記取り込んだ撮像信号をアナログ信号からデジタル信号に変換し、シグナルジェネレータ１２５では、前記撮像信号に対して色演算処理を行なって画像データを生成してＤＲＡＭ１２９に格納する。そして、ＣＰＵ１３６は、ＤＲＡＭ１２９に格納された画像データを圧縮／伸長回路１３０に転送して圧縮処理を行なわせた後、前記圧縮された画像データを新たな「ページＮｏ．データ」と対応付けてフラッシュメモリ１３１に格納する。
【００８２】
その後、ＣＰＵ１３６は、ＲＡＭ１３４の撮像条件メモリに展開された各種撮像条件に含まれる、連写撮影時の撮影時間間隔に従った所定の時間分待機し、シャッターキーが押圧状態であるか否かを判別する。シャッターキーが押圧状態であれば、連写撮影が行われるとして、ＣＰＵ１３６は、ＲＡＭ１３４内の「ページＮｏ．データ」の値をそれぞれインクリメントしてＲＡＭ１３４内に格納し直す。そして、前述の動作と同様に撮像した画像データを圧縮し、ＲＡＭ１３４に格納し直された「ページＮｏ．データ」と対応づけてフラッシュメモリ１３１に格納する。
【００８３】
また、ＣＰＵ１３６は、モード切換スイッチ１３がスライド操作されて再生モードが指定されると、後述する再生表示処理を実行する。
【００８４】
この再生表示処理においてＣＰＵ１３６は、「＋」キー、あるいは「−」キーの押圧操作に応じて、フラッシュメモリ１３１に格納された画像データの中から、そのページＮｏ．順（「＋」キー１７ａが押圧操作された場合は昇順、「−」キーが押圧操作された場合は降順）に再生表示する画像データを指定する。そして、指定された画像データをフラッシュメモリ１３１から順次読み出して圧縮／伸長回路１３０に転送し、伸長処理を行なわせた後、ＤＲＡＭ１２９に格納する。
【００８５】
その後、ＣＰＵ１３６は、ＤＲＡＭ１２９に格納した画像データをシグナルジェネレータ１２５に転送する。シグナルジェネレータ１２５では、入力された画像データに同期信号を付加する等してビデオ信号（表示データ）を生成して、一旦、ＶＲＡＭ１２６に格納し、その中から１画面分の画像データを読み出してＤ／Ａコンバータ１２７、及びアンプ１２８を介してＩＣチップ５，６，７に出力し、エレクトロルミネッセンス表示装置１が画像を再生表示する。
【００８６】
更に、ＣＰＵ１３６は、再生表示処理において、ユーザーの所定の操作によりコメント画像合成が指示されると、コメント画像合成処理を実行する。
【００８７】
このコメント画像合成処理においてＣＰＵ１３６は、キー入力部１３５のキー操作により合成対象として選択指定され、ＤＲＡＭ１２９に格納された撮像した画像データに対して、プレート格納テーブルから合成するプレートの画像データと、定型コメント文格納テーブルから合成するコメント文データとがキー入力部１３５のキー操作によって指定されると、これらの指定された画像データ、コメント文の画像データ、プレートの画像データについて、合成対象の画像に対するコメント画像の合成位置等の合成条件を設定可能に制御する。そして、設定された各種合成条件に基づいて、前記コメント文の画像データを前記プレートの画像データに重ねてコメント画像データを生成する。
【００８８】
Ｉ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ  ／  Ｏｕｔｐｕｔ）ポート１３７は、当該デジタルカメラとシリアル入出力端子１１８ａ及び通信ケーブルを介して接続された外部機器との間で授受されるシリアルデータ（画像データ、制御データ等）の入出力制御を行なうインターフェースである。
【００８９】
赤外線通信部１３８は、エレクトロルミネッセンス表示装置１と外部機器との間でＩｒＤＡ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｄａｔａ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ）方式の赤外線通信を行なうための赤外線インターフェースであり、赤外線通信より授受される画像データ、制御データ等の送受信制御を行なう。
【００９０】
具体的には、この赤外線通信部１３８は、赤外線通信機能を有する外部機器に送信する送信データを一時的に格納する送信データメモリと、この送信データメモリに格納されたデータを赤外線信号に変調する変調部と、変調された赤外線信号を赤外線パルスにより赤外線窓を介して前記外部機器に送信する送信用ＬＥＤと、前記外部機器から赤外線パルスにより送信された赤外線信号を赤外線窓を介して受信するフォトダイオードと、この受信された赤外線信号を受信データとして復調する復調部と、復調された受信データを一時的に格納する受信データメモリと、により構成されている。
【００９１】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、ＩＣチップが実装された基板を被覆膜で被覆しており、その被覆膜上に表示部が設けられているため、表示領域以外の領域が殆どなくすことができる。表示部ごとにＩＣチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができる。そのため、ＥＬ表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【００９２】
請求項２に記載の発明によれば、第二導電線が透光性を有しているから、ＥＬ層で発した光が第二導電線を通じて外部に出射するので、ＥＬ層に対して第二導電線側の表面が表示面となる。
【００９３】
請求項４に記載の発明によれば、多機能なＥＬ表示装置を提供することができる。
【００９４】
請求項５に記載の発明によれば、外部から画像データが入力されなくてもＥＬ表示装置において表示が行われた状態を維持することができる。
【００９５】
請求項６に記載の発明によれば、表示部ごとにＩＣチップを基板に実装することができ、表示部ごとに独立して駆動することができる。そのため、ＥＬ表示装置全体としての発光デューティを大きくすることができ、低電力でも明るい表示面を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したＥＬ表示装置を示した側断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における平断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における平断面図である。
【図４】図１のＥＬ表示装置とは別のＥＬ表示装置を示した側断面図である。
【図５】図１、図４のＥＬ表示装置とは別のＥＬ表示装置を示した側断面図である。
【図６】図１のＥＬ表示装置をデジタルスチルカメラの表示パネルとしたときのデジタルスチルカメラの略回路ブロック図である。
【符号の説明】
１  …  ＥＬ表示装置
３〜７  …  ＩＣチップ
９〜１１  …  表示部
９ａ、１０ａ、１１ａ  …  走査線
９ｂ、１０ｂ、１１ｂ  …  信号線
９ｃ  …  ＥＬ層
【図１】
2005017917.tif 000003
【図２】
2005017917.tif 000004
【図３】
2005017917.tif 000005
【図４】
2005017917.tif 000006
【図５】
2005017917.tif 000007
【図６】
2005017917.tif 000008