(57)【要約】【課題】  晶析反応槽に種晶を導入する方法。【解決手段】  晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することを特徴とする種晶導入方法。該方法により、晶析反応後の晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き、および晶析反応槽への種晶の導入という一連の操作により生じる、晶析反応槽内の固体粒子の状態変化を小さくすることができ、晶析反応時に生じる処理水質の悪化を防止することが可能となる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することを特徴とする種晶導入方法。
【請求項２】
種晶を水流と共に晶析反応槽に導入することを特徴とする、請求項１記載の種晶導入方法。
【請求項３】
晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さより下方の位置で、種晶を晶析反応槽へ導入することを特徴とする、請求項１または２記載の種晶導入方法。
【請求項４】
晶析反応槽への種晶の導入量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の種晶導入方法。
【請求項５】
種晶を晶析反応槽へ導入する前に、種晶を洗浄することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の種晶導入方法。
【請求項６】
晶析反応槽への種晶の導入が、晶析処理後の晶析反応槽内の固体粒子の一部分を引き抜いた後で行われることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の種晶導入方法。
【請求項７】
晶析反応槽からの固体粒子の引き抜きが、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ行われることを特徴とする、請求項６記載の種晶導入方法。
【請求項８】
晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することを特徴とする、請求項７記載の種晶導入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、晶析反応槽に種晶を導入する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
工場などからの排水の水質については厳しい制限がなされているが、その規制は年々厳しくなる傾向にある。電子産業（特に半導体関連）、発電所、アルミニウム工業などから排出される排水中には、フッ素、リン、重金属という、近年厳しい排水基準が設けられている元素が含まれている場合が多く、これらを排水から効率良く除去することが求められており、その方法の１つとして晶析法が知られている。
【０００３】
晶析法は、晶析反応槽（晶析反応塔）に種晶として、フッ化カルシウム、砂、活性炭などの固体粒子を充填し、当該晶析反応槽に排水、および排水中の除去対象成分（例えば、フッ素）と難溶性物質を形成する薬剤（例えば、カルシウム）を供給することにより、晶析反応槽内で除去対象成分と薬剤とが反応して、種晶上に難溶性物質（例えば、フッ化カルシウム）を析出させることにより、排水から除去対象成分を除去する方法である（特許文献１参照）。
【０００４】
晶析法においては、一般的には、除去対象成分を含む排水を晶析反応槽の下部から導入し、晶析反応槽内に上向流を形成して種晶およびペレットをはじめとする固体粒子を流動化（すなわち展開）させながら、固体粒子上に難溶性物質を析出させる晶析反応が行われる。また、必要に応じて晶析反応槽から排出される晶析処理水を晶析反応槽に循環して上向流を形成させる場合もある。
晶析反応の立ち上げ初期には、晶析反応槽内の種晶はその種晶の仕様に応じた粒度分布を有する固体粒子として存在するが、晶析反応が進むにつれて種晶の周りに難溶性物質が析出し、種晶よりもサイズが大きくなったペレットとして存在することとなる。しかし、晶析反応は晶析反応槽内の全ての固体粒子に対して均一に起こるのではなく、排水中の除去対象成分（例えば、フッ素）および難溶性物質を形成する薬剤（例えば、カルシウム）が高濃度で存在する部分にある固体粒子ほど、多くの難溶性物質（例えば、フッ化カルシウム）が当該固体粒子上に析出することとなる。
【０００５】
一般的には、晶析法においては、晶析反応槽内に上向流を形成させた状態で晶析反応を行うので、晶析反応槽内の下部に位置する固体粒子ほど、粒子サイズが大きくなる。また、サイズが大きい固体粒子ほど重量が重くなるので、晶析反応槽の下方に位置することとなり、晶析反応槽内での固体粒子サイズの偏りが生じる。
晶析反応は、固体粒子表面を反応場としているため、粒子サイズが大きくなるに伴い、晶析反応槽の単位体積あたりの固体粒子表面積が減少し、反応効率が低下する。また、晶析反応槽内での固体粒子展開層を局部的に観ると、下部ほど単位展開層体積あたりの反応効率が低い。このため、晶析反応を継続するにつれて、下部から反応効率が低下し、晶析反応が行われる領域が上部へと移り、最終的には、所望の晶析反応を晶析反応槽内で完結できなくなり処理水質が悪化する。さらに晶析反応を継続すると晶析反応槽の個体粒子容量が増加するため、定期的に固体粒子の引き抜きと、種晶の導入が行われる。
【０００６】
上述のような晶析反応槽内での固体粒子サイズには偏りがあり、晶析反応槽の下部ほど粒子サイズが大きく、上部ほど粒子サイズが小さい。粒子サイズが小さい固体粒子は単位体積あたりの反応効率が高いため、固体粒子の引き抜きは全量入換えである必要はなく、晶析反応槽下部から粒子サイズの大きい固体粒子を引き抜き種晶を導入するといった部分入換えが一般的である。
従来は、晶析反応槽から固体粒子を引き抜き、種晶を導入する場合には、晶析反応槽における通水を停止し、底部から固体粒子を引き抜き、上部から種晶を導入するのが通常であった。また、固体粒子の引き抜きおよび種晶の導入は、その頻度並びに量を経験的に定めて行われる場合があり、また、定期的に定量引き抜きおよび定量導入が行われる場合もあった。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６０−２０６４８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、通水を停止し、晶析反応槽の上部から種晶を導入する場合には、種晶および導入操作に由来する不要なゴミ、種晶微粉などのＳＳ成分の除去を行う必要があり、また晶析反応槽内の固体粒子（種晶を含む）の状態を安定化する必要があった。このため、種晶導入後の晶析反応槽に一定時間通水する必要があり、種晶導入後直ちに晶析反応運転を行うことができないという問題があった。
また、晶析反応は固体粒子の表面積および展開層界面高さに影響を受けるので、従来行われるような固体粒子の引き抜きおよび種晶の導入では、その前後で晶析反応の反応条件が変わってしまうという問題があった。種晶導入後、晶析反応槽内での固体粒子の量が少ないと、晶析反応槽全体として固体粒子の表面積の減少、および展開層界面高さの低下により、排水と固体粒子との接触時間が減少し、晶析反応が不完全となり処理水質が悪化する。また、種晶導入後、晶析反応槽内での固体粒子の量が多いと、展開層界面高さが上昇して固体粒子の一部が晶析反応槽から懸濁物質（ＳＳ）として晶析処理水に流れ出し、水質が悪化する。
さらに、定期的に固体粒子の定量引き抜き、および種晶の定量導入が行われる場合には、晶析反応で処理される排水中に含まれる除去対象成分の濃度、性状、量などの条件が常に一定であれば、固体粒子引き抜きおよび種晶導入の前後において、安定した晶析反応を行うことが可能である。しかし、一般に晶析反応で処理される排水においては、これらの条件が変動するのが通常である。例えば、除去対象成分の濃度等の変動により、固体粒子の成長度、サイズ、粒度分布、容量などが変動し、さらに共存物質の存在によって、固体粒子上に析出する物質が異なり、固体粒子の状態が変化する。よって、固体粒子引き抜きおよび種晶導入の前後において安定した晶析反応を行うことは困難であった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することにより、晶析反応槽内での固体粒子の状態を安定化でき、種晶の導入が完了した直後に、晶析反応運転に切り替えることができ、また晶析反応運転時において不要なＳＳ成分が晶析処理水中に流出することを防止できる種晶導入方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、晶析反応槽への種晶の導入量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することにより、晶析反応槽への種晶導入量を容易に適切な量にすることができ、晶析反応時に生じる処理水質の悪化を防止することができる種晶導入方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、晶析反応後の晶析反応槽から固体粒子の一部分を引き抜いた後で、上記晶析反応槽への種晶の導入を行うことにより、晶析反応後の晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き、および晶析反応槽への種晶の導入という一連の操作により生じる、晶析反応槽内の固体粒子の状態変化を小さくでき、晶析反応における処理水質の悪化を防止することができる種晶導入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は請求項１として、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することを特徴とする種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項２として、種晶を水流と共に晶析反応槽に導入することを特徴とする、請求項１記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項３として、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さより下方の位置で、種晶を晶析反応槽へ導入することを特徴とする、請求項１または２記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項４として、晶析反応槽への種晶の導入量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項５として、種晶を晶析反応槽へ導入する前に、種晶を洗浄することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項６として、晶析反応槽への種晶の導入が、晶析処理後の晶析反応槽内の固体粒子の一部分を引き抜いた後で行われることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項７として、晶析反応槽からの固体粒子の引き抜きが、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ行われることを特徴とする、請求項６記載の種晶導入方法を提供する。
本発明は請求項８として、晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することを特徴とする、請求項７記載の種晶導入方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することにより、晶析反応槽内での固体粒子の状態を安定化でき、種晶の導入が完了した直後に、晶析反応運転に切り替えることができ、また晶析反応運転時において不要なＳＳ成分が晶析処理水中に流出することを防止できるという有利な効果を有する。
また、本発明は、晶析反応槽への種晶の導入量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することにより、晶析反応槽への種晶導入量を容易に適切な量にすることができ、晶析反応時に生じる処理水質の悪化を防止することができるという有利な効果を有する。
さらに、本発明は、晶析反応後の晶析反応槽から固体粒子の一部分を引き抜いた後で、上記晶析反応槽への種晶の導入を行うことにより、晶析反応後の晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き、および晶析反応槽への種晶の導入という一連の操作により生じる、晶析反応槽内の固体粒子の状態変化を小さくでき、晶析反応における処理水質の悪化を防止することができるという有利な効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の種晶導入方法においては、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶が晶析反応槽に導入される。
種晶を晶析反応槽に導入する際の晶析反応槽内での上向流は、晶析反応槽内で固体粒子を展開できる流れであれば良く、その流速は特に限定されるものではない。また、上向流は任意の公知の方法により形成可能であり、例えば、工業用水、市水、純水、および晶析反応により生じた晶析処理水などを晶析反応槽の下部、好ましくは底部より導入することにより形成することが可能である。
晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ、種晶を晶析反応槽に導入することにより、晶析反応槽内の固体粒子と導入された種晶とが上向流により混合、均一化され、晶析反応槽内での固体粒子（種晶を含む）の状態が安定化することとなり、種晶の導入が完了した直後に、晶析反応運転に切り替えることが可能となる。また、上向流により、導入された種晶、および導入操作に由来する不要なゴミ、種晶微粉などのＳＳ成分を晶析反応槽から排出でき、晶析反応運転時においてこれら不要なＳＳ成分が晶析処理水中に流出することを防止することが可能となる。
【００１３】
本発明における種晶の晶析反応槽への導入の態様は特に限定されるものではないが、種晶の導入により晶析反応槽内に流れを形成できるという観点から、種晶を水流と共に晶析反応槽内に導入する態様が好ましい。また、種晶の導入により晶析反応槽内に上向流を形成できるという観点から、晶析反応槽内で上向流を形成するように、種晶を水流と共に導入する態様がより好ましい。ここで、種晶導入時の水流を形成する水は、本発明の目的に反しない限りは特に限定されるものではなく、例えば、工業用水、市水、純水、および晶析反応により生じた晶析処理水などが挙げられる。
【００１４】
本発明における種晶の晶析反応槽への導入の他の態様として、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さより下方の位置で、種晶を晶析反応槽へ導入する態様が挙げられる。この態様においては、晶析反応槽に導入された種晶が上向流によって晶析反応槽から流出することを低減、防止することが可能となる。この態様における晶析反応槽への種晶の導入位置は、固体粒子展開層界面高さより下方であれば特に限定されるものではないが、好ましくは、固体粒子展開層界面高さより下方であって、かつ晶析反応槽の下部であり、より好ましくは、固体粒子展開層界面高さより下方であって、かつ晶析反応槽の底部である。
【００１５】
本発明の種晶導入方法においては、晶析反応槽への種晶の導入量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理するのが好ましい。晶析反応は晶析反応槽内の固体粒子の表面積および展開層界面高さに影響を受け、晶析反応槽内での固体粒子の量が少ないと、晶析反応槽全体として固体粒子の表面積の減少、および展開層界面高さの低下により、排水と固体粒子との接触時間が減少し、晶析反応が不完全となり処理水質が悪化する。また、晶析反応槽内での固体粒子の量が多いと、展開層界面高さが上昇して固体粒子の一部が晶析反応槽から懸濁物質（ＳＳ）として晶析処理水に流れ出し、水質が悪化する。よって、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで、晶析反応槽への種晶の導入量を管理することにより、晶析反応槽への種晶導入量を容易に適切な量にすることができ、晶析反応時に生じる処理水質の悪化を防止することが可能となる。
【００１６】
本発明における固体粒子展開層界面高さの管理は、晶析反応運転時の固体粒子展開層界面高さを確認し、種晶導入時の上向流の流速、固体粒子のサイズ、仕様等の条件が、晶析反応における通常運転時と同じ場合には、当該確認された高さに、または種晶導入時の前記条件が晶析反応運転時と異なる場合には、これらの相違を考慮して、晶析反応運転時の固体粒子展開層界面高さと予測される高さに管理されるのが好ましい。
【００１７】
本発明において、固体粒子展開層界面高さの管理は、当該展開層界面高さを確認し、制御できるのであれば、任意の公知の装置、方法で行うことが可能である。例えば、固体粒子展開層界面高さの確認の方法として、晶析反応槽に設けられた覗き窓等を介して、目視により確認する方法、超音波センサー、光センサーなどの装置を用いる方法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、制御方法としては、例えば、固体粒子展開層界面高さが所定の高さになれば、手動もしくは自動で、種晶の導入または固体粒子の引き抜きを停止する方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１８】
本発明の種晶導入方法は、晶析反応槽への種晶の導入が、晶析反応後の晶析反応槽から固体粒子の一部分を引き抜いた後で行われる態様が好ましい。かかる態様においては、晶析反応後の晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き、および晶析反応槽への種晶の導入という一連の操作により生じる、晶析反応槽内の固体粒子の状態変化を小さくでき、晶析反応における処理水質の悪化を防止することが可能となる。
上記態様における晶析反応槽からの固体粒子の引き抜きは、晶析反応槽内で固体粒子を上向流で展開させつつ行うのが好ましい。また、操作の容易性という観点から、固体粒子の引き抜きは晶析反応槽内に存在する水と共に引き抜くのが好ましい。上向流で固体粒子を展開させることにより、流動によって固体粒子が配管に詰まりにくくなり、引き抜きが容易になる。また、上向流で固体粒子を展開させる場合の固体粒子の引き抜き位置は、固体粒子展開層界面高さより下方であれば特に限定されるものではないが、好ましくは、晶析反応槽の下部であり、より好ましくは、晶析反応槽の底部である。固体粒子の引き抜きには、任意の公知の手段を使用することができ、例えば、晶析反応槽の下部、好ましくは底部に配管を接続し、当該配管から固体粒子を引き抜くことが可能であるが、この態様に限定されるものではない。
【００１９】
本発明においては、晶析反応後の晶析反応槽から固体粒子の一部分を引き抜く場合、晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き量を、晶析反応槽内での固体粒子展開層界面高さで管理することが好ましい。固体粒子の引き抜き量と種晶の導入量を固体粒子展開層界面高さで管理することにより、種晶の導入状態をより安定的に管理することが可能となり、これにより晶析反応槽内の固体粒子の状態変化をより小さくでき、晶析反応における処理水質の悪化を防止することが可能となる。
【００２０】
本発明における晶析反応槽は晶析反応を行うことができる反応槽であり、すなわち、内部に固体粒子を貯留でき、該固体粒子の表面上に原水に含まれる晶析対象成分（例えば、フッ素、リン酸、重金属など）と、晶析用薬液に含まれる晶析反応成分（例えば、カルシウムなど）との反応物が析出することにより、原水中の晶析対象成分を低減させ、晶析対象成分の濃度が低下した晶析処理水を排出できる反応槽である。晶析反応槽は前記機能を有するものであれば、長さ、内径、形状などについては、任意の態様が可能であり、特に限定されるものではない。また、晶析反応槽とあるが、本発明の目的に反しない限りは、名称に限定されるものではなく、反応塔、反応容器なども包含する。
本発明の種晶導入方法は、晶析反応の種類を問わず適用可能であり、例えば、原水中のフッ素をフッ化カルシウムとして除去するフッ化カルシウム晶析、原水中のリン酸をリン酸カルシウムとして除去するリン酸カルシウム晶析、原水中の重金属を除去する晶析反応などが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明においては、固体粒子とは種晶およびペレットを含む。ペレットとは、晶析反応により、種晶上に難溶性化合物が析出して形成された粒子をいう。
種晶は、本発明の目的に反しない限りは任意の材質が可能であり、例えば、ろ過砂、活性炭、およびジルコンサンド、ガーネットサンド、サクランダム（商品名、日本カートリット株式会社製）などをはじめとする金属元素の酸化物からなる粒子、並びに、晶析反応による析出物からなる粒子等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。種晶の形状、粒径は、晶析反応槽内での流速、晶析対象成分の濃度および晶析反応成分の濃度等に応じて適宜設定され、特に限定されるものではない。例えば、フッ化カルシウム晶析において、種晶として蛍石が使用される場合には、その粒径は、０．１〜０．５ｍｍ程度が好ましく、また種晶として砂が使用される場合には、その粒径は、０．２〜０．６ｍｍ程度が好ましい。
【００２２】
晶析反応槽から引き抜かれる時点での固体粒子の粒径も、種晶の仕様、晶析反応に供される原水の性状、生成したペレットの再利用目的等に応じて異なるが、例えば、フッ化カルシウム晶析において、生成したペレットをフッ化水素酸の製造原料として使用する場合には、粒径０．１〜０．２ｍｍ程度の蛍石種晶を使用し、０．２〜１ｍｍ程度のペレットとして回収するのが好ましい。固体粒子の粒径の制御は、晶析反応槽内の固体粒子の一部を抜き出して確認することにより行っても良いし、晶析反応により生じる晶析処理水の性状、晶析反応に使用される装置の稼働状態に応じて、晶析反応と、固体粒子の引き抜きおよび種晶の導入との間隔を制御することにより行っても良い。
【００２３】
本発明の種晶導入方法においては、種晶を晶析反応槽へ導入する前に、種晶を洗浄し、種晶からゴミや種晶微粉などのＳＳ成分を除去するのが好ましい。洗浄は、種晶からＳＳ成分を除去できるのであれば、任意の公知の装置、方法を用いて行うことができ、例えば、洗浄槽内に種晶を入れ、洗浄水を上向流で通水することにより、または撹拌洗浄などの方法により洗浄する態様が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、洗浄に使用する洗浄水も特に限定されるものではなく、純水、市水、工業用水、および晶析処理水等を使用できる。洗浄された種晶は使用される洗浄水と共に晶析反応槽に導入でき、この場合、種晶が水流と共に晶析反応槽に導入されることとなる。洗浄槽内で洗浄される種晶は、晶析反応槽に導入される種晶の全量である必要はなく、あらかじめ多めに種晶を洗浄しておき、その一部を晶析反応槽に導入すればよい。
【００２４】
また、種晶の洗浄により生じる洗浄排水は、ＳＳ系排水処理手段（例えば、凝集沈殿槽など）をはじめとする、任意の公知の装置、方法で処理することができ、また晶析反応に供される原水として晶析処理することも可能である。特に、晶析反応がフッ化カルシウム晶析で、種晶として蛍石を用いる場合など、種晶を洗浄した洗浄排水中にフッ素をはじめとする晶析対象成分が含まれる場合には、当該洗浄排水が晶析処理に供されるのが好ましい。
【００２５】
図１に本発明の種晶導入方法に使用可能な晶析反応装置の概略図を示し、これに基づいて本発明を詳述するが、本発明は下記の態様に限定されるものではない。晶析反応装置は、晶析反応が行われ、晶析対象成分が低減された晶析処理水を排出する晶析反応槽１と、晶析反応槽１に種晶を導入する種晶導入手段と、晶析反応槽１から固体粒子を引き抜く固体粒子引き抜き手段を具備する。また、図１には示されないが、晶析反応装置は、晶析反応時に使用する手段として、晶析対象成分を含む原水を晶析反応槽１に供給する原水供給手段と、晶析用薬液を晶析反応槽１に供給する晶析用薬液供給手段とを具備し、任意に、該晶析反応槽から排出される晶析処理水の少なくとも一部を晶析反応槽１に返送する晶析処理水循環手段とを具備する。
【００２６】
図１の態様においては、固体粒子引き抜き手段として、晶析反応槽１の下部に固体粒子引き抜きライン２が接続されており、当該引き抜きライン２に介装されたバルブ３を開放することにより、晶析反応槽１内の固体粒子を水流と共に引き抜くことができる。晶析反応槽１の下部には晶析反応槽１内で上向流を形成するための通水ライン４が接続されており、当該通水ライン４から工業用水、市水、純水、晶析処理水などを晶析反応槽１に通水することにより、晶析反応槽１内で上向流を形成できる。晶析反応槽１には覗き窓５が設けられており、当該覗き窓５から固体粒子展開層界面高さを目視することができ、固体粒子展開層界面高さで固体粒子の引き抜き量を管理することができる。晶析反応槽１から引き抜かれた固体粒子１２は、固液分離手段６で水と分離され、分離された排水は、晶析反応の原水を貯留する原水槽に移送し、晶析反応に供し得る。
【００２７】
図１の態様においては、種晶導入手段として、晶析反応槽１の底部に種晶導入ライン７が接続されており、当該種晶導入ライン７は、種晶を上向流で洗浄可能な洗浄槽８の底部に接続されている。当該種晶導入ライン７には、バルブ９およびポンプが介装されており、当該バルブ９を開放し、固体粒子引き抜きライン２のバルブ３を閉じ、ポンプを駆動することにより、水流と共に種晶を晶析反応槽１に導入できる。種晶の導入のみで上向流を形成しても良いが、種晶導入の際に通水ライン４から工業用水、市水、純水、晶析処理水などを晶析反応槽１に通水しても良い。晶析反応槽１に設けられた覗き窓５で固体粒子展開層界面高さを確認することにより、種晶の導入量を管理することができる。洗浄槽８には、底部に洗浄水通水ライン１０が設けられており、洗浄水通水ライン１０から洗浄水を通水することにより上向流が形成され、種晶の洗浄が行われ、洗浄槽８の上部から排出される洗浄排水は晶析反応の原水を貯留する原水槽に移送し、晶析反応に供し得る。また、洗浄槽８には洗浄槽８に種晶を供給する種晶供給手段１１が設けられており、必要に応じて、洗浄槽８に種晶を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の方法に使用可能な晶析反応装置の１態様を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２９】
１  晶析反応槽
２  固体粒子引き抜きライン
３  バルブ
４  通水ライン
５  覗き窓
６  固液分離手段
７  種晶導入ライン
８  洗浄槽
９  バルブ
１０  洗浄水通水ライン
１１  種晶供給手段
１２  固体粒子
【図１】
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