(57)【要約】【課題】封止樹脂の漏れがなく、それでいてダムバーのカットが容易でアウターリードが変形しにくいリードフレームを提供すること。【解決手段】本発明のリードフレーム２は、半導体チップを支持するとともに、これと電気的に接続された多数のアウターリード２２を備え、各アウターリード２２間には、樹脂封止するために加熱流動化された封止樹脂がアウターリード２２の間隙から漏れないようにダムバー２４を備える。ダムバー２４の中央部にはアウター側に突出した幅広部２４ｂが形成され、その両端は幅の狭い切断部２４ａが形成される。樹脂封止の際、幅広部２４ｂにより水平方向に変形しにくく、かつ幅広部２４ｂが金型に支持されるため、傾きが生じにくく、切断部２４ａがカットが容易に幅が狭く形成されているにも拘わらず、樹脂漏れがない。【選択図】      図３
2005032876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと電気的に接続される複数のインナーリードを備え、当該インナーリードが封止樹脂により前記半導体チップとともに樹脂封止される半導体装置に用いられるリードフレームであって、
前記各インナーリードから延設され外部に電気的に接続するためのアウターリードと、当該アウターリード間に設けられ樹脂封止をするときに封止樹脂の漏れを防止するためにアウターリード間を連結するように設けられたダムバーとを備え、該ダムバーは、切断部の幅より、幅が大きい幅広部を備えたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記ダムバーは、インナー側が直線状で、アウター側の中央部に幅広部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ダムバーは、インナー側の中央部に幅広部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ダムバーの幅広部は、略長方形の突出部分を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記ダムバーの幅広部は、両端部から中央部に向けて漸次幅広になるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記幅広部が板厚の１．０倍以上の幅に形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記切断部が板厚の１．０倍以下の幅に形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに係り、詳しくは、半導体装置を製造するときに、封止樹脂の漏れや変形がなく、それでいて切断のしやすいダムバーを備えたリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化・高密度化が進み、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージなどの半導体装置に対する小型化の要求が大きい。そのため半導体装置の多ピン化、ファインピッチ化が進み、これに対応してリードフレームのリード一本一本の幅も細くなっている。このようなタイプのＩＣパッケージには、例えば、表面実装タイプのＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）や、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）のようなものがある。
【０００３】
ここで、例えばＱＦＰタイプのリードフレームを例として、従来技術及び本願発明で共通する製造工程の概略を本発明の図１、２、４を参照しながら説明する。なお、従来技術と本願発明で共通し、若しくは同等の部材は共通の符合を用いる。このＱＦＰタイプの半導体装置１のリードフレーム２では、中央の略正方形のダイパッド２３の周囲の４辺にリード２０が概ね櫛状に多数並列されている（図２参照）。このリード２０の内側は半導体チップ１１と電気的に接続されるインナーリード２１として構成され、このインナーリード２１に連続して外側は外部基板（図示せず）に実装されるためのアウターリード２２が延設されている。ダイパッド２３には、半導体チップ１１が載置され、この半導体チップ１１の電極から周囲のインナーリード２１に金属細線１２がボンディング等で接続される（図１参照）。次に、図２において２点鎖線で囲まれた本体部３１となる部分が、図４に示すようなキャビティを備えた上型ＵＭと下型ＬＭに覆われ、加熱されて流動化されたエポキシ樹脂等の封止樹脂３が流し込まれる。この封止樹脂３により半導体チップ１１が封止されリークや劣化が防止される。なお、このとき櫛状に構成されたアウターリード２２の部分は、上型ＵＭと下型ＬＭの平面部分により挟まれている。そのため、流動化された封止樹脂３は、キャビティＣＢから櫛状に構成されたアウターリード２２の隙間に進入する。従来では、この封止樹脂３を堰き止める目的で、図９に示すような直線状のダムバー１２４がアウターリード２２を連結するように設けられていた。このダムバー１２４により高圧で流入された封止樹脂３が堰き止められ、外部に漏れ出すことがないようになっている。そして、流動化していた封止樹脂３が固化したら、図９の中央部に示す本体部３１から突出した封止樹脂３の突出部３２を櫛状のカッター（不図示）で打ち抜いて、図９の中央左方のように除去するとともに、ダムバー１２４をカットしてアウターリード２２を分離する。
【０００４】
なお、樹脂漏れを課題として、特許文献１には以下のような発明が開示されている。ここでは、まず封止樹脂をモールドするときのトランスファモールド装置のゲートに接する位置のダムバーが他のダムバーと一直線状にする形成されている。そして、ここに階段状の幅広部分を設け、樹脂漏れを防止するとともに、ダムバー切断時の変形を防止して成形後のアウターリードの平坦度を確保するようなものが提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平８−３３５６５８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダムバー１２４には大きな圧力がかかるため、ダムバー１２４が変形しないように、その板厚の１．０〜２．５倍程度の十分な幅をとっていたが、ダムバー１２４をカットする場合に大きな力がアウターリード２２に掛かり、アウターリード２２が変形しやすくなるという問題があった。
【０００７】
一方、ダムバー１２４の幅が板厚の１倍以下であると、カットはしやすくなるが、図１０に示すように封止樹脂３の圧力で変形してしまう場合があった。ここで、図１１は、ダムバー１２４を打ち抜く前のブランクの銅条を示すものであり、その板厚を板厚ｈ０とする。ダムバー１２４は、図１１に示すブランクの銅条からスタンピング工程でダムバー１２４の部分が打ち抜かれるときにパンチにより材料が塑性変形して引き込まれ、図１２に示すようにダレｄやかえりｂが生じる。その影響で、特に幅が狭い場合は、元の銅条の厚みである板厚ｈ０から打抜き後はより低い板厚ｈ１に変化する。さらに、これらの影響で形状も不安定になるためインナー側からの圧力と相俟って変形した場合、図１３に示すようにダムバー１２４が捻れて回転してしまう、所謂ころびが生じる場合があった。この場合高い圧力が封止樹脂３に掛けられているため、封止樹脂３が上型ＵＭ・下型ＬＭの隙間から漏れてしまうという問題があった。また、ダムバー１２４がそれぞれ変形するとアウターリード２２間の間隔も変化して、アウターリード２２間の間隔の寸法精度が落ちるという問題もあった。
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、封止樹脂の漏れがなく、それでいてダムバーのカットが容易でアウターリードが変形しにくいリードフレームを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るリードフレームでは、半導体チップと電気的に接続される複数のインナーリードを備え、当該インナーリードが封止樹脂により前記半導体チップとともに樹脂封止される半導体装置に用いられるリードフレームであって、前記各インナーリードから延設され外部に電気的に接続するためのアウターリードと、当該アウターリード間に設けられ樹脂封止をするときに封止樹脂の漏れを防止するためにアウターリード間を連結するように設けられたダムバーとを備え、該ダムバーは、切断部の幅より、幅が大きい幅広部を備えたことを要旨とする。
【００１０】
この構成に係るリードフレームでは、切断部より幅が大きい幅広部を設けたことでダムバーの強度を高め且つ捻れを防止することで、流入された樹脂による圧力によって生じるダムバーの変形に起因する封止樹脂の漏れを防止できるという効果がある。また、一方で、切断部は幅広部より幅が狭いため金型の強度を保ちつつカットが容易でダムバーのカットの際のアウターリードの変形が生じにくいという効果がある。
請求項２に係るリードフレームでは、請求項１に記載のリードフレームの構成において、前記ダムバーは、インナー側が直線状で、アウター側の中央部に幅広部が設けられたことを要旨とする。
【００１１】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１に記載のリードフレームの効果に加え、ダムバーのインナー側が直線状に形成されているので、周囲にはみ出した封止樹脂をカッターで打抜きやすいという効果がある。
【００１２】
請求項３に係るリードフレームでは、請求項１に記載のリードフレームの構成において、前記ダムバーは、インナー側の中央部に幅広部が設けられたことを要旨とする。
【００１３】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１に記載のリードフレームの効果に加え、インナー側に幅広部が設けられているため、中央部にかかる樹脂の圧力が両側の部分に分散し支えやすくなるため変形しにくくなるという効果がある。
【００１４】
請求項４に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームの構成に加え、前記ダムバーの幅広部は、略長方形の突出部分を備えたことを要旨とする。
【００１５】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームの効果に加え、単純な形状で加工が容易になるという効果がある。また、切断部の幅を所定の長さ形成することでダムバーの長さ方向の位置誤差があっても最も幅の狭い場所を切断できる。さらに形状の画像認識による位置決めをするような場合では位置の認識が容易になるという効果がある。
【００１６】
請求項５に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームの構成に加え、前記ダムバーの幅広部は、両端部から中央部に向けて漸次幅広になるように形成されていることを要旨とする。
【００１７】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームの効果に加え、変形しやすい中央部を最も幅広とすることができるという効果がある。
【００１８】
請求項６に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリードフレームの構成に加え、前記幅広部が板厚の１．０倍以上の幅に形成されたことを要旨とする。
【００１９】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリードフレームの効果に加え、封止樹脂の圧力による水平方向の圧力による幅広部の変形を小さくできる。それに加え、樹脂封止の金型内でダムバーが傾くことを防止し、樹脂漏れを防止することができるという効果がある。
【００２０】
請求項７に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリードフレームの構成に加え、前記切断部が板厚の１．０倍以下の幅に形成されたことを要旨とする。
【００２１】
この構成に係るリードフレームでは、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリードフレームの効果に加え、ダムバーの切断部の幅を板厚の１．０倍以下とすることで半導体装置の製造過程におけるダムバーのカットが容易になるとともに、ダムバーより幅広の幅広部を備えることでダムバーの変形を抑えることができるという効果がある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）以下、本発明のリードフレームを具体化した一実施形態であるリードフレーム２、このリードフレーム２により構成された半導体装置１を、図１〜図６に従って説明する。図１は、図２のＩ−Ｉ部分における半導体装置１の断面図である。図２は、半導体装置１の組立前のリードフレーム２の平面図である。図１において下方を半導体装置１の底面とする。本実施形態のリードフレーム２は、ＱＦＰタイプのＩＣパッケージに用いるものを例に説明する。
【００２３】
半導体装置１は、リードフレーム２と、これに載置された半導体チップ１１と、これらを樹脂封止している封止樹脂３を備えて構成される。
リードフレーム２は、例えば、概ね１次メッキ、１次スタンピング、２次メッキ、２次スタンピングの各工程により製造される。１次メッキは、図示しない薄い銅合金のブランクの銅条をメッキする。その後１次スタンピングの複数の工程で銅条を順次プレスしてリードフレーム２の形状に打抜く。リードフレーム２は、ブランクの銅条に横２〜数列、縦に多数配列されてプレス機に順送りされながらスタンピング加工により打ち抜かれて多数連続的に生産される。その後切断面の処理を２次メッキでおこない、最後に２次スタンピングで整形され完成する。
【００２４】
それぞれのリードフレーム２は、図２に示すように略正方形に打ち抜かれた開口部を備える。その略正方形の開口部の４辺の周囲に、多数の水平なピンが開口部に向けて櫛状にインナーリード２１が並設されている。この正方形の開口部には、４つの角から支えが中央方向に設けられ、開口部の略中央に開口部よりひとまわり小さい正方形のダイパッド２３が設けられる。このダイパッド２３には半導体チップ１１が載置され両面テープや接着剤で固定される。
【００２５】
半導体チップ１１はＩＣ回路が形成されているシリコンチップである。ダイパッド２３に載置された半導体チップ１１の多数の電極（不図示）は、図１に示すように金線などの金属細線１２，１２によりリードフレーム２のインナーリード２１の１本１本とボンディングされて電気的に接続されている。
【００２６】
また、インナーリード２１はさらに外側に直線状に延設され、アウターリード２２が形成されている。このインナーリード２１とアウターリード２２によりリードフレーム２のリード部２０が構成されている。図２に示す半導体装置１の組立前は、アウターリード２２の先端は、まだ銅条のベースとつながっている。ダムバー２４は、アウターリード２２のインナー側基部に、アウターリード２２と直交する方向に一直線状にアウターリード２２間を連結するように設けられている。
【００２７】
図２のダムバー２４のインナー側の２点鎖線で示される位置には、封止樹脂３により本体部３１が形成される。リード部２０においてはこの２点鎖線よりインナー側が封止樹脂３により封止されるインナーリード２１であり、この２点鎖線よりアウター側が外部に露出されるアウターリード２２となる。
【００２８】
ここで図３は、図２のダムバー２４の一部分を拡大した図である。図において上側がインナー側である。ダムバー２４は、前述のように平行に設けられたアウターリード２２のインナー側の端部に、アウターリード２２と直交するように設けられる。このダムバー２４は、半導体装置１が組立てられる過程で、アウターリード２２の側部に沿ってカットラインＣＬにおいて切断される。ダムバー２４のカットラインＣＬ部分が切断部２４ａとなる。なお、本実施形態では、ダムバー２４の両端のそれぞれ１／３が同じ幅の切断部２４ａとして形成されている。
【００２９】
また、ダムバー２４の中央部には、長方形の突出部分がアウター側に設けられて幅広な部分が形成される。この幅広の部分が幅広部２４ｂとなる。この幅広部２４ｂは、切断部２４ａより幅が広く、本実施形態では、リードフレーム２の板厚がおよそ０．２５ｍｍであるが、これに対して、切断部２４ａでは、それより狭い０．２０ｍｍとされている。一方、幅広部２４ｂでは、およそ０．５０ｍｍと板厚の２倍程度の幅となっている。即ち、切断部２４ａでは、幅広部２４ｂの幅に比べおよそ０．４倍の幅となっており、切断するのが容易になっている。
【００３０】
ここで、前述した図１１〜１３に示すような従来のような構成のアウターリードでは、ダムバー１２４のカットが容易にできるように、板厚のおよそ０．８倍の幅に形成されている。ダムバー２４は、例えば板厚の１倍以上であれば、幅が広ければそれに応じて強度が増し、変形も少なくなる。しかしながら、樹脂封止後のダムバー２４のカットの際に生じる応力に起因するアウターリード２２の変形や、これに起因する封止樹脂３のクラック等を考慮した場合は、幅が狭いほどトラブルが少なくなる。切断部２４ａの幅は、材質にも左右されるが、具体的には、最大板厚の概ね２倍以下、一般には板厚の１倍以下、容易に切断するためには望ましくは０．８倍以下であることが好ましい。そこで、ダムバー２４では、板厚のおよそ０．８倍の幅となっている。
【００３１】
また、幅広部２４ｂの幅は、強度を得るためには、材質にもよるが、少なくとも板厚の０．８倍、一般的には１倍以上、望ましくは２〜２．５倍以上あることが好ましい。本実施形態では、概ね板厚の２倍となっている。また、２．５倍を超えたような場合でも、別段問題はないが、あまり突出部分が長くなると幅広部２４ｂの先端部に無用な摩擦や引っ掛かりなどがあった場合に切断部２４ａに比較的大きな力が掛かり変形しやすくなるため、好ましくはない場合がある。このように、幅広部２４ｂの幅が広いため、図５に示す板厚ｈ０の銅条を打ち抜いた場合でも、図６に示すように、打抜きに伴う剪断部のだれや材料の引き込みによっても、概ね板厚ｈ２は変化せず、ダムバー２４と上型ＵＭ・下型ＬＭ間で間隙が生じることもない。
【００３２】
また、幅広部２４ｂのダムバー２４の長手方向（図３において水平方向）の長さは、ダムバー２４ひとつの長さ、即ちアウターリード２２の間隔に対して、およそ３分の１となっている。一方、その両端に隣接している切断部２４ａは、長手方向にそれぞれ全長のおよそ１／３の長さが与えられている。そのため、切断時にカッターの刃と干渉しない十分な余裕があり、切断位置の誤差があっても、幅の狭い切断部２４ａで小さい応力で切断できるようになっている。
【００３３】
一方、幅広部２４ｂは、十分な幅があるため、この部分では、水平方向に大きな力が加えられても極めて変形しにくい。さらに、厚みに対して十分な幅があるため、上型ＵＭと下型ＬＭに幅広部２４ｂが上下から支持されるため（図４参照）、封止樹脂３の流入時に幅広部２４ｂが傾くことがない。そのため、切断部２４ａの幅の狭い部分でも従来に比べ、所謂ころびが生じにくくなる。そのため、幅の狭い切断部２４ａにおいても従来よりもダムバー２４と上型ＵＭと下型ＬＭに間隙が生じることなく樹脂漏れが効果的に防止できる。
【００３４】
次に、このように構成されたリードフレーム２を用いて半導体装置１を組立てる製造方法について説明する。ここで、図４は半導体装置１の製造工程において、封止樹脂３による樹脂封止の状態を、図２のＩＩ−ＩＩ部分での断面で示す模式図である。前述のように、リードフレーム２のダイパッド２３に半導体チップ１１が載置され、インナーリード２１と金属細線１２がボンディングにより接続される。この状態から、リードフレーム２は、樹脂封止のために上型ＵＭと下型ＬＭにより挟持される。上型ＵＭは、図２の２点鎖線で示す本体部３１の部分の上方に半導体チップ１１を覆うような内部空間であるキャビティＣＢが設けられている。２点鎖線で示す本体部３１の外側はアウターリード２２の上面に密着するような平面が形成されている。また、下型ＬＭも、図２の２点鎖線で示す本体部３１の部分の底面側に同様なキャビティＣＢが設けられている。２点鎖線で示す本体部３１の外側はアウターリード２２の下面に密着するような平面が形成されている。
【００３５】
このように構成された上型ＵＭと下型ＬＭによりリードフレーム２が上下から圧力をかけて挟持される。この上型ＵＭと下型ＬＭにより形成されたキャビティＣＢには図示しないゲートから加熱され流動化されたエポキシ樹脂からなる封止樹脂３が図示しない射出機から圧力を掛けられて流入される。キャビティＣＢ内に流入した封止樹脂３は、内部の空気を追い出しながらリードフレーム２の上下に進入し、半導体チップ１１や金属細線１２、インナーリード２１、ダイパッド２３を樹脂で覆い、封止していく。さらに、封止樹脂３は、アウターリード２２の間隙に進入する。このとき、図４に示すようにアウターリード２２の間に設けられたダムバー２４により、流動化した封止樹脂３が、ここで堰き止められる。そして、流動化されたエポキシ樹脂などの封止樹脂３が充填され本体部３１が形成される。充填されたエポキシ樹脂は冷却され固化される。
【００３６】
また、各アウターリード２２の間の本体部３１からはみ出た部分もダムバー２４までは流動化された封止樹脂３が充填される。そのため、アウターリード２２と本体部３１とダムバー２４に囲まれた部分には、封止樹脂３によるはみ出し部分３２が形成される。この部分は、固化したあと、図示しない櫛状のカッターで打ち抜いて除去する。このとき、ダムバー２４のインナー側は直線状に形成されているため、カッターにより打ち抜く部分が平面視長方形となるので、打抜きが単純な形で容易にできる。
【００３７】
続いて、ダムバー２４を打ち抜く。ここでは、アウターリード２２の側面に沿った刃を多数備えた櫛状のカッターを用いて打ち抜く。このとき、前述のようにダムバー２４の変形が少ないため、アウターリード２２の間隔も正確な状態で維持されている。そのため、アウターリード２２の間隔の変化に起因するズレは生じにくく、アウターリード２２の側面沿ったカットラインＣＬにそって、アウターリード２２の側面が直線状になるようにカットされる。そのため、カット後のアウターリード２２の間隔も正確に保たれる。
【００３８】
また、切断部２４ａは、その幅が狭く形成されているため、切断する際の応力が小さい。それに加え、アウターリード２２が正確な位置に保持されているので、ストリッパによる押さえの精度も高くでき、アウターリード２２の変形を防止できる。また、アウターリード２２の基部にあたる本体部３１の封止樹脂３にクラックを生じさせることもない。そのため、製品の信頼性、歩留まりを向上させ、半導体装置１の完成後のアウターリード２２の先端の位置も正確に形成でき、基板に実装する場合にも、確実な接続ができる。
【００３９】
上記実施形態１のリードフレーム２によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）上記リードフレーム２では、切断部２４ａより幅が大きい幅広部２４ｂを設けたことでダムバー２４の強度を高め且つ捻れを防止する。そのことで、流入された封止樹脂３による圧力によって生じるダムバー２４の変形に起因する封止樹脂の漏れを防止できるという効果がある。
【００４０】
（２）また、一方で、切断部２４ａは幅広部２４ｂより幅が狭いためカットが容易でダムバー２４のカットの際のアウターリード２２の変形が生じにくいという効果がある。
【００４１】
（３）また、ダムバー２４では、インナー側が直線状になるため、封止樹脂３のはみ出し部分３２の打抜きが容易にできるという効果がある。
（４）また、幅広部２４ｂを長方形の単純な形状で形成したため、加工が容易になるという効果がある。また、切断部２４ａの幅を所定の長さ形成することでダムバー２４の長さ方向の位置誤差があっても最も幅の狭い場所を切断できる。さらに形状の画像認識による位置決めをするような場合では位置の認識が容易になるという効果がある。
【００４２】
（５）幅広部２４ｂが板厚ｈ０の２倍の幅に形成されているため、高圧で流入される封止樹脂３の圧力による水平方向の圧力による幅広部２４ｂの変形を小さくできる。それに加え、樹脂封止の金型内でダムバー２４が傾くことを防止し、樹脂漏れを防止することができるという効果がある。
【００４３】
（６）そして、ダムバー２４に幅広の幅広部２４ｂを備えることで幅の狭い切断部２４ａでの変形を抑えることで、切断部２４ａが板厚ｈ０の０．８倍の幅に形成されたため、半導体装置１の製造過程におけるダムバー２４のカットが容易にすることができるという効果がある。
【００４４】
（第２の実施形態）次に、図７により、第２の実施形態のリードフレーム２０２を説明する。第１の実施形態とは、幅広部２２４ｂの形状が異なるものである。本実施形態では、幅広部２２４ｂは、ダムバー２２４のアウター側中央の概ね１／３に、半円形の幅広部２２４ｂが形成されている。アウターリード２２２、切断部２２４ａは、第１の実施形態のアウターリード２２、切断部２４ａと共通している。幅広部２２４ｂの形状を半円状にすることで、応力の集中を低減し、またエッジを設けないことで、引っ掛かりを防止することができる。
【００４５】
（第３の実施形態）続いて、図８は、第３の実施形態のリードフレーム３０２を示す。第３の実施形態では、ダムバー３２４の形状が、幅広部３２４ｂと切断部３２４ａとが、連続して形成されている。具体的には、ダムバー３２４の幅広部３２４ｂは、両端部に設けられた切断部３２４ａから中央部に向けて漸次幅広になるように形成されている。また、この幅広部３２４ｂは、ダムバー３２４のインナー側の中央部に設けられている。また、第３の実施形態では、アウター側は直線状に形成されている。
【００４６】
このように形成されたダムバー３２４では、インナー側から高圧の封止樹脂３により押圧されたとき、この封止樹脂３からの圧力は、応力集中しにくく、ダムバー３２４全体に掛かる。特に、切断部３２４ａは第１の実施形態と同様に幅が狭く形成されているが、ダムバー３２４が封止樹脂３から押圧された力のかなりの部分がダムバー３２４からアウターリード３２２を押し広げる力向きの力となる。そのため、ダムバー３２４自体は変形しにくく、且つ、比較的幅広のアウターリード３２２に力が掛かる。このとき、ダムバー３２４はアウターリード３２２と直交する方向に直線状に配列されているため、アウターリード３２２を押し広げるダムバー３２４からの力は拮抗し、アウターリード３２２に対する力は均衡する。そのため、ダムバー３２４は、高い圧力の封止樹脂３の圧力に変形することなく良く耐えることができる。
【００４７】
なお、図８に示す本体部を示す２点鎖線とダムバー３２４とアウターリード３２２、３２２に囲まれた部分の樹脂が比較的打抜きにくい形になるが、はみ出した封止樹脂３（図９参照）を打ち抜くのと、ダムバー３２４の打抜きを同時に行うようにしてもよい。
【００４８】
○  なお、本発明は以下のように実施してもよい。実施形態では、半導体装置１をＱＦＰを例に説明しているが、ダムバーを用いて樹脂封止する各種の半導体装置に適用できる。
【００４９】
○  実施形態では、ダイパッド（ダイステージ、アイランド）は、非露出型を例に説明しているが、リード部２０に対して平坦な露出型としてもよい。また、半導体チップ１１は、ダイパッド３０の上方でなく底面側に固定するようなタイプであってもよい。また、半導体チップが積層されたものでもよい。また、ダイパッドを備えないタイプのものでもよい。
【００５０】
○  金属板は銅条を例に挙げているが、これに限定されるものではなくステンレス材等を用いてもよい。
○  実施形態では、全てがプレス加工で製造されているが、本発明の半導体装置及びリードフレームは、これらの一部又は全部をエッチングによる工程に代替することも可能である。
【００５１】
○  樹脂封止に用いる樹脂は、エポキシ樹脂に限らず種々の樹脂が使用できる。
○  第１の実施例では、幅広部２４ｂの長さが、ダムバー２４の長さのおよそ１／３となっているが、この長さに限定されない。素材の強度、カッターの形状により切断部２４ａを僅かに残すものや、ダムバー２４の傾きを防止するための細い突起状のものとすることもできる。
【００５２】
以下、特許請求の範囲とは別に、実施形態から抽出できる発明を効果とともに付記する。
（付記１）請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のリードフレームを用いて製造する半導体装置の製造方法。この製造方法によれば、精度の高い半導体装置を製造することができるという効果がある。
【００５３】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明のリードフレームでは、封止樹脂の漏れがなく、それでいてダムバーのカットが容易でアウターリードが変形しにくいという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２のＩ−Ｉ部分における本発明の半導体装置１の断面図。
【図２】半導体装置１の組立前の本発明のリードフレーム２の平面図。
【図３】図２のダムバー２４の平面図の部分拡大図。
【図４】半導体装置１の封止樹脂３による封止の状態を示す、図２のＩＩ−ＩＩ部分における断面図。
【図５】板厚ｈ０の銅条からダムバー２４の幅広部２４ｂを打ち抜く前の状態を示す模式図。
【図６】板厚ｈ０の銅条からダムバー２４の幅広部２４ｂを打ち抜いた後の状態を示す模式図。
【図７】第２の実施形態のリードフレーム２０２のダムバー２２４の平面図の部分拡大図。
【図８】第３の実施形態のリードフレーム３０２のダムバー３２４の平面図の部分拡大図。
【図９】従来のダムバー１２４を示す平面図の部分拡大図。
【図１０】従来のダムバー１２４が変形した状態を示す平面図の部分拡大図。
【図１１】板厚ｈ０の銅条から従来のダムバー１２４を打ち抜く前の状態を示す模式断面図。
【図１２】板厚ｈ０の銅条から従来のダムバー１２４を打ち抜いた後の状態を示す模式断面図。
【図１３】従来のダムバー１２４が変形した状態を示す模式断面図。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…リードフレーム、３…封止樹脂、１１…半導体チップ、１２…金属細線（金線）、２０…リード部、２１…インナーリード、２２…アウターリード、２３…ダイパッド、２４…ダムバー、２４ａ…切断部、２４ｂ…幅広部、３１…本体部、３２…はみ出し部分、ＣＬ…カットライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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