(57)【要約】【課題】  非磁性基板としてガラス基板を用いる場合に、十分な、めっき膜厚、密着性、均一性を有し、かつ、十分な平滑性を有するめっき層を無電解めっき法で非磁性基板上に形成することが可能な磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。【解決手段】  非磁性基板の表面を洗浄する洗浄工程Ｓ１と、洗浄後の非磁性基板の表面に結合するＮｉ密着層を形成するＮｉ密着層形成工程Ｓ２と、Ｎｉ密着層の表面に結合するＰｄ触媒層を形成するＰｄ触媒層形成工程Ｓ３と、Ｐｄ触媒層を触媒としてその表面に無電解めっき法によりＮｉ−Ｐめっき層を形成するめっき層形成工程Ｓ４とを備える。【選択図】        図１
2005203078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上にめっき層を形成する磁気記録媒体用基板の製造方法において、
前記非磁性基板の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄後の非磁性基板の表面に結合するＮｉ密着層を形成するＮｉ密着層形成工程と、
前記Ｎｉ密着層の表面に結合するＰｄ触媒層を形成するＰｄ触媒層形成工程と、
前記Ｐｄ触媒層を触媒としてその表面に無電解めっき法により前記めっき層を形成するめっき層形成工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項２】
前記非磁性基板はガラス基板からなり、
前記洗浄工程は、前記ガラス基板の表面に脱脂処理を施す工程と、該脱脂処理を施したガラス基板の表面に活性化処理を施す工程とを含み、
前記Ｎｉ密着層形成工程は、前記活性化処理を施したガラス基板の表面にＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を塗布する工程と、該塗布されたＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を金属化焼成処理してＮｉ金属膜を形成する工程と、該Ｎｉ金属膜の表面に活性化処理を施すことにより当該Ｎｉ金属膜を前記Ｎｉ密着層とする工程とからなり、
前記Ｐｄ触媒層形成工程は、前記活性化処理を施されたＮｉ金属膜の表面にＰｄを結合させて前記Ｐｄ触媒層を形成するＰｄ触媒化処理工程からなり、
前記めっき層形成工程は、前記Ｐｄ触媒層を触媒としてその表面に無電解めっき法によりめっき膜を形成する工程と、該めっき膜に加熱処理を施して前記めっき層とする工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】
前記Ｎｉキレート剤は、下記一般式（１）で示される構造を有することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
Ni(CiH2i+1COCjH2jCOCkH2k+1)          …（１）
（式中、ｉ，ｊ，ｋは、正の整数）
【請求項４】
前記Ｎｉセッケン剤は、下記一般式（２）又は（３）で示される構造を有することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
Ni(-OOCCH(CmH2m+1)CnH2n+1)2          …（２）
Ni(-OOCCpH2p+1)2                    …（３）
（式中、ｍ，ｎ，ｐは、正の整数）
【請求項５】
前記金属化焼成処理は、不活性化ガス雰囲気で、２５０℃以上４００℃以下の焼成温度でなされることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】
前記Ｐｄ触媒化処理工程に塩化パラジウムを用いることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき膜はＮｉ−Ｐめっき膜からなり、当該めっき膜の加熱処理として、２５０℃以上３００℃以下の温度での１時間以上の加熱処理を施すことを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項８】
ガラス基板上にＮｉ−Ｐめっき層を備える磁気記録媒体用基板において、
前記ガラス基板上に形成されたＮｉ密着層と、
前記Ｎｉ密着層上に形成されたＰｄ触媒層と、
前記Ｐｄ触媒層上に形成された前記Ｎｉ−Ｐめっき層とを備え、
前記Ｎｉ−Ｐめっき層は、膜厚が１．０μｍ以上であって、当該Ｎｉ−Ｐめっき層の表面において、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であり、微小表面うねりＷａが０．５ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気記録媒体用基板上に少なくとも磁気記録層を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記磁気記録媒体用基板のＮｉ−Ｐめっき層は、１．０ｗｔ％〜１３．０ｗｔ％のＰを含むＮｉ−Ｐ合金からなることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用基板の製造方法並びにその製造方法を用いて製造される磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体に関し、特に、非磁性基板としてガラス基板を用い、その表面に無電解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成する際の前後処理方法に関するもので、ハードディスク装置（ＨＤＤ）に搭載する磁気記録媒体の基板に用いて好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ、デジタル家電などの記憶装置としてハードディスク装置が多く用いられている。ハードディスク装置に搭載される磁気記録媒体としての磁気ディスク（ハードディスク）は、一般に、ディスク状の非磁性基板の表面に無電解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成し、そのＮｉ−Ｐ層の表面に所要の平滑化処理、テクスチャリング処理などを施すことにより磁気ディスク用の基板を作製し、その基板上に非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜の磁気記録層、保護層、液体潤滑剤層を順次形成することにより作製される。
従来、非磁性基板の材料としてはアルミニウム合金が用いられてきた。近年、ハードディスク装置の高容量化、小型化、軽量化が急速に進んでおり、それに対応して磁気ディスクも従来よりも平坦度が高く、小径、薄形のものが要求されてきている。このような市場の要求に対して、従来のアルミニウム合金からなる基板では対応が難しく、基板材料としてガラスが用いられるようになってきている。
【０００３】
ところで、ガラス基板を用いる場合にも表面にＮｉ−Ｐ層を形成してアルミニウム合金基板の場合と同様な表面特性を有するものとすることが、良好な特性の磁気ディスクを得るために望まれているが、ガラス基板に無電解めっき法でＮｉ−Ｐ層を密着性良く均一、平滑に形成することは技術的に難しく、その課題を解決するための無電解めっきの前後処理として種々の方法が提案されている。
例えば、塩化パラジウムおよび塩化第一スズを含む水溶液で処理し、次いで炭酸アルカリ水溶液、炭酸水素アルカリ水溶液、または両者の混合水溶液で処理した後、無電解めっきを行う方法（例えば、特許文献１参照）、クロム酸―硫酸混合溶液および硝酸溶液で二段階エッチング処理し、次いで強アルカリ性溶液でエッチングした後、希薄な塩化第一スズで増感処理し、さらに銀塩溶液およびパラジウム塩溶液で活性化処理した後無電解めっきを行う方法（例えば、特許文献２参照）、硫酸と重クロム酸カリウムの温液で清浄化した後、塩酸で酸性にした塩化第一スズで増感、次いで塩化パラジウムの溶液で活性化した後、無電解めっきを行う方法（例えば、特許文献３参照）、アルカリ脱脂し、フッ化水素酸でエッチングした後、塩化第一スズの溶液で増感、次いで塩化パラジウムの溶液で活性化した後、無電解めっきを行う方法などが提案されている。
【０００４】
また、前処理として、ガラス基板をまず十分に脱脂し、続いてエッチングを行ってアンカー効果を高め、エッチング時に生じ基板表面に付着した異物を除去し、表面調整工程を施して基板表面を化学的に均一化し、続いて感受化処理、活性化処理を行った後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行う方法（例えば、特許文献４参照）が開示されている。エッチング液としてはフッ化水素酸とフッ化水素カリウムを含む水溶液を用い、表面異物除去には塩酸を用い表面調整にはナトリウムメトキシドを含む水溶液を用いると好適とされる。
さらに、ガラス基板表面に前処理として、脱脂処理、エッチング処理、温純水処理、シランカップリング剤処理、アクチベーター処理、アクサレーター処理を順次施した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施す方法（例えば、特許文献５参照）が開示されている。シランカップリング剤としてはアミノシランカップリング剤を用い、アクチベーターとして塩化パラジウム水溶液を用い、さらにアクサレーターとして次亜リン酸ナトリウム水溶液を用いると好適とされる。
【特許文献１】特開平１−１７６０７９号公報
【特許文献２】特開昭５３−１９９３２号公報
【特許文献３】特開昭４８−８５６１４号公報
【特許文献４】特開平７−３３４８４１号公報
【特許文献５】特開２０００−１６３７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のような既知の方法でガラス基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき層では、良好な特性の磁気ディスクを得るに必要な、十分な膜厚（１μｍ以上数μｍの膜厚）およびその膜厚での十分な密着性、均一性、平滑性を満足することはできなかった。
そこで、本発明は、上述の点に鑑み、非磁性基板としてガラス基板を用いる場合に、十分な、めっき膜厚、密着性、均一性を有し、かつ、十分な平滑性を有するめっき層を無電解めっき法で非磁性基板上に形成することが可能な磁気記録媒体用基板の製造方法並びにその製造方法を用いて製造される磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法は、非磁性基板の表面を洗浄する洗浄工程と、洗浄後の非磁性基板の表面に結合するＮｉ密着層を形成するＮｉ密着層形成工程と、Ｎｉ密着層の表面に結合するＰｄ触媒層を形成するＰｄ触媒層形成工程と、Ｐｄ触媒層を触媒としてその表面に無電解めっき法によりめっき層を形成するめっき層形成工程とを備えることを特徴とする。
ここで、非磁性基板はガラス基板からなり、洗浄工程は、ガラス基板の表面に脱脂処理を施す工程と、脱脂処理を施したガラス基板の表面に活性化処理を施す工程とを含み、Ｎｉ密着層形成工程は、活性化処理を施したガラス基板の表面にＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を塗布する工程と、塗布されたＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を金属化焼成処理してＮｉ金属膜を形成する工程と、Ｎｉ金属膜の表面に活性化処理を施すことによりＮｉ金属膜をＮｉ密着層とする工程とからなり、Ｐｄ触媒層形成工程は、活性化処理を施されたＮｉ金属膜の表面にＰｄを結合させてＰｄ触媒層を形成するＰｄ触媒化処理工程からなり、めっき層形成工程は、Ｐｄ触媒層を触媒としてその表面に無電解めっき法によりめっき膜を形成する工程と、めっき膜に加熱処理を施してめっき層とする工程とを含むものとすることができる。
【０００７】
また、Ｎｉキレート剤は、下記一般式（１）で示される構造を有するものとすることができる。
Ni(CiH2i+1COCjH2jCOCkH2k+1)          …（１）
（式中、ｉ，ｊ，ｋは、正の整数）
さらに、Ｎｉセッケン剤は、下記一般式（２）又は（３）で示される構造を有するものとすることができる。
Ni(-OOCCH(CmH2m+1)CnH2n+1)2          …（２）
Ni(-OOCCpH2p+1)2                    …（３）
（式中、ｍ，ｎ，ｐは正の整数）
そして、金属化焼成処理は、不活性化ガス雰囲気で、２５０℃以上４００℃以下の焼成温度でなされ、めっき膜はＮｉ−Ｐめっき膜からなり、めっき膜の加熱処理として、２５０℃以上３００℃以下の温度での１時間以上の加熱処理を施すことが好ましく、Ｐｄ触媒化処理工程には塩化パラジウムを用いることができる。
【０００８】
このようにして製造される本発明の磁気記録媒体用基板は、非磁性基板としてのガラス基板と、ガラス基板上のＮｉ密着層と、Ｎｉ密着層上のＰｄ触媒層と、Ｐｄ触媒層上のＮｉ−Ｐめっき層とを備え、Ｎｉ−Ｐめっき層は、膜厚が１．０μｍ以上であって、Ｎｉ−Ｐめっき層の表面において、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であり、微小表面うねりＷａが０．５ｎｍ以下であるものとすることができる。
また、本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気記録媒体用基板上に少なくとも磁気記録層を備えてなり、その磁気記録媒体用基板のＮｉ−Ｐめっき層は、１．０ｗｔ％〜１３．０ｗｔ％のＰを含むＮｉ−Ｐ合金からなる軟磁性から非磁性のものとすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、非磁性基板とＰｄ触媒層との間にＮｉ密着層を介在させることにより、密着性に優れためっき層を十分な膜厚で均一かつ平滑に非磁性基板上に無電解めっき法で形成することができる。従って、非磁性基板としてガラス基板を用い、その表面上にＮｉ−Ｐなどのめっき層を形成して良好な特性の磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明に係る磁気記録媒体用基板の製造方法の実施形態を示す工程図で、図２は、その詳細を示す工程図である。また、図３は、この実施形態の製造方法を用いて製造される磁気記録媒体の実施形態を示す模式断面図である。
図３に示すように、本発明の実施形態の磁気記録媒体１００は、非磁性基板としてのディスク状のガラス基板１と、ガラス基板１上に形成されたＮｉ密着層２と、Ｎｉ密着層２上に形成されたＰｄ触媒層３と、Ｐｄ触媒層３上に形成されたＮｉ−Ｐめっき層４とを備えてなる磁気記録媒体用基板１０上に、少なくとも磁気記録層５を備えてなる。
非磁性基板としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、カーボン基板などを用いることができる。
【００１１】
このような実施形態の磁気記録媒体用基板１０の製造方法は、図１に示すように、非磁性基板としてガラス基板１を用い、ガラス基板１の表面を洗浄する洗浄工程Ｓ１と、洗浄後のガラス基板１の表面に結合するＮｉ密着層２を形成するＮｉ密着層形成工程Ｓ２と、このＮｉ密着層２の表面に結合するＰｄ触媒層３を形成するＰｄ触媒層形成工程Ｓ３と、このＰｄ触媒層３を触媒としてその表面に無電解めっき法によりＮｉ−Ｐめっき層４を形成するめっき層形成工程Ｓ４とを備える。
これらの各工程Ｓ１〜Ｓ４は、図２に示す各工程からなるものとすることができる。
すなわち、洗浄工程Ｓ１は、ガラス基板１の表面に脱脂処理を施す工程Ｓ１１，Ｓ１２と、脱脂処理を施したガラス基板１の表面に活性化処理を施す工程Ｓ１３とを含む。
Ｎｉ密着層形成工程Ｓ２は、活性化処理を施したガラス基板１の表面にＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を塗布する工程Ｓ１４，Ｓ１５と、塗布されたＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤を金属化焼成処理してＮｉ金属膜を形成する工程Ｓ１６，Ｓ１７と、Ｎｉ金属膜の表面に活性化処理を施すことによりＮｉ金属膜をＮｉ密着層２とする工程Ｓ１８とからなる。
【００１２】
Ｐｄ触媒層形成工程Ｓ３は、活性化処理を施されたＮｉ金属膜の表面にＰｄを結合させてＰｄ触媒層３を形成するＰｄ触媒化処理工程Ｓ１９からなる。
めっき層形成工程Ｓ４は、Ｐｄ触媒層３を触媒としてその表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施す工程Ｓ２０〜Ｓ２２と、めっき後に加熱処理を施して加熱処理を施しためっき膜をＮｉ−Ｐめっき層４とする工程Ｓ２３とからなる。
このような各工程Ｓ１〜Ｓ４を経て作製される本発明の実施形態の磁気記録媒体基板１０は、ディスク状のガラス基板１上に、膜厚１０〜５０ｎｍのＮｉ密着層２と、膜厚１〜１０ｎｍのＰｄ触媒層３と、膜厚１μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層４とが積層されてなるものとすることができる。
本発明の実施形態の磁気記録媒体１００は、この実施形態の磁気記録媒体用基板１０上に、少なくとも磁気記録層５を形成してなるものである。
【００１３】
この磁気記録媒体１００は、以下の手順で作製することができる。
すなわち、上述の磁気記録媒体用基板１０のＮｉ−Ｐめっき層４の表面に、所要の平滑化処理、テクスチャリング処理などを必要に応じて施した後、その表面上に、Ｃｒなどからなる非磁性金属下地層、Ｃｏ合金などからなる強磁性合金薄膜の磁気記録層５、ダイヤモンド状カーボンなどからなる保護層などをスパッタリング法などにより順次成膜し、その上に必要に応じてパーフルオロポリエーテルなどからなる液体潤滑剤層を塗布成膜することによって、磁気記録媒体１００が作製される。
このようにして作製された磁気記録媒体１００は、ハードディスク装置に搭載される磁気ディスクとして十分な膜厚（１μｍ以上数μｍの膜厚）、その膜厚での十分な密着性、均一性、平滑性を満足できるＮｉ−Ｐめっき層を備えて良好な特性を有するものとすることができる。
【００１４】
以下に図２の各工程について詳細に説明する。
〔洗浄工程Ｓ１（Ｓ１１〜Ｓ１３）〕
ガラス基板１の表面に脱脂処理Ｓ１１，Ｓ１２を施して、有機皮膜やパーティクル類を除去清浄化する。
洗浄後、ガラス基板１の表面の活性化処理Ｓ１３として、希酸水溶液中浸漬にて、ガラス基板１の表面に存在する不活性な酸化膜を剥離除去すると同時に、ガラス基板１の表面の官能基を反応性に富むシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）に変成させ、ガラス基板１の表面を活性化させる。
〔Ｎｉ密着層形成工程Ｓ２（Ｓ１４〜Ｓ１８）〕
このようにして表面が反応性に富むシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）に覆われたガラス基板１の表面に、ガラス基板１とＮｉ−Ｐめっき層４との間の密着層材料となるＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤の適量の塗布処理Ｓ１４，Ｓ１５を施す。
【００１５】
密着層材料であるＮｉキレート剤は、次の一般式（１）で示される構造のものを用いることができる。
Ni(CiH2i+1COCjH2jCOCkH2k+1)          …（１）
（式中、ｉ，ｊ，ｋは、正の整数）
具体的には、Ｎｉキレート剤は、例えば、次の式（４）で示される「アセチルアセトナ―トＮｉ」や、式（５）で示される「プロピオンアセトナートＮｉ」、式（６）で示される「プロピオンエチラートＮｉ」、さらにはこれらの混成体が好ましい。
Ni(CH3COCH2COCH3)2                …（４）
Ni(C2H5COCH2COCH3)2                …（５）
Ni(C2H5COCH2COC2H5)2                …（６）
また、Ｎｉセッケン剤は、次の一般式（２）又は（３）で示される構造のものを用いることができる。
【００１６】
Ni(-OOCCH(CmH2m+1)CnH2n+1)2          …（２）
Ni(-OOCCpH2p+1)2                    …（３）
（式中、ｍ，ｎ，ｐは、正の整数）
具体的には、Ｎｉセッケン剤は、例えば、次の式（７）で示される「２−エチルヘキサン酸Ｎｉ」や、式（８）で示される「ステアリン酸Ｎｉ」が好ましい。
Ni(-OOCCH(C2H5)C4H9)2                …（７）
Ni(-OOCC15H31)2                      …（８）
引き続き、不活性ガス雰囲気下で適正な温度にて焼成させる過程Ｓ１６，Ｓ１７にて、Ｎｉキレート剤又はＮｉセッケン剤が熱変成し、有機成分は分解揮発され、金属分であるＮｉはガラス基板１の表面に予め調整生成されているシラノール基と置換反応し、脱水素化されＮｉシラノキシド（Ｓｉ−ＯＮｉ）が形成されてなるＮｉ金属膜を得る。
【００１７】
このＮｉ金属化焼成処理Ｓ１６，Ｓ１７において、Ｎｉキレ―ト剤の焼成温度は２５０℃以上３５０℃以下が望ましく、Ｎｉセッケン剤の焼成温度は３００℃以上４００℃以下の温度で、３０分以上行うことが望ましい。
引き続き、Ｎｉ金属膜の活性化処理Ｓ１８として、このＮｉ金属膜の最表面数ｎｍのみに存在するＮｉ酸化膜を酸処理にて剥離除去する。
〔Ｐｄ触媒層形成工程Ｓ３（Ｓ１９）〕
その酸化膜の除去されたＮｉ金属膜の表面にＰｄを結合させてＮｉ−Ｐめっき析出の触媒層となるＰｄ触媒層を形成すべくＰｄ触媒化処理Ｓ１９を適正に施す。
〔めっき層形成工程Ｓ４（Ｓ２０〜Ｓ２３）〕
無電解Ｎｉ−Ｐめっきを所定の条件にて行う。
【００１８】
Ｎｉ−Ｐめっき層４となるめっき液は、所謂、非磁性高Ｐ濃度タイプＮｉ−Ｐめっき液（Ｐ濃度１１〜１３ｗｔ％、例えば上村工業（株）製ニムデンＨＤＸ）から、非磁性〜軟磁性中Ｐ濃度タイプＮｉ−Ｐめっき液（Ｐ濃度６〜８ｗｔ％例えばメルテックス（株）製メルプレートＮＩ−８６７やＰ濃度３〜６ｗｔ％例えばメルテックス（株）製メルプレートＮＩ−８０２）、さらには、軟磁性低Ｐ濃度タイプＮｉ−Ｐめっき液（Ｐ濃度１〜２ｗｔ％、例えば上村工業（株）製ニムデンＬＰＹや奥野製薬（株）製トップニコロンＬＰＨ）の軟磁性から非磁性を示すＰ濃度１〜１３ｗｔ％の全てのＮｉ−Ｐめっき液においてＮｉ−Ｐめっき層を形成することができる。
加えて、めっき析出反応がより容易になる市販のＰ濃度＞１４ｗｔ％のさらなる高Ｐ濃度タイプＮｉ−Ｐめっき液においても、Ｎｉ−Ｐめっき層を形成することができる。
【００１９】
このような非磁性高Ｐ濃度Ｎｉ−ＰめっきＳ２０、非磁性〜軟磁性中Ｐ濃度Ｎｉ−ＰめっきＳ２１、軟磁性低Ｐ濃度Ｎｉ−ＰめっきＳ２２は、例えば以下の用途で用いられる。
非磁性ガラス基板に非磁性高Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜を形成することで、
（１）高剛性のガラス基板では困難な高密度化のための精密平滑化
（２）レーザゾーンテクスチャ基板やテープテクスチャによる異方性配向媒体の作製
（３）スパッタ成膜時に基板にバイアス電圧を印加することによる磁性膜の高保磁力化
が可能となる。
また、非磁性ガラス基板に軟磁性低Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜を形成することで、垂直磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層としての用途がある。この垂直磁気記録媒体は、情報を記録する役割を担う磁気記録層の下側に磁気ヘッドから発生する磁束を通しやすく、かつ飽和磁束密度の高い軟磁性裏打ち層と呼ばれる軟磁性膜を付与した二層垂直磁気記録媒体であって、高密度記録を可能とするものである。
【００２０】
この垂直磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層としてのめっき膜組成は、上記の低Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜以外に、例えば、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ、又はそれらの一部金属の組合せによる合金とした場合においても同様な効果が得られる。
さらに、非磁性ガラス基板に非磁性〜軟磁性中Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜を形成することで、上記高Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜および低Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜の両者の用途の他に、低Ｐ濃度Ｎｉ−Ｐめっき膜の非磁性基板への密着層としての下地めっき膜（ストライクめっき）としての用途がある。
続いて、加熱処理（２５０℃、４時間）Ｓ２３を施すことにより、密着性に優れた無電解Ｎｉ−Ｐめっき層４を１．０μｍ以上の厚膜で、均一、かつ平滑に形成することができる。
【００２１】
この無電解Ｎｉ−Ｐめっき後の加熱処理は、温度２５０℃以上３００℃以下で１時間以上行うことが望ましく、不活性ガス雰囲気下で加熱することが望ましい。
以上説明したように、ガラス基板１の表面粗さＲａの大小は、Ｎｉ−Ｐめっき層４の密着性に対する物理的アンカー効果として作用し得るが、Ｎｉ−Ｐめっき層４の密着性向上をある程度で期待できる、表面粗さＲａ＞０．５ｎｍでは勿論のこと、物理的アンカー効果が殆ど期待できない表面粗さＲａ＜０．５ｎｍの超平滑なガラス基板１においても、本手法によれば、十分なＮｉ−Ｐめっき層４の密着性を保持することができる。
すなわち、前述のようにガラス基板１の表面のシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）とＮｉ密着層２の材料であるＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤間の脱水素化Ｎｉシラノキシド（Ｓｉ−ＯＮｉ）生成によるガラス基板１の界面におけるガラス基板１とＮｉ密着層２との間の強固な化学結合により、表面粗さＲａ＜０．５ｎｍでのアンカー効果による物理的吸着力のほとんど期待できない超平滑なガラス基板１においても、Ｎｉ−Ｐめっき層４の十分な密着性を保持することができる。
【００２２】
さらに本手法で得られたガラス基板１上に形成されたＮｉ−Ｐめっき層４は、非磁性から軟磁性を示す全てのＮｉ−Ｐめっき液において、良好な特性を有する磁気ディスクを得るに必要な、十分な膜厚（１μｍ〜５μｍの膜厚）を有するものとして形成することができ、さらにその膜厚領域において十分な密着性、均一性、平滑性を満足することができる。
以上のとおり、本発明の実施形態によれば、ガラス基板１の表面の脱脂処理Ｓ１１，Ｓ１２及びガラス活性化処理Ｓ１３を施し、このガラス基板１の表面にＮｉキレート剤又はＮｉセッケン剤の塗布処理Ｓ１４，Ｓ１５、Ｎｉ金属化焼成処理Ｓ１６，Ｓ１７、Ｎｉ金属膜活性化処理Ｓ１８を施してＮｉ密着層２を形成し、このＮｉ密着層２上にＰｄ触媒化処理Ｓ１９を施してＰｄ触媒層３を形成し、このＰｄ触媒層３上に無電解Ｎｉ−ＰめっきＳ２０〜Ｓ２２を施し、加熱処理Ｓ２３を施してＮｉ−Ｐめっき層４を形成するようにしたので、密着性に優れたＮｉ−Ｐめっき層を、十分な膜厚で均一かつ平滑に無電解めっき法で形成することができる。
【実施例】
【００２３】
以下に、上述の実施形態を具体化した本発明の実施例を比較例と共に図４，図５に基づいて説明する。なお、上述の実施形態と同一部分については、その説明を省略し、同一符号を付す。
図４に、実施例の各処理工程の各種処理条件を示す。図４中、処理項目は、処理工程３０、処理液３１、濃度（ｗｔ％）３２、温度（℃）３３、処理時間３４、その他３５とした。処理工程の(1)〜(9)は、図２のＳ１１〜Ｓ２３に対応するものである。
〔実施例１〕
ガラス基板１として化学強化ガラス板を用い、その表面に図４の(1)〜(9)に示す処理工程および処理条件の中で、
(1)洗剤脱脂：洗剤濃度１．５ｗｔ％、５０℃３ｍｉｎ処理
(2)アルカリ脱脂：ＫＯＨ濃度７．５ｗｔ％、５０℃３ｍｉｎ処理
(3)ガラス表面活性化：ＨＦ＋ＮＨ３Ｆ濃度１．０ｗｔ％、２０℃３ｍｉｎ処理
(4)密着層材料Ｎｉキレート剤塗布：アセチルアセトナートＮｉ／トルエン溶液でアセチルアセトナートＮｉ濃度  ０．３ｗｔ％をディッピング塗布
(5)Ｎｉ金属膜化焼成：Ｎ２ガス雰囲気下３００℃１時間焼成処理
(6)Ｎｉ金属膜活性化：ＨＮＯ３濃度３０ｗｔ％、２０℃２ｍｉｎ処理
(7)Ｐｄ触媒層形成：ＰｄＣｌ２＋ＮａＯＨ濃度３．０ｗｔ％、２０℃３ｍｉｎ処理
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「ニムデンＨＤＸ（Ｐ濃度１５〜２０ｗｔ％）」（上村工業（株）製）、８０℃２０ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
(9)Ｎｉ−Ｐめっき層加熱：Ｎ２ガス雰囲気下２５０℃４時間焼成処理
を選択し、この(1)〜(9)の処理工程および処理条件にて、無電解めっき法で図３に示すＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔実施例２〕
実施例１の(1)〜(9)に示す処理工程および処理条件の中で、処理工程(8)の処理条件を、
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「メルプレートＮＩ−８６７（Ｐ濃度６〜８ｗｔ％）」（メルテックス（株）製）、７０℃３５ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
とした。
【００２４】
他の処理工程および処理条件は、実施例１の(1)〜(7)及び(9)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔実施例３〕
実施例１の(1)〜(9)に示す処理工程および主要条件の中で、処理工程(8)の処理条件を、
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「ニムデンＬＰＹ（Ｐ濃度１〜２ｗｔ％）」（上村工業（株）製）、８０℃２５ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
とした。
他の処理工程および処理条件は、実施例１の(1)〜(7)及び(9)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔実施例４〕
実施例１の(1)〜(9)に示す処理工程および主要条件の中で、処理工程(4)(5)(8)の処理条件を、
(4)密着層材料Ｎｉセッケン剤塗布：２−エチルヘキサン酸Ｎｉ／シクロヘキサン溶液で２−エチルヘキサン酸Ｎｉ濃度  ０．３ｗｔ％をディッピング塗布
(5)Ｎｉ金属膜化焼成：Ｎ２ガス雰囲気下３８０℃１時間焼成処理
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「ニムデンＨＤＸ（Ｐ濃度１１〜１３ｗｔ％）」（上村工業（株）製）、８０℃２０ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
とした。
【００２５】
他の処理工程および処理条件は、実施例１の(1)〜(3)(6)(7)及び(9)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔実施例５〕
実施例１の(1)〜(9)に示す処理工程および主要条件の中で、処理工程(4)(5)(8)の処理条件を、
(4)密着層材料Ｎｉセッケン剤塗布：２−エチルヘキサン酸Ｎｉ／シクロヘキサン溶液で２−エチルヘキサン酸Ｎｉ濃度  ０．３ｗｔ％をディッピング塗布
(5)Ｎｉ金属膜化焼成：Ｎ２ガス雰囲気下３８０℃１時間焼成処理
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「メルプレートＮＩ−８６７（Ｐ濃度６〜８ｗｔ％）」（メルテックス（株）製）、７０℃３５ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
とした。
【００２６】
他の処理工程および処理条件は、実施例１の(1)〜(3)(6)(7)及び(9)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔実施例６〕
実施例１の(1)〜(9)に示す処理工程および主要条件の中で、処理工程(4)(5)(8)の処理条件を、
(4)密着層材料Ｎｉセッケン剤塗布：２−エチルヘキサン酸Ｎｉ／シクロヘキサン溶液で２−エチルヘキサン酸Ｎｉ濃度  ０．３ｗｔ％をディッピング塗布
(5)Ｎｉ金属膜化焼成：Ｎ２ガス雰囲気下３８０℃１時間焼成処理
(8)Ｎｉ−Ｐめっき層４の形成：めっき液「ニムデンＬＰＹ（Ｐ濃度１〜２ｗｔ％）」（上村工業（株）製））、８０℃２５ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層厚３．０μｍ）
とした。
【００２７】
他の処理工程および処理条件は、実施例１の(1)〜(3)(6)(7)及び(9)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層４を成膜した。
〔比較例〕
次に、比較例について説明する。
〔比較例１〕
ガラス基板１として化学強化ガラス板を用い、その表面に
(1)洗剤脱脂：洗剤濃度１．５ｗｔ％、５０℃３ｍｉｎ処理
(2)アルカリ脱脂：ＫＯＨ濃度７．５ｗｔ％、５０℃３ｍｉｎ処理
(3)ガラス表面粗化：クロム酸＋硫酸濃度４０ｗｔ％＋４０ｗｔ％、６０℃１０ｍｉｎ処理
(4)触媒付与キャタリスト処理：ＰｄＣｌ２を０．３ｇ／Ｌ＋ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏを１５ｇ／Ｌ＋３６％ＨＣｌを２００ｍｌ／Ｌの混合水溶液に２０℃３ｍｉｎ処理
(5)触媒付与アクセレーター処理：Ｈ２ＳＯ４を１００ｇ／Ｌの水溶液に５０℃５ｍｉｎ処理
(6)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「ニムデンＨＤＸ（Ｐ濃度１５〜２０％）」（上村工業（株）製）、８０℃３．０ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層の膜厚０．４μｍ、０．４μｍ超はめっき中で膜剥離発生し、成膜不可）
(7)Ｎｉ−Ｐめっき層４の加熱：Ｎ２ガス雰囲気下２５０℃４時間焼成処理
を施し、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層を成膜した。
〔比較例２〕
比較例１の(1)〜(7)に示す処理工程および処理条件の中で、処理工程(6)の処理条件を、
(6)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「メルプレートＮＩ−８６７（Ｐ濃度６〜８ｗｔ％）」（メルテックス（株）製）、８０℃９．０ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層の膜厚０．７μｍ、０．７μｍ超はめっき中で膜剥離発生し、成膜不可）
とした。
【００２８】
他の処理工程および処理条件は、比較例１の(1)〜(5)及び(7)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層を成膜した。
〔比較例３〕
比較例１の(1)〜(7)に示す処理工程および処理条件の中で、処理工程(6)の処理条件を、
(6)Ｎｉ−Ｐめっき層形成：めっき液「ニムデンＬＰＹ（Ｐ濃度１〜２ｗｔ％）」（上村工業（株）製）、８０℃３．０ｍｉｎ処理（Ｎｉ−Ｐめっき層膜厚０．５μｍ、０．５μｍ超はめっき中で膜剥離発生し、成膜不可）
とした。
他の処理工程および処理条件は、比較例１の(1)〜(5)及び(7)の処理工程と同一とし、無電解めっき法でＮｉ−Ｐめっき層を成膜した。
〔評価〕
図５に、上記実施例１〜６及び比較例１〜３の評価結果を示す。図５中、評価項目は、密着層４０、めっき層４１、めっき膜厚４２、密着力４３、表面粗さ（Ｒａ）４４とした。図中、○は密着力が良好、×は密着力不良を示す。
【００２９】
具体的には、Ｎｉ−Ｐめっき層の無電解めっきが施された各ガラス基板について、Ｎｉ−Ｐめっき層の密着性をクロスカット剥離試験（ＪＩＳ Ｋ ５４００ ６．１５）により評価した。
また、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面粗さ測定で、めっき前のガラス基板１の表面平均粗さＲａが０．２５ｎｍのものに対して、めっき後の平均粗さＲａを評価した。
図５から分かるように、図４の処理工程および処理条件で作製された、実施例１〜６で得られたガラス基板１上のＮｉ−Ｐめっき層４は、３．０μｍの厚膜化を達成することができ、しかも、低Ｐ〜高Ｐ濃度領域のＮｉ−Ｐめっき層が密着性の優れたものとして形成されることが分かる。
また、めっき後の表面粗さＲａは、０．５ｎｍ以下であり、微小表面うねりＷａは、０．５ｎｍ以下であった。これにより、表面粗さ変化も僅かであり、磁気ディスクで求められる表面粗さレベルに十分に保持することができる。
【００３０】
一方、公知である比較例１〜３で得られたガラス基板上のＮｉ−Ｐめっき層は、めっき膜厚０．４〜０．７μｍとなり、１．０μｍ以上の厚膜化が不可能であり、かつ、ガラス基板に対する密着性も著しく低下していることが分かる。
以上説明したように、ガラス基板１の表面に脱脂処理Ｓ１１，Ｓ１２及びガラス活性化処理Ｓ１３を施し、このガラス基板１の表面に、Ｎｉキレート剤又はＮｉセッケン剤の塗布処理Ｓ１４，Ｓ１５、Ｎｉ金属化焼成処理Ｓ１６，Ｓ１７、Ｎｉ金属膜の活性化処理Ｓ１８を施してＮｉ密着層２を形成し、このＮｉ密着層２の表面に、Ｐｄ触媒化処理Ｓ１９を施してＰｄ触媒層３を形成し、このＰｄ触媒層３上に、Ｐ濃度１〜１３ｗｔ％領域の無電解Ｎｉ−ＰめっきＳ２０〜Ｓ２２を施し、加熱処理Ｓ２３を施してＮｉ−Ｐめっき層４を形成するようにしたので、密着性に優れたＮｉ−Ｐめっき層４を１．０μｍ以上の厚膜で、均一かつ平滑に無電解めっき法で形成することができる。従って、このＮｉ−Ｐめっき層４が形成されたガラス基板を用いて良好な特性を有する磁気ディスクを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体用基板の製造方法の実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の実施形態の各工程の詳細を示す工程図である。
【図３】本発明の実施形態の製造方法を用いて製造される磁気記録媒体の模式断面図である。
【図４】本発明の実施例の各処理工程の各種処理条件を示す説明図である。
【図５】本発明の実施例及び比較例の評価結果を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
１      ガラス基板
２      Ｎｉ密着層
３      Ｐｄ触媒層
４      Ｎｉ−Ｐめっき層
５      磁気記録層
１０    磁気記録媒体用基板
１００  磁気記録媒体
Ｓ１    洗浄工程
Ｓ２    Ｎｉ密着層形成工程
Ｓ３    Ｐｄ触媒層形成工程
Ｓ４    めっき層形成工程
【図１】
2005203078.tif 000003
【図２】
2005203078.tif 000004
【図３】
2005203078.tif 000005
【図４】
2005203078.tif 000006
【図５】
2005203078.tif 000007