(57)【要約】【課題】  センサチップの熱歪の影響が少なく、高性能で高信頼性の樹脂封止型の半導体マイクロデバイスを提供する。【解決手段】  本発明は、矩形のシリコンマイクロ構造体チップと、半導体チップを固定するダイパッドを備えたリードフレームと、少なくとも半導体チップとリードフレームの一部とを封止する樹脂封止材と、を含む半導体マイクロデバイスである。リードフレームのダイパッドには、半導体チップと対面して構造体チップをダイボンドするダイボンド領域があり、ダイボンド領域は、チップ支持部と隙間部とから構成される。隙間部とチップとの間の空間は、樹脂封止処理により樹脂で充填される。本発明で使用するリードフレームのダイパッドは、構造体チップの対角線上に対応する領域の少なくとも一部に、隙間部が形成されている。【選択図】図２
2005327830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状のシリコンマイクロ構造体チップと、
上記構造体チップを固定するダイパッドを備えたリードフレームと、
構造体チップ及びリードフレームを封止する樹脂封止材と、
を含む半導体マイクロデバイスにおいて、
上記ダイパッドが、構造体チップと接触しない隙間部と、構造体チップと接触して該チップを支持するチップ支持部と、を有し、
上記隙間部が、少なくとも構造体チップの対角線上に対応する位置に形成され、
上記隙間部と、上記構造体チップと、の間に、上記樹脂封止材が充填されていることを特徴とする半導体マイクロデバイス。
【請求項２】
上記隙間部が、チップの四隅部分に対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体マイクロデバイス。
【請求項３】
上記隙間部が、チップの中央部と対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体マイクロデバイス。
【請求項４】
上記隙間部が、凹み部であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体マイクロデバイス。
【請求項５】
上記隙間部が、切除部であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体マイクロデバイス。
【請求項６】
上記構造体チップが、ワイヤボンディング用のボンディングパッドを備えており、
上記チップ支持部が、上記ボンディングパッドに対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体マイクロデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンマイクロ構造体チップを備えた樹脂封止型の半導体マイクロデバイスに関し、特に、構造体チップに負荷される熱歪を緩和できるマイクロデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細可動部品を備えたシリコンマイクロ構造体チップには、自動車や航空機等の加速度を感知する加速度センサや角加速度センサ、微細加工技術を生かした静電アクチュエータなどがある。例えば、加速度センサ用のセンサチップでは、カンチレバーで支持された可動部と、可動部に近接して配置された固定部とを備えており、加速状態になるとセンサチップの可動部が微動し、可動部−固定部間の微少な距離変化を抵抗変化として感知して、加速度を検出するようになっている。
【０００３】
これらの構造体チップは、チップ取付台に接着されて使用されている。通常は、構造体チップと取付台とは、線膨張係数の異なる材質から形成されている。そのため、デバイスの温度が上昇すると、構造体チップと取付台との熱膨張に差が生じて、構造体チップに引張り又は圧縮応力が生じて、チップが歪む、即ち熱歪を生じることがある。構造体チップの小型化により、構造体チップの微小な熱歪であっても誤作動する等の重大な問題を生じる可能性が高い。
【０００４】
特許文献１には、チップの熱歪の問題を解決する方法が開示されている。即ち、ガラス台座とシリコンダイヤフラムとから成るセンサチップを、ハーメチックガラスの上に固定した半導体圧力検出装置において、センサチップ又はハーメチックガラスのいずれかに、センサチップの接着側面積よりも小さい面積の円形凸部を形成し、この凸部の上面を接着面にする。センサチップとハーメチックガラスとは、凸部を形成しない場合に比べて、接着面積が小さくなるので、接着面から直接的に受ける熱歪が減少する。また、凸部の上面と固定された領域以外のチップ部分は、ハーメチックガラスと接触しないので、熱歪を受けない。
【特許文献１】特開２００１−２０８６２７号公報
【０００５】
特許文献２には、シリコン板の可動電極層をガラスから成る固定電極層で挟み込んで構成されたセンサチップと、センサチップを固定するアルミナ基板と、を含む容量式加速度センサが開示されている。本文献のセンサにも、熱歪を抑制するために、センサチップ又は基板のいずれかに、センサチップの接着側面積よりも小さい面積の凸部を形成することが記載されている。また、凸部の代わりに、センサチップの接着側面積よりも小さい面積のスペーサを、センサチップと基板との間に介在させる形態も記載されている。センサチップは、凸部又はスペーサを介して接着されるので、接着面積が小さくなり、センサチップに負荷される熱歪みが減少できる。
本文献に係る発明の別の形態としては、センサチップと基板との間の接着層に天然ゴム系接着剤等を用いることが記載されており、接着層が内部応力を緩和してセンサチップの熱歪を抑制できるようにされている。
【特許文献２】特開平０６−２８９０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年の半導体マイクロデバイスは、取扱いの簡便さから、樹脂封止したＩＣチップの形態で提供することが望まれている。ＩＣチップ型のマイクロデバイスは、シリコン製センサチップを、金属製リードフレームのダイパッド上に固定し、樹脂封止材によりモールドして製造される。このような半導体マイクロデバイスは、構造体チップ全体がダイパッド又は樹脂封止材に接触しているので、従来の樹脂未封止のマイクロデバイスに比べて、構造体チップに負荷される熱歪の状態や分布がより複雑になり、従来の方法では十分な熱歪の除去が行えない。
【０００７】
さらに、通常の樹脂封止型マイクロデバイスでは、リードフレームが銅薄膜から形成され、半導体チップがシリコンから形成されており、リードフレームの線膨張係数と半導体チップセンサの線膨張係数との差が約５倍にも達する。これは、特許文献１及び２で使用したチップ取付台とセンサチップとの線膨張係数の差を大きく上回っており、センサチップに生じる熱歪がさらに大きくなることを意味する。そのため、従来例に倣って熱歪を実質的に除去できる凸部を形成すると、凸部の上面の接着面積が非常に小さくなり、センサチップのダイボンドが確実に行えず、製造途中にチップがぐらつき、不良品になる恐れがあった。
【０００８】
そこで、本発明は、センサチップの熱歪の影響が少なく、高性能で高信頼性の樹脂封止型の半導体マイクロデバイスを提供する。
また、本発明は、製造過程におけるダイボンドが確実に行える形態のリードフレームを備えた半導体マイクロデバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、矩形のシリコンマイクロ構造体チップと、半導体チップを固定するダイパッドを備えたリードフレームと、少なくとも半導体チップとリードフレームの一部とを封止する樹脂封止材と、を含む半導体マイクロデバイスである。リードフレームのダイパッドには、半導体チップと対面して構造体チップをダイボンドするダイボンド領域があり、ダイボンド領域は、チップ支持部と隙間部とから構成される。
ここで、チップ支持部とは、ダイボンドを介してチップを固定する部分であり、樹脂封止されるまでの間、このチップ支持部によってチップは支持されている。
また、隙間部とは、チップ支持部に対して相対的に低い段差部分であり、チップをダイボンドした時に、チップと接触しない部分である。この隙間部とチップとの間の空間は、樹脂封止処理により樹脂で充填される。
【００１０】
本発明において、ダイパッドのチップ支持部が、矩形の構造体チップの対角線方向に形成されていると、チップの熱歪が大きくなる傾向にあることを見いだした。そこで、本発明で使用するリードフレームのダイパッドは、構造体チップの対角線上に対応する領域に形成するチップ支持部を減らすように設計される。すなわち、本発明に使用するダイパッドは、構造体チップの対角線上に対応する領域の一部又は全部に、隙間部を形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、チップの対角線上チップ支持部の面積を減らすことにより、チップに負荷される熱歪を減少させて、信頼性の高い半導体マイクロデバイスを得ることができる。
隙間部は、樹脂封止処理により充填されるので、最終製品の半導体マイクロデバイス内における構造体チップは、チップ支持部のみでなく樹脂封止材によっても支持される。そのため、隙間部に空隙が残った状態の製品に比べると、構造体チップの耐衝撃性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の半導体マイクロデバイスは、可動部を有する矩形のシリコンマイクロ構造体チップと、上記構造体チップを固定するダイパッドを備えたリードフレームと、構造体チップ及びリードフレームの一部を封止する樹脂封止材と、を含んでおり、ダイパッドは、構造体チップと接触しない隙間部と、構造体チップと接触して該チップを支持するチップ支持部と、を有している。この半導体マイクロデバイスでは、隙間部が、少なくとも構造体チップの対角線上に対応する位置に形成されている。隙間部と上記構造体チップとの間には、樹脂封止材が充填されている。
【００１３】
銅箔板等から成るリードフレームは、プレス加工やエッチング加工により成形される。リードフレームは、ダイパッドとインナーリードとアウターリードとを備えている。構造体チップ等の半導体チップは、ダイパッドにダイボンドされ、インナーリードに、半導体チップとワイヤボンディング等により導通される。アウターリードは、半導体マイクロデバイスを取り付けるソケット及び電極の規格に適合して、プレス加工および折り曲げ加工される。
樹脂封止材は、絶縁性、高周波特性、強度、接着強度、耐湿性、成形性に優れ、特に高温下でのそれらの特性に優れた樹脂が選択され、例えばエポキシ樹脂が利用できる。
【００１４】
エッチング領域及び／又は切抜き領域は、チップの四隅部分に対応する位置に形成すると、構造体チップの対角線上に生じる熱歪をより低減させることができるので好ましい。
エッチング領域及び／又は切抜き領域が、チップの中央部と対応する位置に形成すると、構造体チップが、チップの自重等による垂直方向の応力を支持して、構造体チップ中央部が下垂して湾曲するのを抑制できる。
【００１５】
構造体チップは、通常はワイヤボンディング用のボンディングパッドを備えており、他の半導体チップやインナーリードにワイヤボンディングされている。本発明では、ダイパッドのチップ支持部が、構造体チップのボンディングパッドに対応する位置に形成されているのが好ましく、ワイヤボンディング時に構造体チップが受ける応力を支えて、構造体チップの湾曲を防止できる。
【００１６】
チップ支持部は、ダイボンド後の構造体チップの安定性に適切に寄与するように設計される必要がある。チップ支持部の好ましい形成位置は、チップの四隅部、チップ辺部、チップ中央部など、チップのバランスが取りやすい位置であるのが好ましく、チップ支持面積を小さくして熱歪の影響を低減できる利点を有するがある。
【００１７】
また、チップ支持部は、構造体チップのワイヤボンディング用ボンディングパットの裏面部分を固定できるように設計されると、ワイヤボンディング中のチップの動揺を低減し、ボンディングミスやワイヤ切断による不良品発生を抑制する効果が期待できるので好ましい。
【００１８】
チップ支持部は、細長い梁状、円形、楕円形、三角形、四角形、点状等の任意の形状に形成することができ、また、それらの形状を組み合わせた混合形状に形成することもできる。
【００１９】
隙間部は、凹み部や切除部の形態をとることができる。凹み部は、ダイボンドの所定部分に形成した凹部であり、ドライエッチング、ウェットエッチングのエッチング技術や、金型によるプレスなどの従来知られている技術により形成される。構造体チップをダイパッドにダイボンドする時には、凹み部と構造体チップとは離間した状態になる。その後、樹脂封止材によりモールド加工すると、凹み部に樹脂封止材が充填されて、凹み部とチップとは、樹脂封止材を介して接合される。
凹み部の底部が熱膨張により伸長した場合には、樹脂封止材を介して構造体チップに熱歪が伝播する。しかしながら、金属に比べて軟質な樹脂封止材は、熱歪を緩和する効果があるので、凹み部を形成したマイクロデバイスでは、凹み部を設けないものに比べると、明らかに熱歪が低減できる。凹み部は、リードフレームの強度が殆ど低下しない利点がある。
【００２０】
切除部は、パンチングやエッチング等によってダイパッドに設けた貫通開口である。切除部は、熱歪の原因となる金属部分が除去されているので、構造体チップの熱歪を抑制するのに非常に効果的である。しかしながら、通常利用されるリードフレームは非常に薄い金属板であるため、切除部を形成するとダイパッドの強度が低下しやすい。モールド加工した後は、切抜き部が樹脂封止材で充填されるので、製品の段階では切抜き部が悪影響を及ぼすことはないが、モールド加工前は、リードフレームが変形するおそれがある。そこで、ダイパッドの強度低下を少なくする工夫、例えば、補強部を設けたり、又は、ダイパッドをモールド加工まで補強する工夫、例えば、副板を副えるなどにより、ダイパッドの強度問題を解決することができる。また、ある程度の厚さがあり強度の強いリードフレームであれば、切除部が形成されてもある程度の強度を保持できるので、切除部が好適に利用できる。
（実施形態１）
樹脂封止型半導体マイクロデバイス１の概略図を、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す。可動部を有するセンサチップ２と半導体チップ（ＡＳＩＣ）７とが、リードフレームのダイパッド３１上にダイボンドされている。センサチップ２と半導体チップ７とは、それぞれの表面に設けられたダイパッド２１、７１を介してワイヤ３３により電気的に接続されている。さらに、半導体チップ７は、ワイヤ３３により、リードフレームのインナーリードに電気的に接続されている。センサチップ２、半導体チップ７、ダイパッド３１、及びインナーリード３２は、樹脂封止材９によりモールドされて、外部から密閉されている。
【００２１】
図２（Ａ）は、本発明にかかる半導体マイクロデバイスの１実施形態であり、半導体チップ７及びインナーフレーム３２を省略して、センサチップ２及びダイパッド３１について図示している。
【００２２】
ダイパッド３１の表面には、センサチップ２を支持するチップ支持部４と、厚さの半分ほどエッチングして形成した凹み部５と、が形成されている。
チップ支持部４は、センサチップ２の中心に位置する円形の中央支持部４１と、中央支持部４１から四方向に伸びる４つの梁状支持部４２から成る。中央支持部４１は、この例では円形にされているが、四角形等の多角形、楕円形など任意の形状にすることができる。梁状支持部４２は、この例ではセンサチップ２の辺部に略直交する四方向に伸びているが、これに限定されず、センサチップ２の対角線方向に形成しなければ、任意の方向に伸びて形成することができる。変形例としては、中央支持部４１から三方向に伸びる３本の梁状支持部４２を形成することもできる。
【００２３】
図２（Ａ）では、略矩形の凹み部５が、縦２×横２に配置され、凹み部５と凹み部５との間に梁状支持部４２が配置されている。４つの凹み部５が形成された領域のほぼ中心に中央支持部４１が位置しているので、各凹み部５の１つの隅部は、扇形に切り欠いた形状になる。
【００２４】
４つの凹み部５が形成された領域の最大寸法は、構造体チップ２の寸法よりもひと回り大きくするのが好ましい。このよう形成することにより、構造体チップ２外縁とダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。図２（Ａ）に示すようにダイパッド上方から観察すると、構造体チップの周囲を取り囲むように凹み部の一部が見えており、モールド加工時には、この部分から樹脂封止材が侵入して、凹み部と構造体チップ２との間を充填する。
凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００２５】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１の中央支持部４１にダイボンドされている。また、凹み部５には、樹脂封止材９が充填されている。
【００２６】
図２（Ｂ）において、凹み部５の深さが深いほど、凹み部５の底部５１とセンサチップ２との間に介在する樹脂封止材９の厚さが厚くなる。そして、樹脂封止材９の厚さが厚いほど、凹み部５の底部５１からセンサチップ２に伝搬する熱歪が緩和される。よって、凹み部５の深さが深いほどチップに負荷される熱歪を軽減する効果が高くできる。しかしながら、凹み部５の深さを深くすると、エッチングに要する時間とコストが高くなるので、チップに負荷される熱歪の許容範囲になるように、深さを設定するのが好ましい。
【００２７】
本発明の半導体マイクロデバイスの製造工程は、ワイヤフレームのダイパッド３１に所定の凹み部５とチップ支持部４を形成することと、ダイパッド３１のチップ支持部４の一部又は全部に構造体チップ（センサチップ）２をダイボンドすることと、構造体チップ２とダイパッド３１とインナーリード３２の一部とを樹脂封止材９によりモールド加工することと、を含んでいる。
センサチップ２をダイボンドする工程において、例えば、センサチップ２を中央支持部４１のみにダイボンドすることができ、４つの梁状支持部４２は、センサチップ２を水平に保持するのに有効である。
モールド加工する工程では、樹脂封止材９は、凹み部５とセンサチップ２との隙間に充填される。また、モールド加工後には、梁状支持部４２とセンサチップ２との間も固定される。
【００２８】
図３（Ａ）には、本実施形態の変形例として、ダイパッド３１に、凹み部５の代わりに切除部６を形成したマイクロデバイス１を示す。ここでは、チップ支持部４を図２と同形状にしている。ダイパッド３１表面のチップ支持部４の周囲及び近接領域には、略矩形の切除部６が４箇所に形成されている。切除部６は、パンチング、カッティング、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００２９】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１の中央支持部４１にダイボンドされている。また、切除部６には、樹脂封止材９が充填されている。
【００３０】
図３（Ｂ）から判るように、切除部６は、センサチップ２に熱歪を与えることはなく、図２の形態に比べてセンサチップ２の性能がより安定する。しかしながら、切除部６により、チップ支持部４が完全に透かし彫りになり強度が弱くなっているので、センサチップ２のダイボンド工程などのチップ支持部４に負荷がかかる工程では、取り扱いに注意を要する。
【００３１】
（実施形態２）
図４（Ａ）は、本発明にかかる半導体マイクロデバイスの１実施形態であり、半導体チップ７及びインナーフレーム３２を省略して、センサチップ２及びダイパッド３１について図示している。この実施形態で使用するセンサチップ２は、図１のように他の半導体チップ７とワイヤボンディングによって通電する形態である。矩形のセンサチップ２の１辺に沿って、センサチップ２上面にワイヤボンディング用のボンディングパッド２１が４つ形成されている。
【００３２】
ダイパッド３１の表面には、センサチップ２を支持するチップ支持部４と、厚さの半分ほどエッチングして形成した凹み部５と、が形成されている。チップ支持部４は、２つの部分から構成されている。１つは、ボンディングパッド２１が形成されたセンサチップ２の１辺（図４（Ａ）ではチップ右辺）の縁辺部を支持するパット下支持部４３である。もう１つは、ボンディングパッド２１が形成されていない辺のうち、上記のセンサチップの１辺と対向するセンサチップ２の対向辺（図４（Ａ）ではチップ左辺）の縁辺部を支持する対向辺支持部４４である。
パット下支持部４３は、センサチップ２のボンディングパッド２１にワイヤボンディングを行うときに、センサチップ２にかかる応力を支持してチップが傾くのを抑制するのに効果的である。
対向辺支持部４４は、パット下支持部４３と協働して、センサチップ２のダイボンドからモールド加工までの間、センサチップ２を安定して保持するように機能する。
【００３３】
図４（Ａ）では、略矩形の凹み部５が形成されている。凹み部５の横寸法、即ちパット下支持部４３と対向辺支持部４４との距離は、センサチップの横寸法よりも短くされている。これにより、センサチップ２の左右縁辺部を、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドできる。凹み部５の縦寸法は、センサチップ２の縦寸法よりも大きくされているのが好ましい。このよう形成することにより、構造体チップ２の上辺及び下辺と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。図４（Ａ）に示すようにダイパッド上方から観察すると、構造体チップの上下辺の外方に凹み部の一部が見えており、モールド加工時には、この部分から樹脂封止材が侵入して、凹み部と構造体チップ２との間を充填する。
凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００３４】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドされている。また、凹み部５には、樹脂封止材９が充填されている。
【００３５】
図４（Ｂ）において、凹み部５の深さが深いほど、凹み部５の底部５１とセンサチップ２との間に介在する樹脂封止材９の厚さが厚くなり、樹脂封止材９の厚さが厚いほど、凹み部５の底部５１からセンサチップ２に伝搬する熱歪が緩和される。よって、凹み部５の深さが深いほどチップに負荷される熱歪を軽減する効果が高くできる。しかしながら、凹み部５の深さを深くすると、エッチングに要する時間とコストが高くなるので、チップに負荷される熱歪の許容範囲になるように、深さを設定するのが好ましい。
【００３６】
本発明の半導体マイクロデバイスの製造工程は、ワイヤフレームのダイパッド３１に所定の凹み部５とチップ支持部４を形成することと、ダイパッド３１のチップ支持部４の一部又は全部に構造体チップ（センサチップ）２をダイボンドすることと、センサチップ２を他の半導体チップ７等とワイヤボンディングする工程と、構造体チップ２とダイパッド３１とインナーリード３２とを樹脂封止材９によりモールド加工することと、を含んでいる。
センサチップ２をダイボンドする工程において、通常は、パット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドしており、モールド加工する工程まで、センサチップ２を安定して支持することができる。
モールド加工する工程では、樹脂封止材９は、凹み部５とセンサチップ２との隙間に充填される。
【００３７】
図５（Ａ）には、本実施形態の変形例として、ダイパッド３１に、凹み部５の代わりに切除部６を形成したマイクロデバイス１を示す。ここでは、チップ支持部４を図４と同形状にしている。ダイパッド３１表面には、略矩形の切除部６が形成されている。切除部６は、パンチング、カッティング、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００３８】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドされている。また、切除部６には、樹脂封止材９が充填されている。
【００３９】
図５（Ｂ）から判るように、切除部６は、センサチップ２に熱歪を与えることはなく、図４の形態に比べてセンサチップ２の性能がより安定する。しかしながら、切除部６によりダイパッド３１の強度が弱くなっているので、センサチップ２のダイボンド工程などダイパッド３１に負荷がかかる工程では、取り扱いに注意を要する。
【００４０】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）には、本実施形態のマイクロデバイス１の別の変形例が図示されている。この変形例では、隙間部が、凹み部５と切除部６とを組み合わせて構成される。隙間部は、縦方向の上下部分が切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５が形成されている。チップ支持部４は、図４及び図５と同形状である。この形態の特徴は、図４に比べると、切除部６により熱歪低減効果が高く、図５に比べると、凹み部５によりリードフレーム強度が高く保てることである。
隙間部における切除部６と凹み部５との配置は、図６に示すものに限定されず、例えば、横方向の左右部分に切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５を形成する形態や、切除部６と凹み部５との個数を増やしてストライプ状に配置する形態にすることもできる。また、凹み部５を縦方向と横方向とに形成した格子状とし、凹み部５で囲まれた領域を切除部６にすることもできる。
（実施形態３）
図７（Ａ）は、本発明にかかる半導体マイクロデバイスの１実施形態であり、半導体チップ７及びインナーフレーム３２を省略して、センサチップ２及びダイパッド３１について図示している。この実施形態で使用するセンサチップ２は、図１のように他の半導体チップ７とワイヤボンディングによって通電する形態である。矩形のセンサチップ２の１辺に沿って、センサチップ２上面にワイヤボンディング用のボンディングパッド２１が４つ形成されている。
【００４１】
ダイパッド３１の表面には、センサチップ２を支持するチップ支持部４と、厚さの半分ほどエッチングして形成した凹み部５と、が形成されている。
チップ支持部４は、２つの部分から構成されている。１つは、ボンディングパッド２１が形成されたセンサチップ２の１辺（図７（Ａ）ではチップ右辺）の縁辺部を支持するパット下支持部４３である。もう１つは、ボンディングパッド２１が形成されていない辺のうち、上記のセンサチップの１辺と対向するセンサチップ２の対向辺（図７（Ａ）ではチップ左辺）の縁辺部のほぼ中心部分のみを支持する対向辺支持部４４である。この実施形態は、図４の実施形態と比べると、対向辺支持部４４の形状が異なっている。
【００４２】
パット下支持部４３は、センサチップ２のボンディングパッド２１にワイヤボンディングを行うときに、センサチップ２にかかる応力を支持してチップが傾くのを抑制するのに効果的である。
対向辺支持部４４は、パット下支持部４３と協働して、センサチップ２のダイボンドからモールド加工までの間、センサチップ２を安定して保持するように機能する。本実施形態の対向辺支持部４４は、図４の実施形態に比べると面積が小さくされているので、センサチップ２の安定保持性はいくらか劣るものの、センサチップ２に負荷される熱歪を減少することができる。
【００４３】
図７（Ａ）では、凹み部５は、略矩形の左辺上に、小さい略矩形の突出部（対向辺支持部４４）が突出した形態（いわゆるコの字形）に形成されている。凹み部５の最小横寸法、即ちパット下支持部４３と対向辺支持部４４との距離は、センサチップの横寸法よりも短くされている。これにより、センサチップ２の左右縁辺部を、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドできる。凹み部の最大横寸法は、対向支持部４４を除いた場合の横寸法であり、図７では、チップの横寸法とほぼ同じ程度にされている。しかし、最大横寸法は、これに限定されず、センサチップ２をダイボンドしたときに、対向辺支持部４４が形成された凹み部５と、センサチップ２との間が離間するように設定すれば、寸法を変更することができる。横寸法をこのよう設定することにより、構造体チップ２の左辺の一部と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。
【００４４】
凹み部５の縦寸法は、センサチップ２の縦寸法よりも大きくされているのが好ましい。このよう形成することにより、構造体チップ２の上辺及び下辺と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。
図７（Ａ）に示すようにダイパッド上方から観察すると、構造体チップの上下辺の外方及び左辺の外方の一部（対向支持部４４の上下部）に凹み部の一部が見えており、モールド加工時には、この部分から樹脂封止材が侵入して、凹み部と構造体チップ２との間を充填する。
凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００４５】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドされている。また、凹み部５には、樹脂封止材９が充填されている。
【００４６】
図７（Ｂ）において、凹み部５の深さが深いほど、凹み部５の底部５１とセンサチップ２との間に介在する樹脂封止材９の厚さが厚くなり、樹脂封止材９の厚さが厚いほど、凹み部５の底部５１からセンサチップ２に伝搬する熱歪が緩和される。よって、凹み部５の深さが深いほどチップに負荷される熱歪を軽減する効果が高くできる。しかしながら、凹み部５の深さを深くすると、エッチングに要する時間とコストが高くなるので、チップに負荷される熱歪の許容範囲になるように、深さを設定するのが好ましい。
【００４７】
本発明の半導体マイクロデバイスの製造工程は、ワイヤフレームのダイパッド３１に所定の凹み部５とチップ支持部４を形成することと、ダイパッド３１のチップ支持部４の一部又は全部に構造体チップ（センサチップ）２をダイボンドすることと、センサチップ２を他の半導体チップ７等とワイヤボンディングする工程と、構造体チップ２とダイパッド３１とインナーリード３２とを樹脂封止材９によりモールド加工することと、を含んでいる。
センサチップ２をダイボンドする工程において、通常は、パット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドしており、モールド加工する工程まで、センサチップ２を安定して支持することができる。
モールド加工する工程では、樹脂封止材９は、凹み部５とセンサチップ２との隙間に充填される。
【００４８】
図８（Ａ）には、本実施形態の変形例として、ダイパッド３１に、凹み部５の代わりに切除部６を形成したマイクロデバイス１を示す。ここでは、チップ支持部４を図７と同形状にしている。ダイパッド３１表面には、コの字形の切除部６が形成されている。切除部６は、パンチング、カッティング、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００４９】
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドされている。また、切除部６には、樹脂封止材９が充填されている。
【００５０】
図８（Ｂ）から判るように、切除部６は、センサチップ２に熱歪を与えることはなく、図７の形態に比べてセンサチップ２の性能がより安定する。しかしながら、切除部６により、チップ支持部４が完全に透かし彫りになり強度が弱くなっているので、センサチップ２のダイボンド工程などのチップ支持部４に負荷がかかる工程では、取り扱いに注意を要する。
【００５１】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）には、本実施形態のマイクロデバイス１の別の変形例が図示されている。この変形例では、コの字形の隙間部が、凹み部５と切除部６とを組み合わせて構成される。隙間部は、縦方向の上下部分が切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５が形成されている。チップ支持部４は、図４及び図５と同形状である。この形態の特徴は、図４に比べると、切除部６により熱歪低減効果が高く、図５に比べると、凹み部５によりリードフレーム強度が高く保てることである。特に、凹み部が、対向支持部４４と接続された形態が好ましく、強度が比較的低くなりやすい対向支持部４４を補強する効果が期待できる。
【００５２】
隙間部における切除部６と凹み部５との配置は、図６に示すものに限定されず、例えば、横方向の左右部分に切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５を形成する形態や、切除部６と凹み部５との個数を増やしてストライプ状に配置する形態にすることもできる。また、凹み部５を縦方向と横方向とに形成した格子状とし、凹み部５で囲まれた領域を切除部６にすることもできる。
（実施形態４）
図１０（Ａ）は、本発明にかかる半導体マイクロデバイスの１実施形態であり、半導体チップ７及びインナーフレーム３２を省略して、センサチップ２及びダイパッド３１について図示している。この実施形態で使用するセンサチップ２は、図１のように他の半導体チップ７とワイヤボンディングによって通電する形態である。矩形のセンサチップ２の１辺に沿って、センサチップ２上面にワイヤボンディング用のボンディングパッド２１が４つ形成されている。
【００５３】
ダイパッド３１の表面には、センサチップ２を支持するチップ支持部４と、厚さの半分ほどエッチングして形成した凹み部５と、が形成されている。チップ支持部４は、３つの部分から構成されている。１つは、ボンディングパッド２１が形成されたセンサチップ２の１辺（図１０（Ａ）ではチップ右辺）の縁辺部を支持するパット下支持部４３である。２つ目は、ボンディングパッド２１が形成されていない辺のうち、上記のセンサチップの１辺と対向するセンサチップ２の対向辺（図１０（Ａ）ではチップ左辺）の縁辺部を支持する対向辺支持部４４である。３つ目は、センサチップ２の中心に位置する円形の中央支持部４１である。
【００５４】
パット下支持部４３は、センサチップ２のボンディングパッド２１にワイヤボンディングを行うときに、センサチップ２にかかる応力を支持してチップが傾くのを抑制するのに効果的である。
対向辺支持部４４と中央支持部４１とは、パット下支持部４３と協働して、センサチップ２のダイボンドからモールド加工までの間、センサチップ２を安定して保持するように機能する。
また、中央支持部４１は、センサチップ２が湾曲するのを防止するのに効果的であり、センサチップ２の寸法が比較的大きい場合や、センサチップ２の厚さが小さくて容易に湾曲しやすい場合などに、好ましく形成される。中央支持部４１は、この例では円形にされているが、四角形等の多角形、楕円形など任意の形状にすることができる。
【００５５】
ダイパッド３１表面のパット下支持部４３と対向辺支持部４４との間には、中央支持部４を除いた領域に、凹み部５が形成されている。凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００５６】
図１０（Ａ）では、外形を略矩形にした凹み部５と、凹み部５の略中央に形成した中心支持部４１とが形成されている。凹み部５の横寸法、即ちパット下支持部４３と対向辺支持部４４との距離は、センサチップの横寸法よりも短くされている。これにより、センサチップ２の左右縁辺部を、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドできる。凹み部５の縦寸法は、センサチップ２の縦寸法よりも大きくされているのが好ましい。このよう形成することにより、構造体チップ２の上辺及び下辺と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。図４（Ａ）に示すようにダイパッド上方から観察すると、構造体チップの上下辺の外方に凹み部の一部が見えており、モールド加工時には、この部分から樹脂封止材が侵入して、凹み部と構造体チップ２との間を充填する。
凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００５７】
中央支持部４１は、この例では凹み部５の中央に１個形成されているが、これに限定さされず、例えば面積の小さい中央支持部４１を複数個離間して形成することもできる。これらの中央支持部４１は、センサチップ２のバランスを取りやすいように配置するのが好ましい。
【００５８】
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドされている。また、凹み部５には、樹脂封止材９が充填されている。
【００５９】
図１０（Ｂ）において、凹み部５の深さが深いほど、凹み部５の底部５１とセンサチップ２との間に介在する樹脂封止材９の厚さが厚くなり、樹脂封止材９の厚さが厚いほど、凹み部５の底部５１からセンサチップ２に伝搬する熱歪が緩和される。よって、凹み部５の深さが深いほどチップに負荷される熱歪を軽減する効果が高くできる。しかしながら、凹み部５の深さを深くすると、エッチングに要する時間とコストが高くなるので、チップに負荷される熱歪の許容範囲になるように、深さを設定するのが好ましい。
【００６０】
本発明の半導体マイクロデバイスの製造工程は、ワイヤフレームのダイパッド３１に所定の凹み部５とチップ支持部４を形成することと、ダイパッド３１のチップ支持部４の一部又は全部に構造体チップ（センサチップ）２をダイボンドすることと、センサチップ２を他の半導体チップ７等とワイヤボンディングする工程と、構造体チップ２とダイパッド３１とインナーリード３２とを樹脂封止材９によりモールド加工することと、を含んでいる。
【００６１】
センサチップ２をダイボンドする工程において、センサチップ２は、３つの支持部４のうち、少なくとも２つにダイパッドされるが、特に、パッド下支持部４３がダイパッドされているのが好ましい。これは、ワイヤボンディング工程において、センサチップ２をより安定化させることができるからである。
ダイボンドする支持部の組み合わせの例としては、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドする方法、パッド支持部４３と中央支持部４１とにダイボンドする方法、又は、パッド支持部４３と対向辺支持部４４と中央支持部４１とにダイボンドする方法のいずれを選択することもできる。どの方法であっても、センサチップ２を、モールド加工する工程まで安定して支持することができる。
モールド加工する工程では、樹脂封止材９は、凹み部５とセンサチップ２との隙間に充填される。
【００６２】
図１１（Ａ）には、本実施形態のマイクロデバイス１の変形例が図示されている。この変形例では、隙間部が、凹み部５と切除部６とを組み合わせて構成されており、凹み部５の一部に中央支持部４１が形成されている。隙間部は、縦方向の上下部分が切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５が形成されている。切除部６は、パンチング、カッティング、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。チップ支持部４は、図１０と同形状である。
【００６３】
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドされている。また、凹み部５及び切除部６には、樹脂封止材９が充填されている。
【００６４】
この形態の特徴は、図４に比べると、切除部６により熱歪低減効果が高く、図５に比べると、凹み部５によりリードフレーム強度が高く保てることである。
隙間部における切除部６と凹み部５との配置は、図６に示すものに限定されず、例えば、横方向の左右部分に切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５を形成する形態や、切除部６と凹み部５との個数を増やしてストライプ状に配置する形態にすることもできる。また、凹み部５を縦方向と横方向とに形成した格子状とし、凹み部５で囲まれた領域を切除部６にすることもできる。
【００６５】
（実施形態５）
図１２（Ａ）は、本発明にかかる半導体マイクロデバイスの１実施形態であり、半導体チップ７及びインナーフレーム３２を省略して、センサチップ２及びダイパッド３１について図示している。この実施形態で使用するセンサチップ２は、図１のように他の半導体チップ７とワイヤボンディングによって通電する形態である。矩形のセンサチップ２の１辺に沿って、センサチップ２上面にワイヤボンディング用のボンディングパッド２１が４つ形成されている。
【００６６】
ダイパッド３１の表面には、センサチップ２を支持するチップ支持部４と、厚さの半分ほどエッチングして形成した凹み部５と、が形成されている。チップ支持部４は、３つの部分から構成されている。１つは、ボンディングパッド２１が形成されたセンサチップ２の１辺（図１２（Ａ）ではチップ右辺）の縁辺部を支持するパット下支持部４３である。２つ目は、ボンディングパッド２１が形成されていない辺のうち、上記のセンサチップの１辺と対向するセンサチップ２の対向辺（図１２（Ａ）ではチップ左辺）の縁辺部のほぼ中心部分のみを支持する対向辺支持部４４である。３つ目は、センサチップ２の中心に位置する円形の中央支持部４１である。
【００６７】
パット下支持部４３は、センサチップ２のボンディングパッド２１にワイヤボンディングを行うときに、センサチップ２にかかる応力を支持してチップが傾くのを抑制するのに効果的である。
対向辺支持部４４と中央支持部４１とは、パット下支持部４３と協働して、センサチップ２のダイボンドからモールド加工までの間、センサチップ２を安定して保持するように機能する。
また、中央支持部４１は、センサチップ２が湾曲するのを防止するのに効果的であり、センサチップ２の寸法が比較的大きい場合や、センサチップ２の厚さが小さくて容易に湾曲しやすい場合などに、好ましく形成される。中央支持部４１は、この例では円形にされているが、四角形等の多角形、楕円形など任意の形状にすることができる。
【００６８】
本実施形態の対向辺支持部４４は、図１０の実施形態に比べると面積が小さくされているので、センサチップ２の安定保持性はいくらか劣るものの、センサチップ２に負荷される熱歪を減少することができる。
【００６９】
図１２（Ａ）では、凹み部５の外形は、略矩形の左辺上に、小さい略矩形の突出部（対向辺支持部４４）が突出した形態（いわゆるコの字形）に形成されており、凹み部５の略中央に形成した中心支持部４１とが形成されている。凹み部５の最小横寸法、即ちパット下支持部４３と対向辺支持部４４との距離は、センサチップの横寸法よりも短くされている。これにより、センサチップ２の左右縁辺部を、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドできる。凹み部の最大横寸法は、対向支持部４４を除いた場合の横寸法であり、図１２では、チップの横寸法とほぼ同じ程度にされている。しかし、最大横寸法は、これに限定されず、センサチップ２をダイボンドしたときに、対向辺支持部４４が形成された凹み部５と、センサチップ２との間が離間するように設定すれば、寸法を変更することができる。横寸法をこのよう設定することにより、構造体チップ２の左辺の一部と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。
【００７０】
凹み部５の縦寸法は、センサチップ２の縦寸法よりも大きくするのが好ましい。このよう形成することにより、構造体チップ２の上辺及び下辺と、ダイパッド３１との離間距離を長くなり、構造体チップ２に負荷される熱歪が減少する。
図１２（Ａ）に示すようにダイパッド上方から観察すると、構造体チップの上下辺の外方及び左辺の外方の一部（対向支持部４４の上下部）に凹み部の一部が見えており、モールド加工時には、この部分から樹脂封止材が侵入して、凹み部と構造体チップ２との間を充填する。
凹み部５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。
【００７１】
中央支持部４１は、この例では凹み部５の中央に１個形成されているが、これに限定さされず、例えば面積の小さい中央支持部４１を複数個離間して形成することもできる。これらの中央支持部４１は、センサチップ２のバランスを取りやすいように配置するのが好ましい。
【００７２】
図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドされている。また、凹み部５には、樹脂封止材９が充填されている。
【００７３】
図１２（Ｂ）において、凹み部５の深さが深いほど、凹み部５の底部５１とセンサチップ２との間に介在する樹脂封止材９の厚さが厚くなり、樹脂封止材９の厚さが厚いほど、凹み部５の底部５１からセンサチップ２に伝搬する熱歪が緩和される。よって、凹み部５の深さが深いほどチップに負荷される熱歪を軽減する効果が高くできる。しかしながら、凹み部５の深さを深くすると、エッチングに要する時間とコストが高くなるので、チップに負荷される熱歪の許容範囲になるように、深さを設定するのが好ましい。
【００７４】
本発明の半導体マイクロデバイスの製造工程は、ワイヤフレームのダイパッド３１に所定の凹み部５とチップ支持部４を形成することと、ダイパッド３１のチップ支持部４の一部又は全部に構造体チップ（センサチップ）２をダイボンドすることと、センサチップ２を他の半導体チップ７等とワイヤボンディングする工程と、構造体チップ２とダイパッド３１とインナーリード３２とを樹脂封止材９によりモールド加工することと、を含んでいる。
【００７５】
センサチップ２をダイボンドする工程において、センサチップ２は、３つの支持部４のうち、少なくとも２つにダイパッドされるが、特に、パッド下支持部４３がダイパッドされているのが好ましい。これは、ワイヤボンディング工程において、センサチップ２をより安定化させることができるからである。
ダイボンドする支持部の組み合わせの例としては、パット下支持部４３と対向辺支持部４４とにダイボンドする方法、パッド支持部４３と中央支持部４１とにダイボンドする方法、又は、パッド支持部４３と対向辺支持部４４と中央支持部４１とにダイボンドする方法のいずれを選択することもできる。どの方法であっても、センサチップ２を、モールド加工する工程まで安定して支持することができる。
モールド加工する工程では、樹脂封止材９は、凹み部５とセンサチップ２との隙間に充填される。
【００７６】
図１３（Ａ）には、本実施形態のマイクロデバイス１の変形例が図示されている。この変形例では、コの字形の隙間部が、凹み部５と切除部６とを組み合わせて構成されており、凹み部５の一部に中央支持部４１が形成されている。隙間部は、縦方向の上下部分が切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５が形成されている。切除部６は、パンチング、カッティング、ドライエッチング、ウェットエッチング等の既知の技術を利用して形成することができる。チップ支持部４は、図１２と同形状である。
【００７７】
図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のマイクロデバイスを樹脂封止した後のＡ−Ａ断面図であり、この断面では、センサチップ２は、ダイパッド３１のパット下支持部４３と対向辺支持部４４にダイボンドされている。また、凹み部５及び切除部６には、樹脂封止材９が充填されている。
【００７８】
この形態の特徴は、図４に比べると、切除部６により熱歪低減効果が高く、図５に比べると、凹み部５によりリードフレーム強度が高く保てることである。特に、凹み部が、対向支持部４４と接続された形態が好ましく、強度が比較的低くなりやすい対向支持部４４を補強する効果が期待できる。
隙間部における切除部６と凹み部５との配置は、図６に示すものに限定されず、例えば、横方向の左右部分に切除部６であり、それらの切除部６の間に凹み部５を形成する形態や、切除部６と凹み部５との個数を増やしてストライプ状に配置する形態にすることもできる。また、凹み部５を縦方向と横方向とに形成した格子状とし、凹み部５で囲まれた領域を切除部６にすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明に係る半導体マイクロデバイスの概略図を示す。
【図２】本発明の実施の形態１に係るマイクロデバイスを示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るマイクロデバイスの変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るマイクロデバイスを示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係るマイクロデバイスの変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係るマイクロデバイスの別の変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係るマイクロデバイスを示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係るマイクロデバイスの変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係るマイクロデバイスの別の変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係るマイクロデバイスを示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係るマイクロデバイスの変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係るマイクロデバイスを示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態５に係るマイクロデバイスの変形例を示す。（Ａ）は、ダイパッド及びセンサチップの上面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１  半導体マイクロデバイス
２  半導体センサチップ
２１  ボンディングパッド
３１  ダイパッド
３２  インナーリード
３３  ワイヤ
４  チップ支持部
４１  中央支持部
４２  梁状支持部
４３  パッド下支持部
４４  対向辺支持部
５  凹み部
５１  凹み部の底部
６  切除部
７  半導体チップ（ＡＳＩＣ）
７１  ボンディングパッド
８  ダイボンド
９  樹脂封止材
【図１】
2005327830.tif 000003
【図２】
2005327830.tif 000004
【図３】
2005327830.tif 000005
【図４】
2005327830.tif 000006
【図５】
2005327830.tif 000007
【図６】
2005327830.tif 000008
【図７】
2005327830.tif 000009
【図８】
2005327830.tif 000010
【図９】
2005327830.tif 000011
【図１０】
2005327830.tif 000012
【図１１】
2005327830.tif 000013
【図１２】
2005327830.tif 000014
【図１３】
2005327830.tif 000015