(57)【要約】【課題】  液晶注入プロセス工程での液晶材料の有効利用率を大幅に向上させ、高価なゲスト−ホスト型液晶材料を封入したＧＨセルからなる液晶調光素子でも、低コストかつ高精度に製造し、液晶（光学）素子を用いた調光装置及び撮像装置の商品価値及び性能の向上を図ること。【解決手段】  電極（動作電極）３２ａ、３２ｂを有する一対の透明基板３１ａ、３１ｂが電極側で対向配置され、これらの基板間の間隙にＧＨ液晶材料３４が封入されてなるＧＨセル５２を具備する調光装置の製造において、空セルの状態で、注入孔５７の近傍にて下基板３１ａ上に適量の液晶材料３４を滴下した後、真空引き下でセルを傾斜させ、液晶材料３４を下基板３１ａ上を流動させて注入孔５７を塞ぎ、更に雰囲気を大気へ開放して一対の基板間の間隙の内部と外部との圧力差を利用して注入孔５７から液晶材料３４を前記間隙内に充填する。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ電極を有する一対の基体が電極側で対向配置され、前記一対の基体間の間隙に液晶材料が封入されてなる液晶素子を具備する調光装置の製造方法において、
前記液晶材料を封入していない状態で、注入孔の近傍に所定量の液晶材料を載せ、更  にこの液晶材料によって前記注入孔を塞ぐ工程と、
前記注入孔から前記液晶材料を前記間隙内に充填する工程と
を有することを特徴とする、調光装置の製造方法。
【請求項２】
前記一対の基体の少なくとも一方に設けた電極引き出し部の側に前記注入孔を形成し、この注入孔の近傍において前記基体上に前記液晶材料を適量滴下し、雰囲気を減圧した状態で前記液晶材料を前記基体上で移動させてこの液晶材料によって前記注入孔を塞ぎ、しかる後に雰囲気の減圧状態を緩和し、前記一対の基体間の内部と外部との圧力差によって前記液晶材料を前記注入孔から前記間隙内に充填する、請求項１に記載した調光装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極引き出し部の側において前記基体の表面に対し紫外線照射処理、プラズマ処理及びレーザー光照射処理のうち少なくとも１種の処理を施し、この表面処理後に前記基体上に前記液晶材料を滴下する、請求項２に記載した調光装置の製造方法。
【請求項４】
前記一対の基体間をその周辺部で接合するための封止材の一部分を欠除させて、前記注入孔を形成する、請求項２に記載した調光装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極引き出し部の側において、前記基体上に滴下された前記液晶材料を前記注入孔へ導くためのガイド手段を形成し、このガイド手段に沿って前記液晶材料を前記注入孔へ移動させる、請求項２に記載した調光装置の製造方法。
【請求項６】
前記液晶材料を前記間隙内に充填した後、前記注入孔を封止材によって塞ぐ、請求項１に記載した調光装置の製造方法。
【請求項７】
前記液晶素子が、ネガ型液晶分子をホスト材料とし、二色性染料分子をゲスト材料とするゲスト−ホスト型液晶素子である、請求項１に記載した調光装置の製造方法。
【請求項８】
それぞれ電極を有する一対の基体が電極側で対向配置され、前記一対の基体間の間隙に液晶材料が封入されてなる液晶素子を具備する調光装置において、
前記一対の基体の一方が他方よりも拡大された部分を有しており、この拡大された側に、前記液晶材料の注入孔が形成され、かつこの注入孔が封孔されていること
を特徴とする調光装置。
【請求項９】
前記一対の基体の少なくとも一方に設けた電極引き出し部の側に前記注入孔が形成されている、請求項８に記載した調光装置。
【請求項１０】
前記電極引き出し部の側において前記基体の表面に対し紫外線照射、プラズマ照射及びレーザー光照射のうち少なくとも１種の処理が施されている、請求項９に記載した調光装置。
【請求項１１】
前記一対の基体間をその周辺部で接合するための封止材の一部分が欠除されて、前記注入孔が形成されている、請求項９に記載した調光装置。
【請求項１２】
前記注入孔が封孔材によって塞がれている、請求項８に記載した調光装置。
【請求項１３】
前記液晶素子が、ネガ型液晶分子をホスト材料とし、二色性染料分子をゲスト材料とするゲスト−ホスト型液晶素子である、請求項８に記載した調光装置。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１項に記載した調光装置が撮像系の光路中に配されている、撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光の光量を調節して出射するための液晶素子を用いた調光装置及びその製造方法、並びにこの調光装置を用いた撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶光学素子（液晶セル）を用いる調光装置には、偏光板が使用される。この液晶セルには、例えばＴＮ（Twisted Nematic）型液晶セルやゲスト−ホスト（ＧＨ（Guest Host））型液晶セルが用いられる。
【０００３】
図１４は、従来のＧＨセルを用いた調光装置の動作原理を示す概略説明図である。この調光装置は、主として偏光板１１とＧＨセル１２Ａとで構成される。ＧＨセル１２Ａでは、図示省略した２枚のガラス基板の間に液晶混合物が封入されており、また図示省略した動作電極や液晶配向膜が設けられている。
【０００４】
液晶混合物は、液晶分子１３Ａと二色性染料分子１４とからなる。ホスト材料である液晶分子１３Ａは、誘電率異方性が正のポジ型（正型）である。また、ゲスト材料である二色性染料分子１４は、光の吸収に異方性を有し、ポジ型（ｐ型）でもネガ型（ｎ型）でもよい。図１４には、二色性染料分子１４が、分子の長軸方向の光を吸収するポジ型（ｐ型）色素分子である例を示す。
【０００５】
入射光５は、偏光板１１を通過する際に選別されて、直線偏光に変化する。また、ＧＨセル１２Ａでは、電圧を印加していない時に、液晶分子１３Ａが直線偏光の振動方向と同じ方位（図１４の上下方向）に配向するよう配向処理がなされている。
【０００６】
図１４（ａ）は、電圧を印加していない時のＧＨセル１２Ａの状態を示す。液晶分子１３Ａの影響を受けて二色性染料分子１４も同じ方位に配向し、直線偏光の振動方向と二色性染料分子１４の分子長軸方向とが一致するので、偏光は二色性染料分子１４に吸収されやすい。従って、図１４（ａ）の電圧無印加の状態では、ＧＨセル１２Ａの光透過率は低い。
【０００７】
一方、図１４（ｂ）は、電圧を印加した時のＧＨセル１２Ａの状態を示す。ＧＨセル１２Ａに電圧を印加すると、液晶分子１３Ａが電界方向に配向し、これに伴って二色性染料分子１４の分子長軸方向は、偏光の振動方向と直交するようになる。このため、偏光は二色性染料分子１４に殆ど吸収されず、透過する。従って、図１４（ｂ）に示す電圧印加の状態では、ＧＨセル１２Ａの光透過率は高い。
【０００８】
なお、二色性染料分子１４として、分子短軸方向の光を吸収するネガ型（ｎ型）色素分子を用いることもできる。この場合には、光透過性はポジ型の色素分子を用いる場合と逆になり、電圧無印加時には光が吸収されにくく、電圧印加時に光が吸収され易い。
【０００９】
図１４に示された調光装置では、電圧印加時と電圧無印加時との吸光度の比、即ち、光学濃度の比が約１０である。これは、偏光板１１を使用せずにＧＨセル１２Ａのみで構成される調光装置に比べ、約２倍の光学濃度比を有する。
【００１０】
ＧＨセル１２Ａに矩形波の駆動パルスを印加したとき、図１４に示した調光装置の可視光の平均光透過率（空気中での値：空の液晶セルと偏光板を光路中に置いた時の透過率を基準（＝１００％）とした。以下、同様。）は、図１５に示すように、駆動パルス電圧の増加に伴って増加するものの、駆動パルス電圧を１０Ｖにまで上昇させたときの最大光透過率は６０％程度にとどまり、しかも光透過率の変化が緩やかである。
【００１１】
この原因は、ポジ型の液晶分子をホスト材料として用いる場合、電圧無印加時において配向膜の界面での液晶分子と配向膜との相互作用が強いため、電圧を印加してもダイレクタの向きが変化しない、或いは、変化し難い液晶分子が比較的多く含まれることにあると考えられる。
【００１２】
そこで、本出願人は、鋭意検討を重ねた結果、ネガ型液晶をホスト材料とする調光装置及びこの調光装置を用いた撮像装置を提案した（後述の特許文献１参照。以下、特許文献１に係わる発明を先願発明と呼ぶことにする。）。
【００１３】
図１６は、先願発明に基づく調光装置の動作原理を示す概略図である。この調光装置は、主として偏光板１１とＧＨセル１２Ｂとで構成される。そして、ＧＨセル１２Ｂ内には、ホスト材料として誘電率異方性が負のネガ型（負型）の液晶分子１３Ｂと、ゲスト材料としてポジ型又はネガ型の二色性染料分子１４とが封入されている。図１３は、二色性染料分子１４がポジ型（ｐ型）の色素分子である場合を示している。
【００１４】
図１４に示した装置と同様に、入射光５は、偏光板１１を通過する際に選別されて、直線偏光に変化する。また、ＧＨセル１２Ｂでは、電圧を印加しない時に、液晶分子１３Ｂが直線偏光の振動方向と直交する方位（図１６の左右方向）に配向するよう配向処理がなされている。
【００１５】
図１６（ａ）は、電圧を印加していない時のＧＨセル１２Ｂの状態を示す。液晶分子１３Ｂは基板に直交するように配列し、それに伴い二色性染料分子１４の分子長軸方向は偏光の振動方向と直交するので、偏光は二色性染料分子１４にほとんど吸収されず、透過する。従って、図１６（ａ）の電圧無印加の状態では、ＧＨセル１２Ｂの光透過率は高い。
【００１６】
一方、図１６（ｂ）は、電圧を印加した時のＧＨセル１２Ｂの状態を示す。ＧＨセル１２Ｂに電圧を印加すると、液晶分子１３Ｂが電界方向に直交するように配向し、これに伴って二色性染料分子１４の分子長軸方向は、光の偏光方向と一致するようになる。このため、偏光は二色性染料分子１４に吸収されやすい。従って、図１６（ｂ）に示す電圧印加の状態では、ＧＨセル１２Ｂの光透過率は低い。
【００１７】
なお、二色性染料分子として、ネガ型（ｎ型）色素分子を用いることもできる。この場合には、光透過性はポジ型の色素分子を用いる場合と逆になる。
【００１８】
図１７は、図１６のＧＨセル１２Ｂに矩形波の駆動パルスを印加したときの光透過率を、駆動パルス電圧に対して図示したグラフである。このとき、誘電率異方性（Δε）が負のネガ型液晶１３Ｂの１例として、ホスト材料にＭｅｒｃｋ社製のＭＬＣ−６６０８を用い、光吸収異方性（ΔＡ）が正のポジ型二色性染料分子１４の１例として、ゲスト材料にＢＤＨ社製のＤ５を用いた。図１７に示すように、可視光の平均光透過率は、パルス電圧の増加に伴って最大光透過率約７８％から約１０％にまで減少し、しかも光透過率の変化が比較的急峻となった。
【００１９】
この原因は、ネガ型の液晶分子をホスト材料として用いる場合、電圧無印加時に配向膜の界面での液晶分子と配向膜との相互作用が非常に弱いため、電圧無印加時に光が透過し易く、また電圧印加と共に液晶分子のダイレクタの向きが変化し易くなることにあると考えられる。
【００２０】
このように、先願発明によれば、ネガ型液晶をホスト材料としてゲスト−ホスト型液晶セルを構成することにより、特に透明時の光透過率が向上してコントラストが改善され、ＧＨセルを撮像光学系中に組み込んで使用できるコンパクトな調光装置が実現可能となる。
【００２１】
この場合、更に液晶光学素子への入射光の光路中に偏光板を配置することにより、電圧無印加時と電圧印加時の吸光度の比（即ち光学濃度の比）が一層向上し、調光装置のコントラスト比が更に大きくなり、明るい場所から暗い場所までにおいて、調光動作をより正常に行なうことができる。
【００２２】
図１８〜図２０は、上記した先願発明によるＧＨセルの構造例を示し、図１８（Ａ）はＧＨセルの平面図、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のＸＶIIIＢ−ＸＶIIIＢ線に沿う一部分の拡大断面図、図１９は図１８（Ａ）のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う拡大断面図、図２０（Ａ）はＧＨセルの下基板の平面図、図２０（Ｂ）は上基板の平面図である。
【００２３】
このＧＨセル１２Ｂは、互いに対向した、厚さ２００〜５００μｍのガラス等からなる下基板（第１の基板）３１ａと、これよりもサイズの小さい厚さ２００〜５００μｍのガラス等からなる上基板（第２の基板）３１ｂとを有している。これらの各基板には、厚さ１５〜１２０ｎｍのＩＴＯ（Indium tin oxide）電極（透明電極）３２ａ、３２ｂと、厚さ３０〜１００ｎｍの液晶配向膜３３ａ、３３ｂとがそれぞれ形成されており、これらの液晶配向膜３３ａ、３３ｂにはラビング法等による液晶配向処理が施されている。下基板３１ａには、上基板３１ｂよりも拡大された部分３１ｃにおいて各透明電極３２ａ及び３２ｂの引き出し部３２ｃ、３２ｄがそれぞれ設けられている。
【００２４】
基板３１ａと３１ｂとは、電極３２ａ及び３２ｂ側で互いに対向させた状態で位置合わせして重ねられ、周辺部がメインシール材（封止材）３５で封止されて形成された空セルに注入孔７からＧＨ液晶材料３４が注入され、注入孔７がエンドシール材（封孔材）４１で封孔される。
【００２５】
例えば、透明電極３２ａと液晶配向膜３３ａを形成した一方の基板（例えば下基板３１ａ用）のセル周辺部に、例えば直径３μｍのガラスファイバーを含有した、熱硬化性エポキシ樹脂からなる封止材（メインシール）３５を所定の幅で塗布する。そして、透明電極３２ｂと液晶配向膜３３ｂを形成した他方の基板（例えば上基板３１ｂ用）上に、例えば３μｍ径のプラスチックボールをスペーサー３６としてウェット散布又はドライ散布により均一に散布し、２枚の基板を位置合わせして重ねてから、熱プレス板により適度な条件で（例えば１５０〜１７０℃、１〜２ｋｇ／ｃｍ2）、圧力を加えながら加熱処理することにより、周辺部のシール材３５が硬化し、両基板の貼り合わせが完了する。そして、この貼り合わせ基板を３１ａ及び３１ｂを組にして個片化することにより、空セルとなる。
【００２６】
そして、上基板３１ｂの有効光路２０外に延設されたＩＴＯ電極３２ｂが、下基板３１ａに設けられた電極引き出し部３２ｄに電気的に接続されている。具体的には、シール材３５の外側で上基板３１ｂのＩＴＯ電極３２ｂと、下基板３１ａの電極引き出し部３２ｄとが、例えばカーボンペーストのような導電材２６によって接続されており、ＧＨセル１２の有効光路２０外で基板間の導通、即ち、透明電極３２ｂの引き出しを行えるように構成されている。
【００２７】
このようなＧＨセル１２Ｂの製造工程における液晶材料（液晶分子＋二色性染料分子）の注入プロセスとしては、通常、図２１又は図２２に示すような真空注入方式が用いられている。
【００２８】
図２１は、ディップ方式と称される方法の原理図である。まず、それぞれ動作電極又は透明電極（ここでは図示省略）や液晶配向膜（ここでは図示省略）を有する互いに対向したガラス基板からなる空セル３８を、液晶注入孔７を下方に向けた状態でディップ装置４４内に配置する。ディップ装置４４には、液晶分子と二色性染料分子の混合物である液晶材料３４が収容された容器４３が設置されている。そして、空セル３８と共にディップ装置４４内を真空脱気した後、バルブ４５を閉め、装置４４内を真空状態に保持し、空セル３８の液晶注入孔７を容器４３の液晶材料３４中に浸漬する。次いで、バルブ４５を開放し、ディップ装置４４内を空気リーク（好ましくは窒素リーク）すると、真空引きした空セル３８内と大気圧に開放されたディップ装置４４内との間に圧力差が生じ、液晶材料３４が液晶注入孔７を介して空セル３８内へと注入される。しかる後に、真空部８が完全になくなり、空セル３８内全体に液晶材料３４が充填されたＧＨセル１２Ｂを得ることができる。
【００２９】
図２２は、タッチ方式と称される方法の原理図である。まず、それぞれ動作電極又は透明電極（ここでは図示省略）や液晶配向膜（ここでは図示省略）を有する互いに対向したガラス基板からなる空セル３８を、液晶注入孔７を下方に向けた状態でタッチ装置４６内に配置する。タッチ装置４６には、液晶分子と二色性染料分子の混合物である液晶材料３４が収容された容器４３が設置されており、さらに容器４３内には小型容器４３’が配されている。そして、空セル３８と共にタッチ装置４６内を真空脱気した後、バルブ４５を閉め、装置４６内を真空状態に保持し、液晶材料３４を有する小型容器４３’を空セル３８の液晶注入孔７の位置まで上昇させる。次いで、バルブ４５を開放し、タッチ装置４６内を空気リーク（好ましくは窒素リーク）すると、真空引きした空セル３８内と大気圧に開放されたタッチ装置４６内との間に圧力差が生じ、液晶材料３４が液晶注入孔７を介して空ゼル３８内へと注入される。しかる後に、真空部８が完全になくなり、空セル３８全体に液晶材料３４が充填されたＧＨセル１２Ｂを得ることができる。
【００３０】
【特許文献１】特開平１１−３２６８９４号公報（第３頁第４欄８〜１８行目、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
上記した液晶注入プロセスはいずれも、真空引きしたセル内部と、セル外部の雰囲気との圧力差を利用して、容器から液晶材料３４を上方に吸い上げ、注入孔７から液晶材料３４をセル内部に充填させるのであるが、これは以下のような問題がある。
【００３２】
液晶セルの構成物として実際に注入される液晶材料の量は、注入プロセス工程に消費される液晶量に比べて少ない。即ち、セル内に注入されないでセルの外側に付着する等により、結果的にセル内に取り込まれない余分な液晶材料が存在するため、液晶材料の有効利用率が低くなり（消費量が多くなり）、また液晶注入後に専用のセル洗浄工程を追加する必要がある等の問題があり、ＧＨセルの製造コストを引き上げている。
【００３３】
とりわけ、撮像装置の調光素子として使用するゲスト−ホスト型液晶材料３４は、目的に応じて様々な色素を微妙に調合して混ぜ合わせる等により、結果的に非常に高価なもの（表示デバイスに使われる通常の液晶材料の数倍の価格）となるため、こうした液晶材料の有効利用率が上記した理由から低くなることは、液晶セルの製造コストを一層上昇させることになる。従って、少しでも材料利用効率が高くて高精度である液晶注入プロセスを確立することが切望されていた。
【００３４】
本発明の目的は、液晶注入プロセス工程での液晶材料の有効利用率を大幅に向上させ、高価なゲスト−ホスト型液晶材料を封入したＧＨセルからなる液晶調光素子でも、低コストかつ高精度に製造し、液晶（光学）素子を用いた調光装置及び撮像装置の商品価値及び性能の向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
即ち、本発明は、それぞれＩＴＯ等の電極（動作電極）を有するガラス基板等の一対の基体（特に透明基板）が電極側で対向配置され、前記一対の基体間の間隙に液晶材料が封入されてなる液晶素子を具備する調光装置の製造方法において、
前記液晶材料を封入していない状態で、注入孔の近傍に所定量の液晶材料を載せ、更  にこの液晶材料によって前記注入孔を塞ぐ工程と、
前記注入孔から前記液晶材料を前記間隙内に充填する工程と
を有することを特徴とする、調光装置の製造方法に係るものである。
【００３６】
また、本発明は、それぞれＩＴＯ等の電極（動作電極）を有するガラス基板等の一対の基体（特に透明電極）が電極側で対向配置され、前記一対の基体間の間隙に液晶材料が封入されてなる液晶素子を具備する調光装置において、
前記一対の基体の一方が他方よりも拡大された部分を有しており、この拡大された側  に、前記液晶材料の注入孔が形成され、かつこの注入孔が封孔されていること
を特徴とする調光装置を提供するものである。
【００３７】
更に、本発明は、本発明の調光装置が撮像系の光路中に配されることにより構成された撮像装置も提供するものである。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、前記液晶素子を構成する前記一対の基体の一方が他方よりも拡大された部分を有しており、この拡大された側に、前記液晶材料の注入孔が形成され、かつこの注入孔が封孔されるように構成し、前記液晶材料を封入していない状態で、前記注入孔の近傍に所定量の液晶材料を載せ、更にこの液晶材料によって前記注入孔を塞ぐと共に、前記注入孔から前記液晶材料を前記間隙内に充填しているので、前記間隙内に前記液晶材料を注入するプロセスにおいて、必要量だけ前記液晶材料を注入孔近傍に滴下等により載せ、前記注入孔から注入することができる。この結果、従来の注入プロセスで不可避であった、注入孔近傍からセルの外側に回り込んでしまう余分な液晶材料がほとんどなくなり、必要最小限の材料使用量での製造が可能となって、液晶材料の有効利用率を例えば約５０％から約７５％へと大幅に向上させることができる。この結果、高価なゲスト−ホスト型液晶材料を用いても、その製造コストを上昇させることがなく、また液晶材料の注入後に専用のセル洗浄工程を追加する必要もない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明において、前記一対の基体の少なくとも一方に設けた電極引き出し部の側に前記注入孔を形成し、この注入孔の近傍において前記基体上に前記液晶材料を適量滴下し、雰囲気を減圧した状態で基体（又は空セル）を傾斜する等により前記液晶材料を前記基体上で移動させてこの液晶材料によって前記注入孔を塞ぎ、しかる後に雰囲気の減圧状態を緩和し、前記一対の基体間の内部と外部との圧力差によって前記液晶材料を前記注入孔から前記間隙内に充填することが望ましい。
【００４０】
この場合、液晶注入前の空セルの状態で、前記電極引き出し部の側において液晶材料を滴下する注入孔近傍の基体表面に対して、紫外線照射（ＵＶオゾン洗浄）処理、プラズマ処理及びレーザー光照射処理のうち少なくとも１種の処理を施せば、基体表面を清浄化して、主な汚染源となる有機化合物の分解及び汚染粒子の物理的除去を行い、後工程において滴下した液晶材料を傾斜等により注入孔に向けてスムーズに滑らせることができる。即ち、こうした表面処理によって親水性を向上させた基体表面上を液晶材料がスムーズに流れるようになるため、セル内部に充填されることなくセル外表面に残渣として残る不要な液晶材料の量が一層低減し、その結果として、液晶注入プロセスにおける液晶材料の有効利用率を約８５％にまで向上させることができる。
【００４１】
そして、前記注入孔は、前記一対の基体間をその周辺部で接合するための封止材の一部分を欠除させることにより形成するのがよい。
【００４２】
また、前記電極引き出し部の側において、前記基体上に滴下された前記液晶材料を前記注入孔へ導くためのガイド手段をシール材等によって分離可能に形成し、このガイド手段に沿って前記液晶材料を前記注入孔へ移動させると、前記注入孔への移動をよりスムーズに行える。
【００４３】
前記液晶材料を前記間隙内に充填した後は、前記注入孔を封孔材によって塞ぐのがよく、この封孔材は前記封止材と一体化させるのがよい。
【００４４】
なお、前記液晶素子が、ネガ型液晶分子をホスト材料とし、二色性染料分子をゲスト材料とするゲスト−ホスト型液晶素子であることが、電圧無印加時の光透過率を向上させ、電圧印加時とのコントラストを良好にする上で望ましい。
【００４５】
また、本発明の撮像装置は、前記調光装置が撮像系の光路中に配されているので、上述した前記調光装置の特徴を効果的に利用できる撮像装置となる。
【００４６】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に詳細に説明する。
【００４７】
図１〜図１１は、本実施の形態によるゲスト−ホスト型液晶（ＧＨ）セルを用いる調光装置とその製造方法を示し、また図１２〜図１３はその調光装置を搭載した撮像装置を示すものである。
【００４８】
図１（Ａ）はＧＨセル５２の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線に沿う一部分の拡大断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＩＣ−ＩＣ線に沿う拡大断面図、図２は図１（Ａ）のII−II線に沿う拡大断面図、図３（Ａ）はＧＨセルの下基板の平面図、図３（Ｂ）は上基板の平面図である。
【００４９】
このＧＨセル５２は、図１８に示した例と同様に、互いに対向した、厚さ２００〜５００μｍのガラス等からなる下基板（第１の基板）３１ａと、これよりもサイズの小さい厚さ２００〜５００μｍのガラス等からなる上基板（第２の基板）３１ｂとを有している。これらの各基板には、厚さ１５〜１２０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin oxide）電極（透明電極３２ａ、３２ｂと、厚さ３０〜１００ｎｍの液晶配向膜３３ａ、３３ｂとがそれぞれ形成されており、これらの液晶配向膜３３ａ、３３ｂにはラビング法等による液晶配向処理が施されている。下基板３１ａには、上基板３１ｂよりも拡大された部分３１ｃにおいて各透明電極３２ａ及び３２ｂの引き出し部３２ｃ、３２ｅがそれぞれ設けられている。
【００５０】
基板３１ａと３１ｂとは、電極３２ａ及び３２ｂ側で互いに対向させた状態で位置合わせして重ねられ、周辺部がメインシール材（封止材）３５で封止されて構成された空セルに、下基板３１ａの電極引き出し部側に形成された注入孔５７からＧＨ液晶材料３４が注入され、注入孔５７がエンドシール材（封孔材）５１で封孔される。
【００５１】
例えば、透明電極３２ａと液晶配向膜３３ａを形成した一方の基板（例えば下基板３１ａ用）のセル周辺部に、例えば直径３μｍのガラスファイバーを含有した熱硬化性エポキシ樹脂からなる封止材（メインシール）５５を所定の幅で塗布する。そして、透明電極３２ｂと液晶配向膜３３ｂを形成した他方の基板（例えば上基板３１ｂ用）上に例えば３μｍ径のプラスチックボールをスペーサー３６としてウェット散布又はドライ散布により均一に散布し、２枚の基板を位置合わせして重ねてから熱プレス板により適度な条件で（例えば１５０〜１７０℃、１〜２ｋｇ／ｃｍ2）、圧力を加えながら加熱処理することにより、周辺部のシール材５５を硬化させ、両基板の貼り合わせを完了させる。そして、この貼り合わせ基板を３１ａ及び３１ｂを組にして個片化することにより、空セルを作製する。
【００５２】
そして、上基板３１ｂの有効光路２０外に延設されたＩＴＯ電極３２ｂが、下基板３１ａに設けられた電極引き出し部３２ｅに電気的に接続されている。具体的には、シール材５５の外側で上基板３１ｂのＩＴＯ電極３２ｂと、下基板３１ａの電極引き出し部３２ｅとが、例えばカーボンペーストのような導電材２６によって接続されており、ＧＨセル５２の有効光路２０外で基板間の導通、即ち透明電極３２ｂの引き出しを行えるように構成されている。
【００５３】
本実施の形態による調光装置５３は、図１１に示すように、ＧＨセル５２と偏光板１１とからなっていて、ＧＨセル５２においては、上記したように、透明電極３２ａ、３２ｂ及び液晶配向膜３３ａ、３３ｂを形成した２枚のガラス基板３１ａと３１ｂとの間に、ネガ型の液晶分子（ホスト材料）とポジ型の２色性染料分子（ゲスト材料）との混合物３４が封入されている（図１６参照）。
【００５４】
液晶分子には、例えば誘電率異方性が負のネガ型液晶であるＭｅｒｃｋ社製のＭＣＬ−６６０８を一例として用い、また二色性染料分子には、光の吸収に異方性を有し、例えば分子長軸方向の光を吸収するポジ型染料であるＢＤＨ社製のＤ５を一例として用いる。偏光板１１の光吸収軸は、ＧＨセル５２に電圧を印加した時の光吸収軸と直交させる。
【００５５】
この調光装置５３は、例えばズームレンズのように複数のレンズで構成されるレンズ前群１５とレンズ後群１６との間に配置される。レンズ前群１５を透過した光は、偏光板１１を介して直線偏光された後、ＧＨセル５２に入射する。ＧＨセル５２を透過した光は、レンズ後群１６で集光され、撮像面１７に映像として映し出される。
【００５６】
そして、この調光装置５３を構成する偏光板１１は、先願発明でも提案したように、ＧＨセル５２に入射する光の有効光路２０に対して出し入れ可能である。具体的には、偏光板１１を仮想線で示す位置に移動させることにより、光の有効光路２０の外へ出すことができる。この偏光板１１を出し入れする手段として、図１２に示すような機械式アイリスが用いられてもよい。
【００５７】
この機械式アイリスは、一般にデジタルスチルカメラやビデオカメラ等に用いられる機械式絞り装置であり、主として２枚のアイリス羽根１８、１９と、アイリス羽根１８に貼付された偏光板１１とからなる。アイリス羽根１８、１９は、上下方向に移動させることができる。矢印２１で示される方向に、図示せぬ駆動モーターを用いてアイリス羽根１８、１９を相対的に移動させる。
【００５８】
これにより、図１２に示すように、アイリス羽根１８、１９は部分的に重ねられ、この重なりが大きくなると、アイリス羽根１８、１９の中央付近に位置する有効光路２０上の開口部２２が、偏光板１１により覆われる。
【００５９】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、有効光路２０付近の機械式アイリスの部分拡大図である。アイリス羽根１８が下方に移動すると同時に、アイリス羽根１９が上方に移動する。これに伴って、図１２（ａ）に示すように、アイリス羽根１８に貼付された偏光板１１も有効光路２０の外へと移動する。逆に、アイリス羽根１８を上方に、またアイリス羽根１９を下方に移動させることにより、互いのアイリス羽根１８、１９が重なる。これに従って、図１２（ｂ）に示すように、偏光板１１は有効光路２０上に移動し、開口部２２を次第に覆う。アイリス羽根１８、１９の互いの重なりが大きくなると、図１２（ｃ）に示すように、偏光板１１は開口部２０を全て覆う。
【００６０】
次に、この機械式アイリスを用いた調光装置５３の調光動作について説明する。
【００６１】
図示せぬ被写体が明るくなるにつれて、図１２（ａ）で示したように、上下方向に開いていたアイリス羽根１８、１９は、図示せぬモーターにより駆動され、重なり始める。これによって、アイリス羽根１８に貼付されている偏光板１１は、有効光路２０上に入り始め、開口部２２の一部を覆う（図１２（ｂ））。
【００６２】
この時、ＧＨセル５２は光を吸収しない状態にある（なお、熱的揺らぎ、又は表面反射等のため、ＧＨセル５２による入射光の減衰は若干ある。）。このため、偏光板１１を通過した光と開口部２２を通過した光は、ほぼ強度分布が同等となる。
【００６３】
その後、偏光板１１は、完全に開口部２２を覆った状態になる（図１２（ｃ））。さらに、被写体の明るさが増す場合は、ＧＨセル５２への印加電圧を増加させ、ＧＨセル５２で光を吸収することにより調光を行なう。
【００６４】
これとは逆に、被写体が暗くなる場合は、まず、ＧＨセル５２に印加する電圧を減少させるか、又は無印加とすることにより、ＧＨセル５２による光の吸収効果を減少させるか、又は無とする。さらに被写体が暗くなった場合は、図示せぬモーターで駆動することにより、アイリス羽根１８を下方へ、またアイリス羽根１９を上方へ移動させる。こうして、偏光板１１を有効光路２０の外へ移動させる（図１２（ａ））。
【００６５】
この方法によれば、図１１及び図１２に示したように、透過率を大きくしたい場合には、偏光板１１（光透過率例えば４０％〜５０％）を光の有効光路２０から外に出すことができるので、偏光板１１による入射光量の減少がない。従って、この調光装置５３を、偏光板が常に光の有効光路２０内に置かれている従来の調光装置と比較すると、最大光透過率は例えば約２倍に向上する。なお、最低光透過率は両者で等しい。
【００６６】
また、デジタルスチルカメラ等に実用化されている機械式アイリスを用いて、偏光板１１の出し入れが行なわれるので、調光装置は容易に実施可能である。また、ＧＨセル５２を用いるので、偏光板１１による調光に加えて、ＧＨセル５２が効果的に光の透過率を制御することにより、調光を行なうことができる。
【００６７】
このようにして、この調光装置５３は、明、暗のコントラスト比を高めると共に、光量分布をほぼ均一に保つことができるものとなる。しかも、図１７に示したと同様に、液晶材料３４として、誘電率異方性（Δε）が負のネガ型液晶と、光吸収異方性（ΔＡ）が正のポジ型二色性染料分子との混合物を用いているので、可視光の平均光透過率は、パルス電圧の増加に伴って最大光透過量約７８％から約１０％にまで減少し、しかも光透過率の変化が比較的急峻となり、特に透明時の光透過率が向上してコントラストが改善され、ＧＨセルを撮像光学系中に組み込んで使用できるコンパクトな調光装置が実現可能となる。
【００６８】
次に、上記した調光装置５３を構成するＧＨセル５２の製造方法を図４〜図１０について説明する。
【００６９】
まず、図４（ａ）に示すように、ＩＴＯ等からなる透明電極３２ａとポリイミド等からなる液晶配向膜（ここでは図示せず）をそれぞれ所定パターンに形成した一方のガラス基板（下基板用）の周辺部に、例えば直径３μｍのガラスファイバーを含有した、熱硬化性エポキシ樹脂からなるメインシール材（封止材）５５を所定の幅で塗布し、また、ＩＴＯ等からなる透明電極３２ｂとポリイミド等からなる液晶配向膜（ここでは図示せず）をそれぞれ所定パターンに形成した他方のガラス基板（上基板用）上に、例えば３μｍ径のプラスチックボールをウェット散布又はドライ散布によって均一に散布する。そして、これらの２枚のガラス基板を位置合わせして重ねてから、熱プレス板により適度な条件で（例えば１５０〜１７０℃、１〜２ｋｇ／ｃｍ2）、圧力を加えながら加熱処理することによって、周辺部のシール材５５を硬化させ、両ガラス基板の貼り合わせを完了させる。そして、この貼り合わせ基板を３１ａ及び３１ｂを組として個片化することによって、空セルを作製する。
【００７０】
この際、下基板３１ａの電極引き出し部３２ｃ、３２ｅを設けた拡大部分３１ｃの側に、メインシール材５５の一部分が欠除されてなる液晶注入孔５７を形成しておく。即ち、従来では図１８〜図２０に示したようにガラス基板を貼り合わせてなる空セルの一辺の中央付近に液晶注入孔７を設けていたのに対し、液晶注入孔５７を電極引き出し部３２ｃ３２ｅの側に設ける。なお、上下の両基板間においてカーボンペーストからなる導電材２６を塗布して、上基板３１ｂの透明電極３２ｂを下基板３１ａの電極引き出し部３２ｅと接続する。
【００７１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、この空セルの状態で、液晶注入孔５７の近傍にあるガラス基板３１ａの表面に対して、紫外線照射（ＵＶオゾン洗浄）処理、プラズマ処理又はレーザー光照射処理を施すことが望ましい。これによって、下基板３１ａの表面において、主な汚染源となる有機化合物を分解させ、或いは／並びに、汚染粒子を物理的に除去して、基板表面を清浄化する。
【００７２】
こうした表面処理のうち、紫外線照射（ＵＶオゾン洗浄）処理としては、例えば図８に示す装置を用いて、エキシマランプ（誘電体バリア放電ランプ）からのエキシマ光を照射（約６０秒）することにより、ＵＶ光（１７２ｎｍ線）とそれによって発生するオゾンとの相乗効果で生じる強力な酸化力によって、基板表面を汚染している有機化合物が分解除去され、基板表面が清浄化される。
【００７３】
また、プラズマ処理としては、例えば図９に示す平行平板型ＲＦプラズマ装置を用いて、Ａｒ＝２５sccm、圧力１Ｐａ、ＲＦ印加電力３００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）の条件で約３０秒処理することにより、Ａｒ＋イオンのスパッタリング作用で、基板表面の汚染物（有機物のみならず無機物も）が物理的に除去されて、基板表面が清浄化される。
【００７４】
また、レーザー光照射処理としては、例えば図１０に示すガスジェットノズルを具備したエキシマレーザー光照射装置にセットして、下記の条件で、基板表面のクリーニング処理を行なう。即ち、基板表面の汚染物がパルスレーザー光照射を受けて基板表面から浮遊し、そこにジェットガスが吹き付けられて、吸引ノズルにより基板表面から脱離除去される。
【００７５】
レーザー源：ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）
エネルギー密度：４００ ｍＪ／ｃｍ2
ショット数；３０ショット（３０Ｈｚ）
スキャン速度：５０ ｍｍ／ｓ
ジェットガス：Ｎ2 ２０ ｌ/ｓ
【００７６】
次いで、図４（ｃ）に示すように、注入孔５７の近傍においてメインシール材５５と連設されるように、液晶注入をガイドするための一対のガイド６０を下基板３１ａの表面に形成する。このガイド６０はシール材料からなっていてよく、使用可能なシール材料としては、封孔のためのエンドシールに用いるアクリル系のＵＶ硬化性樹脂等（例えば、積水ファインケミカル社製フォトレックＡ−７０４の如き高粘度タイプ等）を好ましく用いることができる。
【００７７】
次いで、図５（ｄ）に示すように、精密ディスペンサー（例えば武蔵エンジニアリング社製ＳＭＰ−III型等）を用いて、液晶材料３４を空セルのサイズとセルギャップに適した量（即ち、空セル面積×セルギャップに相当する体積分）だけ、或いはそれよりも僅かに多い量だけ、注入孔５７の近傍において一対のガイド６０間の下基板３１ａの表面に滴下する。
【００７８】
この状態で、次いで、図４（ｅ）に示すように、空セル周囲の雰囲気を真空に引き、所定の真空度に達した時点（おおよそ０．１Torr以下）で、空セルを傾斜（例えば約１０度に）させる等して、先に滴下した液晶材料３４を注入孔５７に向かって下基板３１ａの表面上で滑らせ、注入孔５７へ移動させて、注入孔５７の全体を液晶材料３４で完全に塞ぐ。
【００７９】
この際、下基板３１ａの表面は、上記した表面処理によって親水性が向上しているので、下基板３１ａの表面上を液晶材料３４がガイド６０によって導かれながら注入孔５７の方へスムーズに流動する。
【００８０】
次いで、図４（ｆ）に示すように、セル周囲の真空引きを止めて、窒素ベントによりセル周囲の雰囲気を徐々に大気圧に戻す。これにより、セル内部とセル外部との間で圧力差が生じ、注入孔５４に留まっていた液晶材料３４がセルギャップに浸透し始めて、最終的にセル内部全体に液晶材料３４が充填される。
【００８１】
次いで、図６（ｇ）に示すように、ガイド６０を除去した後、注入孔５７をエンドシール材５１で封孔処理し、更に液晶配向状態の安定化のための熱処理（ネマチック等方相転移温度を若干上回る温度で）を加えることにより、ＧＨセル５２の作製が完了する。
【００８２】
上記した各工程において、液晶注入プロセスを行なう際に、図７に示すように、空セルを例えば数１０個セッティングできるくらいの作業トレイ６１を用いて、図５（ｄ）の滴下工程やその後の各工程毎に一括してバッチ処理を行なうようにすれば、高い作業効率が得られるので好ましい。
【００８３】
本実施の形態によれば、図５（ｄ）に示したように、下基板３１ａの電極引き出し部側に注入孔５７を設け、この近傍の基板表面を望ましくは親水化処理した後にＧＨ液晶材料３４を適量だけ滴下し、これを図５（ｅ）に示したように注入孔４７まで流動させて注入孔５７を塞いだ後、図５（ｆ）に示したようにセルの内部と外部との圧力差を利用して液晶材料３４をセル内部に充填しているので、常に適量の液晶材料３４を無駄なく容易に注入、充填することができる。従って、従来の液晶注入プロセスで作製した場合に不可避的に生じていた、セルの外側に回り込んでセル内部に充填されることなくセル表面に残渣として残ってしまう余分な液晶材料が殆どなくなり、必要最小限の材料使用量での製造が可能となるため、液晶注入時の液晶材料の有効利用率を、従来の約５０％から約７５％、更には８５％（基板表面を親水化処理した場合）まで大幅に向上させることができる。
【００８４】
この結果、高価なゲスト−ホスト型液晶材料を用いても、その製造コストを上昇させることがなく、また液晶材料の注入後に専用のセル洗浄工程を追加する必要もない。
【００８５】
このように、高い材料有効利用率の液晶注入プロセスで作製されたＧＨセル５２に、図１６に示したように矩形波を駆動波形として入力し、動作電圧印加時の光透過率の変化を計測したところ、図１７に示したと同様に、動作電圧の印加に伴って、可視光の平均光透過率（空気中）が最大透過率約８０％から数％にまで減少した。用いる液晶セル構造や構成材料によっても異なるが、ＧＨセル５２は、±５Ｖ（１ｋＨｚ）以上のパルス電圧印加で、ほぼ最小透過率に達した。
【００８６】
また、駆動パルスを変化させた時の光透過率の過渡応答時間も短縮され、２０ｍｓ以下の高速動作が可能であった。これは、駆動波形をパルス電圧変調、パルス幅変調した場合、いずれも実現することができた。
【００８７】
これらの結果、光学濃度比を充分に確保し、高速に過渡応答動作する液晶調光装置を、製造コストを大幅に削減した形で製造することが可能となった。
【００８８】
図１３は、本実施の形態によるＧＨセル５２を具備した調光装置５３をＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラに組み込んだ例を示すものである。
【００８９】
即ち、ＣＣＤカメラ７０において、一点鎖線で示す光軸に沿って、前記レンズ前群１５に相当する１群レンズ７１及び２群レンズ（ズーム用）７２、前記レンズ後群１６に相当する３群レンズ７３及び４群レンズ（フォーカス用）７４、ＣＣＤパッケージ７５が適宜の間隔を置いてこの順に配設されており、ＣＣＤパッケージ７５には赤外カットフィルタ７５ａ、光学ローパスフィルタ系７５ｂ、ＣＣＤ撮像素子７５ｃが収納されている。
【００９０】
２群レンズ７２と３群レンズ７３との間には、３群レンズ７３寄りに、上述したＧＨセル５２と偏光板１１からなる調光装置５３が光量調節（光量絞り）のために同じ光路上に取付けられている。なお、フォーカス用の４群レンズ７４は、リニアモータ７７により光路に沿って３群レンズ７３とＣＣＤパッケージ７５との間を移動可能に配設され、またズーム用の２群レンズ７２は、光路に沿って１群レンズ７１と調光装置５３との間を移動可能に配設されている。
【００９１】
以上に述べた実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形が可能であり、セル構造やそのレイアウト、使用材料、液晶セルの駆動方法、調光装置の形態等は、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜選択又は変更可能である。
【００９２】
例えば、上述の例において液晶注入プロセスにおける注入孔の位置や液晶材料の滴下方法、滴下した液晶材料を注入孔へ流動させる方法などは種々であってよい。液晶材料は滴下によらないで基板上に載せる他の方法を適用してもよい。更には、その流動性向上のための基板表面処理は、上述の各種処理の複数を組み合わせてもよい。或いは、そうした表面処理をあえて行わないで済むこともある。また、上述のガイド６０は除去しないで、そのままエンドシール材として用いることもできる。こうしたガイド６０は設けないでもよいこともある。
【００９３】
また、ＧＨセルにネガ型液晶を用いるのが好ましいが、ポジ型液晶を用いても差し支えなく、また二色性染料もポジ型に限らず、ネガ型でもよい。液晶セルの駆動方法にパルス電圧変調（ＰＨＭ）を用いてよいが、パルス幅変調（ＰＷＭ）で駆動する場合にも適用できる。
【００９４】
また、本発明の調光装置は、前述したＣＣＤカメラ等の撮像装置の光学絞り以外にも、各種光学系、例えばＣＭＯＳイメージセンサー、電子写真複写機や光通信機器等の光量調節用としても広く適用が可能である。
【００９５】
更に、本発明の調光装置は、光学フィルター以外に、キャラクターやイメージを表示する各種の画像表示素子に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施の形態によるＧＨセルの平面図（Ａ）、そのＩＢ−ＩＢ線に沿う拡大断面図（Ｂ）、そのＩＣ−ＩＣ線に沿う拡大断面図（Ｃ）である。
【図２】同、図１（Ａ）のII-II線に沿う拡大断面図である。
【図３】同、ＧＨセルの下基板の平面図（Ａ）、上基板の平面図（Ｂ）である。
【図４】同、ＧＨセルの製造方法を工程順に示す各工程段階の平面図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）である。
【図５】同、ＧＨセルの製造方法を工程順に示す各工程段階の平面図（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）である。
【図６】同、ＧＨセルの製造の最終工程段階の平面図（ｇ）である。
【図７】同、ＧＨセルの液晶注入プロセスをバッチ処理で行なう状態を説明する概略図である。
【図８】同、ＧＨセルの液晶注入プロセスにおいて空セルの表面処理を行なうのに用いる装置の一例を示す概略図である。
【図９】同、ＧＨセルの液晶注入プロセスにおいて空セルの表面処理を行なうのに用いる装置の他の例を示す概略図である。
【図１０】同、ＧＨセルの液晶注入プロセスにおいて空セルの表面処理を行なうのに用いる装置の更に他の例を示す概略図である。
【図１１】同、ＧＨセルからなる調光装置を用いた撮像装置の概略側面図である。
【図１２】同、偏光板を取り付けた機械式アイリスの正面図、及びその有効光路付近での調光動作を示す部分拡大図（ａ）〜（ｃ）である。
【図１３】同、調光装置を組み込んだカメラシステムの概略断面図である。
【図１４】従来のＧＨセルからなる調光装置の動作原理を示す概略図である。
【図１５】同、ＧＨセルにおける光透過率と印加電圧との関係を示すグラフである。
【図１６】先願発明に基づくＧＨセルを用いた調光装置の動作原理を示す概略図である。
【図１７】同、ＧＨセルにおける光透過率と印加電圧との関係を示すグラフである。
【図１８】同、ＧＨセルの平面図（Ａ）及びそのＸＶIIIＢ−ＸＶIIIＢ線に沿う拡大断面図（Ｂ）である。
【図１９】同、図１８のＸIＸ−ＸIＸ線に沿う拡大断面図である。
【図２０】同、ＧＨセルの下基板の平面図（Ａ）、上基板の平面図（Ｂ）である。
【図２１】同、ＧＨセルの液晶注入プロセス（ディップ方式）を説明する概略図である。
【図２２】同、ＧＨセルの液晶注入プロセス（タッチ方式）を説明する概略図である。
【符号の説明】
【００９７】
３１ａ、３１ｂ…ガラス基板等の透明基板、３１ｃ…拡大部分、
１３Ｂ…ネガ型液晶分子、１４…ポジ型二色性染料分子、５…入射光、
３２ａ、３２ｂ…透明電極、３３ａ、３３ｂ…液晶配向膜、３６…スペーサー、
１１…偏光板、１２Ａ…ポジ型液晶分子のＧＨ液晶セル、
１２Ｂ…ネガ型液晶分子のＧＨ液晶セル、１３Ａ…ポジ型液晶分子、１５…レンズ前群、
１６…レンズ後群、１７…撮像面、１８、１９…アイリス羽根、
２０…有効光路（セル中央部）、２６…導電材、３２ｃ、３２ｅ…電極引き出し部、
３４…ＧＨ液晶材料、５１…エンドシール材（封孔材）、５２…ＧＨセル、
５３…調光装置、５５…メインシール材（封止材）、５７…注入孔、６０…ガイド、
７０…ＣＣＤカメラ、７１…１群レンズ、７２…２群レンズ（ズーム用）、
７３…３群レンズ、７４…４群レンズ（フォーカス用）、７５…ＣＣＤパッケージ、
７５ａ…赤外カットフィルタ、７５ｂ…光学ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、
７５ｃ…ＣＣＤ撮像素子、７７…リニアモータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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