(57)【要約】【課題】金属磁性膜のみで磁気コアを構成する高周波対応の磁気ヘッドにおいて、１０μｍ以上の厚い金属磁性膜を非磁性基板上に成膜すると、金属磁性膜中の応力により、基板に大きな反りが発生するとともに金属磁性膜が剥離したり非磁性基板が破壊されたりすることがある。【解決手段】一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の金属磁性膜を成膜する主面に巻線溝を形成するとともに、隣り合う巻線溝の間に巻線溝に並行して、成膜時の応力を緩和するための応力緩和溝を少なくとも１本形成する。次に主面に金属磁性膜を形成する。１対の非磁性基板を非磁性膜からなる磁気ギャップ材を介して前記金属磁性膜面同士を対向させて接合する。【選択図】図１
2005327380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の主面に、少なくとも１つの巻線用の巻線溝を形成する工程、
前記主面に前記巻線溝にほぼ並行する少なくとも１つの応力緩和溝を形成する工程、
前記一対の非磁性基板の、前記巻線溝を含むそれぞれの主面に金属磁性膜を形成する工程、
前記一対の非磁性基板を、磁気ギャップ材を介して前記それぞれの主面が対向するように組み合わせて接合しギャップドプレートを形成する工程、
前記ギャップドプレートを、前記巻線溝及び応力緩和溝以外の場所で前記巻線溝に沿って切断し、ギャップドバーを得る工程、
前記ギャップドバーに、所望のトラック幅を得るためのトラック規制溝を形成する工程、
前記ギャップドバーを、前記巻線溝と応力緩和溝の長手方向に対して所定の傾きを有する面で切断して切り分けヘッドチップを得る工程、及び
前記ヘッドチップの、巻線溝によって形成される巻線窓にコイルを巻回する工程
を有する磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の主面に巻線溝を形成し、それぞれの主面に金属磁性膜を成膜した一対の非磁性基板を、非磁性膜からなる磁気ギャップ材を介して前記金属磁性膜面同士を対向させて接合する磁気ヘッドの製造方法であって、
前記非磁性基板の金属磁性膜を成膜する面に、前記金属磁性膜の成膜前に、成膜時に前記金属磁性膜に生じる応力を緩和するための応力緩和溝を少なくとも１つ形成し、その後に金属磁性膜を成膜する工程、及び前記巻線溝によって形成される巻線窓にコイルを巻回する工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
金属磁性膜を成膜した後、その表面を研磨して金属磁性膜を所定の厚みにする工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
金属磁性膜を成膜した後、応力緩和溝にガラスを充填し、その後表面を研磨して金属磁性膜を所定の厚みとする工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
非磁性基板上に成膜する金属磁性膜の厚さは、少なくとも１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
応力緩和溝の断面形状が略矩形で、溝の深さが溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
応力緩和溝の断面形状が三角形又は台形のいずれか一方であり、非磁性基板表面の延長面と溝の側面との成す角度が６０度以上、９０度未満であることを特徴とする請求項１、２、４、６のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の主面に、少なくとも１つの巻線用の巻線溝を形成する工程、
前記主面に前記巻線溝にほぼ並行する少なくとも１つの応力緩和溝を形成する工程、
前記一対の非磁性基板の、前記巻線溝を含むそれぞれの主面に金属磁性膜を形成する工程、
前記一対の非磁性基板を、磁気ギャップ材を介して前記それぞれの主面が対向するように組み合わせて接合しギャップドプレートを形成する工程、
前記ギャップドプレートを、前記膜線溝及び応力緩和溝以外の場所で前記巻線溝に沿って切断し、ギャップドバーを得る工程、
前記ギャップドバーに、所望のトラック幅を得るためのトラック規制溝を形成する工程、及び
前記ギャップドバーを前記巻線溝と応力緩和溝の長手方向に対して所定の傾きを有する面で切断して切り分ける工程によって得られるヘッドチップ及び
前記ヘッドチップの、巻線溝によって形成される巻線窓に巻回したコイル
を有する磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項１から７のいずれかに記載の製造方法により製造されたヘッドチップの、前記巻線溝によって形成される巻線窓にコイルを巻回したことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記ヘッドチップの、記録媒体に対向する磁気ギャップとは反対の端部で磁気ギャップを形成する金属磁性膜及び非磁性基板に少なくとも１つの応力緩和溝が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記金属磁性膜は、金属磁性層と非磁性層とを交互に積層した多層膜であることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記多層膜の金属磁性層の１層の厚みが０．１μｍから０．５μｍであり、前記非磁性層の厚みが２ｎｍから５０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記金属磁性膜が鉄系磁性膜であることを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記非磁性基板が非磁性単結晶フェライト基板であることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大容量・高転送レートの磁気ストレージ装置に好適で、且つ量産に適した磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年パーソナルコンピュータ等の情報処理装置においては、取り扱う情報量の増大に伴い、これに組み込まれる磁気ストレージ装置にも高密度記録、大記録容量及び高転送レートといった性能が要求されている。そのためそれに用いられる磁気ヘッドにも高密度記録に対応できる小型化、広帯域化が求められている。このような要求に対応するために、磁気ヘッドの高効率化と低インダクタンス化という目的から、磁気コアを金属磁性膜のみで構成する磁気ヘッドの研究開発が行われている。
【０００３】
この種の磁気ヘッドの基本的な構成が特許公報２９５９９０８号及び２９５９９０９号等の先行技術に示されている。この種の磁気ヘッドの一般的な製造方法では、厚さ１ｍｍ程度の非磁性基板からなる１対のハーフコアのそれぞれの主面に金属磁性膜を形成し、前記１対のハーフコアのそれぞれの金属磁性膜を有する面を、非磁性膜を介して対向させて接合し磁気ギャップを有するヘッドチップを形成している。
【０００４】
磁気ヘッドの製造方法の従来例について図９から図１５を参照して説明する。まず、図９の（ａ）の斜視図及び図９の（ｂ）のＩＸｂ−ＩＸｂ断面図に示すように、非磁性基板１５の表面に並行する多数の溝１６を形成する。溝１６は後の工程で巻線窓となるものである。次に、図１０の断面図に示すように、非磁性基板１５の溝１６を含む全面に、所望の膜厚より厚い金属磁性膜１７をスパッタリング法等で成膜する。金属磁性膜１７は金属磁性層と非磁性層の多層膜である。図１１の断面図に示すように、非磁性基板１５の山部１５ａの金属磁性膜１７が所望の厚みとなるよう研磨加工をして、金属磁性膜１８を得る。図１１に示す断面を有する２枚の非磁性基板１５を、図１２に示すように、それぞれの溝１６を対向させ、両者の金属磁性膜１８間に非磁性膜の磁気ギャップ材を挟んで接合する。この状態の部材をギャップドプレート１９という。２つの非磁性基板１５のそれぞれの溝１６によって巻線窓１６ａが形成される。ギャップドプレート１９を図１３に示すように巻線窓１６ａに並行する切断線Ｌ１で切断し、複数のギャップドバー２０を得る。
【０００５】
図１４に示すように、１本のギャップドバー２０において、トラック幅を所定値に設定するための既知のトラック規制溝２１を加工する。トラック規制溝２１は、通常巻線窓１６ａの中心線に対して所定の角度傾いた面に沿って形成されるが、巻線窓１６ａの中心線に垂直な面に沿って形成してもよい。トラック規制溝２１には補強ガラス２２が熱処理等で充填される。最後にギャップドバー２０を切り分けることにより、図１５に示す構造のヘッドチップ２３が得られる。ヘッドチップ２３の巻線窓１６ａを通ってコイルを巻回することにより磁気ヘッドが得られる。
【特許文献１】特許公報２９５９９０８号
【特許文献２】特許公報２９５９９０９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の従来の磁気ヘッドでは、非磁性基板１５に形成した金属磁性膜１７のみで磁気コアを構成するというヘッド構造から、高い記録再生感度を実現するためには金属磁性膜１７の厚みを１０μｍ以上にする必要がある。図１０に示す工程で、例えば厚さ１ｍｍ程度の非磁性基板１５上にスパッタリング等で厚さ１０μｍ以上の金属磁性膜１７を成膜する場合、成膜時に金属磁性膜１７に膜面に沿う方向に膨張しようとする力（応力）が生じ、非磁性基板１５はこの力により金属磁性膜１７の付着面を凸にして反る。そのため非磁性基板１５上の金属磁性膜１７が、例えば溝１６と山部１５ａの交線１７ａ付近において剥離することがある。場合によっては非磁性基板１５の表面近傍が破壊されることもある。これにより磁気ヘッドの製造歩留まりが低下するという問題を有していた。
【０００７】
非磁性基板１５と金属磁性膜１７との熱膨張係数の差が大きい場合には、加工プロセス中の熱処理の際に発生する熱応力のため、やはり上述のような現象が発生し、歩留まりを下げる要因になっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の主面に、少なくとも１つの巻線用の巻線溝を形成する工程、前記主面に前記巻線溝にほぼ並行する少なくとも１つの応力緩和溝を形成する工程、前記一対の非磁性基板の、前記巻線溝を含むそれぞれの主面に金属磁性膜を形成する工程、前記一対の非磁性基板を、磁気ギャップ材を介して前記それぞれの主面が対向するように組み合わせて接合しギャップドプレートを形成する工程、前記ギャップドプレートを、前記巻線溝及び前記応力緩和溝以外の場所で前記巻線溝に沿って切断し、ギャップドバーを得る工程、前記ギャップドバーに、所望のトラック幅を得るためのトラック規制溝を形成する工程、前記ギャップドバーを前記巻線溝と応力緩和溝の長手方向に対して所定の傾きを有する面で切断して切り分けヘッドチップを得る工程、及び前記ヘッドチップの、巻線溝によって形成される巻線窓にコイルを巻回する工程を有する。
【０００９】
本発明によれば、非磁性基板の金属磁性膜を形成する主面に巻線溝を形成するとともに、巻線溝に並行する応力緩和溝を、前記主面及び巻線溝に前記金属磁性膜を形成する前に加工する。これにより、次の工程で金属磁性膜を形成するとき、応力緩和溝内にはほとんど金属磁性膜が形成されない。主面及び巻線溝の上に形成された金属磁性膜内には応力が生じるが、金属磁性膜内に生じる応力による金属磁性膜の膨張は前記応力緩和溝によって分断され、非磁性基板が歪む（反る）のを防止することができる。そのため高精度の磁気ヘッドを高い歩留まりで製造することができる。
【００１０】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、少なくとも一方の非磁性基板の主面に巻線溝を形成し、その主面に金属磁性膜を成膜した一対の非磁性基板を、非磁性膜からなる磁気ギャップ材を介して前記金属磁性膜面同士を対向させて接合する磁気ヘッドの製造方法において、前記非磁性基板の金属磁性膜を成膜する面に、前記金属磁性膜の成膜前に、成膜時に前記金属磁性膜に生じる応力を緩和するための応力緩和溝を少なくとも１つ形成することを特徴とする。
本発明によれば、一対の非磁性基板の一方の主面のみに金属磁性膜を形成するときは、その金属磁性膜を形成する面に応力緩和溝を形成する。一対の非磁性基板の両方に金属磁性膜を形成するときは前記両方の非磁性基板の金属磁性膜を形成する面にそれぞれ応力緩和溝を形成する。これにより、次の工程で金属磁性膜を形成するとき、金属磁性膜内に生じる応力による金属磁性膜の膨張が前記応力緩和溝によって分断される。そのため金属磁性膜の膨張が非磁性基板の全面に影響を与えることはなく、非磁性基板が歪む（反る）のを防止できる。
【００１１】
本発明の磁気ヘッドは、一対の非磁性基板の少なくとも一方の非磁性基板の主面に、少なくとも１つの巻線用の巻線溝を形成する工程、前記主面に前記巻線溝にほぼ並行する少なくとも１つの応力緩和溝を形成する工程、前記一対の非磁性基板の、前記巻線溝を含むそれぞれの主面に金属磁性膜を形成する工程、前記一対の非磁性基板を、磁気ギャップ材を介して前記それぞれの主面が対向するように組み合わせて接合しギャップドプレートを形成する工程、前記ギャップドプレートを、前記膜線溝及び前記応力緩和溝以外の場所で前記巻線溝に沿って切断し、ギャップドバーを得る工程、前記ギャップドバーに、所望のトラック幅を得るためのトラック規制溝を形成する工程、及び前記ギャップドバーを前記巻線溝と応力緩和溝の長手方向に対して所定の傾きを有する面で切断して切り分ける工程によって得られるヘッドチップ、及び前記ヘッドチップの、巻線溝によって形成される巻線窓に巻回したコイルを有する。
【００１２】
本発明によれば、非磁性基板の主面にあらかじめ応力緩和溝を形成する。これにより、次の工程で金属磁性膜を形成するときの金属磁性膜内に生じる応力による金属磁性膜の膨張が前記応力緩和溝によって分断され、非磁性基板が歪む（反る）のを防止することができる。そのため高精度の磁気ヘッドを得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、非磁性基板の金属磁性膜を成膜する面に応力緩和溝を設けることにより、金属磁性膜を成膜するときに金属磁性膜内に発生する応力や熱処理プロセスでの熱応力による金属磁性膜の伸縮が前記応力緩和溝によって吸収される。その結果非磁性基板の歪み（反り）の発生が低減される。これにより磁気ヘッド製造の各加工プロセスにおいて非磁性基板が反ったり、最悪時には割れたり、磁性膜が剥離するのを防止できる。
【００１４】
非磁性基板の割れや金属磁性膜の剥離が起きにくいので、金属磁性膜や非磁性基板の材料に選択の余裕度が増えてそれぞれ最適な材料を選択することが可能になる。最適な材料を用いることにより高周波特性に優れた磁気ヘッドを実現できる。非磁性基板が歪まないので各加工プロセスが安定に行われ、高精度の磁気ヘッドを高歩留まりで製造可能になる。また応力緩和溝にガラスを流し込むことにより、ギャップの接着強度が向上し高い信頼性を有する磁気ヘッドが実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の磁気ヘッド及びその製造方法の好適な実施例について、図１から図８を用いて説明する。
図１の（ａ）は非磁性基板１の斜視図であり、同（ｂ）は（ａ）の１ｂ−１ｂ断面図である。例えば非磁性の単結晶フェライトからなる１対の非磁性基板の少なくとも一方の、図１の（ａ）に示す非磁性基板１の面（主面）１ａに、並行する複数の巻線溝２を形成する。隣り合う巻線溝２の間の山部１ｄに、巻線溝２に平行に少なくとも１つの応力緩和溝３を形成する。応力緩和溝３は、次の工程で金属磁性膜を成膜するとき、成膜面に沿う方向に発生する応力を緩和するためのものである。応力緩和溝３の深さは、溝幅の２倍以上であるのが望ましい。また溝幅は、次の工程で形成される金属磁性膜４の厚さの２倍以上であるのが望ましい。このように寸法を選ぶと応力緩和溝３内にはほとんど金属磁性膜が形成されない。図１の（ｂ）では、応力緩和溝の断面形状は長方形であるが、この断面形状は三角形や台形であってもよい。応力緩和溝３の具体例としては、溝幅が５０μｍ〜２００μｍ、溝の深さが１００μｍ〜４００μｍである。最も好ましい溝幅は１００μｍ、溝の深さは２００μｍである。
【００１６】
図１の（ｂ）のように加工した非磁性基板１の主面１ａに、図２に示すように金属磁性膜４をスパッタリング法等で形成する。金属磁性膜４は厚さが約２０μｍであり、所望の厚さよりも厚くなるように成膜する。金属磁性膜４は、鉄、タンタル及び窒素の合金であるＦｅＴａＮからなる金属磁性層と、Ａｌ２Ｏ３（三酸化アルミニウム）からなる非磁性層とを交互に形成した多層膜であるのが好ましい。金属磁性層の１層の厚みは０．５μｍ、非磁性層の１層の厚みは１０ｎｍである。次に、図３に示すように、非磁性基板１の山部１ｄの金属磁性膜４の表面を研磨して所望の膜厚にして金属磁性膜５にする。
【００１７】
図３の工程を終わった非磁性基板１は、応力緩和溝３の作用効果によりほとんど反っていない。応力緩和溝３はその深さが幅の約２倍であるので、応力緩和溝３の中には金属磁性膜４がほとんど形成されない。金属磁性膜４の成膜中、金属磁性膜４の内部に生じる応力により、金属磁性膜４は非磁性基板１の主面１ａに沿う方向に膨張するが、金属磁性膜４は応力緩和溝３によって分断されているので、その膨張力が非磁性基板１の主面１ａの全面に影響を及ぼすことはない。すなわち金属磁性膜４の膨張は応力緩和溝３によって吸収されるので、非磁性基板１の主面１ａ全体を歪ませることはなく、従って非磁性基板１が反ることはない。
【００１８】
図３に示す非磁性基板１の２つのものを、図４に示すように、それぞれの巻線溝２が対向に巻線窓３０となるように位置決めし、両者の金属磁性膜５の間に非磁性膜である磁気ギャップ材（図示せず）を挟んで加熱して接合する。この工程により、ギャップドプレート６を形成する。磁気ギャップ材は接着剤としての機能を有し、２つの非磁性基板１のそれぞれの金属磁性膜５同士を接着する。２つの非磁性基板１を接合した結果、ギャップドプレート６には並行する複数の巻線窓３０が形成される。
【００１９】
図５に示すように、ギャップドプレート６を巻線窓３０に並行する切断線Ｌ２で切断して複数のギャップドバー７を得る。上記切断における切断線Ｌ２は応力緩和溝３と巻線窓３０との間を通る線である。
【００２０】
上記の工程によって得られた１つのギャップドバー７に対して、図６に示すように既知のトラック規制溝８を形成する。トラック規制溝８の中に低融点の補強ガラス９を充填して加熱溶融して固着する（図７）。トラック規制溝８を形成したギャップドバー７を応力緩和溝３及び巻線窓３０の長手方向に対して所定の傾きを有する面で、切断線Ｌ３に沿って切り分けることによって、図７に示す磁気ヘッドのヘッドチップ１０が得られる。
【００２１】
本実施例のヘッドチップ１０の製造方法によれば、非磁性基板１の金属磁性膜５を成膜する面に、面から所定の深さの応力緩和溝３を形成する。応力緩和溝３の幅及び深さを、金属磁性膜４をスパッタリングで成膜するとき、応力緩和溝３の内部にスパッタリングの金属粒子が入って、応力緩和溝３の側壁や底部に成膜しにくいように、幅を狭くするとともに深さを深くしている。そのため金属磁性膜４の非磁性基板１の面に沿う方向の応力は分断され、応力によって起こる非磁性基板１の反りを防止することができる。また、成膜後の熱処理プロセスにおいても金属磁性膜５が剥離したり非磁性基板１が割れたりするのを防止することができる。そのため高い歩留まりで高精度の磁気ヘッドチップを製造することができる。
【００２２】
このヘッドチップ１０の巻線窓３０を通って巻線２５を巻回することにより磁気ヘッドが完成する。完成した磁気ヘッドは薄い金属磁性膜５を磁気コアとしているので、巻線２５のインダクタンスが比較的小さく、１００ＭＨｚの高周波帯でも使用可能でありかつ高いヘッド効率を実現できる。
【００２３】
本実施例の磁気ヘッドは金属磁性膜５のみで磁気コアを構成しているため、金属磁性膜５の膜厚が厚いほどヘッド効率が高くなる。発明者が種々の膜厚について調べたところ、１０μｍ以上の膜厚があればほぼ所望の特性が得られることが確認された。膜厚が１０μｍ未満の場合は金属磁性膜５に発生する応力が小さく、応力緩和溝３を設けなくても非磁性基板１が反ることはない。従って本発明は金属磁性膜５の厚さが１０μｍ以上の厚い場合に特に有効である。
【００２４】
応力緩和溝３の断面形状は図１の（ｂ）に示すように略矩形が望ましく、溝の深さが溝の幅より大きいことが望ましい。このような形状にすると、応力緩和溝３の中に形成される金属磁性膜の厚みは極めて薄くなる。図２に示すように、主面１ａに形成される金属磁性膜４は実質的に応力緩和溝３で分断される。そのため基板１全体が金属磁性膜４から受ける応力は緩和される。応力緩和溝３の断面形状は三角形又は台形でもよい。断面形状が三角形又は台形の場合は、非磁性基板１の表面の応力緩和溝３を覆う延長面と、応力緩和溝３の側面との成す角度が６５度以上９０度未満であることが望ましい。この角度範囲では、応力緩和溝３のエッジ部の金属磁性膜５に応力が集中することがなく、応力集中による金属磁性膜５の剥離が防止される。
【００２５】
前記図２の工程で金属磁性膜４を成膜した後、図８に示すように、応力緩和溝３の中に低融点ガラス１１を充填してもよい。低融点ガラス１１は、前記図４に示す工程で、２つの非磁性基板１を張合わせたときの熱処理により互に融接して、２つの非磁性基板１の接着力を強化する。
【００２６】
金属磁性膜５としては、コバルト（Ｃｏ）系アモルファス合金膜やＦｅＴａＮ等の鉄系合金の磁性膜が適している。一般に鉄系合金の磁性膜は熱膨張係数が大きいため、非磁性基板１の主面に前記磁性膜を成膜するとき発熱による膨張が大きい。そのため非磁性基板１は前記磁性膜を有する主面１ａが裏面より膨張して主面１ａが凸面となって歪む傾向にある。本発明では、応力緩和溝３を主面１ａに設けることにより、磁性膜の膨張が応力緩和溝３によって分断され、主面１ａが凸面となる歪みは大幅に緩和される。
【００２７】
磁気ヘッドの高周波特性を向上させるために、金属磁性膜５として、磁性膜と酸化シリコン膜等の非磁性電気絶縁膜とを交互に積層した積層金属磁性膜を用いることが多い。このような積層金属磁性膜は単層の磁性膜より高い剛性を有する。そのため非磁性基板１に積層金属磁性膜を成膜するとき積層金属磁性膜の膨張により非磁性性基板１が受ける力は、単層膜の場合より大きい。このような場合においても、非磁性基板１の主面１ａに応力緩和溝３を設けることにより積層金属磁性膜の膨張力を分断して非磁性基板１の歪みを大幅に緩和することができる。     
【００２８】
非磁性基板１の材料としては、チタン酸カルシウム，非磁性単結晶フェライト及びアルチック等のセラミックスが適している。非磁性単結晶フェライトは加工性に優れているとともに、磁気記録媒体との摩擦係数が小さくかつ耐摩耗性に優れているなど摺動特性においても優れており、磁気ヘッド用の非磁性基板１の材料に最適である。しかし非磁性単結晶フェライトは熱膨張係数が小さく、熱膨張係数の大きな金属磁性膜５と組み合わせた場合には、両者の熱膨張係数の違いにより成膜工程及び熱処理工程で両者間に大きな応力が生じる。このような場合においても、本発明における応力緩和溝３を設けることにより両者間の応力が軽減され、歪みを防止することができる。そのため高精度かつ高性能を有する磁気ヘッドを高い歩留まりで製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、高記録密度、大記録容量及び高転送レートを有する磁気ストレージ装置の磁気ヘッドの製造に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）は本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法の始めの工程における非磁性基板１の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ部分断面図
【図２】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法の金属磁性膜を形成した工程を示す非磁性基板１の断面図
【図３】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法の金属磁性膜を研磨した工程を示す非磁性基板１の断面図
【図４】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法のギャップドプレートを形成した工程を示す斜視図
【図５】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法のギャップドバーを形成した工程を示す斜視図
【図６】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法のギャップドバーにトラック規制溝を加工する工程を示す斜視図
【図７】本発明の実施例で製造したヘッドチップの斜視図
【図８】本発明の実施例における磁気ヘッドの製造方法における他の例を示す断面図
【図９】（ａ）は、従来の磁気ヘッドの製造方法の始めの工程の非磁性基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のIXｂ−IXｂ断面図
【図１０】従来の磁気ヘッドの製造方法の金属磁性膜を形成した工程を示す断面図
【図１１】従来の磁気ヘッドの製造方法の金属磁性膜を研磨した工程を示す断面図
【図１２】従来の磁気ヘッドの製造方法におけるギャップドプレートの斜視図
【図１３】従来の磁気ヘッドの製造方法におけるギャップドバーを形成した工程を示す斜視図
【図１４】従来の磁気ヘッドの製造方法におけるギャップドバーの加工を示す斜視図
【図１５】従来のヘッドチップの斜視図
【符号の説明】
【００３１】
１  非磁性基板
２  巻線溝
３  応力緩和溝
４  金属磁性膜
５  金属磁性膜
６  ギャップドプレート
７  ギャップドバー
８  トラック規制溝
９  低融点ガラス
１０  ヘッドチップ
１１  低融点ガラス
１５  非磁性基板
１６  巻線溝
１６ａ  巻線窓
１７  金属磁性膜
１８  金属磁性膜
１９  ギャップドプレート
２０  ギャップドバー
２１  トラック規制溝
２２  低融点ガラス
２３  ヘッドチップ
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  切断線
【図１】
2005327380.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005327380.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2005327380.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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