(57)【要約】【課題】  フィルタ特性が改善され、かつ配線パターンのインピーダンス調整が容易な小型の弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  共振子１１は配線パターン５を信号配線接続用パッド１６に接続される。３ＩＤＴ多重モードフィルタにおけるＩＤＴは、他の配線パターン５を介して他の信号配線接続用パッド１６にそれぞれ接続される。信号配線接続用パッド１６は、パッケージ１ｃのチップ搭載面に形成された信号配線１７にバンプ１９により接続される。これにより、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける共振子間（共振子１１および３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０）を接続する配線パターンの一部がパッケージに引き回される。【選択図】          図７
2005203889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に複数の櫛歯型電極が形成された弾性表面波素子と、
該弾性表面波素子がフリップチップ実装されたパッケージとを有し、
該パッケージは前記櫛歯型電極間を接続する配線を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記配線は、前記弾性表面波素子に向かい合う前記パッケージの面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記パッケージは積層体であり、前記パッケージの配線は前記積層体内部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記弾性表面波デバイスは、前記櫛歯型電極間を結ぶ複数の配線を有し、該複数の配線のうちの一部が前記パッケージに設けられた前記配線であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイスに関し、特に携帯電話機のＲＦ部に使用されて好適な低損失で角型性に優れた弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：以下、ＳＡＷと略す）フィルタは携帯電話機などのフィルタとして広く普及してきている。その理由としては、ＳＡＷフィルタが他のフィルタ、例えば誘電体フィルタや積層ＬＣフィルタなどと比較して、小型かつ軽量で、角型性に優れていることが挙げられる。
【０００３】
一般的なＳＡＷデバイスは、例えば圧電性素子基板（以下、圧電基板という）上に形成された櫛歯型のインターディジタルトランスデューサ（InterDigital Transducer：以下、ＩＤＴと略す）を有するＳＡＷ素子チップが、キャビティ内に気密封止された構成を有している。この構成において、入力側のＩＤＴに電気信号を印加し、これをＳＡＷに変換して圧電基板上を伝搬させることで、出力側のＩＤＴから所定の変調がなされた電気信号を得ることができる。
【０００４】
従来技術によるＳＡＷ素子チップ９００ａの構成を図１に示す。なお、ＳＡＷ素子チップ９００ａは４段構成のラダー型フィルタとして構成されている。
【０００５】
図１に示すように、ＳＡＷ素子チップ９００ａは、入力信号パッド９０１に配線パターン９０５を介して接続された並列共振子９０８および直列共振子９０９と、出力信号パッド９０２に他の配線パターン９０５を介して接続された並列共振子９０８および直列共振子９０９と、これら２つの直列共振子９０９に対して他の配線パターン９０５を介して並列に接続された並列共振子９０８とが、圧電基板９２３の一方の主面（これを上面とする）上に形成された構成を有する。なお、入力信号パッド９０１はＳＡＷ素子チップ９００ａに高周波信号を入力するための端子であり、出力信号パッド９０２はＳＡＷ素子チップ９００ａを通過した高周波信号を取り出すための端子である。また、並列共振子９０８および直列共振子９０９はＩＤＴ部分と反射電極部分とを含んで構成されている。
【０００６】
各並列共振子９０８は他の配線パターン９０５を介してグランドパッド９０３に接続されている。グランドパッド９０３はパッケージにおけるグランドラインに接続される端子である。すなわち、並列共振子９０８は直列共振子９０９とグランドとの間に接続される。また、図１において、参照符号９０４はダミーパッドである。
【０００７】
これら並列共振子９０８，直列共振子９０９，入力信号パッド９０１，出力信号パッド９０２，グランドパッド９０３およびダミーパッド９０４は、焦電防止を目的として、圧電基板９２３上面の外周、すなわちダイシングライン９０６に形成された金属パターンに、ショートバー９０７を介して接続されている。なお、ショートバー９０７とは、金属パターンである。
【０００８】
また、ＤＭＳ（Double Mode SAW）型フィルタとして構成された従来技術によるＳＡＷ素子チップ９００ｂの構成を図２に示す。なお、図１と同様の構成には、同一の符号を付す。
【０００９】
図２に示すように、ＳＡＷ素子チップ９００ｂは、配線パターン９０５を介して入力信号パッド９０１に接続された共振子９１１と、他の配線パターン９０５を介して出力信号パッド９０２および３つのグランドパッド９０３とそれぞれ接続された３ＩＤＴ多重モードフィルタ９１０とが、圧電基板９２３の上面に形成された構成を有する。なお、共振子９１１および３ＩＤＴ多重モードフィルタ９１０は、ＩＤＴ部分と反射電極部分とを含んで構成されている。また、３ＩＤＴ多重モードフィルタとは、３つのＩＤＴを含んで構成されたフィルタである。
【００１０】
共振子９１１，３ＩＤＴ多重モードフィルタ９１０，入力信号パッド９０１，出力信号パッド９０２，グランドパッド９０３およびダミーパッド９０４は、焦電防止を目的として、ダイシングライン９０６に形成された金属パターンに、ショートバー９０７を介して接続される。
【００１１】
これらのようなＳＡＷ素子チップ９００ａ，９００ｂは、例えば図３に示すようなパッケージ９００ｃに、フェイスダウン状態でフリップチップ実装される。尚、パッケージ９００ｃはＳＡＷ素子チップ９００ｂが実装されるパッケージである。また、フェイスダウン状態とはＩＤＴや各種パッドが形成された面、すなわち上面をパッケージ９００ｃの搭載面に向かい合わせた状態である。
【００１２】
図３に示すように、パッケージ９００ｃは、基板９２４にＳＡＷ素子チップ９００ｂを収納するためのキャビティが形成された構成を有する。キャビティの開口部は基板９２４の一方の主面（これを上面とする）に形成される。また、キャビティの底面はチップ搭載面である。この搭載面には、ＳＡＷ素子チップ９００ｂの各種パッドと対応する位置に、入力信号配線９１２と出力信号配線９１３とグランド配線９１４とが形成されている。これらの配線はＳＡＷ素子チップ９００ｂ実装時に各種パッドとバンプ接続される（図１０におけるバンプ９１９）。これにより、パッケージ９００ｃとＳＡＷ素子チップ９００ｂとが電気的に接続され、かつ機械的に固定される。
【００１３】
また、パッケージ９００ｃ裏面には、外部端子として機能する裏面入力端子９２０と裏面出力端子９２１と裏面グランド端子９２２とが形成されている。裏面入力端子９２０は、基板９２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して搭載面の入力信号配線９１２に電気的に接続されている。裏面出力端子９２１は、同じく基板９２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して搭載面の出力信号配線９１３に電気的に接続されている。裏面グランド端子９２２は、同じく基板９２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して搭載面のグランド配線９１４に電気的に接続されている。すなわち、搭載面に形成された各配線９１２，９１３および９１４は、パッケージ９００ｃ裏面にまで電気的に引き出されている。
【００１４】
また、キャビティ開口部周囲の基板上にはシールリング９１５が形成されている。このシールリング９１５は板状の蓋基板を固着するための部材である。すなわち、ＳＡＷ素子チップ９００ｂを実装後、キャビティは蓋基板により封止される。
【００１５】
以上のような構成において、各共振子間を接続する配線パターンは、従来、図１または図２に示すように、ＳＡＷ素子チップ上に形成されていた（例えば以下に示す特許文献１参照）。このため、パッケージには共振子間を接続するための配線パターンが形成されていなかった。また、従来技術では、配線パターンを各共振子や各種パッドなどの他の導体パターンと同一の工程で形成するのが一般的であった。
【特許文献１】特開２０００−３３２５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、各共振子と配線パターンおよび各種パッドとを同一の工程で形成すると、配線パターンが共振子と同程度の薄い膜厚となってしまい、配線抵抗が大きくなるという問題が存在した。この問題は、特にＰＣＳ（Personal Communications Services）システムなどの比較的高周波な信号を用いるシステムで使用されるデバイスで深刻な問題となる。その理由は、高周波な周波数帯域のフィルタでは、共振子の膜厚が薄いためである。
【００１７】
例えば同一の材料および構成を用いて８００ＭＨｚ帯のフィルタと１．９ＧＨｚ帯のフィルタとを作製した場合であって、８００ＭＨｚ帯のフィルタにおける共振子の膜厚が３３０ｎｍ（ナノメートル）であった場合、１．９ＧＨｚ帯のフィルタにおける共振子の膜厚は１４０ｎｍと、約０．４倍の厚みになる。この結果、１．９ＧＨｚ帯のフィルタのシート抵抗は２９０ｍΩ（ミリオーム）と、８００Ｍｈｚ帯のフィルタのシート抵抗（１１０ｍΩ）と比較して、２．６倍となる。尚、電極材料としてはアルミニウム（Ａｌ）合金を使用した。
【００１８】
このように配線抵抗が大きくなると、フィルタの挿入損失が大きくなり、特性が劣化するという問題が発生する。また、挿入損失が増加すると、受信感度を向上するために多くの電力が必要となり、消費電力が増大してしまうという問題も発生する。
【００１９】
また、配線パターンを共振子と同一工程で形成する場合、その膜厚は、配線パターンに要求される特性だけでなく、他の要素も含んで決定された値となる。このため、配線パターンのインピーダンスを任意の値に調整することが困難であるという問題が発生する。
【００２０】
これらのような問題を解決する方法としては、例えば配線パターンの幅を広げる方法が考えられるが、この場合、チップ面積が増大し、ＳＡＷデバイスが大型化するという問題が発生する。
【００２１】
そこで本発明は、フィルタ特性が改善され、かつ配線パターンのインピーダンス調整が容易な小型の弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
かかる目的を達成するために、本発明は、圧電基板上に複数の櫛歯型電極が形成された弾性表面波素子と、該弾性表面波素子がフリップチップ実装されたパッケージとを有し、該パッケージは前記櫛歯型電極間を接続する配線を有する弾性表面波デバイスである。パッケージに設けられた配線は、櫛歯型電極の膜厚に依存することなく、任意に設計することができるため、櫛歯型電極間を結ぶ配線抵抗を低減することが可能となる。結果として、挿入損失を低減することが可能となり、フィルタ特性を向上することができる。また、パッケージに設けられた配線を任意に設計できることから、櫛歯型電極間を結ぶ配線のインピーダンスを容易に所望する値に調整することができる。さらに、櫛歯型電極間を接続する配線の抵抗低減およびインピーダンス調整のために、配線の幅を広げる必要がないため、従来と同程度に小型化された弾性表面波デバイス実現することができる。
【００２３】
上記弾性表面波デバイスにおいて、前記配線は、前記弾性表面波素子に向かい合う前記パッケージの面に設けられている構成とすることができる。
【００２４】
また、上記弾性表面波デバイスにおいて、前記パッケージは積層体であり、前記パッケージの配線は前記積層体内部に設けられている構成とすることができる。
また、上記弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波デバイスは、前記櫛歯型電極間を結ぶ複数の配線を有し、該複数の配線のうちの一部が前記パッケージに設けられた前記配線である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、フィルタ特性が改善され、かつ配線パターンのインピーダンス調整が容易な小型の弾性表面波デバイスを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。
【実施例１】
【００２７】
まず、本発明による実施例１について図面を用いて詳細に説明する。尚、本実施例では、ＤＭＳ構造のフィルタとして形成された弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス１Ａを例に挙げて説明する。
【００２８】
本実施例によるＳＡＷデバイス１Ａは、パッケージ１ｃのキャビティ内にＳＡＷ素子チップ１ｂがフェイスダウン状態でフリップチップ実装された構成を有する。そこで、先ず、ＳＡＷ素子チップ１ｂの構成を図面と共に説明する。
【００２９】
図４は、ＳＡＷ素子チップ１ｂの構成を示す斜視図である。図４に示すように、ＳＡＷ素子チップ１ｂは、圧電基板２３の第１の主面（上面）に、入力信号パッド１と、出力信号パッド２と、グランドパッド３と、ダミーパッド４と、配線パターン５と、ショートバー７と、３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０と、共振子１１と、信号配線接続用パッド１６とが形成された構成を有する。
【００３０】
圧電基板２３は、リチウムタンタレート（ＬＴ）基板やリチウムナイオベート（ＬＮ）基板や、このほか水晶等の圧電材料基板を用いて作製することができる。
【００３１】
共振子１１，３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０，入力信号パッド１，出力信号パッド２，グランドパッド３，ダミーパッド４，配線パターン５およびショートバー７（但し、ダイシングライン６に形成された金属パターンを含んでも良い）などの金属パターンは、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金や、この他、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ），ルテニウム（Ｒｕ）又はロジウム（Ｒｈ）などを用い、同一工程で形成される。なお、これら金属パターンは、単層構造で形成されても、積層構造で形成されても良い。
【００３２】
また、共振子１１は、入力段に設けられた共振子であり、ＩＤＴ部分と、ＳＡＷの伝搬方向においてこれを挟み込む２つの反射電極部分とを含んで構成される。共振子１１は配線パターン５を介して入力信号パッド１と信号配線接続用パッド１６とに、それぞれ電気的に接続されている。
【００３３】
３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０は、出力段に設けられた共振子であり、３つのＩＤＴ部分と、ＳＡＷの伝搬方向においてこれらを挟み込む２つの反射電極部分とを含んで構成される。３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０における中央のＩＤＴは、他の配線パターン５を介してグランドパッド３と出力信号パッド２とに、それぞれ電気的に接続されている。また、３ＩＤＴ多重モードフィルタにおける他のＩＤＴは、他の配線パターン５を介して他の信号配線接続用パッド１６とグランドパッド３とに、それぞれ電気的に接続されている。
【００３４】
また、圧電基板２３の上面周囲、すなわちダイシングライン６には、金属パターンが形成されている。上記した入力信号パッド１，出力信号パッド２，グランドパッド３，ダミーパッド４，３ＩＤＴ多重モードフィルタ（特に反射電極部分）１０および共振子（特に反射電極部分）１１は、それぞれショートバー７を介してダイシングライン６に形成された金属パターンに電気的に接続される。これにより、各金属パターンからの焦電が防止されている。
【００３５】
以上の構成のように、本実施例によるＳＡＷ素子チップ１ｂでは、各共振子（１０，１１）間が、配線パターン５を介して直接接続されておらず、それぞれ個別に設けられた信号配線接続用パッド１６へ配線パターン５を介して電気的に接続されている。尚、各信号配線接続用パッド１６同士は、後述するパッケージ１ｃにおいて電気的に接続される。
【００３６】
次に、以上のようなＳＡＷ素子チップ１ｂが実装されるパッケージ１ｃの構成を図面と共に説明する。
【００３７】
図５は、パッケージ１ｃの構成を示す斜視図である。図５に示すように、パッケージ１ｃは、基板２４にキャビティ２８が形成された構成を有する。キャビティ２８の開口部は、基板２４の一方の主面（上面）に設けられている。
【００３８】
基板２４は、例えばセラミックス，アルミニウム・セラミックス，ビスマスイミド・トリアジンレジン，ポリフェニレンエーテル，ポリイミド樹脂，ガラスエポキシ，ガラスクロス又はシリコンなどを用いて作製することができる。この際、複数の基板材料を積層して作製しても、単一の基板材料で作製しても良い。尚、本実施例では、２つの基板（上基板２４ａ，下基板２４ｂ）が積層された構造（積層体）を有する場合を例に挙げて説明する。また、パッケージの下部を、キャビティ底面からパッケージ裏面までの部分と定義する。
【００３９】
キャビティ２８の底面、すなわちチップ搭載面（これをダイアタッチ面ともいう）には、ＳＡＷ素子チップ１ｂの各種パッド（１，２，３，４および１６）と対応する位置に、入力信号配線１２と出力信号配線１３とグランド配線１４と信号配線１７とが形成される。
【００４０】
また、パッケージ１ｃの裏面には、外部端子として機能する裏面入力端子２０と裏面出力端子２１と裏面グランド端子２２とが形成される。裏面入力端子２０は、基板２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して、チップ搭載面の入力信号配線１２に電気的に接続される。裏面出力端子２１は、同じく基板２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して、チップ搭載面の出力信号配線１３に電気的に接続されている。裏面グランド端子２２は、同じく基板２４の下部を貫通するビア配線などを含む配線パターンを介して、チップ搭載面のグランド配線１４に電気的に接続されている。すなわち、チップ搭載面に接続された各配線１２，１３および１４は、パッケージ１ｃ裏面にまで電気的に引き出されている。
【００４１】
また、キャビティ２８の開口部周囲であって基板２４の上面上には、シールリング１５が形成される。このシールリング１５は板状の蓋基板（図７における２６）を固着するための部材である。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１ｂを実装後、キャビティ２８は蓋基板２６により気密性高く封止される。
【００４２】
以上のような構成を有するパッケージ１ｃに対し、ＳＡＷ素子チップ１ｂをフェイスダウン状態でフリップチップ実装することで、本実施例によるＳＡＷデバイス１Ａが作製される。図６に、ＳＡＷデバイス１Ａの構成を示す。
【００４３】
図６に示すように、ＳＡＷデバイス１Ａにおいて、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける入力信号パッド１と出力信号パッド２とグランドパッド３とダミーパッド４と信号配線接続用パッド１６とは、入力信号配線１２と出力信号配線１３とグランド配線１４と信号配線１７とに、バンプ１９を用いてそれぞれ接続される。
【００４４】
バンプ１９には、例えばアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）などを用いることができる。
【００４５】
以上のような構成により、ＳＡＷ素子チップ１ｂがパッケージ１ｃのチップ搭載面に電気的に接続され、かつ機械的に固定される。ここで、図６におけるＡ−Ａ’断面を図７に示す。但し、図７は、Ａ−Ａ’断面の概略図である。また、図７では、キャビティ２８を蓋基板２６で封止した構成を示す。
【００４６】
図７に示すように、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける信号配線接続用パッド１６は、パッケージ１ｃのチップ搭載面に形成された信号配線１７にバンプ１９により接続されている。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける信号配線接続用パッド１６が、パッケージ１ｃに形成された信号配線１７を介して電気的に接続されている。これにより、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける共振子間（共振子１１および３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０）を接続する配線パターンの一部がパッケージに引き回されている。
【００４７】
また、出力信号配線１３はパッケージ１ｃの下部を貫通するビア配線２５を介してパッケージ１ｃ裏面の出力端子（裏面出力端子２１）に電気的に接続されている。尚、入力信号配線１２もパッケージ１ｃの下部を貫通するビア配線を介してパッケージ１ｃ裏面の入力端子（裏面入力端子２０）に電気的に接続されており、同じくグランド配線１４もパッケージ１ｃの下部を貫通するビア配線を介してパッケージ１ｃ裏面のグランド端子（裏面グランド端子２２）に接続されている。
【００４８】
一般的にパッケージ１ｃに形成する配線（１２，１３，１４および１７）の膜厚は、共振子を構成するＩＤＴの膜厚などに依存することなく、自由に設定できる。したがって、共振子間を結ぶ配線パターンの少なくとも一部を、本実施例のようにパッケージ１ｃに形成することで、この配線パターンのインピーダンスを任意の値に設定することができる。しかも、パッケージ１ｃに形成する配線パターンの膜厚は容易に調整することができるため、結果として、共振子間を接続する配線のインピーダンスを容易に調整することが可能となる。また、パッケージ１ｃに形成する配線パターンの膜厚は、一般的に上限が無いため、これを厚くすることで、共振子間を接続する配線パターンの抵抗値を下げることができる。結果として、ＳＡＷデバイス１Ａの挿入損失を低減することができ、フィルタ特性を向上させることができる。
【００４９】
図８に、本実施例によるＳＡＷデバイス１Ａのフィルタ特性を示す。また、図８における通過帯域の拡大図を図９に示す。尚、図８は、１．９ＧＨｚ帯（中心周波数ｆｃ＝１９６０ＭＨｚ）のフィルタとしてＳＡＷデバイス１Ａを作製した場合の例である。具体的には、共振子１１，３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０の電極材料をアルミニウム（Ａｌ）合金とし、その膜厚を１４０ｎｍ（ナノメートル）とした。これにより、配線パターン５も膜厚が１４０ｎｍのアルミニウム合金膜で形成される。また、パッケージ１ｃにおける各種配線（１２，１３，１４および１７）は、タングステンメタライズにより成膜した金属膜にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）メッキを施して形成した。この際の膜厚は７．０μｍとした。
【００５０】
また、比較のため、従来によるＳＡＷデバイス（パッケージ９００ｃにＳＡＷ素子チップ９００ｂを実装したＳＡＷデバイス９００Ａ）のフィルタ特性も示す。図１０に、従来によるＳＡＷデバイス９００Ａの構成を示す。尚、ＳＡＷデバイス９００Ａは、１．９ＧＨｚ帯（中心周波数ｆｃ＝１９６０ＭＨｚ）のフィルタである。具体的には、共振子９１１，３ＩＤＴ多重モードフィルタ９１０の電極材料をアルミニウム合金とし、その膜厚を１４０ｎｍとした。これにより、配線パターン５も膜厚が１４０ｎｍのアルミニウム合金膜で形成される。
【００５１】
図８および図９を参照すると明らかなように、本実施例によるＳＡＷデバイス１Ａの通過帯域、特に中心周波数ｆｃにおける挿入損失は−２．３ｄＢ程度となり、従来によるＳＡＷデバイス９００Ａの通過帯域、特に中心周波数ｆｃにおける挿入損失（−２．４ｄＢ）と比較して０．１ｄＢの改善が見られた（特に図９参照）。また、通過帯域外の減衰量に関しては、両者に略差がないことが見られた（特に図８参照）。
【００５２】
以上のように、共振子間を接続する配線の少なくとも一部をパッケージ上に形成することで、配線抵抗を低減させることが可能となり、結果として挿入損失を低減することができる。この結果、フィルタ特性が向上する。また、同様の構成によれば、パッケージに形成した配線を自由に設計することが可能となるため、共振子間を接続する配線のインピーダンス調整が容易となる。さらに、本実施例によれば、共振子間を接続する配線の抵抗低減およびインピーダンス調整のために、配線の幅を広げる必要がないため、従来と同程度の小型化を実現することができる。
【実施例２】
【００５３】
次に、本発明の実施例２について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明において、実施例１と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、特記しない構成に関しては実施例１と同様である。
【００５４】
本実施例では、実施例１で例示したパッケージ１ｃの他の構成を例示する。図１１は本実施例によるパッケージ１ｃ’の構成を示す斜視図である。図１１に示すように、パッケージ１ｃ’は、パッケージ１ｃにおける信号配線１７が３つの信号配線１７’に置き換えられている。これら信号配線１７’は、ＳＡＷ素子チップ１ｂに設けられた３つの信号配線接続用パッド１６に対応して設けられている。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１ｂをパッケージ１ｃ’に実装した場合、個々の信号配線接続用パッド１６が一対一で信号配線１７’に接続される。図１２に、パッケージ１ｃ’にＳＡＷ素子チップ１ｂを実装することで作製されたＳＡＷデバイス１Ａ’の構成を示す。また、図１３に、図１２におけるＢ−Ｂ’断面を示す。尚、図１３は、Ｂ−Ｂ’断面の概略図である。また、図１３では、キャビティ２８を蓋基板２６で封止した構成を示す。
【００５５】
図１２および図１３に示すように、ＳＡＷ素子チップ１ｂにおける信号配線接続用パッド１６は、パッケージ１ｃ’のチップ搭載面に形成された信号配線１７’にそれぞれ接続されている。また、各信号配線１７’は、パッケージ１ｃ’の下部に形成されたビア配線２７および配線パターン２９を介して相互に電気的に接続されている。すなわち、共振子１１と３ＩＤＴ多重モードフィルタ１０とは、パッケージ１ｃ’の内部に引き回された配線（内層配線）を介して電気的に接続されている。
【００５６】
以上のように、共振子間を接続する配線は、キャビティ底面だけでなく、パッケージの内部にまで引き回されていても良い。また、他の構成は、実施例１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【実施例３】
【００５７】
次に、本発明の実施例３について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明において、実施例１または実施例２と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、特記しない構成に関しては実施例１または実施例２と同様である。
【００５８】
本実施例では、ラダー型のフィルタとして形成されたＳＡＷデバイス１Ｂを例に挙げて説明する。本実施例によるＳＡＷデバイス１Ｂは、パッケージ１ｄのキャビティ内にＳＡＷ素子チップ１ａがフェイスダウン状態でフリップチップ実装された構成を有する。
【００５９】
図１４は、ＳＡＷ素子チップ１ａの構成を示す斜視図である。図１４に示すように、ＳＡＷ素子チップ１ａは、入力信号パッド１に配線パターン５を介して接続された並列共振子８および直列共振子９と、出力信号パッド２に他の配線パターン５を介して接続された並列共振子８および直列共振子９と、これら並列共振子８および直列共振子９と直接接続されない並列共振子８とが、圧電基板２３の一方の主面（上面）上に形成された構成を有する。なお、入力信号パッド１はＳＡＷ素子チップ１ａに高周波信号を入力するための端子であり、出力信号パッド２はＳＡＷ素子チップ１ａを通過した高周波信号を取り出すための端子である。また、並列共振子８および直列共振子９はＩＤＴ部分と反射電極部分とを含んで構成されている。
【００６０】
各並列共振子８は他の配線パターン５を介してグランドパッド３に接続されている。グランドパッド３はパッケージにおけるグランド配線に接続される端子である。すなわち、並列共振子８は直列共振子９とグランドとの間に接続される。
【００６１】
また、各直列共振子９は他の配線パターン５を介して信号配線接続用パッド１６にそれぞれ接続されている。さらに、圧電基板２３上において他の共振子と直接接続されていない並列共振子８は、配線パターン５を介して信号配線接続用パッド１６にそれぞれ接続されている。
【００６２】
これら並列共振子８，直列共振子９，入力信号パッド１，出力信号パッド２，グランドパッド３，配線パターン５および信号配線接続用パッド１６は、焦電防止を目的として、圧電基板２３上面の外周、すなわちダイシングライン６に形成された金属パターンに、ショートバー７を介して接続されている。なお、ショートバー７とは、金属パターンである。
【００６３】
以上の構成のように、本実施例によるＳＡＷ素子チップ１ａでは、各共振子（８，９）間が、配線パターン５を介して直接接続されておらず、それぞれ個別に設けられた信号配線接続用パッド１６へ配線パターン５を介して電気的に接続されている。尚、各信号配線接続用パッド１６同士は、後述するパッケージ１ｄにおいて電気的に接続される。
【００６４】
次に、以上のようなＳＡＷ素子チップ１ａが実装されるパッケージ１ｄの構成を図面と共に説明する。
【００６５】
図１５は、パッケージ１ｄの構成を示す斜視図である。図１５に示すように、パッケージ１ｄは、基板２４にキャビティ２８が形成された構成を有する。キャビティ２８の開口部は、基板２４の主面に設けられている。
【００６６】
キャビティ２８の底面、すなわちチップ搭載面には、ＳＡＷ素子チップ１ａの各種パッド（１，２，３および１６）と対応する位置に、入力信号配線１２と出力信号配線１３とグランド配線１４と信号配線１７とが形成される。
【００６７】
また、パッケージ１ｃの裏面には、外部端子として機能する裏面入力端子２０と裏面出力端子２１と裏面グランド端子２２とが形成される。これらの端子は、実施例１と同様に、チップ搭載面の各種配線に電気的に接続されている。
【００６８】
以上のような構成を有するパッケージ１ｄに対し、ＳＡＷ素子チップ１ａをフェイスダウン状態でフリップチップ実装することで、本実施例によるＳＡＷデバイス１Ｂが作製される。図１６に、ＳＡＷデバイス１Ｂの構成を示す。
【００６９】
図１６に示すように、ＳＡＷデバイス１Ｂにおいて、ＳＡＷ素子チップ１ａにおける入力信号パッド１と出力信号パッド２とグランドパッド３と信号配線接続用パッド１６とは、入力信号配線１２と出力信号配線１３とグランド配線１４と信号配線１７とに、バンプ１９を用いてそれぞれ接続される。これにより、ＳＡＷ素子チップ１ａがパッケージ１ｄのチップ搭載面に電気的に接続され、かつ機械的に固定される。
【００７０】
以上のように、共振子間を接続する配線の少なくとも一部をパッケージに形成することで、本実施例によれば、実施例１と同様に、配線抵抗を低減させることが可能となり、結果として挿入損失を低減することができる。この結果、フィルタ特性が向上する。また、同様の構成によれば、パッケージに形成した配線を自由に設計することが可能となるため、共振子間を接続する配線のインピーダンス調整が容易となる。さらに、本実施例によれば、共振子間を接続する配線の抵抗低減およびインピーダンス調整のために、配線の幅を広げる必要がないため、従来と同程度の小型化を実現することができる。
【００７１】
なお、上記実施例１から実施例３は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらの実施例を種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来技術によるＳＡＷ素子チップ９００ａの構成を示す斜視図である。
【図２】従来技術によるＳＡＷ素子チップ９００ｂの構成を示す斜視図である。
【図３】従来技術によるパッケージ９００ｃの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例１によるＳＡＷ素子チップ１ｂの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施例１によるパッケージ１ｃの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１Ａの構成を示す斜視図である。
【図７】図６に示すＳＡＷデバイス１ＡのＡ−Ａ’断面を示す概略図である。
【図８】本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１Ａのフィルタ特性を示すグラフである。
【図９】図８における通過帯域の拡大図である。
【図１０】従来技術によるＳＡＷデバイス９００Ａの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施例２によるパッケージ１ｃ’の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施例２によるＳＡＷデバイス１Ａ’の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示すＳＡＷデバイス１ＡのＢ−Ｂ’断面を示す概略図である。
【図１４】本発明の実施例３によるＳＡＷ素子チップ１ａの構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の実施例３によるパッケージ１ｄの構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の実施例３によるＳＡＷデバイス１Ｂの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７３】
１Ａ、１Ａ’、１Ｂ  ＳＡＷデバイス
１ａ、１ａ’、１ｂ  ＳＡＷ素子チップ
１ｃ、１ｃ’、１ｄ  パッケージ
１  入力信号パッド
２  出力信号パッド
３  グランドパッド
４  ダミーパッド
５、２９  配線パターン
６  ダイシングライン
７  ショートバー
８  並列共振子
９  直列共振子
１０  ３ＩＤＴ多重モードフィルタ
１１  共振子
１２  入力信号配線
１３  出力信号配線
１４  グランド配線
１５  シールリング
１６  信号配線接続用パッド
１７  信号配線
１９  バンプ
２０  裏面入力端子
２１  裏面出力端子
２２  裏面グランド端子
２３  圧電基板
２４  基板
２４ａ  上基板
２４ｂ  下基板
２５、２７  ビア配線
２６  蓋基板
２８  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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