(57)【要約】    【課題】  スパッタリングにおける成膜レートおよび生産性を向上すると共に、品質の安定化を図る。    【解決手段】  真空槽１内において、粉末状のターゲット材料５を収納するトレー６をターゲット加熱用のヒータ３の上に設置し、前記トレー６を成膜前にヒータ３により加熱し、ターゲット材料５を予備加熱して吸着水分除去などを行う。スパッタリング時には、予備加熱されたターゲット材料５がプラズマによって、さらに加熱され、スパッタ効率が向上し、成膜レートが向上する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内でターゲット材料をスパッタリングして、基材に薄膜を形成するスパッタリング方法において、前記ターゲット材料として粉末状の膜原料を用いることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項２】
前記ターゲット材料を加熱することを特徴とする請求項１記載のスパッタリング方法。
【請求項３】
ターゲット材料を収納する容器に、該容器の水平方向の成分を持った振動を付与して、ターゲット材料を前記容器において水平進行させることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリング方法。
【請求項４】
ターゲット材料を収納する容器に、該容器の垂直方向の成分を持った振動を付与することを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリング方法。
【請求項５】
粉末状のターゲット材料として、粒径が少なくとも２種類の混合体を用いることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載のスパッタリング方法。
【請求項６】
前記混合体における粒径の差を、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、かつ粒径の最大値が５ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項５記載のスパッタリング方法。
【請求項７】
形成膜が酸化マグネシウムであり、ターゲット材料として粉末状の酸化マグネシウムを用いることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載のスパッタリング方法。
【請求項８】
ディスプレイデバイスの製造における酸化マグネシウム薄膜形成工程に用いることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項に記載のスパッタリング方法。
【請求項９】
真空槽内でターゲット材料をスパッタリングして、基材に薄膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲット材料として粉末状の膜原料を収納する容器を前記ターゲット材料に対向して設置したことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項１０】
前記容器近傍に、ターゲット材料を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項９記載のスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記加熱手段として、前記容器の下部にヒータを設置したことを特徴とする請求項１０記載のスパッタリング装置。
【請求項１２】
前記加熱手段として、ターゲット材料を収納する容器の上方に、ターゲット材料表面付近を主に輻射で加熱する加熱機構を設置したことを特徴とする請求項１０記載のスパッタリング装置。
【請求項１３】
ターゲット材料を収納する前記容器に水平方向の成分を持った振動を付与する振動発生手段を備えたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【請求項１４】
前記振動発生手段により前記容器に振動を加える部位とは異なる部位に、前記容器に加えられた振動を吸収あるいは減衰させる振動吸収／減衰手段を設けたことを特徴とする請求項１３記載のスパッタリング装置。
【請求項１５】
前記振動発生手段により前記容器に振動を加える部位とは異なる部位には、機構的な拘束部分を設けないようにしたことを特徴とする請求項１３記載のスパッタリング装置。
【請求項１６】
前記振動発生手段により前記容器に振動を加える部位とは異なる部位に、前記容器に加えられた振動を反射する振動反射手段を設けたことを特徴とする請求項１３記載のスパッタリング装置。
【請求項１７】
前記振動発生手段により前記容器に振動を加える部位とは異なる部位において、前記容器を振動に影響を受けない機構によって保持したことを特徴とする請求項１３記載のスパッタリング装置。
【請求項１８】
前記振動発生手段により付与された振動により、ターゲット材料の粉末表面に進行波を発生させ、該粉末を前記進行波の影響を受けた方向に移動させることを特徴とした請求項１３〜１７いずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【請求項１９】
前記振動発生手段により付与された振動により、ターゲット材料粉末の表面に定在波を発生させ、該定在波によって前記ターゲット材料粉末の収納部分において振動の節と腹を形成させるようにしたことを特徴とする請求項１６または１７記載のスパッタリング装置。
【請求項２０】
ターゲット材料を収納する前記容器に垂直方向の成分を持った振動を付与する振動発生手段を備えたことを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【請求項２１】
振動の周波数を超音波の領域に設定したことを特徴とする請求項１３〜２０いずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成を行うためのスパッタリング方法およびスパッタリング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の主な薄膜形成方法である真空蒸着法と比較して、スパッタリング法は成膜レートが著しく低いことが、工業化への妨げとなっている。これまでも、この成膜レート向上という課題に対し、様々な取り組みが行われてきた。その中の一つとして、主に光学レンズの反射防止膜として利用されるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）の粉末をスパッタリングターゲットとして用い、成膜レートの向上を図ったものがあった（特許文献１参照）。
【０００３】
図５は特許文献１に記載されたような従来のスパッタリング装置を説明するための構成図である。
【０００４】
図５において、１０１は真空槽であり、この真空槽１０１内の上方には円盤形状の基板１０２ａが回転可能に設置されている。ターゲット１０３ａは、膜原料である粒径０.５ｍｍ〜２ｍｍのＭｇＦ2顆粒で構成され、直径が１００ｍｍの円形となるように石英製の皿１０４ａに入れてマグネトロンカソード１０５上に載置されている。
【０００５】
前記マグネトロンカソード１０５は、マッチングボックス１０６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源１０７と接続されている。高周波電源１０７はマグネトロンカソード１０５に交流を供給する交流電源となるものである。マグネトロンカソード１０５は負電位とされて、ターゲット１０３ａが正イオンによるスパッタリングを可能にする状態とされる。
【０００６】
このような構成の真空槽１０１に、Ｎ2ガスをガス導入口１０９から導入する。高周波電源１０７からマッチングボックス１０６を介して５００Ｗの電力をマグネトロンカソード１０５に供給し、ターゲット１０３ａ上にプラズマを発生させる。ターゲット１０３ａであるＭｇＦ2顆粒は、前記プラズマにより加熱され、マグネトロンカソード１０５下面に供給される冷却水１０８による冷却能と釣り合った温度に保持されると共にスパッタリングされる。前記プラズマにより前記膜原料表面の温度を上昇させながら、ターゲット１０３ａを正イオンによりスパッタリングすることにより、前記膜原料の少なくとも一部を分子状態で飛び出させることにより成膜を行っている。
【０００７】
さらに、図５に示す従来例では、膜原料として顆粒状のＭｇＦ2を使用しているため、スパッタリング中の膜原料の温度を、約５００〜１０００℃程度に上昇させておくことができ、これによって熱振動により結合力の強い箇所と弱い箇所ができて、スパッタリングにより飛び出す粒子の形態が分子となる場合が生じる。ここでいう分子とは、単分子のみでなくクラスター状に集合体をなす多分子をも含む。膜材料から構成されるターゲットから飛び出す粒子の形態は、熱による蒸発分子とほぼ同じになると考えてよい。
【０００８】
前記のような顆粒状の膜原料を用いたターゲットの利用効率を向上させることを目的とした従来例について説明する（特許文献２参照）。
【０００９】
図６は特許文献２に記載された従来のスパッタリング装置を説明する構成図である。
【００１０】
スパッタリング装置は、図６に示すように、成膜時にその内部を真空にする成膜室としてのチャンバ２０２を備えている。また、このチャンバ２０２の内部下方には磁界発生部としての複数の永久磁石２０３と、この磁界発生部の温度を一定にするために冷却水を循環させる冷却水道路２０４を形成した箱状のマグネトロンカソード機構２０５がある。
【００１１】
また、前記マグネトロンカソード機構２０５の上部には、顆粒状のターゲット材料２０７の収納部材としての石英ガラス製のシャーレ２０８が載置されている。このシャーレ２０８は前記ターゲット材料２０７を安定して収納するために、側面に図に示すような長方形のツバ部２０９を有している。
【００１２】
チャンバ２０２の下部側壁には、シャーレ２０８をその長手方向に移動させる駆動源としてのモータ２１０と、このモータ２１０の回転駆動を直進駆動に変えるネジシャフト２１１と、このネジシャフト２１１に係合すると共に、チャンバ２０２の側壁を貫通して、シャーレ２０８と連結するガイドシャフト２１２などから成るシャーレ２０８を移動させる移動手段を設けている。
【００１３】
このスパッタリング装置の構成にて、ターゲット材料２０７をスパッタリングすると、ターゲット表面の磁気回路の影響を受けて、ある範囲にわずかにエロージョンが生じる。このエロージョンが進むと、スパッタリングによるターゲット材料２０７の表面からの飛散の状態が変化して、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚分布が不均一になるなどの支障となる。そこで、前記シャーレ２０８の移動手段を駆動させてシャーレ２０８を移動させる。このことを繰り返すことにより、ターゲット材料２０７の一部に大きなエロージョンが生じることを防止するというものである。
【特許文献１】特開平１０−３６９６２号公報
【特許文献２】特開平１０−１８０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、前記従来の構成では、ターゲットとして用いている膜原材料について、さらに成膜レートおよび生産性を向上させるためのターゲット表面の形状制御あるいは材料供給などについて、実現できない部分が多数存在する。また、同じ粉末でも、例えば酸化マグネシウムのように吸湿性を持った材料などの場合、成膜レートという面では、前記従来の手法が適用できたとしても、品質信頼性の面で問題が発生するおそれもある。
【００１５】
前記課題を解決するためには、ターゲット材料である顆粒、もしくは粉末の形状、状態を制御しなければならない。
【００１６】
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、スパッタリング方法の特徴を活かしつつ工業的に普及させるために、成膜レートと生産性および品質信頼性の向上を実現する事ができるスパッタリング方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するため、本発明に係るスパッタリング方法および装置は、真空槽内でターゲット材料をスパッタリングして、基材に薄膜を形成するスパッタリングにおいて、前記ターゲット材料として粉末状の膜原料を用いることを特徴とし、これによって、従来、溶融もしくは粉体を圧紛焼結することで製造されていたターゲットを用いて行っていた従来のスパッタリングから、ターゲットを粉末状にすることにより、粒子同士の熱伝導が悪くなりターゲット表面の温度を上昇させることができる。これによりターゲット材料同士の結合力が弱まり、ターゲットに衝突する正イオンによって効率よくスパッタリングが行われ、成膜レートを向上させることができる。
【００１８】
また本発明において、粉末状ターゲット材料をスパッタリング前に加熱することにより、あらかじめターゲット温度を成膜時の温度近傍まで加熱しておくことと、粉末の表面に付着した水分等を除去することにより、形成される薄膜の品質を安定化させることができる。これは、材料として特に吸湿をしやすい傾向にあり、品質に大きな影響を与えることで知られている酸化マグネシウムに対しては有効である。
【００１９】
また本発明において、粉末状のターゲット材料を収納した容器の一端を振動発生源に接続して、他端に当該振動発生源からの振動を吸収する手段を設けることにより、容器において振動発生源から入力された振動は一方向に伝播し、かつ振動吸振する手段側からの反射波が存在しないようになるため、容器には定在波が形成されず、進行波となる。これにより、前記進行波の進行方向上流に粉末材料を供給し、下流で容器外に流出させることができる。これにより、真空槽を大気開放しての材料の補給およびターゲットの成型の必要がなくなり、生産性が飛躍的に向上する。併せて、メンテナンスのために大気開放する回数が減少するので、薄膜の品質も安定させることができる。
【００２０】
また本発明において、粉末状のターゲット材料を収納した容器に水平方向の振動を与え、かつ他端からその振動が反射されるような部材を設けるか、あるいは容器を振動しない機構に接触あるいは固定することにより、容器と反射端との間に定在波を形成することが可能になる。これにより、通常のマグネトロンスパッタにおけるエロージョンと呼ばれる最も早く材料が消費される部分と、振動を加えることによって形成する定在波の腹の部分を一致させれば、常にエロージョン部に材料を供給することができる。よって、前記と同様に材料供給のためにチャンバを大気開放する必要がなくなるのは勿論、常にエロージョン付近のターゲット表面形状を一定に保つことができるので、処理ロット間の成膜レートあるいは膜厚分布の差異が生じにくくなり、品質の安定化を図ることができる。
【００２１】
また本発明において、粉末状のターゲット材料を収納した容器に垂直方向の振動を与えることにより、ターゲット最表面の粉末をスパッタ放電空間中にごく短時間存在させ、スパッタに寄与する正イオンを衝突する表面積を増加させることができる。すなわち、ターゲット最表面から浮き上がった粉末粒子がそれぞれ効率よくスパッタリングされるので、成膜レートを飛躍的に向上させることができる。本発明において、ターゲット材料として粉末を用いたのは、電界が集中しやすい突起が無数にあるからであって、前記のように垂直方向の振動を与えることにによって、その状態をさらに促進することができる。
【００２２】
また本発明において、粒径の異なる粉末を少なくとも２種類以上混合することにより、プラズマの電解集中の起因となるような突起を数多く形成することができ、成膜レートを向上させることができる。すなわち、比較的大きな粒子の舞い上がりなどに対する安定性と、比較的小さな粒子の断熱性の良さを併せ持った状態を実現することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のスパッタリング方法およびスパッタリング装置によれば、粉末ターゲットにおける垂直方向の振動または粒度分布によって成膜レートを飛躍的に向上させることができる。また、ターゲット上に進行波を発生させることにより、ターゲット原材料の供給を真空槽内で行うことができ、装置の稼働率を高くすることができる。
【００２４】
さらにはターゲット上に定在波を発生させることにより、ターゲット上の最も早く侵食が進む部分に常に粉末を集めておくことができると同時に、従来のスパッタリングにおける侵食が進むにつれて成膜レートや膜厚分布が変化するという問題を解決し、安定した成膜を行うことができる。
【００２５】
このように、従来、スパッタリングには多くの利点があるものの、真空蒸着法に対して成膜レートが遅いということが工業的分野への導入に対して障壁となっていたが、本発明を適用することにより、成膜レートの向上および品質の安定化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図である。
【００２８】
図１において真空槽１の内部におけるカソード部Ａと基板８を模式的に表した。カソード部Ａにおいて、底部の水冷ジャケット上に、断熱プレート２、さらにその上に加熱手段であるヒータ３が設置されている。ヒータ３には温度制御用の熱電対４が設けられている。ヒータ３の上部に、粉末状のターゲット材料５が載置されるトレー６が配置されている。
【００２９】
ターゲット材料５として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いた。使用した粉末の平均粒径は略２００ｎｍ〜７０μｍであったが、より大きな粒径についてはパーティクル対策として有効であることが期待できる。
【００３０】
また、トレー６の材質としては、熱伝導性が良く熱膨張係数が小さい特性を有することからチタンを選定した。このトレー６の概略寸法は、外径３００ｍｍ，内径２８０ｍｍ，高さ６ｍｍとした。
【００３１】
ターゲット材料５の周囲にアースシールド７が設置され、さらにターゲット材料５の真上に基板８が設置されている。高周波電力は、高周波電源９からマッチングボックス１０を介してターゲット材料５に伝達される。ターゲット材料５の裏面側にはマグネトロン放電用磁石１１が設置されている。
【００３２】
前記構成の実施の形態１におけるスパッタリング処理について説明する。
【００３３】
まず、真空槽１の排気は、図示しないロータリーポンプとクライオポンプにより行い、３.０×１０-4Ｐａまで排気する。まずヒータ３の電源を投入し、ターゲット材料５の予備加熱を開始する。ヒータ温度が６００℃に到達してから、残留ガス成分を四重極質量分析計で計測しながら約３０分間保持し、その後、アルゴンガスを真空槽１内に導入して成膜を開始する。アルゴンガスの流量は１００〜２００ｓｃｃｍであり、バラトロン計で測定した圧力は０.４〜０.６Ｐａに設定する。
【００３４】
スパッタリングが始まると、ターゲット材料５の表面温度は、さらに上昇する（本例において放射温度計で実測したところ約８００℃であった）。ターゲット材料５の表面温度が安定したところでトレー６のシャッタ（図示せず）を開け、成膜を開始した。
【００３５】
図２は、従来の圧紛・焼結ターゲットと、本実施の形態における粉末ターゲットの成膜レートとを比較したスパッタリング・テストの結果を示す図であり、それぞれの条件でばらつきはあるものの、粉末ターゲットを用いた場合は、焼結ターゲットの約４〜５倍の成膜レートを確認することができた。
【００３６】
なお、吸着していた水分の除去の確認には、スパッタリングが開始されていればプラズマ分光法を実施し、通常の真空排気状態であれば前記のように四重極質量分析法を実施するようにする。
【００３７】
また、スパッタリング中においても、ターゲット材料５の表面近傍温度はプラズマにより上昇するが、内部あるいは周辺温度をある一定の熱交換の釣り合いを持って維持することが可能である。
【００３８】
また、加熱手段であるヒータ３に替えて、ターゲット材料５を収納するトレー６の上方に、ターゲット材料５の表面付近を主に輻射で加熱するような加熱機構を設置することも考えられる。
【００３９】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図である。なお、以下の説明において、実施の形態１において説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００４０】
実施の形態２において、実施の形態１と異なる点は、水平振動発生装置２１と振動吸収／減衰手段である振動吸収剤２２を設けた構成にある。
【００４１】
図３に示すように水平振動発生装置２１から、振動伝達部材であるトレー６の一端に対して水平方向の振動を与えた（本例では超音波領域の周波数を用いた）。また、トレー６の他端は、トレー６を伝播してきた振動を吸収，減衰させることができる材質で構成された振動吸収剤２２が配設されている。
【００４２】
この構成により、水平振動発生装置２１から入力された振動は一方向のみに伝播するので、振動吸収剤２２からの反射波が存在しない。このため、トレー６上のターゲット材料５には定在波が形成されず、進行波となる。
【００４３】
前記現象を利用し、進行波の進行方向に対して上流側（振動発生装置２１側）から、ターゲット材料５を順次供給し、下流側に進行波に乗せて流す（移動させる）ことにより、例えばターゲット材料５上のエロージョン部など、侵食が早く進む部分に、常時、ターゲット材料５を補充するようにできる。
【００４４】
また、振動によりターゲット材料５の表面上に微小な突起を多数発生させることにもなり、スパッタリング時におけるプラズマの電解集中によって温度の高い部分を数多く作り出すことができ、成膜レートを向上させることができる。
【００４５】
なお、前記振動吸収剤２２の等価の作用を得る構成として、トレー６における水平振動発生装置２１部分の以外の部位は、機構的制約を受けることがない構成、すなわち機構的な拘束がなく、振動伝播が開放されるような構成を採用してもよい。
【００４６】
（実施の形態３）
実施の形態３についても、図３を参照して説明する。実施の形態３が実施の形態２と異なる点は、実施の形態２に用いられた振動吸収剤２２に替えて、振動反射手段として振動の吸収・減衰のない固定治具、あるいは振動に影響を受けない機構を配置した構成にある。この固定治具によりトレー６を固定することにより、水平振動発生装置２１から伝えられた振動は、減衰することなく反射される。
【００４７】
これにより、水平振動発生装置２１と反射端（固定治具設置部）との間に定在波を形成することが可能になる。これにより、通常のマグネトロンスパッタにおけるエローンョンと呼ばれる最も早く材料が消費される部分と、振動を加えることによって形成する定在波の腹の部分を一致させれば、常にエロージョン部に材料を供給することができる。したがって、材料が供給できるだけでなく、エロージョン部分のターゲット粉末の形状を一定に保つことができる。
【００４８】
従来のスパッタリングでは、ターゲットの侵食にしたがって成膜レートあるいは膜厚分布が変化してしまうという問題があったが、本実施の形態の構成を用いれば、このような問題を解決することができる。
【００４９】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図である。
【００５０】
実施の形態４においては、実施の形態２とは、トレー６への振動の加える方向が異なる。実施の形態４においては、垂直振動発生装置２３によってトレー６に対して垂直方向に振動を加える構成にしている。
【００５１】
これにより、ターゲット材料５の表面の粉末を極微小距離だけ垂直方向に飛翔させるようにし、スパッタリングにおけるプラズマ中にターゲット材料５の粉末粒子を飛翔させることにより、その粒子に積極的に正イオンを衝突させることが可能になり、スパッタ効率を向上させることができ、成膜レートを飛躍的に向上させることができた。
【００５２】
すなわち、垂直振動発生装置２３により、粉末状のターゲット材料５を収納したトレー６に垂直方向の振動を与えることによって、ターゲット最表面の粉末をスパッタ放電空間中にごく短時間存在させ、スパッタリングに寄与する正イオンを衝突する表面積を増加させることができる。すなわち、ターゲット最表面から浮き上がった粉末粒子がそれぞれ効率よくスパッタリングされるので、成膜レートを飛躍的に向上させることができる。
【００５３】
成膜中プラズマ分光測定を行ったところ、ターゲット材料５に振動を加えると、マグネシウムイオンのピーク強度が飛躍的に上昇し、マグネシウムのイオン化が促進されていることが測定できた。
【００５４】
各実施の形態において、ターゲット材料５として粉末を用いたのは、電界が集中しやすい突起が無数にあるからであって、前記のように垂直方向の振動を与えることにによって、その状態をさらに促進することができる。
【００５５】
また本実施の形態において、粒径の異なる粉末を少なくとも２種類以上混合することにより、プラズマの電解集中の起因となるような突起を数多く形成することができ、成膜レートを向上させることができる。すなわち、比較的大きな粒子の舞い上がりなどに対する安定性と、比較的小さな粒子の断熱性の良さを併せ持った状態を実現することができる。
【００５６】
なお、前記のように２種類の混合体における粒径の差を、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、かつ粒径の最大値が５ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００５７】
また、特に本発明は、基材上に形成しようとする膜が酸化マグネシウムであり、ターゲット材料として粉末状の酸化マグネシウムを用い、ディスプレイデバイスにおける薄膜形成の製造工程に適用して効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明に係るスパッタリング方法およびスパッタリング装置は、薄膜形成方法および薄膜形成装置に適用されるものであり、特に材料利用効率を向上させ、かつ高速に成膜を行うことが必要なスパッタリング方法およびスパッタリング装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図
【図２】従来の圧紛・焼結ターゲットと、本実施の形態における粉末ターゲットの成膜レートとを比較したスパッタリング・テストの結果を示す図
【図３】本発明の実施の形態２，３におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図
【図４】本発明の実施の形態４におけるスパッタリング方法および装置を説明するためのスパッタリング装置の断面図
【図５】従来例のスパッタリング装置を説明するための構成図
【図６】従来例のスパッタリング装置の他例を説明するための構成図
【符号の説明】
【００６０】
１  真空槽
３  ヒータ
５  ターゲット材料
６  トレー
８  基板
２１  水平振動発生装置
２２  振動吸収剤
２３  垂直振動発生装置
【図１】
2005029859.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005029859.tif 000005
【図４】
2005029859.tif 000006
【図５】
2005029859.tif 000007
【図６】
2005029859.tif 000008