(57)【要約】【課題】磁性記録層の面内配向性と磁気異方性を高めることが可能な磁気記録媒体を提供することである。【解決手段】磁気記録媒体であって、基板と、基板上に設けられた第１シード層と、第１シード層上に設けられ、この第１シード層と同一材料から形成された第２シード層と、第２シード層上に設けられた磁性記録層とを含んでいる。第１及び第２シード層の何れか一方は、該一方のシード層を構成する結晶粒の所定の方向に優先配向している結晶格子面に直交する法線が基板表面の法線方向から傾斜している。【選択図】図３
2005116124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１シード層と、
前記第１シード層上に設けられ、該第１シード層と同一材料から形成された第２シード層と、
前記第２シード層上に設けられた磁性記録層を含む複数の結晶層とを具備し、
前記第１及び第２シード層のいずれか一方は、該一方のシード層を構成する結晶粒の所定の方向に優先配向している結晶格子面に直交する法線が前記基板表面の法線方向から傾斜している、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記基板はディスク形状をしており、
前記一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面に直交する法線は前記基板の中心を通る直線を含む直立平面内で傾斜していることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面は前記基板の中心から外周に向かって傾斜することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記一方のシード層は斜め入射スパッタ法により成膜されていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを具備したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気記録媒体用の基板としては、アルミニウム合金等からなる金属基板が多く用いられている。金属基板は、通常、表面にテクスチャ加工が施されて用いられている。テクスチャ加工は、基板表面に所定方向（通常は円周方向）に沿う凹凸を形成する加工であり、テクスチャ加工を施すことによって、基板上に形成される磁性膜に磁気異方性を持たせ熱揺らぎ耐性や分解能などの磁気特性を向上させることができる。
【０００３】
ところで、近年では、磁気記録媒体用の基板として、アルミニウム等からなる金属基板に変えて、ガラス、セラミックなどからなる非金属性基板が多く用いられてきている。非金属基板は、硬度が高いためヘッドスラップが生じ難く、しかも表面平滑性が高いためグライドハイド特性の点で有利である。しかしながら、ガラス基板などの非金属基板には、表面に十分なテクスチャ加工を施すのが難しいという問題がある。
【０００４】
そこで、ガラス基板等の非金属基板では、表面にテクスチャ加工を施さずに磁性膜の磁気異方性を高めることが求められる。特開２００２−２０３３１２号公報では、非金属基板の表面に斜め成長結晶層を形成する技術が提案されている。
【０００５】
斜め成長結晶層の形成時には、結晶粒は基板の表面に直交する法線から傾斜して成長する。斜め成長結晶層の表面には磁性結晶層が積層形成される。斜め成長結晶層を採用した磁気記録媒体によれば、上方に位置する磁性結晶層では周方向の磁気異方性を高めることができる。しかし、スパッタ装置による斜め成長結晶層を形成するには比較的長時間を要し、製造性が悪いという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−２０３３１２号公報
【特許文献２】特開平８−７２５０号公報
【特許文献３】特開昭５８−１２８０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
よって、本発明の目的は、磁性記録層の面内配向性と磁気異方性を高めることが可能な磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によると、基板と、前記基板上に設けられた第１シード層と、前記第１シード層上に設けられ、該第１シード層と同一材料から形成された第２シード層と、前記第２シード層上に設けられた磁性記録層を含む複数の結晶層とを具備し、前記第１及び第２シード層のいずれか一方は、該一方のシード層を構成する結晶粒の所定の方向に優先配向している結晶格子面に直交する法線が前記基板表面の法線方向から傾斜していることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【０００８】
好ましくは、基板はディスク形状をしており、一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面に直交する法線は基板の中心を通る直線を含む直立平面内で傾斜している。一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面は基板の外周に向かって傾斜する。好ましくは、一方のシード層は斜め入射スパッタ法により成膜される。第１及び第２シード層はＢ２構造を有しており、例えばＡｌ及びＲｕを含む合金から構成される。
【０００９】
本発明の磁気記録媒体では、前記一方のシード層を構成する個々の結晶粒では結晶格子面は傾斜する。よって、一方のシード層の表面には基板の半径方向に隣接する結晶粒同士の間に溝が形成される。このシード層表面でエピタキシャル成長に基づき結晶層が形成されると、この結晶層に含まれる磁性層の磁化容易軸はディスク状媒体の周方向に揃えられる。よって、基板の表面に機械的テクスチャ処理を施さなくても、磁性層の磁気異方性を高めることができる。また、テクスチャ処理を施した基板でも、本プロセスの効果があることが確認されている。
【００１０】
さらに、第１及び第２シード層の他方を通常のスパッタプロセス、即ち斜め入射プロセスを用いないプロセスで成膜し、斜め入射プロセスで成膜する前記一方のシード層の膜厚を最適化することで、良好な面内配向性と高いオリエンテーションレシオ（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を兼ね備えた磁気記録媒体を得る事ができる。これは、良好な面内配向性が得られるシード層の膜厚範囲と高いＨｃｃ／Ｈｃｒが得られる膜厚範囲が一致しない問題点を、本発明の第１及び第２シード層の成膜方法で解決したためである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気記録媒体によると、表面にテクスチャ処理を施すのが困難なガラス基板等の基板を使用した磁気記録媒体において、良好な面内配向性と高いオリエンテーションレシオ（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を兼ね備えた磁気記録媒体を提供することができる。
【００１２】
ここで、Ｈｃｃはディスク状磁気記録媒体の周方向の保磁力であり、Ｈｃｒは半径方向の保磁力である。シード層を複数のシード層に分割し、その内の一つを斜め入射スパッタ法により成膜したため、斜め入射スパッタ法により成膜したシード層の膜厚を最適化しながら生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１を参照すると、カバーを外した状態の本発明の磁気ディスク装置の斜視図が示されている。ベース１０にはシャフト１２が固定されており、このシャフト１２回りにＤＣモータにより回転駆動される図示しないスピンドルハブが設けられている。
【００１４】
スピンドルハブには後述する媒体構成を有する磁気ディスク１４とスペーサ（図示せず）が交互に挿入され、ディスククランプ１６を複数のネジ１８によりスピンドルハブに締結することにより、複数枚の磁気ディスク１４が所定間隔離間してスピンドルハブに取付けられている。
【００１５】
符号２０はアクチュエータアームアセンブリ２２と磁気回路２４から構成されるロータリアクチュエータを示している。アクチュエータアームアセンブリ２２は、ベース１０に固定させたシャフト２６回りに回転可能に取付けられている。
【００１６】
アクチュエータアームアセンブリ２２は、一対の軸受けを介してシャフト２６回りに回転可能に取付けられたアクチュエータブロック２８と、アクチュエータブロック２８から一方向に伸長した複数のアクチュエータアーム３０と、各アクチュエータアーム３０の先端部に固定されたヘッドアセンブリ３２を含んでいる。
【００１７】
各ヘッドアセンブリ３２は磁気ディスク１４に対してデータをリード／ライトする電磁トランスデューサ（磁気ヘッド素子）を有するヘッドスライダ３４と、先端部にヘッドスライダ３４を支持しその基端部がアクチュエータアーム３０に固定されたサスペンション３６を含んでいる。
【００１８】
シャフト２６に対してアクチュエータアーム３０と反対側には図示しないコイルが支持されており、コイルが磁気回路２４のギャップ中に挿入されて、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）３８が構成される。
【００１９】
符号４０は電磁トランスデューサに書き込み信号を供給したり、電磁トランスデューサから読み取り信号を取り出すフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を示しており、その一端はアクチュエータブロック２８の側面に固定され、他端はベース１０の背面に実装されているメインプリント配線板に接続されている。
【００２０】
図２は磁気ディスク１４の断面構造を概略的に示している。この磁気ディスク１４は支持体としての非金属基板４２と、非金属基板４２上に形成された多結晶構造膜４４を含んでいる。
【００２１】
非金属基板４２は例えばガラスから形成される。非金属基板４２は、セラミック、シリコン、サファイア等から形成されてもよい。非金属基板４２の表面には平滑面が確立されている。
【００２２】
多結晶構造膜４４に磁気情報が記録される。多結晶構造膜４４の表面にはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の保護膜４６が形成され、保護膜４６はパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等から形成された潤滑膜４８で被覆されている。
【００２３】
図３を参照すると、多結晶構造膜４４の詳細構造が示されている。多結晶構造膜４４は、非金属基板４２上に形成された第１シード層５０と、第１シード層５０上に形成された第２シード層５２と、第２シード層５２上に形成された第３シード層５４と、第３シード層５４上に形成された多層結晶層５６を含んでいる。第１シード層５０は、例えばＣｒ及びＴｉを含む合金から形成される。ここでは、膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜が用いられる。
【００２４】
第２シード層５２及び第３シード層５４は、例えばＡｌ及びＲｕを含む合金から形成される。ここでは、総膜厚２５ｎｍ程度のＡｌＲｕ膜が用いられる。第２シード層５２は基板４２の表面に直交する垂直方向Ｖに成長する結晶粒から構成される。
【００２５】
一方、第３シード層５４は垂直方向から所定角度傾斜して成長する結晶粒から構成される。第３シード層５４の結晶粒の所定の結晶格子面に直交する法線Ｎは、垂直方向Ｖから所定の傾斜角で外周に向かって傾斜する。所定の結晶格子面は所定の方向に優先配向される。
【００２６】
多層結晶層５６は、第３シード層５４上に形成された下地層５８を含んでいる。下地層５８ではｂｃｃ（体心立方晶）構造の結晶粒が確立される。下地層５８は、例えばＣｒ、又はＣｒを含む合金から構成される。ここでは、膜厚４ｎｍ程度のＣｒＭｏ膜から構成される。
【００２７】
下地層５８上には中間層６０が形成されている。中間層６０ではｈｃｐ（六方細密晶）構造の結晶粒が確立される。中間層６０は、例えばＣｏを含む合金から構成される。ここでは、膜厚１ｎｍ程度のＣｏＣｒＴａ膜が用いられる。
【００２８】
中間層６０上には磁性記録層６２が形成されている。磁性記録層６２に磁気情報が記録される。磁性記録層６２はｈｃｐ構造の結晶粒で確立される。磁性記録層６２は、例えばＣｏを含む合金から構成される。ここでは、膜厚１５ｍｍ程度のＣｏＣｒＰｔＢｃｕ膜が用いられる。
【００２９】
このような多結晶構造膜４４によれば、非金属基板４２の表面に機械的テクスチャ処理が施されていなくても、第３シード層５４の働きで磁性記録層６２では周方向に磁化容易軸を揃えることができる。
【００３０】
第２シード層５２を通常のスパッタ法で成膜し、第３シード層５４を斜め入射スパッタ方法で成膜して、第３シード層５４の膜厚を最適化することにより、良好な面内配向性と高いオリエンテーションレシオ（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を兼ね備えた磁気ディスク１４を得る事ができる。ここで、Ｈｃｃは磁気ディスクの周方向の保磁力、Ｈｃｒは磁気ディスクの半径方向の保磁力である。
【００３１】
次に磁気ディスク１４の製造方法について図４乃至図１１を参照して説明する。まず、ディスク形状のガラス基板４２を用意し、基板４２の表面を平滑化する。基板４２は例えばマグネトロンスパッタリング装置に装着される。
【００３２】
装着にあたって基板４２はカーボンヒータにより２２０℃に加熱される。マグネトロンスパッタリング装置内で基板４２の表面には、後で詳細に説明する方法により多結晶構造膜４４が形成される。
【００３３】
その後、多結晶構造膜４４の表面にはＣＶＤ法（化学的気層蒸着法）により保護膜４６が形成される。保護膜４６の表面には潤滑膜４８が塗布される。潤滑膜４８の塗布にあたっては、基板４２を例えばパーフルオロポリエーテルを含む液に浸漬すればよい。
【００３４】
以下、多結晶構造膜４４の製造方法について詳細に説明する。まず、図４に示されるように、ガラス基板４２の表面には垂直入射スパッタリング法により、第１シード層５０即ちＣｒＴｉ膜６４が成膜される。
【００３５】
成膜にあたって、スパッタリング装置にはＣｒＴｉターゲットが装着される。ＣｒＴｉターゲットからＣｒ原子及びＴｉ原子が放出されると、Ｃｒ原子及びＴｉ原子は基板４２の表面に対して垂直方向に降り注ぐ。
【００３６】
即ち、入射角は０度に設定される。こうして基板４２の表面には非晶質のＣｒＴｉ膜６４が形成される。ＣｒＴｉ膜６４には５０ａｔ％のＣｒ及び５０ａｔ％のＴｉが含まれる。
【００３７】
次に、図５に示されるように、ＣｒＴｉ膜６４の表面には垂直スパッタリング法により第２シード層５２、即ちＡｌＲｕ層６６が成膜される。成膜にあたって、スパッタリング装置にはＡｌＲｕターゲットが装着され、スパッタリング装置のチャンバ内にはＡｒガスが導入される。チャンバ内のガス圧は０．６７Ｐａ程度に設定される。
【００３８】
次に、図６に示されるように、第２シード層５２の表面には斜め入射スパッタリング法により、第３シード層５４即ちＡｌＲｕ膜６８が成膜される。第３シード層５４を成膜する際に、ＡｌＲｕターゲットからＡｌ原子及びＲｕ原子が放出されると、Ａｌ原子及びＲｕ原子は垂直方向に対して所定の角度αで降り注ぐ。
【００３９】
即ち、Ａｌ原子及びＲｕ原子は基板４２の外周から中心に向かって斜めに降り注ぐ。こうして第２シード層５２（ＡｌＲｕ膜６６）の表面には第３シード層５４（ＡｌＲｕ膜６８）が形成される。ＡｌＲｕ膜６６，６８にはそれぞれ５０ａｔ％のＡｌ及びＲｕが含まれる。
【００４０】
図８に示されるように、ＡｌＲｕターゲットは、例えばドーナツ形状に形成される。図７は図８の断面図である。ＡｌＲｕターゲット８０の直径は、基板４２の直径よりも大きく設定される。
【００４１】
図７に示されるように、ＡｌＲｕターゲット８０では、エロージョン位置８０ａは基板４２の外周円よりも外側に設定される。電流の供給に応じて、エロージョン位置８０ａからＡｌ原子及びＲｕ原子が基板４２の外周から中心に向かって斜めに入射する。
【００４２】
ＡｌＲｕターゲット８０と基板４２との間にはシールド８２が挟み込まれる。シールド８２は、円周方向に離間した複数の遮蔽板８８を環状プレート８２とボス８６で接続して形成されている。
【００４３】
基板４２に対してシールド８２が設置されると、各遮蔽板８８は基板４２の表面から垂直に起立する。第３シード層５４、即ちＡｌＲｕ膜６８の成膜に際しては、シールド８２は例えば６０ｒｐｍの低速で回転される。
【００４４】
遮蔽板８８によれば、原子の入射方向は基板４２の概略半径方向に制限され、ＡｌＲｕターゲット８０のエロージョン位置８０ａから遮蔽板８８を横切って入射しようとする原子は遮蔽板８８により排除される。
【００４５】
ＡｌＲｕターゲット８０と基板４２との間に十分な広さの原子の飛行経路が確保されると、十分な量のＡｌ原子及びＲｕ原子が基板４２に到達することができる。基板４２上では、ＡｌＲｕ膜６８の結晶粒は垂直方向から所定角度傾いて成長していく。
【００４６】
個々の結晶粒では、図３に示されるように所定の方向に優先配向する結晶格子面の法線Ｎは垂直方向Ｖから所定の角度αで傾斜する。αは４５度〜７０度の範囲内が好ましい。
【００４７】
シールド８０の遮蔽板８８によりＡｌ原子及びＲｕ原子の飛行経路が制限されるため、ＡｌＲｕ膜６８を構成する結晶粒の結晶格子面に直交する法線は、基板４２の中心を通る直線を含む直立平面内で基板４２の中心から外周に向かって傾斜する。シールド８２が低速で回転することにより、基板４２上には一様にＡｌ原子及びＲｕ原子が堆積していく。
【００４８】
次に、図９に示されるように、ＡｌＲｕ膜６８の表面には垂直入射スパッタリング法により、下地層５８即ちＣｏＣｒ膜７０が成膜される。成膜にあたって、スパッタリング装置にはＣｏＣｒターゲットが装着される。ＣｏＣｒターゲットからＣｏ原子及びＣｒ原子が垂直方向に降り注ぐ。
【００４９】
こうして、ＡｌＲｕ膜６８の表面にはＣｏＣｒ膜７０が形成される。ＣｏＣｒ膜７０には５８ａｔ％のＣｏ及び４２ａｔ％のＣｒが含まれる。ＣｏＣｒ膜７０の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００５０】
続いて、図１０に示されるように、ＣｏＣｒ膜７０の表面には垂直入射スパッタリング法により、中間層６０即ちＣｏＣｒＴａ膜７２が成膜される。成膜にあたって、スパッタリング装置にはＣｏＣｒＴａターゲットが装着される。
【００５１】
ＣｏＣｒＴａターゲットからＣｏ原子、Ｃｒ原子及びＴａ原子が垂直方向に降り注ぎ、ＣｏＣｒＴａ膜７２が形成される。ＣｒＣｒＴａ膜７２の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００５２】
続いて、図１１に示されるように、ＣｏＣｒＴａ膜７２表面には垂直入射スパッタリング法により、磁性記録層６２即ちＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４が成膜される。成膜にあたって、スパッタリング装置にはＣｏＣｒＰｔＢＣｕターゲットが装着される。
【００５３】
ＣｏＣｒＰｔＢＣｕターゲットからＣｏ原子、Ｃｒ原子、Ｐｔ原子、Ｂ原子及びＣｕ原子が垂直方向に降り注ぐ。こうしてＣｏＣｒＴａ膜７２上にはＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４が形成される。
【００５４】
ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４には、５８ａｔ％のＣｏ，１９ａｔ％Ｃｒ，１２ａｔ％Ｐｔ，７ａｔ％のＢ及び４ａｔ％Ｃｕが含まれる。ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００５５】
以上説明した製造方法によると、第３シード層５４即ちＡｌＲｕ膜６８の表面には、基板４２の半径方向に隣接する結晶粒同士の間で溝が形成される。ＡｌＲｕ膜６８表面でエピタキシャル成長に基づきＣｏＣｒ膜７０，ＣｏＣｒＴａ膜７２及びＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４が形成されていくと、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜７４即ち磁性記録層６２の磁化容易軸を基板４２の周方向に揃えることができる。基板４２の表面にテクスチャ加工が施されていなくても、磁性記録層６２の磁気異方性を高めることができ、磁気ディスク１４の磁気特性を向上することができる。ただし、テクスチャ加工が施されている場合にも、斜め入射プロセスで磁気特性の向上効果がある。
【００５６】
本発明者は第３シード層５４即ちＡｌＲｕ膜６８の断面を観察した。この観察には透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）が用いられた。上述した製造方法に基づき、ディスク型のガラス基板４２の表面に膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜６４が形成された。
【００５７】
ＣｒＴｉ膜６４の表面には斜め入射スパッタ法により膜厚１００ｎｍ程度のＡｌＲｕ膜６８が形成された。ＡｌＲｕ膜６８では、基板４２の半径方向に沿った一断面及び周方向に沿った一断面が観察された。
【００５８】
ＡｌＲｕ膜６８の結晶粒は基板４２の表面に直交する垂直方向から所定角度傾斜して成長することが確認された。しかも、結晶粒の所定の結晶格子面に直交する法線は、基板４２の中心を通る直線を含む直立平面内で垂直方向から傾斜することが確認された。
【００５９】
次に、本発明者はＸ線回折に基づき第３シード層５４即ちＡｌＲｕ膜６８を観察した。結晶粒の（１００）面に基づきロッキングカーブを測定した。上述した製造方法と同様に、ディスク型のガラス基板４２の表面に膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜６４を形成し、ＣｒＴｉ膜６４上に斜め入射スパッタ法により膜厚１００ｎｍ程度のＡｌＲｕ膜６８を形成した。同様な製造方法により、比較例が用意された。ただし、比較例では垂直入射スパッタ法によりＡｌＲｕ膜６８を成膜した。
【００６０】
基板４２の外周から中心に向かってＸ線を入射させた。ＡｌＲｕ膜６８の結晶粒では、基板４２の垂直方向に対して結晶格子面の法線の傾斜角が測定された。その結果、図１２に示されるように、本発明の製造方法に係るＡｌＲｕ膜６８では外周側に偏った点で（１００）面のピークが確認された。
【００６１】
即ち、ほとんどの結晶粒で結晶格子面の法線が外周側に傾斜することが確認された。比較例のＡｌＲｕ膜では、傾斜角が０度の点で（１００）面のピークが確認された。即ち、ほとんどの結晶粒で結晶格子面の法線が基板４２の垂直方向とほぼ平行なことが確認された。
【００６２】
続いて、本発明者は磁性記録層６２の周方向の保磁力を検証した。検証にあたって、上述した製造方法に基づき実施例が製造された。さらに、複数の比較例が同様に製造された。ただし、比較例では第２シード層５２、第３シード層５４の内一方しか成膜してない。
【００６３】
磁気ディスク１４の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃが測定された。その結果、表１に示されるように、本発明実施例にかかる磁気ディスク１４では、周方向の保磁力はＡｌＲｕ層の膜厚が同じ比較例１にかかる磁気ディスクの保磁力とほぼ同等の値を有することが確認された。
【００６４】
【表１】
2005116124.tif 000003
続いて、本発明者は磁性記録層６２の磁気異方性を検証した。磁気ディスク１４の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃが測定された。同時に、磁気ディスク１４の半径方向に沿って保磁力Ｈｃｒが測定された。
【００６５】
その結果、表１に示されるように、本発明実施例にかかる磁気ディスク１４のオリエンテーションレシオ（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）の値が、膜厚に関わらず比較例３にかかる磁気ディスクのＨｃｃ／Ｈｃｒの値とほぼ同等の値を有することが確認され、十分な磁気異方性を有していることが確認された。
【００６６】
本発明は以下の付記を含むものである。
【００６７】
（付記１）  基板と、
前記基板上に設けられた第１シード層と、
前記第１シード層上に設けられ、該第１シード層と同一材料から形成された第２シード層と、
前記第２シード層上に設けられた磁性記録層を含む複数の結晶層とを具備し、
前記第１及び第２シード層のいずれか一方は、該一方のシード層を構成する結晶粒の所定の方向に優先配向している結晶格子面に直交する法線が前記基板表面の法線方向から傾斜している、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【００６８】
（付記２）  前記基板はディスク形状をしており、
前記一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面に直交する法線は前記基板の中心を通る直線を含む直立平面内で傾斜していることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００６９】
（付記３）  前記一方のシード層を構成する結晶粒の結晶格子面は前記基板の中心から外周に向かって傾斜することを特徴とする付記２記載の磁気記録媒体。
【００７０】
（付記４）  前記一方のシード層は斜め入射スパッタ法により成膜されていることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７１】
（付記５）  前記第１及び第２シード層はＢ２構造を有していることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７２】
（付記６）  前記第１及び第２シード層はＡｌ及びＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする付記５記載の磁気記録媒体。
【００７３】
（付記７）  付記１〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを具備したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】カバーを取り外した状態の磁気ディスク装置の斜視図である。
【図２】本発明実施形態の磁気記録媒体の概略断面図である。
【図３】本発明実施形態の磁気記録媒体の詳細断面図である。
【図４】第１シード層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図５】第２シード層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図６】第３シード層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図７】第３シード層の成膜工程に使用するターゲット、シールド及びガラス基板の配置関係を示す断面図である。
【図８】第３シード層の成膜工程に使用するターゲット、シールド及びガラス基板の配置関係を示す斜視図である。
【図９】下地層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図１０】中間層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図１１】磁性記録層の成膜工程を概念的に示す断面図である。
【図１２】Ｘ線回折に基づく検証結果を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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