(57)【要約】  【課題】本発明は、磨耗を防ぎ、耐久性の優れたインプラント埋め込み用工具、及びその製造方法を提供することなどを目的とする。  【解決手段】  上記課題は、顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含むインプラント埋め込み用工具の製造方法などにより解決される。  【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、
前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含む、
インプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項２】
前記ＤＬＣ層を形成する工程において、前記刃部の温度を０℃〜１００℃として前記ＤＬＣ層の形成を行う請求項１に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項３】
前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガス、アセチレンガス、又はベンゼンガスを用いる請求項１に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項４】
前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガスを用い、前記メタンガスのガス圧が０．００１Ｐａ〜２０Ｐａである請求項１に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項５】
前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガスを用い、前記メタンガスのガス圧が０．１Ｐａ〜５Ｐａである請求項１に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項６】
前記ＤＬＣ層を形成する工程において、プラズマ発生用の高周波電圧が１０Ｗ〜１００Ｗである請求項１に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項７】
顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、
前記刃部の少なくとも一部に、スパッタリング法により中間層を形成する工程と、
前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含む、
インプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項８】
前記中間層が、膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの炭化物含有層、窒化物含有層、酸化物含有層、又はシリコン含有層である請求項７に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項９】
前記インプラント埋め込み用工具が、歯科用ドリル、又は歯科用バーである請求項１〜請求項８のいずれかに記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【請求項１０】
顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具であって、
前記刃部の少なくとも一部には、厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層が形成されるインプラント埋め込み用工具。
【請求項１１】
前記ＤＬＣ層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍである請求項１０に記載のインプラント埋め込み用工具。
【請求項１２】
前記刃部を構成する金属部と、前記ＤＬＣ層との間に中間層を有する請求項１０に記載のインプラント埋め込み用工具。
【請求項１３】
前記中間層が炭化物含有層、窒化物含有層、酸化物含有層、又はシリコン含有層である請求項１２に記載のインプラント埋め込み用工具。
【請求項１４】
前記中間層の膜厚が、１ｎｍ〜５０ｎｍである請求項１３に記載のインプラント埋め込み用工具。
【請求項１５】
前記インプラント埋め込み用工具が、歯科用ドリル、又は歯科用バーである請求項１０〜請求項１４のいずれかに記載のインプラント埋め込み用工具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプラント埋め込み用工具、及びその工具の製造方法に関する。本発明は、特に、ＤＬＣ層を有し、耐久性などに優れたインプラント埋め込み用工具、及びその工具の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプラント（人工歯根など）を顎骨に埋め込むために、歯科用ドリル、歯科用バー及び歯科用リーマなどの"歯科用インプラント埋め込み用工具"が用いられる。すなわち、これらの工具を用いて顎骨に穴をあけ、その穴にインプラントを埋め込む。このようにしてインプラントが埋設される。なお、これらの歯科用ドリル（例えば、特開２００１−１７００７８号公報（下記特許文献２）参照）や歯科用バー（例えば、特開２００２−１０２２５３号公報（下記特許文献１）、及び特開２００３−８８５３６号公報参照）や、歯科用リーマ（特開２００２−２５３５７８号公報参照）などは公知である。
【０００３】
これらの工具は、耐久性に乏しく数回程度顎骨に穴を開けると切れが鈍る。そして、切れが鈍った工具を用いて顎骨に穴を開けると、穿孔の径が大きくなるなどインプラントの成功率が下がるという問題がある。
【０００４】
工具を強化するため、歯科用バーの刃部上にダイヤモンド膜を形成する技術が知られている（W. Ahmed et al., "Diamond films grown on cemented WC-Co dental burs using air improved CVD method" Diamond and Related Materials 12 (2003) 1300-1306（下記非特許文献１参照））。
【０００５】
ドリルなどの工具の磨耗を少なくし、耐久性を挙げるためＤＬＣコーティングを施す方法が知られている（特開２００３−１７０３１１号公報（下記特許文献３参照））。同公報には、プラズマＣＶＤ法を用いたＤＬＣ膜の形成が開示されている（同公報の段落[0036]欄、段落[0037]欄）。ただし、この工具はインプラント用のものではない。また、ＣＶＤ法における工具の温度は２００℃であり、印加電圧も１ｋＷと通常のＣＶＤ法の条件を採用している。また、この工具では金属とＤＬＣ膜との間に中間層が形成されていない。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１０２２５３号公報
【特許文献２】特開２００１−１７００７８号公報
【特許文献３】特開２００３−１７０３１１号公報
【非特許文献１】W. Ahmed et al., "Diamond films grown on cemented WC-Co dental burs using air improved CVD method" Diamond and Related Materials 12 (2003) 1300-1306
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、磨耗を防ぎ、耐久性の優れたインプラント埋め込み用工具、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明は、生体親和性の高いインプラント埋め込み用工具及びその製造方法を提供することを別の目的とする。
【０００９】
本発明は、表面硬度の高いインプラント埋め込み用工具及びその製造方法を提供することを別の目的とする。
【００１０】
本発明は、切削により骨が高温とならないインプラント埋め込み用工具及びその製造方法を提供することを別の目的とする。
【００１１】
また、本発明は、ＤＬＣ層が強固に接着したインプラント埋め込み用工具及びその製造方法を提供することを別の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題のうち少なくとも一つを解決するため、本発明は、以下のインプラント埋め込み用工具の製造方法、及びインプラント埋め込み用工具を提供する。
【００１３】
［１］  顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的蒸着）法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon：ダイヤモンド様カーボン)層を形成する工程を含む、インプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１４】
［２］  前記ＤＬＣ層を形成する工程において、前記刃部の温度を０℃〜１００℃として前記ＤＬＣ層の形成を行う上記［１］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１５】
［３］  前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガス、アセチレンガス、又はベンゼンガスを用いる上記［１］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１６】
［４］  前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガスを用い、前記メタンガスのガス圧が０．００１Ｐａ〜２０Ｐａである上記［１］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１７】
［５］  前記ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしてメタンガスを用い、前記メタンガスのガス圧が０．１Ｐａ〜５Ｐａである上記［１］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１８】
［６］  前記ＤＬＣ層を形成する工程において、プラズマ発生用の高周波電圧が１０Ｗ〜１００Ｗである上記［１］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００１９】
［７］  顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、前記刃部の少なくとも一部に、スパッタリング法により中間層を形成する工程と、前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含む、インプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００２０】
［８］  前記中間層が、膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの炭化物含有層、窒化物含有層、酸化物含有層、又はシリコン含有層である上記［７］に記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００２１】
［９］  前記インプラント埋め込み用工具が、歯科用ドリル、又は歯科用バーである上記［１］〜上記［８］のいずれかに記載のインプラント埋め込み用工具の製造方法。
【００２２】
［１０］  顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具であって、前記刃部の少なくとも一部には、厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層が形成されるインプラント埋め込み用工具。
【００２３】
［１１］  前記ＤＬＣ層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍである上記［１０］に記載のインプラント埋め込み用工具。
【００２４】
［１２］  前記刃部を構成する金属部と、前記ＤＬＣ層との間に中間層を有する上記［１０］に記載のインプラント埋め込み用工具。
【００２５】
［１３］  前記中間層が炭化物含有層、窒化物含有層、酸化物含有層、又はシリコン含有層である上記［１２］に記載のインプラント埋め込み用工具。
【００２６】
[１４]  前記中間層の膜厚が、１ｎｍ〜５０ｎｍである上記[13]に記載のインプラント埋め込み用工具。
【００２７】
［１５］  前記インプラント埋め込み用工具が、歯科用ドリル、又は歯科用バーである上記［１０］〜上記［１４］のいずれかに記載のインプラント埋め込み用工具。
【発明の効果】
【００２８】
本発明では、刃部の少なくとも一部（より好ましくは刃部の全体）にＤＬＣ層を形成したので、磨耗を防ぎ、耐久性の優れたインプラント埋め込み用工具を提供できる。
【００２９】
本発明では、刃部の少なくとも一部（より好ましくは刃部の全体）にＤＬＣ層を形成したので、金属表面が剥き出しとならず、生体親和性の高いインプラント埋め込み用工具を提供できる。
【００３０】
本発明では、刃部の少なくとも一部（より好ましくは刃部の全体）にＤＬＣ層を形成したので、表面硬度の高いインプラント埋め込み用工具を提供できる。
【００３１】
本発明では、刃部の少なくとも一部（より好ましくは刃部の全体）にＤＬＣ層を形成したので、切削により骨が高温とならないインプラント埋め込み用工具を提供できる。一般に、骨に穴をあけた際、骨の温度が４２℃になると、骨の再生が困難になるとされている。本発明の工具を用いて、穴を開けると骨の温度が高温にならないので、好適にインプラント処理をすすめることができる。
【００３２】
本発明の好ましい態様では、ＤＬＣ層を形成する工程において、工具の温度を低温としたので、ＤＬＣ層の形成に時間が従来に比べて多くの時間がかかるものの、ＤＬＣ層の接着強度が強くなる。これにより、本発明によれば、耐久性に優れた工具を提供できる。
【００３３】
また、本発明の好ましい態様では、従来のプラズマＣＶＤ法に比べ、原料ガスの圧力を低圧とし、高周波電圧の電圧を低圧としたので、工具の温度を低温にでき、上記したと同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、本発明は、ＣＶＤ法によりＤＬＣ層を形成したので、剥離しにくいＤＬＣ層を得ることができる。特に、本発明の好ましい態様では、高周波プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ層を形成したので、薄膜かつ剥離しにくいＤＬＣ層を得ることができる。本発明の好ましい態様では、刃部を構成する金属部と、ＤＬＣ層との間に中間層を設けたので、金属部とＤＬＣ層とがより強固に接着することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（１．インプラント埋め込み用工具の製造方法）
以下、本発明のインプラント埋め込み用工具の製造方法を説明する。本発明のインプラント埋め込み用工具の製造方法は、顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、前記刃部の少なくとも一部（好ましくは刃部の全部）に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含む。なお好ましいＤＬＣ層の厚さは、０．１μｍ〜２μｍであり、より好ましいＤＬＣ層の厚さは０．１μｍ〜１μｍであり、更に好ましいＤＬＣ層の厚さは０．１μｍ〜０．５μｍである。ＤＬＣ層の厚さは、時間などの諸条件を調整することにより制御できる。
【００３６】
上記の"インプラント埋め込み用工具"は、顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有する工具であって、具体的には歯科用ドリル、又は歯科用バーがあげられる。本発明の製造方法は、これら公知の工具を用意して、刃部の表面にＤＬＣ層などをコーティングすることにより達成できる。
【００３７】
本発明において、ＤＬＣ層を形成するためのＣＶＤ法では、公知のＣＶＤ法に用いられる装置を用い、公知の条件を適宜修正して行うことができる。より具体的には、例えば、本明細書に記載した文献に記載のものや、特開２００３−３２８１３８号公報、特開２０００−５３５００号公報、特開２０００−３４７００４号公報、特開平９−１２４３９３号公報、特表２００２−５３６５５３、及び特表２００１−５０７９８８号公報に開示された装置、及び条件を適宜修正して行うことができる。本発明において好ましいＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法があげられ、より好ましくは高周波プラズマＣＶＤ法である。高周波プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ層を形成するので、本発明の好ましい態様では、（薄膜かつ）金属部と密着性の高いＤＬＣ層を得ることができる。特に図示しないが、ＣＶＤは、真空チャンバー内で行う。真空チャンバー内の真空度は、ＣＶＤ法における通常の真空度とすればよい。刃部は、ヒータにより温度を上昇できるようにしておいてもよい。
【００３８】
ＤＬＣ層を形成する工程において、刃部の温度としては、０℃〜１００℃があげられ、好ましくは４０℃〜１００℃であり、より好ましくは８０℃〜９５℃である。一般に、ＣＶＤ法においては、膜を形成する対象の温度を高温として、良好な蒸着層を得る。本発明において、ＤＬＣ層を形成する対象の温度は、一般的なＣＶＤの蒸着対象の温度に比べて低温である。このように対象温度を低温とすることで、本発明の好ましい態様では、剥離しにくいＤＬＣ層を得ることができる。
【００３９】
ＤＬＣ層を形成する工程において、原料ガスとしては、メタンガス、アセチレンガス、又はベンゼンガスなどの炭化水素系ガスがあげられる。これらの中でもメタンガスが好ましい。原料ガスのガス圧としては、０．００１Ｐａ〜２０Ｐａがあげられ、０．１Ｐａ〜５Ｐａであればより好ましく、０．５Ｐａ〜２Ｐａであれば更に好ましい。
【００４０】
ＤＬＣ層を形成する工程において、プラズマ発生用の高周波電圧として１０Ｗ〜１００Ｗ、好ましくは６０Ｗ〜１００Ｗがあげられる。この電圧は、通常の高周波電圧より低い電圧である。このため、本発明の好ましい態様においては、ＤＬＣ層を形成するために通常より多くの時間を要することとなる。しかしながら、この態様では、金属とＤＬＣ層が強固に密着することとなり、これによりＤＬＣ層の耐久性が高まる。
【００４１】
ＤＬＣ層を形成する工程において、ＤＬＣ層の形成時間は、要求されるＤＬＣ層の膜厚や諸条件により適宜調整すればよく、特に限定されない。ＤＬＣ層の形成時間として、例えば、３０分〜２４時間があげられ、好ましくは１時間〜３時間である。
【００４２】
（２．インプラント埋め込み用工具の製造方法の別態様）
インプラント埋め込み用工具の製造方法の別態様は、顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有するインプラント埋め込み用工具の製造方法であって、前記刃部の少なくとも一部に、スパッタリング法により中間層を形成する工程と、前記刃部の少なくとも一部に、ＣＶＤ法により厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層を形成する工程を含む。すなわち、この態様のインプラント埋め込み用工具の製造方法は、先に説明したインプラント埋め込み用工具の製造方法において、ＤＬＣ層を形成する前に、スパッタリング法により中間層を形成するものである。スパッタリング法については、公知のスパッタリング装置を用い、公知の条件にしたがって製造できる。スパッタリング法の装置及び条件などについては、例えば、特開平３−１９１０５９号公報、特開平５−７１０６０号公報、特開昭５９−１１１７５９号公報、特開平５−５７０１２号公報、及び特開平８−５６９６３号公報を参照し、これらの文献に開示されたものを適宜採用すればよい。
【００４３】
スパッタリング装置は、特に図示しないが、例えば、被覆体を支持する回転可能な被覆体支持部（基板ホルダー）と、基板表面に蒸着されるターゲットと、ターゲットを保持するターゲット支持部（カソード）と、これらを包容する真空チャンバーと、真空チャンバーにガスを導入するガス導入部と、真空チャンバー中の気体を排気する排気部とを具備する。
【００４４】
スパッタリング装置を用いたスパッタリングは、例えば以下のようにして行われる。まず、被覆体支持部に被覆体を設置し、ターゲット支持部にターゲットを設置する。排気部が真空チャンバー内の気体を排気する。真空チャンバー内の圧力が、所定以下となった後に、ガス導入部からアルゴンガスなどの気体を、真空チャンバー内に導入する。真空チャンバー内に導入されたガスが、プラズマによりイオン化されターゲットと衝突する。ガスイオンに衝突されたターゲットは、高いエネルギーをもって蒸発する。蒸発したターゲットは、被覆体に接触し、被覆体の表面に付着する。スパッタリングの際、被覆体支持体は、回転しているので、被覆体の表面に付着するターゲットの偏りが解消される。このようにして、被覆体の表面にターゲットを含む薄膜層が形成される。
【００４５】
中間層としては、炭化物含有層、窒化物含有層、酸化物含有層、又はシリコン含有層があげられ、これらの中で好ましくは炭化物含有層である。中間層は、炭化物、窒化物、酸化物、又はシリコンのみによって構成される層であっても良いし、これらを２種以上混合する層であってもよい。中間層としては、これらの組成を含むセラミックス層であっても良い。炭化物としては、シリコンカーバイト、タングステンカーバイト、及びアルミノカーバイトのいずれか又は２つ以上の混合物があげられる。窒化物としては、窒化アルミ、窒化ボロン、及び窒化ケイ素のいずれか又は２つ以上の混合物があげられる。酸化物としては、酸化カルシウム、アルミナ、シリカ、マグネシア、及びアルミノシリケートのいずれか又は２つ以上の混合物があげられる。また、これら以外に公知の組成を含む層であっても良い。ここで炭化物としては、中間層の膜厚としては、中間層の組成などに応じて適宜調整すればよく１ｎｍ〜１００ｎｍ、１ｎｍ〜５０ｎｍ、又は１ｎｍ〜１０ｎｍがあげられ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ〜３０ｎｍである。一般的に中間層は、１００ｎｍ〜１０μｍ程度の厚さである。しかしながら、本発明の好ましい態様では、中間層が薄膜であるので、金属部分とＤＬＣ層との間に高い結合力（例えば１０ＭＰａ以上）を得ることができる。なお、中間層の膜厚は、スパッタリングの時間などの条件を変えることにより適宜調節できる。また、上記の中間層の膜厚は、スパッタリングによる条件から求めることができる。すなわち、スパッタリングを長時間行い、堆積する膜厚と時間との関係を求めておけば、スパッタリング時間から薄層の膜厚を推定できる。
【００４６】
（３．インプラント埋め込み用工具）
以下、本発明のインプラント埋め込み用工具について説明する。本発明のインプラント埋め込み用工具は、顎骨にインプラントを埋め込む穴を開けるための刃部を有する工具であって、前記刃部の少なくとも一部（好ましくは全部）には、厚みが０．０５μｍ〜１０μｍのＤＬＣ層が形成される。この工具は、例えば上記した製造方法により製造される。なお好ましいＤＬＣ層の厚さは、０．１μｍ〜２μｍであり、より好ましいＤＬＣ層の厚さは０．１μｍ〜１μｍであり、更に好ましいＤＬＣ層の厚さは０．１μｍ〜０．５μｍである。また、このＤＬＣ層は、ＣＶＤ法により形成されたものであり、好ましくは高周波プラズマＣＶＤ法により形成されたものである。先に説明したとおり、本発明の工具の好ましい態様は、刃部を構成する金属部と、前記ＤＬＣ層との間に中間層を有する。
【００４７】
（４．インプラント埋め込み用工具の使用方法）
本発明のインプラント埋め込み用工具は、公知のインプラント埋め込み用工具と同様にして使用できる。本発明の工具は、その表面がＤＬＣコーティングされているので、先に説明したような様々な効果を奏する。
【００４８】
以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。
【実施例１】
【００４９】
（工具の製造工程）
株式会社ミヤナガ製コンクリート用振動ドリル（ドリル径４φ）、ドリル回転数５４０ｒｐｍを用意した。このドリルの刃を取り出した。このドリルの刃に、スパッタリング法により、膜厚が０．２μｍのシリコン層（中間層）を形成した。すなわち、アネルバ社製２１０Ｈスパッタリング装置を用い、１００Ｗ、ガス圧０.５Ｐａで、シリコン層を蒸着した。その後、以下の条件の高周波プラズマＣＶＤ法により、ＤＬＣコーティングを行った。なお、ＤＬＣコーティング中、ドリルの刃を１００℃に維持した。原料ガスとしてメタンガスを用いた。合成中の圧力は２０Ｐａであった。成膜時間は、片面につき１時間であった。ラジオ周波数電極の印加電圧は、１００Ｗであった。なお、この結果得られたＤＬＣ層の膜厚は、０．５μｍであった。
【００５０】
（比較例１）
中間層やＤＬＣコーティングを行わないドリルを用意した。
【００５１】
（性能試験工程）
ウシの大腿骨を用意した。この大腿骨に上記の実施例１で製造したドリル及び比較例１のドリルを用いて、穴が開けられなくなるまで複数個の穴をあけた。その結果、実施例１のドリルでは２２個の穴を開けた段階で切れ味がにぶり、２４個の穴をあけた段階でそれ以上の穴を開ける事ができなくなった。一方、比較例１のドリルでは６個の穴をあけた段階でこれ以上穴を開ける事ができなくなった。また、比較例１のドリルでは、１個目の穴を開ける際から、ドリルの溝に切りかすがたまり始めた。一方、実施例１のドリルでは、ドリルの溝にかすがたまりにくかった。このドリルの溝部分については、複数個の穴をあけてもＤＬＣ層が剥離しにくかった。
【実施例２】
【００５２】
ドリルの刃を８０℃に維持した以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、２６個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【実施例３】
【００５３】
ラジオ周波数電極の印加電圧を、７０Ｗとした以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、２０個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【実施例４】
【００５４】
中間層の膜厚を３０ｎｍとなるようにスパッタリング時間を短縮した以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、３０個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。これから、本発明の系においては、中間層を薄膜とすることで、ＤＬＣ層が剥離しにくくなることがわかった。
【実施例５】
【００５５】
メタンガスのガス圧を５Ｐａとした以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、２０個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【実施例６】
【００５６】
ドリルの刃の温度を２００℃とした以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、１３個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【実施例７】
【００５７】
中間層として、シリコン層の変りにＳｉＣ(シリコンカーバイド)層を形成した以外は、実施例１と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、２４個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【実施例８】
【００５８】
スパッタリングの条件を５０Ｗ，ガス圧０．２Ｐａとして２０ｎｍのＳｉＣ層を形成し、ＣＶＤの条件をメタンガス圧２Ｐａとし０．１μｍのＤＬＣ層を形成した以外は、実施例７と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、５０個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。この結果から、本発明の系においては、低いガス圧を用いて中間層、及びＤＬＣ層を形成した方が、これらの層が剥離しにくいことがわかった。
【実施例９】
【００５９】
スパッタリングの条件を５０Ｗ，ガス圧０．２Ｐａとして０．０１μｍのＷＣ（タングステンカーバイド）層を形成し、ＣＶＤ条件をメタンガスのガス圧３Ｐａとして０．７μｍのＤＬＣ層を形成した以外は、実施例８と同様にしてＤＬＣコーティングを実施した。実施例１と同様の性能試験を行った結果、６１個の穴を開けた段階でそれ以上の穴をあけることができなくなった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明のインプラント埋め込み用工具の製造方法は、歯科用ドリル、及び歯科用バーなどの製造方法として利用され得る。また、本発明のインプラント埋め込み用工具は、歯科用ドリル、及び歯科用バーなどとして利用され得る。