(57)【要約】【課題】  エッチング後のウェハ等，素材の表面を露出させたウェハを低コストで効率的に包装し，保管中の表面の酸化を効果的に抑制できる基板の包装方法及び包装体を提供する。【解決手段】  素材の表面を露出させた基板Ｗを包装する方法において，基板Ｗを入れたラミネート袋Ｐをチャンバー２に入れ，前記チャンバー２内を減圧し，前記ラミネート袋Ｐの開口部に挿入した窒素ガスノズル１０から窒素ガスを供給しながら前記チャンバー２内に窒素ガスを供給し，前記ラミネート袋Ｐの開口部を封止して，基板Ｗを包装することとした。さらに，前記チャンバー２内を減圧し，窒素ガスを供給した後，再び前記チャンバー２内を減圧し，窒素ガスを供給することとした。【選択図】  図３
2005029233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素材の表面を露出させた基板を包装する方法であって，
基板を入れたラミネート袋をチャンバーに入れ，
前記チャンバー内を減圧し，
前記ラミネート袋の開口部に挿入した窒素ガスノズルから窒素ガスを供給しながら前記チャンバー内に窒素ガスを供給し，
前記ラミネート袋の開口部を密封して，基板を包装することを特徴とする，基板の包装方法。
【請求項２】
前記チャンバー内を減圧し，窒素ガスを供給した後，再び前記チャンバー内を減圧し，窒素ガスを供給することを特徴とする，請求項１に記載の基板の包装方法。
【請求項３】
素材の表面を露出させた基板を包装したラミネート袋内が酸素濃度２％以下であることを特徴とする，基板の包装体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，例えばエッチング後の基板など，素材の表面を露出させた基板を包装する方法及び包装体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＧａＡｓ（ガリウム砒素）等の半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）においては，エッチング等の表面処理を施した後に暫く保管し，数日後，エピタキシャル成長等の処理を行う場合がある。保管中は，ウェハの表面を清浄に保ち，表面の酸化を抑制する必要がある。従来，エッチング後のウェハを保管する方法として，ウェハを一枚ずつ専用の気密容器に入れて保管するものが提案されている（例えば，特許文献１参照。）。かかる方法では，気密容器内を窒素ガス雰囲気にして低酸素濃度にすることにより，ウェハの表面の酸化を抑制している。
【０００３】
【特許文献１】特開平２−２０４４００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の方法にあっては，ウェハを収納するための専用の気密容器が必要であり，コストアップとなっていた。さらに，気密容器の本体と蓋を確実にシールすることが難しく，保管中に酸素が侵入して酸化が進行する虞があった。また，気密容器内を低酸素濃度にするまでに長時間を要し，大量の窒素ガスが必要であった。
【０００５】
従って，本発明の目的は，エッチング後のウェハ等，素材の表面を露出させたウェハを低コストで効率的に包装し，保管中の表面の酸化を効果的に抑制できる基板の包装方法及び包装体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために，本発明によれば，素材の表面を露出させた基板を包装する方法であって，基板を入れたラミネート袋をチャンバーに入れ，前記チャンバー内を減圧し，前記ラミネート袋の開口部に挿入した窒素ガスノズルから窒素ガスを供給し，前記ラミネート袋の開口部を密封して，基板を包装することを特徴とする，基板の包装方法が提供される。ここで，素材の表面を露出させた基板とは，例えばエッチング後のウェハである。かかる基板の包装方法によれば，ウェハ等の通常の包装形態に用いられるラミネート袋とチャンバー式包装機を利用して，エッチング後のウェハを包装できる。従って，ウェハを低コストで包装できる。また，ラミネート袋の開口を熱圧着によって簡単かつ確実に密封できる。
【０００７】
この包装方法にあっては，前記チャンバー内を減圧した後，前記チャンバー内に窒素ガスを導入し，再び前記チャンバー内を減圧し，その後，前記窒素ガスノズルから窒素ガスを供給することが好ましい。そうすれば，ラミネート袋の内部の酸素濃度をさらに低下させることができる。
【０００８】
また，本発明によれば，素材の表面を露出させた基板を包装したラミネート袋内が酸素濃度２％以下であることを特徴とする，基板の包装体が提供される。この包装体にあっては，ラミネート袋に入れたトレーから酸素が発生しても，酸素濃度が上昇しすぎず，良好な酸化防止効果が得られる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば，基板の通常の包装形態に用いられるラミネート袋とチャンバー式包装機を利用して基板を気密に包装できる。従って，専用の気密容器等を用意する必要は無く，基板を低コストで気密に包装できる。また，ラミネート袋の開口部を簡単かつ確実に密封できる。ラミネート袋の内部を短時間で効率的に低酸素濃度にすることができる。基板を保管する間も，基板の酸化を効果的に抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下，本発明の好ましい実施の形態を説明する。図１に示すように，アルミラミネートパックＰ（以下，「ラミネートパックＰ」という。）は，袋状に形成されており，ラミネートパックＰの開口部は，熱圧着によって密封することができる。ラミネートパックＰは，ウェハの通常の包装形態に用いられるものである。ラミネートパックＰの内部には，ＧａＡｓの略円盤形状のウェハＷとトレーＴが収納される。本実施の形態において，ウェハＷはエッチング後のものである。トレーＴは，例えばポリプロピレン製のものが使用される。ウェハＷは，表面（半導体デバイスが形成される面）を下面とした状態でトレーＴに入れられる。
【００１１】
図２に示すように，ラミネートパックＰを密封するチャンバー式包装機１は，内部に密閉空間を形成するチャンバー２を備えている。チャンバー２は，チャンバー本体３と，チャンバー本体３の上面を覆う蓋体４によって構成されている。
【００１２】
チャンバー２の内部には，ラミネートパックＰを載置する載置台７が備えられている。載置台７の上面には，６個のラミネートパックＰを横に並べて載置することができる。載置台７の側方には，ラミネートパックＰの開口に挿入されて窒素（Ｎ２）ガスを吐出する窒素ガスノズル１０が６個設けられている。窒素ガスノズル１０は，載置台５上面の長辺に沿って横に並べられており，窒素ガス供給管１１から水平方向に載置台７に向かって突出するように設けられている。窒素ガスノズル１０の内面側の大きさは，例えば，基端からノズル開口までの長さは約２ｃｍ，幅は約５ｍｍ，ノズル開口における高さは約１ｍｍ程度である。
【００１３】
また，チャンバー２の内部には，ラミネートパックＰの開口部を加熱して熱圧着するシーラー１５が設けられている。図３に示すように，シーラー１５は，ラミネートパックＰの開口部に下方から接触する下シーラー１６と，ラミネートパックＰの開口部に上方から接触する上シーラー１７を備えている。下シーラー１６は，載置台７の上面周縁部に配設されており，ラミネートパックＰの開口部下方に位置するようになっている。上シーラー１７は，ラミネートパックＰより上方の待機位置と，ラミネートパックＰの開口部上面に接触する接触位置との間で昇降可能である。この上シーラー１７を下降させ，下シーラー１６と上シーラー１７の間に開口部を挟んで加熱することにより，開口部の内面を接着させるようになっている。
【００１４】
さらに，チャンバー２の内部に窒素ガスを導入する窒素ガス導入路２０が設けられている。また，チャンバー２の内部を排気するチャンバー排気路２１が設けられている。チャンバー排気路２１は，図示しないバルブを介して図示しない真空ポンプに接続されている。
【００１５】
次に，以上のように構成されたチャンバー式包装機１を使用したウェハＷの包装方法について説明する。先ず，ウェハＷの包装を行う前に，ウェハＷに表面平滑化加工が施され，次にエッチングによる表面処理が行われる。これにより，ウェハＷの素材であるＧａＡｓの表面が一部露出する。そして，エッチング後のウェハＷを検査した後，包装工程を開始する。ウェハＷは表面を下面にしてトレーＴに入れられ，トレーＴと共にラミネートパックＰの開口から内部に挿入される。
【００１６】
ウェハＷとトレーＴを収納したラミネートパックＰは，チャンバー式包装機１に搬送され，チャンバー２の内部に収納される。チャンバー２において，ラミネートパックＰは，開口部に窒素ガスノズル１０を挿入した状態で，載置台７の上面に載置される。また，ウェハＷの表面が下向きになるように載置される。上シーラー１７はラミネートパックＰの上方に待機させておく。このようにして，載置台７の上面に６個のラミネートパックＰが並べられる。
【００１７】
ラミネートパックＰを載置台７に並べたら，蓋体４を閉じて，チャンバー２を密閉する。先ず，真空ポンプ（図示せず）を作動させ，チャンバー２内をチャンバー排気路２１によって排気し，チャンバー２内を減圧する。チャンバー２内が目標の真空度（圧力）になったら，バルブ（図示せず）を閉じて排気を停止させる。
【００１８】
次に，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給する。このように，チャンバー２内を減圧した後窒素ガスを導入することで，チャンバー２内の雰囲気を窒素ガスに置換し，チャンバー２内を低酸素濃度にする。また，窒素ガスを窒素ガスノズル１０から供給することで，窒素ガスによりラミネートパックＰの内部から酸素が効率的に押し出され，ラミネートパックＰの内部を迅速に低酸素濃度にすることができる。また，チャンバー２内の６個のラミネートパックＰ内から，均等に酸素が押し出され，各ラミネートパックＰ内の酸素濃度のばらつきを低減できる。チャンバー２内の圧力が目標の圧力になったら，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０の窒素ガス供給を停止させる。
【００１９】
続いて，再びバルブ（図示せず）を開き，チャンバー２内をチャンバー排気路２１によって排気し，チャンバー２内を減圧する。チャンバー２内が目標の真空度（圧力）になったら，バルブ（図示せず）を閉じて排気を停止させる。
【００２０】
その後，再び窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給する。チャンバー２内の２回目の窒素ガス置換を行うことで，チャンバー２内をさらに低酸素濃度にできる。チャンバー２内の圧力が目標の圧力になったら，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０の窒素ガス供給を停止させる。
【００２１】
こうして，チャンバー２内及びラミネートパックＰ内を低酸素濃度にしたら，次に，上シーラー１７を下降させ，下シーラー１６と上シーラー１７の間にラミネートパックＰの開口部を挟み，下シーラー１６と上シーラー１７を昇温させて開口部を加熱し，開口部の内面を接着させる。これにより，ラミネートパックＰの開口部が確実に密封される。こうして，ウェハＷとトレーＴをラミネートパックＰによって気密に包装した包装体が完成する。
【００２２】
その後，蓋体４を開き，包装体をチャンバー２から搬出する。以上のようにして，チャンバー式包装機１によるウェハＷの包装工程が終了する。包装体は，エピタキシャル成長等の工程を行う工場に出荷される。包装体を搬送，保管する間も，包装体のラミネートパックＰの気密状態が確実に維持され，ラミネートパックＰ内に外気から酸素が侵入しない。従って，ラミネートパックＰ内が低酸素濃度に維持され，ウェハＷの表面の酸化が抑制される。
【００２３】
各工場においては，保管していた包装体のラミネートパックＰを開封してウェハＷを取り出し，エピタキシャル成長工程を行う。このとき，エピタキシャル成長工程前にウェハＷの表面酸化膜除去処理を行う必要は無く，直ちにエピタキシャル成長を行っても，成長面が不均一になる心配が無い。従って，良好な特性の半導体装置を効率的に製造することができる。
【００２４】
なお，トレーＴの材質によっては，トレーＴから酸素が発生して，包装後，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度が例えば約０．３５％程度上昇するおそれがあるが，チャンバー式包装機１における密封時に，ラミネートパックＰ内の酸素濃度を十分低下させることにより，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を低く維持し，ウェハの表面の酸化を効果的に抑制できる。ラミネートパックＰの開口部を密封する際のラミネートパックＰ内の酸素濃度は，例えば約２％以下程度にすることが好ましい。この場合，トレーＴから酸素が発生しても，ラミネートパックＰ内の酸素濃度が上昇しすぎず，良好な酸化防止効果が得られる。さらに好ましくは，密封時のラミネートパックＰ内の酸素濃度は，トレーＴからの酸素発生により酸素濃度が上昇しても酸素濃度が約１％以下に維持されるような値にすると良い。特に，密封時の酸素濃度を約０．１％以下にすると，トレーＴから酸素が発生しても酸素濃度を約０．５％以下に抑えることができ，非常に良好な酸化防止効果を得ることができる。また，密封時の酸素濃度は約０．５％程度であっても良い。この場合も，トレーＴから酸素が発生しても酸素濃度を約１％以下に抑えることができ，満足な酸化防止効果が得られる。また，密封時の酸素濃度を約０．１％以下にする場合よりも短時間で減圧でき，効率が良い。
【００２５】
かかる包装方法によれば，ウェハＷ等の通常の包装形態に用いられるラミネートパックＰと，ウェハＷ等の通常の包装形態に用いられるチャンバー式包装機に窒素ガスノズル１０を取り付けたチャンバー式包装機１を利用して，エッチング後のウェハＷを気密に包装できる。従って，エッチング後のウェハＷを収納するために専用の気密容器等を用意する必要は無く，ウェハＷを低コストで包装できる。また，ラミネートパックＰの開口部を熱圧着によって簡単かつ確実に封止できる。従って，外気から酸素が侵入することを確実に防止でき，ウェハＷの表面の酸化を効果的に抑制でき，表面を清浄に保つことができる。また，ラミネートパックＰに窒素ガスノズル１０を挿入した状態で窒素ガスを供給することにより，ラミネートパックＰの内部を短時間で効率的に低酸素濃度にすることができる。さらに，窒素ガスの供給量を低減できる。２回の窒素ガス置換で酸素濃度を十分に低下させることができる。そして，かかる包装方法によって包装されたウェハＷは，数日間保管される間も，表面の酸化が効果的に抑制される。
【００２６】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，本実施の形態において，基板はＧａＡｓの半導体ウェハとしたが，かかるものに限定されず，種々の基板に適用することができる。また，本実施の形態において，ウェハＷの表面を露出させる処理はエッチングとしたが，かかるものに限定されず，例えば，アミン系の薬液等を用いた酸化膜等の除去処理であっても良い。
【実施例】
【００２７】
（実施例１）
ウェハＷとトレーＴを収納したラミネートパックＰを，チャンバー２の内部に収納して，チャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約３×１０４Ｐａ（約０．３ａｔｍ）程度にした。チャンバー２内の圧力が約３×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約５秒程度であった。次に，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ（約０．９ａｔｍ）程度にした。続いて，再びチャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約３×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約３×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約５秒程度であった。その後，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。こうして，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を，約２％程度にすることができた。
【００２８】
（実施例２）
ウェハＷとトレーＴを収納したラミネートパックＰを，チャンバー２の内部に収納して，チャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約２×１０４Ｐａ（約０．２ａｔｍ）程度にした。チャンバー２内の圧力が約２×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約５．５秒程度であった。次に，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。続いて，再びチャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約２×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約２×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約５．５秒程度であった。その後，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。こうして，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を，約１％程度にすることができた。
【００２９】
（実施例３）
ウェハＷとトレーＴを収納したラミネートパックＰを，チャンバー２の内部に収納して，チャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約１×１０３Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約１×１０３Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約１８秒程度であった。次に，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約９×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約２１秒程度であった。続いて，再びチャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約１×１０３Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約１×１０３Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約１８秒程度であった。その後，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約９×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約２１秒程度であった。こうして，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を，約０．５％程度にすることができた。
【００３０】
（実施例４）
ウェハＷとトレーＴを収納したラミネートパックＰを，チャンバー２の内部に収納して，チャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約１７Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約１７Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約４時間程度であった。次に，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約９×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約２１秒程度であった。続いて，再びチャンバー排気路２１によってチャンバー２内を減圧した。チャンバー２内の到達圧力は，約１７Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約１７Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約４時間程度であった。その後，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給した。チャンバー２内の到達圧力は，約９×１０４Ｐａ程度にした。チャンバー２内の圧力が約９×１０４Ｐａ程度に到達するまでの所要時間は，約２１秒程度であった。こうして，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を，約０．１％程度にすることができた。
【００３１】
（試験１）
本発明者らは，本発明にかかる包装方法の酸化防止効果を確認する試験を行った。上記実施例１，２，３又は４に示した包装方法により，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を約０．１％，約０．５％，約１％，又は約２％にすることを目標に包装した包装体（０．１％品，０．５％品，１％品，２％品）を，各目標酸素濃度について，それぞれ複数個ずつ作製した。また，ラミネートパックＰの内部の酸素濃度を約１０％にすることを目標に包装した包装体（１０％品）を，複数個作製した。ウェハＷは，ＶＧＦ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｆｒｅｅｚｅ）法によって製作し，アンモニア−過酸化水素系の薬液により表面をエッチングしたものを用いて，エッチング直後に包装した。トレーＴは，ポリプロピレン製とした。そして，これらを室温で保管し，定期的に，各目標酸素濃度の包装体について，ラミネートパックＰ内の酸素（Ｏ２）濃度の測定と，ウェハＷの表面のＸ線分光測定（ＥＳＣＡ測定）を行った。測定は，包装体完成直後と，包装体を保管して７日，１４日，３０日経過後にそれぞれ行った。Ｘ線分光測定は，測定毎に各目標酸素濃度の包装体からそれぞれ測定用のサンプルを選んで，ラミネートパックＰを開封してウェハＷを取り出し，Ｘ線分光装置（日本電子株式会社製ＪＰＳ−９０００ＭＣ）を用いて行った。そして，Ｘ線分光測定によって観測されたスペクトルから，Ａｓ（砒素）のピーク総面積に対するＡｓ酸化物成分のピーク総面積の比（ピーク強度比）（Ａｓｏｘ／Ａｓｔｏｔａｌ）と，Ｇａ（ガリウム）のピーク総面積に対するＧａ酸化物成分のピーク総面積の比（ピーク強度比）（Ｇａｏｘ／Ｇａｔｏｔａｌ）とを算出し，ウェハＷの酸化進行を評価した。また，Ｘ線分光測定は，ウェハＷの中央部分とエッジ部分について行った。図４，図５及び図６は，上記試験の測定結果を示している。測定結果より，０．１％品，０．５％品，１％品，２％品は，ウェハＷの酸化防止効果が良好であり，実施例１，２，３又は４に示した各包装方法でウェハＷの酸化を良好に抑制できることがわかった。特に，０．１％品，０．５％品，１％品は，ウェハＷの酸化防止効果が極めて良好であった。一方，１０％品は，０．１％品，０．５％品，１％品，２％品と比較して，表面酸化物の割合が大きく増加しており，十分な酸化防止効果が得られなかった。
【００３２】
（試験２）
また，本発明者らは，窒素ガスノズル１０によって窒素ガスを供給する効果と，窒素ガスの供給及び減圧を２回行う効果を確認する試験を行った。本実施の形態に示したチャンバー式包装機１（以下，「ノズルあり包装機」という。）と，チャンバー式包装機１から窒素ガスノズル１０を除いたチャンバー式包装機１（以下，「ノズルなし包装機」という。）において，窒素ガス置換を１回行う方法と２回行う方法によってウェハＷを包装した。即ち，（１）ノズルあり包装機において，チャンバー２内を減圧し，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給し，密封する方法により包装した包装体，（２）ノズルなし包装機において，チャンバー２内を減圧し，窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給し，密封する方法により包装した包装体，（３）ノズルあり包装機において，チャンバー２内を減圧し，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給し，再びチャンバー２内を減圧し，窒素ガスノズル１０と窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給する方法により包装した包装体，（４）ノズルなし包装機において，チャンバー２内を減圧し，窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給し，再びチャンバー２内を減圧し，再び窒素ガス導入路２０から窒素ガスを供給する方法により包装した包装体，を作製した。減圧は，図７に示すように，約２×１０４Ｐａ（減圧度約−８０），約１×１０４Ｐａ（減圧度約−９０），又は約０Ｐａ（減圧度約−１００）になるように行い，これら３つの異なる減圧度でそれぞれ包装を行った。（３），（４）における１回目と２回目の減圧は，同じ減圧度で行った。窒素ガス導入路２０による窒素ガスの導入と窒素ガスノズル１０による窒素ガスの供給は，チャンバー２内が常圧（約１×１０５Ｐａ程度）になるように行った。そして，（１）〜（４）の包装体について，ラミネートパックＰ内の酸素濃度を，各包装体完成直後にそれぞれ測定した。また，（１）〜（４）の各包装体について，ラミネートパックＰ内の酸素濃度の計算値をそれぞれ算出した。図７及び図８は，測定結果及び計算結果を示している。測定結果より，酸素濃度が最も低下した包装体は，（３）の包装体であった。従って，本実施の形態に示した方法は，酸素濃度を効率的に低減できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】ラミネートパックの斜視図である。
【図２】チャンバー式包装機の概略斜視図である。
【図３】チャンバーの断面図である。
【図４】試験１における酸素濃度測定とＸ線分光測定の結果を示す表である。
【図５】試験１におけるＡｓのピーク強度比の測定結果を示すグラフである。
【図６】試験１におけるＧａのピーク強度比の測定結果を示すグラフである。
【図７】試験２における酸素濃度の測定結果を示す表である。
【図８】試験２における酸素濃度の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３４】
Ｐ      ラミネートパック
Ｔ      トレー
Ｗ      ウェハ
１      チャンバー式包装機
２      チャンバー
１０    窒素ガスノズル
１５    シーラー
２０    窒素ガス導入路
２１    チャンバー排気路
【図１】
2005029233.tif 000003
【図２】
2005029233.tif 000004
【図３】
2005029233.tif 000005
【図４】
2005029233.tif 000006
【図５】
2005029233.tif 000007
【図６】
2005029233.tif 000008
【図７】
2005029233.tif 000009
【図８】
2005029233.tif 000010