(57)【要約】【課題】  高密度記録を実現することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  磁性層１３は斜方蒸着により形成されたものであり、カラム構造を有している。磁性層１３の磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔは１．３×１０-23 Ａｍ3 以下、結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１００ｋＡ／ｍ以上とされている。これらはノイズ特性に大きく影響する磁性粒子の大きさあるいは針状比に関係する物性値であり、このような範囲内とすることにより、磁性層１３の厚みを１００ｎｍ以下と薄くしてもノイズを低くすることができる。また、磁性層１３の飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上であることが好ましい。これにより十分な再生出力を確保することができる。ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いることができる。【選択図】        図１
2005092931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体にカラム構造を有する磁性層を備えた磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔが１．３×１０-23 Ａｍ3 以下であり、かつ、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が１１００ｋＡ／ｍ以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性層は、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
異方性磁気抵抗効果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用したヘッドに対して用いられることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性支持体にカラム構造を有する磁性層を設けた磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）の分野においては、高画質化を図るために、高密度記録化が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒体としては、非磁性支持体の上に、強磁性材料をめっきあるいは真空薄膜形成手段によって直接被着させて磁性層を形成した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、塗布型の磁気記録媒体に比較して、抗磁力、残留磁化、および角型比などに優れ、短波長での電磁変換特性にも優れている。また、強磁性材料を直接被着させるので、磁性層の厚みを極めて薄くすることができ、記録減磁あるいは再生時の厚み損失が著しく小さくなり、良好な電磁変換特性が得られる。さらに、磁性層中に非磁性の結合剤や添加剤を混入する必要がないので、磁性材料の充填密度が高まり、磁束密度を高くすることができる。
【０００４】
中でも、真空蒸着法により強磁性材料を非磁性支持体に対して斜めに入射させて磁性層を形成したものは、より高い電磁変換特性および大きな出力を得ることができるので好ましい。例えば、このような真空蒸着法により磁性層を形成した磁気テープ（蒸着テープ）は、特性が安定しており、かつ生産効率も高いので、ハイバンド８ｍｍ用テープ、民生用デジタルビデオ用テープ、あるいはコンピューターデータ記録用テープ（例えばＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape ）あるいはＭａｍｍｏｔｈ）として、すでに実用化されている。
【０００５】
また、高記録密度領域において十分な信号対雑音比（Carrier to Noise Ratio；ＣＮＲ）を確保するためには、記録再生システムに応じた最適な再生出力を確保した上で、媒体ノイズを低下させる媒体設計技術が重要となる。再生出力は、再生ヘッド感度への依存度が大きいことから、特に、媒体ノイズの低い媒体が重要となる。
【０００６】
媒体ノイズは、磁性薄膜の内部微細構造に由来するものである。例えば、民生用デジタルビデオ用テープなどでは、残留磁化Ｍｒ、抗磁力Ｈｃ、磁性層厚みｔ、および、これらの積であるＭｒＨｃｔを最適化することにより、高いＣＮＲを実現している（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平６−４８５１号公報
【特許文献２】特許第３１０４３６４号公報
【非特許文献１】高山他，“信学技報”，１９９６年９月，ＭＲ９６−２３，ｐ．２３〜２８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、民生用デジタルビデオ用テープなどは磁性層の厚みが２００ｎｍ程度であるのに対して、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistive）効果）を利用したＡＭＲヘッド、あるいは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）効果）を利用したＧＭＲヘッドに用いる磁気記録媒体の磁性層の厚みは薄くなる傾向にあり、現在は２０ｎｍ〜４０ｎｍが主流である。このように高密度記録に必要とされる磁性層の厚みが１００ｎｍ以下の媒体においては、磁性層内部の磁性粒子の大きさおよび針状比が媒体ノイズレベルに大きく影響するようになる。よって、上述したパラメータによる最適化では不十分であり、磁性粒子の大きさおよび針状比を反映する新たな磁気パラメータの最適化が重要となる。なお、磁性粒子の大きさを表す磁気パラメータとノイズ特性については、高山等による報告（非特許文献１参照。）がある。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、さらなる高密度記録を実現することができる磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による磁気記録媒体は、非磁性支持体にカラム構造を有する磁性層を備えたものであって、磁性層は、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔが１．３×１０-23 Ａｍ3 以下であり、かつ、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が１１００ｋＡ／ｍ以上のものである。
【００１０】
本発明による磁気記録媒体では、磁化反転体積Ｖａｃおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain を制御することにより、これらに関係する磁性粒子の大きさおよび針状比が制御される。これら磁性粒子の大きさおよび針状比は、磁性層の厚みが薄い場合において特にノイズ特性に影響を与える因子であり、これらが制御されることにより、優れた電磁変換特性が得られる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気記録媒体によれば、磁性層の磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が上述した範囲内となるようにしたので、磁性粒子の大きさおよび針状化の程度を適切に制御することができ、磁性層の厚みを薄くしても、優れた磁気変換特性を得ることができる。よって、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いても優れた出力特性を得ることができる。
【００１２】
特に、磁性層の飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上となるようにすれば、より優れた再生出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体である磁気テープ１０の断面構造を表すものである。磁気テープ１０は、例えば、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを用いた記録再生システムに対して用いるのに適したものであり、非磁性支持体１１の上に、下地層１２，磁性層１３，保護層１４およびトップコート層１５が非磁性支持体１１の側からこの順に積層されている。なお、図２に示したように、下地層１２を設けず、非磁性支持体１１の上に直接、磁性層１３を設けるようにしてもよい。
【００１５】
非磁性支持体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、あるいはポリカーボネートなどに代表される高分子材料により構成されている。
【００１６】
下地層１２は、例えば磁性材料を含んでおり、酸素（Ｏ）などが添加されていてもよい。下地層１２を構成する磁性材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの強磁性単体金属、コバルト−ニッケル系合金，鉄−コバルト系合金，鉄−ニッケル系合金，コバルト−白金（Ｐｔ）系合金，コバルト−ニッケル−白金系合金，鉄−コバルト−ニッケル系合金，鉄−ニッケル−ホウ素（Ｂ）系合金，鉄−コバルト−ホウ素系合金，鉄−コバルト−ニッケル−ホウ素系合金あるいはコバルト−クロム（Ｃｒ）系合金などの強磁性合金、またはビスマス（Ｂｉ），アンチモン（Ｓｂ），Ｐｂ（鉛），Ｓｎ（スズ），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ（インジウム），Ｃｄ（カドミウム），Ｇｅ（ゲルマニウム），Ｓｉ（ケイ素），あるいはＴi （チタン）が挙げられる。
【００１７】
また、下地層１２は、斜方蒸着により形成されたものであることが好ましく、カラム構造を有していることが好ましい。なお、カラム構造というのは、斜方蒸着により形成される柱状構造のことである。
【００１８】
磁性層１３は、例えば磁性材料を含んでおり、酸素などが添加されていてもよい。磁性層１３を構成する磁性材料としては、例えば、鉄，コバルトあるいはニッケルなどの強磁性単体金属、またはコバルト−ニッケル系合金，鉄−コバルト系合金，鉄−ニッケル系合金，コバルト−白金系合金，コバルト−ニッケル−白金系合金、，鉄−コバルト−ニッケル系合金，鉄−ニッケル−ホウ素系合金，鉄−コバルト−ホウ素系合金，鉄−コバルト−ニッケル−ホウ素系合金等あるいはコバルト−クロム系合金などの強磁性合金が挙げられる。
【００１９】
また、磁性層１３は、斜方蒸着により形成されたものであり、カラム構造を有している。特に、斜方蒸着の際に酸素を導入した酸素含有膜により構成されることが好ましい。磁性層１３の結晶粒子を微細化することができ、媒体ノイズを低減することができるからである。
【００２０】
更に、磁性層１３は、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔが１．３×１０-23 Ａｍ3 以下であり、かつ、磁気テープ１０の長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が１１００ｋＡ／ｍ以上となっている。磁化反転体積Ｖａｃおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は、ノイズ特性に大きく影響する磁性層１３の内部の磁性粒子の大きさあるいは針状比に関係する物性値である。すなわち、本実施の形態では、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain を上述した範囲内とすることにより、磁性粒子の大きさおよび針状比を制御し、磁性層１３の厚みを薄くしてもノイズを低くすることができるようになっている。
【００２１】
磁化反転体積Ｖａｃは、磁化反転を行う最小体積であり、数１により求められる。なお、磁化反転体積Ｖａｃは、物理的な磁性粒子のサイズとは必ずしも一致しない。
（数１）
Ｖａｃ＝（ｋＴχirr ）／（ＭｓＳ）
数１において、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、χirr は残留磁化曲線より求められる非可逆磁化率、Ｍｓは飽和磁化、Ｓは磁性材料に磁場を印加した場合の、磁場印加時間に対する磁化の減衰率より求められる磁気粘性である。
【００２２】
結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は、孤立した結晶粒内の異方性磁界であり、磁化モードおよび結晶配向の影響を受けない値である（“電気電子技術者協会報告書（Institute of Electrical and Electronics Engineers Transactionson Magnetics）”，１９９２年，２８，ｐ．３２８５−３２８７参照。）。例えば本実施の形態では、結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は、磁性材料の結晶磁気異方性と磁性粒子形状による形状磁気異方性の和で表される。したがって、結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain の変化は主に磁性粒子の針状比の変化によるものと考えられる。
【００２３】
この結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は、例えば、回転ヒステリシス損失Ｗｒを０ｋＡ／ｍ〜２０ｋＡ／ｍの低磁界から１２００ｋＡ／ｍの高磁界まで磁界Ｈを印加しながら測定し、印加磁界の逆数１／Ｈに対してプロットして、高磁界側のデータを２次曲線に近似し、回転ヒステリシス損失Ｗｒが零となる磁界の値として求められる。その際、野田の提案した方法（“電気電子技術者協会報告書（Institute of Electrical and Electronics Engineers Transactionson Magnetics）”，１９９１年，２７，ｐ．４８４６−４８４８参照。）により、試料形状による形状異方性の影響を除去することが好ましい。
【００２４】
加えて、磁性層１３は、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上であることが好ましい。飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 未満では十分な再生出力を確保することができず、４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上とすれば、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを用いた記録再生システムにおいても十分な再生出力を確保することができるからである。なお、飽和磁化Ｍｓおよび抗磁力Ｈｃは磁性層１３全体における平均値である。
【００２５】
磁性層１３の残留磁化量Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは、ＡＭＲヘッドに対して用いる場合には、５ｍＡ〜３０ｍＡの範囲内であることが好ましく、ＧＭＲヘッドに対して用いる場合には、２ｍＡ〜２０ｍＡの範囲内であることが好ましい。それぞれのヘッドにおいて、前記のＭｒｔの範囲で最も再生波形の対象性が良いからである。磁性層１３の厚みｔは、ＡＭＲヘッドに対して用いる場合には１００ｎｍ以下、更には３０ｎｍ〜８０ｎｍであれば好ましく、ＧＭＲヘッドに対して用いる場合には８０ｎｍ以下、更には２０ｎｍ〜４０ｎｍであれば好ましい。高記録密度化を図ることができるからである。なお、磁性層１３は、単層構造でもよいが、２層以上の積層構造とされていてもよい。
【００２６】
保護層１４は、グラファイト，ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Diamond-Like Carbon ）あるいはダイヤモンドなどを含む炭素材料、または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などにより構成され、膜強度の面からは炭素材料により構成されることが好ましい。
【００２７】
トップコート層１５は、例えば潤滑剤により構成されている。潤滑剤としては、例えば、パーフルオロロカーボン系材料、あるいはコハク酸を主骨格とするモノエステル系材料などの有機材料が挙げられる。
【００２８】
この磁気テープ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２９】
まず、非磁性支持体１１の上に、例えば下地層１２および磁性層１３を斜方蒸着により形成する。図３は、下地層１２および磁性層１３の成膜に用いられる連続巻取式斜方蒸着装置の一例を表すものである。この蒸着装置２０は、真空ポンプ２１Ａが設けられた成膜室２１の内部に矢印方向に回転可能なドラム２２を有しており、供給リール２３に巻かれた非磁性支持体１１をドラム２２を介して巻き取りリール２４に巻き取るようになっている。ドラム２２には図示しない冷却機構が設けられており、例えば−２０℃程度に冷却されている。成膜室２１の内部には、また、蒸着源２５Ａを収納した坩堝２５が配置されており、成膜室２１に設けられた電子銃２６から電子ビーム２６Ａを照射して、ドラム２２に巻かれている非磁性支持体１１の上に蒸着膜を形成するようになっている。蒸着源２５Ａには、下地層１２あるいは磁性層１３を構成する上述した磁性材料を用いる。また、ドラム２２の近傍には、坩堝２５から非磁性支持体１１に入射する成分を規制する低入射角側マスク２７と高入射角側マスク２８とが設けられている。坩堝２５から非磁性支持体１１に入射する成分は、坩堝２５の中心と低入射角側マスク２７の先端とを結ぶ直線と、この直線がドラム２２の表面と交わる位置とドラム２２の中心とを結ぶ直線とがなす角度α、および、高入射角側マスク２８の先端とドラム２２の中心とを結ぶ直線と、この直線がドラム２２の表面と交わる位置と坩堝２５の中心とを結ぶ直線とがなす角度βで定義され、入射角成分はα°−β°と表される。低入射角側マスク２７および高入射角側マスク２８の先端には酸素導入管２９が設置されている。
【００３０】
蒸着時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０-1Ｐａ〜１×１０-3Ｐａ程度とする。また、非磁性支持体１１を巻き取るテープライン速度、入射角成分α°−β°、およびトータル酸素導入量などを調整することにより、磁性層１３の物性、すなわち磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain などを制御する。例えば、テープライン速度は５０ｍ／ｍｉｎ〜２５０ｍ／ｍｉｎとすることが好ましい。入射角成分は、角度αを３０°≦α≦６０°、かつ角度βを７０°≦β≦９０°の範囲とすることが好ましい。トータル酸素導入量は０．４ｓｌｍ〜１．０ｓｌｍとすることが好ましい。
【００３１】
次いで、磁性層１３の上に、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition ）法あるいは物理蒸着（ＰＶＤ；physical vapor deposition ）法により保護層１４を形成し、保護層１４の上にトップコート層１５を形成する。これにより、図１または図２に示した磁気テープ１０が完成する。
【００３２】
このように本実施の形態によれば、磁性層の磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が上述した範囲内となるようにしたので、磁性粒子の大きさおよび針状化の程度を適切に制御することができ、磁性層１３の厚みを例えば１００ｎｍ以下と薄くしてもノイズを低くすることができ、優れた磁気変換特性を得ることができる。よって、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いても優れた出力特性を得ることができる。
【００３３】
特に、磁性層１３の飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上となるようにすれば、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いても優れた再生出力を得ることができる。
【実施例】
【００３４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００３５】
（実施例１）
図２に示した磁気テープ１０を次のようにして作製した。まず、高分子フィルムよりなる非磁性支持体１１の上に、図３に示したような蒸着装置２０を用い、斜方蒸着法により酸素を導入したコバルトよりなる磁性層１３を形成した。蒸着時の雰囲気は７×１０-2Ｐａ、テープライン速度は５５ｍ／ｍｉｎ、入射角成分は４５°−９０°とした。酸素ガスは蒸着雰囲気中に２箇所から導入し、トータル酸素導入量は０．６０ｓｌｍとした。磁性層１３の厚みｔは１００ｎｍとした。次いで、磁性層１３の上に、ＣＶＤ法により保護層１４を形成し、その上にトップコート層１５を形成した。これにより実施例１の磁気テープ１０を得た。
【００３６】
得られた磁気テープ１０について、磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと磁性層１３の厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは１．３０×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１９９ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは４２１２０ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと磁性層１３の厚みｔとの積Ｍｒｔは２８．５ｍＡであった。
【００３７】
（実施例２）
トータル酸素導入量を０．７５ｓｌｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例２についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．７３６×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１９３ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは５１６１５ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは２６．２ｍＡであった。
【００３８】
（実施例３）
テープライン速度を５０ｍ／ｍｉｎ、トータル酸素導入量を０．５０ｓｌｍ、入射角成分を５０°−８０°としたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例３についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．６７３×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１１４ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは６１８３５ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは２５．７ｍＡであった。
【００３９】
（実施例４）
トータル酸素導入量を０．９０ｓｌｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例４についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．２７１×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１２７７ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは２９７２６ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１４．０ｍＡであった。
【００４０】
（実施例５）
テープライン速度を１００ｍ／ｍｉｎ、磁性層１３の厚みｔを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例５についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．５２３×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１２０８ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは４４０８０ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１５．２ｍＡであった。
【００４１】
（実施例６）
トータル酸素導入量を０．６５ｓｌｍ、磁性層１３の厚みｔを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例６についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．４２６×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１５２ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは４９６８６ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１３．９ｍＡであった。
【００４２】
（実施例７）
テープライン速度を８１ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を４５°−７０°、磁性層１３の厚みｔを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例７についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．４２０×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１７０ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは５３８５６ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１６．１ｍＡであった。
【００４３】
（実施例８）
トータル酸素導入量を０．９０ｓｌｍ、磁性層１３の厚みｔを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例８についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．１４９×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１２５７ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは３０３１６ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは７．９ｍＡであった。
【００４４】
（実施例９）
図１に示した磁気テープ１０を次のようにして作製した。まず、実施例１と同様の高分子フィルムよりなる非磁性支持体１１の上に、図３に示したような蒸着装置２０を用い、斜方蒸着法により酸素を導入したコバルトよりなる下地層１２を形成した。その際の雰囲気は７×１０-2Ｐａ、テープライン速度は１００ｍ／ｍｉｎ、入射角成分は４５°−９０°とした。酸素ガスは蒸着雰囲気中に２箇所から導入し、トータル酸素導入量は１．６０ｓｌｍとした。下地層１２の厚みは５０ｎｍとした。
【００４５】
次いで、下地層１２の上に、図３に示したような蒸着装置２０を用い、斜方蒸着法により酸素を導入したコバルトよりなる磁性層１３を形成した。その際の雰囲気は７×１０-2Ｐａ、テープライン速度は２５０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分は４５°−９０°とした。酸素ガスは蒸着雰囲気中に２箇所から導入し、トータル酸素導入量は０．６０ｓｌｍとした。磁性層１３の厚みｔは２０ｎｍとした。続いて、磁性層１３の上に、実施例１と同様にして、保護層１４およびトップコート層１５を形成した。これにより実施例９の磁気テープ１０を得た。
【００４６】
実施例９についても磁性層１３の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．２００×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１０９ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは５８８４５ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは６．１ｍＡであった。
【００４７】
（比較例１）
トータル酸素導入量を０．４０ｓｌｍ、磁性層の厚みｔを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例１についても磁性層の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは１．３１×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１０９９ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは４００００ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１７．５ｍＡであった。
【００４８】
（比較例２）
トータル酸素導入量を０．５０ｓｌｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例２についても磁性層の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは１．５９×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１１４９ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは５３６２５ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは３４．４ｍＡであった。
【００４９】
（比較例３）
テープライン速度を４５ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を６０°−８０°としたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例３についても磁性層の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは１．２９×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１０５１ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは５３４１０ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは２５．６ｍＡであった。
【００５０】
（比較例４）
トータル酸素導入量を０．９０ｓｌｍ、テープライン速度を９０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を６０°−９０°、磁性層の厚みを５０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例４についても磁性層の磁気特性を調べたところ、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔの積ＶａｃＭｓｔは０．４７７×１０-23 Ａｍ3 であり、長手方向と法線方向とを含む面内における結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain は１０４５ｋＡ／ｍであった。また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃは６０３７２ＭＡ2 ／ｍ2 であり、残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒｔは１６．６ｍＡであった。
【００５１】
（評価）
作製した実施例１〜９および比較例１〜４の磁気テープ１０について、電磁変換特性を調べた。電磁変換特性としては、記録波長を０．５６μｍ（キャリア周波数１２ＭＨｚ）としてＡＭＲヘッドで再生した場合の再生出力およびＣＮＲを測定した。ＣＮＲの測定におけるノイズレベルは、記録波長０．５６μｍ（キャリア周波数１２ＭＨｚ）を記録した場合のスペクトラムにおける１０ＭＨｚのノイズレベルと１４ＭＨｚのノイズレベルとの平均値とした。得られた結果を表１に示す。なお、表１に示したのは、比較例１の値を基準値として零とした場合の相対値である。
【００５２】
【表１】
2005092931.tif 000003
【００５３】
表１に示したように、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔが１．３×１０-23 Ａｍ3 以下であり、かつ、結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が１１００ｋＡ／ｍ以上である実施例１〜９によれば、それらが共に範囲外の比較例１に比べてＣＮＲを大きくすることができた。一方、そのどちらか一方が範囲外である比較例２〜４は、比較例１に比べてＣＮＲが小さかった。すなわち、磁化反転体積Ｖａｃと飽和磁化Ｍｓと厚みｔとの積ＶａｃＭｓｔおよび結晶粒内異方性磁界Ｈｋgrain が上述した範囲内となるようにすれば、ＣＮＲを向上させることができることが分かった。
【００５４】
また、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨｃが４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上である実施例１〜３，５〜７，９に比べて、４００００ＭＡ2 ／ｍ2 未満の実施例４，８は再生出力が小さかった。すなわち、飽和磁化Ｍｓと抗磁力Ｈｃとの積ＭｓＨがを４００００ＭＡ2 ／ｍ2 以上となるようにすれば、再生出力を向上させることができ、好ましいことが分かった。
【００５５】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、磁気テープ１０の積層構造について一例を挙げて説明したが、全ての層を備えていなくてもよく、他の層を更に備えていてもよい。
【００５６】
また、上記実施の形態および実施例では、磁気テープ１０を構成する各層の材料および成膜方法などについて具体的に例を挙げて説明したが、他の材料により構成してもよく、他の成膜方法により形成してもよい。
【００５７】
更に、上記実施の形態および実施例では、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いる場合について説明したが、他のヘッドに対して用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した磁気記録媒体の変形例を表す断面図である。
【図３】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いる蒸着装置の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０…磁気テープ、１１…非磁性支持体、１２…下地層、１３…磁性層、１４…保護層、１５…トップコート層、２０…蒸着装置、２１…成膜室、２１Ａ…真空ポンプ、２２…ドラム、２３…供給リール、２４…巻き取りリール、２５…坩堝、２５Ａ…蒸着源、２６…電子銃、２７…低入射角側マスク、２８…高入射角側マスク、２９…酸素導入管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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