(57)【要約】【課題】  半導体装置のモールドパッケージにおいて、半導体装置の大型化を抑えつつ、電極数を増加する。【解決手段】  半導体装置のモールドパッケージにおいて用いられるリードフレームにおいて、半導体チップを搭載する部分であるアイランド部を含めて全体に配置されたリードを形成する。半導体装置の製造においては、半導体チップを搭載して、ワイヤボンディング、樹脂封止を行った後、リードを、半導体チップの電極数に応じて、適宜切削することにより、リードを複数個に分割して用いる。【選択図】      図１
2005116687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のモールドパッケージにおいて用いられ、半導体装置において端子となるリードを備えるリードフレームであって、
前記リードは、切削により、複数個に分割して、複数の端子として用いることができることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記リードは、前記リードフレームの各外周辺に対して垂直な方向に、配列された複数本のリード線であって、
前記リード線のうち、少なくとも１のリード線は、前記半導体チップを搭載する部分から、その外周部に渡り配置されたことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記リードは、前記半導体チップ下面よりも大きな板状体であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記リードは、前記半導体チップを搭載する部分に開口を有する板状体であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項５】
複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載し、かつ、半導体装置において端子となるリードを含むリードフレームと、
前記ボンディングパッドを、前記リードの所定の位置に、電気的に接続するための金線と、
前記ボンディングパッドと、前記リードとが、前記金線により接続された状態で、前記半導体チップを、前記リードフレーム上に封止する封止部材と、
を備え、
前記リードは、前記半導体チップを搭載した後、所定の箇所において所定の数に分割され、前記ボンディングパッドと、１対１対応する個々の端子として用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記リードフレームは、前記半導体チップを搭載する搭載部を複数備え、
前記半導体装置は、前記リードを分割した後、更に、前記封止部材と前記リードフレームとを切断して構成され、その切断面には、前記封止部材の一部と、前記リードフレームの一部とが露出することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記切断面に露出する前記封止部材は、複数回で切断した切断ブレード跡模様を有し、
前記切断面に露出する前記リードフレームは、１回で切断した切断ブレード跡模様を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記リードは、前記リードフレームの各外周辺に対して垂直な方向に、配列された複数本のリード線であって、
前記リード線のうち、少なくとも１のリード線は、前記半導体チップを搭載する部分から、その外周部にまで渡り配置されたことを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リードは、前記半導体チップ下面よりも大きな板状体であり、
前記半導体チップは、前記板状体の上に搭載されていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記リードは、前記半導体チップを搭載する部分に開口を有する板状体であることを特徴とする請求項５から７のいずれかに半導体装置。
【請求項１１】
リードフレームの所定の箇所に、複数のボンディングパッドを有する半導体チップを搭載する搭載工程と、
前記ボンディングパッドと、前記リードフレームの前記半導体装置において端子となる部分であるリードとを、金線で接続する接続工程と、
前記半導体チップを、前記リードフレーム上に、封止部材により封止する封止工程と、
前記リードフレームの所定箇所を切削し、前記リードを、前記ボンディングパッドに１対１対応する個々の端子に分割する切削工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記リードフレームは、前記半導体チップを搭載する搭載部を複数備え、
前記半導体装置の製造方法は、前記切削工程の後、更に、
前記リードフレームと、前記封止部材との、所定箇所を切削し、各半導体装置に分割する分割工程を備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記リードは、前記リードフレームの各外周辺に対して垂直な方向に配列された複数本のリード線であって、
前記リード線のうち、少なくとも１のリード線は、前記半導体チップを搭載する部分から、その外周部にまで渡り配置されたことを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記リードは、前記半導体チップ下面よりも大きな板状体であり、
前記切削工程は、前記リードを、格子状に切削することを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記リードは、前記半導体チップを搭載する部分に開口を有する板状体であり、
前記切削工程は、前記リードを、格子状に切削することを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。更に、具体的には、半導体集積回路のモールドパッケージに用いられるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体装置の表面実装型パッケージとして、様々なタイプのものが用いられている。この表面実装型パッケージの１つに、ＱＦＮ（Quid Flat non leaded package）と呼ばれるパッケージがある。
【０００３】
ＱＦＮは、４側面にリードピンがなく、半導体装置の裏面に、外部端子となるリードフレームが露出する。従って、４側面にリードピンを有するＱＦＰ（Quid Flat Package）に比べて、実装占有面積、高さともに、優れている。また、複数の半導体チップを搭載できる等のメリットもある。
【０００４】
ところで、近年、半導体チップの多ピン化に伴い、これに対応して、半導体装置の外部端子も増加させる必要が生じている。従って、ＱＦＮについても、リードフレームのリード数の増加させる様々の技術が提案されている（例えば、特許文献１〜８参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２８６３７５号公報
【特許文献２】特開２０００−２８６３７２号公報
【特許文献３】特開２０００−２８６３７６号公報
【特許文献４】特開２０００−２８６３７７号公報
【特許文献５】特開２０００−１００８４３号公報
【特許文献６】特開２０００−１２４３８１号公報
【特許文献７】特開２０００−１５０７６０号公報
【特許文献８】特開２００１−１８９４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＱＦＮにおいては、リードが、半導体装置裏面の、半導体チップより外周部分に並んで配列される。従って、外部端子数を増加させようとすれば、半導体装置全体の大型化が必要になってしまう。
【０００７】
そこで、この発明は、上述の問題を解決し、パッケージの大型化を抑えつつ、半導体チップの端子数に応じて、必要な外部端子を確保できるようにしたリードフレーム、半導体装置及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るリードフレームは、半導体装置のモールドパッケージにおいて用いられ、半導体装置において端子となるリードを備えるリードフレームであって、
前記リードは、切削により、複数個に分割して、複数の端子として用いることができるものである。
【０００９】
また、この発明に係る半導体装置は、複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載し、かつ、半導体装置において端子となるリードを含むリードフレームと、
前記ボンディングパッドを、前記リードの所定の位置に、電気的に接続するための金線と、
前記ボンディングパッドと、前記リードとが、前記金線により接続された状態で、前記半導体チップを、前記リードフレーム上に封止する封止部材と、
を備え、
前記リードは、前記半導体チップを搭載した後、所定の箇所において所定の数に分割され、前記ボンディングパッドと、１対１対応する個々の端子として用いられているものである。
【００１０】
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームの所定の箇所に、複数のボンディングパッドを有する半導体チップを搭載する搭載工程と、
前記ボンディングパッドと、前記リードフレームの前記半導体装置において端子となる部分であるリードとを、金線で接続する接続工程と、
前記半導体チップを、前記リードフレーム上に、封止部材により封止する封止工程と、
前記リードフレームの所定箇所を切削し、前記リードを、前記ボンディングパッドに１対１対応する個々の端子に分割する切削工程と、
を備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、モールドパッケージにおいて用いられるリードフレームにおいて、リードが、半導体チップを搭載する部分にも形成され、この部分のリードをも外部端子として利用することができるようになっている。従って、半導体装置の大型化を抑えつつ、リード数の増加に対応することができる。
【００１２】
また、この発明においては、リードと、半導体チップの電極とを、金線で接続して樹脂封止した後で、リードを、必要に応じて、個々の端子に切削する。従って、１種類のリードフレームを、様々な電極数の半導体チップに用いることができ、リードフレームの生産性を向上させることができる。また、これにより、リード数が増加した場合にも、半導体装置の生産コストを低く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。
【００１４】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における半導体装置１００を説明するための模式図であり、図１（ａ）は、横断面を表し、図１（ｂ）は、下面を表す。
なお、以下説明のため、この明細書においては、便宜的に、図１（ａ）における上方、即ち、半導体チップ２の電極等が形成された主面側を、表面と称し、図１（ａ）における下方を、裏面と称することとする。また、図１（ｂ）の、半導体装置の裏面における、上下に対向する２辺の方向を、横方向と称し、これに垂直な方向を縦方向と称することとする。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１００において、半導体チップ２が、リード４上に、ダイボンド材６を介して搭載されている。また、半導体チップ２上の電極であるボンディングパッド８と、半導体装置１００において端子となるリード４とは、金線１０により接続されている。また、半導体チップ２は、このように、リード４上に、搭載され、金線１０により接続された状態で、封止樹脂１２により封止されている。また、図１（ｂ）に示すように、半導体装置１００の裏面には、リード４が露出し、各リード４には、外装メッキ１４が施されている。
【００１６】
図２は、この発明の実施の形態１において、半導体装置１００に用いられるリードフレーム１１０を説明するための上面模式図である。
図２に示すように、リードフレーム１１０には、リード４が、互いに交差しない状態で、かつ、リードフレームの外周の各辺に対してそれぞれ垂直に、縦横に複数配置されている。また、四隅に位置する各２本ずつのリード４は、短く構成されている。また、残りのリード４、即ち、縦方向に配置された計１０本のリード４と、横方向に配置された計２本のリードは、長く構成されている。この長いリード４は、半導体チップ２を搭載する部分であるアイランドエリア１６から、このアイランドエリア１６の外周部にまで渡るように配置されている。
【００１７】
また、リードフレーム１１０においては、縦、横方向に各２本ずつのライン、合計４本のラインがダイシングライン１８となる。このダイシングライン１８は、短いリード４の先端と接する位置に、各辺に水平に延びるラインであり、長いリード４は、半導体装置の樹脂封止後に、この位置において切削されることになる。
また、リードフレーム１１０においては、上述のように配列されたリード４のパターンが、複数個、並んで構成され、それぞれのアイランドエリア１６に、それぞれ、半導体チップ２を搭載することができる。
【００１８】
図３は、この発明の実施の形態１における半導体装置１００の製造方法について説明するためのフロー図である。また、図４〜図７は、半導体装置１００の各製造工程における状態を説明するための模式図であり、各図において、（ａ）は、横断面を示し、（ｂ）は、裏面を示す。また、図５において、（ｃ）は、表面を表している。
以下、図３〜図７を用いて、この発明の実施の形態１における半導体装置１００の製造方法を詳細に説明する。
【００１９】
まず、図４（ａ）、４（ｂ）に示すように、半導体チップ２を、リードフレーム１１０のアイランドエリア１６に搭載し、ダイボンド材６により固定する（ステップＳ２）。このとき、半導体チップ２は、長さの長いリード４の上に重なって搭載される。
【００２０】
次に、図５（ａ）、５（ｂ）、５（ｃ）に示すように、半導体チップ２上のボンディングパッド８と、リード４とを、金線１０でワイヤボンドする（ステップＳ４）。このとき、半導体チップ２の各ボンディングパッド８には、それぞれ、１本ずつの金線１０の一端が接続される。金線１０の他端は、リード４に接続されるが、このとき、長さの長いリード４には、それぞれ、２本ずつの金線が、別々の位置に接続される。一方、長さの短いリード４には、それぞれ、１本ずつの金線１０が、一箇所に接続される。即ち、１つの長さの長いリード４において接続する、２つの電極は、この状態では、ショート状態になっている。
【００２１】
次に、図６（ａ）、６（ｂ）に示すように、ボンディングパッド８とリード４とが金線１０により接続した状態で、封止樹脂１２により半導体チップ２を、リードフレーム１１０上に、モールド封止する（ステップＳ６）。これにより、半導体チップ２は、リードフレーム１１０のリード４上に、封止される。このとき、図６（ｂ）に示すように、裏面には、リード４が、封止樹脂１２から、露出している状態となっている。
【００２２】
次に、ブレードを用いて、ダイシングライン１８に沿って、裏面に露出するリード４のうち、長さの長いリード４を切削する（ステップＳ８）。これにより、図７（ａ）、７（ｂ）に示すように、１の長いリード４に接続していた２つの半導体チップ２のボンディングパッド８は、それぞれ、切削された個々のリード４に接続されている状態となり、ショート状態が回避される。なお、実施の形態１では、ダイシングライン１８は、短いリード４に接する位置にあるため、短いリード４は、切削されず、１のリードのままである。
次に、各リード４に、外装メッキ１４を行う（ステップＳ１０）。これにより、図１（ａ）、１（ｂ）に示すような半導体装置１００が完成する。
【００２３】
以上説明したように、実施の形態１によれば、リードフレーム１１０には、長さの長いリード４と、短いリード４とを交わらない状態で設けられ、必要に応じて、長さの長いリード４を切削して、別々の端子として用いることができる。従って、１種類のリードフレーム１１０を、ボンディングパッドの数の異なる様々な半導体チップに対応させて用いることができる。従って、リードフレームの生産性を向上させることができ、半導体装置の低コスト化を図ることができる。
【００２４】
また、実施の形態１によれば、１本の長いリード４のままボンディングされ、モールド封止後に、リード４の切削が行われる。従って、リードフレーム１１０において、個々の半導体チップにあわせた、複雑な配列パターンのリード４を形成する必要がない。従って、リードフレームの生産性を向上させることができ、半導体装置の低コスト化を図ることができる。
【００２５】
また、実施の形態１によれば、リード４は、半導体チップ２の下方にまで配置される。従って、リード４の切削や、生産性等を考慮して、ある程度、リード４の長さを長く確保しつつ、半導体チップ２に近接する部分のリード４においては、金線１０のワイヤボンドに最低限必要なスペースのみを半導体チップ２より外側に出して、不要な部分を、半導体チップ２下方のスペースに配置することができる。従って、リード４に必要なスペースを極力抑えることができ、半導体装置１００の更なる微細化を図ることができる。
【００２６】
なお、実施の形態１では、長さの長いリード４のみを、切削し、２つに分割する場合について説明した。しかし、この発明においては、これに限るものではなく、長さの短いリード４をも切削する場合や、長さの長いリードを３分割に切削する場合等であってもよい。切削回数や切削箇所は、半導体チップ２のボンディングパッドの数に対して必要な端子数等を考慮して調整すればよい。
【００２７】
また、実施の形態１では、縦方向に、それぞれ、９本ずつ、計１８本、横方向に、それぞれ、５本ずつ、計１０本のリード４が形成され、また、このうち、４隅に位置する各２本ずつのリード４を短くし、残りのリード４を長くしたリードフレーム１１０について説明した。しかし、この発明において、リード４の本数や、長さの長いもの、短いものの割合や、リード４の配列パターンは、これに限るものではない。リード４の本数や、配列パターン等は、半導体チップ２のボンディングパッド８の数や、配列、また、最終的に形成する半導体装置１００の大きさ等を考慮して、必要に応じて選択すればよい。
【００２８】
また、この実施の形態１においては、リードの切削は、ブレード等により行う場合について説明した。しかし、この発明は、このような切削方法に限るものではなく、エッチングを行うなど、他の方法により切削するものであってもよい。
【００２９】
実施の形態２．
図８は、この発明の実施の形態２における半導体装置２００を説明するための模式図であり、図８（ａ）は、横断面を示し、図８（ｂ）は、裏面を表している。なお、図８（ａ）は、図８（ｂ）の、Ａ−Ｂ方向における断面である。
図８に示すように、半導体装置２００は、実施の形態１において説明した半導体装置１００と類似するものである。しかし、半導体装置２００において、リード２０は、実施の形態１におけるリードフレーム１１０と異なり、１枚のリード板２２を格子状に切削したものである。各リード２０には、実施の形態１と同様に、外装メッキ１４が施されている。
【００３０】
図９は、この発明の実施の形態２において、半導体装置２００に用いられるリードフレーム２１０について説明するための模式図である。
図９に示すように、実施の形態２において用いられるリードフレーム２１０には、複数のリード板２２が配列されている。各リード板２２には、それぞれ、半導体チップ２を搭載する部分であるアイランドエリア２４を有する。また、実施の形態２においては、格子状に縦横方向に各５本ずつ配列されたラインが、ダイシングライン２６となり、このダイシングライン２６に沿って切削することにより、リード板２２は、個々の端子となるリード２０に分割されるようになっている。
【００３１】
図１０〜図１２は、この発明の実施の形態２における半導体装置２００の各製造工程における状態を説明するための模式図であり、各図において、（ａ）は、横断面を示し、（ｂ）は、裏面を示す。
実施の形態２における半導体装置２００の製造方法は、実施の形態１において説明した製造方法を同じである。しかし、実施の形態２においては、実施の形態１において説明した切削の工程（ステップＳ１０）におけるダイシングライン２６が異なる。
以下、図２、図１０〜図１２を用いて、具体的に実施の形態２における半導体装置２００の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、リード板２２の、アイランドエリア２４に、半導体チップを搭載し、ダイボンド材６を介して固定する（ステップＳ２）。次に、図１０（ａ）、１０（ｂ）に示すように、半導体チップ２上のボンディングパッド８と、リード板２２とを、金線１０によりワイヤボンドする（ステップＳ４）。ここで、半導体チップ２の各ボンディングパッド８には、それぞれ１本ずつの金線１０の一端が接続される。また、各金線１０の他端は、リード板２２が、切削されて、後にリード２０となる各位置に、それぞれ、１本ずつ接続される。
【００３３】
次に、図１１（ａ）、１１（ｂ）に示すように、金線１０が接続された状態で、封止樹脂１２によるモールド封止を行う（ステップＳ６）。これにより、半導体チップ２は、リード板２２に封止される。また、図１１（ｂ）に示すように、リード板２２の裏面側に置いては、リード板２２は露出した状態となっている。
【００３４】
次に、リード板２２を、ダイシングライン２６に沿って、格子状に切削する（ステップＳ８）。これにより、リード板２２は、必要な数の、リード２０に分割される。その後、各リード２０に外装メッキ１４を施す（ステップＳ１０）。これにより、図８（ａ）、８（ｂ）に示すような半導体装置２００が完成する。
【００３５】
以上説明したように、半導体装置２００においては、リード２０として、リード板２２を切削したものを用いる。従って、１種類のリード板２２により、電極数の異なる複数種類の半導体チップ２に対応することができる。これにより、リードフレーム２１０の生産性を向上させ、半導体装置２００の生産コストを低く抑えることができる。
【００３６】
また、半導体装置２００においては、リード板２２を切削してリード２０として用いるため、リードフレーム２１０を製造するための複雑な工程を必要としない。従って、リードフレーム２１０の生産性の増大を図り、ひいては、半導体装置の生産コストを低く抑えることができる。
【００３７】
また、半導体装置２００においては、裏面に露出するリード板２２を切削することによりリード２０とすることができる。また、このリード板２２において、不要な部分は、半導体チップ２の下方に配置させ、ボンディングに必要な部分のみを、半導体チップ２より外周に配置させる。これにより、半導体装置２００の縮小化を図ることができる。
【００３８】
なお、この実施の形態においては、縦横方向、それぞれ、５つのダイシングライン２６により、リード板２２を、縦６列、横６列のリード２０に分割している。しかし、この発明においてダイシングライン２６は、この本数に限るものではない。ダイシングラインの本数は、搭載される半導体チップのボンディングパッドの数と、その配置を考慮して、必要な本数を設けたものであればよい。従って、必ずしも、縦方向、横方向に同じ本数である必要もない。また、例えば、アイランドエリア２４の端子として用いない部分は、切削しないようにするなどとしてもよい。
その他の部分は、実施の形態１と同様であるから説明を省略する。
【００３９】
実施の形態３．
図１３は、この発明の実施の形態３における半導体装置３００について説明するための模式図であり、図１３（ａ）は、横断面、図１３（ｂ）は、裏面示す。また、図１４は、この発明の実施の形態３における半導体装置３００において用いられるリードフレーム３１０について説明するための模式図である。また、図１５は、この発明の実施の形態３における他の半導体装置を説明するための模式図であり、図１５（ａ）は、横断面、図１５（ｂ）は、裏面示す。
【００４０】
図１３に示す半導体装置３００は、実施の形態２において説明した半導体装置２００と類似するものである。但し、半導体装置３００においては、半導体チップ２下方に、リード３０はなく、封止樹脂１２が露出している。
図１４に示すように、リードフレーム３１０において、リード板３２は、中央に開口を有する板状体であり、この開口部が、アイランドエリア３４となる。従って、アイランドエリア３４には、リード３０となる部分は、形成されていない。
【００４１】
実施の形態３における半導体装置３００の製造方法は、実施の形態２において説明した半導体装置２００の製造方法と同様である。但し、実施の形態３においては、上述のように、アイランドエリア３４にはリード３０が形成されていないリードフレーム３１０を用いる。従って、実施の形態３においては、モールド封止（ステップＳ６）の際に、封止樹脂１２が、このリード３０の形成されていない部分にも注入される。従って、図１３に示すように、半導体チップ２裏面には、リードが露出せず、封止樹脂１２の露出した半導体装置３００が形成される。
以上のようにしても、実施の形態２と同様の効果を有する半導体装置を得ることができる。
【００４２】
また、実施の形態３では、リードフレーム３１０のダイシングライン３６に沿って、切削した部分、即ち、隣接するリード３０に挟まれた部分には、封止樹脂１２は侵入していない。しかし、図１５に示すように、リードフレーム３１０の表面側に、ダイシングライン３６に沿って、予め凹部を設けておいて、この部分に、モールド封止の際、封止樹脂１２を侵入させるようにしたものであってもよい。このようにすれば、リード３０と、封止樹脂１２との密着性を、より確保することができ、半導体装置３００の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
実施の形態４．
図１６は、この発明の実施の形態４における半導体装置４００を説明するための断面模式図である。また、図１７は、半導体装置４００の拡大した横側面図である。
図１６に示すように、半導体装置４００において、半導体チップ２が、リードフレーム４１０上に、ダイボンド材６を介して搭載されている。また、半導体チップ２上のボンディングパッド８と、半導体装置４００において端子となるリード４０とは、金線１０により接続されている。また、半導体チップ２は、このように、リード４０上に、搭載され、金線１０により接続された状態で、封止樹脂１２により封止されている。
【００４４】
また、図１７に示すように、半導体装置４００の側面は、ブレード跡が残った状態となっている。このブレード跡は、ブレードにより上下から分割した時に残るものである。従って、封止樹脂１２には、表裏２方向からの切断によるブレード跡が残り、リードフレーム部分には、裏面１方向からの切断による、一方向のブレード跡が残されている。
【００４５】
図１８は、この発明の実施の形態４において、半導体装置４００に用いられるリードフレーム４１０を説明するための上面模式図である。
図１８に示すように、リードフレーム４１０には、縦に３列ずつ、半導体チップ２を搭載するアイランドエリア４２が設けられている。また、リードフレーム４１０は、縦横方向のチップダイシングライン４４に沿って切削することにより、最終的に、各半導体装置４００に分割される。
【００４６】
また、リードフレーム４１０において、縦方向の２本のチップダイシングライン４４で挟まれた部分に、縦方向延びるリード４０が、計１６本形成されている。一方、横方向の２本のチップダイシングライン４４で挟まれる部分のほぼ中央に、縦方向のリード４０と交差して、横方向に延びるリード４０が、それぞれ、１本ずつ形成されている。
【００４７】
また、横方向１本のチップダイシングライン４４と、横方向のリード４０と、で挟まれる部分の、２本ずつのラインが、リードダイシングライン４６となる。リードフレーム４１０全体では、横方向に、合計１２本のリードダイシングライン４６がある。このリードダイシングライン４６は、リード４０を、分割して、ボンディングパッド８と１対１対応するリード４０とするための切削ラインである。また、半導体チップ４０を搭載する面側には、リードダイシングライン４０となる位置に、予め、リードフレーム４１０の厚みの、中間の深さ程度の溝（図示せず）が設けられている。
【００４８】
図１９は、この発明の実施の形態４における半導体装置４００の製造方法について説明するためのフロー図である。また、図２０〜図２２は、半導体装置４００の各製造工程における状態を説明するための模式図である。
以下、図１９〜図２２を用いて、この発明の実施の形態４における半導体装置４００の製造方法を詳細に説明する。
【００４９】
まず、図２０に示すように、複数の半導体チップ２を、リードフレーム４１０の各アイランドエリア４２に搭載し、ダイボンド材６により固定する（ステップＳ２）。このとき、半導体チップ２は、リード４０上に重なって搭載される。
【００５０】
次に、図２０に示すように、各半導体チップ２上のボンディングパッド８と、リード４０とを金線１０でワイヤボンドする（ステップＳ４）。このとき、各縦方向のリード４０の、横方向のチップダイシングライン４４と横方向のリード４０とに挟まれた１部分毎（以下、便宜的に、この部分を、リード４０の１区画とする。）に、それぞれ、各金線１０の一端が、非接触の状態で、２本ずつ接続される。各金線１０の他端は、それぞれ、１つずつのボンディングパッド８に接続されている。即ち、この状態では、ボンディングパッド８は、ショート状態となっている。
【００５１】
次に、封止樹脂１２により半導体チップ２を、リードフレーム４１０上に、モールド封止する（ステップＳ６）。これにより、半導体チップ２は、リードフレーム４１０上に、封止される。なお、このとき、個々の半導体チップ２ごとには封止せず、リードフレーム４１０上全体を、一括して樹脂封止する。また、リードフレーム４１０裏面には、リード４０が、封止樹脂１２から、露出している状態となっている。また、半導体チップ２を搭載下側のリードフレーム４１０の、リードダイシングライン４６に沿って設けられた溝にも、封止樹脂１２は、充填されている状態となる。
【００５２】
次に、図２１に示すように、ブレードを用いて、リードダイシングライン４６に沿って、裏面に露出するリード４０を、横方向に切削する（ステップＳ８）。ここでは、横方向のチップダイシングライン４４と横方向のリード４０に挟まれた領域のそれぞれを、横方向２本のリードダイシングライン４６に沿って切削する。これにより、横方向２本のチップダイシングライン４４に挟まれた各領域の各リード４０は、４つのダイシングライン４６により、縦に５つに分割される。即ち、これにより、上述のリード４０の１区画は、個々の独立したリード４０に分割される。従って、リード４０の１区画に２つずつ接続していたボンディングパッド８は、それぞれ、切削された個々のリード４０に接続されている状態となり、ショート状態が回避される。また、横方向のリード４０と交差して縦方向にリード４０が接続している部分は、そのまま残される。しかし、この部分には、金線１０は、接続しておらず、この部分がそのまま残された状態にあっても、ショート状態は回避されている。
【００５３】
次に、チップダイシングライン４４により、各半導体装置４００に分割する（ステップＳ２０）。ここでは、図２２に示すように、縦横方向のチップダイシングライン４４に沿って、個々の半導体装置４００に分割する。この際、リードフレーム４１０と、封止樹脂１２を合わせると、相当な厚さを有することから、ダイシングの際は、半導体装置４００の裏表両方向から、ダイシングを行う。これにより、図１７に示すような、封止樹脂部分に２方向のブレード跡があり、リードフレーム部分に、１方向のブレード跡が残る面を露出する半導体装置４００が形成される。
【００５４】
その後、各リード４０に、外装メッキを施す（ステップＳ１０）。なお、このとき、各半導体装置４００に形成され、端子として用いられるリード４０は、片側で、１６×２個、全体で、１６×４個となる。従って、この、合計６４個のリード４０に、外装メッキ１４を施せばよい。
【００５５】
以上説明したように、半導体装置４００においては、リード４０として、リードフレーム４１０を切削したものを用いる。従って、１種類のリード板４１０により、ボンディングパッド８の数の異なる複数種類の半導体チップ２に対応することができる。これにより、リードフレーム４１０の生産性を向上させ、半導体装置４００の生産コストを低く抑えることができる。
【００５６】
また、半導体装置４００においては、リード４０を切削して用いるため、リードフレーム４１０を製造するための複雑な工程を必要としない。従って、リードフレーム４１０の生産性の増大を図り、ひいては、半導体装置の生産コストを低く抑えることができる。
【００５７】
また、この実施の形態４では、複数の半導体チップ２を、１のリードフレームの各アイランドエリア４２に搭載して、樹脂封止等を行い、更に、リード４０の所定の部分をダイシングした後、各半導体装置４００に分割する。従って、製造工程を、単純化し、生産コストを低く抑えることができる。
【００５８】
なお、実施の形態４では、横方向２つに分割する場合について説明した。しかし、この発明においては、これに限るものではなく、半導体チップ２の電極の数に対して必要な端子数を考慮して、切削回数を調整すればよい。また、ここでは、縦に長いリード４０を、１チップ内に１６本ずつ形成して、切削した。しかしリード４０の本数は、これに限るものではない。また、例えば、この発明においては、実施の形態１〜３において説明したような、リードフレームを連続して形成したものであってもよい。
【００５９】
また、この実施の形態４においては、リードの切削は、ブレード等により行う場合について説明した。しかし、この発明は、このような切削方法に限るものではなく、エッチングを行うなど、他の方法により切削するものであってもよい。また、ブレードによる切削方法も、上下両面から行うものに限るものでもなく、片側から切削するものであっても良い。このような切削方法は、半導体装置全体の厚みを考慮して行えばよい。
【００６０】
また、実施の形態４では、リードフレーム４１０の半導体チップ２を搭載する面に、リードダイシングライン４６に対応して、溝を設けたものについて説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、例えば、溝を設けていないもの等であってもよい。
その他の部分は、実施の形態１〜３と同様であるから説明を省略する。
【００６１】
なお、例えば、実施の形態１〜４において、アイランドエリア１６、２４、３４、４２は、この発明の、半導体チップを搭載する部分に該当する。また、実施の形態１におけるリード４は、この発明のリード線に該当し、実施の形態２、３におけるリード板２２、３２は、この発明の板状体に該当する。また、例えば、実施の形態１、２における封止樹脂１２は、この発明の封止部材に該当する。
【００６２】
また、実施の形態１〜４において、ステップＳ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８を実行することにより、それぞれ、この発明の搭載工程、接続工程、封止工程、切削工程が実行される。また、ステップＳ１２を実行することにより、この発明の分割工程が実行される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明の実施の形態１における半導体装置を説明するための模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１の半導体装置に用いられるリードフレームを説明するための模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図４】この発明の実施の形態１における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図５】この発明の実施の形態１における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図６】この発明の実施の形態１における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図７】この発明の実施の形態１における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図８】この発明の実施の形態２における半導体装置を説明するための模式図である。
【図９】この発明の実施の形態２の半導体装置に用いられるリードフレームを説明するための模式図である。
【図１０】この発明の実施の形態２における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図１１】この発明の実施の形態２における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図１２】この発明の実施の形態２における半導体装置の製造過程における状態を説明するための模式図である。
【図１３】この発明の実施の形態３における半導体装置を説明するための模式図である。
【図１４】この発明の実施の形態３の半導体装置に用いられるリードフレームを説明するための模式図である。
【図１５】この発明の実施の形態３における半導体装置を説明するための模式図である。
【図１６】この発明の実施の形態４における半導体装置を説明するための断面模式図である。
【図１７】この発明の実施の形態４における半導体装置を説明するための側面図である。
【図１８】この発明の実施の形態４における半導体装置に用いられるリードフレームを説明するための模式図である。
【図１９】この発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図２０】この発明の実施の形態４のける半導体装置の製造工程における状態を説明するための模式図である。
【図２１】この発明の実施の形態４のける半導体装置の製造工程における状態を説明するための模式図である。
【図２２】この発明の実施の形態４のける半導体装置の製造工程における状態を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００、３００、４００  半導体装置
１１０、２１０、３１０、４１０  リードフレーム
２  半導体チップ
４  リード
６  ダイボンド材
８  ボンディングパッド
１０  金線
１２  封止樹脂
１４  外装メッキ
１６  アイランドエリア
１８  ダイシングライン
２０  リード
２２  リード板
２４  アイランドエリア
２６  ダイシングライン
３０  リード
３２  リード板
３４  アイランドエリア
３６  ダイシングライン
４０  リード
４２  アイランドエリア
４４  チップダイシングライン
４６  リードダイシングライン
【図１】
2005116687.tif 000003
【図２】
2005116687.tif 000004
【図３】
2005116687.tif 000005
【図４】
2005116687.tif 000006
【図５】
2005116687.tif 000007
【図６】
2005116687.tif 000008
【図７】
2005116687.tif 000009
【図８】
2005116687.tif 000010
【図９】
2005116687.tif 000011
【図１０】
2005116687.tif 000012
【図１１】
2005116687.tif 000013
【図１２】
2005116687.tif 000014
【図１３】
2005116687.tif 000015
【図１４】
2005116687.tif 000016
【図１５】
2005116687.tif 000017
【図１６】
2005116687.tif 000018
【図１７】
2005116687.tif 000019
【図１８】
2005116687.tif 000020
【図１９】
2005116687.tif 000021
【図２０】
2005116687.tif 000022
【図２１】
2005116687.tif 000023
【図２２】
2005116687.tif 000024