(57)【要約】【課題】  半導体ウェハに銅をフェイスダウンメッキする場合には、ウェハコンタクトに硫酸銅結晶が付着してしまい、これを除去しなければならない。この除去は、作業者が手作業により行っており、作業者によって除去差が生じてしまい、メッキ膜の品質悪化につながっていた。【解決手段】  ウェハ受け台のウェハコンタクトに付着した硫酸銅結晶を、ウェハ押さえ板に形成した開口部から純水を吹き付けた後、窒素ガスを吹き付けることにより除去・乾燥させる。純水並びに窒素ガスはウェハ押さえ板並びに駆動体内部に形成された流路を介して供給される。【選択図】  図１
2005327897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ液槽と、このメッキ液槽の上部に装着された半導体ウェハ装着部からなる半導体フェイスダウンメッキ装置において、前記半導体装着部は、ウェハ受け台と、このウェハ受け台上に設けられたカソード電極となるウェハコンタクトと、このウェハコンタクト上に載置されるウェハを押さえるウェハ押さえ板と、このウェハ押さえ板に取着され前記ウェハ押さえ板を上下動する駆動体と、前記ウェハ押さえ板には前記ウェハコンタクトに対向する位置に開口する吹き付け部が設けられていることを特徴とする半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置。
【請求項２】
前記吹き付け部は、前記ウェハ押さえ板内に設けられた第１流路と、この第1の流路に接続され前記駆動体内に設けられた第２の流路とから構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置。
【請求項３】
前記半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、前記ウェハコンタクト上に載置され前記ウェハ押さえ板にて保持される半導体ウェハ表面に金属をメッキするメッキ装置であることを特徴とする請求項1又は２記載の半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置。
【請求項４】
前記メッキ液は硫酸銅溶液であり、前記金属は銅であることを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置。
【請求項５】
前記第２の流路には純水供給部が設けられていることを特徴とする請求項２乃至４記載の半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェイスダウンで固定された半導体ウェハ表面に金属をメッキする半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フェイスダウンで固定された半導体ウェハ表面に銅などの金属をメッキするメッキ装置としては、図２に示すような装置が使用されている。すなわち、一般的なフェイスダウンメッキ装置としては、図２に示すように、詳細は図示していないがアノード電極を備えたメッキ液槽１１と、この上部に設けられた半導体ウェハ装着部１２から構成されている。
【０００３】
半導体ウェハ装着部１２は、外筒１３の下端に段差を有するウェハ受け台１４が取り付けられており、このウェハ受け台１４の段差表面にはカソード電極となるウェハコンタクト１５が形成されている。ウェハ受け台１４は、外筒１３とともに回転する構成となっている。
【０００４】
外筒１３上部には先端にウェハ押さえ板１６を備えた駆動体１７が装着されており、この駆動体は上下動を行う機能を有する。このような構成のフェイスダウンメッキ装置により半導体ウェハ表面に配線部などを銅メッキにより形成する場合、メッキ液として硫酸銅溶液を利用するが、ウェハコンタクト１５には硫酸銅溶液による結晶が付着する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したようにウェハコンタクト１５に付着した硫酸銅の結晶はメッキ工程を阻害するものであって、除去しなければならない。この結晶除去は作業者が純水をウェハコンタクト１５にかけて数分間放置した後、バキューム治具を使用して吸引する方法により行っている。しかしながら、この除去作業は作業者の手作業により行うため、作業者間に除去差が発生することが多く、その結果メッキ膜の品質悪化につながっていた。また、手作業により硫酸銅結晶除去を行うため、作業者の負担が大きくなっていた。
【０００６】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたもので、簡単な構成で作業者の負担を生じさせることなく、短時間に均一な結晶除去を行うことを可能とした半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、メッキ液槽と、このメッキ液槽の上部に装着された半導体ウェハ装着部からなり、前記半導体装着部は、ウェハ受け台と、このウェハ受け台上に設けられたカソード電極となるウェハコンタクトと、このウェハコンタクト上に載置されるウェハを押さえるウェハ押さえ板と、このウェハ押さえ板に取着され前記ウェハ押さえ板を上下動する駆動体と、前記ウェハ押さえ板には前記ウェハコンタクトに対向する位置に開口する吹き付け部が設けられていることを要旨とする。
【０００８】
更に本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、前記吹き付け部が前記ウェハ押さえ板内に設けられた第１流路と、この第1の流路に接続され前記駆動体内に設けられた第２の流路とから構成されていることを要旨とする。
【０００９】
更に本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、前記ウェハコンタクト上に載置され前記ウェハ押さえ板にて保持される半導体ウェハ表面に金属をメッキするメッキ装置であることを要旨とする。
【００１０】
更に本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、前記メッキ液が硫酸銅溶液であり、前記金属は銅であることを要旨とする。
【００１１】
更に本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置は、前記第２の流路には純水供給部が設けられていることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置により、ウェハコンタクトに付着した硫酸銅などの金属化合物結晶を自動的に除去することが可能となり、作業者の負担を軽減することを可能としたのみならず、作業者間の結晶除去差が発生することなく高品位のメッキ膜を形成することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置を図１を参照して説明する。以下の説明ではフェイスダウン状態で装着された半導体ウェハ表面の配線などに銅をメッキする例を用いて説明するが、他の銅化合物、ベリリウムなど他の金属をメッキする装置においても応用可能である。また、図２と同一の個所は同一符号を使用し詳細な説明は省略する。
【００１４】
すなわち、メッキ液供給部槽の上部に設けられた半導体ウェハ装着部１２を構成するウェハ押さえ板１６のウェハコンタクト１５に対向する位置には、純水並びに窒素ガスを吹き付ける開口部１８が形成されている。この開口部１８は、ウェハ押さえ板１６内部に設けられたパイプからなる第１流路１９の開口端部により形成されている。ウェハ押さえ板１６に取着されている駆動体１７内部には、第１流路１９に接続されている同じくパイプからなる第２流路２０が形成されている。この第２流路２０は、駆動体１７の外部において切替器２１を介して純水供給部２２並びに窒素ガス供給部２３に接続されている。
【００１５】
さて、このような構成の本発明に係わる半導体ウェハフェイスダウンメッキ装置において、ウェハ受け台１４上に形成されているウェハコンタクト１５に付着した硫酸銅結晶２４を除去する方法について説明する。先ず、ウェハ押さえ板１６を駆動体１７によりウェハ受け台１４方向に下げる。次に純水供給部２２から純水を第２流路２０を介して第１流路１９へ供給する。第１流路１９へ供給された純水は、開口部１８からウェハコンタクト１５に付着した硫酸銅結晶２４へ吹き付ける。供給する純水は加圧されており、開口部１８から硫酸銅結晶２４へ強く射出することによってウェハコンタクト１５に付着した硫酸銅結晶２４は粉砕除去される。
【００１６】
その後、開口部１８から吹き付けている純水を止め、切替器２１により窒素ガス供給部２３から窒素ガスを第２流路２０、第１流路１９を介して開口部１８へ供給する。開口部１８からの窒素ガスはウェハ受け台１４を回転させながらウェハコンタクト１５へ吹き付けられ、ウェハコンタクト１５に残存している純水並びに硫酸銅結晶粒を除去してウェハコンタクト１５並びにその周囲を乾燥させる。
【００１７】
なお、ウェハ押さえ板１６に開口部１８は、リング状のウェハコンタクト１５に対向して開口するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係わる実施形態の構成を示す図。
【図２】従来装置の構成を示す図。
【符号の説明】
【００１９】
１１…メッキ液槽、１２…半導体ウェハ装着部、１３…外筒、１４…ウェハ受け台、１５…ウェハコンタクト、１６…ウェハ押さえ板、１７…駆動体、１８…開口部、１９…第１流路、２０…第２流路、２１…切替器、２２…純水供給部、２３…窒素ガス供給部。
【図１】
2005327897.tif 000003
【図２】
2005327897.tif 000004