(57)【要約】【課題】窒化ケイ素質成形体、特に金属ケイ素粒子および／または窒化ケイ素粒子を含むハニカム成形体を、変形や欠陥等なく形状精度よく、高品質で高効率に、窒化、焼成などの熱処理ができる窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器の提供。【解決手段】ガス導入口１およびガス排出口９を有する密閉容器２０であって、前記密閉容器２０内が前記ガス導入口１と連通するガス導入室２と、前記ガス排出口９と連通し、被熱処理体７を収容する焼成室３とにガス導入室仕切板４で仕切られており、該ガス導入室仕切板４の外周部近傍に選択的に通気穴５が形成されていることを特徴とする窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入口およびガス排出口を有する密閉容器であって、前記密閉容器内が前記ガス導入口と連通するガス導入室と、前記ガス排出口と連通し、被熱処理体を収容する焼成室とにガス導入室仕切板で仕切られており、該ガス導入室仕切板の外周部近傍に選択的に通気穴が形成されていることを特徴とする窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項２】
前記焼成室内が焼成室仕切板で２またはそれ以上に仕切られており、かつ該焼成室仕切板は外周部近傍に通気穴が形成されている請求項１記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項３】
前記焼成室仕切板の外周部近傍以外にも通気穴が形成されている請求項２記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項４】
前記ガス導入室仕切板の外周部に形成された通気穴を通過するガスが、前記焼成室仕切板の外周部に形成された通気穴を選択的に通過するように、前記ガス導入室仕切板の外周部に形成された通気穴と前記焼成室仕切板の外周部に形成された通気穴とをパイプで連結する請求項２または３記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項５】
前記ガス導入室仕切板の外周部に形成された通気穴を通過するガスが、前記焼成室仕切板の外周部に形成された通気穴を選択的に通過するように、前記焼成室仕切板で仕切られた空間内に隔壁を設ける請求項２、３または４記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項６】
前記密閉容器の外形部分が積層したカーボン質部材からなる請求項１〜５のいずれかに記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器内の焼成室内に窒化ケイ素質ハニカム成形体を載置して窒素雰囲気下で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造法。
【請求項８】
前記窒化ケイ素質ハニカム成形体を多孔質の窒化ケイ素質リング状敷板を介して載置する請求項７記載の窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属ケイ素粒子および／または窒化ケイ素粒子を含む成形体、特にハニカム成形体を窒化、焼成などの熱処理により窒化ケイ素質体とする製造工程で該成形体を収納する焼成容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ケイ素などの非酸化物セラミックスの焼成では雰囲気により製品の品質が左右されるため、焼成容器内のガス流れを制御して被処理物の分解・蒸発を防止することが重要になる。金属ケイ素を窒素ガスと反応させて窒化ケイ素とする（以下、窒化という）場合には、特に焼成容器内のガス流れ制御が重要である。また、多孔質の薄壁からなるハニカム成形体は、サイズも大きいため変形その他の不良品が発生しやすいことから、窒化ケイ素質ハニカム成形体（特に、金属ケイ素粒子を含む場合）の熱処理では、焼成容器内のガス流れ制御が製品の良否に重大な影響を与える。なお、焼成容器はサヤと称されることもある。
【０００３】
従来、窒化ケイ素質成形体用の焼成容器としては、材質に特徴のあるもの（特許文献１、２参照。）やハニカム成形体を粉に埋設してセラミックス容器内にセットする方法（特許文献３参照。）などが提案されているが、焼成容器内のガス流れ制御については記載されていない。
【０００４】
焼成容器内のガス流れ制御法としては、窒化ケイ素質成形体の焼成を直接目的とするものではないが、アルミナ基板やフェライト素子などの成形品の周囲の雰囲気を入れ替わりやすくするためセラミックス成形品の載置面に１ｃｍ２当たり１〜１０個の貫通穴を形成し、かつこれら貫通穴の穴径を１〜５ｍｍに制御する方法が提案されている（特許文献４参照。）。
【０００５】
同様に、大量のセラミックスを焼成する場合でも治具内での分解ガスの滞留によるバインダ分解むらや汚染などの発生を防止し、均一な焼成を行うことができる焼成治具として、成形体の上下方向に相互に異なる位置に通気穴を形成した上下蓋を密閉容器内に設置することが提案されている（特許文献５、６参照。）。
【０００６】
しかし、これらの焼成容器は特許文献５の図３（ａ）に示されるように小物の部品を焼成するのに好適な焼成容器であって、窒化ケイ素質成形体、なかでもハニカム成形体のような大型の柱状体を焼成するのに必ずしもそのまま好適に適用されるものではない。
【０００７】
いずれにせよ、焼成容器内のガス流れを制御して、窒化ケイ素質成形体、特に金属ケイ素粒子および／または窒化ケイ素粒子を含むハニカム成形体を、変形や欠陥等なく、形状精度よく、高品質で高効率に窒化・焼成できるような窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器はいまだ提案されていない。
【０００８】
【特許文献１】特公昭５８−３８３８７号公報（第１〜３頁）
【特許文献２】特公昭６１−３３０４号公報（第１〜２頁）
【特許文献３】特開平１１−７９８５０号公報（第１〜６頁、図２）
【特許文献４】特開平５−２７０９２６号公報（第１〜４頁、図１）
【特許文献５】特開２００１−１４１３７３号公報（第１〜４頁、図２、図３）
【特許文献６】特開２００１−１４６４６３号公報（第１〜５頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、窒化ケイ素質成形体、特に金属ケイ素粒子および／または窒化ケイ素粒子を含むハニカム成形体を、変形や欠陥等なく形状精度よく、高品質で高効率に、窒化、焼成などの熱処理ができる窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ガス導入口およびガス排出口を有する密閉容器であって、前記密閉容器内が前記ガス導入口と連通するガス導入室と、前記ガス排出口と連通し、被熱処理体を収容する焼成室とにガス導入室仕切板で仕切られており、該ガス導入室仕切板の外周部近傍に選択的に通気穴が形成されていることを特徴とする窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の提供する焼成容器では、ガス導入口から導入されたガスが、仕切板の外周部分に選択的に形成された通気穴を通過して窒化ケイ素質成形体が載置される焼成室に導入される。焼成室に導入されたガスは焼成容器の内壁面に沿って予熱されながら対流循環するため、予熱が不充分な状態では窒化ケイ素質成形体に直接当たることなく、所定温度に加熱された段階で初めて窒化ケイ素質成形体に当たることになる。
【００１２】
この対流循環のメカニズムは、詳細は不明であるが、ガス導入室で整流されたガスが容器の天井面に沿って流れることによって加熱されながら、仕切板の通気穴を通って焼成室に導入される。焼成室に導入されたガス温度はまだ充分に加熱されておらず、また通気穴を通過してガス流速が速くなることから窒化ケイ素質成形体に直接当たることなく、容器底部に達し、ガス温度も所定温度に加熱されながら焼成室内を対流循環していきガスが窒化ケイ素質成形体に均一に当たるものと推測される。
【００１３】
したがって、予熱が不充分なガスを焼成炉などの熱処理炉を導入して窒化ケイ素質成形体に直接当たることによる不具合、例えば、窒化ケイ素質成形体の温度を下げ、局所的に窒化、焼結が開始してクラックや膨れ等の欠陥が発生する、良品・不良品のばらつきが大きい問題等を防止できる。つまり、不良品率を著しく低減でき、また、導入ガスを予熱する必要がないためエネルギ収支も向上し、高生産性、低原価を実現できる。
【００１４】
金属ケイ素粒子を含む窒化ケイ素質成形体の場合、制御が難しい窒化を伴うが本発明で提供する焼成容器を使用することにより、温度分布が均一になり、しかも窒化時のＮ２ガス制御がしやすいことから、窒化に起因する不良品を著しく低減できる。特に、一度に大量に処理するバッチ式熱処理炉でその効果が顕著である。
【００１５】
本発明により、窒化ケイ素質成形体、特に金属ケイ素粒子および／または窒化ケイ素粒子を含むハニカム成形体を、変形や欠陥等なく、しかも形状精度よく、高品質で高効率に焼成できる窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の窒化ケイ素質セラミックス用焼成容器（以下、本焼成容器という）は、ガス導入口とガス排出口を有する密閉容器である。
【００１７】
以下、図面を用いて本焼成容器２０を説明する。第１図は、本焼成容器２０の縦断面図である。なお、第１図は、本焼成容器２０の一実施態様であり、本発明は第１図に限定されるものではない。図中、矢印はガス流れの一実施態様をモデル化して示したものであるが、ガス流れはガス流量や被熱処理体の数、配置の仕方等で変化するものでありこれに限定して解釈されるものではない。これは図４においても同様である。
【００１８】
第１図において、１はガス導入口、２はガス導入室、３は焼成室、４はガス導入室２と焼成室３とを仕切る仕切板（以下、ガス導入室仕切板という）、５はガス導入室仕切板４の外周部近傍に形成された通気穴（以下、ガス導入室外周穴という）、６は焼成室３内を仕切る仕切板（以下、焼成室仕切板という）、７は被熱処理体である窒化ケイ素質成形体、８は本容器の内表面、９はガス排出口、１０は上蓋、１１はガス導入口１に差し込まれたパイプ、をそれぞれ示す。
【００１９】
本焼成容器２０は、ガス導入口１を有する。ガス導入口１については窒化・焼成等熱処理の雰囲気ガスを容器内に導入できるものであれば形状、個数、位置など特に制限がないが、容器の上蓋１０の中央付近に貫通穴を形成するとガス流れが対称となるため好ましい。必要に応じて、その貫通穴にカーボン繊維、セラミックス繊維、多孔質セラミックス部材で通気性を保ちながら栓をしてもよい。また、貫通穴にガス流を整流するためのパイプ１１などを挿入するとガス導入口１から導入されるガスが整流されるため好ましい。前記パイプ１１としては片端を開放し、片端を密閉した円筒パイプの該密閉した片端側の側面に穴を間隔をあけて周状となるように形成し、ガスが放射状に導入されるようにするのが好ましい。
【００２０】
本焼成容器２０は、内部が前記ガス導入口１と連通するガス導入室２と、前記ガス排出口９と連通する焼成室３とに、ガス導入室仕切板４で仕切られており、該ガス導入室仕切板４の外周部近傍に選択的にガス導入室外周穴５が形成されていることを特徴とする。なお、ガス導入室２は、ガス流れを制御するとともに、ガスを予熱するための空間である。ガス導入室仕切板４の材質としては、カーボン製板に穴を加工し、その後、窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む坏土（スラリー）を塗布・乾燥してもよく、窒化ケイ素質の板部材に穴を形成してもよい。
【００２１】
他の材質としては、炭化ケイ素質部材を使用すると、耐熱性が高く、繰り返し使用しても変形しにくく耐久性が高いため好ましい。このような炭化ケイ素質部材の原料粒子としては高純度の炭化ケイ素粒子を使用すると雰囲気制御の点で好ましい。高純度炭化ケイ素粒子を原料とした、再結晶炭化ケイ素品や焼結助剤で焼結した焼結品などが好ましい炭化ケイ素質部材として挙げられる。なお、炭化ケイ素質部材を使用する場合には、表面に窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む坏土（スラリー）を塗布・乾燥して使用してもよい。
【００２２】
本発明において、ガス導入室仕切板４には雰囲気ガスを導入するための複数のガス導入室外周穴５が開いており、しかも該ガス導入室外周穴５が該仕切板４の外周部近傍に分散して配置される。該配置により前記ガス導入室外周穴５を通過した雰囲気ガスが加熱されながら窒化ケイ素質成形体７に直接当たらないで容器下部に達し、焼成室３内を循環して、均一に窒化ケイ素質成形体７に供給される。
【００２３】
ガス導入室外周穴５の数、穴直径（以下、穴径という）、配置などは前記機能を発揮する限りにおいては特に制限されない。ガス導入室外周穴５の数、穴径は、ガス導入室外周穴５に到達した時のガス温度と炉内温度との差、ガス流量により決定されるのが好ましく、ガス流速を早くする程さらに好ましい。ガス導入室仕切板４の平面図の一例を図２に示す。
【００２４】
ガス導入室外周穴５の穴径は１０〜４０ｍｍであると、ガス流速が上がり、容器下部に到達するガス流れが強くなるため好ましく、前記穴径が１２〜３０ｍｍであるとさらに好ましく、１５〜２５ｍｍであると特に好ましい。ガス導入室外周穴５の中心が仕切板の端から３０ｍｍの範囲内に周状に配置されるのが好ましい。ガス導入室外周穴５の数は、４隅に１個ずつの４個から、４隅に１個ずつ＋各辺の中央に１個ずつの８個など、計４〜１６個が好ましい。ガス導入室外周穴５とガス導入室外周穴５との間隔には特に制限がないが、２０ｍｍ程度するのが好ましい。なお、前記機能を阻害しない範囲であれば、ガス導入室仕切板４の内周部分に通気穴を形成してもよい。
【００２５】
焼成室３は窒化ケイ素質成形体７を載置するための空間であり、外周部近傍に形成された通気穴（以下、焼成室外周穴という）１４が形成された焼成室仕切板６を１枚または２枚以上入れると容器内側面から容器内底面へのガスの対流循環が促進されるため好ましい。焼成室仕切板６には、焼成室外周穴１４以外に、外周部近傍以外にも通気穴（以下、焼成室中央穴という）１５を設けるとガスの対流循環が促進され、充分に予熱されたガスが窒化ケイ素質成形体に均等に供給されるため好ましい。焼成室中央穴１５については特に制限がないが、間隔５〜２０ｍｍ、穴径３〜１０ｍｍとするのが好ましい。焼成室仕切板６の平面図の一例を図３に示す。なお、焼成室仕切板６の材質としては、前述した、ガス導入室仕切板４と同様な材質を使用すると好ましい。
【００２６】
焼成室外周穴１４は、ガス導入室外周穴５と同様に形成することが好ましく、その位置が仮にガス導入室仕切板４と焼成室仕切板とを重ね合わせたときに同位置（以下、単に同位置という）となるように形成してあると、導入されたガスが焼成容器底部に容易に到達できガスの対流循環が促進されるため好ましい。
【００２７】
また、ガス導入室外周穴５と焼成室外周穴１４とを連結パイプで接続するとガス導入室外周穴５を通過するガスが、焼成室外周穴１４を選択的に通過するようになり、ガスの対流循環が促進されるため好ましい。連結パイプで接続するガス導入室外周穴５と焼成室外周穴１４とが、同位置に形成された通気穴であると、全体の構成を簡素化できるため好ましい。連結パイプで接続するときは隙間を形成しない方が好ましいが、隙間があってもよい。また、ガス導入室外周穴５と焼成室外周穴１４とを全て連結パイプで接続する方が好ましいが、連結パイプで接続しないものがあってもよい。なお、連結パイプの材質としては、前述した、ガス導入室仕切板４と同様な材質を使用すると好ましい。
【００２８】
ガス導入室外周穴５を通過するガスが、焼成室外周穴１４を選択的に通過するように、焼成室仕切板６で仕切られた空間内に隔壁１３を設けてもよい（図４参照）。図４では、隔壁１３は仕切板間の空間を完全に仕切っているが上部または下部を一部空けてもよい。一部空ける場合には、下部を空けるようにするのがガスの流れ制御の効果の点で好ましい。
【００２９】
本焼成容器２０において、ガス排出口９を設ける。ガス排出口９の形状、位置等に特に制限はないが、本焼成容器２０の底面中央部に設けると、ガス流れが対象となるため好ましい。ガス排出口９にガス導入口１で述べたような栓をしてもよい。
【００３０】
本焼成容器２０は、箱型であれば特に形状は制限されず、円筒型、角柱型などが好適な形状である。本焼成容器は、容器本体がカーボン質部材および／または窒化ケイ素質部材で構成されると好ましい。カーボン質部材とすると複雑形状、大型形状などの形状自由度が大きく、しかも製作も容易で原価面からも好ましい。
【００３１】
なお、上記以外の材質としては、炭化ケイ素質部材を使用すると耐熱性が高く、繰り返し使用しても変形しにくく耐久性が高いため好ましい。このような炭化ケイ素質部材としては、前述したような、高純度炭化ケイ素粒子を原料とした、再結晶炭化ケイ素品や焼結助剤で焼結した焼結品などが好ましいものとして挙げられる。
【００３２】
本焼成容器２０の内側は、使用と共に形成される炭化ケイ素で脆弱化することから、安価で交換可能なものとすることが雰囲気制御の点で好ましい。本焼成容器２０を２重または３重以上のカーボン質容器とすると内側容器の交換が容易で構造も簡単であるためさらに好ましい。本焼成容器２０を２重のカーボン質容器とすると特に好ましい。なお、耐久性を重視する場合には、本焼成容器２０に前述したような炭化ケイ素質部材を採用すると好ましい。
【００３３】
本焼成容器２０を２重のカーボン質容器とする場合、内側容器のカーボンは、熱膨張が低いと変形が少なく、耐久性があるため好ましい。内側容器のカーボンの熱膨張率が１．５〜３．５×１０−６／℃であるとさらに好ましく、１．５〜２．５×１０−６／℃であると特に好ましい。低熱膨張なカーボン材料は、押出材として好適に入手できる。なお、内側容器は、一体物である必要はなく、板材を組み合わせて構成してもよい。また、内側容器と外側容器とは密着させてＳｉＯ、Ｓｉ蒸気などが入らないようにすると外側容器の耐久性の点で好ましい。
【００３４】
本焼成容器２０を２重のカーボン質容器とする場合、焼成雰囲気に直接晒されるのが内側容器であるため、外側容器のカーボン質は、変質することがほとんどなく、高強度で高品質のものを採用すると耐久性に優れるため好ましい。高強度で高品質なカーボン材としては冷間静水圧成形（ＣＩＰ）品が好適に採用される。
【００３５】
本焼成容器２０は、内表面８が窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む材質で構成されるのが好ましい。前記構成を形成する方法として、カーボン質部材および／または炭化ケイ素質部材の表面に、窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む坏土（スラリー）を塗布または噴霧して窒化ケイ素粒子を含む被覆層とする方法や、炭化ケイ素質部材または窒化ケイ素質部材をそのまま使用する方法が挙げられる。
【００３６】
炭化ケイ素質部材または窒化ケイ素質部材をそのまま使用する場合は、全てを炭化ケイ素質部材または窒化ケイ素質部材で構成してもよく、またカーボン質部材の密閉容器内にさらに全てを炭化ケイ素質部材または窒化ケイ素質部材で構成した密閉容器を入れて構成してもよく、または該炭化ケイ素質部材または該窒化ケイ素質部材の一部を、表面に前記窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む坏土（スラリー）を塗布または噴霧、乾燥させたカーボン質部材で置換して構成してもよい。
【００３７】
なお、これら窒化ケイ素粒子を含む材質は、使用とともに表面に雰囲気中のＣＯと窒化ケイ素粒子、またはＳｉＯ、Ｓｉとカーボン容器の反応等により、生成する炭化ケイ素粒子が付着等してくるが、本明細書では、このような窒化ケイ素粒子または金属ケイ素粒子の一部が炭化ケイ素粒子になった状態も含むものとする。
【００３８】
本焼成容器２０を用いて窒化ケイ素質セラミックスを窒化、焼成などの熱処理する方法としては、窒化ケイ素質成形体７を焼成室３内に載置して熱処理炉に入れ、所定量の雰囲気ガスを導入し、所定の温度プログラムに従って昇温、熱処理する。窒化ケイ素質成形体７を焼成室仕切板６上に載置するとガス流れ制御がしやすいため好ましい。
【００３９】
窒化ケイ素質成形体７が窒化ケイ素粒子および／または金属ケイ素粒子を含む窒化ケイ素質ハニカム成形体である場合、窒化ケイ素質ハニカム成形体を焼成室仕切板６上に載置することが好ましい。窒化ケイ素質ハニカム成形体を多孔質の窒化ケイ素質リング状敷板を介して焼成室仕切板６上に載置するとハニカム成形体の下面に反応・焼結むらが生じにくく、均一な焼結体が得られるためさらに好ましい。
【実施例】
【００４０】
以下に本発明の実施例を示す。
【００４１】
［例１（実施例）］
板厚１５ｍｍのカーボン質板材の表面に窒化ケイ素粒子を含むスラリーを塗布・乾燥させた板材で、内寸基準で１辺の長さが８５０ｍｍ×４５０ｍｍで高さ５００ｍｍの４角柱状焼成容器とした。内寸基準で高さ２５ｍｍと高さ２２５ｍｍの位置に、板厚１０ｍｍの焼成室仕切板６を各１枚ずつセットした。焼成室仕切板６は、カーボン質板材の表面に窒化ケイ素粒子を含むスラリーを塗布・乾燥させたもので、端から１０ｍｍの位置を中心として穴径１５ｍｍの通気穴１４を４隅に各１個、８５０ｍｍの辺の中央に各１個、計６個形成してあり、さらに該通気穴１４の内側には穴径５ｍｍの通気穴１５が５ｍｍピッチで形成されている。
【００４２】
また、内寸基準で高さ４２５ｍｍの位置に、板厚１０ｍｍのガス導入室仕切板４を１枚セットした。ガス導入室仕切板４は、カーボン質板材の表面に窒化ケイ素粒子を含むスラリーを塗布・乾燥させたもので、通気穴５は焼成室仕切板６の通気穴１４と同位置となるように形成した。
【００４３】
ガス導入口１として上蓋１０の中央付近に穴径４０ｍｍの貫通穴を形成して、そこにガスを整流するためのパイプ１１を入れた。また、ガス排出口９として底の中央付近に穴径２５ｍｍの貫通穴を形成してある。
【００４４】
本焼成容器で熱処理する窒化ケイ素質成形体として、金属ケイ素粒子と、ガラス質の酸化物セラミックス粒子と、有機バインダ、イオン交換水を含む坏土を混練、押出成形して直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、セル密度２００セル／２．５４２ｃｍ２、セル厚０．３ｍｍのハニカム成形体とし、これを脱脂炉で脱脂して供試体とした。ハニカム成形体は１段目の焼成室仕切板６上に８個、２段目に焼成室仕切板６上に８個、合計１６個を載置した。
【００４５】
本焼成容器のガス導入口を外部の窒素導入配管と連結する。これを雰囲気可変電気炉中にセットした。炉内雰囲気はＡｒ、０．１ＭＰａとした。温度条件は、室温〜１２００℃まで５℃／分で昇温し、１２００℃で１時間保持後、窒素ガスの導入を開始した。窒素ガスの導入量は９０Ｌ／分とした。この状態で１２００℃〜１４００℃までを１℃／分で昇温し、１４００℃で２時間保持後、窒素ガスの導入を停止、１４００℃〜１７５０℃までを３℃／分で昇温し、１７５０℃で３時間保持後、炉冷した。
【００４６】
得られた窒化ケイ素質ハニカムフィルタを目視で観察したところ、１６個全数ともクラックが観察されなかった。また、アルキメデス法で測定した気孔率のばらつきは約１０％であった。
【００４７】
［例２（実施例）］
例１において通気穴５と通気穴１４の位置を、端から１０ｍｍの位置を中心とする代わりに、端から１５ｍｍの位置を中心とし、上下関係にある通気穴５と通気穴１４との間、上下関係にある通気穴１４と通気穴１４との間を、外径３０ｍｍ×内径２０ｍｍ×高さ１９０ｍｍのカーボン製パイプの表面に窒化ケイ素粒子を含むスラリーを塗布・乾燥させた連結パイプで連結させた以外は例１と同様にした。得られた窒化ケイ素質ハニカムフィルタを目視で観察したところ、１６個全数ともクラックが観察されなかった。また、アルキメデス法で測定した気孔率のばらつきは８％であった。
【００４８】
［例３（実施例）］
例１において、ガス導入室仕切板および上部に位置する焼成室仕切板の底面に各仕切板の端から２０ｍｍの位置に、全周状に厚さ５ｍｍ×高さ１４２．５ｍｍのカーボン製板の表面に窒化ケイ素粒子を含むスラリーを塗布・乾燥させた隔壁１３を下の仕切板面から４７．５ｍｍ浮かした状態となるようにＴ字状に取付た以外は例１と同様にした。得られた窒化ケイ素質ハニカムフィルタを目視で観察したところ、１６個全数ともクラックが観察されなかった。また、アルキメデス法で測定した気孔率のばらつきは５％であった。
【００４９】
［例４（比較例）］
例１において、ガス導入室仕切板４、焼成室仕切板６として、全体に均一に穴径５ｍｍの通気穴が１０ｍｍピッチで形成したものとした以外は例１と同様にした。得られた窒化ケイ素質ハニカムフィルタ１６個の内、１１個にクラックが目視で観察された。気孔率のばらつきは、１７％であった。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明により、窒化ケイ素質成形体の熱処理に好適な焼成容器を提供する。特に、本焼成容器は、金属ケイ素粒子を含む窒化ケイ素質成形体の窒化処理に好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本焼成容器の一例の縦断面図。
【図２】本焼成容器のガス導入室仕切板４の平面図。
【図３】本焼成容器の焼成室仕切板６の平面図。
【図４】本焼成容器の別の一例の縦断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１：ガス導入口
２：ガス導入室
３：焼成室
４：ガス導入室仕切板
５：ガス導入室外周穴
６：焼成室仕切板
７：窒化ケイ素質成形体
８：内表面
９：ガス排出口
１０：上蓋
１１：パイプ
１３：隔壁
１４：焼成室外周穴
１５：焼成室中央穴
２０：本焼成容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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