(57)【要約】【課題】  上面電極が、トリミングの際にプローブを接触させる領域を十分に有するとともに、上面電極が隣接する上面電極と接触して抵抗値不良となることがないチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】  アルミナ基板の上面側に一次スリットＪ１を形成し、その後、抵抗体Ｇ１２をＸ方向に帯状に形成する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分の抵抗体を一度に形成する。その後、上面電極Ｇ１４をＹ方向に帯状に形成する。この上面電極Ｇ１４は、Ｙ方向に複数のチップ抵抗器分の上面電極であり、かつ、Ｘ方向に隣接するチップ抵抗器の上面電極を１つの形成領域で形成したものである。その後、二次スリットＪ２を形成し、その後、トリミングを行って抵抗値の調整を行う。【選択図】        図６
2005276916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至る抵抗体と、
該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面の電極間方向の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、電極間方向の一方の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、電極間方向と直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、側面電極形成側の端部が絶縁基板の上面の側面電極形成側の端部にまで至る抵抗体と、
該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面の側面電極形成側の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、側面電極形成側の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、側面電極側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、
該絶縁基板と抵抗体と上面電極の側面に形成された側面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、メッキ形成側の端部が絶縁基板の上面のメッキ形成側の端部にまで至る抵抗体と、
該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面のメッキ形成側の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、メッキ形成側の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、メッキ間形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、
該抵抗体の側面と該上面電極の上面及び側面に形成されたメッキと、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
上記上面電極における電極間方向に対する直角方向の端部の辺部が、レーザースクライブにより形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、
該基板素体の上面及び抵抗体の上面に上面電極を形成する上面電極形成工程で、該抵抗体を形成した方向である抵抗体形成方向とは直角の方向である上面電極形成方向に帯状に上面電極ペーストを印刷することにより、該上面電極形成方向にチップ抵抗器複数個分を有し、かつ、抵抗体形成方向には隣接する２つの上面電極の形成領域を有する形成領域に一度に上面電極ペーストを印刷する工程を有する上面電極形成工程と、
二次分割用のスリットである二次スリットを、該抵抗体形成方向と直角な方向に隣接するチップ抵抗器間の境界位置に該抵抗体形成方向と平行に形成する二次スリット形成工程で、上面電極形成領域においては、少なくとも基板素体にまで至る深さの二次スリットを形成する二次スリット形成工程と、
該抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程で、該二次スリットにより分割された上面電極に抵抗値計測用の端子を接触させた状態で抵抗体の抵抗値の調整を行う抵抗値調整工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項６】
上記二次スリット形成工程において、二次スリットをレーザースクライブにより形成することを特徴とする請求項５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項７】
上記抵抗体形成工程の前に行う一次スリット形成工程で、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に、基板素体に形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする請求項５又は６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項８】
上記抵抗値調整工程の後に行う一次スリット形成工程で、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に、基板素体に形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする請求項５又は６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項９】
上記基板素体が、予め、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に有していることを特徴とする請求項５又は６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品とその製造方法に関するものであり、特に、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のチップ抵抗器及びその製造方法においては、セラミック基板に帯状の抵抗体を形成した後に個々の導体層（電極層）を形成するものが存在する（特許文献１参照））。すなわち、特許文献１においては、格子状のスリットを施した大判のセラミック基板の一方のスリット間に帯状の抵抗体を形成し、その後、裏面電極を形成し、その後、抵抗体を跨ぐように導体層を形成する。
【０００３】
一方、他の従来のチップ抵抗器及びその製造方法として、帯状の電極を形成した後に、個々の抵抗体を形成するものが存在する（特許文献２）。すなわち、この特許文献２においては、スクライブ溝が形成されていない大判の絶縁基板の一方の面に複数の表面電極列を帯状に形成し、その後、表面電極列を橋絡するように抵抗体を矩形状に形成し、その後、スクライブ溝を格子状に形成する。
【特許文献１】特開２００３−１８８０２
【特許文献２】特開平９−１１５７０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１においては、帯状の抵抗体を形成した後に個々の導体層を形成するので、導体層を確実に所定の形状・大きさに形成することができない。つまり、導体層を印刷した際に、図８に示すように、導体層１１４は、正確な矩形状ではなく、丸みを帯びた形状となってしまい、導体層１１４の印刷領域が大きく広がる場合には、隣接する電極と接着して抵抗値不良となる。つまり、図８において、導体層１１４がＹ方向に隣接する導体層１１４と接触した状態となると、トリミングを正確に行なうことができず。抵抗値不良となってしまう。逆に印刷領域が小さいと、トリミングプローブ（以下単に「プローブ」とする）の接触不良となってしまう。つまり、導体層の領域は、プローブの接触領域となるが、導体層の面積が小さいと必然的にプローブの接触面積が小さくなってしまう。プローブとの接触面積が小さいと、トリミングを正確に行うことができず、これにより抵抗値不良が増大したり、４端子計測が困難となる。つまり、４端子計測においては、１つの導体層に２つのプローブを電極間方向と直角の方向（Ｙ方向（図８参照））に沿って接触させるが、導体層の面積が小さく、特に、Ｙ方向の幅が小さいと、１つの導体層に２つのプローブを接触させることが困難となる。また、トリミングを正確に行うには、１つの導体層に接触させる２つのプローブ間の距離をなるべく長くするのが好ましい。また、導体層の形成領域が小さいと、抵抗体との接続信頼性が低下する。
【０００５】
また、導体層の大きさ・形状を均一にすることが困難となるため、電極間寸法Ｌが不均一になりやすく、均一の抵抗特性を得ることができない。
【０００６】
さらに、特許文献１のように導体層を個々に形成すると、個々の導体層の厚みが厚くなってしまい、これにより、側面電極の端部の直線性を保つことができず外観不良となってしまう。つまり、側面電極形成時には、スパッタ法に基づき、図９に示すように、一次分割して得た短冊状基板Ｔ（この短冊状基板Ｔは、図９、図１０に示すように、絶縁基板１１０と、抵抗体１１２と、導体層（すなわち、上面電極）１１４と、保護膜１２０と、下面電極１２２とを有している。）を積み重ねた状態でスパッタした金属粒子を側方から流入させて側面電極を形成するが、導体層１１４の厚みが厚くなると、保護膜１２０の両側の領域において、保護膜１２０の上面の高さが、図１０に示すように、導体層１１４の部分と導体層１１４がない部分とで大きく異なってしまい、スパッタした金属粒子が導体層１１４のない部分では奥まで入り込んでしまって、結果として、形成された側面電極１２４の上面の縁部１２４ａが図１１に示すように直線状とはならず、湾曲した形状となってしまう。なお、図１０は、側面電極形成時の短冊状基板の状態を示す側面図であり、図１１は、側面電極を形成後の短冊状基板における１つの基板の状態を示す平面図である。
【０００７】
次に、特許文献２においては、帯状の電極間に矩形の抵抗体をそれぞれ形成するので、抵抗体を長く取ることができず、抵抗値特性を十分向上させることができない。また、格子状にスクライブ溝を形成した後にトリミングを行うので、電極の長さ（つまり、電極間方向の長さ）も帯状の電極を形成した際の長さと比べると半分になってしまい、プローブを接触させる面積が小さい、特に、電極間方向の幅が小さいため、正確なトリミングを行うことができない。
【０００８】
そこで、上面電極が、トリミングの際にプローブを接触させる領域を十分に有するとともに、上面電極が隣接する上面電極と接触して抵抗値不良となることがないチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至る抵抗体と、該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面の電極間方向の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、電極間方向の一方の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、電極間方向と直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この第１の構成のチップ抵抗器においては、上面電極における電極間方向と直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至るので、抵抗値調整における抵抗値計測用端子の接触面積を広く得ることができ、該端子の接触位置が不良になることがない。特に、電極間方向と直角な方向に上面電極が広く形成されるので、１つの上面電極に接触させる複数の抵抗値計測用端子間の距離も長くとることができて、より正確にトリミングを行うことができる。また、抵抗体は、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至るので、抵抗体を通電方向に長く得ることができ、良好な抵抗特性を得ることができる。なお、上記第１の構成において、「電極間方向」とあるのを「通電方向」としてもよい。
【００１１】
また、第２には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、側面電極形成側の端部が絶縁基板の上面の側面電極形成側の端部にまで至る抵抗体と、該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面の側面電極形成側の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、側面電極形成側の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、側面電極形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、該絶縁基板と抵抗体と上面電極の側面に形成された側面電極と、を有することを特徴とする。
【００１２】
この第２の構成のチップ抵抗器においては、上面電極における側面電極形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至るので、抵抗値調整における抵抗値計測用端子の接触面積を広く得ることができ、該端子の接触位置が不良になることがない。特に、側面電極形成側とは直角な方向に上面電極が広く形成されるので、１つの上面電極に接触させる複数の抵抗値計測用端子間の距離も長くとることができて、より正確にトリミングを行うことができる。また、抵抗体は、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至るので、抵抗体を通電方向に長く得ることができ、良好な抵抗特性を得ることができる。
【００１３】
また、第３には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、メッキ形成側の端部が絶縁基板の上面のメッキ形成側の端部にまで至る抵抗体と、該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面のメッキ形成側の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、メッキ形成側の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、メッキ間形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、該抵抗体の側面と該上面電極の上面及び側面に形成されたメッキと、を有することを特徴とする。
【００１４】
この第３の構成のチップ抵抗器においては、上面電極におけるメッキ形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至るので、抵抗値調整における抵抗値計測用端子の接触面積を広く得ることができ、該端子の接触位置が不良になることがない。特に、メッキ形成側とは直角な方向に上面電極が広く形成されるので、１つの上面電極に接触させる複数の抵抗値計測用端子間の距離も長くとることができて、より正確にトリミングを行うことができる。また、抵抗体は、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至るので、抵抗体を通電方向に長く得ることができ、良好な抵抗特性を得ることができる。
【００１５】
また、第４には、上記第１から第３までのいずれかの構成において、上記上面電極における電極間方向に対する直角方向の端部の辺部が、レーザースクライブにより形成されたものであることを特徴とする。
【００１６】
また、第５には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、該基板素体の上面及び抵抗体の上面に上面電極を形成する上面電極形成工程で、該抵抗体を形成した方向である抵抗体形成方向とは直角の方向である上面電極形成方向に帯状に上面電極ペーストを印刷することにより、該上面電極形成方向にチップ抵抗器複数個分を有し、かつ、抵抗体形成方向には隣接する２つの上面電極の形成領域を有する形成領域に一度に上面電極ペーストを印刷する工程を有する上面電極形成工程と、二次分割用のスリットである二次スリットを、該抵抗体形成方向と直角な方向に隣接するチップ抵抗器間の境界位置に該抵抗体形成方向と平行に形成する二次スリット形成工程で、上面電極形成領域においては、少なくとも基板素体にまで至る深さの二次スリットを形成する二次スリット形成工程と、該抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程で、該二次スリットにより分割された上面電極に抵抗値計測用の端子を接触させた状態で抵抗体の抵抗値の調整を行う抵抗値調整工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この第５の構成のチップ抵抗器の製造方法によれば、上面電極を帯状に形成した後に二次スリットにより分割するので、個々のチップ抵抗器領域において確実に所定の形状・大きさに形成することができ、電極間寸法も個々のチップ抵抗器で均一にでき、均一の抵抗特性を得ることができる。また、上面電極は電極間方向（通電方向としてもよい）とは直角の方向に絶縁基板の幅と同一の幅に形成されるので、プローブの接触面積を広く得ることができ、プローブの接触位置が不良となることがなく、トリミングを正確に行うことができる。特に、上面電極を電極間方向と直角の方向に長く形成できるので、１つの上面電極に接触させる複数のプローブ間の距離も長くとることができ、より正確にトリミングを行うことができる。なお、抵抗値調整に際しては、上面電極が抵抗体形成方向に隣接する２つの上面電極の形成領域に形成されているので、抵抗体形成方向に対してもプローブの接触面積を広くとることができる。なお、帯状に形成された上面電極は、抵抗値調整時には二次スリットにより分割されているので、抵抗値の調整に支障はない。さらには、帯状に上面電極を形成するので、個々に上面電極を形成する場合に比べて上面電極の厚さを薄くすることができ、よって、スパッタ法により側面電極を形成した場合でも、側面電極の上面側の端部の直線性を保つことができ、外観不良となることがない。
【００１８】
さらに、この第５の構成において、さらに、抵抗値調整工程の後の保護膜形成工程で、抵抗体の露出部分を被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程の後の一次分割工程で、一次分割用の一次スリットに沿って分割する一次分割工程と、該一次分割工程の後の側面電極形成工程と、側面電極形成工程の後の二次分割工程で、上記二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、該二次分割工程の後のメッキ形成工程で、メッキを形成するメッキ形成工程とを有するものとしてもよい。
【００１９】
また、第６には、上記第５の構成において、上記二次スリット形成工程において、二次スリットをレーザースクライブにより形成することを特徴とする。
【００２０】
また、第７には、上記第５又は第６の構成において、上記抵抗体形成工程の前に行う一次スリット形成工程で、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に、基板素体に形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする。以上のように一次スリットを形成することにより、一次分割の際にこの一次スリットを利用することができる。
【００２１】
また、第８には、上記第５又は第６の構成において、上記抵抗値調整工程の後に行う一次スリット形成工程で、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に、基板素体に形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする。以上のように一次スリットを形成することにより、一次分割の際にこの一次スリットを利用することができる。
【００２２】
また、第９には、上記第５又は第６の構成において、上記基板素体が、予め、一次分割用のスリットである一次スリットを、該抵抗体形成方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置に該抵抗体形成方向と直角の方向に有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、上面電極における電極間方向と直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至るので、抵抗値調整における抵抗値計測用端子の接触面積を広く得ることができ、該端子の接触位置が不良になることがない。特に、電極間方向と直角な方向に上面電極が広く形成されるので、１つの上面電極に接触させる複数の抵抗値計測用端子間の距離も長くとることができて、より正確にトリミングを行うことができる。また、抵抗体は、電極間方向の端部が絶縁基板の上面の電極間方向の端部にまで至るので、抵抗体を通電方向に長く得ることができ、良好な抵抗特性を得ることができる。
【００２４】
また、本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法によれば、上面電極を帯状に形成した後に二次スリットにより分割するので、個々のチップ抵抗器領域において確実に所定の形状・大きさに形成することができ、電極間寸法も個々のチップ抵抗器で均一にでき、均一の抵抗特性を得ることができる。また、上面電極は電極間方向（通電方向としてもよい）とは直角の方向に絶縁基板の幅と同一の幅に形成されるので、プローブの接触面積を広く得ることができ、プローブの接触位置が不良となることがなく、トリミングを正確に行うことができる。特に、上面電極を電極間方向に直角の方向に長く形成できるので、１つの上面電極に接触させる複数のプローブ間の距離も長くとることができ、より正確にトリミングを行うことができる。なお、抵抗値調整に際しては、上面電極が抵抗体形成方向に隣接する２つの上面電極の形成領域に形成されているので、抵抗体形成方向に対してもプローブの接触面積を広くとることができる。なお、帯状に形成された上面電極は、抵抗値調整時には二次スリットにより分割されているので、抵抗値の調整に支障はない。さらには、帯状に上面電極を形成するので、個々に上面電極を形成する場合に比べて上面電極の厚さを薄くすることができ、よって、スパッタ法により側面電極を形成した場合でも、側面電極の上面側の端部の直線性を保つことができ、外観不良となることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明においては、トリミングの際にプローブ（計測用端子）を接触させる領域を十分に有するとともに、上面電極が隣接する上面電極と接触して抵抗値不良となることがないチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００２６】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａは、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、上面電極（「上面電極層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。
【００２７】
ここで、チップ抵抗器Ａについてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００２８】
また、抵抗体１２は、図１、図２に示すように、上記絶縁基板１０上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている。この抵抗体１２は、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されていて、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）である。つまり、抵抗体１２の厚みは３〜１２μｍの範囲となっている。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａとして電気的特性を担う機能素子である。
【００２９】
また、上面電極１４は、図１、図２に示すように、上記抵抗体１２の上面及び絶縁基板１０の上面に形成されている。つまり、上面電極１４は、上記抵抗体１２を形成した状態の絶縁基板１０における上面の両端部領域（つまり、長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域）に帯状に形成されている。つまり、上面電極１４は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１４は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である）の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されていて、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の端部は絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の端部と上面視において一致している。つまり、上面電極１４は、その電極間方向の一方の端部が該絶縁基板１０及び抵抗体１２の上面の電極間方向の端部にまで至るとともに、上面電極１４における電極間方向と直角の方向の端部が該絶縁基板１０の上面の該直角方向の端部にまで至るように形成されている。つまり、上面電極１４は、図２のハッチング（つまり、横方向のハッチング）に示す領域に設けられている。以上のように、上面電極１４は、絶縁基板１０及び抵抗体１２の上面に積層して形成されている。
【００３０】
また、保護膜２０は、図１に示すように、上記抵抗体１２の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１２の露出部分と、両端に形成されている上記一対の上面電極１４の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜２０は、図２のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。
【００３１】
また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２２は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この下面電極２２は、厚さ０．２μｍ〜０．４μｍの薄膜に形成されている。
【００３２】
また、側面電極２４は、上面電極１４の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面や下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４は、薄膜により形成されている。この側面電極２４の上面部分は、図２のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられており、また、側面電極２４の下面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。なお、この側面電極２４は、、厚さ０．２μｍ〜０．４μｍ（好適には０．３μｍ）の薄膜に形成されていて、具体的には、金属薄膜により形成されている。
【００３３】
また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極１４の一部と、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１４と側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１４等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３４】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００３５】
なお、上記上面電極１４と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成されるが、この電極部４０において絶縁基板１０の下面側に位置する部分が下面側電極部４２となる。
【００３６】
なお、図２は、チップ抵抗器Ａを上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、上面電極１４、保護膜２０、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図３は、チップ抵抗器Ａを下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２２、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。
【００３７】
上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図４、図５等を使用して説明する。まず、予め下面（裏面としてもよい）に一次スリットＪ１と二次スリットＪ２が設けられたアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）５を用意する。つまり、アルミナ基板５の下面には、図５のＷ１に示すように、一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とが設けられている。この一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とは溝部状を呈し、互いに直角な方向に形成されている。
【００３８】
そして、該アルミナ基板５の下面に下面電極Ｇ２２を形成する（図４のＳ１１、図５のＷ２参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペーストを印刷し、乾燥・焼成する。なお、この場合の下面電極用のペーストは任意であるが、例えば、金属有機物ペーストを用いる。なお、図５に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、最終的にチップ抵抗器になった場合にＸ方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板５の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。なお、図５のＷ１、Ｗ２は、アルミナ基板５を下面側から見た状態を示す図である。
【００３９】
次に、該アルミナ基板５の上面に溝部状を呈する一次スリットＪ１を形成する（図４のＳ１２、図６のＷ３参照、一次スリット形成工程）。つまり、図６におけるＹ方向に一次スリットＪ１を形成する。この一次スリットは、一次分割用のスリットであり、Ｘ方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置にＹ方向に一次スリットを形成する。つまり、二次スリットは形成せず、一次分割用のスリットのみを平行に形成する。
【００４０】
次に、抵抗体を形成する（図４のＳ１３、図６のＷ４参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体Ｇ１２を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）であり、これにより、抵抗体を厚膜に形成する。具体的には、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成する。なお、この抵抗体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の抵抗体１２分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板５においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板５において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。このＸ方向が抵抗体形成方向である。なお、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図６においては、抵抗体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図６は、アルミナ基板５を上面側から見た状態を示す図である。
【００４１】
次に、上面電極を形成する（図４のＳ１４、図６のＷ５参照、上面電極形成工程）。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）であり、これにより、上面電極を厚膜に形成する。具体的には、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成する。なお、この上面電極の形成に際しては、上面電極Ｇ１４を帯状に形成する。つまり、抵抗体Ｇ１２の形成方向とは直角の方向（つまり、Ｙ方向。このＹ方向が上面電極形成方向となる）に帯状に上面電極Ｇ１４を形成する。この上面電極Ｇ１４は、複数の上面電極１４分の上面電極であり、隣接するチップ抵抗器について同時に上面電極Ｇ１４を形成する。つまり、最終的にチップ抵抗器になった場合にＸ方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板５の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）を跨ぐように１つの印刷領域で上面電極を形成する。さらには、Ｙ方向には、帯状に連続して上面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に上面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの上面電極については、その２つの上面電極をまとめて形成する。
【００４２】
次に、該アルミナ基板５の上面に二次スリットＪ２を形成する（図４のＳ１５、図６のＷ６参照、二次スリット形成工程）。つまり、図６におけるＸ方向に溝部状を呈する二次スリットＪ２を一次スリットＪ１と直角な方向に形成する。つまり、二次スリットＪ２をＹ方向に隣接するチップ抵抗器間の境界位置にＸ方向に形成する。二次スリットＪ２は、絶縁基板１０の上面及び上面電極Ｇ１４にも形成され、特に、上面電極Ｇ１４の形成領域においては、二次スリットが上面電極Ｇ１４を貫通して絶縁基板１０の上面に至る深さにまで形成する。つまり、この二次スリットＪ２により、上面電極Ｇ１４が、Ｙ方向のチップ抵抗器に対応する領域ごとに分割されるようにする。
【００４３】
次に、抵抗体１２をトリミングして抵抗値を調整する（図４のＳ１６参照）。この抵抗値の調整に際しては、Ｘ方向に隣接する上面電極にプローブを接触させて抵抗値を調整しながらトリミングを行う。なお、いわゆる４端子計測を行う場合には、Ｘ方向に隣接する上面電極の一方に２つのプローブを接触させるとともに、他方の上面電極に２つのプローブを接触させる。なお、４端子からなるプローブ群をＹ方向に複数用意しておき、Ｘ方向に隣接する上面電極については、Ｙ方向に一度に抵抗値の調整を行う。そして、Ｘ方向におけるある位置の抵抗値調整が完了したら、該複数のプローブ群をＸ方向にずらして、次の隣接する上面電極間にプローブを接触させて抵抗値を調整する。以上のような操作を繰り返して抵抗値を調整していく。
【００４４】
その後、保護膜を形成する（つまり、保護膜を印刷・乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）させる）（図４のＳ１７参照）。
【００４５】
そして、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ１８参照、分割工程）。この分割に際しては、下面側を基点として、アルミナ基板５を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板５の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００４６】
その後、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図４のＳ１９参照、側面電極形成工程）。つまり、スパッタ法により金属薄膜を形成する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）し、厚膜に形成してもよい。
【００４７】
その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（図４のＳ２０参照）。そして、メッキを形成してチップ抵抗器とする（図４のＳ２１参照）。
【００４８】
上記構成のチップ抵抗器Ａの配線基板への実装においては、図７に示すように行われる。つまり、チップ抵抗器Ａは、配線基板５４上に形成されたランド５２にハンダフィレット５０を介して実装される。
【００４９】
以上のように本実施例のチップ抵抗器においては、上面電極を帯状に形成した後に分割するので、個々のチップ抵抗器領域において確実に所定の形状・大きさに形成することができ、電極間寸法も個々のチップ抵抗器で均一にでき、均一の抵抗特性を得ることができる。また、上面電極は、絶縁基板の幅方向（Ｙ方向、つまり、電極間方向とは直角の方向）と同一の幅に形成されるので、プローブの接触面積を広く得ることができ、プローブの接触位置が不良となることがなく、トリミングを正確に行うことができる。特に、上面電極をＹ方向に長く形成できるので、１つの上面電極に接触させる複数のプローブ間の距離も長くとることができ、より正確にトリミングを行うことができる。なお、図６のＷ６の状態において、二次スリットにより分割された１つの上面電極は、１つのチップ抵抗器における一方の上面電極の２つ分の面積を有することから、その点においても、プローブの接触面積を確保することができ、プローブの接触位置がＸ方向に若干ずれた場合でも正確にトリミングを行うことができる。また、上面電極を帯状に形成後に二次スリットにより分割するので、Ｙ方向に隣接する上面電極同士がトリミング時に接触していることがなく、正確なトリミングを行うことができる。
【００５０】
また、本実施例のチップ抵抗器の製造方法においては、帯状に上面電極を形成するので、個々に上面電極を形成する場合に比べて上面電極の厚さを薄くすることができ、よって、スパッタ法により側面電極を形成した場合でも、側面電極の上面側の端部の直線性を保つことができ、外観不良となることがない。
【００５１】
なお、上記の説明において、一次スリットＪ１は下面電極の形成と抵抗体の形成の間に行うとして説明したが、一次スリットＪ１を抵抗値調整の後で一次分割の前の時期（具体的には、抵抗値調整（Ｓ１６）と保護膜の形成（Ｓ１７）の間の時期）に行なうようにしてもよい。
【００５２】
また、上記の説明において、下面電極を形成後に一次スリットを形成するものとして説明したが（図４のＳ１２参照）、この図４のステップＳ１２を省略して、その代わりに、予め下面側に一次スリットと二次スリットが形成されているとともに、上面側に一次スリットが形成されたアルミナ基板を用意して製造を行うようにしてもよい。つまり、そのようなアルミナ基板に対して、ステップＳ１１からステップＳ１３に進み、以下のステップを行うようにしてもよい。
【００５３】
なお、上記の説明においては、チップ抵抗器Ａに側面電極２４が形成されているものとして説明したが、これには限られず、側面電極を形成せずにメッキを形成する場合であってもよい。つまり、この場合には、チップ抵抗器は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、メッキ形成側の端部が絶縁基板の上面のメッキ形成側の端部にまで至る抵抗体と、該抵抗体が形成された状態の絶縁基板における上面のメッキ形成側の端部領域にそれぞれ形成された上面電極で、メッキ形成側の端部が該絶縁基板及び抵抗体の上面の端部にまで至るとともに、メッキ間形成側とは直角の方向の端部が該絶縁基板の上面の端部にまで至る上面電極と、該抵抗体の側面と該上面電極の上面及び側面に形成されたメッキと、を有する構成となる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の実装状態を示す縦断面図である。
【図８】従来におけるチップ抵抗器の問題点を説明するための説明図である。
【図９】従来におけるチップ抵抗器の問題点を説明するための説明図である。
【図１０】従来におけるチップ抵抗器の問題点を説明するための説明図である。
【図１１】従来におけるチップ抵抗器の問題点を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ａ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１２  抵抗体
１４  上面電極
２０  保護膜
２２  下面電極
２４  側面電極
２６  メッキ
２８  ニッケルメッキ
３０  錫メッキ
４０  電極部
４２  下面側電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005276916.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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