(57)【要約】    【課題】  簡易な構成で電極間短絡及び破損を防ぐことができる正特性サーミスタ素子を提供する。    【解決手段】  正特性サーミスタ素子１０は、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき層３２の外周までのギャップが、型を用いて均一に形成できる立壁２０の高さＨ１及び下端面２２の幅Ｗ１により一義的に決めることができる。このため、ギャップを一定にすることで、銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。【選択図】  図１
2005116585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁に段を付けることで中央側の上端面から下がった立壁と下端面とを設け、
前記両主面の上端面、立壁及び下端面に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを特徴とする正特性サーミスタ素子。
【請求項２】
円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁を面取りすることで中央側の上端面と周縁側の面取り部とを設け、
前記両主面の上端面及び面取り部に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを特徴とする正特性サーミスタ素子。
【請求項３】
円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁を面取りしＲ面を付けることで中央側の上端面と周縁側のＲ面部とを設け、
前記両主面の上端面及びＲ面部に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを特徴とする正特性サーミスタ素子。
【請求項４】
前記第２の導電層の外周から前記第１の導電層の外周までの当該第１の導電層表面上の距離を０．３mm以上に、
前記第２の導電層の外周から前記正特性サーミスタ素体の外周までの水平距離を０．７mm以下に設定したことを特徴とする求項１〜請求項３のいずれかの正特性サーミスタ素子。
【請求項５】
前記第１導電層がニッケルめっき層であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかの正特性サーミスタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正特性サーミスタ素体の両主面に電極を形成してなる正特性サーミスタ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チタン酸バリウム系半導体磁器よりなる正特性サーミスタ素体の両主面に電極を形成してなる正特性サーミスタ素子（ＰＴＣ素子）が種々の分野で用いられている。上記電極としては、電気抵抗の低い銀を正特性サーミスタ素体の表面に直接設けると、正特性サーミスタ素体の表面に銀が拡散するマイグレーションを発生して電極間短絡を生じる。このため、図６（Ａ）に示すように正特性サーミスタ素体１２の主面１６にニッケルめっき膜３２を施し、ニッケルめっき膜３２上に銀ペーストを塗布、焼き付けることで銀メタライズ層３４を設け、銀が正特性サーミスタ素体１２の表面に直接触れないようにしている。なお、図中で銀メタライズ層３４には、電極６０が接触することで電流が供給される。
【０００３】
特許文献１、特許文献２には、銀電極の代わりに、Ａｌ−Ｓｉで電極を形成することでマイグレーションを防止する構成が開示されている。また、特許文献３、特許文献４には、正特性サーミスタ素体のエッジ部を面取りする構成が開示されている。
【特許文献１】特開平５−１０９５０４号公報
【特許文献２】特開平５−１２１２０３号公報
【特許文献３】特開昭５５−５０６０２号公報
【特許文献４】特開昭６２−１４２３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、ニッケルめっき層の上に銀メタライズ層を設け電極とする場合には、図６（Ａ）に示すように下層のニッケルめっき膜３２の外縁からギャップＧを置いて銀メタライズ層３４を設けることで、銀のマイグレーションを防止している。しかしながら、このギャップＧは、銀マイグレーションを防ぐ観点からは大きいほうが望ましいが、ギャップＧを大きくすると、電流量が、電流集中の発生する銀メタライズ層３４の外周部分から側方への延在部分と、該側方延在部分から外側の部分とで大きく異なり、電流量の少なくなる側方延在部分から外側の部分の温度が銀メタライズ層３４の側方延在部分より低くなるため、温度差により生じる熱応力によって破損し易くなる。特に、銀ペーストを印刷により設けているためギャップを正確に一定にすることが困難であり、印刷時のずれ量を考慮してギャップを大きくすると、破損し易くなる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、簡易な構成で電極間短絡及び破損を防ぐことができる正特性サーミスタ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁に段を付けることで中央側の上端面から下がった立壁と下端面とを設け、
前記両主面の上端面、立壁及び下端面に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを技術的特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁を面取りすることで中央側の上端面と周縁側の面取り部とを設け、
前記両主面の上端面及び面取り部に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを技術的特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、円板状又は角板状の正特性サーミスタ素体の両主面の周縁を面取りしＲ面を付けることで中央側の上端面と周縁側のＲ面部とを設け、
前記両主面の上端面及びＲ面部に正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層を設け、前記両主面の上端面の前記第１導電層上に銀を主成分とする第２導電層を設けることで電極を構成したことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１では、銀メタライズ層（第２導電層）外周からニッケルめっき膜（第１導電層）外周までのギャップ（第１導電層表面上の距離＝銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離）が、型を用いて均一に形成できる立壁の高さ及び下端面の幅により一義的に決めることができる。このため、ギャップを一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周と中央部（銀メタライズ層の外周部分から側方への延在部分より内側）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面から段を設けて下端面を設けてあるため、銀メタライズ層（第２導電層）外周から正特性サーミスタ素体外周までの水平距離を小さくしながら、ギャップを大きくすることができる。即ち、水平距離を小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップを大きくすることで、銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。
【００１０】
請求項２では、銀メタライズ層（第２導電層）外周からニッケルめっき膜（第１導電層）外周までのギャップ（第１導電層表面上の距離＝銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離）が、型を用いて均一に形成できる面取り部の幅により一義的に決めることができる。このため、ギャップを一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周と中央部（銀メタライズ層の外周部分から側方への延在部分より内側）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面から面取り部を設けてあるため、銀メタライズ層（第２導電層）外周から正特性サーミスタ素体外周までの水平距離を小さくしながら、ギャップを大きくすることができる。即ち、水平距離を小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップを大きくすることで、銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。
【００１１】
請求項３では、銀メタライズ層（第２導電層）外周からニッケルめっき膜（第１導電層）外周までのギャップ（第１導電層表面上の距離＝銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離）が、型を用いて均一に形成できるＲ面部の外周長により一義的に決めることができる。このため、ギャップを一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周と中央部（銀メタライズ層の外周部分から側方への延在部分より内側）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面からＲ面部を設けてあるため、銀メタライズ層（第２導電層）外周から正特性サーミスタ素体外周までの水平距離を小さくしながら、ギャップを大きくすることができる。即ち、水平距離を小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップを大きくすることで、銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。
【００１２】
請求項４では、第２の導電層の外周から第１の導電層の外周までの当該第１の導電層表面上の距離、即ち、銀メタライズ層（第２導電層）の外周からニッケルめっき膜（第１導電層）外周までのギャップを０．３mm以上にすることで、銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。一方、第２導電層（銀メタライズ層）の外周から正特性サーミスタ素体の外周までの水平距離を０．７mm以下に設定することで、正特性サーミスタ素体の外周と中央部の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。
【００１３】
請求項５では、第１導電層がニッケルめっき層であるため、正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
[第１実施形態]
以下、図を参照しながら本発明の実施形態に係る正特性サーミスタ素子について説明する。
図１（Ａ）は第１実施形態の正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図１（Ｂ）は断面図であり、図１（Ｃ）は平面図である。
正特性サーミスタ素子１０は、円板状の正特性サーミスタ素体１２の両主面１６、１６にニッケルめっき膜３２及び銀メタライズ層３４からなる電極を取り付けてなる。主面１６の周縁には段が付けられ、中央側の上端面１８から下がった立壁２０と下端面２２とが設けられている。正特性サーミスタ素体１２の側面には研磨面１４が設けられている。
【００１５】
正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となるニッケルめっき膜３２は、両主面１６、１６の全面、即ち、上端面１８、立壁２０及び下端面２２の表面に設けられている。一方、銀メタライズ層３４は、両主面１６、１６の上端面１８のニッケルめっき膜３２上に設けられている。正特性サーミスタ素体１２は、直径φ１が２０mmに、厚みＳ１が２．５mm、段部を構成する立壁２０の高さＨ１が０．２mm、下端面２２の幅Ｗ１が０．３mmに形成されている。即ち、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき膜３２の外周までのニッケルめっき膜３２上の距離（ギャップ）を立壁２０の高さＨ１（０．２mm）＋下端面２２の幅Ｗ１（０．３mm）の０．５mmにし、上端面１８（銀メタライズ層３４）の外周から正特性サーミスタ素体１２の外周までの水平距離（下端面２２の幅Ｗ１）を０．３mmに設定してある。
【００１６】
第１実施形態の正特性サーミスタ素子１０の製造工程について説明する。
先ず、図４（Ａ）に示すように、成形金型を構成する上杵５０Ｕの外周に段状の突起５２を、下杵５０Ｄの外周に段状の突起５２を設け、臼５４内で、焼成前の正特性サーミスタ素体１２に立壁２０と下端面２２とを設ける。この正特性サーミスタ素体１２を焼成した後、無電解ニッケルめっき液に浸漬して、還元剤により正特性サーミスタ素体１２の全面に金属イオンを還元析出させることで、ニッケルめっき膜３２を形成させる（図５（Ａ））。なお、無電解めっきの代わりに、スパッタリング、イオンプレーティングを用いることもできる。次に、正特性サーミスタ素体１２の側面をセンタレス研磨により研磨してニッケルめっき膜３２を剥離し、研磨面１４を露出させる（図５（Ｂ））。ここでは、研磨によりニッケル膜を剥離したが、レジストでニッケルめっき幕３２を溶解除去することも可能である。最後に、フリット含有銀合金ペーストを両主面１６、１６の上端面１８にスクリーン印刷により塗布してから、焼成し銀メタライズ層３４を形成する（図５（Ｃ））。
【００１７】
第１実施形態の正特性サーミスタ素子１０は、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき膜３２の外周までのギャップ（ニッケルめっき膜３２表面上の距離＝銀メタライズ層３４から正特性サーミスタ素体１２までのマイグレーションを防止するための距離）が、型を用いて均一に形成できる立壁２０の高さＨ１及び下端面２２の幅Ｗ１により一義的に決めることができる。このため、ギャップを一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。
【００１８】
反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体１２の外周と中央部（銀メタライズ層３４の外周部分からの側方延在部分より内側、図６（Ａ）参照）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面から段を設けて下端面を設けてあるため、銀メタライズ層（第２導電層）外周から正特性サーミスタ素体外周までの水平距離を小さくしながら、ギャップを大きくすることができる。即ち、水平距離を小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップを大きくすることで、銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。第１実施形態の正特性サーミスタ素子は、立壁２０の高さＨ１を調整することで、下端面２２の幅Ｗ１を一定にしながらもギャップ長さを自在に変えることができる利点がある。
【００１９】
[第１実施形態の改変例]
図２を参照して第１実施形態の改変例に係る正特性サーミスタ素子１０について説明する。
図２（Ａ）は第１実施形態の改変例に係る正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図２（Ｂ）は断面図であり、図２（Ｃ）は平面図である。
図１を参照して上述した第１実施形態では、正特性サーミスタ素子１０を構成する正特性サーミスタ素体１２が円板状であった。これに対して、第１実施形態の改変例では、正特性サーミスタ素体１２が角板状に構成されている。この正特性サーミスタ素子１０は、短辺４mm×長辺５mmの大きさに形成されている。他の構成については、図１を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２０】
[第２実施形態]
図３（Ａ）、図３（Ｂ）を参照して第２実施形態に係る正特性サーミスタ素子１０について説明する。
図３（Ａ）は第２実施形態の正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図３（Ｂ）は第２実施形態の正特性サーミスタ素子の断面図である。
図１を参照して上述した第１実施形態では、正特性サーミスタ素体１２の外周に段を設けた。これに対して、第２実施形態では、正特性サーミスタ素子１０の外周のエッジ部を面取りした面取り部２４が設けてある。他の構成については、図１を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２１】
第２実施形態の正特性サーミスタ素子１０の製造工程について説明する。
図４（Ｂ）に示すように、成形金型を構成する上杵５０Ｕの外周に突起５６を、下杵５０Ｄの外周に突起５６を設け、臼５４内で、焼成前の正特性サーミスタ素体１２に面取り部２４を設ける。ここでは、型で面取り部を設けたがバレル研磨により面取り部を形成することも可能である。以降の製造行程は、図５を参照して上述した第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００２２】
第２実施形態の正特性サーミスタ素子１０は、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき膜３２の外周までのギャップ（第１導電層表面上の距離＝銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離）Ｇ２が、型を用いて均一に形成できる面取り部２４の幅により一義的に決めることができる。このため、ギャップＧ２を一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体１２の外周と中央部（銀メタライズ層３４の外周部分から側方への延在部分より内側、図６（Ａ）参照）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面１８から面取り部２４を設けてあるため、銀メタライズ層３４の外周から正特性サーミスタ素体１２の外周までの水平距離Ｗ２を小さくしながら、ギャップＧ２を大きくすることができる。即ち、水平距離Ｗ２を小さくすることで、正特性サーミスタ素体の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップＧ２を大きくすることで、銀メタライズ層３４から正特性サーミスタ素体１２までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。この第２実施形態では、エッジが面取りされているため、第１実施形態の正特性サーミスタ素子よりも割れにくい長所がある。
【００２３】
図６（Ｂ）は、第２実施形態の正特性サーミスタ素子１０の面取り部２４の角度を４５度にした場合を、図６（Ｃ）は、３０度にした場合を示している。正特性サーミスタ素体１２の厚さが薄く、両面のニッケルめっき膜３２間の絶縁距離の確保が難しい場合には、面取り部２４の角度を４５度以下にすることで、絶縁距離を確保することが可能になる。
【００２４】
[第３実施形態]
第３実施形態に係る正特性サーミスタ素子１０について説明する。
図３（Ｃ）は第３実施形態の正特性サーミスタ素子の断面図である。
図３（Ｂ）を参照して上述した第２実施形態では、正特性サーミスタ素子１０の外周のエッジ部を面取りした面取り部２４が設けてある。これに対して、正特性サーミスタ素子１０の外周のエッジ部をＲ状に面取りし丸くしたＲ面部２６が設けられている。他の構成については、図１を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２５】
第３実施形態の正特性サーミスタ素子１０の製造工程について説明する。
図４（Ｃ）に示すように、成形金型を構成する上杵５０Ｕの外周にＲ付き突起５８を、下杵５０Ｄの外周にＲ付き突起５８を設け、臼５４内で、焼成前の正特性サーミスタ素体１２にＲ面部２６を設ける。ここでは、型でＲ面部を設けたがパレル研磨によりＲ面部を形成することも可能である。以降の製造行程は、図５を参照して上述した第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００２６】
第３実施形態の正特性サーミスタ素子１０は、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき膜３２の外周までのギャップ（第１導電層表面上の距離＝銀メタライズ層から正特性サーミスタ素体までのマイグレーションを防止するための距離）Ｇ３が、型を用いて均一に形成できるＲ面部２６の外周距離により一義的に決めることができる。このため、ギャップＧ３を一定にすることで銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができる。反対に、印刷ずれを考慮してギャップを大きくする必要がないので、短絡を防ぐのに必要十分な範囲でギャップを小さくすることで、正特性サーミスタ素体１２の外周と中央部（銀メタライズ層３４の外周部分から側方への延在部分より内側、図６（Ａ）参照）の電流量の差が小さくなり、外周部が中央部と同じ温度になって熱応力による破損が生じなくなる。特に、上端面１８からＲ面部２６を設けてあるため、銀メタライズ層３４の外周から正特性サーミスタ素体１２の外周までの水平距離Ｗ３を小さくしながら、ギャップＧ３を大きくすることができる。即ち、水平距離Ｗ３を小さくすることで、正特性サーミスタ素体１２の外周部と中央部との温度差を小さくし、且つ、ギャップＧ３を大きくすることで、銀メタライズ層３４から正特性サーミスタ素体１２までのマイグレーションを防止するための距離を長くして短絡を防止することが可能になる。この第３実施形態では、エッジ部にＲが付けられているため、第１、第２実施形態の正特性サーミスタ素子よりも割れにくい長所がある。
【００２７】
引き続き、銀メタライズ層３４の外周からニッケルめっき膜３２の外周までのギャップ長について試験を行った結果について説明する。
ここでは、第１実施形態の正特性サーミスタ素子について試験を行った。なお、試験対象とした第１実施形態の正特性サーミスタ素体１２は、直径φ１が２０mm、厚みＳ１が２．５mm、段部を構成する立壁２０の高さＨ１を０．１mmにして、下端面２２の幅Ｗ１を変えることでギャップ長さを変えた。
【００２８】
試験槽に入れて３５０°Ｃ、ＡＣ１００Ｖを印加し、２４０時間試験を行った。ここで、幅Ｗ１が０．１mm（ギャップ長０．２mm）及び幅Ｗ１が０．１５mm（ギャップ長０．２５mm）のものでは、マイグレーションによる短絡が発生した。一方、幅Ｗ１が０．２mm（ギャップ長０．３mm）及び幅Ｗ１が０．２５mm（ギャップ長０．３５mm）のものでは、短絡が生じなかった。この試験結果から、ギャップ長を０．３mm以上にすることで、銀のマイグレーションによる短絡を防ぐことができることが分かった。
【００２９】
次に、銀メタライズ層３４の外周から正特性サーミスタ素体１２の外周までの水平距離について試験を行った結果について説明する。
ここでは、第１実施形態の正特性サーミスタ素子について試験を行った。なお、第１実施形態の正特性サーミスタ素体１２は、直径φ１が２０mm、厚みＳ１が２．５mm、段部を構成する立壁２０の高さＨ１が０．１mmで、下端面２２の幅Ｗ１を変えることで水平距離を変えた。
【００３０】
下端面２２の幅Ｗ１が０．１mm、０．２mm、０．３mm、０．４mm、０．５mm、０．６mm、０．７mm、０．８mm、０．９mmの正特性サーミスタ素子をそれぞれ１０個作り、２００Ｖ及び５秒のパルス電圧を２００回印加した。この結果、下端面２２の幅Ｗ１が０．１mm、０．２mm、０．３mm、０．４mm、０．５mm、０．６mm、０．７mmの正特性サーミスタ素子では、割れが全く生じなかった。一方、０．８mmでは、１０個中の３個に割れが見い出された。また、０．９mmでは、１０個中の５個に割れが見いだされた。この結果から、上端面の外周（銀メタライズ層３４の外周）から正特性サーミスタ素体の外周までの水平距離を０．７mm以下に設定することで、熱応力による破損が生じなくなることが分かった。
【００３１】
なお、第２実施形態、第３実施形態では、円板状の正特性サーミスタ素体を用いる例を挙げたが、第１実施形態の改変例のように、角板状の正特性サーミスタ素体に第２実施形態、第３実施形態の構成を適用することも勿論可能である。また、上述した実施形態では、正特性サーミスタ素体に対してオーム性接触となる第１導電層としてニッケルを主とする金属を用いる例を挙げたが、第１導電層としては種々の金属及び金属合金を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１（Ａ）は第１実施形態の正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図１（Ｂ）は断面図であり、図１（Ｃ）は平面図である。
【図２】図２（Ａ）は第１実施形態の改変例に係る正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図２（Ｂ）は断面図であり、図２（Ｃ）は平面図である。
【図３】図３（Ａ）は第２実施形態の正特性サーミスタ素子の斜視図であり、図３（Ｂ）は第２実施形態の正特性サーミスタ素子の断面図であり、図３（Ｃ）は第３実施形態の正特性サーミスタ素子の断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、第１実施形態の正特性サーミスタ素体を製造する型の説明図であり、図４（Ｂ）は、第２実施形態の正特性サーミスタ素体を製造する型の説明図であり、図４（Ｃ）は、第３実施形態の正特性サーミスタ素体を製造する型の説明図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、第１実施形態の正特性サーミスタ素子の製造工程の説明図である。
【図６】図６（Ａ）は、従来技術の正特性サーミスタ素子の説明図であり、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、第２実施形態の正特性サーミスタ素子の絶縁距離の説明図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  正特性サーミスタ素子
１２  正特性サーミスタ素体
１６  主面
１８  上端面
２０  立壁
２２  下端面
２４  面取り部
２６  Ｒ面部
３２  ニッケルめっき膜（第１の導電層）
３４  銀メタライズ層（第２の導電層）
【図１】
2005116585.tif 000003
【図２】
2005116585.tif 000004
【図３】
2005116585.tif 000005
【図４】
2005116585.tif 000006
【図５】
2005116585.tif 000007
【図６】
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