(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造工程において、半導体キャリアを切断した際に、前記半導体キャリアの端材が飛散するのを防止する。【解決手段】  半導体キャリア４における複数の個片基板４ａとして切り出される箇所である切り出し部４ｄに半導体素子６を搭載して接合する接合工程と、半導体キャリア４とそれぞれの半導体素子６との隙間に封止樹脂７を注入する封止工程と、切り出し部４ｄの裏面における複数の外部接続用端子３に突起状電極８を形成する電極形成工程と、半導体素子６の上面を基準部材９の表面に接着する接着工程と、複数の個片基板４ａを切り出す切断工程とからなる半導体装置の製造方法において、封止工程において用いる封止樹脂７を用いて、半導体キャリア４における切り出し部４ｄ以外の部分に、封止樹脂製突起部１４を形成し、接着工程時に、封止樹脂製突起部１４を基準部材９の表面に接着させる。【選択図】      図３
2005203453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個片基板を切り出し可能な半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所に半導体素子を搭載して接合する接合工程と、前記半導体キャリアと前記それぞれの半導体素子との隙間に封止樹脂を注入する封止工程と、前記複数の個片基板として切り出される箇所の裏面に形成された複数の外部接続用端子に突起状電極を形成する電極形成工程と、前記半導体素子における前記半導体キャリア側とは反対側の面を、基準部材の表面に接着する接着工程と、前記半導体キャリアを切断し、前記複数の個片基板を切り出す切断工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記封止工程において用いる封止樹脂を用いて、前記半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所以外の部分に、固定部材を形成し、前記接着工程時に、前記固定部材を前記基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記個片基板として切り出される箇所以外の部分を前記基準部材に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の個片基板を切り出し可能な半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所に接着樹脂を介して半導体素子を搭載して接合する接合工程と、前記半導体キャリアと前記それぞれの半導体素子との隙間に封止樹脂を注入する封止工程と、前記複数の個片基板として切り出される箇所の裏面に形成された複数の外部接続用端子に突起状電極を形成する電極形成工程と、前記半導体素子における前記半導体キャリア側とは反対側の面を、基準部材の表面に接着する接着工程と、前記半導体キャリアを切断し、前記複数の個片基板を切り出す切断工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記接合工程において用いる接着樹脂を用いて、前記半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所以外の部分に、固定部材を形成し、前記接着工程時に、前記固定部材を前記基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記個片基板として切り出される箇所以外の部分を前記基準部材に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
固定部材は、半導体キャリアにおける個片基板として切り出される箇所以外の部分の形状に沿って線状に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体キャリアにおける複数の個片基板として切り出される箇所に不良箇所が存在する場合に、封止工程において用いる封止樹脂を用いて、前記不良箇所に第２の固定部材を形成し、接着工程時に、前記第２の固定部材を基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記不良箇所を前記基準部材に固定することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体キャリアにおける複数の個片基板として切り出される箇所に不良箇所が存在する場合に、接合工程において用いる接着樹脂を用いて、前記不良箇所に第２の固定部材を形成し、接着工程時に、前記第２の固定部材を基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記不良箇所を前記基準部材に固定することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信機器などをはじめとする電子機器に用いられている半導体装置１を、図１４〜図２５を参照しながら説明する。なお、図１４〜図２５の各図において、（ａ）は平面図を表し、（ｂ）は平面図におけるＡ−Ａ線断面図を表している。
【０００３】
図１４に示すように、半導体装置１は、表面に複数の突起状電極２が形成され、かつ、裏面に複数の外部接続端子３が形成されている半導体キャリア４（詳細は後述）の個片基板４ａと、前記突起状電極２に電気的に接続する複数の突起状電極５を有するとともに、個片基板４ａに搭載して接合されている半導体素子６と、個片基板４ａと半導体素子６との隙間、および半導体素子６の周辺部６ａに充填被覆されている絶縁性の封止樹脂７と、半導体キャリア４における複数の外部接続端子３に形成されている複数の突起状電極８とから構成されている。
【０００４】
個片基板４ａは、図１５に示すように、多数個取りが可能な大きさの半導体キャリア４から、例えば、仮想線４ｂにて囲む部分を切り出すことで得られる。半導体キャリア４の表面における、仮想線４ｂにて囲む部分には、電気配線（図示省略）が高密度に形成されており、突起状電極２と電気的に接続されている。また、仮想線４ｂにて囲む部分の裏面に形成されている外部接続端子３と、前記電気配線および突起状電極２とは電気的に接続されている。なお、この外部接続端子３は、一定の間隔で、例えば、格子状に配列されて形成されている。
【０００５】
上記の構成の半導体装置１を製造する方法の一例を、図１５〜図２５を参照しながら説明する。
まず、図１５に示すような、半導体キャリア４における仮想線４ｂにて囲むそれぞれの部分の表面に、図１６に示すように、半導体素子６を対応させて配置し、半導体キャリア４における突起状電極２と、半導体素子６における突起状電極５とを電気的に接続して半導体素子６を半導体キャリア４に搭載する。
【０００６】
そして、図１７に示すように、半導体キャリア４と半導体素子６との隙間に、絶縁性の封止樹脂７を充填するとともに、この封止樹脂７を半導体素子６の周辺部６ａにまで行き届かせ、この周辺部６ａを被覆する。
【０００７】
次に、図１８に示すように、半導体キャリア４における複数の外部接続端子３を、表面に粘着層（図示は省略）を有する基準部材９の表面に接着し、半導体キャリア４を基準部材９に固定する。そして、図１９に示すように、半導体キャリア４を、あらかじめ設定している切断条件に合わせて切断し、半導体キャリア４から複数の個片基板４ａを切り出す。
【０００８】
半導体キャリア４をそれぞれの個片基板４ａに切断した後、図２０に示すように、切断されたそれぞれの個片基板４ａに設けられている外部接続端子３に、半田バンプや半田ボール等の突起状電極８を形成して半導体装置１を形成する。
【０００９】
しかしながら、上記のような半導体装置の製造方法では、図１９および図２０に示すように、半導体キャリア４を個々に切断してから、それぞれの個片基板４ａにおける外部接続端子３に突起状電極８を形成しているので、突起状電極８を形成する作業を、すべての個片基板４ａに対して一括で行えない。したがって、突起状電極８を形成する作業に時間がかかり、生産性が低下してしまう。また、今後の主流となる半導体装置１の小型化に伴い、個片基板４ａも小型化されるので、個片基板４ａの外部接続端子３に突起状電極８を形成すること自体が非常に困難になる。
【００１０】
これに対し、図１７に示す状態まで製造し、次に、図２１に示すように、半導体キャリア４を切断する前に、半導体キャリア４におけるそれぞれの外部接続端子３に突起状電極８を一括で形成し、複数の半導体装置１からなる半導体装置の集合体を形成し、その後、図２２に示すように、半導体素子６の表面を基準部材９の粘着層に接着し、半導体キャリア４を、突起状電極８が設けられている側の面から、あらかじめ設定している切断条件に合わせて切断し、図２０に示すように、複数の半導体装置１を製造している。
【００１１】
しかしながら、この製造方法の場合、図２２に示したように、半導体素子６の表面を基準部材９の表面に接着させて固定し、そのうえで半導体キャリア４を切断するので、半導体キャリア４から個片基板４ａを切り出したときに端材４ｃとなる部分、特に、半導体キャリア４における外側の部分は、基準部材９に対して直に固定されていないため、切断時に飛散することがある。
【００１２】
これにより、例えば、製造したばかりの半導体装置１が物理的に損傷したり、また、切断装置における切断用ブレードが破損したりするといった問題が発生することがある。
そこで、上記の問題の発生を防止するため、図２３に示すように、半導体キャリア４におけるそれぞれの辺に沿って、高さが半導体キャリア４の表面から半導体素子６の上面までの寸法となる四角柱状のスペーサ１０を設けている。（例えば、特許文献１参照）
これによれば、図２４に示すように、半導体素子６の表面を基準部材９の表面に接着させる際に、半導体キャリア４における端材４ｃとなる部分を、スペーサ１０を介して基準部材９に固定することができ、そのうえで、図２５に示すように、半導体キャリア４を個々に切断すれば、切断後の端材４ｃが周囲に飛散することを確実に防止しつつ、半導体装置１を製造することができる。
【特許文献１】特開平１１−９７５７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、図２３〜図２５を用いて説明したような、半導体キャリア４を個々に切断する前に突起状電極８を形成する製造方法の場合には、上述したように、半導体キャリア４におけるそれぞれの辺に沿って、四角柱状の四つのスペーサー１０を特別に設ける必要があり、このスペーサ１０の取り付けなどに時間がかかるため生産性が低下してしまう。さらに、前記製造方法の場合には、スペーサ１０を用いることによって生産コストが上昇してしまう。
【００１４】
また、通常、多数個取りが可能な大きさで、かつ、電気配線が高密度に形成された半導体キャリア４を用いて半導体装置１を形成する場合、個片基板４ａとなる部分には諸般の事情により不良が生じていることがあり、半導体キャリア４における上記のような不良箇所（以下、不良基板と記す）には、例えば、ダミーの半導体素子を搭載する必要がある（図示は省略）。
【００１５】
これは、上記のような、半導体キャリア４を個々に切断する前に突起状電極８を形成する製造方法において、図２４に示すように半導体素子６の上面を基準部材９に固定する際に、半導体キャリア４における不良基板にダミーの半導体素子が搭載されていないと、この不良基板が基準部材９に直に固定されないため、半導体キャリア４を切断した時に、この不良基板が飛散することがあるからである。これにより、製造したばかりの半導体装置１が物理的に損傷したり、また、切断装置における切断用ブレードが破損したりするといった問題が発生するおそれがある。
【００１６】
しかしながら、上記のように、半導体キャリア４における不良基板にダミーの半導体素子を搭載する場合には、良品基板に搭載する健全な半導体素子６と、不良基板に搭載するダミーの半導体素子とを区別する必要があり、その分、製造工程が複雑化し、生産性および効率性が損なわれてしまうおそれがある。
【００１７】
そこで本発明はこのような問題を解決するもので、半導体装置の製造工程において、半導体キャリアを切断した際に、前記半導体キャリアの端材が飛散するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために請求項１記載の発明は、複数の個片基板を切り出し可能な半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所に半導体素子を搭載して接合する接合工程と、前記半導体キャリアと前記それぞれの半導体素子との隙間に封止樹脂を注入する封止工程と、前記複数の個片基板として切り出される箇所の裏面に形成された複数の外部接続用端子に突起状電極を形成する電極形成工程と、前記半導体素子における前記半導体キャリア側とは反対側の面を、基準部材の表面に接着する接着工程と、前記半導体キャリアを切断し、前記複数の個片基板を切り出す切断工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記封止工程において用いる封止樹脂を用いて、前記半導体キャリアにおける前記複数の個片基板として切り出される箇所以外の部分に、固定部材を形成し、前記接着工程時に、前記固定部材を前記基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記個片基板として切り出される箇所以外の部分を前記基準部材に固定するものである。
【００１９】
このようにすると、封止工程において用いる封止樹脂を用いて、半導体キャリアにおける複数の個片基板として切り出される箇所以外の部分に、固定部材を形成し、接着工程時に、前記固定部材を基準部材の表面に接着させることで、前記半導体キャリアにおける前記個片基板として切り出される箇所以外の部分を前記基準部材に固定することにより、前記接着工程において、前記半導体キャリアにおける複数の個片基板として切り出される箇所以外の部分と基準部材とを固定することができる。したがって、切断工程において前記半導体キャリアから複数の個片基板を切り出したときに生じる端材が飛散するのを確実に防止することができる。しかも、前記固定部材を形成するのに、封止工程において用いる封止樹脂を用いているので、例えば、前記半導体キャリアの形状に沿ってスペーサを特別に設ける場合に比べ、生産コストを低減することができる。さらに、前記半導体キャリアの形状に沿ってスペーサを特別に設ける場合に比べ、スペーサを所定の位置に設けるための時間がかからず、生産性が低下することを防止できる。また、このようにすると、電極形成工程の後で切断工程を行うので、個片基板として切り出される箇所の裏面に形成された複数の外部接続用端子に突起状電極を形成する作業を、一括で行うことができ、生産性が低下することを防止することができる。さらに、突起状電極を一括で形成できることから、半導体キャリアが小型化された場合であっても、突起状電極を容易に形成することができ、生産性が低下することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、切断工程において半導体キャリアから複数の個片基板を切り出したときに生じる端材が飛散するのを確実に防止することができるので、製造した半導体装置が物理的に損傷することを防止し、また、例えば、切断工程において用いる切断装置の切断用ブレードが破損してしまうようなことを防止し、切断装置の故障を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の一例を図１〜図１３を参照しながら説明する。なお、図１〜図１１の各図において、（ａ）は平面図を表し、（ｂ）は平面図におけるＡ−Ａ線断面図を表している。また、図１４〜図２５を用いて説明したものと同じものには、同じ符号を付すことでその詳細な説明を省略する。
【００２２】
本実施の形態において用いる半導体キャリア４は、図１４〜図２５を用いて説明したものと同様であるが、この半導体キャリア４には、セラッミクス基板等のアルミナ系や窒化アルミナ系、エポキシ基板等の有機性基板からなる絶縁性の単層または多層回路基板等を用いる。
【００２３】
本実施の形態の半導体装置の製造方法により半導体装置を製造するためには、まず、図１２および図１３に示すように、半導体素子６上に、導電性を有する突起状電極５を形成する。この突起状電極５には、半田バンプまたはＡｕバンプなどの金属バンプを用いる。例えば、Ａｕバンプ５ｂを形成する方法としては、図１２に示すように、半導体素子６上の電極５ａに、ワイヤーボンディング法（ボールボンディング法）を用いて、下段部５ｃおよび上段部５ｄからなるＡｕ二段突起を形成する。
【００２４】
この方法は、Ａｕワイヤー先端に形成したボールをアルミニウム電極に熱圧接することにより、二段突起の下段部５ｃを形成し、さらにキャピラリー１２を移動させることにより形成したＡｕワイヤーループをもって、二段突起の上段部５ｄを形成する。なお、この方法により形成したＡｕバンプ５ｂにおいて、Ａｕ二段突起の高さは均一ではなく、また頭頂部の平坦性にも欠けているために、形成したＡｕ二段突起の頭頂部を加圧することにより高さの均一化および頭頂部の平坦化、いわゆるレベリングを行う。
【００２５】
次に、図１３に示すように、半導体キャリア４におけるＡｕバンプ５ｂ上にＡｇペースト等の導電性接着剤１３を供給する。この供給方法としては、回転する円盤（図示は省略）にドクターブレード法を用いて適当な厚みに、Ａｇ−Ｐｄを導電物質として含有する導電性接着剤１３を塗布する。そして、導電性接着剤１３が塗布された円盤を半導体素子６におけるＡｕバンプ５ｂに押し当てその後この円盤を引き上げる、いわゆる転写法によって、Ａｕバンプ５ｂに、導電性接着剤１３を付着させる。なお、導電性接着剤１３としては、信頼性、熱応力などを考慮して、例えばバインダーとしてエポキシレジン、導体フィラーとしてＡｇ−Ｐｄ合金によりなる接着剤を用いている。
【００２６】
次に、接着樹脂塗布工程として、図１に示すように、半導体キャリア４における個片基板４ａとして切り出される部分、すなわち仮想線４ｂにて囲まれる部分（以下、切り出し部分４ｄと記す）のそれぞれの中央部に、半導体キャリア４と半導体素子６とを仮止めするための接着樹脂１１を塗布する。なお、図１において接着樹脂１１は、それぞれの切り出し部分４ｄにつき一箇所塗布されているが、これに限らず、図示は省略するが、切り出し部分４ｄ一つにつき複数箇所塗布しても良い。
【００２７】
次に、接合工程である半導体素子搭載工程として、図２に示すように、それぞれの半導体素子６における突起状電極５が形成されている側の面を下にし、半導体キャリア４におけるそれぞれの切り出し部分４ｄの突起状電極２と突起状電極５とを精度よく位置合わせして電気的に接続する。そのうえで、一定の温度にて導電性接着剤１３および接着樹脂１１を熱硬化させることにより、半導体キャリア３と半導体素子６とを接合する。
【００２８】
次に、封止工程である樹脂封止工程として、図３に示すように、半導体素子６と半導体キャリア４との隙間に、図外の注入ノズルを用いてエポキシ系の封止樹脂７を供給し、封止樹脂７を半導体素子６と半導体キャリア４との隙間、および半導体素子６の周辺部６ａにまで行き届かせる。
【００２９】
このとき、半導体キャリア４におけるそれぞれの半導体素子６よりも外側の端材４ｃとなる位置に、半導体キャリア４の輪郭形状に沿って、すなわち、半導体キャリア４の各辺に沿って、前記樹脂封止工程において使用した封止樹脂７を用いて、固定部材としての複数の封止樹脂製突起部１４を形成する。なお、これらの封止樹脂製突起部１４の高さは、半導体キャリア４の上面から半導体素子６における突起状電極５が形成されていない側の面までの寸法となるように形成されている。
【００３０】
その後、半導体キャリア４をオーブン中で一定温度に加熱し、封止樹脂７を硬化させて樹脂モールドする。なお、この封止樹脂７としては、エポキシ系樹脂に高熱伝導セラミックである窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化珪素（ＳｉＣ）等をフィラーとして添加したものを用いる。
【００３１】
次に、電極形成工程であるボール付け工程として、図４に示すように、半導体キャリア４におけるそれぞれの外部接続端子３に、半田バンプや半田ボール等の突起状電極８を一括で形成する。突起状電極８として、例えば半田バンプを形成する場合には、半導体キャリア４の外部接続端子３上に半田ペーストを付与した後に、所望のリフロー温度でリフローする。また、突起状電極８として、例えば半田ボールを形成する場合には、半導体キャリア４の外部接続端子３に予めフラックスを付与しておき、フラックス上に半田ボールを搭載した後に、所望のリフロー温度でリフローし、水洗浄等を行うことで、フラックス残渣を除去する。なお、半田材料としては、Ｓｎ（錫）とＰｂ（鉛）の合金や、Ｓｎ（錫）とＡｇ（銀）とＣｕ（銅）等の材料を用いたものを用いる。以上のようにして、半導体装置１の集合体１５を形成する。
【００３２】
次に、接着工程である基準部材貼り付け工程として、図５に示すように、半導体装置の集合体１５を基準部材９に固定する。詳細には、この基準部材９の表面には、例えば、ポリオレフィン系の基材フィルム上にアクリル系の粘着層（図示は省略）が形成されており、それぞれの半導体素子６における突起状電極５が形成されていない側の面、およびそれぞれの封止樹脂製突起部１４を基準部材９の粘着層に圧着することにより、半導体装置の集合体１５を基準部材９に固定する。
【００３３】
次に、切断工程として、図６に示すように、基準部材９に固定された半導体装置の集合体１５を個片基板４ａの形状に合わせて切断し、複数の半導体装置１を形成する。
このとき、半導体装置１の製造工程中である樹脂封止工程において使用する封止樹脂７を用いて、半導体キャリア４におけるそれぞれの半導体素子６よりも外側の端材４ｃとなる位置に、固定部材として複数の封止樹脂製突起部１４を形成し、基準部材貼り付け工程時に、前記封止樹脂製突起部１４を基準部材９の粘着層に接着させ、半導体キャリア４における端材４ｃとなる位置を基準部材９に固定したことにより、切断工程において半導体装置の集合体１５から複数の個片基板４ａを切り出したときに生じる端材４ｃが飛散するのを確実に防止することができる。しかも、複数の封止樹脂製突起部１４を封止樹脂７にて形成しているので、例えば、図２３に示すように、半導体キャリア４の端材４ｃとなる部分に沿ってスペーサ１０を特別に設ける場合に比べ、生産コストを低減することができる。さらに、スペーサ１０を特別に設ける場合に比べ、スペーサ１０を所定の位置に設けるための時間がかからず、生産性が低下することを防止できる。なお、上記の切断工程は、例えば、基準部材９に固定した半導体装置の集合体１５を、突起状電極８が形成されている側の面から、ブレード等を用いたダイサーやレーザー等を用いて切断する。
【００３４】
その後、図示は省略するが、半導体装置の集合体１５を切断した後に、ＵＶ照射または加熱することで粘着層を硬化させ、それぞれの半導体装置１を基準部材９から取り外す。
以上のように、切断工程において半導体キャリア４から複数の個片基板４ａを切り出したときに生じる端材４ｃが飛散するのを確実に防止することができるので、製造した半導体装置１が飛散した端材により物理的に損傷することを防止し、また、例えば、切断工程において用いる切断装置の切断用ブレードが破損してしまうようなことを防止し、切断装置の故障を防止することができる。
【００３５】
また、上記の製造方法では、ボール付け工程の後で切断工程を行うので、複数の外部接続用端子３に突起状電極８を形成する作業を一括で行うことができ、生産性が低下することを防止することができる。さらに、突起状電極８を一括で形成できることから、半導体キャリア４が小型化された場合であっても、突起状電極８を容易に形成することができ、生産性が低下することを防止することができる。
【００３６】
なお、上記においては、固定部材として複数の封止樹脂製突起部１４を形成したが、これに限らず、例えば、図７に示すように、固定部材として、半導体キャリア４における端材４ｃの部分に沿って複数の線状の封止樹脂製線状突起部１４ａを形成しても良い。さらに、図示は省略するが、固定部材として、半導体キャリア４における端材４ｃの部分に沿って周方向に一体の封止樹脂製線状突起部を形成しても良い。
【００３７】
このようにすると、例えば、半導体キャリア４に対して複数の封止樹脂製突起部１４を形成する場合であれば、切断工程時の切断位置によってそれぞれの端材４ｃに形成されている封止樹脂製突起部１４の割合にばらつきが生じるが、上述のような封止樹脂製線状突起部１４ａを設ける場合であれば、切断後の端材４ｃのそれぞれに形成されている封止樹脂製突起部１４ａの割合がほぼ均等となるので、半導体キャリア４上における個片基板４ａのマトリックス構成に影響を受けることがない。したがって、半導体キャリア４における端材４ｃと基準部材９とをより強固にかつ確実に固定することができるとともに、半導体装置の集合体１５を切断する際の切断条件の自由度が向上し、より安定的に高い生産性を確保することができる。
【００３８】
また、上記では、図３に示したような樹脂封止工程において、封止樹脂７を用いて複数の封止樹脂製突起部１４を形成した場合を説明したが、これに限らず、例えば、図８に示すように、接着樹脂塗布工程において、この工程で用いる接着樹脂１１を用いて複数の接着樹脂製突起部１６を形成することができる。この場合、通常では、接着樹脂１１としては、封止樹脂７よりも粘性が高い樹脂を用いていることから、封止樹脂７を用いる場合に比べて、半導体キャリア４に対して接着樹脂製突起部１６を容易に形成することができ、生産性の向上および効率化を図ることができる。
【００３９】
なお、上記の実施の形態において、図９に示すように、半導体キャリア４における切り出し部４ｄに不良箇所１７がある場合には、樹脂封止工程において、この工程において用いる封止樹脂７で、この不良箇所１７に、第２の固定部材としての封止樹脂製突部部材１８を形成する。なお、この封止樹脂製突部部材１８は、その高さが良品箇所１９における半導体キャリア４の表面から半導体素子６の上面までの寸法となるように形成されている。
【００４０】
このようにすると、樹脂封止工程よりも下工程である基準部材貼り付け工程において、この封止樹脂製突部部材１８を介して、不良箇所１７と基準部材９とを固定することができ、切断工程においてこの不良箇所１７が切り出された場合であっても不良箇所１７が飛散することを防止することができる。これにより、製造した半導体装置１が物理的に損傷することを防止して、品質の高い半導体装置１を生産することができる。したがって、多数個取りが可能で電気配線が高密度に形成されている半導体キャリア４に不良箇所１７が含まれていても、この不良箇所１７上に、ダミーの半導体素子などのような特別なものを搭載する必要がなく、工程の簡略化を図ることができ、かつ、ダミーの半導体素子を用いる場合に比べて製造コストの低減化を図ることができる。
【００４１】
また、上記では、図９に示すように、不良箇所１７に一つの封止樹脂製突部部材１８を形成しているが、これに限らず、図１０に示すように、不良箇所１７一箇所につき複数の、例えば二つの封止樹脂製突部部材１８を形成しても良い。
【００４２】
このようにすると、この不良箇所１７と基準部材９とをより強固にかつ安定して固定することができるので、半導体装置の集合体１５を切断する際の切断条件の自由度が向上し、より安定的に高い生産性を確保することができる。
【００４３】
さらに、上記においては、封止樹脂製突部部材１８を樹脂封止７で形成した場合を示しているが、これに限らず、例えば、図１１に示すように、接着樹脂塗布工程において、この工程で用いる接着樹脂１１で、不良箇所１７に、固定部材としての接着樹脂製突部部材２０を形成してもよい。
【００４４】
このようにすると、既に述べたように、通常では、接着樹脂１１としては、封止樹脂７よりも粘性が高い樹脂を用いていることから、封止樹脂７を用いる場合に比べて、半導体キャリア４に対して接着樹脂製突部部材２０を容易に形成することができ、生産性の向上および効率化を図ることができる。
【００４５】
なお、上記において、接着樹脂１１には、例えば封止樹脂７と同一の物性値で粘度のみを高くした樹脂を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明の半導体装置の製造方法は、情報通信機器、事務用電子機器、家庭用電子機器、測定装置、組立ロボット等の産業用電子機器、医療用電子機器、電子玩具等の小型化に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例における接着樹脂塗布工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例における半導体素子搭載工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図３】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例における樹脂封止工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図４】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例におけるボール付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図５】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例における基準部材貼り付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図６】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例における切断工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図７】（ａ）は、図３に示した樹脂封止工程とは異なる樹脂封止工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図８】（ａ）は、図１に示した接着樹脂塗布工程とは異なる樹脂封止工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図９】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例において、不良基板に封止樹脂製突部部材を形成している状態を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１０】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例において、不良基板に封止樹脂製突部部材を形成している状態を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１１】（ａ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例において、不良基板に接着樹脂製突部部材を形成している状態を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法の一例においてＡｕバンプを形成している状態を示す図
【図１３】本発明の半導体装置の製造方法の一例においてＡｕバンプに導電性接着剤を付与している状態を示す図
【図１４】（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１５】（ａ）は、半導体キャリアの平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１６】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法の一例における半導体素子搭載工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１７】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法の一例における樹脂封止工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１８】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法の一例における基準部材貼り付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１９】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法の一例における切断工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２０】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法の一例におけるボール付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２１】（ａ）は、図１６〜図２１に示した半導体装置の製造方法とは異なる製造方法におけるボール付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２２】（ａ）は、図２１に示すボール付け工程の後に行われる基準部材貼り付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２３】（ａ）は、図２１に示すボール付け工程の後に行われるスペーサ貼り付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２４】（ａ）は、図２３に示すスペーサ貼り付け工程の後に行われる基準部材貼り付け工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２５】（ａ）は、図２４に示す基準部材貼り付け工程の後に行われる切断工程を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【符号の説明】
【００４８】
３    外部接続用端子
４    半導体キャリア
４ａ  個片基板
４ｃ  端材
４ｄ  切り出し部
６    半導体素子
７    封止樹脂
８    突起状電極
９    基準部材
１４    封止樹脂製突起部
【図１】
2005203453.tif 000003
【図２】
2005203453.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005203453.tif 000007
【図６】
2005203453.tif 000008
【図７】
2005203453.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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