(57)【要約】【課題】積層セラミック部品ではその小型化のため、セラミック層並びに内部電極の薄層化が必要であるが、内部電極を薄層化していくと、途切れや膜厚の不均一化が起こりやすく、電気特性の劣化につながるという課題があった。【解決手段】ニッケルを主成分とする金属粉末１００モルに対して二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペーストを用いることにより、内部電極を薄層化した場合でも内部電極の途切れが発生することなく、電気特性の良好な積層セラミック電子部品が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル粉末を主成分とする金属粉末１００モルに対して、二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を前記二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペースト。
【請求項２】
ニッケル粉末が平均粒径０．０１〜０．２μｍである請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項３】
二酸化ケイ素の平均粒径と、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物の平均粒径が０．００５〜０．１μｍであり、かつニッケル粉末が平均粒径０．０１〜０．２μｍである請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項４】
セラミック層と内部電極が交互に積層され、前記内部電極が露出した端面に外部電極を設けてなる積層セラミック電子部品において、前記内部電極はニッケル粉末を主成分とする金属粉末１００モルに対して、二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペーストを用いて形成されており、かつ前記セラミック層はＡＢＯ3と表わされるペロブスカイト型の結晶構造で、Ａ／Ｂの元素比率が０．９８０〜１．０２０である積層セラミック電子部品。
【請求項５】
導電性ペースト中のニッケル粉末の平均粒径が０．０１〜０．２μｍである請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
二酸化ケイ素の平均粒径と、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物の平均粒径とが０．００５〜０．１μｍである請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層セラミック電子部品の製造方法について積層セラミックコンデンサを例に説明する。
【０００３】
図１は積層セラミックコンデンサ１１の一部切欠斜視図であり、チタン酸バリウムなどよりなるセラミック層１２と内部電極１３とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極１３はその端面が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極１４に交互に接続されている。
【０００４】
近年、積層セラミック電子部品の小型化に対する要望がますます強く、セラミック層を薄くすると同時に内部電極を薄くすることが必要とされている。
【０００５】
ところが、セラミック層と同時に焼結される内部電極は、一般にセラミック層に比べてより低温で焼成収縮を開始するため、焼成工程における昇温過程でのセラミック層と内部電極の収縮率差により内部電極に途切れ現象が発生し、内部電極の有効面積が減少し、静電容量が低下してしまうという現象が生じる。
【０００６】
そのため従来は内部電極の主成分として用いられるニッケル等の金属粉末の焼結を制御するため、ニッケルにチタン酸塩を粒状に一体化させて内部電極形成用のニッケル複合導体とする技術が用いられていた。
【０００７】
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２３２０３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の方法においては、内部電極を例えば１μｍ以下など、より薄くするためにニッケル複合導体を微粉化した場合には内部電極の焼結が進みやすくなり、薄層化が困難になっている。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するために焼成工程における内部電極の焼結を制御すると同時に、金属ニッケルからなる内部電極とセラミック層との界面での接合性を保つことにより、途切れ現象の発生なく内部電極を薄層化できる導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、ニッケル粉末を主成分とする金属粉末１００モルに対して、二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペーストであり、積層セラミック電子部品の内部電極に使用した場合、焼成工程における昇温過程において二酸化ケイ素とアルカリ土類金属元素または希土類元素を含む化合物が内部電極の焼結を制御すると同時に内部電極とセラミック層の界面接合性を強固にするため、内部電極を途切れの発生なく薄層化することができる。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、ニッケル粉末が平均粒径０．０１〜０．２μｍである請求項１に記載の導電性ペーストであり、ニッケル粉末と二酸化ケイ素およびアルカリ土類金属元素または希土類元素を含む化合物とが均一に分散された導電性ペーストが得られ、より内部電極とセラミック層の界面接合性を強固にすることができるため内部電極を途切れの発生なく薄層化することができる。
【００１３】
本発明の請求項３に記載の発明は、二酸化ケイ素の平均粒径、およびアルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物の平均粒径が０．００５〜０．１μｍである請求項１に記載の導電性ペーストであり、ニッケル粉末と二酸化ケイ素およびアルカリ土類金属元素または希土類元素を含む化合物とがさらに均一に分散された導電性ペーストが得られ、より内部電極とセラミック層の界面接合性を強固にすることができるため内部電極を途切れの発生なく薄層化することができる。
【００１４】
本発明の請求項４〜６に記載の発明は、導電性ペーストを用い、かつ前記セラミック層はＡＢＯ3と表わされるペロブスカイト型の結晶構造で、Ａ／Ｂの元素比率が０．９８０〜１．０２０である積層セラミック電子部品であり、セラミック層の電気特性を低下させずに内部電極を薄層化することができ、小型の積層セラミック電子部品を提供することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明はニッケル粉末を主成分とする金属粉末１００モルに対して、二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペーストであり、内部電極の焼結を制御すると同時に内部電極とセラミック層の界面接合性を強固にすることにより、内部電極と薄層化に対応可能な電極形成用の導電性ペーストを提供することができる。
【００１６】
さらに本発明による積層セラミックコンデンサにおいては、本発明はニッケル粉末を主成分とする金属粉末１００モルに対して、二酸化ケイ素を０．２〜６．０モルと、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素またはこの元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む導電性ペーストを内部電極に使用することにより、内部電極を薄層化できるためより小型で電気特性の良好な積層セラミック電子部品が得られるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１を用いて本発明の特に請求項１〜６に記載の発明について積層セラミックコンデンサを例に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態における積層セラミックコンデンサ１１の一部切欠斜視図であり、セラミック層１２と内部電極１３とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極１３はその端面が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極１４に交互に接続されている。
【００１９】
まず、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分としてＤｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，ＭｇＯ，Ｍｎ3Ｏ4などのセラミック粉末と、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤としてｎ−酢酸ブチル、可塑剤としてジブチルフタレートを混合してセラミックスラリーを得る。
【００２０】
そしてドクターブレード法などにより、セラミックよりなる誘電体層１２となる厚み１．５μｍのセラミックシート（焼結後の誘電体層の厚みは約１μｍ）を作製する。
【００２１】
一方、ニッケル金属粉末と有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤としてｎ−酢酸ブチル、可塑剤としてジブチルフタレートとを混合した後ロールミルにより混練して内部電極１３となる金属ペーストを作製する。
【００２２】
次にニッケル粉末１００モルに対して（表１）に示す割合となるように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）を秤量し、媒体攪拌ミルを用いて有機溶剤中に均一分散した後、上記の金属ペーストに加えて導電性ペーストを作製する。
【００２３】
次に上記各導電性ペーストを用いて、グリーンシート上にスクリーン印刷により所望の内部電極パターンを同じ厚みで形成する。
【００２４】
印刷した内部電極が乾燥した後、内部電極がグリーンシートを介して対向するように３００枚を配置し、加熱圧着して一体化した後、縦１．９ｍｍ、横１．０ｍｍの寸法に切断して積層体を得る。
【００２５】
次にこの積層体をジルコニア質の焼成用匣鉢（さやと称する）に入れ、空気中３５０℃でバインダを除去した後窒素と水素よりなる還元雰囲気中で、１３００℃で焼成して焼結体を得る。
【００２６】
次にこの焼結体の角をバレル研磨にて面取りした後、内部電極の露出した両端面に外部電極として銅ペーストを塗布し、９００℃の窒素雰囲気中で焼付を行い、積層セラミックコンデンサを得る。
【００２７】
次にこの積層セラミックコンデンサについて、２０℃で周波数１ｋＨｚ、１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定し、また直流１０Ｖを１分間印加した後に絶縁抵抗を測定した。
【００２８】
さらに上記積層セラミックコンデンサ１００個を樹脂に埋め込み、研磨して断面を観察し、内部の構造欠陥を数えて構造欠陥発生率とした。
【００２９】
また上記断面の１０箇所について内部電極厚みを測定し、その平均値を内部電極厚みとした。
【００３０】
次にセラミック誘電体層の見かけ上の比誘電率を次式により算出した。
【００３１】
Ｃ＝ε0εrＳ／ｄ・ｎ
ただしＣは静電容量、ε0は真空の誘電率、εrはセラミック誘電体層の誘電率、Ｓは内部電極の有効重なり面積、ｄはセラミック誘電体層の厚み、ｎは積層数である。
【００３２】
また、絶縁抵抗の評価のため、静電容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）を算出した。
【００３３】
これらの結果を（表１）にあわせて示す。
【００３４】
【表１】
2005203213.tif 000003
【００３５】
ここで、比誘電率については２０００以上、容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）については１０００ΩＦ以上、構造欠陥発生率については０／１００（１００個中に構造欠陥がないこと）を良品とした。
【００３６】
（表１）に示すように、二酸化ケイ素の添加量が金属粉末１００モルに対して０．２〜６．０モルであり、アルカリ土類金属元素および希土類元素の中から選ばれた少なくとも一種類の元素を含む化合物を二酸化ケイ素に対してモル比率で１／５０〜１倍含む試料番号３〜６、１０〜１３、１７〜２０、２３〜２５では見かけの比誘電率、絶縁抵抗（静電容量と絶縁抵抗の積）が低下することなく、構造欠陥発生率が０となっている。
【００３７】
さらに詳しくは、（表１）に示すように、二酸化ケイ素の含有量がニッケル粉末１００モルに対して０．２モル未満の試料番号２の場合には、内部電極とセラミック誘電体層との界面における接合が殆ど生じず、内部電極の焼結挙動も制御できないため内部電極が薄い場合には途切れが発生し、構造欠陥の発生率は０であるが、見かけの比誘電率が低下するため好ましくない。
【００３８】
また、二酸化ケイ素の含有量が０．２モル未満の試料番号１，２の場合には、さらに内部電極とセラミック誘電体層との界面接合が少なく、内部電極の焼結挙動に対する制御効果も少なくなるため比誘電率が低下し、二酸化ケイ素を含まない試料番号１ではこれに加えて構造欠陥の発生も見られる。
【００３９】
一方、二酸化ケイ素の含有量が６．０モルを超える試料番号７の場合には、内部電極中の二酸化ケイ素がセラミック誘電体層に拡散し、内部電極とセラミック誘電体層の界面に比誘電率の低いケイ素を主成分とする酸化物の層が生成するため見かけの比誘電率を低下させてしまう。
【００４０】
従って二酸化ケイ素の最適な含有量は、ニッケル粉末１００モルに対して０．２〜６．０モル、より好ましくは０．６〜２．０モルである。
【００４１】
また（表１）より、アルカリ土類金属元素または希土類元素の含有量が二酸化ケイ素の添加量に対してモル比率で１／５０倍未満の試料番号８，９，１５，１６の場合、静電容量と絶縁抵抗の積であるＣＲ積の値が低く、積層セラミックコンデンサとしての電気特性を満足しない。
【００４２】
これはＡＢＯ3と表されるペロブスカイト型化合物の比誘電率は、Ａで表されるＡサイト元素とＢで表されるＢサイト元素の比率であるＡ／Ｂ比と密接な関連性を有しており、このＡ／Ｂ比が最適範囲からずれた場合には比誘電率が低下することが知られており、二酸化ケイ素はペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ3）には固溶しないもののＡサイト元素と選択的に反応するため、ペロブスカイト型化合物のＡサイト元素とＢサイト元素の比であるＡ／Ｂが低くなるためである。
【００４３】
そのため、あらかじめＡサイトの元素を補償もしくは置換することのできる元素またはその化合物を添加することにより、ケイ素との反応によりＡ／Ｂ比のバランスが低い方にずれて比誘電率が低下するのを抑制できるが、アルカリ土類金属元素または希土類元素の添加量が少ない場合にはこの作用が充分働かないためである。
【００４４】
一方、アルカリ土類金属元素または希土類元素の添加量が二酸化ケイ素の添加量に対してモル比率で１倍を超える試料番号１４，２１の場合は、これらの元素がセラミックの焼結反応を阻害する方向に働くため、焼結不足になり、積層セラミックコンデンサとしての機能を果たせなくなる。
【００４５】
従って、アルカリ土類金属元素または希土類元素の最適な添加量の範囲は二酸化ケイ素の添加量に対してモル比率で１／５０〜１倍、より好ましくは３／１０〜１倍の範囲である。
【００４６】
さらに（表１）よりペロブスカイト型セラミック誘電体層のＡ／Ｂ比が０．９８０未満の試料番号２２の場合、アルカリ土類金属元素または希土類元素の添加により上記二酸化ケイ素の添加によるＡ／Ｂ比の低下をある程度は補償することができるものの、完全なペロブスカイト型構造を構成するまでには至らないため積層セラミックコンデンサの比誘電率が低下する。
【００４７】
また、Ａ／Ｂ比が１．０２０を超える試料番号２６の場合には、内部電極に含まれる適量の二酸化ケイ素が反応するＡサイト元素量が限られているためＡサイト元素が過剰な状態となり、Ａ／Ｂ比のバランスが高い方にずれ、セラミック誘電体層が焼結不足になる。
【００４８】
従って、最適なＡ／Ｂ比の範囲は０．９８０〜１．０２０、より好ましくは１．０００〜１．０２０の範囲である。
【００４９】
以上のように、ペロブスカイト型セラミック誘電体層のＡ／Ｂ比を０．９８０〜１．０２０の範囲とすることにより、請求項１に記載の導電性ペーストを用いて薄い内部電極を形成した場合においても、導電性ペースト中の二酸化ケイ素がセラミック誘電体層に拡散してＡ／Ｂ比がずれ、比誘電率が低下することを防止し、焼結性が良好で電気特性に優れた積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、特に請求項２〜６に記載の発明について積層セラミックコンデンサを例に説明する。
【００５１】
まず実施の形態１と同様にして厚み１．５μｍのセラミックグリーンシートを作製する。
【００５２】
一方、平均粒径が（表２）に示す５種類のニッケル粉末について、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤としてｎ−酢酸ブチル、可塑剤としてジブチルフタレートなどとともに予備混合した後、ロールミルで混練して金属ペーストを作製する。
【００５３】
また、平均粒径が０．０５μｍ以下のニッケル粉末については、分散性を向上させるため、予備混合においてはあらかじめ保護樹脂とともに有機溶剤中に分散されたものを用いている。
【００５４】
次に得られた金属ペーストに、ニッケル粉末１００モルに対して二酸化ケイ素を１モル、酸化ジスプロシウムを０．５モルの割合で添加し、混合して内部電極用の導電性ペーストを作製する。
【００５５】
ここで用いたニッケル粉末、二酸化ケイ素、酸化ジスプロシウムの平均粒径は（表２）に示すものを用いた。
【００５６】
ニッケル粉末、二酸化ケイ素、酸化ジスプロシウムの平均粒径については、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）ならびにＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて測定したものである。
【００５７】
また、二酸化ケイ素、酸化ジスプロシウムについては前もって媒体攪拌ミルによりこれらの化合物が有機溶剤中に均一に分散されたものを用いている。
【００５８】
さらにこれらの化合物を金属ペースト中に均一に分散させるため、ペーストの粘度を１Ｐａ・ｓと低く調整して混合を行った。
【００５９】
このようにして作製した導電性ペーストは、粉末粒子が凝集することなく、単一粒子として分散されたものであった。
【００６０】
次にこの導電性ペーストを用いてセラミックシートに所望の形状の内部電極をグラビア印刷にて同じ厚みで形成した後、乾燥し、内部電極がセラミックシートを介して対向するように３００枚重ね合わせ、加熱圧着して一体化した後、縦１．９ｍｍ、横１．０ｍｍの寸法に切断して積層体を得る。
【００６１】
この積層体を実施の形態１と同様の条件でバインダ除去の後焼成して焼結体を得、面取りならびに外部電極形成を行って積層セラミックコンデンサを得る。
【００６２】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサについて、実施の形態１と同様に内部電極厚み、静電容量、絶縁抵抗を測定し、見かけの比誘電率ならびにＣＲ積を算出した。
【００６３】
これらの測定結果について、ニッケル粉末、二酸化ケイ素、酸化ジスプロシウムの平均粒径とともに（表２）に示す。
【００６４】
【表２】
2005203213.tif 000004
【００６５】
ここで、実施の形態１と同様に、比誘電率については２０００以上、容量と絶縁抵抗の積（ＣＲ積）については１０００ΩＦ以上、構造欠陥発生率については０／１００（１００個中に構造欠陥がないこと）を良品とした。
【００６６】
（表２）に示すように、ニッケル粉末の平均粒径が０．０１〜０．２μｍであり、二酸化ケイ素と酸化ジスプロシウムの平均粒径が０．００５〜０．１μｍである試料番号２８〜３０、３３〜３５、３８〜４０では見かけの比誘電率、絶縁抵抗（静電容量と絶縁抵抗の積により表す）が低下することなく、構造欠陥の発生率が０となっている。
【００６７】
これに対して、ニッケル粉末の平均粒径が０．２μｍを超える試料番号３１の場合には二酸化ケイ素と酸化ジスプロシウムを内部電極内に均一に分散することができず、内部電極とセラミック誘電体層との界面接合が充分行われないため内部電極の途切れが生じ、見かけの比誘電率が低下する。
【００６８】
またさらに１μｍ以下と薄層化した内部電極の厚みに比較してニッケル粉末の粒子径が大きいため内部電極をセラミックシートに印刷する際に厚みが不均一となり焼成後の内部電極途切れの原因となり、見かけの比誘電率の低下を招く。
【００６９】
一方、内部電極に用いるニッケル粉末の平均粒径が０．０１μｍ未満の試料番号２７の場合、二酸化ケイ素と酸化ジスプロシウムは内部電極中に均一に分散するが、ニッケル粉末が非常に細かいため反応性が高く、内部電極の焼結挙動の制御が充分行われなくなる。
【００７０】
このため内部電極を薄くすると途切れ部分が発生し、見かけの比誘電率が低下すると共に構造欠陥も発生してしまう。
【００７１】
従って最適なニッケル粉末の平均粒径は０．０１〜０．２μｍの範囲である。
【００７２】
さらに（表２）より、二酸化ケイ素または酸化ジスプロシウムの平均粒径が０．１μｍを超える試料番号３６，４１の場合には内部電極とセラミック誘電体層の界面接合に寄与するこれらの化合物がニッケル粒子間に均一に分散できないため、内部電極に途切れが生じる結果見かけの比誘電率が低下する。
【００７３】
一方、内部電極に用いる二酸化ケイ素または酸化ジスプロシウムの平均粒径が０．００５μｍ未満の試料番号３２，３７の場合にはこれらの化合物がニッケル粒子間に均一に分散できても、これらの化合物自身の焼結が早まるため内部電極の焼結挙動が充分に制御できず、内部電極を薄くすると途切れの発生により見かけの比誘電率が低下する。
【００７４】
従って最適な二酸化ケイ素と酸化ジスプロシウムの平均粒径の範囲は０．００５〜０．１μｍである。
【００７５】
なお、上記実施の形態１，２では積層セラミックコンデンサを例に説明したが、他の積層セラミック部品、例えば積層チップインダクタや積層サーミスタ、セラミック多層基板などでも同様の効果が得られるものである。
【００７６】
また、上記実施の形態１，２ではアルカリ土類金属元素の化合物として炭酸バリウムを用いたが、例えばマグネシウムやカルシウム、ストロンチウムの酸化物や炭酸塩、シュウ酸塩、塩化物などを用いても同様の効果が得られる。
【００７７】
同様に希土類元素化合物として酸化ジスプロシウムを用いたが、例えばエルビウムやイッテルビウムの酸化物や炭酸塩、シュウ酸塩、塩化物などを用いても同様の効果が得られる。
【００７８】
また、上記添加物を添加する際に、あらかじめ各添加物を混合し熱処理してガラス状にし、粉砕したものを添加しても良い。
【００７９】
さらに、上記実施の形態１，２ではアルカリ土類金属元素や希土類元素の炭酸化合物や酸化物を用いたが、これらの化合物として添加する替わりに、ニッケル粉末上に真空蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成法によりアルカリ土類金属元素や希土類元素を形成する方法も用いることができる。
【００８０】
本発明の導電性ペーストは、特に耐還元性を有するセラミック組成物に対して有効である。
【００８１】
また希土類元素、特にランタノイド元素の化合物は高温下で電子のドナーになる性質を持っており、このような元素の添加によって信頼性が向上するという作用効果も得られる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明にかかる導電性ペーストならびに積層セラミック電子部品は、内部電極の厚みを薄くした場合においても、電極層が途切れることなく連続した薄層の内部電極が得られ、積層セラミック電子部品やセラミック多層基板、印刷導体等の用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【符号の説明】
【００８４】
１１  積層セラミックコンデンサ
１２  誘電体層
１３  内部電極
１４  外部電極
【図１】
2005203213.tif 000005