(57)【要約】【課題】  フォトマスクに使用される基板は帯電しやすい材質のものが多い。特に石英ガラスは光学的特性が非常に優れているが、電気的特性上非常に帯電しやすく、このように帯電した状態のフォトマスクをフォトレジスト膜上に配置し露光した後でフォトレジスト膜からフォトマスクを離す際に静電放電が生じ、フォトマスク表面に形成したクロムのパターンを破壊する場合がある。【解決手段】  透明基板の表面にフォトレジスト膜への露光を遮光するパターン模様に形成した遮光膜を形成したフォトマスクにおいて、この遮光膜を表面に形成した透明基板上の全面に、導電性の透明樹脂膜を形成していることを特徴とするフォトマスク。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の表面にフォトレジスト膜への露光を遮光するパターン模様に形成した遮光膜を形成したフォトマスクにおいて、
該遮光膜を表面に形成した該透明基板上の全面に透明な樹脂膜を形成していることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
該透明樹脂膜が導電性を有する樹脂膜であり、且つ該透明樹脂膜が接地されていることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの構造に関し、特に、遮光膜の破損がないフォトマスク関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動子や弾性表面波素子に使用される圧電素子を製造するために用いられるフォトリソグラフィ法において、遮光膜を形成したフォトマスクの遮光パターンの像を、フォトレジストが形成されたガラスプレートや水晶ウエハ等の基板上に投影転写する露光装置が用いられている。
【０００３】
このような露光装置に用いられるフォトマスクは、マスク基板の表面に遮光性の高い膜で電極パターン（マスクパターン）を形成して構成される。この電極パターンを形成する材料としては、薄膜加工が容易で且つ遮光性が高いという特徴から、一般的にクロムが用いられている。
【０００４】
更に、フォトマスクに用いられる基板の材料としては、石英ガラスが多用されている。石英ガラスは光の透過損失が小さく、又温度による光学的性能の低下が小さく、耐腐食性や弾性性能がフォトマスクとして使用することに適している等優れた特性を有しており、表面に高精度で微細なパターン形成が可能であるとともに、そのパターン形成も容易である特徴を有している。尚、フォトマスクに用いられる基板の他の材料としては、蛍石等が使用されている。
【０００５】
又、通常は一枚のフォトマスクには複数個の素子を形成するパターンが形成され、一枚のフォトマスクで複数回、一度に多数の素子パターンを水晶ウエハ等の基板上に形成する方法が用いられている。
【０００６】
前記のようなフォトマスクについては、以下のような文献が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−６２３４号公報
【特許文献２】特開平８−２７８６２５号公報
【０００８】
尚、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
フォトリソグラフィ法では、露光の際フォトレジスト膜へフォトマスクに形成した微細パターンを正確に投射するために、フォトマスク表面と遮光膜パターンとの間を密着させることが望ましい。遮光膜が剥がれると露光の際にパターンの輪郭部分が不鮮明になってしまい、所望の形状のパターンを正確にフォトレジスト膜へ投射できなくなる。
【００１０】
しかし、フォトマスクに使用される基板は帯電しやすい材質のものが多い。特に石英ガラスは光学的特性が非常に優れているが、電気的特性上非常に帯電しやすく、このように帯電した状態のフォトマスクをフォトレジスト膜上に配置し露光した後でフォトレジスト膜からフォトマスクを離す際に静電放電が生じ、フォトマスク表面に形成したクロムのパターンを破壊する場合がある。
【００１１】
又、帯電したフォトマスクの表面には微細なゴミが吸着しやすくなり、露光の際の不具合の発生原因になる恐れがある。更に、パターン破壊に至らないまでも、フォトマスク表面と遮光膜との間の密着性が弱まり、遮光膜がフォトマスク表面から一部剥がれてしまい、露光時に所望のパターン形状を得られない不具合の発生が懸念されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は前述した問題点を解決するために成されたものであり、透明基板の表面にフォトレジスト膜への露光を遮光するパターン模様に形成した遮光膜を形成したフォトマスクにおいて、この遮光膜を表面に形成した透明基板上の全面に、透明な樹脂膜を形成していることを特徴とするフォトマスクである。
【００１３】
又、前述した透明な樹脂膜が導電性を有する樹脂膜であり、且つこの樹脂膜が接地されていることを特徴とするフォトマスクでもある。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るフォトマスクにおいて、フォトマスクに帯電しやすい石英ガラス使用した場合でも、パターンが形成されたフォトマスク表面に形成した導電性樹脂膜（接地接続）により帯電した電荷は接地端に流れてしまう作用により、フォトマスクをフォトレジスト膜上に配置し露光した後でフォトレジスト膜からフォトマスクを離す際でも静電放電が生じず、フォトマスク表面に形成したクロムのパターンを破壊することはない。
【００１５】
又、帯電した電荷を除去しているため、フォトマスクの表面にはゴミが吸着がなくなり、露光の際の不具合の発生原因になる恐れがなくなる。更に、透明樹脂膜を形成することにより、フォトマスク表面と遮光膜パターンとが、全ての箇所において密着することができるようになる。
【００１６】
従って、本発明のフォトマスクにより、フォトマスク基板上に形成したパターンの信頼性の向上及び露光不良品の減少による歩留まりの向上に著しい効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明におけるフォトマスクの一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明に係わるフォトマスクの一部の実施形態を示す断面図である。尚、図１にあって、説明を明りょうにするため構造体の一部を図示せず、また寸法も一部誇張して図示している。各部分の厚さ寸法は本発明を理解し易くするために特にデフォルメした形で現している。
【実施例】
【００１８】
即ち、図１において、板状の石英ガラス１１の一方の主面側には、所望のパターンを形成した厚さ約１００ｎｍほどの金属クロム製の遮光膜１２が形成されている。通常遮光膜１２のパターンは後述するフォトレジスト膜に一度に複数の素子電極パターンを形成するようなパターンが形成されており、遮光膜１２のパターン形成方法としては、リソグラフィ法やスパッタリング法により形成する。尚、基板材としては、石英ガラスの他に、蛍石や水晶等が用いられる。
【００１９】
この遮光膜１２が形成された石英基板１１の表面全面に、導電性の透明樹脂膜１３をスピンコート法により形成し、フォトマスク１０を構成している。この透明樹脂膜１３は石英基板１１の表面の露光領域以外に形成した電極（図示せず）に電気的に接触（接続）しており、この電極は接地端と電気的に接続している。尚、透明樹脂膜１３の厚みは数百ｎｍ前後で形成しているが、可能なかぎり薄く形成することが望ましい。更にその形成方法としては、他に、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより形成しても構わない。
【００２０】
このように遮光膜１２が形成された石英基板１１の表面全面に、接地端に電気的に接続した導電性の透明樹脂膜１３を形成することにより、フォトマスク１０に帯電した電荷を透明樹脂膜１３を介して接地端に放電することができ、フォトマスク１０本体に不用な電荷を貯めることが無い。因って、フォトマスク上において静電放電が発生することが無く、この放電現象に起因していた遮光膜パターン破壊などの様々な不具合をなくすことができる。また、透明樹脂膜１３を遮光膜１２の上から形成することで、遮光膜１２を石英基板１１の表面に密着することができ、遮光膜パターンが石英基板表面から剥がれてしまうことも同時に防止できる。
【００２１】
尚、上記実施例においては透明樹脂膜１３として導電性を有するものを使用しているが、フォトマスクの基板材料としては帯電性が低く静電放電が発生しにくい材質のものをした場合では、透明樹脂膜１３に導電性は必要なく、非導電性の透明樹脂膜を使用することにより、遮光膜１２を石英基板１１の表面に密着することができ、遮光膜パターンが石英基板表面から剥がれてしまうことを防止している。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明に係わるフォトマスクの一実施形態における一部を示した断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０，フォトマスク
１１，石英基板
１２，遮光膜
１３，透明樹脂膜
【図１】
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