(57)【要約】【課題】導通端子部等の電気的導通を確保するにあたり、マスクを用いることなく簡便に導通確保を達成でき、しかも自由に蒸着角度を設定でき、液晶素子の自由度を高めることが可能な液晶装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、一対の基板１０，２０間に液晶層５０を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板１０，２０のうち少なくとも一方の基板の内面側には、電極９と、該電極９上に配設され蒸着材料を主体として構成された蒸着配向膜３１とが形成され、該蒸着配向膜３１を備える基板の内面側には、該基板内面側にその表面の少なくとも一部が露出した導通端子２０２が形成され、さらに該導通端子２０２の近傍には該導通端子２０２の表面よりも基板内面側に突出してなる壁部２０７が形成されていることを特徴とする。【選択図】        図４
2005017339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の内面側には、電極と、該電極上に配設され蒸着材料を主体として構成された蒸着配向膜とが形成され、
該蒸着配向膜を備える基板の内面側には、該基板内面側にその表面の少なくとも一部が露出した導通端子が形成され、さらに該導通端子の近傍には該導通端子の表面よりも基板内面側に突出してなる壁部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記壁部は、基板内面側に突出した凸状部であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記導通端子が前記基板を構成する絶縁層の凹状部底面に形成され、前記壁部が該凹状部の谷部にて構成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記導通端子が、当該液晶装置の非表示領域に形成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記導通端子が、当該液晶装置と外部との接続を可能とする実装端子であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記導通端子が、前記一対の基板間の電気的導通をとるための基板間導通端子であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記一対の基板のうち第１基板の内面側には、マトリクス状の画素電極と、該画素電極上に配設され蒸着材料を主体として構成された蒸着配向膜とが形成される一方、第２基板の内面側には、共通電極と、該共通電極上に配設された蒸着配向膜とが形成され、
前記第１基板上には、前記第２基板側から導通部材を介して前記第１基板側に電気的接続を行うための前記基板間導通端子が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記導通端子の表面のうち、前記壁部が形成された側の少なくとも一部が、前記蒸着配向膜にて覆われていないことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記導通端子の表面の約１０％以上が、前記蒸着配向膜にて覆われていないことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に配向膜を斜方蒸着法にて形成する工程とを含み、
前記配向膜の形成工程前に、前記基板上に導通端子を形成する工程と、該導通端子の近傍に該導通端子の表面よりも突出した凸状部を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に配向膜を斜方蒸着法にて形成する工程とを含み、
前記配向膜の形成工程前に、前記基板の表面に凹状部を形成する工程と、該凹状部の底面に導通端子を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導通端子を、当該液晶装置の非表示領域に形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導通端子が、当該液晶装置と外部との接続を可能とする実装端子であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導通端子が、前記一対の基板間の電気的導通をとるための基板間導通端子であることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器に関し、特に配向膜として斜方蒸着膜を用いる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置等において液晶分子を配向規制するための配向膜としては、ポリイミドからなる有機膜の表面を、布等により所定の方向にラビングしたものが、液晶配向能力に優れることから広く用いられている。しかしながら、例えば投射型表示装置等の液晶ライトバルブに搭載する場合には、配向膜が光や熱により次第に分解され、液晶配向能力が低下するとともに、表示品質が低下することがあった。
【０００３】
そこで、このような問題を解決するために、配向膜としてＳｉＯ２等の無機材料からなる無機配向膜を用い、この無機配向膜の表面形状効果により液晶分子を配向させる技術が例えば特許文献１，２に開示されている。この無機配向膜は、基板をある角度で固定して一方向から無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列した柱状構造物を成長させる斜方蒸着法により形成される。このようにして形成した無機配向膜は、ポリイミド等の有機膜から構成したものに比べ、耐光性や耐熱性に優れており、液晶装置の耐久性を向上させることが可能である。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５５−１４２３１５号公報
【特許文献２】
特開昭５９−１８８６２１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで配向膜を形成する際には、液晶層を挟持する上基板と下基板との導通端子部や、液晶パネルと外部との実装端子部等について、電気的導通がとれるように留意する必要がある。特に、配向膜が無機物からなる無機配向膜によって形成される場合には、ポリイミド膜と異なり、ＳｉＯ２等の無機物は絶縁性が高く硬いため、上述の導通端子部等において導通不良が生じ易い。したがって、端子部の配向膜を取り除くか、マスク等により配向膜が付着しないようにする必要がある。しかしながら、このように配向膜を取り除くことは、工程の増加となり、また無機物であることからポリイミド膜のように簡単には除去できない問題もあり、導通端子部等にマスクを形成する場合も工程の増加となる。
【０００６】
また、導通端子部にマスクを形成し、斜方蒸着法を用いて無機配向膜を形成する場合には、マスクの影が問題となる場合がある。つまり、蒸着方向によっては端子部以外の電極上、例えば画素電極上にマスクの影がおよび、画素電極上の液晶分子に配向不良を生じる場合がある。そこで、例えば上記特許文献１では、導通端子部等の位置と蒸着方向を規定している。しかしながら、このような方法では、マスクの位置に対応して蒸着角度が定められるため、液晶素子の自由度が著しく損なわれ好ましくない。また、マスクを形成する工程が必要なためコストアップに繋がる問題もある。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、導通端子部等の電気的導通を確保するにあたり、マスクを用いることなく簡便に導通確保を達成でき、しかも自由に蒸着角度を設定でき、液晶素子の自由度を高めることが可能な液晶装置、及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とし、さらに該液晶装置を搭載した表示特性に優れる電子機器を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の内面側には、電極と、該電極上に配設され蒸着材料を主体として構成された蒸着配向膜とが形成され、該蒸着配向膜を備える基板の内面側には、該基板内面側にその表面の少なくとも一部が露出した導通端子が形成され、さらに該導通端子の近傍には該導通端子の表面よりも基板内面側に突出してなる壁部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このような液晶装置によると、壁部が導通端子の影となる方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜を形成する手法を採用可能で、この場合、その影の部分、つまり導通端子の表面のうち壁部が形成された側の少なくとも一部が蒸着配向膜にて覆われないこととなる。その結果、導通端子が蒸着配向膜にて完全に覆われることを防止でき、その電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。したがって、本発明の構成を採用することにより、光等の照射によりポリイミド膜に比して劣化が生じ難い配向膜を、導通端子の導電性に影響を与えることなく形成することが可能となり、信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。また、マスクを形成して導通端子への蒸着を防止する手法を採用する必要もないため、製造コストを低減でき、しかもマスク形成による蒸着角度の制限もなく、当該液晶装置の光学設計の自由度を高めることが可能となる。なお、斜方蒸着法によると、蒸着物質の指向性が高いため蒸着粒子の回り込みが殆ど生じず、上記影の部分に蒸着される粒子は在っても僅かである。
【００１０】
前記壁部としては、基板内面側に突出した凸状部として基板上に形成したものや、導通端子が基板を構成する絶縁層の凹状部底面に形成されたことで、該凹状部の谷部にて構成されてなるもの等を採用することができる。
凸状部にて構成する場合、該凸状部の高さが導通端子の影となるように蒸着配向膜を斜方蒸着により形成する手法を採用可能で、凹状部にて構成する場合、該凹状部の壁面（凹状部底面に至る谷の部分の壁面）が導通端子の影となるように蒸着配向膜を斜方蒸着により形成する手法を採用可能である。このような場合、導通端子の表面上の影の部分、つまり導通端子の表面のうち壁部（凸状部、凹状部の谷部）の影となった部分の少なくとも一部が蒸着配向膜にて覆われないこととなる。
【００１１】
なお、上記本発明の液晶装置では、導通端子の表面の約１０％以上が、前記蒸着配向膜にて覆われていない構成とすることで、該導通端子の導通性を一層確実に確保することが可能となる。この場合、凸状部の高さ、或いは凹状部の壁面の高さを、行い得る斜方蒸着の蒸着角度に併せて設計することで、導通端子の表面について蒸着配向膜の非被覆割合を適宜調整することが可能である。
【００１２】
本発明において、前記導通端子は当該液晶装置の非表示領域に形成されてなるものとすることができる。つまり、電極を表示領域に形成し、該電極上に配向膜を形成する一方、当該液晶装置に関する電気的接続を行うための導通端子については、電極と異なる領域（非表示領域）に形成して、これに配向膜が形成されないように壁部を形成するのが良い。この場合、電極間の液晶分子の配向規制と、導通端子による各種電気的接続とを一層確実に行うことができる液晶装置を提供することが可能となる。なお、導通端子としては、例えば当該液晶装置と外部との接続を可能とする実装端子や、前記一対の基板間の電気的導通をとるための基板間導通端子等を例示することができる。
【００１３】
また、本発明において、前記一対の基板のうち第１基板の内面側には、マトリクス状の画素電極と、該画素電極上に配設され蒸着材料を主体として構成された蒸着配向膜とが形成される一方、第２基板の内面側には、共通電極と、該共通電極上に配設された蒸着配向膜とが形成され、前記第１基板上には、前記第２基板側から導通部材を介して前記第１基板側に電気的接続を行うための前記基板間導通端子が形成されているものとすることができる。このようなアクティブマトリクスタイプの液晶装置では、第２基板側の共通電極から第１基板側に導通部材を介して電気的接続を行うことが好適で、この場合に導通部材と第１基板の配線とを接続する基板間導通端子について、蒸着防止壁としての壁部を形成することで、一層確実な電気的導通を図ることが可能となる。
【００１４】
次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に配向膜を斜方蒸着法にて形成する工程とを含み、前記配向膜の形成工程前に、前記基板上に導通端子を形成する工程と、該導通端子の近傍に該導通端子の表面よりも突出した凸状部を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
このような製造方法により、少なくとも導通端子の表面の一部が、蒸着配向膜にて覆われていない液晶装置を提供することが可能となる。つまり、斜め方向から蒸着を行う斜方蒸着工程において、予め凸状部を形成することにより、導通端子が蒸着配向膜で完全に覆われてしまうことを防止ないし抑制することが可能となり、例えば導通端子の電気的導通が遮られる等の不具合発生を解消することが可能となる。したがって、本発明の製造方法では、光等の照射によりポリイミド膜に比して劣化が生じ難い配向膜を、導通端子の導電性に影響を与えることなく形成することが可能となり、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能となる。また、マスクを形成して導通端子への蒸着を防止するものでもないため、製造コストを低減でき、しかもマスク形成による蒸着角度の制限もなく、当該液晶装置の光学設計の自由度を高めることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、その異なる態様として、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に配向膜を斜方蒸着法にて形成する工程とを含み、前記配向膜の形成工程前に、前記基板の表面に凹状部を形成する工程と、該凹状部の底面に導通端子を形成する工程とを含むことを特徴とする。この場合も、凹状部の谷部にて構成される壁部により、導通端子の表面において蒸着配向膜が形成されない領域が含まれることとなり、蒸着配向膜により導通部材の導通性が低下する等の不具合発生を解消することが可能となる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えることを特徴とする。このような電子機器によると、安定した駆動が可能で信頼性の高い液晶装置を利用して、例えばこれを表示部として適用することにより、品質の高い表示を提供することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
［第１実施形態］
図１は本発明の液晶装置の一実施形態たる液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２には、製造時においてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶を注入するための液晶注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。なお、対向基板２０の内面側には対向電極２３が形成され、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側には画素電極９が形成されている。
【００２０】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り（図示略）が形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２１】
なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわちＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。さらに、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極９に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２２】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用の半導体素子、ここではＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００２３】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００２４】
次に、液晶表示装置１００の要部構成について説明する。図４は、液晶表示装置１００の非画素領域（シール材５２の外側領域）及びシール材５２の形成領域周辺について、その断面を拡大して示す模式図である。
図４に示すように、対向基板２０の内面側には対向電極２３及び配向膜２１がこの順で形成される一方、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側には画素電極９及び配向膜３１が形成されている。ここで、各基板２０，１０の液晶層５０と接する面に形成された配向膜２１，３１は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成された配向膜であって、斜方蒸着法にて形成された蒸着配向膜である。
【００２５】
一方、画素１００ａ（図３参照）には、平面視矩形状の透光性の画素電極９が形成され、画素電極９の縦横の境界に沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられており、データ線６ａと走査線３ａとの交差部近傍に、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、半導体層６２と、半導体層６２上にゲート絶縁膜（図示略）を介して形成されたゲート電極３ａとを備え、データ線６ａとコンタクトホール７２を介して接続されたソース領域６２ａと、画素電極９とコンタクトホール７３，７４を介して接続されたドレイン領域６２ｂとを備えている。
【００２６】
また、データ線６ａは、所定の配線７５を通じてシール材５２の外側領域に形成されたデータ線駆動回路２０１に接続され、さらにデータ線駆動回路２０１からは所定の配線７６を通じて、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側に形成された実装端子２０２まで接続されている。なお、これら配線７５，７６は例えばＡｌ等の導電性金属材料にて構成することができ、実装端子２０２もＡｌ等の導電性金属材料にて構成することができる。また、ＴＦＴアレイ基板１０は、厚さ約１．２ｍｍのガラス基板１０ａと、ＴＦＴ３０が形成されてなる厚さ約０．３〜０．５μｍ程度の絶縁層１０ｃとから構成されている。
【００２７】
シール材５２の外側領域である非表示領域に形成された実装端子２０２は、その表面の一部をＴＦＴアレイ基板１０の内面側に露出して形成されており、さらに実装端子２０２の近傍には、実装端子２０２の表面よりも基板内面側に突出してなる壁部を含む凸状部２０７が形成されている。このように、非表示領域たる非画素領域に形成された実装端子２０２から、当該液晶表示装置１００と外部（例えば電子機器の制御装置等）との接続が可能とされている。そして、本実施形態の場合、実装端子２０２の表面のうち、凸状部２０７が形成された側（この場合、液晶表示装置１００の中心側）の少なくとも一部が配向膜３１を構成する膜材料にて覆われておらず、該凸状部２０７と異なる側（この場合、液晶表示装置１００の外縁側）に膜材料３１ａが部分的に形成されている。具体的には、実装端子２０２の表面の約１０％以上が、蒸着配向膜３１を構成する膜材料にて覆われておらず、本実施形態では実装端子２０２の約５０〜１００％（例えば５０％）が該膜材料にて覆われていない。
【００２８】
一方、図５は図２のＧ−Ｇ’断面を拡大して示す模式図で、この図５を参照しつつ基板間導通の構成について説明する。基板間導通材２０６は、シール材５２の外側領域に形成され、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を担う導通部材である。該基板間導通材２０６は対向基板２０側では、共通電極２３に接続される一方、ＴＦＴアレイ基板１０側では導通端子（基板間導通端子）２０９に接続されている。この導通端子２０９は、図５の紙面垂直方向に延びて実装端子２０２に接続されている。
【００２９】
また、基板間導通材２０６の近傍、例えば導通端子２０９の近傍には凸状部２０８ａが形成され、また共通電極２３の上下導通に供する領域の近傍には凸状部２０８ｂが形成されている。そして、この場合も導通端子２０９の表面及び共通電極２３の上下導通に供する領域のうち、凸状部２０８ａ，２０８ｂが形成された側（この場合、液晶表示装置１００の中心側）の少なくとも一部が配向膜３１，２１を構成する膜材料にて覆われておらず、該凸状部２０８ａ，２０８ｂが形成されていない側（この場合、液晶表示装置１００の外縁側）に膜材料３１ａ，２１ａが部分的に形成されている。具体的には、導通端子２０９の表面及び共通電極２３の上下導通に供する領域の約１０％以上が、蒸着配向膜３１，２１を構成する膜材料にて覆われておらず、本実施形態では導通端子２０９の表面及び共通電極２３の上下導通に供する領域の約５０〜１００％（例えば５０％）が膜材料にて覆われていない。
【００３０】
つまり、本実施形態の液晶表示装置１００では、凸状部２０７が実装端子２０２の影となる方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜３１を形成する手法を採用することで、その影の部分が膜材料３１ａにて覆われないこととなる。その結果、実装端子２０２が蒸着膜材料３１ａにて完全に覆われることを防止でき、該実装端子２０２の電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。さらに、凸状部２０８ａ、２０８ｂが導通端子２０９の影となる方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜３１を形成する手法を採用することで、その影の部分が膜材料３１ａにて覆われないこととなる。その結果、導通端子２０９が蒸着膜材料３１ａにて完全に覆われることを防止でき、該導通端子２０９の電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。
【００３１】
したがって、本実施形態の液晶表示装置１００により、光等の照射によりポリイミド膜に比して劣化が生じ難い配向膜３１，２１を、実装端子２０２或いは基板間導通端子２０９の導電性に影響を与えることなく形成することが可能となる。
【００３２】
［液晶装置の製造方法］
次に、第１実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。上記液晶表示装置１００の製造プロセスの概略は、各基板をそれぞれ製造した後に、両基板を貼り合わせ、その後、液晶を注入する工程を含むものである。
まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程について図４を参照しつつ説明する。ただし、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９を形成するまでの工程は従来の工程と全く変わるところはないため、説明を省略する。
【００３３】
まず、石英等からなる透明基板上に絶縁膜、データ線駆動回路２０１、半導体層６２、ソース領域６２ａ、ドレイン領域６２ｂ、蓄積容量電極（図示略）、ゲート絶縁膜（図示略）、走査線３ａ、容量線３ｂ、層間絶縁膜（図示略）、データ線６ａ、配線７５，７６、層間絶縁膜（図示略）、コンタクトホール７２，７３，７４、導通端子２０９、実装端子２０２、画素電極９等を従来と同様の方法により形成する。
【００３４】
なお、本実施形態では、データ線駆動回路２０１は半導体層６２と同一工程により形成するものとしており、実装端子２０２は画素電極９の形成前、或いは形成後のいずれに形成しても良い。そして、配向膜を形成する工程の前工程として、凸状部２０７を実装端子２０２の近傍に、凸状部２０８ａを導通端子２０９の近傍に形成する。本実施形態の場合、アクリル樹脂等の絶縁材料をフォトリソグラフィ法にて所定箇所に形成するものとしている。このような凸状部２０７，２０８ａを含む基板に対して、所定の方向から斜方蒸着法により無機材料（例えばＳｉＯ２）を蒸着して配向膜３１を形成する。
【００３５】
図１０は、配向膜形成に用いる斜方蒸着装置３００の外観を模式的に示す説明図である。この蒸着装置３００は、酸化珪素の蒸気を生じさせる蒸着源３０２と、酸化珪素の蒸気が流通可能な開口部３０３ａを備える蒸気流通部３０３と、上記凸状部２０７を備えた基板Ｓを蒸着源３０２に対して所定角度傾斜させて配設する基板配設部３０７とを具備する蒸着室３０８、蒸着室３０８を真空にするための真空ポンプ３１０を備えている。
【００３６】
この場合の蒸着方法は以下の通りである。まず、真空ポンプ３１０を作動させると、蒸着室３０８が真空化し、さらに加熱装置（図示略）により蒸着源３０２を加熱すると蒸着源３０２から酸化珪素の蒸気が発生する。そして、蒸着源３０２から発生した酸化珪素の蒸気流は、開口部３０３ａを通過し、所定の角度（蒸着角：本実施の形態では８０°（基板法線を０°とする））で基板Ｓの表面に蒸着されるものとされている。
【００３７】
以上のような工程により、無機材料の蒸着配向膜３１を備えるＴＦＴアレイ基板１０を得ることができる。そして、本実施形態では、図８に示すように、凸状部２０７が実装端子２０２の影となる方向から斜方蒸着を行うものとしているため、実装端子２０２及び導通端子２０９の一部が蒸着膜で覆われない構成となり、該実装端子２０２及び導通端子２０９の導通性が好適に確保されることとなる。
【００３８】
一方、対向基板２０については、ガラス等からなる基板本体を用意し、遮光性材料を成膜、パターニングすることにより画素間の遮光膜を形成した後、基板本体表面の表示領域全面に、スパッタリング法等によりＩＴＯ等の透明導電性材料を堆積し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、基板本体の表示領域ほぼ全面に共通電極３１を形成する。さらに、基板本体の非表示領域には、上記凸状部２０８ａと同様の凸状部２０８ｂを、基板間の導通端子材２０６が接続される領域の近傍にアクリル樹脂にて形成する。そして、このような凸状部２０８ｂを備える基板本体に対して、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程と同様、斜方蒸着法により蒸着配向膜２１を形成し、対向基板２０を得る。
【００３９】
次に、このように製造されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して貼り合わせ、真空注入法により両基板１０，２０間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【００４０】
なお、基板間の導通を確保するための導通端子材２０６の近傍に配設された凸状部２０８ａ，２０８ｂは液晶セル内部にあり、十分な影を得られるような高さに形成するとセル厚よりも大きくなる場合があるので、少なくともセル厚よりも低い高さの凸状部とし、図５に示したように基板内面よりも凹んだ領域（凹状領域）に導通端子２０９を形成し、該凹状部の壁面により蒸着の影を延ばすものとすることが好ましい。
【００４１】
また、実装端子２０２や導通端子２０９上には若干の膜材料３１が形成されており、特にこの膜材料３１は凸状部２０７，２０８ａの形成位置から遠ざかるに連れて膜厚が大きく構成されているが、これは斜方蒸着時に蒸着粒子の回り込みが若干生じたためである。
【００４２】
［第２実施形態］
次に第２実施形態の液晶表示装置について説明する。
第２実施形態の液晶表示装置は、第１実施形態の液晶表示装置において実装端子２０２への蒸着を遮蔽する目的で設けた凸状部２０７に代えて、実装端子２０２を絶縁層１０ｂに構成された凹状部１０ｄの底面に形成することで、斜方蒸着の影となる領域を実装端子２０２の表面に形成した。したがって、該実装端子２０２付近の構成以外は第１実施形態と同様の構成を採用しているため説明を省略する。
【００４３】
図６は第２実施形態の液晶表示装置の要部を示す断面模式図であって、第１実施形態の液晶表示装置１００の図４に相当する図面である。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０を構成する絶縁層のうち、最上層（最内層）の絶縁層１０ｂに内面から所定深さ凹んだ形の凹状部１０ｄが非表示領域に形成され、その凹状部１０ｄの底面に実装端子２０２が形成されている。この場合も、配向膜３１を形成するに際し、凹状部１０ｄの谷部の深さに応じて実装端子２０２に対して蒸着の影を形成することが可能で、そのような蒸着方法を採用した結果、実装端子２０２の表面の約１０％以上が、蒸着配向膜（無機系膜材料）にて覆われていない構成となっている。
【００４４】
このような構成の第２実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第１実施形態と略同様で、まず、石英等からなる透明基板上に絶縁膜、データ線駆動回路２０１、半導体層６２、ソース領域６２ａ、ドレイン領域６２ｂ、蓄積容量電極（図示略）、ゲート絶縁膜（図示略）、走査線３ａ、容量線３ｂ、層間絶縁膜（図示略）、データ線６ａ、配線７５，７６、層間絶縁膜（図示略）、コンタクトホール７２，７３、導通端子２０９を形成する。その後、非表示領域に実装端子２０２を形成し、これを覆う形にて絶縁層１０ｂを形成する。そして、絶縁層１０ｂにコンタクトホール７４を形成するとともに、実装端子２０２が表面に露出する形にて開口する開口部（凹状部１０ｄに対応）を形成し、更に該画素電極９を形成した後に配向膜３１を斜方蒸着法にて形成するものとしている。なお、導通端子２０９については、第１実施形態と同様の凸状部２０８ａを該導通端子２０９の近傍に形成している。
【００４５】
本実施形態では、図９に示すように、絶縁層１０ｂの凹状部１０ｄの谷部により実装端子２０２に影ができる方向から斜方蒸着を行うものとしているため、実装端子２０２の一部が蒸着膜で覆われない構成となり、該実装端子２０２の導通性が好適に確保されることとなる。
【００４６】
一方、対向基板２０については、第１実施形態と同様に作成する。そして、作成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して貼り合わせ、真空注入法により両基板１０，２０間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【００４７】
以上のような第２実施形態の液晶表示装置では、凹状部１０ｄの谷部により実装端子２０２に影ができる方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜３１を形成することで、その影の部分が蒸着膜材料３１ａにて覆われないこととなるため、実装端子２０２が蒸着膜材料３１ａにて完全に覆われることを防止でき、該実装端子２０２の電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。したがって、このような第２実施形態についても、光等の照射によりポリイミド膜に比して劣化が生じ難い配向膜３１を、実装端子２０２の導電性に影響を与えることなく形成することが可能となる。
【００４８】
［第３実施形態］
次に第３実施形態の液晶表示装置について説明する。
第３実施形態の液晶表示装置は、第１実施形態の液晶表示装置において導通端子２０９への蒸着を遮蔽する目的で設けた凸状部２０８ａ、及び共通電極２３の基板間導通材２０６が形成される領域（基板間導通領域）への蒸着を遮蔽する目的で設けた凸状部２０８ｂに代えて、導通端子２０９及び共通電極２３の基板間導通領域を絶縁層１０ｅ，２０ａに構成された凹状部１０ｇ，２０ｂの底面に形成することで、斜方蒸着の影となる領域を導通端子２０９及び共通電極２３の基板間導通領域の表面に形成した。したがって、該導通端子付近の構成以外は第１実施形態と同様の構成を採用しているため説明を省略する。
【００４９】
図７は第３実施形態の液晶表示装置の要部を示す断面模式図であって、第１実施形態の液晶表示装置１００の図４に相当する図面である。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０を構成する絶縁層のうち、最上層（最内層）の絶縁層１０ｅに内面から所定深さ凹んだ形の凹状部１０ｇが形成され、その凹状部１０ｇの底面に導通端子２０９が形成されている。また、対向基板２０を構成する絶縁層のうち、最上層（最内層）の絶縁層２０ａに内面から所定深さ凹んだ形の凹状部２０ｂが形成され、その凹状部２０ｂの底面に共通電極２３の基板間導通領域が形成されている。
【００５０】
この場合も、配向膜３１を形成するに際し、凹状部１０ｇ，２０ｂの谷部の深さに応じて実装端子２０２に対して蒸着の影を形成することが可能で、そのような蒸着方法を採用した結果、導通端子２０９及び共通電極２３の基板間導通領域の表面の約１０％以上が、蒸着配向膜（無機系膜材料）にて覆われていない構成となっている。なお、実装端子２０２は、第２実施形態と同様に絶縁層１０ｅに形成された凹状部の底面に形成されている（図示略）。
【００５１】
次に、第３実施形態の液晶表示装置の製造方法については、第１実施形態と略同様で、まず、石英等からなる透明基板上に絶縁膜、データ線駆動回路２０１、半導体層６２、ソース領域６２ａ、ドレイン領域６２ｂ、蓄積容量電極（図示略）、ゲート絶縁膜（図示略）、走査線３ａ、容量線３ｂ、層間絶縁膜（図示略）、データ線６ａ、配線７５，７６、層間絶縁膜（図示略）、コンタクトホール７２，７３を形成する。
【００５２】
その後、非表示領域に実装端子２０２及び導通端子２０９を形成し、これを覆う形にて絶縁層１０ｅを形成する。そして、絶縁層１０ｅにコンタクトホール７４を形成するとともに、実装端子２０２及び導通端子２０９が表面に露出する形にて開口する開口部（凹状部１０ｇに対応）を形成し、更に該画素電極９を形成した後に配向膜３１を斜方蒸着法にて形成するものとしている。
【００５３】
本実施形態では、絶縁層１０ｅの凹状部１０ｇの谷部により導通端子２０９に影ができる方向から斜方蒸着を行うものとしているため、導通端子２０９の一部が蒸着膜で覆われない構成となり、該導通端子２０９の導通性が好適に確保されることとなる。
【００５４】
一方、対向基板２０についても、最内層の絶縁層２０ａに対して基板間導通材が形成される領域に凹状部２０ｂを形成した後に、共通電極２３を形成し、斜方蒸着法にて配向膜２１を形成するものとしている。この場合も、凹状部２０ｂの谷部が共通電極２３に対して蒸着の影を形成するため、基板間導通材の形成領域全面が蒸着膜材料３１ａにて覆われることが防止されている。
【００５５】
以上のように作成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して貼り合わせ、真空注入法により両基板１０，２０間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【００５６】
以上のような第３実施形態の液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板１０側では、凹状部１０ｇの谷部により導通端子２０９に影が形成される方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜３１を形成することで、その影の部分が蒸着膜材料３１ａにて覆われないこととなるため、導通端子２０９が蒸着膜材料３１ａにて完全に覆われることを防止でき、該導通端子２０２の電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。また、対向基板２０側では、凹状部２０ｂの谷部により共通電極２３の基板間導通領域に影が形成される方向から斜方蒸着法により蒸着配向膜２１を形成することで、その影の部分が蒸着膜材料２１ａにて覆われないこととなるため、基板間導通形成領域が蒸着膜材料２１ａにて完全に覆われることを防止でき、共通電極２３からＴＦＴアレイ基板１０側への電気的導通が遮られる等の不具合が生じ難くなる。
【００５７】
したがって、このような第３実施形態についても、光等の照射によりポリイミド膜に比して劣化が生じ難い配向膜３１，２１を、導通端子２０９の導電性や基板導通材への導電性に影響を与えることなく形成することが可能となる。
【００５８】
以上の第１〜第３の実施形態ではＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施の形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。
【００５９】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０に対して凸状部２０７，２０８ａ，２０８ｂ或いは凹状部１０ｄ，１０ｇ，２０ｂを形成して、蒸着の影となる部分を導通端子等の表面に形成するものとしているが、各基板のうちいずれか一方のみに凸状部或いは凹状部を形成することも可能で、各基板に対しては凸状部又は凹状部のいずれかを適宜選択して形成することが可能である。
【００６０】
［投射型表示装置］
次に、上記実施の形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置の構成について、図１１を参照して説明する。
図１１は、上記実施の形態の液晶装置を液晶ライトバルブ（光変調手段）として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１１において、符号８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶ライトバルブ、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズを示す。
【００６１】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上記実施形態の液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射される。また、各色光用液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４の入射側および出射側には偏光板８３２ａ，８３２ｂ，８３３ａ，８３３ｂ，８３４ａ，８３４ｂがそれぞれ設けられている。
【００６２】
各液晶ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６３】
上記構成の投射型表示装置は、上記実施の形態の液晶装置を備えたものであるので、高強度の光を出射する光源を用いた場合でも耐久性に優れ、信頼性の高い投射型表示装置を実現することができる。さらに、非表示領域に形成された導通端子等の導通性が高く確保されているため、信頼性の高い駆動を実現することができるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の液晶装置について全体構造を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路図。
【図４】図２の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図６】第２実施形態の液晶装置について要部を拡大した拡大断面図。
【図７】第３実施形態の液晶装置について要部を拡大した拡大断面図。
【図８】本実施形態の液晶装置の製造工程における作用を示す説明図。
【図９】本実施形態の液晶装置の製造工程における作用を示す説明図。
【図１０】本実施形態の液晶装置の製造工程で用いる斜方蒸着装置の概略構成図。
【図１１】投射型表示装置の一実施形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板、９…画素電極、２０…対向基板、２１，３１…配向膜（蒸着配向膜）、２３…共通電極、３０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、５０…液晶層、１００…液晶装置、２０２…実装端子（導通端子）、２０９…基板間導通端子（導通端子）、２０７…凸状部（壁部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2005017339.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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