(57)【要約】【課題】プロセスの簡略化と生産設備のコストダウンを図ることができ、極薄ウェハの破損を招くことなく処理することができる極薄チップの製造プロセスの提供。【解決手段】回路面側に表面保護テープが貼着されたウェハ２を取り出して位置決めするウェハアライメント工程と、位置決めされたウェハ２を移送してこれを回路面側を下にしてテーブル１０上に供給するウェハ移載工程と、前記テーブル１０上に吸着保持されたウェハ２をその回路面の反対側からレーザーダイシングするウェハダイシング工程と、レーザーダイシングされたウェハ２とダイシングフレーム１１とを同じテーブル１０上でテープで貼り付けて両者をワークＷとして一体化するウェハマウント工程と、ウェハ２の回路面に貼着された前記表面保護テープを剥すテープ剥離工程と、表面保護テープが剥されたウェハ２を収納するウェハ収納工程を順次経て極薄チップを得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを移送してこれを回路面側を下にしてテーブル上に供給するウェハ移載工程と、前記テーブル上に吸着保持された半導体ウェハをその回路面の反対側から個片化するウェハダイシング工程と、個片化された半導体ウェハとダイシングフレームとを同じテーブル上でテープで貼り付けて両者をワークとして一体化するウェハマウント工程を順次経て極薄チップを得ることを特徴とする極薄チップの製造プロセス。
【請求項２】
前記ウェハダイシング工程における半導体ウェハの個片化は、レーザーダイシングによって行われることを特徴とする請求項１記載の極薄チップの製造プロセス。
【請求項３】
前記半導体ウェハは、回路面側に表面保護テープが貼着されていることを特徴とする請求項１又は２記載の極薄チップの製造プロセス。
【請求項４】
前記表面保護テープを剥すテープ剥離工程と、表面保護テープが剥された半導体ウェハを収納するウェハ収納工程を有することを特徴とする請求項３記載の極薄チップの製造プロセス。
【請求項５】
エネルギー線硬化型テープから成る前記表面保護テープにエネルギー線を照射してその粘着力を弱めるエネルギー線照射工程を有することを特徴とする請求項３又は４記載の極薄チップの製造プロセス。
【請求項６】
半導体ウェハを移送してこれを回路面側を下にしてテーブル上に供給するウェハ移載手段と、前記テーブル上に吸着保持された半導体ウェハをその回路面の反対側から個片化するウェハダイシング手段と、個片化された半導体ウェハとダイシングフレームとを同じテーブル上でテープで貼り付けて両者をワークとして一体化するウェハマウント手段を含んで構成されることを特徴とする極薄チップの製造装置。
【請求項７】
前記ウェハダイシング手段は、レーザーダイシングによって半導体ウェハを個片化することを特徴とする請求項６記載の極薄チップの製造装置。
【請求項８】
前記半導体ウェハの回路面側に貼着された表面保護テープを剥すテープ剥離手段と、表面保護テープが剥された半導体ウェハを収納するウェハ収納部を有することを特徴とする請求項６又は７記載の極薄チップの製造装置。
【請求項９】
エネルギー線硬化型テープから成る前記表面保護テープにエネルギー線を照射してその粘着力を弱めるエネルギー線照射手段を有することを特徴とする請求項８記載の極薄チップの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハダイシング工程とウェハマウント工程とを含む極薄チップの製造プロセスとこの製造プロセスを実施するための製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電子産業や光学産業における半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と称する）の表面に所定の回路パターンを形成した後、ウェハの厚みを薄く均一にするため、或は回路形成時に生成された酸化膜を除去するためにウェハの裏面を研磨（バックグラインド）し、その後、ウェハを回路毎にダイシング（個片化）することによって所望の半導体チップ（以下、単に「チップ」と称する）を製造している。そして、その後のピックアップ工程にてチップをピックアップし、このピックアップしたチップを次のダイボンディング工程にて基台（リードフレーム）上にダイボンディングし、その後のモールディング等の工程を経て所望の半導体デバイスを製造するようにしている。
【０００３】
ところで、回路面に表面保護テープが貼着された状態で裏面が研磨されたウェハは、以下の２つのプロセスを経て個片化されていた。
【０００４】
プロセス１）：ウェハ供給→（表面保護テープへのエネルギー線照射）→ウェハマウント→表面保護テープ剥離→マウント済ウェハ収納
プロセス２）：マウント済ウェハ供給→ウェハダイシング→ダイシング済ウェハ収納
ここで、上記プロセス１）を図６に沿って説明する。
【０００５】
即ち、プロセス１）においては、図６（ａ）に示すウェハ１０２が供給されるが、このウェハ１０２は、その回路面（同図中上面）が表面保護テープ１０１で貼着され、裏面（同図中下面）は研磨（バックグラインド）されている。ここで、表面保護テープ１０１はエネルギー線硬化型テープで構成されている。
【０００６】
次に、図６（ｂ）に示すように、ウェハ１０２の回路面に貼着された表面保護テープ１０１にエネルギー線が照射され、該表面保護テープ１０１の粘着力が弱められる。尚、表面保護テープ１０１がエネルギー線硬化型テープでない場合には、エネルギー線を照射する工程は省略される。
【０００７】
その後、図６（ｃ）に示すように、ウェハ１０２がダイシングテープ１１５を介してリング状のダイシングフレーム１１１と一体化されることによってマウントされ、図６（ｄ）に示すように、マウントされたウェハ１０２の回路面から表面保護テープ１０１が剥される。そして、表面保護テープ１０１が剥された図６（ｅ）に示すウェハ１０２は、図６（ｆ）に示すカセット１３０に収納される。
【０００８】
而して、以上のプロセス１）は、専用機であるウェハマウンターによって実施されている。
【０００９】
次に、前記プロセス２）を図７に沿って説明する。
【００１０】
プロセス２）においては、プロセス１）において得られたマウント済ウェハ１０２がカセット１３０（図６（ｆ）参照）から供給され（図７（ａ）参照）、このウェハ１０２は、図７（ｂ）に示すように、例えばダイサー１４０によってダイシングされて複数のチップ１０２ａに個片化される。そして、ダイシング済ウェハ１０２（個片化された複数のチップ１０２ａ）は、再び図７（ｃ）に示すカセット１３０に収納される。
【００１１】
而して、以上のプロセス２）は、専用機であるダイシング装置によって実施されている。
【００１２】
ところで、従来は上述のように、ウェハを回路面側からダイシングしていたため、脆弱な回路面を破壊する可能性があった。
【００１３】
そこで、ウェハの裏面側からダイシングを行ってウェハの脆弱な回路面の破壊を防止する裏面ダイシングが近年注目されつつある（特許文献１参照）。この裏面ダイシングは、極薄ウェハの製造に有効であって、ウェハの脆弱な回路面の破壊を防止するためにウェハの裏面側からダイシングを行うものであって、近年、レーザーを用いたステルスダイシング（例えば、特許文献２参照）が注目されつつある。
【００１４】
【特許文献１】特開２００３−２７３０４２号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、回路パターンが形成されたウェハを個片化するまでのプロセスとして、従来は前記２つのプロセス（ウェハマウント（プロセス１）とウェハダイシング（プロセス２））を別々に行っていたため、工程が複雑化して効率が悪いばかりか、生産設備としてウェハマウンターとダイシング装置の２機種が必要となり、コストアップを招く原因となっていた。
【００１６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、従来の２プロセスを１プロセスに集約することによってプロセスを簡略化するとともに、従来２機種であった生産設備を１機種としてコストダウンを図ることができ、ウェハの破損による歩留まり低下を防止することができる極薄チップの製造プロセス及び製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体ウェハを移送してこれを回路面側を下にしてテーブル上に供給するウェハ移載工程と、前記テーブル上に吸着保持された半導体ウェハをその回路面の反対側から個片化するウェハダイシング工程と、個片化された半導体ウェハとダイシングフレームとを同じテーブル上でテープで貼り付けて両者をワークとして一体化するウェハマウント工程を順次経て極薄チップを得ることを特徴とする。
【００１８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記ウェハダイシング工程における半導体ウェハの個片化は、レーザーダイシングによって行われることを特徴とする。
【００１９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記半導体ウェハは、回路面側に表面保護テープが貼着されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記表面保護テープを剥すテープ剥離工程と、表面保護テープが剥された半導体ウェハを収納するウェハ収納工程を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載の発明において、エネルギー線硬化型テープから成る前記表面保護テープにエネルギー線を照射してその粘着力を弱めるエネルギー線照射工程を有することを特徴とする。
【００２２】
請求項６記載の発明は、半導体ウェハを移送してこれを回路面側を下にしてテーブル上に供給するウェハ移載手段と、前記テーブル上に吸着保持された半導体ウェハをその回路面の反対側から個片化するウェハダイシング手段と、個片化された半導体ウェハとダイシングフレームとを同じテーブル上でテープで貼り付けて両者をワークとして一体化するウェハマウント手段を含んで極薄チップの製造装置を構成したことを特徴とする。
【００２３】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の発明において、前記ウェハダイシング手段は、レーザーダイシングによって半導体ウェハを個片化することを特徴とする。
【００２４】
請求項８記載の発明は、請求項６又は７記載の発明において、極薄チップの製造装置は、前記半導体ウェハの回路面側に貼着された表面保護テープを剥すテープ剥離手段と、表面保護テープが剥された半導体ウェハを収納するウェハ収納部を有することを特徴とする。
【００２５】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の発明において、極薄チップの製造装置は、エネルギー線硬化型テープから成る前記表面保護テープにエネルギー線を照射してその粘着力を弱めるエネルギー線照射手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項６記載の製造装置を用いて実施される請求項１記載の製造プロセスによれば、ウェハダイシング工程とウェハマウント工程が同じテーブル上で１プロセスとしてなされるため、従来別々に行われていたダイシング工程とウェハマウント工程の２プロセスを１プロセスに集約することができ、製造プロセスを簡略化することができるとともに、従来２機種であった生産設備を１機種とすることができ、これによって製造コストを低減することができる。
【００２７】
又、ウェハダイシング工程とウェハマウント工程が同じテーブル上で実施されるため、極薄で脆弱なウェハの工程間での移載作業が不要となり、ウェハの破損を防ぐことができる。そして、ウェハがダイシングされた後はウェハマウント工程にてウェハはテープによってワークとしてダイシングフレームと一体化され、その後の工程ではダイシングフレームをハンドリングしてワークを搬送することができるため、ダイシングされた極薄のウェハの搬送時の衝撃による破損を防ぐことができる。
【００２８】
更に、ダイシングによって個片化されたチップをその状態のままダイシングフレームと一体化するため、チップがバラバラになることがない。又、ダイシングをウェハの裏面側から行うようにしたため、脆弱なウェハの回路面の破壊を防ぐことができるとともに、回路印刷によるレーザーの屈折を防止することができる。
【００２９】
請求項２及び請求項７記載の発明によれば、レーザーダイシングによってウェハを個片化するようにしたため、極薄ウェハに対してもこれを破損することなく個片化することができる。
【００３０】
請求項３記載の発明によれば、ウェハに貼着された表面保護テープによって回路面が保護されるとともに、極薄ウェハをテーブル上に載置するまでにこれに割れが発生するのを防ぐことができる。
【００３１】
請求項４及び８記載の発明によれば、当該製造プロセス及び製造装置において、ウェハに貼着された表面保護テープを剥し、表面保護テープが剥されたウェハを収納するようにしたため、以後のプロセスが簡略化される。
【００３２】
請求項５及び９記載の発明によれば、ウェハの回路面に貼着されたエネルギー線硬化型テープから成る表面保護テープにエネルギー線を照射してその粘着力を弱めるようにしたため、テープ剥離工程において表面保護テープをウェハの回路面から容易に剥してこれを除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３４】
図１は本発明に係る極薄チップの製造装置の基本構成を示す平面図、図２は同製造装置のウェハダイシング部とウェハマウント部の構成を示す側断面図、図３は最初に供給されるウェハの側断面図、図４はダイシング及びマウント済ウェハを示すワークの側断面図、図５は表面保護テープが剥されたウェハを示すワークの側断面図である。
【００３５】
本発明に係る極薄チップの製造プロセスは、
エネルギー線照射工程→ウェハアライメント工程→ウェハ移載工程→ウェハダイシング工程→ウェハマウント工程→テープ剥離工程→ウェハ収納工程
を順次経てチップを製造するプロセスであって、以下、各工程を図１〜図５に基づいて説明する。
【００３６】
尚、本実施の形態では、表面保護テープとして紫外線硬化型テープを用い、エネルギー線照射工程では、該紫外線硬化型テープにエネルギー線として紫外線（ＵＶ）を照射するようにしたため、以下の説明ではエネルギー線を「ＵＶ」、紫外線硬化型テープを「ＵＶ硬化型テープ」、エネルギー線照射工程を「ＵＶ照射工程」と称する。
【００３７】
１）ＵＶ照射工程：
図１に示すウェハ収納部としてのカセットＡには、図３に示すように、回路面側（同図中上面）に表面保護テープ１が貼着された複数枚（本実施の形態では、２５枚）のウェハ２が表面保護テープ１側を上にした状態で積層収納されており、ＵＶ照射工程へは、前記カセットＡからウェハ２がハンドリングロボットＢによって１枚ずつ取り出されて供給される。ここで、ハンドリングロボットＢは、回動及び上下動が可能なアーム３を備え、該アーム３の先端には円板状の真空吸着部４とウェハ２の表裏を反転する不図示の反転機構が設けられている。尚、ウェハ２は、前工程である研磨（バックグラインド）工程においてその裏面側（図３において下面）が研磨され、その厚さは例えば５０μｍと極薄に加工されている。又、本実施の形態においては、表面保護テープ１はＵＶ硬化型テープで構成されている。
【００３８】
而して、このＵＶ照射工程においては、カセットＡ内のウェハ２は、ハンドリングロボットＢの前記真空吸着部４によって表面保護テープ１側が真空吸着され、平行に敷設された左右一対のレール５上を図１の矢印ａ方向に移動可能なテーブル６上に表面保護テープ１側を上にしてセットされ、テーブル６がレール５に沿ってＵＶ照射部Ｃまで移動し、ウェハ２の回路面に貼着された表面保護テープ１にＵＶ（紫外線）が照射される。すると、表面保護テープ１の粘着力が弱められ、該表面保護テープ１がウェハ２の回路面から剥れ易くなる。
【００３９】
２）ウェハアライメント工程：
前記ＵＶ照射工程において、ＵＶ照射が完了すると、再びテーブル６がレール５に沿ってウェハアライメント部Ｄまで移動し、所定の位置決め（アライメント）がなされる。尚、テーブル６には、不図示のＸ−Ｙ（図１において矢印ａ−ｂ方向）移動ユニットと回転位置決めユニットが設けられており、上部に設けられた吸着反転ユニット２７にウェハ２を受け渡しするための位置決めを行うことができるようになっている。本実施の形態では、不図示のカメラによってウェハ２に形成されたＶノッチの方向を基準にして位置決めが行われる。
【００４０】
尚、本実施の形態では、アライメント工程をＵＶ照射工程の後に実施するようにしたが、ＵＶ照射工程の前に実施するようにしても良い。
【００４１】
３）ウェハ移載工程：
前記ウェハアライメント工程において、所定の位置決めがなされ、吸着反転ユニット２７により表裏が反転されたウェハ２は、ウェハ移載部Ｅによって真空吸着される。ここで、ウェハ移載部Ｅは、ガイドレール７に沿って図１の矢印ｂ方向に移動可能であって、そのアーム８の先部には真空吸着部９が設けられている。
【００４２】
而して、ウェハ移載部Ｅの前記真空吸着部９によってその回路面の反対側が真空吸着されたウェハ２は、ウェハ移載部Ｅによってガイドレール７に沿ってダイシング・マウントテーブル部Ｆまで搬送され、その回路面側（表面保護テープ１側）を下にしてダイシング・マウントテーブル１０上に吸着保持せしめられる（図２参照）。このとき、ダイシング・マウントテーブル１０上にはリング状のダイシングフレーム１１が先にセットされており、このダイシングフレーム１１内にウェハ２が位置決めされることとなる。尚、ダイシング・マウントテーブル１０には、ウェハ２とリング状のダイシングフレーム１１とを真空吸着するための不図示の真空吸着手段が設けられている。
【００４３】
４）ウェハダイシング工程：
前記ダイシング・マウントテーブル１０は、平行に敷設された左右一対のレール１２に沿って図１の矢印ｃ方向（左右方向）に往復移動可能であって、このウェハダイシング工程においては、ダイシング・マウントテーブル１０はウェハダイシング部Ｇまで移動し、ダイシング・マウントテーブル１０上に吸着保持されたウェハ２がその回路面の反対側からダイシングされる。
【００４４】
即ち、図２に示すように、ウェハダイシング部Ｇにおいては、レーザーダイシング装置１３から出射されるレーザー光によってウェハ２がその回路面の反対側からダイシングされて個片化される。
【００４５】
このようにしてウェハ２のレーザーダイシングが終了すると、ダイシング・マウントテーブル１０がレール１２上を図２の矢印方向（左方向）に移動し、ウェハ２は図１に示すウェハマウント部Ｈに供給される。
【００４６】
５）ウェハマウント工程：
ウェハマウント部Ｈにおいては、図２に示すように、ダイシング・マウントテーブル１０上に吸着保持されたウェハ２（個片化された複数のチップ２ａ）の回路面の反対側に、剥離シート１４に仮着されたマウント用テープ１５が供給される。即ち、ピールプレート１７の先端で剥離シート１４を急激に折り返すことによってマウント用テープ１５が繰り出され、その上から貼付ローラ１６がマウント用テープ１５をウェハ２に押圧しながら図示矢印方向に転動することによって、マウント用テープ１５がウェハ２とダイシングフレーム１１に貼り付けられ、ダイシングされたウェハ２（個片化された複数のチップ２ａ）とダイシングブレーム１１とが１つのワークＷとして一体化される。
【００４７】
以上のようにして、ダイシングされたウェハ２（個片化された複数のチップ２ａ）がマウント用テープ１５によってマウントされてダイシングフレーム１１と一体化されワークＷとされると、ダイシング・マウントテーブル１０がレール１２上を図１に示す位置まで移動する。すると、ダイシング・マウントテーブル１０上のワークＷが第１のワーク搬送部Ｉによって真空吸着される。尚、このとき、ダイシング・マウントテーブル１０側の真空吸着手段はＯＦＦされ、ダイシング・マウントテーブル１０によるワークＷの真空吸着は解除されている。
【００４８】
ここで、第１のワーク搬送部Ｉは、ガイドレール１８に沿って図１の矢印ｄ方向に移動可能であって、又、そのアーム１９の先部には真空吸着部２０が設けられており、ダイシングフレーム１１を吸着することによって、レーザーダイシングによって脆弱となったウェハ２（個片化された複数のチップ２ａ）とは接触しないように設定されている。尚、図示しないが、この第１のワーク搬送部Ｉには、ワークＷを次工程のテープ剥離部Ｊのテーブル２１に載置する前に表裏を反転させる反転機構が設けられている。
【００４９】
而して、第１のワーク搬送部Ｉの前記真空吸着部２０によってそのダイシングフレーム１１が真空吸着されたワークＷは、ガイドバレール１８に沿って表裏を反転させた状態でテープ剥離部Ｊまで搬送され、図４に示すように、ウェハ２の回路面側（表面保護テープ１側）を上にしてテーブル２１上にセットされる。
【００５０】
６）テープ剥離工程：
テープ剥離工程においては、図４に示すように、ウェハ２の回路面側（表面保護テープ１側）を上にしてテーブル２１上にセットされたウェハ２は、その回路面側に貼着された表面保護テープ１が剥されるが、前述のように、ＵＶ硬化型テープから成る表面保護テープ１は、前記ＵＶ照射工程にてＵＶが照射されることによって粘着力が弱められているため、ウェハ２の回路面から容易に剥される。ここで、ウェハ２から表面保護テープ１が剥された状態のワークＷを図５に示す。
【００５１】
７）ウェハ収納工程：
上記テープ剥離工程において表面保護テープ１がウェハ２の回路面から剥されると、テーブル２１上のワークＷが第２のワーク搬送部Ｋによって真空吸着されるが、第２のワーク搬送部Ｋもダイシングフレーム１１を吸着することによって、脆弱なウェハ２（個片化された複数のチップ２ａ）とは接触しないようにワークＷを保持する。
【００５２】
ここで、第２のワーク搬送部Ｋは、ガイドレール２２に沿って図１の矢印ｅ方向に移動可能であって、そのアーム２３の先部には真空吸着部２４が設けられている。
【００５３】
而して、真空吸着部２４によってワークＷを吸着保持した第２のワーク搬送部Ｋがガイドーレール２２に沿って移動することによってワークＷがシュータレール２５上に搬送され、不図示の駆動装置によってシュータアーム２６が移動することによってワークＷがワーク収納部としての収納カセットＬ内に収納される。
【００５４】
以上が図１及び図２に示す本発明に係る製造装置によって実施される本発明に係る製造プロセスであるが、収納カセットＬに収納されたワークＷは、図示しないダイボンディング装置に搬送される。そして、ダイボンディング装置においては、ダイシングされたウェハ２からチップ２ａがピックアップされて不図示の基台（リードフレーム）上にダイボンディングされ、ダイボンディングされたチップ２ａに対してモールディング等の処理が施されて製品としての半導体デバイスが得られる。
【００５５】
而して、本発明によれば、ウェハダイシング工程とウェハマウント工程が同じダイシング・マウントテーブル１０上で１プロセスとしてなされるため、従来別々に行われていたウェハダイシング工程とウェハマウント工程の２プロセスを１プロセスに集約することができ、製造プロセスを簡略化することができるとともに、従来２機種であった生産設備を１機種とすることができ、これによって製造コストを低減することができる。
【００５６】
又、本発明によれば、ウェハダイシング工程とウェハマウント工程が同じダイシング・マウントテーブル１０上で実施されるため、極薄で脆弱なウェハ２の工程間での移載作業が不要となり、ウェハ２の破損を防ぐことができる。そして、ウェハ２がダイシングされた後はウェハマウント工程にてウェハ２はマウント用テープ１５によってワークＷとしてダイシングフレーム１１と一体化されるため、その後の工程ではダイシングフレーム１１をハンドリングしてワークＷを搬送することができ、ダイシングされた極薄で脆弱なウェハ２が搬送時の衝撃で破損することがなくなる。
【００５７】
更に、本発明によれば、ウェハ移載工程にてウェハ２が供給された後、該ウェハ２の回路面側に貼着されたＵＶ硬化型テープから成る表面保護テープ１にＵＶを照射してその粘着力を弱めるようにしたため、テープ剥離工程において表面保護テープ１をウェハ２の回路面から容易に剥してこれを除去することができる。
【００５８】
尚、ここで言う個片化とは、レーザーダイシングによる潜在的な個片化を含むものとする。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、電子産業や光学産業における半導体デバイスの製造プロセス及び製造装置において、特に極薄チップを製造するためのダイシング工程とウェハマウント工程を含むプロセス及び装置に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係る極薄チップの製造装置の基本構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係る極薄チップの製造装置のウェハマウント部とウェハダイシング部の構成を示す側断面図である。
【図３】最初に供給されるウェハの側断面図である。
【図４】ダイシング及びマウント済ウェハを示すワークの側断面図である。
【図５】表面保護テープが剥されたウェハを示すワークの側断面図である。
【図６】従来の製造プロセスにおけるウェハマウント工程を説明する図である。
【図７】従来の製造プロセスにおけるダイシング工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００６１】
Ａ    カセット（ウェハ収納部）
Ｂ    ハンドリングロボット
Ｃ    ＵＶ照射部（エネルギー線照射手段）
Ｄ    ウェハアライメント部（アライメント手段）
Ｅ    ウェハ移載部（ウェハ供給手段）
Ｆ    ダイシング・マウントテーブル部
Ｇ    ウェハダイシング部（ウェハダイシング手段）
Ｈ    ウェハマウント部（ウェハマウント手段）
Ｉ    第１のワーク搬送部（第１のワーク搬送手段）
Ｊ    テープ剥離部（テープ剥離手段）
Ｋ    第２のワーク搬送部（第２のワーク搬送手段）
Ｌ    収納カセット（ワーク収納部）
Ｗ    ワーク
１    表面保護テープ
２    ウェハ
３    アーム
４    真空吸着部
５    レール
６    テーブル
７    ガイドレール
８    アーム
９    真空吸着部
１０  ダイシング・マウントテーブル（テーブル）
１１  ダイシングフレーム
１２  レール
１３  レーザーダイシング装置
１４  剥離シート
１５  マウント用テープ
１６  貼付ローラ
１７  ピールプレート
１８  ガイドレール
１９  アーム
２０  真空吸着部
２１  テーブル
２２  ガイドレール
２３  アーム
２４  真空吸着部
２５  シュータレール
２６  シュータアーム
２７  吸着反転ユニット
【図１】
2005276987.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005276987.tif 000009