(57)【要約】【課題】下地電極の表面に酸化膜が形成されるのを防ぎ、下地電極のめっき付き性および端子強度が高められた積層セラミック電子部品を提供する。所望の誘電体の電気特性を得ながら、コストを増大させず生産性を向上できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】複数の誘電体層と複数の内部導体が交互に積層された積層体と、積層体の表面に設けられた下地導体と、該下地導体の上に設けられた金属層とを含む、内部導体と電気的に接続される外部導体を備え、下地導体の金属成分はＮｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つを含み、下記の式（１）で規定される下地導体の表面に存在する金属成分の割合が５０原子％以上１００原子％以下である。  金属成分の割合（原子％）＝｛金属量／（金属量＋金属の水酸化物量＋金属の酸化物量）｝×１００・・・式（１）。【選択図】  図１
2005203566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部導体が交互に積層された積層体と、
前記積層体の表面に設けられた下地導体と、該下地導体の上に設けられた金属層とを含む、前記内部導体と電気的に接続される外部導体を備え、
前記下地導体の金属成分はＮｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つを含み、
下記の式（１）で規定される前記下地導体の表面に存在する前記金属成分の割合が、５０原子％以上１００原子％以下であることを特徴とする積層セラミック電子部品。
金属成分の割合（原子％）＝｛金属量／（金属量＋金属の水酸化物量＋金属の酸化物量）｝×１００・・・式（１）
【請求項２】
前記金属層は複数のめっき層を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記複数のめっき層はＮｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、前記Ｎｉめっき層が前記下地導体上に設けられ、前記Ｓｎめっき層が前記Ｎｉめっき層上に設けられている、請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記下地導体は誘電体材料を含み、該誘電体材料は前記誘電体層を構成する誘電体材料と略同じである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
複数の誘電体層と複数の内部導体を含み、前記内部導体に電気的に接続した、Ｎｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つの金属成分を含む下地導体が表面に形成された、セラミック積層体を得る工程と、
酸素分圧が前記下地導体を構成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より高い雰囲気中で、前記セラミック積層体を熱処理して前記誘電体層を酸化させる工程と、
前記誘電体層を酸化させた後、酸素分圧が前記下地導体を構成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より低い雰囲気中で、かつ、前記誘電体層が還元されず、前記金属成分の酸化物が金属に還元される温度において、前記セラミック積層体を熱処理して前記下地導体を還元する工程と、
前記下地導体上に金属層を設けることにより外部導体を形成し、前記内部導体と前記外部導体とを電気的に接続する工程と、
を備えることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記複数の誘電体層と複数の内部導体を含み、下地導体が表面に形成されたセラミック積層体は、
複数の誘電体材料層と内部導体材料層を含む未焼成の積層体を用意し、前記積層体の表面に前記内部導体材料層に接続される下地導体材料層を設けた後、焼成することにより得る、請求項５に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記誘電体層を酸化させる工程および前記下地導体を還元する工程を１つの炉において連続して行う、請求項５または６に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記誘電体層を酸化させる工程を第１の炉で行い、前記下地導体を還元する工程を前記第１の炉よりも冷却速度が速い第２の炉において行う、請求項５または６に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品およびその製造方法に関し、特に積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミック電子部品のコストを低減するために、内部電極や外部電極を構成する導体にＮｉまたはＣｕなどの卑金属がよく利用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では積層セラミックコンデンサを開示し、下地電極Ｎｉペースト（外部電極ペースト）を塗布した未焼成のチップ本体を大気中で４００℃にて脱バインダ処理を行う。その後、還元性雰囲気中１２５０℃で焼成し、続いてＮ2雰囲気中１０００℃で再酸化処理をし、チップ本体と同時に下地電極の形成を行う。その後、下地電極上に順にＣｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきを施す。Ｃｕめっき層は下地電極とＮｉめっき、Ｓｎめっき層の密着性を向上させると開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２８６１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そもそも金属酸化物である誘電体を低酸素雰囲気または還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体の一部が還元してしまう。そのため焼成後に、誘電体を再び酸化し酸素空孔に酸素を補充する再酸化処理を行う必要がある。
【０００５】
特許文献１では誘電体のチップ本体と下地電極を同時に焼成し、その後再酸化処理を行っているが、この再酸化処理により下地電極の表面に酸化膜が形成されることになる。このため下地電極上に直接Ｎｉめっきをつけることができなくなる。
【０００６】
そこで、酸化膜上であっても形成できるＣｕめっきを施した後に、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきを形成していた。しかし、この方法ではＮｉめっきの下地にＣｕめっきを形成する必要があるため、めっきのプロセスが複雑で高コストになる問題があった。
【０００７】
また、誘電体と下地電極を同時焼成することにより得られるＮｉ下地電極は酸化膜を介してＣｕめっきと接合するため密着強度が低いことも問題であった。
【０００８】
従って、本発明の目的は下地電極の表面に酸化膜が形成されるのを防ぎ、下地電極のめっき付き性および端子強度が高められた積層セラミック電子部品を提供することにある。さらに所望の誘電体の電気特性を得ながら、コストの増大を招くことなく生産性を向上させることのできる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部導体が交互に積層された積層体と、前記積層体の表面に設けられた下地導体と、該下地導体の上に設けられた金属層とを含む、前記内部導体と電気的に接続される外部導体を備え、前記下地導体の金属成分はＮｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つを含み、下記の式（１）で規定される前記下地導体の表面に存在する前記金属成分の割合が、５０原子％以上１００原子％以下であることを特徴とする。
【００１０】
金属成分の割合（原子％）＝｛金属量／（金属量＋金属の水酸化物量＋金属の酸化物量）｝×１００・・・式（１）
そして、前記金属層は複数のめっき層を含むものが好ましい。
【００１１】
また、前記複数のめっき層はＮｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、前記Ｎｉめっき層が前記下地導体上に設けられ、前記Ｓｎめっき層が前記Ｎｉめっき層上に設けられているものが好ましい。
【００１２】
また、前記下地導体は誘電体材料を含み、該誘電体材料は前記誘電体層を構成する誘電体材料と略同じであることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、複数の誘電体層と複数の内部導体を含み、前記内部導体に電気的に接続した、Ｎｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つの金属成分を含む下地導体が表面に形成された、セラミック積層体を得る工程と、酸素分圧が前記下地導体を構成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より高い雰囲気中で、前記セラミック積層体を熱処理して前記誘電体層を酸化させる工程と、前記誘電体層を酸化させた後、酸素分圧が前記下地導体を構成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より低い雰囲気中で、かつ、前記誘電体層が還元されず、前記金属成分の酸化物が金属に還元される温度において、前記セラミック積層体を熱処理して前記下地導体を還元する工程と、前記下地導体上に金属層を設けることにより外部導体を形成し、前記内部導体と前記外部導体とを電気的に接続する工程と、を備えることを特徴としている。
【００１４】
そして、前記複数の誘電体層と複数の内部導体を含み、下地導体が表面に形成されたセラミック積層体は、複数の誘電体材料層と内部導体材料層を含む未焼成の積層体を用意し、前記積層体の表面に前記内部導体材料層に接続される下地導体材料層を設けた後、焼成することにより得るのが好ましい。
【００１５】
また、前記誘電体層を酸化させる工程および前記下地導体を還元する工程を１つの炉において連続して行ってもよい。
【００１６】
また、前記誘電体層を酸化させる工程を第１の炉で行い、前記下地導体を還元する工程を前記第１の炉よりも冷却速度が速い第２の炉において行ってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の積層セラミック電子部品では、下地導体の表面に存在するＮｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つの金属成分の割合が５０原子％以上１００原子％以下であって、この金属の酸化物および金属の水酸化物の割合が５０原子％未満に制限されているため、下地導体と金属層との密着強度が向上する。
【００１８】
したがって、Ｎｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つの金属成分を含む下地導体上にＣｕめっき層を介在させることなく直接Ｎｉめっき層を形成した場合、下地導体とＮｉめっき層との密着強度を向上させ、かつコストを低減させることができる。
【００１９】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法では、誘電体層を酸化させた後、酸素分圧が下地導体を構成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より低い雰囲気中で、かつ、誘電体層が還元されず、金属成分の酸化物が金属に還元される温度において、セラミック積層体を熱処理して下地導体を還元するので、下地導体の金属酸化膜および金属水酸化膜の形成を防ぎ、下地導体のめっき付き性およびめっき層の密着強度を向上させることができる。
【００２０】
そして、誘電体層を酸化させる工程および下地導体を還元する工程を１つの炉において連続して行う場合、下地導体の金属酸化膜の形成を防止するのに新たな設備を必要とせず、コストの増大を招くことなく積層セラミック電子部品を製造できる。
【００２１】
また、誘電体層を酸化させる工程を第１の炉で行い、別途、下地導体を還元する工程を前記第１の炉よりも冷却速度が速い第２の炉において行う場合、還元工程にかかる処理時間を短縮でき、生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
【実施例１】
【００２３】
実施例１に係る積層セラミックコンデンサ１の構成およびその製造方法について図１を参照して説明する。
【００２４】
積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２ａおよび内部導体３を有するセラミック積層体２と、下地導体４および金属層としてのめっき層５、６を有する外部導体１０とから構成されている。
【００２５】
セラミック積層体２では、複数の誘電体層２ａの間に複数の内部導体３が設けられ、誘電体層２ａと内部導体３が交互に積層された構成になっている。内部導体３の端部３ａはセラミック積層体２の何れかの端面に露出するように形成されている。
【００２６】
下地導体４はセラミック積層体２の外表面上に設けられ、セラミック積層体２の端面に露出した内部導体３の端部３ａと電気的に接続されている。下地導体４は金属成分であるＮｉおよび／またはＮｉ合金と、セラミック積層体２の誘電体層２ａと同じ主成分の誘電体材料とを含む。
【００２７】
下地導体４上に金属層がさらに形成されている。本実施例では下地導体４の上にＮｉめっき層５が設けられ、さらにＮｉめっき層５の上にＳｎめっき層６が設けられて、外部導体１０を構成している。従って、内部導体３は下地導体４およびＮｉめっき層５，Ｓｎめっき層６を含む外部導体１０に電気的に接続されている。
【００２８】
次に、このような積層セラミックコンデンサ１の製造方法を以下に説明する。
【００２９】
まず、チタン酸バリウム（平均粒径０．３μｍ）を主成分とする誘電体材料層としての複数のセラミックグリーンシートに、Ｎｉを主成分とする複数の内部導体材料層としての電極ペーストを印刷した。次に、上記内部電極材料層を形成した複数のセラミックグリーンシートを積層し、カットすることにより未焼成のチップ状の積層体を得た。その後、積層体の表面を研磨するバレル処理をすることにより未焼成の積層体の端面に内部導体材料層を露出させた。この積層体のサイズは４．０ｍｍ×２．２ｍｍ×２．２ｍｍとした。
【００３０】
次に、平均粒径１μｍのＮｉ粉体に、ワニスと、共素地材として上記セラミックグリーンシートと略同じ主成分のチタン酸バリウム（平均粒径０．３μｍ）を加え混練することにより下地導体材料層用の下地導体ペーストを得た。
【００３１】
なお、共素地材はセラミックグリーンシートと略同じ主成分の誘電体材料から構成されることが望ましい。これは後述するようにセラミックグリーンシートと下地導体ペーストを同時焼成するので、双方の焼結収縮率の相違により積層体にクラックが発生しないよう、セラミックグリーンシートの焼結収縮と、下地導体ペーストの焼結収縮を合わせるためである。また下地導体とセラミックグリーンシートからなる積層体との同時焼成による密着強度を確保するためである。
【００３２】
次に、この下地導体ペーストを、未焼成の積層体の内部導体材料層が露出した端面に塗布し、下地導体材料層が設けられた生の積層体を得た。
【００３３】
次に、この積層体を大気中２３０℃で５時間熱処理することにより、積層体の脱バインダーを行った。
【００３４】
次に、表１に示す条件（焼成プロファイル）で、脱バインダー後の積層体を焼成した。焼成プロファイルにおいて、１２５０℃を維持する温度区間では水素と窒素を導入した還元性雰囲気で、セラミックグリーンシートと内部導体材料層及び下地導体材料層を同時に焼成し、焼結を行った。その結果、複数の誘電体層２ａと複数の内部導体３を含むセラミック積層体２であって、セラミック積層体２の表面にＮｉを含む下地導体４が形成されたセラミック積層体を得た。
【００３５】
【表１】
2005203566.tif 000003
【００３６】
得られたセラミック積層体は、上記のように誘電体層が還元性雰囲気で焼成されているので、誘電体から酸素が奪われ、酸素空孔が発生することになる。そこで焼結後、１０００℃から６００℃の降温区間では水素の導入を停止することで誘電体層２ａを酸化させた。この酸化処理により酸素空孔に酸素を補充し誘電体の絶縁抵抗特性の劣化を抑えることができる。この際の炉内雰囲気は誘電体の酸素空孔に酸素を補充することが可能な酸素分圧に設定した。この酸素分圧とは誘電体（金属酸化物）とその還元生成物との平衡酸素分圧よりも高い酸素分圧であればよい。さらにより望ましくは、下地導体４に含まれるＮｉとＮｉ酸化物との平衡酸素分圧よりも高い酸素分圧で誘電体層２ａを酸化させるのがよい。この酸素分圧により誘電体の酸化反応速度を促進させることができるからである。
【００３７】
上記の酸化処理においては誘電体が酸化されると同時に、Ｎｉを含む下地導体４がセラミック積層体２の表面に形成されているので、下地導体４も酸化処理に曝されることになる。つまり下地導体４の表面にＮｉ酸化膜とその変性物であるＮｉ水酸化膜が形成されてしまう。
【００３８】
そこで、酸化処理後（温度区間で言えば６００℃まで冷却した後）、水素の投入を再開し、炉内酸素分圧をＮｉとＮｉ酸化物（例えばＮｉＯ）との平衡酸素分圧より低くした。この温度を６０分間維持し、さらに２００℃まで冷却しながら、炉内酸素分圧が上記平衡酸素分圧より低い状態を維持することにより下地導体４を還元した。この還元処理により下地導体４の表面に存在するＮｉ酸化膜およびその変性物であるＮｉ水酸化膜の割合を減少させる、或はＮｉ酸化膜およびＮｉ水酸化膜を除去することができる。
【００３９】
また、２００℃〜２０℃の温度区間ではＮｉの平衡状態がＮｉＯとなっているが、雰囲気温度が低く、処理時間が短いため、還元された下地導体４の酸化は進行しない。
【００４０】
還元処理後、セラミック積層体２の下地導体４上にＮｉめっき層５、Ｓｎめっき層６を順に設け、外部導体１０を形成した。これにより内部導体３と外部導体１０が電気的に接続された積層セラミックコンデンサ１が得られた。
【００４１】
なお、上記実施例１においては上記誘電体層を酸化させる工程および下地導体を還元する工程を１つの箱型焼成炉（バッチ炉）内において連続して行った。この場合、新たな設備を必要としないので、追加のコストが発生せずに積層セラミックコンデンサを製造できる。
【００４２】
（積層セラミックコンデンサの特性評価）
表２には、上記した製造方法において、還元開始温度、酸素分圧、キープ時間を様々に変化させて得た試料が示されている。また表２には下地導体表面の金属（Ｎｉ）成分の割合、めっきの被覆率、端子強度および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定結果が示されている。表２において、試料番号に＊を付したものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発明の範囲内のものである。
【００４３】
【表２】
2005203566.tif 000004
【００４４】
金属（Ｎｉ）成分の測定は、めっき層が形成される前の試料について、セラミック積層体２に下地導体４が形成された状態で行った。下地導体４表面のＮｉ、Ｎｉ水酸化物およびＮｉ酸化物の量をＸ線光電子分光法により定量分析し、式（１）よりＮｉ金属成分の割合を算出した。
【００４５】
金属（Ｎｉ）成分の割合（原子％）＝｛Ｎｉ金属量／（Ｎｉ金属量＋Ｎｉ水酸化物量＋Ｎｉ酸化物量）｝×１００・・・（１）
めっきの被覆率の測定は、下地導体４上にＮｉめっき層５を形成した試料について行った。Ｎｉめっき層の表面を顕微鏡観察することにより、下地導体４上のＮｉめっき層５の被覆率を算出した。
【００４６】
外部導体の端子強度は、下地導体４にＮｉめっき層５およびＳｎめっき層６を設け、外部導体１０が完成した状態で行った。積層セラミックコンデンサ１の外部導体１０にリード線をはんだ付けし、端子強度試験用の試料とした。端子強度は強度試験機を用い、２０ｍｍ／ｍｉｎの条件でリード線の両端を互いに反対方向に引っ張り、下地導体またはめっき層が剥離したときの強度を求めることにより測定した。
【００４７】
絶縁抵抗については、上記端子強度の測定と同様に外部導体１０が形成された状態で行った。恒温槽に試料を投入後１５０℃に加熱し、絶縁抵抗計を用いて試料にＤＣ２０Ｖの電圧を６０秒間印加した後の抵抗値を測定した。
【００４８】
（比較例）実施例１と同様にして、まず未焼成の積層体の内部導体材料層が露出した端面に下地導体材料層が設けられた生の積層体を得た。
【００４９】
次に、実施例１と同様にして積層体の脱バインダーを行った後、表３に示した条件（焼成プロファイル）で、焼成してセラミック積層体を得た。比較例では冷却時に還元処理を行っていない。
【００５０】
【表３】
2005203566.tif 000005
【００５１】
そして、実施例１と同様にして、得られたセラミック積層体の表面にＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を順に形成して積層セラミックコンデンサを得た。
【００５２】
次に、得られた積層セラミックコンデンサについて、実施例１と同様に評価した。結果が表２に示されている。
【００５３】
まず、下地導体表面の金属（Ｎｉ）成分の割合について見ると、比較例では、酸化処理時の雰囲気は平衡酸素分圧より高い酸素分圧であり、焼成後の６００℃以下の降温区間で還元処理を行っていないため、下地導体の表面にＮｉ酸化膜が生成することを確認した。この場合の金属（Ｎｉ）成分の割合は０％であった（試料番号９）。これに対して本発明では、試料番号１〜３、５〜７に示されたように５００℃〜７００℃の温度で還元を開始することにより、下地導体表面に存在する金属（Ｎｉ）成分の割合を５０％以上に増加させることができた。
【００５４】
次に、めっきの被覆率および端子強度について、比較例では、Ｎｉめっき層を直接下地導体に形成した場合、不十分なＮｉめっきの被覆率しか得られない。本発明では試料番号１〜３、５〜７に示すように、下地導体表面上の金属（Ｎｉ）成分の割合を増加させることができたため、めっき被覆率が９０％以上であって、端子強度が１２Ｎ〜１５．５Ｎ程度の高い強度が得られた。よって下地導体とＮｉめっき層との密着強度が向上していることが分かった。従って本発明では、従来のように下地導体上にＣｕめっきを形成することなく、直接Ｎｉめっき層５を下地導体上に形成することが可能となった。
【００５５】
還元開始温度を６００℃とし、炉内酸素分圧を変化させることにより金属（Ｎｉ）成分の割合を変化させたところ、金属（Ｎｉ）成分の割合が５０％を下回るとめっきの被覆率や端子強度が大きく低下した（試料番号４）。金属（Ｎｉ）成分の割合が５０原子％未満であるとめっき被覆率や端子強度が低下して好ましくない。従って金属（Ｎｉ）成分は５０原子％以上１００原子％以下である。
【００５６】
還元開始温度を７００℃とし６０分間保持した場合には、絶縁抵抗がやや低下し誘電体を低酸素雰囲気中で焼成したことの影響を受けていると言える（試料番号５）。しかしながら、絶縁抵抗の低下は実用上許容される範囲内である。
【００５７】
なお、炉内を低酸素濃度の雰囲気（下地導体を還元するときの雰囲気）にするために投入する気体の種類は本実施例に限定されるものではない。炉内に投入する気体により、下地導体を形成する金属成分と該金属成分の酸化物との平衡酸素分圧より低い酸素分圧に設定されるのであれば使用可能である。
【００５８】
また、上記酸化や還元の処理を行う雰囲気圧力は本実施例に限定されない。誘電体中の酸素空孔に酸素を補充することが可能な条件、あるいは金属成分の酸化物を金属に還元することが可能な条件を満たすことができれば、大気圧よりも高い圧力の加圧雰囲気や、大気圧よりも低い圧力の減圧雰囲気中で処理することが可能である。
【００５９】
以上のように、本発明は追加の新たな工程または設備を必要とせず、誘電体の電気特性に悪影響を及ぼすことなく、下地導体表面の金属酸化膜の生成を防止することにより、下地導体のめっき付き性、密着強度および端子強度を向上さることが可能な、極めて有用な方法である。
【実施例２】
【００６０】
次に、実施例２に係る積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００６１】
実施例１と同様にして作製した、下地導体ペーストを塗布した未焼成の積層体を表３に示した条件で第１の炉である箱型焼成炉を用いて焼成した。その後、箱型焼成炉よりも冷却速度の速い第２の炉であるトンネル型焼成炉を用い、表４に示した温度条件で還元処理を行った。
【００６２】
【表４】
2005203566.tif 000006
【００６３】
還元後得られたセラミック積層体の下地導体の表面にＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を順に形成し積層セラミックコンデンサ（試料番号８）を得た。そして実施例１と同様に特性評価を行った。結果が表２に示されている。実施例２の積層セラミックコンデンサも実施例１と同様の効果を得られることが分かる。
【００６４】
未焼成の積層体と下地導体とを同時焼成し、酸化処理、還元処理を冷却速度が遅い大型の箱型焼成炉で一括して行う場合には、還元雰囲気中で冷却するのに、追加の設備によるコストはかからないものの、還元処理に長時間が必要となる。本実施例のように、誘電体と下地導体とを同時に焼成する炉と、別途下地導体の金属酸化膜の除去を行う炉とを設けて区別し、冷却速度が速い炉を用いて還元処理を実施することにより生産性を向上させることができる。
【００６５】
大型の箱型焼成炉は、投入された積層体がトンネル炉のように炉内を移動するものではなく、炉内に熱が閉じ込められる構造を有しているので、焼成炉の熱容量が大きく、炉内温度の設定温度への追従性がよくない。そのため焼成後に炉内の温度を急速に冷却するには不向きな構造である。そこで大型の箱型焼成炉では酸化処理まで行い、冷却の途中の段階で積層体を取り出し、トンネル炉に投入する。トンネル炉は炉内の温度が下降するように温度勾配をつけた複数の温度区間を有する構造で、積層体は搬送装置に載置され、搬送装置により積層体を設定温度の高い区間から低い区間へ連続して通過させるので、炉内温度の冷却速度を速めることができる。そのため還元処理にかかる時間を短縮できる。
【００６６】
なお、上記実施例では下地導体とセラミックグリーンシートからなる積層体は同時に焼成されたが、焼成工程はこれに限定されるものではない。例えば、セラミックグリーンシートの積層体を焼成し、その後焼結した積層体に下地導体を焼き付け、めっき層を設け外部導体としてもよい。下地導体を焼結した積層体に後付けする場合においても、上述の還元処理により下地導体に生成された金属酸化膜、金属水酸化膜を除去できる。
【００６７】
また、金属層はＮｉめっき層、Ｓｎめっき層の場合が示されたが、これに限定されるものではない。Ｎｉめっき層以外にはＣｕめっき層の場合にも同様の効果を得ることができる。
【００６８】
また、本実施例では金属層は複数のめっき層としたが、これに限定されるものではなく、少なくとも１層のめっき層が形成されていればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施例に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図。
【符号の説明】
【００７０】
１    積層セラミックコンデンサ
２    セラミック積層体
３    内部導体
４    下地導体
５    Ｎｉめっき層
６    Ｓｎめっき層
１０    外部導体
【図１】
2005203566.tif 000007