(57)【要約】【課題】光アイソレータの構成の簡素化と端面反射の防止【解決手段】光アイソレータを構成する素子をファラデー回転子のみとし、それをある傾斜角度θ０を有する支持体の端面に固定、フェルール片側端面に実装することにより、不要な端面反射を防止した光アイソレータ及びコネクタ接続可能な光アイソレータ付き光モジュールを実現した。【選択図】図１
2005017701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファラデー回転子基板の一方面にＡＲコートを、他方面に偏光膜をそれぞれ形成した光アイソレータにおいて、上記ファラデー回転子基板の厚さをＴとし、上記他方面を支持体の傾斜角度θ０の端面に固定し、上記ファラデー回転子内の光路の磁界方向成分の光路長をＬとすると、
Ｔ＝Ｌ×ｃｏｓ（θ１）／ｃｏｓ（θ０−θ１）
但し
Ｌ＝２００〜６００μｍ
θ０＝４０〜６５°
θ１＝ｓｉｎ―１｛ｓｉｎθ０／ｎ１｝
ｎ１：ファラデー回転子の屈折率
としたことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】
上記支持体が光ファイバもしくはフェルールであることを特徴とする請求項１に記載の光アイソレータ。
【請求項３】
上記支持体が軸方向に着磁された強磁性体からなることを特徴とする請求項１に記載の光アイソレータ。
【請求項４】
上記ファラデー回転子が予め着磁された磁性ガーネットであることを特徴とする請求項１または２に記載の光アイソレータ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光アイソレータをスリーブ内、又はＶ溝基板上に実装したことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光アイソレータ及びそれを用いた光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザの発振を安定化させる為、半導体レーザへの戻り光の防止に使用する光アイソレータ素子はファラデー回転子としてＢｉ置換ガーネット基板（厚さ：２００〜６００μｍ程度）に素子状の２色性の吸収型偏光子（厚さ：３００〜５００μｍ程度）を、透光性の接着剤により、ガーネット基板の片面又は両面に貼り付けた構成のものが使用されている。図１０（ａ）は、そうした光アイソレータ１７を０．５ｍｍ角程度の素子に切断し、フェルール端面８ａに取り付けたものである。それを光モジュールのスリーブ内又はＶ溝基板上に固定実装することにより、光コネクタ接続可能な光アイソレータ付き光モジュールが実現できる（特許文献１）。図１０（ｂ）は、前記光アイソレータ１７の拡大断面図で、ファラデー回転子１（屈折率：ｎ１）の両側を２個の吸収型偏光子１８ａ、１８ｂ（屈折率：ｎ２）で積層したもので、それぞれの素子間は透光性接着剤による接着層１９ａ、１９ｂ（屈折率：ｎ３）により充填したものである。各屈折率の大きさの関係は、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２である。
【０００３】
以下、光ファイバ７から光源に戻る光を戻り光２２、光アイソレータ素子１７の各端面で反射する光を端面反射光２３として説明する。
【０００４】
入射光２０が光アイソレータ１７に入射すると、各構成素子である吸収型偏光子１８ａ、１８ｂの各端面、接着層１９ａ、１９ｂ、１９ｃの各端面、ファラデー回転子１の各端面で、端面反射光２３が発生する。ファイバ端７ａに密着した３層構造の光アイソレータの場合、７カ所から端面反射光２３が発生し、その内の入射型偏光子１８ａの両面及び入射側偏光子接着層１９ａでの端面反射光２３は、不要光として光源にそのまま戻る。
【０００５】
又、そうした積層構造ではなく一枚の基板からなる光アイソレータも提案されている（特許文献２）。図示はしないが、ファラデー回転子基板の片側面に誘電体多層膜による偏光ビームスプリッタ層を構成し、戻り光の偏光方向が半導体レーザの出射光の偏光方向に対し、９０度直交した成分になるようにし、半導体レーザの発振に干渉しないようにしたものである。光アイソレータ素子は、磁石内に傾斜して設置され、両端に配置した結合レンズを介して光源、光ファイバに接続される構成である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１３３１４６号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平３−１９７９１９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、特許文献１のような従来の光アイソレータは、ガーネット基板の片面又は両面に２色性の吸収型偏光子を取り付けた積層構成の為、素子厚が厚く、又素子同士を透光性の接着剤により貼り付ける為、その接着層を介して光が透過する構造である。従って、接着層に経時劣化による変質が生じ、損失の増大等信頼性上好ましくない。又、構成する素子端、接着層端で入射光が端面反射、その成分が同波長、同じ偏光方向の戻り光として光源に戻り、発振動作を不安定にさせる。図１０（ｂ）において、入射型偏光子１８ａの両端、接着層１９ａにおいて発生する端面反射光２３が、それに相当する（１８ｂ、１９ｂ、１９ｃの各端面で発生する反射光は、ファラデー回転子１を通過するため、光源に対し影響はない）。
【０００９】
光アイソレータ１７を僅かに傾斜させることにより、端面反射が戻ることを抑えることができるが、それを完全に防ぐことは困難である。又、そうした端面反射光２３が再度、吸収型偏光子１８、ファラデー回転子１、各接着層１９ａ、１９ｂ、１９ｃで多重反射し、それが出射光２１に載り、信号ノイズの原因の一つになり、好ましくない。
【００１０】
他に、各構成素子を接着剤を使わずに常温真空接合により密接したタイプの光アイソレータもあるが、接着層１９は無いものの素子厚は同様に厚く、各端面で生じるフレネルの式に基づく反射による端面反射、多重反射の問題は解決されず残る。
【００１１】
また図示しないが特許文献２で示したファラデー回転子の片面を偏光ビームスプリッタ面とし、フェルール端面上に実装させた場合は、光アイソレータ素子の構成を簡素化して、端面反射光を防止できる。
【００１２】
しかし光アイソレータ素子を磁界印加用磁石（不図示）内に装着する必要があり、例えば図２を引用して説明すると光アイソレータ外径Ｓは、
Ｓ＝Ｙ＋２×ｔ
Ｙ＝Ｄ×ｃｏｓθ０＋Ｔｓｉｎθ０
ｔ：磁界印加用磁石の厚さ
と外径Ｓが大きくなり両端に結合レンズを要するため、フェルール端面と集積一体化が困難な構成である。
【００１３】
又、それで光モジュールを構成する際、精密なアライメント調整を要するという問題がある。
【００１４】
【課題を解決する為の手段】
上記問題点に鑑みて本発明は、ファラデー回転子基板の一方面にＡＲコートを、他方面に偏光膜をそれぞれ形成した光アイソレータにおいて、上記ファラデー回転子基板の厚さをＴとし、上記他方面を支持体の傾斜角度θ０の端面に固定し、ファラデー回転子内の光路の磁界方向成分の光路長をＬとすると、
Ｔ＝Ｌ×ｃｏｓ（θ１）／ｃｏｓ（θ０−θ１）
但し
Ｌ＝２００〜６００μｍ
θ０＝４０〜６５°
θ１＝ｓｉｎ―１｛ｓｉｎθ０／ｎ１｝
ｎ１：ファラデー回転子の屈折率
としたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、前記支持体が光ファイバもしくはフェルールであることを特徴とするものである。
【００１６】
また、前記支持体が軸方向に着磁された強磁性体からなることを特徴とするものである。
【００１７】
また、前記ファラデー回転子が予め着磁された磁性ガーネットであることを特徴とするものである。
【００１８】
更に本発明の光モジュールは、光アイソレータをスリーブ内、又はＶ溝基板上に実装したことを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の傾斜型光アイソレータの外観正面図及び側断面図で、図１（ａ）は支持体形状が矩形のもの、図１（ｂ）は円筒形のものである。図２の厚さＴのＢｉ置換型のガーネット材料からなるファラデー回転子１の片面をＡＲコート面５、他面に誘電体多層膜からなる偏光膜を蒸着した偏光膜面６とし、それを支持体２の傾斜角度θ０傾斜した斜面２ａに設置固定した構成のものである。支持体２は、ＳＵＳ系の磁性材料の他、Ｎｄ、ＳｍＣｏ系の強磁性体材料を用いて構成してもよい。
【００２１】
使用するファラデー回転子１の厚さＴは、ファラデー回転子１内の光路の磁界方向成分の光路長をＬとすると、以下の式を満たすように設定される。
【００２２】
Ｔ＝Ｌ×ｃｏｓ（θ１）／ｃｏｓ（θ０−θ１）
但し
Ｌ＝２００〜６００μｍ
θ０＝４０〜６５°
θ１＝ｓｉｎ―１｛ｓｉｎθ０／ｎ１｝
ｎ１：ファラデー回転子の屈折率
ファラデー回転子１の厚さＴは入射光の偏光方向が４５度回転するように調整したもので、ファラデー回転子１の光路の磁界方向成分Ｌに依存し、一般的にＬは２００〜６００μｍ程度である。
【００２３】
これにより、磁界印加方向に対するファラデー回転子基板の厚さＴ、支持体の傾斜角度θ０を制御可能にすることができ、アイソレーション特性を最適化することができる。
【００２４】
ファラデー回転子１を固定材３で支持体２の斜面２ａに固定する。固定材３は、樹脂系の接着剤の他、各種ガラス、金属等の材料からなる低融点ハンダ材を使用することができる。
【００２５】
素子形状は図１（ａ）の実施例のように矩形の場合、図１（ｂ）の実施形態のように円形の場合があるが、その形状の組み合わせは自由に設定できる。
【００２６】
使用する磁界印加用磁石９の大きさ（外径）、即ち光アイソレータの外径Ｓは、
図１（ａ）より
Ｓ＝ｄ＋２×ｔ
ｔ：支持体２の肉厚
ｄ：支持体２の内径
で示される。
【００２７】
図１（ａ）から明らかなように、素子の垂直方向の高さＹ＞ｄであるから、支持体２を含めたアイソレータの大きさ（外径）Ｓは、従来の磁界印加磁石９内に入れた場合に比較して小さくなる。従って、支持体２を磁界印加用磁石９で構成すれば、傾斜型光アイソレータ４の構造が簡素化され、光アイソレータの外径Ｓを小さく納めることができる。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）は、使用する光アイソレータ素子１７の断面構造を示したものであり、図２（ａ）は外観を示した厚さＴ、外径Ｄの素子で、図２（ｂ）は、光路内の光の状態を示したものである。光源から入射する面には、薄膜多層膜構造のＡＲコート面５が施され端面反射を防止したものである。又、反対側の出射面には、同様に薄膜多層膜の偏光膜面６が構成され、Ｐ偏光２４（光の電気ベクトルの振動方向が入射面内に含まれる直線偏光）の光を透過、Ｓ偏光２５（光の電気ベクトルの振動方向が入射面に対し垂直な直線偏光）の光を反射する。
【００２９】
通常薄膜材料として、高屈折材としてＴｉＯ２、低屈折材としてＳｉＯ２が使用されるが、その他の材料でもよい。通常、角度θ０は、両側の媒質の屈折率、ファラデー回転子１の屈折率ｎ１にもよるが、約４０〜６５度程度に納める。角度θ０が４０度以下とすると、通常屈折率が約２のファラデー回転子１の屈折率ｎ１を１．５程度に低く抑える必要性があるが、そうした材料の入手は困難である。
【００３０】
又、角度θ０が６５度以上になると、ＡＲコートしたとしてもファラデー回転子１の表面で、反射する光が多くなり、透過効率が落ち好ましくない。
【００３１】
ファラデー回転子１の厚さＴは、入射光２０の偏光面を４５度ファラデー回転させる光路長Ｌにより、調整したもので、一般的に以下のようになる。
【００３２】
Ｔ＝Ｌ×ｃｏｓ（θ１）／ｃｏｓ（θ０−θ１）
θ０：ファラデー回転子への入射角
θ１＝ｓｉｎ―１｛ｓｉｎθ０／ｎ１｝
ｎ１：ファラデー回転子の屈折率
光アイソレータとして機能する為、入射光２０と出射光２１の偏光方向の回転による角度差は、４５度になるよう磁界方向成分の光路長Ｌは調整され、値としては、２００〜６００μｍ程度のＢｉ置換型ガーネット基板が使用される。
【００３３】
尚、入射光２０、戻り光２２の偏光方向の状態は図２（ｂ）の通りである。
【００３４】
ファラデー回転子内の光路（光路長Ｐ）の磁界印加方向成分である光路長Ｌが２００μｍ以下の場合、例えば厚さ２００μｍ以下のＢｉ置換型ガーネット基板では、ＡＲコート及び偏光膜を薄膜蒸着する際、５００度前後に加熱した際、基板が反ってしまい、平坦性を維持することができない。又６００μｍ以上の場合、強度的な問題はないものの基板を傾斜して使用する為、有効な光路径を維持するには素子基板サイズを大きくする必要性があり、コスト、光アイソレータのサイズ的な問題が生じる。また、使用するガーネット基板材料により、光路長Ｌは異なる。
【００３５】
図７（ａ）は、ファラデー回転子１の屈折率ｎ１＝２とした場合、その光路長とファラデー回転子１の厚さＴとの関係、及び入射角θ０との関係を示したグラフである。
【００３６】
入射角θ０が大きければ大きい程、使用するファラデー回転子の厚さＴを厚くする必要性がある。
【００３７】
又、使用するガーネット基板により、屈折率ｎ１も異なる。図７（ｂ）は、光路長Ｌが３００μｍの場合、ファラデー回転子１の屈折率ｎ１が、１．７、２、２．２と異なる場合の入射角θ０に対する厚さＴの関係を示すグラフである。以上より、屈折率ｎ１が高い程、入射角θ０が大きい程、必要とするファラデー回転子１の厚さＴが大きくなる。
【００３８】
本発明に使用するファラデー回転子１には、ファラデー回転子１自体が外部から印加磁界を加えなくても磁性が保持されているガーネット材料を使用してもよい。例えば、（ＢｉＴｂ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２又は（ＢｉＲＥ）３（ＦｅＧａ）５
Ｏ１２等の材料で、その場合は、外部から磁界をかける磁界印加用磁石９が不要になる。
【００３９】
又、厚さＴと、屈折率ｎ１により、光軸に平行に入射する入射光２０は、ファラデー回転子１を通過することにより、光軸ズレδが生じる。その大きさは、
δ＝Ｐ×ｃｏｓ（θ０―θ１）＝Ｌ×ｔａｎ（θ０−θ１）
Ｐ＝Ｔ／ｃｏｓθ１：ファラデー回転子内での光路長
である。
【００４０】
厚さＴが大きい程、光軸ズレδが大きくなりアセンブリ上好ましくない。
【００４１】
こうしたファラデー回転子基板のみによる構成をとることにより、端面反射する箇所が２カ所と少なくでき、ファラデー回転子１で僅かに生じる端面反射光２３全てを入射光２０と異なる角度に反射させることができ、半導体レーザ等の光源に不要な戻り光２２として戻ることはない。
【００４２】
又、基板内、薄膜内での多重反射が、出射光２１に載ることもない。
【００４３】
図３は、本発明の傾斜型光アイソレータの他の実施形態で、角度θ０を有する支持体２を光ファイバ７とした場合の実施例である。
【００４４】
図３（ａ）は、そのファイバ端７ａの断面構成図で、角度θ０を有するファイバ端７ａに直接密着固定した構成である。ファラデー回転子１をファイバ端７ａに密着させるのに透光性接着剤を用いてもよい。
【００４５】
図３（ｂ）は、図３（ａ）の傾斜型光アイソレータ４をフェルール端面８ａに取り付けた場合の実施形態で、フェルール端面８ａにファラデー回転子１に飽和磁界を光軸方向に印加する磁界印加用磁石９を別途取り付けたものである。
【００４６】
尚、フェルール８及び光ファイバ７を同じ角度θ０で加工をし、そのフェルール端面８ａにファラデー回転子１を取り付けた構成でもよい。
【００４７】
図４は、本発明による傾斜型光アイソレータ４をフェルール端面８ａに取り付けたものである。この場合、フェルール端面８ａの角度αを３〜８度程度に設定し、ファイバ端７ａにおける反射を完全に防止できる構造とした。
【００４８】
先ず入射光２０は、図２のように光源から結合レンズを介し、収束光としてファラデー回転子１に対し、角度θ０でＡＲコート面５に入射する。その後ファラデー回転子１内で角度θ１で屈折、４５度回転しながらファラデー回転子１内を透過する。
【００４９】
その後もう一方の偏光膜面６に角度θ１で入射し、角度θ０で空気中に出射してファイバ端７ａで収束する。その後角度αのフェルール端面８ａのファイバ端７ａに入射し、反対側のフェルール端８ｂから出射する。
【００５０】
ファラデー回転子１を保持する支持体２は、ステンレス系材料の磁性体、又はＮｄ系、ＳｍＣｏ系の強磁性体からなる磁石により構成される。特に支持体２を磁石にした場合、別途ファラデー回転子１に飽和磁界を印加する磁石を別途設置する必要性がない。
【００５１】
次に不要な戻り光２２は逆にフェルール端８ｂから入射し、光ファイバ７内を伝搬し、反対側のファイバ端７ａから偏光膜面６に入射する。
【００５２】
そこで、Ｐ偏光２４の成分は透過するが、その他の偏光成分は不要な戻り光２２として、所定の角度で反射され、支持体２の内面に放射して散乱される。
【００５３】
支持体２の内面での散乱を防止するには光吸収体を内面に取り付けるか、放射光用の穴を設けてもよい。
【００５４】
従って半導体レーザ素子１１内での誘導放出光に干渉せず、戻り光２２による半導体レーザ１１内の不安定な発振動作を抑えることができる。
【００５５】
以上により、本発明による傾斜型光アイソレータ４により、フェルール８などの接続用部品との集積化を図ることができる。
【００５６】
図５は、本発明による図３の傾斜型光アイソレータ４を用いたレセプタクル型光モジュール１４ａの実施形態である。
【００５７】
この場合の動作も前記の場合と同じ条件で、半導体レーザ１１の実装ケースに結合レンズ１２を一体化した構成となっており、半導体レーザ１１からの出射光２１は、その結合レンズ１２、傾斜型光アイソレータ４を介して、フェルール端面８ａにある光ファイバ７と接続される。
【００５８】
その後、フェルール端面８ｂで出力用光ファイバ（図示せず）とコネクタ接続できる構造のものである。
【００５９】
レセプタクルのタイプとしては、ＦＣ型、ＳＣ型、ＭＵ型、ＬＣ型等がある。
【００６０】
図６は、本発明の図３（ｂ）の実施形態による傾斜型光アイソレータ４を表面実装型光モジュール用のＶ溝基板１５に固定実装したものである。
【００６１】
半導体レーザ１１と結合用レンズ１２を介して傾斜型光アイソレータ付きフェルール１０と接続した構成になっており、出力用の光ファイバ７を有するフェルール８により光コネクタと直接接続できる光モジュール１４として構成されたものである。
【００６２】
以上により、光コネクタと直接接続可能な構造の光アイソレータ付き光モジュールが実現できる。
【００６３】
【実施例】
実際に本発明の傾斜型光アイソレータを製作、光モジュールに実装、評価を行った。
【００６４】
本発明による実施例は、先ずファラデー回転子１として４５度偏光面を回転させる光路長Ｌが０．２９ｍｍ、１０ｍｍ角のＢｉ置換型のガーネット基板を準備、厚さＴは、０．３ｍｍで加工した。真空蒸着器でＴｉＯ２、ＳｉＯ２による薄膜多層膜を蒸着することにより、片側面をＡＲコート、反対面を偏光分離膜とした。
【００６５】
ガーネット基板の厚さＴの値をＴ＝Ｌ×ｃｏｓ（θ１）／ｃｏｓ（θ０−θ１）の計算式から求めるとＴ＝０．３０８ｍｍとなる為、Ｔ＝０．３ｍｍで加工したものである。
【００６６】
その結果、アイソレーション特性は、波長１５５０ｎｍ光で、挿入損失が０．１５ｄＢ、消光比が、３０ｄＢのものが得られた。
【００６７】
本発明による実施例は、それをダイシングマシンにより、１．０×１．５ｍｍ角の素子に切断、斜面９ａ（角度θ０：５５度）に接着剤により固定したもので、更に、それを外径２．５ｍｍのジルコニアのフェルール端面８ａに固定した。
【００６８】
尚、本発明による実施例において生じる光軸ズレ量は、δ＝０．１７ｍｍである。
【００６９】
比較例としては図１０のような０．７ｍｍ角の従来の透光性の接着層を有する積層型光アイソレータ付のフェルール８を用いたものを準備した。
【００７０】
使用する光モジュールとしては、光源として１５５０ｎｍ±１５ｎｍのファブリペロ型の半導体レーザを内部にもつ図５に示したＳＣ型のレセプタクル型光モジュール１４ａとした。
【００７１】
そのレセプタクル型光モジュール１４ａを図８に示したＡＰＣ付きＬＤドライブ回路２６にそれぞれ実装し、出力用の光コネクタ１６と接続、リール２７に巻いた５００ｍ程度の光ファイバ７を介して光パワーメータ２８と接続、その光出力変動をシンクロスコープ２９を用いてモニターした。
【００７２】
シンクロスコープ２９による測定データの時間間隔は、１×１０―６秒である。
【００７３】
その評価結果を図９（ａ）、（ｂ）のグラフで示す。
【００７４】
図９（ａ）は、比較例として従来型の積層型光アイソレータを使用したレセプタクル型光モジュール１４ａの出力光のモニターであり、出力に端面反射光２３による影響と思われる細かい不要な戻り光による共振ノイズが載っていることがわかる。
【００７５】
図９（ｂ）は、本発明による実施例の傾斜型光アイソレータ４を使用したレセプタクル型光モジュール１４ａの出力光のモニターであり、僅かにパワーメータ２８のフォトデテクタの影響による揺らぎはあるものの殆ど、安定した出力特性であることが示されている。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の傾斜型光アイソレータには以下の様な効果がある。
【００７７】
１．磁界印加方向に対するファラデー回転子基板の厚さＴ、支持体の傾斜角度θ０の最適な設定を容易に計算可能にすることができ、アイソレーション特性を最適化することができる。
【００７８】
２．アイソレータ素子がファラデー回転子基板だけですむ為、積層構造とならず、簡素な構造である。
【００７９】
３．アイソレータ素子を傾斜角θ０で設置固定、端面反射が光源に戻らず、多重反射の影響もない。
【００８０】
４．支持体を磁界印加用磁石とすることにより、光アイソレータを小形・簡素な構造にでき、フェルール端に設置することが可能である。
【００８１】
５．傾斜端面を有する支持体を光ファイバ端とすることにより、微小光学素子型の光アイソレータとして実現できる。
【００８２】
６．光アイソレータ付きフェルールをスリーブ又はＶ溝基板に固定実装することにより、安定した特性のコネクタ接続可能、各構成部品間のアライメントが容易な光アイソレータ付き光モジュールが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の傾斜型光アイソレータであり、（ａ）は支持体が傾斜面を有する矩形の場合の正面図及び側断面図、（ｂ）は支持体が傾斜面を有する円筒形の場合の正面図及び側断面図である。
【図２】本発明の傾斜型光アイソレータのファラデー回転子であり、（ａ）は光アイソレータの断面図、（ｂ）は光路の詳細図である。
【図３】本発明の他の傾斜型光アイソレータであり、（ａ）は支持体を光ファイバとした場合の側断面図、（ｂ）は支持体の光ファイバをフェルールに実装した場合の側断面図である。
【図４】本発明の傾斜型光アイソレータをフェルール端面に固定実装した場合の側断面図である。
【図５】本発明の図４の傾斜型光アイソレータをレセプタクル型光モジュールに使用した場合の側断面図である。
【図６】本発明の図３の傾斜型光アイソレータを表面実装型光モジュール用Ｖ溝基板に実装した場合の側断面図である。
【図７】光路長Ｌとファラデー回転子の厚さＴの関係を示したものであり、（ａ）は必要な光路長Ｌが異なる場合、（ｂ）はファラデー回転子の屈折率ｎ１が異なる場合を示すグラフである。
【図８】本発明の傾斜型光アイソレータを用いた図５のレセプタクル型光モジュールの出力安定性評価系の模式図である。
【図９】図８の評価系を用いて得られた評価結果を示すものであり、（ａ）は従来の光アイソレータを用いた場合の出力の評価結果、（ｂ）は本発明の傾斜型光アイソレータを用いた場合の出力の評価結果を示すグラフである。
【図１０】従来の光アイソレータの構成例を示すものであり、（ａ）は従来の光アイソレータをフェルール端面に固定実装した側断面図、（ｂ）は従来の光アイソレータの側断面図である。
【符号の説明】
１：ファラデー回転子
２：支持体
２ａ：斜面
３：固定材
４：傾斜型光アイソレータ
５：ＡＲコート面
６：偏光膜面
７：光ファイバ
７ａ：ファイバ端
８：フェルール
８ａ：フェルール端面
８ｂ：フェルール端面
９：磁界印加用磁石
１０：傾斜型光アイソレータ付きフェルール
１１：半導体レーザ
１２：結合レンズ
１３：スリーブ
１４：光モジュール
１４ａ：レセプタクル型光モジュール
１５：Ｖ溝基板
１６：光コネクタ
１７：光アイソレータ素子
１８：吸収型偏光子
１８ａ：入射光側偏光子
１８ｂ：出射光側偏光子
１９：接着層
１９ａ：入射側偏光子接着層
１９ｂ：出射側偏光子接着層
１９ｃ：アイソレータ出射側接着層
２０：入射光
２１：出射光
２２：戻り光
２３：端面反射光
２４：Ｐ偏光
２５：Ｓ偏光
２６：ＡＰＣ付ＬＤドライブ回路
２７：リール
２８：光パワーメータ
２９：シンクロスコープ
【図１】
2005017701.tif 000003
【図２】
2005017701.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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