(57)【要約】【課題】充分な実用的強度を有するとともに、パーティクルの発生の防止された高強度の磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】ドーナツ状ガラス基板であって、その少なくとも内周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された内周端面が保護膜としてシリコーンレジン、またはポリイミドにより被覆されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板、およびその製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーナツ状ガラス基板であって、その内周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された内周端面がシリコーンレジン、またはポリイミドにより被覆されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
ドーナツ状ガラス基板であって、その内周端面および外周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された内周端面および外周端面がシリコーンレジン、またはポリイミドにより被覆されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面をエッチング処理し、次いでエッチング処理された該ドーナツ状ガラス基板の内周端面をシリコーンレジン、またはポリイミドで被覆することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面および外周端面をエッチング処理し、次いでエッチング処理された該ドーナツ状ガラス基板の内周端面および外周端面をシリコーンレジン、またはポリイミドで被覆することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
少なくとも内周端面がエッチング処理されたドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面にシリコーンレジン、またはポリイミドを含む被覆組成物を塗布し、硬化させて保護膜を形成し、次いで該ドーナツ状ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高強度の磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク記憶装置等に使用される磁気ディスク用の基板としては、従来、主としてアルミニウム合金基板が使用されてきたが、高密度記録化の要請に伴い、アルミニウム合金基板に比較して素材そのものが硬く、かつ平坦性、平滑性に優れたガラス基板が使用され始めている。しかし、脆性材料であるガラスからなる磁気ディスク用ガラス基板は、取扱い時または使用時に破損する場合があり、問題の一つとされている。
【０００３】
ドーナツ状の磁気ディスク用ガラス基板の機械的強度を支配する因子の一つは、磁気ディスク使用中に最大引張応力が発生するガラス基板内周端面に存在する傷である。しかし、磁気ディスク用ガラス基板においては、内周端面および外周端面（以下、これらを合せて内外周端面ともいう。）の面粗さは、きわめて高い平坦度および平滑度が要求される主表面（内外周端面を除く面）と比べて、粗いのが一般的である。その理由は、内外周端面は、そもそもガラス板から円形に切り出し中央部を穿孔した切断面であること、磁気記録に関与しないこと、および曲面であり仕上げ加工コストがきわめて高くなるため仕上げ加工を充分に行いえないこと等である。
【０００４】
内外周端面の傷の深さを低減し機械的強度をより大きくするために、＃５００メッシュよりも細かい砥粒による内外周端面の仕上げ加工も行われているが、それでも内外周端面にかなり傷が残存している。内外周端面の仕上げをより向上させるためには、すなわち粗さをより低減するためには、段階的に粒度の細かい砥粒を用いた多段階加工が必要となる。しかしこの多段階加工には、更に大幅に生産性およびコストを著しく悪化させる問題がある。
【０００５】
従来、磁気ディスク用ガラス基板の機械的強度をより大きくするためには、内外周端面の仕上げを向上させるよりも、イオン交換法と呼ばれる化学強化法を用いるのが一般的である。前記化学強化法とは、ガラスをＫを含む溶融塩、例えば溶融硝酸カリウム塩に浸漬し、ガラス表面のＮａイオンと溶融硝酸カリウム塩のＫイオンとをイオン交換してガラス表面に圧縮応力層を形成してガラスの強度を高める方法である（特許文献１参照）。
しかし、化学強化法により磁気ディスク用ガラス基板の強度向上を図ることができるのは、所定割合のＮａまたはＬｉを含有するガラス基板に対する場合だけである。
【０００６】
こうした化学強化法によりガラス表面に導入される表面圧縮応力層の深さおよび圧縮応力値の大きさは、溶融塩の温度および浸漬時間等の条件によってある程度変化し、溶融塩の温度を高め、浸漬時間を長くすることにより、より高強度化を図れる。しかし、実際にはそれよりもむしろガラス自身の組成に大きく依存する。すなわち、一般に深い圧縮応力層を得、高強度化を得るには、ガラス組成の中でＮａまたはＬｉの含有量を増やす必要がある。
【０００７】
一方、磁気ディスクでは、そのガラス基板表面にきわめて薄い金属または合金の磁性膜が形成されるが、ガラス中のＮａ等のアルカリ金属成分が増加すると、このアルカリ金属成分が前記磁性膜を腐食させる問題がある。
【０００８】
この問題に対する対策として、アルカリ金属成分の磁性膜への侵入を防止する下地層を磁性膜の下に形成することが考えられる（例えば、特許文献２参照）。しかし、この場合下地層を充分厚くすることが必要であり、特に、アルカリ金属成分を多く含むガラスの場合には、下地層の厚さをかなり厚くしなければならない。また、この下地層をスパッタ法、真空蒸着法等によりドーナツ状のガラス基板表面に形成する場合、内外周端面に充分な厚さの下地層を形成するのは難しく、そのため内外周端面近傍の磁性膜は腐食しやすくなる。
【０００９】
このようなアルカリ金属成分による磁性膜の腐食を防止するためには、アルカリ金属含有量が少ないガラスを用いることが好ましい。
一方、ガラス中のＬｉまたはＮａの量を少なくすると、イオン交換により発生するガラス表面の圧縮応力層の深さが小さくなり、ガラス表面に存在する傷の深さよりも小さくなる。そのため化学強化の効果は小さく、充分な強度が得られなくなる問題があった。
【００１０】
更に、磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の剛性が高くその板厚を薄くできる点でも優れている。
しかしガラス基板の板厚が薄い場合、化学強化法によって形成された表面圧縮応力層の深さが過度に大きくなると、ガラス基板の板厚方向の中心部に大きな引張応力が発生し、かえって強度の低下を招くおそれがある。
【００１１】
また、化学強化法では、通常ガラスを４５０℃以上の溶融塩中に浸漬するため、ガラス表面が溶融塩によって汚染され、この溶融塩を除去するために化学強化加工後に研磨を行わなければならなかった。加えて、４５０℃以上という高温で化学強化を行う必要があるためにガラス基板の平坦度が悪化するおそれがあった。
【００１２】
また、化学強化法では、磁気ディスクの製造工程における磁性膜のスパッター成膜工程において、磁気ディスク用ガラス基板の加熱が必要な場合、該基板を加熱する際に化学強化により導入された基板の表面圧縮応力が応力緩和してしまい、強度低下が起こってしまうことが問題となる場合がある。例えば、ガラス基板の歪点の温度以上に加熱する必要がある場合に、この現象が顕著に現れる。例えば、垂直磁性膜を成膜するプロセスでは、ガラス基板を化学強化処理された温度以上の高温にガラス基板を加熱することがあり、応力緩和してしまうという問題がある。
【００１３】
一方、一般のガラス製品の表面処理方法としてフッ酸エッチング処理が広く知られているが、磁気ディスク用ガラス基板に対しては、従来、フッ酸エッチング処理は好ましくないとされている。その理由は、過度のエッチング処理はガラス基板の表面に高い突起を形成するからである。すなわち、磁気ディスク記憶装置では、高速回転する磁気ディスク面から１０〜５０ｎｍ離れた高さを磁気ヘッドが飛行するため、過度のエッチングにより生じた高い突起は、ヘッドクラッシュを引き起こし、磁気ディスクの記録面全体の破壊をもたらすからである。
【００１４】
以上のような問題を解決するガラス基板として、例えば特許文献３には、内周側面または内周側面および内周に沿った表面部に厚さ０．２〜５０μｍの酸化物の連続膜または酸化物を主成分とする連続膜が形成された情報記録ディスク用ガラス基板が開示されている。
【００１５】
前記した酸化物の連続膜または酸化物を主成分とする連続膜は、Ｓｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＺｒのうちの少なくとも１種を含むことが好ましいとされている。また、円形加工された磁気ディスク用ガラス基板をフッ酸またはバッファードフッ酸によってエッチングしたり、硫酸、硝酸等でリーチングした後に前記連続膜を設けることは、傷自体の除去の点でいっそう有効である、と記載されている。
【００１６】
更に、前記連続膜の形成に当っては、溶液またはスラリー状態で塗布し、その後乾燥、熱処理して硬化膜とする、いわゆるウエットプロセスを用いる必要があると記載されている。また、エタノールに分散させたコロイド状シリカと、ケイ酸エチルを硝酸水溶液で加水分解したゾル液とを用いて厚さ２μｍのＳｉＯ2連続膜をガラスディスク表面に形成した実施例や、モノメチルトリメトキシシランと水ガラス系コロイダルシリカと酢酸とを用いて厚さ５μｍの有機基を一部含有したＳｉＯ2連続膜をガラスディスク表面に形成した実施例が記載されている。
【００１７】
しかし、特許文献３に開示された連続膜には水分や有機物が残りやすい。このような連続膜が表面に形成されているガラス基板を磁気ディスク製造工程の真空プロセスに投入すると、連続膜に残存している水分や有機物に起因するガス発生が起こり、磁性膜の性能を低下させるおそれがある。また、前記連続膜を形成するためには、塗布液のｐＨおよび粘度の高精度の調整が必要であり、作業性の点で問題があった。
【００１８】
以上のような問題を解決するガラス基板として、特許文献４には、例えばエッチング処理されたドーナツ状ガラス基板の内周端面にポリシラザンを含む被覆組成物を塗布し、硬化させて、鉛筆引っかき値５Ｈ以上である硬さを有する保護膜を形成し、次にドーナツ状ガラス基板の主表面を研磨する磁気デスク用ガラス基板が開示されている。
【００１９】
前記したポリシラザンは、脆性で熱収縮率がガラスよりも大きいため、形成した膜が硬化する際にガラス基板に応力を発生させてしまい、応力を発生させることでガラス基板強度を低下させる傾向にある。
【００２０】
【特許文献１】特公平３−５２１３０号公報
【特許文献２】特開昭６３−１１２８１９号公報
【特許文献３】特開平２−３０１０１７号公報
【特許文献４】特開平１１−３２８６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は、上記したような問題を解決する高強度の磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、ドーナツ状ガラス基板であって、その内周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された内周端面がシリコーンレジン、またはポリイミド樹脂により被覆されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板を提供する。
【００２３】
また、本発明は、ドーナツ状ガラス基板であって、その内周端面および外周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された内周端面および外周端面がシリコーンレジン、またはポリイミド樹脂により被覆されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板を提供する。
【００２４】
また、本発明は、ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面をエッチング処理し、次いでエッチング処理された該ドーナツ状ガラス基板の内周端面をシリコーンレジン、またはポリイミド樹脂で被覆することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【００２５】
また、本発明は、ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面および外周端面をエッチング処理し、次いでエッチング処理された該ドーナツ状ガラス基板の内周端面および外周端面をシリコーンレジン、またはポリイミド樹脂で被覆することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【００２６】
また、本発明は、少なくとも内周端面がエッチング処理されたドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面にシリコーンレジン、またはポリイミド樹脂を含む被覆組成物を塗布し、硬化させて保護膜を形成し、次いで該ドーナツ状ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、化学強化を必要とはしない充分な強度を有する磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法を提供できる。
【００２８】
本発明の塗布液、すなわちシリコーンレジン、またはポリイミドを含む被覆組成物は、本発明においては塗布液の温度、ｐＨ等の塗布条件に関する制限は比較的少なく作業性に優れる。このように作業性の点での制約が少ないことから保護膜形成装置に対する制約も少なく、該装置選択の幅が広い。
【００２９】
また、磁気ディスクの製造工程におけるスパッター法による磁性膜形成時にガラス基板の高温加熱が必要な場合、化学強化法による強度向上ではガラス基板に導入された圧縮応力が緩和され、強度低下が生じるという問題点があるが、本発明ではそのような問題点も発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明におけるドーナツ状ガラス基板は、ドーナツ状、すなわち所定の半径の円形の円盤の形状を有するガラス基板であり、かつ該円盤の中心部が該円盤の中心と同じ中心を有する円形に穿孔されたものであって、内周端面、外周端面および表裏の主表面を有する円盤状のガラス基板である。
【００３１】
このドーナツ状ガラス基板は寸法に特に限定はないが、例えばその寸法はｍｍ表示で、（ａ）内径２０、外径６５、板厚０．６３５、（ｂ）内径２５、外径８４、板厚０．６３５、（ｃ）内径２５、外径９５、板厚０．８、（ｄ）内径２５、外径８４、板厚１．０、または（ｅ）内径２５、外径９５、板厚１．０、（ｆ）内径７．０、外径２７．１、板厚０．３８、（ｇ）内径１２．０、外径４８．０、板厚０．５５、等である。
【００３２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板においては、ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面がエッチング処理されており、かつエッチング処理された少なくとも該内周端面がシリコーンレジンまたはポリイミド樹脂により形成された保護膜により被覆されている。これにより内周端面に傷がつきにくくなり、内周端面が平滑化されている。
【００３３】
前記エッチング処理には、一般的なガラスのエッチング方法であるエッチング液を用いたウェットエッチング方法、エッチングガスを用いたドライエッチング方法、等が使用できる。中でも、フッ酸液、フツ硫酸液、ケイフッ化水素酸などのエッチング液を用いたウェットエッチング方法が好適に使用できるが、フツ硫酸液を用いた方法が特に好適に使用できる。このエッチング処理は、ドーナツ状ガラス基板をエッチング処理液中に浸漬して行う方法が一般的であるが、スプレー法、その他の処理方法でも可能である。このエッチング処理は、ドーナツ状ガラス基板の内周端面に施すのが必須であるが、好ましくは内周端面および外周端面の両方に施すのが好ましい。なお、このエッチング処理は、ガラス基板表面に過度のエッチングにより高い突起を形成しない範囲で行うのが好ましい。
【００３４】
また、エッチング処理に先立って、ドーナツ状ガラス基板の内外周端面、特に内周端面を＃２００〜＃１０００メッシュ程度の砥粒により仕上げ加工を行うことが好ましい。更に必要に応じて、ドーナツ状ガラス基板の内外周端に面取り加工を施す。更に、酸化セリウム等の研磨材を用いて、内外周端面および内外周端の面取り加工面の鏡面仕上げ加工を行うことがより好ましい。
【００３５】
エッチング処理により、ドーナツ状ガラス基板の曲げ強度を支配する内外周端面に存在する深い傷、特に曲げ強度をより強く支配する内周端面の深い傷を除去できる。
【００３６】
エッチング処理によるガラス基板表面のエッチング量、即ちエッチング処理によるガラス表面の除去の厚さであるエッチング深さは、好ましくは８〜４０μｍである。８μｍ未満では、特に内周端面に存在する深い傷の除去が不充分となり、機械的強度が低下するおそれがある。４０μｍ超では、ガラス基板表面に高い突起を形成するおそれがある。
【００３７】
前記保護膜の一つの具体例としては、シリコーンレジンを含む被覆組成物（以下、シリコーンレジン系被覆組成物という。）を硬化させた膜を使用することができる。シリコーンレジンの分子構造において、主骨格を形成するシロキサン結合は結合エネルギーが大きく、熱分解温度が高いため非常に耐熱性に優れており、その結果磁気ディスク製造工程で基板を加熱する工程があっても加熱によるガス発生のおそれが少なく、磁性膜の性能を低下させるおそれが少ない。また、シリコーンレジンはポリシラザンに比べ延性であるため、ポリシラザンよりもガラス基板に対して発生応力が小さく、基板強度を低下させるおそれが少ない。
【００３８】
前記シリコーンレジンにおいて、ガラス基板の熱収縮率とシリコーンレジンの収縮率との差が小さい事が好ましい。更には、シリコーンレジンの熱収縮率がガラス基板の熱収縮率よりも大きい事がより好ましい。
【００３９】
シリコーンレジンには大別して、シリコーン本来の性質を利用したストレートシリコーンレジンと他の樹脂の多様な特徴を変性することによって加えられた変性シリコーンレジンがある。更に、ストレートシリコーンレジンはメチルシリコーンレジンとメチルフェニルシリコーンレジンに分けられ、変性シリコーンレジンには、代表的なものにアルキッド変性、エポキシ変性、アクリル変性、ポリエステル変性などがあり、これらを本発明におけるシリコーンレジンとして使用できる。
【００４０】
前記シリコーンレジンの中で、ストレートシリコーンレジンは難燃性に優れている点で、本発明においては特に望ましい。更には、ストレートレジンの中でもメチルフェニルシリコーンレジンは、特に難燃性に優れることから、本発明においては特に好ましい。
【００４１】
前記保護膜のもう一つの具体例としては、ポリイミド樹脂を含む被覆組成物（以下、ポリイミド樹脂系被覆組成物という。）を硬化させた膜を使用することができる。ポリイミド樹脂は有機高分子の中で特に高い耐熱性を有し、また、難燃性、強度特性、寸法安定性を有する事から、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面、更には外周端面の保護膜として非常に適している。
前記ポリイミド樹脂において、ガラス基板の熱収縮率とポリイミド樹脂の収縮率との差が小さい事が好ましい。更には、ポリイミド樹脂の熱収縮率がガラス基板の熱収縮率よりも大きい事がより好ましい。
【００４２】
前記シリコーンレジン系被覆組成物は、シリコーンレジン以外に通常は溶剤を含む。また、溶剤以外に触媒やその他の添加剤を含んでも良い。また、ポリイミド樹脂系被覆組成物についても同様に、通常は溶剤を含み、溶剤以外に触媒やその他の添加剤を含んでも良い。
【００４３】
前記硬化性被膜組成物を硬化して得られる保護膜の厚さは、０．５μｍ以上であることが好ましい。０．５μｍ未満では、耐擦傷性向上効果が不十分となるおそれがある。前記硬化性被覆組成物を硬化させて得られる保護膜のより好ましい厚さは、１．０μｍ以上、特に好ましくは２．０μｍ以上である。
【００４４】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ドーナツ状ガラス基板の少なくとも内周端面に前記エッチング処理を施し、次いで少なくとも内周端面を保護膜で被覆することを特徴とするものである。
【００４５】
シリコーンレジン系被覆組成物、またはポリイミド樹脂系被覆組成物のドーナツ状ガラス基板の内周端面、または内周端面および外周端面への被覆は、塗布法を用いて上記被覆組成物の塗布液を塗布し、次いで焼成等により硬化させて保護膜とするのが好ましい。この塗布を行う場合、内周端面に行うことは必須である。なお、外周端面にも塗布することがより好ましい。この場合、塗布液が内周端面または内外周端面からはみだして内周端面の周辺、外周端面の周辺の主表面側に及んでも構わない。
【００４６】
塗布法としては、例えば次のような方法が挙げられる。
（１）刷毛を用いて内周端面、または内周端面および外周端面に塗布する刷毛塗り法。
（２）発泡プラスチック等からなるローラブラシの多孔質表面に塗布液を供給し、該ローラブラシのロールを１０〜６０ｒｐｍで回転させながら、ドーナツ状ガラス基板の内周端面、または内周端面および外周端面に接触させて塗布液を転写・塗布するローラ塗り法。この場合、ドーナツ状ガラス基板も真空吸着して保持し、３０〜５０ｒｐｍで回転させることが好ましい。
（３）ドーナツ状ガラス基板を真空吸着して１０〜２００ｒｐｍで回転させながらその内周端面、または内周端面および外周端面に、ディスペンサにより所定量の塗布液を供給・塗布する直接塗り法。
【００４７】
（４）ドーナツ状ガラス基板を５〜５０ｒｐｍで回転させながら、その内周部、または内周端面および外周部に、スプレイノズルにより噴霧した塗布液を供給・塗布するスプレイ法。
【００４８】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板に用いることができるガラスの種類としては、特に限定されないが、耐候性向上のためには以下のような特性を有するガラスが好ましい。
耐水性：８０℃の水にガラスを２４時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量（溶出量）が０．０２ｍｇ／ｃｍ2以下。
【００４９】
耐酸性：８０℃の０．１規定塩酸水溶液にガラスを２４時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量（溶出量）が０．０６ｍｇ／ｃｍ2以下。
【００５０】
耐アルカリ性：８０℃の０．１規定水酸化ナトリウム水溶液にガラスを２４時間浸漬したときの、ガラスからの成分溶出にともなうガラスの減量（溶出量）が１ｍｇ／ｃｍ2以下、より好ましくは０．１８ｍｇ／ｃｍ2以下。
【００５１】
また、本発明においては化学強化法の使用は必須ではないので、ガラスの組成として化学強化を可能にするという観点からのＮａやＬｉ等のアルカリ金属の含有量下限値は存在しない。本発明の磁気ディスク用ガラス基板に用いることができるガラスとして、アルカリ金属酸化物含有量が１〜２０重量％のガラス、例えばソーダライムシリカガラス、アルミナシリケートガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス等が例示される。
【実施例】
【００５２】
（例１）
酸化物換算の質量％で表示した組成が、ＳｉＯ2：５６．０％、Ｂ2Ｏ3：６．０％、Ａｌ2Ｏ3：１１．０％、Ｆｅ2Ｏ3：０．０５％、Ｎａ2Ｏ：０．１％、ＭｇＯ：２％、ＣａＯ：３％、ＢａＯ：１５．０％、ＳｒＯ：６．５％であるガラスＡからなる、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．９ｍｍのドーナツ状ガラス基板を用意した。このガラスの耐水性、耐酸性、耐アルカリ性の各試験における溶出量（単位：ｍｇ／ｃｍ2）はそれぞれ、０．０１、０．０３、０．６７であった。
【００５３】
前記ドーナツ状ガラス基板の内外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行い、内外周の同心度（内周円と外周円の中心間の距離）が２５μｍ以下、真円度がそれぞれ２５μｍ以下となるようにした。次いで、平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いて同ガラス基板の表裏の主表面のラップ研磨を行い、厚さが約０．７ｍｍになるまで研削した。このガラス板を更に、フッ酸と硫酸をそれぞれ５％含むフツ硫酸液中に１０分間浸漬し、エッチング深さ約２５μｍのエッチング処理を行った。
【００５４】
次に、このエッチング処理を行ったガラス板の内外周端面に、シリコーンレジン系被覆組成物として、メチルフェニルシリコーンレジン（信越化学工業（株）製、商品名「ＫＲ３１１」）のキシレン溶液（固形分濃度７重量％）を刷毛塗りした。この後、２１０〜２２０℃で２０〜３０分間、オーブンで乾燥させた後、３５０℃で３０分間オーブンにて硬化させた。これによって形成された被膜の厚さは、平均２〜３μｍであった。この様にして得られたサンプルをサンプルＮｏ．１とする。
【００５５】
この後、この保護膜付磁気ディスク用ガラス基板の表裏の主表面を平均粒径２．５μｍの酸化セリウムを用いてポリッシュ研磨を行い、基板の厚さを約０．６３５ｍｍとした。この際、内外周端面からはみ出した被膜も同時に除去された。
【００５６】
このドーナツ状ガラス基板（シリコーンレジンコート品）について、下記加傷テストを行った。サンプル数は５である。比較のために、上記した方法と同様にして得られたものであるが、エッチング処理まで行った後、シリコーンレジン系被覆組成物の塗布を行わなかったドーナツ状ガラス基板（未コート品、これをサンプルＮｏ．１０という。比較例）についても下記加傷テストを行った。サンプルＮｏ．１および１０のサンプル数は、夫々５枚とした。これらサンプルについて加傷テストを行った結果、すなわち各サンプルの破壊応力（単位：ｋｇｆ/ｍｍ２）の平均値を表１に示す。
【００５７】
本発明の実施例であるシリコーンレジンコート品（サンプルＮｏ．１）の破壊応力は、最小値：１２．８、平均値：２７．９であるのに対し、比較例である未コート品（サンプルＮｏ．１０）は、最小値：９．３、平均値：１２．７であり、明らかにコート品の強度の方が高い。
【００５８】
（例２）
例１と同様なガラスＡを用いて、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．９ｍｍのドーナツ状ガラス基板を用意した。このドーナツ状ガラス基板について、例１と同様にして、仕上げ研磨、ラップ研磨、エッチング処理を行った。
【００５９】
エッチング処理を行ったドーナツ状ガラス基板の内周端面に、ポリイミド樹脂系被覆組成物として、ポリイミド樹脂（日立化成デュポンマイクロシステムズ（株）製、商品名「パイラリンＰＩ２６１１」）のＮメチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２０重量％）を刷毛塗りした。この後、２１０〜２２０℃で２０〜３０分間、オーブンで乾燥させた後、３５０℃で３０分間オーブンにて硬化させた。これによって形成された保護膜の厚さは、平均２〜３μｍであった。この様にして得られたサンプルをサンプルＮｏ．２とする。
【００６０】
このドーナツ状ガラス基板（ポリイミド樹脂コート品）について、同様の加傷テストを行った。比較のために、上記した方法と同様にして得られたものであるが、エッチング処理まで行った後、ポリイミド樹脂系被覆組成物の塗布を行わなかったドーナツ状ガラス基板（未コート品、これをサンプルＮｏ．１１という。比較例）についても同様の加傷テストを行った。サンプルＮｏ．２および１１のサンプル数は、夫々５枚とした。加傷テストの結果、すなわち破壊応力（単位：ｋｇｆ/ｍｍ２）を表２に示す。
【００６１】
本発明の実施例であるポリイミド樹脂コート品（サンプルＮｏ．２）の破壊応力は、最小値：２５．２、平均値：４０．７であるのに対し、比較例である未コート品（サンプルＮｏ．１１）は、最小値：９．２、平均値：１３．２であり、明らかにコート品の強度の方が高い。
【００６２】
（加傷テスト）
ステンレス鋼製の円柱状の棒（直径：８ｍｍ）をドーナツ状のガラス基板の内周部に通し、ガラス基板内周部表面から前記棒の表面までの高さが５ｍｍの位置から落下させ、ガラス基板内周部に衝撃を加えた。これを内周部に衝撃が加わる位置を変更しながら２０回繰り返した。
以上のようにして加傷したサンプルの破壊応力を、（株）島津製作所製の強度試験機（商品名：ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ）を用いて測定した。すなわち、サンプルの内周上に直径３６ｍｍのステンレス鋼製の球をセットし、該球を介して３０ｍｍ／分の押し込み速度で加圧してサンプルを破壊し、ロードセルで検出したサンプル破壊時の荷重から破壊応力を算出した。
【００６３】
【表１】
2005203080.tif 000002
【００６４】
【表２】
2005203080.tif 000003
【００６５】
（例３）
例１と同様なガラスＡを用いて、外径６５ｍｍ、厚さ０．９ｍｍの円盤状ガラス基板（内孔なし）を用意した。この円盤状ガラス基板の外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行った。次いで、平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いて同ガラス基板の表裏の主表面のラップ研磨を行い、円盤状ガラス基板の主表面を厚さが約０．７ｍｍになるまで研削した。このガラス板を更に、フッ酸と硫酸をそれぞれ５％含むフツ硫酸液中に１０分間浸漬し、円盤状ガラス基板の全体をエッチング深さ約１２．５μｍのエッチング処理を行った。
次に、このエッチング処理を行ったガラス板の主表面に、シリコーンレジン系被覆組成物として、メチルフェニルシリコーンレジン（信越化学工業（株）製、商品名「ＫＲ２８２」）のキシレン溶液（固形分濃度７重量％）を刷毛塗りした。この後、２１０〜２２０℃で２０〜３０分間、オーブンで乾燥させた後、３５０℃で３０分間オーブンにて硬化させた。これによって形成された被膜の厚さは、平均２〜３μｍであった。このようにして得られたサンプルをサンプルＮｏ．３という。なお、サンプルＮｏ．３のサンプル数は、５枚とした。
【００６６】
（例４）
例１と同様なガラスＡを用いて、外径６５ｍｍ、厚さ０．９ｍｍの円盤状ガラス基板（内孔なし）を用意した。この円盤状ガラス基板の外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行った。次いで、平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いて同ガラス基板の表裏の主表面のラップ研磨を行い、円盤状ガラス基板の主表面を厚さが約０．７ｍｍになるまで研削した。このガラス板を更に、フッ酸と硫酸をそれぞれ５％含むフツ硫酸液中に１０分間浸漬し、円盤状ガラス基板全体をエッチング深さ約１２．５μｍのエッチング処理を行った。
次に、このエッチング処理を行ったガラス板の主表面に、ポリイミド樹脂系被覆組成物として、ポリイミド樹脂（日立化成デュポンマイクロシステムズ（株）製、商品名「パイラリンＰ９１８６」）のＮメチル−２−ピロリドン溶液（固形分濃度２０重量％）を刷毛塗りした。この後、２１０〜２２０℃で２０〜３０分間、オーブンで乾燥させた後、３５０℃で３０分間オーブンにて硬化させた。これによって形成された保護膜の厚さは、平均２〜３μｍであった。このようにして得られたサンプルをサンプルＮｏ．４という。サンプルＮｏ．４のサンプル数は、５枚とした。
【００６７】
比較のために、上記円盤状ガラス基板の外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行った。次いで、平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いてラップ研磨を行い、円盤状ガラス基板の主表面を厚さが約０．７ｍｍになるまで研削して、サンプルＮｏ．１２（比較例、エッチング処理なし、コート処理なしのサンプル）を得た。
【００６８】
また、上記円盤状ガラス基板の外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行った。次いで平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いてラップ研磨を行い、円盤状ガラス基板の表裏の主表面を厚さが約０．７ｍｍになるまで研削し、更にこのガラス板をフッ酸と硫酸をそれぞれ５％含むフツ硫酸液中に１０分間浸漬し、円盤状ガラス基板全体をエッチング深さ約１２．５μｍのエッチング処理を行ってサンプルＮｏ．１３（比較例、エッチング処理あり、コートなしサンプル）を得た。
【００６９】
また、上記円盤状ガラス基板の外周端面を＃５００メッシュアンダーのダイヤモンド砥粒を用いて仕上げ研磨を行い、更に酸化セリウムを用いて鏡面仕上げ加工を行なった。次いで、平均粒径９μｍのアルミナ砥粒を用いてラップ研磨を行い、円盤状ガラス基板の主表面を厚さが約０．７ｍｍになるまで研削し、次いで円盤状ガラス板の主表面に、シリコーンレジン系被覆組成物として、メチルフェニルシリコーンレジン（信越化学工業（株）製、商品名「ＫＲ２８２」のキシレン溶液（固形分濃度７重量％）を刷毛塗りした。この後、２１０〜２２０℃で２０〜３０分間、オーブンで乾燥させた後、３５０℃で３０分間オーブンにて硬化させた。これによって形成された保護膜の厚さは、平均２〜３μｍであった。このようにして、サンプルＮｏ．１４（比較例、エッチング処理なし、コート処理ありサンプル）を得た。
【００７０】
これらサンプルＮｏ．３、４およびサンプルＮｏ．１２、１３、１４について、下記落球試験を行った。
（落球試験方法）サンプルの中央に高さ０ｍｍと高さ８ｍｍから質量５．５ｇの鉄球を落下させ、落下時のサンプルの破壊強度を（株）島津製作所製の強度試験機（商品名：ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ）をもって測定した結果を表３に示す。破壊強度としては、平均値を示す。なお、サンプル数については、表３に記載した通りである。
【００７１】
サンプルＮｏ．３についての落球試験結果から明らかなように、落球高さが０ｍｍときは１４８．０ｋｇｆであるのに対し、落球高さが８ｍｍときは１３６．９ｋｇｆと、またサンプルＮｏ．４についての落球試験結果から明らかなように、落球高さが０ｍｍときは１８５．９ｋｇｆであるのに対し、落球高さが８ｍｍときは１６０．３ｋｇｆと、強度低下の割合が夫々７．５％、１３．８％と少ない。一方、比較例であるサンプルＮｏ１２については、強度低下の割合が６４．７％、サンプルＮｏ．１３については、強度低下の割合が４５．７％、サンプルＮｏ．１４については、強度低下の割合が６４．７％とサンプルＮｏ．３、４に比較して、強度低下割合が著しく高い。
【００７２】
【表３】
2005203080.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、磁気ディスクを製造するために使用される高強度の磁気ディスク用ガラス基板を化学強化法を用いず提供することができる。そして、この磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面、または内周端面および外周端面に優れた特性の保護膜が形成されて、平滑化されているので、サーマル・アスペリティの原因となる端面からのパーティクルの発生を防止することもできる。