(57)【要約】【課題】  導電性材料と光反射層を構成する材料との合金化を回避でき、光放射効率および発光効率に優れる発光装置を提供する。【解決手段】  サブマウント素子３の表面に設けられる配線層３Ａ、３Ｂは、サブマウント素子３上に導電層として設けられるＡｕ層３２と、Ａｕ層３２上に設けられて光反射層を形成するＣｒ層３１を有する。Ｃｒ層３１にはＡｕバンプ４によるＡｕ層３２への接合を行うためのパターン除去部３１Ａが形成されている。このような構成によると、Ａｕ層３２とＣｒ層３１とが合金を生じることがないため、光反射性を確保しながらエッチングレートの低下に伴う残差の発生を抑制でき、電極パターンの短絡等を防いで信頼性に優れる発光装置１が得られる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上にフリップチップ接合されるＬＥＤ素子を有した発光装置において、
前記支持体上に設けられて前記ＬＥＤ素子の電極と電気的に接続される導電層と、前記導電層上に設けられて前記ＬＥＤ素子から放射される光を反射する光反射性を有し、前記導電層との非合金形成性を示す材料層とからなる配線層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記配線層は、前記支持体上に前記導電層として設けられるＡｕ層と、
前記材料層として前記Ａｕ層に積層されるＣｒ層とからなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記配線層は、前記支持体上に前記導電層として設けられるＡｕ層と、
前記材料層として前記Ａｕ層に積層されるＡｇ合金層とからなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記材料層は、光反射性を有する第１の材料層と、
前記第１の材料層に積層されて前記導電層との非合金形成性を示す第２の材料層とからなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の材料層は、Ａｌ層又はＡｇ合金層によって形成されることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の材料層は、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｒ、Ｔｉ、あるいはＴｉＮの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項７】
前記導電層は、Ａｕ、Ｐｔ、およびＴｉを積層して形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項８】
支持体上にフリップチップ接合されるＬＥＤ素子を有した発光装置において、
前記支持体上に配線パターンに応じて設けられて前記ＬＥＤ素子の電極と電気的に接続される光反射性の導電層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記導電層は、耐酸化性を有するＡｇ合金層によって形成されることを特徴とする請求項８記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に、フリップチップ接合されるＬＥＤ素子の電機接続性を阻害することなく、電極形成面側に放射される光を有効に利用することのできる発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode：発光ダイオード）素子を用いた発光装置において、電極形成面と反対側に設けられるサファイア等の透光性基板側から光を放射させるフリップチップ型のＬＥＤ素子を用いた発光装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載される発光装置は、ＬＥＤ素子に形成される正電極および負電極を熱伝導性に優れる支持体に対向させて第１の電極を介してマウントしている。支持体の表面には、第１の層と、中間層と、第２の層とを積層した第２の電極が設けられている。支持体側に設けられる第１の層は、支持体の表面と密着性の良い金属からなり、ＬＥＤ素子側に設けられる第２の層は、第１の電極と接着性の良い金属を選択して形成されている。中間層は、第１の層および第２の層が合金化することを防止する。
【０００４】
また、支持体に搭載するフリップチップ型ＬＥＤ素子について、電極形成面側に放射される光を有効に利用するために、支持体の表面に設けられる導電性材料上にアルミニウム等の光反射層を積層して電極形成面側に放射された光を反射させることにより、放射効率を向上させるものが知られている。
【特許文献１】特開平９−２９８３１０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の発光装置によると、光反射層を構成する材料と電極を構成する導電性材料の組み合わせによっては合金が形成されるため、パターン形成時のエッチングにおいてエッチングレートの低下に基づく残差が生じ、短絡等の信頼性低下を招くことがある。この残差がバンプ接合部分に介在するとコンタクト抵抗が増加し、その結果、発光効率の低下が生じるという問題もある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、導電性材料と光反射層を構成する材料との合金化を回避でき、光放射効率および発光効率に優れる発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するため、支持体上にフリップチップ接合されるＬＥＤ素子を有した発光装置において、前記支持体上に設けられて前記ＬＥＤ素子の電極と電気的に接続される導電層と、前記導電層上に設けられて前記ＬＥＤ素子から放射される光を反射する光反射性を有し、前記導電層との非合金形成性を示す材料層とからなる配線層を有することを特徴とする発光装置を提供する。
【０００８】
前記配線層は、前記支持体上に前記導電層として設けられるＡｕ層と、前記材料層として前記Ａｕ層に積層されるＣｒ層とからなる構成とすることができる。
【０００９】
前記配線層は、前記支持体上に前記導電層として設けられるＡｕ層と、前記材料層として前記Ａｕ層に積層されるＡｇ合金層とからなる構成とすることができる。
【００１０】
前記材料層は、光反射性を有する第１の材料層と、前記第１の材料層に積層されて前記導電層との非合金形成性を示す第２の材料層とからなる構成とすることができる。
【００１１】
前記第１の材料層は、Ａｌ又はＡｇ合金層によって形成することができる。
【００１２】
前記第２の材料層は、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｒ、Ｔｉ、あるいはＴｉＮの少なくとも１つからなる構成を有していても良い。
【００１３】
前記導電層は、Ａｕ、Ｐｔ、およびＴｉを積層して形成されても良い。
【００１４】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、支持体上にフリップチップ接合されるＬＥＤ素子を有した発光装置において、
前記支持体上に配線パターンに応じて設けられて前記ＬＥＤ素子の電極と電気的に接続される光反射性の導電層を有することを特徴とする発光装置を提供する。
【００１５】
前記導電層は、耐酸化性を有するＡｇ合金層によって形成されても良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の発光装置によれば、支持体上に設けられる配線層を、導電層と、導電層との非合金形成性を示す材料層とで形成するようにしたため、合金化を回避でき、光放射効率および発光効率を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の発光装置によれば、前記支持体上に配線パターンに応じて設けられる導電層に光反射性を付与するようにしたため、光放射効率および発光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表面実装型発光装置の断面図である。この発光装置１は、ＧａＮ系半導体化合物からなるフリップチップタイプのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載するサブマウント素子３と、ＬＥＤ素子２の電極とサブマウント素子３の配線層３Ａ、３Ｂとを電気的に接合するスタッドバンプであるＡｕバンプ４と、ＬＥＤ素子２を外部回路と電気的に接続するための配線パターン５Ａ、５Ｂを有する基板部５と、サブマウント素子３の配線層３Ａ、３Ｂと配線パターン５Ａ、５Ｂとを電気的に接続するワイヤ６と、光を外部に放射させるように傾斜形状に形成される反射面７Ａを有し、アクリル樹脂等の樹脂材料で形成されるケース部７と、ケース部７のＬＥＤ素子収容部に注入されてＬＥＤ素子２およびサブマウント素子３を封止する樹脂封止部８によって構成されている。
【００１９】
ＬＥＤ素子２は、サファイア基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によってｎ型層、発光層を含む層、およびｐ型層を結晶成長させることによって形成されており、発光波長４５０〜４８０ｎｍの青色光を主としてサファイア基板側から放射するように形成されている。
【００２０】
サブマウント素子３は、熱伝導性に優れる窒化アルミニウム（ＡｌＮ）によって形成されており、配線層３Ａ、３Ｂは、ＬＥＤ素子２から放射された光を反射する光反射性を有する材料層を表面に有している。
【００２１】
基板部５は、ガラスエポキシ材料によって形成されており、銅箔によって外周を覆うように設けられる配線パターン５Ａ、５Ｂを有している。配線パターン５Ａ、５Ｂは、基板部５の上面から側面、および底部にかけて設けられており、半田接合等によって図示しない外部回路への表面実装が可能である。
【００２２】
ケース部７は、基板部５上に貼り付け固定されており、反射面７Ａを側面とする窪みの内部にＬＥＤ素子２、サブマウント素子３、および樹脂封止部８を有している。反射面７Ａは、スパッタリングによって表面にアルミニウムの薄膜を光反射膜として形成されている。
【００２３】
樹脂封止部８は、光透過性および成形性に優れるエポキシ樹脂によって形成されている。
【００２４】
図２は、ＬＥＤ素子２およびサブマウント素子３の拡大された縦断面図である。ＬＥＤ素子２は、サファイア基板２０上にバッファ層２１と、ｎ型ＧａＮ層２２と、発光層を有する多層２３と、ｐ型ＧａＮ層２４とを結晶成長させることによって形成されており、更に、ｐ型ＧａＮ層２４上にｐ電極２５と、ｎ型ＧａＮ層２２の露出部にｎ電極２６とが設けられている。
【００２５】
サブマウント素子３の表面に設けられる配線層３Ａ、３Ｂは、サブマウント素子３上に導電層として設けられるＡｕ層３２と、Ａｕ層３２上に設けられて光反射層を形成するＣｒ層３１を有し、Ｃｒ層３１にはＡｕバンプ４によるＡｕ層３２への接合を行うためのパターン除去部３１Aが形成されている。
【００２６】
次に、第１の実施の形態に係るサブマウント素子３の製造工程について、図１および図２を参照しつつ以下に説明する。
【００２７】
図３は、サブマウント素子の製造工程フローである。まず、ＡｌＮからなる基板材の表面に蒸着によって導電層となるＡｕ層３２を形成する（Ｓ１）。次に、Ｃｒターゲットを使い、Ａｒガス１０-7Ｔｏｒｒの条件でマグネトロンスパッタ法によってＡｕ層３２上にＣｒ層３１を形成する（Ｓ２）。次に、Ｃｒ層３１上に電極パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ３）。次に、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液でＣｒ層３１をエッチングし、更に、王水でＡｕ層３２をエッチングする（Ｓ４）。このエッチングによって電極パターンが形成される（Ｓ５）。次に、Ｃｒ層３１上にＡｕバンプ４の接合パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ６）。次に、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液を用いてＣｒ層３１をエッチングする（Ｓ７）。このエッチングによってＡｕバンプ４の接合パターンに応じたパターン除去部３１Ａがバンプ接合パターンとして形成される（Ｓ８）。次に、Ｃｒ層３１上のレジストを除去し、パターン除去部３１Ａの位置にＡｕバンプ４を形成する。次に、基板材をダイサーでダイシングすることによりサブマウント素子３として切り出す（Ｓ９）。
【００２８】
上記した製造工程に基づいて形成されたサブマウント素子３に対し、ＬＥＤ素子２のｐ電極２５とｎ電極２６とをＡｕバンプ４に位置決めして超音波接合を行うことにより接合する。
【００２９】
ＬＥＤ素子２を接合されたサブマウント素子３は、ケース部７の底部、すなわち、配線パターン５Ａおよび５Ｂの露出した基板部５の表面に接着される。サブマウント素子３の配線層３Ａ、３Ｂは、ワイヤ６によって基板部５の配線パターン５Ａ、５Ｂに電気的に接続される。最後に、反射面７Ａを含むケース部７の内側にエポキシ樹脂を注入して一体的に封止することにより、樹脂封止部８を形成する。
【００３０】
次に、第１の実施の形態の発光装置１の動作について以下に説明する。
【００３１】
発光装置１の配線パターン５Ａおよび５Ｂを図示しない電源装置に接続して通電することにより、ＬＥＤ素子２は多層２３の発光層において発光し、主として発光層の上側に配置されるサファイア基板から外部に光を放射する。サファイア基板側から放射された光は、樹脂封止部８を介してケース部７の外部に放射される。また、ケース部７の反射面７Ａは、ＬＥＤ素子２から放射された光を反射してケース部７の外部に放射させる。また、ＬＥＤ素子２からサブマウント素子３側に放射された光は、配線層３Ａ、３ＢのＣｒ層３１によって反射されることにより樹脂封止部８を介してケース部７の外部に放射される。
【００３２】
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）配線層３Ａ、３Ｂの表面にＡｕ層３２と合金を生じることのないＣｒ層３１を光反射層として設けたため、光反射性を確保しながらエッチングレートの低下に伴う残差の発生を抑制でき、電極パターンの短絡等を防いで信頼性に優れ、光放射効率に優れる発光装置１を提供することができる。
（２）光反射層とＡｕ層３２とが合金化しないため、ＬＥＤ素子２とサブマウント素子３とのバンプ接合部に合金が介在せず、そのことによってコンタクト抵抗の増大を回避でき、発光効率に優れる発光装置１を提供することができる。
【００３３】
また、本発明者は、比較例を作成して上記したＬＥＤ素子２およびサブマウント素子３との比較を行った。比較例は、ＡｌＮからなる基板材の表面に蒸着によって導電層となるＡｕ層を形成し、その表面に光反射層としてのＡｌ層を蒸着した後にフォトレジストによって電極パターンを形成した。次に、水酸化ナトリウムの水溶液でＡｌ層をエッチングしたところ、Ａｌ−Ａｕの化合物が残差として部分的に生じてしまうことを確認した。
【００３４】
更に、上記したＡｌ層上にＡｕバンプ４の接合パターンに応じたフォトレジストを形成し、水酸化ナトリウムの水溶液でＡｌ層をエッチングしたところ、エッチングによって形成されたパターン除去部３１ＡにＡｌ−Ａｕの化合物による残差が残った。この状態でＡｕバンプ４を形成し、ＬＥＤ素子２のｐ電極２５およびｎ電極２６を超音波接合したが、コンタクト抵抗が大になって十分な光度を得ることはできなかった。
【００３５】
なお、第１の実施の形態では、導電層としてＡｕ層を設けた構成を説明したが、その他の構成としてサブマウント素子３側から順にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを積層した導電層を用いるものであっても良い。
【００３６】
また、第１の実施の形態では、導電層と光反射層からなる配線層を設けた基板材を切り出してサブマウント素子３を形成したが、例えば、基板材の状態でＡｕバンプ４を介してＬＥＤ素子２の接合を行った後にダイサー等で素子単位に切断するようにしても良い。
【００３７】
また、ＬＥＤ素子２については、ＧａＮをエピタキシャル成長できる成長方法であれば上記したＭＯＣＶＤ法に限定されず、例えば、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）やハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）により製造することもできる。また、ＬＥＤ素子２の種類についてもフリップチップ型のものであればＧａＮ系ＬＥＤ素子に限定されない。
【００３８】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。この発光装置１では、サブマウント素子３の表面にＡｕ層３２と酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）からなるバリアメタル層３３とＡｌ層３４とを積層してなる配線層３Ａ、３Ｂを有し、表層のＡｌ層３４が光反射層となる構成において、第１の実施の形態と相違している。その他、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。
【００３９】
次に、第２の実施の形態に係るサブマウント素子３の製造工程について、以下に説明する。
【００４０】
図５は、サブマウント素子の製造工程フローである。まず、ＡｌＮからなる基板材の表面に蒸着によって導電層となるＡｕ層３２を形成する（Ｓ１）。次に、Ｃｒターゲットを使い、Ａｒ／Ｎ2／Ｏ2の混合ガス１０-7Ｔｏｒｒの条件でマグネトロンスパッタ法によってＡｕ層３２上に酸化クロムのバリアメタル層３３を形成する（Ｓ２）。次に、バリアメタル層３３上に蒸着法によってＡｌ層３４を形成する（Ｓ３）。次に、Ａｌ層３４上に電極パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ４）。次に、水酸化ナトリウムの水溶液でＡｌ層３４をエッチングし、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液を用いてバリアメタル層３３をエッチングし、更に、王水でＡｕ層３２をエッチングする（Ｓ５）。このエッチングによって電極パターンが形成される（Ｓ６）。次に、Ａｌ層３４上にＡｕバンプ４の接合パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ７）。次に、水酸化ナトリウムの水溶液でＡｌ層３４をエッチングし、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液を用いてバリアメタル層３３をエッチングする（Ｓ８）。このエッチングによってＡｕバンプ４の接合パターンに応じたパターン除去部３５がバンプ接合パターンとして形成される（Ｓ９）。次に、Ａｌ層３４上のレジストを除去し、パターン除去部３５の位置にＡｕバンプ４を形成する。次に、基板材をダイサーでダイシングすることによりサブマウント素子３として切り出す（Ｓ１０）。
【００４１】
上記した第２の実施の形態によると、第１の形態の好ましい効果に加えて以下の効果が得られる。
（１）配線層３Ａ、３Ｂの表面にバリアメタル層３３を介してＡｕ層３２とＡｌ層３４とを積層したため、Ａｌ層３４の光反射性に基づいて反射光を有効利用することができる。
（２）バリアメタル層３３を介在させることによってＡｕ層３２とＡｌ層３４とが接触しないため、ＡｕとＡｌとの接触に基づく合金の形成を回避でき、その結果、残差の発生やコンタクト抵抗の増大を抑制して信頼性を向上させることができる。また、光反射性に応じた所望の金属材料を選択して積層することが可能になる。
【００４２】
なお、第２の実施の形態では、バリアメタル層３３を酸化クロムで形成した構成について説明したが、例えば、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、あるいはチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の材料を単独で、あるいは積層して用いることによってバリアメタル層３３を形成しても同様の効果を奏することができる。
【００４３】
また、導電層としてのＡｕ層についても第１の実施の形態と同様に、サブマウント素子３側から順にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを積層した導電層を用いるものであっても良い。
【００４４】
また、光反射層としてＡｌ層３４を設ける構成についても、Ａｕ層３２と合金を形成しない他の材料による光反射層を設けることも可能であり、例えば、耐酸化性を有したＡｇ合金等を用いることができる。
【００４５】
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。この発光装置１では、サブマウント素子３の表面にＡｕ層３２と耐酸化性を有するＡｇ合金層３６とを積層してなる配線層３Ａ、３Ｂを有し、表層のＡｇ合金層３６が光反射層となる構成において、第１の実施の形態と相違している。その他、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。
【００４６】
次に、第３の実施の形態に係るサブマウント素子３の製造工程について、以下に説明する。
【００４７】
図７は、サブマウント素子の製造工程フローである。まず、ＡｌＮからなる基板材の表面に蒸着によって導電層となるＡｕ層３２を形成する（Ｓ１）。次に、ターゲットにＡｇ合金を用いて、Ａｒガス１０-7Ｔｏｒｒの条件でマグネトロンスパッタ法によってＡｕ層３２上にＡｇ合金層３６を形成する（Ｓ２）。次に、Ａｇ合金層３６上に電極パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ３）。次に、無水クロム酸と過塩素酸と濃硫酸の水溶液でＡｇ合金層３６をエッチングし、更に、王水でＡｕ層３２をエッチングする（Ｓ４）。このエッチングによって電極パターンが形成される（Ｓ５）。次に、Ａｇ合金層３６上にＡｕバンプ４の接合パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ６）。次に、無水クロム酸と過塩素酸と濃硫酸の水溶液でＡｇ合金層３６をエッチングする（Ｓ７）。このエッチングによってＡｕバンプ４の接合パターンに応じたパターン除去部３１Ａがバンプ接合パターンとして形成される（Ｓ８）。次に、Ａｇ合金層３６上のレジストを除去し、パターン除去部３１Ａの位置にＡｕバンプ４を形成する。次に、基板材をダイサーでダイシングすることによりサブマウント素子３として切り出す（Ｓ９）。
【００４８】
上記した製造工程に基づいて形成されたサブマウント素子３に対し、ＬＥＤ素子２のｐ電極２５とｎ電極２６とをＡｕバンプ４に位置決めして超音波接合を行うことにより接合する。
【００４９】
ＬＥＤ素子２を接合されたサブマウント素子３は、ケース部７の底部、すなわち、配線パターン５Ａおよび５Ｂの露出した基板部５の表面に接着される。サブマウント素子３の配線層３Ａ、３Ｂは、ワイヤ６によって基板部５の配線パターン５Ａ、５Ｂに電気的に接続される。最後に、反射面７Ａを含むケース部７の内側にエポキシ樹脂を注入して一体的に封止することにより、樹脂封止部８を形成する。このようにして形成された発光装置１を点灯させたところ、良好な光度が得られた。
【００５０】
上記した第３の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）配線層３Ａ、３Ｂの表面に耐酸化性に優れ、高い光反射性を有するＡｇ合金層３６を設けたため、光反射性を確保しながらエッチングレートの低下に伴う残差の発生を抑制でき、電極パターンの短絡等を防いで長期にわたって信頼性に優れ、光放射効率に優れる発光装置１を提供することができる。
（２）光反射層とＡｇ合金層３６とが合金化しないため、ＬＥＤ素子２とサブマウント素子３とのバンプ接合部に合金が介在せず、そのことによってコンタクト抵抗の増大を回避でき、発光効率に優れる発光装置１を提供することができる。
【００５１】
なお、Ａｕ層３２とＡｇ合金層３６との間にバリアメタル層を設けても良い。このバリアメタル層としては、第２の実施の形態で説明したＴｉ、ＴｉＮの他に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｗ等の材料を単独で、あるいは積層して用いることも可能であり、このような材料についても同様の効果を奏することができる。
【００５２】
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。この発光装置１では、サブマウント素子３の表面にＴｉからなるバリアメタル層３３とＡｇ合金層３６とを積層してなる配線層３Ａ、３Ｂを有し、表層のＡｇ合金層３６が光反射層となる構成において、第１の実施の形態と相違している。その他、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。
【００５３】
次に、第４の実施の形態に係るサブマウント素子３の製造工程について、以下に説明する。
【００５４】
図９は、サブマウント素子の製造工程フローである。まず、ＡｌＮからなる基板材の表面に蒸着によってＴｉのバリアメタル層３３を形成する（Ｓ１）。次に、ターゲットにＡｇ合金を用いて、Ａｒガス１０-7Ｔｏｒｒの条件でマグネトロンスパッタ法によってバリアメタル層３３上にＡｇ合金層３６を形成する（Ｓ２）。次に、Ａｇ合金層３６上に電極パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ３）。次に、無水クロム酸と過塩素酸と濃硫酸の水溶液を用いてＡｇ合金３６およびバリアメタル層３３をエッチングする（Ｓ４）。このエッチングによって電極パターンが形成される（Ｓ５）。次に、Ａｇ合金層３６上のレジストを除去し、Ａｇ合金層３６の所定の位置にＡｕバンプ４を形成する。次に、基板材をダイサーでダイシングすることによりサブマウント素子３として切り出す（Ｓ６）。
【００５５】
上記した第４の実施の形態によると、基板材の表面にバリアメタル層３３を設け、その表面にＡｇ合金層３６を積層することによって、Ａｇ合金層３６の良好な接合性が得られるため、温度環境の変化やＬＥＤ素子２への通電に伴うＡｇ合金の凝集を防ぎ、基板材に対する安定した接合強度が得られ、そのことによって信頼性の高い発光装置１が得られる。
【００５６】
なお、第４の実施の形態では、バリアメタル層３３をＴｉ単独で形成した構成について説明したが、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｗ等の材料を単独あるいは複数組み合わせて用いることも可能であり、このような材料についても同様の効果を奏することができる。
【００５７】
図１０は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。この発光装置１では、サブマウント素子３の表面にＡｇ合金層３６からなる配線層３Ａ、３Ｂを有し、表層のＡｇ合金層３６が光反射層となる構成において、第１の実施の形態と相違している。その他、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については共通する引用数字を付している。
【００５８】
次に、第５の実施の形態に係るサブマウント素子３の製造工程について、以下に説明する。
【００５９】
図１１は、サブマウント素子の製造工程フローである。まず、マグネトロンスパッタ法によってＡｌＮからなる基板材の表面にＡｇ合金をターゲットとし、Ａｒガス１０-7Ｔｏｒｒの条件でＡｇ合金層３６を形成する（Ｓ１）。次に、Ａｇ合金層３６上に電極パターンに応じたフォトレジストを形成する（Ｓ２）。次に、無水クロム酸と過塩素酸と濃硫酸の水溶液でＡｇ合金層３６をエッチングする（Ｓ３）。このエッチングによって電極パターンが形成される（Ｓ４）。次に、Ａｇ合金層３６上のレジストを除去し、Ａｇ合金層３６の所定の位置にＡｕバンプ４を形成する。次に、基板材をダイサーでダイシングすることによりサブマウント素子３として切り出す（Ｓ５）。
【００６０】
上記した第５の実施の形態によると、Ａｇ合金層３６を配線層３Ａ、３Ｂとして形成したため、耐酸化性および光反射性を備えた配線層３Ａ、３Ｂを得ることができる。また、配線層３Ａ、３Ｂが導電層と光反射層とを兼ねることにより、成膜工程の省略が可能となり、コストダウンを実現し、簡素なサブマウント素子製造工程を実現できる。
【００６１】
また、上記した各実施の形態におけるサブマウント素子３についても、ＡｌＮに限定されるものではなく、例えば、Ａｌ2Ｏ3によって形成されたものを用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表面実装型発光装置の断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るサブマウント素子の製造工程フローである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。
【図５】第２の実施の形態に係るサブマウント素子の製造工程フローである。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。
【図７】第３の実施の形態に係るサブマウント素子の製造工程フローである。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。
【図９】第４の実施の形態に係るサブマウント素子の製造工程フローである。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置におけるＬＥＤ素子およびサブマウント素子の拡大された縦断面図である。
【図１１】第５の実施の形態に係るサブマウント素子の製造工程フローである。
【符号の説明】
【００６３】
１、発光装置  ２、ＬＥＤ素子  ３、サブマウント素子
３Ａ，３Ｂ、配線層  ４、Ａｕバンプ  ５、基板部  ５Ａ、配線パターン
６、ワイヤ  ７、ケース部  ７Ａ、反射面  ８、樹脂封止部
２０、サファイア基板  ２１、バッファ層  ２２、ｎ型ＧａＮ層
２３、発光層を有する多層  ２４、ｐ型ＧａＮ層  ２５、ｐ電極
２６、ｎ電極  ３１Ａ、パターン除去部  ３１、光反射層としてのＣｒ層
３２、Ａｕ層  ３３、バリアメタル層  ３４、光反射層としてのＡｌ層
３５、パターン除去部  ３６、Ａｇ合金層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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