(57)【要約】【課題】より改善されたチップ製造方法を提供する。【解決手段】圧電性基板母材であるタンタル酸リチウムウェハ１０を個々のチップ１５に分離するようにダイシングする。ダイシングされたタンタル酸リチウムウェハ１０の切断溝であるダイシング溝１８とこのダイシング溝１８に隣接するチップ１５の近傍表面を覆うようにディスペンサ４０で塗布剤となるＵＶ（紫外線）硬化性樹脂５０を塗布する。塗布剤５０が塗布されたタンタル酸リチウムウェハ１０を個々のチップ１５にし、隣接するチップ１５の近傍表面を覆う樹脂５０を分断する。このようにして樹脂層５０が塗布され、接着されたＳＡＷフィルタ素子（図６Ａ、図６Ｂ）を製造できる。【選択図】図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のチップに分割するように基板母材を切断する切断工程と、
前記切断により形成された切断溝とこの切断溝に隣接するチップの前記切断溝の近傍表面とを覆うように塗布剤を塗布する塗布工程と、
この覆われた塗布剤を分断する塗布剤分断工程とを含むチップの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法であって、
前記塗布剤分断工程は、前記切断溝の幅を拡張し、前記切断溝に隣接するチップの表面に覆われた塗布剤を分断するチップの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２項に記載の製造方法であって、
さらに、
前記塗布剤分断工程後に、前記塗布剤をチップと接着する接着工程を含む製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法であって、
さらに、
前記接着工程前に、前記塗布剤を接着する箇所を選定する選定工程を含む製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチップ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タンタル酸リチウムウェハ等の基板を切断して個々のチップとされ、そのチップの端部に樹脂等の塗布剤が塗布されたデバイスが知られている。そのようなデバイスの１つに圧電性基板を利用した表面弾性波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）がある。
【０００３】
下記特許文献１には、端部に樹脂が塗布されたＳＡＷフィルタが開示されている。このＳＡＷフィルタは、圧電性基板上に送信電極及び受信電極を形成し、さらに、表面弾性波の伝搬方向の両端部に不要な表面弾性波を吸収する吸収材として樹脂が塗布されている。樹脂が塗布されるのは主に以下の理由による。圧電性基板上の表面弾性波は、送信電極から受信電極に伝搬されるが、その間以外にも不要な表面弾性波及びバルク波が発生する。特に、不要な表面弾性波は圧電性基板の端部で再反射してしまい、送信電極と受信電極間の正規な表面弾性波に悪影響を与えてしまう。このため、不要な表面弾性波が圧電性基板の端部で再反射することを防止し、不要な表面弾性波を吸収させる必要がある。この吸収のために圧電性基板の両端部に不要な表面弾性波の吸収効率の高いエポキシ樹脂等の樹脂の塗布剤が塗布されていた。
【０００４】
この塗布剤の塗布方法は、圧電性基板を切断する前に塗布するｉ）ウェハプロセス方式、ｉｉ）スクリーン印刷方式、圧電性基板を切断する前または切断後に塗布するｉｉｉ）ディスペンサ方式とがある。
【０００５】
なお、塗布剤が塗布された箇所はＳＡＷフィルタのデッドスペースとなる。このデッドスペースを低減するには塗布剤が塗布される箇所をできるだけ少なくすることが望ましい。この塗布剤の量は微少量（厚さ１０μｍ以上幅は使用される表面弾性波の波長の１５倍以上）であれば、不要な表面弾性波を吸収させることには通常十分である。したがって、圧電性基板上の端部に微少量の塗布剤を塗布することが望ましい。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１４０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記背景技術の塗布方法は以下のような問題がある。ｉ）ウェハプロセス方式、ｉｉ）スクリーン印刷方式の圧電性基板を切断する前に塗布剤を塗布する方法では、その後の工程による外力により塗布剤が剥離してしまう場合がある。特に塗布後に圧電性基板を切断（ダイシング）することとなり、ダイシングの際に圧電性基板にかかる切断力によって、樹脂が圧電性基板から剥離してしまう場合が多い。
【０００８】
圧電性基板を切断する前または切断後に塗布するｉｉｉ）ディスペンサ方式では、塗布剤を射出するディスペンサのノズルから樹脂を出すために、ノズルの大きさ（通常は０．３ｍｍ幅以上の大きさ）により印刷幅を小さくすることが難しい場合がある。また、個々のチップに分断された後、塗布すると個々のチップそれぞれに塗布する必要があり、時間を要する。
【０００９】
また、ｉ）ウェハプロセス方式およびｉｉ）スクリーン印刷方式では、粘度、揮発性等の理由から、樹脂等の塗布剤の選択幅が小さい。さらにｉ）ウェハプロセス方式では、塗布剤の塗布層を非常に薄くしかできなく、ｉｉ）スクリーン印刷方式では、塗布位置がずれやすく、また、通常は印刷幅の下限が０．２ｍｍ以上であるので、印刷幅を狭くすることが難しい場合がある。
【００１０】
本発明は、上記課題等に鑑みてなされたものであり、より改善されたチップ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の製造方法は、個々のチップに分割するように基板母材を切断する切断工程と、前記切断により形成された切断溝とこの切断溝に隣接するチップの前記切断溝の近傍表面とを覆うように塗布剤を塗布する塗布工程と、この覆われた塗布剤を分断する塗布剤分断工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の製造方法において、前記塗布剤分断工程は、前記切断溝の幅を拡張し、前記切断溝に隣接するチップの表面に覆われた塗布剤を分断すると好適である。
【００１３】
上記本発明の製造方法において、さらに、前記塗布剤分断工程後に、前記塗布剤をチップと接着する接着工程を含むと好適である。
【００１４】
上記本発明の製造方法において、さらに、前記接着工程前に、前記塗布剤を接着する箇所を選定する選定工程を含むと好適である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、より改善されたチップ製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。本実施形態は本発明を実施する一例であって、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１７】
「チップ製造方法」
図１から図５には本実施形態に係るＳＡＷフィルタ素子の製造方法を構成する素過程が示される。図６Ａ、図６ＢはＳＡＷフィルタ素子の側面図である。圧電性基板母材であるタンタル酸リチウムウェハ１０（図１）を個々のチップ１５に分離するようにダイシングする（図２）。ダイシングされたタンタル酸リチウムウェハ１０の切断溝であるダイシング溝１８とこのダイシング溝１８に隣接するチップ１５の近傍表面を覆うようにディスペンサ４０で塗布剤となるＵＶ（紫外線）硬化性樹脂５０を塗布する（図３）。塗布剤５０が塗布されたタンタル酸リチウムウェハ１０を個々のチップ１５にし、隣接するチップ１５の近傍表面を覆う樹脂５０を分断する（図４）。その後、ＵＶ照射によりＵＶ硬化性樹脂５０を硬化させ、樹脂５０をチップ１５の表面および／または側面に接着する（図５）。以上の工程により個々のチップ１５を取り出して、樹脂層５０が塗布され、接着されたＳＡＷフィルタ素子（図６Ａ、図６Ｂ）を製造できる。
【００１８】
「ダイシング工程（図２）」
タンタル酸リチウムウェハ１０を個々のチップ１５にするダイシング工程は、ダイシングブレード（図示せず）によって六面体（例えば直方体）の個々のチップ１５になるようにダイシングされる。ダイシング工程は以下のような手順で行う。中空状のリング円板２０に円板形の樹脂製粘着テープのダイシングテープ３０が載せられる。ダイシングテープ３０の円端部が載せられて、ダイシングテープ３０がリング２０に支えられている。リング円板２０に支えられたダイシングテープ３０の接着面にタンタル酸リチウムウェハ１０を載せ、ダイシングテープ３０とタンタル酸リチウムウェハ１０を接着する。タンタル酸リチウムウェハ１０は、後のエキスパンド工程での冶具挿入のため、リング円板２０の中空部分に収まるようにダイシングテープ３０上に接着される（図４Ａ）。接着されたタンタル酸リチウムウェハ１０は、ダイシングブレード（図示せず）によって六面体の個々のチップ１５になるようにダイシングされて、ダイシング溝１８が開けられる。すなわち、六面体のチップとするためにタンタル酸リチウムウェハ１０の表面に縦方向、横方向にそれぞれ等間隔で平行なダイシング溝を形成する。
【００１９】
図２Ａにはダイシング後の、ダイシングテープ３０上に接着されたタンタル酸リチウムウェハ１０の拡大断面図が示される。ダイシング溝１８は、タンタル酸リチウムウェハ１５を切断し、ダイシングテープ３０を切断しないように開けられる。本実施形態におけるダイシング溝１８の幅の大きさａは約０．０５ｍｍである。ダイシング溝１８はダイシングブレードのブレード幅によりその幅の大きさａは変わる。ダイシング溝１８幅の大きさａは０．０５ｍｍ〜０．２０ｍｍ程度までが一般的である。基板母材はダイシング可能であり、使用される塗布剤との接着性が十分にあるものであればタンタル酸リチウムウェハ以外にも適用可能である。例えば、ニオブ酸リチウム、ＬＢＯ（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、チタン酸バリウム、ランガサイト、α石英などの単結晶や、チタン酸ジルコン酸鉛などを素材とする圧電性基板が挙げられる。
【００２０】
「ディスペンス工程（図３）」
ディスペンサ４０によりＵＶ硬化性樹脂をダイシング溝１８とダイシング溝１８に隣接するチップ１５の端部とを覆うように塗布する。ディスペンサ４０は、ＵＶ硬化性樹脂を射出する射出口径ｃ０．３ｍｍ幅のノズル４２を備えている。ＵＶ硬化性樹脂はダイシング溝１８に沿って塗布される。ダイシング溝１８の幅の大きさａは約０．０５ｍｍであり、射出口径ｃは０．３ｍｍ幅であるので、塗布される樹脂５０はダイシング溝１８に隣接するチップ１５の端部にまで覆うように塗布される（図３Ａ）。塗布の対象となるダイシング溝１８は、ＳＡＷフィルタ素子の樹脂が塗布される箇所に対応して決められる。すなわち、本実施形態のチップ１５のようにチップ表面の四面塗布が必要であれば、縦方向および横方向の全てのダイシング溝１８に塗布する。二面塗布であれば縦方向または横方向のいずれかのダイシング溝１８にのみ全てのダイシング溝１８に塗布する。一面塗布であれば、縦方向または横方向のいずれかのダイシング溝１８にのみであって、塗布するダイシング溝と塗布しないダイシング溝とを交互に有するように、ダイシング溝１８を１つおきずつ離隔的に塗布すればよい。図３Ａには、ディスペンサ４０によってＵＶ硬化性樹脂５０が塗布されたタンタル酸リチウムウェハ１０の拡大断面図が示される。ディスペンサ４０による塗布は、ダイシング溝１８の中央部がディスペンサのノズル４２の射出口の中央部真上に位置するようにして行う。中央部真上から射出されたＵＶ硬化性樹脂５０はダイシング溝１８と、ダイシング溝１８に隣接された２つのチップ１５の双方のチップとに覆うように塗布される。このような塗布を行えば双方のチップに均等の幅ｂでＵＶ硬化性樹脂５０が塗布されることになる。ディスペンサの射出口径ｃは０．３ｍｍ幅である。また、ダイシング溝１８の幅は０．０５ｍｍである。よって、数式（射出口径幅ｃ−ダイシング溝幅ａ）／２の関係から双方のチップ１５に塗布されるＵＶ硬化性樹脂の均等幅ｂは０．１２５ｍｍずつとなる。
【００２１】
塗布剤は必ずしもダイシング溝１８の内部にまで浸透するとは限らない。樹脂の粘度等の関係でダイシング溝１８の内部にまで浸透しない場合もあるからである。その場合は、ＳＡＷフィルタ素子表面にのみ樹脂層５０が形成される構成（図６Ａ）を製造するのに適している。
【００２２】
ノズル４２の射出口径ｃが小さくなればさらなる微少範囲の樹脂層５０を塗布可能である。また、ダイシング溝１８の中央部がディスペンサのノズル４２の射出口の中央部真上に位置するようにしてディスペンス工程を行っているが、ダイシング溝１８の中央部とノズル４２の射出口の中央部との位置関係を左右にずらすことで２つのチップ１５のうち一方のチップ表面１５の表面に微少範囲の塗布層５０を形成できる。
【００２３】
「エキスパンド工程」
チップ１５の相互を切り離して分離するエキスパンド工程は、ダイシングテープ３０の裏面から押圧冶具６０を当てることにより行う（図４Ａ）。すなわち、押圧冶具６０はリング円板２０の中空部２５を通してタンタル酸リチウムウェハ１０を接着しているダイシングテープ３０の裏面から垂直に当てられ、タンタル酸リチウムウェハ１０を押し上げる。押し上げられたタンタル酸リチウムウェハ１０はダイシングテープ３０と共にたわみ、個々のチップ１５に分離する（図４）。表面被覆されたＵＶ硬化性樹脂５０を各チップ１５は塗布されたまま分離される。分離されたチップ１５のＵＶ硬化性樹脂は均等幅ｂは０．１２５ｍｍずつとなり微少範囲の樹脂層５０を形成することができる。
【００２４】
「樹脂接着工程」
分離された各チップ１５の表面は、樹脂５０を接着する。樹脂の接着はＵＶ硬化による。接着するべき部位のみＵＶランプ７０によりＵＶ照射を行う。ＵＶ硬化後、チップ１５を取り出して図６Ａ、図６Ｂのそれぞれの形状とすることができる。表面にのみＵＶ照射を行った場合は図６Ａの表面部分にのみ樹脂層５０が形成されたＳＡＷフィルタ素子になる。ダイシング溝１８の内部にまでＵＶ硬化樹脂が浸透していた場合であって、チップ１５の側面にＵＶ照射を行った場合、図６Ｂの表面部分に加え、側面部分にまで樹脂層５０が形成されたＳＡＷフィルタ素子となる。なお樹脂はＵＶ硬化性のもの以外でも適用可能である。例えば、熱硬化工程を含めば、熱硬化性樹脂等を用いることができる。
【００２５】
図６ＢのＳＡＷフィルタ素子は側面部まで樹脂コーティングされている。ダイシングにより端部・側面に付着している異物を樹脂でコーティングすることができ、異物によるＳＡＷフィルタ素子に与える不具合を防止することができる。また、チッピングやクラックをこの樹脂コートにより拡げないという効果もある。
【００２６】
「他の適用例」
この微少な樹脂層は他の用途にも適用できる。例えばＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）素子を基板に実装する場合にはこの樹脂層をガードとして用いることが可能である。図７Ａは基板に実装する前のＭＭＩＣ素子８０の断面図が示される。ＭＭＩＣ素子８０は基板との電気的接続を確保するためのバンプ９０が接続されている。ＭＭＩＣ素子８０は樹脂層５０をバンプより端部に有している。このＭＭＩＣ素子８０を基板９５に接続し、実装する。この接続は、ＭＭＩＣ素子８０のバンプ面を基板９５と向かい合わせるフリップチップ接続である。図７ＢはＭＭＩＣ素子８０が実装された構成の断面図が示されている。ＭＭＩＣ素子８０は、基板９５にバンプ９０が当接するように基板９５上に配置される。なお、樹脂層５０は必ずしも基板９５と当接することを要しない。ＭＭＩＣ素子８０と基板９５の間に接着剤５５が侵入することをＭＭＩＣ素子８０と基板９５の間を狭めることで、少しでもガードできさえすればよいからである。ＭＭＩＣ素子８０は、樹脂層５０の外面に塗布された接着剤５５の接着力により、基板９５とＭＭＩＣ素子８０とを接続し、バンプ９０および樹脂層５０を基板９５の表面と当接する。この際に、バンプ９０に支えられたＭＭＩＣ素子８０と基板９５との間であって、樹脂層５０の内側に中空部８５ができる。この中空部８５は上述のように樹脂層５０が基板９５と当接していない場合には、完全に密封空間とはならない。
【００２７】
この中空部９５に接着剤５５が侵入するとＭＭＩＣ素子８０の特性に不具合を生じさせる場合がある。接着剤の侵入を防止するのに、ＭＭＩＣ素子８０の周辺部に離隔的に通常設けられるバンプ９０のみでは、接着剤５５の中空部８５への侵入を防止することが難しい。ところが、本構成では、この接着剤５５での接着の際に、樹脂層５０がガードとなることで、中空部９５への接着剤５５の侵入を防止できる。ガードとなる役割が主であるので、樹脂層５０はその役割を満たすだけ十分な薄層であることが好ましく、本発明のチップ製造方法を適用することが好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図２】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図２Ａ】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図３】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図３Ａ】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図４】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図４Ａ】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図５】本実施形態に係る一素過程の説明図である。
【図６Ａ】本実施形態に係るＳＡＷフィルタ素子の断面図である。
【図６Ｂ】本実施形態に係るＳＡＷフィルタ素子の断面図である。
【図７Ａ】本実施形態に係るＭＭＩＣ素子の説明図である。
【図７Ｂ】本実施形態に係るＭＭＩＣ素子の説明図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  ウェハ、１５  チップ、１８  ダイシング溝、２０  リング、３０  ダイシングテープ、４０  ディスペンサ、４２  ノズル、５０  樹脂、６０  押圧冶具、７０  ＵＶランプ、８０  ＭＭＩＣ素子、９０  バンプ、９５  基板。
【図１】
2005203492.tif 000003
【図２】
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【図２Ａ】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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