(57)【要約】  【課題】ボート等を固定するためのボルトの取り外し時の破損を防止する。  【解決手段】ウエハ１をボート３３に保持して処理する処理室２４と、ボート３３を支持して処理室２４に対して搬入搬出するとともに炉口２７を閉塞するシールキャップ１６と、シールキャップ１６に挿通された回転軸１７にボート３３を固定するボルト７６を備えたバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置において、ボート３３の下側端板３５の上面にカバー７８をボルト７６を上から覆うように設置する。ボルトが成膜されるのをカバーによって防止できるので、ボルトが成膜によって取り外し難くなるのを防止できる。例え、カバーが取り外し難くなって破損したとしても、ボートやシールキャップ等の主要部品の交換は不要であるので、熱処理装置のメンテナンス等に支障を来すことはない。  【選択図】図４
2005276850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室に収納され取り外し可能な連結部材と、前記連結部材を覆う保護部材とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理室に収容して加熱下で処理を施す基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化や拡散、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールおよび熱ＣＶＤ反応による成膜等の熱処理（thermal treatment ）に使用される熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法におけるウエハの熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、縦形熱処理装置という。）が、広く使用されている。縦形熱処理装置としては、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハに熱処理が施されるように構成されているもの、がある。
【０００３】
従来のこの種の縦形熱処理装置として、熱放出量の大きいボートの下部に補助加熱用のサブヒータを設置して短時間で処理室の垂直方向の温度の回復と安定とを確保することにより、ウエハの処理時間の短縮を図ったものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８２５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記した縦形熱処理装置においては、サブヒータがボート近傍でかつボートよりも下方に配置されていることにより、ボートをシールキャップに固定するためのボルトに対して成膜され易くなるために、ボートやシールキャップのメンテナンス等に際して、ボルトの取り外しが困難になる。例えば、ボルトが石英（ＳｉＯ2 ）によって形成されている場合においては、ボルトの取り外しに際して、ボルトをスムーズに回転させることができないと、ボルトの頭部やボルトまたはシールキャップのねじ山を破損する可能性があり、破損した場合にはボートやシールキャップ等の主要部品の交換が必要になる。
【０００５】
本発明の目的は、ボートやシールキャップおよびサブヒータ等を固定するためのボルトの取り外し時の破損を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室に収納され取り外し可能な連結部材と、前記連結部材を覆う保護部材とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室に収納され取り外し可能な連結部材と、前記連結部材を覆い前記ガスから保護するためのカバーとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（３）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室に収納され取り外し可能な連結部材と、前記連結部材を覆い前記ガスを供給しつつ前記ヒータが加熱する際に発生する反応生成物から保護するためのカバーとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（４）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室に収納され取り外し可能な連結部材と、前記連結部材を覆う保護部材とを備えている基板処理装置を使用した半導体装置の製造方法であって、
前記基板を基板保持体に保持して前記処理室に搬入するとともに、前記連結部材および前記保護部材を前記処理室に搬入するステップと、前記ヒータが前記処理室を加熱するステップと、前記ガス供給管が前記処理室にガスを供給するステップと、前記排気管が前記処理室を排気するステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、連結部材が保護部材によって覆われていることにより、連結部材が成膜されるのを防止することができるので、連結部材が成膜によって取り外し難くなるのを未然に防止することができる。万一、保護部材が取り外し難くなって破損したとしても、ボートやシールキャップ等の他の主要部品の交換は不要であるので、基板処理装置のメンテナンス等に支障を来すことはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法における熱処理工程を実施する縦形熱処理装置（バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置）として構成されている。図１に示されているように、縦形熱処理装置１０はロードロック方式の予備室である待機室１１を形成した筐体１２を備えている。待機室１１にはボートを昇降させるボートエレベータ１３が設置されており、ボートエレベータ１３はモータ駆動方式の送りねじ軸装置やベローズ等によって構築されている。ボートエレベータ１３の昇降台１４にはシールキャップ１６がアーム１５を介して支持されており、シールキャップ１６の中心線上には回転軸１７が挿通されて軸受装置によって回転自在に支承されており、回転軸１７はモータ１８によって回転駆動されるように構成されている。また、シールキャップ１６の上面には断熱キャップ４０が立設されている。
【００１０】
図２に示されているように、筐体１２の上にはプロセスチューブ２１が中心線が垂直になるように縦に設置されている。プロセスチューブ２１はアウタチューブ２２とインナチューブ２３とから構成されている。アウタチューブ２２は石英が使用されて、内径がインナチューブ２３の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２３にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ２３は石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて、上下両端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ２３の筒中空部はボートによって保持された複数枚のウエハが搬入される処理室２４を形成しており、インナチューブ２３の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、三百ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。インナチューブ２３とアウタチューブ２２との間にはドーナツ形状の排気路２５が形成されており、排気路２５の下端部は多段の円筒形状に構築されたマニホールド２６によって気密封止されている。
【００１１】
アウタチューブ２２およびインナチューブ２３の交換等のために、図３に示されているように、マニホールド２６はアウタチューブ２２およびインナチューブ２３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド２６が縦形熱処理装置１０の筐体１２に支持されることにより、プロセスチューブ２１は垂直に据え付けられた状態になっている。炉口２７がマニホールド２６の下端開口によって構成されており、図１に示されているように、炉口２７はシャッタ２０によって開閉されるように構成されている。
【００１２】
図３に示されているように、アウタチューブ２２の下端部には排気管２８が接続されており、排気管２８は排気装置（図示せず）に接続されてプロセスチューブ２１の内部を排気し得るようになっている。排気管２８はアウタチューブ２２とインナチューブ２３との間に形成された排気路２５に接続されている。排気管２８は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路２５の最下端部に配置された状態になっている。また、マニホールド２６の側壁の下部にはガス供給管２９が炉口２７に連通するように接続されており、ガス供給管２９には原料ガス供給装置やキャリアガス供給装置およびパージガス供給装置（いずれも図示せず）が接続されている。ガス供給管２９によって炉口２７に導入されたガスは、インナチューブ２３の処理室２４を流通して排気路２５を通って排気管２８によって外部へ排気されるようになっている。
【００１３】
図２に示されているように、プロセスチューブ２１の外側には、処理室の周りでウエハの主面に対して水平方向に位置し処理室を加熱する第一ヒータ（以下、メインヒータという。）３０が設置されており、メインヒータ３０は筐体１２によって垂直に支持されている。メインヒータ３０はプロセスチューブ２１の外側を全体的に被覆する断熱槽３１と、断熱槽３１の内周面にアウタチューブ２２の周囲を包囲するように同心円に敷設された発熱体３２とを備えている。断熱槽３１はガラスウール等の断熱材をドーナツ形状に成形された複数のブロックが積層されて、プロセスチューブ２１の外径よりも大径で長さが同程度の円筒形状に形成されており、筐体１２に支持されることによって垂直に据え付けられている。発熱体３２はニクロム線や二珪化モリブデン等の線形の抵抗発熱体によって形成されて、断熱槽３１の内周面に巻装されている。発熱体３２は複数のゾーンに分割されており、所謂ゾーン加熱制御されるように構成されている。
【００１４】
図１、図２および図４に示されているように、回転軸１７の上端部には全体的に石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）によって形成されたボート３３が垂直に設置されている。ボート３３は上下で一対の端板３４、３５と、両端板３４と３５との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材３６とを備えており、複数本の保持部材３６には多数条の保持溝３７が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート３３は複数本の保持部材３６の保持溝３７の間にウエハ１の周辺部をそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
【００１５】
図４に示されているように、ボート３３の下側端板３５の中心には上下方向に貫通するボルト挿通孔７１が開設されており、下側端板３５の下面における中心には円形の取付穴７２がボルト挿通孔７１と同心円に没設されている。取付穴７２の開口部には回り止め凹部７３が半径方向に延在するように没設されている。回転軸１７の上端部外周には回り止め凹部７３に係合する回り止め凸部７４が半径方向に突設されており、この回り止め凹部７３と回り止め凸部７４との係合により、ボート３３は回転軸１７に回り止めされている。回転軸１７は石英によって形成されている。回転軸１７の上端面には雌ねじ穴７５が形成されており、回転軸１７の上端部が取付穴７２に嵌入された状態において、雌ねじ穴７５には連結部材としてのボルト７６が下側端板３５の上側からボルト挿通孔７１を挿通してねじ込まれることにより、ボート３３は回転軸１７に締結されている。ボルト７６は石英によって形成されている。下側端板３５の上面における中心部には環状溝７７がボルト挿通孔７１と同心円に没設されており、環状溝７７の底面上にはボルト７６を覆う保護部材としてのカバー７８が載置されている。カバー７８は石英が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、下端開口部が環状溝７７の底面上に載置されることにより、カバー７８は下側端板３５に同心円に位置決めされた状態になっている。
【００１６】
シールキャップ１６の上には断熱キャップ４０が回転軸１７と同心円に設置されている。断熱キャップ４０は上下で一対の端板４１、４２と、両端板４１と４２との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材４３とを備えており、複数本の保持部材４３には多数条の保持溝４４が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。複数本の保持部材４３の保持溝４４の間には断熱板４５の周辺部がそれぞれ挿入されており、断熱板４５は保持部材４３に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持されている。排熱され易く熱の変動が大きい炉口２７から離間させるために、ボート３３はシールキャップ１６から持ち上げられて設置されている。断熱キャップ４０はシールキャップ１６の上面とボート３３の下面との空間を埋めることにより、炉口２７における熱の出入りを遮断するように構成されている。
【００１７】
図４に示されているように、断熱キャップ４０の上にはウエハ１の主面に対して垂直方向に位置する第二ヒータ（以下、サブヒータという。）５０が水平に設置されている。サブヒータ５０は複数本の支柱５１によってシールキャップ１６の上に水平に支持されたホルダ５２を備えている。ホルダ５２は石英が使用されて円盤形状に形成されている。ホルダ５２の上面には保持溝５３が円形の蛇行形状に形成されて没設されており、保持溝５３内には一本のＣ発熱体（カーボン発熱体）５４が敷設されている。Ｃ発熱体５４は断面が凹字形細長い棒であって、保持溝５３の円形の蛇行に倣ったパネル形状に形成されている。円形のパネル形状に形成されたＣ発熱体５４の上面には凹部５５が全長にわたって一定幅一定深さに没設されている。ホルダ５２の上面にはキャップ５６が保持溝５３を閉塞するように被せられており、Ｃ発熱体５４はキャップ５６によって気密封止されている。また、保持溝５３の内部には窒素ガス等の不活性ガス（図示せず）が封入されており、Ｃ発熱体５４は封入された不活性ガスによって腐食を防止されている。なお、Ｃ発熱体５４の上面の凹部５５は省略してもよいし、保持溝５３は円形の蛇行形状に形成するに限らず、全体的に円形穴形状に形成してもよい。
【００１８】
図１および図２に示されているように、シールキャップ１６の周縁部の一箇所には、熱電対６０がボート３３に干渉しないように上下方向に貫通されて垂直に固定されており、ボート３３の処理室２４への搬入時には、熱電対６０はインナチューブ２３の内周面とボート３３の外周面との間に位置する状態になっている。熱電対６０は温度コントローラ（図示せず）に接続されており、熱電対６０は温度計測結果を温度コントローラに送信するようになっている。温度コントローラは熱電対６０からの計測温度に基づいて、メインヒータ３０およびサブヒータ５０をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラはメインヒータ３０およびサブヒータ５０の目標温度と、熱電対６０の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
【００１９】
次に、前記構成に係る縦形熱処理装置を使用した場合のＩＣの製造方法の熱処理工程を説明する。
【００２０】
図１に示されているように、ボート３３には被処理基板としてのウエハ１が複数枚、ウエハ移載装置（図示せず）によって装填（ウエハチャージング）される。複数枚のウエハ１を整列保持したボート３３はボートエレベータ１３によって差し上げられて炉口２７から処理室２４に搬入（ボートローディング）されて行き、図２に示されているように、シールキャップ１６に支持されたままの状態で処理室２４に存置される。
【００２１】
本実施の形態においては、ボート３３が処理室２４に搬入されて行く途中または搬入が完了した後に、電力がサブヒータ５０のＣ発熱体５４に給電配線によって供給されることにより、ボート３３の下部領域に保持されたウエハ１群がサブヒータ５０によって補助的に加熱される。また、モータ１８によって回転軸１７が回転駆動されることにより、ボート３３がウエハ１群および断熱板４５に慣性力を付与しない程度の速度で緩やかに回転される。
【００２２】
ここで、ボート３３の処理室２４への搬入途中または搬入後にサブヒータ５０によって補助的に加熱を実行する理由を説明する。プロセスチューブ２１の外部に敷設されて処理室２４を全体的に加熱するメインヒータ３０は、殆どの場合、予め設定した処理温度に速く到達するようにボート３３の処理室２４への搬入前に、例えば、処理温度よりも１５０℃〜２００℃程度低いスタンバイ温度で処理室２４を加熱している。したがって、ボート３３の上部領域のウエハ１群は下部領域のウエハ１群と比べて早くスタンバイ温度の処理室２４へ搬入されることになる。その結果、上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間では熱履歴が相違してしまうため、同一の縦形熱処理装置によって熱処理したにもかかわらず、ボート３３の全長では熱処理の状態が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート３３の処理室２４への搬入途中または搬入後にサブヒータ５０による加熱を実行して、ボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱することにより、上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間での熱履歴を一致させる制御を実行している。ちなみに、サブヒータ５０による加熱開始のタイミングは、ボート３３の処理室２４への搬入速度や処理室２４の内外の温度差等に依存する上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【００２３】
ボート３３の処理室２４への搬入が完了したら、プロセスチューブ２１の内部が排気管２８によって排気されるとともに、プロセスチューブ２１の内部が予め設定された処理温度すなわち温度コントローラのシーケンス制御の目標温度（例えば、６００℃〜１３００℃）にメインヒータ３０の発熱体３２によって加熱される。この際、メインヒータ３０の発熱体３２の加熱によるプロセスチューブ２１の内部の実際の上昇温度と、発熱体３２のシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対６０の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【００２４】
ちなみに、本実施の形態においては、処理室２４の上下方向の温度分布の均一性を高めるために、例えば、下部領域のウエハ１群に対応した熱電対６０の最下段の計測温度とそれ以外の計測温度との差が所定の期間以上一定の範囲になった際に、サブヒータ５０によるボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱する作動を自動的に停止させる制御を実行させることができる。
【００２５】
以上の温度制御によって処理室２４の全体が予め設定された処理温度に安定すると、処理ガスが処理室２４へガス供給管２９から導入される。処理室２４に導入された処理ガスは処理室２４を上昇した後にインナチューブ２３の上端開口から排気路２５へ流れ込み、排気路２５を通じて排気管２８から排気される。処理ガスは処理室２４を流れる際に、ウエハ１群に接触することによりウエハ１の表面に熱処理を施す。この際、ウエハ１の面内の温度分布や熱処理状態の分布の均一性を高めるために、ボート３３は回転軸１７によって緩やかに回転され続ける。
【００２６】
断熱キャップ４０がボート３３の下端部領域であるサブヒータ５０の下方に介設されていることにより、ボート３３の下端部領域のウエハ１群はメインヒータ３０によって加熱制御され難い炉口２７から離間した状態になっているため、下端部領域のウエハ１群の温度のボート３３の全体のウエハ１群に対する均一性は高くなる。
【００２７】
予め設定された熱処理時間が経過すると、メインヒータ３０の加熱作用が温度コントローラのシーケンス制御によって停止され、プロセスチューブ２１の内部の温度が予め設定されたスタンバイ温度に降下されて行く。この際も、メインヒータ３０による処理室２４の実際の下降温度とシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対６０の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【００２８】
予め設定されたスタンバイ温度になるか、または、予め設定された降温時間が経過すると、シールキャップ１６が下降されて炉口２７が開口されるとともに、ボート３３に保持された状態でウエハ１群が炉口２７からプロセスチューブ２１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００２９】
ここで、ボート３３の処理室２４からの搬出に際しては、ボート３３の下部領域のウエハ１群が上部領域のウエハ１群と比べて早く処理室２４へ搬出されることになるため、下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間では熱履歴が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート３３の処理室２４への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ５０による加熱を実行して、ボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間での熱履歴を一致させる制御が実行される。ちなみに、サブヒータ５０による加熱開始のタイミングは、ボート３３の処理室２４からの搬出速度や処理室２４の内外の温度差等に依存する下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【００３０】
ボート３３が処理室２４から搬出されると、処理済のウエハ１群がボート３３から脱装（ディスチャージング）される。以上の作用が繰り返されることにより、縦形熱処理装置による熱処理がウエハ１にバッチ処理されて行く。
【００３１】
ところで、カバー７８が無くボルト７６が露出している従来例においては、ボルト７６とボルト挿通孔７１との隙間やボルト７６および雌ねじ穴７５のねじ山の相互間に反応生成物や未反応生成物が付着して堆積することにより、ボート３３や回転軸１７のメンテナンス等に際して、ボルト７６の取り外しが困難になる場合がある。例えば、ボルト７６の取り外しに際して、ボルト７６をスムーズに回転させることができないと、ボルト７６の頭部やボルト７６または雌ねじ穴７５のねじ山を破損する場合があり、破損した場合には例えばボート３３が回転軸１７から取り外せなくなるために、ボート３３や回転軸１７等の主要部品の交換が必要になる。ちなみに、サブヒータ５０が設置されていると、ボルト７６の近傍の温度が高くなり成膜され易い状況になるために、ボルト７６の成膜による接着の現象は顕著になる。
【００３２】
本実施の形態においては、ボルト７６はカバー７８によって被覆されているので、ボルト７６とボルト挿通孔７１との隙間やボルト７６および雌ねじ穴７５のねじ山の相互間に反応生成物や未反応生成物が付着して堆積するのを防止することができる。反応生成物や未反応生成物がカバー７８と環状溝７７との間に付着して堆積することにより、万一、カバー７８が取り外せなくなってカバー７８が破損したとしても、ボルト７６は雌ねじ穴７５から取り外すことができるので、ボート３３や回転軸１７等の主要部品の交換が必要になることは未然に防止することができる。そして、本実施の形態のように、ボート３３の下方にサブヒータ５０が設置されており、ボート３３の下側端板３５の近傍において成膜が促進されている場合であっても、ボルト７６の雌ねじ穴７５からの取り外しを確保することができるので、サブヒータ５０のボート３３の下方への設置を実現させることができる。
【００３３】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３４】
1)  ボルトをカバーによって被覆することにより、ボルトとボルト挿通孔との隙間やボルトおよび雌ねじ穴のねじ山の相互間に反応生成物や未反応生成物が付着して堆積するのを防止することができるので、ボルトを雌ねじ穴から確実に取り外しすることができる。
【００３５】
2)  ボルトの雌ねじ穴からの取り外しを確保することにより、ボートと回転軸との分解を確保することができるので、ボートや回転軸等の主要部品の交換が必要になる事態の発生を未然に防止することができる。その結果、サブヒータのボートの下方への設置を実現させることができる。
【００３６】
3)  ボルトの雌ねじ穴からの取り外し作業を容易にすることにより、ボートや回転軸等のメンテナンス時間を短縮することができるので、縦形熱処理装置の稼働効率等を向上させることができる。
【００３７】
4)  反応生成物や未反応生成物がカバーと環状溝との間に付着して堆積することにより、万一、カバーが取り外せなくなってカバーが破損したとしても、ボルトは雌ねじ穴から取り外すことができるので、ボートおよび回転軸等の主要部品の交換が必要になることは未然に防止することができる。
【００３８】
図５は本発明の第２の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のシールキャップ部を示す断面図である。
【００３９】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ステンレスや高耐食性の高ニッケル合金によって形成されたボート受け台３８が回転軸１７の上端に水平に突設されており、このボート受け台３８の上に載置されたボート（石英または炭化シリコンで形成されている。）３３の下側端板３５がステンレスや高ニッケル合金によって形成されたボルト７６Ａにより若干のすき間を設けて締結されており、下側端板３５の上に石英または炭化シリコンによって形成されたカバー７８がボルト７６Ａを被覆するように設置されている点、である。
【００４０】
本実施の形態によれば、前記実施の形態に加えて、次のような作用効果が奏される。ボルト７６Ａが処理室に露出するのをカバー７８によって防止することができるので、ボルト７６Ａが金属によって形成されている場合であっても、ボルト７６Ａが腐食性の高いガスによって腐食されるのを防止することができるとともに、ボルト７６Ａの金属を起因とする金属汚染を防止することができる。その結果、ボルト７６Ａをボート受け台３８に対応した金属によって形成するのを実現することができる。
【００４１】
図６は本発明の第３の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のシールキャップ部を示す断面図である。
【００４２】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ステンレスや高耐食性の高ニッケル合金によって形成されたボート受け台３８が回転軸１７の上端に水平に固定されており、このボート受け台３８の上に載置されたボート３３の下側端板３５の上には石英または炭化シリコンによって形成されたボート押さえ３９が当接されており、このボート押さえ３９がステンレスや高ニッケル合金によって形成されたボルト７６Ａにより抜け止めされているともに、ボート押さえ３９の上に石英または炭化シリコンによって形成されたカバー７８がボルト７６Ａを被覆するように設置されている点、である。
【００４３】
本実施の形態によれば、前記実施の形態に加えて、次のような作用効果が奏される。ボルト７６Ａが処理室に露出するのをカバー７８によって防止することができるので、ボルト７６Ａが金属によって形成されている場合であっても、ボルト７６Ａが腐食性の高いガスによって腐食されるのを防止することができるとともに、ボルト７６Ａの金属を起因とする金属汚染を防止することができる。その結果、ボルト７６Ａをボート受け台３８に対応した金属によって形成するのを実現することができる。なお、ボルト７６Ａはボート押さえ３９の上下移動を規制すれば済むために、ボルト７６Ａの頭部の下面とボート押さえ３９の上面との間には隙間３９ａを設定してもよい。ボルト７６Ａの頭部の下面とボート押さえ３９の上面との間に隙間３９ａを設定した場合には、ボルト７６Ａの雌ねじ穴７５からの取り外しをより一層確実化することができる。
【００４４】
図７は本発明の第４の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のボートを示す側面図である。
【００４５】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ボート３３の下側端板３５が石英または炭化シリコンによって円筒形状に構築された断熱キャップ４０Ａの上に載置されており、この下側端板３５が断熱キャップ４０Ａに石英または炭化シリコンによって形成されたボルト７６により締結されている点、である。
【００４６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４７】
例えば、キャップを位置決めするための環状溝は省略してもよい。また、キャップは着脱し易い形状や構造に構成することが望ましい。
【００４８】
サブキャップは省略してもよい。
【００４９】
熱処理は酸化処理や拡散処理および拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール処理等に限らず、成膜処理等の熱処理であってもよい。
【００５０】
被処理物はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、光ディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置を示す一部切断背面図である。
【図２】主要部を示す背面断面図である。
【図３】マニホールド部を示す断面図である。
【図４】シールキャップ部を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のシールキャップ部を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のシールキャップ部を示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置のボートを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…ウエハ（被処理基板）、１０…縦形熱処理装置（基板処理装置）、１１…待機室、１２…筐体、１３…ボートエレベータ、１４…昇降台、１５…アーム、１６…シールキャップ、１７…回転軸、１８…モータ、２０…シャッタ、２１…プロセスチューブ、２２…アウタチューブ、２３…インナチューブ、２４…処理室、２５…排気路、２６…マニホールド、２７…炉口、２８…排気管、２９…ガス供給管、３０…メインヒータ（第一ヒータ）、３１…断熱槽、３２…発熱体、３３…ボート、３４、３５…端板、３６…保持部材、３７…保持溝、４０…断熱キャップ、４１、４２…端版、４３…保持部材、４４…保持溝、４５…断熱板、５０…サブヒータ（第二ヒータ）、５１…支柱、５２…ホルダ、５３…保持溝、５４…Ｃ発熱体、５５…凹部、５６…キャップ、５７…ジョイント、５８…給電配線、５９…ピンチシール部、６０…熱電対、７１…ボルト挿通孔、７２…取付穴、７３…回り止め凹部、７４…回り止め凸部、７５…雌ねじ穴、７６…ボルト（連結部材）、７７…環状溝、７８…カバー、３８…ボート受け台、３９…ボート押さえ、３９ａ…隙間、７６Ａ…ボルト、４０Ａ…断熱キャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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