(57)【要約】【課題】  レーザダイオード等の光半導体素子における光電特性の改善を図るとともに小型化を図った光半導体装置を提供する。【解決手段】  発光素子（レーザダイオードチップ）１１０と、発光素子を駆動し、又は発光素子から出力される信号を処理するための回路素子（駆動回路チップ）１２０とを一体的にパッケージングし、内部で電気接続を行う構成とする。発光素子と回路素子を接続する配線長を短縮して配線容量や配線抵抗を低減し、発光素子の発光特性を改善する。個別にパケージ化された発光素子と回路素子とを組み立てた構成に比較して小型化に有利であり、また、組立作業時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することが可能になる。【選択図】  図３
2005116583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する発光素子と、少なくとも前記発光素子を駆動する回路を含む回路素子とを一つのパッケージ内に搭載していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記発光素子から出射される光を受光するための受光素子を前記パッケージ内に搭載していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記回路素子は前記受光素子で受光した受光信号を処理するための信号処理回路を含むことを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記受光素子は前記回路素子を構成する半導体基板の一部に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記受光素子は前記回路素子を構成する半導体基板とは別体の半導体基板に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記発光素子、前記受光素子、前記回路素子はそれぞれパッケージ内に個別に搭載されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記発光素子は前記回路素子上に搭載されていることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置。
【請求項８】
前記発光素子は前記受光素子上に搭載されていることを特徴とする請求項５に記載の光半導体装置。
【請求項９】
前記受光素子と前記回路素子は共通のベース板上に搭載されていることを特徴とする請求項８に記載の光半導体装置。
【請求項１０】
前記受光素子と前記回路素子は共通の断熱板上の離れた位置に搭載されていることを特徴とする請求項８に記載の光半導体装置。
【請求項１１】
前記発光素子はそれぞれ独立して駆動可能な複数の発光点を有することを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体素子、例えば半導体レーザやフォトダイオード等を備える光半導体装置に関し、特にこれらの光半導体素子を駆動するための回路や光半導体素子から出力される信号を処理するための回路を含む回路素子とを一体化した光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザ走査装置の光源として半導体レーザ（以下、レーザダイオードとも称する）が用いられている。このレーザダイオードはレーザダイオードチップをモニタ用フォトダイオードと共に金属製のケーシング内に内装し、あるいは樹脂封止したものである。そして、このレーザダイオードをレーザ走査装置の光源位置に配設する一方で、レーザ走査装置の他の領域にはレーザダイオードを駆動するための駆動回路やモニタ用フォトダイオードで受光した信号を処理する処理回路（以下、これらをまとめて駆動回路と称する）を搭載した駆動回路基板を配設し、レーザダイオードに駆動回路を配線で接続し、駆動回路で発生する駆動信号によってレーザダイオードを駆動してレーザ光を発光させ、あるいはモニタ用フォトダイオードから出力される信号を処理している。このような、従来のレーザ走査装置では比較的に大型になり易い駆動回路基板をレーザダイオードの近くに配設することが困難なため、レーザダイオードと駆動回路とを接続するための配線長が長くなり、レーザダイオードの発光にオーバシュートやリンギングが発生し易くなって発光特性が劣化するという問題が生じる。
【０００３】
このような問題に対しては特許文献１の技術が参考になる。特許文献１では、半導体レーザを半導体レーザ駆動制御用プリント基板に搭載し、このプリント基板を保持部材により光学系と共に一体的に支持した構成としている。このように半導体レーザ駆動制御用プリント基板に半導体レーザを搭載することで、半導体レーザと駆動制御回路との配線長を短くでき、半導体レーザの発光特性を改善する上で有効になるものと考えられる。
【特許文献１】特開平６−３１９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、半導体レーザはレーザダイオードを単体でパッケージングしたものであり、そのパッケージから引き出されているリードをプリント基板に接続して駆動制御回路との電気接続を行ったものである。そのため、レーザダイオードと駆動回路との間の配線長は少なくともリードがパッケージから引き出されている部分の長さ以下に短くすることはできず、半導体レーザの発光特性を改善する上での障害になる。また、同時に両者間の配線に寄生する容量や回路抵抗によって半導体レーザと駆動制御回路との電気的な整合がとり難く、半導体レーザを最適なマッチング条件の下で駆動させることが困難になる。
【０００５】
また、特許文献１の技術では、半導体レーザ駆動制御用プリント基板を保持部材によりレーザ走査装置に組み込んでいるため、半導体レーザを単体で組み込む場合に比較して大型化することは避けられず、半導体レーザを配設する際の配設スペースの制約を受け易く、レーザ走査装置の設計の自由度が低くなる。さらに、半導体レーザを半導体レーザ駆動制御用プリント基板に搭載するまでは半導体レーザを単品状態で取り扱うことが要求されるため、半導体レーザのリードを通しての静電破壊に対する注意が必要であり、またこれによる不良発生が多いという問題もある。
【０００６】
以上のような問題はレーザダイオードのような発光素子に限られるものではなく、フォトダイオード等の受光素子を含む光半導体素子においても駆動回路が接続される光半導体素子において共通の問題である。
【０００７】
本発明の目的は、レーザダイオード等の光半導体素子における光電特性の改善を図るとともに小型化を図った光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光半導体装置は、  光を出射する発光素子と、少なくとも前記発光素子を駆動する回路を含む回路素子とを一つのパッケージ内に搭載していることを特徴とする。また、本発明は発光素子から出射される光を受光するための受光素子を同じパッケージ内に搭載していることが好ましい。また、回路素子は前記受光素子で受光した受光信号を処理するための信号処理回路を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発光素子と回路素子をパッケージ内に内装することで、両者をボンディングワイヤにより電気接続することが可能になり、両者間の配線長を極めて短いものにして電気接続配線に寄生する容量や配線抵抗を低減し、発光素子と回路素子とを最適なマッチング条件で接続して発光素子の発光特性を改善する上で有利になる。また、個別にパケージ化された発光素子と回路素子とを組み立てる構成に比較して小型化に有利であり、また、組立時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の光半導体装置では、次の形態とすることが好ましい。
（１）受光素子は回路素子を構成する半導体基板の一部に形成される。
（２）受光素子は回路素子を構成する半導体基板とは別体の半導体基板に形成される。
（３）発光素子、受光素子、回路素子はそれぞれパッケージ内に個別に搭載される。
（４）前記（２）の場合、発光素子は回路素子上に搭載される。
（５）前記（３）場合、発光素子は受光素子上に搭載される。
（６）前記（５）の場合、受光素子と回路素子は共通のベース板上に搭載される。
（７）前記（５）の場合、受光素子と回路素子は共通の断熱板上の離れた位置に搭載される。
（８）発光素子はそれぞれ独立して駆動可能な複数の発光点を有する構成とされる。
【実施例１】
【００１１】
次に、本発明の実施例１を図面を参照して説明する。図１は本発明をレーザ走査装置の光源としてのレーザダイオード装置に適用した実施例１の概略構成図である。レーザダイオード装置１から出射されたレーザ光Ｌはコリメータレンズ２により平行光束とされ、高速回転されるポリゴンミラー３に投射される。ポリゴンミラー３で反射されたレーザ光Ｌはポリゴンミラー３の回転方向に沿った主走査方向に偏向され、ｆθレンズ４を通して感光ドラム５に投射される。感光ドラム５は副走査方向に回転されるため、レーザ光Ｌは感光ドラム５の感光面を走査され、当該感光ドラム５の周面、すなわち感光面に所要のパターンを描画することになる。前記レーザダイオード装置１はコントローラ６に接続されており、このコントローラ６から入力される光量制御信号ＳＡＭＰＬＥにより所要の光出力が得られるように制御され、画像信号ＤＡＴＡによって所要のパターンが得られるように発光のタイミングが制御される。
【００１２】
図２は前記レーザダイオード装置１の一部を破断した斜視図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。円板型のステム１０１上に発光素子としてのレーザダイオードチップ１１０と、回路素子としての駆動回路チップ１２０が内装されており、これらを覆うように前記ステム上に円筒状のキャップ１０２が固定されてパッケージを構成している。前記レーザダイオードチップ１１０の光軸上の前記キャップ１０２の頂面には円形をしたガラス窓１０３が設けられている。また、前記ステム１０１には複数本のリード端子１０４が貫通支持され、前記駆動回路チップ１２０に電気接続されている。
【００１３】
詳細に説明すると、前記レーザダイオード装置１は、前記ステム１０１上に平板状のマウント板１０５と柱状のポスト１０６がそれぞれ固定されており、このマウント板１０５上に前記駆動回路チップ１２０が後述するように傾斜した状態に搭載され、前記ポスト１０６の先端部の一側面にヒートシンク１０７を介して前記レーザダイオードチップ１１０が搭載されている。そして、前記レーザダイオードチップ１１０はボンディングワイヤ１０８によって前記駆動回路チップ１２０に電気接続され、前記駆動回路チップ１２０はボンディングワイヤ１０８によって前記複数本のリード端子１０４に電気接続されている。
【００１４】
前記駆動回路チップ１２０は、１つの半導体基板に所要の駆動回路がモノリシックに構成されているが、実施例１ではさらに当該半導体基板の一部に受光素子としてのフォトダイオード１２１が構成されている。また、前記レーザダイオードチップ１１０はその出射光軸が前記マウント板１０５の表面に対して垂直方向に向けられた状態でマウントされており、レーザダイオードチップ１１０の一方のレーザ光出射面から出射されるレーザ光が前記ガラス窓１０３を通してキャップ１０２の外部に出射されるように構成される。また、駆動回路チップ１２０はフォトダイオード１２１の受光面が前記レーザダイオードチップ１１０の光軸に対して所要の角度で傾斜するようにスペーサ１０５ａによって傾斜した状態で前記マウント板１０５上に搭載されており、レーザダイオードチップ１１０の反対面から出射されるモニタ用レーザ光が前記フォトダイオード１２１に投射されるように構成されている。このようにフォトダイオード１２１の受光面をレーザダイオードチップ１１０の光軸に対して垂直ではなく傾斜させることで、レーザダイオードチップ１１０から出射されたレーザ光がフォトダイオード１２１で反射されて再びレーザダイオードチップ１１０に戻されることがなくなり、レーザダイオードチップ１１０内での共振動作に悪影響を与えることがなく、レーザダイオードチップ１１０での安定動作が確保される。
【００１５】
図４は前記駆動回路チップ１２０とレーザダイオードチップ１１０のブロック回路構成を示す図である。駆動回路チップ１２０は、前記フォトダイオード１２１で受光したレーザダイオードチップ１１０からのレーザ光の受光電流をＩ／Ｖ変換器１２２で受光電圧にし、この受光電圧を比較器１２３において基準電圧Ｖｒと比較して差電圧を得る。そして、得られた差電圧に基づいてサンプル・ホールド回路１２４においてコンデンサＣを充電しあるいは放電を行うことで、コンデンサＣの電圧は差電圧に追従したものとなる。そして、得られた差電圧をＶ／Ｉ変換器１２５でレーザダイオード駆動電流とし、このレーザダイオード駆動電流を入力される画像データＤＡＴＡに追従して動作される電流スイッチ回路１２６においてオン・オフし、レーザダイオードチップ１１０に供給する。レーザダイオードチップ１１０は当該レーザダイオード駆動電流が通流されることによって発光し、レーザ光を出射する。なお、前記画像データＤＡＴＡは図１のコントローラ６からレーザダイオード装置１のリード端子１０４の一部を通して入力される。また、前記基準電圧ＶｒとコンデンサＣも同様にリード端子１０４を介して接続される。
【００１６】
このように、リード端子を通して画像データＤＡＴＡをレーザダイオード装置１に入力することで駆動回路チップ１２０によってレーザダイオードチップ１１０が駆動されてレーザ光を出射し、出射されたレーザ光はガラス窓１０３を通して外部に出射される。また、これと同時に駆動回路チップ１２０では、レーザダイオードチップ１１０から出射されたモニタ用レーザ光をフォトダイオード１２１でモニタし、このモニタしたレーザ光出力が基準値よりも大きいときにはコンデンサＣの電圧が増加されるためレーザダイオードチップ１１０に供給する駆動電流は減少されることになり、レーザダイオードチップ１１０のレーザ光出力が低下される。逆にモニタしたレーザ光出力が基準値よりも小さいときにはコンデンサＣの電圧が減少されるためレーザダイオード駆動電流は増加されることになり、レーザダイオードチップ１１０のレーザ光出力が増加される。これにより一定のレーザ光出力が得られることになる。
【００１７】
また、駆動回路チップ１２０では入力される画像データＤＡＴＡに基づいてＶ／Ｉ変換器１２５で生成されたレーザダイオード駆動電流をオン、オフ制御することで、レーザダイオードチップ１１０から出射されるレーザ光もオン、オフ制御されることになる。そのため、このレーザダイオード装置１を図１に示したレーザ走査装置の光源として用いたときには、当該画像データＤＡＴＡに対応してオン、オフ制御されるレーザ光がポリゴンミラー３によって主走査方向に偏向されながら感光ドラム５の感光面に照射され、これと同時に感光ドラム５が副走査方向に回転されることで、レーザ光が感光面に対して走査され、ブラック、ホワイトの画像を描画することになる。
【００１８】
このレーザダイオード装置１においては、パッケージ内においてレーザダイオードチップ１１０と駆動回路チップ１２０、ないしはリード端子１０４がボンディングワイヤ１０８により相互に電気接続されているため、ボンディングワイヤ１０８の長さ、すなわちパッケージ内での配線長を極めて短いものにできる。そのため、特許文献１の技術と比較すると、レーザダイオードチップ１１０と駆動回路チップ１２０との間、ないし駆動回路チップ１２０やリード端子１０４との間の電気接続配線に寄生する容量や抵抗を低減でき、レーザダイオードチップ１１０に構成されているレーザダイオードと駆動回路チップ１２０に構成されている駆動回路との電気的な整合がとり易くなり、レーザダイオードを最適なマッチング条件で駆動させることができ、レーザダイオードの発光特性を改善する上で有利になる。さらに、特許文献１のように、それぞれが個別にパッケージ化されたディスクリート型のレーザダイオードと、基板上に構成された駆動回路とを組み立ててレーザダイオード装置を構成する場合に比較して小型化に有利となり、また、組立作業時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することも可能になる。
【実施例２】
【００１９】
図５は本発明の実施例１の変形例としての実施例２のレーザダイオード装置１Ａの内部構成を示す図であり、実施例１の図３と同様の図である。実施例１と等価な部分には同一符号を付してある。この実施例２では、受光素子としてのフォトダイオードはフォトダイオードチップ１３０として駆動回路チップ１２０とは別体に形成されており、これら駆動回路チップ１２０とフォトダイオードチップ１３０とがパッケージ内の一つのマウント板１０５上に並んで搭載されている。このときフォトダイオードチップ１３０はスペーサ１０５ａによって受光面がレーザダイオードチップ１１０の光軸に対して傾斜させてレーザダイオードチップ１１０の安定動作を確保していることは実施例１と同様である。そして、これら駆動回路チップ１２０とフォトダイオードチップ１３０はボンディングワイヤ１０８によって相互に、及びレーザダイオードチップ１１０に接続され、さらに前記複数本のリード端子１０４に電気接続されている。
【００２０】
この実施例２では、パッケージ内においてレーザダイオードチップ１１０、フォトダイオードチップ１３０及び駆動回路チップ１２０がボンディングワイヤ１０８により電気接続しているため、これらの間を接続するための配線長を極めて短いものにでき、実施例１と同様にレーザダイオードと駆動回路との電気的な整合がとり易くなり、レーザダイオードの発光特性を改善する上で有利になり、しかも小型化に有利となる。また、組立作業時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することも可能になる。さらに、この実施例２では、駆動回路チップ１２０とフォトダイオードチップ１３０とを独立してマウント板１０５上の任意の位置に搭載することができ、特にフォトダイオードチップ１３０はレーザダイオードチップ１１０から出射されるモニタ用レーザ光を最も受光し易い位置に位置決めして搭載することができ、またフォトダイオードチップ１３０と駆動回路チップ１２０に接続するボンディングワイヤ１０８を最も短い状態で接続することが可能な位置に位置決めして搭載することができるため、レーザダイオード装置の電気的な特性を向上する上で有利になる。
【実施例３】
【００２１】
図６は本発明の実施例３のレーザダイオード装置１Ｂの一部を破断した斜視図、図７はそのＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。ベース板１４１は金属板を加工したリードフレームとして構成されており、その長手方向に沿った両側には複数本のリード端子１４２が配設されている。前記ベース板１４１の上面には実施例１と同様にフォトダイオード１２１を一体に設けた駆動回路チップ１２０が搭載されている。また前記フォトダイオード１２１に近接する前記駆動回路チップ１２０の表面上の一部上にはさらにレーザダイオードチップ１１０が搭載されている。前記レーザダイオードチップ１１０は前記駆動回路チップ１２０の表面と平行な方向にレーザ光を出射するようにマウント材によって一体的にマウントされている。そして、前記駆動回路チップ１２０とレーザダイオードチップ１１０はボンディングワイヤ１０８によって相互に接続され、さらには前記リード端子１４２に電気接続されている。そして、前記ベース基板１４１及びリード端子１４２はケース状に形成されたセラミック或いは樹脂、ここでは樹脂１４３により封止された状態でパッケージされている。このパッケージを構成する前記樹脂１４３の側壁の一部には前記レーザダイオードチップ１１０から出射されるレーザ光を透過させるための開口窓が形成されているが、この開口窓には透明樹脂が封止され、透明樹脂窓１４４として構成されている。
【００２２】
このレーザダイオード装置１Ｂでは、レーザダイオードチップ１１０の両側面からレーザ光が出射され、一方のレーザ光は透明樹脂窓１４４を通して外部に出射される。他方のレーザ光はモニタ用レーザ光として駆動回路チップ１２０のフォトダイオード１２１によって受光される。この実施例３のレーザダイオード装置１Ｂは、パッケージ内においてレーザダイオードチップ１１０と駆動回路チップ１２０がボンディングワイヤにより電気接続しているため、両者間の配線長を極めて短いものにでき、実施例１，２と同様にレーザダイオードと駆動回路との電気的な整合がとり易くなり、レーザダイオードの発光特性を改善する上で有利になる。また、実施例１，２と同様に小型化に有利であり、また、組立作業時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することも可能になる。さらに、この実施例３では、パッケージを樹脂により形成しているので、実施例１，２の金属パッケージに比較して低価格化に有利であり、また偏平に構成できるためレーザ走査装置への組込性にも優れている。
【実施例４】
【００２３】
図８は本発明の実施例３の変形例としての実施例４のレーザダイオード装置１Ｃの内部構成を示す実施例３の図７と同様の図であり、実施例３と等価な部分には同一符号を付してある。リードフレームとして構成されたベース板１４１上には断熱板１４５が一体に形成されており、この断熱板１４５上にヒートシンクとして２つのマウント板１４６，１４７が一体に搭載されている。また、ベース板１４１の長手方向に沿う両側には複数のリード端子１４２が配設されている。駆動回路チップ１２０とフォトダイオードチップ１３０は実施例２と同様に別体に形成されており、駆動回路チップ１２０は前記一方のマウント板１４６上に搭載され、フォトダイオードチップ１３０は他方のマウント板１４７上に搭載されている。そして、前記フォトダイオードチップ１３０上には実施例３と同様にレーザダイオードチップ１１０が搭載されている。すなわち、前記フォトダイオードチップ１３０は上面に受光部が形成されるとともに、この受光部の隣り位置にはフォトダイオードチップ１３０の表面と平行な方向にレーザ光を出射するように前記レーザダイオードチップ１１０がマウント材によって一体的にマウントされている。そして、前記駆動回路チップ１２０、フォトダイオードチップ１３０、レーザダイオードチップ１１０はそれぞれボンディングワイヤ１０８によって相互に、あるいは前記リード端子１４２に電気接続されている。前記ベース板１４１及びリード端子１４２はケース状をした樹脂１４３によりパッケージされており、この樹脂１４３の側壁の一部には前記レーザダイオードチップ１１０から出射されるレーザ光を透過させるための透明樹脂窓１４４が形成されていることは実施例３と同じである。
【００２４】
この実施例４のレーザダイオード装置では、実施例３と同様にレーザダイオードチップ１１０、フォトダイオードチップ１３０及び駆動回路チップ１２０をパッケージ内においてボンディングワイヤ１０８により電気接続しているため、配線長を極めて短いものにでき、レーザダイオードと駆動回路との電気的な整合がとり易くなり、レーザダイオードの発光特性を改善する上で有利になる。また、実施例３と同様に小型化に有利であり、また、組立作業時におけるレーザダイオードの静電破壊を未然に回避することも可能になる。また、樹脂型のパッケージとして構成しているので、低価格化に有利であり、偏平に構成できるためレーザ走査装置への組込性にも優れている。さらに、実施例４ではレーザダイオードチップ１１０を搭載しているフォトダイオードチップ１３０と、駆動回路チップ１２０とが断熱板１４５を介して別体に構成されたマウント板１４６，１４７にそれぞれ搭載されているので、レーザダイオードチップ１１０で発生した熱がマウント板１４７によって放熱されるとともに、断熱板１４５の断熱作用によって駆動回路チップ１２０にまで伝導されることが抑制でき、駆動回路チップ１２０の熱による損傷や特性劣化、ないし誤作動を防止することが可能になる。
【実施例５】
【００２５】
図９（ａ）は本発明の実施例５の要部の斜視図であり、図１に示した実施例１の変形例としてマルチビームレーザダイオードに適用した実施例を示している。ここでは、４ビームレーザダイオードの例を示しており、ヒートシンク１０７を介してポスト１０６に支持されるレーザダイオードチップとして、４つのレーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄが横一例に配列された状態で支持されている。各レーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄはそれぞれ独立したボンディングワイヤ１０８によって駆動回路チップ１２０に電気接続されるとともに、それぞれの光軸は当該駆動回路チップ１２０に一体に形成されたフォトダイオード１２１に対向配置されている。なお、この実施例においても駆動回路チップ１２０はフォトダイオード１２１の受光面が各レーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄの光軸に対して傾斜するようにスペーサ１０５ａを介して傾斜状態にマウント板１０５に搭載されている。図９（ｂ）は前記レーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄとフォトダイオード１２１の回路図である。
【００２６】
この実施例５では、４つのレーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄを独立してオン・オフ制御することで、キャップ１０２のガラス窓１０３からは４つのビームのレーザ光が出射される。また、各レーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄの反対側から出射されるレーザ光はそれぞれ同じフォトダイオード１２１で受光され、各レーザダイオードチップ１１０Ａ〜１１０Ｄは図４で説明したと同様に駆動回路チップ１２０での制御によってそれぞれの発光出力が独立した状態で制御されることになる。このようなマルチビームレーザダイオードを構成することで、レーザ走査装置における印刷速度の向上が実現できることは言うまでもない。
【００２７】
なお、前記各実施例は本発明のレーザダイオード装置のパッケージ構成として金属パッケージと樹脂パッケージのそれぞれ代表的な構成例を示しているが、各パッケージの形状や内部におけるチップ配置等の構成は前記実施例に限られるものではなく任意に変形することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の光半導体装置が適用されるレーザ走査装置の概略構成図である。
【図２】実施例１のレーザダイオード装置の一部を破断した斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】駆動回路の一例の回路図である。
【図５】実施例２のレーザダイオード装置の断面図である。
【図６】実施例３のレーザダイオード装置の一部を破断した斜視図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図８】実施例４のレーザダイオード装置の断面図である。
【図９】実施例５のマルチビームレーザダイオード装置の要部の斜視図と回路図である。
【符号の説明】
【００２９】
１，１Ａ〜１Ｃ  レーザダイオード装置
２  コリメータレンズ
３  ポリゴンミラー
４  ｆθレンズ
５  感光ドラム
６  コントローラ
１０１  ステム
１０２  キャップ
１０３  ガラス窓
１０４  リード端子
１０５  マウント板
１０６  ポスト
１０７  ヒートシンク
１０８  ボンディングワイヤ
１１０  レーザダイオードチップ
１２０  駆動回路チップ
１２１  フォトダイオード
１３０  フォトダイオードチップ
１４１  ベース板
１４２  リード端子
１４３  樹脂（パッケージ樹脂）
１４４  透明樹脂窓
１４５  断熱板
１４６，１４７  マウント板
【図１】
2005116583.tif 000003
【図２】
2005116583.tif 000004
【図３】
2005116583.tif 000005
【図４】
2005116583.tif 000006
【図５】
2005116583.tif 000007
【図６】
2005116583.tif 000008
【図７】
2005116583.tif 000009
【図８】
2005116583.tif 000010
【図９】
2005116583.tif 000011