(57)【要約】【課題】  自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用の提供。【解決手段】  この製造方法は、まず基板上に特定パターンと特定官能基を具えたホトレジストを形成して導電性高分子重合ユニットのもう一つの特定官能基と結合させ、並びにこれにより特定パターンを具えた導電薄膜を形成する。このほか、本発明の技術はまた発光薄膜の形成方法に応用可能で、特に有機発光ダイオード装置中の発光層の製造方法を提供する。【選択図】        図１０
2005276695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１導電性寡重合物を改質して第２官能基と第３官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第２官能基を該ホトレジストの該第１官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基に結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの第４官能基を該導電薄膜の該第３官能基に結合させ並びに発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、基板の材質をポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、基板はＩＴＯガラスを改質してそれにホトレジストの第１官能基と結合させる第５官能基を具備させたものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項４】
請求項３記載の発光薄膜の形成方法において、第５官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項５】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第１官能基、第２官能基、第３官能基、第４官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項６】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第１導電性寡重合物は導電性モノマーを重合させて形成し、該導電性モノマーは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項７】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項８】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と異なるものとし、且つ第２官能基の第１官能基との結合の能力を第３官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項９】
請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、発光高分子重合ユニットは、（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列、（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列、（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列からなる群中のいずれかとし、そのうち、
（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列は、
【化１】
2005276695.tif 000055
【化２】
2005276695.tif 000056
【化３】
2005276695.tif 000057
【化４】
2005276695.tif 000058
【化５】
2005276695.tif 000059
【化６】
2005276695.tif 000060
【化７】
2005276695.tif 000061
を含む群中より選択し、
（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列は、
【化８】
2005276695.tif 000062
【化９】
2005276695.tif 000063
【化１０】
2005276695.tif 000064
を含む群中より選択し、そのうち、Ｒはアルキルであり、
（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列は、
【化１１】
2005276695.tif 000065
【化１２】
2005276695.tif 000066
【化１３】
2005276695.tif 000067
【化１４】
2005276695.tif 000068
を含む群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１０】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１導電性寡重合物を改質して第２官能基と第３官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第２官能基を該ホトレジストの該第１官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基に結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
分子構造の両端に第４官能基と第５官能基を具えた接着剤を提供し、該第４官能基を該導電薄膜の第３官能基に結合させる接着工程、
発光高分子重合ユニットの第６官能基を該接着剤の第５官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１１】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
鉱物酸基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１アニリン寡重合物を改質して鉱物酸基を具備させて第２アニリン寡重合物を形成する工程、
第２アニリン寡重合物をイオン化してそれに正の電荷を付帯した窒素含有基と負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させる工程、
該基板の少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストをイオン化してそれに負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させる工程、
第２アニリン寡重合物の正の電荷を付帯した窒素含有基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの鉱物酸根に静電結合させて少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に導電薄膜を形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの特定官能基を該導電薄膜の第２アニリン寡重合物に結合させ、並びに発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒により第２アニリン寡重合物をイオン化することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、導電薄膜生成工程を酸性溶媒中で実行することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１６】
請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、特定官能基はイオン化後に生成する正の電荷を付帯する官能基を更に含むことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１７】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
少なくとも一種類の非導電性高分子のコア、少なくとも一種類の導電性高分子のシェル、少なくとも一種類のイオン型安定剤を具え、且つ該シェルが該ホトレジストの第１官能基に結合する第２官能基を具えている導電性粒子を提供する工程、
該導電性粒子の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基を結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程と、
発光高分子重合ユニットの第３官能基を該導電性粒子の第２官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１８】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
分子構造の両端に第２官能基と第３官能基を具えた接着剤を提供し、該第２官能基を該ホトレジストの第１官能基に結合させる接着工程、
第１導電性寡重合物を改質して第４官能基と第５官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第４官能基を該接着剤の第３官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第４官能基を接着剤の第３官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの第６官能基を導電薄膜の第５官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、基板の材質をポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、基板はＩＴＯガラスを改質してそれにホトレジストの第１官能基と結合させる第７官能基を具備させたものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の発光薄膜の形成方法において、第５官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２２】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、接着剤は、ジイソシアン酸塩系列及びジアルデヒド系列のものより選択され、
該ジイソシアン酸塩系列の構造式は、
【化１５】
2005276695.tif 000069
そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供され、
ジアルデヒド系列の構造式は、
【化１６】
2005276695.tif 000070
そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて上述のユニットとの結合に供されることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２３】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第１官能基、第２官能基、第３官能基、第４官能基、第５官能基及び第６官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２４】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２５】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と異なるものとし、且つ第２官能基の第１官能基との結合の能力を第３官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２６】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、接着剤は短鎖構造を具え、該短鎖構造の重複ユニットは６個より少なく、これにより接着剤の第２官能基と第３官能基が相反する両側に位置することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２７】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第１導電性寡重合物は導電性モノマーを重合させて形成し、該導電性モノマーは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２８】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第４官能基を第５官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項２９】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第４官能基を第５官能基と異なるものとし、且つ第４官能基の第３官能基との結合の能力を第５官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項３０】
請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、発光高分子重合ユニットは、（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列、（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列、（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列からなる群中のいずれかとし、そのうち、
（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列は、
【化１７】
2005276695.tif 000071
【化１８】
2005276695.tif 000072
【化１９】
2005276695.tif 000073
【化２０】
2005276695.tif 000074
【化２１】
2005276695.tif 000075
【化２２】
2005276695.tif 000076
【化２３】
2005276695.tif 000077
を含む群中より選択し、
（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列は、
【化２４】
2005276695.tif 000078
【化２５】
2005276695.tif 000079
【化２６】
2005276695.tif 000080
を含む群中より選択し、そのうち、Ｒはアルキルであり、
（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列は、
【化２７】
2005276695.tif 000081
【化２８】
2005276695.tif 000082
【化２９】
2005276695.tif 000083
【化３０】
2005276695.tif 000084
を含む群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【請求項３１】
発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
分子構造の両端に第２官能基と第３官能基を具えた第１接着剤を提供し、該第２官能基を該ホトレジストの第１官能基に結合させる第１接着工程、
第１導電性寡重合物を改質して第４官能基と第５官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第４官能基を該第１接着剤の第３官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第４官能基を第１接着剤の第３官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
分子構造の両端に第６官能基と第７官能基を具えた第２接着剤を提供し、該第６官能基を該導電薄膜の第５官能基に結合させる第２接着工程、
発光高分子重合ユニットの第８官能基を第２接着剤の第７官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用に係り、特に分子設計により官能基で相互に結合した自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明ガラス導電薄膜の形成方法は、真空環境下で、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）をガラス基板に蒸着或いはスパッタしてＩＴＯ導電ガラスを形成する、というものである。ＩＴＯガラスの長所は高い剛性、高い耐熱性、高い平坦性、及び優れた光学特性にあり、工業上、液晶ディスプレイ、タッチパネルの導電層によく応用される。しかし、その全体の導電層は形状を具備せず、ガラス基板の重量は重く、破裂しやすく、湾曲不能である制限を有し、真空方法で形成され、且つその工程は比較的複雑で高価である等の多くの欠点がある。このため産業界では各種の代替材質の研究開発が進められている。且つ、フレキシブル基板は近年の発展の主要な傾向であり、軽量化、薄型化、小型化の要求に対応し、高分子主体がフレキシブルで、携帯しやすく、衝撃に耐え、不規則形状に形成でき、生産時にロールツーロール（ｒｏｌｌ  ｔｏ  ｒｏｌｌ）の連続製造方式を使用でき、大幅に生産コストを下げることができる。伝統的に、一般のフレキシブルプラスチックＩＴＯ基板は真空環境下で、ＩＴＯを高分子基板上に蒸着或いはスパッタするが、プラスチックの耐熱性は一般に不良であり、且つガラス基板の場合と同様に、真空工程が複雑で高価である問題に直面する。また高分子基板システム／ＩＴＯ／高分子材料は、その導電膜に無機材料／有機材料の間の付着性不良による界面分離と剥離の問題が出現しうる。
【０００３】
また、有機発光ダイオード装置の基本構造においては、単層の発光特性を具えた有機半導体薄膜が、上層金属カソードと下層透明アノードの間に堆積されている。伝統的に、装置は透明基板（例えばガラス）の上に製造され、並びに透明導体ＩＴＯが透明アノードを構成する。順方向バイアスをアノードとカソードの間に印加する時、正孔と電子はそれぞれアノードとカソードより有機半導体に注入され、二種類のキャリアが有機薄膜中で伝導されて遭遇する時、輻射性再結合（ｒａｄｉａｔｉｖｅ  ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）の方式で光子（ｐｈｏｔｏｎ）を発生し、透明カソードと基板を通して発光する。有機発光ダイオードの原理は正負のキャリアの再結合（ｃａｒｒｉｅｒ  ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）にあり、ゆえにもし発光ダイオードの効率を高めるならば、電子の注入と伝導速度と正孔の注入と伝導速度の両者を平衡させて、電子と正孔の発光層での結合効率を高める必要がある。この目的を達成するため、一般に採用されている方法は、多層構造を具えた有機発光ダイオードであり、それはＩＴＯ／正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）／発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）／電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）／金属で組成されている。このような多層構造はまた無機材料／有機材料、有機材料／有機材料、無機材料／有機材料の相容性の不良による界面接着不足の問題を発生しうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術の問題から、界面接着性が良好で機械強度が高い導電薄膜、発光薄膜及び有機発光ダイオードの発光層を製造でき、並びに工程が簡単で産業上の要求に符合する新たな製造方法が求められている。
【０００５】
本発明は以上の従来の技術を鑑み、製品の品質を高めることができ、並びに産業上の要求に符合する自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用を提供するものである。
【０００６】
本発明の目的は、一種のホトレジストを提供することにある。一般に半導体工程で使用されるホトレジストは特殊な官能基を具備せず、通常は、リソグラフィー、エッチングの後、ホトレジストを除去し、このため重複して何度も煩瑣な工程を実行する必要がある。これに対して本発明では特殊な官能基を具えたホトレジストを形成し、第１次リソグラフィー、エッチング工程の後、このホトレジストを除去する必要がなく、且つホトレジスト上の官能基を次の工程のその他の物質の具備する官能基と結合させて、界面接着性を増強する効果を達成する。
【０００７】
本発明の別の目的は、分子設計を利用して官能基相互作用と反応合成の方式により、導電高分子重合ユニット或いはその他の特殊な化学性質を具えた材料に自発性の吸引により成膜効果を達成させ、このような方式により多機能性有機材料を薄膜モジュールに集合させられるようにすることにある。
【０００８】
本発明のさらに別の目的は、コアシェル構造を具えた導電性粒子を導入し、並びにマイクロ化した顆粒により導電性と透明度を強化し、これにより高い導電性と高い透明度を具えた導電薄膜と発光薄膜を製造できるようにすることにある。
【０００９】
以上の目的に基づき、本発明は、一種の自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用を提供する。この製造方法は、まず基板上に特定パターンと特定官能基を具えたホトレジストを形成して導電性高分子重合ユニットのもう一つの特定官能基と結合させ、並びにこれにより特定パターンを具えた導電薄膜を形成する。このほか、本発明の技術はまた発光薄膜の形成方法に応用可能で、特に有機発光ダイオード装置中の発光層の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１導電性寡重合物を改質して第２官能基と第３官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第２官能基を該ホトレジストの該第１官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基に結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの第４官能基を該導電薄膜の該第３官能基に結合させ並びに発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、基板の材質をポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、基板はＩＴＯガラスを改質してそれにホトレジストの第１官能基と結合させる第５官能基を具備させたものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項４の発明は、請求項３記載の発光薄膜の形成方法において、第５官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第１官能基、第２官能基、第３官能基、第４官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第１導電性寡重合物は導電性モノマーを重合させて形成し、該導電性モノマーは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項８の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と異なるものとし、且つ第２官能基の第１官能基との結合の能力を第３官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の発光薄膜の形成方法において、発光高分子重合ユニットは、（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列、（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列、（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列からなる群中のいずれかとし、そのうち、
（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列は、
【化３１】
2005276695.tif 000003
【化３２】
2005276695.tif 000004
【化３３】
2005276695.tif 000005
【化３４】
2005276695.tif 000006
【化３５】
2005276695.tif 000007
【化３６】
2005276695.tif 000008
【化３７】
2005276695.tif 000009
を含む群中より選択し、
（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列は、
【化３８】
2005276695.tif 000010
【化３９】
2005276695.tif 000011
【化４０】
2005276695.tif 000012
を含む群中より選択し、そのうち、Ｒはアルキルであり、
（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列は、
【化４１】
2005276695.tif 000013
【化４２】
2005276695.tif 000014
【化４３】
2005276695.tif 000015
【化４４】
2005276695.tif 000016
を含む群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１０の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１導電性寡重合物を改質して第２官能基と第３官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第２官能基を該ホトレジストの該第１官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基に結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
分子構造の両端に第４官能基と第５官能基を具えた接着剤を提供し、該第４官能基を該導電薄膜の第３官能基に結合させる接着工程、
発光高分子重合ユニットの第６官能基を該接着剤の第５官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１１の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
鉱物酸基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
第１アニリン寡重合物を改質して鉱物酸基を具備させて第２アニリン寡重合物を形成する工程、
第２アニリン寡重合物をイオン化してそれに正の電荷を付帯した窒素含有基と負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させる工程、
該基板の少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストをイオン化してそれに負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させる工程、
第２アニリン寡重合物の正の電荷を付帯した窒素含有基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの鉱物酸根に静電結合させて少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に導電薄膜を形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの特定官能基を該導電薄膜の第２アニリン寡重合物に結合させ、並びに発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒により第２アニリン寡重合物をイオン化することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１２記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１４の発明は、請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、導電薄膜生成工程を酸性溶媒中で実行することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１４記載の発光薄膜の形成方法において、酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１１記載の発光薄膜の形成方法において、特定官能基はイオン化後に生成する正の電荷を付帯する官能基を更に含むことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１７の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
少なくとも一種類の非導電性高分子のコア、少なくとも一種類の導電性高分子のシェル、少なくとも一種類のイオン型安定剤を具え、且つ該シェルが該ホトレジストの第１官能基に結合する第２官能基を具えている導電性粒子を提供する工程、
該導電性粒子の該第２官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの第１官能基を結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程と、
発光高分子重合ユニットの第３官能基を該導電性粒子の第２官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１８の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
分子構造の両端に第２官能基と第３官能基を具えた接着剤を提供し、該第２官能基を該ホトレジストの第１官能基に結合させる接着工程、
第１導電性寡重合物を改質して第４官能基と第５官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第４官能基を該接着剤の第３官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第４官能基を接着剤の第３官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
発光高分子重合ユニットの第６官能基を導電薄膜の第５官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項１９の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、基板の材質をポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体からなる群中のいずれかとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２０の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、基板はＩＴＯガラスを改質してそれにホトレジストの第１官能基と結合させる第７官能基を具備させたものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２１の発明は、請求項２０記載の発光薄膜の形成方法において、第５官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２２の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、接着剤は、ジイソシアン酸塩系列及びジアルデヒド系列のものより選択され、
該ジイソシアン酸塩系列の構造式は、
【化４５】
2005276695.tif 000017
そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供され、
ジアルデヒド系列の構造式は、
【化４６】
2005276695.tif 000018
そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて上述のユニットとの結合に供されることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２３の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第１官能基、第２官能基、第３官能基、第４官能基、第５官能基及び第６官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２４の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２５の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第２官能基を第３官能基と異なるものとし、且つ第２官能基の第１官能基との結合の能力を第３官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２６の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、接着剤は短鎖構造を具え、該短鎖構造の重複ユニットは６個より少なく、これにより接着剤の第２官能基と第３官能基が相反する両側に位置することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２７の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第１導電性寡重合物は導電性モノマーを重合させて形成し、該導電性モノマーは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２８の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第４官能基を第５官能基と同じとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項２９の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、第４官能基を第５官能基と異なるものとし、且つ第４官能基の第３官能基との結合の能力を第５官能基より大きいものとすることを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項３０の発明は、請求項１８記載の発光薄膜の形成方法において、発光高分子重合ユニットは、（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列、（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列、（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列からなる群中のいずれかとし、そのうち、
（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列は、
【化４７】
2005276695.tif 000019
【化４８】
2005276695.tif 000020
【化４９】
2005276695.tif 000021
【化５０】
2005276695.tif 000022
【化５１】
2005276695.tif 000023
【化５２】
2005276695.tif 000024
【化５３】
2005276695.tif 000025
を含む群中より選択し、
（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列は、
【化５４】
2005276695.tif 000026
【化５５】
2005276695.tif 000027
【化５６】
2005276695.tif 000028
を含む群中より選択し、そのうち、Ｒはアルキルであり、
（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列は、
【化５７】
2005276695.tif 000029
【化５８】
2005276695.tif 000030
【化５９】
2005276695.tif 000031
【化６０】
2005276695.tif 000032
を含む群中より選択することを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
請求項３１の発明は、発光薄膜の形成方法において、
基板を提供する工程、
第１官能基を具えたホトレジストを該基板の上にコーティングする工程、
少なくとも一つの特定パターンを具えた橋かけ硬化構造のホトレジストを該基板の上に形成するリソグラフィー工程、
分子構造の両端に第２官能基と第３官能基を具えた第１接着剤を提供し、該第２官能基を該ホトレジストの第１官能基に結合させる第１接着工程、
第１導電性寡重合物を改質して第４官能基と第５官能基を具えた第２導電性寡重合物を形成し、且つ該第４官能基を該第１接着剤の第３官能基に結合させる工程、
第２導電性寡重合物の該第４官能基を第１接着剤の第３官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する導電薄膜生成工程、
分子構造の両端に第６官能基と第７官能基を具えた第２接着剤を提供し、該第６官能基を該導電薄膜の第５官能基に結合させる第２接着工程、
発光高分子重合ユニットの第８官能基を第２接着剤の第７官能基に結合させて発光薄膜を該導電薄膜の上に形成する発光薄膜生成工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、発光薄膜の形成方法としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は一種のホトレジストの製造方法を提供している。一般に半導体工程で使用されるホトレジストは特殊な官能基を具備せず、通常は、リソグラフィー、エッチングの後、ホトレジストを除去し、このため重複して何度も煩瑣な工程を実行する必要がある。これに対して本発明では特殊な官能基を具えたホトレジストを形成し、第１次リソグラフィー、エッチング工程の後、このホトレジストを除去する必要がなく、且つホトレジスト上の官能基を次の工程のその他の物質の具備する官能基と結合させて、界面接着性を増強する効果を達成する。
【００１２】
本発明はまた、分子設計を利用して官能基相互作用と反応合成の方式により、導電高分子重合ユニット或いはその他の特殊な化学性質を具えた材料に自発性の吸引により成膜効果を達成させ、このような方式により多機能性有機材料を薄膜モジュールに集合させられるようにしている。
【００１３】
本発明はさらに、コアシェル構造を具えた導電性粒子を導入し、並びにマイクロ化した顆粒により導電性と透明度を強化し、これにより高い導電性と高い透明度を具えた導電薄膜と発光薄膜を製造できるようにしている。
【００１４】
本発明は一種の自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用を提供し、この形成方法は基板上に少なくとも一つの特定パターンを具えた特定官能基を具えたホトレジストを形成し、導電性高分子重合ユニットの別の特定官能基を結合させ、並びにこれにより特定パターンの導電薄膜を形成する。このほか、本発明の技術は発光薄膜の形成方法、特に有機発光ダイオード中の発光層の形成方法に応用される。
【００１５】
総合すると、本発明は、一種の自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用を提供する。この製造方法は、まず基板上に特定パターンと特定官能基を具えたホトレジストを形成して導電性高分子重合ユニットのもう一つの特定官能基と結合させ、並びにこれにより特定パターンを具えた導電薄膜を形成する。このほか、本発明の技術はまた発光薄膜の形成方法に応用可能で、特に有機発光ダイオード装置中の発光層の製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明がここで検討する方向は自己合成導電薄膜の形成方法及びその応用にある。徹底的に本発明をご理解いただくため、以下に詳しい工程或いは組成構造を記述する。あきらかに、本発明の実施は導電薄膜領域の技術者が習熟する特殊な細部に限定されるものではない。また、周知の組成或いは工程についてはここでは詳しく記載せず、本発明に不必要な制限を形成することを回避している。本発明の好ましい実施例は以下に詳しく説明されるが、これらの詳細な説明のほかに、本発明は更に広くその他の実施例中に実施可能であり、且つ本発明の特許請求の範囲はこの詳細な説明に限定されるものではない。
【００１７】
本発明の第１実施例はホトレジストの製造方法である。まず、少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットを提供する。この少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットは以下からなる群のうちのいずれかを含有する。即ち、アクリル、スチレン、ノルボルネン（Ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ）、脂環族（Ａｌｉｃｙｃｌｉｃ）、シルセスキオキサン（ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）及びその誘導体。続いて、少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットを改質してそれに第１官能基を具備させる。そのうち、この第１官能基は第２官能基を具えた物質との結合に用いられる。その形成方法は、第２高分子重合ユニットを改質してそれに第２官能基を具備させ並びにこれにより第２官能基を具えた第２高分子重合ユニットを形成させる。そのうち、上述の第２高分子重合ユニットは以下からなる群のいずれかを含有する。即ち、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体。且つ上述の第２高分子重合ユニットは更に導電性寡重合物を含む。次に、上述の第２官能基を具えた物質は以下からなる群のいずれかとされる。ジイソシアン酸塩系列（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）
【化６１】
2005276695.tif 000033
及びジアルデヒド（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて上述のユニットとの結合に供される）。
【化６２】
2005276695.tif 000034
一方で、上述の第２官能基を具えた物質はＩＴＯガラスを改質してそれに第２官能基を具備させ並びにこれにより第２官能基を具えたＩＴＯガラスを形成する。そのうち、上述の第１官能基と第２官能基は以下のもの、即ち、鉱物酸基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択される。その後、第１官能基を具えた少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットをプレ重合させ並びに中間液を形成する。且つ中間液は溶媒を含有する。最後に、イニシエーターを中間液中に添加して第１官能基を具えたホトレジストを形成する。そのうち、上述のホトレジストはさらにバインダーと硬化剤の少なくとも一方を含有するものとする。
【００１８】
本発明の第２実施例はホトレジストの形成方法であり、まず、少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットを提供する。この少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットは、アクリル、スチレン、ノルボルネン、脂環族（Ａｌｉｃｙｃｌｉｃ）、シルセスキオキサン及びその誘導体からなる群のいずれかを含有する。また、上述の少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットは更に少なくとも一種類の寡重合物を含有する。続いて、少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットを改質してそれに第１官能基を具備させる。そのうち、この第１官能基は第２官能基を具えた物質と結合するのに用いられ、該第２官能基を具えた物質は、第２高分子重合ユニットを改質してそれに第２官能基を具備させ並びにこれにより第２官能基を具えた第２高分子重合ユニットを形成する。そのうち、該第２高分子重合ユニットはアニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群のいずれかを含有する。また、上述の第２高分子重合ユニットは更に導電性寡重合物を含有する。次に、上述の第２官能基を具えた物質は、ジイソシアン酸系列（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）
【化６３】
2005276695.tif 000035
及び以下のジアルデヒド（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）からなる群より選択される。
【化６４】
2005276695.tif 000036
一方で、上述の第２官能基を具えた物質はＩＴＯガラスを改質してそれに第２官能基を具備させ並びにこれにより第２官能基を具えたＩＴＯガラスを形成する。そのうち、上述の第１官能基と第２官能基は以下のもの、即ち、鉱物酸基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択される。その後、第１官能基を具えた少なくとも一種類の第１高分子重合ユニットと第１官能基を具えた少なくとも一種類の高分子重合ユニットを混合して混合物を形成する。そのうち、混合物の含有する第１官能基を具えた少なくとも一種類の高分子重合ユニットの比率が高いほど、ホトレジスタの他の物質に対する付着性が良好となる。続いて、混合物をプレ重合させて中間液を形成する。且つ中間液は溶媒を含有する。最後に、イニシエーターを中間液中に添加して第１官能基を具えたホトレジストを形成する。そのうち、上述のホトレジストはさらにバインダーと硬化剤の少なくとも一方を含有するものとする。
【００１９】
図１と図２を参照されたい。本発明の第３実施例では、まず基板１１０を提供する。該基板１１０の材質は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体のいずれかとする。このほか、上述の基板１１０はＩＴＯガラスを改質して第４官能基（図示せず）を具備させたものとし、並びにこれによりホトレジスト１２０の第１官能基Ａに結合させる。そのうち、上述の第４官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択する。その後、第１官能基Ａを具えたホトレジスト１２０を基板１１０上にコーティングし、並びにリソグラフィー工程１３０を実行して少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０を基板１１０の上に形成する。そのうち、このホトレジスト１４０は橋かけ硬化構造とされる。
【００２０】
図３に示されるように、本実施例では、ホトレジスト１４０形成後、第１導電性高分子重合ユニットを提供する。それは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群のいずれかを含有する。第１導電性高分子重合ユニットを改質して分子構造の両端に第２官能基Ｂと第３官能基Ｃを具えた第２導電性高分子重合ユニット１５０を形成する。且つ第２官能基Ｂはホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合する。そのうち、上述の第１官能基Ａ、第２官能基Ｂ、第３官能基Ｃは、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択する。上述の第２官能基Ｂは第３官能基Ｃと同じとされ得て、上述の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時は、第２官能基Ｂの第１官能基Ａとの結合の能力は第３官能基Ｃより大きい。続いて、薄膜生成工程で第２導電性高分子重合ユニット１５０の第２官能基Ｂを少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合させ、こうして導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンのホトレジスト１４０の上に形成する。一方で、上述の第１導電性高分子重合ユニットは短鎖構造を具え、その重複ユニット範囲は６個より少なく、これにより第２導電性高分子重合ユニット１５０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃは相反する両側に位置し、これにより第２導電性高分子重合ユニット１５０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが同時に少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０に結合するのが防止される。
【００２１】
図４に示されるように、本実施例では、ホトレジスト１４０形成後に、第１導電性寡重合物が提供される。この第１導電性寡重合物は、導電性モノマーを重合させてなり、それは、アニリン（ａｎｉｌｉｎｅ）、ピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）、チオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フラン（ｆｕｒａｎ）、アセチレン（ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、硫化フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びその誘導体からなる群のいずれかを含有する。第１導電性寡重合物を改質することで、第２官能基Ｂと第３官能基Ｃを具備させ並びに第２導電性寡重合物１６０を形成する。且つ第２官能基Ｂによりホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合させる。そのうち、上述の第１官能基Ａ、第２官能基Ｂ及び第３官能基Ｃは、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択する。上述の第２官能基Ｂが第３官能基Ｃと同じとされ得て、上述の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時は、第２官能基Ｂが第１官能基Ａに結合する能力は第３官能基Ｃより大きい。続いて、薄膜生成工程を実行し第２導電性寡重合物１６０の第２官能基Ｂを少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の上に形成する。
【００２２】
図５に示されるように、本実施例では、ホトレジスト１４０の形成後に、第１アニリン寡重合物を提供し、並びにこの第１アニリン寡重合物を改質してそれに鉱物酸基を具備させ並びに第２アニリン寡重合物１７０を形成する。その後、第２アニリン寡重合物をイオン化してそれに正の電荷を付帯した窒素含有基と負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させ、そのうち、このイオン化の工程は酸性溶媒により実行し、且つ上述の酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有する。次に、基板上の少なくとも一つのホトレジスト１４０をイオン化してそれに負の電荷を付帯した鉱物酸根を発生させる。最後に薄膜生成工程を行ない、この薄膜生成工程は酸性溶媒中で行ない、且つ上述の酸性溶媒は、塩酸（ＨＣｌ）溶液、硫酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ；ＡＰＳ）溶液、カンファースルホン酸（ｄｌ−１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＣＳＡ）溶液、ドデシルベンゼンスルオン酸（ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ；ＤＢＳＡ）溶液、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）溶液及びその誘導体溶液のいずれかを含有する。第２アニリン寡重合物１７０の正の電荷を付帯した窒素含有基は少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の鉱物酸根に静電結合し、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の上に形成する。
【００２３】
図６を参照されたい。本実施例中、ホトレジスト１４０形成後、導電性粒子１８０を提供する。この導電性粒子１８０は少なくとも一種類の非導電性高分子のコア、少なくとも一種類の導電性高分子のシェル及び少なくとも一種類のイオン型安定剤を具え、且つシェルは第２官能基Ｂを具えホトレジストの第１官能基Ａに結合する。最後に、薄膜生成工程により導電性粒子１８０の第２官能基Ｂを少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合させ、こうして導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の上に形成する。
【００２４】
図１、２及び図７に示されるように、本発明の第４実施例中、まず、基板１１０を提供する。該基板１１０の材料は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート及びその誘導体のいずれかとされる。このほか、上述の基板１１０はＩＴＯガラスを改質して第５官能基（図示せず）を具備させたものとし、並びにこれによりホトレジストの第１官能基Ａに結合する。そのうち、上述の第５官能基は、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択される。その後、第１官能基Ａを具えたホトレジストを基板１１０上にコーティングし、並びにリソグラフィー工程１３０を実行して少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０を基板１１０の上に形成する。そのうち、このホトレジスト１４０は橋かけ硬化構造とされる。続いて、接着剤１９０を提供して接着工程を実行する。この接着剤１９０は更にジイソシアン酸塩系列（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）
【化６５】
2005276695.tif 000037
及び以下のジアルデヒド（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）からなる群より選択される。
【化６６】
2005276695.tif 000038
接着剤１９０の分子構造の両端には第２官能基Ｂと第３官能基Ｃがあり、且つ接着工程では第２官能基Ｂによりホトレジスト１４０の第１官能基Ａに結合させる。
【００２５】
図８に示されるように、本実施例中、接着工程完成後に、第４官能基Ｄを具えた導電性高分子重合ユニット２００を提供し、接着剤１９０の第３官能基Ｃに結合させる。そのうち、上述の第１官能基Ａ、第２官能基Ｂ、第３官能基Ｃ、及び第４官能基Ｄは、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択される。上述の第２官能基Ｂは第３官能基Ｃと同じとされ得て、上述の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時、第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時は、第２官能基Ｂの第１官能基Ａとの結合の能力は第３官能基Ｃより大きい。最後に、薄膜生成工程を実行して導電性高分子重合ユニット２００の第４官能基Ｄを接着剤の第３官能基Ｃに結合させ、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の上に形成する。一方で、上述の接着剤１９０は短鎖構造を具え、その重複ユニット範囲は６個より少なく、これにより接着剤１９０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが相反する両側に位置し、これにより接着剤１９０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが同時にホトレジスト１４０に結合するのが防止される。
【００２６】
図９に示されるように、本実施例中、接着工程完成後に、導電性粒子２１０を提供する。この導電性粒子２１０は少なくとも一種類の非導電性高分子のコア、少なくとも一種類の導電性高分子のシェル及び少なくとも一種類のイオン型安定剤を具え、且つシェルは第４官能基Ｄを具え接着剤１９０の第３官能基Ｃに結合する。最後に、薄膜生成工程により導電性粒子２１０の第４官能基Ｄを接着剤１９０の第３官能基Ｃに結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジスト１４０の上に形成する。
【００２７】
図１０に示されるように、本発明の第５実施例では、まず少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜２２０を提供する。この導電薄膜２２０は第１官能基Ａを具えている。続いて、第１発光高分子重合ユニットを提供し、この第１発光高分子重合ユニットは以下からなる群のいずれかを含有する。
（１）ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｙｎｙｌｅｎｅ；ＰＰＶ）系列、例えば、
【化６７】
2005276695.tif 000039
【化６８】
2005276695.tif 000040
【化６９】
2005276695.tif 000041
【化７０】
2005276695.tif 000042
【化７１】
2005276695.tif 000043
【化７２】
2005276695.tif 000044
【化７３】
2005276695.tif 000045
（２）ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ；ＰＦ）系列とＰＰＰ系列、例えば、
【化７４】
2005276695.tif 000046
【化７５】
2005276695.tif 000047
【化７６】
2005276695.tif 000048
そのうち、Ｒはアルキルであり、
（３）ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；ＰＴ）系列、例えば、
【化７７】
2005276695.tif 000049
【化７８】
2005276695.tif 000050
【化７９】
2005276695.tif 000051
【化８０】
2005276695.tif 000052
【００２８】
次に、第１発光高分子重合ユニットを改質し、その分子構造の両端に第２官能基Ｂと第３官能基Ｃを具備させ並びに第２発光高分子重合ユニット２３０を形成し、且つ第２官能基Ｂを導電薄膜２２０の第１官能基Ａに結合させる。その後、薄膜生成工程を実行し、第２発光高分子重合ユニット２３０の第２官能基Ｂを少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜２２０の第１官能基Ａに結合させて、発光薄膜を導電薄膜２２０の上に形成する。上述の第１官能基Ａ、第２官能基Ｂ、第３官能基Ｃは鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択する。上述の第２官能基Ｂは第３官能基Ｃと同じとされうるが、第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時、第２官能基Ｂの第１官能基Ａとの結合の能力は第３官能基Ｃより大きい。また、上述の第１発光高分子重合ユニットは短鎖構造を具え、その重複ユニット範囲は６個より少なく、これにより第２発光高分子重合ユニット２３０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが相反する両側に位置するものとされ、これにより第２発光高分子重合ユニットの第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが同時に導電薄膜に結合するのを防止する。本実施例に記載の技術は有機発光ダイオード装置中の発光層の形成方法に応用されうる。
【００２９】
図１１に示される本発明の第６実施例では、まず少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜２４０を提供する。この導電薄膜２４０は第１官能基Ａを具えている。続いて、接着剤２５０を提供して接着工程を実行する。上述の接着剤２５０はジイソシアン酸塩系列（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）
【化８１】
2005276695.tif 000053
及び以下のジアルデヒド（その構造式は以下のようであり、そのうちＲはアルキル基、ベンゼン環より選択されて、上述のユニットとの結合に供される）からなる群より選択され、
【化８２】
2005276695.tif 000054
その分子構造の両端に第２官能基Ｂと第３官能基Ｃを具え、且つ接着工程では第２官能基Ｂにより導電薄膜２４０の第１官能基Ａに結合する。次に、第４官能基Ｄを具えた発光高分子重合ユニット２６０を提供して接着剤２５０の第３官能基Ｃに結合させる。最後に、薄膜生成工程を実行して発光高分子重合ユニット２６０の第４官能基Ｄを接着剤の第３官能基Ｃに結合させ、こうして発光薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜の上に形成する。上述の第１官能基Ａ、第２官能基Ｂ、第３官能基Ｃ及び第４官能基Ｄは、鉱物酸、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ジイソシアン基とアルデヒド基からなる群より選択する。上述の第２官能基Ｂは第３官能基Ｃと同じとされうるが、第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが異なる時、第２官能基Ｂの第１官能基Ａとの結合の能力は第３官能基Ｃより大きい。また、上述の接着剤２５０は短鎖構造を具え、その重複ユニット範囲は６個より少なく、これにより接着剤２５０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが相反する両側に位置するものとされ、これにより接着剤２５０の第２官能基Ｂと第３官能基Ｃが同時に導電薄膜に結合するのを防止する。本実施例に記載の技術は有機発光ダイオード装置中の発光層の形成方法に応用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第３実施例中、特定官能基を具えたホトレジストを基板上にコーティングする工程の表示図である。
【図２】本発明の第３実施例中、リソグラフィー工程を実行して少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストを基板上に形成する工程の表示図である。
【図３】本発明の第３実施例中、導電性高分子重合ユニットの特定官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの別の特定官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する工程の表示図である。
【図４】本発明の第３実施例中、導電性寡重合物の特定官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの別の特定官能基に結合させて導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する工程の表示図である。
【図５】本発明の第３実施例中、アニリン寡重合物の正の電荷を帯びた窒素含有基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの鉱物酸根に結合させ、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する表示図である。
【図６】本発明の第３実施例中、導電性粒子の特定官能基が少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの別の特定官能基に結合させて、導電薄膜を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの上に形成する工程の表示図である。
【図７】本発明の第４実施例中、接着剤の特定官能基を少なくとも一つの特定パターンを具えたホトレジストの別の特定官能基に結合させる工程の表示図である。
【図８】本発明の第４実施例中、導電性高分子重合ユニットの特定官能基を接着剤の別の特定官能基に結合させる工程の表示図である。
【図９】本発明の第４実施例中、導電性粒子の特定官能基を接着剤の別の特定官能基に結合させる工程の表示図である。
【図１０】本発明の第５実施例中、発光高分子重合ユニットの特定官能基を導電薄膜の別の特定官能基に結合させて、発光薄膜を導電薄膜の上に形成する工程の表示図である。
【図１１】本発明の第６実施例中、接着剤の特定官能基を導電薄膜の別の特定官能基に結合させ、その後、発光高分子重合ユニットの特定官能基を接着剤の特定官能基に結合させて発光薄膜を導電薄膜の上に形成する工程の表示図である。
【符号の説明】
【００３１】
Ａ  第１官能基                    Ｂ  第２官能基
Ｃ  第３官能基                    Ｄ  第４官能基
１１０  基板                      １２０  ホトレジスト
１３０  リソグラフィー工程
１４０  特定パターンを具えたホトレジスト
１５０  第２導電性高分子重合ユニット
１６０  第２導電性寡重合物
１７０  第２アニリン寡重合物
１８０  導電性粒子
１９０  接着剤
２００  導電性高分子重合ユニット
２１０  導電性粒子
２２０  少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜
２３０  第２発光高分子重合ユニット
２４０  少なくとも一つの特定パターンを具えた導電薄膜
２５０  接着剤
２６０  発光高分子重合ユニット
【図１】
2005276695.tif 000085
【図２】
2005276695.tif 000086
【図３】
2005276695.tif 000087
【図４】
2005276695.tif 000088
【図５】
2005276695.tif 000089
【図６】
2005276695.tif 000090
【図７】
2005276695.tif 000091
【図８】
2005276695.tif 000092
【図９】
2005276695.tif 000093
【図１０】
2005276695.tif 000094
【図１１】
2005276695.tif 000095