(57)【要約】【課題】半導体素子をパッケージ体内の半導体素子実装部に実装する場合に、パッケージ体の傾きを画像認識処理により容易に認識可能で、半導体素子の傾き精度を充分に保証することができる半導体装置用パッケージと、さらにその利用で実装精度を向上することができる半導体装置とカメラを提供する。【解決手段】ターゲットマーク１ｂを、パッケージ体２の最外周部あるいは最外周近傍に、パッケージ体２と色調あるいは明暗に差を持たせ、壁面により周囲を囲んで保護する構造とし、パッケージ体２内に実装される半導体素子の実装面あるいはその近傍面に対応する平面上に形成する。【選択図】図１
2005327882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結セラミックによる積層構造体内に半導体素子の実装部を形成するとともに前記積層構造体の最上層に前記実装部に続く開口部を形成し、前記開口部の内周部に、前記半導体素子に電気的に接続される複数のリード端子を設けた半導体装置用パッケージであって、前記積層構造体最上層を除く層の平面外形コーナー部あるいは最外周近傍に、前記積層構造体の位置または傾き検知用のターゲットマークを選択的に配置するとともに、前記ターゲットマークを、前記積層構造体最上層における開口部のある主面側から直視可能な状態に配置したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体と色調あるいは明暗に差を持たせて形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記ターゲットマークは、少なくとも所定形成位置に、その全面領域とするかあるいは幾何学的模様で形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に設置された半導体素子の実装部形成面と同じ面上に、選択的に配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体の外形より内側へ窪みを持ち、該窪みにより周囲が囲まれた面に形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
前記窪みは、少なくとも前記パッケージ体の平面外形または外周近傍の相対向する３箇所以上に形成したことを特徴とする請求項５記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、印刷・焼成加工処理によるメタライズ層で選択的に膜形成したことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項８】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、マーキング塗料剤を選択的に塗布形成したことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項９】
焼結セラミックによる積層構造体内に半導体素子の実装部を形成するとともに前記積層構造体の最上層に前記実装部に続く開口部を形成し、前記開口部の内周部に、前記半導体素子に電気的に接続される複数のリード端子を設けた半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記積層構造体最上層を除く層の平面外形コーナー部あるいは最外周近傍に、前記積層構造体の位置または傾き検知用のターゲットマークを選択的に配置するとともに、前記ターゲットマークを、前記積層構造体最上層における開口部のある主面側から直視可能な状態に配置することを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体と色調あるいは明暗に差を持たせて形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記ターゲットマークは、少なくとも所定形成位置に、その全面領域とするかあるいは幾何学的模様で形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に設置された半導体素子の実装部形成面と同じ面上に、選択的に配置することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体の外形より内側へ窪みを形成し、該窪みにより周囲が囲まれた面に形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記窪みは、少なくとも前記パッケージ体の平面外形または外周近傍の相対向する３箇所以上に形成することを特徴とする請求項１３記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、印刷・焼成加工処理によるメタライズ層で選択的に膜形成することを特徴とする請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、マーキング塗料剤を選択的に塗布形成することを特徴とする請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置用パッケージにおける半導体素子実装部の所定位置に、前記ターゲットマークで検知される傾きモードに依存するように、前記半導体素子を実装し、前記半導体素子と前記複数のリード端子との間を導電性ワイヤで接続した後、前記積層構造体最上層の開口部を閉塞して構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項９から請求項１６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法により製造した半導体装置用パッケージにおける半導体素子実装部の所定位置に、前記ターゲットマークで検知される傾きモードに依存するように、前記半導体素子を実装し、前記半導体素子と前記複数のリード端子との間を導電性ワイヤで接続した後、前記積層構造体最上層の開口部を閉塞することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置を用い、前記半導体素子を固体撮像素子とし、外部光集光レンズを内蔵したレンズユニットにその光軸を基準にして前記固体撮像素子を位置合せした状態で、前記半導体装置用パッケージにおけるターゲットマークの配置面を、前記レンズユニットの規正位置に接合して構成したカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焼結セラミックによる積層構造体内に固体撮像素子などの半導体素子を実装するための半導体装置用パッケージおよび半導体装置とそれらの製造方法とカメラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばデジタルカメラ用として、パッケージ体内に固体撮像素子など半導体素子を実装するための半導体装置用パッケージが多く用いられている。この種の半導体装置用パッケージとしては、汎用タイプと小型薄型化を目的にした半導体装置用パッケージがあり、後者の一つに焼結セラミック積層型のＬＣＣパッケージがある。なかでも固体撮像素子を用いる場合などではさらに実装精度が強く要望される。そのため、実装の際の画像認識性や位置規正レベルを高めることが検討されている。
【０００３】
その先行技術（例えば、特許文献１を参照）には、パッケージ最上面を該パッケージ側面と異なった色で色分けして、パッケージ側面に生じるバリ形状を画像認識の段階で除去するようにしたものがある。これは、画像認識二値化は固体撮像装置で被写体の色調差部を撮るが、バリとパッケージが同色で一体と認識されバリ寸法が加算されるため、色分けで両者識別を図るようにしている。
【０００４】
以上のような従来の半導体装置用パッケージについて、図面を参照しながら、以下に説明する。
図７は特許文献１に記載された従来の半導体装置用ＬＣＣパッケージの構成例を示す構造説明図である。この半導体装置用ＬＣＣパッケージでは、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、複数のインナーリード１とアウターリード１ａを配した容器状のパッケージ体２は、該パッケージ体２の内室中央に半導体素子とワイヤ（両者とも図示しない）が所定位置に接合されるようになっている。このパッケージ体２は、所定形状のセラミックシート材を積層後焼結したもので構成され、図７では３層の場合を示している。図７（ｄ）に示すように、リード端子構造は、中間層２ｂ上面に形成したインナーリード１と最下層２Ｃの底面及び両者側面に形成したアウターリード１ａが電気的に繋がって設けられている。
【０００５】
前記パッケージ体２の積層最上層２ａの上面３は、リッド（図示しない）などを気密のため封着する面であり、他方、外周端面部は実装時の画像認識にも利用されることが多い。ここでは、積層最上層２ａの上面３を該パッケージ側面とは異なった色３１で色分けして両者の識別を図った構成を備えている。結果として、実装時の画像認識処理で、パッケージ側面のバリ４は、パッケージ本来の外形と識別区分することができる。
【特許文献１】特開平１０−３２１７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記のような従来の焼結セラミックは、反り易く欠け易い欠点を有する構造体であり、上記従来の構成では、パッケージ本来の基準と合致した外形輪郭を画像認識して二次元方向の実装精度向上を図ることはできるが、三次元方向の傾きに対する画像認識と実装精度向上は実用上適していないという問題点を有している。特に、光学的特性が要求される例えば固体撮像素子の実装では、傾きの実装精度向上は不可欠となる。
【０００７】
第一の問題点は、パッケージ反りによる傾きの検知は最外郭（コーナー）が変動量大となるため適するが、最上層コーナー位置は欠けが出易く、その影響で画像認識エラー（二値化判断不具合やフォーカスずれ）を生じることである。
【０００８】
第二の問題は、最上層上面はパッケージ反りの影響で封着不良が出るため、封着品質保証を目的に研磨加工で平坦化をすることが多く、この場合、パッケージの色つけはパッケージ製作の研磨加工完了後となり、複雑な工程増やコストアップなどの不具合がでることである。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、パッケージ体の欠けの影響を受け難くするとともに、パッケージ体に対して、鮮明でクリアなフォーカス画像認識ができ、パッケージ体の傾きを画像認識処理により容易に認識可能で、比較的簡単に半導体素子の傾き精度を向上することができる半導体装置用パッケージとその製造方法を提供する。
【００１０】
また、従来の半導体装置用パッケージを工業的に応用する際に、次のような問題点がある。
高精度が要求される代表例の固体撮像素子を実装した半導体装置を用いたカメラでは、レンズブロック（レンズブロックは固体撮像素子を用いたカメラの心臓部のため、以降レンズブロックのみで説明する）と固体撮像素子とを所定の位置（両者の光軸を一致する）に合せて固定することが光学特性（光軸ズレは、感度ムラやシェーディングなどにより特性劣化が発生する）を確保する上で重要となる。
【００１１】
通常、レンズブロックは半導体装置のパッケージ体を規準として位置合せをし、平面（二次元）的方向の規正には有効である。しかし、傾き（三次元）方向は、別途、レーザ反射による半導体素子（固体撮像素子）表面の検査など複雑な手段を必要としていた。
【００１２】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、半導体装置用パッケージを用いて、容易に高精度実装を実現することができる半導体装置とその製造方法とカメラを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１記載の半導体装置用パッケージは、焼結セラミックによる積層構造体内に半導体素子の実装部を形成するとともに前記積層構造体の最上層に前記実装部に続く開口部を形成し、前記開口部の内周部に、前記半導体素子に電気的に接続される複数のリード端子を設けた半導体装置用パッケージであって、前記積層構造体最上層を除く層の平面外形コーナー部あるいは最外周近傍に、前記積層構造体の位置または傾き検知用のターゲットマークを選択的に配置するとともに、前記ターゲットマークを、前記積層構造体最上層における開口部のある主面側から直視可能な状態に配置した構成としたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項２記載の半導体装置用パッケージは、請求項１記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体と色調あるいは明暗に差を持たせて形成した構成としたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項３記載の半導体装置用パッケージは、請求項１記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも所定形成位置に、その全面領域とするかあるいは幾何学的模様で形成した構成としたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項４記載の半導体装置用パッケージは、請求項１記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に設置された半導体素子の実装部形成面と同じ面上に、選択的に配置した構成としたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項５記載の半導体装置用パッケージは、請求項１記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体の外形より内側へ窪みを持ち、該窪みにより周囲が囲まれた面に形成した構成としたことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項６記載の半導体装置用パッケージは、請求項５記載の半導体装置用パッケージであって、前記窪みは、少なくとも前記パッケージ体の平面外形または外周近傍の相対向する３箇所以上に形成した構成としたことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項７記載の半導体装置用パッケージは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、印刷・焼成加工処理によるメタライズ層で選択的に膜形成した構成としたことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項８記載の半導体装置用パッケージは、請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージであって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、マーキング塗料剤を選択的に塗布形成した構成としたことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、焼結セラミックによる積層構造体内に半導体素子の実装部を形成するとともに前記積層構造体の最上層に前記実装部に続く開口部を形成し、前記開口部の内周部に、前記半導体素子に電気的に接続される複数のリード端子を設けた半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記積層構造体最上層を除く層の平面外形コーナー部あるいは最外周近傍に、前記積層構造体の位置または傾き検知用のターゲットマークを選択的に配置するとともに、前記ターゲットマークを、前記積層構造体最上層における開口部のある主面側から直視可能な状態に配置する方法としたことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の請求項１０記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体と色調あるいは明暗に差を持たせて形成する方法としたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の請求項１１記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも所定形成位置に、その全面領域とするかあるいは幾何学的模様で形成する方法としたことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の請求項１２記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に設置された半導体素子の実装部形成面と同じ面上に、選択的に配置する方法としたことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の請求項１３記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体の外形より内側へ窪みを形成し、該窪みにより周囲が囲まれた面に形成する方法としたことを特徴とする。
【００２６】
また、本発明の請求項１４記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項１３記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記窪みは、少なくとも前記パッケージ体の平面外形または外周近傍の相対向する３箇所以上に形成する方法としたことを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の請求項１５記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、印刷・焼成加工処理によるメタライズ層で選択的に膜形成する方法としたことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の請求項１６記載の半導体装置用パッケージの製造方法は、請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法であって、前記ターゲットマークは、少なくとも前記パッケージ体に、マーキング塗料剤を選択的に塗布形成する方法としたことを特徴とする。
【００２９】
以上により、パッケージ体の反りによる傾きを、ターゲットマークに対する画像認識処理を用いて、エラー無く確実にかつ精度良く検知することができる。
また、本発明の請求項１７記載の半導体装置は、請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置用パッケージにおける半導体素子実装部の所定位置に、前記ターゲットマークで検知される傾きモードに依存するように、前記半導体素子を実装し、前記半導体素子と前記複数のリード端子との間を導電性ワイヤで接続した後、前記積層構造体最上層の開口部を閉塞して構成したことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の請求項１８記載の半導体装置の製造方法は、請求項９から請求項１６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法により製造した半導体装置用パッケージにおける半導体素子実装部の所定位置に、前記ターゲットマークで検知される傾きモードに依存するように、前記半導体素子を実装し、前記半導体素子と前記複数のリード端子との間を導電性ワイヤで接続した後、前記積層構造体最上層の開口部を閉塞する方法としたことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明の請求項１９記載のカメラは、請求項１７記載の半導体装置を用い、前記半導体素子を固体撮像素子とし、外部光集光レンズを内蔵したレンズユニットにその光軸を基準にして前記固体撮像素子を位置合せした状態で、前記半導体装置用パッケージにおけるターゲットマークの配置面を、前記レンズユニットの規正位置に接合して構成したことを特徴とする。
【００３２】
以上により、上記の半導体装置用パッケージの効果的な特性を利用することにより、半導体素子の実装精度の向上と比較的簡単で実用に優れた製造を可能にすることができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上のように本発明によれば、パッケージ体の反りによる傾きを、ターゲットマークに対する画像認識処理を用いて、エラー無く確実にかつ精度良く検知することができる。
以上により、半導体素子の実装精度を向上することができ、しかも比較的簡単で実用性に優れた半導体装置用パッケージの製造を実現することができる。
【００３４】
また、上記の半導体装置用パッケージの効果的な特性を利用することにより、半導体素子の実装精度の向上と比較的簡単で実用に優れた製造を可能にすることができる。
以上により、半導体装置用パッケージとカメラのレンズブロックとを、それらの光軸を容易に一致させて固定することができ、感度ムラやシェーディングなどの光学特性をさらに安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体装置用パッケージおよび半導体装置とそれらの製造方法とカメラについて、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の半導体装置用パッケージおよび半導体装置とそれらの製造方法とカメラを説明する。
【００３６】
図１は本実施の形態１の半導体装置用パッケージの構造説明図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図、図１（ｃ）はアウターリード形成側の側面図、図１（ｄ）はＡ−Ａ´断面図を示す。
【００３７】
本実施の形態１の半導体装置用パッケージは、従来の半導体装置用パッケージの最外郭コーナー位置に、実装基準位置として設けられたエリアと合致して色調差を有したターゲットを形成した構成からなる。即ち、図１に示すように、複数のインナーリード１とアウターリード１ａを配した容器状のパッケージ体２は、該パッケージ体２の内室中央に半導体素子とワイヤ（両者とも図示しない）が所定位置に接合されるようになっている。前記パッケージ体２は、所定形状のセラミックシート材３枚を積層後焼結したもので構成され、パッケージ基本構造は従来例と同様である。
【００３８】
この半導体装置用パッケージの特徴は、パッケージ体２の最外郭コーナーの４箇所にターゲット１ｂを設けたものであり、さらに詳細は、図１（ｂ）、（ｃ）で示すセラミックシートの積層構造体の最上層２ａと同中間層２ｂのコーナー部を封着に要す領域を残して切り取り、また同最下層２Ｃは、前記と同様に切り取りするが略四角コーナーの輪郭、望ましくは輪郭以内になる領域で切断される。該領域は積層後、図１のようにコーナー切り取り部を臨む窪み構造となり、ターゲットマーク１ｂが形成されている。
【００３９】
上記の半導体装置用パッケージは、主成分アルミナ系（Ａｌ２Ｏ３）の約０．３ｍｍ厚みをしたセラミックシートを用い、主成分タングステン（Ｗ）のメタライズ膜を数十μｍ厚みで所定のリード端子パターン状に印刷後、積層焼結処理を行ったものである。その後、メタライズ膜表面は数μｍ厚みのメッキ（下地：ニッケル、被覆：金）処理加工がされる。これらの印刷の際に、ターゲットマーク１ｂも所定パターンで同様の膜形成を行った。
【００４０】
この種の焼結セラミックによる積層構造体のパッケージは、パッケージ反りが大きく、パッケージ面が傾き易い傾向を有していた。例えば、図２は反りモデル一例のパッケージ体２で（反りは、瓦状湾曲で山反り、谷反りとその複合がある）、実装の設備規準ステージ１１にセットの際にはパッケージ表面規準線１２が傾く。この場合、実装された半導体素子（図示しない）は、該設備規準ステージ１１面に依存するため、パッケージ表面規準線１２に対して傾き不具合が発生する。
【００４１】
これに対し、本実施の形態の半導体装置用パッケージのパッケージ体２に実装すれば、ターゲットマーク１ｂを実装設備附帯の画像認識ユニットで二値化認識してフォーカス処理を行う。この際、各４ポジションのなかで所定の３ポジション（面の傾き情報は、測定箇所３点で判るため）を認識対象として、フォーカスバラツキをしきい値で判定後、傾き偏差分を設備内蔵の傾き補正機構（図示しない）で調整と規正がされ実装される。
【００４２】
結果として、ターゲットマーク１ｂの所定３ポジションと半導体素子面の傾きが同じになる。このとき、計測は画像読み取り方式以外にレーザ方式などでも良い。ターゲットマーク１ｂは、パッケージ体２の最外郭コーナーに位置するため、反り量（含む傾き量）の変動が最も現れ易く検知には最適となる。このときターゲットマーク１ｂは、金色でパッケージ体２のブラウン色と色調差があり二値化認識も良好で認識エラーがない。
【００４３】
また、ターゲットマーク１ｂを各コーナーの内寄り低位置に設けるため、周囲にガードされ欠けなどによる認識エラーは出難くなっている。もう一つはターゲットマーク１ｂの形成面が半導体素子の実装面と同じ積層シートにしてあるため、傾き情報の精度向上がより図れる利点がある。
【００４４】
次に、本実施の形態１の半導体装置を説明する。
図３は本実施の形態１の半導体装置の構造説明図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）はＡ−Ａ´断面図を示す。本実施の形態１の半導体装置は、前記の半導体装置用パッケージを用いるもので、パッケージ体２の積層構造体の最上層主面中央の実装部に、半導体素子５（実施の形態では固体撮像素子を使用）がエポキシ樹脂系の固着剤５ａを介して固着されている。該半導体素子５の所定位置からは、複数のφ２５μｍ金細線のワイヤ６がインナーリード１の所定位置に接合され導電性が確保されている。
【００４５】
パッケージ体２の最上層２ａ主面は、約０．５ｍｍ厚み程度のガラス板からなるリッド７が、エポキシ樹脂系の接着剤７ａを介して封着されている。このような構造で製造される半導体装置は、結果として、上記図２を用いて説明したように、ターゲットマーク１ｂの所定３ポジションと半導体素子面の傾きを同じにすることができる。
【００４６】
次に、本実施の形態１のカメラを説明する。
図４は本実施の形態１のカメラにおける心臓部のレンズブロックの構造説明図であり、図４（ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ´断面図（面積小側）と組立概要、図４（ｂ）は下面図である。本実施の形態のカメラの要部は、図４に示すように、レンズブロック８と中央の貫通穴上部に固定した光学レンズ９と貫通穴下部に形成された支持部８ａ（パッケージ体２を固定する箇所）から構成されている。前記の支持部８ａは、図４（ａ）に示すように、パッケージ体２の支持部即ちターゲットマーク１ｂの形成面を密接後、平面方向所定位置に片寄せ規正（図中→）して側面を固着材などで固定される。
【００４７】
このようにして、構成および組立されたレンズブロック８の本体は、光学レンズ９とパッケージ体２（含む固体撮像素子）の距離と中心位置合致が設計どおりに規正され、しかも本実施の形態の特徴であるターゲットマーク１ｂと半導体素子５（または固体撮像素子）面の傾きを合致することにより、前記光学レンズ９と固体撮像素子の光軸が一致されるため、入射光１０を固体撮像素子の受光部で設計どおり制御し受けることができる。
【００４８】
結果として、前記両者の光軸を容易に一致し固定することで、感度ムラやシェーディングなどの光学特性を安定にすることができる。
参考のため、従来構造を図５に示し簡単に説明する。従来構造の異なる点は、支持部８をパッケージ体２表面に合せた後、平面方向所定位置に片寄せ規正するが、半導体素子５（または固体撮像素子）面の傾きまでは調整されない。そのため、別途、前記傾き検査をしながらパッケージ体２を固定する必要がある。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体装置用パッケージおよび半導体装置とそれらの製造方法とカメラを説明する。
【００４９】
図６は本実施の形態２の半導体装置用パッケージの構造説明図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図、図６（ｃ）はアウターリード形成側の側面図、図６（ｄ）はＡ−Ａ´断面図を示す。
【００５０】
本実施の形態の半導体装置用パッケージの特徴は、実施の形態１に対してターゲットマーク１ｂの形成位置が異なる点にある。すなわち実施の形態１がターゲットマーク１ｂの形成位置を半導体素子と同一面である最下層２Ｃとしたのに対して、本実施の形態では該位置をインナーリード１形成と同一面である中間層２ｂとした構成からなる。
【００５１】
上記構成による効果の特徴は、インナーリード１とターゲットマーク１ｂを同一面とすることで、印刷用版の更新だけでメタライズ膜形成を一体化できるため工程増加もなく安価であり、しかも実施の形態１と同等の効果が得られることである（厳密には、精度面で半導体素子実装面より離れる分だけ僅かに差があるかも知れないが、基本的には同等と見られる）。
【００５２】
次に、上記の半導体装置用パッケージを用いた半導体装置とカメラの特徴としては、構成上より、実施の形態１に対して、支持部８の位置がターゲットマーク１ｂの形成位置に合った構造にしている点である。
【００５３】
従って、上記実施の形態１と同等の効果が得られる。
以上のように、各実施の形態で説明を述べてきたが、ターゲットマークの形成は、記述以外でも、例えばマーク用塗料剤の塗布や蒸着膜などで形成しても、同等に実施でき同様の効果が得られる。また、ターゲットマークは、パッケージ本体と色調差を有するものであれば良いことは明白である。
【００５４】
また、ターゲットマークの形成位置は、コーナーとして記述したが、相対する（略四角形の例では少なくとも３箇所だが、傾き判別が必要条件）最外郭辺に同様の切り込みの窪み構造で形成しても、傾き検知には有用であり、各実施の形態に準じた効果が得られることは明白である。
【００５５】
また、ターゲットマークの形状は、切り込み部を全面使用した場合を記述したが、例えば、切り込み部にＬ字型や十字型などパターン化したものを形成した場合でも、画像認識が可能なものであれば何でも良いことは明白である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の半導体装置用パッケージおよび半導体装置とそれらの製造方法とカメラは、半導体素子の実装精度を向上することができ、しかも比較的簡単で実用性に優れた半導体装置用パッケージの製造を実現することができ、さらに半導体装置用パッケージとカメラのレンズブロックとを、それらの光軸を容易に一致させて固定することができ、感度ムラやシェーディングなどの光学特性をさらに安定化することができるもので、半導体素子の実装あるいは半導体素子として固体撮像素子を組込んだデジタルカメラ等に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置用パッケージの構造説明図
【図２】同実施の形態１の半導体装置用パッケージにおけるパッケージ体の反りの説明図
【図３】同実施の形態１の半導体装置の構造説明図
【図４】同実施の形態１のカメラにおけるレンズブロックの構造説明図
【図５】従来のカメラにおけるレンズブロックの構造説明図
【図６】本発明の実施の形態２の半導体装置用パッケージの構造説明図
【図７】従来の半導体装置用パッケージの構造説明図
【符号の説明】
【００５８】
１    インナーリード
１ａ    アウターリード
１ｂ    ターゲットマーク
２    パッケージ体
２ａ    最上層
２ｂ    中間層
２ｃ    最下層
３    上面
３１    色
４    バリ
５    半導体素子（又は固体撮像素子）
５ａ    固着剤
６    ワイヤ
７    リッド
７ａ    接着剤
８    レンズブロック
８ａ    支持部
９    レンズ
１０    入射光
１１    設備規正ステージ
１２    パッケージ表面規準線
【図１】
2005327882.tif 000003
【図２】
2005327882.tif 000004
【図３】
2005327882.tif 000005
【図４】
2005327882.tif 000006
【図５】
2005327882.tif 000007
【図６】
2005327882.tif 000008
【図７】
2005327882.tif 000009