(57)【要約】【課題】基板表面での電池効果を抑制し、基板表面における銅パターンに対する影響を抑制して、基板の処理品質を高める。【解決手段】この基板処理装置は、ＣＭＰ処理後の基板Ｗに対して、両面ブラシ洗浄部５０および表面ブラシ洗浄部６０によってスクラブ洗浄処理を施し、さらに、リンス・乾燥処理部７０でリンス処理および乾燥処理を施す。ＣＭＰ処理部１００とのインタフェース部９０および搬送ロボット４１，８１，８２には、基板Ｗを湿潤な状態に保持するために、基板Ｗの表面に超希薄酸水溶液を供給するノズル９０Ｎ，４１Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎが設けられている。【効果】超希薄酸水溶液中には、多数のイオンが存在しているから、基板Ｗ上に静電気が生じることがなく、局部電池効果が生じない。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅膜と銅以外の金属を含む非銅金属膜とが表面に形成されたＣＭＰ処理後の基板を処理するための基板処理方法であって、
上記基板を洗浄する基板洗浄工程と、
上記基板の表面を湿潤な状態に保持するために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液を上記基板の表面に供給する超希薄酸供給工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
上記基板の表面をリンスするために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液をリンス液として基板の表面に供給する超希薄酸リンス工程をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
上記基板洗浄工程が基板処理室内で実行され、
上記超希薄酸供給工程は、上記基板が上記基板処理室外にあるときに基板に対して超希薄濃度の酸の水溶液を供給する処理室外超希薄酸供給工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
上記超希薄酸供給工程は、上記基板が上記基板処理室内で待機状態とされたときに、この待機状態の基板に対して超希薄濃度の酸の水溶液を供給する処理室内超希薄酸供給工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
銅膜と銅以外の金属を含む非銅金属膜とが表面に形成されたＣＭＰ処理後の基板を処理するための基板処理装置であって、
上記基板を洗浄する基板洗浄手段と、
上記基板の表面を湿潤な状態に保持するために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液を上記基板の表面に供給する超希薄酸供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
上記基板の表面をリンスするために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液をリンス液として基板の表面に供給する超希薄酸リンス液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
この発明は、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）処理後の基板に対して洗浄処理を施す基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板および光磁気ディスク用基板などの各種のものが含まれる。
【０００２】
【背景技術】
配線材料として銅を用いる半導体装置では、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）上の酸化膜に配線形成用の溝を形成した後、ウエハの全面に銅薄膜を形成し、その後にＣＭＰ処理によって表面を平坦化することによって、溝内に埋め込まれた銅配線を形成する、ダマシンプロセスが適用されることが多い。このプロセスでは、銅が酸化膜中に拡散することを防止するために、銅薄膜の形成前に、バリア層（たとえばチタン層）が形成されるのが一般的である。
【０００３】
ＣＭＰ処理では、スラリー（研磨剤）が用いられるので、次の工程の前に、ウエハ上のスラリーを除去するための基板洗浄処理が必要になる。この目的のための基板処理装置は、たとえば、処理前のウエハを水中に浸漬して保持するとともに、ウエハを１枚ずつ払い出すための液中ローダと、液中ローダから払い出されたウエハの両面をスクラブ洗浄する両面洗浄ユニットと、この両面スクラブ洗浄後のウエハの表面を自公転ブラシによって精密洗浄する表面洗浄ユニットと、表面洗浄処理後のウエハを水洗し、さらに水切り乾燥を行うリンス・乾燥ユニットとを備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
ウエハ上のスラリーは、一旦乾燥してしまうと、その除去が著しく困難になるから、ＣＭＰ処理が終了してから、その後の洗浄処理が完了するまでは、ウエハの表面は湿潤な状態に保持する必要がある。そのため、ウエハをユニット間で搬送する過程においても、ウエハの表面に純水（脱イオン化水）を供給する構成がとられる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−０７５９４４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、純水の比抵抗は１８ＭΩｃｍ（メグオームセンチメートル）と高いため、ウエハ表面に供給すると、ウエハ上での静電気の発生を免れない。この静電気のために、銅とともに銅以外の金属（たとえば上記のバリア層を構成する金属）が形成されているウエハ上においては、局部電池効果によって、銅薄膜の溶解が生じることがわかってきた。そのため、所望の断面形状を有する銅配線を形成することが困難になっている。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板表面での電池効果を抑制し、基板表面における銅パターンに対する影響を抑制して、基板の処理品質を高めることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、銅膜と銅以外の金属を含む非銅金属膜とが表面に形成されたＣＭＰ処理後の基板（Ｗ）を処理するための基板処理方法であって、上記基板を洗浄する基板洗浄工程（５９，６０）と、上記基板の表面を湿潤な状態に保持するために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液を上記基板の表面に供給する超希薄酸供給工程（９０Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎ；５０Ｎ，６０Ｂ，７０Ｎ）を含むことを特徴とする基板処理方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
この発明によれば、ＣＭＰ処理後の基板を湿潤な状態に保持するために、超希薄酸を用いており、超希薄酸中にはイオンが存在しているから、基板上に静電気をがほとんど生じない。これにより、局部電池効果を抑制できるから、基板上の銅パターンが浸食されることがほとんどなく、基板の洗浄が完了するまで、基板の品質を良好に保持できる。
実質的に銅に対する溶解性のない酸の水溶液（超希薄酸）は、有機酸であってもよいし、無機酸であってもよいが、銅に対するエッチングレートは一般的に有機酸の方が低いので、有機酸の方が好ましい。より具体的には、超希薄有機酸として、クエン酸や蓚酸の超希薄水溶液（たとえば１０００倍に希釈したもの）を用いることができる。また、超希薄無機酸としては、ふっ酸や塩酸の超希薄濃度の水溶液（たとえば、１０００倍に希釈したもの）を用いることができる。
【００１０】
基板洗浄工程は、基板の表面に洗浄用薬液を供給する薬液供給工程を含んでいてもよい。また、基板洗浄工程は、基板の表面を洗浄ブラシ（５３，６３）でスクラブ洗浄するスクラブ洗浄工程（５０，６０）を含んでいてもよい。さらに、基板洗浄工程は、物理的作用の付加された処理液を供給する工程を含んでいてもよい。物理的作用が付加された処理液とは、たとえば、処理液と気体とを混合させて処理液の液滴を形成し、この液滴を基板に向けて噴射する二流体ノズルから供給される処理液（液滴噴流）であってもよく、また、超音波振動を付与した処理液を供給する超音波ノズルから供給される処理液であってもよい。
【００１１】
請求項２記載の発明は、上記基板の表面をリンスするために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液をリンス液として基板の表面に供給する超希薄酸リンス工程（７０Ｎ）をさらに含むことを特徴とする基板処理方法である。
この発明によれば、洗浄工程後の基板の表面をリンスするときにも、超希薄酸水溶液が用いられるので、リンス工程においても、基板上における局部電池効果に起因する銅パターンの腐食を防止できる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、上記基板洗浄工程が基板処理室内で実行され、上記超希薄酸供給工程は、上記基板が上記基板処理室外にあるときに基板に対して超希薄濃度の酸の水溶液を供給する処理室外超希薄酸供給工程（９０Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎ）を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法である。
この発明によれば、基板が基板処理室外にあるとき（たとえば基板搬送過程）に、超希薄酸水溶液の供給によって基板表面が湿潤な状態に保持される。これにより、ＣＭＰ処理後の基板の表面におけるスラリーの乾燥を防止でき、かつ、基板表面の銅パターンの腐食を防止できる。
【００１３】
請求項４記載の発明は、上記超希薄酸供給工程は、上記基板が上記基板処理室内で待機状態とされたときに、この待機状態の基板に対して超希薄濃度の酸の水溶液を供給する処理室内超希薄酸供給工程（５０Ｎ，６０Ｂ，７０Ｎ）を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法である。
この発明によれば、たとえば、基板に対して一連の処理を施す複数の基板処理部（１０，５０，６０，７０）または基板搬送機構（４１，４２，８１，８２）の故障のために、基板処理室内で基板が待機状態となったときには、この待機状態の基板に対して超希薄酸が供給される。これにより、基板の表面を湿潤な状態に保持できるとともに、基板表面の銅パターンの腐食を防止できる。
【００１４】
請求項５記載の発明は、銅膜と銅以外の金属を含む非銅金属膜とが表面に形成されたＣＭＰ処理後の基板（Ｗ）を処理するための基板処理装置であって、
上記基板を洗浄する基板洗浄手段（５０，６０）と、上記基板の表面を湿潤な状態に保持するために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液を上記基板の表面に供給する超希薄酸供給手段（９０Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎ；５０Ｎ，６０Ｂ，７０Ｎ）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１５】
この構成により、請求項１記載の発明と同様な効果を達成できる。
請求項６記載の発明は、上記基板の表面をリンスするために、実質的に銅に対する溶解性のない超希薄濃度の酸の水溶液をリンス液として基板の表面に供給する超希薄酸リンス液供給手段（７０Ｎ）をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置である。
この構成により、請求項２記載の発明と同様な効果を達成できる。
【００１６】
このように、この発明では、ＣＭＰ処理後の洗浄を行う基板処理装置において、従来から純水を用いて行われてきた処理を、超希薄酸水溶液を用いる処理に置き換えることによって、基板表面における電池効果を抑制し、基板表面に形成された銅パターンを良好な状態に保持できる。
【００１７】
【発明を実施するための最良の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部構成を簡略化して示す平面図である。この基板処理装置は、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）処理後の基板（たとえば半導体ウエハ）Ｗを洗浄するための装置である。ＣＭＰ処理後の基板Ｗの表面には、銅パターンが形成されているとともに、銅以外の金属（たとえばチタン）も存在している。また、ＣＭＰ処理後の基板Ｗの表面には、ＣＭＰ処理において用いられるスラリー（研磨剤）などのパーティクルが付着している。スラリーは、半導体装置や液晶表示装置などの製造工程における次のプロセスの前に、基板Ｗの表面から取り除かれなければならない。このスラリーの除去を目的とした基板処理装置が図１に示されている。
【００１８】
この基板処理装置には、前面パネル２１の背後に、液中ローダ１０と、アンローダ２５とが配置されている。液中ローダ１０は、ＣＭＰ装置１００からＣＭＰ処理後の基板Ｗが受け渡されるインタフェース部９０に隣接して配置されている。
液中ローダ１０は、ＣＭＰ処理後の複数枚の基板Ｗを保持し、これらの基板Ｗを１枚ずつ払い出すためのものであって、ＣＭＰ処理前の基板Ｗを複数枚収容したカセットＣを液槽１２に貯留された液中に浸漬させてことができるものである。また、アンローダ２５は、この基板処理装置によって洗浄された後の基板Ｗが収容されるカセット２７を載置することができるようになっている。
【００１９】
液中ローダ１０の液槽１２には、銅に対する溶解性が実質的にない酸の超希薄濃度の水溶液（以下「超希薄酸水溶液」という。）が貯留されている。
この基板処理装置は、液中ローダ１０からアンローダ２５に至る、平面視においてほぼＵ字状の経路４０を通って搬送され、その過程で、洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。すなわち、この経路４０に沿って、液中ローダ１０側から順に、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０、リンス・乾燥処理部７０が配置されている。
【００２０】
さらに、経路４０上には、液中ローダ１０と両面ブラシ洗浄部５０との間にローダ搬送ロボット４１が配置され、両面ブラシ洗浄部５０と表面ブラシ洗浄部６０との間に、第１中間搬送ロボット８１が配置され、表面ブラシ洗浄部６０とリンス・乾燥処理部７０との間に第２中間搬送ロボット８２が配置され、リンス・乾燥処理部７０とアンローダ２５との間に、アンローダ搬送ロボット４２が配置されている。すなわち、これらの搬送ロボット４１，８１，８２，４０によって、液中ローダ１０からアンローダ２５に至る処理部間での基板Ｗの移送が行われることによって、基板ＷはＵ字状の経路４０を搬送されつつ、両面ブラシ洗浄、表面洗浄およびリンス・乾燥処理などの処理を受けて、アンローダ２５に配置されたカセット２７に収容される。
【００２１】
液中ローダ１０に隣接して配置されたローダ搬送ロボット４１は、液中ローダ１０から１枚の基板Ｗを受け取り、両面ブラシ洗浄部５０に受け渡す。このローダ搬送ロボット４１は、水平面に沿って回動自在な下アームＬＡと、このアームＬＡの先端において水平面に沿う回動が自在であるように設けられた上アームＵＡとを有する屈伸型ロボットによって構成されている。すなわち、下アームＬＡが回動すると、上アームＵＡは、下アームＬＡの回動方向とは反対方向に、下アームＬＡの回動角度の２倍の角度だけ回動するように構成されている。これにより、下アームＬＡと上アームＵＡとは、両アームが上下に重なり合った収縮状態と、両アームが経路４０に沿って液中ローダ１０または両面ブラシ洗浄部５０に向かって展開された伸張状態とをとることができる。
【００２２】
第１中間搬送ロボット８１および第２中間搬送ロボット８２は、ローダ搬送ロボット４１と同様に構成されているので、これらのロボット８１，８２の各部には、ローダ搬送ロボット４１の対応部分の参照符号を付して表すこととし、説明を省略する。
アンローダ搬送ロボット４２は、上下一対のアーム４３，４４で構成された屈伸式ロボットと、この屈伸式ロボットを経路４０に沿って往復直線移動させるための直線搬送機構（図示せず）と、さらに、屈伸式ロボットを昇降させるための昇降機構（図示せず）とを組み合わせて構成されている。すなわち、屈伸式ロボットの下アーム４４は、水平面に沿って回動自在とされており、上アーム４３は、下アーム４４の先端において、水平面に沿う回動が自在であるように取り付けられている。そして、下アーム４４が回動すると、上アーム４３は、下アーム４４の回動方向とは反対方向に下アーム４４の回動角度の２倍の角度だけ回動するように構成されている。この屈伸式ロボットの全体が、上記昇降機構に保持されており、この昇降機構が、上記直線搬送機構のキャリッジ（図示せず）に支持されている。直線搬送機構は、たとえば、ボールねじ機構であってもよい。
【００２３】
インタフェース部９０には、液中ローダ１０に引き渡される前の基板Ｗの表面を湿潤な状態に保持して、スラリーの乾燥を防止するために、基板Ｗに対して、超希薄酸水溶液を供給する超希薄酸供給ノズル９０Ｎが備えられている。さらに、搬送ロボット４１，８１，８２には、これらの搬送ロボットに保持されている基板Ｗの表面を湿潤な状態に保持して、乾燥処理が完了する以前の基板Ｗ上のスラリーの乾燥を防止するために、基板Ｗに対して超希薄酸水溶液を供給する超希薄酸供給ノズル４１Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎがそれぞれ備えられている。
【００２４】
したがって、この実施形態では、ＣＭＰ装置１００から払い出された後の基板Ｗの表面は、インタフェース部９０、液中ローダ１０、搬送ロボット４１，８１，８２において、終始、超希薄酸水溶液の供給を受け、リンス・乾燥処理が完了するまでは、その表面が湿潤な状態に保持されるようになっている。すなわち、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０およびリンス・乾燥処理部７０の各処理室外に基板Ｗが置かれている期間（待機中または搬送中）には、処理完了以前の基板Ｗの表面が、超希薄酸水溶液によって湿潤な状態に保持されている。
【００２５】
超希薄酸水溶液は、たとえば、クエン酸や蓚酸のような有機酸の超希薄水溶液（たとえば、有機酸１に対して純水１０００の割合で希釈したもの）からなる。このような超希薄酸水溶液中には多数のイオンが存在しており、その比抵抗は、１８ＭΩｃｍよりも低く、たとえば、０．００１ＭΩｃｍ程度である。そのため、このような超希薄酸水溶液が供給されている基板Ｗの表面では、静電気がほとんど発生せず、基板Ｗ上に存在している銅とその他の金属（たとえばチタン）との間で局部電池効果が生じることがない。
【００２６】
よって、この実施形態によれば、処理完了以前の基板Ｗの表面を終始湿潤な状態に保持でき、かつ、局部電池効果による銅パターンの不所望な腐食を防止できるから、基板Ｗの処理品質が極めて良好である。
次に、図１に示された基板処理装置の他の構成部分について説明する。
両面ブラシ洗浄部５０は、複数本（この実施形態では６本）の保持ローラ５１Ａ，５２Ａによって、基板Ｗ（とくに円形の基板）の端面を保持するとともに、この基板Ｗを水平面内で回転させる。それとともに、基板Ｗの上下に配置されたディスクブラシ５３によって基板Ｗの上下面をスクラブ洗浄する。たとえば６本の保持ローラ５１Ａ，５２Ａのうちの３本の保持ローラ５１Ａは保持機構５１に保持されていて、残る３本の保持ローラ５２Ａは保持機構５２に保持されている。保持機構５１，５２は、互いに近接したり離反したりすることができるようになっている。これにより、基板Ｗを保持した状態と、基板Ｗの保持を解放した状態とをとることができる。
【００２７】
両面ブラシ洗浄部５０は、基板Ｗに処理液を供給する処理液ノズル５０Ｎ（たとえば、ディスクブラシ５３の中央から処理液を吐出するもの）を備えている。この処理液ノズル５０Ｎには、薬液供給バルブ５０１を介して洗浄用薬液（たとえば、ふっ酸水溶液）を供給することができ、リンス液供給バルブ５０２を介してリンス液を供給することができるようになっている。
ディスクブラシ５３によって基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するときには、リンス液供給バルブ５０２を閉じて薬液供給バルブ５０１を開くことにより、洗浄用薬液が基板Ｗ上に供給される。スクラブ洗浄が終了すると、薬液供給バルブ５０１を閉じてリンス液供給バルブ５０２を開くことにより、基板Ｗの表面にリンス液が供給され、基板Ｗの表面から洗浄用薬液が排除される。
【００２８】
リンス液としては、上述のような超希薄酸水溶液が用いられるようになっていて、リンス処理中においても、基板Ｗの表面における局部電池効果が生じないようにされている。
表面ブラシ洗浄部６０は、複数本（たとえば６本）の保持ピン６１で基板Ｗの裏面の周縁部を支持するスピンチャック６２を備えている。スピンチャック６２は、保持ピン６１によって水平に保持された基板Ｗを、鉛直軸線まわりに回転させる。スピンチャック６２に保持された基板Ｗの上方には、表面スクラブ洗浄機構としてのスキャンブラシ６３が備えられている。スキャンブラシ６３は、基板Ｗの表面に対してほぼ垂直な方向に沿う回転軸まわりに回転駆動されるディスク型ブラシを先端に有する揺動アーム６３Ａを備えている。この揺動アーム６３Ａが揺動することによって、基板Ｗの回転中心位置と、その周縁部との間の範囲でディスク型ブラシが繰り返し往復し、これにより、基板Ｗの表面の洗浄が行われる。
【００２９】
表面ブラシ洗浄部６０は、基板Ｗの表面に洗浄用薬液（たとえば、ふっ酸水溶液）を供給する薬液供給ノズル６０Ａと、基板Ｗの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル６０Ｂとを備えている。
スキャンブラシ６３によって基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するときには、薬液供給ノズル６０Ａから洗浄用薬液が基板Ｗ上に供給される。スクラブ洗浄が終了すると、リンス液供給ノズル６０Ｂから基板Ｗの表面にリンス液が供給され、基板Ｗの表面から洗浄用薬液が排除される。
【００３０】
リンス液供給ノズル６０Ｂから供給されるリンス液としては、上述のような超希薄酸水溶液が用いられるようになっていて、リンス処理中においても、基板Ｗの表面における局部電池効果が生じないようにされている。
リンス・乾燥処理部７０は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック７１と、このスピンチャック７１に保持された基板Ｗに対してリンス液を供給するリンス液供給ノズル７０Ｎとを備えている。この構成によって、基板Ｗを高速回転させながらリンス処理が行われ、さらに、リンス液の供給を停止して、基板Ｗの表裏面に付着した液体を振り切る液切り乾燥が行われる。
【００３１】
スピンチャック７１の上方には、基板Ｗの上方の空間を制限するための遮断板７５が配置されている。この遮断板７５と基板Ｗの上面との間の空間には、乾燥時において、不活性ガス（たとえば、窒素ガス）が供給され、これにより、乾燥処理の効率化が図られている。
リンス液供給ノズル７０Ｎは、たとえば、遮断板７５の下面中央から基板Ｗの上面に向けてリンス液を供給するように構成されている。このリンス液供給ノズル７０Ｎから供給されるリンス液としては、上述のような超希薄酸水溶液が用いられるようになっていて、リンス処理中においても、基板Ｗの表面における局部電池効果が生じないようにされている。
【００３２】
このように、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０およびリンス・乾燥処理部７０におけるリンス液として、超希薄酸水溶液を用いているから、基板Ｗの表面における局部電池効果に起因する銅パターンの腐食をさらに確実に防止できる。
インタフェース部９０から液中ローダ１０、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０およびリンス・乾燥処理部７０を経てアンローダ２５に至る一連の処理部または搬送ロボット４１，４２，８１，８２のいずれかにおいて故障が生じると、問題が解消されるまで、基板Ｗは、いずれかの位置で待機状態となる。この待機状態においても、ノズル９０Ｎ，４１Ｎ，８１Ｎ，８２Ｎからの超希薄酸水溶液の供給により、処理室外にある基板Ｗの乾燥が防止できる。さらに、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０およびリンス・乾燥処理部７０のいずれかの処理室内で基板Ｗが待機状態となったときには、ノズル５０Ｎ，６０Ｂ，７０Ｎから当該待機状態の基板Ｗの表面にリンス液としての超希薄酸水溶液が供給されるようになっている。これにより、処理室内にある待機状態の基板Ｗの乾燥をも防止できる。
【００３３】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、超希薄酸水溶液として、有機酸の超希薄水溶液を用いる例について説明したが、銅に対する溶解性が実質的にない限りにおいて、無機酸（ふっ酸や塩酸など）の超希薄酸水溶液を用いてもよい。
また、上記の実施形態では、基板Ｗの表面に対してスクラブ洗浄処理を施す例について説明したが、このスクラブ洗浄に代えて、またはスクラブ洗浄とともに、処理液の液滴を基板に向けて噴射する二流体ノズルによる洗浄処理や、超音波振動が付与された処理液を基板に供給する超音波ノズルを用いた洗浄処理が適用されてもよい。
【００３４】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部構成を簡略化して示す平面図である。
【符号の説明】
１０      液中ローダ
１２      液槽
２１      前面パネル
２５      アンローダ
２７      カセット
４１      ローダ搬送ロボット
４１Ｎ    超希薄酸供給ノズル
４２      アンローダ搬送ロボット
５０      両面ブラシ洗浄部
５０Ｎ    処理液ノズル
５０１    薬液供給バルブ
５０２    リンス液供給バルブ
５３      ディスクブラシ
６０      表面ブラシ洗浄部
６０Ａ    薬液供給ノズル
６０Ｂ    リンス液供給ノズル
６３      スキャンブラシ
７０      リンス・乾燥処理部
７０Ｎ    リンス液供給ノズル
７５      遮断板
８１      第１中間搬送ロボット
８２      第２中間搬送ロボット
９０      インタフェース部
９０Ｎ    超希薄酸供給ノズル
１００    ＣＭＰ装置
Ｃ        カセット
Ｗ        基板
【図１】
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