(57)【要約】【課題】おおよそ２０ＧＢの容量を有する記録層を複数積層した、大容量光記録媒体を提供する。【解決手段】複数のレーザ波長に対して多層の情報記録面の記録再生消去を可能とした光記録媒体において、記録に直接関与する２層以上の、有機材料を主成分とする有機層３が設けられ、これらの有機層は、記録再生消去に用いるレーザ波長に対して０．０１以上０．５以下の吸光度を有している。上記複数のレーザ波長の最大波長と最小波長の波長範囲は２００ｎｍ以内が好ましい。また、上記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３６９±３０ｎｍであることが好ましい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ波長に対して多層の情報記録面の記録再生消去を可能とする光記録媒体において、記録に直接関与する２層以上の、有機材料を主成分とする有機層を有し、各有機層が記録再生消去に用いるレーザ波長に対して０．０１以上０．５以下の吸光度を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
記録再生消去に用いる複数のレーザ波長の最大波長と最小波長の波長範囲が２００ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３６９±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３９０±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１、２または３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４０５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４１５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３２５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４８８±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３６５±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４４５±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１１】
基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１２】
基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、最上部に反射層が積層されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１３】
前記有機材料が、分解温度１６０〜５００℃の有機物質を含有していることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光により情報の記録及び再生が可能な光記録媒体に関し、更に詳細には、複数層の情報記録面を備えた光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信システムの進展に伴い、情報記録媒体は、益々、大容量化しつつあって、その一つとして、複数層の情報記録面を備え、レーザ光を用いて情報を記録、再生する情報記録媒体、例えばＤＶＤ−ＲＯＭと通称される２層光デイスクが、最近、市場に提供されている。従来の２層光デイスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ）は、信号ピットが形成された２枚の樹脂基材の信号面側に反射層を形成し、信号面を対向させて接着した構造を有し、一方の反射層には半透明膜を使用している。２層光デイスクでは、第１情報記録面を有する半透明膜と、第２情報記録面を有する反射層との２層の情報記録面構造になっている。また、半透明膜には、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属薄膜や、シリコンカーバイドあるいはシリコン系の酸化物（特許文献１）が使用されている。
【０００３】
その他、基板上の多層の記録膜を有する例としては、以下に示す多数の提案（特許文献２〜特許文献５４）がみられる。そのうち特許文献１６、特許文献４６、特許文献５４に開示された発明の内容は、それぞれ以下のとおりである。
【０００４】
（１）特開平０８−３３９５７４号公報（特許文献１６）
・発明の名称：多層光ディスク
・発明の要旨：汎用の再生装置によっても再生可能な情報記録層を有し、しかも専用の再生装置を用いることにより新たな情報記憶層からの情報を読み出すことが可能な多層光ディスクを提供することを目的とする。そしてその構成では、複数の情報記憶層を有する多層光ディスクにおいて、上記情報記憶層のうち１層は第１の再生光波長である波長７７０〜８３０ｎｍでの反射率を７０％以上とし、他の情報記憶層は、上記第１の再生光波長とは異なる第２の再生光波長の再生光により再生可能とする。上記他の情報記憶層は、第２の再生光波長での反射率が２０％である。また、第２の再生光波長は６１５〜６５５ｎｍとする。
【０００５】
（２）特開平１１−１５４３５２号公報（特許文献４６）
・発明の名称：情報記録媒体
・発明の要旨：複数の再生レーザ波長に対して、媒体構成を変えることなく多層の情報記録面の再生を可能にするとともに、ドライブの将来の短波長化に対して再生互換性を確保できる情報記録媒体を提供することを目的としている。そして、この情報記録媒体は、情報記録面を有する透明基板と、この透明基板の情報記録面上に交互に重ね合わせて積層した半透明膜及び情報記録面を有する透明スペース層と、最終の情報記録面上に設けられた反射膜とを有する光学式情報記録媒体である。上記半透明膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層してなる多層膜である。
【０００６】
（３）ＷＯ００／７２３１８号公報（特許文献５４：再公表特許）
・発明の名称：光ディスク及びその製造方法
・発明の要旨：基板上に基板信号層が形成され、この基板信号層上に中間層と信号層とからなる複合層がさらに一層以上形成された、多層構造からなる光ディスクであり、上記中間層は紫外線硬化樹脂層と粘着シート層とから構成されている。
【０００７】
【特許文献１】
国際公開第９６／４６５０号パンフレット
【特許文献２】
特許第２５１０１７１号明細書
【特許文献３】
特開平５−２７６８号公報
【特許文献４】
特開平５−１０１３９８号公報
【特許文献５】
特開平６−２８２８６８号公報
【特許文献６】
特開平７−３２０３００号公報
【特許文献７】
特許第２７３７６６４号明細書
【特許文献８】
特開平８−１２４２１０号公報
【特許文献９】
特開平８−１８５６４０号公報
【特許文献１０】
特開平８−２３５６４４号公報
【０００８】
【特許文献１１】
特開平８−２３５６４９号公報
【特許文献１２】
特開平８−２６３８７４号公報
【特許文献１３】
特開平８−２９７８６１号公報
【特許文献１４】
特開平８−３１５３７０号公報
【特許文献１５】
特開平８−３１５４１４号公報
【特許文献１６】
特開平８−３３９５７４号公報
【特許文献１７】
特開平９−２２５４２号公報
【特許文献１８】
特表２００２−５１５１５７号公報
【特許文献１９】
特開平９−６３１１２号公報
【特許文献２０】
特開平９−６３１２２号公報
【０００９】
【特許文献２１】
特開平９−６３１２３号公報
【特許文献２２】
特開平９−７３６６３号公報
【特許文献２３】
特開平９−９１７５２号公報
【特許文献２４】
特開平９−９７４５２号公報
【特許文献２５】
特開平９−１０６５７３号公報
【特許文献２６】
特開平９−１１５１９２号公報
【特許文献２７】
特開平９−１３４５４５号公報
【特許文献２８】
特許第２７７８９３９号明細書
【特許文献２９】
特開平９−１９８７０９号公報
【特許文献３０】
特開平９−２５１６７１号公報
【００１０】
【特許文献３１】
特開平１０−３６９５号公報
【特許文献３２】
特開平１０−９８２９号公報
【特許文献３３】
特開平１０−４０５７４号公報
【特許文献３４】
特開平１０−１７２１８２号公報
【特許文献３５】
特開平１０−１８８３５２号公報
【特許文献３６】
特開平１０−１８８３６７号公報
【特許文献３７】
特開平１０−１８８３６９号公報
【特許文献３８】
特開平１０−１８８３７０号公報
【特許文献３９】
特開平１０−２２２８７０号公報
【特許文献４０】
特開平１０−２５３３２４号公報
【００１１】
【特許文献４１】
特開平１０−２６９５７５号公報
【特許文献４２】
特開平１０−３０２３１４号公報
【特許文献４３】
特開平１１−３５４０号公報
【特許文献４４】
特開平１１−３９６５７号公報
【特許文献４５】
特開平１１−６６６４１号公報
【特許文献４６】
特開平１１−１５４３５２号公報
【特許文献４７】
特開平１１−１８５２９１号公報
【特許文献４８】
特開平１１−１９５２４３号公報
【特許文献４９】
特表２００１−５０５７０１号公報
【特許文献５０】
特表２００１−５２３３７２号公報
【００１２】
【特許文献５１】
特表２００１−５０７０４３号公報
【特許文献５２】
特表２００２−５４１５２２号公報
【特許文献５３】
特表２００２−５４３５４５号公報
【特許文献５４】
国際公開第００／７２３１８号パンフレット
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の公知文献では、多層の各記録層からの情報を複数の異なる波長で記録、再生する場合、その波長は４０５ｎｍ、６５０ｎｍ、７８０ｎｍであり、それぞれの波長における容量は、ディスク直径が１２ｃｍの場合、おおよそ０．５ＧＢ、５ＧＢ、２０ＧＢである。また、とくに波長７８０ｎｍを用いたときには、容量が低下してしまう問題があった。
【００１４】
本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みなされたもので、その目的は、おおよそ２０ＧＢの容量を有する記録層を複数積層した、大容量光記録媒体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、複数のレーザ波長に対して多層の情報記録面の記録再生消去を可能とする光記録媒体において、記録に直接関与する２層以上の、有機材料を主成分とする有機層を有し、各有機層が記録再生消去に用いるレーザ波長に対して０．０１以上０．５以下の吸光度を有することを特徴とする光記録媒体である。
【００１６】
請求項２に係る発明は、記録再生消去に用いる複数のレーザ波長の最大波長と最小波長の波長範囲が２００ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体である。
【００１７】
請求項３に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３６９±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体である。
請求項４に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３９０±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１、２または３に記載の光記録媒体である。
請求項５に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４０５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の光記録媒体である。
請求項６に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４１５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体である。
請求項７に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３２５±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体である。
請求項８に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４８８±２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体である。
請求項９に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝３６５±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光記録媒体である。
請求項１０に係る発明は、前記複数のレーザ波長の内、ひとつの波長がλ＝４４５±３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１８】
請求項１１に係る発明は、基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体である。請求項１２に係る発明は、基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、最上部に反射層が積層されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１９】
請求項１３に係る発明は、前記有機材料が分解温度１６０〜５００℃の有機物質を含有していることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明者は、複数のレーザ波長の最大波長と最小波長の波長範囲が２００ｎｍ以内とすることで各層の容量をほぼ同様にすることに成功した。
つまり、複数のレーザ波長をそれぞれ、λ＝３６９±３０ｎｍ、λ＝３９０±２０ｎｍ、λ＝４０５±２０ｎｍ、λ＝４１５±２０ｎｍ、λ＝３２５±２０ｎｍ、λ＝４８８±２０ｎｍの６層とすることで１２０ＧＢ程度が達成できる。
【００２１】
光記録媒体において上記波長で記録再生するためには、それぞれの波長に吸収を有する必要がある。つまり、有機材料がλ＝３６９±３０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有するか、λ＝３９０±２０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有するか、λ＝４０５±２０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有するか、λ＝４１５±２０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有するか、λ＝３２５±２０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有するか、λ＝４８８±２０ｎｍの範囲で０．０１以上０．５以下の吸光度を有する必要がある。
【００２２】
本発明の光記録媒体の構成の一例を、図１〜図３に基づいて説明する。図１は本発明の光記録媒体（光ディスク）の層構成の一例を示す拡大断面図であり、図２は本発明の光記録媒体の構成例を示す斜視図である。図３は本発明の光記録媒体の層構成の別例を示す拡大断面図である。
【００２３】
図１に示す光記録媒体１０は、片面に微細な凹凸状のプリフォーマットパターン２を有する透明基板１、有機層３、スペーサ層４、反射層５、保護層６が積層された構成を有する。また、有機層３とスペーサ層４による積層構造が３重に形成されている。一方、図３に示す光記録媒体１１では、有機層３とスペーサ層４による積層構造が２重に形成されている。図１、図２において符号１ａはセンタ孔、２ａは案内溝、２ｂはプリピット、２ｃはランド部である。
【００２４】
透明基板１としては、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ポリエステル、非晶質ポリオレフィンなどの透明樹脂材料（好ましくはガラス転移温度Ｔｇが１００〜２００℃）を所望の形状に成形し、その片面に所望のプリフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面に所望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層を密着したものなど、公知に属する任意の透明基板を用いることができる。ディスク状光記録媒体（以下、光ディスクという）を構成する透明基板１は、図２に示すように、中心部にセンタ孔１ａを有する円盤状に形成される。なお、透明基板１の作製は、公知の方法で行うことができる。
【００２５】
プリフォーマットパターン２は、少なくとも記録・再生用レーザビームを記録トラックに追従させるためのビーム案内部を含んで構成される。
図１、図２の例では、ビーム案内部が、センタ孔１ａと同心の渦巻状又は同心円状に形成された案内溝２ａをもって構成されており、当該案内溝２ａに沿って、アドレスピットやクロックピット等のプリピット２ｂが形成されている。
プリピット２ｂが案内溝２ａ上に重ねて形成される場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、図１に示すように、案内溝２ａとプリピット２ｂとをそれぞれ異なる深さに形成する。プリピット２ｂが相隣接する案内溝２ａの間に形成される場合には、両者を同じ深さに形成することもできる。
なお、ビーム案内部としては、案内溝２ａに代えて、ウォブルピットまたはウォブル溝を記録トラックに沿って形成することもできる。また、プリピット２ｂを省略し、案内溝のみで形成しても良い。
【００２６】
有機層３は、記録に用いる波長における吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択することが望ましい。吸光度が０．５より高いと光が吸収されてしまって反射率が低くなり、良好な記録ができ難くなる。
有機層３の材料の例としては、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ダイオキシディン系色素、トリフェノジチアジン系色素、フェナントレン系色素、シアニン系色素、ジカルボシアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム系色素、ポルフィリン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ポリエン系色素、ベーススチリル系色素、ホルマザンキレート系色素、クロコニウム系色素、インジゴイド系色素、メチン系色素、スルファイド系色素、メタンジチオールレート系色素等を挙げることができ、中でも、シアニン誘導体、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、アゾ染料誘導体が特に好適に用いられる。また、アミニウム系色素などの各種クエンチャを添加した色素材料を用いることもできる。
【００２７】
ポルフィリン誘導体はその構造の対称性から結晶化し易いため、結晶化することなく良好な溶解性で溶解させるためには、配位能を持つ分子構造を側鎖に有する沸点の低い高分子と共に溶剤に溶解させることが好ましい。
この溶液をスピンコートすると、ポルフィリン同士のスタックのない分散性に優れた記録層が形成される。
【００２８】
本発明で用いるテトラベンゾポルフィリンとしては、３００〜５００ｎｍの記録波長で記録が行われるものがよく、３３９〜４３５ｎｍで記録が行われるものが更に好ましく、亜鉛錯体であるものが最も好ましい。そのようなものとして、テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン亜鉛錯体が挙げられる。
【００２９】
また、高分子物質としては、ポルフィリン誘導体の中心金属に配位できる側鎖を有するもの、例えばイミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、フェノール誘導体を側鎖に有する高分子物質のうち、ポルフィリン誘導体との相溶性を考慮して選択することが望ましい。中でも、ポリ−４−ビニルピリジンが好適である。
【００３０】
ポルフィリン誘導体と高分子物質の組成比は、高分子物質を構成するモノマーが、ポルフィリン誘導体に対して５０倍以上のモル比で存在するように設定することが好ましい。この組成比で、ポルフィリン誘導体と高分子物質を混合することにより、ポルフィリンをスタックさせることなく記録層中に良好に分散できる。なお、更に最適な組成比は、用いる高分子物質とポルフィリン誘導体の種類によって多少変化する。高分子物質としてポリビニルピリジンを用いる場合には、ビニルピリジンモノマーがポルフィリン誘導体に対して６７倍以上のモル比で存在するように組成比を設定することが好ましい。
【００３１】
また、上記配位能を持つモノマーの高分子物質全体に対する比率は、モル比で５０％以上であることが望ましい。配位能を持つモノマーをこの範囲で含有する高分子物質は、配位子としてポルフィリンと良好に相互作用し、ソーレー帯を長波長シフトさせ分子吸光係数を増大させる。
【００３２】
なお、このような記録層には、ポルフィリン誘導体、高分子物質の他に、耐光性向上の目的で、ヒンダードアミン類、ニッケル錯体等を３０重量部以内の量、好ましくは０．１〜１０重量部添加しても良い。
【００３３】
有機層３の厚さは、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍより薄い場合は熱の吸収が十分ではなく、変形や変化が不十分となる。また、膜厚が２００ｎｍより厚い場合は体積が大きいため変形が抑えられたり、熱的な影響を受けて光学的に変化できない部分が存在するため問題である。
【００３４】
有機層にフタロシアニンを選択する場合、フタロシアニン色素が、溶液状態において、波長λ＝３００〜４００ｎｍの間にポルフィリン環に起因するＢ帯の吸収を示し、その強度をｌｏｇ１０ε（εは分子吸光係数）で表した場合、３．５以上であることが必要である、３．５より小さい場合、吸収が少なく良好な記録を達成することができない。
【００３５】
また、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。
【００３６】
色素材料を分散可能な樹脂としては、アクリル樹脂、特にアクリレート系樹脂、ビニル樹脂、特にビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂などを挙げることができる。樹脂の配合量は全体の５０重量％以下とすることが好ましい。
【００３７】
なお、本発明に好適な材料としては用いる波長に０．０１以上０．５以下の吸光度を有する必要がある。それらの材料の例としては色素ハンドブック（講談社、１９８６年３月２０日発行、第１刷、編者：大河原信、他）、ｐ．５４７〜５５０に記載された、波長３８１〜４３５ｎｍの範囲に示す材料の誘導体を使用することができる。
【００３８】
スペーサ層４は通常、２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料を用いて成膜する。誘電率が８０以上の溶媒としては水、炭酸エチレン、ホルムアミドなどが挙げられる。
【００３９】
材料の具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースなどの親水性樹脂が挙げられる。
【００４０】
成膜は、親水性樹脂の水溶液を、有機層３上にスピンコートすることによって行うことができる。しかし、親水性樹脂よりなるスペーサ層４は、耐水性（耐湿性、透湿性）及び耐熱性が悪いため、架橋処理や結晶化処理を施して、耐水性及び耐熱性を改善することが好ましい。そのための手段は、前述した有機層３の場合と同様である。
【００４１】
また、芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１つのもの；アントラキノン系、ダイオキシディン系、トリフェノジチアジン系、フェナントレン系、シアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、メロシアニン系、ピリリウム系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、クロコニウム系、アゾ系、インジゴイド系、メチン系、アズレン系、スクアリウム系、スルファイド系及びメタンジチオールレート系の色素からなる群から選択される少なくとも１つの色素；これらの色素に対し、ビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、アクリルレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セルロース系樹脂及び脂肪酸系樹脂からなる群から選択された少なくとも１つの高分子物質を５０重量％以下の割合で含有するものを使用することもできる。
【００４２】
スペーサ層４についても、記録に用いる波長における吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択することが望ましい。吸光度が０．５より高いと光が吸収されてしまって反射率が低くなり、良好な記録ができ難くなる。
【００４３】
有機層３及びスペーサ層４の形成においては、まず、有機層３を目的とする膜厚よりも厚く成膜し、次の層であるスペーサ層４を積層する際に、スピンコーティングコートにより有機層３の膜の一部が流され、目的の膜厚とする方法を採用する。
【００４４】
各層は、エタノールの沸騰時に１ｇ（材料）／３０ｍｌ（沸騰エタノール）より小さい値の溶解度を示す材料により成膜する必要がある。溶解度が１ｇ／３０ｍｌより高いとスピンコーティング法により積層する際に、膜が流れ出してしまう。
【００４５】
更に、各層の成膜後にベーク処理を施すことが好ましく、その条件としては、「時間×温度」が５００（秒・℃）以上とする。これよりも「時間×温度」の値が小さいと、積層の際に水や溶媒が残り、塗布むらが発生したり、材料が流れ出したりしてしまう。
【００４６】
有機層３は光を吸収して働くことにより熱的な影響を受けて溶融、融解、分解、昇華等の熱的状態変化を起すか、膨張、陥没、空洞化、凹凸変形等の形状変化を起すか、変質するか又は光学的に変化する。通常、有機層３はガウス分布を示す光を照射して記録を行った際に、ガウス分布の中央部に対応する部分の色素層材料の量がガウス分布の外周部に対応する部分の色素層材料の量より少なくなる形状変化を起す。また、有機層３の変形に伴いスペーサ層４に変形などの影響を受ける。
【００４７】
さらに、スペーサ層４は、金属材料を主成分とする金属層とすることもできる。
スペーサ層４も、第一の光吸収層と同様に、記録に用いる波長における吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択する。吸光度が０．５より高い場合は、光が吸収されてしまって反射率が低くなり良好な記録ができない。
【００４８】
スペーサ層４には、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｌ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも一種の物質を使用することができる。中でも、ブリネル硬さ７８Ｈｂ以下、又はビッカース硬さ３６０Ｈｖ以下の金属材料が好ましく用いられる。特に、ビッカース硬さ１３０Ｈｖ以下では温度、湿度の変化が起きた場合でも割れがなく好ましい。硬さが３６０Ｈｖよりも大きくなると、成膜後、チルトの変化に伴い割れが発生するため好ましくない。
【００４９】
また、硬さの下限は、スクラッチ（キズ）の発生頻度からみて、０．９Ｈｂ程度であり、この値より小さいとキズが頻繁に発生してしまい。ハンドリングが困難になる。このような条件を満足するものの中では特にＴｅが好ましい。
【００５０】
更に、有機層無機層の、記録に用いる波長における吸光度が、両層合計で０．０５以上であることが好適である。この値より少ないと吸収量が少なく、良好な記録をすることが難しくなるので好ましくない。
【００５１】
スペーサ層４の材料としては、例えば原子配列を変化させることにより情報の記録ができる相変化記録材料を使用することもできる。
具体的にはα−β−γ−Ｇｅ−Ｔｅで代表される金属及び合金が挙げられる。ここでαは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ランタニド元素、アクチニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素などから選ばれた少なくとも一つの元素を表し、βは、Ｔｌ、Ｉなどのハロゲン元素、Ｎａなどのアルカリ金属元素から選ばれた少なくとも一つの元素を表し、γは、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表す。
【００５２】
また、光磁気記録材料に使用される金属材料、例えば上記金属元素の中のＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏなども、スペーサ層４の材料として使用可能である。
【００５３】
更に、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の物質及び／又はそれらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物を含有することが望ましい。酸化物などの具体例としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＺｎＯ２等が挙げられる。
【００５４】
また、銀を主体とする金属又は合金を用いる場合には、銀の含有率は８０原子％以上が好ましくは、９０原子％以上であることが更に好ましい。
【００５５】
スペーサ層４の膜厚は、１ｎｍ〜１００μｍが好適である。膜厚が１ｎｍより薄いと、割れを生じ良好な成膜ができない。また、膜厚が１００μｍより厚い場合には、熱の伝達が大きくなり、良好な記録をすることができない。
【００５６】
材料別の好適な膜厚の例を示すと、ＳｉＣの場合は８〜１４ｎｍ、Ａｇの場合は１０〜１００ｎｍ、Ｔｅの場合は１〜５ｎｍ、ＴｅＯの場合は１〜１００ｎｍ、
ＺｎＯ−ＳｉＯ２の場合は５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＺｎＳの場合は５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ２の場合は１〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、Ｓｉ３Ｎ４の場合は５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは３０〜４０ｎｍである。
【００５７】
スペーサ層４は、その材料として金属材料又は合金材料を用いる場合には、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜法によって形成することができる。その場合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化状態の違う膜を形成することにより金属反射膜の反射率を高くする技術を採用することもできる。
【００５８】
反射層５に用いる材料には特に限定はないが、アルミニウム、銀、銅などの金属又はこれらを主成分とする合金を使用することができる。特に、銀又は銀を主成分とする合金を用いることが好適である。ここで、銀を主成分とするとは、銀の含有率が８０〜１００原子％、好ましくは９０〜１００原子％であることを意味する。また、安価であり且つコンパクトディスクにおいて使用された実績があることから、アルミニウムを使用することもできる。
【００５９】
このような反射層５は、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜方法によって形成することができる。この場合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化の状態の違う膜を形成して反射層の反射率を高くする技術を適用することもできる。
【００６０】
保護層６は、例えばＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の無機材料や、光硬化性樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。無機保護層は、真空成膜法によって形成することができ、有機保護層は、反射層５上に光硬化性樹脂膜（例えば、大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０１）をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって形成できる。
【００６１】
また、高密度化を図るために、高ＮＡのレンズを用いる場合、保護層を光透過性とする必要がある。例えば高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。
【００６２】
このような保護層は、ポリカーボネートシートや紫外線硬化型樹脂により形成する方法、又は、厚さ７０μｍのシートを厚さ３０μｍの接着剤で固定する方法が一般的である。合計の厚みは０．１ｍｍ程度が好適である。
【００６３】
光記録媒体のアドレス情報等をプリフォーマット信号として基板に予め形成させることができる。そのための形態としては、凹又は凸形状のエンボスピット方式、或いは、情報に応じてグルーブ部やランド部の幅を変調するウォーブル方式が可能である。ウォーブル方式としては、グルーブ部の内周側又は外周側の一方の側面若しくは両方の側面を蛇行させる方式を採用することができる。さらに、透過光にて情報の記録再生を行う場合は反射層５を省くこともできる。
【００６４】
また、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。
色素材料を分散可能な樹脂としては、アクリル樹脂、特にアクリレート系樹脂、ビニル樹脂、特にビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂などを挙げることができる。樹脂の配合量は全体の５０重量％以下とすることが好ましい。
【００６５】
上記の樹脂として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースなどの親水性樹脂を用いてもよく、その場合には、上記親水性樹脂の水溶液を、透明基板１のプリフォーマットパターン２形成面にスピンコートして形成する。
【００６６】
なお、親水性樹脂を用いると、耐水性（耐湿性、透湿性）や耐熱性が悪いので、架橋処理や結晶化処理を施して耐水性や耐熱性を改善することが好ましい。具体的には、親水性樹脂の水溶液に架橋剤を添加し、有機層３を成膜した後に、光照射による架橋反応や加熱による架橋反応を起させたり、或いは架橋剤を添加することなく有機層３を熱処理して結晶化（例えば、親水性樹脂としてＰＶＡを用いる場合には、変性ＰＶＡ化する）させたりする。
【００６７】
架橋処理と結晶化処理とを比較すると、加熱による悪影響を透明基板１に与えることがなく、かつ作業性にも優れていることから、架橋処理の方が好ましい。以下に、架橋反応の具体例を示すが、実施に際しては、これらの架橋反応の中から、必要に応じて任意の手段を選択することができる。
（１）架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、色素表面を処理すると同時に、成膜後に反応光を照射して有機層３に架橋反応を起させる方法。
（２）無機系架橋剤として、例えば銅、ホウ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロム等を添加する方法。
（３）アルデヒドを用いてアセタール化する方法。
（４）水酸基をアルデヒド化する方法。
（５）活性化ビニル化合物を添加する方法。
（６）エポキシ化合物を添加してエーテル化する方法。
（７）酸触媒の存在下でジカルボン酸反応を起させる方法。
（８）コハク酸及び硫酸を添加する方法。
（９）トリエチレングリコール及びアクリル酸メチルを添加する方法。
（１０）ポリアクリル酸及びメチルビニルエーテルマレイン酸共重合体をブレンドする方法。
【００６８】
また、有機層３の材料としては、芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１つを用いることもできる。
更に、有機層３は、分解温度が１６０〜５００℃の有機物質を含有することが望ましい。このような有機物質は、上記例示化合物の中から適宜選択すればよい。
有機層３の厚さは、１〜２００ｎｍが好適である。膜厚が１ｎｍより薄いと吸収率が低下し光から熱への変換が不十分となる。また膜厚が２００ｎｍより厚い場合、体積が大き過ぎるため、形状変化や熱の伝達が不十分となる。
【００６９】
有機層３は、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面に、例えば上記色素材料群より選択された色素材料の溶剤溶液をスピンコートして形成する。即ち、溝状のプリフォーマットパターン２内に色素材料を充填した後、プリフォーマットパターン２の間のランド部２ｃに付着した色素材料を選択的に除去し、透明基板１の表面を露出すると共に、プリフォーマットパターン２内にのみ色素材料を充填することによって形成できる。なお、色素材料の溶剤としては、２０℃における誘電率が８０未満であり、色素材料を０．１重量％以上溶解させることができるものを用いる必要がある。溶解能力が０．１重量％より小さいと膜厚を確保することができない。具体的にはアルコール系溶剤やセルソルブ系溶剤などを用いることができる。
【００７０】
また、有機層３を形成するための誘電率の小さい溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独又は二種以上併用して適宜用いることができる。塗布液中には更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００７１】
更に、二座配位を取り得るキレート剤を含有させて、色素の褪色防止を図ることもできる。このようなキレート剤としては、無機酸類、ジカルボン酸類、オキシカルボン酸類、ジオキシ化合物類、オキシオキシム類、オキシアルデヒド及び誘導体類、ジケトン及び類似化合物類、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オキシド化合物類、アミノカルボン酸及び類似化合物類、ヒドロキシルアミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシアゾ化合物類、ニトロソナフトール類、トリアゼン類、ピウレット類、ホルマザン類及びジチゾン類、ビクアリド類、グリオキシム類、ジアミン及び類似化合物類、ヒドラジン誘導体類、チオエーテル類などが挙げられる。
更に、イミノ基を有する誘導体も使用可能である。
【００７２】
有機層３の成膜に際し結合剤を使用する場合の結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。
このようにして調製される塗布液の濃度は、一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。
【００７３】
特に、下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有していると優れた効果を発揮する。
【００７４】
【化１】
2005032333.tif 000003
【００７５】
上記式中、Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｆｅのいずれかであり、Ｒとしては、下記表１〜表２４に示すものが挙げられる。
【００７６】
但し、上記表に示した化合物のＭは、表に記載した通りの有機置換基を有するものである。また、上記表中、（１／４）とあるのは、４個のＲのうち１個がその置換基であることを意味し、同様に（２／４），（３／４），（４／４）とあるのは、２〜４個がその置換基であることを意味する。また（１／３）とあるのは、４個のＲのうち一個は水素であり、残りの３個のＲのうち１個がその置換基であることを意味し、同様に（２／３）とあるのは、２個がその置換基であることを意味する。また、上記のような表示が無いものは、４個のＲが全てその置換基であることを意味する。
【００７７】
【表１】
2005032333.tif 000004
【００７８】
【表２】
2005032333.tif 000005
【００７９】
【表３】
2005032333.tif 000006
【００８０】
【表４】
2005032333.tif 000007
【００８１】
【表５】
2005032333.tif 000008
【００８２】
【表６】
2005032333.tif 000009
【００８３】
【表７】
2005032333.tif 000010
【００８４】
【表８】
2005032333.tif 000011
【００８５】
【表９】
2005032333.tif 000012
【００８６】
【表１０】
2005032333.tif 000013
【００８７】
【表１１】
2005032333.tif 000014
【００８８】
【表１２】
2005032333.tif 000015
【００８９】
【表１３】
2005032333.tif 000016
【００９０】
【表１４】
2005032333.tif 000017
【００９１】
【表１５】
2005032333.tif 000018
【００９２】
【表１６】
2005032333.tif 000019
【００９３】
【表１７】
2005032333.tif 000020
【００９４】
【表１８】
2005032333.tif 000021
【００９５】
【表１９】
2005032333.tif 000022
【００９６】
【表２０】
2005032333.tif 000023
【００９７】
【表２１】
2005032333.tif 000024
【００９８】
【表２２】
2005032333.tif 000025
【００９９】
【表２３】
2005032333.tif 000026
【０１００】
【表２４】
2005032333.tif 000027
【０１０１】
そして、波長２００ｎｍ〜３００ｎｍ、３００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜７００ｎｍ、７００ｎｍ〜８００ｎｍ、及び／又は８００ｎｍ〜９００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録再生が可能である。中でも、２００ｎｍ〜２５０ｎｍ、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ、６００ｎｍ〜７００ｎｍ、７５０ｎｍ〜８００ｎｍ、及び／又は８００ｎｍ〜８５０ｎｍ、更には波長２２５±２０ｎｍ、３６９±２０ｎｍ、４０５±２０ｎｍ、４８８±２０ｎｍ、６５０±２０ｎｍ、７８０±２０ｎｍ、及び／又は８３０±２０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体である。
【０１０２】
特に好ましい色素の具体例としては、次のようなメタルフタロシアニン色素（以下、ＭＰｃという）が挙げられる。なお、多数の式中に使用される同一の符号は同一の置換基を表すので、一度だけ記載することにした。
【０１０３】
ＭＰｃ−Ｒｎ（Ｒ＝アルキル基、シクロアルキル基、オキサアルキル基）、ＭＰｃ−（ＸＲ）ｎ（Ｘ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）、ＭＰｃ−（Ａｒ）ｎ（Ａｒ＝アリール基）、ＭＰｃ−（ＹＡｒ）ｎ（Ｙ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ）、ＭＰｃ−（ＳＯ３Ｍ）ｎ（Ｍ＝Ｈ、金属イオン）、ＭＰｃ−（ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２）ｎ（Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ、アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＣＯＯＭ）ｎ（Ｍ＝金属イオン）、ＭＰｃ−（ＣＯＺ）ｎ（Ｚ＝Ｒ、ＯＲ、ＮＲ１Ｒ２）、ＭＰｃ−（ＮＲ１Ｒ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＮＲ１−ＣＯＲ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＳｉＮＲ１Ｒ２Ｒ３）ｎ（Ｒ３＝アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＮＯ２）ｎ、ＭＰｃ−Ｆｎなど。
【０１０４】
上記色素の中心金属Ｍとしては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、ＶＯ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇなどが挙げられ、特に上記した一般式（１）に示す化合物が好適である。
【０１０５】
上記フタロシアニンの中でも、下記（ａ）〜（ｅ）に示すものは変調度が特に大きく、良好な記録を達成できる。
【０１０６】
（ａ）：中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲがＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−であるもの。これらの中でも、中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎであるものが特に好適であり、ＶＯが最適である。
【０１０７】
（ｂ）：中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲが下記化学式（２）で示されるもの。これらの中でも、中心金属ＭがＶＯであるものが特に好ましい。
【０１０８】
【化２】
2005032333.tif 000028
【０１０９】
（ｃ）：中心金属によらず、Ｒが下記化学式（３）〜（６）のいずれかで示されるもの。
【０１１０】
【化３】
2005032333.tif 000029
【０１１１】
（ｄ）：Ｍが下記化学式（７）で示される置換基であり、４個のＲが−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈであるもの。なお、下記化学式（７）において、Ｃｐはフェロセン即ちＦｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
【０１１２】
【化４】
2005032333.tif 000030
【０１１３】
（ｅ）：Ｍが下記化学式（８）で示される置換基であり、４個のＲが−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈであるもの。
【０１１４】
【化５】
2005032333.tif 000031
【０１１５】
更に、下記一般式（９）で示されるポルフィリン系色素を用いた場合も、変調度が大きく、良好な記録が達成できる。この場合、膜厚は１０〜１００ｎｍが好適であり、１０ｎｍより薄いと吸収率が少なくなり問題である。また、膜厚が１００ｎｍより厚い場合は体積が記録を阻害し、良好な記録を達成できない。
【０１１６】
【化６】
2005032333.tif 000032
【０１１７】
（式中、Ｘ１からＸ３はそれぞれ独立に窒素原子又はＣＨ基を示し、Ｒ１からＲ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の置換または無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基、水酸基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、アミノ基またはアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、置換または無置換のカルボン酸エステル基、置換または無置換のカルボン酸アミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン酸基、置換または無置換のスルホン酸エステル基、置換または無置換のスルホンアミド基、置換または無置換のシリル基、およびシロキシ基から選択される。また中心金属Ｍは遷移金属を示し、電荷を有してカチオン塩構造をとっても良い。）
【０１１８】
更に、下記一般式（１０）で表される化合物を１種以上含有すると、優れた効果を発揮する。
【０１１９】
【化７】
2005032333.tif 000033
【０１２０】
（式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいピロール環骨格を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つが置換基を有していてもよいメチン基であり、Ｍは２個の水素原子、置換基又は配位子を有していてもよい２〜４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。）
【０１２１】
上記化学式（１０）で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
【０１２２】
また、上記一般式（１０）の、置換基を有していてもよいピロール環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
【０１２３】
また、上記一般式（１０）のアザポルフィリン骨格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン基Ｘ、Ｙ、Ｚの置換基の具体例としては、それぞれ下記化学式（１１）、（１２）、（１３）で示される置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
【０１２４】
【化８】
2005032333.tif 000034
【０１２５】
（上記化学式（１１）、（１２）、（１３）中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを示す。）
【０１２６】
また、上記ピロール環の置換基、及びＸ、Ｙ、Ｚで表されるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。
【０１２７】
更に、上記一般式（１０）のＭの具体例としては、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられる。
【０１２８】
上記一般式（１０）で表される化合物の好ましい例としては、次の一般式（１４）〜（２０）で表される化合物が挙げられる。
【０１２９】
【化９】
2005032333.tif 000035
【０１３０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「アシルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｌ１は窒素原子又はＣ−Ｒ９（Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ２は窒素原子又はＣ−Ｒ１０（Ｒ１０は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ３は、窒素原子又はＣ−Ｒ１１（Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ１〜Ｌ３のうち、少なくとも１つはメチン基を表し、Ｒ１〜Ｒ１１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ１は２個の水素原子、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。）
【０１３１】
【化１０】
2005032333.tif 000036
【０１３２】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１９はそれぞれ独立に、前記一般式（１４）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ２０、Ｒ２１はそれぞれ独立に、前記一般式（１４）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ１２〜Ｒ２１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ２は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す（中でも、Ｒ２０、Ｒ２１が置換又は無置換のフェニル基のものが好ましい）。）
【０１３３】
【化１１】
2005032333.tif 000037
【０１３４】
（式中、Ｒ２２〜Ｒ２９はそれぞれ独立に、前記一般式（１４）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ３０〜Ｒ３２はそれぞれ独立に、前記一般式（１４）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ２２〜Ｒ３２の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ３は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す（Ｒ３０〜Ｒ３２が置換又は無置換のフェニル基も好ましく用いられる）。）
【０１３５】
【化１２】
2005032333.tif 000038
【０１３６】
（式中、Ｒ３３〜Ｒ４４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３５とＲ３６は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１はそれぞれ独立にメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１のうち少なくとも２つが窒素原子であり、Ｍ４は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１３７】
【化１３】
2005032333.tif 000039
【０１３８】
（式中、Ｒ４５〜Ｒ５６はそれぞれ独立に、前記一般式（１７）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４７とＲ４８は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ５は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１３９】
【化１４】
2005032333.tif 000040
【０１４０】
（式中、Ｒ５７〜Ｒ６８はそれぞれ独立に、前記一般式（１７）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ５７とＲ５８、Ｒ５９とＲ６０は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、また、Ｍ６は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１４１】
【化１５】
2005032333.tif 000041
【０１４２】
（式中、Ｒ６９〜Ｒ８０はそれぞれ独立に、前記一般式（１７）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ６９とＲ７０、Ｒ７１とＲ７２は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、また、Ｍ７は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１４３】
さらに、上記したポルフィリン系色素としては、下記一般式（２１）で表されるマレオニトリルと、下記一般式（２２）で表されるアセトフェノンと、ハロゲン化金属及び／又は金属誘導体とを反応させることにより製造される、下記一般式（２３）で表されるアザポルフィリン化合物の混合物（ここでいう混合物とは、原料のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方により生成する構造異性体の混合物のことである。）が挙げられる。
【０１４４】
【化１６】
2005032333.tif 000042
【０１４５】
【化１７】
2005032333.tif 000043
【０１４６】
（上記一般式（２１）、（２２）中、Ｒ８１〜Ｒ８６はそれぞれ独立に、前記一般式（１７）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ８１とＲ８２は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｑはハロゲン原子又はシアノ基を表す。）
【０１４７】
【化１８】
2005032333.tif 000044
【０１４８】
（式中、Ａ１，Ａ２はいずれか一方が前記一般式（２１）におけるＲ８１，他方がＲ８２を表し、Ａ３，Ａ４はいずれか一方が前記一般式（２１）におけるＲ８１，他方がＲ８２を表し、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は順に前記一般式（２２）におけるＲ８３，Ｒ８４，Ｒ８５，Ｒ８６またはＲ８６，Ｒ８５，Ｒ８４，Ｒ８３を表し、Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７，Ｂ８は順に前記一般式（２２）におけるＲ８３，Ｒ８４，Ｒ８５，Ｒ８６またはＲ８６，Ｒ８５，Ｒ８４，Ｒ８３を表し、Ｍ８は前記一般式（１４）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１４９】
前記一般式（１４）で表されるアザポルフィリン化合物において、Ｒ１〜Ｒ８がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１５０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、次の（イ）〜（オ）の基が挙げられる。
（イ）  メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
【０１５１】
（ロ）  クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【０１５２】
（ハ）  ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【０１５３】
（ニ）  ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１５４】
（ホ）  ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【０１５５】
（ヘ）  シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１５６】
（ト）  メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【０１５７】
（チ）  メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１５８】
（リ）  メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【０１５９】
（ヌ）  ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１６０】
（ル）  ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【０１６１】
（ヲ）  ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１６２】
（ワ）  アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；
【０１６３】
（カ）  メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１６４】
（ヨ）  フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル基；
【０１６５】
（タ）  ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基などのアラルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキル基；
【０１６６】
（レ）  ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のアルキル基；
【０１６７】
（ソ）  メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１６８】
（ツ）  メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【０１６９】
（ネ）  ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換した炭素数３〜２０のアルキル基；
【０１７０】
（ナ）  アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【０１７１】
（ラ）  メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１７２】
（ム）  メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１７３】
（ウ）  ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数７〜１２のアルキル基；
【０１７４】
（ヰ）  チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキル基；
【０１７５】
（ノ−１）  フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基。
【０１７６】
（ノー２）  コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、
【０１７７】
（ノ−３）  ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、
【０１７８】
（ノ−４）  ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルキル基；
【０１７９】
（オ−１）  フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基、
【０１８０】
（オ−２）  コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基、
【０１８１】
（オ−３）  ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基、
【０１８２】
（オ−４）  ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；
【０１８３】
（オ−５）  フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、
【０１８４】
（オ−６）  コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基、
【０１８５】
（オ−７）  ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基、
【０１８６】
（オ−８）  ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基。
【０１８７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等である。
【０１８８】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基などの炭素数６〜１８のアリールオキシ基である。
【０１８９】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基である。
【０１９０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基である。
【０１９１】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等である。
【０１９２】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などである。
【０１９３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などである。
【０１９４】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（ａ−１）〜（ａ−５）の基である。
【０１９５】
（ａ−１）  メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２−エチルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基；
【０１９６】
（ａ−２）  ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジル）アミノ基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）アミノ基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノ基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；
【０１９７】
（ａ−３）  アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチルアニリノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オクタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジルコノセニルアミノ基など、炭素数６〜１０のモノアリールアミノ基；
【０１９８】
（ａ−４）  ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ基；
【０１９９】
（ａ−５）  ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルアミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルアミノ基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニルアミノ基などの炭素数１〜１６のアシルアミノ基等のアミノ基。
【０２００】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｂ−１）〜（ｂ−６）の基である。
【０２０１】
（ｂ−１）  ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；
【０２０２】
（ｂ−２）  ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；
（ｂ−３）  ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；
（ｂ−４）  ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス（シクロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニルアミノ基；
【０２０３】
（ｂ−５）  ジホルミルアミノ基、ジ（メチルカルボニル）アミノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（２−メチルブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ベンゾイル）アミノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミノ基、ジ（エチルベンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカルボニル）アミノ基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ基、ジ（４−ｔ−ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニトロベンジルカルボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ−２−ナフトイル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシルアミノ基；
【０２０４】
（ｂ−６）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル−コバルトセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基。
【０２０５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基などの炭素数１〜１６のアシル基である。
【０２０６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｃ−１）〜（ｃ−７）の基である。
【０２０７】
（ｃ−１）  メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０２０８】
（ｃ−２）  メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０２０９】
（ｃ−３）  メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０２１０】
（ｃ−４）  フェロセニルメトキシカルボニル基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基、
【０２１１】
（ｃ−５）  コバルトセニルメトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシカルボニル基、
（ｃ−６）  ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル基、
【０２１２】
（ｃ−７）  ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルコキシカルボニル基。
【０２１３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等である。
【０２１４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基などの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基である。
【０２１５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカルボニル基である。
【０２１６】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｄ−１）〜（ｄ−４）の基である。
【０２１７】
（ｄ−１）  メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、（２−エチルヘキシル）アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル基；
【０２１８】
（ｄ−２）  ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニルプロピルアミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノカルボニル基；
【０２１９】
（ｄ−３）  アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノカルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル基、４−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモノアリールアミノカルボニル基；
【０２２０】
（ｄ−４）  ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボニル基。
【０２２１】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｅ−１）〜（ｅ−５）の基である。
【０２２２】
（ｅ−１）  ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカルボニル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基；
【０２２３】
（ｅ−２）  ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジアラルキルアミノカルボニル基；
（ｅ−３）  ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５のジアリールアミノカルボニル基；
【０２２４】
（ｅ−４）  ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノカルボニル基；
（ｅ−５）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基。
【０２２５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルオキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキシ基などの炭素数２〜１６のアシルオキシ基である。
【０２２６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のヘテロアリール基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｆ−１）に示す無置換ヘテロアリール基、或いは（ｆ−２）に示す置換基により置換したヘテロアリール基である。
【０２２７】
（ｆ−１）  フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換ヘテロアリール基；
【０２２８】
（ｆ−２）ヘテロアリール基の置換基
・フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；
・シアノ基；
・メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基；
・ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；
・フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリール基；
・メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコキシ基；
【０２２９】
・ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基；
・フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基；
・ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基等のアルケニル基；
・ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；
・メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基；
・ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基；
・フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基；
【０２３０】
・ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；
・アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基等のアシル基；
・メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；
・ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；
・フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；
【０２３１】
・ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；
・メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基
・ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基；
【０２３２】
・フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複素環基；
・フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基などのメタロセニル基。
【０２３３】
上記Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で表される置換されていてもよいメチン基の置換基Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１の例としては、シアノ基；前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。
【０２３４】
Ｒ１〜Ｒ１１が連結基を介して、それぞれ環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などのヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わせてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は置換されていてもよいメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基により形成する環としては、連結基により連結した鎖状、面状又は立体状の環が挙げられる。
【０２３５】
連結した骨格の好適な例としては、次の（ｇ−１）〜（ｇ−４）および下記表２５に示すものが挙げられる。
【０２３６】
（ｇ−１）  −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２（ＮＯ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、等（脂肪族縮合環を形成する）；
【０２３７】
（ｇ−２）  −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＮＯ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ２）−、−Ｃ（ＯＣＨ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ２）−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２）−（ＯＣＨ２））＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２）−（ＯＣＨ２））−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２）２）＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２）２）−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ２）−Ｃ（ＣＨ２）＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ２）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ２）２〕２｝＝ＣＨ−Ｃ（Ｂｒ）＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−等（芳香族縮合環を形成する）；
【０２３８】
（ｇ−３）  −Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−等（複素環を形成する）；
【０２３９】
【表２５】
2005032333.tif 000045
【０２４０】
〔上記表２５に示す化学式において、Ｍ′は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ又はＭ″Ｒ′２（Ｍ″はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖの何れかを表し、Ｒ′は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、前述のＲ１〜Ｒ８と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れかを表す。）の何れかを表す。〕等（金属錯体残基を含む複素環を形成する）である。
【０２４１】
Ｒ１〜Ｒ１１が各々隣接する置換基と連結基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、Ｒ２とＲ９、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１１、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１０、Ｒ７とＲ１０等が挙げられる。
【０２４２】
Ｍ１が２価の無置換金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。
Ｍ１が配位子を有する２価の金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２等の含窒素化合物が配位した２価の金属原子が挙げられる。
【０２４３】
Ｍ１が置換基を有する３価の金属原子である場合の具体例としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ６Ｈ６、Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂｒ、Ｒｕ−Ｉ等の１置換の３価の金属原子が挙げられる。
【０２４４】
Ｍ１が置換基を有する４価の金属原子である場合の具体例としては、ＣｒＣｌ２、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＴｉＦ２、ＴｉＣｌ２、ＴｉＢｒ２、ＴｉＩ２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ（ＯＨ）２、Ｚｒ（ＯＨ）２、Ｍｎ（ＯＨ）２、ＴｉＡ２、ＣｒＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＧｅＡ２、Ｔｉ（ＯＡ）２、Ｃｒ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｔｉ（ＳＡ）２、Ｃｒ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基」を表す。〕等の２置換の４価の金属原子が挙げられる。
【０２４５】
Ｍ１が置換基を有する３価又は４価の半金属原子である場合の具体例としては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ａ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＡ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の１置換の３価の半金属原子や、ＳｉＦ２、ＳｉＣｌ２、ＳｉＢｒ２、ＳｉＩ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の２置換の４価の半金属原子が挙げられる。
Ｍ１がオキシ金属原子である場合の具体例としては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。
【０２４６】
上記の中でもＭ１として好ましいのは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＲｕＡ２、ＲｈＡ２、ＧｅＡ２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕である。
【０２４７】
前記一般式（１５）で表されるジアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ１２〜Ｒ１９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８で示されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０２４８】
また、Ｒ２０、Ｒ２１で表される、置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並びに光学特性向上のため、置換基Ｒ２０、Ｒ２１は置換又は無置換の炭素数１以上の基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。
また、Ｒ１２〜Ｒ１９が連結基を介して、それぞれ形成する環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
また、Ｍ２で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２４９】
前記一般式（１６）で表されるモノアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ２２〜Ｒ２９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０２５０】
また、Ｒ３０〜Ｒ３２で表される、置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。
Ｒ２２〜Ｒ３２が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ３で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２５１】
前記一般式（１７）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ３３〜Ｒ４４の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ３３〜Ｒ４４が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ４で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２５２】
前記一般式（１８）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ４５〜Ｒ５６の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ４５〜Ｒ５６が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ５で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２５３】
前記一般式（１９）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ５７〜Ｒ６８の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ５７〜Ｒ６８が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ６で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２５４】
前記一般式（２０）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ６９〜Ｒ８０の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ６９〜Ｒ８０が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ７で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２５５】
前述したようなアザポルフィリン系化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば前記一般式（１５）で表される化合物の場合、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ｃ），２２−２９（１９９６）、Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，１２１，６５４−６６０（１９９７）、Ｚ．Ｐｈｙｓｉｏｌ．Ｃｈｅｍ，２１４，１４５（１９３３）、Ｄｉｅ  Ｃｈｅｍｉｅ  ｄｅｓ  Ｐｙｒｒｏｌｓ，Ｂａｎｄ  ＩＩ，Ｈａｌｆｔｅ  ２，ｐｐ．４１１−４１４，Ａｋａｄｅｍｉｓｃｈｅ  Ｖｅｒｌａｇｅｓｅｌｌｓｃｈｕｆｔ，Ｌｅｉｐｚｉｇ（１９４０）等に記載の方法に準じて製造される。
代表的には、以下のような三段階の反応にて製造することができる。
まず、第一段階では、下記一般式（２４）及び一般式（２５）で表されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々下記一般式（２６）及び一般式（２７）で示されるジピロメテン化合物を得る。
【０２５６】
【化１９】
2005032333.tif 000046
【０２５７】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、一般式（１５）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ｒは水素原子又はカルボキシル基を表す。）
【０２５８】
【化２０】
2005032333.tif 000047
【０２５９】
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は、一般式（１５）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。）
【０２６０】
【化２１】
2005032333.tif 000048
【０２６１】
【化２２】
2005032333.tif 000049
【０２６２】
（一般式（２６）、（２７）中、Ｒ１２〜２１は、一般式（１５）のＲ１２〜２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。）
【０２６３】
次いで第二段階では、上記一般式（２６）及び一般式（２７）で表されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、下記一般式（２８）で表されるジピロメテン金属錯体を得る。
【０２６４】
【化２３】
2005032333.tif 000050
【０２６５】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ２１及びａは、一般式（１５）のＲ１２〜Ｒ２１及びａとそれぞれ同一の基を表し、Ｍ２は一般式（１５）のＭ２と同一の意を表す。）
【０２６６】
次いで、第三段階では、上記ジピロメテン金属錯体をエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（１５）で示される本発明のジアザポルフィリン化合物を得ることができる。
【０２６７】
ここで、第一段階で得られた一般式（２６）及び一般式（２７）で示されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（１５）の化合物を得ることもできる。
【０２６８】
更に、無金属の一般式（１５）で表されるジアザポルフィリン化合物〔Ｍ２が２個の水素原子〕は、一般式（２６）及び（２７）で表されるジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或いは、金属錯体化した一般式（１４）の化合物をクロロホルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応させることにより得ることができる。
【０２６９】
一般式（１５）で表されるジアザポルフィリン化合物の具体例としては、例えば下記表２６〜表３０に記載された、置換基を有する化合物（１−１）〜（１−６５）等が挙げられる。
【０２７０】
【表２６】
2005032333.tif 000051
【０２７１】
【表２７】
2005032333.tif 000052
【０２７２】
【表２８】
2005032333.tif 000053
【０２７３】
【表２９】
2005032333.tif 000054
【０２７４】
【表３０】
2005032333.tif 000055
【０２７５】
また、好ましいポルフィンとしては、下記一般式（２９）で示される化合物が挙げられる。
【０２７６】
【化２４】
2005032333.tif 000056
【０２７７】
（式中、Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ８は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。ＢｎとＢｎ＋１（ｎ＝１，３，５，７）は、Ｃ４Ｈ４残基を介して環状に結合していてもよい。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくは１個の金属原子を表す。）
【０２７８】
中でも、下記一般式（３０）で示される化合物が好ましく、特に好ましいのは下記一般式（３１）で示される化合物である。
【０２７９】
【化２５】
2005032333.tif 000057
【０２８０】
（式中、Ｒ１は水素原子、メチル基、アリル基、又はフェニル基を表し、Ｒ２は水素原子、メチル基、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表し、Ｒ３は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎから選ばれた２価の金属を表す。）
【０２８１】
【化２６】
2005032333.tif 000058
【０２８２】
（式中、Ａ１〜Ａ４は、水素原子又はフェニル基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＺｎを表す。）
【０２８３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０２８４】
実施例１〜１５
図１及び図２に示すポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ）であって、それぞれ表面に下記表３１に示すトラックピッチ、グルーブ幅、グルーブの深さのスパイラル状プレグルーブが射出成形により形成されたものの上に、波長λ＝４８８±２０ｎｍレーザに対応する第一の有機層を成膜した。この第一の有機層は、下記化学式（３２）に示すＮＫ７２３（林原生物化学研究所社製）のエタノール溶液をスピンコート法により成膜した。
【０２８５】
【表３１】
2005032333.tif 000059
【０２８６】
【化２７】
2005032333.tif 000060
【０２８７】
上記ＮＫ７２３のメタノール中の吸収極大は４８５ｎｍである。第一の有機層の波長λ＝４８８ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３２５ｎｍ、３９０ｎｍ、４０５ｎｍ、４１５ｎｍおよび３６９ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。
【０２８８】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４８８±２０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記化学式（３２）に示す化合物を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０２８９】
次に第一の有機層上にＺｎＯ−ＳｉＯ２を膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜した。次に波長λ＝４１５±２０ｎｍレーザに対応する第二の有機層を成膜した。
【０２９０】
第二の有機層は下記化学式（３３）に示すＮＫ３２１２（林原生物化学研究所社製）のエタノール溶液をスピンコート法により成膜した。
【０２９１】
【化２８】
2005032333.tif 000061
【０２９２】
このＮＫ３２１２のメタノール中の吸収極大は４３３ｎｍである。第二の有機層の波長λ＝４１５ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３２５ｎｍ、３９０ｎｍ、４０５ｎｍ、４８８ｎｍおよび３６９ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。
【０２９３】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４１５±２０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記化学式（３３）に示す化合物を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０２９４】
次に第二の有機層上にＺｎＯ−ＳｉＯ２を膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜した。なお、波長λ＝４１５ｎｍの光は、波長８３０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
【０２９５】
次に波長λ＝４０５±２０ｎｍレーザに対応する第三の有機層を成膜した。
第三の有機層は下記化学式（３４）に示すＮＫ１２０４（林原生物化学研究所社製）のエタノール溶液をスピンコート法により成膜した。
【０２９６】
【化２９】
2005032333.tif 000062
【０２９７】
このＮＫ１２０４のメタノール中の吸収極大は４００ｎｍである。第三の有機層の波長λ＝４０５ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３２５ｎｍ、３９０ｎｍ、４１５ｎｍ、４８８ｎｍおよび３６９ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。
【０２９８】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４０５±２０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も、上記化学式（３４）に示す化合物を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０２９９】
次に、第三の有機層上にＺｎＯ−ＳｉＯ２を膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜した。つぎに波長λ＝３９０±２０ｎｍレーザに対応する第四の有機層を成膜した。第四の有機層は、上記一般式（１）において中心金属Ｍが下記化学式（３５）で示され、４個のＲが下記化学式（３６）で示される示す材料をスピンコート法で成膜した。
【０３００】
【化３０】
2005032333.tif 000063
【０３０１】
【化３１】
2005032333.tif 000064
【０３０２】
この場合、第四の有機層の膜厚は５〜４０ｎｍとした。また、塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。上記第四の有機層形成用の材料の、メタノール中の吸収極大は３９０ｎｍである。
【０３０３】
第三の有機層の波長λ＝３９０ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３２５ｎｍ、４０５ｎｍ、４１５ｎｍ、４８８ｎｍおよび３６９ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３９０±２０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も、上記第四の有機層形成用の材料を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。なお、波長λ＝３９０ｎｍの光は、波長７８０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
【０３０４】
次に第四の有機層上にＺｎＯ−ＳｉＯ２を膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜した。
【０３０５】
次に、波長λ＝３６９±３０ｎｍレーザに対応する第五の有機層を成膜した。この第五の有機層は、上記一般式（１）において中心金属ＭがＶＯで、４個のＲがＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である材料を用いてスピンコート法で成膜した。
【０３０６】
また、膜厚は５〜４０ｎｍとした。塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。さらに、上記材料の成膜後の吸収極大は３５０ｎｍである。
【０３０７】
第五の有機層の波長λ＝３６９ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３２５ｎｍ、４０５ｎｍ、４１５ｎｍ、４８８ｎｍおよび３９０ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３６９±３０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も、上記材料を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０３０８】
次に、第五の有機層上にＺｎＯ−ＳｉＯ２を膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜した。次に波長λ＝３２５±２０ｎｍレーザに対応する第六の有機層を成膜した。この第六の有機層は、上記一般式（１）において中心金属が下記化学式（３７）で、４個のＲが下記化学式（３８）でそれぞれ示される材料を用いてスピンコート法で成膜した。なお、下記化学式（３７）においてＣｐはフェロセン即ちＦｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
【０３０９】
【化３２】
2005032333.tif 000065
【０３１０】
【化３３】
2005032333.tif 000066
【０３１１】
上記第六の有機層では膜厚を５〜４０ｎｍとした。また、塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。上記材料の成膜後の吸収極大は３３０ｎｍである。また、第六の有機層の波長λ＝３２５ｎｍにおける吸光度は０．０９±０．０２とした。また、波長λ＝３６９ｎｍ、４０５ｎｍ、４１５ｎｍ、４８８ｎｍおよび３９０ｎｍの吸光度は０．００９以下とした。
【０３１２】
さらに、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３２５±３０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も、上記材料を用いる波長での吸光度は０．０１０以上０．５００以下とすることが好適である。０．０１０より小さいと吸収を示さないために良好な記録が達成できない。また、０．５００より大きいと吸収が大きくなり反射率が減少し、良好にトラッキングできない。なお、波長λ＝３２５の光は波長６５０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
【０３１３】
次に第六の有機層上に粘着剤を塗布したビニロンフィルムを接着した。
【０３１４】
実施例１６〜２０
実施例１〜１５では、第六の有機層上に粘着剤を塗布したビニロンフィルムを接着したが、実施例１６ではビニロンフィルムに替えてナイロンフィルムを使用した。また、実施例１７ではセロハンフィルムを、実施例１８ではポリプロピレンフィルムを、実施例１９ではスチレンフィルムを、実施例２０ではポリエステルフィルムを、それぞれ使用した。これら実施例１６〜２０でのその他の製造方法・条件は実施例１と同様である。
【０３１５】
上記各実施例で作製した光記録媒体に対し、光ディスク評価装置を用い記録を行った。波長３５９ｎｍの記録はＹＡＧレーザ（Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ  ＮＹ６０−１０）の第三高調波を使用した、波長：４０５ｎｍの記録は波長４０５の半導体レーザを使用した、ＮＡ：０．６５。波長３９０ｎｍの記録には半導体レーザ波長７８０ｎｍの第二高調波、波長４１５ｎｍは半導体レーザ波長８３０ｎｍの第二高調波、波長３２５ｎｍは波長６５０ｎｍの半導体レーザの第二高調波、波長４８８ｎｍは半導体レーザを用いて、六波長でそれぞれの層に記録を行なったところ、短マーク、長マークとも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られた。なお、吸光度の測定は島津製作所社製ＵＶ−２５００（ＰＣ）ＳＧＬＰを用いて測定した値であり、分解温度は熱分析装置セイコーインスチルメント社製ＳＳＣ／５２００を用いて測定した値である。
【０３１６】
図４は本ディスク製造のフローチャートであり各工程は公知であるが、簡単に説明すると以下の通りである。なお、Ｓ１２のハードコート層形成工程は、必要に応じて行えばよい。
Ｓ１：ガラス円盤を研磨、洗浄する。
Ｓ２：シランコートを行う。
Ｓ３：ガラス円盤上にフォトレジストをスピンコートし、所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。
Ｓ４：溶剤をとばすためプリベークを行う。
Ｓ５：集光レンズを介してレジスト層にレーザ光を照射する（カッティング）。
Ｓ６：この露光済みガラス円盤を現像処理する。
Ｓ７：レジストをＴｇ以上に加熱し溝形状を成形する（第一ベーク）。
Ｓ８：パターンの固化のためベークを行う（第二ベーク）。
Ｓ９：蒸着、メッキを行う。
Ｓ１０：ガラス円盤の凹凸面に金属膜を形成し、該金属膜を剥離することによりスタンパを作成する。
Ｓ１１：スタンパを用いて射出成形を行い、所定の膜厚を有するレプリカを形成する。
Ｓ１２：透明基板の片側にスピンコート法によりハードコート層を形成する。Ｓ１３：透明基板の片面に必要に応じてスピンコート法により有機層を形成する。
Ｓ１４：有機層の上にスピンコート法によりスペーサ層を形成する。
Ｓ１５：スペーサ層の上に有機層を形成する。
Ｓ１６：有機層の上に反射層を形成する。
Ｓ１７：必要に応じて保護層などの他の層を積層し、ディスク単板とする（単板のままで使用する場合）。
Ｓ１８：必要に応じて保護層などの他の層を積層して得られる単板ディスクを２枚貼り合わせて両面ディスクとする。
Ｓ１９：ディスクをカートリッジに収納する。
Ｓ２０：特性の評価を行う。
このフローチャートにおいて、Ｓ７とＳ８の工程は同時に行うこともできる。また、Ｓ７工程の溝形状の成形は、加熱温度９０〜１８０℃、時間５〜９０分の範囲から任意に選択できる。
【０３１７】
実施例２１
実施例１において第四の有機層材料の中心金属ＭをＺｎに、４個のＲをＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−にそれぞれに変えた以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。そして、実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【０３１８】
実施例２２
実施例１において、第四の有機層材料の中心金属Ｍを下記化学式（３９）に示すものに、４個のＲを下記化学式（４０）に示すものに、それぞれに変えた以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。そして、実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【０３１９】
【化３４】
2005032333.tif 000067
【０３２０】
【化３５】
2005032333.tif 000068
【０３２１】
実施例２３〜２８
図１及び図２に示されるポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．９±０．１ｍｍ）であって、それぞれ表面に下記表３２に示すトラックピッチ、グルーブ幅、グルーブの深さのスパイラル状プレグルーブが射出成形で形成されたものの上に、波長λ＝４４５±３０ｎｍレーザに対応する第一の有機層を成膜した。この第一の有機層は、下記化学式（４１）で示されるフタロシアニン色素を溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、光吸収層（プレグルーブ内の厚さ約３５〜４０ｎｍ）を形成した。ただし、下記化学式（４１）において、中心金属Ｍは下記化学式（４２）で表され、４個のＲは下記化学式（４３）で表されるものである。なお、下記化学式（４２）においてＣｐはフェロセン即ちＦｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
【０３２２】
【表３２】
2005032333.tif 000069
【０３２３】
【化３６】
2005032333.tif 000070
【０３２４】
【化３７】
2005032333.tif 000071
【０３２５】
【化３８】
2005032333.tif 000072
【０３２６】
上記化学式（４１）で示されるフタロシアニン色素により、膜厚５〜１００ｎｍの範囲で反射率４％以上が得られた。また、波長λ＝４４５ｎｍにおける吸光度は０．０８であった。
【０３２７】
なお、これら実施例２３〜２８において、上記塗布液の調製に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン（ＥＣＨ）、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の混合溶媒であり、その混合比は重量％でＴＨＦ＝１７ｗｔ％、ＥＣＨ＝３９ｗｔ％、ＩＰＡ＝１５ｗｔ％、１Ｍ２Ｐ＝２９ｗｔ％である。また、上記化学式（４１）で示す材料を成膜した後のｓｏｒｅｔ帯に起因する反射極大の位置はλ＝４６５ｎｍである。
【０３２８】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４４５±３０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記化学式（４１）で示す材料を用いる波長での反射率は４％以上とする事が好適である。４％より小さいとトラッキング等に問題がおきる。
【０３２９】
以上のように第一の有機反射層を形成し、その上から感圧性粘着シートを貼り合わせると、粘着シート層が形成される。
【０３３０】
ここで、本発明における光ディスクの多層構造の基本構造について説明する。
即ち、図５に示すように、光ディスク１２はディスク基板１の少なくとも一側の面に形成された凹凸形状や案内溝等の上に、第一の有機反射層３（第一の信号層）が設けられ、更にその上に、複合層２０が積層された多層構造４０を有する。この多層構造４０の一層当たりの構造は、第一の信号層３の上に感圧性粘着シート層５Ａがあり、その上に紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）層６Ａ、更にその上に第２の有機反射層７が積層されて成る構造である。
【０３３１】
なお、凹凸形状又は案内溝は、予め、スタンパにＵＶレジンを塗布し硬化させることによって形成することができ、その後に、粘着シートを用いて貼り合わせて中間層３０が形成される。図５において、符号８はカバー層である。
【０３３２】
即ち、図６に示すように、スパイラル形状又は同心円形状から成る凹凸形状が形成されているディスク基板１上に、反射膜を成膜することにより第１の有機反射層３を形成し（工程Ａ）、その上から感圧性粘着シート５ａを貼り合わせると、粘着シート層５Ａが形成される（工程Ｂ）。凹凸形状は、スタンパ９から紫外線硬化樹脂、すなわちＵＶレジン６ａでこれを転写することによって形成される。即ち、ＵＶレジン６ａをスタンパ９に塗布し、紫外線を照射して硬化させることによってＵＶレジン層６Ａが形成される（工程Ｃ）。
【０３３３】
その後、上記ディスク基板１の感圧性粘着シート５ａが貼り合わされている側を、スタンパ９に圧着して貼り合わせ、剥離することによって、上記粘着シート層５Ａ及びＵＶレジン層６Ａによって中間層３０が構成され（工程Ｄ）、該中間層３０の上に、更に反射膜を形成することによって、第二の有機反射層７が構成される（工程Ｅ）。最後に、この有機反射層７上にプラスチックフィルムからなるカバー層８を設ける（工程Ｆ）。
【０３３４】
感圧性粘着シート５ａとしては、厚さ２５μｍの感圧性粘着シート（日東電工社製、商品名ＤＡ−８３１０）を用い、これを有機反射層上に貼り付けた後、支持体を剥離した。凹凸形状又は案内溝は、スタンパから紫外線硬化樹脂を転写する２Ｐ法によって形成した。
【０３３５】
次に同様に、波長λ＝４４５±３０ｎｍレーザに対応する第二の有機反射層を成膜した。この第二の有機反射層は第一の有機反射層と同様に積層した、さらにその上に同様に、第三の４４５±３０ｎｍに対応する有機反射層を積層した。
【０３３６】
次に、波長λ＝４０５±３０ｎｍレーザに対応する第四の有機層を成膜した。この第四の有機層は、上記化学式（４１）で示されるフタロシアニン色素（式中、ＭはＶＯであり、４個のＲはＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。）を溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、光吸収層（プレグルーブ内の厚さ約３５〜４０ｎｍ）として形成した。上記塗布材料では、膜厚５〜１００ｎｍの範囲で反射率４％以上が得られた。
【０３３７】
なお、塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン（ＥＣＨ）、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の混合溶媒であり、これらの混合比は重量％でＴＨＦ＝１７ｗｔ％、ＥＣＨ＝３９ｗｔ％、ＩＰＡ＝１５ｗｔ％、１Ｍ２Ｐ＝２９ｗｔ％とした。また、上記第四の有機層を成膜した後のｓｏｒｅｔ帯に起因する反射極大の位置はλ＝４０５ｎｍであった。
【０３３８】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４０５±３０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記第四の有機層成膜用材料を用いる波長での反射率は４％以上とする事が好適である。４％より小さいとトラッキング等に問題がおきる。
【０３３９】
以上のように第四の有機反射層を形成し、その上に前記同様の中間層を設け、多層構造とした。
【０３４０】
次に同様に、波長λ＝４０５±３０ｎｍレーザに対応する第五の有機反射層を成膜した。この第五の有機反射層は上記第四の有機反射層と同様に積層した、さらにその上に同様に第六の４０５±３０ｎｍに対応した有機反射層を積層した。
【０３４１】
次に、波長λ＝３６５±３０ｎｍレーザに対応する第七の有機層を成膜した。この第七の有機層は、上記化学式（４１）で示されるフタロシアニン色素（式中、ＭはＲｕであり、４個のＲはＣＨ３ＣＮ−である。）を溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、光吸収層（プレグルーブ内の厚さ約３５〜４０ｎｍ）を形成した。上記塗布液では、膜厚５〜１００ｎｍの範囲で反射率４％以上が得られた。
【０３４２】
なお、塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン（ＥＣＨ）、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の混合溶媒であり、その混合比は重量％でＴＨＦ＝１７ｗｔ％、ＥＣＨ＝３９ｗｔ％、ＩＰＡ＝１５ｗｔ％、１Ｍ２Ｐ＝２９ｗｔ％とした。また、上記塗布液による成膜後のｓｏｒｅｔ帯に起因する反射極大の位置はλ＝３６０ｎｍであった。
【０３４３】
また、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３６５±３０ｎｍの幅を持つ。これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記塗布液を用いる波長での反射率は４％以上とする事が好適である。４％より小さいとトラッキング等に問題がおきる。
【０３４４】
以上のように第七の有機反射層を形成し、その上に前記同様の中間層を設け、多層構造とした。
【０３４５】
次に同様に、波長λ＝３６５±３０ｎｍレーザに対応する第八の有機反射層を成膜した。この第八の有機反射層は、上記第七の有機反射層と同様に積層した。さらにその上に同様に、第九の３６５±３０ｎｍに対応する有機反射層を積層した。さらに、この第九の有機反射層上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をスパッタして厚さ約４０ｎｍの層を形成した。
【０３４６】
更にその上に、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＳＤ−３４７）をスピンコート法により２００ｒｐｍで塗布し、３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させながら全面に接着剤を広げた後、０．０７ｍｍ厚のポリカーボネート樹脂シート（帝人社製、商品名：ピュアエース）からなるカバー層を重ね、紫外線を照射して接着剤を硬化させカバー層を貼り合わせて光記録媒体を作製した。
【０３４７】
上記光記録媒体に対し、光ディスク評価装置（波長：３６５，４０５、４４５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて、再生を行なったところ、短マーク、長マークとも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られた。
【０３４８】
実施例２９
実施例２３〜２８において、中間層作製方法に変えた以外同様の方法で光記録媒体を作成しほぼ同様の結果を得た。
【０３４９】
図７は、連続形成工程の一例を示すもので、ロール４０１から繰り出される透明フィルム４０２に対して、スタンパ４０３による凹凸パターンの転写及び成膜により連続的に信号記録面４０２ａを形成する点はエンボス法に準ずる。
次いで、離型紙４０５上に形成された接着フィルム４０６（感圧性粘着シートあるいはドライフォトポリマーシート）をロール４０７から繰り出し、上記透明フィルム４０２に貼り合わせる。ここで用いた感圧性粘着シートは、日東電工社製、商品名ＤＡ−８３１０である。また、ドライフォトポリマーシート４０６はデュポン社製、商品名ＳＵＲＰＨＥＸを使用した。
【０３５０】
上記離型紙４０５を巻き取りロール４０８で巻き取りながら接着フィルム４０６から剥離し、露出した接着フィルム４０６上に、信号記録面４０９ａが形成された基板４０９をローラ４１０を用いて貼り合わせる。これを円盤状に打ち抜くことで、信号記録面が積層される。この信号記録面上に実施例２３〜２８と同様の色素材料をスピンコートすることにより光情報記録媒体を作る。
【０３５１】
以上の実施例から、本発明の光記録媒体の層構成と記録原理が、複数のレーザ波長対応の有機材料からなる多層の光記録媒体の実現、更には高変調度が確保できる追記型光記録媒体および再生専用媒体の実現に非常に有効であることが確認できた。
【０３５２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、複数のレーザ波長対応の有機材料からなる多層の光記録媒体に関して、その波長の範囲を２００ｎｍ以内とし、さらに波長を３２５ｎｍ、３６９ｎｍ、３９０ｎｍ、４０５ｎｍ、４１５ｎｍ、４８８ｎｍ、４４５ｎｍ、３６５ｎｍとすることで、１２ｃｍ径のディスクにおいて、１００ＧＢ以上の容量を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光記録媒体（光ディスク）の層構成の一例を示す拡大断面図である。
【図２】本発明に係る光記録媒体の構成の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る透過型光記録媒体の構成を示す拡大断面図である。
【図４】本発明に係る追記型光記録媒体の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る追記型光記録媒体の多層構造を示す断面図である。
【図６】図５の追記型光記録媒体の製造工程説明図である。
【図７】本発明に係る追記型光記録媒体の製造装置及び工程（連続形成方式）を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１  透明基板
１ａ  センタ孔
２  プリフォーマットパターン
２ａ  案内溝
２ｂ  プリピット
２ｃ  ランド部
３  有機層（第一の有機反射層）
４  スペーサ層
５  反射層
６  保護層
１０，１１  光記録媒体
２０  複合層
３０  中間層
４０  多層構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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