(57)【要約】【課題】保持基板を用い薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和し、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシートに張り付ける際の周辺部段差におけるカケ、クラック等の発生を防止するための半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】保持基板を用い薄葉化された半導体基板裏面の周辺部に覆いを施し金属層を形成する際、各金属層の形成径を前層の径よりも相対的に小さい異径に形成する。このことによって、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和でき、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシートに張り付ける際の周辺段差部におけるカケ、クラック等の発生を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板裏面上に、半導体基板の径よりも相対的に径の小さい第１の金属層を形成する蒸着工程と、
第１の金属層の領域の上に、第１の金属層に対し相対的に径の小さい第２の金属層を形成する蒸着工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１および第２の金属層を形成する蒸着工程までは、半導体基板は保持基板に張り付けられており、前記金属層を形成する蒸着工程の後、前記半導体基板を前記保持基板より剥がす工程を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に保持基板に張り付けられ薄葉化された半導体基板の裏面に局部的に金属層を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高出力化に伴って、熱抵抗を低減するために半導体基板を薄葉化し、その上で裏面金属を形成する技術が提案されている。
【０００３】
薄葉化の際に保持基板を用いると薄葉化後も強度が補強されるため裏面へ金属層を形成する工程における半導体基板の割れ等は回避できる。
【０００４】
しかしながら、半導体基板および保持基板周辺部にも金属層が形成され、後工程において半導体基板を保持基板より剥がす際に金属が食い付き半導体基板周辺部が損傷を受ける場合があるという短所を有している。
【０００５】
そこで、半導体基板裏面への金属層形成の際に半導体基板周辺部に覆いを用いる技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
以下、図２、３を参照しながら、保持基板に張り付けられ薄葉化された半導体基板の裏面に、局部的に金属層を形成する方法について説明する。
【０００７】
図２は保持基板を用い半導体基板を薄葉化する工程を示した図である。
【０００８】
図３は従来の技術を用い保持基板に張り付けられた半導体基板裏面上に局部的に金属層を形成しその後剥がす一連の工程を示した図である。
【０００９】
一般に、数百μｍ程度の半導体基板を数十μｍ程度に薄葉化するにはその強度補強のため保持基板に半導体基板を張り付け、その後研磨を施し薄葉化する。図２においては、保持基板２１に半導体基板２２をパターン面を下にした状態で張り付け一体化し、その後、研磨機２３によって研磨を実施し半導体基板２２を薄葉化する。保持基板２１には、一般的に、薄葉化した後の金属蒸着を考慮しガラスおよびセラミックなどの耐熱性素材を用いる。
【００１０】
また、保持基板２１を半導体基板２２に張り付ける際の材料も耐熱性素材を用いて実施する。
【００１１】
次に薄葉化された半導体基板の裏面上に局部的に金属層を形成する工程について図３で説明する。
【００１２】
保持基板３１に張り付けられた状態で薄葉化された半導体基板３２に金属蒸着する際、半導体基板全面に実施すると半導体基板と同時に保持基板周辺部にも金属層が形成され、後工程において半導体基板を保持基板より剥がす際に金属が食い付き半導体基板周辺部が損傷を受けるため、従来工法においては、（ａ）の斜視図および（ｂ）の断面図に示すように半導体基板３２周辺部に金属が形成されるのを防止するための覆い３３を施した上で金属蒸着を実施している。
【００１３】
結果、半導体基板３２裏面上に、半導体基板３２の径よりも相対的に径の小さい第１の金属層３４を形成する。
【００１４】
次に（ｃ）の断面図に示すように第１の金属層３４を形成した半導体基板３２に第２の金属層３５を形成する際も第１の金属層３４形成時同様に周辺部に金属が形成されるのを防止するための覆い３３’を施した上で金属蒸着を実施する。
【００１５】
従来、第１の金属層および第２の金属層形成時に用いる覆いは同径のものを用い実施されている。
【００１６】
結果、半導体基板３２および保持基板３１周辺部には金属層３４，３５は形成されることなく、第１の金属層３４上に、第１の金属層３４と同径の第２の金属層３５が形成される。
【００１７】
その後、保持基板３１から第１の金属層３４および第２の金属層３５の形成された半導体基板３２を分離し、第１の金属層３４および第２の金属層３５の形成された半導体基板３２は金属層を下にした状態でダイシングシート３６に張り付けられ、後のダイシング工程へと進行する。
【特許文献１】特開２００２−２３７５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
近年、携帯電話基地局用半導体デバイスの高出力化に伴って、熱抵抗を低減するために半導体基板を５０〜６０μｍ程度に薄葉化し、その後、裏面金属を２０〜３０μｍ程度形成している。
【００１９】
そのため、薄葉化された半導体基板においては金属層の段差の影響を受け易く、ダイシングシートに張り付ける際周辺部段差においてカケ、クラック等が発生し、場合によっては内部へクラックが進行するという問題が起きる。
【００２０】
前記に鑑み、本発明は、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和し、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシートに張り付ける際の周辺部段差におけるカケ、クラック等の発生を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺部段差を緩和する工法を備えている。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和し、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシートに張り付ける際の周辺段差部におけるカケ、クラック等の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和し、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシートに張り付ける際の周辺段差部におけるカケ、クラック等の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１を参照しながら説明する。
【００２５】
まず、第１の金属層の形成については先の従来工法で説明した工法と同様に形成する。
【００２６】
すなわち、図１の断面図に示すように、保持基板１１に張り付けられた状態で薄葉化された半導体基板１２に金属蒸着する際、半導体基板１２周辺部に金属が形成されるのを防止するための覆い１３を施した上で金属蒸着を実施し、半導体基板１２裏面上に半導体基板１２の径よりも相対的に径の小さい第１の金属層１４を形成する。
【００２７】
次に、第１の金属層１４を形成した半導体基板１２に第２の金属層を形成する際、半導体基板１２および保持基板１１の周辺部に金属が形成されるのを防止するための覆い１５に、第１の金属層１４の径よりも相対的に径の小さいものを用いた上で金属蒸着を実施する。
【００２８】
結果、半導体基板１２周辺部には第１の金属層１４と第２の金属層１６が異径で形成され段差が緩和される。
【００２９】
本実施形態によると、薄葉化された半導体基板に形成される金属層の周辺段差部を緩和できるため、保持基板から金属層の形成された半導体基板を分離しダイシングシート１７に張り付ける際の周辺段差部におけるカケ、クラック等の発生を防止できる。
【００３０】
尚、本実施の形態では、第１、第２層までの金属層についての説明であるが、金属層が２層以上の場合でも同様に各層の形成径を前層の径よりも相対的に小さい異径に形成し、周辺段差部を緩和することで同様の効果を得ることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
以上説明したように、本発明は、保持基板に張り付けられ薄葉化された半導体基板の裏面に局部的に金属層を形成する方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図２】本発明および従来の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す斜視図
【図３】従来の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す斜視図および断面図
【符号の説明】
【００３３】
１１  保持基板
１２  半導体基板
１３  第１の金属蒸着時の周辺覆い
１４  第１の金属層
１５  第２の金属蒸着時の周辺覆い
１６  第２の金属層
１７  ダイシングシート
２１  保持基板
２２  半導体基板
２３  研磨機
３１  保持基板
３２  半導体基板
３３  第１の金属蒸着時の周辺覆い
３３’  第２の金属蒸着時の周辺覆い
３４  第１の金属層
３５  第２の金属層
３６  ダイシングシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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