(57)【要約】【課題】  プラスチック基板を保護し、ポリシリコン層の形成のための熱処理工程を十分に行うことができ、保護層によるレーザ光の反射または吸収を通じて、より優秀な表面および性質を持ったポリシリコン層を形成させることによって、結果的に性能および寿命が大きく向上したフレキシブルディスプレイおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  プラスチック基板と、前記プラスチック基板上に形成された保護層と、を含むフレキシブルディスプレイおよびその製造方法。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上に形成された保護層と、を含むことを特徴とするフレキシブルディスプレイ。
【請求項２】
前記保護層は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲における光の吸収度が０．２未満であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項３】
前記保護層は、Ａｌ、ＡｌＮｄ合金、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、ＦｅおよびＰｔのうちのいずれか一つを含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項４】
前記保護層は、半導体物質を含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項５】
前記半導体物質は、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａＡｓのうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項４に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項６】
前記フレキシブルディスプレイの単位素子は、ＯＬＥＤ、ＴＦＴ、ＭＯＳトランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項７】
前記保護層の上部に形成された酸化物層と、
前記酸化物層の上部に形成されたポリシリコン層と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項８】
前記ポリシリコン層の両側部に形成され、前記ポリシリコン層と反対の極性でドーピングされたソースおよびドレーンと、
前記ソースおよびドレーンの間の前記ポリシリコン層の上部に形成されたゲート構造物と、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のフレキシブルディスプレイ。
【請求項９】
フレキシブルディスプレイの製造方法であって、
（イ）プラスチック基板上に保護層を形成する段階を含むことを特徴とするフレキシブルディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
前記保護層は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲の光の吸収度が０．２未満である金属で形成することを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイの製造方法。
【請求項１１】
前記保護層は、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、ＦｅおよびＰｔのうちのいずれか一つを含んで形成されることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイの製造方法。
【請求項１２】
前記保護層は、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａＡｓのうちのいずれか一つの半導体物質を含んで形成されることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイの製造方法。
【請求項１３】
前記保護層は、スパッタリングまたは真空蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）により形成することを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイの製造方法。
【請求項１４】
（ロ）前記保護層の上部に酸化物層を形成させる段階と、
（ハ）前記酸化物層の上部に非晶質シリコンを塗布し、熱処理してポリシリコン層を形成させる段階と、
（ニ）前記ポリシリコン層上にゲート構造体を形成させ、前記ポリシリコン層の両側の表面にドーパントをドーピングしてソースおよびドレーンを形成させる段階と、を含むことを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルディスプレイおよびその製造方法に係り、より詳しくはフレキシブルディスプレイの製作に使用されるプラスチック基板上に素子を形成させる工程において、レーザを照射する過程で発生する可能性がある熱的な問題を解決するための新しい形態の基板構造体およびその基板構造体を採用したプラスチックディスプレイおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルディスプレイには、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ：ＯＬＥＤ）または薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ：ＴＦＴ ＬＣＤ）などがある。このようなフレキシブルディスプレイでは、基板構造体として一般にプラスチック基板を採用している。従来のフレキシブルディスプレイの単位素子の一例について、図１Ａを参照して詳細に説明する。図１Ａは、従来のフレキシブルディスプレイの単位素子の一例を示す断面図である。
【０００３】
図１Ａに示すとおり、プラスチック基板１１上にバッファ層の役割をする酸化層１２が形成され、その酸化層１２の上部にはポリシリコン層１３が形成されている。ポリシリコン層１３の両側の表面には、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂが形成され、通常、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂの間のポリシリコン層領域をチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）領域と呼ぶ。前記チャンネル領域の上部には、ゲート構造物１５，１６が形成されている。ゲート構造物１５，１６は色々の形態が使用され得るが、ここでは、下部にゲート酸化物層１５、および例えば、アルミニウムで形成されたゲート電極層１６を含む構造を示すことができる。一般に、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂは、ポリシリコン層１３と反対の極性にドーピングされており、例えば、ポリシリコン層１３にｎ型不純物がドーピングされている場合、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂには、ｐ型不純物がドーピングされる。
【０００４】
このような形態の従来のフレキシブルディスプレイの単位素子を形成する工程を説明すれば次の通りである。先ず、プラスチック基板１１上に酸化物を塗布して酸化物層１２を形成する。そして、酸化物層１２の上部に非晶質シリコンを塗布し、これを熱処理してポリシリコン層１３を形成させ、その両側の一部をエッチングによって除去する。
【０００５】
その後、ポリシリコン層１３の上部に、ゲート構造物であるゲート酸化物層１５およびゲート電極層１６を形成し、両側を蝕刻してゲート構造物を完成させる。次に、ゲート構造物の両側のポリシリコン層１３に所定のドーパントをドーピングして、ポリシリコン層１３の両側表面の内部にドーパントを注入してから、熱処理してソース１４ａおよびドレーン１４ｂを形成させる。次いで、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂの上部に伝導性物質などで電極を形成させるなど必要な工程を実施してディスプレイの単位素子を完成させる。
【０００６】
こうした従来のフレキシブルディスプレイにおけるバッファ層の役割を有する酸化物層１２について、その役割を整理して説明すれば次の通りである。
【０００７】
第一に、酸化物層１２は、プラスチック基板１１上に形成されるポリシリコン層１３などのそれぞれの層の平坦度を増加させる役割を有する。
【０００８】
第二に、酸化物層１２は、非晶質シリコンを熱処理してポリシリコン層１３を形成させる過程で、プラスチック基板１１から生成する異物質が非晶質シリコンに移動することを遮断する役割を有する。
【０００９】
第三に、酸化物層１２は、レーザによる熱処理時にプラスチック基板１１をレーザから保護する役割を有する。
【００１０】
第四に、酸化物層１２は、化学的製造工程においてプラスチック基板１１を保護し、酸素または水分などの異物質が浸透することを防ぐ役割を有する。
【００１１】
このように、バッファ層の役割を有する酸化物層１２は、フレキシブルディスプレイの製造時に、プラスチック基板１１上に形成させることが必要であり、その役割の重要性も非常に大きい。
【００１２】
ここで、前記製造工程で分かるように、フレキシブルディスプレイ製造工程時には、幾つかの熱処理工程（ポリシリコン層１３の形成工程、ソース１４ａおよびドレーン１４ｂの形成工程）が含まれる。プラスチック基板１１は、通常の半導体素子の製造時に使用されるシリコン基板またはガラス基板よりも融点が低く、熱変形の程度を示す熱膨張係数が非常に大きい。従って、特に、パターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）工程時にアライメントが合わないという問題が生ずる。一番大きい問題点は、非晶質シリコンを酸化物層１２上に塗布し、結晶化してポリシリコン層１３を形成させるためにレーザを照射する場合、プラスチック基板１１がレーザによって熱的ダメージを受けることである。そして、非晶質シリコンを塗布した後、レーザによる熱処理によりポリシリコン層１３を形成させる場合、その結晶成長が適正に行われないという問題がある。
【００１３】
このようなプラスチック基板１１についての熱的ダメージは、図１Ｂの写真で確認することができる。プラスチック基板１１自体は、有機ポリマーであるので、紫外線領域、特に３０８ｎｍの波長範囲での光吸収率が高いのでプラスチック基板１１が焼けてしまう現象が発生するという問題がある。そして、ポリシリコン層１３を形成させるためのレーザを用いた熱処理時にその表面を走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）で撮影した写真を図１Ｃに示す。図１Ｃに示すとおり、空洞（ｖｏｉｄ）が生じ、ポリシリコン層１３の上面の平坦度が非常に低下し、粗い表面を示すことが分かる。従って、従来の酸化物層１２のみでは、このようなプラスチック基板１１に対する熱的ダメージを防止しにくいことを確認することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の技術的課題は、フレキシブルディスプレイの製造およびフレキシブルディスプレイ用基板の製造工程時において、熱処理によるプラスチック基板へのダメージを最小にすることができる基板およびその製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記技術的課題を達成するために、本発明のフレキシブルディスプレイは、プラスチック基板を使用するフレキシブルディスプレイであって、前記プラスチック基板と、前記プラスチック基板上に形成された保護層と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記保護層は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲における光の吸収度が０．２未満であることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記保護層は、Ａｌ、ＡｌＮｄ合金、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、ＦｅおよびＰｔのうちのいずれか一つを含んで形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記保護層は、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａＡｓのうちのいずれか一つを含んで形成することができる。
【００１９】
本発明において、前記フレキシブルディスプレイの単位素子は、ＯＬＥＤ、ＴＦＴ、ＭＯＳトランジスタまたはダイオードであることを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記保護層の上部に形成された酸化物層と、前記酸化物層の上部に形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の両側部に形成され、前記ポリシリコン層と反対の極性でドーピングされたソースおよびドレーンと、前記ソースおよびドレーンの間の前記ポリシリコン層の上部に形成されたゲート構造物と、をさらに含むことができる。
【００２１】
また、本発明は、（イ）プラスチック基板上に保護層を形成する段階を含むフレキシブルディスプレイの製造方法を提供する。
【００２２】
本発明において、前記保護層は、スパッタリングまたは真空蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）により形成することができる。
【００２３】
本発明において、（ロ）前記保護層の上部に酸化物層を形成させる段階と、（ハ）前記酸化物層の上部に非晶質シリコンを塗布し、熱処理してポリシリコン層を形成させる段階と、（ニ）前記ポリシリコン層上にゲート構造体を形成させ、前記ポリシリコン層の両側の表面にドーパントをドーピングしてソースおよびドレーンを形成させる段階と、をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、フレキシブルディスプレイの製造時の熱処理工程における熱的ダメージの発生を防止して、プラスチック基板を保護し、ポリシリコン層の形成のための熱処理工程を十分に行うことができ、保護層によるレーザ光の反射または吸収を通じてより優秀な表面および性質を持ったポリシリコン層を形成させることによって、結果的にフレキシブルディスプレイの性能および寿命を大きく向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面に基づき本発明によるフレキシブルディスプレイおよびその製造方法を詳細に説明する。フレキシブルディスプレイは、その単位素子としてＯＬＥＤ、ＴＦＴ、ＭＯＳトランジスタまたはダイオードなどを使用することができる。フレキシブルディスプレイでは、基板として、通常、プラスチック基板が用いられるので、以下では、具体例として、プラスチック基板を使用するＴＦＴ素子について説明する。図２は、本発明によるＴＦＴ構造を持つフレキシブルディスプレイの基板の一実施形態を示す図である。
【００２６】
図２に示すとおり、本発明によるフレキシブルディスプレイの基板構造体は、プラスチック基板２１上に保護層２２ａが形成されており、その保護層２２ａの上部に酸化物層２２ｂが形成されている。そして、酸化物層２２ｂの上部にポリシリコン層２３が形成されている。ここで分かるように、本発明によるフレキシブルディスプレイ用基板構造体は、プラスチック基板２１上に形成された保護層２２ａを含むことを特徴とする。ここで、保護層２２ａは、金属または半導体物質で形成される。金属としては、熱処理工程で使用される所定の波長範囲のレーザ光を反射する特性を有するものが用いられる。そして、半導体物質としては、所定の波長範囲のレーザ光を吸収する特性を有するものが用いられる。すなわち、本発明によるフレキシブルディスプレイは、光反射性または光吸収性を有し、反光透過性（ｎｏｎ−ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を有する保護層２２ａを備えることを特徴とする。
【００２７】
プラスチック基板２１の上部に光反射性または光吸収性を有する保護層２２ａを形成させる理由について詳細に説明すれば次の通りである。フレキシブルディスプレイの製造において、ポリシリコン層２３、ソースおよびドレーンを形成させるための熱処理工程時、レーザを使用することが一般的であり、こうしたレーザに対する光反射性または光吸収性を有する保護層２２ａをプラスチック基板２１の上部に形成することによって、プラスチック基板２１に熱的ダメージが発生することを防止し、その上部に形成される素子の成長の安定性を確保するためである。このような保護層２２ａに使用される物質は、例えば、金属としては、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、ＦｅまたはＰｔを含む物質を使用することができる。そして、半導体物質としては、例えば、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａＡｓなどの光吸収性が良いものを使用することができる。望ましくは、前記金属を使用する場合、保護層２２ａは、１０Å以上の厚さに形成させ、半導体物質を使用する場合、１００Å以上の厚さに形成させる。但し、こうした厚さは、必要に応じて調節可能である。なお、１Å＝１０ｎｍである。
【００２８】
このような本発明によるフレキシブルディスプレイの基板構造体を採用したフレキシブルディスプレイの製造方法の一実施形態について、図３Ａ〜図３Ｈに基づいて詳細に説明する。
【００２９】
先ず、図３Ａに示すように、プラスチック基板２１を用意する。そして、図３Ｂに示すように、プラスチック基板２１上に保護層２２ａを形成する。このような保護層２２ａを形成させる物質は、熱処理工程で使用されるレーザの波長範囲における光反射性が高いか、或いは光吸収性が良い材質であれば、いずれも使用可能である。具体的には、金属としては、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、ＦｅまたはＰｔなどを使用することができる。そして、半導体物質としては、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａＡｓなどの光吸収性が良いものを使用することができる。このような保護層２２ａは、公知の蒸着法によって形成可能であり、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などによってプラスチック基板１１上に形成することができる。
【００３０】
次に、図３Ｃに示すように、保護層２２ａの上部にバッファ層の役割を果たす酸化物層２２ｂを形成する。本実施形態では、保護層２２ａおよび酸化物層２２ｂがいずれもバッファ層の役割を有する。このような酸化物層２２ｂは、例えば、誘導結合プラズマＣＶＤ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＩＣＰ−ＣＶＤ）工程によって保護層２２ａの上部にＳｉＯ2のような物質を生成させることによって形成することができる。
【００３１】
その後、図３Ｄに示すように、酸化物層２２ｂの上部に非晶質シリコンを積層して熱処理し、ポリシリコン層２３を形成する。通常、非晶質シリコンの積層は、スパッタリングやプラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ：ＰＥ−ＣＶＤ）により行うことができる。この際、非晶質シリコンを結晶化させるために、ＸｅＣｌエキシマレーザなどを用いて、所定範囲の波長のビームを照射して熱処理する。また、通常、使用されている固体パルスＹＡＧレーザ（ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｐｕｌｓｅｄ ＹＡＧ ｌａｓｅｒ）を使用して熱処理することもできる。従来技術においては、こうした熱処理工程時にプラスチック基板表面に熱的ダメージが生じる場合があったが、本発明ではプラスチック基板２１の表面に保護層２２ａを形成することによって、熱的ダメージの発生を防止することができる。
【００３２】
次に、図３Ｅおよび図３Ｆに示すように、ポリシリコン層２３の両側部を一部除去し、その上部にゲート構造体を形成させる。ゲート構造体は、ゲート酸化物層２５およびゲート電極層２６を含む。ゲート構造体２５，２６を形成した後、その両側部を除去してポリシリコン層２３の両側部を露出させる。その後、ソース２４ａおよびドレーン２４ｂをポリシリコン層２３の両側の表面にそれぞれ形成させるためにドーパントをドーピングする。これにより、ゲート構造体２５，２６の両側部のポリシリコン層２３の表面下部にはドーパントが注入され、レーザで熱処理することによって、ソース２４ａおよびドレーン２４ｂが形成される。
【００３３】
そして、ゲート構造物２５，２６の表面と、ソース２４ａおよびドレーン２４ｂが形成されたポリシリコン層２３の両側部とに絶縁体を塗布して絶縁層２７を形成し（図３Ｇ）、さらに、ソース２４ａおよびドレーン２４ｂの表面に伝導性物質を塗布して電極２８を形成させることによって、フレキシブルディスプレイの製造が完了する（図３Ｈ）。この際、各層を形成する方法は、特に限定されず、従来のフレキシブルディスプレイ製造工程で用いられるいずれかの方法を採用することができる。
【００３４】
本発明によるフレキシブルディスプレイの基板構造体と、従来技術による基板構造体とについて、光波長領域別に光の吸収度を測定した。これをグラフに示したものが図４Ａである。図４Ａでは、基板上部に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲の紫外線を照射して各波長についての光の吸収度を示している。図４Ａに示すとおり、先ず、従来のフレキシブルディスプレイで一般的に使用する形態のプラスチック基板（図１Ａに破線で示す）の光波長についての吸収度が一番高いことが分かる。これは、熱処理時に照射する光に対する吸収度が高いことを意味し、プラスチック基板が熱ダメージを受ける可能性が一番大きいことを意味する。
【００３５】
次に、ガラス基板の光吸収度が高く、本発明による基板構造体は、石英（Ｑｕａｒｔｚ）と共に、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域帯における光の吸収度が一番低く、石英と大きい差異がないが、実験した四つの基板構造体の中で一番低い吸収度を示し、０．２未満の吸収度を示すことが分かる。そして、図４Ａにおいては、一般に熱処理工程時で広く使用される波長３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザに対する吸収度を具体的に表示して、本発明による基板構造体が低い光吸収度を示すことが確認できる。これらの結果から、フレキシブルディスプレイ製造工程時における幾回かにわたる熱処理工程によっても、プラスチック基板構造体は、殆どいかなる熱的ダメージも受けない、と考えられる。
【００３６】
図４Ｂは、従来技術によるフレキシブルディスプレイのプラスチック基板１１および本発明のフレキシブルディスプレイのプラスチック基板２１に、実際に３０８ｎｍの波長のレーザ光を照射した後、プラスチック基板１１およびプラスチック基板２１のそれぞれの表面を撮影した写真である。従来技術によるプラスチック基板１１の場合、波長３０８ｎｍのレーザによる熱的ダメージの痕跡が視認できる程、著しい熱的ダメージが発生していることが分かる。これに対して、本発明によるプラスチック基板２１の場合、表面に何らの熱的ダメージの痕跡が示されていないことが分かる。実際のフレキシブルディスプレイの製造時に、非晶質シリコンをレーザにより熱処理する工程ではこうした差異が発生し、本発明の効果が得られることを確認することができる。
【００３７】
図５Ａおよび図５Ｂは、従来技術および本発明によるプラスチック基板構造体を熱処理した後に、ポリシリコン層の表面を撮影したＳＥＭ写真を示す。図５Ａは、プラスチック基板の上部に２００ｎｍの厚さのＳｉＯ2層と、５０ｎｍの厚さの非晶質シリコン層とを、順次、形成した後、熱処理したものを示すＳＥＭ写真である。図５Ｂは、本発明によるフレキシブルディスプレイの基板構造体に関するものであり、プラスチック基板上にＡｌ金属層を１００ｎｍの厚さに形成した後、酸化物であるＳｉＯ2を２００ｎｍの厚さに形成し、さらに、非晶質シリコンを５０ｎｍの厚さに形成した後、熱処理した表面を撮影したものである。すなわち、図５Ａおよび図５Ｂの差異は、本発明によるフレキシブルディスプレイの基板構造体では、プラスチック基板上にＡｌ金属層を形成したことである。ここで、熱処理は、波長３０８ｎｍのレーザを１００ｍＪ／ｃｍ2の強度で非晶質シリコンの表面に、順次に１回、５回および２０回照射して行った。
【００３８】
図５Ａに示すとおり、レーザの照射回数が増加するに伴って、形成されたポリシリコン層の表面粗さが増加し、空洞が相当数生成され、結晶欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が次第に増加することが分かる。こうした場合、ディスプレイ素子を完成すると、その発光特性が悪くなり、素子自体の寿命が短くなるおそれがある。しかしながら、本発明の基板を用いた場合を示す図５Ｂでは、レーザ照射回数が増加した場合にも、ポリシリコン層の表面粗さが非常に低く、安定的な形態で熱処理されることを確認することができる。
【００３９】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、本発明の範囲を限定するものではなく、好適な実施形態の例示として解釈されなければならない。本発明の技術的範囲は、説明された実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決められるべきである。すなわち、前記実施形態では、ＴＦＴ−ＬＣＤを例に挙げて説明したが、本発明の技術的思想は、全てのプラスチック基板を使用するフレキシブルディスプレイに適用することができることは明白である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、フレキシブルディスプレイおよびそのフレキシブルディスプレイの製造方法に係り、より詳しくはフレキシブルディスプレイの製作に使用されるプラスチック基板上に素子を形成させる工程のレーザを照射する過程で発生する可能性がある熱的な問題を解決するための新しい形態の基板構造体およびその基板構造体を採用したプラスチックディスプレイの製造方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】従来技術によるフレキシブルディスプレイの単位素子を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す従来のフレキシブルディスプレイ用基板の製造において、レーザを用いて低温熱処理した場合のプラスチック基板を撮影した写真である。
【図１Ｃ】従来のフレキシブルディスプレイ用基板上にポリシリコンを形成させるために熱処理した後の酸化物層の表面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図２】本発明によるフレキシブルディスプレイ用基板構造体を示す図である。
【図３Ａ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｂ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｃ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｄ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｅ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｆ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｇ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図３Ｈ】本発明によるフレキシブルディスプレイ単位素子の製造工程を順を追って示す図である。
【図４Ａ】本発明によるフレキシブルディスプレイ用基板構造体と、従来の基板とに、それぞれ波長２００ｎｍ〜４００ｎｍのレーザを照射してその吸収率を測定した結果を示すグラフである。
【図４Ｂ】本発明および従来のフレキシブルディスプレイ用基板構造体のそれぞれにレーザを照射した後、その表面を撮影した写真である。
【図５Ａ】従来のフレキシブルディスプレイの製作工程において、レーザによる熱処理後に形成されたポリシリコンの表面を示すＳＥＭ写真である。
【図５Ｂ】本発明によるフレキシブルディスプレイの製作工程において、レーザによる熱処理後に形成されたポリシリコンの表面を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００４２】
１１，２１      プラスチック基板
１２，２２ｂ    酸化層
１３，２３      ポリシリコン層
１４ａ，２４ａ  ソース
１４ｂ，２４ｂ  ドレーン
１５，２５      ゲート酸化層
１６，２６      ゲート電極層
２２ａ          金属層、半導体物質層
２７            絶縁層
２８            電極層
【図１Ａ】
2005202398.tif 000003
【図２】
2005202398.tif 000004
【図３Ａ】
2005202398.tif 000005
【図３Ｂ】
2005202398.tif 000006
【図３Ｃ】
2005202398.tif 000007
【図３Ｄ】
2005202398.tif 000008
【図３Ｅ】
2005202398.tif 000009
【図３Ｆ】
2005202398.tif 000010
【図３Ｇ】
2005202398.tif 000011
【図３Ｈ】
2005202398.tif 000012
【図４Ａ】
2005202398.tif 000013
【図１Ｂ】
2005202398.tif 000014
【図１Ｃ】
2005202398.tif 000015
【図４Ｂ】
2005202398.tif 000016
【図５Ａ】
2005202398.tif 000017
【図５Ｂ】
2005202398.tif 000018