(57)【要約】【課題】層間絶縁膜中のボイドの発生を抑制する層間絶縁膜の形成方法を提供すること。【解決手段】本発明の層間絶縁膜の形成方法は、（１）アスペクト比≧３の段差部を有する半導体基板上に、前記段差部を含む全面に窒化シリコン膜からなるエッチングストップ膜を形成する工程と、（２）前記窒化シリコン膜の上に、不純物のドープされたシリケート膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、（３）層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程とを含み、窒化シリコン膜の形成が、窒化シリコン膜中に存在するＮ-Ｈ結合の密度を１．０×１０22個／ｃｍ3以下になるように制御されることを特徴とする。  本発明の層間絶縁膜の形成方法によると、半導体基板上の段差部のアスペクト比が３以上であっても、層間絶縁膜内のボイドの発生が抑制され、また、リフローに半導体装置に与えるダメージを小さくすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）アスペクト比≧３の段差部を有する半導体基板上に、前記段差部を含む全面に窒化シリコン膜からなるエッチングストップ膜を形成する工程と、（２）前記窒化シリコン膜の上に、不純物のドープされたシリケート膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、（３）層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程とを含み、窒化シリコン膜の形成が、窒化シリコン膜中に存在するＮ-Ｈ結合の密度を１．０×１０22個／ｃｍ3以下になるように制御されることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
窒化シリコン膜は、４５０℃〜７００℃の減圧熱ＣＶＤ法で形成される請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法で形成される請求項１に記載の形成方法。
【請求項４】
熱処理は、７００℃〜７７０℃の温度条件のＮ2雰囲気でのファーネス処理である請求項１に記載の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高密度、高集積化に伴い、高アスペクト比の段差部を低温形成された層間絶縁膜により埋め込み平坦化する技術は益々その重要性を高めている．
図３は、従来の層間絶縁膜の形成工程を示す断面図である。以下、図３を用いて、従来の層間絶縁膜の形成方法について説明する。
まず、半導体基板５１に、ゲート絶縁膜５３ａ及びポリシリコン膜５３ｂを堆積し、パターニングすることにより、ゲートパターン５３を形成する。次に、ゲートパターン５３の側面にサイドウォール５５を形成し、図３（ａ）の構造を得る。このとき、各ゲートパターン５３間には、段差部５６が形成されている。
【０００３】
次に、サイドウォール５５に対して自己整合的に不純物イオン注入を行うことにより、ソース・ドレイン領域５７を形成し、その上にコンタクト開口部形成時のストッパ膜として用いる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）５９を形成し、図３（ｂ）の構造を得る。
【０００４】
次に、ＳｉＨ4−Ｏ2系常圧ＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−Ｏ3系ＣＶＤ法によりＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜６１を例えば４００〜５００℃程度で成膜し、図３（ｃ）の構造を得る。
【０００５】
ＢＰＳＧ膜６１をＣＶＤ法により成膜すると、ＢＰＳＧ膜６１はゲート‐ゲート間等の段差部５６で成膜直後のカバレッジが悪く、オーバーハング形状となってボイド６５が発生する場合がある。
【０００６】
図４は、素子形成がされた半導体基板５１の平面図である。図４を用いて、ボイド６５が発生した場合の問題について説明する。
上記の工程の後、タングステンプラグ６７が、通常は、ゲートパターン５３間の段差部５６に、ゲートパターン５３の長手方向に一列に並べられて形成される。上記のボイド６５は、ゲートパターン５３の長手方向に沿って形成されるため、例えば、ＣＶＤ法によりタングステンプラグ６７が形成されるとき、タングステンがボイド６５の内部に入り込み、隣り合ったタングステンプラグ６７が電気的に接続されるという問題が発生する。
【０００７】
このようなボイド６５は、その後の例えば８５０℃程度のファーネスあるいは１０００℃程度のランプアニールによる熱処理で、ＢＰＳＧ膜６１をリフローさせることで通常消失する。
【０００８】
しかし、デバイスのさらなる微細化に伴い、さらに挟ピッチ間隔（例えばゲートスペース０．３μｍよりも狭ピッチ：サイドウォール形成後では０．２μｍスペース以下）、高アスペクト比（例えば３を越えるアスペクト比）の高い段差部を有するゲート‐ゲート間を上記のようなＢＰＳＧ膜で埋め込んで層間絶縁膜６１を形成する場合、成膜直後のカバレッジがさらに悪くなり、成膜後に生じるボイド６５が大きなものとなる。このようなボイド６５を消失させるためには、成膜後のリフロー処理として、少なくとも８５０℃、１５分程度のファーネスあるいは１０００℃、３０秒程度のランプアニールが必要である。これに対し、デバイスの微細化に伴い、プロセスの低温下の要求はいっそう厳しくなるため、０．１８μｍ以降のデバイスでは８００℃以上の熱処理を行うとトランジスタ特性、例えばショートチャネル効果の抑制や駆動電流を十分確保することができなくなると言った問題が発生し、高温アニ―ル条件は使用できない。
【０００９】
このような問題を解決する従来の方法として、ＢＰＳＢ膜を２回に分けて形成する方法が示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法では、まず第１のＢＰＳＧ膜を形成した後、第１の熱処理を施して表面の凹凸要因を改善させ、次に、第２のＢＰＳＧ膜を形成し、その後、第２の熱処理を施す。
また、ＢＰＳＧ膜の不純物濃度を高め、リフロー処理の低温化を図る方法も知られている。
【特許文献１】特開２００１−３４５３２２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、ＢＰＳＧ膜を２回に分けて形成すると、後工程であるコンタクト形成工程又は層間ＣＭＰ工程において上層ＢＰＳＧ膜と下層ＢＰＳＧ膜のとの界面が露出すると、上下のＢＰＳＧ膜特性の差によるＷｅｔ処理のＥｔｃｈ速度差から形状異常が発生する場合がある。
また、ＢＰＳＧ膜の不純物濃度を上げると、リフロー処理の低温化が図れるが、焼き締めが十分でないため膜自身が緻密でなく不安定な膜となる。
このため、デバイスの信頼性を損なわずにボイドが残存しない良好な層間絶縁膜を形成するのは困難であった。
【００１１】
本発明は、係る事情を鑑みてなされたものであり、層間絶縁膜中のボイドの発生を抑制する層間絶縁膜の形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の層間絶縁膜の形成方法は、（１）アスペクト比≧３の段差部を有する半導体基板上に、前記段差部を含む全面に窒化シリコン膜からなるエッチングストップ膜を形成する工程と、（２）前記窒化シリコン膜の上に、不純物のドープされたシリケート膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、（３）層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程とを含み、窒化シリコン膜の形成が、窒化シリコン膜中に存在するＮ-Ｈ結合の密度を１．０×１０22個／ｃｍ3以下になるように制御されることを特徴とする。
【００１３】
発明者は、窒化シリコン膜中に存在するＮ−Ｈ結合の密度が小さいほど、窒化シリコン膜上に形成される層間絶縁膜内のボイドの発生が抑制されることを見出し、さらに、Ｎ−Ｈ結合の密度が１．０×１０22個／ｃｍ3以下である場合には、基板上の段差部のアスペクト比が３以上であっても、層間絶縁膜内のボイドの発生が抑制されることを見出し、本発明の完成に至った。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の層間絶縁膜の形成方法によると、半導体基板上の段差部のアスペクト比が３以上であっても、層間絶縁膜内のボイドの発生が抑制される。
また、本発明の層間絶縁膜の形成方法によると、リフローのための熱処理を低い温度で、及び／又は短い時間で行うことができ、半導体装置に与えるダメージを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の層間絶縁膜の形成方法は、（１）アスペクト比≧３の段差部を有する半導体基板上に、前記段差部を含む全面に窒化シリコン膜からなるエッチングストップ膜を形成する工程と、（２）前記窒化シリコン膜の上に、不純物のドープされたシリケート膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、（３）層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程とを含み、窒化シリコン膜の形成が、窒化シリコン膜中に存在するＮ-Ｈ結合の密度を１．０×１０22個／ｃｍ3以下になるように制御されることを特徴とする。
【００１６】
まず、上記工程（１）、すなわち、アスペクト比≧３の段差部を有する半導体基板上に、前記段差部を含む全面に窒化シリコン膜からなるエッチングストップ膜を形成する工程について説明する。
【００１７】
本明細書において、「基板上に」には、基板に接触して、保護膜や絶縁膜などを介して基板に接触して、又は基板と非接触で上方に、などが含まれる。その他の膜上に、層上になどについても同様である。
【００１８】
半導体基板には、例えば、Ｓｉ、Ｇｅなどの元素半導体基板、ＧａＡｓなどの化合物半導体基板などを用いることができる。これらは、単結晶であっても、多結晶であってもよい。
【００１９】
「段差部」、すなわち、凹部とは、隣接する２つのパターン間の領域をいい、例えば、平行に延びる隣接した２つのゲートパターン間に形成される領域をいう。このような段差部は、基板からのゲートパターンの高さが増すにつれて深くなり、段差部の深さが深いほど、ボイドが発生しやすいので、例えば、二段ゲート電極を有し、深い段差部を有する不揮発性半導体記憶装置の製造などに、本発明は好適に用いられる。
本発明は、半導体基板がアスペクト比≧３の段差部を有する場合に好適に用いられるが、半導体基板がそれより小さな段差部を有する場合であっても、適用可能である。
「段差部を含む全面に」とは、「少なくとも段差部を覆う基板上の領域に」を意味し、基板上の一部に窒化シリコン膜が形成されない場合も本発明の範囲に含まれる。
【００２０】
窒化シリコンの膜厚は、通常は、その上の層間絶縁膜よりも薄く、例えば、１０〜５０ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ程度である。
窒化シリコン膜は、４５０〜７００℃、好ましくは５５０〜６００℃の減圧熱ＣＶＤ法、又はプラズマＣＶＤ法などで形成することができる。この理由は、Ｓｉ基板上にはＣｏ或いはＮｉサリサイドを形成しているために６００℃以上の高温で膜形成を行うとデバイス（サリサイド）特性の変動が発生するからである。
【００２１】
窒化シリコン膜を形成する際に、使用するガスの割合及び圧力、並びに温度などの条件を調節し、窒化シリコン膜中に存在するＮ−Ｈ結合の密度が１．０×１０22個／ｃｍ3以下になるようにする。この条件は、使用する装置などによって変動するが、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置では、使用ガス：ＳｉＨ4／ＮＨ3＝２０／２０００ｓｃｃｍ、温度：７００℃、圧力：２７５Ｔｏｒｒとすることができる。Ｎ−Ｈ結合の密度は、ＦＴ−ＩＲ法（例えば、Ｂｉｏ−Ｒａｄ社製、型式ＦＴＳ−４０により測定される。）によって決定される。まず、窒化シリコン膜の成膜とそのＮ−Ｈ結合の密度の測定を繰り返し、Ｎ−Ｈ結合の密度が所望の値となる条件を決定し、以後は、その条件に従ことにより、安定して、Ｎ−Ｈ結合の密度が所望の値である窒化シリコン膜を形成することができる。
窒化シリコン膜は、後の何れかの工程、例えば、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程などで、エッチングストッパ膜として働く。
【００２２】
工程（１）の後に、窒化シリコン膜の表面改質を行う工程を備えてもよい。
【００２３】
「窒化シリコン膜の表面改質を行う」には、例えば、窒化シリコン膜の表面を酸化すること、窒化シリコン膜の表面に微小な凹凸を形成すること、窒化シリコン膜の表面を化学的に活性な状態にすることなどが含まれる。工程（１）において、窒化シリコン膜中のＮ−Ｈ結合の密度を所定の値以下に制御することにより、層間絶縁膜中のボイドの発生を抑制することができるが、工程（１）の後に、窒化シリコン膜の表面改質を行うことにより、層間絶縁膜中のボイドの発生をさらに抑制することができる。
【００２４】
その方法としては、例えば、次の３通りが挙げられる。
第１の方法は、Ｏ2雰囲気中で窒化シリコン膜表面を酸化する方法である。このときの温度は、６５０〜７９０℃とすることができ、７００℃程度がさらに好ましい。Ｏ２ガスの流量は、５〜２０Ｌ／分とすることができ、５〜１５Ｌ／分が好ましい。酸化時間は、５〜６０分とすることができ、１５〜３０分が好ましい。表面の改質の行うためには低温での処理は十分な効果が得られないし、８００℃以上の高温の処理ではデバイス特性の変動要因となってしまう。
【００２５】
第２の方法は、Ｏ2又はＮ2Ｏ雰囲気中でのプラズマ処理により窒化シリコン膜表面を酸化する方法である。Ｏ2及びＮ2Ｏは、単独で用いられてもよく、これらの混合ガスが用いられてもよい。このときの流量は、５００〜５０００ｓｃｃｍとすることができ、１５００ｓｃｃｍ程度が好ましい。このときの出力は、５００〜３０００Ｗとすることができ、１５００Ｗ程度が好ましい。このときの圧力は、０．１〜１０００ｍＴｏｒｒとすることができ、８００ｍＴｏｒｒ程度が好ましい。このときの温度は、３００〜５５０℃とすることができ、４００〜４５０℃が好ましい。
【００２６】
第３の方法は、薬液処理で窒化シリコン膜表面を酸化する方法である。薬液には、例えば、硫酸と過酸化水素水との混合液や、オゾン水などを用いることができる。
硫酸と過酸化水素水との混合液で処理するときの温度は、１００〜１５０℃とすることができ、１２０〜１５０℃が好ましい。処理時間は、５〜６０分とすることができ、５〜２０分が好ましい。オゾン水で処理をする場合には室温での処理が好ましい。
【００２７】
これらの方法は単独で用いてもよく、互いに組み合わせて用いてもよい。例えば、プラズマ処理を行った後、薬液処理を行うことができる。何れの方法によっても、窒化シリコン膜表面が改質され、例えば、酸化雰囲気になり、窒化シリコン膜上に層間絶縁膜を安定して形成することができるようになる。
【００２８】
次に、上記工程（２）、すなわち、前記窒化シリコン膜の上に、不純物のドープされたシリケート膜からなる層間絶縁膜を形成する工程について説明する。
【００２９】
「不純物」は、ボロン又はリンなどからなり、「不純物のドープされたシリケート膜」は、ＢＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、又はＰＳＧ膜などからなる。
ＢＰＳＧ膜は、ＴＥＯＳ−Ｏ3系ＣＶＤ法などのＣＶＤ法の公知の方法により形成することができる。ＢＰＳＧ膜の厚さは、５００〜１５００ｎｍとすることができ、７００〜１２００ｎｍがさらに好ましい。
【００３０】
また、ＢＰＳＧ膜のボロン濃度は、３．５〜７．０ｗｔ％とすることができ、４．０〜６．０ｗｔ％程度がさらに好ましい。ＢＰＳＧ膜のリン濃度は、３．５〜６．０ｗｔ％とすることができる。また、トータルの不純物濃度を８．０〜１０．０ｗｔ％程度とすることが好ましい。その理由は、ボロン濃度を高くすると膜の吸湿性が高くなり、膜質も緻密でなくなるために不純物の析出や膜質がＰｏｏｒなために後工程との組み合わせができないからである。成長温度は、３５０〜６００℃とすることができ、４００〜５００℃程度がさらに好ましい。
【００３１】
次に、上記工程（３）、すなわち、層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程について説明する。
ボイドが発生している場合には、リフローさせることにより、ボイドを消失させることができる。また、リフローさせることにより、段差部の中央付近に形成される合わせ目を接着させることができる。本発明の方法によると、ボイドが発生しても、そのサイズは、従来の方法によるものよりも小さいため、比較的低温、短時間のリフローでボイドを消失させることができる。
【００３２】
熱処理は、７００℃〜７７０℃、好ましくは、７５０℃〜７７０℃の温度条件のＮ２雰囲気でのファーネス処理であるか、又は７００℃〜７７０℃、好ましくは７００℃〜７５０℃の温度条件の水蒸気雰囲気でのファーネス処理であることが好ましい。なぜなら、７００℃以上でなければ、ＢＰＳＧ膜の緻密化が不十分であるからであり、また、半導体素子が微細化されるにつれ、その熱耐性は低下するが、７７０℃以下の温度でのリフローであれば、半導体素子にダメージを与えにくいからである。
なお、層間絶縁膜を熱処理によりリフローさせる工程を備えないことも可能である。また、本発明は、層間絶縁膜の形成方法のみならず、上記工程を備える半導体装置の製造方法をも提供するものである。
【実施例１】
【００３３】
図１は、本発明の実施例１に係る層間絶縁膜の形成工程を示す断面図である。以下、図１を参照して、本実施例に係る層間絶縁膜の形成方法について説明する。
【００３４】
まず、半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３ａを介して、ポリシリコン膜３ｂを形成してパターニングし、ゲートパターン３を形成する。次に、ゲートパターン３を覆って全面に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成し、ドライエッチングを使用してエッチバック除去し、残余の酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜によりゲートパターン３側壁にサイドウォール５を形成し、図１（ａ）に示す構造を得る。このとき、各ゲートパターン３の間には、段差部６が形成されている。
【００３５】
次に、公知の方法によりゲートパターン３及びサイドウォール５をマスクとして自己整合的にソース・ドレイン領域７を形成し、その領域７及びゲートパターン３の表面に選択的かつ自己整合的に、公知の手法にてコバルトサリサイド（ＣｏＳｉ）膜９を形成する。尚、サリサイドはコバルトサリサイドに限定されず、Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ等のＳｉと相性のよい高融点金属を用いてサリサイド膜を形成してもよい。
【００３６】
次に、後工程であるコンタクト開口部を形成する工程において、ストッパ膜として用いるための膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜１１を減圧熱ＣＶＤにより、全面に被着形成し、図１（ｂ）に示す構造を得る。成膜条件は、窒化シリコン膜１１中のＮ−Ｈ結合の密度が１．０×１０22個／ｃｍ3以下となるように調節する。Ｎ−Ｈ結合の密度がこのような値になる条件は、ＣＶＤ装置ごとに異なる場合があるが、例えば、以下の条件にすることができる。以下の条件で形成した窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度が所望の値にならない場合は、窒化シリコン膜の成膜とＮ−Ｈ結合の密度の測定を繰り返し、Ｎ−Ｈ結合の密度が所望の値となる条件を決定する。以後は、その条件に従ことにより、安定して、Ｎ−Ｈ結合の密度が所望の値である窒化シリコン膜を形成することができる。
【００３７】
温度／圧力／：７００℃／２７５Ｔｏｒｒ
使用ガス：    ＳｉＨ4／ＮＨ3＝２０／２０００ｓｃｃｍ
成膜速度：  １５ｎｍ／分
膜厚：５０ｎｍ
【００３８】
また、窒化シリコン膜１１は、例えば、以下に示すような条件でプラズマＣＶＤ装置を用いて形成することができる。以下の条件で形成した窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度が所望の値にならない場合については、上述した通りである。
温度／圧力／：５５０℃／４．２Ｔｏｒｒ
使用ガス：    ＳｉＨ4／ＮＨ3／Ｎ2＝２００／８０／４０００ｓｃｃｍ
ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：  ９３０Ｗ
成膜速度：  １００ｎｍ／分
膜厚：５０ｎｍ
【００３９】
次に、上記ゲートパターン３間に形成される２００〜３５０ｎｍの深さの段差部６に、ＢＰＳＧ膜１５を９００〜１２００ｎｍの厚さで形成する。この際の成長条件は、ＴＥＯＳ／ＴＥＰ／ＴＥＯＢ＝６００／１９５／４７ｍｇｍ、Ｏ3／Ｈｅ＝４０００／６０００ｓｃｃｍ、成長圧力２００Ｔｏｒｒ、成長温度４８０℃、ボロン（Ｂ）濃度４．０ｗｔ％、リン（Ｐ）濃度５．０ｗｔ％とする。この条件での成長速度は３５０ｎｍ／分である。
【００４０】
このように形成したＢＰＳＧ膜１５中には、ボイドは発生していないか、発生していてもそのサイズは、従来の方法によるものよりも小さい。発生したボイドは、加熱炉を用いて行う７７０℃のＮ2雰囲気中で３０分間のリフロー加熱処理により消失され、図１（ｃ）に示す構造を得る。
なお、予め７００℃の水蒸気雰囲気でＢＰＳＧ膜１５のアニ−ル処理を行ってもよく、この場合、ＢＰＳＧ膜１５のリフロー処理をさらに低温で行うことが可能となる。
【００４１】
この後、ＢＰＳＧ膜１５をＣＭＰ法により平坦化し、各ゲートパターン３間の段差部６にコンタクト開口部を形成し、その開口部にＣＶＤ法によりタングステンを埋め込むことによりタングステンプラグ１７形成し、図１（ｄ）に示す構造を得る。
【実施例２】
【００４２】
図２は、ゲート−ゲート間段差部のアスペクト比と、ゲート−ゲート間段差部をボイド発生のないＢＰＳＧ膜で埋め込むための、窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度との関係を示す。ここで、「アスペクト比」とは、基板からゲートパターンの上部表面までの距離／基板表面でのサイドウォール間の距離を意味する。サイドウォール間の距離は、ＳＥＭを用いて決定した。
アスペクト比と窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度との関係が、特性曲線の下部領域の関係になるように、窒化シリコン膜の成膜条件を選択することで上記段差部におけるボイド発生を抑制できる。なお、Ｎ−Ｈ結合の密度については、フーリエ変換赤外分光装置(Fourier Transform Infrared spectroscope、Bio-Rad社製、ＦＴＳ−４０)にて測定した。
【００４３】
図２のグラフは、具体的には、以下のようにして得られた。まず、ゲート−ゲート間段差部の深さが２５０〜５５０ｎｍのサンプルを作成し、ゲート−ゲート間距離をパラメーターにした下地サンプルを準備した。各測定試料に対して、膜中のＮ−Ｈ結合の密度が４．０〜２５．０×１０21個／ｃｍ3となるように種々の条件でＳｉＮ膜を形成した。その上にＢＰＳＧ膜を形成した後にアニ−ル処理をして、公知のプロセスにてタングステンプラグを形成し、隣接したプラグがショートしているかどうかを測定評価した。ショートの有無を測定し、ショートの有無判定から、ボイドの発生を抑制する、アスペクト比と窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度との関係を求めた。
【００４４】
図２の特性曲線より明らかなように、例えば、ゲート−ゲート間のスペースが０．３μｍで段差部のアスペクト比が３以上の場合には、窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合を１．０×１０22個／ｃｍ3以下とすることで、ボイド発生のないＢＰＳＧ膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施例１に係る層間絶縁膜の形成工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２に係る、ゲート−ゲート間段差部のアスペクト比と、ゲート−ゲート間段差部をボイド発生のないＢＰＳＧ膜で埋め込むための、窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合の密度との関係を示す。
【図３】従来の層間絶縁膜の形成工程を示す断面図である。
【図４】従来の層間絶縁膜の形成方法において、ボイドが発生したときの問題点の説明に使用する半導体基板の平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１、５１  半導体基板
３ａ、５３ａ  ゲート絶縁膜
３ｂ、５３ｂ  ポリシリコン膜
３、５３  ゲートパターン
５、５５  サイドウォール
６、５６  段差部
７、５７  ソース・ドレイン領域
９  コバルトサリサイド膜
１１、５９  窒化シリコン膜
１５、６１  層間絶縁膜
１７、６７  タングステンプラグ
６５  ボイド
【図１】
2005203619.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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