(57)【要約】      （修正有）【課題】必要最小限の部材により構成され、反射戻り光などの影響が軽減できるとともに、研磨などの高コスト工程を用いずに生産可能な光半導体モジュールを提供する。【解決手段】光ファイバ芯線４を、電極パッド２を備えた光電気フェルー１に挿入して光半導体素子３に接続する際に、光ファイバ芯線４と光半導体素子３との間に透明樹脂スペーサ６を介在させる。【選択図】図１
2005189604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送路を位置決めするガイド、及び前記ガイドの一端開口部が設けられた面において電極パッドと接続された電気配線を備えた光電気フェルールと、
前記電極パッドに接続された光半導体素子と、
前記光半導体素子と前記光入出力端面との間に挟持されて光半導体素子と前記光入出力端面とをその厚さにより離隔する第一の透明樹脂と、
前記第一の透明樹脂の周囲、及び前記電極パッドの周囲を充填する第二の透明樹脂と、を具備することを特徴とする光半導体モジュール。
【請求項２】
前記第一の透明樹脂は、粒子状の樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の光半導体モジュール。
【請求項３】
前記光電気フェルールに設けられ、前記ガイドと垂直方向に交差する溝をさらに具備することを特徴とする請求項１、２に記載の光半導体モジュール。
【請求項４】
前記ガイドの他端開口部の断面は、前記ガイド中央部の断面よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３に記載の光半導体モジュール。
【請求項５】
複数の光伝送路をそれぞれ位置決めする複数のガイド、及び前記複数のガイドのそれぞれ一端開口部が設けられた面において電極パッドと接続された電極配線を備えた光電気フェルールと、
前記電極パッドに接続された光半導体素子と、
前記光半導体素子と前記光入出力端面との間に挟持されて光半導体素子と前記光入出力端面を所定距離離隔する第一の透明樹脂と、
前記第一の透明樹脂の周囲、及び前記電極パッドの周囲を充填する第二の透明樹脂と、を具備することを特徴とする光半導体モジュール。
【請求項６】
前記第一の透明樹脂は、粒子状の樹脂からなることを特徴とする請求項５に記載の光半導体モジュール。
【請求項７】
前記光電気フェルールに設けられ、前記複数のガイドとそれぞれ交差する溝をさらに具備することを特徴とする請求項５、６に記載の光半導体モジュール。
【請求項８】
前記複数のガイドの他端開口部の断面は、前記ガイド中央部の断面よりも大きいことを特徴とする請求項５乃至７に記載の光半導体モジュール。
【請求項９】
光伝送路を位置決めするガイド、及び前記ガイドの一端開口部が設けられた面において電極パッドと接続された電気配線を備えた光電気フェルールと、
前記電極パッドに接続された光半導体素子と、
前記光半導体素子と前記光入出力端面との間に挿入されて光半導体素子と光伝送路の光入出力端面を所定距離離隔する、粒子状の第一の透明樹脂と、
前記第一の透明樹脂の周囲、及び前記電極パッドの周囲を充填する第二の透明樹脂と、を具備することを特徴とする光半導体モジュール。
【請求項１０】
前記光電気フェルールに設けられ、前記ガイドと交差する溝をさらに具備することを特徴とする請求項９に記載の光半導体モジュール。
【請求項１１】
前記ガイドの他端開口部の断面は、前記ガイド中央部の断面よりも大きいことを特徴とする請求項９、１０に記載の光半導体モジュール。
【請求項１２】
光電気フェルールと類似の形状の治具に設けられた第一の溝に第一の樹脂を充填する工程と、
前記第一の溝に交差する第二の溝に光伝送路を挿入し、前記光伝送路の先端部で前記第一の樹脂を打ち抜く工程と、
打ち抜かれた前記第一の樹脂がその光入出力端面に装着された、前記光伝送路を前記第二の溝から引き抜き、前記光伝送路を前記光電気フェルールの一主面に設けられたガイド開口部に挿入し、前記光電気フェルールの他主面に装着された光半導体素子に当接させる工程と、
を具備することを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。
【請求項１３】
固体または半固体で粒子状の第一の透明樹脂と液体の第二の透明樹脂を混合し、光電気フェルールのガイド内に注入する工程と、
光伝送路を前記光電気フェルールのガイドに挿入して前記第一の透明樹脂を前記光伝送路の光入出力面及び前記光電気フェルールの一主面に装着された光半導体素子に接触させる工程と、
前記第二の透明樹脂を固化せしめる工程と、を具備することを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。
【請求項１４】
光半導体素子の電気接続パッドを除く領域の少なくとも光入出力部を含む領域上に第一の透明樹脂を配置する工程と、
前記光半導体素子の光入出力部と光電気フェルールのガイドとが位置合わせされるように、前記光電気フェルールの一主面に前記光半導体素子を装着する工程と、
光伝送路を前記光電気フェルールのガイドに挿入して前記第一の透明樹脂を前記光伝送路の光入出力面に接触させる工程と、
前記光半導体素子の周囲から液体状の第二の透明樹脂を注入して固化せしめる工程と、を具備することを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、短距離光伝送用に比較的簡易な構造で安定な光結合を実現する光半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ等の電子デバイスの性能向上により、大規模集積回路（ＬＳＩ）においては飛躍的な動作速度向上が図られてきている。しかしながら、ＬＳＩ内部動作が高速化されても、それを実装するプリント基板レベルの動作速度はＬＳＩ内部動作より低く抑えられ、そのプリント基板を装着したラックレベルでは更に動作速度が低く抑えられている。これらは動作周波数上昇に伴う電気配線の伝送損失や雑音、電磁障害の増大に起因するものであり、信号品質を確保するため長い配線ほど動作周波数を低く抑える必然性によるものである。このため、電気配線装置においてはＬＳＩ動作速度より実装技術がシステム動作速度を支配するという傾向が近年益々強まってきている。
【０００３】
このような電気配線装置の問題を鑑み、ＬＳＩ間を光で接続する光配線装置が幾つか提案されている（特許文献１参照）。光配線は、直流から１００ＧＨｚ以上の周波数領域で損失等の周波数依存性が殆ど無く、配線路の電磁障害や接地電位変動雑音も無いため、数十Ｇｂｐｓの配線が容易に実現できる。この種のＬＳＩ間光配線を実現するためには、例えば特許文献１などに示されているような簡易構造の光半導体モジュールが必要となる。また、ＬＳＩ配線として多数の光伝送路が必要であり、非常に低コストで作製できる必要もある。
【特許文献１】特開２０００−３４７０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的な光半導体モジュールは、結像用のレンズなどを組み込んだり光ファイバー結合部をコネクタ構造としたりするため、あまり小型化できないものが多い。それに比し特許文献１に示されたような光半導体モジュールでは、光ファイバー等の光伝送路と光半導体素子とを直接結合して一体化してしまうため比較的小型化が容易であるが、いくつかの問題点が含まれている。
【０００５】
まず、特許文献１の光半導体モジュールでは光ファイバとその保持部材を一体形成し、その上で光半導体素子搭載用の電極を形成しているため、電極のパターン描画もしくはパターン転写を光ファイバを搭載したままの、非常に狭い光ファイバ保持部材端部で行う必要がある。すなわち数ｍから数１０ｍの光ファイバを取り付けたまま、数μｍ精度のパターンニングを微小領域に行う必要があり、現実には生産困難な内容である。しかしながら少なくともこれはアレイ化光半導体素子を用いる場合に必須の内容である。従って、この方法で光半導体モジュールを大量生産することは実質的に不可能、もしくは非常な低歩留まりでしか行えないということになる。
【０００６】
次に、特許文献１の光半導体モジュールでは、光ファイバと光半導体素子が非常に接近して光結合される。ところが高速発光素子の代表ともいえる面発光レーザは、自分の発したレーザ光が反射して戻ってくる所謂反射戻り光に対して敏感であり、光ファイバ結合部での戻り光（近端反射）対策や、光ファイバ出射面などでの反射光（遠端反射）対策が重要である。これには光アイソレータを用いる方法が最も確実であるが、光アイソレータが
非常に高価であり、かつそれを組み込むためのスペースがモジュールを大幅に大型化してしまう。
【０００７】
別の方法として、光ファイバ端面に無反射コーティングを施したり、斜め加工を施したりすることが考えられる。この方法により、かなりの戻り光対策が可能になるが、特許文献１のような従来例では光ファイバと保持部材を一体形成して光半導体素子用のパターン電極を形成しているため、無反射コーティングもパターン形成する必要がある。これは精密なパターン形成を行う必要があり、前述と同様、生産性の面で問題が生じる。
【０００８】
また、面発光レーザと光ファイバの距離を適切にとることで戻り光の影響を緩和可能である。即ち、面発光レーザと光ファイバの距離を極端に離すと単純に光結合が弱くなり、光伝送そのものが難しくなるが、適度な距離に設定すると光結合も低くなるが反射戻り光も小さくなり、光伝送は可能でありながら反射戻り光の影響をかなり抑制可能になる。
【０００９】
しかしながら、光半導体素子と光ファイバ端の距離制御は実質困難であり、特に、１００μｍ近い距離を離す場合、スペーサの厚さ制御や光ファイバのエッチング後退を制御して行うことになるが、非常に再現性に乏しいものになりやすい。
【００１０】
次に、最も大きな課題として、特許文献１の光半導体モジュールでは光ファイバ端面の形成が研磨で行われており、この部分のコストが非常に大きなウェイトを占めてしまう問題がある。一般に光ファイバの研磨は、同時に多数の光ファイバを自動装置で研磨するとしても、ファイバの装着固定から粗研磨、中間研磨、仕上げ研磨と数時間以上の工程時間が必要となり、生産性が向上しない上、コスト低減は限界がある。
【００１１】
本発明は、上記のような従来技術の問題を考慮して成されており、必要最小限の部材により構成され、反射戻り光などの影響が軽減できるとともに、研磨などの高コスト工程を用いずに生産可能な光半導体モジュールの提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の光半導体モジュールは、光伝送路を機械的に位置決めするガイド、電気配線、及び前記ガイドの一端開口部が設けられた面において前記電気配線と接続された電極パッドを備えた光電気フェルールと、前記電極パッドに接続された光半導体素子と、前記光伝送路の光入出力端面と同等の断面形状を有し、前記光半導体素子と前記光入出力端面との間に挿入されて光半導体素子と光伝送路の光入出力端面とをその厚さにより離隔する第一の透明樹脂と、前記第一の透明樹脂の周囲、及び前記電極パッドの周囲を充填する第二の透明樹脂とを具備することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の光半導体モジュールの製造方法は、粒子状の第一の透明樹脂を、光電気フェルールのガイド内に注入する工程と、光伝送路を前記光電気フェルールのガイドに挿入して前記第一の透明樹脂を前記光伝送路の光入出力面及び前記光電気フェルールの一主面に形成された光半導体素子に接触させる工程と、前記光半導体素子の周囲から液体状の第二の透明樹脂を注入して固化せしめる工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光半導体モジュールおよびその製造方法によれば、再現性が高い光半導体モジュールを高歩留まりで生産することができる。かつその生産性も向上させることができる。従って、ＬＳＩの高速チップ間配線をローコストで実現することができ、情報通信機器等の高度化の促進に寄与することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明の光半導体モジュールを示した断面模式図、図２は図１の光半導体モジュールをその構成要素とする光インターフェイスモジュールを実装ボード６に配置されたインターポーザ１０２上に実装したＬＳＩパッケージの断面図である。図１において、１はエポキシ樹脂等にガラスフィラを混入した部材からなる光電気フェルールである。光電気フェルール１の厚みａは１〜２ｍｍ、長さｂは２〜３ｍｍ程度が適当である。この光電気フェルール１の長さ方向には、光ファイバ芯線４を貫通させ、かつ機械的に保持するガイド８が形成されている。光ファイバは本来、光ファイバ芯線４とこれを被覆、保護する保護被覆５からなる。しかしガイド８を貫通する部分では外形位置が精度良く決められる芯線のみとしている。そのため、ガイド８を貫通する部分では、光ファイバ芯線４が剥き出しの状態になっている。この光ファイバ芯線４の光入出力端面は、一般的な光ファイバカッターにより切断するだけで、比較的高い面精度の光学端面を得ることができる。これは、光ファイバを破断切断や切削により切断するのではなく、ダイヤモンドによる僅かな傷入れを行って側面押し出しによる応力へき開を用いていることによる。本発明の光半導体モジュールにおいては、このような切断面をそのまま用いることで研磨などの高コスト工程を排除している。このガイド８は光ファイバ芯線４の貫通の便宜のため、図１に示すように光電気フェルール１の主面１ａにおける開口径が他の部分の径と比べて大きくなっている。
【００１７】
また、光電気フェルール１の主面１ｂに対向するようにして光半導体素子３が設置されている。この光半導体素子３は、主面１ｂに対向する面にＬＥＤ等の発光素子、またはフォトダイオード等の受光素子が形成されている。発光素子、受光素子の能動領域が形成される位置は、光ファイバ芯線４のコア（図示せず）と対向する位置である。
【００１８】
これら発光素子、受光素子と光ファイバ芯線４の端面との間には、アクリル樹脂やシリコン樹脂、エポキシ樹脂等からなる透明樹脂スペーサ６が形成される。この透明樹脂スペーサ６の厚さは、例えば５０μｍである。透明樹脂スペーサ６は一様な樹脂からなることもあれば、二種類以上の樹脂の混合物であることもある。混合物である場合、透明樹脂スペーサ６内部での光の乱反射を避けるため、混合された樹脂の光屈折率は同等である必要がある。
【００１９】
電極パッド２は、光電気フェルール１の主面１ｂ上および側面１ｃにかけて形成された電気配線（図示せず）の一部であり、この電気配線は、図示されていないが、光インターフェイスモジュール１０７内部で光素子駆動ＩＣにワイヤボンディング等で接続され、該駆動ＩＣから更に光インターフェイスモジュール１０７の内部配線、接続ピン１０９、インターポーザ１０２中のジャック１１０、半田バンプ１０３を介して信号処理用ＬＳＩ１０１に接続される。
【００２０】
光半導体素子３、光電気フェルール１間には、隙間を充填するように透明アンダーフィル樹脂７が形成される。この透明アンダーフィル樹脂７は電極パッド２、透明樹脂スペーサ６周囲などを充填し、補強するようにする。
【００２１】
図３は本実施例の全体斜視図を示す。ここでは、４本の光ファイバを４チャネル光半導体素子アレイに結合させる例を示している。図３において、電極２ａは４チャネル光半導体素子アレイ３の共通電極（接地または電源）に接続され、電極２ｂは光半導体素子アレイ３中の各光半導体素子信号電極に接続される。この電極２ｂは、光電気フェルールの、光半導体素子を搭載する面から隣接する側面にかけての直角折り曲げ配線となっている。隣接する側面に電極を引き出しているのは、図２で説明した光素子駆動ＩＣなどへ接続（
ワイヤボンディング、フリップチップボンディング等）するためのものである。
【実施例２】
【００２２】
次に、実施例１の光半導体モジュールの製造方法について、図４乃至図９を参照して説明する。図１、図３と同一機能の部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００２３】
まず、図４に示すように、光電気フェルール１を準備する。光電気フェルール１は、例えば３０μｍ程度のガラスフィラを数１０％程度混入したエポキシ樹脂を金型による樹脂成型で形成し、メタルマスクとスパッタ等によるパターンメタライズを行って２の電極パッドおよび電気配線を形成する。これにより、１の光電気フェルールは１μｍ以下の非常に高い精度を持ちながら非常に低コストで量産することが可能である。この光電気フェルール１に光半導体素子（面発光レーザやフォトダイオード等）３を例えばＡｕのスタッドバンプを用いてフリップチップ接続する。
【００２４】
図５において、２０は光電気フェルール１と同様なガイド８´を有する治具である。光電気フェルール１を流用しても構わない。治具２０にはガイド８´を横断する溝９を設けておき、その部分に、例えば厚さ５０μｍの透明樹脂シート６ａを挿入する。
【００２５】
次に、図６、７に示すように、この状態で光ファイバ芯線４を挿入し、透明樹脂６ａを打ち抜くことで光ファイバ芯線４先端に透明樹脂スペーサ６が付着する。このとき、透明樹脂シート６ａまたは光ファイバ芯線４先端に透明粘着剤を塗布しておけば、光ファイバ芯線４を引き抜いても、図８に示すように、透明樹脂スペーサ６が光ファイバ芯線４先端から脱落しない。
【００２６】
次に、図９に示すように、光ファイバ芯線４を光電気フェルール１の主面１ａ方向よりガイド８に挿入し、透明樹脂スペーサ６が光半導体素子３に接触するまで光ファイバを押し込む。このとき、光電気フェルール１を固定して光ファイバ芯線４の挿入を行うと、光半導体素子が押されて２の電極パッド部分から剥れることがある。これを防止するため、１の光電気フェルールを保持固定するのではなく、光半導体素子３の光半導体形成面とは反対の面に当て板を設けて光ファイバと当て板とで光半導体素子３と透明樹脂スペーサ６を挟むようにすると良い。但し、光半導体素子は一般に脆弱であるため、大きな圧力がかからないよう、光ファイバの反跳圧力を監視して、反跳圧力が僅かに増える位置で光ファイバの押し込みを止めるようにする。ここで反跳圧力とは、光ファイバ芯線４の光半導体素子３方向への押し込みに反発する力である。従って、この反跳圧力が僅かに増加する範囲として、透明樹脂スペーサ６が弾性変形してあまり光半導体素子に圧力がかからない範囲を設定すればよい。
【００２７】
最後に、光半導体素子３が装着された側面から液体状の透明樹脂を注入して透明アンダーフィル樹脂７を形成する。このとき、透明アンダーフィル樹脂７の注入は、ガイド８の主面１ａ側から行うことも可能であり、また光電気フェルール１側面に設けた樹脂注入開口（図示せず）から行うことも可能である。透明アンダーフィル樹脂７としては、アクリルやシリコーン、エポキシ等の透明樹脂を用いればよく、加熱または紫外線照射で硬化するタイプを用いるのが効率的である。また、透明アンダーフィル樹脂７の材料は、可能な限り硬化後の屈折率が透明樹脂スペーサ６の屈折率と整合しているものを用いることが過剰な散乱損失を防止するために望ましい。
【実施例３】
【００２８】
次に、図１０乃至図１２を用いて、本発明の実施例３に係る光半導体モジュールの製造方法を説明する。図１０において、光電気フェルール２１の側面２１ｃには、樹脂注入用
の溝２９が設けてある。光電気フェルール２１の主面２１ｂ上に光半導体素子２３を、ガイド２８の主面２１ｂにおける開口部と光半導体とが対向するように位置合わせをして装着する。装着後、粒子状に加工した透明樹脂スペーサ６ｂを溝２９に注入する。
【００２９】
その後、図１１に示すように、透明アンダーフィル樹脂７を樹脂注入開口から注入し、先に注入した透明樹脂スペーサ６ｂと混合する。なお、本実施例では、先に透明樹脂スペーサ６ｂを注入後、透明アンダーフィル樹脂７を注入したが、これに限られず、例えば溝２９に注入前に透明アンダーフィル樹脂７に透明樹脂スペーサ６ｂを混入しておいてもよい。また、粒子状に加工した透明樹脂スペーサ６ｂは、例えば５μｍΦの透明樹脂ボールとする。
【００３０】
最後に図１２に示すように、光ファイバ芯線２４をガイド２８内に挿入する。この際に透明アンダーフィル樹脂２７とともに、透明樹脂スペーサ２６ｂを光半導体素子２３に向かって押し込むことになる。すると、光ファイバ芯線２４の先端は、光半導体素子２３に非常に近接することになるが、透明樹脂ファイバ２６ｂが光ファイバ芯線２４の先端と光半導体素子２３と挟まった距離で停止することになる。従って、透明樹脂ボールが光半導体素子２３と光ファイバ芯線２４との間に挟まることで、光半導体素子２３と光ファイバ芯線２４の光入出力端面との間隔を５μｍ程度確保することができる。その他余分な透明樹脂ボールが光素子の搭載隙間から外にはみ出すことで、光半導体素子２３と光電気フェルール２１の主面２１ｂとの間隔を５μｍから１０μｍ程度確保することができる。
【００３１】
本実施例によれば、実施例２と異なり、透明樹脂スペーサを光ファイバ芯線の先端に形成する工程、及び光ファイバ芯線をガイドに個別挿入する工程が省略できるため、生産工程のスループットが高いという利点を持っており、光ファイバのコア径が大きい場合や受光素子との結合などの場合に用いることでコスト低減に有効である。
【実施例４】
【００３２】
図１３から図１５を用いて、本発明の実施例４に係る光半導体モジュールの製造方法を説明する。ここでは、光半導体素子の能動領域（図示せず）の上に透明樹脂スペーサ６を予め形成しておく。透明樹脂スペーサ６としては、例えば透明ポリイミド樹脂または透明シリコーン樹脂を厚さ５０μｍにスピンコートなどの手法によりコーティングし、能動領域上の例えば８０μｍΦの部分を残してフォトエッチングなどの手法により除去する。透明樹脂スペーサ６は、光半導体素子の電極パッド（図示せず）部分以外を全て覆うように形成しておいても構わない。
【００３３】
その後、光半導体素子表面の電極上の残渣などを除去し、図１４に示すように光電気フェルール１に例えばＡｕのスタッドバンプを用いてフリップチップ接続を行う。勿論、このとき光半導体素子の能動領域を光ファイバのガイド穴に位置合せして搭載することは述べるまでもない。
【００３４】
最後に、光ファイバを光電気フェルール１の後部より挿入し、透明樹脂スペーサ６が光ファイバ入出力面に接触するまで光ファイバを押し込む。このとき、光電気フェルール１を固定して光ファイバ芯線４の挿入を行うと、光半導体素子が押されて２の電極パッド部分から剥れることがある。これを防止するため、１の光電気フェルールを保持固定するのではなく、光半導体素子３の光半導体形成面とは反対の面に当て板を設けて光ファイバと当て板とで光半導体素子３と透明樹脂スペーサ６を挟むようにすると良い。但し、光半導体素子は一般に脆弱であるため、大きな圧力がかからないよう、光ファイバの反跳圧力を監視して、反跳圧力が僅かに増える位置で光ファイバの押し込みを止めるようにする。ここで反跳圧力とは、光ファイバ芯線４の光半導体素子３方向への押し込みに反発する力である。従って、この反跳圧力が僅かに増加する範囲として、透明樹脂スペーサ６が弾性変
形してあまり光半導体素子に圧力がかからない範囲を設定すればよい。
【００３５】
そして、光半導体素子３が装着された側面から液体状の透明樹脂を注入して透明アンダーフィル樹脂７を形成する（図１５）。このとき、透明アンダーフィル樹脂７の注入は、ガイド８の主面１ａ側から行うことも可能であり、また光電気フェルール１側面に設けた樹脂注入開口（図示せず）から行うことも可能である。透明アンダーフィル樹脂７としては、アクリルやシリコーン、エポキシ等の透明樹脂を用いればよく、加熱または紫外線照射で硬化するタイプを用いるのが効率的である。また、透明アンダーフィル樹脂７の材料は、可能な限り硬化後の屈折率が透明樹脂スペーサ６の屈折率と整合しているものを用いることが過剰な散乱損失を防止するために望ましい。
【００３６】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば透明樹脂スペーサ、透明アンダーフィル樹脂用の透明樹脂は、他にポリイミド樹脂やポリカーボネート樹脂など種々の樹脂が選択可能であり、光ファイバ芯線用のファイバも石英系やプラスチック系などの選択が可能であり、更にファイバに代えて光導波路フィルムを用いるような選択も可能である。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例１に係る光半導体モジュールの断面図である。
【図２】本発明の実施例１の光半導体モジュールを組み込んだ光インターフェイスモジュールの断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る光半導体モジュールの全体斜視図である。
【図４】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図５】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図６】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図７】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図８】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図９】本発明の実施例２の製造工程図である。
【図１０】本発明の実施例３の製造工程図である。
【図１１】本発明の実施例３の製造工程図である。
【図１２】本発明の実施例３の製造工程図である。
【図１３】本発明の実施例４の製造工程図である。
【図１４】本発明の実施例４の製造工程図である。
【図１５】本発明の実施例４の製造工程図である。
【符号の説明】
【００３８】
１、２１  …  光電気フェルール
２、２２  …  電極パッド
３、２３  …  光半導体素子
４、２４  …  光ファイバ芯線
５、２５  …  保護被覆
６、２６  …  透明樹脂スペーサ
７、２７  …  透明樹脂アンダーフィル
８、２８  …  ガイド
９、２９  …  溝
２０  …  治具
【図１】
2005189604.tif 000003
【図２】
2005189604.tif 000004
【図３】
2005189604.tif 000005
【図４】
2005189604.tif 000006
【図５】
2005189604.tif 000007
【図６】
2005189604.tif 000008
【図７】
2005189604.tif 000009
【図８】
2005189604.tif 000010
【図９】
2005189604.tif 000011
【図１０】
2005189604.tif 000012
【図１１】
2005189604.tif 000013
【図１２】
2005189604.tif 000014
【図１３】
2005189604.tif 000015
【図１４】
2005189604.tif 000016
【図１５】
2005189604.tif 000017