(57)【要約】      （修正有）【課題】遮光膜形成によって生じた凹凸を平坦化して、電極及び配向膜の平坦化を可能にすることにより表示性能を向上させる。【解決手段】スイッチング素子が形成された基板１０に対向する対向基板２０と、前記基板２０上に形成されるパターン化された遮光膜２３と、前記遮光膜２３を含む前記基板２０上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜８３と、前記平坦化膜８３上に形成される電極２１とを具備したことを特徴とする。平坦化膜は所定材料の膜を研磨処理することによって平坦化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板と、
前記基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、
前記遮光膜を含む前記基板上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成される電極とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記平坦化膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記平坦化膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、
前記遮光膜を含む前記基板上に所定材料の膜を形成する工程と、
前記所定材料の膜を平坦化する工程と、
前記平坦化された所定材料の膜上に電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記平坦化する工程は、前記所定材料の膜を研磨処理することによって、前記所定材料の膜を平坦化することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記平坦化する工程は、前記研磨する処理として、化学機械研磨法が採用されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記平坦化する工程は、前記遮光膜形成領域上の前記所定材料の膜を除去することによって平坦化を行うことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記平坦化する工程は、前記遮光膜を用いたセルフアライメント方式のフォトリソグラフィ工程及びエッチング処理によって前記遮光膜形成領域上の前記所定材料の膜を除去することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記フォトリソグラフィ工程は、ネガレジストを用いることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
上記請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電気光学装置用基板又は上記請求項５乃至１０のいずれか１つに記載の電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造した電気光学装置用基板を用いて構成したことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光を画像信号に応じて変調する液晶パネル等に好適な電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置では、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ素子によってマトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
なお、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板（素子基板ともいう））及び他方の基板（対向基板）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施す。
【０００５】
また、対向基板側には、ＴＦＴ素子部分に光が入射することによって起きる表示上の不具合や、ＴＦＴ素子構造によって発生する非配向領域によるコントラストの低下、色材の混色防止のために、いわゆるブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜が形成されている。
【特許文献１】特開平６−２７４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、対向基板は、ガラス又は石英基板上に、上述した遮光膜が形成され、遮光膜上に対向電極が形成され、更に対向電極上に配向膜が形成されて構成される。遮光膜は素子基板側に形成する配線領域及びＴＦＴ素子形成領域等に対向して形成されて、これらの領域への光の入射を阻止する。このような遮光膜のパターニングによって、対向電極は遮光膜形成領域に沿って凹凸を有する。従って、対向基板側の配向膜にも遮光膜に沿った凹凸が生じる。このため、配向膜に対するラビング処理が不均一となり、配向不良が生じることがあるという問題点があった。
【０００７】
また、対向基板側から入射する光は、石英基板、対向電極及び配向膜を通過して液晶層に入射する。ところが、石英基板の屈折率と対向電極を構成するＩＴＯとの屈折率との屈折率差が比較的大きいことから、石英基板と対向基板との界面において反射が生じてしまうという問題点もあった。なお、石英基板とＩＴＯ電極との間に膜を形成したものとして、特許文献１の装置が開示されている。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、電極の平坦化を可能にすることにより表示性能を向上させることができる電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板は、スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板と、前記対向側の基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、前記遮光膜を含む前記対向側の基板上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成される電極とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、対向側の基板上にはパターン化された遮光膜が形成されている。遮光膜を含む基板上には平坦化膜が形成されている。遮光膜を含む基板上は、パターン化された遮光膜によって凹凸を有する。しかし、遮光膜を含む基板上に形成された平坦化膜は表面が平坦化されていることから、電極の下地は平坦化されたものとなっている。これにより、平坦化膜上に形成される電極も平坦化される。従って、例えば、電極上に配向膜等を形成する場合には、配向膜を平坦化することができ、ラビングの均一化を図ることができ、表示性能の向上に寄与することができる。
【００１１】
また、前記電極は、透明電極であることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、電極が透明であるので、電極を介して光を通過させることができ、電気光学装置に用いることができる。
【００１３】
また、前記平坦化膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、基板と電極相互間に窒化シリコン膜が介在することになり、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができる。これにより、表示性能の向上に寄与することができる。
【００１５】
また、前記平坦化膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、電極の下地を平坦化することができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、前記遮光膜を含む前記基板上に所定材料の膜を形成する工程と、前記所定材料の膜を平坦化する工程と、前記平坦化された所定材料の膜上に電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、対向側の基板上にパターン化された遮光膜が形成される。遮光膜を含む基板上には平坦化された所定材料の膜が形成される。平坦化された所定材料の膜によって、基板上の遮光膜による凹凸が表面に現れなくなる。これにより、所定材料の膜上の電極も平坦化され、例えば、電極上に配向膜等を形成する場合には、配向膜を平坦化することができ、ラビングの均一化を図ることができる。
【００１９】
また、前記平坦化する工程は、前記所定材料の膜を研磨処理することによって、前記所定材料の膜を平坦化することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、遮光膜上の所定材料の膜が研磨されることによって、電極の下地が平坦化される。
【００２１】
前記平坦化する工程は、前記研磨する処理として、化学機械研磨法が採用されることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、遮光膜上の所定材料の膜を簡単、確実に研磨することができる。
【００２３】
また、前記平坦化する工程は、前記遮光膜形成領域上の前記所定材料の膜を除去することによって平坦化を行うことを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、遮光膜上及び遮光膜相互間に所定材料の膜が形成される。このうち、配向膜形成領域上においては所定材料の膜が除去される。遮光膜及び所定材料の膜によって、電極の下地が平坦となる。
【００２５】
また、前記平坦化する工程は、前記遮光膜を用いたセルフアライメント方式のフォトリソグラフィ工程及びエッチング処理によって前記遮光膜形成領域上の前記所定材料の膜を除去することを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、遮光膜上及び遮光膜相互間に所定材料の膜が形成される。このうち、配向膜形成領域上においては、遮光膜を利用したセルフアライメントによって所定材料の膜を除去する。これにより、所定材料の膜の除去を行うためのマスク及び遮光膜に対するそのアライメント作業が不要となる。
【００２７】
前記フォトリソグラフィ工程は、ネガレジストを用いることを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、ネガレジストを用いているので、セルフアライメント方式のフォトリソグラフィ工程及びエッチング処理によって、所定材料の膜の除去を行うことができる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置用基板又は上記電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造した電気光学装置用基板を用いて構成したことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、電気光学装置用基板の電極が平坦化されているので、例えば、電極上に配向膜を形成した場合には、配向膜に対するラビングを均一化することができ、表示性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の断面を模式的に示す断面図である。本実施の形態は電気光学装置用基板を液晶装置の対向基板に適用したものである。図２はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態の対向基板側から見た平面図であり、図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。図４は本実施の形態の電気光学装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図５は図１の電気光学装置用基板の製造方法を工程順に示す工程図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３２】
先ず、図２乃至図４を参照して本実施の形態の電気光学装置用基板である対向基板を用いて構成した液晶装置の全体構成について説明する。
【００３３】
液晶装置は、図２及び図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置された素子基板１０と対向基板２０とは、シール材４１によって貼り合わされている。
【００３４】
素子基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。素子基板１０の画素電極９ａ上には、配向処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、配向処理が施された配向膜２２が設けられている。
【００３５】
図４は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。図４に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３６】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３７】
画素電極９ａは、素子基板１０上にマトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、図示しないチャネル領域に対向して形成されている。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線３ａに接続されたゲート電極とチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００３８】
図１において、対向基板２０は、素子基板１０のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において所謂ブラックマトリクスを構成する第１遮光膜２３が形成されている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域及び図示しないソース領域，ドレイン領域等に入射することが防止される。
【００３９】
本実施の形態においては、対向基板２０上及び第１遮光膜２３上には、全面に平坦化膜としての窒化シリコン膜８３が形成されている。窒化シリコン膜８３によって第１遮光膜２３が覆われ、窒化シリコン膜８３の表面は平坦化されている。この窒化シリコン膜８３上に、対向電極（ＩＴＯ）２１が基板２０全面に亘って形成されている。
【００４０】
図３に示すように、対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。
【００４１】
ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００４２】
図２及び図３に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００４３】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口７８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００４４】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００４５】
次に、パネル組立工程について説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。ＩＴＯによる電極９ａ，２１までが形成された素子基板１０及び対向基板２０に対して、配向膜１６，２２となるポリイミドを塗布する。次に、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施す。
【００４６】
次に、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了すると、素子基板１０又は対向基板２０上にシール材４１、及び導通材６５（図２参照）を形成する。シール材４１を形成した後、次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。最後に、シール材４１の一部に設けた切り欠き（液晶注入口７８）から液晶を封入し、封止材７９によって切り欠きを塞いで液晶を封止する。
【００４７】
このように構成された実施の形態においては、対向基板２０は、基板２０と対向電極２１との間に、平坦化された窒化シリコン膜８３が形成されている。平坦化された窒化シリコン膜８３によって、窒化シリコン膜８３上の対向電極２１も平坦に形成される。更に、対向電極２１上の配向膜２２も平坦に形成される。従って、配向膜２２に対するラビング処理において、基板２０全面に亘って均一なラビングが行われることになり、配向不良の発生が防止される。
【００４８】
また、窒化シリコン膜８３の屈折率は、１．８〜２．０である。即ち、石英等で構成された基板２０の屈折率とＩＴＯで構成された対向電極２１の屈折率との中間の屈折率の材料が基板２０と対向電極２１との間に介在することになる。これにより、対向基板２０側から入射した光が基板２０と対向電極２１との界面で、反射することが防止される。
【００４９】
次に、このように構成された実施の形態の製造方法について図５の工程図を参照して説明する。図５は対向基板工程を示している。
【００５０】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に、遮光膜材料を形成する。次に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、遮光膜材料をパターン化する。図５（ａ）はパターン化された第１遮光膜２３を示している。第１遮光膜２３の膜厚は例えば１００ｎｍに設定する。
【００５１】
次に、基板２０及び遮光膜２３上に、窒化シリコン材料８３’を形成する。窒化シリコン材料８３’は例えば１５０ｎｍの膜厚で形成する。これにより、遮光膜２３は確実に窒化シリコン材料８３’によって覆われる（図５（ｂ））。なお、窒化シリコン材料８３’としては、例えば、屈折率が１．８〜２．０の材料を用いる。
【００５２】
次に、窒化シリコン材料８３’をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の研磨処理によって、平坦にする。図５（ｃ）は平坦化された窒化シリコン膜８３を示している。次に、窒化シリコン膜８３上に、スパッタ処理等により、基板２０の全域に亘ってＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、例えば約１４０ｎｍの厚さに堆積して、対向電極２１を形成する（図５（ｄ））。
【００５３】
このように、本実施の形態においては、基板及び遮光膜上に表面が平坦化された窒化シリコン膜を対向電極の下地として形成することで、対向電極を平坦化している。これにより、対向電極上に形成する配向膜を平坦化することができ、基板全面に亘って均一なラビングを可能にして配向不良の発生を防止することができる。
【００５４】
また、基板とＩＴＯによって構成される対向電極との間に、屈折率が１．８〜２．０の窒化シリコン膜を形成しているので、対向電極に入射される光の反射を防止することができるという効果もある。
【００５５】
なお、対向基板と対向電極との間に窒化シリコン膜を形成したが、配向不良の防止には対向電極の下地を平坦化すればよく、窒化シリコン膜以外の膜を形成してもよい。例えば、対向基板と対向電極との間に、平坦化した酸化シリコン膜を形成してもよい。この場合には、反射防止機能は得られないが、配向不良の防止機能が得られる。
【００５６】
ところで、図５に示す製造方法においては、ＣＭＰ等の研磨処理によって、窒化シリコン材料を平坦化した。これに対し、フォトリソグラフィ及びエッチング処理によって、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等の平坦化膜を形成することも可能である。
【００５７】
図６は本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図であり、フォトリソグラフィ及びエッチング処理によって平坦化を行う例を示している。図６において図５と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００５８】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に遮光膜材料を形成し、パターン化して図６（ａ）に示す第１遮光膜２３を形成する。次に、基板２０及び遮光膜２３上に、窒化シリコン材料９３’を形成する。なお、この場合には、窒化シリコン材料９３’の膜厚は、遮光膜２３の膜厚と略同様の膜厚に設定する（図６（ｂ））。
【００５９】
次に、図６（ｃ）に示すように、窒化シリコン材料９３’の全面にレジスト９０を形成する。なお、レジスト９０はポジレジストである。次に、第１遮光膜２３形成領域に対応した開口を有するマスク９１を用いてレジスト９０を露光する。こうして、遮光膜２３形成領域以外の領域に対応した部分にのみレジスト９０を残存させる（図６（ｄ））。
【００６０】
次に、窒化シリコン材料９３’をエッチングすることで、遮光膜２３形成領域上の窒化シリコン材料９３’を除去し、レジスト９０を剥離する。こうして、図６（ｅ）に示すように、遮光膜２３形成領域以外の領域に、遮光膜２３と略同一膜厚の平坦化膜としての窒化シリコン膜９３が形成される。最後に、図６（ｆ）に示すように、遮光膜２３及び窒化シリコン膜９３上に、対向電極２１を形成する。
【００６１】
このように、フォトリソグラフィ及びエッチング処理によっても、対向電極の下地を平坦化することが可能である。
【００６２】
更に、フォトリソグラフィ及びエッチング処理を用いる場合において、遮光膜２３を利用したセルフアライメントによるフォトリソグラフィ及びエッチング処理によっても、対向電極の下地を平坦化することが可能である。
【００６３】
図７は本発明の第３の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図であり、セルフアライメントによって平坦化を行う例を示している。図７において図５と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、図７は図５及び図６とは上下の向きを逆にして示している。
【００６４】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に遮光膜材料を形成し、パターン化して図７（ａ）に示す第１遮光膜２３を形成する。次に、基板２０及び遮光膜２３上に、窒化シリコン材料９３’を形成する。なお、この場合には、窒化シリコン材料９３’の膜厚は、遮光膜２３の膜厚と略同様の膜厚に設定する（図６（ｂ））。
【００６５】
次に、図７（ｃ）に示すように、窒化シリコン材料９３’の全面にレジスト９５を形成する。なお、レジスト９５はネガレジストである。次に、遮光膜２３を用いたセルフアライメントによって、レジスト９５を露光する。なお、図７の矢印は露光時の照射方向を示している。これにより、遮光膜２３形成領域以外の領域に対応した部分にのみレジスト９５を残存させる（図７（ｄ））。
【００６６】
次に、窒化シリコン材料９３’をエッチングして、レジスト９０を剥離する。こうして、図７（ｅ）に示すように、遮光膜２３形成領域以外の領域に、遮光膜２３と略同一膜厚の窒化シリコン膜９３を残す。最後に、図７（ｆ）に示すように、遮光膜２３及び窒化シリコン膜９３上に、対向電極２１を形成する。
【００６７】
このように、図７の例では、遮光膜２３を用いたセルフアライメントによるフォトリソグラフィ及びエッチング処理を行っており、図６の例に比べてマスク形成工程を省略することが可能である。
【００６８】
なお、図６及び図７の例においても、窒化シリコン膜に代えて酸化シリコン膜を採用しても良いことは明らかである。
【００６９】
また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の断面を模式的に示す断面図。
【図２】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態の対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】本実施の形態の電気光学装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】図１の電気光学装置用基板の製造方法を工程順に示す工程図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００７１】
２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、８３…窒化シリコン膜。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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