(57)【要約】【課題】  補助突起を設けなくても、画素周辺のディスクリネーションが少なく、また表示ムラも少なく、表示品質の良好なＭＶＡ方式の液晶表示装置を提供すること。【解決手段】  ほぼ直交する信号線７３及び走査線７２により区画される位置に設けられた画素電極７４をマトリクス状に配置した第一基板７１と、透明電極８１を形成した第二基板７８と、前記第二基板７８に形成され、前記画素電極７４のエッジ部に対して斜め方向に交差する帯状の突起８２と、前記画素電極７４に形成されると共に隣接する突起８２に対して平行に配置されたスリット７６を有するＭＶＡ方式の液晶表示装置１０において、前記画素電極７４のエッジ部の前記突起８２と重なる位置と前記スリット７６との間に位置し、かつ、前記スリット７６とエッジ部とのなす角が９０°以下の部分に溝９９を設ける。【選択図】    図１
2005189476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ直交する信号線及び走査線により区画される位置において絶縁膜上に設けられた画素電極をマトリクス状に配置した第一基板と、前記第一基板と対向して配置され透明電極を形成した第二基板と、前記第二基板に形成されると共に前記第二基板の垂直方向から観察したときに前記画素電極のエッジ部に対して斜め方向に交差する帯状の突起と、前記画素電極に形成されると共に前記第一基板の垂直方向から観察したときに隣接する前記突起に対して平行に配置されたスリットと、前記両基板上に積層された垂直配向処理を施した配向膜と、前記両基板間に扶持した誘電率異方性が負の液晶層とを有し、前記液晶層に電界を印加しないときは液晶分子が垂直配列し、前記液晶層に電界を印加したときは前記スリット及び前記突起によって規制される方向に液晶分子が傾斜して配列する液晶表示装置において、
前記第一基板及び前記第二基板の垂直方向から観察したときに、前記画素電極のエッジ部と前記突起とが交差する位置と前記スリットとの間に位置し、かつ、前記スリットの延在方向と前記画素電極のエッジ部とのなす角が９０°以下の部分であって前記画素電極のエッジ部に沿った位置において、前記絶縁膜に溝を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スリットの延在方向と前記画素電極のエッジ部とが約４５°で交差することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記溝の側壁の傾斜角は、画素電極のエッジ部側の傾斜角を前記信号線側の傾斜角よりも小さくしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、前記絶縁膜に設けられた溝の側壁側に延在するように設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特にディスクリネーションが抑制され、表示品質の良好なＭＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置には薄型軽量、低消費電力という特徴があり、特に、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)型の液晶表示装置は携帯端末から大型テレビに至るまで幅広く利用されている。この液晶表示装置として以前からツイストネマティック（ＴＮ）方式液晶表示装置がよく使用されており、表示装置として高い性能、品質を維持している。
【０００３】
ＴＮ方式液晶表示装置の構成を図３を用いて説明すると、このＴＮ方式液晶表示装置５０は、図３（ａ）に示すように、画素電極５１が形成された基板５２と、共通電極５３が形成された基板５４を対向するように配置し、この一対の基板間に液晶を封入することにより液晶層を形成している。両基板５２、５４上の配向膜５６、５７にはラビング等によって配向処理が行われ、その配向方向は対向する基板の配向方向と９０度異なる（クロスニコル配置）ように設定されている。液晶分子５５はこの配向方向に規制されてその方向に水平配列し、基板５２、５４間では水平方向に９０度捻れて配列する。
【０００４】
各基板５２、５４の外側には偏光板５８、５９が基板に対向して配置されるが、ノーマリブラックモードのときは両偏光板５８、５９の透過軸が同一方向になるように配置され、ノーマリホワイトモードのときには両偏光板５８、５９の透過軸が９０度をなすように配置される。一方の偏光板を通過した透過光は直線偏光となって液晶層を通過するが、このとき液晶分子５５が９０度捻れて配列しているので透過光は旋廻して偏光方向が９０度捻れる。このときノーマリブラックモードでは一方の液晶層を通過した透過光は他方の偏光板を通過できないので暗表示になるが、ノーマリホワイトモードのときは液晶層を通過した透過光は他方の偏光板を通過できるので明表示となる。通常よく使用されているのは後者のノーマリホワイトモードのＴＮ方式液晶表示装置である。
【０００５】
次に、電極５１及び５３間に電界を印加すると、図３（ｂ）に示すように、液晶分子５５が垂直方向に立ち上がり、捻れがとれる。ただし、配向膜５６、５７の表面では配向規制力の方が強いため、液晶分子５５の配向方向は配向膜５６、５７に沿ったままとなる。このような状態では、液晶分子５５は通過する光に対しては等方的であるため、液晶層に入射された直線偏光の偏光方向の回転は生じない。したがって、ノーマリホワイトモードのＴＮ方式液晶表示装置では、上の偏光板５９を通過した直線偏光は下の偏光板５８を通過できず、暗状態となる。この後、再び電界を印加しない状態にすると、配向規制力により図３（ａ）の状態となり、表示は明状態に戻る。
【０００６】
このＴＮ方式液晶表示装置の製造技術は近年において格段の進歩を遂げ、正面でのコントラスト・色再現性などはＣＲＴを凌駕するまでに至っている。しかし、ＴＮ方式液晶表示装置は視角依存性が大きく、視野角が狭いという大きな欠点があった。
【０００７】
そこで、広視野角を保ちながら応答が早い方式のものとして、ＶＡ(vertically aligned)方式の液晶表示装置が開発された。この方式の液晶表示装置６０は、図４に示したように、一対の基板６２、６４間に誘電率異方性が負の液晶が封入され、一方の基板６２には画素電極６１が、他方の基板６４には共通電極６３が配置されている。両基板６２、６４上の配向膜６６、６７には共に垂直配向処理が施され、電極６１、６３に電界を印加しないときは、図４（ａ）に示したように、液晶分子６５は垂直に配列している。両基板６２、６４の外側には偏光板６８、６９がクロスニコル配置されている。そして両電極６１、６３間に電界を印加していないときは基板間の液晶分子６５が垂直に配列しているので、一方の偏光板を通過した直線偏光の透過光がそのまま液晶層を通過して他方の偏光板によって遮られ、暗状態すなわち黒表示となる。また両電極６１、６３間に電界を印加したときは、図４（ｂ）に示したように、基板間の液晶分子６５が水平に配列するので、一方の偏光板を通過した直線偏光の透過光は液晶層を通過するときに液晶分子の複屈折性により楕円偏光の通過光になり、他方の偏光板を通過し、明状態すなわち白表示となる。
【０００８】
このＶＡ方式の液晶表示装置は、電極６１、６３間に電界を印加しないときに全ての液晶分子６５は配向膜６６、６７上に垂直に立った状態で整列するが、電界を印加したときは、各液晶分子６５が水平方向に倒れる向きを制御できないために、そのままでは液晶分子６５はそれぞれランダムな方向に倒れて水平に配列するので、表示ムラが目立ってしまい、各画素周辺部でも液晶分子の配向が乱れてディスクリネーションが発生するという問題点が存在していた。
【０００９】
電極間に電界を印加したときに垂直に立っていた液晶分子が倒れる方向を規制して均一な表示状態となすには、電極間に電界を印加しないときに、液晶分子が完全に垂直とはならずに垂直軸からわずかな角度だけ傾いて立っているようになすと共に、その傾き方向の分布状態も各画素ごとにほぼ同等となす必要がある。
【００１０】
このＶＡ型液晶表示装置の視野角を更に改善するために、画素内に突起や溝を設けて一画素内に複数のドメインを形成するＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式が提案されている。（特許文献１、２参照）
この従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素構成を図５及び図６を用いて説明する。なお図５は従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０の画素の平面図であり、図６は図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１１】
ガラス基板等の透明な第一基板７１上には、ゲート絶縁膜７１’を介して、走査線７２と信号線７３がマトリクス状に配線されている。走査線７２と信号線７３で囲まれる領域が一画素に相当し、この領域内に画素電極７４が配置され、走査線７２と信号線７３の交差部には画素電極７４と接続するスイッチング素子であるＴＦＴ７５が形成される。画素電極７４の一部分は絶縁膜７１”を介在させて隣接する走査線７２と重なっており、この部分が保持容量として作用する。画素電極７４には後述するスリット７６が複数形成されている。画素電極７４を覆う配向膜７７には、垂直配向処理が施されている。
【００１２】
ガラス基板等の透明な第二基板７８上には、各画素を区切るようにブラックマトリックス７９が形成され、各画素に対応してカラーフィルタ８０が積層されている。カラーフィルタ８０は各画素に対応して赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色のカラーフィルタ８０が配置されている。カラーフィルタ８０上には例えばＩＴＯなどの透明電極８１が積層され、透明電極８１上には所定パターンの突起８２が形成され、透明電極８１及び突起８２を垂直配向処理が施された配向膜８３で覆っている。
【００１３】
両基板７１、７８間には誘電率異方性が負の液晶層８４が介在する。そして画素電極７４と透明電極８１の間に電界が生じないときは液晶分子８４’が配向膜７７、８３に規制されて垂直配列し、画素電極７４と透明電極８１の間に電界が発生したときは液晶分子８４’が水平方向に傾斜する。このとき液晶分子８４’はスリット７６や突起８２に規制されて所定の方向に傾斜し、一画素内に複数のドメインを形成することができる。なお、図６は画素電極７４と透明電極８１の間に電界が発生し、液晶分子８４‘が傾斜した状態を模式的に示している。
【００１４】
第一基板７１の外側には第一偏光板８５が、第二基板７８の外側には第二偏光板８６がそれぞれ配置され、第一偏光板８５と第二偏光板８６は互いの透過軸が直交するように設定されている。両偏光板８５、８６の向きはその透過軸と傾斜したときの液晶分子８４’の向きとの関係により設定されるが、偏光板８５、８６の透過軸と液晶分子８４’の傾斜方向との関係については後述するため、ここでは便宜上、第一偏光板８５の透過軸が走査線７２の延在方向と一致し、第二偏光板８６の透過軸が信号線７３の延在方向と一致するように設定する。
【００１５】
そして画素電極７４と透明電極８１の間に電界が生じないときは液晶分子８４’が垂直配列するため、第一偏光板８５を通過した直線偏光の透過光が液晶層８４を直線偏光のまま通過して第二偏光板８６で遮断され、黒表示になる。また画素電極７４に所定の電圧が印加されて画素電極７４と透明電極８１の間に電界が発生したとき、液晶分子８４’が水平方向に傾斜するため、第一偏光板８５を通過した直線偏光の透過光が液晶層８４で楕円偏光になり第二偏光板８６を通過して、白表示になる。
【００１６】
次に、スリット７６と突起８２の形状について説明する。スリット７６は画素電極７４の一部分をフォトリソグラフィー法等によって取除いて形成され、突起８２は例えばアクリル樹脂等からなるレジストをフォトリソグラフィー法によって所定パターンにして形成される。
【００１７】
突起８２は複数の画素にまたがってジグザグ状に形成され、その直線部分は第二基板７８の垂直方向から見たときに信号線７３に対して４５°の方向に延在している。一画素の略中央部分では一方の隣接する画素から伸びる突起８２ａが９０°屈曲して再び隣接する画素まで延在し、他方の隣接する画素から伸びる突起８２ｂは直角に屈曲した突起８２ａの直線部分と平行に配置され、画素の隅部付近に位置している。
【００１８】
スリット７６は、平面的に見ると複数の突起８２の中間にそれぞれ位置するように形成され、この例では、図５に示すように、各画素電極７４に３個のスリット７６が形成されている。突起８２ａと突起８２ｂの間にそれぞれスリット７６ａが形成され、突起８２ａと画素電極７４のエッジ部との間にスリット７６ｂが形成されている。スリット７６ａはその中心線が隣接する突起８２と平行であり、信号線７３に対して４５°方向になっている。このスリット７６ａの中心線がスリット７６ａの延在方向に相当する。また、スリット７６ｂについても同様に、その延在方向は隣接する突起８２ａと平行である。なおスリット７６ｂに隣接する突起８２ａは延在方向が画素内で直角に屈曲しているので、スリット７６ｂの延在方向も屈曲している。
【００１９】
液晶分子８４’は、突起８２及びスリット７６に対して９０°方向に傾斜し、突起８２やスリット７６を境にして逆方向に傾斜する。一対のガラス基板の外側にはクロスニコル配置の一対の偏光板が配置され、偏光板の透過軸と突起８２の方向との成す角度が４５°になるように設定し、偏光板の法線方向から見たときに傾斜した液晶分子と偏光板の透過軸との成す角度が４５°になるようにしている。傾斜した液晶分子と偏光板の透過軸との角度が４５°になるとき、最も効率よく偏光板から透過光を得ることができる。
【００２０】
このＭＶＡ方式の液晶表示装置では、配向膜のラビング処理が不要で、しかも線状の構造物の配置により配向分割を達成することができるという利点がある。従って、このＭＶＡ方式の液晶表示装置は、広い視野角と高いコントラストを得ることが可能となる。また、ラビングを行う必要がないので、液晶表示装置の製造が簡単であり、ラビング時の配向膜の削りかす等による汚染がなく、液晶表示装置の信頼性が向上する。
【００２１】
しかしながら、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、実際の液晶分子の傾斜状態が理想的な状態になっていないために、最適な表示状態が得られなかった。特に画素電極７４の周辺部分では、液晶分子８４’が傾斜するときに突起８２やスリット７６だけでなく画素電極７４のエッジ部の影響も受けるため、表示ムラ等が発生しやすい。
【００２２】
図７に液晶分子の傾斜状態を模式的に示す。画素電極７４内の矢印は液晶分子の傾斜方向を示し、その矢印の向きは、液晶分子が傾斜したときに、突起８２を有するガラス基板に近い側の端部から画素電極７４を有するガラス基板に近い側の端部への向きを示している。
【００２３】
液晶分子８４’は突起８２やスリット７６に対して約９０°方向に傾斜するように規制され、その向きはスリット７６や突起８２を境界としてその両側の輪郭部分で互いに逆方向になり、隣接する突起８２とスリット７６の互いに向かい合う輪郭部分では同一方向になっている。画素電極７４のエッジ部では液晶分子が９０°方向に傾斜するように影響し、またエッジ部がスリット７６や突起８２に対して平行でないため、液晶分子８４’の傾斜状態に悪影響を及ぼす。このエッジ部による影響はエッジ部付近のスリット７６と突起８２の配置位置関係により大きく差がある。例えば図７の領域Ａ１ではスリット７６や突起８２付近の矢印の向きとエッジ部付近の矢印の向きとが約４５°程度ずれているが、領域Ａ２ではスリット７６や突起８２付近の矢印の向きとエッジ部付近の矢印の向きが約１３５°程度ずれており、領域Ａ２の方が液晶分子の傾斜状態が大きく乱れる。そのため領域Ａ１より領域Ａ２の方に表示ムラが発生しやすい。
【００２４】
このように、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、各画素の一方のプレチルト方向の端部周辺部で画素電極７４のエッジ部の存在により液晶分子８４’の配向が乱れてしまい、その周辺部分でディスクリネーションが生じてしまうという問題点が存在していた。
【００２５】
このＭＶＡ方式の液晶表示装置に特有の問題（配向不良領域の発生）を解決するために、下記特許文献２には新たな構造が提案されている。以下、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の液晶表示装置９０について図８及び図９を用いて説明するが、図５及び図６に記載のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与することとして、その部分の詳細な説明は省略する。なお図８は下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素の平面図であり、また、図９は図８のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図９（ａ）は電界を印加する前、図９（ｂ）は電界を印加した後の状態を示す。
【００２６】
図８及び図９に示したようなＭＶＡ方式の液晶表示装置９０が図５及び図６に記載のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０と相違している点は、液晶分子の配向を制御するための突起８２に、有効画素範囲外に補助突起８９を設けた点であり、その他の構成は図６及び図７に記載のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０の構成と実質的に同一である。係るＭＶＡ方式の液晶表示装置９０によれば、画素電極７４のエッジ部分や隣接する画素からの電界による液晶分子８４’への影響が低減され、一応有効にディスクリネーションの生成を抑制することができるものである。
【特許文献１】特開平１１−０２４２２５号公報（特許請求の範囲、図１０〜１２）
【特許文献２】特開２００１−０８３５１７号公報（段落［０００７］〜［００３７］、図３２〜図３４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、このような構成のＭＶＡ方式の液晶表示装置９０においては、露光工程における露光用のレンズの中心分と周辺部とで露光の出来具合に多少の差ができてしまう。したがってガラス基板上に形成される各構成部材の出来にも多少のばらつきが生じてしまうため、突起位置のばらつきや突起の形状のばらつき等が発生してしまう。また基板同士の貼り合せずれも製造上発生してしまう。そしてこれらにより画素電極７４と補助突起８９の位置関係に製造上どうしてもずれが生じてしまい、補助突起８９の効果にも各場所によってばらつきが発生し、結果輝度ムラの発生が生じてしまう。
【００２８】
また、液晶表示装置においてはセルギャップを形成するために球状スペーサが散布されるが、この球状スペーサが補助突起８９上に乗るとこの部分ではセルギャップが特に大きくなってしまう、という問題点が存在していた。
【００２９】
そこで、本発明者等は、上述のＭＶＡ方式の液晶表示装置９０の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、この問題点は補助突起８９の存在により生じたものであるからこの補助突起８９を削除することとし、なおかつこの補助突起８９を設けた場合と同等の作用を行わせることができる構成を探求したところ、画素電極７４のエッジ部分に溝を設ければ上述の問題点を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００３０】
すなわち、本発明は、補助突起を設けなくても、ディスクリネーションの生成が少なく、また表示ムラも少なく、表示品質の良好なＭＶＡ方式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、本願の請求項１に記載の液晶表示装置の発明は、ほぼ直交する信号線及び走査線により区画される位置において絶縁膜上に設けられた画素電極をマトリクス状に配置した第一基板と、前記第一基板と対向して配置され透明電極を形成した第二基板と、前記第二基板に形成されると共に前記第二基板の垂直方向から観察したときに前記画素電極のエッジ部に対して斜め方向に交差する帯状の突起と、前記画素電極に形成されると共に前記第一基板の垂直方向から観察したときに隣接する前記突起に対して平行に配置されたスリットと、前記両基板上に積層された垂直配向処理を施した配向膜と、前記両基板間に扶持した誘電率異方性が負の液晶層とを有し、前記液晶層に電界を印加しないときは液晶分子が垂直配列し、前記液晶層に電界を印加したときは前記スリット及び前記突起によって規制される方向に液晶分子が傾斜して配列する液晶表示装置において、前記第一基板及び前記第二基板の垂直方向から観察したときに、前記画素電極のエッジ部と前記突起とが交差する位置と前記スリットとの間に位置し、かつ、前記スリットの延在方向と前記画素電極のエッジ部とのなす角が９０°以下の部分であって前記画素電極のエッジ部に沿った位置において、前記絶縁膜に溝を設けたことを特徴とする。
【００３２】
また、本願の請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示装置において、前記スリットの延在方向と前記画素電極のエッジ部とが約４５°で交差することを特徴とする。
【００３３】
また、本願の請求項３に記載の発明は、前記請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、前記溝の側壁の傾斜角は、画素電極のエッジ部側の傾斜角を前記信号線側の傾斜角よりも小さくしたことを特徴とする。
【００３４】
更に、本願の請求項４に係る発明は、前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、前記画素電極は、前記絶縁膜に設けられた溝の側壁側に延在するように設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本願発明は上記の構成を備えることにより、以下のような優れた効果を奏する。すなわち、本願の請求項１に係る液晶表示装置によれば、画素電極のエッジ部近傍の液晶分子の傾きすなわちチルト角が安定するから、これらの液晶分子の配向方向に乱れは生じ難くなる。したがって、請求項１に記載の液晶表示装置によれば、画素周辺部のディスクリネーションが減り、加えて、補助突起を設ける必要がないから、従来例のような段差のばらつき、突起を形成する位置のばらつき、突起の形状のばらつき等の位置ずれにより生じる輝度ムラが発生することがなくなり、更に、従来例のような補助突起とスペーサに基づく問題点も生じないから、高品質な表示が可能なＭＶＡ方式の液晶表示装置が得られる
また、本願の請求項２に係る液晶表示装置によれば、基板の法線方向から観察したときの画素内における実際の液晶分子の傾斜方向と偏光板の透過軸に対して４５°方向である理想的な傾斜角との差が小さくなるので、表示ムラが減少する。
【００３６】
また、本願の請求項３に係る液晶表示装置によれば、画素電極のエッジ部近傍の液晶分子の配向方向を垂直に近い所望のチルト角度を与えることができるようになり、画素周辺部のディスクリネーションの生成が抑制される。
【００３７】
更に、本願の請求項１に係る液晶表示装置によれば、電界印加時に溝内の液晶分子にも電界を印加することができるようになるので、溝内ないしは溝近傍の液晶分子を正確に配向させることができるようになり、より画素周辺部のディスクリネーションが減り、輝度ムラが少なく、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図１及び図２に基づいて詳細に説明するが、図５及び図６に記載のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与することとして、その部分の詳細な説明は省略する。なお、図1は、本発明のＭＶＡ方式の液晶表示装置１０の画素の平面図であり、また、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図２（ａ）は電界を印加する前、図２（ｂ）は電界を印加した後の状態を示す。
【００３９】
このＭＶＡ方式の液晶表示装置１０は、ガラス基板等の透明な第一基板７１上は、ゲート絶縁膜７１’を介して走査線７２と信号線７３がマトリクス状に配線されており、また、ガラス基板等の透明な第二基板７８上には、各画素を区切るようにブラックマトリックス７９が形成され、各画素に対応してカラーフィルタ８０が積層されている。カラーフィルタ８０は各画素に対応して赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色のカラーフィルタ８０が配置されている。カラーフィルタ８０上には透明電極８１が積層され、この透明電極８１上には所定パターンの突起８２が形成され、更に透明電極８１及び突起８２は垂直配向処理が施された配向膜８３で覆われている。また、画素電極７４にはスリット７６が形成されている。
【００４０】
突起８２は複数の画素にまたがってジグザグ状に形成され、その直線部分は第二基板７８の垂直方向から見たときに信号線７３に対して４５°の方向に延在している。一画素の略中央部分では一方の隣接する画素から伸びる突起８２ａが９０°屈曲して再び隣接する画素へ向かって延在している。また他方の隣接する画素から伸びる突起８２ｂは直角に屈曲した突起８２ａの直線部分と平行に配置され、画素の隅部付近に位置すると共に走査線７２上において９０°屈曲して延在している。つまり突起８２は信号線７３に沿って形成される画素列二つ分のエリア内において、略走査線７２上と画素の略中部分の２箇所において延在方向を９０°変化させながら信号線７３の方向に沿って形成されている。
【００４１】
スリット７６は、複数の突起８２の中間にそれぞれ位置するように形成され、この実施例では各画素電極７４に３個のスリット７６が形成されている。突起８２ａと突起８２ｂの間にそれぞれスリット７６ａが形成され、突起８２ａと画素電極７４のエッジ部との間にスリット７６ｂが形成されている。スリット７６ａはその中心線が隣接する突起８２と平行であり、信号線７３に対して４５°方向に位置している。このスリット７６ａの中心線がスリット７６ａの延在方向に相当する。また、スリット７６ｂについても同様に、その延在方向は隣接する突起８２ａと平行である。なおスリット７６ｂに隣接する突起８２ａは延在方向が画素内で直角に屈曲しているので、スリット７６ｂの延在方向も屈曲している。またスリット７６は画素電極７４を完全に分断するものではなく、あくまでも画素電極７４の領域内に形成されているので、画素電極７４の一部が電気的に浮島状態となることはない。
【００４２】
このような突起８２とスリット７６によって、各画素における液晶分子８４'の配向方向が相反する４つの方向に規制されるため、略全方向において視野角の改善がなされている。なお突起８２とスリット７６の形状は全方向における視野角の改善を目的としてなされ、画素電極７４のエッジに対し斜め方向から交わるような方向で形成されているものであれば、この形状に限定されるものではない。例えば突起８２を信号線７３に沿って形成される画素列三つ分のエリア内において、信号線７３の方向に沿ってジグザグ状に形成されていてもよい。また突起８２は隣接する画素まで延在していなくとも、一画素ごとに独立する形状であってもよい。
【００４３】
本発明のＭＶＡ方式の液晶表示装置１０が、補助突起を有していない図５及び図６に記載のＭＶＡ方式の液晶表示装置７０と構成が相違している点は、突起８２が信号線７３と交差する部位に対応する画素電極７４部分に、第一基板７１に達するまで、スリット７６に向かう方向に画素電極のエッジに沿って溝９９が設けられている点である。この溝９９は、前記図８及び図９に記載の補助突起８９を有するＭＶＡ方式の液晶表示装置９０における補助突起８９に対応する位置に設けられていることになる。
【００４４】
このような構成であると、画素電極７４及び透明電極８１の間に電圧を印加していないときは、従来のように垂直配向処理が施された第一基板７１における配向膜８３上の液晶分子８４’は略垂直方向に配向すると共に、溝９９付近の液晶分子８４’は溝の斜面の影響によって第一基板７１面に対して僅かに傾斜した配向となる（図２（ａ））。
【００４５】
一方、画素電極７４及び透明電極８１の間に電圧を印加すると、溝９９付近以外の液晶分子８４’は従来と同様、突起８９やスリット７６による配向規制力により一定の方向に配向する。このとき溝９９付近の液晶分子８４’は従来であると画素電極７４のエッジ付近での電界による規制力が働き画素電極７４の内側に向かって傾斜し、スリット７６による規制力による液晶分子８４’の傾きとが対峙してしまい配向に乱れが生じてしまうが、溝９９を設けておくことにより、溝９９の傾斜により画素電極７４の外側、つまり隣接する信号線７３側に傾斜する物理的な規制力が働き、画素電極７４の内側への傾斜が抑えられる。つまり電界による規制力が物理的な規制力により相殺される。したがって溝９９付近における液晶分子８４’の画素電極７４の内側への傾斜が抑えられ、スリット７６による規制力による液晶分子８４’の傾きとの対峙がなくなるので、この部分での配向の乱れが非常に生じ難くなる。このため、従来必要としていた補助突起も別段設ける必要性もなくなる。
【００４６】
なお、実施例では溝９９を画素電極７４の下層に形成されたゲート絶縁膜７１’及び絶縁膜７１”をエッチングして形成しているが、絶縁膜７１”の部分だけに形成してもよい。また溝９９の側壁の傾斜角は液晶分子８４’の画素電極７４側への傾斜が抑えられるよう液晶分子の性質や画素電極７４の材質等を考慮して決定すればよいが、画素電極７４のエッジ側の傾斜角を信号線７３側の傾斜角よりも小さくすることで、電圧を印加していないときの液晶分子８４’の配向を安定させるながら、信号線７３と溝９９の底面との距離を近づけることができる。また溝９９の側壁側にも図２（ｂ）のように画素電極７４を延在させておくことで液晶分子８４’の配向をより安定させることができる。
【００４７】
本発明のＭＶＡ方式の液晶表示装置１０によれば、画素周辺部のディスクリネーションが減り、加えて、補助突起を設ける必要がないから、従来例のような段差のばらつき、突起を形成する位置のばらつき、突起の形状のばらつき等により生じる位置ずれに基づく輝度ムラが発生することがなくなり、更に、従来例のような補助突起とスペーサに基づく問題点も生じないから、高品質な表示が可能なＭＶＡ方式の液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図であり、図２（ａ）は電界を印加する前、図２（ｂ）は電界を印加した後の状態を示す。
【図３】ＴＮ方式液晶表示装置の構成を説明する図であり、図３（ａ）は電界を印加する前の状態を示す図であり、図３（ｂ）は電界を印加した後の液晶分子の配向状態を示す図である。
【図４】ＶＡ方式液晶表示装置の構成を説明する図であり、図４（ａ）は電界を印加する前の状態を示す図であり、図４（ｂ）は電界を印加した後の液晶分子の配向状態を示す図である。
【図５】従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図７】図５のＭＶＡ方式の液晶表示装置における液晶分子の傾斜状態を模式的に示す図である。
【図８】別の従来例のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素の平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ'線に沿った断面図であり、図９（ａ）は電界を印加する前、図９（ｂ）は電界を印加した後の状態を示す。
【符号の説明】
【００４９】
７１    第一基板
７２    走査線
７３    信号線
７４    画素電極
７６    スリット
７７、８３    配向膜
７８    第二基板
８１    透明電極
８２    突起
８４    液晶層
８４’  液晶分子
８５、８６    偏光板
８９    補助突起
９９    溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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