(57)【要約】【課題】基板材料の種別の回収が容易であり、且つ廃液を生じさせない方法により、液晶セルを分解する。【解決手段】互いに対向する一対の基板であるＴＦＴ基板１１及び対向基板１２と、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の間に充填して設けられると共にシール部材２７によって封止された液晶層１３とにより構成された液晶セル１を分解する方法であって、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２を挟むように、一対の電極である下部電極３１及び上部電極３２を対向配置させる電極配置工程と、下部電極３１と上部電極３２との間に高周波電界を発生させることにより、シール部材２７を加熱する加熱工程と、加熱されたシール部材２７においてＴＦＴ基板１１と対向基板１２とを分離させる分離工程とを備えている。【選択図】図３
2005227587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の間に充填して設けられると共にシール部材によって封止された液晶層とにより構成された液晶セルを分解する方法であって、
上記一対の基板を挟むように、一対の電極を対向配置させる電極配置工程と、
上記各電極の間に高周波電界を発生させることにより、上記シール部材を加熱する加熱工程と、
加熱された上記シール部材において上記各基板同士を分離させる分離工程とを備えている
ことを特徴とする液晶セルの分解方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記一対の電極の少なくとも一方は、液晶セルの中央領域に対応する領域に開口部を有し、
上記加熱工程では、上記一対の電極により、液晶セルの周縁領域に設けられたシール部材を加熱する
ことを特徴とする液晶セルの分解方法。
【請求項３】
請求項２において、
上記開口部は、一対の電極の双方に設けられている
ことを特徴とする液晶セルの分解方法。
【請求項４】
請求項３において、
上記一対の電極の各開口部には、補助電極がそれぞれ配置され、
上記加熱工程では、上記各補助電極の間で高周波電界を発生させることにより、液晶セルの中央領域における液晶層を局部的に加熱する
ことを特徴とする液晶セルの分解方法。
【請求項５】
請求項１において、
上記シール部材は、エポキシ系樹脂により構成されている
ことを特徴とする液晶セルの分解方法。
【請求項６】
互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の間に充填して設けられると共にシール部材によって封止された液晶層とにより構成された液晶セルを分解するための加熱装置であって、
上記一対の基板を挟むように、対向配置された一対の電極と、
上記一対の電極に接続され、該各電極間で高周波電界を発生させる高周波電源とを備え、
上記高周波電界によって上記シール部材を加熱するように構成されている
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
請求項６において、
上記シール部材は、液晶セルの周縁領域に設けられ、
上記一対の電極の少なくとも一方は、液晶セルの中央領域に対応する領域に開口部を有している
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項８】
請求項７において、
上記開口部は、一対の電極の双方に設けられている
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項９】
請求項８において、
上記一対の電極の各開口部には、高周波電源に接続された補助電極がそれぞれ配置され、
上記補助電極は、該各補助電極の間で高周波電界を発生させることにより、液晶セルの中央領域における液晶層を局部的に加熱するように構成されている
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項１０】
請求項６において、
上記シール部材は、エポキシ系樹脂により構成されている
ことを特徴とする加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルにおける液晶セルの分解方法、及びそれに用いる加熱装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来のＣＲＴテレビに代わって、液晶テレビ等の液晶表示装置の需要が拡大の一途を辿っている。今後、これらの液晶表示装置は、寿命が終わったときに廃棄物として大量に排出されることが予想される。したがって、液晶表示装置の構成部材を有効にリサイクルすることが望ましい。そのためには、液晶表示装置を構成材料毎に分別して回収することが不可欠となる。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶表示パネル以外の部品については、従来のＣＲＴテレビと同様に、家電リサイクル法に基いた分別や分解が可能であると考えられる。しかしながら、液晶表示パネルはＣＲＴと全く異なる構成であるために、その分解方法が技術的に確立されていないのが現状である。
【０００４】
ここで、一般的な液晶表示パネルについて説明する。液晶表示パネルは、複数の薄型トランジスタ（ＴＦＴ）を有するＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して設けられた対向基板と、ＴＦＴ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とにより構成された液晶セルを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
上記ＴＦＴ基板は、ガラス基板上に複数のＴＦＴがマトリクス状に配置して構成されている。一方、対向基板は、ガラス基板上に透明電極やカラーフィルタ等が形成されている。また、上記液晶層は、ＴＦＴ基板及び対向基板の間の隙間に充填された液晶材料が、シール部材によって封止されることにより構成されている。シール部材には、一般にエポキシ系の樹脂材料が適用されている。
【特許文献１】特開２００３−２０２５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記液晶表示パネルを有効にリサイクルするためには、ガラス基板を液晶層等の他の構成部材から分別して回収することが望ましい。液晶表示パネルから分別されたガラス基板が素ガラスであれば、セラミック製品の上薬や、レンガ材料としての用途も可能となるためである。そこで、ＴＦＴ基板及び対向基板を分離して液晶セルを分解することが必要となる。
【０００７】
しかし、ＴＦＴ基板及び対向基板を粉砕して液晶セルを分解すると、複数種類のガラス片が混在することとなるため、ガラス片を種別に分離回収することが極めて困難となってしまう。
【０００８】
これに対し、例えば超臨界水や溶媒等によってシール部材を溶解させ、ガラス基板を割らずに回収することが考えられる。ここで、超臨界水とは、温度が臨界温度（３７４．１℃）以上であり、且つ圧力が臨界圧力（２２．０ＭＰａ）以上である超臨界状態の水をいい、樹脂や有機物に対する溶解度が大きい。
【０００９】
ところが、上記超臨界水等をリサイクルに用いると、シール材料等が溶け込んだ廃液による環境負荷が大きくなってしまい、その廃液自体を浄化処理しなければならないという問題がある。また、リサイクル作業において液体を用いると、その作業環境が悪化することが避けられない。
【００１０】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板材料の種別の回収が容易であり、且つ廃液を生じさせない方法により、液晶セルを分解しようとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、この発明では、液晶セルのシール部材を高周波加熱するようにした。
【００１２】
具体的に、本発明に係る液晶セルの分解方法は、互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の間に充填して設けられると共にシール部材によって封止された液晶層とにより構成された液晶セルを分解する方法であって、上記一対の基板を挟むように、一対の電極を対向配置させる電極配置工程と、上記各電極の間に高周波電界を発生させることにより、上記シール部材を加熱する加熱工程と、加熱された上記シール部材において上記各基板同士を分離させる分離工程とを備えている。
【００１３】
上記一対の電極の少なくとも一方は、液晶セルの中央領域に対応する領域に開口部を有し、上記加熱工程では、上記一対の電極により、液晶セルの周縁領域に設けられたシール部材を加熱することが好ましい。
【００１４】
上記開口部は、一対の電極の双方に設けられていてもよい。
【００１５】
上記一対の電極の各開口部には、補助電極がそれぞれ配置され、上記加熱工程では、上記各補助電極の間で高周波電界を発生させることにより、液晶セルの中央領域における液晶層を局部的に加熱することが好ましい。
【００１６】
上記シール部材は、エポキシ系樹脂により構成されていてもよい。
【００１７】
また、本発明に係る加熱装置は、互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の間に充填して設けられると共にシール部材によって封止された液晶層とにより構成された液晶セルを分解するための加熱装置であって、上記一対の基板を挟むように、対向配置された一対の電極と、上記一対の電極に接続され、該各電極間で高周波電界を発生させる高周波電源とを備え、上記高周波電界によって上記シール部材を加熱するように構成されている。
【００１８】
上記シール部材は、液晶セルの周縁領域に設けられ、上記一対の電極の少なくとも一方は、液晶セルの中央領域に対応する領域に開口部を有していることが好ましい。
【００１９】
上記開口部は、一対の電極の双方に設けられていてもよい。
【００２０】
上記一対の電極の各開口部には、高周波電源に接続された補助電極がそれぞれ配置され、上記補助電極は、該各補助電極の間で高周波電界を発生させることにより、液晶セルの中央領域における液晶層を局部的に加熱するように構成されていることが好ましい。
【００２１】
上記シール部材は、エポキシ系樹脂により構成されていてもよい。
【００２２】
−作用−
次に、本発明の作用を説明する。
【００２３】
本発明に係る分解方法により液晶セルを分解する場合には、まず、電極配置工程において、一対の電極を、液晶セルの各基板を挟むように対向配置させる。次に、加熱工程では、上記一対の電極の間に高周波電界を発生させることにより、各基板の間のシール部材を高周波加熱する。その結果、加熱によりシール部材の強度が低下する。続いて、分離工程では、強度が低下したシール部材において上記各基板同士を分離させる。このようにして、液晶セルは容易に分解される。
【００２４】
高周波電界は対向する電極の間に発生するため、電極の開口部に対応する液晶セルの中央領域には、高周波電界がほとんど生じない。したがって、液晶セルの中央領域は高周波加熱されず、液晶セルの周縁領域のみが高周波加熱される。その結果、液晶層の加熱による昇温が抑制されると共に、液晶セルの周縁領域のシール部材が好適に加熱される。
【００２５】
また、上記補助電極を設けることにより、液晶セルにおける周縁領域のシール部材が集中して加熱されると共に、液晶セルの中央領域における液晶層が補助電極により局部的に加熱される。局部的に加熱された液晶層は、僅かに膨張して液晶セルの基板を外側へ押圧する。そのため、基板を分離させるために加える外力を低減することができるため、基板はさらに容易に分離される。
【００２６】
また、本発明に係る加熱装置によると、高周波電源が駆動されることにより、一対の電極の間に高周波電界が発生する。その結果、上記一つの電極の間に設けられている液晶セルのシール部材は、上記各電極間で発生した高周波電界によって高周波加熱される。シール部材は、加熱されることにより強度が低下し、基板同士が容易に分離可能となるため、液晶セルを容易に分解することが可能となる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、一対の電極の間に高周波電界を発生させることにより、液晶セルにおける各基板の間のシール部材を高周波加熱することができる。その結果、加熱によりシール部材の強度を低下させることができるため、その強度が低下したシール部材において各基板同士を分離させることにより、液晶セルを容易に分解することができる。
【００２８】
すなわち、基板自体を破壊することなく液晶セルを分解できるため、基板材料を種別毎に容易に回収することができる。そのことに加え、超臨界水や溶媒等を用いないため、液晶セルの分解に伴う廃液の発生を防止でき、環境負荷の低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３０】
《発明の実施形態１》
図１〜図４は、本発明に係る液晶セルの分解方法、及びそれに用いる加熱装置の実施形態１を示している。図２は液晶セルの平面図を示し、図１は図２におけるI−I線断面図を示している。
【００３１】
図１及び図２に示すように、液晶セル１は、ＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１に対向して設けられた対向基板１２と、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の間に設けられた液晶層１３とにより構成されている。
【００３２】
上記ＴＦＴ基板１１は、透明な絶縁性の基板であるガラス基板２１と、ガラス基板２１の上にマトリクス状に複数配置されたスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）２２とを備えている。
【００３３】
上記ガラス基板２１には、複数の走査配線（図示省略）及び信号配線（図示省略）が格子状にパターン形成されている。これら走査配線及び信号配線により区画された長方形の領域が、それぞれ１つの画素領域を構成している。ＴＦＴ２２は、上記画素領域毎に１つずつ配置されると共に、上記走査配線及び信号配線に接続され、画素領域の液晶層１３を駆動するように構成されている。
【００３４】
上記対向基板１２は、上記ＴＦＴ基板１１に対向して設けられている。そして、透明絶縁性の基板であるガラス基板２５と、ガラス基板２５に積層されたカラーフィルタ層２６とを備えている。上記カラーフィルタ層２６は、Ｒ，Ｇ，Ｂの三原色の各着色層がガラス基板２５上にマトリクス状にパターン形成されることにより構成されている。
【００３５】
上記液晶層１３は、互いに対向する一対の基板であるＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の間に介在している。すなわち、ＴＦＴ基板１１と対向基板１２との間には、所定の隙間が形成されており、その隙間に液晶材料が充填されると共にシール部材２７によって封止されることにより、液晶層１３が形成されている。上記シール部材２７は、液晶セル１の周縁領域に設けられており、例えばエポキシ系樹脂により構成されている。
【００３６】
そして、上記液晶セル１は、ＴＦＴ基板１１のガラス基板２１の外面と、対向基板１２のガラス基板２５の外面との双方に、偏光板（図示省略）等の光学的フィルムが設けられることにより、液晶表示パネルを構成する。液晶セル１は、例えば、ＴＦＴ基板１１側から対向基板１２側へ透過する光によって表示を行う透過型の液晶表示パネルを構成するようになっている。
【００３７】
本実施形態の加熱装置２は、上記液晶セル１を加熱して分解するように構成されている。図４は、加熱対象である液晶セル１が装着された加熱装置２を示す平面図であり、図３は、図４におけるIII−III線断面図である。
【００３８】
すなわち、図３に示すように、加熱装置２は、互いに対向する一対の電極３１，３２と、各電極に接続された高周波電源３５とにより構成されている。
【００３９】
上記一対の電極３１，３２は、下部電極３１と上部電極３２とにより構成されている。下部電極３１は、液晶セル１が装着された状態で、ＴＦＴ基板１１におけるガラス基板２１の外面に対向するように配置されている。一方、上部電極３２は、一対の電極３１，３２の間に液晶セル１が装着された状態で、対向基板１２におけるガラス基板２５の外面に対向するように配置されている。言い換えれば、下部電極３１及び上部電極３２は、上記ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２を挟むように対向配置されている。
【００４０】
下部電極３１及び上部電極３２は、対向基板１２と同じか、又はそれ以上の大きさに形成されており、上記液晶セル１が装着された状態で、シール部材２７の全てが各電極３１，３２間で挟まれるようになっている。
【００４１】
上記高周波電源３５は、高周波発生回路３６と、高周波発生回路３６及び電極３１，３２に接続された同調回路３７とにより構成され、各電極３１，３２の間で所定の高周波電界を発生させるようになっている。
【００４２】
すなわち、上記高周波電界は、高周波発生回路３６により発生されると共に同調回路３７により所定の周波数に同調された電圧が、下部電極３１及び上部電極３２に印加されることにより、各電極３１，３２の間で発生する。上記高周波電界は、シール部材２７が最も効率よく加熱される周波数に規定されている。つまり、加熱装置２は、上記高周波電界によってシール部材２７を加熱するように構成されている。
【００４３】
ここで、高周波電界におけるシール部材２７における誘電損失Ｐについて説明する。高周波電界の周波数をｆ、電界強度をＥ、相対誘電率をεr、誘電損失角をδとすると、誘電損失Ｐは、次式（1）で表される。
【００４４】
Ｐ＝５／９×１０-12・ｆ・Ｅ2・εr・ｔａｎδ  ［W/cm2］・・・（1）
上記ｔａｎδは、一般に誘電正接と呼ばれる。また、上記εr・ｔａｎδは、損失係数と呼ばれ、各誘電体に固有の値である。つまり、損失係数は、ガラスや樹脂、液晶等の各材料により異なるため、加熱する対象に合わせて設定される。
【００４５】
尚、本実施形態では、上記損失係数を、シール部材２７であるエポキシ系樹脂に固有の値に合わせて規定しているが、ガラス基板２１，２５におけるガラスの固有値に合わせて規定してもよい。このことにより、高周波電界により、ガラス基板２１，２５を加熱し、その昇温したガラス基板２１，２５を介してシール部材２７を加熱するようにしてもよい。特に、シール部材２７の損失係数が不明である場合には有効である。
【００４６】
−分解方法−
次に、本発明に係る液晶セルの分解方法について説明する。
【００４７】
本実施形態の分解方法は、電極配置工程と、加熱工程と、分離工程とを備え、上記加熱装置２を用いて行う。
【００４８】
電極配置工程では、図３に示すように、液晶セル１を加熱装置２に装着する。すなわち、加熱装置２の下部電極３１及び上部電極３２を、上記ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２を挟むように対向配置させる。このとき、シール部材２７の全ての部分は、下部電極３１及び上部電極３２の双方に重なっている。
【００４９】
加熱工程では、液晶セル１を高周波加熱する。具体的には、高周波電源３５を駆動し、高周波発生回路３６で高周波電圧を発生させる。上記高周波電圧は、同調回路３７によって、シール部材２７の損失係数に応じた所定の周波数に同調された後に、下部電極３１及び上部電極３２に印加される。このことにより、下部電極３１と上部電極３２との間に、所定の周波数の高周波電界が発生し、液晶セル１の周縁領域に設けられたシール部材２７が高周波加熱される。
【００５０】
分離工程では、ＴＦＴ基板１１と対向基板１２とを分離させる。すなわち、シール部材２７は加熱されることにより、各基板１１，１２の間における接着強度が低下している。したがって、各基板１１，１２同士は、シール部材２７において容易に分離される。具体的には、一方の基板を他方の基板に対してスライド移動させて分離させることが好ましい。また、一方の基板を真空チャック等の吸着手段により吸着保持し、他方の基板から引き剥がして分離させてもよい。
【００５１】
−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、下部電極３１と上部電極３２との間に高周波電界を発生させることにより、液晶セル１におけるＴＦＴ基板１１と対向基板１２との間のシール部材２７を高周波加熱することができる。その結果、加熱によりシール部材２７の強度を低下させることができるため、その強度が低下したシール部材２７において各基板１１，１２同士を分離させることにより、液晶セル１を容易に分解することができる。
【００５２】
すなわち、液晶セル１を構成する基板自体を破壊することなく、液晶セル１を分解できるため、基板材料であるガラスを種別毎に容易に回収することができる。したがって、ガラスを種別毎に容易にリサイクルすることができる。そのことに加え、本実施形態では、液晶セル１を分解する目的で超臨界水や溶媒等を用いないため、液晶セル１の分解に伴う廃液の発生を防止でき、環境負荷の低減を図ることができる。
【００５３】
《発明の実施形態２》
図５及び図６は、本発明に係る液晶セル１の分解方法、及びそれに用いる加熱装置の実施形態２を示している。図６は液晶セル１が装着された加熱装置２の平面図を示し、図５は図６におけるV−V線断面図を示している。尚、以下の各実施形態では、図１〜図４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００５４】
本実施形態では、上記一対の電極である下部電極３１及び上部電極３２の少なくとも一方は、液晶セル１の中央領域に対応する領域に開口部を有する点で、上記実施形態１と異なっている。
【００５５】
図５及び図６に示すように、加熱装置２における上部電極３２の中央領域には、矩形状の開口部４１が形成されている。開口部４１は、図５に示すように、上部電極３２を上下に貫通している。つまり、上部電極３２は矩形リング状に形成されている。そして、リング状に残された電極部分が、液晶セル１の周縁領域に設けられたシール部材２７と重なるようになっている。一方、下部電極３１には開口部は形成されていない。
【００５６】
上記加熱装置２により液晶セル１を分解する場合には、上記実施形態１と同様に、電極配置工程、加熱工程、及び分離工程を行う。本実施形態では、上部電極３２に開口部４１が形成されているので、主にリング状の上部電極３２と、このリング部分に対応する下部電極３１の領域との間で高周波電界が発生する。
【００５７】
−実施形態２の効果−
したがって、加熱工程において、シール部材２７が設けられている液晶セル１の周縁領域を集中して加熱することができるため、加熱効率を向上してエネルギーロスを低減させることができる。また、処理時間の短縮を図ることも可能となる。
【００５８】
また、実際には、上記実施形態１の加熱工程では、シール部材２７だけでなく、それ以外のガラス基板２１，２５や液晶層１３もある程度加熱されて昇温する。特に、液晶層１３は、過剰に加熱されると、膨張してガラス基板２１，２５を破損させる虞れがあるが、本実施形態では、上部電極３２に開口部４１を設けることにより、液晶セル１の中央領域が不必要に加熱されないため、ガラス基板２１，２５の膨張による破損を未然に防止することができる。尚、本実施形態は、ガラス基板が変形し易い中型又は大型の液晶表示パネルに用いられる液晶セル１に対して好適である。
【００５９】
《発明の実施形態３》
図７は、本発明に係る液晶セル１の分解方法、及びそれに用いる加熱装置の実施形態３を示している。図７は液晶セル１が装着された加熱装置２の断面図を示している。
【００６０】
本実施形態では、下部電極３１及び上部電極３２の双方に開口部４１，４２が形成されている。図７に示すように、下部電極３１は、上部電極３２と略同じ形状の矩形リング状に形成されている。すなわち、下部電極３１の開口部４２は、上部電極３２の開口部４１に対し、上下に対応するように形成されている。つまり、下部電極３１のリング状に残された電極部分が、上部電極３２のリング状に残された電極部分に対応して重なるようになっている。そして、シール部材２７は、上記リング状の下部電極３１及び上部電極３２の双方に重なっている。
【００６１】
したがって、本実施形態によると、上記実施形態２と同様に、互いにリング状に形成された下部電極３１と上部電極３２との間で、シール部材２７を効率よく加熱することができる。
【００６２】
ところで、下部電極３１に開口部４２が設けられていない場合には、下部電極３１の中央領域の電極部分と、リング状の上部電極３２との間で、僅かに高周波電界が生じてしまう。その結果、液晶セル１の中央領域が加熱されてしまう虞れがある。これに対し、本実施形態では、双方の電極３１，３２に開口部４１，４２を設けているので、高周波加熱による液晶セル１の中央領域の昇温を抑制することができる。尚、本実施形態は、ガラス基板が非常に変形し易い大型の液晶表示パネルに用いられる液晶セル１に対し、好適である。
【００６３】
《発明の実施形態４》
図８及び図９は、本発明に係る液晶セル１の分解方法、及びそれに用いる加熱装置の実施形態４を示している。図９は液晶セル１が装着された加熱装置２の平面図を示し、図８は図６におけるVIII−VIII線断面図を示している。
【００６４】
本実施形態は、上記実施形態３に対し、下部電極３１及び上部電極３２の各開口部４１，４２に対し、補助電極４５，４６をそれぞれ配置するようにしたものである。
【００６５】
補助電極４５は、上部電極３２の開口部４１における中央領域に配置される一方、補助電極４６は、下部電極３１の開口部４２における中央領域に配置されている。このことにより、補助電極４５，４６は、液晶セル１を介して互いに対向するようになっている。
【００６６】
上記補助電極４５，４６は、それぞれ高周波電源３５に接続されている。本実施形態では、補助電極４５，４６は、高周波電源３５に対し、下部電極３１及び上部電極３２と並列に接続されている。そして、下部電極３１及び上部電極３２の間で発生する高周波電界と同じ電界を発生させるようになっている。ただし、補助電極４５，４６の大きさは、図９に示すように、開口部４１，４２の開口面積よりも小さくなっており、液晶セル１の中央領域における液晶層１３を局部的に加熱するように構成されているため、補助電極４５，４６による液晶セル１の加熱量は、比較的小さいものとなる。
【００６７】
尚、本実施形態では、補助電極４５，４６を、１つの高周波電源３５に対して、下部電極３１及び上部電極３２に並列に接続するようにしたが、補助電極４５，４６に専用の高周波電源を別個に設けるようにしてもよい。このことにより、補助電極４５，４６の間に発生させる高周波電界を、独立に制御することが可能となる。
【００６８】
したがって、本実施形態によると、上記補助電極４５，４６を設けることにより、液晶セル１における周縁領域のシール部材２７を集中して加熱できることに加え、液晶セル１の中央領域における液晶層１３を局部的に加熱することができる。このことにより、局部的に加熱された液晶層を、僅かに膨張させてＴＦＴ基板１１及び対向基板１２をそれぞれ外側へ押圧することが可能となる。その結果、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２を分離させるために加える外力が小さくて済むため、液晶セル１をさらに容易に分解することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上説明したように、本発明は、液晶表示パネルにおける液晶セルの分解方法、及びそれに用いる加熱装置について有用であり、特に、基板材料の種別の回収が容易であり、且つ廃液を生じさせない方法により、液晶セルを分解する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】液晶セルを示す断面図である。
【図２】液晶セルの外観を示す平面図である。
【図３】実施形態１の加熱装置を示す断面図である。
【図４】実施形態１の加熱装置の外観を示す平面図である。
【図５】実施形態２の加熱装置を示す断面図である。
【図６】実施形態２の加熱装置の外観を示す平面図である。
【図７】実施形態３の加熱装置を示す断面図である。
【図８】実施形態４の加熱装置を示す断面図である。
【図９】実施形態４の加熱装置の外観を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１    液晶セル
２    加熱装置
１１    ＴＦＴ基板（基板）
１２    対向基板（基板）
１３    液晶層
２７    シール部材
３１    下部電極（電極）
３２    上部電極（電極）
３５    高周波電源
３６    高周波発生回路
３７    同調回路
４１，４２    開口部
４５，４６    補助電極
【図１】
2005227587.tif 000003
【図２】
2005227587.tif 000004
【図３】
2005227587.tif 000005
【図４】
2005227587.tif 000006
【図５】
2005227587.tif 000007
【図６】
2005227587.tif 000008
【図７】
2005227587.tif 000009
【図８】
2005227587.tif 000010
【図９】
2005227587.tif 000011