(57)【要約】【課題】波長４５０ｎｍ以下の短波長のレーザー光、とりわけ汎用性の高い波長４０５ｎｍ近辺の半導体レーザー光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、かつ優れた記録特性を有する光情報記録媒体及び該光情報記録媒体に適する新規なフタロシアニン誘導体を提供する。【解決手段】基板上にレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層が１分子内に２つ以上のフタロシアニン骨格を有する化合物を含有する光情報記録媒体。また、新規なフタロシアニン誘導体は下記一般式で示される。  【化１】2005288953.tif 000031  式中、M601はランタノイド、アクチノイド、錫、又はインジウムを表す。R601は水素原子又は置換基を表し、ｎ601は1〜16の整数を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層が１分子内に２つ以上のフタロシアニン骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
該化合物が、下記一般式（I）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）のいずれかで表されるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【化１】
2005288953.tif 000025
一般式（I）において、R101〜R112はベンゼン環に結合する水素原子以外の置換基を表し、p101〜p112は各々独立に０〜４の整数を表し、n11、 n12、 n13は（ n11, n12,n13）=(2,0,0)、(1,1,0)、(1,1,1)のいずれかを表し、M11、M12は金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【化２】
2005288953.tif 000026
一般式（ＩＩ）において、R201〜R208はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p201〜p208は各々独立に0〜4を表し、L201は金属に結合する連結基を表し、M201、M202は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【化３】
2005288953.tif 000027
一般式（ＩＩＩ）において、R301〜R308はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p301〜p303、p305〜p307は各々独立に0〜4を表し、p304およびp308は各々独立に0〜3を表し、L301はベンゼン環に結合する連結基を表し、M301、M302は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【化４】
2005288953.tif 000028
R401〜R407はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p401〜p 406は各々独立に0〜4を表し、p407は０〜２を表し、M401、M402は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【請求項３】
一般式（I）のR101〜R112の少なくとも１つ、一般式（ＩＩ）のR201〜R208の少なくとも１つ、一般式（ＩＩＩ）のR301〜R308の少なくとも１つ、一般式（ＩＶ）のR401〜R406の少なくとも１つが下記一般式(Ｖ)、または一般式（ＶＩ）で表される置換基であることを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。
【化５】
2005288953.tif 000029
一般式(Ｖ)、一般式（ＶＩ）においてR501、R502、R503は水素または置換基を表す。
【請求項４】
一般式（I）で表されるフタロシアニン誘導体のM11、M12で表される中心金属がランタノイド、アクチノイド、錫、インジウム、またはその酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項２または３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）で表されるフタロシアニン誘導体のM201、M202、M301、M302、M401、M402で表される中心金属がマグネシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、錫、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、珪素、燐、またはその酸化物のいずれかであり、さらに配位子を有していてもよい請求項２〜３に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
一般式（Ｖ）、一般式（ＶＩ）で表される置換基がフタロシアニン誘導体のα位に置換されていることを特徴とする請求項２〜５に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられている請求項１〜６に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
記録層とは別に保護層が設けられている請求項１〜７に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
基板が、その表面にトラックピッチ０．０５〜０．５μｍのプレグルーブを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プレグルーブが形成された側の表面に設けられている請求項１〜８に記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかの項に記載の光情報記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザー光を照射して情報を記録する情報記録方法。
【請求項１１】
下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物。
【化６】
2005288953.tif 000030
式中、M601はランタノイド、アクチノイド、錫、またはインジウムのいずれかを表す。R601は水素または置換基を表し、p601は1〜16の整数を表す。なお、一般式（ＶＩＩ）の化合物は-SO2-R601で表される以外の置換基を有していても良い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を用いて情報の記録および再生が可能な光情報記録媒体および情報記録方法、およびこれに適した新規化合物に関するものである。特に本発明は、波長４５０ｎｍ以下の短波長レーザー光を用いて情報を記録するのに適したヒートモード型の光情報記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザー光により一回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金などの金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザー光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００３】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザー光（630nm〜680nm）を記録用レーザーとして高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度までは確保されるものの、将来の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有しているとは言えない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長のレーザー光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザーを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称する光記録ディスクが市販された。
【０００４】
有機色素を含む記録層を有する光情報記録媒体において、記録層側から光反射層側に向けて波長５３０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより、情報の記録再生を行う記録再生方法が開示されている。具体的には、記録層の色素として、ポルフィリン化合物、アゾ系色素、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素、トリメチンシアニン色素、ジシアノビニルフェニル骨格色素、クマリン化合物、ナフタロシアニン化合物等を用いた光ディスクに、青色（波長４００〜４３０ｎｍ、４８８ｎｍ）又は青緑色（波長５１５ｎｍ）のレーザー光を照射することにより情報の記録再生を行う情報記録再生方法が提案されている。
これら青色レーザー光記録ディスク用の色素の先行技術として以下の特許文献に記載のものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００１−２８７４６０号公報
【特許文献２】特開２００１−２８７４６５号公報
【特許文献３】特開２００１−２５３１７１号公報
【特許文献４】特開２００１−３９０３４号公報
【特許文献５】特開２０００−３１８３１３号公報
【特許文献６】特開２０００−３１８３１２号公報
【特許文献７】特開２０００−２８０６２１号公報
【特許文献８】特開２０００−２８０６２０号公報
【特許文献９】特開２０００−２６３９３９号公報
【特許文献１０】特開２０００−２２２７７２号公報
【特許文献１１】特開２０００−２２２７７１号公報
【特許文献１２】特開２０００−２１８９４０号公報
【特許文献１３】特開２０００−１５８８１８号公報
【特許文献１４】特開２０００−１４９３２０号公報
【特許文献１５】特開２０００−１０８５１３号公報
【特許文献１６】特開２０００−１１３５０４号公報
【特許文献１７】特開２００２−３０１８７０号公報
【特許文献１８】特開２００１−２８７４６５号公報
【特許文献１９】米国特許出願公開第２００２／７６６４８Ａ１号明細書
【特許文献２０】特開２００３−９４８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者の検討によれば、上記文献に記載された公知の色素を使用した光ディスクでは記録特性が満足できるレベルではなく、とりわけ記録感度、および色素の塗布用溶媒に対する溶解性において更に改良を要することが判明した。本発明者らは、上記の問題が特定の構造の色素を使用すると解決できることを見出した。
【０００６】
本発明は、４５０ｎｍ以下のレーザー光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、とりわけ記録感度に優れた光情報記録媒体を提供することにある。又、そのような光情報記録媒体を作製することのできる色素化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。
[1] 基板上にレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層が１分子内に２つ以上のフタロシアニン骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有する光情報記録媒体。
[2] 該化合物が、下記一般式（I）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）のいずれかで表されるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする[1]記載の光情報記録媒体。
【０００８】
【化１】
2005288953.tif 000002
【０００９】
一般式（I）において、R101〜R112はベンゼン環に結合する水素原子以外の置換基を表し、p101〜p112は各々独立に０〜４の整数を表し、n11、 n12、 n13は（ n11, n12,n13）=(2,0,0)、(1,1,0)、(1,1,1)のいずれかを表し、M11、M12は金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【００１０】
【化２】
2005288953.tif 000003
【００１１】
一般式（ＩＩ）において、R201〜R208はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p201〜p208は各々独立に0〜4を表し、L201は金属に結合する連結基を表し、M201、M202は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【００１２】
【化３】
2005288953.tif 000004
【００１３】
一般式（ＩＩＩ）において、R301〜R308はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p301〜p303、p305〜p307は各々独立に0〜4を表し、p304およびp308は各々独立に0〜3を表し、L301はベンゼン環に結合する連結基を表し、M301、M302は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
【００１４】
【化４】
2005288953.tif 000005
【００１５】
R401〜R407はベンゼン環に結合する水素以外の置換基を表し、p401〜p 406は各々独立に0〜4を表し、p407は０〜２を表し、M401、M402は各々独立に金属またはその酸化物を表し、さらに配位子を有していても良い。
[3] 一般式（I）のR101〜R112の少なくとも１つ、一般式（ＩＩ）のR201〜R208の少なくとも１つ、一般式（ＩＩＩ）のR301〜R308の少なくとも１つ、一般式（ＩＶ）のR401〜R406の少なくとも１つが下記一般式(Ｖ)、または一般式（ＶＩ）で表される置換基であることを特徴とする[2]に記載の光情報記録媒体。
【００１６】
【化５】
2005288953.tif 000006
【００１７】
一般式(Ｖ)、一般式（ＶＩ）においてR501、R502、R503は水素または置換基を表す。
[4] 一般式（I）で表されるフタロシアニン誘導体のM11、M12で表される中心金属がランタノイド、アクチノイド、錫、インジウム、またはその酸化物のいずれかである[２]、[ ３]に記載の光情報記録媒体。
[5] 一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）で表されるフタロシアニン誘導体のM201、M202、M301、M302、M401、M402で表される中心金属がマグネシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、錫、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、珪素、燐、またはその酸化物のいずれかであり、さらに配位子を有していてもよい[２] 、[３]に記載の光情報記録媒体。
[6] 一般式（Ｖ）、一般式（ＶＩ）で表される置換基がフタロシアニン誘導体のα位に置換されていることを特徴とする[２]〜[５]に記載の光情報記録媒体。
[7] 記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられている[1]〜[6]に記載の光情報記録媒体。
[8] 記録層とは別に保護層が設けられている[１]〜[７]に記載の光情報記録媒体。
[9] 基板が、その表面にトラックピッチ０．０５〜０．５μｍのプレグルーブを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プレグルーブが形成された側の表面に設けられている[１]〜[８]に記載の光情報記録媒体。
[10] [１]〜[９]のいずれかの項に記載の光情報記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザー光を照射して情報を記録する情報記録方法。
[11] 下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物。
【００１８】
【化６】
2005288953.tif 000007
【００１９】
式中、M601はランタノイド、アクチノイド、錫、またはインジウムのいずれかを表す。R601は水素または置換基を表し、p601は1〜16の整数を表す。なお、一般式（ＶＩＩ）の化合物は-SO2-R601で表される以外の置換基を有していても良い。
[12] M601がランタノイド（好ましくはユーロピウム、またはセリウム）であり、R601が炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基であり、p601が１である[11]記載の化合物。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の光情報記録媒体は、特定のフタロシアニン誘導体を記録層の記録材料として用いることにより、波長４５０ｎｍ以下の短波長レーザー光、とりわけ汎用性の高い４０５ｎｍ付近のレーザー光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、かつ高反射率、高変調度といった良好な記録再生特性を有する、という効果を奏する。即ち、従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒよりも高密度での情報の記録が可能となり、更に大容量の情報の記録が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の光情報記録媒体及び情報記録方法の実施の形態、および化合物について詳細に説明する。
【００２２】
本発明の光情報記録媒体は、基板上にレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層が１分子内に２つ以上のフタロシアニン骨格を有する化合物を含有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の１分子内に２つ以上のフタロシアニン骨格を有する化合物の好ましい形態は、一般式（I）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）であり、より好ましい形態は一般式（I）である。
【００２４】
一般式（I）の好ましい形態は一般式（ＶＩＩ）である。
【００２５】
一般式（I）について説明する。R101〜R112は各々独立にベンゼン環に結合する水素原子以外の置換基を表す。例として、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アリールアミノ基等を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が挙げられる。また、R101〜R112は互いに連結して環を形成しても良い。
【００２６】
更に詳しくは、R101〜R112としてハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｓ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、ピリジル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチ���フェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ、m-ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、t-ブチルスルホニル、s-ブチルスルホニル、フェニルスルホニル、ピリジルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）が挙げられる。
【００２７】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。また、R101〜R112は更に置換基によって置換されて
いても良い。
【００２８】
R101〜R112として好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、５または６員の置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基であり、より好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、５または６員の置換もしくは無置換のヘテロ環基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基であり、さらに好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基である。
【００２９】
p101〜p112は各々独立に０〜４の整数を表す。p101〜p112は１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２がさらに好ましい。
【００３０】
p101〜p112が２〜４の整数のとき、複数個存在するR101〜R112はそれぞれ同じであっても異なっていても良い（例えばp101が4のとき、４つのR10 1は同じであっても異なっていても良い）。
【００３１】
n11、 n12、 n13は（ n11, n12,n13）=(2,0,0)、(1,1,0)、(1,1,1)のいずれかを表す。
好ましくは（ n11, n12,n13）=(2,0,0)、(1,1,0)であり、より好ましくは（ n11, n12,n13）=(2,0,0)である。
【００３２】
M11、M12は各々独立にランタノイド（ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム）、アクチノイド（アクチニウム、トリウム、プロトアクチニウム、ウラン、ネプツニウム、プルトニウム、アメリシウム、キュリウム、バークリウム、カリホルニウム、アインスタニウム、フェルミウム、メンデレビウム、ノーベリウム、ローレンシウム）、錫、インジウム、またはその酸化物のいずれかを表し、さらに配位子を有していても良い。
【００３３】
M11、M12としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、錫が好ましく、ランタン、セリウム、ユーロピウム、ルテチウム、錫がより好ましい。
【００３４】
R201〜R208は前記R101〜R112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３５】
p201〜p206は前記p101〜p112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３６】
L201はベンゼン環に結合する連結基または単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。連結基中にフタロシアニン骨格を有していても良い。
【００３７】
L201は単結合、酸素原子連結基、硫黄原子連結基が好ましい。
【００３８】
M201、M202は各々独立に金属またはその酸化物、珪素、燐のいずれかを表し、さらに配位子を有していても良い。金属としては特に限定されないが、マグネシウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、コバルト、マンガン、バナジウム、パラジウム、銀、錫、金、白金、バリウムが好ましく、マグネシウム、銅、マンガン、バナジウム、パラジウム、銀がより好ましく、マグネシウム、銅、マンガンがさらに好ましく、マグネシウム、銅が特に好ましい。
【００３９】
一般式（ＩＩＩ）について説明する。R301〜R308は前記R101〜R112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４０】
p301〜p303、p305〜p307は前記p101〜p112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４１】
p304、p308は0〜3を表す。p304、p308は１〜３が好ましく、１〜２がより好ましく、１がさらに好ましい。
【００４２】
M301、M302は前記M201、M202と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４３】
L301はベンゼン環に結合する連結基または単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【００４４】
L301はそれぞれ単結合、酸素原子連結基、硫黄原子連結基が好ましい。
【００４５】
一般式（ＩＶ）について説明する。R401〜R407は前記R101〜R112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４６】
p401〜p406は前記p101〜p112と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４７】
p407は0〜2を表す。p407は０または１が好ましく、０がより好ましい。
【００４８】
M401、M402は前記M201、M202と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４９】
一般式（Ｖ）について説明する。R501は水素原子または置換基を表し、置換基の例として、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シリル基が挙げられる。
【００５０】
R501としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルバモイル基が好ましく、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基がより好ましく、アルキル基、アリール基がさらに好ましい。
【００５１】
一般式（ＶＩ）について説明する。R502、R503は水素原子または置換基を表し、例として、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、カルボキシル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基が挙げられる。また、R502、R503は互いに連結して環を形成しても良い。
【００５２】
R502、R503としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基が好ましく、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００５３】
一般式（ＶＩＩ）について説明する。R601は置換基を表し、例として前記R 501の例として挙げられた置換基、およびアミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基（好ましくはアニリノ基）、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）が挙げられる。
【００５４】
R601は水素原子または置換基を表し、R601の好ましい範囲は、R501の好ましい範囲と同じである。
【００５５】
M601は前記M11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００５６】
p601は前記p101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００５７】
一般式（ＶＩＩ）について特に好ましくは、R601が炭素数１から３０の置換または無置換のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基であり、p601が１であり、M601がユーロピウム、またはセリウムである。
【００５８】
フタロシアニン誘導体に置換される一般式（ＩＩ）の置換位置はフタロシアニン環のα位であることが好ましい。フタロシアニン環のα位とは、一般にフタロシアニン環を形成する部分構造であるベンゾピロール環においてピロール環に近い側の置換位置を指し、具体的には下記フタロシアニン一般構造においてＲα1〜Ｒα8が置換している位置である。  なお下記一般構造においてＲa1〜Ｒa8、Ｒb1〜Ｒb8の互いに隣接するものは環を形成しても良いが、Ｒa1〜Ｒa8、Ｒb1〜Ｒb8はすべて環を形成していないものであることが好ましい。
【００５９】
【化７】
2005288953.tif 000008
【００６０】
本発明のフタロシアニン誘導体は一般式（Ｖ）、一般式（ＶＩ）以外の置換基を有していてもよく、その例としてはR101〜R112の例として挙げたものが挙
げられる。
【００６１】
本発明のフタロシアニン誘導体は任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。
【００６２】
本発明のフタロシアニン誘導体は、特定の誘導体単独で使用してもよく、また構造の異なったものを複数種混合して用いてもよい。特に記録層の結晶化を防ぐ目的で、置換基の置換位置が異なる異性体の混合物を使用することが好ましい。
【００６３】
以下に、本発明で用いられるフタロシアニン誘導体の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６４】
【化８】
2005288953.tif 000009
【００６５】
【化９】
2005288953.tif 000010
【００６６】
【化１０】
2005288953.tif 000011
【００６７】
【化１１】
2005288953.tif 000012
【００６８】
【化１２】
2005288953.tif 000013
【００６９】
【化１３】
2005288953.tif 000014
【００７０】
【化１４】
2005288953.tif 000015
【００７１】
【化１５】
2005288953.tif 000016
【００７２】
【化１６】
2005288953.tif 000017
【００７３】
下記フタロシアニン一般構造（MPｃ）において、Rはα位に置換していることを表す。
【００７４】
【化１７】
2005288953.tif 000018
【００７５】
本発明に用いられるフタロシアニン誘導体は、例えば白井−小林共著、（株）アイピーシー発行「フタロシアニン−化学と機能−」（Ｐ．１〜６２）、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共著、ＶＣＨ発行‘Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ’（Ｐ．１〜５４）、非特許文献１、２、３等に記載、引用もしくはこれらに類似の方法により合成することができる。
〔非特許文献１〕  Johann W.Buchler et., Chem.Ber., 122, 2219-2228(1989)
〔非特許文献２〕Georgios K. Tsikalas, Athanassions G. Coutsolelos,Inorg. Chem., 42, 6801-6804(2003)
〔非特許文献３〕Naoto Ishikawa, Youkoh Kaizu, Coodination Chemistry Reviews, 226, 93-101(2002)
【００７６】
＜光情報記録媒体＞
本発明の光情報記録媒体は、様態[1]：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層と、をこの順に有する光情報記録媒体または様態[2]：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板と、をこの順に有する光情報記録媒体であることが好ましい。様態[1]においては前記基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、様態[2]においては前記基板に形成されるのプリグルーブのトラックピッチが２００〜６００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜２００ｎｍであり、ウォブル振幅が１０〜５０ｎｍであることが好ましい。
様態[1]の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層を有する様態であり、まずこれらに必須の部材について順に説明する。
【００７７】
〔様態[1]の基板〕
好ましい様態[1]の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【００７８】
プリグルーブのトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
トラックピッチが５０ｎｍ未満では、プリグルーブを正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、５００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【００７９】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２００ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝幅が２５ｎｍ未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、２５０ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【００８０】
プリグルーブの溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が１００ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝深さが５ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、１５０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【００８１】
また、プリグルーブの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることが更に好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、成型が困難となる。
【００８２】
本発明において用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。
また、基板の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であることを要し、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
【００８３】
なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
該下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００８４】
〔様態[1]の追記型記録層〕
好ましい様態[1]の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【００８５】
塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００８６】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２３〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜３５℃の範囲であることが特に好ましい。
【００８７】
このようにして形成された追記型記録層の厚さは、グルーブ（前記基板において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、７０ｎｍ以上であることが更に好ましく、９０ｎｍ以上であることが特に好ましい。
また、追記型記録層の厚さは、ランド上（前記基板において凹部）で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限値としては、７０ｎｍ以上であることが好ましく、９０ｎｍ以上であることがより好ましく、１１０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
更に、グルーブ上の追記型記録層の厚さ／ランド上の追記型記録層の厚さの比は、０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．６以上であることが更に好ましく、０．７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることが更に好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【００８８】
塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。追記型記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（質量比）の範囲にある。
【００８９】
また、追記型記録層には、該追記型記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、及び同６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【００９０】
〔様態[1]のカバー層〕
好ましい様態[1]のカバー層は、上述した追記型記録層又は後述するバリア層上に、接着剤や粘着材を介して貼り合わされる。
本発明において用いられるカバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【００９１】
また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されて
いてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００９２】
カバー層の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長やＮＡにより、適宜、規定されるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層と、接着剤又は粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（ハードコート層）が設けられていてもよい。
【００９３】
カバー層を貼り合せるために用いられる接着剤は、例えばＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）社製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【００９４】
接着剤は、例えば、バリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
このような接着剤からなる接着剤層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【００９５】
また、カバー層を貼り合せるために用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【００９６】
上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。かかるイソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。
【００９７】
粘着剤は、バリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
このような粘着剤からなる粘着剤層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【００９８】
〔様態[1]におけるその他の層〕
好ましい様態[1]の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層形成面側に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（後述）、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（後述）、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、かかるレーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂などを用いて形成される。
なお、これら必須及び任意の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。
【００９９】
〔様態[1]における光反射層〕
好ましい様態[1]の光情報記録媒体において、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。
光反射層は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【０１００】
反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌあるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇあるいはこれらの合金である。
【０１０１】
〔様態[1]におけるバリア層（中間層）の形成工程〕
好ましい様態[1]の光情報記録媒体においては、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好ましい。
該バリア層は、追記型記録層の保存性を高める、追記型記録層とカバー層との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。
バリア層に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＺｎＳ、ＭｏＯ2、ＧｅＯ2、ＴｅＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｕＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3が好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3がより好ましい。
【０１０２】
また、バリア層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることが更に好ましい。
本発明におけるバリア層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。
【０１０３】
次に好ましい様態[2]の光情報記録媒体について説明する。
ここで、様態[2]の光情報記録媒体は、貼り合わせ型の層構成を有する光情報記録媒体であり、その代表的な層構成としては、下記の通りである。
（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設ける構成である。
（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設ける構成である。
（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設ける構成である。
（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設ける構成である。
（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設ける構成である。
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、当該層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもかまわない。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。更に、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
本発明の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板をこの順に有する構成のものを例にとって、以下にその説明をする。
【０１０４】
〔様態[2]の基板〕
好ましい様態[2]における基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０１０５】
プリグルーブのトラックピッチは、２００〜６００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が５００ｎｍ以下であることが好ましく、４５０ｎｍ以下であることがより好ましく、４３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
トラックピッチが２００ｎｍ未満では、プリグルーブを正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、６００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【０１０６】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２５０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましく、１８０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝幅が５０ｎｍ未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、３００ｎｍを超えると、記録時に形成
されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【０１０７】
プリグルーブの溝深さは、３０〜２００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が１７０ｎｍ以下であることが好ましく、１４０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝深さが３０ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、２００ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【０１０８】
好ましい様態[2]において用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができ、具体例及び好ましい例は様態[1]の基板と同様である。
また、基板の厚さは、０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０１０９】
なお、後述する追記型記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましく、該下塗層の材料、塗布法及び層厚の具体例及び好ましい例は様態[1]の下塗層と同様である。
【０１１０】
〔様態[2]の追記型記録層〕
好ましい様態[2]の追記型記録層に関する詳細な説明は、様態[1]の追記型記録層に関するものと同様である。
【０１１１】
〔様態[2]の光反射層〕
好ましい様態[2]において、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層上に光反射層を形成することがある。様態[2]の光反射層に関する詳細は様態[1]の光反射層と同様である。
【０１１２】
〔様態[2]の接着層〕
好ましい様態[2]における接着層は、上記光反射層と、保護基板との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、なかでもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−３４７」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【０１１３】
〔様態[2]の保護基板〕
好ましい様態[2]における保護基板（ダミー基板）は、上述した基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板の厚さとしては、厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０１１４】
〔様態[2]の保護層〕
好ましい様態[2]の光情報記録媒体は、その層構成によっては、光反射層や追記型記録層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【０１１５】
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【０１１６】
〔様態[2]のその他の層〕
好ましい様態[2]の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層の詳細な説明は様態[1]のその他の層と同様である。
【０１１７】
＜光情報記録方法＞
本発明の光情報記録方法は、好ましい様態[1]または[2]の光情報記録媒体用いて、例えば、次のように行われる。まず光情報記録媒体を定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、基板側あるいは保護層側から半導体レーザー光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。本発明においては、記録光として３９０〜４５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザー光が用いられる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザー光を挙げることができる。特に記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザー光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【実施例】
【０１１８】
次に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１１９】
［実施例１］
化合物（１）の合成
［化合物（P）の合成］
化合物（P）は白井−小林共著、（株）アイピーシー発行「フタロシアニン−化学と機能−」（Ｐ．１〜６２）、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共著、ＶＣＨ発行‘Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ’（Ｐ．１〜５４）等に記載の方法により合成することができる。
【０１２０】
【化１８】
2005288953.tif 000019
【０１２１】
［化合物（１）の合成］
化合物（P）１g、Tris(2,4-pentanedionate)cerium(ＩＩＩ)trihydrate２ｇに1,2,4-トリクロロベンゼン３０ｍｌを加え、１９０℃で８時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却してヘキサン１００ｍｌを加え生じる沈殿を濾取し、ジクロロメタン／メタノール＝９／１溶液を溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（１）２１０mgを得た。MALDI-MSにより構造を確認した。
lmax=650nm(CHCl3)
【０１２２】
【化１９】
2005288953.tif 000020
【０１２３】
［実施例２］
［化合物（２）の合成］
化合物（P）1．2g、Europium(ＩＩＩ)acetylacetone hydrate 2.17ｇに1,2,4-トリクロロベンゼン３０ｍｌを加え、１９０℃で８時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却してヘキサン１００ｍｌを加え生じる沈殿を濾取し、ジクロロメタン／メタノール＝９／１溶液を溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（２）140mgを得た。MALDI-MSにより構造を確認した。
lmax=626.5nm(CHCl3)
【０１２４】
【化２０】
2005288953.tif 000021
【０１２５】
［実施例３］
＜光情報記録媒体１の製造＞
（基板の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：オングルーブ幅１２０ｎｍ、溝深さ：３５ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行なわれた。
【０１２６】
（光反射層の形成）
基板上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＰＣ光反射層（Ａｇ：９８．１質量％、Ｐｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１．０質量％）を形成した。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
【０１２７】
（追記型記録層の形成）
表１に示す化合物（１）〜（４）および比較化合物（Ａ）２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、光反射層上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して、追記型記録層（グルーブ上の厚さ１２０ｎｍ、ランド上の厚さ１７０ｎｍ）を形成した。
【０１２８】
追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。
【０１２９】
（バリア層の形成）
その後、追記型記録層上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＲＦスパッタリングによりＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝７：３（質量比））からなる、厚さ５ｎｍのバリア層を形成した。
【０１３０】
（カバー層の貼り合わせ）
カバー層としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着剤が塗設してあるポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着剤層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。
そして、バリア層上に、該バリア層と粘着剤層とが当接するようにカバー層を載置した後、そのカバー層を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。
これにより、実施例１〜４  、比較例１の光情報記録媒体が作製された。
【０１３１】
＜光情報記録媒体１の評価＞
（１）Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０５ｎｍレーザ、ＮＡ０．８５ピックアップを積んだ記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速５．２８ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生しスペクトルアナライザー（パルステックＭＳＧ２）にて（記録後の）Ｃ／Ｎを測定した。なお、本評価は、本発明の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー５．２ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷであった。結果を表１に示す。ここで、（記録後の）Ｃ／Ｎが２５ｄＢ以上であると、再生信号強度が十分であり、実用上好ましいことを指す。
【０１３２】
【表１】
2005288953.tif 000022
【０１３３】
表１の結果から、本発明の特徴とする一般式（Ｉ）で表される置換基を有するフタロシアニン誘導体を含有する記録層を有する光ディスク（実施例１〜４）は、比較化合物Ａを含む記録層を有する光ディスク（比較例１）に比べて、上記青紫色半導体レーザー光に対して高い記録感度を示し、２，２，３，３−テトラフロロプロパノールに対する溶解性も高いことがわかる。
【０１３４】
【化２１】
2005288953.tif 000023
【０１３５】
＜光情報記録媒体２の製造＞
（基板の作製）
厚さ０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：４００ｎｍ、溝幅：１７０ｎｍ、溝深さ：１００ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行なわれた。
【０１３６】
（追記型記録層の形成）
表２に示す化合物（１）〜（４）、および比較化合物（Ａ）２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。  そして、基板上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して、追記型記録層（グルーブ上の厚さ１７０ｎｍ、ランド上の厚さ１２０ｎｍ）を形成した。
【０１３７】
追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。
【０１３８】
（光反射層の形成）
追記型記録層上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＰＣ光反射層（Ａｇ：９８．１質量％、Ｐｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１．０質量％）を形成した。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
【０１３９】
（保護基板の貼り合わせ）
光反射層上に、スピンコートにより、紫外線硬化樹脂（ＳＤ６６１、大日本インキ製）を塗布し、ポリカーボネート製の保護基板（プリグルーブを形成していない以外は上記基板と同様のもの）を貼り合わせ、紫外線を照射して、硬化させた。
作製した光情報記録媒体における紫外線硬化樹脂からなる接着層の厚さは、２５μｍであった。
これにより、実施例５〜８、比較例２の光情報記録媒体が作製された。
【０１４０】
＜光情報記録媒体２の評価＞
（１）Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０５ｎｍレーザ、ＮＡ０．６５ピックアップを積んだ記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６４．８ＭＨｚ、線速６．６ｍ／ｓにて、０．２μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生しスペクトルアナライザー（パルステックＭＳＧ２）にて（記録後の）Ｃ／Ｎを測定した。なお、本評価は、本発明の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー１２ｍＷ、再生パワー０．５ｍＷであった。結果を表２に示す。ここで、（記録後の）Ｃ／Ｎが２５ｄＢ以上であると、再生信号強度が十分であり、実用上好ましいことを指す。
【０１４１】
【表２】
2005288953.tif 000024
【０１４２】
表２の結果から、本発明の特徴とする一般式（Ｉ）で表される置換基を有するフタロシアニン誘導体を含有する記録層を有する光ディスク（実施例５〜８）は、比較化合物Ａを含む記録層を有する光ディスク（比較例２）に比べて、上記青紫色半導体レーザー光に対して高い記録感度を示すことがわかる。
【０１４３】
また、本発明により光情報記録媒体に好適な新規なフタロシアニン誘導体が提供された。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明の化合物は、光情報記録媒体以外、顔料、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。