(57)【要約】【課題】工数の増大を抑制しつつ、ウェハ内における半導体チップの位置を識別する。【解決手段】リペアヒューズ形成領域Ｒ１、Ｒ２および識別用ヒューズ形成領域Ｒ１１、Ｒ１２を各半導体チップ１、２のヒューズ形成領域３、４にそれぞれ設け、半導体チップ２の識別用ヒューズＨ１２が切断されるとともに、半導体チップ２以外の半導体チップ１の識別用ヒューズＨ２が非切断となるようにリペアコードを設定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに設けられたリペアヒューズと、
前記半導体チップに設けられ、ウェハ内における前記半導体チップの位置を特定する識別用ヒューズとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リペアヒューズは前記半導体チップに設けられた配線層に接続され、前記識別用ヒューズは電気的に浮いているか、または接地されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
リペアヒューズおよび識別用ヒューズをウェハ内の各半導体チップに形成する工程と、
リペアコードに基づいて、前記ウェハ内の特定の半導体チップのリペアヒューズおよび識別用ヒューズのレーザリペアを行う工程と、
前記レーザリペアされた識別用ヒューズを有する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
リペアヒューズをウェハ内の各半導体チップに形成する工程と、
ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードを発生させる工程と、
前記リペアコードに基づいて、前記ウェハ内の特定の半導体チップのリペアヒューズのレーザリペアを行う工程と、
前記レーザリペアされたリペアヒューズを有する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードは、有効チップ外の特定のアドレスのチップに付与されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードは、有効チップ内のチップに付与されるリペアコードとは異なることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウェハ内の各半導体チップに隣接するように配置された識別用ヒューズをスクライブライン上に形成する工程と、
リペアコードに基づいて、前記識別用ヒューズのレーザリペアを行う工程と、
前記レーザリペアされた識別用ヒューズに隣接する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ヒューズの切断状態の照合方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、ＩＣチップの不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするため、ＩＣチップのレーザリペアが行われている。そして、ＩＣチップのレーザリペアが行われると、レーザリペアが正しく行われたかどうかを確認するために、各ＩＣチップに設けられたリペアヒューズの切断状態とリペアコードとの照合が行われている。
【０００３】
ここで、ＩＣチップのレーザリペアは、複数のＩＣチップが配列されたウェハの状態で行われる。このため、どのリペアコードがどのＩＣチップに対応しているかを判断するためには、ウェハ内におけるＩＣチップの位置を正しく識別する必要がある。そして、ウェハ内におけるＩＣチップの位置が正しく識別できないと、間違ったリペアコードが個々のＩＣチップに付与され、正確なトリミングなどができなくなる。
【０００４】
一方、例えば、特許文献１には、ウェハ内におけるＩＣチップの位置を識別可能とするために、ウェハ内における全てのＩＣチップに識別番号を付与し、レーザを用いてその識別番号を各ＩＣチップに刻み込む方法が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２１４２７４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、各ＩＣチップに識別番号を刻み込む方法では、識別番号を刻み込むための工程を別途追加する必要があるとともに、ウェハ内における全てのＩＣチップにマーキングする必要があり、工数が著しく増大するという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、工数の増大を抑制しつつ、ウェハ内における半導体チップの位置を識別することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップに設けられたリペアヒューズと、前記半導体チップに設けられ、ウェハ内における前記半導体チップの位置を特定する識別用ヒューズとを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ウェハ内の特定の半導体チップの識別用ヒューズを切断するとともに、それ以外の半導体チップの識別用ヒューズを非切断とすることで、切断された識別用ヒューズを手掛かりとして特定の半導体チップの位置を認識することが可能となる。このため、特定の半導体チップの位置を基準としてウェハ内の全ての半導体チップの位置を識別することが可能となり、位置識別用のレーザマーキングをウェハ内の全ての半導体チップに施す必要がなくなるとともに、半導体チップのレーザリペア工程にて識別用ヒューズの切断を行うことが可能となり、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップのリペアヒューズの切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記リペアヒューズは前記半導体チップに設けられた配線層に接続され、前記識別用ヒューズは電気的に浮いているか、または接地されていることを特徴とする。
これにより、リペアヒューズを用いることで、半導体チップの不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりすることを可能としつつ、識別用ヒューズを用いてウェハ内における半導体チップの位置を識別することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、リペアヒューズおよび識別用ヒューズをウェハ内の各半導体チップに形成する工程と、リペアコードに基づいて、前記ウェハ内の特定の半導体チップのリペアヒューズおよび識別用ヒューズのレーザリペアを行う工程と、前記レーザリペアされた識別用ヒューズを有する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、半導体チップのレーザリペア工程にて識別用ヒューズの切断を行うことが可能となるとともに、識別用ヒューズの切断状態を参照することで特定の半導体チップの位置を認識することが可能となる。このため、特定の半導体チップの位置を基準としてウェハ内の全ての半導体チップの位置を識別することが可能となり、位置識別用のレーザマーキングをウェハ内の全ての半導体チップに施す必要がなくなることから、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップのリペアヒューズの切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、リペアヒューズをウェハ内の各半導体チップに形成する工程と、ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードを発生させる工程と、前記リペアコードに基づいて、前記ウェハ内の特定の半導体チップのリペアヒューズのレーザリペアを行う工程と、前記レーザリペアされたリペアヒューズを有する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、リペアヒューズの切断状態を識別することで特定の半導体チップの位置を認識することが可能となる。このため、特定の半導体チップの位置を基準としてウェハ内の全ての半導体チップの位置を識別することが可能となり、位置識別用のレーザマーキングをウェハ内の全ての半導体チップに施す必要がなくなることから、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップのリペアヒューズの切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードは、有効チップ外の特定のアドレスのチップに付与されることを特徴とする。
これにより、半導体チップの不良箇所に依存することなく、半導体チップを識別するためのリペアコードを発生させることが可能となり、リペアヒューズの切断状態を識別することで、特定の半導体チップの位置を安定して認識することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ウェハ内における特定の半導体チップを識別するためのリペアコードは、有効チップ内のチップに付与されるリペアコードとは異なることを特徴とする。
これにより、半導体チップの不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのリペアコードが、ウェハ内における半導体チップの位置を識別するためのリペアコードと重複することを防止することが可能となり、リペアヒューズを参照することで、ウェハ内における半導体チップの位置を確実に認識することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハ内の各半導体チップに隣接するように配置された識別用ヒューズをスクライブライン上に形成する工程と、リペアコードに基づいて、前記識別用ヒューズのレーザリペアを行う工程と、前記レーザリペアされた識別用ヒューズに隣接する半導体チップの位置を基準として、前記ウェハ内の各半導体チップの位置を判断する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、半導体チップ外に識別用ヒューズを設けることを可能としつつ、半導体チップのレーザリペア工程にて識別用ヒューズの切断を行うことが可能となるとともに、識別用ヒューズの切断状態を参照することで特定の半導体チップの位置を認識することが可能となる。このため、特定の半導体チップの位置を基準としてウェハ内の全ての半導体チップの位置を識別することが可能となり、位置識別用のレーザマーキングをウェハ内の全ての半導体チップに施す必要がなくなることから、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップのリペアヒューズの切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【００２０】
図１において、ウェハＷ１には、複数の半導体チップ１、２が配列され、各半導体チップ１、２にはヒューズ形成領域３、４がそれぞれ設けられている。ここで、ヒューズ形成領域３、４には、リペアヒューズ形成領域Ｒ１、Ｒ１１および識別用ヒューズ形成領域Ｒ２、Ｒ１２がそれぞれ設けられている。そして、リペアヒューズ形成領域Ｒ１、Ｒ１１には、リペアヒューズＨ１、Ｈ１１がそれぞれ設けられ、識別用ヒューズ形成領域Ｒ２、Ｒ１２には、識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２がそれぞれ設けられている。
【００２１】
なお、リペアヒューズＨ１、Ｈ１１は、半導体チップ１、２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのものである。また、識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２は、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置を認識するためのものである。そして、リペアヒューズＨ１、Ｈ１１は各半導体チップ１、２に設けられた配線層にそれぞれ接続することができ、識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２は電気的に浮かせるか、または接地することができる。
【００２２】
そして、半導体チップ１、２の特性検査工程において、ＬＳＩテスタは、ウェハＷ１内の各半導体チップ１、２の特性検査を行うことにより、半導体チップ１、２の良否判定を行うとともに、半導体チップ１、２の不良箇所を計測する。そして、ＬＳＩテスタは、半導体チップ１、２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのリペアコードを生成するとともに、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置を認識するためのデータをそのリペアコードに付加する。
【００２３】
ここで、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置を認識するためのデータは、半導体チップ２の識別用ヒューズＨ１２が切断されるとともに、半導体チップ２以外の半導体チップ１の識別用ヒューズＨ２が非切断となるように設定することができる。
次に、半導体チップ１、２のレーザリペア工程において、レーザリペア装置は、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置を認識するためのデータが付加されたリペアコードに基づいて、リペアヒューズＨ１、Ｈ１１および識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２のレーザリペアを行う。
【００２４】
例えば、ＬＳＩテスタは、半導体チップ１の特性検査の結果、リペアヒューズ形成領域Ｒ１のリペアコードとして、“０１０１１０００１”というデータを発生させる。また、ＬＳＩテスタは、半導体チップ１の識別用ヒューズ形成領域Ｒ２のリペアコードとして、“０”というデータを発生させ、リペアヒューズ形成領域Ｒ１のリペアコードに識別用ヒューズ形成領域Ｒ２のリペアコードを付加する。
【００２５】
また、ＬＳＩテスタは、半導体チップ２の特性検査の結果、リペアヒューズ形成領域Ｒ１１のリペアコードとして、“００１００１１１０”というデータを発生させる。また、ＬＳＩテスタは、半導体チップ２の識別用ヒューズ形成領域Ｒ１２のリペアコードとして、“１”というデータを発生させ、リペアヒューズ形成領域Ｒ１１のリペアコードに識別用ヒューズ形成領域Ｒ１２のリペアコードを付加する。
【００２６】
そして、ＬＳＩテスタは、リペアヒューズ形成領域Ｒ１、Ｒ１１のリペアコードに識別用ヒューズ形成領域Ｒ２、Ｒ１２のリペアコードをそれぞれ付加すると、それらのデータをレーザリペア装置に転送する。
そして、レーザリペア装置は、リペアヒューズ形成領域Ｒ１、Ｒ１１のリペアコードに識別用ヒューズ形成領域Ｒ２、Ｒ１２のリペアコードがそれぞれ付加されたデータを受け取ると、それらのデータに基づいてリペアヒューズＨ１、Ｈ１１および識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２の切断を行う。
【００２７】
そして、ウェハＷ１内の半導体チップ１、２のレーザリペアが終了すると、各半導体チップ１、２のレーザリペアが正しく行われたかどうかを確認するために、識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２の切断状態を確認する。
ここで、半導体チップ２の識別用ヒューズＨ１２が切断されるとともに、半導体チップ２以外の半導体チップ１の識別用ヒューズＨ２が非切断となるようにリペアコードが設定されているので、ウェハＷ１内の識別用ヒューズ形成領域Ｒ２、Ｒ１２を観測し、切断された識別用ヒューズＨ１２を見つけ出すことにより、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置を識別することができる。
【００２８】
そして、ウェハＷ１内の特定の半導体チップ２の位置が識別されると、半導体チップ２の位置を基準として、ウェハＷ１内における半導体チップ１の位置を割り出し、半導体チップ１のリペアヒューズＨ１の切断状態と、ＬＳＩテスタから出力されたリペアコードとを照合することができる。
これにより、リペアヒューズＨ１、Ｈ１１を用いることで、半導体チップ１、２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりすることを可能としつつ、識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２を用いてウェハＷ１内における特定の半導体チップ２の位置を識別することが可能となる。
【００２９】
このため、半導体チップ１、２のレーザリペア工程にて識別用ヒューズＨ２、Ｈ１２の切断を行うことが可能となるとともに、位置識別用のレーザマーキングをウェハＷ１内の全ての半導体チップ１、２に施す必要がなくなり、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップ１、２のリペアヒューズＨ１、Ｈ１１の切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００３０】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図２において、ウェハＷ２には、複数の半導体チップ１１、１２が配列され、各半導体チップ１１、１２にはヒューズ形成領域１３、１４がそれぞれ設けられている。ここで、ヒューズ形成領域１３、１４には、リペアヒューズＨ２１、Ｈ２２がそれぞれ設けられている。
【００３１】
なお、リペアヒューズＨ２１、Ｈ２２は、半導体チップ１１、１２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのもので、リペアヒューズＨ２１、Ｈ２２は、各半導体チップ１１、１２に設けられた配線層にそれぞれ接続することができる。
そして、半導体チップ１１、１２の特性検査工程において、ＬＳＩテスタは、ウェハＷ２内の各半導体チップ１１、１２の特性検査を行うことにより、半導体チップ１１、１２の良否判定を行うとともに、半導体チップ１１、１２の不良箇所を計測する。ここで、半導体チップ１１は有効チップ内に存在し、半導体チップ１２は有効チップ外に存在するものとすると、ＬＳＩテスタは、半導体チップ１１の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのリペアコードを生成するとともに、特定の半導体チップ１２を識別するためのリペアコードを生成する。
【００３２】
なお、特定の半導体チップ１２を識別するためのリペアコードは、有効チップ内の半導体チップ１１に付与されることがあるリペアコードとは異なるように設定することができる。
次に、半導体チップ１１、１２のレーザリペア工程において、レーザリペア装置は、ＬＳＩテスタで生成されたリペアコードに基づいて、リペアヒューズＨ２１、Ｈ２２のレーザリペアを行う。
【００３３】
例えば、ＬＳＩテスタは、半導体チップ１１の特性検査の結果、ヒューズ形成領域１３のリペアコードとして、“０１０１１０００１”というデータを発生させる。また、ＬＳＩテスタは、例えば、“１１１１１１１１１”というリペアコードが有効チップ内の半導体チップ１１のヒューズ形成領域１３には付与されることがないものとすると、有効チップ外の特定の半導体チップ１２のヒューズ形成領域１４のリペアコードとして、“１１１１１１１１１”というデータを発生させる。
【００３４】
そして、ＬＳＩテスタは、ヒューズ形成領域１３、１４のリペアコードをそれぞれ生成すると、それらのリペアコードをレーザリペア装置に転送する。そして、レーザリペア装置は、ヒューズ形成領域１３、１４のリペアコードを受け取ると、それらのリペアコードに基づいてリペアヒューズＨ２１、Ｈ２２の切断を行う。
【００３５】
そして、ウェハＷ２内の半導体チップ１１、１２のレーザリペアが終了すると、各半導体チップ１１、１２のレーザリペアが正しく行われたかどうかを確認するために、リペアヒューズＨ２１、Ｈ２２の切断状態を確認する。ここで、有効チップ内の半導体チップ１１のヒューズ形成領域１３には付与されることがないリペアコードに基づいて、半導体チップ１２のリペアヒューズＨ２２が切断されているので、ウェハＷ２内のヒューズ形成領域１３、１４を観測し、切断されたリペアヒューズＨ２２を見つけ出すことにより、ウェハＷ２内の特定の半導体チップ１２の位置を識別することができる。
【００３６】
そして、ウェハＷ２内の特定の半導体チップ１２の位置が識別されると、半導体チップ１２の位置を基準として、ウェハＷ２内における半導体チップ１１の位置を割り出し、半導体チップ１１のリペアヒューズＨ２１の切断状態と、ＬＳＩテスタから出力されたリペアコードとを照合することができる。
これにより、リペアヒューズＨ２１を用いることで、半導体チップ１１の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりすることを可能としつつ、リペアヒューズＨ２２を用いてウェハＷ２内における特定の半導体チップ１２の位置を識別することが可能となる。
【００３７】
このため、半導体チップ１１、１２のレーザリペア工程にて識別用ヒューズＨ２１、Ｈ２２の切断を行うことが可能となるとともに、位置識別用のレーザマーキングをウェハＷ２内の全ての半導体チップ１１、１２に施す必要がなくなり、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップ１１のリペアヒューズＨ２１の切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【００３８】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図３において、ウェハＷ３には、スクライブラインＳＢで区画された複数の半導体チップ２１、２２が配列され、各半導体チップ２１、２２にはヒューズ形成領域２３、２４がそれぞれ設けられている。また、ウェハＷ３のスクライブラインＳＢ上には、半導体チップ２１、２２にそれぞれ隣接するように配置された識別用ヒューズ形成領域２５、２６がそれぞれ設けられている。そして、ヒューズ形成領域２３、２４には、リペアヒューズＨ３１、Ｈ４１がそれぞれ設けられ、識別用ヒューズ形成領域２５、２６には、識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２がそれぞれ設けられている。
【００３９】
なお、リペアヒューズＨ３１、Ｈ４１は、半導体チップ２１、２２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのものである。また、識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２は、ウェハＷ３内の特定の半導体チップ２２の位置を認識するためのものである。そして、リペアヒューズＨ３１、Ｈ４１は各半導体チップ２１、２２に設けられた配線層にそれぞれ接続することができ、識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２は電気的に浮かせるか、または接地することができる。
【００４０】
そして、半導体チップ２１、２２の特性検査工程において、ＬＳＩテスタは、ウェハＷ３内の各半導体チップ２１、２２の特性検査を行うことにより、半導体チップ２１、２２の良否判定を行うとともに、半導体チップ２１、２２の不良箇所を計測する。そして、ＬＳＩテスタは、半導体チップ２１、２２の不良箇所を冗長回路に切り替えたり、抵抗やコンデンサのトリミングを行ったりするためのリペアコードを生成するとともに、特定の半導体チップ２２の位置を識別するためのリペアコードを生成する。
【００４１】
ここで、ウェハＷ３内の特定の半導体チップ２２の位置を認識するためのリペアコードは、半導体チップ２２に隣接する識別用ヒューズＨ４２が切断されるとともに、半導体チップ２２以外の半導体チップ２１に隣接する識別用ヒューズＨ３２が非切断となるように設定することができる。
次に、半導体チップ２１、２２のレーザリペア工程において、レーザリペア装置は、ＬＳＩテスタで生成されたリペアコードに基づいて、リペアヒューズＨ３１、Ｈ３２および識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２のレーザリペアを行う。
【００４２】
例えば、ＬＳＩテスタは、半導体チップ２１の特性検査の結果、ヒューズ形成領域２３のリペアコードとして、“０１０１１０００１”というデータを発生させる。また、半導体チップ２１に隣接して配置された識別用ヒューズ形成領域２５のリペアコードとして、“０”というデータを発生させる。
また、ＬＳＩテスタは、半導体チップ２２の特性検査の結果、ヒューズ形成領域２４のリペアコードとして、“００１００１１１０”というデータを発生させる。また、半導体チップ２２に隣接して配置された識別用ヒューズ形成領域２６のリペアコードとして、“１”というデータを発生させる。
【００４３】
そして、ＬＳＩテスタは、ヒューズ形成領域２３、２４のリペアコードおよび識別用ヒューズ形成領域２５、２６のリペアコードがそれぞれ生成すると、それらのリペアコードをレーザリペア装置に転送する。
そして、レーザリペア装置は、ヒューズ形成領域２３、２４のリペアコードおよび識別用ヒューズ形成領域２５、２６のリペアコードを受け取ると、それらのデータに基づいてリペアヒューズＨ３１、Ｈ４１および識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２の切断を行う。
【００４４】
そして、ウェハＷ３内のリペアヒューズＨ３１、Ｈ４１および識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２のレーザリペアが終了すると、各半導体チップ２１、２２のレーザリペアが正しく行われたかどうかを確認するために、識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２の切断状態を確認する。ここで、半導体チップ２２に対応して配置された識別用ヒューズＨ４２が切断されるとともに、半導体チップ２２以外の半導体チップ２１に対応して配置された識別用ヒューズＨ３２が非切断となるように、識別用ヒューズ形成領域２５、２６のリペアコードが設定されているので、識別用ヒューズ形成領域２５、２６を観測し、切断された識別用ヒューズＨ４２を見つけ出すことにより、ウェハＷ３内の特定の半導体チップ２２の位置を識別することができる。
【００４５】
そして、ウェハＷ３内の特定の半導体チップ２２の位置が識別されると、半導体チップ２２の位置を基準として、ウェハＷ３内における半導体チップ２１の位置を割り出し、半導体チップ２１のリペアヒューズＨ３１の切断状態と、ＬＳＩテスタから出力されたリペアコードとを照合することができる。
これにより、半導体チップ２１、２２外に識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２を設けることを可能としつつ、識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２を用いてウェハＷ３内における特定の半導体チップ２２の位置を識別することが可能となる。
【００４６】
このため、半導体チップ２１、２２のレーザリペア工程にて識別用ヒューズＨ３２、Ｈ４２の切断を行うことが可能となるとともに、位置識別用のレーザマーキングをウェハＷ３内の全ての半導体チップ２１、２２に施す必要がなくなり、工数の増大を抑制しつつ、各半導体チップ２１、２２のリペアヒューズＨ３１、Ｈ４１の切断状態とリペアコードとの照合を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図。
【符号の説明】
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３  ウェハ、１、２、１１、１２、２１、２２  半導体チップ、３、４、１３、１４、２３、２４  ヒューズ形成領域、Ｒ１、Ｒ１１  リペアヒューズ形成領域、Ｒ２、Ｒ１２、２５、２６  識別用ヒューズ形成領域、Ｈ１、Ｈ１１、Ｈ２１、Ｈ２２、Ｈ３１、Ｈ４１  リペアヒューズ、Ｈ２、Ｈ１２、Ｈ３２、Ｈ４２  識別用ヒューズ、ＳＢ  スクライブライン
【図１】
2005032922.tif 000003
【図２】
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【図３】
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