(57)【要約】【課題】光ファイバの曲げ損失を改善し、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域でＷＤＭ伝送が可能な光ファイバおよびそれを用いた光ファイバケーブルを提供する。【解決手段】コアとクラッドから成る光ファイバにおいて、第１コアの比屈折率差が０．３６％より大きく、２ｍ法におけるファイバカットオフ波長λｃが１３５０ｎｍより大きく、２２ｍ法におけるケーブルカットオフ波長λｃｃが１２８５ｎｍより小さく、直径２０ｍｍに曲げたときの波長１６２５ｎｍにおける伝送損失の増加が１０ｄＢ／ｍ以下であり、波長１２８５〜１６２５ｎｍの範囲における伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下であり、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失が波長１３１０ｎｍにおける伝送損失よりも小さく、水素暴露試験前と水素曝露試験後の波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとクラッドからなる光ファイバにおいて、前記コアは少なくとも中心に位置する屈折率の最も高い第１コアを有し、前記第１コアのクラッドに対する最大比屈折率差が０．３６％より大きく、前記コアのクラッドに対する最小比屈折率差が−０．０５％〜０．０５％であり、波長１３１０ｎｍにおけるＭＦＤが８μｍ以上１０μｍ以下であり、波長１５５０ｎｍにおけるＡｅｆｆが７０〜９０μｍ２であり、ゼロ分散波長が波長領域１２８５〜１３３０ｎｍであり、２ｍ法におけるファイバカットオフ波長λｃが１３５０ｎｍより大きく、２２ｍ法におけるケーブルカットオフ波長λｃｃが１２８５ｎｍより小さく、波長１５５０ｎｍにおける分散が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、曲率半径１０ｍｍに曲げたときの波長１６２５ｎｍにおける伝送損失の増加が１０ｄＢ／ｍ以下であり、波長領域１２８５〜１６２５ｎｍにおける伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下であり、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失が波長１３１０ｎｍにおける伝送損失よりも小さく、かつ水素暴露試験前と水素曝露試験後の波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバ。
【請求項２】
請求項１記載の光ファイバを用いたことを特徴とするテープスロット型光ファイバケーブル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は波長分割多重伝送に好適な光ファイバおよびそれを用いた光ファイバケーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光伝送の高速大容量化が進みつつあり、波長分割多重伝送（以下ＷＤＭ伝送という）が注目を集めている。
現在、ＷＤＭ伝送においては、さらなる伝送容量の拡大が要求されており、伝送に用いる波長領域をさらに広げる試みがなされている。
ところで従来の光ファイバの場合は、１３８３ｎｍ付近に吸収ピークを持つＯＨ基が不純物として混入することが多く、ＯＨ基が混入した光ファイバは、１３８３ｎｍ近辺で大きな伝送損失を示すことが知られている。そのため従来の光ファイバは、この波長近傍におけるＷＤＭ伝送には必ずしも好適ではなかった。
【０００３】
これに対処したものとして、波長１．３１μｍ帯でゼロ分散波長を有する標準的なシングルモード光ファイバ（以下、ＳＭＦと称す）に類似した屈折率プロファイルを持ち、ＯＨ基による吸収損失を低減した光ファイバが提案されている（特許文献１）。
この特許文献１に記載の光ファイバは、１２８５ｎｍ〜１６００ｎｍの幅広い波長領域においてＷＤＭ伝送が可能なように設計されている。
【０００４】
一般的な光ファイバは、中心部に位置するガラス製のコアとこれを取り囲むクラッドとからなり、通常はこのクラッドの外周を囲むように少なくとも２層のヤング率の異なる紫外線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂製の被覆層が被覆されている。
また、例えば図７に示すように、光ファイバ１０の外周に、着色層１５を施し、これを複数本平面状に並行に配列し、紫外線硬化型樹脂で一括被覆した光ファイバテープ心線２０と呼ばれるものもある。
現在、光ファイバをこのような光ファイバテープ心線としてケーブル内に収納する方法が一般的に用いられており、光ファイバを４心、８心、１２心、２４心などに配列した光ファイバテープ心線が使用されている
【０００５】
ところで、メトロポリタン系において用いられる光ファイバケーブルは多心化が進んでおり、ＳＭＦを用いた１０００心程度の多心光ファイバケーブルが実用化されている。このような光ファイバケーブルとしては、図８に示すような構造のものが提案されている。
この光ファイバケーブル３０は、いわゆるテープスロット型の光ファイバケーブルと呼ばれているもので、スロットロッド３１の外周面に形成された複数の螺旋状のスロット溝３２内に、例えば図７に示したような光ファイバテープ心線２０が複数枚重ねられた状態で収容されている。もちろんこの光ファイバテープ心線２０としては４心以外に８心、あるいはそれ以上のものも使用される。
【０００６】
前記スロットロッド３１はポリエチレンなどのプラスチックからなる長尺体で、その中心には金属撚線や繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）ロッドなどからなるテンションメンバー３３が設けられている。また、スロットロッド３１の周上にはポリエステルテープなどのテープを巻回したテープ巻回層３４が設けられ、この上にポリエチレンやポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂からなるシース３５が被覆されている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６２０５２６８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このようなテープスロット型光ケーブルは、光ファイバテープ心線２０を複数枚積層して収容することから光ファイバの高密度性に優れた構造であり、さらに、光ファイバテープ心線２０がスロット溝３２に収容されていることから機械特性の点でも高い信頼性を実現する構造である。
しかしながら、このテープスロット型光ケーブルは、配列の乱れは生じにくい構造であるが、曲げ等の外力を受けたときに、積層された光ファイバテープ心線２０の両端部、特に、４隅の部分が、スロット溝３２の内壁と接触するため、その部分に応力が集中し、側圧によって伝送損失が増加しやすいという問題がある。
【０００９】
前述した特許文献１に記載されているＳＭＦに類似した屈折率プロファイルでＯＨ基による吸収損失を抑制した光ファイバは、１３８３ｎｍ付近の伝送損失は改善されているが、分散シフト光ファイバ（以下、ＤＳＦと称す）などのコア部の屈折率が高い光ファイバと比較すると、全般的に曲げ損失が大きく、前述したように光ファイバテープ心線にして、これをテープスロット型ケーブルに収納した場合に、側圧による損失増加がより大きくなるという問題がある。
特にこの損失増加はＬバンド帯（波長１５６５ｎｍ〜１６２５ｎｍ）において顕著であり、この波長領域ではテープスロット型ケーブルに収納した場合の伝送損失が１ｄＢ／ｋｍを超えることもあり、使用できないことがあった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、例えばテープスロット型ケーブルにＳＭＦを使用したとしても、Ｌバンド帯における側圧による損失増加を抑え、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域でＷＤＭ伝送が可能な光ファイバおよびそれを用いた光ファイバケーブルを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本願請求項１記載の発明は、コアとクラッドからなる光ファイバにおいて、前記コアは少なくとも中心に位置する屈折率の最も高い第１コアを有し、前記第１コアのクラッドに対する最大比屈折率差が０．３６％より大きく、前記コアのクラッドに対する最小比屈折率差が−０．０５〜０．０５％であり、波長１３１０ｎｍにおけるＭＦＤが８μｍ以上１０μｍ以下であり、波長１５５０ｎｍにおけるＡｅｆｆが７０〜９０μｍ２であり、ゼロ分散波長が波長１２８５〜１３３０ｎｍの範囲内に存在し、２ｍ法におけるファイバカットオフ波長λｃが１３５０ｎｍより大きく、２２ｍ法におけるケーブルカットオフ波長λｃｃが１２８５ｎｍより小さく、波長１５５０ｎｍにおける分散が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、曲率半径１０ｍｍに曲げたときの波長１６２５ｎｍにおける伝送損失の増加が１０ｄＢ／ｍ以下であり、波長１２８５〜１６２５ｎｍの範囲内における伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下であり、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失が波長１３１０ｎｍにおける伝送損失よりも小さく、水素暴露試験前と水素曝露試験後の波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１２】
このようにしてなる本願請求項１記載の発明によれば、例えばテープスロット型ケーブルに使用したとしても、曲げ損失が小さく、それ故側圧によるＬバンド帯での損失増加を抑えることができ、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域でＷＤＭ伝送が可能な光ファイバを提供することができる。
【００１３】
また本願請求項２記載の発明は、前記請求項１の光ファイバをテープスロット型光ファイバケーブルに用いたことを特徴とするものである。
このようにしてなる本願請求項２記載の発明によれば、曲げ損失の小さい光ファイバを使用しているため、側圧に強いテープスロット型光ファイバケーブルを得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図１（Ａ）は、本発明の一実施例に係わる光ファイバ１０の横断面図であり、図１（Ｂ）は光ファイバ１０のガラス部分（以降、ガラス光ファイバ１６と称す）の屈折率プロファイルである。
本実施例の光ファイバ１０は、従来の光ファイバと同様に、中心から順にコア及びこのコア１１の外側に設けられているクラッド１２からなるガラス光ファイバ１６、このガラス光ファイバ１６の外周に被覆されている、例えば紫外線硬化型樹脂製の被覆層であるプライマリ層１３、セカンダリ層１４とを有している。
【００１５】
尚、ガラス光ファイバ１６はその中心部に屈折率の最も高い第１コア１１ｃを有している。また、クラッド１２を基準とした第１コア１１ｃの比屈折率差をΔ１とすると、Δ１は０．３６％以上である。
ここで、比屈折率差Δ１は、第１コア１１ｃの屈折率をｎ１１、クラッド１２の屈折率ｎ１２としたとき、下記式（１）で表される。
【００１６】
【数１】
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【００１７】
また、コア１１は図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように２層以上から構成されていてもよく、コア１１の最小比屈折率差は−０．０５％〜０．０５％である。最小比屈折率差が０％の場合は、コア１１が中心部に位置する第１コア１１ｃのみで構成されていることを意味し、その場合には図１（Ｂ）に示す屈折率プロファイルとなる。
また、図１（Ｂ）に示すように第１コア１１ｃの直径をａとする。ここで、ａは第１コア１１ｃにおいてΔ１の１／２の比屈折率差となる位置での径とする（以下、第１コアの直径ａを第１コア径ａと称す。）。
【００１８】
このようなガラス光ファイバ１６は純石英ガラス（ＳｉＯ２  ）をベースとして、例えば第１コア領域にゲルマニウム（Ｇｅ）などの屈折率を高める元素をドープすることにより形成される。また、伝送損失改善などの目的でコア１１の一部または全部にフッ素（Ｆ）をドープしてもよい。
【００１９】
ガラス光ファイバ１６の外径は一般的には１２５μｍである。また、プライマリ層１３およびセカンダリ層１４はそれぞれ例えば紫外線硬化型のポリエーテル系ウレタンアクリレート樹脂が用いられ、ガラス光ファイバ１６を保護するために、内側ほど低ヤング率の紫外線硬化型樹脂が用いられている。
一般的にはプライマリ層１３の紫外線硬化型樹脂のヤング率は、例えば常温において０．５ｋｇ／ｍｍ２以下であり、外径は１９０μｍ以下である。セカンダリ層１４のヤング率は常温において、例えば５０ｋｇ／ｍｍ２以上であって、外径は２４０μｍ以上である。
【００２０】
一方、光ファイバの曲げ損失は、モードフィールド径（以下ＭＦＤと称す）および２ｍ法におけるファイバカットオフ波長λｃと相関があることが知られている。
特にＭＦＤをファイバカットオフ波長λｃで割った値をＱ値とした場合、図３に示すようにＱ値と曲げ損失との間には高い相関があり、Ｑ値が小さいほど曲げ損失が小さい。つまり、曲げ損失を小さくする手段として、ＭＦＤを小さくする、または、ファイバカットオフ波長λｃを大きくする（長波長とする）ことがあげられる。
【００２１】
しかしながら、ＭＦＤを小さくした場合、曲げ損失は改善されるが、光ファイバの有効断面積（以下Ａｅｆｆと称す）も小さくなるため、自己位相変調（ＳＰＭ：Ｓｅｌｆ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）や相互位相変調（ＸＰＭ：Ｃｒｏｓｓ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）のような非線形現象を発現しやすくしてしまうという欠点がある。
従って、ファイバカットオフ波長λｃを大きくすることが、ＳＰＭやＸＰＭといった非線形現象を抑制しつつ曲げ損失を改善するのに有効である。
【００２２】
図４に、図１のステップ型プロファイルの光ファイバにおけるの第１コア径ａとファイバカットオフ波長λｃの関係を示す。図４に示すように、第１コア径ａとファイバカットオフ波長λｃは比例関係にあり、第１コア径ａを大きくすることによりファイバカットオフ波長λｃを大きくすることができる。
つまり、ファイバカットオフ波長λｃを大きくすることは、製造面から見ても容易であり、従来の光ファイバと同様の製造歩留まりで実現可能である。
【００２３】
しかしながら、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長領域でのＷＤＭ伝送を考慮した場合、この波長領域においてシングルモード動作を保証する必要があり、ケーブルカットオフ波長λｃｃを１２８５ｎｍ以下にする必要がある。
なお、本明細書で用いるファイバカットオフ波長λｃおよびケーブルカットオフ波長λｃｃは、特に断らない限り、ＩＴＵ−Ｔ（国際電気通信連合）Ｇ．６５０で定義されるカットオフ波長を意味している。
【００２４】
前述したようにファイバカットオフ波長λｃを大きくすることは、非線形現象を抑制しつつ曲げ損失を改善する手段として有効であり、さらには製造面から見ても容易に実現できる手段である。
ケーブルカットオフ波長λｃｃを１２８５ｎｍ以下にするには、２ｍ法によるファイバカットオフ波長λｃが１３５０ｎｍより大きくてもよい。
【００２５】
すなわち、本実施例の光ファイバにおいては、２２ｍ法によるケーブルカットオフ波長λｃｃを１２８５ｎｍ以下とし、２ｍ法におけるファイバカットオフ波長λｃを１３５０ｎｍより大きくすることにより、１２８５ｎｍ以上の波長領域でのシングルモード動作を保証するとともに、曲げ損失の改善された光ファイバを実現している。
本実施例の光ファイバは、第１コア径ａを調整するだけで容易に得ることができるので、従来の光ファイバとほぼ同じ製造コストで製造することができる。
【００２６】
［実施例］
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
まず、図１（Ｂ）に示す屈折率プロファイルを持つガラス光ファイバ１６、すなわちコア１１が第１コア１１ｃのみで構成されている屈折率プロファイルを有するガラス光ファイバ１６を製造するために、まず光ファイバ用母材を製造した。
この光ファイバ用母材を製造するために、まず、第１コアおよびクラッドの一部をＶＡＤ法（気相軸付け法）で製造し、得られた多孔質母材を脱水、ガラス化し、コアガラスロッドを得た。
【００２７】
ところで１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長領域でのＷＤＭ伝送を好適に行うためには波長１３８３ｎｍにおけるＯＨ基による吸収損失をできるだけ小さくし、さらに光ファイバを水素雰囲気中に暴露した場合にも、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の増加をできるだけ小さくする必要がある。
これを実現するためには、光ファイバの製造工程においてＯＨ基の混入をできるだけ少なくしなければならない。
【００２８】
そのため、例えば第１コア１１ｃと第１コア径ａの４倍以上までのクラッド領域を一つの工程で合成し、コア１１及びクラッド１２の前記コア１１に近い部分にできるだけＯＨ基が混入しないような製造方法が用いられている。
このような製造方法を用いることにより、得られる光ファイバはＭＦＤ近傍に別々の工程で合成することによる製造境界面を持たないため、ＭＦＤ内へのＯＨ基の混入を最小限に抑えることができ、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失を低減できる。また、ＭＦＤ内にガラスの構造欠陥が非常に少ない光ファイバを得ることができ、この光ファイバを水素雰囲気中に暴露した場合にも、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の増加を小さいものにできる。
【００２９】
前述したように第１コアおよびクラッドの一部をＶＡＤ法（気相軸付け法）で製造し、製造した多孔質母材を脱水、ガラス化して得たコアガラスロッドの外周にさらに残りのクラッド相当分をＯＶＤ法（外付け法）またはロッド・イン・チューブ法で製造することにより、光ファイバ用母材を得た。
【００３０】
この光ファイバ用母材を図５に示す線引き方法により線引きし、光ファイバ１０を製造した。
具体的には、まず、光ファイバ用母材４１を加熱炉４２により加熱溶融させ、外径約１２５μｍのガラス光ファイバ１６に線引きした。このガラス光ファイバ１６上に、樹脂被覆用のダイス４３にてプライマリ層用の紫外線硬化型樹脂を塗布し、引き続き紫外線照射室４４にて紫外線を照射してこれを硬化させ、プライマリ層１３を形成した。更に、ダイス４５にてセカンダリ層用の紫外線硬化型樹脂を塗布し、引き続き紫外線照射室４６にて紫外線を照射して硬化させ、セカンダリ層１４を形成し光ファイバ１０を得、これをボビン４７に巻き取った。
【００３１】
このとき、プライマリ層１３のヤング率は、常温において０．１ｋｇ／ｍｍ２であり、セカンダリ層１４のヤング率は１００ｋｇ／ｍｍ２であった。
また、プライマリ層１３の外径は約１８５μｍであり、セカンダリ層１４の外径は約２５０μｍであった。
尚、各層のヤング率は、各樹脂を大気中で紫外線照度２００ｍＷ／ｃｍ２、紫外線照射量１０００ｍＪ／ｃｍ２の条件で硬化させて０．２ｍｍ厚シートを作成し、これに２３℃、引張り速度１ｍｍ／ｍｉｎの条件で引張り試験を施し、２．５％歪時の引張り強さから算出したものである。
【００３２】
ここで、得られた光ファイバを常温、１気圧下において、重水素ガスを含む雰囲気に２４時間曝露した。
このように光ファイバを重水素に暴露し、光ファイバ内に残留する僅かな欠陥を重水素で埋めることにより、水素暴露試験を行っても１３８３ｎｍの損失増加がほとんどない光ファイバが得られる。
【００３３】
得られた光ファイバの諸特性を表１に示す。
表１は、実施例１〜３の光ファイバの諸特性として、Δ１、第１コア径ａ、２ｍ法によるファイバカットオフ波長λｃ、２２ｍ法によるカットオフ波長λｃｃ、波長１３１０ｎｍにおけるＭＦＤ、波長１５５０ｎｍにおける有効コア断面積（Ａｅｆｆ  ）、波長１２８５ｎｍおよび１５５０ｎｍにおける分散値、ゼロ分散波長、波長１３１０ｎｍおよび１３８３ｎｍにおける水素暴露前の伝送損失、この光ファイバを直径２０ｍｍに曲げたときの波長１６２５ｎｍにおける曲げ損失をまとめて示している。
なお、比較のため、従来の一般的なＳＭＦの平均的な諸特性も合わせて示している。
ここで、各特性の定義および測定方法は、ＩＴＵ−Ｔ  Ｇ．６５０に従うものとする。その他、本明細書で特に定義しない用語についてもこのＩＴＵ−Ｔ  Ｇ．６５０に準ずるものとする。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
前記表１に示すように、本実施例に係る光ファイバの実施例１〜３は、いずれも波長１３１０ｎｍにおけるＭＦＤが８μｍ以上１０μｍ以下であり、波長１５５０ｎｍにおけるＡｅｆｆが７０〜９０μｍ２である。また、ゼロ分散波長は波長１２８５〜１３３０ｎｍの範囲内に存在し、２ｍ法におけるファイバカットオフ波長が１３５０ｎｍより大きく、２２ｍ法におけるケーブルカットオフ波長が１２８５ｎｍより小さく、しかも波長１５５０ｎｍにおける分散が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下である。
【００３６】
また曲率半径１０ｍｍに曲げたときの波長１６２５ｎｍにおける伝送損失の増加が実施例１〜３の各光ファイバとも１０ｄＢ／ｍ以下であり、波長１３８３ｎｍにおける伝送損失が波長１３１０ｎｍにおける伝送損失よりも小さい。
【００３７】
さらにこれらの光ファイバに対し、水素暴露試験を行った。
ここで、水素暴露試験条件はＩＥＣ６０７９３−２  Ａｍｅｎｄｍｅｎｔ  １、２００１−８  Ａｎｎｅｘ  Ｃに従うものとし、具体的には以下の条件とする。
光ファイバを、室温下において水素濃度が１％の雰囲気中に曝露し、波長１２４０ｎｍにおける伝送損失が水素曝露前の伝送損失に比べて０．０３ｄＢ／ｋｍ以上増加するまでその状態を維持する。その後、大気中に取出して１４日間以上放置し、伝送損失の測定を行う。
また、測定波長は１２００〜１６５０ｎｍとした。
【００３８】
本実施例の光ファイバの水素暴露試験前後の損失波長特性を図６に示す。実線が水素暴露試験前、破線が水素暴露試験後である。図６に示すように、水素暴露試験前において波長１３８３ｎｍにおけるＯＨ基による吸収損失はほとんど見られず、波長１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの範囲において伝送損失０．４０ｄＢ／ｋｍ以下を実現している。
また、水素暴露試験後も波長１３８３ｎｍにおける伝送損失の増加がほとんど見られず、水素曝露試験前と比較した増加量は全ての実施例において０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であった。
【００３９】
上記特性を有する本実施例の光ファイバは、ＯＨ基による吸収損失が抑制されている上に、曲げ損失を改善した光ファイバであり、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域においてＷＤＭ伝送に好適な光ファイバである。
【００４０】
さらに、図７に示すように、これらの光ファイバ１０に着色層１５を被覆し、着色層付き光ファイバ心線とした。これらの着色層付き光ファイバ心線を４本平面状に並行に配列し、これらに紫外線硬化性樹脂からなる一括被覆層を施して厚さ０．３ｍｍ、幅２．０ｍｍの４心の光ファイバテープ心線２０を得た。
このようにして得られたテープ心線２０を、図８に示すように、中心にテンションメンバ３３を有するスロットロッド３１に設けられた螺旋状のスロット溝３２内に、占積率が５０％以下となるように収納し、これにテープ巻回層３４、シース３５を順に施してスロット型光ファイバケーブル３０を製造した。
ケーブル化前後での各着色層付き光ファイバ心線の伝送損失変化を波長１６２５ｎｍで測定し、各スロット溝３２ごとに伝送損失増加の最大値を求めた。結果を表２に示す。
溝番号１〜４は本実施例の光ファイバ１０を用いて製造したテープ心線２０を用いており、溝番号５〜６は従来の光ファイバ心線を用いて製造したテープ心線２０である。
【００４１】
【表２】
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【００４２】
表２の結果から明らかなように、従来品においては、ケーブル化によって波長１６２５ｎｍにおける損失増加が０．５ｄＢ／ｋｍを超えるものがあったが、本発明の光ファイバ１０を用いた場合は、ケーブル化による損失増加を小さく抑えられた。
【００４３】
【発明の効果】
本願請求項１記載の発明によれば、光ファイバのＯＨ基による吸収損失を小さく抑制した上に、曲げ損失も改善できる。
それ故、これまで側圧による損失増加が顕著で使用が難しかったＬバンド帯（波長１５６５ｎｍ〜１６２５ｎｍ）においても、容易に使用出来る。これにより、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域でＷＤＭ伝送が可能な光ファイバが実現される。
また本願請求項２記載の発明により、テープスロット型光ケーブルに本発明の光ファイバを用いると、側圧による損失増加が少なく、１２８５ｎｍ〜１６２５ｎｍの幅広い波長領域においてＷＤＭ伝送に好適なテープスロット型光ファイバケーブルを得ることができる。
また本発明の光ファイバは、ファイバカットオフ波長λｃを大きくするという、非常に簡単な手段により実現することができ、従来のＳＭＦおよびそれを用いた光ファイバケーブルと同じコストで実現することができるので、その工業的価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な光ファイバの断面構造およびガラス光ファイバの屈折率プロファイル示す模式図である。図１（Ａ）は横断面図、図１（Ｂ）は屈折率プロファイルの模式図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は本発明の実施例に係る光ファイバの屈折率プロファイルの他の例を示す模式図である。
【図３】一般的な光ファイバのＱ値（ＭＦＤ／λｃ）と曲げ損失の関係を示す図である。
【図４】ステップ型プロファイルを有する光ファイバの第１コア径ａとカットオフ波長の関係を示す図である。
【図５】一般的な光ファイバの線引き方法を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係る光ファイバの水素暴露試験前後の損失波長特性を示す図である。
【図７】一般的な光ファイバテープ心線の横断面図である。
【図８】一般的なテープスロット型光ファイバケーブルの横断面図である。
【符号の説明】
１０  光ファイバ
１１  コア
１１ｃ  第１コア
１２  クラッド
１３  プライマリ層
１４  セカンダリ層
１５  着色層
１６  ガラス光ファイバ
２０  光ファイバテープ心線
３０  テープスロット型光ファイバケーブル
３１  スロットロッド
３２  スロット溝
３３  テンションメンバー
３４  テープ巻回層
３５  シース
４１  光ファイバ用母材
４２  加熱炉
４３  プライマリ用ダイス
４４  プライマリ用紫外線照射室
４５  セカンダリ用ダイス
４６  セカンダリ用紫外線照射室
４７  ボビン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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