(57)【要約】【課題】  簡単な製造工程にて低コストで製造できる開閉器用容器、開閉器、及びセラミック筒の製造方法を提供すること。【解決手段】  開閉器１は、セラミック筒３と、セラミック筒３の軸方向の開口端を塞ぐ第１及び第２の端蓋５、７と、第１の端蓋５に摺動自在に配置された可動電極９と、第２の端蓋７に取り付けられた固定電極１１とを備えている。セラミック筒３は、アルミナが４５〜６５重量％の範囲のセラミック焼成体であり、内径８０ｍｍ×肉厚５ｍｍ程度×長さ１００ｍｍの略円筒形である。セラミック筒３の軸方向の両端面には、第１、２端蓋５、７が接合されており、このセラミック筒３の両端面に、低温メタライズ層が形成され、低温メタライズ層上にメッキ層が形成され、メッキ層に第１、２端蓋５、７がろう付け接合されている。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にスイッチ部材が配置されるとともに、気密封止される開閉器に用いられる開閉器用容器において、
前記開閉器用容器が、アルミナを４５〜６５重量％含むセラミック体からなることを特徴とする開閉器用容器。
【請求項２】
前記セラミック体が、セラミック筒であることを特徴とする前記請求項１に記載の開閉器用容器。
【請求項３】
前記アルミナを４５〜６５重量％含有し、残部が主として結晶化したガラスであることを特徴とする前記請求項１又は２に記載の開閉器用容器。
【請求項４】
前記結晶化したガラスが、ムライトを含むことを特徴とする前記請求項３に記載の開閉器用容器。
【請求項５】
前記セラミック筒の表面に、メタライズ層を備えたことを特徴とする前記請求項２〜４のいずれかに記載の開閉器用容器。
【請求項６】
前記メタライズ層を、前記セラミック筒の開口側の端部に備えたことを特徴とする前記請求項５に記載の開閉器用容器。
【請求項７】
前記メタライズ層が、低温メタライズにより形成された低温メタライズ層であることを特徴とする前記請求項５又は６に記載の開閉器用容器。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれかに記載の開閉用容器を備えたことを特徴とする開閉器。
【請求項９】
前記請求項２〜７のいずれかに記載の開閉用容器を構成する前記セラミック筒の開口側の端部に、前記メタライズ層を介して、前記セラミック筒の開口部を覆う蓋体が接合されたことを特徴とする開閉器。
【請求項１０】
前記開閉器が、真空スイッチであることを特徴とする前記請求項８又は９に記載の開閉器。
【請求項１１】
前記開閉器が、コンタクタであることを特徴とする前記請求項８又は９に記載の開閉器。
【請求項１２】
アルミナからなる主原料と粘土を含む副原料とを、焼成後にアルミナが４５〜６５重量％となる様に調製し、該調製した原料を押し出し成形することにより、筒状のセラミック成形体を形成し、その後、該セラミック成形体を焼成して、セラミック筒を製造することを特徴とするセラミック筒の製造方法。
【請求項１３】
前記主原料及び副原料の合計量に対する前記粘土の割合が、２０〜５０重量％の範囲であることを特徴とする前記請求項１２に記載のセラミック筒の製造方法。
【請求項１４】
前記セラミック成形体の焼成温度が、１２００〜１３５０℃の範囲であることを特徴とする前記請求項１２又は１３に記載のセラミック筒の製造方法。
【請求項１５】
前記セラミック筒の開口部の端部に、低温メタライズを施すことを特徴とする前記請求項１２〜１４のいずれかに記載のセラミック筒の製造方法。
【請求項１６】
前記セラミック筒が、前記請求項２〜７のいずれかに記載の開閉器用容器に用いられるセラミック筒であることを特徴とする前記請求項１２〜１５のいずれかに記載のセラミッ
ク筒の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空スイッチ等の開閉器に用いる開閉器用容器、その開閉器用容器を備えた開閉器、及び開閉器等に用いるセラミック筒の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、真空スイッチ等の開閉器の絶縁容器（セラミック筒からなる開閉器用容器）は、その強度及び絶縁性等の観点から、一般的に、アルミナ含有率が８５重量％以上の高純度のセラミックが採用されている。
【０００３】
このセラミック筒を製造する際に、高純度アルミナを用いる場合には、アルミナの含有量に対応して十分な焼成を行うために、１５００℃以上の高い焼成温度が必要であり、その製造の際には、泥しょうを噴霧乾燥し、粉末プレス成形により成形を行っていた。
【０００４】
そして、前記セラミック筒を用いて開閉器を製造する場合には、焼成されたセラミック筒の開口端にメタライズ層を形成し、また、セラミック筒内に各種のスイッチ部材等を収容し、前記メタライズ層を介して、セラミック筒の開口端を覆うように、金属製の蓋体をろう付けし気密して一体化していた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２７６８号公報     （第７頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、アルミナ含有率が８５重量％以上の高純度アルミナの場合は、アルミナが多量のために、押出し成形が困難であるので、上述した粉末プレス成形が採用されているが、粉末プレス成形の場合には、泥しょうを噴霧乾燥する工程が必要であり、作業工程が複雑であるという問題があった。
【０００６】
また、高純度アルミナを十分に焼成するためには、１５００℃以上の高い焼成温度を必要とするので、エネルギー費及び高温対応の焼成炉等の製造コストが高いという問題があった。
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、例えば簡単な製造工程にて低コストで製造できる開閉器用容器、開閉器、及びセラミック筒の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）請求項１の発明は、内部にスイッチ部材が配置されるとともに、気密封止される開閉器に用いられる開閉器用容器において、前記開閉器用容器が、アルミナを４５〜６５重量％含むセラミック体からなることを特徴とする開閉器用容器を要旨とする。
【０００９】
本発明は、セラミック体からなる開閉器用容器に関するものである。本発明では、アルミナが４５〜６５重量％の低純度アルミナを採用することにより、従来の焼成温度の１５００℃以上より低い温度（例えば１２００〜１３５０℃）にて焼成できるので、エネルギー費を節約できるとともに、高温対応の焼成炉を使用しなくとも済み、よって、製造コストを低減できるという利点がある。
【００１０】
また、本発明では、アルミナが４５〜６５重量％含まれているので、開閉器用容器として必要な強度及び絶縁性を確保できる。
（２）請求項２の発明は、前記セラミック体が、セラミック筒であることを特徴とする前記請求項１に記載の開閉器用容器を要旨とする。
【００１１】
本発明では、セラミック筒のアルミナが、４５〜６５重量％の低純度アルミナであるので、押出し成形が可能であり、粉末プレス成形の際に必要な泥しょうを噴霧乾燥する工程が不要である。従って、製造工程を簡易化できるので、製造コストを低減できる。
【００１２】
（３）請求項３の発明は、前記アルミナを４５〜６５重量％含有し、残部が主として結晶化したガラスであることを特徴とする前記請求項１又は２に記載の開閉器用容器を要旨とする。
【００１３】
本発明は、開閉器用容器の構造を例示したものである。これにより、開閉器用容器の強度が向上するという利点がある。
（４）請求項４の発明は、前記結晶化したガラスが、ムライトを含むことを特徴とする前記請求項３に記載の開閉器用容器を要旨とする。
【００１４】
本発明は、結晶化したガラスに、ムライトが含まれているので、強度が向上するという利点がある。
（５）請求項５の発明は、前記セラミック筒の表面に、メタライズ層を備えたことを特徴とする前記請求項２〜４のいずれかに記載の開閉器用容器を要旨とする。
【００１５】
本発明は、セラミック筒の表面にメタライズ層を備えているので、このメタライズ層を介して例えばろう付けすることにより、各種の金属部材などを接合することができる。例えばセラミック筒の開口端を覆う金属製の蓋体や、金属製のアークシールド等を接合することができる。特に蓋体を接合する場合には、ろう付け接合により気密して一体とすることができる。
【００１６】
（６）請求項６の発明は、前記メタライズ層を、前記セラミック筒の開口側の端部に備えたことを特徴とする前記請求項５に記載の開閉器用容器を要旨とする。
本発明は、メタライズ層の形成位置を例示したものである。本発明では、セラミック筒の開口側の端部（即ち軸方向の端部表面）にメタライズ層を備えているので、このメタライズ層を介して金属製の蓋体をろう付け接合することにより、セラミック筒の開口端を気密して覆うことができる。
【００１７】
（７）請求項７の発明は、前記メタライズ層が、低温メタライズにより形成された低温メタライズ層であることを特徴とする前記請求項５又は６に記載の開閉器用容器を要旨とする。
【００１８】
本発明では、セラミック筒の表面に低温メタライズ層が形成されているので、この低温メタライズ層を介して、セラミック筒の開口端を閉塞する蓋体等をろう付けすることができる。
【００１９】
ここで、低温メタライズとは、従来より低い温度（例えば１１００〜１２００℃）でメタライズの焼き付けを行うことができるものであり、特にＮｉを所定量含有している点に特徴がある。
【００２０】
例えばメタライズ材料の成分として、Ｎｉ：１〜１０重量％、Ｍｏ：７０〜９４重量％の範囲のもの（ＳｉＯ2を２〜２３重量％含有してもよい）を用いる場合には、Ｎｉ：０．７〜５．５重量％、Ｍｏ：７１〜８８重量％の範囲の低温メタライズ層を形成することが可能である（更に酸化物換算したＳｉＯ2を３〜１８重量％含有してもよい）。
【００２１】
特に、セラミック筒の材料として、アルミナが４５〜６５重量％の低純度アルミナを採用する場合には、従来より低い焼成温度（例えば１２００〜１３５０℃）にて焼成できるが、この種の材料からなるセラミック筒にメタライズを施す場合には、その焼成温度より低い温度でメタライズの焼き付けを行う必要がある。
【００２２】
つまり、セラミック筒の焼成温度より高い温度焼き付けを行うと、セラミック筒に悪影響を及ぼす恐れ（例えば変形や比重の変化等の性質の変化の発生、又はメタライズ密着不良）があるが、本発明では、低温メタライズにより低温メタライズ層を形成するので、その様な恐れがない。
【００２３】
尚、低温メタライズ層が形成されている位置としては、セラミック筒の開口側の端部（表面）が挙げられ、この端部にセラミック筒の開口部を閉塞する蓋体等がろう付け接合される。
【００２４】
（８）請求項８の発明は、前記請求項１〜７のいずれかに記載の開閉用容器を備えたことを特徴とする開閉器を要旨とする。
本発明の開閉器では、上述した開閉器用容器を用いるので、その製造の際に、エネルギー費を節約できる。また、高温対応の焼成炉を使用しなくとも済むので、製造コストを低減できるという利点がある。
【００２５】
（９）請求項９の発明は、前記請求項２〜７のいずれかに記載の開閉用容器を構成する前記セラミック筒の開口側の端部に、前記メタライズ層を介して、前記セラミック筒の開口端を覆う蓋体が接合されたことを特徴とする開閉器を要旨とする。
【００２６】
本発明の開閉器は、セラミック筒の開口側の端部に、メタライズ層を介して、セラミック筒の開口部を覆う蓋体が接合されたものである。
特に、メタライズ層が低温メタライズ層である場合には、メタライズの焼き付けの際に、セラミック筒に悪影響を及ぼし難い。よって、蓋体の接合部分の気密性を一層高めることができる。
【００２７】
（１０）請求項１０の発明は、前記開閉器が、真空スイッチであることを特徴とする前記請求項８又は９に記載の開閉器を要旨とする。
本発明は、開閉器の用途を例示したものである。つまり、スイッチの機能を有する開閉器として、内部が真空状態とされた真空スイッチが挙げられる。
【００２８】
（１１）請求項１１の発明は、前記開閉器が、コンタクタであることを特徴とする前記請求項８又は９に記載の開閉器を要旨とする。
本発明は、開閉器の用途を例示したものである。このコンタクタとは、より低電圧、小電力を制御する開閉器であり、内部は真空に限らず、Ｈ2ガス、大気、絶縁ガス等となることがある。
【００２９】
（１２）請求項１２の発明は、アルミナからなる主原料と粘土を含む副原料とを、焼成後にアルミナが４５〜６５重量％となる様に調製し、該調製した原料を押し出し成形することにより、筒状のセラミック成形体を形成し、その後、該セラミック成形体を焼成して、セラミック筒を製造することを特徴とするセラミック筒の製造方法を要旨とする。
【００３０】
本発明では、（完成時にアルミナ４５〜６５重量％となる様に調製した）アルミナや粘土等からなる原料を用いるので、押し出し成形が可能である。
よって、高純度アルミナの製造時の様に、（粉末プレス成形の際に必要な）泥しょうを噴霧乾燥する工程が不要であるので、製造工程を簡易化できる。
【００３１】
ここで、アルミナ材料だけでなく、粘土を添加すると良いのは、粘土の粒子が微細であり、可塑性に富んでいるからである。また、含有成分により、焼成温度を下げることができるからである。
【００３２】
また、アルミナが４５〜６５重量％の低純度アルミナを採用することにより、低温（例えば１２００〜１３５０℃）にて焼成できるので、エネルギー費を節約できるとともに、高温対応の焼成炉を使用しなくとも済み、よって、製造コストを低減できるという利点がある。
【００３３】
尚、前記粘土とは、カオリナイト、ハロイサイト等のカオリン鉱物を主成分とする微細粒子の天然原料であり、可塑性に富んだ粘土のことである。
（１３）請求項１３の発明は、前記主原料及び副原料の合計量に対する前記粘土の割合が、２０〜５０重量％の範囲であることを特徴とする前記請求項１２に記載のセラミック筒の製造方法を要旨とする。
【００３４】
本発明は、粘土の割合を例示したものであり、この範囲であれば、適量の水を加えて原料を調製することにより、好適な押し出し成形が可能である。
尚、前記主原料と副原料とは、焼成後にセラミック筒を構成する材料であり、押出し成形の原料を調製する際に添加される水等を除いたものである。また、アルミナや粘土以外には、例えば長石や珪石を適宜添加できる。
【００３５】
（１４）請求項１４の発明は、前記セラミック成形体の焼成温度が、１２００〜１３５０℃の範囲であることを特徴とする前記請求項１２又は１３に記載のセラミック筒の製造方法を要旨とする。
【００３６】
本発明は、好ましい焼成温度を例示したものである。
（１５）請求項１５の発明は、前記セラミック筒の開口側の端部に、低温メタライズを施すことを特徴とする前記請求項１２〜１４のいずれかに記載のセラミック筒の製造方法を要旨とする。
【００３７】
本発明では、セラミック筒の開口側の端部に、低温メタライズを施して低温メタライズ層を形成するので、この低温メタライズ層を介して蓋体等を接合することができる。
特に、低温メタライズの焼き付け温度は低いので、セラミック筒の焼成温度が低い場合でも、焼き付け温度を十分に低くすることができる。よって、低温メタライズの焼き付け時にセラミック筒に変形等の悪影響を及ぼし難いので、ろう付け接合した場合でも、その気密性を確保することができる。
【００３８】
（１６）請求項１６の発明は、前記セラミック筒が、前記請求項２〜７のいずれかに記載の開閉器用容器に用いられるセラミック筒であることを特徴とする前記請求項１２〜１５のいずれかに記載のセラミック筒の製造方法を要旨とする。
【００３９】
本発明は、前記セラミック筒の製造方法により、上述した開閉器用容器を製造することを示したものである。
つまり、これらの製造方法により、製造工程を簡易化したり製造コストを抑えて、好適にセラミック筒を製造することができる。
【００４０】
尚、上述したろう付けの際に用いるろう材としては、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｌを含む各種のろう材を用いることができる。更に、これらに、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｎ等を添加して、融点や濡れ性を制御することもできる。
【００４１】
また、前記メタライズ層の表面には、Ｎｉ等の金属層を設けることが好ましいが、この金属層を構成する金属成分としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単体や合金を採用できる。尚、この金属層を形成する手法としては、メッキにより形成する方法や、ペーストを塗布して焼き付けする方法等を採用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
次に、本発明の最良の形態の例（実施例）について説明する。
【実施例１】
【００４３】
ここでは、開閉器の１種である真空スイッチを例に挙げて説明する。
ａ）まず、本実施例の真空スイッチについて説明する。
本実施例の真空スイッチは、真空容器内に電極（スイッチ部材）等を内蔵し、高電圧、大電流の開閉に適した高負荷開閉器である。
【００４４】
詳しくは、図１に示す様に、開閉器１は、絶縁バルブ（セラミック筒）３と、セラミック筒３の軸方向（図１の上下方向）の開口端を塞ぐ第１及び第２の端蓋５、７と、第１の端蓋５に摺動自在に配置された可動電極９と、第２の端蓋７に取り付けられた固定電極１１とを備え、可動電極９と固定電極１１とにより接点１３が構成されている。
【００４５】
前記セラミック筒３は、アルミナが４５〜６５重量％の範囲（例えば５０重量％）のセラミック焼成体であり、内径８０ｍｍ×肉厚５ｍｍ程度×長さ１００ｍｍの略円筒形である（図２参照）。尚、セラミック筒３の外周面には、釉薬層（図示せず）が形成されている。
【００４６】
前記第１、２端蓋５、７は、円板状のコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）板で皿状に形成され、各中央部には、穴１９、２１が、それぞれ設けられている。
前記可動電極９は、穴１９に貫挿された可動軸２３と、可動軸２３の先端に設けられた電極部２５とから構成されている。この可動電極９は、蛇腹状の金属べローズ２７により、真空保持状態で開閉動作を可能とされている。
【００４７】
前記固定電極１１は、穴２１に固着される固定軸２９と、固定軸２９の先端に設けられた円板状の電極部３１とから構成されている。
また、前記接点１３を囲んで、略円筒状のアークシールド３３が配置されている。このアークシールド３３は、電流開閉時に接点１３にて発生する金属蒸気がセラミック筒３の内周面に付着して絶縁が低下するのを防止するためのものであり、その下端に設けられたフランジ部３５にて、第２の蓋体７にロー付けにより接合されている。
【００４８】
図３に示す様に（同図ではセラミック筒３の上端部分のみを拡大して模式的に示している）、前記セラミック筒３の軸方向の両端面には、前記第１、２端蓋５、７が接合されおり、この両端面に、低温でのメタライズにより低温メタライズ層４１が形成されている。そして、低温メタライズ層４１上には、Ｎｉメッキによってメッキ層（金属層）４３が形成され、メッキ層４３上には、第１、２端蓋５、７がそれぞれろう材層４５によってろう付け接合されている。
【００４９】
尚、低温メタライズ層４１は、Ｍｏ：７１〜８８重量％、Ｎｉ：０．７〜５．５重量％、酸化物換算したＳｉＯ2：３〜１８重量％からなるメタライズ層である。
ｂ）次に、本実施例の要部であるセラミック筒３の製造方法について説明する。
【００５０】
天然原料である長石、珪石、粘土及びアルミナ等をミルに投入し、水を添加して粉砕混合する。ここで、アルミナ含有量は、焼成後の組成分析（ＥＰＭＡ）にて４５〜６５重量％となる様に調整する。
【００５１】
次に、でき上がった粘土状原料を、押し出し機に投入し、所望のサイズ（外径φ１０８ｍｍ×内径φ９６ｍｍ）の口金を通し、押し出し成形を行う。
この円筒形の成形体を、所望する長さ（例えば１２０ｍｍ）に切断し、乾燥する。
【００５２】
次に、成形体の外周面に泥状の釉薬を塗布し、乾燥し、焼成炉に投入する。そして、焼成炉内にて、焼成温度１３００℃、大気雰囲気にて焼成する。
この焼成体、即ちセラミック筒３の両端面を研磨する。
【００５３】
次に、低温メタライズを施す箇所、即ちセラミック筒３の両端面に、低温メタライズのペースト材料を印刷により塗布し、乾燥する。
尚、このペースト材料は、目的の低温メタライズ層４１の組成となる様に秤量したＭｏ粉末、Ｎｉ粉末、ＳｉＯ2粉末からなる混合物（例えば８７重量％）を、粉砕混合し、エ
トセル等の有機バインダ（例えば１３重量％）と混合してペースト（メタライズインク）としたものである。
【００５４】
その後、還元雰囲気、露点１０〜４０℃にて、１１００〜１２００℃で焼き付ける。
この低温メタライズとは、Ｎｉ：１〜１０重量％、Ｍｏ：７０〜９４重量％からなるメタライズ材料を含むメタライズペーストを用いてメタライズ層を形成するものであり、Ｎｉを含有することにより、低温での焼き付けが可能である。
【００５５】
そして、形成した低温メタライズ層４１の表面にＮｉメッキを施してメッキ層４３を形成する。
その後、このメッキ層４３に、第１、２の蓋体５、７を、例えば共晶銀銅ろうを用いて接合する。
【００５６】
尚、アークシールド３３は、予め第２の蓋体７にろう付けしておく。また、固定電極９や可動電極１１等の各種のスイッチ部材は、第１、２の蓋体５、７をろう付けする前に、セラミック筒３の内部にて組み付けておく。
【００５７】
ｃ）この様に、本実施例では、低純度アルミナを用い、押し出し成形によりセラミック筒３を製造するとともに、その低純度アルミナからなるセラミック筒３の開口側の端部表面に低温メタライズ層４１を形成し、その低温メタライズ層４１を介して第１、２の蓋体５、７をろう付けしている。
【００５８】
そのため、従来に比べて、製造工程を簡易化できるとともに、製造コストを低減することができる。
また、セラミック筒３の焼成温度より低温メタライズの焼き付け温度が低いので、セラミック筒３に変形等の不具合が生ぜず、高い気密性を維持して蓋体５、７を接合することができる。
【００５９】
更に、セラミック筒３自体も、開閉器１の容器として、強度や電気的特性など、必要な特性を確保している。
ｄ）次に、本実施例の効果を確認するために行った実験例について説明する。
【００６０】
尚、下記表１の試料No.３〜５が本発明の範囲であり、試料No.１、２、６、７が本発明の範囲外の比較例である。
(1)気密リーク検査
図４に示す様に、前記実施例と同様なセラミック筒５１の両端面に、前記実施例と同様なろう付けにより、コバールからなるキャップ状の蓋体５３、５５を接合し、セラミック筒の両端面の開口部を塞いで、セラミック筒試験体５７を製造した。
【００６１】
また、このセラミック筒試験体５７を、測定のために用いる装置の第１室に収容するとともに、第１室に隣接した第２室とセラミック筒試験体５７の蓋体５５の一方とにパイプ５９を接合して、第２室とセラミック筒試験体５７の内部とを連通した。
【００６２】
そして、セラミック筒試験体５７を収容した第１室の周囲にＨｅガスを供給するとともに、第２室を真空状態（例えば１０-5Ｐａ）にすることにより、セラミック筒試験体５７の内部も同様な真空状態（例えば１０-5Ｐａ）とした。また、第２室のパイプ５９の開口部付近に、Ｈｅを検出するＨｅ検出装置（例えばヘリウムリークディテクタ：Veeco社製）６１を配置した。
【００６３】
この状態で、Ｈｅ検出装置６１を用いて、セラミック筒試験体５７の周囲からセラミック筒試験体５７の内部に流入するＨｅの有無を調べた。つまり、例えばセラミック筒試験体５７のろう付け部分からＨｅが流入した場合には、パイプ５９の開口部にＨｅが流出するので、このＨｅを検出するようにした。
【００６４】
その結果を、下記表１に記す。尚、表１において、○がＨｅの漏出が無いことを示している。表１から明らかな様に、本発明の範囲のものは、Ｈｅの漏出が無く、気密性に優れていることが分かる。
【００６５】
(2)抗折強度測定
前記実施例のセラミック筒の一部を切り出し、長さ５０ｍｍ×幅４ｍｍ×厚み３ｍｍの試験片を作成した。
【００６６】
そして、この試験片に対して、熱処理前及び熱処理後（１２００℃→室温→８００℃→室温の熱処理後）において、ＪＩＳ  Ｒ１６０１（３点曲げ強さ試験方法）による抗折強度の測定を行った。
【００６７】
その結果を同じく下記表１に記す。表１から明らかな様に、本発明の範囲のものは、抗折強度が高く、好ましいことが分かる。
(3)耐電圧測定
図５に示す様に、前記実施例と同様なセラミック筒を軸方向にカットして切り出して試験片７１を作成した。次に、この試験片７１を絶縁油（例えば鉱油又はアルキルベンゼン等の低粘度絶縁油（ＪＩＳ  Ｃ２３２０））中に入れ、両側に銅製電極７３、７５を接触させ、両銅製電極７３、７５間に交流電圧（６０Ｈｚ）を印加し、電圧を徐々に上げていった。
【００６８】
そして、その際に、絶縁が破壊される絶縁耐圧を、明治電気製の耐電圧試験装置により測定した。
その結果を、同じく下記表１に示す。表１から明らかな様に、本発明の範囲のものは、耐電圧が高く、好ましいことが分かる。
【００６９】
(4)接合強度測定
図６に示す様に、前記実施例と同様なセラミック筒８１の上端面に、前記実施例と同様なろう付け方法により、コバール製の外径φ３ｍｍ×１００ｍｍの金属部材（ピン）８３を５本ろう付けした。
【００７０】
次に、図７に示す様に、セラミック筒８１の上端面を治具８５で押さえ、この状態で、金属ピン８３の上部を保持部材８７でチャッキングして、保持部材８７を上方に０．５ｍｍ／ｍｉｎの速度で引っ張った。
【００７１】
そして、この際に、金属ピン８３が剥がれるまでの強度（接合強度）を、島津製作所製のオートグラフにより測定した。
その結果（５本の平均値）を、同じく下記表１に示す。表１から明らかな様に、本発明の範囲のものは、接合強度が高く、好ましいことが分かる。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
尚、表１において、通常メタライズとは、Ｍｏ−Ｍｎ法によるメタライズ（Ｍｏ：９２〜９５重量％、Ｍｎ：８〜５重量％）を示している。
この表１から明らかな様に、本発明の範囲の試料No.３〜５は、アルミナ純度が４８〜
６１重量％の低純度であるので、焼成温度が低く（１３００℃）、製造コストが少なくて済むという利点がある。
【００７４】
また、抗折強度は、熱処理前において、２００ＭＰａ以上、熱処理後において、１７７ＭＰａ以上と、十分に高い、更に、耐電圧は、８．８kV/mm以上と高く、接合強度も、１７０ＭＰａ以上と十分に高い。従って、開閉器に必要な特性の点でも十分である。
【００７５】
しかも、低温メタライズを採用しているので、低い焼成温度でセラミック筒を焼成した場合でも、気密性に何等問題はない。
従って、本発明の範囲のものは、総合評価は○（優れている）である。
【００７６】
それに対して、比較例のものは、例えば製造コストや特性などの点で問題があり、好ましくない。
具体的には、アルミナ純度が過度に低いもの（試料No.１、２）は、抗折強度及び接合
強度が十分ではなく好ましくない。従って、総合評価は×（劣っている）である。
【００７７】
また、アルミナ純度が過度に高いもの（試料No.６、７）は、粉末プレスが必要である
ので、製造工程が複雑で、焼成温度も高くなり（試料No.７）、製造コストがかかり十分
ではない。従って、総合評価は△（やや劣っている）である。
【００７８】
(5)Ｘ線回折
次に、Ｘ線回折の測定実験について説明する。
Ｘ線回折の測定対象は、前記表１の試料No.１、No.５であり、その測定条件は、下記の通りである。
【００７９】
ターゲット：銅
フィルター：ニッケル
管電圧    ：３５ｋＶ
管電流    ：１５ｍＡ
時定数    ：１秒
走査速度  ：２°／分
スリット（発散：１°、受光：０．１５mm、散乱：１°）
操作範囲  ：２Θ  ６０°
その測定結果を、図８（本発明の範囲の試料No.５）及び図９（比較例の試料No.１）に示す。この図８及び図９から（Ｍはムライト、Ａはアルミナ、Ｑはシリカの単結晶を意味する）、本発明品は、ムライトを含んでいることが分かる。
【００８０】
尚、図８から明かな様に、アルミナ以外の成分のうち、Ｘ線回折におけるピーク高さはムライトが最も大きい。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００８１】
（１）例えば前記実施例では、１層の低温メタライズを行ったが、２層メタライズを行ってもよい。
この２層メタライズにより形成されるものは、下層のメタライズ層とその上層の合金層とからなる層である。例えば下層は、Ｍｏ：７１〜８８重量％、Ｎｉ：０．７〜５．５重量％を含有する低温メタライズ層であり、上層は、Ｎｉ：３６〜６１．３重量％、Ｃｕ：３３〜６０重量％又はＭｎ：２〜３０重量％含む合金層である。
【００８２】
この２層メタライズは、下層を印刷し、塗布し、乾燥後、上層を印刷、塗布し、乾燥し、その後、例えば露点１０〜４０℃、焼成温度１１００〜１２００℃で焼成することにより実現できる。
【００８３】
（２）また、前記開閉器用容器がセラミック体である場合（例えばセラミック筒では無い場合）には、その形成方法として、例えば射出成形、プレス成形等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】実施例の真空スイッチを破断して示す説明図である。
【図２】セラミック筒を示す斜視図である。
【図３】セラミック筒の端面におけるろう付け部分を拡大し破断して模式的に示す説明図である。
【図４】気密性の実験方法を示す説明図である。
【図５】耐電圧の実験方法を示す説明図である。
【図６】接合強度の実験に用いる試験体を示す斜視図である。
【図７】接合強度の実験方法を示す斜視図である。
【図８】本発明品のＸ線回折の実験結果を示す説明図である。
【図９】比較例のＸ線回折の実験結果を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８５】
１…開閉器
３…絶縁バルブ（セラミック筒）
５…第１の蓋体
７…第２の端蓋
９…可動電極
１１…固定電極
１３…接点
４１…低温メタライズ層
４３…メッキ層
４５…ろう材層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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