(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁性基体と導電層間の密着性の向上と、回路パターンのファイン化とを両立させた導電性シートを提供する。【解決手段】絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、スルホールまたはビアホールを２以上形成したことを特徴としている。【選択図】        図２
2005032901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、スルホールまたはビアホールを２以上形成したことを特徴とする導電性シート。
【請求項２】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層は他方の面に存在する導電層と電気的に接続していない導電層を含み、かつ該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているアンカーホールを１以上形成し、該アンカーホールはそれを介しては他方の面に存在する導電層と電気的に接続することはなく、かつその壁面に導電層を有するかまたはその内部に導電層が充填されていることを特徴とする導電性シート。
【請求項３】
前記アンカーホールは、前記絶縁性基体の表裏両面において開孔面積が異なったものであることを特徴とする請求項２記載の導電性シート。
【請求項４】
電気的接続を目的とせず、前記導電層の前記絶縁性基体への密着性の向上を目的とするアンカー層が、前記アンカーホールを介して他方の面の導電層と接続されていることを特徴とする請求項２記載の導電性シート。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電性シートを用いた半導体製品、電気製品、電子製品、自動車、太陽電池、アンテナ回路基板またはＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性シートに関する。より詳細には、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板、ＩＣカード等に好適に用いることができる導電性シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気、電子部品用回路基板や半導体用回路基板として使用されるＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）やＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板としては、絶縁性基体に導電層となる銅箔を貼り合わせた構成の導電性シートが用いられてきた（特許文献１）。
【０００３】
このような構成の導電性シートは、絶縁性基体と銅箔とを密着性高く接着させることが必要であり、たとえば絶縁性基体に接着剤を塗布して銅箔を貼り合わせたり、あるいは銅箔に接着剤を塗布したものを絶縁性基体に貼り合わせたりして製造されていた。そして、これらの絶縁性基体と銅箔との密着性をさらに向上させるために、種々の接着剤が選定されたり、銅箔表面に銅の粒状物を付着させて凹凸状の突起を形成させたりすることが試みられてきた。
【０００４】
これらの方法によりある程度両者の密着性を向上することができるものの、回路パターンのファイン化に伴なって上記いずれの方法においても次のような問題が指摘されている。すなわち、接着剤を用いる場合、その接着剤の種類にかかわらず塗布厚が１０〜３０μｍにおよび、導電性シート全体の厚みが厚くなることから回路パターンのファイン化に不利な要因となる。また、導電層をエッチングしてファイン化された回路パターンを形成するとき、この接着剤層がエッチングを妨げる場合がある。さらに、銅箔表面に銅の粒状物を付着させて凹凸状の突起を形成させる場合、該粒状物が回路パターンのファイン化を妨げることがある。
【０００５】
一方、上記のような接着剤や凹凸状の突起を介さずに、絶縁性基体に導電層を直接形成する方法も種々検討されており、たとえばスパッタリング、蒸着、無電解めっきまたは電気めっきにより導電層を形成したものが知られている。このような方法により導電層を形成したものは、回路パターンのファイン化に伴なう上記のような問題は解消されるものの、逆に導電層と絶縁性基体との間の密着性という観点からは未だ改善の余地が残されている現状にある。
【０００６】
【特許文献１】
特開平４−２８６３９４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、絶縁性基体と導電層間の密着性の向上と、回路パターンのファイン化とを両立させた導電性シートを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、スルホールまたはビアホールを２以上形成したことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層は他方の面に存在する導電層と電気的に接続していない導電層を含み、かつ該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているアンカーホールを１以上形成し、該アンカーホールはそれを介しては他方の面に存在する導電層と電気的に接続することはなく、かつその壁面に導電層を有するかまたはその内部に導電層が充填されていることを特徴としている。
【００１０】
上記アンカーホールは、上記絶縁性基体の表裏両面において開孔面積が異なったものであることが好ましい。
【００１１】
また、上記導電性シートにおいては、電気的接続を目的とせず、上記導電層の上記絶縁性基体への密着性の向上を目的とするアンカー層が、上記アンカーホールを介して他方の面の導電層と接続されていることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、上記の導電性シートを用いた半導体製品、電気製品、電子製品、自動車、太陽電池、アンテナ回路基板またはＩＣカードに関する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。本明細書の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示す。
【００１４】
＜導電性シートおよびその用途＞
図１に示したように、本発明の導電性シート１は、絶縁性基体２の表裏両面に導電層３が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層３が該絶縁性基体２を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホール４を介して他方の面に存在する導電層３と電気的に接続された構成を有するものであり、また図２に示すように、該絶縁性基体２の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層３ｂおよび３ｃとは電気的に接続していない導電層３ａが少なくとも１以上形成された構成を有する。なお、図１は、図２の導電層３ａが形成されている部分の概略断面図である。
【００１５】
このような構成を有する本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板、ＩＣカード等に好適に用いることができる。したがって、本発明は、このような導電性シートを用いた各種半導体製品、電気製品、電子製品、自動車、太陽電池、アンテナ回路基板またはＩＣカードにも関する。以下、本発明の導電性シートの各構成について説明する。
【００１６】
＜絶縁性基体＞
本発明の導電性シートの基材として用いられる絶縁性基体としては、この種の用途に用いることができる従来公知のものであれば特に限定なくいかなるものも用いることができる。特に、薄い厚みを有するフイルムの形状のものが好適である。後述の導電層の形成に適しているとともに、ロールのような長尺の連続状のものとして加工することが可能となり生産効率を向上させることができるからである。
【００１７】
このような絶縁性基体の一例を挙げると、たとえばＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル、ポリイミド、アラミド、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等のフィルムを挙げることができる。これらの中でも特に柔軟性に優れ高性能化の可能なポリイミドやガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるフィルムを用いることが好ましい。
【００１８】
なお、ここでいうフィルムとは、その厚みが４〜３００μｍ、好ましくは１２〜５０μｍ程度のものが好適である。４μｍ未満では、強度が弱く加工に耐えられない場合があり、３００μｍを超えると後述のようにスルホールやビアホール、またはアンカーホールに対して導電層を形成する際に支障をきたす場合があるからである。
【００１９】
また、このように絶縁性基体の形状は、フィルム状のものが特に適しているが、フィルム状の形状であれば枚葉の形態のものであってもロールのような長尺の連続状の形態のものであっても差し支えない。本発明においては、特にその製造における加工効率の観点からロールのような長尺の連続状のものを用いることが好適である。
【００２０】
＜スルホール＞
本発明におけるスルホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であって、このスルホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層を互いに電気的に接続することができる。
【００２１】
本発明においては、絶縁性基体に対してこのスルホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。
【００２２】
このようなスルホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなく、たとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該スルホールは、その内径が５〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、３００μｍを超えると導電層の幅方向の長さに対するスルホールの径が大きくなり過ぎ有効な回路スペースの確保や電気的接続に問題を生じる場合がある。したがって、スルホールの内径は、加工コストが高くならない範囲内で小さく形成する方が回路設計上有利である。
【００２３】
また、このようなスルホールは、該絶縁性基体の表面において島状に存在する導電層１つ当りに２以上、好ましくは２〜５、更に好ましくは２〜３、その導電層が形成されている絶縁性基体の相当部分において形成されていることが好ましい。島状に存在する導電層１つ当りにスルホールを１つだけ形成すると、導電層と絶縁性基体間の密着性に問題があるとともに、電気的接続性にも問題を生ずる場合があるからである。また、あまりに多数のスルホールを形成すると、導電層に占めるスルホールの面積が大きくなり、回路設計上の自由度が低下するとともに、加工効率も低下することとなるため、島状に存在する導電層１つ当りに５つ程度までとすることが好ましい。
【００２４】
ここで、島状に存在する導電層とは、該絶縁性基体の表裏いずれかの面において、その同一表面内の他の導電層と電気的に接続していない各導電層をいうものとする。
【００２５】
すなわち、図２に示すように、該絶縁性基体２の表裏両面には、その同一の表面内の他の導電層３ｂおよび３ｃとは電気的に接続していない導電層３ａが少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上（図２においては少なくとも導電層３ａまたは導電層３ｂ、３ｃ）が形成されている絶縁性基体の相当部分において、上記スルホールが２以上形成されていることが好ましい。このように島状に存在する導電層１つ当りに２以上のスルホールを形成することにより、該導電層は電気的接続性に対する信頼性が高まるとともに、絶縁性基体に対する密着性も高められる。
【００２６】
このようなスルホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等の各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどの開孔手段により絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。特にスルホールの内径が８０μｍよりも小さくなる場合は、各種レーザにより開孔することが好ましい。
【００２７】
＜ビアホール＞
本発明におけるビアホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であって、このビアホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層を互いに電気的に接続することができる。このようにビアホールは、上記スルホールと同様の作用を有するものであるが、上記スルホールがその壁面のみに導電層が形成され中心部に空洞状の部分が残る形態をとるのに対して、このビアホールはホール内部が全て導電層により充填されて空洞状の部分を有さない点においてその形態が異なっている。
【００２８】
本発明の導電性シートにおいて、絶縁性基体の表裏両面の導電層をスルホールを介して電気的に接続するか、あるいはビアホールを介して電気的に接続するかは、回路パターンの形状や大きさ等により任意に選択することができ、これら両者を各単独でまたは併用して形成することができる。
【００２９】
本発明においては、スルホールの場合と同様、絶縁性基体に対してこのビアホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とビアホール内に充填される導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。
【００３０】
このようなビアホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなく、たとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該ビアホールは、その内径が５〜１００μｍ、好ましくは１０〜２５μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、１００μｍを超えると導電層によりホール内部を充填するのに長時間を要し、生産効率を悪化させることになる。なお、このようなビアホールの内径は、加工コストが高くならない範囲内で小さく形成する方が回路設計上有利である。
【００３１】
また、このようなビアホールは、該絶縁性基体の表面において島状に存在する導電層１つ当りに２以上、好ましくは２〜５、更に好ましくは２〜３、その導電層が形成されている絶縁性基体の相当部分に形成されていることが好ましい。島状に存在する導電層１つ当りにビアホールを１つだけ形成すると、導電層と絶縁性基体間の密着性に問題があるとともに、電気的接続性にも問題を生ずる場合があるからである。また、あまりに多数のビアホールを形成すると、導電層に占めるビアホールの面積が大きくなり、回路設計上の自由度が低下するとともに、加工効率も低下することとなるため、島状に存在する導電層１つ当りに５つ程度までとすることが好ましい。なお、該ビアホールが、スルホールとともに形成される場合には、両者の合計数が、２以上、好ましくは２〜５、更に好ましくは２〜３形成されていることが好ましい。
【００３２】
ここで、島状に存在する導電層とは、前記同様の導電層をいうものとする。すなわち、図２に示すように、該絶縁性基体２の表裏両面には、その同一の表面内の他の導電層３ｂおよび３ｃとは電気的に接続していない導電層３ａが少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上（図２においては少なくとも導電層３ａまたは導電層３ｂ、３ｃ）が形成されている絶縁性基体の相当部分において、上記ビアホールが２以上形成されていることが好ましい。このように島状に存在する導電層１つ当りに２以上のビアホールを形成することにより、該導電層は電気的接続性に対する信頼性が高まるとともに、絶縁性基体に対する密着性も高められる。
【００３３】
このようなビアホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等の各種レーザにより絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。
【００３４】
＜導電層＞
本発明の導電層は、前記絶縁性基体の表裏両面に直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されている前記スルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている（図１参照）。また、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており（図２参照）、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、前述の通りスルホールまたはビアホールを２以上形成したことを特徴としている。
【００３５】
また、本発明の導電層は、絶縁性基体の他方の面に存在する導電層と電気的に接続していない導電層を含んでいても良く、また後述のアンカーホールを１以上含むことができる。すなわち、該導電層には、それが形成されている絶縁性基体の相当部分にスルホールまたはビアホールが形成されていないものも含まれ得、よってスルホールまたはビアホールと、アンカーホールとの両者が形成されるものがあるとともに、これら両者のうちいずれか一方のもののみが形成されるものもある。
【００３６】
このような導電層は、前記絶縁性基体の表裏両面に直接形成されるとともに、前記スルホール等（後述のアンカーホールを含む、以下同じ）の壁面にも形成され、またビアホール等（後述のアンカーホールを含む、以下同じ）に対してはその内部を充填するようにして形成されるものである。また、該導電層は、該スルホール等の壁面または該ビアホール等の内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有するようにして形成される。
【００３７】
ここで、該導電層が絶縁性基体上に直接形成されるとは、接着剤などを介さずに直接絶縁性基体と接するようにして形成されることを意味し、絶縁性基体の表裏両面だけではなくスルホールやビアホール等においても絶縁性基体と直接接するようにして形成されるものである。これにより、従来接着剤を使用することに起因して発生していた諸問題を解消することに成功したものであり、特に回路パターンのファイン化を可能としたものである。
【００３８】
このような絶縁性基体の表裏両面の導電層は、スルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されるものであるが、ここでスルホールを介して電気的に接続されるとは、具体的にはこのように絶縁性基体の表裏両面に直接形成されている導電層がスルホールの壁面に形成される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。また、ビアホールを介して電気的に接続されるとは、このように絶縁性基体の表裏両面に直接形成されている導電層が、ビアホールの内部に充填される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。このように、スルホールの壁面の導電層またはビアホールの内部に充填される導電層と、絶縁性基体の表裏両面の導電層とが同一の構成を有することにより、信頼性の高い電気的接続が可能となる。
【００３９】
このような導電層は、電気導電性の作用を有する限りその組成が特に限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＢｉおよびＣｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により構成されることが好ましく、単一層として形成することができるとともに、同一組成のものあるいは異なった組成のものを複数層積層して形成することもできる。
【００４０】
上記導電層がスルホール等の壁面またはビアホール等の内部と、絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有するとは、上記のような積層状態が同一であることを意味し、必ずしもその層の厚さまでもが同一であることを意味するものではない。
【００４１】
また、上記導電層は、前記スルホールの壁面または前記ビアホールの内部と、前記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることが好ましい。なお、同一の工程で形成する方法については、後述する。
【００４２】
このような導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことができる。本発明においては、これらの第１導電層および第２導電層がそれぞれ単層または複数層積層されて、導電層を構成することができる。
【００４３】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、前記絶縁性基体上に直接形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金、より好ましくはＣｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、ＴｉまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金をスパッタリング法または蒸着法により形成することができる。この第１導電層は、後述の第２導電層を形成するための言わば下地層としての作用を有するものであり、第２導電層の絶縁性基体に対する密着性を向上させる作用を有するものである。
【００４４】
このような第１導電層は、５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３０００Åの厚みで形成することが好適である。５００Å未満では、後述の第２導電層の密着性を向上させる作用を十分に示すことができず、また５０００Åを超えても第２導電層の密着性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００４５】
このような第１導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００４６】
なお、この第１導電層を２層以上積層する場合は、絶縁性基体上にまずＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｏから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金を積層し、その上にＣｕ、Ａｇ、ＳｎまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金を積層させることが好ましい。
【００４７】
前記Ｃｕ、Ａｇ、ＳｎまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金は、良好な電気特性を有しかつ第２導電層との密着性にも優れ、また比較的安価であることからこのような用途に用いることが有利であるが、容易に酸化され電気特性が害されるという問題を有している。そこで、この酸化の問題を解消するためにこのような層の下に（すなわち絶縁性基体との間に）耐酸化性を有する金属、たとえばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｏから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金を形成すれば、酸化による経時的な密着力の劣化を防止することができる。
【００４８】
このような耐酸化性を有する金属からなる層は、その厚みを１０〜２００Å、好ましくは３０〜７０Åとすることが好適である。１０Å未満の場合は、耐酸化性の作用を十分に示さない場合があり、また２００Åを超えると回路パターンを形成する際にエッチングが困難となる場合がある。
【００４９】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、前記第１導電層上に形成されるものであり、導電層として上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金、より好ましくはＣｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、ＢｉまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金を無電解めっき法または電気めっき法により適用することにより形成されるものである。これらの金属または合金の中でも、特に好ましくはＣｕであり、硫酸銅を電気めっきして形成するものが特に好ましい。コスト的に安価であり、電気的接続の信頼度が高く、また生産効率にも優れるからである。
【００５０】
このような第２導電層は、前記第１導電層よりも厚く形成することにより主として電気導電性および機械的強度を付与する作用を奏するものである。また、この第２導電層は、電気導電性を示すことから絶縁性基体の表裏両面で対向するように配置すればコンデンサとしての作用も示すことができる。
【００５１】
このような第２導電層は、０．５〜５０μｍ、好ましくは４〜３８μｍの厚みで形成することが好適である。０．５μｍ未満では、十分な電気導電性が得られず電気抵抗が大きくなり過ぎるという問題があり、また５０μｍを超えても電気導電性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００５２】
このような第２導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００５３】
なお、この第２導電層は、比較的厚く形成させる場合には電気めっき法を採用して形成することが好ましく、また比較的薄く形成させる場合には、無電解めっき法を採用して形成することが好ましい。
【００５４】
＜アンカーホール＞
本発明におけるアンカーホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であるが、前述のスルホールまたはビアホールと異なりこのアンカーホールを介しては、前記導電層は絶縁性基体の他方の面に存在する導電層と電気的に接続することはない。
【００５５】
このようなアンカーホールは、その壁面に導電層を有するか、またはその内部に導電層が充填されていることにより、前記導電層の前記絶縁性基体に対する密着性を向上させる作用を奏するものである。たとえば、図３（ａ）に示すようにアンカーホール５の壁面には、スルホールのように導電層３を形成することができ、また図３（ｂ）に示すようにアンカーホール５の内部には、ビアホールのように導電層３を充填することもできる。
【００５６】
本発明においては、前述のスルホールやビアホールと同様、絶縁性基体に対してこのアンカーホールを形成した後に前記導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とアンカーホール内の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、導電層と絶縁性基体間の密着性をさらに向上させることができる。
【００５７】
このようなアンカーホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはないが、好ましくは前記絶縁性基体の表裏両面において開孔面積が異なっていることが好ましい。すなわち、図３（ｃ）に示したように前記導電層が形成される方の面の開孔面積を、導電層が形成されていない方の面の開孔面積よりも小さくすることにより、導電層の絶縁性基体に対する密着性を更に向上させることができる。
【００５８】
このようなアンカーホールの内径は、５〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、３００μｍを超えると導電層の幅方向の長さに対するアンカーホールの径が大きくなり過ぎ有効な回路スペースの確保や電気的接続に問題を生じる場合がある。したがって、アンカーホールの内径は、加工コストが高くならない範囲内で小さく形成する方が回路設計上有利である。
【００５９】
また、このようなアンカーホールは、該絶縁性基体の表面において島状に存在する導電層１つ当りに１以上、好ましくは１〜３０、更に好ましくは３〜１０、その導電層が形成されている絶縁性基体の相当部分において形成されていることが好ましい。島状に存在する導電層１つ当りにアンカーホールを全く形成しないと、導電層と絶縁性基体間の密着性に問題が生じる場合があり、またあまりに多数のアンカーホールを形成すると、導電層に占めるアンカーホールの面積が大きくなり、回路設計上の自由度が低下するとともに、加工効率も低下することとなるため、島状に存在する導電層１つ当りに３０個程度までとすることが好ましい。
【００６０】
ここで、島状に存在する導電層とは、前記で説明したのと同様の導電層を意味する。すなわち、図２に示すように、該絶縁性基体２の表裏両面には、その同一の表面内の他の導電層３ｂおよび３ｃとは電気的に接続していない導電層３ａが少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上（図２においては少なくとも導電層３ａまたは導電層３ｂ、３ｃ）が形成されている絶縁性基体の相当部分において、上記アンカーホール５が１以上形成されていることが好ましい。
【００６１】
また、このようなアンカーホール５は、絶縁性基体２において上記導電層の屈曲部７や、長い直線状の場所に相当する部分に形成することが特に有効である。また、導電層の幅が狭い場所や、はんだ付け部８等に相当する部分に形成することも有効である。導電層のそのような場所において、絶縁性基体との密着性が不足する傾向にあるからである。
【００６２】
このようなアンカーホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等の各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどの開孔手段により絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。特にスルホールの内径が８０μｍよりも小さくなる場合は、各種レーザにより開孔することが好ましい。
【００６３】
＜アンカー層＞
本発明のアンカー層は、電気的接続を目的とせず、導電層の絶縁性基体への密着性の向上を目的として形成されるものである。図３（ａ）（ｂ）に示したように、該アンカー層６は、アンカーホール５を介して他方の面の導電層３と接続されているが、同一の面内に存在する導電層と接続することはない。
【００６４】
このようなアンカー層は、前記導電層と同様の組成および同様の積層構成（第１導電層および第２導電層と同様の組成および厚みのものを含み得る）を有するものであって、上記アンカーホールが開孔された後に導電層と同一の工程で形成後、エッチング等されることにより同一面内の導電層と絶縁されるようにして形成することが好ましい。なお、導電層の詳細な形成方法については、次に説明する。
【００６５】
＜導電層の形成方法＞
本発明の前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホール、ビアホールまたはアンカーホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホール等（アンカーホールを含む、以下同じ）の壁面またはビアホール等（アンカーホールを含む、以下同じ）の内部とにおいて同一工程で形成されるものとすることが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール等の壁面またはビアホール等の内部の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。また、導電層と絶縁性基体との密着性の向上にも資するものとなる。
【００６６】
ここで、導電層が同一工程で形成されるとは、該絶縁性基体の表裏両面と、該スルホール等の壁面または該ビアホール等の内部とにおいて該導電層が同時的かつ一体的に形成されることを意味している。
【００６７】
すなわち、たとえば該導電層が第１導電層と第２導電層とを含む場合、まず第１導電層が該絶縁性基体の表裏両面と該スルホール等の壁面または該ビアホール等の内部とに対してスパッタリング法または蒸着法により同時的かつ一体的に形成され、続いて第２導電層が該第１導電層上に対して無電解めっき法または電気めっき法により同時的かつ一体的に形成されるような場合が含まれる。なお、該ビアホール等の内部を該絶縁性基体の表裏両面と同時的かつ一体的に導電層により充填する場合、第１導電層は主としてビアホールの壁面に形成され、その第１導電層上に形成される第２導電層によりホール内が充填され、空洞部が埋められることになる。
【００６８】
このように、導電層が第１導電層と第２導電層を含む場合や、それぞれの層が複数層積層される場合には、各層が上記のように同時的かつ一体的に形成される限り、導電層が同一工程で形成されるものとする。
【００６９】
なお、該導電層がスパッタリング法や蒸着法により形成される場合であって、加工装置の特性等により絶縁性基体の表裏両面を一度に処理することができない場合において、表と裏それぞれについて二回の操作で導電層が形成されるとしても、表裏両面の導電層と、スルホール等の壁面またはビアホール等の内部の導電層とは同一工程で形成されるものとする。またこの場合、スルホール等の壁面またはビアホール等の内部の導電層は、この二回の操作のそれぞれの操作によりホールの中位の高さ（深さ）まで形成されると考えられ、結局二回の操作によりスルホール等の壁面またはビアホール等の内部全体に導電層が形成されるものと考えられる。また、該ホールの中位の高さ（深さ）部分において導電層が加重的に積層されていたとしても、その部分の構成は絶縁性基体の表面部の導電層の構成と同一の構成とみなすものとする。
【００７０】
このように導電層を同一工程で形成することにより、従来、絶縁性基体の表裏両面にまず導電層を形成させた後、スルホールまたはビアホールを開孔させ、その後改めてそのスルホールの壁面またはビアホールの内部に対して導電層を形成させていた方法と比較して、導電層の形成工程の回数を半減化することができるため、生産効率を大きく向上させることが可能となった。しかも、同一工程で一体的に形成されるため、信頼性の高い接続効果が得られる。
【００７１】
また、上記のような従来法においては、スルホールの壁面またはビアホールの内部のみに対して選択的に導電層を形成させることは困難であり、どうしても絶縁性基体上に予め形成されている導電層の上にまで回り込む形で導電層が形成されてしまう。しかし、これでは導電層の厚みが加重されて形成されることとなり、このように絶縁性基体上の導電層の厚みが厚くなると、回路を形成する加工が困難となり寸法精度そのものも悪化する。これに対して、本発明の上記形成方法によれば、導電層の厚みが加重されることがなく、もって可能な限り導電層の厚みを薄くすることが可能となり、回路パターンのファイン化に資するとともに寸法精度を悪化することもない。
【００７２】
なお、前記アンカーホールを介して絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成されることはないため、導電層を形成しない方の表面に存在する導電層は、エッチング等により除去される。あるいは、アンカーホールの該当箇所に予めマスクをしておき、その箇所に導電層が形成されないようにすることもできる。また、そのような導電層をエッチングにより完全に除去するのではなく、一部残存させることによりアンカー層が形成できることは前述の通りである。
【００７３】
＜その他＞
本発明の絶縁性基体には、アライメントマークを形成することができる。当該アライメントマークはスルホールやビアホール等の所定の位置を決定する基準となるものであり、通常絶縁性基体の両端（スルホールやビアホール等の設けられていない位置）に形成するのが好適である。
【００７４】
このようなアライメントマークは光学的、電子的、磁気的、目視的あるいはその他の読み取り手段によりスルホールやビアホール等の所定の位置を決定できるものであればいかなるものであっても差し支えなく、またその形成方法としても特に限定されるものではない。たとえば、目視的に読み取る場合にはこのアライメントマークとして絶縁性基体の両端にこの基体を貫通させるようにしてホールを開けたものが好適である。そしてこのホール（アライメントホールと呼ぶ）はさらに好ましくは一定の間隔を持って連続的に開孔させるのが好適である。このような構成を取ることによりスルホールの位置をさらに簡単に決定することができるようになるからである。
【００７５】
このようなアライメントホールの大きさとしては、通常５μｍ〜３ｍｍ程度とするのが好ましく、各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどにより開孔させることが可能である。このようなアライメントホールが、８０μｍよりも小さい場合には、各種レーザを用いることが好ましい。
【００７６】
また、このようなアライメントホールは上記のスルホールと同様、その内壁面に導電層が形成されていても差し支えない。
【００７７】
一方、前記導電層上には、集積回路用結合層や酸化防止層を形成することができる。該集積回路用結合層は、集積回路（ＩＣチップやＬＳＩ）を絶縁性基体に搭載させることを容易化する作用を有するものであり、上記導電層と集積回路を直接電気的に接続するものである。また、該酸化防止層は、導電層が酸化され導電性が示されなくなったり、絶縁性基体との密着性が不良となることを防止する作用を有するものである。
【００７８】
このような層は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により構成することが好ましい。
【００７９】
また、その厚みは、集積回路用結合層の場合、０．２〜１５μｍ、好ましくは０．５〜５μｍとすることが好適である。０．２μｍ未満の場合には、集積回路の搭載容易化という効果が示されなくなるとともに、１５μｍを超えても集積回路の搭載容易化という効果に大差なく、却ってコストが高くなるため好ましくない。
【００８０】
また、酸化防止層の場合、その厚みは０．０１〜２μｍ、好ましくは０．０５〜１μｍとすることが好適である。０．０１μｍ未満の場合には、上記のような作用が示されなくなるとともに、２μｍを超えても上記作用に大差なく、却ってコストが高くなるため好ましくない。
【００８１】
このような層は、無電解めっき法、電気めっき法またはクロメート法のいずれかの方法により、導電層上の全面またはバンプのように部分に、単層または複数層として形成することができる。
【００８２】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
＜実施例１＞
本発明の導電性シートについて図１および２を用いて説明する。
【００８４】
まず、絶縁性基体２として、厚み５０μｍ、幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍのポリイミドフィルム（商品名：アピカル、カネボウ製）を、ＣＯ２レーザ加工機（三菱電機製）にセットした。そして、この加工機により図１および２に示したように、導電層３ａの先端部９に相当する部分に該ポリイミドフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径８０μｍのスルホールを３ホール１セット（各ホール間の距離は１２０μｍ）として開孔させるとともに、導電層３ｂの所定位置に相当する部分にもスルホールを開孔させた。
【００８５】
また同時に、導電層３ａの屈曲部７となる相当部分２箇所に、該ポリイミドフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径５０μｍのアンカーホール５を２ホール１セット（各ホール間の距離は１００μｍ）としてそれぞれ開孔させるとともに、導電層３ａのはんだ付け部８に相当する部分に、同じく該ポリイミドフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径５０μｍのアンカーホール５を３ホール１セット（各ホール間の距離は１００μｍ）として開孔させた。また、導電層３ｂ、３ｃの所定位置に相当する部分にも同じようにしてアンカーホール５を開孔させた。
【００８６】
続いて、上記のようにしてＣＯ２レーザにより開孔処理がされた絶縁性基体２に対して、該処理時に開孔部およびその周辺に生成した炭化物を取除くため以下の処理を行なった。すなわち、該絶縁性基体２をディスミャ装置にセットし、液温６０℃の５０ｇ／ｌの過マンガン酸カリウム水溶液の浸漬浴に６０秒間浸漬した後、純水による洗浄を５回繰り返して行なった。
【００８７】
その後さらに、液温４０℃の４％の硫酸の浸漬浴に２分間浸漬させることにより中和処理した後、再度純水による洗浄を５回繰り返して行なった。続いて、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、上記で生成した炭化物を除去した。その後、絶縁性基体２をディスミャ装置から取出した。
【００８８】
次いで、このように炭化物が除去された絶縁性基体２の一端をスパッタリング装置の送出しシャフトにセットし、他端を巻取りシャフトにセットした。一方、このスパッタリング装置の４つのターゲットには、ターゲットＮｏ．１としてＮｉを、ターゲットＮｏ．２〜４としてＣｕをそれぞれ取付けた。
【００８９】
その後該スパッタリング装置のチャンバーを閉じ、真空ポンプにより真空度を１×１０−４Ｐａとした後、Ｎｉを取付けたターゲットＮｏ．１に対してはアルゴンガスの注入量１８０ｃｃ／分、ターゲット電流０．６ｋＷ／ｄｍ２、およびＣｕを取付けたターゲットＮｏ．２〜４に対してはアルゴンガスの注入量各２５０ｃｃ／分、ターゲット電流各１．２ｋＷ／ｄｍ２の条件下でこれらの金属をスパッタリングさせることにより、絶縁性基体の一方の表面上に第１導電層を直接形成した。その後、該スパッタリング装置の真空状態を解除した。
【００９０】
続いて、上記の絶縁性基体２の第１導電層が形成されていない方の表面に対して上記と同様の第１導電層が形成できるように、上記絶縁性基体の表裏を逆にして再度該スパッタリング装置にセットしなおした。そして、上記と同一の条件でスパッタリングを行なうことにより絶縁性基体のもう一方の表面に上記と同じ第１導電層を直接形成した。
【００９１】
これにより、絶縁性基体２の表裏両面とスルホールおよびアンカーホール５の壁面に対して第１導電層が直接形成され、この第１導電層は絶縁性基体２上にＮｉ層がまず積層されその上にＣｕ層が積層された構成となっている。そしてこの構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールおよびアンカーホール５の壁面とにおいて同一の構成となっている。
【００９２】
また、上記の絶縁性基体２の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットしその厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、Ｎｉ層が７０Å、Ｃｕ層は２９００Åであった。
【００９３】
続いて、数回の純水による洗浄を行なった後、表裏両面に上記のようにして第１導電層を形成した絶縁性基体２を連続めっき装置にセットし、以下の条件で電気めっきを行なった。すなわち、まず７％の硫酸が充填されている液温２８℃の酸活性化槽に上記絶縁性基体を６０秒間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層に対して酸活性化処理を行なった。
【００９４】
次いで、純水による水洗を３回繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１００ｇ／ｌ、硫酸１６０ｇ／ｌ、塩素６０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記絶縁性基体を１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２８℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で１１分間電気めっきすることにより、前記第１導電層上にＣｕからなる第２導電層を形成した。
【００９５】
これにより、絶縁性基体２の表裏両面とスルホールおよびアンカーホール５の壁面に対して第１導電層が形成され、その第１導電層上に第２導電層が形成されることにより導電層３が形成された。なお、第２導電層の構成は絶縁性基体２上の表裏両面とスルホールおよびアンカーホール５の壁面とにおいて同一の構成となっている。したがって、該導電層３は第１導電層と第２導電層とを含み、該絶縁性基体２の表裏両面と該スルホールおよび該アンカーホール５の壁面とにおいて同一の構成を有する導電層３が形成されていることになる。
【００９６】
続いて、このように第２導電層が形成された絶縁性基体２に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。次いで、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させた。
【００９７】
また、このようにして得られた導電層３を形成した絶縁性基体２の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットし第２導電層の厚みを測定したところ、各地点（絶縁性基体の表面およびスルホール、アンカーホールの壁面）とも絶縁性基体の表裏両面共通で、１０μｍ±５％以内であった。
【００９８】
また、ピール試験装置（ＭＯＤＥＬ  １３０５Ｎ、アイコーエンジニアリング（株）製）を用いて、導電層の絶縁性基体に対する密着性を測定したところ、アンカーホールのあるところでは３ｋｇ／ｃｍ２の密着強度が示されたのに対して、アンカーホールのないところでは０．９ｋｇ／ｃｍ２の密着強度であった。これにより、アンカーホールによる密着性の向上効果が確認された。
【００９９】
次いで、上記の絶縁性基体２の第２導電層上の全面にレジストとしてドライフィルム（商品名：ＮＩＴ２１５、ニチゴーモートン製）を、温度１１０℃、圧力２ｋｇ／ｃｍ２の条件下でラミネートさせたることにより、第２導電層上にレジストを形成した。
【０１００】
続いて、上記の絶縁性基体２の表裏両面において所望の回路パターン（アンカー層となる部分もエッチングされずに残るようにデザインされている）をあらわしたマスクを上記のレジスト上に重ね合わせた後、平均露光機（自社製）を用いて光量１２０ｍＪで露光した。次いで、回路を形成しない部分（マスクにより露光されなかった部分）のレジストを除去するため、現像装置を用いて炭酸ソーダ０．５ｇ／ｌ、温度２８℃、スプレー圧１．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下で現像することによりレジストを除去した。その後、純水による水洗を５回繰り返して行なった。
【０１０１】
次いで、レジストを除去した部分の導電層（第１導電層と第２導電層を含む）をエッチングにより除去するため、エッチング装置を用いて塩化第２鉄４７％、温度５０℃、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下でエッチングすることにより導電層を除去した。その後、純水による水洗を５回繰り返して行なった。
【０１０２】
そして、上記でエッチングされていない導電層およびアンカー層上のレジストを剥離するため、レジスト剥離装置を用いて苛性ソーダ１００ｇ／ｌ、温度６０℃、スプレー圧２．０ｋｇ／ｃｍ２の条件下でレジストを剥離することにより、本発明の導電性シート１を得た。
【０１０３】
このようにして得られた導電性シート１について、導電層により形成される回路パターンと、スルホール、アンカーホールおよびアンカー層の位置確認を行なったところ、いずれも設計寸法に対して±５％以内であり、極めて寸法精度に優れるとともに回路パターンのファイン化が可能なものであった。また、導電層が同時的かつ一体的に形成されるものであるため、生産効率にも優れていた。
【０１０４】
また、該導電性シートは、導電層が形成されている絶縁性基体の相当部分において２以上のスルホールが形成されていることにより信頼性の高い電気的接続性を有しているとともに、導電層と絶縁性基体との密着性がアンカーホールにより極めて高められたものであった。
【０１０５】
＜実施例２＞
実施例１において、スルホールの内径とアンカーホールの内径をそれぞれ２０μｍとすることを除き、他は全て実施例１と同様にして導電性シートを得た。
【０１０６】
このようにして得られた導電性シートにおいては、実施例１でスルホールであったものがビアホールの形態を呈するとともに、アンカーホールにおいてもビアホールのようにその内部が充填されていた。
【０１０７】
該導電性シートは、実施例１のものと同様、極めて寸法精度に優れているとともに回路パターンのファイン化を可能とするものであった。また、信頼性の高い電気的接続性を有し、導電層と絶縁性基体との密着性もアンカーホールにより極めて高められたものであるとともに、生産効率にも優れていた。
【０１０８】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０１０９】
【発明の効果】
本発明の導電性シートは、絶縁性基体と導電層間の密着性の向上と、回路パターンのファイン化とを両立させたとともに、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ優れた生産効率と寸法精度を有するものである。
【０１１０】
したがって、本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板、ＩＣカード等、広範囲の用途に適用することができる。すなわち、該導電性シートは、ある大きさにカットするか、あるいはカットせず連続状の形態で複数の回路パターンを形成することができ、上記各種用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の導電性シートの概略断面図である。
【図２】本発明の導電性シートの概略平面図である。
【図３】アンカーホールの概略断面図であって、（ａ）はスルホールのように壁面に導電層を有するものを示し、（ｂ）はビアホールのように内部に導電層が充填されているものを示し、（ｃ）は絶縁性基体の表裏両面で開孔面積が異なっているものを示す。
【符号の説明】
１  導電性シート、２  絶縁性基体、３，３ａ，３ｂ，３ｃ  導電層、４  スルホールまたはビアホール、５  アンカーホール、６  アンカー層、７  屈曲部、８  はんだ付け部、９  先端部。
【図１】
2005032901.tif 000003
【図２】
2005032901.tif 000004
【図３】
2005032901.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、スルホールまたはビアホールを２以上形成したとともに、該導電層がスパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴とする導電性シート。
【請求項２】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層は他方の面に存在する導電層と電気的に接続していない導電層を含み、かつ該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているアンカーホールを１以上形成し、該アンカーホールはそれを介しては他方の面に存在する導電層と電気的に接続することはなく、かつその壁面に導電層を有するかまたはその内部に導電層が充填されているとともに、該導電層がスパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴とする導電性シート。
【請求項３】
前記アンカーホールは、前記絶縁性基体の表裏両面において開孔面積が異なったものであることを特徴とする請求項２記載の導電性シート。
【請求項４】
電気的接続を目的とせず、前記導電層の前記絶縁性基体への密着性の向上を目的とするアンカー層が、前記アンカーホールを介して他方の面の導電層と接続されていることを特徴とする請求項２記載の導電性シート。
【請求項５】
前記第１導電層が、２層以上積層されていることを特徴とする請求項１または２記載の導電性シート。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の導電性シートを用いた半導体製品、電気製品、電子製品、自動車、太陽電池、アンテナ回路基板またはＩＣカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、スルホールまたはビアホールを２以上形成したとともに、該導電層がスパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する１以上の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層とは電気的に接続していない導電層が少なくとも１以上形成されており、該導電層は他方の面に存在する導電層と電気的に接続していない導電層を含み、かつ該導電層の１以上が形成されている絶縁性基体の相当部分において、該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているアンカーホールを１以上形成し、該アンカーホールはそれを介しては他方の面に存在する導電層と電気的に接続することはなく、かつその壁面に導電層を有するかまたはその内部に導電層が充填されているとともに、該導電層がスパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴としている。