(57)【要約】      （修正有）【課題】  被検レンズの高精度なアラインメントを容易に実現でき、かつ、マスターレンズが不要な透過光量測定方法を提供する。【解決手段】  基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に平面基板によって反射された光と、によって得られる干渉縞を観察することによって平面基板のアラインメントを行うステップと、平面基板によって反射された光の光量を測定するステップと、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に凹面鏡によって反射された光と、によって得られる干渉縞を観察することによって凹面鏡のアラインメントを行うステップと、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し、凹面鏡によって反射された光と、によって得られる干渉縞を観察することによって被検レンズのアラインメントを行うステップと、被検レンズを透過した光の光量を測定するステップと、を有する。【選択図】  図２
2005069747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準平面板によって反射された光と、前記基準平面板を透過した後に平面基板によって反射され、再び前記基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって前記平面基板のアラインメントを行う平面基板アラインメントステップと、
前記平面基板によって反射された光の光量を測定する反射光量測定ステップと、
前記基準平面板によって反射された光と、前記基準平面板を透過した後に凹面鏡によって反射され、再び前記基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって前記凹面鏡のアラインメントを行う凹面鏡アラインメントステップと、
前記基準平面板によって反射された光と、前記基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し、凹面鏡によって反射され、再び前記被検レンズ及び前記基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって前記被検レンズのアラインメントを行う被検レンズアラインメントステップと、
前記被検レンズを透過した光の光量を測定する透過光量測定ステップと、
を有することを特徴とする透過光量測定方法。
【請求項２】
前記平面基板によって反射された光の光量及び前記被検レンズを透過した光の光量は、それぞれ、電流値として測定される請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項３】
前記基準平面板の姿勢を調整することによって前記被検レンズの干渉縞解析を行う解析ステップを有する請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項４】
前記凹面鏡アラインメントステップにおいて、前記凹面鏡への入射光は前記凹面鏡の光軸と同一の方向から入射する請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項５】
前記被検レンズアラインメントステップにおいて、前記被検レンズへの入射光は前記被検レンズの光軸と同一の方向から入射する請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項６】
前記被検レンズと前記凹面鏡はオートコリメーション状態になるように配置される請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項７】
前記平面基板によって反射された光及び前記被検レンズを透過した光は、それぞれ、積分球で集められてフォトダイオードによってその光量が電流に変換される請求項２記載の透過光量測定方法。
【請求項８】
前記平面基板と前記凹面鏡は同一材料で構成されている請求項１記載の透過光量測定方法。
【請求項９】
前記平面基板アラインメントステップ、前記凹面鏡アラインメントステップ、及び、前記被検レンズアラインメントステップのそれぞれにおいて、得られた前記干渉縞のデータと所定の基準画像データとを重ね合わせたときにモアレ画像が現れなくなるようにすることによってアラインメントを行う請求項１記載の透過光量測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レンズの透過光量を測定する方法に関し、とくに、高精度のアラインメントが可能な透過光量測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レンズの透過光量の測定は図５や図６に示す装置を用いて行っていた。
図５に示す装置においては、半導体レーザ１１０から出射され、コリメータレンズ１２１で平行光化された光の一部がハーフミラー１２２を透過して被検レンズ６０に入射する。被検レンズ６０を透過した光は、反射ミラー１１５で反射されて再び被検レンズ６０を透過し、ハーフミラー１２２で一部が透過し、残りは反射され集光レンズ１２５で集光されて絞り１２７を経て積分球１４１に入射する。積分球１４１に入射した光はその光量がフォトダイオード１４２で電流に変換されてその電流値が電流計１４３で測定される。このように電流値を測定することにより、電流値に対応する被検レンズ６０の透過光量を求めることができる。
【０００３】
一方、図６に示す装置においては、半導体レーザ１１０から出射され、コリメータレンズ１２１で平行光化された光が被検レンズ６０に入射する。被検レンズ６０を透過した光は、集光レンズ１２８、絞り１２７を経て積分球１４１に入射する。積分球１４１に入射した光はその光量がフォトダイオード１４２で電流に変換されてその電流値が電流計１４３で測定される。このように電流値を測定することにより、電流値に対応する被検レンズ６０の透過光量を求めることができる。
【特許文献１】特開２００２−９０３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５に示す装置においては、反射ミラー１１５を図中のＺ方向に移動させて被検レンズ６０と反射ミラー１１５の距離を調整して、被検レンズ６０から出射した光が反射ミラー１１５上の１点に集まるようにしてある（キャッツアイ状態）。このように調整すると、反射ミラー１１５における反射光を被検レンズ６０に透過させるようにすることができるものの、反射ミラー１１５に垂直入射させた場合の反射光とは反射率が異なるため、正確な透過光量を測定することができなかった。
【０００５】
また、図６に示す装置においては、被検レンズ６０を透過させるのは１回だけであり、ハーフミラー１２２を設ける必要がないため構成をシンプルにすることができるが、絞り１２７のスポット径が非常に小さいため被検レンズ６０の位置決めが困難であった。
【０００６】
さらに、図５及び図６に示す装置では、あらかじめマスターレンズの透過光量に対応する電流値を測定しておいてから被検レンズ６０の透過光量に対応する電流値を測定し、両者を比較して相対的な透過光量を求めていた。このため、被検レンズ６０の種類、ロット等が変わるたびに測定の基準となるマスターレンズを用意しなければならなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、本発明の透過光量測定方法においては、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に平面基板によって反射され、再び基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって平面基板のアラインメントを行う平面基板アラインメントステップと、平面基板によって反射された光の光量を測定する反射光量測定ステップと、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に凹面鏡によって反射され、再び基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって凹面鏡のアラインメントを行う凹面鏡アラインメントステップと、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し、凹面鏡によって反射され、再び被検レンズ及び基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察することによって被検レンズのアラインメントを行う被検レンズアラインメントステップと、被検レンズを透過した光の光量を測定する透過光量測定ステップと、を有することを特徴としている。
【０００８】
平面基板によって反射された光の光量及び被検レンズを透過した光の光量は、それぞれ、電流値として測定されることが好ましく、その方法としては、平面基板によって反射された光及び被検レンズを透過した光を、それぞれ、積分球で集めてフォトダイオードによってその光量を電流に変換することができる。
【０００９】
基準平面板の姿勢を調整することによって被検レンズの干渉縞解析を行うこともできる。
【００１０】
凹面鏡アラインメントステップにおいて、凹面鏡への入射光は凹面鏡の光軸と同一の方向から入射することが好ましい。    
【００１１】
被検レンズアラインメントステップにおいて、被検レンズへの入射光は被検レンズの光軸と同一の方向から入射することが好ましい。
【００１２】
被検レンズと凹面鏡はオートコリメーション状態になるように配置されることが好ましい。
【００１３】
平面基板と凹面鏡は同一材料で構成されていることが好ましい。
【００１４】
平面基板アラインメントステップ、凹面鏡アラインメントステップ、及び、被検レンズアラインメントステップのそれぞれにおいて、得られた干渉縞のデータと所定の基準画像データとを重ね合わせたときにモアレ画像が現れなくなるようにする（ワンカラーにする）ことによってアラインメントを行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、干渉縞を用いてアラインメントを行っているため高精度のアラインメントを容易に実現することができる。また、被検レンズの焦点位置を凹面鏡の曲率中心にあわせ、被検レンズの透過光を凹面鏡に対して垂直に入射させている。これにより、凹面鏡に入射した光は同じ光路を通って反射するため、より正確な透過光量を測定することができ、被検レンズの焦点位置を凹面鏡の曲率中心にあわせて垂直入射させれば足りるため、アラインメントをより容易に行うことができる。また、平面基板の反射光の光量の測定は被検レンズの測定に先立って一度行えばよいため、測定にかかる手間、時間を削減することができる。さらに、アラインメントのために設けた平面基準板または反射ミラーを用いて被検レンズの干渉縞解析を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明にかかる実施形態を図面を参照しつつ詳しく説明する。
本実施形態にかかる透過光量測定方法は、平面基板からの反射光量を測定するステップと、被検レンズの透過光量を測定ステップとを有する。
【００１７】
平面基板３２からの反射光の光量の測定は、図１に示す構成の装置を用いて行う。この装置においては、光源としての半導体レーザ１０から出射する光の光路上に、半導体レーザ１０側からコリメータレンズ２１、ハーフミラー２２、基準平面板３１、ハーフミラー２３、絞り２４、平面基板３２が配置されている。
【００１８】
コリメータレンズ２１は、半導体レーザ１０からの入射光を絞り２４の開口径と同一径に平行光化する。ハーフミラー２２、２３は、それぞれ、半導体レーザ１０からの出射光の進行方向に対して４５度傾けられており、入射光の一部を反射し、残りを透過する性質を備えている。
【００１９】
基準平面板３１は、表面を高精度に研磨された平面ガラス板であって、ハーフミラー２２から遠い面には参照面（不図示）が設けられており、この参照面は基準平面板３１に入射した光の一部を透過し、残りを反射する性質を有している。基準平面板３１は、半導体レーザ１０からの出射光の進行方向に対して垂直に配置されており、参照面により反射した光と、参照面を透過した後に被検レンズを透過した光との干渉縞を得ることが可能である。
【００２０】
平面基板３２は、表面を高精度に研磨された平面ガラス板からなり、絞り２４に近い表面３２ａに銀が沈着されている。この表面３２ａは、半導体レーザ１０からの出射光の光路に対して垂直に配置されており、その反射光は入射光の光路を戻ることになる。
【００２１】
平面基板３２で反射された光は絞り２４の開口径と同一径を有し、ハーフミラー２３で一部が反射され、残りは透過する。ハーフミラー２３で反射された光は、その光路上に配置された集光レンズ２６によって集光されて、絞り２７を通って積分球４１内に入射する。積分球４１は、球状の内面に硫酸バリウム等の拡散物質を塗布したものであって、入射した光を集積することができる。積分球４１の内面には、フォトダイオード４２の一端が配置されており、積分球４１に入射した光の光量を電流に変換し、その電流値を電流計４３で測定することによって、反射光量を測定することができる。
【００２２】
平面基板３２で反射された光のうち、ハーフミラー２３及び基準平面板３１を透過した光は、ハーフミラー２２で一部が反射され、残りは透過する。ハーフミラー２２で反射された光は、その光路上に配置された集光レンズ２５によって集光されて、干渉縞観察カメラ５１に入射する。この干渉縞観察カメラ５１には、基準平面板３１により反射された後にハーフミラー２２で反射された光も入射しており、平面基板３２で反射された光との干渉縞が干渉縞観察カメラ５１に接続されたモニター５２で観察可能である。干渉縞観察カメラ５１には、アラインメントのための基準画像データがあらかじめ保存されており、このデータに上記干渉縞の画像データを重ねてモニター５２に表示し、これを観察することにより、平面基板３２のアラインメントを行うことができる。
【００２３】
被検レンズ６０の透過光の光量の測定は、図２に示す構成の装置を用いて行う。この装置は、図１の装置の平面基板３２に代えて被検レンズ６０及び凹面鏡３３を配置したものである。
【００２４】
被検レンズ６０は、半導体レーザ１０からの出射光の光路上において絞り２４につづいて、その光軸が半導体レーザ１０からの出射光の進行方向と一致するように配置される。絞り２４の開口径は、この被検レンズ６０の有効径と同一にしてある。
【００２５】
半導体レーザ１０からの出射光の光路上においては、被検レンズ６０につづいて凹面鏡３３が配置されている。平面基板３２と同一材料からなる凹面鏡３３は、被検レンズ６０のＮＡ（開口数）をカバーしており、その凹面３３ａの曲率中心３３ｂを被検レンズ６０の焦点位置に合わせるように配置されている。このように配置した凹面鏡３３に対して、被検レンズ６０を透過した光を垂直に入射させると（被検レンズ６０を透過した光の光路と凹面鏡３３の光軸を一致させると）、凹面３３ａに入射した光はその光路を逆に戻り（オートコリメーション）、再び被検レンズ６０を透過して平行光となる。
【００２６】
被検レンズ６０を透過した光は、ハーフミラー２３で一部が反射され、残りは透過する。ハーフミラー２３で反射された光は、その光路上に配置された集光レンズ２６によって集光されて、絞り２７を通って積分球４１内に入射する。積分球４１に入射した光は、その内面に配置されたフォトダイオード４２によって光量が電流に変換され、この電流値を電流計４３で測定することによって、被検レンズ６０を透過した光の光量を測定することができる。
【００２７】
被検レンズ６０を再び透過した光のうち、ハーフミラー２３及び基準平面板３１を透過した光は、ハーフミラー２２で一部が反射され、残りは透過する。ハーフミラー２２で反射された光は、集光レンズ２５によって集光されて、干渉縞観察カメラ５１に入射する。この干渉縞観察カメラ５１には、基準平面板３１により反射された後にハーフミラー２２で反射された光も入射しており、被検レンズ６０を透過した光との干渉縞が干渉縞観察カメラ５１に接続されたモニター５２で観察可能である。干渉縞観察カメラ５１には、アラインメントのための基準画像データがあらかじめ保存されており、このデータに上記干渉縞の画像データを重ねてモニター５２に表示し、これを観察することにより、被検レンズ６０及び凹面鏡３３のアラインメントを行うことができる。
【００２８】
本発明においては、図３に示す装置を用いて被検レンズ６０の干渉縞解析を行うことができる。この装置は、図２のモニター５２に代えて干渉縞解析ユニット５３を配置し、さらに、干渉縞解析ユニット５３には基準平面板３１の姿勢を変更可能な保持部５４が接続されている。なお、図３においてモニター５２は表示されていないが、モニター５２と干渉縞解析ユニット５３を同時に干渉縞観察カメラ５１に接続しておき、測定内容に応じてモニター５２と干渉縞解析ユニット５３のいずれかを選択することとしてもよい。
【００２９】
干渉縞観察カメラ５１に接続された干渉縞解析ユニット５３は、基準平面板３１で反射された光と被検レンズ６０を透過した光とによる干渉縞のデータから被検レンズ６０の光学性能を算出可能な演算部５３ａ（例えば、コンピュータのＣＰＵ）と、基準平面板３１の姿勢の情報を入力する入力部５３ｂ（例えば、キーボード、マウス）、入力部５３ｂから入力された情報に基づいて保持部５４に対して基準平面板３１の姿勢の変更を指示する制御信号を出力する指示部５３ｃと、干渉縞を観察可能であるとともに、干渉縞のデータ、演算部による演算結果、基準平面板３１の姿勢情報等を表示可能なモニター５３ｄと、を有する。
【００３０】
基準平面板３１をその上に保持する保持部５４では、指示部５３ｂから入力された信号に基づいてモータ（不図示）が駆動され基準平面板３１の姿勢が制御される。
【００３１】
このような構成により、基準平面板３１の姿勢を変更しつつ干渉縞解析ユニット５３で干渉縞の解析を行うことにより、波面収差などの被検レンズ６０の光学性能を測定することができる。
【００３２】
つづいて、本発明による透過光量の測定動作について説明する。
（１）平面基板３２のアラインメント
平面基板３２の反射光量の測定の前に行う平面基板３２のアラインメントは、基準平面板３１における反射光と平面基板３２における反射光とによる干渉縞をモニター５２で観察しながら、平面基板３２の保持部３２ｂを制御して平面基板３２の姿勢を調整することにより行う。モニター５２には、干渉縞観察カメラ５１にあらかじめ保存されている基準画像データと、干渉縞の画像データとを重ねて表示することができ、アラインメントができていないときにはこれらの画像データによりモアレ縞が生じるが、平面基板３２の姿勢を調整し、モアレ縞画像の縞の周期を最大としてモアレ縞が現れなくする（ワンカラー）ことによりアラインメントを完了することができる。このように干渉縞を利用してアラインメントを行うことにより、半導体レーザ１０からの出射光に対する表面３２ａの垂直出し（アラインメント）を高精度に行うことができる。
【００３３】
（２）平面基板３２によって反射された光の光量の測定
以上のようにアラインメントされた平面基板３２からの反射光を積分球４１内に取り込み、これをフォトダイオード４２により電流に変換することにより平面基板３２における反射光量に対応する電流値を測定することができる。反射光量が既知の平面基板３２を用いることにより、電流値と光量の対応テーブルを作成することができる。
【００３４】
（３）凹面鏡３３のアラインメント
被検レンズ６０の反射光量の測定の前に凹面鏡３３及び被検レンズ６０のアラインメントを順に行う。まず、凹面鏡３３のアラインメントは、被検レンズ６０を配置する前に半導体レーザ１０からの出射光の光路上に絞り２４に続いて凹面鏡３３を配置し、基準平面板３１における反射光と凹面鏡３３の反射光とによる干渉縞をモニター５２で観察しながら、凹面鏡３３の保持部３３ｃを制御して凹面鏡３３の姿勢を調整することにより行う。モニター５２には、干渉縞観察カメラ５１にあらかじめ保存されている基準画像データと、干渉縞の画像データとを重ねて表示することができ、アラインメントができていないときにはこれらの画像データによりモアレ縞が生じるが、凹面鏡３３の姿勢を調整し、モアレ縞画像の縞の周期を最大としてモアレ縞が現れなくすることによりアラインメントを完了することができる。このように干渉縞を利用してアラインメントを行うことにより、半導体レーザ１０からの出射光に対する凹面鏡３３の垂直出し（アラインメント）を高精度に行うことができるため、平面基板３２における反射率と凹面鏡３３における反射率を同一とすることができる。
【００３５】
（４）被検レンズ６０のアラインメント
つづいて、アラインメントされた凹面鏡３３を固定して、被検レンズ６０の焦点位置に凹面３３ａの曲率中心を合わせるように、凹面鏡３３と絞り２４との間に被検レンズ６０を配置する（オートコリメーション）。被検レンズ６０の反射光量の測定の前に行う被検レンズ６０のアラインメントは、基準平面板３１における反射光と被検レンズ６０の透過光とによる干渉縞をモニター５２で観察しながら、被検レンズ６０の保持部６０ａを制御して上記オートコリメーション状態を維持しつつ被検レンズ６０の姿勢を調整することにより行う。モニター５２には、干渉縞観察カメラ５１にあらかじめ保存されている基準画像データと、干渉縞の画像データとを重ねて表示することができ、アラインメントができていないときにはこれらの画像データによりモアレ縞が生じるが、被検レンズ６０の姿勢を調整し、モアレ縞画像の縞の周期を最大としてモアレ縞が現れなくする（ワンカラーにする）ことによりアラインメントを完了することができる。このように干渉縞を利用してアラインメントを行うことにより、半導体レーザ１０からの出射光に対する被検レンズ６０の垂直出し（アラインメント）を高精度に行うことができる。また、凹面鏡３３と被検レンズ６０はオートコリメーション状態にあるため、被検レンズ６０を透過して凹面鏡３３に入射する光は凹面３３ａで反射して入射光の光路と同じ光路を通って再び被検レンズ６０を透過する。
【００３６】
（５）被検レンズ６０を透過した光の光量の測定
以上のようにアラインメントされた被検レンズ６０を透過して凹面鏡３３で反射し、再び被検レンズ６０を透過した光を積分球４１内に取り込み、これをフォトダイオード４２により電流に変換することにより被検レンズ６０を透過する光の透過光量に対応する電流値を測定することができる。平面基板３２及び凹面鏡３３の材質を同一にすることによって平面基板３２における反射率と凹面鏡３３における反射率を同一としてあり、かつ、凹面鏡３３は被検レンズ６０に対してオートコリメーション状態にある。このため、測定された電流値を上述の電流値と光量との対応テーブルにあてはめることができ、被検レンズ６０を透過して凹面鏡３３で反射し、再び被検レンズ６０を透過した光の光量を換算することができる。このように構成することにより、初めに平面基板３２の反射光量を一度測定しておけば、被検レンズ６０を入れ替えるたびに平面基板３２の反射光量を改めて測定し直す必要がない。これは、被検レンズ６０の種類が変わっても同様である。
【００３７】
（６）被検レンズ６０の干渉縞解析
被検レンズ６０の干渉縞解析を行うときは図３に示すように干渉縞観察カメラ５１に干渉縞解析ユニット５３を接続する。すると、モニター５３ｄに現在の被検レンズ６０の姿勢（半導体レーザ１０から出射する光の被検レンズ６０への入射角度、入射位置）を示す数値データが表示される。操作者は、指示部５３ｃを用いて被検レンズ６０を所定の姿勢に設定するための情報を入力する。この情報がモニター５３ｄに表示される一方、この情報はモニター５３ｄに入力され保持部５４のモータに必要な制御信号に変換、出力される。この信号を受けて保持部５４は被検レンズ６０を所定の姿勢に変更、保持する。この状態における干渉縞は干渉縞観察カメラ５１に入力され、干渉縞観察カメラ５１から演算部５３ａに出力された干渉縞画像データに基づいて演算部５３ａで所定の演算を行って被検レンズ６０の光学性能を算出し、モニター５３ｄに表示する。演算のために複数の姿勢の被検レンズ６０の干渉縞画像データが必要であれば、さらに、指示部５３ｃから姿勢を設定するための情報を入力して、モニター５３ｄからこの情報に対応する制御信号を保持部５４へ出力して被検レンズ６０の姿勢を変更して、再度干渉縞画像データを演算部５３ａに送る。なお、干渉縞解析に必要な被検レンズ６０の姿勢情報をあらかじめ干渉縞解析ユニット５３内の記憶部（不図示）に保存しておいて、操作者による干渉縞解析開始の指令により自動的にモニター５３ｄに姿勢情報を出力して干渉縞解析を行うこともできる。
【００３８】
つづいて、本実施形態の変形例について図４を参照しつつ説明する。この例においては、図２においてハーフミラー２２とハーフミラー２３との間に配置された基準平面板３１に代えて、半導体レーザ１０から入射してハーフミラー２２で反射される光の進行方向にミラー３４を配置してある。このような構成とすると、半導体レーザ１０からハーフミラー２２に入射する光は、一部は透過してハーフミラー２３、絞り２４を経て被検レンズ６０へ向かい、残りは反射してミラー３４へ向かう。
【００３９】
被検レンズ６０を透過した光は、凹面鏡３３で反射されて再び被検レンズ６０を透過し、一部はハーフミラー２３で反射して集光レンズ２６、絞り２７を経て積分球４１に入射し、ハーフミラー２３を透過した光の一部はハーフミラー２２で反射されて集光レンズ２５を経て干渉縞観察カメラ５１に入射する。ミラー３４では入射光が反射され、ハーフミラー２２、集光レンズ２５を経て干渉縞観察カメラ５１へ入射する。一方、ミラー３４では入射光がほとんど反射され、ハーフミラー２２へもどる。この光がハーフミラー２２を透過すると集光レンズ２５で集光されて干渉縞観察カメラ５１に入射する。
【００４０】
平面基板３２のアラインメント、平面基板３２で反射された光の光量の測定、凹面鏡３３のアラインメント、被検レンズ６０のアラインメント、及び、被検レンズ６０を透過した光の光量の測定の動作については、上述の測定動作と同様であるので省略する。また、干渉縞の解析についても上述の実施形態と同様に実施することができる。
【００４１】
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的または本発明の思想の範囲内において改良または変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係る平面基板のアラインメント及び平面基板からの反射光量の測定を行うときの装置構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る凹面鏡及び被検レンズのアラインメント及び被検レンズからの反射光量の測定を行うときの装置構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る被検レンズの干渉縞解析を行うときの装置構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態の変形例における装置構成を示す図である。
【図５】従来の透過光量測定方法における装置構成を示す図である。
【図６】従来の透過光量測定方法における装置構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
３１    基準平面板
３２    平面基板
３３    凹面鏡
４１    積分球
４２    フォトダイオード
４３    電流計
５１    干渉縞観察カメラ
５３    干渉縞解析ユニット
６０    被検レンズ
【図１】
2005069747.tif 000003
【図２】
2005069747.tif 000004
【図３】
2005069747.tif 000005
【図４】
2005069747.tif 000006
【図５】
2005069747.tif 000007
【図６】
2005069747.tif 000008