(57)【要約】【課題】  表面に大きな凹凸差の配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハを、破損や反りを生じさせずに、薄型加工できる半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】  半導体ウエハの加工方法は、表面に、最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍである配線パターン及び／又はバンプが形成された半導体ウエハに薄型加工処理を施して半導体ウエハを加工する方法であって、粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定して、薄型加工処理を施すことを特徴とする。前記粘着シートとしては、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、半導体ウエハに貼り合わせられた粘着シートの粘着面における半導体ウエハに対する接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好ましい。また、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層は、中間層を介して形成されていてもよい。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍである配線パターン及び／又はバンプが形成された半導体ウエハに薄型加工処理を施して半導体ウエハを加工する方法であって、粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定して、薄型加工処理を施すことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項２】
粘着シートが、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、半導体ウエハに貼り合わせられた粘着シートの粘着面における半導体ウエハに対する接着力を低減させることが可能な構成を有している請求項１記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項３】
半導体ウエハに貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層が、中間層を介して形成されている請求項２記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項４】
半導体ウエハに貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘着剤層または熱剥離型粘着剤層である請求項２又は３記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項５】
粘着シートが、支持体に貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、支持体に貼り合わせられた粘着シートの粘着面における支持体に対する接着力を低減させることが可能な構成を有している請求項１〜４の何れかの項に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項６】
支持体に貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘着剤層または熱剥離型粘着剤層である請求項５記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項７】
半導体ウエハの薄型加工処理後に、薄型加工処理が施された面をダイシング用粘着テープ又はシートによりマウントし、支持体に固定する際に用いられた粘着シートを、半導体ウエハから剥離する請求項１〜６の何れかの項に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項８】
支持体に固定する際に用いられた粘着シートを、半導体ウエハからピールにより剥離する請求項１〜７の何れかの項に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項９】
少なくとも一方の面が粘着面となっている粘着シートであって、請求項１〜８の何れかの項に記載の半導体ウエハの加工方法で用いられる粘着シートであることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シートに関し、さらに詳しくは、半導体ウエハに、破損や反りを生じさせずに薄型加工処理を施して半導体ウエハを加工する方法、および該半導体ウエハの薄型加工処理に際して用いられる半導体ウエハ加工用粘着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードや薄膜トランジスタ等の半導体集積回路を作製する際に、その基板となる半導体ウエハの厚みを薄くすることによって、前記半導体集積回路や半導体ウエハを有するデバイスの小型化が可能で、また使用上の自由度を向上させることができる。また、ＩＣカードなどでは、薄型且つ大チップ化が望まれているため、半導体ウエハのサイズも、６インチのサイズから、８インチや、１２インチのサイズに大口径化が進行している。
【０００３】
特に、１２インチ等の非常に大きな半導体ウエハにおいて、半導体ウエハを１００μｍ以下にまで薄型加工する場合、半導体ウエハの強度低下により、半導体ウエハを破損してしまう問題や、半導体ウエハ自体が肉薄で脆いのに加え、半導体ウエハの表面が配線パターン（回路パターン）等により凹凸状を有しているため、わずかな外力によっても半導体ウエハが反り、破損しやすいという問題がある。そのため、半導体ウエハの配線パターンが形成された面に、粘着テープ又はシートを保護支持テープ又はシートとして貼り合わせて、半導体ウエハの強度を高めていた（特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１６６６６９２号公報
【特許文献２】特開平７−２４２８６０号公報
【特許文献３】特開２０００−３５５６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体チップのデバイス形態の増加や、デバイスの高性能化などに伴い、シリコン系半導体ウエハや、ガリウム−ヒ素系半導体ウエハ等の半導体ウエハとして、表面の配線パターンの凹凸差が大きい半導体ウエハや、２０〜１００μｍ程度のバンプが設けられた半導体ウエハ（バンプウエハ）の検討が進められている。しかも、その生産方式によっては、バンプが付いたままの状態で半導体ウエハを薄型研削する場合もある。このように、表面にバンプが設けられた状態の半導体ウエハや、表面の配線パターンの凹凸差が大きい半導体ウエハに、通常の半導体ウエハと同様に、保護支持テープ又はシートを貼り合わせて薄型加工処理を施しても、その強度が十分でないため、半導体ウエハが破損して（割れて）しまう問題や、半導体ウエハに反りが発生してしまう問題が生じていた。
【０００６】
従って、本発明の目的は、表面に大きな凹凸差を有する配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハを、破損や反りの発生を抑制又は防止して、薄型加工処理を施すことができる半導体ウエハの加工方法および、該半導体ウエハの加工方法において用いられる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することにある。
本発明の他の目的は、表面に大きな凹凸差を有する配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハの薄型加工工程において、破損や反りの発生を抑制又は防止することができ、さらに次工程への搬送工程を容易に行うことができる半導体ウエハの加工方法および、該半導体ウエハの加工方法において用いられる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、半導体ウエハの薄型加工処理に際して用いられた粘着シートを、薄型加工処理後に、容易に剥離して、薄型加工処理が施された半導体ウエハを容易に得ることができる半導体ウエハの加工方法および、該半導体ウエハの加工方法において用いられる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の問題点を解決するために鋭意検討した結果、表面に凹凸差の大きい配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハに薄型加工処理を施す際に、粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定すると、破損や反りの発生を抑制又は防止して半導体ウエハの薄型加工処理を行うことができることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、表面に、最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍである配線パターン及び／又はバンプが形成された半導体ウエハに薄型加工処理を施して半導体ウエハを加工する方法であって、粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定して、薄型加工処理を施すことを特徴とする半導体ウエハの加工方法である。
【０００９】
前記粘着シートは、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、半導体ウエハに貼り合わせられた粘着シートの粘着面における半導体ウエハに対する接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好ましい。また、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層は、中間層を介して形成されていてもよい。このような半導体ウエハに貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層としては、エネルギー線硬化型粘着剤層または熱剥離型粘着剤層が好適である。
【００１０】
また、前記粘着シートは、支持体に貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、支持体に貼り合わせられた粘着シートの粘着面における支持体に対する接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好ましい。このような支持体に貼り合わせられる粘着シートの粘着面となる粘着剤層としては、エネルギー線硬化型粘着剤層または熱剥離型粘着剤層が好適である。
【００１１】
本発明では、半導体ウエハの薄型加工処理後に、薄型加工処理が施された面をダイシング用粘着テープ又はシートによりマウントし、支持体に固定する際に用いられた粘着シートを、半導体ウエハから剥離することができる。この際、支持体に固定する際に用いられた粘着シートを、半導体ウエハからピールにより剥離することが可能である。
【００１２】
本発明は、また、少なくとも一方の面が粘着面となっている粘着シートであって、前記半導体ウエハの加工方法で用いられる粘着シートであることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シートである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体ウエハの加工方法によれば、表面に大きな凹凸差を有する配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハを、破損や反りの発生を抑制又は防止して、薄型加工処理を施すことができる。また、表面に大きな凹凸差を有する配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハの薄型加工工程において、破損や反りの発生を抑制又は防止することができ、さらに次工程への搬送工程を容易に行うことができる。さらにまた、半導体ウエハの薄型加工処理に際して用いられた粘着シートを、薄型加工処理後に、容易に剥離して、薄型加工処理が施された半導体ウエハを容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態を、必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の部材や部分などには同一の符号を付している場合がある。
【００１５】
本発明の半導体ウエハの加工方法では、図１に示されるように、粘着シートを介して、半導体ウエハを支持体に固定した状態で、半導体ウエハに薄型加工処理を施している。図１は、本発明の半導体ウエハの加工方法の一例を示す概略工程図である。具体的には、図１において、（ａ）は、表面にバンプが形成された半導体ウエハの一例を示し、（ｂ）は、（ａ）で示されている半導体ウエハのバンプが形成された表面に、半導体ウエハ加工用粘着シートとして両面粘着シートを貼り合わせた状態を示し、（ｃ）は、（ｂ）で示されている両面粘着シートの他方の面に支持板を貼り合わせた状態を示し、（ｄ）は、両面粘着シートを介して、支持板に固定された半導体ウエハの裏面に薄型加工処理を施している状態を示し、（ｅ）は、薄型加工処理が施された半導体ウエハの面に、ダイシング用粘着テープ又はシートを貼り合わせた状態を示し、（ｆ）は、支持板を剥離した状態を示し、（ｇ）は両面粘着シートを剥離して、裏面にダイシング用粘着テープ又はシートが貼り合わされた半導体ウエハを得た状態を示している。
【００１６】
図１において、１は半導体ウエハ、１ａは半導体ウエハ１の表面（配線パターン形成面）、１ｂは半導体ウエハ１の裏面（配線パターン非形成面）、１ｃはバンプ、２は両面粘着シート、２ａは基材、２ｂは粘着剤層、２ｃは粘着剤層、２ｄは剥離ライナー、３は支持板、４は研削機（グラインダー）、５はダイシング用粘着テープ、５ａは基材、５ｂは粘着剤層である。半導体ウエハ１は、表面１ａに、配線パターン（回路パターン）及びバンプ１ｃが形成され、裏面１ｂには、配線パターンやバンプが形成されていない。また、両面粘着シート２は、基材２ａの一方の面に粘着剤層２ｂが形成され、他方の面に粘着剤層２ｃ、剥離ライナー２ｄがこの順で形成された構成を有している。さらに、ダイシング用粘着テープ５は、基材５ａの片面に粘着剤層５ｂが形成された構成を有している。
【００１７】
［半導体ウエハ］
半導体ウエハとしては、図１（ａ）で示されるように、その一方の表面に配線パターンおよびバンプが形成された構成を有する半導体ウエハ１の他、配線パターンおよびバンプのうちいずれか一方のみが形成された構成を有する半導体ウエハを用いることができる。このような配線パターンやバンプとしては、凹凸差が大きくてもよく、例えば、最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍ（好ましくは１〜２００μｍ、さらに好ましくは３〜１５０μｍ）であってもよい。従って、半導体ウエハとしては、例えば、表面に最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍ（好ましくは１〜２００μｍ、さらに好ましくは３〜１５０μｍ）である配線パターン及び／又はバンプが形成された半導体ウエハを用いることができる。
【００１８】
配線パターンやバンプは、常法に従って形成することができる。例えば、配線パターンは、公知乃至慣用の配線パターン形成方法を利用して、所望のパターンとなるように形成することができる。また、バンプは、公知乃至慣用のバンプ形成方法を利用して、表面上（例えば、所望のパターンが形成された配線パターン形成面上）に、所望の大きさ及び形状で形成することができる。
【００１９】
なお、半導体ウエハの材質としては、特に制限されず、公知乃至慣用の材質を用いることができる。具体的には、半導体ウエハとしては、例えば、シリコン系半導体ウエハ、ガリウム−ヒ素系半導体ウエハなどが挙げられる。
【００２０】
［半導体ウエハ加工用粘着シート］
本発明の半導体ウエハの加工方法では、半導体ウエハを支持体に固定するために、半導体ウエハ１の表面１ａに、図１（ｂ）で示されるように、両面粘着シート２を貼付することができる。すなわち、両面粘着シート２は、半導体ウエハを支持体に固定するための粘着シート（半導体ウエハ加工用粘着シート）として用いられている。このような半導体ウエハ加工用粘着シートの形態としては、特に制限されず、例えば、両面が粘着面となっている両面粘着シート、片面のみが粘着面となっている粘着シート（片面粘着シート）のいずれの形態であってもよい。なお、半導体ウエハ加工用粘着シートとして両面粘着シートを使用する場合、該両面粘着シートは、図１（ｂ）で示されるように、基材付きタイプの両面粘着シートであってもよく、基材レスタイプの両面粘着シートであってもよい。
【００２１】
（基材）
両面粘着シート２は、前述のように、基材２ａと、粘着剤層２ｂおよび粘着剤層２ｃとを有している。基材２ａは、粘着剤層２ｂや粘着剤層２ｃ等の支持母体となっており、公知乃至慣用の粘着テープ又はシート用基材を用いることができる。具体的には、基材２ａとしては、例えば、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；アルミニウム箔、ニッケル箔などの金属箔や金属板などの金属系基材；布、不織布、ネット、アラミド繊維による基材などの繊維系基材；紙などの紙系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体（特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など）等の適宜な薄葉体を用いることができる。基材２ａとしては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック系基材における素材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリフェニルサルフェート；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；フッ素系樹脂；シリコーン系樹脂などが挙げられる。これらの素材は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２２】
基材２ａは単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。なお、基材２ａとしては、粘着剤層２ｂや粘着剤層２ｃ等の粘着剤に放射線硬化性の物質を使用する際は、放射線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
【００２３】
基材２ａの厚さとしては、例えば、５００μｍ以下（好ましくは１〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２５０μｍ）が一般的であるが、これに限定されない。
【００２４】
なお、基材２ａの表面には、粘着剤層２ｂや粘着剤層２ｃ等の粘着剤層との密着性を高めるため、その粘着剤層側の面に、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的方法による酸化処理等が施されていてもよく、また下塗り剤や剥離剤等によるコーティング処理等が施されていてもよい。
【００２５】
（半導体ウエハに貼り合わせられる粘着面）
粘着剤層２ｂは、半導体ウエハに貼り合わせる粘着剤層として利用されている。すなわち、両面粘着シート２において、粘着剤層２ｂの表面が、半導体ウエハ１に貼り合わせられる粘着面となっている。このような粘着剤層２ｂを形成するための粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤を１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。粘着剤は、粘着性成分（ベースポリマー）等のポリマー成分などのほかに、粘着剤の種類等に応じて、架橋剤（例えば、ポリイソシアネート系架橋剤、アルキルエーテル化メラミン系架橋剤など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂などからなる常温で固体、半固体あるいは液状のもの）、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。なお、粘着剤は、エマルジョン系粘着剤、溶剤系粘着剤などのいずれの形態の粘着剤であってもよい。
【００２６】
粘着剤層２ｂとしては、適宜なときに接着力を低減させることにより、容易に剥離することが可能な粘着剤層（接着力低減型粘着剤層）であることが好ましい。すなわち、半導体ウエハ加工用粘着シートは、半導体ウエハに貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、半導体ウエハに貼り合わせられた半導体ウエハ加工用粘着シートの粘着面における半導体ウエハに対する接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好適である。このように、粘着剤層２ｂが接着力低減型粘着剤層であると、半導体ウエハ１からの剥離が容易であり、半導体ウエハ１の剥離の際に、半導体ウエハ１に破損（割れなど）を生じさせずに剥離することができる。なお、粘着剤層２ｂは、通常の粘着剤層（接着力を低減させることができない粘着剤層）であっても、下記に示されるように、例えば、ダイシング用粘着テープ又はシートを用いることにより、半導体ウエハ１に破損（割れなど）を生じさせずに、容易に剥離することができる。
【００２７】
このような接着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤（接着力低減型粘着剤）としては、熱剥離型粘着剤（加熱剥離型粘着剤）や、エネルギー線硬化型粘着剤などを用いることができる。熱剥離型粘着剤としては、加熱により発泡及び／又は膨張処理することができる粘着剤であり、加熱による発泡及び／又は膨張により、接着力を低減することができる。このような熱剥離型粘着剤としては、例えば、少なくとも、粘着性を付与するための粘着剤（感圧接着剤）と、熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球（マイクロカプセル）とを含む粘着剤組成物を用いることができる。熱剥離型粘着剤において用いられる粘着剤としては、特に制限されず、前記に例示の粘着剤（例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、クリ−プ特性改良型粘着剤など）が挙げられる。また、熱膨張性微小球としては、公知の熱膨張性微小球から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、マツモトマイクロスフェア［商品名、松本油脂製薬（株）製］などの市販品もある。
【００２８】
熱膨張性微小球の配合量は、膨張倍率や、熱剥離性粘着剤層の接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱剥離性粘着剤層を形成するポリマー成分（例えば、粘着剤のベースポリマー）１００重量部に対して、例えば５〜２００重量部（好ましくは１５〜７５重量部）である。なお、熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱剥離性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができ、例えば、５〜１２０μｍ（好ましくは１０〜７５μｍ）の範囲から選択することができる。また、体積膨張率が１．５〜１０倍（好ましくは２〜５倍）となるまで破裂しない適度な強度を有する熱膨張性微小球が好ましい。
【００２９】
エネルギー線硬化型粘着剤としては、粘着性を有するとともに、エネルギー線（又は放射線）により硬化することができる粘着剤であり、エネルギー線による硬化により、接着力を低減することができる。このようなエネルギー線硬化型粘着剤としては、例えば、母剤（粘着剤）中に多官能モノマー等の架橋性官能基を複数含有する官能基含有化合物が配合されている粘着剤に、必要に応じて放射線重合開始剤が配合されている放射線硬化型粘着剤や、多官能モノマー等の架橋性官能基を複数含有する官能基含有化合物をモノマー成分として共重合されたポリマー成分を有する粘着剤に、必要に応じて放射線重合開始剤が配合されている放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。
【００３０】
放射線硬化型粘着剤としては、母剤（粘着剤）中に多官能モノマー等の架橋性官能基を複数含有する官能基含有化合物が配合されている粘着剤に、放射線重合開始剤が配合されている放射線硬化型粘着剤を好適に用いることができる。前記母剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤などの公知の粘着剤を用いることができる。好ましい母剤にはアクリル系粘着剤が含まれる。母剤は１種の成分で構成されていてもよく、２種以上の成分で構成されていてもよい。また、架橋性官能基を複数含有する官能基含有化合物としては、放射線硬化性の低分子量化合物や、放射線硬化性樹脂を用いることができる。具体的には、放射線硬化性の低分子量化合物としては、可視光線、紫外線、電子線などのエネルギー線（放射線）により硬化可能なものであれば特に限定されないが、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート等が挙げられる。また、放射線硬化性樹脂としては、例えば、分子末端に（メタ）アクリロイル基を有するエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、アクリル樹脂（メタ）アクリレート、分子末端にアリル基を有するチオール−エン付加型樹脂や光カチオン重合型樹脂、ポリビニルシンナマート等のシンナモイル基含有ポリマー、ジアゾ化したアミノノボラック樹脂やアクリルアミド型ポリマーなど、感光性反応基含有ポリマーあるいはオリゴマーなどが挙げられる。なお、放射線硬化性樹脂を使用する場合には、前記母剤は必ずしも必要でない。
【００３１】
架橋性官能基を複数含有する官能基含有化合物の配合量は、例えば、母剤１００重量部に対して、５〜５００重量部（好ましくは１５〜３００重量部、さらに好ましくは２０〜１５０重量部）である。
【００３２】
なお、放射線硬化型粘着剤としては、紫外線（ＵＶ）反応性粘着ポリマーを用いることもできる。該紫外線反応性粘着ポリマーとしては、例えば、ヒドロキシル基やカルボキシル基などの活性官能基を起点として化学反応によりアクリルポリマー分子中にビニル基などの感光性官能基含有化合物を導入した感光性アクリル粘着剤などが挙げられる。
【００３３】
放射線重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン系開始剤、ベンゾインエーテル系開始剤、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサンソン系化合物の他、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナートなどが挙げられる。放射線重合開始剤の配合量としては、公知の放射線硬化型粘着剤における放射線重合開始剤の割合から適宜選択することができる。
【００３４】
なお、放射線硬化型粘着剤には、上記成分のほか、放射線硬化前後に適切な粘弾性を得るために、熱重合開始剤、架橋剤、粘着付与剤、加硫剤等の適宜な添加剤が必要に応じて配合されていてもよい。また、前記放射線重合開始剤とともに放射線重合促進剤を併用することもできる。
【００３５】
粘着剤層２ｂは、公知の粘着剤層の形成方法（塗布方法、転写方法など）を利用して形成することができる。具体的には、粘着剤層２ｂは、例えば、基材２ａの所定の面上に、粘着剤を塗布する方法、適当な剥離ライナー（セパレータ）上に粘着剤を塗布して粘着剤層を形成し、該粘着剤層を基材２ａの所定の面上に転写する方法などにより、形成することができる。
【００３６】
粘着剤層２ｂの厚みとしては、半導体ウエハから剥離することが可能であれば特に制限されないが、接着性と剥離性との両立の観点から、１〜２００μｍが好ましく、さらに好ましくは２〜１００μｍである。粘着剤層２ｂの厚みが１μｍ未満であると、例えば、下記に示されるように、粘着剤層２ｂと基材２ａとの間に中間層が設けられている場合、粘着剤層２ｂの破壊による中間層の析出のおそれがあり、一方、２００μｍを超えると、両面粘着シート２を半導体ウエハ１に貼付する際に、半導体ウエハ１の表面１ａの凹凸形状に追従しにくくなる。
【００３７】
（支持板に貼り合わせられる粘着面）
粘着剤層２ｃは、支持体（支持板など）に貼り合わせる粘着剤層として利用されている。すなわち、両面粘着シート２において、粘着剤層２ｃの表面が、支持板３に貼り合わせられる粘着面となっている。このような粘着剤層２ｃを形成するための粘着剤としては、粘着剤層２ｂを形成するための粘着剤と同様の粘着剤（例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、クリ−プ特性改良型粘着剤など）を用いることができる。粘着剤は、粘着性成分（ベースポリマー）等のポリマー成分などのほかに、粘着剤の種類等に応じて、架橋剤（例えば、ポリイソシアネート系架橋剤、アルキルエーテル化メラミン系架橋剤など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂などからなる常温で固体、半固体あるいは液状のもの）、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。なお、粘着剤は、エマルジョン系粘着剤、溶剤系粘着剤などのいずれの形態の粘着剤であってもよい。
【００３８】
また、粘着剤層２ｃとしては、粘着剤層２ｂと同様に、適宜なときに接着力を低減させることにより、容易に剥離することが可能な粘着剤層（接着力低減型粘着剤層）であることが好ましい。すなわち、半導体ウエハ加工用粘着シートは、支持体に貼り合わせられる粘着面を有しており、且つ半導体ウエハの薄型加工処理後に、支持体に貼り合わせられた半導体ウエハ加工用粘着シートの粘着面における支持体に対する接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好適である。このように、粘着剤層２ｃが接着力低減型粘着剤層であると、支持板３からの剥離が容易であり、支持板３の剥離の際に、支持板３に破損を生じさせずに剥離することができ、そのため、支持板３を再利用することができる。このような接着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤（接着力低減型粘着剤）としては、前記と同様に、熱剥離型粘着剤（加熱剥離型粘着剤）や、エネルギー線硬化型粘着剤などを用いることができる。
【００３９】
粘着剤層２ｃは、粘着剤層２ｂと同様に、公知の粘着剤層の形成方法（塗布方法、転写方法など）を利用して形成することができる。具体的には、粘着剤層２ｃは、例えば、基材２ａの所定の面上に、粘着剤を塗布する方法、適当な剥離ライナー（セパレータ）上に粘着剤を塗布して粘着剤層を形成し、該粘着剤層を基材２ａの所定の面上に転写する方法などにより、形成することができる。
【００４０】
粘着剤層２ｃの厚みとしては、粘着剤層２ｂと同様に、支持体（支持板など）から剥離することが可能であれば特に制限されないが、接着性と剥離性との両立の観点から、１０〜３００μｍが好ましく、さらに好ましくは２０〜２００μｍである。
【００４１】
（中間層）
本発明では、半導体ウエハ１と貼り合わせられる粘着面となる粘着剤層２ｂや、支持板３と貼り合わせられる粘着面となる粘着剤層２ｃは、中間層を介して形成されていることが好ましく、特に、粘着剤層２ｂは、凹凸差の大きい配線パターンやバンプへの追従性や、半導体ウエハからの両面粘着シートの剥離性の観点などから、中間層を介して形成されていることが好適である。例えば、中間層を、基材２ａと粘着剤層２ｂとの間に設けることにより、両面粘着シート２を半導体ウエハ１に貼り合わせる際に、両面粘着シート２の表面（粘着剤層２ｂの表面）を半導体ウエハ１の表面の形状（凹凸差の大きい配線パターンやバンプが形成されている表面形状）に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができる。また、粘着剤層２ｂが熱剥離型粘着剤層である場合、両面粘着シート２を半導体ウエハ１から、加熱により剥離する際に、粘着剤層２ｂの加熱膨張を高度に（精度よく）コントロールし、熱剥離型粘着剤層２ｂを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。なお、中間層は、必要に応じて設けられる層であり、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００４２】
このような中間層としては、弾性率が、３０〜１０００ｋＰａ（好ましくは５０〜７００ｋＰａ）であることが望ましい。また、中間層としては、ゲル分率が、２０％以下（好ましくは１０％以下）であることが望ましい。
【００４３】
このように、中間層の弾性率が３０〜１０００ｋＰａであると、例えば、中間層が粘着剤層２ｂと基材２ａとの間に形成されている場合、粘着剤層２ｂの表面が半導体ウエハ１の表面１ａの凹凸形状に追従して、気泡なく（界面に隙間を生じさせずに）、両面粘着シート２を半導体ウエハ１に貼り合わせることが可能となるため、半導体ウエハ１の研削加工時（薄型加工処理時）に、隙間からの水の侵入や割れを効果的に生じないようにすることができる。なお、中間層の弾性率が、３０ｋＰａ未満であると、中間層が柔らかくなるため、シート又はテープ形状安定性が低下し、例えば、長期保存や荷重がかかった場合、両面粘着シートが変形する可能性が高くなる。また、両面粘着シートにかかる圧力により、中間層がはみ出し、半導体ウエハを汚染する問題が生じる場合がある。一方、中間層の弾性率が１０００ｋＰａを超えると、中間層が硬くなり、例えば、半導体ウエハの表面の凹凸形状への追従性が低下し、半導体ウエハの研削加工時に半導体ウエハと両面粘着シートとの界面における隙間からの水の侵入や割れ、ディンプルの発生が生じやすくなる。
【００４４】
また、中間層のゲル分率が２０％を超えると、例えば、半導体ウエハの表面の凹凸形状への追従性が低下し、半導体ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。なお、この場合、中間層の弾性率がたとえ前記範囲内であっても、ゲル分率が２０％を超えると、追従性が低下するので、弾性率とゲル分率とが前記範囲内であることが好ましい。
【００４５】
なお、中間層の弾性率（Ｇ´）は、動的粘弾性測定装置（「レオメトリックスＡＲＥＳ」レオメトリックス社製）を用いて、２５℃、プレート：φ７．５  パラレルプレート、周波数：１Ｈｚの条件で測定した弾性率である。また、中間層のゲル分率（％）は、中間層を、酢酸エチル中に、２５℃で７日間浸漬させた際に溶解しないものの割合を意味している。
【００４６】
中間層の厚さは、例えば、半導体ウエハの表面の凹凸差などに応じて、また、半導体ウエハの保持性や保護性等を損なわない範囲で適宜選択することができ、好ましくは２０〜５００μｍ（さらに好ましくは３０〜２００μｍ）である。中間層の厚さが２０μｍ未満であると、半導体ウエハの表面の凹凸形状への両面粘着シートの追従性が低下し、半導体ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。一方、中間層の厚さが５００μｍを超えると、中間層のはみ出しや、両面粘着シートの貼付けに時間がかかり作業効率が低下したり、研削加工機器にセッティングすることができなかったり（入らなかったり）する問題が生じる。また、両面粘着シートを、半導体ウエハから剥離する際に、両面粘着シートの曲げ応力により、研削加工後の薄肉の半導体ウエハが破損するおそれがある。
【００４７】
なお、中間層を、粘着剤層２ｂと基材２ａとの間に設ける場合、中間層の厚み（ｔ1）と、粘着剤層２ｂの厚み（ｔ2）との比率としては、ｔ2／ｔ1＝０．０１〜０．５（好ましくは０．０２〜０．３）程度である。ｔ2／ｔ1が０．０１未満であると、例えば、粘着剤層２ｂがエネルギー線硬化型粘着剤層である場合、放射線照射後に接着力が十分に低下せず、剥離が困難となるおそれがある。一方、ｔ2／ｔ1が０．５を超えると、中間層の効果が発揮されず、例えば、半導体ウエハの表面の凹凸形状への追従性が発揮されにくくなり、半導体ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。
【００４８】
このような中間層の材料としては、粘着剤層２ｂや粘着剤層２ｃ等の粘着剤層との接着性（投錨性）が良好であり、また、弾性率の調整が容易である観点などから、アクリル系ポリマーや、エネルギー線の照射で硬化が可能な２重結合導入アクリル系ポリマー［例えば、分子末端に（メタ）アクリロイル基を有するエステル（メタ）アクリレートなど］などの樹脂の他、各種粘着剤などを好適に用いることができるが、前記特性を有するものであれば特に制限なく用いることができる。
【００４９】
中間層は単層であってもよく、２以上の層で構成されていてもよい。
【００５０】
本発明では、両面粘着シートは、表面に凹凸差が大きい配線パターンやバンプが設けられた半導体ウエハに貼付して用いられるので、両面粘着シートにおける半導体ウエハと貼り合わせられる粘着面側には、半導体ウエハの表面の形状に対応する形状となるように、打抜き加工等により加工されていることが好ましい。
【００５１】
なお、半導体ウエハ加工用粘着シートとして、図１（ｂ）で示されるような基材付きタイプの両面粘着シートを用いる場合、両側の粘着剤層は、同一の粘着剤により形成されていもよく、異なる粘着剤により形成されていてもよい。従って、例えば、両側の粘着剤層がともに熱剥離型粘着剤層である場合、半導体ウエハ又は支持体を剥離させる際の熱剥離開始温度は、同一の温度であってもよく、異なる温度であってもよいが、半導体ウエハと支持体とを別々に剥がす場合には、先に剥がす側（例えば、支持体側）の熱剥離型粘着剤層の方が、熱剥離開始温度が低いことが重要である。
【００５２】
本発明では、半導体ウエハ加工用粘着シートとしては、基材付きタイプの両面粘着シートが好ましく、なかでも、両側の粘着剤層が、異なる剥離手段（例えば、加熱による剥離手段、エネルギー線照射による剥離手段、ピールによる剥離手段など）により剥離することができる基材付きタイプの両面粘着シートを好適に用いることができる。このような基材付きタイプの両面粘着シートとしては、例えば、一方の表面がエネルギー線硬化型粘着剤層による粘着面となっており、他方の表面が熱剥離型粘着剤層による粘着面となっている基材付きタイプの両面粘着シート、一方の表面が通常の粘着剤層（加熱やエネルギー線照射による剥離手段ではなく、ピールによる剥離手段により剥がすことができる粘着剤層）による粘着面となっており、他方の表面が熱剥離型粘着剤層又はエネルギー線硬化型粘着剤層による粘着面となっている基材付きタイプの両面粘着シートなどが挙げられ、特に、一方の表面がエネルギー線硬化型粘着剤層による粘着面となっており、他方の表面が熱剥離型粘着剤層による粘着面となっている基材付きタイプの両面粘着シートが好適である。このように、半導体ウエハ加工用粘着シートが、両側の粘着剤層が異なる剥離手段により剥離することができる基材付きタイプの両面粘着シートであると、半導体ウエハと支持体とを容易に別々に剥がすことができるようになる。
【００５３】
また、半導体ウエハ加工用粘着シートが、両側の粘着剤層が異なる剥離手段により剥離することができる基材付きタイプの両面粘着シートである場合、半導体ウエハは熱に対して弱い場合があるので、基材付きタイプの両面粘着シートにおける半導体ウエハに貼り合わせる粘着面は、熱剥離型粘着剤層による粘着面であってもよいが、エネルギー線硬化型粘着剤層や通常の粘着剤層による粘着面であることが望ましい。
【００５４】
なお、半導体ウエハ加工用粘着シートとして片面粘着シートを使用する場合、例えば、２枚の片面粘着シートを用い、一方の片面粘着シートの粘着面を半導体ウエハに貼り合わせ、他方の片面粘着シートの粘着面を支持体に貼り合わせ、２枚の片面粘着シートの背面どうしを各種貼り合わせ手段により貼り合わせることにより、半導体ウエハを支持体に粘着シートを介して固定することができる。なお、２枚の片面粘着シートの背面どうしを貼り合わせ手段としては、特に制限されず、公知の貼り合わせ手段（例えば、ワックス、接着剤、粘着剤、粘着テープ又はシート等を用いて貼り合わせる手段など）を採用することができる。
【００５５】
このような片面粘着シートにおける基材や粘着剤層としては、前記両面粘着シートに対応した基材、粘着剤層等を有する粘着シートを用いることができる。
【００５６】
［支持体］
半導体ウエハ１の表面１ａに両面粘着シート２を貼付した後、図１（ｃ）で示されるように、両面粘着シート２の粘着剤層２ｃを保護している剥離ライナー２ｄを剥がし、粘着剤層２ｃ上に支持板３を貼り合わせて、支持体としての支持板３により補強された半導体ウエハを作製することができる。このように、半導体ウエハ加工用粘着シートを介して支持体により補強された半導体ウエハ（「補強ウエハ」と称する場合がある）としては、半導体ウエハ加工用粘着シートを介して、半導体ウエハと支持体とが貼り合わされた構成を有していれば、その貼り合わせの順序は特に制限されない。補強ウエハとしては、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）で示されるように、半導体ウエハの表面に両面粘着シートを貼付した後、両面粘着シートの他方の粘着面に支持体を貼付する順序で貼り合わされた構成の他、支持体に両面粘着シートを貼付した後、両面粘着シートの他方の粘着面に半導体ウエハを貼付する順序で貼り合わされた構成や、両面粘着シートのそれぞれの面に、半導体ウエハと支持体と並行して貼付する順序で貼り合わされた構成などが挙げられる。
【００５７】
このような支持体としては、図１（ｃ）などで示されるように、板状形状を有する支持板３を好適に用いることができる。
【００５８】
支持体としては、薄型加工処理された半導体ウエハを補強することができるものであれば特に制限されないが、例えば、半導体ウエハと同質材料によるものや、半導体ウエハよりも硬質材料によるものが好ましい。具体的には、支持体が支持板である場合、支持板としては、例えば、シリコンウエハやガラスウエハ等の半導体ウエハ、ＳＵＳステンレス板、銅板等の金属板、アクリル系樹脂板等のプラスチック板などが挙げられる。
【００５９】
支持板等の支持体の形状や大きさなどは、半導体ウエハの裏面に薄型加工処理を施すことができるものであれば特に制限されないが、図１（ｃ）で示されるように、半導体ウエハと同サイズのものを好適に用いることができる。支持体が支持板である場合、支持板の厚さとしては、通常、４００〜８００μｍ程度のものが好ましいが、これに限定されず、４００μｍ未満や８００μｍを超えていてもよい。
【００６０】
なお、図１（ｂ）における両面粘着シート２と半導体ウエハ１との位置合わせや、図１（ｃ）における両面粘着シート２と支持板３との位置合わせは、画像認識装置を利用して行い、正確な位置を認識して、現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。
【００６１】
［薄型加工処理］
補強ウエハにおける半導体ウエハ１の裏面１ｂには、図１（ｄ）で示されるように、薄型加工処理を施すことができる。具体的には、図１（ｄ）では、半導体ウエハ１の位置を上下反転し、補強ウエハの支持板３をチャッキングして、半導体ウエハ１の裏面１ｂの薄型加工処理を行っている。補強ウエハにおける半導体ウエハの裏面に薄型加工処理を施す方法としては、特に制限されない。例えば、薄型加工の工法としては、一般的な工法（バックグラインド工法、エッチング工法など）を採用することができる。また、薄型加工機としては、研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッドなどが挙げられる。
【００６２】
薄型加工処理は、半導体ウエハが所望の厚さになるまで行うことができる。
【００６３】
薄型加工処理が完了した補強ウエハは、次工程に移送することができる。具体的には、例えば、半導体ウエハの位置を上下反転し、引き続く工程（例えば、ダイシング工程）に移送することができる。
【００６４】
［薄型加工処理が施された半導体ウエハの取り出し］
半導体ウエハ１の裏面１ｂに薄型加工処理を施した後、図１（ｅ）で示されるように、補強ウエハにおける半導体ウエハ１の裏面１ｂに、ダイシング用粘着テープ５を貼り合わせ、ダイシング用粘着テープ５が貼付された補強ウエハ（ウエハマウントフレーム）を作製することができる。このように、半導体ウエハの薄型加工処理後に、薄型加工処理が施された面（裏面）をダイシング用粘着テープ又はシートによりマウントしてから、支持体や半導体ウエハ加工用粘着シートの剥離を行うことができる。このようなダイシング用粘着テープ５としては、特に制限されず、公知のダイシング用粘着テープを用いることができる。具体的には、ダイシング用粘着テープとしては、基材の一方の面に粘着剤層が形成された構成の粘着テープ又はシートを用いることができる。前記基材や粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知の基材や粘着剤を使用することができる。
【００６５】
（支持体の剥離）
そして、ダイシング用粘着テープ５が貼付された補強ウエハ（ウエハマウントフレーム）を作製した後、図１（ｆ）で示されるように、ウエハマウントフレームから、支持板３を剥離して、表面１ａに両面粘着シート２が貼付され、且つ薄型加工処理が施された裏面１ｂにダイシング用粘着テープ５が貼付された半導体ウエハ１を得ることができる。ウエハマウントフレームから、支持板３を剥離する際には、支持板３に貼り合わせられている両面粘着シート２の粘着面となっている粘着剤層２ｃの種類に応じた適宜な剥離手段（加熱による剥離手段、エネルギー線照射による剥離手段、ピールによる剥離手段など）を利用することにより、支持板３をウエハマウントフレーム（又は粘着剤層２ｃ）から剥離させることができる。例えば、粘着剤層２ｃが熱剥離型粘着剤層である場合、ウエハマウントフレームのチャックテーブルを任意の温度に加熱することにより、支持板３と粘着剤層２ｃとの接着力を低下させ、支持板３をウエハマウントフレーム（又は粘着剤層２ｃ）から容易に剥離させることができる。
【００６６】
（半導体ウエハ加工用粘着シートの剥離）
支持板３をウエハマウントフレームから剥離させた後、図１（ｇ）で示されるように、半導体ウエハ１の表面１ａに貼付されている両面粘着シート２を剥離して、薄型加工処理が施された裏面１ｂにダイシング用粘着テープ５が貼り合わされた半導体ウエハ１を得ることができる。半導体ウエハ１から、両面粘着シート２を剥離する際には、半導体ウエハ１の表面１ａに貼り合わせられている両面粘着シート２の粘着面となっている粘着剤層２ｂの種類に応じた適宜な剥離手段（加熱による剥離手段、エネルギー線照射による剥離手段、ピールによる剥離手段など）を利用することにより、両面粘着シート２を半導体ウエハ１から剥離させることができる。例えば、粘着剤層２ｂがエネルギー線硬化型粘着剤層である場合、エネルギー線照射により、両面粘着シート２を半導体ウエハ１から剥離することができる。また、粘着剤層２ｂが通常の粘着剤層（加熱やエネルギー線照射による剥離手段ではなく、ピールによる剥離手段により剥がすことができる粘着剤層）である場合、ピールにより、両面粘着シート２を半導体ウエハ１から剥離することができる。
【００６７】
本発明では、薄型加工処理が施された半導体ウエハの単離に際して、半導体ウエハの薄型加工処理後に、薄型加工処理が施された面（裏面）をダイシング用粘着テープ又はシートによりマウントしてから、支持体や半導体ウエハ加工用粘着シートの剥離を行う（マウント剥離方式にて剥離する）ことにより、半導体ウエハからの半導体ウエハ加工用粘着シートの剥離手段がピールによる剥離手段であっても、半導体ウエハを割ることなく、より一層容易に剥離することが可能となっている。
【００６８】
本発明の半導体ウエハの加工方法は、前述のように、粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定して、薄型加工処理を施しているので、半導体ウエハが、表面に、最大の凹凸差が０．１〜３５０μｍである配線パターン及び／又はバンプが形成された半導体ウエハであっても、薄型加工処理を施すのに十分な強度と剛性とを付与することができる。従って、薄型加工処理工程で、半導体ウエハの取り扱いが容易となり、ウエハキャリアによる処理も可能になる。また、半導体ウエハの損傷を最小限に抑えることができる。
【００６９】
さらに、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ加工用粘着シート（両面粘着シートなど）を介して支持体（支持ウエハなど）が貼り付けられているので、従来、薄型加工処理時に用いられていた半導体ウエハの表面保護用テープが不要になる。また、前記支持体としては、半導体ウエハとして提供されている既製品を用いることができるので、別途作製する必要がない。
【００７０】
さらにまた、半導体ウエハに貼り付けられる半導体ウエハ加工用粘着シートは、マウント剥離方式などの剥離方式により、半導体ウエハから取り除く（剥離する）ことができるので、薄型加工処理が施された半導体ウエハを割ることなく、容易に取り出すことができる。
【００７１】
しかも、熱剥離手段を利用した熱剥離方式など剥離方式により取り外された支持体（支持ウエハなど）は、再利用することが可能である。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではない。
（粘着シートの作製例１）
アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタクリレート（重量部比＝３０／７０／５）共重合体系感圧接着剤１００重量部に、ポリウレタン系架橋剤１重量部を配合してなるトルエン溶液を、基材としてのポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し乾燥して、ゴム状有機弾性層を形成した。
【００７３】
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタクリレート共重合体系感圧接着剤１００重量部に、ポリウレタン系架橋剤２重量部を配合したものに、さらに熱膨張性微小球（商品名「マツモトマイクロスフィアＦ−３０Ｄ」松本油脂製薬社製；平均粒径１３．５μｍ）３０重量部を配合してなるトルエン溶液を調製し、これを、セパレータ上に乾燥後の厚みが４０μｍとなるように塗布し乾燥して、粘着剤層（熱剥離型粘着剤層）を形成した後、上記ゴム状有機弾性体を形成したポリエステルフィルムに、ゴム状有機弾性体層と粘着剤層とが接触する形態で貼り合わせ、加熱剥離型粘着シート（「加熱剥離型粘着シートＡ」と称する場合がある）を得た。
【００７４】
前記加熱剥離性粘着シートＡの基材側の面に、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸アミド−アクリル酸（重量部比＝７５／２０／５）共重合体系感圧接着剤１００重量部に、エポキシ系架橋剤０．０５重量部を配合してなるトルエン溶液を、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように塗布し乾燥して、中間層（「中間層Ａ」と称する場合がある）を形成した。なお、前記中間層Ａの弾性率は５００ｋＰａ、ゲル分率は１％であった。
【００７５】
さらに続いて、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸−アクリルアミド（重量部比＝８２／３／１５）共重合体系感圧粘着剤１００重量部（数平均分子量７０万）に、エステル系可塑剤２０重量部、メラミン系架橋剤０．１重量部、イソシアネート架橋剤３重量部を配合したものを、セパレータ上に乾燥後の厚さが５μｍとなるように塗布して粘着剤層を形成した後、前記中間層Ａを形成した加熱剥離性粘着シートＡに、該粘着剤層と中間層Ａとが接触する形態で貼り合せ、両面粘着シート（「両面粘着シートＡ」と称する場合がある）を得た。
【００７６】
従って、前記両面粘着シートＡは、基材の一方の面に、ゴム状有機弾性層、粘着剤層（熱剥離型粘着剤層）がこの順で形成され、他方の面に、中間層Ａ、粘着剤層がこの順で形成された構成を有している。
【００７７】
（粘着シートの作製例２）
粘着シートの作製例１と同様にして、加熱剥離型粘着シートＡを作製した。前記加熱剥離性粘着シートＡの基材側の面に、さらに、前記粘着シートの作製例１と同様にして、中間層Ａを形成した。なお、前記中間層Ａの弾性率は５００ｋＰａ、ゲル分率は１％であった。
【００７８】
次に、アクリル酸エチル−アクリル酸ブチル−アクリル酸２−ヒドロキシエチル（重量部比＝７８／１００／４０）共重合体（数平均分子量３０万）１００重量部に、４３重量部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内の側鎖に炭素−炭素二重結合部を導入した。この炭素−炭素二重結合部が導入されたポリマー１００重量部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤１重量部、アセトフェノン系光重合開始剤３重量部を配合したものを、セパレータ上に乾燥後の厚さが４０μｍとなるように塗布して粘着剤層（エネルギー線硬化型粘着剤層）を形成した後、前記中間層Ａを形成した加熱剥離性粘着シートＡに、該粘着剤層と中間層Ａとが接触する形態で貼り合せ、両面粘着シート（「両面粘着シートＢ」と称する場合がある）を得た。
【００７９】
従って、前記両面粘着シートＢは、基材の一方の面に、ゴム状有機弾性層、粘着剤層（熱剥離型粘着剤層）がこの順で形成され、他方の面に、中間層Ａ、粘着剤層（エネルギー線硬化型粘着剤層）がこの順で形成された構成を有している。
【００８０】
（粘着シートの作製例３）
アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸アミド−アクリル酸（重量部比＝７５／２０／５）共重合体系感圧接着剤１００重量部に、エポキシ系架橋剤０．０５重量部を配合してなるトルエン溶液を、基材としてのポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように塗布し乾燥して、中間層Ａを形成した。なお、前記中間層Ａの弾性率は５００ｋＰａ、ゲル分率は１％であった。
【００８１】
続いて、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸−アクリルアミド（重量部比＝８２／３／１５）共重合体系感圧粘着剤１００重量部（数平均分子量７０万）に、エステル系可塑剤２０重量部、メラミン系架橋剤０．１重量部、イソシアネート架橋剤３重量部を配合したものを、セパレータ上に乾燥後の厚さが５μｍとなるように塗布して粘着剤層を形成した後、前記中間層Ａを形成したポリエステルフィルムに、該粘着剤層と中間層Ａとが接触する形態で貼り合せ、片面のみが粘着面となっている粘着シート（「粘着シートＣ」と称する場合がある）を得た。
【００８２】
従って、前記粘着シートＣは、基材の一方の面に、中間層Ａ、粘着剤層がこの順で形成された構成を有している。
【００８３】
（粘着シートの作製例４）
粘着シートの作製例３と同様にして、中間層Ａが形成されたポリエステルフィルムを作製した。なお、前記中間層Ａの弾性率は５００ｋＰａ、ゲル分率は１％であった。
【００８４】
続いて、アクリル酸エチル−アクリル酸ブチル−アクリル酸２−ヒドロキシエチル（重量部比＝７８／１００／４０）共重合体（数平均分子量３０万）１００重量部に、４３重量部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内の側鎖に炭素−炭素二重結合部を導入した。この炭素−炭素二重結合部が導入されたポリマー１００重量部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤１重量部、アセトフェノン系光重合開始剤３重量部を配合したものを、セパレータ上に乾燥後の厚さが４０μｍとなるように塗布して粘着剤層（エネルギー線硬化型粘着剤層）を形成した後、前記中間層Ａを形成したポリエステルフィルムに、該粘着剤層と中間層Ａとが接触する形態で貼り合せ、片面のみが粘着面となっている粘着シート（「粘着シートＤ」と称する場合がある）を得た。
【００８５】
従って、前記粘着シートＤは、基材の一方の面に、中間層Ａ、粘着剤層（エネルギー線硬化型粘着剤層）がこの順で形成された構成を有している。
【００８６】
（粘着シートの作製例５）
アクリル酸エチル−アクリル酸ブチル−アクリル酸２−ヒドロキシエチル（重量部比＝７８／１００／４０）共重合体（数平均分子量３０万）１００重量部に、４３重量部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内の側鎖に炭素−炭素二重結合部を導入した。この炭素−炭素二重結合部が導入されたポリマー１００重量部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤１重量部、アセトフェノン系光重合開始剤３重量部を配合したものを、基材としてのポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に、乾燥後の厚さが１５０μｍとなるように塗布して粘着剤層を形成して、片面のみが粘着面となっている粘着シート（「粘着シートＥ」と称する場合がある）を得た。
【００８７】
従って、前記粘着シートＥは、基材の一方の面に、粘着剤層（エネルギー線硬化型粘着剤層）が形成された構成を有している。
【００８８】
（実施例１）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、前記両面粘着シートＡの中間層を介して基材上に設けられた粘着剤層による粘着面を貼り合せた後、熱剥離型粘着剤層側の粘着面にガラス製の支持ウエハを貼り合せ、補強ウエハ（「補強ウエハＡ」と称する場合がある）を作製した。
【００８９】
（実施例２）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、前記両面粘着シートＢの中間層を介して基材上に設けられたエネルギー硬化型粘着剤層による粘着面を貼り合せた後、熱剥離型粘着剤層側の粘着面にガラス製の支持ウエハを貼り合せ、補強ウエハ（「補強ウエハＢ」と称する場合がある）を作製した。
【００９０】
（実施例３）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、粘着シートＣの中間層を介して基材上に設けられた粘着剤層による粘着面を貼り合わせ、保護支持シート付きの半導体ウエハを作製した。次に、ガラス製の支持ウエハに、前記粘着シートの作製例１と同様にして得られた加熱剥離型粘着シートＡを貼り合わせた後、保護支持シート付きの半導体ウエハにおける粘着シートＣの背面（基材側の面）と、支持ウエハに貼り合わせられた加熱剥離型粘着シートＡの背面（基材側の面）とを、接着剤を用いて貼り合わせ、補強ウエハ（「補強ウエハＣ」と称する場合がある）を作製した。
【００９１】
（比較例１）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、保護支持シートとしての粘着シートＣにおける中間層を介して基材上に設けられた粘着剤層による粘着面を貼り合わせ、保護支持シート付きの半導体ウエハ（「保護支持シート付き半導体ウエハＡ」と称する場合がある）を作製した。
【００９２】
（比較例２）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、保護支持シートとしての粘着シートＤにおける中間層を介して基材上に設けられた粘着剤層による粘着面を貼り合わせ、保護支持シート付きの半導体ウエハ（「保護支持シート付き半導体ウエハＢ」と称する場合がある）を作製した。
【００９３】
（比較例３）
表面に、最大の凹凸差が１００μｍのバンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプが形成されている面）に、保護支持シートとしての粘着シートＥにおける基材上に設けられた粘着剤層による粘着面を貼り合わせ、保護支持シート付きの半導体ウエハ（「保護支持シート付き半導体ウエハＣ」と称する場合がある）を作製した。
【００９４】
（評価）
実施例１〜３により得られた補強ウエハＡ〜Ｃ、比較例１〜３により得られた保護支持シート付き半導体ウエハＡ〜Ｃについて、ディスコ（株）製のシリコンウエハ研削機により、半導体ウエハの裏面側の面を厚さ５０μｍになるまで研削した後、研削時での研削による半導体ウエハの割れを求めるとともに、半導体ウエハの反りを観察して、その反り量を求め、さらに、反りによる半導体ウエハの割れを確認した。なお、研削による半導体ウエハの割れや、反りによる半導体ウエハの割れについては、１０枚中１枚でも半導体ウエハに割れが発生した場合は、「有」として評価し、１０枚中１枚も半導体ウエハに割れが発生しない場合は、「無」として評価した。また、半導体ウエハの反り量は、支持ウエハまたは保護支持シートが貼り合わせられている状態で研削の後の半導体ウエハの反り量を測定した。これらの評価結果は、表１の各欄に示した。
【００９５】
【表１】
2005116610.tif 000002
【００９６】
表１から明らかなように、実施例１〜３のように、半導体ウエハを粘着シートを介して支持体に貼り合わせた状態で薄型加工処理を行うと、半導体ウエハが、表面に大きな凹凸差を有する配線パターンやバンプが形成された半導体ウエハであっても、破損や反りの発生を生じさせずに、薄型加工処理を施すことができることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の半導体ウエハの加工方法の一例を示す概略工程図である。
【符号の説明】
【００９８】
１    半導体ウエハ
１ａ  半導体ウエハ１の表面（配線パターン形成面）
１ｂ  半導体ウエハ１の裏面（配線パターン非形成面）
１ｃ  バンプ
２    両面粘着シート
２ａ  基材
２ｂ  粘着剤層
２ｃ  粘着剤層
２ｄ  剥離ライナー
３    支持板
４    研削機（グラインダー）
５    ダイシング用粘着テープ
５ａ  基材
５ｂ  粘着剤層
【図１】
2005116610.tif 000003