(57)【要約】【課題】  厳密な膜厚管理を必要とせず、モアレ縞や光透過むらの発生を抑制する。【解決手段】  基板上に結晶性有機物薄膜を蒸着などにより成膜し、基板表面に直径が約０．５μｍで、互いの距離が約５μｍの島状の結晶核をランダムに形成する。その結晶性有機物薄膜上に反射層２２となる膜を成膜した後、基板部を加熱して結晶性有機物を昇華させ、反射層２２となる膜の表面に微細孔２２２の種となるピンホールを形成する。この基板部を超音波洗浄法により洗浄して、ピンホール周囲の結晶核上の反射層部分を剥離して、ランダムに多数の微細孔２２２を形成して反射層２２を得る。基板裏面からの光は微細孔２２２を透過して液晶層に入射され、透過型表示が行われる。基板表面からの光は反射層２２の部分で反射されて液晶層に戻され、反射型の表示が行われる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光領域で透明な基板上に反射型表示用の反射層が設けられ、該反射層に、結晶性有機物の昇華およびその洗浄処理により形成された多数の微細孔がランダムに設けられて、該基板裏面からの光が該微細孔を通して透過型表示が可能に構成されている半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項２】
前記反射層上に、カラーフィルタ層、平滑層、透明電極および配向膜がこの順に形成されている請求項１に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項３】
前記可視光領域で透明な基板は透明ガラスまたは透明プラスチックからなる請求項１に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項４】
前記反射層の材質は、銀、銀合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金のいずれかである請求項１に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項５】
前記反射層の層厚は１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１または４に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項６】
前記微細孔は、その直径が０．５μｍで、各孔間の距離が５μｍである請求項１に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板。
【請求項７】
請求項1〜６のいずれかに記載の半透過反射型液晶表示素子用基板と、他の基板とが所定の間隔を開けて対向配置され、両基板の間隙内に液晶層が挟持されている半透過反射型液晶表示素子。
【請求項８】
可視光領域で透明な基板上に結晶性有機物薄膜を成膜する結晶性有機物薄膜成膜工程と、
該結晶性有機物薄膜上に反射層を形成する工程と、
該反射層が形成された基板部を加熱することにより、該反射層と基板との間の結晶性有機物を昇華させて該反射層に微細孔の種となるピンホールを形成する工程と、
該ピンホールが形成された基板部を洗浄することにより、該ピンホール周囲の反射層部分を剥離させて該反射層に多数の微細孔を形成する微細孔形成工程とを有する半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項９】
前記結晶性有機物薄膜成膜工程は、前記基板上に結晶性有機物薄膜を蒸着法またはスパッタリング法により成膜して、該基板表面に多数の島状の結晶核を一面にランダムに形成する請求項８に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記多数の島状の結晶核は、その直径が０．５μｍで、お互いの距離が５μｍである請求項９に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記結晶性有機物として、加熱により昇華する材料を用いる請求項８または９に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶性有機物は、ナフタレン、アントラセン、ピレンおよびペリレンのいずれかである請求項１１に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記微細孔形成工程は、前記ピンホールが形成された基板部を超音波洗浄法により洗浄することにより行う請求項８に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記反射層上に、カラーフィルタ層、平滑層、透明電極および配向膜をこの順に形成する工程を更に有する請求項８に記載の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話装置などの携帯情報端末装置の表示部に用いられる半透過反射型液晶表示素子、それに用いられる半透過反射型液晶表示素子用基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば携帯情報端末装置などの表示画面に半透過反射型液晶表示素子が用いられている。この半透過反射型液晶表示素子は、周囲が暗い場合にはバックライトなどを点灯させて透過型の表示を行い、また、周囲が十分明るい場合には周囲光を利用して反射型表示を行うことによって消費電力の低減を図ることができる。このような半透過反射型液晶表示素子では、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板部のうち一方の基板部に半透過反射層が設けられている。
【０００３】
この半透過反射層は、例えば基板上に銀またはアルミニウムなどの合金膜を１００ｎｍ以下の膜厚に成膜することによって、基板表面からの光を反射し、かつ基板裏面からの光を透過する半透過膜として形成されている。
【０００４】
また、特許文献１〜３では、銀またはアルミニウムなどの合金膜を１００ｎｍ以上の膜厚に成膜することによって光を透過しない反射型表示用の完全反射膜として形成し、透過型表示用の光透過部として孔またはスリットをフォトリソグラフィー法により部分的に形成することによって、その光透過部を通して部分的に光を透過させる方法が用いられている。例えば特許文献３では、光透過孔の最大開口長が３０μｍ以下で反射層中に占める光透過孔の割合が単位面積当たり２％〜１０％に設定されている。
【特許文献１】特許第２８７８２３１号公報
【特許文献２】特開平１１−５２３６６号公報
【特許文献３】特開２０００−２４１８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の半透過反射膜では、膜厚の微妙な違いによって光の透過率が大きく異なり、膜厚に対する製造ばらつきも大きいため、厳密な膜厚管理が必要となって、歩留りが低くなるという問題を有していた。
【０００６】
特許文献１〜３のように、完全反射膜にフォトリソグラフィー法により透過型表示用の光透過孔またはスリットを設ける場合には、その光透過孔やスリットからなる光透過部とＣＦ（カラーフィルタ）の配置関係に起因したモアレ縞の発現や、一部の孔径が微妙に異なったり確実に貫通していなかったりすることにより光透過むらが発生し、これらを抑制することは非常に困難であるという問題を有していた。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、厳密な膜厚管理を必要とせず、モアレ縞や光透過むらの発生を抑制して良好に半透過反射型表示を行うことができる半透過反射型液晶表示素子、これに用いる半透過反射型液晶表示素子用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板は、可視光領域で透明な基板上に反射型表示用の反射層が設けられ、該反射層に、結晶性有機物の昇華およびその洗浄処理により形成された多数の微細孔がランダムに設けられて、該基板裏面からの光が該微細孔を通して透過型表示が可能に構成されており、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】
また、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板における反射層上に、カラーフィルタ層、平滑層、透明電極および配向膜がこの順に形成されている。
【００１０】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板を構成する可視光領域で透明な基板は透明ガラスまたは透明プラスチックからなる。
【００１１】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板における反射層の材質は、銀、銀合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金のいずれかである。
【００１２】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板における反射層の層厚は１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【００１３】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板における微細孔は、その直径が０．５μｍで、各孔間の距離が５μｍである。
【００１４】
本発明の半透過反射型液晶表示素子は、請求項1〜６のいずれかに記載の半透過反射型液晶表示素子用基板と、他の基板とが所定の間隔を開けて対向配置され、両基板の間隙内に液晶層が挟持されており、そのことにより上記目的が達成される。
【００１５】
本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法は、可視光領域で透明な基板上に結晶性有機物薄膜を成膜する結晶性有機物薄膜成膜工程と、該結晶性有機物薄膜上に反射層を形成する工程と、該反射層が形成された基板部を加熱することにより、該反射層と基板との間の結晶性有機物を昇華させて該反射層に微細孔の種となるピンホールを形成する工程と、該ピンホールが形成された基板部を洗浄することにより、該ピンホール周囲の反射層部分を剥離させて該反射層に多数の微細孔を形成する微細孔形成工程とを有し、そのことにより上記目的が達成される。
【００１６】
また、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における結晶性有機物薄膜成膜工程は、前記基板上に結晶性有機物薄膜を蒸着法またはスパッタリング法により成膜して、該基板表面に多数の島状の結晶核を一面にランダムに形成する。
【００１７】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における多数の島状の結晶核は、その直径が０．５μｍで、お互いの距離が５μｍである。
【００１８】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における結晶性有機物として、加熱により昇華する材料を用いる。
【００１９】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における結晶性有機物は、ナフタレン、アントラセン、ピレンおよびペリレンのいずれかである。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における微細孔形成工程は、前記ピンホールが形成された基板部を超音波洗浄法により洗浄することにより行う。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板の製造方法における反射層上に、カラーフィルタ層、平滑層、透明電極および配向膜をこの順に形成する工程を更に有する。
【００２２】
上記構成により、以下、本発明の作用について説明する。
【００２３】
本発明にあっては、基板上に結晶性有機物薄膜を蒸着などにより成膜することによって、基板表面に直径が約０．５μｍで、距離が約５μｍ程度の結晶核をランダムな島状に形成する。その結晶性有機物薄膜上に銀やアルミニウム、それらの合金などからなる反射層を形成した後、基板を加熱して結晶性有機物を昇華させることにより、反射層に微細孔の種となるピンホールを形成する。そのピンホールが形成された基板部を超音波洗浄法などにより洗浄することによって、ピンホール周囲の結晶核上の反射層部分を剥離して反射層に透過型表示用の多数の微細孔をランダムに形成する。
【００２４】
この反射層は、膜厚１００ｎｍ以上で光を透過しない完全反射膜とすることができるため、膜厚１００ｎｍ以下の半透過反射膜のように厳密な膜厚管理を必要とせず、反射層の製造歩留まりを向上させることができる。また、透過型表示用の光透過部となる多数の微細孔をフォトリソグラフィー法で形成する必要がないため、フォトリソグラフィー法による工程を簡略化することが可能となる。
【００２５】
ランダムに配置された多数の微細孔が透過型表示用の光透過部となり、その他の反射層部分が反射型表示用の光反射部となるため、半透過反射型液晶表示素子において画素部のＣＦ層と光透過部との配置に起因したモアレ縞を発生しない。また、結晶性有機物の昇華およびその洗浄処理により多数の微細孔が確実に形成されているので、従来のようにフォトリソグラフィー時に一部の孔径などが微妙に異なったり貫通していなかったりすることによる光透過部の光透過むらが生じることもなく、表示品位を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、反射層は光を透過しない完全反射膜とするため、従来のように厳密な膜厚管理を必要としない。また、結晶性有機物の昇華およびその洗浄処理により形成された多数の微細孔が一面にランダムに反射層に設けられ、多数の微細孔が光透過部となり、その他の部分が光反射部となるため、画素部と光透過部との配置関係に起因した従来のモアレ縞が生じることもなく、また、多数の微細孔が確実に貫通しているため、フォトリソグラフィー時に一部の孔径が微妙に異なったり貫通していなかったりすることによる光透過むらも生じない。このため、表示品位に優れた半透過反射型液晶表示素子が得られる。さらに、光透過用の多数の微細孔を従来のようにフォトリソグラフィー法により形成する必要がないため、工程の簡略化も可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に、本発明の半透過反射型液晶表示素子用基板を用いた半透過反射型液晶表示素子およびその製造方法の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、本実施形態の半透過反射型液晶表示素子の要部構成を示す断面図である。
【００２９】
図１に示すように、半透過反射型液晶表示素子１０は、液晶層１を間に挟んで一対の基板部２，３が対向配置されている。これらの両基板部２，３はスペーサ４によって所定間隔（一定間隔）を開けて対向配置され、その両基板部２，３の間隙に液晶層１が封入されている。両基板部２，３の周囲にはシール材５が配置されており、両基板部２，３はシール材５によって貼り合わされて液晶層１が封止されている。両基板部２，３の液晶層１側とは反対側の各表面上にはそれぞれ、偏光板６，７がそれぞれ配置されている。
【００３０】
一方の基板部２（本実施形態の半透過反射型液晶表示素子用基板）は、可視光領域で透明な基板２１上に反射膜２２が設けられ、その上に各画素部に対応してＲＧＢの各着色層が設けられたカラーフィルタ２３（ＣＦ）、平滑化層２４、透明電極２５および配向膜２６がこの順に積層されて設けられている。
【００３１】
反射層２２は、本発明の特徴部分であるので詳細には後述するが、結晶性有機物の昇華およびその洗浄処理により形成された多数の微細孔が一面にランダムに設けられて、基板裏面からの光が微細孔を通して透過型表示が可能なように構成され、かつその微細孔がない反射部分で反射型表示が可能なように構成されている。
【００３２】
他方の基板部２（対向基板部）は、可視光領域で透明な基板３１上に透明電極３２および配向膜３３がこの順に設けられている。
【００３３】
この半透過反射型液晶表示素子１０は、例えば以下の（１）〜（７）に従って製造することができる。
（１）結晶性有機物結晶核の形成
まず、図２に示すように、透明ガラス基板２１ａを真空槽９１内の所定位置に設置し、この透明ガラス基板２１ａの基板温度を所定温度の摂氏２０度に保持する。真空槽９１内部の真空度は１０−５Ｐａとし、石英坩堝９２に展開したナフタレン９３を５０℃に加熱することによりナフタレン９３を昇華させてガラス基板２１ａの下側表面上に成膜させる。このようにして、透明ガラス基板２１ａの下側表面上に結晶性有機物としてナフタレン９３が昇華蒸着法により成膜される。
【００３４】
このとき、透明ガラス基板２１ａの下側表面上には、島状にナフタレン９３からなる結晶性有機物の結晶核９３ａがランダムに多数（または無数に）形成されている。このナフタレン９３からなる結晶性有機物の結晶核９３ａの直径は約０．５μｍであり、島状の結晶核９３ａ間の距離は約５μｍ程度である。
（２）反射膜の形成
次に、図３に示すように、上記島状のナフタレン９３の島状の結晶核９３ａが形成された基板２１ａの表面上に、真空度１０−５Ｐａおよび基板温度摂氏２０度を維持したまま、アルミニウム合金、好ましくはアルミニウムとネオジウムの合金(ネオジウム含有率２％)を、厚さが１００ｎｍになるように、電子線蒸着法で成膜して反射膜２２ａを形成する。なお、反射層２２ａの厚みは、１００ｎｍ以上で１５０ｎｍ以下の範囲内であればよい。上限値設定理由としては、反射層２２ａが１５０ｎｍ以上の時、結晶性有機物を昇華させる時にバリア膜となりピンホールが生じにくくなる。ピンホールが生じても超音波洗浄等の洗浄時にうまく剥離できないため、ここでは１５０ｎｍを上限値とする。なお、上限値は２００ｎｍでもかまわない（ピンホールはできるため、）が、その場合、好ましくは１００〜１５０ｎｍとしたい。
（３）微細孔の形成
図４に示すように、反射膜２２ａが形成された基板２１ａを摂氏１５０度まで加熱し、それと同時に真空槽９１内部の真空度を更に上げて１０−５Ｐａから１０−６Ｐａにする。このとき、結晶性有機物であるナフタレン９３は、図４に点線矢印Ａで示すように、反射膜２２の下面から反射膜２２ａにピンホール２２１を開けて脱離する。
（４）洗浄による微細孔の完成
図４に示すように、ピンホール２２１が空いた反射膜２２ａが設けられた透明ガラス基板２１ａを真空槽２１から取り出した後、これを、図５に示すように、超音波洗浄槽９４内のＩＰＡ（イソプロピルアルコ−ル）９５に浸漬する。浸漬した反射膜２２ａおよび透明ガラス基板２１ａに対して、基板温度摂氏２５度に保持したまま、出力６００Ｖ、発振周波数２８ｋＨｚの超音波を１０分間印加すると、上記ピンホール２２１を微細孔種として、その周りから結晶性有機物結晶核９３ａが形成されていた部分上の反射膜２２ａだけが剥離し、結晶性有機物結晶核９３ａの跡が微細孔２２２となる。これによって、図６に示すように、反射膜２２に直径が約０．５μｍで、各孔間の距離が約５μｍ程度で、配置がランダムな多数（または無数）の微細孔２２２が形成されることになる。
（５）半透過反射型液晶表示素子用の基板部２を完成
図７に示すように、反射膜２２上に印刷法によりカラーフィルタ２３（ＣＦ層）を形成し、図１に示すように、カラーフィルタ２３の表面上を平滑層２４で覆う。その後、一般的な半透過反射型液晶表示素子の作製方法に従って、ＩＴＯからなるＩＴＯ膜２５ａを成膜後、所定のパターンに加工して透明電極２５を形成し、その上に更に配向膜２６を形成する。これによって、本実施形態の半透過反射型液晶表示素子用基板（基板部２）を作製することができる。
（６）基板部３の作製
一方、図１に示すように透明ガラス基板３１ａ上に透明電極３２および配向膜３３がこの順に形成された対向側ガラス基板部である半透過反射型液晶表示素子用の基板部３を作製する。
（７）半透過反射型液晶表示素子１０の作製
両基板部２，３を対向配置し、それらの間にスペーサ４を挟み込んで、両基板部２，３を貼り合わせる。両基板部２，３の一定間隙に液晶１を注入した後、両基板部２，３の周囲をシール材５によって封止する。その後、両基板部２，３の外側表面にそれぞれ偏光板６，７をそれぞれ貼り付けて、本実施形態の半透過反射型液晶表示素子１０を作製する。
【００３５】
これらの偏光板６，７は、基板部２，３間に挟持される液晶１に応じて位相差を補償することができる楕円偏光板であってもよい。本実施形態では、液晶１としてＳＴＮ液晶材料を用いたので、偏光板８，９として楕円偏光板を用いた。
【００３６】
このようにして作製された本実施形態の半透過反射型液晶表示素子１０において、表面（基板部３側）から周囲の外光や照明またはフロントライトなどにより照射される光は、偏光板７および基板部３を通って液晶層１に入射され、基板部２の反射層２２で反射されて再び液晶層１に入射される。これによって、液晶層１で変調された光が基板部３側に戻されて照射され、反射型の表示が行われる。
【００３７】
また、本実施形態の半透過反射型液晶表示素子１０において、裏面（基板部２側）からバックライトなどにより照射される光は、偏光板６および基板部２の反射層２２に設けられた多数の微細孔２２２を通って液晶層１側に入射される。これによって、液晶層１で変調された光が基板部３側に照射され、透過型の表示が行われる。このときの微細孔２２２は、直径が約０．５μｍ、各孔間の距離が約５μｍ程度で、それらの配置がランダムであるため、従来のようなモアレ縞や光透過むら（表示むら）などが生じることなく、良好な表示状態となる。
【００３８】
以上のように、本実施形態によれば、基板２１ａ上に結晶性有機物薄膜を蒸着などにより成膜し、その基板表面に直径が約０．５μｍで、お互いの距離が約５μｍ程度の多数の島状の結晶核９３ａをランダムに形成する。この結晶性有機物薄膜上に反射層２２ａを形成した後、基板部全体を加熱して結晶性有機物を昇華させ、反射層２２ａの表面に微細孔の種となるピンホール２２１を形成する。ピンホール２２１が形成された反射層２２ａが設けられた基板部を超音波洗浄法などにより洗浄して、ピンホール周囲の結晶核上の反射層部分を剥離させて反射層２２ａに多数の微細孔２２２をランダムな位置に形成する。基板裏面からの光は微細孔２２２を透過して液晶層１に入射され、透過型表示が行われる。基板表面からの光は微細孔２２２が設けられていない反射層２２の部分で反射して液晶層１に戻され、反射型の表示が行われる。これによって、従来のように厳密な膜厚管理を必要とせず、従来のようなモアレ縞や光透過むらの発生を抑制して良好な半透過反射型表示を行うことができる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、結晶性有機物としてナフタレンを用いたが、加熱により昇華する材料であれば、他の材料であってもよく、例えばアントラセン、ピレン、ペリレンなどであってもかまわない。
【００４０】
また、上記実施形態では、反射膜２２はアルミニウム合金膜としたが、アルミニウム膜であってもよく、銀やその合金膜であってもよい。
【００４１】
さらに、反射膜の成膜方法は、上記実施形態では、電子線蒸着法で反射膜２２ａを成膜したが、これに限らず、スパッタリング法などを用いてもよい。
【００４２】
さらに、上記実施形態では、基板は透明ガラス製としたが、可視光領域で透明な基板であれば他の材料であってもよく、透明なプラスチック製の基板であってもよい。
【００４３】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、例えば携帯情報端末などの表示画面に用いられる半透過反射型液晶表示素子、それに用いられる半透過反射型液晶表示素子用基板およびその製造方法の分野において、従来のように光透過用の微細孔をフォトリソグラフィー法により設ける必要がないため、簡略化された工程により、モアレ縞や光透過むらのない表示品位に優れた半透過反射型液晶表示素子を得ることができる。したがって、例えば携帯電話装置などの携帯情報端末装置など、携帯して使用される電子情報機器の表示部（表示画面部分）として、本発明を広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態の半透過反射型液晶表示素子の要部構成を示す断面図である。
【図２】図１の半透過反射型液晶表示素子の製造方法において、結晶性有機物結晶核の形成工程を説明するための断面図である。
【図３】図１の半透過反射型液晶表示素子の製造方法において、反射膜の形成工程を説明するための断面図である。
【図４】図１の半透過反射型液晶表示素子の製造方法において、微細孔（ピンホール）の形成工程を説明するための断面図である。
【図５】図１の半透過反射型液晶表示素子の製造方法において、洗浄による微細孔の完成工程を説明するための断面図である。
【図６】図１の半透過反射型液晶表示素子において、ランダムな微細孔を有する反射膜の概略平面図である。
【図７】図１の半透過反射型液晶表示素子の製造方法において、ＣＦ層、平滑化層、透明電極および配向膜の形成工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  液晶層
２，３  基板部
２１，３１  基板
２１ａ，３１ａ  透明ガラス基板
２２，２２ａ  反射膜
２２１  ピンホール
２２２  微細孔
２３  カラーフィルタ（ＣＦ層）
２４  平滑化層
２５，３２  透明電極
２６，３３  配向膜
４  スペーサ
５  シール材
６，７  偏光板
１０  半透過反射型液晶表示素子
９１  真空槽
９２  石英坩堝
９３  ナフタレン（結晶性有機物）
９３ａ  結晶核
９４  超音波洗浄槽
９５  ＩＰＡ
【図１】
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【図２】
2005202080.tif 000004
【図３】
2005202080.tif 000005
【図４】
2005202080.tif 000006
【図５】
2005202080.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005202080.tif 000009