(57)【要約】【課題】リバースティルトドメインによる表示低下を防ぎ、フィールドスルー電圧を補償するとともにフリッカの発生を無くすことでその表示品位を向上することのできる電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】画素トランジスタの導電型をＰ型にした。そして、液晶表示装置１０の対向電極に画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍの中心値より高い電圧を供給した。また、容量配線を介して、補助容量素子の第２の電極に基準電圧より低い電圧レベルの第２の補助電圧を供給する構成とした。【選択図】      図３
2005017941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、
可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記第２電極に供給される前記可変信号の中心値が、前記第１電極に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットされていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記ゲートトランジスタの導電型はＮ型であり、
前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の次に選択される走査線に接続し、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、
前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低い信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、
前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の次に選択される走査線に接続し、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、
前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低くかつ前記ゲートトランジスタがオンしない信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記ゲートトランジスタの導電型はＮ型であり、
前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の前に選択される走査線に接続し、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低い信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、
前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の前に選択される走査線に接続し、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、
前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低くかつ前記ゲートトランジスタがオンしない信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、
前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルを出力する前からオフさせるためのオフ信号レベルを出力した後までの期間、それ以外の保持期間より低い電位レベルを供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項７】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、
可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記第２電極に供給される前記可変信号の中心値が前記第１電極及び前記第１端子に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットされ、前記第２端子は前記可変信号と同期して、前記可変信号と同じ電位変動幅の電位レベルが供給され、
更に前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルを出力する前からオフさせるためのオフ信号レベルを出力した後までの期間、それ以外の保持期間より低い電位レベルを供給させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項８】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置において、
前記ゲートトランジスタの導電型をＰ型にし、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、
可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記第２電極に供給される可変信号の中心値が、前記第１電極に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせて出力する交流信号生成回路を設けたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置において、
前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、
可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、
前記第２電極に供給する前記可変信号の中心値を、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせて出力する交流信号生成回路と、
前記第２端子は前記可変信号と同期して、前記可変信号と同じ電位変動幅の電位レベルが供給され、
前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルの走査信号が出力されている間に、前記ゲートトランジスタがオフしている保持期間に供給する信号レベルより低い信号レベルの制御信号を生成し出力する制御信号生成回路とを設けたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は前記第１電極と前記第２電極との間に液晶を封入した液晶容量素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか一つの電気光学装置の駆動方法を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のいずれか一つの電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気光学装置としての液晶表示装置の一つに、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」という。）で構成された画素トランジスタを各画素に備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置がある。
【０００３】
この種のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、液晶に印加される電圧を一定時間毎に反転させて焼き付きを押さえる交流駆動が必要である。一般的によく知られるように、アクティブマトリクス型液晶表示装置の交流駆動には、１フィールド毎に反転させるフィールド反転（フレーム反転、Ｖ反転）、１信号線毎に反転させ、１フィールド毎に極性を入れ替えるソース反転（Ｓ反転）、１走査線毎に反転させ、１フィールド毎に極性を入れ替えるライン反転（Ｈ反転）、ソース反転とライン反転を組み合わせたドット反転がある。また、各液晶容量素子の対向電極に供給する対向電極電圧の極性を、所定の期間に例えば１フィールド毎に反転させるようにした、所謂、コモン反転方式の液晶表示装置の駆動方法が知られている。以下、図１６及び図１７に従ってコモン反転方式の液晶表示装置の駆動方法について説明する。
【０００４】
図１６は、アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示パネル部に形成された画素の概略構成図である。画素９０は導電型がＮ型の画素トランジスタ９１が走査線９２に供給されるＨレベルの走査信号に応じてオン状態になることで、画像信号線９３を介して液晶容量素子９４の画素電極９４ａに画像信号が供給される。
【０００５】
図１７は、画素９０の概略断面図である。液晶容量素子９４は、画素電極９４ａと該画素電極９４ａに対向する位置に形成された対向電極９６との間に封入された液晶９５を備えている。そして、画素９０は、前記画素信号によって画素電極９４ａと対向電極９６との間の電場が制御されることで、液晶９５の液晶分子の配向が制御される。この結果、画素９０の階調が制御される。
【０００６】
このように構成された従来の液晶表示装置において、前記対向電極９６に供給する対向電極電圧を、例えば、１フレーム毎に正極の電圧及び負極の電圧を交互に反転して供給することで交流駆動させるようにしたものがコモン反転方式の液晶表示装置である。コモン反転方式で駆動させることで、焼き付けやフリッカを抑制することができる。
【０００７】
ところで、アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、各画素トランジスタ９１のゲート酸化膜に生じる寄生容量による電圧（以下、この電圧をフィールドスルー電圧という）によって供給される画像信号の電圧レベルが低下する。この画像信号の電圧レベルの低下は、走査信号がＨレベルからＬレベルになって画素トランジスタ９１がオフになったときに生じる。そこで、対向電極９６に印加する対向電極電圧を前記画像信号の中心電圧よりもフィールドスルー電圧分だけ下げることで画像信号の電圧レベルの低下を抑制するようにしたものが知られている。
【０００８】
しかし、前記のように対向電極９６に印加する対向電極電圧を下げると、画素電極９４ａと対向電極９６との間に生じる電場（これを縦方向の電場という）の強度が画像信号線９３に供給される画素信号による画素電極９４ａと画像信号線９３との間に生じる電場（これを横方向の電場という）の強度より相対的に小さくなる。
【０００９】
その結果、図１６に示すように、液晶９０の画像信号線９３近傍に位置する領域ＺＲ内の液晶９５の液晶分子は、横方向の電場Ｅｔによって画素内部の液晶分子の配向とは異なった方向（リバースティルト）に配列する。そして、画素内部の通常の配向（ノーマルティルト）と前記リバースティルトとの境界には縦方向の電場Ｅｖによって制御されない境界線が発生する（リバースティルトディスクリネーションライン：ＲＴＤ）。このリバースティルトの液晶分子は表示パターンが変化してもすぐには応答せず、数秒前の表示パターンを表示する。この結果、残像が発生してしまい、表示品位の劣化を招いていた。
【００１０】
そこで、画像信号の中心電圧よりも対向電極電圧を高くすることで、縦方向の電場Ｅｖの強度を横方向の電場Ｅｔの強度より相対的に高く設定するようにした液晶表示装置の駆動方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようにすることで、リバースティルトの液晶分子を表示パターンに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ようにすることができるため、残像の発生を抑制することができる。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−１４６０７０号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１の駆動方法を採用した場合、フィールドスルー電圧を補正することができなくなり、焼き付けやフリッカが発生してしまう。また、上記特許文献１では、フリッカの発生を抑制するために、１走査線毎に画像信号の極性を反転させた画像信号を印加する方法が開示されている。しかしながら、前記したように、画像信号の平均電圧よりも前記対向電極電圧を高くしているので、フリッカの発生を本質的に無くすことはできない。
【００１３】
そこで、本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、焼き付けやフリッカを抑制するとともに残像の発生を抑制することのできる電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記第２電極に供給される前記可変信号の中心値が、前記第１電極に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットされている。
【００１５】
これによれば、第２電極に供給する可変信号を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、ゲートトランジスタがＰ型であるためトランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極が電位上昇し、第２電極との間の電場がフィールド毎に非対称になることを防ぐことができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記ゲートトランジスタの導電型はＮ型であり、前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の次に選択される走査線に接続し、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低い信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにした。
【００１７】
これによれば、第２電極に供給する電位を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるオフ信号レベルより低い信号レベルの制御信号を生成し走査線に出力したことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００１８】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の次に選択される走査線に接続し、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低くかつ前記ゲートトランジスタがオンしない信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにした。
【００１９】
これによれば、第２電極に供給する電位を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力する前の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるオフ信号レベルより低くかつゲートトランジスタがオンしない信号レベルの制御信号を生成し走査線に出力したことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧に付加して第１電極の電位を上昇させることができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記ゲートトランジスタの導電型はＮ型であり、前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の前に選択される走査線に接続し、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低い信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにした。
【００２１】
これによれば、第２電極に供給する電位を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるオフ信号レベルより低い信号レベルの制御信号を生成し走査線に出力したことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００２２】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記ゲートトランジスタの導電型はＰ型であり、前記画素に設けた前記補助容量素子の前記第２端子を、該画素に接続された走査線の前に選択される走査線に接続し、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるためのオフ信号レベルより低くかつ前記ゲートトランジスタがオンしない信号レベルを生成し前記走査線に供給させるようにした。
【００２３】
これによれば、第２電極に供給する電位を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、ゲートトランジスタをオンさせる走査信号を、そのオンさせるためのオン信号レベルを出力した後の一定期間に、前記ゲートトランジスタをオフさせるオフ信号レベルより低くかつゲートトランジスタがオンしない信号レベルの制御信号を生成し走査線に出力したことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧に付加して第１電極の電位を上昇させることができる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットした電位を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルを出力する前からオフさせるためのオフ信号レベルを出力した後までの期間、それ以外の保持期間より低い電位レベルを供給させるようにした。
【００２５】
これによれば、第２電極に供給する可変信号を、データ信号の平均値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、第２端子に対して、少なくとも画素にオン信号レベルの走査信号が出力されている間に、保持期間より低い電位レベルの制御信号を出力させたことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００２６】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置の駆動方法において、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極及び前記第１端子に供給し、可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記第２電極に供給される前記可変信号の中心値が前記第１電極及び前記第１端子に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットされ、前記第２端子は前記可変信号と同期して、前記可変信号と同じ電位変動幅の電位レベルが供給され、更に前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルを出力する前からオフさせるためのオフ信号レベルを出力した後までの期間、それ以外の保持期間より低い電位レベルを供給させるようにした。
【００２７】
これによれば、第２電極に供給する可変信号を、データ信号の平均値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、コモン振り駆動を行うことで、データ信号の振幅を小さくすることができる。また、第２端子に対して、少なくとも画素にオン信号レベルの走査信号が出力されている間に、保持期間より低い電位レベルの制御信号を出力させたことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置において、前記ゲートトランジスタの導電型をＰ型にし、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記第２電極に供給される可変信号の中心値が、前記第１電極に供給される前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせて出力する交流信号生成回路を設けた。
【００２９】
これによれば、第２電極に供給する可変信号を、データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、Ｐ型のトランジスタは走査信号がＬレベルからＨレベルでオフされることから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００３０】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数の信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線との各々の交差に対応する位置に配置された画素とを備え、前記画素にはゲートトランジスタ、第１電極及び第２電極を有する電気光学素子、及び、第１端子及び第２端子を有する補助容量素子が設けられてなる電気光学装置において、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記ゲートトランジスタをオンさせて前記信号線からのデータ信号を前記第１電極に供給し、可変信号を前記第２電極に供給して前記電気光学素子を交流駆動し、前記第２電極に供給する前記可変信号の中心値を、前記データ信号の中心値より高いレベルにオフセットさせて出力する交流信号生成回路と、前記第２端子は前記可変信号と同期して、前記可変信号と同じ電位変動幅の電位レベルが供給され、前記第２端子に、該画素に接続される走査線に前記ゲートトランジスタをオンさせるためのオン信号レベルの走査信号が出力されている間に、前記ゲートトランジスタがオフしている保持期間に供給する信号レベルより低い信号レベルの制御信号を生成し出力する制御信号生成回路とを設けた。
【００３１】
これによれば、第２電極に供給する可変信号を、データ信号の平均値より高いレベルにオフセットさせたことから、第１電極と第２電極との方向に沿って生じる電場の強度を信号線と第１電極との方向に沿って生じる電場の強度より相対的に高めることができる。また、第２端子に対して、画素にオン信号レベルの走査信号が出力されている間に、ゲートトランジスタがオフしている保持期間に供給する信号レベルより低い信号レベルの制御信号を出力させたことから、トランジスタがオンからオフされる際のフィールドスルー電圧による第１電極の電位の電圧降下が補償される。
【００３２】
本発明の電子機器は、上記請求項に記載の電気光学装置の駆動方法を用いた。
これによれば、焼付けやフリッカの発生を抑制することができる表示品位の優れた電気光学装置の駆動方法を採用した電子機器を提供することができる。
【００３３】
本発明の電子機器は、上記請求項に記載の電気光学装置を備えた。
これによれば、焼付けやフリッカの発生を抑制することができる表示品位の優れた電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を液晶表示装置に適用した各実施の形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の概略図である。図２は、液晶表示装置の断面を一部破断して示した図である。図３は、液晶表示装置の電気的構成を概略的に示したものである。図４は表示パネル部に形成される画素の等価回路である。図５は、走査信号、対向電極、画像データ及び画素電極の電位の各タイミングチャートである。
【００３５】
図１に示すように、液晶表示装置１０は、石英で構成された素子基板１１と対向基板１２とを備えている。素子基板１１と対向基板１２との間には、図２に示すように、液晶１３が図示しないスペーサを含むシール材１４によって一定の間隔を保って封入され、その封入された部分を表示パネル部Ｐとしている。また、素子基板１１上には図１に示すように外部回路から各種信号を入力するための入力端子Ｕなどが形成されている。
【００３６】
表示パネル部Ｐの上側の素子基板１１上には信号生成回路２３及び電圧制御回路ＶＣが備えられている。また、表示パネル部Ｐの左右両側の素子基板１１上には走査線駆動回路２１が備えられている。各走査線駆動回路２１は信号供給線２４を介して前記信号生成回路２３に接続されている。また、表示パネル部Ｐの下側の素子基板１１上には信号線駆動回路２２が備えられている。信号線駆動回路２２は信号供給線２５を介して前記信号生成回路２３に接続されている。
【００３７】
信号生成回路２３は、図３に示すように、前記入力端子Ｕを介して画像データ信号Ｄ及び同期信号ＳＹＮＣが入力される。そして、信号生成回路２３は、同期信号ＳＹＮＣに基づいて水平同期信号ＨＳＹＮＣを生成するとともに、その生成した水平同期信号ＨＳＹＮＣを前記信号供給線２４を介して各走査線駆動回路２１に供給する。
【００３８】
また、信号生成回路２３は、前記同期信号ＳＹＮＣに基づいて垂直同期信号ＶＳＹＮＣを生成するとともに、その生成した垂直同期信号ＶＳＹＮＣを前記信号供給線２５を介して信号線駆動回路２２に供給する。さらに、信号生成回路２３は、前記画像データ信号Ｄに基づいてデータ制御信号ＤＫを生成するとともに、その生成したデータ制御信号ＤＫを信号線駆動回路２２に供給する。
【００３９】
また、表示パネル部Ｐには、その行方向に沿って延びるｎ本の走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎが素子基板１１上に形成されている。さらに、表示パネル部Ｐには、その列方向に沿って延びるｍ本の信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍが素子基板１１上に形成されている。そして、表示パネル部Ｐには、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎと前記信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍとの各々の交差に対応する位置に画素１６が配置されている。
【００４０】
図２は、画素１６の構造を示す断面図である。画素１６は、液晶１３を封入した素子基板１１に形成した画素電極２７と同画素電極２７と対向する対向基板１２に形成した対向電極２８を有している。各画素１６の画素電極２７にはそれぞれ対応する信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍから画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍが供給されるとともに、対向電極２８には、補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ（又は−Ｖｓｓ）が供給される。各画素１６の画素電極２７の隣接した位置の素子基板１１上には画素トランジスタＱｄが形成されている。画素トランジスタＱｄは，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、本実施形態では、導電型がＰ型のトランジスタで形成されている。
【００４１】
そして、各画素トランジスタＱｄのゲートは、それぞれ対応する行方向に形成された走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに電気的に接続されている。各画素トランジスタＱｄのソースは、それぞれ対応する列方向に形成された信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍに電気的に接続され、ドレインはそれぞれ対応する画素電極２７と電気的に接続されている。
【００４２】
各画素１６は、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを介して前記走査線駆動回路２１に接続されている。また、各画素１６は、前記信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを介して前記信号線駆動回路２２に接続されている。
【００４３】
前記走査線駆動回路２１は、信号生成回路２３から出力される前記水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいて、表示パネル部Ｐに延設された走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを順次選択する。走査線駆動回路２１は、選択された各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎにそれぞれ対応する走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎ（ｎは自然数）を出力する。図５（ａ）は、走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎのうち、第１の走査線Ｙ１に供給される走査信号ＳＣ１の出力波形である。本実施形態では、走査線駆動回路２１は、Ｌレベルの走査信号ＳＣ１を出力するとき、走査線上の画素１６を選択し、Ｈレベルの走査信号ＳＣ１を出力するとき、走査線上の画素１６を非選択するようになっている。
【００４４】
前記信号線駆動回路２２は、図３に示すように、信号生成回路２３から出力される前記垂直同期信号ＶＳＹＮＣに基づいて、表示パネル部Ｐに延設された信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍに対応する画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍ（ｍは自然数）をそれぞれ出力する。この画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍは信号線駆動回路２２において、信号生成回路２３から出力されたデータ制御信号ＤＫに基づいて生成された電圧信号である。そして、信号線駆動回路２２は、その生成された画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍをそれぞれ信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを介して選択された走査線上の対応するそれぞれ画素１６に供給する。図５（ｃ）は、信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍのうち、第ｍの信号線Ｘｍに供給される画像信号ＶＤｍの出力波形の一例を示す。画像信号ＶＤｍは信号線Ｘｍに接続され、かつ、Ｌレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎで選択された画素１６に供給される。
【００４５】
電圧制御回路ＶＣは、対向電極２８に接続されている。電圧制御回路ＶＣには信号生成回路２３を介して同期信号ＳＹＮＣが入力され、その同期信号ＳＹＮＣに同期して正極の対向電極電圧＋Ｖｏ及び負極の対向電極電圧−Ｖｏを作成する。
【００４６】
また、電圧制御回路ＶＣは、前記画素トランジスタＱｄのフィールドスルー電圧Ｖｐに等しい正極の電圧値の補償電圧Ｖａを生成する。そして、電圧制御回路ＶＣは、その生成した補償電圧Ｖａを対向電極電圧＋Ｖｏ（−Ｖｏ）に合成する。そして、その合成した合成電圧＋Ｖｓｓ（＝Ｖｏ＋Ｖａ）を正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓとする。また、合成した合成電圧−Ｖｓｓ（＝−Ｖｏ＋Ｖａ）を負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓとする。そして、この正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ及び負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを対向電極２８に供給することになる。図５（ｂ）は補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ，−Ｖｓｓの出力波形である。補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ，−Ｖｓｓは、その平均電圧Ｖａｖが０［Ｖ］（画像信号の平均電圧）よりも補償電圧Ｖａだけ高い電圧レベルにオフセットされる。
【００４７】
そして、電圧制御回路ＶＣは、同期信号ＳＹＮＣに基づいて、１フレーム毎に正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを交互に対向電極２８に供給するようになっている。従って、各画素１６の対向電極２８の電位が正極側及び負極側に交互に変換することで、液晶表示装置１０はコモン反転方式で駆動されることになる。つまり、液晶表示装置１０は、各画素１６の画素電極２７と対向電極２８との間に正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓとが交互に反転される交流信号（可変信号）を供給して前記液晶１３を交流駆動するコモン反転方式の液晶表示装置である。
【００４８】
次に、前記のように構成された液晶表示装置１０の画素１６の電気的構成について図４に従って説明する。尚、各画素１６の電気的構成は全て同じであるので、説明の便宜上、第１の走査線Ｙ１とｍ番目の信号線Ｘｍとの交差部に対応する位置に配置された画素１６の電気的構成についてのみ説明する。
【００４９】
図４に示すように、画素１６には、前記Ｐ型の画素トランジスタＱｄ、液晶容量素子４０、及び、前記液晶容量素子４０に並列に接続され同液晶容量素子４０のリークを低減するための容量素子である補助容量素子４１設けられている。画素トランジスタＱｄはスイッチング素子として機能するＴＦＴトランジスタである。液晶容量素子４０は画素電極２７、液晶１３及び対向電極２８とから構成される容量素子である。
【００５０】
画素トランジスタＱｄは、そのソースがｍ番目の信号線Ｘｍに接続されている。また、画素トランジスタＱｄのドレインは、画素電極２７と補助容量素子４１の第１の電極Ｅ１とに接続されている。尚、画素電極２７は各液晶１３毎、つまり、各画素１６毎に独立して形成されている。これに対して、対向電極２８は、全ての液晶１３、つまり、全ての画素１６に共通して形成されている。また、本実施形態においては、補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２には対向電極電位が＋ＶｓｓではＶｋ１が、対向電極電位が−ＶｓｓではＶｋ２が対向電極２８に与える電位と同期して与えられる。ここで、
（＋Ｖｓｓ）−（−Ｖｓｓ）＝Ｖｋ１−Ｖｋ２
を満たしている。
【００５１】
画素トランジスタＱｄは、図５（ａ）に示すように、走査線駆動回路２１から走査線Ｙ１にＬレベルの走査信号ＳＣ１が出力されるとオンし、Ｈレベルの走査信号ＳＣ１が出力されるとオフされる。そして、画素トランジスタＱｄがオン（選択）されているとき、図５（ｃ）に示す信号線駆動回路２２から信号線Ｘｍに出力される画像信号ＶＤｍが、画素トランジスタＱｄを介して液晶容量素子４０の画素電極２７に供給される。一方、液晶容量素子４０の対向電極２８は、電圧制御回路ＶＣから正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ（＝Ｖｏ＋Ｖａ）と負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓ（＝−Ｖｏ＋Ｖａ）が１フレーム毎に交互に切換え供給される。従って、画素電極２７と対向電極２８間にかかる電位差は、画像信号ＶＤｍに相対した電位差となる。
【００５２】
この時、画素トランジスタＱｄがＰ型なので、ＬレベルからＨレベルに切り替わる走査信号ＳＣ１に基づいて同トランジスタＱｄがオン（選択）からオフ（非選択）されるとき、図５（ｄ）に示すように、画素電極２７の電位ＶＤＤｍは高電位側にフィールドスルー電圧Ｖｐ分だけ上昇する。
【００５３】
また、このとき、補償電圧Ｖａの電圧レベルが、フィールドスルー電圧Ｖｐの電圧レベルに等しいので対向電極２８に正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ及び負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓが平均電圧Ｖａｖを中心に交互に繰り返して供給することができる。従って、１フレーム毎、即ち、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓを供給したときと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを供給したときとの極性差を無くすことができる。この結果、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓを供給したときと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを供給したときとの極性差によるちらつきの発生を抑制することができる。
【００５４】
さらに、前記補償電圧Ｖａは正極の電圧レベルを有しているので、前記画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って生じる電場（縦方向の電場）の強度を補償電圧Ｖａ分だけ高めることができる。従って、画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って生じる電場（縦方向の電場）の強度を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍによって生じる信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍと画素電極２７との方向に沿ってそれぞれ生じる電場（横方向の電場）の強度より補償電圧Ｖａ分だけそれぞれ相対的に高く設定することができる。このため、リバースティルト状態の液晶分子を表示パターンに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ことができる。この結果、残像の発生を抑制することができる。
【００５５】
次に、このように構成された液晶表示装置１０の駆動方法を説明する。信号生成回路２３からの水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングに基づいて、走査線駆動回路２１は走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを順番に選択する。まず、走査線駆動回路２１からＬレベルの走査信号ＳＣ１が出力されると、第１の走査線Ｙ１に接続された全ての画素１６の画素トランジスタＱｄがオン状態になる。また、信号生成回路２３からの垂直同期信号ＶＳＹＮＣのタイミングに基づいて信号線駆動回路２２は信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍにそれぞれ画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍを供給する。さらに、電圧制御回路ＶＣは、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ（＝Ｖｏ＋Ｖａ）を対向電極２８に供給する。
【００５６】
この結果、各液晶容量素子４０に封入された液晶１３の液晶分子が対応する画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じて分極することで第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の階調が制御される。
【００５７】
続いて、走査線駆動回路２１からＨレベルの走査信号ＳＣ１が出力される。すると、走査線Ｙ１に接続された全ての画素１６の画素トランジスタＱｄがオフ状態になる。
【００５８】
これと同時に、水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングに基づいて走査線駆動回路２１が次段の第２の走査線Ｙ２を選択する。そして、走査線駆動回路２１がＬレベルの走査信号ＳＣ２を出力すると、第２の走査線Ｙ２に接続された画素１６の全ての画素トランジスタＱｄがオン状態になる。また、垂直同期信号ＶＳＹＮＣのタイミングに基づいて信号線駆動回路２２が信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍに、前記と同様にして、画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍを供給する。この結果、各液晶容量素子４０に封入された液晶分子が対応する画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じて分極することで第２の走査線Ｙ２に接続された画素１６の階調が制御される。
【００５９】
続いて、前記走査線駆動回路２１からＨレベルの走査信号ＳＣ２が出力される。すると、第２の走査線Ｙ２に接続された画素１６の全ての画素トランジスタＱｄがオフ状態になる。
【００６０】
以後、前記走査線駆動回路２１は、走査線Ｙ３〜Ｙｎを選択して、その選択された走査線に接続された各画素１６にそれぞれ画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍを供給する。その結果、液晶容量素子４０が、順次、対応する画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じてその階調が制御される。このことによって、表示パネル部Ｐに画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じた１フレームの画像が表示されることとなる。
【００６１】
１フレーム期間終了後、走査線駆動回路２１は信号生成回路２３から出力される水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングに基づいて、再び、前記と同様に、走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを選択する。そして、選択された走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに接続された各画素１６に対して信号線駆動回路２２から信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍにそれぞれ画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍが供給される。このとき、前記電圧制御回路ＶＣは、負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓ（＝−Ｖｏ＋Ｖａ）が対向電極２８に供給されている。この結果、走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに接続された各画素１６は前記フレーム期間と極性が反転した状態でその階調が制御され、１フレームの画像が表示パネル部Ｐに表示される。
【００６２】
以上のように、順次、走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎが順番に選択されるとともに、各画素１６に信号線駆動回路２２から画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍがそれぞれ供給されることで表示パネル部Ｐに画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じた画像が表示される。
【００６３】
このようにすることで、フィールドスルー電圧を補正するとともに焼き付けやフリッカの発生を無くすことでその表示品位を向上することのできる液晶表示装置１０を駆動させることができる。
【００６４】
尚、特許請求の範囲に記載された電気光学装置、電気光学素子及びゲートトランジスタは、それぞれ、例えば、本実施形態における液晶表示装置１０、液晶容量素子４０及び画素トランジスタＱｄにそれぞれ対応している。また、特許請求の範囲に記載された第１電極及び第２電極はそれぞれ画素電極２７及び対向電極２８に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載されたデータ信号及び交流信号生成回路は、それぞれ、例えば、本実施形態における画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍ及び電圧制御回路ＶＣに対応している。また、特許請求の範囲に記載された可変信号は、例えば、本実施形態における補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ（又は−Ｖｓｓ）に対応している。
【００６５】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、画素トランジスタＱｄの導電型をＰ型にした。そして、フィールドスルー電圧Ｖｐに等しい電圧レベルを有する補償電圧Ｖａを加えた補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ，−Ｖｓｓを対向電極２８に交互に供給するようにした。従って、１フレーム毎、即ち、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓを供給したときと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを供給したときとの極性差を無くすことができる。この結果、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓを供給したときと負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓを供給したときとの極性差による焼き付けやフリッカの発生を抑制することができる。
【００６６】
（２）前記実施形態では、電圧制御回路ＶＣは対向電極２８に供給する補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ、−Ｖｓｓが画素トランジスタＱｄのフィールドスルー電圧Ｖｐと等しい正極の電圧レベルの補償電圧Ｖａを加えた合成電圧である。つまり、正極の補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ（＝Ｖｏ＋Ｖａ）と負極の補償対向電極電圧−Ｖｓｓ（＝−Ｖｏ＋Ｖａ）の平均電圧Ｖａｖを、画像信号の平均電圧（０ボルト）よりも補償電圧Ｖａだけ高い電圧レベルにオフセットさせた。
【００６７】
従って、画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って生じる電場（縦方向の電場）の強度を補償電圧Ｖａ分だけ高めることができる。従って、画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って生じる電場（縦方向の電場）の強度を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍによってそれぞれ信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍと画素電極２７との方向に沿って生じる電場（横方向の電場）の強度より補償電圧Ｖａ分だけそれぞれ相対的に高く設定することができる。この結果、リバースティルト状態の液晶分子を表示パターンに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ことができ、残像の発生を抑制することができる。
【００６８】
また、上記実施例においては、コモン反転駆動の場合について言及したが、その他の反転駆動方法においては、対向電極電位を信号電位の中心値よりＶａだけ高く設定し常に一定にする。この場合においても上記効果を得られることは明白である。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図６〜図８に従って説明する。この第２実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。図６は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置を構成する表示パネル部Ｐの回路構成を示す回路図である。図７は、表示パネル部Ｐに形成される画素の等価回路である。図８は、本実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００６９】
この第２実施形態の液晶表示装置５０の構成においては、図６及び図７に示すように、画素トランジスタＱｄの導電性がＮ型であること、補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を次段の走査線に接続したこと、及びｎ番目の走査線Ｙｎの後段にダミー走査線ＬＺが形成されていることが前記第１の実施形態と異なっている。
【００７０】
詳述すると、図６に示すように、本実施形態の表示パネル部Ｐのｎ番目の走査線Ｙｎの後段にはダミー走査線ＬＺが形成されている。ダミー走査線ＬＺは、走査線駆動回路２１ａに接続されている。また、ダミー走査線ＬＺにはｎ番目の走査線Ｙｎに接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２が接続されている。ダミー走査線ＬＺには前記走査線駆動回路２１から出力されるダミー走査信号ＺＳＣが出力されるようになっている。
【００７１】
図７は、ｍ番目の信号線Ｘｍと、第１及び第２の走査線Ｙ１，Ｙ２に接続された画素１６の等価回路である。図７に示すように、各画素１６は、その導電型がＮ型である画素トランジスタＱｄと、液晶容量素子４０と、補助容量素子４１とを備えている。画素トランジスタＱｄはスイッチング素子として機能するトランジスタであって、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００７２】
そして、第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２は、後段の第２の走査線Ｙ２に接続されている。第２の走査線Ｙ２に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２は後段の第３の走査線Ｙ３に接続されている。
【００７３】
このように、本実施形態の液晶表示装置５０においては、各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を後段の走査線に接続する構成を成している。
【００７４】
また、本実施形態における走査線駆動回路２１ａは、その内部に第１の電圧供給回路Ｖ１を備えている。第１の電圧供給回路Ｖ１は、本実施形態では、Ｌレベルが低く、画素トランジスタＱｄのフィールドスルー電圧Ｖｐを補償しさらに電位を高くできるだけの第１の補助電圧Ｖｈ１を生成する。そして、走査線駆動回路２１ａは、図８に示すように、第１の走査線Ｙ１にＨレベルの第１の走査信号ＳＣ１を出力する前に、後段の第２の走査線Ｙ２にＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの第２の走査信号ＳＣ２を出力する。同様に、走査線駆動回路２１ａは、第２の走査線Ｙ２にＨレベルの第２の走査信号ＳＣ２を出力する前に、後段の第３の走査線Ｙ３にＬレベルより低い前記第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの第３の走査信号ＳＣ３を出力する。つまり、走査線駆動回路２１ａは、走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに順次Ｈレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを出力する前に、後段の走査線にＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの走査信号を所定期間出力する。
【００７５】
また、走査線駆動回路２１ａは、ｎ番目の走査線ＹｎにＨレベルの走査信号ＳＣｎを出力する前に後段のダミー走査線ＬＺにＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルのダミー走査信号ＺＳＣを出力する。
【００７６】
このように構成することで、図８に示すように、例えば、後段の第２の走査線Ｙ２に供給される走査信号ＳＣ２によって前段の第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第１の電極Ｅ１の電位ＶＤＤ１，ＶＤＤ２，…，ＶＤＤｍを第１の補助電圧Ｖｈ１分だけ下げることができる。また、走査線駆動回路２１ａは、前段の第１の走査線Ｙ１を介して第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の各画素トランジスタＱｄを全てオフ状態にするＬレベルの走査信号を出力するとき、後段の第２の走査線Ｙ２に選択のためのＨレベルの走査信号を供給する。従って、前段の第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の画素電極２９の電位はＬレベルの第１の走査信号ＳＣ１が供給されたことでフィールドスルー電圧Ｖｐ分だけ低下するが、後段の第２の走査線にＨレベルの走査信号ＳＣ２によって前段の第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の各画素電極２９の電位は上昇する。このとき、フィールドスルー電圧Ｖｐを補償する第１の補助電圧Ｖｈ１を供給すれば、前段の第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の各画素電極２９の電位は低下しない。このように、後段の走査線に供給される走査信号によって前段の第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第１の電極Ｅ１の電位ＶＤＤ１，ＶＤＤ２，…，ＶＤＤｍを第１の補助電圧Ｖｈ１分だけ下げる。そして、前段の走査線を介して画素トランジスタＱｄをオフ状態にするＬレベルの走査信号を出力するとき、走査線駆動回路２１ａは、後段の走査線に選択のためのＨレベルの走査信号を供給する。従って、前段の走査線に接続された画素１６の画素電極２９の電位はＬレベルの走査信号が供給されたことでフィールドスルー電圧Ｖｐ分だけ低下するが、後段の走査線にＨレベルの走査信号によって前段の画素１６の画素電極２９の電位は上昇する。このとき、フィールドスルー電圧Ｖｐより第１の補助電圧Ｖｈ１による補償分を大きくすれば、前段の画素１６の各画素電極２９の電位は低下しない。従って、フィールドスルー電圧Ｖｐを無くすことができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができる。
【００７７】
さらに、電圧制御回路ＶＣからは画像信号電位の平均値より高い電圧が対向電極２８に供給されるようにする。このようにすることで、上記第１実施形態と同様に、リバースティルト状態の液晶分子を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ことができる。その結果、残像の発生を抑制することができる。
【００７８】
以上のことから、フィールドスルー電圧Ｖｐを補正するとともに焼付けやフリッカの発生を無くすことでその表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
【００７９】
尚、特許請求の範囲に記載された第１端子及び第２端子は、それぞれ、例えば、本実施形態における第１の電極Ｅ１及び第２の電極Ｅ２に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載された制御信号生成回路は、例えば、本実施形態における第１の電圧供給回路Ｖ１に対応している。
【００８０】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、各走査線に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を後段の走査線に接続する構成した。そして、走査線駆動回路２１は、画素トランジスタＱｄをオン状態にするＨレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを出力する前に、それぞれ次段の走査線にＬレベルより低い電位を有する第１の補助電圧Ｖｈ１を供給する。また、前段の走査線を介して画素トランジスタＱｄをオフ状態にするＬレベルの走査信号を出力され、後段の走査線にＨレベルの走査信号が供給された後、Ｌレベルの走査信号が供給されると、前段の画素１６の各画素電極２９の電位は第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ高くなる。このとき、第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する電圧変動をフィールドスルー電圧Ｖｐより高く設定することで、フィールドスルー電圧Ｖｐを無くすことができる。さらに、対向電極電位を画像信号電位の平均値より高く設定することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができるので、その表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を説明する。この第３実施形態の構成では前記第２実施形態の構成と比較して、画素トランジスタＱｄの導電性がＰ型であることが異なる。図９は、本実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。このタイミングチャートは図８と比較して走査信号ＳＣ１、ＳＣ２が異なる以外は同じであるが、電圧供給回路Ｖ１から供給される補助電圧Ｖｈ１の下限は、画素トランジスタＱｄがオンしないレベルであるという条件がある。上記説明以外の構成、駆動方法の詳細な説明は第２実施形態に準ずるためここでは省略する。
【００８１】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、各走査線に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を後段の走査線に接続する構成した。そして、走査線駆動回路２１は、画素トランジスタＱｄをオン状態にするＬレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを出力する前に、それぞれ次段の走査線にＨレベルより低い電位を有する第１の補助電圧Ｖｈ１を供給する。また、前段の走査線を介して画素トランジスタＱｄをオフ状態にするＨレベルの走査信号を出力され、後段の走査線にＬレベルの走査信号が供給された後Ｈレベルの走査信号が供給されると、前段の画素１６の各画素電極２９の電位は第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ高くなる。このとき、第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分をフィールドスルー電圧Ｖｐに付加することで、対向電極電位を画像信号電位の平均値より高く設定することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができるので、その表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
（第４実施形態）
次に、本発明を具体化した第４実施形態を図６、図７、図１０に従って説明する。この第４実施形態において、前記第１、第２実施形態と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。図６は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置を構成する表示パネル部Ｐの回路構成を示す回路図である。図７は、表示パネル部Ｐに形成される画素の等価回路である。図１０は、本実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００８２】
この第４実施形態の液晶表示装置５０の構成においては、図７に示すように、画素トランジスタＱｄの導電性がＮ型であること、走査線の転送順番をｎ段から１段へと反対にしたため、図６に示すように、補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を前段の走査線に接続したこと、及びｎ番目の走査線Ｙｎの前段にダミー走査線ＬＺが形成されていることが前記第２の実施形態と異なっている。
【００８３】
詳述すると、図６に示すように、本実施形態の表示パネル部Ｐのｎ番目の走査線Ｙｎの前段にはダミー走査線ＬＺが形成されている。ダミー走査線ＬＺは、走査線駆動回路２１ａに接続されている。また、ダミー走査線ＬＺにはｎ番目の走査線Ｙｎに接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２が接続されている。ダミー走査線ＬＺには前記走査線駆動回路２１から出力されるダミー走査信号ＺＳＣが出力されるようになっている。
【００８４】
図７は、ｍ番目の信号線Ｘｍと、第１及び第２の走査線Ｙ１，Ｙ２に接続された画素１６の等価回路である。図７に示すように、各画素１６は、その導電型がＮ型である画素トランジスタＱｄと、液晶容量素子４０と、補助容量素子４１とを備えている。画素トランジスタＱｄはスイッチング素子として機能するトランジスタであって、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００８５】
そして、第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２は、前段の第２の走査線Ｙ２に接続されている。第２の走査線Ｙ２に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２は前段の第３の走査線Ｙ３に接続されている。
【００８６】
このように、本実施形態の液晶表示装置５０においては、各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を前段の走査線に接続する構成を成している。
【００８７】
また、本実施形態における走査線駆動回路２１ａは、その内部に第１の電圧供給回路Ｖ１を備えている。第１の電圧供給回路Ｖ１は、本実施形態では、Ｌレベルが低く、画素トランジスタＱｄのフィールドスルー電圧Ｖｐを補償しさらに電位を高くできるだけの第１の補助電圧Ｖｈ１を生成する。そして、走査線駆動回路２１ａは、図１０に示すように、第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１にＨレベルの第ｎ−１の走査信号ＳＣｎ−１を出力する際に、前段の第ｎの走査線ＹｎにＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの第ｎの走査信号ＳＣｎを出力する。同様に、走査線駆動回路２１ａは、第ｎ−２の走査線Ｙｎ−２にＨレベルの第ｎ−２の走査信号ＳＣｎ−２を出力する際に、前段の第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１にＬレベルより低い前記第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの第ｎ−１の走査信号ＳＣｎ−１を出力する。つまり、走査線駆動回路２１ａは、走査線Ｙｎ，Ｙｎ−１，…，Ｙ１に順次Ｈレベルの走査信号ＳＣｎ，ＳＣｎ−１，…，ＳＣ１を出力する際に、前段の走査線にＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルの走査信号を所定期間出力する。
【００８８】
また、走査線駆動回路２１ａは、ｎ番目の走査線ＹｎにＨレベルの走査信号ＳＣｎを出力する際に前段のダミー走査線ＬＺにＬレベルより低い第１の補助電圧Ｖｈ１のレベルのダミー走査信号ＺＳＣを出力する。
【００８９】
このように構成することで、図１０に示すように、例えば、前段の第ｎの走査線Ｙｎに供給される走査信号ＳＣｎによって後段の第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第１の電極Ｅ１の電位ＶＤＤ１，ＶＤＤ２，…，ＶＤＤｍを第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ下げることができる。また、走査線駆動回路２１ａは、第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１を介して第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１に接続された画素１６の各画素トランジスタＱｄを全てオフ状態にするＶｈ１レベルの走査信号を出力した後、短い期間をおいて、前段の第ｎの走査線Ｙｎに非選択のためのＬレベルの走査信号を供給する。従って、第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１に接続された画素１６の画素電極２９の電位はＶｈ１レベルの第ｎ−１の走査信号ＳＣｎ−１が供給されたことでフィールドスルー電圧Ｖｐ分と補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ低下するが、前段の第ｎの走査線にＬレベルの走査信号ＳＣｎによって、第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１に接続された画素１６の各画素電極２９の電位は上昇する。更に、第ｎ−１の走査線Ｙｎ−１に接続された画素１６の画素電極２９の電位はＬレベルの第ｎ−１の走査信号ＳＣｎ−１が供給されたことでＶｈ１が寄与するフィールドスルー電圧分だけ各画素電極２９の電位は上昇する。このとき、フィールドスルー電圧Ｖｐより第１の補助電圧Ｖｈ１による補償分を大きくすれば、前段の画素１６の各画素電極２９の電位は低下しない。従って、フィールドスルー電圧Ｖｐを無くすことができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができる。
【００９０】
さらに、電圧制御回路ＶＣからは画像信号電位の平均値より高い電圧が対向電極２８に供給されるようにする。このようにすることで、上記第１実施形態と同様に、リバースティルト状態の液晶分子を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ことができる。その結果、残像の発生を抑制することができる。
【００９１】
以上のことから、フィールドスルー電圧Ｖｐを補正するとともに焼付けやフリッカの発生を無くすことでその表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
【００９２】
尚、特許請求の範囲に記載された第１端子及び第２端子は、それぞれ、例えば、本実施形態における第１の電極Ｅ１及び第２の電極Ｅ２に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載された制御信号生成回路は、例えば、本実施形態における第１の電圧供給回路Ｖ１に対応している。
【００９３】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、各走査線に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を後段の走査線に接続する構成した。そして、走査線駆動回路２１は、画素トランジスタＱｄをオン状態にするＨレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを出力した後にそれぞれの走査線にＬレベルより低い電位を有する第１の補助電圧Ｖｈ１を供給する。また、前段の走査線がＶｈ１レベルである期間に次段の画素トランジスタＱｄをオン状態にするＨレベルの走査信号が出力され、次段の走査線にＶｈ１レベルの走査信号が供給されると、前段の走査線にＬレベルが供給される。一連の動作により、画素１６の各画素電極２９の電位は第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ高くなる。このとき、第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する電圧変動をフィールドスルー電圧Ｖｐより高く設定することで、フィールドスルー電圧Ｖｐを無くすことができる。さらに、対向電極電位を画像信号電位の平均値より高く設定することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができるので、その表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
（第５実施形態）
次に、本発明を具体化した第５実施形態を説明する。この第５実施形態の構成では前記第４実施形態の構成と比較して、画素トランジスタＱｄの導電性がＰ型であることが異なる。図１１は、本実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。このタイミングチャートは図１０と比較して走査信号ＳＣ１、ＳＣ２及び第ｎの電極Ｅ１の電位ＶＤＤｍが異なる以外は同じであるが、電圧供給回路Ｖ１から供給される補助電圧Ｖｈ１の下限は、画素トランジスタＱｄがオンしないレベルであるという条件がある。上記説明以外の構成、駆動方法の詳細な説明は第４実施形態に準ずるためここでは省略する。
【００９４】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、各走査線に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を後段の走査線に接続する構成した。そして、走査線駆動回路２１は、画素トランジスタＱｄをオン状態にするＬレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを出力した後にそれぞれの走査線にＨレベルより低い電位を有する第１の補助電圧Ｖｈ１を供給する。また、前段の走査線がＶｈ１レベルである期間に次段の画素トランジスタＱｄをオン状態にするＬレベルの走査信号が出力され、次段の走査線にＶｈ１レベルの走査信号が供給されると、前段の走査線にＨレベルが供給される。一連の動作により、画素１６の各画素電極２９の電位は画素トランジスタのフィールドスルー電圧Ｖｐに付加して第１の補助電圧Ｖｈ１が寄与する分だけ高くなるため、対向電極電位を画像信号電位の平均値より高く設定することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができるので、その表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。
（第６実施形態）
次に、本発明を具体化した第６実施形態を図１２〜図１４に従って説明する。この第６実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。図１２は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置を構成する表示パネル部Ｐの回路構成を示す回路図である。図１３は、表示パネル部Ｐに形成される画素の等価回路である。図１４は、本実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００９５】
この第６実施形態の液晶表示装置６０の構成においては、図１２及び図１３に示すように、画素トランジスタＱｄの導電性がＮ型であること、及び補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２が容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを介して共通して接続されるとともに走査線駆動回路２１ｂ内に設けられた第２の電圧供給回路Ｖ２に接続されていることが前記第１の実施形態と異なっている。
【００９６】
第２の電圧供給回路Ｖ２は、各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに前記画素トランジスタＱｄにＨレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎが出力されている間に、画素トランジスタＱｄがオフになる期間（これが、特許請求の範囲に記載された「保持期間」に相当）に供給するＬレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎより低い電圧レベルの第２の補助電圧Ｖｈ２を生成し対応する容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎに出力する。本実施形態においては、前記Ｌレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎは図１４に示す基準電圧Ｖｋに対応している。つまり、本実施形態の第２の電圧供給回路Ｖ２は、図１４に示すように、各走査線毎に各画素トランジスタＱｄがそれぞれオン状態になる期間を挟んた所定の期間に、対応する容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを介して補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２に基準電圧Ｖｋより低い電圧レベルの第２の補助電圧Ｖｈ２をそれぞれ出力する。
【００９７】
図１３は、第ｍの信号線Ｘｍと、第１及び第２の走査線Ｙ１，Ｙ２に接続された各画素１６の等価回路である。図１３に示すように、各画素１６は、その導電型がＮ型である画素トランジスタＱｄと、液晶容量素子４０と、補助容量素子４１とを備えている。前記画素トランジスタＱｄはスイッチング素子として機能するトランジスタであって、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００９８】
そして、図１３に示すように、第１の走査線Ｙ１に接続された画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２は、第１の容量配線ＬＣ１に接続されている。そして、図１４に示すように、画素トランジスタＱｄがオン状態になる期間を挟んだ期間で、第２の電圧供給回路Ｖ２が対応する容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎに基準電圧Ｖｋより低い電圧レベルの第２の補助電圧Ｖｈ２を出力する。このようにすることで、図１４に示すように、画素トランジスタＱｄがオン状態になる期間を挟んだ期間で、前記画素電極２７及び補助容量素子４１に供給される画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍの電圧レベルを第２の補助電圧Ｖｈ２分だけ低くすることができる。
【００９９】
図１４に示すように、画素トランジスタＱｄがオン状態になる期間を挟んだ期間で、画素１６の補助容量素子４１の第１の電極Ｅ１の電位ＶＤＤ１，ＶＤＤ２，…，ＶＤＤｍを第２の補助電圧Ｖｈ２分だけ低くすることができる。
【０１００】
そして、この状態で、走査線駆動回路２１ｂが第１の走査線Ｙ１を介してＬレベルの走査信号ＳＣ１を出力し画素トランジスタＱｄをオフ状態にする。すると、フィールドスルー電圧Ｖｐ分だけ画素電極２７の電位が下がる。このとき、第２の電圧供給回路Ｖ２は第１の容量配線ＬＣ１を介して基準電圧Ｖｋを出力する。すると、第１の走査線Ｙ１に接続された全ての画素１６の補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２の電位が第２の補助電圧Ｖｈ２から基準電圧Ｖｋに上昇する。このとき、前記第２の補助電圧Ｖｈ２の寄与で画素電位が上昇する分をフィールドスルー電圧Ｖｐより大きくすれば、画素トランジスタＱｄをオフ状態にした後の画素電極２７に生じるフィールドスルー電圧Ｖｐ分の低下を確実に補償することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができる。
【０１０１】
また、このとき、電圧制御回路ＶＣからはその画像信号電位の平均値より高い平均電圧Ｖａｖが対向電極２８に供給されている。この結果、画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って供給される電場（縦方向の電場）の強度を補償電圧Ｖａ分だけ高めることができる。従って、画素電極２７と対向電極２８との方向に沿って供給される電場（縦方向の電場）の強度を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍによって生じる信号線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍと画素電極２７との方向に沿って供給される電場（横方向の電場）の強度より第２の補償電圧Ｖａ分だけ相対的に高く設定することができる。このため、リバースティルト状態の液晶分子を画像信号ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍに応じて早く応答させる（緩和時間を短縮させる）ことができる。その結果、残像の発生を抑制することができる。従って、フィールドスルー電圧を補正するとともにフリッカの発生を無くすことでその表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。また、第１〜第ｎの容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎとは独立して設けたため、各走査線の配線容量が小さくて済むとともに、各走査線の負担が減少する。さらに、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎの信号振幅が小さくなるので、液晶表示装置１０の消費電力化を図ることができる。
【０１０２】
尚、特許請求の範囲に記載された制御信号生成回路は、例えば、本実施形態における第２の電圧供給回路Ｖ２に対応している。
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
【０１０３】
（１）前記実施形態では、画素トランジスタＱｄの導電型をＮ型にした。そして、走査線方向に沿って形成された補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２を容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを介して共通して接続されるとともに第２の電圧供給回路Ｖ２に接続した。そして、第２の電圧供給回路Ｖ２は、各走査線に各画素トランジスタＱｄがオン状態になる期間、対応する容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを介して補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２にそれぞれ基準電圧Ｖｋより低い電圧レベルの第２の補助電圧Ｖｈ２を出力するようにした。そして、画素トランジスタＱｄをオフ状態にした後、補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２の電位を第２の補助電圧Ｖｈ２から基準電圧Ｖｋに戻すようにした。
【０１０４】
このようにすることで、第２の電極Ｅ２の電位を第２の補助電圧Ｖｈ２分だけ上昇させることができる。このとき、前記第２の補助電圧Ｖｈ２による画素電位の上昇分をフィールドスルー電圧Ｖｐより大きくすれば、画素トランジスタＱｄをオフ状態にした後の画素電極２７に生じるフィールドスルー電圧Ｖｐ分の低下を確実に補償することができる。この結果、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができる。従って、焼き付けやフリッカの発生を抑制することができるので、その表示品位を向上することのできる液晶表示装置を提供することができる。また、第１〜第ｎの容量配線ＬＣ１，ＬＣ２，…，ＬＣｎを走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎとは独立して設けたため、各走査線の配線容量が小さくて済むとともに、各走査線の負担が減少する。さらに、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎの信号振幅が小さくなるので、液晶表示装置１０の消費電力化を図ることができる。
【０１０５】
上記構成は画素トランジスタがＮ型の場合であるが、画素トランジスタがＰ型の場合は、フィールドスルー電圧により画素電位が上昇することから、Ｖｈ２による画素電位の上昇分を付加して、更に横方向の電場より強くすることができる。
【０１０６】
（第７実施形態）
次に、本発明を具体化した第７実施形態を説明する。この第７実施形態の構成では前記第６実施形態の構成と比較して、電圧制御回路ＶＣからの供給電圧が、補償対向電極電圧＋Ｖｓｓ、−Ｖｓｓになることが異なる。また、本実施形態においては、補助容量素子４１の第２の電極Ｅ２には対向電極電位が＋ＶｓｓではＶｋ１が、対向電極電位が−ＶｓｓではＶｋ２が対向電極２８に与える電位と同期して与えられる。ここで、
（＋Ｖｓｓ）−（−Ｖｓｓ）＝  Ｖｋ１−Ｖｋ２
を満たしている。上記説明以外の構成、駆動方法の詳細な説明は第６実施形態に準ずるためここでは省略する。
【０１０７】
前記実施形態によれば、前記第６実施形態の特徴に付加して、以下のような特徴を得ることができる。
（１）コモン反転駆動にすることにより画像信号の振幅を小さくすることができるため、回路の消費電力を小さくすることができる。
【０１０８】
（第８実施形態）
次に、第１〜７実施形態で説明した電気光学装置としての液晶表示装置１０，５０，６０の電子機器の適用について図１５に従って説明する。液晶表示装置１０，５０，６０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１０９】
図１５は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図１５において、パーソナルコンピュータ７０は、キーボード７１を備えた本体部７２と、前記液晶表示装置１０，５０，６０を用いた表示ユニット７３とを備えている。この場合においても、液晶表示装置１０，５０，６０を用いた表示ユニット７３の表示品位を向上させることができる。
【０１１０】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第２〜第５実施形態では、第１の電圧供給回路Ｖ１及び第２の電圧供給回路Ｖ２をそれぞれ走査線駆動回路２１ａ，２１ｂ内に備えた。これを、走査線駆動回路２１の外側に第１の電圧供給回路Ｖ１及び第２の電圧供給回路Ｖ２をそれぞれ備えてもよい。
【０１１１】
○上記第１〜第７実施形態では、１色からなる液晶容量素子４０を設けた液晶表示装置１０，５０，６０であったが、フルカラー表示可能な液晶容量素子を設けた液晶表示装置に応用してもよい。
【０１１２】
○上記実施形態では、液晶容量素子４０を備えた表示装置に具体化して好適な効果を得たが、液晶容量素子４０以外の電圧駆動素子を備えた表示装置に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の概略図である。
【図２】液晶表示装置の断面を一部破断して示した図である。
【図３】液晶表示装置の電気的構成を概略的に示したものである。
【図４】表示パネル部に形成される画素の等価回路である。
【図５】（ａ）は第１の走査線に供給される走査信号のタイミングチャートである。（ｂ）は対向電極のタイミングチャートである。（ｃ）は画像データのタイミングチャートである。（ｄ）は画素電極の電位のタイミングチャートである。
【図６】液晶表示装置の電気的構成を概略的に示したものである。
【図７】表示パネル部に形成される画素の等価回路である。
【図８】第２実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図９】第３実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】第４実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１１】第５実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１２】第６実施形態に係る液晶表示装置の電気的構成を概略的に示したものである。
【図１３】第６実施形態に係る表示パネル部に形成される画素の等価回路である。
【図１４】第６実施形態の液晶表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１５】第８実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示パネルに形成された画素の概略構成図である。
【図１７】従来の画素の概略断面図である。
【符号の説明】
ＶＤ１，ＶＤ２，…，ＶＤｍデータ信号としての画像信号、Ｑｄ…ゲートトランジスタとしての画素トランジスタ、Ｖ１…制御信号生成回路としての第１の電圧供給回路、Ｖ２…制御信号生成回路としての第２の電圧供給回路、Ｖａ…補償電圧、ＶＣ…交流信号生成回路としての電圧制御回路、Ｖｋ…基準電圧、Ｖｏ…対向電極電圧、Ｖｐ…フィールドスルー電圧、Ｖｓｓ…可変信号としての補償対向電極電圧、Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍ…信号線、Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎ…走査線、Ｅ１…第１端子としての第１の電極、Ｅ２…第２端子としての第２の電極、１０，５０，６０…電気光学装置としての液晶表示装置、１６…画素、２１，２１ａ，２１ｂ…走査線駆動回路、２７…第１電極としての画素電極、２８…第２電極としての対向電極、４０…電気光学素子としての液晶容量素子、４１…補助容量素子、７０…電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピュータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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