(57)【要約】【課題】ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易で不要輻射が低減でき、さらに半導体レーザのＥＳＤ強度を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】レーザ光を出射する半導体レーザＬＤ１と、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光の光量を制御する制御電流が入力される駆動端子ＴＤと、半導体基板上に形成され、入力端子Ｉ−ＩＮ、出力端子Ｉ−ＯＵＴを有し、駆動端子ＴＤから入力端子Ｉ−ＩＮに入力された制御電流に高周波電流を重畳して重畳電流を発生し、この重畳電流を出力端子Ｉ−ＯＵＴから半導体レーザＬＤ１に出力する高周波重畳半導体集積回路１０とから構成されている。【選択図】      図１
2005116796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光量を制御する制御電流が入力される駆動端子と、
半導体基板上に形成され、入力端子、出力端子を有し、前記駆動端子から前記入力端子に入力された前記制御電流に高周波電流を重畳して重畳電流を発生し、前記重畳電流を前記出力端子から前記半導体レーザに出力する高周波重畳半導体集積回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、前記半導体レーザと前記高周波重畳半導体集積回路内の回路を過電圧による破壊から保護する保護回路をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護回路は、前記入力端子と前記出力端子との間にアノードが接続され、カソードに電源電圧が供給された第１のダイオードと、前記入力端子と前記出力端子との間にカソードが接続され、アノードに基準電位が供給された第２のダイオードとを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記高周波重畳半導体集積回路は、所望の周波数及び電流レベルの高周波電流を生成する高周波駆動回路をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記高周波重畳半導体集積回路は、前記出力端子の電圧を検知して、前記高周波重畳半導体集積回路内の回路動作を停止するパワーセーブ回路をさらに具備することを特徴とする請求項１、２、４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体レーザから出射されたレーザ光を受光し、前記レーザ光に応じた電流を出力する光検出素子をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関し、特に半導体レーザを駆動するために用いられる高周波重畳回路を含む半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ(laser diode；ＬＤ)を駆動するために、高周波重畳集積回路（以下、高周波重畳ＩＣと記す）が用いられている（例えば、特許文献１参照）。半導体レーザからレーザ光を出射した場合、レーザ光を受光した部材により反射された光の一部が半導体レーザに戻り、出射されるレーザ光にノイズが発生するという現象が起こる。高周波重畳ＩＣは、この現象により発生するノイズを減少させるために用いられるものであり、レーザ光の光量を制御する駆動電流に高周波電流を重畳する。
【０００３】
図５は、従来の高周波重畳ＩＣへの配線の取り回し例を示す図である。この例では、半導体レーザを１つ備えた場合、すなわちレーザ光が１波長の場合を示す。
【０００４】
通常、図５に示すように、半導体レーザ１０１はピックアップコネクタ出力部１０２から一番遠い場所に配置されている。高周波重畳ＩＣ１０３は、半導体レーザ１０１とピックアップコネクタ出力部１０２との間に配置されている。そして、半導体レーザ１０１を駆動する駆動電流が供給される駆動端子ＴＤあるいは駆動電流配線１０４に対して、半導体レーザ１０１と高周波重畳ＩＣ１０３とが並列に接続されている。また、電源端子ＴＶには電源電圧が供給され、接地端子ＴＧには接地電位が供給されている。
【０００５】
また、図６は、従来の高周波重畳ＩＣへの配線の他の取り回し例を示す図である。図５にはレーザ光が１波長の場合を示したが、この例では半導体レーザを２つ備えた場合、すなわちレーザ光が２波長の場合を示す。
【０００６】
前述と同様に、半導体レーザ１０１、１０５はピックアップコネクタ出力部１０２から一番遠い場所に配置されている。高周波重畳ＩＣ１０３は、半導体レーザ１０１、１０５とピックアップコネクタ出力部１０２との間に配置されている。そして、半導体レーザ１０１を駆動する駆動電流が供給される駆動端子ＴＤ１あるいは駆動電流配線１０４に対して、半導体レーザ１０１と高周波重畳ＩＣ１０３とが並列に接続されている。また、半導体レーザ１０５を駆動する駆動電流が供給される駆動端子ＴＤ２あるいは駆動電流配線１０６に対して、半導体レーザ１０５と高周波重畳ＩＣ１０３とが並列に接続されている。
【特許文献１】特開平１０−２４７３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体レーザと高周波重畳ＩＣとが並列接続されている場合、駆動電流配線を高周波重畳ＩＣの周辺に取り回す必要があり、ＥＭＩ(electromagnetic interference；電磁妨害)を低減するためのパターンを引き回すのが困難になる。さらに、駆動電流配線が長くなるため、取り回した配線からの不要輻射が増加する。また、半導体レーザのアノードがピックアップコネクタ出力部の端子に直接接続されているため、半導体レーザのＥＳＤ（electrostatic discharge；静電気放電）に対する強度が低いという問題がある。
【０００８】
そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易で不要輻射が低減でき、さらに半導体レーザのＥＳＤ強度を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、この発明の一実施形態の半導体装置は、レーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光量を制御する制御電流が入力される駆動端子と、半導体基板上に形成され、入力端子、出力端子を有し、前記駆動端子から前記入力端子に入力された前記制御電流に高周波電流を重畳して重畳電流を発生し、前記重畳電流を前記出力端子から前記半導体レーザに出力する高周波重畳半導体集積回路とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易で不要輻射が低減でき、さらに半導体レーザのＥＳＤ強度を向上できる半導体装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照してこの発明の実施形態について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１２】
［第１の実施形態］
まず、この発明の第１の実施形態の高周波重畳ＩＣ及び半導体レーザを含む半導体装置について説明する。この第１の実施形態では、半導体レーザを１つ備えた場合、すなわちレーザ光が１波長の場合を示す。
【００１３】
図１は、第１の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。この半導体装置は、半導体レーザ（レーザダイオード）ＬＤ１、高周波重畳ＩＣ１０、及びピックアップコネクタ出力部２０を備えている。
【００１４】
前記ピックアップコネクタ出力部２０は、駆動端子ＴＤ、電源端子ＴＶ、接地端子ＴＧを有する。駆動端子ＴＤには、半導体レーザＬＤ１を駆動するための駆動電流が供給される。この駆動電流は、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光の光量を制御する制御電流である。電源端子ＴＶには電源電圧ＶDDが供給され、接地端子ＴＧには基準電位、例えば接地電位Ｖssが供給される。
【００１５】
前記高周波重畳ＩＣ１０は、駆動端子ＴＤに供給された駆動電流に高周波電流を重畳して重畳電流を発生し、この重畳電流を出力する。この高周波重畳ＩＣ１０は、半導体基板上にすべての素子が一体に形成された半導体集積回路（半導体チップ）である。半導体レーザＬＤ１は、高周波重畳ＩＣ１０から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。
【００１６】
次に、第１の実施形態の半導体装置における回路接続について述べる。前記高周波重畳ＩＣ１０は、入力端子Ｉ−ＩＮ、出力端子Ｉ−ＯＵＴ、ＩＣ電源端子Ｉ−ＶＤＤ、ＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤ、保護回路１１、及び図示しない回路群を有している。ピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤには駆動電流配線３１が接続されており、この駆動電流配線３１は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮに接続されている。高周波重畳ＩＣ１０内において、この入力端子Ｉ−ＩＮは保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴに接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴは、半導体レーザＬＤ１のアノードに接続されている。保護回路１１は、ＥＳＤなどにより、後段の回路、すなわち半導体レーザＬＤ１及び高周波重畳ＩＣ１０内の回路群が破壊されるのを防止する。
【００１７】
また、ピックアップコネクタ出力部２０の電源端子ＴＶには電源配線３２が接続されており、この電源配線３２は高周波重畳ＩＣ１０のＩＣ電源端子Ｉ−ＶＤＤに接続されている。接地端子ＴＧにはグランド配線３３が接続されており、このグランド配線３３は高周波重畳ＩＣ１０のＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤ、及び半導体レーザＬＤ１のカソードにそれぞれ接続されている。さらに、電源配線３２とグランド配線３３との間には、コンデンサＣ１が接続されている。
【００１８】
このように構成された半導体装置では、高周波重畳ＩＣ１０と半導体レーザＬＤ１がピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ（あるいは駆動電流配線３１）に対して直列に接続されている。これにより、図５に示した従来の駆動電流配線１０４を形成する配線パターンに比べて、駆動電流配線３１を形成する配線パターンを短く簡素化することができる。この結果、ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易になると共に、駆動電流配線３１からの不要輻射が低減できる。
【００１９】
また、高周波重畳ＩＣ１０において、入力端子Ｉ−ＩＮと出力端子Ｉ−ＯＵＴとの間に保護回路１１を配置することにより、半導体レーザＬＤ１及び高周波重畳ＩＣ１０内の回路群がＥＳＤなどにより破壊されるのを低減できる。これにより、半導体レーザＬＤ１及び高周波重畳ＩＣ１０のＥＳＤ耐圧を向上させることができる。
【００２０】
次に、図２を参照して図１に示した半導体装置の回路構成及び動作について説明する。図２は、第１の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。
【００２１】
高周波重畳ＩＣ１０は、前述した、入力端子Ｉ−ＩＮ、出力端子Ｉ−ＯＵＴ、ＩＣ電源端子Ｉ−ＶＤＤ、ＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤ、保護回路１１（１１Ａ、１１Ｂ）、及び回路群の他に、周波数調整端子Ｆ−ＡＤＪ、振幅調整端子Ａ−ＡＤＪを有している。前記回路群は、高周波電流駆動回路１２、発振器（ＯＳＣ）１３、電圧／電流変換器（以下、Ｖ／Ｉ変換器と記す）１４、１５、及びパワーセーブ回路１６を含んでいる。
【００２２】
ピックアップコネクタ出力部２０は、駆動端子ＴＤ、検出端子ＴＰ、電源端子ＴＶ、及び接地端子ＴＧを含む。なお、ここでは電源端子ＴＶ、接地端子ＴＧは省略している。
【００２３】
ピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤは、コイルＬ１を介して入力端子Ｉ−ＩＮに接続されている。高周波重畳ＩＣ１０内において、入力端子Ｉ−ＩＮの近傍には保護回路１１Ａが配置され、出力端子Ｉ−ＯＵＴの近傍には保護回路１１Ｂが配置されている。入力端子Ｉ−ＩＮは、直列接続された保護回路１１Ａ、１１Ｂを介して出力端子Ｉ−ＯＵＴに接続されている。
【００２４】
保護回路１１Ａは、２つのダイオードＤ１、Ｄ２から構成されている。入力端子Ｉ−ＩＮはダイオードＤ１のアノードと、ダイオードＤ２のカソードに接続されている。さらに、ダイオードＤ１のカソードには電源電圧ＶDDが供給され、ダイオードＤ２のアノードには接地電位Ｖssが供給されている。また、保護回路１１Ｂは、２つのダイオードＤ３、Ｄ４から構成されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴはダイオードＤ３のアノードと、ダイオードＤ４のカソードに接続されている。さらに、ダイオードＤ３のカソードには電源電圧ＶDDが供給され、ダイオードＤ４のアノードには接地電位Ｖssが供給されている。
【００２５】
保護回路１１Ａと保護回路１１Ｂとの間のノードには、パワーセーブ回路１６、高周波電流駆動回路１２、及び抵抗Ｒ１が接続されている。また、周波数調整端子Ｆ−ＡＤＪは、Ｖ／Ｉ変換器１４を介して発振器１３に接続され、この発振器１３は高周波電流駆動回路１２に接続されている。振幅調整端子Ａ−ＡＤＪは、Ｖ／Ｉ変換器１５を介して高周波電流駆動回路１２に接続されている。
【００２６】
前記出力端子Ｉ−ＯＵＴは、半導体レーザＬＤ１のアノードに接続されている。この半導体レーザＬＤ１のカソードには、基準電位、例えば接地電位Ｖssが供給されている。また、半導体レーザＬＤ１の近傍には光検出素子ＰＤ１が配置されている。光検出素子ＰＤ１のアノードには接地電位が供給されており、カソードは検出端子ＴＰに接続されている。この光検出素子ＰＤ１は、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光を検出し、レーザ光に応じた検出電流を検出端子ＴＰに出力する。
【００２７】
さらに、駆動端子ＴＤ、検出端子ＴＰには、光量制御回路（以下、ＡＰＣと記す）４０が接続されている。ＡＰＣ４０は、光検出素子ＰＤ１から出力された検出電流に基づいて駆動電流を変化させ、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光の光量を制御する。周波数調整端子Ｆ−ＡＤＪと接地電位との間には抵抗Ｒ２が接続され、振幅調整端子Ａ−ＡＤＪと接地電位との間には抵抗Ｒ３が接続されている。また、ＩＣ電源端子Ｉ−ＶＤＤには電源電圧が供給され、ＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤには接地電位が供給されている。さらに、電源電圧と接地電位との間にはコンデンサＣ１が接続され、駆動端子ＴＤと接地電位との間にはコンデンサＣ２が接続されている。
【００２８】
以下に、図２に示した半導体装置の動作について述べる。まず、半導体レーザＬＤ１の光量を制御するための駆動電流（制御電流）がＡＰＣ４０から駆動端子ＴＤに供給される。駆動端子ＴＤに供給された駆動電流はコイルＬ１を通って高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮに入力される。入力端子Ｉ−ＩＮに入力され、保護回路１１Ａを通過した駆動電流には、高周波電流駆動回路１２により高周波電流が重畳される。前記駆動電流に高周波電流が重畳された重畳電流は、保護回路１１Ｂを通って出力端子Ｉ−ＯＵＴに達する。
【００２９】
ここで、Ｖ／Ｉ変換器１４は、周波数調整端子Ｆ−ＡＤＪと接地電位との間に接続された抵抗Ｒ２により生じた電圧を電流に変換して、発振器１３に出力する。発振器１３は、Ｖ／Ｉ変換器１４から入力された電流に応じて、発振信号を高周波電流駆動回路１２に出力する。
【００３０】
Ｖ／Ｉ変換器１５は、振幅調整端子Ａ−ＡＤＪと接地電位との間に接続された抵抗Ｒ３により生じた電圧を電流に変換して、高周波電流駆動回路１２に出力する。高周波電流駆動回路１２は、Ｖ／Ｉ変換器１４から入力された発振信号とＶ／Ｉ変換器１５から入力された電流に基づいて、高周波電流を発生する。前述したように、この高周波電流はＡＰＣ４０から出力された駆動電流に重畳されて、重畳電流が生成される。
【００３１】
その後、重畳電流は、出力端子Ｉ−ＯＵＴから半導体レーザＬＤ１に出力される。半導体レーザＬＤ１は、この重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。半導体レーザの近傍に配置された光検出素子ＰＤ１は、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光を検出し、レーザ光の光量に応じた検出電流を検出端子ＴＰに出力する。ＡＰＣ４０は、光検出素子ＰＤ１から出力された検出電流に基づいて前記駆動電流を変化させ、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光の光量を制御する。
【００３２】
また、パワーセーブ回路１６は、出力端子Ｉ−ＯＵＴの電圧、すなわち半導体レーザＬＤ１のアノード電圧をモニターしている。そして、半導体レーザＬＤ１のアノード電圧が所定電圧以下になると、パワーセーブ回路１６は、高周波重畳ＩＣ１０内の回路群、例えば高周波電流駆動回路１２、発振器１３の動作を停止させて、高周波重畳ＩＣ１０をパワーセーブモードに設定する。
【００３３】
図２に示した高周波重畳ＩＣでは、入力端子Ｉ−ＩＮに接続された保護回路１１Ａにより、入力端子Ｉ−ＩＮから入ってくるＥＳＤなどによる過電圧を、ダイオードＤ１、Ｄ２を介して電源電圧または接地電圧に逃がし、高周波重畳ＩＣ１０内の回路群、及び半導体レーザＬＤ１が破壊されるのを防止する。同様に、出力端子Ｉ−ＯＵＴに接続された保護回路１１Ｂにより、出力端子Ｉ−ＯＵＴから入ってくるＥＳＤなどによる過電圧を、ダイオードＤ３、Ｄ４を介して電源電圧または接地電圧に逃がし、高周波重畳ＩＣ１０内の回路群が破壊されるのを防止する。
【００３４】
また、高周波重畳ＩＣ１０の外部に配置される抵抗Ｒ２、Ｒ３により、高周波電流駆動回路１２にて発生する高周波電流の周波数及び電流レベルを任意に設定できる。これにより、所望の高周波電流を駆動電流に重畳することができるため、半導体レーザＬＤ１から出射されるレーザ光のノイズを抑制するのに適した重畳電流を、半導体レーザＬＤ１に供給することができる。
【００３５】
［第２の実施形態］
次に、この発明の第２の実施形態の高周波重畳ＩＣ及び半導体レーザを含む半導体装置について説明する。第１の実施形態ではレーザ光が１波長の場合を示したが、この実施形態では半導体レーザを２つ備えた場合、すなわちレーザ光が２波長の場合を示す。なお、第１の実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。
【００３６】
図３は、第２の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。この半導体装置は、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、高周波重畳ＩＣ１０、及びピックアップコネクタ出力部２０を備えている。
【００３７】
前記ピックアップコネクタ出力部２０は、駆動端子ＴＤ１、ＴＤ２、電源端子ＴＶ、接地端子ＴＧを有する。駆動端子ＴＤ１には、半導体レーザＬＤ１を駆動するための駆動電流が供給される。さらに、駆動端子ＴＤ２には、半導体レーザＬＤ２を駆動するための駆動電流が供給される。
【００３８】
前記高周波重畳ＩＣ１０は、駆動端子ＴＤ１、ＴＤ２に供給された駆動電流に、高周波電流を重畳して重畳電流を出力する。半導体レーザＬＤ１は、高周波重畳ＩＣ１０の出力端子Ｉ−ＯＵＴ１から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。半導体レーザＬＤ２は、出力端子Ｉ−ＯＵＴ２から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。
【００３９】
次に、第２の実施形態の半導体装置における回路接続について述べる。前記高周波重畳ＩＣ１０は、入力端子Ｉ−ＩＮ１、Ｉ−ＩＮ２、出力端子Ｉ−ＯＵＴ１、Ｉ−ＯＵＴ２、ＩＣ電源端子Ｉ−ＶＤＤ、ＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤ、保護回路１１、及び図示しない回路群を有している。ピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ１には駆動電流配線３１が接続されており、この駆動電流配線３１は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮ１に接続されている。高周波重畳ＩＣ１０内において、この入力端子Ｉ−ＩＮ１は保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴ１に接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴ１は、半導体レーザＬＤ１のアノードに接続されている。また、ピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ２には駆動電流配線３４が接続されており、この駆動電流配線３４は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮ２に接続されている。この入力端子Ｉ−ＩＮ２は保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴ２に接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴ２は、半導体レーザＬＤ２のアノードに接続されている。さらに、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２のカソードには、グランド配線３３が接続されている。
【００４０】
このように構成された半導体装置では、高周波重畳ＩＣ１０と半導体レーザＬＤ１がピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ１（あるいは駆動電流配線３１）に対して直列に接続されている。さらに、高周波重畳ＩＣ１０と半導体レーザＬＤ２がピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ２（あるいは駆動電流配線３４）に対して直列に接続されている。これにより、図６に示した従来の駆動電流配線１０４、１０６を形成する配線パターンに比べて、駆動電流配線３１、３４を形成する配線パターンを短く簡素化することができる。この結果、ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易になると共に、駆動電流配線３１、３４からの不要輻射が低減できる。
【００４１】
また、高周波重畳ＩＣ１０において、入力端子Ｉ−ＩＮ１と出力端子Ｉ−ＯＵＴ１との間、及び入力端子Ｉ−ＩＮ２と出力端子Ｉ−ＯＵＴ２との間に保護回路１１を配置することにより、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２及び高周波重畳ＩＣ１０内の回路群がＥＳＤなどにより破壊されるのを低減できる。これにより、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２及び高周波重畳ＩＣ１０のＥＳＤ耐圧を向上させることができる。
【００４２】
［第３の実施形態］
次に、この発明の第３の実施形態の高周波重畳ＩＣ及び半導体レーザを含む半導体装置について説明する。第２の実施形態ではレーザ光が２波長の場合を示したが、この実施形態では半導体レーザを３つ備えた場合、すなわちレーザ光が３波長の場合を示す。なお、第２の実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。
【００４３】
図４は、第３の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。この半導体装置は、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、高周波重畳ＩＣ１０、及びピックアップコネクタ出力部２０を備えている。
【００４４】
前記ピックアップコネクタ出力部２０は、駆動端子ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３、電源端子ＴＶ、接地端子ＴＧを有する。駆動端子ＴＤ１には、半導体レーザＬＤ１を駆動するための駆動電流が供給される。さらに、駆動端子ＴＤ２には、半導体レーザＬＤ２を駆動するための駆動電流が供給され、駆動端子ＴＤ３には半導体レーザＬＤ３を駆動するための駆動電流が供給される。
【００４５】
高周波重畳ＩＣ１０は、駆動端子ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３に供給された駆動電流に、高周波電流を重畳して重畳電流をそれぞれ出力する。半導体レーザＬＤ１は、高周波重畳ＩＣ１０の出力端子Ｉ−ＯＵＴ１から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。半導体レーザＬＤ２は、出力端子Ｉ−ＯＵＴ２から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。さらに、半導体レーザＬＤ３は、出力端子Ｉ−ＯＵＴ３から出力された重畳電流によって駆動されレーザ光を出射する。
【００４６】
次に、第３の実施形態の半導体装置における回路接続について述べる。前記高周波重畳ＩＣ１０は、入力端子Ｉ−ＩＮ１、Ｉ−ＩＮ２、Ｉ−ＩＮ３、出力端子Ｉ−ＯＵＴ１、Ｉ−ＯＵＴ２、Ｉ−ＯＵＴ３、電源端子Ｉ−ＶＤＤ、ＩＣ接地端子Ｉ−ＧＮＤ、保護回路１１、及び図示しない前記回路群を有している。ピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ１には駆動電流配線３１が接続されており、この駆動電流配線３１は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮ１に接続されている。高周波重畳ＩＣ１０内において、この入力端子Ｉ−ＩＮ１は保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴ１に接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴ１は、半導体レーザＬＤ１のアノードに接続されている。また、駆動端子ＴＤ２には駆動電流配線３４が接続されており、この駆動電流配線３４は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮ２に接続されている。この入力端子Ｉ−ＩＮ２は保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴ２に接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴ２は、半導体レーザＬＤ２のアノードに接続されている。さらに、駆動端子ＴＤ３には駆動電流配線３５が接続されており、この駆動電流配線３５は高周波重畳ＩＣ１０の入力端子Ｉ−ＩＮ３に接続されている。この入力端子Ｉ−ＩＮ３は保護回路１１を介して出力端子Ｉ−ＯＵＴ３に接続されている。出力端子Ｉ−ＯＵＴ３は、半導体レーザＬＤ３のアノードに接続されている。さらに、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３のカソードには、グランド配線３３が接続されている。
【００４７】
このように構成された半導体装置では、高周波重畳ＩＣ１０と半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３の各々がピックアップコネクタ出力部２０の駆動端子ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３（あるいは駆動電流配線３１、３４、３５）に対してそれぞれ直列に接続されている。これにより、従来の駆動電流配線を形成する配線パターンに比べて、駆動電流配線３１、３４、３５を形成する配線パターンを短く簡素化することができる。この結果、ＥＭＩを低減するためのパターンの引き回しが容易になると共に、駆動電流配線３１、３４、３５からの不要輻射が低減できる。
【００４８】
また、高周波重畳ＩＣ１０において、入力端子Ｉ−ＩＮ１と出力端子Ｉ−ＯＵＴ１との間、入力端子Ｉ−ＩＮ２と出力端子Ｉ−ＯＵＴ２との間、及び入力端子Ｉ−ＩＮ３と出力端子Ｉ−ＯＵＴ３との間に保護回路１１を配置することにより、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３及び高周波重畳ＩＣ１０内の回路群がＥＳＤなどにより破壊されるのを低減できる。これにより、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３及び高周波重畳ＩＣ１０のＥＳＤ耐圧を向上させることができる。
【００４９】
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】この発明の第１の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の構成を示す回路図である。
【図３】この発明の第２の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。
【図４】この発明の第３の実施形態の半導体装置の構成を示す図である。
【図５】従来の高周波重畳ＩＣへの配線の取り回し例を示す図である。
【図６】従来の高周波重畳ＩＣへの配線の他の取り回し例を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…高周波重畳集積回路（高周波重畳ＩＣ）、１１、１１Ａ、１１Ｂ…保護回路、１２…高周波電流駆動回路、１３…発振器（ＯＳＣ）、１４、１５…電圧／電流変換器（Ｖ／Ｉ変換器）、１６…パワーセーブ回路、２０…ピックアップコネクタ出力部、３１、３４、３５…駆動電流配線、３２…電源配線、３３…グランド配線、４０…光量制御回路（ＡＰＣ）、Ａ−ＡＤＪ…振幅調整端子、Ｃ１、Ｃ２…コンデンサ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４…ダイオード、Ｆ−ＡＤＪ…周波数調整端子、Ｉ−ＩＮ、Ｉ−ＩＮ１、Ｉ−ＩＮ２、Ｉ−ＩＮ３…入力端子、Ｉ−ＯＵＴ、Ｉ−ＯＵＴ１、Ｉ−ＯＵＴ２、Ｉ−ＯＵＴ３…出力端子、Ｉ−ＶＤＤ…ＩＣ電源端子、Ｉ−ＧＮＤ…ＩＣ接地端子、Ｌ１…コイル、ＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３…半導体レーザ（レーザダイオード）、ＰＤ１…光検出素子、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…抵抗、ＴＤ、ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３…駆動端子、ＴＧ…接地端子、ＴＰ…検出端子、ＴＶ…電源端子、ＶDD…電源電圧、Ｖss…接地電位。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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