(57)【要約】【課題】カソードバスラインとカソード電極とが電気的に連結して電圧降下を防止できる全面発光型有機電界発光表示装置及びその製造方法を開示する。【解決手段】本発明の平板表示装置は、画素領域（１００）と非画素領域（１０１）とを備えた絶縁基板（１０５）と、前記画素領域に配列された第１電極（１４１，１４３，１４５）と、前記画素領域（１００）及び非画素領域（１０１）に形成された第２電極（１９０）と、前記画素領域の第１及び第２電極（１４１，１４３，１４５、１９０）との間に形成された有機発光層（１６１，１６３，１６５）及び電荷輸送層（１８０）と、前記画素領域（１００）及び非画素領域（１０１）に形成された電極ライン（１７１，１７３，１７５）とを含み、前記電極ライン（１７１，１７３，１７５）と前記第２電極（１９０）とは、非画素領域（１０１）で直接電気的にコンタクトされる構造を有する。【選択図】図３
2005116507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域と非画素領域とを備えた絶縁基板と、
前記画素領域に配列された第１電極と、
前記画素領域及び非画素領域に形成された第２電極と、
前記画素領域の第１及び第２電極との間に形成された有機発光層及び電荷輸送層と、
前記基板上部に形成された電極ラインとを含み、
前記電極ラインと前記第２電極は非画素領域で電気的にコンタクトされることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記画素領域は、前記有機発光層から光が発光される領域と非発光領域とを含み、
前記電極ラインは、画素領域のうち、非発光領域の少なくとも一部に位置することを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記非発光領域の少なくとも一部に位置する電極ラインは、外部光を吸収する物質であり、導電性を有する物質であることを特徴とする請求項２記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記電荷輸送層は、前記電極ラインのうち、前記画素領域の非発光領域の少なくとも一部に形成された部分と第２電極との間に形成されることを特徴とする請求項３記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記電極ラインのうち、画素領域に配列された部分は、ストライプ状またはマトリックス状を有することを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記電荷輸送層は、画素領域に全面的に形成されたことを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記電極ラインは、第２電極と同一の極性を有する電圧の電流が流れることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記電極ラインは、第２電極の補助電極であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記電極ラインは、非画素領域のうち、少なくとも一部分に形成されて前記非画素領域で前記電極ラインが前記第２電極と電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記電極ラインは、非画素領域で前記画素領域の外郭部に沿って形成され、前記電極ラインが前記第２電極と電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項９記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記電極ラインは、非画素領域で前記画素領域の少なくとも一側外部に形成され、前記電極ラインが前記第２電極と電気的に直接コンタクトされることを特徴とする請求項９記載の平板表示装置。
【請求項１２】
画素領域と非画素領域とを備えた絶縁基板を提供するステップと、
前記絶縁基板の画素領域上に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上に有機発光層と電荷輸送層を形成するステップと、
前記画素領域及び非画素領域に電極ラインを形成するステップと、
前記画素領域及び非画素領域に第２電極を形成するステップとを含み、
前記電極ラインと前記第２電極は、非画素領域内で電気的にコンタクトされることを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機発光層は、微細メタルマスクを用いて第１電極上にのみ部分的に形成され、前記電荷輸送層は、オープンマスクを用いて画素領域内に全面蒸着されることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素領域は、前記有機発光層から光が発光される発光領域と非発光領域とを含み、
前記電極ラインが前記非発光領域の少なくとも一部に形成され、
前記電荷輸送層は、前記画素領域の非発光領域の少なくとも一部に形成された電極ラインと第２電極との間に形成されることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記非発光領域の少なくとも一部に位置する電極ラインは、外部光を吸収する物質であり、導電性を有する物質であることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電極ラインは、非画素領域で少なくとも画素領域の一側外郭部に形成され、前記第２電極と電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記電極ラインのうち、画素領域に配列された部分は、ストライプ状またはマトリックス状を有することを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記電極ラインは、第２電極と同一の極性を有する電圧の電流が流れることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記電極ラインは、第２電極の補助電極であることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス型平板表示装置に関し、より詳細にはカソードバスラインとカソード電極が電気的に連結して電圧降下を防止できる全面発光型有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置は、自発光型表示装置であって、有機発光層から光が発光される方向によって、背面発光構造と全面発光構造に分けられる。全面発光型有機電界発光表示装置は、画素が配列された基板と反対方向に光が放出されるもので、画素が配列された基板方向に光が放出される背面発光構造に比べて開口率を増加させることができる利点がある。
【０００３】
一方、全面発光構造では、封止用基板側に光を放出させなければならないので、カソード電極として透明電極を用いるべきである。一般に、透明電極としてＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜が用いられるが、透明導電膜は、仕事関数が高いので、カソード電極に用いることが困難である。
【０００４】
このために、カソード電極で仕事関数が低い金属を有機発光層上に薄く蒸着して反透過金属膜を形成し、前記反透過金属膜上に透明導電膜を厚く蒸着して積層構造を有する透明電極を形成した。
【０００５】
しかし、積層構造のカソード電極は、有機薄膜層を形成した後、透明導電膜であるＩＴＯまたはＩＺＯ膜を蒸着するために、熱やプラズマによるＥＬ層の劣化を最小化するために低温蒸着工程を行う。低温でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を蒸着すると、膜質が悪く、比抵抗が高まる。
【０００６】
カソード電極は、共通電極として画素部に配列された全ての画素に同一電圧が印加されなければならないが、カソード電極の高い比抵抗により電圧降下（ＩＲ  ｄｒｏｐ）が発生して位置によって画素別に互いに異なるレベルの電圧が印加される。したがって、カソード電極に外部端子からカソード電圧が印加される場合、外部端子に隣接した部分に配列された画素と外部端子と離れている部分に配列された画素間に電圧差が発生する。その結果、位置による画素別電圧差により輝度または画質のむらを招いた。
【０００７】
特に、中大型の全面発光型有機電界発光表示装置における電圧降下問題は、より一層大きく際立つ。これを解決するために、全面発光構造でカソードバスラインを用いる技術が韓国特許第２００２−００５７３３６号に開示されていた。カソードバスラインは、外部端子に連結してカソード電極とコンタクトされるので、カソード電極がカソードバスラインを介して外部端子に連結する。
【０００８】
通常的に、カソード電極にカソードバスラインを連結する方法は、画素位置によるカソード電極の電圧降下は防止できるが、カソードバスラインとカソード電極との間に有機膜である電荷輸送層（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）が全面形成される場合にはカソードバスラインとカソード電極が電気的にコンタクトされない問題点があった。
【特許文献１】韓国特許第２００２−００５７３３６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決するためのものであって、カソードバスラインとカソード電極とを非画素領域で電気的に連結させることによって、電荷輸送層の全面蒸着が可能な有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００１０】
本発明の他の目的は、電荷輸送層を微細メタルマスクを用いて蒸着することによって、カソードバスラインとカソード電極とを画素領域内で各画素別に連結させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００１１】
本発明の更に他の目的は、中大型の有機電界発光表示装置に適したカソードバスラインとカソード電極の連結構造を有する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述のような目的を達成するために、本発明は、画素領域と非画素領域とを備えた絶縁基板と、前記画素領域に配列された第１電極と、前記画素領域及び非画素領域に形成された第２電極と、前記画素領域の第１及び第２電極との間に形成された有機発光層及び電荷輸送層と、前記画素領域及び非画素領域に形成された電極ラインを含み、前記電極ラインと前記第２電極は、非画素領域で電気的にコンタクトされる平板表示装置を提供することを特徴とする。
【００１３】
前記画素領域は、前記有機発光層から光が発光される領域と非発光領域とを含み、前記電極ラインは、非発光領域の少なくとも一部に位置し、前記非発光領域の一部に位置する電極ラインは、外部光を吸収する物質であり、導電性を有する。前記電荷輸送層は、画素領域に全面形成され、前記電極ラインのうち、前記画素領域の非発光領域の少なくとも一部に形成された部分と第２電極との間に位置する。前記電極ラインは、画素領域でストライプ状またはマトリックス状に形成されたり、または前記電極ラインは、非画素領域で前記画素領域の外郭部に沿って形成されたり、または前記画素領域の少なくとも一側外郭部に形成されて前記電極ラインが前記第２電極と電気的にコンタクトされる。前記電極ラインは、第２電極の補助電極として第２電極と同一の極性を有する電圧の電流が流れる。
【００１４】
また、本発明は、画素領域と非画素領域とを備えた絶縁基板を提供するステップと、前記絶縁基板の画素領域上に第１電極を形成するステップと、前記画素領域に有機薄膜層と電荷輸送層とを形成するステップと、前記画素領域及び非画素領域に電極ラインを形成するステップと、前記画素領域及び非画素領域に第２電極を形成するステップとを含み、前記電極ラインと前記第２電極とは非画素領域内で電気的にコンタクトされる平板表示装置の製造方法を提供することを特徴とする。前記有機薄膜層は、微細メタルマスクを用いて第１電極上にのみ部分的に形成され、前記電荷輸送層は、オープンマスクを用いて画素領域内に全面蒸着される。
【発明の効果】
【００１５】
上述のような本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置は、画素領域内にのみカソードバスラインを形成すると共に、電荷輸送層を各画素別に互いに分離されるように形成することによって、画素領域内でカソードバスラインとカソード電極とを電気的に直接コンタクトしたり、または非画素領域にカソードバスラインを形成して画素領域の外郭部でカソードバスラインとカソード電極とを直接電気的にコンタクトすることができる。したがって、カソード電極とカソードバスラインとの電気的なコンタクトを容易にするだけでなく、画素位置別カソード電極の電圧降下を防止できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明すれば、次の通りである。
【００１７】
図１は、本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示すものである。図１を参照すれば、基板は、画素が配列される画素領域（１００）と非画素領域（１０１）とを備え、画素領域（１００）の外郭部、すなわち、非画素領域（１０１）にカソードバスライン（１７０）が形成されてカソードバスライン（１７０）とカソード電極（１９０）とが画素領域（１００）の外郭部のコンタクト領域（１０３）で電気的に直接コンタクトされる構造を有する。
【００１８】
図１では、カソードライン（１７０）のうち、非画素領域（１０１）に形成される部分のみを示すもので、画素領域（１００）では図４及び図５に示されたようにマトリックス状またはストライプ状に形成されたり、または他の様々な形態で形成されて画素領域（１００）に配列された画素に電圧を供給して電圧降下を防止できる。
【００１９】
図３は、図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿う有機電界発光表示装置の断面構造を示すもので、画素領域（１００）の縁及び中間部分に位置した画素に限って示すものである。
【００２０】
図３を参照すれば、画素領域（１００）と非画素領域（１０１）とに区分される絶縁基板（１０５）上にバッファー層（１１０）が形成され、前記絶縁基板（１０５）の画素領域（１００）には薄膜トランジスター（１２１）、（１２３）、（１２５）が形成される。前記薄膜トランジスター（１２１）、（１２３）、（１２５）のうち、薄膜トランジスター（１２１）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側に配列された画素の薄膜トランジスターであり、薄膜トランジスター（１２５）は、画素領域（１００）のち、図中最も右側に配列された画素の薄膜トランジスターであり、薄膜トランジスター（１２３）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素の薄膜トランジスターを表す。
【００２１】
パッシベーション膜（１３０）上にビヤホ―ル（１３１）、（１３３）、（１３５）を介して前記薄膜トランジスター（１２１）、（１２３）、（１２５）に連結する下部電極であるアノード電極（１４１）、（１４３）、（１４５）を形成する。前記アノード電極（１４１）、（１４３）、（１４５）のうち、アノード電極（１４１）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側に配列された画素のアノード電極であり、アノード電極（１４５）は、画素領域（１００）のうち、図中最も右側に配列された画素のアノード電極であり、アノード電極（１４３）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素のアノード電極を表す。
【００２２】
前記アノード電極（第１電極）（１４１）、（１４３）、（１４５）の一部分が露出されるように画素分離膜（１５０）を形成した後、画素分離膜（１５０）上にカソードバスライン（電極ライン）（１７１）、（１７３）、（１７５）を形成する。カソードバスライン（１７１）、（１７３）、（１７５）を形成した後、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層（１６１）、（１６３）、（１６５）及び電荷輸送層（ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）（１８０）を含む有機薄膜層を形成する。次に、上部電極であるカソード電極（１９０）を画素領域（１００）及び非画素領域（１０１）とを含んだ基板全面に全面蒸着する。
【００２３】
前記電荷輸送層（１８０）は、Ｒ、Ｇ、Ｂ共通層としてオープンマスクを用いて画素領域（１００）に全面的に蒸着される。この際、電荷輸送層（１８０）としては、図面上には図示されていないが、ホール注入層、ホール輸送層、ホール障壁層、電子輸送層または電子注入層のうち、少なくとも一つを含む。
【００２４】
一方、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層（１６１）、（１６３）、（１６５）は、前記アノード電極（１４１）、（１４３）、（１４５）の露出された部分に各々微細メタルマスク（ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ）を用いて蒸着される。前記有機発光層（１６１）、（１６３）、（１６５）のうち、有機発光層（１６１）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側に配列された画素の有機発光層であり、有機発光層（１６５）は、画素領域（１００）のうち、図中最も右側に配列された画素の有機発光層であり、有機発光層（１６３）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素の有機発光層を表す。
【００２５】
前記カソードバスライン（１７１）、（１７３）、（１７５）のうち、カソードバスライン（１７１）は、非画素領域（１０１）及び画素領域（１００）に形成されて画素領域（１００）のうち、図中最も左側に配列された画素に対応するカソードバスラインであり、カソードバスライン（１７５）は、非画素領域（１０１）と画素領域（１００）に形成されて画素領域（１００）のうち、図中最も右側に配列された画素に対応するカソードバスラインであり、カソードバスライン（１７３）は、画素領域（１００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素に対応するカソードバスラインを表す。
【００２６】
この際、カソードバスライン（１７０）のうち、縁すなわち、図中最も左側に配列されたカソードバスライン（１７１）と最も右側に配列されたカソードバスライン（１７５）とは、画素領域（１００）だけでなく、非画素領域（１０１）のコンタクト領域（１０３）まで延長形成される。したがって、前記カソードバスライン（１７０）は、非画素領域（１０１）では画素領域（１００）の外郭部に沿って形成されて電気的に直接コンタクトされる構造を有する。一方、画素領域（１００）は、発光領域と非発光領域とを備え、前記発光領域は有機発光層（１６１）、（１６３）、（１６５）から光が発光される領域に対応する部分であり、前記非発光領域は、前記発光領域を除外した部分、すなわち、画素分離膜（１５０）に対応する部分である。したがって、カソードバスライン（１７０）のうち、画素領域（１００）に形成された部分は、画素分離膜（１５０）上に形成され、画素領域内ではカソード電極（第２電極）（１９０）とは電荷輸送層（１８０）により電気的にコンタクトされない。
【００２７】
前記カソードバスライン（１７０）は、光を吸収して導電性を有する物質、例えば透明導電膜と金属膜の濃度勾配を有するＭＩＨＬ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｈｙｂｒｉｄ  Ｌａｙｅｒ）薄膜を用いて、光遮断用ブラックマトリックスだけでなく電極としての役割をする。前記カソードバスライン（１７０）は、カソード電極の補助電極として、前記カソード電極（１９０）に印加される電圧と同一のレベルの同一の極性を有する電圧が印加されてカソード電極を介した電圧降下を防止する。
【００２８】
図２は、本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置のもう一つの断面構造として、図１でカソードバスライン（１７０）が画素領域（１００）に沿って非画素領域（１０１）に形成されてカソードバスライン（１７０）とカソード電極（１９０）が非画素領域（１００）の四方で電気的に直接コンタクトされる構造とは異なり、非画素領域（２０１）のうち、画素領域（２００）の一側外郭部にのみカソードバスライン（２７１）が形成されて画素領域（２００）の一側外郭部のみでカソードバスライン（２７１）とカソード電極（２９０）とが直接電気的にコンタクトされる構造を有する。
【００２９】
本発明の一実施例では、非画素領域の少なくとも一部分にカソードバスラインが形成されるので、オープンマスクを用いて画素領域に電荷輸送層を全面蒸着しても非画素領域のコンタクト領域を介してカソードバスラインとカソード電極とが電気的に直接コンタクトされる。
【００３０】
本発明の一実施例において、例示されたカソードバスラインとカソード電極の連結構造の他に、画素領域の外郭部である非画素領域でカソードバスラインとカソード電極とを連結する構造は、全て適用可能である。
【００３１】
図４は、本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示すものである。図４を参照すれば、画素領域（１００）内にのみカソードバスライン（３７０）がグリッド状またはマトリックス状に形成されてカソードバスライン（３７０）とカソード電極（３９０）とが各画素別にコンタクト領域（図示せず）を介して電気的に直接的にコンタクトされる構造を有する。
【００３２】
図６は、図４のＩＶ−ＩＶ’線に沿う有機電界発光表示装置の断面構造を示すもので、画素領域（３００）の縁及び中間部分に位置した画素に限って示すものである。
【００３３】
図６を参照すれば、画素領域（３００）と非画素領域（３０１）とに区分される絶縁基板（３０５）上にバッファー層（３１０）が形成され、前記絶縁基板（３０５）の画素領域（３００）には、薄膜トランジスター（３２１）、（３２３）、（３２５）が形成される。前記薄膜トランジスター（３２１）、（３２３）、（３２５）のうち、薄膜トランジスター（３２１）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側に配列された画素の薄膜トランジスターであり、薄膜トランジスター（３２５）は、画素領域（３００）のうち、図中最も右側に配列された画素の薄膜トランジスターであり、薄膜トランジスター（３２３）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素の薄膜トランジスターを表す。
【００３４】
パッシベーション膜（３３０）上にビヤホ―ル（３３１）、（３３３）、（３３５）を介して前記薄膜トランジスター（３２１）、（３２３）、（３２５）に連結する下部電極であるアノード電極（３４１）、（３４３）、（３４５）を形成する。前記アノード電極（３４１）、（３４３）、（３４５）のうち、アノード電極（３４１）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側に配列された画素のアノード電極であり、アノード電極（３４５）は、画素領域（３００）のうち、図中最も右側に配列された画素のアノード電極であり、アノード電極（３４３）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素のアノード電極を表す。
【００３５】
前記アノード電極（３４１）、（３４３）、（３４５）の一部分が露出されるように画素分離膜（３５０）が形成され、画素分離膜（３５０）上にカソードバスライン（３７１）、（３７３）、（３７５）を形成する。次に、画素領域（３００）の発光領域に該当する前記アノード電極（３４１）、（３４３）、（３４５）の露出された部分に微細メタルマスク（ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ）（不図示）を用いてＲ、Ｇ、Ｂ有機発光層（３６１）、（３６３）、（３６５）と有機ＥＬ共通層である電荷輸送層（３８１）、（３８３）、（３８５）を含む有機薄膜層を選択的に形成する。次に、カソード電極（３９０）を画素領域（３００）及び非画素領域（３０１）を含んだ基板全面に全面蒸着する。
【００３６】
この際、前記有機発光層（３６１）、（３６３）、（３６５）のうち、有機発光層（３６１）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側に配列された画素の有機発光層であり、有機発光層（３６５）は、画素領域（３００）のうち、図中最も右側に配列された画素の有機発光層であり、有機薄膜層（３６３）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素の有機発光層を表す。前記電荷輸送層（３８０）は、Ｒ、Ｇ、Ｂ共通層として微細メタルマスク（図示せず）を用いて画素領域（３００）の有機発光層上のみ選択的に蒸着される。この際、電荷輸送層（３８０）としては、図面上には図示されていないが、ホール注入層、ホール輸送層、ホール障壁層、電子輸送層または電子注入層のうち、少なくとも一つを含む。
【００３７】
前記カソードバスライン（３７１）、（３７３）、（３７５）は、画素領域（３００）内にのみ形成され、カソードバスライン（３７１）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側に配列された画素に対応するカソードバスラインであり、カソードバスライン（３７５）は、画素領域（３００）のうち、図中最も右側に配列された画素に対応するカソードバスラインであり、カソードバスライン（３７３）は、画素領域（３００）のうち、図中最も左側と最も右側に配列された画素を除外した部分に配列された画素に対応するカソードバスラインを表す。
【００３８】
この際、前記カソードバスライン（３７０）は、画素領域（３００）内に図４のようにグリッド状またはマトリックス状に形成されて画素分離膜（３５０）上に形成される。前記カソードバスライン（３７０）は、光を吸収して導電性を有する物質、例えば透明導電膜と金属膜の濃度勾配を有するＭＩＨＬ薄膜を用いて、光遮断用ブラックマトリックスだけでなく電極としての役割をする。前記カソードバスライン（３７０）は、カソード電極（３９０）の補助電極として、前記カソード電極（３９０）に印加される電圧と同一のレベルの同一の極性を有する電圧が印加されてカソード電極を介した電圧降下を防止する。
【００３９】
図５は、本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置のもう一つの断面構造として、図４でカソードバスライン（３７０）が画素領域（３００）内にグリッド状に形成されて画素領域（３００）内でカソードバスライン（３７０）とカソード電極（３９０）とが各画素別に電気的に連結する構造とは異なり、カソードバスライン（４７０）がストライプ状に形成されて画素領域（４００）内でカソードバスライン（４７０）とカソード電極（４９０）とがライン単位で電気的に直接コンタクトされる構造を有する。
【００４０】
本発明の他の実施例では、画素領域（３００）内にのみグリッド状のカソードバスライン（３７０）が形成されるので、電荷輸送層（３８１）、（３８３）、（３８５）を各アノード電極（３４１）、（３４３）、（３４５）にのみ画素別に微細メタルマスクを用いて形成した後、カソード電極（３９０）を基板全面に形成するものである。したがって、電荷輸送層（３８１）、（３８３）、（３８５）が有機発光層（３６１）、（３６３）、（３６５）にのみ部分的に形成されるので、画素領域（３００）内で各画素別にカソードバスライン（３７０）とカソード電極（３９０）が電気的に直接コンタクトされる。
【００４１】
本発明の他の実施例で例示されたカソードバスラインの構造の他に、画素領域内でカソード電極と連結するカソードバスライン構造は、全て適用可能である。前記では、本発明の好適な実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者であれば、上記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を様々に修正及び変更させることができることを分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示す図面である。
【図２】本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示す図面である。
【図３】本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の断面構造の示す図面である。
【図４】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示す図面である。
【図５】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の平面構造を示す図面である。
【図６】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の断面構造を示す図面である。
【符号の説明】
【００４３】
１００、２００、３００、４００  画素領域
１０１、２０１、３０１、４０１  非画素領域
１０５、３０５  絶縁基板
１１０、３１０  バッファー層
１２１、１２３、１２５、３２１、３２３、３２５  薄膜トランジスター
１３０、３３０  パッシベーション膜
１５０、３５０  画素分離膜
１４１、１４３、１４５、３４１、３４３、３４５  アノード電極
１６１、１６３、１６５、３６１、３６３、３６５  有機発光層
１７１、１７３、１７５、２７１、３７１、３７３、３７５、４７１、４７３、４７５  カソードバスライン
１８０、３８１、３８３、３８５  電荷輸送層
１９０、３９０  カソード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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