(57)【要約】【課題】  絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、基体フィルム上に配置され下地層と、下地層上に配置された軟磁性金属層とを含む軟磁性部材を効率よく生産することを目的とする。【解決手段】  絶縁樹脂から構成された樹脂フィルム２と、樹脂フィルム２上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層３と、下地層３上に配置された軟磁性金属層４とを備えることを特徴とする軟磁性部材１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、
前記基体フィルム上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層と、
前記下地層上に配置された軟磁性金属層と、を備えることを特徴とする軟磁性部材。
【請求項２】
前記下地層の抵抗率が５μΩｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性部材。
【請求項３】
前記下地層がＣｕ又はＣｕ合金から構成されることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性部材。
【請求項４】
前記基体フィルム、前記下地層及び前記軟磁性金属層からなるユニットが複数積層されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の軟磁性部材。
【請求項５】
基体フィルム上に真空成膜法により非磁性金属膜からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層上に電解めっきにより軟磁性金属層を形成する工程と、を備えることを特徴とする軟磁性部材の製造方法。
【請求項６】
前記非磁性金属膜がＣｕ又はＣｕ合金から構成され、前記軟磁性金属層がＦｅ−Ｎｉ系軟磁性合金から構成されることを特徴とする請求項５に記載の軟磁性部材の製造方法。
【請求項７】
電子機器の外殻をなす筐体と、
前記筐体内に配設されたシート状の軟磁性部材と、
電波を送信および／または受信する電波通信部と、を備え、
前記軟磁性部材は、絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、前記基体フィルム上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層と、前記下地層上に配置された軟磁性金属層と、を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の電子機器、およびこの電子機器に取り付けて使用することのできる軟磁性部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の電子機器の高速動作処理化、デジタル化の発展に従って、電磁波障害(ＥＭＩ：Electromagnetic Interference)が増加している。特に、デジタル機器はノイズにより誤動作を起こすこともあることから、デジタル機器から発生するノイズの低減が重要である。
【０００３】
１ＧＨｚを超える高周波領域でのノイズ吸収特性の優れた材料として、軟磁性金属粉末を樹脂、ゴム中に分散させた複合軟磁性部材が提案されている。例えば、扁平状のＦｅ−Ｓｉ系軟磁性合金粉末をゴム、樹脂中に配向・配列した複合磁性材料が提案されている(
例えば特許文献１、非特許文献１参照。)。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３５９２７号公報
【非特許文献１】“工業材料”、平成１０年(１９９８年)１０月号、ｐ．３１〜３５、ｐ．３６〜４０
【０００５】
また、携帯電話機は、年々小型・軽量化されてきており、携帯電話機使用時にそのアンテナの位置は人体、具体的には頭部に極めて近い位置に配置されることになる。このときアンテナの特性は人体の影響を受け、アンテナ性能が低下する傾向にある。つまり、アンテナから放射される電磁波の一部が人体に吸収されることに起因する電力損失が、受信感度の低減、電池の寿命低減を招く。
一方で、人体による電磁波の吸収量が増加し、人体への影響が懸念されている。このため、日本を含め各国で局所吸収指針が定められており、各国が局所吸収指針において定める人体による電磁波の局所吸収の評価量として、以下の式で定義されるＳＡＲ（Specific
Absorption Rate：局所吸収量）が用いられている。
ＳＡＲ＝σＥ2／２ρ
(Ｅ：人体に侵入した電界、σ：組織の誘電率、ρ：組織の密度)
【０００６】
そのため、携帯電話機から放射された電磁波の実効的な利用率、つまりＳＡＲを抑制しつつ放射効率を向上させる方法として、低損失磁性板をアンテナ近傍に配置する方法が提案されている。
また、放射効率を改善する目的で、携帯電話機内に反射板を配置することにより、放射源から放射される電磁波を反対側の方向へ反射させて通信へ寄与させることを可能とすることから、放射される電磁波の有効利用を図ることが可能である。さらに、反射板には、電波照射時における電力吸収をほとんど伴わないものを使用することにより、通信へ寄与する電磁波量を向上させることができるので、通話時の放射効率が改善され、通信性能の向上を図ることが可能であることが、提案されている（例えば特許文献２参照）。
【０００７】
また本出願人は、特許文献３において、樹脂フィルムと、樹脂フィルム上に形成された導電性金属からなる下地層と、下地層上に形成された軟磁性金属層とを備えた軟磁性部材が放射効率の改善に有効であることを提案している。
【０００８】
【特許文献２】特開２０００−３２３９２１号公報
【特許文献３】特開２００２−３５９１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献３に開示された軟磁性部材はＧＨｚ帯域においても優れた透磁率を有し、典型的には、樹脂フィルム上にＮｉからなる下地膜を形成し、その上にＦｅ−Ｎｉ系合金からなる軟磁性金属層を形成した軟磁性部材を複数積層している。ここで、下地層は軟磁性金属層を電解めっきにより成膜する際の下地層としての役割を果たす程度の厚さを有すればよいことから数１０ｎｍ程度の厚さとされ、一方、軟磁性金属層は０．５〜１μｍ程度の厚さを有している。なお、軟磁性金属層を電解めっきにより形成するのは、生産効率の観点からである。特許文献３に開示された軟磁性部材を広く普及するためには、より生産効率を向上させて低コストで生産することが望まれる。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、特許文献３に開示された軟磁性部材の生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
電解めっきで軟磁性金属層を形成する場合に、下地金属層の抵抗率が低いほど電解めっき時に付与できる電流密度が大きくなり、結果として電解めっきによる成膜速度が高くなる。ここで、バルク状態のＮｉの低効率は約７μΩｃｍであるが、上記軟磁性部材を構成する下地層としてのＮｉ膜の低効率は２０μΩｃｍであった。このように、膜状になったときのＮｉの低効率はバルク状態に比べて３倍程度になってしまい、電解めっきを行う際に流す電流値が限られてしまう。そこで本発明者は、低効率の低い非磁性金属を下地層として用いることを検討した。非磁性金属の一つであるＣｕはバルク状態で１．７２μΩｃｍの低効率を示すが、これを真空蒸着により形成した膜の状態での抵抗率は２．３μΩｃｍであった。しかも、このＣｕ膜の上にＦｅ−Ｎｉ系軟磁性合金を形成した軟磁性部材は、Ｎｉを下地膜としてＦｅ−Ｎｉ系軟磁性合金を形成した軟磁性部材と同等の透磁率の周波数特性を示した。一方で、無電解めっきでＣｕ膜を形成した場合には、得られた軟磁性部材は透磁率の周波数特性が伸びないことが確認された。
【００１１】
そこで本発明は、下地層として非磁性金属を用い、かつこの下地層を真空成膜法により形成することを提案するものである。すなわち本発明は、絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、基体フィルム上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層と、下地層上に配置された軟磁性金属層と、を備える軟磁性部材である。
本発明の軟磁性部材において、下地層の抵抗率は５μΩｃｍ以下であることが望ましい。下地層の抵抗率が低ければ、軟磁性金属層を電解めっきで形成する際の電流密度を大きくすることができ、ひいては成膜速度を速くすることができるからである。
本発明の軟磁性部材において、下地層はＣｕ又はＣｕ合金から構成することが望ましい。下地層として低効率が３μΩｃｍ以下と小さい値を示すことができるからである。
本発明の軟磁性部材は基体フィルム、下地層及び軟磁性金属層からなるユニットとして使用することもできるし、このユニットを複数積層して使用することもできる。
【００１２】
以上説明した本発明の軟磁性部材は、基体フィルム上に真空成膜法により非磁性金属膜からなる下地層を形成する工程と、下地層上に電解めっきにより軟磁性金属層を形成する工程と、を備える軟磁性部材の製造方法により得ることができる。ここで、非磁性金属膜はＣｕ又はＣｕ合金から構成され、軟磁性金属層がＦｅ−Ｎｉ系軟磁性合金から構成されることが望ましい。
以上説明した本発明の軟磁性部材は、携帯電話等の電子機器に用いることができる。したがって本発明は、電子機器の外殻をなす筐体と、筐体内に配設されたシート状の軟磁性部材と、電波を送信および／または受信する電波通信部と、を備え、軟磁性部材は、絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、基体フィルム上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層と、下地層上に配置された軟磁性金属層と、を備える
ことを特徴とする電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、下地層を真空成膜法により形成した非磁性金属膜から構成することにより、下地層上に軟磁性金属膜を電解めっきにより形成する際の成膜速度を向上することができる。しかも、こうして得られた軟磁性部材は、非磁性金属で下地層を形成した軟磁性部材と同等の透磁率の高周波特性を備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１および図２は、本発明の軟磁性部材の例を示している。
図１に示す軟磁性部材１は、樹脂フィルム（基体フィルム）２と、樹脂フィルム２上に形成された下地層３と、下地層３上に形成された軟磁性金属層４とから構成される。
樹脂フィルム２は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等の耐熱性を有する樹脂材料、または、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂材料を用いることができる。
軟磁性金属層４は、軟磁性を示す遷移金属元素のいずれか、あるいは遷移金属元素と他の金属元素とからなる合金により構成することができる。具体的な例としては、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの一種以上を主成分とする合金であり、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ系合金が該当する。これらの中で、飽和磁束密度が１．０Ｔ以上の合金が望ましい。またこの中で、Ｆｅを２０〜８０ｗｔ％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が本発明にとって望ましい。特に、Ｆｅを３０〜７０ｗｔ％、さらにはＦｅを４０〜６５ｗｔ％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましい。また、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金が本発明にとって望ましい。また、Ｃｏを２０〜６０ｗｔ％含有するＦｅ−Ｃｏ系合金であって、飽和磁束密度が２.０Ｔ以上の合金を用いるのが望ましい。これら合金において、１５ｗｔ％以下のＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏの一種以上を含有することができる。また、軟磁性金属層４をめっきで形成する場合にはＣおよびＳ等の元素を不可避的に含むが、本発明の軟磁性金属層４は、そのような元素の含有を許容する。
軟磁性金属層４は、結晶質合金および非晶質合金のいずれの態様であっても構わない。非晶質合金としては、Ｃｏ系およびＦｅ系の非晶質合金を用いることができる。また、Ｆｅ系の微結晶合金を用いることも本発明は許容する。微結晶合金は、一般的に、結晶粒径が１０ｎｍ以下の微細な結晶が主体をなす合金として知られている。
【００１５】
軟磁性金属層４は、下地層３上に形成される軟磁性金属膜であり、一般に、めっき（電解または無電解）、真空蒸着法、スパッタリング法（気相法）等の各種の膜形成プロセスによって作成することができる。これらの膜形成プロセスは、単独で行うことができる。したがって、めっきのみで軟磁性金属層４を形成することもできるし、蒸着のみで軟磁性金属層４を形成することもできる。もちろん、複数の膜形成プロセスを組み合わせることもできる。めっきは、真空蒸着法、スパッタリング法に比べて低温で膜を形成することができる点で好適である。本発明において、軟磁性金属層４は樹脂フィルム２上に形成するため、樹脂フィルム２に熱的な影響を与えないことが望ましいからである。また、めっきは、スパッタリング法に比べて、短時間で所定の厚さの膜を得ることができるメリットがある。したがって、本発明においては下地層３を設けていることから、電解めっきによって軟磁性金属層４を形成することを特に推奨する。なお、電解めっきにより軟磁性金属層４を得る場合、めっき浴中に含まれているＳ等の元素が軟磁性金属層４に混入することから、他のプロセスによる軟磁性金属層４との区別ができる。
【００１６】
下地層３は、軟磁性金属層４を電解めっきによって樹脂フィルム２上に形成する場合に必要となる導電層としての役割を果たす。下地層３は、真空成膜法によって形成する。真
空成膜法としては、例えば真空蒸着法（ＰＶＤ：物理蒸着法）、スパッタリング法を採用することができる。真空蒸着法はスパッタリング法、ＣＶＤ法（化学蒸着法）に比べて低温で成膜できる利点がある。
下地層３としては、Ｃｕ又はＣｕ合金（例えば、黄銅、ＣｕＮｉ合金）が最も好適である。低抵抗率であること、電解めっき時に溶解しない安定性を有していること等の理由による。もちろん本発明はＣｕ又はＣｕ合金以外の非磁性金属を用いることができる。例えば、Ａｌ、Ｚｎ−Ｓｎ合金等の低融点金属又は合金を用いることができる。低融点金属又は合金を用いる場合、金属蒸気を発生するためのエネルギー源を抵抗加熱にすることができるため、Ｅ−ガンを用いて金属蒸気を発生させる場合に比べてエネルギー効率を向上させることができる。
下地層３は、低効率が５μΩｃｍ以下であることが望ましく、さらには３μΩｃｍ以下であることがさらに望ましい。
【００１７】
次に、軟磁性部材１において、樹脂フィルム２の厚さは５０μｍ以下とする。樹脂フィルム２は、本発明の軟磁性部材１において、基体としての役割を果たすとともに、軟磁性部材１を複数積層する場合には軟磁性金属層４同士を絶縁する機能を果たす。しかし、この絶縁層が厚くなると軟磁性金属層４の占有率が低下し、ひいては積層軟磁性部材としての透磁率が低下するためである。望ましい樹脂フィルム２の厚さは１０μｍ以下である。もっとも、極端に薄い樹脂フィルム２は製造が困難であるとともに、軟磁性金属層４を形成するための所定の強度を持つことができなくなる。したがって、０.２μｍ以上あるい
は、２μｍ以上の厚さとすることが推奨される。
【００１８】
軟磁性金属層４は、１μｍ以下の厚さとすることが望ましい。これを超える厚さでは、例えば８００ＭＨｚを超える高周波数帯域での渦電流損失が大きくなり、磁性体としての機能が減じてしまうからである。したがって、本実施の形態において、軟磁性金属層４の厚さは、０.５μｍ以下とすることが望ましい。軟磁性金属層４は、緻密に形成されてい
る必要性が高く、したがって、各種プロセスによって緻密な膜を形成することができる程度の最低限の膜厚を有していることが必要である。下地層３は、電解めっき時の導電層として機能するものであり、数１０ｎｍ程度の厚さを有していれば足りる。
【００１９】
図２に示す軟磁性部材１１は、図１に示した軟磁性部材１の軟磁性金属層４が樹脂フィルム２の片面に形成されているのに対して、両面に形成されている点で相違する。つまり、軟磁性部材１１は、樹脂フィルム（基体フィルム）１２と、樹脂フィルム１２の表裏両面に形成された下地層１３ａ、１３ｂと、下地層１３ａ、１３ｂ上に形成された軟磁性金属層１４ａ、１４ｂとから構成される。樹脂フィルム１２、下地層１３ａ、１３ｂおよび軟磁性金属層１４ａ、１４ｂの材質、寸法および作成プロセスは、軟磁性部材１と同様にすればよい。
また、本発明の軟磁性部材１１において、軟磁性金属層１４ａの上に樹脂層を形成することもできる。
【００２０】
本発明において、以上で説明した軟磁性部材１を単体で使用することができるし、複数の軟磁性部材１を積層して使用することもできる。以下、軟磁性部材１を複数積層した形態の部材を積層軟磁性部材５ということにする。
図３、図４は本実施の形態による積層軟磁性部材５の例を示す断面図である。
図３および図４に示すように、積層軟磁性部材５は、絶縁層６と磁性体層７とが交互に積層された断面構造を有している。このような積層軟磁性部材５は、図１および図２で示した軟磁性部材１、１１を積層することにより得ることができる。図４に示した構成の場合、軟磁性シート１１は、表裏両面に軟磁性金属層１４ａ、１４ｂが露出した構造をなしているので、そのままで積層することはできない。そこで、樹脂フィルム（基体フィルム）１５を別途用意し、この樹脂フィルム１５を介在させて軟磁性部材１１を積層することにより、積層軟磁性部材５を得る。
ここで、積層軟磁性部材５全体としての厚さは、０．５ｍｍ以下とすることが重要である。前述のように、携帯電話機に積層軟磁性部材５を貼り付ける場合には、携帯電話機の小型化に対応する必要があるからである。より望ましい厚さは、０．２ｍｍ、さらには０．１ｍｍ以下である。
【００２１】
そして、得られた積層軟磁性部材５において、軟磁性部材１、１１の樹脂フィルム２、１２、１５が絶縁層６を構成することになる。そのため、絶縁層６の厚さは５０μｍ以下となる。もっとも、軟磁性部材１、１１を積層する場合に接着剤を層間に介在させると、絶縁層６が樹脂フィルム２、１２、１５の厚さより厚くなる場合がある。したがって、接着剤を用いる場合には、絶縁層６の厚さが５０μｍ以下となるように樹脂フィルム２、１２、１５の厚さを定める必要がある。このとき、接着剤が樹脂で形成されていると、接着剤層も絶縁層６を構成することになる。
また、磁性体層７は、軟磁性部材１、１１における軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂによって構成されることになる。また、下地層３、１３ａ、１３ｂが、軟磁性金属によって形成される場合、この下地層３、１３ａ、１３ｂも、軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂとともに磁性体層７を構成する。
【００２２】
上記のような構成の積層軟磁性部材５は、携帯電話機内に配設することができる。なお、ここでは電子機器として携帯電話機を例にするが、これはあくまで本発明の適用事例にすぎない。
積層軟磁性部材５を携帯電話機内に配設する様子を図５に模式的に示している。携帯電話機（電子機器）３０は、その外殻をなす筐体としてフロント・カバー３１とケース３４とを備え、その間に必要に応じてホイップ・アンテナが取り付けられる回路基板３２が配設される。ケース３４内には内蔵アンテナ（電波通信部）３６が収容されており、積層軟磁性部材５は、内蔵アンテナ３６とその一部が重なるように、回路基板３２とケース３４との間に配設される。なお、積層軟磁性部材５の固定は、粘着剤、両面粘着テープ等を用いて行うことができる。
【００２３】
以下、図６に基づいて、積層軟磁性部材５を得るのに好適な製造方法を説明する。
図６において、はじめに樹脂フィルム２に、例えば、真空成膜法の一種である真空蒸着法により下地層３を形成する（図６（ａ））。
下地層３を形成した後、例えば電解めっきにより軟磁性金属層４を下地層３上に形成することによって、図１に示した軟磁性部材１を得ることができる（図６（ｂ））。
軟磁性部材１を所定の枚数作製し、各軟磁性部材１の樹脂フィルム２と軟磁性金属層４とを対向させた状態で積層することにより、図３に示した積層軟磁性部材５を得ることができる（図６（ｃ））。
【００２４】
軟磁性部材１の積層は、軟磁性部材１間に例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の接着剤を配置して行なうことができる。接着剤の粘度は、１０００ｃＰ以下、望ましくは３００ｃＰ以下、さらに望ましくは２００ｃＰ以下とする。溶剤を加えた接着剤を軟磁性部材１に塗布し、その後接着剤が粘着性を保持する程度まで溶剤を蒸発させ、しかる後に軟磁性部材１を積層する。軟磁性部材１を構成する樹脂フィルム２の静電気により、接着剤を用いることなく積層状態を維持することもできる。この場合、接合強度を向上するために、軟磁性部材１を積層後に、接着剤に浸漬して外周部のみを接着することもできる。また、接着剤層は絶縁層６として機能するので、軟磁性金属層４同士を対向させた状態、又は樹脂フィルム２同士を対向させた状態で積層してもよい。
【００２５】
積層軟磁性部材５を得た後に、応力緩和熱処理を行なうことにより、磁気特性の向上を図ることもできる。応力緩和熱処理は、例えば軟磁性部材１同士の接合に接着剤を用いた
場合には、接着剤の乾燥のための加熱を兼ねて行なうこともできる。応力緩和熱処理を行なう場合には、樹脂フィルム２に耐熱性に優れたポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂又はＰＰＳ（ポニフェニレンサルファイド）樹脂を用いることが望ましい。
また、樹脂フィルム２にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）を使用する場合、加熱処理による収縮応力を利用して誘導異方性を付与することにより、磁気特性の向上を図ることもできる。
また、積層軟磁性部材５は、温間プレス加工によって、所望する形状に加工することもできる。さらに、切断を行なって、所望する寸法に加工することもできる。
【実施例１】
【００２６】
膜厚１３μｍのＰＥＴフィルムを用意し、このＰＥＴフィルム上（片面）に真空蒸着により厚さ０．０７０μｍの下地層としてのＮｉ膜を形成した（この試料を試料１とする）。また、同様のＰＥＴフィルム上に真空蒸着により厚さ０．０７０μｍの下地層としてのＣｕ膜を形成した（この試料を試料２とする）。試料１及び試料２に対して以下に示すめっき液を用いてＮｉ膜又はＣｕ膜上に軟磁性合金である５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を０．３０μｍ形成して軟磁性部材を得た。なお、めっき液の条件は、浴温が３５〜５５℃、ＰＨが２.０〜３.０であり、電流密度は試料１及び試料２ともに０．８Ａ／ｄｍ2とした。なお、めっき膜の欠陥防止およびめっき液の表面張力低減のために、界面活性剤を適宜添加した。
【００２７】
薬 品 名 称            化 学 式          液組成(ｇ/ｌ)
硫酸ニッケル６水和物   ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ    １５０〜４５０
塩化ニッケル６水和物   ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ      １５〜４５
硼酸                       Ｈ3ＢＯ3            １０〜４０
硫酸第一鉄７水和物     ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ        １〜２０
光沢剤                         −             ０.１〜２
【００２８】
軟磁性合金膜が形成された試料１及び試料２について、各々８５℃×６０秒の熱処理、１１０℃×６０秒の熱処理を施した後、６ｍｍ×６ｍｍの大きさに切断した。複素透磁率を測定した。その結果を図７及び図８に示す。なお、図７は試料１（下地層がＮｉ膜）についての測定結果を、また図８は試料２（下地層がＣｕ膜）についての測定結果を示している。図７及び図８に示すように、適切な熱処理を施すことによって、下地層としてＣｕ膜を使った場合でもＮｉ膜を使用した場合と同様に高周波の複素透磁率が改善されることがわかった。
一方で、試料１におけるＮｉ膜（下地層）の抵抗率は２０μΩｃｍ、Ｃｕ膜（下地層）の低効率は２．３μΩｃｍであり、Ｃｕ膜はＮｉ膜の１／１０の抵抗率である。このようにＮｉ膜及びＣｕ膜の抵抗率に相違があるために、Ｃｕ膜を形成してある試料２はＮｉ膜を形成してある試料１に比べて電解めっきにおける電流密度を前述のように１０倍にすることができる。したがって、同じ厚さの５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成する場合に、試料２の方がめっき膜の成膜速度を１０倍にすることができ、生産効率を飛躍的に向上させることができる。
【００２９】
また、下地層としてのＣｕ膜（厚さ０．０７μｍ）を無電解めっきにより形成した後、試料１と同様に５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成した。次いで、試料１と同様に８５℃×６０秒の熱処理を施した後に複素透磁率を測定した。その結果を図９に示すが、図８と比べると、複素透磁率の実数成分（μ’）が減衰する周波数が低いことがわかる。このように、同じＣｕ膜であっても、無電解めっきでは膜の緻密さが不足している等の理由により高周波特性を十分に向上させることができないのに対し、真空蒸着による場合には高周波特性の向上効果が顕著となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施の形態における軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図２】他の軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図３】図１に示した軟磁性部材を用いた積層軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図４】図２に示した軟磁性部材を用いた積層軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図５】積層軟磁性部材を組み込む電子機器の概略構成を示す図である。
【図６】図３に示した積層軟磁性部材の製造方法を示す図である。
【図７】Ｎｉ膜及び５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料１について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図８】Ｃｕ膜及び５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料２について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図９】Ｃｕ膜を無電解めっきにより形成した試料について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３１】
１、１１…軟磁性部材、２、１２、１５…樹脂フィルム（基体フィルム）、３、１３ａ、１３ｂ…下地層、４、１４ａ、１４ｂ…軟磁性金属層、５…積層軟磁性部材、６…絶縁層、７…磁性体層、３０…携帯電話機（電子機器）、３１…フロント・カバー、３４…ケース、３６…内蔵アンテナ（電波通信部）
【図１】
2005116763.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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