(57)【要約】【課題】ガイド部を精度良く製造するための半導体光変調器の製造方法を提供する。【解決手段】光導波部６上には、ＧａＡｓを含むエッチストップ層１６、ＡｌＧａＡｓを含む第１ガイド層１８、ＧａＡｓを含むモニタ層２０、ＡｌＧａＡｓを含む第２ガイド層２２、及びＧａＡｓを含むコンタクト層２４を有するガイド層８が設けられる。本製造方法では、塩素系ガスによるドライエッチングによってモニタ層２０及び第２ガイド層２２がエッチングされる際のＡｌＣｌの発光強度の変化に基づいて、第２ガイド層１８のエッチングレートが算出される。このエッチングレートに基づいて所定の厚さが残るように第１のガイド層１８がエッチングされる。第１のガイド層の残余のエッチングには、ＡｌＧａＡｓに選択性を有するエッチャントによるウェットエッチングが用いられる。【選択図】  図６
2005017509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順に設けられる第１のクラッド層、導波層、及び第２のクラッド層を含む光導波部上に、エッチストップ層と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含む第１のガイド層及び第２のガイド層と、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは異なる組成のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含むモニタ層と、コンタクト層とを、エッチストップ層、第１のガイド層、モニタ層、第２のガイド層、コンタクト層の順に設ける工程と、
前記導波層に導波路を形成させるガイド部を設けるための所定パターンのレジストマスクを前記コンタクト層上に設ける工程と、
プロセスチャンバ内において前記コンタクト層、前記第２のガイド層、及び前記モニタ層をドライエッチングしつつ、該プロセスチャンバ内に発生する所定波長の発光強度に基づいて、前記第２のガイド層に含まれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエッチングレートを算出する工程と、
前記エッチングレートに基づいて、所定の厚さが残されるように前記第１のガイド層を前記プロセスチャンバ内においてドライエッチングする工程と、
前記第１のガイド層に選択性を有するエッチャントを用いて、前記エッチストップ層上に残されている該第１のガイド層をウェットエッチングする工程と
を備える半導体光変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光変調器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザから出射される光を変調する方式としては、半導体レーザに与える駆動信号を制御することによって半導体レーザから出射される光を制御する直接変調方式と、半導体レーザから出射される光を変調器によって変調する間接変調方式とがある。近年、光通信の通信速度が、例えば１０Ｇｂｐｓを超える速度になってきており、これに伴って直接変調方式より高速変調に有利な外部変調方式の利用が進んできている。
【０００３】
外部変調方式に用いられる変調器には種々のものがあり、例えば、マッハツェンダー型、電界吸収型、屈折率導波型、または、方向性結合型といった変調器がある（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０９−１０１４９１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
方向性結合型の変調器は、第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に設けられる導波層と、導波層上に設けられる第２のクラッド層とを有する光導波部と、第２のクラッド層上に設けられる一対のガイド部を備える。この変調器は、導波層と、導波層を挟む第１及び第２のクラッド層との屈折率差によって、導波層を伝搬する光を上記各層の積層方向において閉じ込める。また、上記の積層方向と光の伝搬方向とに交差する方向には、ガイド部によって、導波層を伝搬する光を閉じ込めている。この変調器は、一対のガイド部を有するので、一対のガイド部それぞれの直下の導波層に光が伝搬する一対の伝搬領域を形成することができる。この変調器では、ガイド部に高周波信号を印加して、一方のガイド部直下の伝搬領域を伝搬する光を他方のガイド部直下の伝搬領域に移すことによって、光を変調することができる。方向性結合型の変調器によって、変調すべき波長成分の光を所望の変調効率で変調するためには、ガイド部を精度良く製造する必要がある。
【０００６】
そこで本発明は、ガイド部を精度良く製造するための半導体光変調器の製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体光変調器の製造方法は、（ａ）基板上に順に設けられる第１のクラッド層、導波層、及び第２のクラッド層を含む光導波部上に、エッチストップ層と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含む第１のガイド層及び第２のガイド層と、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは異なる組成のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含むモニタ層と、コンタクト層とを、エッチストップ層、第１のガイド層、モニタ層、第２のガイド層、コンタクト層の順に設ける工程と、（ｂ）導波層に導波路を形成させるガイド部を設けるための所定パターンのレジストマスクをコンタクト層上に設ける工程と、（ｃ）プロセスチャンバ内においてコンタクト層、第２のガイド層、及びモニタ層をドライエッチングしつつ、プロセスチャンバ内に発生する所定波長の発光強度に基づいて、第２のガイド層に含まれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエッチングレートを算出する工程と、（ｄ）上記のエッチングレートに基づいて、所定の厚さが残されるように第１のガイド層をプロセスチャンバ内においてドライエッチングする工程と、（ｅ）第１のガイド層に選択性を有するエッチャントを用いて、エッチストップ層上に残されている第１のガイド層をウェットエッチングする工程とを備える。
【０００８】
かかる製造方法では、ドライエッチングによってコンタクト層、第１のガイド層、及びモニタ層がエッチングされる際に、プロセスチャンバ内の所定波長の発光強度を計測し、第２のガイド層とモニタ層の組成の違いから生じる上記の発光強度の変化点を検出することによって、第２のガイド層に含まれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエッチングレートを算出することができる。このエッチングレートを用いて、所定の厚さが残るように第１のガイド層が上記のプロセスチャンバ内で更にエッチングされる。エッチストップ層に残された第１のガイド層は、第１のガイド層に選択性を有するエッチャントを用いて、ウェットエッチングされる。この製造方法によれば、エッチストップ層が露出する直前まで非等方性のエッチングが可能なドライエッチングによってガイドを形成することができ、エッチストップ層上に残された第１のガイド層を、第１のガイド層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いた等方性のウェットエッチングによってエッチングすることができる。したがって、ウェットエッチングに用いられるエッチャントにガイド部が曝される時間を短くして、ガイド部のサイドエッチを抑制することができるので、ガイド部を精度良く製造することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態にかかる方向性結合型の半導体光変調器の製造方法について説明する。なお、以下の実施形態に関する説明においては、説明の理解を容易にするため、各図面において同一又は相当の部分には同一の符号を附すこととする。
【００１０】
図１は本製造方法の一工程を示す図であり、基板２上に、バッファ層、光導波部６、及びガイド層８が設けられた中間生産物２００を示している。基板２は半絶縁性のＧａＡｓによって構成される。基板２上にはバッファ層４が設けられている。バッファ層４は、厚さ０．５μｍのｉ−ＡｌＧａＡｓによって構成される。バッファ層４上には光導波部６が設けられている。
【００１１】
光導波部６は、第１クラッド層１０と、導波層１２と、第２クラッド層１４とを有する。第１クラッド層１０は、厚さ２μｍのｎ−ＡｌＧａＡｓによって構成される。導波層１２は、厚さ０．４μｍのｉ−ＧａＡｓによって構成される。第２クラッド層１４は、厚さ０．２μｍのｉ−ＡｌＧａＡｓによって構成される。
【００１２】
光導波部６上には、ガイド層８が設けられている。ガイド層８は、エッチストップ層１６と、第１ガイド層１８と、モニタ層２０と、第２ガイド層２２と、コンタクト層２４とを有する。エッチストップ層１６は、幅０．０１μｍのｐ−ＧａＡｓによって構成される。第１ガイド層１８は、厚さ０．７μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓによって構成される。モニタ層２０は、厚さ０．０１μｍのｐ−ＧａＡｓによって構成される。第２ガイド層２２は、厚さ０．３μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓによって構成される。コンタクト層は、厚さ０．２μのｐ−ＧａＡｓによって構成される。
【００１３】
光導波部６及びガイド層８を構成する層はそれぞれ、有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍｅｔａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）によって形成される。
【００１４】
図２は、本製造方法によってガイド部２８が形成された中間生産物の平面構造を示す。図２では、上記の中間生産物の半平面が示されている。本製造方法によって製造される中間生産物は、図２に示す半平面と対称の半平面をさらに有する。図２に示す中間生産物は、所定軸Ｘに沿う方向に延びる一対のガイド部２８を有する。一対のガイド部２８はそれぞれ２．５μｍの幅を有しており、上記の中間生産物の中央では２．５μｍの間隔をおいて設けられている。また、一対のガイド部２８は上記の中間生産物の端部において互いに１０μｍの距離を隔てるように、端部に向かって広がる形状とされている。
【００１５】
次の工程においては、ガイド層８をエッチングすることによってガイド部２８を形成するためのレジストマスクがコンタクト層２４上に設けられる。図３は、本製造方法の一工程を示す図であり、ガイド部２８を形成するためのレジストマスク２６が設けられた中間生産物２０２を示している。レジストマスク２６は、ガイド部２８を残してガイド層８をエッチングするために開口されたパターンを有する。
【００１６】
次の工程では、レジストマスク２６の開口された部分からガイド層８がドライエッチングによってエッチングされる。図４は、本製造方法の一工程を示す図であり、ガイド層８がエッチングされる状態を示している。この工程では、プロセスチャンバ３０の反応室３２内においてガイド層８のエッチングが行われる。プロセスチャンバ３０は、ドライエッチングを行うためのチャンバである。プロセスチャンバ３０では、ガス供給系３４から供給されるプロセスガスの雰囲気中にプラズマＰが形成され、プロセスガスの活性種によってエッチングが行われる。ガス供給系３４からは、例えば塩素系のプロセスガスを供給することができる。本実施形態では、ガス供給系３４は、ＳｉＣｌ４ガス供給源３６とＡｒガス供給源３８を有している。上記のプロセスガスとしては、ＳｉＣｌ４：Ａｒ＝５：５０のガスを用いることができる。
【００１７】
ガイド層８のエッチングは、分光感度計によってプロセスチャンバ内に発生するプラズマ発光の強度を計測しつつ行われる。図５は、プロセスチャンバ内のプラズマ発光強度の時間変化を示すグラフであり、波長２６０ｎｍの発光強度を示す。波長２６０ｎｍは、ＡｌＣｌのプラズマ発光の波長である。図５に示されるように、コンタクト層２４（ｐ−ＧａＡｓ）をエッチングしている時間の発光強度の時間変化を示す区間Ａでは、コンタクト層２４にＡｌ原子が含まれないので、波長２６０ｎｍの発光強度は微小である。第２のガイド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）は、Ａｌ原子を含むので、第２のガイド層をエッチングしている時間の上記の発光強度の時間変化を示す区間Ｂのグラフには、発光強度が増加する傾向が現れる。モニタ層２０（ｐ−ＧａＡｓ）は、Ａｌ原子を含まないので、モニタ層２０をエッチングしている時間の発光強度の時間変化を示す区間Ｃのグラフには、波長２６０ｎｍの発光強度の減少する傾向が現れる。
【００１８】
第１ガイド層１８は第２ガイド層２２と同様の組成を有する。したがって、区間Ｂの時間と第２ガイド層２２の厚さに基づいて第２ガイド層２２に含まれるＡｌＧａＡｓのエッチングレートを算出することによって、第１ガイド層２２を構成するＡｌＧａＡｓのエッチングレートを推定することができる。区間Ｂの時間は、例えば、波長２６０ｎｍの発光強度の時間変化の波形を微分し、波形の変化点を検出することによって求めることができる。
【００１９】
次の工程においては、所定の厚さが残されるように第１ガイド層１８がプロセスチャンバ３０内において更にエッチングされる。図６は、光変調器１の製造方法の一工程を示す図であり、第１ガイド層１８をプロセスチャンバ内でエッチングしている状態を示す。上述したドライエッチングに用いられるプロセスガスでは、ＧａＡｓを含むエッチストップ層１６でエッチングを停止させることができない。また、上記のエッチングレートは、プロセスチャンバ３０内の温度、圧力等によってバラツキが生じる。したがって、このバラツキを考慮し、エッチストップ層１６が露出する前に第１ガイド層１８のエッチングを停止させるために、上述のように算出されたエッチングレートに基づいて、所定の厚さが残されるように第１ガイド層１８がエッチングされる。
【００２０】
次の工程においては、レジストマスク２６が除去される。図７は、光変調器１の製造方法の一工程を示す図であり、レジストマスク２６が除去されることによって生産される中間生産物２０４を示す。レジストマスク２６は、例えば、酸素プラズマアッシングによって除去することができる。
【００２１】
次の工程においては、エッチストップ層１６上に残されている第１ガイド層１８がエッチングされる。図８は本製造方法の一工程を示す図であり、第１ガイド層１８をウェットエッチングすることによって生産される中間生産物２０６を示す。この工程においては、エッチストップ層１６を構成するｐ−ＧａＡｓに対して第１ガイド層１８を構成するｐ−ＡｌＧａＡｓを選択的にエッチング可能なエッチャントを用いたウェットエッチングによって、エッチストップ層１６上に残されている第１ガイド層１８がエッチングされる。このエッチャントとしては、例えば、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１のエッチャントを用いることができる。ウェットエッチングは、等方性のエッチングであるが、エッチストップ層１６上に残されている第１ガイド層１８は、上述したドライエッチングによってその厚さが薄くなるまでエッチングされているので、残余の第１のガイド層１８をウェットエッチングによって除去する時間を制御することによって、ガイド部２８のサイドエッチの量を抑制することができる。以上の工程を経ることによって、図８に示すガイド部２８が製造される。ガイド部２８を製造するために、ガイド層８はその大半が非等方性のドライエッチングによってエッチングされ、ドライエッチング後に残された第１ガイド層１８の残余の部分のみが等方性のウェットエッチングによってエッチングされる。したがって、ガイド部２８のサイドエッチを抑えることができるので、ガイド部２８を精度良く製造することができる。
【００２２】
次の工程においては、レジストマスク２６と同様のマスクを形成し、上述した塩素系ガスを用いるドライエッチングによってエッチストップ層１６をエッチングする。図９は、光変調器１の製造方法の一工程を示す図であり、エッチストップ層１６がエッチングされることによって生産される中間生産物２０８を示す。なお、エッチストップ層１６は層厚が薄いので、その有無がガイド部２８のガイド機能に与える影響は少ない。したがって、この工程は除かれても良い。
【００２３】
次の工程においては、中間生産物２０８の端部にｎ電極を形成するための開口が形成され、第１クラッド層１０が露出される。図１０（ａ）は、この開口部を形成するためのレジストマスク４２が設けられた中間生産物２０８の平面図である。図１１（ａ）は、図１０（ａ）のＸＩ−ＸＩ断面図である。レジストマスク４２は、ドライエッチングによって中間生産物２０８の端部に第１クラッド層１０を露出させるための開口４４を有するパターンとされている。
【００２４】
次に、レジストマスク４２が設けられた中間生産物２０８が、第１クラッド層１０が露出するまでドライエッチングによってエッチングされ、ｎ電極を設けるための開口が形成される。図１１（ｂ）は、第１クラッド層１０を露出する開口が形成された中間生産物２１０を示す図である。このエッチングにも、塩素系のプロセスガスを用いることができ、第１クラッド層１０を構成するｎ−ＡｌＧａＡｓとプロセスガスとの反応によってプロセスチャンバ内に発生するＡｌＣｌのプラズマ発光強度をモニタすることによって、第１クラッド層１０の露出を検知することができる。この開口が形成された後、図１０（ｂ）の中間生産物２１０の平面図、図１０（ｂ）のＸＩ−ＸＩ断面図である図１１（ｃ）に示されるように、レジストマスク４２が除去される。レジストマスク４２は、例えば酸素プラズマアッシングによって除去される。
【００２５】
次の工程においては、中間生産物２１０のガイド部２８に沿う領域と中間生産物２０８の端部以外の領域において基板２を露出させるために、ドライエッチングが行われる。図１２（ａ）は、ガイド部２８に沿う領域と端部４６とがレジストマスク４８によって覆われた中間生産物２１０の平面図である。図１３（ａ）は図１２（ａ）のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。この工程においては、まず、中間生産物２１０のガイド部２８に沿う領域と端部とを覆うレジストマスク４８が形成される。
【００２６】
次に、基板２が露出するまで中間生産物２１０がエッチングされる。図１３（ｂ）は、中間生産物２１０がエッチングされることによって生産される中間生産物２１２の断面図である。このエッチングには、ドライエッチングが用いられ、プロセスガスとしては上述した塩素系ガスが用いられる。次に、中間生産物２１２からレジストマスク４８が除去される。図１２（ｂ）は、レジストマスク４８が除去された状態の中間生産物２１２の平面図である。図１３（ｃ）は、図１２（ｂ）のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。レジストマスク４８は、例えば酸素プラズマアッシングによって除去することができる。
【００２７】
次の工程においては、中間生産物２１２に保護膜５０が形成される。図１４は、中間生産物２１２に保護膜５０を形成することによって生産された中間生産物２１４の断面図である。保護膜５０は、厚さ０．３μｍのＳｉＮによって構成される。保護膜５０は、プラズマＣＶＤといった周知の方法によって設けられる。
【００２８】
次の工程では、ガイド部２８にｐ電極が形成される。図１５は、ガイド部２８にｐ電極を形成するための開口５２を有するレジストマスク５４が設けられた中間生産物２１４の平面図である。図１６（ａ）は、図１５（ａ）のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図である。この工程においては、まず、ガイド部２８にｐ電極を形成するための開口５２を有するレジストマスク５４が中間生産物２１４に設けられる。ｐ電極はピッチ５００μｍで一対のガイド部２８にそれぞれ形成されるものであり、計２０対のｐ電極が形成される。したがって、レジストマスク５４は、ｐ電極の形状に応じて設けられる２０対の開口５２を有する。
【００２９】
次に、開口５２に沿って保護膜５０がドライエッチングによって除去される。図１６（ｂ）は、ガイド部２８の保護膜５０がエッチングされることによって生産される中間生産物２１６の断面図である。このドライエッチングによって、ガイド部２８のコンタクト層２４が露出される。
【００３０】
次に、ガイド部２８において露出しているコンタクト層２４にｐ電極が設けられる。図１６（ｃ）は、コンタクト層２４にｐ電極５８を形成することによって生産された中間生産物２１８の断面図である。ｐ電極５８は、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に積層される多層金属によって構成される。ｐ電極５８は、例えば蒸着によって形成することができる。
【００３１】
次に、中間生産物２１８からレジストマスク５４が除去される。図１５（ｂ）は、レジストマスク５４が除去されることによって生産される中間生産物２１８の平面図である。図１６（ｄ）は、図１５（ｂ）のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図である。以上のようにして形成されるｐ電極５８の電極長は、例えば３００μｍである。
【００３２】
次の工程では、ｎ電極が形成される。ｎ電極は、図１０に示すように設けられた開口から露出する第１クラッド層１０に設けられる。この工程では、まず、上記の開口を囲む側壁より内方にｎ電極を設けるための開口６２を有するレジストマスク６０が中間生産物２１８に設けられる。図１７（ａ）は、ｎ電極を設けるための開口６２を有するレジストマスク６０が設けられた中間生産物２１８の断面図である。
【００３３】
次に、保護膜５０が開口６２に沿ってドライエッチングによって除去される。図１７（ｂ）は、保護膜５０が除去されることによって生産される中間生産物２２０の断面図である。このエッチングによって、第１クラッド層１０が露出される。
【００３４】
次に、保護膜５０を除去することによって露出された第１クラッド層１０上にｎ電極６４が設けられる。図１７（ｃ）は、第１クラッド層１０上にｎ電極６４を設けることによって生産される中間生産物２２２の断面図である。ｎ電極は、例えば、ＡｕＧｅとＮｉの多層金属によって構成される。
【００３５】
次に、中間生産物２２２からレジストマスク６０が除去される。図１７（ｄ）は、レジストマスク６０が除去された中間生産物２２２の断面図である。レジストマスク６０は、例えば、酸素プラズマアッシングによって除去される。
【００３６】
次の工程では、中間生産物２２２に配線が形成される。この工程では、まず、配線を形成するための開口を有するレジストマスク７０が中間生産物２２２に設けられる。図１８（ａ）は、配線を形成するための開口７２、７４、及び７６を有するレジストマスク７０を設けた中間生産物２２２の平面図である。図１９（ａ）は、図１８（ａ）のＸＩＸ−ＸＩＸ断面図である。開口７２及び７４は、一対のガイド部２８のそれぞれに設けられたｐ電極５８と接続される配線を設けるための開口である。開口７６は、開口７４に設けられる配線を中間生産物２２２の長手方向の一方の縁に沿う領域に引き出すための配線が設けられる開口である。
【００３７】
次に、開口７２、７４、及び７６にそれぞれに配線材料を埋め込むことによって、配線７８、８０、及び８２が形成される。図１９（ｂ）はレジストマスクの開口７２、７４、及び７６に配線材料を埋め込むことによって生産される中間生産物２２４の断面図である。配線７８、８０、及び８２は、Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕの多層金属によって構成される。配線７８、８０、及び８２は、例えば蒸着法によって形成することができる。
【００３８】
次に、配線８０と配線８２がブリッジ配線によって接続される。このブリッジ配線を設けるために、開口９２を有するレジストマスク９０がレジストマスク７０上に設けられる。図１８（ｂ）は、ブリッジ配線を設けるためのレジストマスク９０が設けられた中間生産物２２４の平面図である。また、図２０（ａ）は、図１８（ｂ）のＸＸ−ＸＸ断面図である。
【００３９】
次に、レジストマスク７０の開口９２に配線材料が埋め込まれることによって、一対のガイド部２８を跨ぎ、配線８０と配線８２とを繋げるブリッジ配線９４が形成される。図２０（ｂ）は、ブリッジ配線９４を形成することによって生産される中間生産物２２６の断面図である。ブリッジ配線９４は、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。次に、図２０（ｃ）に示すように、中間生産物２２６からレジストマスク７０及び９０が除去される。
【００４０】
次の工程では、ガイド部２８に設けられたｐ電極５８と配線７８、８０とを接続するためのブリッジ配線が形成される。図２１（ａ）は、このブリッジ配線を設けるための開口１０２を有する第１レジストマスク１００が設けられた中間生産物２２６の平面図である。図２２（ａ）は、図２１（ａ）のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断面図である。この工程では、まず中間性生物２２６のｐ電極５８、配線７８、及び配線８０のそれぞれにブリッジ配線を設けるための開口１０２を有する第１レジストマスク１００が設けられる。
【００４１】
次に、第１レジストマスク１００上に第２レジストマスク１０４が更に設けられる。図２１（ｂ）は、第２レジストマスク１０４が設けられた中間生産物２２６の平面図である。図２２（ｂ）は、図２１（ｂ）のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断面図である。第２レジストマスク１０４は、ｐ電極５８上の開口１０２と配線７８上の開口１０２とを繋げる開口１０６と、ｐ電極５８上の開口１０２と配線８０上の開口１０２とを繋げる開口１０６とを有する。
【００４２】
次に、開口１０２及び開口１０６に配線材料が埋め込まれることによってブリッジ配線１０８が形成される。図２２（ｃ）は、ブリッジ配線１０８を設けることによって生産される中間生産物２２８の断面図である。ブリッジ配線１０８は、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。次に、図２２（ｄ）に示されるよに、レジストマスク１００及び１０４が除去されることによって、光変調器が製造される。
【００４３】
以上、本発明の実施形態にかかる半導体光変調器の製造方法について説明したが、本発明はこの実施形態に限られるものでなく、種々の変形態様を構成することができる。例えば、モニタ層２０を構成する材料としては、ＧａＡｓのほかに、第１ガイド層１８及び第２ガイド層２２と組成の異なるＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰといった材料を用いることができる。特に、モニタ層２０がＰ原子を含む材料を含む場合には、Ｐ原子のプラズマ発光強度をモニタすることによって、第１ガイド層２２及びモニタ層２０がエッチングされる際の発光強度の変化点を抽出することができる。
【００４４】
また、ウェットエッチングに用いるエッチャントとしては、フッ酸系のエッチャントの他に、クエン酸系のエッチャント、ＫＩとＩ２を含むエッチャントを用いることができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ガイド部を精度良く製造するための半導体光変調器の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、基板上に、バッファ層、光導波部、及びガイド層が積層された中間生産物を示している状態を示している。
【図２】図２は、本製造方法によってガイド部が形成された中間生産物の平面構造を示す。
【図３】図３は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、コンタクト層上にレジストマスクが設けられた中間生産物を示している。
【図４】図４は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、ガイド層がエッチングされる状態を示している。
【図５】図５は、プロセスチャンバ内のプラズマ発光強度の時間変化を示すグラフであり、波長２６０ｎｍの発光強度を示す。
【図６】図６は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、第１のガイド層をプロセスチャンバ内でエッチングしている状態を示す。
【図７】図７は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、レジストマスクが除去されることによって生産される中間生産物を示している。
【図８】図８は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、第１ガイド層をウェットエッチングすることによって生産される中間生産物を示す。
【図９】図９は、実施形態にかかる変調器の製造方法の一工程を示す図であり、エッチストップ層がエッチングされた状態を示す。
【図１０】図１０（ａ）は、ｎ電極を形成するための開口を有するレジストマスクが設けられた中間生産物の平面図である。図１０（ｂ）は、レジストマスクがｎ電極を形成するための開口を形成するためのレジストマスクが除去された光変調器の平面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、図１０（ａ）のＸＩ−ＸＩ断面図である。
図１１（ｂ）は、第１クラッド層を露出する開口が形成された中間生産物を示す図である。
図１１（ｃ）は、図１０（ｂ）のＶ−Ｖ断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、ガイド部に沿う領域と端部がレジストマスクによって覆われた中間生産物の平面図である。
図１２（ｂ）は、ガイド部に沿う領域と光変調器の端部を覆うレジストマスクが除去された状態の光変調器の平面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、図１２（ａ）のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
図１３（ｂ）は、エッチングによって基板が露出された状態の光変調器の断面図である。
図１３（ｃ）は、図１２（ｂ）のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
【図１４】図１４は、保護膜５０を形成することによって生産された中間生産物２１４の断面図である。
【図１５】図１５（ａ）は、ガイド部にｐ電極を形成するための開口を有するレジストマスクが形成された中間生産物の平面図である。
図１５（ｂ）は、ｐ電極形成用のレジストマスクが除去された光変調器１の平面図である。
【図１６】図１６（ａ）は、図１５（ａ）のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図である。
図１６（ｂ）は、ガイド部の保護膜が除去されることによって生産される中間生産物の断面図である。
図１６（ｃ）は、ｐ電極が設けられた中間生産物２１８の断面図である。
図１６（ｄ）は、図１５（ｂ）のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は、ｎ電極を設けるための開口を有するレジストマスクが設けられた中間生産物２１８の断面図である。
図１７（ｂ）は、保護膜が除去されることによって生産される中間生産物の断面図である。
図１７（ｃ）は、第１クラッド層上にｎ電極６４を設けることによって生産される中間生産物の断面図である。
図１７（ｄ）は、レジストマスクが除去された中間生産物の断面図である。
【図１８】図１８（ａ）は、配線を形成するための開口を有するレジストマスクを設けた中間生産物の平面図である。
図１８（ｂ）は、ブリッジ配線を設けるための開口を有するレジストマスクが設けられた中間生産物の平面図である。
【図１９】図１９（ａ）は、図１８（ａ）のＸＩＶ−ＸＩＶ断面図である。
図１９（ｂ）は、配線材料をレジストマスクの開口に埋め込むことによって生産される中間生産物の断面図である。
【図２０】図２０（ａ）は、図１８（ａ）のＸＸ−ＸＸ断面図である。
図２０（ｂ）は、ブリッジ配線を形成することによって生産される中間生産物の断面図である。
図２０（ｃ）は、レジストマスクが除去された中間生産物の断面図である。
【図２１】図２１（ａ）は、ｐ電極に接続するためのブリッジ配線を設けるための第１レジストマスクが設けられた中間生産物の平面図である。
図２１（ｂ）は、ブリッジ配線を設けるための第２レジストマスクが設けられた中間生産物の平面図である。
【図２２】図２２（ａ）は、図２１（ａ）のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断面図である。
図２２（ｂ）は、図２１（ｂ）のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断面図である。
図２２（ｃ）は、ブリッジ配線を設けることによって生産される中間生産物の断面図である。
図２２（ｄ）は、レジストマスクが除去されることによって製造される光変調器の断面図である。
【符号の説明】
２…基板、４…バッファ層、６…光導波部、８…ガイド層、１０…第１クラッド層、１２…導波層、１４…第２クラッド層、１６…エッチストップ層、１８…第１ガイド層、２０…モニタ層、２２…第２ガイド層、２４…コンタクト層、２８…ガイド部、５０…保護膜、５２…開口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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