(57)【要約】【課題】  配向膜を形成しても導電性が低下せず、かつ画像表示素子に組み入れても白点故障の発生しないプラスチック基板及びその製造方法の提供。【解決手段】  熱膨張係数を５０ｐｐｍ／℃以下、破断伸度を３〜５０％、熱変形温度を２００℃以上とし、ポリマー中に金属酸化物を含有させ、又はプラスチック基板を製膜した後、基板に２０ｋｇ／ｍ以下の張力を加えながら前記基板を前記ポリマーのＴｇ以上の温度、次いで、５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理する。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張係数が１〜５０ｐｐｍ／℃であり、破断伸度が３〜５０％であり、かつ熱変形温度が２００〜４００℃であることを特徴とする、ポリマー中に金属酸化物を含有するプラスチック基板。
【請求項２】
光線透過率が７５％以上、及び／又はリターデーション（Ｒｅ）が５０ｎｍ以下である請求項１に記載のプラスチック基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラスチック基板の少なくとも一方の面上に、表面抵抗が１〜１００Ω／ｓｑである導電層を有することを特徴とする導電性プラスチック基板。
【請求項４】
真空成膜した３０〜３００ｎｍの金属酸化物層を少なくとも１層有する請求項３に記載の導電性プラスチック基板。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の導電性プラスチック基板上に、長手方向に対し２０〜７０°傾斜した吸収軸を有する偏光膜を積層したことを特徴とする導電性偏光板。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一項に記載の導電性プラスチック基板又は請求項５に記載の導電性偏光板上に、液晶性化合物で形成される光学異方性層からなるλ／４板を積層したことを特徴とする導電性λ／４板。
【請求項７】
請求項１若しくは２に記載のプラスチック基板又は請求項３若しくは４に記載の導電性プラスチック基板上に、長手方向に対し２０〜７０°傾斜した吸収軸を有する偏光膜と、液晶性化合物で形成される光学異方性層からなるλ／４板とを積層したことを特徴とする円偏光板。
【請求項８】
ポリマー中に金属酸化物を含有するプラスチック基板の製造方法であって、基板を製膜した後、該基板に１〜２０ｋｇ／ｍの張力を加えながら前記基板を前記ポリマーのＴｇ以上の温度で熱処理することを特徴とする前記プラスチック基板の製造方法。
【請求項９】
前記Ｔｇ以上の温度で熱処理して得られた前記基板を５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理する請求項８に記載のプラスチック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜を形成しても導電性が低下せず、かつ層構成の少ない製造に適したプラスチック基板及びその製造方法を提供することにある。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイ分野において、耐破損性の向上、軽量化、薄型化の要望から、基板をガラスからプラスチック基板に変えることが検討されている。この基板には導電性を必要とするため、プラスチックフィルム上に、酸化インジウム、酸化錫、あるいは錫−インジウム合金の酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形成された膜を透明導電層として設けた透明導電性基板を液晶表示素子の電極基板として用いることが検討されている。
【０００３】
上記透明導電性基板としては、これまでに耐熱性の非晶ポリマー、例えば変性ポリカーボネート（変性ＰＣ）（例えば、特許文献１：特開２０００−２２７６０３号公報）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）（例えば、特許文献２：特開２０００−２８４７１７号公報）、シクロオレフィンコポリマー（例えば、特許文献３：特開２００１−１５０５８４号公報）などの耐熱性フィルムに透明導電層及びガスバリア層を積層したものが知られていた。これらの導電性基板では、透明導電膜を形成した後、液晶層を配向させるためのポリイミド膜を高温に曝して製膜する必要があるため、前記の耐熱性フィルムが用いられる。
【０００４】
しかし、上記の耐熱性フィルムや耐熱性ポリマーを用いた基板は、プラスチック基板として十分な耐熱性が得られなかった。すなわち、これらの耐熱性フィルムのガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）は２００℃を超えるが、これらの基材フィルムに導電層を形成させた後、配向膜形成のため１５０℃以上の温度で処理すると、導電性及びガスバリア性がいずれも著しく低下するという問題があった。
【０００５】
一方、上記問題を解決する手法として、これまでにプラスチックフィルム中に耐熱性を有する無機化合物を添加する手法が試みられている（例えば、特許文献４：特開２００１−１４９５０号公報）。しかしながら、この手法では液晶、有機ＥＬ等の表示素子に組み込んだ場合、白点故障が発生してしまうため、更なる改善が必要とされた。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２２７６０３号公報（請求項８、請求項２２、段落［０００９］〜［００１９］）
【特許文献２】特開２０００−２８４７１７号公報（段落［００１０］、［００２１］）
【特許文献３】特開２００１−１５０５８４号公報（段落［００２３］〜［００２５］）
【特許文献４】特開２００１−１４９５０号公報（請求項２〜４、段落［０００７］、段落［００１５］〜［００３４］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、配向膜を形成しても導電性が低下せず、かつ画像表示素子に組み入れても白点故障の発生が少ないプラスチック基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために、破断伸度と耐熱性を両立させる手法につき鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の目的は以下のプラスチック基板により達成される。
【０００９】
（１）熱膨張係数が１〜５０ｐｐｍ／℃以下であり、破断伸度が３〜５０％であり、かつ熱変形温度が２００〜４００℃であることを特徴とする、ポリマー中に金属酸化物を含有するプラスチック基板。
（２）前記金属酸化物が、粒径１〜１０００ｎｍの金属酸化物粒子及びゾルゲル反応により得られた金属酸化物の少なくとも１種からなる（１）に記載のプラスチック基板。
（３）前記金属酸化物粒子のアスペクト比が１〜１０である（２）に記載のプラスチック基板。
（４）前記ポリマーが熱硬化型ポリマーである（１）〜（３）のいずれかに記載のプラスチック基板。
（５）表面平均粗さ（Ｒａ）が０．１〜２ｎｍである（１）〜（４）のいずれかに記載のプラスチック基板。
（６）光線透過率が７５％以上、及び／又はリターデーション（Ｒｅ）が５０ｎｍ以下である（１）〜（５）のいずれかに記載のプラスチック基板。
（７）厚みが５０〜２５０μｍである（１）〜（５）のいずれかに記載のプラスチック基板。
（８）（１）〜（７）のいずれかに記載のプラスチック基板の少なくとも一方の面上に、表面の電気抵抗が１〜１００Ω／ｓｑである導電層を有することを特徴とする導電性プラスチック基板。
（９）真空成膜した３０〜３００ｎｍの金属酸化物層を少なくとも１層有する（８）に記載の導電性プラスチック基板。
（１０）ガスバリア層を少なくとも１層有する（８）又は（９）に記載の導電性プラスチック基板。
（１１）４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過率が０．０１〜５ｇ／m2・dayである（１０）に記載の導電性プラスチック基板。
（１２）４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過率が０．０１〜１ml／m2・dayである（１０）又は（１１）に記載の導電性プラスチック基板。
（１３）長手方向に対し２０〜７０°傾斜した吸収軸を有する偏光膜を（８）〜（１２）のいずれかに記載の導電性プラスチック基板上に積層したことを特徴とする導電性偏光板。
（１４）（８）〜（１２）のいずれかに記載の導電性プラスチック基板又は（１３）に記載の導電性偏光板上に、液晶性化合物を含む光学異方性層からなるλ／４板を積層したことを特徴とする導電性λ／４板。
（１５）前記光学異方性層が少なくとも２層積層され、このうちの１層の５５０ｎｍにおけるリターデーション（Ｒｅ）値が２４０〜３００ｎｍであり、他の１層の５５０ｎｍにおけるリターデーション（Ｒｅ）値が８０〜１７０ｎｍである（１４）に記載の導電性λ／４板。
（１６）長手方向に対し２０〜７０°傾斜した吸収軸を有する偏光膜と、液晶性化合物で形成される光学異方性層からなるλ／４板を（１）〜（７）のいずれかに記載のプラスチック基板又は（８）〜（１２）のいずれかに記載の導電性プラスチック基板上に積層したことを特徴とする円偏光板。
（１７）（１）〜（７）のいずれかに記載のプラスチック基板、（８）〜（１２）のいずれかに導電性プラスチック基板、（１３）に記載の導電性偏光板、（１４）又は（１５）に記載の導電性λ／４板、及び（１６）に記載の円偏光板を用いたことを特徴とする液晶表示素子。
（１８）（１）〜（７）のいずれかに記載のプラスチック基板、（８）〜（１２）のいずれかに記載の導電性プラスチック基板、（１３）に記載の導電性偏光板、（１４）又は（１５）に記載の導電性λ／４板、及び（１６）に記載の円偏光板を用いたことを特徴とするタッチパネル。
（１９）（１）〜（７）のいずれかに記載のプラスチック基板、（８）〜（１２）のいずれかに記載の導電性プラスチック基板、（１３）に記載の導電性偏光板、（１４）又は（１５）に記載の導電性λ／４板、及び（１６）に記載の円偏光板を用いたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【００１０】
本発明のプラスチック基板は、以下の製造方法により得ることができる。
（１）ポリマー中に金属酸化物を含有するプラスチック基板の製造方法であって、基板を製膜した後、該基板に１〜２０ｋｇの張力を加えながら前記基板を前記ポリマーのＴｇ以上の温度で熱処理することを特徴とするプラスチック基板の製造方法。
（２）ポリマー中に金属酸化物を含有するプラスチック基板の製造方法であって、基板を製膜した後、該基板を５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理することを特徴とするプラスチック基板の製造方法。
（３）前記Ｔｇ以上の温度で熱処理して得られた基板を５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理する（１）に記載の製造方法。
（４）前記加熱処理を前記基板をロールに巻き取った後に行う（２）又は（３）に記載の製造方法。
（５）前記基板の製膜に際し、可塑剤を前記ポリマーの質量に対して０．１〜３０質量％含有させる（１）〜（４）のいずれかに記載の製造方法。
（６）前記基板の製膜に際し、シランカップリング剤を前記ポリマーの質量に対して０．１〜１０質量％含有させる（１）〜（５）に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のプラスチック基板は、熱膨張係数が１〜５０ｐｐｍ／℃以下であり、破断伸度が３〜５０％であり、かつ熱変形温度が２００〜４００℃である。そして、本発明のプラスチック基板は、基板を製膜した後、前記基板に１〜２０ｋｇ／ｍの張力を加えながら前記基板を前記ポリマーのＴｇ以上の温度で熱処理し、さらに５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理することにより得られる。このため、本発明のプラスチック基板であれば、該基板上に導電層を形成し、かつ配向膜を付与しても導電性は低下せず、かつ良好な耐熱性を有する。さらに、ガスバリア層を形成した場合、配向膜を付与しても優れたガスバリア性を維持することができ、液晶表示素子及び有機ＥＬ素子等に用いるのに好適なプラスチック基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明のプラスチック基板及びその製造方法、導電性プラスチック基板、導電性偏光板、導電性位相差板、円偏光板についてさらに詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。
【００１３】
［本発明のプラスチック基板］
＜ポリマー＞
本発明のプラスチック基板で用いられるポリマーは、熱可塑性ポリマー及び熱硬化性ポリマーのいずれであってもかまわない。より高い耐熱性の実現のしやすさという観点からは、好ましくは熱硬化性ポリマーが用いられる。
【００１４】
（１）熱可塑性ポリマー
熱可塑性ポリマーは、金属酸化物を含有させていないポリマー単体のＴｇが１３５〜４００℃であるものが好ましく、１５０〜３６０℃であるものがより好ましく、１６０〜３３０℃であるものがさらに好ましい。熱可塑性ポリマーは、光学的均一性を達成する観点から非晶性ポリマーであることが好ましい。このような熱可塑性ポリマーとして、以下のようなものが挙げられる（括弧内はＴｇを示す）。
【００１５】
ポリカーボネート（ＰＣ：１４０℃）、脂環式ポリオレフィン（例えば日本ゼオン(株)製  ゼオノア１６００：１６０℃）、ポリアリレート（ＰＡｒ：２１０℃）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：２２０℃）、ポリスルホン（ＰＳＦ：１９０℃）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ：特開２００１−１５０５８４号公報の実施例１の化合物：１６２℃）、フルオレン環変性ポリカーボネート（ＢＣＦ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３号公報の実施例−４の化合物：２２５℃）、脂環変性ポリカーボネート（ＩＰ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３号公報の実施例−５の化合物：２０５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２−８０６１６号公報の実施例−１の化合物：３００℃以上）。
【００１６】
これらの中で好ましいポリマーは、ポリアリレート（ＰＡｒ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ｆ−ポリカーボネート（ｆ−ＰＣ）、ｃ−ポリカーボネート（ｃ−ＰＣ）であり、特に好ましいポリマーは、フルオレン環変性ポリカーボネート（ＢＣＦ−ＰＣ）、脂環変性ポリカーボネート（ＩＰ−ＰＣ）である。フルオレン環変性ポリカーボネート（ＢＣＦ−ＰＣ）は、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、下記式［Ｉ］で表わされるビスフェノールをビスフェノール成分とするポリカーボネート樹脂が挙げられる。
【００１７】
【化１】
2005048058.tif 000002
【００１８】
式［Ｉ］中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なる水素原子若しくはメチル基であり、Ｘは炭素数５〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１５のアラアルキレン基、炭素数１〜５のハロアルキレン基である。Ｘの具体例は、シクロアルキレン基として１，１−シクロペンチレン、１，１−シクロヘキシレン、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン、ノルボルナン−２，２−ジイル、トリシクロ［５.２.１.０2,6］デカン−８、８’−ジイル、特に１，１−シクロヘキシレン、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレンが好適に用いられる。また、アラアルキレン基としては、フェニルメチレン、ジフェニルメチレン、１，１−（１−フェニル）エチレン、９，９−フルオレニレンが挙げられる。またハロアルキレン基としては、２，２−ヘキサフルオロプロピレン、２，２−（１，１，３，３−テトラフルオロ−１，３−ジシクロ）プロピレン等が好適に用いられる。
【００１９】
上記ポリカーボネート樹脂は、一種でもよいし二種以上でもよい。中でも、耐熱性と液晶表示素子に要求される光学特性の観点から、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン又は９，９−フルオレニレンであることが好ましい。これらのビスフェノール成分は、２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
上記ポリカーボネート系樹脂は、共重合体であってもよく、２種類以上併用して用いてもよい。このようなポリカーボネート系樹脂としては、ビスフェノール成分が（ｉ）ビスフェノールＡであるホモポリマー、（ii）ビスフェノールＡと、上記式［Ｉ］においてＸが１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン又は９，９−フルオレニレンであるビスフェノールとからなる共重合体であることがさらに好ましい。この共重合体の組成は、好ましくはビスフェノールＡが１０〜９０モル％である。
【００２１】
（２）熱硬化性ポリマー
熱硬化性ポリマーとしては、エポキシ系樹脂及び放射線硬化性樹脂が挙げられる。エポキシ系樹脂は、ポリフェノ−ル型、ビスフェノール型、ハロゲン化ビスフェノール型、ノボラック型のものが挙げられる。エポキシ系樹脂を硬化させるための硬化剤は、公知の硬化剤を用いることができる。例えば、アミン系、ポリアミノアミド系、酸及び酸無水物、イミダゾール、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化剤が挙げられる。中でも、耐溶剤性、光学特性、熱特性等の観点から、酸無水物及び酸無水物構造を含むポリマー又は脂肪族アミン類が好ましく用いられ、特に好ましいのは、酸無水物及び酸無水物構造を含むポリマーである。さらに、公知の第三アミン類やイミダゾール類等の硬化触媒を適量加えることが好ましい。
【００２２】
放射線硬化性樹脂は、紫外線や電子線等の放射線を照射することにより硬化が進行する樹脂であり、具体的には分子又は単体構造内にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等の不飽和二重結合を含む樹脂である。これらの中でも特に、アクリロイル基を含むアクリル系樹脂が好ましい。放射線硬化性樹脂は、一種類の樹脂を用いても、数種の樹脂を混合して用いてもかまわないが、分子又は単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有するアクリル系樹脂を用いることが好ましい。こうした多官能アクリレート樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられるが、これらに限定されるのではない。特に、下記式［II］及び／又は［III］の単位を含み、少なくとも２個以上のアクリロイル基を有するアクリル樹脂であることが好ましい。
【００２３】
【化２】
2005048058.tif 000003
また、特開２００２−２７５２８５号公報の実施例１〜２０に記載の熱硬化型樹脂も好ましく用いることができる。
【００２４】
これらの放射線硬化性樹脂には、紫外線硬化法を用いる場合には、前述の放射線硬化性樹脂に公知の光反応開始剤を適量添加することができる。
【００２５】
＜金属酸化物＞
本発明のプラスチック基板では、用いられる金属酸化物の種類は特に制限はなく、各種の金属酸化物を用いることができる。例えば、前記ポリマー中に金属酸化物を微粒子の状態で分散させる場合（微粒子法）、金属酸化物は、珪素、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム、インジウム、スズ、チタン、鉛などの無色の酸化物を用いることができ、珪素、アルミニウム、ジルコニウム、チタンの酸化物を用いることが好ましい。中でも金属酸化物は、酸化ケイ素、酸化アルミが好ましく、酸化ケイ素が特に好ましい。
【００２６】
金属酸化物粒子の大きさは、粒径１〜１０００ｎｍであることが好ましく、３〜３００ｎｍであることがより好ましく、５〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。粒径は球相当径で表され、粒径が１０００ｎｍ以下であれば、良好な透明性が得られ、かつ十分な耐熱性効果を得ることができる。なお、ここにいう「球相当径」とは、金属酸化物粒子の大きさをそれと体積が等しい球に換算したときの該球の直径を意味する。
【００２７】
金属酸化物粒子は、アスペクト比（平均粒径／厚み）が小さいもの（平板状ではないもの）が好ましい。アスペクト比は１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがより好ましく、１〜５であることがさらに好ましい。アスペクト比は、電子顕微鏡で金属酸化物の粒子を撮影し、１００点の厚み、平均粒径を計測し、その平均値から求めることができる。
【００２８】
金属酸化物は、表面に水を吸着し、分散性が低下し易いため、ポリマー中へ添加する前に１００〜２００℃で１〜５０時間乾燥したものを用いることが好ましい。
【００２９】
金属酸化物は、ゾルゲル法により得られる金属酸化物であることができる。この場合、金属酸化物は、ゾルゲル反応、すなわち金属アルコキシドを酸触媒により加水分解及び／又は加水分解、重縮合させることにより得られるものである。
【００３０】
（Ａ）金属アルコキシド
ゾルゲル反応では、アルコキシシラン及び／又はアルコキシシラン以外の金属アルコキシドを使用する。アルコキシシラン以外の金属アルコキシドは、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド、アルミニウムアルコキシドなどを使用することが好ましい。これらは組み合わせて使用することもでき、好ましい組合せとしては、例えば、(a)アルコキシシラン単独の場合、(b)アルコキシシランとアルコキシジルコニウムの場合、及び(c)それらにアルミニウムアルコキシド及び／又はチタンアルコキシドを配合した場合等が挙げられる。前記アルコキシシラン、ジルコニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシドとしては、具体的には以下のものが使用できる。
【００３１】
（ａ）アルコキシシラン
アルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシランなどのシリカアルコキシド、メチルプロピルアクリルトリエトシシランなどの重合性金属アルコキシド、グリシジルプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシランなどの官能基を有する金属アルコキシドなどを挙げることができる。中でも、一般式Ｓｉ(ＯＲ1)4（但し、Ｒ1は炭素数１〜６の低級アルキル基である。）で表されるアルコキシシランであることが好ましく、例えば、Ｓｉ(ＯＣＨ3)4、Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4などが好ましい。
【００３２】
（ｂ）ジルコニウムアルコキシド
ジルコニウムアルコキシドは、一般式Ｚｒ(ＯＲ2)4（但し、Ｒ2は炭素数１〜６の低級アルキル基である。）で示されるものが好ましい。具体的には、Ｚｒ(ＯＣＨ3)4、Ｚｒ(ＯＣ2Ｈ5)4、Ｚｒ(Ｏ-iso-Ｃ3Ｈ7)4、Ｚｒ(ＯＣ4Ｈ9)4などが挙げられる。これらのジルコニウムアルコキシドは、２種以上を混合して用いてもよい。ジルコニウムアルコキシドを上記アルコキシシランと併用する場合、ジルコニウムアルコキシドの含有量は、アルコキシシラン１００質量部に対して２５質量部以下であることが好ましい。
【００３３】
（ｃ）アルミニウムアルコキシド
アルミニウムアルコキシドは、トリエトキシアルミニウムや一般式Ａｌ2(ＯＲ3)3（但し、Ｒ3は炭素数１〜６の低級アルキル基である。）で示されるものが好ましい。具体的には、Ａｌ2(ＯＣＨ3)3、Ａｌ2(ＯＣ2Ｈ5)3、Ａｌ2(ＯＣ3Ｈ7)3、Ａｌ2(ＯＣ4Ｈ9)3などが挙げられる。これらのアルミニウムアルコキシドは、２種以上を混合して用いてもよい。アルミニウムアルコキシドをアルコキシシランと併用する場合、アルミニウムアルコキシドの含有量は、アルコキシシラン１００質量部に対して２５質量部以下であることが好ましい。
【００３４】
（ｄ）チタンアルコキシド
チタンアルコキシドは、トリメトキシチタニウムや一般式Ｔｉ(ＯＲ4)4（但し、Ｒ4は炭素数１〜６の低級アルキル基である。）で示されるものが好ましい。具体的には、Ｔｉ(ＯＣＨ3)4、Ｔｉ(ＯＣ2Ｈ5)4、Ｔｉ(ＯＣ3Ｈ7)4、Ｔｉ(ＯＣ4Ｈ9)4などが挙げられる。これらのチタンアルコキシドは、２種以上を混合して用いてもよい。チタンアルコキシドをアルコキシシランと併用する場合、チタンアルコキシドの含有量は、アルコキシシラン１００質量部に対して５質量部以下であることが好ましい。
【００３５】
（Ｂ）酸触媒
ゾルゲル反応で用いられる酸触媒は、硫酸、塩酸、硝酸等の鉱酸、及び酢酸、酒石酸等の有機酸であることが好ましい。これらの中でも、後述のようにポリマー中で反応させる必要があるため、酸触媒は有機酸であることが好ましく、酢酸であることがさらに好ましい。酸触媒の使用量は、金属アルコキシド（アルコキシシラン及び他の金属アルコキシドを含有する場合には、アルコキシシラン＋他の金属アルコキシド）１モル当たり、０．００１〜０．００５モルであり、好ましくは約０．０１モルである。
【００３６】
上記のゾルゲル反応は、加熱下で行われるが、本発明では後述するように加熱処理をＴｇ以上の熱処理とＴｇ未満の熱処理とに分けて行うことが好ましい。
【００３７】
前記金属酸化物を前記ポリマー中に含有させる場合、ポリマー中で金属酸化物を均一に分散させるため、シランカップリング剤を用いることが好ましい。シランカップリング剤としては、例えば、不飽和結合を有するビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シランなど、アミノ系シランのＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなど、エポキシ系シランのβ（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなど、メタクリレート系シランのγ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなど、更にはγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどを例示することができる。これらの中で、エポキシ系シランカップリング剤は取り扱いが容易である観点から好ましい。
【００３８】
シランカップリング剤の添加量は、ポリマーの質量に対し０．１〜１０質量％であることが好ましく、１〜５質量％であることがさらに好ましい。
【００３９】
上記金属酸化物のポリマーの質量に対する含有率は、１０〜７０質量％であることが適当であり、より好ましくは２０〜６０質量％であり、さらに好ましくは３０〜５５質量％である。１０〜７０質量％の範囲であれば、後述するようにプラスチック基板の熱膨張係数を５０ｐｐｍ／℃以下とすることができるとともに、良好な透明性が得られるため好ましい。
【００４０】
＜熱膨張係数＞
本発明のプラスチック基板は、前記金属酸化物を前記ポリマー中に含有させるため、熱膨張係数は１〜５０ｐｐｍ／℃、好ましくは  １〜４０ｐｐｍ／℃、さらに好ましくは１〜３０ｐｐｍ／℃とすることができる。
【００４１】
熱膨張は、昇温によりポリマーの熱運動が活発化し、そのためポリマー分子周辺の自由体積が増加するため、体積が膨張する現象である。導電性プラスチック基板における導電性の低下は、プラスチック基板とその上に形成された導電層の熱膨張係数の差が主な原因となっている。すなわち、導電層として酸化インジウム、酸化錫、又はスズ−インジウム合金の酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形成された膜が用いられるが、これらの熱膨張係数は３〜１０ｐｐｍ／℃である。これに対し、プラスチック基板の熱膨張係数は４０〜１００ｐｐｍ／℃であり、導電層の熱膨張係数と比べて約１／１０である。導電層上に液晶素子を配向させるためポリイミドからなる配向膜を形成する場合、加熱する必要があるが、加熱温度が１５０〜１７０℃の範囲を超えると、プラスチック基板と導電層の線膨張係数に起因する寸法歪により、導電膜が破断し、導電性は低下する。すなわち、プラスチック基材は熱膨張で伸びようとするのに対し、導電層の伸びは小さいため、プラスチック基板によりに引っ張られ破断し、導電性が低下する。そこで、本発明のプラスチック基板では、ポリマー中に小さい熱膨張係数を有する金属酸化物を含有させる。金属酸化物を含有させプラスチック基板は、金属酸化物表面とポリマー分子との相互作用により、該基板内でのポリマーの熱運動を抑制できるため、該基板の熱膨張係数を小さくすることができる。
【００４２】
＜破断伸度＞
本発明のプラスチック基板では、破断伸度を３〜５０％、より好ましくは４〜４５％、さらに好ましくは５〜４０％とする。
本発明者は、液晶表示素子の組み立て時に発生する白点故障が、プラスチック基板の裁断加工時に発生する切り屑が原因であることを見出した。すなわち、本発明者は、脆いプラスチック基板ほど切り屑が多く発生し、この切り屑は破断伸度の低下を抑えることにより少なくすることができることを見出した。３〜５０％の範囲の破断伸度は、単に金属酸化物とポリマーを混合しただけでは得られず、後述する方法により調製することにより得られる。この点については後述する。
【００４３】
破断伸度は、例えば、サンプルを所定の間隔（Ｍ）でチャックした後、所定の引っ張り速度で引っ張り、破断した時の引っ張り長（Ｌ）から、破断伸度（％）＝（Ｌ／Ｍ）×１００で算出することができる。
【００４４】
＜熱変形温度＞
本発明のプラスチック基板は、熱変形温度が２００〜４００℃であることが適当であり、好ましくは２５０〜３６０℃であり、さらに好ましくは３００〜３３０℃である。ここでいう「熱変形温度」とは、プラスチック基板に一定の荷重を加えて昇温させたときに、荷重により急激にプラスチック基板が伸び始める温度を意味する。
【００４５】
金属酸化物を含有しないプラスチック基板、特に非晶性ポリマーからなるプラスチック基板は、ポリマーのＴｇを越えると分子の運動性の増加により急激に伸びが発生する。これに対して、金属酸化物を含有するプラスチック基板は、加熱処理される数百℃の温度域において、上記のような伸びは全く発生しない。これは、上記の金属酸化物がポリマー中に含有されないと、プラスチック基板内におけるポリマー分子間の相互作用が弱く、分子間のスリップが発生し、熱と荷重により伸び（変形）が発生しやすいためである。これに対し、金属酸化物がポリマー中に含有されていると、金属酸化物の表面とポリマー分子とが相互作用しており、この相互作用力はポリマー分子同士のそれより大きいため、このような伸び（変形）を抑制することができ、熱変形温度を大きくすることができる。
【００４６】
熱変形温度は、例えば、所定の条件下で、ＴＭＡ（Thermal Mechanical Analysis）を用いて昇温に伴うサンプルの寸法変化を測定し、Ｔｇ以下の伸びの外挿線とＴｇ以上の伸びの外挿線との交点から熱変形温度を求めることができる。
【００４７】
本発明のプラスチック基板の厚みは、５０〜２５０μｍであることが好ましく、７０〜２００μｍであることがより好ましく、９０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。基板の厚みが５０μｍ〜２５０μｍであれば、薄すぎて取り扱い中にクニックや折れが発生することもなく、また本発明のプラスチック基板を組み込んだ表示素子の厚みを薄くすることができる。
【００４８】
本発明のプラスチック基板の光線透過率は、本発明のプラスチック基板がディスプレイ等の画像表示素子として利用されることから、透明なフィルム、すなわち７５％以上であることが好ましく、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。また、本発明のプラスチック基板のヘーズ（曇価）は、ディスプレイ等の画像表示素子として利用されることから、３％以下であることが好ましく、２％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。
【００４９】
本発明のプラスチック基板は、内面のリターデーション（Ｒｅ）が０〜５０ｎｍであることが好ましく、０〜４０ｎｍであることがより好ましく、０〜３０ｎｍであることがさらに好ましい。リターデーション（Ｒｅ）が５０ｎｍ以下であれば、画像表示素子とした場合の視野むらを軽減することができる。
【００５０】
本発明のプラスチック基板は、表面平均粗さ（Ｒａ）は０〜２ｎｍ、好ましくは０〜１．５ｎｍ、さらに好ましくは０〜１ｎｍである。表面平均粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ以下であれば、この上にスパッタ法等で導電層を設けた場合、表面の凸凹による電極間の異常放電を減少させることができるため好ましい。
【００５１】
本発明のプラスチック基板における光線透過率及びヘーズは、シランカップリング剤を用い、ポリマーと金属酸化物との界面におけるボイドの発生を極力抑えることにより達成することができる。さらに、表面平均粗さ（Ｒａ）は、金属酸化物がプラスチック基板の製膜時に表面から頭を出すことによる表面の荒れが原因であり、これは金属酸化物がポリマー中に十分取り込まれるよう親和性を上げること、すなわちこの表面をシランカップリング剤で被覆することにより達成される。また、リターデーション（Ｒｅ）は、後述するプラスチック基板の製膜後のＴｇ以上の熱処理により、配向したセグメントを緩和させることにより達成することができる。
【００５２】
［本発明のプラスチック基板の製造方法］
次に、本発明のプラスチック基板の製造方法について説明する。なお、本明細書において、プラスチック基板を作製する工程を「製膜」と呼び、真空法で無機薄膜を形成する工程を「成膜」と呼び、両者は区別される。
【００５３】
本発明のプラスチック基板は、ポリマー中に金属酸化物を含有させてプラスチック基板を製膜する。本発明の製造方法において、金属酸化物のポリマー中へ含有させる方法は、金属酸化物を微粒子にしてポリマー中に分散させる微粒子法、ゾルゲル反応を利用してポリマー中に分散させるゾルゲル法のいずれの方法であってもよい。
【００５４】
微粒子法では、金属酸化物及びシランカップリング剤が熱可塑性ポリマーを用いた溶融製膜の場合、ポリマーを溶融混練している時に添加混合することが好ましい。すなわち、金属酸化物及びシランカップリング剤は混練押し出し機中でスクリューにより混練される。一方、熱可塑性ポリマーを用いた溶液製膜の場合、ポリマーを溶剤に溶解している時に金属酸化物及びシランカップリング剤を添加混合することが好ましい。また、熱硬化性ポリマーの場合、硬化前に金属酸化物及びシランカップリング剤を添加混合するのが好ましい。これらの混合は通常のミキサーを用いることで達成される。
【００５５】
ゾルゲル法では、金属酸化物をポリマー中に分散させるには、熱可塑性ポリマーの場合、あらかじめポリマーを溶剤に溶解した溶液中に、原料の金属アルコキシドと酸触媒とを溶解し、反応させることができる。すなわち、ポリマー濃度が１０〜４０質量％となるよう、室温において十分混合溶解した後、これにゾルゲル反応液を加える。ポリマーとゾルゲル反応液の混合比は、ゾルゲル反応終了後、得られた金属酸化物のポリマーの質量に対する含有率が１０〜７０質量％、より好ましくは２０〜６０質量％、さらに好ましくは３０〜５５質量％となるように調整することが好ましい。
【００５６】
熱可塑性ポリマーを溶解させる溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等が挙げられる。溶剤の使用量は、全固形分１００質量部当たり、３０〜１００質量部であることが好ましい。また、上記混合溶液は、５０〜２００℃、好ましくは５５〜１９０℃、さらに好ましくは６０〜１８０℃の温度で加熱することが好ましい。
【００５７】
一方、ポリマーが熱硬化性ポリマーの場合、これらのモノマー中にゾルゲル反応液を加える。重合して得たポリマー成分に対し、ゾルゲル反応により得られた金属酸化物の含有率が１０〜７０質量％、好ましくは２０〜６０質量％、さらに好ましくは３０〜５５質量％になるようにする。
【００５８】
本発明のプラスチック基板は、プラスチック基板を製膜した後、前記基板に１〜２０ｋｇの張力を加えながら前記基板を前記ポリマーのＴｇ以上の温度で熱処理すること（以下「Ｔｇ以上熱処理」という）により製造することができる。
【００５９】
一定の張力を加えた状態において、ポリマー単体のＴｇ以上の温度で加熱処理することにより、プラスチック基板を形成するポリマーを緩和させ、破断しにくくさせることができる。通常の方法で製膜した場合、製膜中の残留歪みでポリマーが緊張した状態で存在する。このようなポリマーは、引っ張り応力により容易に破断するため、破断伸度が小さくなり易い。そこで、本発明のプラスチック基板の製造方法では、ポリマー単体のＴｇ以上の高温でプラスチック基板を熱処理することにより、ポリマーの緊張を解くことができる。
【００６０】
すなわち、緊張状態のポリマーはエントロピーが小さく不安定であるため、ポリマー単体のＴｇ以上、より好ましくはポリマー単体のＴｇ＋５℃以上、さらに好ましくはポリマー単体のＴｇ＋１０℃以上に加熱してポリマーの運動性を高め、ポリマーをエントロピーの小さな丸まった分子構造にする。但し、このとき、強い張力が加えられているとポリマーの緊張が緩和ができないため、１〜２０ｋｇ／ｍ、より好ましくは１〜１０ｋｇ／ｍ、さらに好ましくは１〜５ｋｇ／ｍの張力を加えながら熱処理することが好ましい。
【００６１】
Ｔｇ以上熱処理時間は、１〜６０分であり、好ましくは２〜４０分であり、さらに好ましくは３〜２０分である。熱処理時間が６０分を超えると着色が発生する場合がある。
【００６２】
上記Ｔｇ以上熱処理は、プラスチック基板を熱処理ゾーンに搬送させる工程において実施してもよく、さらにプラスチック基板の製膜後に引き続き実施してもよく、さらに一度ロールに巻き取った後、別途実施してもよい。
【００６３】
本発明のプラスチック基板は、上記Ｔｇ以上熱処理して得られた基板をロールに巻き取った後、５０℃以上かつ前記ポリマーのＴｇ未満の温度で３〜２００時間熱処理すること（以下「Ｔｇ未満熱処理」という）により製造することができる。
【００６４】
破断伸度が小さく脆い原因の一つは、応力集中点が存在することに起因する。すなわち、脆性を改善するためには、プラスチック基板中に存在する空隙を小さくすることが有効であり、特にポリマーと金属酸化物との間の隙間（自由体積）を小さくすることにより脆性を改良することができる。このような自由体積の減少のために有効な手法がＴｇ未満熱処理であり、５０℃以上かつポリマー単体のＴｇ未満、好ましくは１００℃以上かつポリマー単体のＴｇ未満、さらに好ましくは１４０℃以上かつポリマー単体のＴｇ未満の温度で、３〜２００時間、好ましくは５〜１００時間、さらに好ましくは１０〜５０時間の熱処理を施すことにより達成することができる。
【００６５】
上記の熱処理は、搬送しながら長時間熱処理することは困難であるため、ロール状に巻いた後、熱処理庫の中で実施することが好ましい。金属酸化物を含まないプラスチック基板の場合、このような熱処理で脆くなりやすい。プラスチック基板中の自由体積が減少することで、分子が流動変形する隙間が少なくなり、塑性変形できずに破断しやすくなるためである。これに対し、本発明は、このＴｇ未満熱処理により破断伸度が増大するという新たな知見に基づいている。すなわち、本発明のような金属酸化物とポリマーとの混合系では、流動変形を阻害するマイナスの効果よりも金属酸化物とポリマーとの界面の隙間をなくし応力集中点をなくすというプラスの効果の方が勝っていると思われる。
【００６６】
本発明の製造方法では、プラスチックの製膜工程において、プラスチック基板の質量に対して可塑剤を０．１〜３０質量％含有させることが好ましい。破断の際、プラスチック基板に加わった応力を、塑性変形に消費させることによっても脆性を改良することができる。このためには、プラスチック基板の分子を流動させるための可塑剤を添加することが有効である。
【００６７】
上記可塑剤としては、例えば、ａ）アルキルベンジルフタレート（オクチルベンジルフタレートやミリスチルベンジルフタレートなど）、ｂ）ジアルキルフタレート（ジブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ジオクチルフタレートなど）、ｃ）リン酸エステル（トリクレジルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、ジフェニル-ビフェニルホスフェートなど）、ｄ）脂肪酸エステル（ジブチルセバケート、アセチルトリブチルシトレートなど）、ｅ）ポリエステル系（アジピン酸系ポリエステル、セバシン酸系ポリエステル、フタル酸系ポリエステルなど）、ｆ）グリコール誘導体（ジエチレングリコールジベンゾエート、ジプロピレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ（２−エチルヘキソエート）など）、グリセリン誘導体（グリセロールトリアセテート、グリセロールトリブチレートなど）、ｇ）エポキシ誘導体（エポキシ化大豆油など）が挙げられる。
【００６８】
上記可塑剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。可塑剤の含有量は、プラスチック基材の質量に対して０．１〜３０質量％、好ましくは１〜２５質量％、さらに好ましくは３〜２０質量％である。
【００６９】
次に本発明のプラスチック基板の製膜について説明する。微粒子法を用いた場合、下記のいずれの製膜法でもよいが、ゾルゲル法を用いた場合、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂の溶液製膜法が好ましい。
【００７０】
（１）熱可塑性ポリマー
（ａ）溶液製膜
上述のように調液した金属酸化物粒子の分散ポリマー溶液を定法に従い、濾過、脱泡を行う。これを所定の厚みになるよう調整したスリットの間から、鏡面研磨した支持体（バンド又はドラム）上に流延する。これを上述の複数の温度域で昇温しながらゾルゲル反応を進行させる。このような多段の昇温は、全て支持体上で行ってもよく、初期の低温反応を支持体上で行い、次いで膜を剥ぎ取り後期の高温反応を行ってもよい。より好ましくは後者である。
【００７１】
（ｂ）溶融製膜
金属酸化物微粒子と熱可塑性樹脂を十分乾燥した後、混練押し出し機に入れ、溶融する。これをＴ−ダイから押し出し、冷却ドラム上で固化する。この時、膜面の平面性を良好にするために静電気を用いて冷却ドラムに貼りつける方法（静電印加法）を用いることができる。この後、両端部をトリミングし巻き取る。また、このようにして得たフィルムを縦又は横の少なくとも一方に延伸してもよい。延伸温度はガラス転移温度（Ｔｇ）以上で行うのが好ましい。
【００７２】
（２）熱硬化性ポリマー
上記の調液した溶液を定法に従い、濾過、脱泡を行う。これを所定の厚みになるよう調整したスリットの間から、鏡面研磨した支持体（バンドあるいはドラム）上に流延する。これを前述の複数の温度域で昇温しながらゾルゲル反応を進行させる。このような多段の昇温は、全て支持体上で行ってもよく、初期の低温反応を支持体上、これを剥ぎ取り後期の高温反応を行ってもよい。より好ましくは後者である。この初期反応中に表裏に温度差を付与することがより好ましい。
【００７３】
熱硬化性ポリマーの硬化反応は、上記の過程のいずれの段階で行ってもよいが、好ましくは、初期の低温反応後から後期の高温反応の間に行うことが好ましい。光硬化型の場合はこれらのゾーン中に紫外線ランプを持ち込むことで達成される。熱硬化反応は、これらの後期乾燥ゾーンの熱を利用して硬化させるのが好ましい。
【００７４】
本発明のプラスチック基板の製造方法は、ａ）Ｔｇ以上熱処理、ｂ）Ｔｇ未満熱処理、及びｃ）可塑剤の添加を行うことにより、金属酸化物の添加による破断伸度の低下を克服することができる。上記ａ）〜ｃ）は、単独で実施してもよいが、これらを組み合わせて実施することにより予想されなかった相乗効果を奏し、より効果的である。さらにこの効果は、ポリマーとして熱硬化性ポリマーを用いた場合に顕著である。熱硬化性ポリマーは、熱可塑性ポリマーに比べて耐熱性が高くなりやすい特徴を有する反面、破断伸度が小さく脆い特性を有する。このため、金属酸化物との混合により一層脆くなりやすいが、本発明を実施することでこれを防止でき、耐熱性と脆性の両方に優れたプラスチック基板を提供できる。
【００７５】
［本発明の導電性プラスチック基板］
＜導電層＞
本発明の導電性プラスチック基板は、前記プラスチック基板の少なくとも片面に導電層を有する。導電層は、公知の金属膜、金属酸化物膜等を用いることができ、中でも透明性、導電性及び機械的特性の観点から、真空成膜した金属酸化物膜（金属酸化物層）を導電層として用いることが好ましい。金属酸化物膜は、例えば、不純物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸化インジウム、酸化カドミウム及び酸化スズ、不純物としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等を含有する膜が挙げられる。中でも酸化スズから主としてなり、酸化亜鉛を２〜１５質量％含有した酸化インジウムの薄膜は、透明性及び導電性に優れ、好ましく用いられる。
【００７６】
上記導電層の厚みは２０〜５００ｎｍであることが好ましく、３０〜３００ｎｍであることがさらに好ましい。２０ｎｍ以上であれば、十分な導電性を得ることができ、上限値は特に制限されないが、５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００７７】
上記導電層の２５℃６０％ＲＨで測定される表面の電気抵抗は、１〜５００Ω／ｓｑであり、好ましくは１〜２００Ω／ｓｑであり、さらに好ましくは１〜１００Ω／ｓｑであり、最も好ましくは３〜６０Ω／ｓｑである。表面抵抗が１〜５００Ω／ｓｑの範囲であれば、例えば液晶表示素子の場合、長期間に亘り液晶表示素子の表示欠陥が発生せず、高信頼性の液晶表示素子を提供できる。
【００７８】
表面抵抗は、例えば、２５℃６０％ＲＨの環境下で調湿した後、所定の装置（例えば、KEITHLEY製の8009 RESISTIVITY TEST FIXTUREとKEITHLEY製の6517A型など）を用いて表面電気抵抗値として求めることができる。
【００７９】
上記導電層の光線透過率は、透明導電性基板に適用することを考慮すれば、８０％以上、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。光線透過率が８０％以上であれば、視認性の低下という問題も生じないため好ましい。
【００８０】
上記導電層の作製方法は特に制限されず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。中でも、優れた導電性及び透明性が得られるという観点から、スパッタリング法により作製することが好ましい。
【００８１】
スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法の好ましい真空度は、１．３３ｍＰａ〜６．６５Ｐａ（０．０１〜５０mTorr）、より好ましくは６．６５ｍＰａ〜１．３３Ｐａ（０．０５〜１０mTorr）である。また、導電層を設ける前にプラズマ処理（逆スパッタ）、コロナ処理のようなプラスチック基板に表面処理を加えておくことが好ましい。また導電層を設けている間に５０〜２００℃に昇温してもよい。
【００８２】
＜ガスバリア層＞
プラスチック基板のガス透過性を抑制するために、本発明の導電性プラスチック基板ではガスバリア層を設けることが好ましい。ガスバリア層としては、例えば、珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、イットリウム、タンタルからなる群から選ばれる１種または２種以上の金属を主成分とする金属酸化物、珪素、アルミニウム、ホウ素の金属窒化物又はこれらの混合物が挙げられる。中でも、ガスバリア性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の観点から珪素原子数に対する酸素原子数の割合が１．５〜２．０の珪素酸化物を主成分とする金属酸化物を用いることが好ましい。
【００８３】
ガスバリア層の厚みは、１０〜３００ｎｍであることが好ましく、３０〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。ガスバリア層の厚みが１０ｎｍ以上あれば、充分なガスバリア性能が得られ、３００ｎｍ以下であれば、透明性も得られるため好ましい。ガスバリア層は、導電層と同じ側及び反対側いずれに有していてもよいが、導電層と反対側に有することが好ましい。
【００８４】
上記ガスバリア層の作成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。中でも、優れたガスバリア性が得られる観点から、スパッタリング法でガスバリア層を作製することが好ましい。
【００８５】
上記のスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法の好ましい真空度は１．３３ｍＰａ〜６．６５Ｐａ（０．０１〜５０mTorr）であり、より好ましくは６．６５ｍＰａ〜１．３３Ｐａ（０．０５〜１０mTorr）である。また、上記ガスバリア層を設ける前に、プラズマ処理（逆スパッタ）、コロナ処理のように基材フィルムに表面処理を加えることが好ましい。また透明導電層を設けている間に５０〜２００℃に昇温してもよい。
【００８６】
ガスバリア層を有する導電性プラスチック基板のガスバリア性は、４０℃９０％ＲＨで測定した水蒸気透過率が０．０１〜５ｇ／m2・dayであり、０．０３〜３ｇ／m2・dayであることが好ましく、０．０５〜２ｇ／m2・dayであることがさらに好ましい。また、４０℃９０％ＲＨで測定した酸素透過率は、０．０１〜１ml／m2・dayであり、０．０１〜０．７ml／m2・dayであることが好ましく、０．０１〜０．５ml／m2・dayであることがさらに好ましい。
【００８７】
［導電性偏光板、導電性λ／４板及び円偏光板］
＜導電性偏光板＞
本発明の導電性偏光板は、上記導電性プラスチック基板上に、長手方向に対し２０〜７０°傾斜した吸収軸を有する偏光膜を積層させることが好ましい。偏光膜における吸収軸は、長手方向に対し２０〜７０°、好ましくは３０〜６０°、より好ましくは４０〜５０°傾斜させる。通常、位相差板は長手方向に沿った方向（０°）に吸収軸を有するものが用いられるが、本発明の導電性偏光板では、これより上記のような吸収軸の傾いたものを用いる方が視野角を広く取りやすくなるため好ましい。このような偏光膜としては、例えば、特開２００２−８６５５５４号公報に記載されたものを好ましく用いることができる。
【００８８】
＜導電性λ／４板＞
本発明の導電性λ／４板は、前記導電性プラスチック基板又は前記導電性偏光板上に、液晶性化合物を含む光学異方性層からなるλ／４板を積層することが好ましい。本発明の導電性λ／４板で用いられるλ／４板は、液晶性化合物で形成される光学異方性層からなる。光学異方性層は、少なくとも２層以上積層されることが好ましい。このうちの１層の５５０ｎｍにおけるリターデーション（Ｒｅ）値が２４０〜３００ｎｍであり、他の１層の５５０ｎｍにおけるリターデーション（Ｒｅ）値が８０〜１７０ｎｍであることが好ましい。
【００８９】
上記λ／４板は、上記以外にフィルムを延伸させることで異方性を出し、λ／４特性を達成しているものも知られている（例えば、特開２００２−４８９１９号公報、特開平１０−９０５２１号公報）。しかし、本発明のように上記光学異方性層で形成されたλ／４板と組み合わせて用いる方が、従来のλ／４板を組み合わせて用いるよりも、より広い視野角が得られるため好ましい。
【００９０】
上記の光学異方性層からなるλ／４板は、以下のように調製される。
【００９１】
（配向膜）
λ／４板の液晶性化合物を配向させるために配向膜を用いる。配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）層のラビング処理により配向機能が生じる配向膜が用いられる。ラビング処理とは、有機化合物（ポリマー）層の表面を紙や布で一定方向に数回擦ることにより、膜平面に対する液晶性化合物のチルト角を変え得る処理である。ラビング処理時に好ましく用いられるポリマーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリイミド誘導体、ナイロンなどが挙げられる。上記の配向膜の厚みは０．０１〜５μｍであることが好ましい。
【００９２】
さらに、液晶性化合物層と透明支持体の密着性を改善する目的で、配向膜中に重合性基を有することが好ましい。このような配向膜としては、例えば、特開平９−１５２５０９号公報に記載されている配向膜を用いることができる。
【００９３】
配向膜で用いられるポリマーとしては、炭素原子数１〜９の炭化水素基を有する変性ポリビニルアルコールが挙げられる。好ましい変性ポリビニルアルコールとしては、下記式［ＰＸ］で表されるものである。
【００９４】
【化３】
2005048058.tif 000004
【００９５】
式中、ＶＡｌは、ビニルアルコール繰り返し単位であり、ＨｙＤは、炭素原子数１〜９の炭化水素基を有する繰り返し単位であり、ＶＡｃは酢酸ビニル繰り返し単位である。式［ＰＸ］中、ｘは２０〜９５質量％、好ましくは２５〜９０質量％であり、ｙは、２〜９８質量％、好ましくは１０〜８０質量％であり、ｚは０〜３０質量％、好ましくは２〜２０質量％である。
【００９６】
炭化水素基は、脂肪族基、芳香族基又はそれらの組み合わせである。脂肪族基は、環状、分岐状及び直鎖状のいずれであってもよい。脂肪族基は、アルキル基（シクロアルキル基であってもよい）又はアルケニル基（シクロアルケニル基であってもよい）であることが好ましい。炭化水素基は置換基を有していてもよい。炭化水素基の炭素原子数は１〜９であり、１〜８であることが好ましい。炭化水素基を有する繰り返し単位（ＨｙＤ）の好ましい態様を下記式（ＨｙＤ−Ｉ）及び（ＨｙＤ−II）に表す。
【００９７】
【化４】
2005048058.tif 000005
式中、Ｌ1は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＮＨ−、アルキレン基、アリーレン基及びそれらの組み合わせから選ばれる二価の連結基であり、Ｌ2 は、単結合又は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＮＨ−、アルキレン基、アリーレン基及びそれらの組み合わせから選ばれる二価の連結基であり、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ炭素原子数１〜９の炭化水素基である。上記の組み合わせにより形成される二価の連結基（Ｌ1、Ｌ2）の例を、以下に示す。
【００９８】
Ｌ１：−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ２：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−Ｏ−
Ｌ３：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−ＣＯ−ＮＨ−
Ｌ４：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−ＮＨ−ＳＯ2−アリーレン基−Ｏ−
Ｌ５：−アリーレン基−ＮＨ−ＣＯ−
Ｌ６：−アリーレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ７：−アリーレン基−ＣＯ−ＮＨ−
Ｌ８：−アリーレン基−Ｏ−
Ｌ９：−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−アリーレン基−ＮＨ−ＣＯ−
【００９９】
炭素原子数１〜９の炭化水素基を有する繰り返し単位（ＨyＤ）の具体例を以下に示す。
【０１００】
【化５】
2005048058.tif 000006
【０１０１】
本発明で好ましく用いられる変性ポリビニルアルコールの重合度は、２００〜５，０００であることが好ましく、３００〜３，０００であることが好ましい。ポリマーの分子量は、９，０００〜２００，０００であることが好ましく、１３，０００〜１３０，０００であることがさらに好ましい。二種類以上のポリマーを併用してもよい。以下に好ましい変性ポリビニルアルコールの具体例を示す。
【０１０２】
ＰＸ−１：−(ＶＡｌ)21−(ＨｙＤ-13)77−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−２：−(ＶＡｌ)14−(ＨｙＤ-13)84−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−３：−(ＶＡｌ)21−(ＨｙＤ-16)77−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−４：−(ＶＡｌ)34−(ＨｙＤ-15)64−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−５：−(ＶＡｌ)29−(ＨｙＤ-12)69−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−６：−(ＶＡｌ)46−(ＨｙＤ-14)52−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−７：−(ＶＡｌ)21−(ＨｙＤ-2)77−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−８：−(ＶＡｌ)17−(ＨｙＤ-8)81−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−９：−(ＶＡｌ)21−(ＨｙＤ-13)77−(ＶＡｃ)2−
ＰＸ−１０：−(ＶＡｌ)46−(ＨｙＤ-9)52−(ＶＡｃ)2−
【０１０３】
上記変性ポリビニルアルコールの添加量は、該変性ポリビニルアルコールを添加する液晶性化合物の質量に対し０．０５〜１０質量％であることが好ましく、０．１〜５質量％であることがさらに好ましい。
【０１０４】
上記変性ポリビニルアルコールは、縮合剤と併用してもよい。縮合剤としてはイソシアネート基又はホルミル基を末端に有する化合物が好ましい。具体的には、以下の結合剤を用いることができる。
【０１０５】
ポリ（１，４−ブタンジオール）イソホロンジイソシアネートターミネーテッド；ポリ（１，４−ブタンジオール）トリレン ２，４−ジイソシアネートターミネーテッド；ポリ（エチレンアジペート）トリレン ２，４−ジイソシアネートターミネーテッド；ポリ（プロピレングリコール）トリレン ２，４−ジイソシアネートターミネーテッド；１，６−ジイソシアナートヘキサン；１，８−ジイソシアナートオクタン；１，１２−ジイソシアナートドデカン；イソホロン ジイソシアナート；グリオキザール
【０１０６】
次にラビング処理について説明する。ラビング処理は、支持体となる導電性プラスチック基板のＭＤ方向（遅相軸方向）に対して所定の任意の角度で行うことができる。ＭＤ方向に対するラビング方向の角度は、ＭＤ方向に対して同一乃至斜め方向にラビングされるのが好ましい。斜め方向の角度としては、−４５°〜＋４５°の範囲であることが好ましい。
【０１０７】
ラビング処理は、任意の方法で行うことができるが、例えば、長尺の導電性プラスチック基板をＭＤ方向に搬送するステージ上に、該基板のＭＤ方向に対して任意の角度でラビングロールを配置し、該基板をＭＤ方向に搬送しながらラビングロールを回転させ、該基板表面をラビング処理する。ラビングロールとステージの移動方向が成す角度は自在に調整し得る機構であり、ラビングロールの表面には、適宜のラビング布材が貼付してある。
【０１０８】
（液晶性化合物で形成される光学異方性層）
２層以上の液晶性化合物からなる光学異方性層は、液晶性化合物として、棒状液晶性化合物又は円盤状液晶性化合物を用いることが好ましく、重合性基を有する棒状液晶性化合物又は円盤状液晶性化合物を用いることがより好ましい。液晶性化合物は、実質的に均一に配向していることが好ましく、実質的に均一に配向している状態で重合反応により液晶性分子が固定されていることが最も好ましい。
【０１０９】
棒状液晶性化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類及びアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。以上のような低分子液晶性分子だけではなく、高分子液晶性分子も用いることができる。特に好ましく用いられる、低分子の重合性基を有する棒状液晶性化合物としては、下記式［IV］の棒状液晶性化合物である。
【０１１０】
【化６】
2005048058.tif 000007
【０１１１】
式［IV］中、Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立した重合性基であり、Ｍ１及びＭ４はそれぞれ独立した二価の連結基であり、Ｍ２及びＭ３はそれぞれ独立した単結合又は二価の連結基であり、Ｃｙ１、Ｃｙ２及びＣｙ３は二価の環状基であり、ｎは０、１又は２である。
【０１１２】
式［IV］中、Ｑ１及びＱ２の重合性基は付加重合（開環重合を含む）反応又は縮合重合反応が可能な官能基であることが好ましい。また、式［IV］中、Ｍ１及びＭ４はそれぞれ独立に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ3−（但し、Ｒ3は炭素原子数１〜７のアルキル基又は水素原子である。）、二価の鎖状基、二価の環状基及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。
【０１１３】
上記の組み合わせからなる二価の連結基の例を以下に示す。ここで、左側がＱ（Ｑ１又はＱ２）に、右側がＣｙ（Ｃｙ１又はＣｙ３）に結合する。
【０１１４】
Ｍ−１：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｍ−２：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−３：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−４：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−
Ｍ−５：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−６：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−７：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−
Ｍ−８：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−９：  −ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−１０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−
Ｍ−１１：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−１２：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−１３：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−二価の鎖状基−
Ｍ−１４：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−１５：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−１６：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−
Ｍ−１７：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−１８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｍ−１９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−
Ｍ−２０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｍ−２１：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
【０１１５】
上記の二価の鎖状基は、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基，置換アルキニレン基から選ばれ、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基から選ばれる一種であることが好ましく、アルキレン基又はアルケニレン基であることがさらに好ましい。
【０１１６】
アルキレン基は、分岐を有していてもよい。アルキレン基の炭素数は１〜１２であることが好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることが最も好ましい。置換アルキレン基のアルキレン部分は、上記のアルキレン基と同様である。置換基の例としてはハロゲン原子が挙げられる。
【０１１７】
アルケニレン基は、分岐を有していてもよい。アルケニレン基の炭素数は２〜１２であることが好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることが最も好ましい。また、置換アルキレン基のアルキレン部分は、前記アルキレン基と同様である。置換基の例としてはハロゲン原子が挙げられる。
【０１１８】
アルキニレン基は、分岐を有していてもよい。アルキニレン基の炭素数は２〜１２であることが好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることが最も好ましい。また、置換アルキニレン基のアルキニレン部分は、上記アルキニレン基と同様である。置換基の例としてはハロゲン原子が挙げられる。
【０１１９】
二価の鎖状基の具体例としては、エチレン、トリメチレン、プロピレン、ブタメチレン、１−メチル−ブタメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン、２−ブテニレン、２−ブチニレンなどが挙げられる。
【０１２０】
二価の環状基の定義及び具体例は、後述するＣｙ１、Ｃｙ２及びＣｙ３の定義および具体例と同様である。
【０１２１】
式［IV］中、Ｒ3は、炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子であることが好ましく、メチル基、エチル基又は水素原子であることがさらに好ましく、水素原子であることが最も好ましい。
【０１２２】
式［IV］中、Ｍ２又はＭ３は、それぞれ独立に単結合又は二価の連結基である。Ｍ２及びＭ３は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ４−、二価の鎖状基、二価の環状基及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基又は単結合であることが好ましい。
【０１２３】
上記Ｒ4は、炭素原子数１〜７のアルキル基又は水素原子であり、炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子であることが好ましく、メチル基、エチル基又は水素原子であることがさらに好ましく、水素原子であることが最も好ましい。二価の鎖状基及び二価の環状基についてはＭ１およびＭ４の定義と同義である。
【０１２４】
式［IV］において、ｎは０、１又は２である。ｎが２の場合、２つのＭ３は同一であっても異なっていてもよく、二つのＣｙ２も同一であっても異なっていてもよい。ｎは１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。
【０１２５】
式［IV］において、Ｃｙ１、Ｃｙ２及びＣｙ３は、それぞれ独立に、二価の環状基である。環状基に含まれる環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。環状基に含まれる環は、縮合環であってもよい。但し、縮合環よりも単環であることが好ましい。
【０１２６】
環状基に含まれる環は、芳香族環、脂肪族環及び複素環のいずれであってもよい。芳香族環には、ベンゼン環及びナフタレン環が含まれる。また脂肪族環には、シクロヘキサン環が含まれる。複素環には、ピリジン環及びピリミジン環が含まれる。
ベンゼン環を有する環状基は、１，４−フェニレン基であることが好ましい。またナフタレン環を有する環状基は、ナフタレン−１，５−ジイル基又はナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。シクロヘキサン環を有する環状基は、１，４−シクロへキシレン基であることが好ましい。また、ピリジン環を有する環状基は、ピリジン−２，５−ジイル基であることが好ましい。また、ピリミジン環を有する環状基は、ピリミジン−２，５−ジイル基であることが好ましい。
【０１２７】
上記環状基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のハロゲン置換アルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数１〜５のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数２〜６のアシルアミノ基が含まれる。
【０１２８】
以下に、式［IV］で表される重合性液晶性化合物の例を示す。但し、本発明で用いられる液晶性化合物はこれらに限定されるものではない。
【０１２９】
【化７】
2005048058.tif 000008
【０１３０】
【化８】
2005048058.tif 000009
【０１３１】
【化９】
2005048058.tif 000010
【０１３２】
【化１０】
2005048058.tif 000011
【０１３３】
本発明において、上記λ／４板では、円盤状液晶性化合物も好適に用いることができる。円盤状液晶性化合物は、プラスチック基板面に対して実質的に垂直（５０〜９０°の範囲の平均傾斜角）に配向させることが好ましい。円盤状液晶性化合物は、様々な文献（C. Destrade et al., Mol. Crysr. Liq. Cryst., vol. 71, page 111 (1981) ；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節(1994)；B. Kohne et al., Angew. Chem. Soc. Chem. Comm., page 1794 (1985)；J. Zhang et al., J. Am.Chem. Soc., vol. 116, page 2655 (1994)）に記載されている。円盤状液晶性化合物の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。円盤状液晶性化合物を重合により固定するためには、円盤状液晶性化合物の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。但し、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。このため、重合性基を有する円盤状液晶性化合物は、下記式［Ｖ］で表わされる化合物であることが好ましい。
【０１３４】
【化１１】
2005048058.tif 000012
【０１３５】
式［Ｖ］中、Ｄは円盤状コアであり、Ｌは二価の連結基であり、Ｐは重合性基であり、ｎは４〜１２の整数である。式［Ｖ］の円盤状コア（Ｄ）の例を以下に示す。なお、以下の各例において、ＬＰ（又はＰＬ）は、二価の連結基（Ｌ）と重合性基（Ｐ）との組み合わせを意味する。
【０１３６】
円盤状コア（Ｄ）を形成する化合物としては、例えば、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環及びチアントレン環などが挙げられる。中でもナフタレン環、アズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環及びキノリン環であることが好ましい。
【０１３７】
円盤状コア（Ｄ）、二価の連結基（Ｌ）及び重合性基（Ｐ）の好ましい具体例は、それぞれ特開２００１−４８３７号公報に記載の（Ｄ１）〜（Ｄ１５）、Ｌ１〜Ｌ２５、（Ｐ１）〜（Ｐ１８）であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。
【０１３８】
これらの液晶性化合物は、実質的に均一に配向していることが好ましく、実質的に均一に配向している状態で固定されていることがさらに好ましく、重合反応により液晶性化合物が固定されていることが最も好ましい。液晶性化合物の中で、重合性基を有する棒状液晶性化合物の場合は、実質的に水平（ホモジニアス）配向に固定化することが好ましい。
【０１３９】
ここで、実質的に水平とは、棒状液晶性化合物の長軸方向と光学異方性層の面との平均角度（平均傾斜角）が０〜４０°の範囲内であることを意味する。棒状液晶性化合物を斜め配向させてもよいし、傾斜角が徐々に変化するように（ハイブリッド配向）させてもよい。斜め配向又はハイブリッド配向の場合でも、平均傾斜角は０〜４０°の範囲であることが好ましい。
【０１４０】
重合性基を有する円盤状液晶性化合物の場合、実質的に垂直配向させることが好ましい。ここで、実質的に垂直とは、円盤状液晶性化合物の円盤面と光学異方性層の面との平均角度（平均傾斜角）が５０〜９０°の範囲内であることを意味する。円盤状液晶性化合物を斜め配向させてもよいし、傾斜角が徐々に変化するように（ハイビリッド配向）させてもよい。斜め配向又はハイブリッド配向の場合でも、平均傾斜角は５０〜９０°の範囲であることが好ましい。
【０１４１】
光学異方性層は、液晶性化合物及び下記の重合開始剤や他の添加剤を含む塗布液を、配向膜の上に塗布することで形成することが好ましい。塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒としては、アミド（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例えば、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例えば、ピリジン）、炭化水素（例えば、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例えば、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が挙げられる。有機溶媒は、アルキルハライド又はケトンを用いることが好ましい。また、有機溶媒は、二種類以上を併用してもよい。
【０１４２】
塗布液の塗布は、公知の方法（例、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
【０１４３】
（液晶性化合物の配向状態の固定化）
配向させた液晶性化合物は、配向状態を維持して固定することが好ましい。固定化は、液晶性化合物に導入した重合性基の重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれるが、光重合反応であることが好ましい。光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）並びにオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）などが挙げられる。
【０１４４】
光重合開始剤の添加量は、塗布液の固形分の質量に対して０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。液晶性化合物の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０〜５０Ｊ／ｃｍ2であることが好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ2であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。光学異方性層の厚みは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい。
【０１４５】
（導電性λ／４板の光学的性質）
本発明の導電性λ／板において、λ／４板の光学異方性層（第１光学異方性層）は、波長５５０ｎｍで測定したリターデーション（Ｒｅ）値が２４０〜２９０ｎｍであることが好ましく、２５０〜２８０ｎｍであることがより好ましい。もう一方の光学異方性層（第２光学異方性層）は、波長５５０ｎｍで測定したリターデーション（Ｒｅ）値が１１０〜１４５ｎｍであることが好ましく、１２０〜１４０ｎｍであることがより好ましい。
【０１４６】
このような光学特性を得るために、上述の第１及び第２の光学異方性層の厚みは、各々の層が所望のリターデーションを示す範囲で任意に決定することができる。例えば、同一の棒状液晶性化合物を水平配向させて、前記第１及び第２の光学異方性層を各々形成する場合は、位相差がπである光学異方性層の厚みを、位相差がπ／２の光学異方性の厚みの倍にすることが好ましい。それぞれの光学異方性層の厚みの好ましい範囲は、用いる液晶性化合物の種類によって異なるが、一般的には、０．１〜１０μｍであり、０．２〜０．８μｍがより好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい。
【０１４７】
［円偏光板］
本発明の円偏光板は、上記のプラスチック基板又は導電性プラスチック基板上に、偏光膜とλ／４板とを積層することにより作製することができる。この場合、λ／４板の遅相軸と偏光膜の吸収軸とを４５°になるように積層する。この時、前述のように、長手方向に対し２０〜７０°、好ましくは３０〜６０°、さらに好ましくは４０〜５０°傾斜させた吸収軸を有する偏光膜、及び前述の液晶性化合物で形成される光学異方性層からなるλ／４板を積層させることが好ましい。
【０１４８】
［液晶表示素子］
反射型液晶表示装置は、下から順に、下基板、反射電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、透明電極、上基板、λ／４板及び偏光膜で構成される。このうち本発明のプラスチック基板は、透明電極及び上基板として使用することができる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を反射電極と下配向膜との間、又は上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。一方、透過型液晶表示装置は、下から順に、バックライト、偏光板、λ／４板、下透明電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、上透明電極、上基板、λ／４板及び偏光膜で構成される。このうち本発明のプラスチック基板は、上透明電極及び上基板として使用することができる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を下透明電極と下配向膜との間、又は上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。
【０１４９】
液晶セルは特に限定されないが、より好ましくはＴＮ（twisted Nematic ）型、ＳＴＮ（Supper Twisted Nematic）型又はＨＡＮ（Hybrid Aligned Nematic）型、ＶＡ(Verticaly Allignment)型、ＥＣＢ（Electricaly Controlled Birefrigence）型、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）型、ＣＰＡ(Continious Pinwheel Alignment)型のいずれかであることが好ましい。
【０１５０】
［タッチパネル］
タッチパネルとしては、例えば、特開平５−１２７８２２号公報、特開２００２−４８９１３号公報等に記載されたものを用いることができる。
【０１５１】
［有機ＥＬ素子］
有機ＥＬ素子としては、例えば、特開平１１−２３３２５８号公報、特開２０００−１５０１７２号公報、特開２０００−２６７０９７号公報、特開２００１−１３５４７７号公報、特開２００１−３５１７８１号公報、特開２００２−７５６５７号公報、特開２００２−１１０３４５号公報、特開２００２−１６９２７７号公報に記載されたものを用いることができる。
【０１５２】
本発明のプラスチック基板は、破断伸度が比較的大きく、かつ熱膨張係数が比較的小さいため、低いため、配向膜を形成した場合であっても、画像表示素子に組み入れても白点故障が少ない。このため、本発明のプラスチック基板は、タッチパネル、有機ＥＬ素子など各種の画像表示素子などに用いることができる。
【実施例】
【０１５３】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中、部及び％は、特に断らない限り質量基準である。また、実施例中における各種の測定は、下記のとおり行った。
【０１５４】
［測定法］
Ａ．熱変形温度及び熱膨張係数
下記条件でＴＭＡ（Thermal  Mechanical  Analysis）測定を行った。すなわち、昇温に伴うサンプルの寸法変化を測定する。
サンプル幅：３ｍｍ
チャック間：２５．４ｍｍ
昇温速度：３℃／分
測定温度域：３０℃〜２００℃
下記の方法で熱変形温度及び熱膨張係数を求めた。
（１）熱変形温度
昇温に伴い、伸びが発生したが、Ｔｇ近傍から伸び量が急激に増加した。Ｔｇ以下の伸びの外挿線とＴｇ以上の伸びの外挿線の交点を熱変形温度（℃）とした。
（２）熱膨張係数
Ｔｇ以下の熱膨張の寸法変化（チャック間長に対する比率：ｐｐｍ）と温度（℃）の傾きから求めた（ｐｐｍ／℃）。
【０１５５】
Ｂ．破断伸度
サンプルを１ｃｍ×２０ｃｍに剃刀を用い切り出し、２５℃６０％ＲＨにおいて、チャック間１０ｃｍ、引っ張り速度２ｃｍ／分で引っ張り、破断したときの引っ張り長（Ｌｃｍ）から、以下の式から求めた。
破断伸度（％）＝１００×（Ｌｃｍ／１０ｃｍ）
【０１５６】
Ｃ．リターデーション値（Ｒｅ）
自動複屈折計（KOBRA-21ADH/PR：王子計測器（株）製）を用いて、サンプルフィルム表面に対し垂直方向から測定した。なお、この測定はサンプルを２５℃６０％ＲＨの環境で２時間保持した後、同様の環境下で波長５５０ｎｍで測定した。
【０１５７】
Ｄ．表面電気抵抗
（１）初期表面電気抵抗
２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製の８００９  RESISTIVITY TEST FIXTUREとＫＥＩＴＨＬＥＹ製の６５１７Ａ型とを用いて初期電気抵抗（Ｒ0）測定した。
（２）熱処理後の表面電気抵抗
サンプルを空気恒温槽を用い、無張力下でつるして１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、（１）と同様にして表面電気抵抗（Ｒ175）を測定した。
（３）表面電気抵抗の変化率
（Ｒ175）と（Ｒ0）との差の絶対値を（Ｒ0）で割り、百分率で示したものを表面電気抵抗の変化率（％）とした。
【０１５８】
Ｅ．水蒸気透過率
（１）初期水蒸気透過率
ＭＯＣＯＮ社製、パーマトランＷ１Ａを用いて、４０℃、９０％ＲＨ雰囲気下において２４時間測定し、水蒸気透過率を測定した。これをＷ0とした。
（２）熱処理後の水蒸気透過率
サンプルを空気恒温槽を用い、無張力下でつるして、１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、（１）と同様にして水蒸気透過率（Ｗ175）を測定した。
（３）水蒸気透過率の変化率
（Ｗ175）と（Ｗ0）との差の絶対値を（Ｗ0）で割り、百分率で示したものを水蒸気透過率の変化率（％）とした。
【０１５９】
Ｆ．酸素透過率
（１）初期酸素透過率
ＭＯＣＯＮ社製、ＯＸ−ＴＲＡＮ  １０／５０Ａを用いて４０℃９０％ＲＨ雰囲気下において、２４時間測定し酸素透過率を測定した。これをＯ0とした。
（２）熱処理後の酸素透過率
このサンプルを空気恒温槽を用い、無張力下でつるして、１７５℃３０分熱処理を行った。これを２５℃６０％ＲＨに３時間以上調湿後、（１）と同様にして酸素透過率（Ｏ175）を測定した。
（３）酸素透過率の変化率
（Ｏ175）と（Ｏ0）との差の絶対値を（Ｏ0）で割り、百分率で示したものを水蒸気透過率の変化率（％）とした。
【０１６０】
〔実施例１〕  プラスチック基板の作製
１．溶液製膜法によるプラスチック基板の作製
（１）熱可塑性樹脂溶液の調液
下記のポリマーをメチレンクロライドに２０質量％の含有率になるように溶解した。なお、シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）及び可塑剤（グリセロールトリアセテート）をポリマーの質量に対し、表１に記載された添加量で混合した。
ａ）ＭＰＣ−１
ビスフェノールＡ（BisA）と９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（BCF）を、BisA／BCF＝１／１（モル比）で混合したポリカーボネート共重合体（Ｔｇ：２２５℃）
ｂ）ＭＰＣ−２
ビスフェノールＡ（BisA）と３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン（IP）をBisA／IP＝２／３（モル比）で混合したポリカーボネート共重合体（Ｔｇ：２０５℃）。
ｃ）ＰＥＳ
住友ベークライト製スミライトＦＳ−１３００（Ｔｇ：２２０℃）。
【０１６１】
（２）熱硬化性樹脂のプレポリマー溶液の調液
下記プレポリマー１００質量部を、１−メトキシ−２−プロパノール３００質量部、開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２質量部、シランカップリング剤（信越化学株式会社製ＫＢＭ−５０３）及び可塑剤（トリフェニルフォスフェート）をポリマーの質量に対して表１に記載された添加量で混合した。
ａ）ＥｐＡｃ
分子量約１０４０のエポキシアクリレートプレポリマー（昭和高分子株式会社製ＶＲ−６０）
ｂ）Ａｃ
アクリル系樹脂（分子量６７，０００、酸価２のアクリル（三菱レイヨン株式会社ＬＲ−１０６５））
ｃ）ＤＣＰＡ
ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート（共栄社化学社製「ライトアクリレートＤＣＰ−Ａ」）
ｄ）ＵＡ
ウレタンアクリレート（新中村化学製「ＮＫオリゴＵ−１５ＨＡ」）
ｅ）ＰｈＲ
フェノキシ樹脂（Phenoxy Associates 製「PAPHEN」）
ｆ）ＰＩ
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業製「コロネート」）
ｇ）ＤＡ
ジアクリレートモノマー（特開２００２−２７５２８５号公報の実施例１に記載の化合物）
【０１６２】
（３）流延ドープの調液
上記の熱可塑性樹脂溶液の調液、熱硬化性樹脂のプレポリマー溶液に、金属酸化物を添加した。なお、金属酸化物の含有率（ポリマーに対するゾルゲル反応後の金属酸化物の質量比）は表１に記載した。
（Ａ）微粒子法
表１に記載された粒径を有する各種の金属酸化物粒子を添加した。なお、本発明で使用した金属酸化物粒子のアスペクト比はすべて５以下の球形のものを用いた。一方、アスペクト比１５の板状のものも添加して下記方法で製膜したが、いずれもＲａが２０ｎｍと大きくなってしまった。
（Ｂ）ゾルゲル法
下記のゾルゲル法で調製した各種の金属酸化物を表１に記載された添加量で添加した。
ａ）シリカ系ゾルゲル液（Ｓｉ系）
２−プロパノール１８００質量部の混合溶媒に、酢酸８８質量部を加えた後、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン６４０質量部、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ECHETMOS）１５４質量部を混合した。
ｂ）アルミナ系ゾルゲル液（Ａｌ系）
アルミニウムイソプロポキシド（和光純薬（株）製、固形分40質量％）、ｎ−プロピルアルコールを混合し、１０mol／Lの塩酸を滴下し、滴下終了後N，N−ジメチルベンジルアミンを加えた後、アルミニウムイソプロポキシド１５質量部の溶液を得た。
ｃ）シリカアルミナ系ゾルゲル液（ＳｉＡｌ系）
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）８０質量％、アミノプロピルトリエトキシシラン１０質量％、グリシジルプロピルトリエトキシシラン５質量％とメチルプロピルアクリルエトキシシラン５質量％をｎ−プロピルアルコールに溶解した後、２mol/L（２Ｎ）の塩酸を滴下した。
【０１６３】
（４）製膜
上記の混合溶液をダイコーティング法によりステンレスバンド上に流延した。これをバンド上で６０℃の温度で２分間初期反応を行った。次いで、これをバンド上から剥ぎ取り、１５０℃の温度で２０分間後期反応を行った。この後、両端をトリミングし、ナーリング加工した後、ロールに巻き取った。このようにして得られたプラスチック基板の厚みを表１に示した。なお、本発明では、いずれも１．５ｍ幅で３０００ｍ長製膜した。残留溶媒濃度はいずれも１質量％以下であった。
【０１６４】
２．溶融製膜法によるプラスチック基板の作製
下記のポリマーに表１に記載した金属酸化物粒子、シランカップリング剤（ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン）、可塑剤（ジエチレングリコールジベンゾエート）をポリマーの質量に対し、表１に記載された添加量で混合した後、２５０℃で２軸混練押出機を用いて溶融した。これをＴ−ダイから１２０℃に温調したキャスティングドラム上に静電印加法を用いて流延し固化した。
【０１６５】
ＣＯＣ（シクロオレフィンコポリマー）：ポリノルボルネン（ジェイエスール(株)製アートン、Ｔｇ：１６０℃）
この後、両端をトリミングし、ナーリング加工した後、巻き取った。このようにして得たプラスチック基板の厚みを表１に示す。
【０１６６】
３．Ｔｇ以上熱処理
上記溶液製膜、溶融製膜したプラスチック基板を表１に記載された条件（張力、温度、時間）で熱処理ゾーンに搬送しながら熱処理した。
【０１６７】
４．Ｔｇ未満熱処理
Ｔｇ以上熱処理に引き続き、プラスチック基板をロール状にして表１に記載の条件（温度、時間）で熱処理した。
【０１６８】
５．物性評価
上述の方法に従い、製膜後にプラスチック基板の物性を評価した。結果を表１に示す。
【０１６９】
【表１】
2005048058.tif 000013
【０１７０】
本発明の製造方法により、ａ）可塑剤の添加、ｂ）シランカップリング剤の添加、ｃ）Ｔｇ以上熱処理、ｄ）Ｔｇ未満熱処理を行ったものは、いずれも低い熱膨張係数、大きい破断伸度、高い熱変形温度、低いＲａ、低いヘーズを示し良好であった。上記ａ）〜ｄ）は、組み合せることでさらに良好な結果を得た（プラスチック基板＃１、＃６〜８、＃１１〜１８）。これらは熱硬化性ポリマー、熱可塑性ポリマーいずれにおいても同様に効果が得られたが、熱硬化性ポリマーの方が耐熱性が高く、さらに良好な結果が得られた（プラスチック基板＃１１〜１７等）。なお、本発明のプラスチック基板はいずれも８５％以上の高い透明性を示した。
【０１７１】
〔実施例２〕  導電性プラスチック基板の作製
１．アンダーコート層の作製
上記のプラスチック基板の両面にコロナ放電処理を行った後、下記処方の塗布液を常温にて攪拌溶解後、バーコーターで３μｍ（乾燥後）の厚みになるように塗工し、８０℃、１０分の条件で加熱した後、紫外線を照射をした。
アクリル系樹脂                                      １００質量部
（Tg105℃、分子量67,000、酸価2のアクリル
(三菱レイヨン株式会社製LR-1065))
シランカップリング剤                                    １質量部
（Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越化学株式会社製KBM-573））
酢酸ブチル                                          ４００質量部
【０１７２】
２．ガスバリア層の作製
プラスチック基板の片面のアンダーコート層上に、下記のバリヤー層を表２に記載の厚みで成膜した。
（１）ＳｉＯ2層
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、ＳｉO2をターゲットとし６６５ｍＰａ（５mTorr）の真空下で、Ａｒ雰囲気下、出力５ｋＷでスパッタリングした（表２中にＳｉＯと記載）。
（２）ＳｉＯxＮy層
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、Ｓｉをターゲットとし、Ｏ2、Ｎ2を導入しながら、６６５ｍＰａ（５mTorr）の真空下で、出力５ｋＷで成膜し、ＳｉＯxＮy膜（ｘ＝１、ｙ＝１）を得た（表２中にＳｉＯＮと記載）。
（３）Ａl2Ｏ3層
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａl2Ｏ3をターゲットとし６６５ｍＰａ（５mTorr）の真空下で、Ａｒ雰囲気下、出力５ｋＷでスパッタリングした（表２中にＡｌＯと記載）。
【０１７３】
３．透明導電層の作製
（１）ＩＴＯ層
プラスチック基板を１００℃に加熱しながら、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3９５質量%、ＳｎＯ2５質量%）をターゲットとしＤＣマグネトロンスパッタリング法により、６６５ｍＰａ（５mTorr）の真空下で、Ａｒ雰囲気下、出力５ｋＷで表２に記載の厚みのＩＴＯ膜からなる透明導電層を、ガスバリア層の反対面のアンダーコート層上に設けた（表２中にＩＴＯと記載）。
（２）酸化インジウム・亜鉛層
特開平６−３１８４０６号公報の実施例１に従い、Ｉｎ及びＺｎからなる酸化膜を形成した（表２中にＩＺＯと記載）。
【０１７４】
４．保護層の作製
バリヤー層の上に、下記処方の塗布液を常温にて攪拌溶解後、バーコーターで３μｍ（乾燥後）の厚みになるように塗工し、８０℃１０分の条件で加熱した後、紫外線を照射をした。
アクリル系樹脂                                      １００質量部
（Tg105℃、分子量67,000、酸価2のアクリル
(三菱レイヨン株式会社製LR-1065))
シランカップリング剤                                    １質量部
（Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越化学株式会社製KBM-573））
酢酸ブチル                                          ４００質量部
【０１７５】
５．評価
上記のようにして得られた導電性プラスチック基板を、上記の方法で表面抵抗を測定した。さらに下記の手法に従い、水蒸気透過率及び酸素透過率を測定した。さらに、はんだ付け歪みを以下の方法で評価した。はんだ付け歪み評価は、はんだ付けする際に高温に曝される場合における耐久性を評価するものである。結果を表２に示す。
【０１７６】
＜はんだ付け歪み＞
先ず、プラスチック基板を５ｃｍ×５ｃｍに裁断し、四隅を１ｃｍずつ把持し宙に浮かせて固定する。次いで、このプラスチック基板の中央に２００℃に加熱した直径５ｍｍの金属棒を１００ｇの荷重を加えて３分間押し当てる。次いで、金属棒を押し当てた面を上にして、これを平坦な台の上に置き、４隅が浮き上がった高さを平均して求める。
【０１７７】
６．ポリイミド配向膜の作製
上記の導電性プラスチック基板の透明導電（ＩＴＯ）層側に、液晶を配向させるためのポリイミド配向膜（ＳＥ-７９９２、日産化学（株）製）を形成した。２００℃で３０分熱処理し、これにラビング処理を行った。得られた基板の表面抵抗、水蒸気透過率及び酸素透過率を測定した。結果を表２に示す。
【０１７８】
【表２】
2005048058.tif 000014
【０１７９】
表２より、本発明のプラスチック基板を用いたものは、成膜直後の物性値とポリイミド配向後の物性値を比較した場合、表面抵抗の増加は殆どなく、かつガス透過性（水蒸気透過率及び酸素透過率）の増加も殆ど見られなかった。また、本発明のプラスチック基板を用いたものは、はんだ付け歪は、基板が熱可塑性ポリマーからなるものと比較して、熱硬化性ポリマーからなる基板の方が、発生する歪みが小さく高温下でも耐久性に優れていることが分かる。
【０１８０】
〔実施例３〕  円偏光板の作製
１．導電性λ／４板の作製
（１）光学異方性層で形成されるλ／４板
本発明の導電性プラスチック基板のガスバリア層側に、下記手順で塗布を行った（なお、表３では光学異方性型と記載してある）。
ａ）ＰＶＡ配向膜の調製
８０μｍの三酢酸セルロースフィルム（富士写真フィルム製フジタック）の両面をＮａＯＨ水溶液でけん化した後、下記組成の配向膜塗布液をフジタックの片面に塗布し、１００℃で乾燥させた。配向膜の膜厚は１μｍであった。次に光学異方性層の遅相軸の方向が透明支持体の長手方向に対して３０°の方向になるようにラビング処理を実施した。
下記の変性ポリビニルアルコール                          ４質量％
水                                                ７２．６質量％
メタノール                                        ２３．３質量％
グルタールアルデヒド                                ０．２質量％
【０１８１】
【化１２】
2005048058.tif 000015
【０１８２】
ｂ）光学異方性層Ａの調製
配向膜の上に、下記の組成の塗布液をバーコーターを用いて連続的に塗布、乾燥、および加熱（配向熟成）し、さらに紫外線照射して光学的異方性層を形成した。この時、塗布厚みを変えることで表２に記載のリターデーション値（Ｒｅ）を得た。この光学的異方性層は透明支持体の長手方向に対して３０°の方向に遅相軸を有していた。
光学異方性層（Ａ）用塗布液組成
本明細書中の棒状液晶性化合物（例示化合物 Ｉ−２）  ３８．１質量％
下記の増感剤Ａ                                     ０．３８質量％
下記の光重合開始剤Ｂ                               １．１４質量％
本明細書中の例示化合物（ＰＸ−９）                ０．１９質量％
グルタールアルデヒド                              ０．０４質量％
メチルエチルケトン                                ６０．１質量％
【０１８３】
【化１３】
2005048058.tif 000016
【０１８４】
【化１４】
2005048058.tif 000017
【０１８５】
上記で作製した光学的異方性層（Ａ）の遅相軸に対し−６０°であり、かつ光学異方性層（Ａ）の長手方向に対し−３０°になるように、光学異方性層（Ａ）塗布後にラビング処理を施した。
【０１８６】
ｃ）光学異方性層（Ｂ）の調製
ラビング処理した光学的異方性層（Ａ）の上に、下記の組成の塗布液を、バーコーターを用いて塗布、乾燥、および加熱（配向熟成）し、さらに紫外線照射して光学的異方性層（Ｂ）を形成した。この時、塗布厚みを変えることで表２に記載のリターデーション値（Ｒｅ）を得た。
【０１８７】
光学異方性層（Ｂ）用塗布液組成
本発明の棒状液晶性化合物（例示化合物 Ｉ−２）      ３８．４質量％
増感剤 Ａ                                          ０．３８質量％
光重合開始剤Ｂ                                     １．１５質量％
配向制御剤Ｃ                                       ０．０６質量％
メチルエチルケトン                                 ６０．０質量％
【０１８８】
【化１５】
2005048058.tif 000018
【０１８９】
（２）非光学異方性層λ／４板の作製
特開２００２−４８９１９号公報の実施例１に従い、ポリカーボネイトフィルムを延伸したλ／４を調製した（なお、表３に非光学異方性型と記載）。
【０１９０】
２．偏光板の作製
ＰＶＡフィルムをヨウ素２．０ｇ／Ｌ、ヨウ化カリウム４．０ｇ／Ｌの水溶液に２５℃にて２４０秒浸漬し、さらにホウ酸１０ｇ／Ｌの水溶液に２５℃にて６０秒浸漬後、図１に示されるようなテンター延伸機に導入し、５．３倍に延伸し、テンターを延伸方向に対して図１に示されるように屈曲させ、移行幅を一定に保ち、収縮させながら８０℃雰囲気で乾燥させ、次いでテンターから離脱した。延伸開始前のＰＶＡフィルムの含水率は３１％で、乾燥後の含水率は１．５％であった。左右のテンタークリップの搬送速度差は、０．０５％未満であり、導入されるフィルムの中心線と次工程に送られるフィルムの中心線のなす角は、４６゜であった。
【０１９１】
ここで｜Ｌ１−Ｌ２｜は０．７ｍ、Ｗは０．７ｍであり、｜Ｌ１−Ｌ２｜＝Ｗの関係にあった。テンター出口における実質延伸方向Ａｘ−Ｃｘは、次工程へ送られるフィルムの中心線１２に対し４５゜傾斜していた。テンター出口におけるシワ、フィルム変形は観察されなかった。さらに、テンタークリップの搬送速度差を左右につけることで、表３に示すような吸収軸の傾いたものを作成した。これらに、ＰＶＡ（（株）クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、けん化処理した富士写真フィルム（株）製フジタックと貼り合わせ、さらに８０℃で乾燥して有効幅６５０ｍｍの偏光板を得た。
【０１９２】
比較例として、縦延伸機を用い長手方向に延伸したもの（吸収軸の角度＝０度）も作製した。
【０１９３】
次に、上記で作製したヨウ素系偏光フィルムの片面上に、上記λ／４板を偏光板の吸収軸とλ／４板の遅相軸とが４５°になるように貼り合わせ、円偏光板を調製した。
【０１９４】
〔実施例４〕  液晶表示装置の作製
１．ＴＮ型液晶表示装置の作製
ポリイミド配向膜を付与した導電性プラスチック基板（プラスチック基板にガスバリア層と透明導電層を積層したもの）のガスバリア層側に、微細な凹凸が形成されたアルミニウム反射電極を設けた（下部電極）。上述の方法で調整した円偏光板と、上記下部電極を、１５インチの大きさに裁断した後、両者のポリイミド配向膜どうしが、ラビング方向が１１０゜の角度で交差するように、１．７μｍのスペーサーを介して、二つの基板を向かい合わせた。これらの基板の間隙に、液晶（ＭＬＣ-６２５２、メルク社製）を注入し、液晶層を形成した。このようにして、ツイスト角が７０゜、Δｎｄの値が２６９ｎｍのＴＮ型液晶セルを作製した。これを全面黒表示とし、画面に現れる白点の数を目視で計測し表３に示した。
【０１９５】
２．ＳＴＮ型液晶表示装置の作製
ポリイミド配向膜を付与した導電性プラスチック基板（プラスチック基板にガスバリア層と透明導電層を積層したもの）のガスバリア層側に、微細な凹凸が形成されたアルミニウム反射電極を設けた（下部電極）。上述の方法で調整した円偏光板と、上記下部電極を、１５インチの大きさに裁断した後、両者のポリイミド配向膜同士が、ラビング方向が６０゜の角度で交差するように、６μｍのスペーサーを介して、二つの基板を向かい合わせた。これらの基板の隙間に、液晶（ＺＬＩ-２９７７、メルク社製）を注入し、液晶層を形成した。このようにしてツイスト角が２４０゜、Δｎｄの値が７９１ｎｍのＳＴＮ型液晶セルを作製した。これを全面黒表示とし、画面に現れる白点の数を目視で計測し表３に示した。
【０１９６】
【表３】
2005048058.tif 000019
【０１９７】
本発明のプラスチック基板を用いたものは、裁断時の切り屑による白点故障の数は少なく、良好な画像が得られた。一方、比較例を用いたものは、白点故障が多く発生した。さらに、本発明のプラスチック基板を用いたものでは、２０〜７０°傾斜させた吸収軸を有する偏光板、液晶性化合物で形成される光学異方性層からなるλ／４板と組み合わせることにより、より広い視野角が得られた（視野角は垂直から視線を傾け、画像の色味が反転した角度を目視にて求めた）。
【０１９８】
〔実施例５〕  タッチパネルの作製
タッチパネルは、特開平５-１２７８２２号公報及び特開２００２-４８９１３号公報等に記載に従い作製した。本発明のプラスチック基板を用いたものは良好な性能を示し、上記白点故障は殆ど発生しなかた。
【０１９９】
〔実施例６〕  有機ＥＬ素子の作製
光学有機ＥＬ素子を特開２０００-２６７０９７号公報に従い、観察者側から順に保護タック（最表面に反射防止機能層付き）／上記円偏光板（本発明の導電性プラスチック基板（プラスチック基板上に導電層とガスバリア層を積層したもの）のＩＴＯ層を有機ＥＬ側にする）／有機ＥＬ素子／反射電極の構成で作製した。
【０２００】
本発明のプラスチック基板を用いたものは良好な性能を示し、上記白点故障は殆ど発生しなかた。
【図面の簡単な説明】
【０２０１】
【図１】ポリマーフィルムを斜め延伸する本発明のプラスチック基板の製造方法の一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【０２０２】
（ａ）  フィルムを導入する工程
（ｂ）  フィルムを延伸する工程
（ｃ）  延伸フィルムを次工程へ搬送する工程
Ａ１  フィルムの保持手段への噛み込み位置とフィルム延伸の起点位置（実質保持開始点：右）
Ｂ１  フィルムの保持手段への噛み込み位置（左）
Ｃ１  フィルム延伸の起点位置（実質保持開始点：左）
Ｃｘ  フィルム離脱位置とフィルム延伸の終点基準位置（実質保持解除点：左）
Ａｙ  フィルム延伸の終点基準位置（実質保持解除点：右）
｜Ｌ１−Ｌ２｜  左右のフィルム保持手段の行程差
Ｗ    フィルムの延伸工程終端における実質幅
θ    延伸方向とフィルム進行方向のなす角
１１  導入側フィルムの中央線
１２  次工程に送られるフィルムの中央線
１３  フィルム保持手段の軌跡（左）
１４  フィルム保持手段の軌跡（右）
１５  導入側フィルム
１６  次工程に送られるフィルム
１７、１７’  左右のフィルム保持開始（噛み込み）点
１８、１８’  左右のフィルム保持手段からの離脱点
【図１】
2005048058.tif 000020