(57)【要約】【課題】  温度特性を良好に保つことが可能な半導体加速度センサを提供する。【解決手段】  本発明に係る半導体加速度センサは、半導体基板からなるフレーム１と、フレーム１内の略中央部に設けた錘部２と、錘部２とフレーム１とを可撓的に接続させ設けた複数のビーム３と、錘部２に作用する加速度により抵抗値が変化するビーム３に設けた抵抗素子４とを有したセンサチップ１０と、フレーム１の抵抗素子４が形成されない側の表面に、錘部２を僅かに離間し可動自在に接続したパッケージ２０とを備え、更に、フレーム１の隅角を含む領域に設けたフレーム１とパッケージ２０とを接続する接続領域６と、平面視において接続領域６に隣接させるとともに、ビーム３の基端部３１を取り囲むように設けた薄肉部５とを備えた構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板からなるフレームと、該フレーム内の略中央部に設けた錘部と、該錘部と前記フレームとを可撓的に接続させ設けた複数のビームと、前記錘部に作用する加速度により抵抗値が変化する前記ビームに設けた抵抗素子とを有したセンサチップと、
前記フレームの前記抵抗素子が形成されない側の表面に、前記錘部を僅かに離間し可動自在に接続したパッケージと、を備えた半導体加速度センサであって、
前記フレームの隅角を含む領域に設けた前記フレームと前記パッケージとを接続する接続領域と、
平面視において前記接続領域に隣接させるとともに、前記ビームの基端部を取り囲むように設けた薄肉部と、
を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項２】
前記フレームは、平面視において、少なくとも前記薄肉部の一部、及び前記ビームの基端部を含む外周部にくびれ部を備えた請求項１に記載の半導体加速度センサ。
【請求項３】
半導体基板からなるフレームと、該フレーム内の略中央部に設けた錘部と、該錘部と前記フレームとを可撓的に接続させ設けた複数のビームと、前記錘部に作用する加速度により抵抗値が変化する前記ビームに設けた抵抗素子とを備えたセンサチップと、
前記フレームの前記抵抗素子が形成されない側の表面に、前記錘部を僅かに離間し可動自在に接続したパッケージと、を備えた半導体加速度センサであって、
平面視において、前記ビームの突出方向とは略直交方向であり、該略直交方向の長さが前記ビーム幅よりも長く、前記ビームに隣接させず前記ビームの基端部に隣接するように設けた薄肉部又は貫通孔部と、
前記フレームの外周囲部側に、前記薄肉部又は貫通孔部に隣接させて設けた前記フレームと前記パッケージとを接続する接続領域と、
を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項４】
前記フレームと前記パッケージとの間に台座部を設け、前記フレームと前記台座部、及び前記パッケージと前記台座部とを接続した請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体加速度センサ。
【請求項５】
前記パッケージと前記台座部の間に、平面視において前記台座部の中央部に接着剤を１点支持可能な所定の面積分だけ設け、
前記接着剤にて、前記パッケージと前記台座部とを接続した請求項４に記載の半導体加速度センサ。
【請求項６】
前記パッケージ又は／及び前記台座部は、両者が対面する側に凹部を備え、
前記接着剤を、その厚みが前記凹部の厚みに略等しく、平面視において前記凹部内に納まるよう設けた請求項５に記載の半導体加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば自動車、航空機及び家電製品に用いられる半導体加速度センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体加速度センサとしては、フレームと、フレームの略中心部に設けられた錘部と、錘部とフレームとを接続するビームと、ビームの所定位置に抵抗素子とを有するセンサチップを備えたものを挙げることができる（特許文献１参照）。
【０００３】
上述の半導体加速度センサは、例えば、セラミック等により構成されたパッケージと、前述のセンサチップのフレームとをシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の接着剤により固着した構成である。
【０００４】
なお、半導体加速度センサの感度は、一般的に、（錘部の質量）と（ビームの長さ）と（錘部に加わる加速度）との積に比例し、（ビーム幅）と（ビーム厚み）2の積に反比例することが知られている。従って、ビームの厚みを極薄構造にすることで、センサチップ自身を大きくすることなく、半導体加速度センサの高感度化をはかることができる。なお、半導体加速度センサの使用温度範囲は、例えば−４０℃〜８０℃と比較的広いものであり、半導体加速度センサの温度特性が重要なセンサ特性である。
【特許文献１】特開１１−１６０３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述のような従来の半導体加速度センサにおいては、センサチップ、パッケージ、接着剤は、通常、各々熱膨張係数が異なるため、温度環境が変化すると、この各異なる熱膨張係数の違いに起因して熱応力が発生する可能性があった。
【０００６】
この半導体加速度センサに発生する熱応力は、ビームに発生すると、センサ特性が大きな温度特性を持つことになり、センサ特性の悪化につながる可能性があった。
【０００７】
また、前述の熱応力を主要因とした経時的な特性変動やヒステリシス特性が発生すると、センサ特性の致命的な悪化につながる可能性があった。
【０００８】
本発明は上記問題点を改善するためになされたものであり、温度特性を良好に保つことが可能な半導体加速度センサを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的を達成するために、本発明の請求項１に係る半導体加速度センサは、半導体基板からなるフレームと、該フレーム内の略中央部に設けた錘部と、該錘部と前記フレームとを可撓的に接続させ設けた複数のビームと、前記錘部に作用する加速度により抵抗値が変化する前記ビームに設けた抵抗素子とを有したセンサチップと、前記フレームの前記抵抗素子が形成されない側の表面に、前記錘部を僅かに離間し可動自在に接続したパッケージと、を備えた半導体加速度センサであって、前記フレームの隅角を含む領域に設けた前記フレームと前記パッケージとを接続する接続領域と、平面視において前記接続領域に隣接させるとともに、前記ビームの基端部を取り囲むように設けた薄肉部と、を備えている。
【００１０】
また、本発明の請求項２に係る半導体加速度センサは、請求項１に記載の半導体加速度センサにおいて、前記フレームは、平面視において、少なくとも前記薄肉部の一部、及び前記ビームの基端部を含む外周部にくびれ部を備えている。
【００１１】
また、本発明の請求項３に係る半導体加速度センサは、半導体基板からなるフレームと、該フレーム内の略中央部に設けた錘部と、該錘部と前記フレームとを可撓的に接続させ設けた複数のビームと、前記錘部に作用する加速度により抵抗値が変化する前記ビームに設けた抵抗素子とを備えたセンサチップと、前記フレームの前記抵抗素子が形成されない側の表面に、前記錘部を僅かに離間し可動自在に接続したパッケージと、を備えた半導体加速度センサであって、平面視において、前記ビームの突出方向とは略直交方向であり、該略直交方向の長さが前記ビーム幅よりも長く、前記ビームに隣接させず前記ビームの基端部に隣接するように設けた薄肉部又は貫通孔部と、前記フレームの外周囲部側に、前記薄肉部又は貫通孔部に隣接させて設けた前記フレームと前記パッケージとを接続する接続領域と、を備えている。
【００１２】
また、本発明の請求項４に係る半導体加速度センサは、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体加速度センサにおいて、前記フレームと前記パッケージとの間に台座部を設け、前記フレームと前記台座部、及び前記パッケージと前記台座部とを接続している。
【００１３】
また、本発明の請求項５に係る半導体加速度センサは、請求項４に記載の半導体加速度センサにおいて、前記パッケージと前記台座部の間に、平面視において前記台座部の中央部に接着剤を１点支持可能な所定の面積分だけ設け、前記接着剤にて、前記パッケージと前記台座部とを接続している。
【００１４】
また、本発明の請求項６に係る半導体加速度センサは、請求項５に記載の半導体加速度センサにおいて、前記パッケージ又は／及び前記台座部は、両者が対面する側に凹部を備え、前記接着剤を、その厚みが前記凹部の厚みに略等しく、平面視において前記凹部内に納まるよう設けている。
【発明の効果】
【００１５】
このような構成の半導体加速度センサは、温度環境の変化が生じても、センサチップに設けた薄肉部又は貫通孔部により、パッケージから受ける熱応力を吸収してビームへの熱応力伝播を阻止するため、温度特性を良好に保ち、センシング性能の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
【００１７】
本発明の第１実施形態を図１乃至図３に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面における断面図（断面矢視図）である。また、図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサのセンサチップの製造工程の一例を示す断面図である。
【００１８】
第１実施形態においては、半導体加速度センサは、図１に示すように、矩形枠状のフレーム１と、フレーム１内に略中央部に設けた四角柱状の錘部２と、錘部２とフレーム１とを可撓的に接続させ設けた複数（例えば互いに交叉する直線状である４本）のビーム３と、ビーム３とフレーム１の内周面とに包囲される空間内に遊挿され錘部２に連設する四角柱状の補助錘部２１と、錘部２及び補助錘部２１に作用する加速度により抵抗値が変化するビーム３に設けた例えば不純物拡散で形成したピエゾ抵抗及び電極配線のような抵抗素子４と、後述する薄肉部５とを有したセンサチップ１０と、セラミックのパッケージ２０とを備え、３軸の加速度を検出可能な構成としている。なお、半導体加速度センサは、フレーム１とパッケージ２０とを接続する接続領域６をフレーム１の４つの隅角を含む領域に備えている。
【００１９】
ここで、薄肉部５は、ビーム３に隣接させず、つまり、ビーム３の基端部３１を取り囲むように、平面視において、各接続領域６に隣接させるようにフレーム１に備えている（各接続領域６には２箇所ずつ）。なお、薄肉部５の厚みは、ビーム３の厚み程度にし、フレーム１の他の箇所の厚みよりも極端に薄く、例えば約１０μｍである。
【００２０】
センサチップ１０とパッケージ２０とは、シリコーンペーストの接着剤３０により、フレーム１の抵抗素子４が形成されない側の表面に錘部２を僅かに離間し可動自在に接続領域６にて固着される。従って、ビーム３及びビーム３の基端部３１は、接続領域６に対して、薄肉部５により遊動支持されることになる。なお、接着剤３０としては、シリコーンペーストの他にエポキシ樹脂性のものであってもよい。
【００２１】
なお、図１に示すように、一例として、補助錘部２１は、錘部２を対称的に取り囲むように連設した構成である（スリット７を備えて錘部２に連設）。また、センサチップ１０は、マイクロ構造体であり、ＳＯＩ(Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１００（図２参照）を用いて構成される。
【００２２】
ここで、半導体加速度センサの上下方向は、実際の使用状態での方位性に依存するため一義的に規定できないが、第１実施形態の記述では説明の便宜上、図１に示すように、センサチップ１０の配置側を上（上面、表面）側、パッケージ２０の配置側を下（下面、裏面）側というように上下方向を規定するものとする。
【００２３】
なお、図１では、Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ断面の各矢視方向の関係で、各接続領域６と補助錘部２１とが一見接続されているような位置関係に見えるが、各接続領域６は、可動でないフレーム１箇所とパッケージ２０との間を接着剤３０を介して接続する領域であるため、各接続領域６は、補助錘部２１とは接続されていない（図１（ａ）参照）。
【００２４】
以下、加速度の検出原理について簡単に説明する。抵抗素子４は、例えば、素子抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４、素子抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４、素子抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４であり、後述の如くビーム３に配置される。一直線状をなすビーム３方向をＸ軸とし、平面視においてこのＸ軸に直交するビーム３方向をＹ軸とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸に直交する方向をＺ軸とする。
【００２５】
Ｘ軸方向の加速度成分を検出する素子抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、例えば、図１（ａ）に示すように、Ｘ軸に平行なビーム３上に設け、Ｙ軸方向の加速度成分を検出する素子抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４は、Ｙ軸に平行なビーム３上に設けた構成である。また、Ｚ軸方向の加速度成分を検出する素子抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４は、Ｘ軸と平行であり素子抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４を設けたビーム３上に設けた構成である。
【００２６】
なお、Ｘ、Ｙ軸方向の加速度に対して、錘部２及び補助錘部２１は、モーメントを受け、Ｘ、Ｙ軸それぞれ方向の抵抗素子４の変化分は加算され出力されるが、Ｚ軸方向の加速度に対しては、抵抗素子４の変化分が相殺されて出力されない。なお、Ｚ軸方向の加速度に対しては、錘部２及び補助錘部２１は、垂直方向に変化し、抵抗素子４の変化分は、加算され出力されるが、Ｘ、Ｙ軸方向の加速度に対して、抵抗素子４の変化分が相殺されて出力されない。
【００２７】
以下に、半導体加速度センサを構成するセンサチップ１０の製造工程の一例を図２に基づいて説明する。図２は、図１のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面を説明するものであるが、簡略化のため各断面の破断部分のみを示す。
【００２８】
ＳＯＩ基板１００は、図２（ａ）に示すように、表面側であるＳｉ活性層１０１と、中間酸化膜層であるＳｉＯ2層１０２と、裏面層であるＳｉ支持基板１０３からなる。まず、Ｓｉ活性層１０１のビーム３相当箇所に抵抗素子４を形成し、次に、Ｓｉ支持基板１０３からＳｉＯ2層１０２までエッチング加工することにより、ビーム３相当部、錘部２相当部、補助錘部２１相当部を形成する。なお、このとき、薄肉部５は、ビーム３厚みと略同じ厚みになるようエッチング加工を行ない形成する（図２（ｂ））。次に、Ｓｉ活性層１０１からエッチング加工することで、ビーム３、錘部２、補助錘部２１を形成し、更に、表面に露出したＳｉＯ2層１０２をエッチング除去することでセンサチップ１０を形成する（図２（ｃ）、（ｄ））。
【００２９】
第１実施形態に係る半導体加速度センサは、例えば−４０℃〜８０℃と比較的広い使用温度範囲の温度環境の変化が生じても、センサチップ１０に設けた薄肉部５により、パッケージ２０から受ける熱応力を吸収して、加速度を検知するビーム３への熱応力伝播を阻止するため、温度特性を良好に保ち、センシング性能の信頼性を高めることができる。
【００３０】
なお、パッケージ２０は、セラミックの他に、ガラスで構成されていてもよい。ガラスは、セラミックに比べ、シリコンに対する熱膨張係数比がおよそ１／２であるため、接着剤３０が温度環境の変化に伴ってセンサチップ１０、パッケージ２０間で生じる熱応力を低減することができる。
【００３１】
また、パッケージ２０の材料がガラスである場合は、センサチップ１０とパッケージ２０との接続を接着剤３０で行なうのではなく、陽極接合により行なうこともできる（図３参照）。ここで、図３は、本発明の第１実施形態の変形形態を示す断面図であり、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面に相当する箇所における断面図（断面矢視図）である。この陽極接合を行なう場合、図３に示すように、パッケージ２０は、センサチップ１０と接続する側に凹部２０１を備えることが、錘部２、補助錘部２１の下面を僅かにパッケージ２０と離間し可動自在に接続するために好ましい構成である。なお、図３では、パッケージ２０と補助錘部２１とが一見接続されているような位置関係に見えるが、パッケージ２０と補助錘部２１とは陽極接合されていない。
【００３２】
次に、フレーム１の外周部に後述のくびれ部８を備えた実施形態を、本発明の第２実施形態として図４に基づいて説明する。図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図であり、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面における断面図（断面矢視図）である。
【００３３】
ここで、第２実施形態においては、図４に示すように、半導体加速度センサは、平面視において、フレーム１の外周部にくびれ部８を備えた構成である。
【００３４】
くびれ部８は、平面視において、図１（ａ）の接続領域６の一部、薄肉部５、ビーム３の基端部３１を含むフレーム１の外周部を通常のエッチング工程等で削り取った構成である。なお、くびれ部８は、平面視において、少なくとも薄肉部５の一部、及びビーム３の基端部３１を含むように、フレーム１の外周部に形成されていればよい。
【００３５】
第２実施形態に係る半導体加速度センサは、平面視において、少なくとも薄肉部５の一部、及びビーム３の基端部３１を含むようにフレーム１の外周部にくびれ部８を形成することで、チップ分離時、遊動支持された状態にあるビーム３の基端部３１に例えば直接ダイシングカッターが触れることがないため、チップ破壊を阻止することができる。
【００３６】
なお、図４では、Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ断面の各矢視方向の関係で、各接続領域６と補助錘部２１とが一見接続されているような位置関係に見えるが、各接続領域６は、可動でないフレーム１箇所とパッケージ２０との間を接着剤３０を介して接続する領域であるため、各接続領域６は、補助錘部２１とは接続されていない（図４（ａ）参照）。
【００３７】
また、次に、第１及び第２実施形態とは異なるフレーム１の箇所に薄肉部５に対応する箇所を形成した実施形態を、本発明の第３実施形態として図５に基づいて説明する。図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図であり、図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面における断面図（断面矢視図）である。
【００３８】
ここで、第３実施形態においては、第１実施形態で示した接続領域６、薄肉部５の配置が異なる構成である点以外は共通であるので、以下、この異なる箇所について説明する。
【００３９】
第３実施形態においては、フレーム１は、平面視において、ビーム３の突出方向とは略直交方向であり、この略直交方向の長さがビーム３幅よりも長く、ビーム３に隣接させずにビーム３の基端部３１に隣接するように設けた薄肉部５を備えた構成である。なお、フレーム１の外周囲部側には、薄肉部５に隣接させて設けたフレーム１とパッケージ２０とを接着剤で固着して接続するための接続領域６を備えている。従って、ビーム３及びビーム３の基端部３１は、接続領域６に対して、薄肉部５により遊動支持されることになる。
【００４０】
ここで、この薄肉部５１の形成箇所に、薄肉部５に代えて、フレーム１を平面視において貫通する貫通孔部（不図示）を設けてもよい。なお、薄肉部５、貫通孔部とも通常のエッチング工程等で形成することができる。
【００４１】
なお、図５では、Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ断面の各矢視方向の関係で、各接続領域６と錘部２、補助錘部２１とが一見接続されているような位置関係に見えるが、各接続領域６は、可動でないフレーム１箇所とパッケージ２０との間を接着剤３０を介して接続する領域であるため、各接続領域６は、錘部２、補助錘部２１とは接続されていない（図５（ａ）参照）。
【００４２】
次に、センサチップ１０とパッケージ２０との間に後述の台座部４０を設けた実施形態を、本発明の第４実施形態として図６及び図７に基づいて説明する。図６及び図７（図６の変形形態）は、本発明の第４実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図であり、平面図は、図１（ａ）と共通するので図略するが、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面に相当する箇所における断面図（断面矢視図）である。
【００４３】
ここで、半導体加速度センサは、図６に示すように、図１において、フレーム１とパッケージ２０との間に台座部４０を備え、フレーム１と台座部４０及びパッケージ２０と台座部４０とを接着剤３０にて接続した構成である。なお、台座部４０は、センサチップ１０を構成するフレーム１と同じ材料、例えばシリコンで形成されている。この場合、センサチップ１０と台座部４０の熱膨張係数が等しくなり、温度環境の変化の際にも両者間の熱応力が発生しにくい。ここで、図６では、各接続領域６と補助錘部２１とが一見接続されているような位置関係に見えるが、各接続領域６は、補助錘部２１とは接続されていない。
【００４４】
また、台座部４０の材料がガラスである場合、フレーム１と台座部４０との接続は、接着剤３０で行なうのではなく、陽極接合により行なうこともできる。この場合、図７に示すように、台座部４０は、センサチップ１０と接続する側に凹部４１を備えることが、錘部２の下面を僅かにパッケージ２０と離間し可動自在に接続するために好ましい構成である。また、図略するが、図７において、パッケージ２０と台座部４０との接続を陽極接合により行ってもよい。
【００４５】
なお、図７では、補助錘部２１と台座部４０とが接続されたような位置関係に見えているが、補助錘部２１と台座部４０とは接続されていない。
【００４６】
そして次に、パッケージ２０と台座部４０との他の接続形態を示す実施形態を、本発明の第５実施形態として図８及び図９に基づいて説明する。図８及び図９（図８の変形形態）は、本発明の第５実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図であり、平面図は、図１（ａ）と共通するので図略するが、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、Ｃ−Ｃ断面に相当する箇所における断面図（断面矢視図）である。
【００４７】
第５実施形態としては、第４実施形態と異なる箇所は、パッケージ２０と台座部４０との接続方法が平面視において台座部４０の中央部に接着剤３０を１点支持可能な所定の面積分だけに設けたところである。なお、所定の面積とは、例えば台座部４０を１点支持可能な面積以上であるが、平面視したセンサチップ１０の１／１０以下であることが好ましい。
【００４８】
第５実施形態に係る半導体加速度センサは、パッケージ２０と台座部４０の間に、平面視において台座部４０の中央部に接着剤を１点支持可能な所定の面積分だけ設け、パッケージ２０と台座部４０の接触面積を低減させることで、温度環境の変化が生じても、パッケージ２０、台座部４０両者間に生じる熱応力を低減することができる。
【００４９】
なお、半導体加速度センサは、図９に示すように、台座部４０と対面する側のパッケージ２０に凹部２０２を備え、接着剤３０を、その厚みが凹部４２の厚みに略等しく、平面視において凹部２０２内に納まるよう設けた構成であってもよいし、図略するが、台座部４０のパッケージ２０のと対面する側に凹部（不図示）を設け、接着剤を、その厚みが凹部の厚みに略等しく、平面視において凹部内に納まるよう設けた構成であってもよい。また、パッケージ２０及び台座部４０は、これら両者が対面する側に各々凹部（不図示）を備え、接着剤を、その厚みが各凹部の厚みの和に略等しく、平面視において少なくとも小さい方の凹部内に納まるよう設けた構成であってもよい。
【００５０】
ここで、図８、図９では、センサチップ１０側の各接続領域６と補助錘部２１とが接続されたような位置関係に見えているが、各接続領域６は、補助錘部２１とは接続されていない。
【００５１】
なお、第１乃至第５実施形態においては、半導体加速度センサは、３軸の加速度を検出可能な構成としているが、少なくとも２軸の加速度を検出可能な構成であればよい。また、錘部２、補助錘部２１の形状は、四角柱状としているが、この形状に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るセンサチップの製造工程の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサの変形形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る半導体加速度センサを示す平面図及び断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る半導体加速度センサの変形形態を示す断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る半導体加速度センサの変形形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  フレーム
２  錘部
３  ビーム
４  抵抗素子
５  薄肉部
６  接続領域
１０  センサチップ
２０  パッケージ
２１  補助錘部
３０  接着剤
３１  基端部
４０  台座部
【図１】
2005069946.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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