(57)【要約】【課題】  光漏れを抑制することにより、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる液晶装置およびそれを用いた投射型表示装置、電子機器を提供する。【解決手段】  複数の走査線１１ａと、複数の信号線と、走査線１１ａと信号線と電気的に接続された画素トランジスタと、画素トランジスタと電気的に接続された画素電極９ａと、画素電極９ａと液晶との間に配置されるとともに、所定方向にラビングされた配向膜と、を有し、配向膜のラビング方向に対して、略平行方向に延在する第１の非画素領域および略垂直方向に延在する第２の非画素領域のうち、第１の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さＬ１が、第２の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さＬ２よりも短いことを特徴とする。【選択図】  図５
2005202125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶が挟持された液晶装置であって、
前記一対の基板の内の一方の基板上に、
複数の走査線と、
前記複数の走査線に交差する複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線とに電気的に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタと電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と液晶との間に配置されるとともに、所定方向にラビングされた配向膜と、
を有し、
前記配向膜のラビング方向に対して、略平行方向に延在する第１の非画素領域および略垂直方向に延在する第２の非画素領域のうち、
前記第１の非画素領域の前記延在方向に対する垂直方向の長さが、前記第２の非画素領域の前記延在方向に対する垂直方向の長さよりも短いことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記画素電極が配置された層と前記信号線が配置された層との間に形成されるとともに、少なくともその一部が前記信号線の配置領域と平面的に重なる領域に配置されたシールド電極を有し、
前記シールド電極が、前記走査線が配置されている領域と重なる領域に配置されることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記シールド電極が、前記第１の非画素領域および前記第２の非画素領域と重なる領域に、マトリクス状に形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項４】
少なくとも、前記第１の非画素領域の下層には、前記画素電極と略同電位が供給される導電層が、配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項５】
一対の基板間に液晶が挟持された液晶装置であって、
前記一対の基板の内の一方の基板上に、
複数の走査線と、
前記複数の走査線に交差する複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線とに電気的に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタと電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と液晶との間に配置されるとともに、所定方向にラビングされた配向膜と、
前記画素電極が配置された層と前記信号線が配置された層との間に形成されるとともに、少なくともその一部が前記信号線の配置領域と重なる領域に配置されたシールド電極と、を有し、
少なくとも、前記配向膜のラビング方向に対して略平行方向に延在する第１の非画素領域の前記画素電極よりも下の層には、前記画素電極と略同電位が供給される導電層が、配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記導電層が、前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項４または５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記導電層が、前記画素電極と前記画素トランジスタとを中継するように接続されていることを特徴とする請求項４または５に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記シールド電極が、前記導電層と同層に配置されていることを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項９】
前記画素電極に供給される電圧は、フレーム毎に正の所定の電圧、負の所定の電圧と交互に切り替えられることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項１０】
光源と、該光源からの光を変調する光変調手段と、該光変調手段によって変調された光を投射する投射手段とを備えた投射型表示装置であって、
前記光変調手段が、請求項１から請求項９のいずれかに記載の液晶装置であることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、投射型表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調手段として、液晶ライトバルブが知られている。液晶ライトバルブは、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。通常、液晶ライトバルブにはアクティブマトリクス型の液晶セルが用いられており、画像の高精細化が進められている。
【０００３】
液晶ライトバルブの駆動方式には、液晶の焼き付きや劣化を防ぐため、ドット反転、ライン反転、フレーム反転等の反転駆動方式が従来から採用されている。上記の各反転駆動方式には一長一短があるが、ドット反転やライン反転の場合、クロストークが抑制できる利点がある反面、隣接する画素電極に逆極性の電位が書き込まれるため、隣接画素間で横電界が発生し、この横電界による液晶の配向の乱れに起因して光漏れが生じる恐れがある。上述したように、液晶ライトバルブでは高精細化が求められる事情から、この光漏れは、コントラスト低下などを引起し、表示画質を低下させる大きな要因となる。そこで、この観点から、横電界の発生のないフレーム反転駆動方式の採用が求められてきた。
【０００４】
フレーム反転駆動方式においては、全ての信号線電位を同一極性とし、１フレーム毎に信号線の極性を反転するため、極性を反転させた時に信号線の電位変動が大きくなる。信号線の電位変動が大きくなると、それに従って画素電位も変動を起こし、画素電位の変動が輝度の変化として現れる。また、画素電極−信号線間の静電容量が大きくなると、信号線の電位変動がクロストークとして現れる恐れもある。そのため、これらの不具合を克服するために、さまざまな技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平５−１２７１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１においては、画素電極と、信号線や走査線とのカップリングを防止するために両者の間にシールド電極を形成している。そのため、クロストークを防止する効果が得られている。また、画素電極と信号線を別層に形成し、かつシールド電極を入れた結果、画素電極−信号線間の電界による配向乱れも低減されている。
しかし、上記特許文献１においては、シールド電極の電位を適当にコントロールして、この配向の乱れを低減することができると記載されているが、具体的な方法が記載されておらず、画素電極−信号線間の電界による配向乱れを低減できず、これによる光漏れを抑制できないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、光漏れを抑制することにより、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる液晶装置およびそれを用いた投射型表示装置、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された液晶装置であって、一対の基板の内の一方の基板上に、複数の走査線と、複数の走査線に交差する複数の信号線と、走査線と信号線とに電気的に接続された画素トランジスタと、画素トランジスタと電気的に接続された画素電極と、画素電極と液晶との間に配置されるとともに、所定方向にラビングされた配向膜と、を有し、配向膜のラビング方向に対して、略平行方向に延在する第１の非画素領域および略垂直方向に延在する第２の非画素領域のうち、第１の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さが、第２の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さよりも短いことを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明の第１の液晶装置は、後述するように、光漏れにより影響を与える第１の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さ、つまり第１の非画素領域の幅を、第２の非画素領域の幅よりも短く（狭く）することで、第１の非画素領域およびその近傍領域における信号線などからの電界の影響を減少させることができ、液晶の配向乱れを減少させることができる。同時に、第１の非画素領域およびその近傍領域における画素電極のフリンジ電界による液晶の配向乱れを減少させることができる。そのため、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制することができ、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
さらに、第１の非画素領域の幅のみを狭くしているので、画素電極間のショート、例えば画素電極形成時のエッチング残りによるショートや異物によるショート、の増加を抑えることができ、液晶装置の歩留りの低下を抑えることができる。
なお、非画素領域とは、画素電極が形成されている層上であって、画素電極が形成されていない領域のことを示し、画素電極と画素電極との間の領域を示している。
【０００９】
第１の非画素領域およびその近傍領域の液晶配向の乱れが、第２の非画素領域およびその近傍領域の液晶配向の乱れよりも光漏れに影響を与える理由については、両者の配向乱れの差に起因すると考えられる。
つまり、第１の非画素領域は上記ラビング方向に延在する領域であり、配向膜近傍に配置された液晶はラビング方向に配向されるので、第１の非画素領域の延在方向と配向膜近傍の液晶の配向方向とは略平行となっている。第１の非画素領域における電界の向きは、信号線、シールド電極などからの電界およびフリンジ電界により第１の非画素領域の幅方向に傾く。電界の向きが傾くことにより、第１の非画素領域およびその近傍領域において、液晶にはツイスト方向に働く力が発生するとともに、ティルト方向に働く力が減少し、液晶の配向はツイスト方向およびティルト方向に乱れる。
【００１０】
また、第２の非画素領域は上記ラビング方向に略垂直に延在するので、第２の非画素領域の延在方向と配向膜近傍の液晶の配向方向とは略垂直となっている。第２の非画素領域における電界の向きは、第１の非画素領域と同様に、第２の非画素領域の幅方向に傾く。第１の非画素領域およびその近傍領域において、この電界の傾きは、液晶のティルト方向にのみ働き、液晶の配向はティルト方向にのみ乱れる。
光漏れ、コントラストについては、液晶配向のツイスト方向への乱れが、ティルト方向への乱れよりも影響を与えるため、第１の非画素領域およびその近傍領域の液晶配向の乱れが、第２の非画素領域およびその近傍領域の液晶配向の乱れよりも光漏れに影響を与えると考えられる。
【００１１】
上記の構成を実現するために、より具体的には、画素電極が配置された層と信号線が配置された層との間に形成されるとともに、少なくともその一部が信号線の配置領域と平面的に重なる領域に配置されたシールド電極を有し、シールド電極が、走査線が配置されている領域と重なる領域に配置されてもよい。
この構成によれば、シールド電極が、信号線だけでなく走査線の電位による電界を遮蔽するため、画素電極上に形成される電界の乱れをより抑制することができる。
【００１２】
上記の構成を実現するために、より具体的には、シールド電極が、第１の非画素領域および第２の非画素領域と重なる領域に、マトリクス状に形成されてもよい。
この構成によれば、シールド電極が、画素電極が配置されていない領域にマトリクス状に配置されるため、画素電極よりも下層に配置された電位を有する層からの電界を遮蔽することができる。そのため、画素電極上に形成される電界の乱れをさらに抑制することができる。
【００１３】
上記の構成を実現するために、より具体的には、第１の非画素領域および第２の非画素領域の形状が、上記本発明である第１の液晶装置における関係に形成されるとともに、少なくとも、第１の非画素領域の下層には、画素電極と略同電位が供給される導電層が配置されていてもよい。
この構成によれば、第１の非画素領域の幅を第２の非画素領域の形状の幅よりも狭くするとともに、上記本発明の導電層を配置しているため、第１の非画素領域およびその近傍領域におけるフリンジ電界による液晶の配向乱れを減少させるとともに、信号線、シールド電極などからの電界の影響をより減少させることができる。
【００１４】
本発明の第２の液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された液晶装置であって、一対の基板の内の一方の基板上に、複数の走査線と、複数の走査線に交差する複数の信号線と、走査線と信号線とに電気的に接続された画素トランジスタと、画素トランジスタと電気的に接続された画素電極と、画素電極と液晶との間に配置されるとともに、所定方向にラビングされた配向膜と、画素電極が配置された層と信号線が配置された層との間に形成されるとともに、少なくともその一部が信号線の配置領域と重なる領域に配置されたシールド電極と、を有し、少なくとも、配向膜のラビング方向に対して略平行方向に延在する第１の非画素領域の画素電極よりも下の層には、画素電極と略同電位が供給される導電層が、配置されていることを特徴とする。
【００１５】
すなわち、本発明の第２の液晶装置は、上述したように、光漏れにより影響を与える第１の非画素領域の画素電極よりも下の層に、画素電極と略同電位が供給される導電層を配置するため、信号線の電位による電界を遮蔽して、その影響を減少させることができる。また、導電層は画素電極と略同電位が供給されているので、導電層の電位による電界が、液晶配向の乱れを起こすことがない。そのため、液晶の配向乱れを減少させることができ、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制し、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
また、導電層を設けたことにより、隣接する画素電極の間隔を狭くする必要がなくなり、画素電極間のショート、例えば画素電極形成時のエッチング残りによるショートや異物によるショート、の増加を抑えることができ、液晶装置の歩留りの低下を抑えることができる。
【００１６】
上記の構成を実現するために、より具体的には、導電層が、画素電極と電気的に接続されていてもよい。
この構成によれば、導電層と画素電極とが電気的に接続されているため、導電層には画素電極から電位が供給される。つまり、導電層には、確実に画素電極と同電位が供給され、導電層の電位による電界が液晶配向の乱れを起こすことがない。
【００１７】
上記の構成を実現するために、より具体的には、導電層が、画素電極と画素トランジスタとを中継するように接続されていてもよい。
この構成によれば、画素電極と画素トランジスタとの間に導電層が中継するように接続されているので、画素電極に供給される電位は、まず導電層に供給され、その後画素電極に供給される。そのため、導電層には、確実に画素電極と電位と同じ電位が供給され、導電層の電位による電界が液晶配向の乱れを起こすことがない。
【００１８】
上記の構成を実現するために、より具体的には、シールド電極が、導電層と同じ層に配置されていてもよい。
この構成によれば、シールド電極と導電層とが同じ層に配置されるので、積層方向の寸法を短くすることができ、液晶装置の薄型化を図りやすくなる。また、シールド電極および導電層が形成されている一方の基板における液晶側の面を、より平坦化しやすいため、液晶の配向に影響を与えにくく、より品質の高い画像を表示しやすくなる。
また、シールド層と、導電層とを同一の工程において形成することができるので、製造プロセスを増やすことなく、シールド層と導電層とを形成することができる。
【００１９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、画素電極に供給される電圧は、フレーム毎に正の所定の電圧、負の所定の電圧と交互に切り替えられることが望ましい。
この構成によれば、画素電極に供給される電圧は、フレーム毎に正の所定の電圧、負の所定の電圧と交互に切り替えられる、つまりフレーム反転駆動されるので、隣接する画素電極の極性が反転することがない。そのため、画素電極間における横電界に起因する電界の乱れが発生することがなく、液晶配向の乱れが発生しない。その結果、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制することができ、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【００２０】
本発明の投射型表示装置は、光源と、光源からの光を変調する光変調手段と、光変調手段によって変調された光を投射する投射手段とを備えた投射型表示装置であって、光変調手段が、上記本発明の液晶装置であることを特徴とする。
すなわち、本発明の投射型表示装置は、光変調手段として上記本発明の液晶装置を用いているため、投射される画像のコントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
すなわち、本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を用いているため、表示される画像のコントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
〔液晶装置〕
〔第１の実施の形態〕
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について図１から図６を参照して、詳細に説明する。
なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
まず、図１から図３を参照して本実施の形態の液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置の全体構成について説明する。
図１は本実施の形態における液晶装置を対向基板側から見た平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'線における部分断面図である。図３は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００２４】
本実施形態の液晶装置（電気光学装置）は、図１および図２に示すように、ＴＦＴ基板（基板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、シフトレジスタなどが形成されたデータ線駆動回路１０１およびパッド１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
なお、データ駆動回路１０１は上述のようにＴＦＴ基板１０の上に形成されていてもよいし、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に駆動用ＬＳＩとして実装し、異方性導電フィルムを介してパッド１０２に電気的及び機械的に接続されるようにしてもよい。
【００２５】
この液晶装置の画像表示領域１０ａにおいては、図３に示すように、複数の画素電極９ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素電極９ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ（画素トランジスタ）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線（信号線）６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、同時に供給してもよいし、デマルチプレクサを設けて時分割に共通してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２６】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。また、画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込むようになっている。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも長い時間の保持が可能とされる。
このようにして、画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようになっている。
そのため、隣接する画素電極９ａの極性が反転することがなく、画素電極９ａ間における電界の乱れが発生することがない。その結果、画素電極９ａ間において、液晶配向の乱れが発生せず、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制することができ、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【００２７】
この液晶装置においては、その駆動方式としてフレーム反転駆動方式を採用しているため、データ線６ａを介して画素電極９ａに供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの極性は、１フレーム毎に反転されている。また、フレーム周波数としては、フレーム反転駆動方式に起きやすい不具合であるフリッカを防止できる程度に高い周波数であればよく、例えば６０Ｈｚ以上が好ましく、より好ましくは１２０Ｈｚであることが好ましい。
【００２８】
図４は一つの画素に着目した液晶装置の模式的断面図であり、図５および図６は各層のパターンを示す平面図である。
画素電極９ａは、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線１１ａが設けられている。
【００２９】
隣接する画素電極９ａの間隔（非画素領域）は、図５におけるＸ方向およびＹ方向に延在しており、Ｘ方向に延在する間隔の幅（第１の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さ）Ｌ１と、Ｙ方向に延在する間隔の幅（第２の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さ）Ｌ２との関係が、Ｌ１＜Ｌ２となるように形成されている。幅Ｌ１、Ｌ２の値としては、Ｌ１が０．８μｍ程度、Ｌ２が０．３μｍから０．５μｍ程度を例示することができる。なお、幅Ｌ１、Ｌ２の値は、上述の値に限られることなく、画素電極９ａ間の電界の乱れによる光漏れが顕著にならない程度に適宜変更することができる。
【００３０】
データ線６ａは、後述するように、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、図５に示すように、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されている。すなわち、走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線１１ａに接続されたゲート電極３ａとチャネル領域１ａ’とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００３１】
図５のＡ−Ａ’線断面図たる図４に示すように、電気光学装置は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００３２】
ＴＦＴ基板１０の側には、図４に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。配向膜１６の配向処理の方向は、図５におけるＸ方向と平行な方向となるようにされている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その全面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６および２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３３】
このように対向配置されたＴＦＴ基板１０および対向基板２０間には、シール材５２（図１および図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６および２２により所定の配向状態をとる。
液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００３４】
一方、ＴＦＴ基板１０上には、画素電極９ａおよび配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａおよび配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなっている。
また、第１層および第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層および第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層および第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層および第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層および第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３および４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００３５】
第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図５のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａあるいはシールド層４００が延在する図５のＹ方向に延びる突出部とを備えている。
なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００３６】
これにより、走査線１１ａは、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ・ＯＦＦを一斉に制御する機能を有することになる。また、該走査線１１ａは、画素電極９ａが形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００３７】
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３８】
そして、この第２層には、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図５に示すように、各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００３９】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソースおよびドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００４０】
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００４１】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られており、この溝１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、この溝１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。
【００４２】
また、この側壁部３ｂは、前記の溝１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａおよび走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００４３】
なお、走査線１１ａに平行するようにして、ゲート電極３ａを含む別の走査線を形成するような構造を採用してもよい。この場合においては、該走査線１１ａと該別の走査線とは、冗長的な配線構造をとることになる。これにより、例えば、該走査線１１ａの一部に何らかの欠陥があって、正常な通電が不可能となったような場合においても、当該走査線１１ａと同一の行に存在する別の走査線が健全である限り、それを介してＴＦＴ３０の動作制御を依然正常に行うことができることになる。
【００４４】
第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。また、蓄積容量７０は、図５に示すように、画素電極９ａの形成領域に略対応する光透過領域には至らないように形成されている（つまり、遮光領域内に収まるように形成されている）。
【００４５】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属または合金を含む単一層膜または多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。この中継接続は、後述するように、前記中継電極７１９を介して行われている。
【００４６】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされたシールド層４００と電気的接続が図られることによりなされている。
そして、この容量電極３００は、ＴＦＴ基板１０上において、各画素に対応するように島状に形成されており、下部電極７１は、当該容量電極３００と略同一形状を有するように形成されている。
【００４７】
誘電体膜７５は、図４に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｌｐｅｒａｔｕｒｅ  ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｌｐｅｒａｔｕｒｅ  ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。そして、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂからなる２層構造を有する。
なお、本実施の形態では、誘電体膜７５は、２層構造を有するものとなっているが、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜等というような３層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。
【００４８】
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａおよび中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４９】
さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。さらに加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、後述する第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
なお、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００°Ｃの焼成を行うことにより、半導体層１ａやゲート電極３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【００５０】
図４に示すように、コンタクトホール８８２は、蓄積容量７０以外の領域に形成されており、下部電極７１を一旦下層の中継電極７１９に迂回させてコンタクトホール８８２を介して上層に引き出していることから、下部電極７１を上層の画素電極９ａに接続する場合でも、下部電極７１を誘電体膜７５および容量電極３００よりも広く形成する必要がない。
【００５１】
第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａの延在する方向に一致するように、すなわち図５中Ｙ方向に重なるようにストライプ状に形成されている。
このデータ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図４における符号４１Ａ）、窒化チタンからなる層（図４における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層（図４における符号４０１）の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。このうちデータ線６ａが、比較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。他方、データ線６ａ上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
【００５２】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。すなわち、図５中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１、さらにその右方にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
シールド層用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一工程で、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する膜として形成されている。そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。窒化チタン層は、シールド層用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２に対して形成するコンタクトホール８０３、８０４のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。なお、プラズマ窒化膜としては、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
【００５３】
蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が形成されている。
【００５４】
第５層には、シールド層（シールド電極）４００が形成されている。このシールド層４００は、平面的にみると、図５および図６に示すように、図中Ｘ方向およびＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該シールド層４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、かつ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００５５】
さらには、図５または図６に示すように、ＸＹ方向それぞれに延在するシールド層４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。シールド層４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。
【００５６】
このシールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、後述するデータ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【００５７】
また、第４層には、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２および画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００および第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００５８】
他方、上述のシールド層４００および第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の２層構造を有している。また、第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムからなる層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと接続されるようになっている。
【００５９】
さらには、シールド層４００および第３中継電極４０２は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図４参照）の進行を、その上側で遮ることが可能である。なお、このような遮光機能は、上述した容量電極３００およびデータ線６ａについても同様にいえる。これらシールド層４００、第３中継電極４０２、容量電極３００およびデータ線６ａが、ＴＦＴ基板１０上に構築される積層構造の一部をなしつつ、ＴＦＴ３０に対する上側からの光入射を遮る上側遮光膜として機能する。
【００６０】
データ線６ａの上、かつ、シールド層４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、および、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６１】
なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して上述した焼成を行わないことにより、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００６２】
第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａおよび第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。本実施の形態においては、第３および第４層間絶縁膜４３、４４の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｌｉｃａ１  ＭｅｃｈａｎｌｃａＩ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により平坦化されている。
また、蓄積容量７０は、下から順に画素電位側容量電極、誘電体膜および固定電位側容量電極という３層構造を構成していたが、これとは逆の構造を構成するようにしてもよい。
【００６３】
上記の構成によれば、図５に示すように、隣接する画素電極９ａにおけるＸ方向に延在する間隔の幅Ｌ１が幅Ｌ２よりも狭くなるので、Ｘ方向に延在する間隔およびその近傍領域における走査線１１ａなどからの電界の影響を減少させることができ、液晶の配向乱れ（ツイスト方向の乱れ）を減少させることができる。同時に、Ｘ方向に延在する間隔およびその近傍領域におけるフリンジ電界による液晶の配向乱れ（ツイスト方向の乱れ）を減少させることができる。そのため、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制することができ、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【００６４】
さらに、画素電極９ａの間の幅Ｌ１のみを狭くしているので、画素電極９ａ間のショート、例えば画素電極９ａ形成時のエッチング残りによるショートや異物によるショート、の増加を抑えることができ、液晶装置の歩留りの低下を抑えることができる。
【００６５】
また、シールド層４００が、画素電極９ａが配置されていない領域にマトリクス状に配置され、データ線６ａおよび走査線１１ａの電位による電界を遮蔽するため、画素電極９ａ上に形成される電界の乱れをより抑制することができる。
【００６６】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図７および図８を参照して説明する。
本実施の形態における液晶装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、シールド層周辺部が異なっている。よって、本実施の形態においては、図７および図８を用いてシールド層周辺のみを説明し、ＴＦＴ等の説明を省略する。
図７および図８は、本実施の形態における液晶装置の各層の成膜パターンを示す平面図である。
【００６７】
隣接する画素電極９ａの間隔は、図７におけるＸ方向およびＹ方向に延在しており、Ｘ方向に延在する間隔（第１の非画素領域）およびＹ方向に延在する間隔（第２の非画素領域）は略同じ幅に形成されている。なお、Ｘ方向に延在する間隔の幅とＹ方向に延在する間隔の幅との関係が、第１の実施の形態と同じ関係に形成されていてもよい。
【００６８】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ３および第２中継電極６ａ４が形成されている。これらは、図８に示すように、平面的に見ると、パターニング上分断されるように形成されている。すなわち、図８中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ３、さらにその右方にシールド層用中継層６ａ３よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ４が形成されている。また、シールド層用中継層６ａ３および第２中継電極６ａ４は、後述するシールド層４００Ａと第３中継電極４０２Ａとの間隔、隙間を覆うように配置されている。
【００６９】
第５層には、シールド層４００Ａが形成されている。このシールド層４００Ａは、平面的にみると、図７および図８に示すように、図中Ｙ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状のシールド層４００Ａは、図８のＹ方向に沿うように延びる本線部と、走査線１１ａが延在する図８のＸ方向に延びる突出部とを備えている。このシールド層４００Ａのうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、かつ、データ線６ａよりも幅広に形成されている。
なお、隣接するシールド層４００Ａから伸びる突出部は相互に接続されることはなく、後述する第３中継電極４０２Ａが配置できるように間隔が空けられている。したがって、シールド層４００Ａは１本１本分断された形となっている。
【００７０】
このシールド層４００Ａは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、後述するデータ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【００７１】
また、第５層には、このようなシールド層４００Ａと同一膜として、中継層としての第３中継電極（導電層）４０２Ａが形成されている。この第３中継電極４０２Ａは、平面的にみると、図７および図８に示すように、図中Ｘ方向に沿うように、島状にパターニングされている。より詳しく見ると、第３中継電極４０２Ａは、走査線１１ａが延在する領域に、走査線１１ａの一部を覆うように、Ｘ方向に長い長方形形状に形成されている。
この第３中継電極４０２Ａは、コンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ４および画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００Ａおよび第３中継電極４０２Ａ間は、パターニング上分断されるように形成されている。
【００７２】
他方、上述のシールド層４００Ａおよび第３中継電極４０２Ａは、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の２層構造を有している。また、第３中継電極４０２Ａにおいて、下層のアルミニウムからなる層は、第２中継電極６ａ４と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと接続されるようになっている。
【００７３】
さらには、シールド層４００Ａおよび第３中継電極４０２Ａは、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図４参照）の進行を、その上側で遮ることが可能である。
【００７４】
上記の構成によれば、第５層には、画素電極９ａおよびＴＦＴの高濃度ドレイン領域
と電気的に接続された第３中継電極４０２Ａを、走査線１１ａの一部を覆うように配置するため、走査線１１ａの電位による電界を遮蔽して、その影響を減少させることができる。また、第３中継電極４０２Ａは画素電極９ａと略同電位が供給されているので、第３中継電極４０２Ａの電位による電界が、光漏れに影響を与えるような液晶配向の乱れを起こしにくくなる。
そのため、液晶の配向乱れを減少させることができ、液晶の配向乱れに起因する光漏れを抑制し、コントラスト低下などの画質低下を防止することができる。
【００７５】
また、第３中継電極４０２Ａを設けたことにより、隣接する画素電極９ａの間隔を狭くする必要がなくなり、画素電極９ａ間のショート、例えば画素電極９ａ形成時のエッチング残りによるショートや異物によるショート、の増加を抑えることができ、液晶装置の歩留りの低下を抑えることができる。
【００７６】
〔投射型表示装置〕
以下、上記の液晶装置を用いた投射型表示装置について説明する。
図９は、３つの液晶ライトバルブを用いた、いわゆる３板式の投射型液晶表示装置の一例を示す概略構成図である。ここでは上記実施形態の液晶装置を液晶ライトバルブとして用いている。図中、符号５１０は光源、５１３、５１４はダイクロイックミラー、５１５、５１６、５１７は反射ミラー、５１８、５１９、５２０はリレーレンズ、５２２、５２３、５２４は液晶ライトバルブ（液晶装置）、５２５はクロスダイクロイックプリズム、５２６は投射レンズ系（投射手段）を示す。
【００７７】
光源５１０は、メタルハライド等のランプ５１１とランプ５１１の光を反射するリフレクタ５１２とから構成されている。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー５１３は、光源５１０からの白色光のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー５１７で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射される。
【００７８】
一方、ダイクロイックミラー５１３で反射された色光のうち、緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー５１４によって反射され、緑色用液晶ライトバルブ５２３に入射される。一方、青色光は、第２のダイクロイックミラー５１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ５１８、リレーレンズ５１９、出射レンズ５２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段５２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射される。
【００７９】
各ライトバルブにより変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されたものである。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ系５２６によってスクリーン５２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８０】
この投射型液晶表示装置によれば、上記実施形態の液晶装置を液晶ライトバルブとして備えたことで表示品質の高い画像を得ることができる。
【００８１】
〔電子機器〕
以下、電子機器の他の例を説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部（液晶装置）を示している。
図１１は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部（液晶装置）を示している。
【００８２】
図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部（液晶装置）を示している。
図１０から図１２に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示
部を備えているので、表示品質に優れた画像を得ることができる。
【００８３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、この発明を液晶装置に適応して説明したが、この発明は液晶装置に限られることなく、エレクトロルミネッセンス装置など、その他各種の電気光学装置に適応することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１の実施の形態における液晶装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線における部分断面図。
【図３】同、画素を構成するＴＦＴ基板上の素子で構成される等価回路図。
【図４】同、一つの画素に着目した液晶装置の模式的断面図。
【図５】同、各層の成膜パターンを示す平面図。
【図６】同、各層の成膜パターンを示す平面図。
【図７】第２の実施形態における液晶装置の各層の成膜パターンを示す平面図。
【図８】同、各層の成膜パターンを示す平面図。
【図９】本発明の液晶装置を用いた投射型表示装置の一例を示す概略構成図。
【図１０】本発明の液晶装置を用いた携帯電話の一例を示した斜視図。
【図１１】本発明の液晶装置を用いた腕時計型電子機器の一例を示した斜視図。
【図１２】本発明の液晶装置を用いた携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図。
【符号の説明】
【００８５】
６ａ・・・データ線（信号線）、  ９ａ・・・画素電極、  １１ａ・・・走査線、  ２２・・・配向膜、  ３０・・・ＴＦＴ（画素トランジスタ）、  ４００・・・シールド層（シールド電極）、  ４０２Ａ・・・第３中継電極（導電層）、  ５１０・・・光源、  ５２２、５２３、５２４・・・液晶ライトバルブ（液晶装置）、  ５２６・・・投射レンズ系（投射手段）、  １００１、１１０１、１２０６・・・液晶表示部（液晶装置）、  Ｌ１・・・Ｘ方向に延在する間隔の幅（第１の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さ）、  Ｌ２・・・Ｙ方向に延在する間隔の幅（第２の非画素領域の延在方向に対する垂直方向の長さ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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