(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ表示基板のエージング処理を効率的に実行する。【解決手段】  有機ＥＬ表示装置の製造工程は、有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）、エージング工程（Ｓ１０２）、封止工程（Ｓ１０３）、切断工程（Ｓ１０４）、光学フィルム貼付工程（Ｓ１０５）及び実装工程（Ｓ１０６）を含んでいる。エージング工程（Ｓ１０２）は、封止工程（Ｓ１０３）の前に実行される。これによって、従来必要とされたエージング端子露出のための基板切除工程を省略することができる。また、有機ＥＬ表示パネル内にエージングのための酸素を封止することを不要とすることができる。【選択図】  図１
2005276730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、有機発光層を形成するステップと、
前記有機発光層に信号を伝送する配線層を形成するステップと、
前記有機発光層と前記配線層が露出した状態において、前記配線層に信号を供給することによって前記有機発光層を発光させ、エージング処理を実行するステップと、
を有する、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
対向基板を前記エージング処理された基板に固着し、前記有機発光層を封止するステップをさらに有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記エージング処理は酸素雰囲気中で実行される、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
有機発光層、陽極配線及び陰極配線を含む複数の有機ＥＬ素子基板部を、一つの基板に形成するステップと、
前記複数の有機ＥＬ素子基板部の陽極配線に接続された陽極共通接続配線を形成するステップと、
前記複数の有機ＥＬ素子基板部の陰極配線に接続された陰極共通接続配線を形成するステップと、
前記複数の有機ＥＬ素子基板部、前記陽極共通接続配線及び前記陰極共通接続配線が露出した状態において、前記陽極共通接続配線及び前記陰極共通接続配線に信号を供給することによって前記複数の有機ＥＬ素子基板部を発光させ、エージング処理するステップと、
を有する、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の有機ＥＬ素子基板部に対応する複数の対向基板部を備える一つの基板を、前記複数の有機ＥＬ素子基板部が形成された基板に固着することによって、前記複数の有機ＥＬ素子基板部を封止するステップと、
前記封止された複数の有機ＥＬ素子基板部のそれぞれを切り離すステップと、
をさらに有する、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置の製造方法に関し、特に、有機ＥＬ表示装置の製造工程におけるエージング処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ発光素子を画素部に使用した有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と比較して視野角が広く、また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。有機ＥＬ表示装置は、一般に、複数の有機ＥＬ発光素子が形成された有機ＥＬ素子基板と、有機ＥＬ素子基板上の複数の有機ＥＬ発光素子を封止するための対向基板とを備えている。有機ＥＬ発光素子は、ガラス基板と、ガラス基板上に形成された陽極と、陽極の上に積層され、有機発光層を含む薄膜状の有機化合物（有機ＥＬ層）と、有機ＥＬ層の上に陽極に対向するように形成された陰極を備えている。
【０００３】
有機ＥＬ発光素子は、対向して設けられた陽極と陰極との間に配置された有機ＥＬ層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。有機ＥＬ表示装置は半導体発光ダイオードに似た特性を有しているので有機ＬＥＤと呼ばれることもある。有機ＥＬ発光素子の陽極に高電位を供給し、所定の電圧を両電極間に印加し有機ＥＬ層に電流を供給することによって、有機ＥＬ発光素子は発光する。逆に、陰極側を高電位にした場合には有機ＥＬ層に電流はほとんど流れず、有機ＥＬ発光素子は発光しない。有機ＥＬ発光素子を駆動する場合には、一般に定電流駆動法が用いられる。すなわち、所定の発光輝度を得るために、定電流回路を備えた駆動回路が、有機ＥＬ発光素子に定電流を供給する。
【０００４】
広く知られた有機ＥＬ表示装置の構造の一つにおいて、陽極に接続されるかまたは陽極そのものを形成する複数の陽極配線がガラス基板上に平行して配置され、陽極配線と直交する方向に、陰極に接続されるかまたは陰極そのものを形成する複数の陰極配線が平行して配置され、陽極と陰極の両電極間に有機ＥＬ層が扶持される。陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陰極配線との交点が画素（有機発光素子）となり、画素がマトリクス状に配置されている。一般に、陰極配線は金属で形成され、陽極配線はＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）などの透明導電膜で形成される。
【０００５】
陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置を単純マトリクス駆動法によって駆動する場合、陽極配線と陰極配線とのうちのいずれか一方を走査電極とし、他方をデータ電極とする。そして、定電圧回路を備えた走査電極駆動回路を走査電極に接続し、走査電極を定電圧駆動する。そして、走査電極のうちの１本を所定の期間毎に順次に走査して選択状態とし、他の走査電極を非選択状態にする。一般に、平行して配置されている複数の走査電極のうちの一方の端に位置する走査電極から他方の端に位置する走査電極に向かって走査を行い、一定の期間の間にすべての走査電極を順次選択状態にする。
【０００６】
データ電極には、出力段に定電流回路が備えられたデータ電極駆動回路を接続する。そして、選択状態にある走査電極に対応する行の表示データに応じた電流を、走査に同期して各データ電極に供給する。定電流回路からデータ電極に供給された電流は、選択状態にある走査電極とデータ電極との交点に位置する有機ＥＬ層を通って、選択状態にある走査電極に流れる。画素は、その画素を形成する走査電極が選択状態にあり、かつ、データ電極から電流が供給されている期間において発光する。また、データ電極からの電流の供給が停止すると発光も停止する。なお、駆動を行う際に、有機ＥＬ表示装置の陽極配線を走査電極にしてもよいしデータ電極にしてもよい。
【０００７】
有機ＥＬ発光素子を定電流で駆動していると、時間が経つにしたがって輝度が低下していく。初期輝度が高いほど輝度低下の割合は大きく、例えば、初期輝度が倍になれば、輝度が半減するまでの時間はおおよそ半分程度になる。さらに、発光していた時間が長い画素（有機ＥＬ発光素子）ほど暗くなるので、画素によって輝度が異なるという現象を引き起こす。この現象を「焼き付き」と呼ぶ。隣接している画素であれば３〜５％程度の輝度差があれば、輝度差があることが視認されてしまう。
【０００８】
技術開発によって、有機ＥＬ表示素子の輝度半減寿命は、初期輝度１００ｃｄ／ｍ２程度で数万時間まで達している、しかし、焼き付きは３〜５％程度の輝度低下で起こるため、数十〜数百時間で発生してしまう。このことは、液晶表示装置などの他のフラットパネル型の表示装置に対する有機ＥＬ表示装置の短所になっている。
【０００９】
通電によって、有機ＥＬ発光素子の輝度は、初期に大きく低下し、その後は緩やかに低下することが多い。輝度がそのように低下する場合には、有機ＥＬ発光素子をしばらく駆動して輝度低下したものを新たに初期状態とすると、その後の低下の仕方が緩やかになる。このため、有機ＥＬ表示装置が実際の使用に供される前に、有機ＥＬ発光素子をしばらく駆動して輝度低下させる処理が一般に行われている。この処理は、エージング処理と呼ばれる。
【００１０】
エージング処理において、例えば、有機ＥＬ素子基板の陽極配線同士がリード線で短絡され、リード線が電圧印加装置に接続される。また、陰極配線同士がリード線で短絡され、リード線が電圧印加装置に接続される。そして、電圧印加装置は、陽極電配線士を接続するリード線と陰極配線同士を接続するリード線との間に電圧パルスを印加する。これによって、基板上の各有機発光素子に同時にＤＣ電圧が供給され、エージング処理が実行される。
【００１１】
一方、電極や有機ＥＬ層の薄膜形成の際に発生するゴミやチリ等が原因となり、電極や有機ＥＬ層に欠陥部が生じることがある。有機ＥＬ発光素子において、電極間の有機ＥＬ層が極めて薄いことから、この欠陥部が微小なものであっても容易に電流が集中して陽極配線と陰極配線とが短絡し、素子特性の劣化や非発光にいたるという問題がある。上述のエージング処理を用いることにより、このような欠陥部を除去することもできる（例えば、特許文献１参照）。エージング処理の際に生じるジュール熱によって当該欠陥部の短絡部分を破壊する。この破壊された欠陥部は局所的な非発光部となるが、もともと欠陥部は視認できない程度の微小なものであり、表示品質には影響しない。
【００１２】
図４は、従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための工程図である。まず、有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ４０１）において、一枚のガラス基板上に複数の有機ＥＬ素子基板部が形成される。各有機ＥＬ素子基板部がガラス基板から切断され、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子基板として使用される。本工程においては、１枚のガラス基板上に、各有機ＥＬ素子基板部のための配線群および有機ＥＬ層が形成される。
【００１３】
次に、封止工程（Ｓ４０２）において、各有機ＥＬ素子基板部に対して、ガラスなどで形成された対向基板が封止材によって接着される。対向基板によって有機ＥＬ素子基板部の有機ＥＬ層が封止されため、これを外部の水分などから守ることができる。尚、複数の有機ＥＬ素子基板部が形成された基板には、複数の対向基板部が形成された一枚の基板が接着され、各有機ＥＬ素子基板部が一括に封止される。
【００１４】
次に、エージング端子露出工程（Ｓ４０３）において、複数の対向基板部が形成された基板の端面の一部が切除され、エージング処理のために形成され、各有機ＥＬ素子基板部に接続された共通配線の端子が露出される。続いて、エージング処理（Ｓ４０４）において、露出した端子にエージングのための電圧印加装置が接続され、エージングが実行される。エージング処理（Ｓ４０４）が終了すると、切断工程（Ｓ４０５）においてガラス基板が切断され、複数の有機ＥＬパネルに分離される。光学フィルム貼付工程（Ｓ４０６）において、各有機ＥＬパネルには反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを貼り付けられる。最後に、実装工程（Ｓ４０７）において、駆動回路などの周辺回路が実装される。
【００１５】
【特許文献１】特開昭６１−１１４４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程において、エージング工程は、封止工程の後に実行されている。上記のように、エージング処理においては塵芥による短絡部を除去することが必要である。そのため、封止された有機ＥＬパネルには所定量の酸素を封入することが必要とされる。酸素を有機ＥＬパネル内に封入するために、対向基板と有機ＥＬ素子基板との間に所定サイズ以上の空間を形成することが必要となる。あるいは、封止後にエージング処理を行うために、製造工程において、ガラス基板の端部を切除し、エージング用の電圧印加装置と接続されるエージングのための電極を露出させる工程が必要とされる。この工程は、有機ＥＬ表示装置製造効率を低下させる原因となっている。
【００１７】
本発明は上記事情を背景としてなされたものであって、有機ＥＬ素子基板のエージング処理を効率的に実行することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に有機発光層を形成するステップと、前記有機発光層に信号を伝送する配線層を形成するステップと、前記有機発光層と前記配線層が露出した状態において、前記配線層に信号を供給することによって前記有機発光層を発光させ、エージング処理を実行するステップを有する。有機発光層と配線層が露出した状態においてエージング処理を実行することによって、有機ＥＬ表示装置の製造を効率化することができる。
【００１９】
対向基板を前記エージング処理された基板に固着し、前記有機発光層を封止するステップをさらに有することが好ましい。対向基板を固着することによって、外部から水分の浸入を効果的に抑制し、有機発光層を水分から保護することができる。あるいは、前記エージング処理は酸素雰囲気中で実行されることが好ましい。これによって、エージングによる短絡部分の破壊を効果的に行うことができる。
【００２０】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機発光層、陽極配線及び陰極配線を含む複数の有機ＥＬ素子基板部を、一つの基板に形成するステップと、前記複数の有機ＥＬ素子基板部の陽極配線に接続された陽極共通接続配線を形成するステップと、前記複数の有機ＥＬ素子基板部の陰極配線に接続された陰極共通接続配線を形成するステップと、前記複数の有機ＥＬ素子基板部、前記陽極共通接続配線及び前記陰極共通接続配線が露出した状態において、前記陽極共通接続配線及び前記陰極共通接続配線に信号を供給することによって前記複数の有機ＥＬ素子基板部を発光させ、エージング処理するステップと、を有する。有機発光層と配線層が露出した状態においてエージング処理を実行することによって、有機ＥＬ表示装置の製造を効率化することができる。さらに、複数の有機ＥＬ素子基板部を一体的に形成することで有機ＥＬ表示装置の製造をより効率化することができる
【００２１】
前記複数の有機ＥＬ素子基板部に対応する複数の対向基板部を備える一つの基板を、前記複数の有機ＥＬ素子基板部が形成された基板に固着することによって、前記複数の有機ＥＬ素子基板部を封止するステップと、前記封止された複数の有機ＥＬ素子基板部のそれぞれを切り離すステップと、をさらに有することが好ましい。対向基板を固着することによって、外部から水分の浸入を効果的に抑制し、有機発光層を水分から保護することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、エージング処理を効率的に実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。尚、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００２４】
図１は、本形態における有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置の製造工程を示す工程フロー図である。図１に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程は、有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）、エージング工程（Ｓ１０２）、封止工程（Ｓ１０３）、切断工程（Ｓ１０４）、光学フィルム貼付工程（Ｓ１０５）及び実装工程（Ｓ１０６）を含んでいる。これらの各処理工程は、上記の順に実行される。本形態において、特に、エージング工程（Ｓ１０２）は、封止工程（Ｓ１０３）の前に実行される。これによって、従来必要とされたエージング用の端子を露出するための基板切除工程を省略することができる。また、有機ＥＬパネル内にエージングのための酸素を封止することを不要とすることができる。
【００２５】
各処理工程について説明する。有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）は、１枚のガラス基板上に配線群および有機ＥＬ層を形成することによって、複数の有機ＥＬ素子基板部を形成し、マルチ状態の有機ＥＬ素子基板を形成する。図２は、有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）によって形成されるマルチ状態の有機ＥＬ素子基板（マルチ有機ＥＬ素子基板）２００の概略構成を示す斜視図である。
【００２６】
マルチ有機ＥＬ素子基板２００は、一枚のガラス基板２０１に複数の有機ＥＬ素子基板部２０２を備えている。後の製造工程において、各有機ＥＬ素子基板部２０２は、基板２０１から切り離される。図３は、マルチ有機ＥＬ素子基板２００の一部構成を示す平面図である。尚、本形態においては、陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置され、単純マトリクス駆動法によって駆動される有機ＥＬ表示装置を例として説明される。
【００２７】
図２、３に示すように、マルチ有機ＥＬ素子基板２００において、１枚のガラス基板２０１に、それぞれが表示領域２０３を含む複数の有機ＥＬ素子基板部２０２が形成される。表示領域２０３は、複数の画素（有機発光素子）を含む。各有機発光素子は、ガラス基板上２０１に形成された有機発光層を含む有機物層と、有機物層を挟むように形成された陽極及び陰極とを備えている。また、各有機ＥＬ素子基板部２０２は、ガラス基板２０１の一部であるガラス基板部と、有機発光層を挟むように形成され陽極配線２０４と陰極配線２０５を備えている。本例において、陽極配線２０４と陰極配線２０５は、各有機ＥＬ発光素子の陽極及び陰極とを含んでいる。
【００２８】
各有機ＥＬ素子基板部２０２における各陽極配線２０４は、陽極接続配線２０６で陽極用共通配線としての第１の共通配線２０７に接続される。従って、すべての有機ＥＬ表示素子における各陽極配線２０４に、第１の共通配線２０７から同じ信号を供給することができる。また、各有機ＥＬ素子基板部２０２における各陰極配線２０５は、陰極接続配線２０８で陰極用共通配線としての第２の共通配線２０９に接続される。
【００２９】
従って、すべての有機ＥＬ素子基板部２０２における各陰極配線２０５に、第２の共通配線２０９から同じ信号を供給することができる。共通配線２０７、２０９を介して信号を供給することによって、各有機ＥＬ素子基板部２０２を同時にエージングすることができる。この点については後に説明される。尚、図１において、第１の共通配線２０７を破線で示し、第２の共通配線２０９を実線で示す。
【００３０】
有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）について詳細に説明する。まず、ガラス基板２０１上にＩＴＯを成膜し、ＩＴＯをエッチングして陽極配線２０４と、陽極接続配線２０６および陰極接続配線２０８とを形成する。次に、金属膜を成膜し、成膜された金属膜をエッチングして各有機ＥＬ素子基板部２０２内の引き回し配線と、第１の共通配線２０７および第２の共通配線２０９とを形成する。その上に、絶縁膜を塗布し露光現像等を行って各画素の発光部となる開口部を形成する。さらに、その上に、有機ＥＬ層としての有機薄膜を積層する。有機薄膜として、順に、第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、発光層、陰極界面層を形成する。最後に、陰極配線２０５として、アルミニウム等の金属で走査電極を形成し、陰極引き回し配線に接続する。
【００３１】
有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）が終了すると、ガラス基板２０１上に形成された複数の単純マトリクス型の有機ＥＬ素子基板部２０２におけるそれぞれの陽極配線２０４がガラス基板２０１上で陽極接続配線２０６を介して第１の共通配線２０７に電気的に接続され、複数の有機ＥＬ素子基板部２０２におけるそれぞれの陰極配線２０５がガラス基板２０１上で陰極接続配線２０８を介して第２の共通配線２０９に電気的に接続された構造を有するマルチ状態の有機ＥＬ素子基板２００が形成される。
【００３２】
尚、上記例において、陽極用共通配線２０７および陰極用共通配線２０９は金属で形成され、陽極接続配線２０６および陰極接続配線２０８として透明導電膜が用いられているが、陽極接続配線２０６および陰極接続配線２０８を、陽極配線２０４が形成されるときに同時に形成することができる。また、有機ＥＬ層が積層される前に、陽極用共通配線２０７および陰極用共通配線２０９を同時に形成することができる。
【００３３】
次に、エージング工程（Ｓ１０２）において、有機ＥＬ素子基板形成工程（Ｓ１０１）によって形成されたマルチ有機ＥＬ素子基板２００のエージング処理が実行される。エージング工程（Ｓ１０２）は、封止工程（Ｓ１０３）の前に実行される。封止前において、基板上の有機発光層を含むＥＬ発光素子及び各配線は露出した状態であるので、エージング用の端子を露出させるために基板端部を切除することなく、エージング処理を実行することができる。
【００３４】
エージング工程（Ｓ１０２）において実行されるエージング処理において、陽極配線２０４および陰極配線２０５にエージングのための信号を供給する（通電処理）ために、第１の共通配線２０７および第２の共通配線２０９にエージング用の電圧印加装置を接続される。エージング工程により、陽極配線２０４と陰極配線２０５が短絡した欠陥部を破壊し除去するため、エージング処理は、チャンバ内において、所定濃度の酸素雰囲気中において実行される。エージング処理は、真空脱気され、所定濃度の酸素が導入されたチャンバ内で行うことができる。あるいは、窒素などの気体と酸素を導入し、減圧もしくは常圧状態においてエージング処理を行うことも可能である。
【００３５】
エージング工程（Ｓ１０２）では、複数の有機ＥＬ素子基板部２０２が形成されているガラス基板２０１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温に設定して通電処理を行う。高温で通電処理を行うことによって、短い時間で所望の輝度低下をさせることができる。通電処理を行う際の温度は、有機ＥＬ発光素子が変質しない範囲で、できるだけ高い温度にすることが好ましい。高温にしても、円偏光板などの光学フィルムを貼り付ける光学フィルム貼付工程より前の工程での処理であるから、光学フィルムに熱による悪影響を与えることはない。
【００３６】
また、より短い時間で所望の輝度低下をさせるために、エージング工程での各画素の輝度が、有機ＥＬ表示装置として定格の表示動作をしているときの輝度よりも高くなるように通電の条件を設定する。例えば、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様が２００ｃｄ／ｍ２であれば、４００ｃｄ／ｍ２で発光するように通電する。有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様に対して２倍の高輝度で発光させることによって、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様でエージングを行う場合に比べて、約半分の時間でエージング工程が完了する。
【００３７】
さらに、エージング工程（Ｓ１０２）では、陽極配線２０４および陰極配線２０５に対して常時通電するスタティック駆動（１／１デューティ）を行う。この際に、電流密度を、最終製品としての有機ＥＬ表示装置として稼働しているときの電流密度よりも高くする必要はない。例えば、１／５０デューティでマルチプレクス駆動する有機ＥＬ表示装置の電流密度が３００ｍＡ／ｃｍ２であっても、エージングではスタティック駆動で１２ｍＡ／ｃｍ２あれば、時間平均の輝度は２倍になるからである。
【００３８】
エージング工程（Ｓ１０２）により、陽極配線２０４と陰極配線２０５が短絡した欠陥部を、破壊し除去することができる。陽極接続配線２０６と陰極接続配線２０８の抵抗値が、所定の値に形成されているため、有機ＥＬ素子に流れる電流が一定となり、精度よく欠陥部を除去することができる。
【００３９】
エージング処理が施されたマルチ有機ＥＬ素子基板２００は、有機ＥＬ層を水分などから守るために、ガラスなどで形成された対向基板で有機ＥＬ素子基板部２０２ごとに外気から隔離する封止工程（Ｓ１０３）に送られる。封止工程では、有機ＥＬ素子形成工程（Ｓ１０１）でガラス基板２０１上に形成された有機ＥＬ層を水分から守るために、他のガラス基板１枚をガラス基板２０１に対して対向配置し、間隙材としての周辺シール材によって双方のガラス基板を接合する。
【００４０】
他のガラス基板には、各有機ＥＬ素子基板部２０２に対応した対向基板部が形成されており、各有機ＥＬ素子基板部２０２と各対向基板部とが周辺シール材によって接着される。各対向基板部は凹部が形成されており、そこに乾燥剤が固定されている。これによって、有機ＥＬ素子を水分から効果的に守ることができる。２枚のガラス基板と周辺シール材とによって形成された封止空間の内部には、乾燥窒素ガスを封入される。
【００４１】
封止工程（Ｓ１０３）が終了すると、ガラス基板２０１と接着固定された基板を切断して、複数の有機ＥＬパネルに分離する切断工程（Ｓ１０４）を実施する。有機ＥＬパネルは、複数の有機ＥＬ発光素子が形成された有機ＥＬ素子基板と、有機ＥＬ素子基板にシール材によって接着された対向基板とを備えている。切断工程では、有機ＥＬ素子基板部２０２を囲むように切断線（不図示）を設定する。切断線は、例えば、陽極接続配線２０６および陰極接続配線２０８上にかかるように設けられる。この切断線に沿って、ガラス基板２０１及び対向配置された基板を切断して、複数の有機ＥＬパネルに分離する。すなわち、それぞれの陽極配線２０４とそれぞれの陰極配線２０５とを、第１の共通配線２０７および第２の共通配線２０９から分離する。なお、切断線は、陽極配線２０４および陰極配線２０５にかかっていてもよい。
【００４２】
次いで、光学フィルム貼付工程（Ｓ１０５）で、反射防止のために偏光板や、１／４λ板などの光学フィルムを有機ＥＬパネルの視認側に貼り付ける。そして、実装工程（Ｓ１０６）で、駆動回路などの周辺回路を各有機ＥＬパネルに実装して、有機ＥＬ表示装置を得る。尚、上記のように複数の有機ＥＬパネルを一括に製造することが効率の点から好ましいが、本発明は有機ＥＬパネルを一枚ずつ製造する工程に適用することがもちろん可能である。上記例においては対向基板を接着することによって有機ＥＬ素子基板（あるいはその有機発光層）を封止しているが、薄膜を付着することによって封止することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図２】本発明にかかるマルチ状態の有機ＥＬ素子基板の概略構成を示す斜視図である。
【図３】本発明にかかるマルチ状態の有機ＥＬ素子基板の一部構成を示す平面図である。
【図４】従来の技術における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００４４】
２００  素子基板、２０１  ガラス基板、２０２  有機ＥＬ素子基板部、
２０３  表示領域、２０４  陽極配線、２０５  陰極配線、
２０６  陽極接続配線、２０７  陽極用共通配線、２０８  陰極接続配線、
２０９  陰極用共通配線
【図１】
2005276730.tif 000003
【図２】
2005276730.tif 000004
【図３】
2005276730.tif 000005
【図４】
2005276730.tif 000006