(57)【要約】【課題】処理対象にダメージを与えることなく十分な改質効果を得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこのプラズマ処理方法による電子部品製造方法を実現することを目的とする。【解決手段】狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質を、酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを用いたプラズマ処理によって行うプラズマ処理において、平行平板型のプラズマ処理装置の電極間に処理対象物を載置してプラズマ放電を発生させるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力Ｐ１からこの第１圧力Ｐ１よりも高い第２圧力Ｐ２へ上昇させる昇圧制御を行う。これにより、昇圧過程において狭隘空間内に酸素ラジカルを強制的に流入させることができ、処理圧力を過度に上昇させることによって処理対象にダメージを与えることなく、十分な改質効果を得ることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質をプラズマ処理によって行うプラズマ処理装置であって、密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行う圧力制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記圧力制御手段は、前記昇圧制御を複数回反復することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を制御する圧力制御手段とを備えたプラズマ処理装置によって狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質を行うプラズマ処理方法であって、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記昇圧制御を複数回反復することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
下面にバンプが形成された半導体素子を基板に実装して電子部品を製造する電子部品製造方法であって、前記基板に設けられた電極に前記バンプを接合して半導体素子を基板に実装する実装工程と、実装工程後の前記基板をプラズマ処理することにより基板と半導体素子との間の隙間の内部表面を処理対象に含んで表面改質処理を行う表面改質工程と、表面改質工程後の前記隙間内にアンダーフィール樹脂を充填する樹脂充填工程とを含み、
前記表面改質工程において、密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を制御する圧力制御手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行うことを特徴とする電子部品製造方法。
【請求項６】
前記昇圧制御を複数回反復することを特徴とする請求項５記載の電子部品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質をプラズマ処理によって行うプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこのプラズマ処理方法を用いて電子部品を製造する電子部品製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップなど下面に形成されたバンプを介して基板に接続される半導体素子の実装においては、半導体素子と基板との間の隙間に樹脂を充填して補強する構造が広く用いられている。隙間が狭くなると樹脂の充填性が悪くなるため、樹脂充填に先立って隙間内の基板上面や半導体素子下面をプラズマ処理によって表面改質する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この技術は、プラズマ放電によって発生した酸素ラジカルなどの活性物質を半導体素子と基板との間の隙間内に進入させて基板上面や半導体素子下面に接触させることにより、酸素ラジカルの化学作用によって隙間内面の表面改質を行うものである。これにより、隙間内面の樹脂に対する濡れ性が改善され、樹脂の充填性を向上させることができる。
【特許文献１】特開２０００−９１３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の従来技術では、電子機器の小型化の要請に伴って半導体素子と基板との間の隙間が狭くなるとともにバンプ数が飛躍的に増大したことに伴って、次のような問題が生じている。表面改質のためにプラズマ処理においては、減圧下で発生した酸素ラジカルが拡散して半導体素子の外縁部から前述の隙間に進入し、さらに隙間内を中心部に向かって拡散することによって酸素ラジカルが処理対象面に接触する。
【０００５】
ところが狭隙間・大バンプ数の条件下ではこの拡散によって十分な量の酸素ラジカルを隙間の奥まで到達させることは難しく、十分な改質効果が得られない。また隙間内部まで十分な量の酸素ラジカルを到達させるために処理圧力を上げると、酸素ラジカルの密度は大きくなるものの、半導体素子の外縁部がプラズマ放電によって同時に発生する荷電粒子によって過度にエッチングされしまい、半導体素子の外縁部に局部的なダメージを与える結果となる。このように、従来のプラズマ処理による表面改質においては、狭隘空間の内部表面を処理対象とする場合に、処理対象にダメージを与えずに十分な改質効果を得ることが困難であった。
【０００６】
そこで本発明は、処理対象にダメージを与えることなく十分な改質効果を得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこのプラズマ処理方法による電子部品製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置は、狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質をプラズマ処理によって行うプラズマ処理装置であって、密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を大
気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行う圧力制御手段とを備えた。
【０００８】
本発明のプラズマ処理方法は、密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を制御する圧力制御手段とを備えたプラズマ処理装置によって狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質を行うプラズマ処理方法であって、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行う。
【０００９】
本発明の電子部品製造方法は、下面にバンプが形成された半導体素子を基板に実装して電子部品を製造する電子部品製造方法であって、前記基板に設けられた電極に前記バンプを接合して半導体素子を基板に実装する実装工程と、実装工程後の前記基板をプラズマ処理することにより基板と半導体素子との間の隙間の内部表面を処理対象に含んで表面改質処理を行う表面改質工程と、表面改質工程後の前記隙間内にアンダーフィール樹脂を充填する樹脂充填工程とを含み、前記表面改質工程において、密閉された処理室を形成可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された１対の電極と、これらの電極間に配設され処理対象のワークが載置されるワーク載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内に反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を制御する圧力制御手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記電極間でプラズマ放電を発生させることにより形成されるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行う。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、プラズマ放電を発生させるプラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行うことにより、昇圧過程において酸素ラジカルをプラズマ処理対象の狭隘空間内に進入させて、表面改質効果を確保することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態１のプラズマ処理装置の断面図、図２は本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法におけるプラズマ処理空間の状態説明図、図３は本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法のフロー図、図４は本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法におけるプラズマ発生用ガスの昇圧制御を示すタイムチャート、図５、図６は本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法における酸素ラジカルの拡散状態の説明図である。
【００１２】
まず図１を参照してプラズマ処理装置について説明する。図１において、真空チャンバ１の内部には、１対をなす下部電極３および上部電極６が相対向して配置されている。下部電極３の下部は絶縁体２を介して真空チャンバ１の底面を貫通して外部に突出しており、上部電極６の上部は真空チャンバ１の上面を貫通して接地部７に接続されている。下部電極３と上部電極６の間の空間はプラズマ処理空間８となっており、下部電極３の上面にはプラズマ処理の対象となるワークである基板４が載置される。下部電極３の上面は処理対象のワークである基板４を載置するワーク載置部となっている。
【００１３】
基板４には、下面にバンプが形成された半導体素子５が実装されており、基板４と半導体素子５と間の隙間（狭隘空間）の内部表面が、プラズマ処理による表面改質の対象となっている。基板４は半導体素子５との間の隙間にアンダーフィル樹脂を充填する樹脂充填工程に送られる前の状態であり、半導体素子５との間の隙間の内部表面を表面改質することにより、封止樹脂に対する濡れ性を改善して、封止樹脂の進入を容易にするために行われる。
【００１４】
真空チャンバ１の底面には、２つの開孔部１ａ、１ｂが設けられており、開孔部１ａ、１ｂはそれぞれ排気バルブ１１，ガス供給バルブ１３を介して真空排気部１２、ガス供給部１４に接続されている。排気バルブ１１を開にして真空排気部１２を駆動することにより、真空チャンバ１の内部が真空排気される。またガス供給バルブ１３を開にしてガス供給部１４を駆動することにより、真空チャンバ１の内部には、酸素ガスなどの反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスが供給される。
【００１５】
下部電極３には高周波電源部１５が接続されており、高周波電源部１５を駆動することにより、上部電極６と下部電極３との間には高周波電圧が印加される。真空チャンバ１内を真空排気した後にプラズマ発生用ガスを供給した状態で高周波電源部１５を駆動することにより、プラズマ処理空間８には酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスのプラズマが発生する。
【００１６】
排気バルブ１１，ガス供給バルブ１３、真空排気部１２、ガス供給部１４、高周波電源部１５は、制御部１６によって制御される。真空排気部１２、ガス供給部１４の駆動において、制御部１６によって排気バルブ１１，ガス供給バルブ１３を制御することにより、真空チャンバ１内部のプラズマ処理空間８におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を任意の圧力パターンに従って制御することができる。
【００１７】
これにより、後述するように、プラズマ処理空間８におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を、大気圧よりも低い第１圧力からこの第１圧力よりも高い第２圧力へ上昇させる昇圧制御を行うことが可能となっている。排気バルブ１１，ガス供給バルブ１３、真空排気部１２、ガス供給部１４および制御部１６は、上述の昇圧制御を行う圧力制御手段となっている。
【００１８】
次に図２を参照して、酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスによってプラズマを発生させたときのプラズマ処理空間８の状態について説明する。図２に示すように、下部電極３と上部電極６との間に高周波電圧を印加してプラズマ放電を発生させることにより、プラズマ処理空間８には酸素ガスのプラズマ（破線１７参照）が発生し、酸素イオンＯ＋、電子ｅ−などの荷電粒子および酸素ラジカルＯ＊が発生する。酸素イオンＯ＋、電子ｅ−はそれぞれ正電荷、負電荷を有する粒子である。また酸素ラジカルＯ＊は、酸素原子が活性化した電気的に中性の粒子である。なおプラズマ発生用ガスとしてここでは酸素を用いる例を示しているが、塩素やフッ素、臭素を用いてもよく、またはこれらを混合したものでも良い。
【００１９】
このようなプラズマが発生した状態で、下部電極３上に処理対象の実装後の基板４を載置すると、基板４の上面には、上述の酸素イオンＯ＋と電子ｅ−などの荷電粒子による物理作用、すなわちこれらの荷電粒子が基板４の表面に衝突することによるスパッタリング効果が作用する。これにより、基板４を構成する樹脂材料の表面が部分的に除去される。またこのスパッタリング効果と同時に、活性物質である酸素ラジカルＯ＊は、基板４の上面と半導体素子５との間の隙間内に進入し、その化学作用により、隙間内の表面、すなわち基板４の上面および半導体素子５の下面の表面改質が行われる。
【００２０】
ここで、本実施の形態に示す半導体素子５は、複数のバンプを有する多ピン・ファインピッチタイプのフリップチップであり、１００μｍ以下の隙間で基板４上に実装されている。このため、上述のプラズマ放電発生状態において、隙間内への酸素ラジカルの進入度合いは低く、また隙間内に進入した酸素ラジカルも、多数のバンプによって拡散を妨げられて、隙間中央部近傍には表面改質の効果が及びにくい。このため、本実施の形態では、多ピン・ファインピッチタイプの半導体素子５など、狭隘空間内の表面改質を目的とするプラズマ処理において、以下に説明するような方法を用いて表面改質効果を確保するようにしている。
【００２１】
図３，図４を参照して、プラズマ処理方法について説明する。まず、真空排気部１２、ガス供給部１４を駆動状態にする。そして図３において、排気バルブ１１を開いて、真空チャンバ１内を以下に説明する第１圧力Ｐ１よりも低いレベルに設定された初期圧力Ｐ０まで減圧する（ＳＴ１）。そして図４に示すように、真空チャンバ１内の圧力が初期圧力Ｐ０に到達するタイミングｔ１において、ガス供給バルブ１３を開いて真空チャンバ１内にプラズマ発生用ガスを供給する（ＳＴ２）。
【００２２】
次いで真空チャンバ１内における処理圧力を圧力センサ（図示省略）によって検出し、この圧力が予め設定された第１圧力Ｐ１よりも低いか否かを判定する（ＳＴ３）。そして圧力が第１圧力Ｐ１に到達したタイミングｔ２において、高周波電源部１５を駆動してプラズマ放電をＯＮにする（ＳＴ４）とともに、排気バルブ１１を閉じる（ＳＴ５）。これにより、図４に示すように処理圧力は上昇する。そしてこの昇圧過程において圧力センサによって圧力を検出し、検出圧力がＰ１よりも高い圧力に設定される第２圧力Ｐ２を超えたか否かを判定する（ＳＴ６）。そして第２圧力Ｐ２を超えたならば、このタイミングｔ３において、排気バルブ１１を開いて真空チャンバ内を減圧する（ＳＴ７）。
【００２３】
次いで所定プラズマ放電時間が経過してタイプアップしたか否かを判定し（ＳＴ８）、ここでまだタイムアップしていなければ、圧力が第１圧力Ｐ１以下であるか否かを判定し、第１圧力Ｐ１以下であれば（ＳＴ５）に戻って排気バルブ１１を閉じる。これにより、圧力は再び上昇を開始し、圧力が第２圧力Ｐ２に到達すると、再び排気バルブ１１を開いて減圧する。そして所定プラズマ放電時間がタイムアップするまで前述の昇圧、減圧を反復する。
【００２４】
すなわち、本実施の形態に示すプラズマ処理方法では、所定のプラズマ放電時間継続中に前述の昇圧制御を複数回反復して、処理空間内の処理圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で昇降させるようにしている。ここではプラズマ発生用ガスのガス供給を継続しながら排気バルブ１１の開閉を交互に反復することにより、圧力を昇降させるようにしているが、排気バルブ１１の開度を調節する方法や、ガス供給部１４に設けられたマスフローコントローラによってプラズマ発生用ガスの供給量自体を制御する方法を用いてもよい。なお、プラズマ処理圧力を昇降させる過程において、上述例では昇圧過程および減圧過程のいずれにおいてもプラズマ放電を継続させるようにしているが、昇圧過程においてのみプラズマ放電を発生させるようにしてもよい。
【００２５】
ここで、第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２の設定例について説明する。第１圧力Ｐ１と第２圧力のレベルとしては、大気圧よりも低い圧力レベルであって、プラズマ発生用ガスを用いて安定したプラズマ放電が可能な圧力レベルであることが必要とされる。本実施の形態では、第１圧力Ｐ１として１０Ｐａ程度の圧力を、また第２圧力Ｐ２として１００Ｐａ程度の圧力を用いているが、安定したプラズマ放電が維持できるような圧力レベル範囲内で、Ｐ２／Ｐ１が２以上になるような圧力の組み合わせを用いればよい。
【００２６】
次に、上述の圧力昇降過程における半導体素子５の近傍および基板４と半導体素子５との隙間における酸素ラジカルの挙動について説明する。減圧下で行われるプラズマ処理においては、プラズマ放電によって発生した粒子は、粒子個々が比較的大きい平均自由行程で移動する分子流状態で拡散する。このため、プラズマ処理圧力が低いほど、また半導体素子５のと基板４との間の隙間が狭くなるほど、酸素ラジカルが隙間内に流入する確率が低くなる。
【００２７】
図５は、昇圧過程における酸素ラジカルの移動状態を模式的に示しており、圧力が第１圧力Ｐ１から第１圧力Ｐ２に上昇する過程においては圧力の上昇、すなわちプラズマ発生用ガスから生じた酸素ラジカルＯ＊や酸素イオンＯ＋などの密度の上昇は、半導体素子５の隙間外部から先に生じる。このため昇圧過程において、高い圧力Ｐ２の状態で発生した高密度の酸素ラジカルＯ＊が、半導体素子５の外部から外部よりも低い圧力Ｐ１の隙間内に流入する。そして流入した酸素ラジカルＯ＊は隙間内のバンプ５ａや基板４の上面、半導体素子５の下面との間で衝突を繰り返しながら隙間の内部へ向かって移動する。この移動過程において、酸素ラジカルＯ＊が衝突した基板４の上面や半導体素子５の下面などの樹脂表面は、酸素ラジカルＯ＊の活性作用によって表面改質が行われる。
【００２８】
このとき、昇圧過程における酸素ラジカルの運動状態の挙動には、密度が上昇することによって粒子が相互に影響しながら運動する粘性流としての性質がより強くなり、酸素ラジカルはより密度が高い外側からより密度が低い隙間内部に強制的に送り込まれる形で流入する。したがって、半導体素子５のように狭隙間・多バンプ数の条件下においても十分な量の酸素ラジカルを隙間の奥まで到達させることが可能となり、十分な改質効果を得ることができる。  
【００２９】
またこのプラズマ処理過程においては、処理空間内における処理圧力は一旦上昇した後にまた下降することから、半導体素子５が高密度の酸素イオンや電子などの荷電粒子に継続的に曝される事態が発生しない。したがって荷電粒子によって半導体素子５の外縁部が過度にエッチングされることがなく、半導体素子５の外縁部への局部的なダメージを防止することができる。
【００３０】
このように、基板４と半導体素子５との隙間内の表面改質を対象としたプラズマ処理において、プラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力を大気圧よりも低い第１圧力Ｐ１からこの第１圧力Ｐ１よりも高い第２圧力Ｐ２へ上昇させる昇圧制御を行うことにより、隙間の外縁部を高密度の荷電粒子に継続的に曝すことなく隙間内に十分な量の酸素プラズマを流入させることができ、処理対象にダメージを与えることなく十分な改質効果を得ることができる。
【００３１】
なお、上述のプラズマ処理方法を適用するためのプラズマ処理装置としては、プラズマ処理空間におけるプラズマ発生分布の均一性が求められることから、図１に示すように、平板状の下部電極３と上部電極４とを平行に対向させた平行平板電極型のプラズマ処理装置が適している。
【００３２】
次に図６を参照して、上述のプラズマ処理による表面改質を利用した電子部品製造方法について説明する。この電子部品製造方法は、下面にバンプが形成された半導体素子を基板に実装して電子部品を製造するものである。
【００３３】
図６（ａ）に示すように、基板４に設けられた電極４ａに半導体素子５の下面に設けられたバンプ５ａを接合して、半導体素子５を基板４に実装する（実装工程）。次に、図６（ｂ）に示すように、実装工程後の基板４をプラズマ処理することにより、基板４と半導体素子５との間の隙間の内部表面を処理対象に含んで表面改質処理を行う（表面改質工程
）。すなわち、図１に示すプラズマ処理装置内に、基板４を搬入し、下部電極３上に基板を載置する。そして図３，図４において説明するプラズマ処理方法によって、プラズマ処理を実行する。
【００３４】
この後、図６（ｃ）に示すように、基板４上にアンダーフィル樹脂１７を塗布し、表面改質工程後の隙間内に毛管力によって進入させて充填する（樹脂充填工程）。この樹脂充填工程においては、表面改質によって隙間内の内部表面の濡れ性が改善されていることから、アンダーフィル樹脂１７の充填性を向上させることができる。そしてこの後、図６（ｄ）に示すように、基板４を加熱してアンダーフィル樹脂１７を熱硬化させることにより、下面にバンプ５ａが形成された半導体素子５を基板４に実装し半導体素子５と基板４との間が樹脂封止された電子部品が完成する。
【００３５】
なお上記実施の形態では、実装後の半導体素子と基板との間の隙間を表面改質のためのプラズマ処理の対象とする例を示しているが、狭隘隙間の内部表面を処理対象とするものであればよい。たとえば微細加工が施された後の加工面に形成された微細な凹部の内部表面なども本発明の適用対象となる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法は、酸素ラジカルをプラズマ処理対象の狭隘空間内に強制的に進入させて、表面改質効果を確保することが出来るという効果を有しており、狭隘空間の内部表面を含む処理対象面の表面改質をプラズマ処理によって行うプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこのプラズマ処理方法を用いて半導体素子を製造する半導体素子製造に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施の形態１のプラズマ処理装置の断面図
【図２】本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法におけるプラズマ処理空間の状態説明図
【図３】本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法のフロー図
【図４】本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法におけるプラズマ発生用ガスの昇圧制御を示すタイムチャート
【図５】本発明の一実施の形態のプラズマ処理方法における酸素ラジカルの拡散状態の説明図
【図６】本発明の一実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
【符号の説明】
【００３８】
１  真空チャンバ
３  下部電極
４  基板
５  半導体素子
５ａ  バンプ
８  プラズマ処理空間
１１  排気バルブ
１２  真空排気部
１３  ガス供給バルブ
１４  ガス供給部
１５  高周波電源部
【図１】
2005116595.tif 000003
【図２】
2005116595.tif 000004
【図３】
2005116595.tif 000005
【図４】
2005116595.tif 000006
【図５】
2005116595.tif 000007
【図６】
2005116595.tif 000008