(57)【要約】【課題】  有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第１基板と、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御するための画素回路が形成された第２基板を、貼り合わせてなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、有機発光層上で電極をパターニングするのが困難であった。また、透明電極の電気抵抗が増大するという問題があった。【解決手段】  有機エレクトロルミネッセンス素子２５を囲う様に逆テーパ形状の隔壁１４を設けた。また、透明電極１３の電気抵抗を低減するため補助電極１２を設けた。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光層を一対の電極に挟んでなる電気光学素子が形成された第１基板と、画素回路が形成された第２基板を、前記電気光学素子と前記画素回路が対向するように貼り合わせ、前記電気光学素子と前記画素回路を電気的に接続してなる電気光学装置において、前記第１基板上に、前記電気光学素子を囲うように逆テーパ形状の隔壁が形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記一対の電極のうち一方は、透明導電材料からなる透明電極と、低抵抗材料からなる補助電極により構成することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２記載の電気光学装置において、前記隔壁と前記補助電極が、前記第１基板に垂直な方向に重なる部分を持つことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の電気光学装置において、前記隔壁は感光性材料からなり、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極が、前記第１基板に垂直な方向に重なる部分を持たないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置において、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極の、前記第1基板に平行な方向に沿った最短距離が、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極の、前記第1基板に垂直な方向に沿った最短距離よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか1項に記載の電気光学装置電気光学装置において、前記有機発光層は、前記第１基板上の前記隔壁で囲まれた領域内に、液滴吐出法を用いて形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか1項に記載の電気光学装置において、前記第一基板上の前記隔壁で囲まれた領域内に開口部を有するバンク層が、前記第１基板上に形成してあると共に、前記有機発光層は、前記第１基板上の前記バンク層で囲まれた領域内に、液滴吐出法を用いて形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７記載の電気光学装置において、前記隔壁は前記バンク層上に形成されるとともに、前記バンク層は黒色または褐色の有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、表示装置として先行する液晶表示装置に比べ、薄型軽量、高視野角、高コントラスト等の特徴を有し、さらに、特許文献１に記載されているように、アクティブマトリックス方式で駆動することにより、高精細化、低消費電力化、長寿命化が可能なため、精力的に研究開発が行なわれている。
【０００３】
特に、特許文献２および特許文献３に記載されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第１基板と、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御するための画素回路が形成された第２基板を、有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路が対向するように貼り合わせ、有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路を電気的に接続してなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている第１基板を通過して観察者に視認されるため、画素回路や配線等に遮蔽されることが無いので開口率が飛躍的に向上する。これにより、さらなる低消費電力化、高精細化および長寿命化が可能となり、さらに画素回路と有機エレクトロルミネッセンス素子の設計および製造プロセスを個別に最適化することが可能となる。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２４１０４８号公報
【特許文献２】特開平１０−３３３６０１号公報
【特許文献３】特開平１１−３０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２および特許文献３に開示されている構成の有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、以下に示す二つの課題を有していた。
【０００６】
第一に有機発光層上で電極を精度良くパターニングするのが困難であった。有機エレクトロルミネッセンス素子は通常有機発光層を一対の電極で挟む構造を取るが、一般に有機発光層は水分により劣化してしまうため、有機発光層上の電極のパターニングに、通常のフォトリソグラフィーやエッチングを用いることが困難であった。そのため、有機発光層上の電極のパターニングにはシャドーマスクを用いたマスク蒸着がよく利用されるが、シャドーマスクと基板を精度良くアライメントすることが困難で、結果として高精細な、或いは大型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置には適用することは実質的に不可能であった。
【０００７】
第二に共通電極の電気抵抗が増大するという問題があった。有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する一対の電極のうち、画素回路と接続される側の電極は画素毎に区切られ、反対側の電極はすべての画素で共有される共通電極となる。有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光が、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている第１基板を通過して観察者に視認されるためには、この共通電極が透明電極となる必要がある。しかしながら、一般にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料は電気抵抗が大きく、したがって、共通電極の電気抵抗が大きくならざるを得なかった。
【０００８】
共通電極の電気抵抗が大きくなると、電圧降下によって表示領域の中央に近い部分ほど有機エレクトロルミネッセンス素子に印可される電圧が低くなり、それに起因して輝度むらが生じる。この電圧降下は、特に大型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合に顕著であり、問題となっていた。
【０００９】
本発明の目的は、上述の課題を克服し表示品質の高い電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の本発明は、有機発光層を一対の電極に挟んでなる電気光学素子が形成された第１基板と、画素回路が形成された第２基板を、前記電気光学素子と前記画素回路が対向するように貼り合わせ、前記電気光学素子と前記画素回路を電気的に接続してなる電気光学装置において、前記第一基板上に、前記電気光学素子を囲うように逆テーパ形状の隔壁が形成してあることを特徴とする。
【００１１】
請求項１の構成によれば、有機発光層上の電極を形成する際にシャドーマスクとの位置合わせを必要とせず、単純に隔壁および有機発光層形成後に電極材料を蒸着あるいはスパッタリング等により製膜するだけで、隔壁の逆テーパ部分で電極材料が切断され、電気光学素子毎に電極を形成することが可能となる。
【００１２】
請求項２記載の本発明は、請求項１記載の電気光学装置において、前記一対の電極のうち一方は、透明導電材料からなる透明電極と、低抵抗材料からなる補助電極により構成することを特徴とする。
【００１３】
請求項２の構成によれば、共通電極を透明導電材料で形成する場合であっても、補助電極の存在により共通電極における電圧降下が抑止され、大型の電気光学装置であっても輝度むらを低減することが可能となる。
【００１４】
請求項３記載の本発明は、請求項２記載の電気光学装置において、前記隔壁と前記補助電極が、前記第１基板に垂直な方向に重なる部分を持つことを特徴とする。
【００１５】
請求項３の構成によれば、発光に寄与しない隔壁と補助電極を前記第１基板に垂直な方向に重ねることにより、開口率を向上させることが可能となる。
【００１６】
請求項４記載の本発明は、請求項２または３記載の電気光学装置において、前記隔壁は感光性材料からなり、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極が、前記第１基板に垂直な方向に重なる部分を持たないことを特徴とする。
【００１７】
一般に、逆テーパ形状の膜を形成するための感光性樹脂材料においては、そのテーパ形状が露光条件に対して敏感である。特に下地に配線などの金属膜がある場合、金属膜表面により露光光が反射されることで露光条件が変わり、良好なテーパ形状が得られないという問題があった。
【００１８】
請求項４の構成によれば、補助電極上に隔壁を形成する場合であっても、補助電極表面での露光光反射が隔壁の逆テーパ形状に与える影響を軽減することが可能となる。
【００１９】
請求項５記載の本発明は、請求項４記載の電気光学装置において、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極の、前記第1基板に平行な方向に沿った最短距離が、前記隔壁の逆テーパ部分と前記補助電極の、前記第1基板に垂直な方向に沿った最短距離よりも大きいことを特徴とする。
【００２０】
請求項５の構成によれば、補助電極表面での露光光反射が隔壁の逆テーパ形状に与える影響を、さらに軽減することが可能となる。
【００２１】
請求項６記載の本発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置において、前記有機発光層は、前記第１基板上の前記隔壁で囲まれた領域内に、液滴吐出法を用いて形成してあることを特徴とする。
【００２２】
ここで言う液滴吐出法とは、インクジェット装置や液体ディスペンサー装置等を用いて、材料溶液の液滴を基板の所定の位置に吐出することにより、所望の位置に所望の材料で膜を形成する方法を指す。
【００２３】
請求項６の構成によれば、隔壁の存在により、液滴吐出法で有機発光層を形成する際に、材料溶液が有機発光層形成領域からはみ出したり、あるいは隣接する画素の材料溶液と混ざったりすることを防止することが可能である。これにより、有機発光層を精度良くパターニングすることが可能となる。
【００２４】
請求項７記載の本発明は、請求項１から５記載の電気光学装置において、前記第一基板上の前記隔壁で囲まれた領域内に開口部を有するバンク層が、前記第１基板上に形成してあると共に、前記有機発光層は、前記第１基板上の前記バンク層で囲まれた領域内に、液滴吐出法を用いて形成してあることを特徴とする。
【００２５】
逆テーパ形状の隔壁を形成した基板上で、液滴吐出法により有機発光層を形成する場合、吐出された液滴が隔壁の逆テーパ部分に溜まり、有機発光層に膜厚むらを生じ易いが、請求項７の構成によれば、バンク層の存在により、液滴が隔壁と触れることが無く、上記問題を解決することが出来る。
【００２６】
請求項８記載の本発明は、請求項７記載の電気光学装置において、前記隔壁は前記バンク層上に形成されるとともに、前記バンク層は黒色または褐色の有機材料からなることを特徴とする。
【００２７】
請求項８の構成によれば、バンク層が遮光機能を有するため、隔壁を形成する際に、補助電極表面での露光光反射が隔壁の逆テーパ形状に与える影響を、軽減することが可能となる。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、大型高精細の電気光学装置を製造する場合であっても、有機発光層上で電極を精度良くパターニングできると共に、共通電極の電気抵抗の増大を抑制することができ、表示品質の高い表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００３０】
なお、以下、有機エレクトロルミネッセンス素子（表示装置）を例にとって説明するが、本発明の適用範囲はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
図１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置に好適な第１基板の断面図である。図１に示してある通り、第１基板は基板１１上に、透明導電材料からなる透明電極１３、補助電極１２、有機発光層１５、画素電極１６、隔壁１４を有する。
【００３２】
基板１１としては透明なものであればどのような基板でも使用可能であり、そのような基板としてはプラスチック基板、ガラス基板、石英基板等が挙げられる。
【００３３】
補助電極１２は、透明電極１３の電気抵抗を低減することを目的として形成される。従って、補助電極１２の材料としては、電気抵抗の低い金属が好適であり、アルミニウム、銅、金、銀、チタン、クロム、タンタル、或いはそれらの合金もしくは積層膜等が利用可能である。それら金属材料を、スパッタリングや蒸着等の方法で基板１１上に製膜した後、フォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングし補助電極１２とする。なお、図１では補助電極１２を透明電極１３に先立って形成してあるが、補助電極１２は透明電極１３と電気的に接続されていれば良く、透明電極１２を先に形成しても構わない。また、補助電極１２と透明電極１３の間でオーミック接続を実現するために、補助電極１２と透明電極１３の間にコンタクトメタル（図示せず）を形成することが好ましい。
【００３４】
透明電極１３は、有機発光層１５に電圧を印可する一対の電極の一方である。透明電極１３は特にパターニングする必要はないが、表示領域外に何らかのパターンを形成することも可能である。透明電極１３の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料が利用可能であり、それら透明導電材料をスパッタリング等の方法により製膜することが可能である。
【００３５】
隔壁１４は、後の工程で画素電極１６をパターニングするために逆テーパ形状となっている。基板１１に平行な面と隔壁１４の側面が為す角度が小さいほど、より確実に画素電極１６をパターニングすることが可能となる。隔壁１４に用いられる材料としては、例えば日本ゼオン株式会社のＥＬＸ−１６８や、東京応化工業株式会社のＴＬＯＲ−Ｎ０２６等の感光性樹脂材料が挙げられる。これらはネガタイプのレジストに露光光を吸収する色素を添加したもので、露光した際にレジスト内部で下の方ほど露光光の強度が低下するため、この強度差によって現像液への溶解速度に差が生じ、逆テーパ形状が形成されるものである。
【００３６】
隔壁１４を形成するに当たっては、隔壁１４と補助電極１２が、基板１１に垂直な方向に重なる部分を持つように隔壁１４を配置することが好ましい。これにより、発光に寄与しない隔壁と補助電極を前記第１基板に垂直な方向に重なり、開口率を向上させることが可能となる。
【００３７】
また、隔壁１４を形成するに当たっては、隔壁１４の逆テーパ部分と補助電極１２が、基板１１に垂直な方向に重なる部分を持たないように隔壁１４を配置することが好ましい。これにより、隔壁をフォトリソグラフィーにてパターニングする際に、逆テーパが形成される部分においては、露光光が補助電極表面で反射されることが無く、良好な逆テーパ形状を得ることができる。
【００３８】
なお、本発明者が別に行なった実験の結果によれば、基板１１に平行な面と隔壁１４の側面が為す角度は、逆テーパ部分の下に補助電極が存在しない場合には、およそ６１度で、逆テーパ部分の下に補助電極が存在する場合には、およそ７２度であった。
【００３９】
有機発光層１５は、透明電極１３と画素電極１６の間に挟まれ、透明電極１３と画素電極１６に電圧を印可し電流を流すことにより発光する層である。有機発光層１５の材料としては、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やＡｌｑ３（アルミキノリノール錯体）等の発光材料が挙げられる。また、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層（いずれも図示せず）等を積層することが可能である。これら有機層は液滴吐出法により形成されることが好ましく、したがって有機溶剤等に可溶な材料を選択することが好ましい。そのような材料としては、有機発光層としてはＰＰＶ、ポリアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン等の高分子化合物が好適である。
【００４０】
画素電極１６は、有機発光層１５に電圧を印加する一対の電極のもう一方である。画素電極１６の材料としては、有機発光層１５に効率よく電子を注入できるように、なるべく仕事関数の小さな金属が適しており、例えば、カルシウム、マグネシウム、或いはそれらの合金若しくは積層膜等が利用可能である。また、これらの画素電極材料が、酸素や水分によりに酸化するのを防ぐため、アルミニウムや銀等の比較的安定な金属を、画素電極材料の上に形成することが好ましい。
【００４１】
次に、本発明の第１基板について説明する。本発明に用いられる第１基板としては、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するのに必要な画素回路が形成される。そのような画素回路として多くの回路構成が考案されているが、いずれの回路構成であっても本発明が適用可能である。
【００４２】
図２はそのような画素回路の一例を示す回路図である。
【００４３】
図２の回路に於いて、画素回路２１は選択トランジスタ２２と、保持容量２３と、駆動トランジスタ２４からなり、画素回路２１は、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する行の走査線２６と、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する列の信号線２７と、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する列の電源線２８に接続される。
【００４４】
走査線２６を介して選択トランジスタ２２をＯＮ状態にすると、輝度に対応した電圧が、信号線２７を介して保持容量２３と駆動トランジスタ２４のゲートに印可され、有機エレクトロルミネッセンス素子２５は所望の輝度で発光する。選択トランジスタ２２をＯＦＦ状態にした後も、駆動トランジスタ２４のゲートには、保持容量２３に保持される電圧が印可されるため、有機エレクトロルミネッセンス素子２５は所望の輝度で発光を続ける。
【００４５】
図３は本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置に好適な第２基板の平面図である。
【００４６】
画素回路２１は選択トランジスタ２２と、保持容量２３と、駆動トランジスタ２４からなり、画素回路２１は、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する行の走査線２６と、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する列の信号線２７と、エレクトロルミネッセンス素子２５の属する列の電源線２８に接続される。
【００４７】
図４は、図３のＡ−Ｂ断面を２画素分に渡って描いた断面図である。基板３１上に形成された駆動トランジスタ２４のソースは電源線２８に、駆動トランジスタ２４のドレインは電極パッド４０に接続され、最上部には電極パッド４０の一部が露出するようにパッシベーション膜４１が形成される。
【００４８】
選択トランジスタ２２および駆動トランジスタ２４には、アモルファスシリコン薄膜トランジスタや多結晶シリコン薄膜トランジスタあるいは単結晶シリコントランジスタなどが利用可能であるが、大面積基板上に形成が容易で且つ十分な電流供給能力を有する低温多結晶シリコン薄膜トランジスタが好適である。
【００４９】
図５は本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図であり、前述の第１基板と第２基板を貼り合わせた状態を表すものである。
【００５０】
図５に示すように有機エレクトロルミネッセンス素子２５の画素電極１６と駆動トランジスタ２４の電極パッド４０が導電性接着剤５３により接続され、有機エレクトロルミネッセンス素子２５を画素回路１６により駆動出来るようにしてある。
【００５１】
導電性接着剤５３としては、例えば株式会社スリーボンドの３３００シリーズや、太陽金網株式会社のＣＨＯ−ＢＯＮＤ  ＳＶ７１２等が利用可能であるが、有機発光層が劣化するのを防ぐために、無用剤タイプのものを使用するのが好ましい。
【００５２】
導電性接着剤５３を所定の位置に配置する方法としては、印刷法やディスペンス法などが挙げられる。この場合、導電性接着剤５３は第１基板側に配置しても良いし、第２基板側に配置しても良い。あるいは、第１基板と第２基板の両方に配置しても良い。
【００５３】
なお、このままでも有機エレクトロルミネッセンス表示装置として機能するが、有機エレクトロルミネッセンス素子２５が空気中の酸素や水分により劣化するのを防止するため、第１基板５１および第２基板５２で挟まれた空間を不活性ガスで置換した状態で密閉するのが好ましい。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例により本発明を詳説する。
（第１の実施例）
図６は本発明第１の実施例における第１基板の製造工程を説明するための図であって、各工程における第１基板の断面を表すものである。以下、図６を用いて第１基板の製造工程を説明する。
【００５５】
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板を基板１１として用い、図６（ａ）に示すように、基板１１上に補助電極１２および透明電極１３を順次形成した。
【００５６】
補助電極１２としては厚さ４００ｎｍのアルミニウムを、透明電極１３としては厚さ５０ｎｍのＩＴＯをそれぞれ用い、スパッタリングにより製膜したのちフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングした。なお、図示していないが本実施例では補助電極１２と透明電極１３の間にコンタクトメタルとして厚さ５０ｎｍの窒化チタンを用いた。
【００５７】
次に、図６（ｂ）に示すように隔壁１４を形成した。
【００５８】
隔壁１４の材料には前述の日本ゼオン株式会社のＥＬＸ−１６８を用い、隔壁１４と補助電極１２が、基板１１に垂直な方向に重なる部分を持ち、且つ、隔壁１４の逆テーパ部分と補助電極１２が、基板１１に垂直な方向に重なる部分を持たないように隔壁１４を形成した。これにより、開口率を向上させると共に、隔壁１４をフォトリソグラフィーにてパターニングする際に、逆テーパが形成される部分においては、露光光が補助電極表面で反射されることが無く、良好な逆テーパ形状を得ることができた。
【００５９】
次に図６（ｃ）に示すように、液滴吐出法により有機発光層１５を形成した。
【００６０】
本実施例ではカラー表示を実現するために、赤の有機エレクトロルミネッセンス素子にはローダミン１０１をＰＰＶに添加したものを、緑の有機エレクトロルミネッセンス素子にはＰＰＶを、青の有機エレクトロルミネッセンス素子にはポリジオクチルフルオレンを、それぞれ発光材料として用い、インクジェット装置６１を用いて隔壁１４に囲まれた領域に材料溶液を吐出し、有機発光層１５を形成した。また、発光材料を形成するに先立って、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）をインクジェット装置により隔壁１４に囲まれた領域に吐出し、正孔注入層（図示せず）を形成した。
【００６１】
次に、電極材料を基板のほぼ全面に蒸着することで、図６（ｄ）に示すように画素電極１６を形成し、有機エレクトロルミネッセンス２５を形成した。画素電極１６の材料としては厚さ５０ｎｍのカルシウムと厚さ２５０ｎｍのアルミニウムの積層膜を用いた。
【００６２】
以上のようにして本実施例の第１基板を製造した。
【００６３】
図７は本実施例における第２基板の製造工程を説明するための図であって、各工程における第２基板の断面を表すものである。本実施例では、図２に示した回路を、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いて図３および図４に示した通りに構成しており、図７は図３のＡＢ断面に対応する。以下、図７および図３を用いて第２基板の製造工程を説明する。
【００６４】
先ず、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを基板３１として用い、その上に、図７（ａ）に示すように、多結晶シリコン層３９、ゲート絶縁膜３５を順次形成した。
【００６５】
多結晶シリコン層３９の前駆態としてはプラズマＣＶＤ法にて形成されたアモルファスシリコンを用い、レーザー結晶化法によりアモルファスシリコンを多結晶化したのちフォトリソグラフィーとエッチングにより島状にパターニングした。ゲート絶縁膜３５としては、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法にて形成されたシリコン酸化膜を用いた。ゲート電極多結晶シリコン膜３９の膜厚は５０ｎｍ、ゲート絶縁膜３５の膜厚は７５ｎｍであった。
【００６６】
次に、図７（ｂ）に示すように、ゲート電極３６を形成し、多結晶シリコン層３９の、ソース３３およびドレイン３４を形成する領域に、不純物をドーピングした。
【００６７】
ゲート電極３６には、スパッタリングにより製膜した厚さ５００ｎｍのタンタル薄膜を用い、フォトリソグラフィーとエッチングにより所定の形状にパターニングした。なお、図７には図示していないが、図３において保持容量２３を形成する領域にもタンタル薄膜を残してある。
【００６８】
選択トランジスタ２２と駆動トランジスタ２４は、双方がｎ型でも、双方がｐ型でも、あるいは一方がｐ型で他方がｎ型であっても駆動回路として機能させることが可能である。本実施例においては、双方ｎ型のトランジスタを形成するため、不純物として燐を用いた。
【００６９】
ドーピングが終わった後、基板全体を摂氏３５０度で加熱し、不純物の活性化を行なった。
【００７０】
次に、図７（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置を用いて層間絶縁膜３８を製膜し、フォトリソグラフィーとエッチングによりコンタクトホール４２を形成した。層間絶縁膜３８には厚さ５００ｎｍのシリコン酸化膜を用いた。
【００７１】
次に、図７（ｄ）に示すように信号線２７、電源線２８および電極パッド４０を形成し、パッシベーション膜４１を製膜した。
【００７２】
電源線２８および電極パッド４０には、厚さ８００ｎｍのアルミニウムを用いたが、アルミニウムによりソース３３およびドレイン３４のシリコン薄膜が侵食されないように、アルミニウムの製膜に先立って厚さ５０ｎｍのチタンを製膜した。なお、図７には図示していないが、図３において保持容量２３を形成する領域にもアルミニウム薄膜を残してあり、先に形成したタンタル薄膜および層間絶縁膜３８と共に保持容量２３を形成する。
【００７３】
パッシベーション膜４１には感光性アクリル樹脂を用い、フォトリソグラフィーによりパターニングして電極パッド４０の一部を露出させた。
【００７４】
次に、上述のようにして製造された第１基板と第２基板を貼り合わせる工程を、図５を参照しつつ説明する。
【００７５】
本実施例では、第１基板５１と第２基板５２を機械的且つ電気的に接続するために、導電性接着剤５３として、株式会社スリーボンドの３３０１Ｂを、スクリーン印刷を用いて、電極パッド４０上に塗布した。導電性接着剤５３塗布後、第１基板５１と第２基板５２を、画素電極１６と電極パッド４０が対向するように位置合わせし、第１基板５１と第２基板５２を貼り合わせて摂氏１２０度の真空オーブンに６０分放置し、導電性接着剤５３を硬化させた。
【００７６】
導電性接着剤５３を硬化後、貼り合わされた第１基板５１と第２基板５２を、窒素置換されたグローブボックス中に移し、第１基板５１と第２基板５２の外周部にシール剤（図示せず）を塗布し、第１基板と第２基板で挟まれた空間を完全に密閉した。シール剤としては、二液性常温硬化タイプのエポキシ接着剤を用いた。
【００７７】
以上のようにして有機エレクトロルミネッセンス表示装置を完成させた。
【００７８】
（第２の実施例）
図９は本発明第２の実施例における第１基板の製造工程を説明するための図であって、各工程における第１基板の断面を表すものである。以下、図９を用いて本実施例における第１基板の製造工程を説明する。
【００７９】
第１の実施例と同様にして、図９（ａ）に示すように、基板１１上に補助電極１２と透明電極１３を形成した。ただし、補助電極１２は第１の実施例の場合よりも幅広に形成してある。
【００８０】
次に、図９（ｂ）に示すようにバンク層１８と隔壁１４を順次形成した。バンク層１８の材料には褐色の感光性ポリイミドを用い、フォトリソグラフィーによりパターニングした。隔壁１４には、第１の実施例と同様に日本ゼオン株式会社のＥＬＸ−１６８を用いた。バンク層１８として褐色のポリイミドを用いたため、隔壁１４をフォトリソグラフィーにてパターニングする際に、逆テーパが形成される部分の真下に補助電極１２が存在する場合であっても、露光光が補助電極表面で反射されることが無く、良好な逆テーパ形状を得ることができた。
【００８１】
次に、図９（ｃ）に示すように、第１の実施例と同様にインクジェット装置を用いて、バンク層１８に囲まれた領域に有機発光層１５を形成した。
【００８２】
次に、図９（ｄ）に示すように、第１の実施例と同様にして画素電極１６を形成した。
【００８３】
上述のようにして製造した第１基板を、第１の実施例と同様にして製造した第２基板を、
第１の実施例と同様にして貼り合わせ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置とした。
【００８４】
本発明に係る表示装置は、あらゆる電子機器に適用可能である。例えば、モバイル型パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビューワ、ゲーム機等の携帯情報端末、電子書籍、電子ペーパ、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
上記実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、インクジェットプリンター用ヘッド等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す図であって、第１基板の断面図である。
【図２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路構成を示す等価回路図である。
【図３】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す図であって、第２基板の平面図である。
【図４】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す図であって、第２基板の断面図である。
【図５】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１基板の製造方法を説明する図であって、製造中の第１基板の断面図である。
【図７】本発明の実施例における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第２基板の製造方法を説明する図であって、製造中の第２基板の断面図である。
【図８】本発明の別の実施例における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す図であって、第１基板の断面図である。
【図９】本発明の別の実施例における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１基板の製造方法を説明する図であって、製造中の第１基板の断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１１    基板
１２    補助電極
１３    透明電極
１４    隔壁
１５    有機発光層
１６    画素電極
１８    バンク層
２１    画素回路
２２    選択トランジスタ
２３    保持容量
２４    駆動トランジスタ
２５    有機エレクトロルミネッセンス素子
２６    走査線
２７    信号線
２８    電源線
３１    基板
３２    能動層
３３    ソース
３４    ドレイン
３５    ゲート絶縁膜
３６    ゲート電極
３８    層間絶縁膜
３９    多結晶シリコン層
４０    電極パッド
４１    パッシベーション膜
４２    コンタクトホール
５１    第１基板
５２    第２基板
５３    導電性接着剤
６１    インクジェット装置
６２    インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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