(57)【要約】      （修正有）【課題】作業性の効率化、真空処理装置の小型化及び同装置のコストを削減することができる真空処理方法及び真空密閉型搬送容器を提供する。【解決手段】真空処理される基材７を、所定雰囲気室内においてその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器内に密閉状態となるように収容し、前記基材７を収容した真空密閉型搬送容器１１を、真空処理室内へ搬送して該室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材７を前記真空密閉型搬送容器１１から取り出して、その後、前記真空処理室において真空処理するか、或いは、前記基材７を収容した真空密閉型搬送容器１１を、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材７を前記真空密閉型搬送容器１１から取り出して、その後、前記真空処理室内に搬送し、前記真空処理室において真空処理する。【選択図】図３
2005170665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理される基材を、所定雰囲気室内においてその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器内に密閉状態となるように収容し、
前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、真空処理室内へ搬送して該室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室において真空処理するか、或いは、
前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室内に搬送し、前記真空処理室において真空処理することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を真空雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で、前記基材を真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を所定雰囲気室内へ搬送することを特徴とする真空処理方法。
【請求項３】
基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を所定雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して前記隣室内を所定雰囲気下とした状態で、前記基材をその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、前記真空処理室及び前記隣室とは別の所定雰囲気室内へ搬送することを特徴とする真空処理方法。
【請求項４】
前記真空密閉型搬送容器に収容された基材の搬送は、通常の大気中を介して行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の真空処理方法。
【請求項５】
受部と蓋部との間に環状シール材が介挿され、真空処理される基材又は真空処理された基材を収容するとともに、真空処理室内、前記真空処理室に気密に連通する隣室内又は所定雰囲気室内へ前記基材とともに搬入自在としたことを特徴とする真空密閉型搬送容器。
【請求項６】
前記真空密閉型搬送容器に内部空間と外部空間とを連通可能とするための弁を設けたことを特徴とする請求項５に記載の真空密閉型搬送容器。
【請求項７】
前記受部に収容される前記基材は、前記蓋部の開動作により前記受部外に移動されるようにしたことを特徴とする請求項５又は６に記載の真空密閉型搬送容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気において基材に有機膜等を成膜等するために、基材を真空雰囲気下へ搬入し、或いは、真空処理された基材を真空雰囲気下から搬出する真空処理方法及びこの真空処理方法のために用いるのに好適な真空密閉型搬送容器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空処理装置は、基材（基材ホルダーも含む場合もある。以下同じ。）をそのまま、真空処理室に出し入れしていた。このため、例えば、ガラス基板に有機ＥＬ素子を形成する際に、有機膜等が成膜されたガラス基板を大気に晒すと、有機膜が大気中の水分を吸収する。その結果、ＥＬ素子の発光特性が変化し、発光寿命が短くなるという問題があった。また、有機ＥＬ素子の場合、成膜前、基材の下地電極層表面へのオゾン処理等をする場合があるので、成膜後、基材を大気に晒すと、成膜した層と電極層との境界で特性が変化することがあり、安定したＥＬ素子が形成できない等の問題もあった。
【０００３】
このため、従来では、基材をグローブボックスを介して真空処理室に出し入れするようにしていた。この出し入れの方法について図５を用いて簡単に説明する。図中３１，３１で示されるものは真空処理室、３２はロードロック室、３３，３３，３５は仕切バルブ、３４はグローブボックスである。図示される構成では、２つの真空処理室３１，３１は互いに、仕切バルブ３３，３３を介してロードロック室３２に気密に連結されている。そして、ロードロック室３２とグローブボックス３４とは仕切バルブ３５を介して気密に連結されている。この構成において、真空処理室３１，３１内で成膜された基材の搬送工程は、まず、成膜後、基材がそれぞれロードロック室３２に搬送される。次に、ロードロック室３２をグローブボックス３４と同じ雰囲気にして仕切バルブ３５を開く。次に、搬送機構（図示せず）を操作して、基材をロードロック室３２からグローブボックス３４内に搬送する。そして、グローブボックス３４内で基材に対して封止等の処理を施した後に、グローブボックス３４から通常の大気中に取り出す。
しかしながら、上記のように最終工程までの一連の作業を真空処理室と、これに気密に連結される室内で行おうとすると作業性が悪く、しかも、装置が大がかりなものとなっていた。また、グローブボックス３４は、有機ＥＬ素子を扱う際は、常時、常温で大気圧と同等で、水分濃度・酸素濃度ともに１．０ｐｐｍ以下という所定雰囲気に厳密に管理される必要がある装置であるために、非常に高価であり、常に真空処理装置と一体の装置として購入していたのではコストがかかり過ぎていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明は、上記従来技術の有する問題点を解決するもので、真空処理される基材又は真空処理された基材を通常の大気中を介して搬送したり、通常の大気中で保管することを可能とすることにより、作業性の効率化、真空処理装置の小型化及び同装置のコストを削減することができる真空処理方法及び真空密閉型搬送容器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明者等は鋭意検討の結果、真空処理される基材又は真空処理された基材を真空密閉型搬送容器に収容して搬送することにより、前記基材を大気に晒すことなく取り扱うことができるという知見に基づき、下記の通り解決手段を見出した。
即ち、本発明の真空処理方法は、請求項１に記載の通り、真空処理される基材を、所定雰囲気室内においてその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器内に密閉状態となるように収容し、
前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、真空処理室内へ搬送して該室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室において真空処理するか、或いは、
前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室内に搬送し、前記真空処理室において真空処理することを特徴とする。
本発明の真空処理方法は、請求項２に記載の通り、基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を真空雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で、前記基材を真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を所定雰囲気室内へ搬送することを特徴とする。
本発明の真空処理方法は、請求項３に記載の通り、基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を所定雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して前記隣室内を所定雰囲気下とした状態で、前記基材をその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を前記真空処理室及び前記隣室とは別の所定雰囲気室内へ搬送することを特徴とする。
また、請求項４に記載の真空処理方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の真空処理方法において、前記真空密閉型搬送容器に収容された基材の搬送は、通常の大気中を介して行うことを特徴とする。
本発明の真空密閉型搬送容器は、請求項５に記載の通り、受部と蓋部との間に環状シール材が介挿され、真空処理される基材又は真空処理された基材を収容するとともに、真空処理室内、前記真空処理室に気密に連通する隣室内又は所定雰囲気室内へ前記基材とともに搬入自在としたことを特徴とする。
また、請求項６に記載の真空密閉型搬送容器は、請求項５に記載の真空密閉型搬送容器において、前記真空密閉型搬送容器に内部空間と外部空間とを連通可能とするための弁を設けたことを特徴とする。
また、請求項７に記載の真空密閉型搬送容器は、請求項５又は６に記載の真空密閉型搬送容器において、前記受部に収容される前記基材は、前記蓋部の開動作により前記受部外に移動されるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の真空処理方法によれば、真空処理される基材を、所定雰囲気室内においてその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器内に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、真空処理室内へ搬送して該室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室において真空処理するか、或いは、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で前記基材を前記真空密閉型搬送容器から取り出して、その後、前記真空処理室内に搬送し、前記真空処理室において真空処理するようにしたので、真空処理される前に基材が通常の大気等に晒されることがない。従って、真空処理装置と他の処理を行う装置との間で基材を通常の大気中を介して搬送しても基材が劣化等することがない。このため、例えば、電極層表面にオゾン処理等の前処理を必要とする有機ＥＬ素子の製造において、基材の前処理を行った後に、通常の大気を介して基材を搬送しても成膜した層と電極層との境界で特性が変化することがないので安定した有機ＥＬ素子の製造が可能となる。
また、基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を真空雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して該隣室内を真空雰囲気下とした状態で、前記基材を真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を所定雰囲気室内へ搬送するようにしたので、真空処理された基材を通常の大気中を介して搬送しても劣化することがない。また、真空処理された基材を真空密閉型搬送容器内に収容したまま大気中に保管することができるので、真空処理から後処理までを必ずしも一連で行う必要がなくなるので作業効率を向上させることができる。
また、基材を真空処理室において真空処理した後に、前記真空処理室内を所定雰囲気下とした状態で、或いは、前記真空処理室に気密に連通する隣室内へ前記基材を搬送して前記隣室内を所定雰囲気下とした状態で、前記基材をその所定雰囲気とともに真空密閉型搬送容器に密閉状態となるように収容し、前記基材を収容した真空密閉型搬送容器を、前記真空処理室及び前記隣室とは別の所定雰囲気室内へ搬送するようにしたので、真空密閉型搬送容器内部が真空雰囲気とならず、所定雰囲気下において容易に真空密閉型搬送容器を解放することができる。また、真空処理された基材を真空密閉型搬送容器内に収容したまま大気中に保管することができるので、真空処理から後処理までを必ずしも一連で行う必要がなくなるので作業性を向上させることができる。
また、真空処理される基材又は真空処理された基材を所定雰囲気下で前処理又は後処理するための装置を、真空処理室等と連結する必要がなくなる。従って、前処理又は後処理用の装置は、真空処理室等が複数あっても１台等少ない台数で済む。これにより、装置導入コストの低減を図ることができる。また、設置スペースの効率化が図ることができる。
また、本発明の密閉型真空密閉型搬送容器によれば、受部と蓋部との間に環状シール材が介挿され、真空処理される基材又は真空処理された基材を収容するとともに、真空処理室内、前記真空処理室に気密に連通する隣室内又は所定雰囲気室内へ前記基材とともに搬入自在としたことにより、真空処理される基材又は真空処理された基材が搬送の過程において大気下に晒されることがない。また、真空密閉型搬送容器に内部空間と外部空間とを連通可能とするための弁を設けたことにより、真空密閉型搬送容器内部が真空雰囲気であっても容易に解放することができる。また、前記受部に収容される前記基材は、前記蓋部の開動作により前記受部外に移動されるようにしたことにより、基材をトランスファーシャフト等によって真空処理室内に移動させることが容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明における真空処理は、真空雰囲気で行われる処理であれば特に制限されない。一例を挙げると、蒸着処理、スパッタリング処理、ＣＶＤ法を用いた処理やエッチング処理等が挙げられる。尚、真空処理室の数は、特に制限はなく、２室以上又はバッチ式のものであってもよい。
また、真空処理室に気密に連通する隣室についても、特に制限されない。一例を挙げると、真空処理室外部となる大気中と真空処理室との間で基材の受け渡しを行うために、その内部を真空雰囲気下又は所定雰囲気下にすることができるロードロック室等が挙げられる。
【０００８】
本発明において、真空雰囲気とは、数１００Ｐａ以下の中真空又は高真空の圧力領域を指す。また、所定雰囲気とは、グローブボックスなどで基材などに影響を与えない条件に管理された雰囲気をいい、例えば、有機ＥＬ素子の封止処理で使用される場合では、水分及び酸素濃度が１．０ｐｐｍ以下に管理されている。また、この所定雰囲気内の圧力は、低真空領域から大気圧（外部の大気の流入を防ぐために数ｍｍＨｇ大気圧よりも陽圧にされていてもよい。）の範囲で設定される。
【０００９】
また、本発明の真空密閉型搬送容器は、受部と蓋部との間に環状シール材が介挿され、真空処理される基材又は真空処理された基材を収容することができ、真空処理室内、前記真空処理室に気密に連通する隣室内又は所定雰囲気室内へ搬入できる大きさを有する必要がある。その構造については、その内部を真空密閉状態とできる耐圧性を備え、基材を真空雰囲気下又は所定雰囲気下で収容できる開口部が設けられていれば特にその構造について制限されない。従って、例えば、上面、側面や底面に開口部を設けた箱部と蓋部とから構成されたもの、上下に分割されるカプセル形状のもの等を使用することができる。
尚、蓋部により真空密閉型搬送容器を構成する場合には、ヒンジ構造により開閉自在とするようにしてもよい。
また、前記真空密閉型搬送容器内に基材を収容した後の蓋部等の固定も、特に制限されない。従って、例えば、ボルト、ネジ込み式のキャップやＫＦフランジ（例えば、ＫＦ１６、ＫＦ２５、ＫＦ４０）等により固定を行うようにすればよい。
【００１０】
前記真空処理方法に使用される真空密閉型搬送容器は、受部と蓋部との間に環状シール材を介挿することが好ましい。これにより、確実に容器内部を真空雰囲気又は所定雰囲気に保つことができるからである。前記環状シール材としては、例えば、ＮＢＲやバイトン等のゴム製のＯ−リングを使用することができる。
【００１１】
また、真空密閉型搬送容器の蓋部の解放に関しては、その内部がおおよそ大気圧であれば容易に蓋部を開けることができる。しかし、内部が真空雰囲気である場合には、大気圧に圧されて、容易に蓋が開かないので真空密閉型搬送容器の内部空間と外部空間とを連通する貫通孔を設けて、内部空間を連通自在とするための弁を設けるようにすれば、前記弁を真空密閉型搬送容器の外部から解放するだけで容易に蓋部を開くことができるようになる。
また、更に、前記蓋部の開動作に伴い、基材が前記受部外に移動されるように、真空密閉型容器に基材を昇降するための機構等を備えるようにすることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の真空密閉型容器を使用する場合には真空処理装置は、真空雰囲気下又は所定雰囲気下で、上記した真空密閉型搬送容器を開閉自在とする構造を備えるようにすることが好ましい。具体的な構造の例としては、真空処理装置等の外部からドライバー等を差し込んで真空密閉型搬送容器の蓋部のネジを外して開くようにした構造等が挙げられる。
【実施例】
【００１３】
以下、本発明の一実施例として、ガラス基材に有機ＥＬ素子を形成する方法を例に挙げて図面を参照して説明する。
図１は、本発明の真空処理装置５０の概略構成図であり、図中１で示されるものは真空処理室、２はロードロック室、３は仕切バルブ、４はトランスファーシャフト、５は装置架台、６は制御盤である。図２は、本装置５０において基板７を載置固定するための基板ホルダー８の説明図、図３は、本発明の真空密閉型搬送容器の概略構成図、図４はロードロック室２内の説明のための概略断面図を示すものである。
【００１４】
本実施例では、真空処理室１を真空蒸着室として使用するようにしている。このため、図示しないが、真空ポンプ、蒸発源等を備えている。尚、真空ポンプは、真空処理室１内を約４０Ｐａから４．０×１０-4Ｐａ以下にまで１５分で到達させることができるものとしている。
真空処理室１の側壁には、基材の搬出入を行うための搬入・搬出ポート１ａが設けられており、これには、大気圧下の外部との間で、基材の受け渡し行うためのロードロック室２が、仕切バルブ３を介して気密に連結されている。
【００１５】
ロードロック室２には、図１（ａ）に示されるように開閉自在の扉２ａが設けられており、この扉２ａから基材７がロードロック室２内に搬入されることになる。尚、図示しないが、ロードロック室２にも真空ポンプが設けられており、内部を真空雰囲気にすることができるようになっている。
ロードロック室２の上面側には、同図（ｂ）に示すように３本の棒状部材２ｈ1〜２ｈ3が気密に設けられており、上下動及び回転自在となっている。そして、その先端部には、図示しないがネジ溝が設けられている。
【００１６】
真空処理室１内と、図４に示されるロードロック室２内とには、有機ＥＬ素子の平板状の基材７を案内するための断面コ字状の搬送用レール２６が、真空処理室１及びロードロック室２内の内壁両側に各々設けられている。
【００１７】
また、トランスファーシャフト４は、棒状部材により構成され、真空処理室１、仕切バルブ３及びロードロック室２内において進退自在となっている。また、その先端部には図４に示すように軸方向に対して略垂直に爪部４ａが形成されており、図２に示される基材ホルダー８の両端部に設けられた長円形状の孔１０に係合して、基材ホルダー８を真空処理室１とロードロック室２間において搬送することができるようになっている。尚、本実施例においては、トランスファーシャフト４の操作は手動で行うようにしたが、必要に応じて電動又は油圧等により駆動するようにしてもよい。
【００１８】
制御盤６は、真空処理装置を操作・制御するためのもので、電離・ピラニ真空計、蒸発電源（有機膜用電源及び金属膜用電源）、膜厚モニター、各種電源のブレーカや真空ポンプのコントローラ等が設けられている。
【００１９】
基材７は、図２に示されるように、基材ホルダー８上面に形成された額縁状の枠（図示しない）内に載置され、その端部において回転式の板バネ９により固定されるようになっている。尚、基材ホルダー８の下面側には基材７の被処理面が露出されるように開口部８ａが設けられている。また、基材ホルダー８の端部には、前記したように略長円形状の開口部１０，１０が設けられており、この開口部１０に、前記したトランスファーシャフト４の爪４ａ部が係合されることになる。
【００２０】
本実施例では、基材７を前記基材ホルダー８とともに、図３に示される真空密閉型搬送容器１１に収容して基材７の移送を行うようにしている。
この真空密閉型搬送容器１１は、箱部１２と蓋部１３とから構成されている。箱部１２の底面には、収容される基材ホルダー８の略四隅を支持することができるように４本の支持部材１４が立設されている。支持部材１４は、バネ１５にボルト１６が挿通された構造をしており、バネ１５の上面とボルト１６の頭部下面との間は、略円筒形状の支持片１７がボルト１６に対して上下方向に移動自在に介装され、支持片１７の上面に荷重が加わると、バネ１５が付勢されるようになっている。この支持片１７上に、基材ホルダー８が載置される。
また、箱部１２の側壁の蓋部１３と対向する面１２ａには溝１２ｂが設けられており、この溝１２ｂには、ゴム製のＯ−リング１８が配置される。更に、箱部１２の底面には、真空密閉型搬送容器１１をロードロック室２に収容する際に位置決めのために使用される有底孔２５が設けられている。この有底孔２５に、ロードロック室２の底面に立設されたピン２７（図４）が挿入される。
【００２１】
一方、蓋部１３の下面には、図３に示すように、位置決めピン２０が４本立設されている。そして、位置決めピン２０は、蓋部１３を閉じる際に、基材ホルダー８の四隅に設けられた貫通孔１９（図２）に挿通される。これにより、基材ホルダー８の位置決めもすることができるようになっている。
更に、蓋部１３の下面には、閉蓋時に、基材７が直接蓋部１３に接しないようにピン２１が立設されている。ピン２１は、閉蓋時に基材ホルダー８の基材７が載置される部分よりも外側の四隅に設けられ、上記支持部材１４のばね１５により蓋部１３側に付勢された基材ホルダー８を蓋部１３側から抑える働きをする。
【００２２】
また、蓋部１３には、箱部１２の内側空間と外側空間とを連通させるための連通孔２２が設けられており、蓋部１３の上面には、前記内側空間と外側空間の連通状態を制御するためのリークバルブ２３が設けられている。
【００２３】
蓋部１３の上面中央部には、円板形状の蓋部保持用部材２８が設けられており、その上面中央部にはネジ孔２８ａが板厚方向に設けられている。このネジ孔２８ａに、上記ロードロック室２に設けられたフィードスルー２ｈ2の先端部のネジ溝を嵌合させ、ロードロック室２の外側から、蓋部１３を開閉自在とし、更に、蓋部１３を解放状態に保持することができるようになっている。
更に、蓋部１３の上面の蓋部保持用部材２８を挟むようにして、２つの蓋部固定用ネジ孔２４，２４が設けられている。このネジ孔２４，２４へのネジ止め又は外しは、上記ロードロック室２に設けられたフィードスルー２ｈ1及び２ｈ3を使用して行うことができるようになっている。
【００２４】
次に、上記構成により、基材７に有機ＥＬ素子を形成する方法について説明する。
まず、グローブボックス内での作業手順から説明する。このグローブボックスは、その内部空間を、大気圧、水分及び酸素濃度が１ｐｐｍの所定雰囲気に管理される。このグローブボックスは、前記所定雰囲気に管理できるように循環器やガス浄化器等を備え、乾燥したアルゴンガスや窒素ガスを大量に流下させるようにして構成されている。尚、本実施例では、グローブボックスは、真空処理装置５０から大気中を介して分離して設置されている。また、このグローブボックスには、通常の大気が満たされたバッファー室が連結されており、真空密閉型容器１１と大気下との間でのやり取りは、このバッファー室を介して行われる。
このグローブボックス内において、基材７に下地電極層表面へのオゾン処理等を施してから、真空密閉型搬送容器１１の蓋部１３を開いて収容する。次に、蓋部１３を箱部１２にネジ孔２４，２４を使用してネジ止めにより固定する。これにより、真空密閉型搬送容器１１内はグローブボックス内の所定雰囲気で満たされることになる。
次に、基材７を収容した真空密閉型搬送容器１１を前記グローブボックスからバッファー室を介して、大気下に出され真空処理装置５０まで搬送する。
真空処理装置５０では、ロードロック室２の扉２ａを開けてロードロック室２内に真空密閉型搬送容器１１を収容する。尚、真空密閉型搬送容器１のロードロック室２内への位置決めは、真空密閉型搬送容器１１の有底孔２５にロードロック室２に設けられたピン２７が挿通されるようにして行うようにする。
次に、ロードロック室２内を真空ポンプにより数１０Ｐａになるまで真空排気して、ロードロック室２内を真空雰囲気にする。この状態で、ロードロック室２のフィードスルー２ｈ1及び２ｈ3を下降させる。それらの先端部に設けられたネジ溝を、真空密閉型搬送容器１１の蓋部１３のネジ２４，２４に係合し、フィードスルー２ｈ1及び２ｈ3を回転してネジ孔２４，２４のネジを外す。そして、フィードスルー２ｈ2を同様に下方に移動させて、その先端部を蓋部保持用部材２８のネジ孔２８ａに係合してから蓋部１３を引き上げるとともにロードロック室２内の上部空間に保持する。
蓋部１３を開いた際、蓋部１３の荷重により下方に沈み込んでいた基板ホルダー８が、支持部材１４のバネ１５の弾発力により上昇し、Ｏ−リング１８の上面よりも上方に設けられている搬送用レール２６と同じ高さまで上昇する。この時に、基材７が真空雰囲気に晒されることになる。
【００２５】
次に、図４に示すように、トランスファーシャフト４を回転させて、その先端部の爪４ａを基材ホルダー８の長孔１０（図２）に係合する。次に、仕切バルブ３を解放してから、トランスファーシャフト４を真空処理室１側に押して基材ホルダー８を真空処理室１内に移送する。そして、仕切バルブ３を閉じてから、基材７に対して成膜処理を行う。
【００２６】
成膜処理された基材７を、上記方法と反対に、トランスファーシャフト４により真空処理室１から、真空雰囲気のロードロック室２内に移送する。次に、フィードスルー２ｈ2により蓋部１３を下降させ、フィードスルー２ｈ1及び２ｈ3により真空密閉型搬送容器１１の蓋部１３のネジ孔２４，２４にネジで止める。このとき、真空密閉型搬送容器１１内は真空雰囲気となり、基材７も同様に真空雰囲気に晒された状態となる。その後、ロードロック室２を大気圧に戻し、真空密閉型搬送容器１１を大気中に取り出す。
【００２７】
取り出された真空密閉型搬送容器１１は、大気中を介して搬送され、前記バッファー室を介して前記グローブボックス内に搬入される。この時、真空密閉型搬送容器１１内は、真空雰囲気となっている。このためリークバルブ２３を解放して真空密閉型搬送容器内１１をグローブボックス内の所定雰囲気で満たすことにより蓋部１３を容易に開けることができるようになる。
そして、グローブボックス内において、真空密閉型搬送容器１１の蓋部１３のネジ孔２４，２４のネジ止めを外し、基材７を取り出すとともに封止等の後処理を行ってから、始めて基材７単体で大気中に取り出すことができるようになる。
上記一連の方法により、基材７は、封止の後処理前に通常の大気に晒されることがないため、製造された有機ＥＬ素子の寿命を短くする等の劣化が生じない。
【００２８】
尚、上記実施例では、有機ＥＬ素子を例に挙げて説明したものであるが、上記ロードロック室２を所定雰囲気とすれば、離れた場所にある所定雰囲気のグローブボックスとの間で基材７を搬送するようにできる。
また、上記実施例では、支持片１７上には、基材ホルダー８は、１枚だけ載置されようにしたが、複数の基材ホルダー８を段積みできるようにしてもよい。この場合、最上段の基材ホルダー８を真空処理室１に搬送した後に、前記上段の基板ホルダー８の荷重により下方に沈み込んでいた下段の基板ホルダー８が、支持部材１４のバネ１５の弾発力により搬送用レール２６と同じ高さまで上昇できるように、バネ１５の弾発力及び／又は基板７若しくは基板ホルダー８の重量を適宜調節する必要がある。
このように複数の基材ホルダー８を密閉型真空容器１１内に収容すれば、搬送効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の概略構成図（（ａ）正面図（ｂ）平面図）。
【図２】同装置において使用される基板ホルダーの説明図（（ａ）正面図（ｂ）側面図）。
【図３】本発明の一実施例の真空密閉型搬送容器の概略構成図（（ａ）断面図（ｂ）平面図）。
【図４】図１の装置のロードロック室２の概略断面図。
【図５】従来の真空処理装置の概略構成図（（ａ）正面図（ｂ）平面図（ｃ）側面図）。
【符号の説明】
【００３０】
１    真空処理室
１ａ  搬入・搬出ポート
２    ロードロック室
２ａ  扉
２ｈ1〜２ｈ3    フィードスルー
３    仕切バルブ
４    トランスファーシャフト
４ａ  爪部
５    装置架台
６    制御盤
７    基材
８    基材ホルダー
９    板バネ
１０    開口部
１１    気密容器
１２    箱部
１３    蓋部
１４    支持部材
１５    バネ
１６    ボルト
１７    支持片
１８    Ｏ−リング
１９    貫通孔
２０    位置決めピン
２１    ピン
２２    連通孔
２３    リークバルブ（弁）
２４    ネジ孔
２５    有底孔
２６    搬送用レール
２７    ピン
２８    蓋部保持用部材
２８ａ  ネジ孔
３１    真空処理室
３２    ロードロック室
３３    仕切バルブ
３４    グローブボックス
５０    真空処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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