(57)【要約】【課題】  高い機械強度及び良好な溶剤可溶性を有する部分架橋型ポリカーボネートを感光層に用いた高耐久性の電子写真感光体を提供する。【解決手段】感光層に、下記一般式（Ｉ）で表される３価のフェノール誘導体及び下記一般式（II）で表される４価のフェノール誘導体から選ばれる少なくとも１種のフェノール誘導体によって、部分的に架橋されたポリカーボネートである部分架橋型ポリカーボネートを含有する電子写真感光体。【化１】2005227801.tif 000034（式中、Ｒ1 〜Ｒ19は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン置換されていてもよい炭化水素基又はハロゲン原子）【選択図】            なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光層に、下記一般式（Ｉ）で表される３価のフェノール誘導体及び下記一般式（II）で表される４価のフェノール誘導体から選ばれる少なくとも１種のフェノール誘導体によって、部分的に架橋されたポリカーボネートであることを特徴とする部分架橋型ポリカーボネートを含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2005227801.tif 000027
（式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ4 〜Ｒ9 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
2005227801.tif 000028
（式中、Ｒ10〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ16〜Ｒ19は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）で表されるフェノール誘導体が、下記式(III) で示す化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化３】
2005227801.tif 000029
【請求項３】
一般式（II）で表されるフェノール誘導体が、下記式（IV）で示す化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化４】
2005227801.tif 000030
【請求項４】
ポリカーボネートの全ジオール成分に対して、一般式（Ｉ）及び一般式（II）で表わされるフェノール誘導体を０．０１〜１モル％の割合で含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
ジオール成分として、下記一般式（Ｖ）〜(VII) で表されるジヒドロキシ化合物から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化５】
2005227801.tif 000031
（式中、Ｒ20及びＲ21は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ22〜Ｒ25は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）
【化６】
2005227801.tif 000032
（式中、Ｒ26は直接結合又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子を示すが、Ｒ27〜Ｒ30のすべてが、同時に水素原子であることはない。）
【化７】
2005227801.tif 000033
（式中、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）    
【請求項６】
ポリカーボネートの全ジオール成分中において、一般式（Ｖ）〜(VII) で表されるジヒドロキシ化合物が３０モル％以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
有機溶剤に５重量％以上の割合で溶解することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
接触帯電方式により帯電される電子写真装置において、請求項１〜７に記載の電子写真感光体を用いたことを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、良好な特性を有する部分架橋型ポリカーボネートを感光層に含有する電子写真感光体及びその感光体を用いた電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開平３−９１７５８号公報。
【０００３】
ポリカーボネートは、その非晶性に由来する透明性、高い耐熱性、優れた機械強度、良好な成形性等の諸特性を有する樹脂であるから、その需要は急速に拡大している。ポリカーボネートの用途としては、例えば、建築材料、光ディスク基板、自動車部品、光学レンズ、各種の機能性フィルム等が挙げられるように、極めて広範な分野に及んでおり、特に、最近では安全性及び軽量化の観点から硝子代替品としての用途や環境問題の観点から金属材料代替品としての用途等の分野において、急速に需要が高まっており、数多くのポリカーボネート類の開発が行われている。
【０００４】
ポリカーボネートに高い機械強度を保持させる一つの手段として、ポリカーボネートを高分子量化させるという方法がある。この方法では、ポリカーボネート基本骨格の持つ本来の特性が殆ど損なわれることなく、機械強度を高めることができるという利点があるものの、高分子量化に伴って溶剤溶解性が低下するから、特にフィルム分野において主流のコーティング法やキャスト成形が困難になり、さらに、射出成形においてもポリカーボネートの熱流動性が低くなって成形性に劣るという問題があった。
【０００５】
また、ポリカーボネートの機械強度を高める他の手段には、カーボネート重合体を架橋させる方法がある。しかし、架橋されたポリカーボネートは、強固であり溶剤溶解性や流動性が低下するため、その成形方法としては、架橋前のポリカーボネートと架橋剤を成形体の型中に流し込んだ後、熱や紫外線等を付与して架橋させる方法に限られる。すなわち、溶剤に溶解させた塗布液を用いるコーティング法やキャスト成形が採用できないことから成形体の形状が制限されるのみならず、カーボネート重合体及びそれを用いて成形体を得るまでの工程が複雑になって高コストになること及び成形体中に残存する架橋剤によって成形後にも架橋が行われて品質の安定性を保持できない等の問題もある。さらに、特開平３−９１７５８号公報には、溶剤への溶解性及び流動性を改善させた架橋型ポリカーボネートが開示されているが、この方法ではフロログリシン等の特殊な分岐化剤が使用されるものであり、架橋密度を高くすることができないため、十分な高い機械強度を有するものは得られていない。
【０００６】
一方、近年、電子写真装置は、高速で高画質の画像が得られるようになったことから、複写機及びレーザービームプリンター等の分野において広範に利用されている。これらの電子写真装置に用いられる電子写真感光体には、従来セレン、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金、硫化カドミウム等の無機光導電材料が用いられてきたが、これらと比べて安価にかつ容易に製造できるとともに、廃棄可能な有機光導電材料を用いた電子写真感光体が主流を占めるようになり、なかでも、それらの有機光導電材料を用いて、露光により電荷を発生する電荷発生層と電荷を輸送する電荷輸送層を積層して形成された機能分離型積層有機感光体は、電気感度、帯電性及びその繰り返し安定性等の電子写真特性に優れていることから、種々のものが提案され、実用化されている。
【０００７】
ところが、一般に有機感光体は、無機感光体に比べて機械的強度が劣っており、クリーニングブレードや、現像ブラシ、用紙などの機械的外力により摺擦傷、摩耗し、この摩耗により感光体の電気特性が劣化するため、寿命が短いという問題があった。さらに、エコロジーの観点から近年使用されてきている接触帯電方式を用いたシステムでは、コロトロンによる帯電方式に比べて大幅に感光体の摩耗が増加することが問題になっている。その摩耗が進行すると、感光体の感度が低減しコピーにかぶりが生じたり、帯電電位が低下しコピー濃度が低下する。従って、十分な耐久性を有する感光層が形成されるような結着樹脂、電荷輸送材料等の表面層材料の開発が望まれている。
【０００８】
また、蒸着等の方法により導電層が形成されたポリエチレンテレフタレート等のフィルム上に、感光層の塗膜を形成したフレキシブルな電子写真感光体は、ベルト状に加工して電子写真装置を繰り返し使用できるため、装置の形状の自由度を拡張できるという利点を有しているが、その感光体にはフレキシブルな動きに十分に追従できることが要請される。さらに、表面層の結着樹脂としては各種の樹脂を用いた感光体が提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、従来提案された結着樹脂を用いて、塗布工程により感光層の塗膜を形成すると、比較的良好な耐久性を有するベルト状電子写真感光体が得られるものの、その機械的強度は必ずしも十分なレベルにあるとは言えず、複写機中のベルト駆動装置において長期間繰り返し回転させた場合、感光層中に亀裂が生じ、それがコピー画像上にひび割れ模様となって現れるという問題が残されていた。
【００１０】
本発明は、従来の技術における上記した実情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、高い耐摩耗性を有し、接触帯電装置のようなプロセスを用いても高い耐久性を有し、かつ優れた電気的特性を示す電子写真感光体及びその感光体を使用した電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記した課題の解決について鋭意検討を重ねた結果、特定の化学構造を有する多価フェノール誘導体を用いて得られる部分的に架橋された部分架橋型ポリカーボネートが、高い機械強度及び良好な溶剤溶解性を有すると共に、コーティング又はキャスト法等によるフィルム成形が可能であり、熱流動性が高く、射出成形或いは射出圧縮成形も可能であって、得られた成形体は高い機械強度を有するものであり、かつ、その部分架橋型ポリカーボネートを用いて形成した感光体は、電子写真装置中で長期間繰り返し回転させても感光層の機械的・電気特性の劣化がないことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明の電子写真感光体は、感光層に下記一般式（Ｉ）で表される３価のフェノール誘導体及び一般式（II）で表される４価のフェノール誘導体から選ばれる少なくとも１種のフェノール誘導体を用いて得られた部分架橋型ポリカーボネートを含有することを特徴とする。
【００１３】
【化１】
2005227801.tif 000002
（式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ4 〜Ｒ9 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）
【００１４】
【化２】
2005227801.tif 000003
（式中、Ｒ10〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ16〜Ｒ19は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。）
【００１５】
本発明における電子写真感光体の感光層は、単層構造のもの（単層感光体）であっても、多層構造のもの（積層感光体）であってもよい。その積層感光体においては、最表面層中に上記の部分架橋型ポリカーボネートを含有することが好ましく、また、感光層が少なくとも電荷発生層と電荷輸送層からなる場合、その電荷輸送層中に上記の部分架橋型ポリカーボネートを含有することが好ましい。 
また、本発明は、接触帯電方式により帯電される電子写真装置に、上記の電子写真感光体を用いたことを特徴とする。
【００１６】
以下、本発明について詳細に説明する。 
本発明において用いる部分架橋型ポリカーボネートは、ジオール及び炭酸ジエステルを形成する化合物を含む原料を用いてカーボネート化反応を進行させる際に、それらの原料と共に、特定の構造を有する水溶性の３価フェノール誘導体又は４価フェノール誘導体を仕込んで重合反応を行うことにより製造することができる。この方法では、単一の工程により重合反応及び架橋反応が進行するから、安価に容易に部分架橋型ポリカーボネートを合成することが可能である。
【００１７】
上記の方法により得られた部分架橋型ポリカーボネートは、架橋部分の割合が低くて均等に架橋されているものであり、高い機械強度を有するにもかかわらず、溶剤に可溶であって熱流動性があって、キャスト又はコーティング成形が可能であり射出成形精度も高く、また、架橋剤を用いていないために品質安定性に優れた成形品を得ることができるという種々の良好な特性を持つ重合体である。
【００１８】
本発明において用いる部分架橋型ポリカーボネートの製造に使用される３価フェノール誘導体は、分子中に３個の水酸基を持つ水溶性の化合物であり、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。  
【化３】
2005227801.tif 000004
【００１９】
一般式（Ｉ）において、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基から選ばれ、また、Ｒ4 〜Ｒ9 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子から選ばれるものである。
【００２０】
なかでも、一般式（Ｉ）で表されるフェノール誘導体が、下記式(III) で示す化合物であることが好ましい。  
【化４】
2005227801.tif 000005
【００２１】
また、４価フェノール誘導体は、分子中に４個の水酸基を持つ水溶性の化合物であり、下記一般式（II）で表される化合物である。  
【化５】
2005227801.tif 000006
【００２２】
一般式（II）において、Ｒ10〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基から選ばれ、また、Ｒ16〜Ｒ19は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子から選ばれるものである。
【００２３】
なかでも、一般式（II）で表されるフェノール誘導体が、下記式（IV）で示す化合物であることが好ましい。  
【化６】
2005227801.tif 000007
【００２４】
本発明においては、上記一般式（Ｉ）及び一般式（II）の定義において、アルキル基としては、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル等が挙げられ、また、アリール基としては、具体的にはフェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチル等が挙げられ、また、シクロアルキル基としては、具体的にはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等が挙げられる。さらに、ハロゲン原子としては、具体的にはフッ素原子、臭素原子、塩素原子が挙げられる。
【００２５】
上記一般式（Ｉ）で表される３価フェノール誘導体の具体例としては、次のものが挙げられる。４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル）−フェニル）−メチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル）−フェニル）−メチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−メチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチルプロピル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−プロピルプロピル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルブチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、
【００２６】
４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルペンチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘキシル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘプチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−プロピリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−ブチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−ペンチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−ヘキシリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−へプチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジナフチルメチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、
【００２７】
４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−トリフロロメチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジトリフロロメチルメチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−メチルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジメチルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−（１−メチルエチル）ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジ（１−メチルエチル）ビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−シクロヘキシルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジシクロヘキシルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−フェニルビスフェノール、
【００２８】
４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジフェニルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−ナフチルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジナフチルビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−フロロビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジフロロビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−ブロモビスフェノール、４，４′−［（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジブロモビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３−クロロビスフェノール、４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］−３，５−ジクロロビスフェノール等が挙げられる。
【００２９】
上記の３価フェノール誘導体の中でも、特に４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノールは、その製造が容易であって良好な水溶性を有し、架橋時にメインとなるポリカーボネート分子鎖間のインタラクションを容易に制御できるからより好ましい。
【００３０】
また、上記一般式（II）で表される４価フェノール誘導体の具体例としては、次のものが挙げられる。２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−エチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−プロピレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−ブチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−ペンテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、３，３′−ペンテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−へキシレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、３，３′−へキシレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−ヘプテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、３，３′−ヘプテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−オクテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、３，３′−オクテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、４，４′−オクテンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、
【００３１】
２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−エチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−プロピルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−ブチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−ペンチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−ヘキシルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−ヘプチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−オクチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）フェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−（１，１−ジメチルエチル）フェニル）メチル）−４−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−エチルフェノール］、
【００３２】
２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−プロピルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−ブチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−ペンチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−ヘキシルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−ヘプチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−オクチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−（１−メチルエチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］等が挙げられる。これらの中で、特に２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］は、製造が容易である上に、水溶性が高く、架橋時にメインとなるポリカーボネート分子鎖のインタラクションを容易に制御できるからより好ましい。
【００３３】
本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートにおいて、一般式（Ｉ）で表わされる水溶性の３価のフェノール誘導体或いは一般式（II）で表わされる４価のフェノール誘導体が、全ジオール成分に占める割合は、０．０１〜１モル％の範囲であることが好ましく、より好ましくは０．０５〜０．５モル％である。
【００３４】
その水溶性フェノール誘導体の割合が０．０１モル％未満では、架橋部分が少なく、部分架橋による機械強度の向上効果が十分に得られなくなる。一方、その割合が１モル％以上になると、溶媒への溶解性が著しく低下し、合成反応の途中でゲル化を起こすようになる。
【００３５】
本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートには、そのジオール成分として、一般式（Ｖ）〜 (VII)で表わされるフェニレン置換ジヒドロキシ化合物の中から選ばれる少なくとも１種のジヒドロキシ化合物を含有することが好ましい。
【００３６】
【化７】
2005227801.tif 000008
一般式（Ｖ）において、Ｒ20及びＲ21は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はフッ素置換アルキル基を示す。Ｒ22〜Ｒ25は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。
【００３７】
【化８】
2005227801.tif 000009
一般式（VI）において、Ｒ26は直接結合又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子を示すが、Ｒ27〜Ｒ30のすべてが、同時に水素原子であることはない。
【００３８】
【化９】
2005227801.tif 000010
一般式 (VII)において、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン原子を示す。
【００３９】
上記一般式（Ｖ）〜(VII) の定義において、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル等が挙げられ、また、アリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチル等が挙げられ、また、シクロアルキル基としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等が挙げられる。さらに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子等が挙げられる。
【００４０】
上記一般式（Ｖ）で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、次のようなものが用いられる。２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へプタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へプタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、
【００４１】
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）へプタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）へプタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）へプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）オクタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）オクタン、
【００４２】
２，２−ビス（４−ヒドロキシ）−３−メチルフェニル）−４−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）へプタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）へプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）オクタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）オクタン、
【００４３】
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジシクロヘキシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ナフチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジナフチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、
【００４４】
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−イソプロピルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ナフチルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ナフチルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジナフチルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジナフチルフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）ジフェニルメタン、
【００４５】
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ジトリフロロメチルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジトリフロロメチルメタン等が挙げられる。
【００４６】
これらの中でも、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ジトリフロロメチルメタンを用いたものは、部分架橋後のポリカーボネートは、機械強度が高い上に、溶剤溶解性に優れているから特に好ましい。
【００４７】
また、上記一般式（VI）で表されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、次のようなものが用いられる。１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロオクタン、
【００４８】
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニル）シクロオクタン、
【００４９】
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ）−３−フェニルフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）シクロプロパン、
【００５０】
１，１−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）−３−ブロモフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）シクロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）シクロへプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）シクロオクタン等が挙げられる。これらの中で、特に１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサンが、部分架橋後の機械強度が高い上に、良好な溶剤溶解性を示すから特に好ましい。
【００５１】
また、本発明において、上記一般式 (VII)で表わされるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、次のようなものが用いられる。ビス（４−ヒドロキシフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニレン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジイソプロピルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−ナフチルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジナフチルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフロロフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニレン）等が挙げられるが、これらの中で、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニレン）、ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニレン）及びビス（４−ヒドロキシ−３−フロロフェニレン）は、部分架橋された重合体の機械強度が高い上に、良好な溶剤溶解性を有するから特に好ましい。
【００５２】
本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートにおいて、ジオール成分として使用する一般式（Ｖ）〜 (VII)で表されるジヒドロキシ化合物群の中の少なくとも１種のジヒドロキシ化合物が全ジオール成分中に占める割合は、３０モル％以上が好ましく、より好ましくは５０モル％以上である。その割合が３０モル％以上からなる部分架橋型ポリカーボネートは、高い機械強度及び良好な溶剤溶解性を具備するものとして反映されるが、３０モル％未満のものでは、得られる部分架橋型ポリカーボネートには、ジヒドロキシ化合物に基づく機械強度が少なくなり、また溶剤溶解性は低くなる。
【００５３】
本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートは、有機溶剤に少なくとも５重量％以上溶解するものであることが好ましく、この場合には、キャスト法、コーティング法或いはディッピング法により容易に塗膜を形成できるという利点がある。
【００５４】
本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートを溶解させる有機溶剤としては、そのカーボネート重合体の構造に合わせて適宜選択されるが、具体的には、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、モノクロロベンゼン等の塩化芳香族炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム等の塩化脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル等のエステル類、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、エチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ等のグリコールエーテル類、シクロヘキサノン等の脂環式炭化水素類、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素類等が挙げられる。これらの中で、テトラヒドロフランが部分架橋型ポリカーボネートの溶解性が大きいため最も好ましい。
【００５５】
次に、本発明に用いる部分架橋型ポリカーボネートの製造方法を、３方法により説明する。 
まず、第１の方法は、ジオールと、一般式（Ｉ）で表される水溶性のフェノール誘導体とを、得ようとする部分架橋型ポリカーボネートの構造にあわせて、０．１〜１規定のＮａＯＨ等のアルカリ水溶液に溶解させた後、その溶液に塩化メチレン等の部分架橋型ポリカーボネートの良溶媒を加えて混合する。 
次に、この混合系を冷却容器中で２０℃以下に保持した状態で、良溶媒層にホスゲンを徐々に添加する。これに、さらにトリブチルアミン等の触媒を加えて２〜２０時間激しく攪拌を続けると、所望の分子量の部分架橋型ポリカーボネートの溶液状態が得られる。この方法は、目的とする部分架橋型ポリカーボネートを溶液状態で保持できることが一つの特徴である。
【００５６】
次に、第２の方法は、ジオールと、水溶性の一般式（Ｉ）又は（II）で表わされるフェノール誘導体を、製造目的とする部分架橋型ポリカーボネートの化学構造に合わせて、０．１〜１規定のアルカリ、例えば、ＮａＯＨ水溶液に溶解させ、これにベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等のナトリウムフェノキシド化反応を促進させる触媒を添加する。次に、塩化メチレン等の部分架橋型ポリカーボネートの良溶媒を加えて混合する。
【００５７】
得られた混合系をクールバスで２０℃以下に保持し、その良溶媒層に塩化メチレン等に溶解させたトリホスゲン溶液を徐々に加える。さらに、トリブチルアミン等の触媒を添加し、２〜２０時間激しく攪拌すると、所望の分子量の部分架橋型ポリカーボネートを溶液状態で得ることができる。そのため、この方法も、第１の方法と同じ特徴を有している。
【００５８】
次に、第３の方法は、ジオールと、水溶性の一般式（Ｉ）又は（II）で表わされるフェノール誘導体と炭酸ジエステルとを、酸化亜鉛等のエステル交換、重合のいずれにも有効な触媒とともに反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した後、容器内を徐々に減圧しながら加熱する。得られる部分架橋型ポリカーボネートの化学構造にもよるが、１８０℃付近に到達すると、フェノールの留出が始まる。しばらくの間、その温度及び真空度を一定に保持させ、フェノールの留出速度が遅くなった後、容器内を再び徐々に減圧して昇温させる。
【００５９】
最終的に、容器内を２８０〜３２０℃程度、真空度を１Ｔｏｒｒ以下にする。この条件を３〜１２時間保ち、攪拌トルクが所望の分子量に対応する値になった時に反応を停止することにより部分架橋ポリカーボネートが得られる。この段階で部分架橋が既に完了していることが、この方法の主な特徴である。
【００６０】
すなわち、一般に、重合体の架橋反応では、原料モノマーの重合反応では未だ架橋されておらず、一旦、重合により得られたポリカーボネートを採取し、これを精製した後、加熱或いは紫外線照射等を行って架橋させるのが通例であるが、このような方法は、工程数が増加するから、不純物の混入の可能性が高くなり、架橋の均一性が悪くなるうえに、製造コストも高くなるという欠点がある。
【００６１】
これに対して、部分架橋型ポリカーボネートを製造する上記第１〜３の方法は、いずれも上記のように１工程で架橋体を得ることができ、加熱や紫外線照射等により後架橋を行う工程の必要がなく、また、不純物の混入が少なくて、均一な架橋が行われており、未架橋ポリカーボネートに比べると製造コストも低いという利点がある。また、その溶液から部分架橋型ポリカーボネートを採取するには、この溶液をメタノールのような部分架橋型ポリカーボネートの貧溶媒中に滴下して固体状物を生成させ、これを濾別すればよい。
【００６２】
一般に、高機械強度を持つ高分子材料は、溶媒に溶解し難いものであるから、コーティング法で高強度の高分子フィルムを得ることは困難であるが、上記の部分架橋型ポリカーボネートは、部分的に架橋されていて高い機械強度を有するにもかかわらず、良好な溶剤溶解性を有するものである。
【００６３】
次に、本発明の電子写真感光体について図面を用いて説明する。図１〜図７は、本発明の電子写真用感光体の層構成を示す模式的断面図である。 
図１〜図４は、感光層が積層構造のものであって、図１おいては、導電性支持体３の上に電荷発生層１が設けられ、その上に電荷輸送層２が設けられている。図２においては、さらに導電性支持体３と電荷発生層１の間に下引き層４が介在するものである。また、図３においては、図１の層構成のものに、さらに表面に保護層５が設けられている。さらに、図４においては、図１の層構成のものに、さらに下引き層４と保護層５の両者が設けられている。
【００６４】
図５〜図７は、感光層が単層構造のものであって、図５においては、導電性支持体の上に感光層６が設けられ、また、図６においては、導電性支持体と感光層の間に下引き層４が設けられている。さらに、図７においては、図５の層構成のものに下引き層４と保護層５の両者が設けられている。本発明における上記の部分架橋ポリカーボネートは、図１〜図７に示されたいずれの層構成からなる感光体にも感光層の結着樹脂として使用することができる。
【００６５】
以下、本発明における電子写真感光体の各層について詳細に説明する。  
本発明の電子写真感光体において、導電性支持体３としては、アルミニウム、銅、鉄、亜鉛、ニッケル等の金属製ドラムもしくはシート、紙、プラスチック又はガラス上に、アルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属を蒸着するか、酸化インジウム、酸化錫等の導電性金属化合物を蒸着するか、金属箔をラミネートするか或いはカーボンブラック、酸化インジウム、酸化錫−酸化アンチモン粉、金属粉、沃化銅等を結着樹脂に分散し、塗布することにより導電処理したドラム状物、シート状物又はプレート状物等の公知のものが用いられる。
【００６６】
金属製パイプを導電性支持体として用いる場合、表面は素管のままであっても、事前に鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウェットホーニング等の処理が施されていてもよく、特に、表面処理により支持体表面を粗面化処理したものは、レーザービームのような可干渉光源を用いた際に発生する感光体内の干渉光による木目状の濃度斑を防止することができるから好ましい。
【００６７】
下引き層４としては、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子等を含有する有機金属化合物等を用いて形成される。これらの化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物或いは重縮合物として用いることができる。なかでも、ジルコニウム又はシリコンを含有する有機金属化合物を含むものは、残留電位が低くなり環境による電位変化が少なく、また、繰り返し使用による電位の変化が少ないこと等の性能上において優れている。
【００６８】
下引き層に用いるシリコン化合物としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、より好ましく用いられるシリコン化合物としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【００６９】
有機ジルコニウム化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が用いられる。
【００７０】
有機チタン化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が用いられる。  
有機アルミニウム化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が用いられる。
【００７１】
また、下引き層中には、電気特性の向上や光散乱性の向上等を目的として、各種の有機もしくは無機微粉末を混合することができる。具体的には、電子輸送性を有する多環キノン系顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等の有機顔料、酸化チタン、酸化亜鉛、亜鉛華、硫化亜鉛、鉛白、リトポン等の白色顔料やアルミナ、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等の体質顔料としての無機顔料やポリフッ化エチレン樹脂粒子、ベンゾグアナミン樹脂粒子、スチレン樹脂粒子等が有効である。その添加微粉末の粒径は０．０１〜２μｍのものが用いられ、これらの微粉末は必要に応じて添加されるが、その添加量は、下引き層の固形分に対して重量比で１０〜８０重量％の範囲、好ましくは３０〜７０重量％である。
【００７２】
下引き層塗布液の調整に微粉末を用いる際、樹脂成分を溶解させた溶液中に微粉末を添加して分散処理する。その微粉末を樹脂中に分散させるには、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の方法を用いる。下引き層の厚さは、０．１〜１０μｍの範囲が望ましい。
【００７３】
本発明において、下引き層の上に形成される感光層は、基本的には単層構造のもの（単層感光体）でも、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された積層構造のもの（積層感光体）でもよい。また、積層構造の場合、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は、いずれが上層に形成されていてもよい。
【００７４】
本発明の電子写真感光体は、感光層の結着樹脂として、前記の一般式（Ｉ）で表される３価のフェノール誘導体及び一般式（II）で表される４価のフェノール誘導体から選ばれる少なくとも１種のフェノール誘導体を用いて得られた部分架橋型ポリカーボネートを含有するものである。また、感光層が積層構造である場合には、その部分架橋型ポリカーボネートは、最表面層中に含まれることが好ましく、また、感光層が少なくとも電荷発生層と電荷輸送層からなる場合には、その部分架橋型ポリカーボネートは、電荷輸送層中に含まれることが好ましい。
【００７５】
感光層の結着樹脂には、有機溶剤への良好な溶解性が要求されるものであるが、直鎖型のポリカーボーネートを高分子量にすると、分子鎖間の絡み合いが強くなり過ぎて、溶剤に不溶になり、また、熱流動性が失われて、コーティング、キャスト、射出成形等を用いて成形することができないが、本発明の部分架橋型ポリカーボネートを用いることにより、溶剤への溶解性や熱流動性に優れるとともに、機械強度が十分に高いという高分子量重合体としての機能を満たすことが可能になった。
【００７６】
上記の部分架橋型ポリカーボネートを結着樹脂として用いる際、電荷輸送材料との相溶性及び溶媒への溶解性を改善するか、または成膜性の向上を目的として、他の樹脂と混合して用いることができる。そのような樹脂としては、具体的には、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等が挙げられる。
【００７７】
感光層に、結着樹脂として一般式（Ｉ）、（II）で表されるいずれか１種類以上のフェノール誘導体を含むと、特に電荷輸送層を表面層とする円筒状感光体において、感光体の耐摩耗性の向上及び表面傷の低減を実現することができる。また、ベルト型感光体においては、上記の部分架橋型ポリカーボネートを含む結着樹脂が感光層中の上下のいずれの位置に存在していても、可撓性に関する機械的寿命を向上させることができる。さらに、これらの感光体は、優れた電気特性を有するとともに、高画質の画像を形成することができる。
【００７８】
感光体の電荷発生層は、電荷発生物質を真空蒸着により形成するか、有機溶剤及び結着樹脂とともに分散させて塗布することにより形成される。その電荷発生物質としては、非晶質セレン・結晶性セレン、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金、その他のセレン化合物及びセレン合金、酸化亜鉛・酸化チタン等の無機系光導電体、無金属フタロシアニン，チタニルフタロシアニン，銅フタロシアニン，錫フタロシアニン，ガリウムフタロシアニン等の各種フタロシアニン顔料、スクエアリウム系、アントアントロン系、ペリレン系、アゾ系、アントラキノン系、ピレン系、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等の各種有機顔料及び染料が用いられる。また、これらの有機顔料は、一般に数種の結晶型を有しており、特にフタロシアニン顔料ではα型、β型等をはじめとして各種の結晶型が知られているが、目的に適合した感度が得られる顔料であるならば、いずれの結晶型も用いることができる。なかでも、本発明には、フタロシアニン系顔料を用いることが好ましい。
【００７９】
本発明においては、感光層、特に、電荷輸送層に用いる重合体またはその共重合体との関連において特に優れた性能が得られる電荷発生材料として、下記のフタロシアニンを用いることが好ましい。  
Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン、
Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、少なくとも７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°、２８．１°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン、
Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、少なくとも９．５°、１１．７°、１５．０°、２４．１°、２７．３°の位置に回折ピークを有するチタニルフタロシアニン。
【００８０】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、以下のものが例示できる。すなわち、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ又はポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等が挙げられ、これらを単独で又は２種以上を混合して用いる。電荷発生材料と結着樹脂との配合比（重量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が望ましい。これらの電荷発生材料を樹脂中に分散させるには、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、ダイノーミル、サンドミル、コロイドミル等の方法が用いられる。また、電荷発生層の厚さは、通常０．０１〜５μｍの範囲、好ましくは０．０５〜２．０μｍの範囲に設定される。
【００８１】
電荷輸送層に用いる電荷輸送物質としては、下記に示すものが例示できる。２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ（ｐ−メチル）フェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、ジベンジルアニリン、９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ′−ジ（ｐ−トリル）フルオレノン−２−アミン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジアミン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］（１−ナフチル）フェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール又はその誘導体等の正孔輸送物質。
【００８２】
また、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３′，５，５′テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送物質。さらには、上記した化合物からなる基を、主鎖又は側鎖に有する重合体等が挙げられる。これらの電荷輸送材料は、１種で又は２種以上を組み合せて使用できる。
【００８３】
本発明において、電荷輸送層に用いる上記結着樹脂との関連において、特に優れた性能が得られる電荷輸送材料としては、下記一般式 (VIII) で示されるベンジジン系化合物及び下記一般式（IX）で示されるトリアリールアミン系化合物が挙げられる。
【００８４】
本発明に用いるベンジジン系化合物としては、次の一般式 (VIII) で示されるものが挙げられる。 
【化１０】
2005227801.tif 000011
（式中、Ｒ81及びＲ82は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、Ｒ83〜Ｒ86は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または置換アミノ基を表す。また、ｋ〜ｎは、それぞれ１又は２である。）
【００８５】
一般式 (VIII) で示されるベンジジン系化合物の具体的な化合物例を、表１〜表３に示す。  
【表１】
2005227801.tif 000012
【００８６】
【表２】
2005227801.tif 000013
【００８７】
【表３】
2005227801.tif 000014
【００８８】
また、本発明に用いるトリアリールアミン系化合物としては、次の一般式（IX）で示されるものが挙げられる。 
【化１１】
2005227801.tif 000015
（式中、Ｒ91及びＲ92は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、ｐ及びｑは、それぞれ１又は２である。また、Ｒ93は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。）
【００８９】
一般式（IX）で示されるトリアリールアミン系化合物の具体的な化合物例を、表４及び表５に示す。 
【表４】
2005227801.tif 000016
【００９０】
【表５】
2005227801.tif 000017
【００９１】
また、上記一般式 (VIII) 及び（IX）で示される化合物の他にも、本発明の重合体と併用することにより、良好な特性が得られる電荷輸送材料として、下記の一般式（ａ）〜（ｅ）で示される化合物が挙げられる。 
【化１２】
2005227801.tif 000018
（式中、Ｘ1 は、置換されていてもよい２価の炭化水素基を表す。Ｒa1〜Ｒa6は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基または置換アミノ基を表し、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒa7〜Ｒa12 は、それぞれ水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、これらは互いに同一でも異なっていてもよく、もしくはＲa8とＲa9、Ｒa11 とＲa12 は、それらが結合して炭素環基または複素環基を形成してもよい。）
【００９２】
【化１３】
2005227801.tif 000019
（式中、Ｘ2 は−ＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒb1〜Ｒb3は、それぞれアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、Ｒb4及びＲb5は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。）
【００９３】
【化１４】
2005227801.tif 000020
（式中、Ｒc1及びＲc2は、それぞれアルキル基を表し、Ｒc3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒc4及びＲc5は、それぞれ水素原子、アルキル基、アラルキル基または置換されていてもよいアリール基を表す。）
【００９４】
【化１５】
2005227801.tif 000021
（式中、Ｒd1〜Ｒd8は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。）
【００９５】
【化１６】
2005227801.tif 000022
（式中、Ｒe1〜Ｒe4は、それぞれ水素原子、アルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。）
【００９６】
本発明の電子写真感光体には、電子写真装置中で発生するオゾンや酸化性ガス或いは光や熱による感光体の劣化防止を目的として、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加することができる。その酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が用いられる。そのフェノール系酸化防止剤としては、具体的には２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、スチレン化フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２′−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３′−ｔ−ブチル−５′−メチル−２′−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４′−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４′−チオ−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタン、３，９−ビス［２−｛３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ｝−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等が挙げられる。
【００９７】
ヒンダードアミン系化合物としては、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−４−｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物等が挙げられる。
【００９８】
また、有機イオウ系酸化防止剤としては、ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３′−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３′−チオジプロピオネート、２−メルカプトベンズイミダゾール等が挙げられ、有機燐系酸化防止剤としては、トリスノニルフェニルホスフィート、トリフェニルホスフィート、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−ホスフィート等が挙げられる。  
上記した酸化防止剤の中で、有機硫黄系及び有機燐系酸化防止剤は、２次酸化防止剤と呼称されているものであり、フェノール系又はアミン系化合物等の１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果が得られるものである。
【００９９】
光安定剤としては、例えば、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系等の誘導体が用いられる。そのベンゾフェノン系光安定剤としては、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２，２′−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ベンゾトリアゾール系光安定剤としては、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ３′，５′−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール等が挙げられる。その他に、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシベンゾエート、ニッケルジブチル−ジチオカルバメート等が挙げられる。
【０１００】
また、本発明の電子写真感光体には、感度の向上、残留電位の低減化、繰り返し使用時の疲労の低減等を目的として、必要に応じて１種以上の電子受容性物質を含有させる。使用可能な電子受容性物質としては、例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、フタル酸等が挙げられる。これらの中で、フルオレノン系化合物、キノン系化合物又はＣｌ、ＣＮ、ＮＯ2 等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
【０１０１】
電荷輸送材料と上記重合体との配合比は１０：１〜１：５が好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は、通常５〜５０μｍの範囲、好ましくは１０〜３０μｍの範囲に設定される。また、塗布液の塗工は、感光体の形状や用途に応じて浸漬塗布法、リング塗布法、スプレー塗布法、ビード塗布法、ブレード塗布法、ローラー塗布法等の塗布法を用いて行う。また、その乾燥は、室温において指触乾燥させた後、加熱乾燥させることが好ましく、その加熱乾燥条件としては３０〜２００℃で５分〜２時間の範囲で行うことが望ましい。
【０１０２】
感光層の上には、必要に応じて表面保護層が形成される。その表面保護層としては、絶縁性樹脂保護層または絶縁性樹脂の中に抵抗調整剤を添加した低抵抗保護層がある。低抵抗保護層には、例えば、絶縁性樹脂の中に導電性微粒子を分散させた層が挙げられる。その導電性微粒子としては、電気抵抗が１０9 Ω・ｃｍ以下であり、白色、灰色もしくは青白色を呈する平均粒径が０．３μｍ以下の微粒子、好ましくは０．１μｍ以下の微粒子が適当であり、例えば、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫とアンチモンあるいは酸化アンチモンとの固溶体の担体またはこれらの混合物、あるいは単一粒子中にこれらの金属酸化物を混合したもの、あるいは被覆したものが挙げられる。なかでも、酸化錫、酸化錫とアンチモンあるいは酸化アンチモンとの固溶体は電気抵抗を適切に調節することが可能であり、かつ保護層を実質的に透明にすることが可能であるから好ましく用いられる（特開昭５７−３０８４７号、特開昭５７−１２８３４４号参照）。また、絶縁性樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート等の縮合樹脂や、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリルアミドのようなビニル重合体等が用いられる。
【０１０３】
前記の各層、すなわち、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層及び表面保護層の形成用塗布液の作成に用いる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチルエーテル等のエーテル類、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル類、或いはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族類等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの溶剤は、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。また、塗布液には平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加することもできる。
【０１０４】
本発明の電子写真感光体は、ライトレンズ系複写機、近赤外光もしくは可視光に発光するレーザービームプリンター、デジタル複写機、ＬＥＤプリンター、レーザーファクシミリ等の電子写真装置に用いることができる。また、この感光体は、一成分系、二成分系の正規現像剤あるいは反転現像剤ともに合わせて用いることができる。また、本発明により製造された電子写真感光体は、帯電ロールや帯電ブラシを用いた接触帯電方式に使用した場合でも、電流リークの発生が少ない等の良好な電子写真特性が得られる。
【０１０５】
次に、本発明の電子写真装置について説明する。  
図８は、本発明の電子写真感光体を用いる電子写真装置の概略構成図である。７は感光体であって、帯電にはコロナ放電方式の帯電用部材８が設けられる。帯電用部材８には、電源９から電圧が供給される。感光体の周囲には、画像入力装置１０、現像装置１１、転写装置１２、クリーニング装置１３及び除電器１４が設けられている。なお、１５は定着装置である。また、図９は、本発明の電子写真感光体を用いた接触帯電型電子写真装置の概略構成図である。感光体７には、それと接触して帯電用部材８が設けられている。この接触型電子写真装置には、除電器１４が設けられていないものも存在する。
【発明の効果】
【０１０６】
本発明の電子写真感光体は、感光層の結着樹脂として上記の部分架橋型ポリカーボネートを用いているから、高速複写機の中で使用しても良好な電子写真特性を有し、さらにベルト状の形態で使用しても感光層中に亀裂の発生がなく、高い耐久性を有している。また、本発明の電子写真感光体を用いる画像形成により、長期に亘って高速で安定した高品質の画像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０７】
以下、本発明を実施例などにより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。 
合成例１
原料の３価フェノール誘導体として４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール０．０００４モル、ジオールとして１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン０．１９９８モルとビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン０．１９９８モル、炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネート０．４４モルと、触媒として酸化亜鉛０．００００４モルを１Ｌのフラスコに投入し、フラスコ内を窒素置換した後、攪拌を開始し徐々に減圧しながら、１８０℃まで昇温した。  
この時のフラスコ内の圧力は３０ｃｍＨｇであり、フェノールの留出が始まった。この温度及び圧力下に保持して４０分間攪拌を続けて、フェノールの留出が弱まったことを確認した後、１８０℃の温度に保った状態で１時間３０分かけて、１Ｔｏｒｒの真空度にまで減圧した。その後、攪拌を続けて３０℃／時の速度で２２０℃にまで昇温し、更に６０℃／時の速度で３２０℃にまで昇温した。この温度及び真空度を保って６時間攪拌を続けた後、重合反応を終了させた。  
その反応生成物を冷却し、フラスコを粉砕して生成物のみを分離し、テトラヒドロフラン２Ｌに溶解させた。この溶液を５Ｌのメタノール中に滴下して固化させ、次に、これをろ別して部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）９２ｇを得た。
【０１０８】
得られた部分架橋型ポリカーボネートは、ゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ法）（ＨＬＣ８０２０、東ソー社製）により、テトラヒドロフラン溶剤を用いて分子量を測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は１１５０００であった。また、そのガラス転移温度を測定（ＤＳＣ３１１０、マテリアルアナライズアンドキャラクタリゼーション社製）したところ、１５５℃であった。 
得られた部分架橋型ポリカーボネートの機械強度の測定は、下記のようにして行った。引っ張り強度及び曲げ強度について、ＪＩＳＫ−７１３３及びＫ７２０３に従って測定したところ、引っ張り強度は２６５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、曲げ強度は９８００Ｋｇｆ／ｃｍ2 であった。また、アイゾット耐衝撃強度をＪＩＳＫ−７１１０に従って測定した結果、２８Ｋｇｆ・ｃｍ／ｃｍ2 であった。
【０１０９】
次に、得られた部分架橋ポリカーボネート１０ｇをテトラヒドロフラン９０ｇに溶解させて、表面をプライマー処理したポリエステルフィルム（コスモシャインＡ４１００、東洋紡社製）上にダイコーターで塗布した。得られたコーテイングフィルムの引っ張り強度を測定（スタログラフＶ２０−Ｃ、東洋精機社製）したところ、２２００Ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、部分架橋型ポリカーボネートの特性が十分に発揮されていた。  
次に、得られた部分架橋ポリカーボネート１０ｇをテトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた溶液を、アルミニウム板上に、アプリケータを使用してキャストした。得られたキャストフィルムの引っ張り強度を測定（スタログラフＶ２０−Ｃ）したところ、２４００Ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、部分架橋型ポリカーボネートの特性が十分に発揮されていた。 
次に、得られた部分架橋型ポリカーボネートを、シリンダ温度３２０℃、金型温度１１０℃の条件下に射出成形を行って、センターゲートが直径４０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状サンプルを得た。この円板状サンプルが連続運転で得られる条件は、成形サイクルが１個／６秒と極めて早く、成形性も良好であることが分かった。
【０１１０】
合成例２
原料の３価フェノール誘導体として４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール０．００４モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｂ）９０ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１１】
合成例３
原料の３価フェノール誘導体として４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール０．００２モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｃ）８９ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１２】
合成例４
原料の４価フェノール誘導体として２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］０．０００４モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｄ）９０ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１３】
合成例５
原料ジオールとして、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン０．４モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｅ）７９ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１４】
合成例６
原料ジオールとして、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン０．２モル及びビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン０．２モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｆ）７８ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１５】
合成例７
原料ジオールとして、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン０．４モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｇ）９０ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１６】
合成例８
原料ジオールとして、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニレン）０．４モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｈ）８２ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１７】
合成例９
原料ジオールとして、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニレン）０．２モル及びビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン０．２モルを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｉ）８０ｇを得た。得られた部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１８】
合成例１０
原料の３価フェノール誘導体として４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール０．００００４モル、ジオールとして１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン０．０２モルとビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン０．０２モルを１Ｌのフラスコに投入し、次いで、これに０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２５０ｍｌを注ぎ、チルトクーラーで内容物を１５℃に保持させ、攪拌して溶解させた。  
次に、そのフラスコに塩化メチレン２００ｍｌを注いで内容物を攪拌しながら、１５℃に保持して、その塩化メチレン層にホスゲンガス０．０５モルを３０分かけて添加した。その後、トリブチルアミン０．００１モルを加えて、内容物を１５℃に保ちながら１０時間激しく攪拌した。その後、塩化メチレン層を５Ｌのメタノール中に滴下し、固化させてろ別することにより目的とする部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｊ）９ｇを得た。 
得られた部分架橋型ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ法（ＨＬＣ８０２０、東ソー社製）にて、テトラヒドロフランを溶剤として測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１３１０００であった。また、この部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１１９】
合成例１１
原料の３価フェノール誘導体として４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノール０．００００４モル、ジオールとして１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン０．０２モルとビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン０．０２モル及びナトリウムフェノキシド化促進触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．０００４モルを１Ｌのフラスコに投入し、次いで、これに０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２５０ｍｌを注ぎ、チルトクーラーで内容物を１５℃に保ちながら攪拌し、溶解させた。 
次に、そのフラスコに塩化メチレン２００ｍｌを注いで、内容物を攪拌しながら１５℃に保持し、その塩化メチレン層に、トリホスゲン０．１６モルを塩化メチレン５０ｍｌに溶解した溶液を３０分かけて添加した。その後、トリブチルアミン０．０００４モルを加えて、内容物を１５℃に保ちながら５時間激しく攪拌した。塩化メチレン層を５Ｌのメタノール中に滴下し、固化させてろ別することにより目的とする部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｋ）７ｇを得た。  
得られた部分架橋型ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ法（ＨＬＣ８０２０、東ソー社製）にて、テトラヒドロフランを溶剤として測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１２００００であった。また、この部分架橋型ポリカーボネートについて、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１２０】
比較用合成例１
原料として３価フェノール誘導体の４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノールを使用しないこと以外は、合成例１と同様にしてカーボネート重合体（化合物Ｌ）８５ｇを得た。得られたカーボネート重合体について、合成例１と同様にして各種の評価を行った。 
比較用合成例２
原料として３価フェノール誘導体の４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノールを使用しないこと以外は、合成例６と同様にしてカーボネート重合体（化合物Ｍ）７８ｇを得た。得られたカーボネート重合体について、合成例１と同様にして各種の評価を行った。
【０１２１】
比較用合成例３
原料として３価フェノール誘導体の４，４′−［１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン］ビスフェノールを使用しないこと以外は、合成例１と同様にしてカーボネート重合体（化合物Ｎ）７９ｇを得た。 
得られたカーボネート重合体にジフェニルイソシアネート０．０００４モルを加えて、各種金型に注入し、型締した後、３００℃の温度で１時間の架橋硬化を行った。得られた架橋型ポリカーボネート及びその成形体について、合成例１と同様にして各種の評価を行った。また、成形のサイクルタイムについては、合成例１と同様の金型に、このポリカーボネート重合体０．４モルとジフェニルイソシアネート０．０００４モルを加えて各種金型に注入し、これを型締した後、３００℃で１時間かけて架橋硬化させた。このサイクルタイムは１個／１時間であった。
【０１２２】
上記合成例１〜１１及び比較用合成例１〜３で得られた部分架橋型ポリカーボネート類の評価結果を、表６に示す。
【表６】
2005227801.tif 000023
【０１２３】
表６中（以下、同じ。）の略号は、それぞれ次のものを示す。ＯＣＺ：１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、ＯＣＦ：ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン、ＯＣＡ：２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ＯＣＢＰ：１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニレン）、ＴＰＰＡ：４，４′−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）−フェニル）−エチリデン）ビスフェノール、ＴＭＰＣ：２，２′−メチレンビス［（６−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル）−４−メチルフェノール］
【０１２４】
表６に見られるように、合成例１〜１１に示した部分架橋型ポリカーボネートは、引っ張り強度、曲げ強度、アイゾット耐衝撃強度等の機械強度が高いことから、電子写真感光体等の高機械強度を要求される特殊な分野にも十分に使用し得る高分子材料である。しかし、比較用合成例１及び２に示したカーボネート重合体は、機械強度の低いものであることを示した。
【実施例】
【０１２５】
［実施例１］
導電性支持体には、ＥＤ管アルミニウム（３０ｍｍφ）の表面を、アルミナ球状微粉末（Ｄ50＝３０μｍ）を用いて液体ホーニング法により中心線平均粗さＲａ＝０．１８μｍに粗面化処理したものを用いた。
【０１２６】
そのアルミニウム支持体の上に、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４重量部を溶解させたｎ−ブチルアルコール１７０重量部に、有機ジルコニウム化合物（アセチルアセトンジルコニウムブチレート）３０重量部及び有機シラン化合物の混合物（γ−アミノプロピルトリメトキシシラン）３重量部を混合攪拌し、得られた下引き層形成用塗布液を用いて浸漬塗布法により、導電性支持体上に塗布し、１５０℃において１時間の硬化処理を行い、膜厚１．２μｍの下引き層を形成した。
【０１２７】
次に、Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°の位置に回折ピークを有するクロルガリウムフタロシアニン３重量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）２重量部及び酢酸ブチル１８０重量部からなる混合物をサンドミルにより４時間分散処理し、得られた分散液を用いて、上記下引き層の上に浸漬塗布法により塗布し、これを乾燥させて膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１２８】
次に、化合物例（８−１）に示すＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン４重量部と、合成例１で得られた高分子量の部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）とを、テトラヒドロフラン６０重量部及び２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．２重量部に加えて溶解させた。得られた塗布溶液を用いて、上記電荷発生層の上に塗布し、これを１２０℃において４０分間乾燥させて膜厚２５μｍの電荷輸送層を形成させることにより、３層からなる電子写真感光体を作製した。
【０１２９】
得られた電子写真感光体を、接触帯電方式を有するプリンター（ＰＣ−ＰＲ１０００／４Ｒ、日本電気社製）に装着して５万枚のプリントテストを行い、１万枚プリント後の画質を評価し、また、５万枚プリント後の感光体の残留電位、帯電電位及び摩耗量について測定し、評価を行った。
【０１３０】
［実施例２〜実施例１１］
実施例１において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、合成例２〜１１で得られた部分架橋型ポリカーボネート（それぞれ化合物Ｂ〜Ｋ）に代えたこと以外は、実施例１と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製した。 また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にしてプリントテストを行って測定し、評価を行った。
【０１３１】
比較例１及び２
実施例１において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、それぞれ比較用合成例１及び２で得られた化合物Ｌ及びＭに代えたこと以外は、実施例１と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製した。また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にプリントテストを行って測定し、評価を行った。
【０１３２】
比較例３
実施例１において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、ビスフェノールＡ型ポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例１と全く同様にして、電子写真感光体を作製した。また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にプリントテストを行って測定し、評価を行った。
【０１３３】
上記実施例１〜１１及び比較例１〜３で得られた結果を、表７に示す。
【表７】
2005227801.tif 000024
【０１３４】
表７に見られるように、実施例１〜１１で得られた感光体は、接触帯電装置により帯電させる方式のプリンターを用いてプリントテストを行っても、いずれも感光体のリーク放電等に起因する画質異常は見られなかった。 
また、これらの感光体は、摩耗が少なく、また帯電性の低下や残留電位の上昇がなく安定した電気特性を有していた。これに対して、比較例１〜３で得られた感光体では、いずれも摩耗が大きく、暗減衰が上昇し帯電性が低下して低濃度部分にかぶりの発生が見られた。
【０１３５】
［実施例１２］
導電性支持体には、アルミニウム基体（８４ｍｍφ）の表面に、液体ホーニング法により中心線平均粗さＲａ＝０．１８μｍに粗面化処理したものを用いた。  そのアルミニウム基体のうえに、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１６重量部とシクロヘキサノン５５０重量部を混合攪拌し、次いで、この混合液にレゾール型フェノール樹脂（フェノライトＪ−３２５、大日本インキ化学社製）８重量部を加えて攪拌し、さらに、この混合液に酸化チタン顔料６０重量部を加えてサンドグラインドミルにより５時間分散処理して得られた塗布液を用いて塗布し、１７０℃において１時間の硬化処理を行い、膜厚４μｍの下引き層を形成した。
【０１３６】
次に、Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、９．５°、１１．７°、１５．０°、２４．１°、２７．３°の位置に回折ピークを有するチタニルフタロシアニン１５重量部、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１０重量部及びｎ−ブチルアルコール３００重量部からなる混合物をサンドグラインドミルにより４時間分散処理して得られた塗布液を、上記下引き層の上に塗布し、これを乾燥させて膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１３７】
次に、化合物例（９−３３）に示すＮ，Ｎ−ビス（３、４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン４重量部と、化合物Ａで示す部分架橋型ポリカーボネート重合体６重量部とをクロルベンゼン６０重量部に加えて溶解させ、得られた塗布溶液を用いて上記電荷発生層の上に塗布し、これを乾燥させて膜厚２７μｍの電荷輸送層を形成することにより、３層からなる電子写真感光体を作製した。  得られた電子写真感光体を、中間転写ドラム方式を有するカラー複写機（Ａｃｏｌｏｒ６３５、富士ゼロックス社製）に装着し、光量を調整してプリントテストを行い、５０００枚プリント後の画質について評価を行った。
【０１３８】
［実施例１３〜実施例２２］
実施例１２において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、それぞれ化合物Ｂ〜Ｋで示す部分架橋型ポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例１２と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製した。また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１２と同様にプリントテストを行って画質を評価した。
【０１３９】
比較例４及び５
実施例１２において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、それぞれ化合物Ｌ及びＭで示されるポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例１２と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製した。また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１２と同様にプリントテストを行って画質を評価した。
【０１４０】
比較例６
実施例１２において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、ビスフェノールＡ型ポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例１２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。また、得られた各電子写真感光体を用いて、実施例１２と同様にプリントテストを行って画質を評価した。
【０１４１】
上記実施例１２〜２２及び比較例４〜６で得られた結果を、表８に示す。 
【表８】
2005227801.tif 000025
【０１４２】
表８から明らかなように、実施例１２〜２２で得られた感光体を用いた場合には、かぶりが発生せず、また黒点の発生も少なく、良好な画質が得られた。これに対して、比較例４〜６で得られ感光体は、かぶりが発生し、さらに黒点の発生が多く、画質異常が認められた。
【０１４３】
［実施例２３］
ポリエチレンテレフタレートフィルム表面上にアルミニウムの蒸着膜を設けた導電性支持体上（メタルミー、東レ製）に、ポリアミド樹脂１０重量部、メチルアルコール１５０重量部、及び水４０重量部からなる塗布液を塗布し、乾燥して、膜厚１μｍの下引き層を形成した。 
次に、Ｃｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）において、７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°、２８．１°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン９重量部、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）２重量部およびｎ−ブチルアルコール３０重量部からなる混合物をボールミルポットに入れ、ミル部材としてＳＵＳステンレス鋼ボール（１／８インチφ）を用いて６０時間ミリングした後、さらにｎ−ブチルアルコール３０重量部を加えて希釈し、これを攪拌して得られた塗布液を、上記下引き層の上に塗布し、乾燥させて膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【０１４４】
次に、化合物例（８−１）に示すＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン４重量部と、実施例１で得られた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）６重量部とを塩化メチレン６０重量部に加えて溶解させた塗布液を、上記電荷発生層の上に塗布し、これを乾燥させて膜厚２５μｍの電荷輸送層が形成された３層からなる電子写真感光体を作製した。
【０１４５】
得られた電子写真感光体の感光層塗膜を導電性基体上から剥離し、折り曲げ強度試験機を用いて５０００回までの折り曲げ繰り返し試験を実施した。また、上記電子写真感光体をベルト状に加工し、ベルト回転駆動装置を有する複写機（Ｖｉｖａｃｅ８００、富士ゼロックス社製）に装着して１０万サイクルまでのコピー走行試験を行った。
【０１４６】
［実施例２４〜実施例３３］
実施例２３において、電荷輸送層の結着樹脂として用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、それぞれ合成例２〜１１で得られた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ｂ〜Ｋ）に代えたこと以外は、実施例２３と全く同様にして電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【０１４７】
比較例７及び８
実施例２３において、電荷輸送層の結着樹脂に用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、それぞれ比較用合成例１及び２で得た化合物Ｌ及びＭで示されるポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例２３と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【０１４８】
比較例９
実施例２３において、電荷輸送層の結着樹脂に用いた部分架橋型ポリカーボネート（化合物Ａ）を、ビスフェノールＡ型ポリカーボネートに代えたこと以外は、実施例２３と全く同様にして、それぞれ電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【０１４９】
上記実施例２３〜３３及び比較例７〜９で得られた結果を、表９に示す。
【表９】
2005227801.tif 000026
【０１５０】
実施例２３〜３３で得られた感光体を用いたものは、折り曲げ試験後でも破断せず、また、コピー走行試験後も良好な画質が得られた。これに対して、比較例７〜９で得られた感光体を用いたものは、折り曲げ試験中に破断したり、また、コピー走行試験後に、亀裂に起因する白点等の故障やかぶりが多数発生した。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明における積層型電子写真感光体の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明における積層型電子写真感光体の他の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図３】本発明における積層型電子写真感光体の他の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図４】本発明における積層型電子写真感光体の他の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図５】本発明における単層型電子写真感光体の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図６】本発明における単層型電子写真感光体の他の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図７】本発明における単層型電子写真感光体の他の一例の層構成を示す模式的断面図である。
【図８】本発明に用いられる電子写真装置の一例の概略構成図である。
【図９】本発明に用いられる接触帯電型の電子写真装置の一例の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１…電荷発生層、２…電荷輸送層、３…導電性支持体、４…下引き層、５…保護層、６…感光層、７…感光体、８…コロナ放電方式の帯電用部材、９…電源、１０…画像入力装置、１１…現像装置、１２…転写装置、１３…クリーニング装置、１４…除電器、１５…定着装置、１６…接触帯電用部材。
【図１】
2005227801.tif 000035
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005227801.tif 000039
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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