(57)【要約】【課題】  安定したセルギャップを維持することができ、かつ、光透過性の高い電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること、また安定したセルギャップを維持することができ、かつ、光透過性の高い電気光学装置の製造方法等に用いられるスペーサーの散布方法及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  例えば着色層１３とオーバーコート層１４のように基板間の厚さが異なる複数の領域と、この厚さの異なる複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサー２０とを具備することとしたので、オーバーコート層１４上のスペーサー２０の分布密度を大きくし、着色層１３上のスペーサー分布密度を小さくすることができる。これにより、マルチギャップ構造であっても、光透過性を向上させることができる。【選択図】  図１
2005092047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学材料を挟持する一対の基板と、
前記一対の基板間に設けられ、その基板間の厚さが異なる複数の領域と、
前記複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサーと
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
基板上に、電気的抵抗がそれぞれ異なる少なくとも第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、
前記第１の領域及び第２の領域のうち第１の領域を選択して吸着するように、スペーサーに所定の電圧を印加する工程と、
前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程と
を具備することを特徴とするスペーサーの散布方法。
【請求項５】
前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載のスペーサーの散布方法。
【請求項６】
前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに厚さが異なることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のスペーサーの散布方法。
【請求項７】
基板上に、電気的極性がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、
前記第１の領域の電気的極性と逆の極性をスペーサーに付与する工程と、
前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程と
を具備することを特徴とするスペーサーの散布方法。
【請求項８】
基板上に、電気的極性がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、
前記第１の領域の電気的極性と同じ極性をスペーサーに付与する工程と、
前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程と
を具備することを特徴とするスペーサーの散布方法。
【請求項９】
前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のスペーサーの散布方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項のスペーサーの散布方法を用いて、一対の基板間のギャップを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話や携帯情報端末等に用いられる電気光学装置、その電気光学装置を用いた電子機器及びその電気光学装置の製造等に用いられるスペーサーの散布方法に関する。また、その電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯型パーソナルコンピュータ等に用いられる電気光学装置である液晶装置は、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ等が形成されたガラス基板と、配線等が形成されたガラス基板とが貼り合わされた構成になっている。ここで両基板の間には、液晶を注入する間隙（セルギャップ）を形成するためスペーサーが、例えばカラーフィルタが形成された基板の全体に亘って散布され、介挿されている。
【０００３】
ところが、スペーサーの散布については、例えばカラーフィルタが形成された画素部、形成されない非画素部の区別なく散布され、光透過性が低下するという問題が発生じた。
【０００４】
そこで、例えばスペーサーと配置面との電気的極性により生じる斥力・引力の作用で、スペーサーを所望の個所に選択的に散布すること等が提案されている。（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開平９−１４６１０１号公報（段落［００１７］、［００１８］、［００２４］、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年、例えばカラーフィルタが形成される表示領域にセルギャップが異なった構造（マルチギャップ構造）を採るようになったため、セルギャップの大きい部分のスペーサーは、セルギャップの維持に寄与できずに無駄になるばかりか、光が透過する領域のスペーサーなどは、光の透過率を低下させる原因なるという問題もあった。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、安定したセルギャップを維持することができ、かつ、光透過性の高い電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
また、安定したセルギャップを維持することができ、かつ、光透過性の高い電気光学装置の製造方法等に用いられるスペーサーの散布方法及びその電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の主たる観点に係る電気光学装置は、電気光学材料を挟持する一対の基板と、前記一対の基板間に設けられ、その基板間の厚さが異なる複数の領域と、前記複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサーとを具備することを特徴とする。ここで「複数の領域」とは、例えば厚さの異なる着色層、オーバーコート層等をいう。
【０００９】
本発明では、基板間の厚さが異なる複数の領域と、当該複数の領域で分布密度を異ならせるように配置されたスペーサーとを具備することとしたので、例えば基板間の厚さが薄い領域のスペーサーの分布密度を大きくし、基板間の厚さが厚い領域のスペーサー分布密度を小さくすることができる。マルチギャップ構造では、セルギャップは基板間の厚さの薄い領域のスペーサーでしか維持されない。この場合、基板間の厚さが厚い領域に配置されたスペーサーは、透過光を散乱させたり、電気光学材料の配向を乱したりするので、例えば光透過率を低下させる不純物となる。本発明によれば、セルギャップの維持に寄与しない領域ではスペーサーの分布密度を小さくすることができるので、マルチギャップ構造の電気光学装置にあっても光透過率が低下するのを防ぐことができ、高い表示特性を有する電気光学装置を得ることができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記複数の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする。これにより、カラーフィルタの厚さを色ごとに異ならせるようにして、それぞれのカラーフィルタを通過した光の波長にとって透過率が最適となるようにセルギャップを設定することができる。また、本発明では、基板間の厚さが薄くなっている領域のカラーフィルタ上に選択的にスペーサーが配置されているので、セルギャップの維持に寄与しない領域のカラーフィルタ上にスペーサーが配置されることを抑えることができ、光透過率が低下するのを防ぎ、高い光透過性を有する電気光学装置を得ることができる。
【００１１】
本発明の他の観点に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、基板間の厚さが異なる複数の領域と、当該複数の領域で分布密度を異ならせるように配置されたスペーサーとを具備することとしたので、例えば携帯電話、携帯型情報端末、電子腕時計等で安定したセルギャップを維持しながら光透過性を高くすることができる。
【００１３】
本発明の他の観点に係るスペーサーの散布方法は、基板上に、電気的抵抗がそれぞれ異なる少なくとも第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、前記第１の領域及び第２の領域のうち第１の領域を選択して吸着するように、スペーサーに所定の電圧を印加する工程と、前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程とを具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、電気的抵抗がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、第１の領域及び第２の領域のうち第１の領域を選択して吸着するように、スペーサーに所定の電圧を印加する工程と、スペーサーを第１の領域及び第２の領域に放散する工程とを具備することとしたので、放散されたスペーサーのうち、高電圧が印加されたスペーサーは高抵抗の領域に引き寄せられ、低電圧が印加されたスペーサーは低抵抗の領域に引き寄せられる。これにより、スペーサーを所望の領域に選択的に散布することができ、また、配線に電圧を印加する工程を省くことができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする。これにより、カラーフィルタ自体の電気抵抗を利用して、所望の領域のカラーフィルタにスペーサーを選択的に散布することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに厚さが異なることを特徴とする。これにより、領域自体の厚さを異ならせて基板間の厚さを異ならせることができ、基板間の厚さが薄い領域に選択的にスペーサーを配置させることができる。
【００１７】
本発明の他の観点に係るスペーサーの散布方法は、基板上に、電気的極性がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、前記第１の領域の電気的極性と逆の極性をスペーサーに付与する工程と、前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程とを具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、スペーサーと第１の領域とが逆の電気的極性を有しているので、スペーサーは第１の領域に引き寄せられる。また、スペーサーと第２の領域とは同じ電気的特性を有しているので、スペーサーは第２の領域に対して反発する。このように、電気的極性による引力と斥力との相乗作用により、第１の領域の方にスペーサーが移動しようとするので、例えば基板間の厚さが薄い第１の領域にスペーサーを選択的に散布することができる。
【００１９】
本発明の他の観点に係るスペーサーの散布方法は、基板上に、電気的極性がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、前記第１の領域の電気的極性と同じ極性をスペーサーに付与する工程と、前記スペーサーを前記第１の領域及び第２の領域に放散する工程とを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明では、スペーサーと第１の領域とが同じ電気的極性を有しているので、スペーサーは第１の領域と反発する。一方、第２の領域とは逆の電気的極性を有しているので、スペーサーは第２の領域に引き寄せられる。これによって、例えば基板間の厚さが薄い第１の領域にスペーサーを選択的に散布することができる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記第１の領域及び第２の領域は、その領域ごとに吸収する光の波長が異なるカラーフィルタにより形成されていることを特徴とする。これにより、カラーフィルタ自体の電気抵抗を利用して所望の領域のカラーフィルタにスペーサーを選択的に散布することができる。
【００２２】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、上記のスペーサーの散布方法を用いて、一対の基板間のギャップを形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明では、例えば電気的抵抗がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域を形成する工程と、第１の領域及び第２の領域のうち第１の領域を選択して吸着するように、スペーサーに所定の電圧を印加する工程と、スペーサーを第１の領域及び第２の領域に放散する工程とを具備することとしたので、スペーサーを所望の領域に選択的に散布することができ、安定したセルギャップを維持しながら光透過性の高い電気光学装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、電気光学装置等のセルギャップを安定的に維持しながら、その光透過性を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例として液晶装置及びその液晶装置を用いた電子機器について説明する。また、基板間の厚さの異なるマルチギャップ構造は、一方の基板側の層の厚さの違いにより形成されている場合について説明するが、勿論本発明はこれに限られるものではない。
【００２６】
（第１実施形態）
まず、本発明を反射半透過型のＴＦＴ（薄膜トランジスタもしくは三端子型スイッチング素子）アクティブマトリクス方式の液晶装置に適用した第１の実施形態について説明する。
【００２７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略断面図である。尚、図１及び以下に示す各図においては、各層や各部材の大きさ等はその説明に応じて異ならせている。
【００２８】
液晶装置１は、図１に示すように横型電界駆動方式（ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式）を採用しており、液晶パネル２、バックライト３を有する。
【００２９】
（液晶パネルの構成）
液晶パネル２は、一対の基板であるガラス又は合成樹脂等から形成された透明基板４を基体とするカラーフィルタ基板５と、これに対向する同様の透明基板６を基体とする対向基板７とがシール材８を介して貼り合わされている。また、液晶パネル２はカラーフィルタ基板５と対向基板７との間に、電気光学材料である液晶が封入されて狭持された液晶層９及び例えばシリカ又はポリスチレン等により形成され、径が例えば均一に形成された球状のスペーサー２０を有する。
【００３０】
また、透明基板４の外面には偏光板１１が配置され、透明基板６の外面には偏光板１０が配置されている。
【００３１】
カラーフィルタ基板５は、例えば図１に示すように透明基板４の液晶層９側の表面に、光を遮蔽する遮蔽層１２、通過する光を着色する着色層１３及び光を反射する反射層１５が形成されている。
【００３２】
また、着色層１３上にはその一部にオーバーコート層１４が形成されており、更にそのオーバーコート層１４に覆われていない着色層１３とオーバーコート層１４及び遮蔽層１２を覆うように配向膜１６が形成されている。
【００３３】
一方対向基板７には、例えば図１に示すように透明基板６の液晶層９側の表面に、横電界を生成すると共に後述するＴＦＴ素子に駆動信号を送る電極部１８及びその電極部１８から駆動信号を受け取るＴＦＴ素子２８を有し、更に電極部１８及びＴＦＴ素子２８を覆うように配向膜１９が形成されている。
【００３４】
ここで、着色層１３は図１に示すように一部が反射層１５を覆うように形成されている。これにより、反射型表示の場合の反射層１５で反射した外部光も、着色層１３で着色されることとなる。
【００３５】
また、着色層１３は吸収する光の波長が異なるカラーフィルタ、例えば赤、緑及び青の３色の着色層１３Ｒ（赤）、着色層１３Ｇ（緑）及び１３Ｂ（青）である。更に着色層１３は、着色層１３Ｒ、着色層１３Ｇ及び着色層１３Ｂの３色の領域で１画素となり、各色毎の領域ではサブ画素となる。
【００３６】
また、着色層１３は例えば図２に示すように透明基板４上にストライプ配列されている。勿論、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列又はデジタル配列等種々のパターン形状を採用することもできる。
【００３７】
図３は、着色層１３に含まれる代表的な材料名を示した表である。
【００３８】
着色層１３は、例えばレジスト基材に顔料を混合させたレジストを原料とする。このレジストは、顔料として例えばアゾレーキ系や縮合アゾ系、キナクリドン系等の材料が用いられ、レジスト基材として例えばアクリル酸エステル系やポリアクリル系、ポリイミド系等の樹脂が用いられる。
【００３９】
また、必要に応じて、重合時間を調整する例えば１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン等の開始剤や、膜の分布を均一にする例えばポリオキシエチレンアルギルフェニルエーテル系等の分散剤を含ませてもよい。この材料の配合比を変えることにより、後述するようにレジスト顔料の抵抗値を所望の値にすることができ、必要なスペーサーを必要なところに配置させることが可能となる。
【００４０】
次に反射層１５は、例えば図１に示すように透明基板４と着色層１３の間に配置され、その着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂ夫々の片側略半分を占める範囲に形成されており、その材質は例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜である。
【００４１】
遮蔽層１２は、例えば図１及び図２に示すように各サブ画素間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に図２のＸ軸及びＹ軸方向に延びる帯状に形成されている。
【００４２】
また、オーバーコート層１４は反射層１５と一致するように反射層の真上（図１中のＺ軸方向）に形成されており、図２に示すように各着色層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ（各サブ画素）を跨るような帯状に（図２のＹ軸方向に）形成されている。
【００４３】
これは、オーバーコート層１４が反射型表示の場合に光が液晶層９を２回通過するのに対し透過型表示の場合は１回しか通過しない点を考慮して、双方の液晶層９を通過する光の経路を等しくするものであるから、反射層１５上にその反射層１５の位置に一致するように形成されている。この結果、１つのサブ画素内において透明基板４及び６間の厚さが異なるように複数の厚さの異なる領域が形成されることになる。このような構造をマルチギャップ構造という。
【００４４】
例えば図１に示すように着色層１３上の配向膜１６の表面から透明基板６側の配向膜１９の表面までの距離ｔ１は同じくオーバーコート層１４上の配向膜１６の表面から透明基板６側の配向膜１９の表面までの距離ｔ２より大きく、マルチギャップ構造を構成している。
【００４５】
スペーサー２０は、オーバーコート層１４上に分布密度が高くなるように配置され、着色層１３上に分布密度が低くなるように配置されている。オーバーコート層１４上のスペーサー２０は、例えば配向膜１６及び１９と当接することでセルギャップを保持している。また、着色層１３上のスペーサー２０は、一方の配向膜１６又は１９と当接しているか、液晶中に浮遊しているので、セルギャップの保持には寄与していないことになる。
【００４６】
次に電極部１８は、例えば図４に示すようにＸ軸方向に帯状に形成されたゲート電極２６、Ｙ軸方向に帯状に形成されたソース電極２７、そのソース電極２７からサブ画素ごとに形成された画素電極２９及び各サブ画素に共通する共通電極３０を有する。
【００４７】
ここで、ゲート電極２６とソース電極２７とは夫々ＴＦＴ素子２８に接続されており駆動信号がゲート電極２６とソース電極２７とを介しサブ画素ごとに設けられているＴＦＴ素子２８に受け渡されることとなる。
【００４８】
また、画素電極２９と共通電極３０とは例えば図４に示すように相互に櫛歯状に形成されていて、Ｘ軸方向に細長く、Ｙ軸方向に一定間隔を置いて交互に配置されている。更に共通電極３０は、ゲート電極２６、ソース電極２７、ＴＦＴ素子２８及び画素電極２９のいずれとも絶縁されている。
【００４９】
図５は、図４のＭ―Ｍでの断面を示した図であるが、この図５に示すように、ゲート電極２６と共通電極３０との間には、例えば層間絶縁膜３１が形成される。
【００５０】
これにより、電界は選択された画素電極２９から隣接する共通電極３０に向けてＹ方向（図５の矢印の向き）に発生し、液晶は横方向に回転させられることとなる。
【００５１】
次にバックライト３は、例えば発光ダイオードで形成される光源２１、光源２１から発せられた光を液晶パネル２全面に導く導光板２２、導光板２２に導かれた光を液晶パネル２に対して拡散させる拡散板２３、導光板２２により液晶パネル２とは反対側に導かれる光を液晶パネル２側に反射させる反射板２４を有する。
【００５２】
ここで、光源２１は常に点灯しているのではなく、外光がほとんどないような環境において使用される場合に、ユーザからの指示や図示しないセンサからの検出信号等に応じて点灯し、これにより透過表示が行われるようになっている。
【００５３】
なお、ここでは、液晶装置１は、ＩＰＳ方式を採用するため、カラーフィルタ基板５側には電極は設けられていない。
【００５４】
（液晶装置の動作）
まず、外光が対向基板７側から入射し反射層１５で反射され偏光板１０から射出する反射型表示の場合について簡単に説明する。
【００５５】
所定の画素電極２９と共通電極３０とに駆動信号が供給されるとその間に横電界が発生し、そこに保持されている液晶のみが駆動されることとなる。
【００５６】
従って、図１の矢印Ａの経路例えば透明基板６を通過して厚さｔ２の液晶層９に入射した外光は、該液晶層９によってサブ画素ごとに光変調され、オーバーコート層１４を透過し着色層１３に入射して反射層１５により反射させられて再び着色層１３に入射して偏光板１０から射出する。
【００５７】
以上の反射型表示の場合は、厚さｔ２の液晶層９を２回通過すると共に着色層１３を２回通過してその着色層１３の色に着色させられる。
【００５８】
次に、バックライト３からの光が透明基板４から入射し偏光板１０から射出する透過型表示の場合について簡単に説明する。
【００５９】
まず、反射型表示と同様、所定の画素電極２９と共通電極３０とに駆動信号が供給されるとその間に横電界が発生し、そこに保持されている液晶のみが駆動されることとなる。
【００６０】
従って、図１の矢印Ｂの経路例えば透明基板４に入射したバックライト３の光は着色層１３に入射する。ここで、着色層１３の色に着色され、厚さｔ１の液晶層９を透過し偏光板１０から射出する。
【００６１】
この場合着色層１３は一回のみ通過し液晶層９も一回のみ透過することとなるが、液晶層の厚さ（セルギャップ）が透過型表示の方が、例えば２倍あるとすれば反射と透過での液晶層９での差は解消されることとなる。
【００６２】
（スペーサー散布方法及び液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態の液晶装置のスペーサーの散布方法及びこれを用いた液晶装置の製造方法について説明する。
【００６３】
図６は、スペーサーの散布方法の工程を示すフロー図である。
【００６４】
まず、透明基板４上に遮蔽層１２、反射層１５、着色層１３、オーバーコート層１４、配向膜１６を順に形成する（ステップ６０１）。
【００６５】
次にスペーサー２０に所定の電圧を印加し（ステップ６０２）、着色層１３等が形成された透明基板４上に、例えば窒素ガス等の気流によりスペーサー２０を散布する（ステップ６０３）。
【００６６】
スペーサー２０に高電圧を印加して散布する場合、スペーサー２０は電気抵抗の高い領域に引き寄せられる。また、スペーサー２０に低電圧を印加して散布する場合、電気抵抗の低い領域に引き寄せられる。したがって、電圧が印加されたスペーサー２０が散布されると、電圧値と着色層１３又はオーバーコート層１４の抵抗値とにより、スペーサー２０がこの着色層１３又はオーバーコート層１４に引き寄せられる。そこで、例えば着色層１３及びオーバーコート層１４の電気抵抗を所定の値にしておき、スペーサー２０に印加する電圧を調節することで、図７に示すように、例えばオーバーコート層１４上に分布密度が高く、着色層１３上の分布密度が低くなるようにスペーサー２０が選択的に散布することができる。
【００６７】
ここで、具体的にどのような抵抗値と印加電圧とすれば必要なところに必要なスペーサーを配置できるか説明する。
【００６８】
図８は、レジストの抵抗値及びスペーサーに印加する電圧値と、レジストに散布されることになるスペーサーの個数との関係を示した表である。それぞれの値は、説明の簡単のため、実験値に基づく概数として示したものである。また、ここでいうレジストＡはアクリル樹脂に銅フタロシアニン系顔料をエステル系分散剤で分散したレジストであり、レジストＢはアクリル系樹脂にジアントラキノン系顔料を脂肪酸エステル系分散剤で分散したレジストであり、レジストＣはアクリル系樹脂にフタロシアニングリーン系顔料を脂肪酸エステル系分散剤などで分散させたレジストである。
【００６９】
例えば、スペーサーに＋５００ボルトの電圧を印加して散布した場合、レジストの抵抗値が１０１５Ωのときは１ｍｍ２あたり１００個が散布され、抵抗値が１０１０Ωのときは１ｍｍ２あたり３５０個が散布されたことを示す。また、例えばスペーサーに＋３００ボルトの電圧を印加して散布した場合、レジストの抵抗値が１０１５Ωのときは散布されず、レジストの抵抗値が１０１０Ωのときは１ｍｍ２あたり２５０個が散布されることを示す。これらのことから、スペーサーに電圧を印加して散布したときには、レジストの抵抗値によって散布量が異なってくることがわかる。
【００７０】
この場合、図８によれば、例えばオーバーコート層１４上にスペーサー２０を選択的に配置したいときには、オーバーコート層１４と逆極性を持つレジストＢにより着色層１３を形成し、オーバーコート層１４の抵抗値が例えば１０１５Ωとなるように、無極性モノマーを用いたアクリル系樹脂等の材料によりオーバーコート層１４を形成し、スペーサー２０に＋５００ボルトの電圧を印加して散布すればよい。そうすると、着色層１３にはスペーサー２０がほとんど散布されず、オーバーコート層１４には１ｍｍ２あたり１００個のスペーサーが散布されることになる。このように、オーバーコート層１４に選択的にスペーサー２０を散布することができる。
【００７１】
また、レジストの抵抗値及び極性は、例えば、図８の表に記載されているレジストの基材の種類、極性の低い（例えばポリマー等）樹脂の配合比及び分散剤の配合比を変えることにより、変化させることができる。
【００７２】
なお、液晶装置１の製造方法は、この液晶パネル２に、図示しない液晶注入口から液晶を注入し、注入が完了したら液晶注入口を封止し、表面に偏光板１０、１１を貼り付け、電極部１８に対応する駆動素子（図示せず）を実装し、バックライト３を取り付ける工程を有する。
【００７３】
このように本実施形態によれば、例えば着色層１３とオーバーコート層１４のように基板間の厚さが異なる複数の領域と、この厚さの異なる複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサー２０とを具備することとしたので、オーバーコート層１４上のスペーサー２０の分布密度を大きくし、着色層１３上のスペーサー分布密度を小さくすることができる。これにより、セルギャップの維持に寄与しないスペーサーにより光が散乱したり、液晶層９の配向を乱したりすることを抑えることができ、マルチギャップ構造であっても、光透過性を向上させることができる。
【００７４】
また、電気的抵抗がそれぞれ異なる第１の領域である例えば着色層１３の領域と第２の領域である例えばオーバーコート層１４とを形成する工程と、第１の領域及び第２の領域のうち第１の領域を選択して吸着するように、スペーサー２０に所定の電圧を印加する工程と、スペーサー２０を放散する工程とを具備することとしたので、放散されたスペーサー２０に高電圧を印加すれば高抵抗の領域に引き寄せられる。また、低電圧を印加すればスペーサーは低抵抗の領域に引き寄せられる。これにより、スペーサー２０を所望の領域に選択的に散布することができ、また、配線に電圧を印加する工程を省くことができる。
【００７５】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が着色層とオーバーコート層とによるマルチギャップの場合であったのに対し、着色層同士でのマルチギャップの場合である点が異なるだけであるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。また、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７６】
（液晶パネルの構成）
図９は、カラーフィルタ基板に形成された着色層の一部を拡大した断面図である。
【００７７】
透明基板４上に着色層１３（１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ）が形成され、各着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂの境界領域には遮蔽層１２が形成されている。着色層１３と遮蔽層１２の表面には配向膜１６が形成されている。着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂのセルギャップはそれぞれの約８．８μｍ、約７．７μｍ、約６．６μｍとなっているのが好ましいとされる。
【００７８】
これに伴い、着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂの厚さは、それぞれ１．１μｍずつ異なるように、例えばＴ１、Ｔ２、Ｔ３（Ｔ１<Ｔ２<Ｔ３）となるように形成されている。これにより、基板間の厚さが異なる複数の領域である着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂが形成されることとなる。
【００７９】
また、スペーサー２０は、着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂのうち最も基板間の厚さが薄い着色層１３Ｂ上に分布密度が高くなるように配置され、着色層１３Ｒ及び１３Ｇ上に分布密度が低くなるように配置されている。また、本実施形態では、スペーサー２０の径を、着色層１３Ｂのセルギャップとほぼ等しくなるように、約６．６μｍにすることで、着色層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂのセルギャップをそれぞれ約８．８μｍ、約７．７μｍ、約６．６μｍとすることができる。
【００８０】
（スペーサーの散布方法及び液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係るスペーサーの散布方法及びこれを用いた液晶装置の製造方法について簡単に説明する。
【００８１】
着色層１３Ｂを形成する際、着色層１３Ｂのレジストの電気的極性を、着色層１３Ｒ、着色層１３Ｇのレジストの電気的極性とは逆になるように形成する。スペーサー２０を散布する際には、着色層１３Ｂの電気的極性とは逆の電気的極性（すなわち、着色層１３Ｒ、１３Ｇと同じ電気的極性）をスペーサー２０に付与して散布する。電気的極性によりスペーサー２０が着色層１３Ｂに引き寄せられ、図１０に示すように、着色層１３Ｂにスペーサー２０を選択的に散布することができる。
【００８２】
このように本実施形態によれば、例えば着色層１３Ｒ及び１３Ｇと着色層１３Ｂのように基板間の厚さが異なる複数の領域と、当該複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサー２０とを具備することとしたので、着色層１３Ｂ上のスペーサー２０の分布密度を大きくし、着色層１３Ｒ及び１３Ｇ上のスペーサー分布密度を小さくすることができる。これにより、セルギャップの維持に寄与しないスペーサーにより光が散乱したり、液晶層９の配向を乱したりすることもなく、マルチギャップ構造であっても、光透過性のよい電気光学装置である液晶装置１を得ることができる。
【００８３】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第３の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が反射半透過型のＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置であったのに対し、反射半透過型のパッシブマトリクス方式の液晶装置である点を除けば、第１の実施形態と同様であるので、異なる点を中心に説明する。また、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８４】
図１１は、本実施形態に係る液晶装置１の対向基板について示したものである。
【００８５】
（液晶パネルの構造）
対向基板７には、例えば図１１に示すように図のＸ軸方向に平行に画素電極２９と共通電極３０とが相互に櫛歯状に形成されている。これにより、画素電極２９及び共通電極３０の間で横電界を生成することができ、その間の液晶のみを駆動させることができる。
【００８６】
（スペーサーの散布方法及び液晶装置の製造方法）
本実施形態に係るスペーサーの散布方法及び液晶装置の製造方法については、第１の実施形態と異なり、透明基板６上にＴＦＴ素子２８等を形成しないが、略そのスペーサーの散布方法及び液晶装置の製造方法と同様であるのでその説明を省略する。
【００８７】
このように本実施形態によれば、例えば着色層１３とオーバーコート層１４のように基板間の厚さが異なる複数の領域と、この厚さの異なる複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサー２０とを具備することとしたので、オーバーコート層１４上のスペーサー２０の分布密度を大きくし、着色層１３上のスペーサー分布密度を小さくすることができる。これにより、セルギャップの維持に寄与しないスペーサーにより光が散乱したり、液晶層９の配向を乱したりすることを抑えることができ、マルチギャップ構造を有するパッシブマトリクス型でも、光透過性を向上させることができる。
【００８８】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
【００８９】
図１２は本発明の第４の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。
【００９０】
電子機器２００は、表示制御系として例えば図１２に示すように液晶パネル２及び表示制御回路２９０などを備え、その表示制御回路２９０は表示情報出力源２９１、表示情報処理回路２９２、電源回路２９３及びタイミングジェネレータ２９４などを有する。
【００９１】
また、液晶パネル２には表示領域Ａを駆動する駆動回路２６１を有する。
【００９２】
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源２９１は、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
【００９３】
また、表示情報処理回路２９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２６１へ供給する。駆動回路２６１は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【００９４】
このように本実施形態によれば、電子機器２００は例えば着色層１３とオーバーコート層１４のように基板間の厚さが異なる複数の領域と、当該複数の領域に分布密度が異なるように配置されたスペーサー２０とを具備することとしたので、オーバーコート層１４上のスペーサー２０の分布密度を大きくし、着色層１３上のスペーサー分布密度を小さくすることができる。これにより、セルギャップの維持に寄与しないスペーサーにより光が散乱することもなく、マルチギャップ構造であっても、光透過性を向上させることができ、電子機器２００の表示の際の明るさを十分確保できることとなる。
【００９５】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。
【００９６】
なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加えうることは勿論である。
【００９７】
例えば、上述した電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶表示装置であるが、無機あるいは有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの収集の電気光学装置であってもよい。
【００９８】
本発明は、以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００９９】
例えば、上記実施形態では、オーバーコート層１４に選択的にスペーサー２０を散布する際に、それぞれの着色層１３、オーバーコート層１４の電気抵抗値に応じて、スペーサー２０に電圧を印加していたが、各着色層１３やオーバーコート層の電気的極性を利用して、スペーサー２０に散布させたい着色層１３やオーバーコート層１４の極性と正負が逆の極性を有する電荷を帯電させてから散布してもよい。
【０１００】
例えば、着色層１３の極性が正に、オーバーコート層１４の極性が負になるようにそれぞれの層を形成し、スペーサー２０に正の電荷を帯電させて散布する。そうすると、スペーサー２０は同一極性の着色層１３からは斥力を受け、異なる極性のオーバーコート層１４からは引力を受けるので、結果としてオーバーコート層１４に引き寄せられることとなる。このようにすれば、スペーサー２０を、例えばオーバーコート層１４側に選択的に散布することができる。
【０１０１】
着色層１３又はオーバーコート層１４の極性は、例えば極性制御剤を加えることで自在に変化させることができる。極性制御剤としては、例えば、樹脂酸の金属塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が用いられる。また、樹脂の場合、樹脂の極性の強さを決定する極性基の含有量と極性の強さを変えることにより、極性を変化させることができる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、着色層１３の各層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂに反射層１５を形成する際に、遮蔽層１２で囲まれた部分のほぼ片側半分を占める範囲に形成されるようにしたが（寄せ窓方式）、例えば、遮蔽層１２で囲まれた部分の中央に形成されるようにしてもよい。
【０１０３】
また、ＴＦＴの代わりにＴＦＤ（薄膜ダイオードもしくは二端子型スイッチング素子）を用いたＴＦＤアクティブマトリクス型の液晶装置についても、本発明の適用は勿論可能である。
【０１０４】
また、上記実施形態では、マルチギャップ構造はカラーフィルタ基板５側の層の厚さの違いにより形成されている場合について説明してきたが、勿論これに限られるものではなく、例えば、カラーフィルタ基板５及び対向基板７の双方の基板側にマルチギャップ構造が形成される場合であっても、本発明の適用は可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置のカラーフィルタ基板を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態に用いられる着色層の材料を示す表である。
【図４】第１の実施形態に係る液晶装置の対向基板の一部を示す平面図である。
【図５】第１の実施形態に係る液晶装置の対向基板の一部を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】第１の実施形態に係る液晶装置のカラーフィルタ基板の斜視図である。
【図８】レジストの抵抗値とスペーサーの印加電圧との関係を示す表である。
【図９】第２の実施形態に係る液晶装置の一部を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る液晶装置の一部を示す斜視図である。
【図１１】第３の実施形態に係る液晶装置の対向基板の一部を示す平面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１…液晶装置  ５…カラーフィルタ基板  ７…対向基板  ９…液晶層  １２…遮蔽層  １３（１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ）…着色層  １４…オーバーコート層  １５…反射層  ２０…スペーサー、２００…電子機器、２６１…駆動回路  ２９０…表示制御回路
【図１】
2005092047.tif 000003
【図２】
2005092047.tif 000004
【図３】
2005092047.tif 000005
【図４】
2005092047.tif 000006
【図５】
2005092047.tif 000007
【図６】
2005092047.tif 000008
【図７】
2005092047.tif 000009
【図８】
2005092047.tif 000010
【図９】
2005092047.tif 000011
【図１０】
2005092047.tif 000012
【図１１】
2005092047.tif 000013
【図１２】
2005092047.tif 000014