(57)【要約】【課題】  小型でジッターを低減した磁気センサーを得る。【解決手段】  磁気検知部及び薄膜導体、電極端子が可撓性基材面に形成された可撓性組立体を、薄膜導体部で曲げて磁気検知部と電極端子が非同一面になるよう非磁性支持体に接着剤で固着する。また、磁気検知部を平面もしくは凹面、凸面になるように、非磁性支持体に固着する。 【選択図】      図２
2005227134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気検知部及び薄膜導体、電極端子が可撓性基材に形成された可撓性組立体を、薄膜導
体部で曲げて磁気検知部と電極端子が非同一面になるよう非磁性支持体に接着剤で固着し
たことを特徴とする磁気センサー。
【請求項２】
磁気検知部が平面もしくは凹面、凸面になるように、非磁性支持体に固着されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項３】
薄膜導体の曲げられた部位に接着される非磁性支持体の稜線部は、半径０．１ｍｍ以上
の曲面を有することを特徴とする請求項１及び２に記載の磁気センサー。
【請求項４】
電極端子に外部端子を接続し、少なくとも磁気検知部と外部端子の一部を除き、樹脂モ
ールドを行ったことを特徴とする請求項１から３に記載の磁気センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気検出を目的とした磁気センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサーは機器装置の回転や位置の検出、方位の検出に広く用いられている。その
中で磁気抵抗効果型磁気センサーは、高い検出精度が比較的安価に実現できる上、小型化
しやすいという利点を持つ。磁気抵抗効果型磁気センサーは、外部磁界の変化を磁性体薄
膜の抵抗変化として電気信号に変換する磁気抵抗効果薄膜を利用したものである。磁気抵
抗効果薄膜には、パーマロイと言われるニッケル−鉄合金薄膜に代表される異方性磁気抵
抗効果（ＡＭＲ）薄膜が従来から用いられている。また近年では、磁性層と非磁性金属膜
層を数オングストロームの厚さで交互に積層し、非磁性金属膜層を介して上下の磁性層が
反平行に磁気的カップリングするようにした、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）薄膜も用いら
れるようになってきた。これらの磁気抵抗効果薄膜は、スパッタや蒸着などの真空成膜技
術を用い、鏡面研磨されたガラス基板やセラミクス基板等の無機絶縁性剛体基板上に成膜
されるのが一般的である。
【０００３】
磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、磁気センサーと言う）の代表的な用途として磁気
式エンコーダーがある。図６は磁気式エンコーダー用磁気センサーの従来構造を示す断面
図である。この構造は特許文献１（図５）に記載されているものである。絶縁性基板５１
の片面側に磁気検知部５２と電極端子５３が設けられ、磁気検知部５２と電極端子５３の
一部を保護するように素子保護膜５４が形成されている。さらに残りの電極端子５３に、
はんだ接合などにより接続される外部端子５５と外部端子接続部を保護する端子保護膜５
６が設けられている。
【０００４】
図６に示される磁気センサーは、例えば図７のようにして磁気式ロータリーエンコーダ
ーとして利用される。磁気式ロータリーエンコーダーの構造は特許文献１（図４，６）に
も記載されている。図７において、磁気式エンコーダーの磁気媒体６１は回転体のシャフ
ト６２に固着されている。この磁気媒体６１の回転を磁気センサー６３で検出する。磁気
センサー６３は、磁気媒体から発生する磁界の変化を磁気検知部の抵抗変化として検出し
、外部端子５５により信号処理回路へと出力する。磁気媒体６１はシャフト６２と同軸で
円盤形状をしている。この磁気媒体６１の外周部を着磁ピッチλで着磁し磁気信号発生源
とする。
【０００５】
【特許文献１】特許第３２１８８３７号  （図４〜図６）
【０００６】
図６に示した磁気センサーは、図８のように磁気式リニアエンコーダーとしても使用で
きる。剛体もしくは柔軟体の直線状の磁気媒体７１に対して、磁気センサー６３が相対的
に平行移動する。特に、柔軟体の磁気媒体の場合は、移動時に磁気センサーと磁気媒体の
間隔（ギャップ長）を安定に保つため、僅かではあるが磁気媒体を変形させるように磁気
センサーを磁気媒体に押し付ける構造としているものが多い。ギャップ長は磁気センサー
もしくは磁気媒体の表面に耐摺動性材を設け、耐摺動性材の厚みをギャップ長としている
。
【０００７】
従来の磁気センサーの構造では、磁気エンコーダーを小型、高性能化する場合、次の２
点が大きな問題点として上がっている。第１の問題点は、電極端子の位置が磁気検知部と
同一面にあるため小型化を阻害している。第２の問題点は、小型のロータリー型特有であ
るが、平面の磁気検知部と曲面の磁気媒体の組合せから起こる、磁気検知部と磁気媒体と
の間隔（ギャップ長）の不均一である。磁気検知部の位置によりギャップ長が変化し、磁
気検知部に入る磁界強度のばらつきとなり、ジッター増加による特性低下が生じる。
【０００８】
第１の問題点を解決するため、電極端子の設け方が種々提案されている。磁気センサー
の製法から、磁気検知部と外部端子と接続する電極端子が同一面にあるため、外部端子厚
が１０から１００μｍ程度のギャップ長より大きくなる。そのため電極端子を磁気媒体の
領域から外れた位置に設けるしかなかった。そのため、磁気センサーの小型化が阻害され
るのと、基板から取れる磁気センサーの数が少なく、製造コスト低減の妨げとなっていた
。
【０００９】
提案されている電極の取り方について簡単に説明する。特許文献１（図１）に記載され
ているように、ＦＰＣに面接着しＦＰＣを磁気検知部と磁気媒体の間に配する。図９に示
した特許文献１（図７）の基板に段差を設ける。図１０に示した特許文献２の基板側面も
しくは裏面に電極を形成する。図１１に示した特許文献３の貫通電極を有する基板に磁気
検知部を形成する。
【００１０】
【特許文献２】特開平５−７５１８０  （図１）
【特許文献３】特開平６−１５２０００  （図１，図３）
【００１１】
図９から図１１について簡単に説明する。説明を判り易くするため同一の部位、部品に
は同じ符号を用いている。図９は、絶縁性基板５１に予め段差を設けて段差部に電極端子
５３と外部端子５５を設けるものである。絶縁性基板５１に段差を形成するコスト上昇と
、電極端子５３と磁気検知部間の配線を、段差部にフォトリソグラフィーや成膜すること
は難しく、製造コストの点で問題がある。図１０は、絶縁性基板５１の側面もしくは裏面
に電極端子５３を設けているが、元基板から絶縁性基板５１に切断した後一個一個の作業
となり、これも製造コストの点で問題がある。図１１は、貫通導体５７を持つ基板を用い
て絶縁性基板５１の裏面に外部端子５５を設けている。導体貫通基板に磁気検知部等全て
設けてから、切断することで容易に裏面電極端子の磁気センサーが得られるも、導体貫通
基板の価格が高いため、これも製造コストの点で問題がある。何れも、小型化には有効で
あるが、製造コストの点でいま一つのところである。
【００１２】
第２の問題点に付いて説明する。図７に示すような磁気式ロータリーエンコーダーにお
いては、磁気センサー６３のみならず、磁気媒体６１の径も小さくして小型化を図りたい
という強い要求がある。円盤形状の磁気媒体６１を小径化すると、平面状の磁気検知部を
備える磁気センサー６３では、磁気検知部の中心部のギャップ長ＧＬと端部のギャップ長
ＧＬｅの差が、出力の差となりジッターが悪化するものである。
【００１３】
中心部のギャップ長ＧＬと端部のギャップ長ＧＬｅの差を無くす方法として、特許文献
４に磁気媒体６１の曲率半径よりギャップ長ＧＬ分だけ大きな曲率半径を持ったガラス基
板上に磁気検知部を形成することが提案されている。研磨等で曲面を形成したガラス基板
価格が高いことと、曲面にフォトリソグラフィーや成膜を安定に行うのは難しい。また、
特許文献４には、電極端子の形成については何も触れられておらず、小型化に向くか否か
は不明である。
【００１４】
【特許文献４】実開平５−７１７１７  （図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明が解決しようとする課題は、従来の磁気センサーの構造では、磁気エンコーダー
を小型、高性能化する場合に問題となっていた次の２点を解決することにある。第１の問
題点は、電極端子の位置が磁気検知部と同一面にあるため小型化を阻害していること。第
２の問題点は、小型のロータリー型特有であるが、平面の磁気検知部と曲面の磁気媒体の
組合せから起こる磁気検知部と磁気媒体との間隔（ギャップ長）の不均一である。磁気検
知部の位置によりギャップ長が変化し、磁気検知部に入る磁界強度のばらつきとなり、ジ
ッターの増加による特性低下が生じる。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の磁気センサーは、磁気検知部及び薄膜導体、電極端子が可撓性基材に形成され
た可撓性組立体を、薄膜導体部で曲げて磁気検知部と電極端子が非同一面になるよう非磁
性支持体に接着剤で固着したことを特徴とする。また、磁気検知部が平面もしくは凹面、
凸面になるように、非磁性支持体に固着されていることを特徴とする。
【００１７】
可撓性基材としては、高い耐熱性を有し表面平滑性が良好で、平坦なフィルムが容易に
得られるポリイミド系樹脂が好ましい。フッ素化ポリイミドは吸水率が低く、真空装置に
よって磁性膜を成膜するとき、磁気特性が安定的に得られるのでより好ましい。他に可撓
性基材として、ノルボルネン系樹脂やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカー
ボネート（ＰＣ）等を用いることもできる。磁気センサーの製造工程や使用環境に応じて
表面平滑性、耐熱性、耐薬品性等を考慮して適宜選択することができる。
【００１８】
可撓性基材の耐熱性は１３０℃以上あることが好ましい。従来のフォトレジストを用い
た製造工程をそのまま適用して、磁気検知部のパターン形成を行うことができるためであ
る。可撓性基材の耐熱性が３００℃以上あれば、鉛フリーはんだを用いて、磁気センサー
をはんだ接合することが可能となり、環境に配慮した磁気センサーとすることができる。
また、耐熱性が高い基材を用いることで、磁気センサーをモールド加工する等の設計およ
び製造方法の自由度が広がるのでより好ましいものである。
【００１９】
可撓性基材の厚さは２００μｍ程度以下、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましく
は３０μｍ以下とし、十分な可撓性を失わないようにする必要がある。可撓性組立体を作
製するにあたり、可撓性基材は単体のフィルムではなく、シリコンまたはガラス等の支持
基板に固定して使用するのが良い。フィルム単体では磁性薄膜の成膜や磁気検知部を形成
するフォトリソグラフィー等で取り扱いが困難なためである。樹脂の前駆体であるワニス
をシリコン基板またはガラス基板等の支持基板にコーティングした後、加熱処理して樹脂
フィルム（可撓性基材）を形成して利用するのが好ましい。支持基板に貼り付いた可撓性
基材とすることで、成膜装置、技術やフォトリソグラフィー装置、技術を用いて、従来通
りの寸法精度を維持したまま磁気検知部及び薄膜導体、電極端子を形成することができる
。成膜やフォトリソグラフィーが終わった時点で、可撓性基材を支持基板から剥離する。
剥離方法としては、支持基板をエッチングによって除去、もしくは物理的に支持基板から
引き剥がす。支持基板に樹脂の前駆体であるワニスをコーティングし、加熱処理する手法
を用いると、数μｍオーダー厚の可撓性基材を容易に得ることができる。また、数μｍオ
ーダー厚の可撓性基材を容易に取り扱うことができる。
【００２０】
可撓性基材に磁気検知部や薄膜導体、電極端子を形成した可撓性組立体を、所望の形状
の非磁性支持体表面と可撓性組立体の可撓性基材面を、接着剤を用い固着させる。磁気検
知部を非磁性支持体の所定の面に固着させ、磁気検知部と電極端子を導通接続する薄膜導
体部が非磁性支持体の稜線部に当たるように曲げ、電極端子を磁気検知部面とは非同一面
に固着させる。これにより、電極端子を磁気検知部形成面の裏面もしくは側面、あるいは
段差部に引き回すことが容易に実現できる。非磁性支持体の形状は長方体や板状、階段形
状等、所望の形状を選択することができる。非磁性支持体の磁気検知部接合面を平面や凹
曲面、凸曲面にすることで、磁気検知部を平面や凹曲面、凸曲面に容易にできる。
【００２１】
非磁性支持体は非磁性材料であれば良く、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等の中か
ら磁気センサーの製造工程や使用環境に応じて成形性、耐熱性、耐薬品性等を考慮して適
宜選択することができる。樹脂を用いれば、凹曲面や凸曲面等の機械加工では形成しにく
い形状も、型成形や射出成形等によって安価に作製することができる。樹脂剤としては、
プレス成形や射出成形できるものであれば特に制限を設ける必要はない。耐熱性や成形性
、耐薬品性等の面で、例えば全芳香族ポリエステルは好ましい樹脂の一つである。
【００２２】
本発明の磁気センサーは、薄膜導体の曲げられた部位に接着される非磁性支持体の稜線
部は、半径０．１ｍｍ以上の曲面を有することが好ましい。
【００２３】
磁気検知部及び薄膜導体、電極端子が可撓性基材面に形成された可撓性組立体を、薄膜
導体部で曲げて磁気検知部と電極端子が非同一面になるよう非磁性支持体に接着剤で固着
するとき、非磁性支持体の各面に均一に接着させるため、可撓性組立体に極小の張力をか
けながら非磁性支持体に沿わせる必要がある。接着される非磁性支持体の稜線部が鋭角に
なるほど、可撓性組立体の薄膜導体の曲げられた部位に負荷が掛かり、可撓性基材が破断
したり、薄膜導体部の断線の起点となってしまう恐れがある。非磁性支持体の稜線部を半
径０．１ｍｍ以上の曲面とすることで、可撓性組立体の損傷を防止できるだけでなく、非
磁性支持体と可撓性組立体の密着が良くなる。非磁性支持体と可撓性組立体の密着をより
上げるには、稜線部の半径を０．３ｍｍ以上とすることがより好ましい。
【００２４】
本発明の磁気センサーは、電極端子に外部端子を接続し、少なくとも磁気検知部と外部
端子の一部を除き、樹脂モールドを行うことができる。
【００２５】
可撓性基材に例えばポリイミド等の耐熱性の高いものを用いることによって、非磁性支
持体に接着された可撓性組立体を樹脂モールド成形することができる。電極端子に外部端
子（リード端子）を、はんだや導電接着剤等により導通接続し、少なくとも外部端子の一
部と磁気検知部を露出させるようにして樹脂モールド成形する。モールド成型温度が磁気
センサーの可撓性基材や非磁性支持体、あるいは他の構成部位の耐熱温度を越えないこと
が必要である。ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等を
、モールド樹脂として用いることができる。
【発明の効果】
【００２６】
可撓性基材に磁気検知部や薄膜導体、電極端子を設けた可撓性組立体を、薄膜導体部で
曲げて非磁性支持体に接着することで、電極端子の位置を磁気検知部と非同一面にするこ
とができ、小型の磁気センサーが得られた。また、非磁性支持体の磁気検知部接着面を平
面や凹曲面、凸曲面に形成することで、磁気検知部と磁気媒体の間隔を一定にすることが
でき、ジッターの悪化を抑制することが可能となり、高性能で小型の磁気センサーを実現
することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施例を挙げて詳細に説明する。実施例１は、段差部に電極端子を設け
た磁気センサーである。実施例２は、磁気検知部を非磁性支持体の凹曲面、電極端子を非
磁性支持体の裏面に設けた磁気センサーである。実施例３は、磁気検知部を非磁性支持体
の凸曲面、電極端子を非磁性支持体の側面に設け、樹脂モールドを行った磁気センサーで
ある。実施例４は、Ｌ字形の磁気センサーである。
【実施例１】
【００２８】
図１に、可撓性組立体１を示す。可撓性のある樹脂フィルム基材２上にＧＭＲ膜の磁気
検知部３及び薄膜導体４、電極端子５を配置した。図２は、可撓性組立体を非磁性支持体
１１に接着剤７で、接着した本発明の磁気センサーの斜視図である。非磁性支持体１１は
、凸状で磁気検知部が接着される面は平面、電極端子５が接着される面も平面である。磁
気検知部が接着される面と電極端子５が接着される面は、１ｍｍの段差を有し、斜面で繋
がっている。斜面と平面で構成される稜線部には、半径０．２５ｍｍの曲率を設けた。電
極部５に、０．７ｍｍ厚の外部端子（図示せず）をはんだで接合した。電極端子部は１ｍ
ｍ凹んでいるので、０．７ｍｍ厚の外部端子を設けても、外部端子が磁気検知部の面より
、磁気媒体に近づくことはない。
【００２９】
まず、可撓性組立体１の製造方法に付いて詳細に述べる。４インチ径のシリコン基板上
に、フッ素化ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸ワニスをスピンコートしたものを、
窒素雰囲気のクリーンオーブン中で、７０℃で２時間次に１６０℃で１時間、２５０℃で
３０分、３５０℃で１時間の４段階の加熱を行い、ポリアミド酸ワニスをイミド化し、シ
リコン基板上にフッ素化ポリイミドフィルム（以下、ポリイミドフィルムと言う）を得た
。本実施例では、熱処理後のポリイミドフィルムの膜厚を４μｍとなるようにしたが、ポ
リアミド酸ワニスの粘度とスピンコートの際の回転数を制御することで、ポリイミドフィ
ルムの膜厚を任意厚とすることもできる。
【００３０】
ポリイミドフィルム上に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いてＧＭＲ膜を成膜した
。成膜は、１．３３×１０−５Ｐａ（１×１０−７Ｔｏｒｒ）まで真空引きしてからＡｒ
ガスを導入し、成膜中の真空度は２．６６×１０−１Ｐａ（２×１０−３Ｔｏｒｒ）とし
た。ＧＭＲ膜の膜構成は、基板側の層から順にＮｉＦｅＣｒ（５ｎｍ）／〔ＮｉＦｅＣｏ
Ｂ（１．６ｎｍ）／Ｃｕ（２．４ｎｍ）〕×１４層／ＮｉＦｅＣｏＢ（１．６ｎｍ）／Ｔ
ａ（３ｎｍ）とした。
【００３１】
成膜したＧＭＲ膜をフォトリソグラフィー技術、イオンミリング等によってパターンニ
ングして、ＧＭＲ膜の磁気検知部３と薄膜導体４を形成した。図では磁気検知部３を模式
的に書いているが、磁気検知部は線幅５．８μｍ、スペース２．０μｍで３回折り返した
つづら折り部が１４１μｍ間隔で４つ並んで直列に接続されて成るパターンを一組とし、
これを４つ組み合わせてブリッジ回路を成すように構成した。
【００３２】
薄膜導体４は２μｍ厚のアルミニウムとした。電極端子５は、薄膜導体上に無電解めっ
きで２μｍ厚のＮｉＰの下地膜を形成した後、表面にＡｕの置換めっき５０ｎｍを施した
。電極端子５を除いた全面に４μｍ厚の樹脂保護膜（図示せず）を形成した。シリコン基
板とポリイミドフィルムを同時に切断し、個々に分断した後、ポリイミドフィルムをシリ
コン基板の界面から引き剥がし、可撓性組立体１を得た。シリコン基板からポリイミドフ
ィルムを引き剥がした後、ポリイミドフィルムを型抜きや、切断機で切り離し可撓性組立
体を得ることもできる。
【００３３】
可撓性組立体１を、凸状の射出成形で形成した全芳香族ポリエステル製の非磁性支持体
１１に、耐熱エポキシ接着剤を用いて貼り付けた。接着層の厚みは数μｍである。非磁性
支持体１１は、全体の厚みが１．５ｍｍで、段差を１ｍｍとした。段差は４５度の斜面で
つなげ、段差平面と斜面でできる稜線部は半径０．２５ｍｍの曲面とした。図２に示すよ
うに、磁気検知部３が非磁性支持体の高い方の段に、電極端子５が非磁性支持体の低い方
の段になるように、薄膜導体４を折り曲げ非磁性支持体１１に接着した。電極端子５に０
．７ｍｍ厚の外部端子（図示せず）をはんだで接続し磁気センサーを得た。段差が１ｍｍ
あるので、０．７ｍｍ厚の外部端子をはんだで接合しても、外部端子の上面が磁気検知部
面より出ることは無かった。
【００３４】
磁気センサーを剛体の直線状磁気媒体に対向させて、リニアエンコーダーを作製した。
磁気媒体の着磁ピッチは１４１μｍとし、ＧＬは１００μｍとなるようにした。１００個
の磁気センサーを測定した結果、信号処理回路からの出力は１１５〜１３０ｍＶの電圧が
得られた。この出力電圧は、エンコーダーとして十分機能することを確認した。比較のた
め、１．５ｍｍ厚のガラス基板に本発明と同材質、同形状の磁気検知部を設け従来の磁気
センサーを作製し、出力電圧を測定した。出力電圧は１１３〜１３１ｍＶであった。従来
の磁気センサーは、図６のように、外部端子上面が磁気検知部面より出ているため、外部
端子部が磁気媒体に接触しない様に大きくする必要があった。本発明の磁気センサーは、
従来の磁気センサーに比べ、外部端子を除いた図２の状態で、磁気媒体と対向する面の面
積を約２／３以下とすることができ、小型化と基板から取れる数を上げることができた。
【実施例２】
【００３５】
本発明第２の実施例の磁気センサーの斜視図を図３に示す。図３ａ）は磁気センサーの
磁気媒体対向面側で、図３ｂ）が磁気センサーの裏面側である。可撓性組立体１が、凹曲
面をもつ非磁性支持体１１に接着剤７によって固着され、電極端子５が非磁性支持体１１
の裏面に設けられている。本実施例の磁気センサーは小径のロータリーエンコーダ−に適
しており、磁気検知部と磁気媒体の間隔を一定にすることができ、ジッターの増大を抑制
するだけでなく、電極端子５を磁気検知部３と反対面に設けることで、小型化が図れるも
のである。
【００３６】
実施例１で作製した可撓性組立体１を、磁気検知部３の中央部が非磁性支持体１１の凹
曲面の中央になるように、耐熱エポキシ接着剤を用いて接着した。非磁性支持体１１は全
芳香族ポリエステルを射出成形したものを用いた。非磁性支持体１１の凹曲面は、磁気セ
ンサーを円盤状磁気媒体と同心に配置した場合に、ギャップ長ＧＬが１００μｍのときに
磁気検知部３上の全ての位置でＧＬが一定となるような曲率にした。半径７．０５ｍｍの
磁気媒体としたので、ＧＬ分１００μｍ、可撓性基材厚１０μｍ、接着層厚１μｍである
ので、非磁性支持体１１の凹曲率は半径７．１６１ｍｍとした。非磁性支持体１１の凹曲
面から側面に至る稜線部、側面から裏面に至る稜線部は、可撓性組立体１の損傷や薄膜導
体４の断線を防ぐため、半径０．１５ｍｍの曲面とした。
【００３７】
電極端子５に導電性接着剤で信号処理回路基板に、磁気センサーを直接実装した。磁気
センサーを円盤状磁気媒体に対向させて、ロータリーエンコーダーを作製した。円盤状磁
気媒体の直径は１４．１ｍｍ、着磁ピッチは１４１μｍとし、ＧＬは１００μｍとした。
比較のため平面の非磁性支持体に可撓性組立体を貼り付けたものも作製し、ジッターの数
値で評価した。平面の磁気センサーのジッターは±３〜４％であったが、本発明の凹面に
した磁気センサーのジッターは±１〜２％と大幅に改善された。磁気検知部３と磁気媒体
の間隔ＧＬが一定となることで、中央と端部の感度が同じとなりＳ／Ｎ比が良くなったた
めである。
【実施例３】
【００３８】
本発明第３の実施例の磁気センサーの断面図を図４に示す。可撓性組立体１の磁気検知
部３の中央が、凸曲面をもつ非磁性支持体１１の凸曲面中央に合うように、接着剤を用い
固着した。電極端子５は非磁性支持体１１の側面に配されるように、可撓性組立体を折り
曲げて接着している。電極端子５には外部端子３２を導電性接着剤３３によって導通接続
させた。磁気検知部３と外部端子３２の一部を除いた部分はモールド樹脂３４で覆った。
ゴム磁石等の柔軟性を有する磁気媒体と組合せ、磁気センサーと磁気媒体が常に接触する
ように、僅かに磁気媒体を変形させるように磁気センサーは凸面を有しているものである
。磁気センサーを磁気媒体に押し付けながら摺動するため、磁気センサーの表面に４弗化
エチレン系樹脂の摺動性の良い保護膜３５を０．１ｍｍ厚で形成した。この保護膜の厚み
０．１ｍｍは磁気センサーと磁気媒体のＧＬとなるものである。非磁性支持体１１の凸曲
面は、半径４０ｍｍの円弧となるようにした。また、非磁性支持体１１の凸曲面から側面
に至る稜線部は半径０．３ｍｍの曲面とした。
【００３９】
外部端子３２の一部と磁気検知部３を除いた部分を覆うように樹脂でモールド成形した
。モールドに用いた樹脂はポリブチレンテレフタレートで、２４０℃で射出成形を行った
。射出成形した磁気検知部表面に、４弗化エチレン系樹脂を塗布し磁気センサーを得た。
本実施例では、耐磨耗性を上げるための樹脂をモールドした後で塗布したが、塗布した後
で樹脂モールドすることもできるものである。基板の状態で所定の部位に樹脂を塗布し、
切断して個別の可撓性組立体とするのが効率的と言える。
【００４０】
磁気センサーは、磁気シートを両端で張った状態から６０μｍだけ押し込むようにして
配置し、出力電圧を測定した。磁気シートの着磁ピッチは１４１μｍとした。結果、信号
処理回路からの出力は１２０〜１３０ｍＶの電圧が得られ、エンコーダーとして十分機能
することを確認した。比較のため、図１１に示す貫通基板を用いた磁気センサーを試作し
た。出力電圧は同程度であったが、基板からの取れ数が約２５％低下した。これは、基板
強度の問題から貫通電極の間隔を極端に狭めることができないため、取れ数が減少したも
のであった。貫通電極の間隔で素子の大きさが制限されるため、本発明の磁気センサーに
比べ、素子部が約２５％大きくなったものである。
【００４１】
本発明第４の実施例の磁気センサーの斜視図を図５に示す。Ｌ字状の非磁性支持体１１
は全芳香族ポリエステルを型成形した。Ｌ字状の非磁性支持体１１の底部に磁気検知部３
を配し、上部に電極端子５を設けている。磁気検知部３より磁気媒体に近い面に電極端子
を設けることで、磁気媒体近傍の使用していない領域に、電極端子を配することができ、
エンコーダーの小型化に役立つものである。また、電極端子を一方に纏めることで、より
小型化を図ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の可撓性組立体の実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の磁気センサーの第１の実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の磁気センサーの第２の実施例を示す斜視図である。
【図４】本発明の磁気センサーの第３の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の磁気センサーの第４の実施例を示す斜視図である。
【図６】従来の磁気センサーの構造例を示す断面図である。
【図７】従来のロータリーエンコーダーの斜視図である。
【図８】従来のリニアエンコーダーの斜視図である。
【図９】従来の磁気センサーの構造例を示す断面図である。
【図１０】従来の磁気センサーの構造例を示す断面図である。
【図１１】従来の磁気センサーの構造例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  可撓性組立体、２  樹脂フィルム基材、３  磁気検知部、４  薄膜導体、
５  電極端子、７  接着剤、１１  非磁性支持体、３２  外部端子、
３３  導電性接着剤、３４  モールド樹脂、３５  保護膜、５１  絶縁性基板、
５２  磁気検知部、５３  電極端子、５４  素子保護膜、５５  外部端子、
５６  端子保護膜、５７  貫通導体、６１  磁気媒体、６２  シャフト、
６３  磁気センサー、７１  磁気媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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