(57)【要約】【課題】幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】無機化合物として、平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下であるものを含有する。光半導体素子が扱う光の波長に比べて微細な無機化合物を含有しているので、従来のように樹脂の屈折率と等しい屈折率を有する無機化合物を選択して使用する必要がなく、幅広い温度範囲で透明性を高く得ることができる。また、このように透明性を確保しつつ無機化合物を配合するようにしているので、従来のように樹脂のみから構成される組成物に比べて低線膨張率化を図ることができ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性をも高く得ることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機化合物として、平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下であるものを含有して成ることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
無機化合物として、平均粒径が１００ｎｍ以下であるものを含有して成ることを特徴とする請求項１に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
光半導体素子が発光又は受光する光の波長が３５０〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
無機化合物として、平均粒径が１〜４０ｎｍであるものを含有して成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
無機化合物として、表面がシラン化合物でコーティングされたものを含有して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】
平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下である無機化合物を有機溶媒中に分散させ、この分散液にシラン化合物を加えて混合し、さらに硬化促進剤を除く樹脂成分の一部又は全部を加えて混合し、次にこの混合液から有機溶媒を除去した後、硬化促進剤を含む樹脂成分の残りを加えることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
超音波分散機を用いて無機化合物を分散させることを特徴とする請求項６に記載の光半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止して成ることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ、フォトトランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＥＰＲＯＭ等の光半導体素子を封止するために用いられる光半導体封止用樹脂組成物及びその製造方法並びに上記樹脂組成物を用いて製造される光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子、受光素子等の光半導体素子を封止するにあたっては、透明性、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性等に優れているという点から、エポキシ樹脂組成物による樹脂封止が行われたり（例えば、特許文献１参照。）、また、耐光性、耐変色性、応力緩衝性等に優れているという点から、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂による樹脂封止が行われたりしている。これらの中でも、エポキシ樹脂組成物を用いたトランスファーモールドによる樹脂封止は、作業性及び量産性の面でも優れている。
【０００３】
光半導体素子を上記のような封止材料で封止して光半導体装置を製造するにあたっては、光半導体素子が扱う波長域（この波長域は光半導体素子の種類によって異なる）において封止材料が透明性を有していることが必要である。従来、この要求に応えるため、種々の検討が行われてきた。例えば、透明性を損なうような無機化合物を配合しないで樹脂のみから構成される組成物を製造し、これを封止材料として用いることによって、透明性を確保するようにしていた。また、樹脂に無機化合物を配合する場合には両者の屈折率が一致するようにして組成物を製造し、これを封止材料として用いることによって、見かけの透明性を確保するようにしていた。
【特許文献１】特開平６−２８３６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年においては、光半導体装置の小型化、薄型化、市場の要望による環境対応の鉛フリー半田を用いた面実装化が進展し、また車載や産業機器への適用が拡大するにつれて、耐湿信頼性や耐温度サイクル性等の実装信頼性に関して要求されるレベルが益々高くなっている。
【０００５】
しかし、従来の樹脂のみから構成される組成物においては、吸湿率を低減したり、基材（素子、４２アロイ、Ｃｕ、ＢＴ、セラミック等）との熱膨張係数の差により発生する内部応力を低減したりすることが課題として残されているため、上記のような高いレベルにまで到達させるのは難しい。
【０００６】
また、樹脂の屈折率とほぼ等しい屈折率を有する無機化合物が開発され、既述のように光学的に透明な組成物が得られるようになったが、無機化合物と樹脂のような有機化合物とでは熱膨張係数が明らかに異なるため、屈折率の温度依存性も異なる。よって、温度が変化すると、樹脂と無機化合物の屈折率が一致しなくなり、透明性が確保できなくなる。温度変化が小さい場合には、ある程度の透明性は確保できるものの、温度変化が大きい場合には、透明性は著しく損なわれる。例えば、常温付近といったある限られた温度範囲では透明性を確保できるものの、光半導体素子が搭載される環境（素子自体の発熱が大きい場合や使用環境の温度変化の大きい場合など）によっては、幅広い温度範囲で透明性を確保することが難しくなる。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができる光半導体封止用樹脂組成物及びその製造方法並びに、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係る光半導体封止用樹脂組成物は、無機化合物として、平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下であるものを含有して成ることを特徴とするものである。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１において、無機化合物として、平均粒径が１００ｎｍ以下であるものを含有して成ることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２において、光半導体素子が発光又は受光する光の波長が３５０〜１０００ｎｍであることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、無機化合物として、平均粒径が１〜４０ｎｍであるものを含有して成ることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、無機化合物として、表面がシラン化合物でコーティングされたものを含有して成ることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の請求項６に係る光半導体封止用樹脂組成物の製造方法は、平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下である無機化合物を有機溶媒中に分散させ、この分散液にシラン化合物を加えて混合し、さらに硬化促進剤を除く樹脂成分の一部又は全部を加えて混合し、次にこの混合液から有機溶媒を除去した後、硬化促進剤を含む樹脂成分の残りを加えることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項６において、超音波分散機を用いて無機化合物を分散させることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の請求項８に係る光半導体装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止して成ることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１に係る光半導体封止用樹脂組成物によれば、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができるものである。
【００１７】
請求項２の発明によれば、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができるものであり、特に波長１０００ｎｍ以上の光（赤外線）を発光又は受光する光半導体素子を封止するのに適しているものである。
【００１８】
請求項３の発明によれば、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができるものであり、特に波長３５０〜１０００ｎｍの光（可視光線）を発光又は受光する光半導体素子を封止するのに適しているものである。
【００１９】
請求項４の発明によれば、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品を得ることができるものであり、特に波長４００ｎｍ以上の光（紫外線など）を発光又は受光する光半導体素子を封止するのに適しているものである。
【００２０】
請求項５の発明によれば、耐リフロー性をさらに高く得ることができるものである。
【００２１】
本発明の請求項６に係る光半導体封止用樹脂組成物の製造方法によれば、幅広い温度範囲で透明性に優れ、特に耐温度サイクル性及び耐リフロー性を高めた成形品を最終的に得ることができるものである。
【００２２】
請求項７の発明によれば、耐温度サイクル性及び耐リフロー性をさらに高く得ることができるものである。
【００２３】
本発明の請求項８に係る光半導体装置によれば、幅広い温度範囲で優れた透明性、耐温度サイクル性及び耐リフロー性を得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２５】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、無機化合物を含有するものであり、この無機化合物としては、平均粒径が、光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下（実質上の下限は１／１００００）であるものを用いる。これにより、幅広い温度範囲で透明性に優れ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性にも優れた成形品（硬化物）を得ることができるものである。
【００２６】
無機化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、シリカ（比重２．０〜２．６）、酸化アルミニウム（アルミナ）（比重３．５）、酸化チタン（比重４．３）、チタン酸バリウム（比重５．５）、酸化マグネシウム（比重３．３）、酸化ベリリウム（比重３．０）等に代表される金属酸化物や、窒化アルミニウム（比重３．３）、窒化硼素（比重３．５）等に代表される金属窒化物や、炭化珪素（比重３．１）等に代表される金属炭化物や、硼化チタン（比重４．２）に代表される金属硼化物や、銅粉（比重８．９）等に代表される金属単体や、ＺｎＳ：Ｃｕ系（比重４．１）、ＹＡＧ系（比重４．５〜５．５）、Ｅｕ系（比重３．０〜４．０）等に代表される蛍光剤などを用いることができる。
【００２７】
光半導体素子としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＬＥＤ、フォトトランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＥＰＲＯＭ等を用いることができる。
【００２８】
光半導体素子の種類によって扱う光の波長が異なるので、封止する光半導体素子に応じて無機化合物を選択するものである。すなわち、無機化合物の平均粒径は、既述のように光半導体素子が発光又は受光する光の波長の１／１０以下であるため、例えば、波長１０００ｎｍの近赤外線を扱う光半導体素子を封止するのであれば、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機化合物を選択して用い、また、波長３５０ｎｍの紫外線を扱う光半導体素子を封止するのであれば、平均粒径が３５ｎｍ以下の無機化合物を選択して用いるのである。このとき、ある一定の波長域の光を光半導体素子が扱う場合には、その波長域の上限の波長を基準として無機化合物の平均粒径を決定する。例えば、波長３５０〜１０００ｎｍの可視光線を扱う光半導体素子を封止するのであれば、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機化合物を選択して用いるのである。なお、無機化合物の平均粒径が大きければ、ジェットミルやプラストミル等の超微細粉砕機を用いて無機化合物を粉砕することによって、無機化合物の平均粒径を小さく調整することができる。
【００２９】
成形品の無色透明性をさらに高く得るためには、無機化合物として、粉体の状態とする前の塊の状態において無着色透明なものを用いるのが好ましい。このような無機化合物としては、既述のシリカやガラス等を用いることができる。なお、塊の状態において外観性状が無着色透明であればよく、この塊を粉砕した後の粉体の状態において外観性状が白色や淡灰色であっても構わない。例えば、酸化アルミニウムは粉体の状態において淡灰色、塊の状態において灰色不透明であるため、成形品の無色透明性をさらに高めることは難しいが、シリカは粉体の状態において白色、塊の状態において無着色透明であるため、成形品の無色透明性をさらに高めることができるものである。
【００３０】
ここで、光半導体素子が発光又は受光する光の波長が１０００ｎｍ以上であれば、無機化合物として、平均粒径が１００ｎｍ以下（実質上の下限は１ｎｍ）であるものを用いることができる。つまり、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機化合物を含有する樹脂組成物は、波長１０００ｎｍ以上の波長域の光（赤外線）を扱う光半導体素子を封止するのに適しているものである。しかも無機化合物の平均粒径は１００ｎｍ以下と微細であるため、光の散乱を防止することもできる。
【００３１】
また、光半導体素子が発光又は受光する光の波長が３５０〜１０００ｎｍであれば、無機化合物として、平均粒径が１００ｎｍ以下（実質上の下限は１ｎｍ）であるものを用いることができる。つまり、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機化合物を含有する樹脂組成物は、波長３５０〜１０００ｎｍの波長域の光（可視光線）を扱う光半導体素子を封止するのにも適しているものである。しかも無機化合物の平均粒径は１００ｎｍ以下と微細であるため、この場合においても、光の散乱を防止することができる。
【００３２】
また、光半導体素子が発光又は受光する光の波長が４００ｎｍ以上であれば、無機化合物として、平均粒径が１〜４０ｎｍであるものを用いることができる。つまり、平均粒径が１〜４０ｎｍの無機化合物を含有する樹脂組成物は、波長４００ｎｍ以上の光（紫外線など）を扱う光半導体素子を封止するのに適しているものである。しかも無機化合物の平均粒径は４０ｎｍ以下と非常に微細であるため、光の散乱を防止する効果をさらに高く得ることができる。
【００３３】
さらに、無機化合物としては、表面がシラン化合物でコーティングされたものを用いるのが好ましい。これにより、成形品の耐リフロー性をさらに高く得ることができるものである。シラン化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン等を用いることができる。なお、シラン化合物の含有量は光半導体封止用樹脂組成物全量に対して０．０１〜０．５質量％であることが好ましい。
【００３４】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、基本的には樹脂成分と無機化合物を混合して製造することができる。樹脂成分としては、光透過性を確保できる比較的着色の少ないものであれば特に限定されるものではないが、例えば、シリコーン樹脂等の無溶剤タイプ又は溶剤タイプの液状で光透過性の熱硬化性樹脂や、ポリカーボネート樹脂等の溶剤タイプの液状で光透過性の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の光透過性の熱硬化性樹脂を用いることができる。このような樹脂成分には、変色防止剤、劣化防止剤、染料、紫外線吸収剤、シラン系カップリング剤、変性剤、可塑剤、光拡散剤、希釈剤等を必要に応じて配合することができる。ここで、エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤及び硬化促進剤を併用する場合があるので、以下においては、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤のそれぞれについて詳細に説明する。
【００３５】
エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を持っているものであれば特に限定されるものではないが、比較的着色の少ないものを用いるのが好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等を挙げることができる。エポキシ樹脂の芳香環に水素が添加されたものも用いることができる。エポキシ樹脂は１種のみを用いたり２種以上を混合して用いたりすることができる。
【００３６】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば特に限定されるものではないが、比較的着色の少ないものを用いるのが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸等の酸無水物や、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂や、液状ポリメルカプタン及びポリサルファイド樹脂等のポリメルカプタン系硬化剤等を挙げることができる。この他にアミン系硬化剤も挙げることができるが、硬化時の変色が大きいため使用する際には添加量等に注意する必要がある。硬化剤は１種のみを用いたり２種以上を混合して用いたりすることができる。
【００３７】
エポキシ樹脂と硬化剤の当量比は、色目や硬化物の物性の点から、エポキシ樹脂／硬化剤（当量比）＝０．８〜２であることが好ましい。
【００３８】
エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があるものであれば特に限定されるものではないが、比較的着色の少ないものを用いるのが好ましい。このような硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルフォスフィン及びジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化促進剤や、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、トリエタノールアミン及びベンジルジメチルアミン等の３級アミン系硬化促進剤や、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート及びテトラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機塩類や、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類等を挙げることができる。硬化促進剤は１種のみを用いたり２種以上を混合して用いたりすることができる。硬化促進剤の含有量は樹脂組成物全量に対して０．０５〜５質量％であることが好ましい。含有量が０．０５質量％より少ないと、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用が不十分であり、成形サイクルが悪化するおそれがある。逆に、含有量が５質量％より多いと、ゲル化時間が短くなりすぎるため、ボイドや未充填等の成形性の悪化を引き起こすおそれがある。
【００３９】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、樹脂成分と無機化合物を混練混合することによって、製造することができる。例えば、シリコーン樹脂、無機化合物、シラン化合物、その他の成分をディスパー等で均一に溶解混合することによって、光半導体封止用シリコーン樹脂組成物を製造することができる。また、ポリカーボネート樹脂、無機化合物、シラン化合物、その他の成分をディスパー等で均一に溶解混合することによって、光半導体封止用ポリカーボネート樹脂組成物を製造することができる。さらに、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機化合物、シラン化合物、その他の成分をミキサーやブレンダーで均一に溶解混合し、又はミキサーやブレンダー等で均一に溶解混合した後に３本ロール等で溶融混練し、さらにこれを冷却・固化した後に粉砕し、必要であればタブレット状に打錠することによって、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。エポキシ樹脂の性状が室温で液状である場合には、上記の溶解混合又は溶融混練によって、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。なお、無機化合物の含有量は光半導体封止用樹脂組成物全量に対して０．５〜９０質量％であることが好ましい。
【００４０】
特に、エポキシ樹脂のように硬化促進剤を併用する場合には、次のようにして光半導体封止用樹脂組成物を製造するのが好ましい。まず、あらかじめ平均粒径を調整しておいた無機化合物を有機溶媒中に添加し、これをディスパーで撹拌して無機化合物を均一に分散させることによって、無機化合物の分散液を調製する。このとき有機溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール等を用いることができ、これらの混合溶媒（組み合わせは任意である）も用いることができる。分散液中に異物や無機化合物の２次凝集物が存在する場合には、遠心分離装置等を用いてこれらを除去するのが好ましい。次に、上記の分散液をディスパーで撹拌しながら、この分散液にシラン化合物を加えて混合し、さらに硬化促進剤を除く樹脂成分の一部又は全部を加えて混合することによって、有機溶媒中に樹脂成分が溶解した混合液を調製する。このとき硬化促進剤を除いているのは、硬化反応が促進されないようにして、不均一な混合液を得ないようにするためである。また、混合液の調製時においては超音波分散機（例えば、超音波ミキサーや超音波ディスパー等の微細混合装置など）を用いるのが好ましい。これにより、無機化合物の２次凝集を防止して高分散化を図ることができる上に、無機化合物の表面にシラン化合物を均一にコーティングすることができるからである。次に、コンデンサー付きエバポレーター等を用いて上記の混合液から有機溶媒を除去した後、硬化促進剤を含む樹脂成分の残りを加えることによって、光半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。
【００４１】
上記のように光半導体封止用樹脂組成物の製造工程において超音波分散機を用いると、無機化合物が均一に分散して２次凝集が防止され、これにより、最終的に得られる成形品の耐温度サイクル性及び耐リフロー性をさらに高めることができるものである。
【００４２】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物にあっては、光半導体素子が扱う光の波長に比べて微細な無機化合物を含有しているので、従来のように樹脂の屈折率と等しい屈折率を有する無機化合物を選択して使用する必要がなく、幅広い温度範囲（具体的には、例えば、−５０〜１５０℃）で透明性を高く得ることができるものである。また、このように透明性を確保しつつ無機化合物を配合するようにしているので、従来のように樹脂のみから構成される組成物に比べて低線膨張率化を図ることができ、耐温度サイクル性及び耐リフロー性をも高く得ることができるものである。
【００４３】
上記の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止成形することによって、成形品として光半導体装置を製造することができる。例えば、光半導体封止用シリコーン樹脂組成物を用いる場合は、キャスティング、ポッティング、印刷等の方式で注型、硬化させることによって、光半導体装置を製造することができる。また、光半導体封止用ポリカーボネート樹脂組成物を用いる場合も同様に、キャスティング、ポッティング、印刷等の方式で注型、硬化させることによって、光半導体装置を製造することができる。さらに、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いる場合も同様に、キャスティング、ポッティング、印刷等の方式で注型、硬化させることによって、光半導体装置を製造することができる。特に、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物をタブレット状に打錠してあれば、このタブレットを用いてトランスファー成形することによって、光半導体装置を製造することもできる。
【００４４】
そして、本発明に係る光半導体装置にあっては、幅広い温度範囲で優れた透明性、耐温度サイクル性及び耐リフロー性を得ることができるものである。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４６】
波長３５０〜１０００ｎｍの可視光線を扱う光半導体素子を封止するための樹脂組成物を次のようにして製造した。
【００４７】
（実施例１）
表１に示す配合量（質量部を示す。以下同じ。）で、シリコーン樹脂及び試作品「シリカＡ」（平均粒径１００ｎｍ）を配合し、これを３本ロールにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。なお、上記試作品「シリカＡ」は、アドマファイン製シリカ「ＳＯ−２５Ｒ」（平均粒径０．６μｍ＝６００ｎｍ）をジェットミル粉砕機にて平均粒径が１００ｎｍになるまで微粉砕化を繰り返し行うことによって、得られたものである。
【００４８】
（実施例２）
表１に示す配合量で、ポリカーボネート樹脂及び無機化合物を配合し、これを３本ロールにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。
【００４９】
（実施例３）
表１に示す配合量で、３種のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機化合物を配合し、これをニーダーにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。
【００５０】
（実施例４）
表１に示す配合量で、３種のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び表面がシラン化合物でコーティングされた無機化合物を配合し、これをニーダーにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。
【００５１】
（実施例５）
有機溶媒であるメチルエチルケトン中に無機化合物を分散させ、ディスパーにて撹拌しながらこの分散液にシラン化合物を加えて混合し、さらに硬化促進剤を除く樹脂成分の一部を加えて混合した。次に、コンデンサー付きエバポレーターを用いて、上記混合液から有機溶媒を除去した後、硬化促進剤を含む樹脂成分の残りを加え、これをニーダーにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した（請求項６）。各成分の配合量は表１に示す通りである。
【００５２】
（実施例６及び７）
有機溶媒であるメチルエチルケトン中に無機化合物を分散させ、ディスパーにて撹拌しながらこの分散液にシラン化合物を加えて混合し、さらに硬化促進剤を除く樹脂成分の一部を加えて混合した。このとき混合容器を超音波分散機中にセットし、均一に混合分散することにより、さらなる高分散化を図った。次に、コンデンサー付きエバポレーターを用いて、上記混合液から有機溶媒を除去した後、硬化促進剤を含む樹脂成分の残りを加え、これをニーダーにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した（請求項７）。
【００５３】
（実施例８）
表１に示す配合量で、シリコーン樹脂及び日本アエロジル（株）製「酸化アルミニウムＣ」（平均粒径１３ｎｍ）を配合し、これを３本ロールにて混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。
【００５４】
（比較例１及び２）
比較例１及び２においては、表２のように無機化合物を用いず、それぞれシリコーン樹脂及びポリカーボネート樹脂をそのまま用いた。
【００５５】
（比較例３〜６）
比較例３〜６においては、表２に示す配合量で各成分を配合し、これをニーダーで混練混合することによって、樹脂組成物を製造した。
【００５６】
そして、上記のようにして得た実施例１〜８及び比較例１〜６の樹脂組成物の性能を次のようにして評価した。
【００５７】
（テストピースの作製）
実施例１、２、８及び比較例１、２については、型枠内に樹脂組成物を流し込み、これを硬化させることによって、テストピース（成形体）を作製した。このテストピースの大きさはφ５０ｍｍ×１ｍｍ厚みである。硬化条件は、前硬化が９０℃で２時間、後硬化が１５０℃で２時間である。
【００５８】
一方、実施例３〜７及び比較例３〜６については、樹脂組成物のタブレットを用いてトランスファー成形を行うことによって、テストピース（成形体）を作製した。このテストピースの大きさもφ５０ｍｍ×１ｍｍ厚みである。トランスファー成形時において金型温度は１５０℃、キュアー時間は１５０秒であり、１５０℃で２時間ポストキュアーをした。
【００５９】
（成形体の外観）
上記のようにして得たテストピースを目視にて観察した。結果を表１及び表２に示す。
【００６０】
（光透過率）
（株）島津製作所製の積分球付き分光光度計を使用し、上記のようにして得たテストピースについて波長３５０〜１０００ｎｍの可視光線の透過率を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【００６１】
（温度サイクル試験）
上記のようにして得た樹脂組成物を用いて、ＣＯＢタイプのＰＫＧ（５ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍ厚み）を２０個作製した。これらのＰＫＧをヒートサイクル試験機にセットし、−４０℃（さらし時間３０分）⇔常温（さらし時間５分）⇔１００℃（さらし時間３０分）を１サイクルとして、これを１０００サイクル繰り返し行った。そして、ヒートサイクル試験機からＰＫＧを取り出し、電気的な接続不良率を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【００６２】
（耐リフロー性試験）
上記のようにして得た樹脂組成物を用いて、ＣＯＢタイプのＰＫＧ（５ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍ厚み）を２０個作製した。これらのＰＫＧを乾燥（１２５℃／１６時間）させた後にドライボックス内で常温まで冷却した。次に、前処理として高温高湿機に３０℃／７０％ＲＨ／１６８時間の条件で、上記のＰＫＧを吸湿処理した後に、２４５℃ピークのＩＲリフロー炉に投入した。そして、ＩＲリフロー炉からＰＫＧを取り出し、電気的な接続不良率を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【００６３】
【表１】
2005048050.tif 000002
【００６４】
【表２】
2005048050.tif 000003
【００６５】
表１及び表２にみられるように、実施例１〜８はいずれも、透明性、耐温度サイクル性、耐リフロー性のすべてをバランス良く確保できることが確認される。
【００６６】
これに対して、比較例１〜３は、耐温度サイクル性及び耐リフロー性が不良であり、また、比較例４〜６は、透明性が不良であることから、比較例１〜６はいずれも、透明性、耐温度サイクル性、耐リフロー性のすべてをバランス良く確保できないことが確認される。