(57)【要約】【課題】不揮発性メモリを有する電子装置において、不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリが低下した場合に、フラッシュメモリのデータ破壊を防止する。【解決手段】フラッシュメモリ１００にデータを書き込み中にバッテリ１０が所定電圧以下に低下した場合は、コンデンサ８０、８１の充電電圧によりＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０へ電力供給され、ＣＰＵ９０はこの充電電圧が書き込みを維持できる動作電圧以下になるまでの時間と書き込みが完了するまでの時間とを比較し、書き込みが完了できると判断したときはそのまま書き込みを完了するまで続行する。一方コンデンサ８０、８１の充電電圧では書き込みが完了できないと判断したときは、書き込みを中断し、バッテリ１０が回復したときは、中断したところから書き込みを再開することにより、フラッシュメモリ１００へ書き込まれるデータの破壊を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作電圧を供給するバッテリと、
データを記憶するものであって、前記バッテリから動作電圧が供給されている時に記憶すべきデータが書き込まれる不揮発性メモリと、
バッテリから動作電圧を供給され、書き込まれるデータ量に応じた書き込み完了予定時間を認識し、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みを行う書き込み制御手段と、
前記バッテリの電圧を検知する電源検知手段と、
前記バッテリと前記不揮発性メモリとの間に設けられ、前記バッテリからの動作電圧の供給に対して、導通・遮断を切り替えるスイッチング手段と、
前記電源検知手段が前記バッテリが所定の電圧以下になったことを検知したときに、前記スイッチング手段は遮断状態となり、前記所定の電圧以上のときは、導通状態となるように制御をするスイッチング制御手段と、
前記スイッチング手段が遮断状態となったときに前記不揮発性メモリに前記書き込みを維持できる電力を所定の時間供給する電力供給手段とを備え、
前記書き込み制御手段は、前記不揮発性メモリにデータを書き込み途中で前記スイッチング手段が遮断した場合に、前記データの書き込み完了予定時間が、前記電力供給手段が前記書き込みを維持できる電力を供給する所定時間よりも長ければ前記データの書き込みを途中で中断することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記書き込み制御手段は、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みを中断する際に、前記不揮発性メモリの所定のアドレスに、書き込み中断に関する情報を書き込み、その後前記バッテリの電圧が所定の電圧以上に復活した場合には、前記書き込み中断に関する情報に基づき書き込みを中断したところから書き込みを再開することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記不揮発性メモリはフラッシュメモリであることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一つに記載の電子装置。
【請求項４】
前記電力供給手段は、前記バッテリから供給される電力を前記スイッチング手段を介して蓄え、この蓄えた電力を前記不揮発性メモリに、前記蓄えた電力に応じた時間供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子装置。
【請求項５】
前記電力供給手段は、コンデンサであることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データを書き込み可能な不揮発性メモリを備える電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば車両用電子機器において、車両搭載状態でＬＡＮを経由して最新のソフトウェアをフラッシュメモリなどの不揮発性メモリに書き込み、アップデートできるようになっている。しかし、もし不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリ電圧が低下またはその電子機器のスイッチをオフにした場合には、この不揮発性メモリにデータを書き込みするための動作電圧が保持できなくなり、書き込みが正常にできなくなるという問題がある。特許文献１に記載の発明では、コンデンサを採用することによってバッテリから供給される電力を蓄えておき、もし不揮発性メモリにデータを書き込み中に、アクセサリスイッチがオフした場合には、そのコンデンサに蓄えた電力を一定期間不揮発性メモリに供給することにより、データの書き込みの中断を回避している。
【特許文献１】特開２００３−２４１８６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記特許文献１に記載の発明は、コンデンサに蓄えた電力によって、不揮発性メモリへの書き込みを完了することを想定しており、例えば、もし書き込むべきデータ量が多く、コンデンサの電力だけでは最後まで書き込むことができない場合には、依然書き込みが正常にできなくなるということが起こる。
【０００４】
本発明は、上記の問題点に鑑み、不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリ電圧が低下した場合であっても、書き込むべきデータ量にかかわらず書き込みを正常に行って、これによりデータの破壊が防止できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の電子装置は、動作電圧を供給するバッテリと、データを記憶するものであって、バッテリから動作電圧が供給されている時に記憶すべきデータが書き込まれる不揮発性メモリと、バッテリから動作電圧を供給され、書き込まれるデータ量に応じた書き込み完了予定時間を認識し、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みを行う書き込み制御手段と、バッテリの電圧を検知する電源検知手段と、バッテリと不揮発性メモリとの間に設けられ、バッテリからの動作電圧の供給に対して、導通・遮断を切り替えるスイッチング手段と、電源検知手段がバッテリが所定の電圧以下になったことを検知したときに、スイッチング手段は遮断状態となり、所定の電圧以上のときは、導通状態となるように制御をするスイッチング制御手段と、スイッチング手段が遮断状態となったときに不揮発性メモリに書き込みを維持できる電力を所定の時間供給する電力供給手段とを備え、書き込み制御手段は、不揮発性メモリにデータを書き込み途中でスイッチング手段が遮断した場合に、データの書き込み完了予定時間が、電力供給手段が書き込みを維持できる電力を供給する所定時間よりも長ければデータの書き込みを途中で中断することを特徴とする。
【０００６】
このように、請求項１に記載の電子装置は、不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリの電圧が所定の電圧以下になったときは、それを検知し、別の電力供給源により所定時間不揮発性メモリに電力を供給することにより、その動作電圧を確保し書き込みの異常終了を回避する。そして、その電力供給源からの電力によって、これから書き込まれる残りのデータ量に対して、書き込みが最後まで完了できるようであれば、そのまま書き込みを続行させ、最後まで完了させる。一方、その電力供給源によっても、当該書き込みが最後まで完了できないようであれば、途中で書き込みを中断し、書き込みの異常終了によるデータの破壊を回避する。
【０００７】
請求項２に記載の電子装置は、書き込み制御手段は、不揮発性メモリへのデータの書き込みを中断する際に、不揮発性メモリの所定のアドレスに、書き込み中断に関する情報を書き込み、その後バッテリの電圧が所定の電圧以上に復活した場合には、書き込み中断に関する情報に基づき書き込みを中断したところから書き込みを再開することを特徴とする。
【０００８】
このように、請求項１に記載の電子装置において、書き込みを一時中断するときに書き込み中断に関する情報（例えば、書き込みが完了した不揮発性メモリのアドレス等）を記憶しておくことにより、その後書き込みを再開するときには、その情報を読み込むことにより、書き込みを中断したところから再開することができる。
【０００９】
請求項３に記載の電子装置は、不揮発性メモリはフラッシュメモリであることを特徴とする。
【００１０】
このように、不揮発性メモリとしてフラッシュメモリを使うことによって、データを電気的に書き込み、消去が可能で、データ保持に電源が不要となるため、機器の小型化・軽量化・省電力化に貢献できる。
【００１１】
また、請求項４に記載の電子装置は、電力供給手段は、バッテリから供給される電力をスイッチング手段を介して蓄え、この蓄えた電力を不揮発性メモリに、蓄えた電力に応じた時間供給することを特徴とする。
【００１２】
これにより、バッテリとは別にバックアップ用電源装置を用意する必要がないので、機器を小型に構成することができる。
【００１３】
請求項５に記載の電子装置のように、電力を蓄える手段としてコンデンサを使ってもよい。これにより、電力供給手段として簡単な構成で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、電子装置として車両に搭載される車両用電子装置を例に挙げて説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施形態における車両用電子装置２００の概略構成を示したブロック図である。同図に示すように、当該車両用電子装置２００は、バッテリ１０、スイッチ２０、抵抗素子３０、３１、保護回路３２、Ａ／Ｄ変換器４０、電源制御ＣＰＵ５０、半導体スイッチ６０、電源回路７０、コンデンサ８０、８１、ＣＰＵ９０、ＲＡＭ１１０、フラッシュメモリ１００から構成される。
【００１６】
バッテリ１０は、車両用電子装置２００を動作させるための電力供給源である。例えば車両用電子装置２００がナビゲーション装置の場合、このバッテリ１０により装置内に電力が供給され、車両の現在位置を検出し画面に表示することができる。一般的に車両用電子装置では、車両に搭載の出力電圧１２Ｖの鉛蓄電池から電力を供給され作動している。なお、本発明では発明の構成要件としてバッテリ１０を含み込ませているが、前述のように、電力を供給できるものであれば、外部のバッテリを使ってもよい。
【００１７】
スイッチ２０は、バッテリ１０の電力を車両用電子装置２００に供給し又は遮断するために設けられている。スイッチ２０をＯＮすることにより、車両用電子装置２００はバッテリ１０からの電力の供給を受けて、所定の動作をすることができる。なお、スイッチ２０としては、エンジン始動に伴って自動的にスイッチ２０がＯＮにされるものや、リモコン操作によるスイッチＯＮ、ＯＦＦの切り替えや、直接ユーザーが操作することによるスイッチ等がある。
【００１８】
ＣＰＵ９０は、バッテリ１０から所定の動作電圧を受けて車両用電子装置２００の種種の動作に関する制御処理を実行する。本発明では、特にフラッシュメモリ１００やＲＡＭ１１０に記憶されているデータの読み出しや書き込みを行い又は書き込みを中断させる書込み制御部としての役割を担っている。なお、本実施形態における当該書き込まれるデータとしては車両電子装置のバージョンアップ用の実行プログラムなどがあり、そのデータは車両電子装置の外部に備え付けられた書き込み装置３００から読み込まれ、フラッシュメモリ１００へ記憶する。この、書き込み装置３００としては、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ駆動装置など書き込まれるデータの供給源に対応する装置が考えられる。
【００１９】
フラッシュメモリ１００は、不揮発性メモリの一種であり、電子装置の制御プログラムなどのデータを記憶することができる素子である。他に不揮発性メモリとしては、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）がある。このフラッシュメモリ１００は、データの書き込みを行うときは、書き込みを維持するための動作電圧を外部から供給されることが必要であり、一旦書き込まれたデータは、電力供給がなくてもデータの保持ができる。本実施形態では、フラッシュメモリ１００には、フラッシュメモリ１００にデータの書き込みを制御する制御プログラムと、書き込み以外の車両用電子装置２００の動作を制御するその他制御プログラム及び制御プログラム以外のデータ（例えば、ナビゲーション装置の場合は、現在位置のデータや目的地への経路データ等）が記憶されている（図２）。
【００２０】
一方、ＲＡＭ１１０は揮発性メモリの一種で、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などがある。ＲＡＭ１１０もフラッシュメモリ１００と同様にデータを記憶することができるが、一般的に不揮発性メモリよりも高い集積度と記憶速度が可能である。また、記憶されたデータの保持に所定の動作電圧を確保する必要があるため、もし電子装置２００のバッテリ１０の電圧が低下又はスイッチ２０がＯＦＦした場合には、記憶されていたデータは消去してしまう。そのため、ＲＡＭ１１０にはＣＰＵ９０の制御処理に伴うデータが一時的に保存される。なお、本実施形態では、フラッシュメモリ１００にデータを書き込む際には、ＣＰＵ９０はフラッシュメモリ１００に記憶されている書き込み制御プログラムを読出し、そのプログラムをＲＡＭ１１０に転送し書き込みを行わせる。
【００２１】
電源回路７０は、バッテリ１０から供給される電力を、ＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０に対してそれぞれが動作可能な電圧に変換して出力する。一般的に、車両用電子機器は、車両に搭載の直流１２Ｖバッテリから電力を供給されるが、その電子機器のＣＰＵ等が動作するための動作電圧はそのバッテリ電圧よりも低い所定の値（例えば５Ｖ）になっており、通常バッテリ電圧とＣＰＵ等の動作電圧は異なっている。したがって、本実施形態においてもバッテリ１０から供給される動作電圧を電源回路７０で変換（ＤＣ−ＤＣ変換）している。
【００２２】
コンデンサ８０、８１は、バッテリ１０から供給される電力を蓄えることができ、もしバッテリ１０の電圧が低下した場合には代わりにＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０に対してその蓄えた電力を所定時間供給する。これにより、もしフラッシュメモリ１００にデータを書き込み中にバッテリ１０の電圧が低下した場合には、その書き込みを異常終了させることがなく、所定時間は書き込みを続行することが可能となる。
【００２３】
なお、前述の所定時間は、コンデンサ８０、８１の充電電圧とコンデンサ８０、８１とＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０の各消費電力などによって決定される。したがって、コンデンサ８０，８１の充電電圧によりフラッシュメモリ１００にデータの書き込みを行うときは、あらかじめ、どの程度の時間その書き込みが続行可能かを予測することができるのである。
【００２４】
なお、コンデンサ８０とコンデンサ８１は、前述の役割を果たすという意味においてはどちらも同じであるが、この二つのコンデンサを設けることにより、一つのみのときよりもより多くの電力を蓄えることができ、ＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０に長く電力を供給することができる。ただし、本実施形態のようにコンデンサを２つ設けなくても、１つのみでも良い。
【００２５】
電源制御ＣＰＵ５０は、バッテリ１０の電圧値に応じて半導体スイッチ６０をＯＮ、ＯＦＦさせ、またその情報をＣＰＵ９０に知らせる。これにより、バッテリ１０の電圧値が所定の値以下になった場合には半導体スイッチ６０をＯＦＦ（遮断状態）し、バッテリの異常によるフラッシュメモリ１００に記憶されているデータの破壊を防いでいる。また、その一方でＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０への電力供給源をコンデンサ８０、８１に切り替えることができる。その後バッテリ１０が所定の電圧に回復した場合には電源制御ＣＰＵはそれを検知して半導体スイッチ６０をＯＮ（導通状態）する。
【００２６】
なお、半導体スイッチ６０は、バッテリ１０とＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０との間でスイッチングを行うものであれば、機械式リレーを用いてもよい。また、半導体スイッチ６０としては、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などがある。
【００２７】
以下、電源制御ＣＰＵ５０がバッテリ電圧値を認識する手段を説明する。
【００２８】
バッテリ１０の電圧は、抵抗素子３０、３１によって所定の電圧に分圧され、その分圧電圧はＡ／Ｄ変換器４０でアナログ値からデジタル値に変換される。そして、そのデジタル信号を電源制御ＣＰＵ５０が受け取って、その信号に基づいて半導体スイッチ６０のＯＮ、ＯＦＦを決定する。なお、保護回路３２は、もしバッテリ１０の電圧が異常に上昇した場合に、その異常電圧によるＡ／Ｄ変換器の破壊を防ぐために、例えばその入力電圧を所定の上限電圧以下に制限するものである。
【００２９】
以下、本実施形態において、フラッシュメモリ１００にデータの書き込み中にバッテリ１０の電圧が低下し、又はスイッチ２０がＯＦＦされた場合に、その書き込み中のデータを保護する手段について図３のフローチャート及び図４に基づいて説明する。
【００３０】
先ず、ステップＳ１０によりバッテリ１０の電圧が所定の電圧以下Ｖ１になったか否かを電源制御ＣＰＵ５０が判定する。なお、バッテリ１０の電圧の認識手段については前述のとおりである。ここで、バッテリ１０の電圧が所定電圧Ｖ１以下になっていない（否定判定）と判定した場合には、バッテリ１０は正常であると判断し、特別にデータの保護の処理は行わない。
【００３１】
一方、所定の電圧以下Ｖ１になったと判定（肯定判定）した場合には、バッテリ１０の電圧が低下、又は車両用電子装置２００のスイッチ２０がＯＦＦされたと判断し、ステップＳ２０へ処理を進める（図４（１））。
【００３２】
ステップＳ２０では、電源制御ＣＰＵ５０の指示に基づいて半導体スイッチ６０をＯＦＦ（遮断）する処理を行い、次のステップＳ３０へ処理を進める（図４（２））。これにより、バッテリの異常によるフラッシュメモリ１００に記憶されているデータの破壊を防いでいる。また、半導体スイッチ６０の遮断に伴い、コンデンサ８０、８１に蓄えられている電力は、ＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０に対して放電される（図４（３））。
【００３３】
なお、半導体スイッチ６０は電源制御ＣＰＵ５０からローレベル信号を受け取るとＯＦＦ（遮断状態）し、ハイレベル信号を受け取るとＯＮ（導通状態）するようなバイポーラトランジスタや電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）などが使われる。
【００３４】
ステップＳ３０では、ＣＰＵ９０は、フラッシュメモリ１００にデータを書き込み中であるか否かを判定する。ここで、書き込み中ではないと判定（否定判定）される場合は、特別に処理を行わない。
【００３５】
一方、書き込み中であると判定（肯定判定）される場合には、ステップＳ４０へ処理を進める。
【００３６】
ステップＳ４０では、ＣＰＵ９０は、コンデンサ８０、８１からの電力供給によって書き込み中のデータが最後まで書き込み完了できるか否かを判定する。つまり、図４（４）の書き込み完了予定時間Ｔ２が、コンデンサ８０、８１の充電電圧が書き込みを維持できる最低電圧Ｖｍｉｎに放電されるまでの時間Ｔ１（以下、放電時間Ｔ１と言う）との大小を比較する。ここで、コンデンサ８０、８１の充電電圧が書き込みを維持できる最低電圧Ｖｍｉｎは、フラッシュメモリ１００の動作電圧、ＣＰＵ９０の動作電圧及びＲＡＭ１１０の動作電圧から決定される。なお、上述したようにコンデンサ８０、８１の充電電圧が書き込みを維持できる最低電圧に放電されるまでの時間Ｔ１は、コンデンサ８０、８１の充電電圧及びコンデンサ８０、８１とＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０の各消費電力などによって決定され、また書き込み完了予定時間Ｔ２は書き込まれるデータ量と書き込み速度などからあらかじめＣＰＵ９０は認識している。なお、書き込み完了予定時間Ｔ２は、書き込むべきデータ量等に基づいてＣＰＵ９０において算出する他、書き込み装置３００が書き込むべきデータとともにＣＰＵ９０に与えても良い。
【００３７】
ここで、図４（４ｂ）のように書き込み完了予定時間Ｔ２が放電時間Ｔ１よりも短い場合（ステップＳ４０否定判定）は、そのまま書き込み処理を続行し最後まで書き込みを完了させる（図３  ステップＳ７０、Ｓ８０）。
【００３８】
一方、図４（４ａ）のように書き込み完了予定時間Ｔ２が放電時間Ｔ１よりも長い場合（ステップＳ４０肯定判定）、書き込み処理を中断するために、ステップＳ５０の処理に進む。
【００３９】
ステップＳ５０では、書き込みを中断するに当たり、この中断に関する情報（中断フラグ）をフラッシュメモリ１００の所定の番地に書き込む。その後書き込み処理を中断する（ステップＳ６０）。この書き込みを中断する時期は、コンデンサ８０，８１の充電電圧が書き込みを維持できる最低電圧Ｖｍｉｎ以下になる前に中断すればよい。なおこの中断フラグには、書き込み済みアドレスが付加されている。これにより、バッテリ１０が回復したときは、この中断フラグの有無をチェックし、中断フラグが書き込まれていたときは中断フラグに付加されているアドレスの次のアドレスから書き込みを再開することができる。
【００４０】
以下、バッテリ１０が回復した場合に中断されていた書き込みを再開する処理について図５のフローチャートを用いて説明する。
【００４１】
ステップＳ９０では、電源制御ＣＰＵ５０がバッテリ１０の電圧が所定電圧Ｖ１以上のなったか否かを判定する。判定処理については、前述の図３ステップＳ１０の処理と同じである。
【００４２】
ここで、バッテリ１０の電圧がＶ１以上ではないと判定（否定判定）された場合には、バッテリ１０は未だ回復していないと判断し待機状態となる。
【００４３】
一方、電源制御ＣＰＵ５０がバッテリ１０の電圧が所定電圧Ｖ１以上になったと判定（肯定判定）した場合は、バッテリ１０が回復したと判断し、次のステップ（ステップＳ１００）に処理を進める。
【００４４】
ステップＳ１００では、電源制御ＣＰＵ５０の指示に基づいて半導体スイッチ６０をＯＮ（導通）する処理を行い、次のステップＳ１１０へ処理を進める。これにより、バッテリ１０の電力をＣＰＵ９０、フラッシュメモリ１００及びＲＡＭ１１０に供給が再開される。
【００４５】
ステップＳ１１０では、フラッシュメモリ１００の所定の番地に中断フラグが書き込まれているか否かを判定する。ここで、中断フラグが書き込まれていないと判定（否定判定）される場合は、以前に書き込みの中断はなかったと判断する。
【００４６】
一方、中断フラグが書き込まれていると判定（肯定判定）される場合は、以前に書き込みの中断があったと判断し、書き込みの再開を行うために以降のステップ（ステップＳ１２０、Ｓ１３０）に処理を進める。
【００４７】
ステップＳ１２０では、書き込み装置３００に対し書き込み要求を送信することによって書き込み装置３００からのデータ送信を開始させ、ステップＳ１１０でチェックした中断フラグに付加されている書き込み済みアドレスの次のアドレスから書き込みを再開する。そして、すべてのデータがフラッシュメモリ１００に書き込まれるまで書き込み処理を続ける（ステップＳ１３０）。
【００４８】
以上のように、本実施形態では、例えば、車両用電子装置２００のバージョンアップ又は工場内での実装工程によりフラッシュメモリ１００に制御プログラムなどのデータを書き込み中にバッテリ１０の電圧が所定電圧以下に低下した場合、書き込みを維持できる最低電圧Ｖｍｉｎ以下に低下する時間Ｔ１と書き込みが完了するまでの時間Ｔ２とを比較し、このまま書き込み完了できると判断したときはそのまま続行し、書き込みが完了できないと判断したときは一時中断させて、フラッシュメモリ１００のデータの破壊を防ぐことができる。また、その後バッテリ１０が回復したときは、書き込みを中断したところから書き込みを再開することも可能である。なお、コンデンサ８０、８１が満充電する前にバッテリ１０の電圧が所定電圧以下に低下した場合は、その時点におけるコンデンサ８０、８１の充電量に対応した放電時間Ｔ１によって、上述の書き込みデータ保護処理を行う。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態に係わる、車両用電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態に係わる、フラッシュメモリ１００のデータ記憶状況を示す図である。
【図３】本実施形態に係わる、フラッシュメモリ１００にデータを書き込み中にバッテリ１０の電圧低下が発生した場合における、書き込みの続行又は中断処理を示すフローチャートである。
【図４】本実施形態に係わる、バッテリ１０、半導体スイッチ６０、コンデンサ８０，８１及びフラッシュメモリ１００への書き込みの各動作を示す図である。
【図５】本実施形態に係わる、書き込み中断後バッテリ１０が回復した場合における、書き込みの再開処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
２００  車両用電子装置
１０    バッテリ
２０    スイッチ
３０    抵抗素子
３１    抵抗素子
３２    保護回路
４０    Ａ／Ｄ変換器
５０    電源制御ＣＰＵ
６０    半導体スイッチ
７０    電源回路
８０    コンデンサ
８１    コンデンサ
９０    ＣＰＵ
１００  フラッシュメモリ
１１０  ＲＡＭ
３００  書き込み装置
【図１】
2005327210.tif 000003
【図２】
2005327210.tif 000004
【図３】
2005327210.tif 000005
【図４】
2005327210.tif 000006
【図５】
2005327210.tif 000007