(57)【要約】【課題】電気信号の高速伝送特性及び基板の機械強度を有し、パターン加工精度に優れた薄膜多層配線板を提供することを目的とする。【解決手段】第１絶縁層からなる内層基板の片面もしくは両面に第２絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されてなる多層配線板において、第１絶縁層１１は、ヤング率が５０００ＭＰａ以上で、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料から、第２絶縁層５１ａは、ヤング率が２５００ＭＰａ以下で、１ＧＨｚにおける誘電率が２．９以下で、誘電正接が０．０１以下で、かつ吸水率が０．３％以下である絶縁材料から構成されており、第２絶縁層５１ａの表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下で、薄膜多層配線板の周辺部の第１絶縁層の側面が前記第２絶縁層からなる樹脂５１で被覆されている薄膜多層配線板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層からなる内層基板の片面もしくは両面に第２絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されてなる多層配線板において、前記第１絶縁層は、ヤング率が５０００ＭＰａ以上で、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料から構成されていることを特徴とする薄膜多層配線板。
【請求項２】
前記第２絶縁層は、ヤング率が２５００ＭＰａ以下で、１ＧＨｚにおける誘電率が２．９以下で、誘電正接が０．０１以下で、かつ吸水率が０．３％以下である絶縁材料から構成されていることを特徴とする薄膜多層配線板。
【請求項３】
前記第２絶縁層の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜多層配線板。
【請求項４】
前記第２絶縁層は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板。
【請求項５】
前記第２絶縁層は４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率が８５％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板周辺部の第１絶縁層の側面が前記第２絶縁層の樹脂で被覆されていることを特徴とする薄膜多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層プリント配線板に関し、特に、高密度実装が可能な層厚が１２μｍ以下の配線層にて形成された薄膜多層配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイル機器をはじめとする携帯電子機器の高性能化は著しく、それに用いられている基板は、高速化、薄型化、高集積化、軽量化の要求を満たすべく様々な工夫が施されている。この様な薄膜多層配線板としては、
（ａ）ビルドアップ型高密度配線板
（ｂ）フィルム積層型高密度配線板
（ｃ）金属板上におけるビルドアップ型高密度配線板等がある。
【０００３】
（ａ）のビルドアップ型高密度配線板では、図８に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１１の両面に配線層１０２及びスルーホール１０１を形成したコア基板１１０上に絶縁層１１２、絶縁層１１３を積層し、配線層、ビアを形成して順次積み上げていくビルドアップ工法による薄膜多層配線板が一般的である。コア基板１１０、絶縁層１１２及び１１３の厚みを可能な限り薄くすることで薄膜化と軽量化を満たし、さらに、絶縁材料を低誘電率材料にすることにより高速化を満たす方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、（ｂ）のフィルム積層型高密度配線板では、図９に示すように、コア基板をより薄い両面銅箔付き樹脂、例えば両面銅箔付きポリイミド基板３１１の両面に配線パターンを形成後、プリプレグ等の接着層３２１を介して片面銅箔付きポリイミド３１２を積層する。その後、配線パターン３３２、ソルダーレジストパターン３５１を形成して、フリップチップパッド３４１及びＢＧＡパッド３４２を形成することにより薄膜多層配線板を作製する方法がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらにまた、（ｃ）の金属板上におけるビルドアップ型高密度配線板では、図１０（ａ）に示すように、金属板４１０上に、電極パッド４２１を形成した後絶縁層４１１、ビア４２２、配線層４２３形成を順次繰り返し、最後に金属板４１０をエッチングで除去することにより図１０（ｂ）に示すような、絶縁層（絶縁基材）４１１の一方の面にＢＧＡパッド４２１、他方の面にビア４２２、配線層４２３、ビア４２４，配線層４２５、ソルダーレジストパターン４４１及びフリップチップパッド４３１が形成された薄膜多層配線板を作製する方法が知られている。
【０００６】
しかしながら、（ａ）のビルドアップ型高密度配線板では、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたコア基板を含む構造となるため、基板全体を低誘電率化することができず、また基板の厚みも薄くすることができず、配線長が長くなるため、導体損失が大きくなり。電気信号の高速伝送において好ましくない。また、絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３の表面はアンカーリング効果によって配線層の密着性を確保するために数μｍのオーダーの表面粗さを有しており、この絶縁層の表面粗さは、エッチングによってパターン加工する場合、配線加工精度（特に直線性）に影響を及ぼすと同時に、高周波領域での電気信号の伝送特性が劣化するという問題を有している。
【０００７】
（ｂ）のフィルム積層型高密度配線板では、エポキシより低誘電率であるポリイミド等を使用できるが接着層を有するため、この部分及び両面銅箔付き樹脂自体の吸水率が高く、環境変動に伴い絶縁材料の電気特性が変動したり、信頼性が低下する問題がある、また第２絶縁層３１２を形成した後、ＣＣＤカメラにて内層基板の配線層の形状検査を行う場合４００ｎｍから７００ｎｍにおけるポリイミド絶縁層の光透過率が低いため、内層基板の配線層の良好なコントラストが得られず、ＣＣＤカメラを使用した内層基板の配線層の形状検査の所定の検査精度が得られないという問題がある。
【０００８】
（ｃ）の金属板上におけるビルドアップ型高密度配線板では、低吸水率で低誘電率を有する絶縁材料、例えばベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を使用できるが、（ａ）と同様に配線層と密着性を得るため、絶縁層表面を荒らしており、配線加工精度が劣化するという問題がある。また、そのような材料はポリイミドと比較して機械強度が著しく劣るため基板にクラックが発生しやすい問題がある。
【特許文献１】特許第３０５０８０７号公報
【特許文献２】特開２００２−３１９７６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、電気信号の高速伝送特性及び基板の機械強度を有し、パターン加工精度に優れた薄膜多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、第１絶縁層からなる内層基板の片面もしくは両面に第２絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されてなる多層配線板において、前記第１絶縁層は、ヤング率が５０００ＭＰａ以上で、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料から構成されていることを特徴とする薄膜多層配線板としたものである。
【００１１】
また、請求項２においては、前記第２絶縁層は、ヤング率が２５００ＭＰａ以下で、１ＧＨｚにおける誘電率が２．９以下で、誘電正接が０．０１以下で、かつ吸水率が０．３％以下である絶縁材料から構成されていることを特徴とする薄膜多層配線板としたものである。
【００１２】
また、請求項３においては、前記第２絶縁層の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜多層配線板としたものである。
【００１３】
また、請求項４においては、前記第２絶縁層は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板としたものである。
【００１４】
また、請求項５においては、前記第２絶縁層は４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率が８５％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板としたものである。
【００１５】
さらにまた、請求項６においては、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜多層配線板の周辺部の第１絶縁層の側面が前記第２絶縁層からなる樹脂で被覆されていることを特徴とする薄膜多層配線板としたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１絶縁層１１としてヤング率が５０００ＭＰａ以上、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料を使用し、第１絶縁層（内層基板）を低誘電率、低誘電正接、低吸水率の絶縁材料からなる第２絶縁層の樹脂にて包み込む構造を取ることにより、薄膜多層基板の機械的強度を確保し、環境変動に伴う電気特性の変動を少なくでき、高信頼性の薄膜多層基板を得ることができる。
【００１７】
また、第２絶縁層を平滑化することにより、パターン加工精度を向上させると共に電気信号の高速伝送特性を向上させている。
【００１８】
さらにまた、第２絶縁層の４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率を８５％以上とすることにより、ＣＣＤカメラを使用した第２絶縁層を介しての内層基板の配線層の形状検査を可能にし、形状検査精度を向上させている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
【００２０】
本発明の薄膜多層配線板の一実施例を図１に示す。本発明の薄膜多層配線板１００は、第１絶縁層１１からなる内層基板の両面に配線層２４及び配線層２１ａ、第２絶縁層５１ａ、配線層２６ａ及び配線層２６ｂ、ソルダーレジスト６１、フリップチップパッド２８及びＢＧＡパッド２９が順次形成されており、配線層２４と配線層２１ａとはフィルドビア２３にて、配線層２４と配線層２６ａとはフィルドビア２７にて、配線層２１ａと配線層２６ｂとはビア２７にて電気的に接続された構造となっており、薄膜多層配線板の周辺部側面は第２絶縁層５１ａの樹脂５１で被覆されている。
【００２１】
請求項１に係る発明では、内層基板すなわち第１絶縁層１１としてヤング率が５０００ＭＰａ以上、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料を使用したもので、このような高靭性材料を使用することで薄膜多層基板の機械的強度を確保できるようにしている。
【００２２】
請求項２に係る発明では、第２絶縁層５１ａとしてヤング率が２５００ＭＰａ以上、誘電率が１ＧＨｚにおいて２．９以下、誘電正接が０．０１以下、かつ吸水率が０．３％以下の絶縁材料を用いた構成になっている。ここで、吸水率はＪＩＳＫ７２０９−２０００規定による吸水率であり、測定条件は１００℃で２４時間乾燥後デシケーターに入れて室温まで冷却後計測する。さらに、２３℃の蒸留水中に２４時間浸漬後試験片を取り出し、水分を拭き取り計測するＡ法で行う。
【００２３】
内層基板すなわち第１絶縁層１１の外側を低誘電率、低誘電正接の絶縁材料を使用することで電気信号の高速伝送特性を向上させている。さらに、低吸水率の絶縁材料とすることにより、第１絶縁層に吸収される水分を抑制し、環境変動に伴う電気特性の変動を抑え、かつ高信頼性の多層基板を得ることができるようにしたものである。
【００２４】
請求項３に係る発明では、第２絶縁層の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上、０．２μｍ以下、より好適には０．０３μｍ以上０．１μｍ以下とすることにより、配線層のエッチング加工精度を向上させると共に電気信号の高速伝送特性を向上させている。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ規格Ｂ０６０１−１９９４規定における算術平均粗さであり、具体的には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）ＮＶ−３０００（オリンパス社製）にて測定したものであり、測定条件は、走査範囲１２０ｍｍ角、走査線数２５６本、走査速度２秒／本である。
【００２５】
第２絶縁層と配線層の密着性は金属配位能を有する化合物を絶縁層表面に導入することにより、実用上必要な６００ｇｆ／ｃｍを確保している。また、Ｒａが０．２μｍ以上になると配線層のエッチング加工精度（直線性）及び電気信号の高速伝送特性が低下するので好ましくない。
【００２６】
請求項４に係る発明では、第２絶縁層として熱硬化性樹脂を使用しているため、第１絶縁層へ直接積層することができ、第１絶縁層と第２絶縁層の層間に吸水率の高い接着層を使用する必要がなく、高信頼性の薄膜多層配線板を得ることができる。
【００２７】
請求項５に係る発明では、第２絶縁層の４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率を８５％以上とすることにより、ＣＣＤカメラを使用した第２絶縁層を介しての配線層の形状検査が可能となり、検査機の良否判定精度を向上させている。
【００２８】
請求項６に係る発明では、薄膜多層配線板周辺部の第１絶縁層の側面部を第２絶縁層からなる樹脂で被覆することにより、薄膜多層配線板の第１絶縁層１１側面からの吸湿を防ぐことができ、環境変動に伴う電気特性の変動を少なくでき、高信頼性の薄膜多層基板を得ることができる。
【００２９】
薄膜多層配線板の周辺側面部への第２絶縁層の被覆は、断裁加工された薄膜多層配線板を所定枚数積層して、第２絶縁層の樹脂溶液をディッピング、ローラーコート、真空ラミネート等の方法で行うことができ、第２絶縁層の樹脂で被覆層を形成することができる。
【００３０】
また、図５（ａ）〜（ｅ）に、多面付け法で薄膜多層配線板を作製する際の薄膜多層配線板の周辺側面部への第２絶縁層の被覆層を形成する一例を示す。まず、３面付けの第１絶縁層１１からなる内層基板に配線層、ビア等を形成し（図５（ａ）参照）、次に、面付けユニット基板のパターン領域外の周辺部に開口溝３３を形成する（図５（ｂ）参照）。
【００３１】
次に、基板上に塗布法、転写法、真空ラミネート等の方法でで第２絶縁層５１ａを形成し、開口溝３３にも第２絶縁樹脂を埋め込み、配線層、ビア等を形成し、３面付けの薄膜多層配線板を作製する（図５（ｃ）及び（ｄ）参照）。最後に、３面付けの薄膜多層配線板を断裁加工して、薄膜多層配線板の周辺部の第１絶縁層１１の側面が第２絶縁層の樹脂５１で被覆された薄膜多層配線板を得る。
【００３２】
本発明の薄膜多層配線板の製造方法について説明する。
【００３３】
図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ｆ）〜（ｊ）、図４（ｋ）〜（ｍ）に、本発明の薄膜多層配線板の製造方法の一例を工程順に示す模式構成部分断面図を示す。
【００３４】
まず、ヤング率が５０００ＭＰａ以上で、かつ破断強度が４００ＭＰａ以上の絶縁材料からなる第１絶縁層（絶縁基材）１１の両面に銅箔２１が積層された両面銅張り積層板１０を準備する（図２（ａ）参照）。
【００３５】
次に、両面銅張り積層板１０の片面の所定位置にレーザー加工によりビア用孔３１を形成し、ビア用孔３１のデスミア、触媒核付与、無電解銅めっきを行って、めっき下地導体層（特に、図示せず）を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００３６】
次に、電解銅めっきを行って、フィルドビア２３及び所定厚の導体層２２を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００３７】
次に、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００３８】
次に、レジストパターン４１をマスクにして、導体層２２及び銅箔２１をエッチングして、配線層２４及び配線層２１ａを形成した回路基板２０を作製する（図２（ｅ）参照）。
【００３９】
次に、回路基板２０の両面にヤング率が２５００ＭＰａ以下で、１ＧＨｚにおける誘電率が２．９以下で、誘電正接が０．０１以下で、かつ吸水率が０．３％以下である絶縁材料からなる絶縁フィルムシートを真空ラミネートして、所定厚の第２絶縁層５１ａを形成する（図３（ｆ）参照）。
【００４０】
次に、レーザー加工により第２絶縁層５１ａの所定位置にビア用孔３２を形成し（図３（ｇ）参照）、デスミア、触媒核付与、無電解銅めっきを行って、めっき下地導体層２５を形成する（図３（ｈ）参照）。
【００４１】
次に、電解銅めっきを行って、フィルドビア２７及び導体層２６を形成する（図３（ｉ）参照）。
【００４２】
次に、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４２を形成する（図３（ｊ）参照）。
【００４３】
次に、レジストパターン４２をマスクにして、導体層２６及びめっき下地導体層２５をエッチングして、配線層２６ａ及び配線層２６ｂを形成する（図４（ｋ）参照）。
【００４４】
次に、ソルダーレジスト感光溶液をスクリーン印刷等で塗布し、ソルダーレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ソルダーレジストパターン６１を形成してフリップチップパッド２８及びＢＧＡパッド２９を形成し、薄膜多層配線板を得る（図４（ｌ）参照）。
【００４５】
最後に、多面付けの場合は個々に断裁加工した後、薄膜多層配線板を所定枚数積層して、薄膜多層配線板の周辺部側面に第２絶縁層の樹脂からなる被覆層５１を形成して、第１絶縁層１１からなる内層基板の両面に配線層２４及び２１ａ、第２絶縁層５１ａ、配線層２６ａ及び２６ｂ、ソルダーレジスト６１、フリップチップパッド２８及びＢＧＡパッド２９が形成され、配線層２４と配線層２１ａとはフィルドビア２３にて、配線層２４と配線層２６ａとはフィルドビア２７にて、配線層２１ａと配線層２６ｂとはビア２７にて電気的に接続され、薄膜多層配線板の周辺部側面が第２絶縁層５１ａの樹脂で被覆された本発明の薄膜多層配線板１００を得る（図４（ｍ）参照）。
【００４６】
ここでは、断裁加工した後、薄膜多層配線板の周辺部側面に第２絶縁層の樹脂を被覆したが、前述したように、第２絶縁層形成前に第１絶縁層（内層基板）の周辺に開口溝を形成して、第２絶縁層を形成してやれば、最後に断裁加工した時点で本発明の薄膜多層配線板１００を得ることができる。
【実施例１】
【００４７】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００４８】
まず、ヤング率＝９１２１Ｐａ、破断強度＝５２０ＭＰａのポリイミドフィルム（ユピセルＮ  ＢＥ１４２０：宇部興産社製商品名）からなる５０μｍ厚の第１絶縁層（絶縁基材）１１の両面に９μｍ厚の銅箔２１を積層した１００ｍｍ×１００ｍｍサイズの両面銅張り積層板１０を準備した（図２（ａ）参照）。
【００４９】
次に、ＹＡＧレーザー第３高調波からなる紫外線を用いて、両面銅張り積層板１０の所定位置に直径が４０μｍのビア用孔３１を形成した（図２（ｂ）参照）。次いで、過マンガン酸濃度７０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム濃度３０ｇ／ｌになるように調整した７０℃の水溶液に２０分間浸漬し、次いで、基板を水洗したのち、硫酸ヒドロキシルアミン濃度２０ｇ／ｌ、硫酸５０ｇ／ｌになるように調整した４５℃の水溶液に５分間浸漬し、中和還元処理を施した。
【００５０】
次いで、基板をプリディップネオガントＢ（アトテック株式会社製商品名）が２０ｍｌ／ｌ、硫酸濃度１ｍｌ／ｌになるように調整したプリディップ溶液に２５℃、１分間浸漬した後、アクチベーターネオガント８３４コンク（アトテック株式会社製商品名）３０ｍｌ／ｌ、ホウ酸濃度５ｇ／ｌ、水酸化ナトリウムによりＰＨ＝１１．０になるように調整した４０℃のＰｄ触媒溶液に５分間浸漬した。
【００５１】
次いで、基板を水洗した後、リデューサーネオガントＷＡ（アトテック株式会社商品名）５ｍｌ／ｌ、ホウ酸濃度２５ｇ／ｌになるように調整した溶液に３０℃で５分間浸漬し、メッキ触媒を還元した。
【００５２】
こうして得られた基板を金属銅濃度として２．３ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）を２０ｇ／ｌ、ホルマリン濃度１．０ｇ／ｌを基本組成とし、水酸化ナトリウムにてｐＨを１２．０に調整した無電解銅めっき液ＫＣ−５００（ジャパンエナジー株式会社製商品名）からなる無電解銅めっき液を空気攪拌しながら温度６０℃にて１５分間浸漬し、無電解銅めっき処理してめっき下地導体層（特に、図示せず）を形成した。
【００５３】
次に、基板を硫酸銅五水和物濃度２００ｇ／ｌ、硫酸濃度１００ｇ／ｌ、塩素濃度５０ｍｇ／ｌ、添加剤としてキュプロナールＶＦ−Ａ（メルテックス株式会社商品名）１．５ｍｌ／ｌ、キュプロナールＶＦ−Ｂ（メルテックス会社商品名）２０ｍｌ／ｌになるように調整した電解銅めっきを空気撹拌しながら温度２３℃にて電流密度１Ａ／ｄｍ２になるように電気を通電しながら７５分間電気めっき処理を施して厚さ１２μｍの導体層２２及びフィルドビア２３を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００５４】
次に、この基板を水洗、乾燥した後、ドライフィルムレジストＲＹ３２１５（日立化成株式会社製商品名）を熱圧着して貼り付けて感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００５５】
次に、レジストパターン４１をマスクにして、比重＝１．３ｇ／ｃｍ３、遊離塩酸濃度＝０．３％の塩化第２鉄液を用いて温度＝４０℃、圧力＝１．５ｋｇ／ｃｍ２の条件でスプレーエッチングを行い、配線層２４及び配線層２１ａを形成した回路基板２０を得た（図２（ｅ）参照）。次いで、レーザー加工により回路基板２０のパターン領域外の外周部に開口溝３３を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００５６】
一方、硬化性組成物としては、８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エンの開環重合体を水素添加し、さらに無水マレイン酸変性して得られた変性水素化重合体（Ｍｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００、Ｔｇ＝１７０℃、マレイン酸残基含有率＝２５モル％）：１００部、ビスフェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエーテル）エーテル：４０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール：５部及び１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール：０．１部を、キシレン２１５部及びシクロペンタノン５４部からなる混合溶剤に溶解させてワニスを得た。
【００５７】
次いで、当該ワニスを、ダイコーターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムからなるキャリアフィルム１２上に塗工し、その後、窒素オーブン中で、例えば、１２０℃で１０分間乾燥し、厚み４０μｍの第２絶縁樹脂層５１が形成されたキャリア付き絶縁層フィルム３０を得た。次いで、回路基板２０の両面にキャリア付き絶縁層フィルムの第２絶縁樹脂層面が内側となるようにして重ね合わせた（図２（ｅ）参照）。
【００５８】
次に、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータを用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１２５℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着して、回路基板２０上に硬化性組成物膜を形成したのち、キャリアフィルム２０を剥離して、次いで、１−（２−アミノエチル）−２−メチルイミダゾール（ＡＭＺ）が０．３％になるように調整した水溶液に２５℃で１０分間浸漬させたのち、別の水槽に１分間浸漬する処理を３回繰り返して水洗し、次いで、エアーナイフにて余分な溶液を除去したのち、これを１７０℃の窒素オーブン中に６０分間放置し、回路基板２０の両面に３０μｍ厚の第２絶縁層５１ａを形成した（図３（ｆ）参照）。
【００５９】
ここで、開口溝にも第２絶縁層５１ａからなる樹脂５１が充填された。第２絶縁層５１ａのヤング率は２１００ＭＰａ、破断強度は７０ＭＰａ、蒸留水中に２４時間浸漬させた後の吸水率は０．０７％であった。
【００６０】
次に、ＹＡＧレーザ第３高調波（ＴＨＧ）からなる紫外線を用いて、第２絶縁層５１ａの所定位置に直径が４０μｍφのビア用孔を形成した（図３（ｇ）参照）。次いで、過マンガン酸濃度８０ｇ／リットル、水酸化ナトリウム濃度４０ｇ／リットルになるように調整した８０℃の水溶液に５分間浸漬した。この時の絶縁層２の表面粗さＲａは０．１μｍであった。次いで、基板を水槽に１分間浸漬する処理を２回繰り返し、更に別の２５℃の水槽中で超音波を２分間照射することにより、基板を水洗したのち、硫酸ヒドロキシルアミン濃度２０ｇ／リットル、硫酸５０ｇ／リットルになるように調整した４５℃の水溶液に、基板を５分間浸漬し、中和還元処理をした後、６０℃で１０分湯洗をした。次いで、湯洗後の多層基板をプリディップネオガントＢ（アトテック株式会社製商品名）が２０ｍｌ／リットル、硫酸濃度１ｍｌ／リットルになるように調整したプリディップ溶液に２５℃、１分間浸漬した後、アクチベーターネオガント８３４コンク（アトテック株式会社製商品名）３０ｍｌ／リットル、ホウ酸濃度５ｇ／リットル、水酸化ナトリウム濃度によりｐＨ＝１１．０になるように調整した５０℃のＰｄ塩含有めっき触媒溶液に５分間浸漬した。
【００６１】
次いで、上述と同じ方法で基板を水洗した後、リデューサーネオガントＷＡ（アトテック株式会社製商品名）５ｍｌ／リットル、ホウ酸濃度２５ｇ／リットルになるように調整した溶液に３０℃で、５分間、浸漬し、めっき触媒を還元処理した。さらに、金属Ｃｕとして２．３ｇ／リットル、ＥＤＴＡを２０ｇ／リットル、ホルマリン１．０ｇ／リットルを基本組成とし、水酸化ナトリウムにてｐＨを１２．５に調整した無電解銅めっき液ＫＣ−５００（ジャパンエナジー株式会社製商品名）からなる無電解めっき液に空気を吹き込みながら、温度６０℃、１５分間浸漬して無電解めっきを行って、めっき下地導体層２５を形成した（図３（ｈ）参照）。
【００６２】
次いで、上述と同様に水洗し、次に基板を硫酸銅五水和物濃度２００ｇ／ｌ、硫酸濃度濃度１００ｇ／ｌ、塩素濃度５０ｍｇ／ｌ、添加剤としてキュプロナールＶＦ−Ａ（メルテックス株式会社商品名）１．５ｍｌ／ｌ、キュプロナールＶＦ−Ｂ（メルテックス会社商品名）２０ｍｌ／ｌになるように調整した電解銅めっきを空気撹拌しながら温度２３℃にて電流密度１Ａ／ｄｍ２になるように電気を通電しながら７５分間電気めっき処理を施して厚さ１２μｍの導体層２６及びフィルドビア２７を形成した（図３（ｉ）参照）。
【００６３】
次に、水洗、乾燥した後、ドライフィルムレジストＲＹ３２１５（日立化成株式会社製商品名）を熱圧着して貼り付けて感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４２を形成した（図３（ｊ）参照）。
【００６４】
次に、レジストパターン４２をマスクにして、導体層２６を比重＝１．３ｇ／ｃｍ３、遊離塩酸濃度＝０．３％、の塩化第２鉄液を用いて温度＝４０℃、圧力＝１．５ｋｇ／ｃｍ２の条件でエッチングラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が２０μｍの配線層２６ａ及び２６ｂを形成した（図４（ｋ）参照）。
【００６５】
次いで、ＯＰＣディフェンサー（奥野製薬株式会社製商品名）が８ｍｌ／リットルになるよう調整した防錆溶液に２５℃、１分間浸漬し、水洗した後、乾燥し、防錆処理を施し、１７０℃３０分間オーブンにて加熱処理を行った。さらに、ソルダーレジストインク（ＰＳＲ−４０００（商品名）：太陽インキ製）をスクリーン印刷で塗布し、乾燥して、ソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ソルダーレジストパターン６１を形成してフリップチップパッド２８及びＢＧＡパッド２９を形成し、薄膜多層配線板の周辺部の第１絶縁層側面が第２絶縁層５１ａの樹脂５１で被覆された本発明の薄膜多層配線板１００を得た（図４（ｍ）参照）。
【００６６】
上記薄膜多層配線板１００の破断強度は５００ＭＰａと非常に高強度であり、蒸留水中に２４時間浸漬前後の第１絶縁層の誘電率、誘電正接に変化は見られなかった。さらに、ＣＣＤカメラの第２絶縁層を介しての画像取り込みによる配線層形状検査のエラー発生率も５％以下ときわめて良好であった。
【実施例２】
【００６７】
まず、ヤング率＝９１２１Ｐａ、破断強度＝５２０ＭＰａのポリイミドフィルム（ユピセルＮ  ＢＥ１４２０：宇部興産社製商品名）からなる５０μｍ厚の第１絶縁層（絶縁基材）１１の両面に９μｍ厚の銅箔２１を積層した１００ｍｍ×１００ｍｍサイズの両面銅張り積層板１０を準備した（図２（ａ）参照）。
【００６８】
次に、実施例１と同様な材料を用いた処方で、両面銅張り積層板１０の両面に厚さ３２μｍの第２絶縁層５１ａを形成し、ビア用孔形成、導体層形成、パターニング加工を行って、信号線幅７７μｍ、信号線長５０ｍｍの配線層を有するマイクロストリップライン構造の実施例２の薄膜多層配線板を得た。
【００６９】
得られた薄膜多層基板の電気特性評価結果を図６及び図７に示す。このように本発明の薄膜多層配線板は上述の信号線を透過した信号の減衰率を表すＳ２１パラメータでは４０ＧＨｚにおいて−８ｄｂと小さいものであった。また、立ち上がり時間（ｔｒ）３５ｐｓｅｃの信号を上述の線路に入力した際の信号の立ち上がり特性を評価したＴＤＴでは６０ｐｓｅｃと立ち上がり時間も早い結果となった。
【実施例３】
【００７０】
実施例１と同様な方法で、まず、ヤング率＝９１２１Ｐａ、破断強度＝５２０ＭＰａのポリイミドフィルム（ユピセルＮ  ＢＥ１４２０：宇部興産社製商品名）からなる５０μｍ厚の第１絶縁層（絶縁基材）１１の両面に配線層２１ａ、配線層２４及びフィルドビア２３を形成した回路基板２０の両面にヤング率＝２９００ＭＰａ、蒸留水に２４時間浸漬した後の吸水率が１．２％の熱硬化性エポキシ樹脂（ＡＢＦ−ＳＨ９Ｋ：味の素ファインテック製）を耐熱ゴムプレス板を上下に備えた真空ラミネーターを用いて２００Ｐａに減圧して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａで３０秒間、さらに温度＝１００℃、圧力＝５．５ＭＰａにて６０秒加熱の２段加熱圧着して熱硬化製樹脂層からなる第２絶縁層を形成した。次いで、過マンガン酸濃度８０ｇ／リットル、水酸化ナトリウム濃度４０ｇ／リットルになるように調整した７０℃の水溶液に２０分間浸漬した。このとき、絶縁層の表面粗さＲａは１．５μｍであった。
【００７１】
次に、実施例１と同様な処方で、ビア用孔形成、導体層形成、導体層のパターニング処理を行って、実施例３の薄膜多層配線板を得た。実施例３の薄膜多層配線板の破断強度は５００ＭＰａと非常に高強度であったが、第２絶縁層はＪＩＳ７１１３２号片引っ張り試験片において１００ＭＰａを超えたあたりからクラックが生じ、薄膜多層基板の機械強度は実用レベル以下であった。さらに蒸留水中に２４時間浸漬させる処理前後で第１の絶縁層の誘電率及び誘電正接は１０％変動した。
【００７２】
この様に実施例３においては第２絶縁層として本発明の第２絶縁層よりヤング率、破断強度が低い材料を用いた結果、上述の引っ張り試験において１００ＭＰａ程度からクラックが生じ、さらに、環境変動に伴い、第１絶縁層の誘電率、誘電正接が１０％変動するため、特性インピーダンスの整合が重要な高周波領域になると電気信号の高速伝送特性に悪影響を与える。このことから、第２絶縁層はヤング率が低く、かつ低吸水率の材料の方が望ましいことが裏付けられた。
【実施例４】
【００７３】
まず、ヤング率＝９１２１Ｐａ、破断強度＝５２０ＭＰａのポリイミドフィルム（ユピセルＮ  ＢＥ１４２０：宇部興産社製商品名）からなる５０μｍ厚の第１絶縁層（絶縁基材）１１の両面に９μｍ厚の銅箔２１を積層した１００ｍｍ×１００ｍｍサイズの両面銅張り積層板１０の両面に、実施例３と同様ような処方で、厚さ３２μｍ厚の第２絶縁層を形成し、ビア用孔形成、導体層形成、パターニング加工を行って、信号線幅７１μｍ、信号線長５０ｍｍの配線層を有するマイクロストリップライン構造の実施例４の薄膜多層配線板を得た。
【００７４】
得られた実施例４の薄膜多層配線板の電気特性評価結果を図６及び図７に示す。このように実施例４の薄膜多層配線板は上述の信号線を透過した信号の減衰率を表すＳ２１パラメータでは４０ＧＨｚにおいて−１６ｄｂと大きいものであった。これは第２絶縁層表面の表面粗さが荒く、さらに第２絶縁層の誘電率、誘電正接が高い為である。また、立ち上がり時間（ｔｒ）３５ｐｓｅｃの信号を上述の線路に入力した際の信号の立ち上がり特性を評価したＴＤＴでは１４０ｐｓｅｃと立ち上がり時間も遅い結果となった。
【００７５】
つまり、誘電正接が高いため、立ち上がりは鈍く、さらに第２絶縁層の表面が荒れているため表皮効果の影響により、信号の立ち上がり特性も悪くなっている。これらの結果より、表面粗さＲａは０．２μｍ以下でかつ、第２絶縁層の誘電率および誘電正接が低い方が望ましいことが裏付けられた。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の薄膜多層配線板の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の薄膜多層配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図３】（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の薄膜多層配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図４】（ｋ）〜（ｍ）は、本発明の薄膜多層配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の薄膜多層配線板の周辺部側面に第２絶縁層の樹脂を被覆する方法の一例を示す説明図である。（ａ）は、３面付けの第１絶縁層１１に配線層等を形成した模式平面図である。（ｂ）は、第１絶縁層１１のパターン領域外の周辺部に開口溝を形成した模式平面図である。（ｃ）は、第２絶縁層５１ａを形成した模式平面図である。（ｄ）は、（ｃ）をＡ−Ａ’線で切断した模式断面図である。（ｅ）は、断裁加工した薄膜多層配線板の模式断面図である。
【図６】本発明の実施例で得られた薄膜多層配線板のＳ２１パラメーター特性を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例で得られた薄膜多層配線板の信号の立ち上がり特性を示す説明図である。
【図８】従来の多層配線板の一例を示す模式構成部分断面図である。
【図９】従来の多層配線板の一例を示す模式構成部分断面図である。
【図１０】（ａ）は、従来の多層配線板の製造方法の一例を示す工程模式構成部分断面図である。（ｂ）は、従来の多層配線板の一例を示す模式構成部分断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０……両面銅張り積層板
１１……第１絶縁層（絶縁基材）
１２……キャリアフィルム
２０……回路基板
２１……銅箔
２１ａ、２４、２６ａ、２６ｂ、１０２、１１２、１２２、３３２、４２３、４２５……配線層
２２、２６……導体層
２３、２７、１１１、１２１、３３１、４２２、４２４……フィルドビア
２５……めっき下地導体層
２８、１３１、３４１、４３１……フリップチップパッド
２９、１３２、３４２、４２１……ＢＧＡパッド
３０……キャリア付き絶縁層フィルム
３１、３２……ビア用孔
３３……開口溝
４１、４２……レジストパターン
５１……第２絶縁樹脂層
５１ａ……第２絶縁層
６１、１４１、３５１、４４１……ソルダーレジストパターン
１１１……絶縁基材
１０１……スルーホール
１１０……コア基板
１１２、１１３、４１１、４１２……絶縁層
３１１……両面銅箔付きポリイミド基板
３１２……片面銅箔付きポリイミド
３２１……接着層
４１０……金属板
４２１……電極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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