(57)【要約】【課題】無調整で実装可能な光アイソレータ素子を量産性よく製造する。【解決手段】（１）平面が四角形状の大型のファラデー回転子基板の両面に平面が四角形状の大型の偏光子基板を仮固定用の接着剤を介して積層体を形成する工程（２）前記積層体の平面の一辺に平行にカットした短冊体とする工程（３）前記複数の短冊体の光学面同士を当接し、カット面を上下にして整列した集合体とするとともに、該集合体の少なくとも両端の光学面をマスキングする工程（４）（３）の工程後に前記集合体のカット面にのみ金属多層膜を成膜する工程（５）（４）の工程後の短冊体の平面の短辺と平行にカットしたブロック体とする工程（６）前記ブロック体を洗浄し、仮接着用接着剤を排除する工程を含む光アイソレータの製造方法及びそれによる光アイソレータである。【選択図】  図１
2005189353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整列基板上に、平板状のファラデー回転子と偏光子の光学面同士を対面させて接合してなる光アイソレータ素子と、該光アイソレータ素子のファラデー回転子に磁界を与える磁石とが接合材を介して固定してなる光アイソレータにおいて、前記光アイソレータ素子の接合面にのみ金属多層膜が成膜されていることを特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】
少なくとも以下の（１）乃至（６）の工程を含むことを特徴とする光アイソレータの製造方法。
（１）平面が四角形状の大型のファラデー回転子基板の両面に平面が四角形状の大型の偏光子基板を仮固定用の接着剤を介して積層体を形成する工程
（２）前記積層体の平面の一辺に平行にカットした短冊体とする工程
（３）前記複数の短冊体の光学面同士を当接し、カット面を上下にして整列した集合体とするとともに、該集合体の少なくとも両端の光学面をマスキングする工程
（４）（３）の工程後に前記集合体のカット面にのみ金属多層膜を成膜する工程
（５）（４）の工程後の短冊体の平面の短辺と平行にカットしたブロック体とする工程
（６）前記ブロック体を洗浄し、仮接着用接着剤を排除する工程
【請求項３】
金属多層膜を成膜する工程温度が前記仮接着用接着剤のガラス転移点以下であることを特徴とする請求項２記載の光アイソレータ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から出射された光を各種光学素子や光ファイバに導入する際に生じる戻り光を除去するために用いられる光アイソレータおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信用モジュール等において、レーザ光源等の光源から出射した光は、各種光学素子や光ファイバに入射されるが、入射光の一部は各種光学素子や光ファイバの端面や内部で反射されたり散乱されたりする。この反射や散乱した光の一部は、戻り光として光源に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイソレータが用いられる。
【０００３】
従来、この種の光アイソレータは、２枚の平板状の偏光子の間に平板状のファラデー回転子を配置し、これら３つの部品を筒状の磁石内に部品ホルダを介して収納する構成であった。通常、ファラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長をもつ光の偏光面を４５度回転する厚みに調整され、また２つの偏光子はそれぞれの透過偏光方向が４５度回転方向に相対的にずれるように回転調整されている。
【０００４】
このような構成の光アイソレータは、ファラデー回転子と２つの偏光子が別部品で素子ごとにホルダが必要であり、そのため部品点数が多くなり組立工数が多くなるばかりか各部品間の光学上の調整作業も煩雑で、コスト高を招くばかりか小型化も難しかった。また、光源モジュールに組み込む際に、飽和磁界を形成するための磁石の位置についての調整、すなわち、光アイソレータの偏波面の調整も必要となり実装工程が煩雑であった。
【０００５】
このため、ファラデー回転子と偏光子の各光学素子と、直方体の磁石を、平板状の整列基板に設置した光アイソレータが各種提案されている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、図５に示すように従来の光アイソレータ１８が示されており、光アイソレータ１８はファラデー回転子１２、偏光子１３、検光子１４の各光学素子と直方体の磁石１７が、一枚の平板状の整列基板１６上に配置され接合材１５で固定されている。ここで偏光子１３、検光子１４は、透過する光の一方向の偏波成分を吸収し、その偏波成分に直交する偏波成分を透過する機能を有し、また、ファラデー回転子１２は飽和磁界強度において所定波長の光の偏波面を約４５度回転する機能を有する。また偏光子１３、検光子１４は、整列基板１６に接するそれぞれの面を基準面とし、この基準面に対し透過偏波方向がそれぞれ０度および４５度となるように切り出されている。
【０００７】
特許文献１では段落００２０に記載があるように、従来は、大型の偏光子基板やファラデー回転子基板（不図示）から偏光子１３、検光子１４やファラデー回転子１２がそれぞれ別工程で縦横に切断された後、段落００１３に記載があるように切り出された四角形のそれぞれの偏光子１２、検光子１４、ファラデー回転子１２の底面に整列基板１６との接合のために各々メタライズ等の処理を行うものであった。なお、検光子という呼称は、出射側に配置された偏光子を示すものである。
【０００８】
また、特許文献２には、図４に示すように従来の光アイソレータ素子の製造工程が示されている。この光アイソレータ用素子を作製する手順は、図４（ａ）に示すように大型の偏光子基板１、３と大型のファラデー回転子基板２を、仮固定用の接着剤７を用いて交互に張り合わせて図４（ｂ）に示すように接着剤７を硬化させることにより積層体１０を形成する。その後、図４（ｃ）に示すように、積層体１０の平面の一辺に平行にカットした短冊体６とする。次に接着剤７を図４（ｆ）のように洗浄除去してバラバラにしてから、再度、基板上に整列・固定し直し一括でブロック状にカットするものである。具体的には、平坦面上に短冊体のカット面を当接させることにより仮固定時の相対的位置関係が再現され、一対の偏光子間の角度配置が正確に行われるものである。
【０００９】
ここで使用する接着剤７としては仮固定機能を有する必要から有機系の接着剤が使用されている。しかし、最終的にファラデー回転子や偏光子に接合される接着剤としては無機接着剤が用いられている。この理由は、光アイソレータに通過するレーザとしては、ＧａＡｓ等からなる半導体レーザーチップが用いられるが、その半導体レーザーチップは、わずかな残留酸素によってその表面に酸化膜が形成され、発振効率の低下が見られる。そこで、半導体レーザーチップを設置するパッケージは、窒素ガス等の不活性ガスで気密封止され、当然、封止パッケージ内にはアウトガスの発生する部品の設置は不可能である。従って、アウトガスは主に有機系の接着剤より発生するため、パッケージに内蔵する光アイソレータでも有機系の樹脂接着剤は使用できず、低融点ガラスや金属ロウ材などの無機系接合剤を用いることになる。従って、図４（ｆ）の工程で仮固定の接着剤７を完全に洗浄してしまう必要がある。
【特許文献１】特開２００１−９１８９９号公報
【特許文献２】特開平１１−１０１９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１では上述のように大型の偏光子基板やファラデー回転子基板を別個に縦横に切断して四角形の板状形状に加工し、その切断加工の後に、整列基板１６との接合面となる偏光子１３、１４やファラデー回転子１２の底面にメタライズ等の処理を施すものであり、工程が煩雑であるだけでなく、別個に切り出した光アイソレータ素子１１は底面の加工形状にばらつきを有し、単に光アイソレータ素子１１を整列基板１６に載置しただけでは光アイソレータ１８の光学性能にもばらつきが発生しやすかった。
【００１１】
また、別個に偏光子やファラデー回転子にメタライズを施すと、１個１個の光学素子の光学面へ正確にメタルマスクをセットする必要があり、作業が繁雑なだけでなく四方のカット面をマスクすることは困難であることから、カット面から光学面にかけての０．０５ｍｍよりも超えた幅で金属多層膜がはみ出して形成されやすく、整列基板１６に半田等で接合する場合、光学面に形成した金属多層膜を伝って這い上がり、使用する光学面の開口径内に入り込み、有効開口径が減少するという問題もあった。これにより、光アイソレータ素子１１の中央部における応力がかかり、ファラデー回転子１２においてはファラデー回転角が低下するという問題点も有していた。
【００１２】
また、特許文献２に記載の光アイソレータ素子１１の製造方法には、その各光学素子にメタライズ処理をする工程が記載されておらず、仮に、光アイソレータ素子１１の接着剤７で仮固定を維持した状態のままでメタライズ処理をした場合、一般に１５０℃を超える高温の成膜工程へ光アイソレータ素子１１を投入すると、接着剤の基材や粘着材が熱破壊を受けるために不可能であり、仮固定用の接着剤７を除去すると、ばらついた状態でメタライズする必要が生じ、上述のような同様の問題点を有していた。
【００１３】
このように仮固定に用いた有機系の接着剤７を組立完成後に残さず、高温高湿条件下での信頼性に優れ、高出力、長時間のレーザ光中での使用においても特性の劣化がない光アイソレータの量産性優れる生産方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明はこれらの課題に鑑みて案出されたものであり、本発明の光アイソレータは、整列基板上に、平板状のファラデー回転子と偏光子の光学面同士を対面させて接合してなる光アイソレータ素子と、該光アイソレータ素子のファラデー回転子に磁界を与える磁石とが接合材を介して固定してなる光アイソレータにおいて、前記光アイソレータ素子の接合面にのみ金属多層膜が成膜されていることを特徴とする
また、少なくとも以下の（１）乃至（６）の工程を含むことを特徴とする光アイソレータの製造方法を提供するものである。
【００１５】
（１）平面が四角形状の大型のファラデー回転子基板の両面に平面が四角形状の大型の偏光子基板を仮固定用の接着剤を介して積層体を形成する工程
（２）前記積層体の平面の一辺に平行にカットした短冊体とする工程
（３）前記複数の短冊体の光学面同士を当接し、カット面を上下にして整列した集合体とするとともに、該集合体の少なくとも両端の光学面をマスキングする工程
（４）（３）の工程後に前記集合体のカット面にのみ金属多層膜を成膜する工程
（５）（４）の工程後の短冊体の平面の短辺と平行にカットしたブロック体とする工程
（６）前記ブロック体を洗浄し、仮接着用接着剤を排除する工程
さらに、金属多層膜を成膜する工程温度が前記仮接着用接着剤のガラス転移点以下であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明にかかる光アイソレータおよびその製造方法によれば、以下のような効果を有する。
【００１７】
（１）光アイソレータ用素子の製造方法においては、多数個の光アイソレータ用素子の光学調整を一度に行うことができ、組立工数の削減が可能となる。
【００１８】
（２）ファラデー回転子と偏光子とからなる光アイソレータ素子に一括で金属多層膜を成膜できるため、多数個の光アイソレータ素子を生産性よく製造可能である。
【００１９】
（３）仮固定で用いた有機系接着剤は最終的に除去され、光学素子同士は光線透過面外で、無機材料を用いて一体化されているため、高温高湿条件下での信頼性に優れる。
【００２０】
（４）仮固定で用いた有機系接着剤は最終的に除去され、光アイソレータ用素子を構成する全部材が無機材料から構成されており有機系のアウトガスが発生しない。そのため、半導体レーザーパッケージ内に光アイソレータ用素子を設置することができ、装置の小型化および、特性の安定化が実現する。
【００２１】
（５）光アイソレータ素子の一面にのみ金属多層膜を成膜し、光学面にはほとんどはみ出ることがないので、光アイソレータ素子の中央部における応力を抑えることができる。
【００２２】
（６）光アイソレータ素子の一面にのみ金属多層膜を成膜するため、光学面へ金属多層膜がはみ出すことによる有効開口径の減少を抑えることができる。
【００２３】
（７）仮接着用接着剤のガラス転移温度を超えない温度域でメタライズ処理を行うので、仮接着したままでの一括成膜が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の光アイソレータの製造工程を説明する図であり、図２は本発明の製造工程中で、短冊体からブロック体に切断するのを説明する図である。なお、従来技術と同様の符号については同じ符号を用いる。
【００２５】
図１に示すように、光アイソレータ素子は、まず、１段型と呼ばれる光アイソレータの場合、周知の如く、光の出射方向に向かって大型の平板状の偏光子基板１、ファラデー回転子基板２、偏光子基板３の順序で配列されている。これらは仮固定用接着剤７で積層して貼り合わせられた積層体１０を形成してなる。
【００２６】
偏光子基板１の透過偏波方向は、図２に示す成膜面４と平行な１辺（これを基準辺と呼ぶ）に対し平行な方向に設定されており、他方の偏光子基板３の透過偏波方向は、その基準辺に対して４５度の方向に設定されている。ここで、偏光子基板１と偏光子基板３の基準辺を略一致させ固定することにより、偏光子基板１と偏光子基板３の透過偏波方向は回転調整することなく互いに４５度ずれた状態となり、ファラデー回転子基板２のファラデー回転角が略４５度の場合、最良の挿入損失特性とアイソレーション特性を得ることができる。
【００２７】
偏光子基板１、３は、入射する光の１方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子、あるいは入射する光の１方向の偏光成分を分離または合成する複屈折性偏光子で構成される。吸収型偏光子は例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。例えば、楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。
【００２８】
ファラデー回転子基板２は常温において入射した光の偏波方向が４５度回転する厚みに調整されている。また、アイソレーションが要求される場合は、ファラデー回転子基板２の偏波回転角度４５＋α度に対し、偏光子基板１と偏光子基板３の回転ズレを４５−α度に精密に調整する必要があり、光を逆方向から（偏光子基板３側から）入射し、透過してくる光が最も小さくなるように偏光子１を回転調整する方法がある。そこであらかじめ偏光子１と偏光子基板３の透過偏波方向を４５−α度ずらして切り出し、例えば偏光子基板３の透過偏波方向を基準辺に対して４５−α度とすることも可能である。また、ファラデー回転子の偏波回転角の精度±αは光アイソレータの特性上、１度程度とすることが望ましい。
【００２９】
ファラデー回転子基板２は、例えば、ビスマス置換ガーネット結晶等で、その厚みは所定の波長をもつ入射光線の偏光面が４５度回転する様に設定する。一般に、偏波面を回転させるためには、入射光線の光軸方向に十分な磁界を印可することが必要である。
【００３０】
ここでファラデー回転子基板２、偏光子１および偏光子基板３の両面は、屈折率ｎ＝１に対する反射防止膜が両面に施されており、偏光子１および偏光子基板３とファラデー回転子基板２が密着している場合は、偏光子が空気と接する入出射面には屈折率ｎ＝１に対する反射防止膜を施し、ファラデー回転子の両面には対偏光子の反射防止膜を施してある。
【００３１】
次に本発明の光アイソレータの製造方法について説明する。
【００３２】
まず、図１（ａ）で示すように、１枚の平板上ファラデー回転子基板２と２枚の偏光子基板１、３を用意し各光学素子を仮固定用接着剤７を介して積層する。２枚の偏光子基板１、３に関しては、重ね合わせた状態でそれぞれの透過偏光方向（図示せず）が４５゜ずれた状態になることが望ましい。したがって図１（ｂ）で示す様に、使用する波長のレーザ光を光軸Ｌ方向に通過させ、透過するレーザ光の強度、偏光面等確認しながら偏光子基板１、３の透過偏光方向が光軸Ｌに対して４５゜相互に回転した位置となるよう調整する。
【００３３】
その後、仮固定用接着剤７を硬化させ、積層体１０を得る。但し、光アイソレータに要求される光学特性が低い場合にはレーザ光を用いた光学調整を行わず、外観上から各光学素子の配置を合わせ、仮固定用接着剤７を硬化させても良い。この仮固定用接着剤は図１（ｇ）の工程まで除去をしない。
【００３４】
続いて図１（ｃ）で示す様に積層体１０の平面の一辺に平行にカットし、短冊体６を得る。次に図１（ｄ）では短冊体６を複数個並べ、そのカット面を上下面にして互いの光学面同士に当接させるとともに、上下面が略平面となるように整列して集合体を構成する。そして、治具８によって、ばらばらに成らないように押さえつけ、さらに集合体６０の両端部の光学面をマスキングする。
【００３５】
図１（ｅ）では複数個の短冊体６の成膜面４に対して一括で金属多層膜の成膜を行う。このとき仮固定用の接着剤７の粘着性およびマスキング材８の性能が高温で劣化しないため、成膜方法は処理温度が仮接着用の接着剤７のガラス転移点を超えない低温スパッタリング法もしくは湿式メッキが望ましい。高分子材料は、分子の集まり方が密な結晶部分と疎な非結晶部分とで構成されており、非結晶部分の熱運動性が低い状態をガラス状態と呼び、それがゴム状になる温度をガラス転移点Ｔｇといい、さらに高温域で結晶部分が壊れて流動性を示す温度を融点Ｔｍという。本発明に用いる仮固定用の接着剤７は有機系樹脂接着剤であり、上述のガラス転移点を超える温度ではマスキング性能が低下し始め、さらに高温域の融点に達すると基材や粘着性が熱破壊で機能を果たさなくなる。したがってガラス転移点を超えない温度域で成膜処理をすれば有機系の仮固定用の接着剤７を用いてもマスキング性能や粘着性を保ったまま、金属多層膜４０の密着強度を向上することができる。
【００３６】
次に、図１（ｆ）では切断線５に示すように一体化された短冊体６の平面の短辺と平行にカットしてブロック体９を複数個切り出す。最後に図１（ｇ）では仮固定用の接着剤７を完全に洗浄・除去してファラデー回転子２、偏光子１、３に分離する。
【００３７】
本発明の光アイソレータ用素子においては、前述のように大型の基板で光学調整行い、その後多数個を切り出す工程のため、均一で、優れた特性の光アイソレータ用素子が、容易に多数個作製することができ、組立工数の削減が可能で、量産性に優れる。
【００３８】
本実施例では偏光子が２枚、ファラデー回転子が１枚である光アイソレータ用素子の構成を用いたが、本発明はこれに限ることなく、さらに多数の偏光子、ファラデー回転子を用いた光アイソレータ用素子であっても上記実施例と全く同様の効果を得ることができる。
【００３９】
図２は本発明の製造工程中で、短冊体６からブロック体に切断するのを説明する図である。
【００４０】
図１、図２に示すようにファラデー回転子１２１、偏光子１３１、１４１は接着剤７により相互に接着される。短冊体６の成膜面４（接合面）に対しては一括で金属多層膜４０が成膜されるので、個々の光学素子に対して別々にマスキングを施す必要はない。図２中の５で示した切断線により、短冊体６は複数個のブロック体９に切り分けられる。
【００４１】
図３は金属多層膜のはみ出し幅を示す図である。本発明では、上述のように成膜面４（接合面）のみに形成されているが、完全に成膜面４に金属多層膜４０を形成するものではなく、多少の誤差は金属多層膜４０を成膜面４（接合面）のみに形成することに含まれるものとする。例えば、偏光子１３ではカット面の１面に金属多層膜４０があるが光学面へのはみ出し量も幅Ｗで存在する。このはみ出し量を０．０５ｍｍ以下に抑えれば、１つの光学素子のサイズを小さくして大型基板からのカット取り数を増やしても、有効開口径Ｄは確保できる。
【００４２】
すなわち、半導体レーザーパッケージに内蔵する表面実装型光アイソレータにおいては有効開口径Ｄとして０．８〜０．９ｍｍを確保する必要があり、使用する光学素子のサイズをできるだけ小さくして大型基板からのカット取り数を増やした上で、前述の有効開口径Ｄが得られることがコスト面で望ましい。切り出し寸法の公差が±０．０２ｍｍであることと半田のはい上がりが０．０３ｍｍ程度になることを考慮すると、金属多層膜のはみ出し幅を０．０５ｍｍ以下にすれば１ｍｍ角の光学素子サイズで上記の有効開口径を達成できる。
【００４３】
短冊体６の外形寸法は±０．０２ｍｍの公差になっており、短冊体６を複数個並べ、そのカット面を上下面にして互いの光学面同士を当接させるとともに、上下面が略平面となるように整列して集合体を構成する。そして、治具８によって、ばらばらに成らないように押圧を加え、さらに集合体６０の両端部の光学面をマスキングするが、両端部の光学面に傷をつけないようガラス部材等を挟んでから治具８で固定してもよい。このように仮固定用接着剤のマスキング効果と、短冊体６の光学面同士を押し合わせることで、金属多層膜のはみ出し量を０．０５ｍｍ以下に抑えることが可能になる。
【実施例】
【００４４】
本発明の実施例として図１に示した光アイソレータを試作し、特性の評価および信頼性試験を行った。各部品と構成について以下に説明する。
【００４５】
偏光子基板にはコーニング社製のポーラコア（製品名）を用い、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．２ｍｍのものを使用した。またファラデー回転子基板はビスマス置換ガーネットで、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．４ｍｍのものを使用した。この場合の飽和磁界強度中における偏波回転角は４５度であった。いずれも波長１．５５μｍの光に対して動作する素子であり、偏光子、ファラデー回転子の両面には対空気（ｎ＝１）の反射防止膜を施してある。
【００４６】
まず２枚の偏光子基板の間にファラデー回転子基板を挟み、光学調整の後に仮固定用の接着剤で光学面同士を全面で接着した。仮固定用の接着剤にはアーデル社のＫＭシリーズを用いた。
【００４７】
この積層された積層体を短冊状にカットして、短冊体となったカット面を上下面とし、を揃えて整列し両端から治具で押さえつけて固定とマスキングを行った後、そのカット面へ一括でＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの連続メタライズ処理を行った。このとき、スパッタ温度は仮固定用の接着剤のガラス転移点よりも低い１２０℃以下であり、成膜後にはみ出し幅Ｗを計測したところ金属多層膜の光学面へのはみ出し幅Ｗは最大でも０．３８μｍであった。
【００４８】
次に短冊状の光学素子を整列した状態のままブロック状の個片にカットした。ブロック状になった光学素子は、水とアルコールの１対１水溶液に４０℃１時で間浸けておくことで各素子に分離した。
【００４９】
整列基板の材料にはジルコニアセラミックスを用い、その表面にもあらかじめＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの多層金属膜を成膜してある。ジルコニアの熱膨張係数は１０．５×１０−６／℃で、ファラデー回転子の熱膨張係数とほぼ同じであり、ファラデー回転子に基板からの応力の影響を受けない構成としてある。
【００５０】
整列基板のサイズは幅Ｗ＝３ｍｍ、長さＤ＝１．５ｍｍ、厚みｔ＝０．２５ｍｍとした。基板上のほぼ中央部に幅Ｗ＝１．０ｍｍ、長さＤ＝２．５ｍｍのＡｕ／２０Ｓｎ箔ロウ材を置いた。磁石は幅Ｗ＝０．８ｍｍ、長さＤ＝１．４ｍｍ、厚みｔ＝１．４ｍｍの略直方体の磁石を２個用いた。
【００５１】
次に、図５に示すように基板上に光アイソレータ素子を配置するとともに、磁石を基板に載置し、窒素雰囲気３００℃で加熱溶融して光学素子と磁石を基板に固定した。この段階では仮固定用の接着剤はすでに除去されており、３００℃を超える温度域で融解するＡｕ／２０ＳｎやＡｕ／１２Ｇｅを用いることができる。
【００５２】
このようにして５０個の光アイソレータを作製し、特性を測定した。その結果、すべての光アイソレータは、挿入損失が０．３ｄＢ以下、アイソレーションが３５ｄＢ以上の、良好で均一な特性を有することを確認した。従来の構成で試作した場合にアイソレーション特性の平均値が３１ｄＢと非常に低いのに対し、本発明による構成では平均値が４２ｄＢと高く良好な結果が得られた。
【００５３】
次に作製した光アイソレータの信頼性評価を行った。
【００５４】
試験は、Ｔｅｌｃｏｒｄｉａ１２２１に示される振動試験、衝撃試験、温度サイクル試験、高温保持試験、低温保持試験、高温高湿試験を実施し、すべての試験において、挿入損失の変化量が±０．２ｄＢ以下、アイソレーションの変化量が±３ｄＢ以下と良好な結果を得ることができた。
【００５５】
以上の試作により、組み立て時ごとの光学調整が不要で、光学特性が安定し、かつ、組み立てが容易で工数が少なく、光学素子の脱落、クラック、特性劣化がない信頼性に優れた金属接合の光アイソレータを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の光アイソレータの製造工程を説明する図である。
【図２】本発明の製造工程中で、短冊体からブロック体に切断するのを説明する図である。
【図３】金属多層膜のはみ出し幅を示す図である。
【図４】従来の光アイソレータ素子の製造手順を示す図である。
【図５】従来の光アイソレータを示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１、３    偏光子基板
２    ファラデー回転子基板
４    成膜面
４０    金属多層膜
５    切断線
６    短冊体
６０    集合体
１１    光アイソレータ素子
７    接着剤
８    治具
９    ブロック体
１０    積層体
【図１】
2005189353.tif 000003
【図２】
2005189353.tif 000004
【図３】
2005189353.tif 000005
【図４】
2005189353.tif 000006
【図５】
2005189353.tif 000007