(57)【要約】【課題】スイッチＯＦＦ時における電流のリークが無く信頼性が高く、また、簡単な回路構成で、アークや突入電流による機械式スイッチ接点の耐久性低下を防止することのできる電気回路のスイッチ装置を提供する。【解決手段】バッテリ１と電気負荷２とを結線する電路上に機械式スイッチ３と半導体スイッチ４とを順次直列に介装すると共に、機械式スイッチ３の開閉状態に応じて半導体スイッチ４の開閉制御を行う半導体スイッチ制御回路５を機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続する。半導体スイッチ制御回路５の制御によって、機械式スイッチ３のＯＮ操作後に設定時間電流制限をかけた後に半導体スイッチ４を閉路する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と電気負荷とを結線する電路上に介装されて上記電路を機械的に開閉する機械式スイッチと、
上記機械式スイッチよりも上記電気負荷側の上記電路上に上記機械式スイッチと直列に接続されて介装され上記電路を電気的に開閉する半導体スイッチと、
上記機械式スイッチを介して上記電源に接続され、上記機械式スイッチの開閉状態に応じて上記半導体スイッチの開閉制御を行う半導体スイッチ制御手段とを備え、
上記半導体スイッチ制御手段は、上記機械式スイッチの閉路時に、設定時間電流制限をかけた後に上記半導体スイッチを閉路することを特徴とする電気回路のスイッチ装置。
【請求項２】
上記半導体スイッチをトランジスタで構成し、このトランジスタのコレクタ側に上記電気負荷を接続したことを特徴とする請求項１記載の電気回路のスイッチ装置。
【請求項３】
上記半導体スイッチ制御手段は、上記機械式スイッチの閉路時に上記電源からの電力を蓄電する蓄電手段を有し、上記設定時間は上記蓄電手段の蓄電時間に基づいて規定されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電源回路のスイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に、３６Ｖバッテリ等の高電圧電源から電気負荷に給電を行う車両の電気回路等に好適な電気回路のスイッチ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、車両においては各種電装品の増加と、これら電装品の効率的な利用のため、複数の電圧系統（例えば、４２Ｖの電圧系統と１４Ｖの電圧系統）を備えたものが実用化されている。このように、車両の電装電圧が高電圧化すると、機械式スイッチの接点が離間する際に、接点間にアークが発生し、接点の耐久性を低下させる虞がある。また、電装品が容量負荷である場合、機械式スイッチの接点が接続する際に、電装品に流れる突入電流によって、機械式スイッチが発熱し、接点の耐久性を低下させる虞がある。
【０００３】
このため、車載電装品をＯＮ−ＯＦＦするスイッチには、例えば、特許文献１に示すような、半導体素子併用遮断器を採用することが考えられる。すなわち、この技術では、機械式遮断器と半導体素子遮断器（ＧＴＯサイリスタ）を併用した半導体素子併用遮断器において、機械式遮断器と直列に、電圧定格が低く、低損失な自己消弧型半導体素子（パワートランジスタスイッチ）を設け、これら３つの遮断器による遮断タイミングを制御装置で精度よくコントロールすることで、電路の開路時に、自己消弧型半導体素子で過電流を半導体素子遮断器に高速転流するとともに、機械式遮断器が無電流遮断で高速開路されて、過電流値を小さな値に抑制することができる。逆に、電路の閉路時には、半導体素子遮断機に開路電流を流した後に機械式遮断機を閉路することにより、機械式遮断機を無電流閉路することができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２３４８９４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特許文献１に開示された技術では、半導体素子遮断器と機械式遮断器とが並列に設けられているため、機械式遮断器のＯＦＦ時においても、半導体素子遮断器から僅かではあるが電流のリークがあり得る。従って、車両全体のスイッチを上述の半導体スイッチで置き換えると、リークも大きなものとなり、バッテリを電源とする車両にとって好ましくないという問題がある。また、上述の特許文献１に開示された技術では、制御装置で機械式遮断器と半導体素子遮断器と自己消弧型半導体素子の制御タイミングを精密にコントロールする必要があるため、スイッチ回路が複雑なものとなり、コストが高くなるという問題もある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、スイッチＯＦＦ時における電流のリークが無く信頼性が高く、また、簡単な回路構成で、アークや突入電流による機械式スイッチ接点の耐久性低下を防止することのできる電気回路のスイッチ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明による電気回路のスイッチ装置は、電源と電気負荷とを結線する電路上に介装されて上記電路を機械的に開閉する機械式スイッチと、上記機械式スイッチよりも上記電気負荷側の上記電路上に上記機械式スイッチと直列に接続されて介装され上記電路を電気的に開閉する半導体スイッチと、上記機械式スイッチを介して上記電源に接続され、上記機械式スイッチの開閉状態に応じて上記半導体スイッチの開閉制御を行う半導体スイッチ制御手段とを備え、上記半導体スイッチ制御手段は、上記機械式スイッチの閉路時に、設定時間電流制限をかけた後に上記半導体スイッチを閉路することを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２記載の発明による電気回路のスイッチ装置は、請求項１記載の発明において、上記半導体スイッチをトランジスタで構成し、このトランジスタのコレクタ側に上記電気負荷を接続したことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３記載の発明による電気回路のスイッチ装置は、請求項１または請求項２記載の発明において、上記半導体スイッチ制御手段は、上記機械式スイッチの閉路時に上記電源からの電力を蓄電する蓄電手段を有し、上記設定時間は上記蓄電手段の蓄電時間に基づいて規定されることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１，２は本発明の第１の実施の形態に係わり、図１は車両用電源回路の回路図、図２はスイッチ装置の開閉動作を示すタイミングチャートである。
【００１１】
図１において、符号１は、電源としてのバッテリを示し、このバッテリ１には、機械式スイッチ３とＰＮＰトランジスタ（以下、半導体スイッチと称す）４を介して、電気負荷２が接続されている。すなわち、バッテリ１と電気負荷２とを結線する電路上には、当該電路を機械的に開閉（ＯＦＦ−ＯＮ）する機械式スイッチ４が介装されているとともに、電路を電気的に開閉（ＯＦＦ−ＯＮ）する半導体スイッチ４が機械式スイッチ３の電気負荷２側に直列接続された状態で介装されている。
【００１２】
ここで、バッテリ１は例えば３６Ｖの車載バッテリで構成され、電気負荷２は例えば容量性の車載電装品で構成されている。また、機械式スイッチ４はドライバ等によって開閉操作され、半導体スイッチ４は半導体スイッチ制御手段としての半導体スイッチ制御回路５を通じて開閉制御される。
【００１３】
半導体スイッチ制御回路５は、機械式スイッチ３の開閉（ＯＦＦ−ＯＮ）状態に応じて半導体スイッチ４をＯＦＦ−ＯＮ制御するもので、本実施の形態において、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。すなわち、半導体スイッチ制御回路５は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続され、この機械式スイッチ３を介してバッテリ１から供給される電圧に応じて半導体スイッチ４のベース電流を制御する。
【００１４】
図示のように、半導体スイッチ制御回路５は、ＰＮＰトランジスタ６と、ＮＰＮトランジスタ７と、定電圧ダイオード８と、蓄電手段としてのコンデンサ９と、抵抗Ｒ１〜Ｒ７とを有して構成されている。
【００１５】
ＰＮＰトランジスタ６は定電圧ダイオード８の通電状態に応じて半導体スイッチ４のＯＦＦ特性を制御するためのもので、そのエミッタが、抵抗Ｒ１を介して、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。
【００１６】
また、ＮＰＮトランジスタ７はコンデンサ９の蓄電状態に応じて半導体スイッチ４のＯＮ特性を制御するためのもので、そのエミッタが抵抗Ｒ２を介してＰＮＰトランジスタ６のコレクタに接続されている。
【００１７】
すなわち、抵抗Ｒ１、ＰＮＰトランジスタ６、抵抗Ｒ２、及び、ＮＰＮトランジスタ７は半導体スイッチ制御回路５上で直列回路１０を構成し、この直列回路１０は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続されている。そして、この直列回路１０において、抵抗Ｒ１，Ｒ２の中点（図示の例において具体的には抵抗Ｒ１とＰＮＰトランジスタ６の中点）には、半導体スイッチ４のベースが接続されている。
【００１８】
定電圧ダイオード８は、そのカソードが、抵抗Ｒ６，Ｒ５を介して、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。すなわち、抵抗Ｒ５，Ｒ６、及び、定電圧ダイオード８は半導体スイッチ制御回路５上で直列回路１１を構成し、この直列回路１１は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続されている。そして、この直列回路１１において、抵抗Ｒ５，Ｒ６の中点には、抵抗Ｒ７を介してＰＮＰトランジスタ６のベースが接続されている。
【００１９】
ここで、定電圧ダイオード８は、カソードに抵抗Ｒ５，Ｒ６を介してバッテリ電圧（３６Ｖ）が印加された際に通電し、（バッテリ電圧−アーク電圧）が印加された際にその通電を遮断するよう設定されている。すなわち、定電圧ダイオード８の特性は、少なくとも、ブレーク電圧＞（バッテリ電圧−機械式スイッチ３におけるアーク電圧）となるよう設定されている。
【００２０】
コンデンサ９は、抵抗Ｒ３を介して、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。すなわち、抵抗Ｒ３、及び、コンデンサ９は半導体スイッチ制御回路５上で直列回路１２を構成し、この直列回路１２は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続されている。そして、この直列回路１２において、抵抗Ｒ３とコンデンサ９の中点には、抵抗Ｒ４を介してＮＰＮトランジスタ７のベースが接続されている。
【００２１】
次に、図２を参照して、上述の電気回路の作用について説明する。
（機械式スイッチ３のＯＮ操作時の作用）
ドライバ等によって機械式スイッチ３がＯＮ操作され（図２（ａ）参照）、バッテリ１から半導体スイッチ制御回路５への給電が開始すると、定電圧ダイオード８が直ちにＯＮされ（図２（ｄ）参照）、この定電圧ダイオード８を流れる電流によって、直列回路１１の定電圧ダイオード８側の電圧が所定の定電圧に保たれる。これにより、ＰＮＰトランジスタ６のベースには、抵抗Ｒ５，Ｒ６の抵抗比で分圧されたローレベルの電圧が抵抗Ｒ７を介して印加され（図２（ｃ）参照）、ＰＮＰトランジスタ６は直ちにＯＮされる。
【００２２】
また、機械式スイッチ３がＯＮされると、コンデンサ９への蓄電が開始される。これにより、ＮＰＮトランジスタ７のベースには、コンデンサ９への蓄電量に応じた電圧が抵抗Ｒ４を介して印加される（図２（ｂ）参照）。すなわち、機械式スイッチ３がＯＮされると、コンデンサ９には抵抗Ｒ３との関係で定まる設定時間の蓄電が行われ、この蓄電に伴い、ＮＰＮトランジスタ７のベース電圧が設定時間をかけてハイレベルまで上昇する。
【００２３】
このようにベース電圧がハイレベルとなってＮＰＮトランジスタ７をＯＮするまでの設定時間内において、ＮＰＮトランジスタ７へのベース電流はベース電圧に応じて増加し、ベース電流が所定以上となると、ＮＰＮトランジスタ７にはベース電流に応じた所定の増幅率でのコレクタ電流が流れる。すなわち、ＮＰＮトランジスタ７は、当該ＮＰＮトランジスタ７の不飽和領域の特性に基づき、ＯＮされるまでの設定時間内において、直列回路１０をベース電流に応じて所定に電流制限する。
【００２４】
この電流制限による直列回路１０の電流変化によって、機械式スイッチ３がＯＮされた後のトランジスタスイッチ４のベース電圧は、設定時間かけてハイレベルからローレベルへと変化する（図２（ｅ）参照）。これにより、トランジスタスイッチ４は、ベース電圧がローレベルとなってＯＮするまでの間、バッテリ１から電気負荷２に供給される電流を所定に制限する。
【００２５】
このように、半導体スイッチ４は、機械式スイッチ３がＯＮされてから設定時間が経過するまでの間、半導体スイッチ制御回路５の作用によってバッテリ１から電気負荷２に供給される電流を所定に制限し、この制限した電流によって電気負荷２をプリチャージさせるので、電気負荷２への突入電流の発生を確実に防止し、機械式スイッチ３を的確に保護する。
【００２６】
（機械式スイッチ３のＯＦＦ操作時の作用）
ここでは、機械式スイッチ３の接点間にアークが発生した場合の作用について説明する。なお、接点間にアークが発生しない場合には、機械式スイッチ３のみの作用によって、バッテリ１から電気負荷２への通電は的確に遮断されることは勿論である。
【００２７】
ドライバ等によって機械式スイッチ３がＯＦＦ操作され（図２（ａ）参照）、機械式スイッチ３の接点間にアークが発生した場合には、機械式スイッチ３で発生するアーク電圧分だけ降下されたバッテリ電圧が半導体スイッチ制御回路５に印加される。
【００２８】
このアーク発生によるバッテリ電圧の降下によって、定電圧ダイオード８は直列回路１１の通電を直ちに遮断し（図２（ｄ）参照）、これにより、ＰＮＰトランジスタ６のベースには、ハイレベルとなった電圧が抵抗Ｒ７を介して印加される（図２（ｃ）参照）。そして、ベース電圧がハイレベルとなると、ＰＮＰトランジスタ６は、直ちにＯＦＦされて直列回路１０の通電を遮断し、これにより、半導体スイッチ４のベースには、ハイレベルとなった電圧が印加される（図２（ｅ）参照）。そして、ベース電圧がハイレベルとなると、半導体スイッチ４は、直ちにＯＦＦされてバッテリ１から電気負荷２への通電を遮断する。すなわち、半導体スイッチ４は、アークによるバッテリ電圧の降下によって、速やかにＯＦＦされる。
【００２９】
そして、半導体スイッチ４がＯＦＦされてバッテリ１から電気負荷２への通電が遮断されると、アークは速やかに消弧され、機械式スイッチ３の接点間の消耗が的確に防止される。
【００３０】
このような実施の形態によれば、半導体スイッチ制御回路５の制御によって、機械式スイッチ３のＯＮ操作後にバッテリ１から電気負荷２に供給される電流を設定時間制限するとともに、機械式スイッチ３のＯＦＦ操作時に高速でアークを消弧することにより、突入電流やアークの発生による機械式スイッチ３の接点の耐久性低下を確実に防止することができる。
【００３１】
また、半導体スイッチ制御回路５を機械式スイッチ３よりも電気負荷側に接続することにより、機械式スイッチ３を開路した際の電流のリークを確実に防止することができる。
【００３２】
また、過電流の高速転流等を行う必要がないため、複雑な制御が必要なく、半導体スイッチ制御回路５を簡単な回路構成で実現することができる。
【００３３】
次に、図３，４は本発明の第２の実施の形態に係わり、図３は車両用電源回路の回路図、図４はスイッチ装置の開閉動作を示すタイミングチャートである。なお、本実施の形態においては、半導体スイッチ制御回路の構成が上述の第１の実施の形態と異なる。その他、同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
【００３４】
図３に示すように、半導体スイッチ制御回路２０は、機械式スイッチ３の開閉状態に応じて半導体スイッチ４をＯＦＦ−ＯＮ制御するもので、本実施の形態において、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。すなわち、半導体スイッチ制御回路２０は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続され、この機械式スイッチ３を介してバッテリ１から供給される電圧に応じて半導体スイッチ４のベース電圧を制御する。
【００３５】
図示のように、半導体スイッチ制御回路２０は、定電圧ダイオード２１と、ＮＰＮトランジスタ２２と、蓄電手段としてのコンデンサ２３と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４とを有して構成されている。
【００３６】
定電圧ダイオード２１は機械式スイッチ３を介してバッテリ１から供給されるバッテリ電圧に応じて半導体スイッチ４のＯＦＦ特性を制御するためのもので、そのカソードが、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。
【００３７】
また、ＮＰＮトランジスタ２２は、コンデンサ２３の蓄電状態に応じて半導体スイッチ４のＯＮ特性を制御するためのもので、そのエミッタが、定電圧ダイオード２１のアノードに接続されている。
【００３８】
すなわち、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２、定電圧ダイオード２１、ＮＰＮトランジスタ２２は半導体スイッチ制御回路２０上で直列回路２５を構成し、この直列回路２５は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続されている。そしてこの直列回路２５において、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の中点には、半導体スイッチ４のベースが接続されている。
【００３９】
ここで、定電圧ダイオード２１は、カソードに抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を介してバッテリ電圧（３６Ｖ）が印加された際に通電し、（バッテリ電圧−アーク電圧）が印加された際にその通電を遮断するよう設定されている。すなわち、定電圧ダイオード２１の特性は、少なくとも、ブレーク電圧＞（バッテリ電圧−機械式スイッチ３におけるアーク電圧）となるよう設定されている。
【００４０】
コンデンサ２３は、抵抗Ｒ１３を介して、機械式スイッチ３と半導体スイッチ４との中点に接続されている。すなわち、抵抗Ｒ１３、及び、コンデンサ２３は半導体スイッチ制御回路２０上で直列回路２６を構成し、この直列回路２６は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続されている。そして、この直列回路２６において、抵抗Ｒ１３とコンデンサ２３との中点には、抵抗Ｒ１４を介してＮＰＮトランジスタ２２のベースが接続されている。
【００４１】
次に、図４を参照して、上述の電気回路の作用について説明する。
（機械式スイッチ３のＯＮ操作時の作用）
ドライバ等によって機械式スイッチ３がＯＮ操作され（図４（ａ）参照）、バッテリ１から半導体スイッチ制御回路２０への給電が開始すると、定電圧ダイオード２１が直ちにＯＮされる。
【００４２】
また、機械式スイッチ３がＯＮされると、コンデンサ２３への蓄電が開始される。これにより、ＮＰＮトランジスタ２２のベースには、コンデンサ２３への蓄電量に応じた電圧が、抵抗Ｒ１４を介して印加される（図４（ｂ）参照）。すなわち、機械式スイッチ３がＯＮされると、コンデンサ２３には抵抗Ｒ１３との関係で定まる設定時間の蓄電が行われ、この蓄電に伴い、ＮＰＮトランジスタ２２のベース電圧が設定時間をかけてハイレベルまで上昇する。
【００４３】
このようにベース電圧がハイレベルとなってＮＰＮトランジスタ２２をＯＮするまでの設定時間内において、ＮＰＮトランジスタ２２へのベース電流はベース電圧に応じて増加し、ベース電流が所定以上となると、ＮＰＮトランジスタ２２はベース電流に応じた所定の増幅率でのコレクタ電流を許容する。すなわち、ＮＰＮトランジスタ２２は、当該ＮＰＮトランジスタ２２の不飽和領域の特性に基づき、ＯＮするまでの設定時間内において、直列回路２５をベース電流に応じて所定に電流制限する。換言すれば、図４（ｃ）に示すように、機械式スイッチ３がＯＮされた後の定電圧ダイオード２１の電流は、設定時間が経過するまでの間、ＮＰＮトランジスタ２２によって所定に制限される。
【００４４】
この電流制限による直列回路２５の電流変化によって、機械式スイッチ３がＯＮされた後のトランジスタスイッチ４のベース電圧は、設定時間かけてハイレベルからローレベルへと変化する（図４（ｄ）参照）。これにより、トランジスタスイッチ４は、ベース電圧がローレベルとなってＯＮするまでの間、バッテリ１から電気負荷２に供給される電流を所定に制限する。
【００４５】
このように、半導体スイッチ４は、機械式スイッチ３がＯＮされてから設定時間が経過するまでの間、半導体スイッチ制御回路２０の作用によってバッテリ１から電気負荷２に供給される電流を所定に制限し、この制限した電流によって電気負荷２をプリチャージさせるので、電気負荷２への突入電流の発生を確実に防止し、機械式スイッチ３を的確に保護する。
【００４６】
（機械式スイッチ３のＯＦＦ操作時の作用）
ここでは、機械式スイッチ３の接点間にアークが発生した場合の作用について説明する。なお、接点間にアークが発生しない場合には、機械式スイッチ３のみの作用によって、バッテリ１から電気負荷２への通電は的確に遮断されることは勿論である。
【００４７】
ドライバ等によって機械式スイッチ３がＯＦＦ操作され（図４（ａ）参照）、機械式スイッチ３の接点間にアークが発生した場合には、機械式スイッチ３で発生するアーク電圧分だけ降下されたバッテリ電圧が半導体スイッチ制御回路２０に印加される。
【００４８】
このアーク発生によるバッテリ電圧の降下によって、定電圧ダイオード２１は直列回路１１の通電を直ちに遮断し（図４（ｂ）参照）、これにより、半導体スイッチ４のベースには、ハイレベルとなった電圧が印加される（図４（ｄ）参照）。そして、ベース電圧がハイレベルとなると、半導体スイッチ４は、直ちにＯＦＦされてバッテリ１から電気負荷２への通電を遮断する。すなわち、半導体スイッチ４は、アークによるバッテリ電圧の降下によって、速やかにＯＦＦされる。
【００４９】
そして、半導体スイッチ４がＯＦＦされてバッテリ１から電気負荷２への通電が遮断されると、アークは速やかに消弧されるので、機械式スイッチ３の接点間の消耗が的確に防止される。
【００５０】
このような実施の形態によれば、上述の第１の実施の形態と略同様の効果を奏することができる。
【００５１】
なお、上述の各実施の形態においては、半導体スイッチ制御回路５（２０）を機械式スイッチ３と電気負荷２との中点に接続するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、電気負荷２の基準電圧（アース）側に接続するようにしてもよい。すなわち、半導体スイッチ制御回路５，２０は、機械式スイッチ３を介してバッテリ１に接続された構成であればよい。
【００５２】
また、上述の各実施の形態では、半導体スイッチ４としてＰＮＰトランジスタを用いているが、ＮＰＮトランジスタや他の半導体スイッチを用いてもよい。例えば、半導体スイッチ４としてＮＰＮトランジスタを用いた場合、半導体スイッチ制御回路５（２０）によるベース電圧の制御は、上述の半導体スイッチ４の例とは異なる。すなわち、半導体スイッチ制御回路５（２０）は、機械式スイッチ３のＯＦＦ時にベース電圧をローレベルにする一方、機械式スイッチ３のＯＮ時に設定遅延時間を経てベース電圧をハイレベルにする。
【００５３】
さらに、上述の各実施の形態においては、定電圧ダイオード８（２１）、及び、コンデンサ９（２３）を用いて半導体スイッチ制御回路５（２０）を構成した例について説明したが、同様の作用を実現するものであれば、他の素子等を用いて半導体スイッチ制御回路を構成してもよいことは勿論である。
【００５４】
また、上述の各実施の形態では、具体的に、車両の電源回路に適用することを例に説明しているが、車両以外の他の電源回路であっても適用できることは云うまでもない。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、スイッチＯＦＦ時における電流のリークが無く信頼性が高く、また、簡単な回路構成で、アークや突入電流による機械式スイッチ接点の耐久性低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わり、車両用電源回路の回路図
【図２】同上、スイッチ装置の開閉動作を示すタイミングチャート
【図３】本発明の第２の実施の形態に係わり、車両用電源回路の回路図
【図４】同上、スイッチ装置の開閉動作を示すタイミングチャート
【符号の説明】
１  …  バッテリ（電源）
２  …  電気負荷
３  …  機械式スイッチ
４  …  半導体スイッチ（ＰＮＰトランジスタ）
５  …  半導体スイッチ制御回路（半導体スイッチ制御手段）
９  …  コンデンサ（蓄電手段）
２０  …  半導体スイッチ制御回路（半導体スイッチ制御手段）
２３  …  コンデンサ（蓄電手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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