(57)【要約】【課題】  アイソレーション特性を確保しつつ、コンタクトとコンタクト端子とを安定して接触させるとともに安価に製造できる高周波スイッチを提供する。【解決手段】  導電性のベース１と、このベース１に絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子２ａ，２ｂとの間に配置されるコンタクト４Ａは、上記ベース１に取付けられた駆動手段（ソレノイド１０）により、ベース１に接触する状態と、一対のコンタクト端子２ａ，２ｂに接触する状態とに切り換え移動される。このコンタクト４Ａは、板材をプレスで打ち抜き加工して形成されていて、この打ち抜き加工でバリ４ｃが生じる側の面と反対側の面が上記ベース１に接触する面とされ、上記バリ４ｃが生じる側の面には、バリ高さよりも突出する突部４ｂが形成されて、この突部４ｂが上記コンタクト端子２ａ，２ｂに接触するようになっている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のベースと、このベースに絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子との間にコンタクトが配置され、このコンタクトは、上記ベースに取付けられた駆動手段により、ベースに接触する状態と、一対のコンタクト端子に接触する状態とに切り換え移動されるようにした高周波スイッチにおいて、
上記コンタクトは、板材をプレスで打ち抜き加工して形成されていて、この打ち抜き加工でバリが生じる側の面と反対側の面が上記ベースに接触する面とされ、上記バリが生じる側の面には、バリ高さよりも突出する突部が形成されて、この突部が上記コンタクト端子に接触するようになっていることを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項２】
上記コンタクトは、略短冊状のシングル接点に形成されて、このコンタクトに上記突部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波伝送線に使用される高周波スイッチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波スイッチとしては、ソレノイド（駆動手段）でコンタクト（可動接点）を切り換え移動させて、コンタクトを一対のコンタクト端子（固定接点）に接触させ、または非接触とすることで、スイッチングを行うものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
上記高周波スイッチでは、スイッチオフの状態、すなわちコンタクトがコンタクト端子と非接触の状態であっても、コンタクトを介して一対のコンタクト端子間に放電が生じることがあるので、これを防止してアイソレーション特性を確保する必要がある。
【０００４】
このようなアイソレーション特性を確保するために、図９に示すように、導電性ベース１Ａと、このベース１Ａに絶縁部材３０ａ，３０ｂを介して絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子２０ａ，２０ｂとの間にコンタクト４０が配置され、このコンタクト４０は、上記ベース１Ａに取付けられたソレノイド１００により、ベース１Ａに接触する状態と、一対のコンタクト端子２０ａ，２０ｂに接触する状態とに切り換え移動されるようにして、スイッチオフの状態で、コンタクト４０をアースした導電性のベース１Ａに接触させるようにすれば良い。
【０００５】
そして、一方の面をコンタクト端子２０ａ，２０ｂに接触させ、他方の面をベース１Ａに接触させる必要があるコンタクト４０は、一般的には、素材を化学的に溶かしながら形成するエッチング加工によって形成できるが、エッチング加工は、加工コストが高く、しかも形状の安定性に欠けるという問題がある。
【０００６】
そこで、板材をプレスの打ち抜き加工してコンタクト４０を形成することが考えられる。
【特許文献１】特開２０００−３３１５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、板材をプレスの打ち抜き加工してコンタクト４０を形成する場合には、コンタクト４０の打ち抜き周縁部にバリが発生し、このバリが生じる側の面を、ベース１Ａに接触させる面とすると、アイソレーション特性が低下するおそれがあり、逆にコンタクト端子２０ａ，２０ｂと接触させる面とすると接触が不安定になるおそれがある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑み、アイソレーション特性を確保しつつ、コンタクトとコンタクト端子とを安定して接触させるとともに安価に製造できる高周波スイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、導電性のベースと、このベースに絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子との間にコンタクトが配置され、このコンタクトは、上記ベースに取付けられた駆動手段により、ベースに接触する状態と、一対のコンタクト端子に接触する状態とに切り換え移動されるようにした高周波スイッチにおいて、
上記コンタクトは、板材をプレスで打ち抜き加工して形成されていて、この打ち抜き加工でバリが生じる側の面と反対側の面が上記ベースに接触する面とされ、上記バリが生じる側の面には、バリ高さよりも突出する突部が形成されて、この突部が上記コンタクト端子に接触するようになっているものである。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波スイッチにおいて、上記コンタクトは、略短冊状のシングル接点に形成されて、このコンタクトに上記突部が形成されているものである。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明によれば、板材をプレスで打ち抜き加工してコンタクトを形成し、この打ち抜き加工でバリが生じる側の面に突部を形成したから、エッチング加工と比べてコンタクトを安価に製造できるとともに、バリ高さよりも突出する突部によって、バリが生じていてもコンタクト端子との安定した接触状態が得られるようになる。また、コンタクトのバリが生じる側の面と反対側の面をベースに接触させるようにしたから、アイソレーション特性も確保することができる。
【００１２】
請求項２の発明によれば、コンタクトを略短冊状のシングル接点に形成して、このコンタクトに突部を形成したから、良好な高周波特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１および図２に示すように、高周波スイッチは、導電性のベース１と、このベース１に絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子２ａ，２ｂと、ベース１とコンタクト端子２ａ，２ｂとの間に配置されるコンタクト４Ａとを備えている。
【００１５】
上記ベース１は、アルミニウム等の導電性の金属材料で構成されて、直方体形状の側面のコーナー部が面取りされている。
【００１６】
このベース１の上面には、図３に示すように、長孔状に窪む凹部１ｂが長手方向に延びるように形成されているとともに、この凹部１ｂの長手方向の両脇にネジ孔１ｅが形成されている。さらに、凹部１ｂの底面中心には、上下方向に貫通する貫通孔１ｃが形成されている。
【００１７】
また、ベース１の下面には、下方に開口して長手方向に延びる横断溝１ａが形成されているとともに、この横断溝１ａを跨ぐように円形状に窪む嵌合部１ｆが２箇所に形成されている。さらに、横断溝１ａの上面の両端付近には、有底の固定穴１ｄが一対形成されている。
【００１８】
そして、この横断溝１ａ内に上記一対のコンタクト端子２ａ，２ｂおよびコンタクト４Ａが配置されて、その下方にはサブベース５が配設されている。
【００１９】
上記コンタクト端子２ａ，２ｂは、液晶ポリマー樹脂等の絶縁部材３ａ，３ｂにインサートモールドされている。この絶縁部材３ａ，３ｂは、上記ベース１の横断溝１ａに嵌入する形状に形成されているとともに、その上面には、上記ベース１の固定穴１ｄに嵌合する突起３ｃ、３ｄが形成されて、この突起３ｃ，３ｄが固定穴１ｄにそれぞれ圧入されることにより、コンタクト端子２ａ，２ｂがベース１に絶縁状態で保持されるようになる。
【００２０】
上記コンタクト４Ａは、図４に示すように、略短冊状のシングル接点に形成されて、その中央部分には変形の貫通孔４ａが形成されている。このコンタクト４Ａは、例えば厚み寸法が０．３〜０．６ｍｍ程度で耐熱性の高いベリリウム銅等の板材をプレスで打ち抜き加工して、金メッキが施されているものが好ましい。
【００２１】
このコンタクト４Ａは、図５に示すように、上記打ち抜き加工によってバリ４ｃが生じる側の面がコンタクト端子２ａ，２ｂ側を向くとともに、その反対側の面が上記ベース１の横断溝１ａの上面側を向くように配置される。
【００２２】
また、このコンタクト４Ａの両端付近には、半球状の突部４ｂが、コンタクト端子２ａ，２ｂの方向に突出するようにそれぞれ打ち出し形成されている。この突部４ｂは、上記打ち抜き加工によって生じるバリ４ｃの高さよりも突出する高さに設定されている。
【００２３】
上記サブベース５は、瓢箪状に形成されて、ベース１の横断溝１ａおよび嵌合部１ｆに嵌合固定されることにより、下方に開口する横断溝１ａを閉塞して、ベース１に上記保持部材３ａ，３ｂを固定するものである。
【００２４】
一方、上記ベース１の上面に形成された凹部１ｂ内には、下方から順に、カード６、カードバネ７、円柱状のカード８が配置され、凹部１ｂの底面と上記カード６との間には一対の復帰バネ９が配置されている。そして、これらの部品６〜８並びにベース１に取付けられるソレノイド１０によってコンタクト４Ａを移動させる駆動手段が構成されている。
【００２５】
上記カード６は、絶縁性の樹脂等で構成されて、ベース１の凹部１ｂに嵌り込む基部６ａと、この基部６ａの中央部分から下方に突出する突出部６ｂとを有して、基部６ａの下面には、突出部６ｂの両脇に下方に突出する一対の凸部６ｄが形成され、その反対側の上面には上方に突出する一対の凸部６ｅが形成されている。
【００２６】
このカード６の突出部６ｂは、ベース１の凹部１ｂの貫通孔１ｃから横断溝１ａ内に突出し、コンタクト４Ａの貫通孔４ａに挿入して熱かしめ固定されるようになっている。
【００２７】
上記コンタクト４Ａの貫通孔４ａは、四角形状の一角が狭斜面二角の変形に形成されているとともに、上記突出部６ｂの先端部分６ｃもこの形状に対応する形状に形成されている。従って、コンタクト４Ａは表裏反対に上記先端部６ｂに挿入することができず、コンタクト４Ａの突部４ｂが下向きになることが担保されている。
【００２８】
上記カードバネ７は、平板状のバネであり、上記カード６の凸部６ｅに挿通される一対の孔７ａを有して、このカードバネ７の中央部分が上記カード８に押されるようになっている。
【００２９】
上記カード８は、絶縁性の樹脂等で構成されて、ソレノイド１０の駆動力をカードバネ７に伝達するものである。
【００３０】
上記復帰バネ９は、コイル状の圧縮バネであり、カード６の凸部６ｄでガイドされて、カード６を上方に付勢して、カード６の突出部６ｂに取付けられたコンタクト４Ａをベース１の横断溝１ａの上面に圧接させるものである。
【００３１】
このように、コンタクト４Ａは復帰バネ９の付勢力によって横断溝１ａの上面に圧接されるため、撓みが発生しないように前述の厚みに設定されている。
【００３２】
上記ソレノイド１０は、ベース１のネジ孔１ｅに螺入されるボルトＢ１によってベース１の上面に取付けられている。
【００３３】
このソレノイド１０は、円柱状の可動鉄芯１１と、この可動鉄芯１１を内部に収容する円筒状の絶縁性ボビン１２と、このボビン１２の側周部に導体線が巻設されたコイル１３と、可動鉄芯１１の下方に配置される固定鉄芯１４と、この固定鉄芯１４を固定するとともにボビン１２を下方からコ字状に覆う継鉄１５と、ボビン１２の上端部に嵌合する平角リング状の継鉄１６と、継鉄１５の左右の上端部に嵌合されて継鉄１６を上方からコ字状に覆うプレート１７と、全体を上方からコ字状に覆うカバー１８とを備えている。
【００３４】
また、上記固定鉄芯１４の中心部には、貫通孔１４ａが形成されて、この貫通孔１４ａ内に上記カード８が挿入されるようになっている。
【００３５】
そして、上記コイル１３に電流が流れていないときには、上記可動鉄芯１１が、カード８、カードバネ７、カード６を介して一対の復帰バネ９によって固定鉄芯１４から離れた位置に付勢されている。
【００３６】
一方、コイル１３に電流が流されたときには、可動鉄芯１１が磁化されて固定鉄芯１４側に移動するので、この可動鉄芯１１の移動に伴ってカード８、カードバネ７、カード６が下方に移動するため、カード６に取付けられたコンタクト４Ａの突部４ｂがコンタクト端子２ａ，２ｂにそれぞれ接触する（図５参照）。
【００３７】
このとき、コンタクト４Ａの下面にバリ４ｃが生じていても、上記突部４ｂは前述したようにバリ４ｃ高さよりも突出する高さに設定されているため、バリ４ｃがコンタクト端子２ａ，２ｂに接触することがなく、突部４ｂによって安定した接触状態を得ることができる。
【００３８】
上記実施形態では、板材をプレスで打ち抜き加工してコンタクト４Ａを形成し、この打ち抜き加工でバリ４ｃが生じる側の面に突部４ｂを形成したから、エッチング加工と比べてコンタクト４Ａを安価に製造できるとともに、安定した接触状態が得られるようになる。
【００３９】
また、コンタクト４Ａのバリ４ｃが生じる側の面と反対側の面をベース１に接触させるようにしたから、アイソレーション特性も確保することができる。
【００４０】
上記実施形態では、略短冊状のシングル接点に形成したコンタクト４Ａを示したが、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、二股状のツイン接点に形成したコンタクト４Ｂの各端部に突部４ｂを形成することも可能である。
【００４１】
しかしながら、コンタクト４Ｂがこのような形状であれば、コンタクト４Ｂが傾いた状態でコンタクト端子２ｂと接触した場合〔図６（ｃ）参照〕に、コンタクト端子２ｂと接触しない部分に一旦信号が回り込むために経路ロスが生じて〔図６（ｄ）の矢印ａ参照〕、高周波特性が劣化することがある。
【００４２】
このことは、図７および図８に示すように、二股状のコンタクト４Ｂが両当りした状態（図７の折れ線イ、図８の折れ線ハ参照）よりも片当りした状態（図７の折れ線ロ、図８の折れ線ニ参照）の方が、インサーションロスが大きくなるとともに、５０Ωに対する定在波比も大きくなることからも分かる。
【００４３】
これに対して、コンタクト４Ａを略短冊状のシングル接点に形成すれば、経路ロスが生じることがないために、良好な高周波特性が得られるようになるので有利である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】高周波スイッチの正面断面図である。
【図２】高周波スイッチの分解斜視図である。
【図３】（ａ）はベースの斜視図、（ｂ）はベースを裏返した状態の斜視図である。
【図４】（ａ）はコンタクトの平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線端面図である。
【図５】コンタクトの突部がコンタクト端子に接触した状態を示す側面断面図である。
【図６】変形例のコンタクトであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩＩ−ＩＩ線端面図、（ｃ）はコンタクトが傾いた状態でコンタクト端子と接触した状態を示す断面図、（ｄ）はその時の信号の流れを矢印で模式的に表わした図である。
【図７】二股状のツイン接点に形成されたコンタクトが片当りしたときおよび両当りしたときの周波数に対するインサーションロスを示すグラフである。
【図８】二股状のツイン接点に形成されたコンタクトが片当りしたときおよび両当りしたときの周波数毎の５０Ωに対する定在波比を示すグラフである。
【図９】従来の高周波スイッチの略式図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  ベース
２ａ，２ｂ  コンタクト端子
３ａ，３ｂ  絶縁部材
４Ａ，４Ｂ  コンタクト
４ａ  貫通孔
４ｂ  突部
４ｃ  バリ
５  サブベース
６  カード
７  カードバネ
８  カード
９  復帰バネ
１０  ソレノイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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