(57)【要約】    【課題】  製造時に高温にさらすのを防止することができ、且つ耐候性を向上させる表示パネルを提供する。    【解決手段】  表示パネルとしての有機ＥＬ素子１００は、無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０の上に形成された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように形成された封止板３０とから成る。封止板３０は、中央の凹部３２の周辺部に幅２．０ｍｍの周辺突条部３１が形成され、有機ＥＬ積層体２０は、基板１０上に形成され、ＩＴＯ膜から成る導電膜２１と、導電膜２１の上面に積層された有機ＥＬ積層膜２２と、有機ＥＬ積層膜２２の上面に形成される上部透明電極２３と、上部透明電極２３に接続される引出し電極２４とから成る。基板１０と封止板３０の周辺突状部３１とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層４０を介して封止接合される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルにおいて、前記基板と前記封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成ることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項３】
前記ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
【請求項４】
前記金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
【請求項６】
前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
【請求項７】
前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
【請求項８】
前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは有機ＥＬ表示パネルであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項１０】
基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板と前記封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布する塗布ステップと、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面を互いに合わせる合わせステップと、塗布した前記金属材料を溶着させることにより前記基板と前記封止板とを封止接合する封止接合ステップとを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記塗布ステップは、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した前記金属材料との界面を活性化させて前記金属材料を塗布することを特徴とする請求項１１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記塗布ステップ及び前記封止接合ステップの少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われることを特徴とする請求項１１記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示パネルのうち、特に、ＥＬ表示パネルとしてのＥＬ素子は、発光層を介して対向する電極及び背面電極に電圧を選択的に印加することによって該発光層を選択的に発光させることができ、マトリックス表示に適するパッシブ型のものと、高速スイッチング機能によって高速切換え表示を行うことができ、動画表示に適するアクティブ型のものとの２種類が知られている。
【０００３】
上記パッシブ型のＥＬ素子は、単純マトリックス構造をとり、基板と、該基板上に配された電極と、発光層を含み、該電極の上面に積層されたＥＬ積層体と、該ＥＬ積層体の上面に積層された背面電極と、該ＥＬ積層体を積層した基板に頂面が接着される周辺突条部を周辺部に規定するように中央部が凹状に加工され、周辺突条部の頂面の封止部を介して基板上に接着されたガラス製の封止板とから成る。
【０００４】
また、上記アクティブ型のＥＬ素子は、アクティブマトリックス構造をとり、ＴＦＴ液晶素子の構造と同様に、基板と、該基板上に画素毎に形成された薄膜トランジスター回路又はダイオードと、発光層を含み、該薄膜トランジスター回路又は該ダイオードの上面に積層されたＥＬ積層体と、該ＥＬ積層体を積層した基板に頂面が接着される周辺突条部を周辺部に規定するように中央部が凹状に加工されたガラス製の封止板とから成る。
【０００５】
上記パッシブ型のＥＬ素子と上記アクティブ型のＥＬ素子とにおいて、トップエミッション型のＥＬ素子は、上記発光層から上記封止板側までを透明部材で構成することにより、発光層からの光を封止板側から取出すものである。
【０００６】
これらのＥＬ素子において、長期間使用することにより、封止板の密封性が低下してＥＬ素子内に水分等が混入し、この結果、ＥＬ積層膜が劣化することがある。これを防止するために、ＥＬ素子内を水分や酸素から遮断すべく、基板と封止板とは、基板と封止板の周辺突条部との間の封止部に配された接着剤から成る接着層を介して接着されている。この接着層を構成する接着剤の材料としては、一般的に、樹脂や低融点ガラス等が用いられている。
【特許文献１】特開２００２−２３１４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、表示パネルのうち、特に、ＥＬ表示パネルとしてのＥＬ素子は、基板と封止板の周辺突条部との間の封止部に配された接着層の材料として樹脂製接着剤を用いた場合は、樹脂が透湿性を有していることにより、樹脂を通して水分がＥＬ素子内部に浸入するので、ＥＬ素子、特に有機ＥＬ素子の特性が悪化すると共に耐候性が低下してしまうという問題がある。また、接着層の材料として低融点ガラスを用いた場合は、接着工程の際にＥＬ素子が高温になるので、ＥＬ素子、特に有機ＥＬ素子の特性が悪化したり、ＥＬ素子内の基板に反りが生じてしまうという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、製造時に高温にさらすのを防止することができ、且つ耐候性を向上させる表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の表示パネルは、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルにおいて、前記基板と前記封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の表示パネルは、請求項１記載の表示パネルにおいて、前記金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成ることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の表示パネルは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示パネルにおいて、前記金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の表示パネルは、請求項３記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載の表示パネルは、請求項３記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする。
【００１７】
請求項９記載の表示パネルは、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示パネルにおいて、前記表示パネルは有機ＥＬ表示パネルであることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０記載の表示パネルの製造方法は、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板と前記封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合することを特徴とする。
【００１９】
請求項１１記載の表示パネルの製造方法は、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布する塗布ステップと、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面を互いに合わせる合わせステップと、塗布した前記金属材料を溶着させることにより前記基板と前記封止板とを封止接合する封止接合ステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２記載の表示パネルの製造方法は、請求項１１記載の表示パネルの製造方法において、前記塗布ステップは、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した前記金属材料との界面を活性化させて前記金属材料を塗布することを特徴とする。
【００２１】
請求項１３記載の表示パネルの製造方法は、請求項１１記載の表示パネルの製造方法において、前記塗布ステップ及び前記封止接合ステップの少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１記載の表示パネルによれば、基板と封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されているので、製造時に表示パネルを高温にさらすのを防止することができ、且つ封止板の凹部の気密性が向上すると共に凹部の透湿性が低下し、もって表示パネルの耐候性を向上させることができる。
【００２３】
請求項２記載の表示パネルによれば、金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成るので、請求項１の効果を確実に奏することができる。
【００２４】
請求項３記載の表示パネルによれば、ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むので、溶着層と基板のガラス成分との接着性を向上させることができる。
【００２５】
請求項４記載の表示パネルによれば、金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であるので、溶着時の熱による表示パネルの劣化や、熱による基板の反りを確実に防止することができる。
【００２６】
請求項５記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であるので、基板との接着性が更に向上し、且つ低い温度での封止接合を実現することができる。
【００２７】
請求項６記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であるので、基板との接着性が更に向上すると共に凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、機械的特性に優れ、且つ更に低い温度での封止接合を実現することができる。
【００２８】
請求項７記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であるので、基板との接着性を更に向上させることができると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板との界面における耐候性を向上させることができる。
【００２９】
請求項８記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であるので、基板との接着性を更に向上させることができると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板との界面における耐候性を更に向上させることができる。
【００３０】
請求項１０記載の表示パネルの製造方法によれば、基板と封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合するので、金属材料の基板への付着性を向上させた封止接合を実現することができる。
【００３１】
請求項１１記載の表示パネルの製造方法によれば、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布し、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面を互いに合わせて、塗布した金属材料を溶着させることにより基板と封止板とを封止接合するので、金属材料を所望の幅や厚みで塗布することができ、もって表示パネルの耐候性を更に向上させることができる。
【００３２】
請求項１２記載の表示パネルの製造方法によれば、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した金属材料との界面を活性化させて金属材料を塗布するので、基板と金属材料との接着強度又は封止板と金属材料との接着強度を向上させることができる。
【００３３】
請求項１３記載の表示パネルの製造方法によれば、塗布及び封止接合の少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われるので、金属材料の表面における酸化物の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態に係る表示パネルを図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図１は、本発明の実施の形態に係る表示パネルとしてのＥＬ表示パネルの断面図である。
【００３６】
図１において、ＥＬ表示パネルとしてのトップエミッション型有機ＥＬ素子１００は、パッシブ構造をとり、大きさ７．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０の上に形成された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように形成された封止板３０とから成る。
【００３７】
封止板３０は、大きさ５．０ｃｍ角、厚さ１．１ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工されると共に、表面に、中央部を凹状に規定すべく中央の凹部３２の周辺部に幅２．０ｍｍの周辺突条部３１が形成され、底部の厚さが０．８ｍｍである。
【００３８】
封止板３０の凹部３２の形成は、ガラス素板を後述するウェットエッチング法により凹状に形成することにより行われる。このウェットエッチング法によりエッチングされたガラス素板のエッチング深さを測定したところ３００μｍであった。また、凹部３２の底面隅角部において湾曲部位を有し、その曲率半径は約３００μｍであった。封止板３０の凹部３２の底部の厚さは、０．３〜１．１ｍｍが好ましい。厚さが、０．３ｍｍ未満では封止板３０の強度が不十分であり、１．１ｍｍで封止板３０の強度は十分得られる。
【００３９】
上記のウェットエッチング法は、ガラス素板の４．５ｃｍ角の中央部が露出するように耐酸性テープ、即ちレジストでマスキングした後、このマスキングされたガラス素板を、例えば２０質量％フッ化水素酸、１質量％ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムの混合液から成り、２５℃に保たれたエッチング液に浸漬するものである。
【００４０】
有機ＥＬ積層体２０は、基板１０上に形成され、厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜から成る導電膜２１と、後述する発光層を含み、該導電膜２１の上面に積層された有機ＥＬ積層膜２２と、有機ＥＬ積層膜２２の上面に形成され、厚さ５００ｎｍのＩＴＯ膜から成る上部透明電極２３と、上部透明電極２３に接続され、厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜から成る引出し電極２４とから成る。
【００４１】
有機ＥＬ積層膜２２は、導電膜２１側に配されたトリフェニルジアミンから成る高さ７０ｎｍの正孔輸送層と、この正孔輸送層の上面に形成されたキノリノールアルミ錯体から成る高さ７０ｎｍの発光層とから成る。さらには、上部透明電極２３と発光層との間に、さらにトリアゾールやオキサジアゾールから成る透明な電子輸送層が配されて構成されていてもよい。
【００４２】
基板１０と封止板３０の周辺突状部３１とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層４０を介して後述する図２の装置により封止接合される。具体的には、封止板３０を基板１０に対して所定の位置に配置した後、組成が９１．２Ｓｎ−８．８Ｚｎ（共晶点温度：１９８℃）の溶融したハンダａを用いて、封止板３０の周辺突条部３１を基板１０に溶着する。
【００４３】
図２は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法を実行する溶着装置の断面図である。
【００４４】
図２において、溶着装置Ａは、図１における基板１０と封止板３０の周辺突状部３１との封止接合を行うように、以下のように構成されている。
【００４５】
即ち、溶着装置Ａは、高部で載置台５０を介して有機ＥＬ素子１００の基板１０及び封止板３０を保持すると共に、低部で供給塔５１を保持する段付き定盤５２を有する。段付き定盤５２の底部には、上記有機ＥＬ表示パネル１００に沿って２本のレール部材５３が配され、上記供給塔５１はレール部材５３上を走行する移動機構５４の上に載置されている。
【００４６】
供給塔５１は、液相又は固相のハンダａを貯留する横断面長方形のるつぼ部５５と、るつぼ部５５の側壁部に内蔵されると共にるつぼ部５５内に貯留されたハンダａを加熱する電熱ヒータ５６と、るつぼ部５５の底部に連通すると共に有機ＥＬ素子１００の基板１０及び封止板３０の封止部（間隙部５７）に向かって開口する断面長尺状の導入部５８と、導入部５８の中位に水平に配された導入板５９とを備える。導入板５９は、導入部５８から延伸して間隙部５７に嵌入しており、これにより、ハンダａは、その表面張力と相俟って間隙部５７に侵入する。加えて、るつぼ部５５内で液位ΔＨにあるハンダａの重力が導入板５９の部位においてハンダａに印加され、これにより、ハンダａの間隙部５７内への侵入を促進する。
【００４７】
一方、移動機構５４は、間隙部５７に沿ってレール部材５３上を一定速度で移動する。これにより、ハンダａが導入部５８を介して間隙部５７の全長に亘って侵入する。
【００４８】
導入板５９は、図３に示すように、間隙部５７に沿って２連の波形部６０を有してもよい。この波形部６０は、その山部が封止板３０の周辺突状部３１の頂面上を摺動し、谷部が基板１０上を摺動するようになっている。これにより、ハンダａの基板１０への付着性を更に向上させて、摩擦接合法による封止接合を実現することができる。
【００４９】
本実施の形態によれば、基板１０と封止板３０の周辺突条部３１とは、ハンダａから成る溶着層４０を介して封止接合されるので、封止板３０の凹部３２の気密性が向上すると共に凹部３２の透湿性が低下し、もって有機ＥＬ素子１００の耐候性を向上させることができる。また、これにより、従来封止板３０の凹部３２に配されているシリカゲル等の除湿剤が不要になるので、製造コストを減少させることができると共に製造工程の工数を削減することができる。また、有機ＥＬ素子１００の温度を上昇させることなく封止板３０を基板１０に溶着することができるので、溶着時の熱による有機ＥＬ素子１００の劣化や、熱による基板１０の反りを防止することができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、基板１０と封止板３０とを、溶融したハンダａを用いて摩擦接合法によって封止接合するので、ハンダａの基板１０への付着性を向上させた封止接合を実現することができる。
【００５１】
本実施の形態では、溶着層４０は、溶着装置Ａを用いて形成されたが、これに限定されるものではなく、陽極接合、超音波を用いた接合、多段接合、圧着接合等の接合方法を用いて形成されるものであってもよい。
【００５２】
本実施の形態では、基板１０と封止板３０の周辺突条部３１とをハンダａから成る溶着層４０により封止接合しているが、これに限定されず、図４に示すように、基板１０及び封止板３０の外周縁部は、段付き加工されたものであってもよく（図４（ａ））、また、べべリング加工されたものであってもよい（図４（ｂ））。さらに、基板１０及び封止板３０の外周縁部において、図４（ｃ）に示すように、基板１０及び封止板３０の夫々の外周端に、ハンダａから成る溶着層４０を用いて外枠７０を溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合してもよい。
【００５３】
図５及び図６は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例を説明するのに用いられる図である。
【００５４】
本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例は、まず、大きさ７．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０と同一形状且つ同一サイズの封止板３０を準備し、次に、図６に示すように、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で、基板１０の一方の主面における外周縁部に、その先端にある管状の射出口９１の内径が１．５ｍｍ、外径が２．０ｍｍであるディスペンサ９０を用いて、ディスペンサ９０の先端を基板１０の一方の主面上で摺動させることによって、基板１０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを線状に塗布して固化させ（塗布ステップ）、基板１０の外周縁部全体に亘ってハンダ部８１を形成し（図５（ａ））、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に、ディスペンサ９０を用いて封止板３０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを線状に塗布して固化させ、封止板３０の外周縁部全体に亘ってハンダ部８２を形成する。
【００５５】
ディスペンサ９０は、ディスペンサ９０から射出されるハンダａの量、基板１０とハンダａとの界面における摩擦幅、即ち射出口９１の外径、及びディスペンサ９０の送り速度を制御することにより、所望の幅及び厚みであるハンダ部８１及びハンダ部８２を形成することができる。
【００５６】
本方法は、さらに、ハンダ部８１が形成された基板１０の一方の主面及びハンダ部８２が形成された封止板３０の一方の主面を互いに合わせて（合わせステップ）（図５（ｂ））、更に、基板１０及び封止板３０を、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で、ハンダａの共晶点温度付近、例えば２００℃に加熱し、ハンダ部８１とハンダ部８２とを互いに融着させて溶着層８３を形成し（図５（ｃ））、溶着層８３を介して基板１０と封止板３０とを溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合する（封止接合ステップ）。
【００５７】
本実施の形態によれば、基板１０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布し、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布し、基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面を互いに合わせて、ハンダ部８１とハンダ部８２とを溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合するので、ハンダ部８１及びハンダ部８２を所望の幅や厚みにすることができ、もって有機ＥＬ素子１００の耐候性を更に向上させることができる。
【００５８】
本実施の形態によれば、基板１０とハンダａとの界面及び封止板３０とハンダａとの界面を活性化させて溶融したハンダａを塗布するので、基板１０とハンダａとの接着強度及び封止板３０とハンダａとの接着強度を向上させることができる。
【００５９】
本実施の形態によれば、塗布及び封止接合の少なくとも一方は、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で行うので、ハンダ部８１及びハンダ部８２の表面における酸化物の発生を抑制することができる。
【００６０】
本実施の形態では、ディスペンサ９０の先端を基板１０の一方の主面上で摺動させることによって基板１０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを塗布したが、これに限るものではなく、ディスペンサ９０に連結されると共に微小な振動を発生する不図示の振動発生装置を用いてハンダａに振動を印加することによって基板１０の一方の主面とハンダａとの界面を活性化させ、基板１０の一方の主面にハンダａを塗布してもよい。
【００６１】
本実施の形態では、基板１０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布して固化させ、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布して固化させたが、これに限るものではなく、基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に、溶融したハンダａを塗布して固化させてもよい。具体的には、基板１０の一方の主面における外周縁部のみにハンダａを塗布した場合は、不図示の振動発生装置を用いて封止板３０に振動を印加することにより封止板３０の一方の主面とハンダ部８１との界面を活性化させ、ハンダ部８１が形成された基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面を互いに合わせてもよい。同様に、封止板３０の一方の主面における外周縁部のみにハンダａを塗布した場合は、不図示の振動発生装置を用いて基板１０に振動を印加することにより基板１０の一方の主面とハンダ部８２との界面を活性化させ、ハンダ部８２が形成された封止板３０の一方の主面及び基板１０の一方の主面を互いに合わせてもよい。
【００６２】
本発明の各実施の形態では、９１．２Ｓｎ−８．８Ｚｎ（共晶点温度：１９８℃）のハンダａを用いたが、これに限定されるものではなく、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む合金又は金属であって、共晶点温度又は融点が２５０℃以下となるハンダであってもよい。
【００６３】
さらに、上記金属材料は、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含んでいてもよい。これにより、溶着層４０と基板１０のガラス成分との接着性を向上させることができる。
【００６４】
また、上記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であるのが好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上し、且つ低い温度での封止接合を実現することができる。
【００６５】
ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であるのがより好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上すると共に凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、機械的特性に優れ、且つ更に低い温度での封止接合を実現することができる。
【００６６】
また、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であるのが好ましく、さらに、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％であり、かつ液相線温度が１２５℃以下で
あるのがより好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上すると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板１０との界面における耐候性を向上させることができる。
【００６７】
ここで、Ｚｎが上記範囲の量より少ない場合は、基板１０との接着性が向上しないと共にＴｉをより均質に含有させることができず、一方Ｚｎが上記範囲の量より多い場合は、ハンダの液相線温度が高くなることで接着に必要な温度が高くなり不都合である。
【００６８】
Ｔｉが上記範囲の量より少ない場合は、基板１０との接着性が向上せず、一方Ｔｉが上記範囲の量より多い場合は、ハンダの液相線温度が高くなることにより、接着に必要な温度が高くなり不都合である。特に、ハンダの溶融状態においてＴｉと他成分との化合物が析出しやすくなり好ましくない。
【００６９】
また、より好ましくはＩｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％に近いハンダである程良く、特に、Ｉｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％（共晶温度１１７℃）から成るハンダは、凝固後の組織が非常に細微となり、柔軟性に富み、機械的特性に優れるため好ましい。
【００７０】
さらに好ましくは、Ｉｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％（共晶温度１１７℃）から成るハンダにＺｎとＴｉを添加したもの、例えば、Ｉｎ５１％、Ｓｎ４７％、Ｚｎ２．０％、Ｔｉ０．００２％の組成から成るハンダがよい。これにより、基板１０との接着性が極めて良好であり、ハンダと基板１０との界面の耐候性も極めて良好となる。
【００７１】
上記ハンダとしては、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系等のハンダであって、その共晶点温度が２５０℃以下となるようなハンダを用いてもよい。
【００７２】
本実施の形態では、ガラス素板に凹部３２を形成する方法として、ウェットエッチング法を用いているが、ドライエッチング法でもよく、ドライエッチング法とウェットエッチング法とを併用してもよい。
【００７３】
本実施の形態では、封止板３０の材料として無アルカリガラスを用いたが、有機ＥＬ素子１００の構成に応じて低アルカリガラス、又はエッチング後にアルカリ溶出防止処理を施したソーダライムガラス又は石英ガラスを用いることができる。また、封止板３０の材料として、金属材料を用いてもよく、この金属材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅを用いることが好ましく、さらに、ＳＵＳ、セラミック、Ｐｔ、Ａｕを用いてもよい。
【００７４】
また、封止板３０の形状は、図１に記載された形状に限定されるものではなく、有機ＥＬ積層体２０を保護するべく、基板１０と溶着層４０とによって封止できるものであればよい。
【００７５】
本実施の形態では、有機ＥＬ積層膜２２はパッシブ構造をとるものであったが、アクティブ構造をとるものであってもよい。また、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１００はトップエミッション構造をとるものとしたが、ボトムエミッション構造をとるものであってもよい。
【００７６】
また、ＥＬ積層膜は、有機ＥＬ積層膜２２に代えて、無機ＥＬ積層膜であってもよい。この場合、透明導電膜側から順に、絶縁層、発光層、絶縁層からなるものや、電子障壁層、発光層、電流制限層からなるものが用いられる。
【００７７】
また、本実施の形態では、ＥＬ表示パネルとしての有機ＥＬ素子１００を用いたが、これに限定されるものではなく、ＣＲＴ、ＰＤＰ等の表示パネルを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示パネルとしてのＥＬ表示パネルの断面図である。
【図２】図１における基板１０と封止板３０の周辺突状部３１との溶着を行う溶着装置の断面図である。
【図３】図２における導入板５９の変形例を示す図である。
【図４】図１の有機ＥＬ素子１００の変形例を示す部分断面図であり、（ａ）は基板１０と封止板３０の外周縁部に段付き加工を施した場合、（ｂ）は基板１０と封止板３０の外周縁部にべべリング加工を施した場合、（ｃ）は基板１０と封止板３０の外周端にハンダを用いて外枠７０を溶着させた場合を夫々示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例を説明するのに用いられる図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例を説明するのに用いられる図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  基板
２０  有機ＥＬ積層体
２１  導電膜
２２  有機ＥＬ積層膜
２３  上部透明電極
２４  引出し電極
３０  封止板
３１  周辺突条部
４０  溶着層
５７  間隙部
１００  有機ＥＬ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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