(57)【要約】【課題】  ロバスト性の高い光変調素子を低コストで作製するための光変調素子の設計方法を提供する。【解決手段】  固定部１３と、該固定部１３から接離方向に移動自在に配置された可動部（光変調部１５）と、固定部１３及び可動部のそれぞれに設けた電極及びハーフミラー２３，３１とを有し、電極間へ駆動電圧を印加することで可動部を変位させ、ハーフミラー２３，３１の離間間隔、及び光の波長に応じた光干渉特性により、所定の出射角範囲で入射された光に対して光変調を行う微小電気機械式の光変調素子の設計方法であって、ハーフミラー２３，３１の反射率Ｒを０．８８≦Ｒ≦０．９２、且つ、光変調素子に入射させる光の放射輝度分布を０〜２０degから０〜３０degの範囲内に設定するようにした。【選択図】  図２
2005202266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、該固定部から接離方向に移動自在に配置された可動部と、前記固定部及び可動部のそれぞれに設けた電極及びハーフミラーとを有し、前記電極間へ駆動電圧を印加することで前記可動部を変位させ、前記ハーフミラーの離間間隔、及び光の波長に応じた光干渉特性により、所定の出射角範囲で入射された光に対して光変調を行う微小電気機械式の光変調素子の設計方法であって、
前記ハーフミラーの反射率Ｒを０．８８≦Ｒ≦０．９２、且つ、前記光変調素子に入射させる光の放射輝度分布を０〜２０degから０〜３０degの範囲内に設定することを特徴とする光変調素子の設計方法。
【請求項２】
前記光変調素子の光透過時における前記ハーフミラー間の設計距離からの誤差を２０ｎｍ以下、遮光時における前記ハーフミラー間の設計距離からの誤差を６０ｎｍ以下に設定することを特徴とする請求項１記載の光変調素子の設計方法。
【請求項３】
前記光変調素子が、前記電極へ駆動電圧を印加した場合に光透過状態となり、駆動電圧を印加しない場合に遮光状態となるノーマリ・オフモードの素子であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光変調素子の設計方法。
【請求項４】
前記可動部が、前記固定部に懸架された薄膜梁であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の光変調素子の設計方法。
【請求項５】
前記光変調素子が、ファブリペロー干渉による光干渉効果によって光変調を行うものである請求項１〜請求項４のいずれか１項記載の光変調素子の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調素子の設計方法に関し、特にロバスト性の高い光変調素子を低コストで作製する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライトからの光を光変調素子に導入して光を選択的に出射させる平面表示装置や平面露光装置に対する製造上の問題点は幾つかあり、特に、平面表示装置を大面積ディスプレイとして利用する場合には素子作製の精度や性能の要求が厳しくなり、現在の製造技術で実用上支障なく製造可能か否か検証する必要がる。
【０００３】
ＰＬ（Photo Luminescence）光源とＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical systems）技術を用いた光変調素子を組み合わせた表示装置の基本構成としては、図１４に示すように、紫外光乃至近紫外光を出射するＵＶ光源としてのバックライト４１と、ファブリペロー干渉を生じさせるハーフミラー４３，４５と、ハーフミラー４３，４５を通過したバックライト４１からの光を受けて発光する蛍光体４７とを備えている。一方のハーフミラー４３は基板４９上に形成され、さらにハーフミラー４３の上に所定厚みの光学スペーサ５１が形成されている。他方のハーフミラー４５は、柱材５２を介して、基板４９上の光学スペーサ５１から所定の空隙５３を有して架設した可動薄膜５５に形成されている。  上記構成おいては、図示しない電極に駆動電圧を印加すると、可動薄膜５５が光学スペーサ５１に接触するまで基板４９側へ撓み、ハーフミラー４３，４５間の距離が変化する。これによるハーフミラー４３，４５間の距離と光の波長に応じた光変調がなされ、バックライト４１からの光を透過又は遮光制御するようになっている。
【０００４】
なお、この種の光変調素子に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３３４７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記光変調素子では、図１５（ａ）に示すように、空隙５３による光学ギャップ長が変動すると、ファブリペロー干渉の分光透過率が変化する。光学ギャップ長が既定値より長くなると、透過中心波長が長波長側にシフトし、光学ギャップ長が短くなると、透過中心波長が短波長側にシフトする。バックライト４１の分光放射特性は、図１５（ｂ）に示す分布であるので、（ａ）の分光透過率と（ｂ）の分光放射特性のコンボリューションで得られる平面表示装置の全透過率特性は、光学ギャップの長さに応じて透過中心波長が長波長側又は短波長側へ変動し、光利用効率が低下することになる。つまり、システムの全透過率の光学ギャップ依存性は、図１５（ｃ）に示すように、光学ギャップの増減により変動するので、光変調素子の寸法精度の向上や素子材料の均質化を図る必要があり、厳格な製造プロセスが必要となる。従って、コストアップに繋がることになる。
【０００７】
また、図１６に示すように、光変調素子への入射光の入射角度によってもファブリペロー干渉の分光透過率が変化する。即ち、入射光の入射角θの増加に伴い、分光透過率の中心波長λが短波長側にシフトする。なお、図示例は各ハーフミラーの反射率Ｒ１，Ｒ２を共に０．９０とした場合である。このように分光透過率が入射角θによって変化するため、表示装置に用いる光源を平行光化することが好ましいが、コスト高となってしまい、実用的な構成にはならない。
【０００８】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、ロバスト性の高い光変調素子を低コストで作製するための光変調素子の設計方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的達成ため、本発明の請求項１記載の光変調素子の設計方法は、固定部と、該固定部から接離方向に移動自在に配置された可動部と、前記固定部及び可動部のそれぞれに設けた電極及びハーフミラーとを有し、前記電極間へ駆動電圧を印加することで前記可動部を変位させ、前記ハーフミラーの離間間隔、及び光の波長に応じた光干渉特性により、所定の出射角範囲で入射された光に対して光変調を行う微小電気機械式の光変調素子の設計方法であって、前記ハーフミラーの反射率Ｒを０．８８≦Ｒ≦０．９２、且つ、前記光変調素子に入射させる光の放射輝度分布を０〜２０degから０〜３０degの範囲内に設定することを特徴とする。
【００１０】
この光変調素子の設計方法によれば、可動部及び固定部に設けたハーフミラーの反射率Ｒを０．８８≦Ｒ≦０．９２とし、且つ、光変調素子に入射させる光の放射輝度分布を０〜２０degから０〜３０degの範囲内に設定することにより、光変調素子の作製に厳格な精度管理を行う製造プロセスが特に必要なくなり、また、光変調素子へ入射させる光を平行光化することも必要なく、現行の製造プロセス技術をそのまま用いて、全透過率が０．３以上、コントラストが１００以上であり、かつ光変調素子の全透過率のムラが５０％以下、コントラストのムラが３０％以下とする各条件を満足する光変調素子を低コストで作製することができる。
【００１１】
請求項２記載の光変調素子の設計方法は、前記光変調素子の光透過時における前記ハーフミラー間の設計距離からの誤差を２０ｎｍ以下、遮光時における前記ハーフミラー間の設計距離からの誤差を６０ｎｍ以下に設定することを特徴とする。
【００１２】
この光変調素子の設計方法によれば、光変調素子の光透過時におけるハーフミラー間の設計距離からの誤差（光学ギャップ長の誤差）が２０ｎｍ以下、遮光時の光学ギャップ長の誤差が６０ｎｍ以下に設定することにより、通常の製造プロセスをそのまま適用して素子作成を行うことができる。
【００１３】
請求項３記載の光変調素子の設計方法は、前記光変調素子が、前記電極へ駆動電圧を印加した場合に光透過状態となり、駆動電圧を印加しない場合に遮光状態となるノーマリ・オフモードの素子であることを特徴とする。
【００１４】
この光変調素子の設計方法によれば、許容寸法誤差がより厳しくなる光透過時における光学ギャップ長を、光学スペーサに可動部を押し当てる等の手法により、発生する寸法誤差が小さく抑えられる長さにできる。従って、光変調動作による可動部の移動先位置に誤差が生じても、光透過時には光変調素子から確実に光が出射される構成にできる。
【００１５】
請求項４記載の光変調素子の設計方法は、前記可動部が、前記固定部に懸架された薄膜梁であることを特徴とする。
【００１６】
この光変調素子の設計方法によれば、可動部が固定部に懸架された薄膜梁であることにより、安定した高速な光変調動作が得られ、また薄膜梁を縦横に組み合わせることで簡便にして大面積の光変調を行うことができる。
【００１７】
請求項５記載の光変調素子の設計方法は、前記光変調素子が、ファブリペロー干渉による光干渉効果によって光変調を行うものである。
【００１８】
この光変調素子の設計方法によれば、ファブリペロー干渉を利用した光変調素子とすることにより、光吸収による発熱問題を生じることなく、高速応答性に優れ、低電圧駆動可能な構成にできる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る光変調素子の設計方法によれば、全透過率が０．３以上、コントラストが１００以上であり、かつ光変調素子の全透過率のムラが５０％以下、コントラストのムラが３０％以下とする各条件を満足する光変調素子を、現行の製造プロセス技術をそのまま用いて、光変調素子の作製に厳格な製造プロセスを必要とすることなく、また、光変調素子へ入射させる光を平行光化することもなく、低コストで作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る光変調素子の設計方法の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る光変調素子の断面図、図２は図１に示す光変調素子の一部拡大図である。
光変調素子の設計方法の説明に先立ち、まず、光変調素子の構成について説明する。
本発明に係る光変調素子１００の一構成例としては、固定部としての透明基板１３と、透明基板１３上に配置され、この透明基板１３から接離方向に移動自在に形成された可動部を有する光変調部１５とを備え、透明基板１３の光変調部配置側とは反対側から、変調される光を導入している。
また、透明基板１３と光変調部１５とのそれぞれには、可動部を駆動するための電極と、光変調を行うハーフミラーとを設けてある。
光変調部１５は、透明基板１３上に複数配置され、平面状の光変調を可能にしている。
【００２１】
本実施形態の光変調素子１００は、図２に詳細を示すように、ファブリペロー干渉を利用した干渉型の光変調素子である。具体的には、透明基板１３の表面にハーフミラー２３と光学スペーサ２５をこの順で積層する一方、柱材２７を介して可動部としての可動薄膜２９を透明基板１３と対峙するように懸架している。可動薄膜２９の透明基板１３側にはハーフミラー３１が形成されている。可動薄膜２９を駆動する電極は、可動薄膜２９側と透明基板１３側のそれぞれに設けられる。下部電極は、ハーフミラー２３の下層に設けてもよく、光学スペーサ２５をＩＴＯ等の導電性材料で形成して電極としてもよい。また、上部電極は、可動薄膜２９とハーフミラー３１との間に設けてもよく、可動薄膜２９を導電性材料で形成して電極としてもよい。これら電極間へ駆動電圧を印加することにより、ハーフミラー２３，３１間の距離を光遮光状態における光学ギャップ長ｎｄｓから光透過時の光学ギャップ長ｎｄｔに変更する。上記構成は、光学スペーサ２５含めて、各層をスパッタにより膜厚のバラツキを最小限に抑えて高精度に形成することができる。
【００２２】
なお、光変調素子１００は、上記干渉型の光変調素子に限らず、全反射導光板に可動薄膜等の光結合要素を接触させて全反射条件を崩し、全反射導光板から光を選択的に取り出す方式や、可動性を有する遮光板を駆動して光変調を行う方式等であっても同様に適用できる。
【００２３】
次に、光変調素子１００に変調される光を導入する光源について説明する。
本発明に係る光変調素子に入射させる光は、その放射輝度分布を０〜２０degの分布を有するものから、０〜３０degの分布を有するものまでの範囲内に設定する。放射輝度分布を上記範囲に設定する手段としては、放射輝度分布が予め所定範囲に設定された光源を適用する方法や、レンズやレンズ効果のある光学部材を光源に取り付けたり、該光学部材を光変調素子の入射光導入側に設けて外光の放射輝度分布を設定する方法等があるが、本実施形態では、所定の放射輝度分布を有する光源を適用した一例を説明する。
【００２４】
光源１１は、図３に光源光の出射角度に対する輝度分布である放射輝度分布を示すように、所定の出射角θOUT（０〜３０deg）までの範囲は高輝度で、それ以上の出射角では略０となる放射輝度分布を有する。なお、この放射輝度分布は、高輝度となる領域が一定でなく強度分布を有するものであってもよい。
【００２５】
光変調素子１７の動作モードとしては、非駆動状態でオン状態となるノーマリ・オン、又は非駆動状態でオフ状態となるノーマリ・オフのいずれかのモードを選択的に適用できるが、ここでは、図４に示すようにノーマリ・オフモードとして設定する。具体的には、図４（ａ）に示す光変調素子１５の遮光時における光学ギャップ長（ｎｄｓ）は３λ／４近傍とし、図４（ｂ）に示す光透過時の光学ギャップ長（ｎｄｔ）はλ／２に設定する。  これにより、電極間に駆動電圧を印加しない場合は遮光状態とし、駆動電圧を印加した場合に光透過状態となる、所謂ノーマリ・オフモードの駆動となる。
ここで、光学スペーサ２５は前述したように、スパッタにより膜厚のバラツキを最小限に抑えて高精度に形成することができるので、光透過時における光学ギャップ長を高精度で設定することができる。
【００２６】
次に、本発明に係る光変調素子の設計方法を詳細に説明する。まず、上述した光変調素子の入射光の全透過率とコントラストに対するシステム構成要因との関係を説明する。
（１）光変調素子のハーフミラーの反射率が分光透過率に及ぼす影響
図５にハーフミラーの反射率による光変調素子の分光透過率の特性変化を示した。ここで、上下一対のハーフミラー２３，３１それぞれの反射率Ｒ１，Ｒ２は等しいものとする。ハーフミラー２３，３１の反射率を低く設定すると、反射率の低下に伴って分光透過率が広帯域化する。従って、ハーフミラー２３，３１の反射率を低く設定することにより光変調素子の全透過率を向上させることができる。なお、ここでの入射光の放射輝度分布は、０〜５degの範囲としている。
【００２７】
（２）光変調素子のハーフミラーの反射率と光学ギャップ長が分光透過率に及ぼす影響
図６に光透過時における反射率毎に示した光学ギャップ長に対する全透過率の（ａ）絶対値と（ｂ）全透過率の値を規格化した場合の特性変化を示した。このときの光学ギャップ長ｎｄは、１／２λ近傍に設定している。
図６（ａ）に示すように反射率の低下に伴って全透過率が向上し、また、図６（ｂ）に示すように反射率の低下に伴って広帯域化して、光学ギャップ長の依存性が軽減される。  なお、全透過率の光学ギャップ長依存性については、入射光の放射輝度分布を高強度領域でフラットな分布とすることで、依存性低減効果を大きくできる。
【００２８】
（３）光変調素子のハーフミラーの反射率と光学ギャップ長がコントラストに及ぼす影響
図７に反射率毎に示した光学ギャップ長に対するコントラストの変化特性を示した。
（ａ）は遮光時における光学ギャップ長ｎｄがλ／４、透過時における光学ギャップ長ｎｄがλ／２であるノーマリ・オンの場合、（ｂ）は遮光時における光学ギャップ長ｎｄが３λ／４、透過時における光学ギャップ長ｎｄがλ／２であるノーマリ・オフの場合である。
これによれば、（ａ），（ｂ）いずれの場合も反射率が低くなるとコントラストが大きく低下するため、最適化を要することとなる。
【００２９】
以上の特性を一つのグラフに纏めた結果を図８に示す。
図８は、コントラストに対する全透過率の関係を、光源からの光の入射角、ハーフミラーの反射率に対してプロットしたグラフである。ここでは、透過時の光学ギャップ長ｎｄｔをλ／２近傍、遮光時の光学ギャップ長ｎｄｓを３λ／４近傍に設定している。また、光源からの光の放射輝度分布は、出射角θ＝０〜５゜の範囲では１００％の光強度を担い、他の角度範囲では０％となる分布として計算している。
【００３０】
図８に示すように、横軸はコントラストであって、この光変調素子を表示装置として用いる場合には、最低でも１００程度は必要となる。理想的には２００以上に設定するとよい。また、縦軸の全透過率は光源からの出射光量に対する光変調素子の透過率であって、全透過率は高いほどよい。全透過率は表示装置としては最低でも０．３程度は必要とし、理想的には０．５以上に設定するとよい。従って、表示装置用の光変調素子としては、大略的にコントラスト１００以上、全透過率０．３以上であれば実用的な構成となる。
【００３１】
図中のθは光源からの光の放射輝度分布を表す入射角、Ｒはハーフミラーの反射率を示しており、それぞれ互いに依存性を有している。
また、図中プロット点に付記した矢印は、図９に詳細に示すように、ある透過率、コントラスト値に対して、遮光時における光学ギャップ長のバラツキ（Δｎｄｓ）によるコントラストのムラを横方向、透過時における光学ギャップ長のバラツキ（Δｎｄｔ）による全透過率のムラを縦方向に示した限界レベルを示している。横方向に対しては、実線の矢印はバラツキΔｎｄｓが４０ｎｍのときの限界値、破線の矢印はΔｎｄｓが６０ｎｍのときの限界値を示している。また、縦方向に対しては、実線の矢印はバラツキΔｎｄｔが１０ｎｍのときの限界値、破線の矢印はバラツキΔｎｄｔが２０ｎｍのときの限界値を示している。
【００３２】
図８のグラフより、高強度領域の狭い放射輝度分布、即ち、入射角θ範囲の狭い分布であると、全透過率及びコントラストが高まる傾向にあるが、逆に光学ギャップ長との依存性が大きくなる。一方、高強度領域の広い放射輝度分布であると、全透過率及びコントラストが低くなる傾向があり、光学ギャップ長との依存性が小さくなる。
【００３３】
また、ハーフミラーの反射率Ｒは、反射率Ｒが小さいとコントラストが大きく低下するが、全透過率が向上する。逆に反射率Ｒが大きいとコントラストが大きく向上するが、全透過率が低下する傾向がある。そのため、全透過率が低くても別段問題視されない用途に光変調素子を用いるのであれば、反射率Ｒを高めることがコントラスト向上のための得策となる。このように、光変調素子の使用目的に応じて放射輝度分布、反射率Ｒを適宜設定して、所望の透過率とコントラストを得られるように設計することで、過剰な仕様とすることなく、使用目的において必要十分な性能を発揮するバランスのよい製品を得ることができる。
【００３４】
ここで、光学ギャップ長のバラツキに対する全透過率のムラの反射率依存性及び入射角度依存性を図１０及び図１１を用いて説明する。
図１０は透過時の光学ギャップ長のバラツキに対する全透過率のムラの変化特性を示すグラフである。放射輝度分布は入射角θが０〜１０degの狭い範囲とし、ハーフミラーの反射率Ｒを０．９５，０．９０，０．８５の３種類を一例として表示している。反射率Ｒを低くすると、同じ光学ギャップ長のバラツキに対して全透過率のムラを小さく抑えることができる。なお、光透過時の光学ギャップ長ｎｄｔはλ／２近傍として計算している。
【００３５】
図１１は図１０と同様に放射輝度分布を広くした場合の全透過率の特性変化の様子を示すグラフである。放射輝度分布を入射角θが０〜２０deg、０〜３０deg、０〜４０degと広げるにつれて、光学ギャップ長のバラツキに対する依存性が低くなり、ロバスト性が得られることになる。
【００３６】
次に、光学ギャップ長のバラツキに対するコントラストのムラの反射率依存性及び入射角度依存性を図１２及び図１３を用いて説明する。
図１２は遮光時の光学ギャップ長のバラツキに対するコントラストのムラの変化特性を示すグラフである。放射輝度分布は入射角θが０〜１０degの狭い範囲とし、ハーフミラーの反射率Ｒを０．９５，０．９０，０．８５の３種類として表示している。反射率Ｒが低下すると若干コントラストのムラが低減する。なお、遮光時の光学ギャップ長ｎｄｓは３λ／４近傍として計算している。
【００３７】
図１３は図１２と同様に放射輝度分布θを広くした場合の全透過率の特性変化の様子を示すグラフである。放射輝度分布は入射角θが０〜２０deg、０〜３０degまでは、図１２に示す０〜１０degの場合と殆ど変化ないが、０〜４０degとなると、光学ギャップ長の依存性が大きくなり、特定の光学ギャップ長に同一値のバラツキがあった場合にはコントラストのムラが大きくなる。また、反射率Ｒの依存性は殆どなくなる。
【００３８】
以上示した各パラメータによる特性変化の傾向を纏めると、下記表１に示す透過率とコントラストの最大値及びそれらのムラの目標値と理想値を得るためには、光変調素子の干渉モードをノーマリ・オフモードとして構成した場合、次に示す条件に設定するとよい。
【００３９】
【表１】
2005202266.tif 000003
【００４０】
（Ａ−１）ハーフミラーの反射率Ｒを０．８８≦Ｒ≦０．９２とする。
（Ａ−２）光源の放射輝度分布を入射角θが０〜１０degから０〜３０degの範囲とする。
これら（Ａ−１）、（Ａ−２）を共に満足する条件に設定することで、光変調素子の透過時開口率を８０％とした場合に、この光変調素子を用いて平面表示装置を構成した場合の総合効率を、４［ｌｍ／Ｗ］以上とすることが可能になる。
【００４１】
また、全透過率及びコントラストのムラの目標値を超えるには、
（Ｂ−１）光源の放射輝度分布を入射角θを０〜３０゜の範囲とする。
（Ｂ−２）光透過時の光学ギャップ長の許容誤差（Δｎｄｔ）を２０ｎｍとする。
（Ｂ−３）遮光時の光学ギャップ長の許容誤差（Δｎｄｓ）を６０ｎｍとする。
これら（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）を共に満足する条件に設定することでムラの目標値が達成される。ここで、（Ｂ−２）の許容誤差範囲は、スパッタ成膜による膜厚の均一性レベルで対応可能な範囲である。
【００４２】
なお、以上説明してきた光変調素子は、平面表示装置として画像等の表示用として用いる他にも、例えば露光装置としても利用することができる。この場合も良好な透過率と良好なコントラストで露光処理ができるため、例えば、ヒートモードの低感度の記録媒体に対しても高速な画像記録を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る平面表示装置の断面図である。
【図２】図１に示す光変調素子の一部拡大図である。
【図３】光源光の出射角度に対する輝度分布である放射輝度分布を示す図である。
【図４】光変調素子の動作モードを説明する図で（ａ）は遮光時、（ｂ）は光透過時の状態を示す概略断面図である。
【図５】ハーフミラーの反射率による光変調素子の分光透過率の特性変化の様子を示すグラフである。
【図６】反射率毎に示した光学ギャップ長に対する全透過率の（ａ）絶対値、と（ｂ）全透過率の値を規格化した場合の特性変化の様子を示すグラフである。
【図７】反射率毎に示した光学ギャップ長に対するコントラストの変化の様子を示すグラフである。
【図８】コントラストに対する全透過率の関係を、光源の入射角、ハーフミラーの反射率に対してプロットしたグラフである。
【図９】図８に記載の遮光時及び光透過時の光学ギャップ長のバラツキによるコントラストと全透過率のムラを大きさを示す説明図である。
【図１０】光透過時の光学ギャップ長のバラツキに対する全透過率のムラの変化特性を示すグラフである。
【図１１】図１０と同様に放射輝度分布θを広くした場合の全透過率の変化特性を示すグラフである。
【図１２】遮光時の光学ギャップ長のバラツキに対するコントラストのムラの変化特性を示すグラフである。
【図１３】図１２と同様に放射輝度分布θを広くした場合の全透過率の変化特性を示すグラフである。
【図１４】ＰＬ光源とＭＥＭＳ技術を用いた光変調素子を組み合わせた従来の表示装置の基本構成を示す構成図である。
【図１５】（ａ）光学ギャップ長の変動により透過中心波長がシフトすること、（ｂ）光源の分光特性、（ｃ）全透過率の光学ギャップ長への依存性を示す説明図である。
【図１６】光変調素子への入射光の入射角度によってファブリペロー干渉の分光透過率が変化する様子を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１１  光源
１３  透明基板
１５  透明基板
１７  光変調素子
１９  蛍光体
２１  ブラックマトリクス
２３，３１  ハーフミラー
２５  光学スペーサ
２７  柱材
２９  可動薄膜
１００  平面表示装置
ｎｄｓ  遮光時の光学ギャップ長
ｎｄｔ  光透過時の光学ギャップ長
Ｒ１，Ｒ２  反射率
Δｎｄｓ  遮光時の光学ギャップ長のバラツキ
Δｎｄｔ  光透過時の光学ギャップ長のバラツキ
θ  放射輝度分布
【図１】
2005202266.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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