(57)【要約】【課題】ＣＭＰ法で金属膜の埋め込み配線（パターン）を形成させる際に、研磨速度を落とさずに、高平坦化はもとより、ディッシング及びシニングを抑制できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路における導体埋め込み配線を形成させるとき、（１）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体とを含有する第１研磨液を用いて、導体の堆積膜を途中まで研磨する第１の工程；つづいて、（２）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有する第２研磨液を用いて、残りの導体の堆積膜を研磨する第２の工程；を順に行う。【選択図】なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒と、酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体とを含有してなる研磨液をＣＭＰ用第１研磨液とし、
砥粒と、酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有してなる研磨液をＣＭＰ用第２研磨液として、
前記両液を組み合わせた一揃いのＣＭＰ用研磨液。
【請求項２】
アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物が、トリアゾール環の窒素にアミノ基が結合した化合物である、請求項１のＣＭＰ用研磨液。
【請求項３】
トリアゾール環の窒素にアミノ基が結合した化合物が、１−アミノ−１，２，４−トリアゾールである、請求項２のＣＭＰ用研磨液。
【請求項４】
アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物以外のトリアゾール骨格を有する化合物、又はイミダゾール化合物を、更に含有してなる請求項１〜請求項３のいずれか一つのＣＭＰ用研磨液。
【請求項５】
アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物以外のトリアゾール骨格を有する化合物が、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル又は１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ルであり、
イミダゾール化合物が、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−（イソプロピル）イミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール又は２−エチル−４−メチルイミダゾールである、請求項４のＣＭＰ用研磨液。
【請求項６】
半導体集積回路における導体埋め込み配線を形成させる基体の研磨方法であって、
砥粒と、酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体とを含有してなる第１研磨液を用いて、導体の堆積膜を途中まで研磨する第１の工程、つづいて、
砥粒と、酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有する第２研磨液を用いて、残りの導体の堆積膜を研磨する第２の工程、
を順に行うことを特徴とする基体の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一揃いの化学機械研磨（以下、ＣＭＰという）用研磨液及び基体の研磨方法に関するものである。更に詳しくは、あらかじめ溝を形成した基体（基板）上に導体膜を堆積し、上記溝に導体を埋め込む半導体デバイスの配線工程で用いる一揃いの導体用研磨液と、この導体用研磨液を用いた基体の研磨方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（以下、ＬＳＩと略す）の高集積化・高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。ＣＭＰ法はその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に、多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグの形成、埋め込み配線の形成等において頻繁に利用される技術である（特許文献１参照）。
【０００３】
また、最近は、ＬＳＩを高性能化するために、配線材料として従来のアルミニウム合金に代わって銅合金も使われ始めている。しかし、銅合金はアルミニウム合金配線の形成で用いられるドライエッチング法による微細加工が困難であるため、あらかじめ溝を形成した基体上に銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金薄膜をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する方法（いわゆる、ダマシン法）が主として採用されている。なお、ダマシン法については、例えば、特許文献２に開示がある。
【０００４】
金属をＣＭＰ法で平坦化する一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を金属用研磨液で潤し、基体の金属膜形成面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下、研磨圧力という）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって金属膜の凸部を除去するものである。
ＣＭＰに用いられる金属用研磨液は、通常は固体砥粒及び酸化剤からなっており、先ず、酸化によって金属膜表面を酸化し、その酸化層を固体砥粒によって削り取ると考えられている。金属表面の凹部の酸化層では研磨パッドにあまり触れず、固体砥粒による削り取りの効果が及ばないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去されて基体表面は平坦化される（非特許文献１参照）。
【０００５】
ＣＭＰ法における研磨速度を高める方法の一つとして、研磨液にグリシン等のアミノ酢酸又はアミド硫酸からなる金属酸化物溶解剤を配合する方法が知られている（特許文献３）。固体砥粒によって削り取られた金属酸化物を金属酸化物溶解剤の作用で溶解させると砥粒による削り取りの効果が増すためと説明されている。ただ、凹部における金属膜表面の酸化層も溶解（エッチング）されて金属膜表面が露出すると、その金属膜表面が酸化剤によってさらに酸化され、これが繰り返されると凹部における金属膜のエッチングが進行し、平坦化効果が損なわれる。これを防ぐために、研磨液に更にベンゾトリアゾール等のエッチング防止剤（保護膜形成剤）を配合している（同じく、特許文献３）。しかしこの方法では、金属酸化物溶解剤と保護膜形成剤との両剤のバランスを取ることは必ずしも容易ではない。
【０００６】
また、本出願人は、金属膜のエッチングを低く抑えるための、金属酸化物溶解剤と酸化剤とアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有してなる金属用研磨液、及びこれを利用した研磨方法を先に提案した（特許文献４）。
【０００７】
【特許文献１】米国特許Ｎｏ．４９４４８３６
【特許文献２】特開平２−２７８８２２号公報
【特許文献３】特開平８−８３７８０号公報
【特許文献４】特開２００３−１８３６２８号公報
【非特許文献１】ジャ−ナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ誌（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ）、第１３８巻、第１１号（１９９１年発行）、３４６０〜３４６４頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＣＭＰ用研磨液を用いてＣＭＰ法で埋め込み配線を形成させる場合には、次のような問題が起こりやすい。
（１）埋め込まれた金属配線の表面中央部分が等方的に腐食されて皿の様に窪む現象（以下、ディッシングという）が発生する問題。
（２）高密度配線部の絶縁膜が目減りする減少（以下、シニングという）が発生する問題。
【０００９】
本発明は、先に本出願人が提案したＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を更に発展させるものであり、その目的とするところは、ＣＭＰ法で金属膜の埋め込み配線（パターン）を形成させる際に、研磨速度を落とさずに、高平坦化はもとより、ディッシング及びシニングを抑制できるＣＭＰ用研磨液を提供することであり、また、これを用いた基体の研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
〔発明の概要〕
上記課題を達成するために、本発明者らは、種々検討していたところ、次の（ｉ）、引き続いて（ii）を見出し、本発明を完成することができた。
（ｉ）砥粒及び酸化剤のほかに、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物、アミノ基を有さないトリアゾール骨格を有する化合物又はイミダゾール化合物のいずれかを含むＣＭＰ研磨液で、銅又は銅合金を研磨すると、研磨速度の低下が見られたものの、ディッシングやシニングの発生が抑制されたこと。
（ii）上記知見を更に進めて、ＣＭＰの工程を、
ａ）ベンゾトリアゾール又はその誘導体を含むＣＭＰ研磨液で、銅又は銅合金を途中まで研磨する第１の工程、及び
ｂ）アミノ基を有しても有さなくともよいトリアゾール骨格を有する化合物又はイミダゾール化合物を含むＣＭＰ研磨液で、残りの銅又は銅合金を研磨する第２の工程、
の二つの工程に分けることにより、研磨速度を落とさずに、ディッシング及びシニングの発生を抑制できたこと。
【００１１】
すなわち、本発明は、砥粒と、酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体（保護膜形成剤）とを含有してなる研磨液をＣＭＰ用第１研磨液とし、
砥粒と、酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有してなる研磨液をＣＭＰ用第２研磨液として、
前記両液を組み合わせた一揃いのＣＭＰ用研磨液である。
【００１２】
また、本発明は、半導体集積回路における導体埋め込み配線を形成させる研磨方法であって、
（１）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体（保護膜形成剤）とを含有する第１研磨液を用いて、導体の堆積膜を途中まで研磨する第１の工程；つづいて、
（２）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物（保護膜形成剤）とを含有する第２研磨液を用いて、残りの導体の堆積膜を研磨する第２の工程；
を順に行うことを特徴とする基体の研磨方法も提供する。
【００１３】
〔発明の更に詳しい説明〕
本発明を更に詳しく説明する。
本発明で、削り取られるほうの導体は、銅又は銅合金（銅／クロム等）の少なくとも１種の金属層を有する堆積膜からなる金属膜である。
【００１４】
本発明において、第１研磨液及び第２研磨液で用いる砥粒としては、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒のいずれも使えるが、研磨液中での分散安定性が良く、ＣＭＰにより発生する研磨傷（スクラッチ）の発生数が少ない点で、平均粒径が１００ｎｍ以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナが好ましい。コロイダルシリカはシリコンアルコキシドの加水分解又は珪酸ナトリウムのイオン交換により製造でき、コロイダルアルミナは硝酸アルミニウムの加水分解により製造できる。
また、研磨液中における砥粒の濃度は、第１研磨液及び第２研磨液のいずれにおいても、０．０１重量％〜１０重量％が好ましく、０．０５重量％〜５重量％の範囲が更に好ましい。０．０１重量％未満では砥粒を含まない場合の研磨速度と差がなく、１０重量％を超えると研磨速度は飽和し、それ以上加えても余り意味がない。
【００１５】
本発明において、第１研磨液及び第２研磨液に用いる酸化剤としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等があり、その中でも過酸化水素が好ましい。基体が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染を避けるため、不揮発成分を含まない酸化剤が好ましい。また、オゾン水は組成の時間変化が激しいので注意を要する。なお、適用対象の基体が半導体素子を含まないガラス基板である場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。
【００１６】
酸化剤の配合量は、第１研磨液においては、研磨液の総量１００ｇに対して、０．００３ｍｏｌ〜０．７ｍｏｌとすることが好ましく、０．０３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．１ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることが特に好ましい。
酸化剤の配合量は、第２研磨液においては、研磨液の総量１００ｇに対して、０．００３ｍｏｌ〜０．７ｍｏｌとすることが好ましく、０．０３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．０５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることが特に好ましい。
第１研磨液、第２研磨液のいずれの場合も、０．００３ｍｏｌ未満では、金属の酸化が不十分で研磨速度が低くなる傾向となり、０．７ｍｏｌを超えると、研磨面に荒れが生じる傾向になる。
【００１７】
本発明において、第１研磨液に用いるベンゾトリアゾール又はベンゾトリアゾール誘導体は、従来から、ＣＭＰ用研磨液に広く用いられてきたものであり、保護膜形成剤の機能があるものである。
ここで、ベンゾトリアゾール誘導体としては、例えば、ベンゾトリアゾールのベンゼン環の一つの水素原子をメチル基で置換したもの（トリルトリアゾール）、カルボキシル基で置換したもの（ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸）、前記カルボキシル基で置換したもののカルボキシル基の水素原子をエチル基、プロピル基、ブチル基又はオクチル基で置換したもの、あるいは、ナフトトリアゾール、ナフトトリアゾール誘導体等がある。
第１研磨液におけるベンゾトリアゾール又はベンゾトリアゾール誘導体（保護膜形成剤）の配合量は、第１研磨液の総量１００ｇに対して０．０００１ｍｏｌ〜０．０５ｍｏｌとすることが好ましく、０．０００３ｍｏｌ〜０．００５ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．０００５ｍｏｌ〜０．００３５ｍｏｌとすることが特に好ましい。０．０００１ｍｏｌ未満では、エッチングの抑制が困難となる傾向になり、０．０５ｍｏｌを超えると研磨速度が低下する傾向になる。
【００１８】
本発明で、第２研磨液に用いるアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物（保護膜形成剤）は、トリアゾール環の窒素にアミノ基が結合した化合物であり、好ましいものは１−アミノ−１，２，４−トリアゾールである。
そのアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物の配合量は、第２研磨液の総量１００ｇに対して０．０００１ｍｏｌ〜０．０１０ｍｏｌとすることが好ましく、０．０００３ｍｏｌ〜０．００５０ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．０００５ｍｏｌ〜０．００３０ｍｏｌとすることが特に好ましい。０．０００１ｍｏｌ未満では、エッチングの抑制が困難となる傾向になり、０．０１０ｍｏｌを超えると研磨速度が低くなる傾向になる。
【００１９】
ここで、上記第２研磨液には、更に、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物以外のトリアゾール骨格を有する化合物又はイミダゾール化合物を保護膜形成剤として添加することが好ましい。
【００２０】
アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物以外のトリアゾール骨格を有する化合物としては、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル又は１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル等がある。
また、イミダゾール化合物としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−（イソプロピル）イミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール又は２−エチル−４−メチルイミダゾール等がある。
【００２１】
第１研磨液及び第２研磨液には、必要に応じて、酸、水溶性高分子又は水を添加することができる。
酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等、又はこれら有機酸のアンモニウム塩等の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、アンモニウム塩類、例えば、過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム等、クロム酸等がある。これらの中では、実用的な研磨速度が得られる点で、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸又はグリコール酸が好ましく用いられる。
【００２２】
第１研磨液で用いる酸の配合量は、第１研磨液の総量１００ｇに対して０〜０．００５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００００５ｍｏｌ〜０．００２５ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．０００５ｍｏｌ〜０．００２０ｍｏｌとすることが特に好ましい。
第２研磨液で用いる酸の配合量は、第２研磨液の総量１００ｇに対して０〜０．００５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００００５ｍｏｌ〜０．００２５ｍｏｌとすることが更に好ましく、０．０００１ｍｏｌ〜０．００２０ｍｏｌとすることが特に好ましい。第１研磨液、第２研磨液のいずれの場合も、酸の配合量が０．００５ｍｏｌを超えると、エッチングの抑制が困難となる傾向になる。
【００２３】
また、水溶性高分子としては、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアクリルアミド等のカルボキシル基を持つモノマーを基本構成単位とするポリマーおよびその塩、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル基を持つモノマーを基本構成単位とするポリマーがある。ただ、適用する基板が半導体集積回路用シリコン基板などの場合は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染を避けるため、水溶性高分子はポリアクリル酸又はポリアクリル酸アンモニウム塩が好ましい。なお、基板がガラス基板等である場合はこの限りではない。また、水溶性高分子の重量平均分子量は５００以上とすることが好ましく、１５００以上とすることが更に好ましく、５０００以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は特に規定するものではないが、溶解性の観点から５００万以下が好ましい。
これらの水溶性高分子は、金属の表面を保護する保護膜形成効果を有し、含有する保護膜形成剤（ベンゾトリアゾール又はその誘導体）の作用と併せて、ディッシングの抑制等の平坦化特性を向上させるものである。
【００２４】
第１研磨液で用いる水溶性高分子の配合量は、第１研磨液の総量１００ｇに対して、０〜３重量％とすることが好ましく、０．０３重量％〜１重量％とすることが更に好ましく、０．１重量％〜０．８重量％とすることが特に好ましい。
第２研磨液で用いる研磨液の水溶性高分子の配合量は、第２研磨液の総量に対して０〜１重量％とすることが好ましく、０．００３重量％〜０．５重量％とすることが更に好ましく、０．０１重量％〜０．１重量％とすることが特に好ましい。第１研磨液、第２研磨液のいずれの場合も、水溶性高分子の配合量が１重量％を超えると研磨速度が低下傾向となる。
【００２５】
本発明の基体の研磨方法は、先に述べたように、
（１）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体（保護膜形成剤）とを含有する第１研磨液を用いて、導体の堆積膜を途中まで研磨する第１の工程；つづいて、
（２）砥粒と、導体を酸化する酸化剤と、アミノ−トリアゾール骨格を有する化合物とを含有する第２研磨液を用いて、残りの導体の堆積膜を研磨する第２の工程；
を順に行うことを特徴としている。
【００２６】
基体側では表面に凹部が設けられて、その上に銅又は銅合金（銅／クロム等）を含む金属膜が形成・充填されている。これを本発明の研磨方法で研磨すると、基体の凸部の金属膜が削り取られて、前記凹部に金属膜を残して、所望の導体パタ−ンが得られる。
【００２７】
基体の研磨は、研磨定盤の研磨布上に本発明に係る研磨液を供給しながら、導体堆積膜を有する基体（基板）を研磨布に押圧した状態で、研磨定盤と基体との相対的位置を動かすことによって行うことができる。
【００２８】
本発明の基体の研磨方法における銅又は銅合金の膜を途中まで研磨する第１の工程において、銅又は銅合金の膜の研磨時間は、銅又は銅合金の膜が除去され下地膜または基体の一部がウエハ表面に露出する時間の７５〜９５％とすることが好ましく、８０〜９３％とすることが更に好ましく、８５〜９２％とすることが特に好ましい。この研磨時間が７５％未満では、第２の工程で銅又は銅合金の膜の研磨時間が長くなる傾向がある。また、９５％を超えると、続く第２の工程において銅又は銅合金を完全に除去した後のディッシングおよびシニングが大きくなる傾向がある。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ＣＭＰ法で金属膜の埋め込み配線（パターン）を形成させる際に、研磨速度を落とさずに、高平坦化はもとより、ディッシング及びシニングを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、実施例により、本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
（１）第１研磨液の調製
アンモニア水溶液中で、テトラエトキシシランの加水分解により製造した平均粒径２０ｎｍのコロイダルシリカ（砥粒）を０．３重量部、ベンゾトリアゾール（保護膜形成剤）を０．２９重量部、リンゴ酸を０．２１重量部、ポリアクリル酸アンモニウム（水溶性高分子）を０．５７重量部、メタノールを０．７１重量部、水を９７．９２重量部量りとり、よく撹拌・混合した。次に、この混合液と過酸化水素（試薬特級、３０％水溶液）とを７：３の重量比率で混合し、第１研磨液とした。
【００３１】
（２）第２研磨液の調製
同じく平均粒径２０ｎｍのコロイダルシリカ（砥粒）を０．５６重量部、１−アミノ−１，２，４−トリアゾールを０．０６重量部、２−メチル−４−メチルイミダゾール（保護膜形成剤）を０．２２重量部、リンゴ酸を０．０７重量部、ポリアクリル酸アンモニウム（水溶性高分子）を０．０２重量部、水を９９．０７重量部量りとり、よく撹拌・混合した。次に、この混合液と過酸化水素（試薬特級、３０％水溶液）とを９：１の重量比率で混合し、第２研磨液とした。
【００３２】
（３）研磨条件
・基体：二酸化シリコンの表面に深さ０．５μｍの溝を形成して、公知のスパッタ法によって厚さ５０ｎｍの窒化タンタル膜（バリア層）を形成した。同様にスパッタ法により銅膜を形成して公知の熱処理によって埋め込んだシリコン基板を用いた。
・研磨パッド：独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂を用いた。
・研磨圧力：１４０ｇｆ／ｃｍ２
・基板と研磨定盤との相対速度：１００ｍ／ｍｉｎ
【００３３】
（４）研磨品の評価方法
・ディッシング量：上記基体を用いて研磨を行い、触針式段差計で配線金属部幅１００μｍ及び絶縁膜部幅１００μｍが交互に並んだストライプ状パターン部の表面形状から、絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り量を求めた。
・シニング量：上記ディッシング量評価用基体に形成された、配線金属部幅４５μｍ及び絶縁膜部幅５μｍが交互に並んだ総幅２．５ｍｍのストライプ状パターン部の表面形状を触針式段差計により測定し、ストライプ状パターン周辺の絶縁膜フィールド部に対するパターン中央付近の絶縁膜部の膜減り量を求めた。
【００３４】
（５）基体の研磨及び結果
予備試験として、初めに第１研磨液を用いて、予備の基体を銅の下地の層が一部露出するまで研磨した。研磨時間は８２秒であった。
そこで、次に、本試験用の基体を第１研磨液を用いて７４秒（予備試験における８２秒の９０％）研磨を行い、続いて第２研磨液を用いて残りの銅を完全に除去するまで研磨した。第２研磨液での研磨時間は１２６秒であった。この基材のディッシングは５０ｎｍであり、シニングは３０ｎｍであった。第１研磨液および第２研磨液によるトータルの研磨時間は２００秒（３分２０秒）であった。
【００３５】
比較として、第１研磨液のみを用いて、銅がなくなるまで研磨したとき、ウエハのディッシングは１２０ｎｍ、シニングは８０ｎｍ、研磨時間は１６０秒であった（比較１）。
【００３６】
また、第２研磨液のみを用いて、銅がなくなるまで研磨したとき、ウエハのディッシングは５０ｎｍ、シニングは４０ｎｍ、研磨時間は６００秒であった（比較２）。
【００３７】
本発明による基体の研磨方法は、比較１の研磨方法に比べ、ディッシングが良好であることが分かる。また、比較２の研磨方法に比べ、ディッシング、シニングとも同等の値であるが、研磨時間が短いことが分かる。