(57)【要約】【課題】ごみ等の異物が真空チャックの吸着面と被吸着物の間に介在するのを、より効果的に防止することが可能な真空チャックを提供する。【解決手段】空気の流通抵抗となる環状土手部２はピン状凸部１の平面領域よりも低く加工されており、被吸着物の吸着時において、被吸着物は環状土手部２には基本的には接触しない。この環状土手部２の内側及び外側には、それぞれ環状土手部２に倣って環状に、ピン状サポート凸部４が形成されていると共に、有効外サポートピン凸部３が形成されている。これらピン状サポート凸部４と有効外サポートピン凸部３は被吸着物を吸着した際に、ピン状凸部１と環状土手部２の境界付近で発生しやすい被吸着物の吸着斑を解消するためのものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、前記環状土手部の内外周に沿って、前記ピン状凸部とは別のピン状凸部が複数設けられていることを特徴とする真空チャック。
【請求項２】
前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部、及び前記別のピン状凸部の高さが、前記空気をシールするための環状土手部の高さよりも高くされていることを特徴とする請求項１に記載の真空チャック。
【請求項３】
前記空気をシールための環状土手部の外周側に設けられた前記別のピン状凸部は、前記被吸着物が吸着されたときの前記被吸着物の外周面又はこれより外側に配列されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空チャック。
【請求項４】
前記環状土手部の内外周に沿って配置されている前記別のピン状凸部の配列ピッチが、前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部の配列ピッチより狭くされていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の真空チャック。
【請求項５】
吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、前記環状土手部の外側に別の環状土手部が設けられていることを特徴とする真空チャック。
【請求項６】
前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部、及び前記別の環状土手部の高さが、前記空気をシールするための環状土手部の高さよりも高くされていることを特徴とする請求項５に記載の真空チャック。
【請求項７】
前記別の環状土手部は、前記被吸着物が吸着されたときの前記被吸着物の外周面又はこれより外側に設けられていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の真空チャック。
【請求項８】
前記空気をシールするための環状土手部に、複数のスリットが設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の真空チャック。
【請求項９】
前記空気をシールするための環状土手部が、ピン状凸部の集合体により形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の真空チャック。
【請求項１０】
少なくとも前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部と前記環状土手部の両方又は一方にコーティングが施され、このコーティング厚さ又はコーティングの有無により、前記ピン状凸部と前記環状土手部の高さの調整が行われていることを特徴とする請求項１から請求項９のうちいずれか１項に記載の真空チャック。
【請求項１１】
吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、被吸着部を離脱させるためのリフトピンが設けられているものにおいて、前記リフトピン用孔の周囲に、前記ピン状凸部とは別のピン状凸部が設けられていることを特徴とする真空チャック。
【請求項１２】
前記別のピン状凸部の配列ピッチが、前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部の配列ピッチより狭くされていることを特徴とする請求項１１に記載の真空チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体露光装置においてシリコンウエハーを真空吸着したり、シリコンウエハーをはじめとする各種ガラス及びセラミックス等基板の平坦性や厚さ測定などを計測検査するための測定機器及び測定装置等において、測定対象物を真空吸着する等の目的のために使用される真空チャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体露光装置にて製作される半導体デバイスは集積回路の高集積化に伴って年々高精度化が要求されている。このような背景から、半導体露光装置の装置性能も向上しており、露光に使用する波長を短波長化したり、ＮＡを大きくしたりすることが行われている。このように半導体露光装置の性能が高まるにつれ、露光時の焦点深度が浅くなる傾向になる。
【０００３】
露光時に焦点ずれが起こると配線パターンにずれや段差、断線等が起こりうることがある。これを防ぐためにシリコンウエハーの部分的なうねりや全面領域における平坦性を良くする必要が生じるが、その要求精度は焦点深度が浅くなるに応じて高くなってきている。
【０００４】
シリコンウエハーの平坦性はシリコンウエハー自体が有する平坦性の誤差の他に、これを吸着する真空チャックの精度に依存する場合が多い。真空チャックにおいては、シリコンウエハーを真空吸着する際に、ゴミ等の異物の影響を考慮する必要がある。すなわち、この異物の大きさがサブミクロン程度であってもシリコンウエハー表面に凸状の誤差が現れ、露光不良を起こしうる可能性がある。よって、真空チャックの吸着面は、なるべく、ゴミの影響をシリコンウエハーに反映させないような工夫が必要になる。
【０００５】
このような事情に鑑み、露光装置に使用される真空チャックにおいては、その吸着面において、シリコンウエハーとの接触率をできるだけ少なくする工夫がされている。その１例を図７に示す。図７において（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。真空チャックには、被吸着部との接触面にピン状凸部１１が所定ピッチで複数設けられ、このピン状凸部１１の先端部が被吸着部と接触するようになっている。よって、ピン状凸部１１の先端部と被吸着部との接着面積は非常に小さく、もし、真空チャックと被吸着物の間にゴミ等の異物が存在した場合でも、これらはピン状凸部１１の谷間に落ち、ピン状凸部１１と被吸着物の間に入り込まないので、その影響が被吸着物の表面の平坦度に及ぶのを防止することができる。
【０００６】
真空チャックの外周面には、真空チャック吸着面の気圧を低下させて吸着力を生じさせるようにするための環状土手部１２が設けられている。そして、ピン状凸部１１と環状土手部１２の高さは同じとされている。これにより、被吸着物が吸着されたとき、被吸着物と環状土手部１２の先端部が密着して空気の流通が遮断され、真空チャック吸着面の気圧が低下する。
【０００７】
ところで、シリコンウエハーはできる限り最外周部まで使用できることが望まれている。従って真空チャックの吸着面の領域は、シリコンウエハーの殆ど最外周部までを含む全域の平坦精度保証ができるものであることが必要となる。よって、環状土手部１２は、シリコンウエハーの外周面からやや内側に設けられており、ピン状凸部１１は、ほぼ環状土手部１２の内部全域に亘って設けられている。すなわち、環状土手部１２の上面とその内周側の面が、真空チャックの吸着面となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シリコンウエハーの外径に対して真空チャック吸着面の外径が小さくなるほど、言い換えると、図８（ａ）のように、真空チャック吸着面に対してシリコンウエハー１３の外周部のオーバーハング量が大きくなるほどシリコンウエハー自身が持っている反りやうねり誤差１４が現れてしまう。従って図８（ｂ）のように、シリコンウエハー１３の外径に対して、環状土手部１２の面の外径を同径又はそれに近くすることが好ましい。
【０００９】
しかしの環状土手部１２とシリコンウエハー１３との接触面積が、その内側のピン状凸部１１に比べかなり大きくなるので、この部分にゴミ等の異物が挟まりやすい。特に、シリコンウエハー１３の最外周部は半導体露光装置による複数回の露光の際に、ゴミや異物が付着しやすいので、シリコンウエハー１３の外径に対して、環状土手部１２の面の外径を同径又はそれに近くすると、これらの間にゴミ等の異物が挟まる可能性が大きくなる。
【００１０】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、ゴミ等の異物が真空チャックの吸着面と被吸着物の間に介在するのを、より効果的に防止することが可能な真空チャックを提供することを可能とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、前記環状土手部の内外周に沿って、前記ピン状凸部とは別のピン状凸部が複数設けられていることを特徴とする真空チャック（請求項１）である。
【００１２】
発明者は、被吸着物を吸着した際に真空チャック吸着面との間に介在するゴミ等の異物を、なるべく平坦精度に影響させないようにするには、被吸着物と真空チャック吸着面との接触率を小さくすることが必要である。よって、真空チャック吸着面内において一番ゴミや異物が乗りやすい環状土手部と被吸着物の接触率を限りなく小さくすることが有効と考えた。
【００１３】
理想としてはこの環状土手部を無くし、真空チャック吸着面全面域において全てをピン状凸部にすることが非常に有効な手段である。これによりシリコンウエハーの支持形態が統一され、図８（ａ）に示すような最外周部でのシリコンウエハーの微量な反り上がり誤差も非常に小さくすることが可能になるばかりでなく、吸着面の全面域が同一形状になるので、真空チャックの吸着面をラッピングする加工においても全面域において均一な加工が行え、結果的に高精度な平坦精度が得られ易いという効果がある。
【００１４】
図８（ａ）のように、シリコンウエハー最外周が微量反り上がる原因は幾つかあるが、環状土手部の内側に位置するピン状凸部が配列されている面内は真空チャックにより負圧になり、環状土手部の外側では大気圧であるため、この圧力差の影響により反り上がりが発生すること、環状土手部の内側はすべて両持ち支持になるのに対して、環状土手部の外側にはなにも無いため、片持ち支持になることが主な原因である。
【００１５】
更に真空チャック吸着面をラッピング加工した際、その形状差から環状土手部よりもピン状凸部の摩耗が速い形態となりやすく、その結果ラッピング加工後に環状土手部がピン状凸部よりも微少な領域で高く仕上がり易いことも原因となっている。
【００１６】
しかし、単純に真空チャック吸着面全域をピン状凸部に置き換えると、ピンの高さにもよるが、負圧が得られ難く真空状態が造り難くなる。真空状態を作りやすくするためピン状凸部のピン高さを低くする方法もあるが、この場合、ピン状凸部のピン高さを数μｍ程度にする必要がある。この状態でシリコンウエハーのような反りやうねりを持った面を吸着すると、面の悪さの影響で負圧の圧力差から吸着斑が生じ、均一な吸着がされにくいという問題が生じる。
【００１７】
そこで真空チャック吸着面全域をピン状凸部とする基本的な考え方を残し、かつ、環状土手部を残すことで負圧を維持し真空チャックとして機能させる方法を考えた。すなわち、環状土手部の内外周に沿って、従来設けられていたピン状凸部とは別のピン状凸部を設けることにより、環状土手部の極近傍において、この新たに設けたピン状凸部によって被吸着物を支えることにより、吸着面を負圧にするという環状土手部の作用を残したまま、環状土手部と被吸着物との間に異物が挟まる可能性を低減することができる。
【００１８】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部、及び前記別のピン状凸部の高さが、前記空気をシールするための環状土手部の高さよりも高くされていることを特徴とするもの（請求項２）である。
【００１９】
本手段によれば、被吸着物が空気をシールするための環状土手部に直接接触することが少なくなるので、環状土手部の上に微細な異物が乗った場合でも、それにより被吸着物の表面の平坦性に影響を与える可能性がより少なくなる。なお、この場合、吸着面の真空度が低下するが、ピン状凸部、及び別のピン状凸部の高さと、空気をシールするための環状土手部の高さの差を調節したり、排気する空気の量を調節することにより、必要な吸着力を得るようにすることが可能である。
【００２０】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第１の手段又は第２の手段であって、前記空気をシールための環状土手部の外周側に設けられた前記別のピン状凸部は、前記被吸着物が吸着されたときの前記被吸着物の外周面又はこれより外側に配列されていることを特徴とするもの（請求項３）である。
【００２１】
本手段においては、環状土手部の外周側に設けられたピン状凸部は、被吸着物が吸着されたときの被吸着物の外周面又はこれより外側に配列されているので、被吸着物の外周までを支えることができ、被吸着物の外周にダレが起こるのを防止することができる。
【００２２】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第１の手段から第３の手段のいずれかであって、前記環状土手部の内外周に沿って配置されている前記別のピン状凸部の配列ピッチが、前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部の配列ピッチより狭くされていることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００２３】
本手段においては、環状土手部の内外周に沿って設けられたピン状凸部の配列ピッチが、従来のピン状凸部の配列ピッチより狭くされているので、環状土手部と被吸着物との間に異物が挟まる可能性を低減するという効果を、より高めることができる。
【００２４】
前記課題を解決するための第５の手段は、吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、前記環状土手部の外側に別の環状土手部が設けられていることを特徴とする真空チャック（請求項５）である。
【００２５】
本手段においては、前記第１の手段における前記別のピン状凸部の代わりに、又はこれら別のピン状凸部に加えて、吸着面外周に空気をシールするための環状土手部の外側に別の環状凸部が設けられている。この別の環状凸部は、前記第１の手段における前記別のピン状凸部と同様の作用効果を奏する。
【００２６】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第５の手段であって、前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部、及び前記別の環状土手部の高さが、前記空気をシールするための環状土手部の高さよりも高くされていることを特徴とするもの（請求項６）である。
【００２７】
本手段によれば、被吸着物が空気をシールするための環状土手部に直接接触することが少なくなるので、環状土手部の上に微細な異物が乗った場合でも、それにより被吸着物の表面の平坦性に影響を与える可能性がより少なくなる。なお、この場合、吸着面の真空度が低下するが、ピン状凸部、及び別の環状土手部の高さと、空気をシールするための環状土手部の高さの差を調節したり、排気する空気の量を調節することにより、必要な吸着力を得るようにすることが可能である。
【００２８】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第５の手段又は第６の手段であって、前記別の環状土手部は、前記被吸着物が吸着されたときの前記被吸着物の外周面又はこれより外側に設けられていることを特徴とするもの（請求項７）である。
【００２９】
本手段においては、別の環状土手部は、被吸着物が吸着されたときの被吸着物の外周面又はこれより外側に配列されているので、被吸着物の外周までを支えることができ、被吸着物の外周にダレが起こるのを防止することができる。
【００３０】
前記課題を解決するための第８の手段は、前記第１の手段から第７の手段のいずれかであって、前記空気をシールするための環状土手部に、複数のスリットが設けられていることを特徴とするもの（請求項８）である。
【００３１】
本手段においては、空気をシールするための環状土手部に、複数のスリットが設けられているので、この環状土手部と被吸着物との接触面積が小さくなり、この間に異物が介在する可能性を少なくすることができる。
【００３２】
前記課題を解決するための第９の手段は、前記第１の手段から第７の手段のいずれかであって、前記空気をシールするための環状土手部が、ピン状凸部の集合体により形成されていることを特徴とするもの（請求項９）である。
【００３３】
本手段においては、空気をシールするための環状土手部がピン状凸部の集合体により形成されているので、前記第８の手段と同様、この環状土手部と被吸着物との接触面積が小さくなり、この間に異物が介在する可能性を少なくすることができる。
【００３４】
前記課題を解決するための第１０の手段は、前記第１の手段から第９の手段のいずれかであって、少なくとも前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部と前記環状土手部の両方又は一方にコーティングが施され、このコーティング厚さ又はコーティングの有無により、前記ピン状凸部と前記環状土手部の高さの調整が行われていることを特徴とする真空チャック（請求項１０）である。
【００３５】
本手段においては、コーティングの有無又はその厚さにより、ピン状凸部と環状土手部の高さの調整を行うことができるので、機械加工によるよりも、容易にピン状凸部と環状土手部の高さの差を調整することができる。なお、本手段は、前記別のピン状凸部、別の環状土手部の一方又は両方にコーティングを施して、その高さ調整を行うものをも含むものである。
【００３６】
前記課題を解決するための第１１の手段は、吸着面外周に空気をシールするための環状土手部が設けられ、前記環状土手部の内側に、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部が配列され、前記ピン状凸部の高さが、前記環状土手部の高さ以上とされている真空チャックであって、被吸着部を離脱させるためのリフトピンが設けられているものにおいて、前記リフトピン用孔の周囲に、前記ピン状凸部とは別のピン状凸部が設けられていることを特徴とする真空チャック（請求項１１）である。
【００３７】
真空チャックにおいては、被吸着物を真空チャックから離脱させるためのリフトピンが設けられている場合があり、その部分にリフトピン用の孔が設けられているものがある。このリフトピン用孔が設けられている部分には、ピン状凸部を設けることができない。よって、この部分において、被吸着物が支えられなくなり表面の平坦度が悪化する場合がある。本手段においては、リフトピン用孔の周囲に、通常のピン状凸部とは別のピン状凸部を配列しているので、被吸着物の表面の平坦度の悪化を低減することができる。
【００３８】
前記課題を解決するための第１２の手段は、前記第１１の手段であって、前記別のピン状凸部の配列ピッチが、前記被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部の配列ピッチより狭くされていることを特徴とするもの（請求項１２）である。
【００３９】
本手段においては、別のピン状凸部の配列ピッチが、被吸着物に接触して前記被吸着物を保持するための複数のピン状凸部の配列ピッチより狭くされているので、被吸着物の表面の平坦度の悪化を低減する効果をより高めることができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の第１の例である真空チャックを示す概要図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ端面図である。この真空チャックは半導体露光装置に使用される真空チャックで材質はセラミックスである。真空チャック吸着面上にピン状凸部１が複数配列され、更に吸着面外周にこれを囲み、空気をシールするための環状土手部２が設けられている。このピン状凸部１は、その根本で太く、その先端部で細い円錐台形状のものであり、剣山のように林立している。
【００４１】
本実施の形態においては、この空気をシールする環状土手部２の外周に、更に有効外サポートピン状凸部３を有し、環状土手部の内側にもピン状サポート凸部４が設けてある。ピン状凸部１の配列は格子状でも三角状でも円弧状でもよいが、配列斑があるとシリコンウエハー等の被吸着物を吸着した際に、その表面の平坦精度を悪化させる可能性が高くなることから、面内を均等に配置することが好ましい。
【００４２】
ピン状凸部１のピンピッチは、粗密であると被吸着物を吸着した際に吸着うねりを招くことから緻密にする必要があるが、緻密になるほど被吸着物との接触面積が広がり、ゴミ等の介在の影響を受けやすくなるので、緻密すぎてもよくない。
【００４３】
ピン状凸部１、ピン状サポート凸部４、有効外サポートピン凸部３は同一高さに精密平坦加工されている。環状土手部２はピン状凸部１、ピン状サポート凸部４，有効外サポートピン凸部３よりも低く加工されている。この環状土手部２とピン状凸部１、ピン状サポート凸部４、有効外サポートピン凸部３との高低差が大きいほど、大きなサイズのゴミ等の影響を受けにくくなるが、被吸着物の吸着時の真空圧は小さくなる。高低差の設定条件は真空チャックの使われる仕様によって必要な真空圧が得られる範囲で大きめに取れば良く、この実施の形態においてはサブミクロンから１０ミクロン以内である。
【００４４】
この高低差の製作方法手段として、セラミックス材料そのものに高低差を付ける方法もあるが、真空チャック吸着面にコーティングを施し、そのコーティングの膜厚を制御することやコーティングの有無により、高低差を作る方法がより簡単である。
【００４５】
環状土手部２の内側及び外側には、前述のように、それぞれ環状土手部２に倣って環状に、ピン状サポート凸部４が形成されていると共に、有効外サポートピン凸部３が形成されている。このピン状サポート凸部４と有効外サポーピン凸部３は真空チャック吸着面上に規則的に配列されているピン状凸部１の配列とは異なり、それぞれが独自の配列によって環状土手部２の内外周に環状に配列される。この配列ピッチは、ピン状凸部１の配列ピッチより細かくされている、これらピン状サポート凸部４と有効外サポートピン凸部３は被吸着物を吸着した際に、ピン状凸部１と環状土手部２の境界付近で発生しやすい被吸着物の吸着斑を解消するためのものである。これらは、ピン状凸部１のピンピッチよりも狭いピンピッチで配列することが好ましい。
【００４６】
この環状土手部の外径は、必ずしも被吸着物の外径と同一径にする必要はなく、被吸着物の外径に対して真空圧の得られる範囲内であれば、多少内側でも外側でもよい。環状土手部２の外径を被吸着物の外径と同一径としたとき、その内側に位置するピン状サポート凸部４が、被吸着物を真空吸着した際の最外周でのダレを予防する。更に環状土手部２の外径よりも大きな外径の被吸着物を吸着した際には、環状土手部２内側での有効吸着範囲を確保しつつ、有効外サポートピン凸部３がそれよりも外周エリアでダレが発生するのを防止する。
【００４７】
図２は、本発明の実施の形態の第２の例である真空チャックを示す概要図であり、平面図を示す。その断面は図１（ｂ）と同様の構造となっている。以下の図において、発明の実施の形態の欄における前述の図に示された構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００４８】
図２に示す実施の形態は、有効外サポートピン凸部３が、環状土手部２の外側に複数周（この場合は２周）に亘って設けられているところのみが、図１に示す実施の形態と異なる。このような場合でも、図１に示す実施の形態と同様の作用効果が得られることはいうまでもない。又、有効外サポートピン凸部３を複数周に亘って設けることにより、被吸着物の外径が大きい場合でも、外周エリアにおけるダレを有効に防止することができる。
【００４９】
図３は、本発明の実施の形態の第３の例である真空チャックを示す概要図であり、平面図を示す。その断面は図１（ｂ）と同様の構造となっている。図３に示す実施の形態は、有効外サポートピン凸部３の外側に、さらに有効外環状土手部５が設けられていることのみが、図１に示す実施の形態と異なる。
【００５０】
この有効外環状土手部５は、ピン状サポート凸部４、有効外サポートピン凸部３と同じ高さであり、環状土手部２の高さより高くなっている。よって、その主たる作用は有効外サポートピン凸部３と同様、被研磨物の外周部をサポートしてダレを防止することであるが、円周方向全域に亘って連続しているため、吸着面の負圧を保つ効果も併せて有している。
【００５１】
図４は、本発明の実施の形態の第４の例である真空チャックを示す概要図であり、平面図を示す。その断面は図１（ｂ）と同様の構造となっている。図４に示す実施の形態は、その環状土手部２が連続しておらず、複数のスリット６（この場合は等間隔に配置されているが、必ずしも等間隔でなくてもよい）により分割されているところが異なるのみである。
【００５２】
環状土手部２が複数のスリット６により分割されていることにより、環状土手部２と被吸着物との接触面積が大きな部分が無くなり、これにより、ゴミ等の異物が環状土手部２と被吸着物との間に介在する可能性を低下させることができる。
【００５３】
図５は、本発明の実施の形態の第５の例である真空チャックを示す概要図であり、平面図を示す。その断面は図１（ｂ）と同様の構造となっている。図５に示す実施の形態は、その環状土手部２がリング状でなく、ピン状凸部７の集合体からなっていることである。この場合、ピン状凸部７は円筒形の形状を有することを原則とするが、上部が細い円錐台状の形状を有するものとしてもよい。
【００５４】
環状土手部２がリング状でなく、ピン状凸部７の集合体からなっていることにより、環状土手部２と被吸着物との接触面積が大きな部分が無くなり、これにより、ゴミ等の異物が環状土手部２と被吸着物との間に介在する可能性を低下させることができる。この場合、環状土手部２のシール性が劣化する場合があるが、その場合は、各ピン状凸部の間隔を調整するか、空気の排気量を調整することによりこれを補うことができる。
【００５５】
図６は、本発明の実施の形態の第６の例である真空チャックを示す概要図であり、平面図を示す。その断面は図１（ｂ）と同様の構造となっている。図６に示す実施の形態は、その中央部に、被吸着物を真空チャックから離脱させるために下から押し上げるリフトピン用穴８が設けられていることが第１の実施の形態と異なる。これにより、リフトピン用穴８の部分には、ピン状凸部１を設けることができず、その部分に吸着される被吸着物の部分が平坦でなくなる恐れがある。
【００５６】
よって、本実施の形態においては、リフトピン用穴８の周囲に、ピン状サポート凸部９が設けられている。これにより、リフトピン用穴８部分において被吸着物の平坦性の悪化を軽減することができる。ピン状サポート凸部９の配設ピッチは、ピン状凸部１の配設ピッチより細かくされていることが好ましい。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ゴミ等の異物が真空チャックの吸着面と被吸着物の間に介在するのを、より効果的に防止することが可能な真空チャックを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の第１の例である真空チャックを示す概要図である。
【図２】本発明の実施の形態の第２の例である真空チャックを示す概要図である。
【図３】本発明の実施の形態の第３の例である真空チャックを示す概要図である。
【図４】本発明の実施の形態の第４の例である真空チャックを示す概要図である。
【図５】本発明の実施の形態の第５の例である真空チャックを示す概要図である。
【図６】本発明の実施の形態の第６の例である真空チャックを示す概要図である。
【図７】従来の真空チャックの概要を示す概要図である。
【図８】従来の真空チャックの問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１…ピン状凸部
２…環状土手部部
３…有効外サポートピン凸部
４…ピン状サポート凸部
５…有効外環状土手部
６…スリット
７…ピン状凸部
８…リフトピン用穴
９…ピン状サポート凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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