(57)【要約】      （修正有）【解決手段】  半導体チップ、電気信号を導出するリード、前記チップと前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤを具備し、前記チップ、前記ボンディングワイヤ、前記リードの少なくとも一部が電気絶縁性のフッ素系材料で被覆保護された半導体装置において、前記フッ素系材料が、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する硬化性組成物の硬化物であることを特徴とする半導体装置。（Ａ）分子鎖両末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロジアルケニル化合物１００質量部2005113004.tif 000039（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物硬化有効量（Ｃ）白金族金属触媒触媒量【効果】  本発明によれば、低誘電率で信頼性（耐熱性、耐湿性）に優れ、且つ低モジュラスのフッ素系材料を用いて被覆保護された半導体装置を提供することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ、電気信号を導出するリード、前記チップと前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤを具備し、前記チップ、前記ボンディングワイヤ、前記リードの少なくとも一部が電気絶縁性のフッ素系材料で被覆保護された半導体装置において、前記フッ素系材料が、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する硬化性組成物の硬化物であることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）分子鎖両末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロジアルケニル化合物                                            １００質量部
【化１】
2005113004.tif 000035
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物                                                硬化有効量
（Ｃ）白金族金属触媒                                                      触媒量
【請求項２】
上記フッ素系材料が、周波数１ＭＨｚ以上の領域において、比誘電率が２．５以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記フッ素系材料が、更に、（Ｄ）分子鎖片末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロモノアルケニル化合物
【化２】
2005113004.tif 000036
を上記（Ａ）成分１００質量部に対して４０〜１６０質量部含有する硬化性組成物の硬化物であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記フッ素系材料が、更に、（Ｅ）１分子中にトリアルコキシシリル基及び／又はエポキシ基を１個以上有する有機ケイ素化合物を上記（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜３．０質量部含有する硬化性組成物の硬化物であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記（Ａ）成分が下記一般式（１）で示される、側鎖を有する鎖状ポリフルオロジアルケニル化合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体装置。
ＣＨ2＝ＣＨ−（Ｘ）a−Ｒｆ1−（Ｘ’）a−ＣＨ＝ＣＨ2                      （１）
〔式中、Ｘは、式：−ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−又は−Ｙ−ＮＲ1−ＣＯ−（式中、Ｙは、式：−ＣＨ2−又は式：
【化３】
2005113004.tif 000037
で表される二価の基であり、Ｒ1は、水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。）で表される二価の基であり、Ｘ’は、式：−ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−又は−ＣＯ−ＮＲ1−Ｙ’−（式中、Ｙ’は、式：−ＣＨ2−又は式：
【化４】
2005113004.tif 000038
で表される二価の基であり、Ｒ1は前記のとおりである。）で表わされる二価の基であり、ａは独立に０又は１であり、Ｒｆ1は下記一般式（ｉ）：
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）］p−［ＯＣＦ2（ＣＦ2）rＣＦ2Ｏ］−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］q−ＣtＦ2t−                                （ｉ）
（式中、ｐ及びｑは１以上の整数であって、かつ、ｐとｑの和の平均は２〜２００である。また、ｒは０〜６の整数、ｔは２又は３である。）、又は下記一般式（ｉｉ）：
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2］u−（ＯＣＦ2）v−ＯＣtＦ2t−                                                                            （ｉｉ）
（式中、ｕは１〜２００の整数、ｖは１〜５０の整数であり、ｔは上記と同じである。）で表される二価の基である。〕
【請求項６】
前記（Ｄ）成分が下記一般式（２）で示される、側鎖を有する鎖状ポリフルオロモノアルケニル化合物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装置。
Ｒｆ2−（Ｘ’）a−ＣＨ＝ＣＨ2                                      （２）
〔式中、Ｘ’及びａは前記のとおりであり、Ｒｆ2は、下記一般式（ｉｉｉ）：
Ｆ−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］w−ＣtＦ2t−                        （ｉｉｉ）
（式中、ｗは１以上の整数、ｔは上記と同じである。）で表される基である。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低誘電率で信頼性（耐熱性、耐湿性）に優れ、且つ低モジュラスのフッ素系材料を用いて被覆保護された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を、エポキシ樹脂組成物等の封止材料を用いてトランスファー成形により樹脂モールドしてなる樹脂封止型の半導体装置は、信頼性（耐熱性、耐湿性）、量産性及び低価格の点で優れていることからセラミック封止型半導体装置とともに広く用いられている。
【０００３】
ところが、近年、マイクロプロセッサ等の半導体素子の高機能化、高性能化が図られており、これらに基づき動作周波数が一段と上昇する傾向にある。また、情報通信関連分野の中でも、携帯電話、ＰＨＳ等の小型電子装置においてはその周波数帯域に関してギガヘルツに近い周波数帯域が使用されるようになってきており、更に２桁のギガヘルツ帯域を使用する通信も開発が進められているのが現状である。
【０００４】
このように、半導体の高周波数化が進むなかで、信頼性が要求される半導体装置に関しては、現在、高周波特性に優れたセラミック封止型の半導体装置が多く採用されている。しかしながら、一方では、上記のように量産性や各種信頼性に優れた樹脂封止型の半導体装置の採用が考えられているのが実状である。
【０００５】
更に、半導体の高周波数化に伴い回路のファインピッチ化が急速に進み、特に高速システムデバイス用途では、隣接配線のノイズを抑えるため、樹脂組成物の硬化物は低誘電率であることが必要とされる。また、高速システムの指標であるパルス伝搬速度Ｖは、
Ｖ＝Ｃ／εr1/2        （Ｃ：配線容量、εr：比誘電率）
の関係にあるため、低誘電率であることは信号速度が速くなることと同一である。通常の樹脂硬化物の比誘電率は、４．０〜４．６であり、高速システムデバイス用途に対しては、より低い誘電率が得られる樹脂組成物が要求される。
【０００６】
これに対し、誘電率の低減を目的としてエポキシ樹脂組成物に無機系中空フィラーを配合することが提案されている（特許文献１：特開平１０−２９８４０７号公報、特許文献２：特開２０００−３５４７５４号公報参照）。また、フッ素樹脂粒子を配合することも提案されている（特許文献３：特開２００１−４０１８２号公報参照）。
【０００７】
しかしながら、エポキシ樹脂のような高モジュラスの硬化物では、半導体とリードを接続するボンディングワイヤが、熱応力、機械的応力等により切断してしまうことが指摘されており、ボンディングワイヤへの応力を緩和する封止材料として、よりモジュラスの低い材料の開発が要求されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−２９８４０７号公報
【特許文献２】特開２０００−３５４７５４号公報
【特許文献３】特開２００１−４０１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、低誘電率で信頼性（耐熱性、耐湿性）に優れ、且つ低モジュラスのフッ素系材料を用いて被覆保護された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、−（ＣＦ（ＣＦ3）−ＣＦ2−Ｏ）−単位を含むアルケニル基含有フッ素ポリマーと１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物と白金族金属触媒とを含有する硬化性組成物が、従来の半導体封止用樹脂組成物に比べ、低誘電率、かつ低モジュラスな硬化物を与え、このフッ素系材料を半導体素子の被覆材料として使用することにより、高周波数特性に優れ、温度履歴や機械的衝撃を緩和し、高い動作信頼性を有する半導体装置が得られることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１１】
従って、本発明は、半導体チップ、電気信号を導出するリード、前記チップと前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤを具備し、前記チップ、前記ボンディングワイヤ、前記リードの少なくとも一部が電気絶縁性のフッ素系材料で被覆保護された半導体装置において、前記フッ素系材料が、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する硬化性組成物の硬化物であることを特徴とする半導体装置を提供する。
（Ａ）分子鎖両末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロジアルケニル化合物                                            １００質量部
【化１】
2005113004.tif 000002
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物                                                硬化有効量
（Ｃ）白金族金属触媒                                                      触媒量
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低誘電率で信頼性（耐熱性、耐湿性）に優れ、且つ低モジュラスのフッ素系材料を用いて被覆保護された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について図面を用いて具体的に説明する。なお、以下の実施形態においては、本発明の半導体装置を高周波領域の半導体装置に適用した例について説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００１４】
図１〜３は、本実施形態に係る半導体装置を要部で切断した状態の縦断面図を示すものである。図１〜３において、基板１は、例えばフィラーが充填されたエポキシ樹脂やアルミナ等よりなるもので、基板１上に半導体素子２がマウントされて形成されている。上記基板１には、銀，金，銅などの導電材料よりなる複数本のインサートピン３（本発明でいうリードに相当）が設けられている。
【００１５】
上記半導体素子２は、周知構成のもので特に特定されるものではない。この半導体素子２は、上記基板１上に、例えばエポキシ系の接着剤４によりボンディングされると共に、インサートピン３に対し、金やアルミニウム等のボンディングワイヤ５を介して電気的に接続されている。
【００１６】
上記半導体素子２及びボンディングワイヤ５の保護、電気的な絶縁性の確保、並びに防食などを図るための保護材料６としてのフッ素系材料が、半導体素子２、ボンディングワイヤ５等を覆うように設けられている。図１においては、この保護材料６により半導体素子２の一部、及び半導体素子２とボンディングワイヤ５との接続部が被覆保護されている。図２においては、半導体素子２全体、及び半導体素子２とボンディングワイヤ５との接続部が被覆保護されている。また図３においては、半導体素子２全体、ボンディングワイヤ５全体、半導体素子２とボンディングワイヤ５との接続部、及びインサートピン３とボンディングワイヤ５との接続部が被覆保護されている。
【００１７】
本発明においては、このような保護材料としては、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する硬化性組成物の硬化物が好適である。
（Ａ）分子鎖両末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロジアルケニル化合物                                            １００質量部
【化２】
2005113004.tif 000003
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物                                                硬化有効量
（Ｃ）白金族金属触媒                                                      触媒量
【００１８】
上記（Ａ）〜（Ｃ）成分に加えて、（Ｄ）成分としての分子鎖片末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロモノアルケニル化合物
【化３】
2005113004.tif 000004
を上記（Ａ）成分１００質量部に対して４０〜１６０質量部含有する硬化性組成物、また、（Ｅ）成分として、１分子中にトリアルコキシシリル基及び／又はエポキシ基を１個以上有する有機ケイ素化合物を上記（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜３．０質量部含有する硬化性組成物も使用することができる。
【００１９】
該硬化性組成物は、モールディング（ポッティング）及びその後の熱硬化処理（例えば、１２０〜１５０℃で１時間加熱）を行うことで保護部分を被覆することが可能である。
【００２０】
この場合、得られる硬化物は、高周波領域において図４に示すような低誘電率特性を有しており、２３℃において、１ＭＨｚ以上の周波数領域における比誘電率が２．５以下、特に２．４以下であるため、半導体の高周波数化に対応した半導体装置を提供することが可能である。
なお、比誘電率の測定は、ＪＩＳ  Ｋ６２４９に準じた方法により行うことができる。
【００２１】
ここで、上記フッ素系材料について更に詳述する。
［（Ａ）成分］
本発明に使用される硬化性組成物の（Ａ）成分は、−（ＣＦ（ＣＦ3）−ＣＦ2−Ｏ）−単位を含むアルケニル基含有フッ素ポリマーである。この分岐を有するポリフルオロジアルケニル化合物としては、下記一般式（１）で表されるものが好ましい。
ＣＨ2＝ＣＨ−（Ｘ）a−Ｒｆ1−（Ｘ’）a−ＣＨ＝ＣＨ2                  （１）
〔式中、Ｘは、式：−ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−又は−Ｙ−ＮＲ1−ＣＯ−（式中、Ｙは、式：−ＣＨ2−又は式：
【化４】
2005113004.tif 000005
で表される二価の基であり、Ｒ1は、水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。）で表される二価の基であり、Ｘ’は、式：−ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−又は−ＣＯ−ＮＲ1−Ｙ’−（式中、Ｙ’は、式：−ＣＨ2−又は式：
【化５】
2005113004.tif 000006
で表される二価の基であり、Ｒ1は前記のとおりである。）で表される二価の基であり、ａは独立に０又は１であり、Ｒｆ1は、下記一般式（ｉ）：
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）］p−［ＯＣＦ2（ＣＦ2）rＣＦ2Ｏ］−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］q−ＣtＦ2t−                                               （ｉ）
（式中、ｐ及びｑは１以上の整数であって、かつ、ｐとｑの和の平均は２〜２００である。また、ｒは０〜６の整数、ｔは２又は３である。）、又は、下記一般式（ｉｉ）：
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2］u−（ＯＣＦ2）v−ＯＣtＦ2t−        （ｉｉ）
（式中、ｕは１〜２００の整数、ｖは１〜５０の整数であり、ｔは上記と同じである。）で表される二価の基である。］
【００２２】
ここで、上記Ｘ又はＸ’に係るＲ1としては、水素原子以外の場合、炭素数１〜１２、特に１〜１０のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基などや、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素等のハロゲン原子で置換した置換一価炭化水素基などが挙げられる。
【００２３】
上記Ｒｆ1は前記の通りであり、下記一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される二価の基である。
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）］p−［ＯＣＦ2（ＣＦ2）rＣＦ2Ｏ］−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］q−ＣtＦ2t−                                               （ｉ）
（式中、ｐ、ｑ、ｒ、ｔは上記と同じである。）
−ＣtＦ2t−［ＯＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2］u−（ＯＣＦ2）v−ＯＣtＦ2t−        （ｉｉ）
（式中、ｕ、ｖ、ｔは上記と同じである。）
【００２４】
この場合、式（ｉ）の例として、下記式（ｉ’）のものを挙げることができる。
−ＣＦ2ＣＦ2−［ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）］s−ＯＣＦ2（ＣＦ2）rＣＦ2Ｏ−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］t−ＣＦ2ＣＦ2−                                            （ｉ’）
（式中、ｓ及びｔは１以上の整数であって、かつ、ｓ＋ｔの和の平均は２〜２００である。）
【００２５】
Ｒｆ1基の具体例としては、例えば、下記の３つのものが挙げられる。好ましくは１番目の式の構造の二価の基である。
【００２６】
【化６】
2005113004.tif 000007
（式中、ｍ及びｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ（平均）＝２〜２００である。）
【００２７】
【化７】
2005113004.tif 000008
（式中、ｍ及びｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ（平均）＝２〜２００である。）
【００２８】
【化８】
2005113004.tif 000009
（式中、ｍは１〜２００の整数、ｎは１〜５０の整数である。）
【００２９】
次に、上記一般式（１）で表されるポリフルオロジアルケニル化合物の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる。
【００３０】
【化９】
2005113004.tif 000010
（式中、ｍ及びｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ（平均）＝２〜２００である。）
【００３１】
なお、上記式（１）のポリフルオロジアルケニル化合物の粘度（２３℃）は、５〜１００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内にあることが、本組成物を使用する際に、硬化においても適当な物理的特性を有しているので望ましい。また、当該粘度範囲内で、用途に応じて最も適切な粘度を選択することができる。
【００３２】
［（Ｂ）成分］
本発明の（Ｂ）成分であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン化合物は、１分子中に、ケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を２個以上有する。
本発明の（Ｂ）成分は、上記（Ａ）成分の架橋剤ないし鎖長延長剤として機能するものであり、また、（Ａ）成分との相溶性、分散性、硬化後の均一性等の観点から、１分子中に１個以上のフッ素含有基を有するものが好ましい。
【００３３】
このフッ素含有基としては、例えば、下記一般式で表されるもの等を挙げることができる。
Ｃs'Ｆ2s'+1−
（式中、ｓ’は１〜２０、好ましくは２〜１０の整数である。）
Ｆ−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］n−ＣtＦ2t−
（式中、ｎは２〜２００、好ましくは２〜１００の整数、ｔは１〜３の整数である。）
−Ｃt'Ｆ2t'−
（式中、ｔ’は１〜２０、好ましくは２〜１０の整数である。）
−ＣＦ（ＣＦ3）−［ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）］m−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］n−ＣＦ（ＣＦ3）−
（式中、ｍ及びｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ（平均）＝２〜２００、好ましくは２〜１００の整数である。）
【００３４】
このようなフッ素含有基を有する（Ｂ）成分としては、例えば下記の化合物が挙げられる。なお、これらの化合物は、１種単独でも２種以上併用して用いてもよい。また、下記式において、Ｐｈはフェニル基を示す。
【００３５】
【化１０】
2005113004.tif 000011
【００３６】
【化１１】
2005113004.tif 000012
【００３７】
【化１２】
2005113004.tif 000013
【００３８】
【化１３】
2005113004.tif 000014
【００３９】
【化１４】
2005113004.tif 000015
【００４０】
【化１５】
2005113004.tif 000016
【００４１】
【化１６】
2005113004.tif 000017
【００４２】
【化１７】
2005113004.tif 000018
【００４３】
【化１８】
2005113004.tif 000019
【００４４】
【化１９】
2005113004.tif 000020
【００４５】
【化２０】
2005113004.tif 000021
【００４６】
【化２１】
2005113004.tif 000022
【００４７】
上記（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分を硬化する有効量であり、特に本組成物中の上記（Ａ）成分が有するアルケニル基の合計の１モルに対し、（Ｂ）成分のヒドロシリル基（Ｓｉ−Ｈ）が好ましくは０．２〜２モル、より好ましくは０．５〜１．３モルとなる量である。ヒドロシリル基（Ｓｉ−Ｈ基）が少なすぎると、架橋度合が不十分となる結果、硬化物が得られない場合があり、また、多すぎると硬化時に発泡してしまう場合がある。
【００４８】
［（Ｃ）成分］
本発明の（Ｃ）成分の白金族金属触媒は、（Ａ）成分中のアルケニル基と（Ｂ）成分中のヒドロシリル基との付加反応を促進する触媒である。この白金族金属触媒としては、入手が比較的容易である点から、白金化合物がよく用いられる。該白金化合物としては、例えば、塩化白金酸；塩化白金酸とエチレンなどのオレフィン、アルコール、ビニルシロキサン等との錯体；及びシリカ、アルミナ、カーボン等に担持された金属白金を挙げることができる。白金化合物以外の白金族金属触媒としては、ロジウム、ルテニウム、イリジウム及びパラジウム系化合物、例えば、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ3）3、ＲｈＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ3）2、Ｒｕ3（ＣＯ）12、ＩｒＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ3）2、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4等（なお、前記式中、Ｐｈはフェニル基である。）を例示することができる。
【００４９】
（Ｃ）成分の使用量は、触媒量でよいが、例えば（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して０．１〜１００ｐｐｍ（白金族金属換算）を配合することが好ましい。
【００５０】
［（Ｄ）成分］
本発明においては、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分に加え、（Ｄ）成分として、分子鎖片末端にアルケニル基を有し、下記式で示される主鎖骨格を含む鎖状ポリフルオロモノアルケニル化合物を含有することができる。
【化２２】
2005113004.tif 000023
【００５１】
この鎖状ポリフルオロモノアルケニル化合物としては、下記一般式（２）で表されるものが好ましい。
Ｒｆ2−（Ｘ’）a−ＣＨ＝ＣＨ2          （２）
〔式中、Ｘ’及びａは前記のとおりであり、Ｒｆ2は、下記一般式（ｉｉｉ）：
Ｆ−［ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ］w−ＣtＦ2t−                             （ｉｉｉ）
（式中、ｔは上記と同じである。ｗは１以上の整数であり、かつ、上記（Ａ）成分のＲｆ1基に関するｐ＋ｑ（平均）及びｒの和、並びにｕ及びｖの和のいずれの和よりも小さい）で表される基である。〕
上記（Ａ）成分のＲｆ1基との関係における、Ｒｆ2基のｗに係る限定は、本組成物から低ブリード硬化物を得るために必須の条件である。
上記一般式（２）で表されるポリフルオロモノアルケニル化合物の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられる（なお、下記ｍは、上記要件を満足するものである。）。
【００５２】
【化２３】
2005113004.tif 000024
（上記式中、ｍ＝１〜２００である。）
【００５３】
（Ｄ）成分のポリフルオロモノアルケニル化合物成分の配合量は、本組成物中の上記（Ａ）成分のポリフルオロジアルケニル化合物１００質量部に対して４０〜１６０質量部、好ましくは５０〜１５０質量部である。また、粘度（２３℃）は、ポリフルオロジアルケニル化合物と同様に、５〜１００，０００ｍＰａ・ｓの範囲であることが望ましい。
【００５４】
［（Ｅ）成分］
また、本発明においては、（Ｅ）成分として、１分子中にトリアルコキシシリル基及び／又はエポキシ基を１個以上有する有機ケイ素化合物を含有することができる。この（Ｅ）成分を含有することにより、本発明の組成物の硬化物をポッティングする半導体素子や基板に接着させ、更に、信頼性を向上させることが可能となる。
【００５５】
（Ｅ）成分の１分子中にトリアルコキシシリル基及び／又はエポキシ基を１個以上有する有機ケイ素化合物としては、具体的には下記の構造式で示されるものが例示される。なお、これらの化合物は単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５６】
【化２４】
2005113004.tif 000025
【００５７】
【化２５】
2005113004.tif 000026
【００５８】
【化２６】
2005113004.tif 000027
【００５９】
上記（Ｅ）成分の使用量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．１〜３．０質量部、好ましくは０．２〜２．５質量部の範囲である。０．１質量部未満の場合には十分な接着性が得られない場合があり、３．０質量部を超えると組成物の流動性が悪く吐出装置からの押し出しが困難となり、得られる硬化物の物理的強度も低下する場合があり好ましくない。
【００６０】
［その他の成分］
本組成物においては、上記の（Ａ）〜（Ｅ）成分以外にも、各種配合剤を添加することは任意である。可塑剤として、無官能性のパーフロロポリエーテルを配合して硬度調整、ガラス転移温度調整をすることが可能である。ヒドロシリル化反応触媒の制御剤として、例えば、１−エチニル−１−ヒドロキシシクロヘキサン、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ペンテン−３−オール、フェニルブチノールなどのアセチレンアルコールや、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等、あるいはポリメチルビニルシロキサン環式化合物、有機リン化合物等が挙げられ、その添加により硬化反応性と保存安定性を適度に保つことができる。無機質充填剤として、例えば、煙霧質シリカ、粉砕シリカ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、カーボンブラック等が挙げられ、その添加により硬化物の硬さ・機械的強度を調整することができる。中空無機質充填剤又はゴム質の球状充填剤も添加できる。
これらの配合成分の使用量は、得られる組成物の特性及び硬化物の物性を損なわない限りにおいて任意である。
【００６１】
上記のように構成された半導体装置とその保護材料は、動作周波数が高周波となるのみでなく、湿度変化や温度変化等の雰囲気に曝される。或いは、機械的衝撃を受けることも想定される。
【００６２】
しかしながら、該硬化物は、ＪＩＳ  Ｋ６２５３による硬さが８０以下のゴム材料、或いはＪＩＳ  Ｋ２２２０稠度試験法（１／４コーン使用）で規定される針入度が１以上のゲル材料であり、非常に低硬度な材料である為に、冷温の温度履歴や振動等による機械的衝撃を緩和し、絶縁機能の低下やボンディングワイヤの断線等の問題を防止することができ、高い動作信頼性を有する半導体装置が実現できる。
【実施例】
【００６３】
以下、調製例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００６４】
［調製例１］
下記式Ａ−１で示されるポリマー（粘度２，１００ｍＰａ・ｓ）１００質量部にアエロジル  Ｒ−９７６（日本アエロジル（株）製）１．５質量部を配合した。更に、エチニルシクロヘキサノールの５０％トルエン溶液０．３質量部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のトルエン溶液（白金原子濃度０．５質量％）０．２質量部、下記式Ｂ−１で示される化合物６．２質量部、下記式Ｂ−２で示される化合物１．５質量部、下記式Ｅ−１で示される化合物１．５質量部を添加し、均一に混合してゴム組成物１を調製した。
次に、得られた組成物を用いて１５０℃で１０分間プレス成型し、更に、１５０℃で５０分間ポストキュアを行い、ゴム材料１を得た。この硬化物についてＪＩＳ  Ｋ６２４９に準じて物性を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６５】
［調製例２］
Ａ−１で示されるポリマーの代わりに下記式Ａ−２で示されるポリマー（粘度５，６００ｍＰａ・ｓ）を用いた以外は調製例１と同じ化合物を表１に示す割合にて混合し、ゴム組成物２を調製した。次いで、調製例１と同様にしてプレス成型及びポストキュアを行ない、ゴム材料２を得た。この硬化物について調製例１と同様にゴム物性を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６６】
［調製例３］
下記式Ａ−２で示されるポリマー（粘度５，６００ｍＰａ・ｓ）１００質量部にアエロジル  Ｒ−９７２（日本アエロジル（株）製）４．０質量部を配合した。更に、エチニルシクロヘキサノールの５０％トルエン溶液０．３質量部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のトルエン溶液（白金原子濃度０．５質量％）０．２質量部、下記式Ｂ−２で示される化合物１．１質量部、下記式Ｂ−３で示される化合物１．７質量部、下記式Ｅ−２で示される化合物２．５質量部を添加し、均一に混合してゴム組成物３を調製した。次いで、調製例１と同様にしてプレス成型及びポストキュアを行ない、ゴム材料３を得た。この硬化物について調製例１と同様にゴム物性を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６７】
［調製例４］
下記式Ａ−２で示されるポリマー（粘度５，６００ｍＰａ・ｓ）６５質量部と下記式Ｄ−１で示されるポリマー（粘度６５０ｍＰａ・ｓ）３５質量部に、エチニルシクロヘキサノールの５０％トルエン溶液０．１５質量部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のエタノール溶液（白金原子濃度３．０質量％）０．０１５質量部、下記式Ｂ−５で示される化合物２０質量部を添加し、均一に混合してゲル組成物１を調製した。
次に、得られた組成物を１５０℃で１時間加熱してゲル材料１を形成した。このゲル状硬化物の針入度をＪＩＳ  Ｋ２２２０稠度試験法（１／４コーン使用）により測定した。結果を表２に示す。
【００６８】
［調製例５］
Ａ−２で示されるポリマーの代わりに下記式Ａ−１で示されるポリマー（粘度２，１００ｍＰａ・ｓ）を、Ｂ−５で示される化合物の代わりに下記式Ｂ−４で示される化合物を用いた以外は調製例１と同じ化合物を表２に示す割合にて混合し、ゲル組成物２を調整した。調製例４と同様にしてゲル材料２を得た後、このゲル状硬化物について調製例４と同様に針入度を測定した。結果を表２に示す。
【００６９】
［調製例６］
下記式Ａ−２で示されるポリマー（粘度５，６００ｍＰａ・ｓ）５７質量部と下記式Ｄ−１で示されるポリマー（粘度６５０ｍＰａ・ｓ）４３質量部とＣａｂｏｓｉｌ  ＴＳ７２０（Ｃａｂｏｔ社製）３質量部に、エチニルシクロヘキサノールの５０％トルエン溶液０．１５質量部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のエタノール溶液（白金原子濃度３．０質量％）０．０１５質量部、下記式Ｂ−５で示される化合物２３質量部を添加し、均一に混合してゲル組成物３を調製した。調製例４と同様にしてゲル材料３を得た後、このゲル状硬化物について調製例４と同様に針入度を測定した。結果を表２に示す。
【００７０】
（Ａ）成分
【化２７】
2005113004.tif 000028
【００７１】
（Ｂ）成分
【化２８】
2005113004.tif 000029
【００７２】
（Ｄ）成分
【化２９】
2005113004.tif 000030
【００７３】
（Ｅ）成分
【化３０】
2005113004.tif 000031
【００７４】
【表１】
2005113004.tif 000032
【００７５】
【表２】
2005113004.tif 000033
【００７６】
［実施例１〜６］
図１に示した半導体ＩＣにおいて、保護材料として調製例１〜６で得られたゴム組成物又はゲル組成物を充填して半導体素子（Ｓｉチップ）２及びボンディングワイヤ５を被覆した本発明の半導体ＩＣを製造した。初期特性及びそれらを下記条件にて放置した後の半導体特性を確認した。
高温放置条件：１２０℃／５００ｈｒ
高温高湿放置条件：８５℃／８５％ＲＨ／５００ｈｒ
比誘電率測定は、ＪＩＳ  Ｋ６２４９に準じた方法で測定し、高周波応答性は、パルス波測定装置により測定した。これらの結果を表３に示す。また、図４には、実施例１における周波数依存性データを示す。
【００７７】
［比較例１，２］
実施例１〜６において用いたゴム組成物又はゲル組成物の代わりに、保護材料としてシリコーン樹脂（商品名：ＫＪＲ−９０１４、信越化学工業（株）製）又はエポキシ樹脂（商品名：ＣＶ５１４４ＡＨ、松下電工（株）製）を用いて同様に半導体ＩＣを製造し、物性を測定した。
【００７８】
【表３】
2005113004.tif 000034
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の要部縦断面図である。
【図４】本発明の半導体装置に使用されるフッ素系材料の比誘電率の周波数特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８０】
１    基板
２    半導体素子
３    インサートピン（リード）
４    接着剤
５    ボンディングワイヤ
６    保護材料
【図１】
2005113004.tif 000040
【図２】
2005113004.tif 000041
【図３】
2005113004.tif 000042
【図４】
2005113004.tif 000043
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
これに対し、誘電率の低減を目的としてエポキシ樹脂組成物に無機系中空フィラーを配合することが提案されている（特許文献１：特開平１０−２９８４０７号公報、特許文献２：特開２００１−３５４７５４号公報参照）。また、フッ素樹脂粒子を配合することも提案されている（特許文献３：特開２００１−４０１８２号公報参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−２９８４０７号公報
【特許文献２】特開２００１−３５４７５４号公報
【特許文献３】特開２００１−４０１８２号公報