(57)【要約】【課題】  ワイヤボンド後の製造過程である封止工程において、樹脂等の封止部材の注入圧力によりボンディングワイヤが流されてこのワイヤのショートが発生することを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】  半導体チップ１の複数のボンディングパッドより選択したボンディングパッドおよびリード２をそれぞれ接続するボンディングワイヤ３に対して、絶縁性粒子７を噴霧して付着させ、その後硬化させて、ボンディングワイヤ３の表面を、付着した絶縁性粒子７により覆われる構成とする。この構成によれば、ワイヤボンド後の製造過程である封止部材４の封止工程において、封止部材４の注入圧力によりボンディングワイヤ３を流れにくくでき、万一ボンディングワイヤ３が流されてもこのワイヤのショートを防止することができ、品質の優れた半導体装置を提供できる。【選択図】      図１
2005327824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のボンディングパッドを主面に配列した半導体チップと、
前記半導体チップから所定の間隔をもって配置した複数のリードと、
複数のボンディングパッドより選択した前記ボンディングパッドおよび前記リードをそれぞれ接続するボンディングワイヤと、
前記複数のボンディングワイヤ表面に付着し覆う絶縁性粒子と、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤと前記絶縁性粒子と前記リードの半導体チップ接続側を封止する封止部材と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のボンディングパッドを主面に配列した半導体チップが接着され、前記半導体チップから所定の間隔をもって配置した複数のリードを有するフレームを搬送しながら、前記複数のボンディングパッドより選択した前記ボンディングパッドおよび前記リードをそれぞれボンディングワイヤにより接続するワイヤボンド用ステージを備えた半導体製造装置であって、
前記ワイヤボンド用ステージにおいて接続された複数のボンディングワイヤに、絶縁性粒子を噴霧する絶縁性粒子噴霧用ステージと、
前記絶縁性粒子噴霧用ステージにおいて複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を硬化する絶縁性粒子硬化用ステージ
を備え、
前記フレームの搬送により前記ステージ間をステップ動作で移動しながら、前記絶縁性粒子噴霧用ステージにおいて、前記半導体チップの複数のボンディングワイヤ表面に絶縁性粒子を付着させ、前記絶縁性粒子硬化用ステージにおいて、前記付着させた絶縁性粒子を硬化させて前記ボンディングワイヤを前記絶縁性粒子により覆うこと
を特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
前記絶縁性粒子噴霧用ステージに、前記絶縁性粒子を噴霧する際、不必要な部分への前記絶縁性粒子の飛散を遮蔽する絶縁性粒子シェルターを設けたこと
を特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記絶縁性粒子シェルターの側断面を、円形状とすること
を特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記絶縁性粒子噴霧用ステージに、前記絶縁性粒子を噴霧する絶縁性粒子噴霧口を上方に向けて、前記フレームの前記半導体チップが接着された面とは反対の面側に設置し、
前記絶縁性粒子噴霧口より前記絶縁性粒子を下から上に向けて放射状に噴霧すること
を特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を加熱して硬化させるヒータ部を設けたこと
を特徴とする請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子に紫外線を照射して硬化させる紫外線照射部を設けたこと
を特徴とする請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を加熱して硬化させるヒータ部と前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子に紫外線を照射して硬化させる紫外線照射部を設けたこと
を特徴とする請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記紫外線照射部は、前記絶縁性粒子硬化用ステージに搬送されてきたフレームの上方かつ四方斜め４５°の角度から放射状に紫外線を照射すること
を特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記紫外線照射部より照射される紫外線の散乱を遮蔽する紫外線シェルターを設けたこと
を特徴とする請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記紫外線シェルターの内壁は、湾曲し鏡面であること
を特徴とする請求項１０記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびこの半導体装置の半導体製造装置、特にワイヤボンダに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
まず、従来の半導体装置の構成を説明する。
図８は、従来の半導体装置の一例を示す斜視図である。この半導体装置は一般的なものであり、ボンディングパッド１ａを主面に配列した半導体チップ１と、半導体チップ１から所定の間隔をもって配置した外部接続用のリード２と、ボンディングパッド１ａ及びリード２を接続するボンディングワイヤ３と、半導体チップ１とボンディングワイヤ３とリード２の半導体チップ１接続側を封止する封止部材４とから構成されている。前記ボンディングワイヤ３は導電性の材質であり、主に金線が使用される。
【０００３】
図９（ａ），（ｂ）は、図８に示した上記従来の半導体装置であって、ワイヤボンド工程（封止部材４で封止する前の製造過程である）を終了した後の構成を示す平面図と要部側面図であり、このワイヤボンド工程終了時点ではリード２より延在し外周を一括して支持するフレーム５と、前記リードの中央を柵状に一括して連ねるタイバー６が存在している。これらフレーム５とタイバー６は、封止後の製造過程であるリードカット・ベンド工程では取り除かれる。ワイヤボンド工程は、半導体チップ１の複数のボンディングパッドより選択したボンディングパッド１ａとリード２とをそれぞれボンディングワイヤ３で接続することにより完了する。
【０００４】
図１０は、従来の半導体装置の他例を示す斜視図である。この半導体装置は、ボンディングパッドを主面に配列した半導体チップ１と、半導体チップ１から所定の間隔をもって配置した外部接続用のリード２と、複数ボンディングパッドより選択した特定ボンディングパッド１ｂ，１ｃと特定のリード２ｂ，２ｃを三次元的に交差する構成でそれぞれ接続するボンディングワイヤ３ｂ，３ｃと、半導体チップ１とボンディングワイヤ３（３ｂ，３ｃ）とリード２の半導体チップ１接続側を封止する封止部材４とから構成されている。前記ボンディングワイヤ３は導電性の材質であり、主に金線が使用される。
【０００５】
図１１（ａ），（ｂ）は、図１０に示した上記従来の半導体装置であって、ワイヤボンド工程（封止部材４で封止する前の製造過程である）を終了した後の構成を示す平面図と要部側面図であり、このワイヤボンド工程終了時点ではリード２より延在し外周を一括して支持するフレーム５と、前記リードの中央を柵状に一括して連ねるタイバー６が存在している。これらフレーム５とタイバー６は、封止後の製造過程であるリードカット・ベンド工程では取り除かれる。ワイヤボンド工程は、半導体チップ１の複数のボンディングパッドより選択した特定ボンディングパッド１ｂ，１ｃと特定のリード２ｂ，２ｃをボンディングワイヤ３ｂ，３ｃで互いに接触しないよう、三次元的に交差する構成でそれぞれ接続することにより完了する。
【０００６】
図１２（ａ），（ｂ）は、従来の半導体装置の製造工程のうち、ワイヤボンダ工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の主要部構造図であり、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は側面図である。
【０００７】
図１２に示す半導体製造装置は、ワイヤボンド用ステージ（詳細は後述する）を有しており、供給マガジン１５より供給される、表面に複数（図では４個）の半導体チップ１が搭載された（接着された）フレーム５が、ガイドレール１２に沿ってステップ動作で搬送され、フレーム５に搭載された各半導体チップ１はワイヤボンド用ステージへ搬送されるとワイヤボンドが実行され、ワイヤボンドが実行された半導体チップ１（フレーム５）は収納マガジン１６へ搬出される。なお、供給マガジン１５と収納マガジン１６は脱着できる構造となっている。
【０００８】
前記ワイヤボンド用ステージは、選択されたボンディングパッド１ａ及びリード２をボンディングワイヤ３により、あるいは特定ボンディングパッド１ｂ，１ｃと特定のリード２ｂ，２ｃをボンディングワイヤ３ｂ，３ｃにより接続するステージであり、軸心にボンディングワイヤ３を通すための細孔を有すキャピラリー１０と、超音波を発振し、キャピラリー１０を介してボンディングワイヤ３へ超音波振動を与えるトランスデューサ９と、キャピラリー１０およびトランスデューサ９を昇降させ、また移動させるボンディングヘッド８と、キャピラリー１０へ供給するボンディングワイヤ３を巻き付けたスプール１１と、半導体装置を加熱するボンド用ヒータプレート１３と、半導体装置を、そのリード２を挟み込むことで固定するクランパー１４が設けられている。
【０００９】
この構成により、半導体チップ１を搭載したフレーム５は供給マガジン１５よりステップ動作でガイドレール１２に沿って搬送され、フレーム５はワイヤボンド用ステージのボンド用ヒータプレート１３上にて、クランパー１４でリード２を挟み込むことで固定され、選択された半導体チップ１主面に配列したボンディングパッド１ａ及びリード２（あるいは特定ボンディングパッド１ｂ，１ｃと特定のリード２ｂ，２ｃ）が、ボンディングワイヤ３（あるいはボンディングワイヤ３ｂ，３ｃ）により接続される。すなわち、まず先端にボールが形成されたボンディングワイヤ３を通したキャピラリー１０がボンディングパッド１ａに押し当てられ、続いてキャピラリー１０より加わる荷重とボンド用ヒータプレート１３より発する熱とトランスデューサ９より発振した超音波により金属間接合を生じさせてボンディングワイヤ３をボンディングパッド１ａに接続させる。続いてキャピラリー１０を上昇させ、リード２上に移動させた後、キャピラリー１０がリード２に押し当てられ、キャピラリー１０より加わる荷重とボンド用ヒータプレート１３より発する熱とトランスデューサ９より発振した超音波により金属間接合を生じさせてリード２にボンディングワイヤ３を接続させ、その後、ボンディングワイヤ３が切断され、ボンディングワイヤ３の先端に前記ボールが、例えば放電アーチ（図示せず）により形成される。
【００１０】
半導体チップ１とリード２とのワイヤ接続を完了したフレーム５は更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送されワイヤボンドの一連の製造過程が完了される。
【００１１】
続いて、半導体チップ１とボンディングワイヤ３とリード２の半導体チップ１接続側を封止する封止工程が実行される。この封止工程が、例えば特許文献１に開示されている。
すなわち、光および熱併用硬化形の樹脂（封止部材）を、半導体チップ１とボンディングワイヤ３とリード２の半導体チップ１接続側が浸るまで注入し、半導体装置を傾けることによって過剰の樹脂を除去した後、光などを照射させ、樹脂が流動しないように硬化させる。所定の硬さまで硬化すると、半導体装置を加熱し、硬化反応を進め、強靭なコーティング層を形成させて、樹脂のコーティングによる封止部材４を形成している。
【００１２】
このような封止部材４の形成により、熱変化や機械的衝撃によるボンディングワイヤ３のショートおよび断線を防止している。
【特許文献１】特開平７−２０２０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の半導体装置では、次のような課題があった。
従来の半導体装置では、半導体チップのボンディングパッド１ａは狭いピッチで配列され、半導体チップ１の縮小化に伴い、半導体チップのボンディングパッド１ａとリード２との間隔は広くなっていることにより、ワイヤボンド後の製造過程である封止部材４の封止工程において、樹脂の注入圧力によりボンディングワイヤ３が流されワイヤのショートが発生する場合があった。
【００１４】
さらに複数より選択した特定のボンディングパッド１ｂ、１ｃと特定のリード２ｂ、２ｃをボンディングワイヤ３ｂ、３ｃで互いに接触しないよう、三次元的に交差する構成でそれぞれ接続したワイヤボンド工程を実行すると、封止部材４の封止工程において、樹脂の注入圧力によりボンディングワイヤ３が流されワイヤのショートが発生する頻度が高まった。
【００１５】
また封止部材４の注入圧力によるボンディングワイヤ３の流れはボンディングワイヤ長が短い方が少なく、防止に有効であるが、ボンディングワイヤ長は、半導体チップのボンディングパッド１ａとリード２のボンド点の位置によって決まり、リード２の先端はフレーム５の加工精度により制限されるため、最もボンディングパッド１ａに近い位置で接続しても、ボンディングワイヤ長を飛躍的に短くすることは難しく、ワイヤショートを回避することは困難であった。
【００１６】
また、予め絶縁性樹脂を被覆したワイヤを使用して、ワイヤボンドを行う場合もあるが、この被覆された絶縁性樹脂がボンディングパッド１ａ及びリード２とボンディングワイヤ３の金属間接合の障壁となり、ボンディングワイヤ不着やボンディングワイヤ断線を発生する場合があり、ワイヤショートの回避策には至らなかった。
【００１７】
そこで、本発明は、ワイヤボンド後の製造過程である封止工程において、樹脂等の封止部材の注入圧力によりボンディングワイヤが流されワイヤのショートが発生することを防止できる半導体装置およびこの半導体装置の半導体製造装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前述した目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、複数のボンディングパッドを主面に配列した半導体チップと、前記半導体チップから所定の間隔をもって配置した複数のリードと、複数のボンディングパッドより選択した前記ボンディングパッドおよび前記リードをそれぞれ接続するボンディングワイヤと、前記複数のボンディングワイヤ表面に付着し覆う絶縁性粒子と、前記半導体チップと前記ボンディングワイヤと前記絶縁性粒子と前記リードの半導体チップ接続側を封止する封止部材とを備えたことを特徴とするものである。
【００１９】
上記構成によれば、ボンディングワイヤの表面に絶縁性粒子が付着し覆われていることにより、封止工程における封止部材の注入時おいてボンディングワイヤは流れにくくなり、万一、ボンディングワイヤが接触し合っても電気的ワイヤショートの発生が防止される。
【００２０】
また請求項２に記載の発明は、複数のボンディングパッドを主面に配列した半導体チップが接着され、前記半導体チップから所定の間隔をもって配置した複数のリードを有するフレームを搬送しながら、前記複数のボンディングパッドより選択した前記ボンディングパッドおよび前記リードをそれぞれボンディングワイヤにより接続するワイヤボンド用ステージを備えた半導体製造装置であって、
前記ワイヤボンド用ステージにおいて接続された複数のボンディングワイヤに、絶縁性粒子を噴霧する絶縁性粒子噴霧用ステージと、前記絶縁性粒子噴霧用ステージにおいて複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を硬化する絶縁性粒子硬化用ステージを備え、前記フレームの搬送により前記ステージ間をステップ動作で移動しながら、前記絶縁性粒子噴霧用ステージにおいて、前記半導体チップの複数のボンディングワイヤ表面に絶縁性粒子を付着させ、前記絶縁性粒子硬化用ステージにおいて、前記付着させた絶縁性粒子を硬化させて前記ボンディングワイヤを前記絶縁性粒子により覆うことを特徴とするものである。
【００２１】
上記構成によれば、ワイヤボンド用ステージを備えた半導体製造装置上で、複数のボンディングワイヤに絶縁性粒子が噴霧され、噴霧された絶縁性粒子が硬化されることにより、半導体製造工程間の搬送による振動、衝撃によるボンディングワイヤのワイヤショートやワイヤ断線が回避されると共に、絶縁性粒子の噴霧と硬化にかかる時間的ロスが無くなる。またボンディングワイヤの表面への酸化被膜生成や不純物汚染が回避され、ボンディングワイヤへの絶縁性粒子の付着及び硬化を良好に行える。
【００２２】
また請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明であって、前記絶縁性粒子噴霧用ステージに、前記絶縁性粒子を噴霧する際、不必要な部分への前記絶縁性粒子の飛散を遮蔽する絶縁性粒子シェルターを設けたことを特徴とするものである。
【００２３】
上記構成によれば、絶縁性粒子シェルターを設けて絶縁性粒子の飛散を遮蔽することにより、ボンディングパッド及びリードとボンディングワイヤの金属間接合の障壁となる絶縁性粒子の飛散が防止され、前工程のワイヤボンド用ステージにおけるボンディングワイヤ配線時、絶縁性粒子によるボンディングワイヤ不着やボンディングワイヤ断線が発生することが回避される。
【００２４】
また請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明であって、前記絶縁性粒子シェルターの側断面を、円形状とすることを特徴とするものである。
上記構成によれば、絶縁性粒子シェルターの側断面が円形であることにより、絶縁性粒子がシェルター内に行き渡り、絶縁性粒子の付着のむらの発生が回避される。
【００２５】
また請求項５に記載の発明は、請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の発明であって、前記絶縁性粒子噴霧用ステージに、前記絶縁性粒子を噴霧する絶縁性粒子噴霧口を上方に向けて、前記フレームの前記半導体チップが接着された面とは反対の面側に設置し、絶縁性粒子噴霧口より前記絶縁性粒子を下から上に向けて放射状に噴霧することを特徴とするものである。
【００２６】
上記構成によれば、絶縁性粒子を下から上に向けて放射状に噴霧することにより、円滑に対流し、ボンディングワイヤは絶縁性粒子の噴射圧を直接受けることはなく、噴霧圧によりボンディングワイヤを変形させたり、ショートさせたりすることが回避される。
【００２７】
また請求項６に記載の発明は、請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の発明であって、前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を加熱して硬化させるヒータ部を設けたことを特徴とするものである。
【００２８】
上記構成によれば、ヒータ加熱を採用することにより、絶縁性粒子の硬化が短時間で確実に行われる。
また請求項７に記載の発明は、請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の発明であって、前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子に紫外線を照射して硬化させる紫外線照射部を設けたことを特徴とするものである。
【００２９】
上記構成によれば、紫外線照射を採用することにより、絶縁性粒子の硬化が短時間で確実に行われる。
また請求項８に記載の発明は、請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の発明であって、前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子を加熱して硬化させるヒータ部と前記複数のボンディングワイヤに噴霧された絶縁性粒子に紫外線を照射して硬化させる紫外線照射部を設けたことを特徴とするものである。
【００３０】
上記構成によれば、紫外線照射とヒータ加熱を併用して採用することにより、絶縁性粒子の硬化が更に短時間で確実に行われる。
また請求項９に記載の発明は、請求項７または請求項８に記載の発明であって、前記紫外線照射部は、前記絶縁性粒子硬化用ステージに搬送されてきたフレームの上方かつ四方斜め４５°の角度から放射状に紫外線を照射することを特徴とするものである。
【００３１】
上記構成によれば、紫外線を上方でかつ四方斜め４５°の角度から放射状に照射することにより、絶縁性粒子を付着したボンディングワイヤが死角とならずに直接的に紫外線を受け、絶縁性粒子の硬化のむらが防止される。
【００３２】
また請求項１０に記載の発明は、請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の発明であって、前記絶縁性粒子硬化用ステージに、前記紫外線照射部より照射される紫外線の散乱を遮蔽する紫外線シェルターを設けたことを特徴とするものである。
【００３３】
上記構成によれば、紫外線シェルターを設け紫外線の散乱を遮蔽することにより、ワイヤボンダを操作する作業者の角膜や露出した皮膚の損傷が防止される。
また請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明であって、前記紫外線シェルターの内壁は、湾曲し鏡面であることを特徴とするものである。
【００３４】
上記構成によれば、シェルター内壁が湾曲し鏡面であることにより、紫外線が反射し合い、絶縁性粒子の硬化のむらがさらに一層防止される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明の半導体装置は、上記構成を有し、ボンディングワイヤの表面に絶縁性粒子が付着されボンディングワイヤが絶縁性粒子により覆われることにより、ワイヤボンド後の製造過程である封止部材の封止工程において、封止部材の注入圧力によりボンディングワイヤを流されにくくすることができ、万一ボンディングワイヤが流されてもワイヤのショートを防止することができ、品質の優れた半導体装置を提供できる、という効果を有している。
【００３６】
また本発明の半導体製造装置は、上記構成を有し、絶縁性粒子の噴霧と硬化をワンヤボンドを行う半導体製造装置上で行うことにより、半導体製造工程間の搬送による振動、衝撃によるボンディングワイヤのワイヤショートやワイヤ断線を回避することができると共に、絶縁性粒子の噴霧と硬化にかかる時間的ロスを無くすことができ、効率を改善することができる、という効果を有している。
【００３７】
また絶縁性粒子を噴霧する際、不必要な部分への絶縁性粒子の飛散を遮蔽する絶縁性粒子シェルターを設けることにより、ボンディングパッド及びリードとボンディングワイヤの金属間接合の障壁となる絶縁性粒子の飛散を防止でき、ボンディングワイヤ配線時、絶縁性粒子によるボンディングワイヤ不着やボンディングワイヤ断線がない品質の優れた半導体装置を提供できる。
【００３８】
また絶縁性粒子を下から上に向けて放射状に噴霧することにより、ボンディングワイヤへの絶縁性粒子の付着のむらをなくすことができ、ボンディングワイヤに付着した絶縁性粒子の硬化にもむらがない、品質の優れた半導体装置を提供できる。
【００３９】
また絶縁性粒子を硬化する際に照射される紫外線の散乱を遮蔽する紫外線シェルターを設けることにより、絶縁性粒子の硬化時における紫外線の散乱を防止でき、半導体製造装置を操作する作業者の角膜や露出した皮膚の損傷を防止でき、安全な製造環境を提供できる。また上記紫外線シェルターの内壁を湾曲し鏡面とすることにより、絶縁性粒子の硬化のむらをさらに一層少なくでき、硬化不良を起こすことがない、品質の優れた半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、従来の図８に示した半導体装置と図１２に示した半導体製造装置と同一の構成には同一の符号を付している。
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置の斜視図である。
【００４１】
図１に示すように、この半導体装置は、ボンディングパッド１ａを主面に配列した半導体チップ１と、半導体チップ１から所定の間隔をもって配置した複数の外部接続用のリード２と、複数のボンディングパッド１ａより選択したボンディングパッド１ａおよびリード２をそれぞれ接続するボンディングワイヤ３と、ボンディングワイヤ３表面に付着し、ボンディングワイヤ３表面を覆う絶縁性粒子７と、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ１接続側を封止する封止部材４から構成されている。
【００４２】
前記ボンディングワイヤ３は導電性の材質であり、例えば１７〜２３μｍ径の金線である。またボンディングワイヤ３表面に付着する絶縁性粒子７は、粒径が２μｍ径以下の球形、体積抵抗率が９×１０15Ωｃｍ以上、ガラス転移温度１２０〜１３０℃で、例えばポリイミド系の粒子やシリカ系（シロキサン）の粒子である。
【００４３】
図２に、図１に示す半導体装置であって、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を終了した後の構成を示す。図２（ａ）は半導体装置の平面図、図２（ｂ）は要部側面図である。
【００４４】
図２（ａ）に示すように、ワイヤボンド工程終了時点では、リード２より延在し外周を一括して支持するフレーム５と、リード２の中央を柵状に一括して連ねるタイバー６が存在している。なお、これらフレーム５とダイバー６は、封止後の製造過程であるリードカット・ベンド工程で取り除かれる。
【００４５】
ワイヤボンド工程において、半導体チップ１の複数のボンディングパッドより選択したボンディングパッド１ａとリード２をそれぞれボンディングワイヤ３で接続した上に、更にボンディングワイヤ表面に絶縁性粒子７が付着され硬化されて、ボンディングワイヤ３が絶縁性粒子７により覆われる。
【００４６】
図３に、図１に示す半導体装置を製造する半導体製造工程のうち、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の構成図を示す。図３（ａ）は半導体製造装置の平面図、図３（ｂ）は側面図である。
【００４７】
図３に示す半導体製造装置は、プレステージＡ、ワイヤボンド用ステージＢ、絶縁性粒子噴霧用ステージＣ、および絶縁性粒子硬化用ステージＤの４つのステージから構成され、供給マガジン１５より供給される、表面に複数（図では４個）の半導体チップ１が搭載された（接着された）フレーム５が、ガイドレール１２に沿って順にステップ動作で搬送され、各半導体チップ１が前記４つのステージ、すなわちプレステージＡ、ワイヤボンド用ステージＢ、絶縁性粒子噴霧用ステージＣ、絶縁性粒子硬化用ステージＤへ順次搬送される。
【００４８】
前記ワイヤボンド用ステージＢは、選択されるボンディングパッド１ａ及びリード２をボンディングワイヤ３により接続するステージであり、従来と同様に、キャピラリー１０と、トランスデューサ９と、ボンディングヘッド８と、スプール１１と、ボンド用ヒータプレート１３と、クランパー１４が設けられている。
【００４９】
また絶縁性粒子噴霧用ステージＣは、ワイヤボンド用ステージＢにおいて接続された複数のボンディングワイヤ３に、絶縁性粒子７を噴霧して付着させるステージであり、この絶縁性粒子噴霧用ステージＣには、ボンディングワイヤ３に向けて上方より絶縁性粒子７を噴霧する絶縁性粒子噴霧口１７が設けられている。
【００５０】
また絶縁性粒子硬化用ステージＤは、絶縁性粒子噴霧用ステージＣにおいて複数のボンディングワイヤ３に噴霧された絶縁性粒子７を硬化するステージであり、特別な装置は設けないが、このステージで絶縁性粒子７が自然硬化される。
【００５１】
なお、供給マガジン１５、収納マガジン１６は脱着できる構造となっている。
この半導体製造装置によるワイヤボンド工程を説明する。
第１工程
まず、半導体チップ１を搭載したフレーム５を供給マガジン１５よりステップ動作でガイドレール１２に沿って搬送し、前記半導体チップ１がプレステージＡを経てワイヤボンド用ステージＢに搬送されると、フレーム５をボンド用ヒータプレート１３上にて、クランパー１４でリード２を挟み込むことにより固定する。
第２工程
続いて、選択した半導体チップ１の主面に配列したボンディングパッド１ａとリード２を、ボンディングワイヤ３により接続する。
【００５２】
すなわち、まず先端にボールが形成されたボンディングワイヤ３を通したキャピラリー１０がボンディングパッド１ａに押し当てられ、続いてキャピラリー１０より加わる荷重とボンド用ヒータプレート１３より発する熱とトランスデューサ９より発振した超音波により金属間接合を生じさせてボンディングワイヤ３をボンディングパッド１ａに接続させる。続いてキャピラリー１０を上昇させ、リード２上に移動させた後、キャピラリー１０がリード２に押し当てられ、キャピラリー１０より加わる荷重とボンド用ヒータプレート１３より発する熱とトランスデューサ９より発振した超音波により金属間接合を生じさせてリード２にボンディングワイヤ３を接続させ、その後、ボンディングワイヤ３が切断され、ボンディングワイヤ３の先端に前記ボールが、例えば放電アーチ（図示せず）により形成される。
第３工程
続いて、ボンディングワイヤ接続が完了した半導体チップ１を、ステップ動作でガイドレール１２に沿って絶縁性粒子噴霧用ステージＣに搬送し、この絶縁性粒子噴霧用ステージＣにおいて、絶縁性粒子噴霧口１７より前記半導体チップ１に対して絶縁性粒子７を放射状に噴霧する。これにより、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着され、ボンディングワイヤ３の表面が絶縁性粒子７により覆われる。
第４工程
続いて、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１を、ステップ動作でガイドレール１３に沿って絶縁性粒子硬化用ステージＤに搬送し、この絶縁性粒子硬化用ステージＤで、絶縁性粒子７が自然硬化される。
第５工程
絶縁性粒子７の硬化を完了した半導体チップ１（フレーム５）を更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送し、ワイヤボンドの一連の製造過程が完了される。
【００５３】
上記絶縁性粒子７の噴霧条件は、噴霧流速が５×１０−３リットル／ｍｉｎ以下、噴霧時間が３０ｓ以内である。ワイヤ長平均１ｍｍ以上、ワイヤ本数１００本以上のボンディングワイヤ３を接続する半導体装置の製造において、全てのボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７をむらなく付着するのに適当な条件であり、ワイヤボンドの所用時間は絶縁性粒子７の噴霧に律速されない。
【００５４】
なお、ボンディングワイヤ３に付着した絶縁性粒子７硬化後の半導体チップ１は、封止工程が実行され、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ接続側とが封止部材４で封止される。
【００５５】
以上のように、本実施の形態１によれば、半導体装置では、ボンディングワイヤ３の表面に絶縁性粒子７が付着され、硬化された絶縁性粒子７によりボンディングワイヤ３が覆われていることにより、半導体チップ１のボンディングパッド１ａが狭いピッチで半導体チップ１の縮小化に伴い、半導体チップ１のボンディングパッド１ａとリード２との間隔は広くなっても、封止工程において、封止部材４の注入圧力によりボンディングワイヤ３が流されることはなく、万一ボンディングワイヤ３が流されてもワイヤのショートを発生することを防止することができる。
【００５６】
また本実施の形態１によれば、ワイヤボンド用ステージＢを備えた半導体製造装置上で、複数のボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が噴霧され、噴霧された絶縁性粒子７が硬化されることにより、半導体製造工程間の搬送による振動、衝撃によるボンディングワイヤ３のワイヤショートやワイヤ断線を回避できると共に、絶縁性粒子７の噴霧と硬化にかかる時間的ロスを無くすことができ効率を改善することができる。またボンディングワイヤ３の表面への酸化被膜生成や不純物汚染を回避でき、ボンディングワイヤ３への絶縁性粒子７の付着及び硬化を良好に行うことができる。
［実施の形態２］
図４（ａ），（ｂ）は、実施の形態２における、本発明の半導体装置（図１）を製造する半導体製造工程のうち、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の主要部構造図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は側面図である。
【００５７】
この実施の形態２の半導体製造装置では、実施の形態１における半導体製造装置（図３）の絶縁性粒子硬化用ステージＤに、紫外線照射部２０と絶縁性粒子硬化用ヒータプレート（ヒータ部の一例）２２を設けている。紫外線照射部２０は、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１（フレーム５）に対して上方から絶縁性粒子硬化用紫外線２３を照射し、また絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２は半導体チップ１（フレーム５）を下方から加熱する。
【００５８】
この半導体製造装置の構成により、絶縁性粒子噴霧用ステージＣにおいてボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１を、上記第４工程において、ステップ動作でガイドレール１３に沿って絶縁性粒子硬化用ステージＤに搬送し、この絶縁性粒子硬化用ステージＤで、紫外線照射部２０の紫外線エネルギーと絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２の加熱作用により絶縁性粒子７を硬化する。
【００５９】
この絶縁性粒子７の硬化を完了した半導体チップ１（フレーム５）を更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送し、ワイヤボンドの一連の製造過程を完了し、その後、封止工程へ搬送され、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ接続側が封止部材４により封止される。
【００６０】
なお、ワイヤボンド用ステージＢにおいて、図１１のように半導体チップ主面に配列した複数のボンディングパッドより選択した特定のボンディングパッド１ｂ、１ｃと特定のリード２ｂ、２ｃをボンディングワイヤ３ｂ、３ｃで互いに接触しないよう、三次元的に交差する構成でそれぞれ接続している。
【００６１】
上記絶縁性粒子７の噴霧条件は、噴霧流速が５×１０−３リットル／ｍｉｎ以下、噴霧時間が３０ｓ以内である。ワイヤ長平均１ｍｍ以上、ワイヤ本数１００本以上のボンディングワイヤ３を接続する半導体装置の製造において、全てのボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７をむらなく付着するのに適当な条件であり、ワイヤボンドの所用時間は絶縁性粒子７の噴霧に律速されない。
【００６２】
また紫外線硬化型の絶縁性粒子７はカチオン硬化系である。カチオン硬化系は酸素による硬化阻害がなく表面硬化性に優れさらに体積収縮の程度も少なくボンディングワイヤ３に付着させる絶縁性粒子７としては適している。
【００６３】
また紫外線照射部２０から照射される絶縁性粒子硬化用紫外線２３の照射条件は照射光量が２ｍＪ／ｃｍ2以上で、照射時間が２０ｓ以内であり、絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２の加熱温度は１２５℃程度である。ワイヤ長平均１ｍｍ以上、ワイヤ本数１００本以上のボンディングワイヤ３を接続する半導体装置の製造において、ワイヤボンドの所用時間は絶縁性粒子７の硬化に律速されない。
【００６４】
さらに絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２による加熱温度を高くすると、絶縁性粒子７の硬化時間を短縮することができる。
以上のように、本実施の形態２によれば、紫外線照射部２０の紫外線エネルギーと絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２の加熱作用により絶縁性粒子７の硬化を行うことにより、絶縁性粒子７の硬化を短時間でむらなく確実に行うことができる。また絶縁性粒子７がむらなく硬化したボンディングワイヤ３を構成していることにより、ボンディングパッド１ｂ、１ｃとリード２ｂ、２ｃをボンディングワイヤ３ｂ、３ｃが三次元的に交差する構成となっても、封止工程において、封止部材３の注入圧力によりボンディングワイヤ３が流されることはなく、万一ボンディングワイヤ３が流されてもワイヤのショートの発生を防止することができる。
【００６５】
なお、実施の形態２では、紫外線照射部２０と絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２を備えているが、いずれか一方を備えることでも、絶縁性粒子７の硬化を短時間で確実に行うことができる。ただし、紫外線照射とヒータ加熱を併用して採用することによって、絶縁性粒子の硬化が更に短時間で確実に行われる。
［実施の形態３］
図５（ａ），（ｂ）は、実施の形態３における、本発明の半導体装置（図１）を製造する半導体製造工程のうち、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の主要部構造図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は側面図である。
【００６６】
この実施の形態３の半導体製造装置では、実施の形態１における半導体製造装置（図３）の絶縁性粒子噴霧用ステージＣに、絶縁性粒子噴霧口１７に加えて、絶縁性粒子７を噴霧する際、不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽する絶縁性粒子シェルター１９を設けている。また絶縁性粒子硬化用ステージＤに、実施の形態２で説明した紫外線照射部２０と絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２を設けるとともに、紫外線照射部２０より照射される紫外線の散乱を遮蔽する紫外線シェルター２１を設けている。
【００６７】
前記絶縁性粒子シェルター１９は、絶縁性粒子噴霧口１７から噴射される絶縁性粒子７の不必要な部分への飛散を遮蔽するよう、タイバー６上を押えて覆い、また紫外線シェルター２１は、紫外線照射部２０から照射される紫外線２３の散乱を遮蔽するようにタイバー６上を押えて覆う。
【００６８】
この半導体製造装置の構成により、ワイヤボンド用ステージＢにおいてボンディングワイヤ３接続を完了した半導体チップ１を、上記第３工程において、ステップ動作でガイドレール１２に沿って絶縁性粒子噴霧用ステージＣに搬送し、フレーム５をタイバー６上で不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽するように絶縁性粒子噴霧用シェルター１９で押えて覆い、その後、絶縁性粒子７を放射状に噴霧してボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７を付着させる。
【００６９】
次にボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１を、上記第４工程において、ステップ動作でガイドレール１３に沿って絶縁性粒子硬化用ステージＤに搬送し、この絶縁性粒子硬化用ステージＤで、フレーム５をタイバー６上で紫外線２３の散乱を遮蔽するように紫外線照射用シェルター２１で押えて覆い、その後、紫外線照射部２０の紫外線エネルギーと絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２の加熱作用により絶縁性粒子７を硬化する。
【００７０】
この絶縁性粒子７の硬化を完了した半導体チップ１（フレーム５）を更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送してワイヤボンドの一連の製造過程を完了する。その後、封止工程へ搬送され、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ接続側が封止部材４により封止される。
【００７１】
以上のように、本実施の形態３によれば、絶縁性粒子シェルター１９を設けて絶縁性粒子７の飛散を遮蔽することにより、ボンディングパッド１ａ及びリード２とボンディングワイヤ３の金属間接合の障壁となる絶縁性粒子７の飛散を防止でき、前工程のワイヤボンド用ステージＢにおけるボンディングワイヤ３の配線時、絶縁性粒子７によるボンディングワイヤ不着やボンディングワイヤ断線が発生することを回避することができ、品質の優れた半導体装置を提供できる。
【００７２】
また実施の形態３によれば、紫外線シェルター２１を設け紫外線２３の散乱を遮蔽することにより、ワイヤボンダを操作する作業者の角膜や露出した皮膚の損傷を防止でき、安全な製造環境を提供できる。
［実施の形態４］
図６（ａ），（ｂ）は、実施の形態４における、本発明の半導体装置（図１）を製造する半導体製造工程のうち、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の主要部構造図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図である。
【００７３】
この実施の形態４の半導体製造装置では、実施の形態１における半導体製造装置（図３）の絶縁性粒子噴霧用ステージＣに、絶縁性粒子噴霧口１７に加えて、絶縁性粒子シェルター１９を設けている。また絶縁性粒子硬化用ステージＤに、絶縁性粒子硬化用ヒータプレート２２を外して、４つの紫外線照射部２０を設けるとともに、紫外線シェルター２１を設けている。
【００７４】
前記絶縁性粒子シェルター１９は、絶縁性粒子７を噴霧する際、不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽するよう、側断面が円形状に形成されている。側断面を円形状とすることにより、側断面を四角形や多角形とした場合と比較して、シェルター内の絶縁性粒子７の流動は円滑であり、シェルター内の絶縁性粒子の密度は均一になる。
【００７５】
また前記紫外線照射部２０は、フレーム５の上方斜め４５°の角度で四方に設置され、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われたフレーム５に対して、紫外線２３を上方斜め４５°の角度から下に向けて放射状に照射するようにしている。紫外線２３を上方でかつ四方斜め４５°の角度から放射状に照射することにより、絶縁性粒子７を付着したボンディングワイヤ３が紫外線照射の死角となることを回避している。また紫外線シェルター２１は、紫外線照射部２０から照射される紫外線２３の散乱を遮蔽するようにタイバー６上を押えて覆う。
【００７６】
この半導体製造装置の構成により、ワイヤボンド用ステージＢにおいてボンディングワイヤ３接続を完了した半導体チップ１を、上記第３工程において、ステップ動作でガイドレール１２に沿って絶縁性粒子噴霧用ステージＣに搬送し、フレーム５をタイバー６上で不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽するように絶縁性粒子シェルター１９で押えて覆い、その後、絶縁性粒子７を放射状に噴霧してボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７を付着させる。
【００７７】
続いてボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１を、上記第４工程において、ステップ動作でガイドレール１３に沿って絶縁性粒子硬化用ステージＤに搬送し、この絶縁性粒子硬化用ステージＤで、フレーム５をタイバー６上で紫外線２３の散乱を遮蔽するように紫外線シェルター２１で押えて覆い、その後、４つの紫外線照射部２０の紫外線エネルギーにより絶縁性粒子７を硬化する。
【００７８】
この絶縁性粒子７の硬化を完了した半導体チップ１（フレーム５）を更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送し、ワイヤボンドの一連の製造過程を完了する。その後、封止工程へ搬送され、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ接続側が封止部材４により封止される。
【００７９】
以上のように、本実施の形態４によれば、絶縁性粒子シェルター１９の側断面が円形であることにより、シェルター１９内部の絶縁性粒子７の密度が均一とされ、絶縁性粒子７がシェルター内に行き渡ることから、ボンディングワイヤ３への絶縁性粒子７の付着のむらの発生を回避することができる。
【００８０】
さらに本実施の形態４によれば、紫外線２３を上方でかつ四方斜め４５°の角度から放射状に照射することにより、絶縁性粒子７を付着したボンディングワイヤ３が死角とならずに直接的に紫外線２３を受けることができ、絶縁性粒子７の硬化のむらを防止でき、よって、むらのない絶縁性粒子７の付着と硬化を得ることができる。
［実施の形態５］
図７（ａ），（ｂ）は、実施の形態５における、本発明の半導体装置（図１）を製造する半導体製造工程のうち、封止部材４で封止する前の製造過程であるワイヤボンド工程を実行する半導体製造装置（ワイヤボンダ）の主要部構造図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は側面図である。
【００８１】
この実施の形態５の半導体製造装置では、実施の形態１における半導体製造装置（図３）の絶縁性粒子噴霧用ステージＣに、絶縁性粒子７を噴霧する絶縁性粒子噴霧口１７と絶縁性粒子シェルター１９を設け、絶縁性粒子硬化用ステージＤに、実施の形態２で説明した紫外線照射部２０を設けるとともに、紫外線シェルター２１を設けている。
【００８２】
前記絶縁性粒子噴霧口１７は上方に向けて、フレーム５の半導体チップ１が接着された面とは反対の面側に設置されており、絶縁性粒子噴霧口１７より絶縁性粒子７を下から上に向けて放射状に噴霧するようにしている。このように絶縁性粒子７を下から上に向けて放射状に噴霧することにより、絶縁性粒子７は円滑に対流し、ボンディングワイヤ３に噴射による応力を直接与えないようにしている。
【００８３】
また前記絶縁性粒子シェルター１９は、絶縁性粒子７を噴霧する際、不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽するよう、側断面が円形状に形成されている。側断面を円形状とすることにより、側断面を四角形や多角形とした場合と比較して、シェルター内の絶縁性粒子７の流動は円滑であり、シェルター内の絶縁性粒子の密度は均一になる。
【００８４】
また前記紫外線シェルター２１は、紫外線照射部２０から照射される紫外線２３の散乱を遮蔽するとともに、側断面が円形状に形成され、内壁が湾曲し鏡面をなしている。内壁が湾曲した鏡面は、紫外線２３を多方向に反射させ合い効率的な照射を実現する。
【００８５】
この半導体製造装置の構成により、ワイヤボンド用ステージＢにおいてボンディングワイヤ３接続を完了した半導体チップ１を、上記第３工程において、ステップ動作でガイドレール１２に沿って絶縁性粒子噴霧用ステージＣに搬送し、フレーム５をタイバー６上で不必要な部分への絶縁性粒子７の飛散を遮蔽するように絶縁性粒子シェルター１９で押えて覆い、その後、絶縁性粒子７を半導体チップ１（フレーム５）の下から上に向けて放射状に噴霧してボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７を均一に付着させる。
【００８６】
続いて、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７が付着し、覆われた半導体チップ１を、上記第４工程において、ステップ動作でガイドレール１３に沿って絶縁性粒子硬化用ステージＤに搬送し、この絶縁性粒子硬化用ステージＤで、フレーム５をタイバー６上で紫外線２３の散乱を遮蔽するとともに内壁の湾曲した鏡面により紫外線２３を多方向に反射させるように紫外線照射用シェルター２１で押えて覆い、その後、紫外線照射部２０の紫外線エネルギーにより絶縁性粒子７を効率的に硬化する。
【００８７】
この絶縁性粒子７の硬化を完了した半導体チップ１（フレーム５）を更にステップ動作でガイドレール１２に沿って収納マガジン１６に搬送し、ワイヤボンドの一連の製造過程を完了する。その後、封止工程へ搬送され、半導体チップ１とボンディングワイヤ３と絶縁性粒子７とリード２の半導体チップ接続側が封止部材４により封止される。
【００８８】
以上のように、本実施の形態５によれば、絶縁性粒子噴霧口１７をフレーム５の下側方向に設置し、下から上に向けて絶縁性粒子７を放射状に噴霧することにより、絶縁性粒子７は円滑に対流し、ボンディングワイヤ３に絶縁性粒子７の噴射（噴射圧）による応力を直接与えることを回避でき、噴射圧によりボンディングワイヤ３が変形したり、ショートしたりすることを回避できる。また絶縁性粒子７を下から上に向けて放射状に噴霧することにより、ボンディングワイヤ３への絶縁性粒子７の付着のむらをなくすことができ、ボンディングワイヤ３に付着した絶縁性粒子７の硬化にもむらがない、品質の優れた半導体装置を提供できる。
【００８９】
また本実施の形態５によれば、紫外線シェルター２１の内壁が湾曲し鏡面をしていることにより、紫外線２３を多方向に反射させ合うことができ、ボンディングワイヤ３へ四方八方から紫外線２３を照射することができ、絶縁性粒子７の硬化のむらをさらに一層少なくでき、硬化不良を起こすことがない、品質の優れた半導体装置を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の半導体装置とこの半導体装置の半導体製造装置は、ボンディングワイヤの表面を硬化した絶縁性粒子により覆うことにより、半導体チップのボンディングパッドが狭いピッチで半導体チップの縮小化に伴い、半導体チップのボンディングパッドとリードとの間隔は広くなっても、封止工程において、封止部材の注入圧力によりボンディングワイヤが流されることはなく、万一ボンディングワイヤが流されてもワイヤのショートを発生することを防止することができるという効果を有し、ワイヤショートやワイヤ断線防止、安全技術分野として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の斜視図である。
【図２】同半導体装置のワイヤボンド工程終了後の構造図である。
【図３】同半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【図５】本発明の実施の形態３における半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【図６】本発明の実施の形態４における半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【図７】本発明の実施の形態５における半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【図８】従来の半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図９】同半導体装置のワイヤボンド工程終了後の構造図である。
【図１０】従来の半導体装置の他の例を示す斜視図である。
【図１１】同半導体装置のワイヤボンド工程終了後の構造図である。
【図１２】従来の半導体装置を製造するワイヤボンダの主要部構造図である。
【符号の説明】
【００９２】
１    半導体チップ
２    リード
３    ボンディングワイヤ
４    封止部材
５    フレーム
６    タイバー
７    絶縁性粒子
８    ボンディングヘッド
９    トランスデューサ
１０  キャピラリー
１１  スプール
１２  ガイドレール
１３  ボンド用ヒータプレート
１４  クランパー
１５  供給マガジン
１６  収納マガジン
１７  絶縁性粒子噴霧口
１９  絶縁性粒子シェルター
２０  紫外線照射部
２１  紫外線シェルター
２２  絶縁性粒子硬化部ヒータプレート
２３  紫外線
Ａ    プレステージ
Ｂ    ワイヤボンド用ステージ
Ｃ    絶縁性粒子噴霧用ステージ
Ｄ    絶縁性粒子硬化用ステージ
【図１】
2005327824.tif 000003
【図２】
2005327824.tif 000004
【図３】
2005327824.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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