(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、特にコンタクトホール付近における耐光性を高め明るく高品位な画像表示を行う。【解決手段】  基板上に、所定パターンを有する第１下側導電層と、該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層（１ａ）と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極を含む走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極とを備えており、前記第１下側導電層は、前記ソース領域に接続されているとともに前記走査線と交差して延びるデータ線（６０ａ）の全部又は一部として機能する。【選択図】      図４
2005202312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
所定パターンを有する第１下側導電層と、
該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、
前記ゲート電極に電気的に繋がった走査線と、
該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、
前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と
を備えており、
前記第１下側導電層は、前記ソース領域に接続されているとともに前記走査線と交差して延びるデータ線の全部又は一部として機能することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板上に、
所定パターンを有する第１下側導電層と、
該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、
ゲート電極に電気的につながった走査線と、
該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、
前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、
前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層とを備えてなり、
前記第１下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位中継層の全部又は一部として機能することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記基板上に、
前記第１下側導電層に加えて又は代えて、前記半導体層の下層側に積層され且つ所定パターンを有する第２下側導電層と、
前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層とを更に備えてなり、
前記第２下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位中継層の全部又は一部として機能することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２下側導電層及び前記第１下側導電層は同一膜からなることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基板上に、
前記半導体層の下層側に積層され且つ所定パターンを有する第３下側導電層と、
少なくとも前記走査線に沿って延びる共通電位線とを更に備えてなり、
前記第３下側導電層は、前記共通電位線の全部又は一部として機能することを特徴とする請求項１、３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第３下側導電層及び前記第１下側導電層は同一膜からなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第３下側導電層及び前記第２下側導電層は同一膜からなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１下側導電層と、前記第２下側導電層及び前記第３下側導電層の少なくとも一つとは平面的に見て相互に重なり合う部分を有することを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記重なり合う部分は、平面的に見て前記チャネル領域と重なり合うことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第３下側導電層は、前記半導体層の下層側且つ前記第１下側導電層又は前記第２導電層の上層側に層間絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記データ線の全部は前記半導体層の下層側に積層されており、
前記第１下側導電層は前記データ線の全部として機能することを特徴とする請求項１及び３乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記データ線の一部は前記上側遮光膜の上層側に積層されており、
前記第１下側導電層は前記データ線の他の一部として機能することを特徴とする請求項１及び３乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記上側遮光膜の上層側に積層された前記データ線の一部は、前記半導体層及び前記上側遮光膜の存在しない平面領域に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１下側導電層に接続されており、
前記第１下側導電層は、前記上側遮光膜が存在する平面領域に開孔された第２コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記第１下側導電層は積層構造を有することを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記上側遮光膜の上層側に積層された前記データ線の一部及び前記第１下側導電層は、前記走査線に交差して連続的に延びることを特徴とすることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記第１下側導電層、第２下側遮光膜及び前記第３下側導電層の少なくとも一つは、導電性の遮光膜からなり且つ前記半導体層を下側から覆うことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記上側遮光膜は、導電性の遮光膜からなり且つ所定種類の配線又は電極としても機能することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記上側遮光膜は前記共通電位線の一部として機能するとともに、前記第３下側導電層は前記共通電位線の別の一部として機能することを特徴とする請求項５乃至１７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１９】
前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極、該画素電位側容量電極に対向配置された共通電位側容量電極、及びこれら両電極に挟持された誘電体膜からなる蓄積容量を更に備えてなり、
前記上側遮光膜は前記画素電位側容量電極の少なくとも一部又は前記共通電位側容量電極の少なくとも一部として機能することを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項２０】
前記画素電位側容量電極は前記画素電位中継層の少なくとも一部として機能することを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置。
【請求項２１】
前記共通電位側容量電極は前記共通電位線の少なくとも一部として機能することを特徴とする請求項１９又は２０に記載の電気光学装置。
【請求項２２】
前記基板に対して、電気光学物質を介して他の基板が対向配置されてなることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項２３】
前記上側遮光膜は、高融点金属及び半導体からなる導電性の積層構造を有し、
前記基板上の周辺領域において、前記上側遮光膜は、前記周辺領域に作り込まれるＣＭＯＳ（Complementary MOS）回路内のＰ型及びＮ型薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に接続される配線又は電極として用いられることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項２４】
基板上に、
所定パターンを有する第１下側導電層と、
該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、
前記ゲート電極に電気的に繋がった走査線と、
該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、
前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と
前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続され当該基板の面において島状に点在する画素電位側容量電極と
を備えてなり、
前記第１下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２５】
前記画素電位側容量電極に対向配置される共通電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記共通電位側容量電極に挟持される誘電体膜とを備えてなり、
前記画素電位側容量電極、前記共通電位側容量電極及び前記誘電体膜は前記半導体層の下側において蓄積容量を構成することを特徴とする請求項２４に記載の電気光学装置。
【請求項２６】
前記第１下側導電層は前記データ線の全部又は一部として機能する部分を含み、
当該部分と、前記第１下側導電層のうち前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分とが同一膜からなることを特徴とする請求項２４又は２５に記載の電気光学装置。
【請求項２７】
前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層を更に備えてなり、
前記第１下側導電層は前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分を含み、
当該部分と、前記第１下側導電層のうち前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分とが同一膜からなることを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項２８】
基板上に、
所定パターンを有する第１下側導電層と、
該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、
前記ゲート電極に電気的に繋がった走査線と、
該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、
前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と
前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方に沿って当該基板の面において島状に点在しながら延びる共通電位側容量電極と
を備えてなり、
前記第１下側導電層は、前記共通電位側容量電極の全部又は一部として機能することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２９】
前記共通電位側容量電極に対向配置される画素電位側容量電極と、前記共通電位側容量電極及び該画素電位側容量電極に挟持される誘電体膜とを備えてなり、
前記共通電位側容量電極、前記画素電位側容量電極及び前記誘電体膜は前記半導体層の下側において蓄積容量を構成することを特徴とする請求項２８に記載の電気光学装置。
【請求項３０】
請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等の電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。
【０００４】
そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ＴＦＴの上側に配置されているデータ線を金属製の遮光膜から形成すると共に、かかるデータ線に、ＴＦＴが配置されている走査線との交差領域で走査線に沿って突出した突出部を設けることにより遮光性能を高める技術も開示されている。更にこの特許文献１には、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設ける技術が開示されている。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３３０８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、先ず上述した各種遮光技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。例えば、プロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でない。このため、特に明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となる。この結果、不十分な遮光に起因して、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ、クロストーク、画素ムラ等が生じ、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００８】
加えて、例えば特許文献１に開示されたように遮光膜の形状等の工夫により遮光性能を高める場合にも、実際のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、各画素でコンタクトホールによるＴＦＴとＴＦＴの上側に配置されるデータ線との間の接続や、コンタクトホールによるＴＦＴと画素電極との間の接続のために、遮光膜の形成領域に一定の制約が生じる。より具体的には、例えば、ＴＦＴとデータ線との間に遮光膜を設ける場合、ＴＦＴとデータ線とを接続するためのコンタクトホールと抵触しないように、遮光膜に当該コンタクトホールの付近で切り欠き或いは穴を設ける必要がある。この結果として、コンタクトホール付近における遮光性能が低下してしまう。或いは、例えば、データ線を金属製の遮光膜として設けたり、ＴＦＴとデータ線との間に遮光膜を設ける場合、画素電極とＴＦＴとを接続するためのコンタクトホールについても、同様に、その付近において遮光膜に切り欠きや穴を設ける必要がある。この結果、やはりコンタクトホール付近における遮光性能が低下してしまうという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、特にコンタクトホール付近における耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置、及びそのようなを具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、所定パターンを有する第１下側導電層と、該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極を含む走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極とを備えており、前記第１下側導電層は、前記ソース領域に接続されているとともに前記走査線と交差して延びるデータ線の全部又は一部として機能する。
【００１１】
本発明の第１電気光学装置によれば、その動作時には、薄膜トランジスタのソース領域に、データ線を介して画像信号が供給され、薄膜トランジスタのゲート電極に、走査線を介して走査信号が供給される。すると、薄膜トランジスタのドレイン領域に接続された画素電極を、薄膜トランジスタによりスイッチング制御することによって、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。例えば、このような基板に対向する位置には、液晶等の電気光学物質を介して、画素電極に対向配置された対向電極が設けられて、これと画素電極との間で電圧印加が行われる。また、横電界駆動方式の場合には、このような対向電極は不要であり、相隣接する画素電極間で電圧印加が行われる。若しくは、例えばこのような画素電極の各々により、有機又は無機ＥＬ（Electro-Luminescence）発光層への電流供給が行われるように構成することも可能である。
【００１２】
また、薄膜トランジスタを構成する半導体層、特にそのチャネル領域やその隣接領域は、上側遮光膜によって、その上側から覆われているので、基板面に対して上方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。
【００１３】
なお、このような上側遮光膜は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。又は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等の他の金属を含んでもよい。若しくは、上側遮光膜は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００１４】
そして本発明では特に、第１下側導電層は、前記ソース領域に接続されているとともに前記走査線と交差して延びるデータ線の全部又は一部として機能する。これによると、まず、半導体層の下層側に位置する第１下側導電層は、当該半導体層に含まれるソース領域と、例えばコンタクトホールを介して接続されている。したがって、この場合、少なくとも第１下側導電層における半導体層との接続点は、当該半導体層の下側に位置し、且つ、当該接続点を含む第１下側導電層の所定面積分は該半導体層を下側から覆うように存在することになる。したがって、基板の下方からの入射光に対する遮光性能を顕著に高めることが可能となる。
【００１５】
また、この第１下側導電層は、データ線の全部又は一部として機能する。すなわち、データ線を通じて送られてくる画像信号は、該データ線（の全部又は一部）として機能する第１下側導電層を通じてソース領域に送られるようになっている。これにより、半導体層近傍に配置されるべきデータ線（ないしはデータ線として機能すべき配線）については、その役割を半導体層の下層側に積層される第１下側導電層に担わせることが可能になる。よって、本発明では、データ線の全部又は一部として機能する第１下側導電層の存在により、例えばデータ線の一部を半導体層の上側に配置するとしても、当該データ線の一部と半導体層とを直接にコンタクトホールで接続するという必要がなくなる。言い換えると、半導体層の上側には、データ線との接続点を設ける必要がなくなるのである。これによれば、半導体層の上側に積層される上側遮光膜は、該半導体層を上側から覆い切るようにして形成することが可能になり、基板の上方からの入射光に対する遮光性能を顕著に高めることが可能となる。というのも、半導体層の上側に前記接続点を設ける必要がないということは、当該接続点をその一部とするコンタクトホールを形成するなどの必要がなくなることを意味するから、上側遮光膜に、当該コンタクトホールを貫通させるための、遮光性能の低下を招く孔あるいは切り欠き等（前述の背景技術の項参照。）を形成する必要がなくなるからである。
【００１６】
以上述べたように、本発明の第１電気光学装置によれば、第１に、第１下側導電層の少なくとも一部が半導体層を下側から覆うように存在することにより、基板の下方からの入射光に対する耐光性を顕著に高めることができる。第２に、上側遮光膜が半導体層の全面を覆い切るように形成し得るから、基板の上方からの入射光に対する耐光性を顕著に高めることができる。以上により結局、当該電気光学装置の耐光性能は全体的に向上するということができ、当該電気光学装置によれば、各画素の開口率を高めつつ、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的には強力な光源光を利用して、明るく高品位の画像を表示できる。
【００１７】
本発明の第２の電気光学装置では、上記課題を解決するために、前記基板上に、所定パターンを有する第１下側導電層と、該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、ゲート電極に電気的につながった走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層とを備えてなり、前記第１下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位中継層の全部又は一部として機能する。
【００１８】
本発明の第２電気光学装置によれば、前記の第１電気光学装置と略同様な作用効果が得られる。すなわち、前述の説明において、「データ線」とあるところを「画素電位中継層」と読み替えることにより把握される作用効果が得られることになる。
【００１９】
本発明の第１電気光学装置の一態様では、前記基板上に、前記第１下側導電層に加えて又は代えて、前記半導体層の下層側に積層され且つ所定パターンを有する第２下側導電層と、前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層とを更に備えてなり、前記第２下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位中継層の全部又は一部として機能する。
【００２０】
この態様によれば、前記の第１下側導電層に加えて又は代えて、第２下側導電層及び画素電位中継層が存在している。そして、かかる態様において、第２下側導電層は、前記の第１下側導電層とは異なって、半導体層のドレイン領域に接続されているものの、当該第１下側導電層と同様に、半導体層の下層側に積層されている。また、当該第２下側導電層は、前記の第１下側導電層及びデータ線間の関係と同様に、画素電位中継層の全部又は一部として機能する。
【００２１】
これによると、前述で第１下側導電層と半導体層との配置関係について述べたこと、あるいは該第１下側導電層がデータ線の全部又は一部として機能することによって上側遮光膜に切り欠き等を設けなくて済むと述べたこと等の議論は、本態様においてもほぼ同様に妥当することになる。つまり、第１に、少なくとも第２下側導電層における半導体層との接続点は、当該半導体層の下側に位置し、且つ、当該接続点を含む第２下側導電層の所定面積分は該半導体層を下側から覆うように存在することになるから、基板の下方からの入射光に対する遮光性能を顕著に高めることが可能となる。第２に、第２下側導電層は画素電位中継層の全部又は一部として機能することから、例えば画素電位中継層の一部を半導体層の上側に配置するとしても、当該画素電位中継層の一部と半導体層とを直接にコンタクトホールで接続するという必要がなく、当該半導体層の上側に画素電位中継層との接続点を設ける必要がなくなる。したがって、上側遮光膜に遮光性能の低下を招く切り欠き等を形成する必要がなく、基板の上方からの入射光に対する遮光性能を顕著に高めることが可能となる。
【００２２】
また、本態様によれば特に、本態様に係る第２下側導電層と、前述の第１下側導電層との双方を存在させることにより、前記にも増して、耐光性能を更に高めることができる。
【００２３】
この態様では、前記第２下側導電層及び前記第１下側導電層は同一膜からなるように構成してもよい。
【００２４】
このような構成によれば、第２下側導電層及び第１下側導電層を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【００２５】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記半導体層の下層側に積層され且つ所定パターンを有する第３下側導電層と、少なくとも前記走査線に沿って延びる共通電位線とを更に備えてなり、前記第３下側導電層は、前記共通電位線の全部又は一部として機能する。
【００２６】
この態様によれば、前記の構成に加えて、第３下側導電層及び共通電位線が存在している。そして、かかる態様において、第３下側導電層は、前記の第１下側導電層とは異なって、半導体層に接続されていないものの、当該第１下側導電層と同様に、半導体層の下層側に積層されている。また、当該第３下側導電層は、前記の第１下側導電層及びデータ線間の関係と同様に、共通電位線の全部又は一部として機能する。したがって、本態様においても、前述の第１下側導電層のみが存在する発明と同じ作用効果が得られることになる。
【００２７】
なお、本態様にいう「共通電位線」は、基本的には、基板上に構築される積層構造のどの層を構成してもよい。これに関連して、第３下側導電層が、共通電位線の「全部」として機能するという場合には、当該共通電位線は半導体層の下層側に存在していなければならないということになり、「一部」として機能するという場合には、当該共通電位線の一部は半導体層の下層側に存在していなければならないが、残りの一部はやはり積層構造のどの層を構成していてもよいなどということになる。
【００２８】
また、「共通電位」とは、典型的には、画素電極に供給される二つの電位の中間の電位を意味する。ちなみに、前述の対向電極に共通電位を供給し、画素電極に前記二つの電位を供給する形態としておけば、ある一定期間では、当該二つの電位のうちの一つの電位と共通電位間の電位差を液晶等の電気光学物質にかけ、次の一定期間では、当該二つの電位のうちの残る一つの電位と共通電位の電位差をかけるというように、期間ごと交互にプラス・マイナスが逆転した電位を当該電気光学物質にかけることができることになる。これによると、当該電気光学物質に常に一定の電位差がかけられる場合に比べて、その劣化を防止することができるという利点が得られる。
【００２９】
この態様では、前記第３下側導電層及び前記第１下側導電層は同一膜からなるように構成してもよい。
【００３０】
このような構成によれば、第３下側導電層及び第１下側導電層を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【００３１】
あるいは、この態様では、前記第３下側導電層及び前記第２下側導電層は同一膜からなるように構成してもよい。
【００３２】
このような構成によれば、第３下側導電層及び第２下側導電層を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【００３３】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記第１下側導電層と、前記第２下側導電層及び前記第３下側導電層の少なくとも一つとは平面的に見て相互に重なり合う部分を有する。
【００３４】
この態様によれば、第１下側導電層と第２下側導電層とが相互に重なり合う部分を有し、あるいは第１下側導電層と第３下側導電層とが相互に重なり合う部分を有している。これにより、半導体層からみて、基板の下方からの入射光は、いわば二重の導電層によってその進行が遮られることになる。また、第１、第２及び第３下側導電層が相互に重なり合う部分を有する場合も、当然に本態様の範囲内であるが、この場合には、いわば三重の導電層によって前記入遮光の進行が遮られることになる。これにより、基板の下方からの入射光に対する耐光性を更に高めることができる。
【００３５】
この態様では特に、前記重なり合う部分は、平面的に見て前記チャネル領域と重なり合うように構成するとよい。このようにすれば、最も入射光の進入を防止したいチャネル領域について、前記の二重、あるいは三重の遮光が実現されることになるからである。
【００３６】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記第３下側導電層は、前記半導体層の下層側且つ前記第１下側導電層又は前記第２導電層の上層側に層間絶縁膜を介して積層されている。
【００３７】
この態様によれば、共通電位線の全部又は一部として機能する第３下側導電層が、半導体層と第１下側導電層又は第２下側導電層との間に位置することになる。ここで仮に、データ線の全部又は一部として機能する第１下側導電層と半導体層とを近接配置する場合を考えると、両者間における寄生容量の悪影響が発生し、例えば第１下側導電層上の画像信号がノイズ、クロストーク等を引き起こして表示画像の品位が低下させてしまうおそれがある。しかるに、本態様では、半導体層及び第１下側導電層間に共通電位の第３下側導電層が存在することにより、両者間のデカップリングを実現することができ、前記のような不具合を蒙るおそれを極めて低減することができるのである。ちなみに、このことは、ドレイン領域に接続されることで画像信号が流れることになる第２下側導電層についても、全く同様にあてはまることは言うまでもない。
【００３８】
なお、このような画像品位向上の観点からは、前述の上側遮光膜についても、これに共通電位を供給するようにするのでもよい。また、第３下側導電層、あるいは上側遮光膜に、共通電位以外の、固定電位、フローティング電位を供給しても、前述と略同様の作用効果を得ることができる。
【００３９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線の全部は前記半導体層の下層側に積層されており、前記第１下側導電層は前記データ線の全部として機能する。
【００４０】
この態様によれば、データ線の全部が半導体層の下層側に積層されており、第１下側導電層が当該データ線の全部として機能する。すなわち、本態様において、データ線は、半導体層の上層側には全く存在しない。よって、半導体層とデータ線とを繋ぐために該半導体層の上側に接続点を設ける必要がなくなるという事実は徹底されることになり、前述の作用効果をより確実に享受することができる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線の一部は前記上側遮光膜の上層側に積層されており、前記第１下側導電層は前記データ線の他の一部として機能する。
【００４２】
この態様によれば、上側遮光膜の上層側に積層されたデータ線の一部と、それとは別の一部として機能する第１下側導電層とがあわさって、データ線全体として機能するということになる。この場合、半導体層の上側には、上側遮光膜とデータ線（の一部）とが存在することになるから、基板の上方からの入射光に対する耐光性を高めることができる。また、この場合、上側遮光膜はデータ線よりも半導体層に近接して積層されているので、データ線を上側遮光膜として利用する場合と比較して、斜めの入射光に対する遮光性能を一層高めることが可能となる。
【００４３】
この態様では、前記上側遮光膜の上層側に積層された前記データ線の一部は、前記半導体層及び前記上側遮光膜の存在しない平面領域に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１下側導電層に接続されており、前記第１下側導電層は、前記上側遮光膜が存在する平面領域に開孔された第２コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続されているように構成してもよい。
【００４４】
このような構成によれば、半導体層や上側遮光膜の脇を貫通する第１コンタクトホールを介して、データ線の一部と第１下側導電層とは接続されている。そして、ソース領域の直下を貫通する第２コンタクトホールを介して、第１下側導電層とソース領域とは接続されている。このように、基板上で平面的に見て上側遮光膜の存在しない平面領域をコンタクトホール開孔用領域として利用することで、データ線は、第１コンタクトホールを介して上側遮光膜及び半導体層の脇を抜け、更に第１下側導電層を経由して下側から回り込むように第２コンタクトホールを介してソース領域に接続されている。よって、上側遮光膜に対して、これらのコンタクトホールを避けるように切り欠きや穴を設ける必要がない。
【００４５】
このような構成では更に、前記第１下側導電層は積層構造を有するように構成してもよい。
【００４６】
このような構成によれば、第１下側導電層が、例えば上層側に導電性ポリシリコン、下層側にタングステンシリサイドというような積層構造を有している。かかる積層構造では特に、タングステンシリサイドが存在していることにより、より優れた遮光性能を享受することができると同時に、ソース領域から延びる第２コンタクトホールは、導電性ポリシリコンとの間で接続点をもつことになるから半導体層の汚染を防止することができる（半導体層とタングステンシリサイドとを直接に接続してしまうと、前者の汚染を生じさせてしまうおそれがある。）。このように、本態様によれば、第１下側導電層を積層構造とすることにより、一般にその高機能化を図ることができる。
【００４７】
また、上側遮光膜の上層側にデータ線の一部が積層されている態様では、前記上側遮光膜の上層側に積層された前記データ線の一部及び前記第１下側導電層は、前記走査線に交差して連続的に延びるように構成してもよい。
【００４８】
このような構成によれば、上側遮光膜の上層側に積層されたデータ線の一部及び第１下側導電層とが連続的に延びている。したがって、前者の端部及び後者の端部ともに、画像信号の供給点とすることが可能となり、これによると、前者が後者の、あるいは後者が前者の冗長配線として機能するということになる。したがって、画像信号はソース領域により確実に届けられることになり、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００４９】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記第１下側導電層、第２下側遮光膜及び前記第３下側導電層の少なくとも一つは、導電性の遮光膜からなり且つ前記半導体層を下側から覆う。
【００５０】
この態様によれば、第１、第２、あるいは第３下側導電層は、遮光膜からなるので、各種の電位を中継するための中継層として機能するのに加えて、下側遮光膜としても機能する。よって、半導体層に対して基板側から入射しようとする裏面反射光等の戻り光を、遮光膜たる第１、第２、あるいは第３下側導電層によって遮光できる。この結果、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、一層効率的に低減できる。
【００５１】
なお、このような遮光膜たる第１、第２、あるいは第３下側導電層は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。又は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の他の金属を含んでもよい。更には、遮光膜たる第１、第２、あるいは第３下側導電層は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００５２】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜は、導電性の遮光膜からなり且つ所定種類の配線又は電極としても機能する。
【００５３】
この態様によれば、上側遮光膜は、遮光膜としての機能に加えて、所定種類の配線又は電極としても機能する。例えば、固定電位配線、共通電位配線、蓄積容量の共通電位側容量電極又は画素電位側容量電極、ＴＦＴやＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等の電子素子の引出電極など、各種の配線や電極を、遮光性の導電膜からなる上側遮光膜から形成できる。よって、基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を防ぎつつ、各種の配線や電極を基板上に構築できる。
【００５４】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜は前記共通電位線の一部として機能するとともに、前記第３下側導電層は前記共通電位線の別の一部として機能する。
【００５５】
この態様によれば、共通電位線の全体の機能が、少なくとも上側遮光膜及び第３下側導電層によって担われることになる。したがって、これら共通電位線、上側遮光膜及び第３下側導電層が別個独立に形成される場合に比べて、基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。
【００５６】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極、該画素電位側容量電極に対向配置された共通電位側容量電極、及びこれら両電極に挟持された誘電体膜からなる蓄積容量を更に備えてなり、前記上側遮光膜は前記画素電位側容量電極の少なくとも一部又は前記共通電位側容量電極の少なくとも一部として機能する。
【００５７】
この態様によれば、画素電極に接続された蓄積容量によって、画素電極における電荷保持特性を高められる。そして特に、上側遮光膜は、その本来の遮光機能に加えて、蓄積容量の画素電位側容量電極、あるいは共通電位側容量電極としても機能するので、基板上における積層構造や製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。
【００５８】
この態様では、前記画素電位側容量電極は前記画素電位中継層の少なくとも一部として機能するように構成してもよい。
【００５９】
このような構成によれば、画素電位側容量電極が画素電位中継層の機能を共有化（むろんその逆も成り立つ。）することから、基板上における積層構造や製造プロセスの複雑化を更に効果的に防ぐことができる。
【００６０】
あるいは、蓄積容量を備える態様では更に、前記共通電位側容量電極は前記共通電位線の少なくとも一部として機能するように構成してもよい。
【００６１】
このような構成によれば、共通電位側容量電極が共通電位線の機能を共有化（むろんその逆も成り立つ。）することから、基板上における積層構造や製造プロセスの複雑化を更に効果的に防ぐことができる。
【００６２】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記基板に対して、電気光学物質を介して他の基板が対向配置されてなる。
【００６３】
この態様によれば、一対の基板間に、例えば液晶等の電気光学物質が挟持された電気光学装置が構築され、例えば対向基板に設けられた対向電極と画素電極との間で電圧印加が行われる。また、横電界駆動方式の場合には、このような対向電極は不要であり、相隣接する画素電極間で電圧印加が行われる。いずれにせよ、基板間に挟持された電気光学物質を、画素電極を用いて画素単位で動作制御可能となる。
【００６４】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜は、高融点金属及び半導体からなる導電性の積層構造を有し、前記基板上の周辺領域において、前記上側遮光膜は、前記周辺領域に作り込まれるＣＭＯＳ（Complementary MOS）回路内のＰ型及びＮ型薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に接続される配線又は電極として用いられる。
【００６５】
この態様によれば、周辺回路に作り込まれるＣＭＯＳ回路内の薄膜トランジスタを構成する半導体がＰ型であってもＮ型であっても、これとの間でＰＮ接合を生じさせない材料である、高融点金属及び半導体の積層構造を有する上側遮光膜を用いて、良好なオーミックコンタクトによりソース・ドレイン配線又は電極を接続できる。仮に高濃度ドープにより低抵抗化された半導体で係る接続を行おうとすれば、Ｐ又はＮ型の薄膜トランジスタとの接続の際にＰＮ接合が発生してしまうことに鑑みれば、本態様は非常に有利である。
【００６６】
本発明の第３電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、所定パターンを有する第１下側導電層と、該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、前記ゲート電極に電気的に繋がった走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続され当該基板の面において島状に点在する画素電位側容量電極とを備えてなり、前記第１下側導電層は、前記ドレイン領域に接続されているとともに前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する。
【００６７】
本発明の第３電気光学装置によれば、前記の第１電気光学装置と略同様な作用効果が得られる。すなわち、前述の説明において、「データ線」とあるところを「画素電位側容量電極」と読み替えることにより把握される作用効果が得られることになる。
【００６８】
なお、本発明にいう画素電位側容量電極は、例えばこれに対向配置される共通電位側容量電極及びこれら両電極に挟持される誘電体膜とを加えることによって、蓄積容量を構成することができる。
【００６９】
本発明の第３電気光学装置の一態様では、前記画素電位側容量電極に対向配置される共通電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記共通電位側容量電極に挟持される誘電体膜とを備えてなり、前記画素電位側容量電極、前記共通電位側容量電極及び前記誘電体膜は前記半導体層の下側において蓄積容量を構成する。
【００７０】
この態様によれば、画素電極に接続された蓄積容量によって、画素電極における電荷保持特性を高められる。そして特に、第１下側導電層は、その遮光機能に加えて、蓄積容量の画素電位側容量電極としても機能するので、基板上における積層構造や製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。
【００７１】
本発明の第３電気光学装置の他の態様では、前記第１下側導電層は前記データ線の全部又は一部として機能する部分を含み、当該部分と、前記第１下側導電層のうち前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分とが同一膜からなる。
【００７２】
この態様によれば、データ線の全部又は一部及び画素電位側容量電極の全部又は一部を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【００７３】
本発明の第３電気光学装置の他の態様では、前記ドレイン領域及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位中継層を更に備えてなり、前記第１下側導電層は前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分を含み、当該部分と、前記第１下側導電層のうち前記画素電位側容量電極の全部又は一部として機能する部分とが同一膜からなる。
【００７４】
この態様によれば、画素電位中継層の全部又は一部及び画素電位側容量電極の全部又は一部を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【００７５】
本発明の第４電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、所定パターンを有する第１下側導電層と、該第１下側導電層の上層側に積層され且つチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して積層されたゲート電極と、前記ゲート電極に電気的に繋がった走査線と、該走査線の上層側に積層され且つ前記半導体層を上側から覆う上側遮光膜と、前記ドレイン領域に電気的に接続された画素電極と前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方に沿って当該基板の面において島状に点在しながら延びる共通電位側容量電極とを備えてなり、前記第１下側導電層は、前記共通電位側容量電極の全部又は一部として機能する。
【００７６】
本発明の第４電気光学装置によれば、前記の第１電気光学装置と略同様な作用効果が得られる。すなわち、前述の説明において、「データ線」とあるところを「共通電位側容量電極」と読み替えることにより把握される作用効果が得られることになる。
【００７７】
なお、本発明にいう共通電位側容量電極は、例えばこれに対向配置される画素電位側容量電極及びこれら両電極に挟持される誘電体膜とを加えることによって、蓄積容量を構成することができる。
【００７８】
本発明の第４電気光学装置の一態様では、前記共通電位側容量電極に対向配置される画素電位側容量電極と、前記共通電位側容量電極及び前記画素電位側容量電極に挟持される誘電体膜とを備えてなり、前記共通電位側容量電極、前記画素電位側容量電極及び前記誘電体膜は前記半導体層の下側において蓄積容量を構成する。
【００７９】
この態様によれば、画素電極に接続された蓄積容量によって、画素電極における電荷保持特性を高められる。そして特に、第１下側導電層は、その遮光機能に加えて、蓄積容量の共通電位側容量電極としても機能するので、基板上における積層構造や製造プロセスの複雑化を防ぐことができる。
【００８０】
なお、前記の第２、第３及び第４電気光学装置については、前述の第１電気光学装置を基礎として記述されていた各種の態様が、性質上背反しない限り、同様に適用可能である。例えば、これら第２、第３及び第４電気光学装置についても、前記第２下側導電層、あるいは前記第３下側導電層及び共通電位線を備えることは可能であるし、第１、第２及び第３下側導電層のうち少なくとも二層が相互に重なり合うように構成されていてもよい。その他についても同様である。
【００８１】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の第１、第２、第３又は第４の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００８２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、フリッカ等のない高品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８３】
（第１実施形態）
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第１実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８４】
（画素部における構成）
まず、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図５を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は図２のＡ−Ａ´断面図である。また、図４及び図５は、各要素の配置をより明瞭にするため、図２の平面図を図３中下側半分（図４；半導体層及びその図３中下側に位置する要素を含む部分。）及び図３中上側半分（図５；半導体層及びその図３中上側に位置する要素を含む部分。ただし、一部の要素は図示が省略されている。）に分かって示した平面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００８５】
図１において、第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６０ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６０ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６０ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００８６】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６０ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００８７】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００８８】
第１実施形態では、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、共通電位とされた容量線３００を含んでいる。
【００８９】
以下では、上記データ線６０ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の実際の構成について、図２乃至図５を参照して説明する。
【００９０】
まず、図２において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６０ａ及び走査線３ａが設けられている。このうち走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６０ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００９１】
次に、電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００９２】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図３に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１４及び図１５参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００９３】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図３に示すように、下から順に、データ線６０ａを含む第１層、共通電位線３５０を含む第２層、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には第１絶縁膜４１が、第２層及び第３層間には第２層間絶縁膜４２が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４３が、第４層及び第５層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６０ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００９４】
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなるデータ線６０ａが設けられている。このデータ線６０ａは、平面的にみてストライプ状にパターニングされており、これにより図２中各列に配置されたＴＦＴ３０に画像信号が供給されるようになっている（図２及び図４参照）。
【００９５】
次に、第２層には、例えば前述のデータ線６０ａを構成する材料と同じ材料からなる共通電位線３５０が設けられている。この共通電位線３５０は、平面的にみて格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している（図２及び図４参照）。
【００９６】
以上のデータ線６０ａの上、及び、共通電位線３５０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が設けられている。第１層間絶縁膜４１は、データ線６０ａ及び共通電位線３５０間を相互に絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９７】
さて、前述の第２層に続けて第３層には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａが設けられている。ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えば導電性ポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９８】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、第１実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００９９】
以上の共通電位線３５０の上、且つ、ＴＦＴ３０の下には、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２が設けられている。この第２層間絶縁膜４２及び前述の第１層間絶縁膜４１には、これらを貫通するように、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄとデータ線６０ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１０が開孔されている。このコンタクトホール８１０は、容量線３００、あるいは中継層７１が存在する平面領域に開孔されている。
【０１００】
さて、前述の第２層に続けて第４層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継線７１と、共通電位側容量電極としての容量線３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。このうち蓄積容量７０は、図２あるいは図５の平面図に示すように、そのそれぞれが略十字型の形状を有する島状にパターニングされており、容量線３００は、前述の共通電位線３５０と略同様にして格子状にパターニングされている。また、容量線３００については、例えば、前述のデータ線６０ａ、あるいは共通電位線３５０を構成する材料と同じ材料からなるようにしてもよい。このような蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第１実施形態に係る蓄積容量７０は、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【０１０１】
以上のＴＦＴ３０及び走査線３ａ等の上、且つ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３が設けられている。この第３層間絶縁膜４３には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０の中継層７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が開孔されている。また、この第３層間絶縁膜４３及び前述の第２層間絶縁膜４２には、これらを貫通するように、共通電位線３５０と蓄積容量７０の容量線３００とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１１が開孔されている。これにより、容量線３００及び共通電位線３５０のいずれか一方が、画像表示領域１０ａからその周囲に延設されて共通電位源に接続されていれば、そのいずれか他方にも同じ共通電位が供給されることになる。なお、第１実施形態では、第３層間絶縁膜４３に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【０１０２】
最後に、第５層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び中継線７１間を電気的に接続するためのコンタクトホール８５が開孔されている。
【０１０３】
なお、第１実施形態では特に、第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化してもよく、それによれば、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減することが可能になる。また、かかる平坦化処理を施すのに代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６０ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【０１０４】
以上のような構成を備える第１実施形態の画像形成装置では、以下のような作用効果が得られる。以下では、この点について、上述で参照した各図に加えて図６を参照して説明することとする。ここに図６は、第１実施形態の電気光学装置において、半導体層１ａを中心として、その下層側及び上層側に配置された各種の要素の配置関係を立体的に示す立体図である。
【０１０５】
第１実施形態に係る電気光学装置によれば、半導体層１ａに対して、その上層側から入射してくる光（図３における「入射光」参照。）及びその下層側から入射してくる光（図３における「戻り光」参照。）を有効に遮蔽することができる。すなわち、半導体層１ａの図３中下側にはデータ線６０ａが存在しているとともに、該データ線６０ａは比較的遮光性に優れた高融点金属材料を含んでなるので、当該データ線６０ａは半導体層１ａに対する下側遮光膜として極めて有効に機能する。これにより、図６に示すように、半導体層１ａに対して下側から入射してくる光ＬＤ（以下、単に「下側入射光ＬＤ」という。）、例えばＴＦＴアレイ基板１０側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、半導体層１ａに到達するという事態は殆ど発生しないことになる。しかも、第１実施形態では特に、データ線６０ａと半導体層１ａとの間には共通電位線３５０が配置されていることから、下側入射光ＬＤが半導体層１ａに到達することが更に困難とされている。この効果は、該共通電位線３５０がデータ線６０ａと平面的に見て相互に重なり合う部分を有していること（図２、図４及び図６参照）、また当該重なり合う部分が第１実施形態ではコンタクトホール８１０の形成領域を除いた半導体層１ａ（チャネル領域１ａ´を当然含む。）のほぼ全域にわたっていること（特に図４参照）から、そのほぼ全域にわたっていわば二重の遮光作用が発揮されることで、更に効果的に享受されることになる。
【０１０６】
以上により、第１実施形態では、半導体層１ａに対する下側からの光の入射が生じるのを極めて有効に防止することができる。
【０１０７】
一方、第１実施形態では、前述のようにデータ線６０ａが半導体層１ａの下層側に配置されていることから、当該データ線６０ａと当該半導体層１ａとを接続するために、当該半導体層１ａの上側に、データ線との接続点を設ける必要がない。これにより、第１実施形態に係る半導体層１ａの上側に積層される容量線３００、あるいは中継層７１は、該半導体層１ａを上側から殆ど完全に覆い切るようにして形成することが可能になる。
【０１０８】
この点、従来においては、例えば図７乃至図９に示すような構造が採られていた。ここに図７は、従来の電気光学装置に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図８は図７のＢ−Ｂ´断面図である。また、図９は図７及び図８に基づいて描かれた図６と同趣旨の図である。なお、図７乃至図９のそれぞれおいて、図２、図３及び図６に示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いて指示してある（ただし、図２に対する図７では半導体層１ａ中のソース領域及びドレイン領域が左右反対に、図３に対する図８では上下反対になっている点に注意を要する。）。
【０１０９】
これら図７乃至図９に示すように、従来においては、データ線６ａが半導体層１ａの上層側に配置されることが行われていた。そうすると、この場合、当該データ線６ａと当該半導体層１ａとを接続するためには、当該半導体層１ａの上側に接続点（コンタクトホール８１の図８中下側の接続点）を設ける必要がある。したがって、かかる構造では、容量線３００´は、図７に示すように走査線３ａに沿って延びるストライプ状に形成されざるを得ない。これは、コンタクトホール８１を形成する必要があることから、図２に示す容量線３００のような格子状のパターニングをするわけにはいかず、同図中上下方向に垂直な方向であたかも該容量線３００の一部を切断するかのごときパターニングを実施しなければならないからである。しかしながら、このような切り欠き部が存在すると、当該部分からの光は何ら障害なく電気光学装置の内部に入り込めることになるから、遮光性能の低下を招くことになっていたのである（図９中、半導体層１ａの上側から入射してくる光ＬＵ２参照。）。
【０１１０】
これに対して、第１実施形態では上述のような不具合を被らない。なぜなら、既述のように、第１実施形態では、データ線６０ａは半導体層１ａの下層側を走り、半導体層１ａの上側に接続点を設ける必要がなく、その上層側に積層される容量線３００、あるいは中継層７１は、該半導体層１ａを上側から殆ど完全に覆い切るようにして形成することが可能だからである。これにより、図６に示すように、上側入射光ＬＵ、例えば光源から発せられた直接の入射光が、半導体層１ａに到達するという事態は殆ど発生しないことになる。
【０１１１】
以上により、第１実施形態では、半導体層１ａに対する上側からの光の入射が生じるのを極めて有効に防止することができる。
【０１１２】
以上述べたように、第１実施形態の電気光学装置によれば、下側入射光ＬＤ及び上側入射光ＬＵのいずれについても、半導体層１ａに対する入射が困難な状況が作り出されることになり、その結果、当該電気光学装置の耐光性能は全体的に向上するということができる。したがって該電気光学装置によれば、各画素の開口率を高めつつ、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的には強力な光源光を利用して、明るく高品位の画像を表示できる。
【０１１３】
また第１実施形態では特に、上述の効果に加えて、以下に記す効果も得ることができる。すなわちまず、第１実施形態では、半導体層１ａとデータ線６０ａとの間に、共通電位をもつ共通電位線３５０が配置されているため、これら半導体層１ａ及びデータ線６０ａ間に寄生容量の悪影響が生じることを未然に防止することができる。また、第１実施形態では、蓄積容７０を構成する容量線３００及び中継線７１ともに、本発明にいう「上側遮光膜」に該当する。これを逆にいえば、本発明にいう「上側遮光膜」は、第１実施形態において蓄積容量７０を構成する共通電位側容量電極及び画素電位側容量電極として機能するということができる。よって、第１実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を防ぎつつ、蓄積容量７０をＴＦＴアレイ基板１０上に構築できる。
【０１１４】
なお、上記第１実施形態においては、本発明にいう「第１下側導電層」としてデータ線６０ａが、同じく「第３下側導電層」として共通電位線３５０がそれぞれその一例に該当することとなっているが、本発明は、かかる形態に限定されるものではない。例えば、上述したような第１下側導電層に加えて又は代えて、ソース領域に接続されるのではなく、ドレイン領域に接続された配線ないしは中継層（本発明にいう「第２下側導電層」に該当する。）を設けるのでもよい。このような構造では更に、場合によっては、上述にいう蓄積容量７０に相当する構造を半導体層と同一層、あるいはそれよりも下層に構築するような構造としてもよい。いずれせよ、これによっても、前述と略同様な作用効果が得られることは明白である。
【０１１５】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。ここに図１０は、図３と同趣旨の図であって、データ線の形成態様が異なるものである。ただし、図１０は、図３とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない（したがって対応する平面図の図示は省略する。）。なお、第２実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第２実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１１６】
図１０においては、蓄積容量７０の上層側に、新たにデータ線６１ａが設けられているとともに、該データ線６１ａの上層側に第５層間絶縁膜４５が設けられている。画素電極９ａは、この第５層間絶縁膜４５の上に設けられている。このうちデータ線６１ａは、データ線６０ａと同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。また、該データ線６１ａは、これもデータ線６０ａと同様に、平面的にみてストライプ状にパターニングされている（図２参照）。そして、第１から第４までの層間絶縁膜４１乃至４４には、データ線６０ａとデータ線６１ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１２が開孔されている。
【０１１７】
かかる構造を備えた第２実施形態の電気光学装置では、データ線６０ａ及び６１ａというように、上下二層別々に配置された要素があわさって、データ線全体として機能するということができる。つまり、第２実施形態の電気光学装置における「データ線」の機能は、その一部がデータ線６０ａにより担われ、残りの一部がデータ線６１ａにより担われるということができるのである（このような第２実施形態と対比すると、前記の第１実施形態は「データ線」の「全部」が半導体層１ａの下層側に形成されている場合とみることができる。）。この場合、半導体層１ａの上側には、上側遮光膜として機能する容量線３００あるいは中継層７１と、やはり上側遮光膜として機能するデータ線６１ａとが存在することになるから、基板の上方からの入射光に対する耐光性を高めることができる。また、この場合、容量線３００、あるいは中継層７１はデータ線６１ａよりも半導体層１ａに近接して積層されているので、例えば図７乃至図９に示したような構造におけるデータ線６ａを上側遮光膜として利用する場合と比較して、斜めの入射光に対する遮光性能を一層高めることが可能となる。
【０１１８】
また、第２実施形態では、上述のようにデータ線６０ａ及び６１ａが、いずれもストライプ状にパターニングされていて連続的に形成されていることにより、前者の端部及び後者の端部ともに画像信号の供給点とすることが可能となる。したがって、これによると、データ線６０ａがデータ線６１ａの、あるいはデータ線６１ａがデータ線６０ａの冗長配線として機能するということになる。したがって、画像信号はソース領域により確実に届けられることになり、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【０１１９】
さらに、第２実施形態の電気光学装置でもまた、上述の第１実施形態と同様に、中継層７１との接続点を除くほか、半導体層１ａの上側に特別に接続点が設けられていない。これは、データ線６１ａは、半導体層１ａ及び蓄積容量７０の存在しない平面領域に開孔されたコンタクトホール８１２を介してデータ線６０ａに接続されているからである。このことと、コンタクトホール８１０が、第１実施形態と同様に容量線３００あるいは中継層７１が存在する平面領域に開孔されていることとを併せて、第２実施形態における「データ線」は、コンタクトホール８１２を介して蓄積容量７０を構成する容量配線３００及び中継層７１並びに半導体層１ａの脇を抜け、更にデータ線６０ａを経由して下側から回り込むようにコンタクトホール８１０を介して高濃度ソース領域１ｅに接続されている。よって、半導体層１ａの上側に特別な接続点を設ける必要がない、言い換えると、容量配線３００及び中継層７１に対してコンタクトホールを避けるように切り欠きや穴を設ける必要がないのである。したがって、この点については、第２実施形態においても第１実施形態と全く同様な作用効果を得ることができる。
【０１２０】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図１１を参照しながら説明する。ここに図１１は、図３と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。ただし、図１１は、図３とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない（したがって対応する平面図の図示は省略する。）。なお、第３実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第３実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１２１】
図１１においては、半導体層１ａの下層側に共通電位線３５１が設けられている。この共通電位線３５１は、ＴＦＴアレイ基板１０の直上に形成されている。したがって、第３実施形態では、前記の第１実施形態で述べたようなデータ線６０ａは設けられていない。この共通電位線３５１はまた、第１から第３までの層間絶縁膜４１乃至４３に開孔されたコンタクトホール８１３を介して、容量線３００と電気的に接続されている。
【０１２２】
次に、図１１においては、上述のように半導体層１ａの下層側にデータ線６０ａは形成されておらず、その代わりデータ線及びＴＦＴ層間中継層（以下、簡単のため「ＤＴ中継層」という。）６３ａが設けられている。このＤＴ中継層６３ａは、前述の共通電位線３５１の上層側で且つ平面的に見て該共通電位線３５１と重なり合う部分Ｓを有するように該共通電位線３５１と第１層間絶縁膜４１を介して積層されており、平面的に見て島状にパターニングされている。この島状のパターニングは、半導体層１ａの島状のパターニングに対応するように（即ち、半導体層１ａのパターン一つに対して、ＤＴ中継層６３ａのパターン一つというように）行われる。また、このＤＴ中継層６３ａは、第１実施形態におけるデータ線６０ａと同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。さらに、このＤＴ中継層６３ａは、コンタクトホール８１４によって半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｅと電気的に接続されていると共に、コンタクトホール８１５によってデータ線６１ａと電気的に接続されている。ここでデータ線６１ａとは、前記の第２実施形態で述べた“データ線６１ａ”と同じである。すなわち、データ線６１ａは、蓄積容量７０の上層側に設けられているストライプ状の配線であって、前述の高融点金属等の材料からなる。ちなみに、該データ線６１ａの上層側に第５層間絶縁膜４５が設けられており、画素電極９ａがこの第５層間絶縁膜４５の上に設けられている点についても、前記の第２実施形態と同様である。
【０１２３】
かかる構造を備えた第３実施形態の電気光学装置では特に、第２実施形態におけるようなデータ線の冗長構造がとられておらず、半導体層１ａに対する画素電位の供給は、もっぱら島状にパターニングされたＤＴ中継層６３ａに依ることになる。そして、このような電気光学装置でも、前記の第１実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白である。なぜなら、コンタクトホール８１３、８１４及び８１５が適切に配置されていることにより、半導体層１ａの上側に特別な接続点を設ける必要がないから、容量線３００及び中継層７１を該半導体層１ａのほとんど全部を覆うように形成することができること、また、ＤＴ中継層６３ａ及び共通電位線３５１が遮光膜として機能することで半導体層１ａの下側から侵入する光の進行を遮ること、これらＤＴ中継層６３ａ及び共通電位線３５１は重なり合う部分Ｓを有するから二重の遮蔽作用が得られること等といった条件が、前記の第１実施形態と同様に充足されるからである。
【０１２４】
（第４実施形態）
以下では、本発明の第４の実施形態について、図１２を参照しながら説明する。ここに図１２は、図４と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。なお、第４実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第４実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１２５】
図１２においては、データ線６０１ａの一部につき切り欠き部が形成されており（言い換えると、コンタクトホール８１０´の接続部分が図中右方向に張り出されるように形成されており）、該切り欠き部に対応する部分には共通電位電極３５５が形成されている。すなわち、第４実施形態では、第１実施形態において、それぞれ別々の層に形成されていたデータ線６０ａ及び共通電位線３５０に代えて、それぞれが同一膜からなるデータ線６０1ａ及び共通電位電極３５５が形成されるようになっているのである。ここに同一膜からなるとは、データ線６０1ａ及び共通電位電極３５５が、当該電気光学装置の製造工程において同一の機会に形成された膜に対してパターニングを実施することによって分断されて形成されることを意味する。なお、データ線６０１ａについては、前記の第１実施形態と同様、半導体層１ａとコンタクトホール８１０´を介して接続されている。
【０１２６】
このような第４実施形態によっても、前記と略同様な作用効果が得られる。特に、かかる形態によれば、データ線６０１ａと共通電位電極３５５を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる。
【０１２７】
（第５実施形態）
以下では、本発明の第５の実施形態について、図１３を参照しながら説明する。ここに図１３は、図４と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるものである。なお、第５実施形態では、前述した第１実施形態の電気光学装置の全体構成、画素部の構成等の殆どの部分については全く同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分についての説明は省略し、主に、第５実施形態に特徴的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、以下で参照する図面においては、前述までに参照した図面において示された要素と同趣旨の要素については同一の符号を用いることとする。
【０１２８】
図１３においては、データ線６０２ａの一部につき切り欠き部が形成されており（言い換えると、コンタクトホール８１０´の接続部分及び半導体層１ａのチャネル領域１得ａ´に対応する部分が図中右方向に張り出されるように形成されており）、該切り欠き部に対応する部分にはドレイン電極９０１が形成されている。このうちデータ線６０２ａについては、前記の第１実施形態と同様、半導体層１ａとコンタクトホール８１０´を介して接続されている。またドレイン電極９０１は、半導体層１ａとコンタクトホール９９０を介して接続されている。なお、図示はされていないが、ドレイン電極９０１にはデータ線６０２ａの脇を通過するように更に別のコンタクトホールが接続されており、該別のコンタクトホールを通じて、ドレイン電極９０１は最終的に画素電極９ａに接続されるようになっている。これらデータ線６０２ａ及びドレイン電極９０１は、前記のデータ線６０１ａ及び共通電位電極３５５と同様、同一膜からなる。
【０１２９】
このような第４実施形態によっても、前記と略同様な作用効果が得られる。特に、かかる形態によれば、データ線６０２ａとドレイン電極９０１を別々の層に形成する場合に比べて、基板上に構築する積層数を減少することができ、積層構造の高層化を防止し、より製造の容易な電気光学装置を提供することができる
なお、第５実施形態においては、前記のドレイン電極９０１に加えて、ドレイン電極９０１に対向配置され且つ該ドレイン電極９０１と平面的形状がほぼ同じであるような共通電位電極（例えば、図１２に示した共通電位電極３５５のようなもの）、及び該共通電位電極とドレイン電極９０１との間に挟持される比較的薄い誘電体膜を製造することによって、蓄積容量を構成することができる。この場合、当該蓄積容量は、半導体層１ａの下側に構築されることになる。
【０１３０】
〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１４及び図１５を参照して説明する。ここに、図１４は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１５は、図１４のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【０１３１】
図１４及び図１５において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１３２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【０１３３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１３４】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１３５】
図１５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１３６】
なお、図１４及び図１５に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１３７】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１６は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１３８】
図１６において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した第１から第３実施形態いずれかの電気光学装置（図１乃至図１３参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１３９】
このような投射型カラー表示装置においては、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに入射する入射光の強度が比較的高く、また当該入射光はランプユニット１１０２からの光を前記の各種レンズで絞った光束であるから、斜めに入射する成分を無視し得ないほどに含んでいる。したがって、かかる投射型カラー表示装置では、一般にライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂを構成するＴＦＴ３０に対する光遮蔽を十分に行うことは困難となっている。
【０１４０】
しかるに、本実施形態では、上述したようにＴＦＴ３０に対する光遮蔽は十分に行われるようになっているから、前記の問題は有効に解消されるようになっているのである。逆にいうと、ＴＦＴ３０に対する光遮蔽がより困難である投射型カラー表示装置においてこそ、本発明はより大きな効果を発揮するということもできる。
【０１４１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】図２の平面図を図３中下側半分（半導体層及びその図３中下側に位置する要素を含む部分。）に分かって示した平面図である。
【図５】図２の平面図を図３中上側半分（半導体層及びその図３中上側に位置する要素を含む部分。ただし、一部の要素は図示が省略されている。）に分かって示した平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の電気光学装置において、半導体層を中心として、その下層側及び上層側に配置された各種の要素の配置関係を立体的に示す立体図である。
【図７】従来の電気光学装置に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ´断面図である。
【図９】図７及び図８に基づいて描かれた図６と同趣旨の図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係り、図３と同趣旨の図であって、データ線の形成態様が異なるもの（冗長構造をとるデータ線）である。ただし、この図は、図３とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない。
【図１１】本発明の第３実施形態に係り、図３と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるもの（画素電位中継層を含むデータ線）である。ただし、この図は、図３とは異なって、各種の要素がどのように積層されているかを正確に再現することを目的としており、平面図から切り出された断面の様子を正確に再現することを目的とするものではない。
【図１２】本発明の第４実施形態に係り、図４と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるもの（データ線が切り欠き部を含み、該切り欠き部に対応するように共通電位電極が形成されているもの）である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係り、図４と同趣旨の図であって、データ線等の形成態様が異なるもの（データ線が切り欠き部を含み、該切り欠き部に対応するようにドレイン電極が形成されているもの）である。
【図１４】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１４のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１６】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１０…ＴＦＴアレイ基板、３ａ…走査線、６０ａ、６１ａ、６０１ａ、６０２ａ…データ線、６３ａ…データ線及びＴＦＴ間中継層、３０…ＴＦＴ、９ａ…画素電極、３５０、３５１…共通電位線、２０…対向基板、
７０…保持容量、３００…容量線、７１…中継層、７５…誘電体膜
【図１】
2005202312.tif 000003
【図２】
2005202312.tif 000004
【図３】
2005202312.tif 000005
【図４】
2005202312.tif 000006
【図５】
2005202312.tif 000007
【図６】
2005202312.tif 000008
【図７】
2005202312.tif 000009
【図８】
2005202312.tif 000010
【図９】
2005202312.tif 000011
【図１０】
2005202312.tif 000012
【図１１】
2005202312.tif 000013
【図１２】
2005202312.tif 000014
【図１３】
2005202312.tif 000015
【図１４】
2005202312.tif 000016
【図１５】
2005202312.tif 000017
【図１６】
2005202312.tif 000018