(57)【要約】  二つのプレート又はカバーを与えられたるつぼを含むアセンブリであって、それらのうちの一つが穿孔パターンを与えられた最外プレート又はカバーであり、穿孔パターンが直列又は並列の一以上のスリット、及び前記カバー上に不規則に又は規則的に分布された、同じ又は異なる直径を有する開口からなる群から選択され、最外プレート又はカバーがさらに底部及び高さ“ｈ”を有する周囲側壁を持つ前記るつぼをカバーし、前記るつぼが原材料を含有するものにおいて、第二のプレートが前記高さ“ｈ”の２／３未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着されることを特徴とするアセンブリ。【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つのプレート又はカバーを与えられたるつぼを含むアセンブリであって、それらのうちの一つが穿孔パターンを与えられた最外プレート又はカバーであり、穿孔パターンが直列又は並列の一以上のスリット、及び前記カバー上に不規則に又は規則的に分布された、同じ又は異なる直径を有する開口からなる群から選択され、最外プレート又はカバーがさらに底部及び高さ“ｈ”を有する周囲側壁を持つ前記るつぼをカバーし、前記るつぼが原材料を含有するものにおいて、第二のプレートが前記高さ“ｈ”の２／３未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着されることを特徴とするアセンブリ。
【請求項２】
前記第二プレートが前記高さ“ｈ”の１／３未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着される請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第二プレートが前記高さ“ｈ”の１／１０以上の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着される請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記るつぼ及び前記プレートが耐火材料から構成され、前記耐火材料がタンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）及び耐熱性ステンレス鋼からなる群から選択される金属又は金属合金である請求項１〜３のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記アセンブリがガイドプレートをさらに与えられる請求項１〜４のいずれかに記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は加熱されたるつぼに存在する液化原材料からの蒸発によってスピード又は感度に優れた燐光体又はシンチレータ材料を製造するための解決策に関する。
【背景技術】
【０００２】
物理蒸着（ＰＶＤ）並びに化学蒸着（ＣＶＤ）技術では、特別に設計された電気加熱るつぼの使用に加えて均一な燐光体又はシンチレータ被覆組成及び全表面にわたる均一な層厚さの蒸着を与える要因は例えばＥＰ出願Ｎｏ．０３１００７２３（２００３年３月２０日出願）及び０４１０１１３８（２００４年３月１９日出願）に記載されているように支持体の位置における蒸気クラウドのプロファイルを決定する距離と関連する。
【０００３】
るつぼと支持体の間の最短距離の平均値は好ましくは５〜１０ｃｍの範囲である。この距離が大きすぎると材料の損失及びプロセスの低下した収率に導き、一方この距離が小さすぎると支持体の極めて高い温度に導くだろう。
【０００４】
加熱容器中に存在する液化原材料の吐き出しによる燐光体又はシンチレータの不均一な蒸着を生じる“スポットエラー”又は“ピット”を避けるために注意を払うべきであることはＥＰ出願０３１０２００３（２００３年７月４日出願）において確立された。表面における望ましくない不均一性の物理的存在に加えて、スピード又は感度の差は診断像形成に使用するためのスクリーン、プレート又はパネルとしてのその使用に負担を与えるかもしれない。特にそれらの燐光体がシンチレータとして直接放射線写真に、即発燐光体として増感スクリーンに又はコンピュータ放射線写真（ＣＲ）に使用される刺激性燐光体として貯蔵パネルに使用するために好適であるときにそうである。
【０００５】
二つのプレート又はカバーを含むアセンブリであって、それらのうちの一つが最外プレート又はカバーであり、両方が少なくとも一部において、原材料を含有する底部及び周囲側壁を有するるつぼの開放側をカバーする表面領域上に穿孔パターンを有するものであり、前記最外カバーはるつぼの前記開放側をカバーする前記カバーより前記るつぼから遠い距離に装着されており、両カバーは前記二つのプレート又はカバーの間の距離の少なくとも１０倍の前記最外カバーへの距離からるつぼの底部に垂直な方向の軸を通して見たときにその内容物を観察することができないように互いに対して装着されるアセンブリが、その問題のための解決策として与えられた。
【０００６】
しかしながら、燐光体プレートの全表面にわたってスピードの均一性を提供するだけでなく、燐光体プレート上に均一に分布された蒸着された燐光体の同じ被覆量に対して可能な最高に達成可能なスピードを提供することは永続的に続く要求である。
【発明の開示】
【０００７】
それゆえ本発明の目的は特に真空チャンバーにおける真空条件においてＣＶＤ又はＰＶＤ技術を適用しながら望ましくない“スポット”又は“ピット”が製造される燐光体又はシンチレータのための支持体に到達することを防止することに加えて、最高の可能な感度を有するプレート又はパネルを与える、支持体上にシンチレータ又は燐光体材料を蒸発及び蒸着するためのツールを提供することである。
【０００８】
上述の有利な効果は出発材料として原材料を含有する加熱されたるつぼと組み合わされたカバーの特別なアセンブリを利用することによって実現され、前記アセンブリは請求項１に述べられた特徴を有する。本発明の好ましい例の特徴は従属請求項に述べられている。
【０００９】
本発明のさらなる利点及び具体例は以下の記述及び図面から明らかになるだろう。
【００１０】
図面の簡単な記述
図１は改良されたるつぼ構成の３Ｄ図を示し、図中、（１）は折り曲げられたタンタルるつぼを表わし、（２）はるつぼの容器、（３）は（るつぼの両側に存在する）リップ、（４）は内部に（５）スリットを有するカバープレートを示す。ガイドプレート（６）はさらに蒸気流を支持体の方に向ける。
図２は（図１から位置Ａで切断した）側面図を示す。
図３は（図１から位置Ｂで切断した）正面図を示す。
図４は内部に位置された折り曲げられたタンタルプレート（７）を有する本発明るつぼ構成のための（位置Ａで切断した）側面図を示す。
図５は図４のように内部に位置された折りたたまれたタンタルプレート（７）を有する同じ発明のるつぼ構成のための（位置Ｂで切断した）正面図を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明によれば、二つのプレート又はカバーを与えられたるつぼを含むアセンブリであって、それらのうちの一つが穿孔パターンを与えられた最外プレート又はカバーであり、穿孔パターンが直列又は並列の一以上のスリット、及び前記カバー上に不規則に又は規則的に分布された、同じ又は異なる直径を有する開口からなる群から選択され、最外プレート又はカバーがさらに底部及び高さ“ｈ”を有する周囲側壁を持つ前記るつぼをカバーし、前記るつぼが原材料を含有するものにおいて、第二のプレートが前記高さ“ｈ”の２／３未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着されることを特徴とするアセンブリが提供される。前記最外カバーにおいて最も好ましいものは直列又は並列の一以上のスリットが前記カバー上に規則的に分布される穿孔パターンである。最も好ましいものは規則的な部位で中断された又は中断されない一つの長いスリットの存在であり、さらに最も好ましいものはるつぼの最も長い側又は長さと平行な一つの長いスリットである。
【００１２】
本発明によるアセンブリのより好ましい例では前記アセンブリは前記高さ“ｈ”の１／３未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着された前記第二プレートを有する。
【００１３】
本発明によれば前記アセンブリでは、前記第二プレートは前記高さ“ｈ”の１／１０以上の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着される。前記第二プレートが前記高さ“ｈ”の１／１０未満の前記最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着される場合、カバープレートと第二の内部に装着されたプレートの間の距離は小さすぎ、結果として低下した蒸着収率を生じるだろう。
【００１４】
本発明によれば前記アセンブリの一例では、前記底部、前記最外カバー及び前記第二プレートは互いに対して平行に配置される。
【００１５】
本発明によれば前記アセンブリの別の例では、前記第二プレートは少なくとも一つの方向において前記最外カバーに対して平行でない。
【００１６】
るつぼの寸法に関して、一つの例では本発明によるアセンブリはその最大寸法の１０〜９０％及びその最小寸法の１〜９０％の範囲の組み合わされた寸法を有するスリットを有する。
【００１７】
本発明による別のより好ましい例では、前記スリットはその最大寸法の２０〜８０％及びその最小寸法の５〜５０％の範囲の組み合わされた寸法を有し、さらに必要によって、スリットはその最大寸法の４０〜６０％及びその最小寸法の５〜１５％の範囲の組み合わされた寸法を有する。
【００１８】
カバープレートの材料組成は物理的影響に対して抵抗性を有するべきであり、その材料は耐火材料であるべきであることは明らかである。望ましい耐火材料はＭｏ，Ｎｂ，Ｔａ及びＷからなる材料の群から選択される。耐火カバー材料として使用するために好適な材料の究極の選択はほとんどその取扱い性（ｍａｎｕｔｅｎｔｉｏｎ）に依存する。なぜならばカバーは蒸発される原材料の容器、ボート又はるつぼ上へのカバーとして使用するために好適であるために所望の形にもたらされるべきだからである（例えばいわゆる“ニップ領域”又はローラ又は他の“平滑化手段”又は“曲げ手段”における所望の厚さのプレートの折り曲げ又は弯曲による変形）。
【００１９】
本発明によるアセンブリはタンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）及び耐熱性ステンレス鋼からなる群から選択された金属又は金属合金である耐火材料から構成されたるつぼ及びカバープレートを与えられる。耐火材料として金属又は金属合金は前記金属又は金属合金のシリサイド層又はカーバイド層でカバーされたものが有用でありうる。組成がるつぼ及び少なくとも一つのカバーに対して異なることは除外されないが、一つの例では本発明によるアセンブリは前記るつぼ及び前記プレートが同じ耐火材料から構成されるアセンブリである。前記アセンブリについて本発明による特に好ましい例では、前記（耐火）材料はタンタルである。
【００２０】
さらなる例では本発明によるアセンブリは前記るつぼ及び前記プレートが電極対の間に装着されるように装着される。その方法では加熱はＥＰ出願０３１０２００３（２００３年７月４日出願）に述べられているように行われ、そこでは前記電極対は互いに対して対向して位置される側壁の外部部位で電極クランプを介して前記るつぼと接続されるものとして記載され、前記部位はるつぼの側壁におけるリップとして延び、前記クランプは前記るつぼを加熱するための電極と接続可能であり、そこに開示されているような改良は少なくとも５％低下したるつぼ壁とクランプの間の前記リップの各々の横断面積と関連する。同じ手段は本発明に開示されたようにアセンブリ構成では有利に適用される。少なくとも５％の前記減少は各クリップに穿孔を与えることによってるつぼ壁と電極クランプの間の前記リップの各々の横断面積の減少によって実現されることができる。装着された内部プレートのレベルに関して、蒸着工程前の加熱工程の開始時に、原材料の表面レベルが内部に装着されたプレートより高くなりうることは明らかである。これは内部加熱及び溶融に有利でありうる。通常適用されるような電気抵抗加熱による蒸発方法では、前記るつぼはその底部のその内部表面積とその内部側壁の高さによって決定されるその全体積の最大８０％まで原材料で満たされることが有利である。そこでは電気加熱は通常、前記原材料の溶融温度を少なくとも１０℃越える温度まで行う。
【００２１】
るつぼアセンブリ内のエネルギーの損失はこの最初の加熱工程でさらに避けられてもよい。その工程では蒸着工程が開始できるとすぐに取り去る、閉鎖カバー又は“シャッター”として非穿孔カバーを本発明のアセンブリに与えてもよい。さらなる工程では内部装着されたプレートのレベルが原材料のレベルの上に及ぶことは除外されない：前記原材料の溶融温度を２０℃〜１００℃越える温度まで電気加熱が行われる間、前記るつぼはその底部のその内部表面積とその内部側壁の高さによって決定されるその全体積の最大５０％まで原材料で満たされてもよい。
【００２２】
溶融原材料のレベルに対して内部装着されたプレートのレベルの変化を避けるための二つの方法がある。一つの方法は蒸着工程を行いながら内部装着されたプレートのレベルを変化することを利用する。もう一つの方法は補給工程を利用し、そこでは原材料はＥＰ出願Ｎｏ．０３１００７２３（２００３年３月２０日出願）に開示されているように粉末又は錠剤としてるつぼに加えられる。そこでは燐光体又はシンチレータプレートの厚さ方向の組成の変化が全く望まれないときであっても、原材料は前述のように物理蒸着工程中に消耗されることは明らかであると述べられている。それゆえ、るつぼの“補給”はさらなる蒸発工程中の均一性を維持するため、粉末の形で、粒子又は結晶の形で又はケークとなった粉末又は粒子混合物を含有する芳香剤（ｐａｓｔｉｌｌｅｓ）の形での原材料成分の添加によって与えられる。そうでなければドーパント（ユウロピウム）濃度の差は被覆工程がさらに続いている間に現れるかもしれない。るつぼを“補給する”ための方法は例えばＵＳ−Ａ  ４４３０３６６，ＤＥ−Ａ  １９８５２３６２及びＵＳ−Ａ  ２００３／００２４４７９に記載されている。利用可能な補給ユニットの例は前記ＥＰ出願Ｎｏ．０３１００７２３（２００３年３月２０日出願）に、特に図８及び９に示され、そこでは他の図にも適用可能である非限定的な例として、材料供給の源（２６）及び原材料供給のためのガイド機構（２７）が真空蒸着チャンバーに装着される。
【００２３】
るつぼ又はボートに含まれる原材料に関して、前記原材料はアルカリハライド、アルカリ土類ハライド、土類金属のハライド、オキシド又はオキシハライド、ランタノイド系元素の群のハライド、オキシド又はオキシハライド及びそれらの組合せから選択される。さらに、これらの原材料は冷却された支持体上に後で蒸発及び蒸着するために設計された高い処理温度（少なくとも３００℃、より好ましくは少なくとも４５０℃、最も好ましくは７００−９００℃までの範囲）で溶融すべきであることは明らかである。例えばるつぼに含有される原材料及びるつぼ材料の“混合溶融”結晶の形成は明らかに認識されるべきではない。蒸着された層中のるつぼ材料の存在は望ましくない汚染の源であるからである。物理的に不活性であることに加えて、カバー材料並びにるつぼ材料は化学的に不活性であるべきであること、接触する原材料とるつぼ材料の間の化学反応が不可能であるべきであることは明らかであり、そうでなければ冷却された支持体上への蒸着化合物の組成は制御下にないだろうし、かかる制御できない組成に加えて、蒸着された層の均一性も制御外であるだろう。均一性のため、特に蒸着された燐光体又はシンチレータ層全体のドーパント分布の均一性のため、ＷＯ  ００／１６９０４（２０００年６月１９日出願）及びＥＰ出願Ｎｏ．０３１０４８４２及び０３１０４８５９（ともに２００３年１２月１９日出願）及びＥＰ出願Ｎｏ．０４１００６７５，０４１００６７８及び０４１００６７９（全て２００４年２月２０日出願）に開示された方法に従うことが推奨される。例えばＥＰ出願Ｎｏ．０３１０４８４２のようなそれらの公開されていない出願では、支持体及び貯蔵燐光体層を含む光刺激性燐光体スクリーン又はパネルに使用するための貯蔵燐光体を製造するための方法が開示され、所望の燐光体組成を与えるため、特に粒子サイズに関して最適な感度を有するＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋を作るために前記マトリックス成分と活性化剤成分を化学量論比で混合する工程で開始して、ドーパント又は活性化剤は非晶質及び結晶燐光体に同様に均一に混入される。ＥＰ出願Ｎｏ．０３１０４８５９では高エネルギー放射線によって作られた被写体の像を記録及び再現するための像形成方法に使用するために好適な粉末燐光体又は蒸着された針状燐光体のような燐光体を与えるためにＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体及びスクリーン又はパネルの製造方法が開示されており、前記ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体はその結晶構造には酸素が本質的に存在しないものであり、ＸはＢｒ，Ｃｌ及びそれらの組合せからなる群から選択されるハロゲン化物を表わし、前記方法は組成としてＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ′（式中、ｙに対するｘの比は０．２５の値であり、α≧２であり、Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組合せからなる群から選択されたハロゲン化物である）を有する化合物又は化合物の組合せとＣｓＸを混合し、前記混合物を４５０℃以上の温度で加熱し、前記混合物を冷却し、所望により前記ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体をアニール及び回収する工程を含む。
【００２４】
ＥＰ出願Ｎｏ．０４１００６７５では、高い相対感度のために刺激性燐光体スクリーン又はパネルの被覆された層に使用するために好適な貯蔵燐光体粒子が燐光体粒子の表面において及びそれらの内部容積において前記燐光体を構成する成分として均一に混入されるドーパント又は活性化剤要素及びマトリックス成分を有利に含有し、そこでは２：１より大きいアスペクト比を有する粒子が好ましく、前記アスペクト比は前記粒子の２つの最大サイズの比として規定され、前記サイズは互いに垂直な３次元をとり、前記二つの最大サイズの一方は１０μｍより小さい。
【００２５】
ＥＰ出願Ｎｏ．０４１００６７８では、ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体及びスクリーン又はパネルの製造方法が記載され、前記スクリーン又はパネルは高エネルギー放射線によって作られた被写体の像を記録及び再現するための像形成方法に使用するために好適な粉末燐光体又は蒸着された針状燐光体のような前記燐光体を与えられ、前記ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体はそれらの結晶構造において酸素を本質的に含まず、ＸはＢｒ，Ｃｌ及びそれらの組合せからなる群から選択されるハロゲン化物を表わし、前記方法は組成としてＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ′（式中、ｙに対するｘの比は０．２５の値を越え、α≧２であり、Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組合せからなる群から選択されたハロゲン化物である）を有する出発化合物又はそれらの組合せを利用し、前記混合物を４５０℃以上の温度で加熱し、前記混合物を冷却し、所望により前記ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体をアニール及び回収する工程をさらに含む。
【００２６】
ＥＰ出願Ｎｏ．０４１００６７９では、ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体及びスクリーン又はパネルの製造方法が記載され、それらのスクリーン又はパネルは高エネルギー放射線によって作られた被写体の像を記録及び再現するための像形成方法に使用するために好適な粉末燐光体又は蒸着された針状燐光体のような前記燐光体を与えられ、前記ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体はそれらの結晶構造において酸素を本質的に含まず、ＸはＢｒ，Ｃｌ及びそれらの組合せからなる群から選択されるハロゲン化物を表わし、前記方法は組成としてＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ′（式中、ｙに対するｘの比は０．２５の値を越え、α≧２であり、Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組合せからなる群から選択されたハロゲン化物である）を有する化合物又はそれらの組合せとＣｓＸを混合し、前記混合物を４５０℃以上の温度で加熱し、前記混合物を冷却し、所望により前記ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体をアニール及び回収する工程をさらに含む。
【００２７】
光刺激性燐光体は酸化アルミニウム、二酸化シリコン、及び／又は酸化ジルコニウムの如き金属酸化物をセシウム１ｍｏｌあたり０．５ｍｏｌ以下の量で含有してもよい。さらに少量のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）及びアルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の各々を示されているようにそれぞれ１０ｐｐｍ未満及び２ｐｐｍ未満の量でＣｓＢｒ：Ｅｕマトリックスに存在させてもよい。Ｅｕ以外の希土類元素の各々及び他の元素の各々を通常の条件下ではそれぞれ２０ｐｐｍ未満及び１０ｐｐｍ未満の量で同じＣｓＢｒ：Ｅｕマトリックスにさらに存在させてもよい。
【００２８】
本発明によるアセンブリはそのさらに有利な例ではガイドプレートを与えられる。図１，２及び４に示されたガイドプレート（６）は支持体の方へ蒸気流を向け、（もし支持体に蒸着されないなら）材料の損失を避ける。
【００２９】
実施例
本発明をその好ましい例と関連して以下に記載するが、本発明をそれらの例に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【００３０】
比較例１
この比較例は光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ像形成プレートを得るために行われる従来技術の方法を記載する。
【００３１】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体層は原材料としてＣｓＢｒ及びＥｕＯＢｒの混合物から出発して支持体の中心を通り支持体に垂直な軸のまわりに回転する陽極酸化アルミニウム支持体上に熱蒸着によって真空チャンバー内で蒸着された。
【００３２】
支持体は２８０μｍの厚さ、１８ｃｍの幅及び２４ｃｍの長さを有する陽極酸化アルミニウムであった。アルミニウム支持体はモータによってその軸のまわりに制御された方法で回転する支持体ホルダーに対して装着された。アルミニウムは１分あたり１２回転の角速度で回転していた。支持体は２４０℃の抵抗加熱された加熱プレートによって加熱された。
【００３３】
ＣｓＢｒ／ＥｕＯＢｒ＝９９．５％／０．５％重量％比率のＣｓＢｒ及びＥｕＯＢｒの混合物を蒸発させるための原材料混合物として使用された。
【００３４】
混合物は折り曲げられたタンタルるつぼ（１）に置かれた。るつぼの容器（２）は１５０ｍｍの長さ、６０ｍｍの幅及び３５ｍｍの深さを有していた。るつぼ及び電極を接続するため、るつぼはるつぼの両側に２５ｍｍの長さ及び６０ｍｍの幅を有するリップ（３）を有していた。るつぼ（１）は６０ｍｍ×２００ｍｍの寸法を有するカバープレート（４）でカバーされ、さらに１００ｍｍの長さ及び７ｍｍの幅を有する一つのスリット（５）をその中に有していた。るつぼ（１）は蒸気流を支持体の方へ案内するガイドプレートをさらに与えられた。容器と支持体の距離は約１５ｃｍであった。るつぼは回転する支持体の縁によって規定される円の円周内に置かれた。
【００３５】
真空圧力下（真空チャンバー中へのアルゴンガスの連続入口と前記アルゴンガスを排気するための連続ポンピングの間の平衡として２×１０−１Ｐａの圧力が維持された）でかつ蒸気源の十分に高い温度（タンタルカバーで保護された熱電対で測定すると７１０℃）で、得られた蒸気は回転する支持体の方へ向けられ、その上に蒸着された。
【００３６】
２１１ｍｇ／ｃｍ２の被覆量を有するＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光体層が支持体上に蒸着された。
【００３７】
刺激性燐光体層はＵＶ放射線下で青いルミネセンスを示す。
【００３８】
スクリーンの感度は以下の方法で測定された：スクリーンは８０ｋＶｐで約５０ｍＲの線量で均一に露光された。読み出しは飛点走査装置でなされた。走査装置では、走査光源は６８５ｎｍで放出する３０ｍＷダイオードレーザーであった。誘電層で両側を被覆された３ｍｍ  ＢＧ−３９（Ｓｃｈｏｔｔの登録商標）フィルターが使用され、刺激光をスクリーン放出光から効率的に分離した。走査平均レベル（ＳＡＬ）は光刺激管におけるスクリーンフィールドによって生成される平均信号として測定された。この平均信号はＡｇｆａ粉末像形成プレートによって生成される信号と比較された。Ａｇｆａ粉末像形成プレートと比較すると４３６％の感度が得られ、顕著なスピードの増加を表している！
【００３９】
本発明例２−９
るつぼカバー（４）及びるつぼ（１）の間に４６ｍｍの幅を有する更に折りたたまれたタンタルプレート（７）が図４及び５に示されているように固定された以外、比較例１と同じ実験を行った。この内部タンタルプレート（７）は図４及び５に示すように容器中に来るような方法で折りたたまれた。
【００４０】
本発明例２−９ではるつぼの上側と内部プレートの間の距離は以下の表１に示すように変化させた。
【００４１】
【表１】
2005029896.tif 000002
【００４２】
るつぼにおけるより均一な温度分布（るつぼが均一に輝くのが視覚的に観察された）を別として、るつぼの上部から内部プレート７への距離が表１中の数字から結論づけられるように減少するとき、内部タンタルプレート（７）の存在は蒸着されたプレートの感度を増加する。
【００４３】
るつぼの上部と内部タンタルプレート（７）の間の距離が小さくなると、内部タンタルプレートのないプレート感度に対して優れたかつ顕著に改良されたスピードを明らかに与え、針状燐光体と粉末燐光体の間のスピード差をさらに増加させる。
【００４４】
本発明の好ましい例を詳細に記載したが、特許請求の範囲に規定された発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をなしうることが当業者には明らかであるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】改良されたるつぼ構成の３Ｄ図を示し、図中、（１）は折り曲げられたタンタルるつぼを表し、（２）はるつぼの容器、（３）は（るつぼの両側に存在する）リップ、（４）は内部に（５）スリットを有するカバープレートを示す。ガイドプレート（６）はさらに蒸気流を支持体の方に向ける。
【図２】（図１から位置Ａで切断した）側面図を示す。
【図３】（図１から位置Ｂで切断した）正面図を示す。
【図４】内部に位置された折り曲げられたタンタルプレート（７）を有する本発明るつぼ構成のための（位置Ａで切断した）側面図を示す。
【図５】図４のように内部に位置された折りたたまれたタンタルプレート（７）を有する同じ発明のるつぼ構成のための（位置Ｂで切断した）正面図を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１  折り曲げられたタンタルるつぼ
２  るつぼの容器
３  リップ（るつぼの両側に存在）
４  カバープレート
５  カバープレート中のスリット
６  ガイドプレート
【図１】
2005029896.tif 000003
【図２】
2005029896.tif 000004
【図３】
2005029896.tif 000005
【図４】
2005029896.tif 000006
【図５】
2005029896.tif 000007
【外国語明細書】
2005029896.tif 000008
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