(57)【要約】      （修正有）【課題】遮光膜の凹凸によって生ずる配向不良を防止するために、電極の平坦化を可能にし、電極上に形成された配向膜を平坦化することにより表示性能を向上させる。【解決手段】スイッチング素子が形成された基板１０に対向する対向基板２０上に形成されるパターン化された遮光膜２３と、前記遮光膜２３を含む前記基板２０上に形成されて、表面が平坦化された電極２１とを具備した。電極の平坦化は研磨することによって平坦化する。【選択図】図１
2005202289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板と、
前記基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、
前記遮光膜を含む前記基板上に形成されて、表面が平坦化された電極とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記基板と前記電極との間に形成される反射防止膜を更に具備したことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記反射防止膜は、前記電極の屈折率と前記基板の屈折率との中間の屈折率であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
→効果：屈折率差の大きな界面が設けられないため、反射率も小さい。
【請求項５】
前記反射防止膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、
前記遮光膜を含む前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記遮光膜が形成されていない領域に形成されると共に、前記遮光膜上にある前記絶縁膜の表面と同一平面である表面を有する電極とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、
前記遮光膜を含む前記基板上に電極材料の膜を形成する工程と、
前記電極材料の膜を平坦化して電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、
前記遮光膜を含む前記基板上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上に電極材料の膜を形成する工程と、
前記電極材料の膜を平坦化して電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、
前記遮光膜を含む前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記遮光膜と前記絶縁膜を含む前記対向基板上に電極材料を形成する工程と、
前記電極材料表面を平坦化処理のために削ることにより、前記遮光膜上にある前記絶縁膜の表面と同一平面である表面を有する電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記電極を形成する工程は、前記電極材料の膜を研磨処理することによって、前記電極材料の膜を平坦化することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１つに記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記反射防止膜の膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
上記請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電気光学装置用基板を用いて構成したことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光を画像信号に応じて変調する液晶パネル等に好適な電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置では、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ素子によってマトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
なお、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板（素子基板ともいう））及び他方の基板（対向基板）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施す。
【０００５】
また、対向基板側には、ＴＦＴ素子部分に光が入射することによって起きる表示上の不具合や、ＴＦＴ素子構造によって発生する非配向領域によるコントラストの低下、色材の混色防止のために、いわゆるブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜が形成されている。
【特許文献１】特開平６−２７４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、対向基板は、ガラス又は石英基板上に、上述した遮光膜が形成され、遮光膜上に対向電極が形成され、更に対向電極上に配向膜が形成されて構成される。遮光膜は素子基板側に形成する配線領域及びＴＦＴ素子形成領域等に対向して形成されて、これらの領域への光の入射を阻止する。このような遮光膜のパターニングによって、対向電極は遮光膜形成領域に沿って凹凸を有する。従って、対向基板側の配向膜にも遮光膜に沿った凹凸が生じる。このため、配向膜に対するラビング処理が不均一となり、配向不良が生じることがあるという問題点があった。
【０００７】
また、対向基板側から入射する光は、石英基板、対向電極及び配向膜を通過して液晶層に入射する。ところが、石英基板の屈折率と対向電極を構成するＩＴＯとの屈折率との屈折率差が比較的大きいことから、石英基板と対向基板との界面において反射が生じてしまうという問題点もあった。なお、石英基板とＩＴＯ電極との間に膜を形成したものとして、特許文献１の装置が開示されている。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、電極の平坦化を可能にすることにより表示性能を向上させることができる電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板は、スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板と、前記基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、前記遮光膜を含む前記基板上に形成されて、表面が平坦化された電極とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、基板上にはパターン化された遮光膜が形成されている。遮光膜を含む基板上には電極が形成され、電極は平坦化されている。遮光膜を含む基板上は、パターン化された遮光膜によって凹凸を有する。しかし、遮光膜を含む基板上に形成された電極は表面が平坦化されていることから、例えば、電極上に配向膜等を形成する場合でも、配向膜を平坦化することができる。これにより、ラビングの均一化を図ることができ、表示性能の向上に寄与することができる。
【００１１】
また、前記電極は、透明電極であることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、電極が透明であるので、電極を介して光を通過させることができ、電気光学装置に用いることができる。
【００１３】
また、前記基板と前記電極との間に形成される反射防止膜を更に具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、基板と電極相互間に反射防止膜が介在することになり、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができる。これにより、表示性能の向上に寄与することができる。
【００１５】
また、前記反射防止膜は、前記電極の屈折率と前記基板の屈折率との中間の屈折率であることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、屈折率差の大きな界面が設けられないことから、反射率を低減させることができる。
【００１７】
また、前記反射防止膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、窒化シリコン膜が基板と電極との間に介在することで、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができる。
【００１９】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、基板と、前記基板上に形成されるパターン化された遮光膜と、前記遮光膜を含む前記基板上に形成された絶縁膜と、前記遮光膜が形成されていない領域に形成されると共に、前記遮光膜上にある前記絶縁膜の表面と同一平面である表面を有する電極とを具備したことを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、基板上には遮光膜が形成され、遮光膜相互間には、基板上に絶縁膜を介して電極が形成される。電極は平坦化されており、例えば、電極上に配向膜等を形成する場合でも、配向膜を平坦化することができる。これにより、ラビングの均一化を図ることができ、表示性能の向上に寄与することができる。また、絶縁膜によって光の反射を抑制することも可能である。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、前記遮光膜を含む前記基板上に電極材料の膜を形成する工程と、前記電極材料の膜を平坦化して電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、基板上にパターン化された遮光膜が形成される。遮光膜を含む基板上には電極材料の膜が形成され、更に、電極材料の膜が平坦化されて電極が形成される。これにより、基板上の遮光膜による凹凸が電極表面に現れなくなる。これにより、例えば、電極上に配向膜等を形成する場合には、配向膜を平坦化することができ、ラビングの均一化を図ることができる。
【００２３】
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、スイッチング素子が形成された素子基板と対向する対向側の基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、前記遮光膜を含む前記基板上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に電極材料の膜を形成する工程と、前記電極材料の膜を平坦化して電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、遮光膜上及び遮光膜相互間に反射防止膜が形成される。反射防止膜上に電極材料の膜が形成され、電極材料の膜が平坦化されて電極が形成される。反射防止膜によって、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができ、平坦化された電極によって配向不良を防止することができる。
【００２５】
また、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に遮光膜をパターン化して形成する工程と、前記遮光膜を含む前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記遮光膜と前記絶縁膜を含む前記対向基板上に電極材料を形成する工程と、前記電極材料表面を平坦化処理のために削ることにより、前記遮光膜上にある前記絶縁膜の表面と同一平面である表面を有する電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、遮光膜上及び遮光膜相互間に絶縁膜が形成される。絶縁膜上に電極材料の膜が形成され、電極材料の膜が平坦化されて電極が形成される。絶縁膜によって、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができ、平坦化された電極によって配向不良を防止することができる。
【００２７】
また、前記電極を形成する工程は、前記電極材料の膜を研磨処理することによって、前記電極材料の膜を平坦化することを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、遮光膜上の電気材料の膜が研磨されることによって、電極が平坦化される。
【００２９】
前記反射防止膜の膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、基板と電極相互間に窒化シリコン膜が介在することになり、基板から電極に入射する光の反射を抑制することができる。これにより、表示性能の向上に寄与することができる。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置用基板又は上記電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造した電気光学装置用基板を用いて構成したことを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、電気光学装置用基板の電極が平坦化されているので、例えば、電極上に配向膜を形成した場合には、配向膜に対するラビングを均一化することができ、表示性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の断面を模式的に示す断面図である。本実施の形態は電気光学装置用基板を液晶装置の対向基板に適用したものである。図２はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態の対向基板側から見た平面図であり、図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。図４は本実施の形態の電気光学装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図５は図１の電気光学装置用基板の製造方法を工程順に示す工程図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３４】
先ず、図２乃至図４を参照して本実施の形態の電気光学装置用基板である対向基板を用いて構成した液晶装置の全体構成について説明する。
【００３５】
液晶装置は、図２及び図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置された素子基板１０と対向基板２０とは、シール材４１によって貼り合わされている。
【００３６】
素子基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。素子基板１０の画素電極９ａ上には、配向処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、配向処理が施された配向膜２２が設けられている。
【００３７】
図４は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。図４に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３８】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３９】
画素電極９ａは、素子基板１０上にマトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、図示しないチャネル領域に対向して形成されている。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線３ａに接続されたゲート電極とチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００４０】
図１において、対向基板２０は、素子基板１０のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において所謂ブラックマトリクスを構成する第１遮光膜２３が形成されている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域及び図示しないソース領域，ドレイン領域等に入射することが防止される。
【００４１】
対向基板２０上及び第１遮光膜２３上には、全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が形成されている。本実施の形態においては、対向電極２１は、表面が平坦化されている。
【００４２】
図３に示すように、対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。
【００４３】
ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００４４】
図２及び図３に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００４５】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口７８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００４６】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００４７】
次に、パネル組立工程について説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。ＩＴＯによる電極９ａ，２１までが形成された素子基板１０及び対向基板２０に対して、配向膜１６，２２となるポリイミドを塗布する。次に、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施す。
【００４８】
次に、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了すると、素子基板１０又は対向基板２０上にシール材４１、及び導通材６５（図２参照）を形成する。シール材４１を形成した後、次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。最後に、シール材４１の一部に設けた切り欠き（液晶注入口７８）から液晶を封入し、封止材７９によって切り欠きを塞いで液晶を封止する。
【００４９】
このように構成された実施の形態においては、対向基板２０は、全面に形成される対向電極２１が平坦化されている。従って、対向電極２１上に形成される配向膜２２も平坦に形成される。従って、配向膜２２に対するラビング処理において、基板２０全面に亘って均一なラビングが行われることになり、配向不良の発生が防止される。
【００５０】
次に、このように構成された実施の形態の製造方法について図５の工程図を参照して説明する。図５は対向基板工程を示している。
【００５１】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に、遮光膜材料を形成する。次に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、遮光膜材料をパターン化する。図５（ａ）はパターン化された第１遮光膜２３を示している。第１遮光膜２３の膜厚は例えば１００ｎｍに設定する。
【００５２】
次に、基板２０及び遮光膜２３上に、スパッタ処理等により、基板２０の全域に亘ってＩＴＯ膜等の透明導電性膜２１’を堆積する（図５（ｂ））。次に、透明性導電膜２１’をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の研磨処理によって平坦にして対向電極２１を形成する。なお、対向電極２１の膜厚は例えば約１４０ｎｍに設定する。こうして、図５（ｃ）に示すように、表面が平坦化された対向電極２１が得られる。
【００５３】
このように、本実施の形態においては、基板及び遮光膜上に表面が平坦化された対向電極を形成する。これにより、対向電極上に形成する配向膜を平坦化することができ、基板全面に亘って均一なラビングを可能にして配向不良の発生を防止することができる。
【００５４】
第１の実施の形態においては、基板２０上に直接対向電極２１を形成する例について説明した。これに対し、基板２０と対向電極２１との間に反射防止膜として窒化シリコン膜等を介在させることで、基板２０から対向電極２１に入射する光の反射を抑制することができる。
【００５５】
図６は本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図であり、基板と対向電極との間に反射防止膜又は絶縁膜としての窒化シリコン膜を介在させた例を示している。図６において図５と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００５６】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に、遮光膜材料を形成する。次に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、遮光膜材料をパターン化する。図６（ａ）はパターン化された第１遮光膜２３を示している。第１遮光膜２３の膜厚は例えば１００ｎｍに設定する。
【００５７】
次に、基板２０及び遮光膜２３上に、窒化シリコン膜８３を形成する。窒化シリコン膜８３は例えば１５０ｎｍの膜厚で形成する。これにより、遮光膜２３は基板２０表面を覆う（図６（ｂ））。なお、窒化シリコン膜８３としては、例えば、屈折率が１．８〜２．０の材料を用いる。
【００５８】
次に、窒化シリコン膜８３上に、スパッタ処理等により、基板２０の全域に亘ってＩＴＯ膜等の透明導電性膜２１’を堆積する（図６（ｃ））。次に、透明導電成膜２１’をＣＭＰ処理等の研磨処理によって平坦にし、例えば厚さが約１４０ｎｍの対向電極２１を形成する（図６（ｄ））。こうして、図６（ｄ）に示すように、基板２０と対向電極２１との間に反射防止膜又は絶縁膜である窒化シリコン膜を形成し、且つ対向電極２１を平坦化した電気光学装置用基板を製造することができる。
【００５９】
このように、本実施の形態においても、基板及び遮光膜上に表面が平坦化された対向電極を形成することができる。これにより、対向電極上に形成する配向膜を平坦化することができ、基板全面に亘って均一なラビングを可能にして配向不良の発生を防止することができる。
【００６０】
また、基板とＩＴＯによって構成される対向電極との間に、屈折率が１．８〜２．０の窒化シリコン膜を形成しているので、対向電極に入射される光の反射を防止することもできる。
【００６１】
ところで、図６では反射防止膜又は絶縁膜である窒化シリコン膜８３が第１遮光膜２３上に残るように、ＣＭＰを実施した。これに対し、第１遮光膜２３表面と略面一に対向電極２１を残すように、ＣＭＰを実施することも可能である。図７はこの場合の電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図である。図７において図６と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００６２】
用意したガラス又は石英による基板２０上の全面に、遮光膜材料を形成する。次に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、遮光膜材料をパターン化する（図７（ａ））。次に、基板２０及び遮光膜２３上に、窒化シリコン膜８３を形成する（図７（ｂ））。
【００６３】
次に、窒化シリコン膜８３上に、スパッタ処理等により、基板２０の全域に亘ってＩＴＯ膜等の透明導電性膜２１”を堆積する（図７（ｃ））。次に、透明導電成膜２１’をＣＭＰ処理等の研磨処理によって平坦にする（図６（ｄ））。この場合には、図６（ｄ）に示すように、積層された窒化シリコン膜８３及び対向電極２１”の和の膜厚が略第１遮光膜２３の膜厚と同様になるように形成する。
【００６４】
この場合には、対向電極２１”は、第１遮光膜２３によって分断されるので、基板の縁辺部等において、分断された対向電極２１”同士を電気的に接続する必要がある。
【００６５】
なお、素子基板側を図７と同様の構成にする場合には、画素電極は遮光膜によって分断されていてよい。図８はこの場合の一例を示すものであり、図８（ａ）乃至（ｄ）は、夫々図７（ａ）乃至（ｄ）に対応している。
【００６６】
図８（ａ）に示すように、用意したガラス又は石英による基板１０’上の全面に遮光膜材料を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、パターン化した遮光膜９１を形成する。次に、基板１０’及び遮光膜９１上に、窒化シリコン膜９３を形成する（図８（ｂ））。
【００６７】
次に、窒化シリコン膜９３上に、スパッタ処理等により、基板１０’の全域に亘ってＩＴＯ膜等の透明導電性膜９ａ’を堆積する（図８（ｃ））。次に、透明導電成膜９ａ’をＣＭＰ処理等の研磨処理によって平坦にする（図８（ｄ））。この場合には、図８（ｄ）に示すように、積層された窒化シリコン膜９３及び画素電極９ａ”の和の膜厚が略第１遮光膜９１の膜厚と同様になるように形成する。このように、図７及び図８の例では、図６の場合よりも研磨処理をさらに進めて、電極が遮光膜によって分断される。
【００６８】
特に、表面を平坦化する電極の最終膜厚を、光学的な光干渉を考慮して透過率が最大になる最適膜厚８０ｎｍ程度に薄くする場合において、窒化シリコン膜を形成しないときには、ＣＭＰ等の平坦化後に遮光膜も（８０ｎｍ程度に）薄くなってしまい、遮光膜の遮光性能が低下する。これに対し、第２の実施の形態においては、ＣＭＰによって、絶縁膜（窒化シリコン膜）の一部（遮光膜上の絶縁膜）も平坦化を行うことにより、遮光膜の膜厚に拘わらず遮光性能が劣化するまで遮光膜を薄くする必要が無い。即ち、窒化シリコン膜は、反射防止膜としてだけではなく、電極と遮光膜の各膜厚を独立に最適に調整するための絶縁膜として機能している。
【００６９】
なお、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の断面を模式的に示す断面図。
【図２】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態の対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】本実施の形態の電気光学装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】図１の電気光学装置用基板の製造方法を工程順に示す工程図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を示す工程図。
【図７】本発明の第２の実施の形態の変形例を示す工程図。
【図８】本発明の第２の実施の形態の変形例を示す工程図。
【符号の説明】
【００７１】
２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜。
【図１】
2005202289.tif 000003
【図２】
2005202289.tif 000004
【図３】
2005202289.tif 000005
【図４】
2005202289.tif 000006
【図５】
2005202289.tif 000007
【図６】
2005202289.tif 000008
【図７】
2005202289.tif 000009
【図８】
2005202289.tif 000010