(57)【要約】【課題】  本発明においては、ＥＵＶ光源から放射される全光線の波長強度分布を得ることのできるＥＵＶ光源スペクトル計測装置を提供することを課題とする。【解決手段】  上記の課題を解決するために、本発明は、ＥＵＶ光源から発散される発散光のスペクトルを測定するＥＵＶ光源スペクトル計測装置において、前記発散光を減光する減光手段と、減光された発散光のうち所望の波長帯域の発散光のみを選択する分光手段と、前記分散光の光量を熱エネルギーとして検出する検出手段を有することを特徴とするＥＵＶ光源スペクトル計測装置を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源から発散される発散光のスペクトルを測定するＥＵＶ光源スペクトル計測装置において、
前記発散光を減光する減光手段と、減光された発散光のうち所望の波長帯域の発散光のみを選択する分光手段と、前記選択された発散光の光量を熱エネルギーとして検出する検出手段を有することを特徴とするＥＵＶ光源スペクトル計測装置。
【請求項２】
前記減光手段はピンホールアレイであることを特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光源スペクトル計測装置。
【請求項３】
前記ピンホールアレイの開口径は、光量計測を行う前記発散光の波長より大きいことを特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光源スペクトル計測装置。
【請求項４】
前記検出手段はカロリーメータであることを特徴とする請求項１記載の計測装置。
【請求項５】
前記減光手段と前記分光手段と前記検出手段は、共通の真空容器内に設置され、当該真空容器の内壁は当該発散光に対する反射係数が０．１以下となるようにされていることを特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光源スペクトル計測装置。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載のＥＵＶ光源スペクトル計測装置を用いてＥＵＶ光源のスペクトル計測をする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ光露光装置に用いられるＥＵＶ光源より照射される真空紫外領域から赤外領域までの広範囲な波長のスペクトルを計測するスペクトル計測装置に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。縮小投影露光において転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【０００３】
しかし半導体素子は急速に微細化しており、紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。図１１はＥＵＶ光を用いた露光装置の概念図である。
【０００４】
ＥＵＶ光源としては、たとえばレーザープラズマ（ＬＰＰ）方式の光源とディスチャージ（ＤＰＰ）方式が用いられる。
【０００５】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、真空容器中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。ターゲットから放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【０００６】
一方、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源は、電極間にＸｅｎｏｎ等のガスを流して放電させることでプラズマを生成し、ＥＵＶ光を発生させる。
【０００７】
ＥＵＶ光を露光に用いる場合、通常の金属性のミラーや石英性のレンズなどを用いた場合には、ＥＵＶ光が吸収されてしまう。このため、ＥＵＶ光に対しては、ＭｏとＳｉの膜の対を２０層ほど積層させた多層膜ミラーが用いられる。多層膜ミラーは一般には波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が高くなるようにミラーを構成する各層の厚みが調整されており、他の波長のＥＵＶ光はミラーに吸収される。
【０００８】
ＥＵＶ露光装置内の光学系は数枚の多層膜ミラーを用いて形成される。また、特にＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、ターゲットから放射されるＥＵＶ光を効率よく利用するために、発光点の周囲に多層膜ミラーによる集光ミラーが設けられており、発生したＥＵＶ光を所定の光束に集光して用いている。
【０００９】
レーザープラズマ方式のＥＵＶ光源からは、露光のために用いられる特定波長のＥＵＶ光だけでなく、その帯域外のＥＵＶ光やＸ線、紫外光、可視光、赤外光などの広い範囲にわたる波長域の光が放出される。このため、多層膜ミラーで反射されない帯域外のＥＵＶ光やＸ線は多層膜ミラーに吸収され、ミラーの温度上昇を引き起こす。また、紫外光は真空容器内の残留ガスを活性化し、上記集光ミラー上の汚染物質堆積を促進する。可視域〜赤外域の光は露光装置内の光学系を形成する多層膜ミラーで反射されてウェハまで到達し、レジストに吸収されることでウェハを熱膨張させ、露光時の重ね合わせ精度を低下させる可能性がある。
【００１０】
このため、ＥＵＶ光を用いた露光装置を設計し、また露光を行うためには、ＥＵＶ光源から放射される光の広帯域スペクトル測定を行い、各波長域で放出される光の強度を精密に測定する必要がある。
【００１１】
ＥＵＶ光源から放射されるＥＵＶ光の測定について、特開２００２−１７５９８０には図１２に記載されているような装置が開示されている。図１２において、放射されたＥＵＶ光を絞りで減光した後、多層膜ミラーで反射し、さらに測定の対象となるＥＵＶ光のみを透過するＥＵＶフィルタを経てＣＣＤアレイに到達して測定される。
【００１２】
また、図１３に示すような斜入射分光システムでは、所定の波長域のＥＵＶ光のスペクトルの詳細が測定できる。この方式では、２枚の多層膜ミラーにＥＵＶ光を斜入射させることで、多層膜ミラーをフィルタとして用いている。このシステムでは５〜５０ｎｍ程度の波長域で観測可能であり、波長分解能（λ／Δλ）を５００以上にできるため、詳細なスペクトル形状を測定することができる。
【特許文献１】特開２００２−１７５９８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記いずれの計測装置においてもＥＵＶ光源から放出される光束の一部のみについて、比較的狭い範囲の波長域に関しての計測をしている。このため、ＥＵＶ光源から放出される光束全体の広帯域スペクトル測定を行い、その絶対強度を知ることは困難である。この結果、ＥＵＶ光を用いた露光装置を設計し、また安定して露光を行うために必要なＥＵＶ光源から放射される赤外線領域まで含めた全光線の波長強度分布を得ることができなかった。
【００１４】
本発明においては、ＥＵＶ光源から放射される全光線の波長強度分布を得ることのできるＥＵＶ光源スペクトル計測装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明は、ＥＵＶ光源から発散される発散光のスペクトルを測定するＥＵＶ光源スペクトル計測装置において、前記発散光を減光する減光手段と、減光された発散光のうち所望の波長帯域の発散光のみを選択する分光手段と、前記分散光の光量を熱エネルギーとして検出する検出手段を有することを特徴とするＥＵＶ光源スペクトル計測装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
上記手段を用いることにより、ＥＵＶ光源から発散される発散光に含まれる各特定波長帯域の光線の絶対光量の計測を行うことが可能となり、その計測結果から当該ＥＵＶ光源の発生する光束のスペクトルを得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態ではＥＵＶ光源から放射される全光線についての波長強度分布を得ることのできるＥＵＶ光源スペクトル計測装置とそれを用いた計測手順について説明する。
【００１８】
図１は本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置により、ＥＵＶ光源の一方式であるレーザープラズマ光源の光量計測を行う際の概要図である。
【００１９】
ＥＵＶ光源スペクトル計測装置の計測チャンバ１７内においては、アパーチャ１６を通り入射したＥＵＶ光源からの光線１８がピンホールアレイ１により減光され、さらに測定する光線の波長を選択するためのフィルタ２及びフィルタ３を通過した後に、光量検出器４に入射する。ＥＵＶ光は、計測チャンバ１７内に存在するガス分子によっても吸収されて減衰するため、測定精度を向上するためには計測チャンバ１７内は高真空に排気されていることが望ましい。
【００２０】
ピンホールアレイ１は、計測チャンバ１７内に略全量入射するＥＵＶ光源からの光線を測定に適した光量に調整する機能を有する。図２は、ピンホールアレイ１の一例を示している。計測チャンバ１７内には図２に示すような複数枚のピンホールアレイ１が選択可能な状態で収納されており、ＥＵＶ光源から入射する光線を、例えば１／１０、１／１００、１／１０００というように、所定の割合に減衰させることができる。また、減衰をさせずに全量を通過させることも可能である。ピンホールアレイ１の切り替えは、モータ５によってピンホールアレイ１を移動することにより行う。ピンホールアレイ１による減衰率は、計測する光源の最大出力、光源の種類（ＬＰＰ、ＤＰＰなど）に応じて切り替えて使用し、測定器後段による測定に適した光量に調整される。
【００２１】
図３は、ピンホールアレイ１のアレイパターンの例を示す。図３（ａ）は全面均等ピッチによる同径ホールのパターン、図３（ｂ）はランダムなパターン、図３（ｃ）は集光ミラーの形状を考慮した径方向に均等に配置されたパターンである。これらピンホールアレイ１のパターンは、ピンホールアレイ１を通過した光線が不要な回折などを生じることなく、またフィルタ２−３や光量検出器４に局所的に光線が集中することが無いように選択される。また、開口率は測定器後段による測定に適した光量に調整されるように選択される。図４は、ピンホールアレイ１を使用しない場合の様子を示す。ＥＵＶ光源からの光線が弱い場合には、図４に示すようにピンホールアレイ１による光線の減衰を行わすに測定を行う。
【００２２】
ピンホールアレイ１とフィルタ２，３、又は検出器４の検収面との距離を考慮することで、フィルタ２，３、又は検出器４への放射光をぼかすことが望ましい。またピンホール径が小さいと透過しない波長があるので、ピンホールの径は計測する波長よりも大きいことが好ましく、特に波長の１０倍以上の径を有することが望ましい。
【００２３】
例えば、本実施例において検出器４として使用するカロリーメータの検出波長の上限に近い波長λ＝１０μｍの光線を測定する場合、ピンホールアレイ１（穴径ｄ＝φ０．１４ｍｍ）を使用し、検出器４の検収面との距離Ｌを４０ｍｍとすると、焦点面（検出面）でのボケ量はＬ×λ／ｄ＝２．９ｍｍとなり、光量検出器４に局所的な光線の集中を防止するのに十分である。ピンホール径のφ０．１４ｍｍは、被測定波長のλ＝１０μｍよりも十分に大きいため、ピンホールで光線を遮ることはない。
【００２４】
フィルタ２、３は、必要に応じて１枚又は２枚のフィルタを組み合わせて、測定を行いたい波長帯域の光線のみを通過させるために用いられる。通過させる光線の波長帯域を選択するためには、フィルタ材質、厚み等を変えることが有効である。フィルタの材質としては、測定する光の波長帯域に応じて、ＣａＦ２（蛍石）、ＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）、Ｓｉ、臭塩化タリウムや、特定の波長領域以下の光を吸収する物質を溶解した光学ガラスなどが選択して用いられる。
【００２５】
フィルタ２、３はそれぞれ計測チャンバ１７内に複数枚配置させる機構となっており、計測を行いたい所望の波長帯域を透過するフィルタ、及びフィルタを用いない状態がモータ５によって選択可能となっている。
【００２６】
ピンホールアレイ１によって減衰され、フィルタ２、３によって特定波長が切り出された後、入射光の光量は検出器４にて測定される。本実施形態においては、検出器４としてカロリーメータを使用している。図５は、本実施形態で使用したカロリーメータの各波長における吸収率を示す。図５に示すように、カロリーメータは広い波長帯域において９０％以上の吸収率で光を吸収し、その光量を測定することが可能である。その他に、ＣＣＤやフォトダイオードなども検出器として使用可能である。
【００２７】
以上で説明したアパーチャ１６、ピンホールアレイ１、ファイル２，３、検出器４などのＥＵＶ光源からの光束が照射される部分には、所定の温度以下に保つための冷却装置が設置されている。また、チャンバ内壁１９にはピンホールアレイ１によって反射された光（特に赤外光）の乱反射を抑えるために、光を吸収しやすい材質でコーティングしている。チャンバ内壁の反射係数は、計測される全ての波長域の光に対して概ね０．１以下になるようにされていれば、乱反射による計測誤差は許容される範囲である。
【００２８】
図１において、本実施形態において本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置によりスペクトル計測が行われるＥＵＶ光源の構成は以下のとおりである。尚、本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置は図１に示したＥＵＶ光源とは異なる構成を有するＥＵＶ光源にも適用可能なことは明らかである。
【００２９】
図１に示したＥＵＶ光源においては、ＥＵＶ光源チャンバ１４内にターゲット１０（例えばＸｅｎｏｎなど）を供給するノズル８が設けられてターゲット１０を供給する。レーザー発生装置１２より出射されターゲット１０上に集光されたパルスレーザー１３により、ターゲット１０はプラズマ７を生成してＥＵＶ光を含む光線を放射する。放射される光には、露光用として使用されるＥＵＶ光以外に、その帯域外のＥＵＶ光やＸ線、紫外光、可視光、赤外光と広い範囲にわたる波長域の光が含まれる。プラズマ生成に用いられたターゲット１０の大部分はターゲット回収機構９によって回収され、チャンバ外へ取り出される。
【００３０】
プラズマ７から放射され、露光用として使用される波長のＥＵＶ光の利用効率を上げるために回転楕円面の集光ミラー１１により集光される。集光ミラー１１としては、投影露光に用いる波長のＥＵＶ光に対して反射率が最大になるような膜厚のシリコン層とモリブデン層が既知の方法により交互に成膜されて構成されている多層膜ミラーが一般には使用される。このため、プラズマ７からの放射光の内の一部は上記の多層膜ミラーにより構成される集光ミラー１１によって反射されずに吸収され、本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置により測定される光束は集光ミラー１１により反射された光となる。
【００３１】
図１に示したＥＵＶ光源では、集光ミラー１１は回転楕円面を有しており、プラズマ７を生成する部分を一方の焦点とし、その反射光を集光点６に集光している。本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置は、図１に示したＥＵＶ光源とは異なる構成により、例えば平行光束を放射するＥＵＶ光源にも適用可能である。
【００３２】
ＥＵＶ光源チャンバ１４はベローズ１５によって計測チャンバ１７と接続されている。また、アパーチャ１６は集光点６の近傍に透過部を形成する。アパーチャ１６は、ＥＵＶ光源チャンバ１４内が、プラズマ７からの飛散物質による集光ミラー１１の汚染、損傷を軽減するためにＥＵＶ光源スペクトル計測装置の計測チャンバ１７内よりも高圧力の１０Ｐａ程度の圧力に保たれることが望ましいために、ＥＵＶ光源チャンバ１４から計測チャンバ１７へのガスの流入を軽減する目的で設けられる。
【００３３】
図１に示したＥＵＶ光源スペクトル計測装置による、ＥＵＶ光源からの光束のスペクトル測定方法について以下に説明する。
【００３４】
最初にＥＵＶ光源からの光束の全光量の測定を行う。図４に、ＥＵＶ光源から光束の全量を測定する際のＥＵＶ光源スペクトル計測装置の状態を示す。ＥＵＶ光源から光束の全量を測定するためには、図４に示すように、ピンホールアレイ１とフィルタ２，３を取り除いた状態で検出器４により測定を行う。
【００３５】
本実施形態で使用した検出器４はカロリーメータであり、図５に示すような検出感度を有している。つまり、波長１００ｎｍ以下の帯域では９５％以上、ＥＵＶ光ではほぼ１００％、長波長帯域で最小部分でも８８％以上，平均でも約９３％の感度を持っている。また、長波長帯域側では波長３０μｍ程度まで感度を有しているので、ＥＵＶ光源から放射される光束のほぼ全量である全光量Ｗｔがカロリーメータにより検知される。この検知結果を、図５に示したカロリーメータの波長に対する吸収率で補正することにより絶対光量Ｉｔが求められる。
【００３６】
尚、本実施形態においては、ピンホールアレイ１を取り除いて全光量Ｗｔを測定しているが、ＥＵＶ光源からの光量が多く、カロリーメータの容量を超える場合には、適当な減衰率を有するピンホールアレイ１を用いて測定を行ってもよい。
【００３７】
次に、上記で検知された全光量Ｗｔに基づいて、後に使用するフィルタ２，３が損傷しない光強度に減衰するためのピンホールアレイ１を選択する。図６には、一例として、減光率が１／１００のピンホールアレイ１を選択した場合のＥＵＶ光源スペクトル計測装置の状態を示す。選択したピンホールアレイ１の正確な減衰率を確認するためには、図６に示すように、フィルタ２，３を使用しないでＥＵＶ光源からの光量を再測定することが好ましい。図６に示す状態で計測を行うことにより、ピンホールアレイ１により検出器４にて検出される光量が光量Ｗｐ１に減光された場合、実際のピンホールアレイ１の減光率ＦはＷｐ１／Ｗｔで求めることができる。
【００３８】
次に、各周波数帯における光強度の計測を行う。図７に、特定の波長域の光量を測定するために、減光率が１／１００のピンホールアレイ１共に、吸収端が既知のフィルタを一枚だけフィルタ２として光路に挿入した状態を示す。図７では、フィルタ２の一例として、３９０ｎｍ以下の波長領域の光を遮光するフィルタａを用いている。図８には、フィルタａ及びフィルタｂの吸収特性を示す。図８に示すようにフィルタａは、３９０ｎｍ以上の波長領域の光に対してのみ透過率を有する。フィルタａ及びフィルタｂとしては、例えばシグマ光機製のシャープカットフィルタのような一般的な光学ガラスフィルタ等を用いることが可能である。
【００３９】
図７に示した状態で、ＥＵＶ光源からの光を照射すると、ピンホールアレイ１で減衰され、フィルタａより切り出された波長帯域の減光された光量Ｗｆ１’が検出器４にて検出される。光量Ｗｆ１’は３９０ｎｍ以上の波長領域の光の強度であって、その領域のフィルタａの透過率及び検出器４の感度を考慮することで、３９０ｎｍ以上の波長領域の光の光量Ｗｆ１が求められる。
【００４０】
次に、フィルタａを５６０ｎｍの波長領域以下の光を遮光するフィルタｂに交換して、同様に測定を行うことで、光量Ｗｆ２’が検出器４により検出される。光量Ｗｆ２’は５６０ｎｍ以上の波長領域の光の強度であって、その領域のフィルタｂの透過率及び検出器４の感度を考慮することで、５６０ｎｍ以上の波長領域の光の光量Ｗｆ２が求められる。更に、この光量Ｗｆ１のＷｆ２の差を求めることにより、ピンホールアレイ１の存在下での３９０ｎｍ−５６０ｎｍの光量Ｗｆとなり、ピンホールアレイ１の減光率Ｆを考慮することでＥＵＶ光源から反射された３９０ｎｍ−５６０ｎｍ波長帯域の絶対光量Ｉｆ１が求められる。
【００４１】
また、フィルタ２として他の材質の材質を使用する場合の他の例として、厚さ５ｍｍのＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）とＳｉ（シリコン）のフィルタをそれぞれ切り替えて使用することもできる。この場合、ＺｎＳｅは０．６μｍ以上から２０μｍまでの波長の光を透過し、Ｓｉは１．２μｍ以上からから１５μｍ波長の光を透過する。このうち、１５−２０μｍの波長の光は室温程度の物質から輻射により放射される波長と同程度の波長のため、実質上は検出器４により検知することができない。このため、上記のフィルタを用いることで、０．６μｍ−１．２μｍの波長を有する光の絶対光量が得られる。
【００４２】
以上のように、測定したい波長帯域に吸収端を有するフィルタに順次、切り替えることで、ＥＵＶ光源からの光束が有するスペクトル分布の各部分の絶対光量を測定することが可能となり、これらを考慮することで、スペクトル分布及び放射光全体の絶対強度を決定することが可能となる。
【００４３】
（第２実施形態）
図９は、本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置の第２の実施形態について示す図である。図９は本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置をＥＵＶ光源の一方式であるディスチャージ方式プラズマ光源（ＤＰＰ）に対して適用した状態を示している。本実施形態では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。
【００４４】
ディスチャージ方式プラズマ光源（ＤＰＰ）においては、高密度電流ピンチ放電などの放電によりプラズマを生成し、ＥＵＶ光が取り出される。このＤＰＰ方式では、構造上、ＬＰＰとは違い放電電極２１よりは上流側（プラズマ発光点を基準として、露光装置、計測装置が取り付けられる側）には集光ミラーを配置できないため、放射光を集めるための斜入射ミラー２２は放電電極２１より下流側に配置される。そのための集光点６では、ＬＰＰ方式よりもＥＵＶ光以外の他波長成分の割合が高くなる。
【００４５】
このため、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源に対して本発明に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置を適用する場合、ピンホールアレイ１によって反射された光の乱反射を抑えるために、チャンバ内壁１９は光を吸収しやすい材質でコーティングすることが好ましい。さらに、光を吸収させる面積を増やすために、チャンバ内壁１９と同様なコーティングを施した反射防止板２３を配置することも好ましい。これらのコーティングは、測定を行う光の波長域において、反射係数が概ね０．１以下であれば測定に悪影響を及ぼさない。但し、反射係数が０．０５以下であれば更に好ましい。
【００４６】
図９に示したＥＵＶ光源スペクトル計測装置による、ＥＵＶ光源からの光束のスペクトル測定方法について以下に説明する。図１０には、図９に示したＥＵＶ光源スペクトル計測装置において使用する分光用フィルタの透過率分布の一例を示す。
【００４７】
図９に示したＥＵＶ光源スペクトル計測装置においても、第１実施形態と同様に、例えば図１０に示すようなそれぞれ異なる吸収端を有する物質からなるフィルタａ、フィルタｂとして、それぞれを用いたときの検知器４の検知する光量の違いから、所定の波長域の光強度を測定することが可能である。
【００４８】
これに対し本実施形態では、同じ材質から構成され、図１０に示した厚さのみが異なるフィルタａとフィルタｃを用いて所定の波長域の光の強度を測定する方法について説明する。
【００４９】
一般に均質な材料からなるフィルタの特定の波長における透過率に着目した場合、透過率は厚さの二乗に比例して低下する。このため、透過率の異なる二つの波長においては、フィルタの厚さの変化による透過率の変化の仕方が異なることとなり、透過率の波長依存性が変化する。これを利用して、特に当該フィルタを形成する材質の吸収端付近において細かな波長領域毎に光の強度を測定することが可能となる。
【００５０】
具体的には、図１０のフィルタａは、４５０ｎｍ以上では概ね９０％の透過率を有する一方で、４５０ｎｍ以上では透過率が急激に低下して、４００ｎｍで約４０％になり、３８０ｎｍ付近で実質的に不透明となる。一方、フィルタａと同じ材質で、厚みが２倍のフィルタｃを用いた場合には、４５０ｎｍ以上では約８１％の透過率を保てる一方で、例えば４００ｎｍでは約１６％の透過率となる。このようにフィルタの厚さが増加した場合に、透過率の低い波長において特に大きく透過量が低下する現象を利用して、波長フィルタを形成できる。このような手法による波長フィルタは、透過率が急峻に変化する波長域に対して有効であり、フィルタの厚みを順次変えて測定することにより、細かなスペクトルを得ることが可能となる。
【００５１】
以上のように、測定したい波長帯域に応じた材料を用いたフィルタの厚さを順次切り替えることで生じる透過率の差から、各波長域における絶対光量を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置の概要図
【図２】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置に用いるピンホールアレイの配置の一例
【図３】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置に用いるピンホールアレイのパターンの一例
【図４】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置による計測工程における状態を示す概略図
【図５】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置に用いられる検出器の光吸収率を示すグラフ
【図６】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置による計測工程における状態を示す概略図
【図７】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置による計測工程における状態を示す概略図
【図８】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置に使用するフィルタの透過率の一例を示すグラフ
【図９】本発明の第２実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置の概要図
【図１０】本発明の第２実施形態に係るＥＵＶ光源スペクトル計測装置に使用するフィルタの透過率の一例を示すグラフ
【図１１】ＥＵＶ光を用いた露光装置の概念図
【図１２】従来のＥＵＶ光源の計測システムの一例
【図１３】従来のＥＵＶ光源の計測システムの他の一例
【符号の説明】
【００５３】
１  ピンホールアレイ
２  フィルタ
３  フィルタ
４  光量検出器
５  モータ
６  集光点
７  プラズマ
９  ターゲット回収機構
１０  ターゲット
１２  レーザー発生装置
１４  ＥＵＶ光源チャンバ
１５  ベローズ
１６  アパーチャ
１７  計測チャンバ
１８  光線
１９  チャンバ内壁
２１  放電電極
２２  斜入射ミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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