(57)【要約】【課題】テスト工程の作業性を良好に維持するとともに、半導体素子の動作不良の発生確率を低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ表面のダイシングライン３上に、ダイシングライン３の延びる方向に沿って分割され、互いに間隔を隔てて配置されるとともに電気的に接続された複数のアルミパッド部分６ａ〜６ｃからなるアルミパッド７を形成する工程（分割アルミパッド形成工程）と、ダイシングライン３、４において半導体ウェハ１を切断する切断工程（ダイシング工程）とを備える。ダイシング工程では、切断後の半導体ウェハ１における切断端面としての境界線１５が、アルミパッド部分６ａ〜６ｃの間に位置するように、半導体ウェハ１を切断する。【選択図】        図８
2005032983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面のダイシングライン上に、前記ダイシングラインの延びる方向に沿って分割され、互いに間隔を隔てて配置されるとともに電気的に接続された複数の電極部分からなる電極を形成する工程と、
前記ダイシングラインにおいて前記半導体基板を切断する切断工程とを備え、
前記切断工程では、切断後の前記半導体基板における切断端面が前記電極部分の間に位置するように、前記半導体基板を切断する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極を形成する工程において、前記切断工程において前記半導体基板を切断する切断部材のうち前記半導体基板と接触する切刃部の幅をＷμｍ、前記切刃部の幅の公差を±ａμｍ、前記ダイシングラインの中心線からの前記切刃部の中心のズレを±ｂμｍとした場合、前記ダイシングラインの中心線からの距離が（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ超えまたは（Ｗ−ａ）／２−ｂ未満となる領域に前記電極部分を形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極を構成する前記電極部分の数は３である、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上において、半導体素子が形成された素子形成領域と、前記素子形成領域を囲むように配置された外縁領域とを備える半導体装置であって、
前記外縁領域において、前記半導体基板の上部表面に形成され、前記半導体基板の側面から間隔を隔てた領域に位置する電極部分と、
前記半導体基板の側面において露出し、前記電極部分と電気的に接続されている共通電極とを備える、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、ダイシングライン上に形成された電極を備える半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造方法として、半導体ウェハ上に複数の半導体素子を形成した後、半導体素子の間に位置するダイシングラインにおいて当該半導体ウェハを切断、分割するという方法が用いられている。そして、半導体ウェハの表面に形成されたダイシングラインには、半導体素子の製造工程（ウェハプロセス）や検査工程（ウェハテスト）などにおいて用いられる電極が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−６０５６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来、半導体ウェハをダイシングラインにおいて分割する場合、半導体ウェハをダイシングソー（ダイシングブレードとも言う）により切断した切断面が、上述したダイシングラインに形成された電極を横切る場合があった（半導体素子の端部に、ダイシングソーにより切断された電極の一部が残存し、その電極の一部の端面はダイシングソーによる切断端面を構成する場合があった）。この結果、ダイシング工程後に残存する上記電極の一部において、ダイシングソーの表面と接触した端部がダイシングソーによる応力を受けて塑性変形すことにより、突出したバリ部が形成されることがあった。すなわち、ダイシング工程後に得られる半導体素子（半導体チップ）の端面（切断面）において、ダイシングライン上に位置した電極の一部が突出することによりバリ部が形成されることがあった。
【０００５】
このようなバリ部は、当該半導体素子をリードフレームなどと電気的に接続するための配線と接触する可能性が有る。そして、上述のようにバリ部と配線との接触（短絡）は、半導体素子が正常に動作しないといった不良の原因となる。
【０００６】
このような不良の発生を防止するため、上述した特許文献１では、電極の幅をダイシングソーの幅より狭くすることで、ダイシング工程において当該電極がすべて除去されるようにしている。この結果、ダイシング工程後に電極の一部が半導体素子の端部には残存せず、そのため、当該電極の一部においてバリ部が発生することもない。
【０００７】
しかし、特許文献１のように電極の幅をダイシングソーの幅より狭くすると、電極の幅が極めて狭くなるために、テスト工程などにおいてプローブ針を電極に正確に接触させることが困難になる（テスト工程の作業性が悪くなる）という問題がある。したがって、従来は、半導体素子の端部における電極のバリ部の発生を抑制すると同時に、当該電極を利用したテスト工程の作業性を良好に維持することは困難であった。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、テスト工程の作業性を良好に維持するとともに、半導体素子の動作不良の発生確率を低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置の製造方法は、半導体基板表面のダイシングライン上に、ダイシングラインの延びる方向に沿って分割され、互いに間隔を隔てて配置されるとともに電気的に接続された電極部分からなる電極を形成する工程と、ダイシングラインにおいて半導体基板を切断する切断工程とを備える。切断工程では、切断後の半導体基板における切断端面が、電極部分の間に位置するように半導体基板を切断する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００１１】
図１は、本発明による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は、図１に示した分割アルミパッド形成工程を説明するための半導体ウェハの斜視模式図である。図３は、図２における領域ＩＩＩの拡大模式図である。図４は、図３の線分ＩＶ−ＩＶにおける断面模式図である。図５は、図３に示したアルミパッドの拡大平面模式図である。図６および図７は、アルミパッドの寸法を決定する方法を説明するための模式図である。図８は、図１に示したダイシング工程を説明するための模式図である。図９は、図８に示したダイシング工程後に得られる半導体チップの平面模式図である。図１０は、図９に示した半導体チップの側面模式図である。図１１は、図９に示した半導体チップの他の側面模式図である。図１２は、図９に示した半導体チップの端部の構造を説明するための斜視模式図である。図１３は、図１に示したダイボンド、ワイヤボンドの工程を説明するための模式図である。図１〜図１３を参照して、本発明による半導体装置の製造方法を説明する。
【００１２】
図１に示すように、本発明による半導体装置の製造方法では、半導体ウェハの表面において半導体チップとなるべき領域（図３に示した素子領域２）の間に形成されたダイシングライン３（図３参照）に、ウェハテストなどにおいて用いる電極であるアルミパッド７（図３参照）を形成する工程（分割アルミパッド形成工程（Ｓ１０））を実施する。具体的には、図２および図３に示すように、半導体ウェハ１の表面において、素子領域２を囲むように配置されたダイシングライン３、４のうちの図３における縦方向に延びるダイシングライン３に、３つのアルミパッド部分６ａ〜６ｃからなるアルミパッド７を形成する。
【００１３】
なお、ウェハ１の表面には、半導体素子が形成される素子領域２がマトリックス状に配置されている。そして、この素子領域２の間を区切るように、図３における縦方向に延びるダイシングライン３と、横方向に延びるダイシングライン４とが、互いに交差するように形成されている。つまり、ダイシングライン３、４は、素子領域２の間に位置するように配置されている。素子領域２においては、アルミパッド７に隣接する領域に電極パッド５が複数個配置されている。
【００１４】
図４からもわかるように、アルミパッド部分６ａ〜６ｃは、導電体プラグ１２および共通電極１０を介して互いに電気的に接続されている。すなわち、電気的に等価なアルミパッド部分６ａ〜６ｃを実現するため、図４に示すように、半導体ウェハの主表面上に形成された絶縁膜８上に、上述した共通電極１０が形成されている。この共通電極１０上に上層の絶縁膜９が配置されている。この絶縁膜９においては、共通電極１０上に３つのビアホール１１がそれぞれ形成されている。ビアホール１１の底部では、共通電極１０の上部表面が露出している。このビアホール１１の内部には導電体プラグ１２が充填されている。導電体プラグ１２上には、導電体プラグ１２の上部表面上から絶縁膜９の上部表面上にまで延在するようにそれぞれアルミパッド部分６ａ〜６ｃが形成される。
【００１５】
このような構造により、アルミパッド部分６ａ〜６ｃは互いに電気的に接続された状態となる。そのため、これらの３つのアルミパッド部分６ａ〜６ｃは１つの電極（アルミパッド７）として作用する。すなわち、アルミパッド７をウェハテスト工程などにおいて電極として用いる場合、アルミパッド部分６ａ〜６ｃのうちのいずれか１つにプローブ針などを接触することができれば、プローブ針からアルミパッド７へ必要な信号や電力の入力、あるいはアルミパッド７からプローブ針への信号などの出力を実施することができる。つまり、アルミパッド部分６ａ〜６ｃは互いに電気的に等価な電極部分となっている。
【００１６】
なお、上述したようなアルミパッド７を得るためには、たとえば以下のような工程を実施すればよい。すなわち、ウェハ１の表面上の素子領域２に所定の半導体素子などを形成した後、ウェハ１の表面上に絶縁膜８を形成する。絶縁膜８は、素子領域２上からダイシングライン３、４上にまで延在するように、つまりウェハ１の表面全体を覆うように形成する。絶縁膜８上に、共通電極１０（図４参照）となるべき導電体膜を形成する。導電体膜を構成する材料としては、ドープトポリシリコン、あるいはアルミニウムやアルミニウム基合金などの金属膜などを用いることができる。この導電体膜上にフォトリソグラフィ法を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、導電体膜を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、共通電極１０を得ることができる。
【００１７】
そして、共通電極１０上に絶縁膜９（図４参照）を形成する。絶縁膜９上に、フォトリソグラフィ法を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、絶縁膜９の一部をエッチングにより除去する。この結果、絶縁膜９において、共通電極１０上に位置する領域にビアホール１１を形成できる。その後レジスト膜を除去する。このビアホール１１を充填するとともに、絶縁膜９の上部表面上にまで延在するように導電体膜を形成する。その後、ビアホール１１の内部に導電体膜を残存させる一方で、絶縁膜９の上部表面上に位置する導電体膜の部分をエッチングや化学機械研磨法（ＣＭＰ法）などを用いて除去する。この結果、ビアホール１１の内部に導電体プラグ１２（図４参照）を形成できる。
【００１８】
その後、絶縁膜９の上部表面上にアルミパッド７となるべき導電体膜としてのアルミニウム膜を形成する。このアルミニウム膜上にパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、アルミニウム膜をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、導電体プラグ１２上に位置する領域にアルミパッド部分６ａ〜６ｃからなるアルミパッド７を形成できる。
【００１９】
なお、このアルミパッド７の製造方法は、上述したような方法に限ることなく、従来のアルミパッドを形成するどのような工程を利用してもよい。
【００２０】
ここで、アルミパッド部分６ａ〜６ｃの寸法や配置は、後述するダイシング工程においてアルミパッド部分６ｂがダイシングにより完全に除去される一方で、ダイシングに用いられるダイシングソーがアルミパッド部分６ａ、６ｃに接触しないように決定される。その決定方法を、図５〜図７を参照して説明する。
【００２１】
図５に示すように、アルミパッド部分６ａ〜６ｃのうち、ダイシングライン３（図３参照）の中心線１３に垂直な方向において中央に位置するアルミパッド部分６ｂの幅をＬ１、アルミパッド部分６ａとアルミパッド部分６ｂとの間の幅をＬ２とする。アルミパッド部分６ｂは、ダイシングライン３の中心線１３と重なるように配置されている。なお、ここで中心線１３とは、図３に示したダイシングライン３の幅方向中央に位置し、ダイシングライン３の延びる方向と同じ方向に延びる仮想の線分を言う。
【００２２】
そして、後述するダイシング工程において、ウェハ１の切断に用いられるダイシングソーがほぼダイシングライン中心線１３に沿ってウェハ１を切断する場合について考える。ダイシングソーの幅をＷμｍ、ダイシングソーの幅の公差を±ａμｍとする。そして、上述のようにダイシングソーがほぼ正確にダイシングライン３の中心線１３に沿ってウェハ１を切断する場合には、ダイシングソーの中央部とダイシングライン中心線１３とのずれは０μｍであると考えることができる。
【００２３】
次に、図６を用いて、ダイシング工程において切削される領域の幅を考える。なお、ここで、切削される領域の幅とはダイシングライン中心線１３から、ダイシング工程で切削された半導体ウェハ１の部分の最外周部までの距離を言う。この場合、切削される領域の幅の最大値Ｄ１は（Ｗ＋ａ）／２となる。また、切削される領域の幅のセンタ値Ｄ２は、Ｗ／２となる。また、切削される領域の幅の最小値Ｄ３は、（Ｗ−ａ）／２となる。
【００２４】
ただし、上述のように、絶えずダイシングラインの中心線１３とダイシングソーの中央とが一致するわけではない、たとえば、図７に示すように、ダイシングラインの中心線１３とダイシングソーの中央とがｂμｍだけずれた場合、図７に示す線分１４に沿って、ダイシングソーの幅方向中央の位置が移動することになる。そして、図６の場合と同様にダイシングによって切削される領域の幅を考える。なお、ブレードの幅およびブレード幅の公差は図６の場合と同様にそれぞれＷμｍ、±ａμｍであると考える。この場合、ダイシングで切削される領域の幅の最大値Ｄ１は、（Ｗ＋ａ）／２＋ｂとなる。一方、ダイシングによって切削される領域の幅の最小値Ｄ３は（Ｗ−ａ）／２−ｂとなる。
【００２５】
そして、上述のようにダイシングラインの中心線１３とダイシングソーの中央とがある程度ずれる場合でも、ダイシング工程においてアルミパッド部分６ｂが完全に切削されるためには、アルミパッド部分６ｂの側面とダイシングライン中心線１３との間の距離Ｄ４（図５参照）が、図７に示したダイシングで切削される領域の幅の最小値Ｄ３以下となることが必要である。このため、図５に示すように、アルミパッド部分６ｂの中心がダイシングライン中心線１３とほぼ一致すると考えると、アルミパッド部分６ｂの幅Ｌ１を、Ｄ４×２（すなわちＤ３×２＝（（Ｗ−ａ）／２−ｂ）×２）以下とすることが必要である。
【００２６】
また、アルミパッド部分６ａ、６ｃは、ダイシング工程においてダイシングソーと接触しないような位置に配置することが必要である。つまり、アルミパッド部分６ａ、６ｃの側面とダイシングライン中心線１３との間の距離Ｄ５を、上述したダイシングで切削される領域の幅の最大値Ｄ１より大きくしておけばよい。すなわち、図５に示した幅Ｄ５を図７に示したダイシングで切削される領域の幅の最大値Ｄ１（＝（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ）よりも大きくしておけばよい。
【００２７】
また、以上のことから、アルミパッド部分６ａ、６ｂの間の距離Ｌ２は、Ｄ５−Ｄ４より大きくすればよい。すなわち、距離Ｌ２は、ａ＋２ｂよりも大きくすればよい。
【００２８】
また、異なる観点からすれば、図７に示した、ダイシングライン３の中心線１３からの距離がＤ３以上Ｄ１以下となる領域は、ダイシングソーの端面が位置する可能性の有る領域である。そのため、このダイシングライン３の中心線１３からの距離が図７におけるＤ３（＝（Ｗ−ａ）／２−ｂ）以上Ｄ１（＝（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ）以下となる領域には、アルミパッド部分６ａ〜６ｃを形成しないようにすれば、アルミパッド部分６ａ〜６ｃがダイシングソーにより切断されることはない。
【００２９】
次に、図１に示した分割アルミパッド形成工程（Ｓ１０）に続いて、ダイシング工程（Ｓ２０）を実施する。このとき、上述したようにアルミパッド部分６ａ〜６ｃの寸法を決定しているので、図８に示すように、アルミパッド部分６ｂはダイシングによって完全に切削除去される一方で、アルミパッド部分６ａ、６ｂはダイシングソーと接触しない。つまり、図８に示すように、ダイシングで除去される部分２０の内側にアルミパッド部分６ｂが位置する一方、アルミパッド部分６ａ、６ｃは、ダイシングライン３においてダイシングで除去される部分２０以外の領域（除去される部分２０より外側の領域）に位置している。また、異なった観点からすれば、ダイシングラインで除去される部分２０とそれ以外の部分との境界線１５（ダイシングにより分割される半導体ウェハの切断端面）が、アルミパッド部分６ａとアルミパッド部分６ｂとの間またはアルミパッド部分６ｂとアルミパッド部分６ｃとの間の領域に位置している。
【００３０】
そして、ダイシング工程を実施することで、半導体ウェハ１がダイシングライン３、４に沿ってさいの目状に分割されると、図９〜図１１に示すように、半導体チップ２１（チップ２１とも言う）を得ることができる。チップ２１の表面には、半導体素子が形成された素子領域２と、この素子領域２を囲むように、チップ２１の外縁領域１６を構成するダイシングラインの残存部とが形成されている。チップ２１の外縁領域１６（ダイシングラインの残存部）には、ダイシング工程後に残存したアルミパッド部分６ａ、６ｃが位置している。なお、素子領域２の端部においてアルミパッド部分６ａ、６ｃに隣接する部分には電極パッド５が配置されている。
【００３１】
図１０からもわかるように、アルミパッド部分６ａ、６ｃの側面２５は、チップ２１を構成する基板部２９の側面２２と間隔を隔てた位置に配置されることになる。なお、図１０は図９の矢印２３に示した方向から見たチップ２１の側面図である。また、図１１に示すように、基板部２９の側面２２では、アルミパッド部分６ａの下側において、このアルミパッド部分６ａと電気的に接続された共通電極１０の端面が露出した状態になっている。すなわち、図１２に示すように、チップ２１の基板部２９の側面２２においては、共通電極１０の端面が露出している。この共通電極１０は、アルミパッド部分６ａの下の領域に延在している。アルミパッド部分６ａと共通電極１０とは導電体プラグ１２によって電気的に接続されている。
【００３２】
なお、図１１および図１２では、図９の矢印２４に示した方向から見た場合について説明しているが、図９のアルミパッド部分６ｃが形成された側の基板部２９の側面２２においても、同様にアルミパッド部分６ｃと電気的に接続された共通電極の端面が露出している。すなわち、アルミパッド部分６ａ近傍の構造とアルミパッド部分６ｃ近傍の構造と類似した構造となっている。
【００３３】
次に、図１に示すように、ダイボンド、ワイヤボンド工程（Ｓ３０）を実施する。具体的には、図１３に示すように、ダイパッド２６上にチップ２１を搭載する。そして、チップ２１の電極パッド５とリードフレームの電極リード２７とを金線２８によって電気的に接続する。
【００３４】
このとき、チップ２１に残存するアルミパッド部分６ｃには、ダイシング工程においてダイシングソーが接触していないので、アルミパッド部分６ｃにバリ部などの突起状部分は形成されていない。このため、金線２８とアルミパッド部分６ｃとが接触するといった不良の発生確率を低減できる。
【００３５】
上述した本発明による効果を、図面を用いてより詳しく説明する。図１４は、本発明による半導体装置の製造方法の効果を説明するための平面模式図であり、図８に対応する。図１４に示すように、ダイシングライン３において、分割されたアルミパッド部分からなるアルミパッドではなく、ダイシングで除去される部分２０の幅よりも大きな幅を有する単一のアルミパッド７を形成した場合を考える。
【００３６】
この場合、図１４に示すように、ダイシングで除去される部分２０とそれ以外の領域との境界線１５はアルミパッド７を横切ることになる。このため、ダイシング工程後には、得られるチップは図１５〜図１７に示したような形状のチップ２１となる。図１５は、図１４に示したダイシング工程によって得られるチップを示す平面模式図である。図１６は、図１５の矢印２３に沿った方向から見たチップの側面模式図である。図１７は、図１６における領域ＸＶＩＩの部分拡大模式図である。
【００３７】
図１５〜図１７に示すように、図１４に示したようなアルミパッド７を形成した半導体ウェハから得られるチップ２１は、基本的には図９に示したチップ２１と類似の構造を有しているが、ダイシング工程後にチップ２１の端部に残存するパッド部分３０の形状が異なっている。すなわち、図１４に示したアルミパッド７がダイシング工程の際にダイシングソーの刃面と接触するため、ダイシング工程後に図１７に示すようにパッド部分３０の側面２５の上部にアルミバリ部３５が形成される。この突出部としてのアルミバリ部３５は、ダイシングソーが回転しながらアルミパッド７（図１４参照）を切削する際に、アルミパッド７の一部が塑性変形することにより形成されたものである。
【００３８】
そして、このようなアルミバリ部３５が形成されたチップ２１について、ダイボンド、ワイヤボンド工程（Ｓ３０）を実施した場合には、図１８に示すように、アルミバリ部３５と金線２８とが接触した接触部３６が形成される可能性がある。ここで、図１８は、図１５〜１７に示した半導体チップのダイボンド、ワイヤボンド工程を説明するための模式図であり、図１３に対応する。このように金線２８とアルミバリ部３５とが接触すると、金線２８とパッド部分３０とが短絡してしまう。この結果、チップ２１の正常な動作が妨げられる場合があった。
【００３９】
しかし、図１〜図１３で説明した本発明による半導体装置の製造方法によれば、図１７に示したようなアルミバリ部３５は形成されないので、上述のようなパッド部分３０と金線２８とが短絡するといった不具合の発生確率を低減できる。
【００４０】
なお、上述した説明では、アルミパッド７が３つのアルミパッド部分６ａ〜６ｃからなる構成について説明したが、アルミパッド部分６ａ〜６ｃの数は３つに限られることはない。すなわち、図８におけるダイシングで除去される部分２０とそれ以外の部分との境界線１５とアルミパッド部分とが接触しないような構成であれば、アルミパッド部分の数は２あるいは４以上であってもよい。
【００４１】
上述した本発明による半導体装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、半導体装置（半導体チップ２１）の製造方法は、半導体基板（半導体ウェハ１）表面のダイシングライン３上に、ダイシングライン３の延びる方向に沿って分割され、互いに間隔を隔てて配置されるとともに電気的に接続された複数の電極部分（アルミパッド部分６ａ〜６ｃ）からなる電極（アルミパッド７）を形成する工程（分割アルミパッド形成工程（Ｓ１０））と、ダイシングライン３、４において半導体ウェハ１を切断する切断工程（ダイシング工程（Ｓ２０））とを備える。ダイシング工程（Ｓ２０）では、切断後の半導体ウェハ１における切断端面（図８における境界線１５）が、アルミパッド部分６ａ〜６ｃの間に位置するように、半導体ウェハ１を切断する。
【００４２】
また、上記半導体装置の製造方法において、切断工程（ダイシング工程（Ｓ２０））では、切断後の半導体ウェハ１の切断端面（図８の境界線１５、または図１０における基板部２９の側面２２）の位置と、切断後に半導体ウェハ１の表面上に残存し、切断端面（図１０の側面２２）に面する電極部分（アルミパッド部分６ａ、６ｃ）の側面２５の位置とが異なるように、半導体ウェハ１が切断されていてもよい。
【００４３】
また、上記半導体装置の製造方法において、切断工程（ダイシング工程（Ｓ２０））では、ダイシング工程（Ｓ２０）後に複数の電極部分（アルミパッド部分６ａ〜６ｃ）の内の少なくとも１つ（アルミパッド部分６ａ、６ｃ）を残存させるとともに、ダイシング工程（Ｓ２０）において半導体ウェハ１を切断する切断部材（ダイシングソー）と、残存させる電極部分（アルミパッド部分６ａ、６ｃ）とが接触しないように、半導体ウェハ１が切断されていてもよい。
【００４４】
このようにすれば、ダイシング工程後に残存するアルミパッド部分６ａ、６ｃは、ダイシング工程においてダイシングソーと接触しないので、ダイシングソーとの接触によりアルミパッド部分６ａ、６ｃの一部が塑性変形することはない。そのため、この塑性変形に起因してアルミパッド部分６ａ、６ｃに突出部（図１７のアルミバリ部３５）は形成されない。したがって、アルミパッド部分６ａ、６ｃにおけるアルミバリ部３５がダイボンド用の金線２８と接触するといった不良の発生確率を低減できる。
【００４５】
また、電極（アルミパッド７）は電気的に接続された複数の電極部分（アルミパッド部分６ａ〜６ｃ）により構成されるため、当該電極の占有面積を大きくすることができる。このため、テスト工程などにおいてプローブ針などを当該電極としてのアルミパッド７に容易に接触させることができる。そのため、テスト工程の作業性を向上させることができる。
【００４６】
上記半導体装置の製造方法では、電極を形成する工程（分割アルミパッド形成工程（Ｓ１０））において、ダイシング工程（Ｓ２０）において半導体ウェハ１を切断する切断部材としてのダイシングソーのうち半導体ウェハ１と接触する切刃部の幅をＷμｍ、切刃部の幅の公差を±ａμｍ、ダイシングラインの中心線１３からの切刃部の中心のズレを±ｂμｍとした場合、ダイシングラインの中心線１３からの距離が（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ超えまたは（Ｗ−ａ）／２−ｂ未満となる領域にアルミパッド部分６ａ〜６ｃを形成してもよい（つまり、ダイシングラインの中心線１３からの距離が（Ｗ−ａ）／２−ｂ以上（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ以下となる領域にアルミパッド部分６ａ〜６ｃが位置しないように、電極としてのアルミパッド７を形成してもよい）。
【００４７】
この場合、ダイシングソーによる切断後に、半導体チップ２１の端面（あるいは図８における境界線１５）が位置する領域（ダイシングラインの中心線１３からの距離が（Ｗ−ａ）／２−ｂ以上（Ｗ＋ａ）／２＋ｂ以下となる領域）にはアルミパッド部分６ａ〜６ｃが配置されないので、アルミパッド部分６ａ〜６ｃの一部がダイシング工程において切削される（アルミパッド部分６ａ〜６ｃのいずれかに、ダイシング工程による切断面が形成される）ことはない。したがって、ダイシング工程においてダイシングソーがアルミパッド部分６ａ、６ｃに接触することにより、ダイシング工程後に残存するアルミパッド部分６ａ、６ｃに突出部（アルミバリ部３５）が形成されることはない。そのため、アルミパッド部分６ａ、６ｃにおけるアルミバリ部３５がダイボンド用の金線２８と接触するといった不良の発生確率を確実に低減できる。
【００４８】
上記半導体装置の製造方法では、電極を構成する前記電極部分（アルミパッド部分６ａ〜６ｃ）の数が３であってもよい。
【００４９】
この場合、ダイシング工程（Ｓ２０）後の半導体ウェハ１の切断端面の位置（ダイシングソーの切刃部端面が接触する領域であって、図８における境界線１５により示される位置）を、３つのアルミパッド部分６ａ〜６ｃの間の間隙に配置することができる。つまり、アルミパッド７の分割数として最も少ない数で、アルミパッド７とダイシングソーの切刃部端面との接触を防止することができるので、アルミパッド７の構造を必要以上に複雑化させることなく、本発明の効果を得ることができる。
【００５０】
また、アルミパッド部分の数が増えると、必然的にアルミパッド部分の間の間隙の数も増える。そのため、アルミパッド部分の数が増えるにつれて、アルミパッド７を形成することができる領域（ダイシングライン３）において、電極として作用するアルミパッド部分の占める面積の割合は低下する。そのため、テスト工程などでプローブ針をアルミパッド７に接触させるときに、当該プローブ針がアルミパッド７を構成するアルミパッド部分に正確に接触できない可能性が高くなる。一方、上述のようにアルミパッド部分６ａ〜６ｃの数を３として、境界線１５の近傍領域以外の部分を隙間無く埋めるようにアルミパッド部分６ａ〜６ｃを形成すれば、上述のようなプローブ針がアルミパッド部分に正確に接触できないという可能性を極力小さくできる。
【００５１】
この発明に従った半導体装置としての半導体チップ２１は、半導体基板（基板部２９）上において、半導体素子が形成された素子形成領域（素子領域２）と、前記素子領域２を囲むように配置された外縁領域１６とを備える半導体装置であって、電極部分（アルミパッド部分６ａ、６ｃ）と共通電極１０とを有する。アルミパッド部分６ａ、６ｃは、外縁領域１６において、基板部２９の上部表面に形成され、基板部２９の側面２２から間隔を隔てた領域に位置する。共通電極１０は、基板部２９の側面２２において露出するとともに、アルミパッド部分６ａ、６ｃ下に位置する。共通電極１０は、電極部分としてのアルミパッド部分６ａ、６ｃとそれぞれ電気的に接続されている。
【００５２】
このようにすれば、半導体チップ２１を形成するときに、半導体ウェハ１を切断するダイシング工程での切断端面である基板部２９の側面２２から間隔を隔てた領域に電極部分（アルミパッド部分６ａ、６ｃ）が位置しているので、ダイシング工程において用いるダイシングソーの切刃部と電極部分としてのアルミパッド部分６ａ、６ｃとが接触することを確実に防止できる。したがって、アルミパッド部分６ａ、６ｃにダイシングソーとの接触に起因する突出部（アルミバリ部３５）が形成される可能性を低減できるので、このような突出部とボンディングワイヤとしての金線２８との短絡の可能性を小さくできる。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５４】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、ダイシングラインに形成された電極のうち、ダイシング工程後に残存する部分において、ダイシング工程に起因する突出部が形成される可能性を低減できる。そのため、このような突出部の存在に起因する半導体装置の不良の発生確率を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１に示した分割アルミパッド形成工程を説明するための半導体ウェハの斜視模式図である。
【図３】図２における領域ＩＩＩの拡大模式図である。
【図４】図３の線分ＩＶ−ＩＶにおける断面模式図である。
【図５】図３に示したアルミパッドの拡大平面模式図である。
【図６】アルミパッドの寸法を決定する方法を説明するための模式図である。
【図７】アルミパッドの寸法を決定する方法を説明するための模式図である。
【図８】図１に示したダイシング工程を説明するための模式図である。
【図９】図８に示したダイシング工程後に得られる半導体チップの平面模式図である。
【図１０】図９に示した半導体チップの側面模式図である。
【図１１】図９に示した半導体チップの他の側面模式図である。
【図１２】図９に示した半導体チップの端部の構造を説明するための斜視模式図である。
【図１３】図１に示したダイボンド、ワイヤボンドの工程を説明するための模式図である。
【図１４】本発明による半導体装置の製造方法の効果を説明するための平面模式図である。
【図１５】図１４に示したダイシング工程によって得られる半導体チップを示す平面模式図である。
【図１６】図１５の矢印に沿った方向から見たチップの側面模式図である。
【図１７】図１６における領域ＸＶＩＩの部分拡大模式図である。
【図１８】図１５〜１７に示した半導体チップのダイボンド、ワイヤボンド工程を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１  半導体ウェハ、２  素子領域、３，４  ダイシングライン、５  電極パッド、６ａ〜６ｃ  アルミパッド部分、７  アルミパッド、８，９  絶縁膜、１０共通電極、１１  ビアホール、１２  導電体プラグ、１３  ダイシングラインの中心線、１４  線分、１５  境界線、１６  外縁領域、２０  部分、２１  半導体チップ、２２，２５  側面、２３，２４  矢印、２６  ダイパッド、２７  電極リード、２８  金線、２９  基板部、３０  パッド部分、３５  アルミバリ部、３６  接触部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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