(57)【要約】【課題】  実装時における配置位置精度を確保することができるとともに、実装後に加えられる温度サイクルに対する接合部の強度を向上させる。【解決手段】  被実装対象の導電層と電気的に接続する電極１０１と、電極１０１よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体１０２と、電極１０１に電気的に接続され構造体１０２に到る導電層１０３ｂとを有する。構造体１０２には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凸部または凹部１０６が設けられるとともに、電極１０１に電気的に接続された導電層１０３ｂが流動性材料を用いて上面に設けられる。流動性材料の流動を所定位置で堰き止める堰き止め部１１１、１１２を有する。【選択図】      図４
2005116560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装対象の導電層と電気的に接続する電極と、該電極よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体と、前記電極に電気的に接続され前記構造体に到る導電層とを有する半導体装置であって、
前記構造体には、前記被実装対象の凹部または凸部に対応した凸部または凹部が設けられるとともに、前記電極に電気的に接続された導電層が流動性材料を用いて上面に設けられ、
前記流動性材料の流動を所定位置で堰き止める堰き止め部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記堰き止め部は、前記構造体の凸部または凹部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置において、
前記堰き止め部は、前記構造体から離間した位置に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記堰き止め部は、前記導電層の周囲を取り囲んで前記構造体に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４記載の半導体装置において、
前記堰き止め部の高さは、前記構造体の凹部の高さ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記堰き止め部は、前記樹脂により形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記導電層は、前記流動性材料の液滴吐出、印刷、材料噴霧のいずれかで形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記被実装対象との位置合わせが、前記被実装対象の凹部または凸部と、前記構造体の凸部または凹部との嵌め合わせにより行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記構造体の凸部または凹部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板と、該基板上に所定パターンに形成された配線と、前記基板上に形成された凹部または凸部と、前記配線と電気的に接続される半導体基板を有する回路基板であって、
前記半導体基板が、請求項１から９のいずれかに記載の半導体装置であり、
前記基板と前記半導体装置との位置合わせが、前記基板上に形成された凹部または凸部と前記構造体の凸部または凹部との嵌め合わせによって行われることを特徴とする回路基板。
【請求項１１】
請求項１０記載の回路基板において、
前記基板が可撓性を有することを特徴とする回路基板。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の回路基板において、
前記基板に形成された前記配線が、前記被実装対象の凹部または凸部を形成することを特徴とする回路基板。
【請求項１３】
請求項１０から１２のいずれかに記載の回路基板において、
前記基板上に形成された凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることを特徴とする回路基板。
【請求項１４】
電気光学パネルと、該電気光学パネルに電気的に接続された請求項１０から１３のいずれかに記載の回路基板と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、回路基板および電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばコンピュータ及び携帯情報機器等の各種電子機器が著しく発達しているが、これらの電子機器の発達に伴って液晶表示装置、特に表示能力の高いカラー液晶表示装置を備えた電子機器が増大している。カラー液晶表示装置は、赤色画素、緑色画素、及び青色画素各々をオン状態（例えば、光透過状態）又はオフ状態（例えば、光遮断状態）に制御するための信号線が必要であり、これらの信号線は、通常基板上に一定のピッチで配列されて形成されている。例えば、１２０×１６０ドットの液晶表示装置であれば、１つの色の画素につき１２０本の信号線（例えば、ゲート線）と１６０本の信号線（例えば、ソース線）とが必要になる。従って、カラー液晶表示装置においては、基板に形成される信号線は増大し、必然的に狭ピッチ化される。
【０００３】
また、近年においては、主として高密度実装を実現するため、液晶表示装置を駆動するためのドライバ回路が形成された半導体装置は、上記基板上に搭載されることが多くなっている。例えば、携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、及びＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の電子機器は携帯性が重視されるため、小型・軽量化が図られる状況にある。かかる状況下においては、外形形状が制限されるため、基板上に搭載される半導体装置は長チップ化され、さらに、近年では、ドライバ回路の機能が追加されているため半導体装置の更なる長チップ化が図られている。
【０００４】
このような半導体装置の実装には、いわゆるＡｕバンプが多く用いられている。このＡｕバンプの形成時には、半導体素子上に、ＴｉＷ／Ａｕなどのシード層をスパッタし、レジストをパターニングした後に、高さ２０μｍ程度の電界Ａｕメッキを施している。ところが、半導体装置の電極が狭ピッチ化するのに伴って、高アスペクトのレジスト形成、あるいはシード層のエッチングなど、安定したバンプ形成が困難となることが予測されている。
【０００５】
そこで、特許文献１には、電極と離れた位置に樹脂製の突起部を設け、突起部の表面とを覆って接続する接続パターンを導電層として設けることで突起電極を形成する技術が開示されている。この技術によれば、小径の突起電極形成が容易で半導体チップサイズの縮小化に寄与するとともに、樹脂製突起の弾性により実装時のストレスを吸収して、実装品質の安定化に寄与できる。
【特許文献１】特開平８−１９５３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
半導体装置の線膨張係数と基板の線膨張係数とが異なるため、半導体と基板とが接合された状態で温度サイクルが加えられると、半導体装置のバンプのピッチ変化と、基板の配線ピッチ変化が一致しなくなる。そのため、半導体と基板との接合部にストレスが加わり、バンプと配線との導通が取れなくなる虞があった。
【０００７】
また、バンプおよび配線が狭ピッチ化されると、バンプおよび配線接合時におけるズレの許容範囲が狭くなり、所望のバンプと配線との導通を確保することが困難になるという問題がある。
さらに、半導体装置と基板との接合時においても、温度サイクルが加えられるとバンプのピッチ変化と配線ピッチ変化とが一致しないため、所望の精度でバンプと配線との位置合わせすることが困難になるという問題があった。
【０００８】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、実装時における配置位置精度を確保することができるとともに、実装後に加えられる温度サイクルに対する接合部の強度を向上させることで品質を向上することができる半導体装置、および半導体装置を備えた回路基板、電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の半導体装置は、被実装対象の導電層と電気的に接続する電極と、該電極よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体と、前記電極に電気的に接続され前記構造体に到る導電層とを有する半導体装置であって、前記構造体には、前記被実装対象の凹部または凸部に対応した凸部または凹部が設けられるとともに、前記電極に電気的に接続された導電層が流動性材料を用いて上面に設けられ、前記流動性材料の流動を所定位置で堰き止める堰き止め部を有することを特徴とするものである。
【００１０】
従って、本発明では、被実装対象の凹部または凸部に対応した凸部または凹部が設けられているため、構造体の凸部または凹部と被実装対象の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と被実装対象との相対位置を決めることができる。つまり、半導体装置と被実装対象との配置位置精度を確保することができる。
また、構造体の凸部または凹部と被実装対象の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と被実装対象との相対移動距離を制限することができる。そのため、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力を制限することができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
例えば、線膨張係数の異なる半導体装置と被実装対象とを貼り付けた後に、温度サイクルが加えられても、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力を制限することができ、温度サイクルに対する強度を向上させることで品質を向上することができる。
また、本発明では流動性材料を用いて導電層を形成する際に、堰き止め部により流動性材料の流動を所定位置で堰き止めることができるので、能動面上にショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止でき、所定の導電層を形成できるとともに、不要部分の除去処理工程を削減できる。
【００１１】
堰き止め部を構造体の凸部または凹部に設ける場合には、導電層を構造体の凸部または凹部に形成する際に、導電層にショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止できる。また、堰き止め部を構造体から離間した位置に設ける場合、例えば構造体から離れた位置の電極近傍に導電層を形成する場合、導電層にショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止できる。さらに、堰き止め部としては、導電層の周囲を取り囲んで構造体に接続する構成も採用できる。
【００１２】
堰き止め部の高さとしては、構造体の凹部の高さ以下であることが好ましい。
これにより、構造体の凹部に被実装対象が当接する際に、堰き止め部が被実装対象に当接してしまい、被実装対象との電気接続に支障を来すことを防止できる。
また、堰き止め部は、構造体と同じ樹脂により形成されることが好ましい。
これにより、構造体と堰き止め部とを同じ工程で形成することが可能となり、製造工程を削減することができる。
この導電層としては、導電性材料（例えば金属微粒子）を含む流動性材料の液滴吐出、印刷、材料噴霧のいずれかで形成することが好ましい。
【００１３】
そして、被実装対象との位置合わせとしては、前記被実装対象の凹部または凸部と、前記構造体の凸部または凹部との嵌め合わせにより行われることが好ましい。
この構成によれば、被実装対象の凹部または凸部と構造体の凸部または凹部との間の隙間が少なくなるため、半導体装置と被実装対象との相対位置をより正確に決めることができる。
また、半導体装置と被実装対象との相対移動距離をより短く制限することができるため、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力をより小さく制限することができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
【００１４】
また、構造体の凸部または凹部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることが望ましい。
この構成によれば、テーパ部が設けられていることにより、半導体装置と被実装対象とを貼り付けるときに、テーパ部がガイドとなって構造体の凸部または凹部と被実装対象の凹部または凸部とを嵌合させやすくなる。
【００１５】
本発明の回路基板は、基板と、基板上に所定パターンに形成された配線と、基板上に形成された凹部または凸部と、配線と電気的に接続される半導体基板を有する回路基板であって、半導体基板が、上記本発明の半導体装置であり、基板と半導体装置との位置合わせが、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凸部または凹部との嵌め合わせによって行われることを特徴とする。
【００１６】
すなわち、本発明の回路基板は、基板と半導体装置との位置合わせが、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凹部または凸部との嵌め合わせによって行われるため、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と基板との相対位置を決めることができる。つまり、半導体装置と基板との配置位置精度を確保することができる。また、本発明では、流動性材料を用いて導電層を形成する際に、堰き止め部により流動性材料の流動を所定位置で堰き止めることができるので、能動面上にショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止でき、所定の導電層を形成できるとともに、不要部分の除去処理工程を削減できる。
【００１７】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板が可撓性を有してもよい。
この構成によれば、基板が可撓性を有するため、半導体装置と基板との相対位置を決める時に基板が半導体装置に合わせるように変形することができる。そのため、半導体装置と被実装対象との相対位置をより正確に決めることができる。
また、基板が半導体装置の変形に追従することができるため、半導体装置と基板との間に働くせん断方向応力をより小さくすることができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
【００１８】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板上に形成された凹部または凸部が、配線により形成されていることが望ましい。
この構成によれば、基板上に形成された凹部または凸部が、配線により形成されているため、配線が半導体装置と接触しやすくなり、半導体装置の電極との導通をより確実に確保することができる。
【００１９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板上に形成された凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることが望ましい。
この構成によれば、テーパ部が設けられていることにより、半導体装置と基板とを貼り付けるときに、テーパ部がガイドとなって構造体の凸部または凹部と基板の凹部または凸部とを嵌合させやすくなる。
【００２０】
そして、本発明の電気光学装置は、電気光学パネルと、電気光学パネルに電気的に接続された上記本発明の回路基板を備えることを特徴とする。
すなわち、本発明の電気光学装置は、上記本発明の回路基板を備えているため、温度サイクルに対する強度が向上しており、電気光学装置の品質を向上させることができる。また、能動面上にショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止でき、所定の導電層を形成できるとともに、不要部分の除去処理工程を削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の半導体装置、回路基板および電気光学装置の実施の形態を、図１ないし図１３を参照して説明する。
図１は、本発明による電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
本発明の液晶表示装置（電気光学装置）１は、図１に示すように、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）２と、液晶パネル２に接続される回路基板３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル２に付設されている。
【００２２】
液晶パネル２は、シール材４によって接着された一対の基板５ａ及び基板５ｂを有し、これらの基板５ｂと基板５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板５ａ及び基板５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板５ａ及び基板５ｂの外側表面には偏光板６ａ及び偏光板６ｂが貼り付けられている。なお、図１においては、偏光板６ｂの図示を省略している。
【００２３】
また、基板５ａの内側表面には電極７ａが形成され、基板５ｂの内側表面には電極７ｂが形成されている。これらの電極７ａ、７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極７ａ、７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。
基板５ａは、基板５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子８が形成されている。これらの端子８は、基板５ａ上に電極７ａを形成するときに電極７ａと同時に形成される。従って、これらの端子８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子８には、電極７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極７ｂに接続されるものが含まれる。
【００２４】
なお、実際の電極７ａ，７ｂ及び端子８は、極めて狭い間隔をもって多数本が基板５ａ及び基板５ｂ上にそれぞれ形成されているが、図１においては、液晶パネル２の構造の理解を容易にするために、それらの間隔を拡大して模式的に示すとともに、それらの内の数本のみを図示することにして他の部分を省略してある。また、端子８と電極７ａとの接続状態及び端子８と電極７ｂとの接続状態も図１においては図示を省略している。
【００２５】
また、回路基板３には、配線基板（配線）９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子（半導体装置）１００が実装されている。配線基板９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板（基板）１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン１２を形成することによって製造されている。
なお、実際の配線パターン１２は、極めて狭い間隔をもって多数本がベース基板１１上に形成されているが、図１においては、構造の理解を容易にするために、それらの間隔を拡大して模式的に示すとともに、構造を簡略化して図示してある。また、図示は省略しているが、半導体素子１００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。
【００２６】
図２は、ベース基板１１の断面図である。
ベース基板１１として可撓性基板を用いてその上に実装部品を実装すればＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式の実装構造体が構成される。また、図１において、配線パターン１２には、回路基板３の一側辺部に形成される出力用端子１２ａ及びそれに対向する側辺部に形成される入力用端子１２ｂが含まれる。また、配線パターン１２の内、半導体素子１００を装着するための領域に臨み出る部分は半導体用端子（凸部）１３を構成している。
半導体用端子１３は、図２に示すように、ベース基板１１上に高さａだけ突出するように設けられ、その側面は、ベース基板１１から離れる方向に向かって互いに近づく傾斜を持つ端子傾斜面（テーパ部）１３ａとされている。
【００２７】
図３は、本発明の半導体素子の部分平面図であり、図４は、図３におけるＡ−Ａ線視断面図であり、図５は、図３におけるＢ−Ｂ線視断面図である。
なお、本実施形態における半導体素子としては、多数の半導体チップが形成されている状態のシリコンウェハ等の半導体基板であっても、個々の半導体チップであってもよい。また、半導体チップの場合には、一般的には直方体（立方体を含む）であるが、その形状は限定されず、球状であってもよい。
半導体素子１００の能動面の端縁近傍には、図３から図５に示すように、電気信号の入出力を行うＡｌ電極（電極）１０１と、樹脂で形成されＡｌ電極１０１上に配置された構造体１０２と、Ａｌ電極１０１と電気的に接続された導電層１０３ａ、１０３ｂが形成されている。また、半導体素子１００には、その能動面を保護するパッシベーション膜１０４が全面に形成されている。
【００２８】
Ａｌ電極１０１は、図３から図５に示すように、１つ１つの形状が略長方形の形状であって、半導体素子１００の端縁近傍に所定のピッチで複数形成されている。Ａｌ電極１０１の周辺部には、パッシベーション膜１０４が半導体素子１００を覆うように形成されている。
このＡｌ電極１０１は、例えばスパッタリングにより形成され、レジスト等を用いて所定の形状（例えば、矩形形状）にパターニングすることにより形成されている。なお、本実施形態では、電極がＡｌ電極で形成されている場合を例に挙げて説明するが、例えばＴｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）層、及びＴｉＮ層（キャップ層）を順に積層した構造であってもよい。さらに、電極は、上記の構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更しても良い。
また、パッシベーション膜１０４は、ＳｉＯ２（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等により形成することができる。なお、パッシベーション膜１０４の厚みとしては、１μｍ程度の厚みを例示することができる。
【００２９】
構造体１０２は、後述する導電層１０３ａおよびパッシベーション膜１０４面上に、Ａｌ電極１０１が設けられている領域を覆うように配置されている。構造体１０２には、Ａｌ電極１０１のピッチと略同じピッチで凸形状の突起部１０５と、凹形状の導通部（凹部）１０６とが交互に形成されている。また、突起部１０５と導通部１０６との間には両者を面でつなぐテーパ部１０７が形成され、導通部１０６における半導体素子１００の端縁側端部には、後述する導電層１０３ｂを配線する傾斜面１０８が形成されている。
【００３０】
この構造体１０２としては、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ＰｏｌｙＢｅｎｚＯｘａｚｏｌｅ）等の樹脂をエッチングすることにより形成することができる。このエッチング方法としてはフォトエッチングやウエットエッチングが好ましく、テーパ部１０７や傾斜面１０８を容易に形成することができる。また、突起部１０５と導通部１０６との段差量ｂはエッチングの時間を管理することによって、半導体用端子１３の高さａよりも段差量ｂのほうが大きくなるように管理されている。
なお、構造体１０２のエッチングは、フォトエッチングやウエットエッチングに限られることなくプラズマエッチングによって行ってもよい。プラズマエッチングを用いると、テーパ部１０７の傾斜角が略垂直となり、突起部１０５および導通部１０６のピッチをより短くすることができる。
【００３１】
導電層１０３ａは、図３から図５に示すように、各Ａｌ電極１０１の上面にそれぞれＡｌ電極１０１と導通するように形成されている。導電層１０３ａの形状は、Ａｌ電極１０１を覆うような略長方形形状であって、その長軸側の一端（本実施の形態においては半導体素子１の端縁側）がパッシベーション膜１０４上にまで延びるように形成されている。なお、導電層１０３ａをパッシベーション膜１０４上にまで延ばす方向は、本実施の形態の方向だけでなく、逆の方向（半導体素子１００の中央側）に向けて延ばしてもよい。
【００３２】
また、導電層１０３ｂは、導通部１０６面上から傾斜面１０８を経て導電層１０３ａ面上に亘って形成されている。導電層１０３ｂの形状は、導電層１０３ａと同様に略長方形形状に形成されている。なお、導電層１０３ｂは導通部１０６面上のみに形成されるだけでなく、その両側のテーパ部１０７にも形成されてもよい。このとき、導電層１０３ｂと半導体用端子１３との接触面積が増え、より確実に導電性を確保することができる。
これら導電層１０３ａ、１０３ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ等の金属、または、これらの金属のいくつかをスパッタリングやメッキ処理により積層させたり、上記金属微粒子等の導電性微粒子を含む液状体材料（流動性材料）を液滴吐出方式、印刷、材料噴霧方式等により塗布して形成することができる。
本実施の形態では、導電層１０３ｂを液滴吐出方式で形成するものとする。
なお、導電層１０３ａ、１０３ｂは、Ａｌ電極２よりも耐腐食性の高い材料、例えばＣｕ、ＴｉＷ、Ｃｒで形成することが好ましい。これにより、Ａｌ電極１０１の腐食を阻止して、電気的不良の発生を防止することが可能になる。
また、いずれの方式を採用する場合でも、これら導電層１０３ａ、１０３ｂを形成する材料を鉛（Ｐｂ）フリーとすることが地球環境保護の観点から好ましい。
【００３３】
導電層１０３ｂを液滴吐出方式で形成する場合、特に導電層を傾斜面またはその近傍に形成する場合、塗布した液状体材料は、その流動性により所定の位置に留まらない可能性がある。そのため、本実施の形態では、液状体材料の流動を堰き止めて所定位置に留まらせるために堰き止め部が設けられている。
具体的には、図４に示すように、導電層１０３ｂの長さ方向（図４中、左右方向）については、構造体１０２の導通部１０６から突出する堰き止め部１１１が一端側で形成され、構造体１０２から離間した半導体素子１００の端縁側に堰き止め部１１２が他端側で突設されている。堰き止め部１１１は、突起部１０５よりも低い高さに設定され、また、ベース基板１１の半導体用端子１３と干渉しない位置に形成されている。堰き止め部１１２の高さは、導通部１０５の高さ以下に設定され、ベース基板１１の半導体用端子１３が導通部１０５の導電層１０３ｂに接続された場合でも当該半導体用端子１３と干渉しない構成となっている。また、堰き止め部１１２は、図３に示すように、導電層１０３ｂの周囲を取り囲んで構造体１０２の突起部１０５（の傾斜面）に接続され、導電層１０３ｂの幅方向においても液状体材料の流動を堰き止める構成となっている。
これら堰き止め部１１１、１１２は、構造体１０２と同じ樹脂材料により、構造体１０２と同一の製造工程（エッチング工程）で形成されている。
【００３４】
次に、導電層１０３ｂを液滴吐出方式により形成する際に用いる液状体材料（配線パターン用インク）について説明する。
液滴吐出法によって液滴状に吐出される液状体材料は、一般に、膜形成成分として導電性微粒子を分散媒（媒体）に分散させた分散液からなる。
本実施の形態では、導電性微粒子として、上述した金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３５】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３６】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３７】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３８】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。
また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００３９】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００４０】
次に、導電層１０３ｂを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
図６は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッドＨと、Ｘ軸方向駆動軸２０４と、Ｙ軸方向ガイド軸２０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ２０７と、クリーニング機構２０８と、基台２０９と、ヒータ２１５とを備えている。
ステージ２０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液状体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００４１】
液滴吐出ヘッドＨは、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッドＨの下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッドＨの吐出ノズルからは、ステージ２０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００４２】
Ｘ軸方向駆動軸２０４には、Ｘ軸方向駆動モータ２０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸２０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸２０４が回転すると、液滴吐出ヘッドＨはＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸２０５は、基台２０９に対して動かないように固定されている。ステージ２０７は、Ｙ軸方向駆動モータ２０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ２０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ２０７をＹ軸方向に移動する。
【００４３】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッドＨに液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２０２に液滴吐出ヘッドＨのＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ２０３にステージ２０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構２０８は、液滴吐出ヘッドＨをクリーニングするものである。クリーニング機構２０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構２０８は、Ｙ軸方向ガイド軸２０５に沿って移動する。クリーニング機構２０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ２１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液状体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ２１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッドＨと基板Ｐを支持するステージ２０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッドＨの吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図６では、液滴吐出ヘッドＨは、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッドＨの角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッドＨの角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００４５】
図７は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図７において、液状体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液状体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液状体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液状体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４６】
そして、上記の液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、導電層１０３ｂを形成する際には、図７に示すように、構造体１０２が形成された半導体素子１００（基板Ｐ）と液滴吐出ヘッドＨとを相対移動させながら、液体吐出ヘッドＨから導電層形成材料を含む液状体材料を液滴３２として吐出し、その液滴３２を基板Ｐ上の所定位置に配置する。具体的には、導電層１０３ｂの形成方向（図７中、左右方向）に沿って、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチで液滴３２を複数吐出することで、線状の導電層１０３ｂを形成する。
このとき、導電層１０３ｂを形成すべき領域の端部には、堰き止め部１１１、１１２が形成されているため、液状体材料が流動して能動面上でショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止できる。これは、導電層１０３ｂの幅方向についても同様である。
【００４７】
この後、基板Ｐ上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去するために熱処理／光処理工程を実施する。すなわち、基板Ｐ上に配置された導電層形成用の液状体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。
【００４８】
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、図４に示したように導電膜に変換され、構造体１０２の導通部１０６面上から傾斜面１０８を経て導電層１０３ａ面上に亘って導電層１０３ｂが形成される。
【００４９】
次に、上記の構成からなる半導体素子１００および回路基板３の接合について説明する。
図８（ａ）、（ｂ）は、半導体素子と配線基板との接合工程図である。
まず、図８（ａ）に示すように、配線基板９をステージ１５０上に載置するとともに、半導体素子１００を搭載位置に配置し、かつ、半導体素子１００の上部にツール１５１を配置する。ここで、ステージ１５０は数十〜百数十℃程度の範囲で温度を設定することができ、ツール１５１は数百℃に温度を設定することができる。
【００５０】
図９は、半導体素子と配線基板との接合断面図である。
ステージ１５０、配線基板９、半導体素子１００、及びツール１５１を図８（ａ）に示した配置として、ステージ１５０及びツール１５１の温度を設定した状態で、ツール１５１をステージ１５０の方向へ移動させて半導体素子１００を加熱・加圧する。
すると、図９に示すように、半導体素子１００のテーパ部１０７と配線基板９の端子傾斜面１３ａとが接触し、互いの傾斜面によりガイドされながら接近し、導電層１０３ｂと半導体用端子１３とが当接する。
半導体素子１００と配線パターン１２とが当接すると、図８（ｂ）に示したように、半導体素子１００とベース基板１１との間に、毛細管現象を利用して封止樹脂１５２を流し込み、凝固させる。
以上の工程によって、半導体素子１００が配線基板９上に搭載される。なお、封止樹脂としてＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用い、配線基板９にこれらを先に塗布しておき、半導体素子１００を搭載してもよい。また、半導体素子１００または配線基板９を振動させながら接合する超音波接合を用いてもよい。
なお、ここでは半導体素子１００が上に、回路基板３が下に配置されて接合される例に適応して説明したが、逆に半導体素子１００が下に、回路基板３が上に配置されて接合されることもできる。
【００５１】
上記の構成によれば、配線基板９と半導体素子１００との位置合わせが、配線基板９上に形成された半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６との嵌め合わせによって行われている。そのため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置を容易に決めることができ、半導体素子１００と配線基板９との配置位置精度を容易に確保することができる。
また、半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６とを用いて、半導体素子１００と配線基板９との相対移動距離を制限することができる。そのため、線膨張係数の異なる半導体素子１００と配線基板９とを接続した後に、温度サイクルが加えられても、半導体素子１００と配線基板９との接続部に働くせん断方向応力を制限することができる。その結果、半導体素子１００と配線基板９との導通が断たれるのを防止することができ、液晶表示装置１の品質を向上することができる。
【００５２】
また、構造体１０２のテーパ部１０７と半導体用端子１３の端子傾斜面１３ａとが設けられていることにより、半導体素子１００と配線基板９とを接合させるときに、テーパ部１０７と端子傾斜面１３ａとがガイドとなって半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６とを嵌合させやすくすることができる。
さらに、テーパ部１０７と端子傾斜面１３ａとにより、ベース基板１１が引き伸ばされ、導電層１０３ｂと半導体用端子１３とのピッチを合わせることができる。そのため、ベース基板１１の熱膨張のみでピッチ合わせをする場合と比べて、ステージ１５０からベース基板１１に加える温度の上限を低くすることができる。
また、突起部１０５と導通部１０６との段差量寸法ｂが、半導体用端子１３の高さ寸法ａより小さいため、半導体用端子１３の先端を導通部１０６に形成された導電層１０３ｂに確実に当接させることができ、より確実に導電性を確保することができる。
【００５３】
ベース基板１１が可撓性を有するため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置を決める時にベース基板１１が半導体素子１００に合わせるように変形することができる。そのため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置をより正確に決めることができる。
また、ベース基板１１が半導体素子１００の変形に追従することができるため、半導体素子１００と配線基板９との間に働くせん断方向応力をより小さくすることができ、せん断方向に対する接合部の強度を向上させることができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、堰き止め部１１１、１１２により導電層形成用の液状体材料の流動を堰き止めているので、液状体材料が流動して能動面上でショートが生じたり、不要部分まで導電層が形成されてしまうことを防止できる。その結果、所定形状、長さの導電層を形成して導電層の形成精度を向上させることができるとともに、不要部分の除去処理工程を削減して生産性の向上にも寄与できる。また、本実施の形態では、堰き止め部１１２の高さを導通部１０６よりも低くすることで、配線基板９と半導体素子１００との接合に支障を来すことも防止している。
【００５５】
図１０は、本発明によるＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
また、本発明は、上記ＣＯＦ実装以外にも表示体パネル（液晶パネル）上に直接ドライバＩＣ等を実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）式の電気光学装置や、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）式の電気光学装置にも適用可能である。
電気光学装置としての液晶表示装置（電気光学装置）５０は、図１０に示すように、金属板から成る枠状のシールドケース６８と、電気光学パネルとしての液晶パネル（電気光学パネル）５２と、液晶駆動用ＬＳＩ５８と、液晶パネル５２と液晶駆動用ＬＳＩ（半導体装置）５８の能動面に形成された構造体（図示せず）とをＣＯＧ実装方式によって互いに電気的に接続するための図示しないＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ ：異方性導電膜）と、全体の強度を保つための保持部材１７２とを有している。
【００５６】
この液晶パネル５２は、一方の面に第１透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第１基板５３と、一方の面に第２の透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第２基板５４とを、第１透明電極層と第２透明電極層とが相対向するように貼り合わせ、さらに、これらの基板間に液晶組成物を封入して構成される。そして、ＣＯＧ用ＡＣＦを用いて液晶駆動用ＬＳＩ５８を一方の基板５４上に直接、電気的に接続する。こうしてＣＯＧ型の液晶パネル５２が形成される。この液晶駆動用ＬＳＩ５８は、上記半導体装置の製造方法により製造される。
【００５７】
図１１は、本発明による電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置に設けられる有機ＥＬパネルの断面図である。
また、電気光学装置としては、液晶表示装置以外にも有機ＥＬ表示装置を用いることも可能である。有機ＥＬパネル（電気光学パネル）３０は、図１１に示すように、基板３１上にマトリクス状にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３２を形成し、さらにその上に複数の積層体３３を形成して概略構成されている。ＴＦＴ３２は、ソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極が形成されており、ゲート電極及びソース電極は例えば図３に示した導電層１０３ｂのいずれかと電気的に接続される。上記積層体３３は、陽極層３４、正孔注入層３５、発光層３６、及び陰極層３７を含んで構成される。上記陽極層３４は、ＴＦＴ３２のドレイン電極と接続されており、ＴＦＴ３２がオン状態にあるときに電流が、ＴＦＴ３２のソース電極及びドレイン電極を介して陽極層３４に供給される。
【００５８】
以上の構成の有機ＥＬパネル３０において、陽極層３４から正孔注入層３５を介して発光層３６に注入された正孔（ホール）と、陰極層３７から発光層３６に注入された電子とが発光層３６内において再結合して生ずる光は、基板３１側から射出される。
【００５９】
以上、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法及び回路基板並びに電気光学装置について説明したが、本実施形態の電気光学装置が搭載される電子機器について説明する。以上説明した電気光学装置としての液晶表示装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１２に示すノート型のパーソナルコンピュータ６０が製造される。
【００６０】
図１２は、本発明の一実施形態による電子機器としてのノート型コンピュータを示す外観図である。図１３は、他の電子機器としての液晶表示装置（電気光学装置）を示す斜視図である。
図１２において６１は筐体であり、６２は液晶表示装置（電気光学装置）であり、６３はキーボードである。なお、図１２においては、液晶表示装置を備えるノート形コンピュータを示しているが、液晶表示装置に代えて有機ＥＬ表示装置を備えていても良い。
図１３に示した携帯電話機７０は、アンテナ７１、受話器７２、送話器７３、液晶表示装置７４、及び操作釦部７５等を備えて構成されている。また、図１３に示した携帯電話機においても液晶表示装置７４に代えて有機ＥＬ表示装置を備えた構成であってもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００６２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、半導体素子１００側に凹部（導通部１０６）が形成され、配線基板９側に凸部（半導体用端子１３）が形成される構成に適応して失明したが、この構成に限られることなく、半導体素子１００側に凸部を形成し、配線基板９側に凹部を形成する構成など、その他各種の構成に適応することができるものである。
【００６３】
また、上記実施の形態では、導電層１０３ｂを液滴吐出方式で形成するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、印刷法や材料噴霧法により形成してもよい。また、導電層１０３ｂに限らず、導電層１０３ａについても液滴吐出方式や印刷法、材料噴霧法により形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】ベース基板の断面図である。
【図３】本発明の半導体素子の部分平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ線視断面図である。
【図５】図３におけるＢ−Ｂ線視断面図である。
【図６】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図７】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図８】半導体素子と配線基板との接合工程図である。
【図９】半導体素子と配線基板との接合断面図である。
【図１０】本発明によるＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図１１】本発明による有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態によるノート型コンピュータを示す外観図である。
【図１３】他の電子機器としての液晶表示装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
１、５０、６２…液晶表示装置（電気光学装置）、  ２、５２…液晶パネル（電気光学パネル）、  ３…回路基板、  ９…配線基板（配線）、  １１…ベース基板（基板）、  １３…半導体用端子（凸部）、  １３ａ…端子傾斜面（テーパ部）、  ３０…有機ＥＬパネル（電気光学パネル）、  ５８…液晶駆動用ＬＳＩ（半導体装置）、  １００…半導体素子（半導体装置）、  １０１…Ａｌ電極（電極）、  １０２…構造体、  １０３ａ、１０３ｂ…導電層、１０６…導通部（凹部）、１０７…テーパ部、  １１１、１１２…堰き止め部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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