(57)【要約】【課題】貼り合せ歪みウェーハにおいて、Ｘ線回折法により、歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量をより短時間で簡便に測定することを可能にする歪み量測定方法を提供する。【解決手段】貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法。【選択図】なし  【特許請求の範囲】
【請求項１】
貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法。
【請求項２】
前記歪み層の歪み量を算出する際に、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが、前記逆格子空間マップの原点を通る垂直軸に対称の位置にある場合は、前記逆格子空間マップ上に現れる同一の歪み層の前記各回折面による２つのピーク位置が、前記垂直軸に対称の位置になるように、前記歪み層のピーク位置を前記原点を中心とする円周方向に回転移動させて修正することにより、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることを特徴とする請求項１に記載の歪み量測定方法。
【請求項３】
前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが前記対称の位置にない場合は、前記非対称回折面のいずれか一方による前記単結晶基板のピークが、前記非対称回折面の他方による前記単結晶基板のピークと対称の位置になるように、少なくとも前記他方の非対称回折面による前記歪み層のピーク位置を平行移動させた後、前記逆格子空間マップ上に現れる同一の歪み層の前記各回折面による２つのピーク位置が前記垂直軸に対称の位置になるように、前記歪み層のピーク位置を前記原点を中心とする円周方向に回転移動させて修正することにより、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることを特徴とする請求項１に記載の歪み量測定方法。
【請求項４】
前記単結晶基板をシリコン単結晶とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の歪み量測定方法。
【請求項５】
前記測定する歪み量を、ＳｉＧｅ層の格子緩和率及び／又は歪みシリコン層の歪み率とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の歪み量測定方法。
【請求項６】
前記回折面指数（ＸＹＺ）を、（１１３）、（２２４）のいずれかとすることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の歪み量測定方法。
【請求項７】
前記格子緩和率を算出する際に、前記回転修正したＳｉＧｅ層のピーク位置から、格子緩和率が０％および１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置を算出し、前記算出したピーク位置を用いて前記格子緩和率を算出することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の歪み量測定方法。
【請求項８】
前記歪み率を算出する際に、前記回転修正した歪みシリコン層のピーク位置から、歪みシリコン層の格子定数を算出し、前記算出した格子定数を用いて前記歪み率を算出することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の歪み量測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜シリコン（Ｓｉ）単結晶層に引っ張り歪みを内在させた、いわゆる歪みＳｉ層は、通常の歪みのないＳｉ層に比べて高いキャリア移動度が得られるため、高速の半導体デバイスの需要に応えるための材料として近年注目されている。
【０００３】
歪みＳｉ層は、例えば結晶面方位が（１００）のＳｉ基板上に、エピタキシャル成長によりＳｉＧｅ層を形成し、さらにそのＳｉＧｅ層上にＳｉ層をエピタキシャル成長し、ＳｉＧｅ層の格子定数がＳｉ層の格子定数よりわずかに大きいことを利用して、Ｓｉ層に引っ張り歪みを与えることによって得ることができる。この際、十分な歪みを内在する歪みＳｉ層を形成するためには、歪みＳｉ層を形成するためのＳｉＧｅ層の表面が十分に格子緩和された状態で形成されている必要がある。なお、ＳｉＧｅ層が十分に格子緩和された状態とは、ＳｉＧｅ層の格子定数が、Ｇｅ濃度に応じて定まる本来の格子定数に近い値となっている状態をいう。
【０００４】
このような歪みＳｉ層を形成する方法として、上記のようなエピタキシャル法を主体とする方法のほか、例えば特許文献１および２に開示されているように、ボンドウェーハとなるＳｉ基板上にＳｉＧｅ層を形成し、形成したボンドウェーハのＳｉＧｅ層の表面をベースウェーハとなるＳｉ基板と酸化膜を介して貼り合わせて貼り合わせウェーハを作製し、その後ボンドウェーハのＳｉ基板を薄膜化して歪みＳｉ層とする方法などが知られている。この場合、特許文献２に開示されているように、ＳｉＧｅ層の表面を熱酸化してＧｅ濃度を高める濃縮酸化法により、Ｇｅ濃度の高いＳｉＧｅ層とすることもできる。なお、酸化膜等の絶縁膜の上にＳｉＧｅ層が形成されているウェーハを、ＳＧＯＩ（ＳｉＧｅ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハと呼ぶことがある。
【０００５】
このとき、ボンドウェーハのＳｉ基板の薄膜化は、研削研磨法やＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法などの気相エッチング、また、イオン注入剥離法（スマートカット（登録商標）法とも呼ばれる）などにより行われる。
【０００６】
また、特許文献３では、Ｓｉ基板上にＳｉＧｅ層、シリコン層、絶縁層が形成されたボンドウェーハのＳｉ基板中にイオン注入により分離層を形成し、このボンドウェーハの絶縁層の表面をベースウェーハと貼り合わせ、その後分離層で剥離してベースウェーハ側に移設された剥離層のＳｉ層を歪みＳｉ層とする方法が開示されている。
【０００７】
一方、ＳＧＯＩウェーハを作製する際、エピタキシャル成長したＳｉＧｅ層中に酸化膜層を形成する方法として、ＳｉＧｅ層の表面から酸素イオンを注入し、アニールするというＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）法を用いた方法もある。
【０００８】
ＳｉＧｅ層の格子緩和の程度を表す量として格子緩和率が用いられることがある。これは、ＳｉＧｅ層の格子定数がＳｉの格子定数と同じである場合を０％、Ｇｅ濃度により定まる本来の格子定数である場合を１００％として、相対的に格子緩和の程度を表す量である。一方、歪みＳｉ層の歪みの程度を表す量としては、歪み率が用いられることがある。これは、歪みＳｉ層の格子定数が、Ｓｉの格子定数に対して、どの程度伸張または縮小しているかを表す量である。本明細書においては、伸張している場合は正の値、縮小している場合は負の値とした。
そして、結晶面方位が（１００）のＳｉ基板上に形成されたＳｉＧｅ層の格子緩和率、あるいは、その表面に形成された歪みＳｉ層の歪み率を評価する方法として、ＸＲＤ（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用いたＸ線回折法が知られている。
【０００９】
この方法は、測定対象のウェーハに対してＸ線を照射し、特定面（例えば（２２４）、（１１３）、（００４）など）から得られるＳｉ基板の回折信号強度のピーク位置と、ＳｉＧｅ層のピーク位置（あるいは歪みＳｉ層のピーク位置）とをθ-２θカーブ、あるいは、逆格子空間マップとして捉え、そのθ-２θカーブ、あるいは、逆格子空間マップ上において、Ｓｉ基板のピーク位置からのずれを測定することにより、ＳｉＧｅ層の格子緩和率（あるいは歪みＳｉ層の歪み率）を算出するという方法である。
【００１０】
しかしながらこの方法では、上記のＳＩＭＯＸ法を用いて作製されたウェーハのように、１枚のＳｉ基板からＳｉＧｅ層、歪みＳｉ層を順次形成した場合には有効であるが、例えば、特許文献１〜３のように、貼り合わせ法により２枚のＳｉ基板を用いて形成したＳＳＯＩ構造の場合には、正確な格子緩和率（あるいは歪み率）を求めることはできなかった。その理由は以下の通りである。
【００１１】
ウェーハの結晶方位は、製造公差の範囲内で規格値からのずれを持つ。図８は、結晶面方位（１００）のウェーハに発生する結晶方位ずれを示す説明図であり、（ａ）はウェーハを表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）はウェーハを表面に平行な方向から見た図である。［００１］、［０１０］は結晶方位を示す。このように、ウェーハの結晶方位は、ウェーハ面内での方位ずれによりＴｗｉｓｔ角だけ規格値からずれが生じ、ウェーハ面の傾きずれによりＴｉｌｔ角だけ規格値からずれる。このようなウェーハを２枚貼り合わせて作製した貼り合わせＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハは、２枚のウェーハそれぞれのＴｗｉｓｔ角、Ｔｉｌｔ角を合成した結晶方位ずれが生じたものとなる。図９は、結晶面方位（１００）の２枚のＳｉウェーハを、一方をＳＯＩ層形成用として、もう一方を支持基板として貼り合わせて作製した貼り合わせウェーハに発生する結晶方位ずれを示す説明図であり、（ａ）はウェーハを表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）はウェーハを表面に平行な方向から見た図である。この貼り合わせＳＯＩウェーハをＸ線回折法で測定すると、Ｔｉｌｔ角およびＴｗｉｓｔ角の影響で、ＳＯＩ層に歪みがないにもかかわらずＳＯＩ層とＳｉ基板の回折強度ピークがそれぞれ異なる位置に現れる。一方、ＳＩＭＯＸウェーハの場合には、１枚のウェーハから作製されており、基板の結晶方位が規格値からずれていても、ＳＯＩ層がエピタキシャル成長により形成されているため、ＳＯＩ層と基板の結晶方位が同じなので、ＳＯＩ層と基板の回折強度ピーク位置は一致する。
【００１２】
以上説明したように、歪みＳｉ層を有する歪みＳｉウェーハの歪み量を測定する場合、歪みＳｉ層は歪みを持つ分、Ｓｉ基板からずれた位置に回折強度ピークが現れるので、この回折強度ピーク差から歪み量を求めることが出来る。しかしながら、歪みＳｉ層とＳｉ基板とが貼り合わせ法で作製されている場合、歪みＳｉ層の回折強度ピーク位置は、歪み、Ｔｉｌｔ角およびＴｗｉｓｔ角の３つの影響を受けた位置に現れるので、歪み量のみを分離して測定することが出来ない。
【００１３】
そこで、非特許文献１によれば、歪み量の解析とは別に、事前にＴｉｌｔ角およびＴｗｉｓｔ角の測定を行い、これらずれ角の影響を差し引いて歪み率（格子緩和率）を算出する方法が開示されている。しかしながらこの方法では、Ｔｉｌｔ角およびＴｗｉｓｔ角の測定を別途行なう必要があることに加えて、１回当たり８時間程度が必要とされる逆格子空間マップの測定を９０°間隔で４回行なう必要があるため、歪み率（格子緩和率）の評価に極めて長時間を費やさなければならないという問題がある。
【００１４】
また、Ｘ線回折法以外では、顕微ラマン法で、貼り合わせ歪みウェーハの歪み量を測定することができるが、この方法では、水平（面）方向の歪み量しか測定できず、垂直（深さ）方向の歪み量は測定できないという問題点がある。また、顕微ラマン法でＳｉＧｅ層の格子緩和率を測定する場合、ＳｉＧｅ層中のＧｅ濃度が予め分かっていないと測定できないという問題がある。ＳｉＧｅ層中のＧｅ濃度を測定する方法として、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、二次イオン質量分析計）などが挙げられるが、これは基本的に破壊検査であるため、この方法では製造時にはウェーハの歩留まりを下げるという問題がある。
【００１５】
【特許文献１】特開２００１−２１７４３０号公報
【特許文献２】特開２００２−１６４５２０号公報
【特許文献３】特開２００２−３０５２９３号公報
【非特許文献１】Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ａｂｓｔｒａｃｔｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００３  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｔｏｋｙｏ，  ２００３，  ｐｐ．２９０−２９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、貼り合せ歪みウェーハにおいて、Ｘ線回折法により、歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量をより短時間で簡便に測定することを可能にする歪み量測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的達成のため、本発明は、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法を提供する（請求項１）。
【００１８】
このように、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面（以下、（ＸＹＺ）回折面等と記載することがある）について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成する。そして、前記各回折面による歪み層の回折強度ピークの、Ｔｉｌｔ角及びＴｗｉｓｔ角等の結晶方位ずれの影響による位置ずれは、それぞれ同じ大きさで同じ方向に現れることを利用して、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置の関係から、前記歪み層の歪み量を算出することができる。従って、従来より少ない２回のＸ線回折法による測定作業で歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量を測定することができる。
【００１９】
このとき、前記歪み層の歪み量を算出する際に、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが、前記逆格子空間マップの原点を通る垂直軸に対称の位置にある場合は、前記逆格子空間マップ上に現れる同一の歪み層の前記各回折面による２つのピーク位置が、前記垂直軸に対称の位置になるように、前記歪み層のピーク位置を前記原点を中心とする円周方向に回転移動させて修正することにより、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることが好ましい（請求項２）。
このように、前記歪み層の歪み量を算出する際に、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが、前記逆格子空間マップの原点を通る垂直軸に対称の位置にある場合は、各回折面の測定の際に軸立てが正確に行なわれているので、前記逆格子空間マップ上に現れる同一の歪み層の前記各回折面による２つのピーク位置が前記垂直軸に対称の位置になるように、前記歪み層のピーク位置を前記原点を中心とする円周方向に回転移動させて修正することにより、ＴｉｌｔやＴｗｉｓｔ等による結晶方位ずれの影響を排除して、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることができる。
【００２０】
また、前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが前記対称の位置にない場合は、前記非対称回折面のいずれか一方による前記単結晶基板のピークが、前記非対称回折面の他方による前記単結晶基板のピークと対称の位置になるように、少なくとも前記他方の非対称回折面による前記歪み層のピーク位置を平行移動させた後、前記逆格子空間マップ上に現れる同一の歪み層の前記各回折面による２つのピーク位置が前記垂直軸に対称の位置になるように、前記歪み層のピーク位置を前記原点を中心とする円周方向に回転移動させて修正することにより、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることが好ましい（請求項３）。
このように、前記単結晶基板の前記各回折面による２つのピークが前記対称の位置にない場合は、その原因は各回折面の測定の際の軸立てがずれたことにあるので、前記非対称回折面のいずれか一方による前記単結晶基板のピークが前記非対称回折面の他方による前記単結晶基板のピークと対称の位置になるように、少なくとも前記他方の非対称回折面による前記歪み層のピーク位置を平行移動させた後で、前記の回転移動による修正を行なうことにより、前記歪み量により決まる前記歪み層のピーク位置を求めることができる。
【００２１】
そして、前記単結晶基板をシリコン単結晶とすることができる（請求項４）。
本発明は、単結晶基板の種類によらず適用できるが、単結晶基板として最も利用されているシリコン単結晶とすることができる。
【００２２】
また、前記測定する歪み量を、ＳｉＧｅ層の格子緩和率及び／又は歪みシリコン層の歪み率とすることができる（請求項５）。
このように、形成された歪み層がＳｉＧｅ層であってもその格子緩和率が測定できるし、歪みシリコン層であってもその歪み率を測定することができる。また、歪み層としてＳｉＧｅ層および歪みシリコン層が両方形成されていても、各々の歪み量、すなわち格子緩和率と歪み率を同時に測定できる。
【００２３】
また、前記回折面指数（ＸＹＺ）を、（１１３）、（２２４）のいずれかとすることが好ましい（請求項６）。
ここで用いられる回折面は、非対称回折で回折強度ピークが得られればいずれの回折面でもよいが、このように、回折面指数（ＸＹＺ）を、（１１３）、（２２４）のいずれかとしてＸ線回折を行なえば、非対称回折による回折強度ピークを十分な強度で得ることができる。
【００２４】
そして、前記格子緩和率を算出する際に、前記回転修正したＳｉＧｅ層のピーク位置から、格子緩和率が０％および１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置を算出し、前記算出したピーク位置を用いて前記格子緩和率を算出することができる（請求項７）。
このように、前記回転修正したＳｉＧｅ層のピーク位置から、格子緩和率が０％および１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置を容易に算出することができるので、これらのピーク位置の位置関係から、水平方向、垂直方向それぞれの格子緩和率を容易に算出することができる。
【００２５】
また、前記歪み率を算出する際に、前記回転修正した歪みシリコン層のピーク位置から、歪みシリコン層の格子定数を算出し、前記算出した格子定数を用いて前記歪み率を算出することができる（請求項８）。
このように、前記回転修正した歪みシリコン層のピーク位置から、歪みシリコン層の格子定数を容易に算出することができるので、このように算出した格子定数と通常のシリコンの格子定数から、水平方向、垂直方向それぞれの歪み率を容易に算出することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、Ｘ線回折法により２つの非対称回折面から得られる逆格子空間マップより、水平方向、垂直方向の歪み量を容易に測定することができる。また、Ｔｉｌｔ角およびＴｗｉｓｔ角を別途測定する必要もなく、逆格子空間マップ作成のためのＸ線回折法による測定は（ＸＹＺ）、（―Ｘ−ＹＺ）回折の２回のみですむため、短時間で簡便な測定が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来、貼り合わせＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させ、その後、酸化濃縮法によりＳＧＯＩウェーハを作製した場合、および、ＳｉＧｅ層を有するウェーハを貼り合わせてＳＧＯＩウェーハを作製した場合、あるいは、酸化膜上に直接歪みＳｉ層が形成された構造のＳＳＯＩ（Ｓｔｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハを貼り合わせ法により作製した場合などの場合においては、Ｓｉ基板と歪みＳｉ層またはＳｉＧｅ層の間に、Ｔｗｉｓｔ方向及びＴｉｌｔ方向に対して、結晶方位ずれを生じる。この結晶方位ずれが、Ｘ線回折測定において、歪みＳｉ層、およびＳｉＧｅ層のピーク位置をずらしてしまうという問題があった。
【００２８】
Ｘ線回折法では、歪みＳｉ層、およびＳｉＧｅ層の歪み量は、Ｓｉ基板とのピーク位置のずれから求められるが、上記のように貼り合わせウェーハには結晶方位ずれが存在するため、歪みによる位置ずれの影響と結晶方位ずれによる位置ずれの影響を区別することができない。このため、貼り合わせ法をベースとしたＳＧＯＩウェーハ、およびＳＳＯＩウェーハの歪み量をＸ線回折法で測定することは困難であった。
【００２９】
この問題点を解決する手法として、前述の非特許文献１の手法が開示されているが、この方法では、歪み量の評価に極めて長時間を費やさなければならないという問題があった。
一方、顕微ラマン法で歪み量を測定する場合には、水平方向の歪み量しか測定できない。しかも、ＳｉＧｅ層の格子緩和率を測定する場合にはＧｅ濃度を知る必要があるが、Ｇｅ濃度を知るためには破壊検査をしなければならず、ウェーハの製造歩留まりを低下させるという問題があった。
【００３０】
そこで本発明者は、上記の問題を解決するために、Ｘ線回折法を用いて、貼り合わせ法をベースとしたＳＧＯＩウェーハ、およびＳＳＯＩウェーハの結晶方位のずれの影響を排除し、正確に歪み量を測定する方法について鋭意研究および検討を重ねた。その結果、貼り合わせ法により作製したＳＧＯＩウェーハ、およびＳＳＯＩウェーハをＸ線回折法により非対称回折面である（ＸＹＺ）回折面、（−Ｘ−ＹＺ）回折面の２つについて測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成した場合、歪み層のピークに対する、結晶方位ずれによる位置ずれの影響は、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで、同じ方向に現れ、一方、歪みによる位置ずれの影響は、同一円周上に同じ大きさで、逆方向に現れることを見出した。そして、結晶方位ずれによる位置ずれの大きさ自体を測定によって求めることはできないが、上記のずれの性質を用いて、歪みによる位置ずれの影響のみを分離できることを見出した。
【００３１】
そして、本発明者は、Ｘ線回折法を用いて、歪みを持たない貼り合わせＳＯＩウェーハの逆格子空間マップを、非対称回折面である（ＸＹＺ）回折面と（−Ｘ−ＹＺ）回折面について測定し、結晶方位ずれによる位置ずれの影響が、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで、同じ方向に現れることを確認するため、以下のような実験・調査をおこなった。
【００３２】
（実験１）
直径２００ｍｍ、Ｐ型、結晶方位＜１００＞の２枚のシリコン単結晶ウェーハを用いて、ＳＯＩ層厚が１１０ｎｍ、埋め込み酸化膜層（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ、以下、ＢＯＸ層という。）厚が２００ｎｍの、スマートカット（登録商標）法で作製したＳｉ基板ベースの貼り合わせＳＯＩウェーハを用意し、Ｘ線回折装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）にて、（１１３）回折面と（−１−１３）回折面の逆格子空間マップの測定を行なった。
【００３３】
図１の（ａ）は測定したＳＯＩウェーハの断面概略図、（ｂ）は逆格子空間マップ、（ｃ）は逆格子空間マップ上の回折強度ピーク位置を示す概略図である。なお、逆格子空間マップの水平方向の軸は１／[１１０]、垂直方向の軸は１／[００１]である。逆格子空間マップより、ＳＯＩ層のピーク位置（波数）とＳｉ基板のピーク位置（波数）を調査したところ、逆格子空間マップ上で右側に示される（１１３）回折面のＳＯＩ層のピーク位置の座標は（２５７７×１０４ｃｍ−１、５５３６×１０４ｃｍ−１）、Ｓｉ基板のピーク位置の座標は（２６２２×１０４ｃｍ−１、５５１６×１０４ｃｍ−１）であり、逆格子空間マップ上で左側に示される（−１−１３）回折面のＳＯＩ層のピーク位置の座標は（−２６２９×１０４ｃｍ−１、５５１２×１０４ｃｍ−１）、Ｓｉ基板のピーク位置の座標は（−２５８４×１０４ｃｍ−１、５５３３×１０４ｃｍ−１）となった。各々の回折面によるＳｉ基板のピーク位置は１／[００１]軸に対して対称の位置となっていなかったが、各回折面でのＳｉ基板とＳＯＩ層のピーク位置の関係は、ＳＯＩ層のピークがＳｉ基板のピーク位置に対して、ともにほぼ同一円周上を反時計回りに変位しており、しかも、その変位量のＸ，Ｙ座標成分の絶対値がほぼ一致しており、それぞれ４５×１０４ｃｍ−１、２０×１０４ｃｍ−１であることがわかった。
すなわち、結晶方位ずれによる位置ずれの影響が、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで、同じ方向に現れることを確認することができた。このようにずれが同一円周上で起こる理由は、逆格子空間マップ上では、回折ピークの原点からの距離は結晶格子面の面間隔の逆数によって決まり、結晶方位ずれでは格子面間隔は変わらないので、結晶方位ずれでは回折ピークの原点からの距離は変わらないためと考えられる。
【００３４】
また、２つのＳｉ基板のピーク位置が１／[００１]軸に対して対称の位置となっていない理由は、各回折面を測定するごとに測定回折面に対する軸立てを行なうため、その軸立てがずれると各回折面での逆格子空間マップの原点がずれるため、本来対称の位置に現れるべきものが、対称の位置にならなかったものと考えられる。しかし、いずれの回折面についても、Ｓｉ基板に対するＳＯＩ層ピーク位置のずれの方向および変位量が同じであることから、例えば、（１１３）回折面のＳｉ基板ピーク位置を基準とした場合、（−１−１３）回折面のＳｉ基板ピークの位置が１／[００１]軸に対して対称の位置になるように原点を平行移動して、軸立てのずれによる位置ずれを補正してよいことがわかった。このとき、どちらの回折面を基準としてもよいので（−１−１３）回折面のＳｉ基板ピーク位置を基準とすることもできる。
【００３５】
続いて、本発明者は、Ｘ線回折法を用いて、貼り合わせにより生じる結晶方位ずれを持たないＳＩＭＯＸ法を用いて作製されたＳＧＯＩウェーハの逆格子空間マップを、非対称回折面である（ＸＹＺ）回折面と（−Ｘ−ＹＺ）回折面について測定し、歪みによる位置ずれの影響が、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで、逆方向に現れることを確認するため、以下のような実験・調査を行なった。
【００３６】
（実験２）
直径２００ｍｍ、Ｐ型、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを用いて、ＳｉＧｅ層のＧｅ濃度が２０％、ＳｉＧｅ層厚さが４０ｎｍ、ＢＯＸ層厚が１５０ｎｍのＳＧＯＩウェーハ（歪みＳｉ／ＳｉＧｅ／ＢＯＸ／Ｓｉ基板）をＳＩＭＯＸ法及び酸化濃縮法により作製し、実験１と同様に、Ｘ線回折装置にて、（１１３）回折面と（−１−１３）回折面の逆格子空間マップの測定を行なった。
【００３７】
図２の（ａ）はＳＧＯＩウェーハの断面概略図、（ｂ）は逆格子空間マップ、（ｃ）は逆格子空間マップ上のピーク位置を示す概略図である。なお、逆格子空間マップの水平方向の軸は１／[１１０]、垂直方向の軸は１／[００１]である。逆格子空間マップより、ＳｉＧｅ層のピーク位置とＳｉ基板のピーク位置を調査したところ、逆格子空間マップ上で右側に示される（１１３）回折面のＳｉＧｅ層のピーク位置は（２５８７×１０４ｃｍ−１、５４５９×１０４ｃｍ−１）、Ｓｉ基板のピーク位置の座標は（２６０２×１０４ｃｍ−１、５５２５×１０４ｃｍ−１）であり、逆格子空間マップ上で左側に示される（−１−１３）回折面のＳｉＧｅ層のピーク位置の座標は（−２５８６×１０４ｃｍ−１、５４５８×１０４ｃｍ−１）、Ｓｉ基板のピーク位置の座標は（−２６０３×１０４ｃｍ−１、５５２４×１０４ｃｍ−１）となった。実験１と異なり各々の回折面の逆格子空間マップ上のＳｉ基板のピーク位置は１／[００１]軸に対して対称の位置となっているので、各回折面を測定する際の軸立てがずれず、各回折面での逆格子空間マップの原点が一致していると考えられる。そして、各々の回折面でのＳｉ基板とＳｉＧｅ層のピーク位置の関係は、それぞれのＹ座標は同一方向にほぼ同一の大きさ、すなわち約−６６×１０４ｃｍ−１だけ変位しているが、それに対して、Ｘ座標は反対方向にほぼ同一の大きさ、すなわち（１１３）回折面では−１５×１０４ｃｍ−１、（−１−１３）回折面では＋１７×１０４ｃｍ−１だけ変位していることがわかった。
すなわち、歪みによる位置ずれの影響が、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで、逆方向に現れることを確認できた。
【００３８】
本発明者は、以上の実験・調査結果を踏まえた上で、貼り合わせ法をベースとする歪みＳｉ、及びＳｉＧｅウェーハについて、鋭意検討を重ね、本発明を完成させた。
【００３９】
すなわち、本発明の、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪みＳｉ層やＳｉＧｅ層等の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量（歪み率や格子緩和率）の測定方法は、貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定して逆格子空間マップを作成し、結晶方位ずれによるピーク位置の変位の影響が、逆格子空間マップ上において、同一円周上に同じ大きさで同じ方向に現れ、一方、歪みによるピーク位置の変位の影響が、同一円周上に同じ大きさで、逆方向に現れることを利用して、結晶方位ずれによる位置ずれの影響を歪みによる位置ずれの影響から分離して、水平方向および垂直方向の歪み量、すなわち歪みＳｉ層の歪み率やあるいはＳｉＧｅ層の格子緩和率を正確に測定できるという特徴を有するものである。
【００４０】
以下、本発明の歪み量測定方法について、貼り合わせ法を用いて作製した、シリコン単結晶基板を用いたＳＧＯＩウェーハの緩和ＳｉＧｅ層の格子緩和率、および歪みＳｉ層の歪み率を、非対称回折面として（１１３）、（−１−１３）回折面を用いて測定する場合を例にあげて図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】
図３は、本発明に係る歪み量測定方法の一例を示す工程フロー図である。
まず、ＳｉＧｅ層の格子緩和率および歪みＳｉ層の歪み率を測定するサンプルとして、例えば、以下のようなものを用いる。まず、スマートカット（登録商標）法で作製した貼り合わせＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上に、ＳｉＧｅ層をＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍで作製する。その後、酸化濃縮工程として、１０００℃以上の温度でドライ酸化しながら、ＳＯＩ層にＧｅを拡散させるとともに、ＳＯＩ層（酸化濃縮工程後にはＳｉＧｅ層となる。）の薄膜化を行い、その後、ＨＦ溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、ＢＯＸ層上にＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍのＳｉＧｅ層を形成する。そして、その上に歪みＳｉ層を１５ｎｍの厚さでエピタキシャル成長する。
【００４２】
上記のサンプルをＸ線回折法により回折面指数（１１３）、（−１−１３）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成する（図３Ａ、Ｂ）。図４に作成した逆格子空間マップの概略図を示す。水平軸（Ｘ軸）は１／［１１０］であり、垂直軸（Ｙ軸）は１／［００１］である。Ｘ軸の正の側には（１１３）回折面による回折信号のピークが現れ、負の側には（−１−１３）回折面による回折信号のピークが現れる。
【００４３】
次に、逆格子空間マップ上に現れるＳｉ基板の各回折面による２つのピークが、Ｙ軸対称の位置にあるか確認する（図３Ｃ）。この場合、２つのピークがＹ軸対称の位置にあるので、次の工程に進む。
しかし、Ｙ軸対称の位置にない場合は、Ｘ線回折の測定の際に軸立てがずれて原点ずれをおこしたということなので、一方の回折面、例えば（１１３）回折面によるＳｉ基板のピークが、もう一方の回折面である（−１−１３）回折面によるＳｉ基板のピークと対称の位置になるように、（−１−１３）回折面によるＳｉ基板のピーク、歪みＳｉ層及びＳｉＧｅ層のピークを平行移動させる（図３Ｄ）。ただし、後の工程では（−１−１３）回折面によるＳｉ基板のピークは使用しないので、これに関しては実際に移動させなくてもよい。
【００４４】
このＳｉＧｅ層および歪みＳｉ層のピークは、ＴｉｌｔやＴｗｉｓｔ等による結晶方位ずれの影響と、歪みの影響により、Ｓｉ基板のピーク位置からずれた位置にある。歪みの影響による位置ずれに関しては、水平方向すなわち［１１０］方向の歪みは、Ｘ軸方向の位置ずれとして現れ、垂直方向すなわち［００１］方向の歪みは、Ｙ軸方向の位置ずれとして現れる。そして、いずれの方向に対しても、結晶格子が伸びて格子定数が増加すると面間隔が大きくなるので、逆格子空間マップ上では負の方向に位置ずれし、結晶格子が縮んで格子定数が減少すると、正の方向に位置ずれする。
次に、逆格子空間マップ上に現れる各回折面による同一の歪み層による２つのピーク位置がＹ軸に対称の位置になるように、ＳｉＧｅ層および歪みＳｉ層のピーク位置を原点Ｏを中心とする円周方向に回転移動させて修正する。以下では、この回転修正方法を、ＳｉＧｅ層のピークを用いて具体的に説明する。
【００４５】
図５はＳｉＧｅ層のピークを回転修正する方法を説明する説明図である。
まず、逆格子空間マップ上において、（１１３）、（−１−１３）回折面によるＳｉＧｅ層の測定した（又は測定後平行移動した）ピーク位置をそれぞれＡ（ｘ１、ｙ１）、Ｂ（ｘ２、ｙ２）とし、ＯＡとＯＢのなす角を２θとすると、前述した理由によりＡとＢは同一円周上に存在する。このようにＡとＢが同一円周上に存在するので、原点Ｏからの距離は同じであり、
ＯＡ＝（ｘ１２＋ｙ１２）１／２＝（ｘ２２＋ｙ２２）１／２＝ＯＢ、
ＡＢ＝［（ｘ１−ｘ２）２＋（ｙ１−ｙ２）２］１／２
であり、
ＡＢ２＝ＯＡ２＋ＯＢ２−２ＯＡ・ＯＢｃｏｓ２θ
であるから、
ｃｏｓ２θ＝（ｘ１ｘ２＋ｙ１ｙ２）／（ｘ１２＋ｙ１２）
となる。
【００４６】
また、Ａ、Ｂはそれぞれ回転移動後にＡ´（ｘ１´、ｙ１´）、Ｂ´（ｘ２´、ｙ２´）になるとする。回転移動後はＡ´とＢ´はＹ軸に対して対称の位置とするので、図５のようにＯＡ´とＹ軸のなす角、及びＯＢ´とＹ軸のなす角はいずれもθとなる。また、
ＯＡ´＝ＯＢ´＝ＯＡ
であり、
ｓｉｎθ＝［（１−ｃｏｓ２θ）／２］１／２、
ｃｏｓθ＝［（１＋ｃｏｓ２θ）／２］１／２
であるから、
ｘ１´＝−ｘ２´＝（ｘ１２＋ｙ１２）１／２ｓｉｎθ＝［（ｘ１（ｘ１−ｘ２）＋ｙ１（ｙ１−ｙ２））／２］１／２、
ｙ１´＝ｙ２´＝（ｘ１２＋ｙ１２）１／２ｃｏｓθ＝［（ｘ１（ｘ１＋ｘ２）＋ｙ１（ｙ１＋ｙ２））／２］１／２
となる。
以上のように、回転移動させて修正したＳｉＧｅ層のピーク位置が求められる（図３Ｅ）。このようにして修正したＳｉＧｅ層のピーク位置は、ウェーハのＴｉｌｔやＴｗｉｓｔ等により生じる結晶方位ずれによる位置ずれが取り除かれたものであり、ＳｉＧｅ層の格子緩和率により決まるピーク位置である。なお、歪みＳｉ層のピークについても、同様の方法で回転修正する。
【００４７】
次に、このようにして修正したＳｉＧｅ層のピーク位置から、格子緩和率を求める（図３Ｇ）。格子緩和率を算出する際には、修正したＳｉＧｅ層のピーク位置から、格子緩和率が０％および１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置を算出し（図３Ｆ）、算出したピーク位置を用いて格子緩和率を算出することができる。その具体的方法の一例を以下に示す。なお、いずれの回折面によるＳｉＧｅ層のピークからでも格子緩和率は求められるが、ここでは（１１３）回折面によるＳｉＧｅ層のピーク位置から格子緩和率を求める場合について示す。
【００４８】
図６はＳｉＧｅ層の格子緩和率を求める方法の一例を説明する説明図である。回転移動して修正したＳｉＧｅ層のピークをＡ´（ｘ１´、ｙ１´）を示し、Ｓｉ基板のピークをＣ（ｘＳｉ、ｙＳｉ）とする。まず、原点ＯとＣを通る直線ｌ１は
ｌ１：ｙ＝（ｙＳｉ／ｘＳｉ）ｘ
と表される。次に、Ａ´を通り直線にｌ１に垂直な直線ｌ２は
ｌ２：ｙ＝−（ｘＳｉ／ｙＳｉ）（ｘ−ｘ１´）＋ｙ１´
と表される。
【００４９】
格子緩和率が１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置は、結晶方位がＳｉと同じになっているので、直線ｌ１と直線ｌ２の交点として求めることができる。すなわち、その座標を（ｘ１００、ｙ１００）とすると、
ｘ１００＝（ｘＳｉ２ｘ１´＋ｘＳｉｙＳｉｙ１´）／（ｘＳｉ２＋ｙＳｉ２）、
ｙ１００＝（ｘＳｉｙＳｉｘ１´＋ｙＳｉ２ｙ１´）／（ｘＳｉ２＋ｙＳｉ２）
となる。
【００５０】
一方、格子緩和率が０％となるＳｉＧｅ層のピーク位置は、水平方向の格子定数がＳｉの格子定数と同じになっているので、直線ｌ２においてｘ＝ｘＳｉとしたものとして求めることができる。すなわち、その座標を（ｘ０、ｙ０）とすると、
ｘ０＝ｘＳｉ、
ｙ０＝−（ｘＳｉ／ｙＳｉ）（ｘＳｉ−ｘ１´）＋ｙ１´
となる。
【００５１】
そして、水平方向の格子緩和率Ｒｈｏｒ、および垂直方向の格子緩和率Ｒｖｅｒは、回転修正したＳｉＧｅ層のピーク位置の、格子緩和率０％および１００％となるＳｉＧｅ層のピーク位置に対する相対的な位置として求められる。すなわち、
Ｒｈｏｒ＝（ｘ０−ｘ１´）／（ｘ０−ｘ１００）×１００［％］、
Ｒｖｅｒ＝（ｙ１´−ｙ０）／（ｙ１００−ｙ０）×１００［％］
である。
【００５２】
以上説明したように、本発明に従い、Ｘ線回折法により回折面指数（１１３）、（−１−１３）の２つの非対称回折面について逆格子空間マップを作成し、逆格子空間マップ上のＳｉ基板及びＳｉＧｅ層の各回折面からのピーク位置から、ＳｉＧｅ層の格子緩和率を算出することができる。
【００５３】
次に、ＳｉＧｅ層と同様の方法により回転移動させて修正した歪みＳｉ層のピーク位置から、歪み率を求める（図３Ｉ）。歪み率を算出する際には、修正した歪みＳｉ層のピーク位置から、歪みシリコン層の格子定数を算出し（図３Ｈ）、算出した格子定数を用いて歪み率を算出することができる。その具体的方法の一例を以下に示す。なお、いずれの回折面による歪みＳｉ層のピークからでも歪み率は求められるが、ここでは（１１３）回折面による歪みＳｉ層のピーク位置から歪み率を求める場合について示す。
【００５４】
図７は歪みＳｉ層の歪み率を求める方法の一例を説明する説明図である。回転移動して修正した歪みＳｉ層のピーク位置をＡ´´（ｘ１´´、ｙ１´´）とする。
一般に、格子定数ａの結晶におけるミラー指数（ｈｋｌ）の結晶面の面間隔ｄｈｋｌは、
ｄｈｋｌ＝ａ／（ｈ２＋ｋ２＋ｌ２）１／２
で表される。逆格子空間マップにおける座標と面間隔との関係から、
ｄｈｋ０＝１／ｘ１´´、ｄ００ｌ＝１／ｙ１´´
従って、歪みＳｉ層の水平方向および垂直方向の格子定数ａｈｏｒ、ａｖｅｒは、
ａｈｏｒ＝（ｈ２＋ｋ２）１／２／ｘ１´´、
ａｖｅｒ＝ｌ／ｙ１´´
となる。
従って、歪みＳｉ層の水平方向および垂直方向の歪み率εｈｏｒ、εｖｅｒは、シリコンの格子定数ａＳｉ（５．４３Å）を基準として、
εｈｏｒ＝（ａＳｉ−ａｈｏｒ）／ａＳｉ×１００［％］、
εｖｅｒ＝（ａＳｉ−ａｖｅｒ）／ａＳｉ×１００［％］
となる。
【００５５】
以上説明したように、本発明に従い、Ｘ線回折法により回折面指数（１１３）、（−１−１３）の２つの非対称回折面について逆格子空間マップを作成し、逆格子空間マップ上のＳｉ基板及び歪みＳｉ層の各回折面からのピーク位置から、歪みＳｉ層の歪み率を算出することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
ＳｉＧｅ層の格子緩和率を測定するサンプル１として、酸化濃縮法を用いたＳＧＯＩウェーハの作製を行なった。スマートカット（登録商標）法で作製した直径２００ｍｍの貼り合わせＳＯＩウェーハ上に、ＳｉＧｅ層をＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍで作製し、その後、１０００℃以上の温度でドライ酸化しながら、ＳＯＩ層にＧｅを拡散させるとともに、ＳＯＩ層（酸化濃縮工程後にはＳｉＧｅ層となる。）の薄膜化を行い、その後、ＨＦ溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、ＢＯＸ層上にＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍのＳｉＧｅ層を形成した。今回は、ＳｉＧｅ層の格子緩和率を測定することを目的としているため、ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層は形成しなかった。
【００５７】
そして、Ｘ線回折装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）にて、（１１３）回折面と（−１−１３）回折面の逆格子空間マップの測定を行なった。そして前述の工程に従って、ＳｉＧｅ層の格子緩和率を求めた。測定によって得られた（１１３）、（−１−１−３）回折面によるＳｉ基板の２つのピークはＹ軸に対して対称の位置となったので、ＳｉＧｅ層のピーク位置の平行移動はさせず回転移動させて修正し、結晶方位によるずれの影響が除かれたピーク位置とした。そして、格子緩和率１００％および０％のＳｉＧｅ層のピーク位置を求め、それらとの相対位置関係から、水平方向および垂直方向の格子緩和率を求めた。その結果、格子緩和率はいずれの方向も８４．９１％であった。これらの結果を表１にまとめる。
【００５８】
【表１】
2005203583.tif 000002
【００５９】
（実施例２）
歪みＳｉ層の歪み率を測定するサンプル２として、ＳＧＯＩウェーハの作製を行なった。スマートカット（登録商標）法で作製した直径２００ｍｍの貼り合わせＳＯＩウェーハ上に、ＳｉＧｅ層をＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍで作製し、その後、１０００℃以上の温度でドライ酸化しながら、ＳＯＩ層にＧｅを拡散させるとともに、ＳＯＩ層（酸化濃縮工程後にはＳｉＧｅ層となる。）の薄膜化を行い、その後、ＨＦ溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、ＢＯＸ層上にＧｅ濃度２０％、厚さ４０ｎｍのＳｉＧｅ層を形成した。そして、その後ＳｉＧｅ層の上にＳｉ層を５０ｎｍの厚さだけエピタキシャル成長させ、歪みＳｉ層とした。
【００６０】
そして、実施例１と同様に、Ｘ線回折装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）にて、（１１３）回折面と（−１−１３）回折面の逆格子空間マップの測定を行なった。そして前述の工程に従って、歪みＳｉ層の歪み率を求めた。この場合も、測定によって得られた（１１３）、（−１−１３）回折面によるＳｉ基板の２つのピークはＹ軸に対して対称の位置となったので、歪みＳｉ層のピーク位置の平行移動はさせず回転移動させて修正し、結晶方位によるずれの影響が除かれたピーク位置とした。そして、歪みＳｉ層の格子定数を求め、通常のシリコンの格子定数から、水平方向および垂直方向の歪み率を求めた、その結果、水平方向の歪み率は−１．０６５％、垂直方向の歪み率は１．１９８％であった。これらの結果を表２にまとめる。
【００６１】
【表２】
2005203583.tif 000003
【００６２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６３】
例えば、上記実施例では、非対称回折面を（１１３）回折面としたが、非対称回折であり、基板および歪み層からの回折ピークが得られるものであればよく、（２２４）回折面であってもよい。
また、基板をシリコン基板、歪み層をＳｉＧｅ層および歪みＳｉ層である場合について述べたが、単結晶基板の上に貼り合わせ法により歪み層が形成されたものであれば、ＧａＡｓのような化合物半導体であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）は測定したＳＯＩウェーハの断面概略図、（ｂ）は逆格子空間マップ、（ｃ）は逆格子空間マップ上の回折強度ピーク位置を示す概略図である。
【図２】（ａ）はＳＧＯＩウェーハの断面概略図、（ｂ）は逆格子空間マップ、（ｃ）は逆格子空間マップ上のピーク位置を示す概略図である。
【図３】本発明に係る歪み量測定方法の一例を示す工程フロー図である。
【図４】サンプルをＸ線回折法により回折面指数（１１３）、（−１−１３）の２つの非対称回折面について測定し、作成した逆格子空間マップの概略図である。
【図５】ＳｉＧｅ層のピークを回転修正する方法を説明する説明図である。
【図６】ＳｉＧｅ層の格子緩和率を求める方法の一例を説明する説明図である。
【図７】歪みＳｉ層の歪み率を求める方法の一例を説明する説明図である。
【図８】結晶面方位（１００）のウェーハに発生する結晶方位ずれを示す説明図であり、（ａ）はウェーハを表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）はウェーハを表面に平行な方向から見た図である。
【図９】結晶面方位（１００）の２枚のＳｉウェーハを、一方をＳＯＩ層形成用として、もう一方を支持基板として貼り合わせて作製した貼り合わせウェーハに発生する結晶方位ずれを示す概略図であり、（ａ）はウェーハを表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）はウェーハを表面に平行な方向から見た図である。
【図１】
2005203583.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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