(57)【要約】【課題】  薄型化した半導体チップにおいても優れたピックアップ性能を有する半導体加工用粘着シートを提供すること。【解決手段】  基材フィルム（１）の少なくとも片面に粘着剤層（２）を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。【選択図】        図６
2005116920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの少なくとも片面に粘着剤層を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。
【請求項２】
前記基材フィルム中の密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンの含有量が２０重量％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体加工用粘着シート。
【請求項３】
前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率が１００ＭＰa 以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体加工用粘着シート。
【請求項４】
前記低密度ポリエチレンが側鎖分岐を制御してなる直鎖状低密度ポリエチレンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【請求項５】
前記低密度ポリエチレンがメタロセン触媒を使って重合されものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【請求項６】
粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの半導体加工用粘着シートを用いて、半導体ウエハをダイシングする工程および／またはピックアップする工程を有することを特徴とする半導体加工方法。
【請求項８】
半導体ウエハの厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の半導体加工方法。
【請求項９】
請求項７または８記載の半導体加工方法により得られたものであることを特徴とする半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体加工用粘着シートに関する。また本発明は当該半導体加工用粘着シートを用いて半導体を加工する方法に関する。さらには当該半導体加工方法により得られた半導体チップに関する。
【０００２】
本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハ等の素子小片を切断分離（ダイシング）する際に、当該半導体ウエハ等の被切断物を固定するために用いるダイシング用粘着シート、またダイシングされた当該被切断物を個々に剥離（ピックアップ）するために用いる半導体ピックアップ用粘着シートとして有用である。通常はダイシング工程からピックアップ工程までを同一の粘着シートで行なうことが多いため、半導体加工用粘着シートは、それら用途を包含した半導体加工用粘着シートとして特に有用である。
【０００３】
また、本発明の半導体加工用粘着シートは、シリコン半導体加工用粘着シート、化合物半導体加工用粘着シート、半導体パッケージ加工用粘着シート等として使用できるほか、ガラス加工用粘着シートとしても使用することができる。
【背景技術】
【０００４】
従来よりシリコン、ガリウム、砒素等を材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された後、素子小片にダイシングされ、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウエハは粘着シートに貼付けされ保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上に粘着剤層が形成されているものが一般的に用いられる。
【０００５】
前記ダイシング工程においては、通常は回転しながら移動する丸刃によって切断が行なわれるが、その際に半導体ウエハを保持する目的で半導体加工用粘着シートが貼付けされる。そして、続くピックアップ工程においては、貼付けされた粘着シート背面側より、ニードルと呼ばれる針を使って、切断された半導体チップを１０〜１０００μｍ持ち上げながら、半導体チップ側表面を吸着できる吸着コレツト等の治具で半導体チップを更に上方に引き上げることで粘着シートからチップを引き剥がす方法が用いられている。
【０００６】
上記ピックアップ工程における剥離メカニズムは概ね次の通りである。初めにニードルにより、半導体チップを１０〜１０００μｍ持ち上げることで、半導体チップ外周部の剥離が発生する。そして、続く吸着コレットでの引き上げによって、外周部の剥離が基材の反発等を利用しながら進行し、最終的に半導体チップと粘着シートを完全に剥離して分離する。このピックアップ工程において、半導体チップと粘着シート間の接着力を下げる目的で、粘着剤層に紫外線などの放射線を照射することで、接着力を低下させることのできる放射線硬化型粘着剤を用いた半導体加工用粘着シートが使用されるのが一般的になってきている（特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、近年、半導体素子が薄くなる傾向があり、薄型化した半導体素子では、前記放射線硬化型粘着剤を用いた半導体加工用粘着シートにおいても、ニードルで半導体チップを持ち上げた際に、半導体チップと粘着剤層との間の微弱な接着力でも基材に追従する形で半導体チップが変形（しなり）を生じていまう。その結果、半導体チップ周辺部の剥離が発生せず、ピックアップを行なうことができないという問題が発生している。
【特許文献１】特開平１−２７２１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、薄型化した半導体チップにおいても優れたピックアップ性能を有する半導体加工用粘着シートを提供することを目的とする。
【０００９】
また本発明は、当該半導体加工用粘着シートを用いた半導体加工方法を提供することを目的とする。さらには当該半導体加工方法により得られた半導体チップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは前記目的を達成するため鋭意検討した結果、以下に示す半導体加工用粘着シートを見出し本発明を完成するに至った。すなわち本発明は以下に示す通りである。
【００１１】
１．基材フィルムの少なくとも片面に粘着剤層を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。
【００１２】
２．前記基材フィルム中の密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンの含有量が２０重量％以上であることを特徴とする前記１記載の半導体加工用粘着シート。
【００１３】
３．前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率が１００ＭＰa 以下であることを特徴とする前記１または２記載の半導体加工用粘着シート。
【００１４】
４．前記低密度ポリエチレンが側鎖分岐を制御してなる直鎖状低密度ポリエチレンであることを特徴とする前記１〜３のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【００１５】
５．前記低密度ポリエチレンがメタロセン触媒を使って重合されものであることを特徴とする前記１〜４のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【００１６】
６．粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする前記１〜５のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。
【００１７】
７．前記１〜６のいずれかの半導体加工用粘着シートを用いて、半導体ウエハをダイシングする工程および／またはピックアップする工程を有することを特徴とする半導体加工方法。
【００１８】
８．半導体ウエハの厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする前記７記載の半導体加工方法。
【００１９】
９．前記７または８記載の半導体加工方法により得られたものであることを特徴とする半導体チップ。
【発明の効果】
【００２０】
上記本発明の半導体加工用粘着シートの基材フィルムは、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いているため、柔軟性を有しており、半導体ウエハとして厚さが２００μｍ以下の薄いものを用いた場合にも、半導体チップのピックアップ時の突上時のフィルム変形性に優れている。しかも基材フィルムの伸長に伴い、その応力が増大していく特長を有しており、半導体チップの剥離を容易に行なうことができ、優れたピックアップ性能を有する。
【００２１】
以下、従来の半導体加工用粘着シートと本発明の半導体加工用粘着シートとを用いた場合の、半導体チップの剥離機構を図面に基づいて説明する。図１〜図３はピックアップ工程でのニードル突上げ時における粘着シートと半導体チップの挙動を示すものである。
【００２２】
図２は、半導体チップ（Ｗ）が厚く剛性が高いものに対して、従来の粘着シート（Ａ′）を適用し、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた状態を示している。半導体チップ（Ｗ）の剛性が高いため、放射線硬化等で十分に粘着力が低下していれば、ニードル（Ｎ）ピンにより半導体チップ（Ｗ）の突上げを行なうことで、粘着シート（Ａ′）だけが変形するため、半導体チップ（Ｗ）の剥離が起こる。
【００２３】
図３は、半導体チップ（Ｗ）が薄く剛性が低いものに対して、従来の粘着シート（Ａ′）を適用し、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた状態を示している。半導体チップ（Ｗ）の剛性が低いため、放射線硬化等で接着力が低下していても、半導体チップ（Ｗ）と粘着シート（Ａ′）との間の接着力が完全になくなっていない状態では、半導体チップ（Ｗ）が粘着シート（Ａ′）に追従するように変形するため、半導体チップ（Ｗ）の剥離が起こらずピックアップができない。
【００２４】
図１は、半導体チップ（Ｗ）が薄く剛性が低い場合であっても、本発明の粘着シート（Ａ）を適用すれば、ピックアップできることを示している。本発明の粘着シート（Ａ）は、基材フィルムとして、極めて密度が低く柔軟性に優れる低密度ポリエチレンを用いているため、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた時の粘着シート（Ａ）の変形が大きく、半導体チップ（Ｗ）がニードル形状に追従する。すなわち、放射線硬化等で接着力が十分に低下していれば、粘着シート（Ａ）に追従できなくなった半導体チップ（Ｗ）の反発力で剥離が開始し、それによってピックアップが可能となる。
【００２５】
また、本発明の半導体加工用粘着シートの基材フィルムは、２３℃における初期弾性率が１００Ｍｐａ以下であることが好ましい。これは次のような理由によるもと考えられる。前記の通り、基材フィルムは十分に柔軟性を有し、ニードルによる突上げ時に、ニードルにある程度追従するように、局所変形する必要がある。その柔軟性の目安が１００ＭＰa である。
【００２６】
また、ニードルによる突上げ後には、コレット吸着による最終剥離が行なわれるが、その時には先述の柔軟性とは逆に適度な基材フィルムの反発性が必要となる。しかも、これらの一連の動作は３００ｍｓｅｃ（ミリ秒）程度の極めて短い時間で行なわれるため、反発性には高速変形下における基材フィルムの粘弾性挙動が影響すると考えられる。
【００２７】
以下、図４、図５に、粘着シートの基材フィルムとして、前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下のものを用いた場合について説明する。図４、図５は、粘着シート（Ａ，Ａ′）を用い、ピックアップ工程における吸着コレット（Ｃ）による半導体チップ（Ｗ）の最終剥離の状態を示している。
【００２８】
図４は、本発明の半導体加工用粘着シートを用いた場合である。基材フィルムは、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いており、かつ前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下である。図４では、吸着コレット（Ｃ）が上方へ半導体チップ（Ｗ）を吸着しながら上昇するにつれて、粘着シート（Ａ）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力によって粘着シート（Ａ）も上方に引っ張られている。このとき基材フィルムの反発が十分あり、その反発力が粘着シート（Ａ）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力よりも大きければ、その反発によって、吸着コレット（Ｃ）を上方に引き上げるにつれて、自然に半導体チップ（Ｗ）から粘着シート（Ａ）が剥離される。
【００２９】
一方、図５は、粘着シート（Ａ′）の基材フィルムとして、前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下の極めて柔軟なものであるが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いていない場合である。かかる基材フィルムとしては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体を材料として用いたものがあげられる。図５では、ピックアップ初期のニードルでの突上げによる剥離は生じる。しかし、次の吸着コレツト（Ｃ）による剥離の段階では、基材フィルムの反発力が十分でなく、当該反発力よりも粘着シート（Ａ′）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力の方が大ききため、粘着シート（Ａ′）が伸びてしまいスムーズに剥離ができない。その結果、基材フィルムが大きく伸びた後に半導体チップ（Ｗ）が剥離するため、例えば、剥離後の粘着シート（Ａ′）が戻る振動等によって未剥離の周辺チップが他のチップと干渉する等の問題を生じる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に本発明の半導体加工用粘着シートを、図６を参照しながら説明する。図６は、半導体加工用粘着シートの断面図である。半導体加工用粘着シートは、基材フィルム（１）の片面に粘着剤層（２）を有する。粘着剤層（２）は、基材フィルム（１）の少なくとも片面に有していればよい。図６では、基材フィルム（１）の片面にのみ粘着剤層（２）を有する場合を例示している。半導体加工用粘着シートは、テープ状、巻回状にしたものを用いることができる。粘着剤層（２）にはセパレータ（３）が設けられている。なお、図３乃至図４において、半導体加工用粘着シート（Ａ）は半導体チップ（Ｗ）側が、粘着剤層（２）になるように配置される。
【００３１】
前述の通り、薄型化半導体チップのピックアップ工程では、半導体加工用粘着シートに対して、初期のニードルによる変形剥離を容易に起こるようにするための柔軟性と、続く吸着コレットでの剥離をスムーズに起こるようにするための反発力が必要になる。これら柔軟性と反発力は相反する特性である。このような要求特性を満たす柔軟性のある基材フィルムとして、本発明では、ニードル突上げという比較的（吸着コレットによる剥離段階と比べ）低速変形領域では柔軟性に富み、且つ吸着コレットによる剥離という高速変形領域下での弾性に優れる材料が用いられる。
【００３２】
基材フィルム（１）には、かかる粘弾性特性を示す材料として、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを有するものが用いられる。低密度ポリエチレンの密度は好ましくは０．９１０ｇ／ｃｍ3 以下、さらには好ましくは０．９０５ｇ／ｃｍ3 以下である。低密度ポリエチレンの密度が０．９１５ｇ／ｃｍ3 を超える場合は、柔軟性に乏しく好ましくない。なお、低密度ポリエチレンは、通常、フィルムに用いる場合には密度が０．９１５ｇ／ｃｍ3 を超えるものが用いられる。
【００３３】
密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンは、一般的に、エチレンとα−オレフィンを共重合させて得られる。α−オレフィンを共重合させることによって、ポリエチレンの結晶性を低下させ、その密度を下げ、柔軟性を付与している。α−オレフィンとしては、ブテン−１、３−メチルペンテン−１、４−メチルペンテン−１、ヘキセン−１、オクテン−１等があげられる。α−オレフィンの共重合比は、前記密度条件を満足すれば特に制限されないが、低密度ポリエチレンの通常６０重量％以下、好ましくは１０〜４０重量％である。
【００３４】
前記低密度ポリエチレンは、直鎖状低密度ポリエチレンに近いものが好ましい。したがって、前記低密度ポリエチレンは側鎖分岐を制御してなる直鎖状低密度ポリエチレンであることが好ましい。更にはメタロセン重合触媒を用いて作られた直鎖状低密度ポリエチレンが好ましい。通常の低密度ポリエチレンの場合、密度を０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度としようとした場合には、分子量分布が過度に広くなりすぎることが多い。その結果、流動性の違いなどによって高分子側の分子同士で凝集が起こりやすく、ゲル化物のような凝集物ができ、外観的に好ましくない。メタロセン重合触媒を用いることによって、分子量を比較的均一に保つことができ、更に直鎖状とすることで不要な分子間の絡まりあいによる凝集も防止することができる。前述のメタロセン重合触媒により得られた直鎖状低密度ポリエチレンは外観的に好ましいものであり、直鎖状低密度ポリエチレンがメタロセン重合触媒により得られたものに限定されるものではない。
【００３５】
なお、エチレン系共重合物であっても、共重合モノマーの主成分が、α−オレフィンを含むオレフィンモノマーではないものは好ましくない。例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等の場合には柔軟性を得ることができるが、高速変形時の反発力が十分ではない。これは前記したように粘弾性特性が通常のエチレンの粘弾性特性から大きく変化してしまうためと考えられる。
【００３６】
基材フィルム（１）は、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを他のブレンド可能な樹脂と混合して用いるもできる。樹脂ブレンド物は、前記低密度ポリエチレンのポリマー鎖に結晶を低下させる効果があるため、混合した他方のポリマーの結晶性を低下させて、前記同様な効果を得ることができる。前記樹脂ブレンド物において、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンは主成分でなくてもよく、その混合割合としては、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンが樹脂ブレンド物全体の２０重量％以上あれば、前記効果を得ることができる。前記混合割合は２５重量％以上であるのが好ましい。前記低密度ポリエチレンとブレンド可能な樹脂としては、低密度ポリエチレンと完全相溶し、その密度を変化させうるもの、たとえば、高密度ポリエチレン等の各種ポリエチレンは好ましくない。ブレンド可能な樹脂は、前記のもの以外であれば特に制限されないが、たとえば、ポリプロピレン、スチレン系熱可塑性エラストマー等があげられる。
【００３７】
基材フィルム（１）は押出し法等の常法に従って製作することができる。その厚さは、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。基材フィルム（１）は単層フィルム又は多層フィルムの何れであってもよいが、最終的な基材フィルム（１）の２３℃における引張弾性率が１００ＭＰａ以下となるようにするのが好ましい。多層フィルムは、例えば、他の軟質フィルム材料を用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、得られた基材フィルムは、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施してもよい。延伸処理を施す場合にも、基材の弾性率が１００ＭＰa 以下となる範囲でとどめるのが好ましい。基材フィルムの前記引張弾性率は好ましくは８０ＭＰａ以下、さらに好ましくは６０ＭＰａ以下である。なお、前記引張り弾性率は、通常、１０ＭＰａ以上である。
【００３８】
このようにして製膜された基材フィルム（１）は、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理等の慣用の物理的又は化学的処理を施すことができる。
【００３９】
粘着剤層（２）は、公知乃至慣用の粘着剤を使用できる。このような粘着剤は、何ら制限されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の各種粘着剤が用いられる。
【００４０】
前記粘着剤としてはアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤のベースポリマーであるアクリル系ポリマーは、通常（メタ）アクリル酸アルキルの重合体または共重合性モノマーとの共重合体が用いられる。アクリル系ポリマーの主モノマーとしては、そのホモポリマーのガラス転移温度が２０℃以下の（メタ）アクリル酸アルキルが好ましい。
【００４１】
（メタ）アクリル酸アルキルのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、2 −エチルヘキシル基、オクチル基、イソノニル基等があげられる。また、前記共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキル、（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、t −ブチルアミノエチルメタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等があげられる。
【００４２】
また、粘着剤としては紫外線、電子線等により硬化する放射線硬化型粘着剤や加熱発泡型粘着剤を用いることもできる。さらには、ダイシング・ダイボンド兼用可能な粘着剤であってもよい。本発明においては、放射線硬化型粘着剤、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、ダイシング工程の前又は後に粘着剤に放射線が照射されるため前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有しているものが好ましい。
【００４３】
放射線硬化型粘着剤は、例えば、前記ベースポリマー（アクリル系ポリマー）と、放射線硬化成分を含有してなる。放射線硬化成分は、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー又はポリマーを特に制限無く使用できる。放射線硬化成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ぺンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、1 ，6 −へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオぺンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジぺンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；2 −プロぺニルージ−3 −ブテニルシアヌレート、2 −ヒドロキシエチルビス（2 −アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物などがあげられる。
【００４４】
また、放射線硬化型粘着剤はベースポリマー（アクリル系ポリマー）として、ポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型ポリマーを使用することもでき、この場合においては特に上記放射線硬化成分を加える必要は無い。
【００４５】
放射線硬化型粘着剤を紫外線により硬化させる場合には、光重合開始剤が必要である。重合開始剤としては、たとえば、べンゾイルメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のペンゾインアルキルエーテル類；べンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；べンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等があげられる。
【００４６】
前記粘着剤には、更に必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、アジリジン化合物、エポキシ樹脂、無水化物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。
【００４７】
本発明の半導体加工用粘着シートは、例えば、基材フィルム（１）の表面に、粘着剤を塗布して乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層（２）を形成し、必要に応じてこの粘着剤層（２）の表面にセパレータ（３）を貼り合わせることにより製造できる。また、別途、セパレータ（３）に粘着剤層（２）を形成した後、それらを基材フィルム（１）に貼り合せる方法等を採用できる。
【００４８】
粘着剤層（２）の厚さは、粘着剤の種類、あるいはダイシング切込深さにより適宜決定することができるが、通常は１〜２００μｍ、好ましくは３〜５０μｍ程度である。
【００４９】
セパレータ（３）は、ラベル加工のため、または粘着剤層を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等があげられる。セパレータの表面には、粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、剛性を高める等の目的に応じて、一軸または二軸の延伸処理や他のプラスチックフィルム等で積層を行ってもよい。セパレータの厚みは、通常、１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
【００５０】
本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハをダイシングする工程、ピックアップする工程に用いられる。ダイシング工程、ピックアップ工程は常法を採用できる。本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハの厚さが２００μｍ以下に薄型化したものに好適に用いられる。半導体ウエハの厚さは、１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下の場合にも好適に用いられる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００５２】
実施例１
（基材フィルムの作成）
三井化学（株）製の「商品名：エボリューＳＰ−０５４０」をＴダイ押出し成形機（設定温度２３０℃）に供給し製膜し、厚み１００μｍの基材フィルムを作成した。エボリューＳＰ−０５４０は、メタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンであり、密度は０．９０３ｇ／ｃｍ3 である。
【００５３】
（粘着剤の調整）
アクリル酸メチル８０重量部およびアクリル酸２−ヒドロキシエチル２０重量部を、トルエン８０重量部およびアセトニトリル２０重量部の混合溶剤中で常法により共重合させて重量平均分子量５０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。次いでアクリル酸２−ヒドロキシエチル１モル部に対し、２−メタクリロイルオキシエチレンイソシアネートが０．９モル部となるように添加し、空気雰囲気下において５０℃で１２時間撹拌反応させ、放射線硬化型ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液１００重量部にジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（商品名「カヤラッドＤＰＨＡ」，日本化薬（株）製）１００重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」，チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５重量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，日本ポリウレタン（株）製）５重量部を加えて、アクリル系紫外線硬化型粘着剤溶液を調製した。
【００５４】
（粘着シートの作製）
上記で調製した粘着剤溶液を、上記で得られた基材フィルムのコロナ処理面上に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ２０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面にセパレータを貼り合せて紫外線硬化型粘着シートを作製した。
【００５５】
実施例２
実施例１において、基材フィルムの材料として、三菱化学（株）製の「カーネルＫＦ２７３」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。カーネルＫＦ２７３はメタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．９１３ｇ／ｃｍ3 である。
【００５６】
実施例３
実施例１において、基材フィルムの材料として、三菱化学（株）製の「ゼラス」７０重量部と三菱化学（株）製の「カーネルＫＦ２６１」３０重量部を二軸混練押出器で混合したものを用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。ゼラスは、プロピレン５８重量％とエチレン−プロピレンラバー４２重量％の混合品であり、密度は０．８８ｇ／ｃｍ3 である。カーネルＫＦ２６１はメタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．８９８ｇ／ｃｍ3 である。
【００５７】
比較例１
実施例１において、基材フィルムの材料として、三井デュポンポリケミカル（株）製の「エバフレックスＰ−１２０５」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。エバフレックスＰ−１２０５はエチレン−酢酸ビニル共重合体で、密度は０．９３ｇ／ｃｍ3 である。
【００５８】
比較例２
実施例１において、基材フィルムの材料として三井化学 (株）製の「ウルトゼックス２０２２Ｌ」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。ウルトゼックス２０２２Ｌはチーグラー触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．９２ｇ／ｃｍ3 である。
【００５９】
比較例３
実施例１において、基材フィルムの材料として三菱化学（株）製の「ゼラス」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。
【００６０】
（評価試験）
実施例及び比較例で得られた粘着シートを下記の方法により評価した。結果を表１に示す。
【００６１】
（１）基材フィルムの引張弾性率
作製した基材フィルムの引張弾性率をＪＩＳ  Ｋ６９２１−２に準じて測定した。引張速度：２００ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間：５０ｍｍ、サンプル幅：１０ｍｍ。
【００６２】
（２）ピックアップ試験
作製した粘着シートを厚さ５０μｍの６インチウエハにマウントし、７ｍｍ×７ｍｍのサイズにダイシングを行なった後、紫外線を照射して粘着剤層の粘着力を低下させてから、ダイボンダーでピックアップを行なった。
ダイボンダー：ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００
突上ザピン：３５０μｍＲ１５°×０．７５ｍｍφ
突上げ量：３００μｍ
上記条件にて約３０チップのピックアップを試み、どれだけピックアップできたかを評価した。
【００６３】
【表１】
2005116920.tif 000003
表１から、実施例の粘着シートでは薄型チップでも問題なくピックアップできていることが認められる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体加工用粘着シート上の半導体ウエハチップをニードルで突き上げた状態を示す断面図の一例である。
【図２】従来の半導体加工用粘着シート上の半導体ウエハチップをニードルで突き上げた状態を示す断面図の一例である。
【図３】従来の半導体加工用粘着シート上の半導体ウエハチップをニードルで突き上げた状態を示す断面図の一例である。
【図４】本発明の半導体加工用粘着シート上の半導体ウエハチップを吸着コレットで剥離している状態を示す断面図の一例である。
【図５】従来の半導体加工用粘着シート上の半導体ウエハチップを吸着コレットで剥離している状態を示す断面図の一例である。
【図６】本発明の半導体加工用粘着シートの断面図の一例である。
【符号の説明】
【００６５】
Ａ，Ａ′  半導体加工用粘着シート
Ｗ        半導体チップ
Ｎ        ニードル
Ｃ        吸着コレット
１      基材フィルム
２      粘着剤層
３      セパレータ
【図１】
2005116920.tif 000004
【図２】
2005116920.tif 000005
【図３】
2005116920.tif 000006
【図４】
2005116920.tif 000007
【図５】
2005116920.tif 000008
【図６】
2005116920.tif 000009