(57)【要約】【課題】有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、剥離後、他の基板に一体化可能な薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法、これらの方法により得た薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板、電気光学装置の提供。【解決手段】第１の基材上に分離膜を形成する工程Ｓ１と、分離膜上に薄膜デバイスを形成する工程Ｓ２と、薄膜デバイスに保護膜を形成する工程Ｓ３と、第１の基材を薄膜デバイスから分離する工程Ｓ５とを有し、工程Ｓ１においては、第１の基材と分離膜との密着力を部分的に異ならせており、工程Ｓ５の前に、第１の基材と分離膜との密着力の強い部分を除去する工程Ｓ４を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材上に分離膜を形成する分離膜形成工程と、
上記分離膜上に薄膜デバイスを形成する薄膜デバイス形成工程と、
上記薄膜デバイスに保護膜を形成する保護膜形成工程と、
第１の基材を上記薄膜デバイスから分離する第１の基材分離工程とを有し、
上記分離膜形成工程においては、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせており、
上記第１の基材分離工程の前に、第１の基材と上記分離膜との密着力の強い部分を除去する除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜形成工程において、第１の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜と上記保護膜とのうち少なくとも上記分離膜に、有機物の膜を用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜と上記保護膜とに、同じ材料を用いた有機物の膜を用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物の膜を、ポリパラキシリレン材料、フッ素化ポリマー又はシクロテンを用いて形成することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３ないし５の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物の膜を、有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物原料としてポリパラキシリレン材料を用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜を、１０μｍ以上の厚さで形成することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第１の基材分離工程の後に、上記薄膜デバイスの、第１の基材があった側に、第２の基材を一体化する第２の基材一体化工程を有することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記薄膜デバイスが、有機機能性素子を備えていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記薄膜デバイスが、有機ＴＦＴ素子を備えていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、上記薄膜デバイスをマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により製造された薄膜デバイス装置。
【請求項１５】
請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板。
【請求項１６】
請求項１３記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から他の基板に転写する薄膜デバイス装置の製造方法、この方法により得た薄膜デバイス装置、かかる薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法、この方法により得たアクティブマトリクス基板、かかるアクティブマトリクス基板の製造方法を利用した電気光学装置の製造方法およびこの方法により得た電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、電気泳動表示装置等、各種の電気光学装置に薄膜デバイスが利用されていることが知られており、薄膜デバイスの製造には半導体プロセスが利用される。例えば、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）を製造する際に、半導体プロセスを利用する。このプロセス中は高温処理を伴う工程を含むため、基板としては耐熱性に優れる材質のもの、すなわち、軟化点および融点が高いものを使用する必要がある。
【０００３】
従って、現在は、１０００℃程度の温度に耐える基板として石英ガラスが使用され、５００℃前後の温度に耐える基板として耐熱ガラスが使用されている。
このように、ＴＦＴ等の薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造する際の温度条件等に耐え得るものでなければならない。
【０００４】
しかしながら、ＴＦＴ等の薄膜デバイスを搭載した基板が完成した後において、前記の石英ガラスや耐熱ガラスでは好ましくないことがある。例えば、高温処理を伴う製造プロセスに耐え得るように石英基板や耐熱ガラス基板等を用いた場合には、これらの基板が非常に高価であるため、表示装置等の製品価格の上昇を招く。また、パームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される液晶表示装置は、可能な限り安価であることに加えて、軽くて多少の変形にも耐え得ること、落としても割れにくいことも求められるが、石英基板やガラス基板は、重いとともに、変形に弱く、かつ、落下等によって割れやすい。従って、従来の薄膜デバイス装置に用いられる基板には、製造条件からくる制約、および製品に要求される特性の双方に対応することができないという問題点がある。
【０００５】
これに対し、近年、有機薄膜電子デバイスとして有機ＴＦＴや有機ＥＬ素子が研究され、その応用として有機ＴＦＴアクティブマトリックス駆動の有機ＥＬディスプレイの試作が試みられている。有機電子デバイスの特徴として、多結晶シリコンＴＦＴ作製に見られるような高価な製造設備が不要であり、安価なデバイス提供が可能である特徴があり、また先述のパームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される表示装置に好適であると考えられる。
【０００６】
プラスチックシートである基材上にこれら有機ＴＦＴを形成する場合、基材の寸法安定性が劣るため、その上にアクティブ素子をじかに形成するのは非常に困難である。〔特許文献１〕では、ガラス等の耐熱性に優れた基板に予め形成したアクティブマトリックス層をプラスチックシート基板上に転写することが開示されている。この〔特許文献１〕では、剥離層に金属メッキを用い、アクティブマトリックス層との間に透明電気絶縁層を設けるなど煩雑な工程が必要であり、しかも、接着剤として溶剤型感圧接着剤を用いているため、応力の問題が生じる。〔特許文献２〕では、転写時の外力からアクティブマトリックス層を保護するために、無機バッファ層を配置したり、スリットを追加形成したりするなどの工程の煩雑差を招いている。
【０００７】
鑑みて、転写法の重要な技術は剥離工程にあり、既報では、〔特許文献３〕において、アモルファスシリコンのレーザー照射による相変化現象に伴う密着力減少、放射線照射による密着力の減少に関する技術が開示されており、〔特許文献４〕、〔特許文献５〕において、物理的、化学的基材の除去に関する技術が開示されており、他には、応力を伴う機械的剥離と発生応力からの素子保護方法に関する技術が開示されており、転写法の剥離工程に関する技術はこれらに大別できる。
【０００８】
なお、特願平８−２２５６４３号では、多結晶シリコンＴＦＴなどを従来のプロセスと略同様な条件で第１の基材上に形成した後に、この薄膜デバイスを第１の基材から剥離して、第２の基材に転写する技術が提案されている。ここでは、第１の基材と薄膜デバイスとの間に分離層を形成し、この分離層に対して例えばエネルギー光を照射することにより、第１の基材から薄膜デバイスを剥離して、この薄膜デバイスを第２の基材の側に転写している。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−６２５９１号公報
【特許文献２】特開２００１−３５６３７０号公報
【特許文献３】特開平８−１５２５１２号公報
【特許文献４】特開平１０−１８９９２４号公報
【特許文献５】特開平１１−３１８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の剥離方法および転写方法では、分離層での剥離現象が適正に起こらないという問題点、基板サイズに制約を受け、特に有機電子デバイスの特徴である大面積素子への展開が不可能であるという問題点があった。
【００１１】
本発明は、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、剥離後、他の基板に一体化可能な薄膜デバイス装置の製造方法、この方法により得た薄膜デバイス装置、かかる薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法、この方法により得たアクティブマトリクス基板、かかるアクティブマトリクス基板の製造方法を利用した電気光学装置の製造方法およびこの方法により得た電気光学装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、第１の基材上に分離膜を形成する分離膜形成工程と、上記分離膜上に薄膜デバイスを形成する薄膜デバイス形成工程と、上記薄膜デバイスに保護膜を形成する保護膜形成工程と、第１の基材を上記薄膜デバイスから分離する第１の基材分離工程とを有し、上記分離膜形成工程においては、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせており、上記第１の基材分離工程の前に、第１の基材と上記分離膜との密着力の強い部分を除去する除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法にある。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜形成工程において、第１の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜と上記保護膜とのうち少なくとも上記分離膜に、有機物の膜を用いることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１または２記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜と上記保護膜とに、同じ材料を用いた有機物の膜を用いることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の発明は、請求項３または４記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物の膜を、ポリパラキシリレン材料、フッ素化ポリマー又はシクロテンを用いて形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の発明は、請求項３ないし５の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物の膜を、有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機物原料としてポリパラキシリレン材料を用いることを特徴とする。
【００１９】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記分離膜を、１０μｍ以上の厚さで形成することを特徴とする。
【００２０】
請求項９記載の発明は、請求項１ないし８の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第１の基材分離工程の後に、上記薄膜デバイスの、第１の基材があった側に、第２の基材を一体化する第２の基材一体化工程を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項１０記載の発明は、請求項１ないし９の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記薄膜デバイスが、有機機能性素子を備えていることを特徴とする。
【００２２】
請求項１１記載の発明は、請求項１ないし１０の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記薄膜デバイスが、有機ＴＦＴ素子を備えていることを特徴とする。
【００２３】
請求項１２記載の発明は、請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、上記薄膜デバイスをマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法にある。
【００２４】
請求項１３記載の発明は、請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法にある。
【００２５】
請求項１４記載の発明は、請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により製造された薄膜デバイス装置にある。
【００２６】
請求項１５記載の発明は、請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板にある。
【００２７】
請求項１６記載の発明は、請求項１３記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置にある。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、第１の基材上に分離膜を形成する分離膜形成工程と、上記分離膜上に薄膜デバイスを形成する薄膜デバイス形成工程と、上記薄膜デバイスに保護膜を形成する保護膜形成工程と、第１の基材を上記薄膜デバイスから分離する第１の基材分離工程とを有し、上記分離膜形成工程においては、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせており、上記第１の基材分離工程の前に、第１の基材と上記分離膜との密着力の強い部分を除去する除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法にあるので、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００２９】
分離膜形成工程において、第１の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第１の基材と上記分離膜との密着力を部分的に異ならせることとすれば、広く用いられている界面活性剤を用いることで第１の基材と分離膜との密着力を容易に部分的に異ならせることができるから、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３０】
分離膜と保護膜とのうち少なくとも分離膜に、有機物の膜を用いることとすれば、分離性を容易に制御することが可能であり、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことに適しており、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３１】
分離膜と保護膜とに、同じ材料を用いた有機物の膜を用いることとすれば、分離膜と保護膜とを形成する装置を共通化し、コストを低減することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３２】
有機物の膜を、ポリパラキシリレン材料、フッ素化ポリマー又はシクロテンを用いて形成することとすれば、汎用性が高く良好に有機物の膜を形成でき、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなくより良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことに適しており、特にポリパラキシリレン材料は自立体として取り扱うことに適しており、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３３】
有機物の膜を、有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することとすれば、有機物の層を第１の基板に良好に形成でき、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなくより良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことに適しており、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３４】
有機物原料としてポリパラキシリレン材料を用いることとすれば、自立体として取り扱うことに特に適した薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３５】
分離膜を、１０μｍ以上の厚さで形成することとすれば、自立体として取り扱うことにさらに適した薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３６】
第１の基材分離工程の後に、薄膜デバイスの、第１の基材があった側に、第２の基材を一体化する第２の基材一体化工程を有することとすれば、第１の基材の剥離後、第２の基板に一体化され、第２の基板によりさらに強度が向上され取り扱い性がより良好となる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３７】
薄膜デバイスが、有機機能性素子を備えていることとすれば、基材のサイズに制約を受けず大面積化、集積化に適した種々の薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３８】
薄膜デバイスが、有機ＴＦＴ素子を備えていることとすれば、基材のサイズに制約を受けず大面積化、集積化に適した薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。
【００３９】
本発明は、請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、薄膜デバイスをマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法にあるので、上述の各効果を奏する薄膜デバイス装置の製造方法を用い、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することができる。
【００４０】
本発明は、請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法にあるので、上述の効果を奏するアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、有機機能性素子等の薄膜デバイスを、基板上に形成した後、この基板から剥離する際に損傷することがなく良好な剥離を行うことができ、また剥離した際に自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００４１】
本発明は、請求項１ないし１１の何れか１つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により製造された薄膜デバイス装置にあるので、上述の各効果を奏する薄膜デバイス装置の製造方法により、損傷することがなく良好に製造され、自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる高品質で信頼性の高い薄膜デバイス装置を提供することができる。
【００４２】
本発明は、請求項１２記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板にあるので、上述の効果を奏するアクティブマトリクス基板の製造方法により、損傷することがなく良好に製造され、自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる高品質で信頼性の高いアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【００４３】
本発明は、請求項１３記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置にあるので、上述の効果を奏する電気光学装置の製造方法により、損傷することがなく良好に製造され、自立体として取り扱うことができ、さらには、基材のサイズ、種類に制約を受けず大面積化することができる高品質で信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
［第１の実施の形態］
図１のＳ１〜Ｓ５に、本発明にかかる第１の実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法として、基板上に薄膜デバイスを形成した後、同薄膜デバイスを同基板から分離するまでの、第１の工程から第５の工程までを示し、図２から図７に、かかる工程を説明するための工程断面図を示している。
【００４５】
（第１の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ１で示すように、第１の工程として、分離膜形成工程を有している。本工程では、図２に示すように、第１の基材１００上に分離膜としての分離層１２０を形成する。
【００４６】
第１の基材１００の材料は、有機電子デバイス等の薄膜デバイスを作製する目的に合致していれば良く、すなわち寸法変化の少ない材料であれば良い。具体的には、本形態においては、Ｓｉウェハを用いているが、ガラス基板、セラミックス基板などを用いてもよい。後述するように、本形態では、薄膜デバイスとして、有機機能性素子としての有機ＴＦＴ素子を形成する。
【００４７】
分離層１２０は、有機ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリックス層を形成可能なだけの耐熱性、アクティブマトリックス層形成時のパターニングの際のエッチングプロセス等に対する耐性を有することを要する。また分離層１２０は、後述する第１の基材分離工程（図１（Ｓ５））を行うときに、他の部分にダメージを与えずに第１の基材１００を剥離可能であるような密着性を有することを要し、たとえば９０°剥離試験で〜１０ｇ／ｃｍ以下の強度に制御可能なことを要する。
分離層１２０の厚さは、分離層１２０を自立膜として存在させる観点から１０μｍ以上であることが好ましく、本形態において分離層１２０の厚さは１０μｍとされている。分離層１２０の厚さは、１０〜２００μｍ程度であるのが好ましい。
【００４８】
分離層１２０には、有機物の膜を用いることが好ましい。かかる有機物の膜は、ポリパラキシリレン材料いわゆるパリレン材料、フッ素化ポリマー、シクロテン等を用いて形成することができる。また、かかる有機物の膜は、有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することができる。かかる有機物原料としては、パリレン材料を用いることができる。分離層１２０を、パリレン材料を用いたポリパラキシリレン膜いわゆるパリレン膜とすることは、均一な大面積の膜を形成する観点から特に有効である。
【００４９】
パリレン膜とは米国のユニオン・カーバイド・ケミカルズ・アンド・プラスチック社が開発したポリパラキシリレン樹脂からなる気相合成法によるコーティング膜である。このコーティング膜は原料であるジパラキシリレン固体ダイマーを気化、熱分解し、この時発生した安定なジラジカルパラキシリレンモノマーが基材上において吸着と重合の同時反応を起こすことによって形成される。
【００５０】
このコーティング膜は従来の液状コーティングや粉末コーティングでは不可能な精密コーティングが可能であるほか、コーティング時被着物の形状、材質を選ばない、室温でのコーティングが可能であるなど、他に類の無い数々の優れた特質を有する事により、超精密部品のコーティングをはじめ、汎用品のコーティングに至るまで、最適なコンフォーマル（同型）コーティング被膜として知られている。
【００５１】
具体的にはハイブリッドＩＣの絶縁膜コーティング、ディスクドライブ部品のダスト粉の発生防止、ステッピングモーターの潤滑用膜、生体材料の腐食防止膜にその応用例を見ることができる。
なお、分離層１２０に有機物の膜を用いる場合には、ポリパラキシリレン材料に限らず、フッ素化ポリマー又はシクロテンを用いてかかる膜を形成することが可能である。
【００５２】
分離膜形成工程においては、周辺部のみが密着力良好となり、それ以外の部分は乏しい密着力となるように、すなわち分離層１２０と第１の基材１００界面とで部分的に密着力の異なる部位を設けるように、分離層１２０を形成する。したがって、分離膜形成工程においては、第１の基材１００と分離層１２０との密着力が部分的に異なっている。図２において、符号１０で示す太線部は、密着力が良好な部分を示している。
【００５３】
具体的には、第１の基材１００に界面活性剤を部分的に配置することにより、第１の基材１００と分離層１２０との密着力、密着性を部分的に異ならせる。その方法は、界面活性剤を、周知の印刷技術を用いた印刷法により、第１の基材１００の所定位置、本形態では周辺部以外の部分に部分的に配置するものである。他の方法として、界面活性剤をディッピングにより第１の基材１００の全面に塗布して配置し、定圧水銀ランプを用いて２５４ｎｍ以下の波長の紫外線を照射することで所定位置、本形態では周辺部の界面活性剤を除去し、界面活性剤を周辺部以外の部分に部分的に配置するものがある。このように第１の基材１００の表面改質を行ったうえで、分離層１２０が形成される。
【００５４】
（第２の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ２で示すように、第１の工程である分離膜形成工程に次ぐ第２の工程として、薄膜デバイス形成工程を有している。本工程では、図３に示すように、分離層１２０上に薄膜デバイスとしての有機機能性素子を有する薄膜デバイス層１４０を形成する。このように、薄膜デバイスが有機機能性素子のときは、本形態において、薄膜デバイス形成工程は、有機機能性素子形成工程ということができる。
【００５５】
薄膜デバイス層１４０は有機機能性素子として各種薄膜デバイスを含むことができるものである。薄膜デバイス層１４０は、本形態において、図４に一部を拡大して示すように、有機機能性として有機ＴＦＴ素子２０を含んでいる。この有機ＴＦＴ素子２０は、逆スタガー構造を示しており、有機半導体層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、およびソース・ドレイン電極１５２とを備えている。この有機ＴＦＴ素子２０の製造方法、具体的な構成は後述する各実施例に譲る。有機ＴＦＴ素子は、薄膜デバイス層１４０の最下面に中間層を配置して形成しても良い。
【００５６】
図３に示す例では、薄膜デバイス層１４０は、薄膜デバイスとして有機ＴＦＴ２０を含む層であるが、この薄膜デバイス層１４０に形成される薄膜デバイスは、有機ＴＦＴ素子２０以外にも、製造する機器の種類に応じて、例えば、有機薄膜ダイオード、有機電子材料のＰＩＮ接合からなる光センサ、太陽電池等の光電変換素子、有機抵抗素子、その他の有機薄膜半導体デバイス、各種有機電極、スイッチング素子、メモリー等を種々の組み合わせで備えることができる。これら何れの有機薄膜デバイスも、大面積、集積化により機能を向上させるものである。
【００５７】
（第３の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ３で示すように、第２の工程である薄膜デバイス形成工程に次ぐ第３の工程として、保護膜形成工程を有している。本工程では、図５に示すように、薄膜デバイス層１４０に保護膜としての保護層１６０を形成する。
【００５８】
保護層１６０には、有機物の膜を用いることが好ましい。薄膜デバイス層１４０に備えられている有機ＴＦＴ素子は耐候性に劣る場合があるので、かかる有機物の膜は、水、酸素などに対するバリア性の高い材料によって形成される。かかる有機物の膜を分離層１２０と同じポリパラキシリレン材料いわゆるパリレン材料、フッ素化ポリマー、シクロテン等の材料を用いて形成することができ、分離層１２０と保護層１６０とを同様に形成することとすれば、これらを形成する装置を共通化し、コストを低減することが可能となる。
【００５９】
ただし、保護層１６０は、上述のように水、酸素などに対するバリア性の高い材料によって形成されることが好ましいものであるから、パリレン材料、フッ素化ポリマー、シクロテンやその他有機物の膜によって形成されることに限定されない。この点、有機物の膜は、分離層１２０と保護層１６０とのうち少なくとも分離層１２０に用いられるものといえる。なお、保護層１６０を有機物の膜とする際、これを有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することができ、かかる有機物原料としては、パリレン材料を用いることができる。パリレン材料を用いたパリレン膜については、分離膜形成工程の説明ですでに述べたのでこれを援用する。
【００６０】
（第４の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ４で示すように、第３の工程である保護膜形成工程に次ぐ第４の工程として、除去工程を有している。本工程では、第１の基材１００と分離層１２０との密着力が良好な部分１０を除去するべく、図５に示されている積層体の端部を切断する。
【００６１】
かかる部分１０の除去は、ダイヤの歯を備えシリコンウェハを切断するのに用いられる加工機によるダイシングや、所望の部分を蒸発除去するレーザーアブレーションにより、機械的に取り除くことにより行うことができ、これらは適宜その特性によって使い分けることができるが、何れにおいても、汎用性が高いという利点がある。
【００６２】
なお、本工程は次に述べる第５の工程である第１の基材分離工程の前に行われるものであり、本形態においては、本工程を、第４の工程として、上述の第３の工程である保護膜形成工程と、次に述べる第５の工程である第１の基材分離工程との間に行うが、本工程は、上述の第２の工程である薄膜デバイス形成工程と上述の第３の工程である保護膜形成工程との間に行うこともでき、この場合には、本工程が第３の工程となり、第２の基材一体化工程が第４の工程となる。
【００６３】
（第５の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ５で示すように、第４の工程である除去工程に次ぐ第５の工程として、第１の基材分離工程を有している。本工程では、図６に示すように、第１の基材１００を薄膜デバイス層１４０から分離する。
【００６４】
第１の基材１００の薄膜デバイス層１４０からの分離は、第１の基板１００を、分離層１２０の界面から剥離を行うことによってなされる。除去工程により、第１の基材１００と分離層１２０との密着力が良好な部分１０がすでに除去され、第１の基材１００と分離層１２０との密着力は乏しい部分が残っているのみである。
【００６５】
従って、第１の基材１００を剥がすように力を加えると、図６において矢印Ａで示すように、第１の基材１００と分離層１２０の界面との間で容易に剥離が生じ、第１の基材１００を分離層１２０から容易に剥がすことができ、これによって第１の基材１００が薄膜デバイス層１４０から分離される。この結果、図７に示すように、薄膜デバイス層１４０を有し、分離層１２０と保護層１６０とを備えた薄膜デバイス装置としての自立膜素子１が製造される。
【００６６】
剥離の際、薄膜デバイス層１４０の各面は分離層１２０と保護層１６０とによって覆われているので、薄膜デバイス層１４０に損傷が生じることはない。自立膜素子１においては、基板を備えられていないが、分離層１２０が、１０μｍの厚さを有しており、自立膜として存在しているため、自立膜素子１に機械的強度があり、また分離層１２０と反対側の面が保護層１６０によって覆われて保護されているため、自立膜素子１は、それ自体で独立したものとして安全に取り扱うことが可能となっている。
なお、剥離された第１の基材１００を再利用し、その後新たな薄膜デバイス装置を製造すること等にリサイクルすることにより、その製造コストが低減される。
【００６７】
以上の各工程を経て、薄膜デバイス層１４０からの第１の基材１００の分離が完了し、図７に示すように自立膜素子１が製造される。なお、図７に示したものそのものを薄膜デバイス装置とするのでなく、薄膜デバイス層１４０が形成された自立膜素子１を所望の材料上に搭載したものを薄膜デバイス装置としてもよい。
【００６８】
このように、本形態の薄膜デバイス装置の製造方法では、転写の対象物、すなわち被剥離物である薄膜デバイス層１４０自体を、直接に他の物から剥離するのではなく、分離層１２０の、第１の基材１００側の界面において剥離を生じさせることで、薄膜デバイス層１４０と第１の基材１００との剥離を行う。このため、薄膜デバイス層１４０の側から第１の基材１００を容易、かつ、確実に剥がすことができる。従って、剥離操作に伴う薄膜デバイス層１４０へのダメージがなく、信頼性の高い薄膜デバイス装置が製造される。
【００６９】
［第２の実施の形態］
図１のＳ１〜Ｓ６に、本発明にかかる第２の実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法として、基板上に薄膜デバイスを形成した後、この薄膜デバイスから基板を分離し、さらに、かかる薄膜デバイスに別の基板を一体化するまでの、第１の工程から第６の工程までを示し、図８に、かかる工程を説明するための工程断面図を示している。
【００７０】
本形態は、第１の工程から第５の工程までは、第１の実施の形態で説明した工程と同様であるため、説明を省略する。本形態は、第５の工程の後、薄膜デバイス層１４０に、第２の基材２００を一体化するための第６の工程を有するものであるので、この第６の工程を説明する。
【００７１】
（第６の工程）
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図１においてＳ６で示すように、第５の工程である第１の基材分離工程に次ぐ第６の工程として、第２の基材一体化工程を有している。本工程では、図８に示すように、薄膜デバイス層１４０の、第１の基材１００が位置していた側に、第２の基材２００を一体化する。
【００７２】
すなわち、第１の工程から第５の工程により、薄膜デバイス層１４０から第１の基材１００を分離した後、薄膜デバイス層１４０の、第１の基材１００があった側と同じ側である薄膜デバイス層１４０の下面に、第２の基材２００を一体化する。そのため、薄膜デバイス層１４０の下面をなす分離層１２０の表面に接着層１７０を塗布し、この接着層１７０を介して第２の基材２００を接着する。
【００７３】
この接着層１７０を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の接着剤が挙げられる。この接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。
このような接着層１７０の形成は、例えば塗布法によりなされる。
【００７４】
接着層１７０に硬化型接着剤を用いる場合には、例えば薄膜デバイス層１４０上に接着剤を塗布し、その上に第２の基材２００を接合した後、接着剤の特性に応じた硬化方法により接着剤を硬化させて薄膜デバイス層１４０と第２の基材２００とを接着固定することができる。
【００７５】
特に、接着層１７０に光硬化型接着剤を用いる場合には、例えば薄膜デバイス層１４０上に接着剤を塗布し、その上に第２の基材２００を接合し、その後、保護層１６０、第２の基材２００の両者が光透過性を有する場合には、その何れかの側または双方の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層１４０と第２の基材２００とを接着固定することができ、また、保護層１６０、第２の基材２００の何れか一方のみが光透過性を有する場合には、その光透過性を有する方の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層１４０と第２の基材２００とを接着固定することができる。ここで用いる接着剤としては、薄膜デバイス層１４０に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤が望ましい。
【００７６】
接着層１７０は、薄膜デバイス層１４０の側に形成するのでなく、第２の基材２００の側に形成し、この接着層１７０を介して、薄膜デバイス層１４０に第２の基材２００を接着してもよい。第２の基材２００自体が接着機能を有する場合等には、接着層１７０の形成を省略してもよい。
【００７７】
第２の基材２００の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性、強度を有するものが要求されるが、可撓性、弾性を有するものであってもよく、フレキシブルシートであることができる。
第２の基材２００としては、例えば、融点がそれほど高くない安価なガラス基板、シート状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが選択され、用いられる。また、第２の基材２００は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。
【００７８】
第２の基材２００としてプラスチック基板を用いる場合に、これを構成する合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよい。例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００７９】
第２の基材２００としてプラスチック基板を用いた場合には、大型の第２の基材２００を一体的に成形することができる。また、第２の基材２００がプラスチック基板であれば、湾曲面や凹凸を有するもの等、複雑な形状であっても容易に製造することができる。さらに、第２の基材２００がプラスチック基板であれば、材料コストや製造コストが低く済むという利点もある。それ故、第２の基材２００がプラスチック基板であれば、大型で安価なデバイス、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有利である。
【００８０】
本形態において、第２の基材２００は、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置、電界印加による反射率変化を用いた、粒子の電気泳動効果を用いた電気泳動表示パネルのような表示装置のアクティブマトリクス基板を薄膜デバイス装置として構成した場合のように、それ自体が独立してデバイスの基体を構成するものや、例えばカラーフィルタ、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。
【００８１】
かかる第２の基材２００を、接着層１７０を介して、薄膜デバイス層１４０が形成された自立膜素子１に一体化することにより、図８に示す薄膜デバイス装置２を製造することができる。一体化の際、自立膜素子１が保護層１６０、分離膜１２０や接着層１７０を有することにより、薄膜デバイス１４０が損傷することが防止される。第２の基材２００が一体化されたことにより、薄膜デバイス装置２は、自立膜素子２よりも機械的強度が向上している。
【００８２】
第６の工程を行うことにより、薄膜デバイス層１４０の、第１の基材１００があった側に第２の基材２００を一体化するので、薄膜デバイス層１４０と第２の基材２００とを一体化した状態において、薄膜デバイス層１４０は、第１の基材１００に形成されたときの積層構造のままとなる。このような工程によれば、薄膜デバイス層１４０が、第１の基材１００と保護層１６０とによって保護されているため、その取り扱い時における損傷が防止される。また後述する実施例３のように、薄膜デバイス装置２の薄膜デバイス層１４０の保護層６０上にさらに加工を行って電気光学装置等の装置を製造することが可能となる。
【００８３】
第１の実施の形態、第２の実施の形態において、その第２の工程においては、第１の基材１００上に有機ＴＦＴ素子２０等の有機機能性素子等の薄膜デバイスをマトリクス状に形成するとともに、かかる有機ＴＦＴ素子２０等のゲートに電気的に接続する走査線、かかる有機ＴＦＴ素子２０等のソースに電気的に接続するデータ線、およびかかる有機ＴＦＴ素子２０等のドレインに電気的に接続する画素電極を形成し、これらの配線や電極も、最終的に製品に搭載される基板、すなわち第２の基材２００に一体化することが好ましい。なお、最終的に製品に搭載される基板との一体化後、この基板上で、高温での処理が不要な配線等を形成してもよい。
【００８４】
このように、有機ＴＦＴ等の有機機能性素子等の薄膜デバイスをマトリクス状に形成することにより、上述した薄膜デバイス装置の製造方法を用いて、アクティブマトリクス基板の製造方法とすることができ、このアクティブマトリクス基板の製造方法によりアクティブマトリクス基板を製造することができる。このようなアクティブマトリクス基板においては、有機ＴＦＴ等を駆動回路用の有機機能性素子等の薄膜デバイスとして備えることができる。
【００８５】
有機機能性素子としては有機ＴＦＴ素子のみならず、有機ＥＬ素子も挙げられる。有機機能性素子は、有機ＴＦＴ素子を備えず、有機ＥＬ素子を備えていても良いし、有機ＥＬ素子と有機ＴＦＴ素子とを備えていても良い。有機機能性素子が、有機ＥＬ素子と有機ＴＦＴ素子とを備えているときは、有機機能性素子を、画像信号に対して発光する有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ素子にスイッチングを行う有機ＴＦＴ素子とを有する表示器を備えているものとして構成しても良いし、有機機能性素子が、有機ＴＥＴ素子を備えず有機ＥＬ素子を備えているときであっても、有機機能性素子を、画像信号に対して発光する有機ＥＬ素子を備えているものとして構成しても良い。薄膜デバイスはかかる有機機能性素子に限らず他のものであっても良い。
【００８６】
さらには、このようなアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて、電気光学装置の製造方法とすることができ、この電気光学装置の製造方法により電気光学装置を製造することができる。電気光学装置としては、液晶表示装置、粒子の電気泳動効果を用いた電気泳動表示パネル等の表示装置等の電界入力により反射率変化を生じる表示装置、有機ＥＬ表示装置等が挙げられ、これは有機機能性素子、薄膜デバイス等を選択することによって製造可能である。
【実施例】
【００８７】
以下、上述した薄膜デバイス装置の製造方法、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、このアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置の実施例を説明する。
【００８８】
［実施例１］
実施例１として、第１の実施の形態の具体例、すなわち、第１の基材１００に形成された、薄膜デバイスである有機ＴＦＴを含む薄膜デバイス層１４０を、保護層１６０で保護し、薄膜デバイス装置としての自立膜素子１を製造する薄膜デバイス装置の製造方法と、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置としての自立膜素子１との具体例を説明する。
【００８９】
（第１の工程）
本工程では、次の条件で分離層１２０を形成した。
第１の基材１００：ガラス基板
界面活性剤：非イオン系界面活性剤
界面活性剤の配置：スクリーン印刷にて周辺部を除く他の部分に印刷により配置
乾燥：１２０℃、３０分
分離層１２０：パリレン成膜
・パリレン成膜の条件
第三化成社製  ｄｉＸ＿Ｃ
圧力：０．０１Ｔｏｒｒ
昇華温度：１００〜１７０℃
熱分解温度：６５０℃
成膜室温度：室温
パリレン膜厚：１０μｍの厚さにて形成
【００９０】
（第２の工程）
本工程では、次の条件で薄膜デバイス層１４０を形成した。
・有機ＴＦＴ形成プロセス
ゲート電極１５０：Ｃｒ膜  スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍ堆積
ゲート電極１５０のパターニング：フォトリソグラフィー
ゲート絶縁膜１４８：有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成
有機絶縁体膜：ポリビニルブチラール、膜厚１００ｎｍ
有機半導体膜１４４：ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により形成、膜厚８０ｎｍ
素子のパターン化、ゲート電極コンタクト：フォトリソグラフィー形成
さらにソース・ドレイン電極１５２を形成
なお、層間絶縁層上にはさらに保護を行うための膜を形成してもよい。
【００９１】
（第３の工程）
本工程では、有機ＴＦＴを備える薄膜デバイス層１４０の上に保護層１６０として厚さ５０μｍのパリレン膜を形成した。
（第４の工程）
本工程では、第１の基材１００の端部の密着力の強い部分を含むように、全ての層にわたって切断した。
（第５の工程）
本工程では、分離層１２０で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層１４０の側から第１の基材１００を剥がした。
結果、自立膜素子１が製造された。
【００９２】
［実施例２］
実施例２として、実施例１で製造された自立膜素子１に、さらに第２の基材２００を一体化して薄膜デバイス２を製造する薄膜デバイス装置の製造方法と、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置２の具体例を説明する。第１の工程から第５の工程までは実施例と同様であるので説明を省略する。
【００９３】
（第６の工程）
本工程では、フレキシブルシートを第２の基材２００として、紫外線硬化型接着剤を用いた接着層１７０を介して、自立膜素子１に接着した。紫外線は、自立膜素子１に紫外線硬化型接着剤を塗布し、この紫外線硬化型接着剤に第２の基材２００を密着させた状態で、第２の基材２００側から照射した。これにより第２の基材２００が接着層１７０を介して自立膜素子１に固定され、薄膜デバイス装置２が製造された。
【００９４】
このようにして製造された薄膜デバイス装置２は、有機薄膜デバイス装置であって、曲げに強く、軽量であるために落下にも強いという利点を有する。また、薄膜デバイス装置２、有機薄膜デバイス装置の構成要素として、ＣＰＵ、ＲＡＭ、入力回路、さらに太陽光発電セルを搭載し、自立型マイクロコンピュータを製造することができる。
【００９５】
さらに、実施例１または実施例２の変形例として、第１の基材１００にマトリックス状に形成された有機ＴＦＴ素子等、各種の有機機能性素子を含む薄膜デバイス層１４０を形成し、アクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法、このアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板、かかるアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて液晶表示装置、電気泳動表示装置等の薄膜デバイス装置である電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法、この電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置とすることが可能である。
【００９６】
［実施例３］
実施例３として、第２の実施の形態の具体例、すなわち、第１の基材１００に形成された、有機ＴＦＴを含む薄膜デバイス層１４０を、第２の基材２００と一体化する薄膜デバイス装置の製造方法と、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置とを用いた電気光学装置の製造方法及びこの電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置との具体例を説明する。
【００９７】
図９に、本実施例にかかる電気光学表示装置たる電気光学装置３０の要部を示す。電気光学装置３０は、実施例１または実施例２の応用例として上述したアクティブマトリクス基板を用いており、薄膜デバイスを構成する有機機能性素子として、このアクティブマトリクス基板に備えられている、マトリクス状に配設された有機ＴＦＴ素子と、アクティブマトリクス基板上に配設された有機ＥＬ素子とを有している。本実施例にかかるアクティブマトリクス基板の基本的な構成は、上記変形例と同様であるので、説明を省略する。有機ＴＦＴ素子の構成は実施例１と同様にすることができる。
【００９８】
電気光学装置３０に用いたアクティブマトリクス基板と有機ＥＬ素子４０とは、第１の基材１００上に最適な条件で形成した後、第１の基材を分離し、この分離した側の位置にフレキシブルな第２の基材２００と接合し一体化したものである。第２の基材の位置が第１の基材の配置側と同じであるため、薄膜デバイス層１４０を第２の基材２００と一体化し終えた状態で、薄膜デバイス層１４０は、第１の基材１００に有機ＴＦＴ素子２０を形成したときの積層構造のままである。
【００９９】
薄膜デバイス層１４０は、有機ＴＦＴ素子３０と、これに加えて有機ＥＬ素子４０とを有している。
電気光学装置３０は、有機ＴＦＴ素子３０の一端のソース・ドレイン電極１５２に電気的に接続した有機ＥＬ素子４０中の第１の個別電極２２０と、個別電極２２０上に形成された導電性高分子膜２４０と、導電性高分子膜２４０上に形成された有機発光膜２６０と、有機発光膜上に形成された共通電極２８０とを有している。保護層１６０は共通電極２８０上に形成されている。
【０１００】
個別電極２２０は透明導電膜にて形成されている。透明導電膜はＩＴＯ膜をスパッタリングにて膜厚１００ｎｍで選択形成したものである。導電性高分子膜２４０は、電化注入効率を稼ぐための電荷注入層であり、ポリエチレンジオキシチオフェン膜をスピンコーティングにて５０ｎｍの厚さで成膜することによって形成したものである。
【０１０１】
有機発光膜２６０は、有機発光材料を用いて成膜された有機発光層であり、有機発光材料としてポリフェニレンビニレン材料を用い、スピンコーティングにて８０ｎｍの厚さで形成したものである。共通電極２８０はバリウム、銀を真空蒸着にて成膜したものである。
このようにして薄膜デバイス層１４０が形成される。なお、導電性高分子膜２４０の形成は任意である。
【０１０２】
以上、各実施の形態、各実施例を説明したが、最終的に製品に搭載される基板として、適宜、大型の基板、安価な基板、軽い基板、変形に耐え得る基板、割れない基板を用いることができる。従って、安価、軽量、耐衝撃性等に優れた薄膜デバイス装置、アクティブマトリックス基板、電気光学装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明を適用した薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図２】分離膜形成工程を説明するための断面図である。
【図３】薄膜デバイス形成工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に示した薄膜デバイス形成工程により形成された薄膜デバイスの要部を示す拡大断面図である。
【図５】保護膜形成工程を説明するための断面図である。
【図６】第１の基材分離工程を説明するための断面図である。
【０１０４】
【図７】分離膜形成工程、薄膜デバイス形成工程、保護膜形成工程、除去工程、第１の基材分離工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法を経て製造された薄膜デバイス装置の断面図である。
【図８】第２の基材一体化工程を説明するための断面図であるとともに、分離膜形成工程、薄膜デバイス形成工程、保護膜形成工程、除去工程、第１の基材分離工程、第２の基材一体化工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法を経て製造された薄膜デバイス装置の断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１、２    薄膜デバイス装置
１０    密着力の強い部分
２０    薄膜デバイス、有機機能性素子、有機ＴＦＴ素子
３０    電気光学装置
４０    薄膜デバイス、有機機能性素子、有機ＥＬ素子
１００    第１の基材
１２０    分離膜
１６０    保護膜
２００    第２の基材
Ｓ１    分離膜形成工程
Ｓ２    薄膜デバイス形成工程
Ｓ３    保護膜形成工程
Ｓ４    除去工程
Ｓ５    第１の基材分離工程
Ｓ６    第２の基材一体化工程
【図１】
2005116824.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005116824.tif 000009
【図８】
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【図９】
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