(57)【要約】【課題】  検出精度の高い光ピツクアツプユニツトを実現する。【解決手段】  光ピツクアツプモジユールを構成する偏光分離素子を複屈折性材料単体によつて形成する。複屈折性材料単体は光学軸方位の設定がし易いので、光ピツクアツプユニツトの小型化及び検出精度の向上効果が得られる。【選択図】        図６
2005203096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、異方性媒質でなりかつ平行な第１及び第２の平面及び当該第１及び第２の平面間に斜交する方向に形成された斜面を有するプリズム形状の偏光分離素子と、光源となる発光素子とを一体に取り付けた光ピツクアツプモジユールであつて、
上記半導体基板上に形成され、光磁気デイスクからの戻り光が上記偏光分離素子の上記斜面から入射して上記偏光分離素子の上記半導体基板側の上記第１の平面の方向に折り曲げられることにより、上記戻り光の一部が分離しながら当該第１の平面下に設けられた半透過膜を透過したとき当該戻り光の一部を検出する第１の受光部群と、
上記半透過膜によつて反射された上記戻り光の他部が上記第２の平面に設けられた反射層によつて反射されて上記第１の平面の方向に折り曲げられることにより、当該戻り光の他部について上記斜面に入射した時分離した第１及び第２の分離光束をそれぞれ上記第１の平面下において検出する第２及び第３の受光部群と
を具えることを特徴とする光ピツクアツプモジユール。
【請求項２】
上記第２及び第３の受光部群の検出信号の差信号に基づいて光磁気信号を得る
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピツクアツプモジユール。
【請求項３】
上記第１、第２及び第３の受光部群の検出信号のいずれか１つ又は上記第１、第２及び第３の受光部群の検出信号の和信号に基づいてピツト信号を得る
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピツクアツプモジユール。
【請求項４】
上記偏光分離素子は１軸性結晶ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）である
ことを特徴とする請求項２に記載の光ピツクアツプモジユール。
【請求項５】
上記偏光分離素子は２軸性結晶ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ４）である
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピツクアツプモジユール。
【請求項６】
上記偏光分離素子は１軸性結晶ＹＶＯ４である
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピツクアツプモジユール。
【請求項７】
半導体基板上に、異方性媒質でなりかつ平行な第１及び第２の平面及び当該第１及び第２の平面間に斜交する方向に形成された斜面を有するプリズム形状の偏光分離素子と、光源となる発光素子とを一体に取り付けた光ピツクアツプモジユールであつて、
上記半導体基板上に形成され、光磁気デイスクからの戻り光が上記偏光分離素子の上記斜面から入射して上記偏光分離素子の上記半導体基板側の上記第１の平面の方向に折り曲げられることにより、上記戻り光の一部が分離しながら当該第１の平面下に設けられた半透過膜を透過したとき当該戻り光の一部を検出する第１の受光部群と、
上記半透過膜によつて反射された上記戻り光の他部が上記第２の平面に設けられた反射層によつて反射されて上記第１の平面の方向に折り曲げられることにより、当該戻り光の他部について上記斜面に入射した時分離した第１及び第２の分離光束をそれぞれ上記第１の平面下において検出する第２及び第３の受光部群と  を具え、上記発光素子から出射される照射光束を光磁気デイスクに照射し、その反射光を上記戻り光として上記光ピツクアツプモジユールの上記偏光分離素子に入射すると共に、上記光ピツクアツプモジユールの上記第１、第２及び第３の受光部群から得られる検出信号に基づいて、制御及び情報信号を形成する
ことを特徴とする光磁気信号記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ピツクアツプモジユール及び光磁気信号記録再生装置に関し、特に高い精度で制御及び情報信号を形成できるようにしようとするものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光磁気デイスク装置に用いられる光ピツクアツプ１は、図１５に示すように、光源としてのレーザダイオード２から射出されたレーザ光をグレーテイング素子３、ビームスプリツタ４、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を順次通つて光磁気デイスク１１上に集光し、その反射光を対物レンズ６、コリメータレンズ５、ビームスプリツタ４、ウオーラストンプリズム７及びマルチレンズ８を順次通つてフオトデイテクタ９上に結像するような構成のものが用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、この構成の光ピツクアツプ１は複数の光学部品を個別に組み合わせるような構成になつているため、装置全体としての小型化が難しく、また信頼性の向上が難しいという問題があつた。
【０００４】
そこで光磁気デイスク再生装置の場合にも、コンパクトデイスク再生装置に用いられている図１６に示す光ピツクアツプ２０のように、小型かつ信頼性の高い光ピツクアツプの実現が望まれている。
【０００５】
光ピツクアツプ２０は光ピツクアツプモジユール２１を有し、光ピツクアツプモジユール２１の筺体２２内に、光源として設けられているレーザダイオードＬＤから射出されたレーザ光を断面台形形状のガラスプリズム２３の斜面の表面に付着された半透明膜２４によつて反射し、透明蓋板２５、反射ミラー２６及び２７、並びに対物レンズ２８を順次通して光デイスク２９に照射し、その反射光を対物レンズ２８、反射ミラー２７、２６を順次通して戻り光として半透明膜２４に導く。
【０００６】
ガラスプリズム２３は、レーザダイオードＬＤと共に半導体基板３０上に設けられ、半透明膜２４を通つた戻り光をガラスプリズム２３内に導入して、ガラスプリズム２３の底面と半導体基板３０との間に付着された半透明膜３１とガラスプリズム２３の上面に付着された全反射膜３２と、底面の半透明膜３１との間を折り返すように反射させる。
【０００７】
かくしてガラスプリズム２３内に導入された戻り光は、レーザダイオードＬＤに対して共役の位置にある全反射膜３２を挟む前後位置において、半導体基板３０に設けられた２つのフオトデイテクタＰＤ１及びＰＤ２に透過され、これによりフオトデイテクタＰＤ１及びＰＤ２から情報検出信号が出力される。
【０００８】
この構成の光ピツクアツプモジユール２１は全体として無偏光光学系を形成しているため光磁気信号の再生には用いることができないが、同じような構成で光磁気デイスク用の光ピツクアツプを構成することができれば、現在用いられている光ピツクアツプに比して一段と小型化を実現することができると考えられる。
【０００９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して小型かつ信頼性の高い光ピツクアツプ及び光磁気信号記録再生装置を実現しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる課題を解決するため本発明においては、半導体基板上に、異方性媒質でなりかつ平行な第１及び第２の平面及び当該第１及び第２の平面間に斜交方向に形成された斜面を有するプリズム形状の偏光分離素子と、光源となる発光素子とを一体に取り付けた光ピツクアツプモジユールであつて、半導体基板上に形成され、光磁気デイスクからの戻り光が偏光分離素子の斜面から入射して偏光分離素子の半導体基板側の第１の平面の方向に折り曲げられることにより、戻り光の一部が分離しながら当該第１の平面下に設けられた半透過膜を透過したとき当該戻り光の一部を検出する第１の受光部群と、半透過膜によつて反射された戻り光の他部が第２の平面に設けられた反射層によつて反射されて第１の平面の方向に折り曲げられることにより、当該戻り光の他部について斜面に入射した時分離した第１及び第２の分離光束をそれぞれ第１の平面下において検出する第２及び第３の受光部群とを具えた光ピツクアツプモジユールを用いる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体基板上に形成され、光磁気デイスクからの戻り光が偏光分離素子の斜面から入射して偏光分離素子の半導体基板側の第１の平面の方向に折り曲げられることにより、戻り光の一部が分離しながら当該第１の平面下に設けられた半透過膜を透過したとき当該戻り光の一部を検出する第１の受光部群と、半透過膜によつて反射された戻り光の他部が第２の平面に設けられた反射層によつて反射されて第１の平面の方向に折り曲げられることにより、当該戻り光の他部について斜面に入射した時分離した第１及び第２の分離光束をそれぞれ第１の平面下において検出する第２及び第３の受光部群とを設けるようにしたことにより、光磁気デイスクからの戻り光から高い精度で制御及び情報信号を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１３】
（１）光ピツクアツプ
（１−１）複屈折
本発明の一実施の形態に係る光ピツクアツプは偏光分離素子として複屈折性材料単体（その性質を表す屈折率楕円体の軸方位を違えて貼り合わせるなどを一切行わない）を用いており、しかもその素子内において入射光を少なくとも１回以上反射させることを特徴とする。
【００１４】
因に通常は素子内に入射された光線を内部で反射させることなく透過させて偏光を分離している。この実施例の場合には、図１に示すように、電界密度ベクトルＤの違いによつて界面における屈折方向が異なること（すなわち波面法線ｋの方向が異なること）が重要項目となる。この結果入射光線は常光線（ｏ-ray）と、異常光線（ｅ-ray without walk-off ）とに分離される。図１は１軸性結晶ＹＶＯ４（λ＝ 780〔nm〕において、ｎe ＝2.1893及びｎo ＝1.9734）に対して空気中から収束光が入射する場合を示し、ｏ-rayはスネルの法則に従う光線を表し、ｅ-rayはスネルの法則に従わない光線を表す。
【００１５】
これに対して、この実施例の場合には、素子内で入射された光線を１回以上反射させることを特徴とし、複屈折が重要項目となる。この複屈折とは結晶内部において波面法線ベクトルｋが同じ光線でも電界密度ベクトルＤの振動方向が異なると、光線（光のエネルギーの進む方向）ベクトルＳ（＝光波の電界ベクトルＥ×光波の磁界ベクトルＨ）が異なる現象をいう。以下、複屈折について説明する。
【００１６】
複屈折結晶内を進む光線に対する屈折率は、図２に示すように、屈折率楕円体をその光線の波面方向ベクトルｋに垂直でかつ原点を通る平面で切つたときにできる楕円の２つの軸の長さ、すなわちベクトルＤ１及びＤ２によつて表すことができ、その際における軸の方向が屈折率に対応する電界密度ベクトルＤの方位となる。因に図２におけるベクトルＤ1 及びＤ2 に対しておよそ４５〔°〕になるように偏光を入射すれば偏光分離後における２成分の差によつて光磁気信号を得ることができる。
【００１７】
簡単に言えば、この屈折率の違いが図１における波面法線ベクトルｋの違い（常光線（ｏ-ray）と異常光線（ｅ-ray without walk-off ）の違い）である。ただし厳密には、波面法線ベクトルｋの違いによつて屈折率は変化するので屈折率変化を考慮する必要がある。
このように屈折率の違いによつて生じる波面法線ベクトルｋは、波面法線ベクトルｋがスネルの法則に従うことを用いて屈折率と固有偏光ベクトルＤとの組によつて決定することができる。
【００１８】
因に、偏光を分離するだけなら波面法線ベクトルｋの違いだけで十分であるが、分離した光線がどのように進むかを正確に把握しようとすると、波面法線ベクトルｋと光線ベクトルＳとがずれること（すなわちWalk-off）を考慮しなくてはならない。
この光線ベクトルＳを次式で計算する。まず複屈折率材料内における電界ベクトルＥがＤ＝εＥを満し、Ｄ及びεが既知（屈折率楕円体が既知であるので、ｎ２＝ε／ε０より、εも既知）であることを用いて電界ベクトルＥをε−１Ｄとして求める。
【００１９】
さらに図３に示すように、磁界ベクトルＨ及び磁束密度ベクトルＢにはＨ//Ｂ//ｋ×Ｄが成り立ち、磁界ベクトルＨの方向も分かるので光線ベクトルＳの方向は先に求めた電界ベクトルＥからＳ＝Ｅ×Ｈで求める。
この式は反射の際にも成り立つ。複屈折結晶は光線波面ベクトルｋと固有ベクトルＤとによつて屈折率が異なることに基づいて上記の場合と同様に、界面で一般的には、２方向に分離する。
これらのことを考慮して、光線追跡した場合が、図１のｅ-ray(with walk-off）である。因に図１は結晶内において反射を伴わない場合の図である。
【００２０】
（１−２）偏光分離素子（Ｙ方向分離型）
続いて本発明に係る偏光分離素子の構成を説明する。図４（Ａ）に示すように、戻り光を２回反射させることにより３回通過させる偏光分離素子４１として、１軸性結晶をその光学軸を反射面の法線に垂直な面内に設定する。このときＰ偏光とＳ偏光は図４（Ｂ）においてスポツト群「ｏｏｏ」及び「ｅｅｅ」によつて示すようにｙ軸方向に分離される。
【００２１】
この偏光分離素子の場合、反射の前後においてＰ偏光及びＳ偏光に位相差及び反射率差が生じないように結晶の光学特性を抑圧している。このようにすると、固有偏光ベクトルＤとＳ偏光及びＰ偏光の関係は反射の前後において保存され、しかも固有屈折率についても反射の前後で一致する。従つて反射界面におけるスポツト群「ｏｏｏ」及び「ｅｅｅ」以外の光線の分離は発生せず、互いに離れた２つのフオトデイテクタ上にそれぞれ２つのスポツト群「ｏｏｏ」及び「ｅｅｅ」のみが完全に分離して集光される。
【００２２】
因に図４（Ｂ）において、スポツト群「ｏｏｏ」は、入射光が１回目−２回目−３回目に通過したとき、すべての通過時に常光線「ｏ」として移動が生じなかつたことを表す。
これに対して、スポツト群「ｅｅｅ」は、入射光が１回目−２回目−３回目に通過したとき、１回目にはｙ方向にベクトルｅ１だけ異常光線「ｅ」として移動し、その後２回目及び３回目の通過時には異常光線「ｅ」としてベクトルｅ２及びｅ３だけｘ方向に移動したことを表す。
【００２３】
因に反射の前後において、仮に位相差及び反射率差が生じてスポツトが分離したとしても、順次分離するスポツト光はその後の反射を経て多少は拡がるが最終的にはスポツト群を維持する。このように考えられる８つのスポツト群のうちはつきりと分れた２つのスポツト群から差動出力を求めれば光磁気信号を得ることができる。
【００２４】
前述の偏光分離素子は結晶が１軸性結晶の場合であるが、結晶が２軸性結晶である場合には、結晶の屈折率方位のうち中間の屈折率との差がより大きい方の屈折率に対応する方位を反射面の法線に垂直な面内に設定すれば良い。この場合も結晶内において入射光線を少なくとも１回以上反射させるようにする。因にこの例の場合には、３つの屈折率のうち屈折率の近い２つをｎｏ、残る１つをｎｅと考えれば、対応が付け易い。
【００２５】
さらにこの構成において、結晶の３つの屈折率方位のうち中間の屈折率に対応する方位を反射面の法線に平行な方位に設定するようにすれば、見かけ上ｎｏ、ｎｅの差が大きくなり（光線の分離角を大きくでき）、実使用に近い偏光分離素子を得ることができる。
これら２軸性結晶の場合にも、１軸性結晶の場合と同様の効果が得られ、これにより結晶材料の選択幅が広く、設計の自由度が大きい偏光分離素子を得ることができる。
【００２６】
（１−３）偏光分離素子（Ｘ方向分離型）
この偏光分離素子４１は、図５（Ａ）に示すように、１軸性結晶の光学軸を、結晶に入射する主光線の入射面の法線と反射面の法線に平行な面内に設定する。このときＰ偏光とＳ偏光は、図５（Ｂ）に示すように、２つのスポツト「ｏｅｏ」及び「ｅｏｅ」としてｘ軸方向に分離される。
【００２７】
図５（Ｂ）において、スポツト「ｅｏｅ」は、位置「ｏｏｏ」に入射した戻り光が１回目−２回目−３回目に偏光分離素子４１を通過したとき、１回目には異常光線「ｅ」としてｘ方向にベクトルｅ１だけ移動し、２回目には常光線「ｏ」として移動せず、３回目には異常光線「ｅ」としてベクトルｅ３だけ移動することを表している。
【００２８】
これに対してスポツト「ｏｅｏ」は、１回目には常光線「ｏ」として移動せず、２回目には異常光線「ｅ」としてベクトルｅ２だけ移動し、３回目には常光線として移動しないことを表している。
この結果、２つのスポツト「ｅｏｅ」及び「ｏｅｏ」はｘ方向にはつきり分離した位置に生ずることになる。
【００２９】
このように同じ１軸性結晶を用いても光軸の配置を換えるだけで偏光の分離方向を換えることができることにより、光学系（サーボエラーの検出法、ＰＤ分割法など）に設計の幅を持たせることができる。
なお偏光分離素子に２軸性結晶を用いる場合には、結晶の屈折率方位のうち中間の屈折率との差がより大きい方の屈折率に対応する方位を、結晶に入射される主光線の入射面の法線と反射面の法線とに平行な面内に設定すれば良い。このようにしても上述と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
さらにこの構成において、結晶の３つの屈折率方位のうち中間の屈折率に対応する方位が結晶に入射する主光線の入射面及び反射面の法線に共に平行になるように結晶の屈折率の方位を設定するようにすれば、見かけ上ｎｏ、ｎｅの差が大きくなり（光線の分離角を大きくでき）、実使用に近い偏光分離素子を得ることができる。
これら２軸性結晶の場合にも、１軸性結晶の場合と同様の効果が得られ、これにより結晶材料の選択幅が広く、設計の自由度が大きい偏光分離素子を得ることができる。
【００３１】
なおこのように上述の偏光分離素子において複屈折性材料単体を用いたことにより製造時における光学軸の貼り合わせ精度を気にせずに済む分、高い精度の偏光分離素子を実現することができる。
また複屈折性材料単体で偏光分離素子を形成したことにより、経時変化の影響も受けない偏光分離素子を実現できる。
【００３２】
（２）光磁気信号記録再生装置
図６に前項の偏光分離素子を用いた光ピツクアツプを示す。また図７に光ピツクアツプを用いた光磁気信号記録再生装置の光学系を示し、図８に光磁気信号記録再生装置５１の構成を示す。
図６に示すように、光ピツクアツプ４１はフオトデイテクタＰＤ１、ＰＤ２及びＰＤ３を集積した半導体基板４２上にレーザダイオードＬＤ及び偏光分離素子４３等を搭載してなる。
【００３３】
この実施例に示す偏光分離素子４３は前項までに説明した複屈折結晶でなり、結晶内で光線を２回反射させる。ここで偏光分離素子４３は断面ほぼ台形形状に加工されており、レーザダイオードＬＤと向き合う斜面に形成された偏光ビームスプリツタ膜４４によつてレーザ光を反射し、光磁気デイスクの記録面を照射するようになされている。因に偏光ビームスプリツタ膜４４には透過率が例えばＴｓ＝30〔％〕及びＴｐ＝65〔％〕のものを用いる。
【００３４】
光磁気デイスクの記録面で反射されたレーザ光の戻り光は偏光ビームスプリツタ膜４４を介して偏光分離素子４３の結晶内に導かれ、その一部が偏光分離素子４３の底面から半透過膜４５を介してフオトデイテクタＰＤ１に出力される。
一方、偏光分離素子４３の底面で反射されたレーザ光は、偏光分離素子４３の上面に設けられた高反射膜４６で再び反射された後、偏光分離素子４３の底面下にあるフオトデイテクタＰＤ２及びＰＤ３に集光される。
【００３５】
これらフオトデイテクタＰＤ１〜ＰＤ３から出力された電気信号は、図８に示すように、Ｉ／Ｖ増幅回路５３を介して電流電圧変換され、マトリクス増幅回路５４に与えられる。
マトリクス増幅回路５４はフオトデイテクタＰＤ２及びＰＤ３から得られる出力信号の差分を光磁気信号Ｓ３として出力し、フオトデイテクタＰＤ１〜ＰＤ３から得られる出力信号のいずれか１つの和をピツト信号Ｓ４として出力する。
【００３６】
またマトリクス増幅回路５４はフオトデイテクタＰＤ１の出力信号とフオトデイテクタＰＤ２及びＰＤ３のうち少なくとも１つの出力信号とからフオーカスエラー信号Ｓ２を演算して出力し、フオトデイテクタＰＤ１〜ＰＤ３のうち少なくとも１つからトラツキングエラー信号Ｓ１を演算して出力する。
復調復号回路５５は入力された光磁気信号Ｓ３及びピツト信号Ｓ４に基づいて光磁気デイスク５０に記録されている情報を再生し、後段の処理回路に出力する。ここで、偏光分離素子４３としてＬＮ（LiNbO3、１軸性結晶）又はＫＴＰ（KTiOPO4、２軸性結晶）を用い得る。
【００３７】
以上の構成によれば、受光素子が形成された半導体基板４２上に前項までの条件を満たす偏光分離素子４３及び発光素子を配置して光ピツクアツプモジユール４１を形成したことにより、光磁気信号検出用の光ピツクアツプを小型かつ軽量化することができる。このように光ピツクアツプモジユール４１を構成したことにより、調整工数の低減と信頼性の向上を達成することができる。またこのような小型の光ピツクアツプを用いるようにしたことにより従来に比して小型の光磁気信号記録再生装置を実現することができる。
【００３８】
かくするにつき、フオトデイテクタＰＤ１〜ＰＤ３の少なくとも１つの和信号を求めることにより、記録媒体として光デイスクを用いた場合にも、ピツトＲＦ信号を得ることができる。従つて、光磁気用光ピツクアツプ及びレーザカプラ製造設備を光デイスク用にも共用することができる。
【００３９】
図５の光ピツクアツプモジユール４１を実現できる結晶として、図１０に示すようなＬＮ（LiNbO3）や、図１１に示すようなＫＴＰ（KTiOPO4）や、図１２に示すようなＹＶＯ４を適用でき、いずれもスポツト群間に実用上十分な大きさの分離が得られた。
図１３及び図１４において、４４はビームスプリツタ膜、４５は半透過膜、４６は高反射膜、４７は反射防止膜を示す。
【００４０】
（３）他の実施例
なお上述の実施例においては、偏光分離素子に入射された光線を結晶素子内で２回反射させる場合について述べたが、反射回数はこれに限らず、３回以上であつても良い。反射する回数を増やせば、よりスポツトの分離を大きくでき、製造トレランスを改善することができる。またこの場合には偏光分離素子をより薄型化することができ、しかも充分なスポツト分離を実現できる。図９に結晶内での反射回数が４回の偏光分離素子を示す。
【００４１】
また上述の実施例においては、光ピツクアツプとして光磁気デイスク用のものについて述べたが、本発明はこれに限らず、書換可能なコンパクトデイスク（ＭＯ−ＣＤ）や光テープ等の光記録媒体から情報を読み出すのに用いる光ピツクアツプにも適用し得る。
【００４２】
同様に上述の実施例においては、光ピツクアツプの応用装置として光磁気デイスク再生装置について述べたが、本発明はこれに限らず、光テープ記録装置等の光装置に適用し得る。
【００４３】
さらに、図６の光ピツクアツプモジユール４１は、偏光分離素子４３の結晶中を入射光を受ける斜面を広く開いておくように構成したが、このようにすると、図１３に示すようにレーザダイオードからの直接光が迷光としてフオトデイテクタＰＤ１〜ＰＤ３に照射されるおそれがある。
この迷光を防止する構成として、図１４に示すように、入射用斜面４３Ａの底面近傍に垂直面４３Ｂを形成する。このようにすれば、迷光は垂直面４３Ｂによつて入射できないように遮蔽されると共に、たとえ底面に入射しても全反射条件によつて全反射することにより、少なくともフオトデイテクタへの入力を防止できる。
【００４４】
さらに図６の光ピツクアツプモジユール４１において、斜面上に形成されたビームスプリツタ膜４４をＲＳ＞ＲＰのような条件を満足するような膜を形成する。このようにすれば、光磁気信号のエンハンスが実現されかつノイズに対する比率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】複屈折の説明に供する略線的断面図である。
【図２】光線が入射される側から見た固有偏光方向を示す略線図である。
【図３】波面法線方向と光線のエネルギーが進行する方向との関係を示す略線図である。
【図４】図４（Ａ）及び（Ｂ）は偏光分離素子内で反射された後、最終的に分離された光線のスポツト群を示す略線図である。
【図５】図５（Ａ）及び（Ｂ）は偏光分離素子内で反射された後、最終的に分離された光線のスポツト群を示す略線図である。
【図６】図６（Ａ）及び（Ｂ）は光ピツクアツプモジユールの構成を示す略線的側断面図及び横断面図である。
【図７】光磁気信号記録再生装置における光ピツクアツプの取り付け位置を示す略線的側面図である。
【図８】本発明に係る光磁気信号記録再生装置の構成を示すブロツク図である。
【図９】結晶内で光線を４回反射させる偏光分離素子の説明に供する略線図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び（Ｂ）はＬＮ結晶を用いた場合の光ピツクアツプモジユールを示す略線的側断面図及び横断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び（Ｂ）はＫＴＰ結晶を用いた場合の光ピツクアツプモジユールを示す略線的側断面図及び横断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）及び（Ｂ）はＹＶＯ４結晶を用いた場合の光ピツクアツプモジユールを示す略線的側断面図及び横断面図である。
【図１３】迷光についての説明に供する側断面図である。
【図１４】迷光の問題を解決した実施例を示す側断面図である。
【図１５】従来の光磁気信号の再生用に用いられる光ピツクアツプを示す略線的側面図である。
【図１６】図１６（Ａ）及び（Ｂ）はコンパクトデイスクの再生用に用いられる光ピツクアツプを示す略線的側断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
４１……光ピツクアツプモジユール、４２……半導体基板、４３……偏光分離素子、４４……偏光ビームスプリツタ、４５……半透過膜、５１……光磁気信号再生装置、５２……光磁気デイスク、５３……Ｉ／Ｖ増幅回路、５４……マトリクス増幅回路、５５……復調復号回路。
【図１】
2005203096.tif 000003
【図２】
2005203096.tif 000004
【図３】
2005203096.tif 000005
【図４】
2005203096.tif 000006
【図５】
2005203096.tif 000007
【図６】
2005203096.tif 000008
【図７】
2005203096.tif 000009
【図８】
2005203096.tif 000010
【図９】
2005203096.tif 000011
【図１０】
2005203096.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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