(57)【要約】【課題】基板に異方性導電フィルムを用いてフレキシブルケーブルを接続することによる信頼性の低下を排除して信頼性の向上を図る。【解決手段】第１薄膜層１２ａが形成された第１基板１１ａと、第１基板１１ａに対向して設けられ第２薄膜層１２ｂが形成された第２基板１１ｂと、第１薄膜層１２ａ側と第２薄膜層１２ｂ側とを対向させた第１基板１１ａと第２基板１１ｂとの間に封止された液晶層１５とを有する液晶表示装置１０において、第１基板１１ａおよび第２基板１１ｂのうち少なくとも一方の基板は可撓性を有するものからなり、可撓性を有する基板は、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部１６が延長形成されているものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１薄膜層が形成された第１基板と、
前記第１基板に対向して設けられ第２薄膜層が形成された第２基板と、
前記第１薄膜層側と前記第２薄膜層側とを対向させた前記第１基板と前記第２基板との間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有するものからなり、
前記可撓性を有する基板は、前記可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部が延長形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記コネクタ接続部は前記基板の複数箇所に形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１薄膜層にアクティブ素子が形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アクティブ素子は一基板上に形成された後に別の基板に移し変えられることにより作製されることを特徴すると請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１薄膜層が形成された第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ第２薄膜層が形成された第２基板と、前記第１薄膜層側と前記第２薄膜層側とを対向させた前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法において、
前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有する基板を用い、
前記可撓性を有する基板に、前記可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記コネクタ接続部は前記基板の複数箇所に形成することを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記液晶表示装置はアクティブ素子を搭載するアクティブ型の液晶表示装置であることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記アクティブ素子を一基板上に形成された後に別の基板に移し変えることにより作製することを特徴すると請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
発光層を含む薄膜層が形成された基板で形成されているエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板は、可撓性を有するものであって前記基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部が延長形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
前記コネクタ接続部は前記基板の複数箇所に形成されていることを特徴とする請求項９記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
前記薄膜層にアクティブ素子が形成されていることを特徴とする請求項９記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
前記アクティブ素子は、一基板上に形成された後に別の基板に移し変えられることにより作製されることを特徴すると請求項１１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
発光層を含む薄膜層が形成された基板で形成されるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記基板に可撓性を有するものを用い、
前記基板に前記基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部が延長形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記コネクタ接続部を前記基板の複数箇所に形成することを特徴とする請求項１３記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜層にアクティブ素子を形成することを特徴とする請求項１３記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記アクティブ素子は、一基板上に形成された後に別の基板に移し変えることにより作製されることを特徴すると請求項１５記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置と液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置とエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関し、詳しくは可撓性を有する基板で作られた液晶表示装置と液晶表示装置の製造方法および可撓性を有する基板で作られたエレクトロルミネッセンス表示装置とエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
標準的な液晶表示装置を図１９によって説明する。液晶表示装置９００は、１対の基板９０１（９０１ａ、９０１ｂ）上に、透明電極、アクティブ素子、配線、配向膜などの必要な薄膜層９０２を形成した後、１対の一方の基板９０１（例えば基板９０１ａ）に球状のスペーサー９０３を散布する。次に１対の一方の基板９０１（例えば基板９０１ｂ）にディスペンサーやスクリーン印刷によりシール剤９０４を塗布する。その後、１対の基板９０１ａ、９０１ｂを張り合わせ、加圧しながら、加熱、紫外線等によりシール剤９０４を硬化させる。次に、真空注入法によって、液晶（図示せず）を注入に、注入口（図示せず）をモールド樹脂（図示せず）で封止する。
【０００３】
その後に、電気的な接続を取るために、ポリイミド等で作られたフレキシブルケーブル９０６と基板９０１ａ上の電極（図示せず）とを、異方性導電フィルム９０５を介して接続する。この異方性導電フィルム９０５は、熱硬化性の接着剤の中に、金属粒子、もしくは樹脂粒子を金属でコーティングした粒子が添加されたもので、加圧しながら加熱し、粒子を押しつぶしながら接着剤を固めることで電気的な接続を得るものである。現在、加熱に必要な温度は、１３０℃〜２３０℃程度、必要な圧力は０．５〜５ＭＰａ程度である。
【０００４】
上記液晶表示装置９００を携帯電話や個人用携帯端末（ＰＤＡ）、ノート型パーソナルコンピュータなどの機器に組み込む際には、フレキシブルケーブル９０６の基板９０１ａと接着した反対側を機器側のコネクタに接続して使用する。
【０００５】
上記液晶表示装置９００の基板９０１としてプラスチック基板を用いると、異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する際に、加熱しながら加圧すると、基板９０１の上に載っている薄膜層９０２にクラックが入ることがある。この原因としては、加熱の際に、主に無機層で形成されている薄膜層９０２は耐熱性があるため変形し難いが、プラスチック基板からなる基板９０１は温度が上がるとともに柔らかくなる。その結果、基板９０１が非常に薄い薄膜層９０２を支持できなくなり、異方性導電フィルム９０５中にある粒子が無機層を割り、そこからクラックが発生して配線パターンやデバイスが破損することにある。
【０００６】
上記クラックの発生を解決するために、異方性導電フィルムの硬化温度を下げる（例えば、特許文献１参照）加圧する圧力を下げるという方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２３５０６０号公報（第２−４頁、表１−２）
【特許文献２】
特開２００１−３３７３４０公報（第４−５頁、図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、異方性導電フィルムを硬化させる温度を下げる、もしくは加圧する圧力を下げると、異方性導電フィルムの耐熱温度が下がったり、抵抗が増えたりする。また、信頼性も落ちるという不利益を生じる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた液晶表示装置と液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置とエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法である。
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、第１薄膜層が形成された第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ第２薄膜層が形成された第２基板と、前記第１薄膜層側と前記第２薄膜層側とを対向させた前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有するものからなり、前記可撓性を有する基板は、前記可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部が延長形成されているものである。
【００１１】
上記液晶表示装置では、前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有する基板からなり、この可撓性を有する基板には、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続（電気的接続）するコネクタ接続部が延長形成されていることから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無い。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減が成されたものとなる。
【００１２】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１薄膜層が形成された第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ第２薄膜層が形成された第２基板と、前記第１薄膜層側と前記第２薄膜層側とを対向させた前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有する基板を用い、前記可撓性を有する基板に、前記可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成する。
【００１３】
上記液晶表示装置の製造方法では、第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の基板に可撓性を有する基板が用い、この可撓性を有する基板に、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成することから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程による薄膜層の破壊が回避されることになり、信頼性の向上が図れるとともに、製造工程の削減、コストの低減が成される。
【００１４】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、エレクトロルミネッセンス発光素子を含む薄膜層が形成された基板で形成されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記基板は、可撓性を有するものであって前記基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部が延長形成されているものである。
【００１５】
上記エレクトロルミネッセンス表示装置では、基板は、可撓性を有するものであって基板を組み込む機器のコネクタに直接接続（電気的接続）するコネクタ接続部が延長形成されていることから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無い。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減が成されたものとなる。
【００１６】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、エレクトロルミネッセンス発光素子を含む薄膜層が形成された基板で形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記基板に可撓性を有するものを用い、前記基板に前記基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成する。
【００１７】
上記エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、基板に可撓性を有するものを用い、この基板に、基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成することから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程による薄膜層の破壊が回避されることになり、信頼性の向上が図れるとともに、製造工程の削減、コストの低減が成されるエレクトロルミネッセンス表示装置が形成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の液晶表示装置に係る一実施の形態を図１によって説明する。図１は、（１）に概略構成断面図を示し、（２）に概略構成斜視図を示す。
【００１９】
図１に示すように、液晶表示装置１０は、画素電極（例えば透明電極）、アクティブ素子、配線、配向膜などの必要な薄膜層１２（第１薄膜層１２ａ、第２薄膜層１２ｂ）が形成された１対の基板１１（第１基板１１ａ、第２基板１１ｂ）の薄膜層１２側を対向させて、かつ基板１１の間隔を保持するスペーサー１３を介して、シール剤１４により張り合わされたものであり、液晶の封入により基板１１間に液晶層１５が形成されていて、液晶の注入口（図示せず）をモールド樹脂（図示せず）で封止したものである。上記基板１１（例えば第１基板１１ａ）は、可撓性を有する例えばプラスチック基板からなり、その一側端面にはコネクタ接続部１６が延長形成されている。このコネクタ接続部１６は、上記基板１１を組み込む機器のコネクタに直接接続するものである。したがって、例えば、上記コネクタ接続部１６の端部には上記基板１１を組み込む機器のコネクタの電極に対応して接続可能な電極（図示せず）が配置されている。
【００２０】
また、上記液晶表示装置１０は、例えば図２の平面レイアウト図に示すようなレイアウト配置を取ることができる。図２に示すように、上記第１基板１１ａには、液晶により表示される表示部２１と、液晶を駆動する駆動回路部２２とが形成されている。この駆動回路部２２は、図示したように、コネクタ接続部１６内にも形成されていてもよい。そしてコネクタ接続部１６の端部には、この液晶表示装置１０を組み込む機器に接続される複数の電極端子（図示せず）が形成されている。この例では、第１基板１１ａ（アクティブ基板）に可撓性を有する基板を用いたが、上記第２基板１１ｂ（対向基板）に可撓性を有する基板を用いてもよく、この場合には、対向基板側に上記コネクタ接続部が形成されることになる。もしくは、第１基板１１ａ、第２基板１１ｂの両方を、可撓性を有する基板で形成してもよい。
【００２１】
上記液晶表示装置１０では、薄膜層１２が形成された第１基板１１ａ、第２基板１１ｂのうち少なくとも一方の基板（上記実施の形態では第１基板１１ａ）が可撓性を有するものからなり、可撓性を有する基板１１ａには、可撓性を有する基板１１ａを組み込む機器のコネクタ（図示せず）に直接接続するコネクタ接続部１６が延長形成されていることから、液晶パネル（表示部２１およびその周囲の駆動回路部）とフレキシブルケーブル（コネクタ接続部１６）が一体化した液晶表示装置１０になっている。したがって、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムによる接着工程がなくなるので、液晶層を駆動するＴＦＴ、画素電極等が形成された薄膜層１２が破壊されることがなくなり、信頼性の向上が図れる。また異方性導電フィルムやフレキシブルケーブルを用いる必要がないので異方性導電フィルムによるフレキシブルケーブルの接着工程がなくなり、製造工程の削減、コストの低減が成される。
【００２２】
次に、本発明の液晶表示装置に係る製造工程の一例を、図３〜図８によって説明する。ここでは、一例として、透過型のＴＦＴ液晶パネルの製造工程を以下に説明する。
【００２３】
図３に示すように、まず、第１基板１０１上に、後に行うガラスエッチングの保護層としてフッ化水素およびフッ化水素酸に耐性を有する耐ＨＦ層１０２を形成する。なお、本明細書では、上記「ＨＦ」とはフッ化水素もしくはフッ化水素酸を表すものとする。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｎｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記耐ＨＦ層１０２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。さらに絶縁層１０３を形成する。この絶縁層１０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。上記モリブデン膜は、例えばスパッタリング法にて形成することができ、上記酸化珪素膜は例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
【００２４】
その後は、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「’９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜層を形成した。薄膜層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００２５】
まず、第１基板１０１上に耐ＨＦ層１０２を介して形成された絶縁層１０３上にゲート電極１０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜を加工してゲート電極１０４を形成した。このゲート電極１０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極１０４上を被覆するようにゲート絶縁膜１０５を形成した。ゲート絶縁膜１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層、または酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮｘ  ）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層（厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ）を形成した。この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層１０６を形成し、その両側にｎ−  型ドープ領域からなるポリシリコン層１０７、ｎ＋  型ドープ領域からなるポリシリコン層１０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造とした。またポリシリコン層１０６上にはｎ−型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層１０９を形成した。このストッパー層１０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層で形成した。
【００２６】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層、または酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮｘ  ）層との積層体からなるパッシベーション膜１１０を形成した。このパッシベーション膜１１０上に、各ポリシリコン層２０８に接続するソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成した。各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２は例えばアルミニウムで形成した。
【００２７】
その後、カラーフィルター１１３を形成した。カラーフィルター１１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター１１３には、ソース電極１１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール１１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜１１４を形成した。保護膜１１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜１１４には、ソース電極１１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール１１４Ｃを形成した。その後、ソース電極１１１に接続する画素電極１１５を形成した。この画素電極１１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００２８】
次に、上記画素電極１１５上に柱状スペーサ１１６を形成した。この柱状スペーサ１１６は、例えばスピンコートにより全面にアクリル系の樹脂を形成（例えば塗布法による）した後、リソグラフィー技術により柱状に加工した。
【００２９】
柱状スペーサ１１６を周辺回路部に形成する場合には、ゲート電極（ゲート配線も含む）１０４、ソース電極２１１に接続される配線（図示せず）やドレイン電極１１２に接続される配線（図示せず）、トランジスタの活性層（ポリシリコン層１０６〜１０８）をなるべく避けて、柱状スペーサ１１６を形成することが望ましい。また、今回はひとつの柱状スペーサ１１６の大きさは高さ３．５μｍ、縦横１０μｍとした。
【００３０】
この段階では、図４に示すように、１枚の基板４０１上に、複数のパネル４１１が縦横に配置された状態となっている。一枚のパネル４１１は、前記図２に示すような構成となっている。したがって、図示されたパネル４１１は、表示部２１と駆動回路部２２の一部とが形成された基板１１とこの基板１１に延長形成されたコネクタ接続部１６（図示の凸部分）とからなる。また、一例として、液晶を駆動させる駆動回路部２２は、例えば表示部２１の周りとコネクタ接続部１６につながる部分に形成している。
【００３１】
通常は、コネクタ部分は、配線しか形成できないが、本発明では凸形状に形成されたコネクタ接続部１６にも回路を形成できるため、パネルの小型化が達成できる。また、フレキシブルケーブル接続用のパッドも必要がないため、パネルを小型化できる。
【００３２】
以上の工程により、第１基板１０１上に透過型のアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００３３】
次に、第１基板１０１上の薄膜層１２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００３４】
図５（１）に示すように、第１基板１０１上に耐ＨＦ層１０２、絶縁層１０３、薄膜層１２１を形成したものをホットプレート１２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤１２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板１２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板１２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板１２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に耐ＨＦ層１０２から薄膜層１１６が形成された第１基板１０１の薄膜層１１６側を載せてもよい。上記第１接着剤１２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００３５】
次に、図５（２）に示すように、第２基板１２４を貼り付けた第１基板１０１をフッ化水素酸（ＨＦ）１２５に浸漬して、第１基板１０１のエッチングを行った。このエッチングは、耐ＨＦ層１０２であるモリブデン層がフッ化水素酸１２５にエッチングされないため、このエッチングは耐ＨＦ層１０２で自動的に停止する。ここで用いたフッ化水素酸１２５は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は３．５時間とした。フッ化水素酸１２５の濃度とエッチング時間は、第１基板１０１のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
【００３６】
上記フッ化水素酸１２５によるエッチングの結果、図６（３）に示すように、第１基板１０１〔前記図５（２）参照〕が完全にエッチングされ、耐ＨＦ層１０２が露出される。
【００３７】
次に、混酸〔例えば、リン酸（Ｈ３  ＰＯ４  ）７２ｗｔ％と硝酸（ＨＮＯ３  ）３ｗｔ％と酢酸（ＣＨ３  ＣＯＯＨ）１０ｗｔ％〕により、耐ＨＦ層１０２〔前記図６（３）参照〕であるモリブデン層（厚さ：５００ｎｍ）をエッチングした。これは、透過型の液晶パネルを作製するために、不透明なモリブデン層があると問題となるためである。上記混酸で５００ｎｍの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約１分である。このエッチングの結果、図６（４）に示すように、この混酸は第１絶縁層１０３である酸化珪素をエッチングしないため、第１絶縁層１０３で自動的にエッチングが停止する。
【００３８】
次に、図６（５）に示すように、上記エッチング後に、薄膜層１２１の裏面側、すなわち絶縁膜１０３表面に、第２接着層１２６を形成した。この第２接着層１２６は、例えば回転塗布技術により例えば紫外線硬化接着剤を塗布して形成した。
【００３９】
次に、図６（６）に示すように、第２接着層１２６に第３基板１２７を貼り付けた。この第３基板１２７にはプラスチック基板を用いた。この第３基板１２７が前記図１によって説明したコネクタ説明部が延長形成された第１基板１１ａに相当する。上記プラスチック基板には、例えば厚さが０．２ｍｍのポリカーボネートフィルムを用い、紫外線を照射して、紫外線硬化接着剤からなる第２接着層１２６を硬化させた。ここではプラスチック基板にポリカーボネートを用いたが、ポリカーボネートに限らず、他のプラスチックを用いてもよい。例えば、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート等の他の光学用フィルムを用いることができる。また、ここでは、絶縁層１０３側に第２接着層１２６を塗布形成したが、第３基板１２７に第２接着層１２６を塗布形成して貼り合わせてよい。
【００４０】
次に、図６（７）に示すように、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層１２３〔前記図５（１）参照〕を溶かして第２基板１２４〔前記図５（１）参照〕を外し、第３基板１２７上に第２接着層１２６、絶縁膜１０３を介して薄膜層１２１が載ったアクティブ基板（基板１１ａ）を得た。
【００４１】
今回、プラスチック基板には、ポリカーボネートを用いたが、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート等の他の光学用フィルムでもよい。
【００４２】
次に、上記アクティブ基板（基板１１ａ）と、プラスチック基板に透明電極膜を全面に成膜した対向基板〔前記図１の基板１１ｂ参照〕とに配向膜（ポリイミド）を塗布し、ラビング処理を行って、配向処理を行った。
【００４３】
次に、図７に示すように、１枚の基板４０２上に、複数のパネル４１２（前記図１によって説明した対向基板となる基板１１ｂ）が縦横に配置された状態となっている。対向基板となるパネル４１２において、重ね合わせた際にパッド部に相当する部分４２２を除去した。この除去加工は、例えば炭酸ガスレーザ加工装置を用いることができる。ここでは、前記図１に示したように、アクティブ基板となる基板１１ａと対向基板となる基板１１ｂとを重ね合わせた後に、基板１１ｂだけ切断することが難しいため、基板１１ａと基板１１ｂとを重ね合わせる前に上記除去加工を行った。また、今回はレーザ加工を用いたがトムソン刃等他の手段を用いた切断加工を行ってもよい。
【００４４】
次に、図８に示すように、アクティブ基板となる基板１１ａのシール部にシール剤１４を塗布し、基板１１ａと対向基板となる基板１１ｂとを両者を張り合わせた。そして張り合わせた後、加圧しながら紫外線を照射してシール剤１４を硬化させた。このときの加圧力は例えば１ｋｇ／ｃｍ２とした。このとき、基板１１ａにはスペーサ１３（例えば柱状スペーサ１１６）が形成されているので、基板１１ａと基板１１ｂとの間隔は、表示部２１において一定間隔に保持される。次に、レーザ加工により張り合わせた基板１１ａと基板１１ｂとをパネルの大きさに切断した。次いで、パネルの液晶注入口から液晶を注入して基板１１ａと基板１１ｂとの間に液晶層１５を形成した後、その注入口をモールド樹脂（図示せず）で覆い、モールド樹脂を硬化させて、パネル内に液晶層１５を封止し、液晶表示装置１０を作製した。
【００４５】
以上により、液晶パネルとフレキシブルケーブルとなるコネクタ接続部１６とが一体化した液晶表示装置１０が完成した。
【００４６】
上記液晶表示装置１０の製造方法では、画素電極が形成された基板１１ａおよび対向基板となる基板１１ｂのうち少なくとも一方、上記例では基板１１ａに可撓性を有するプラスチック基板が用い、この可撓性を有する基板に、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部１６を延長形成することから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程による薄膜層１２（１２１）の破壊が回避されることになり、信頼性の向上が図れるとともに、製造工程の削減、コストの低減が成される。
【００４７】
次に、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置（以下、ＥＬ表示装置という）に係る一実施の形態を図９によって説明する。図９は、（１）に概略構成断面図を示し、（２）に概略構成斜視図を示す。
【００４８】
図９に示すように、ＥＬ表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置）３０は、アクティブ素子、配線、アノード電極、正孔輸送層、発光層、カソード電極などの必要な薄膜層３２が形成された基板３１（３１ａ）の薄膜層３２側を対向させて、保護層となる基板３１（３１ｂ）を形成したものである。上記基板３１（例えば基板３１ａ）は、可撓性を有する例えばプラスチック基板からなり、その一側端面にはコネクタ接続部３３が延長形成されている。このコネクタ接続部３３は、上記基板３１を組み込む機器のコネクタに直接接続するものである。したがって、例えば、上記コネクタ接続部３３の端部には上記基板３１を組み込む機器のコネクタの電極に対応して接続可能な電極（図示せず）が配置されている。
【００４９】
また、上記ＥＬ表示装置３０は、例えば図１０の平面レイアウト図に示すようなレイアウト配置を取ることができる。図１０に示すように、上記基板３１には、有機ＥＬ層により表示される表示部４１と、表示部４１を駆動する駆動回路部４２とが形成されている。この駆動回路部４２は、図示したように、コネクタ接続部３３内にも形成されていてもよい。そしてコネクタ接続部３３の端部には、このＥＬ表示装置１０を組み込む機器に接続される複数の電極端子（図示せず）が形成されている。この例では、基板３１ａに可撓性を有する基板を用いたが、上記基板３１ｂに可撓性を有する基板を用いてもよく、この場合には、基板３１ｂ側に上記コネクタ接続部が形成されることになる。もしくは、基板３１ａ、３１ｂの両方を可撓性を有する基板で形成してもよい。
【００５０】
上記ＥＬ表示装置３０では、薄膜層３２が形成された基板３１（３１ａ、３１ｂ）のうち少なくとも一方の基板、例えば基板３１ａが可撓性を有するものからなり、可撓性を有する基板３１ａには、可撓性を有する基板３１ａを組み込む機器のコネクタ（図示せず）に直接接続するコネクタ接続部３３が延長形成されていることから、ＥＬ表示パネル（表示部４１）とフレキシブルケーブル（コネクタ接続部３３）が一体化したＥＬ表示装置３０になっている。したがって、従来技術で説明したように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムによる接着工程がなくなるので、有機ＥＬ層を駆動するＴＦＴ、有機ＥＬ層等が形成された薄膜層３２が破壊されることがなくなり、信頼性の向上が図れる。また異方性導電フィルムやフレキシブルケーブルを用いる必要がないので異方性導電フィルムによるフレキシブルケーブルの接着工程がなくなり、製造工程の削減、コストの低減が成される。
【００５１】
次に、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置に係る製造工程の一例を、図１１〜図１６によって説明する。この実施の形態では、転写方式によりプラスチック基板にアクティブマトリックス基板を作製しアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイを作製した。
【００５２】
図１１（１）に示すように、製造基板となる第１基板３０１に厚さ０．４〜１．１ｍｍ程度のガラス基板もしくは石英基板を用いる。そして、例えばスパッタリング法により、第１基板（例えば厚さが０．７ｍｍのガラス基板）３０１上に薄膜デバイス層を形成する。
【００５３】
すなわち、薄膜デバイス層として、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「’９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００５４】
まず、第１基板３０１上にゲート電極３０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜を加工してゲート電極３０４を形成した。このゲート電極３０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極３０４上を被覆するようにゲート絶縁膜３０５を形成した。ゲート絶縁膜３０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層、または酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮｘ  ）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層（厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ）を形成した。この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層３０６を形成し、その両側にｎ−  型ドープ領域からなるポリシリコン層３０７、ｎ＋  型ドープ領域からなるポリシリコン層３０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造とした。またポリシリコン層３０６上にはｎ−型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層３０９を形成した。このストッパー層３０９は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）層で形成した。
【００５５】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層、または酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮｘ  ）層との積層体からなるパッシベーション膜３１０を形成した。このパッシベーション膜３１０上に、各ポリシリコン層３０８に接続するソース電極３１１およびドレイン電極３１２を形成した。各ソース電極３１１およびドレイン電極３１２は例えばアルミニウムで形成した。
【００５６】
このようにして、低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）プロセスで薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した。その上に有機ＥＬ素子を形成した。
【００５７】
次に、例えばスピンコート法によって、ソース電極３１１、ドレイン電極３１２等を覆うように、パッシベーション膜３１０上に保護絶縁層３１３を例えばメタクリル酸メチル樹脂系樹脂で形成した後、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、ソース電極３１１と後に形成する有機ＥＬ素子のアノード電極とを接続できるように、その部分の保護絶縁層３１３を取り除いた。
【００５８】
次に、保護絶縁層３１３上に、有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は、アノード電極３１４と有機層とカソード電極３１７とで構成されている。アノード電極３１４は、例えばスパッタリング法でアルミニウム（Ａｌ）膜を形成し、各ＴＦＴのソース電極３１１に接続され、個別に電流を流せるようになっている。
【００５９】
有機層は、有機正孔輸送層３１５と有機発光層３１６を積層させた構造とした。有機正孔輸送層３１５としては、例えば銅フタロシアニンを蒸着により３０ｎｍの厚さに形成した。有機発光層３１６は、緑色として、Ａｌｑ３［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ）］を５０ｎｍの厚さに、青色として、バソクプロイン（Ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ：２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）を１４ｎｍの厚さに、赤色としてＢＳＢ−ＢＣＮ［２，５−ｂｉｓ｛４−（Ｎ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ｝ｂｅｎｚｅｎｅ−１，４−ｄｉｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ］を３０ｎｍの厚さにそれぞれ蒸着した。
【００６０】
カソード電極３１７としては、酸化インジウム錫（Ｉｎ２  Ｏ３  ＋ＳｎＯ２  、以下ＩＴＯという）を使用した。
【００６１】
今回は、有機ＥＬ素子として、上記構造を用いたが、電極に、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、発光層を組み合わせた公知の構造を用いてもよい。
【００６２】
さらに、カソード電極３１７を覆う形で、パッシベーション膜３１８を形成した。今回、パッシベーション膜３１８は、スパッタリング法により窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を例えば２００ｎｍの厚さに形成した。このパッシベーション膜３１８は、その他、ＣＶＤ法、蒸着法などで形成してもよい。
【００６３】
この段階では、図１２に示すように、１枚の基板６０１上に、前記図１０によって説明した複数のパネル６１１が縦横に配置された状態となっている。一枚のパネル６１１においては、前記図１０に示すような構成となっている。したがって、図示されたパネル６１１は、表示部４１と駆動回路部４２の一部とが形成された基板３１とこの基板３１に延長形成されたコネクタ接続部３３（図示の凸部分）とからなる。また、一例として、表示部（有機ＥＬ層）を駆動させる駆動回路部４２は、例えば表示部４１の周りとコネクタ接続部３３につながる部分に形成している。
【００６４】
通常は、コネクタ部分は、配線しか形成できないが、本発明では凸形状に形成されたコネクタ接続部３３にも回路を形成できるため、パネルの小型化が達成できる。また、フレキシブルケーブル接続用のパッドも必要がないため、パネルを小型化できる。
【００６５】
以下、ＴＦＴ層から有機ＥＬ層までを薄膜層３２０と呼ぶこととする。次に、第１基板３０１上の薄膜層３２０をプラスチック基板上に移載する工程を示す。
【００６６】
図１３（１）に示すように第１基板３０１上に薄膜層３２０を形成したものをホットプレート３２１で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着層３２２を、例えばホットメルト接着剤を例えば１ｍｍ程度の厚さに塗布して形成した。次に、上記第１接着層３２２上に第２基板３２３を載せ、第２基板３２３を第１基板３０１方向に加圧しながら、室温まで冷却した。上記第２基板３２３には、例えば厚さが１ｍｍのモリブデン（Ｍｏ）基板を用いた。または、第２基板３２３上にホットメルト接着剤を塗布して、その上に薄膜層３２０が形成された第１基板３０１の薄膜層３２０側を載せてもよい。
【００６７】
次に、図１３（２）に示すように、第２基板３２３を貼り付けた基板をフッ化水素酸３２４に浸漬して、第１基板３０１のエッチングを行った。このエッチングでは、第１基板３０１を、例えば１０μｍ〜２０μｍの厚さになるように残すように行うため、エッチング終点は例えばエッチング時間により制御する。ここで用いたフッ化水素酸３２４は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は２００分とした。フッ化水素酸３２４の濃度とエッチング時間は、ガラスが完全にエッチングできるならば、変更しても問題はない。上記エッチングの代わりに、例えば機械的な研磨、化学的機械研磨等の研磨によって、第１基板３０１を薄くしても良い。
【００６８】
上記フッ化水素酸３２４によるエッチングの結果、図１４（３）に示すように、第１基板３０１上に薄膜層３２０が形成され、さらに薄膜層３２０上に第１接着層３２２を介して第２基板３２３が形成される。
【００６９】
次に、図１４（４）に示すように、上記第１基板３０１の裏面、すなわち上記薄膜層３２０が形成されている側とは反対側の面に第２接着層３２５を塗布する。この第２接着層３２５は、例えば紫外線硬化接着剤をスピンコートして用いる。
【００７０】
次いで、第２接着層３２５を塗布した後に、第３基板３２６を第２接着層３２５表面に貼り付ける。この第３基板３２６には、例えば０．１ｍｍの厚さのポリカーボネート基板を用いる。その後、第２接着層３２５に紫外線を照射してｍ第２接着層３２５を硬化させた。ここでは、デバイス側に接着剤を塗布したが、第３基板３２６側に第２接着層３２５を塗布形成して、第１基板３０１を第３基板３２６に貼り合わせてよい。ここで、プラスチック基板の第３基板３２６を貼り合わせる理由は、ガラス質の第１基板３０１の厚さが１０μｍ〜２０μｍになっているために耐衝撃性が弱くなっているので、プラスチック基板の第３基板３２６を貼り付けて補強するためである。今回、プラスチック基板には、ポリカーボネートを用いたが、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート等の他の光学用フィルムでもよい。また、第２接着層３２５に紫外線硬化接着剤を用いたが、他の接着剤、粘着材を用いてもよい。
【００７１】
次に、上記第３基板３２６を貼り付けた第２基板３２３をアルコールの中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層３２２を溶解し、第２基板３２３を剥離する。この結果、図１４（５）に示すように、ポリカーボネート基板からなる第３基板３２６上に、第２接着層３２５、エッチングで残した第１基板３０１を介して薄膜層３２０が載ったアクティブ基板を得た。
【００７２】
今回、プラスチック基板には、ポリカーボネートを用いたが、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート等の他の光学用フィルムでもよい。
【００７３】
次に、図１５に示すように、第１基板３１ａに形成した薄膜層３２〔前記図１４の薄膜層３２０に相当：前記図１４の（５）参照〕側に保護フィルムとなる第２基板３１ｂを張り付けた。このとき、第２基板３１ｂがコネクタ接続部３３上に形成されないようにした。上記第２基板３１ｂには、一例として厚さが０．１ｍｍのポリカーボネート基板を用い、接着剤により張り付けた。この接着剤には例えば紫外線硬化接着剤を用いた。なお、図１６に示すように、１枚の基板６０２上に、複数のパネル６１２（前記図９によって説明した第２基板３１ｂ）が縦横に区画された状態となっている。第２基板となるパネル６１２において、重ね合わせた際にパッド部に相当する部分６２２を除去した。この除去加工は、例えば炭酸ガスレーザ加工装置を用いることができる。ここでは、前記図９に示したように、第１基板３１ａと第２基板３１ｂとを重ね合わせた後に、第２基板３１ｂだけ切断することが難しいため、第１基板３１ａと第２基板３１ｂとを重ね合わせる前に上記除去加工を行った。また、今回はレーザ加工を用いたがトムソン刃等他の手段を用いた切断加工を行ってもよい。
【００７４】
上記保護フィルムとなる基板３１ｂを張り合わせ、接着剤を硬化させた後、例えばレーザ加工装置を用いて、個々のパネルの大きさに切断した。以上により、有機ＥＬパネルとフレキシブルケーブルとなるコネクタ接続部３３とが一体化した有機ＥＬ表示装置３０が完成した。
【００７５】
上記ＥＬ表示装置３０の製造方法では、画素電極が形成された基板３１ａおよび保護フィルムとなる基板３１ｂのうち少なくとも一方、上記例では基板３１ａに可撓性を有するプラスチック基板が用い、この可撓性を有する基板に、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部３３を延長形成することから、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを接続する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程による薄膜層３２（３２０）の破壊が回避されることになり、信頼性の向上が図れるとともに、製造工程の削減、コストの低減が成される。
【００７６】
上記各実施の形態で説明したコネクタ接続部１６（３３）は、第１基板１１ａ（３１ａ）複数箇所に設けることができる。例えば図１７に示すように、第１基板１１ａの２辺より外側方向へこの第１基板１１ａを延長形成することにより設けることができる。図面では、２辺に設けたが、例えば３辺、もしくは４辺に形成してもよく、また、１辺に複数のコネクタ接続部１６（３３）を設けることもできる。また、コネクタ接続部１６（３３）の形状は種々の形状とすることができる。例えば、前記図２、図１０に示したように、コネクタ接続部１６、３３を矩形状に形成する、または図１８（１）に示すように、コネクタ接続部１６（３３）を台形状に形成することもできる。このように、コネクタ接続部１６（３３）は種々の形状を取ることができる。また、図１８（１）に示すように、コネクタ接続部１６（３３）の第１基板１１ａ（３１ａ）側接続部分に丸みを形成することもできる。このように丸みＲを形成することにより、基板とコネクタ接続部との接続部分からの破断に対する耐久性が向上する。
【００７７】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の液晶表示装置によれば、第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の基板は可撓性を有する基板からなり、この可撓性を有する基板には、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続（電気的接続）するコネクタ接続部が延長形成されているので、従来技術のように異方性導電フィルムにより接着されるフレキシブルケーブルは必要とし無い。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減ができる。また、フレキシブルケーブルを接続するパッドが不要なため、パネル面積を小さくできる。また、コネクタ接続部上にも回路を形成することが可能になることからも、パネル面積の縮小化が可能になる。
【００７８】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の基板に可撓性を有する基板が用い、この可撓性を有する基板に、可撓性を有する基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成するので、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを形成する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを接着する工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減ができる。また、フレキシブルケーブルを接続するパッドが不要なため、パネル面積を小さくできる。
また、コネクタ接続部上にも回路を形成することが可能になることからも、パネル面積の縮小化が可能になる。
【００７９】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置によれば、基板は、可撓性を有するものであって基板を組み込む機器のコネクタに直接接続（電気的接続）するコネクタ接続部が延長形成されているので、従来技術のように異方性導電フィルムにより接着されるフレキシブルケーブルは必要とし無い。このため、異方性導電フィルムを用いた接着工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減ができる。また、フレキシブルケーブルを接続するパッドが不要なため、パネル面積を小さくできる。また、コネクタ接続部上にも回路を形成することが可能になることからも、パネル面積の縮小化が可能になる。
【００８０】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、基板に可撓性を有するものを用い、この基板に、基板を組み込む機器のコネクタに直接接続するコネクタ接続部を延長形成するので、従来技術のように異方性導電フィルムを介してフレキシブルケーブルを形成する必要が無くなる。このため、異方性導電フィルムを接着する工程を必要としないので、その接着工程で起こっていた薄膜層の破壊が起こることはなく、信頼性の向上が図れるとともに、コストの低減ができる。また、フレキシブルケーブルを接続するパッドが不要なため、パネル面積を小さくできる。また、コネクタ接続部上にも回路を形成することが可能になることからも、パネル面積の縮小化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置に係る一実施の形態を示す図面であり、（１）は概略構成断面図であり、（２）は概略構成斜視図である。
【図２】液晶表示装置を示す平面レイアウト図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の薄膜層に係る製造工程の一例を示す製造工程図である。
【図４】１枚の基板に配置されるパネル位置の一例を示すレイアウト図である。
【図５】第１基板上の薄膜層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する製造工程図である。
【図６】第１基板上の薄膜層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する製造工程図である。
【図７】基板に配置されるパネルのレイアウト例とパネルの除去部分とを示すレイアウト図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図９】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の薄膜層に係る一実施の形態を示す図面であり、（１）は概略構成断面図であり、（２）は概略構成斜視図である。
【図１０】ＥＬ表示装置を示す平面レイアウト図である。
【図１１】本発明のＥＬ表示装置の薄膜層に係る製造工程の一例を示す製造工程図である。
【図１２】１枚の基板に配置されるパネル位置の一例を示すレイアウト図である。
【図１３】第１基板上の薄膜層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する製造工程図である。
【図１４】第１基板上の薄膜層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する製造工程図である。
【図１５】本発明のＥＬ表示装置の製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図１６】基板に配置されるパネルのレイアウト例とパネルの除去部分とを示すレイアウト図である。
【図１７】コネクタ接続部の形成位置を示すレイアウト図である。
【図１８】コネクタ接続部の形状例を示すレイアウト図である。
【図１９】標準的な液晶表示装置を示す概略構成断面図および概略構成斜視図である。
【符号の説明】
１０…液晶表示装置、１１…第１基板１１ａ、１１ｂ…第２基板、１２ａ第１薄膜層、１２ｂ…第２薄膜層、１５…液晶層、１６…コネクタ接続部
【図１】
2005017567.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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