(57)【要約】【課題】超小型のチップ部品であっても、機能素子のための面積を確保することができるとともに、ワイヤーボンディング電極のための面積を確保することができるチップ部品を提供する。【解決手段】チップ部品Ａは、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、第１上面電極１４と、保護膜２０と、保護膜２０上に形成された第２上面電極２２と、該第２上面電極２２を被覆するニッケルメッキ２４と、該ニッケルメッキ２４を被覆するワイヤーボンディング電極２６とを有し、下面側には、ダイボンディング電極６０を有している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ部品であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成された機能素子と、
該機能素子の上側の領域に形成された保護膜と、
該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され、該機能素子と電気的に接続されたワイヤーボンディング電極と、
を有することを特徴とするチップ部品。
【請求項２】
上記チップ部品には、上記機能素子と接続された電極である機能素子接続電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ部品。
【請求項３】
上記チップ部品には、チップ部品の下面側に、下面側電極部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ部品。
【請求項４】
上記チップ部品には、上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極で、上記機能素子と電気的に接続されているとともに、上記下面側電極部とは電気的に接続されていない側面電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のチップ部品。
【請求項５】
上記チップ部品には、上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極で、上記機能素子と電気的に接続されているとともに、上記下面側電極部と電気的に接続されている側面電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のチップ部品。
【請求項６】
上記下面側電極部が、絶縁基板の下面に形成された下面電極と、上記下面電極の下面又は上記絶縁基板の下面に形成された下面補助電極とを有することを特徴とする請求項３又は４又は５に記載のチップ部品。
【請求項７】
上記下面側電極部の下面が平面状に形成されていることを特徴とする請求項３又は４又は５又は６に記載のチップ部品。
【請求項８】
上記下面側電極部の両端部が下方に突出した形状を呈していることを特徴とする請求項３又は４又は５又は６に記載のチップ部品。
【請求項９】
チップ部品であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成された機能素子と、
該機能素子の両端に接続された一対の第１上面電極と、
該機能素子の上側の領域に形成された保護膜と、
該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され、該第１上面電極の一方に接続して形成された第２上面電極と、
該第１上面電極の露出部と、該第２上面電極を被覆するための第１メッキと、
該第１メッキを被覆するためのワイヤーボンディング可能な第２メッキと、
該絶縁基板の下面に形成された下面電極と、
該絶縁基板の側面に形成され、該第１上面電極の他方と該下面電極とを接続する側面電極と、
該第１上面電極と側面電極と下面電極とを被覆するための第３メッキと、
該第３メッキを被覆するための第４メッキと、
を有することを特徴とするチップ部品。
【請求項１０】
上記下面電極の下面又は上記絶縁基板の下面に、下面補助電極が形成されていることを特徴とする請求項９に記載のチップ部品。
【請求項１１】
上記下面補助電極が、上記側面電極に接触しないように形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のチップ部品。
【請求項１２】
上記下面補助電極は、側面電極が形成されている側の端部とは反対側の端部側に形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のチップ部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ部品に関するものであり、特に、ワイヤーボンディング電極を有するチップ部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、チップ抵抗器等のチップ部品において、ワイヤーボンディング電極を有するものが存在する。例えば、チップ基体の上面に設けられた電極の保護膜により覆われていない部分の上面に重ね合わせてワイヤーボンディングするための端部電極を形成したものが存在する（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−１６２００２号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特開平９−１６２００２号に記載のチップ部品においては、チップ部品が小型化した場合に、機能素子の面積が小さくなり、チップ部品の性能が低下するという問題がある。すなわち、保護膜により覆われていない部分の上面に重ねてワイヤーボンディング電極が形成されているので、ワイヤーボンディング電極を確保しようとすると、保護膜に覆われた機能素子のための面積が小さくなってしまい、一方、機能素子のための面積を確保しようとすると、ワイヤーボンディング電極のための面積を確保できないという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、超小型のチップ部品であっても、機能素子のための面積を確保することができるとともに、ワイヤーボンディング電極のための面積を確保することができるチップ部品を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ部品であって、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された機能素子と、該機能素子の上側の領域に形成された保護膜と、該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され、該機能素子と電気的に接続されたワイヤーボンディング電極と、を有することを特徴とする。
【０００７】
この第１の構成のチップ部品においては、ワイヤーボンディング電極が保護膜の上側の領域に設けられているので、十分な面積のワイヤーボンディング電極を形成することができる。これにより、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、よって、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、結果として、部品の小型化が容易となる。また、保護膜の上側にワイヤーボンディング電極が形成されているので、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、これによっても、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、よって、部品の小型化が容易となる。また、ワイヤーボンディング電極は、保護膜の上側に形成されているので、ワイヤーボンディング電極の面積を広く取っても機能素子の面積を狭くする必要がなく、よって、チップ部品の性能が低下することがない。なお、上記のように、ワイヤーボンディング電極は、「該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され」とあるので、保護膜の上側に形成されていればよく、保護膜の上面に形成されていない場合も含まれる。
【０００８】
また、第２には、上記第１の構成において、上記チップ部品には、上記機能素子と接続された電極である機能素子接続電極が形成されていることを特徴とする。この第２の構成によれば、該機能素子接続電極を他の部品と接続可能に形成することにより、他の部品と接続でき、また、該機能素子接続電極をワイヤーボンディング可能に形成することにより、機能素子接続電極にもワイヤーボンディング可能とすることができる。なお、この第２の構成を「上記チップ部品には、上記機能素子と接続された電極で、他の部品と接続可能な機能素子接続が形成されていることを特徴とする」としてもよい。この機能素子接続電極は、例えば、絶縁基板の上面に設けられたものとする。
【０００９】
また、第３には、上記第１又は第２の構成において、上記チップ部品には、チップ部品の下面側に、下面側電極部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、第４には、上記第３の構成において、上記チップ部品には、上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極で、上記機能素子と電気的に接続されているとともに、上記下面側電極部とは電気的に接続されていない側面電極が形成されていることを特徴とする。よって、下面側電極部を独立したグランド電極とすることができ、高周波特性を良好にすることが可能となる。また、側面電極を介して他の部品と接続することが可能となる。
【００１１】
また、第５には、上記第３の構成において、上記チップ部品には、上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極で、上記機能素子と電気的に接続されているとともに、上記下面側電極部と電気的に接続されている側面電極が形成されていることを特徴とする。よって、下面側電極部により回路基板にはんだ付け等により実装可能となる。
【００１２】
また、第６には、上記第３から第５までのいずれかの構成において、上記下面側電極部が、絶縁基板の下面に形成された下面電極と、上記下面電極の下面又は上記絶縁基板の下面に形成された下面補助電極とを有することを特徴とする。この下面補助電極が設けられていることにより、側面電極が設けられている側の端部が下方に突出しても、チップ部品の下面を平面状にしたり、両側の端部が下方に突出した形状、すなわち、逆凹状にすることが可能となる。
【００１３】
また、第７には、上記第３から第６までのいずれかの構成において、上記下面側電極部の下面が平面状に形成されていることを特徴とする。これにより、チップ部品の実装姿勢を安定させることができ、結果として、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となる。
【００１４】
また、第８には、上記第３から第６までのいずれかの構成において、上記下面側電極部の両端部が下方に突出した形状を呈していることを特徴とする。これにより、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得ることができる。
【００１５】
なお、上記第６の構成において、上記下面補助電極は、側面電極が形成されている側の端部とは反対側の端部側に形成されているものとしてもよい。このようにすることにより、チップ部品の下面の両端部が下方に突出した、いわゆる逆凹状の形状とすることができ、これにより、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得ることができる。
【００１６】
また、第９には、チップ部品であって、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された機能素子と、該機能素子の両端に接続された一対の第１上面電極と、該機能素子の上側の領域に形成された保護膜と、該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され、該第１上面電極の一方に接続して形成された第２上面電極と、該第１上面電極の露出部と、該第２上面電極を被覆するための第１メッキと、該第１メッキを被覆するためのワイヤーボンディング可能な第２メッキと、該絶縁基板の下面に形成された下面電極と、該絶縁基板の側面に形成され、該第１上面電極の他方と該下面電極とを接続する側面電極と、該第１上面電極と側面電極と下面電極とを被覆するための第３メッキと、該第３メッキを被覆するための第４メッキと、を有することを特徴とする。
【００１７】
この第９の構成のチップ部品によれば、ワイヤーボンディング電極が保護膜の上側の領域に設けられているので、十分な面積のワイヤーボンディング電極を形成することができる。これにより、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、よって、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、結果として、部品の小型化が容易となる。また、保護膜の上側にワイヤーボンディング電極が形成されているので、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、これによっても、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、よって、部品の小型化が容易となる。また、ワイヤーボンディング電極は、保護膜の上側に形成されているので、ワイヤーボンディング電極の面積を広く取っても機能素子の面積を狭くする必要がなく、よって、チップ部品の性能が低下することがない。なお、上記のように、第２上面電極は、「該保護膜の上側の領域の少なくとも一部に形成され」とあるので、保護膜の上側に形成されていればよく、保護膜の上面に形成されていない場合も含まれる。
【００１８】
また、第１０には、上記第９の構成において、上記下面電極の下面又は上記絶縁基板の下面に、下面補助電極が形成されていることを特徴とする。この下面補助電極が設けられていることにより、側面電極が設けられている側の端部が下方に突出しても、チップ部品の下面を平面状にしたり、両側の端部が下方に突出した形状、すなわち、逆凹状にすることが可能となる。
【００１９】
また、第１１には、上記第１０の構成において、上記下面補助電極が、上記側面電極に接触しないように形成されていることを特徴とする。これにより、側面電極が形成されている側の下面が不用意に突出した形状になることがない。なお、この第１１の構成を「上記下面補助電極が、上記側面電極に重ならないように形成されている」としてもよい。
【００２０】
また、第１２には、上記第１０又は第１１の構成において、上記下面補助電極は、側面電極が形成されている側の端部とは反対側の端部側に形成されていることを特徴とする。これにより、チップ部品の下面の両端部が下方に突出した、いわゆる逆凹状の形状とすることができ、これにより、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得ることができる。
【００２１】
なお、以下の構成としてもよい。すなわち、第１３には、上記第９から第１２までのいずれかの構成において、上記側面電極等被覆メッキの下面が平面状に形成されていることを特徴とする。これにより、チップ部品の実装姿勢を安定させることができ、結果として、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となる。
【００２２】
また、第１４には、上記第９から第１２までのいずれかの構成において、上記側面電極等被覆メッキの下面の両端部が下方に突出した形状を呈していることを特徴とする。これにより、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得ることができる。
【００２３】
また、第１５には、上記第９から第１４までのいずれかの構成において、上記側面電極が、薄膜により形成されていることを特徴とする。ここで、薄膜における厚みは、０．０５μｍ〜０．２μｍ（例えば、約０．１μｍ）である。
【００２４】
また、第１６には、上記第９から第１５までのいずれかの構成において、上記ワイヤーボンディング電極の高さ方向の最高位置が、上記側面電極等被覆メッキの高さ方向の最高位置よりも高く形成されていることを特徴とする。これにより、ワイヤーボンディング電極にワイヤーボンディングする際に、側面電極と側面電極等被覆メッキからなる側面電極部が邪魔になることがない。
【００２５】
なお、上記各構成において、機能素子としては、例えば、抵抗体が挙げられ、その場合には、チップ部品は、チップ抵抗器となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態としての実施例を図面を利用して説明する。本発明に基づくチップ部品Ａはチップ抵抗器であり、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、第１上面電極（「第１上面電極層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、第２上面電極（「第２上面電極層」としてもよい）２２と、ニッケルメッキ（「ニッケルメッキ層」としてもよい）２４と、ワイヤーボンディング電極２６と、下面電極３０と、側面電極４０と、メッキ（「メッキ層」としてもよい）５０とを有している。メッキ５０は、ニッケルメッキ５２と、金メッキ５４とからなる。
【００２７】
ここで、チップ部品Ａについてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ部品Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００２８】
また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面の中央部付近に配設されている。この抵抗体１２は、酸化ルテニウム系厚膜である。この抵抗体１２は、上記チップ部品Ａとして電気的特性を担う機能素子である。
【００２９】
上記第１上面電極１４は、図１に示すように、上記抵抗体１２の長手方向（通電方向）（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端と接続するように一対形成されている。つまり、各第１上面電極１４は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の端部から抵抗体１２の端部領域に乗り上げる形で形成されている。この第１上面電極１４は、銀系厚膜により形成されている。この抵抗体１２と第１上面電極１４とが接続している位置においては、第１上面電極１４が抵抗体１２の上面に積層している。つまり、第１上面電極１４の一部が、抵抗体１２の一部の上面に積層している。
【００３０】
また、保護膜２０は、図１に示すように、上記抵抗体１２の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅よりも若干小さく形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、両端に形成されている上記一対の第１上面電極１４の一部を被覆するように配設されている。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。
【００３１】
また、第２上面電極２２は、保護膜２０の上面及び第１上面電極１４の上面に形成されている。すなわち、第２上面電極２２は、Ｘ１−Ｘ２方向には一部を除いて保護膜２０の大部分を被覆するとともに、Ｙ１−Ｙ２方向には保護膜２０の幅よりも若干小さく形成され、また、第２上面電極２２は、Ｘ１−Ｘ２方向には第１上面電極１４を被覆するとともに、Ｙ１−Ｙ２方向には第１上面電極１４と同様の幅に形成されている。なお、この第２上面電極は、保護膜２０の上面等に形成されているとしたが、保護膜２０の上面でなくとも保護膜２０の上側の領域に形成されていればよい。
【００３２】
また、ニッケルメッキ（第１メッキ）２４は、第２上面電極２２を被覆するように形成されている。つまり、ニッケルメッキ２４は、Ｘ１−Ｘ２方向には、第２上面電極２２よりも若干大きく形成されていて、第２上面電極２２におけるＸ２側の端部（つまり、側面電極４０が設けられている側の端部）からＸ１側の端部（つまり、側面電極４０が設けられている側とは反対側の端部）に至るまで被覆している。なお、このニッケルメッキ２４は、第２上面電極２２や第１上面電極１４の側面を被覆するとともに、絶縁基板１０の側面の一部にまで至っている。また、このニッケルメッキ２４は、Ｙ１−Ｙ２方向には、第２上面電極２２よりも若干大きく形成されていて、第２上面電極２２を被覆している。このニッケルメッキ２４は、上記第２上面電極被覆メッキに当たる。このニッケルメッキ２４は、電気メッキにより第１上面電極１４の一部と第２上面電極２２とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２４は、ニッケルにて形成されており、第１上面電極１４と第２上面電極２２等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２４は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３３】
また、ワイヤーボンディング電極（第２メッキ）２６は、ワイヤーボンディングが良好な素材、例えば、金メッキにより形成されていて、ニッケルメッキ２４を被覆するように形成されている。つまり、ワイヤーボンディング電極２６は、ニッケルメッキ２４の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されており、このワイヤーボンディング電極２６は、チップ部品Ａと、金又はアルミニウム等のワイヤー間のボンディングを良好に行うために形成されている。また、ワイヤーボンディング電極２６は、Ｘ１−Ｘ２方向には、ニッケルメッキ２４よりも若干大きく形成されていて、ニッケルメッキ２４におけるＸ２側の端部からＸ１側の端部に至るまで被覆している。なお、このワイヤーボンディング電極２６は、ニッケルメッキ２４を被覆するとともに、絶縁基板１０の側面の一部にまで至っている。また、このワイヤーボンディング電極２６は、Ｙ１−Ｙ２方向には、ニッケルメッキ２４よりも若干大きく形成されていて、ニッケルメッキ２４を被覆している。以上のように、ワイヤーボンディング電極２６は、保護膜２０の上側の領域に形成されている。つまり、保護膜２０を介して絶縁基板１０とは反対側の領域にワイヤーボンディング電極２６が形成されている。
【００３４】
なお、このワイヤーボンディング電極２６のＸ２側の端部、すなわち、絶縁基板１０の側面にまで至っている側とは反対側の端部（つまり、側面電極４０が設けられている側の端部）は、保護膜２０の端部近くにまで至っていて、少なくとも絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の中心よりもＸ２側にまで至っている。
【００３５】
また、下面電極３０は、絶縁基板１０の下面に形成されていて、Ｘ２側の端部からＸ１側の端部近く、つまり、該端部から所定距離の位置にまで形成されている。また、この下面電極３０は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅よりも若干小さく形成されている。この下面電極３０は、銀系厚膜により形成されている。下面電極３０を、銀パラジウム、銀白金、金等の他の金属を含む厚膜や金属薄膜により形成してもよい。なお、図１に示す構成の場合、下面電極３０は、めっき性が良好な材料である必要がある。
【００３６】
また、上記側面電極４０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の一方の端部に形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。つまり、この側面電極４０は、上記第１上面電極１４の一部と、絶縁基板１０の側面と、下面電極３０の一部とを被覆している。また、この側面電極４０は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と同様に形成されている。この側面電極４０は、銀系厚膜や金属薄膜により形成されている。側面電極４０を、銀パラジウム、銀白金、金等の他の金属を含む厚膜により形成してもよい。なお、図１に示す構成の場合、側面電極４０は、めっき性が良好な材料である必要がある。
【００３７】
また、ニッケルメッキ（第３メッキ）５２は、電気メッキにより上記保護膜２０の端部に接触し、かつ、上記第１上面電極１４と、側面電極４０と、下面電極３０とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ５２は、ニッケルメッキにて形成されており、上記第１上面電極１４と下面電極３０及び側面電極４０等の内部電極のはんだ喰われを防止するために形成されている。なお、このニッケルメッキ５２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３８】
また、金メッキ（第４メッキ）５４は、ニッケルメッキ５２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この金メッキ５４は、上記チップ部品Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この金メッキ５４は、金メッキ以外に、はんだや錫が用いられる場合もある。
【００３９】
なお、上記下面電極３０と、メッキ５０において下面電極３０の下側に位置する部分とが、ダイボンディング電極６０を形成している。すなわち、下面電極３０と側面電極４０とメッキ５０とで１つの電極部が形成されているが、そのうちの絶縁基板１０よりも下側の部分がダイボンディング電極６０となっている。このダイボンディング電極６０は、上記下面側電極部に当たる。
【００４０】
また、ワイヤーボンディング電極２６の高さは、メッキ５０の高さよりも高くなっている。つまり、ワイヤーボンディング電極２６の高さ方向の最高位置Ｕは、側面電極４０とメッキ５０とからなる側面電極部の高さ方向の最高位置Ｒよりも高い位置となっている。これにより、ワイヤーボンディング電極２６にワイヤーボンディングする際に、側面電極部が邪魔になることがない。
【００４１】
上記構成のチップ部品Ａの製造方法としては、概ね以下のようになる。すなわち、一次分割用のスリット及び二次分割用のスリットが形成されたアルミナ基板の上面に抵抗体１２を形成し、次に、該アルミナ基板の下面に下面電極３０を形成する。その後、第１上面電極１４を形成する。この第１上面電極１４を形成する際には、一次分割用スリットを介して隣接する第１上面電極１４とともに同時に形成する。その後、抵抗体１２のトリミングを行った後に、保護膜２０を形成する。保護膜２０を形成したら、第２上面電極２２を形成する。以上のように第２上面電極２２を形成したら、一次分割用スリットに沿って短冊状に分割する。
【００４２】
分割を行ったら、側面電極４０を形成する。この側面電極４０の形成に際しては、１つの短冊状基板においては、同時に側面電極４０を形成する。この側面電極４０形成後には、二次分割用スリットに沿って分割を行い、分割を行ったらニッケルメッキ２４とニッケルメッキ５２とを形成し、その後、ワイヤーボンディング電極２６としての金メッキと、金メッキ５４を形成する。
【００４３】
次に、上記構成のチップ部品Ａの作用及び効果について説明する。チップ部品Ａを使用する際には、配線基板に実装するとともに、ワイヤーボンディングを行う。
【００４４】
すなわち、図３に示すように、チップ部品Ａを配線基板Ｐに実装する際には、該チップ部品Ａのダイボンディング電極６０側を配線基板Ｐ側としてはんだ等の接合材料Ｑを介して実装する。また、ワイヤーボンディング電極２６には、ワイヤー７０が超音波ボンディング法等によりにボンディングされて、これにより、図示しない他の電子部品や回路と電気的に接続される。なお、図３において、Ｌはランドであり、Ｒはレジストである。
【００４５】
本実施例のチップ部品Ａにおいては、保護膜２０の上側の位置にワイヤーボンディング電極２６が形成されているので、十分な面積のワイヤーボンディング電極を形成することができる。これにより、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、よって、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、よって、部品の小型化が容易となる。
【００４６】
また、平滑な保護膜２０の上側にワイヤーボンディング電極２６が形成されているので、ワイヤーボンディング電極２６表面の平滑性が十分に確保でき、これによっても、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、よって、部品の小型化が容易となる。
【００４７】
また、ワイヤーボンディング電極２６は、保護膜２０の上側に形成されているので、ワイヤーボンディング電極２６の面積を広く取っても機能素子（本実施例の場合には、抵抗体１２）の面積を狭くする必要がなく、よって、チップ部品の性能が低下することがない。
【００４８】
次に、上記チップ部品Ａの応用例について説明する。まず、図４（ａ）に示すチップ部品Ａ１は、チップ部品Ａと略同様の構成であるが、下面補助電極３１が設けられている点が異なる。つまり、下面電極３０の下面に、下面補助電極３１が形成されていて、下面補助電極３１形成領域では、下面補助電極３１の下面にニッケルメッキ５２が形成されている。なお、この下面補助電極３１の形成領域は、下面電極３０のほぼ全領域であるが、側面電極４０側の端部領域には下面補助電極３１は形成されていない。つまり、側面電極４０を形成した際に、下面補助電極３１に接触しないように下面電極３０の側面電極４０側の端部から所定の領域には下面補助電極３１は形成されていない。なお、この下面補助電極３１の厚みは、側面電極４０を形成した際に下面電極３０から下方に突出する厚み（すなわち、Ｚ１−Ｚ２方向の厚み）に合わせるのが好ましい。なお、下面補助電極３１の幅（つまり、図４（ａ）における奥行方向の長さ）は例えば下面電極３０の幅と略同様である。
【００４９】
このように、下面補助電極３１を設けた場合には、ダイボンディング電極６０の下面が平面状になり、よって、チップ部品Ａ１を配線基板に実装した際の実装姿勢を安定させることができる。なお、チップ部品Ａ１の製造に際しては、この下面補助電極３１は、下面電極３０の形成後でメッキ５０の形成前に形成することになる。
【００５０】
なお、上記下面電極３０と、下面補助電極３１と、メッキ５０においてチップ抵抗器Ａ１の下側に位置する部分とが、ダイボンディング電極（下面側電極部）６０を形成している。
【００５１】
次に、図４（ｂ）に示すチップ部品Ａ２は、チップ部品Ａと略同様の構成であるが、下面補助電極３２が設けられている点が異なる。つまり、下面電極３０の下面の側面電極４０が設けられていない側（つまり、Ｘ１側）の端部に、下面補助電極３２が形成されていて、下面補助電極３２形成領域では、下面補助電極３２の下面にニッケルメッキ５２が形成されている。なお、この下面補助電極３２は、Ｘ１−Ｘ２方向には、所定の長さに形成されている。この下面補助電極３２のＸ１−Ｘ２方向の長さは、完成状態のチップ部品Ａ２において、ダイボンディング電極６０の両側の突出部分の長さα１、α２が同じ長さとなるような長さとするのが好ましい。また、下面補助電極３２の幅（つまり、図４（ｂ）における奥行方向の長さ）は下面電極３０の幅と略同様である。なお、この下面補助電極３２の厚みは、側面電極４０を形成した際に下面電極３０から下方に突出する厚み（すなわち、Ｚ１−Ｚ２方向の厚み）に合わせるのが好ましい。なお、上記下面電極３０と、下面補助電極３２と、メッキ５０においてチップ抵抗器Ａ２の下側に位置する部分とが、ダイボンディング電極（下面側電極部）６０を形成している。
【００５２】
このように、下面補助電極３２を設けた場合には、ダイボンディング電極６０の下面が逆凹状となり、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得られる。なお、チップ部品Ａ２の製造に際しては、この下面補助電極３２は、下面電極３０の形成後でメッキ５０の形成前に形成することになる。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すチップ部品Ａ３は、チップ部品Ａと略同様の構成であるが、下面補助電極３３と下面補助電極３４とが設けられている点が異なる。つまり、下面電極３０の下面において、側面電極４０が設けられている端部側では、側面電極４０に近接して下面補助電極３３が設けられており、また、下面電極３０の下面の側面電極４０が設けられていない側（つまり、Ｘ１側）の端部に、下面補助電極３４が形成されている。この下面補助電極３３と下面補助電極３４の形成領域では、下面補助電極３３と下面補助電極３４の下面にニッケルメッキ５２が形成されている。なお、この下面補助電極３３、下面補助電極３４は、Ｘ１−Ｘ２方向には、所定の長さに形成されている。この下面補助電極３３と下面補助電極３４のＸ１−Ｘ２方向の長さは、完成状態のチップ部品Ａ３において、ダイボンディング電極６０の両側の突出部分の長さα３、α４が同じ長さとなるような長さとするのが好ましい。また、下面補助電極３３と下面補助電極３４の幅（つまり、図４（ｃ）における奥行方向の長さ）は下面電極３０の幅と略同様である。なお、この下面補助電極３３と下面補助電極３４の厚みは、側面電極４０を形成した際に下面電極３０から下方に突出する厚み（すなわち、Ｚ１−Ｚ２方向の厚み）に合わせるのが好ましい。なお、上記下面電極３０と、下面補助電極３３と、下面補助電極３４と、メッキ５０においてチップ抵抗器Ａ３の下側に位置する部分とが、ダイボンディング電極（下面側電極部）６０を形成している。
【００５４】
このように、下面補助電極３３と下面補助電極３４を設けた場合には、ダイボンディング電極６０の下面が逆凹状となり、接合部材を用いて配線基板に実装した場合に、溶融はんだ等の接合部材の張力が内側に均一に作用してセルフアライメント効果を良好に得られる。特に、下面補助電極３３と下面補助電極３４とが設けられるので、ダイボンディング電極６０の両側の突出部分のＸ１−Ｘ２方向の長さを長くするには有効である。なお、チップ部品Ａ３の製造に際しては、この下面補助電極３３、３４は、下面電極３０の形成後でメッキ５０の形成前に形成することになる。
【００５５】
次に、図５（ａ）に示すチップ部品Ａ４は、チップ部品Ａと略同様の構成であるが、保護膜２０の形状が異なる。つまり、保護膜２０のＸ２側の端部は、絶縁基板１０のＸ２側の端部にまで至っている。これは、チップ部品Ａ４の製造に際して、隣接し合う２つのチップ部品について保護膜２０を同時に形成してなるものである。すなわち、図７に示すように、抵抗体１２と第１上面電極１４とが形成されたアルミナ基板５に対して、保護膜２０を形成する際に、隣接し合う保護膜２０を一度に形成してなるものであり、このように形成することにより、保護膜の面積がより広くなり、ボンディング面積をより広くするとともに、ボンディング面をより平滑にできる。
【００５６】
また、図５（ｂ）に示すチップ部品Ａ５は、チップ部品Ａ１と略同様の構成であるが、図５（ａ）に示すチップ部品Ａ４の場合と同様に、保護膜２０の形状が異なる。つまり、保護膜２０のＸ２側の端部は、絶縁基板１０のＸ２側の端部にまで至っている。これは、上記チップ部品Ａ４と同様に、チップ部品Ａ５の製造に際して、隣接し合う２つのチップ部品について保護膜２０を同時に形成してなるものである。保護膜２０の形成工程や形状が異なる点以外は、上記チップ部品Ａ１と同様の構成であるので、詳しい説明は省略する。
【００５７】
また、図６（ａ）に示すチップ部品Ａ６は、チップ部品Ａ２と略同様の構成であるが、図５（ａ）に示すチップ部品Ａ４や図５（ｂ）に示すチップ部品Ａ５の場合と同様に、保護膜２０の形状が異なる。つまり、保護膜２０のＸ２側の端部は、絶縁基板１０のＸ２側の端部にまで至っている。これは、上記チップ部品Ａ４、Ａ５と同様に、チップ部品Ａ６の製造に際して、隣接し合う２つのチップ部品について保護膜２０を同時に形成してなるものである。保護膜２０の形成工程や形状が異なる点以外は、上記チップ部品Ａ２と同様の構成であるので、詳しい説明は省略する。
【００５８】
また、図６（ｂ）に示すチップ部品Ａ７は、チップ部品Ａ３と略同様の構成であるが、図５（ａ）に示すチップ部品Ａ４や図５（ｂ）に示すチップ部品Ａ５や図６（ａ）に示すチップ部品Ａ６の場合と同様に、保護膜２０の形状が異なる。つまり、保護膜２０のＸ２側の端部は、絶縁基板１０のＸ２側の端部にまで至っている。これは、上記チップ部品Ａ４、Ａ５と同様に、チップ部品Ａ６の製造に際して、隣接し合う２つのチップ部品について保護膜２０を同時に形成してなるものである。保護膜２０の形成工程や形状が異なる点以外は、上記チップ部品Ａ２と同様の構成であるので、詳しい説明は省略する。
【００５９】
なお、チップ部品Ａ１における下面補助電極３１や、チップ部品Ａ３における下面補助電極３３や、チップ部品Ａ５における下面補助電極３１や、チップ部品Ａ７における下面補助電極３３は、側面電極４０から離れた状態、すなわち、側面電極４０とは接触しない状態に形成されている。これにより、側面電極４０と下面補助電極とが重なることがなく、チップ部品の下面の側面電極形成側の端部が必要以上に突出してしまうことがない。
【００６０】
なお、上記チップ部品Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ５、Ａ６、Ａ７には下面補助電極が設けられているが、側面電極４０に薄膜（例えば、０．０５μｍ〜０．２μｍ）を使用する場合には、下面補助電極は必要ないといえる。すなわち、側面電極４０に厚膜を使用した場合に側面電極４０の形成領域が下方に突出することから、ダイボンディング電極の下面を平面状又は逆凹状とするために下面補助電極が必要となるが、金属薄膜等の薄膜により側面電極４０を形成した場合には、側面電極４０の形成領域が下方に突出する度合いは極めて小さいので、特に下面補助電極を形成する必要はないといえる。
【００６１】
なお、上記の説明において、下面補助電極は、下面電極の下面に設けられているが、この下面補助電極を絶縁基板１０の下面に形成して、その後に下面電極を形成するようにしてもよい。この場合には、下面電極は平板状とはならず、下面補助電極の形成位置では、下方に湾曲した形状となる。
【００６２】
また、上記の説明では、下面電極３０は側面電極４０と電気的に接続された状態となっているが、下面電極３０を側面電極４０とは独立させて電気的に接続されていない状態としてもよい。つまり、図８に示すチップ抵抗器としてのチップ部品Ａ８のように、側面電極４０と下面電極３０とは電気的に接続されていない状態となっていて、側面電極４０には、ニッケルメッキ５２と金メッキ５４とから構成されるメッキ５０が設けられ、一方、下面電極３０には、ニッケルメッキ５２’と金メッキ５４’とから構成されるメッキ５０’が形成されていて、メッキ５０とメッキ５０’は接続されていない。この場合、下面電極３０とメッキ５０’とでダイボンディング電極６０’（下面側電極部）が構成される。ここで、下面電極３０はめっき性が良好な材料により構成される。つまり、この図８に示す構成においては、側面電極４０が下面側電極部とは電気的に接続されていない。そして、使用状態においても、側面電極４０側とダイボンディング電極６０’とは配線基板Ｐに対して別個にはんだ付けする。このように構成することにより、ダイボンディング電極６０’を独立したグランド電極とすることができ、高周波特性を良好にすることができる。また、側面電極４０側については、ランドＬを介して他の部品と接続することが可能となる。なお、図８において、Ｒは、はんだレジストを示している。チップ部品Ａ８において、上記の点以外の内容、特に、絶縁基板１０、抵抗体１２、第１上面電極１４，保護膜２０、第２上面電極２２、ニッケルメッキ２４、ワイヤーボンディング電極２６の構成は図１に示すチップ抵抗器Ａと同様の構成であるので、説明を省略する。
【００６３】
なお、図８に示す構成において、下面電極３０を被覆するメッキ５０’を省略してもよい。その場合には、下面電極３０は、はんだ付け性が良好な材料により構成する必要がある。また、図８に示す構成において、側面電極４０を被覆するメッキ５０を省略してもよい。その場合には、側面電極４０は、はんだ付け性が良好な材料により構成する必要がある。
【００６４】
また、上記の説明においては、チップ抵抗器に側面電極が形成されているが、側面電極の構成を省略してもよい。つまり、図９に示すチップ抵抗器としてのチップ部品Ａ９に示すように、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、第１上面電極１４ａ、１４ｂと、保護膜２０と、第２上面電極２２と、ニッケルメッキ２４と、ワイヤーボンディング電極２６と、下面電極（下面側電極部）３０と、メッキ５０とを有している。メッキ５０は、ニッケルメッキ５２と金メッキ５４とから構成されている。そして、一方の第１上面電極１４ａが他方の第１上面電極１４ｂに比べてＸ１−Ｘ２方向に長く形成され、この第１上面電極１４ａに対してメッキ５０が形成されている。そして、この上面電極１４ａとメッキ５０とで電極部６５（機能素子接続電極）が構成される。そして、この電極部６５の上面は平面状に形成され、ワイヤーボンディングが可能に形成されている。なお、下面電極３０は、ダイボンディング電極、すなわち、被固着部材に固着を行うための電極として使用され、ダイボンディング性が良好な材料により構成される。この下面電極３０には、メッキを施してもよい。その場合には、下面電極３０は、メッキ性が良好な材料により構成される。
【００６５】
なお、上記の説明において、絶縁基板の上に機能素子を形成し、機能素子の端部に乗り上げる形で第１上面電極を形成するとしたが、絶縁基板の両端部に第１上面電極を形成し、第１上面電極の端部に乗り上げる形で機能素子を形成してもよい。
【００６６】
なお、上記の説明においては、チップ部品としてチップ抵抗器を例に取って説明したが、抵抗体以外の機能素子を備えたチップ部品であってもよい。例えば、抵抗体ではなく、コンデンサ等の他の機能素子としてもよい。なお、上記において、「略同様」とあるのは、「略同一」としてもよいし、「同様」又は「同一」としてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
本発明に基づくチップ部品によれば、ワイヤーボンディング電極が保護膜の上側の領域に設けられているので、十分な面積のワイヤーボンディング電極を形成することができる。これにより、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、よって、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、結果として、部品の小型化が容易となる。また、保護膜の上側にワイヤーボンディング電極が形成されているので、ワイヤーボンディング電極表面の平滑性が十分に確保でき、これによっても、信頼性の高いワイヤーボンディングが可能となり、よって、部品の小型化が容易となる。また、ワイヤーボンディング電極は、保護膜の上側に形成されているので、ワイヤーボンディング電極の面積を広く取っても機能素子の面積を狭くする必要がなく、よって、チップ部品の性能が低下することがない。
【００６８】
また、特に、上記チップ部品が、さらに、チップ部品の下面側に形成され、上記機能素子と電気的に接続された下面側電極部を有する場合には、下面側電極部を介して配線基板に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ部品の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ部品を示す図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）はその底面図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ部品の使用状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ部品の他の例の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に基づくチップ部品の他の例の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に基づくチップ部品の他の例の構成を示す断面図である。
【図７】図５、図６に示すチップ部品の製造工程の一部を説明するための図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＳ−Ｓ断面図である。
【図８】本発明の実施例に基づくチップ部品の他の例の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例に基づくチップ部品の他の例の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
Ａ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９  チップ部品
１０  絶縁基板
１２  抵抗体
１４、１４ａ、１４ｂ  第１上面電極
２０  保護膜
２２  第２上面電極
２４  ニッケルメッキ
２６  ワイヤーボンディング電極
３０  下面電極
４０  側面電極
５０、５０’  メッキ
５２、５２’  ニッケルメッキ
５４、５４’  金メッキ
６５  電極部
７０  ワイヤー
【図１】
2005032753.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005032753.tif 000006
【図５】
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【図６】
2005032753.tif 000008
【図７】
2005032753.tif 000009
【図８】
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【図９】
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