(57)【要約】【課題】  周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行う。【解決手段】  温度センサ１８が検出した周囲温度Ｔｎが、磁気ディスク装置１が駆動可能な低温の低限界温度Ｔｍｉｎより所定温度高い基準温度Ｔ０まで低下した際、プロセッサ１３は、まずＩ／Ｆ回路１１が送受信していたデータ及びＡＴＡコマンドの送受信を中止させる。次に、書込みキャッシュ１２が記憶しているデータの内、磁気ヘッド１６が磁気ディスク１７へ書き込んでいないデータをヘッド制御部１５に読み込ませて磁気ディスク１７へ記録させる。その後周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０まで回復した際にＩ／Ｆ回路１１にデータ及びＡＴＡコマンドの送受信を再開させる。【選択図】  図１
2005276255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、
周囲温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、所定の温度より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、前記所定の温度より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、
電源電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、所定の電圧より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、前記所定の電圧より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、
加速度を検出する加速度検出部と、
落下を検出する落下検出部と、
前記落下検出部が落下を検出した際、前記インターフェース部における前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止させた上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記加速度検出部が検出した加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動させ、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項４】
少なくとも、磁気ディスクと、受信したデータを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部とを備えた磁気ディスク部と、
データおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
落下を検出する落下検出部と、
前記落下検出部が落下を検出した際、前記磁気ディスク装置に対してデータの記憶の中止命令を送出する中止命令手段と、
前記中止命令手段により前記磁気ディスク部がデータの記憶の中止命令を受信した際に、前記磁気ディスク部が前記インターフェース部からの前記データ及び前記コマンドの送受信を中止し、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止した上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避する受信中止手段と、
前記受信中止手段の実施後、前記加速度検出部が検出した前記加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ディスク部が前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動し、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部からのデータ及びコマンドの送受信を再開する受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気ディスク装置に係り、特に周囲温度が低温になったとき等の異常時のデータの書込み制御手段を有した磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置を固定型の情報処理装置だけでなく、携帯型の情報処理装置等の携帯機器に内蔵して利用することも多くなっている。磁気ディスク装置は、誤ったデータの書き込みや書込み処理自体が全く行われないなどのいわゆる「データの書き込みミス」は絶対に避けなければならない。
【０００３】
しかし、周囲環境の変化、例えば周囲温度が限界値以下になるなどの状況によっては磁気ディスク装置そのものが駆動しなくなり、結果としてデータの書込みミスが発生してしまう場合も生ずる。
【０００４】
これに対し、周囲温度が限界値以下の温度になってしまった場合には書き込み動作が正常に行われたかどうかを原データと記録済みデータを比較して判定し、異常があった場合には形式的な書込み（ダミーの書込み）を連続して行うことで温度を上げてから再度記録を行う磁気ディスク装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４１７０３号公報（第５頁、図６参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、周囲温度が限界値以下の温度になってしまった場合には、ダミーの書込みを連続して行うことで温度を上げてから再度記録を行う磁気ディスク装置が提案されている。
【０００６】
しかし、近年の磁気ディスク装置は、磁気ディスクに書き込むデータを一時的に記憶しておく、いわゆる書込みキャッシュを使うことが多くなっており、この書込みキャッシュを使う場合には、データの書き込み中に周囲環境の異常により命令が終了してしまう場合がある。例えば周囲温度が限界温度に達してしまうと、実際にはデータの書き込み中においてもその書込みを中断してしまい、書込みキャッシュに未だディスクに書かれていないデータが大量に残り、結果的に書き込みミスが発生してしまうことになる。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、書込みキャッシュを使った場合でも、磁気ディスク装置において温度環境等の周囲環境の変化が起こった際に書込みを確実に行えるような磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の第１の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、周囲温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、所定の温度より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、前記所定の温度より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、を備えたことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の第２の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、電源電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、所定の電圧より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、前記所定の電圧より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の第３の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部と、落下を検出する落下検出部と、前記落下検出部が落下を検出した際、前記インターフェース部における前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止させた上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記加速度検出部が検出した加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動させ、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
【００１１】
更に、本発明の情報処理装置は、少なくとも、磁気ディスクと、受信したデータを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部とを備えた磁気ディスク部と、データおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、落下を検出する落下検出部と、前記落下検出部が落下を検出した際、前記磁気ディスク装置に対してデータの記憶の中止命令を送出する中止命令手段と、前記中止命令手段により前記磁気ディスク部がデータの記憶の中止命令を受信した際に、前記磁気ディスク部が前記インターフェース部からの前記データ及び前記コマンドの送受信を中止し、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止した上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避する受信中止手段と、前記受信中止手段の実施後、前記加速度検出部が検出した前記加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ディスク部が前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動し、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部からのデータ及びコマンドの送受信を再開する受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施の形態）
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第１の実施の形態を図１乃至図２を参照して説明する。図１は本発明による磁気ディスク装置の第１の実施の形態を示すブロック図である。この磁気ディスク装置１は、Ｉ／Ｆ（インターフェース）回路１１と、書込みキャッシュ１２と、プロセッサ１３と、プログラムメモリ１４と、ヘッド制御部１５と、磁気ヘッド１６と、磁気ディスク１７と、温度センサ１８と、電圧検出回路１９と、無重力センサ２０と、加速度センサ２１とで構成されている。
【００１４】
ここで、Ｉ／Ｆ回路１１と、書込みキャッシュ１２と、プログラムメモリ１４と、ヘッド制御部１５と、温度センサ１８と、電圧検出回路１９と無重力センサ２０と、加速度センサ２１は、プロセッサ１３に接続している。また、ヘッド制御部１５は磁気ヘッド１６と接続している。また、磁気ディスク装置１は、図示せぬ上位装置とＡＴアタッチメントインタフェース（以下、「ＡＴＡ  Ｉ／Ｆ」と称する）１００で接続されている。
【００１５】
以下、各部の詳細な構成を説明する。
【００１６】
Ｉ／Ｆ回路１１は、ＡＴＡ  Ｉ／Ｆ１００を介して接続された、図示せぬ上位装置との間でコマンド（ＡＴＡコマンド）およびデータの送受信を行う回路である。
【００１７】
書込みキャッシュ１２は、磁気ディスク１７に書き込むデータを一時的に格納しておく記憶部である。即ち、書込みキャッシュ１２は、磁気ディスク装置１がＡＴＡ  Ｉ／Ｆ１００を介して受信した磁気ディスク１７に書き込むためのデータを磁気ヘッド１６が磁気ディスク１７へ書き込む前に一時的に格納しておく記憶領域である。この書込みキャッシュ１２を設けることにより、磁気ディスク１７へ書き込むためのデータが書込みキャッシュ１２に記憶されれば、Ｉ／Ｆ回路１１は、Ｉ／Ｆ回路１１を介して上位装置と他のデータやコマンドの送受信が可能となり、結果として磁気ディスク装置１や上位装置の処理を効率的に行うことが出来る。
【００１８】
プロセッサ１３は、Ｉ／Ｆ回路１１から渡されたコマンドに基づいて、プログラムメモリ１４に格納されたプログラムを実行する。
【００１９】
プログラムメモリ１４は、プロセッサ１３が実行するプログラムを格納しており、プロセッサ１３はこのプログラムに従い、読み込みや後述する書込み制御の処理行う。
【００２０】
ヘッド制御部１５は、磁気ヘッド１６のデータの読み込み及び書込みの制御を行う。即ち、ヘッド制御部１５はプロセッサ１３からの命令に従い、磁気ヘッド１６を制御することにより、書込みキャッシュ１２が記憶しているデータを磁気ディスク１７に記憶させたり、磁気ディスク１７が記憶しているデータを読み込ませる制御を行う。
【００２１】
磁気ヘッド１６は、上述したヘッド制御部１５の制御により磁気ディスク１７へデータを書き込んだり、磁気ディスク１７が記憶しているデータの読み込みを行う部分である。
【００２２】
磁気ディスク１７は、磁気ディスク装置１が読み込んだデータを格納する部分である。
【００２３】
温度センサ１８は、磁気ディスク装置１の周囲温度Ｔｎを検出する部分であり、この温度センサ１８が検出した周囲温度Ｔｎはプロセッサ１３により常に監視されている。また、プログラムメモリ１４には基準温度Ｔ０が設定されており、後述するようにプロセッサ１３により周囲温度Ｔｎと基準温度Ｔ０との大小が判断される。
【００２４】
電圧検出回路１９は、磁気ディスク装置１に供給される電源電圧Ｖｎを検出する部分であり、この電圧検出回路１９が検出した電源電圧Ｖｎはプロセッサ１３により常に監視されている。また、プログラムメモリ１４には電源電圧Ｖ０が設定されており、後述するようにプロセッサ１３により電源電圧Ｖｎと電源電圧Ｖ０との大小が判断される。
【００２５】
無重力センサ２０は、磁気ディスク装置１の落下を感知するセンサであり、落下感知の開始から終了までの間、落下検知信号をプロセッサ１３に出力し続ける。この無重力センサ２０からの落下検知信号はプロセッサ１３により常に監視されており、例えばプロセッサ１３により、落下検知信号が継続していた時間Ｄｎが、所定の落下基準時間Ｄより長ければ「落下」と判断される。
【００２６】
加速度センサ２１は、磁気ディスク装置１に加わった加速度を検出するセンサであり、この加速度センサ２１が検出した加速度Ｇｎはプロセッサ１３により常に監視されている。また、プログラムメモリ１４には基準加速度Ｇ０が設定されており、後述するようにプロセッサ１３により加速度Ｇｎと基準加速度Ｇ０との大小が判断される。
【００２７】
次に、磁気ディスク装置１の周囲温度が低下し、温度センサ１８が検出した周囲温度Ｔｎが磁気ディスク装置１が駆動できる最低の温度（以下、「低限界温度Ｔｍｉｎ」ともいう。）近くまで周囲温度が下回った場合のデータの書き込み制御を図１乃至図２を参照して説明する。図２は、周囲温度Ｔｎが低限界温度Ｔｍｉｎ近くまで低下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図である。
【００２８】
まず、図２において磁気ディスク装置１のプロセッサ１３は、温度センサ１８が検出した周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より低い温度になったか否かを判断する（ステップＳ１０１）。ここで、基準温度Ｔ０は既述のようにプログラムメモリ１４に予め設定されている温度であり、かつ低限界温度Ｔｍｉｎより所定の温度だけ高い温度に設定された温度である。尚、所定の温度とは書込みキャッシュ１２中に残っているデータを確実に磁気ディスク１７へ書き込むことが出来るような温度である必要がある。従って、書込みキャッシュ１２の容量が大きいほどこの所定の温度も高くなる。
【００２９】
ステップＳ１０１の確認により、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より低くなっていないと判断した場合は（ステップＳ１０１のＮｏ）、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より低くなるまでこの判断を続けることとなる。
【００３０】
一方、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より低くなったと判断した場合には（ステップＳ１０１のＹｅｓ）、プロセッサ１３は、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全命令の受信を中止させる（ステップＳ１０２）。
【００３１】
次に、プロセッサ１３はステップＳ１０２のときまでにＡＴＡ  Ｉ／Ｆ１００を介して受信しているＡＴＡコマンド命令を各要素に実行させ、この実行を完了させる（ステップＳ１０３）。これにより書込みキャッシュ１２に残っていたデータが全て磁気ディスク１７に書き込まれることとなる。
【００３２】
次に、プロセッサ１３は、温度センサ１８が検出した周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より高い温度になったか否かを判断する（ステップＳ１０４）。即ち、ステップＳ１０１において一旦周囲温度が基準温度Ｔ０より下回った周囲温度Ｔｎが、更にその後上昇し基準温度Ｔ０を上回ったか否かを判断する。その結果、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より高くなっていないと判断した場合は（ステップＳ１０４のＮｏ）、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より高くなるまでこの判断を続けることとなる。
【００３３】
一方、プロセッサ１３は周囲温度Ｔｎが基準温度Ｔ０より高くなったと判断した場合には（ステップＳ１０４のＹｅｓ）、プロセッサ１３は、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全命令の受信を再開させ、（ステップＳ１０５）本処理が終了する。
【００３４】
磁気ディスク装置は、磁気ヘッド１６が磁気ディスク１７にデータを書き込む際、以前に磁気ディスク１７上に書かれたデータの中で不要になった部分を上から重ね書きをすることで、以前のデータを消去する役目を果たし、かつ新たなデータを記憶する。
【００３５】
従来の磁気ディスク装置１では、周囲温度Ｔｎが低くなるとこの書込み能力が低下し、低限界温度Ｔｍｉｎを下回ると、以前書いたデータを十分に消せなくなってしまうことがあった。この為、磁気ディスク１７上には新しく書き込んだデータの他に以前書いたデータの消し残りが存在してしまい、正しくデータが書き込めないという問題が生じていた。
【００３６】
しかし、上述した処理を行うことで、書き込み能力が低下する前に書込みキャッシュ１２中に残っていたデータを全て書き込むことが出来る。
【００３７】
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第２の実施の形態を図１、図３乃至図４を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図１を用いて説明できるため、その要素の説明は省略する。
【００３９】
本実施の形態は、磁気ディスク装置１の電源電圧が低下し、電圧検出回路１９が検出した電源電圧Ｖｎが磁気ディスク装置１が駆動できる最低の電圧（以下、「低限界電圧Ｔｍｉｎ」ともいう。）近くまで電源電圧Ｖｎが下回った場合のデータの書き込み制御を示したものであり、この制御を図３乃至図４を参照して説明する。図３は、電源電圧Ｖｎが低限界電圧Ｖｍｉｎ近くまで低下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図である。
【００４０】
まず、図３において磁気ディスク装置１のプロセッサ１３は、電圧検出回路１９が検出した電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より低い電圧になったか否かを判断する（ステップＳ２０１）。ここで、基準電圧Ｖ０は既述のようにプログラムメモリ１４に予め設定されている電圧であり、かつ低限界電圧Ｖｍｉｎより所定の電圧だけ高い電圧に設定された電圧である。尚、所定の電圧とは書込みキャッシュ１２中に残っているデータを確実に磁気ディスク１７へ書き込むことが出来るような電圧である必要がある。従って、書込みキャッシュ１２の容量が大きいほどこの所定の電圧も高くなる。
【００４１】
ステップＳ２０１の確認により、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より低くなっていないと判断した場合は（ステップＳ２０１のＮｏ）、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より低くなるまでこの判断を続けることとなる。
【００４２】
一方、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より低くなったと判断した場合には（ステップＳ２０１のＹｅｓ）、プロセッサ１３は、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全命令の受信を中止させる（ステップＳ２０２）。
【００４３】
次に、プロセッサ１３はステップＳ２０２の段階までにＡＴＡ  Ｉ／Ｆ１００を介して受信しているＡＴＡコマンド命令を各要素に実行させ、この実行を完了させる（ステップＳ２０３）。これにより書込みキャッシュ１２に残っていたデータが全て磁気ディスク１７に書き込まれることとなる。
【００４４】
次に、プロセッサ１３は、電圧検出回路１９が検出した電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より高い電圧になったか否かを判断する（ステップＳ２０４）。即ち、ステップＳ２０１において一旦電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より下回った電源電圧Ｖｎが、電池が充電されるなどして基準電圧Ｖ０を上回ったか否かを判断する。その結果、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より高くなっていないと判断した場合は（ステップＳ２０４のＮｏ）、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より高くなるまでこの判断を続けることとなる。
【００４５】
一方、プロセッサ１３は電源電圧Ｖｎが基準電圧Ｖ０より高くなったと判断した場合には（ステップＳ２０４のＹｅｓ）、プロセッサ１３は、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全命令の受信を再開させ、（ステップＳ２０５）本処理が終了する。
【００４６】
以上のような処理を行うことで、従来書込みキャッシュを利用した磁気ディスク装置に起こっていた、低限界電圧Ｖｍｉｎに達してしまうと、実際にはデータの書き込み中においてもその書込みを中断してしまい、書込みキャッシュに未だディスクに書かれていないデータが大量に残り、結果的に結果的に書き込みミスが発生していたという問題を回避できる。
【００４７】
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
【００４８】
（第１及び第２の実施の形態の変形例）
既述のように、磁気ディスク装置１を備えた情報処理装置は、商用電源を利用して駆動させることも可能であるが、バッテリパックなどの電池から出力される電圧を利用することで携帯型としても利用可能となる。
【００４９】
図４は、磁気ディスク装置１における電池を使用した際に電源電圧の時間毎の変化を示した図である。図４において、横軸は時間であり、縦軸は電圧検出回路１９が測定した電源電圧Ｖｎであるとする。図４に示すように、電池の容量が低下すると電源電圧Ｖｎが徐々に低下してくる。即ち、時刻の経過と共に電源電圧Ｖｎが徐々に減少し、時刻Ｔ１では基準電圧Ｖ０まで低下し、更に時刻Ｔ２まで経過すると低限界電圧Ｖｍｉｎまで低下し、その後も電源電圧Ｖｎは低下していく。この様子は、例えば磁気ディスク装置１を備えた上位装置がその駆動電圧としてバッテリーを用いた際に起こりうる現象の１つであり、図４におけるＴ１〜Ｔ２の時間は例えば１秒などの比較的短い時間などではなく、数１０秒もしくはそれ以上の比較的長い時間で起こりうる減少と考えられる。
【００５０】
上述してきた第１及び第２の実施の形態は、図４で示した現象のように比較的長い時間での周囲環境の変化に対応する制御方法である。即ち、これは書込みキャッシュ１２に残っているデータを磁気ディスク１７に書き込むために十分な時間であることを要する。
【００５１】
以上を考慮すると、本第１及び第２の実施の形態は、周囲温度や電源電圧の変化が生じたときにのみに行う制御に留まらず、例えば湿度の変化などのように磁気ディスク装置１の周囲環境が時刻と供に徐々に変化していく現象に対する障害対策であればどのようなものでも良い。尚、湿度の場合を例にとれば、湿度を検出できる要素を磁気ディスク装置１内に新たに設ければ良いこととなる。
【００５２】
（第３の実施の形態）
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第３の実施の形態を図１と図５を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図１を用いて説明できるため、各要素の説明は省略する。
【００５３】
本実施の形態は、磁気ディスク装置１を備えた上位装置が落下した場合の書き込み制御を示したものであり、この制御を図５を参照して説明する。図５は、磁気ディスク装置１を備えた上位装置が落下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図である。
【００５４】
まず、図５において磁気ディスク装置１のプロセッサ１３は、無重力センサ２０が落下を検出したか否かを判断する（ステップＳ３０１）。ここで落下の検出とは、プロセッサ１３が無重力センサ２０より落下である旨の信号を検出した際に「落下」であると判断するようにしても良いし、この落下の検出信号を所定の時間以上継続して受信した際に初めて「落下」であると判断するように構成してもよい。
【００５５】
その結果、プロセッサ１３は落下を検出していないと判断した場合には（ステップＳ３０１のＮｏ）、プロセッサ１３は無重力センサ２０が落下を検出するまでこの判断を継続することとなる。
【００５６】
一方、プロセッサ１３は無重力センサ２０が落下を検出したと判断した場合には（ステップＳ３０１のＹｅｓ）、プロセッサ１３は、各要素が行っているＡＴＡコマンドの実行を直ちに中止させ、かつ、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全ての命令の受信を中止させる（ステップＳ３０２）。
【００５７】
次に、プロセッサ１３はヘッド制御部１５に磁気ヘッド１６を磁気ディスク１７上から退避させる（ステップＳ３０３）。これにより、これ以降磁気ディスク装置１に衝撃が加わっても磁気ヘッド１６が磁気ディスク１７を傷つけることが防止される。
【００５８】
次に、プロセッサ１３は、加速度センサ２１が検出している加速度Ｇｎが基準加速度Ｇ０より小さくなったか否かを判断する（ステップＳ３０４）。即ち、上述した上位装置の落下により、いずれはこの上位装置が床や机上などの面に衝突する。この際、上位装置に大きな衝撃（加速度）が加わるが、その後、床面等の跳ね返り係数などにより現象は異なるものの、跳ね返りを繰り返しながら最終的には磁気ディスク装置１に加わる加速度は０（ゼロ）に収束していくと考えられる。
【００５９】
ここで磁気ディスク装置１には磁気ヘッド１６が読み込みや書込みの駆動が行える限界の加速度（限界加速度Ｇｍａｘ）があり、この限界加速度Ｇｍａｘより所定の値だけ低い加速度を基準加速度Ｇ０として定義しておく。
【００６０】
この結果、プロセッサ１３は、加速度Ｇｎが基準加速度Ｇ０よりも小さくなっていないと判断した場合には（ステップＳ３０４のＮｏ）、加速度Ｇｎが基準加速度Ｇ０より小さくなったと判断するまでこの判断を継続することとなる。
【００６１】
一方、プロセッサ１３は、加速度Ｇｎが基準加速度Ｇ０よりも小さくなったと判断した場合には（ステップＳ３０４のＹｅｓ）、落下による衝撃も収束したと判断し、ヘッド制御部１５に命令し、磁気ヘッド１６を磁気ディスク１７上へ移動させる（ステップＳ３０５）。
【００６２】
次に、プロセッサ１３は、ヘッド制御部１５に命令し、書込みキャッシュ１２に残っている未だ磁気ディスク１７に記憶されていないデータを磁気ヘッド１６を用いて磁気ディスク１７に記憶させる。
【００６３】
次に、中止していたＩ／Ｆ回路１１を介したデータとＡＴＡコマンドの受信を再開させ（ステップＳ３０７）、本発明の第３の実施の形態の処理が終了する。
【００６４】
以上のような処理を行うことで、落下に伴う書込みの中断に起因した、残存していた書込みキャッシュ内のデータの書き込みミスの発生を回避することが出来る。
【００６５】
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
【００６６】
尚、本第３の実施の形態は、落下が生じたときに行う制御に留まらず、例えば静電気などの周囲環境が急激に変化した場合の磁気ディスク装置１への障害対策であればどのような周囲環境の変化でも良い。尚、静電気の場合を例に取れば、静電気を検出できる要素を磁気ディスク装置１内に新たに設ければ良いこととなる。
【００６７】
（第３の実施の形態の変形例）
以下に、上述した第３の実施の形態の変形例を図６及び図７を用いて説明する。図６は第３の実施の形態の変形例を示す情報処理装置のブロック図である。
【００６８】
図６において、上述した第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置１のブロック図と同一部分は同一記号で示し、その説明を省略する。
【００６９】
図６において、情報処理装置２００は、無重力センサ２０と、プロセッサ１１０と、プログラムメモリ１２０とＩ／Ｆ回路１１と、磁気ディスク装置１ｂとを備えており、無重力センサ２０と、プログラムメモリ１２０と、Ｉ／Ｆ回路１１はプロセッサ１１０に接続されている。また、Ｉ／Ｆ回路１１はＡＴＡ  Ｉ／Ｆ１００を介して磁気ディスク装置１ｂと接続されている。
【００７０】
次に各要素の構成を説明する。
【００７１】
プロセッサ１１０は、プログラムメモリ１２０に格納されたプログラムを実行することで、情報処理装置２００の全体を制御する。
【００７２】
プログラムメモリ１２０は、プロセッサ１１０が実行するプログラムを格納している。
【００７３】
また、磁気ディスク装置１ｂは、磁気ディスク装置１において、無重力センサ２０を設けていない点が異なる。即ち、磁気ディスク装置１が小型化するに伴い、必ずしても無重力センサ２０を磁気ディスク装置１内に設けることが出来ない場合も生じる。従って、この無重力センサ２０を上位装置である情報処理装置２００に設けることで上述した第３の実施の形態と同様の効果を得ることを狙っている。尚、磁気ディスク装置１内の各要素と磁気ディスク装置１ｂ内の各要素は同一部分は同一記号で示し、その重複している部分の説明は省略する。
【００７４】
次に、情報処理装置２００が落下した場合の書き込み制御を図７を参照して説明する。
【００７５】
図７は、情報処理装置２００が落下した場合の書込み制御の流れを示した図である。この図７において、図５の流れ図と同一部分は同一記号で示しその説明を省略する。
【００７６】
まず、図７において情報処理装置２００のプロセッサ１１０は、無重力センサ２０が落下を検出したか否かを判断する（ステップＳ４００）。ここで落下の検出とは、プロセッサ１３が無重力センサ２０より落下である旨の信号を検出した際に「落下」であると判断するようにしても良いし、この落下の検出信号を所定の時間以上継続して受信した際に始めて落下であると判断するように構成してもよい。
【００７７】
その結果、プロセッサ１１０は落下を検出していないと判断した場合には（ステップＳ４００のＮｏ）、プロセッサ１１０は無重力センサ２０が落下を検出するまでこの判断を継続することとなる。
【００７８】
一方、プロセッサ１１０は無重力センサ２０が落下を検出したと判断した場合には（ステップＳ４００のＹｅｓ）、プロセッサ１１０は、Ｉ／Ｆ回路１１を介して磁気ディスク装置１ｂに対してデータ記録の停止命令を送出する（ステップＳ４０１）。このステップＳ４００〜ステップＳ４０１は上位装置としての情報処理装置２００のプロセッサ１１０が行う処理である。
【００７９】
次に、上述のステップＳ４０１の命令を受けた磁気ディスク装置１ｂは、各要素が行っているＡＴＡコマンドの実行を直ちに中止させ、かつ、Ｉ／Ｆ回路１１にＡＴＡコマンドにおける全ての命令の受信を中止させる等、ステップＳ３０２〜ステップＳ３０７の処理を行う。このステップＳ３０２〜ステップＳ３０７の処理は磁気ディスク装置１ｂのプロセッサ１３が行う処理である。尚、この部分のステップは上述した第３の実施の形態における図５と同様の処理であるため、その説明は省略する。
【００８０】
以上のような処理を行うことで、落下に伴う書込みの中断に起因した、残存していた書込みキャッシュ内のデータの書き込みミスの発生を回避することが出来る。
【００８１】
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
【００８２】
尚、本第３の実施の形態は、落下が生じたときに行う制御に留まらず、例えば静電気などの周囲環境が急激に変化した場合の磁気ディスク装置１への障害対策であればどのような周囲環境の変化でも良い。尚、静電気の場合を例に取れば、静電気を検出できる要素を磁気ディスク装置１内に新たに設ければ良いこととなる。
【００８３】
また、本変形例では、無重力センサ２０を上位装置側に設けたが、本変形例はこれに限定されず、図６には説明簡略のために図示しなかった温度センサ１８、電圧検出回路１９、加速度センサ２１なども上位装置側である情報処理装置２００側に設ける構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明による磁気ディスク装置の第１の実施の形態を示すブロック図。
【図２】周囲温度Ｔｎが低限界温度Ｔｍｉｎ近くまで低下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図。
【図３】電源電圧Ｖｎが低限界電圧Ｖｍｉｎ近くまで低下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図。
【図４】磁気ディスク装置１における電池を使用した際に電源電圧の時間毎の変化を示した図。
【図５】磁気ディスク装置１を備えた上位装置が落下した場合の磁気ディスク装置１の書込み制御の流れを示した図。
【図６】第３の実施の形態の変形例を示す情報処理装置のブロック図。
【図７】情報処理装置２００が落下した場合の書込み制御の流れを示した図。
【符号の説明】
【００８５】
１  磁気ディスク装置
１ｂ  磁気ディスク装置
１１  Ｉ／Ｆ回路
１２  書込みキャッシュ
１３  プロセッサ
１４  プログラムメモリ
１５  ヘッド制御部
１６  磁気ヘッド
１７  磁気ディスク
１８  温度センサ
１９  電圧検出回路
２０  無重力センサ
２１  加速度センサ
１００  ＡＴＡ  Ｉ／Ｆ
１１０  プロセッサ
１２０  プログラムメモリ
２００  情報処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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