(57)【要約】  【課題】  電気抵抗が小さく、太陽光の利用効率が高いことにより光電変換効率が高く、しかも安定な光電変換材料およびそのような光電変換材料を用いた光電変換素子を提供する。  【解決手段】  有機太陽電池等の有機光電変換素子において、光電変換材料をＭＥＨ−ＰＰＶ等の導電性高分子とフラーレン誘導体等の電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とにより構成する。この光電変換材料は、これらの導電性高分子、電子受容体およびアンテナポルフィリン集合体の混合溶液をスピンコートしたりすることで形成する。【選択図】        図６
2005203659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む
ことを特徴とする光電変換材料。
【請求項２】
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする光電変換材料の製造方法。
【請求項３】
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む光電変換材料を用いた
ことを特徴とする光電変換素子。
【請求項４】
上記光電変換素子は太陽電池であることを特徴とする請求項３記載の光電変換素子。
【請求項５】
上記光電変換素子は光センサーであることを特徴とする請求項３記載の光電変換素子。
【請求項６】
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む光電変換材料を用いた
ことを特徴とする電子装置。
【請求項８】
光電変換材料を用いた電子装置の製造方法において、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて上記光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光電変換材料およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法に関し、例えば、有機太陽電池に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機色素を用いた太陽電池としては、大きく分けて二つある。一つは、電極上の酸化物半導体上に色素を吸着させ、対極との間に電解質を注入した構造の色素増感太陽電池であり、もう一つは、フタロシアニン等の有機色素とペリレン等の電子受容性化合物を光透過性の電極に蒸着やスピンコートによって成膜した構造の有機太陽電池である（非特許文献１）。
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.1986,48,183
【０００３】
前者の色素増感太陽電池は、グレッツェル（Gratzel)らによって精力的に研究が進められ、１０％程（ＡＭ１．５）の効率を実現している（非特許文献２）。しかし、電解液の封止の問題があるため、プラスチック基板を用いたフレキシブルな太陽電池にこのセル構造を適用することは困難であることから、電解質の固体化の研究が進められているところである。
【非特許文献２】Chem.Commun.1997,105
【０００４】
後者の有機太陽電池においては、有機化合物由来の内部抵抗の高さや、電荷分離に寄与する層の薄さのため、なかなか効率１％の壁を破ることができなかった。しかし、１９９５年にヒーガー（Heeger）らによって導電性高分子とフラーレン誘導体とからなる有機太陽電池が報告され、従来の有機太陽電池の性能を遥に超えることが示されて以来、盛んにこの系が研究されてきている。従来の有機太陽電池では、電子受容体と色素分子とを層状に積層することでセルを構成していたが、先に述べたように電荷分離はその層の界面で起こるため、界面近傍で捕らえられた光子のみが電荷分離に有効であった。また、そのようにして生じた電荷がそれぞれの電極まで高抵抗の有機物中を移動することになり、セルの内部抵抗が大きくなり、大電流を取り出すことができなかった。ヒーガーらによって報告された、導電性高分子とフラーレン誘導体とからなる上記の有機太陽電池はそれぞれが分子レベルで混じり合い、その結果、非常に大きな界面を作り出すことに成功している。この有機太陽電池では現在、ＭＤＭＯ−ＰＰＶ：ＰＤＢＭの系で２．５％程（ＡＭ１．５）の効率が報告されている（非特許文献３、特許文献１、非特許文献４）。
【非特許文献３】Appl.Phys.Lett.2001,78(6),841-843
【特許文献１】米国特許第５３３１１８３号明細書
【非特許文献４】Science,1995,1789
【０００５】
上記の系は、全て可とう性のある有機化合物からなり、フレキシビリティの面で優れている、焼成などの加熱工程が必要ない、背面電極（アルミニウムなど）以外はスピンコートなどの塗布工程で作製することができる、電位は電子供与体の導電性高分子と電子受容体との電位差で決まる、バルクヘテロジャンクション構造により大きな界面を形成することができるなどの長所を有する。
【０００６】
なお、特許文献２には、電子供与体としての導電性高分子と、電子受容体としての球殻状炭素と、電荷輸送体としての線状または筒状炭素とを含む光電変換材料に光増感剤としてポルフィリン類を含ませることが開示されているが、ポルフィリン類としてアンテナポルフィリン集合体を含ませることは開示されていない。
【特許文献２】特開２００２−３３５００４号公報
【０００７】
また、非特許文献５には環状のポルフィリン会合体を形成する方法が開示され、特許文献３、４にはポルフィリンユニット同士を架橋させる方法が開示され、非特許文献６、７および特許文献５、６にはポルフィリン集合体の特徴について記載されている。
【非特許文献５】J.Am.Chem.Soc.2003,125(9),2372-2373
【特許文献３】特開２００２−２８１６１６号公報
【特許文献４】特開２００３−５４７１９号公報
【非特許文献６】Angew.Che.Int.Ed.2000,39(22),4070-4073
【特許文献５】特開２００１−２１３８８号公報
【特許文献６】特開２００１−２５３８８３号公報
【非特許文献７】Chem.Commun.2002,1104-1105
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の系は、膜の電気抵抗がまだ大きい（膜厚と光吸収能とのトレードオフ）、ＭＤＭＯ−ＰＰＶの吸収スペクトルと太陽光スペクトルとがマッチしないため太陽光の利用効率が低い、ＭＤＭＯ−ＰＰＶが酸化されやすく空気中で不安定である、現状では高コストである、などの欠点がある。
【０００９】
したがって、この発明が解決しようとする課題は、電気抵抗が小さく、太陽光の利用効率が高いことにより光電変換効率が高く、しかも安定な光電変換材料およびその製造方法ならびにそのような光電変換材料を用いた光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む
ことを特徴とする光電変換材料である。
【００１１】
この発明の第２の発明は、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする光電変換材料の製造方法である。
【００１２】
この発明の第３の発明は、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む光電変換材料を用いた
ことを特徴とする光電変換素子である。
【００１３】
この発明の第４の発明は、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法である。
【００１４】
第１〜第４の発明において、光電変換材料は、典型的には、もっぱら導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とからなるが、必要に応じて他の一種または二種以上の化合物等を含んでもよい。
ここで、導電性高分子としては、基本的にはどのようなものを用いてもよいが、具体例を挙げると下記のとおりである。
（１）ポリ（２−メトキシ−５−２’−エチル）−ヘキシロキシ−ｐ−フェニレンビニレン（poly(2-methoxy-5-2'-ethyl)-hexyloxy-p-phenylenevinylene)（ＭＥＨ−ＰＰＶ）
【化１】
2005203659.tif 000003
（２）ポリ（２−メチルオキシ，５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ））−ｐ−フェニレンビニレン（poly(2-methyloxy,5-(3,7-dimethyloctyloxy))-p-phenylenevinylene)
（ＭＤＭＯ−ＰＰＶ）
【化２】
2005203659.tif 000004
（３）ポリ（３−オクチルチオペン）（poly(3-octylthiopene))（Ｐ３ＯＴ）
【化３】
2005203659.tif 000005
（４）ポリ（３−ヘキシルチオペン）（poly(3-hexylthiopene))（Ｐ３ＨＴ）
【化４】
2005203659.tif 000006
（５）ポリ（２，７−（９−（２’−エチルヘキシル）−９−ヘキシル−フルオレン）−ａｌｔ−５，５−（４’，７’−ジ−２−チエニル−２’，１’，３’−ベンゾチジアゾール）（poly(2,7-(9-(2'-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)（ＰＦＤＴＢＴ）
【化５】
2005203659.tif 000007
（６）ポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン）−ａｌｔ−ベンゾチジアゾール）（poly(9,9'-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) （Ｆ８ＢＴ）
【化６】
2005203659.tif 000008
【００１５】
また、電子受容体としては、基本的にはどのようなものを用いてもよいが、具体例を挙げると、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ74、Ｃ76、Ｃ82、Ｃ84等のフラーレン誘導体等の低分子電子受容体である。
アンテナポルフィリン集合体は、図１Ａに示すような、ポルフィリン環二つがメソ位で結合した２量体構造でポルフィリン間の結合と反対側の両側のメソ位に配位性の窒素原子を有するイミダゾール基が結合したものを構成ユニットとし、図１Ｂに示すように、一つの２量体のポルフィリン環中央に位置する金属イオン（Ｍ）と他の一つの２量体のイミダゾール基とが相補的な配位結合をしたものであり、このように相補的な配位結合をすることによりこのものの会合定数は非常に大きなものとなり、直鎖状の会合体を与える。アンテナポルフィリン集合体としては、上記構造に少し手を加えることで直鎖状以外の構造を形成することも可能である。例えば、図２Ａに示すように、ポルフィリン環二つを直接結合するのではなく、間にｍ−フェニレン基を導入することによりポルフィリン環同士の角度が１２０度の２量体を合成することができるが、これは相補的な配位結合により図２Ｂに示すように環状の会合体を形成する（非特許文献５）。これらの会合体は配位性の物質を含まない非極性溶媒中では非常に安定であることがわかっているが、さらにこの構造を安定化するために、図３に示すように、ポルフィリンユニット同士を架橋させる方法もある（特許文献３、４）。アンテナポルフィリン集合体は、８量体程度まではＱバンドと呼ばれる吸収帯の長波長シフトが顕著にあるが、それを超える多量体では吸収帯にほとんど変化がない。
【００１６】
これらのアンテナポルフィリン集合体は以下のような特徴を有していることが知られている（非特許文献６、７および特許文献５、６）。
（１）非極性溶媒中では５．５×１０-9Ｍ以下の濃度ですでに会合体を形成している。
（２）アルコールを含まないクロロホルム中で最大４００量体以上の会合体を形成する。
（３）会合体が大きくなるほど、励起子相互作用によって生じるＳｏｒｅｔ帯の分裂の長波長側の吸収ピークがより長波長に移動する。これにより幅広い波長の光を利用することができるようになる。
【００１７】
アンテナポルフィリン集合体としては、図１Ｂまたは図２Ｂに示すようなものをそのまま用いてもよいが、必要に応じて、より低分子化してもよい。こうすることで光吸収スペクトルを調整することができる。このためには、このアンテナポルフィリン集合体を塩基により切断すればよい。具体的には、例えば、図４に示すように、図１Ｂに示す直鎖状のアンテナポルフィリン集合体を室温で例えば３重量％のピリジン水溶液に入れて反応させることにより、ピリジンの作用でアンテナポルフィリン集合体を切断して低分子化することができる。
【００１８】
光電変換素子はその用途に応じて様々な形状で作製することが可能であり、その形状は特に限定されない。
光電変換素子は、最も典型的には太陽電池であるが、そのほかに各種の光センサーも含まれる。
【００１９】
光電変換材料を導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とにより構成する上記の手法は、光電変換素子のみならず、例えば光電変換部を有する集積回路などの光電変換材料を用いる電子装置全般に適用することができるものである。
【００２０】
そこで、この発明の第５の発明は、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを含む光電変換材料を用いた
ことを特徴とする電子装置である。
【００２１】
この発明の第６の発明は、
光電変換材料を用いた電子装置の製造方法において、
導電性高分子と電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とを用いて光電変換材料を形成するようにした
ことを特徴とする電子装置の製造方法である。
第１〜第４の発明に関連して述べた上記のことは、その性質に反しない限り、第５および第６の発明においても同様に成立する。
【００２２】
上述のように構成されたこの発明においては、光電変換材料に含まれるアンテナポルフィリン集合体はポルフィリン間の配位結合によって形成され、その結合によりポルフィリン間の遷移双極子モーメントの強い相互作用が生じ、吸収波長の長波長側への分裂とアンテナポルフィリン集合体内での光エネルギーの速い移動（励起エネルギー移動）と優れた光電変換能とが実現される。また、アンテナポルフィリン集合体の比較的広い吸収帯により光捕集を効率よく行うことができる。また、光励起されたアンテナポルフィリン集合体は、フラーレン誘導体等の電子受容体を還元するのに十分な電位を有し、生じた正孔（ホール）は導電性高分子を酸化するのに十分な電位を有する。
【００２３】
また、アンテナポルフィリン集合体は、一般的な導電性高分子より長波長側の吸収帯を有するため、より低エネルギーの光子を吸収することができ、その結果生じる励起状態が非局在化されることでより長寿命化されるだけでなく、電子受容体への電子移動の最適な位置まで励起子が移動することで電子移動の効率が向上する。生じた正孔（ポルフィリンカチオンラジカル）はフェース・ツー・フェース（face-to-face）で密接に結合したポルフィリン間で安定化され、また、アンテナポルフィリン集合体中を移動することで安定な電荷分離状態が実現される。
【００２４】
また、アンテナポルフィリン集合体は大きな吸光度を有するため、光電変換材料をより薄膜化することができる。その結果、光電変換材料の電気抵抗を小さくすることができ、より有効に電荷を取り出すことができる。
また、アンテナポルフィリン集合体は導電性高分子および電子受容体との相溶性が良いため、ドメイン構造が小さく均一な光電変換材料を得ることが可能となり、導電性高分子と電子受容体との界面の面積を増大させることができる。
また、導電性高分子によりアンテナポルフィリン集合体の安定化を図ることができるため、光電変換材料の安定性が向上する。
【発明の効果】
【００２５】
この発明によれば、電気抵抗が小さく、太陽光の利用効率が高いことにより光電変換効率が高く、しかも安定な光電変換材料を得ることができ、この光電変換材料を用いて光電変換効率が高い光電変換素子あるいは電子装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
図５はこの発明の一実施形態による有機光電変換素子を示す。
図５に示すように、この有機光電変換素子は、透明基板１１上に透明電極１２、透明導電膜１３、光電変換層１４、中間層１５および電極１６が順次積層された構造を有する。
【００２７】
透明基板１１の材質は特に制限されず、透明であれば種々の基材を用いることができるが、有機光電変換素子外部から侵入する水分やガスの遮断性、耐溶剤性、耐候性などに優れているものが好ましい。この透明支持基板としては、具体的には石英、ガラスなどの透明無機基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフッ化ビニリデン、テトラアセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルフォン類、ポリオレフィン類などの透明プラスチック基板が挙げられるが、これらに限定されるものではない。この透明基板１１としては、加工性、軽量性、フレキシビリティーなどを考慮すると、特に、ポリエチレンテレフタレートなどに代表される透明プラスチック基板を用いるのが好ましい。この透明基板１１の厚さは特に制限されず、光の透過率、有機光電変換素子の内部と外部との遮断性などによって自由に選択することができる。
【００２８】
透明電極１２の材料としては公知のものを使用可能であり、具体的には、インジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープＳｎＯ2 （ＦＴＯ）、ＳｎＯ2 などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、これらを２種類以上組み合わせて用いることができる。
透明導電層１３の材料としては、例えば、透明な導電性高分子が用いられる。この透明導電層１３の厚さは例えば８０〜１００ｎｍ程度である。
【００２９】
光電変換層１４の材料としては、導電性高分子と低分子電子受容体とアンテナポルフィリン集合体とからなるものが用いられる。これらの導電性高分子、低分子電子受容体およびアンテナポルフィリン集合体としては、例えば先に挙げたものを用いることができる。この光電変換層１４の厚さは例えば１００ｎｍ程度である。図６にこの光電変換層１４の構造の詳細を模式的に示す。図６において、実線で示されるものが導電性高分子、黒丸で示されるものが低分子電子受容体、点線で示されるものがアンテナポルフィリン集合体である。
【００３０】
中間層１５は、光電変換層１４の安定化を図りつつ、光電変換層１４と電極１６との電気的な導通を取るためのものである。この中間層１５の材料としては、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などが用いられる。この中間層１５の厚さは例えば０．６ｎｍ程度である。
電極１６の材料としては、導電材料であれば基本的にはどのようなものを用いることもできるが、具体的には例えばＡｌなどの金属が用いられる。この電極１６の厚さは例えば８０ｎｍ程度である。
【００３１】
次に、この有機光電変換素子の動作について説明する。
図５に示すように、透明基板１１側からこの透明基板１１、透明電極１２および透明導電層１３を透過して光電変換層１４に光が入射することにより電子−正孔対が生成され、これが電荷分離される結果、透明電極１２と電極１６との間に起電力が発生する。このようにして光電変換が行われる。
【００３２】
次に、この有機光電変換素子の製造方法の一例について説明する。図７Ａ〜Ｅにこの製造方法を工程順に示す。
まず、図７Ａに示すように、透明基板１１の全面に透明導電膜１７を形成した後、この透明導電膜１７を所定形状にパターニングする。これによって、図７Ｂに示すように、透明電極１２が形成される。
次に、図７Ｃに示すように、透明電極１２の一部と重なるように透明導電膜１３を形成する。
次に、図７Ｄに示すように、透明導電膜１３を覆うように光電変換層１４を形成する。
次に、図７Ｅに示すように、光電変換層１４を覆うように中間層１５および電極１６を順次形成する。
以上により、目的とする有機光電変換素子が製造される。
【００３３】
以上のように、この一実施形態によれば、光電変換層１４が導電性高分子と低分子電子受容体化合物とアンテナポルフィリン集合体とからなることにより、次のような利点を得ることができる。すなわち、この光電変換層１４の吸収スペクトルは太陽光スペクトルによりマッチするため、太陽光の利用効率を高くすることができる。また、アンテナポルフィリン集合体の吸光度が大きいことにより、光電変換層１４の厚さを、導電性高分子と低分子電子受容体化合物とからなる従来の光電変換層の厚さに比べて大幅に低減（例えば、従来の約半分の厚さに低減）することができるため、光電変換層１４の電気抵抗を大幅に低減することができるとともに、電子受容体への電子移動の効率の向上を図ることができる。以上により、太陽光の利用効率が高い高光電変換効率の高性能の有機光電変換素子を実現することができる。
【実施例】
【００３４】
透明基板１１および透明導電膜１７として、大きさが２５ｍｍ角でシート抵抗が１０Ω／□のＩＴＯ膜付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた。そして、そのＩＴＯ膜上に所定形状のマスク（図示せず）を形成した後、これを１Ｎ塩酸に１時間浸漬することでＩＴＯ膜のパターニングを行い、透明電極１２を形成した。
【００３５】
上記のようにしてＩＴＯ膜からなる透明電極１２が形成されたＰＥＴフィルム上に１．３重量％のポリ（スチレンスルホン酸塩）／ポリ（２，３−ジヒドロチエノ［３，４−ｂ］−１，４−ダイオキシン）（poly(styrenesulfonate)／poly(2,3-dihydrothieno［3,4-b ］-1,4-dioxin)（以下「ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ」という）をスピンコートし、１２０℃で３０分間乾燥することで厚さが約１００ｎｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ膜を形成し、これを透明導電膜１３とした。
【００３６】
さらに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ膜よりも少し大きい範囲にＭＥＨ−ＰＰＶ／アンテナポルフィリン集合体／ＰＣＢＭ（重量比は１／１／４）の混合溶液（溶媒はクロロベンゼン）をスピンコートした後、窒素気流下で１時間乾燥し、さらに室温で３時間減圧乾燥（＜１０-3Ｐ）を行い、光電変換層１４を形成した。アンテナポルフィリン集合体の合成は非特許文献７にしたがって行った。ＭＥＨ−ＰＰＶ／アンテナポルフィリン集合体／ＰＣＢＭ混合溶液としては、具体的には、５．０ｍＬのクロロベンゼン中にＭＥＨ−ＰＰＶ：アンテナポルフィリン集合体：ＰＣＢＭ＝１２．５ｍｇ：１２．５ｍｇ：５０ｍｇを含むものを用いた。このようにして形成した光電変換層１４をサンプルＡと呼ぶ。
【００３７】
さらに、中間層１５としての厚さ０．６ｎｍのＬｉＦ膜および電極１６としての厚さ１２５ｎｍのＡｌ膜を真空蒸着により順次形成した。
以上のようにして有機光電変換素子を製造した。
【００３８】
一方、比較例として、ＭＥＨ−ＰＰＶ／アンテナポルフィリン集合体／ＰＣＢＭ混合溶液の代わりに、ポルフィリン成分を除いたＭＥＨ−ＰＰＶ／ＰＣＢＭ混合溶液をスピンコートすることにより光電変換層を形成した。このＭＥＨ−ＰＰＶ／ＰＣＢＭ混合溶液としては、具体的には、５．０ｍＬのクロロベンゼン中にＭＥＨ−ＰＰＶ：ＰＣＢＭ＝１５ｍｇ：６０ｍｇを含むものを用いた。このようにして形成した光電変換層をサンプルＢと呼ぶ。
【００３９】
ガラス板（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ  ＭＩＣＲＯＳＬＩＤＥ  ＧＬＡＳＳ  ｓ９１１２）上にスピンコートしたサンプルＡおよびＢの光電変換層について紫外可視吸収スペクトルを測定した。
図８および図９に、それぞれサンプルＢおよびＡのＵＶ−ｖｉｓスペクトルを示す。アンテナポルフィリン集合体を加えていないサンプルＢのＵＶ−ｖｉｓスペクトル（図１）では、ＭＥＨ−ＰＰＶ由来の波長５０５ｎｍに極大を持つブロードな吸収スペクトルを示す。それに対して、アンテナポルフィリン集合体を加えたサンプルＡのＵＶ−ｖｉｓスペクトル（図２）では、ＭＥＨ−ＰＰＶ由来の波長５０３ｎｍの吸収ピークに加えて波長５８８ｎｍおよび６６０ｎｍにアンテナポルフィリン集合体由来の吸収ピークが観測されており、光電変換層の吸収が大幅に長波長化していることが確認できた。差スペクトル（サンプルＢ−サンプルＡ）を図１０に示すが、ちょうどアンテナポルフィリン集合体の吸収スペクトルに一致するスペクトルが得られていることがわかる。これは、基底状態ではポルフィリンとＭＥＨ−ＰＰＶおよびＰＣＢＭとの間に強い相互作用がないことを示しており、電荷分離にとって望ましい構造をとっていると考えられる。また、サンプルＡの光電変換層の吸光度は、サンプルＢの吸光度に比べて約１０倍高くなった。
【００４０】
以上、この発明の一実施形態および一実施例について具体的に説明したが、この発明は上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の一実施形態および一実施例において挙げた数値、構造、材料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、材料、プロセスなどを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】アンテナポルフィリン集合体の構造を示す略線図である。
【図２】アンテナポルフィリン集合体の構造を示す略線図である。
【図３】アンテナポルフィリン集合体におけるポルフィリンユニット同士の架橋を示す略線図である。
【図４】アンテナポルフィリン集合体の塩基による切断を説明するための略線図である。
【図５】この発明の一実施形態による有機光電変換素子を示す斜視図である。
【図６】この発明の一実施形態による有機光電変換素子における光電変換層の構造を示す略線図である。
【図７】この発明の一実施形態による有機光電変換素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】ＭＥＨ−ＰＰＶとＰＣＢＭとアンテナポルフィリン集合体とからなる光電変換層のＵＶ−ｖｉｓスペクトルの測定結果を示す略線図である。
【図９】ＭＥＨ−ＰＰＶとＰＣＢＭとからなる光電変換層のＵＶ−ｖｉｓスペクトルの測定結果を示す略線図である。
【図１０】図８に示すＵＶ−ｖｉｓスペクトルと図９に示すＵＶ−ｖｉｓスペクトルとの差スペクトルを示す略線図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１…透明基板、１２…透明電極、１３…透明導電層、１４…光電変換層、１５…中間層、１６…電極
【図１】
2005203659.tif 000009
【図２】
2005203659.tif 000010
【図３】
2005203659.tif 000011
【図４】
2005203659.tif 000012
【図５】
2005203659.tif 000013
【図６】
2005203659.tif 000014
【図７】
2005203659.tif 000015
【図８】
2005203659.tif 000016
【図９】
2005203659.tif 000017
【図１０】
2005203659.tif 000018