(57)【要約】【課題】  本発明は、薬液成分に影響されずにリンス処理までの移行を速やかに行い、ポリマーや薬液の残留を抑制することにより基板上の欠陥を減らすことができる枚葉式洗浄方法及びその洗浄装置を提供するものである。【解決手段】  本発明の枚葉式洗浄方法は、被洗浄基板３０を回転させながら薬液８・リンス液１４で洗浄する枚葉式洗浄方法であって、薬液用ノズル１０を前記被洗浄基板３０上に移動して薬液処理した後、前記薬液用ノズル１０の移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズル１６からリンス液１４を吐出して前記被洗浄基板３０をリンス処理する。【選択図】        図１
2005327807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄基板を回転させながら薬液・リンス液で洗浄する枚葉式洗浄方法であって、
薬液用ノズルを前記被洗浄基板上に移動して薬液処理した後、
前記薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズルからリンス液を吐出して前記被洗浄基板をリンス処理する
ことを特徴とする枚葉式洗浄方法。
【請求項２】
前記リンス用ノズルを複数設け、
前記複数のうちの、少なくとも１つのリンス用ノズルからのリンス液を前記被洗浄基板の中心部分に吐出し、
前記他のリンス用ノズルからのリンス液を、前記被洗浄基板の半径方向の中間部分に吐出してリンス処理する
ことを特徴とする請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
【請求項３】
前記被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行するまでの時間Ｔは、０．５秒≦Ｔ≦１．５秒にする
ことを特徴とする請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
【請求項４】
前記リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍを、４００ｍｌ／分≦Ｍ≦１０００ｍｌ／分にする
ことを特徴とする請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
【請求項５】
前記被洗浄基板の回転数Ｎを、１５０ｒｐｍ≦Ｎ≦１０００ｒｐｍにする
ことを特徴とする請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
【請求項６】
前記リンス液は、純水または２−プロパノールを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の枚葉式洗浄方法。
【請求項７】
被洗浄基板を回転させながら薬液・リンス液で洗浄する枚葉式洗浄装置であって、
前記被洗浄基板を保持して回転する基板保持手段と、待機位置と前記被洗浄基板上の中心部間を移動する薬液用ノズルと、
前記薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズルとを備える
ことを特徴とする枚葉式洗浄装置。
【請求項８】
前記リンス用ノズルが複数設けられ、
前記複数のうちの少なくとも１つのリンス用ノズルが、前記被洗浄基板の中心部に向けて配置され、
前記他方のリンス用ノズルが、前記被洗浄基板の半径方向の中間部分に向けて配置される
ことを特徴とする請求項７記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項９】
前記被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行する時間Ｔが、０．５秒≦Ｔ≦１．５秒である
ことを特徴とする請求項７記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項１０】
前記リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍが、４００ｍｌ／分≦Ｍ≦１０００ｍｌ／分である
ことを特徴とする請求項７記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項１１】
前記被洗浄基板の回転数Ｎが、１５０ｒｐｍ≦Ｎ≦１０００ｒｐｍである
ことを特徴とする請求項７記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項１２】
前記リンス液は、純水または２−プロパノールである
ことを特徴とする請求項７記載の枚葉式洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法及びその実施に用いる枚葉式洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＳＩ（大規模半導体集積回路）では、その微細化により、素子の高速化、低消費電力化が進んでいる。その際、ＬＳＩの配線形成においては、配線抵抗の低減及び配線容量の確保をするために、配線に銅（Cu）を用いたり、さらに、配線間の絶縁膜に低誘電率材料である、一般的にＬｏｗ−ｋ膜と呼ばれている材料が検討されている。また、近年ではＬｏｗ−ｋ膜の低誘電率化が進んでおり、多孔質素材の開発が加速されている。
一般的に、この銅を用いる配線形成には、ダマシン（Damascene）法を用いてＬｏｗ−ｋ膜に配線形状の溝を形成し、その配線形状の溝にバリアメタル及び銅メッキ層を埋め込んだ後、表面の余分な銅メッキ層をＣＭＰ（化学機械研磨）により除去して形成している。
その配線溝作成の際のドライエッチング工程で加工残渣物（以下、ポリマーという）が発生してしまう。このポリマーを除去する目的で洗浄処理工程が行われる。近年、この洗浄処理の工程では枚葉化が進み、基板上のポリマーを剥離する薬液として有機溶剤もしくは、有機酸等の添加物を含有した有機系薬液を用い、回転するシリコン基板上に吐出させてポリマーの除去を行っている。その後、リンス液（純水を含む）によるリンス処理の工程を行うことによりシリコン基板上に残留する薬液成分を除去し、乾燥処理としてスピンによる振り切りでの乾燥を行い次工程の作業に送るのが一般的である。このような洗浄装置としては、例えば特許文献１のようにポリマー除去を目的とした枚葉式洗浄装置などが提案されている。
【０００３】
図７は、従来の標準的な枚葉式洗浄装置の概略的な断面図、図８はその要部の平面図である。この枚葉式洗浄装置１０１は、チャンバー１３１内に、洗浄すべき基板すなわち被洗浄基板、本例ではシリコン半導体基板１３０を保持する基板保持手段１０５と、薬液１０８を吐出する薬液用ノズルを有する薬液供給手段１１２と、リンス液１１４を吐出するリンス用ノズル１１６を有するリンス供給手段１１８が設けられて成る。基板保持手段１０５は、半導体基板１３０を真空吸着で保持するための真空チャック１０６を有し、モータ１０７により回転可能に構成される。薬液供給手段１１２は、モータ１１３によって半導体基板面に平行する面内で回動し得るアーム１１１の先端に薬液用ノズル１１０を設けて構成される。リンス液供給手段１１８は、半導体基板１３０を挟んで薬液供給手段１１８と対向した位置に配置され、モータ１１９によって半導体基板面に平行する面内で回動し得るアーム１１１の先端にリンス用ノズル１１６を設けて構成される。
【０００４】
薬液用ノズル１１０は、図８に示すように、半導体基板１３０の中心部分と半導体基板１３０の外側の待機位置間を回動するアーム１１１により破線で示す軌跡ａに沿って移動するようになされる。リンス液用ノズル１１６は、薬液用ノズル１１０と同様に、半導体基板１３０の中心部分と半導体基板１３０の外側の待機位置間を回動するアーム１１７により図８の実線で示す軌跡ｂに沿って移動するようになされる。さらに、リンス用ノズル１１６は、アーム１１７と共に、薬液用ノズル１１０と干渉しないように上下方向に移動可能になされる。
【０００５】
基板保持手段１０５には、洗浄時の薬液、リンス液の排液を受けるカップ１２０が配置され、排液が排液口１２１より排液用バルブ１２２を通じてドレン１２４に排出できようになされている。チャンバー１３１には、半導体基板１３０の搬出入口１０２が開閉可能に設けられる。薬液１０８は、薬液用バルブ１０９を通じて薬液用ノズル１１０に供給される。リンス液１１４は、リンス液用バルブ１１５を通じてリンス用ノズル１１６に供給される。
【０００６】
この枚葉式洗浄装置１０１を用いて半導体基板１３０を洗浄する場合には、搬出入口１０２より洗浄処理する被洗浄基板１３０をチャンバー１３１内に搬送して、基板保持手段１０５の真空チャック１０５で基板１３０を保持する。モータ１０７を用いて半導体基板１３０を回転させた状態で、薬液供給手段１１２のアーム１１１を待機位置より回動して薬液用ノズル１１０を半導体基板１３０の中心部分に移動させ、薬液用ノズル１１０から薬液１０８を吐出させて半導体基板１３０上のポリマーを剥離する。その後、アーム１１１を回動させて薬液用ノズル１１０を待機位置に戻す。続いて、リンス液供給手段１１８のアーム１１７を待機位置より回動してリンス用ノズル１１６を半導体基板１３０の中心部分に移動し、さらにアーム１１６を降下させてリンス用ノズル１１６を半導体基板１３０上の所要位置まで移動させる。その位置でリンス用ノズル１１６からリンス液１１４、例えば純水を半導体基板１３０上に吐出してリンス処理を行う。リンス処理した後、アーム１１７を上昇させ、回動してリンス用ノズル１１６を待機位置に戻す。これによって半導体基板１３０への洗浄が完了する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２３４３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、薬液処理の工程からリンス液処理の工程に移行する際に、薬液の吐出終了後、薬液用ノズル１１０を半導体基板１３０の中心から待機位置に移動するのに４秒間、さらに、リンス用ノズル１１６が待機位置から半導体基板１３０の中心まで移動するのに４秒間かかり、すなわち薬液１０８の吐出を終了してからリンス液１１４の吐出を開始するまで、トータル８秒間も待機する状態となっている。この各ノズル１１１及び１１６同士の干渉を避けるために移行時間が制限されてしまい、処理の移行時間中に薬液成分である有機溶剤及び有機酸等の添加物が揮発することにより、半導体基板１３０上にドライエッチング時のポリマーが除去されずに残ってしまう。あるいは、薬液からリンス処理までの移行時間が長くなると、薬液１０８が半導体基板１３０上で乾燥してしまいリンス処理の工程時でも薬液成分が除去できなくなるため、薬液残を発生してしまう。これらの問題点によって、半導体基板上に形成される半導体素子の特性に悪い影響を与えてしまい、歩留り低下を招く虞れがあった。
【０００９】
本発明は、上述の点に鑑み、薬液成分に影響されずにリンス処理までの移行を速やかに行い、ポリマーや薬液の残留を抑制することにより基板上の欠陥を減らすことができる枚葉式洗浄方法及びその洗浄装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の枚葉式洗浄方法は、被洗浄基板を回転させながら薬液・リンス液で洗浄する枚葉式洗浄方法であって、薬液用ノズルを前記被洗浄基板上に移動して薬液処理した後、前記薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズルからリンス液を吐出して前記被洗浄基板をリンス処理する。
【００１１】
前記リンス用ノズルを複数設け、前記複数のうちの、少なくとも１つのリンス用ノズルからのリンス液を前記被洗浄基板の中心部分に吐出し、前記他のリンス用ノズルからのリンス液を、前記被洗浄基板の半径方向の中間部分に吐出してリンス処理することが好ましい。また、前記被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行するまでの時間Ｔは、０．５秒≦Ｔ≦１．５秒にすることが好ましい。さらに、前記リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍを、４００ｍｌ／分≦Ｍ≦１０００ｍｌ／分にすることが好ましい。前記被洗浄基板の回転数Ｎを、１５０ｒｐｍ≦Ｎ≦１０００ｒｐｍにすることが好ましい。前記リンス液は、純水または２−プロパノールを用いることが好ましい。
【００１２】
本発明の枚葉式洗浄装置は、被洗浄基板を回転させながら薬液・リンス液で洗浄する枚葉式洗浄装置であって、前記被洗浄基板を保持して回転する基板保持手段と、待機位置と前記被洗浄基板上の中心部間を移動する薬液用ノズルと、前記薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズルとを備える。
【００１３】
前記リンス用ノズルが複数設けられ、前記複数のうちの少なくとも１つのリンス用ノズルが、前記被洗浄基板の中心部に向けて配置され、前記他方のリンス用ノズルが、前記被洗浄基板の半径方向の中間部分に向けて配置されることが好ましい。また、前記被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行する時間Ｔが、０．５秒≦Ｔ≦１．５秒であることが好ましい。前記リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍが、４００ｍｌ／分≦Ｍ≦１０００ｍｌ／分であることが好ましい。前記被洗浄基板の回転数Ｎが、１５０ｒｐｍ≦Ｎ≦１０００ｒｐｍであることが好ましい。前記リンス液は、純水または２−プロパノールであることが好ましい。
【００１４】
本発明の枚葉式洗浄方法では、薬液用ノズルを被洗浄基板上に移動して薬液処理した後、薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定して配置したリンス用ノズルからリンス液を吐出して被洗浄基板をリンス処理することにより、薬液吐出後、リンス液の吐出開始までの時間を縮めることができる。これにより、薬液成分の揮発が抑えられ、被洗浄基板上の有機残渣物が除去される。また、移行時間が短縮されるので、薬液残による欠陥の増殖を防ぐことができる。
【００１５】
本発明の枚葉式洗浄装置では、薬液用ノズルの移動に干渉しない位置に固定してリンス用ノズルを設けるため、薬液吐出後、リンス液の吐出開始までの時間を縮めることができる。この薬液処理とリンス処理の移行時間の短縮により、薬液成分の揮発を抑え、被洗浄基板上の有機残渣物の良好な除去を可能にし、また、薬液残による欠陥の増殖を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の枚葉式洗浄方法によれば、被洗浄基板に対する洗浄を確実に行うことができ、基板洗浄の歩留り、さらに、この基板を用いて作製した製品の歩留りを向上することができる。また、基板洗浄の信頼性を向上することができる。
【００１７】
リンス用ノズルを複数設け、少なくとも１つのリンス用ノズルからのリンス液を被洗浄基板の中心部分に吐出し、他のリンス用ノズルからのリンス液を被洗浄基板の半径方向の中間部分に吐出することにより、リンス液を被洗浄基板の表面全域に均一に供給することができる。
被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行するまでの時間Ｔを０．５秒〜１．５秒にすることにより、移行時間が大幅に短縮され、良好な洗浄を行うことができる。
リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍを、４００ｍｌ／分〜１０００ｍｌ／分にすることにより、有機残渣物の数（いわゆる欠陥数）を低減することができる。
被洗浄基板の回転数Ｎを１５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍにすることにより、有機残渣物の数（いわゆる欠陥数）を低減することができる。
リンス液として、純水または２ープロパノールを用いることにより、リンス処理を良好に行うことができる。
【００１８】
本発明の枚葉式洗浄装置によれば、被洗浄基板に対する洗浄処理を確実に行うことができる。したがって、基板洗浄の歩留りや信頼性を向上することができる。
【００１９】
リンス用ノズルを複数設け、少なくとも１つのリンス用ノズルを被洗浄基板の中心部分に向けて配置し、他のリンス用ノズルを被洗浄基板の半径方向の中間部分に向けて配置することのより、リンス液を被洗浄基板の表面全域に均一に供給することができ、リンス処理を良好にする。
被洗浄基板に対する薬液処理からリンス処理に移行するまでの時間Ｔを０．５秒〜１．５秒に設定することにより、移行時間を大幅に短縮し、良好な洗浄を行うことができる。
リンス用ノズルから吐出するリンス液の吐出流量Ｍを、４００ｍｌ／分〜１０００ｍｌ／分に設定することにより、有機残渣物の数（いわゆる欠陥数）を低減することができる。
被洗浄基板の回転数Ｎを１５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍに設定することにより、有機残渣物の数（いわゆる欠陥数）を低減することができる。
リンス液として、純水または２ープロパノールを用いることにより、良好なリンス処理を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係る枚葉式洗浄装置の一実施の形態を示す概略構成図である。図２Ａ，Ｂは、図１の要部の平面図及びその側面図である。
チャンバー３１内に、洗浄すべき基板すなわち被洗浄基板、本例ではシリコン半導体基板３０を保持する基板保持手段５と、薬液８を吐出する薬液用ノズルを有する薬液供給手段１２と、リンス液１４を吐出するリンス用ノズル１６を有するリンス供給手段１８が設けられて成る。基板保持手段５は、半導体基板３０を真空吸着で保持するための真空チャック６を有し、モータ７により回転可能に構成される。薬液供給手段１２は、モータ１３によって半導体基板面に平行する面内で回動し得るアーム１１の先端に薬液用ノズル１０を設けて構成される。薬液用ノズル１０は、図２Ａに示すように、半導体基板３０の中心部分と半導体基板３０の外側の待機位置間を回動するアーム１１により破線で示す軌跡ａに沿って移動するようになされる（図２Ａ参照）。
リンス液供給手段１８は、複数、本例では２つのリンス用ノズル１６［１６Ａ，１６Ｂ］を有する。この２つのリンス用ノズル１６［１６Ａ，１６Ｂ］は、薬液用ノズル１０の移動に干渉しない位置、すなわち洗浄すべき半導体基板３０の外側に位置に固定して配置される。２つのリンス用ノズル１６のうち、一方のリンス用ノズル１６Ａは、半導体基板３０の中央部分に向けて配置され、他方のリンス用ノズル１６Ｂは、半導体基板３０の半径方向の中間部分に向けて配置される（図２Ａ参照）。リンス用ノズル１６Ｂは、例えば半径方向の約１／２の中間部分に向けて配置することができる。８インチ及び１０インチの半導体基板の場合には、リンス用ノズル１６Ｂは、半径方向に基板中心より１２０ｍｍ〜１７０ｍの位置に向けて配置することができる。また、両リンス用ノズル１６［１６Ａ，１６Ｂ］は、半導体基板３０に対する吐出角度θ１が３０°以上、５０°以下となるように配置される（図２Ｂ参照）。リンス用ノズル１６の本数は、リンス処理の効率によって、さらに２本以上設けてもよい。また、１本のリンス用ノズルのみ配置することも可能である。
【００２２】
基板保持手段５には、洗浄時の薬液、リンス液の排液を受けるカップ２０が配置され、排液が排液口２１より排液用バルブ２２を通じてドレン２４に排出できようになされている。チャンバー３１には、半導体基板３０の搬出入口２が開閉可能に設けられる。薬液８は、薬液用バルブ９を通じて薬液用ノズル１０に供給される。リンス液１４は、リンス液用バルブ１５を通じてリンス用ノズル１６［１６Ａ，１６Ｂ］に供給される。
【００２３】
次に、上述の本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置１を用いて基板を洗浄する洗浄方法について説明する。本例では、シリコン基板上に配線パターンを形成してドライエッチング処理しレジストマスクを剥離除去した後の、基板上に加工残渣物（ポリマー）が発生した半導体基板３０の洗浄に適用した場合である。
【００２４】
先ず、ポリマーや残留物等の付いた基板３０を搬出入口２からチャンバー３１内に搬入し、基板保持手段５の真空チャック６上に真空吸着して保持する。待機位置からモータ１３を駆動させてアーム１１を回動し、薬液用ノズル１０を基板３０上中心部に移動させる。
【００２５】
次に、基板３０をモータ７で回転させつつ、薬液用ノズル１０から薬液８を吐出して半導体基板上３０のポリマー残渣の除去を行う。例えば、薬液には、有機溶剤もしくは有機酸等の添加物を含有した有機系薬液を用いる。
【００２６】
次に、薬液８による洗浄処理を終了する。終了後、薬液用ノズル１１が、アーム１１を介して待機位置へ回動し始めると同時に、リンス用ノズル１６〔１６Ａ，１６Ｂ〕からリンス液１４を回転する基板３０上に吐出してリンス処理を行う。一方のリンス用ノズル１６Ａからのリンス液は、基板３０の中央部分に供給され、他方のリンス用ノズル１６Ｂからのリンス液は、基板３０の半径方向の中間部分に供給される。この場合、薬液用ノズル１０からの薬液８の吐出が終了して、リンス液１４がリンス用ノズル１６から吐出開始されるまでの時間Ｔは、０．５秒〜１．５秒の短時間で切り替えられる。このリンス液１４の吐出流量Ｍとしては、４００ｍｌ／分〜１０００ｍｌ／分とする。理由は後述する。リンス用ノズル１６［１６Ａ、１６Ｂ］から均一に吐出される。さらに、リンス処理時の基板３０の回転数Ｎは、１５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍとする。リンス液１４としては、純水（冷水、温水等）を用いる。また、上述の薬液処理時の基板３０の回転数も１５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍとする。
【００２７】
本実施の形態の枚葉式洗浄装置を用いた基板洗浄方法によれば、リンス用ノズル１６Ａ及び１６Ｂを基板３０の外側位置に固定して設置することにより、薬液用ノズル１０とリンス用ノズル１６の移動によるノズル同士の干渉がなくなるため、薬液処理とリンス処理との移行時間を早くすることが可能になる。すなわち、移行時間Ｔを０．５秒〜１．５秒の短時間とすることが可能になる。したがって、薬液残の乾燥を防ぐことができ、基板上の欠陥（ポリマー残り）を減らすことができる。さらに、リンス液の流量、基板の回転数及びリンス液を最適条件とすることで、より欠陥の数を減少させることができる。基板に付着していたポリマー及び薬液の残留物をきれいに洗浄除去することができる。
８インチ及び１０インチの半導体基板の場合には、リンス用ノズル１６Ｂは、半径方向に基板中心より１２０ｍｍ〜１７０ｍの位置に向けて配置し、また、両リンス用ノズル１６［１６Ａ，１６Ｂ］は、半導体基板３０に対する吐出角度θ１が３０°以上、５０°以下となるように配置されるが、逆に、この範囲を越えた場合は、リンスするリンス液の基板上の広がりが確保できなくなり、リンス処理の効率が低下してしまう。
【００２８】
次に、図３〜図６を用いて、本実施の形態の洗浄方法と欠陥数の低減の関係について説明する。以下、縦軸は、相対数で示す。
図３は、従来の洗浄装置１０１を用いて洗浄した物をノズル無しとし、本実施の形態に係る洗浄装置１を用いて洗浄した物をノズル有りとするときの欠陥数の関係を示すグラフである。
従来の洗浄方法では、欠陥数が多かったが、本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置を用いた洗浄方法では欠陥数を減らすことができる。
【００２９】
図４は、薬液の吐出終了からリンス液の吐出開始までの移行時間と欠陥数の関係を示すグラフである。
本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置１の薬液の吐出終了からリンス液の吐出開始までの移行時間が０．５秒から１．５秒の間では欠陥数がもっとも少なく。移行時間が、１．５を超えると欠陥数が増加する。移行時間が０．５秒より短いと、薬液の吐出を終了してリンス液を吐出開始することが困難である。薬液の吐出終了からリンス液の吐出開始までの移行時間が、０．５秒以上１．５秒以下であれば、基板上の薬液残が乾燥することなく洗浄の効果を向上することができる。基板上の欠陥数を減少させることができ、歩留りの向上を図ることができる。
【００３０】
図５は、本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置のリンス液の吐出流量と欠陥数の関係を示すグラフである。
本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置１のリンス用ノズル１６［１６Ａ、１６Ｂ］から均一に吐出されるリンス液の吐出流量が、４００ｍｌ／分〜１０００ｍｌ／分の範囲内であると欠陥数をもっとも減らすことができる。リンス液の吐出流量が４００ｍｌ／分より少なくなると欠陥数が増加してしまう。吐出流量が１０００ｍｌ／分より多い場合、リンス液を大量に消費するため、原材料費が増加してしまう。リンス処理の処理時間は確実に洗浄を完了させるために６０秒〜９０秒での処理が望ましい。
【００３１】
図６は、本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置の基板の回転数と欠陥数の関係を示すグラフである。
本実施の形態に係る枚葉式洗浄装置１の基板保持手段の真空チャックによって基板３０は保持され、回転手段のモータ７によって回転させている。基板３０の回転は、薬液用ノズル１０から薬液が吐出開始されてから、リンス用ノズル１６からリンス液の吐出終了まで回転し続けている。
基板の回転数が、１５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの範囲内のときがもっとも欠陥数を減少させることができる。すなわち、リンス処理を確実に行うことができる。基板回転数が１５０ｒｐｍより少なくなると欠陥数の増加する。また、基板の回転数が１０００ｒｐｍより速くなると欠陥数の増加が顕著に表われる。
なお、リンス液は純水に限らず、例えば、２−プロパノール（ＩＰＡ）を用いて、その後、純水でリンス処理を行うことでも同様の効果が得られる。
【００３２】
上述したように、本実施の形態の枚葉洗浄方法及び洗浄装置を用いることにより、基板上にドライエッチング時の加工残渣物のポリマーを良好に洗浄除去することができる。従って、例えば半導体装置の製造における半導体基板の洗浄に適用した場合、その洗浄を確実に行え、洗浄歩留りを向上することができる。このことは、最終的に製造される半導体装置の製造歩留りを向上し、信頼性を向上することができる。
【００３３】
上例では、本発明の洗浄方法を半導体基板の洗浄に適用したが、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の洗浄にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る枚葉式洗浄装置の一実施の形態を示す構成図である。
【図２】Ａ  図１の要部を示す平面図である。            Ｂ  図２Ａの側面図である。
【図３】従来のリンス用ノズルと本発明に係る枚葉式洗浄装置のリンス用ノズルを用いるときの欠陥数を比較したグラフである。
【図４】薬液の吐出終了後からリンス液の吐出開始までの移行時間と欠陥数の関係を示すグラフである。
【図５】本発明に係る枚葉式洗浄装置のリンス液の吐出流量と欠陥数の関係を示すグラフである。
【図６】本発明に係る枚葉式洗浄装置のリンス液の吐出流量と欠陥数の関係を示すグラフである。
【図７】従来の枚葉式洗浄装置を示す構成図である。
【図８】図７の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１・・枚葉式洗浄装置、２・・搬出入口、３・・シャッター、５・・基板保持手段、６・・チャック、７・・モータ、８・・薬液、９・・薬液用バルブ、１０・・薬液用ノズル、１１・・アーム、１２・・薬液供給手段、１３・・モータ、１４・・リンス液、１５・・リンス用バルブ、１６・・リンス用ノズル、１８・・リンス液供給手段、２０・・カップ、２１・・排液口、２２・・排液用バルブ、２４・・ドレン、３０・・基板、３１・・チャンバー、１０２・・搬出入口、１０５・・基板保持手段、１０６・・真空チャック、１０７・・モータ、１０８・・薬液、１０９・・薬液用バルブ、１１０・・薬液用ノズル、１１１・・アーム、１１２・・薬液供給手段、１１３・・モータ、１１４・・リンス液、１１５・・リンス用バルブ、１１６・・リンス用ノズル、１１７・・アーム、１１８・・リンス液供給手段、１１９・・モータ、１２０・・カップ、１２１・・排液口、１２２・・排液用バルブ、１２４・・ドレン、１３０・・基板、１３１・・チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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