(57)【要約】【課題】  小型化が実現できるとともに信頼性を向上させることができる電源装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】  電源本体部２０の底面にヒートシンク２ｂが設けられる。トランジスタ６は、回路基板ＰＣ上に設けられ、ヒートシンク２ｂに密着するように取り付けられている。また、回路基板ＰＣを覆うようにヒートシンク２ｂ上にケーシング２ａが設けられている。電源本体部２０の底面に設けられたヒートシンク２ｂは、板状の水冷プレート３に密着するように配置される。水冷プレート３には、冷却水を循環させるためのステンレス製のパイプ３ａが内蔵されている。水冷プレート３上の一端には、ヒートシンク２ｂを保持するための保持金具４が設けられている。電源本体部２０は、水冷プレート３上に沿って押し込まれることにより保持金具４の傾斜部４ａに当接する。【選択図】        図１
2005092804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力を供給する電源装置であって、
電源回路を内蔵する筐体と、
第１の平面を有するとともに前記筐体内の前記電源回路の少なくとも一部を放熱するように設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンクの前記第１の平面に密着する第２の平面を有する冷却部材とを備えたことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記筐体は、一端部および他端部を有し、
前記ヒートシンクは、一端部および他端部を有する板状部材からなり、
前記ヒートシンクの前記一端部および前記他端部は、前記筐体の前記一端部および前記他端部からそれぞれ外方に突出し、
前記ヒートシンクの突出した前記一端部は、前記冷却部材の前記第２の平面に固定された保持部材により保持され、前記ヒートシンクの突出した前記他端部は、固定部材により前記冷却部材の前記第２の平面に固定されたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
前記保持部材は、前記ヒートシンクを前記第２の平面側に押圧するように前記一端部に当接する傾斜面を有することを特徴とする請求項２記載の電源装置。
【請求項４】
前記冷却部材は、冷却水を循環させる冷却水循環路を内蔵する冷却プレートを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電源装置。
【請求項５】
基板に処理を行う複数の処理ユニットを含む処理部と、
前記処理部内の前記複数の処理ユニットの少なくとも一つの処理ユニットに電力を供給する請求項１〜４のいずれかに記載の電源装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部を含み、前記処理ユニットは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記熱処理ユニットは、基板に加熱処理を行う加熱処理ユニットを含み、
前記加熱処理ユニットは、前記電源装置の前記冷却部材の側に配置されたことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力を供給するための電源装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の冷却処理を行うクーリングプレートを備えた基板処理装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このクーリングプレートには、基板に対して高均一でかつ高速に冷却処理を施すためにペルチェ素子が用いられている。
【特許文献１】特開２０００−８２６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のペルチェ素子を用いた基板の冷却処理を行うためには、低電圧かつ大電流のＤＣ（直流）電源装置が必要となる。そのため、大電流を供給するＤＣ電源装置では、発熱量が大きくなるので、従来のＤＣ電源装置は大型なものであった。それにより、基板の処理を行う基板処理装置内に大型のＤＣ電源装置を収納することができない。その場合、ＤＣ電源装置を基板処理装置の外部に設置する必要がある。それにより、基板処理装置とＤＣ電源装置との配線等が煩雑となる。また、基板処理装置内に大型のＤＣ電源装置を収納するためには、基板処理装置を大型化する必要がある。
【０００４】
一方、ＤＣ電源装置を冷却するためには、換気をするためのファンが必要となる。そのため、ファンを設置するためのスペースが必要となるとともに、ファンによって粉塵（パーティクル）が舞い上がることを防止するためのパーティクル対策も必要となる。
【０００５】
本発明の目的は、小型化が実現できるとともに信頼性を向上させることができる電源装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明に係る電源装置は、電力を供給する電源装置であって、電源回路を内蔵する筐体と、第１の平面を有するとともに筐体内の電源回路の少なくとも一部を放熱するように設けられたヒートシンクと、ヒートシンクの第１の平面に密着する第２の平面を有する冷却部材とを備えたものである。
【０００７】
本発明に係る電源装置においては、ヒートシンクの第１の平面と冷却部材の第２の平面とが密着するように設けられている。それにより、冷却部材によりヒートシンクが低温に保たれるので、ヒートシンクによる電源回路の放熱が十分に行われる。
【０００８】
また、ヒートシンクを冷却部材により冷却することにより、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性が向上する。
【０００９】
筐体は、一端部および他端部を有し、ヒートシンクは、一端部および他端部を有する板状部材からなり、ヒートシンクの一端部および他端部は、筐体の一端部および他端部からそれぞれ外方に突出し、ヒートシンクの突出した一端部は、冷却部材の第２の平面に固定された保持部材により保持され、ヒートシンクの突出した他端部は、固定部材により冷却部材の第２の平面に固定されてもよい。
【００１０】
この場合、ヒートシンクの突出した一端部が冷却部材の第２の平面に固定された保持部材により保持され、ヒートシンクの突出した他端部が固定部材により冷却部材の第２の平面に固定されることにより、ヒートシンクが冷却部材に密着した状態で確実に固定される。それにより、筐体内の電源回路の放熱が効率よく行われる。この場合、固定部材を取り外すことによりヒートシンクを冷却部材から容易に取り外すことができる。したがって、メンテナンスが容易となる。
【００１１】
保持部材は、ヒートシンクを第２の平面側に押圧するように一端部に当接する傾斜面を有してもよい。
【００１２】
この場合、ヒートシンクが冷却部材の第２の平面側に押圧されるようにヒートシンクの一端部が保持部材の傾斜面に当接する。それにより、ヒートシンクと冷却部材との密着性が向上し、筐体内の電源回路の放熱がより効率よく行われる。
【００１３】
冷却部材は、冷却水を循環させる冷却水循環路を内蔵する冷却プレートを含んでもよい。
【００１４】
この場合、冷却プレートに内蔵された冷却水循環路に冷却水が循環することによりヒートシンクを効率よく冷却することができる。
【００１５】
第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う複数の処理ユニットを含む処理部と、処理部内の複数の処理ユニットの少なくとも一つの処理ユニットに電力を供給する第１の発明に係る電源装置とを備えたものである。
【００１６】
本発明に係る基板処理装置においては、第１の発明に係る電源装置により処理部内の複数の処理ユニットの少なくとも一つの処理ユニットに電力が供給される。第１の発明に係る電源装置は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置を大型化することなく電源装置を基板処理装置内に設けることができる。それにより、電源装置を基板処理装置の外部に設置するためのスペースが不要となる。
【００１７】
処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部を含み、処理ユニットは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを含んでもよい。この場合、第１の発明に係る電源装置は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置を大型化することなく熱処理ユニットとともに電源装置を基板処理装置内に設けることができる。
【００１８】
熱処理ユニットは、基板に加熱処理を行う加熱処理ユニットを含み、加熱処理ユニットは、電源装置の冷却部材の側に配置されてもよい。この場合、加熱処理ユニットにより発生する熱雰囲気が電源回路に浸入することが冷却部材により阻止される。それにより、電源装置の信頼性が向上するとともに、電源装置を加熱処理ユニットの近くに配置することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る電源装置によれば、ヒートシンクによる電源回路の放熱を十分に行うことができる。また、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は本実施の形態に係る電源装置の縦断面図である。なお、本実施の形態に係る電源装置は、基板に冷却処理を行う後述のクーリングプレートＣＰに電力を供給する。
【００２２】
図１に示すように、電源装置２は、電源本体部２０、水冷プレート３および保持金具４を備える。電源本体部２０は、ケーシング２ａ、ヒートシンク２ｂ、ビス５、トランジスタ６および回路基板ＰＣを含む。回路基板ＰＣには、電源回路が構成されている。トランジスタ６は、電源回路に含まれる制御素子であり、電流が流れることにより発熱する。電源本体部２０の高さは、例えば１５０ｍｍである。
【００２３】
電源本体部２０の底面にヒートシンク２ｂが設けられる。発熱素子であるトランジスタ６は、回路基板ＰＣ上に設けられ、ヒートシンク２ｂに密着するように取り付けられている。また、回路基板ＰＣを覆うようにヒートシンク２ｂ上にケーシング２ａが設けられている。ヒートシンク２ｂは、トランジスタ６の放熱を行うものであり、本実施の形態では、板状のアルミニウムにより形成される。
【００２４】
電源本体部２０の底面に設けられたヒートシンク２ｂは、板状の水冷プレート３に密着するように配置される。水冷プレート３には、冷却水を循環させるためのステンレス製のパイプ３ａが内蔵されている。水冷プレート３のパイプ３ａに冷却水が流れることにより水冷プレート３が冷却される。その結果、水冷プレート３に密着しているヒートシンク２ｂが冷却される。
【００２５】
水冷プレート３上の一端には、ヒートシンク２ｂを保持するための保持金具４が設けられている。以下、保持金具４が設けられている位置と逆側の位置を作業位置と定義する。
【００２６】
ここで、電源本体部２０を水冷プレート３上に設置する方法について説明する。
【００２７】
電源本体部２０は、作業位置から水冷プレート３上に沿って作業者により押し込まれることにより保持金具４の傾斜部４ａに当接する。その結果、ヒートシンク２ｂに水冷プレート３に向かう力が作用する。それにより、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３との密着性が向上する。この状態で、作業位置側のヒートシンク２ｂの端部が水冷プレート３にビス５によって固定される。これにより、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３に確実に固定される。
【００２８】
図２は複数の電源装置２が並列的に配置された状態を示す外観斜視図である。
【００２９】
図２に示すように、水冷プレート３上に複数の電源装置２が隣接するように並列的に配置されている。この場合、後述のクーリングプレートＣＰの個数分の電源装置２が設けられる。
【００３０】
また、水冷プレート３上にクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが一つの電源装置２に隣接するように配置されている。ローカルコントローラＬＣと各電源装置２とは、それぞれケーブルＣによって接続される。
【００３１】
なお、ローカルコントローラＬＣの内部には、後述のホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬに電力を供給するための電源装置（図示せず）が備えられている。
【００３２】
上述のように、本実施の形態に係る電源装置２においては、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３とが密着するように設けられている。それにより、水冷プレート３によりヒートシンク２ｂが低温に保たれるので、ヒートシンク２ｂによるトランジスタ６の放熱が十分に行われる。
【００３３】
また、ヒートシンク２ｂを水冷プレート３により冷却することにより、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置２を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性が向上する。
【００３４】
また、ヒートシンク２ｂの突出した一端部が水冷プレート３に固定された保持金具４により保持され、ヒートシンク２ｂの突出した他端部がビス５により水冷プレート３に固定されることにより、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３に密着した状態で確実に固定される。それにより、ケーシング２ａ内の回路基板ＰＣおよびトランジスタ６の放熱が効率よく行われる。この場合、ビス５を取り外すことによりヒートシンク２ｂを水冷プレート３から容易に取り外すことができる。したがって、メンテナンスが容易となる。
【００３５】
また、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３を押圧するようにヒートシンク２ｂの一端部が保持金具４の傾斜部４ａに当接する。それにより、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３との密着性が向上し、ケーシング２ａ内の回路基板ＰＣおよびトランジスタ６の放熱がより効率よく行われる。
【００３６】
さらに、水冷プレート３に内蔵されたパイプ３ａに冷却水が循環することによりヒートシンク２ｂを効率よく冷却することができる。
【００３７】
なお、本実施の形態においては、電源装置２において、トランジスタ６とヒートシンク２ｂとの間に熱伝導性に優れたシート状のシリコンを設けてもよい。それにより、放熱性がより向上する。
【００３８】
また、本実施の形態では、基板Ｗ上に直接的にトランジスタ６が設けられているが、これに限定されず、基板Ｗとトランジスタ６を導線により接続してもよい。
【００３９】
また、本実施の形態では、後述の反射防止膜用熱処理部１０１、レジスト膜用熱処理部１１１、現像用熱処理部１２０および現像用熱処理部１２１における最上段に電源装置２を設けることとしているが、これに限定されるものではなく、例えば最下段や中間部に設けてもよい。
【００４０】
以下、本発明の実施の形態に係る電源装置２を用いた基板処理装置について説明する。
【００４１】
図３は本発明の実施の形態に係る電源装置２を用いた基板処理装置の一例を示す平面図である。なお、以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００４２】
図３以降の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４３】
図３に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するようにステッパ部１４が配置される。
【００４４】
インデクサブロック９は、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。また、インデクサブロック９には、ローカルコントローラＬＣを制御するベークユニットコントローラ３０が設けられる。反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。
【００４５】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。
【００４６】
現像処理用ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。
【００４７】
インターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【００４８】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の順に並設されている。
【００４９】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００５０】
基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。
【００５１】
また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が２台ずつ上下に近接して設けられている。
【００５２】
また、現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２１には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック１３のエッジ露光部ＥＥＷには、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。
【００５３】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。
【００５４】
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。
【００５５】
インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。
【００５６】
また、本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納した基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００５７】
基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。
【００５８】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。
【００５９】
基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。
【００６０】
基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを取り出し、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。
【００６１】
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部１４に搬入する。ステッパ部１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。
【００６２】
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。
【００６３】
基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。現像用熱処理部１２０において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。
【００６４】
基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。
【００６５】
基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
【００６６】
図４は図３の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
【００６７】
インデクサブロック９のキャリア載置台６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。
【００６８】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、反射防止膜用熱処理部１０１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置される。
【００６９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置される。
【００７０】
現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部１２１には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、現像用熱処理部１２０におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置され、現像用熱処理部１２１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に１個の電源装置２が配置される。
【００７１】
インターフェースブロック１３には、２個のエッジ検出露光装置ＥＥＷ、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。
【００７２】
図５は図３の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【００７３】
反射防止膜用塗布処理部７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理部９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。
【００７４】
上述のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、電源装置２によりクーリングプレートＣＰに電力が供給される。電源装置２は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置５００を大型化することなく電源装置２を基板処理装置５００内に設けることができる。それにより、電源装置２を基板処理装置５００の外部に設置するためのスペースが不要となる。
【００７５】
また、電源装置２を小型化することにより、電源装置２と並べてローカルコントローラＬＣを配置することが可能となる。それにより、基板処理装置５００を小型化することができる。
【００７６】
また、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにより発生する熱雰囲気が回路基板ＰＣおよびトランジスタ６に進入することが水冷プレート３により阻止される。それにより、電源装置２の信頼性が向上するとともに、電源装置２をホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬの近くに、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬの上に積層して配置することができる。
【００７７】
本実施の形態においては、回路基板ＰＣおよびトランジスタ６が電源回路に相当し、ケーシング２ａが筐体に相当し、水冷プレート３が冷却部材および冷却プレートに相当し、パイプ３ａが冷却水循環路に相当し、保持金具４が保持部材に相当し、ビス５が固定部材に相当し、傾斜部４ａが傾斜面に相当する。
【００７８】
また、クーリングプレートＣＰ、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが熱処理ユニットに相当し、一群のクーリングプレートＣＰ、一群のホットプレートＨＰ、一群の熱処理ユニットＰＨＰまたは一群の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが熱処理部に相当し、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが加熱処理ユニットに相当する。
【００７９】
なお、ローカルコントローラＬＣ内に設けられた電源装置は交流電源装置であり低電流のため発熱量が少ない。したがって、必要であれば、ローカルコントローラＬＣ内に設けられた電源装置に本実施の形態に係る電源装置２の構成を採用してもよい。
【００８０】
また、ローカルコントローラＬＣ内の電源装置をローカルコントローラＬＣ外に設けるとともに、ローカルコントローラＬＣ外に設けられた電源装置に本実施の形態に係る電源装置２の構成を採用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、電力の供給を行うための電源装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施の形態に係る電源装置の縦断面図である。
【図２】複数の電源装置が並列的に配置された状態を示す外観斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る電源装置を用いた基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図４】図３の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。
【図５】図３の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【符号の説明】
【００８３】
２  電源装置
２ａ  ケーシング
２ｂ  ヒートシンク
３  水冷プレート
３ａ  パイプ
４  保持金具
４ａ  傾斜部
６  トランジスタ
２０  電源本体部
５００  基板処理装置
ＡＨＬ  密着強化剤塗布処理部
ＣＰ  クーリングプレート
ＨＰ  ホットプレート
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＰＣ  回路基板
Ｗ  基板
【図１】
2005092804.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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