(57)【要約】【課題】インナーリードと突起電極との接合工程での、インナーリードの位置合わせずれや、突起電極から溢れ出た共晶溶融物による隣接した突起電極同士のショート不良を発生することを防止し得る半導体装置を提供する。【解決手段】突起電極６が形成された半導体チップ５の表面と、突起電極６に対応する位置で設けられた凹部内にインナーリード４ａが形成されるとともに互いに隣接するインナーリード４ａ間に凸部が形成されてなるフィルム基材２の表面とが対向して配置されるとともに、突起電極６とインナーリード４ａとが接合されたもので、且つ突起電極６の幅が、当該突起電極６と接合している部分のインナーリード４ａの幅より小さくされるとともに、フィルム基材２に設けられる凹部の深さが、インナーリード４ａの厚みより大きくされ且つ突起電極６の高さとインナーリード４ａの厚みを合わせたものより小さくなるようにしたものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
突状電極が形成された半導体チップの表面と、上記突状電極に対応する位置で設けられた凹部内に導体リードが形成されるとともに互いに隣接する導体リード間に凸部が形成されてなるフィルム基材の表面とが対向して配置され、
且つ上記突状電極と導体リードとが接合されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
突状電極の幅が、当該突状電極と接合している部分の導体リードの幅より小さくされるとともに、フィルム基材に設けられる凹部の深さが、導体リードの厚みより大きくされ且つ上記突状電極の高さと上記導体リードの厚みを合わせたものより小さくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法であって、
樹脂で形成されたフィルム基材の表面にフォトレジストを塗布する工程と、この塗布されたフォトレジストの表面に導体リードのパターンを有するフォトマスクを施した後露光する工程と、露光部におけるフォトレジストを除去してフィルム基材の表面に導体リードと同一パターンの露出部を作る工程と、この露出部におけるフィルム基材表面にエッチングを行うことにより所定形状の凹凸部を形成する工程と、金属材料をフィルム基材表面に積層させる工程と、残りのフォトレジストを化学的に溶解除去する工程とを具備して、
フィルム基材の表面に導体リードのパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
フィルム基材と半導体チップの表面同士を対向させて突状電極と導体リードとを接合する工程とを具備したことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスホールを持たないテープキャリアを用いた半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体製品は低価格化、軽量化、薄型化、小型化の実現のために高密度実装が要求され続けている。
一般に、半導体素子の高密度実装を実現する半導体装置としては、テープキャリアパッケージ（以下、ＴＣＰという）があるが、その中でもデバイスホールや折り曲げスリットがなく、半導体チップ上の金属電極と接続されるインナーリードがテープ基材に密着しているものが、チップ・オン・フィルム（以下、ＣＯＦという）構造と呼ばれている。ＣＯＦはデバイスホールがなく、インナーリードがフィルム基材に密着している為に、曲がりを生じやすいフライングリードが存在せず、導体リードを薄膜化することができる。これにより、従来のデバイスホールがあるＴＣＰと比較すると導体リードのエッチング性が向上し、より微細な導体パターンを形成することができる。現在、４５μｍピッチのＣＯＦテープが量産されており、さらなるファイン化が現実的に期待されている。
【０００３】
図７を用いて、一般的なＣＯＦ構造の半導体装置を説明する。図７（ａ）はＣＯＦ構造の従来の半導体装置の導体リード側からみた平面図であり、フィルム基材および封止樹脂を透視している。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ−Ｃ′断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ′断面図である。
【０００４】
フィルム１′は、絶縁および可撓の性質を有し、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２′と、銅などの金属箔で形成された導体リード４′とで構成されている。導体リード４′において半導体チップ５に形成された金属突起電極６と接続する部分の先端からソルダーレジスト３に到るまでのソルダーレジスト３に覆われていない領域をインナーリード４ａ′と呼び、インナーリード４ａ′より外へフィルム基材２′上に延長された導体リード４′のうち、外部回路と接続される領域をアウターリード４ｂ′と呼ぶ。導体リード４′には通常めっきが施されている。インナーリード４ａ′周辺の領域は半導体チップ５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。
【０００５】
次に、共晶などの金属間接合によりフィルム１′のインナーリード４ａ′と半導体チップ５に形成した金属突起電極６とを接合する方式の従来のＣＯＦについて、その一般的な組立工程を、図８を用いて説明する。
【０００６】
フィルム１′は、金属突起電極６の位置に合わせてインナーリード４ａ′がフィルム基材２′上に形成されている（図８（ａ）参照）。インナーリード４ａ′の表面にはスズや金などによってめっきが施されている。フィルム基材２′は３８μｍや２５μｍなどで、従来の一般的なＴＣＰの厚みである７５μｍよりかなり薄い。そのフィルム１′の製造方法を、図１１を用いて説明する。
【０００７】
図１１（ａ）〜（ｂ）に示すように、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２′の表面に、銅などの金属箔１５をスパッタ法などにより形成する。そして、図１１（ｃ）に示すように、フォトレジスト１６を塗布し、所望の導体リード４′のパターンを有するフォトマスクを施して露光した後、図１１（ｄ）に示すように、フォトレジスト１６を現像液によって現像し所望の導体リード４′部以外の金属箔１５を露出させる。
【０００８】
次に、図１１（ｅ）〜（ｆ）に示すように、露出した金属箔１５を化学的に溶解除去し、フォトレジスト１６を化学的に溶解除去することによって所望の導体リード４′のパターンを得ることができる。その後、導体リード４′の表面にめっき材を施し、ソルダーレジスト３を塗布して完成する。
【０００９】
また、半導体チップ５は、ボンディングステージ１１上に載置され、金属突起電極６が半導体チップ５の外周に沿う形か、または半導体チップ５の表面全体に配置されている（図８（ａ）参照）。フィルム１′はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１′のインナーリード４ａ′と半導体チップ５上の金属突起電極６との間に隙間を設けて固定されている。そして、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１′のインナーリード４ａ′を所定の位置に合わせた後、フィルム１′を変形させながらボンディングツール１０が下降しインナーリード４ａ′と金属突起電極６を熱圧着方式により接合させる（図８（ｂ）参照）。熱圧着方式とは、インナーリードに施されためっき材と金属突起材とを共晶融合または固相拡散させるために必要な温度（３００℃〜５００℃程度）と荷重とを加えながらインナーリード４ａ′と金属突起電極６とを接合する方式である。そして、所定時間の加圧、加熱後、ボンディングツール１０が上昇して離脱する。
【００１０】
なお、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１′のインナーリード４ａ′を所定の位置に合わすとは、図９（ａ）に示すように、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が一致するように半導体チップ５を搭載しているステージ１１を動かすことを言う。
【００１１】
図９は、接合直前から接合後までのインナーリード４ａ′と金属突起電極６の位置関係を示している。図９（ａ）は接合直前のインナーリード４ａ′が所定の位置に合わされた時の断面図であり、図９（ｂ）は接合時の断面図であり、図９（ｃ）は、接合後のインナーリード４ａ′と金属突起電極６の接合部をフィルム基材２′側から見た平面図であり、フィルム基材２′を透視している。
【００１２】
図９（ａ）に示すように、インナーリード４ａ′が所定の位置に合わされた後、熱圧着方式により接合するが、インナーリード４ａ′表面のめっき材と金属突起材との共晶融合をさせる場合には、図９（ｂ）および（ｃ）に示すように、金属突起電極６上のインナーリード４ａ′側面に共晶溶融物１４が発生する。
【００１３】
そして、熱圧着後、インナーリード４ａ′と金属突起電極６の接合部分と半導体チップ５の回路が存在する表面部分を保護し、半導体装置全体の機械強度を確保するために封止樹脂７をフィルム１′と半導体チップ５の隙間に樹脂供給ノズル１３を使用して注入する（図８（ｃ）参照）。封止後に捺印、検査を行ないＣＯＦ製品が完成する。インナーリード４ａ′と金属突起電極６を接合する工程をＩＬＢ（インナーリードボンド）工程、インナーリード４ａ′および半導体チップ５の表面を封止樹脂７によって封止する工程を封止工程という。
【００１４】
ＩＬＢ工程においては、フィルム１′は複数個連続してつながっており、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１′のインナーリード４ａ′との位置合わせから温度と荷重を加えながらインナーリード４ａ′と金属突起電極６を接合するまでの一連の動作が終了すると、半導体チップ５が接合されたフィルム１′は開口部１２から送り出され、次のフィルム１′が開口部１２に供給される。そして、ステージ１１に半導体チップ５が供給されて一連の動作が始まる。
【００１５】
この連続した生産における金属突起電極６とフィルム１′のインナーリード４ａ′との位置合わせ方法を説明する。連続生産の開始前には、下記に示す（１）〜（４）の準備段階が必要である。
【００１６】
（１）フィルム１′上のフィルム位置合わせマーク１７と半導体チップ５上のチップ位置合わせマーク１８をそれぞれ別個のカメラ(受像装置：図示せず)を用いて位置検出しておく。
【００１７】
（２）検出されたフィルム位置合わせマーク１７とチップ位置合わせマーク１８の位置を記憶装置に記録する。その位置を基準位置と呼ぶ。
（３）そして、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が一致するように、半導体チップ５を搭載しているステージ１１を移動させる。
【００１８】
（４）その中心が一致している時のステージの位置と（１）で検出したチップ位置合わせマーク１８の基準位置とのずらし量を記憶装置に記録する。以上の準備段階が終わった後の連続生産中は、フィルム位置合わせマーク１７とチップ位置合わせマーク１８を位置検出さえすれば、（２）で記録していた基準位置とのずれ量と（３）のずらし量を合わせた量のステージ移動を行えば、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が一致するようになる。
【特許文献１】特許第３４５６５７６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上記従来のフィルム１′を用いた連続生産において、生産開始時にはインナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が一致していたものが、頻度は少ないが連続生産を続けていくと、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心とに、ずれが生じる。このずれの原因は、（１）連続生産による装置の熱的環境変化や機械的振動によって、フィルム位置合わせマーク１７とチップ位置合わせマーク１８を検出する２台のカメラの位置が初期位置からずれていくため、および（２）チップ位置合わせマーク１８の検出位置から開口部１２までの距離を、ボンディングステージ１１が移動するときの機械的誤差のためである。
【００２０】
このように、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心のずれが生じた時の不具合を図１０を用いて説明する。
図１０は、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が距離Ｘだけずれて位置合わせされた場合の、接合直前から接合後までのインナーリード４ａ′と金属突起電極６の位置関係を示している。図１０（ａ）は接合直前のインナーリード４ａが所定の位置より距離Ｘずれて位置合わせされた時の断面図であり、図１０（ｂ）はインナーリード４ａが金属突起電極６に接触した瞬間である。また、図１０（ｃ）は所定の加圧量で加圧されている時の断面図であり、図１０（ｄ）は、接合後のインナーリード４ａ′と金属突起電極６の接合部をフィルム基材２′側から見た平面図であり、フィルム基材２′を透視している。
【００２１】
図１０（ａ）に示すように、インナーリード４ａ′の中心と金属突起電極６の中心が距離Ｘだけずれて位置合わせされた場合に、フィルム１′を変形させながらボンディングツール１０が下降すると、インナーリード４ａ′が金属突起電極６と接触した瞬間は図１０（ｂ）に示す状態になっており、このとき、インナーリード４ａ′表面のめっき材と金属突起電極６とで共晶反応が始まっており、それぞれ溶融している状態である。その後、所定の加圧量までボンディングツールにより加圧されていくが、金属突起電極６に対するインナーリード４ａ′の幅が１／２未満しかない場合には、インナーリード４ａ′は図１０（ｃ）に示される矢印方向にずれやすい。なぜなら、金属突起電極６の片側だけの表面が溶融し、軟らかくなっているため、加圧が不均一になりインナーリード４ａ′が滑るためである。そのため、接合後には、図１０（ｃ）に示すように、隣接した金属突起電極６間にインナーリード４ａ′が跨り、金属突起電極６同士のショートによる不良（以下、ショート不良という）が発生する。
【００２２】
また、ずれによるショート不良でなく、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、共晶溶融物１４によるショート不良が発生することがある。この原因は、金属突起電極６表面の汚染などによりインナーリード４ａ′表面のめっき材が金属突起電極６上に均一に濡れ広がらず、片側に偏って溶融し金属突起電極６から溢れ出すことによって起こる。
【００２３】
したがって、本発明の目的は、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）構造である半導体装置において、インナーリードと金属突起電極との接合（ＩＬＢ）工程での、インナーリードの位置合わせずれや、金属突起電極から溢れ出た共晶溶融物による隣接した金属突起電極同士のショート不良を発生することを防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係る半導体装置は、突状電極（金属突起電極）が形成された半導体チップの表面と、上記突状電極に対応する位置で設けられた凹部内に導体リード（インナーリード）が形成されるとともに互いに隣接する導体リード間に凸部が形成されてなるフィルム基材の表面とが対向して配置され、且つ上記突状電極と導体リードとが接合されたものである。
【００２５】
また、請求項２に係る半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、突状電極の幅が、当該突状電極と接合している部分の導体リードの幅より小さくされるとともに、フィルム基材に設けられる凹部の深さが、導体リードの厚みより大きくされ且つ上記突状電極の高さと上記導体リードの厚みを合わせたものより小さくなるようにしたものである。
【００２６】
また、請求項３に係る半導体装置の製造方法は、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法であって、樹脂で形成されたフィルム基材の表面にフォトレジストを塗布する工程と、この塗布されたフォトレジストの表面に導体リードのパターンを有するフォトマスクを施した後露光する工程と、露光部におけるフォトレジストを除去してフィルム基材の表面に導体リードと同一パターンの露出部を作る工程と、この露出部におけるフィルム基材表面にエッチングを行うことにより所定形状の凹凸部を形成する工程と、金属材料をフィルム基材表面に積層させる工程と、残りのフォトレジストを化学的に溶解除去する工程とを具備して、フィルム基材の表面に導体リードのパターンを形成する方法である。
【００２７】
さらに、請求項４に係る半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の製造方法において、フィルム基材と半導体チップの表面同士を対向させて突状電極と導体リードとを接合する工程とを具備したものである。
【発明の効果】
【００２８】
上記請求項１に記載の半導体装置によれば、突状電極が形成された半導体チップの表面と、上記突状電極に対応する位置で設けられた凹部内に導体リードが形成されるとともに互いに隣接する導体リード間に凸部が形成されてなるフィルム基材の表面とが対向して配置され、且つ上記突状起電極と導体リードとが接合されることにより、導体リード間のフィルム基材の凸部により隣接した突状電極への共晶溶融物の流れ出しを阻止し、ショート不良が発生するのを防止することができ、また、導体リード間のフィルム基材の凸部が突状電極間の隙間に入り込むことによるセルフアライメント効果が生じ、突状電極と導体リードとの位置合わせが容易になるとともに、導体リードの位置合わせずれによるショート不良が発生するのを防止することができる。
【００２９】
また、請求項２に記載の半導体装置によれば、請求項１と同様の効果に加え、フィルム基材と半導体チップ表面との間に隙間を形成することができるので、封止時に封止樹脂を、フィルム基材と半導体チップ表面との間に入り込ませることができ、樹脂封止を確実に行うことができる。
【００３０】
また、請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１または２と同様の効果が得られる他、フィルム基材の凹部形成用に使用したフォトレジストをそのまま利用して導体リードを形成するため、改めて導体リードのパターニングを必要としないため、フィルム基材作製の工程数を削減することができる。また、フィルム基材の凹部の正確な位置に導体リードを形成することができる。
【００３１】
さらに、請求項４に記載の半導体装置の製造方法によれば、フィルム基材の凹部に導体リードを形成しておき、突状電極と導体リードを接合することにより、導体リード間のフィルム基材の凸部が隣接した突状電極への共晶溶融物の流れ出しを阻止してショート不良の発生を防止することができ、また導体リード間のフィルム基材の凸部が位置合わせ時の規制物となり、セルフアライメント効果が生じるため、導体リードの位置合わせずれによるショート不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置およびその製造方法を、図面に基づいて説明する。
【００３３】
図１（ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置をフィルム基材の方向から見た図であり、フィルム基材および封止樹脂を透視している。図１（ｂ）は、図１（ａ）の半導体装置のＡ−Ａ′断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）の半導体装置のＢ−Ｂ′断面の拡大図である。図２は、同実施の形態に係る半導体装置に使用されるフィルムの製造方法を示したものである。図３は、同実施の形態に係る半導体装置のインナーリードと金属突起電極の位置関係を示したものであり、図３（ａ）はボンディングツールによる加圧直前の状態であり、図３（ｂ）は、ボンディングツールによって加圧されている状態で、図３（ｃ）はインナーリードと金属突起電極が接合された後の状態をフィルム基材の方向から見た図であり、フィルム基材とインナーリードを透視している（インナーリード外形は図示している）。図４は、同実施の形態の半導体装置の製造方法を示したものである。
【００３４】
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体装置において、フィルム１は、絶縁および可撓の性質を有し、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２と、銅などの金属箔で形成された導体リード４とで構成されている。導体リード４において半導体チップ５に形成された金属突起電極（突状電極）６と接続する部分の先端からソルダーレジスト３に到るまでのソルダーレジスト３に覆われていない領域をインナーリード４ａ、インナーリード４ａより外のフィルム基材２上に延長された導体リード４のうち、外部回路と接続される領域をアウターリード４ｂと呼ぶ。導体リード４には通常めっきが施されている。そのインナーリード４ａと金属突起電極６は共晶などの金属間接合により接合されている。インナーリード４ａ周辺の領域は、半導体チップ５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。
【００３５】
図１（ｃ）を用いて各部寸法について説明する。金属突起電極６の高さＨＢは１５μｍ以上であり、フィルム基材２の凹部２ａの深さＨＰは、インナーリードの厚みＨＬより大きく、金属突起電極６の高さＨＢとインナーリードの厚みＨＬを合わせた値より小さい。また、金属突起電極６の幅ＷＢは、インナーリードの幅ＷＬよりも小さい。
【００３６】
ここで、隣接した金属突起電極６の中心間距離が４５μｍ時に適用される各実寸法の例を挙げる。金属突起電極６の高さＨＢを１５μｍ、幅ＷＢを２０μｍとし、インナーリード４ａの厚みＨＬを８μｍ、幅ＷＬを３０μｍとすれば、フィルム基材２の凹部２ａの深さＨＰは８μｍより大きく且つ２３μｍ（１５μｍ＋８μｍ）より小さければよい。ここでは、１８μｍとしている。この場合、インナーリード４ａ，４ａ間のフィルム基材２の凸部２ｂの高さＨＴは１０μｍとなる。
【００３７】
この寸法にした理由は、フィルム基材２と半導体チップ５表面との隙間が５μｍと十分に確保されていることにより、封止時に封止樹脂がフィルム基材２と半導体チップ５表面との間に入り込み、樹脂封止を確実に行うことができるためであり、また、インナーリード４ａ間のフィルム基材２の凸部２ｂの高さＨＴが１０μｍ以上となるため、共晶溶融物１４を堰止めるのに十分な高さであり、隣接金属突起電極６同士の共晶溶融物１４によるショートをも防ぐことができる。
【００３８】
次に、本実施の形態の半導体装置に使用されるフィルムの製造方法を、図２に基づき説明する。図２は、フィルムの製造方法を示す工程ごとの主要な断面図である。
図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２の表面に、フォトレジスト１６を塗布する。そして、所望の導体リード４のパターンを有するフォトマスクを施して露光する。次に、図２（ｃ）に示すように、露光が完了したフォトレジスト１６を現像液によって現像し所望の導体リード４と同一パターンのポリイミド露出部を作る。次に、図２（ｄ）に示すように、プラズマエッチングによりフォトレジスト１６とともにフィルム基材２を所定の深さまでハーフエッチングを行うことによって、凹凸部をもったフィルム基材２を形成する。次に、図２（ｅ）に示すように、銅などの金属材料を全面にスパッタ法などにより積層させる。そして、図２（ｆ）に示すように、フォトレジスト１６を化学的に溶解除去することによって、フォトレジスト１６上に積層された金属材料が除去されるため、所望の導体リード４が得られる。
【００３９】
その後、導体リード４の表面にめっき材を施し、ソルダーレジスト３を塗布して完成する。良好な導体リード４表面の平坦性を得るためにプラズマエッチングを使用したが、ウエットエッチングを用いても問題ない。また、プラズマエッチングを行うときには、フィルム基材２と同時にフォトレジスト１６もエッチングされるため、そのフォトレジスト１６の塗布厚みは、エッチングされる厚さより厚くしておく必要がある。
【００４０】
次に、半導体装置の製造方法を図４を用いて説明する。
図４（ａ）に示すように、半導体チップ５がボンディングステージ１１上に載置され、フィルム１はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１のインナーリード４ａと半導体チップ５上の金属突起電極６との間に隙間を設けて固定される。そして、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａをそれぞれ所定の位置に合わせた後、フィルム１を変形させながらボンディングツール１０が下降し、インナーリード４ａと金属突起電極６を熱圧着方式により接合させる。熱圧着方式とは、インナーリード４ａに施されためっき材と金属突起材を共晶融合あるいは固相拡散させるために必要な温度（３００℃〜５００℃程度）と荷重を加えながらインナーリード４ａと金属突起電極６を接合する方式である。そして、所定時間の加圧、加熱後、ボンディングツール１０が上昇して離脱する。
【００４１】
ここで、金属突起電極６とインナーリード４ａとの接合の瞬間をさらに詳細に説明する。
図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａの位置合わせ時に、それぞれの中心が一致している場合には、ボンディングツール１０がフィルム１を変形させながら下降していくと、インナーリード４ａ間のフィルム基材２の凸部は金属突起電極６間の隙間に何の抵抗もなく入りこみ、金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａとのそれぞれの中心が一致して接合される。共晶融合による接合の場合には、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、金属突起電極６の周囲のフィルム基材２の凹部に共晶溶融物１４が保持されて、隣接した金属突起電極６まで流れ出すことはない。
【００４２】
一方、図５（ａ）に示すように、半導体チップ５上の金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａの位置合わせ時に、それぞれの中心が距離Ｘだけずれていると、図５（ｂ）に示すように、ボンディングツール１０がフィルム１を変形させながら下降していく時に、インナーリード４ａ間のフィルム基材２の凸部が金属突起電極６に接触し、さらに下降すると、図５（ｃ）に示すように、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２は金属突起電極６より柔軟性があるため、フィルム基材２の凸部は、ツールの下降とともに変形していき、凸部の変形で生じた応力を開放しようとして金属突起電極６間の隙間に（矢印方向に）滑りこもうとする。よって、フィルム１全体が矢印方向にずれ、図５（ｄ）および（ｅ）に示すように接合される（これをセルフアライメント効果という）。すなわち、従来では、図１０のように同じ距離Ｘがずれている場合、隣接間のショートが起こっていたが、これを回避することができる。
【００４３】
また、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属突起電極６表面の汚染などにより、インナーリード４ａ表面のめっき材が金属突起電極６上に均一に濡れ広がらず片側に偏って溶融した場合でも、フィルム基材２の凸部により隣接した金属突起電極６へ共晶溶融物１４が溢れ出すのが阻止され、ショート不良の発生を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明に係る半導体装置は、ＣＯＦでの共晶溶融物の流動を堰止めることができ、またセルフアライメント効果を生じ突起電極と導体リードとの位置合わせを容易にすることができるとともに、隣接した突起電極同士のショート不良を防止することができ、したがってフラットパネルディスプレイなどに使用される半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す図で、（ａ）はフィルム基材の方向から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ′断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ′断面図である。
【図２】同半導体装置に使用されるフィルムの製造方法を説明する断面図である。
【図３】同半導体装置におけるインナーリードと金属突起電極との接合過程を示す図で、（ａ）および（ｂ）は断面図、（ｃ）は平面図である。
【図４】同半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】同半導体装置におけるインナーリードと金属突起電極との中心が距離Ｘだけずれた場合の接合過程を示す図で、（ａ）〜（ｄ）は断面図、（ｅ）は平面図である。
【図６】同半導体装置において、共晶溶融物が不均一となった場合のインナーリードと金属突起電極の接合状態を示す図で、（ａ）および（ｂ）は断面図、（ｃ）は平面図である。
【図７】従来例の半導体装置の構成を示す図で、（ａ）は導体リード側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ′断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ′断面図である。
【図８】従来の半導体装置（ＣＯＦ）の組立工程を示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置のインナーリードと金属突起電極の接合過程を示す図で、（ａ）および（ｂ）は断面図、（ｃ）は平面図である。
【図１０】従来の半導体装置のインナーリードと金属突起電極との中心が距離Ｘだけずれた場合の接合過程を示す図で、（ａ）〜（ｃ）は断面図、（ｄ）は平面図である。
【図１１】従来の半導体装置に使用されるフィルムの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の共晶溶融物が不均一となった場合のインナーリードと金属突起電極の接合状態を示す図で、（ａ）および（ｂ）は断面図、（ｃ）は平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１      フィルム
１′    フィルム
２      フィルム基材
２′    フィルム基材
３      ソルダーレジスト
４      導体リード
４′    導体リード
４ａ    インナーリード
４ａ′  インナーリード
４ｂ    アウターリード
４ｂ′  アウターリード
５      半導体チップ
６      金属突起電極
７      封止樹脂
８      フォーミング板
９      クランパ
１０      ボンディングツール
１１      ボンディングステージ
１２      クランパの開口部
１３      樹脂供給ノズル
１４      共晶溶融物
１５      金属箔
１６      フォトレジスト
１７      フィルム位置合わせマーク
１８      チップ位置合わせマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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