(57)【要約】【課題】  本発明は、高周波記録に対する応答性を改良した薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  本発明では、磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、トレーリング側磁極となる前記第１の磁性層が複数の磁性層からなり、該複数の磁性層のうち最外層の磁性層の飽和磁束密度がその内側に隣接する磁性層の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする。【選択図】      図１
2005032396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
トレーリング側磁極となる前記第１の磁性層が複数の磁性層からなり、該複数の磁性層のうち最外層の磁性層の飽和磁束密度がその内側に隣接する磁性層の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１の磁性層の、前記最外層よりも内側の磁性層がさらに複数の磁性層からなり、該内側の複数の磁性層が内層側から外層側に向けて順次飽和磁束密度が低くなる材料で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記第１の磁性層の前記磁気記録媒体に対して対向する対向面側であって、トレーリングエッジを含み該トレーリングエッジから前記ギャップ層には至らないまでの範囲の特定部位の磁性材料の飽和磁束密度が前記第１の磁性層の他の部位の飽和磁束密度よりも低いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドを搭載してなる磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置や磁気テープ装置等に用いられる誘導型記録再生薄膜ヘッド、あるいは誘導型記録ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッド（ＭＲヘッド）の両者を備えた複合型ＭＲヘッドに用いて好適な薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複合型ＭＲヘッド１０は、磁気抵抗効果素子（ＭＲ）を用いた再生ヘッド（ＭＲヘッド）１２の上に誘導型記録ヘッド１４を積層する構造が一般的である。図１１は複合型ＭＲヘッド１０の平面図、図１２は図１のＡ−Ａ線断面図、図１３  は浮上面（磁気記録媒体に対する対抗面）の形状を示す説明図である。
【０００３】
誘導型記録ヘッド１４は、アルミナ層等からなる微小ギャップ部１５を挟んでそれぞれ配置された第１の磁極部１６および第２の磁極部１７を有するとともに、該第１の磁極部１６を有する第１の磁性層（上部磁極ということもある）１８と第２の磁極部１７を有する第２の磁性層（下部磁極ということもある）１９とが連結部２１を介して互いに磁気的に連結された磁気コア２０と、少なくとも一部が第１の磁性層１８および第２の磁性層１９の間に、該第１の磁性層１８および第２の磁性層１９に対して絶縁層２２を介して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル２３とを具備する。
【０００４】
符号Ｘで示される面が、磁気記録媒体（図示せず）に対向する対向面（浮上面）であり、この対向面Ｘの、磁気記録媒体に対する相対移動方向を向くリーディング側の磁極部が上記第２の磁極部１７であり、その反対側となるトレーリング側の磁極部が上記第１の磁極部１６である。
【０００５】
再生ヘッド１２は、ＭＲ素子２６等を、下部シールド層２８と多層をなす上部シールド層２７とで挟み込んだ構造をなす。この再生ヘッド１２の上部シールド層２７は記録ヘッド１４の上記第２の磁性層１９と兼用して用いられる。この再生ヘッド１２は、上部シールド層２７が多層をなすなど、複雑な構造をなすが、その詳細は省略する。
【０００６】
記録ヘッド１４において、薄膜コイル２３に記録電流を流すと第１および第２の磁性層１８，１９が磁化され、ギャップ付近では浮上面の外側（磁気記録媒体側）に磁界が漏れる。この漏れ磁界により媒体が磁化され、情報の記録が行われる。
【０００７】
第１の磁性層１８および第２の磁性層１９はギャップ部１５の磁界を最大化し、かつギャップ部１５以外の磁界を最小化するような形状および材料で構成されている。ギャップ部１５以外からの磁界漏洩を小さくするためには例えば特許文献１にあるように第１の磁極１６と第２の磁極１７のコア幅をそろえることが有効である（図１３参照）。さらに、近年の高面記録密度化に伴い、記録トラック幅は縮小し続けている（狭コア幅）。記録トラック幅を決定する記録ヘッドのコア幅を精度よく加工するためには、磁極先端を何らかの方法でトリミングする手法が用いられている。
【０００８】
また、高速転送化に対応するため記録ヘッドには高周波記録時の記録電流に対する磁界応答を早くすることが求められる。例えば特許文献２には、磁極を組成の異なる複数のめっき層で構成した薄膜磁気ヘッドが示されている。この発明によると、ギャップ部から離れる方向（トレーリング方向）にめっき層の電気抵抗率を大きくする、または（かつ）飽和磁束密度を小さくすることで、磁界強度が強く、高周波特性に優れるとしている。
【特許文献１】特開平７−２２５９１７号
【特許文献２】特開２００１−６７６１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、高周波記録に対する応答性のさらなる改善が求められている。
【００１０】
本発明者が、記録ヘッドの周波数応答について計算機シミュレーションを用いて詳細に調べたところ、高周波応答を悪くしている原因として次の２点が明らかになった。
１．記録電流が反転する過程で渦電流が発生し、渦電流の作る磁界が記録磁界の変化を妨げるために高周波応答が悪くなる。
２．磁極内の磁束は磁性体表面を通り、第１の磁性層１８において表層（最外層）の磁束が飽和しているために磁界強度が弱くなり、結果的に周波数応答が悪くみえる。
【００１１】
上記１については、第１の磁性層１８に電気抵抗率の高い磁性材料を用いることで対応可能である。
【００１２】
一方、２については、第１の磁性層１８のギャップ部１５から離れた位置に飽和磁束密度の高い磁性材料を配置することにより磁極の飽和を抑えることができる。
【００１３】
すなわち、本発明の第１の目的とするところは、高周波記録に対する応答性を改良した薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、トレーリング側磁極となる前記第１の磁性層が複数の磁性層からなり、該複数の磁性層のうち最外層の磁性層の飽和磁束密度がその内側に隣接する磁性層の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
ところで、電気抵抗率の高い磁性材料は飽和磁束密度が高い傾向にあり、第１の磁性層にこの飽和磁束密度の高い磁性材料を用いると、ギャップ部以外に漏洩する磁界強度が強く、磁気記録媒体上に記録される隣接トラックの磁気記録情報を消去してしまう現象が生じやすい。
【００１６】
そこで、本発明の第２の目的は、高周波記録に対する応答性を改良するとともに、ギャップ部以外からの磁界の漏洩を少なくし、隣接トラックの磁気情報を消去してしまわない薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１の磁性層の前記磁気記録媒体に対して対向する対向面（浮上面）側であって、トレーリングエッジを含み該トレーリングエッジから前記ギャップ部には至らないまでの範囲の特定部位の磁性材料の飽和磁束密度が前記第１の磁性層の他の部位の飽和磁束密度よりも低いことを特徴とする。
【００１８】
このように、浮上面側の特定部位の飽和磁束密度を他の部位よりも低くすることによって、記録磁界を低下させずに、容易に、かつ効果的に、ギャップ部近傍以外からの漏れ磁界を抑制でき、隣接トラックの磁気情報を消去してしまわない薄膜磁気ヘッドを提供できる。特に、高記録密度化のために、磁気記録媒体のトラック密度が高密度化し、これに伴って磁気ヘッド側の浮上面付近の磁極部の幅（コア幅）が狭くなり、漏れ磁界によりイレーズが生じやすい狭コア幅の磁気ヘッドにおいて効果的である。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明によれば、高周波記録に対する応答性を改良した薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００２０】
また、本発明によれば、高周波記録に対する応答性を改良するとともに、ギャップ部以外からの磁界の漏洩を少なくし、隣接トラックの磁気情報を消去してしまわない薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１に複合型ＭＲヘッド３０のうちの誘導型記録ヘッド３２の部位を示す。本発明は、この記録ヘッド３２の部位の改良に係わるものであるので、記録ヘッド３２の部位のみを図示し、再生ヘッド（ＭＲヘッド）の部位の図示は省略する。なお、複合型でなく、誘導型記録再生ヘッドとしてそのまま用いることもできる。
【００２３】
また、図１１〜図１３に示す従来のものと同一の部材は同一の符号をもって示し、その説明を省略する。
【００２４】
図１から明らかなように、本発明は、第１の磁性層（上部磁極）３６の膜構造の改良に係るものである。
【００２５】
第１の磁性層３６は、ギャップ部１５側から、第１の層３８、第２の層４０、第３の層４２、第４の層４４の４層に形成されている。第１の層３８のみスパッタリングで形成され、第２〜第４の層は電解めっきによって形成されている。
【００２６】
各層の構造は次の通りである。なお、次の構造は一例であって、これに限定されない。
第１層３８：  FeCo      ｔ＝0.15μｍ、Ｂｓ＝2.4Ｔ、ρ＝１５μΩｃｍ
第２層４０：  CoNiFe    ｔ＝0.55μｍ、Ｂｓ＝2.2Ｔ、ρ＝１５μΩｃｍ
第３層４２：  Ni80Fe20  ｔ＝0.8μｍ、Ｂｓ＝1.0Ｔ、ρ＝２０μΩｃｍ
第３層４４：  Ni50Fe50  ｔ＝2.0μｍ、Ｂｓ＝1.4Ｔ、ρ＝４０μΩｃｍ
なお、ｔは厚さを示す。
【００２７】
ここに示した第１の磁性層３６の構造は、その最外層（第４層４４）に、隣接する第３層４２よりも飽和磁束密度（Ｂｓ）および電気抵抗率（ρ）が共に高い磁性材料（ＨｉＢｓ材料）を用いている。
各層の膜厚は膜成長速度、成膜時間により任意に制御可能である。
【００２８】
また、数百ｎｍオーダーの狭コア幅（図１３参照）を精度よく形成するため、磁極先端にイオンミル加工（トリム加工）を施す。このとき、浮上面（磁気記録媒体への対向面）近くの最外層（第４層４４）の磁性材料も磁極先端部において同じに削り取られる。トリム量はイオンミル加工の加工時間により任意に設定できる。最外層４４の磁性材料の膜厚とトリム量を制御することにより、最外層４４の磁性材料の、磁気記録媒体に対する対向面に露出する膜厚を制御することができる。
【００２９】
図２は、最外層４４の膜厚を変化させ、トリム量を一定（2.0μｍ）としたときの定常電流状態（ＤＣ）および高周波記録時（４００ＭＨｚ）のギャップ内部の平均磁界強度を示す。例えば、最外層４４の膜厚を2.5μｍとすれば、磁極先端部において2.0μｍだけトリミングされるから、最外層４４の磁性層は浮上面において0.5μｍの厚さだけ露出する。最外層４４の膜厚を2.0μｍとすると、最外層４４の浮上面における露出厚さはゼロとなる。最外層４４の膜厚が1.5μｍとすると、磁極先端部において最外層４４は全部削り取られ、さらに第３層４２も0.5μｍ削り取られることになる。
【００３０】
図２からわかるように、ＤＣ磁界強度は、最外層４４の磁性材料の膜厚によらず（すなわち、最外層４４の浮上面への露出の有無にかかわりなく）ほぼ一定である。一方、図２に明白なように、高周波記録時の磁界強度は、最外層４４を形成しないとき（最外層４４の膜厚がゼロ、すなわち従来タイプのもの）に比較して、最外層４４を0.5μｍ以上形成することで約32,000Ａ／ｍ程度大きくなり、高周波記録特性が向上する。なお、最外層４４の膜厚を0.5μｍよりも大きく、例えば2.5μｍ程度に厚付けしても高周波記録時の磁界強度はそれ程大きくはならない。このように、第１の磁性層３６における最外層４４の膜厚は、0.5μｍ以上形成すると好適である。
【００３１】
図３は、スキュー角度を１３度としたときの、隣接トラックにおける磁界強度の、最外層４４の膜厚に対する変化を示す。隣接トラックにおける漏洩磁界はその強度によっては既に磁気記録媒体上に記録された磁気記録情報を消去したり、弱めたり、乱したりするため小さい方がよい。図３から明らかなように、最外層４４のＨｉＢｓ材の膜厚が2.2μｍ（浮上面への露出厚さ0.2μｍ）を越えると漏洩磁界の強度が極端に強くなる。最外層４４の膜厚とトリム量との関係により、最外層４４の磁性層の浮上面への露出厚さが大きくなると隣接トラックへの漏洩磁界が大きくなるのであり、図３から、浮上面（磁気記録媒体との対向面）における最外層４４の露出厚さは、0.2μｍ以下で、最適には露出厚さがゼロとするのが好ましい。
【００３２】
上記のように、最外層４４の飽和磁束密度（Ｂｓ）および電気抵抗率（ρ）が共にその内側の隣接する磁性層（第３の層４２）よりも大きい場合に効果が最大化されるが、計算機シミュレーションによると、最外層４４の磁性材料の飽和磁束密度をその内側の第３の層４２よりも大きくするだけである程度の効果のあることが確認された。なお、電気抵抗率を大きくした場合には、記録電流が反転する過程での渦電流の発生を抑止し、それにより高周波応答特性を向上させる。
【実施例２】
【００３３】
上記実施例では、第１の磁性層３６の磁極先端部をトリミングして、高い飽和磁束密度の最外層４４を浮上面に露出させないか、あるいは露出量（厚さ）を少なくなるようにした。
【００３４】
図４に示す実施例では、上記磁極先端部をトリミングせず、第１の磁性層３６の磁気記録媒体に対して対向する対向面（浮上面Ｘ）側であって、トレーリングエッジを含み該トレーリングエッジからギャップ部１５には至らないまでの範囲の特定部位Ｙの磁性材料の飽和磁束密度が最外層４４の磁性層の飽和磁束密度よりも低くなるようにした。このように、浮上面側の特定部位Ｙの飽和磁束密度を低くすることにより、浮上面のトレーリング側における漏洩磁界が小さくなり、イレーズの発生を防止できる。一方最外層４４自体の飽和磁束密度は大きいから、記録磁界の強さは低下しないという利点がある。
【００３５】
上記特定部位Ｙの飽和磁束密度を低くするには、特定部位Ｙに、ＮｉやＭｏ等の金属イオンを注入すればよい。イオン照射量等の条件やイオンの種類を変えることにより、イオンが注入される深さや、飽和磁束密度の大きさを変えることができる。さらに、浮上面Ｘにおいてイオンを注入する範囲も自由に変えることができ、浮上面Ｘにおける磁極の形状や膜厚に応じたチューニングが容易に行える。イオン注入の工程は浮上面加工後であればどの時点で適用してもよいため、プロセスの自由度が大きい。
【００３６】
ところで、Ｂｓ（飽和磁束密度）を低下させる範囲が浮上面Ｘからみて深すぎると、トレーリング側全体を低Ｂｓ化するのと近い状態になり、記録磁界の低下を招くおそれがある。したがって、Ｂｓを低下させる範囲は、浮上面Ｘからみた深さが深くとも３００ｎｍ、できれば２００ｎｍ程度とすることが望ましい。
【００３７】
図５は、第１の磁性層３６をすべて単一の高Ｂｓ磁性材料で形成した後、浮上面からイオン注入を行い、トレーリングエッジ付近の特定部位Ｙのみを低Ｂｓ化した実施例である。磁極の大部分を高Ｂｓ膜とすることができ、ギャップ磁界（記録磁界）を増大させることができる上に、低Ｂｓ材料を使う必要がないため、プロセスを簡略することができ、コストダウンをすることができる。
【００３８】
図６、図７はそれぞれ別の構成の薄膜磁気ヘッド３０に適用した実施例である。イオン注入はどの段階でも行えるので、ウエハプロセスに関係なく適用でき、どんな構成のヘッドに対しても適用できる。
【００３９】
図８は、第１の磁性層３６として、ギャップ部１５側に高Ｂｓ磁性材料層４６を形成し、トレーリング側にＢｓ1.0Ｔ程度の低Ｂｓ磁性材料層４７を形成した従来タイプの薄膜磁気ヘッド３０に適用した例を示す。そして、やはり浮上面Ｘからイオン注入を行い、トレーリングエッジ付近の特定部位Ｙのみをさらに低Ｂｓ化している。図９に、図８の実施例のものにおいて、特定部位ＹのＢｓ値を変化させた場合のトレーリング側の漏れ磁界の変化を示す。なお、特定部位のＢｓ値を1.0Ｔに設定した場合の漏れ磁界の強さを１として、これに対する相対値で示している。同様に図１０には記録磁界の変化を示した。図９、図１０から明らかなように、低Ｂｓ磁性材料層４７全体のＢｓ値を小さくしていくと、記録磁界も低下してしまうが、特定部位ＹのみのＢｓ値を低下させていっても記録磁界の低下は起こらない。一方、トレーリング側の漏れ磁界は低下させることができる。
【００４０】
なお、上記薄膜磁気ヘッドを搭載して磁気記録装置（図示せず）を構成できる。
【００４１】
（付記１）
磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
トレーリング側磁極となる前記第１の磁性層が複数の磁性層からなり、該複数の磁性層のうち最外層の磁性層の飽和磁束密度がその内側に隣接する磁性層の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記２）
付記１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１の磁性層の、前記最外層よりも内側の磁性層がさらに複数の磁性層からなり、該内側の複数の磁性層が内層側から外層側に向けて順次飽和磁束密度が低くなる材料で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記３）
付記１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１の磁性層の前記磁気記録媒体に対して対向する対向面側であって、トレーリングエッジを含み該トレーリングエッジから前記ギャップ部には至らないまでの範囲の特定部位の磁性材料の飽和磁束密度が前記最外層の磁性層の飽和磁束密度よりも低いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記４）
付記３記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記特定部位の前記対向面からの深さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記５）
付記３または４記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記特定部位に金属イオンが注入されることによって、該特定部位の飽和磁束密度が他の部位の飽和磁束密度よりも低く形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記６）
付記１〜５いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記最外層の磁性層の膜厚が０．５μｍ以上であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記７）
付記１〜６いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記最外層の磁性層の、前記磁気記録媒体に対する対向面に露出する膜厚が０．２μｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記８）
付記１〜６いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記最外層の磁性層が、前記磁気記録媒体に対する対向面に露出しないことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記９）
付記１〜８いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記最外層の磁性層の電気抵抗率がその内側に隣接する磁性層の電気抵抗率よりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記１０）
磁気記録媒体に対する対向面の、磁気記録媒体に対する相対移動方向のトレーリング側およびリーディング側に、ギャップ部を挟んでそれぞれ配置された第１および第２の磁極部を有するとともに、該第１の磁極部を有する第１の磁性層と前記第２の磁極部を有する第２の磁性層とが互いに磁気的に連結された磁気コアと、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、該第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記第１の磁性層の前記磁気記録媒体に対して対向する対向面側であって、トレーリングエッジを含み該トレーリングエッジから前記ギャップ層には至らないまでの範囲の特定部位の磁性材料の飽和磁束密度が前記第１の磁性層の他の部位の飽和磁束密度よりも低いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記１１）
付記１０記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記特定部位の前記対向面からの深さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記１２）
付記１０または１１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記特定部位に金属イオンが注入されることによって、該特定部位の飽和磁束密度が他の部位の飽和磁束密度よりも低く形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記１３）
付記１〜１２いずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドを搭載してなる磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１の磁性層の最外層に飽和磁束密度の高い磁性層を形成した磁気ヘッドの断面図、
【図２】図１に示す磁気ヘッドの最外層の磁性層の厚さとギャップ部の平均磁界強度との関係を示すグラフ、
【図３】同磁気ヘッドの最外層の厚さと隣接トラックへの漏洩磁界強度との関係を示すグラフ、
【図４】図１に示す磁気ヘッドの特定部位にイオン注入して飽和磁束密度を低下させた磁気ヘッドの断面図、
【図５】それぞれ構造の異なる磁気ヘッドの特定部位にイオン注入して飽和磁束密度を低下させた磁気ヘッドの断面図、
【図６】それぞれ構造の異なる磁気ヘッドの特定部位にイオン注入して飽和磁束密度を低下させた磁気ヘッドの断面図、
【図７】それぞれ構造の異なる磁気ヘッドの特定部位にイオン注入して飽和磁束密度を低下させた磁気ヘッドの断面図、
【図８】それぞれ構造の異なる磁気ヘッドの特定部位にイオン注入して飽和磁束密度を低下させた磁気ヘッドの断面図、
【図９】図８に示す磁気ヘッドのトレーリング側の飽和磁束密度とトレーリング側の漏れ磁界の相対的大きさを示すグラフ、
【図１０】同磁気ヘッドのトレーリング側の飽和磁束密度に対する記録磁界の相対的大きさを示すグラフ、
【図１１】従来の複合型ＭＲヘッドの平面図、
【図１２】図１１のＡ−Ａ線断面図、
【図１３】図１３は図１１の磁気ヘッドの浮上面の形状を示す説明図。
【符号の説明】
【００４３】
１５  ギャップ部
３０  ＭＲヘッド
３２  記録ヘッド
３６  第１の磁性層（上部磁極）
３８  第１の層
４０  第２の層
４２  第３の層
４４  第４の層
４６、４７  磁性材料層
【図１】
2005032396.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005032396.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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