(57)【要約】【課題】小型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】親チップ２に相当する複数の領域が密に形成されたウエハＷに、ウエハＷと子チップ３との間に間隙Ｓが形成されるように、子チップ３が接合される（図２（ａ））。次に、このウエハＷの子チップ３が接合された面に、スピンコート法により、アンダーフィル材７の前駆体１２であって熱硬化特性を有するものが塗布される。前駆体１２は、毛細管現象により間隙Ｓに充填される（図２（ｂ））。続いて、ウエハＷの前駆体１２が塗布された面に紫外線（ＵＶ）が照射され、これにより、間隙Ｓ外に存在する前駆体１２の熱硬化特性が失われる（図２（ｃ））。その後、ウエハＷが加熱されて、間隙Ｓ内の前駆体１２が硬化されてアンダーフィル材７にされた後、間隙Ｓ外にある未硬化の前駆体１２が現像液により除去される（図２（ｄ））。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体装置と半導体チップとの間に間隙が形成されるように、上記固体装置と上記半導体チップとを接合する接合工程と、
この接合工程の後、上記間隙を埋めるためのアンダーフィル材の前駆体であって、光の照射に応じて硬化特性が変化する前駆体を、上記間隙に充填する充填工程と、
この充填工程の後、上記前駆体の上記間隙外に存在する部分に光を照射する露光工程と、
この露光工程の後、上記前駆体の未硬化部分を除去する現像工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記前駆体が熱硬化特性を有し、かつ、光が照射されることにより当該熱硬化特性が失われるものであり、
上記露光工程の後、上記現像工程の前に、上記前駆体を当該前駆体の熱硬化が生じる温度に加熱して上記アンダーフィル材を形成する加熱工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記前駆体が、熱硬化性樹脂と、
上記露光工程で酸を発生する酸発生剤と、
上記加熱工程で上記熱硬化性樹脂の硬化反応を促進し、かつ、上記露光工程で上記酸発生剤から生じた酸により上記硬化反応を促進する性質が失われる硬化剤とを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記固体装置が、半導体ウエハであり、
上記接合工程が、上記半導体ウエハに複数の上記半導体チップを接合する工程を含み、
上記加熱工程の後、上記半導体ウエハを、上記半導体チップがそれぞれ接合された複数の個片に切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
固体装置と、
この固体装置との間に間隙が形成されるように接合された半導体チップと、
上記間隙に充填され、上記半導体チップの端面とほぼ面一の端面を有するアンダーフィル材とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記アンダーフィル材が、熱硬化特性を有し、かつ、光が照射されることにより、熱硬化特性が失われる前駆体が熱硬化されてなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
上記固体装置が、別の半導体チップであることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと固体装置との間隙にアンダーフィル材が充填されてなる半導体装置およびその製造方法に関し、特に、複数の半導体チップがそれらの厚さ方向に沿って積層されたチップ・オン・チップ構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の半導体チップが、それらの活性面を対向されて接合された、いわゆるチップ・オン・チップ構造を有する半導体装置がある。このような半導体装置において、一方の半導体チップと他方の半導体チップとの間には、アンダーフィル材が充填されて、活性面が保護されている。
図３は、チップ・オン・チップ構造を有する下記の特許文献１に示された従来の半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【０００３】
特許文献１の半導体装置は、以下のようにして製造される。
外部接続用のパッド５５を有する親チップ５２の活性面５２ａには、パッシベーション膜（図示せず）が形成されていて、チップ間接続部としてのバンプ５４がこのパッシベーション膜から複数個隆起して設けられている。この親チップ５２の活性面５２ａに対抗して、子チップ５３がその活性面５３ａを対向させて接合されている。すなわち、子チップ５３の活性面５３ａは、パッシベーション膜（図示せず）で覆われており、このパッシベーション膜からチップ間接続部としてのバンプ５６が複数個隆起して設けられている。
【０００４】
親チップ５２および子チップ５３のバンプ５４，５６は、互いに対応する位置に設けられていて、親チップ５２と子チップ５３とを押し付け合うことによって、バンプ５４，５６が接合する。これにより、親チップ５２および子チップ５３の各内部回路間の電気接続が行われるとともに、親チップ５２と子チップ５３とが機械的に結合されることになる。
親チップ５２の活性面５２ａに設けられたパッド５５は、ボンディングワイヤ５９を介して、リードフレーム５８に接続されている。この状態で、親チップ５２および子チップ５３などは、モールド樹脂６０によって樹脂封止される。親チップ５２と子チップ５３との間には、バンプ５４，５６の高さの合計に相当する間隙Ｓが形成されることになる。
【０００５】
この間隙Ｓには、モールド樹脂６０とは別の樹脂であるアンダーフィル材５７が配置されるのが一般的である。このアンダーフィル材５７の配置は、液状樹脂であるアンダーフィル材５７の前駆体（以下、単に「前駆体」という。）を親チップ５２と子チップ５３との間の間隙Ｓに、いわゆる毛細管現象を利用して浸透させ、その後に、この前駆体を硬化させるようにして行われる。このようにして、図３に示す半導体装置５１が得られる。
【０００６】
子チップ５３は、複数の親チップ５２に対応する領域が密に形成された半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の各親チップ５２に対応する領域に接合されてもよい。この場合、間隙Ｓへの前駆体の注入は、隣接する子チップ５３の間にシリンジの先端が挿入された状態で行われる。
この際、シリンジの先端が一の子チップ５３の側方近傍に配置され、この状態で、前駆体がシリンジから吐出されて当該一の子チップ５３下方の間隙Ｓが前駆体で満たされる。その後、シリンジの先端が他の子チップ５３の側方近傍に移動されて、同様にシリンジから前駆体が吐出され、当該他の子チップ５３下方の間隙Ｓが前駆体で満たされる。
【０００７】
アンダーフィル材５７を形成した後、ウエハを親チップ５２の個片に切り出すことにより、図３に示す半導体装置５１が得られる。
一方、特許文献１の発明の詳細な説明には、マスクパターンを用いて、感光性を有する液状樹脂を感光することにより、液状樹脂に覆われたバンプを露出する方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２６７３５８号公報（図３）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前駆体の粘度は低いため、親チップ５２と子チップ５３との間隙Ｓを確実に前駆体で満たそうとすると、前駆体はこの間隙Ｓから溢れて間隙Ｓの側方にはみ出した状態となる。このため、前駆体の硬化物であるアンダーフィル材５７は、親チップ５２および子チップ５３の厚さ方向に見た平面視において、子チップ５３の周囲に、幅Ｄ（たとえば、５０μｍないし１００μｍ）を有して広がった状態となる。
【００１０】
パッド５５は、このアンダーフィル材５７を回避した領域に形成されていなければならないので、子チップ５３の端部とパッド５５との間隔を大きくしなければならない。このため、半導体装置５１は幅方向（親チップ５２および子チップ５３の厚さ方向に垂直な方向）に関して大きくなってしまう。
また、パッド５５を前駆体で覆った後、マスクパターンを用いてパッド５５を露出させる場合は、製造工程が煩雑となり、コストアップする。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、簡単かつ廉価な方法で小型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することである。
この発明の他の目的は、小型化を図ることができる半導体装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、固体装置（Ｗ，２）と半導体チップ（３）との間に間隙（Ｓ）が形成されるように、上記固体装置と上記半導体チップとを接合する接合工程と、この接合工程の後、上記間隙を埋めるためのアンダーフィル材（７）の前駆体（１２）であって、光の照射に応じて硬化特性が変化する前駆体を、上記間隙に充填する充填工程と、この充填工程の後、上記前駆体の上記間隙外に存在する部分に光を照射する露光工程と、この露光工程の後、上記前駆体の未硬化部分を除去する現像工程とを含むことを特徴とする半導体装置（１）の製造方法である。なお、括弧内の数字は後述の実施形態における対応構成要素等を示す。以下、この項において同じ。
【００１３】
この発明によれば、露光工程において、前駆体のうち間隙外に存在する部分のみ硬化特性が変化し、間隙内にある部分は当初の硬化特性が維持される。したがって、適当な硬化特性を有する前駆体を用いることにより、上記露光工程の後、上記現像工程の前に、上記前駆体のうち上記間隙内に存在する部分のみが硬化してアンダーフィル材となり、間隙外に存在する部分が未硬化である状態とすることができる。この場合、現像工程では、間隙外にある未硬化の前駆体のみが除去され、間隙内にはアンダーフィル材が残る。
【００１４】
以上の工程により、アンダーフィル材の端面と半導体チップの端面とがほぼ面一である半導体装置が得られる。したがって、たとえば、固体装置の半導体チップが接合された面において、半導体チップが対向していない領域に外部接続用電極（パッド）が形成されていた場合でも、この外部接続用電極を半導体チップの端面に近接して形成されたものとすることができる。このため、この半導体装置は小型化を図ることができる。
【００１５】
また、充填工程により、外部接続用電極などが前駆体に覆われた場合でも、前駆体に覆われた外部接続用電極などの回りのみを選択的に露出させる必要はなく、このために、マスクパターンを用いる必要もない。したがって、この半導体装置の製造方法は簡単であり、半導体装置を廉価にできる。
露光工程は、たとえば、固体装置に対して半導体チップが接合された側から、光（たとえば、紫外線）を照射する工程を含んでいてもよい。この場合、半導体チップが当該光に対するマスクとなって、前駆体のうち、固体装置と半導体チップとの間隙外に存在する部分のみに光が照射される。
【００１６】
現像工程は、未硬化の前駆体をエッチングする現像液により当該前駆体を除去する工程を含んでいてもよい。
上記固体装置は、プリント基板であってもよい。
請求項２記載の発明は、上記前駆体が熱硬化特性を有し、かつ、光が照射されることにより当該熱硬化特性が失われるものであり、上記露光工程の後、上記現像工程の前に、上記前駆体を当該前駆体の熱硬化が生じる温度に加熱して上記アンダーフィル材を形成する加熱工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法である。
【００１７】
この発明によれば、露光工程において、前駆体のうち間隙外に存在する部分のみ熱硬化特性が失われ、間隙内にある部分は熱硬化特性が維持される。したがって、加熱工程において、前駆体のうち、間隙外にある部分のみが硬化してアンダーフィル材となり、間隙外に存在する部分は、未硬化の状態が維持される。このため、現像工程では、間隙外にある未硬化の前駆体のみが除去され、間隙内にはアンダーフィル材が残る。
【００１８】
請求項３記載の発明は、上記前駆体が、熱硬化性樹脂と、上記露光工程で酸を発生する酸発生剤と、上記加熱工程で熱硬化性樹脂の硬化反応を促進し、かつ、上記露光工程で上記酸発生剤から生じた酸により上記硬化反応を促進する性質が失われる硬化剤とを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法である。
この発明によれば、露光工程において、酸発生剤から酸（Ｈ＋）が発生し、これにより、硬化剤の熱硬化性樹脂の硬化反応を促進する性質は失われる。したがって、前駆体のうち間隙外に存在する部分のみが、加熱工程で硬化しないようになる。
【００１９】
熱硬化性樹脂は、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であってもよく、硬化剤は、たとえば、イミダゾール系硬化剤であってもよい。
請求項４記載の発明は、上記固体装置が、半導体ウエハ（Ｗ）であり、上記接合工程が、上記半導体ウエハに複数の上記半導体チップを接合する工程を含み、上記加熱工程の後、上記半導体ウエハを、上記半導体チップがそれぞれ接合された複数の個片（２）に切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法である。
【００２０】
この発明によれば、充填工程、露光工程、加熱工程、および現像工程を、複数の半導体チップが接合された半導体ウエハに対して、一括して実施することができる。そして、切断工程により、半導体ウエハから半導体チップが接合された複数の他の半導体チップを切り出すことができる。したがって、半導体チップと他の半導体チップとが接合されたチップ・オン・チップ構造を有する半導体装置を、生産性を高くして製造できる。
【００２１】
請求項５記載の発明は、固体装置（２）と、この固体装置との間に間隙（Ｓ）が形成されるように接合された半導体チップ（３）と、上記間隙に充填され、上記半導体チップの端面とほぼ面一の端面を有するアンダーフィル材（７）とを含むことを特徴とする半導体装置（１）である。
この半導体装置は、請求項１記載の製造方法により製造することができ、請求項１記載の半導体装置の製造方法と同様の効果を奏することができる。
【００２２】
請求項６記載の発明は、上記アンダーフィル材が、熱硬化特性を有し、かつ、光が照射されることにより、熱硬化特性が失われる前駆体（１２）が熱硬化されてなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置である。
この半導体装置は、請求項２記載の製造方法により製造することができ、請求項２記載の半導体装置の製造方法と同様の効果を奏することができる。
固体装置は、請求項７記載のように別の半導体チップであってもよい。この半導体装置は、たとえば、請求項４記載の製造方法により製造することができ、請求項４記載の半導体装置の製造方法と同様の効果を奏することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
この半導体装置１は、いわゆるチップ・オン・チップ構造を有しており、ほぼ直方体で板状の半導体チップである親チップ２と子チップ３とが、それらの厚さ方向に沿って積層されてなる。子チップ３は、親チップ２と比べて、厚さ方向に見た平面視において小さく、親チップ２のほぼ中央部に配されている。
【００２４】
親チップ２および子チップ３の互いに対向する表面は、それぞれ、機能素子や配線などが形成された活性面２ａ，３ａとなっている。親チップ２の活性面２ａにおいて、子チップ３の活性面３ａとの対向部には、内部接続用電極４が設けられており、活性面２ａの周縁部近傍で活性面３ａが対向していない部分には、外部接続用電極５が設けられている。子チップ３の活性面３ａには、内部接続用電極４に対応する位置に内部接続用電極６が設けられている。
【００２５】
内部接続用電極４および外部接続用電極５は、活性面２ａに形成された機能素子に電気接続されており、内部接続用電極６は、活性面３ａに形成された機能素子に電気接続されている。内部接続用電極４と内部接続用電極６とは、接合されて電気接続されている。これにより、活性面２ａに形成された機能素子と活性面３ａに形成された機能素子とは、短い距離で電気接続されている。
内部接続用電極４，６および外部接続用電極５は、バンプ（金属突起）として形成されている。このため、親チップ２と子チップ３との間に間隙Ｓが形成されており、この間隙Ｓには樹脂からなるアンダーフィル材７が充填されて、活性面２ａ，３ａの対向部が保護されている。間隙Ｓの大きさは、たとえば、５μｍないし２０μｍである。
【００２６】
アンダーフィル材７は、子チップ３の厚さ方向にほぼ垂直な平坦面、または、間隙Ｓの内方側に窪んだ凹湾曲面である端面を有しており、子チップ３の端面とほぼ面一になっている。すなわち、アンダーフィル材７は、間隙Ｓからはみ出していない。
アンダーフィル材７は、主としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化物からなる。
【００２７】
親チップ２に対して、子チップ３側とは反対側には、板状のリードフレーム８が配置されている。リードフレーム８は、中央部に配置された支持部８ａと、その側方に配置されたリード端子部８ｂとを含んでいる。リード端子部８ｂの支持部８ａ側の部分および支持部８ａは、親チップ２にほぼ平行な平面上にある。
親チップ２は支持部８ａに接合されており、外部接続用電極５はボンディングワイヤ９を介してリード端子部８ｂに接続されている。親チップ２、子チップ３、ボンディングワイヤ９、支持部８ａ、およびボンディングワイヤ９とリード端子部８ｂとの接続部を含む領域は、封止樹脂１０で保護されている。
【００２８】
このような構造を有する半導体装置１は、親チップ２の活性面２ａに形成された機能素子と子チップ３の活性面３ａに形成された機能素子とが短い距離で接続されていることにより、信号伝送速度の向上が図られている。
また、アンダーフィル材７の端面が子チップ３の端面とほぼ面一になっていることにより、外部接続用電極５を子チップ３の端部に近接して配置することが可能となっている。これにより、この半導体装置１は、幅方向（親チップ２および子チップ３の厚さ方向に垂直な方向）に関して小型化が図られている。
【００２９】
図２は、図１に示す半導体装置１の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
先ず、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに、活性面２ａに内部接続用電極４および外部接続用電極５が形成された親チップ２に対応する複数の領域が、密に形成される。ウエハＷの活性面２ａに対応する面において、隣接する親チップ２の境界に相当する部分には、スクライブライン（切断ライン）が形成される。
【００３０】
そして、ウエハＷの活性面２ａに対応する面に、内部接続用電極６が形成された子チップ３の活性面３ａが対向されて、内部接続用電極４と内部接続用電極６とが接合される（図２（ａ）参照）。これにより、親チップ２と子チップ３との間には、間隙Ｓが形成される。子チップ３は、ウエハＷにおいて親チップ２に対応する領域のすべてに接合される。
続いて、スピンコート法により、間隙Ｓにアンダーフィル材７の前駆体（以下、単に「前駆体」という。）１２で液状のものが充填される。
【００３１】
先ず、以上の工程を経たウエハＷが、このウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持してほぼ水平な面内で回転させることができる保持台（図示せず）に保持される。ウエハＷは、その中心が保持台による回転の中心軸近傍に位置するように、子チップ３が接合された面を上に向けられて、保持台に保持される。
そして、ウエハＷ上方で、この保持台による回転の中心軸近傍にディスペンサ１１が配置され、このディスペンサ１１から、ウエハＷ上面の中心部近傍に前駆体１２が吐出される（図２（ｂ）参照）。
【００３２】
続いて、保持台とともにウエハＷが回転される。これにより、前駆体１２は遠心力によりウエハＷ上面を周縁部へと向かって広がり、ウエハＷ全面を覆う。前駆体１２の粘度が低いことにより、前駆体１２は毛細管現象によりウエハＷ２と子チップ３との間隙Ｓに引き込まれて、この間隙Ｓをほぼ完全に満たす。このように、前駆体１２は、間隙Ｓに充填されるとともに、子チップ３の上面（ウエハＷと対向している面の反対側の面）や側面にも付着した状態となる。
【００３３】
前駆体１２としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とし、ノボラック型フェノール樹脂、イミダゾール系硬化剤（熱分解触媒）、および酸発生剤（光分解触媒）を含み、粘度が低いものが用いられる。イミダゾール系硬化剤は、およそ１３０℃に加熱されると、熱分解してビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化反応を促進する塩基を生成する。
酸発生剤は、紫外線（ＵＶ）が照射されると酸（Ｈ＋）を生ずるものであり、たとえば、下記の化学式１で表されるもの（式中、Ｒは炭化水素基）を用いることができる。
【００３４】
【化１】
2005032820.tif 000003
【００３５】
次に、以上の工程を経たウエハＷの子チップ３が接合された面に、ウエハＷにほぼ垂直に紫外線が照射されて、前駆体１２において間隙Ｓ外に存在する部分（子チップ３の上面および側面に付着している部分を含む。）が露光される（図２（ｃ）参照）。これにより、紫外線が照射された前駆体１２中の酸発生剤から酸が発生する。
一方、子チップ３をマスクとして紫外線が遮断されるので、間隙Ｓ内の前駆体１２には紫外線が照射されず、この部分の前駆体１２内では、酸発生剤から酸が発生しない。
【００３６】
続いて、以上の工程を経たウエハＷが、およそ１３０℃で３０分間加熱されて、前駆体１２が予備硬化される。これにより、前駆体１２内のイミダゾール系硬化剤が熱分解して、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化反応を促進する塩基が生成される。これにより、前駆体１２のうち間隙Ｓ内の部分においては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化（架橋反応）が進行する。
一方、前駆体１２のうち間隙Ｓ外のものは、酸発生剤から発生した酸を含んでいるので、この酸とイミダゾール系硬化剤から発生した塩基とが反応（酸−塩基反応）して、当該塩基は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化反応を促進する性質を有さなくなる（失活する。）。このため、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の硬化は起こらない。
【００３７】
したがって、前駆体１２において、間隙Ｓ内のものは固化するが、間隙Ｓ外のものは液体の状態（未硬化状態）が維持される。
次に、未硬化の前駆体１２をエッチングする現像液により、間隙Ｓ外の前駆体（子チップ３の上面および側面に付着しているものを含む。）が除去（現像）される。これにより、子チップ３の端面と前駆体１２の端面とがほぼ面一になる。続いて、以上の工程を経たウエハＷが、およそ１８０℃で３０分間加熱される。これにより、間隙Ｓ内の前駆体１２の硬化がさらに進行し、アンダーフィル材７となる。
【００３８】
この後、図２（ｄ）に示すように、スクライブラインに沿って、ウエハＷをダイシングソー１３で切断することにより、子チップ３が接合された親チップ２の個片が切り出される。この際、間隙Ｓにはすでにアンダーフィル材７が充填されているので、ウエハＷの切断屑が間隙Ｓに入り込むことはない。
そして、親チップ２の子チップ３とは反対側の面が、リードフレーム８の支持部８ａに接合され、外部接続用電極５とリード端子部８ｂとがボンディングワイヤ９で接続される。さらに、親チップ２、子チップ３、ボンディングワイヤ９、支持部８ａ、およびボンディングワイヤ９とリード端子部８ｂとの接続部を含む領域に、封止樹脂１０がモールド成型されて図１に示す半導体装置１が得られる。
【００３９】
以上のように、前駆体１２は、間隙Ｓおよびその周辺部にのみ位置するようにされるのではないため、従来の半導体装置５１の製造方法のように、それぞれの子チップ３の近傍にシリンジを移動させて前駆体１２を吐出する必要はない。また、前駆体１２に覆われた外部接続用電極５（図２（ｃ）参照）の回りのみを選択的に露出させる必要はなく、このために、マスクパターンを用いる必要もない。したがって、本発明に係る製造方法により半導体装置１の生産性を高くすることができ、半導体装置１を廉価にできる。
【００４０】
この発明の一実施形態の説明は、以上の通りであるが、この発明は他の形態でも実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷ上で子チップ３の接合およびアンダーフィル材７の形成を行った後、ウエハＷから親チップ２を切り出しているが、ウエハＷから切り出された親チップ２上で子チップ３の接合およびアンダーフィル材７の形成を行ってもよい。また、親チップ２の代わりにプリント基板が用いられてもよい。
【００４１】
上記の実施形態では、前駆体１２の塗布は、スピンコートにより行っているが、ディッピングや、従来のように隣接する子チップ３の間に挿入されたシリンジの先端から前駆体を吐出することにより行ってもよい。
１つの親チップ２には、複数の子チップ３が接合されていてもよい。このような半導体装置も、上記の方法と同様の方法により製造できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図３】チップ・オン・チップ構造を有する従来の半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
１    半導体装置
２    親チップ
３    子チップ
７    アンダーフィル材
１２    前駆体
Ｓ    間隙
Ｗ    半導体ウエハ
【図１】
2005032820.tif 000004
【図２】
2005032820.tif 000005
【図３】
2005032820.tif 000006