(57)【要約】【課題】  セラミック基板の反り等を確実に低減すると共に、処理中のセラミック基板がセッターに対してずれ動くことを防止できるセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】  圧電セラミック基板を製造する場合は、まずセラミックグリーン１が載置される緻密質なジルコニアセッター２を用意する。ジルコニアセッター２の載置面には、セラミックグリーン１を載置した状態でセラミックグリーン１を加熱させた時に発生する物質をジルコニアセッター２側から逃がすための微小な物質逃げ用凹凸部３が形成されている。また、セラミックグリーン１は、圧電セラミック粉体にバインダ等を加えて成形することによって得る。そして、セラミックグリーン１をジルコニアセッター２の載置面に載せ、セラミックグリーン１の脱バインダを行う。次いで、セラミックグリーン１をジルコニアセッター２の載置面に載せたまま、セラミックグリーン１の焼成を行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックグリーンを焼成してセラミック基板を製造するセラミック基板の製造方法であって、
前記セラミックグリーンを載置した状態で前記セラミックグリーンを加熱させた時に発生する物質を前記セラミックグリーンから逃がすための物質逃げ用凹凸部が形成された載置面を有するセッターを用意する工程と、
バインダを含有する前記セラミックグリーンを成形する工程と、
前記セッターの前記載置面に前記セラミックグリーンを載せて、前記セラミックグリーンの脱バインダを行う工程と、
前記セラミックグリーンの脱バインダを行った後に、前記セッターの前記載置面に前記セラミックグリーンを載せたまま、前記セラミックグリーンの焼成を行う工程とを含むことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記セッターとして、前記載置面の中心線平均粗さＲａが１〜２０μｍとなるように前記物質逃げ用凹凸部を形成したものを使用することを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックグリーンの焼成によって得られたセラミック基板に対して機械的加工を施すことなく、前記セラミック基板に外部電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記セッターとして、前記物質逃げ用凹凸部を形成するための凹凸を有する金型によって作製されたものを使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記セラミックグリーンは、鉛を含む材料で形成されており、
前記セラミックグリーンが載っている前記セッターを密閉炉内に配置した状態で、前記セラミックグリーンの焼成を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子セラミック部品等に用いるセラミック基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来におけるセラミック基板の製造方法としては、例えば特許文献１に記載されているものが知られている。この文献に記載の方法は、セラミック材料に有機バインダ等を加えてグリーンシートの成形を行った後、セッター上にグリーンシートを載せ、グリーンシート全体をセラミック材で囲った状態で適宜加熱炉に入れ、グリーンシートの脱バインダ及び焼成を行うことにより、基板の反りを低減するものである。
【特許文献１】特開平１−２８２１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来技術の方法では、セラミック基板の材質によっては、以下のような問題が生じるため、基板の反りやうねりを解消できない場合があった。
【０００４】
即ち、グリーンシートの脱バインダ処理を行った後は、グリーン中のバインダや溶剤等が全て無くなることが望ましいが、実際にはバインダの一部は炭素成分としてグリーン中に残留する。この残留炭素は、後工程であるグリーンシートの焼成時にガス化するが、その際にグリーン中の酸化物を還元させる場合がある。このとき、元素によっては、還元された時点で蒸発が起こるためグリーンより離脱し、その結果、基板組成の一部が所望のものとは異なってしまうことがあった。このような不具合は、例えばグリーン中にZnOが含まれている場合に顕著に起こり、これが基板の反り等の原因となっていた。
【０００５】
また、基板の反り以外の問題として、表面に研磨を施した緻密質なセッターを用いた場合、脱バインダ時に発生するガスのうちグリーンシートの裏面（セッター側の面）に発生するガスの抜け性が悪くなるため、グリーンシートが薄く小さいときは、グリーンシートがセッターより持ち上がり、グリーンシートがずれ動くことがあった。このため、グリーンシートがセッターより脱落したり、グリーンシートの裏面にキズや変形が生じることがあった。
【０００６】
本発明の目的は、セラミック基板の反り等を確実に低減すると共に、処理中のセラミック基板がセッターに対してずれ動くことを防止できるセラミック基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、セラミックグリーンを焼成してセラミック基板を製造するセラミック基板の製造方法であって、セラミックグリーンを載置した状態でセラミックグリーンを加熱させた時に発生する物質をセラミックグリーンから逃がすための物質逃げ用凹凸部が形成された載置面を有するセッターを用意する工程と、バインダを含有するセラミックグリーンを成形する工程と、セッターの載置面にセラミックグリーンを載せて、セラミックグリーンの脱バインダを行う工程と、セラミックグリーンの脱バインダを行った後に、セッターの載置面にセラミックグリーンを載せたまま、セラミックグリーンの焼成を行う工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００８】
このように載置面に物質逃げ用凹凸部が形成されたセッターを使用して、セラミックグリーンの脱バインダ及び焼成を行うことにより、セッターの載置面にセラミックグリーンを載せた状態では、セッターとセラミックグリーンとの接触面積が小さくなる。このため、セラミックグリーンの脱バインダ工程において、バインダの燃えかすがセラミックグリーンの裏面（セッター側の面）から逃げやすくなり、いわゆる脱バインダ性が良好になる。このため、脱バインダ後にセラミックグリーン中に残留する炭素成分が減少する。従って、セラミックグリーンの焼成工程において、残留炭素がガス化する際にセラミックグリーン中の酸化物が還元されることで生じる元素の蒸発が抑えられる。これにより、焼成によって得られるセラミック基板の組成の均一性が良くなるため、セラミック基板の反り等を確実に低減することができる。
【０００９】
また、セラミックグリーンの脱バインダ工程において、物質逃げ用凹凸部によってセラミックグリーンの裏面に発生するガスの抜け性も良くなるため、セラミックグリーンがセッターから持ち上がることが抑えられる。さらに、セラミックグリーンが載っているセッターを密閉炉内に収容してセラミックグリーンの焼成を行う場合には、物質逃げ用凹凸部によってセッターとセラミックグリーンの温まる速度差が小さくなるため、炉内に存在する気体がセラミックグリーンの裏面に巻き込まれてセラミックグリーンがセッターから持ち上がってしまうことが防止される。従って、セラミックグリーンの脱バインダ時及び焼成時に、セラミックグリーンがセッターに対してずれ動くことを防止できる。
【００１０】
好ましくは、セッターとして、載置面の中心線平均粗さＲａが１〜２０μｍとなるように物質逃げ用凹凸部を形成したものを使用する。このような物質逃げ用凹凸部をセッターの載置面に形成することにより、セラミックグリーンに発生するバインダの燃えかすやガスをセッター側から効果的に逃がすことができる。また、セラミックグリーンの焼成時に、物質逃げ用凹凸部の模様がセラミックグリーンの裏面に転写することが防止される。このため、焼成によって得られたセラミック基板を製品化する際に、セラミック基板に対して研磨等の機械的加工を施す必要がない。
【００１１】
このとき、セラミックグリーンの焼成によって得られたセラミック基板に対して機械的加工を施すことなく、セラミック基板に外部電極を形成する工程を更に含んでいても良い。このようにセラミック基板に外部電極を形成する際に、セラミック基板に研磨加工等を行わずに済むため、セラミック基板の製造処理の簡素化を図ることができる。
【００１２】
また、好ましくは、セッターとして、物質逃げ用凹凸部を形成するための凹凸を有する金型によって作製されたものを使用する。これにより、例えばブラスト加工や研磨粉での研磨によってセッターの載置面を粗面化する場合に比べて、凹凸部を有するセッターを容易にかつ安価に作製することができる。また、ブラスト加工のようにセッターに対して機械的加工を施す必要がないので、セッターが高強度に保たれると共に、セッターの載置面に加工屑等が残ることは無い。
【００１３】
さらに、好ましくは、セラミックグリーンは、鉛を含む材料で形成されており、セラミックグリーンが載っているセッターを密閉炉内に配置した状態で、セラミックグリーンの焼成を行う。これにより、鉛を含んだ圧電セラミック基板を容易に得ることができる。また、密閉炉内でセラミックグリーンを焼成することにより、鉛の蒸発を抑えることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、セラミックグリーンを載置した状態でセラミックグリーンを加熱させた時に発生した物質をセラミックグリーンから逃がすための物質逃げ用凹凸部が形成された載置面を有するセッターを使用して、セラミックグリーンの脱バインダ及び焼成を行うので、セラミック基板の反りやうねりを確実に低減できると共に、処理中のセラミック基板（セラミックグリーン）がセッターに対してずれ動くことを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係わるセラミック基板の製造方法の好適な一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態は、チタン酸鉛やチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とした圧電セラミック基板を製造するものである。この圧電セラミック基板は、セラミック発振子、セラミックフィルタ、圧電ブザー、圧電センサ、圧電アクチュエータ等といった様々な製品に応用されるものである。
【００１７】
このような圧電セラミック基板を製造する場合は、まず図１及び図２に示すように、シート状のセラミックグリーン１が載置されるジルコニアセッター２を用意する。ジルコニアセッター２は、気孔率が３％未満、好ましくは１％未満といった緻密性を有するものが望ましい。ジルコニアセッター２の材料としては、耐久性を高めるべく、例えば酸化ジルコニウムにイットリア（Y2O3）を添加して安定化させたものを用いるのが望ましい。なお、安定化剤としては、Y2O3の他に、カルシア（CaO）、マグネシア（MgO）、セリア（CeO2）等を用いることができる。
【００１８】
ジルコニアセッター２の載置面には、図３に示すように、セラミックグリーン１を載置した状態でセラミックグリーン１を加熱させた時にセラミックグリーン１に発生する物質をジルコニアセッター２側から逃がすための物質逃げ用凹凸部３が形成されている。ここで言う物質は、後述するセラミックグリーン１の脱バインダ時に発生するバインダの燃えかすや、後述するセラミックグリーン１の焼成時に発生するガス等である。
【００１９】
物質逃げ用凹凸部３は、ジルコニアセッター２の載置面の中心線平均粗さＲａが好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは２〜６μｍとなるように構成されている。なお、中心線平均粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定されている表面粗さのことであり、粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた面積を長さで割った値である。
【００２０】
このような微小な物質逃げ用凹凸部３を有するジルコニアセッター２は、図示しない金型を用いて以下のようにして作られたものである。即ち、まず使用する金型の表面に、上記の中心線平均粗さＲａをもつように凹凸加工を施しておく。そして、その金型によって、Y2O3等の添加剤で安定化させたジルコニア粉体をプレス加工することにより、粉体成形体の表面に微小な凹凸が形成されることになる。その後、その粉体成形体を焼成することにより、物質逃げ用凹凸部３が設けられた載置面を有するジルコニアセッター２が得られる。なお、必要に応じて、ジルコニア粉体にバインダを加えて成形を行い、焼成前に粉体成形体の脱バインダを実施してもよい。
【００２１】
このように金型を用いてジルコニアセッター２を作製することにより、例えば投射材によりブラスト加工を行ってセッターの載置面を粗面化させる場合に比べて、微小な物質逃げ用凹凸部３を有するジルコニアセッター２を容易にかつ安価に作り上げることができる。また、粉体成形体の焼成後に、粉体成形体に対して研磨やブラスト等の機械的加工を施すことはないので、ジルコニアセッター２の載置面に加工屑等が付いたり、ジルコニアセッター２に歪みが生じることを防止できる。
【００２２】
また、セラミックグリーン１は、例えば組成がPbTiO3-PbZrO3-Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3の３成分系圧電セラミックで形成されたものである。このような材料からなる圧電セラミック粉体に有機バインダ及び有機溶剤等を加えてスラリー化またはペースト化し、ドクターブレード法等によりシート成形することにより、セラミックグリーン１を得る。セラミックグリーン１は、例えば内部電極パターンが形成された複数枚のシートを重ねた積層体からなっている。
【００２３】
次いで、このような複数枚（ここでは１０枚）のセラミックグリーン１を、図１及び図２に示すようにジルコニアセッター２の載置面に載せ、セラミックグリーン１中に含まれるバインダを除去する、いわゆる脱バインダ（脱脂）を行う。成形時に用いるバインダは、後述する焼成時にセラミックグリーン１よりガス化して発生すると、焼成雰囲気を狂わせ、セラミックグリーン１の焼成不良を引き起こすため、予め焼成前にセラミックグリーン１の脱バインダを行うようにしている。この脱バインダ処理としては、セラミックグリーン１を例えば４００℃の温度で加熱して、例えば１０時間安定させる。
【００２４】
次いで、セラミックグリーン１をジルコニアセッター２の載置面に載せたまま、セラミックグリーン１の焼成を行う。具体的には、図４及び図５に示すように、脱バインダ処理が終了したセラミックグリーン１が載っている複数のジルコニアセッター２を、柱状のジルコニアスペーサ４を介して重ねる。ジルコニアスペーサ４は、ジルコニアセッター２上の４つの隅部に載置される。そして、これらのジルコニアセッター２の一番上に、セラミックグリーン１が載っていないジルコニアセッター２Ａを、ジルコニアスペーサ４を介して重ねる。なお、ジルコニアセッター２Ａは、セラミックグリーン１が載置されるジルコニアセッター２と同じ構造であるのが好ましい。このとき、各ジルコニアセッター２同士の間隔は、ジルコニアスペーサ４の長さを変えることで調整する。なお、ジルコニアスペーサ４は、ジルコニアセッター２，２Ａと同じ材料で形成するのが望ましい。
【００２５】
続いて、このように多段に積載されたジルコニアセッター２，２Ａを密閉な焼成炉５内に収容し、各セラミックグリーン１を焼成する。このとき、セラミックグリーン１を例えば１０５０℃の温度で加熱して、例えば３時間安定させる。このようにセラミックグリーン１を焼成炉５内に入れて焼成を行うので、セラミックグリーン１中に含まれる鉛が蒸発することを防止できる。なお、鉛の蒸発を確実に抑えるために、焼成炉５内に酸化鉛粉体を入れても良い。このような焼成を行うことによって、圧電セラミック基板が得られる。
【００２６】
その後、図６に示すように、焼成後の圧電セラミック基板６の上面に外部電極７を形成する。ここで、ジルコニアセッター２の載置面に形成された物質逃げ用凹凸部３は、細かい微小な凹凸であるため、物質逃げ用凹凸部３の模様が圧電セラミック基板６の下面に転写することは殆ど無い。このため、圧電セラミック基板６に対して研磨等の機械的加工を施すことなく、圧電セラミック基板６に外部電極７を形成することができる。勿論、圧電セラミック基板６に外部電極７を形成した後に、圧電セラミック基板６に対して研磨等を行う必要もない。
【００２７】
このとき、Agのペーストを圧電セラミック基板６の上面に塗り、その状態で圧電セラミック基板６を例えば７００℃で焼き付けることにより、外部電極７を形成する。なお、外部電極７の材料としては、Agの他、AuやCu等を用いることができる。また、外部電極７の形成手法も、焼き付けの他、スパッタリング法や無電解メッキ法等を用いることも可能である。
【００２８】
ところで、セラミックグリーン１の脱バインダ工程において、バインダの一部が除去しきれずに、炭素成分としてセラミックグリーン１中に残留してしまうと、後工程であるセラミックグリーン１の焼成処理時に、残留炭素がガス化して出てきやすくなる。このとき、残留炭素がセラミックグリーン１中の酸化物（ZnO）を還元させることがあり、この場合にはセラミックグリーン１からZnが蒸発するため、セラミックグリーン１の表面側と裏面側とでセラミックグリーン１の組成が異なってしまう。これにより、セラミックグリーン１の表面側と裏面側とでセラミックグリーン１の収縮率が変わり、その結果として圧電セラミック基板６の反りやうねり等が発生することがある。
【００２９】
セラミックグリーン１の脱バインダ性を良好にするためには、多孔質のセッターを用いることが考えられる。しかし、脱バインダ後に同じ多孔質セッター上にセラミックグリーンを載せて焼成を行った場合には、セラミックグリーン１中の鉛（Pb）が多孔質セッターに吸収され、セラミックグリーン１の裏面側（セッター側）の均熱性及び均雰囲気性が保ちにくくなり、セラミックグリーン１の焼成ムラが起こる。その結果、圧電セラミック基板の反り等が生じない場合でも、所望の特性が得られない基板となってしまうことがある。
【００３０】
また、多孔質セッターを用いて脱バインダを実施した後に、セラミックグリーン１を緻密質セッターに載せ変えることが考えられるが、バインダが抜けたセラミックグリーン１は保形成が低いため、セラミックグリーン１の移載時にセラミックグリーン１の破損を引き起こすことがある。
【００３１】
これに対し本実施形態では、ジルコニアセッター２として、微小な物質逃げ用凹凸部３が形成された載置面を有するものを使用するので、ジルコニアセッター２の載置面にセラミックグリーン１を載せたときに、ジルコニアセッター２とセラミックグリーン１との接触面積が小さくなる。このため、セラミックグリーン１の脱バインダ処理時に、バインダの燃えかす（炭素）がセラミックグリーン１の裏面（ジルコニアセッター２側の面）から抜けやすくなるので、脱バインダ性が良好になる。従って、セラミックグリーン１の焼成処理時に、セラミックグリーン１に残留している炭素が少なくなる。また、焼成処理時に、僅かに残留している炭素がガス化する際に、そのガスもセラミックグリーン１の裏面から抜けやすくなる。これにより、残留炭素がセラミックグリーン１中の酸化物を還元させることで蒸発するZnが減少するので、セラミックグリーン１の表面側と裏面側とで組成が異なることが抑えられる。
【００３２】
また、鉛に対して反応しにくい緻密質のジルコニアセッター２を使用するので、セラミックグリーン１の焼成処理時に、セラミックグリーン１中の鉛がジルコニアセッター２に吸収されることは殆ど無い。また、ジルコニアセッター２の載置面にセラミックグリーン１を載せた状態では、上記の如くジルコニアセッター２とセラミックグリーン１との接触面積が小さくなる。これらにより、セラミックグリーン１の表面側と裏面側とで熱及び雰囲気の均一性が良くなるため、セラミックグリーン１の焼成ムラが低減される。
【００３３】
以上により、セラミックグリーン１の収縮率が全体としてほぼ均等になるため、圧電セラミック基板６の反りやうねり等が確実に低減され、所望の特性をもった圧電セラミック基板６を得ることができる。
【００３４】
さらに、ジルコニアセッター２の載置面に微小な物質逃げ用凹凸部３を形成することにより、セラミックグリーン１の脱バインダ処理時に、セラミックグリーン１の裏面に発生するガスの抜け性が良くなるので、セラミックグリーン１がジルコニアセッター２より浮き上がることが防止される。また、セラミックグリーン１の焼成処理時には、セラミックグリーン１とジルコニアセッター２との間の温まる速度差が小さくなるため、もともと焼成炉５内に存在する気体がセラミックグリーン１の裏面に巻き込まれることが抑えられる。このため、そのような気体の巻き込み作用によって、セラミックグリーン１がジルコニアセッター２から浮き上がることも防止される。
【００３５】
従って、セラミックグリーン１の脱バインダ及び焼成時に、セラミックグリーン１がジルコニアセッター２に対してずれ動くことが回避される。これにより、セラミックグリーン１がジルコニアセッター２から脱落したり、セラミックグリーン１の裏面にキズが付いたり、セラミックグリーン１が変形することを防止できる。
【００３６】
また、物質逃げ用凹凸部３を有するジルコニアセッター２を製作する際に、上述したように粉体成形体の焼成後に粉体成形体に機械的加工を施すことはないので、セラミックグリーン１の焼成時に、加工屑等の異物がセラミックグリーン１に付着したり、ジルコニアセッター２の歪みが原因でジルコニアセッター２の割れが発生することも無い。
【００３７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態は、鉛を含有した圧電セラミック基板の製造方法についてのものであるが、本発明は、それ以外のセラミック基板にも適用できることは言うまでもない。この場合には、セッターとして、アルミナやマグネシア等で形成されたものを使用しても良い。
【００３８】
また、上記実施形態は、積層体からなるセラミックグリーンの脱バインダ及び焼成を行うものであるが、本発明は、単層のセラミックグリーンについても適用可能である。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明に係わる圧電セラミック基板の製造方法の実施例について説明する。
【００４０】
[実施例]
（１）セッター
セッターとして、酸化ジルコニウムに3mol%〜8mol%のイットリア（Y2O3）を添加して安定化させた緻密質なジルコニアセッターを用いた。このジルコニアセッターの気孔率は３％未満である。ジルコニアセッターの大きさは□100mm×100mmであり、ジルコニアセッターの厚みは1.5mmである。ジルコニアセッターの表面には、中心線平均粗さＲａが好ましくは２〜６μｍとなるような物質逃げ用凹凸部が形成されている。
【００４１】
（２）セラミック
グリーンセラミックグリーンの材料としては、組成がPbTiO3-PbZrO3-Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3の３成分系圧電セラミックを用いた。この材料からなる圧電セラミック粉体は、酸化物または炭酸塩の形態の原料をボールミルにより湿式混合し、混合後９００℃にて仮焼成を行った後、再度ボールミルにより湿式粉砕を行うことにより、微粉化したものである。
【００４２】
セラミックグリーンは、以下のようにして作った。即ち、用意した圧電セラミック粉体にバインダ及び有機溶剤等を加えてペースト化し、ドクターブレード法により厚み５０μｍにシート成形する。その後、Ag/Pd=7:3のメタルにより構成される内部電極ペーストを用いて、スクリーン印刷法によりシートに内部電極パターンを形成した。その後、内部電極が８枚となるようにシートを重ねて積層体を作製し、プレス処理を行って、セラミックグリーンを形成する。そして、セラミックグリーンの大きさが15mm×35mm角となるように、セラミックグリーンを切断した。
【００４３】
（３）脱バインダ
用意した１０枚のセラミックグリーンをジルコニアセッターの載置面に載せ（図１及び図２参照）、４００℃の温度で１０時間安定させることにより、セラミックグリーンの脱バインダを行った。
【００４４】
（４）焼成
脱バインダ後に、セラミックグリーンが載っているジルコニアセッターを１０枚重ね、更にその上に、セラミックグリーンが載っていないジルコニアセッターを重ねて、焼成の荷姿とした（図４及び図５参照）。このとき、各ジルコニアセッター間の隙間は、ジルコニアスペーサによって調整した。さらに、このように積載された１０枚のジルコニアセッターを密閉な焼成炉内に配置し、各セラミックグリーンを焼成した。このとき、焼成温度が１０５０℃、安定時間が３時間という条件で焼成を行った。
【００４５】
（５）評価
焼成によって得られた１００枚の圧電セラミック基板について、非接触のレーザー式３次元形状測定装置により反りの評価を行った。
【００４６】
その結果、圧電セラミック基板の反りは、最大でも２０μｍ以下に収まっていた。また、反りの発生具合に関しては、圧電セラミック基板が局部的に反るようなことは見受けられなかった。
【００４７】
また、脱バインダ後のセラミックグリーン１０枚それぞれの残留炭素量を酸素気流中燃焼−赤外吸収法を用いて分析したところ、50〜150ppmと比較的少なかった。さらに、圧電セラミック基板の裏面には凹みが見られなかった。また、ジルコニアセッターからのセラミックグリーンの脱落は起きなかった。
【００４８】
[比較例]
比較例で使用したセッターは、焼成後に研磨が施された緻密質なジルコニアセッターである。つまり、このジルコニアセッターの載置面には、上記実施例のような物質逃げ用凹凸部は形成されていない。このようなジルコニアセッターを用いて、上記と同様の方法で圧電セラミック基板を作製した。
【００４９】
これにより得られた１００枚の圧電セラミック基板について、上記と同様にして反りの評価を行ったところ、最大で１００μｍの反りが発生していた。また、反りの発生具合に関しては、特に基板の四隅に局部的に反りが生じていた。
【００５０】
また、脱バインダ後のセラミックグリーンの残留炭素量を上記と同様に分析したところ、1000ppmの炭素が残留していた。さらに、ジルコニアセッターの研磨屑に起因すると思われる凹みが基板裏面に生じているセラミックグリーンがあった。また、ジルコニアセッターから脱落したセラミックグリーンもあった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係わるセラミック基板の製造方法の一実施形態によってセラミックグリーンの脱バインダを行うときの状態を示す平面図である。
【図２】本発明に係わるセラミック基板の製造方法の一実施形態によってセラミックグリーンの脱バインダを行うときの状態を示す側面図である。
【図３】図１及び図２に示すジルコニアセッターの表面の拡大図である。
【図４】本発明に係わるセラミック基板の製造方法の一実施形態によってセラミックグリーンの焼成を行うときの状態を示す垂直方向断面図である。
【図５】本発明に係わるセラミック基板の製造方法の一実施形態によってセラミックグリーンの焼成を行うときの状態の一部を示す水平方向断面図である。
【図６】本発明に係わるセラミック基板の製造方法の一実施形態によって最終的に得られたセラミック基板を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…セラミックグリーン、２…ジルコニアセッター、３…物質逃げ用凹凸部、５…焼成炉、６…圧電セラミック基板、７…外部電極。
【図１】
2005170769.tif 000003
【図２】
2005170769.tif 000004
【図３】
2005170769.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005170769.tif 000007
【図６】
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