(57)【要約】【課題】  第１チャンネルの切断による被切断物の変形を好適に防止して，第２チャンネルを正確に切断することの可能な，高圧液の噴射による切断方法を提供すること。【解決手段】  高圧液を噴射する高圧液噴射手段と被切断物２０とを相対移動させることにより，被切断物２０の内側にある複数の切断ラインＬｘを切断する切断方法が提供される。この切断方法は，高圧液噴射手段によって第ｎ番目の切断ラインＬｘ１の始点から終点にかけて高圧液を噴射することにより，第ｎ番目の切断ラインＬｘ１を切断する切断工程と；被切断物を切断することなく，高圧液噴射手段を第ｎ番目の切断ラインＬｘ１の終点に対応する位置から第ｎ＋１番目の切断ラインＬｘ２の始点に対応する位置まで相対移動させる無切断移動工程と；を含むことを特徴とする。【選択図】  図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧液を噴射する高圧液噴射手段と被切断物とを相対移動させることにより，前記被切断物の内側にある複数の切断ラインを切断する切断方法であって：
前記高圧液噴射手段によって第ｎ番目の切断ラインの始点から終点にかけて高圧液を噴射することにより，前記第ｎ番目の切断ラインを切断する切断工程と；
前記被切断物を切断することなく，前記高圧液噴射手段を前記第ｎ番目の切断ラインの終点に対応する位置から第ｎ＋１番目の切断ラインの始点に対応する位置まで相対移動させる無切断移動工程と；
を含むことを特徴とする，切断方法。
【請求項２】
前記無切断移動工程では，
前記高圧液噴射手段による高圧液の噴射を停止した状態で，前記高圧液噴射手段と前記被切断物とを相対移動させることを特徴とする，請求項１に記載の切断方法。
【請求項３】
前記無切断移動工程では，
前記高圧液噴射手段と前記被切断物とを前記被切断物の切断が生じないような高速度で相対移動させることを特徴とする，請求項１に記載の切断方法。
【請求項４】
前記被切断物の少なくとも１つの切断ラインの始点には，予め貫通孔が形成されていることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載の切断方法。
【請求項５】
前記被切断物の第１チャンネルを切断した後に前記被切断物の第２チャンネルを切断することにより，前記被切断物を複数のチップに分割する場合において，少なくとも前記第１チャンネルの切断に適用されることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，高圧液の噴射によって被切断物を切断する切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウォータージェットは，超高圧ポンプ等によって水にエネルギーを与えて形成された高圧水の噴流であり，例えば音速の２〜３倍という流速を有する。近年では，このウォータージェットを使用して各種の被切断物（ワーク）を切断する方法および装置が開発されている（特許文献１および２参照）。特に，切断効率を向上させるため，高圧水に固体の研磨材を混入したアブレシブジェットに注目が集まっている。この研磨材は，ガーネット，アルミナ，炭化ケイ素などの高硬度の材質からなる例えば数十ミクロン程度の粒状物であるが，これらの研磨材は，高圧水とともに被切断物に高速で衝突し，被切断物の一部を破壊して切削する。
【０００３】
このようなウォータージェットによる切断は，被切断物に熱影響を与えずに切断でき，研磨材によって切断面におけるバリの発生を低減できるという利点がある。さらに，切断ラインが曲線であっても問題なく切断できることに加え，複合材や難切削材の切断にも適しているという利点もある。このため，近年では，半導体基板，特にパッケージ化された基板をダイシングするために，従来のような切削ブレードに代えてウォータージェット切断装置による切断加工が検討されている。
【０００４】
【特許文献１】実開平２−１５３００号公報
【特許文献２】特開２０００−２４６６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウォータージェットによって基板をチップ状に切断する場合には，まず，同じ方向にある全ての切断ライン（以下，第１チャンネルという。）を切断し，次いで，第１チャンネルに対して直交する方向にある全ての切断ライン（以下，第２チャンネルという。）を切断する必要がある。
【０００６】
ところで，ウォータージェット切断装置では，高圧ポンプ等の高圧水発生装置を用いて発生させた高圧水を噴射ノズルから噴射しているが，この高圧水発生装置を一度停止させてしまうと，再稼動させるまでに非常に時間がかかる。従って，基板の第１チャンネルを切断するときには，高圧水発生装置を連続動作させて，図１２に示すように，ウォータージェットをジグザグ型の軌跡で連続的に噴射して，基板１２０の第１チャンネルＣＨ１を構成する全ての切断ラインＬｘ１〜６を一筆書きで切断することが好ましい。また，その後に第２チャンネルを切断するときも同様である。
【０００７】
しかしながら，図１２に示したように，第１チャンネルＣＨ１がジグザグ型に一筆書き切断された基板１２０では，短冊状に切断された切断部１５２が４辺のうち１辺のみでしか支持されていない状態となる。このため，特にパッケージされた基板などでは，例えば，樹脂モールド部分と金属フレームとの物性の相違などにより，図１３（ａ）に示すように切断部１５２が垂直方向に反り返ったり，図１３（ｂ）に示すように切断部１５２が水平方向に横ずれしたりして，基板１２０が変形してしまうことがあった。従って，次の第２チャンネルの切断を正確に行えないという問題があった。
【０００８】
また，噴射ノズルと基板１２０との間隔が近いほど，高圧水の拡散を抑制して，噴射ノズルの口径に近い切断幅で基板を切断することができるので，噴射ノズルと基板１２０の間隔は，例えば５０μｍ〜１ｍｍと微小な間隔に調整される。しかしながら，上述したように，第１チャンネルの切断によって切断部１５２が上方に反り返っていると，噴射ノズルと基板１２０とが接触してしまい，第２チャンネルが切断不能となる恐れもある。
【０００９】
これらの問題を解決するために，第２チャンネルの切断時に，接着剤を使用して支持部材に基板を固定したり，真空吸着手段によって基板を固定したりする手法なども考えられる。しかし，第１チャンネルの切断によって切断部１５２が反り返ったり，横ずれしたりした基板を，元の状態に戻して固定することは，極めて困難であり，かつ多大な時間を要するという問題があった。
【００１０】
そこで，本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，第１チャンネルの切断による被切断物の変形を好適に防止して，第２チャンネルを正確に切断することの可能な，新規かつ改良された切断方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，高圧液を噴射する高圧液噴射手段と被切断物とを相対移動させることにより，被切断物の内側にある複数の切断ラインを切断する切断方法が提供される。この切断方法は，高圧液噴射手段によって第ｎ番目の切断ラインの始点から終点にかけて高圧液を噴射することにより，第ｎ番目の切断ラインを切断する切断工程と；被切断物を切断することなく，高圧液噴射手段を第ｎ番目の切断ラインの終点に対応する位置から第ｎ＋１番目の切断ラインの始点に対応する位置まで相対移動させる無切断移動工程と；を含むことを特徴とする。また，上記切断工程および無切断移動工程を切断ライン数に応じて繰り返してもよい。なお，上記「ｎ」は，切断ライン数未満の任意の自然数である。
【００１２】
上記無切断移動工程においては，高圧液噴射手段を，上記切断工程で既に切断された切断ラインの終点に対応する位置から，次の切断対象となる切断ラインの始点に対応する位置まで移動させる間は，被切断物を切断しないようにする。このため，上記切断方法では，被切断物の複数の切断ラインのみを切断して，切断ライン相互の間は切断しないようにできる。従って，被切断物の例えば第１チャンネルを構成する複数の切断ラインを切断すると，スリット状の切断孔が複数形成されることになり，相隣接する切断孔間の切断部は例えば４辺のうち２辺で支持された状態となる。このため，切断部が反り返ったり横ずれしたりして変形することがないので，次の例えば第２チャンネルを正確に切断することが可能になる。
【００１３】
また，上記無切断移動工程では，高圧液噴射手段による高圧液の噴射を停止した状態で，高圧液噴射手段と被切断物とを相対移動させるように構成してもよいし，或いは，上記無切断移動工程では，高圧液噴射手段と被切断物とを被切断物の切断が生じないような高速度で相対移動させるように構成してもよい。これにより，高圧液噴射手段を１つの切断ラインの終点に対応する位置から，次の切断ラインの始点に対応する位置まで移動させる間は，被切断物を切断しないことを好適に実現できる。なお，上記高速度は，被切断物の種類（材質，厚さ等）に応じて決定される。
【００１４】
また，上記被切断物の少なくとも１つ（好ましくは全て）の切断ラインの始点には，予め貫通孔が形成されていることが好ましい。これにより，切断ラインの始点に対して高圧液を噴射した際には，高圧水は貫通孔を通過して被切断物に直接作用することがない。よって，切断開始点における被切断物の割れやクラック，破断バリなどの発生を低減できるとともに，高圧液が被切断物表面に飛散することを防止できる。
【００１５】
また，上記切断方法は，被切断物の第１チャンネルを切断した後に前記被切断物の第２チャンネルを切断することにより，前記被切断物を複数のチップに分割する場合において，少なくとも前記第１チャンネルの切断に適用されるようにしてもよい。なお，「第１チャンネル」とは，同じ方向の全ての切断ラインであり，また，「第２チャンネル」とは，第１チャンネルに対して所定角度を有する方向（例えば略直交する方向）の全ての切断ラインをいう。かかる構成により，上記切断方法を用いて第１チャンネルを構成する複数の切断ラインを高圧液の噴射によって切断することによって，被切断物に複数の略平行に並んだスリット状の切断孔が形成され，相隣接する切断孔間の略短冊状の切断部は４辺のうち両側で支持された状態となる。このため，第１チャンネルを切断しても被切断物が変形しないため，次の第２チャンネルを正確に切断できる。
【００１６】
また，上記第ｎ番目の切断ラインの切断方向と，第ｎ＋１番目の切断ラインの切断方向とは，逆方向であるように構成してもよい。これにより，切断方向を交互に反対方向に変えながら，複数の切断ラインを順次切断することができる。このため，全ての切断ラインを切断する際の高圧液噴射手段と被切断物との相対移動距離を最小にできる。従って，加工時間および高圧液の噴射量を低減できるので，切断加工の効率化が図れる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明によれば，被切断物の第１チャンネルを切断すると，被切断物にはスリット状の複数の切断孔が並んで形成される。このため，相隣接する切断孔の間の切断部が，その４辺のうち２辺で支持された状態となるので，当該切断部の反り返り若しくは横ずれなどの変形を好適に防止できる。従って，第１チャンネル切断後に，被切断物の第２チャンネルを正確に切断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかる高圧液の噴射による被切断物の切断方法について説明する。
【００２０】
本実施形態にかかる切断方法は，高圧液の噴射によって被切断物の第１チャンネルを切断する場合において，噴射ノズルを，ある切断ラインの終点に対応する位置から，他の切断ラインの始点に対応する位置まで相対移動させる間は，被切断物を切断しないことを特徴としている。かかる無切断移動工程を実現するために，例えば，以下に詳述するように，噴射ノズルと被切断物とを切断が伴わないような高速度で移動させる（手法１），あるいは，噴射ノズルからの高圧水の噴射を停止させる（手法２），といういずれかの手法を採用している。そこで，以下では，まず，本実施形態にかかるウォータージェット切断装置の構成について説明し，次いで，本実施形態にかかる切断方法について詳細に説明することとする。
【００２１】
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかるウォータージェット切断装置の概要について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるウォータージェット切断装置１０の構成を示す概略図である。
【００２２】
図１に示すように，本実施形態にかかるウォータージェット切断装置１０は，被切断物に対して高圧水を噴射することにより，被切断物を比較的自由な切断ラインで切断加工（即ち，ウォータージェット加工）することが可能な装置である。
【００２３】
かかるウォータージェット切断装置１０は，例えば，高圧水発生装置１２と，研磨材混合装置１４と，噴射停止装置１５と，噴射ノズル１６と，保持テーブル１８と，支持部材３０と，テーブル移動装置４０と，キャッチタンク４２と，研磨材回収装置４４と，から構成される。
【００２４】
高圧水発生装置１２は，例えば，高圧ポンプおよびモータなどで構成されており，外部から供給された水を加圧して，例えば６００〜７００バール（１バール＝約１．０２ｋｇｆ／ｃｍ２）の高圧水を発生・供給することができる。外部から供給される水は，例えば水道水であるが，かかる例に限定されず，純水等であってもよい。高圧水発生装置１２によって発生された高圧水は，高圧水配管を通じて研磨材混合装置１４に供給される。
【００２５】
研磨材混合装置１４は，高圧水発生装置１４から供給された高圧水に，所定の割合で研磨材（砥粒）を混合する。この研磨材は，例えば，ガーネット，ダイヤモンド，アルミナ等の高硬度の材質からなる例えば数十ミクロン程度の粒状物であり，高圧水の切断効率を高めるために寄与する。本実施形態では，この研磨材として，例えば４０〜１００μｍの酸化アルミナを使用する。かかる研磨材が混合された高圧水は，例えば，高圧配管を通って噴射停止装置１５を介して噴射ノズル１６に供給される。
【００２６】
この研磨材混合装置１４のより具体的な構成について説明する。研磨材混合装置１４は，例えば，２つの混合貯蔵タンク（図示せず。）と，タンク切替装置（図示せず。）とから構成できる。混合貯留タンクは，研磨材が混合された水を貯留するタンクであり，上記高圧水発生装置１２から高圧水が供給されるとともに，後述する研磨材回収装置４４から研磨材が供給される。タンク切替装置は，２つの混合貯留タンクのうちいずれか一方を，高圧水発生装置１２および噴射ノズル１６に連通させる切替バルブ等である。
【００２７】
かかる構成により，高圧水発生装置１２から供給された高圧水の圧力によって，いずれか一方の混合貯蔵タンクに貯留されている研磨材および水を高圧で押し出して噴射ノズル１６に供給するとともに，もう一方の混合貯蔵タンクでは，研磨材回収装置４４によってリサイクルされた研磨材と水とを混合して貯留しておくことができる。そして，一方の混合貯留タンク内の研磨材が所定レベル以下に減少した場合には，タンク切替装置によって混合貯留タンクを切り替えて，上記と同様にして，研磨材入りの水の供給と貯留とを行う。これにより，研磨材が混合された高圧水を，噴射ノズル１６に安定して連続供給することができる。
【００２８】
噴射停止装置１５は，噴射ノズル１６からの高圧液の噴射を一時停止させる装置である。この噴射停止装置１５は，例えば，噴射ノズル１６およびキャッチタンク４２と連通された切替バルブ等で構成されており，研磨材混合装置１４から供給された高圧水を，噴射ノズル１６またはキャッチタンク４２のいずれか一方に供給する。かかる構成により，基板２０の切断加工を行う場合には，噴射停止装置１５は，噴射ノズル１６に対して高圧水を供給して，噴射ノズル１６から高圧水を噴射させることができる。一方，基板２０の切断加工を行わない場合には，噴射停止装置１５は，高圧水の供給先を噴射ノズル１６からキャッチタンク４２に切り替えて，キャッチタンク４２に高圧水を排出し，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を停止させることができる。このような噴射停止装置１５を設けることにより，上記高圧水発生装置１２の動作を停止させることなく，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を一時的に停止させることができる。
【００２９】
噴射ノズル１６は，本実施形態にかかる高圧液噴射手段として構成されており，例えば，上記のようにして研磨材が混合された高圧水を，被切断物である基板２０に対して上方から高速で噴射する。この噴射ノズル１６は，切断加工時には，例えば，装置の基台部（図示せず。）などに対してネジ等の固定部材によって安定的に固定されている。また，加工準備時には，例えば，当該ネジを弛緩させることにより，噴射ノズル１６をＺ軸方向（垂直方向）に移動させることも可能である。これにより，基板２０の種類，大きさに応じて，噴射ノズル１６と基板２０とのＺ軸方向の距離を調整できる。
【００３０】
また，図１内の部分拡大図に示すように，噴射ノズル１６の先端部には，オリフィス１６２が装着されている。このオリフィス１６２は，高圧水の噴出径を小さくするための部材であり，オリフィスカバー１６４をネジ止めすることにより噴射ノズル１６先端部に固定されている。
【００３１】
かかる噴射ノズル１６から噴射される高圧水の噴流（即ち，ウォータージェット１６８）の速度は，例えば音速の約２〜３倍である。また，この噴射ノズル１６の先端と基板２０との距離は，例えば５０μｍ〜１ｍｍであり，双方が極力近くなるように調整される。このように噴射ノズル１６と基板２０を近づけることで，噴射された高圧水の拡散を極力抑え，基板２０の切断幅が広くなってしまうことを防止できる。また，噴射ノズル１６の口径（オリフィス１６６の内径）は例えば約２５０μｍであり，この場合，基板２０の切断幅は例えば３００μｍ程度となる。
【００３２】
このようにして，噴射ノズル１６によって研磨材を含む高圧水を基板２０に噴射することにより，高圧水のエネルギーによって基板２０を切断することができる。このとき，研磨材は，高圧水とともに基板２０に衝突して基板２０の一部を破壊して切削するので，切断能率を向上させることができる。
【００３３】
保持テーブル１８は，例えば，ステンレス等の硬質な金属で形成された板状部材であり，被切断物である基板２０を保持・固定する被切断物保持手段として機能する。この保持テーブル１８には，図２に示すように，基板２０が固定される部分に，高圧液通過用の開口部であるテーブル窓１８２が形成されている。このテーブル窓１８２は，例えば，基板２０に対応した形状（例えば略矩形状）を有しており，その大きさは基板２０の外形よりも若干小さい。かかるテーブル窓１８２の部分に基板２０を配置することにより，保持テーブル１８は，例えば，基盤２０の外周部を保持・固定することができる。また，上記噴射ノズル１６が噴射した高圧水は，このテーブル窓１８２の部分を通過するため，高圧水によって保持テーブル１８自体が切断されることはない。
【００３４】
支持部材３０は，例えば，上記保持テーブル１８のテーブル窓１８２の部分に装着される略矩形状の板状部材であり，その上面に載置された基板２０を下方から支持する。この支持部材３０の詳細については後述する。
【００３５】
テーブル移動装置４０は，例えば，上記保持テーブル１８を水平方向（Ｘ軸およびＹ軸方向）に移動させる機能を有する。このテーブル移動装置４０は，図２に示すように，それぞれ，電動モータ，ギヤ等の駆動機構（図示せず。）および筐体などで構成されたＹ軸方向移動部４０２およびＸ軸方向移動部４０４からなる。Ｙ軸方向移動部４０２は，例えば，保持テーブル１８のテーブル窓１８２とは他側の一端に連結されており，保持テーブル１８をＹ軸方向に平行移動させることができる。Ｘ軸方向移動部４０４は，例えば，Ｙ軸方向移動部４０２の一端に連結されており，Ｙ軸方向移動部４０２とともに保持テーブル１８をＸ軸方向に平行移動させることができる。
【００３６】
このようなテーブル移動装置４０によって保持テーブル１８をＸ軸およびＹ軸方向に移動させることにより，保持テーブル１８によって保持されている基板２０を噴射ノズル１６に対してＸ軸およびＹ軸方向に相対移動させることができる。これにより，噴射ノズル１６を基板２０に対して相対移動させて，基板２０上の切断ラインを連続的に切断することができる。この切断時の基板２０の送り速度は，切断される基板２０の厚さや材質によって異なるが，例えば２０ｍｍ／秒である。
【００３７】
また，テーブル移動装置４０によって保持テーブル１８を高速移動させることにより，噴射ノズル１６から高圧水を噴射しながらも，基板２０を切断することなく，噴射ノズル１６を基板２０に対して相対移動させることができる。これにより，上記高圧水発生装置１２の動作を停止させることなく，噴射ノズル１６を基板２０上のある切断ラインの終点に対応する位置から次の切断ラインの始点に対応する位置まで移動させることが可能となる。この高速移動時の基板２０の送り速度は，基板２０の厚さや材質等によって異なるが，例えば２００ｍｍ／秒である。
【００３８】
なお，保持テーブル１８およびテーブル移動装置４０の構成は，図２の例に限定されるものではなく，保持した基盤２０を水平方向に移動可能な構成であれば，多様に設計変更可能である。また，保持テーブル１８を固定して，噴射ノズル１６を水平方向に移動可能に構成してもよい。また，本実施形態では，上記保持テーブル１８によって基板２０を固定・固定しているが，かかる例に限定されず，例えば，各種の載置台，治具などによって基板２０を保持・固定してもよい。
【００３９】
キャッチタンク４２は，例えば，上記保持テーブル１８の下方に設けられ，上面が開放された貯留槽である。このキャッチタンク４２は，所定の高さまで研磨材を含む水を貯留しており，この水面の高さを一定に保つために水の供給及び排出が制御されている。かかるキャッチタンク４２は，貯留している水を緩衝材として，上記のようにして基板２０を切断して貫通した研磨材を含む高圧水の噴流（即ち，ウォータージェット１６８）の威力を弱めて，かかる高圧水を受け取ることができる。また，キャッチタンク４２の底部からは，研磨材と水が排出される。なお，かかるキャッチタンク４２の貯留水内に研磨材を投入することにより，研磨材を水に混合して，ウォータージェット切断装置１０内で循環利用することができる。
【００４０】
研磨材回収装置４４は，上記キャッチタンク４２から排出された研磨材を含む水から，研磨材を回収して再利用する装置である。この研磨材回収装置４４は，例えば，排出路内に配設され，適切な大きさの研磨材が通過可能な研磨材回収フィルタと，研磨材回収フィルタを通過した研磨材を貯留して送出するホッパーと，回収された研磨材を研磨材混合装置１４の混合貯留タンクに供給するための研磨材回収ポンプと，不要な水および研磨材を外部に排出するための排水ポンプ（いずれも図示せず。）とを備える。
【００４１】
かかる構成の研磨材回収装置４４は，切断加工に適切な所定範囲の大きさの研磨材のみを回収することができる。具体的には，上記排水ポンプを用いて研磨材を含む水の流速を上げることによって，過度に小さい研磨材は，研磨材回収フィルタを通過することなく水流に乗って排出される。また，過度に大きい研磨材は，研磨材回収フィルタを通過できないため，これも排水とともに排出される。このため，粒径が切断加工に適切な所定範囲（例えば，研磨材の最適な粒径を約８０μｍとすると，粒径が４０〜１２０μｍの範囲）にある大きさの研磨材のみが，研磨材回収フィルタを通過して回収され，研磨材混合装置１４に送出されて再利用される。一方，上記所定範囲外の大きさの研磨材と水は，廃液として処理される。これは，過度に小さい研磨材は再利用しても研磨に寄与できず，一方，過度に大きい研磨材は噴射ノズル１６が詰まる原因となるからである。
【００４２】
以上のような構成のウォータージェット切断装置１０は，研磨材が混合された高圧水を噴射ノズル１６から噴射しながら，当該噴射ノズル１６と保持テーブル１８とを基板２０の切断ラインに沿って相対移動させることにより，基板２０の切断ラインを切断加工することができる。この切断加工時には，上述したように，高圧ポンプ等の高圧水発生装置１２を一度停止させてしまうと，再稼動させるまでに非常に時間がかかるので，高圧水発生装置１２を停止させることなく，同一チャンネル内の全ての切断ラインを切断することが好ましい。ただし，本実施形態にかかる切断方法では，後述するように，同一チャンネル内の各切断ラインは切断するが，切断ラインと切断ラインとの間は切断しないようにしている。
【００４３】
次に，図３に基づいて，本実施形態にかかる被切断物である基板２０について説明する。なお，図３（ａ）および（ｂ）は，本実施形態にかかる被切断物である基板２０を示す平面図および正面図である。
【００４４】
上記のようなウォータージェット切断装置１０の切断対象としては，特に限定されるものではないが，例えば，半導体素子がパッケージ化された基板（以下，パッケージ基板という。）が挙げられる。このパッケージ基板は，リード線にＣｕ合金等が使用されているため，切削ブレードによっては材質的に切断し難い。このため，切削ブレードを使用したダイシング装置では，かかるパッケージ基板は難加工材とされていた。ところが，ウォータージェット切断装置１０では，上記高圧水によって切断加工を行うため，かかるパッケージ基板をも好適に切断可能である。
【００４５】
本実施形態では，被切断物である基板２０として，図３に示すようなＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板を例に挙げて説明する。ＱＦＮは，ＩＣチップのパッケージ方法の一つであり，外部入出力用のピンが外部に現れていない点が特徴である。
【００４６】
図３に示すように，ＱＦＮ基板である基板２０は，例えば，全体として略矩形の平板形状を有しており，ベースとなる金属フレーム２２と，この金属フレーム２２の一側に突出形成されたパッケージ部分２４とからなる。パッケージ部分２４は，規則的に配列された複数の半導体素子を樹脂でモールドした部分であり，その外形は金属フレーム２２の外形より小さい。
【００４７】
このパッケージ部分２４には，パッケージ部分２４を個々の半導体チップＣに分割するために，例えば，２方向に複数の第１切断ラインＬｘ１〜６および第２切断ラインＬｙ１〜５（以下では「切断ラインＬ」と総称する場合もある。）が定められている。このうち，第１切断ラインＬｘ１〜６は，例えば，第１の方向（Ｘ軸方向）に延びる略平行で略同一の長さを有する線分であり，第１チャンネルＣＨ１を構成している。一方，第２切断ラインＬｙ１〜５は，例えば，上記第１の方向に対して直交する第２の方向（Ｙ軸方向）に延びる略平行で略同一の長さを有する線分であり，第２チャンネルＣＨ２を構成している。
【００４８】
上記のような高圧水の噴射によって，まず第１チャンネルＣＨ１の切断し，次いで第２チャンネルＣＨ２を切断することにより，基板２０のパッケージ部分２４を格子状にダイシングして，略矩形状を有する複数の半導体チップＣに分割することができる。なお，上記切断ラインＬは，基板２０表面の内側にある線分となるように定められている。換言すると，全ての切断ラインＬの両端は，基板２０の外縁部に至ることなく，基板２０表面の内側部分に位置している。このため，いずれの切断ラインＬを切断しても，基板２０全体を２つに分断することはない。
【００４９】
また，例えば，第１および第２チャンネルＣＨ１，２の各切断ラインＬｘ１〜６，Ｌｙ１〜５の両端の例えば金属フレーム２２の部分には，始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８がそれぞれ形成されている。この始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８は，例えば，ウォータージェット切断装置１０とは異なる別途の穿孔手段（図示せず。）によって切断加工前に予め穿孔されている。この始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８の径は，上記ウォータージェット１６８の直径よりも大径（例えば切断幅〜１ｍｍ）であり，その形状は，図示のような円形に限られず，四角等の多角形，楕円形など任意の形状であってよい。
【００５０】
このうち，始点用貫通孔２６は，各切断ラインＬの始点（切断開始点）となる位置に形成されており，当該切断ラインＬの切断開始時における，ウォータージェット１６８の待機穴として機能する。即ち，かかる始点用貫通孔２６を各切断ラインＬの始点に予め形成しておくことにより，当該切断ラインＬの切断開始時に，噴射ノズル１６から噴射されたウォータージェット１６８は，始点用貫通孔２６を通過して，基板２０に直接作用しない。このため，各切断ラインＬの始点におけるウォータージェット１６８と基板２０との最初の衝突によって，基板２０の割れ，クラック，破断バリが発生することを防止できるだけでなく，跳ね返った水や研磨材が基板２０の表面上に飛散して汚染することを防止できる。
【００５１】
一方，終点用貫通孔２８は，各切断ラインＬの終点（切断終了点）となる位置に形成されており，当該切断ラインＬの切断終了時における，ウォータージェット１６８の待機穴として機能する。即ち，かかる終点用貫通孔２８を各切断ラインＬの終点に予め形成しておくことにより，当該切断ラインＬの始点から終点にかけて切断してきたウォータージェット１６８は，終点用貫通孔２８を通過して，基板２０に直接作用することなく待機することができる。このため，停止しているウォータージェット１６８と基板２０とが必要以上に衝突して，基板２０の割れ，クラック，破断バリが発生することを低減できる。
【００５２】
また，このような始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８は，例えば，同一チャンネル内の相隣接する切断ラインＬにおいて，それぞれ反対側の一端に配置されている。具体的には，例えば第チャンネルＣＨ１では，始点用貫通孔２６は，切断ラインＬｘ１，３，５の左端，第１切断ラインＬｘ２，４，６の右端にそれぞれ配置されており，一方，終点用貫通孔２８は，切断ラインＬｘ１，３，５の右端，第１切断ラインＬｘ２，４，６の左端にそれぞれ配置されている。これは，本実施形態では，後述するように同一チャンネル内では相隣接する切断ラインＬの切断方向が反対方向になるようにして切断が行われる（例えば，第１切断ラインＬｘ１，３，５はＸ軸正方向に切断され，第１切断ラインＬｘ２，４，６はＸ軸負方向に切断される）からである。
【００５３】
このように，始点用貫通孔２６と終点用貫通孔２８とは，例えば，各切断ラインＬの始点に位置するか終点に位置するかによって機能的に相違するのみであり，実質的には略同一の構成を有する貫通孔である。なお，各切断ラインＬには，終点用貫通孔２８は必ずしも形成されなくてもよく，例えば，始点用貫通孔２６のみを形成してもよい。ただし，始点用貫通孔２６と終点用貫通孔２８とを区別することなく，全ての切断ラインＬの始点および終点に貫通孔２６，２８を形成する方が，始点のみを選んで始点用貫通孔２６を形成するよりも，穿孔作業が容易であり，基板２０の生産性が高まるので好ましい。
【００５４】
次に，図４に基づいて，本実施形態にかかるウォータージェット切断装置１０の支持部材３０について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかる第１支持部材３０−１を示す平面図である。
【００５５】
支持部材３０は，第１チャンネルＣＨ１及び／又は第２チャンネルＣＨ２の切断時に，基板２０を下方から支持する機能を有する。本実施形態にかかるウォータージェット切断装置１０は，例えば，第１チャンネルＣＨ１の切断時に使用可能な第１支持部材３０−１と，第２チャンネルＣＨ２の切断時に使用可能な第２支持部材（図示せず。）という２つの支持部材３０を具備している。このうち，第１支持部材３０−１について以下に説明する。
【００５６】
図４に示すように，第１支持部材３０−１は，例えば，アルミニウム等の金属製の板状部材であり，その大きさは，上記基板２０のパッケージ部分２４に対応しており，例えば，長さ（Ｘ軸方向）が７０ｍｍ，幅（Ｙ軸方向）が５０ｍｍ，厚さ（Ｚ軸方向）が１０ｍｍである。
【００５７】
また，第１支持部材３０−１には，例えば，Ｘ軸方向に延びる略直線状の６つの貫通孔３２が形成されている。この貫通溝３２の溝幅は，上記ウォータージェット１６８の直径および基板２０の切断幅よりも若干大きくなるように調整されており，例えば３００μｍ以上である。この６つの貫通孔３２は，それぞれ，上記基板２０の第１チャンネルＣＨ１の第１切断ラインＬｘ１〜６に対応する位置に形成されている。このため，第１支持部材３０−１によって基板２０を支持した場合には，第１切断ラインＬｘ１〜６の下方には貫通孔３２がそれぞれ配置され，基板２０の各切断ラインＬを切断して貫通した高圧水を下方に逃がすことができる。かかる貫通孔３２を第１支持部材３０−１に設けることにより，支持された基板２０に対して高圧水を噴射したときに，第１支持部材３０−１を切断することなく，基板２０の第１チャンネルＣＨ１（第１切断ラインＬｘ１〜６）のみを切断することができる。
【００５８】
また，上記貫通孔３２の両端には，例えば，ウォータージェット１６８の直径よりも大径の切断開始用貫通孔３４および切断終了用貫通孔３５が形成されている。この切断開始用貫通孔３４および切断終了用貫通孔３５は，上記基板２０の始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８に対応する位置にそれぞれ形成されている。かかる構成により，各切断ラインＬの切断開始時または終了時に，切断開始用貫通孔３４または切断終了用貫通孔３５を通過するようにウォータージェット１６８を待機させて，ウォータージェット１６８による支持部材３０の破損を防止できる。
【００５９】
このような構成の第１支持部材３０−１によって基板２０を支持しながら切断することで，上方から高圧水の圧力が加わっても基板２０が変形せず，かつ，基板２０を貫通した高圧水は貫通孔３２を通過して下方に逃げるので，支持部材３０と衝突して跳ね返って基板２０を浮き上がらせることもない。
【００６０】
かかる第１支持部材３０−１は，保持テーブル１８に対して着脱可能に構成されている。このため，第１チャンネルＣＨ１の切断時には，第１支持部材３０−１を装着して基板２０を支持しながら切断してもよいし，或いは，第１支持部材３０−１を装着することなく無支持で切断してもよい。
【００６１】
次に，図５に基づいて，上記のような基板２０および支持部材３０を保持テーブル１８に取り付ける手法と，基板２０を支持部材３０によってより安定的に支持・固定するための構成について説明する。なお，図５（ａ）は，本実施形態にかかる保持テーブル１８および支持部材３０の構成を示す斜視図であり，図５（ｂ）は，本実施形態にかかる保持テーブル１８に取り付けられた支持部材３０および基板２０等を示す断面図である。また，以下の図５に示す支持部材３０は，上記第１支持部材３０−１または第２支持部材のいずれか一方若しくは双方に適用されるものである。
【００６２】
図５（ａ）に示すように，保持テーブル１８は，例えば，その上面側に，カバー１８４と，例えば２つの係止ピン１８６と，が設けられている。カバー１８４は，基板２０を上部より覆って固定する。係止ピン１８６は，カバー１８４に形成された係止ピン用貫通孔１８６に挿入されることで，カバー１８４を係止することができる。
【００６３】
基板２０を保持テーブル１８に取り付ける場合には，例えば，図５（ｂ）に示すように，パッケージ部分２４を下向きにしてテーブル窓１８４に嵌め込むようにして，金属フレーム２２をテーブル１８４の周辺部分に引っ掛ける。さらに，基板２０の金属フレーム２２側をカバー１８４で覆って，カバー１８４の係止ピン用貫通孔１８６に係止ピン１８５を挿入する。
【００６４】
このようにして基板２０を保持テーブル１８の上部側に設置することにより，切断加工中に基板２０がずれたり脱落したりしないように，基板２０を保持テーブル１８に固定することができる。なお，保持テーブル１８上面に設けられた爪状の止め金（図示せず。）などで金属フレーム２２を係止することで，基板２０を保持テーブル１８により強固に固定してもよい。
【００６５】
一方，支持部材３０は，例えば，保持テーブル１８の下部側からテーブル窓１８４内に嵌め込むようにして装着される。このとき，止め金１８８などの固定部材によって支持部材３０の両側下部を掛止することにより，支持部材３０が保持テーブル１８に固定される。このようにして装着された支持部材３０は，基板２０のパッケージ部２４を下方から支持することができる。
【００６６】
また，図示はしないが，支持部材３０は，例えば，その上面に載置された基板２０の各チップ領域を個別に真空吸着する真空吸着手段を備えるようにしてもよい。或いは，支持部材３０と基板２０とを粘着テープによって粘着して，基板２０を支持部材３０上に固定するようにしてもよい。この粘着テープとしては，例えば，通常時は比較的強力な粘着力を有するが，加熱（例えば５０〜１００℃）されると粘着力が低下する性質を有する熱発泡型或いは熱硬化型の両面テープや，紫外線の照射を受けることにより粘着力が低下する性質を有する紫外線硬化型の粘着テープなどを採用できる。
【００６７】
かかる真空吸着手段や粘着テープを採用することにより，支持部材３０は，基板２０の切断加工時には，基板２０をより安定して支持することができるとともに，基板２０の切断完了後には，各半導体チップＣを個別に保持して，半導体チップＣがバラバラになって支持部材３０から脱落することをより確実に防止できる。さらに，半導体チップＣをピックアップする際には，真空吸着を解除する，或いは粘着テープ５０を加熱等して粘着力を低下させることにより，半導体チップＣを支持部材３０から容易にピックアップすることができる。
【００６８】
次に，図６〜図１１に基づいて，上記構成のウォータージェット切断装置１０を用いて基板２０を切断する方法について詳細に説明する。なお，図６は，本実施形態にかかる切断方法を示すフローチャートである。また，図７〜１１は，それぞれ，本実施形態にかかる切断方法における最初の切断ラインＬｘ１の切断工程，無切断移動工程，次の切断ラインＬｘ２の切断工程，第１チャンネル切断工程，第２チャンネル切断工程を説明するための工程説明図である。なお，図７〜図１１において，太実線の矢印は，基板２０が実際に切断されている場合の噴射ノズル１６の移動軌跡を表し，太点線の矢印は，基板２０が切断されていない場合の噴射ノズル１６の移動軌跡を表すものとする。
【００６９】
図６に示すように，まず，ステップＳ１０２では，基板２０および第１支持部材３０−１が保持テーブル１８に設置される（ステップＳ１０２）。例えば，図５で説明したようにして，基板２０を保持テーブル１８の上部側に取り付けて固定し，第１支持部材３０−１を保持テーブル１８の下部側に取り付けて固定する。これにより，基板２０は，第１支持部材３０−１によって下方から支持される。なお，本実施形態では，第１支持部材３０−１によって基板２０を支持しながら第１チャンネルＣＨ１を切断する例について説明するが，かかる例に限定されず，第１支持部材３０−１を装着しないで第１チャンネルＣＨ１を切断してもよい。
【００７０】
次いで，以下のステップＳ１０４からステップＳ１１６では，基板２０の第１チャンネルＣＨ１が切断される（第１チャンネル切断工程）。本実施形態では，図１０に示すように，高圧水発生装置１２の動作を停止することなく，第１チャンネルＣＨ１を構成する６つの第１切断ラインＬｘを，Ｌｘ１→Ｌｘ２→Ｌｘ３→Ｌｘ４→Ｌｘ５→Ｌｘ６の順に，切断方向をＸ軸正方向または負方向に交互に変えながら切断していく。
【００７１】
具体的には，まず，ステップＳ１０４では，保持テーブル１８をＸ軸およびＹ軸方向に移動させることにより，噴射ノズル１６を基板２０の第１チャンネルの切断開始位置の上方に配置する（ステップＳ１０４）。この第１チャンネルの切断開始位置は，例えば，第１切断ラインＬｘ１の始点（左端）にある始点用貫通孔２６である。なお，この時点では，噴射ノズル１６から高圧水は噴射されていない。
【００７２】
次いで，ステップＳ１０６では，高圧水発生装置１２を動作開始させて，噴射ノズル１６から高圧水を噴射させる（ステップＳ１０６）。このようにして噴射された高圧水１６８（即ち，ウォータージェット１６８）は，第１切断ラインＬｘ１の始点にある始点用貫通孔２６およびその下方の第１支持部材３０−１の切断開始用貫通孔３４を通過するので，基板２０および第１支持部材３０−１に対して作用することはない。
【００７３】
さらに，ステップＳ１０８では，図７に示すように，噴射ノズル１６によって高圧水を噴射しながら，噴射ノズル１６と基板２０とをＸ軸方向に相対移動させることにより，第１チャンネルの最初の第１切断ラインＬｘ１が切断される（ステップＳ１０８；最初の切断ラインの切断工程）。より詳細には，例えば，保持テーブル１８をＸ軸負方向に所定速度（例えば２０ｍｍ／秒）で移動させることにより，噴射ノズル１６を第１切断ラインＬｘ１の始点（左端）に対応する位置から，第１切断ラインＬｘ１の終点（右端）に対応する位置に相対移動させる。これにより，噴射ノズル１６によって第１切断ラインＬｘ１の始点から終点にかけてウォータージェット１６８を噴射して，第１切断ラインＬｘ１をＸ軸正方向に切断することができる。
【００７４】
かかる切断の結果，噴射ノズル１６は，高圧水を噴射したままの状態で，第１切断ラインＬｘ１の終点（右端）にある終点用貫通孔２８の上方に配置される。このとき，噴射された高圧水１６８は，例えば，当該終点用貫通孔２８およびその下方の第１支持部材３０−１の切断終了用貫通孔３５を通過するので，基板２０および第１支持部材３０−１に対して作用することはない。
【００７５】
次いで，ステップＳ１１０では，基板２０を切断することなく，噴射ノズル１６が，切断された第１切断ラインＬｘ１の終点（右端）に対する位置から，次の切断対象である第１切断ラインＬｘ２の始点（右端）に対応する位置に相対移動される（ステップＳ１１０；無切断移動工程）。より詳細には，保持テーブル１８をＹ軸正方向に移動させることにより，第１切断ラインＬｘ１の終点の上方に位置する噴射ノズル１６を，保持テーブル１８に対してＹ軸負方向に相対移動させて，第１切断ラインＬｘ２の始点にある終点用貫通孔２６の上方まで移動させる。
【００７６】
本実施形態では，このように，ある切断ラインＬｘの終点から次の切断ラインＬｘの始点まで噴射ノズル１６を相対移動させる際に，基板２０を切断しないこと（無切断移動）を特徴としている。かかる無切断移動を実現するために，例えば，基板２０の切断が生じないような高速度で噴射ノズル１６と基板２０とを相対移動させる手法（手法１），或いは噴射ノズル１６からの高圧水１６８の噴射を停止させる手法（手法２）を採用できる。以下に，この手法１及び手法２について詳細に説明する。
【００７７】
まず，手法１は，図８（ｂ）に示すように，噴射ノズル１６からの高圧水１６８の噴射を継続しながら，第１切断ラインＬｘ１の終点（終点用貫通孔２８）の上方から，次の第１切断ラインＬｘ２の始点（始点用貫通孔２６）の上方まで，噴射ノズル１６を高速度（例えば２００ｍｍ／秒）で相対移動させる手法である。このような高速移動により，高圧水１６８は，基板２０の第１切断ラインＬｘ１の終点と第１切断ラインＬｘ２の始点とを結ぶラインに対して多少は噴射されるが，基板２０を切断する程十分な時間作用することはない。このため，基板２０は，若干切削されてしまう可能性はあるが，完全に切断されることはない。
【００７８】
一方，手法２は，図８（ｃ）に示すように，第１切断ラインＬｘ１の終点（終点用貫通孔２８）の上方から，次の第１切断ラインＬｘ２の始点（始点用貫通孔２６）の上方まで，噴射ノズル１６を相対移動させる間は，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を一時停止させる手法である。この場合には，上述した噴射停止装置１５を用いて，高圧水発生装置１２の動作を停止することなく，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を一時停止させる。このようにして高圧水１６８の噴射を一時停止させることにより，第１切断ラインＬｘ１の終点と第１切断ラインＬｘ２の始点とを結ぶラインが切断されないことは勿論，高圧水発生装置１２の動作を維持することができる。
【００７９】
このように，手法１及び手法２では，高圧水発生装置１２を停止させなくても，高圧水によって基板２０が切断されないようにできる。このため，各切断ラインＬｘの切断毎に高圧水発生装置１２を動作／停止させなくて済むため，一度停止させた高圧水発生装置１２を再稼動させるまでに多大な時間がかかるという問題を回避できる。
【００８０】
次いで，ステップＳ１１２では，図９に示すように，噴射ノズル１６によって高圧水を噴射しながら，噴射ノズル１６と基板２０とをＸ軸方向に相対移動させることにより，第１チャンネルの次の切断対象である第１切断ラインＬｘ２が切断される（ステップＳ１１２；次の切断ラインの切断工程）。より詳細には，まず，上記ステップＳ１１０で手法２が採用され，高圧水１６８の噴射が一時停止されている場合には，噴射停止装置１５を切り替えて，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を再開させる。一方，上記ステップＳ１１０で手法１が採用された場合には，高圧水の噴射は継続されている。このようしにて噴射された高圧水１６８は，例えば，第１切断ラインＬｘ２の始点（右端）にある始点用貫通孔２６およびその下方の第１支持部材３０−１の切断開始用貫通孔３４を通過するので，基板２０および第１支持部材３０−１に対して作用することはない。
【００８１】
次いで，保持テーブル１８をＸ軸正方向に所定速度で移動させることにより，噴射ノズル１６を第１切断ラインＬｘ２の始点（右端）に対応する位置から，第１切断ラインＬｘ２の終点（左端）に対応する位置に相対移動させる。これにより，噴射ノズル１６によって第１切断ラインＬｘ２の始点から終点にかけてウォータージェット１６８を噴射して，第１切断ラインＬｘ２をＸ軸負方向に切断することができる。
【００８２】
さらに，ステップＳ１１４では，例えばウォータージェット切断装置１０の制御装置等によって，第１チャンネルＣＨ１内の全ての第１切断ラインＬｘ１〜６が切断されたか否かが判断される（ステップＳ１１４）。全ての第１切断ラインＬｘ１〜６が切断されていないと判断された場合には，ステップＳ１１０に戻り，その後は，全ての第１切断ラインＬｘ１〜６の切断が終了するまで，上記と同様にして，次の切断対象となる第１切断ラインＬｘの始点まで上記噴射ノズル１６を無切断移動させる工程（ステップＳ１１０）と，高圧液の噴射によって当該第１切断ラインＬｘを切断する工程（ステップＳ１１２）とが繰り返される。
【００８３】
この結果，図１０に示すように，第１チャンネルＣＨ１を構成する第１切断ラインＬｘ１〜６が，順次切断される。このとき，相隣接する第１切断ラインＬｘは，相互に，切断方向が反対方向になるようにして切断される。具体的には，例えば，第１切断ラインＬｘ１，３，５はＸ軸正方向に切断され，第１切断ラインＬｘ２，４，６はＸ軸負方向に切断される。このため，噴射ノズル１６は，図１０に示すような第１チャンネルＣＨ１に沿ったジグザグ型（略矩形波形状）の移動軌跡で相対移動する。このようにして切断加工することにより，第１チャンネルＣＨ１の全ての第１切断ラインＬｘ１〜６を切断する際の，噴射ノズル１６と保持テーブル１６との相対移動距離を最小にすることができる。従って，高圧水の噴射量および加工時間を低減して，切断作業を効率化できる。
【００８４】
また，上記のような第１チャンネルＣＨ１の切断加工中は，第１支持部材３０−１によって基板２０を支持しているので，薄い基板２０であっても，ウォータージェット１６８の圧力で基板２０が変形することがない，さらに，基板２０を貫通したウォータージェット１６８は，貫通孔３２を通過して下方に逃げることができるので，第１支持部材３０−１と衝突して跳ね返って基板２０を浮き上がらせることがない。従って，第１チャンネルＣＨ１の各第１切断ラインＬｘ１〜６を高精度で切断加工できる。
【００８５】
また，第１チャンネルＣＨ１の第１切断ラインＬｘ１〜６は，基板２０の内側にあり，かつ，相互にクロスしていない。このため，第１切断ラインＬｘ１〜６を切断しても，基板２０が分割されることはない。
【００８６】
以上のようにして第１チャンネルＣＨ１の全ての第１切断ラインＬｘ１〜６が切断された場合には，ステップＳ１１６に進む。
【００８７】
次いで，ステップＳ１１６では，例えば，高圧水発生装置１２の動作を停止させて，噴射ノズル１６からの高圧水の噴射を停止させる（ステップＳ１１６）。次のステップＳ１１８において，第２支持部材を取り付けるために，本ステップでは高圧水の噴射が停止される。以上までのステップＳ１０４〜Ｓ１１６で，第１チャンネル切断工程が終了する。
【００８８】
さらに，ステップＳ１１８では，第１支持部材３０−１が保持テーブル１８から取り外されて，第２支持部材が保持テーブル１８に取り付けられる。（ステップＳ１１８）。上記のように，第１チャンネル切断工程において基板２０は分割されていないので，本ステップで第１支持部材３０−１を取り外したとしても，基板２０の一部或いは全部が落下してしまうことはない。
【００８９】
その後，ステップＳ１２０では，例えば，図１１に示すように，噴射ノズル１６によって高圧水を噴射しながら，噴射ノズル１６と基板２０とを相対移動させることにより，基板２０の第２チャンネルＣＨ２が一筆書き切断される（ステップＳ１１８：第２チャンネル切断工程）。具体的には，この第２チャンネル切断工程では，上記第１チャンネル切断工程とは異なり，高圧水の噴射を維持しながら，噴射ノズル１６を図１１の太実線で示すようなジグザグ型（略矩形波形状）の移動軌跡で所定速度で移動させることにより，基板２０の第２チャンネルＣＨ２を構成する第２切断ラインＬｙ１〜５の全てを一筆書き切断する。このため，ある第２切断ラインＬｙの終点から次の第２切断ラインＬｙの始点に対応する位置まで噴射ノズル２６を移動させる間も，高圧水の噴射によって基板２０を切断することになる。かかる一筆書き切断加工により，第２チャンネルＣＨ２の加工速度を高めることができる。なお，このように第２チャンネルＣＨ２を一筆書き切断する場合には，例えば，基板２０に予め設けられる貫通孔２６，２８として，最初に切断される第２切断ラインＬｙ１の始点（下端）にのみ始点用貫通孔２６を設けておくようにしていもよい。
【００９０】
このようにして，第１チャンネルＣＨ１の切断後に第２チャンネルＣＨ２が切断されることによって，基板２０が格子状にダイシングされて複数の半導体チップＣに分割されることになるが，かかる半導体チップＣは第２支持部材によって支持されているため，バラバラになって脱落することがない。特に，上述したような真空吸着手段による真空吸着や，粘着テープによる粘着によって，個々の半導体チップＣを第２支持部材上に固定することにより，より確実に半導体チップＣの脱落を防止できる。
【００９１】
また，第２チャンネルＣＨ２の切断加工後に保持テーブル１８から第２支持部材を取り外すと，この第２支持部材上には複数の半導体チップＣが載置された状態となる。このため，複数の半導体チップＣを第２支持部材ごと搬出した上で，ピックアップすることができるので，ウォータージェット装置１０では，即座に次の基板２０の切断加工を開始できる。
【００９２】
以上，本実施形態にかかる切断方法について説明した。この切断方法では，第１チャンネル切断工程において，基板２０の第１切断ラインＬｘ１〜６の部分のみを切断して，第１切断ラインＬｘ１〜６相互の間は切断しない。つまり，上記切断工程において，各切断ラインＬｘを切断し，上記無切断移動工程において，噴射ノズル１６を，切断された切断ラインＬｘの終点に対応する位置から，次の第１切断ラインＬｘの始点に対応する位置に移動させる間は，基板２０を切断しない。
【００９３】
これにより，第１チャンネル切断工程後の基板２０は，図１１に示したように，略平行に並んだスリット状の切断孔５０が複数形成され，相隣接する切断孔５０間に挟まれた短冊状の領域である切断部５２は，４辺のうち例えばＸ軸方向（左右）２辺で支持された状態となる。このため，当該切断部５２が反り返ったり，横ずれしたりしないので，第１チャンネル切断工程後の基板２０は変形しない。従って，次の第２チャンネル切断工程において，第２チャンネルＣＨ２を構成する第２切断ラインＬｙ１〜５を正確に切断することが可能になる。また，反り返った切断部５２が噴射ノズル１６の先端に接触することもないので，第２チャンネルＣＨ２の切断に支障を来すことがない。
【００９４】
さらに，基板２０の金属フレーム２２を完全には切り離さないので，分割された金属フレーム２２の切り屑が発生しない。また，基板２０の同じ箇所を２度切りしないので，切断品質を向上させることができる。
【００９５】
加えて，ウォータージェット１６８用の待機穴である始点用貫通孔２８が，全ての切断ラインＬの始点に設けてあるので，任意の切断ラインＬから切断加工を開始することができ，また，切断途中で切断加工を停止することもできる。
【００９６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態および実施例について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９７】
例えば，上記実施形態では，被切断物としてＱＦＮ基板などの基板２０の例を挙げて説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。被切断物は，複数の切断ラインを有するものであれば，例えば，ＣＳＰ基板，ＧＰＳ基板，ＢＧＡ基板等のパッケージ基板や，半導体ウェハ，サファイア基板，ガラス材，セラミックス材，金属材，プラスチック等の合成樹脂材などであってもよい。また，被切断物の形状は，略矩形に限定されず，略円盤形状など任意の形状であってよい。さらに，被切断物の形状に合わせて，テーブル窓１８２，支持部材３０，粘着テープ５０等の形状を略矩形以外の形状に変更することもでき，また，始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８の形成位置も変更できる。
【００９８】
また，上記実施形態では，切断ラインＬは直線であったが，かかる例に限定されず，曲線であってもよい。また，上記実施形態にかかる基板２０では，第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２は直交していたが，かかる例に限定されず，所定の角度θ（０＜θ＜９０°）で交わる場合であってもよい。
【００９９】
また，本実施形態にかかる基板２０では，図３に示したように，第１チャンネルＣＨ１および第２チャンネルＣＨ２の全ての切断ラインＬの始点及び終点に，始点用貫通孔２６および終点用貫通孔２８が予め形成されていたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，各切断ラインＬの始点に始点用貫通孔２６を形成するのみで，その終点に終点用貫通孔２８を形成しなくてもよい。
【０１００】
また，上記実施形態にかかる第２チャンネル切断工程では，第２チャンネルＣＨ２を一筆書き切断したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，第２チャンネル切断工程においても，上記第１チャンネル切断工程と同様に，第２切断ラインＬｙの切断工程と無切断移動工程とを繰り返して，第２チャンネルＣＨ２を切断してもよい。
【０１０１】
また，上記実施形態では，第１チャンネル切断工程において，各第１切断ラインＬｘ１〜６の切断方向をＸ軸正方向または負方向に交互に変えて，各第１切断ラインＬｘ１〜６を順次切断する構成を採用し，この結果，噴射ノズル１６の移動軌跡は図１０に示したように，ジグザグ型（略矩形波形状）となったが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，第１チャンネルＣＨ１の全ての第１切断ラインＬｘ１〜６を同一方向（例えばＸ軸正方向）に切断するようにして，噴射ノズル１６の移動軌跡を略鋸歯状にしてもよい。この場合には，２つの第１切断ラインＬｘ間で噴射ノズル１６を相対移動させるときに基板２０の表面のチップ領域を高圧水で切削しないように，上記手法２を使用することが好ましい。
【０１０２】
また，上記実施形態では，第１チャンネル切断工程において，第１チャンネルＣＨ１の第１切断ラインＬｘ１〜６を，Ｌｘ１→Ｌｘ２→…→Ｌｘ６の順に切断したが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，Ｌｘ６→Ｌｘ５→…→Ｌｘ１の順，Ｌｘ１→Ｌｘ３→Ｌｘ５→Ｌｘ２→Ｌｘ４→Ｌｘ６の順など，第１切断ラインＬｘ１〜６の順序順序は任意の順序であってよい。
【０１０３】
また，上記実施形態では，切断装置としてウォータージェット切断装置１０を採用した例について説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。切断装置は，高圧液を噴射する高圧液噴射手段を備え，高圧液の噴射によって被切断物を切断加工できる装置であれば，多様に設計変更可能である。例えば，噴射する高圧液は，上記高圧水の例に限定されず，任意の液体であってもよい。また，高圧液中には必ずしも研磨材（砥粒）を混合しなくてもよく，高圧液の衝突エネルギーのみで被切断物を切断してもよい。
【０１０４】
また，１台の切断装置に複数の高圧液噴射手段を設けて，１つの被切断物のうちの複数箇所，或いは，複数の被切断物を同時に切断加工できるように構成してもよい。この構成は，例えば，１つの金属フレーム２２上に複数のパッケージ部分２４が形成されているパッケージ基板などを切断する際に適用できる。
【０１０５】
また，上記ウォータージェット切断装置１０では，噴射ノズル１６を固定して，基板２０を保持する保持テーブル１８を移動させることにより，基板２０を切断したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，保持テーブル１８上に固定された基板２０に対して，噴射ノズル１６を移動させることにより，基板２０を切断してもよい。
【０１０６】
また，上記実施形態にかかるウォータージェット切断装置１０は，基板２０を略垂直に切断したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，噴射ノズル１６または基板２０を傾けることにより，基板２０を斜めに切断してもよい。
【０１０７】
また，上記実施形態では，第１チャンネル切断工程において，基板２０を第１支持部材３０−１によって支持しながら第１チャンネルＣＨ１を切断したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，基板２０が高圧水の圧力で変形しない程度に厚い場合などには，基板２０を第１支持部材３０−１によって支持することなく，保持テーブル１８のみで保持した状態で，第１チャンネルＣＨ１を切断してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明は，高圧液の噴射によって被切断物を切断する切断方法に適用可能であり，特に，切削ブレードを備えたダイシング装置では切断しにくいＱＦＮ基板等の難加工材を，高圧液の噴射によって切断する切断方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるウォータージェット切断装置の構成を示す概略図である。
【図２】同実施形態にかかる保持テーブルおよびテーブル移動装置の構成を示す斜視図である。
【図３】同実施形態にかかる被切断物である基板を示す平面図（ａ）および正面図（ｂ）である。
【図４】同実施形態にかかる第１支持部材を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は，同実施形態にかかる保持テーブルおよび支持部材の構成を示す斜視図であり，図５（ｂ）は，同実施形態にかかる保持テーブルに取り付けられた基板および支持部材を示す断面図である。
【図６】同実施形態にかかる切断方法を示すフローチャートである。
【図７】同実施形態にかかる切断方法における最初の切断ラインの切断工程を説明するための工程説明図である。
【図８】同実施形態にかかる切断方法における無切断移動工程を説明するための工程説明図である。
【図９】同実施形態にかかる切断方法における次の切断ラインの切断工程を説明するための工程説明図である。
【図１０】同実施形態にかかる切断方法における第１チャンネル切断工程を説明するための工程説明図である。
【図１１】同実施形態にかかる切断方法における第２チャンネル切断工程を説明するための工程説明図である。
【図１２】従来の第１チャンネルが一筆書き切断された基板を示す平面図である。
【図１３】従来の一筆書き切断された基板の切断部が，反り返った状態（ａ）と，横ずれした状態（ｂ）を示す部分拡大図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１０  ：  ウォータージェット切断装置
１２  ：  高圧水発生装置
１４  ：  研磨材混合装置
１５  ：  噴射停止装置
１６  ：  噴射ノズル
１８  ：  保持テーブル
２０  ：  基板
２２  ：  金属フレーム
２４  ：  パッケージ部分
２６  ：  始点用貫通孔
２８  ：  始点用貫通孔
３０  ：  支持部材
３２  ：  貫通溝
４０  ：  テーブル移動装置
４２  ：  キャッチタンク
４４  ：  研磨材回収装置
５０  ：  切断孔
５２  ：  切断部
１６８  ：  ウォータージェット
１８２  ：  テーブル窓
Ｃ  ：  半導体チップ
Ｌｘ  ：  第１切断ライン
Ｌｙ  ：  第２切断ライン
ＣＨ１  ：  第１チャンネル
ＣＨ２  ：  第２チャンネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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