(57)【要約】【課題】従来の高周波用誘電体磁器組成物は、焼結温度が高く、低抵抗電極材料と共焼結することができない。【解決手段】組成式Ｂａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３（但し、０≦Ｘ≦０．３、０≦Ｙ≦0．９、０．９≦Ｖ≦１．１、ＭｅはＭｇまたはＭｇの一部をＺｎ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一種で置換したもの）で表されるセラミック成分を６０〜９９重量％含み、ガラス成分を１〜４０重量％含む高周波用誘電体磁器組成物であって、上記ガラス成分は、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＥＯ（但し、ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属及びＺｎの少なくとも一種の金属）及びＡ２Ｏ（但し、ＡはＬｉ、Ｎａ及びＫの少なくとも一種のアルカリ金属）を含み、且つ、各酸化物の重量比が、１０≦ＳｉＯ２≦６０、５≦Ｂ２Ｏ３≦４０、０≦Ａｌ２Ｏ３≦３０、２０≦ＥＯ≦７０、０≦Ａ２Ｏ≦１５の関係を満足する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式がＢａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３（但し、０≦Ｘ≦０．３、０≦Ｙ≦0．９、０．９≦Ｖ≦１．１、ＭｅはＭｇまたはＭｇの一部をＺｎ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一種で置換したもの）で表されるセラミック成分を６０〜９９重量％含み、ガラス成分を１〜４０重量％含む高周波用誘電体磁器組成物であって、
上記ガラス成分は、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＥＯ（但し、ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属及びＺｎの少なくとも一種の金属）及びＡ２Ｏ（但し、ＡはＬｉ、Ｎａ及びＫの少なくとも一種のアルカリ金属）を含み、且つ、上記各酸化物の含有量が重量比で、
１０≦ＳｉＯ２≦６０、
５≦Ｂ２Ｏ３≦４０、
０≦Ａｌ２Ｏ３≦３０、
２０≦ＥＯ≦７０、
０≦Ａ２Ｏ≦１５
の関係を満足することを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項２】
上記セラミック成分と上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＴｉＯ２を０〜１５重量部含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項３】
上記セラミック成分及び上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＣｕＯを０〜５重量部含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項４】
高周波用誘電体磁器と、この高周波用誘電体磁器の内部に配設された導体とを有する電子部品であって、上記高周波用誘電体磁器は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の高周波用誘電体磁器組成物によって形成され、且つ、１０００℃以下で焼成されてなることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
上記高周波用誘電体磁器は、複数のセラミックシートを積層してなる積層体を焼成してなることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
上記導体は、上記セラミックシート上に所定のパターンで塗布された導電体ペーストを焼成してなることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
上記導体は、ＡｇまたはＣｕを主成分として含むことを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
上記電子部品は、フィルタであることを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品に関し、更に詳しくは、例えばマイクロ波やミリ波等の高周波領域で高いＱ値及び対環境信頼性を有し、金属電極と共焼結することができる高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の高周波用誘電体磁器組成物としては、例えば特許文献１において提案されたものが知られている。
【０００３】
特許文献１には、組成式、３（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）Ｏ・（Ｚｎ１−ｙＭｇｙ）Ｏ・（１‐ｚ）Ｎｂ２Ｏ５・ｚＳｂ２Ｏ５（式中、０．４＜ｘ＜０．８、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜０．２０である。）で表されるバリウム、ストロンチウム、亜鉛、マグネシウム、ニオブ、アンチモンおよび酸素からなる誘電体磁器組成物が提案されている。この誘電体磁器組成物は、０．１〜５ＧＨｚ帯で使用される誘電体共振器材料として好適に使用することができ、高誘電率で、Ｑ値が大きく、共振周波数の温度変化率の安定性が良い。
【０００４】
また、高周波領域で用いられる共振器等の場合には、一般に、電極材料としてＡｇ、Ｃｕ等の低抵抗で安価な金属を使用する必要があるため、誘電体磁器組成物はこれらの金属の融点より低い温度で焼成する必要がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平号６−２６００３１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の誘電体磁器組成物は、その成形体を焼成する場合に空気雰囲気下において１５００〜１６５０℃で焼成する必要があるが、Ａｇ、Ｃｕ等の低抵抗電極材料は、融点が９６０〜１０６３℃で、上記誘電体磁器組成物の焼成温度より著しく低く、このような誘電体磁器組成物とは共焼結することができないという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、低温焼結することができ、低抵抗電極材料との共焼成が可能で、しかも、誘電率、Ｑ値及び誘電特性に優れた高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物は、組成式がＢａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３（但し、０≦Ｘ≦０．３、０≦Ｙ≦0．９、０．９≦Ｖ≦１．１、ＭｅはＭｇまたはＭｇの一部をＺｎ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一種で置換したもの）で表されるセラミック成分を６０〜９９重量％含み、ガラス成分を１〜４０重量％含む高周波用誘電体磁器組成物であって、上記ガラス成分は、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＥＯ（但し、ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属及びＺｎの少なくとも一種の金属）及びＡ２Ｏ（但し、ＡはＬｉ、Ｎａ及びＫの少なくとも一種のアルカリ金属）を含み、且つ、上記各酸化物の含有量が重量比で、１０≦ＳｉＯ２≦６０、５≦Ｂ２Ｏ３≦４０、０≦Ａｌ２Ｏ３≦３０、２０≦ＥＯ≦７０、０≦Ａ２Ｏ≦１５の関係を満足することを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載の高周波用誘電体磁器組成物は、請求項１に記載の発明において、上記セラミック成分と上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＴｉＯ２を０〜１５重量部含むことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の高周波用誘電体磁器組成物は、請求項１に記載の発明において、上記セラミック成分及び上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＣｕＯを０〜５重量部含むことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項４に記載の電子部品は、高周波用誘電体磁器と、この高周波用誘電体磁器の内部に配設された導体とを有する電子部品であって、上記高周波用誘電体磁器は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の高周波用誘電体磁器組成物によって形成され、且つ、１０００℃以下で焼成されてなることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の請求項５に記載の電子部品は、請求項４に記載の発明において、上記高周波用誘電体磁器は、複数のセラミックシートを積層してなる積層体を焼成してなることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項６に記載の電子部品は、請求項５に記載の発明において、上記導体は、上記セラミックシート上に所定のパターンで塗布された導電体ペーストを焼成してなることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の請求項７に記載の電子部品は、発明において、請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の上記導体は、ＡｇまたはＣｕを主成分として含むことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項８に記載の電子部品は、請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載の発明において、上記電子部品は、フィルタであることを特徴とするものである。
【００１６】
而して、本発明の高周波用誘電体磁器組成物を構成するセラミック成分は、組成式がＢａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３で表される。このセラミック成分の組成式において、Ｘ、Ｙ、Ｖは、それぞれ０≦Ｘ≦０．３、０≦Ｙ≦0．９、０．９≦Ｖ≦１．１を満足する。組成式のＸが０．３を超えると高周波誘電体磁器組成物としての共振周波数（約６ＧＨｚ）の温度変化率τｆが大きくなり過ぎる。また、組成式のＹが０．９を超えると上記共振周波数の温度変化率τｆが大きくなり過ぎる。更に、組成式のＶが０．９未満、あるいは１．０を超えるとＱ値が１００００より低下する。
【００１７】
上記セラミック成分の組成式におけるＭｅは、ＭｇまたはＭｇの一部をＺｎ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一種で置換したものである。ＭｅがＭｇを含まず、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのいずれかのみからなるものは、セラミック成分が焼結しないため、Ｍｅとしては少なくともＭｇを含んでいることが必要である。ＭｅとしてＭｇを含まないセラミック成分は焼結しない。
【００１８】
上記ガラス成分は、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＥＯ（但し、ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのアルカリ土類金属及びＺｎの少なくとも一種の金属）及びＡ２Ｏ（但し、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋの少なくとも一種のアルカリ金属）を含み、且つ、各酸化物の含有量が重量比で、１０≦ＳｉＯ２≦６０、５≦Ｂ２Ｏ３≦４０、０≦Ａｌ２Ｏ３≦３０、２０≦ＥＯ≦７０、０≦Ａ２Ｏ≦１５の関係を満足する。ＳｉＯ２が重量比１０未満では耐湿性が低下し、逆に重量比６０を超えるとガラス成分の軟化温度が高くなり焼結性が低下し、１０００℃以下の温度では焼結しなくなる。Ｂ２Ｏ３が重量比５未満ではガラス成分の軟化温度が高くなり焼結性が低下し、逆に重量比４０を超えると耐湿性が低下する。また、Ａｌ２Ｏ３が重量比３０を超えるとガラス成分の軟化温度が高くなり焼結性が低下する。アルカリ土類金属の酸化物またはＺｎＯが重量比２０未満ではガラス成分の軟化温度が高くなり焼結性が低下し、逆に重量比７０を超えると耐湿性が低下する。更に、アルカリ金属の酸化物は、低温焼結には有効であるが、重量比１５を超えると耐湿性が低下する。尚、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＥＯ及びＡ２Ｏのうち一種以上を酸化物の状態で添加しても良い。
【００１９】
また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、上記セラミック成分を６０〜９９重量％含むと共にガラス成分を１〜４０重量％含んでいる。ガラス成分の添加量が１重量％未満では低温焼結効果を発揮せず、逆に４０重量％を超えると比誘電率εｒ及びＱ値がそれぞれ低下し、共振周波数の温度変化率τｆも大きくなる。
【００２０】
また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、上記セラミック成分と上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＴｉＯ２を０〜１５重量部含んだものが好ましい。ＴｉＯ２はガラス結晶化促進剤として使用され、Ｑ値を向上させる効果がある。ＴｉＯ２の添加量が１５重量部を超えると焼結性が悪化する。
【００２１】
また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、上記セラミック成分及び上記ガラス成分との合計１００重量部に対してＣｕＯを０〜５重量部含んだものが好ましい。ＣｕＯは焼結促進剤として使用され、低温焼結化の効果がある。ＣｕＯの添加量が５重量部を超えるとＱ値が低下し、共振周波数の温度変化率τｆが大きくなる。
【００２２】
而して、本発明の高周波用誘電体磁器組成物を１０００℃以下の低温で焼結することによって本発明の高周波用誘電体磁器を得ることができる。また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物を焼成することによって本発明の電子部品を構成する高周波用誘電体磁器を得ることができる。本発明の電子部品としては、本発明の高周波用誘電体組成物から得られる高周波用誘電体磁器を適用できる電子部品であれば特に制限されないが、例えばＬＣフィルタが好ましい。
【００２３】
本発明の電子部品は、上記高周波用誘電体磁器と、この高周波用誘電体磁器の内部に配設された導体とを有している。高周波用誘電体磁器は、例えばセラミックグリーンシートを複数積層した積層体を焼結することによって得ることができる。また、導体は、所定のセラミックグリーンシート上に所定のパターンで塗布された導電性ペーストをセラミッククリーンシートと同時に焼結することによって得ることができる。この導体は、導電性ペーストのパターンによって例えばコイル導体やコンデンサ用内部電極として形成することができる。導電性ペーストとしては、ＡｇまたはＣｕを主成分として含むものが好ましい。導電性ペーストは、Ａｇ、Ｃｕに制限されるものではなく、１０００℃以下の低温で焼結できる導電性材料であれば良い。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の請求項１〜請求項８に記載の発明によれば、低温焼結することができ、低抵抗電極材料との共焼成が可能で、しかも、誘電率、Ｑ値及び誘電特性に優れた高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下ではまず、本発明の高周波用誘電体磁器組成物を用いた本発明の電子部品の一実施形態である積層セラミック電子部品について図１〜図３を参照しながら説明し、次いで、本発明の高周波誘電体磁器組成物の具体的な実施例について説明する。尚、図１は本発明の電子部品の一実施形態の外観を示す斜視図、図２は図１に示す電子部品の回路図、図３は図１に示す電子部品を示す分解斜視図である。
【００２６】
本実施形態の積層セラミック電子部品はＬＣフィルタである。本実施形態のＬＣフィルタ１０は、例えば図１に示すように、高周波用誘電体磁器１１と、この高周波用誘電体磁器１１の内部に配設された導体とを有している。高周波用誘電体磁器１１は、本発明の高周波用誘電体磁器組成物を後述のように焼成して得られたセラミック焼結体であり、また、導体は、高周波用誘電体磁器組成物と共に後述のように焼結されてセラミック焼結体の内部に形成されたコイル導体及びコンデンサ用の内部電極である。従って、以下では高周波用誘電体磁器１１をセラミック焼結体１１として説明する。
【００２７】
セラミック焼結体１１の表面には、図１に示すように第１外部電極１２Ａ、１２Ｂ及び第２外部電極１３Ａ、１３Ｂが形成されている。第１外部電極１２Ａ、１２Ｂはそれぞれセラミック焼結体１１内部のコイル導体に接続され、第２外部電極１３Ａ、１３Ｂはそれぞれセラミック焼結体１１内部のコンデンサ用の内部電極に接続されている。このＬＣフィルタ１０は、図２に示すＬＣ共振回路として構成されている。
【００２８】
次いで、図３を参照しながらセラミック焼結体１１の製造方法をその内部構造と共に説明する。セラミック焼結体１１を製造するにはまず、本発明の高周波用誘電体磁器組成物に有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを調製する。その後、セラミックスラリーをドクターブレード法等の公知の手法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。その後、このセラミックグリーンシートを乾燥し、図３に示すように所定の大きさに打ち抜いて矩形状のセラミックグリーンシート１１Ａ〜１１Ｍを作製する。
【００２９】
引き続き、図３に示すようにセラミックグリーンシート１１Ａ〜１１Ｍのうち、所定のセラミックグリーンシートに貫通孔をビアホールとして形成する。また、所定のセラミックグリーンシート上に導電性ペーストを所定のパターンでスクリーン印刷することによって、図３に示すように上方から下方に向けて、コイル導体１４Ａ、１４Ｂ、コンデンサ用の内部電極１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、及びコイル導体１４Ｃ、１４Ｄをそれぞれ形成する一方、所定のセラミックグリーンシートに形成された貫通孔にビアホール導体用の導電性ペーストを充填する。このようにして得られたセラミックグリーンシート１１Ａ〜１１Ｍを図３に示すように積層し、厚み方向に加圧して積層体を得る。この積層体を１０００℃以下の低温で焼成してセラミック焼結体１１を得る。その後、このセラミック焼結体１１の表面に、図１に示すように第１外部電極１２Ａ、１２Ｂ及び第２外部電極１３Ａ、１３Ｂを形成してＬＣフィルタ１０を得る。第１、第２外部電極１２Ａ、１２Ｂ、１３Ａ、１３Ｂを形成する方法としては、導電性ペーストを塗布して焼き付ける厚膜形成方法や、蒸着、メッキ、あるいはスパッタリング等の薄膜形成方法等の従来公知の方法を用いることができる。
【００３０】
図２に示すように、本実施形態のＬＣフィルタ１０の場合には、セラミック焼結体１１内のコイル導体１４Ａ、１４ＢによってインダクタンスユニットＬ１が形成され、コイル導体１４Ｃ、１４ＤによってインダクタンスユニットＬ２が形成され、また、セラミック焼結体１１内の内部電極１５Ａ、１５Ｂ、１５ＣによってコンデンサＣが形成される。
【００３１】
本実施形態のＬＣフィルタ１０は、上述のようにセラミック焼結体１１が本発明の高周波用誘電体磁器組成物によって形成されているため、１０００℃以下の低温で焼成することができ、延いてはコイル導体及びコンデンサ用内部電極としてＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属を主成分として含む導電性ペーストを用いてもセラミックグリーンシートと同時に共焼結することができ、しかも効率の良いＬＣフィルタ１０を得ることができると共に、比誘電率、Ｑ値、共振周波数の温度係数πｆに優れ、高周波領域に適したＬＣフィルタ１０を得ることができる。
【００３２】
以上説明したようにＬＣフィルタ１０に本発明の高周波用誘電体磁器組成物を適用することにより、優れた高周波特性を備えたＬＣフィルタ１０を得ることができる。尚、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、ＬＣフィルタに限らず、他の電子部品にも広く適用することができる。
【実施例１】
【００３３】
次に、本発明の誘電体共振器等の電子部品を製造する場合に用いられる本発明の高周波用誘電体磁器組成物を実施例に基づいて説明する。
【００３４】
本実施例では、下記の手順で下記表１〜表６に示す試料Ｎｏ.０〜８１の高周波誘電体磁器組成物を調製した。試料Ｎｏ.０〜２１はセラミック成分の各元素の置換率（Ｘ、Ｙ、Ｖ及びＭｅ）の影響を観る試料であり、試料Ｎｏ.２２〜７０はガラス成分の各元素の含有量の影響を観る試料であり、試料Ｎｏ.７１〜７４はガラス成分の添加量の影響を観る試料であり、試料Ｎｏ.７５〜８１は添加物（ＴｉＯ２、ＣｕＯ）の影響を観る試料である。次いで、これらの試料を用いて高周波誘電体磁器を作製し、これらの高周波誘電体磁器の下記表１〜表４に示す高周波特性をそれぞれ測定、評価し、その結果をそれぞれの表に示した。下記表５、表６はガラス成分の組成を示す。尚、下記表１〜表６において、＊印を付した試料は本発明の範囲外のものである。
【００３５】
（１）高周波誘電体磁器組成物の調製
まず、セラミック成分の出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を準備した。次いで、これらの原料粉末それぞれを下記表１〜表４に示すＢａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３で表される組成物が得られるように秤量して調合した。その後、調合済みの原料粉末を、ボールミルを用いて１６時間湿式混合した後、脱水、乾燥し、その後、１１００〜１３００℃で３時間仮焼した。そして、この仮焼粉末をボールミルで１μｍ未満まで粉砕し、下記表１〜表４に示す組成の仮焼粉を得た。
【００３６】
一方、ガラス成分の出発原料として、ＢａＣＯ３、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、ＺｎＯ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を準備した。次いで、これらの原料粉末それぞれを下記表５、及び表６に示すように組成比率で調合し、これらの原料粉末をＰｔＲｈ坩堝中で１２００〜１６００℃で融解、急冷、粉砕して下記表５、表６に示すＧ１〜Ｇ５０のガラス粉を調製した。
【００３７】
（２）高周波用誘電体磁器の作製
次いで、（１）で得られた仮焼粉に対してガラス粉を下記表１〜表４に示す重量％で添加し、これらの混合物にバインダを加えた後、これらの混合物をボールミルで１６時間、再度湿式粉砕することによって調整粉末を得た。そして、これらの調整粉末を２０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力下で、焼成後の寸法が直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板になるようにプレス成形した。引き続き、これらの成形品を表１〜表４に示す焼成温度で２時間焼成して焼結体（高周波用誘電体磁器）を得た。
【００３８】
（３）高周波用誘電体磁器の評価
Ａ）高周波用誘電体磁器のεｒ、τｆ及びＱ値の測定
試料Ｎｏ.０〜Ｎｏ.８１について、室温（２５℃）において誘電体共振法によってそれぞれの比誘電率εｒ及びＱ値を６ＧＨｚで測定し、その結果を下記表１〜表４に示した。また、各試料について、誘電体共振法と同じ円柱試料を作製し、この試料をキャビティに入れ、ＴＥ０１１モードの共振ピークを恒温槽の中で２５℃における共振周波数ｆ２５℃及び５５℃における共振周波数ｆ５５℃を測定し、下記の式に基づいて共振周波数の温度変化率τｆを求め、その結果を下記表１〜表４に示した。
τｆ＝（ｆ５５℃−ｆ２５℃）／ｆ２５℃
【００３９】
Ｂ）高周波用誘電体磁器の焼結性の評価
焼結性はインク浸透試験によって評価した。インク浸透試験は、インクに試料を浸漬し試料のセラミック内へのインクの浸透の有無によって評価する方法で、この評価結果を下記表１〜表４に示した。これらの表において、○はセラミック内にインクが浸透しなかった試料を示し、×はセラミック内にインクが浸透した試料を示す。
【００４０】
Ｃ）高周波用誘電体磁器の耐湿性の評価
３０μｍの試料を作製し、この試料に、温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気下で１０Ｖの直流電圧を印加し、１０００時間経過後のｌｏｇＩＲを求め、その結果を下記表１〜表４に示した。これらの表において、○はｌｏｇＩＲが９以上の試料を示し、×はｌｏｇＩＲが９未満の試料を示す。
【００４１】
【表１】
2005170756.tif 000003
【００４２】
【表２】
2005170756.tif 000004
【００４３】
【表３】
2005170756.tif 000005
【００４４】
【表４】
2005170756.tif 000006
【００４５】
【表５】
2005170756.tif 000007
【００４６】
【表６】
2005170756.tif 000008
【００４７】
（１）セラミック成分の組成の影響（試料Ｎｏ.０〜２１）
上記表１に示す結果によれば、セラミック成分である組成式（Ｂａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３におけるＹが本発明の範囲（０≦Ｙ≦0．９）内にある本発明の試料Ｎｏ.０〜Ｎｏ.５は、９００℃の低温で焼結するためＡｇ、Ｃｕ等の低抵抗で安価な金属を共焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚで１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、高周波特性に優れているため高周波用共振器等として小型化することができ、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、Ｙが本発明の範囲外の試料Ｎｏ.６は、比誘電率εｒが２０より大きく、共振周波数の温度変化率τｆが±２０の範囲を超えることが判った。
【００４８】
上記表１に示す結果によれば、セラミック成分である組成式（Ｂａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３におけるＶが本発明の範囲（０．９≦Ｖ≦１．１）内にある本発明の試料Ｎｏ.８、９は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、Ｙが本発明の範囲外の試料Ｎｏ.７、１０は、Ｑ値がいずれも１００００より低いことが判った。
【００４９】
上記表１に示す結果によれば、セラミック成分である組成式（Ｂａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３において、ＭｅとしてＭｇとＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｎのいずれか一種とを含む本発明の試料Ｎｏ.１１、１３、１５、１７は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、ＭｅとしてＭｇを含まない試料Ｎｏ.１２、１４、１６、１８は、いずれも焼結しないことが判った。
【００５０】
上記表１に示す結果によれば、セラミック成分である組成式（Ｂａ１−ＸＳｒＸ〔Ｍｅ１／３（Ｓｂ１−ＹＮｂＹ）２／３〕ＶＯ３におけるＸが本発明の範囲（０≦Ｘ≦０．３）内にある本発明の試料Ｎｏ.１９、２０は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、Ｘが本発明の範囲外の試料Ｎｏ.２１は、共振周波数の温度変化率τｆが±２０の範囲を超えることが判った。
【００５１】
（２）ガラス成分の組成の影響（試料Ｎｏ.２２〜７０）
上記表２、表３、表５及び表６に示す結果によれば、ガラス成分の各組成が本発明の範囲を満足する試料Ｎｏ.２２、２４、２５、Ｎｏ.３３〜４０、Ｎｏ.４３〜４５、Ｎｏ.４９〜５８、Ｎｏ.６４〜６８は、いずれも、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。
【００５２】
これに対して、上記表２、表５に示す結果によれば、ＳｉＯ２の含有量が本発明の範囲（重量比で１０≦ＳｉＯ２≦６０）未満のガラス成分を含む試料Ｎｏ.２３は、耐湿性が悪く対環境性に劣ることが判った。逆にＳｉＯ２の含有量が本発明の範囲を超える試料Ｎｏ.３１は、焼結しないことが判った。
【００５３】
また、上記表２、表３及び表５に示す結果によれば、ＥＯの含有量が本発明の範囲（重量比で２０≦ＥＯ≦７０）未満のガラス成分を含む試料Ｎｏ.２６〜３１、４２は、いずれも焼結しないことが判った。また、逆に、ＥＯの含有量が本発明の範囲を超えるガラス成分を含む試料Ｎｏ.５９〜６３は、いずれも耐湿性が悪く対環境性に劣ることが判った。
【００５４】
また、上記表２及び表５に示す結果によれば、Ｂ２Ｏ３の含有量が本発明の範囲（重量比で５≦Ｂ２Ｏ３≦４０）未満のガラス成分を含む試料Ｎｏ.３２は、焼結しないことが判った。逆にＢ２Ｏ３の含有量が本発明の範囲を超えるガラス成分を含む試料Ｎｏ.４１は、耐湿性が悪く対環境性に劣ることが判った。
【００５５】
また、上記表３及び表５に示す結果によれば、Ａ２Ｏの含有量が本発明の範囲（重量比で０≦Ａ２Ｏ≦１５）を超えるガラス成分を含む試料Ｎｏ.４６〜４８は、いずれも耐湿性が悪く対環境性に劣ることが判った。
【００５６】
また、上記表３及び表５に示す結果によれば、Ａｌ２Ｏ３の含有量が本発明の範囲（重量比で０≦Ａｌ２Ｏ３≦３０）を超えるガラス成分を含む試料Ｎｏ.７０は、焼結しないことが判った。
【００５７】
（３）セラミック成分の添加量の影響（試料Ｎｏ.７１〜７４）
上記表３及び表４に示す結果によれば、ガラス成分の含有量が本発明の範囲（１〜４０重量％）内の試料Ｎｏ.７２、７３は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、ガラス成分の含有量が本発明の範囲未満の試料Ｎｏ.７１は、焼成温度を１０００℃に上げても焼結しないことが判った。逆に、ガラス成分の含有量が本発明の範囲を超える試料Ｎｏ.７４は、比誘電率εｒが１０より小さく、Ｑ値が１００００より低く、しかも共振周波数の温度変化率τｆが±２０の範囲を超えることが判った。
【００５８】
（４）添加物（ＴｉＯ２、ＣｕＯ）の影響（試料Ｎｏ.７５〜８１）
上記表４に示す結果によれば、セラミック成分とガラス成分との合計１００重量部に対するＴｉＯ２の添加量が本発明の範囲（０〜１５重量部）内の試料Ｎｏ.７５〜７７は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、ＴｉＯ２の添加量が２０重量％で本発明の範囲を超える試料Ｎｏ.７８は、焼結しないことが判った。
【００５９】
上記表４に示す結果によれば、セラミック成分とガラス成分との合計１００重量部に対するＣｕＯの添加量が本発明の範囲（０〜５重量部）内の試料Ｎｏ.７９、８０は、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも±２０の範囲内で小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れていることが判った。これに対して、ＣｕＯの添加量が本発明の範囲を超える試料Ｎｏ.８１は、Ｑ値が１００００より低く、しかも共振周波数の温度変化率τｆが±２０を超えることが判った。
【００６０】
以上説明したように本実施例によれば、９００℃の低温で焼結することができ、また、比誘電率εｒが１０〜２０の範囲内にあり、Ｑ値が６ＧＨｚでいずれも１００００以上と高く、共振周波数の温度変化率τｆも絶対値で２０ｐｐｍ／℃以下と小さく、しかも焼結性、耐湿性が良く対環境性に優れている高周波用誘電体磁器組成物及び高周波用誘電体磁器を得ることができた。従って、本実施例の高周波用誘電体磁器組成物によって上述のように高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。
【００６１】
尚、本発明は上記実施例に何等制限されるものでなく、本発明の条件を満たす限り、如何なる態様の高周波用誘電体磁器組成物及びそれを利用した電子部品であっても本発明に包含される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、例えばマイクロ波やミリ波等の高周波領域で用いられる高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の電子部品の一実施形態の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示す電子部品の回路図である。
【図３】図１に示す電子部品を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０    ＬＣフィルタ（電子部品）
１１    セラミック焼結体（高周波用誘電体磁器）
１１Ａ〜１１Ｍ  セラミックグリーンシート
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ    コイル導体（導体）
１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ    コンデンサ用内部電極（導体）
【図１】
2005170756.tif 000009
【図２】
2005170756.tif 000010
【図３】
2005170756.tif 000011