(57)【要約】【課題】被露光体に転写することを防止することができ、かつマーク自身で発生する応力歪を抑えることができるマスク歪計測用マークを備えたステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。さらに、マスク歪計測用マークの計測結果に基づいてマスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写する露光方法を提供する。【解決手段】貫通孔でなく段差からなるマスク歪計測用マーク４を備えることから、マスク歪計測用マーク４の箇所において電子線を遮蔽することができ、マスク歪計測用マーク４は被露光体に転写されることがない。また、荷電粒子線遮蔽膜３へのマスク歪計測用マーク４の形成により発生する応力歪を抑制することができる。上記のステンシルマスクを用いた露光方法では、マスク歪計測用マーク４の計測結果に基づいて、マスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線遮蔽膜と、
前記荷電粒子線遮蔽膜に形成された貫通孔からなり、被露光体に転写されるマスクパターンと、
前記荷電粒子線遮蔽膜に荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残して形成された、段差からなるマスク歪計測用マークと
を有するステンシルマスク。
【請求項２】
前記マスク歪計測用マークは、光学的に検出し得る大きさの段差をもって形成された
請求項１記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記荷電粒子線遮蔽膜を支持する支持枠をさらに有し、前記支持枠内に１つの前記荷電粒子線遮蔽膜が張られて構成された
請求項１記載のステンシルマスク。
【請求項４】
荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残すように、荷電粒子線遮蔽膜を途中の深さまでエッチングして、段差からなるマスク歪計測用マークを形成する工程と、
前記荷電粒子線遮蔽膜を貫通するまでエッチングして、被露光体に転写すべき貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程と
を有するステンシルマスクの製造方法。
【請求項５】
前記マスク歪計測用マークを形成する工程において、光学的に検出し得る大きさの段差をもつ前記マスク歪計測用マークを形成する
請求項４記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項６】
被露光体に転写すべき貫通孔からなるマスクパターンと、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残した段差からなるマスク歪計測用マークとが荷電粒子線遮蔽膜に形成されたステンシルマスクを用意する工程と、
前記ステンシルマスクの前記マスク歪計測用マークの位置を測定する工程と、
前記マスク歪計測用マークの位置測定結果に基づいて、前記ステンシルマスクの前記マスクパターンの転写位置を補正して、前記被露光体を露光する工程と
を有する露光方法。
【請求項７】
前記荷電粒子線遮蔽膜を支持する支持枠をさらに有し、前記支持枠内に１つの前記荷電粒子線遮蔽膜が張られて構成された前記ステンシルマスクを用いる
請求項６記載の露光方法。
【請求項８】
前記被露光体を露光する工程において、前記ステンシルマスクへの前記荷電粒子線の入射角を調整することにより、前記ステンシルマスクの前記マスクパターンの転写位置を補正する
請求項６記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電子線等の荷電粒子線を用いた露光に使用されるステンシルマスクおよびその製造方法、並びに露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２ｋＶの電子線を光源とする等倍近接露光（ＬＥＥＰＬ：low energy electron beam proximity projection lithography)技術では、貫通孔からなるマスクパターンが形成されたステンシルマスクが用いられる。ステンシルマスクには、加工精度を保ちつつ、電子線を遮蔽できるよう５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度のメンブレン（薄膜）が用いられている。典型的なメンブレン材料は、Ｓｉである。
【０００３】
ＬＥＥＰＬ技術は、ライン系の層ではドーナツ問題やＬＳパターンの洗浄時の破損を防ぐため相補分割処理が必要となるが、ホール系の層に関してはその解像力の高さとマージンの広さで光リソグラフィに置き換えられる可能性がある。その場合に必須となるのが、光リソグラフィとのミックスアンドマッチ露光であり、光リソグラフィに合わせて２〜３ｃｍ角のマスク領域が必要となる。
【０００４】
１枚のメンブレンで２〜３ｃｍ角ものマスク領域を形成するにはメンブレンの内部応力を高くする必要がある。メンブレンの内部応力を高くすると、メンブレンに貫通孔からなるマスクパターンを形成する際の応力開放によりマスク歪が大きくなってしまう。マスク歪とは、マスクの面内におけるパターンの位置ずれである。
【０００５】
そこで、格子状の補強梁を設けたステンシルマスクが提案されている（特許文献１参照）。上記の特許文献１では、梁で区画することにより１つのメンブレンのサイズを１〜３ｍｍ程度とし、４つのマスク領域の梁の配置をずらしたステンシルマスクが開示されている。４つのマスク領域を重ね合わせて露光することにより、ウエハに所定の回路パターンが転写される。
【０００６】
上記の特許文献１に記載のステンシルマスクの利点は、各メンブレンの領域の応力歪を小さくすることができる点にある。また、マスク歪を把握するためのマスク歪計測用マークを梁上に形成し、このマスク歪計測用マークを用いてマスク歪を補正する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１に記載のステンシルマスクを採用した場合、ステンシルマスクに形成された４つのマスク領域を一度で走査する場合には、電子線の走査範囲は縦横ともにダイの２倍以上となる。特許文献１で開示されている等倍近接露光技術において、電子線の走査範囲が大きくなると、平行電子線を維持しつつ、高精度にビーム走査することが難しくなる。また、４つのマスク領域の重ね合わせ精度を向上させる必要もある。
【０００８】
そこで、近年、梁のない１つのメンブレンのみをもつステンシルマスク（一括メンブレン型ステンシルマスク）が再び注目を集めている。上述したように、１つのメンブレンサイズを大きくするとマスク歪が増大することがわかっていることから、メンブレンサイズが最大となる一括メンブレン型ステンシルマスクにおいて、どのようにマスク歪を把握するかが重要となる。
【特許文献１】特開２００３−５９８１９号公報
【特許文献２】特開２００４−５５７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら１つのメンブレンでは、梁が存在しないため、梁上にマスク歪計測用マークを配置することができないことから、メンブレン領域内にマスク歪計測用マークを配置する必要がある。従って、マスク歪計測用マークをメンブレン領域にマスクパターンと同様に貫通孔により形成した場合には、マスク歪計測用マークがウエハに転写されてしまい、ウエハでのデバイスパターンを配置する実行面積が小さくなってしまい、かつ、マスク歪計測用マークの貫通孔自身で新たな応力歪が発生してしまうという問題がある。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、被露光体に転写することを防止することができ、かつマーク自身で発生する応力歪を抑えることができるマスク歪計測用マークを備えたステンシルマスクおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、マスク歪計測用マークの計測結果に基づいてマスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写し、かつ、マスク歪計測用マークが被露光体に転写されることを防止することができる露光方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクは、荷電粒子線遮蔽膜と、前記荷電粒子線遮蔽膜に形成された貫通孔からなり、被露光体に転写されるマスクパターンと、前記荷電粒子線遮蔽膜に荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残して形成された、段差からなるマスク歪計測用マークとを有する。
【００１３】
上記の本発明のステンシルマスクでは、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残して形成された段差からなるマスク歪計測用マークを備えることから、マスク歪計測用マークの箇所において荷電粒子線は遮蔽され、マスク歪計測用マークは被露光体に転写されない。
また、マスク歪計測用マークの形成箇所には荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚の荷電粒子線遮蔽膜が残っていることから、マスク歪計測用マークの形成により発生する応力歪が抑制される。
【００１４】
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクの製造方法は、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残すように、荷電粒子線遮蔽膜を途中の深さまでエッチングして、段差からなるマスク歪計測用マークを形成する工程と、前記荷電粒子線遮蔽膜を貫通するまでエッチングして、被露光体に転写すべき貫通孔からなるマスクパターンを形成する工程とを有する。
【００１５】
上記の本発明のステンシルマスクの製造方法では、マスクパターンを形成する工程の前に、マスク歪計測用マークの形成のためのエッチング工程を追加するのみで、マスク歪計測用マークを備えたステンシルマスクが製造される。
【００１６】
上記の目的を達成するため、本発明の露光方法は、被露光体に転写すべき貫通孔からなるマスクパターンと、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残した段差からなるマスク歪計測用マークとが荷電粒子線遮蔽膜に形成されたステンシルマスクを用意する工程と、前記ステンシルマスクの前記マスク歪計測用マークの位置を測定する工程と、前記マスク歪計測用マークの位置測定結果に基づいて、前記ステンシルマスクの前記マスクパターンの転写位置を補正して、前記被露光体を露光する工程とを有する。
【００１７】
上記の本発明の露光方法では、マスク歪計測用マークの位置測定結果に基づいて、ステンシルマスクのマスクパターンの転写位置を補正して、被露光体を露光することにより、被露光体に正確にマスクパターンが転写される。マスク歪計測用マークの箇所には、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残していることから、マスク歪計測用マークが被露光体に転写されることもない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のステンシルマスクおよびその製造方法によれば、被露光体に転写することを防止することができ、かつマーク自身で発生する応力歪を抑えることができるマスク歪計測用マークを備えたステンシルマスクを実現できる。
また、本発明の露光方法によれば、マスク歪計測用マークの計測結果に基づいてマスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写することができ、かつ、マスク歪計測用マークが被露光体に転写されることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、梁のない１つのメンブレンのみをもつステンシルマスク（以下、一括メンブレン型ステンシルマスクと称する）を例に説明する。
【００２０】
図１（ａ）は本実施形態に係るステンシルマスクの概略平面図であり、図１（ｂ）はステンシルマスクの模式断面図であり、図１（ｃ）はマスク歪計測用マークの平面図である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係るステンシルマスク１は、支持枠２で囲まれた中央領域に、メンブレン（荷電粒子線遮蔽膜）３が張られて構成されている。本実施形態では、荷電粒子線遮蔽膜３上には梁が存在しない。上記の荷電粒子線遮蔽膜３の領域は、光リソグラフィとのミックスアンドマッチ露光を考慮して、例えば２〜３ｎｍ角のサイズである。
【００２２】
図１（ｂ）に示すように、荷電粒子線遮蔽膜３は、支持枠２と比べて厚さが薄い。ステンシルマスク１は、例えば、シリコン層と、酸化シリコン膜と、シリコン基板の積層構造からなるＳＯＩ基板を用いて製造される。この場合には、荷電粒子線遮蔽膜３はシリコン層により構成され、支持枠はシリコン層、酸化シリコン膜、およびシリコン基板の積層構造により構成される。荷電粒子線遮蔽膜３の膜厚は、例えば５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、支持枠の膜厚は用いるＳＯＩ基板の膜厚、例えば７２５μｍ程度である。
【００２３】
荷電粒子線遮蔽膜３には、ウエハ等の被露光体に転写させるマスクパターン５が貫通孔により形成されている。マスクパターン５は、例えばウエハに転写するホール系のパターンが相補分割されずに等倍で形成されたパターンである。
【００２４】
荷電粒子線遮蔽膜３には、マスク歪を計測するためのマスク歪計測用マーク４が形成されている。マスク歪計測用マーク４はマスクパターン５と異なり貫通孔でなく、荷電粒子線を遮蔽し得る膜厚を残して形成された段差からなる。荷電粒子線として、２ｋｅＶの電子線を用いる場合には、例えば、マスク歪計測用マーク４は、３００ｎｍ以上の膜厚を残して形成される。また、光学式の絶対位置精度測定器では、荷電粒子線遮蔽膜３に形成された段差によりマスク歪計測用マーク４のエッジを検出するため、例えば、５０ｎｍ以上の段差、すなわち５０ｎｍ以上彫り込まれていることが好ましい。
【００２５】
図１（ｃ）に示すように、マスク歪計測用マーク４は、例えば、長さＬが８０μｍ、幅Ｗが１０μｍの２本の帯状パターンを十字に組み合わせた十字型マークにより構成される。マスクパターン５は、例えば７０ｎｍ程度の大きさであることから、マスク歪計測用マーク４は、マスクパターン５に比べて大きい。マスク歪計測用マーク４の位置を正確に検出するため、マスク歪計測用マーク４の領域、例えば図中点線で囲まれたＬ×Ｌのサイズの領域には、マスクパターン５を配置しないことが好ましい。すなわち、マスク歪計測用マーク４は、荷電粒子線遮蔽膜３におけるマスクパターン５の空き領域に配置する。
【００２６】
次に、上記の本実施形態に係るステンシルマスクの製造方法について、図２を参照して説明する。図２は、ステンシルマスクの製造における工程断面図である。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すような、周囲に支持枠２が形成され、中央部に荷電粒子線遮蔽膜３が形成されたマスクブランクスを用意する。このようなマスクブランクスは、例えば８インチのＳＯＩ基板を用いて作製される。荷電粒子線遮蔽膜３となるシリコン層の厚みは５００ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば７００ｎｍとする。ＳＯＩ基板のシリコン層にイオン注入、アニール処理を行うことによりシリコン層の応力を調整した後、シリコン基板側に中央部を開口するエッチングマスクを形成し、当該エッチングマスクを用いて、ＳＯＩ基板の中央部のシリコン基板と酸化シリコン膜を除去することにより、マスクブランクスを作製する。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記のマスクブランクスの荷電粒子線遮蔽膜３に電子線レジストを塗布し、電子線直接描画および現像により、マスク歪計測用マークの形成箇所にパターン開口をもつレジスト膜６を形成する。形成するマークの個数は、計測に許される時間に依存するが、例えば、荷電粒子線遮蔽膜３の領域内に１２×１２個のマークを形成する。この際に、後に形成するマスクパターンとマスク歪計測用マークの干渉は避けるようにマークを配置する必要がある。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜６をエッチングマスクとして、荷電粒子線遮蔽膜３をライトエッチングする。ライトエッチングでは、荷電粒子線遮蔽膜３を貫通するまでエッチングしないようにエッチング時間を制御する。当該ライトエッチングは、例えばドライエッチングを採用し、塩素系ガスを用いる。これにより、荷電粒子線遮蔽膜３の途中の深さまで彫り込まれた段差よりなるマスク歪計測用マーク４が形成される。このときの段差は、光学式のマーク計測器（絶対位置精度測定器）で検出できる量であれば良く実験的に求めればよいが、例えば２００ｎｍの段差を形成する。エッチング後、アッシングおよび洗浄によりレジスト膜６を除去する。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、荷電粒子線遮蔽膜３に新たな電子線レジストを塗布し、電子線直接描画および現像により、マスクパターンの形成領域にパターン開口をもつレジスト膜７を形成する。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト膜７をエッチングマスクとして、荷電粒子線遮蔽膜３を貫通するまでドライエッチングする。当該ドライエッチングは、例えば塩素系ガスを用いる。これにより、貫通孔からなるマスクパターン５が形成される。
【００３２】
以上の工程としては、アッシングおよび洗浄によりレジスト膜７を除去することにより、図１に示すステンシルマスク１が作製される。
【００３３】
ステンシルマスク１が作製された後、ステンシルマスク１に形成されたマスク歪計測用マーク４を光学式の絶対位置精度測定器で計測する。光学式の絶対位置精度測定器として、例えばＬＥＩＣＡ社のＩＰＲＯを用いる。
【００３４】
図３は、ステンシルマスク１のマスク歪計測用マーク４の位置測定結果の一例を示す図である。図３は、荷電粒子線遮蔽膜３に配置された１２×１２個のマスク歪計測用マーク４の位置を測定した結果である。
【００３５】
図３に示すように、理想的にはマスク歪計測用マーク４の位置は点線で示す理想格子となるが、実際のステンシルマスク１では、マスクパターン５の形成による荷電粒子線遮蔽膜３の応力開放によりマスク歪計測用マーク４の位置が理想格子からずれて、歪んでいることがわかる。マスク歪計測用マーク４の位置ずれに基づいて、周囲のマスクパターン５の位置ずれを線形補間等して求める。
【００３６】
マスク歪が計測されたステンシルマスク１は、露光装置にセットされて、露光に使用される。
【００３７】
図４は、本実施形態に係る露光方法を実施する露光装置の概略構成図である。図４に示す露光装置は、ＬＥＥＰＬ技術に適用される露光装置である。
【００３８】
図４に示す露光装置は、荷電粒子線として電子線ＥＢを出射する電子銃１０１と、電子線ＥＢを平行化するコンデンサレンズ１０２と、電子線ＥＢを制限するアパーチャ１０３と、電子線ＥＢをラスターまたはベクトル走査モードにいずれかでかつステンシルマスク１に垂直に入射するように偏向させる一対の主偏向器１０４ａ，１０４ｂと、ウエハ等の被露光体１０へのマスクパターンの転写位置を補正すべく電子線ＥＢのステンシルマスク１への入射角を調製する副偏向器１０５ａ，１０５ｂとを有する。
【００３９】
図４に示す露光装置においては、２ｋＶ程度の低加速電子が用いられる。図４においてステンシルマスク１の貫通孔からなるマスクパターン５を通過した電子線ＥＢにより、被露光体１０の図示しないレジストが露光される。図４に示す露光装置では、等倍露光を採用しており、ステンシルマスク１と被露光体１０は近接して配置される。
【００４０】
データ処理手段１０７は、入力されたマスク歪データＤに基づいて補正データを作成し、当該補正データを制御手段１０６に出力する。すなわち、データ処理手段１０７は、マスク歪計測用マーク４の設計値からのずれ量に基づいて、周囲のマスクパターンのずれ量を線形補間等して求める。そして、例えば、マスクパターンの位置ずれ量の負の値を補正量とし、ステンシルマスク１の座標毎に補正量を規定する補正マップからなる補正データを作成する。
【００４１】
制御手段１０６は、装置全体の動作を制御する。例えば、主偏向器１０４ａ，１０４ｂを制御して電子線ＥＢをステンシルマスク１上で走査させ、ステンシルマスク１のパターンを被露光体１０に転写する。この露光時において、データ処理手段１０７からステンシルマスク１上の座標毎に補正値が規定された補正データを読み込み、副偏向器１０５ａ，１０５ｂを制御して電子線ＥＢを僅かに偏向させることにより、正確な位置から変位しているステンシルマスク１のマスクパターン５を、被露光体１０上の正しい位置に補正して転写する。図４に示すように、照射角度の制御により、電子線ＥＢの被露光体１０への照射位置をΔだけ移動させることができる。
【００４２】
以上のようにして、照射角度を制御しながら、電子線ＥＢを照射することにより、ステンシルマスク１に形成されたマスクパターン５の位置の誤差を打ち消して、設計位置に対して忠実な位置に、マスクパターンを転写する。
【００４３】
ステンシルマスク１における荷電粒子線遮蔽膜３の全面に電子線ＥＢが走査されるが、マスク歪計測用マーク４の箇所は厚さが３００ｎｍ以上の荷電粒子線遮蔽膜３が残っており、電子線を十分に遮蔽することができるため、被露光体１０にはマスク歪計測用マーク４は転写されない。
【００４４】
本実施形態に係るステンシルマスク１および露光方法は、半導体装置の製造における露光工程において好適に使用される。図５は、半導体装置の製造における工程断面図である。
【００４５】
半導体装置の製造においては、図５（ａ）に示すように、例えば、シリコンからなる基板１１上にポリシリコンや酸化シリコン等の被加工層１２が形成され、被加工層１２上に電子線レジストからなるレジスト膜１３が形成された被露光体１０が用いられる。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、上記の被露光体１０に対して、ステンシルマスク１を用いて露光を行う。荷電粒子線遮蔽膜３上での電子線ＥＢの走査において、荷電粒子線遮蔽膜３の位置毎に電子線ＥＢの入射角が調整される。例えば、マスクパターン５ａ，５ｂが設計通りの位置に形成されていればマスクパターン５ａ，５ｂの位置では被露光体１０に垂直に電子線ＥＢ１，ＥＢ２が照射される。また、マスクパターン５ｃが設計値からずれている場合には、ずれ量だけ補正して転写されるように入射角を調整した電子線ＥＢ３が照射される。マスク歪計測用マーク４上にも電子線ＥＢ４が照射されるが、マスク歪計測用マーク４における電子線ＥＢ４の通過は阻止される。これにより、荷電粒子線遮蔽膜３に形成されたマスクパターン５を通過した電子線ＥＢにより被露光体１０のレジスト膜１３が露光される。
【００４７】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜１３を現像することにより、例えばレジスト膜１３がポジ型であれば電子線照射部分が除去されて、レジスト膜１３にパターンが形成される。
【００４８】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜１３をマスクとして被加工層１２をエッチングすることにより、被加工層１２がパターン加工されて、回路パターンが形成される。回路パターンとしては、例えばコンタクトホールパターンがある。
【００４９】
その後、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜１３を除去することにより、被加工層１２のパターン加工が終了する。
【００５０】
半導体装置の製造においては、上層をさらに堆積させて、図５（ａ）〜図５（ｄ）と同様の工程を繰り返すことにより、集積回路が形成される。この場合に、全ての層の加工に電子線露光を用いても、ホール等のクリティカルな層のみを本実施形態に係る電子線露光方法を用いて加工して、他の層を光露光を用いて加工するといった、ミックスアンドマッチ露光を用いても良い。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態に係るステンシルマスクは、貫通孔でなく段差からなるマスク歪計測用マーク４を備えることから、マスク歪計測用マーク４の箇所において電子線を遮蔽することができ、マスク歪計測用マーク４は被露光体１０に転写されることがない。
【００５２】
また、貫通孔でなく電子線を遮蔽し得る膜厚を残してマスク歪計測用マーク４が形成されていることから、荷電粒子線遮蔽膜３へのマスク歪計測用マーク４の形成により発生する応力歪を抑制することができる。
【００５３】
本実施形態に係るステンシルマスクの製造方法は、マスク歪計測用マーク４の形成のためのリソグラフィ工程を別に追加するのみで上記のステンシルマスクを製造することができるため、コストおよびスループットの面でも実用的なものとなる。
【００５４】
上記のステンシルマスクを用いた露光方法では、ステンシルマスクに形成されたマスク歪計測用マークの計測結果に基づいて、マスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写することができる。また、マスク歪計測用マークが被露光体に転写されることもない。
【００５５】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本実施形態では、梁のない１つのメンブレンのみをもつステンシルマスクを例に説明したが、梁が形成されたステンシルマスクにおいて梁以外のメンブレン領域にマスク歪計測用マーク４を形成する場合にも適用可能である。
【００５６】
また、本実施形態では荷電粒子線として電子線を用いる例について説明したが、イオンビームを採用することも可能である。また、本実施形態では、ステンシルマスクを使用する露光装置の例として電子線等倍露光装置について説明したが、電子線縮小投影露光装置に使用することもできる。さらに、本実施形態で説明した材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）は本実施形態に係るステンシルマスクの概略平面図であり、（ｂ）はステンシルマスクの模式断面図であり、（ｃ）はマスク歪計測用マークの平面図である。
【図２】本実施形態に係るステンシルマスクの製造における工程断面図である。
【図３】ステンシルマスクのマスク歪計測用マークの位置測定結果の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る露光方法を実施する露光装置の概略構成図である。
【図５】本実施形態に係る露光方法が適用される、半導体装置の製造における工程断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１…ステンシルマスク、２…支持枠、３…荷電粒子線遮蔽膜、４…マスク歪計測用マーク、５…マスクパターン、６…レジスト膜、７…レジスト膜、１０…被露光体、１１…基板、１２…被加工層、１３…レジスト膜、１０１…電子銃、１０２…コンデンサレンズ、１０３…アパーチャ、１０４ａ，１０４ｂ…主偏向器、１０５ａ，１０５ｂ…副偏向器、１０６…制御手段、１０７…データ処理手段、Ｄ…マスク歪データ、ＥＢ…電子線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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