(57)【要約】【課題】  露光処理対象である基板が大型化しても、装置の大型化を抑え、高い露光精度を維持しつつ円滑に露光処理できる露光装置を提供する。【解決手段】  露光装置ＥＸは、感光基板Ｐを露光可能な第１露光ステーションＳＴ１及び第２露光ステーションＳＴ２と、第１露光ステーションＳＴ１で第１の露光を行った後、この第１の露光を行った感光基板Ｐに対して第２露光ステーションＳＴ２で第２の露光を連続して行うように制御する制御系ＣＯＮＴとを備えている。【選択図】        図１
2005092137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に露光する露光装置において、
前記基板を露光可能な第１露光ステーション及び第２露光ステーションと、
前記第１露光ステーションで第１の露光を行った後、該第１の露光を行った基板に対して前記第２露光ステーションで第２の露光を連続して行うように制御する制御系とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御系は、前記第１の露光で前記基板上の第１の領域を露光し、前記第２の露光で前記第１の領域とは異なる前記基板上の第２の領域を露光するように制御することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御系は、前記第１露光ステーションにおける露光と、前記第２露光ステーションにおける露光とを同時に行うように制御することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１露光ステーションと前記第２露光ステーションとの間で前記基板を搬送する搬送系を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御系は、前記基板上に予め設定された複数の露光領域に対して、前記第１及び第２露光ステーションそれぞれの露光動作を個別に制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御系は、前記複数の露光領域のうち一部の露光領域を前記第１露光ステーションで露光し、他の一部の露光領域を前記第２露光ステーションで露光することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１及び第２露光ステーションを用いて複数の基板を順次露光する際、前記制御系は、前記第１及び第２露光ステーションそれぞれの露光する領域を前記基板に応じて変更することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記複数の基板のそれぞれは複数の露光領域を予め設定されており、
前記制御系は、前記複数の露光領域のうち前記第１及び第２露光ステーションのそれぞれで露光する露光動作を前記基板に応じて変更することを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１及び第２露光ステーションを用いて複数の基板を順次露光する際、前記制御系は、前記第１及び第２露光ステーションそれぞれの露光動作を予め設定された設定時間に基づいて制御することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２露光ステーションを用いて複数の基板を順次露光する際、前記制御系は、前記第１及び第２露光ステーションそれぞれの露光動作を該第１及び第２露光ステーションの稼働状況に応じて制御することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
露光処理前の基板を前記第１及び第２露光ステーションのいずれか一方に搬入するローダ系を備え、
前記第１及び第２露光ステーションを用いて複数の基板を順次露光する際、前記制御系は、前記第１及び第２露光ステーションの稼働状況に応じて前記第１及び第２露光ステーションのうち前記基板を搬入する露光ステーションを選択し、該選択結果に基づいて前記ローダ系を制御することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１露光ステーションで露光された基板上の露光領域に対して、前記第２露光ステーションで露光する露光領域の位置を調整するアライメント系を備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記アライメント系は、前記第１露光ステーションで露光された基板上の露光領域の位置を検出する検出装置を有することを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記アライメント系は、前記第１露光ステーションに設けられ、前記基板を所定位置に対して位置合わせする際に用いるマークを該基板上に形成するマーク形成装置を有することを特徴とする請求項１２又は１３記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１及び第２露光ステーションは投影光学系をそれぞれ有するとともに前記基板と前記投影光学系とを相対移動させながら前記投影光学系を介して前記パターンを前記基板に露光し、
前記制御系は、前記投影光学系の投影領域と前記基板上に予め設定された露光領域とに基づいて、前記第１及び第２露光ステーションそれぞれにおける前記移動を制御することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
パターンを基板に露光する露光方法において、
前記基板を露光可能な第１露光ステーションで前記基板の第１の領域を露光する第１工程と、
該第１工程で露光した基板の第２の領域を第２露光ステーションで連続して露光する第２工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１７】
前記第１の領域に対する露光と前記第２の領域に対する露光とで互いに異なるパターンを前記基板に露光することを特徴とする請求項１６記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンを基板に露光する露光装置及び露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示デバイスや半導体デバイスはマスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写するいわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを露光光で照明し、マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。この種の露光装置においては、製造するデバイスの低コスト化を実現するために生産性の向上が要求されている。従来より、生産性を向上するために、例えばマスクを支持するマスクステージや基板を支持する基板ステージの駆動を高速化したり、露光光の光量を高めることで、スループットを向上することが行われている。また、下記特許文献１には、生産性を向上するために、マスク及び基板をそれぞれ保持する第１及び第２の保持手段を設け、第１の保持手段に保持されているマスクのパターンを基板に転写している間に、第２の保持手段に保持されているマスクと基板とをアライメントする技術が開示されている。
【特許文献１】特開平９−２５１９５２号公報
【０００３】
液晶表示デバイスを製造する際には、生産性向上の観点や表示領域の大型化の要求から、基材となるガラス基板の更なる大型化が要求されている。例えば４０インチの液晶表示デバイスを量産する場合、１枚のガラス基板に６画面分を形成しようとすると、１８００×２０００ｍｍ程度のガラス基板が必要となる。一方で、投影光学系の投影領域の大きさには限界があるため、大型のガラス基板を露光する際、投影光学系の投影領域に対して基板を走査移動しつつマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置が主に用いられる。
【０００４】
図１８は、従来における走査型露光装置でガラス基板Ｐ上に４画面分の液晶表示デバイス（ショット領域）を製造する工程の一例を示す模式図である。図１８において、投影光学系の投影領域ＡＲはＹ軸方向に延びるスリット状に設定されている。また、破線で示す移動領域Ｂは、基板ステージに支持されている基板Ｐの移動範囲を示している。図１８（ａ）は、基板Ｐの図中、左上に設定された第１ショット領域ＳＨ１を走査露光するときの走査露光開始時における投影領域ＡＲと基板Ｐ（第１ショット領域ＳＨ１）との位置関係を示す図である。図１８（ａ）に示す状態から、投影領域ＡＲに対して基板Ｐを−Ｘ方向に走査移動することで、第１ショット領域ＳＨ１が露光される。図１８（ｂ）には、第１ショット領域ＳＨ１に対する走査露光終了時における投影領域ＡＲと基板Ｐとの位置関係が示されている。図１８（ｃ）は、基板Ｐの図中、右上に設定された第２ショット領域ＳＨ２を走査露光するときの走査露光開始時における投影領域ＡＲと基板Ｐとの位置関係を示す図である。そして、図１８（ｃ）に示す状態から、投影領域ＡＲに対して基板Ｐを−Ｘ方向に走査移動することで、第２ショット領域ＳＨ２が露光され、走査露光終了時には、図１８（ｄ）に示す状態となる。図１８（ｅ）は、基板Ｐの図中、左下に設定された第３ショット領域ＳＨ３を走査露光するときの走査露光開始時における状態を示す図であり、図１８（ｆ）は、第３ショット領域ＳＨ３を走査露光したときの走査露光終了時における状態を示す図である。また、不図示ではあるが上記の動作を継続することで第４ショット領域ＳＨ４が走査露光される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来技術には以下に述べる問題が存在する。
例えば１８００×２０００ｍｍ程度の大型のガラス基板Ｐに４つの液晶表示デバイス（ショット領域）を製造する場合について考える。この場合、１つのショット領域は９００×１０００ｍｍ程度の大きさになる。投影領域ＡＲの中心を座標原点とすると、この原点に対して基板Ｐの端面が移動する範囲は、Ｘ軸方向に関して最低でも−１８００ｍｍ〜＋１８００ｍｍであり、Ｙ軸方向に関して−１５００ｍｍ〜＋１５００ｍｍとなる。すなわち、３．６ｍ×３．０ｍの範囲を基板Ｐ（基板ステージ）が移動することになる。したがって、基板Ｐを支持する基板ステージや投影光学系、あるいは基板ステージと同期移動するマスクステージを支持するコラム（架台）は、当然のことながら少なくとも基板Ｐの移動範囲より大きいものとなる。例えばこのコラムの柱の太さを０．５ｍ×０．５ｍとすると、コラムの占有面積は少なくとも４．６ｍ×４．０ｍとなり非常に大きいものとなる。このような大きい露光装置を一体で構成することは非常に困難である。また、露光装置を大型化することで基板ステージやマスクステージを移動した際に重心位置が変化してコラムが撓み易くなるため所望の露光精度を維持できなくなる可能性が生じる。特に、投影光学系が正立等倍系である場合、マスクステージと基板ステージとは同じ方向に移動するため、重心位置の変化が顕著である。一方、剛性を高めようとするとコラムをはじめとする各部材の更なる大型化・大重量化を招くことになる。また、露光装置を大型化すると、輸送も非常に困難となる。仮に陸路を使って輸送しようとすると、夜間輸送せざるを得なかったり特別な許可が必要である等、物流上の制約が多く、例えば露光装置製造工場で製造した露光装置を、液晶デバイス製造メーカー等のユーザに円滑に輸送することが困難となる。露光装置製造工場で製造した露光装置を一旦、複数のエレメントに分割し、これらエレメント毎に輸送し、ユーザ先において組み立てることも考えられるが、高い露光精度を維持するためには、装置の高い剛性や安定性が必要であり、複数のエレメントをボルト締結などにより単に組み合わせるだけでは、上記剛性や安定性を維持することは困難である。また、仮に複数のエレメントを組み合わせた場合で所望の露光精度を維持できたとしても、露光装置製造工場での複数のエレメントへの分割作業や、ユーザ先での組み立て作業が必要となるため、ユーザが露光装置を使用可能な状態となるまでに多大な時間を要することになる。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、露光処理対象である基板が大型化しても、装置の大型化を抑え、高い露光精度を維持しつつ円滑に露光処理できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図１〜図１７に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置（ＥＸ）は、パターンを基板（Ｐ）に露光する露光装置において、基板（Ｐ）を露光可能な第１露光ステーション（ＳＴ１）及び第２露光ステーション（ＳＴ２）と、第１露光ステーション（ＳＴ１）で第１の露光（ＳＡ２）を行った後、該第１の露光を行った基板（Ｐ）に対して第２露光ステーション（ＳＴ２）で第２の露光（ＳＡ４）を連続して行うように制御する制御系（ＣＯＮＴ）とを備えたことを特徴とする。
本発明の露光方法は、パターンを基板（Ｐ）に露光する露光方法において、基板（Ｐ）を露光可能な第１露光ステーション（ＳＴ１）で基板（Ｐ）の第１の領域（ＳＨ１、ＳＨ２）を露光する第１工程（ＳＡ２）と、該第１工程で露光した基板（Ｐ）の第２の領域（ＳＨ３、ＳＨ４）を第２露光ステーション（ＳＴ２）で連続して露光する第２工程（ＳＡ４）とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、基板を露光可能な露光ステーションを少なくとも２つ設け、第１露光ステーションで基板に対して第１の露光を行った後、この第１の露光を行った基板に対して第２露光ステーションで第２の露光を連続して行うことにより、装置の大型化を抑えることができるとともに、ステージの移動範囲を抑えることができる。したがって、ステージの移動に伴う重心位置の変化に起因する装置（コラム）の撓みの発生を抑えて精度良い露光処理を行うことができる。
例えば、図１８に示した基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する場合について考える。第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を第１露光ステーションで露光し、第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を第２露光ステーションで露光するものとすると、第１、第２露光ステーションのそれぞれで基板が移動する範囲は、Ｘ軸方向に関して３．６ｍであり、Ｙ軸方向に関して２．０ｍとなる。この場合、装置（コラム）の大きさやステージ移動範囲がＹ軸方向に関して小型化されることになる。
【０００９】
また、本発明によれば、露光装置のコストやランニングコストを低減することも可能である。例えば、図１８に示したように１枚の基板上の４つのショット領域を露光する場合、基板１枚当たりの処理時間（所謂タクト）を例えば６０秒に設定したとすると、従来では１つの露光装置が６０秒で４つのショット領域を露光しなければならなかったものが、本発明では、第１露光ステーションで例えば第１、第２の２つのショット領域を６０秒で露光し、第２露光ステーションで第３、第４の２つのショット領域を６０秒で露光したとしても、全体として６０秒タクトを実現できる。したがって、各露光ステーションの処理に余裕が生じ、各露光ステーションのそれぞれでタクトに影響する機構や装置に高い性能を付与しなくても所望のタクトを実現でき、露光装置自体のコストを低減でき、且つランニングコストも低減できる。例えば、露光処理に時間をかけることができるため、露光光を射出する光源の出力を低下した状態でマスクや基板（ステージ）の走査速度を低減して露光しても、予め設定されたタクト（設定時間）内で、所望のドーズ量（露光量）を得ることができる。したがって、光源の寿命を延ばすことができたり、安価な小出力光源を使用することができ、コストを低減できる。また、ステージの移動速度（加速度）を低減できることで、ステージを駆動する駆動装置を安価に構成できたり、装置の剛性を低減できることで、コストを低減できる。そして、１つの露光装置では実現するのに困難であった短時間のタクトであっても、２つ以上の露光ステーションを設けることで、所望のタクトを比較的容易に実現できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板を露光可能な露光ステーションを少なくとも２つ設け、第１露光ステーションで基板に対して第１の露光を行った後、この第１の露光を行った基板に対して第２の露光ステーションで第２の露光を連続して行うことにより、装置の大型化を抑えることができるとともに、ステージの移動範囲を抑えることができ、ステージの移動に伴う重心位置の変化に起因する装置（コラム）の撓みの発生を抑えて精度良い露光処理を行うことができる。また、露光装置のコストやランニングコストを低減することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の第１実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す正面図、図２は概略斜視図である。図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンを感光性の基板である感光基板Ｐに露光可能な第１露光ステーションＳＴ１及び第２露光ステーションＳＴ２と、これら第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の露光動作を制御する制御系ＣＯＮＴとを備えている。第１露光ステーションＳＴ１と第２露光ステーションＳＴ２とはＹ軸方向に関して並んで設けられ、ほぼ同じ構成を有しており、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を個別に制御可能となっている。
【００１２】
以下、第１露光ステーションＳＴ１について説明する。
第１露光ステーションＳＴ１は、パターンが形成されたマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されたマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬを定盤１を介して支持するコラム１００とを備えている。コラム１００は、上部プレート部１００Ａと、上部プレート部１００Ａの４隅のそれぞれより下方に延びる脚部１００Ｂとを有しており、床面に水平に載置されたベースプレート１１０上に設置されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは複数（７つ）並んだ投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを有しており、照明光学系ＩＬも投影光学モジュールの数及び配置に対応して複数（７つ）の照明光学モジュールを有している。感光基板Ｐはガラス基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。
【００１３】
ここで、本実施形態に係る露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬに対してマスクＭと感光基板Ｐとを同期移動して走査露光する走査型露光装置であって、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を構成している。以下の説明において、マスクＭ及び感光基板Ｐの同期移動方向をＸ軸方向（走査方向）、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりのそれぞれの方向をθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
照明光学系ＩＬは、不図示ではあるが、複数の光源と、複数の光源から射出された光束を一旦集合した後に均等分配して射出するライトガイドと、ライトガイドからの光束を均一な照度分布を有する光束（露光光）に変換するオプティカルインテグレータと、オプティカルインテグレータからの露光光をスリット状に整形するための開口を有するブラインド部と、ブラインド部を通過した露光光をマスクＭ上に結像するコンデンサレンズとを備えている。コンデンサレンズからの露光光はマスクＭを複数のスリット状の照明領域で照明する。本実施形態における光源には水銀ランプが用いられ、露光光としては、不図示の波長選択フィルタにより、露光に必要な波長であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などが用いられる。
【００１５】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを支持した状態でリニアモータ等の駆動装置によりＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。リニアモータとしては、固定子をコイルユニット（電機子ユニット）で構成し可動子を磁石ユニットで構成した所謂ムービングマグネット型リニアモータでもよいし、固定子を磁石ユニットで構成し可動子をコイルユニットで構成した所謂ムービングコイル型リニアモータでもよい。そして、可動子が固定子との間の電磁気的相互作用により駆動することでマスクステージＭＳＴが移動する。マスクステージＭＳＴには真空吸着孔を有するチャック機構が設けられており、マスクステージＭＳＴはチャック機構を介してマスクＭを保持する。また、マスクステージＭＳＴの中央部には、マスクＭを透過した露光光ＥＬを通過可能な開口部３（図２参照）が設けられている。
【００１６】
マスクステージＭＳＴの＋Ｘ側の端縁及び−Ｙ側の端縁のそれぞれに移動鏡７０が設けられており、これら移動鏡７０に対向する位置にはレーザ干渉計７１が設けられている。なお、レーザ干渉計７１はコラム１００の上部プレート部１００Ａに設置されている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計７１によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御系ＣＯＮＴに出力される。制御系ＣＯＮＴはレーザ干渉計７１の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。
【００１７】
投影光学系ＰＬは複数（７つ）並んだ投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを有しており、これら複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは１つの定盤１に支持されている。複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのうち投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇがＹ軸方向に並んで配置され、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆがＹ軸方向に並んで配置されている。また、Ｙ軸方向に並んだ投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、Ｙ軸方向に並んだ投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとはＸ軸方向において対向するように配置されており、全体で千鳥状に配置されている。すなわち、千鳥状に配置されている投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、隣合う投影光学モジュールどうし（例えば投影光学モジュールＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｂとＰＬｃ）をＹ軸方向に所定量変位させて配置されている。
【００１８】
各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、複数の光学素子により構成されており、投影領域を設定する視野絞り、及び結像特性調整装置などを備えている。結像特性調整装置は、複数の光学素子のうち特定の光学素子を駆動することでパターン像の結像特性を調整するものであって、像シフト、スケーリング、ローテーション、及び像面位置（像面傾斜）などを調整可能である。また、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれを構成する光学素子（レンズ）は鏡筒の内部に配置されている。なお、結像特性調整装置としては、一部の光学素子（レンズ）間を密封して内部圧力を調整する機構であってもよい。
【００１９】
定盤１はコラム１００の上部プレート部１００Ａに対して支持部２を介してキネマティックに支持されている。ここで、上部プレート部１００Ａの中央部には開口部１００Ｃが設けられており、定盤１は上部プレート部１００Ａのうち開口部１００Ｃの周縁部上に支持されている。そして、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの下部が開口部１００Ｃに配置されている。また、定盤１の中央部には開口部が形成されており、この開口部により投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇそれぞれの露光光ＥＬの光路が確保されている。定盤１は、例えばメタルマトリクス複合材（ＭＭＣ：Metal Matrix Composites）により形成されている。メタルマトリクス複合材は金属をマトリクス材としてその中にセラミックス強化材を複合した複合材であり、ここでは金属としてアルミニウムを含むものが用いられている。なお、図１では、開口部１００Ｃの周縁部に段部が形成されこの段部に支持部２が設けられているが、上部プレート部１００Ａは平坦面であってもよい。
【００２０】
基板ステージＰＳＴはベースプレート１１０上に設けられており、感光基板Ｐを支持した状態でリニアモータ等の駆動装置によりＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。更に、基板ステージＰＳＴは、Ｚ軸方向や、θＸ、θＹ方向にも移動可能である。リニアモータとしては、ムービングマグネット型リニアモータでもよいし、ムービングコイル型リニアモータでもよい。そして、可動子が固定子との間の電磁気的相互作用により駆動することで基板ステージＰＳＴが移動する。基板ステージＰＳＴには真空吸着孔を有するチャック機構が設けられており、基板ステージＰＳＴはチャック機構を介して感光基板Ｐを保持する。
【００２１】
基板ステージＰＳＴの＋Ｘ側の端縁及び−Ｙ側の端縁のそれぞれに移動鏡８０が設けられており、これら移動鏡８０に対向する位置にはレーザ干渉計８１が設けられている。なお、レーザ干渉計８１はコラム１００の上部プレート部１００Ａの下部に取り付けられている。基板ステージＰＳＴ上の感光基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計８１によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御系ＣＯＮＴに出力される。制御系ＣＯＮＴはレーザ干渉計８１の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置を駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐの位置決めを行う。
【００２２】
また、不図示ではあるが、例えば−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとの間には、マスクＭのパターン形成面及び感光基板Ｐの被露光面のＺ軸方向における位置を検出するオートフォーカス検出系が設けられている。オートフォーカス検出系の検出結果に基づいて、投影光学系ＰＬの像面と感光基板Ｐの被露光面（表面）とが合致するように、基板ステージＰＳＴが駆動される。
【００２３】
以上、第１露光ステーションＳＴ１について説明した。第２露光ステーションＳＴ２は第１露光ステーションＳＴ１とほぼ同等の構成を有するため、その説明を省略する。
【００２４】
ここで、図１に示すように、第１露光ステーションＳＴ１のうち、基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐの上方には、感光基板Ｐの位置調整をするアライメント系６０の一部を構成するマーク形成装置６１が設けられている。このマーク形成装置６１は第１露光ステーションＳＴ１のコラム１００の上部プレート部１００Ａの下部に取り付けられており、感光基板Ｐ上に、この感光基板Ｐを所定位置に対して位置合わせする際に用いるマークを形成する。本実施形態では、マーク形成装置６１は２つ設けられている。一方、第２露光ステーションＳＴ２には、第１露光ステーションＳＴ１に設けられているマーク形成装置６１で感光基板Ｐ上に形成されたマークを検出するマーク検出装置６２が設けられている。このマーク検出装置６２は第２露光ステーションＳＴ２のコラム１００の上部プレート部１００Ａの下部に取り付けられており、感光基板Ｐ上に形成されたマークを検出することで、第１露光ステーションＳＴ１で露光された感光基板Ｐ上のショット領域の位置を検出可能となっている。本実施形態では、マーク検出装置６２は、マーク形成装置６１に対応して２つ設けられている。
【００２５】
図２に示すように、露光装置ＥＸは、感光基板Ｐを搬送する搬送系（ローダ系）９０を備えている。搬送系９０は、感光基板Ｐを保持可能なハンド部９１と、ハンド部９１を駆動する第１駆動部９２と、ハンド部９１を第１駆動部９２とともに移動する第２駆動部９３とを備えている。第２駆動部９３はＹ軸方向に延在するガイド部９３Ａに沿ってハンド部９１を第１駆動部９２とともにＹ軸方向に移動する。そして、搬送系（ローダ系）９０は、不図示のコータ装置から搬送された露光処理前の感光基板Ｐを第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のいずれか一方の基板ステージＰＳＴに搬入可能であるとともに、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴと第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴとの間で感光基板Ｐを搬送可能である。すなわち、搬送系９０は、第１露光ステーションＳＴ１（あるいは第２露光ステーションＳＴ２）で露光処理された感光基板Ｐを基板ステージＰＳＴからアンロードし、第２露光ステーションＳＴ２（あるいは第１露光ステーションＳＴ１）の基板ステージＰＳＴにロード可能である。
【００２６】
なお、図２では１つの搬送系９０（ハンド部９１）が図示されているが、露光装置ＥＸは複数の搬送系９０を備えている。複数の搬送系９０により、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの基板ステージＰＳＴに対して、例えば複数の感光基板Ｐを同時にロードあるいはアンロードすることができる。
【００２７】
次に、上述した露光装置ＥＸを使った露光方法の一実施形態について図３及び図４を参照しながら説明する。図３は本実施形態の露光方法を示すフローチャート図、図４は第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２における露光動作を示す模式図である。以下、図４に示すように、感光基板Ｐ上に予め設定された４つのショット領域（露光領域）ＳＨ１〜ＳＨ４のそれぞれに対してマスクＭのパターンを走査露光する場合について説明する。
【００２８】
ここで、図４（ａ）には、第１露光ステーションＳＴ１において感光基板Ｐ上の第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２が露光される状態が示されており、図４（ｂ）には、第２露光ステーションＳＴ２において感光基板Ｐ上の第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４が露光される状態が示されている。そして、図４（ａ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１の投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１に対して感光基板ＰがＸ軸方向に走査移動することで、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上に予め設定された複数のショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４のうち、一部のショット領域である第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を第１露光ステーションＳＴ１で露光し、図４（ｂ）に示すように、第２露光ステーションＳＴ２の投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ２に対して感光基板ＰがＸ軸方向に走査移動することで、残りの（他の一部の）ショット領域である第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を第２露光ステーションＳＴ２で露光する。
なお、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの各投影領域は例えば台形形状であって実際には感光基板Ｐ上で千鳥状に配列されるが、図４では簡単のため、これら投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの各投影領域を合成し、Ｙ軸方向を長手方向とするスリット状の投影領域ＡＲ（ＡＲ１、ＡＲ２）として説明する。
【００２９】
不図示のコータ装置から搬送された露光処理前の感光基板（第１の感光基板）Ｐが、搬送系９０により第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴにロード（搬入）される（ステップＳＡ１）。
【００３０】
制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、第１の感光基板Ｐを支持した基板ステージＰＳＴと、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴとをＸ軸方向に同期走査しつつ、照明光学系ＩＬによりマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターンを第１の感光基板Ｐに露光する。ここで、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上の第１の領域としての第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光（第１の露光）する（ステップＳＡ２：第１工程）。
【００３１】
第１露光ステーションＳＴ１において、第１の感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対する露光を行った後、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って、第１の感光基板Ｐを第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴよりアンロード（搬出）する。そして、制御系ＣＯＮＴは、この第１の感光基板Ｐを、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロード（搬入）する（ステップＳＡ３）。
【００３２】
そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で露光（第１の露光）した第１の感光基板Ｐを、第２露光ステーションＳＴ２で連続して露光（第２の露光）する（ステップＳＡ４：第２工程）。
このとき、制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ２において、第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２とは異なる、感光基板Ｐ上の第２の領域としての第３ショット領域ＳＨ３及び第４ショット領域ＳＨ４を露光する。そして、制御系ＣＯＮＴは、第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光された感光基板Ｐを、第２露光ステーションＳＴ２より搬出し、例えばデベロッパ装置等に搬送する。
【００３３】
第２露光ステーションＳＴ２における第１の感光基板Ｐの第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４に対する露光処理と並行して、露光処理前の感光基板（第２の感光基板）Ｐが、搬送系９０により第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴにロード（搬入）される（ステップＳＡ５）。
そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、第２の感光基板Ｐ上の第１の領域としての第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光（第１の露光）する（ステップＳＡ６）。
つまり、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１における露光処理（ステップＳＡ６）と、第２露光ステーションＳＴ２における露光処理（ステップＳＡ４）とを同時に行うように制御し、第１の感光基板及び第２の感光基板に対する露光を並行して行う。
【００３４】
第１露光ステーションＳＴ１において、第２の感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対する露光を行った後、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って、第２の感光基板Ｐを第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴよりアンロードし、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロード（搬入）する（ステップＳＡ７）。
そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で露光した第２の感光基板Ｐの第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４に対する露光を第２露光ステーションＳＴ２において行う（ステップＳＡ８）。
【００３５】
以下、同様の手順で、複数の感光基板（第３の感光基板、第４の感光基板、…）を第１及び第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２を用いて順次露光する。
【００３６】
第１露光ステーションＳＴ１において、感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）は、図４（ａ）に破線で示す移動領域Ｂ１を移動し、第２露光ステーションＳＴ２において、図４（ｂ）に破線で示す移動領域Ｂ２を移動する。このとき、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれでは、感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）はＹ軸方向へのステップ移動を行わない構成であるため、移動領域Ｂ１、Ｂ２を小さく抑えることができる。例えば、感光基板Ｐの大きさが１８００ｍｍ×２０００ｍｍである場合、移動領域Ｂ１、Ｂ２を３．６ｍ×２．０ｍ程度に抑えることができ、従来の１つの露光装置で露光する場合に比べて、ステージの移動領域を小さくできる。
【００３７】
ところで、第１露光ステーションＳＴ１で感光基板Ｐ上の第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２にマスクＭのパターンを露光するときに、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに載置された感光基板Ｐ上の所定位置にマーク形成装置６１を使って位置合わせ用のマークを形成する。
図５（ａ）は、第１露光ステーションＳＴ１に設けられているマーク形成装置６１を使って感光基板Ｐ上の所定位置にマークを形成している状態を示す模式図である。図５（ａ）に示すように、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上のショット領域以外の位置にマーク形成装置６１を使ってマーク６３を形成する。本実施形態では、感光基板ＰのＸ軸方向両端部のそれぞれにマーク６３が形成される。なお図５ではマーク６３は２箇所に形成されているが、３箇所以上の任意の複数箇所に形成することができる。本実施形態において、マーク形成装置６１は、感光基板Ｐ上の感光剤（フォトレジスト）に対して光束を照射する照射装置により構成されている。制御系ＣＯＮＴは、予め設定されている第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対する露光を行う前又は後に、マーク形成装置６１よりレーザ光等のスポット状の光束を感光基板Ｐ上のフォトレジストに照射してこの照射位置のフォトレジストを除去することで、マーク６３を形成する。このとき、制御系ＣＯＮＴは、マーク形成装置６１を使って、ショット領域に対して所定の位置関係でマーク６３を形成する。
【００３８】
図５（ｂ）は、第２露光ステーションＳＴ２に設けられているマーク検出装置６２を使って、第１露光ステーションＳＴ１において感光基板Ｐ上に形成されているマーク６３を検出している状態を示す模式図である。制御系ＣＯＮＴは、予め設定されている第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４に対する露光を行う前に、感光基板Ｐ上に形成されているマーク６３をマーク検出装置６２を使って光学的に検出する。ここで、マーク検出装置６２はマーク形成装置６１（マーク６３）に応じて配置されており、感光基板Ｐ上に配置された複数のマーク６３を略同時に検出可能である。マーク検出装置６２の検出結果は制御系ＣＯＮＴに出力され、制御系ＣＯＮＴは、マーク検出装置６２の検出結果に基づいてマーク６３の位置情報を求める。ここで、マーク６３は第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対して所定の位置関係で形成されているため、制御系ＣＯＮＴはマーク６３の位置情報に基づいて、第１露光ステーションＳＴ１で露光された感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２の位置情報を求めることができる。
【００３９】
制御系ＣＯＮＴは、前記求めた第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２の位置情報に基づいて、第１露光ステーションＳＴ１で露光された感光基板Ｐ上の第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対して、第２露光ステーションＳＴ２で露光する第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４の位置を、例えば基板ステージＰＳＴを駆動することで調整する。そして、露光すべき第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４の位置、すなわち感光基板Ｐの位置調整をした後、制御系ＣＯＮＴは、第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４に対してマスクＭのパターンを露光する。これにより、感光基板Ｐ上において第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を所望の状態（位置関係）で配列することができる。
【００４０】
以上説明したように、第１露光ステーションＳＴ１での露光と、第２露光ステーションＳＴ２での露光との間で、例えば現像処理等の露光処理以外のプロセス処理を行わずに、１つの感光基板Ｐに対して第１露光ステーションＳＴ１で露光した後、第２露光ステーションＳＴ２で連続して露光するようにしたので、装置の大型化を抑えることができるとともに、ステージの移動範囲を抑えることができる。したがって、ステージの移動に伴う重心位置の変化に起因する装置（コラム）の撓みの発生を抑えて精度良い露光処理を行うことができる。
【００４１】
そして、感光基板Ｐのサイズが大型化しても、各露光ステーションのそれぞれで露光するショット領域を分担して持たせることで、各露光ステーションを比較的小型化でき、露光装置自体の製造を容易に行うことができ、輸送も円滑に行うことができるようになる。また、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の間で搬送系９０を共有することで、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２で感光基板Ｐを連続して露光する際の処理効率を向上することができる。
【００４２】
そして、本実施形態では、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの基板ステージＰＳＴは、Ｘ軸方向に走査移動するだけでＹ軸方向にはステップ移動しない構成であるため、基板ステージＰＳＴをＹ軸方向に移動するための駆動装置の設置を省略でき、装置構成を簡略化できる。
【００４３】
マーク形成装置６１及びマーク検出装置６２を含むアライメント系６０を設けたことにより、複数のショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２で跨って露光する場合であっても、これらショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を所望の状態に配列することができる。感光基板Ｐ上に複数のパターンを順次積層する場合、２層目以降のパターンを形成する場合には、例えばマスクＭに形成されたアライメントマークを感光基板Ｐ上に露光して現像処理することで感光基板Ｐ上にアライメントマークを形成し、先に感光基板Ｐ上に形成されたアライメントマークを使って次のパターンを所望の位置に精度良く形成することができるが、第１層目のパターンを感光基板Ｐ上に露光する場合、感光基板Ｐ上にはアライメントマークがないため、複数のショット領域を複数の露光ステーションで跨って露光する場合にショット領域に配列誤差が生じる可能性がある。第１層目のパターンを形成する場合、感光基板Ｐのエッジに例えばピン部材を当てて感光基板Ｐの位置を機械的に計測する外形計測（ポテンショ計測）を行い、ショット領域の配列（位置）を調整することも考えられるが、感光基板Ｐのエッジ形状誤差（製造誤差）等により計測誤差が大きくなる可能性がある。しかしながら、感光基板Ｐのフォトレジストに光束を照射し、このフォトレジストの一部を除去してマーク６３を形成し、このマーク６３をマーク検出装置６２で光学的に検出することで、第１露光ステーションＳＴ１と第２露光ステーションＳＴ２とで跨って露光する場合であっても、第１露光ステーションＳＴ１で露光された感光基板Ｐ上のショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対して第２露光ステーションＳＴ２で露光するショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を所望の位置に調整することができる。
【００４４】
そして、例えば液晶表示デバイスを製造するために、各ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を設けた後、この感光基板Ｐと、別の工程で製造したカラーフィルタ等の別の素子を有する基板とを重ね合わせ、所定のサイズに分割する作業が行われる場合があるが、感光基板Ｐ上においてショット領域を所望の状態に配列することにより、カラーフィルタとスイッチング素子とを精度良く重ね合わせることができる。このように、ショット領域が所望の状態で配列されることで、後工程を円滑に行うこともできる。
【００４５】
なお、感光基板Ｐ上に第２層目以降のパターンを形成する場合には、上述したように、例えばマスクＭに形成されているアライメントマークを感光基板Ｐ上に転写することで形成したアライメントマークを使って精度良くアライメントすることができる。もちろん、マーク形成装置６１で形成したマーク６３を使って、第２層目以降のパターンを形成する際のアライメントを行うこともできる。
【００４６】
なお、上記実施形態において、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上に予め設定された複数のショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４のうち一部のショット領域である第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を第１露光ステーションＳＴ１で露光し、他の一部のショット領域である第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を第２露光ステーションＳＨ２で露光する構成であるが、第１露光ステーションＳＴ１での露光と第２露光ステーションＳＴ２の露光とで、同じショット領域（露光領域）を露光するようにしてもよい。つまり、第１露光ステーションＳＴ１で感光基板Ｐ上に転写したパターンに対して、第２露光ステーションＳＴ２で、第１露光ステーションＳＴ１で転写したパターンの上に次のパターンを重ね合わせるようにしてもよい。また、第２露光ステーションＳＴ２でパターンを重ね合わせる際には、第１露光ステーションＳＴ１で感光基板Ｐ上に転写したパターンに対してその全部を重ね合わせるようにして露光してもよいし、一部を重ね合わせるようにして露光（継ぎ露光）してもよい。
【００４７】
なお、本実施形態では、マーク形成装置６１により感光基板Ｐのフォトレジストに光束を照射してマーク６３を形成し、このマーク６３を検出することで位置合わせを行っているが、マーク６３を形成せずに、第２露光ステーションＳＴ２において、第１露光ステーションＳＴ１で露光したパターン（ショット領域）の位置を検出し、この検出結果に基づいて、第２露光ステーションＳＴ２で露光するショット領域の位置を調整するようにしてもよい。すなわち、感光基板Ｐにパターンを露光した際、フォトレジストには潜像が形成される。露光光ＥＬが紫外光である場合、一旦露光された領域のフォトレジストの紫外光に対する反射特性は、露光された以外の領域に対して異なった特性を有する。したがって、第２露光ステーションＳＴ２で感光基板Ｐに紫外光を照射し、この反射光を検出することで第１露光ステーションＳＴ１で露光されたパターン（第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２）の位置を求めることができる。パターンの位置を検出するための紫外光の光強度（照度）を、パターンを露光するための露光光ＥＬより十分に低い値に設定し、照射時間を短くすれば、パターン（フォトレジスト）に対する影響を抑えることができる。このように、第１露光ステーションＳＴ１で露光されたパターンの位置を第２露光ステーションＳＴ２で検出する際、感光基板Ｐに対して露光光ＥＬと略同じ波長の照射光を照射したときの反射光の受光結果に基づいて、第１露光ステーションＳＴ１で露光されたパターンの位置を求めることができる。
【００４８】
なお、本実施形態において、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を露光した後、第２露光ステーションＳＴ２で第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を露光するように説明したが、もちろん、第１露光ステーションＳＴ１で第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を露光した後、第２露光ステーションＳＴ２で第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を露光するようにしてもよい。
【００４９】
あるいは、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２で露光した後、第１露光ステーションＳＴ１で露光するようにしてもよい。この場合、第２露光ステーションＳＴ２にマーク形成装置６１が設けられ、第１露光ステーションＳＴ１にマーク検出装置６２が設けられる。
【００５０】
なお、上記第１実施形態では、感光基板Ｐ上に４つのショット領域（露光領域）ＳＨ１〜ＳＨ４を設定した場合について説明したが、もちろん任意の数だけショット領域を設定し、露光することができる。
【００５１】
ところで、感光基板Ｐ上に４つのショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を設定して露光する場合、感光基板Ｐの１枚当たりの処理時間（タクト、設定時間）を例えば６０秒に設定したとする。なお、露光装置ＥＸのタクトはこの露光装置ＥＸと接続されるコータ装置やデベロッパ装置の処理時間（タクト）に応じて設定することができる。すると、第１露光ステーションＳＴ１での第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を露光するための処理時間は６０秒でよく、同様に、第２露光ステーションＳＴ２での第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４を露光するための処理時間も６０秒でよい。更に、例えば感光基板Ｐ上に２つのショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を設定し、第１露光ステーションＳＴ１で第１ショット領域ＳＨ１を露光し、第２露光ステーションＳＴ２で第２ショット領域ＳＨ２を露光する場合には、１つのショット領域ＳＨ１（ＳＨ２）を露光するのに６０秒の時間をかけることができる。このように、各露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の処理に余裕が生じ、例えば、露光処理に時間をかけることができるため、露光光ＥＬを射出する光源の出力を低下した状態でマスクＭや感光基板Ｐの走査速度を低減しても、予め設定されたタクト（設定時間）内で、所望のドーズ量（露光量）を得ることができる。したがって、光源の寿命を延ばすことができたり、安価な小出力光源を使用することができ、コストを低減できる。また、基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴの移動速度（加速度）を低減できることで、ステージを駆動する駆動装置を安価に構成できたり装置の剛性を低減でき、コストを低減できる。
【００５２】
このように、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２を用いて複数の感光基板Ｐを順次露光する際、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの、露光光の照射条件（光源出力）やステージ移動条件（ステージ移動速度）を含む露光動作を予め設定されたタクト（設定時間）に基づいて制御することで、露光装置のコストやランニングコストを低減することができる。
【００５３】
本実施形態において、第１露光ステーションＳＴ１の露光で用いるマスクＭのパターンと、第２露光ステーションＳＴ２の露光で用いるマスクＭのパターンとは、同じパターンでもよいし、異なるパターンでもよい。第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれのマスクステージＭＳＴに載置するマスクＭのパターンを同じパターンにすることにより、感光基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４のそれぞれに同じパターンを露光することができる。一方、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれのマスクステージＭＳＴに載置するマスクＭのパターンを互いに異なるパターンにすることにより、第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２（第１の領域）に対する露光と、第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４（第２の領域）に対する露光とで、互いに異なるパターンを感光基板Ｐ上に露光することができる。
【００５４】
図６は、第１露光ステーションＳＴ１での露光と、第２露光ステーションＳＴ２での露光とで、互いに異なるパターンＰａ、Ｐｂを感光基板Ｐ上に露光した状態を示す模式図である。図６（ａ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１のマスクステージＭＳＴにはパターンＰａを有するマスクＭが支持され、制御系ＣＯＮＴはこのパターンＰａを感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に露光する。また、図６（ｂ）に示すように、第２露光ステーションＳＴ２のマスクステージＭＳＴにはパターンＰｂを有するマスクＭが支持され、制御系ＣＯＮＴはこのパターンＰｂを感光基板Ｐの第３、第４ショット領域ＳＨ３、ＳＨ４に露光する。これにより、１つの感光基板Ｐ上に、パターンＰａ、Ｐｂをそれぞれ有する互いに異なるデバイスが製造される。
【００５５】
なお図６では、感光基板Ｐ上に互いに異なる２種類のデバイスを製造しているが、もちろん３種類以上の任意の複数種類のデバイスを１つの感光基板Ｐ上に製造することができる。
【００５６】
なお図６では、感光基板Ｐ上のパターンＰａとパターンＰｂとはほぼ同じ大きさを有するように示されているが、互いに異なる大きさであってもよい。例えば、感光基板Ｐ上の液晶表示デバイス（ディスプレイ）を製造する場合、第１の大きさを有する第１のパターンを所定の数だけ感光基板Ｐ上に形成し、第１の大きさより小さい第２の大きさを有する第２のパターンを、感光基板Ｐ上のうち第１のパターンが形成された以外の領域に形成することで、パターンが形成されない領域を少なくし感光基板Ｐを有効利用できる。
【００５７】
図７（ａ）に示す例では、第１の感光基板Ｐ１に、パターンＰａが第１露光ステーションＳＴ１によって所定の位置に１つ形成され、パターンＰａとは異なる大きさ（形状）を有するパターンＰｂが第２露光ステーションＳＴ２によって４つ形成されている。一方、図７（ｂ）に示す例では、前記第１の感光基板Ｐ１とは異なる大きさ（形状）を有する第２の感光基板Ｐ２上に、パターンＰｃが第１露光ステーションＳＴ１によって所定の位置に４つ形成され、パターンＰｃとは異なる大きさ（形状）を有するパターンＰｄが第２露光ステーションＳＴ２によって３つ形成されている。このように、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光する領域を、デバイスを製造するための感光基板Ｐに応じて変更することができる。
【００５８】
感光基板Ｐ上に互いに異なるデバイスを複数種類（図６では２種類）する際、制御系ＣＯＮＴは、複数のショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対して、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を個別に制御し、デバイスを製造するための感光基板Ｐに応じて変更するようにしてもよい。例えば、パターン（デバイス）Ｐａ、Ｐｂのそれぞれに要求されるパターン転写精度が互いに異なり、パターンＰａを露光する場合のほうがパターンＰｂを露光する場合より高いパターン転写精度を要求されるような場合、パターンＰａを露光する際のアライメント処理時間をパターンＰｂを露光する際のアライメント処理時間より長く設定したり（具体的には検出するアライメントマークの数を多くする等）、パターンＰａ、Ｐｂのそれぞれを露光するときの感光基板Ｐの走査速度を互いに異なる速度に設定したりする等、第１露光ステーションＳＴ１での露光動作と、第２露光ステーションＳＴ２での露光動作とを互いに異なる露光動作となるように、制御系ＣＯＮＴは制御することができる。
この場合、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を予め設定されたタクト（設定時間）に基づいて制御し、タクトが所定時間（例えば６０秒）に設定されている場合、タクト内において、パターンＰａを露光するときの処理時間をパターンＰｂを露光するときの処理時間より長く設定し、パターンＰａ、Ｐｂのそれぞれを第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれで露光する。
【００５９】
なお、上記実施形態では、露光ステーションを２つ設けた例について説明したが、もちろん、露光ステーションを３つ以上の任意の複数設けた構成であってもよい。
【００６０】
なお、上記実施形態では、投影光学系ＰＬに対して基板ステージＰＳＴが移動するように説明したが、投影光学系ＰＬ（及びマスクステージＭＳＴ）が移動するようにしてもよい。こうすることによっても、基板ステージＰＳＴの移動範囲を小さくすることができる。なお、投影光学系ＰＬを移動するには、例えばコラム１００（１００Ａ）に、投影光学系ＰＬの移動を案内するガイド部を設け、リニアモータ等の駆動装置を使って移動したり、あるいは定盤１とともに移動することができる。また、投影光学系ＰＬが移動可能である場合には、例えば走査露光時においては投影光学系ＰＬの位置を固定した状態で基板ステージＰＳＴをＸ軸方向に走査移動し、１回の走査露光が終了した後、投影光学系ＰＬをＹ軸方向にステップ移動するようにしてもよい。投影光学系ＰＬがステップ移動する場合、基板ステージＰＳＴはＹ軸方向に移動しなくてよい（あるいは微動するだけでよい）。
【００６１】
なお、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれのマスクステージＭＳＴに取り付けられた移動鏡７０は、一次元スキャン動作で良いのなら、コーナーキューブを用いて位置計測を行うように構成してもよい。
【００６２】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。ここで、以下の説明において、上述した第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
図８は、感光基板Ｐ上に設定された６つのショット領域ＳＨ１〜ＳＨ６のそれぞれを露光する状態を示す模式図である。
図８（ａ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１において、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する。次いで、図８（ｂ）に示すように、第２露光ステーションＳＴ２において、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上の第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する。例えば感光基板Ｐの大きさが２０００ｍｍ×１８００ｍｍであって、１つのショット領域が１．０ｍ×０．６ｍに設定されている場合、第１露光ステーションＳＴ１での感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）のＹ軸方向のステップ移動距離は０．６ｍ程度でよいため、移動領域Ｂ１は、４．０ｍ×２．４ｍ程度であればよい。一方、第２露光ステーションＳＴ２において感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）はＹ軸方向にステップ移動する必要がなく、Ｘ軸方向に走査移動するだけで第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光できる。
【００６３】
ところで、複数の感光基板Ｐを順次露光する際、第１露光ステーションＳＴ１で第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光した後、第２露光ステーションＳＴ２で第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光すると、第１露光ステーションＳＴ１で露光するショット領域の数が、第２露光ステーションＳＴ２で露光するショット領域の数より多いため、第２露光ステーションでは露光処理の停止時間（待ち時間）が多くなり、生産性が低下する。
【００６４】
そこで、図９に示すように、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに露光処理前の第１の感光基板Ｐを搬送系９０を使ってロードし（ステップＳＢ１）、第１露光ステーションＳＴ１において、第１の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＨＳ４を露光する（ステップＳＢ２）。次いで、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で露光された第１の感光基板Ｐを搬送系９０を使って第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴからアンロードし、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＢ３）。そして、第２露光ステーションＳＴ２において、制御系ＣＯＮＴは第１の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＢ４）。 
【００６５】
ここで、制御系ＣＯＮＴは、ステップＳＢ３及びステップＳＢ４と並行して、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに露光処理前の第２の感光基板Ｐを搬送系９０を使ってロードし（ステップＳＢ５）、第１露光ステーションＳＴ１において、第２の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＢ６）。そして、第１露光ステーションＳＴ１で第２の感光基板Ｐを露光した後、制御系ＣＯＮＴは第２の感光基板Ｐを搬送系９０を使って第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴからアンロードし、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＢ７）。このとき、第２露光ステーションＳＴ２での露光が終了した第１の感光基板Ｐは搬送系９０によりアンロードされている。そして、制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ２において、第２の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する（ステップＳＢ８）。
【００６６】
制御系ＣＯＮＴは、ステップＳＢ７及びステップＳＢ８と並行して、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに露光処理前の第３の感光基板Ｐを搬送系９０を使ってロードし（ステップＳＢ９）、第１露光ステーションＳＴ１において、第３の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する（ステップＳＢ１０）。次いで、制御系ＣＯＮＴは第３の感光基板Ｐを搬送系９０を使って第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＢ１１）。このとき、第２露光ステーションＳＴ２における第２の感光基板Ｐの露光は終了しており、第２の感光基板Ｐはアンロードされている。そして、制御系ＣＯＮＴは、第３の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＢ１２）。
【００６７】
更に、制御系ＣＯＮＴは、ステップＳＢ１１及びステップＳＢ１２と並行して、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに露光処理前の第４の感光基板Ｐを搬送系９０を使ってロードし（ステップＳＢ１３）、第１露光ステーションＳＴ１において、第４の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＢ１４）。次いで、制御系ＣＯＮＴは第４の感光基板Ｐを搬送系９０を使って第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードし（ステップＳＢ１５）、第４の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する（ステップＳＢ１６）。
【００６８】
以下、同様の手順で、複数の感光基板Ｐを第１及び第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２を用いて順次露光する。
【００６９】
以上説明したように、第１露光ステーションＳＴ１及び第２露光ステーションＳＴ２を用いて複数の感光基板Ｐを順次露光する際、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光する領域（ショット領域）を、感光基板Ｐに応じて変更することができる。そして、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上に予め設定された複数のショット領域（露光領域）ＳＨ１〜ＳＨ６のうち、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれで露光する露光動作を、ここでは、第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光するときと第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光するときとでの感光基板Ｐの移動動作を、ロードされた感光基板Ｐに応じて変更することで、露光処理の待ち時間を短縮あるいは無くすことができ、効率良く露光処理できる。
【００７０】
なお、図９を参照して説明した実施形態の場合、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光処理時において、感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）はＹ軸方向にステップ移動することになるが、後に図１６を参照して説明するように、例えば第１の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を第１露光ステーションＳＴ１で露光するときの基板ステージＰＳＴに対する第１の感光基板Ｐの載置状態と、第２の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光するときの基板ステージＰＳＴに対する第２の感光基板Ｐの載置状態とを異ならせることで、感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の移動領域を抑えることができる。
【００７１】
なお、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれで露光するショット領域の組み合わせを任意に設定可能である。例えば、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で感光基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ３を露光し、第２露光ステーションＳＴ２で第４〜第６ショット領域ＳＨ４〜ＳＨ６を露光するようにしてもよい。この場合、第１露光ステーションＳＴ１での露光処理時間と第２露光ステーションＳＴ２での露光処理時間とは略同じになるため、第１及び第２露光ステーションのうちいずれか一方の待ち時間を無くす、あるいは短縮することができる。
【００７２】
次に、本発明の第３実施形態について図１０を参照しながら説明する。
制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴに露光処理前の第１の感光基板Ｐを搬送系（ローダ系）９０を使ってロードする（ステップＳＣ１）。
そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、第１の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＨＳ４を露光する（ステップＳＣ２）。
【００７３】
ここで、第１露光ステーションＳＴ１で第１の感光基板Ｐに対する露光処理が行われている間、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴには感光基板Ｐが載置されておらず、露光停止状態となっている。つまり、第１露光ステーションＳＴ１は稼働しており、第２露光ステーションＳＴ２は停止している。そこで、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況に応じて、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のうち感光基板Ｐをロード（搬入）する露光ステーションを選択し、選択結果に基づいて、搬送系（ローダ系）９０を制御する。具体的には、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のうち、露光停止状態である第２露光ステーションＳＴ２を選択し、搬送系９０を使って、露光処理前の第２の感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＣ３）。
制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上の複数のショット領域に対する第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を個別に制御可能であるため、第２露光ステーションＳＴ２において、第２の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＨＳ４を露光する（ステップＳＣ４）。
【００７４】
やがて、第１露光ステーションＳＴ１での第１の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光処理が終了する。このとき、第２露光ステーションＳＴ２での第２の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光処理は継続している。つまり、第１露光ステーションＳＴ１はその露光動作を停止しており、第２露光ステーションＳＴ２は稼働中である。制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況を判断し、搬送系９０を制御して、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴから第１の感光基板Ｐをアンロードする。
【００７５】
搬送系９０が第１の感光基板Ｐをアンロードしている動作中に、第２露光ステーションＳＴ２での第２の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光処理が終了する。制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況を判断し、搬送系９０を制御して、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴから第２の感光基板Ｐをアンロードする。なお、上述したように、搬送系９０は複数設けられており、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴから第２の感光基板Ｐをアンロードする搬送系９０は、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴから第１の感光基板Ｐをアンロードし保持している搬送系９０とは別の搬送系９０である。
【００７６】
次いで、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で露光され、アンロードされた第１の感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＣ５）。そして、第２露光ステーションＳＴ２において、制御系ＣＯＮＴは第１の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＣ６）。
また、制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ２で露光され、アンロードされた第２の感光基板Ｐを第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＣ７）。そして、第１露光ステーションＳＴ１において、制御系ＣＯＮＴは第２の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＣ８）。
【００７７】
第１露光ステーションＳＴ１における第２の感光基板Ｐの露光が終了したら、制御系ＣＯＮＴは搬送系９０を使って第２の感光基板Ｐをアンロードする。このとき、第２露光ステーションＳＴ２では第１の感光基板Ｐに対する露光が継続している。制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況を判断し、露光処理前の第３の感光基板Ｐを第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＣ９）。そして、第１露光ステーションＳＴ１において、制御系ＣＯＮＴは第３の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する（ステップＳＣ１０）。
やがて、第２露光ステーションＳＴ２における第１の感光基板Ｐの露光が終了する。制御系ＣＯＮＴは搬送系９０を使って第１の感光基板Ｐをアンロードする。そして、制御系ＣＯＮＴは、露光処理前の第４の感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードする（ステップＳＣ１１）。そして、第２露光ステーションＳＴ２において、制御系ＣＯＮＴは第４の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する（ステップＳＣ１２）。
【００７８】
やがて、第１露光ステーションＳＴ１での第２の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光処理が終了する。制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況を判断し、搬送系９０を制御して、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴから第３の感光基板Ｐをアンロードする。更に、制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ２での第４の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光処理が終了した後、搬送系９０を制御して、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴから第４の感光基板Ｐをアンロードする。そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴからアンロードされた第３の感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴにロードし（ステップＳＣ１３）、第２露光ステーションＳＴ２において、第３の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＣ１４）。
また、制御系ＣＯＮＴは、第２露光ステーションＳＴ２で露光され、アンロードされた第４の感光基板Ｐを第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴにロードし（ステップＳＣ１５）、第１露光ステーションＳＴ１において、第４の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する（ステップＳＣ１６）。
【００７９】
以上説明したように、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況に応じて、感光基板Ｐをロードする露光ステーションを選択し、この選択結果に基づいて搬送系９０を制御することができる。そして、例えば第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の双方が稼働中（露光処理中）である場合には、制御系ＣＯＮＴは搬送系９０を待機させ、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の双方が停止中である場合には、搬送系９０を使って第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれに露光処理前の感光基板Ｐをロードするといった制御をすることができる。あるいは、一方の露光ステーションが、例えば長時間アライメント処理や露光処理を行っていたり、あるいは故障など稼働不能状態であって感光基板Ｐを受け入れ不能である場合には、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を制御し、他方の露光ステーションのみに対して感光基板Ｐをロードするといった制御を行うことも可能である。
【００８０】
また、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２を用いて複数の感光基板Ｐを順次露光する際、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の稼働状況に応じて制御することができる。
例えば、図７（ａ）を参照して説明したように、第１露光ステーションＳＴ１で１つのパターンＰａを露光し、第２露光ステーションＳＴ２で４つのパターンＰｂを露光するときに、第２露光ステーションＳＴ２における処理時間のほうが第１露光ステーションＳＴ１における処理時間より長い場合について考える。ここで、上記処理時間とは、露光処理時間及びアライメント処理時間を含む。この場合、第１露光ステーションＳＴ１におけるパターンＰａの露光処理が終了したとしても、第２露光ステーションＳＴ２におけるパターンＰｂの露光処理が継続中であるため、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って第１露光ステーションＳＴ１から第２露光ステーションＳＴ２に感光基板Ｐを搬送できない。そこで、制御系ＣＯＮＴは、第２ステーションＳＴ２での処理が終了する時まで（第１露光ステーションＳＴ１から第２露光ステーションＳＴ２に感光基板Ｐを搬送可能状態となるまで）、第１露光ステーションＳＴ１における感光基板Ｐに対する露光動作を制御する。具体的には、例えば第１露光ステーションＳＴ１における感光基板Ｐに対するアライメント処理時間を長く設定したり、露光処理時間を長く設定することができる。アライメント処理時間を長く設定することにより感光基板Ｐに露光するパターンを所定の位置に精度良く位置決めでき、また露光処理時間を長く設定することにより露光光ＥＬの光源出力を低下できたりステージ移動速度を低減することができる。
【００８１】
また、例えば第１ショット領域ＳＨ１にパターンを５層重ね合わせて第１のデバイスを製造し、第２ショット領域ＳＨ２に７層重ね合わせて第２のデバイスを製造する際、図１１（ａ）に示す模式図のように、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で第１ショット領域ＳＨ１を露光し、第２露光ステーションＳＴ２で第２ショット領域ＳＨ２を露光し、第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２のそれぞれに第５層目までパターンを形成する。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２のそれぞれに第５層目までパターンが形成された複数の感光基板Ｐのうちの１つの感光基板Ｐを搬送系９０を使って第１露光ステーションＳＴ１にロードし、別の１つの感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２にロードする。そして、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれで、感光基板Ｐの第２ショット領域ＳＨ２に対して第６、第７層目のパターンを露光する。このとき、制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２における感光基板Ｐの第２ショット領域ＳＨ２に対する第６、第７層目のパターンの露光動作を同時に行うことができる。なお、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の双方のマスクステージＭＳＴに、第６、第７層目を形成するためのパターンを有するマスクＭがそれぞれ載置される。また、第１露光ステーションＳＴ１において、第２ショット領域ＳＨ２が投影光学系ＰＬの下に配置されるように、搬送系９０が基板ステージＰＳＴに感光基板Ｐをロードする。また、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で第２のデバイスを製造するために、例えば光源出力やステージ移動速度、あるいは投影光学系ＰＬの結像特性を調整する等、第１のデバイスを製造するための露光条件から、第２のデバイスを製造するための最適な露光条件（露光動作）に変更する。
【００８２】
次に、本発明の第４実施形態として、１枚の感光基板Ｐから様々な大きさのデバイス（液晶表示デバイス）を製造する場合における第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２での露光動作の具体例について図１２及び図１３を参照しながら説明する。以下、１８００ｍｍ×２０００ｍｍの感光基板（ガラス基板）Ｐから縦横比１６：９の液晶表示デバイス（ディスプレイ）を製造する場合について説明する。
図１２（ａ）は、２１インチディスプレイを製造する場合の感光基板Ｐ上に設定されるデバイス（ディスプレイ）レイアウトの一例を示す図である。この場合、感光基板Ｐから２４面のディスプレイＤが製造可能である。図１２（ｂ）は、２４インチディスプレイを製造する場合の感光基板Ｐ上に設定されるデバイスレイアウトの一例を示す図であって、１８面のディスプレイＤが製造可能である。以下同様に、図１２（ｃ）〜図１２（ｆ）には、２６インチ、２８インチ、３７インチ、及び４３インチディスプレイを製造する場合のデバイスレイアウトの一例が示されており、それぞれ１５面、１２面、８面、及び６面のディスプレイＤを製造可能である。なお、４３インチ以上のサイズのディスプレイを製造する場合には３面製造できる。
【００８３】
図１２に示したデバイスレイアウトに基づいてディスプレイＤを製造する際の、第１、第２露光ステーションＳＴ１、Ｓ２の露光動作について説明する。露光装置ＥＸ全体のタクトが例えば６０秒に設定されている場合、１つの露光ステーションは６０秒で感光基板Ｐに対する処理を行えばよい。なお露光装置ＥＸのタクトは、上述したように、この露光装置ＥＸと接続されるコータ装置やデベロッパ装置のタクトに応じて設定される。１つの露光ステーションでのショット数（走査露光の回数）が多いとタクトが低下するため、露光装置ＥＸが６０秒タクトを実現するためには１つの露光ステーションで露光するショット数をある程度制限する必要がある。
【００８４】
図１３は、図１２に示したデバイスレイアウトに基づいてデバイスを製造するに際し、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のうち少なくともいずれか一方でのショット数を４以下に設定した場合の露光動作の一例を示す模式図である。図１３において、破線Ｌ１で囲んだ領域が、第１露光ステーションＳＴ１において１回の走査露光で露光するショット領域であり、実線Ｌ２で囲んだ領域が、第２露光ステーションＳＴ２において１回の走査露光で露光するショット領域である。
例えば、２１インチディスプレイを製造する場合、図１３（ａ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１回の走査露光（１ショット）でＸ軸方向に並んだ３つのデバイスを露光し、これを４回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１回の走査露光（１ショット）でＸ軸方向に並んだ３つのデバイスを露光し、これを４回行う。このときマスクＭにはデバイス形成用パターンがＸ軸方向に３つ並んで形成されている。
同様に、２４インチディスプレイを製造する場合、図１３（ｂ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１回の走査露光（１ショット）で２つのデバイスを露光し、これを５回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１回の走査露光（１ショット）で２つのデバイスを露光し、これを４回行う。
２６インチディスプレイを製造する場合、図１３（ｃ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１ショットで２つ（または１つ）のデバイスを露光し、これを５回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１ショットで２つ（または１つ）のデバイスを露光し、これを４回行う。
２８インチディスプレイを製造する場合、図１３（ｄ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１ショットでＹ軸方向に並んだ２つのデバイスを露光し、これを３回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１ショットでＹ軸方向に並んだ２つのデバイスを露光し、これを３回行う。このときマスクＭにはデバイス形成用パターンがＹ軸方向に２つ並んで形成されている。
３７インチディスプレイを製造する場合、図１３（ｅ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１ショットで１つのデバイスを露光し、これを４回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１ショットで１つのデバイスを露光し、これを４回行う。４３インチディスプレイを製造する場合、図１３（ｆ）に示すように、第１露光ステーションＳＴ１では１ショットで１つのデバイスを露光し、これを３回行い、第２露光ステーションＳＴ２では１ショットで１つのデバイスを露光し、これを３回行う。
なお、２１インチ、２６インチ、及び３７インチディスプレイを露光する場合には、図１３に示すように、感光基板Ｐの長手方向とＹ軸方向とが平行になるように感光基板Ｐが基板ステージＰＳＴに載置され、２４インチ、２８インチ、及び４３インチディスプレイを露光する場合には、感光基板Ｐの長手方向とＸ軸方向とが平行になるように基板ステージＰＳＴに載置される。
【００８５】
以上説明したように、様々な大きさのデバイスを製造する場合であっても第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２での感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の移動範囲を抑えることができる。
【００８６】
ところで、図１３を参照して説明したように、マスクＭに複数のデバイス形成用パターンを並べて形成しておき、このマスクＭに対する露光光ＥＬの照明領域及び感光基板Ｐに対する投影光学系ＰＬの投影領域を調整しつつ露光することで、１回の走査露光（１ショット）で複数のデバイスを感光基板Ｐ上に形成することができる。なお、マスクＭに対する照明領域の調整あるいは感光基板Ｐに対する投影領域の調整は、例えば照明光学系ＩＬに設けられたブラインド部（照明領域設定装置）や、マスクＭのパターン形成領域の周りに設けられた遮光帯により調整することができる。
そして、制御系ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの投影領域と、感光基板Ｐ上に予め設定されたデバイス形成領域であるショット領域（露光領域）とに基づいて、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２における感光基板Ｐの移動を制御することができる。
【００８７】
例えば、感光基板ＰのＹ軸方向の長さをＬとし、ショット領域をＹ軸方向に２つ並べて設定した場合、第１露光ステーションＳＴ１で一方のショット領域を露光し、第２露光ステーションＳＴ２でもう一方のショット領域を露光すれば、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの基板ステージＰＳＴはＹ軸方向にステップ移動しなくてよい。
【００８８】
図１４（ａ）は、感光基板Ｐ上にＹ軸方向に３つ並んだショット領域ＳＨ１〜ＳＨ３を設定し、これを露光する状態を示す模式図である。この場合、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域のＹ軸方向の大きさをＬ／３に設定し、第１ショット領域ＳＨ１を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／３ステップ移動し、第２ショット領域ＳＨ２を露光（１行露光）する。次に、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２に搬送し、第２露光ステーションＳＴ２において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／３に設定し、第３ショット領域ＳＨ３を露光（１行露光）する。このように、露光ステーションを２つ設けたことにより、第１露光ステーションＳＴ１において感光基板ＰはＬ／３だけステップ移動すればよく、第２露光ステーションＳＴ２においては感光基板Ｐをステップ移動しなくてよい。この場合、露光ステーションが１つであると、感光基板Ｐを２Ｌ／３ステップ移動する必要が生じる。
図１４（ｂ）は、感光基板Ｐ上にＹ軸方向に４つ並んだショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を設定し、これを露光する状態を示す模式図である。この場合、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／４に設定し、第１ショット領域ＳＨ１を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／４ステップ移動し、第２ショット領域ＳＨ２を露光（１行露光）する。次に、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２に搬送し、第２露光ステーションＳＴ２において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／４に設定し、第３ショット領域ＳＨ３を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／４ステップ移動し、第４ショット領域ＳＨ４を露光（１行露光）する。このように、露光ステーションが１つである場合には感光基板Ｐを３Ｌ／４ステップ移動する必要があるのに対し、露光ステーションを２つ設けたことにより、感光基板Ｐは第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれにおいてＬ／４だけステップ移動すればよい。
図１４（ｃ）は、感光基板Ｐ上にＹ軸方向に５つ並んだショット領域ＳＨ１〜ＳＨ５を設定し、これを露光する状態を示す模式図である。この場合、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／５に設定し、第１ショット領域ＳＨ１を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／５ステップ移動し、第２ショット領域ＳＨ２を露光（１行露光）する。更にこの後、制御系ＣＯＮＴは、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／５ステップ移動し、第３ショット領域ＳＨ３を露光（１行露光）する。次に、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２に搬送し、第２露光ステーションＳＴ２において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／５に設定し、第４ショット領域ＳＨ４を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／５ステップ移動し、第５ショット領域ＳＨ５を露光（１行露光）する。このように、第１露光ステーションＳＴ１において感光基板Ｐは２Ｌ／５だけステップ移動すればよく、第２露光ステーションＳＴ２においては感光基板ＰをＬ／５だけステップ移動すればよい。
更に、制御系ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの投影領域を調整し、Ｙ軸方向に並んだ複数のショット領域を同時に露光することで、感光基板Ｐのステップ移動距離を更に小さくすることができる。
例えば、図１４（ｃ）において、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域を２Ｌ／５に設定し、第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２を同時に露光（２行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／５ステップ移動するとともに、投影領域をＬ／５に設定し、第３ショット領域ＳＨ３を露光（１行露光）する。次に、制御系ＣＯＮＴは、搬送系９０を使って感光基板Ｐを第２露光ステーションＳＴ２に搬送し、第２露光ステーションＳＴ２において、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬの投影領域をＬ／５に設定し、第４ショット領域ＳＨ４を露光（１行露光）した後、感光基板ＰをＹ軸方向にＬ／５ステップ移動し、第５ショット領域ＳＨ５を露光（１行露光）する。このように、投影光学系ＰＬの投影領域の大きさを調整することで、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれにおいて感光基板ＰはＬ／５だけステップ移動すればよい。
図１４（ｄ）は、感光基板Ｐ上にＹ軸方向に６つ並んだショット領域ＳＨ１〜ＳＨ６を設定し、これを露光する状態を示す模式図である。制御系ＣＯＮＴは、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれにおいて、感光基板Ｐ上に予め設定されたショット領域ＳＨ１〜ＳＨ６に応じて、投影光学系ＰＬの投影領域の大きさを調整しつつ露光することにより、上述した手順同様、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれでの感光基板ＰのＹ軸方向へのステップ移動距離を調整することができる。そして、図１４（ｄ）に示す例では、１行露光（あるいは２行露光）することで感光基板ＰはＹ軸方向にＬ／３だけステップ移動すればよい。同様に、図１４（ｅ）に示すように、Ｙ軸方向に７つ並んだショット領域ＳＨ１〜ＳＨ７を露光する場合には、制御系ＣＯＮＴは、感光基板Ｐ上に予め設定されたショット領域ＳＨ１〜ＳＨ７に応じて、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２において投影光学系ＰＬの投影領域の大きさを調整しつつ露光することにより、例えば１行露光した場合にはステップ移動距離を３Ｌ／７にすることができ、２行露光した場合にはステップ移動距離を２Ｌ／７にすることができる。
【００８９】
表１に、露光ステーションが１つである場合（従来）と、２つである場合（本発明）とにおいて、感光基板Ｐ上に予め設定されたショット領域のＹ軸方向に関する数（行数）と、１回の走査露光（１つの投影領域）で露光するショット領域の数と、感光基板ＰのＹ軸方向へのステップ移動の最小距離との関係を示す。
なお、ステップ回数が多いとタクトが大幅に低下するため、ステップ回数は３回以下であることが実用上好ましい。したがって、１行露光をする場合には、予め設定するショット領域のＹ軸方向に関する数（行数）は３以下であることが好ましく、２行露光をする場合には、行数は６以下であることが好ましく、３行露光をする場合には、行数は９以下であることが好ましい。
【００９０】
【表１】
2005092137.tif 000003
【００９１】
以上説明したように、投影光学系ＰＬの投影領域の大きさ、及び感光基板Ｐ上に予め設定されたショット領域に応じて、ステージの移動を含む第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの露光動作を調整することができる。
【００９２】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの基板ステージＰＳＴに感光基板Ｐが支持されている状態の一例を示す模式図である。図１５において、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれの投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１、ＡＲ２のＹ軸方向の長さはＬ／３に設定されている。また、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２の基板ステージＰＳＴのそれぞれは、破線で示す移動領域Ｂｓ１、Ｂｓ２を移動可能である。そして、制御系ＣＯＮＴは、第１露光ステーションＳＴ１で感光基板Ｐ上の第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２（すなわち感光基板Ｐの＋Ｘ側の２Ｌ／３の領域）を露光可能であり、第２露光ステーションＳＴ２で第２、第３ショット領域ＳＨ２、ＳＨ３（すなわち感光基板Ｐの−Ｘ側の２Ｌ／３の領域）を露光可能である。
【００９３】
図１５に示す例では、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２それぞれでの基板ステージＰＳＴに対する感光基板Ｐの載置状態が互いに異なっている。すなわち、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴは、感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対応する領域のみを良好に支持するようになっている。換言すれば、第１露光ステーションＳＴ１の基板ステージＰＳＴのうち、感光基板Ｐの第１、第２ショット領域ＳＨ１、ＳＨ２に対応する領域のみが基板支持面（例えば高精度な平坦面）となっている。同様に、第２露光ステーションＳＴ２の基板ステージＰＳＴは、感光基板Ｐの第２、第３ショット領域ＳＨ２、ＳＨ３に対応する領域のみを良好に支持するようになっている。このように、第１、第２露光ステーションＳＴ１、ＳＴ２のそれぞれで感光基板Ｐを露光する領域を異ならせることで、基板ステージＰＳＴ（基板ホルダ）の上面全面を例えば高精度な平坦面に仕上げなくても、ショット領域に対応する感光基板Ｐの裏面のみを良好に支持可能なように、基板ステージＰＳＴ（基板ホルダ）を製造すればよい。これにより、基板ステージＰＳＴを製造する際の製造時間やコストを下げることができる。
なお、図１５では、感光基板Ｐの一部の領域が基板ステージに支持されていないように図示されているが、基板ステージを感光基板Ｐの全面を支持可能な程度の大きさに製造し、この基板ステージのうち感光基板Ｐの露光されない領域に対応する領域（第１露光ステーションでは第３ショット領域ＳＨ３に対応する領域、第２露光ステーションでは第１ショット領域ＳＨ１に対応する領域）を例えば平坦化処理しないようにすることによっても、基板ステージを製造する際の製造時間やコストを下げることができる。
【００９４】
ところで、図９や図１０を参照して説明した実施形態では、基板ステージＰＳＴに対してロードされる複数の感光基板Ｐを順次露光する際、第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光と、第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６に対する露光とを交互に繰り返す構成であって、基板ステージＰＳＴをＹ軸方向に大きくステップ移動する必要が生じるが、図１６に示すように、第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対する露光を行う場合と、第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６に対する露光を行う場合とで、基板ステージＰＳＴに対する感光基板Ｐの載置状態を変えることで、基板ステージＰＳＴの移動領域を抑えることができる。例えば、第１露光ステーションＳＴ１において、第１の感光基板Ｐの第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４を露光する場合（つまり図９のステップＳＢ２を行う場合）、図１６（ａ）に示すように、第１の感光基板Ｐのうち第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４に対応する領域を基板ステージＰＳＴの支持面に支持させ、第１〜第４ショット領域ＳＨ１〜ＳＨ４が投影光学系ＰＬの下に配置されるようにこの感光基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置する。一方、第１露光ステーションＳＴ１において、第２の感光基板Ｐの第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６を露光する場合（つまり図９のステップＳＢ６を行う場合）、図１６（ｂ）に示すように、第２の感光基板Ｐのうち第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６に対応する領域を基板ステージＰＳＴの支持面に支持させ、第５、第６ショット領域ＳＨ５、ＳＨ６が投影光学系ＰＬの下に配置されるようにこの感光基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置する。こうすることにより、基板ステージＰＳＴの移動領域Ｂを小さく抑えることができる。
【００９５】
なお本実施形態の露光装置ＥＸは複数並んだ投影光学系（投影光学モジュール）を有するマルチレンズスキャン型露光装置であるが、投影光学系を１つ備えた走査型露光装置であってもよい。あるいは、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも適用することができる。
【００９６】
なお本実施形態における露光装置ＥＸの用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【００９７】
本実施形態の露光装置ＥＸの光源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）を用いることができる。
【００９８】
投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【００９９】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【０１００】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【０１０１】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１０２】
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１０３】
本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０４】
半導体デバイスは、図１７に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材となる基板（ウエハ、ガラスプレート）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の露光装置の概略斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図５】マーク形成装置及びマーク検出装置を含むアライメント系の動作を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る露光方法の一例を説明するための模式図である。
【図１７】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図１８】従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０６】
６０…アライメント系、６１…マーク形成装置、６２…マーク検出装置（検出装置）、
６３…マーク、９０…搬送系（ローダ系）、ＡＲ（ＡＲ１、ＡＲ２）…投影領域、
ＣＯＮＴ…制御系、ＥＸ…露光装置、Ｐ…感光基板（基板）、ＰＬ…投影光学系、
ＳＨ１〜ＳＨ６…ショット領域（露光領域）、ＳＴ１…第１露光ステーション、
ＳＴ２…第２露光ステーション
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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