(57)【要約】  【課題】クリティカルエリアを正確かつ短時間に算出できるパターンレイアウト方法を提供する。  【解決手段】ＣＡＤ上に描画された液晶アレイパターンから等電位パターンを認識する。等電位パターンから短絡クリティカルエリアを求める。短絡クリティカルエリアを正確かつ短時間に算出できる。歩留まり計算に必要なパラメータである短絡クリティカルエリアの面積および形状を正確かつ効率的に抽出できる。短時間で高精度な液晶表示装置用のアレイ基板の歩留まりを算出できる。短時間で歩留まりの高いパターン設計ができる環境を提供できる。  【選択図】図１
2005276863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等しい電位のネットパターンを有するパターンデータを認識し、
このパターンデータ中の前記ネットパターンを認識し、
このネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出する
ことを特徴とするパターンレイアウト方法。
【請求項２】
パターンデータは、ネットパターンを有する複数の領域を備え、
前記パターンデータのいずれか一つの前記領域を抽出し、
この領域中の前記ネットパターンを認識し、
このネットパターンでの危機エリアを算出する
ことを特徴とする請求項１記載のパターンレイアウト方法。
【請求項３】
所定の繰り返しパターンを複数有するパターンデータを認識し、
このパターンデータ中のいずれか一つの前記繰り返しパターンを抽出し、
この繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出する
ことを特徴とするパターンレイアウト方法。
【請求項４】
パターンデータは、複数の繰り返しパターン以外の領域である繰り返し除外パターンを有し、
前記繰り返しパターンと分けて前記繰り返し除外パターンでの危機エリアを算出する
ことを特徴とする請求項３記載のパターンレイアウト方法。
【請求項５】
所定の境界領域を介して重なり合う複数の所定の領域を有するパターンデータを認識し、
このパターンデータを前記所定の領域に分割し、
この分割した複数の所定の領域それぞれでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出し、
これら危機エリアが算出された複数の領域間での前記境界領域と重なる前記危機エリアを除外して前記パターンデータ全体の前記危機エリアを算出する
ことを特徴とするパターンレイアウト方法。
【請求項６】
危機エリアは、ダストパターンにて短絡すると問題となる短絡危機エリアと、前記ダストパターンにて絶縁すると問題となる絶縁危機エリアとである
ことを特徴とする請求項３ないし５いずれか記載のパターンレイアウト方法。
【請求項７】
パターンデータは、平面表示装置用の配線パターンである
ことを特徴とする請求項１ないし６いずれか記載のパターンレイアウト方法。
【請求項８】
等しい電位のネットパターンを有するパターンデータを認識するデータ認識手段と、
このデータ認識手段にて認識した前記パターンデータ中の前記ネットパターンを認識するパターン認識手段と、
このパターン認識手段にて認識した前記ネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出する算出手段と
を具備したことを特徴としたパターンレイアウト装置。
【請求項９】
パターンデータは、ネットパターンを有する複数の領域を備え、
前記パターンデータのいずれか一つの前記領域を抽出する抽出手段を具備し、
パターン認識手段は、前記領域中の前記ネットパターンを認識し、
前記算出手段は、前記ネットパターンでの危機エリアを算出する
ことを特徴とする請求項８記載のパターンレイアウト装置。
【請求項１０】
所定の繰り返しパターンを複数有するパターンデータを認識するデータ認識手段と、
このデータ認識手段にて認識した前記パターンデータ中のいずれか一つの前記繰り返しパターンを抽出する抽出手段と、
この抽出手段にて抽出した前記繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出する算出手段と
を具備したことを特徴としたパターンレイアウト装置。
【請求項１１】
パターンデータは、複数の繰り返しパターン以外の領域である繰り返し除外パターンを有し、
算出手段は、前記繰り返しパターンと分けて前記繰り返し除外パターンでの危機エリアを算出する
ことを特徴とした請求項１０記載のパターンレイアウト装置。
【請求項１２】
所定の境界領域を介して重なり合う複数の所定の領域を有するパターンデータを認識するデータ認識手段と、
このデータ認識手段にて認識した前記パターンデータを前記所定の領域に分割する分割手段と、
この分割手段にて分割した前記複数の所定の領域それぞれでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出し、これら危機エリアが算出された複数の領域間での前記境界領域と重なる前記危機エリアを除外して前記パターンデータ全体の前記危機エリアを算出する算出手段と
を具備したことを特徴としたパターンレイアウト装置。
【請求項１３】
危機エリアは、ダストパターンにて短絡すると問題となる短絡危機エリアと、前記ダストパターンにて絶縁すると問題となる絶縁危機エリアとである
ことを特徴とした請求項１０ないし１２いずれか記載のパターンレイアウト装置。
【請求項１４】
パターンデータは、平面表示装置用の配線パターンである
ことを特徴とした請求項８ないし１３いずれか記載のパターンレイアウト装置。
【請求項１５】
等しい電位のネットパターンを有するパターンデータを認識するステップと、
このパターンデータ中の前記ネットパターンを認識するステップと、
このネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出するステップと
を具備したことを特徴としたパターンレイアウトプログラム。
【請求項１６】
等しい電位のネットパターンを有する複数の領域を備えたパターンデータを認識するステップと、
前記パターンデータのいずれか一つの前記領域を抽出するステップと、
このいずれか一つの領域中の前記ネットパターンを認識するステップと、
このネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出するステップと
を具備したことを特徴としたパターンレイアウトプログラム。
【請求項１７】
所定の繰り返しパターンを複数有するパターンデータを認識するステップと、
このパターンデータ中のいずれか一つの前記繰り返しパターンを抽出するステップと、
この繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出するステップと
を具備したことを特徴としたパターンレイアウトプログラム。
【請求項１８】
所定の繰り返しパターンを複数有するとともに、これら複数の繰り返しパターン以外の領域である繰り返し除外パターンを有するパターンデータを認識するステップと、
このパターンデータ中のいずれか一つの前記繰り返しパターンを抽出するステップと、
この繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出するステップと、
前記繰り返しパターンと分けて前記繰り返し除外パターンでの前記危機エリアを算出するステップと
を具備したことを特徴としたパターンレイアウトプログラム。
【請求項１９】
所定の境界領域を介して重なり合う複数の所定の領域を有するパターンデータを認識するステップと、
このパターンデータを前記所定の領域に分割するステップと、
この分割した複数の所定の領域それぞれでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出するステップと、
これら危機エリアが算出された複数の領域間での前記境界領域と重なる前記危機エリアを除外して前記パターンデータ全体の前記危機エリアを算出するステップと
を具備したことを特徴としたパターンレイアウトプログラム。
【請求項２０】
危機エリアは、ダストパターンにて短絡すると問題となる短絡危機エリアと、前記ダストパターンにて絶縁すると問題となる絶縁危機エリアとである
ことを特徴とした請求項１７ないし１９いずれか記載のパターンレイアウトプログラム。
【請求項２１】
パターンデータは、平面表示装置用の配線パターンである
ことを特徴とした請求項１５ないし２０いずれか記載のパターンレイアウトプログラム。
【請求項２２】
請求項１５ないし２１いずれか記載のパターンレイアウトプログラムが、コンピュータに読み取り可能に記録された
ことを特徴としたパターンレイアウトプログラムを記録した媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの歩留りを求めることができるパターンレイアウト方法、その装置、そのプログラム、およびこのプログラムを記録した媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置である液晶を用いた液晶表示装置としては、近年、テレビジョンやグラフィックディスプレイなどを指向した大容量で高密度のアクティブマトリクス型の表示装置が開発されている。このような表示装置では、クロストークなどがなく高コントラストに表示できるように、各画素を駆動するとともに制御する半導体スイッチを用いている。この半導体スイッチとしては、透過型表示が可能で、大画面化が容易であるなどの理由により、透明絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）が用いられる。
【０００３】
この薄膜トランジスタの透明絶縁基板上には、薄膜トランジスタの性能の関係上、画素をスイッチングする薄膜トランジスタしか形成されなかった。しかし、近年では薄膜トランジスタの性能が向上したため、これまで透明絶縁基板外に外付けされたたとえばドライバ回路なども透明絶縁基板上に形成できる。また、ドライバ回路は、映像信号に基づいて各画素の電位を制御するための信号を発生させる回路で、多くの薄膜トランジスタにより構成される。もちろん、ドライバ回路の他に、別の機能の回路も透明絶縁基板上に形成できる。
【０００４】
このドライバ回路を含む液晶表示装置のアレイ基板上のパターンを設計するためには、レイア概念を持った二次元平面図を描画できるＣＡＤシステムが一般に用いられる。ＣＡＤシステムでは、二次元平面図を描画するため、データベース上に原点とＸＹ軸を設定し、指定されたレイアによってパターンが描画できる。なお、レイアとはＣＡＤシステム上に描画されたパターンを表現する要素の一つであり、アレイ基板製造に用いるマスクを示す。そして、ＣＡＤシステム上に描画されたパターン、たとえばデータベース上のパターンの表現方法は、最小構成としてレイアと頂点座標リストによって表される。
【０００５】
このように、ドライバ回路を透明絶縁基板に組み込んだ場合、画素パターンだけを透明絶縁基板上に組み込んだ場合に比べ、薄膜トランジスタの個数が数倍から数十倍増加することになり、パターンも複雑になる。薄膜トランジスタの個数が増えパターンが複雑になることは、透明絶縁基板の製造工程で発生するダストなどの影響が大きくなることを意味し、不良品発生の可能性が高くなり、歩留りの低下が予想される。よって、パターンと歩留りとの関係を求めておくことが重要となる。
【０００６】
そして、この歩留りとしては、原因別に分類して以下の３種類ある。
【０００７】
第１に、配線と配線との間にダストが付着する等の原因により起こる短絡不良歩留りである短絡歩留りがある。第２に、配線の上にダストが付着することなどの原因により起こるオープン不良歩留りであるオープン歩留りがある。第３に、配線が交差している部分にダストが付着することなどの原因により起こるクロスショート不良歩留りであるクロスショート歩留りがある。ここでは、これらの不良歩留りを総称して単に歩留まりと記載する。
【０００８】
これらの歩留まりをパターンから予想する方法としては、Stapperによって提案されたいわゆるStapper理論（C.H.Stapper,"Modeling of Integrated Circuit defect Sensitivities" IBM J.Res.Develop.,vol.27,pp.549-557,Nov.1983）が広く用いられている。このStapper理論は、クリーンルームにおけるダストがある分布の場合に、配線と配線との間隔や、交差部などにダストが付着して不良になるモデルを統計確率的に定式化したものである。
【０００９】
このStapperの理論を実際に用いて歩留りを算出するためには、クリーンルームにおけるダストの粒径と個数との関係であるダスト分布情報と、あるサイズのダストが付着することにより透明絶縁基板上の配線パターンが短絡、オープンあるいはクロスショートする領域としての危機エリア、いわゆる短絡クリティカルエリア、オープンクリティカルエリアあるいはクロスショートクリティカルエリアとが必要となる。
【００１０】
これら歩留りを計算するために必要な情報のうち、ダストの分布情報はクリーンルーム管理上必要な値であるため、通常はある決められた値となる。これに対して、もう一方の必要情報であるクリティカルエリアの面積は、製品毎にレイアウトパターンが異なることから、製品毎あるいはレイアウト変更の度に求めなければならない。
【００１１】
しかし、上述した３種類の各歩留りを計算するためにレイアウトパターンから求める必要のある値は、通常容易には求まらない。これは、配線パターンが長方形のような単純な形状であっても、クリティカルエリアは単純な長方形の形状とはならないからである。
【００１２】
従来、この種のアレイ基板の歩留まりを計算する方法としては、このアレイ基板の短絡クリティカルエリアの対象レイアのみを考慮して対象パターンをダストの大きさ分大きくしたダストパターンを算出する。そして、この算出したダストパターンのコーナ部を半円状にした後、この各コーナ部を半円状にしたダストパターン同士が重なり合う部分を短絡クリティカルエリアとして保存して、面積を算出する構成が知られている(例えば、特許文献１参照。)。
【特許文献１】特開２００２−１６３３２３号公報（第５−８頁、図１−図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述した歩留まりを計算する方法では、短絡クリティカルエリアの対象レイアのみを考慮しているため、短絡クリティカルエリアではない領域まで算出して抽出してしまうから、短絡クリティカルエリアのパターンを正確に算出することが容易ではない。また、アレイ基板の対象パターン全体からダストパターンを算出し、このダストパターンから短絡クリティカルエリアのパターンを算出しているため、このクリティカルエリアの短時間での算出が容易ではないという問題を有している。
【００１４】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、危機エリアを正確かつ短時間に算出できるパターンレイアウト方法、その装置、そのプログラム、およびこのプログラムを記録した媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、等しい電位のネットパターンを有するパターンデータを認識し、このパターンデータ中の前記ネットパターンを認識し、このネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出するものである。
【００１６】
そして、パターンデータ中の等しい電位のネットパターンを認識し、このネットパターンでの所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを算出する。この結果、パターンデータから所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。よって、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【００１７】
また、本発明は、所定の繰り返しパターンを複数有するパターンデータを認識し、このパターンデータ中のいずれか一つの前記繰り返しパターンを抽出し、この繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出するものである。
【００１８】
そして、所定の繰り返しパターンを複数有するパターンデータ中のいずれか一つの繰り返しパターンを抽出してから、この抽出した繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出する。この結果、この繰り返しパターンでの算出した危機エリアからパターンデータ全体の危機エリアを算出することにより、このパターンデータでの危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。よって、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【００１９】
さらに、本発明は、所定の境界領域を介して重なり合う複数の所定の領域を有するパターンデータを認識し、このパターンデータを前記所定の領域に分割し、この分割した複数の所定の領域それぞれでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出し、これら危機エリアが算出された複数の領域間での前記境界領域と重なる前記危機エリアを除外して前記パターンデータ全体の前記危機エリアを算出するものである。
【００２０】
そして、所定の境界領域を介して重なり合う複数の所定の領域を有するパターンデータを所定の領域に分割する。この後、この分割した複数の所定の領域それぞれでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出する。次いで、これら危機エリアが算出された複数の領域間での境界領域と重なる危機エリアを除外してパターンデータ全体の危機エリアを算出する。この結果、パターンデータ全体の危機エリアを単純に算出する場合に比べ、このパターンデータでの危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。よって、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、パターンデータから所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる危機エリアを正確かつ短時間に算出できるから、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【００２２】
また、パターンデータ中から抽出したいずれか一つの繰り返しパターンでの所定の大きさのダストパターンにて問題となる危機エリアを算出し、この算出した危機エリアからパターンデータ全体の危機エリアを算出したので、このパターンデータでの危機エリアを正確かつ短時間に算出できるから、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【００２３】
さらに、パターンデータを分割した複数の所定の領域それぞれでの危機エリアを算出した後、これら危機エリアが算出された複数の領域間での境界領域と重なる危機エリアを除外してパターンデータ全体の危機エリアを算出したので、このパターンデータでの危機エリアを正確かつ短時間に算出できるから、このパターンデータの歩留まり計算に必要な危機エリアを正確かつ短時間に算出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明のパターンレイアウト方法の第１の実施の形態を図１ないし図１０を参照して説明する。
【００２５】
まず、このパターンレイアウト方法は、任意のサイズで描かれた液晶表示装置用の透光絶縁基板であるアレイ基板のパターン、すなわちアレイパターンの歩留りを求めることができる液晶表示装置用パターンレイアウト設計方法である。また、このパターンレイアウト方法は、液晶表示装置用のアレイパターンを設計する液晶用パターンレイアウト装置にて実行される。そして、この液晶用パターンレイアウト装置は、アレイパターン間のデザインルールチェックをする図示しないチェック手段と、このアレイパターンを図形処理する図示しない図形処理手段とを備えている。
【００２６】
具体的に、図１に示すように、パターンレイアウト方法としては、まず求めたい歩留りの種類、例えば短絡歩留まりあるいはオープン歩留まりかを入力する。同時に、平面表示装置としての液晶表示装置用のパターンデータとしての配線パターン１を形成するレイア名と、コンタクトホール２を形成するレイア名と、配線パターン１とコンタクトホール２を介して接続されるパターンとのレイア名とのそれぞれを初期設定として入力する。さらに、図２および図３に示す抽出領域３のＸピッチおよびＹピッチと、マトリクス数、例えばＸ方向数＝ｍ、Ｙ方向数＝ｎとのそれぞれを初期設定として入力する。この後、ダストサイズの最小直径minｄおよび最大直径maxｄと、抽出ステップ幅とのそれぞれを初期設定として入力する(ステップ１)。
【００２７】
次いで、アレイパターン上の短絡歩留りあるいはオープン歩留まりを計算するレイアウトパターンを含むＣＡＤデータ、例えば各頂点の座標およびレイア名をコンピュータの記憶領域である記憶手段としての記憶装置11から図示しない読出手段にて読み出し、ＣＡＤソフト上に歩留まり計算対象のパターンデータを表示する(ステップ２)。
【００２８】
この後、記憶装置11に入力したマトリクス数のｍ＊ｎマトリクスパターンを入力したＸピッチおよびＹピッチによって、図３に示すように、マトリクスを発生させ(ステップ３)、クリティカルエリア抽出領域３を指定する(ステップ４)。ここでｍ＊ｎマトリクスを発生させる理由は、繰り返しパターンの場合に隣接パターンとのクリティカルエリアを正確に抽出するためであり、単独パターンの場合にはｍ＝１およびｎ＝１とする。
【００２９】
次いで、求めたいクリティカルエリアのタイプが、短絡かオープンかを判断し、その結果に応じて処理を変える(ステップ５)。
【００３０】
ここで、短絡クリティカルエリアの抽出方法を図４ないし図７を用いて詳細に説明する(ステップ６)。このとき、この短絡クリティカルエリア８は、所定の大きさのダストパターンにて短絡すると問題となる短絡危機エリアである。
【００３１】
まず、図５(a)に示すように、短絡クリティカルエリア８を抽出するレイアのパターンデータとしてのクリティカルエリア抽出対象パターン４を図示しないデータ認識手段にて認識するとともに、このクリティカルエリア抽出対象パターン４に形成されたコンタクトホール２のコンタクトパターン５と、このコンタクトホール２を介してクリティカルエリア抽出対象パターン４とを接続する等電位パターン６を、このクリティカルエリア抽出対象パターン４中から図示しないパターン認識手段にて認識する。ここで、この等電位パターン６は、各レイアにより電気的に等しい電位になっている配線パターンのまとまりとしてのネットパターンである。
【００３２】
このとき、このクリティカルエリア抽出対象パターン４にマトリクス状に設けられた複数の抽出領域３から、これら複数の抽出領域３のいずれか一つの抽出領域３を抽出する。この後、図５(b)に示すように、この抽出した抽出領域３内にある各パターンから等電位パターン６となるネットパターンを認識する(ステップ11)。そして、この認識したネットパターンにＬ＝ネット１からＬ＝ネットＮまでの識別コードを付ける(ステップ12)。この後、Ｌ＝１から順番に(ステップ13)、図５(c)に示すように、Ｌ番目のネットパターンに含まれるクリティカルエリア抽出対象パターン４の間隔が所定の大きさのダストサイズ直径としてのダストサイズ(ｄ)以下の間隔となる領域をＬ番目のネットパターンに対する非クリティカルエリア候補パターン７とする(ステップ14)。
【００３３】
次いで、Ｌ番目のネットパターンと一部分も重ならないＬ番目の非クリティカルエリア候補パターン７を削除する(ステップ15)。この後、Ｌ＝Ｌ＋１として(ステップ16)、全てのネットパターンに対してステップ14からステップ16を繰り返して(ステップ17)、各ネットパターンに対応する非クリティカルエリア候補パターン７を抽出する。そして、抽出した非クリティカルエリア候補パターン７をクリティカルエリア抽出対象パターン４に含めて、改めてクリティカルエリア抽出対象パターン４とする(ステップ18)。次いで、図６(a)に示すクリティカルエリア抽出対象パターン４を、図６(b)に示すように、ダストサイズ半径ｒ＝ｄ／２分、外方に拡大する(ステップ19)。
【００３４】
この後、図６(c)に示すように、このステップ19によって拡大したパターンのコーナ部を丸く円形状に変換する(ステップ20)。そして、図６(d)に示すように、これら拡大されて円形に変換されたパターン同士が重なる部分を短絡クリティカルエリア８として図示しない算出手段にて算出してから保存手段にて記憶装置11に保存して、この短絡クリティカルエリア８の面積を求める(ステップ21)。このとき、例えば短絡クリティカルエリア８としては、図７に示すようになる。すなわち、抽出レイアにおける配線部分の形状が図７に示すような場合は、同様の処理によって、図７に示す形状の短絡クリティカルエリア８が得られる。
【００３５】
この結果、配線パターン１のまとまりを考慮しながら、任意のサイズのダストパターンによって短絡してしまう領域である短絡クリティカルエリア８をチェック手段によるデザインルールチェックを複数回実行せずに算出手段によって求めることができる。
【００３６】
次に、オープンクリティカルエリアの抽出方式について図８ないし図１０を用いて説明する(ステップ７)。このとき、このオープンクリティカルエリア９は、所定の大きさのダストパターンにて絶縁すると問題となる絶縁危機エリアである。
【００３７】
まず、図８に示すように、抽出レイアにおける配線部分のパターン数をカウントしてｎとする(ステップ31)。この後、ｉ＝１として(ステップ32)、ｉ番目のパターンの頂点数をカウントしてｍとする(ステップ33)。例えばｉ番目のパターンが図９(a)で示すように長方形のパターン10であれば、頂点数ｍ＝４となる。
【００３８】
次に、ｊ＝１として(ステップ34)、図９(b)および図９(c)に示すように、ｊ番目の辺をパターン10の内側に、すなわち自己の対向辺に向けて、配線オープンの原因となるダストの半径ｒ分移動させたパターンであるオープン候補パターン12を発生させる(ステップ35)。
【００３９】
この後、図９(d)および図９(e)に示すように、ｊ＝ｊ＋１とし(ステップ36)、ｊ＜ｍとなるまでｉ番目のパターン10の全ての頂点に対してオープン候補パターン12を発生させる(ステップ37)。さらに、ｉ＝ｉ＋１とし(ステップ38)、ｉ＜ｎとなるまで全ての抽出レイアのパターン10のすべての辺に対してオープン候補パターン12を発生させる(ステップ39)。この結果、配線部のパターン10上に４つのオープン候補パターン12が発生される。
【００４０】
そして、図９(e)に示すように、得られたオープン候補パターン12同士が相互に重なる部分13と、オープン候補パターン12で配線部分の抽出レイアパターンと重なっていない部分14とを、オープンクリティカルエリア９として保存して、このオープンクリティカルエリア９の面積を求める(ステップ40)。
【００４１】
ここで、図９の例は配線部分の抽出レイアパターンの幅がダストの半径ｒより大きい場合であり、図９(e)および(f)で示すように、発生したｍ個のオープン候補パターン12が相互に重なっており、この重なり部分13をオープンクリティカルエリア９とする。
【００４２】
これに対し、図１０に示す例は、配線部分の抽出レイアのパターン10の幅がダストの半径ｒより小さい場合であり、図１０(e)および(f)に示すように、発生したｍ個のオープン候補パターン12が相互に重なる部分の他に、配線部分の抽出レイアのパターン10からはみ出て重ならない部分15が生じる。そこで、この重ならない部分15を加えた合計領域をオープンクリティカルエリア９とする。
【００４３】
以上により、直径ｄのダストパターンについてのオープンクリティカルエリア９を抽出できたので、この結果をディスク上に保存する(ステップ７)。
【００４４】
さらに、ダスト直径ｄを、初期設定で入力された最小値minｄから最大値maxｄまでステップ刻みで間隔を変化させて、ステップ５からステップ６を繰り返して実行し、各ダスト直径ｄでの短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９であるクリティカルエリアを抽出する(ステップ８)。
【００４５】
この結果、このステップ８でファイルに保存されたクリティカルエリアのパターンからクリティカルエリアの面積を算出できる。さらに、クリティカルエリアの面積を、Stapper理論式に代入することによって、容易に所望の配線パターン１の短絡歩留まりおよびオープン歩留りを計算できる(ステップ９)。
【００４６】
上述したように、上記第１の実施の形態によれば、ＣＡＤ上に描画された液晶アレイパターンから、等電位パターン６であるネットパターンを認識し、このネットパターンから短絡クリティカルエリア８を求めることにより、この短絡クリティカルエリア８を正確かつ短時間に求めることができる。したがって、歩留まり計算に必要なパラメータである短絡クリティカルエリア８の面積値および形状を正確かつ効率的に抽出できる。よって、従来の方法に比べ、短時間で高精度な液晶表示装置用のアレイ基板の歩留まりを算出できるので、短時間で歩留まりの高いパターン設計ができる環境を提供できる。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施の形態のパターンレイアウト方法を図１１ないし図１７を参照して説明する。
【００４８】
まず、上述した図１ないし図１０に示す第１の実施の形態と同様に、図１１に示すように、初期設定を入力する(ステップ１)。次に、歩留りを計算するレイアウトパターンを含むＣＡＤデータ、例えば各頂点の座標およびレイア名を記憶装置11から読み出し、ＣＡＤソフト上に歩留まり計算対象のパターンデータを表示する(ステップ２)。
【００４９】
この後、読み込んだＣＡＤデータ上で、５×５マトリクス以上の基本繰り返し部としての所定の繰り返しパターンがないか認識し、認識したパターンのマトリクス数、例えばＭ×Ｎを図示しない抽出手段にて抽出する(ステップ51)。そして、図１２に示すように、このステップ51で認識したマトリクス中のいずれか一つの基本繰り返しパターン21を認識する(ステップ52)。
【００５０】
さらに、ステップ２で読み込んだＣＡＤパターンからステップ52で認識したマトリクスパターンを除外し、外周１周分を再発生させて、図１３に示すように、外周１周分の内側に除外指定パターンとしての繰り返し除外パターン22を分けて発生させ、繰り返し除外ＣＡＤデータ23として一旦保存する(ステップ53)。ここで、この繰り返し除外パターン22は、複数の基本繰り返しパターン21以外の領域である。
【００５１】
また、ステップ52で認識した基本単位パターンである基本繰り返しパターン21を、図１４に示すように、ステップ１で入力したピッチで３×３マトリクスに配置し中央部にピッチサイズの抽出領域３パターンを発生させて、基本繰り返しＣＡＤデータ24として一旦保存する(ステップ54)。
【００５２】
次に、求めたいダスト直径ｄの初期値を最小値であるminｄとしてステップづつ大きくして最大値であるmaxｄを超えるまで、以下に示すステップ55からステップ56までを繰り返す(ステップ57)。
【００５３】
すなわち、ダストサイズｄに対して、ステップ54で作成した基本繰り返しＣＡＤデータ24から短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを抽出する(ステップ55)。ここで、このステップ55を図１５を参照して詳細に説明する。
【００５４】
まず、ステップ54で求めた基本繰り返しＣＡＤデータ24を読み込み、抽出領域３パターンと重なったクリティカルエリア対象レイアのパターンを対象パターン４とする(ステップ61)。そして、この対象パターン４からダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８を抽出する(ステップ62)。ここで、この短絡クリティカルエリア８の抽出方法は、上述した第１の実施の形態と同様である。さらに、この対象パターン４からダストサイズｄに対するオープンクリティカルエリア９を抽出する(ステップ63)。ここで、このオープンクリティカルエリア９の抽出方法もまた、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００５５】
そして、ステップ62およびステップ63にて抽出したダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを基本繰り返しに対するクリティカルエリア25として保存する(ステップ64)。
【００５６】
この後、図１１に示すように、ダストサイズｄに対してステップ53で作成した繰り返し除外ＣＡＤデータ23から短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを抽出する(ステップ56)。ここで、このステップ56を図１６を用いて詳細に説明する。
【００５７】
まず、ステップ53で求めた繰り返し除外ＣＡＤデータ23を読み込み、クリティカルエリア対象レイアのパターンを対象パターン４とする(ステップ71)。そして、この対象パターン４からダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８を抽出する(ステップ72)。ここで、この短絡クリティカルエリア８の抽出方法は、上述した第１の実施の形態と同様である。さらに、対象パターン４からダストサイズｄに対するオープンクリティカルエリア９を抽出する(ステップ73)。ここで、このオープンクリティカルエリア９の抽出方法もまた、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００５８】
そして、これらステップ72およびステップ73にて抽出したダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９で繰り返し除外パターン22と重なる部分を各々のクリティカルエリアから除外する(ステップ74)。この後、このステップ74で求めたクリティカルエリアを繰り返し除外パターンに対するクリティカルエリア26として保存する(ステップ75)。
【００５９】
さらに、ダストサイズｄにステップ分を加えて、ダスト半径ｒが最大値であるmaxｄを越えていない場合には、上記ステップ55およびステップ56を繰り返す。この後、図１７に示すように、これらステップ55およびステップ56で求めた各部分の短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９を下記の計算式に代入して算出し、レイアウト全体での短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを求めてディスプレイ上に表示する(ステップ58)。
【００６０】
(レイアウト全体の短絡クリティカルエリア８)＝(繰り返し除外パターン22に対する短絡クリティカルエリア８)＋(基本繰り返しパターン21に対する短絡クリティカルエリア８)×(Ｍ−２)×(Ｎ−２)
(レイアウト全体のオープンクリティカルエリア９)＝(繰り返し除外パターン22に対するオープンクリティカルエリア９)＋(基本繰り返しパターン21に対するオープンクリティカルエリア９)×(Ｍ−２)×(Ｎ−２)
この結果、ステップ58で求めたクリティカルエリアのパターンからクリティカルエリアの面積が算出できる。さらに、クリティカルエリアの面積を、Stapper理論式に代入することによって、容易に所望の配線パターン１の短絡歩留まりおよびオープン歩留りを計算できるので、上述した第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００６１】
上述したように、上記第２の実施の形態によれば、液晶ディスプレイパターンであるアレイパターン全体に対して、クリティカルエリア抽出のためにデザインルールチェックをすることにより、アレイパターンのような同じパターンの繰り返しが大部分を占めているＣＡＤパターンの場合には、クリティカルエリア抽出に膨大な時間が必要である。そこで、５列５行以上の同じパターンである基本繰り返しパターン21を認識し、この基本繰り返しパターン21を考慮しながら、この基本繰り返しパターン21と、この基本繰り返しパターン21以外の領域である繰り返し除外パターン22とに分けて、短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを算出する。
【００６２】
この結果、アレイパターンのような同じパターンの繰り返しが大部分を占めているＣＡＤパターンの場合には、基本繰り返しパターン21と繰り返し除外パターン22とに分けてクリティカルエリアを算出することにより、正確な短絡クリティカルエリア８の正確な面積と、オープンクリティカルエリア９の正確な面積値および形状とを効率的に抽出できる。よって、ＣＡＤ上に描画されたフラットパネルディスプレイ表示装置である平面表示装置のアレイパターンから、クリティカルエリアの算出を正確かつ短時間にできる。このため、従来の方法に比べ、短時間で高精度なフラットパネルディスプレイ表示装置のアレイ基板の歩留まりを算出できるので、短時間で歩留まりの高いパターン設計ができる環境を提供できる。
【００６３】
次に、本発明の第３の実施の形態のパターンレイアウト方法を図１８ないし図２５を参照して説明する。
【００６４】
まず、上述した図１ないし図１０に示す第１の実施の形態と同様に、図１８に示すように、初期設定を入力する(ステップ１)。次に、歩留りを計算するレイアウトパターンを含むＣＡＤデータを記憶装置11から読み出し、ＣＡＤソフト上に歩留まり計算対象のパターンデータを表示する(ステップ２)。
【００６５】
この後、読み込んだＣＡＤデータ上に指定した領域で、図２０(a)に示すように、抽出領域３を左右２つに分割するための分割ライン31を図示しない分割手段にて設定する(ステップ81)。この後、ステップ２で認識したレイアウトパターン32と、ステップ81で指定した分割ラインから左右の切り出し領域33と、互いに重なり合う領域である所定の境界領域としての二重領域34とのそれぞれをレイアウトパターン上に発生させる(ステップ82)。
【００６６】
ここで、このステップ82を図１９ないし図２１を用いて詳細に説明する。まず、図２０(a)に示すように、レイアウトパターン32の外周を形成する長方形と分割ライン31との交点35,36の２箇所の座標を計算する(ステップ91)。この後、図２０(b)に示すように、レイアウトパターン32の外周を形成する長方形の左端の一辺の両端の頂点37,38の２箇所の座標を計算する(ステップ92)。さらに、これらステップ91およびステップ92で計算した４つの頂点35,36,37,38で構成される長方形を外側に最大ダストサイズであるmaxｄ分だけ大きくした長方形を左側の切り出し領域33としてレイアウト上に保存する(ステップ93)。
【００６７】
この後、図２０(c)に示すように、左側の切り出し領域33とレイアウトパターン32の外形長方形との交点の２箇所とステップ91で計算した頂点37,38から構成される長方形とのそれぞれを左側の二重領域34としてレイアウト上に保存する(ステップ94)。
【００６８】
次いで、図２１(b)に示すように、レイアウトパターン32の外周を形成する長方形の右端の一辺の両端の頂点41,42の２箇所の座標を計算する(ステップ95)。そして、ステップ91およびステップ95で計算した４つの頂点35,36,41,42で構成される長方形を外側に最大ダストサイズであるmaxｄ分だけ大きくした長方形を右側の切り出し領域33としてレイアウト上に保存する(ステップ96)。さらに、図２１(c)に示すように、右側の切り出し領域33とレイアウトパターン32の外形長方形との交点２箇所と、ステップ91で計算した頂点35,36から構成される長方形とを右側の二重領域34としてレイアウト上に保存する(ステップ97)。
【００６９】
そして、図２０(c)に示すように、ステップ82で発生させた左側の切り出し領域33と重なっているレイアウトパターン32を左分割レイアウトパターン43として一旦保存する(ステップ83)。次いで、図２１(c)に示すように、ステップ82で発生させた右側の切り出し領域33と重なっているレイアウトパターン32を右分割レイアウトパターン44として一旦保存する(ステップ84)。
【００７０】
次に、求めたいダストサイズｄの初期値を最小値であるminｄとしてステップづつ大きくして最大値であるmaxｄを超えるまで、以下に示すステップ85およびステップ86を繰り返す(ステップ87)。
【００７１】
すなわち、ダストサイズｄに対して、ステップ83で作成した左分割レイアウトパターン43のデータから短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９を抽出する(ステップ85)。ここで、このステップ85を図２２ないし図２４を用いて詳細に説明する。
【００７２】
まず、ステップ83で求めた左分割レイアウトパターン43のデータである左分割レイアウトパターンデータ45を読み込み、図２３(a)に示すように、クリティカルエリア対象レイアのパターンを対象パターン４とする(ステップ101)。そして、図２３(b)に示すように、この対象パターン４からダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８を抽出する(ステップ102)。ここで、この短絡のクリティカルエリア８の抽出方法は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００７３】
さらに、図２３(c)に示すように、ステップ102で抽出した短絡クリティカルエリア８から左側の二重領域34と重なっているクリティカルエリアパターンを除外する(ステップ103)。この後、図２４(b)に示すように、対象パターン４からダストサイズｄに対するオープンクリティカルエリア９を抽出する(ステップ104)。このオープンクリティカルエリア９の抽出方法もまた、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００７４】
そして、図２４(c)に示すように、ステップ104で抽出したオープンクリティカルエリア９から左側の二重領域34と重なっているクリティカルエリアパターンを除外する(ステップ105)。この後、ステップ103およびステップ105で抽出したダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを、左分割レイアウトに対するクリティカルエリア46として保存する(ステップ106)。
【００７５】
さらに、ダストサイズｄに対してステップ83で作成した右分割レイアウトパターン44のデータである右分割レイアウトパターンデータ47から短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを抽出する(ステップ86)。ここで、このステップ86を図２３ないし図２５を用いて詳細に説明する。まず、ステップ84で求めた右分割レイアウトパターンデータ47を読み込み、図２３(a)に示すように、クリティカルエリア対象レイアのパターンを対象パターン４とする(ステップ111)。
【００７６】
この後、図２３(d)に示すように、この対象パターン４からダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８を抽出する(ステップ112)。ここで、この短絡のクリティカルエリア８の抽出方法は、上述した第１の実施の形態と同様である。さらに、図２３(e)に示すように、ステップ112で抽出した短絡クリティカルエリア８から右側の二重領域34と重なっているクリティカルエリアパターンを除外する(ステップ113)。次いで、図２４(d)に示すように、対象パターン４からダストサイズｄに対するオープンクリティカルエリア９を抽出する(ステップ114)。ここで、このオープンクリティカルエリア９の抽出方法もまた、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００７７】
そして、図２４(e)に示すように、ステップ114で抽出したオープンクリティカルエリア９から右側の二重領域34と重なっているクリティカルエリアパターンを除外する(ステップ115)。この後、ステップ113およびステップ115で抽出したダストサイズｄに対する短絡クリティカルエリア８とオープンクリティカルエリア９とのそれぞれを、右分割レイアウトに対するクリティカルエリア48として保存する(ステップ116)。
【００７８】
このとき、ダストサイズｄにステップ分を加えて、このダストサイズｄが最大値のmaxｄを越えていない場合には、上述のステップ85およびステップ86を繰り返す。そして、これらステップ85およびステップ86で求めた各部分の短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを下記の計算式で算出してレイアウト全体での短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを求めてディスプレイ上に表示する(ステップ88)。
【００７９】
(レイアウト全体の短絡クリティカルエリア８)＝(左分割レイアウトパターンデータ45からの短絡クリティカルエリア８)＋(右分割レイアウトパターンデータ47からの短絡クリティカルエリア８)
(レイアウト全体のオープンクリティカルエリア９)＝(左分割レイアウトパターンデータ45からのオープンクリティカルエリア９)＋(右分割レイアウトパターンデータ47からのオープンクリティカルエリア９)
この結果、ステップ88で求めたクリティカルエリアのパターンからクリティカルエリアの面積が算出できる。さらに、クリティカルエリアの面積を、Stapper理論式に代入することによって、容易に所望の配線パターン１の短絡歩留まりおよびオープン歩留りを計算できるので、上述した第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００８０】
上述したように、上記第３の実施の形態によれば、クリティカルエリアを抽出する対象パターン４の数が多いほど、例えば均一密度の場合には対象領域が多いほど、クリティカルエリアの抽出に膨大な時間が必要であった。そこで、ＣＡＤ上に描画されたフラットパネルディスプレイ表示装置のアレイパターンから、指定した分割ライン31に沿って大きな抽出領域３を２つに分割する。この後、この分割ライン31で分割した際の接続面である二重領域34でのクリティカルエリア形状を考慮しながら、この分割ライン31の境界領域である二重領域34を補正して、短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを正確に算出して抽出する。
【００８１】
したがって、これら短絡クリティカルエリア８の正確な面積と、オープンクリティカルエリア９の正確な面積値および形状とそれぞれを効率的に抽出できるので、これら短絡クリティカルエリア８およびオープンクリティカルエリア９のそれぞれを正確かつ短時間に求めることができる。よって、従来の方法に比べ、短時間で高精度なフラットパネルディスプレイ表示装置のアレイ基板の歩留まりを算出できるので、短時間で歩留まりの高いパターン設計ができる環境を提供できる。
【００８２】
なお、上記各実施の形態の動作をコンピュータ読み取り可能な液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムとしたり、このパターンレイアウトプログラムを記憶した光ディスクあるいは磁気ディスクその他の記憶媒体に格納し、この記憶媒体を動作させることに用いたりしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明のパターンレイアウト方法の第１の実施の形態を示すフローチャートである。
【図２】同上パターンレイアウト方法に用いるパターンデータ中のネットパターンを示す説明図である。
【図３】同上パターンレイアウト方法に用いるパターンデータを示す説明図である。
【図４】同上パターンレイアウト方法中の短絡クリティカルエリアの抽出方法を示すフローチャートである。
【図５】同上短絡クリティカルエリアの抽出方法を示す説明工程図である。
【図６】同上短絡クリティカルエリアの抽出方法を示す説明工程図である。
【図７】同上短絡クリティカルエリアの抽出方法にて抽出された短絡クリティカルエリアを示す説明図である。
【図８】同上パターンレイアウト方法中のオープンクリティカルエリアの抽出方法を示すフローチャートである。
【図９】同上オープンクリティカルエリアの抽出方法を示す説明工程図である。
【図１０】同上オープンクリティカルエリアの抽出方法を示す説明工程図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態のパターンレイアウト方法を示すフローチャートである。
【図１２】同上パターンレイアウト方法での基本単位パターンの認識工程を示す説明図である。
【図１３】同上パターンレイアウト方法での繰り返し除外データを作成する工程を示す説明図である。
【図１４】同上パターンレイアウト方法での基本単位パターンの３×３マトリクス発生状態を示す説明図である。
【図１５】同上パターンレイアウト方法中の基本繰り返しパターンでのクリティカルエリアの抽出方法を示すフローチャートである。
【図１６】同上パターンレイアウト方法中の繰り返し除外パターンでのクリティカルエリアの抽出方法を示すフローチャートである。
【図１７】同上パターンレイアウト方法にてクリティカルエリアを抽出する工程を示す説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態のパターンレイアウト方法を示すフローチャートである。
【図１９】同上パターンレイアウト方法にて左右の切り出し領域の二重領域を算出する方法を示すフローチャートである。
【図２０】同上パターンレイアウト方法にて左側の切り出し領域および二重領域を算出する工程を示す説明工程図である。
【図２１】同上パターンレイアウト方法にて左側の切り出し領域および二重領域を算出する工程を示す説明工程図である。
【図２２】同上パターンレイアウト方法にて左分割レイアウトに対するクリティカルエリアを算出する方法を示すフローチャートである。
【図２３】同上パターンレイアウト方法にて左分割レイアウトおよび右分割レイアウトに対する短絡クリティカルエリアを算出する工程を示す説明工程図である。
【図２４】同上パターンレイアウト方法にて左分割レイアウトおよび右分割レイアウトに対するオープンクリティカルエリアを算出する工程を示す説明工程図である。
【図２５】同上パターンレイアウト方法にて右分割レイアウトに対するクリティカルエリアを算出する方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８４】
１    パターンデータとしての配線パターン
３    領域としての抽出領域
６    ネットパターンとしての等電位パターン
８    危機エリアとしての短絡危機エリアである短絡クリティカルエリア
９    危機エリアとしての絶縁危機エリアであるオープンクリティカルエリア
21    繰り返しパターンとしての基本繰り返しパターン
22    繰り返し除外パターン
33    領域としての切り出し領域
34    境界領域としての二重領域
【図１】
2005276863.tif 000003
【図４】
2005276863.tif 000004
【図８】
2005276863.tif 000005
【図１１】
2005276863.tif 000006
【図１５】
2005276863.tif 000007
【図１６】
2005276863.tif 000008
【図１８】
2005276863.tif 000009
【図１９】
2005276863.tif 000010
【図２２】
2005276863.tif 000011
【図２５】
2005276863.tif 000012
【図２】
2005276863.tif 000013
【図３】
2005276863.tif 000014
【図５】
2005276863.tif 000015
【図６】
2005276863.tif 000016
【図７】
2005276863.tif 000017
【図９】
2005276863.tif 000018
【図１０】
2005276863.tif 000019
【図１２】
2005276863.tif 000020
【図１３】
2005276863.tif 000021
【図１４】
2005276863.tif 000022
【図１７】
2005276863.tif 000023
【図２０】
2005276863.tif 000024
【図２１】
2005276863.tif 000025
【図２３】
2005276863.tif 000026
【図２４】
2005276863.tif 000027