(57)【要約】【課題】  特にスパイラル接触子１の断面形状を改良し、ばね定数を大きくできるとともに、ＩＣ等との良好な接触及び応力緩和に優れ耐久性が向上した接触子を有する接続装置、及び従来に比べて薄いマスク厚でも、ばね定数が大きい接触子を複数個、均一な形状でメッキ形成できる接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明では、接触子２０を根部２６と、前記根部２６よりも幅方向へ突出し、前記根部２６から離れる方向に向けて隆起した外部接触部２７とを有して構成する。従来では、前記根部の部分のみで接触子が構成されていたが、本発明ではさらに外部接触部２７を加えることで、従来よりも前記接触子片２０ａの膜厚を厚く形成できるとともに外部接触部２７の部分で幅が広がるため、微細形状でありつつ、ばね定数を向上させることができばねの強さを従来に比べて強くできる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子は、根部と、前記根部の上側あるいは下側の少なくとも一方の両側縁部から幅方向へ向けて突出するとともに前記根部から離れる方向に向けて隆起する外部接触部とを有して構成されることを特徴とする接続装置。
【請求項２】
前記外部接触部の表面は、両側縁部から幅方向の中心に向けて徐々に突出する湾曲面である請求項１記載の接続装置。
【請求項３】
前記外部接触部を膜厚方向から幅方向へ向けて切断した切断面に、前記外部接触部の表面は、半円状あるいは半楕円状として現れる請求項２記載の接続装置。
【請求項４】
隣り合う根部間には、前記根部と同じ膜厚寸法を有する絶縁層が形成され、前記外部接触部は、前記絶縁層の表面に延出するとともに、前記絶縁層の表面から隆起している請求項１ないし３のいずれかに記載の接続装置。
【請求項５】
前記接触子の膜厚は、２５μｍ〜５０μｍの範囲内で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置。
【請求項６】
前記根部の膜厚は、２０μｍ〜２５μｍの範囲内で形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の接続装置。
【請求項７】
前記根部の幅方向への幅寸法は、１２μｍ〜１５μｍの範囲内で形成される請求項１ないし６のいずれかに記載の接続装置。
【請求項８】
複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上にレジスト層を所定膜厚で形成する工程と、
（ｂ）  前記レジスト層に露光現像により、前記接触子の形状パターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記形状パターン内に前記接触子を構成する根部を前記レジスト層と同じ高さ位置までメッキ形成する工程と、
（ｄ）  前記根部の上端の両側縁部から前記レジスト層の表面へ向けて延出するとともに、前記レジスト層の表面から上方に向けて隆起する第１の外部接触部を前記根部上にメッキ形成する工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｃ）工程と（ｄ）工程とを連続して行う請求項８記載の接続装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｄ）工程後、前記基板を除去し、次に以下の工程を行う請求項８または９に記載の接続装置の製造方法。
（ｅ）  前記根部の下端の両側縁部から前記レジスト層の下面へ延出するとともに、前記レジスト層の下面から下方向に向けて隆起する第２の外部接触部を前記根部下にメッキ形成する工程。
【請求項１１】
前記基板の中央領域を、複数の接触子を形成するための形成領域とし、その周囲をダミーメッキ領域とし、
前記（ｂ）工程で接触子の形状パターン形成の際に、前記ダミーメッキ領域にダミーメッキパターンを形成し、
前記（ｃ）及び（ｄ）工程で、根部及び第１の外部接触部をメッキ形成すると同時に、前記ダミーメッキパターン内にダミーメッキ層をメッキ形成する請求項８ないし１０のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ａ）工程で、前記レジスト層を２０μｍ〜２５μｍの膜厚で形成する請求項８ないし１１のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｂ）工程で、前記接触子の形状パターンの幅寸法を１２μｍ〜１５μｍの範囲内で形成する請求項８ないし１２のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置、及びその製造方法に係わり、特に、ばね定数を大きくできるとともに、ＩＣ等との良好な接触及び応力緩和に優れ耐久性が向上した接触子を有する接続装置、及び従来に比べて薄いマスク厚でも、ばね定数が大きい接触子を複数個、均一な形状でメッキ形成できる接続装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１，２に記載されている半導体検査装置（ＩＣソケット）は、半導体（ＩＣ等）を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基台上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基台に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【特許文献２】特開２００１−１５２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記スパイラル接触子の具体的な製造方法は、特許文献１の図３７ないし図３９に記載されている。
【０００５】
前記スパイラル接触子は、例えば電鋳法等で形成されるが、かかる場合に、次のような問題点があった。
【０００６】
図１６は、スパイラル接触子１の斜視図である。前記スパイラル接触子１を電鋳法を用いて形成する場合、一般的に図１７ないし図１９に示す工程を経る。なお図１７ないし図１９はいずれも製造工程中の断面図である。
【０００７】
図１７では、基板２の上にレジスト層３をスピンコート法等により塗布する。このときのレジスト層３の膜厚はＨ１である。
【０００８】
次に図１８に示す工程では、前記レジスト層３に対し露光現像によって前記スパイラル接触子１と同形状のパターン３ａを形成する。
【０００９】
そして図１９工程では、前記パターン３ａ内に前記スパイラル接触子１を構成する各ターン毎の接触子片１ａをメッキ形成する。
【００１０】
このとき、従来では、各接触子片１ａの膜厚Ｈ２を、前記レジスト層３の膜厚Ｈ１よりも小さく形成していた。
【００１１】
そこで、例えば前記接触子片１ａの幅寸法Ｔ１を１５μｍ以下の細い形状で形成しようとする場合、前記レジスト層３の膜厚Ｈ１を２５μｍ以上に厚くすることはできず、よって前記接触子片１ａの膜厚Ｈ２も２５μｍより小さく形成しなければならなかった。
【００１２】
その理由は、パターン精度の限界のためであり、前記レジスト層３に細い幅のパターン３ａを抜くとき、レジスト層３の膜厚Ｈ１が厚すぎると、パターン３ａを精度良く形成できず、例えば基板２上に一部レジスト層３が残ってしまうなどして前記スパイラル接触子１を適切にメッキ形成することが難しくなる。
【００１３】
前記パターン３ａの幅寸法Ｔ１を１５μｍとしたとき、前記パターン３ａのアスペクト比としては５／３（レジスト層３の膜厚Ｈ１／パターン３ａの幅Ｔ１）が限界で、このアスペクト比を超えて前記レジスト層３の膜厚Ｈ１を厚くすると、上記したパターン精度の問題が生じてしまう。
【００１４】
このため、前記レジスト層３の膜厚Ｈ１を２５μｍより薄くせざるを得ず、このため前記スパイラル接触子１の膜厚Ｈ２も２５μｍより薄くなってしまう。
【００１５】
よって、前記スパイラル接触子１の各接触子片１ａの幅を狭くしようとすると、膜厚Ｈ２を薄くせざるを得ず、その結果、前記スパイラル接触子１のばね定数は小さくなり、微細なスパイラル接触子１を形成するには、強度の弱いスパイラル接触子１しか形成できなかった。
【００１６】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にスパイラル接触子１の断面形状を改良し、ばね定数を大きくできるとともに、ＩＣ等との良好な接触及び応力緩和に優れ耐久性が向上した接触子を有する接続装置を提供することを目的としている。
【００１７】
また本発明は、従来に比べて薄いマスク厚でも、ばね定数が大きい接触子を複数個、均一な形状でメッキ形成できる接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子は、根部と、前記根部の上側あるいは下側の少なくとも一方の両側縁部から幅方向へ向けて突出するとともに前記根部から離れる方向に向けて隆起する外部接触部とを有して構成されることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明では、前記接触子を根部と、前記根部よりも幅方向へ突出し、前記根部から離れる方向に向けて隆起した外部接触部とを有して構成する。従来では、本発明における根部の部分のみで接触子が構成されていたが、本発明ではさらに外部接触部を加えることで、従来よりも前記接触子の膜厚を厚く形成できるとともに外部接触部の部分で幅が広がるため、微細形状でありつつ、ばね定数を向上させることができばねの強さを従来に比べて強くできる。
【００２０】
また本発明では、前記外部接触部の表面は、両側縁部から幅方向の中心に向けて徐々に突出する湾曲面であることが好ましく、具体的には、前記外部接触部を膜厚方向から幅方向へ向けて切断した切断面に、前記外部接触部の表面は、半円状あるいは半楕円状として現れることが好ましい。
【００２１】
このように、前記外部接触部の表面が丸みを帯びて形成されることで、ＩＣ等との良好な接触を実現でき、また前記表面で応力の集中する箇所が無くなりよって応力緩和が図られ耐久性に優れた接触子を実現することができる。
【００２２】
また本発明では、隣り合う根部間には、前記根部と同じ膜厚寸法を有する絶縁層が形成され、前記外部接触部は、前記絶縁層の表面に延出するとともに、前記絶縁層の表面から隆起している形態であってもよい。
【００２３】
また本発明では、前記接触子の膜厚は、２５μｍ〜５０μｍの範囲内で形成されることが好ましく、前記根部の膜厚は、２０μｍ〜２５μｍの範囲内で形成されることが好ましく、前記根部の幅方向への幅寸法は、１２μｍ〜１５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
【００２４】
また本発明は、複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上にレジスト層を所定膜厚で形成する工程と、
（ｂ）  前記レジスト層に露光現像により、前記接触子の形状パターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記形状パターン内に前記接触子を構成する根部を前記レジスト層と同じ高さ位置までメッキ形成する工程と、
（ｄ）  前記根部の上端の両側縁部から前記レジスト層の表面へ向けて延出するとともに、前記レジスト層の表面から上方に向けて隆起する第１の外部接触部を前記根部上にメッキ形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００２５】
本発明では、上記の（ｄ）工程で、レジスト層の表面を超えて上方に向けて第１の外部接触部を隆起形成することで、前記接触子の膜厚を前記レジスト層の膜厚よりも厚く形成でき、また前記第１の外部接触部の部分においては、前記形状パターンの幅を超えて広い幅寸法で形成できる。
【００２６】
そのため前記（ａ）工程で、前記レジスト層の膜厚を従来より薄くし、前記（ｂ）工程で、幅の細いパターンを形成しても、最終的に製造された接触子の膜厚（及び外部接触部の部分での幅）を大きく形成できるから、従来に比べて前記接触子を微細に形成できるとともに、ばね定数の大きい接触子を製造できる。
【００２７】
また本発明では、前記（ｃ）工程と（ｄ）工程とを連続して行うことができ、製造工程を増やすことなく容易に根部と外部接触部とを有するスパイラル接触子を形成することが可能である。
【００２８】
また本発明では、前記（ｄ）工程後、前記基板を除去し、次に以下の工程を行うことが好ましい。
【００２９】
（ｅ）  前記根部の下端の両側縁部から前記レジスト層の下面へ延出するとともに、前記レジスト層の下面から下方向に向けて隆起する第２の外部接触部を前記根部下にメッキ形成する工程。
【００３０】
上記により前記根部の上下の両方に外部接触部を有する接触子を形成することができる。
【００３１】
また本発明では、前記基板の中央領域を、複数の接触子を形成するための形成領域とし、その周囲をダミーメッキ領域とし、
前記（ｂ）工程で接触子の形状パターン形成の際に、前記ダミーメッキ領域にダミーメッキパターンを形成し、
前記（ｃ）及び（ｄ）工程で、根部及び第１の外部接触部をメッキ形成すると同時に、前記ダミーメッキパターン内にダミーメッキ層をメッキ形成することが好ましい。
【００３２】
本発明では、前記ダミーメッキ層の形成により、前記形成領域内での電流密度を一定の大きさにでき、前記形成領域内に形成される複数の接触子を均一な形状にて形成することが可能になる。
【００３３】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記レジスト層を２０μｍ〜２５μｍの膜厚で形成することが好ましく、前記（ｂ）工程で、前記接触子形状のパターンの幅寸法を１２μｍ〜１５μｍの範囲内で形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明では、接触子を根部と、前記根部よりも幅方向へ突出し、前記根部から離れる方向に向けて隆起した外部接触部とを有して構成する。従来では、本発明における根部の部分のみで接触子が構成されていたが、本発明ではさらに外部接触部を加えることで、従来よりも前記接触子の膜厚を厚く形成できるとともに外部接触部の部分で幅が広がるため、微細形状でありつつ、ばね定数を向上させることができばねの強さを従来に比べて強くできる。
【００３５】
また本発明では、前記外部接触部の表面を湾曲面に形成することで、ＩＣ等との良好な接触を実現でき、また前記表面で応力の集中する箇所が無くなりよって応力緩和が図られ耐久性に優れた接触子を実現することができる。
【００３６】
さらに本発明では、製造工程において、レジスト層の表面を超えて上方に向けて第１の外部接触部を隆起形成することで、接触子の膜厚を前記レジスト層の膜厚よりも厚く形成でき、また前記第１の外部接触部の部分においては、レジスト層に形成された形状パターンの幅を超えて広い幅寸法で形成できる。
【００３７】
そのため前記レジスト層の膜厚を従来より薄くし、次工程で、幅の細いパターンを前記レジスト層に形成しても、最終的に製造された接触子の膜厚（及び外部接触部の部分での幅）を大きく形成できるから、従来に比べて前記接触子を微細に形成できるとともに、ばね定数の大きい接触子を製造できる。
【００３８】
また本発明では、複数の接触子を形成する際に、基板の周囲をダミーメッキ層とすることで、前記複数の接触子を形成するための領域内での電流密度を一定の大きさにでき、前記領域内に形成される複数の接触子を均一な形状にて形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置（接続装置）を示す斜視図、図２は、図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００４０】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品Ｂが装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００４１】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品Ｂの下面に多数の球状接触子（外部接続部）Ｃがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００４２】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品Ｂの球状接触子Ｃに対応して設けられている。
【００４３】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００４４】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３Ａに示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、所定間隔を空けて複数形成されている。
【００４５】
前記各スパイラル接触子２０は、図３Ａのように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００４６】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００４７】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極３１が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極３１にそれぞれ接触することにより、電子部品Ｂとプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００４８】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品Ｂを図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００４９】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品Ｂを前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品Ｂを装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００５０】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品Ｂの外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品Ｂを前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品Ｂ側の各球状接触子Ｃと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００５１】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品Ｂが前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子Ｃが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子Ｃの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子Ｃと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００５２】
各スパイラル接触子を構成する各ターン毎の接触子片２０ａは、図３Ｂのような形態である。図３Ｂは接触子片２０ａを切断し、その切断面を含む部分拡大斜視図である。図３Ｂに示すように、前記接触子片２０ａの切断面（斜線で示した部分）は略きのこ型の形状である。前記接触子片２０ａの断面形状について図４以下で詳しく説明する。
【００５３】
図４は、前記スパイラル接触子２０を構成する各ターン毎の接触子片２０ａを膜厚方向から幅方向へ向けて切断し、その一部の接触子片２０ａの断面形状を示す部分断面図である。図示左側にある２つの接触子片２０ａ１，２０ａ２は、同じスパイラル接触子２０を構成しており、符号２０ａ２は、基部２１を構成し、符号２０ａ１は、それよりも内側にある接触子片２０ａ１である。一方、図示右側にある１つの接触子片２０ａは、前記スパイラル接触子２０の隣に設けられたスパイラル接触子２０の基部２１である。そして２つのスパイラル接触子２０の接触子片（基部）２０ａ２，２０ａ３どうしが樹脂製のガイドフレーム２５によって繋がれている。複数ある各スパイラル接触子２０は、このように互いに前記ガイドフレーム２５によって繋げられているため、各スパイラル接触子２０がばらばらになることはない。
【００５４】
なお図４のように複数のスパイラル接触子２０がガイドフレーム２５によって繋がれただけものを以下では、「接触子シート」と呼ぶ場合がある。この接触子シートは図３Ａに示す基台１１に異方性導電性接触剤によって接合される。
【００５５】
図４に示すように、各接触子片２０ａ１〜２０ａ３は、根部２６と、前記根部２６の上端２６ｂの両側縁部２６ａ，２６ａから幅方向（図示Ｘ方向）へ向けて突出するとともに、図示上方へ向けて（前記根部２６から離れる方向に向けて）隆起する第１の外部接触部２７とで構成されている。
【００５６】
前記根部２６は、下端２６ｃから上端２６ｂへ向けてほぼ一定の幅寸法Ｔ２で形成されている。
【００５７】
一方、前記第１の外部接触部２７は、その下端２７ａが前記幅寸法Ｔ２よりも広い幅寸法Ｔ３を有し、前記第１の外部接触部２７の表面２７ｂは、幅方向（図示Ｘ方向）の両側縁部２７Ｃ，２７Ｃから幅方向（図示Ｘ方向）の中心に向けて徐々に上方に突出する湾曲面となっており、図４の断面形状で見ると前記表面２７ｂは半円状あるいは半楕円形状として現れている。
【００５８】
前記接触子片２０ａ１〜２０ａ３は、膜厚Ｈ３で形成され、このうち、前記根部２６の膜厚はＨ４である。
【００５９】
なお図４に示すように根部２６の上端２６ｂ（及び第１の外部接触部２７の下端２７ａ）を一点鎖線で図示したが、説明をしやすくするために仮想的に線を引いただけで、前記根部２６と第１の外部接触部２７との境界を目視できるという意味ではない。
【００６０】
前記根部２６の幅寸法Ｔ２は１２μｍ〜１５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。また前記第１の外部接触部２７の下端２７ａの幅寸法Ｔ３は２５μｍ〜３５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。また前記接触子片２０ａ１〜２０ａ３の膜厚Ｈ３は２５μｍ〜５０μｍの範囲内で形成されることが好ましく、前記根部２６の膜厚Ｈ４は２０μｍ〜２５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
【００６１】
ここで本発明の特徴的部分について以下に説明する。本発明では、スパイラル接触子２０を構成する各接触子片２０ａ１〜２０ａ３は、根部２６と、前記根部２６の上端２６ｂの両側縁部２６ａ，２６ａから幅方向へ向けて突出するとともに、上方へ向けて隆起する第１の外部接触部２７とで構成されている。
【００６２】
このため本発明では、前記接触子片２０ａ１〜２０ａ３の膜厚Ｈ３を従来のように第１の外部接触部２７が無いものに比べて厚く形成できる。特に前記根部２６の幅寸法Ｔ２を１２μｍ〜１５μｍに微細に形成するとともに、前記根部２６の膜厚Ｈ４を２０μｍ〜２５μｍ程度に低く形成しても、第１の外部接触部２７の形成により、前記接触子片２０ａ１〜２０ａ３全体の膜厚Ｈ３を２５μｍ〜５０μｍ程度に厚くすることができるとともに、前記第１の外部接触部２７の下端２７ａ部分で幅寸法を稼ぐこともできる。このように、接触子片２０ａ１〜２０ａ３を構成する根部２６を微細な幅寸法Ｔ２で形成しても、前記スパイラル接触子２０の断面形状を従来に比べて大きくすることができ、個々のスパイラル接触子２０を微細に形成しながら、ばね定数が高く強度に優れたスパイラル接触子２０を形成することが可能である。
【００６３】
また前記第１の外部接触部２７の表面２７ｂは、両側縁部２７ｃ，２７Ｃから幅方向の中心に向けて徐々に上方に向けて突出する湾曲面となっているため、電子部品Ｂ側の接触子がどのような形態であっても互いに接触しやすく、良好な接触状態を保つことができる。また図３に示すようにスパイラル形状の接触子２０では、前記電子部品Ｂの接触子が前記スパイラル接触子２０に接触したときに、前記第１の外部接触部２７の表面２７ｂの摩擦係数が低いことから、前記電子部品Ｂの接触子は前記表面２７ｂを適切に摺動でき、図２に示すように、電子部品Ｂの接触子１ａを前記スパイラル接触子２０の各接触子片２０ａで包み込みやすい。
【００６４】
また前記第１の外部接触部２７の表面２７ｂは、湾曲面であるため、前記第１の外部接触部２７の表面で応力が集中しにくく、よって応力緩和が図られ、電子部品Ｂとの度重なる接触によっても劣化しにくく耐久性に優れたスパイラル接触子２０を形成することができる。
【００６５】
図４での各スパイラル接触子２０は、基部２１となる最外郭の接触子片２０ａ２，２０ａ３同士がガイドフレーム２５によって繋げられ、前記最外郭の接触子片２０ａ２，２０ａ３よりも内側にある接触子片２０ａ１は、上下方向に自由に動けるようになっているが、例えば図５のように、スパイラル接触子２０を構成する各接触子片２０ａの根部２６間に絶縁層２８が形成され、前記絶縁層２８の表面から前記第１の外部接触部２７が上方に向けて隆起した接触子シートの構成であってもよい。
【００６６】
前記絶縁層２８は例えばソルダーレジスト等である。図５の構成であると、ガイドフレーム２５の形成が必要なく、前記絶縁層２８には、前記スパイラル接触子２０をメッキ形成する際に使用されるフレームを絶縁層２８として、そのまま使用できるから、製造工程を簡略化できる。なお前記絶縁層２８の膜厚は、前記根部２６の膜厚Ｈ４と同程度である。
【００６７】
図６に示す実施形態では、前記根部２６の下端２６ｃの両側縁部２６ｄ，２６ｄから幅方向へ向けて広がるとともに、下方向へ向けて隆起する第２の外部接触部３０が設けられている。前記スパイラル接触子２０を構成する各接触子片２０ａの根部２６間にはソルダーレジスト等による絶縁層２８が形成されている。図６に示す実施形態の接触子シートであると、前記絶縁層２８の上下から、接触性に優れた外部接触部２７，３０が突出しているから、前記電子部品Ｂを、スパイラル接触子２０の上下から当接させる構造の検査装置に最適な接触子シートとなっている。
【００６８】
以下、図７ないし図１３に示す工程図を用いて、図４に示す断面形状の接触子シートの製造方法について以下に説明する。なお図９を除く各図は製造過程中における部分拡大断面図である。
【００６９】
図７に示す符号４０は基板である。前記基板４０はＣｕ等による導電性金属基板、あるいは絶縁基板であってもよいが、導電性金属基板であることが、メッキ下地層を設ける必要が無くなるため好ましい。
【００７０】
図７に示すように、前記基板４０上にレジスト層４１をスピンコート法によって塗布する。前記レジスト層４１の膜厚はＨ５である。既に述べたように、例えば次工程で形成するスパイラル接触子２０の各接触子片２０ａのパターン幅を１５μｍ程度にする場合、前記レジスト層４１の膜厚Ｈ５を２５μｍ以上にしてしまうと（すなわちアスペクト比（レジスト膜厚／パターン幅）が５／３を越えると）、高精度に１５μｍ幅のパターンが抜けないため、前記レジスト層４１の膜厚Ｈ５を２５μｍ以下にする必要がある。そして前記パターン幅を１５μｍよりも小さくしていけば、それに合わせてレジスト層４１の膜厚Ｈ５を２５μｍよりも小さくしていく必要があり、パターン幅としては最低限１２μｍ程度必要であり（これ以上パターン幅が狭くなるとばね強度が大きく低下してしまう）、この際、アスペクト比の最大値は５／３だから、レジスト層４１の膜厚Ｈ５を２０μｍ程度まで薄くすれば１２μｍ幅のパターンを高精度に抜くことが可能である。従って前記レジスト層４１の膜厚Ｈ５は２０μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７１】
次に図８に示す工程では、前記レジスト層４１に対してスパイラル接触子２０平面形状と同じ形状のパターン４１ａを露光現像によって形成する。上記したように、前記形状パターン４１ａの幅寸法Ｔ４を１２μｍ〜１５μｍの範囲内とする。
【００７２】
また前記露光現像の際には図９に示すようなダミーパターン４１ｂも形成する。図９は前記レジスト層４１が塗布された基板４０を真上から見た平面図である。図９に示すように、前記基板４０の中央領域４０ａは、複数のスパイラル接触子２０を形成するための形成領域であり、その周囲領域４０ｂは、ダミーメッキ層を施すための形成領域である。
【００７３】
最初、基板４０上全体にレジスト層４１を膜厚Ｈ５で塗布するが、図８工程で前記中央領域４０ａに、スパイラル接触子２０の形状パターン４１ａを複数形成するとともに、前記中央領域４０ａの周囲領域４０ｂ上にあるレジスト層４１を全て露光現像によって抜くことでダミーパターン４１ｂを形成する。
【００７４】
このようなダミーパターン４１ｂを形成する理由は以下のとおりである。
すなわちメッキの際の電流密度は、メッキ面の周囲ほど強くなる傾向がある。このためダミーメッキを施さないと、前記中央領域４０ａ内で最も外周側に施された形状パターン４１ａ内への電流密度が強くなり、前記中央領域４０ａ内における電流密度の高低差が大きくなる。
【００７５】
上記のような電流密度の不均一化を解消すべく、メッキ面の周囲ほど電流密度が強くなる傾向を利用して、基板４０の周囲にメッキ面となるダミーメッキ領域を設け、スパイラル接触子２０のメッキ形成とともに、ダミーメッキ領域にもメッキを施す。この際、基板４０周囲に施されたダミーメッキ部分における電流密度が最も強くなるから、前記中央領域４０ａ内における電流密度の不均一化を緩和することが可能になる。
【００７６】
図１０工程では、前記形状パターン４１ａ内に内部メッキ層４２を形成する。この際、同時に前記ダミーパターン４１ｂ内にもダミーメッキ層が形成され、これによって各形状パターン４１ａ内での電流密度が均一化し、前記内部メッキ層４２の膜厚を全ての形状パターン４１ａ内においてほぼ一定厚にすることが出来る。
【００７７】
図１０に示す内部メッキ層４２は、各スパイラル接触子２０の接触子片２０ａを構成する根部２６の部分となる。前記内部メッキ層４２を、その上端４２ａがちょうど前記レジスト層４１の上面と同一の高さ位置になるまでメッキ成長させるが、ここでメッキ工程を中断せずに、さらに続けて（そのまま）、内部メッキ層４２上に外部メッキ層４３を成長させる。
【００７８】
すると、前記外部メッキ層４３は、前記形状パターン４１ａ内に施された内部メッキ層４２上のみならず、前記レジスト層４１の上面４１ｃにまで幅方向に突出し、且つ前記レジスト層４１の上面４１ｃから表面が丸みを帯びた形態で隆起成長する。このように前記外部メッキ層４３の表面が丸みを帯びるのは、前記レジスト層４１の上面４１ｃでは、メッキ成長しにくい一方、前記内部メッキ層４２（根部２６）上ではメッキが順調に成長するからである。
【００７９】
前記レジスト層４１の上面４１ｃから上方に隆起した外部メッキ層４３は各接触子片２０ａにおける第１の外部接触部２７となる。
【００８０】
次に図１２工程では、隣り合うスパイラル接触子２０の最も外側に位置する接触子片（基部）２０ａ２，２０ａ３間にポリイミド等で形成されたガイドフレーム（接合部材）４５を異方性導電接着剤等により貼り付け、前記接触子片（基部）２０ａ２，２０ａ３間を前記ガイドフレーム４５によって繋ぐ。前記ガイドフレーム４５により各スパイラル接触子２０の前記接触子片（基部）２０ａ２，２０ａ３間を繋げることで、後工程で、レジスト層４１及び基板４０を除去しても各スパイラル接触子２０がばらばらになることがない。
【００８１】
次に図１３に示す工程では、基板４０及びレジスト層４１を同時に除去する。これによりガイドフレーム４５で繋げられた複数のスパイラル接触子２０からなる接触子シートが完成する。
【００８２】
図７ないし図１２に示す工程を経て形成される前記接触子シートであると、次のような利点がある。
【００８３】
それは、図７工程で、レジスト層４１の膜厚Ｈ５を薄く形成しても、図１１工程で形状パターン４１ａ内のみならずレジスト層４１の上面４１ｃから盛り上がる外部メッキ層４３（第１の外部接触部２７）をメッキ成長させることで、各スパイラル接触子２０の接触子片２０ａの膜厚をレジスト層４１の高さ以上に厚く形成でき、また前記外部メッキ層４３は、レジスト層４１の上面４１ｃにまで幅方向に広がって形成されるので、この位置での幅寸法が広がる結果、各接触子片２０ａの断面形状を大きくでき、よって各接触子片２０ａのばね定数を大きくすることができ、強度に優れたスパイラル接触子２０を形成することができる。また同時に、前記レジスト層４１を薄くできる結果、形状パターン４１ａの幅寸法Ｔ４を小さくできるので、微細なスパイラル接触子２０を形成することが可能である。
【００８４】
また図９に示すように基板４０上の周囲にダミーパターン４１ｂを設け、図１０，図１１工程でのメッキ層４２，４３の形成の際に、前記ダミーパターン４１ｂ内にもメッキを施すことで、前記スパイラル接触子２０の形成領域４０ａ内での電流密度を一定にしやすく、複数のスパイラル接触子２０を均一な形状にて形成することが可能になる。
【００８５】
図５で説明した接触子シートの形成は、図７工程で、レジスト層４１に例えばソルダーレジストを用い、図１１工程まで施す。次に、基板４０のみをエッチングで除去し、前記レジスト層４１をそのまま残しておけば、図５に示す接触子シートが完成する。
【００８６】
なおレジスト層４１をソルダーレジスト等を用いてそのまま残しておくことの利点は、レジスト層４１の除去工程−ガイドフレーム４５の形成が必要なく、製造工程を簡略化できる点と、従来、一般的にレジスト層４１にはアルカリ溶解型レジストを使用していたが、ソルダーレジスト等を用いてレジスト層４１をそのまま残しておけば、アルカリ水溶液を用いる必要がないので、前記メッキ層４２，４３が腐蝕等するなどの劣化を防ぐことができる。
【００８７】
図６に示すスパイラルシートは、図１１工程で基板４０を除去した後（図１４）、メッキ層４２（根部２６）の下端４２ｂが露出するので、この面をメッキ面として、図１５のように（図１５は前記下端４２ｂ側を上側にしている）、外部メッキ層４６を成長させる。前記外部メッキ層４６は、図１１工程での外部メッキ層４３と同様に、レジスト層４１の上面４１ｄに幅方向に向けて突出するとともに前記レジスト層４１の上面４１ｄから表面が丸みを帯びるように隆起成長し、前記外部メッキ層４３が図６に示す第２の外部接触部３０となる。
【００８８】
図１４及び図１５で使用されるレジスト層４１はソルダーレジスト等であり、前記レジスト層４１は各接触子片２０ａを構成する根部２６間にそのまま残される。
【００８９】
なお本発明では、接触子２０をスパイラル形状のものとして説明したが、前記接触子２０はスパイラル形状でなくてもよい。また図３Ａに示すスパイラル接触子２０は、巻き始端２２から巻き終端２３に向けて徐々に上方に突出するように立体成形されたものであることが好ましい。図４の接触子シートではあれば前記立体成形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３Ａ】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す部分斜視図、
【図３Ｂ】前記スパイラル接触子の一部を切断し、その部分を拡大して示した部分拡大斜視図、
【図４】スパイラル接触子を有する接触子シートの部分拡大断面図、
【図５】図４とは異なる接触子シートの部分拡大断面図、
【図６】図４、図５とは異なる接触子シートの部分拡大断面図、
【図７】本発明の接触子シートの製造方法を示す一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８工程時における基板及びその上に塗布されたレジスト層の平面図、
【図１０】図８の次に行われる一工程図、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図、
【図１２】図１１の次に行われる一工程図、
【図１３】図１２の次に行われる一工程図、
【図１４】図６に示す接触子シートの製造方法を示す一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】従来のスパイラル接触子の形状を示す部分斜視図、
【図１７】従来のスパイラル接触子の製造方法を示す一工程図、
【図１８】図１７の次に行われる一工程図、
【図１９】図１８の次に行われる一工程図、
【符号の説明】
【００９１】
１０  検査装置
２０  スパイラル接触子
２１  基台
２５、４５  ガイドフレーム
２６  根部
２７  第１の外部接触部
２８  絶縁層
３０  第２の外部接触部
４０  基板
４１  レジスト層
４２  内部メッキ層
４３、４６  外部メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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