(57)【要約】【課題】  処理液供給路内を流れる処理液の濃度を正確に測定して、処理液供給部で所定濃度の処理液を調製することができる装置を提供する。【解決手段】  処理槽１０内へ処理液を供給するための液体供給管１８の途中に電磁誘導式の導電率センサ５４を配設し、導電率センサの上流側に、液体供給管内を流れる処理液の温度を測定する温度測定器の検出部５８を配設する。温度測定器によって測定された処理液の温度に基づいて、導電率センサによって計測された導電率から求められた処理液の濃度を演算部５６で校正する。【選択図】      図１
2005189207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液によって基板を処理する基板処理部と、
少なくとの２種類の液体を混合して処理液を調製する処理液供給部と、
この処理液供給部から前記基板処理部へ処理液を供給するための処理液供給路と、
この処理液供給路の途中に配設されて処理液供給路内を流れる処理液の導電率を計測する電磁誘導式の導電率センサを備え、その導電率センサによって計測された導電率から処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度を求める濃度測定手段と、
この濃度測定手段によって測定された濃度に基づいて、前記処理液供給部で調製される処理液の所定成分の濃度が所定濃度となるように液体の混合割合を制御する濃度制御手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記処理液供給路の、前記導電率センサと分離した位置に、処理液供給路内を流れる処理液の温度を測定する温度測定手段の検出部を配設し、その温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて、前記濃度測定手段によって求められる処理液の所定成分の濃度を温度補償することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
２種類の液体がフッ酸と純水とであって、処理液がフッ酸を純水で希釈したフッ酸希釈液であり、前記濃度測定手段によってフッ酸希釈液のフッ化水素濃度が測定される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記温度測定手段の検出部が、前記導電率センサの上流側に配設される請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板処理部へ処理液を供給するための処理液供給路の途中に配設され、処理液供給路内を流れる処理液の導電率を計測する電磁誘導式の導電率センサを備え、その導電率センサによって計測された導電率から処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度を求める処理液濃度測定装置において、
前記処理液供給路内を流れる処理液の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段の検出部を、処理液供給路の、前記導電率センサと分離した位置に配設し、前記温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて、処理液の所定成分の濃度を温度補償することを特徴とする処理液濃度測定装置。
【請求項５】
処理液がフッ酸を純水で希釈したフッ酸希釈液であり、フッ酸希釈液のフッ化水素濃度が測定される請求項４記載の処理液濃度測定装置。
【請求項６】
前記温度測定手段の検出部が、前記導電率センサの上流側に配設される請求項４または請求項５記載の処理液濃度測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板等の基板に対しエッチング液等の処理液を供給して基板の処理を行ったり、マイクロリアクタ、ケミカルチップ、バイオチップ、Ｌａｂ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ、ナノチップ、ＤＮＡチップなどのように、非常に少量の溶液を使用し、反応、分離；分析を行うことを意図した構造体の基材であるシリコン、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、セラミックスなどの無機物や、ポリカーボネート、ポリアクリルアミド等のプラスチック、シリコンゴム、珪素樹脂などの有機物からなる平滑な基板にウェットエッチングなどの化学的処理を行ったりする基板処理装置、ならびに、これらの基板処理装置の基板処理部へ供給される処理液の濃度を測定する処理液濃度測定装置に関する。ここで、マイクロリアクタは、キャピラリアレイを用いて検体を分離、分析するものであり、ＤＮＡチップは、数センチメートル角のガラス基板に様々な塩基配列の相補的ＤＮＡを網目状に数百から１万種類以上張り付けたＤＮＡ検出用素子で、ＤＮＡが法則に従って正確に対をなす性質を利用するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、フッ酸（フッ化水素の水溶液）を純水で希釈した低濃度のフッ酸（フッ酸希釈液）を使用して、半導体ウエハの表面に形成された酸化膜をエッチング処理する場合、近年における半導体の高集積度化に伴って高いエッチング精度（例えば最終エッチング量に対し±１％以内）が要求されるようになってきている。そして、その要求を満たすためには、ウエハに対して供給されるフッ酸希釈液の濃度管理が重要となり、フッ酸希釈液の濃度（フッ化水素濃度）を正確に管理するためには、低濃度のフッ酸を精度良く濃度測定する必要がある。
【０００３】
管路内を流れるフッ酸希釈液の濃度を測定する方法の１つとして、電磁誘導を利用してフッ酸希釈液の導電率を計測し、計測された導電率から、予め作成しておいた検量線によりフッ酸の濃度を求める電磁誘導式導電率測定法が利用されている。また、この測定法において、センサ部がフッ酸と接触して腐食することを防止するために、センサ部を管路の外側に管路を取り巻くように設置した濃度計が提案されている。すなわち、フッ酸希釈液を貯留する供給タンクと基板の処理が行われる基板処理部とを流路接続する供給管路の途中に、一対の環状ソレノイドを合成樹脂材によりモールドした導電率センサを、それにより供給管路の外周を囲むように配設した電磁誘導式濃度計が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１５３８４４号公報（第５頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ワンバス方式の基板処理装置では、１つの処理槽内へ各種薬液や純水を順次供給して処理槽の内部を各種薬液や純水で順番に満たし、薬液によるエッチング、洗浄等の処理や純水によるリンス処理が１つの処理槽内において行われる。また、薬液や純水は、共通の管路を通って処理槽の液体供給口へ送液され、液体供給口から処理槽内へ流入する。この場合、純水として、例えば８０℃程度の温度に加熱された温純水が使用されることがある。一方、薬液、例えばエッチング処理に使用されるフッ酸希釈液は、通常は常温のものが使用される。このため、供給管路の外周を囲むように配設された導電率センサは、管路内を温純水が流れるときには膨張し、その後に管路内を薬液が流れるときには放熱して収縮し、この膨張・収縮が繰り返される。この結果、導電率センサのセル定数（電流流路長÷断面積）が変動することとなり、導電率センサが熱による影響を受ける、といった問題点がある。
【０００５】
このように導電率センサが熱による影響を受けると、導電率センサによって計測されたフッ酸希釈液の導電率から検量線を用いてフッ酸の濃度を求めても、正確な濃度が得られない。管路内を流れるフッ酸希釈液の濃度が正確に算出されないと、濃度計によって測定された濃度に基づき、処理液供給部において調製されるフッ酸希釈液の濃度が所定濃度となるようにフッ酸と純水との混合割合を調節し制御しても、適正濃度のフッ酸希釈液を調製することができなくなる。この結果、エッチング精度が低下することとなる。このようにエッチング精度が低下すると、例えば半導体であれば、シリコン酸化膜が必要な厚みを得られない場合には絶縁不良による欠陥を生じる。
【０００６】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、処理液によって基板の処理を行う場合において、処理液供給路内を流れる処理液の濃度を正確に測定して、処理液供給部で所定濃度の処理液を調製することができる基板処理装置を提供すること、ならびに、その基板処理装置に用いられる処理液濃度測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、処理液によって基板を処理する基板処理部と、少なくとの２種類の液体を混合して処理液を調製する処理液供給部と、この処理液供給部から前記基板処理部へ処理液を供給するための処理液供給路と、この処理液供給路の途中に配設されて処理液供給路内を流れる処理液の導電率を計測する電磁誘導式の導電率センサを備え、その導電率センサによって計測された導電率から処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度を求める濃度測定手段と、この濃度測定手段によって測定された濃度に基づいて、前記処理液供給部で調製される処理液の所定成分の濃度が所定濃度となるように液体の混合割合を制御する濃度制御手段と、を備えた基板処理装置において、前記処理液供給路の、前記導電率センサと分離した位置に、処理液供給路内を流れる処理液の温度を測定する温度測定手段の検出部を配設し、その温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて、前記濃度測定手段によって求められる処理液の所定成分の濃度を温度補償することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の基板処理装置において、２種類の液体がフッ酸と純水とであって、処理液がフッ酸を純水で希釈したフッ酸希釈液であり、前記濃度測定手段によってフッ酸希釈液のフッ化水素濃度が測定されることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２記載の基板処理装置において、前記温度測定手段の検出部を前記導電率センサの上流側に配設したことを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係る発明は、基板処理部へ処理液を供給するための処理液供給路の途中に配設され、処理液供給路内を流れる処理液の導電率を計測する電磁誘導式の導電率センサを備え、その導電率センサによって計測された導電率から処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度を求める処理液濃度測定装置において、前記処理液供給路内を流れる処理液の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段の検出部を、処理液供給路の、前記導電率センサと分離した位置に配設し、前記温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて、処理液の所定成分の濃度を温度補償することを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の濃度測定装置において、処理液がフッ酸を純水で希釈したフッ酸希釈液であり、フッ酸希釈液のフッ化水素濃度が測定されることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に係る発明は、請求項４または請求項５記載の濃度測定装置において、前記温度測定手段の検出部を前記導電率センサの上流側に配設したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、電磁誘導式の導電率センサにより、処理液供給部から処理液供給路を通って基板処理部へ供給される処理液の導電率が計測され、濃度測定手段において計測された導電率から処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度が求められる。また、処理液供給路の、導電率センサと分離した位置に検出部が配設された温度測定手段により、処理液供給路内を流れる処理液の温度が測定される。そして、濃度測定手段によって測定された処理液の所定成分の濃度が、温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて温度補償される。したがって、導電率センサが熱による影響を受けても、測定濃度と実際の濃度とのずれが校正されることにより、処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度が正確に測定される。また、導電率センサが、例えば環状ソレノイドを合成樹脂材によりモールドした構造であって、その導電率センサのモールド部分に温度測定手段の検出部が組み込まれているような場合には、モールド部分の熱伝導率が非常に小さいため、温度測定手段の検出部による処理液の温度の検出に遅延を生じることとなるが、この基板処理装置では、温度測定手段の検出部が導電率センサとは別体として処理液供給路に配設されているので、処理液の温度が即時に検出される。したがって、温度測定手段による処理液の温度測定の応答遅れによって不都合を生じることがなく、上記した測定温度に基づく温度補償の動作が確実に実行される。このように、処理液の所定成分の濃度が正確に測定されるので、その測定濃度に基づいて濃度制御手段により処理液供給部での液体の混合割合を制御したときに、所定成分の濃度が所定濃度となるように処理液を調製することが可能となる。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理装置を使用すると、処理液供給路内を流れる処理液の濃度を正確に測定して、処理液供給部で所定濃度の処理液を調製することができ、このため、基板処理の精度を高めることができる。
【００１４】
請求項２に係る発明の基板処理装置では、処理液供給路内を流れるフッ酸希釈液のフッ化水素濃度が正確に測定され、その測定濃度に基づいて濃度制御手段により処理液供給部でのフッ酸と純水との混合割合が制御されて、所定濃度のフッ酸希釈液が調製される。このため、基板のエッチング精度を高めることができる。
【００１５】
請求項３に係る発明の基板処理装置では、導電率センサの上流側に検出部が配設された温度測定手段により、処理液供給路内を流れる処理液の温度が測定される。したがって、導電率センサの構造体に処理液からの蓄熱があった場合でも、処理液の温度を正確に測定することができるので、濃度測定手段によって測定された処理液の所定成分の濃度を正確に温度補償して、より正確に所定濃度の処理液を調製することができ、このため、基板処理の精度をより高めることができる。
【００１６】
請求項４に係る発明の処理液濃度測定装置においては、導電率センサによって処理液供給路内を流れる処理液の導電率が計測され、その計測された導電率から求められた処理液の所定成分の濃度が、処理液供給路の、導電率センサと分離した位置に配設された温度測定手段によって測定された処理液の温度に基づいて温度補償される。したがって、導電率センサが熱による影響を受けても、測定濃度と実際の濃度とのずれが校正されることにより、処理液供給路内を流れる処理液の所定成分の濃度が正確に測定される。また、導電率センサが、例えば環状ソレノイドを合成樹脂材によりモールドした構造であって、その導電率センサのモールド部分に温度測定手段の検出部が組み込まれているような場合には、モールド部分の熱伝導率が非常に小さいため、温度測定手段の検出部による処理液の温度の検出に遅延を生じることとなるが、この濃度測定装置では、温度測定手段の検出部が導電率センサとは別体として処理液供給路に配設されているので、処理液の温度が即時に検出される。したがって、温度測定手段による処理液の温度測定の応答遅れによって不都合を生じることがなく、上記した測定温度に基づく温度補償の動作が確実に実行される。
したがって、請求項４に係る発明の処理液濃度測定装置を使用すると、処理液供給路内を流れる処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００１７】
請求項５に係る発明の濃度測定装置では、処理液供給路内を流れるフッ酸希釈液のフッ化水素濃度を正確に測定することができる。
【００１８】
請求項６に係る発明の濃度測定装置では、処理液供給路の、導電率センサの上流側に検出部が配設された温度測定手段により、処理液供給路内を流れる処理液の温度が測定される。したがって、処理液の温度を正確に測定することができるので、濃度測定手段によって測定された処理液の所定成分の濃度を正確に温度補償することができ、このため、処理液供給路内を流れる処理液の濃度をより正確に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１は、この発明の１実施形態を示し、ワンバス方式の基板処理装置の全体を示す概略構成図である。この基板処理装置は、下部に液体供給口１２を有し内部に基板Ｗが搬入されて収容される処理槽１０を備えている。処理槽１０の上部には、溢流液受け部１４が設けられており、処理槽１０の上端部から溢れ出た液体が溢流液受け部１４内へ流入し、溢流液受け部１４内に流入した液体が排液管１６を通って排出されるようになっている。この処理槽１０内においては、基板Ｗに対しフッ酸希釈液を用いた酸化膜のエッチング処理、各種の薬液を使用した洗浄処理、純水を使用したリンス処理などが行われる。
【００２０】
処理槽１０の下部の液体供給口１２には、液体供給管１８が連通して接続されている。液体供給管１８は、ミキサー２０の流出口に接続されており、ミキサー２０の流入口には、純水供給管２２が接続されている。純水供給管２２は純水供給源に流路接続され、純水供給管２２には、フィルタ２４、開閉制御弁２６およびレギュレータ（流量調整弁）２８がそれぞれ介挿されている。また、ミキサー２０には、複数種類の薬液を供給するための複数の薬液供給管３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃがそれぞれ連通して接続されており、そのうちの１つの薬液供給管３０が、密閉された薬液タンク３２に接続され、薬液供給管３０の先端部が、薬液タンク３２内に貯留されたフッ酸希釈液３４中に差し入れられている。薬液供給管３０には、開閉制御弁３６およびレギュレータ３８およびフィルタ４０がそれぞれ介挿されている。なお、図１では、１つの薬液供給管３０についてだけ配管構成を示しているが、他の薬液供給管３０ａ、３０ｂ、３０ｃも、別の種類の薬液、例えばアンモニア水、過酸化水素水、塩酸、オゾン水等の薬液を供給するための同様の配管構成を有している。
【００２１】
薬液タンク３２には、薬液タンク３２内へ高濃度のフッ酸、例えば５０％フッ酸を供給するためのフッ酸供給管４２、および、薬液タンク３２内へ希釈用の純水を供給するための純水供給管４４がそれぞれ接続されている。フッ酸供給管４２および純水供給管４４には、エアー操作弁４６、４８がそれぞれ介挿されている。エアー操作弁４６、４８は、図示していないが、エアー操作弁４６、４８に接続され圧縮空気源に流路接続されたエアー配管に介挿された三方切替弁を切替え操作することにより、それぞれ開閉動作が制御される。また、薬液タンク３２には、レギュレータ５０が介挿され不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続された窒素ガス供給管５２が連通して接続されている。窒素ガス供給管５２に介挿されたレギュレータ５０は、図示していないが、圧縮空気源に接続されたエアー供給管に介挿された電空レギュレータを制御することにより調節され、窒素ガス供給管５２を通して薬液タンク３２内の上部空間に供給される窒素ガスにより、薬液タンク３２内のフッ酸希釈液３４の液面が一定圧力で加圧されるようになっている。
【００２２】
さらに、処理槽１０の液体供給口１２に接続された液体供給管１８の途中には、フッ酸希釈液のフッ化水素濃度を測定するための電磁誘導式濃度測定装置の導電率センサ５４が配設されている。導電率センサ５４は、液体供給管１８内を流れるフッ酸希釈液の導電率を計測して、その計測信号を演算部５６へ送る。また、液体供給管１８の、導電率センサ５４の上流側には、液体供給管１８内を流れるフッ酸希釈液の温度を測定するための温度測定器の検出部５８が配設されており、検出部５８からの測温信号が演算部５６に入力されるようになっている。そして、演算部５６においては、導電率センサ５４によって計測された導電率から、予め作成しメモリ（図示せず）に記憶させておいた検量線を用いてフッ酸希釈液のフッ化水素濃度が算出される。また、演算部５６では、温度測定器の検出部５８によって検出され測定されたフッ酸希釈液の温度に基づいて、実装試験を行って予め作成しメモリ（図示せず）に記憶させておいたフッ酸希釈液の濃度−温度の相関から前記フッ化水素濃度が校正される。このように、フッ酸濃度が温度補償されることにより、導電率センサ５４が熱による影響を受けても、液体供給管１８内を流れるフッ酸希釈液の濃度が正確に測定されることとなる。
【００２３】
演算部５６において温度補償された濃度信号は、演算部５６から制御部６０へ送られ、制御部６０から出力される制御信号により、フッ酸供給管４２および純水供給管４４に介挿された各エアー操作弁４６、４８の開閉動作がそれぞれ制御される。そして、薬液タンク３２内のフッ酸希釈液３４の濃度が予め設定された濃度となるように、高濃度フッ酸および希釈用純水の各補充量がそれぞれ調整され、薬液タンク３２内において所定濃度のフッ酸希釈液が調製される。
【００２４】
また、液体供給管１８の、導電率センサ５４の上流側には、液体供給管１８内を流れるフッ酸希釈液中に存在する気泡を除去するための除泡器６２が介挿されている。除泡器６２としては、例えば、フィルタ（メッシュ）によって気泡の通過を阻止し、除去した気泡を系外へ排出するもの、液体に超音波を照射し、キャビテーションを発生させて気泡を会合させ、大きな気泡を形成させて分離するもの、サイクロンのように気泡と液体との慣性力の差を利用して気泡だけを分別するものなどが使用される。このような除泡器６２を導電率センサ５４の上流側に設置して、液体供給管１８内を流れるフッ酸希釈液中から気泡を除去することにより、導電率センサ５４を用いて測定されるフッ酸希釈液の濃度値がマイナス側へずれて誤差を生じる、といったことを防止することができ、濃度測定の精度を上げることができる。
【００２５】
次に、導電率センサ５４の構造、および、導電率センサ５４が取り付けられる液体供給管１８の取付用配管の構造について、図２ないし図６を参照しながら説明する。
【００２６】
図２の（ａ）は、導電率センサ５４の正面図を示し、図２の（ｂ）は、導電率センサ５４の側面図を示す。導電率センサ５４は、合成樹脂材、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材により一対の環状ソレノイド（図示せず）をモールドした構造であって、環状ソレノイドに相当するモールド部分に貫通孔６４が形成され、上端部にコネクタ６６を有している。
【００２７】
図３は、液体供給管の取付用配管に導電率センサを取着した状態を示す側面図であり、図４は、その正面図である。また、図５は、取付用配管および導電率センサを、取付用配管の軸線方向に沿って切断した状態を示す縦断面図であり、図６は、図５のVI−VI矢視断面図である。但し、図５においては、導電率センサの内部構造の図示を省略して簡略図化している。
【００２８】
取付用配管６８は、センサボディ部７０、センサキャップ部７２および前後一対の管接続部７４ａ、７４ｂの４つの部分で構成され、それらを連接し互いに接着して構成されている。取付用配管６８の４つの部分は、フッ酸に対して耐性を有する合成樹脂材、例えばＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）材によってそれぞれ形成され、金型成形および切削加工によりそれぞれ製作されている。
【００２９】
センサボディ部７０は、分離した２本の液流路７６ａ、７６ｂを形成する上・下の管状部７８ａ、７８ｂを有し、上・下の管状部７８ａ、７８ｂを、上下に一対の円形孔が形成された片方側の平板部８０で連結した構造を備えている。そして、導電率センサ５４の貫通孔６４に上側の管状部７８ａが嵌挿されて、センサボディ部７０に導電率センサ５４が取着されるようになっている。センサキャップ部７２は、上下に一対の円形孔が形成された平板部８２を有し、その平板部８２とセンサボディ部７０の平板部８０との間に導電率センサ５４を閉じ込めるように、センサボディ部７０の片方側に接着される。また、各管接続部７４ａ、７４ｂはそれぞれ、液体供給管１８に接続される管状部８４ａ、８４ｂを有し、気泡溜まりが発生しないように内面側角部に丸みを付けるように加工されている。そして、一方の管接続部７４ａが、センサボディ部７０の一方側に接着されたセンサキャップ部７２に、その開口面を閉塞するように接着され、他方の管接続部７４ｂが、センサボディ部７０の他方側に、その開口面を閉塞するように接着される。センサボディ部７０とセンサキャップ部７２との接着、センサキャップ部７２と一方の管接続部７４ａとの接着、および、センサボディ部７０と他方の管接続部７４ｂとの接着は、それぞれ専用治具を使用して各端面同士を３００℃程度の温度で加熱し溶融させることにより行われる。
【００３０】
導電率センサ５４による測定精度は、セル定数（電流流路長÷断面積）とトロイダルコイルの電界強度によって決まるが、導電率センサ５４が取着される取付配管６８は、図３ないし図６に示したようにコンパクトな形状・構造を有しているので、セル定数が極小化して、導電率センサ５４の感度が良好となる。
【００３１】
上記した実施形態では、演算部５６において温度補償された濃度信号が制御部６０へ送られ、制御部６０によって薬液タンク３２内のフッ酸希釈液３４の濃度が予め設定された濃度となるように、高濃度フッ酸および希釈用純水の各補充量がそれぞれ調整され、薬液タンク３２内において所定濃度のフッ酸希釈液が調製される構成としたが、以下のように構成するようにしてもよい。
基板Ｗの酸化膜質およびエッチング処理液撹拌条件が同じである場合において、薬液が一定温度で一定濃度であれば、エッチング量が一定となることから、上記実施形態では、温度補償するとともに濃度調整した結果、当該薬液濃度を一定とするようにしている。一方、薬液の温度は、装置的に温調されていても、季節によって約１℃〜２℃の変動がある。そして、処理槽１０における基板Ｗのエッチング量は、処理時における温度が高いほど大きくなる。特に、基板Ｗを薬液中に浸漬させて、薬液の供給を所定濃度で停止させ、所定時間の間、基板Ｗをエッチング処理する装置では、処理槽１０内の薬液の濃度がエッチング精度に影響する。すなわち、エッチング精度を高めるためには、温度変動に対応し、そのときの薬液濃度に応じて処理時間をコントロールすることが必要となる。
そこで、予め、時間経過による温度を一定にして薬液濃度を変化させたときのエッチング量と、薬液濃度を一定にして温度を変化させたときのエッチング量とを、実験によりそれぞれ測定して、検量線を作成しておく。装置は、温度測定器の検出部５８からの温度信号と、温度補償された濃度信号からエッチング処理時間を算出し、エッチング処理時間を制御するようにしてもよい。このようにすることで、より精度の高いエッチング処理を実現することが可能となる。
【００３２】
なお、上記した実施形態では、フッ酸希釈液の濃度を測定する場合を例にとって本発明を説明したが、この発明は、電磁誘導式導電率測定法によって濃度が測定される他の薬液、例えば塩酸、アンモニア水等を処理液とする装置にも適用することができる。また、上記実施形態では、液体供給管１８の、導電率センサ５４の上流側に温度測定器の検出部５８を配設したが、導電率センサ５４の下流側である、導電率センサ５４と処理槽１０との間に、温度測定器の検出部５８を配設するようにしてもよい。すなわち、温度測定器の検出部５８を導電率センサ５４と分離することにより、正確な温度測定が実行される。また、上記実施形態では、ワンバス方式の基板処理装置を例にとって本発明を説明したが、この発明は、各種の薬液槽および純水槽を連設した構成の浸漬式基板処理装置や基板を１枚ずつ処理する枚様式の基板処理装置などにも適用し得るものである。さらに、この発明は、ウェブ状の基板を連続走行させながら処理液を供給し基板に対して処理を施す装置についても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の１実施形態を示し、ワンバス方式の基板処理装置の全体を示す概略構成図である。
【図２】（ａ）は、図１に示した基板処理装置で使用される導電率センサの正面図であり、（ｂ）は、導電率センサの側面図である。
【図３】図２に示した導電率センサを液体供給管の取付用配管に取着した状態を示す側面図である。
【図４】同じく正面図である。
【図５】図２に示した導電率センサおよび取付用配管を、取付用配管の軸線方向に沿って切断した状態を示す縦断面図である。
【図６】図５のVI−VI矢視断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
Ｗ  基板
１０  処理槽
１８  液体供給管
２０  ミキサー
２２  純水供給管
３０  薬液供給管
３２  薬液タンク
３４  フッ酸希釈液
４２  フッ酸供給管
４４  希釈用純水の供給管
４６、４８  エアー操作弁
５２  窒素ガス供給管
５４  導電率センサ
５６  演算部
５８  温度測定器の検出部
６０  制御部
６２  除泡器
６４  取付用配管
【図１】
2005189207.tif 000003
【図２】
2005189207.tif 000004
【図３】
2005189207.tif 000005
【図４】
2005189207.tif 000006
【図５】
2005189207.tif 000007
【図６】
2005189207.tif 000008