(57)【要約】【課題】  全アレイに亘って均一に調節されたレーザ出力が可能で、かつ構造が繁雑でなく簡易に製造することのできる、半導体レーザアレイおよび半導体レーザアレイの製造方法を提供する。【解決手段】  複数の半導体レーザチップ（レーザダイオードＬＤ）１を組み合わせて直列接続することにより１つのユニットを構成し、このユニットを複数個、並列接続して半導体レーザアレイを構成する。各半導体レーザチップユニット２における複数個の半導体レーザチップ１は、半導体レーザチップ１の直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わされている。半導体レーザチップユニット２ごとに複数個の半導体レーザチップ１から均一化されたレーザ光が出力される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々にレーザ光を出力可能な複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続してなる半導体レーザチップユニットを、複数個、互いに並列に接続して構成されたユニット群と、
前記複数の半導体レーザチップユニットそれぞれに対して同一の駆動電圧を印加する電圧印加手段と
を備えたことを特徴とする半導体レーザアレイ。
【請求項２】
前記複数個の半導体レーザチップは、前記半導体レーザチップユニットごとに、個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、組み合わされている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ。
【請求項３】
前記直列結合動作電圧どうしの差が、当該半導体レーザアレイの有している全ての半導体レーザチップの組み合わせのなかで最小値となるような組み合わせに選択されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ。
【請求項４】
前記複数個の半導体レーザチップは、前記半導体レーザチップユニットごとに、同一の入力電流値で前記半導体レーザチップを駆動したときに、最小出力の半導体レーザチップの出力が、最大出力の半導体レーザチップの出力の１／２以上となるように、組み合わされている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザアレイ。
【請求項５】
前記半導体レーザチップが、配線パターン電極を有するサブマウント上に実装されており、
前記半導体レーザチップのチップ数よりも少ない数の駆動電源または駆動回路系を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ。
【請求項６】
個々にレーザ光を出力可能な複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続してなる半導体レーザチップユニットを、複数個、互いに並列に接続することにより半導体レーザアレイを製造する方法であって、
前記半導体レーザチップユニットそれぞれに含まれる複数個の半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップユニットごとで個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせる
ことを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法。
【請求項７】
前記直列結合動作電圧どうしの差が当該半導体レーザアレイの有している全ての半導体レーザチップの組み合わせのなかで最小値となるような組み合わせとなるように、前記半導体レーザチップを選択して組み合わせる
ことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザアレイの製造方法。
【請求項８】
前記半導体レーザチップユニットにおける複数個の半導体レーザチップを、同一の入力電流値で前記半導体レーザチップを駆動したときに、最小出力の半導体レーザチップの出力が、最大出力の半導体レーザチップの出力の１／２以上となるように、組み合わせる
ことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザアレイの製造方法。
【請求項９】
前記半導体レーザチップを、配線パターン電極を有するサブマウント上に実装し、前記半導体レーザチップのチップ数よりも少ない数の駆動電源または駆動回路系を付設する
ことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザチップを列設してなる半導体レーザアレイおよび半導体レーザアレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、いわゆる半導体レーザチップを列設して、半導体レーザアレイを構成する場合、図１０に一例を示したように、複数個の半導体レーザチップ１００をそのそれぞれが同一の順方向電圧が印加されるように並列接続して、単一電源１０１で駆動するという構造が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平９−１６７８７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような半導体レーザチップ１００を並列接続してなる半導体レーザアレイの場合、各チップには同一電圧が印加されるので、各チップの駆動電圧値が異なると、駆動電流が個々のチップごとに異なるものとなり、それぞれのチップからのレーザ（発光）出力が異なることとなってしまう。その結果、極めて使用し辛いものとなる虞が多かった。
【０００４】
このような不都合を解決することを企図して、全チップを独立駆動させる方法が提案されている。すなわち、この手法では、全てのチップのそれぞれに対して、各々独立した駆動電源（または駆動回路系）を用意して、個々のチップごとに、その駆動特性に応じた適正な（全チップで均一な）レーザ出力ができるようにする、というものである。
【０００５】
ところが、そのような全てのチップのそれぞれに対して各々独立した駆動電源を付与するためには、電極引き出し用の端子や配線やそれに接続される駆動電源等が、その全チップの個数分必要になるので、レーザアレイ装置の全体的な大型化および繁雑化、ならびに配線や電極等の回路構成や、その製造プロセスの煩雑化等が不可避なものとなり、延いては、レーザアレイ装置の製造時の歩留まりの低下や、製造コストの高額化などにも繋がるという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、全チップに亘って均一あるいは適切に調節されたレーザ出力が可能で、かつ構造が繁雑でなく簡易に製造することのできる、半導体レーザアレイおよび半導体レーザアレイの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体レーザアレイは、各々複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続して構成されると共に、互いに並列に接続された複数の半導体レーザチップユニットと、複数の半導体レーザチップユニットそれぞれに対して同一の駆動電圧を印加する電圧印加手段とを備えたものである。ここで、複数個の半導体レーザチップは、個々の半導体レーザチップユニットごとに、個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、組み合わされている。
【０００８】
本発明による半導体レーザアレイの製造方法は、個々にレーザ光を出力可能な複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続してなる半導体レーザチップユニットを、複数個、互いに並列に接続することにより半導体レーザアレイを製造する方法であって、半導体レーザチップユニットそれぞれに含まれる複数個の半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップユニットごとで個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせる、というものである。
【０００９】
本発明による半導体レーザアレイでは、複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続して１の半導体レーザチップユニットを構成し、この半導体レーザチップユニットが、複数個、並列に接続された構成を有しているので、全ての半導体レーザチップユニットに対して実質的に同一の駆動電圧が印加される。このとき、半導体レーザチップユニットごとに、それに含まれている個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせるようにすれば、それらの半導体レーザチップを組み合わせてなるレーザアレイによる出力特性は、個々の半導体レーザチップを単独で駆動してレーザを出力させた場合よりも、均一さの高い（出力差の小さい）ものとなる。
【００１０】
なお、そのようなレーザアレイとしての出力特性を、さらに均一なものとするためには、駆動電圧とレーザ出力の均一化との関係性に着目すると、上記の直列結合動作電圧どうしの差を、その半導体レーザアレイの有している全ての半導体レーザチップの組み合わせのなかで最小値となるような組み合わせに選択することが有効である。
【００１１】
あるいは、駆動電流とレーザ出力の均一化との関係性に着目すると、個々の半導体レーザチップユニットにおける複数個の半導体レーザチップの組み合わせは、同一の入力電流値で前記半導体レーザチップを駆動したときに、最小出力の半導体レーザチップの出力が、最大出力の半導体レーザチップの出力の１／２以上となる、ように設定することが有効である。
【００１２】
本発明による半導体レーザアレイの製造方法では、半導体レーザチップユニットごとに、それに含まれている個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせるようにしたので、それらの半導体レーザチップを組み合わせてなるレーザアレイによる出力特性は、個々の半導体レーザチップを単独で駆動してレーザを出力させた場合よりも、均一さの高い（出力差の小さい）ものとなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体レーザアレイによれば、複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続して１の半導体レーザチップユニットを構成し、この半導体レーザチップユニットを、複数個、並列に接続するようにしたので、半導体レーザチップユニットごとに、それに含まれている個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせるようにすることにより、それらの半導体レーザチップを組み合わせてなるレーザアレイによる出力特性を、個々の半導体レーザチップを単独で駆動してレーザを出力させた場合よりも、均一さの高い（出力差の小さい）ものとすることができる。よって、全アレイに亘って均一なレーザ出力を実現することができる。また、そのような簡易な構成は簡易に製造することのできるものとなっている。
【００１４】
本発明の半導体レーザアレイの製造方法によれば、個々にレーザ光を出力可能な複数個の半導体レーザチップを順方向に直列接続してなる半導体レーザチップユニットを、複数個、互いに並列に接続することにより半導体レーザアレイを製造するあたり、半導体レーザチップユニットそれぞれに含まれる複数個の半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップユニットごとで個々の半導体レーザチップの直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせるようにしたので、レーザアレイによる出力特性を、個々の半導体レーザチップを単独で駆動してレーザを出力させた場合よりも、均一さの高い（出力差の小さい）ものとすることができる、全アレイに亘って均一なレーザ出力を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明一実施の形態に係る半導体レーザアレイの回路構成図である。この半導体レーザアレイは、複数の半導体レーザチップ（レーザダイオードＬＤ）１を組み合わせて直列接続することで１つの半導体レーザチップユニット２とし、更に、このユニットを複数個、並列接続して構成したものである。
【００１７】
ここでは、例えば、２個の半導体レーザチップ１を直列接続して、これを半導体レーザチップユニット２とする。この半導体レーザチップユニット２を複数個配列形成し、それらの全てを直流電源１０の正電極１０ａと負電極１０ｂとの間で並列接続する。このように並立接続された半導体レーザチップユニット群により、この半導体レーザアレイの主要部が構成されている。
【００１８】
本実施の形態では、個々の半導体レーザチップユニット２ごとで、それに含まれている個々の半導体レーザチップ１の直列結合動作電圧どうしの差が個々の半導体レーザチップ１それぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わせるようにしている。
【００１９】
更に、この組み合わせは、駆動電圧とレーザ出力の均一化との関係性に着目して、直列結合動作電圧どうしの差が、その半導体レーザアレイの有している全ての半導体レーザチップ１の組み合わせのなかで最小値となるように選択されている。
【００２０】
また、駆動電流とレーザ出力の均一化との関係性に着目して、個々の半導体レーザチップユニット２における複数個の半導体レーザチップ１の組み合わせを、同一の入力電流値で前記半導体レーザチップを駆動したときに、最小出力の半導体レーザチップの出力（Ｐmin ）が、最大出力の半導体レーザチップの出力（Ｐmax ）の１／２以上となるように設定されている。
【００２１】
このような構成により、本実施の形態では、半導体レーザチップ１を組み合わせてなるレーザアレイによる出力特性を、個々の半導体レーザチップ１を単独で駆動してレーザ光を出力させた場合よりも、むしろ均一さの高い（出力差の小さい）ものとすることが可能となっている。また、そのような均一さの高いレーザ光の出力を行うことが可能な半導体レーザアレイを、単一電源で駆動することができるようになっている。
【００２２】
これは、例えば、図２に示したような半導体レーザチップ１の選択・組合せによって、実現することができる。いま、全部で１２個の半導体レーザチップ１（ＬＤチップ）を用いて半導体レーザアレイを構成する場合についてを、一例として考える。
【００２３】
図２では、駆動電圧値を縦軸にプロットしているが、その平均駆動電圧値（ＡＶ．）は、ほぼ中央に太線で示している。この場合、全ての半導体レーザチップ１の駆動電圧値は、この平均駆動電圧を示す太線の上下でほぼ同数分布することになる。なお、製造ロットごとでプロセス条件の偏り等があることに起因して半導体レーザチップ１の統計的な特性が特異で、ガウス分布に従わないような場合もあり得るが、そのような場合はここでは除外する。
【００２４】
ここで、まず、最も＋（プラス；正電圧）側にずれた駆動電圧特性を有する半導体レーザチップ１（例えばｉ）は、最も−（マイナス；負電圧）側にずれた駆動電圧特性を有する半導体レーザチップ１（例えばｆ）と組み合わされて１つのユニットとされる。
【００２５】
次に、２番目に＋側にずれた駆動電圧特性を有する半導体レーザチップ１（例えばｇ）を、２番目に−側にずれた駆動電圧特性を有する半導体レーザチップ１（例えばｊ）と組み合わせて１つのユニットにする。
【００２６】
このような組み合わせを繰り返して個々のユニットを作って行くことで、その個々のユニットごとでは、駆動電圧の和の１／２（すなわち１つのユニット内でのレーザ出力の平均）は、グラフ中の太線で示したＡＶ．値に近似したものとなる。これは、最初の駆動電圧差ΔＶｏｐと比較して、平均駆動電圧値との差異が顕著に減少したものとなっている。
【００２７】
また、２個の半導体レーザチップ１のペアで１つのユニットを構成するだけでは、まだ駆動電圧特性（駆動電圧に対するレーザ出力のばらつき）の差異が十分満足できるほどの小さなものにまで抑えられないような場合には、１つのユニットを構成する半導体レーザチップ１の個数を、例えば図３に示したように４個とするなど、さらに多数個で１つの半導体レーザチップユニット２を構成することが有効である。
【００２８】
上述したような半導体レーザチップ１のペアリング（組み合わせ）の手法は一例に過ぎないのであって、その他にも種々の手法が可能である。例えば、現在ではいわゆるパーソナルコンピュータ（パソコン）のような簡易な操作によって必要十分な情報処理を行うことができる情報処理装置が普及しているので、この半導体レーザアレイに用いる予定の全ての半導体レーザチップ１の駆動電圧値をデータとして取り入れておき、あらゆる可能な組み合わせを、２個／ユニット，３個／ユニット，４個／ユニット等で、レーザ出力の差異が最小になるように選ぶことを短時間で簡易に行うことが可能である。
【００２９】
あるいは、半導体レーザアレイに用いる予定の全ての半導体レーザチップ１の出力特性を母集団とすると、この母集団の統計的な分布特性がガウス分布から著しく離れていて、例えば特別に異常な電圧特性を持った半導体レーザチップ１が存在しているといった場合には、その半導体レーザチップ１を除外して、できるだけガウス分布に近い新たな母集団を選択することなどにより、最小電圧差異の組み合わせを実現することが可能になる。
【００３０】
図８は、そのような手法の主要な流れの一例を表した図である。まず、母集団のＬ−Ｉ特性を調べて駆動電流値分布を得る（ステップＳ１）。
【００３１】
続いて、ある駆動電流値Ｉｏｐを設定し、その近傍のサンプル（半導体レーザチップ１）を選ぶ（ステップＳ２）。そしてＩｏｐでの光出力が最大出力値（Ｐmax ）／２＜最小出力値（Ｐmin ）を満たすか否かを判別し、満たしているものを選別する（ステップＳ３；Ｙ）。満たしていない場合（ステップＳ３；Ｎ）には、駆動電流値Ｉｏｐの範囲を狭くしてサンプルを再選別して再度出力値の判別を行う（ステップＳ３）。次いで、選別されたサンプルの駆動電圧特性を計測し、そのＶｏｐ分布を得る（ステップＳ５）。このとき、ガウス分布から顕著に外れるサンプルは除外する（ステップＳ６）。
【００３２】
次いで、母集団中で最も高いＶｏｐと最も低いＶｏｐのサンプルを組み合わせる（ステップＳ７）。続いて、次位に高いＶｏｐと次位に低いＶｏｐのサンプルを組み合わせる  （ステップＳ８）。こうして選ばれたサンプルの個数が、アレイを構成する各ユニット当りに用いられる半導体レーザチップ１の個数を満たすまで、この選択および組み合わせを行う（ステップＳ９；Ｎ〜ステップＳ８…Ｓ９；Ｙまで反復継続）。
【００３３】
さらに、組み合わせたサンプルのＶｏｐ和の差分が、例えば０．２［Ｖ］のような所定の許容誤差範囲内に入っていれば（ステップＳ１０；Ｙ）、組み合わせ選別プロセスを完了する。ここで、所定の許容誤差範囲内に入っていなけれれば（ステップＳ１０；Ｎ）、設定Ｉｏｐを変更して、再選別を行う（ステップＳ１１〜Ｓ３〜以降の繰り返し）。このようにして、選別・組み合わせを行うことができる。
【００３４】
なお、図８に示した流れの途中で、Ｖｏｐに基づいて選別・組み合わせを行うに際して、図９に示したように、母集団の全Ｖｏｐを例えばパソコンの表計算ソフトに入力するなどして、そのとき可能な全での組み合わせについての和のＶｏｐを計算し（ステップＳ２７）、その和のＶｏｐの平均からの差分が例えば±０．１［Ｖ］のような所定値未満のサンプルの組み合わせを選別する（ステップＳ２８）ようにしてもよい。
【００３５】
次に、上記の駆動電流値をできるだけ合わせる選別方法について説明する。
【００３６】
１ユニット内では、複数個の半導体レーザチップ１が直列接続されているので、その全ての半導体レーザチップ１は同じ電流値で駆動される。このため、個々の半導体レーザチップ１どうしの駆動電流特性が大幅に異なっていると、その個々の半導体レーザチップ１からのレーザ出力は、大幅に異なった強さのものととなってしまう。
【００３７】
そこで、そのようなレーザ出力のばらつきという実用上の不都合を回避または解消するために、同一駆動電流値（Ｉｏｐ）での最大出力（Ｐmax ）と最小出力（Ｐmin ）との関係を、最小出力が最大出力の半分以内になるように半導体レーザチップ１を選択し、組み合わせるようにする。これは、半導体レーザアレイを用いたレーザ加工やディスプレイデバイスなどの応用分野で有効な手法となる。
【００３８】
具体的には、この基準則を満たす駆動電流値の範囲（ΔＩｏｐ）は、個々の半導体レーザチップ１のＬ−Ｉ特性から決定することができる。図４に示した一例に則して述べると、この場合には、図４に５本の直線で示したＬ−Ｉ特性のうち、中央の３本の太線で示したＬ−Ｉ特性を有する３つの半導体レーザチップ１が、上記の基準則を満たすものであるので、選択可能である。
【００３９】
図５は、半導体レーザチップ１を母集団とする駆動電流分布の統計的な分布を表したものである。このようなガウス分布的な母集団の場合、ピーク分布を有する中央付近から必要チップ数をΔＩｏｐ以内で選別して行く、という選択を、その駆動電流の差異がΔＩｏｐから外れるまで繰り返せばよい。但しここで、どのように選択しても駆動電流分布がΔＩｏｐを超えてしまう場合（そのようなサンプルしか得られない場合）には、このような手法を用いることはできないことはいうまでもない。
【００４０】
実際には、選別の順序は、まず、電流選別を行った後に電圧での選択を行うほうがよい。何故ならば、電流を無視して電圧に着目した選択を行っても、それによって選択された半導体レーザチップ１どうしの電流特性が近似している可能性は低いからである。
【００４１】
図６は、サブマウント上にパターン電極等を形成し、各半導体レーザチップを実装することで、図１に示した回路構成を具現化した場合の一例を表したものである。
【００４２】
サブマウント３としては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）や、ＳｉＣ（炭化シリコン）や、ＷＣｕ（銅タングステン）などを好適に用いることが可能である。
【００４３】
このサブマウント３は、例えばＣｕ（銅）などの材料からなる板体状のヒートシンク４上にダイボンディングされて、例えばヒートシンクステムに形成されている＋端子および−端子（いずれも図示省略）に、太いワイヤリング（あるいはジャンパ線）５ａ，５ｂ等によって接続される。
【００４４】
そのサブマウント３の表面に、例えばＡｕ（金）などでパターン電極６ａ，６ｂや配線等を、蒸着法やエッチング法などによって形成する。そのパターン電極６ａ，６ｂ等の上に半田を介して半導体レーザチップ１をダイボンディングする。そして、Ａｕ（金）ワイヤ７などを用いたワイヤボンディングを行って、図７の斜視図に示したような具体的な半導体レーザアレイが作製される。
【００４５】
このように構成された半導体レーザアレイは、単一の直流電源１０で駆動することができるので、装置全体としての構成が極めて簡易なものとなる。あるいは、ユニットごとの独立駆動を行う場合には、それに対応する接続端子（図示省略）をそれぞれのユニットから引き出すように形成することで可能となる。
【００４６】
このように、本実施の形態に係る半導体レーザアレイおよびその製造方法では、大幅な駆動電圧差が生じる虞のある、例えばＧａＮ系のブルーレーザを用いて高出力な半導体レーザアレイを作製する場合、その実効的な差異を少なくすることが可能となるので、下記のような利点を得ることができる。すなわち、
（１）１台の駆動電源または駆動回路系で、半導体レーザアレイを均一な出力特性で駆動することができる。
（２）特別のチップ（例えば駆動電圧の低いチップ）にのみ強い電流が流れ、そのチップを酷使することがないため、アレイレーザ全体の寿命を延ばすことができる。
（３）各半導体レーザチップ１から発光されるレーザ光の出力差異を均等化することができるため、光量むらの発生を抑制ないしは解消することができる。
（４）その製造方法および構造が簡易であるので、従来の一般的な半導体レーザアレイおよびその製造方法では使用不可として処理されていたものでも使用することが可能になる。よって、この半導体レーザアレイの製造時における半導体レーザチップ１に起因した歩留まりを向上させることができる。
（５）特別な工程コストがかからないため、前述のような歩留まりの向上と相俟って、この半導体レーザアレイの全体的な製造コストの低廉化が可能となる。
（６）本実施の形態に係る製造方法（特に半導体レーザチップ１の選択・組合せ方法）は、あらゆる波長・材料の半導体レーザチップ１に適応することが可能なので、その応用範囲が極めて広い。
【００４７】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は、上記のような実施の形態のみには限定されず、種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、半導体レーザチップ１をアレイ状に並べてハイブリッド実装してなる、あるいは各種波長の半導体レーザチップ１をアレイ状に並べてそれらを同時もしくはグループ別に光らせるようにした構造を半導体レーザチップ１およびサブマウントならびにサブマウント上のパターン化された電極によって構成してなる、いわゆるハイブリッドレーザアレイなどに好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザアレイの回路構成図である。
【図２】駆動電圧に着目した、半導体レーザチップ（ＬＤ）の選択・組合せの手法を模式的に表した図である。
【図３】４個の半導体レーザチップで１つのユニットを構成するようにした場合の一例を表した図である。
【図４】駆動電流に着目した、半導体レーザチップ（ＬＤ）の選択・組合せの手法を模式的に表した図である。
【図５】半導体レーザチップ１を母集団とする駆動電流分布の統計的な分布を表した図である。
【図６】図１に示した回路構成を具現化した場合の一例を表した図である。
【図７】な半導体レーザアレイの主要部の構成を表した斜視図である。
【図８】各ユニットごとの半導体レーザチップの選別・組合せの手法の主要な流れの一例を表した図である。
【図９】半導体レーザチップの選別・組合せの手法の主要な流れの、他の一例を表した図である。
【図１０】従来の半導体レーザアレイの回路構成の一例を表した図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…半導体レーザチップ、２…半導体レーザチップユニット、３…サブマウント、４…ヒートシンク、５…ワイヤリング、６…パターン電極、７…Ａｕワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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